【手続補正書】
【提出日】平成26年10月24日(2014.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
拡張ドレイン金属酸化物半導体（ＭＯＳ）トランジスタと、
を含む、集積回路であって、
前記拡張ドレインＭＯＳトランジスタが、
前記基板内の拡張ドレインであって、前記拡張ドレインがドリフト領域を含み、前記ドリフト領域が、交互のフィールドギャップドリフト領域と能動ギャップ領域とを含む、前記拡張ドレインと、
前記基板内のチャネル領域であって、前記ドリフト領域に接する前記チャネル領域と、
前記フィールドギャップドリフト領域の近傍であり且つ前記チャネル領域と反対側に位置する、前記拡張ドレイン内のフィールド酸化物要素であって、前記拡張ドレインが前記フィールド酸化物要素下に延びる、前記フィールド酸化物要素と、
前記チャネル領域と前記ドリフト領域との上で前記基板上のゲート誘電体層と、
前記チャネル領域の上の前記ゲート誘電体層上のゲートであって、前記ゲートが前記フィールドギャップドリフト領域の上のフィールドプレートを含み、前記フィールドプレートが前記フィールド酸化物要素上に延びる、前記ゲートと、
前記能動ギャップ領域と前記フィールド酸化物要素とに接する、前記拡張ドレイン内のドレインコンタクト拡散領域と、
前記ドレイコンタクト拡散領域上のドレインコンタクトであって、各前記能動ギャップ領域に近接する少なくとも１つの前記ドレインコンタクトと、前記フィールド酸化物要素に重なる前記フィールドプレートと反対側の前記フィールド酸化物要素に近接する少なくとも１つの前記ドレインコンタクトとがある、前記ドレインコンタクトと、
前記チャネル領域に接し且つ前記ゲートに近接する、前記基板内のソースと、
を含む、集積回路。
【請求項２】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記フィールド酸化物要素の上の各前記フィールドプレートのドレイン端部幅が、前記フィールドプレートの前記フィールド酸化物要素と反対側の各前記フィールドプレートのソース端部幅より少なくとも１００ナノメートル小さくなるように、前記フィールドプレートが先細の形状を有する、集積回路。
【請求項３】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記フィールド酸化物要素の上の各前記フィールドプレートのドレイン端部幅が、前記フィールドプレートの前記フィールド酸化物要素と反対側の各前記フィールドプレートのソース端部幅より少なくとも１００ナノメートル大きくなるように、前記フィールドプレートが、逆向き（ｒｅｔｏｒｏｇｒａｄｅ）先細の形状を有する、集積回路。
【請求項４】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記拡張ドレインＭＯＳトランジスタがｎチャネルである、集積回路。
【請求項５】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記拡張ドレインＭＯＳトランジスタがｐチャネルである、集積回路。
【請求項６】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記フィールド酸化物要素がシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）プロセスにより形成される、集積回路。
【請求項７】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記フィールド酸化物要素がシリコンの局所酸化（ＬＯＣＯＳ）プロセスにより形成される、集積回路。
【請求項８】
請求項１に記載の集積回路であって、
近接する前記フィールドプレートの間の各前記能動ギャップ領域の能動ギャップ幅が２ミクロンより小さい、集積回路。
【請求項９】
請求項１に記載の集積回路であって、
近接する前記フィールドプレートの間の各前記能動ギャップ領域の能動ギャップ幅が１ミクロンより小さい、集積回路。
【請求項１０】
基板と、
対称ネステッド（ｎｅｓｔｅｄ）構成の拡張ドレインＭＯＳトランジスタと、
を含む、集積回路であって、
前記拡張ドレインＭＯＳトランジスタが、
前記基板内の拡張ドレインであって、前記拡張ドレインが、前記拡張ドレインＭＯＳトランジスタの第１の部分内の第１のドリフト領域と、前記拡張ドレインＭＯＳトランジスタの第２の部分内の第２のドリフト領域とを含み、前記第１のドリフト領域が、交互の第１のフィールドギャップドリフト領域と第１の能動ギャップ領域とを含み、前記第２のドリフト領域が、交互の第２のフィールドギャップドリフト領域と第２の能動ギャップ領域とを含み、前記第１のフィールドギャップドリフト領域が前記第２の能動ギャップ領域に整列され、前記第２のフィールドギャップドリフト領域が前記第１の能動ギャップ領域に整列される、前記拡張ドレインと、
前記第１の部分内の前記基板内の第１のチャネル領域であって、前記第１のドリフト領域に接する、前記第１のチャネル領域と、
前記第２の部分内の前記基板内の第２のチャネル領域であって、前記第２のチャネル領域が前記第２のドリフト領域に接し、前記第２のチャネル領域が前記拡張ドレインの前記第１のチャネル領域と反対側に位置する、前記第２のチャネル領域と、
前記拡張ドレインにおいて交互の線形構成に配置されるフィールド酸化物要素であって、前記拡張ドレインが前記フィールド酸化物要素下に延びるように、且つ、前記フィールド酸化物要素が、前記第１のチャネル領域と反対側の前記第１のフィールドギャップドリフト領域に近接して且つ前記第２のチャネル領域と反対側の前記第２のフィールドギャップドリフト領域に近接して位置する、前記フィールド酸化物要素と、
前記第１のチャネル領域と前記第１のドリフト領域との上であり、且つ、前記第２のチャネル領域と前記第２のドリフト領域との上の、前記基板上のゲート誘電体層と、
前記第１のチャネル領域の上の前記ゲート誘電体層上の第１のゲート部であって、前記第１のゲート部が前記第１のフィールドギャップドリフト領域の上の第１のフィールドプレートを含み、前記第１のフィールドプレートが前記フィールド酸化物要素上に延びる、前記第１のゲート部と、
前記第２のチャネル領域の上の前記ゲート誘電体層上の第２のゲート部であって、前記第２のゲート部が前記第２のフィールドギャップドリフト領域の上の第２のフィールドプレートを含み、前記第２のフィールドプレートが前記フィールド酸化物要素上に延びる、前記第２のゲート部と、
前記第１のチャネル領域に接し且つ前記第１のゲート部に近接する、前記基板内の第１のソースと、
前記第２のチャネル領域に接し且つ前記第２のゲート部に近接する、前記基板内の第２のソースと、
前記第１の能動ギャップ領域と前記第２の能動フィールド領域と前記フィールド酸化物要素とに接する、前記拡張ドレイン内のドレインコンタクト拡散領域と、
前記第１の能動ギャップ領域と前記第２の能動ギャップ領域とに近接する、前記ドレインコンタクト拡散領域上のドレインコンタクトと、
前記第１のソース上の第１のソースコンタクトと、
前記第２のソース上の第２のソースコンタクトと、
を含む、集積回路。
【請求項１１】
請求項１０に記載の集積回路であって、
近接する、前記第１のフィールドプレートと第２のフィールドプレートの間の前記第１の能動ギャップ領域と前記第２の能動ギャップ領域の各々の能動ギャップ幅が２ミクロンより小さい、集積回路。
【請求項１２】
請求項１０に記載の集積回路であって、
近接する前記第１のフィールドプレートの間の前記第１の能動ギャップ領域と前記第２の能動ギャップ領域の各々の能動ギャップ幅が１ミクロンより小さい、集積回路。
【請求項１３】
基板を提供することと、
拡張ドレインＭＯＳトランジスタを形成することと、
を含む、集積回路を形成するプロセッであって、
前記拡張ドレインＭＯＳトランジスタを形成することが、
前記基板内に拡張ドレインを形成する工程であって、前記拡張ドレインが、交互のフィールドギャップドリフト領域と能動ギャップ領域とを備えたドリフト領域を含み、且つ、前記拡張ドレインＭＯＳトランジスタのチャネル領域に接するように、前記拡張ドレインを形成する工程と、
チャネル領域が前記ドリフト領域に接するように、前記基板内にチャネル領域を形成する工程と、
前記フィールドギャップドリフト領域に近接し且つ前記チャネル領域と反対側の前記拡張ドレイン内にフィールド酸化物要素を形成する工程であって、前記拡張ドレインが前記フィールド酸化物要素下に延びるように、前記フィールド酸化物要素を形成する工程と、
前記チャネル領域と前記ドリフト領域との上の前記基板上にゲート誘電体層を形成する工程と、
前記チャネル領域の上の前記ゲート誘電体層上にゲートを形成する工程であって、前記ゲートが、前記フィールド酸化物要素上に延びる前記フィールドギャップドリフト領域の上のフィールドプレートを含むように、前記ゲートを形成する工程と、
前記基板内に前記チャネル領域に接し且つ前記ゲートに近接するソースを形成する工程と、
を含むプロセスによる、プロセス。
【請求項１４】
請求項１３に記載のプロセスであって、
各前記能動ギャップ領域に近接する少なくとも１つの前記ドレインコンタクトと、前記フィールド酸化物要素に重なる前記フィールドプレートと反対側の各前記フィールド酸化物要素に近接する少なくとも１つの前記ドレインコンタクトとがある、プロセス。
【請求項１５】
請求項１３に記載のプロセスであって、
近接する前記フィールドプレートの間の各前記能動ギャップ領域の能動ギャップ幅が２ミクロンより小さい、プロセス。
【請求項１６】
請求項１３に記載のプロセスであって、
近接する前記フィールドプレートの間の各前記能動ギャップ領域の能動ギャップ幅が１ミクロンより小さい、プロセス。
【請求項１７】
請求項１３に記載のプロセスであって、
前記フィールド酸化物要素の上の各前記フィールドプレートのドレイン端部幅が、前記フィールドプレートの前記フィールド酸化物要素とは反対側の各前記フィールドプレートソース端部幅より少なくとも１００ナノメートル小さくなるように、前記フィールドプレートが先細の形状を有する、プロセス。
【請求項１８】
請求項１３に記載のプロセスであって、
前記フィールド酸化物要素の上の各前記フィールドプレートのドレイン端部幅が、前記フィールドプレートの前記フィールド酸化物要素とは反対側の各前記フィールドプレートのソース端部幅より少なくとも１００ナノメートル大きくなるように、前記フィールドプレートが逆向き先細の形状を有する、プロセス。
【請求項１９】
請求項１３に記載のプロセスであって、
前記拡張ドレインＭＯＳトランジスタがｎチャネルである、プロセス。
【請求項２０】
請求項１３に記載のプロセスであって、
前記拡張ドレインＭＯＳトランジスタがｐチャネルである、プロセス。
【請求項２１】
請求項１３に記載のプロセスであって、
前記フィールド酸化物要素を形成することがＳＴＩプロセスを用いて行われる、プロセス。
【請求項２２】
請求項１３に記載のプロセスであって、
前記フィールド酸化物要素を形成することがＬＯＣＯＳプロセスを用いて行われる、プロセス。
【請求項２３】
請求項１３に記載のプロセスであって、
前記拡張ドレインＭＯＳトランジスタを形成することが、
前記能動ギャップ領域と前記フィールド酸化物要素とに接する前記拡張ドレイン内にドレインコンタクト拡散領域を形成する工程と、
前記ドレインコンタクト拡散領域上にドレインコンタクトを形成する工程と、
前記ソース上にソースコンタクトを形成する工程と、
を更に含む、プロセス。