【事件の表示】
　平成１１年特許願第１１１２３９号「半導体膜表面の平坦化方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１０月３１日出願公開、特開２０００−３０１４５６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１１年４月１９日の出願であって、平成１５年１０月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月４日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１２月２４日付けで明細書を補正対象書類とする手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされたものである。
２．本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「ＭＯＣＶＤ法、近接昇華法、または、ペースト印刷・焼成法で成膜された、凹凸を有するＣｄＴｅまたはＣｄＺｎＴｅからなる多結晶性の半導体膜表面に、粒径が♯１０００〜♯４０００であるセラミック粒子を吹き付けることにより上記半導体膜表面を平坦化することを特徴とする半導体膜表面の平坦化方法。」
と、補正された。
　上記補正は、請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「凹凸を有する多結晶性の半導体膜表面」について「ＭＯＣＶＤ法、近接昇華法、または、ペースト印刷・焼成法で成膜された」「ＣｄＴｅまたはＣｄＺｎＴｅからなる」との限定を付加するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平６−６３８６６号公報（以下「引用例」という。）には、図面とともに、
「【００１８】
　次に、このような構成による動作を説明する。まず、気体供給管２には１〜１０ｋｇ／ｃｍ２の高圧気体１４、例えば空気、ドライ窒素等を供給する。また、パウダー供給管４にはパウダーを含む固気２相流１５を供給する。この固気２相流１５に用いる気体としては高圧気体１４と同様に空気、ドライ窒素等を用い、その圧力としては１〜１．３ｋｇ／ｃｍ２とした。また、パウダーとしは被加工物１３の表面にエッチングを施す場合には、１〜１５μｍの粒径のＡｌ２Ｏ３、ＳｉＣ等を用いるようにし、デポジションを施す場合には、０．０１〜１μｍの粒径のＡｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４等を用いた。」（段落【００１８】。）
「【００２１】
　このようにして均一に分散した固気２相混合流１６を固気２相混合流室体１の下部に開口した噴射口６からビーム状に高速噴射して被加工物１３の表面にエッチングとデポジションを施すことができる。
【００２２】
　図２及び図５は被加工物１３の表面に薄膜１７を形成するためにデポジションを施したパウダービームデポジションの方法とその装置を説明した図であるが、パウダービームエッチングの場合にも、図面は省略するが、前記のエッチング条件を与えることにより、被加工物１３を研磨、切断、溝穴加工、面取り加工等の微細加工を行うことができる。」（段落【００２１】，【００２２】。）
との記載が認められる。
　以上の記載によれば引用例には、
「被加工物表面に１〜１５μｍの粒径のＡｌ２Ｏ３、ＳｉＣ等を噴出することにより、被加工物１３の表面にエッチングを施し、被加工物１３を研磨する方法。」
との発明（以下、「引用例発明」という。）が開示されていると認められる。
（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用例発明とを比較すると、引用例発明の「Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ等」は、本願補正発明の「セラミック」に相当し、同様に、「噴射」は「吹き付け」に相当し、「研磨」は「平坦化」のための一手法であるから、両者は、
「凹凸を有する表面に、セラミック粒子を吹き付けることにより上記表面を平坦化する表面の平坦化方法。」
の点で一致し、以下の点で相違している。
［相違点１］
　本願補正発明では、吹き付ける粒子の粒径が♯１０００〜♯４０００であるのに対し、引用例発明では粒径は１〜１５μｍである点。
［相違点２］
　本願補正発明では平坦化される表面が、「ＭＯＣＶＤ法、近接昇華法、または、ペースト印刷・焼成法で成膜された、ＣｄＴｅまたはＣｄＺｎＴｅからなる多結晶性の半導体膜表面」であるのに対し、引用例発明ではそのようなものではない点。
（４）判断
［相違点１］について
　ＪＩＳ　Ｒ　６００１「研削といし用研磨材の粒度」の表８によれば、粒度＃１０００の精密研磨用微粉は、２７μｍ以下〜７．０μｍ以上（累積高さ３％点の粒子径（ｄｖ−３値）〜累積高さ９４％点の粒子径（ｄｖ−９４値））に粒子径が分布する研磨用微粉として、同様に粒度＃４０００の精密研磨用微粉は、８．０μｍ以下〜１．３μｍ以上の粒子径の研磨用微粉として、それぞれ定義されているものである。
　これにより、粒度＃１０００〜＃４０００とは、粒子径で表せば、２７μｍ以下〜１．３μｍ以上ということができ、引用例発明の粒子の粒径、１〜１５μｍは、この範囲に概ね含まれている。
　そして、本願補正発明が＃１０００〜＃４０００の粒子を用いたことの臨界的意義は見いだせず、それぞれの番手の研磨用粒子自体も、上記ＪＩＳにも定められているとおり、周知のものである。
　してみると、引用例発明において、１〜１５μｍ粒径の粒子を、従来周知な番手で表現し、＃１０００〜＃４０００に含まれる番手のものとすることは、当業者にとって、容易に想到し得たものである。
［相違点２］について
　ＭＯＣＶＤ法、近接昇華法、または、ペースト印刷・焼成法で成膜された、ＣｄＴｅまたはＣｄＺｎＴｅからなる多結晶性の半導体膜表面は、出願人も、本願明細書において述べているように、従来周知のもの（必要ならば、特開平９−１８１０００号公報参照。）であり、そのような表面が凹凸を有すると、半導体膜上に電荷阻止層や電極層を形成する場合、半導体膜と電荷阻止層との界面で理想的な接合が得られないために充分な電荷阻止効果が得られなかったり、半導体膜表面上で電荷阻止層や電極層の微細加工を行うことが困難になるといった一般的な問題があるならば、半導体膜表面を平坦化すればよいことは自明なことであり、また、引用例発明の平坦化方法を半導体膜表面の平坦化に適用するにあたっての阻害要件も、なんら見いだせない。
　してみれば、引用例発明において、その平坦化する表面を、ＭＯＣＶＤ法、近接昇華法、または、ペースト印刷・焼成法で成膜された、ＣｄＴｅまたはＣｄＺｎＴｅからなる多結晶性の半導体膜表面とすることは、必要に応じて適宜なし得る設計的事項というべきものであり、当業者にとって、容易に想到し得たものである。
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用例に記載された発明から当業者が予測できる範囲のものである。
　したがって、本願補正発明は、引用例発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
３．本願発明について
（１）本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし３に係る発明は、平成１５年１０月１４日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「凹凸を有する多結晶性の半導体膜表面に、粒径が♯１０００〜♯４０００であるセラミック粒子を吹き付けることにより上記半導体膜表面を平坦化することを特徴とする半導体膜表面の平坦化方法。」
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、および、その記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
（３）対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から「半導体膜表面」の限定事項である「ＭＯＣＶＤ法、近接昇華法、または、ペースト印刷・焼成法で成膜された」、および、「ＣｄＴｅまたはＣｄＺｎＴｅからなる」との発明特定事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の発明特定事項を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、引用例発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、請求項２に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。