(57)【要約】　　　（修正有）【課題】台座と電子冷却素子との間の接合強度が高く、トラッキングエラーを発生し難い半導体レーザモジュールを提供する。【解決手段】光ファイバ８、光ファイバ８の入力端１１に向けてレーザ光を照射する半導体レーザ５、光ファイバ８と半導体レーザ５とを搭載する台座６、台座６を支承する電子冷却素子４を備える。台座６の底面積の２０〜８０％が電子冷却素子４と接合している。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバ、前記光ファイバの入力端に向けてレーザ光を照射する半導体レーザ、前記光ファイバと前記半導体レーザとを搭載する台座、および前記台座を支承する電子冷却素子を備える半導体レーザモジュールにおいて、
前記台座の底面積の２０〜８０％が前記電子冷却素子と接合していることを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項２】
前記接合が半田によりなされていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項３】
前記台座の底面積の２０〜８０％が金でメッキされており、前記台座が当該金メッキの一部または全部を介して前記電子冷却素子と接合していることを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項４】
前記台座の底面が凹部を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項５】
前記電子冷却素子と接合していない前記台座の底面と、当該底面に対向する前記電子冷却素子との間に熱伝導性シートを挟持することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項６】
前記電子冷却素子の天面が凸部を有し、前記凸部が前記台座の底面と接合していることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項７】
電子冷却素子と、電子冷却素子の天面とほぼ同じ面積と形状の底面を有する台座を用意し、前記電子冷却素子の天面の面積の２０〜８０％に半田を蒸着し、前記電子冷却素子の天面上に台座の底面を重ねて設置し、加熱して冷却することにより前記台座の底面積の２０〜８０％を前記電子冷却素子の天面と接合する工程を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュールの製造方法。
【請求項８】
天面が半田で被覆されている電子冷却素子と、電子冷却素子の天面とほぼ同じ面積と形状の底面を有する台座を用意し、前記天面の表面に存在する半田を部分的に除去することにより、天面の面積の２０〜８０％に非酸化状態の半田を露出させ、前記電子冷却素子の天面上に台座の底面を重ねて設置し、加熱して冷却することにより前記台座の底面積の２０〜８０％を前記電子冷却素子の天面と接合する工程を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュールの製造方法。
【請求項９】
前記半田の除去を半田を研磨することにより行うことを特徴とする請求項８に記載の半導体レーザモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザモジュールおよびその製造方法に関する。特に、台座と電子冷却素子との間の接合強度が高く、トラッキングエラーを発生し難い半導体レーザモジュールとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体レーザモジュールは、光ファイバと半導体レーザを搭載する台座と、該台座を支承する電子冷却素子を備えている。このような半導体レーザモジュールにおいては、半導体レーザから発振するレーザ光を効率よく光ファイバに光結合させることが極めて重要である。光結合効率は光ファイバの先端がわずかに移動しただけで大きく変動しトラッキングエラーを生じてしまうため、製造段階で精密に光ファイバの位置合わせを行うとともに、使用中に位置ずれを起こさないように位置を固定しておくことが重要である。特に近年では、半導体レーザモジュールの高出力化に伴って、さらに高い位置精度が要求されるようになっており、位置ずれを起こさないことが益々重要視されるようになっている。
【０００３】
位置ずれは、半導体レーザモジュールの使用中に発生する半導体レーザの熱や、半導体レーザモジュールに加えられる物理的な衝撃等によって生ずる。
半導体レーザモジュールは、使用中に発生する半導体レーザの熱を、台座を経由して電子冷却素子に逃がすことによって、熱膨張による位置ずれを抑制している。このため、従来の半導体レーザモジュールでは、放熱効率を良くするために、台座の底面全体を電子冷却素子に接合している。そして、高出力化に耐えうるように、十分な冷却能力を備えた電子冷却素子を使用している。しかしながら、冷却能力が高い電子冷却素子は、それ自身の駆動による変形が比較的大きい。このため、電子冷却素子の変形が台座に伝わり、位置ずれを生じる原因になるという問題があった。
【０００４】
そこで、通常の電子冷却素子を用いつつ、半導体レーザモジュールを構成する台座を厚くしたり、形状を工夫したりするなどして位置ずれを抑制することが提案されている。例えば、先行特許文献１には、光軸と平行な両側部にそれぞれ厚肉部を設けた台座を用いることが開示されている。このような形状を有する台座を用いれば、半導体レーザの放熱による台座の変形を光軸方向に対して低減し得るため、光軸方向の位置ずれを抑えることができると記載されている。しかしながら、この技術では、台座が厚くなるために半導体レーザモジュールを小型化し難いという問題がある。また、台座そのものの形状が複雑であることから、製造に時間とコストがかかるという問題もある。
【０００５】
一方、半導体レーザモジュールにおける位置ずれは、外部から加えられる物理的な衝撃によっても生じることがある。加えられる衝撃の強さや方向によって、半導体レーザモジュールにはさまざまな位置ずれが生じ得る。例えば、台座と電子冷却素子の間の接合が剥がれで両者が乖離してしまい、半導体レーザモジュールとしての機能がまったく失われてしまうこともある。このような致命的な障害を回避するために、台座と電子冷却素子との間の接合強度は十分に高くすることが望まれるが、従来の半導体レーザモジュールは必ずしも両者の接合強度が十分に高くなかった。
【０００６】
【先行技術文献１】特開平５−１５０１４６号公報の段落番号００１０〜００２８
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来技術の問題点を考慮して、本発明は、台座と電子冷却素子との間の接合強度が高く、トラッキングエラーを発生し難い半導体レーザモジュールを提供することを課題とした。また、本発明は、このような有利な特徴を有する半導体レーザモジュールを簡便な方法で提供しうる製造方法を提供することも課題とした。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、半導体レーザモジュールを構成する台座と電子冷却素子との間の接合を工夫することにより、所期の効果を有する優れた半導体レーザモジュールを提供し得ることを見出し、本発明に到達した。
【０００９】
すなわち本発明は、光ファイバ、前記光ファイバの入力端に向けてレーザ光を照射する半導体レーザ、前記光ファイバと前記半導体レーザとを搭載する台座、および前記台座を支承する電子冷却素子を備える半導体レーザモジュールにおいて、前記台座の底面積の２０〜８０％、好ましくは３０〜７０％が前記電子冷却素子と接合していることを特徴とする半導体レーザモジュールを提供する。
【００１０】
本発明の半導体レーザモジュールの好ましい態様として、前記接合が半田によりなされている態様；前記台座の底面積の２０〜８０％が金でメッキされており、前記台座が当該金メッキの一部または全部を介して前記電子冷却素子と接合している態様；前記台座の底面が凹部を有する態様；前記電子冷却素子と接合していない前記台座の底面と、当該底面に対向する前記電子冷却素子との間に熱伝導性シートを挟持する態様；および、前記電子冷却素子の天面が凸部を有し、前記凸部が前記台座の底面と接合している態様を挙げることができる。
【００１１】
また本発明は、電子冷却素子と、電子冷却素子の天面とほぼ同じ面積と形状の底面を有する台座を用意し、前記電子冷却素子の天面の面積の２０〜８０％に半田を蒸着し、前記電子冷却素子の天面上に台座の底面を重ねて設置し、加熱して冷却することにより前記台座の底面積の２０〜８０％を前記電子冷却素子の天面と接合する工程を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュールの製造方法も提供する。
【００１２】
本発明の製造方法の好ましい態様として、天面が半田で被覆されている電子冷却素子と、電子冷却素子の天面とほぼ同じ面積と形状の底面を有する台座を用意し、前記天面の表面に存在する半田を部分的に除去することにより、天面の面積の２０〜８０％に非酸化状態の半田を露出させ、前記電子冷却素子の天面上に台座の底面を重ねて設置し、加熱して冷却することにより前記台座の底面積の２０〜８０％を前記電子冷却素子の天面と接合する工程を含む態様を挙げることができる。特に、前記半田の除去を半田を研磨することにより行うことが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下において、本発明の半導体レーザモジュールとその製造方法について詳細に説明する。なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
【００１４】
本発明の半導体レーザモジュールは、光ファイバ、前記光ファイバの入力端に向けてレーザ光を照射する半導体レーザ、前記光ファイバと前記半導体レーザとを搭載する台座、および前記台座を支承する電子冷却素子を少なくとも備える。そして、本発明の特徴は、台座の底面積の２０〜８０％が前記電子冷却素子と接合している点にある。
【００１５】
本明細書において、台座の底面と電子冷却素子の天面が「接合する」という表現は、台座の底面と電子冷却素子の天面が直接接触して固定されている態様と、台座の底面と電子冷却素子の天面が半田のような媒体を介して固定されている態様の両方を含む意味で使用される。また、台座の底面と電子冷却素子の天面が直接接触している部分と、台座の底面と電子冷却素子の天面が半田のような媒体を介して固定されている部分が並存していてもよい。ただし、半田を用いる場合であっても、空気酸化された半田により台座の底面と電子冷却素子の天面を付けた場合は本明細書でいう接合に該当しない。
【００１６】
本発明の半導体レーザモジュールは、台座の底面積の３０〜７０％が前記電子冷却素子と接合していることが好ましく、台座の底面積の４０〜６５％が前記電子冷却素子と接合していることがより好ましい。
【００１７】
従来の半導体レーザモジュールは、天面に半田を蒸着させた電子冷却素子に台座を載せて、加熱と冷却を行うことにより電子冷却素子と台座を一体化していた。このような方法により製造した半導体レーザモジュールは、本発明者らが試験した結果、トラッキングエラーを発生し難い傾向がある反面、外部からの物理的衝撃によって電子冷却素子と台座が比較的剥がれ易いという問題があることが判明した（比較例１と試験例１〜４参照）。その原因を追究すべく、電子冷却素子から剥がれた台座の底面を観察したところ、半田の濡れがほとんどないことが判明した。このことは、半田の機能が十分に発揮されていないため、台座が電子冷却素子から剥がれ易くなっていることを意味している。
【００１８】
本発明者らは、半田の機能が十分に発揮されなかった原因が、半田表面に形成された酸化皮膜にあるものと考えた。そこで、そのような酸化皮膜を研磨により除去して非酸化状態の半田を表面に露出させ、台座との接合を試みた。その結果、電子冷却素子と台座との接合強度は大いに高まり、外部からの物理的衝撃によって台座が電子冷却素子から剥離する危険性を十分に低減することができた。
【００１９】
しかしながら、その一方において、電子冷却素子の天面全体に非酸化状態の半田を露出させて台座と接合すると、トラッキングエラーが発生し易くなることが判明した（比較例２および試験例１〜４参照）。このような半導体レーザモジュールは、実用性という点からも受け入れることができないものであった。
【００２０】
本発明者らは、このような従来知られていなかった知見を得たうえで種々の試行錯誤を重ねた結果、台座の底面積の２０〜８０％が電子冷却素子と接合するように設計することによって、台座と電子冷却素子の間の接合強度向上とトラッキングエラーの改善という従来両立させることができなかった２つの特徴を同時に持たせることに成功した。
【００２１】
いかなる理論にも拘泥するものではないが、本発明の半導体レーザモジュールがこのような優れた特徴を備えているのは、台座と電子冷却素子との間に適度な接合部分が存在するために十分な接合強度を生み出すことができ、また、台座と電子冷却素子との間に適度な非接合部分が存在するために、電子冷却素子の変動を台座に伝え難くすることができるためであると考えられる。
【００２２】
台座の底面積の２０〜８０％を電子冷却素子と接合させる方法や態様は特に制限されない。
例えば、天面に半田を蒸着した電子冷却素子を用意し、その天面の半田表面を部分的に除去することによって非酸化状態の半田を部分的に露出させ、その上に台座底面を重ねて、加熱、冷却することによって台座と電子冷却素子を接合させることができる。このとき、台座の底面積の２０〜８０％が電子冷却素子と接合するように、電子冷却素子の天面の半田を研磨する領域を適宜決定する。
【００２３】
本発明の好ましい態様では、天面が半田で被覆されている電子冷却素子と、電子冷却素子の天面とほぼ同じ面積と形状の底面を有する台座を用意し、前記天面の表面に存在する半田を部分的に除去することにより、天面の面積の２０〜８０％に非酸化状態の半田を露出させる。このような方法によれば、比較的容易に研磨すべき領域を決定することができる。なお、ここでいう「ほぼ同じ面積」とは、電子冷却素子の天面の面積の０．７〜１．３倍、好ましくは０．８〜１．２倍、さらに好ましくは０．９〜１．１倍の面積をいう。
【００２４】
なお、本明細書において、半田を蒸着した電子冷却素子を「用意」するとは、半田を蒸着してから十分に時間が経過し、表面に存在している半田が空気に触れて酸化皮膜を形成しているものを用意することを意味する。また、表面の酸化皮膜を除去する方法は特に制限されず、例えばやすりで研磨する方法を好ましい方法として例示することができる。
【００２５】
台座の底面積の２０〜８０％を電子冷却素子と接合させる別の好ましい方法として、天面が非酸化状態の半田で被覆されている電子冷却素子上に、天面の一部を覆うように薄いグラファイトシートを重ねて設置し、さらに当該グラファイトシート上に台座を重ねて設置し、全体を加熱、冷却する方法を挙げることができる。このとき、グラファイトシートで覆われていない非酸化状態の半田が、台座の底面積の２０〜８０％に接するように設置することが必要とされる。
【００２６】
グラファイトシートは、複数枚使用しても構わない。また、シート中に開口部を有するものを使用しても構わない。ガラファイトシートの厚さは、通常０．０５ｍｍ〜０．５０ｍｍであり、０．１０ｍｍ〜０．２０ｍｍが好ましい。なお、グラファイトシートは、他の熱伝導性が良い材料で置換しても構わない。
【００２７】
台座の底面積の２０〜８０％を電子冷却素子と接合させる別の好ましい方法として、台座底面に底面積の２０〜８０％に相当する凹部を設け、当該凹部には半田が流れ込まないように設計した台座を利用する方法を挙げることができる。このような台座を用いれば、半田の研磨面積や蒸着面積などを注意する必要がないという利点がある。凹部の形状は特に制限されず、ストライプ状、半球状などいずれであってもよい。また、凹部は複数設けられていてもよい。さらに、電子冷却素子の天面に凸部を設け、当該凸部を介して台座と接合させることもできる。
【００２８】
台座の底面積の２０〜８０％を電子冷却素子と接合させる別の好ましい方法として、底面に半田との濡れ性が高いメッキを施した台座を用いる方法も挙げることができる。例えば、台座の底面積の２０〜８０％に金メッキを施しておくことによって、その部分の半田との濡れ性を高めることができる。例えば、台座の底面積の２０〜８０％に金メッキを施し、残りの部分を凹部としておくことにより、より好ましい台座を構成することができる。
【００２９】
本発明の半導体レーザモジュールを構成する半導体レーザ、光ファイバ、台座、電子冷却素子の形状、サイズ、機能などは、本発明の所期の効果を過度に阻害しない限り特に制限されず、半導体レーザモジュールに適用可能なものを適宜選択して採用することができる。また、台座と電子冷却素子の接合工程以外の半導体レーザモジュールの製造工程も特に制限されない。通常用いられている方法を適宜組み合わせて採用することができる。
【００３０】
本発明の典型的な半導体レーザモジュールの構造を、図１を参照しながら説明する。
リード端子（１）を備えたモジュールパッケージ（２）内部に、リード線（３）を有する電子冷却素子（４）が固定され、リード線（３）がリード端子（１）へ配線される。電子冷却素子（４）の天面には、半導体レーザ（５）を搭載した台座（６）が接合されている。一方、モジュールパッケージ（２）の一側面に設けられた開口部から突出する誘導管（７）を通して光ファイバ（８）がモジュールパッケージ内部に導入され、金属フェルール（９）がクリップ（１０）により台座（６）上に固定される。このとき、半導体レーザ（５）から発振された光が光ファイバの先端（１１）に効率よく光結合するように位置決めされる。最後に、蓋体（１２）によりモジュールパッケージ（２）が封止される。
【００３１】
本発明の半導体レーザモジュールは、台座と電子冷却素子との間の接合強度が高く、トラッキングエラーを発生し難いという２つの特徴を同時に備えていることから、さまざまな分野で広範に利用することが期待される。例えば、発振波長が９８０ｎｍの地上系半導体レーザモジュールなどに好ましく利用することができる。
【００３２】
【実施例】
以下に実施例と比較例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
【００３３】
（実施例１）　本発明の半導体レーザモジュールの製造
天面全体に半田を蒸着した電子冷却素子（４）と、コバールからなる台座（６）を用意した。電子冷却素子（４）の天面のサイズは（縦）６．０ｍｍ×（横）１０．０ｍｍであり、台座（６）の底面のサイズは（縦）６．０ｍｍ×（横）１０．０ｍｍであった。
電子冷却素子（４）のリード線（３）が出ている側の端部から横方向に４．５ｍｍの位置に縦方向に罫書線を入れ、幅４．５ｍｍの領域と幅５．５ｍｍの２つの領域に分けた。幅５．５ｍの領域をやすりで研磨することにより、表面の酸化膜を除去した。
電子冷却素子（４）の天面上に、台座（６）の底面の一部が接するように重ねて、２２０℃に加熱した。その後、室温まで冷却することにより、電子冷却素子（４）と台座（６）を接合した。
なお、台座（６）と接合する前に、電子冷却素子（４）の底面はモジュールパッケージ（２）内にダイボンドさせておいた。台座（６）上への半導体レーザ（５）と光ファイバ（８）の設置とその位置あわせ等は常法にしたがって行い、蓋体（１２）でパッケージを封止して図１に示す半導体レーザモジュールを製造した。
【００３４】
（実施例２）　本発明の半導体レーザモジュールの製造
天面に半田を蒸着していない電子冷却素子と、コバールからなる台座を用意した。電子冷却素子の天面と台座の底面のサイズは実施例１と同じである。
電子冷却素子のリード線が出ている側の端部から横方向に４．５ｍｍの位置に縦方向に罫書線を入れ、幅４．５ｍｍの領域と幅５．５ｍｍの２つの領域に分けた。幅４．５ｍの領域をマスキングし、天面に半田を蒸着した。マスクを除去することにより、幅５．５ｍｍの領域のみに半田を蒸着させた電子冷却素子を得た。
この電子冷却素子を用いて実施例１と同じ方法により半導体レーザモジュールを製造した。
【００３５】
（実施例３）　本発明の半導体レーザモジュールの製造
天面全体に半田を蒸着した電子冷却素子と、コバールからなる台座を用意した。電子冷却素子の天面と台座の底面のサイズは実施例１と同じである。
台座の底面の端部から横方向に４．５ｍｍの位置に縦方向に罫書線を入れ、幅４．５ｍｍの領域と幅５．５ｍｍの２つの領域に分けた。幅４．５ｍの領域をマスキングし、底面に金メッキを施した。マスクを除去することにより、幅５．５ｍｍの領域のみを金メッキした台座を得た。
この台座を用いて実施例１と同じ方法により半導体レーザモジュールを製造した。
【００３６】
（実施例４）　本発明の半導体レーザモジュールの製造
天面全体に半田を蒸着した電子冷却素子と、コバールからなる台座を用意した。電子冷却素子の天面と台座の底面のサイズは実施例１と同じである。また、厚さ０．１ｍｍで（縦）６．０ｍｍ×（横）４．５ｍｍのグラファイトシートを用意した。
電子冷却素子のリード線が出ている側の端部から横方向に４．５ｍｍの位置に縦方向に罫書線を入れ、幅４．５ｍｍの領域と幅５．５ｍｍの２つの領域に分けた。幅４．５ｍの領域を覆うようにグラファイトシートを設置し、さらにグラファイトシートと幅５．５ｍｍの領域を覆うように台座を重ねた。
この電子冷却素子を用いて実施例１と同じ方法により半導体レーザモジュールを製造した。
【００３７】
（比較例１）　比較用半導体レーザモジュールの製造
天面全体に半田を蒸着した電子冷却素子と、コバールからなる台座を用意した。電子冷却素子の天面と台座の底面のサイズは実施例１と同じである。
電子冷却素子の天面上に台座の底面が接するように重ねて、実施例１と同じ方法により半導体レーザモジュールを製造した。
【００３８】
（比較例２）　比較用半導体レーザモジュールの製造
天面全体に半田を蒸着した電子冷却素子と、コバールからなる台座を用意した。電子冷却素子の天面と台座の底面のサイズは実施例１と同じである。
天面全体をやすりで研磨して、表面に形成されていた酸化膜を除去した。その後、電子冷却素子の天面上に台座の底面が接するように重ねて、実施例１と同じ方法により半導体レーザモジュールを製造した。
【００３９】
（試験例１）　トラッキングエラー評価
実施例１〜４、比較例１、比較例２で製造した各半導体レーザモジュールについて、パッケージ内の温度を０℃から８０℃まで変化させて、トラッキングエラーを評価した。
実施例１と比較例１の半導体レーザモジュールは、いずれも出力の変動が０．２５ｄＢ以内に収まっており良好であった。それに対して、比較例２の半導体レーザモジュールは、出力変動が約０．６ｄＢであり許容範囲外であった。
【００４０】
（試験例２）　接合強度試験
実施例１〜４、比較例１、比較例２で製造した各半導体レーザモジュールについて、台座とモジュールパッケージ内壁の間にマイナスドライバーを差し入れてこれを回すことによって力を加えた。
比較例１の半導体レーザモジュールは、容易に台座が電子冷却素子から剥がれた。剥がれた台座の底面を観察すると、ほとんど半田で濡れていなかった。
実施例１〜４と比較例２の半導体レーザモジュールは、台座が電子冷却素子に接合したまま、全体がモジュールパッケージから剥がれた。その後、台座と電子冷却素子を強制的に剥がして台座底面を観察したところ、５．５ｍｍ領域に対応する部分が半田で濡れていることが確認された。
【００４１】
（試験例３）　冷却能力試験
実施例１〜４、比較例１、比較例２で製造した各半導体レーザモジュールについて、パッケージ外側の温度を７０℃に保持し、半導体レーザを５５０ｍＡで駆動させつつ、電子冷却素子によってパッケージ内の温度を２５℃に維持するように設定した。このとき、パッケージ内の温度を２５℃に維持するために電子冷却素子に供給した電流を測定した（電圧は約２．５Ｖ）。実施例１〜４および比較例２の半導体レーザモジュールは、いずれも１Ａ程度の電流で２５℃に維持することができ、冷却能力は良好であることが確認された。比較例１の半導体レーザモジュールは、やや冷却能力が劣ることが確認された。
【００４２】
（試験例４）　振動衝撃試験
実施例１〜４、比較例１、比較例２で製造した各半導体レーザモジュールについて、機械衝撃試験（ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３　Ｍｅｔｈｏｄ　２００２）と機械振動試験（ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３　Ｍｅｔｈｏｄ　２００７）を行ってベルコア規格をクリアしているか否かを試験した。
実施例１〜４および比較例２で製造した各半導体レーザモジュールはベルコア規格をクリアしていたが、比較例１で製造した半導体レーザモジュールはベルコア規格をクリアしていなかった。
【００４３】
【発明の効果】
本発明の半導体レーザモジュールは、台座と電子冷却素子との間の接合強度が高く、トラッキングエラーを発生し難いという２つの特徴を同時に備えるものである。また、本発明の製造方法は、このような半導体レーザモジュールを効率よく製造しうるものである。これらの特徴を有することから、本発明は半導体レーザモジュールを利用する広範な技術分野で効果的に利用され得るものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体レーザモジュールの構成を説明するための斜視図である。
【符号の説明】
１　リード端子
２　モジュールパッケージ
３　リード線
４　電子冷却素子
５　半導体レーザ
６　台座
７　誘導管
８　光ファイバ
９　金属フェルール
１０　クリップ
１１　先端
１２　蓋体
【図１】
2004104000.tif 000003