Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月2日(2003.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力値を受け取る入力ノード、反転出力ノード、およびクロック信号を受け取るクロック線を有する第１のラッチであって、前記のクロック信号が第１の状態にあるとき前記の反転出力ノード上にラッチされる値を有し、前記の値は前記のクロック信号が第２の状態にあるときには可変である第１のラッチと、入力値を受け取る入力ノード、前記の第１のラッチの入力ノードに結合された反転出力ノード、非反転出力ノード、および前記のクロック信号を受け取るクロック線を有する第２のラッチであって、前記のクロック信号が前記の第２の状態にあるとき前記の反転および非反転出力ノード上にラッチされる値を有し、前記のクロック信号が前記の第１の状態にあるとき前記の反転および非反転出力上の値は可変である第２のラッチと、それぞれが１つの構成値を受け取る複数の構成線と、前記の第２のラッチの前記の入力に結合された出力、記憶すべきデータを受け取るように結合されたデータ入力、および前記の構成線に結合されたアドレス線を有する第１のマルチプレクサであって、前記のデータ入力の１つが前記のアドレス線にしたがって選択され、前記の出力に結合される第１のマルチプレクサとを特徴とする構成可能な記憶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の構成可能な記憶装置であって、さらに、出力を有し、また前記の第１のラッチの前記の反転出力と前記の第２のラッチの非反転出力とに結合されたデータ入力を有する第２のマルチプレクサを有し、前記の第２のマルチプレクサは前記の構成線の少なくとも１つに結合されたアドレス線を有し、これによって前記の第２のマルチプレクサのデータ入力の１つが前記の第２のマルチプレクサのアドレス線にしたがって選択され前記の第２のマルチプレクサの出力に結合されることを特徴とする構成可能な記憶装置。
【請求項３】
請求項１に記載の構成可能な記憶装置であって、前記の第１のマルチプレクサは前記の構成値を処理して多数の選択信号を生成する組み合わせ論理を含み、多数のスイッチを有し、前記のスイッチはそれぞれ前記の選択信号の１つによって制御され、前記のスイッチはそれぞれ前記の第１のマルチプレクサのデータ入力の１つを前記の第１のマルチプレクサの出力に接続するように結合されることを特徴とする構成可能な記憶装置。
【請求項４】
請求項２に記載の構成可能な記憶装置であって、さらに、前記の第１のマルチプレクサの出力に結合された第１のデータ入力および前記の第１のマルチプレクサの前記のデータ入力の１つに結合された第２のデータ入力を有する第３のマルチプレクサを有し、前記の第３のマルチプレクサは前記の第２のマルチプレクサの出力によって制御されることを特徴とする構成可能な記憶装置。
【請求項５】
請求項４に記載の構成可能な記憶装置であって、前記の第３のマルチプレクサはさらに、前記の第２のマルチプレクサの出力によって制御されて、前記の第２のマルチプレクサの出力がローであるとき前記の第１のマルチプレクサの１つのデータ入力を前記の第２のラッチの入力に結合する第１のスイッチと、前記の第２のマルチプレクサの出力によって制御されて、前記の第２のマルチプレクサの出力がロー状態であるとき前記の第１のマルチプレクサの出力を前記の第２のラッチから減結合する第２のスイッチとを有することを特徴とする構成可能な記憶装置。
【請求項６】
請求項２に記載の構成可能な記憶装置であって、さらに、前記の第２のマルチプレクサの出力の一部または前記第１のマルチプレクサのデータ入力の一部のいずれかを、前記の構成値に基づいて前記記憶装置の出力に結合する選択手段とを有することを特徴とする構成可能な記憶装置。
【請求項７】
請求項１に記載の構成可能な記憶装置であって、前記の第１のラッチはさらに、少なくとも１つの入力線および前記の第１のラッチの前記の反転出力ノードを形成する出力線を有する第１の反転論理ゲートと、前記の第１の反転論理ゲートの前記の出力に結合された入力を有し、出力ノードを有する第２の反転論理ゲートと、前記の第２の反転論理ゲートの出力を前記の第１の反転論理ゲートの入力に結合する第１のクロック制御されたスイッチであって、前記のクロック信号が前記の第１の状態にあるとき導通する第１のクロック制御されたスイッチと、前記の第１の反転論理ゲートの入力を前記の第２のラッチの前記の出力ノードに結合する第２のクロック制御されたスイッチであって、前記のクロック信号が前記の第２の状態にあるとき導通する第２のクロック制御されたスイッチとを有することを特徴とする構成可能な記憶装置。
【請求項８】
請求項７に記載の構成可能な記憶装置であって、前記の第２のラッチはさらに、少なくとも１つの入力線および前記の第２のラッチの前記の反転出力ノードを形成する出力線を有する第１の反転論理ゲートと、前記の第１の反転論理ゲートの出力に結合された入力を有し、前記の第１のラッチの前記の非反転出力ノードを形成する出力ノードを有する第２の反転論理ゲートと、前記の第２の反転論理ゲートの出力を前記の第１の反転論理ゲートの入力に結合する第１のクロック制御されたスイッチであって、前記のクロック信号が前記の第２の状態にあるとき導通する第１のクロック制御されたスイッチと、前記の第１の反転論理ゲートの入力を前記の第１のマルチプレクサに結合する第２のクロック制御されたスイッチであって、前記のクロック信号が前記の第１の状態にあるとき導通する第２のクロック制御されたスイッチとを有することを特徴とする構成可能な記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月15日(2003.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ及びヘッダ情報項目を包含するディジタルデータパケットを伝送又は記録する方法であって、前記データ及び関連するヘッダ情報項目の第１部分は通常品質で再生するのに充分であり、前記データの更なる部分は、それらの関連する情報項目と共に、改善された品質の再生を可能にし、当該方法は：
前記データ及びそれらのヘッダ情報項目を複数の階層的なサブチャネルに分けるステップであって、通常の再生品質の前記データ及び改善された再生品質のヘッダ情報項目は同じサブチャネルに割り当てられるところのステップ；及び
良好な異なる誤り保護レベルを有するサブチャネルの伝送又は記録を行なうステップであって、あるサブチャネル内のデータに関しては同じ誤り保護レベルが有効であり、上位のサブチャネルは下位のサブチャネルより良好な誤り保護を受け、通常品質の再生に充分な前記データは該良好な誤り保護によりサブチャネルで伝送又は記録されるところのステップ；
より成ることを特徴とする方法。
【請求項２】
上位のサブチャネルに割り当てられるヘッダ情報項目は、何れも直ぐ上位のサブチャネルに割り当てられることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
少なくとも解像度と共に前記データに属し且つ最高のサブチャネルで伝送されるヘッダ情報項目が、数回伝送されることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
ＭＰＥＧ２方式の多重化に従って伝送が行なわれ、ヘッダ情報項目を含む輸送パケットは優先ビットを設定することにより印が付けられることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の方法。
【請求項５】
複数のサブチャネルで階層的に伝送又は記録されるディジタル信号の復号を行なう方法であって、上位のチャネルは、それらに対して下位のサブチャネルより良好な誤り保護を受け、当該方法は：
前記サブチャネルの信号を、データパケット及び関連するヘッダ情報項目を含むサブ信号に結合し、最高に保護されるサブチャネルに割り当てられる前記サブ信号は、通常品質での再生に充分であり、より高品質の少なくとも１つのサブ信号のヘッダ情報項目は、そのデータパケットが下位のサブチャネルに割り当てられ、下位の別のサブチャネルで伝送されるところのステップ；及び
ビデオ信号に対する前記サブ信号のデータを復号するステップ；
より成ることを特徴とする方法。
【請求項６】
複数のサブチャネルでディジタル信号の階層的な伝送及び記録を行なうための符号器であって、上位サブチャネルはそれらの下位サブチャネルより良好な誤り保護を受け、当該符号器は：
データパケット及び関連するヘッダ情報項目を含む複数のサブ信号における階層的な符号化のためのソースコーダであって、それらサブ信号の１つは通常品質での再生に充分であるところのソースコーダ；
前記サブ信号を、異なる誤り保護レベルを有するサブチャネルに分けるためのチャネルインターフェースであって、通常品質での再生成に充分な前記サブ信号が最高に保護されたサブチャネルに割り当てられ、少なくとも１つのサブチャネルが、サブ信号のヘッダ情報項目に割り当てられ、そのデータパケットは下位の別のサブチャネルに割り当てられるところのインターフェース；
を備えることを特徴とする符号器。
【請求項７】
ヘッダ情報項目が伝送又は記録される輸送パケットが識別されることを特徴とする請求項６記載の符号器。
【請求項８】
複数のサブチャネルで階層的に伝送又は記録されるディジタル信号用の復号器であって、上位のサブチャネルは、それらの下位のサブチャネルよりも高い誤り保護レベルを有し、当該復号器は：
別の誤り保護レベルを有するサブチャネルの信号を、データパケット及び関連するヘッダ情報項目を含むサブ信号に結合するチャネルインターフェースであって、最高に保護されたサブチャネルに割り当てられるサブ信号は、通常の解像度での再生に充分であり、より高い解像度の少なくとも１つのサブ信号のヘッダ情報項目は、下位の別のサブチャネルで伝送されるところのチャネルインターフェース；及び
ビデオ信号に対するサブ信号のデータを復号するためのソースデコーダ；
を備えることを特徴とする復号器。
【請求項９】
ヘッダ情報項目が伝送される輸送パケットの符号器側の身元が評価されることを特徴とする請求項８記載の復号器。
【請求項１０】
前記ディジタル信号又はデータパケットが、音声及び／又はビデオデータを含み、通常の再生はＴＶ解像度品質を含み、改善された再生品質はＨＤＴＶ解像度を含むことを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の方法、符号器又は復号器。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月24日(2003.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の中に配置された大電流用電界効果トランジスタであって、
ゲート絶縁体層により半導体基板の外側表面から分離された多結晶半導体第１ゲート体と、
前記基板の前記外側表面の中に配置され、かつ前記第１ゲート体から間隔距離を有して配置された、導電性ドレイン領域と、
前記基板の前記外側表面の中に配置され、かつ前記基板の中で前記第１ゲート体および前記ゲート絶縁体層の内側に配置されたチヤンネル領域を定めるために、前記導電性ドレイン領域と反対側に前記第１ゲート体から間隔距離を有して配置された、導電性ソース領域と、
前記第１ゲート体の近傍に配置され１つの幅寸法を有する、ソース側壁絶縁体と、
前記第１ゲート体の外側表面の上に配置されたケイ化物第１ゲート層と、
前記ドレイン領域の外側表面の上に配置され、前記第１ゲート体から間隔距離を有して配置された、ケイ化物ドレイン層と、
前記ケイ化物ドレイン層から間隔距離を有して配置され、前記ソース側壁絶縁体の幅寸法よりも大きな幅寸法を有するドレイン第１側壁絶縁体と、
より成る半導体基板の中に配置された大電流用電界効果トランジスタ。
【請求項２】
請求項１記載のトランジスタにおいて、更に
多結晶半導体第２ゲート体を有し、この第２ゲート体は前記基板の前記外側表面から前記ゲート絶縁体層により分離されかつ前記第１ゲート体から間隔距離を有して配置されており、それによって前記第１ゲート体と前記第２ゲート体との間の前記半導体基板の前記表面の中に導電性ドレイン領域が定められており、更に
前記第２ゲート体の外側表面の上に配置された第２ケイ化物ゲート層を有し、かつ前記ケイ化物ドレイン層は、前記第２ゲート体の近傍に作成された第２ドレイン側壁絶縁体によって、前記第２ゲート体および前記第２ケイ化物ゲート層から間隔距離を有して配置されており、その際前記ケイ化物ドレイン層は前記ソース側壁絶縁体の幅寸法よりも大きな幅寸法を有する、前記トランジスタ。
【請求項３】
請求項１記載のトランジスタにおいて、Ｎ形ドレイン領域と前記第１と第２ゲート導電体との間の前記半導体基板の外側表面の中に配置された、少量の不純物が添加されたＮ形ドレイン領域を、更に有する、前記トランジスタ。
【請求項４】
請求項３記載のトランジスタにおいて、前記第１と第２のゲート体の前記側壁の上に配置され、かつ少量の不純物が添加された前記ドレイン領域の外側に配置された、側壁絶縁体をさらに有する、前記トランジスタ。
【請求項５】
大電流用電界効果トランジスタを作成する方法であって、
外側表面を有する第１導電形の半導体基板を作成する段階と、
ゲート絶縁体層により前記基板の外側表面から分離され、外側表面を有する多結晶半導体ゲート体を作成する段階と、
前記基板の前記外側表面の中に作成され、かつ前記ゲート体から間隔距離を有して配置された、第２導電形の導電性ドレイン領域を作成する段階と、
前記ゲート導電体の外側表面の上に配置されたケイ化白金ゲート接触体層を作成する段階と、
前記ドレイン領域の外側表面の上に配置され、かつ前記ゲート体および前記ケイ化白金ゲート接触体層から間隔距離を有して配置された、ケイ化白金ドレイン接触体層を作成する段階と、を有し、その際
ケイ化白金ドレイン接触体領域およびケイ化白金ゲート層を作成する前記段階が、前記基板の前記表面の外側でかつ前記ゲート体の外側表面に整合した酸化物の層を沈着する段階を有し、
整合した酸化物の前記層の外側に、整合していない絶縁体部材の層を沈着する段階と、
前記ゲート体と前記導電性ドレイン領域との間に配置されたフォトレジスト・マスク体を形成する段階と、
前記ゲート体の外側表面および前記導電性ドレイン領域の外側表面のみを露出するために、前記マスク体により前記絶縁体部材を異方的エッチングする段階と、
前記ゲート体と前記導電性ドレイン領域の少なくとも前記露出した外側表面を被覆する白金の層を沈着する段階と、
前記ケイ化白金ゲート接触体領域および前記ケイ化白金ドレイン接触層を作成するために、前記白金層を焼結する段階と、
を有する、大電流用電界効果トランジスタを作成する方法。
【請求項６】
請求項５記載の方法において、整合していない絶縁体部材の層を沈着する前記段階がスピン・オン・ガラスの層を沈着する段階を有する、前記方法。
【請求項７】
請求項５記載の方法において、整合していない絶縁体部材の層を沈着する前記段階が再流動したホウ・リン・ケイ酸ガラスの層を沈着する段階を有する、前記方法。
【請求項８】
請求項５、請求項６又は請求項７記載の方法において、整合した酸化物の層を沈着する前記段階がテトラエチルオルソケイ酸塩の層を沈着する段階を有する、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月29日(2003.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘導放出光を発生する活性層と、
線状凸凹形状を有する光吸収層から成る回折格子と
を備えた分布帰還型半導体レーザ装置であって、
該光吸収層の該線状凸凹形状の底部及び頂部の層厚と、該光吸収層の該線状凸凹形状の該底部と該頂部との間の斜面部の層厚とが異なる、分布帰還型半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記光吸収層の前記線状凸凹形状の前記底部及び前記頂部の層厚は、該光吸収層の該線状凸凹形状の前記斜面部の層厚より厚い、請求項１に記載の分布帰還型半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記光吸収層の前記線状凸凹形状の前記底部及び前記頂部の層厚は、前記誘導放出光に対する光吸収が生じる程度に厚く、
該光吸収層の該線状凸凹形状の前記斜面部の層厚は、該誘導放出光に対する光吸収が生じない程度に薄い、
請求項１または請求項２に記載の分布帰還型半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記光吸収層の前記線状凸凹形状の前記頂部の層厚は、該光吸収層の該線状凸凹形状の前記底部の層厚より厚い、
請求項２または請求項３に記載の分布帰還型半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記光吸収層の前記線状凸凹形状の前記底部及び前記頂部の層厚は、該光吸収層の該線状凸凹形状の前記斜面部の層厚より薄い、請求項１に記載の分布帰還型半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記光吸収層の前記線状凸凹形状の前記底部及び前記頂部の層厚は、前記誘導放出光に対する光吸収が生じない程度に薄く、
該光吸収層の該線状凸凹形状の前記斜面部の層厚は、該誘導放出光に対する光吸収が生じる程度に厚い、
請求項１または請求項５に記載の分布帰還型半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記光吸収層の層厚が厚く、前記誘導放出光に対する光吸収が生じる部分と、前記光吸収層の層厚が薄く、前記誘導放出光に対する光吸収が生じない部分とによって、前記線状凸凹形状の繰り返し周期の半分の周期の周期構造が形成されている、請求項１から請求項６の何れかに記載の分布帰還型半導体レーザ装置。
【請求項８】
前記光吸収層のデューティー比は、０．２５以上０．４５以下である、請求項１から請求項７の何れかに記載の分布帰還型半導体レーザ装置。
【請求項９】
前記光吸収層の前記線状凸凹形状の前記底部と、前記頂部と、前記斜面部とは、一回の結晶成長によって作製されている、請求項１から請求項８の何れかに記載の分布帰還型半導体レーザ装置。
【請求項１０】
前記光吸収層の前記線状凸凹形状の前記底部と、前記頂部と、前記斜面部とは、連続している、請求項１から請求項９の何れかに記載の分布帰還型半導体レーザ装置。
【請求項１１】
平坦な表面を有する前記誘導放出光に対して透明な半導体層の上に、平坦な光吸収層を作製するステップと、
該光吸収層を周期的に断絶するように周期的な線状パターンをエッチングすることにより、頂部にのみ該光吸収層を有する線状凸凹形状を得るステップと、
該線状凸凹形状の上に新たに光吸収層を一回の結晶成長によって作製するステップとによって作製された、請求項１から請求項１０の何れかに記載の分布帰還型半導体レーザ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明の分布帰還型半導体レーザ装置は、誘導放出光を発生する活性層と、線状凸凹形状を有する光吸収層から成る回折格子とを備えた分布帰還型半導体レーザ装置であって、該光吸収層の該線状凸凹形状の底部及び頂部の層厚と、該光吸収層の該線状凸凹形状の該底部と該頂部との間の斜面部の層厚とが異なり、それにより、上記目的を達成することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
前記光吸収層の前記線状凸凹形状の前記底部及び前記頂部の層厚は、該光吸収層の該線状凸凹形状の前記斜面部の層厚より厚くてよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
前記光吸収層の前記線状凸凹形状の前記底部及び前記頂部の層厚は、前記誘導放出光に対する光吸収が生じる程度に厚く、該光吸収層の該線状凸凹形状の前記斜面部の層厚は、該誘導放出光に対する光吸収が生じない程度に薄くてよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
前記光吸収層の前記線状凸凹形状の前記頂部の層厚は、該光吸収層の該線状凸凹形状の前記底部の層厚より厚くてよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
前記光吸収層の前記線状凸凹形状の前記底部及び前記頂部の層厚は、該光吸収層の該線状凸凹形状の前記斜面部の層厚より薄くてよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
前記光吸収層の前記線状凸凹形状の前記底部及び前記頂部の層厚は、前記誘導放出光に対する光吸収が生じない程度に薄く、該光吸収層の該線状凸凹形状の前記斜面部の層厚は、該誘導放出光に対する光吸収が生じる程度に厚くてよい。
前記光吸収層の層厚が厚く、前記誘導放出光に対する光吸収が生じる部分と、前記光吸収層の層厚が薄く、前記誘導放出光に対する光吸収が生じない部分とによって、前記線状凸凹形状の繰り返し周期の半分の周期の周期構造が形成されてもよい。
前記光吸収層のデューティー比は、０．２５以上０．４５以下でよい。
前記光吸収層の前記線状凸凹形状の前記底部と、前記頂部と、前記斜面部とは、一回の結晶成長によって作製されてもよい。
前記光吸収層の前記線状凸凹形状の前記底部と、前記頂部と、前記斜面部とは、連続していてもよい。
本発明の分布帰還型半導体レーザ装置は、平坦な表面を有する前記誘導放出光に対して透明な半導体層の上に、平坦な光吸収層を作製するステップと、該光吸収層を周期的に断絶するように周期的な線状パターンをエッチングすることにより、頂部にのみ該光吸収層を有する線状凸凹形状を得るステップと、該線状凸凹形状の上に新たに光吸収層を一回の結晶成長によって作製するステップとによって作製されてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月14日(2003.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】寄生容量値抽出方法、コンピュータ、記録媒体
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の導体層を有する集積回路（ＩＣ）の物理的設計から寄生容量値を抽出する方法であって、
ａ）前記ＩＣにおける各導体の１つ以上の側方エッジを識別するステップと、
ｂ）前記ＩＣにおける各導体毎に、所与の側方エッジの上方及び／または下方の層に存在するいくつかの導体に基づいて、その側方エッジをエッジ断片に断片化するステップと、
ｃ）前記各エッジ断片毎に、その側方に隣接するエッジ断片を識別するステップと、
ｄ）前記各エッジ断片毎に、それとその側方に隣接するエッジ断片のそれぞれとの間における１つ以上の関係を計算するステップと、
ｅ）前記各エッジ断片毎に、寄生容量データを検索するステップと、
ｆ）前記ステップｅ）で検索された寄生容量データを用いて、各エッジ断片に関する１つ以上の寄生容量値を計算するステップと
を備えて成る抽出方法。
【請求項２】
前記所与の側方エッジの上方及び／または下方の層に存在するいくつかの導体が、前記所与の側方エッジのすぐ上方及び／またはすぐ下方に位置する導体だけを備えることを特徴とする、請求項１に記載の抽出方法。
【請求項３】
前記所与の側方エッジの上方及び／または下方の層に存在するいくつかの導体が、前記所与の側方エッジに重なる導体だけを備えることを特徴とする、請求項１に記載の抽出方法。
【請求項４】
前記各エッジ断片とその側方に隣接するエッジ断片のそれぞれとの間における１つ以上の関係を計算するステップが、
ａ）前記各エッジ断片毎に、その側方に隣接するエッジ断片のそれぞれまでの距離を計算するステップと、
ｂ）前記各エッジ断片毎に、その側方に隣接するエッジ断片のそれぞれと並んで延びるその長さを計算するステップと
を備えて成ることを特徴とする請求項１に記載の抽出方法。
【請求項５】
請求項１に記載の抽出方法において、
ａ）前記所与の側方エッジの上方及び／または下方の層に存在するいくつかの導体に基づいて各導体の側方エッジをエッジ断片に断片化する前記ステップが、前記所与の側方エッジのうち、所定の距離内にある前記所与の側方エッジの上方及び／または下方の層に存在する導体に基づいて断片化するステップを含み、
ｂ）前記各断片の側方に隣接するエッジ断片を識別する前記ステップが、前記所与の側方エッジの所定の距離内にある、前記側方に隣接するエッジ断片だけを識別するステップを含むこと
を特徴とする抽出方法。
【請求項６】
前記各エッジ断片毎に寄生容量データを検索する前記ステップが、
ｉ）前記所与のエッジ断片の上方及び／または下方の層に存在するいくつかの導体と、
ｉｉ）請求項１の前記ステップｄ）において計算された１つ以上の関係と
によって決まる、側方結合容量及び周縁容量データを検索するステップを含むことを特徴とする、請求項１に記載の抽出方法。
【請求項７】
前記各エッジ断片毎に寄生容量データを検索する前記ステップが、１つ以上の基本定数及び曲線当てはめ公式を利用して、最初に寄生容量データを生成するステップを含むことを特徴とする、請求項６に記載の抽出方法。
【請求項８】
前記各エッジ断片毎に１つ以上の寄生容量値を計算する前記ステップが、
ａ）前記各エッジ断片毎に、前記エッジ断片の側方に隣接するエッジ断片のそれぞれに対する側方結合容量の１／２を計算するステップと、
ｂ）前記各エッジ断片毎に、前記側方エッジの上方及び／または下方における任意の導体に対する周縁容量を計算するステップと
を備えて成ることを特徴とする、請求項１に記載の抽出方法。
【請求項９】
複数の導体層を有し、各導体が１つ以上の側方エッジを備える、集積回路（ＩＣ）の物理的設計から寄生容量値を抽出するためのプログラマブル・コンピュータであって、
ａ）所与の側方エッジの上方及び／または下方の層に存在するいくつかの導体に基づいて、前記ＩＣにおける各導体の側方エッジをエッジ断片に断片化する手段と、
ｂ）各エッジ断片に側方に隣接したエッジ断片を識別する手段と、
ｃ）前記各エッジ断片とその側方に隣接するエッジ断片との間における１つ以上の関係を計算する手段と、
ｄ）前記各エッジ断片毎に寄生容量データを検索する手段と、
ｅ）前記ステップｄ）で検索された寄生容量データを用いて、前記各エッジ断片毎に１つ以上の寄生容量値を計算する手段と
を備えたプログラマブル・コンピュータ。
【請求項１０】
複数の導体層を有し、各導体が１つ以上の側方エッジを備える集積回路（ＩＣ）から寄生容量値を抽出するように、コンピュータにプログラミング可能な物理的記憶媒体であって、
ａ）所与の側方エッジの上方及び／または下方の層に存在するいくつかの導体に基づいて、前記ＩＣにおける各導体の側方エッジをエッジ断片に断片化する手段と、
ｂ）前記各エッジ断片に側方に隣接するエッジ断片を識別する手段と、
ｃ）前記各エッジ断片とその側方に隣接するエッジ断片のそれぞれとの間における１つ以上の関係を計算する手段と、
ｄ）前記各エッジ断片毎に寄生容量データを検索する手段と、
ｅ）前記ステップｄ）において検索された寄生容量データを用いて、前記各エッジ断片毎に１つ上の寄生容量値を計算する手段と
を備えて成る記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月10日(2003.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
【発明の効果】
本発明は上記構成により次の効果を発揮する。
請求項１では、一方の腕を支えるヒンジにはリッドを開放方向へ付勢するトーションばねを付属し、他方の腕を支えるヒンジにはリッドの回転速度を減衰させるロータリ式ダンパを付属したので、別体のトーションばねやロータリ式ダンパをコンパクトに納め、リッドを自力で開放させることができると共に節度のあるリッドの開閉を実現することができる。すなわち、リッドの固定を解除すればリッドがトーションばねの力で自力で全開位置まで開放させ、開放中はロータリ式ダンパでリッドの回転速度を減衰させることができる。
この結果、回転がスムーズ且つ動きも自然で高級感を演出することができ、例えば、大型スクータにふさわしい操作感を持った車両用開閉式リッドを実現することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
請求項２では、一方の腕の回転軸周りに内歯車を形成し、この内歯車にロータリ式ダンパのギヤを直接的に噛み合わせ、ハウジングを車体カバーに固定したので、ロータリ式ダンパに給油用リッドの回転部支持機能を持たすことができる。
ロータリ式ダンパに給油用リッドの回転部支持機能を持たしたので、車両用開閉式リッド構造の簡素化を図ることができる。
すなわち、給油用リッドのコストの低減をすることができるとともに、給油用リッドの組立工数の低減を図ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
請求項３では、他方の腕を支えるヒンジを補強プレートを介して車体カバーに支持したので、ヒンジの剛性の向上を図ることができる。
請求項４では、給油トレイ部に一対の腕を通す小さな貫通孔を一対設けたので、給油用リッドを締めた状態では外から貫通孔を隠すことができ、給油用リッドを開けた状態でも、小さな貫通孔なので目立ちにくく、給油用リッド廻りの外観の向上を図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月11日(2003.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
上記の基台、断熱容器、及び上記コックを取付けた蓋が分解組立可能であることを特徴とする請求項２に記載の飲料注出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
上記蓋後部の、少なくとも断熱容器又は断熱容器背後に設けたパイプのどちらか一方に対する嵌合部に、摩擦部材を介在させたことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の飲料注出容器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
以上述べた実施形態においては、蓋３を断熱容器２の上端（パイプ９の上端を含む）に嵌合しているだけであるので、コック４を操作した際に、蓋３が前方（操作する者の手）に傾くことがある。このような傾きを防止するために、図５から図７に示した他の実施形態においては、パイプ９の下端部９ａを基台１にねじ込んで固定するとともに、そのパイプ９の上端部外周に、摩擦部材としてのゴム片２３を嵌合して固着する。蓋３を断熱容器２に被せると、パイプ９の上端部が蓋３の後部の嵌合凹部２４に強く嵌入される。このため、蓋３は、パイプ９のゴム片２３と、嵌合凹部２４及び断熱容器２との間に生じる摩擦により外れ難くなり、コック４を操作した際に蓋３が前方へ傾くことが防止される。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月12日(2003.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抗生物質または抗菌薬を、鼻炎部に投与する有効成分として含有することを特徴とする、鼻炎部の殺菌もしくは抗菌用薬剤または鼻炎の治療用薬剤。
【請求項２】
請求項１の薬剤と、前記抗生物質または抗菌薬を含浸させたガーゼを中鼻道、下鼻道または鼻腔に挿入するための先の細いピンセットとを備えてなることを特徴とする、鼻炎部の殺菌もしくは抗菌用具セットまたは鼻炎の治療用具セット。
【請求項３】
さらに、前記薬剤の液状製剤を作成するための溶解液と、所望により、前記薬剤を計量するためのマイクロスパーテルと、前記溶解液を計量するためのピペットと、前記溶解液に前記薬剤を混合するためのビーカーとを備えてなる、請求項２に記載の鼻炎部の殺菌もしくは抗菌用具セットまたは鼻炎の治療用具セット。
【請求項４】
前記液状製剤中の抗生物質または抗菌薬の濃度が０．１％〜２％である、請求項３に記載の鼻炎部の殺菌もしくは抗菌用具セットまたは鼻炎の治療用具セット。
【請求項５】
さらに、中鼻道、下鼻道または鼻腔に挿入するに十分な寸法及び形状のガーゼを備えてなる、請求項２〜４の何れか１項に記載の鼻炎部の殺菌もしくは抗菌用具セットまたは鼻炎の治療用具セット。
【請求項６】
中鼻道、下鼻道または鼻腔に挿入するに十分な寸法及び形状のガーゼに、抗生物質又は抗菌薬の液状製剤を適量だけ含浸させ、このガーゼを中鼻道、下鼻道または鼻腔に挿入して鼻炎部に数分から２時間程度接触させておくことを特徴とする鼻炎部の殺菌もしくは抗菌方法または鼻炎の治療方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月16日(2003.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクを加圧するための圧力発生手段が配置された圧力発生室を複数、配列方向に対して角度θで傾斜させて一列に配置するとともに、前記圧力発生室の配列方向の端面の壁面が、前記圧力発生室の配列方向に角度θだけ傾斜するように構成されたヘッドユニットを複数備え、前記圧力発生室の配列方向の端面の対向する前記圧力発生室のピッチが前記ヘッドユニット自体の前記圧力発生室のピッチと同一となるように前記傾斜に沿ってずらせて単一の流路ユニットに固定し、また前記流路ユニットに前記各列の複数のヘッドユニットにインクを供給する共通のリザーバが形成されているインクジェット式記録ヘッド。
【請求項２】
前記ヘッドユニットの隣接領域に形成される段差領域に前記リザーバに接続するインク導入口が形成されている請求項１に記載のインクジェット式記録ヘッド。
【請求項３】
前記ヘッドユニットが、記録ヘッドの移動方向に列状に複数配置されている請求項１または請求項２に記載のインクジェット式記録ヘッド。
【請求項４】
前記ヘッドユニットの紙送り方向の両端の段差領域に前記インク導入口が形成されている請求項２に記載のインクジェット式記録ヘッド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
このような問題を解消するために本発明のインクジェット式記録ヘッドは、インクを加圧するための圧力発生手段が配置された圧力発生室を複数、配列方向に対して角度θで傾斜させて一列に配置するとともに、前記圧力発生室の配列方向の端面の壁面が、前記圧力発生室の配列方向に角度θだけ傾斜するように構成された複数のヘッドユニットを、前記圧力発生室の配列方向の端面の対向する前記圧力発生室のピッチが前記ヘッドユニット自体の前記圧力発生室のピッチと同一となるように前記傾斜に沿ってずらせて単一の流路ユニットに固定し、また前記流路ユニットに前記各列の複数のヘッドユニットにインクを供給する共通のリザーバが形成されている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【作用】
ヘッドユニット同士が対向する外壁が圧力発生室の配列方向に直交する線に対して傾斜しているため、外壁に沿って平行にずらせると、対向するヘッドユニットの圧力発生室の配列方向の距離が変化するから、対向する圧力発生室の間隔を圧力発生室の配列方向への移動を伴いながら変更できる。このためヘッドユニットの幅方向へのズレ量が少なくなり、小型化が可能となる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
各列Ａ，Ｂ，Ｃの上下の対向するヘッドユニット１、２の対角点には各列のユニット１、２の各リザーバ８、９にインクを供給するためのインク導入口１１、１２が形成されていて、これに連通させるインク供給管１４、１５がヘッドケース１３に設置され、同一列の圧力発生室４、５が連通するリザーバ８、９にそれぞれ独立してインクを供給することができるようになっている。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【発明の効果】
以上、説明したように本発明によれば、ヘッドユニットの幅方向へのズレ量が小さくなり、ヘッドを小型化することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月30日(2003.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インク吐出圧力発生素子に発生する熱エネルギーにより、該インク吐出圧力発生素子が設けられたインク流路内に気泡を形成させて、前記インク吐出圧力発生素子に対向する側に配された吐出口からインクを吐出するインクジェット記録ヘッドにおいて、
前記吐出口が形成された吐出面と前記インク吐出圧力発生素子との距離ＯＨと、前記インク流路の高さＬＨと、の関係が、
ＯＨ≦ＬＨ
になるように構成されていることを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【請求項２】
前記インク圧力発生素子が基板に形成された凸状部上に形成されていることを特徴とする請求項１記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項３】
前記インク圧力発生素子は基板上に形成され、該基板には前記インク圧力発生素子上にインクを供給するためのインク供給口が形成されており、
前記基板の、前記インク吐出圧力発生素子と前記インク供給口との間の前記インク流路に対応する部分には掘が形成されていることを特徴とする請求項１記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項４】
インク吐出圧力発生素子に発生する熱エネルギーにより、該インク吐出圧力発生素子が設けられたインク流路内に気泡を形成させて、前記インク吐出圧力発生素子に対向する側に配された吐出口インクを吐出するインクジェット記録ヘッドにおいて、
前記インク圧力発生素子が基板に形成された凸状部上に形成されていることを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【請求項５】
基板上に形成されたインク吐出圧力発生素子に発生する熱エネルギーにより、該インク吐出圧力発生素子が設けられたインク流路内に気泡を形成させて、前記インク吐出圧力発生素子に対向する側に配された吐出口からインクを吐出するインクジェット記録ヘッドにおいて、
前記基板には前記インク流路の前記インク圧力発生素子上にインクを供給するためのインク供給口が形成され、
前記基板の、前記インク吐出圧力発生素子と前記インク供給口との間の前記インク流路に対応する部分には掘が形成されていることを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【請求項６】
前記インク吐出圧力発生素子に発生する熱エネルギーにより前記インク流路内に形成される気泡を外気と連通させてインクを吐出する請求項１〜５のいずれか１項に記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項７】
インク吐出圧力発生素子に発生する熱エネルギーにより、該インク吐出圧力発生素子が設けられたインク流路内に気泡を形成させて、前記インク吐出圧力発生素子に対向する側に配された吐出口からインクを吐出するインクジェット記録ヘッドの製造方法において、
前記吐出口が形成された吐出面と前記インク吐出圧力発生素子との距離ＯＨと、前記インク流路の高さＬＨと、の関係が、
ＯＨ≦ＬＨ
になるように構成することを特徴とするインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記基板は、面方向に〈１００〉、厚さ方向に〈１１１〉の結晶方位を持つＳｉ基板であり、
前記エッチング工程は、前記Ｓｉ基板を異方性エッチングする工程であることを特徴とする請求項７記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
１．  インク吐出圧力発生素子に発生する熱エネルギーにより、該インク吐出圧力発生素子が設けられたインク流路内に気泡を形成させて、前記インク吐出圧力発生素子に対向する側に配された吐出口からインクを吐出するインクジェット記録ヘッドにおいて、
前記吐出口が形成された吐出面と前記インク吐出圧力発生素子との距離ＯＨと、前記インク流路の高さＬＨと、の関係が、
ＯＨ≦ＬＨ
になるように構成されていることを特徴とするインクジェット記録ヘッド、
２．  インク吐出圧力発生素子に発生する熱エネルギーにより、該インク吐出圧力発生素子が設けられたインク流路内に気泡を形成させて、前記インク吐出圧力発生素子に対向する側に配された吐出口インクを吐出するインクジェット記録ヘッドにおいて、前記インク圧力発生素子が基板に形成された凸状部上に形成されていることを特徴とするインクジェット記録ヘッド、
３．  基板上に形成されたインク吐出圧力発生素子に発生する熱エネルギーにより、該インク吐出圧力発生素子が設けられたインク流路内に気泡を形成させて、前記インク吐出圧力発生素子に対向する側に配された吐出口からインクを吐出するインクジェット記録ヘッドにおいて、前記基板には前記インク流路の前記インク圧力発生素子上にインクを供給するためのインク供給口が形成され、前記基板の、前記インク吐出圧力発生素子と前記インク供給口との間の前記インク流路に対応する部分には掘が形成されていることを特徴とするインクジェット記録ヘッド及び
４．  インク吐出圧力発生素子に発生する熱エネルギーにより、該インク吐出圧力発生素子が設けられたインク流路内に気泡を形成させて、前記インク吐出圧力発生素子に対向する側に配された吐出口からインクを吐出するインクジェット記録ヘッドの製造方法において、
前記吐出口が形成された吐出面と前記インク吐出圧力発生素子との距離ＯＨと、前記インク流路の高さＬＨと、の関係が、
ＯＨ≦ＬＨ
になるように構成することを特徴とするインクジェット記録ヘッドの製造方法、である。


【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
1998034928.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月25日(2003.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央演算装置（１９）に接続された複数の洗浄ユニット（１）を備え、その各洗浄ユニット（１）は、作動体（２４）とセンサ（２３）を有して洗浄棒の形に形成され、中央演算装置（１９）と前記洗浄ユニット（１）を１つ以上含んでなる洗浄ユニット群とにそれぞれ通信モジュール（１８）が割り当てられ、該通信モジュール（１８）は、少なくとも１つが洗浄ユニットの近傍に配設されるとともに、全ての前記通信モジュール（１８）は信号が送受信される伝送チャネル（２０）に接続され、前記洗浄ユニットの近傍にある通信モジュール（１８）は制御モジュール（１７）に接続されるものとし、該制御モジュール（１７）により作動体（２４）の開閉、センサ（２３）の読み取り、送信シーケンスの蓄積及び実行が行われることを特徴とする印刷機動作面の洗浄装置。
【請求項２】
前記各洗浄ユニット（１）に、該洗浄ユニット（１）に組み込まれ及び／又はその洗浄ユニットに内包される前記通信モジュール（１８）が１つ割り当てられることを特徴とする請求項１に記載の印刷機動作面の洗浄装置。
【請求項３】
前記伝送チャネル（２０）は、フィールドバスに形成されたものとし、前記通信モジュール（１８）は、ＣＡＮ（Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）フィールドバスプロトコルを実装したフィールドバスシステムのフィールドバスノードとして設計されていることを特徴とする請求項１、２のいずれかに記載の印刷機動作面の洗浄装置。
【請求項４】
前記通信チャネル（２０）に接続された全ての関連機器は、前記中央演算装置（１９）の検出プログラムにより、前記中央演算装置（１９）に割り当てられた通信モジュール（１８）を経由して検出されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の印刷機動作面の洗浄装置。
【請求項５】
前記通信モジュール（１８）と前記伝送チャネル（２０）を有してなるバスシステムを介して、少なくとも起動時に前記中央演算装置（１９）の自己診断プログラムにより自動的に自己診断が実行されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の印刷機動作面の洗浄装置。
【請求項６】
前記伝送チャネル（２０）上での前記通信モジュール（１８）の送信アクセスは、起動シーケンスとして優先順位シーケンスを有し、その優先順位より低い優先順位の他の通信モジュール（１８）の優先順位シーケンスと前記伝送チャネル（２０）上で衝突したとき、前記他の通信モジュール（１８）の送信アクセスより優先するものとし、前記通信モジュール（１８）の優先順位シーケンスは、論理信号“０”と“１”を有し、優先順位が低い異なる通信モジュール（１８）の信号“１”と信号“０”とが伝送チャネル（２０）上で衝突するごとに信号“１”が低位優先権を発生させるものとし、送信されるリスク信号は、他の全ての優先順位に優先する優先権が割り当てられることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の印刷機動作面の洗浄装置。
【請求項７】
前記中央演算装置（１９）はパワーコンピュータであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の印刷機動作面の洗浄装置。
【請求項８】
ローカルな自己診断は、洗浄棒（１）の制御モジュール（１７）や洗浄棒（１）の制御モジュール（１７）、通信モジュール（１８）のいずれかの中断用プログラムにより実行されるものとし、該中断用プログラムは、ローカルな自己診断にローカルエラーが発生したとき、安全状態へ移行するものとし、洗浄棒（１）の制御モジュール（１７）は、中央演算装置（１９）から伝送チャネル（２０）を経由して洗浄棒（１）の制御モジュール（１７）にプログラムを伝送することによりプログラムの作成が可能であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の印刷機動作面の洗浄装置。
【請求項９】
前記センサ（２３）により測定されるデータに基づいてローカルな再調整を行うためのローカル制御プログラムは、前記洗浄ユニット（１）の制御モジュール（１７）に備えられていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の印刷機動作面の洗浄装置。
【請求項１０】
前記各洗浄ユニット（１）で放出する予め決められた洗剤量は、中央演算装置（１９）の洗剤量の調節プログラムにより決められるものとし、該洗浄ユニットの中のセンサ（２３）により測定された現在の洗剤量は、中央演算装置（１９）の洗剤量捕捉プログラムにより読み取られ、中央演算装置（１９）は、個々の洗浄ユニット（１）により放出される洗剤量から全体の洗剤量を計算する追加プログラムを備えていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の印刷機動作面の洗浄装置。
【請求項１１】
洗浄棒（１）の作動体（２４）又はセンサ（２３）の擾乱は、中央演算装置（１９）の擾乱監視プログラムにより検出されることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の印刷機動作面の洗浄装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月17日(2003.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(a)成分Ｉと呼ぶ少なくとも１種の第一のポリマーを含む第一の水性エマルションから得ることのできる接着性の被覆と、ここで該成分Ｉは、０℃未満のガラス転移点を有しかつ主成分としてアクリル酸エステル、メタクリル酸エステルおよびビニルエステルからなる群から選ばれる少なくとも１種のモノマーを含むホモポリマーまたはコポリマーである、
(b)顔料層と、
(c)少なくとも以下の成分：
(i)成分IIと呼ぶポリマー、ここで該成分IIは、０℃未満のガラス転移点を有しかつ主成分としてアクリル酸エステル、メタクリル酸エステルおよびビニルエステルからなる群から選ばれる少なくとも１種のモノマーを含むホモポリマーまたはコポリマーである、および
(ii)親水性シリカと、主成分としてアクリル酸、メタクリル酸およびビニルモノマーからなる群から選ばれる少なくとも１種のモノマーを含みかつ25℃を越えるガラス転移点を有するホモポリマーまたはコポリマーとからなる群から選ばれる、成分III、
を含む第二の水性エマルションから得ることのできる透明な被覆、
を含有することを特徴とする、エラストマー材料製物品用の装飾的積層体。
【請求項２】
前記成分Ｉおよび／または前記成分IIが、-15℃未満のガラス転移点を有する、請求項１記載の装飾的積層体。
【請求項３】
タイヤの表面上に装飾的積層体を形成する方法であって、
−請求項１または２に記載されている第一の水性エマルションの、少なくとも一つの薄層を、該表面上に適用し、
−該層を、接着性の被覆が形成されるまで乾燥させ、
−該接着性被覆に、顔料の層を適用し、
−過剰の顔料を吹き飛ばし、
−請求項１または２に記載されている第二の水性エマルションの、少なくとも一つの層を、該顔料層上に適用し、および
−該層を、透明な皮膜が形成されるまで、乾燥する
ことを特徴とする、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月18日(2003.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板送りラインに沿って間欠的に順次搬送されてくる複数の基板に対して、一対のラミネーションロールにより、基板の表面又は裏面に積層体フィルムを連続的に貼着し、貼着後に、前記積層体フィルムの送り方向に隣接する基板の端面間の部分を、該基板を搬送しつつ、前記隣接する端面近傍位置の２個所で、基板の表面側及び裏面側の一方から幅方向に切断することを特徴とするフィルム貼付方法。
【請求項２】
請求項１において、前記積層体フィルムを、基板の上側に貼着し、該積層体フィルムの前記隣接する基板端面間の部分を、カッター台を兼ねる吸着部材により上側から吸着しつつ、下側から、前記隣接する一対の端面に沿う２個所で幅方向に切断し、切断後は前記吸着部材から下向きに圧縮空気を噴出して、積層体フィルムの切断部分を、前記隣接する基板端面間の隙間を通って下方に排出することを特徴とするフィルム貼付方法。
【請求項３】
請求項１において、前記積層体フィルムの前記隣接する基板端面間の部分を、積層体フィルム貼着側からカッター台を兼ねる吸着部材により吸着しつつ、反対側から前記隣接する一対の端面に沿う２個所で幅方向に切断し、切断後は前記吸着部材を、積層体フィルムの切断部分を吸着したまま基板搬送ライン外に移動させ、該切断部分を排出することを特徴とするフィルム貼付方法。
【請求項４】
請求項１において、前記積層体フィルムの前記隣接する基板端面近傍で、基板に貼着された部分を、積層体フィルム貼着側から前記隣接する端面に沿う２個所で幅方向に切断し、切断後は積層体フィルムの切断部分に下向きに圧縮空気を噴出して、前記隣接する基板端面間の隙間を通って下方に排出することを特徴とするフィルム貼付方法。
【請求項５】
基板送りラインに沿って間欠的に順次搬送されてくる複数の基板に対して、その表面又は裏面に、一対のラミネーションロールにより積層体フィルムを連続的に貼着するフィルム貼付装置において、前記ラミネーションロールの下流側に配置され、前記基板と同期して移動しつつ、送り方向に隣接する基板の対向する端面間の積層体フィルムを、前記対向する端面に沿う２個所で、基板の裏面側又は表面側から、フィルム幅方向に切断する走間カッター装置を設けたことを特徴とするフィルム貼付装置。
【請求項６】
請求項５において、前記ラミネーションロールの下流側に配置され、前記基板及び走間カッターと同期して移動しつつ、前記送り方向に隣接する基板の対向する端面間で、前記貼着された積層体フィルムを吸着するカッター台を設け、前記走間カッター装置を、積層体フィルム貼着面の反対側から、前記対向する端面間に入り込むように配置したことを特徴とするフィルム貼付装置。
【請求項７】
請求項６において、前記カッター台は、フィルム吸着解除後に、切断された積層体フィルムに向けて圧縮空気噴出可能とされたことを特徴とするフィルム貼付装置。
【請求項８】
請求項６において、前記カッター台は、切断されたフィルムを吸着した状態で、前記基板送りライン外へ移動可能とされたことを特徴とするフィルム貼付装置。
【請求項９】
請求項５において、前記走間カッター装置を、積層体フィルム貼付面側から、該積層体フィルムの、基板に貼着された部分を切断するように配置し、且つ、切断された積層体フィルムを基板搬送ライン外に排出するフィルム排出装置を設けたことを特徴とするフィルム貼付装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本装置発明は、請求項５記載のように、基板送りラインに沿って間欠的に順次搬送されてくる複数の基板に対して、その表面又は裏面に、一対のラミネーションロールにより積層体フィルムを連続的に貼着するフィルム貼付位置において、前記ラミネーションロールの下流側に配置され、前記基板と同期して移動しつつ、送り方向に隣接する基板の対向する端面間の積層体フィルムを、前記対向する端面に沿う２個所で、基板の裏面側又は表面側から、フィルム幅方向に切断する走間カッター装置を設けたものである。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
請求項６の発明は、請求項５の発明において、前記ラミネーションロールの下流側に配置され、前記基板及び走間カッター装置と同期して移動しつつ、送り方向に隣接する基板の対向する端面間で、前記貼着された積層体フィルムを吸着するカッター台を設け、前記走間カッター装置を、積層体フィルム貼着面の反対側から、前記対向する端面間に入り込むように配置したものである。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
請求項７の発明は、請求項６の発明において、前記カッター台を、切断された積層体フィルムに向けて、フィルム吸着解除後に圧縮空気噴出可能としたものである。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
請求項８の発明は、請求項７の発明において、前記カッター台を、切断されたフィルムを吸着した状態で、前記基板送りライン外へ移動可能としたものである。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
請求項９の発明は、請求項５の発明において、前記走間カッター装置を、積層体フィルム貼付面側から、該積層体フィルムの、基板に貼着された部分を切断するように配置し、且つ、切断された積層体フィルムを基板搬送ライン外に排出するフィルム排出装置を設けたものである。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】