【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年4月18日(2014.4.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の構成単位：
（Ｐｈ（ＣＨ２）ｒＳｉＯ（３−ｘ）／２（ＯＲ’）ｘ）ｍ
（ＨＳｉＯ（３−ｘ）／２（ＯＲ’）ｘ）ｎ
（ＭｅＳｉＯ（３−ｘ）／２（ＯＲ’）ｘ）ｏ
（ＲＳｉＯ（３−ｘ）／２（ＯＲ’）ｘ）ｐ
（Ｒ１ＳｉＯ（３−ｘ）／２（ＯＲ’）ｘ）ｑ
を備え、ここでＰｈがフェニル基、Ｍｅがメチル基、Ｒがカルボン酸基、カルボン酸形成基又はその混合物から選択され、Ｒ１が置換フェニル基、エステル基、ポリエーテル基、メルカプト基、硫黄含有有機官能基、ヒドロキシル生成基、アリールスルホン酸エステル基及び反応性又は硬化性の有機官能基から選択され、Ｒ’が水素原子又は１〜４個の炭素原子を有する炭化水素基、ｒが０、１、２、３又は４の値、ｘが０、１又は２の値であり、前記樹脂では、ｍが０．０５〜０．２５の値、ｎが０．０５〜０．９９の値、ｏが０〜０．９５の値、ｐが０．０１〜０．５の値、ｑが０〜０．５の値、ｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＋ｑ＝１であるシルセスキオキサン樹脂。
【請求項２】
（Ａ）シラン反応体の合計が１００モル％の条件で、５〜２５モル％のＰｈ（ＣＨ２）ｒＳｉＸ３と、５〜９９モル％のＨＳｉＸ３と、０〜９５モル％のＭｅＳｉＸ３と、１〜９５モル％のＲＳｉＸ３と、０〜５０モル％のＲ１ＳｉＸ３とからなるシラン反応体の混合物と、
（Ｂ）前記シラン反応体中のＸ１モル当たり０．５〜２モルの水とを、
有機溶媒中で反応させる工程を備え、
ここでＰｈがフェニル基、Ｍｅがメチル基、Ｒがカルボン酸基、カルボン酸形成基又はその混合物から選択され、Ｒ１が置換フェニル基、エステル基、ポリエーテル基、メルカプト基、硫黄含有有機官能基、ヒドロキシル生成基、アリールスルホン酸エステル基及び反応性又は硬化性の有機官能基から選択され、ｒが０、１、２、３又は４の値、Ｘが加水分解性基であるシルセスキオキサン樹脂の製造方法。
【請求項３】
前記ＲＳｉＸ３が、以下の群：
（ＭｅＯ）３Ｓｉ−（ＣＨ２）ｍ−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯｔＢｕ
（ＭｅＯ）３Ｓｉ−（ＣＨ２）２−ＣＯＯ−ＳｉＭｅ３
（ＭｅＯ）３Ｓｉ−（ＣＨ２）ｍ−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯ−ＳｉＭｅ３
【化１】
2012511619.tif 000001
から選択され、ここで、Ｍｅがメチル基、ｔＢｕがｔ−ブチル基、ｍが２又は３の値、ｎが１〜１０の値である請求項２に記載の方法。
【請求項４】
カルボキシレートオレフィンを遷移金属触媒の存在下Ｓｉ−ＨおよびＰｈ（ＣＨ２）ｒＳｉ含有シルセスキオキサン樹脂にグラフト化することを備え、
前記カルボキシレートオレフィンが、以下の群：
ＣＨ２＝ＣＨ−（ＣＨ２）ｍ−ＣＯＯＲ４；
ＣＨ２＝ＣＨ−（ＣＨ２）ｍ−ＣＯＯ−ＣＨ２−ＯＭｅ；
ＣＨ２＝ＣＨ−（ＣＨ２）ｍ−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＲ４；
【化２】
2012511619.tif 000002
から選択され、ここでｒが０、１、２、３又は４の値；Ｒ４がｔＢｕ、ＳｉＭｅ３、ＳｉｔＢｕＭｅ２又はＣＰｈ３から選択され；ｍ＝０〜８であるシルセスキオキサン樹脂の製造方法。
【請求項５】
（ｉ）以下の構成単位：
（Ｐｈ（ＣＨ２）ｒＳｉＯ（３−ｘ）／２（ＯＲ’）ｘ）ｍ
（ＨＳｉＯ（３−ｘ）／２（ＯＲ’）ｘ）ｎ
（ＭｅＳｉＯ（３−ｘ）／２（ＯＲ’）ｘ）ｏ
（ＲＳｉＯ（３−ｘ）／２（ＯＲ’）ｘ）ｐ
（Ｒ１ＳｉＯ（３−ｘ）／２（ＯＲ’）ｘ）ｑ
を有し、ここでＰｈがフェニル基、Ｍｅがメチル基、Ｒ’が水素原子又は１〜４の炭素原子をもつ炭化水素基、Ｒがカルボン酸基、カルボン酸形成基又はその混合物から選択され、Ｒ１が置換フェニル基、エステル基、ポリエーテル基、メルカプト基、硫黄含有有機官能基、ヒドロキシル生成基、アリールスルホン酸エステル基及び反応性又は硬化性の有機官能基から選択され、ｒが０、１、２、３又は４の値、ｘが０、１又は２の値、前記樹脂では、ｍが０．０５〜０．２５の値、ｎが０．０５〜０．９９の値、ｏが０〜０．９５の値、ｐが０．０１〜０．５の値、ｑが０〜０．５の値、ｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＋ｑ＝１であるシルセスキオキサン樹脂と、
（ｉｉ）溶媒と
を備えるシルセスキオキサン樹脂組成物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
この点に関して、我々は最近、特定のフェニルヒドリド系シルセスキオキサン樹脂が、193nmの光の優れた反射防止膜特性を示すことを見出した。底部の反射防止膜（ＢＡＲＣ）材料は、活性化した放射線の反射を効果的に低減できるが、その上に形成されたフォトレジスト及び／又はその下に形成された基板にダメージを与えることなくＢＡＲＣ材料を除去することは、非常に挑戦的である。ＢＡＲＣを除去する典型的なプロセスは、プラズマエッチングプロセスによるものである。しかしながら、プラズマエッチングは、しばしばフォトレジスト層の薄膜化を引き起こす。その結果、前記フォトレジスト層上のパターンは、破壊されるか、又は、基板層への転写ができなくなる。またプラズマエッチングは、基板にダメージも与えることによって、最終製品の性能に悪影響を与える。さらには、前記ＢＡＲＣを除去するための追加的なエッチング工程は、コストを増加させ、フォトリソグラフィ実施のプロセスを複雑化する。それによって、プラズマエッチング以外の手段によって取り除かれる反射防止膜材料を有することが望ましい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
この発明は、反射防止膜に有用なカルボキシル官能シルセスキオキサン樹脂に関し、該シルセスキオキサン樹脂は、以下の構成単位：
（Ｐｈ（ＣＨ２）ｒＳｉＯ（３−ｘ）／２（ＯＲ’）ｘ）ｍ
（ＨＳｉＯ（３−ｘ）／２（ＯＲ’）ｘ）ｎ
（ＭｅＳｉＯ（３−ｘ）／２（ＯＲ’）ｘ）ｏ
（ＲＳｉＯ（３−ｘ）／２（ＯＲ’）ｘ）ｐ
（Ｒ１ＳｉＯ（３−ｘ）／２（ＯＲ’）ｘ）ｑ
を備え、ここで、Ｐｈがフェニル基、Ｍｅがメチル基、Ｒ’が水素原子又は１〜４の炭素原子をもつ炭化水素基、Ｒがカルボン酸基、カルボン酸形成基又はその混合物から選択され、Ｒ１が置換フェニル基、エステル基、ポリエーテル基、メルカプト基、硫黄含有有機官能基、ヒドロキシル生成基、アリールスルホン酸エステル基及び反応性又は硬化性の有機官能基から選択され、ｒが０、１、２、３又は４の値、ｘが０、１又は２の値であり、前記樹脂では、ｍが０〜０．９５の値、ｎが０．０５〜０．９５の値、ｏが０〜０．９５の値、ｐが０．０５〜０．５の値、ｑが０〜０．９５の値、ｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＋ｑ＝１である。これらの樹脂が反射防止膜に用いられるとき、前記硬化したフィルムは、（例えばＰＧＭＥＡに対する）優れた耐溶剤性を示し、エッチング、湿式現像、湿式剥離、その他を含む種々の手段によって除去できる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
前記反射防止膜の形成に用いるシルセスシロキサン樹脂は、以下の構成単位を備える。
（Ｐｈ（ＣＨ２）ｒＳｉＯ（３−ｘ）／２（ＯＲ’）ｘ）ｍ
（ＨＳｉＯ（３−ｘ）／２（ＯＲ’）ｘ）ｎ
（ＭｅＳｉＯ（３−ｘ）／２（ＯＲ’）ｘ）ｏ
（ＲＳｉＯ（３−ｘ）／２（ＯＲ’）ｘ）ｐ
（Ｒ１ＳｉＯ（３−ｘ）／２（ＯＲ’）ｘ）ｑ
ここで、Ｐｈがフェニル基、Ｍｅがメチル基、Ｒ’が水素原子又は１〜４の炭素原子をもつ炭化水素基であり、Ｒがカルボン酸基、カルボン酸形成基又はその混合物から選択され、Ｒ１が置換フェニル基、エステル基、ポリエーテル基、メルカプト基、硫黄含有有機官能基、ヒドロキシル生成基、アリールスルホン酸エステル基及び反応性又は硬化性の有機官能基から選択され、ｒが０、１、２、３又は４の値、ｘが０、１又は２の値であり、前記樹脂では、ｍが０より大きく〜０．９０の値、ｎが０．０５〜０．９９の値、ｏが０〜０．９５の値、ｐが０．０１〜０．５の値、ｑが０〜０．５の値、ｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＋ｑ＝１である。一般的に、前記ｍは０．０５〜０．２５の値であり、選択的には０．０５〜０．１５である。一般的に、前記ｎは０．１５〜０．８０の値であり、選択的には０．２〜０．７５である。一般的に、前記ｏは０．２５〜０．８０の値であり、選択的には０．４〜０．７５である。一般的に、前記ｐは０．０１５〜０．３５の値であり、選択的には０．０２５〜０．２５である。一般的に、前記ｑは０〜０．１５の値であり、選択的には０〜０．１である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
シロキサン樹脂を用意する方法としては、（Ａ）ＨＳｉＸ３と、ＲＳｉＸ３と、選択的にＭｅＳｉＸ３と、Ｐｈ（ＣＨ２）ｒＳｉＸ３と、Ｒ１ＳｉＸ３とを有するシラン反応体の混合物と、（Ｂ）水とを、有機溶媒中で反応させる工程を備える。ここで、Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ、ＣＨ３ＣＯ２−、アルコキシ基−ＯＲ’又は他の加水分解性基から独立して選択される加水分解性基である。ここで、前記シランの好適例としては、ＨＳｉ（ＯＥｔ）３、ＨＳｉＣｌ３、ＰｈＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣｌ３、ＰｈＳｉＣｌ３、ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）３、ＭｅＳｉＣｌ３、Ｒ１ＳｉＣｌ３及びＲ１Ｓｉ（ＯＭｅ３）３（ここで、Ｒ１は上記の通りであり、Ｍｅはメチル基であり、Ｅｔはエチル基であり、Ｐｈはフェニル基である。）が挙げられるが、これらに限定はされない。前記反応混合物中では、シラン反応体の合計が１００モル％の条件で、一般的に０〜９０モル％、選択的には５〜２５モル％のＰｈ（ＣＨ２）ｒＳｉＸ３、５〜９９モル％、選択的には１５〜８０モル％のＨＳｉＸ３、０〜９５モル％、選択的には２５〜８０モル％のＭｅＳｉＸ３、１〜９５モル％、選択的には１．５〜３５モル％のＲＳｉＸ３、及び、０〜５０モル％、選択的には０〜１５モル％のＲ１ＳｉＸ３が存在する。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
前記シルセスキオキサン樹脂を製造するための反応に続いて、所望の形態のシルセスキオキサン樹脂を得るために多くの選択的な工程を実施することができる。例えば、前記シルセスキオキサン樹脂は、溶媒を取り除くことによって固体形態で回収することができる。前記溶媒を除去する方法は重要ではなく、多くの公知の方法がある（例えば、加熱及び／又は真空下での蒸留など）。一旦、前記シルセスキオキサン樹脂を固体形態で回収した後、前記樹脂を特定の使用に対応すべく、同様の溶媒又はその他の溶媒中に、選択的に再溶解することができる。代案として、前記反応で用いられた以外の異なる溶媒が最終製品のために必要とされる場合、例えば、第２の溶媒の添加、及び、蒸留を用いた第１の溶媒の除去によって、溶媒の変更が行われる。追加的に、前記溶媒の除去、又は、さらなる溶媒量の追加によって、溶媒中で前記樹脂の濃度が調整される。