【手続補正書】
【提出日】平成23年11月17日(2011.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
触媒系の存在下、所定の有機溶媒中で、高圧下で、式１を有するイミンを水素と接触させることを含み；
前記触媒系が、イリジウムおよびロジウムから選択される金属またはその塩と錯体形成した配位子を含み；
前記配位子が
ａ．  ［（１Ｒ，２Ｒ，３Ｓ）−１，２−ジメチル−２，３−ビス（ジフェニルホスフィノメチル）−シクロペンチル］メタノール；
ｂ．  （１Ｓ，４Ｓ，１１Ｒ）−１，１１−ビス−［（ジフェニルホスファニル）−メチル］−１１−メチル−１，２，３，４−テトラヒドロ−１，４−メタノ−フェナジン；
ｃ．  （Ｒ）−３−ジ−（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィノ−２−（４−ジフェニルホスフィノ−２，５−ジメチルチエニル−３）−１，７，７−トリメチルビシクロ−［２．２．１］−ヘプト−２−エン；
ｄ．  （Ｓ）−２−［（ｏ−ジフェニルホスフィノ）−フェニル］−１−ジフェニルホスフィノ−フェロセン；
ｅ．  （Ｓ）−１−（ジフェニルホスフィノ）−２−（Ｓ）−（ｏ−ジフェニルホスフィノ−α−メトキシベンジル）フェロセン；
ｆ．  （＋）−（Ｓ）−Ｎ，Ｎ−ジメチル−１−［（Ｒ）−１’，２−ビス−（ジフェニルホスフィノ）−フェロセニル］−エチルアミン；および
ｇ．  ［（Ｓ）−１−［（Ｒ）−２−ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］−エチル−ジ（シクロヘキシル）−ホスフィン；
を含む群から選択される；
式１：
【化１】
2011518150.tif 000001
を有するイミンを不斉水素化して、式２：
【化２】
2011518150.tif 000002
を有するアミン（２−エチル−Ｎ−［（１Ｓ）−２−メトキシ−１−メチル−エチル］−６−メチル−アニリン）を得る方法。
【請求項２】
式３：
【化３】
2011518150.tif 000003
の化合物の製造方法であって；
（ｉ）触媒系が、イリジウムおよびロジウムから選択される金属またはその塩と錯体形成した配位子を含み；
前記配位子が
ａ．  ［（１Ｒ，２Ｒ，３Ｓ）−１，２−ジメチル−２，３−ビス（ジフェニルホスフィノメチル）−シクロペンチル］メタノール；
ｂ．  （１Ｓ，４Ｓ，１１Ｒ）−１，１１−ビス−［（ジフェニルホスファニル）−メチル］−１１−メチル−１，２，３，４−テトラヒドロ−１，４−メタノ−フェナジン；
ｃ．  （Ｒ）−３−ジ−（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィノ−２−（４−ジフェニルホスフィノ−２，５−ジメチルチエニル−３）−１，７，７−トリメチルビシクロ−［２．２．１］−ヘプト−２−エン；
ｄ．  （Ｓ）−２−［（ｏ−ジフェニルホスフィノ）−フェニル］−１−ジフェニルホスフィノ−フェロセン；
ｅ．  （Ｓ）−１−（ジフェニルホスフィノ）−２−（Ｓ）−（ｏ−ジフェニルホスフィノ−α−メトキシベンジル）フェロセン；
ｆ．  （＋）−（Ｓ）−Ｎ，Ｎ−ジメチル−１−［（Ｒ）−１’，２−ビス−（ジフェニルホスフィノ）−フェロセニル］−エチルアミン；および
ｇ．  ［（Ｓ）−１−［（Ｒ）−２−ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］−エチル−ジ（シクロヘキシル）−ホスフィン；
を含む群から選択される；
触媒系の存在下、所定の有機溶媒中で、高圧下で、式１：
【化４】
2011518150.tif 000004
を有するイミンを水素と接触させることにより、式１を有する前記イミンを不斉水素化して、式２：
【化５】
2011518150.tif 000005
を有するアミン（２−エチル−Ｎ−［（１Ｓ）−２−メトキシ−１−メチル−エチル］−６−メチル−アニリン）を得る工程；並びに
（ｉｉ）所定の温度で、非極性溶媒中、塩基の存在下で、式２を有する前記アミンを塩化クロロアセチルと反応させる工程；
を含む、式３の化合物の製造方法。
【請求項３】
式３：
【化６】
2011518150.tif 000006
の化合物の製造方法であって；
（ｉ）式４：
【化７】
2011518150.tif 000007
の化合物を、式：ＣＨ３ＯＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ３を有するメトキシアセトンと反応させて、式１のイミン化合物を得る工程；
（ｉｉ）触媒系が、イリジウムおよびロジウムから選択される金属またはその塩と錯体形成した配位子を含み；
前記配位子が
ａ．  ［（１Ｒ，２Ｒ，３Ｓ）−１，２−ジメチル−２，３−ビス（ジフェニルホスフィノメチル）−シクロペンチル］メタノール；
ｂ．  （１Ｓ，４Ｓ，１１Ｒ）−１，１１−ビス−［（ジフェニルホスファニル）−メチル］−１１−メチル−１，２，３，４−テトラヒドロ−１，４−メタノ−フェナジン；
ｃ．  （Ｒ）−３−ジ−（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィノ−２−（４−ジフェニルホスフィノ−２，５−ジメチルチエニル−３）−１，７，７−トリメチルビシクロ−［２．２．１］−ヘプト−２−エン；
ｄ．  （Ｓ）−２−［（ｏ−ジフェニルホスフィノ）−フェニル］−１−ジフェニルホスフィノ−フェロセン；
ｅ．  （Ｓ）−１−（ジフェニルホスフィノ）−２−（Ｓ）−（ｏ−ジフェニルホスフィノ−α−メトキシベンジル）フェロセン；
ｆ．  （＋）−（Ｓ）−Ｎ，Ｎ−ジメチル−１−［（Ｒ）−１’，２−ビス−（ジフェニルホスフィノ）−フェロセニル］−エチルアミン；および
ｇ．  ［（Ｓ）−１−［（Ｒ）−２−ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］−エチル−ジ（シクロヘキシル）−ホスフィン；
を含む群から選択される；
触媒系の存在下、所定の有機溶媒中で、高圧下で、式１：
【化８】
2011518150.tif 000008
を有するイミンを水素と接触させることにより、式１を有する前記イミンを不斉水素化して、式２：
【化９】
2011518150.tif 000009
を有するアミン（２−エチル−Ｎ−［（１Ｓ）−２−メトキシ−１−メチル−エチル］−６−メチル−アニリン）を得る工程；並びに
（ｉｉｉ）所定の温度で、非極性溶媒中、塩基の存在下で、式２を有する前記アミンを塩化クロロアセチルと反応させる工程；
を含む、式３の化合物の製造方法。
【請求項４】
高圧下で前記イミンを水素と接触させる工程が添加剤の存在下で行われる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記添加剤が、ジアダマンチルブチルホスホニウムヒドロヨージド（Ａ）、ジアダマンチルベンジルホスホニウムヒドロブロミド（Ｂ）、トリフェニルホスホニウムジヨージド（Ｃ）、イソプロピルトリフェニルホスホニウムヨージド（Ｄ）、トリフェニルホスホニウムジブロミド（Ｅ）、メチルトリフェニルホスホニウムブロミド（Ｆ）、テトラブチルアンモニウムヨージド（Ｇ）、銅（ＩＩ）トリフラート（Ｈ）、イッテルビウム（ＩＩ）トリフラート（Ｉ）、トリフェニルホスホニウムジクロリド（Ｊ）を含む群から選択される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記イミンを水素と接触させる工程が、トルエン、１，４−ジオキサン、メタノール、テトラヒドロフラン、ジクロロメタンなどから選択される不活性有機溶媒中で行われる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記イミンの前記触媒系に対するモル比が約２００〜約５０００００である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記イミンを水素と接触させる工程が、約１０℃〜１００℃の温度で行われる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
式２の前記アミンが、約０℃〜約５℃の温度で塩化クロロアセチルと反応させられる、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記イミンを水素と接触させる工程が、約５ｂａｒ〜約１５０ｂａｒの高い水素圧で行われる、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
イリジウム金属またはその塩と錯体形成した、式：［（１Ｒ，２Ｒ，３Ｓ）−１，２−ジメチル−２，３−ビス（ジフェニルホスフィンメチル）−シクロペンチル］メタノールを有する配位子を含む触媒系の存在下、トルエン中で、約５０℃の温度で、約８０ｂａｒの高圧下で、式１を有するイミンを水素と接触させることを含む；
式１：
【化１０】
2011518150.tif 000010
を有するイミンを不斉水素化して、式２：
【化１１】
2011518150.tif 000011
を有するアミン（２−エチル−Ｎ−［（１Ｓ）−２−メトキシ−１−メチル−エチル］−６−メチル−アニリン）を得る方法。
【請求項１２】
式３：
【化１２】
2011518150.tif 000012
の化合物の製造方法であって；
（ｉ）イリジウム金属またはその塩と錯体形成した、式：［（１Ｒ，２Ｒ，３Ｓ）−１，２−ジメチル−２，３−ビス（ジフェニルホスフィンメチル）−シクロペンチル］メタノールを有する配位子を含む触媒系の存在下、トルエン中で、約５０℃の温度で、約８０ｂａｒの高圧下で、式１：
【化１３】
2011518150.tif 000013
を有するイミンを水素と接触させることにより、式１を有するイミンを不斉水素化して、式２：
【化１４】
2011518150.tif 000014
を有するアミン（２−エチル−Ｎ−［（１Ｓ）−２−メトキシ−１−メチル−エチル］−６−メチル−アニリン）を得る工程；並びに
（ｉｉ）所定の温度で、非極性溶媒中、塩基の存在下で、式２を有する前記アミンを塩化クロロアセチルと反応させる工程；
を含む、式３の化合物の製造方法。
【請求項１３】
式３：
【化１５】
2011518150.tif 000015
の化合物の製造方法であって；
（ｉ）式４：
【化１６】
2011518150.tif 000016
の化合物を、式：ＣＨ３ＯＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ３を有するメトキシアセトンと反応させて、式１のイミン化合物を得る工程；
（ｉｉ）イリジウム金属またはその塩と錯体形成した、式：［（１Ｒ，２Ｒ，３Ｓ）−１，２−ジメチル−２，３−ビス（ジフェニルホスフィンメチル）−シクロペンチル］メタノールを有する配位子を含む触媒系の存在下、トルエン中で、約５０℃の温度で、約８０ｂａｒの高圧下で、式１：
【化１７】
2011518150.tif 000017
を有するイミンを水素と接触させることにより、式１を有するイミンを不斉水素化して、式２：
【化１８】
2011518150.tif 000018
を有するアミン（２−エチル−Ｎ−［（１Ｓ）−２−メトキシ−１−メチル−エチル］−６−メチル−アニリン）を得る工程；並びに
（ｉｉｉ）所定の温度で、非極性溶媒中、塩基の存在下で、式２を有する前記アミンを塩化クロロアセチルと反応させる工程；
を含む、式３の化合物の製造方法。
【請求項１４】
前記式１を有するイミンを水素と接触させる工程が添加剤の存在下で行われる、請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記添加剤がトリフェニルホスホニウムジブロミドである、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記式１のイミン化合物の前記触媒系に対する基質対触媒比が約５０００００以下である、請求項１１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
実施例に関連する、本明細書において実質的に記載されるイミンの不斉水素化方法。
【請求項１８】
実施例に関連する、本明細書において実質的に記載される、式３の化合物の製造方法。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれか１項に記載される方法に従って製造される、式３
【化１９】
2011518150.tif 000019
の化合物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の概要
触媒系の存在下、所定の有機溶媒中で、高圧下で、式１を有するイミンを水素と接触させることを含み；
前記触媒系が、イリジウムおよびロジウムから選択される金属またはその塩と錯体形成した配位子を含み；
前記配位子が
（ａ）［（１Ｒ，２Ｒ，３Ｓ）−１，２−ジメチル−２，３−ビス（ジフェニルホスフィノメチル）−シクロペンチル］メタノール；
（ｂ）（１Ｓ，４Ｓ，１１Ｒ）−１，１１−ビス−［（ジフェニルホスファニル）−メチル］−１１−メチル−１，２，３，４−テトラヒドロ−１，４−メタノ−フェナジン；
（ｃ）（Ｒ）−３−ジ−（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィノ−２−（４−ジフェニルホスフィノ−２，５−ジメチルチエニル−３）−１，７，７−トリメチルビシクロ−［２．２．１］−ヘプト−２−エン；
（ｄ）（Ｓ）−２−［（ｏ−ジフェニルホスフィノ）−フェニル］−１−ジフェニルホスフィノ−フェロセン；
（ｅ）（Ｓ）−１−（ジフェニルホスフィノ）−２−（Ｓ）−（ｏ−ジフェニルホスフィノ−α−メトキシベンジル）フェロセン；
（ｆ）（＋）−（Ｓ）−Ｎ，Ｎ−ジメチル−１−［（Ｒ）−１’，２−ビス−（ジフェニルホスフィノ）−フェロセニル］−エチルアミン；および
（ｇ）［（Ｓ）−１−［（Ｒ）−２−ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］−エチル−ジ（シクロヘキシル）−ホスフィン；
を含む群から選択される
式１：
【化１】
2011518150.tif 000020
を有するイミンを不斉水素化して、式２：
【化２】
2011518150.tif 000021
を有するアミン（２−エチル−Ｎ−［（１Ｓ）−２−メトキシ−１−メチル−エチル］−６−メチル−アニリン）を得る方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
別の形態においては、本発明は、イリジウム金属またはその塩と錯体形成した、式：［（１Ｒ，２Ｒ，３Ｓ）−１，２−ジメチル−２，３−ビス（ジフェニルホスフィンメチル）−シクロペンチル］メタノールを有する配位子を含む触媒系の存在下、トルエン中で、約５０℃の温度で、８０ｂａｒの高圧下で、上記式１を有する前記イミンを水素と接触させることを含む；
式１：
【化３】
2011518150.tif 000022
を有するイミンを不斉水素化して、式２：
【化４】                               
2011518150.tif 000023
を有するアミン（２−エチル−Ｎ−［（１Ｓ）−２−メトキシ−１−メチル−エチル］−６−メチル−アニリン）を得る改良された方法を提供する。
【発明を実施するための形態】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
イミンは、好ましくは式１：
【化５】
2011518150.tif 000024
を有する化合物を含み、この化合物は、下記式２：
【化６】
2011518150.tif 000025
を有するアミン（２−エチル−Ｎ−［（１Ｓ）−２−メトキシ−１−メチル−エチル］−６−メチル−アニリン）に不斉水素化される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上記式２の化合物は、その後、所定の温度で、非極性溶媒中で、塩基の存在下、塩化クロロアセチルと反応させられて、式３の化合物を得る。この反応工程は好ましくは、約０℃−５℃の温度で行われる。
【化７】
2011518150.tif 000026
上記式３の化合物は、Ｓ−メトラクロールとして知られる商業的に販売されている除草剤である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
【化１２】
2011518150.tif 000027
（ＩＩ）（１Ｓ，４Ｓ，１１Ｒ）−１，１１−ビス−［（ジフェニルホスファニル）−メチル］−１１−メチル−１，２，３，４−テトラヒドロ−１，４−メタノ−フェナジン
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
【化１３】
2011518150.tif 000028
（ＩＩＩ）（Ｒ）−３−ジ−（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィノ−２−（４−ジフェニルホスフィノ−２，５−ジメチルチエニル−３）−１，７，７−トリメチルビシクロ−［２．２．１］−ヘプト−２−エン
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
【化１４】
2011518150.tif 000029
（ＩＶ）（Ｓ）−２−［（ｏ−ジフェニルホスフィノ）−フェニル］−１−ジフェニルホスフィノ−フェロセン
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
【化１５】
2011518150.tif 000030
（Ｖ）（Ｓ）−１−（ジフェニルホスフィノ）−２−（Ｓ）−（ｏ−ジフェニルホスフィノ−α−メトキシベンジル）フェロセン
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
【化１６】
2011518150.tif 000031
（ＶＩ）（＋）−（Ｓ）−Ｎ，Ｎ−ジメチル−１−［（Ｒ）−１’，２−ビス−（ジフェニルホスフィノ）−フェロセニル］−エチルアミン
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
【化１７】
2011518150.tif 000032
（ＶＩＩ）［（Ｓ）−１−［（Ｒ）−２−ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］−エチル−ジ（シクロヘキシル）−ホスフィン。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
よって、別の形態においては、本発明は、式１：
【化１８】
2011518150.tif 000033
を有するイミンを不斉水素化して、式２：
【化１９】
2011518150.tif 000034
を有するアミン（２−エチル−Ｎ−［（１Ｓ）−２−メトキシ−１−メチル−エチル］−６−メチル−アニリン）を得る改良された方法であって、
当該方法が、触媒系の存在下、トルエン中で、約５０℃の温度で、８０ｂａｒの高圧下で、上記式１を有する前記イミンを水素と接触させることを含み；
前記触媒系が、イリジウム金属またはその塩と錯体形成した、式：［（１Ｒ，２Ｒ，３Ｓ）−１，２−ジメチル−２，３−ビス（ジフェニルホスフィンメチル）−シクロペンチル］メタノールを有する配位子を含む；
方法を提供する。