Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月21日(2014.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機物質の水性高固体懸濁液を製造する方法であって、以下のステップ：
ａ）少なくとも１種の無機物質を提供するステップ、
ｂ）ステップａ）の少なくとも１種の無機物質を含む水性懸濁液を調製するステップ、
ｃ）ステップｂ）の得られた水性懸濁液の無機物質を粉砕するステップ、
ｄ）ステップｃ）の粉砕無機物質の水性懸濁液を、フラッシュ冷却によって濃縮するステップ、を含み、
−少なくとも１種の分散剤はステップｂ）の水性懸濁液に添加され、この場合に前記少なくとも１種の分散剤は、粉砕ステップｃ）の前に全部添加される、または粉砕ステップｃ）の前および間に段階的に添加される、または粉砕ステップｃ）の前および間ならびに／もしくは後に段階的に添加され、前記少なくとも１種の分散剤は、ポリカルボン酸（アクリル酸、メタクリル酸またはマレイン酸など）のホモポリマーまたはコポリマー、および／またはこれらの塩（例えばナトリウム、リチウム、カリウム、アンモニウム、カルシウム、マグネシウム、ストロンチウムおよび／もしくはアルミニウム、またはこれらの混合物、好ましくはナトリウム、カルシウムおよびマグネシウムで部分的もしくは完全に中和された酸の塩）、またはこのような酸の誘導体（例えばアクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸をベースとするエステル、例えばアクリルアミド、もしくはメタクリル酸メチルなどのアクリル酸エステルまたはこれらの混合物）、ポリリン酸アルカリ、またはこれらの混合物を含む群から独立して選択され、
−ステップｄ）後に得られた水性懸濁液の最終固体含量は、７９ｗｔ％〜８５ｗｔ％であることを特徴とする、前記方法。
【請求項２】
少なくとも１種の無機物質が、大理石、チョーク、石灰石などの天然炭酸カルシウム（ＧＣＣ）、アラゴナイトＰＣＣ、バテライトＰＣＣおよび／またはカルサイトＰＣＣ、とりわけ角柱状ＰＣＣ、菱面体状ＰＣＣまたは紡錘状ＰＣＣなどの沈降炭酸カルシウム（ＰＣＣ）、表面改質炭酸カルシウム、ドロマイト、タルク、ベントナイト、粘土、マグネサイト、サチンホワイト、セピオライト、ハンタイト、珪藻土、ケイ酸塩およびこれらの混合物を含む群から選択されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ステップａ）における、少なくとも１種の無機物質粒子の４０ｗｔ％〜８５ｗｔ％が、１０μｍ未満の等価球径を有することを特徴とする、請求項１または２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４】
ステップｄ）前の水性懸濁液が、懸濁液の総重量基準で７０ｗｔ％超〜８０ｗｔ％の固体含量を有することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
粉砕ステップｃ）の前に、またはステップｃ）の前および間に、または粉砕ステップｃ）の前および間ならびに／もしくは後に添加される少なくとも１種の分散剤の総量が、無機物質の乾燥重量基準で約０．０１ｗｔ％〜１．２５ｗｔ％、好ましくは０．０５ｗｔ％〜１ｗｔ％、より好ましくは０．１ｗｔ％〜０．７ｗｔ％、最も好ましくは０．３ｗｔ％〜０．５ｗｔ％であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
少なくとも１種の分散剤の分子量Ｍｗが、１０００ｇ／ｍｏｌ〜１５０００ｇ／ｍｏｌの範囲であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ステップｃ）の前、間、または後であるがステップｄ）の前に、少なくとも１種のアルカリ土類酸化物および／または水酸化物、好ましくは石灰および／または焼成ドロマイトが、ステップｂ）の水性懸濁液に添加されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
アルカリ土類酸化物および／または水酸化物が、無機物質の乾燥重量基準で、約０．００１ｗｔ％〜０．１ｗｔ％の量で添加されることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ステップｃ）が数回実施されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも１種の無機物質粒子の２０ｗｔ％〜７０ｗｔ％が、ステップｃ）後に２μｍ未満の粒子サイズを有することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも１種の無機物質粒子の１０ｗｔ％〜９０ｗｔ％が、ステップｃ）後に１μｍ未満の粒子サイズを有することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
粉砕ステップｃ）の後、粉砕無機物質の水性懸濁液が、例えばふるい分け、ろ過または遠心分離による分離ステップに供されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
ステップｄ）において、熱が供給されて水性懸濁液から水を蒸発させ、前記熱が、先行する粉砕ステップｃ）によって発生する、または外部から供給されることを特徴とする、
請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
フラッシュ冷却器の入り口における水性懸濁液の温度が７０℃〜１０５℃であり、フラッシュ冷却器の出口においては６０℃未満〜３０℃であることを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
ステップｄ）において、水性懸濁液が減圧にさらされる、好ましくは２００ｍｂａｒ〜５００ｍｂａｒの圧力にさらされることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
ステップｄ）後に得られた水性懸濁液の最終固体含量が、７９．５ｗｔ％〜８４ｗｔ％であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
ステップｄ）後の水性懸濁液の最終固体含量が、ステップｂ）で得られた水性懸濁液の初期固体含量よりも少なくとも１ｗｔ％高いことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
１００ｒｐｍで１分間撹拌した後、２３℃で測定した、ステップｄ）後の最終水性懸濁液のＢｒｏｏｋｆｉｅｌｄ粘度が、５０ｍＰａ・ｓ〜１０００ｍＰａ・ｓであることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれか一項に記載の方法によって得られた無機物質の水性高固体懸濁液。
【請求項２０】
紙、紙コーティング用色素、塗料およびプラスチックにおける、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の方法によって得られた無機物質の水性高固体懸濁液の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月9日(2014.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）：
【化１】
2013528232.tif 000001
（式中、ＣＴは共役電荷輸送基を表し、Ａｒは、それぞれ独立して、無置換の又は置換されているアリールまたはヘテロアリール基を表し、ｑは少なくとも１であり、Ｓｐはそれぞれ独立して、ＡｒとＣＴとの間の共役を遮断するスペーサ基を表す）の繰り返し単位を含むポリマー及び少なくとも一つのリン光発光ドーパントを含む組成物。
【請求項２】
ＣＴが正孔輸送基を表す、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
ＣＴが２．９ｅＶ以下の電子親和力と５．８ｅＶ以下のイオン化ポテンシャルをもつ正孔輸送基を表す、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
ＣＴが無置換の又は置換されているアリールアミン基を表す、請求項２又は３に記載の組成物。
【請求項５】
ＣＴが式（Ｖ）で表される基：
【化２】
2013528232.tif 000002
（式中、Ａｒ１及びＡｒ２はいずれの場合にも独立して、無置換の又は置換されているアリールまたはヘテロアリール基から選択され、ｎは１以上であり、Ｒはいずれの場合にも同一または異なり、Ｈまたは置換基であり、ｘ及びｙはそれぞれ独立して１、２または３であり、Ａｒ１、Ａｒ２及びＲのいずれも直接結合または二価結合基によって結合していてもよい）を表す、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
ＣＴは電子輸送基を表す、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
ＣＴは３．０ｅＶ以上の電子親和力と、５．８ｅＶ以上のイオン化ポテンシャルとをもつ電子輸送基を表す、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
ＣＴがヘテロアリール基を含む、請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
ＣＴが式（ＩＩ）：
【化３】
2013528232.tif 000003
（式中、Ａｒ１及びＡｒ２は請求項５に定義の通りであり、ｒは少なくとも１であり、Ｈｅｔは高い電子親和力と高いイオン化ポテンシャルをもつ無置換の又は置換されているヘテロアリール基を表す）の基を表す、請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
Ｓｐはそれぞれ独立してアルキル鎖を表し、ここで一つ以上の隣接しないＣ原子はＯ、Ｓ、Ｎ、Ｃ＝Ｏ及び−ＣＯＯ−で置き換えられていてもよく、ここで一つ以上のＨ原子はＦで置き換えられていてもよく、ここでアルキル鎖の中の一つ以上の末端でない炭素原子は無置換の又は置換されているアリーレンまたはヘテロアリーレンで置き換えられていてもよい、請求項１〜９のいずれかに記載の組成物。
【請求項１１】
（Ａｒ）ｑがそれぞれ独立して無置換の又は置換されているフェニレン、フルオレンまたはピリジンを表す、請求項１〜１０のいずれかに記載の組成物。
【請求項１２】
式（Ｉａ）：
【化４】
2013528232.tif 000004
の繰り返し単位を含む、請求項１〜１１のいずれかに記載の組成物。
【請求項１３】
少なくとも三つの結合位置をもつ繰り返し単位を含み、前記繰り返し単位は式（Ｉ）に従う繰り返し単位ではない、請求項１〜１２のいずれかに記載の組成物。
【請求項１４】
少なくとも一つの発光ドーパントはポリマーの主鎖に結合しているか、またはポリマーの側鎖または末端基として結合している、請求項１〜１３のいずれかに記載の組成物。
【請求項１５】
アノード、カソードと、前記アノードとカソードとの間の発光層とを含む有機発光デバイスであって、前記発光層は請求項１〜１４のいずれかに記載の組成物を含む、有機発光デバイス。
【請求項１６】
式（Ｉｂ）：
【化５】
2013528232.tif 000005
（式中、ＣＴは共役電荷輸送基を表し、Ａｒはそれぞれ独立して無置換の又は置換されているアリールまたはヘテロアリール基を表し、ｑはそれぞれ独立して少なくとも１であり、ｐは少なくとも２であり、Ｘはそれぞれ独立して金属−挿入反応に適した基を表し、Ｓｐはそれぞれ独立してＡｒとＣＴとの間の共役を遮断するスペーサ基を表す）のモノマー。
【請求項１７】
Ｘがそれぞれ独立してハロゲン、ボロン酸、無置換の又は置換されているボロン酸エステル及び無置換の又は置換されているスルホン酸エステルから選択される、請求項１６に記載のモノマー。
【請求項１８】
Ｘに結合している末端Ａｒ基が置換されている、請求項１６または１７に記載のモノマー。
【請求項１９】
請求項１６〜１８のいずれかに記載のモノマーを重合する段階を含む、ポリマーを製造する方法。
【請求項２０】
前記モノマーと、無置換の又は置換されているアリーレンまたはヘテロアリーレンコモノマーとを重合する、請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月11日(2014.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それを必要としている雌に分娩を誘発するための医薬の製造におけるミソプロストールの使用であって、
前記医薬は前記雌に、ジイソシアネート、トリオールおよびポリエチレングリコールの架橋反応生成物を含む膣挿入物として適用され、前記挿入物は２００ｍｃｇミソプロストールを含み、
前記雌における経腟出産までの時間は、Ｃｅｒｖｉｄｉｌ挿入物を用いて分娩誘発した雌と比較して短縮する、
前記使用。
【請求項２】
経腟出産の可能性も高める、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
それを必要としている雌に分娩を誘発するための医薬の製造におけるミソプロストールの使用であって、
前記医薬は前記雌に、ジイソシアネート、トリオールおよびポリエチレングリコールの架橋反応生成物を含む膣挿入物として適用され、前記挿入物は２００ｍｃｇミソプロストールを含み、
前記雌における帝王切開出産の可能性は、Ｃｅｒｖｉｄｉｌ挿入物を用いて分娩誘発した雌と比較して減少する、
前記使用。
【請求項４】
帝王切開出産までの時間も短縮する、請求項３に記載の使用。
【請求項５】
前記雌は経産である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の使用。
【請求項６】
前記雌は未経産である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の使用。
【請求項７】
分娩の誘発は子宮頸部の熟化を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の使用。
【請求項８】
本陣痛の発来までの時間も短縮する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の使用。
【請求項９】
オキシトシンを必要とする雌のリスクも低下させる、請求項１〜８のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１０】
ミソプロストールが８ｍｃｇ／ｈｒ±２ｍｃｇ／ｈｒの調節された速度で投与される、請求項１〜９のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１１】
前記雌から生まれる新生児における抗生物質の使用も減少させる、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１２】
前記雌の満期での抗生物質の使用も減少される、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１３】
雌における改善された分娩誘発をもたらすための医薬の製造におけるミソプロストールの使用であって、
前記医薬は前記雌に、ジイソシアネート、トリオールおよびポリエチレングリコールの架橋反応生成物を含む膣挿入物として適用され、前記挿入物は２００ｍｃｇミソプロストールを含み、
前記分娩誘発は、Ｃｅｒｖｉｄｉｌ挿入物を用いて分娩誘発した雌と比較して改善する、
前記使用。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月19日(2014.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
・道路と接触することを意図する少なくとも１つの半径方向外側部分(３a)を備えたトレッド(３)を含むクラウン(２)；
・２つの非伸張性ビード(４)、これらのビード(４)をトレッド(３)に連結している２つの側壁(５)、２つの側壁(５)内に入り込み、各ビード(４)内に固定されているカーカス補強材(６)；
・トレッド(３)の前記半径方向外側部分(３a)と前記カーカス補強材(６)の間に円周方向に配置されたクラウン補強材即ちベルト(７)；
・“内部クラウン層”と称し、その配合がトレッド(３)の前記半径方向外側部分(３a)の配合と異なり、この内部クラウン層自体は前記トレッド(３)の半径方向外側部分(３a)と前記カーカス補強材(６)の間に円周方向に配置されているところの半径方向内側エラストマー層(８)；
を含む自動車用のラジアルタイヤ(１)であって、
前記内部クラウン層(８)が、50〜100phrの、スチレンとブタジエンをベースとし−10℃よりも高いガラス転移温度を有するコポリマー、補強用充填剤および架橋系を含むゴム組成物を含むことを特徴とする前記ラジアルタイヤ(１)。
【請求項２】
スチレンとブタジエンをベースとする前記コポリマーが、スチレン/ブタジエンコポリマー、スチレン/ブタジエン/イソプレンコポリマー、およびそのようなコポリマーのブレンドからなる群から選ばれる、請求項１記載のタイヤ。
【請求項３】
スチレンとブタジエンをベースとする前記コポリマーが、スチレン/ブタジエンコポリマーである、請求項２記載のタイヤ。
【請求項４】
スチレンとブタジエンをベースとする前記コポリマーが、0℃よりも高いガラス転移温度を有する、請求項１〜３のいずれか１項記載のタイヤ。
【請求項５】
スチレンとブタジエンをベースとする前記コポリマーを、50phrよりも多くない、スチレンとブタジエンをベースとする前記コポリマーとは異なる少なくとも１種の第２ジエンエラストマーとの混合物として使用し、
前記第２ジエンエラストマーが、天然ゴム、合成ポリイソプレン、ポリブタジエンおよびイソプレンコポリマー、並びにこれらのエラストマーのブレンドからなる群から選ばれる、請求項１〜４のいずれか１項記載のタイヤ。
【請求項６】
前記第２ジエンエラストマーが、天然ゴムである、請求項５記載のタイヤ。
【請求項７】
前記内部クラウン層のゴム組成物中の補強用充填剤の含有量が、30〜90phrの範囲内にある、請求項１〜６のいずれか１項記載のタイヤ。
【請求項８】
前記内部クラウン層のゴム組成物が、炭化水素系可塑化用樹脂も含む、請求項１〜７のいずれか１項記載のタイヤ。
【請求項９】
前記内部クラウン層が、“キャップ・ベース”構造を有するトレッド基部を構成する、請求項１〜８のいずれか１項記載のタイヤ。
【請求項１０】
前記内部クラウン層が、複数の繊維および/または金属補強材で補強されたベルトプライを構成し；前記内部クラウン層の前記ゴム組成物が、複数のこれら繊維および/または金属補強材をコーティングするゴム組成物を構成する、請求項１〜８のいずれか１項記載のタイヤ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月9日(2014.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
全体的な細胞ポリアミン含量またはポリアミン流入を減少させるためのポリアミン経路を調節する薬剤と共に使用されることを特徴とする、癌腫のある患者の治療に使用するためのオルニチンデカルボキシラーゼ（ＯＤＣ）阻害剤であって、前記治療が、
ａ）前記患者による食事性ポリアミン摂取及び／または前記患者における組織ポリアミンレベルもしくは流入を評価することと、
ｂ）ａ）のステップにおける評価が、食事性ポリアミン摂取および／あるいはポリアミンレベルまたはポリアミン流入が多いことを示さない場合に、前記オルニチンデカルボキシラーゼ（ＯＤＣ）阻害剤と、前記薬剤と、の併用有効量を含む併用療法を前記患者に施すことと、
を含む、オルニチンデカルボキシラーゼ（ＯＤＣ）阻害剤。
【請求項２】
全体的な細胞ポリアミン含量を減少させるための前記ポリアミン経路を調節する薬剤が、スペルミジン／スペルミンＮ１−アセチルトランスフェラーゼ発現アゴニストである、請求項１に記載のオルニチンデカルボキシラーゼ（ＯＤＣ）阻害剤。
【請求項３】
前記食事性ポリアミン摂取が患者食事歴から判定される、請求項１に記載のオルニチンデカルボキシラーゼ（ＯＤＣ）阻害剤。
【請求項４】
高食事性ポリアミン摂取が３００μｍｏｌポリアミン／日以上として定義される、請求項１に記載のオルニチンデカルボキシラーゼ（ＯＤＣ）阻害剤。
【請求項５】
前記組織ポリアミンレベル又は組織ポリアミン流入が、直腸粘膜組織、前立腺組織又は尿から決定される、請求項１に記載のオルニチンデカルボキシラーゼ（ＯＤＣ）阻害剤。
【請求項６】
前記治療が、前記併用療法開始前又は開始時に前記患者を低ポリアミン食に供することをさらに含む、請求項１に記載のオルニチンデカルボキシラーゼ（ＯＤＣ）阻害剤。
【請求項７】
前記治療が、少なくとも一方のＯＤＣ１遺伝子プロモーターアレルの位置＋３１６で前記患者の遺伝子型を決定する試験の結果を得ることをさらに含む、請求項１に記載のオルニチンデカルボキシラーゼ（ＯＤＣ）阻害剤。
【請求項８】
前記オルニチンデカルボキシラーゼ（ＯＤＣ）阻害剤がα−ジフルオロメチルオルニチン（ＤＦＭＯ）である、請求項１に記載のオルニチンデカルボキシラーゼ（ＯＤＣ）阻害剤。
【請求項９】
前記スペルミジン／スペルミンＮ１−アセチルトランスフェラーゼ発現アゴニストが、アスピリン非含有非ステロイド抗炎症剤（ＮＳＡＩＤ）である、請求項２に記載のオルニチンデカルボキシラーゼ（ＯＤＣ）阻害剤。
【請求項１０】
前記アスピリン非含有ＮＳＡＩＤが、選択的ＣＯＸ−２阻害剤である、請求項９に記載のオルニチンデカルボキシラーゼ（ＯＤＣ）阻害剤。
【請求項１１】
前記アスピリン非含有ＮＳＡＩＤが、スリンダク又はセレコキシブである、請求項９に記載のオルニチンデカルボキシラーゼ（ＯＤＣ）阻害剤。
【請求項１２】
前記アスピリン非含有ＮＳＡＩＤが、スリンダクである、請求項９に記載のオルニチンデカルボキシラーゼ（ＯＤＣ）阻害剤。
【請求項１３】
前記アスピリン非含有ＮＳＡＩＤが、セレコキシブである、請求項９に記載のオルニチンデカルボキシラーゼ（ＯＤＣ）阻害剤。
【請求項１４】
前記患者が固形腫瘍を有し、前記治療が前記固形腫瘍の切除をさらに含む、請求項１に記載のオルニチンデカルボキシラーゼ（ＯＤＣ）阻害剤。
【請求項１５】
ＤＦＭＯ及びスリンダクが前記切除の前に投与される、請求項１４に記載のオルニチンデカルボキシラーゼ（ＯＤＣ）阻害剤。
【請求項１６】
ＤＦＭＯ及びスリンダクが前記切除の後に投与される、請求項１４に記載のオルニチンデカルボキシラーゼ（ＯＤＣ）阻害剤。
【請求項１７】
前記癌腫が、結腸直腸癌、乳癌、膵臓癌、脳腫瘍、肺癌、胃癌、血液癌、皮膚癌、精巣癌、前立腺癌、卵巣癌、肝臓癌又は食道癌、子宮頸癌、頭頸部癌、非メラノーマ皮膚癌、神経芽細胞腫及び膠芽細胞腫である、請求項１に記載のオルニチンデカルボキシラーゼ（ＯＤＣ）阻害剤。
【請求項１８】
前記癌腫が結腸直腸癌である、請求項１に記載のオルニチンデカルボキシラーゼ（ＯＤＣ）阻害剤。
【請求項１９】
スペルミジン／スペルミンＮ１−アセチルトランスフェラーゼ発現アゴニストと共に使用されることを特徴とする、以前に癌腫と診断されたことがある患者の再発を予防するための方法において使用するためのオルニチンデカルボキシラーゼ（ＯＤＣ）阻害剤であって、前記方法が、
ａ）前記患者による食事性ポリアミン摂取及び／又は前記患者における組織ポリアミンレベルを評価することと、
ｂ）ａ）のステップにおける評価が、食事性ポリアミン摂取および／あるいは組織ポリアミンレベルが高いことを示さない場合に、前記オルニチンデカルボキシラーゼ（ＯＤＣ）阻害剤と前記スペルミジン／スペルミンＮ１−アセチルトランスフェラーゼ発現アゴニストとの併用有効量を前記患者に投与することと、
を含む、オルニチンデカルボキシラーゼ（ＯＤＣ）阻害剤。
【請求項２０】
前記患者が、癌腫瘍の外科的切除を以前に受けたことがある、請求項１９に記載のオルニチンデカルボキシラーゼ（ＯＤＣ）阻害剤。
【請求項２１】
スペルミジン／スペルミンＮ１−アセチルトランスフェラーゼ発現アゴニストと共に使用されることを特徴とする、癌腫の家族歴を有する患者において癌腫を予防するための方法において使用するためのオルニチンデカルボキシラーゼ（ＯＤＣ）阻害剤であって、前記方法が、
ａ）前記患者による食事性ポリアミン摂取、前記患者における組織ポリアミンレベル又は組織ポリアミン流入を評価することと、
ｂ）ａ）のステップにおける評価が、食事性ポリアミン摂取、組織ポリアミンレベル又は組織ポリアミン流入が多いことを示さない場合に、前記オルニチンデカルボキシラーゼ（ＯＤＣ）阻害剤と前記スペルミジン／スペルミンＮ１−アセチルトランスフェラーゼ発現アゴニストとの併用有効量を前記患者に投与することと、
を含む、オルニチンデカルボキシラーゼ（ＯＤＣ）阻害剤。
【請求項２２】
前記組織ポリアミンが、プトレッシン、モノアセチルスペルミジン、またはモノアセチルスペルミンである、請求項５に記載のオルニチンデカルボキシラーゼ（ＯＤＣ）阻害剤。
【請求項２３】
前記結腸直腸癌が、家族性腺腫性ポリープ症と関連する、請求項１８に記載のオルニチンデカルボキシラーゼ（ＯＤＣ）阻害剤。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月30日(2014.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リアルタイムで病原性細菌を検出するための方法であって、
前記方法は、
被験体から得られた、または、表面から得られた生物学的サンプルを、病原性細菌のβ−ラクタマーゼのために、蛍光発生基質に接触させる工程と、
基質におけるβ−ラクタマーゼ活性からの生成物のためにサンプルを画像化する工程と、
β−ラクタマーゼ生成物によって発せられた波長の蛍光シグナルを獲得する工程であって、それによって、被験体の病原性細菌を検出し、蛍光発生基質が、ＣＤＣ−１、ＣＤＣ−２、ＣＤＣ−３、ＣＤＣ−４、ＣＤＣ−５、ＣＮＩＲ５、ＣＮＩＲ５．２、ＣＮＩＲ５−ＱＳＹ２２、ＣＮＩＲ７、ＣＮＩＲ７−ＴＡＴ、ＣＮＩＲ９、ＣＮＩＲ１０、ＣＮＩＲ８００、ＣＮＩＲ８００．２、ＣＮＩＲ８００−３、ＸＨＸ２−８１、ＸＨＸ２−９１、ＸＨＸ３−１、ＸＨＸ３−２、ＸＨＸ３−２６、または、ＸＨＸ３−３２、あるいは、その誘導体またはアナログである、工程を、
含むこと特徴とする、方法。
【請求項２】
感染細胞を定量化する工程と、生物学的サンプル中で非感染細胞と感染細胞を区別する工程の１つまたは両方をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
感染細胞を区別する工程および／または感染細胞を定量化する工程は、フローサイトメトリー法、共焦点顕微鏡法、または、蛍光分光法の１つ以上を用いることによって行われる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
生物学的サンプルは、痰、胸水、尿、血液、唾液、大便、または、被験体の関心領域からふき取って得られるサンプルである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
病原性細菌は、バクテロイド属、クロストリジウム属、ストレプトコッカス属、スタフィロコッカス属、シュードモナス属、ヘモフィルス属、レジオネラ属、マイコバクテリウム属、エシェリキア属、サルモネラ属、シゲラ属、またはリステリア属の細菌種である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
病原性細菌は、マイコバクテリウムツベルクローシスコンプレックス、または、マイコバクテリウムアビウムコンプレックスを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
画像化波長は約３００ｎｍ乃至約９００ｎｍであり、発光波長は約３００ｎｍ乃至約９００ｎｍである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
画像化波長は約５４０ｎｍ乃至約７３０ｎｍであり、発光波長は約６５０ｎｍ乃至約８００ｎｍである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
被験体の病原性細菌に関連する病態生理学的状態を処置するために有効な治療用化合物を選抜するための方法であって、
前記方法は、
病原性細菌に有力な治療用化合物を選択する工程と、
細菌細胞または細菌細胞を含む生物学的サンプルを、その細菌β−ラクタマーゼの蛍光発生基質に接触させる工程であって、前記蛍光発生基質が、ＣＣ１、ＣＣ２、ＣＨＰＱ、ＣＲ２、ＣＮＩＲ１、ＣＮＩＲ２、ＣＮＩＲ３、ＣＮＩＲ４、ＣＮＩＲ５、ＣＮＩＲ５．２、ＣＮＩＲ５−ＱＳＹ２２、ＣＮＩＲ７、ＣＮＩＲ９、ＣＮＩＲ１０、ＣＮＩＲ７−ＴＡＴ、ＣＮＩＲ８００、ＣＮＩＲ８００．２、ＣＮＩＲ８００−３、ＣＤＣ−１、ＣＤＣ−２、ＣＤＣ−３、ＣＤＣ−４、ＣＤＣ−５、ＸＨＸ２−８１、ＸＨＸ２−９１、ＸＨＸ３−１、ＸＨＸ３−２、ＸＨＸ３−２６、または、ＸＨＸ３−３２、あるいは、その誘導体またはアナログである、工程と、
細菌細胞または細菌細胞を含む生物学的サンプルを、有力な治療用化合物に接触させる工程と、
有力な治療用化合物の存在下および不在下で、細菌細胞によって生成された蛍光シグナルを測定する工程を含み、
治療用化合物の不在下でのシグナルと比べて、治療用化合物の存在下でのシグナルの減少は、病原性細菌に対する化合物の治療効果を示す、方法。
【請求項１０】
病原性細菌は、バクテロイド属、クロストリジウム属、ストレプトコッカス属、スタフィロコッカス属、シュードモナス属、ヘモフィルス属、レジオネラ属、マイコバクテリウム属、エシェリキア属、サルモネラ属、シゲラ属、または、リステリア属の細菌種である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
病原性細菌は、マイコバクテリウムツベルクローシスコンプレックス、または、マイコバクテリウムアビウムコンプレックスを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
病態生理学的状態は結核である、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
細菌細胞によって生成されたシグナルは、約３００ｎｍ乃至約９００ｎｍの波長を有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
細菌細胞によって生成されたシグナルは、約６５０ｎｍ乃至約８００ｎｍの波長を有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
β−ラクタマーゼ活性後の検出可能な蛍光性、発光性、または、発色性のシグナルを生成する細菌のβ−ラクタマーゼのための基質であって、ＣＣ１、ＣＣ２、ＣＨＰＱ、ＣＲ２、ＣＮＩＲ１、ＣＮＩＲ２、ＣＮＩＲ３、ＣＮＩＲ４、ＣＮＩＲ５、ＣＮＩＲ５．２、ＣＮＩＲ５−ＱＳＹ２２、ＣＮＩＲ７、ＣＮＩＲ９、ＣＮＩＲ１０、ＣＮＩＲ７−ＴＡＴ、ＣＮＩＲ８００、ＣＮＩＲ８００．２、ＣＮＩＲ８００−３、ＣＤＣ−１、ＣＤＣ−２、ＣＤＣ−３、ＣＤＣ−４、ＣＤＣ−５、ＸＨＸ２−８１、ＸＨＸ２−９１、ＸＨＸ３−１、ＸＨＸ３−２、ＸＨＸ３−２６、または、ＸＨＸ３−３２、あるいは、その誘導体またはアナログである、基質。
【請求項１６】
生物学的サンプル中の病原性細菌を明白に検出するためのアッセイ装置であって、
前記アッセイ装置は、
生物学的サンプルと、病原性細菌に関連するβ−ラクタマーゼ酵素用の発色基質とを含む培養混合物を収容するための手段、および、収容手段と流体連通する基質におけるβ−ラクタマーゼ活性によって生じる有色生成物を捕捉して濃縮するための手段を含む、プラットフォームを含んでいる、アッセイ装置。
【請求項１７】
有色生成物のみが収容手段から下流に流れることを可能にするための手段をさらに含む、請求項１６に記載のアッセイ装置。
【請求項１８】
収容手段から下流の内部対照をさらに含む、請求項１６に記載のアッセイ装置。
【請求項１９】
収容手段から下流の流体を吸収するための手段をさらに含む、請求項１６に記載のアッセイ装置。
【請求項２０】
基質は、有色色素または化学試薬を含む、請求項１６に記載のアッセイ装置。
【請求項２１】
基質は、粒子または微粒子に結合する、請求項１６に記載のアッセイ装置。
【請求項２２】
基質は化学試薬を含み、前記アッセイ装置は、化学試薬から発色するための手段として第２の試薬をさらに含む、請求項１６に記載のアッセイ装置。
【請求項２３】
基質はビオチンに結合し、前記アッセイ装置はビオチンに結合した基質を捕捉するための手段としてアビジンをさらに含む、請求項１６に記載のアッセイ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月21日(2014.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力を、コンピューティングデバイスのディスプレイデバイスによってユーザーインターフェースに表示されたリストに関連して書かれた自由形式の線として認識するステップと、
前記認識された入力からジャンプジェスチャーを識別するステップであって、前記ジャンプジェスチャーが、前記入力の認識された自由形式の線を、前記リスト内の複数の他の項目と比べて、前記入力に対応する前記リスト内の少なくとも１つの項目に焦点を与えるための基礎として使用するために有効である、ステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記自由形式の線が少なくとも１つの文字に対応し、前記少なくとも１つの項目が前記少なくとも１つの文字を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記コンピューティングデバイスによって前記入力が認識および識別されると、前記コンピューティングデバイスによってリアルタイムに前記ジャンプを実行するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記入力が複数の文字を含み、それぞれの前記文字が受信されると前記ジャンプが実行される請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記入力に対応する前記リスト内の前記少なくとも１つの項目への前記ジャンプが、前記少なくとも１つの項目を含む前記リストの一部の表示を含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ユーザーインターフェースが複数の前記リストを含み、前記識別するステップが、前記複数のリストのうちのどれが前記入力に対応するかを決定するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
入力を、コンピューティングデバイスのディスプレイデバイスによってユーザーインターフェースに表示された項目に関連付けられる自由形式の線として書かれたチェックマークとして認識するステップと、
前記認識された入力からからチェックマークジェスチャーを識別するステップであって、前記チェックマークジェスチャーが前記項目を選択するために有効である、ステップと、
前記選択に応答して、前記選択された項目に関連付けられるメニューの出力を開始するステップと
を含む方法。
【請求項８】
前記項目が項目のリスト内に含まれる請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記メニューが、前記選択された項目に関連付けられる動作を含む請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記動作のうちの１つの選択が、前記選択された項目に関連付けられる選択された動作の開始を含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ユーザーインターフェースが複数の前記項目を含み、前記識別するステップが、前記複数の項目のうちのどれが前記入力に対応するかを決定するステップを含む請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月30日(2014.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータ装置により実行される方法であって、
前記コンピュータ装置により、第１のグループに関連するマルチスレッドアプリケーションのスレッドを受け取ることと、
前記コンピュータ装置により、第２のグループに関連する第２のアプリケーションのスレッドを受け取ることと、
前記マルチスレッドアプリケーションの前記スレッドを受け取ることに基づいて、前記コンピュータ装置により、前記マルチスレッドアプリケーションを識別することと、
前記マルチスレッドアプリケーションの識別に基づいて、前記コンピュータ装置により、前記マルチスレッドアプリケーションに関するメモリスケジューリングスキームを調整することと、を備える方法 。
【請求項２】
前記メモリスケジューリングスキームを調整することは、
前記第１のグループ内及び前記第２のグループ内のアイドルスレッドの数を判定することと、
前記第１のグループ内の前記判定されたアイドルスレッドの数に基づいて、前記第１のグループの順位付けをすることと、
前記第２のグループ内の判定された数のアイドルスレッドに基づいて、前記第２のグループの順位付けをすることと、
前記第１のグループ又は前記第２のグループのうちの、より高く順位付けされた一方に関連するメモリ使用要求を、前記第１のグループ又は前記第２のグループのうちのより低く順位付けされた一方に関連するメモリ使用要求よりも優先することと、を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記アイドルスレッドの数を判定することは、
ビットベクトル内の第１のビットを、前記第１のグループ内の第１のスレッドに関連付けることと、
前記ビットベクトル内の第２のビットを、前記第１のグループ内の第２のスレッドに関連付けることと、
前記ビットベクトル内の第３のビットを、前記第２のグループ内の前記スレッドに関連付けることと、
期間の始まりに、前記ビットベクトル内の前記第１のビット、前記第２のビット、及び前記第３のビットを設定することと、
前記第１のビット、前記第２のビット、又は前記第３のビットのうちのリセットされる１つ以上のビットに関連する１つ以上のスレッドに関して、１つ以上のメモリ使用要求が受け取られたとき、前記ビットベクトル内の前記第１のビット、前記第２のビット、又は前記第３のビットのうちの１つ以上のビットをリセットすることと、
前記期間の終わりに、前記ビットベクトル内に残る、前記設定されたビットに基づいて、前記第１のグループ内及び前記第２のグループ内のアイドルスレッドの数を判定することと、を備える、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記期間の終わりに、前記ビットベクトル内に残る、前記設定されたビットに基づいて、前記第１のグループ及び前記第２のグループの順位付けをすることをさらに備える請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記メモリ使用要求を優先することは、
前記メモリ使用要求に関連する、グループの順位に基づいて、前記メモリ使用要求の第１の優先権を判定することと、
準備完了順規則に基づいて、前記メモリ使用要求の第２の優先権を判定することと、
先着順規則に基づいて、前記メモリ使用要求の第３の優先権を判定することと、を備える、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
装置のメモリ制御装置であって、
少なくとも部分的にハードウェアで実装された処理論理回路を備え、前記処理論理回路が、
グループに関連する、マルチスレッドアプリケーションのスレッドを受け取り、
別のグループに関連する、シングルスレッドアプリケーションのスレッドを受け取り、
前記グループ内及び前記別のグループ内のアイドルスレッドの数を判定し、
前記グループ内の前記判定されたアイドルスレッドの数に基づいて、前記グループを順位付けし、
前記別のグループ内の前記判定されたアイドルスレッドの数に基づいて、前記別のグループを順位付けし、
前記グループ又は前記別のグループのうちのより高く順位付けされた一方に関連するメモリ使用要求を、前記グループ又は前記別のグループのうちのより低く順位付けされた一方に関連するメモリ使用要求より優先させる、メモリ制御装置。
【請求項７】
前記アイドルスレッドの数を判定するとき、前記処理論理回路がさらに、
ビットベクトル内の第１のビットを、前記グループ内の第１のスレッドに関連付け、
前記ビットベクトル内の第２のビットを、前記グループ内の第２のスレッドに関連付け、
前記ビットベクトル内の第３のビットを、前記別のグループ内の前記スレッドに関連付け、
期間の始まりに、前記ビットベクトル内の前記第１のビット、前記第２のビット、及び前記第３のビットを、０より大きい値に設定し、
前記第１のビット、前記第２のビット、又は前記第３のビットのうちの１つ以上の前記リセットされるビットに関連する１つ以上のスレッドに関して、１つ以上のメモリ使用要求が受け取られるとき、前記ビットベクトル内の前記第１のビット、前記第２のビット、又は前記第３のビットのうちの１つ以上のビットを、０の値にリセットし、
前記期間の終わりに、前記ビットベクトル内に残る、前記設定されたビットの値に基づいて、前記グループ内及び前記別のグループ内の前記アイドルスレッドの数を判定する、請求項６に記載のメモリ制御装置。
【請求項８】
前記処理論理回路がさらに、
前記期間の終わりに、前記ビットベクトル内に残る、前記設定されたビットの値に基づいて、前記グループ及び前記別のグループの順位付けをする、請求項７に記載のメモリ制御装置。
【請求項９】
前記メモリ使用要求を優先するとき、前記処理論理回路がさらに、
前記メモリ使用要求に関連する、グループの順位に基づいて、前記メモリ使用要求の第１の優先権を判定し、
準備完了順規則に基づいて、前記メモリ使用要求の第２の優先権を判定し、
先着順規則に基づいて、前記メモリ使用要求の第３の優先権を判定する、請求項６に記載のメモリ制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月26日(2014.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン供給源（１０）を出る粒子を加速するように構成された、少なくとも１つの空洞共振器（３１）を有するＲＦ粒子加速器のための加速器セグメントであって、
−前記イオン供給源（１０）と前記加速器セグメントの前記第１の空洞共振器（３１）との間で、ポテンシャル井戸による静電的な前加速が行われ、
−前記イオン供給源（１０）および前記加速器セグメントが同じ電位（Ｕ０）である
加速器セグメント。
【請求項２】
前記加速器セグメントの前記第１の空洞共振器（３１）に電極（４１）が取り付けられ、その電極（４１）が前記イオン供給源（１０）に対してある電位（Ｕ１）であり、その結果、前記イオン供給源（１０）を出る前記粒子に対して加速するポテンシャル井戸が生成されることを特徴とする請求項１に記載の加速器セグメント。
【請求項３】
前記電極（４１）が、前記第１の空洞共振器（３１）への入口（ｘｌ）にリング電極として構成され、及び前記電極（４１）が前記第１の空洞共振器（３１）の入口開口部（３２）を囲むように構成されることを特徴とする請求項２に記載の加速器セグメント。
【請求項４】
前記電極（４１）が前記第１の空洞共振器（３１）の残りの共振器構造体から、環状の絶縁セグメント（４２）によって分離されることを特徴とする請求項２または３に記載の加速器セグメント。
【請求項５】
並列に接続され、かつ前記第１の空洞共振器（３１）の動作中、前記第１の空洞共振器（３１）の前記残りの共振器構造体に対して前記電極（４１）のＡＣ電圧を抑えるように構成および配置されたコンデンサ（４３）が設けられることを特徴とする請求項２から４の一項に記載の加速器セグメント。
【請求項６】
前記電極（４１）が、前記コンデンサ（４３）を介して前記第１の空洞共振器（３１）の前記残りの共振器構造体に接続されることを特徴とする請求項５に記載の加速器セグメント。
【請求項７】
前記ポテンシャル井戸、および前記加速器構造体の動作中に前記第１の空洞共振器（３１）に印加されるＲＦ場が、前記ポテンシャル井戸により、粒子ビームの方向に見たときに前記第１の空洞共振器（３１）の前記入口の下流で支配的である減速力が、前記粒子に作用する前記ＲＦ場の同時に存在する加速力によって補償され、前記加速力が前記減速力を上回るように互いに適合されることを特徴とする請求項１から６の一項に記載の加速器セグメント。
【請求項８】
前記第１の空洞共振器（３１）が、前記粒子ビームの方向に見たとき、前記ポテンシャル井戸が前記粒子に対する減速効果を有する領域（ｘ２、ｘ３）に位置付けられることを特徴とする請求項１から７の一項に記載の加速器セグメント。
【請求項９】
前記ポテンシャル井戸の最低点が、前記粒子ビームの方向に見たとき、前記第１の空洞共振器（３１）の前記入口（ｘ１）に位置付けられることを特徴とする請求項１から８の一項に記載の加速器セグメント。
【請求項１０】
前記イオン供給源（１０）および前記第１の空洞共振器（３１）が同じ電位（Ｕ０）であることを特徴とする請求項１に記載の加速器セグメント。
【請求項１１】
イオン供給源（１０）を出る粒子を加速するように構成された、少なくとも１つの空洞共振器（３１）を備えた加速器セグメントを有するＲＦ粒子加速器を用いて、前記イオン供給源（１０）を出る前記粒子を加速するための方法であって、前記粒子がポテンシャル井戸を用いて静電的に前加速され、また前記粒子に対する前記ポテンシャル井戸の引きつける作用によって、前記粒子が前記ポテンシャル井戸の最低点を通過した後、再び減速されることを特徴とする方法。
【請求項１２】
前記粒子が、前記ポテンシャル井戸全体を通って移動することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ポテンシャル井戸が、第１の電位（Ｕ１）にされる電極（４１）によって生成され、一方、少なくとも前記イオン供給源（１０）および前記第１の空洞共振器（３１）が、前記第１の電位（Ｕ１）と異なる第２の電位（Ｕ０）になることを特徴とする請求項１１または１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月2日(2014.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の個体に由来する幹細胞を含む幹細胞バンクであって、前記幹細胞が個体の生涯にわたって各個体から定期的に採取される複数の供与を起源とする幹細胞バンク。
【請求項２】
前記複数の供与が、出生時の最初の供与と、前記個体が成長し、成熟するにつれてのその後の供与を含み、前記供与が、２０〜５０歳の間の個体から採取される、請求項１に記載の幹細胞バンク。
【請求項３】
前記各個体から採取される複数の供与が異なった供給源から得られ、前記幹細胞の供給源が、臍帯血、臍帯マトリクス、胎盤血、骨髄、脂肪、末梢血、血液バフィコート、羊水、皮膚、腎臓、肝臓、筋肉、神経組織、歯髄、粘膜、包皮、心臓組織、骨、軟骨、毛根及び乳腺から成る群から選択される少なくとも１つの供給源を含む、請求項１または２に記載の幹細胞バンク。
【請求項４】
前記各個体から採取される複数の供与が、異なった類型の幹細胞を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の幹細胞バンク。
【請求項５】
前記保存された幹細胞が、造血系細胞、系列が関係付けられた造血系細胞、間葉幹細胞、間質細胞、線維芽細胞、内皮前駆細胞、神経幹細胞、脂肪由来の幹細胞、粘膜由来の幹細胞、胎盤由来の幹細胞、羊水幹細胞、臍帯血由来の幹細胞、臍帯マトリクス由来の幹細胞、包皮由来の幹細胞、心臓幹細胞及び乳腺幹細胞から成る群から選択される少なくとも１類型を含む請求項１〜４のいずれか１項に記載の幹細胞バンク。
【請求項６】
前記各個体から採取される複数の供与が、分化した体細胞を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の幹細胞バンク。
【請求項７】
前記保存された細胞が誘導型多能性幹細胞を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の幹細胞バンク。
【請求項８】
前記バンクに保存された幹細胞が自己移植使用のためのものである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の幹細胞バンク。
【請求項９】
個体に割り当てるのに利用できる幹細胞の量が、その個体によって為される供与に左右される、請求項８に記載の幹細胞バンク。
【請求項１０】
前記バンクに保存された幹細胞が同種使用のためのものであるか、または前記バンクに保存された幹細胞が薬剤の創薬と開発に使用される、請求項１〜９のいずれか１項に記載の幹細胞バンク。
【請求項１１】
幹細胞を預け入れる方法であって、個体からその個体の生涯にわたって複数の供与を定期的に採取することを含む、方法。
【請求項１２】
個体から複数の供与を採取することが、１を超える供給源から幹細胞を採取することを含むか、または
個体から複数の供与を採取することが、１を超える類型の幹細胞を採取することを含むか、または
個体から複数の供与を採取することが、分化した体細胞を採取することを含む、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
幹細胞療法での使用のための請求項１に記載の幹細胞バンクに保存された様々な類型の幹細胞の混合物を含む組成物であって、前記幹細胞が単一の個体を起源とする、組成物。
【請求項１４】
前記幹細胞が、単一の前記個体の生涯にわたって定期的に採取される複数の供与から得られるか、または
前記組成物が１を超える類型の成体幹細胞を含むか、または
前記組成物が誘導型多能性幹細胞を含むか、または
前記幹細胞が自己起源であるか、または
前記幹細胞が同種起源であるか、または
前記幹細胞が幹細胞療法での使用のためのものである、
請求項１３に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月20日(2014.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の検査又は処理のためのシステム用に適合された基板支持ユニットであって、
基板を支持するように適合され、グランドに対して電気的に浮いている少なくとも１つの基板キャリア構造を含む支持台と、基板キャリア構造をグランドと電気的に接続するように適合され、基板を基板キャリア構造からアンロードした後に基板キャリア構造をグランドと電気的に接続するように構成されるスイッチングユニットとを含む基板支持ユニット。
【請求項２】
ベースユニットを更に含み、基板キャリア構造はベースユニットから電気的に絶縁されている請求項１記載の基板支持ユニット。
【請求項３】
基板キャリア構造は、導電性材料から構成される請求項１記載の基板支持ユニット。
【請求項４】
基板キャリア構造をグランドと電気的に接続するように適合されたスイッチングユニットを更に含む請求項１記載の基板支持ユニット。
【請求項５】
スイッチングユニットは、基板キャリア構造に電気的に接続するための少なくとも１つの第１端子と、グランドに電気的に接続するための少なくとも１つの第２端子と、スイッチングユニットを制御するための制御信号を受信するように適合された少なくとも１つの制御端子を含む請求項１記載の基板支持ユニット。
【請求項６】
支持台は、少なくとも１つの方向に基板キャリア構造を移動するように適合された少なくとも１つの可動ステージを含み、可動ステージは、基板キャリア構造から電気的に絶縁されている請求項１記載の基板支持ユニット。
【請求項７】
可動ステージは少なくとも２つのセグメントを含み、各セグメントは、共通の支持面を一体で形成するそれぞれの基板キャリア構造を備える請求項６記載の基板支持ユニット。
【請求項８】
支持台は、少なくとも１つの方向に基板キャリア構造を移動するように適合された少なくとも１つの可動ステージを含み、可動ステージは、グランドに対して電気的に浮いている請求項１記載の基板支持ユニット。
【請求項９】
可動ステージは少なくとも２つのセグメントを含み、各セグメントは、共通の支持面を一体で形成するそれぞれの基板キャリア構造を備える請求項８記載の基板支持ユニット。
【請求項１０】
基板キャリア構造をグランドから電気的に絶縁するための絶縁構造を更に含む請求項１記載の基板支持ユニット。
【請求項１１】
基板の検査又は処理のためのシステム用に適合された基板支持ユニットであって、
基板を支持するように適合された少なくとも１つの基板キャリア構造を含む支持台であって、基板キャリア構造は電気的に浮いている支持台を含み、支持台は基板キャリア構造を少なくとも１つの方向に移動させるように適合された少なくとも１つの可動ステージを含み、可動ステージは基板キャリア構造から電気的に絶縁されている基板支持ユニット。
【請求項１２】
可動ステージは少なくとも２つのセグメントを含み、各セグメントは、共通の支持面を一体で形成するそれぞれの基板キャリア構造を備える請求項１１記載の基板支持ユニット。
【請求項１３】
ベースユニットを更に含み、基板キャリア構造はベースユニットから電気的に絶縁されている請求項１１記載の基板支持ユニット。
【請求項１４】
基板キャリア構造は、導電性材料から構成される請求項１１記載の基板支持ユニット。
【請求項１５】
基板の検査又は処理のためのシステム用に適合された基板支持ユニットであって、
基板を支持するように適合された少なくとも１つの基板キャリア構造を含む支持台であって、基板キャリア構造は電気的に浮いている支持台を含み、支持台は基板キャリア構造を少なくとも１つの方向に移動させるように適合された少なくとも１つの可動ステージを含み、可動ステージはグランドに対して電気的に浮いている基板支持ユニット。
【請求項１６】
可動ステージは少なくとも２つのセグメントを含み、各セグメントは、共通の支持面を一体で形成するそれぞれの基板キャリア構造を備える請求項１５記載の基板支持ユニット。
【請求項１７】
ベースユニットを更に含み、基板キャリア構造はベースユニットから電気的に絶縁されている請求項１５記載の基板支持ユニット。
【請求項１８】
基板キャリア構造は、導電性材料から構成される請求項１５記載の基板支持ユニット。
【請求項１９】
ベースユニットを更に含み、基板キャリア構造はベースユニットから電気的に絶縁されている請求項５記載の基板支持ユニット。
【請求項２０】
基板キャリア構造は、導電性材料から構成される請求項５記載の基板支持ユニット。
【請求項２１】
基板キャリア構造をグランドから電気的に絶縁するための絶縁構造を更に含む請求項５記載の基板支持ユニット。