【手続補正書】
【提出日】平成15年12月11日(2003.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板メッキ装置及び基板メッキ方法
【特許請求の範囲】
【請求項１】基板にメッキ処理を施すメッキ処理部、該メッキ処理後の基板を洗浄する洗浄処理部を具備する基板メッキ装置において、
前記メッキ処理される基板を一枚ずつ当該基板メッキ装置内に導入し、メッキ処理及び水洗処理をした後、一枚ずつ当該基板メッキ装置外に排出するように、前記基板の当該基板メッキ装置内への導入と排出の少なくとも片方をメッキ装置内の基板搬送機で行うことを特徴とする基板メッキ装置。
【請求項２】請求項１に記載の基板メッキ装置において、
保管液を収容した基板保管槽を設け、前記基板メッキ装置内に導入し前記メッキ処理部でメッキ処理するまでの待機中の基板又は前記メッキ処理部及び洗浄処理部でメッキ処理及び洗浄処理した後の基板を該基板保管槽の保管液中に浸漬して保管することを特徴とする基板メッキ装置。
【請求項３】請求項１に記載の基板メッキ装置において、
前記基板メッキ装置内に導入された基板の搬入位置から前記メッキ処理部近傍に達するまで及び／又は前記洗浄処理部近傍から当該基板メッキ装置の基板排出位置に達するまで、前記基板を純水中を通して搬送する基板水中搬送機を設けることを特徴とする基板メッキ装置。
【請求項４】請求項１に記載の基板メッキ装置において、
前記メッキ処理部及び洗浄処理部でメッキ処理及び洗浄処理した後の基板を洗浄液が付着したまま当該基板メッキ装置内に配置されているロボットで当該基板メッキ装置の外に排出することを特徴とする基板メッキ装置。
【請求項５】請求項１に記載の基板メッキ装置において、
前記メッキ処理部及び洗浄処理部でメッキ処理及び洗浄処理した後の基板を乾燥し、当該基板メッキ装置内に配置されているロボットで当該基板メッキ装置の外に排出することを特徴とする基板メッキ装置。
【請求項６】表面に配線溝及び配線穴からなる配線部を形成し、該配線部を含む表面にバリア層を形成した基板に、該配線部を埋め込むメッキ層を形成する基板メッキ方法であって、
前記配線部表面を含むバリア層の上に無電解メッキでメッキ層を形成し、該メッキ層の上に電解メッキにより配線用メッキ層を形成することを特徴とする基板メッキ方法。
【請求項７】表面に配線溝及び配線穴からなる配線部を形成し、該配線部を含む表面にバリア層を形成した基板に、該配線部を埋め込むメッキ層を形成する基板のメッキ装置であって、
前記配線部表面を含むバリア層の上に無電解メッキでメッキ層を形成する第１のメッキ手段と、該メッキ層の上に電解メッキにより配線用メッキ層を形成する第２のメッキ手段を設けたことを特徴とする基板メッキ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は基板にメッキを施す基板メッキ装置に関し、特に半導体ウエハ等の基板面上に形成された微細溝及び／又は微細穴からなる配線部に配線層を形成するメッキ装置として好適な基板メッキ装置及び基板メッキ方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体デバイスの回路配線材料にはアルミニウムが多く用いられている。そして半導体デバイスの配線形成は、アルミニウムスパッタにエッチバックを行なう方法が多く行われている。一方、銅等の他の金属材料による配線形成には上述した方法では配線形成が困難な場合がある。そこで、基板に配線用の溝や穴を予め形成し、金属材料を該溝や穴の中に埋め込み、その後表面を化学機械研磨（ＣＭＰ）する方法が採られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、半導体デバイスの集積度の向上に伴い、配線の微細化が進み配線の幅は更に小さくなり、ステップカバレッジが大きくなるに従い、従来行われていたスパッタによる微細溝や微細穴（微細コンタクトホール）からなる配線部に金属を埋め込むには限界があり、これら配線部に空孔ができ易いという問題があった。
【０００４】
例えば、半導体デバイスの高集積化により、幅が０．１８μｍや０．１３μｍの配線溝や配線穴が要求される。このように微細化した配線溝や配線穴にスパッタにより金属材の埋め込みを行うことはむずかしい。そこで、スパッタによる金属材の埋め込みに替え、このような微細溝や微細穴からなる配線部を含む半導体ウエハ表面に電解メッキや無電解メッキによりＣｕメッキ層を形成し、その後該配線部のＣｕメッキ層を残して、半導体ウエハ表面のＣｕメッキ層を除去する工程を１つの装置で実施する技術の開発が要望される。
【０００５】
メッキ処理工程の前工程であるシード層の形成を無電解Ｃｕメッキ又は液組成の異なる電解Ｃｕメッキで行う場合、これらのメッキ処理及び洗浄処理後の半導体ウエハを乾燥させ、ウエハカセットに入れ該ウエハカセットごと装置間を移動させているが、この方法よりも半導体ウエハに洗浄液が付着した状態、即ち濡れた状態でＣｕメッキ装置に導入した方が乾燥工程等が省略できる。そのためには半導体ウエハをカセットに入れず１枚ずつ連続的にＣｕメッキ装置内に導入したほうが半導体ウエハの汚染の問題が少なくなる。
【０００６】
更に、半導体ウエハを１枚ずつＣｕメッキ装置内に導入後メッキ処理されるまでの待機時間中、パーティクル汚染、酸化膜形成防止のため純水中や希硫酸中に一時保管させていれば、メッキ液中に半導体ウエハを浸漬後に表面酸化被膜を除去するための無通電時間の設定が不要となる。
【０００７】
また、半導体デバイスが微細化し、穴中のシート層の厚さが薄くなると表面酸化被膜を除去する目的のエッチングは極力少なくなければならない。即ち、メッキ処理前の酸化膜形成を極力防止しなければならない。
【０００８】
また、メッキ処理後の半導体ウエハを連続的に１枚ずつＣｕメッキ装置外に排出したその後工程であるＣＭＰ装置を接近させて設置すれば、装置としてはＣｕメッキ装置とＣＭＰ装置とは分離してはいるが、アンロードステージや場合によっては乾燥工程が省略できるため装置の据付け面積を少なくすることが可能となる。
【０００９】
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、半導体ウエハをカセットに入れず１枚ずつ連続的にメッキ装置内に導入し処理することができると共に、パーティクル汚染や酸化膜の形成を極力減少でき、且つ工程を少なくし装置の据付け面積を小さくすることが可能な基板メッキ装置及び基板メッキ方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため請求項１に記載の発明は、基板にメッキ処理を施すメッキ処理部、該メッキ処理後の基板を洗浄する洗浄処理部を具備する基板メッキ装置において、メッキ処理される基板を一枚ずつ基板メッキ装置内に導入し、メッキ処理及び水洗処理をした後、一枚ずつ当該基板メッキ装置外に排出するように、基板の当該基板メッキ装置内への導入と、排出の少なくとも一方をメッキ装置内の基板搬送機で行うことを特徴とする。
【００１１】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板メッキ装置において、保管液を収容した基板保管槽を設け、基板メッキ装置内に導入しメッキ処理部でメッキ処理するまでの待機中の基板又はメッキ処理部及び洗浄処理部でメッキ処理及び洗浄処理した後の基板を該基板保管槽の保管液中に浸漬して保管することを特徴とする。
【００１２】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の基板メッキ装置において、基板メッキ装置内に導入された基板の搬入位置からメッキ処理部近傍に達するまで及び／又は洗浄処理部近傍から当該基板メッキ装置の基板排出位置に達するまで、基板を純水中を通して搬送する基板水中搬送機を設けることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の基板メッキ装置において、メッキ処理部及び洗浄処理部でメッキ処理及び洗浄処理した後の基板を洗浄液が付着したまま当該基板メッキ装置内に配置されているロボットで当該基板メッキ装置の外に排出することを特徴とする。
【００１４】
また、請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の基板メッキ装置において、メッキ処理部及び洗浄処理部でメッキ処理及び洗浄処理した後の基板を乾燥し、当該基板メッキ装置内に配置されているロボットで当該基板メッキ装置の外に排出することを特徴とする。
【００１５】
また、請求項６に記載の発明は、表面に配線溝及び配線穴からなる配線部を形成し、該配線部を含む表面にバリア層を形成した基板に、該配線部を埋め込むメッキ層を形成する基板メッキ方法であって、配線部表面を含むバリア層の上に無電解メッキでメッキ層を形成し、該メッキ層の上に電解メッキにより配線用メッキ層を形成することを特徴とする。
【００１６】
また、請求項７に記載の発明は、表面に配線溝及び配線穴からなる配線部を形成し、該配線部を含む表面にバリア層を形成した基板に、該配線部を埋め込むメッキ層を形成する基板のメッキ装置であって、配線部表面を含むバリア層の上に無電解メッキでメッキ層を形成する第１のメッキ手段と、該メッキ層の上に電解メッキにより配線用メッキ層を形成する第２のメッキ手段を設けたことを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態例を図面に基づいて説明する。なお、本実施形態例では基板のメッキ装置を半導体ウエハ配線メッキ装置を例に説明する。図１は請求項１に記載の基板メッキ装置の平面構成を示す図である。図示するように、メッキ装置１０はレール１１の上を矢印Ａに示すように往復動する搬送ロボット１２、Ｃｕメッキ槽１３、１３、洗浄槽１４が配置されている。
【００１８】
メッキ処理を行う半導体ウエハは搬送ロボット１２により、導入口１５から１枚ずつメッキ装置１０内に導入され、Ｃｕメッキ槽１３でＣｕメッキ処理が施され、続いて洗浄槽１４で洗浄され、排出口１６からメッキ装置外に排出する。
【００１９】
上記配置構成のメッキ装置において、搬送ロボット１２により導入口１５から導入される未処理の半導体ウエハは図２（ａ）に示すように、半導体ウエハＷ上の導電層１０６の上にＳｉＯ2からなる絶縁膜１０５が形成され、該絶縁膜１０５にリソグラフィ・エッチング技術により配線溝１０１及び配線穴（コンタクトホール）１０２からなる配線部が形成されている。
【００２０】
このような半導体ウエハにＣｕメッキ槽１３でＣｕメッキ処理を施すと図２（ｂ）に示すように、配線溝１０１や配線穴１０２からなる配線部を含む半導体ウエハＷの表面上にＣｕメッキ層１０３を形成する。なお、図２において、１０４はＴｉＮ等からなるバリア層である。
【００２１】
Ｃｕメッキ槽１３、１３で行われるメッキ処理は無電解メッキでも電解メッキでもよく、例えば前段が無電解メッキ、後段を電解メッキとしてもよい。Ｃｕメッキ処理により、Ｃｕメッキ層１０３が形成された半導体ウエハは洗浄槽１４で純水等の洗浄液で洗浄され、洗浄液が付着した状態で搬送ロボット１２で排出口１６から、メッキ装置１０の外に排出される。
【００２２】
排出口１６から洗浄液が付着されたまま排出された半導体ウエハは、次の工程である例えば図示しないＣＭＰ装置に移送され、該ＣＭＰ装置で図２（ｃ）に示すように、Ｃｕメッキ層１０３から配線溝１０１や配線穴１０２に形成したＣｕメッキ層を残して半導体ウエハＷの表面上のＣｕメッキ層を除去する。従って、ＣＭＰ装置を排出口１６に隣接して配置すれば、メッキ処理及び洗浄処理した後の半導体ウエハの乾燥処理工程は不要となる。
【００２３】
図３は請求項２に記載の基板メッキ装置の平面構成を示す図である。図示するように、メッキ装置１０には保管液を収容した基板保管槽１７が設けられている。搬送ロボット１２により、導入口１５から１枚ずつメッキ装置１０内に導入された未処理の半導体ウエハはＣｕメッキ槽１３、１３でＣｕメッキ処理するまでの待機時間中該基板保管槽１７の保管液中に浸漬して保管する。
【００２４】
図４は基板保管槽１７の構成を示す図である。基板保管槽１７は図示するように、保管槽１７−１を具備し、その底部にはウエハカセット１７−２を載置する載置台１７−３及び保管液を供給する保管液供給ノズル１７−４が配置され、更に保管槽１７−１の上端部には保管槽１７−１の上端からオーバーフローする保管液を回収するための回収樋１７−５が設けられている。ここで保管液としては純水の他に希硫酸液又はＣｕメッキ層１０３の表面の酸化を防止する酸化防止液等を用いる。これによりメッキ処理の待機時間中に半導体ウエハの表面にメッキ処理の障害となる酸化被膜の形成やパーティクル汚染を防止できる。
【００２５】
上記構成のメッキ装置１０において、導入口１５からメッキ装置１０内に導入される未処理の半導体ウエハの処理方法は、下記の３通りが考えられる。
【００２６】
第１の処理方法は、基板保管槽１７に一時保管し、保管後Ｃｕメッキ槽１３、１３でＣｕメッキ処理し、洗浄槽１４で洗浄し、排出口１６から排出する。
【００２７】
第２の処理方法は、導入された未処理の半導体ウエハをＣｕメッキ槽１３、１３でＣｕメッキ処理し、洗浄槽１４で洗浄し、基板保管槽１７に一時保管し、排出口１６から排出する。
【００２８】
第３の方法は、基板保管槽１７に一時保管し、保管後Ｃｕメッキ槽１３、１３でＣｕメッキ処理し、洗浄槽１４で洗浄し、基板保管槽１７に一時保管し、排出口１６から排出する。
【００２９】
図５は請求項３に記載の基板メッキ装置の平面構成を示す図である。図示するように、メッキ装置１０には導入口１５からＣｕメッキ槽１３の近傍に達するように基板水中搬送機１８が配置されている。該基板水中搬送機１８は図６に示すように、水路１８−１を具備し、該水路１８−１には純水Ｑが供給口１８−４から供給され、矢印Ｂ方向に水面Ｈの高さを保持しながら流れ、排水口１８−５から排出されている。また、水路１８−１の底部には多数の搬送ローラー１８−２を具備するローラーコンベア１８−３が配置されている。
【００３０】
上記構成の基板水中搬送機１８の搬入端のローラーコンベア１８−３に導入口１５から導入される未処理の半導体ウエハＷを載置すると、該半導体ウエハＷは矢印Ｃに示すように純水Ｑの流れ（矢印Ｂ方向）とは反対方向に純水中を通って移送される。そして搬送ロボット１２により、Ｃｕメッキ槽１３に移送され、Ｃｕメッキ処理を施され、洗浄槽１４で洗浄された後、搬送ロボット１２で排出口１６からメッキ装置１０の外に排出される。
【００３１】
図７は請求項３に記載の基板メッキ装置の他の平面構成を示す図である。図示するように、メッキ装置１０には洗浄槽１４の近傍から排出口１６に達するように基板水中搬送機１８が配置されている。該基板水中搬送機１８の構成は図６に示す基板水中搬送機１８と同一の構成である。
【００３２】
導入口１５から搬送ロボット１２で１枚ずつメッキ装置１０内に導入される未処理の半導体ウエハＷは、Ｃｕメッキ槽１３でＣｕメッキ処理が施された後、基板水中搬送機１８の搬入端のローラーコンベア１８−３に載置されると、該半導体ウエハＷは矢印Ｃに示すように純水Ｑの流れ（矢印Ｂ方向）とは反対方向に純水中を通って排出口１６の近傍まで移送される。該排出口１６の近傍まで移送された半導体ウエハＷはメッキ装置１０の外部に配置された移送手段により、純水が付着した状態、即ち濡れた状態で排出される。
【００３３】
図８は図１に示す平面構成のメッキ装置１０の導入口１５及び排出口１６の側に隣接してシード層形成用メッキ装置２０を配置した平面構成を示す図である。シード層形成用メッキ装置２０の搬入口２１から複数枚の半導体ウエハを収納してウエハカセット（図示せず）が搬入され、該各半導体ウエハＷの表面には後に詳述するシード層が形成される。
【００３４】
そして該シード層形成用メッキ装置２０でシード層が形成された半導体ウエハＷはメッキ装置１０内に配置された搬送ロボット１２で導入口１５を通って１枚つづメッキ装置１０内に導入され、Ｃｕメッキ槽１３、１３でＣｕメッキ処理され、洗浄槽１４で洗浄処理され、搬送ロボット１２によりシード層形成用メッキ装置２０に移送された後、該シード層形成用メッキ装置２０内に配置された搬送ロボット等によりウエハカセットに複数枚収納され、該ウエハカセットごと搬出口２２から外部に搬出される。
【００３５】
配線メッキ層を形成する未処理の半導体ウエハＷに図２（ａ）に示すように、半導体ウエハＷ上の導電層１０６の上にＳｉＯ2からなる絶縁膜１０５が形成され、該絶縁膜１０５に配線溝１０１及び配線穴１０２からなる配線部が形成され、さらにその表面にＴｉＮやＴａＮ等からなるバリア層１０４が形成されている。このバリア層１０４は導電体ではないのでその表面に電解メッキで直接Ｃｕメッキ層を形成することができない。また、無電解メッキでＣｕメッキ層を形成するにしても金属（ここではＣｕ）の成長開始のためのシード層をバリア層１０４の表面に形成する必要がある。
【００３６】
上記シード層形成用メッキ装置２０では図９に示すようにシード層１０７としてバリア層１０４の表面に無電解メッキでＣｕの薄膜を形成する。無電解メッキでＣｕの薄膜を形成するにはパラジウム処理によりバリア層１０４の表面に金属成長のための多数のパラジウムの核を形成し、該核を中心に金属（ここではＣｕ）を成長させて行う。
【００３７】
上記のようにシード層形成用メッキ装置２０の配置は、図１に示すメッキ装置に限定されるものではなく、図３に示すメッキ装置１０の導入口１５及び排出口１６の側に隣接して配置することも可能であるし、また、図５及び図７に示すメッキ装置１０の導入口１５側に隣接して配置することも可能である。
【００３８】
図１０は図１に示す平面構成のメッキ装置１０に隣接してシード層形成用メッキ装置２０、ＣＭＰ室３０、洗浄モジュール４０、４１、４２、アンロード室４６を配置した構成である。ＣＭＰ室３０にはＣＭＰ装置３１が配置され、洗浄モジュール４０、４１、４２にはそれぞれ洗浄機（又は洗浄・乾燥機）４３、４４、４５が配置されている。
【００３９】
図１０に示す装置において、シード層形成用メッキ装置２０では図９に示すように半導体ウエハＷのバリア層１０４の表面にシード層１０７が形成される。該
シード層１０７の形成された半導体ウエハＷはメッキ装置１０の搬送ロボット１２により１枚ずつ導入され、Ｃｕメッキ槽１３、１３でＣｕメッキ処理され図９（ｂ）に示すようにＣｕメッキ層１０３が形成され、洗浄槽１４で洗浄され、洗浄液の付着した状態でＣＭＰ室３０のＣＭＰ装置３１に移送され、該ＣＭＰ装置３１で図２（ｃ）に示すように、Ｃｕメッキ層１０３から配線溝１０１や配線穴１０２に形成したＣｕメッキ層を残して半導体ウエハＷの表面上のＣｕメッキ層を除去する。
【００４０】
上記配線溝１０１や配線穴１０２に形成したＣｕメッキ層を残してＣｕメッキ層が除去された半導体ウエハＷは洗浄モジュール４０、４１の洗浄機４３、４４で順次洗浄され、洗浄モジュール４２の洗浄機４５で洗浄乾燥され、該乾燥された半導体アンロードウエハＷはアンロード室４６内に配置されたウエハカセットに複数枚収容され、該ウエハカセットごとに搬出口４７から搬出される。
【００４１】
なお、上記例では図１に示すメッキ装置１０にシード層形成用メッキ装置２０、ＣＭＰ室３０、洗浄モジュール４０、４１、４２、アンロード室４６を配置した構成を示したが、図３、図５、図７に示すメッキ装置１０もそれに隣接させてシード層形成用メッキ装置２０、ＣＭＰ室３０、洗浄モジュール４０、４１、４２、アンロード室４６を配置することは勿論可能である。
【００４２】
上記のようにメッキ処理される半導体ウエハＷを一枚ずつメッキ装置１０内に導入し、Ｃｕメッキ槽１３、洗浄槽１４で洗浄処理した後、一枚ずつメッキ装置１０の外に排出するようにメッキ装置１０を構成したので、半導体ウエハＷをカセットに入れず１枚ずつ連続的にＣｕメッキ装置内に導入し処理することができると共に、パーティクル汚染や酸化膜の形成を極力減少でき、装置間を移動させる場合でもメッキ装置１０に隣接して配置することにより、乾燥工程等の工程を省略することができ、全体として設備規模を小さくでき、据付け面積を少なくすることが可能な半導体ウエハ配線メッキ装置の構築が容易にできる。
【００４３】
なお、上記例では基板メッキ装置を半導体ウエハ配線メッキ装置を例に説明したが、基板は半導体ウエハに限定されるものではなく、またメッキ処理する部分も基板面上に形成された配線部に限定されるものではない。また、上記例ではＣｕメッキを例に説明したが、Ｃｕメッキに限定されるものではない。
【００４４】
【発明の効果】
以上説明したように本願各請求項に記載の発明によれば下記のような優れた効果が得られる。
【００４５】
請求項１に記載の発明によれば、メッキ処理される基板を一枚ずつ基板メッキ装置内に導入し、メッキ処理及び水洗処理をした後、一枚ずつ当該基板メッキ装置外に排出するように、基板の当該基板メッキ装置内への導入と排出の少なくとも片方をメッキ装置内の基板搬送機で行うので、例えばメッキ工程の前工程であるシード層の形成を無電解Ｃｕメッキ又は液組成の異なる電解Ｃｕメッキで行う場合、これらのメッキ処理及び洗浄処理後の半導体ウエハを乾燥させ、ウエハカセットに入れ該ウエハカセットごと装置間を移動させる必要がなく、洗浄液が付着した状態で基板を取り扱うことができ、乾燥工程等が省略できるため全体として装置規模全体を小さくできる。
【００４６】
また、請求項２に記載の発明によれば、保管液を収容した基板保管槽を設け、メッキ処理部でメッキ処理するまでの待機中の基板又はメッキ処理部及び洗浄処理部でメッキ処理及び洗浄処理した後の基板を該基板保管槽の保管液中に浸漬して保管するので、メッキ処理されるまでの待機時間中にパーティクル汚染、酸化膜形成を防止できる。また、酸化膜形成を防止できることにより、メッキ液中に基板を浸漬した後に表面酸化被膜を除去するための無通電時間の設定が不要となる。
【００４７】
また、請求項３に記載の発明によれば、基板メッキ装置内に導入された基板の搬入位置からメッキ処理部近傍に達するまで及び／又は洗浄処理部近傍から基板メッキ装置の基板排出位置に達するまで、基板を純水中を通して搬送する基板水中搬送機を設けたので、導入された基板がメッキ処理部に移送されるまで、メッキ処理及び洗浄処理後の基板が基板排出位置まで移送される間に待機中に大気に曝されることがなく、パーティクル汚染及び酸化膜形成を防止することができる。また、酸化膜形成を防止できることにより、メッキ液中に基板を浸漬した後に表面酸化被膜を除去するための無通電時間の設定が不要となる。
【００４８】
また、請求項４に記載の発明によれば、メッキ処理及び洗浄処理後の基板を洗浄液が付着したまま基板メッキ装置内に配置されているロボットで当該基板メッキ装置の外に排出するので、当該基板メッキ装置に隣接して次の処理工程の装置を配置することにより、乾燥工程を省略して連続処理を実行できる。
【００４９】
また、請求項５に記載の発明によれば、メッキ処理及び洗浄処理後の基板を乾燥し、基板メッキ装置内に配置されているロボットで当該基板メッキ装置の外に排出するので、排出先が汚染を嫌う環境であって適用できる。
【００５０】
また、請求項６に記載の発明によれば、配線部表面を含むバリア層の上に容易に配線用メッキ層を形成することができる基板メッキ方法を提供できる。
【００５１】
また、請求項７に記載の発明によれば、配線部表面を含むバリア層の上に容易に配線用メッキ層を形成することができる基板メッキ装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基板メッキ装置の平面構成を示す図である。
【図２】本発明の基板メッキ装置によってメッキを行う工程の一例を示す半導体ウエハ断面図である。
【図３】本発明の基板メッキ装置の平面構成を示す図である。
【図４】本発明の基板メッキ装置に用いる基板保管槽の構成を示す図である。
【図５】本発明の基板メッキ装置の平面構成を示す図である。
【図６】本発明の基板メッキ装置に用いる基板水中搬送機の構成を示す図である。
【図７】本発明の基板メッキ装置の平面構成を示す図である。
【図８】本発明の基板メッキ装置に隣接してシード層形成用メッキ装置を配置した平面構成を示す図である。
【図９】本発明の基板メッキ装置とシード層形成用メッキ装置によってメッキを行う工程の一例を示す半導体ウエハ断面図である。
【図１０】本発明の基板メッキ装置に隣接してシード層形成用メッキ装置、ＣＭＰ室、洗浄モジュール、アンロード室を配置した平面構成を示す図である。
【符号の説明】
１０            メッキ装置
１１            レール
１２            搬送ロボット
１３            Ｃｕメッキ槽
１４            洗浄槽
１５            導入口
１６            排出口
１７            基板保管槽
１８            基板水中搬送機
２０            シード層形成用メッキ装置
２１            搬入口
２２            搬出口
３０            ＣＭＰ室
３１            ＣＭＰ装置
４０            洗浄モジュール
４１            洗浄モジュール
４２            洗浄モジュール
４３            洗浄機
４４            洗浄機
４５            洗浄機
４６            アンロード室
４７            搬出口