(57)【要約】【課題】カットオフ周波数帯域における遮断特性を改善し、不要な高調波成分のみを効率よく吸収することができる被覆シート、このシートを用いたトリプレート線路、このシートを用いたコンピュータ用信号バス及びこのシートを用いた電子回路被覆構造を提供する。【解決手段】被覆シートは、酸化物軟質磁性体を混入した樹脂コンパウンドで構成された少なくとも１層の第１の磁性体層と、第１の磁性体層の一方の面上に積層されており、第１の磁性体層に磁界を印加して酸化物軟質磁性体に強磁性共鳴を生起させる少なくとも１層の第２の磁性体層とを備えている。【選択図】　　　図２０
2004103840.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物軟質磁性体を混入した樹脂コンパウンドで構成された少なくとも１層の第１の磁性体層と、該第１の磁性体層の一方の面上に積層されており、前記第１の磁性体層に磁界を印加して前記酸化物軟質磁性体に強磁性共鳴を生起させる少なくとも１層の第２の磁性体層とを備えたことを特徴とする被覆シート。
【請求項２】
前記第２の磁性体層が、酸化物硬質磁性体を混入した樹脂コンパウンドで構成されていることを特徴とする請求項１に記載のシート。
【請求項３】
前記第１の磁性体層の他方の面上又は前記第２の磁性体層の面上に積層されており、金属磁性体を混入した第３の磁性体層を備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載のシート。
【請求項４】
酸化物軟質磁性体及び酸化物硬質磁性体を混入した樹脂コンパウンドで構成されており、前記酸化物硬質磁性体によって発生する磁界を前記酸化物軟質磁性体に印加して強磁性共鳴を生起させる少なくとも１層の磁性体層を備えたことを特徴とする被覆シート。
【請求項５】
前記磁性体層の一方の面上に積層されており、金属磁性体を混入した他の磁性体層を備えたことを特徴とする請求項４に記載のシート。
【請求項６】
酸化物軟質磁性体を混入した樹脂コンパウンドで構成された帯状の第１のストリップ層と、該第１のストリップ層に隣接して並列に形成されており、前記第１のストリップ層に磁界を印加して前記酸化物軟質磁性体に強磁性共鳴を生起させる帯状の第２のストリップ層とを備えたことを特徴とする被覆シート。
【請求項７】
前記第２のストリップ層が、酸化物硬質磁性体を混入した樹脂コンパウンドで構成されていることを特徴とする請求項６に記載のシート。
【請求項８】
前記第１のストリップ層に隣接して並列に形成されており、金属磁性体を混入した帯状の第３のストリップ層を備えたことを特徴とする請求項６又は７に記載のシート。
【請求項９】
前記第１のストリップ層及び前記第２のストリップ層の面上に積層されており、金属磁性体を混入した磁性体層を備えたことを特徴とする請求項６又は７に記載のシート。
【請求項１０】
酸化物軟質磁性体及び酸化物硬質磁性体を混入した樹脂コンパウンドで構成されており、前記酸化物硬質磁性体によって発生する磁界を前記酸化物軟質磁性体に印加して強磁性共鳴を生起させる帯状のストリップ層と、該ストリップ層に隣接して並列に形成されており、金属磁性体を混入した帯状の他のストリップ層とを備えたことを特徴とする被覆シート。
【請求項１１】
前記酸化物軟質磁性体が、鱗片状の酸化物軟質磁性体であることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載のシート。
【請求項１２】
前記金属磁性体が、カーボニル鉄であることを特徴とする請求項３、５、８、９又は１０に記載のシート。
【請求項１３】
一方の面上に積層された導体層をさらに備えたことを特徴とする請求項１から１２のいずれか１項に記載のシート。
【請求項１４】
一方の面上に積層された誘電体層と、該誘電体層上に積層された導体層とをさらに備えたことを特徴とする請求項１から１２のいずれか１項に記載のシート。
【請求項１５】
前記誘電体層が、固体誘電体材料層であることを特徴とする請求項１４に記載のシート。
【請求項１６】
前記誘電体層が、空気層であることを特徴とする請求項１４に記載のシート。
【請求項１７】
絶縁体基板と、該絶縁体基板の一方の面上に形成されたマイクロストリップ線路と、該絶縁体基板の他方の面上に形成された地導体と、前記マイクロストリップ線路上に前記導体層が外側に位置するように被着された請求項１３から１６のいずれか１項に記載の被覆シートとを備えており、前記導体層が前記地導体に電気的に接続されていることを特徴とするトリプレート線路。
【請求項１８】
絶縁体基板と、該絶縁体基板の一方の面上に形成されたマイクロストリップ線路と、該マイクロストリップ線路上に前記導体層が外側に位置するように被着された請求項１３から１６のいずれか１項に記載の第１の被覆シートと、前記絶縁体基板の他方の面上に前記導体層が外側に位置するように被着された請求項１３から１６のいずれか１項に記載の第２の被覆シートとを備えており、前記第１及び第２の被覆シートの前記導体層が前記絶縁体基板の地導体に電気的に接続されていることを特徴とするトリプレート線路。
【請求項１９】
絶縁体基板と、該絶縁体基板の一方の面上に形成されたマイクロストリップ線路と、該絶縁体基板の他方の面上に形成された地導体と、前記マイクロストリップ線路上に前記導体層が外側に位置するように被着された請求項１３から１６のいずれか１項に記載の被覆シートとを備えており、前記導体層が前記地導体に電気的に接続されていることを特徴とするトリプレート線路構造のコンピュータ用信号バス。
【請求項２０】
絶縁体基板と、該絶縁体基板の一方の面上に設置された電子回路と、該絶縁体基板の他方の面上に形成された地導体と、前記電子回路上に前記導体層が外側に位置するように被着された請求項１３から１６のいずれか１項に記載の被覆シートとを備えており、前記導体層が前記地導体に電気的に接続されていることを特徴とする電子回路被覆構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被覆シート、このシートを用いたトリプレート線路、このシートを用いたコンピュータ用信号バス及びこのシートを用いた電子回路被覆構造に関する。特に本発明は、主としてコンピュータ用信号バスの高速化を図る技術、及び電子機器の信号線路で観測される不要信号放射を抑止する電磁干渉防止技術に属する。
【０００２】
【従来の技術】
コンピュータの処理速度高速化は、一般に、中央演算ユニット（ＣＰＵ）のクロック周波数を高めることによって実現されている。しかしながら、ＣＰＵのみを高速化しても限界があり、さらなる高速化を実現するためにはＣＰＵと周辺機器とのデータ交換を高速化する必要がある。
【０００３】
図１に示すように、ＣＰＵ１０と周辺機器１１〜１４とは、通常、信号バス１５と呼ばれる複数の分岐を持つ線路で互いに接続されている。信号バス１５は、送信端と受信端とが随時入れ替わるため、インピーダンス不整合（無終端）分岐線路で構成されなければならない。このため、線路内に多重反射波が発生し、この反射波によるパルス波形の乱れによって伝送時間が遅れたり、共振による高電圧スパイクの発生で半導体素子が破壊されるようなトラブルを招いていた。
【０００４】
このようなトラブルを避けるため、従来の技術では回路内に制動抵抗や、吸収型高域遮断フィルタを挿入していたが、伝送時間をさほど短縮化できない、フィルタの前後で信号波形が異なると共に遅延時間も異なってしまう等、それぞれに問題点があり充分な対策とはなり得なかった。
【０００５】
一方、コンピュータをはじめとするデジタル機器や高周波機器における電磁干渉防止技術についても以下のような問題点が存在していた。なお、電磁干渉とは、このような機器内を回流する高周波信号が線路より外部に放射されて、他の機器を妨害する現象を呼ぶ。
【０００６】
従来の電磁干渉防止技術として、妨害波を放射している線路をフェライト・ゴムシートのような電磁エネルギ吸収体で覆うことによって妨害波の放射を防ぐ方法がある。しかしながら、このようなシートで吸収できるエネルギは、たかだか２〜４ｄＢであり、放射が強力なときには充分な妨害波抑止を行うことができなかった。
【０００７】
信号基板に磁性体樹脂コンパウンドを使用する放射防止対策もあるが、この方法では、基板のコストが著しく上昇することから実用性がなかった。また、コスト削減のため、磁性体樹脂コンパウンドを必要な線路部分のみに限定して作製するモザイク基板もあるが、このようなモザイク基板は基板設計の柔軟質性を著しく損ねるため実用化されていない。
【０００８】
また、コンピュータ・バスは、開放型線路であるがゆえにクロック信号の一部を外部に放射するが、従来の環境電磁対策では、不要放射信号を吸収するのみであった。しかしながら、クロック周波数が移動体通信のキャリア周波数帯に重なるようになると、クロック周波数の成分自体を吸収することは出来ないので、遮蔽によって不要放射を防がねばならない。その場合、遮蔽用の筐体が共振器となって、バス内に新たな信号歪みやクロストークを発生させるおそれがあり、その様なトラブルも回避しなければならない。
【０００９】
最近では、スペクトラム拡散と呼ばれる方法でクロックパルス周波数を時間変調し、変調周波数幅を放射電界測定器であるスペクトラム・アナライザのビデオ周波数幅より広く設定することによって放射電界強度を小さく見せる方法も採用されている。しかし、このスペクトラム拡散は、実際の放射電界を低減させるのではなく、測定機器の性能外のところへ放射源を移動させて放射電界制限を逃れようとする対策であるから、スペクトラム拡散を採用したコンピュータは、不要放射による妨害を除いたものではない。電磁環境問題は不要放射波の強度があるレベルを超えたときに顕在化してくるので、スペクトラム拡散によるコンピュータが同時に多数使用されている場所では、重畳された不要放射信号のために移動体通信機器に大きな障害を与える結果となりかねない。高速データ通信に対する需要が増大して移動体通信機器のキャリア周波数増加および複雑な変調方式によるデータ伝送が必要になったとき、スペクトラム拡散による不要放射対策は全く効果が無く、不要周波数成分を遮蔽する本質的な不要放射対策が必要である。
【００１０】
このような従来技術の問題点に鑑み、本願の発明者は、吸収型高域遮断フィルタ線路による「スペクトラム・マネージメント」と呼ばれる方法で信号バス内のパルス伝送特性を明らかにし、パルス立ち上がりに不要な高調波成分を吸収することによって伝送速度の高速化を実現できることを見出した。そして、酸化物磁性体又は金属磁性体を混入した樹脂コンパウンドで構成された少なくとも１層の磁性体層と、この磁性体層の一方の面上に積層されたグランド導体層と、グランド導体層を接地する導通手段を通すための複数の貫通孔とを備えた被覆シートを用いたコンピュータ用信号バスについて、既に提案している（例えば特許文献１、非特許文献１〜３参照）。
【００１１】
【特許文献１】
特開２００２−１６４７１３号公報
【非特許文献１】
Ｔ．Ｍｉｕｒａ　ａｎｄ　Ｓ．Ｎａｋａｇａｗａ，“Ｓｐｅｃｔｒｕｍ　Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ　ｏｆ　Ｐｕｌｓｅ　Ｔｒｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　ｂｙＨｉｇｈ−Ｃｕｔ　Ｆｉｌｔｅｒ　ｕｓｉｎｇ　Ｍａｇｎｅｔｉｃ　Ｌｏｓｓ”，　ＩＥＥＥ　ＭＴＴ−Ｓ，　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　２００１　Ｄｉｇｅｓｔ，　ｐｐ．４６３−４６６，　２００１
【非特許文献２】
三浦太郎、藤城義和，「吸収型高域遮断フィルタによるパルス伝送線路のスペクトラム・マネージメント」，信学技報，ＥＭＣＪ２００１−６０，ＭＷ２００１−７８（２００１−１０）
【非特許文献３】
Ｔ．Ｍｉｕｒａ　ａｎｄ　Ｙ．Ｆｕｊｉｓｈｉｒｏ，“Ｓｐｅｃｔｒｕｍ　Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ　ｏｆ　Ｐｕｌｓｅ　Ｔｒｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　ｂｙ　Ｈｉｇｈ−Ｃｕｔ　Ｆｉｌｔｅｒ　Ｌｉｎｅ”，　ＩＥＥＥ　ＩＳＣＡＳ−Ｓ，　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　ｏｎ　Ｃｉｒｃｕｉｔｓ　ａｎｄ　Ｓｙｓｔｅｍｓ　２００２　Ｄｉｇｅｓｔ，　ｐｐ．ＩＶ１２９−１３２，　２００２
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した公知文献に記載されている被覆シートは、磁性体の渦電流や自然共鳴などによる損失を利用しているため、カットオフ周波数帯域の遮断特性が鈍く、不要信号を効果的に除去するには主信号の大幅な減衰も余儀なくされる場合があった。このため、このような被覆シートを用いて吸収型高域遮断フィルタ線路を構成しても、近年のコンピュータ・バスにおけるクロック周波数の著しい増加に完全に対処することは難しかった。
【００１３】
従って本発明の目的は、カットオフ周波数帯域における遮断特性を改善し、不要な高調波成分のみを効率よく吸収することができる被覆シート、このシートを用いたトリプレート線路、このシートを用いたコンピュータ用信号バス及びこのシートを用いた電子回路被覆構造を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、酸化物軟質磁性体を混入した樹脂コンパウンドで構成された少なくとも１層の第１の磁性体層と、第１の磁性体層の一方の面上に積層されており、第１の磁性体層に磁界を印加して酸化物軟質磁性体に強磁性共鳴を生起させる少なくとも１層の第２の磁性体層とを備えた被覆シートが提供される。
【００１５】
このような被覆シートを基板上に形成されている対象とする信号線路又は信号バス上に被着し、トリプレート線路構造を構成すれば、信号線路又は信号バスの高速化を図ることができる。即ち、線路内のパルス伝送機構分析によれば、信号線路又は信号バス中の分岐及び端子からの反射波のうちの高周波成分がパルス波形を歪ませる主因であることが判明している。従って、信号線路又は信号バス内信号の周波数成分をできる限り線路の共振周波数まで拡張して存在させることにより、パルスの立ち上がりを早めしかも共振を抑制して安定化させることができるので遅延時間が短縮化する。特に本発明では、パルスの立ち上がり特性改善に必要な周波数成分に対してさらに数値的な検討を加えて線路内のスペクトラム・マネージメントを遂行し、酸化物軟質磁性体を混入した樹脂コンパウンドで構成された第１の磁性体層に磁界を印加してその酸化物軟質磁性体に強磁性共鳴を生起させるように構成した。その結果、カットオフ周波数帯域における遮断特性が改善され、不要高調波成分の除去を行うと共に必要な高調波成分の減衰を防ぐことができる。即ち、不要な高調波成分のみを効率よく吸収することができる。
【００１６】
また、このようなトリプレート線路構造により、不要信号の吸収と遮蔽とを同時に実現できるので、信号線路又は信号バスが外部に不要信号を放射するのを抑制でき、より効果的な電磁干渉対策が可能となる。
【００１７】
さらに、クロック周波数が移動体通信のキャリア周波数帯に重なる場合を考慮して、遮蔽によって不要放射を防ぐ構造では、遮蔽筐体が共振器となってバス内に新たな信号歪みやクロストークなどが発生するが、不要な高調波成分のみを効率よく吸収する構成の本発明によれば、そのようなトラブルは発生しない。
【００１８】
第２の磁性体層が、酸化物硬質磁性体を混入した樹脂コンパウンドで構成されていることが好ましい。
【００１９】
第１の磁性体層の他方の面上又は第２の磁性体層の面上に積層されており、金属磁性体を混入した第３の磁性体層を備えることも好ましい。
【００２０】
本発明によれば、さらに、酸化物軟質磁性体及び酸化物硬質磁性体を混入した樹脂コンパウンドで構成されており、酸化物硬質磁性体によって発生する磁界を酸化物軟質磁性体に印加して強磁性共鳴を生起させる少なくとも１層の磁性体層を備えた被覆シートが提供される。
【００２１】
このような被覆シートを基板上に形成されている対象とする信号線路又は信号バス上に被着し、トリプレート線路構造を構成すれば、信号線路又は信号バスの高速化を図ることができる。即ち、線路内のパルス伝送機構分析によれば、信号線路又は信号バス中の分岐及び端子からの反射波のうちの高周波成分がパルス波形を歪ませる主因であることが判明している。従って、信号線路又は信号バス内信号の周波数成分をできる限り線路の共振周波数まで拡張して存在させることにより、パルスの立ち上がりを早めしかも共振を抑制して安定化させることができるので遅延時間が短縮化する。特に本発明では、パルスの立ち上がり特性改善に必要な周波数成分に対してさらに数値的な検討を加えて線路内のスペクトラム・マネージメントを遂行し、酸化物軟質磁性体を混入した樹脂コンパウンドで構成された第１の磁性体層に磁界を印加してその酸化物軟質磁性体に強磁性共鳴を生起させるように構成した。その結果、カットオフ周波数帯域における遮断特性が改善され、不要高調波成分の除去を行うと共に必要な高調波成分の減衰を防ぐことができる。即ち、不要な高調波成分のみを効率よく吸収することができる。
【００２２】
また、このようなトリプレート線路構造により、不要信号の吸収と遮蔽とを同時に実現できるので、信号線路又は信号バスが外部に不要信号を放射するのを抑制でき、より効果的な電磁干渉対策が可能となる。
【００２３】
さらに、クロック周波数が移動体通信のキャリア周波数帯に重なる場合を考慮して、遮蔽によって不要放射を防ぐ構造では、遮蔽筐体が共振器となってバス内に新たな信号歪みやクロストークなどが発生するが、不要な高調波成分のみを効率よく吸収する構成の本発明によれば、そのようなトラブルは発生しない。
【００２４】
磁性体層の一方の面上に積層されており、金属磁性体を混入した他の磁性体層を備えることが好ましい。
【００２５】
本発明によれば、さらにまた、酸化物軟質磁性体を混入した樹脂コンパウンドで構成された帯状の第１のストリップ層と、第１のストリップ層に隣接して並列に形成されており、第１のストリップ層に磁界を印加して酸化物軟質磁性体に強磁性共鳴を生起させる帯状の第２のストリップ層とを備えた被覆シートが提供される。
【００２６】
このような被覆シートを基板上に形成されている対象とする信号線路又は信号バス上に被着し、トリプレート線路構造を構成すれば、信号線路又は信号バスの高速化を図ることができる。即ち、線路内のパルス伝送機構分析によれば、信号線路又は信号バス中の分岐及び端子からの反射波のうちの高周波成分がパルス波形を歪ませる主因であることが判明している。従って、信号線路又は信号バス内信号の周波数成分をできる限り線路の共振周波数まで拡張して存在させることにより、パルスの立ち上がりを早めしかも共振を抑制して安定化させることができるので遅延時間が短縮化する。特に本発明では、パルスの立ち上がり特性改善に必要な周波数成分に対してさらに数値的な検討を加えて線路内のスペクトラム・マネージメントを遂行し、酸化物軟質磁性体を混入した樹脂コンパウンドで構成された第１のストリップ層に磁界を印加してその酸化物軟質磁性体に強磁性共鳴を生起させるように構成した。その結果、カットオフ周波数帯域における遮断特性が改善され、不要高調波成分の除去を行うと共に必要な高調波成分の減衰を防ぐことができる。即ち、不要な高調波成分のみを効率よく吸収することができる。さらに、本発明のごとく、帯状のストリップ層を用いることにより、層厚を厚く構成できること及び各ストリップ層と信号線路との距離を同一にできることとにより、高周波領域まで効率の良いエネルギ吸収を行うことができる。
【００２７】
また、このようなトリプレート線路構造により、不要信号の吸収と遮蔽とを同時に実現できるので、信号線路又は信号バスが外部に不要信号を放射するのを抑制でき、より効果的な電磁干渉対策が可能となる。
【００２８】
さらに、クロック周波数が移動体通信のキャリア周波数帯に重なる場合を考慮して、遮蔽によって不要放射を防ぐ構造では、遮蔽筐体が共振器となってバス内に新たな信号歪みやクロストークなどが発生するが、不要な高調波成分のみを効率よく吸収する構成の本発明によれば、そのようなトラブルは発生しない。
【００２９】
第２のストリップ層が、酸化物硬質磁性体を混入した樹脂コンパウンドで構成されていることが好ましい。
【００３０】
第１のストリップ層に隣接して並列に形成されており、金属磁性体を混入した帯状の第３のストリップ層を備えることも好ましい。
【００３１】
第１のストリップ層及び第２のストリップ層の面上に積層されており、金属磁性体を混入した磁性体層を備えることも好ましい。
【００３２】
本発明によれば、さらに、酸化物軟質磁性体及び酸化物硬質磁性体を混入した樹脂コンパウンドで構成されており、酸化物硬質磁性体によって発生する磁界を酸化物軟質磁性体に印加して強磁性共鳴を生起させる帯状のストリップ層と、ストリップ層に隣接して並列に形成されており、金属磁性体を混入した帯状の他のストリップ層とを備えた被覆シートが提供れれる。
【００３３】
このような被覆シートを基板上に形成されている対象とする信号線路又は信号バス上に被着し、トリプレート線路構造を構成すれば、信号線路又は信号バスの高速化を図ることができる。即ち、線路内のパルス伝送機構分析によれば、信号線路又は信号バス中の分岐及び端子からの反射波のうちの高周波成分がパルス波形を歪ませる主因であることが判明している。従って、信号線路又は信号バス内信号の周波数成分をできる限り線路の共振周波数まで拡張して存在させることにより、パルスの立ち上がりを早めしかも共振を抑制して安定化させることができるので遅延時間が短縮化する。特に本発明では、パルスの立ち上がり特性改善に必要な周波数成分に対してさらに数値的な検討を加えて線路内のスペクトラム・マネージメントを遂行し、酸化物軟質磁性体を混入した樹脂コンパウンドで構成されたストリップ層に磁界を印加してその酸化物軟質磁性体に強磁性共鳴を生起させるように構成した。その結果、カットオフ周波数帯域における遮断特性が改善され、不要高調波成分の除去を行うと共に必要な高調波成分の減衰を防ぐことができる。即ち、不要な高調波成分のみを効率よく吸収することができる。さらに、本発明のごとく、帯状のストリップ層を用いることにより、層厚を厚く構成できること及び各ストリップ層と信号線路との距離を同一にできることとにより、高周波領域まで効率の良いエネルギ吸収を行うことができる。
【００３４】
また、このようなトリプレート線路構造により、不要信号の吸収と遮蔽とを同時に実現できるので、信号線路又は信号バスが外部に不要信号を放射するのを抑制でき、より効果的な電磁干渉対策が可能となる。
【００３５】
さらに、クロック周波数が移動体通信のキャリア周波数帯に重なる場合を考慮して、遮蔽によって不要放射を防ぐ構造では、遮蔽筐体が共振器となってバス内に新たな信号歪みやクロストークなどが発生するが、不要な高調波成分のみを効率よく吸収する構成の本発明によれば、そのようなトラブルは発生しない。
【００３６】
酸化物軟質磁性体が、鱗片状の酸化物軟質磁性体であることが好ましい。
【００３７】
金属磁性体が、カーボニル鉄であることも好ましい。
【００３８】
一方の面上に積層された導体層をさらに備えることも好ましい。
【００３９】
一方の面上に積層された誘電体層と、誘電体層上に積層された導体層とをさらに備えることも好ましい。誘電体層、例えば磁性体層より低い誘電率を有する誘電体層、を設けることによって、シート被着部分の特性インピーダンスを自由空間インピーダンスに近づけることができ、その結果、信号線路又は信号バスの特性インピーダンス変化を抑制することができる。
【００４０】
誘電体層が、固体誘電体材料層であるか、又は空気層であることが好ましい。
【００４１】
本発明によれば、また、絶縁体基板と、絶縁体基板の一方の面上に形成されたマイクロストリップ線路と、絶縁体基板の他方の面上に形成された地導体と、マイクロストリップ線路上に導体層が外側に位置するように被着された上述の構成を有する被覆シートとを備えており、導体層が地導体に電気的に接続されているトリプレート線路が提供される。
【００４２】
本発明によれば、さらに、絶縁体基板と、絶縁体基板の一方の面上に形成されたマイクロストリップ線路と、マイクロストリップ線路上に導体層が外側に位置するように被着された上述の構成を有する第１の被覆シートと、絶縁体基板の他方の面上に導体層が外側に位置するように被着された上述の構成を有する第２の被覆シートとを備えており、第１及び第２の被覆シートの導体層が絶縁体基板の地導体に電気的に接続されているトリプレート線路が提供される。
【００４３】
本発明によれば、さらにまた、絶縁体基板と、絶縁体基板の一方の面上に形成されたマイクロストリップ線路と、絶縁体基板の他方の面上に形成された地導体と、マイクロストリップ線路上に導体層が外側に位置するように被着された上述の構成を有する被覆シートとを備えており、導体層が地導体に電気的に接続されているトリプレート線路構造のコンピュータ用信号バスが提供される。
【００４４】
本発明によれば、さらに、絶縁体基板と、絶縁体基板の一方の面上に設置された電子回路と、絶縁体基板の他方の面上に形成された地導体と、電子回路上に導体層が外側に位置するように被着された上述の構成を有する被覆シートとを備えており、導体層が地導体に電気的に接続されている電子回路被覆構造が提供される。
【００４５】
信号線路又は信号バスを、このようなトリプレート線路構造とすることにより、信号線路又は信号バスの高速化を図ることができる。即ち、線路内のパルス伝送機構分析によれば、信号線路又は信号バス中の分岐及び端子からの反射波のうちの高周波成分がパルス波形を歪ませる主因であることが判明している。従って、信号線路又は信号バス内信号の周波数成分をできる限り線路の共振周波数まで拡張して存在させることにより、パルスの立ち上がりを早めしかも共振を抑制して安定化させることができるので遅延時間が短縮化する。特に本発明では、パルスの立ち上がり特性改善に必要な周波数成分に対してさらに数値的な検討を加えて線路内のスペクトラム・マネージメントを遂行し、酸化物軟質磁性体を混入した樹脂コンパウンドで構成された第１の磁性体層、磁性体層、第１のストリップ層又はストリップ層に磁界を印加してその酸化物軟質磁性体に強磁性共鳴を生起させるように構成した。その結果、カットオフ周波数帯域における遮断特性が改善され、不要高調波成分の除去を行うと共に必要な高調波成分の減衰を防ぐことができる。即ち、不要な高調波成分のみを効率よく吸収することができる。
【００４６】
また、このようなトリプレート線路構造により、不要信号の吸収と遮蔽とを同時に実現できるので、信号線路又は信号バスが外部に不要信号を放射するのを抑制でき、より効果的な電磁干渉対策が可能となる。
【００４７】
さらに、クロック周波数が移動体通信のキャリア周波数帯に重なる場合を考慮して、遮蔽によって不要放射を防ぐ構造では、遮蔽筐体が共振器となってバス内に新たな信号歪みやクロストークなどが発生するが、不要な高調波成分のみを効率よく吸収する構成の本発明によれば、そのようなトラブルは発生しない。
【００４８】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態を説明する前に本発明に至る過程を説明する。
【００４９】
まず、バス線路内のパルス伝播を解析する。
【００５０】
バス線路から図２に示すような６つの端子Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ及びＦと４つの分岐ａ、ｂ、ｃ及びｄを持つ単位バスを取り出す。この単位バスは、同一特性インピーダンス（５０Ω）の線路で構成されており、分岐の間隔及び分岐の長さが同一（５０ｍｍ）であるとする。
【００５１】
従って、分岐部のインピーダンスは特性インピーダンスの１／２であり、この分岐に信号を印加すると、入射信号より９．５ｄＢ低いレベルの負パルスが反射され、残りの信号は２分され、入射信号より各々３．５ｄＢ低いレベルのパルスとなる。一方、無終端端子のインピーダンスは無限大であるため、無終端端子からは正のパルスが全反射される。
【００５２】
バス内のパルス伝播を明らかにするため、Ａ端子にステップ・パルスを加えると、他の端子群からは図３に示すような出力が得られる。以下、単位線路をパルスが伝わる時間を１ｕｔ（単位時間：この線路では１６７ｐｓｅｃ）として、各端子のパルス波形のうち、Ｂ端子のパルスを分岐における反射及び透過並びに端子からの反射の組み合わせとして解釈する。
（１）Ａ端子に印加されたステップ・パルス（入射信号）は１ｕｔ後にａ分岐に達し、さきに述べた分岐におけるパルスの反射及び分割を受ける。
（２）ａ分岐から分かれた正パルス（入射信号より３．５ｄＢ低いレベル）は２ｕｔ後にＢ端子に達する。
（３）Ｂ端子に達したパルスは全反射されてａ分岐に向かう。
（４）Ｂ端子で反射されたパルスは３ｕｔ後にａ分岐において先と同様の分岐におけるパルスの反射・分割を受け、入射信号より１４ｄＢ低いレベルの負パルスがＢ端子に向い、入射信号より７ｄＢ低いパルスがＡ端子とｂ分岐に向かう。
（５）ａ分岐で分割されたもう一方の正パルス（入射信号より３．５ｄＢ低いレベル）は２ｕｔ後にｂ分岐に達すると分岐における電力分割と反射をうけ、１４ｄＢ低いレベルの負パルスがａ分岐に向かう。
（６）３ｕｔ後にａ分岐に達した負のパルスは分岐におけるパルスの反射・分割を受け、入射信号より１７．５ｄＢ低いレベルの負パルスがＡ端子とＢ端子に向かう。
（７）４ｕｔ後には（４）及び（６）で反射及び分岐された負のパルスが合成されて、元信号より１２．４ｄＢ低いレベルの負パルスがＢ端子に向かう。このため、最初のパルス入射でロジック１（全振幅の５０％以上）のレベルに達していたＢ端子の電圧はロジック０に低下する。このようにＢ端子には後続する分岐からの負パルスが次々と入射するため端子電圧は上昇できない。
【００５３】
Ｆ端子のパルスを分岐における反射・透過及び端子からの反射組み合わせとして解釈すると、
（８）ａ分岐で分割されたもう一方の正パルス（入射信号より３．５ｄＢ低いレベル）は２ｕｔ後にｂ分岐に達すると分岐における電力分割と反射をうけ、入射信号より７ｄＢ低いレベルの正パルスがＣ端子とｃ分岐に向かう。
（９）３ｕｔ後にｃ分岐へ達したパルスは分岐におけるパルスの反射・分割を受け、入射信号より１０．５ｄＢ低いレベルの正パルスがｄ分岐に向かう。
（１０）４ｕｔ後にｄ分岐へ達したパルスは分岐におけるパルスの反射・分割を受け、入射信号より１４ｄＢ低いレベルの正パルスがＥ端子とＦ端子に向かう。
（１１）（４）においてｂ分岐に向かった入射信号より７ｄＢ低いレベルの正パルスは、（８）と同様の過程で７ｕｔ後に入射信号より１７．５ｄＢ低いレベルでＥ端子とＦ端子に達する。
（１２）Ｃ端子とＤ端子に達したパルスも（１１）と同様の過程でそれぞれ１７．５ｄＢ及び２１ｄＢ低いレベルの正パルスとして２ｕｔずつ遅れながらＥ端子とＦ端子に達する。
【００５４】
このように、Ｅ端子とＦ端子には分岐からの負パルスは入射せず、端子からの正パルスのみが入射するので、端子電圧は順次上昇し、パルス形成は最も早く、Ｂ端子の電圧はまず後続する端子からの負パルスによる反射で減少し、次いで端子端からの正パルス反射を待って上昇するためパルス形成が最も遅い。これらパルス形成について立ち上がりの２〜４ｕｔを示すと、図４に示すようになる。この説明のように、バスでは各端子を開放端として反射波をリサイクルしながらパルスを形成することになり、最遠端子からの反射波が最近端子に達するまでの時間がパルス形成時間になる。
【００５５】
分岐線路において送受信端が固定されていれば、図５に例示するような５０Ω、７５Ω、１５０Ωの特性インピーダンスの線路と負荷抵抗との組み合わせによって整合型分岐線路を構成できる。この線路によれば、パルス信号を電力で供給するので、パルスの遅れを伝搬時間の遅延だけに留めることができる。
【００５６】
しかしながら、送受信端が随時入れ替わる信号バスでは、このような分岐線路が構成できず、無終端線路によって信号を電圧で供給する線路を構成せざるを得ないため、線路内には必ず反射波が存在する。
【００５７】
バスにクロックパルスを印加したときの応答としては、図６に示すような結果が報告されている。この報告でも、パルス形成は最遠端子で最も早く、最近端子で最も遅い。さらに、反射波によって生ずる共振が半導体を破壊するおそれがあると報告されている。このようなトラブルのため、コンピュータ用信号バスのクロック周波数を２００ＭＨｚ以上に増加させるのが困難になっていたのである。
【００５８】
バスのパルス伝播が反射波のため遅延するのは本質的な問題であるが、バス内に図７に示すような特性を持つ吸収型高域遮断フィルタを挿入すれば、共振による半導体破壊は防止できる。
【００５９】
この吸収型高域遮断フィルタ８０を、図８のように、バス８１の中央に挿入してパルス応答の変化を調べた。フィルタが無い場合のパルス応答を図９に、フィルタを挿入したときの応答を図１０に示す。
【００６０】
この結果によれば、
▲１▼パルス応答からリップルが減少して共振が抑制されている、
▲２▼最近位置の端子（最近端子）のパルス形成が早まる、
▲３▼フィルタ以降では内部遅延のため形成時間が遅くなる、
ことが分かる。パルス形成時間の短縮は、各分岐から反射される負パルスのうち、立ち上がり形成に寄与している高周波成分を吸収型フィルタが吸収するために最近端子のパルス形成が早まって生じた現象である。印加パルス電圧の５５％をＬｏｇｉｃ１レベルと定義して、端子の出力電圧がＬｏｇｉｃ１に達するまでの時間（パルス形成時間）でフィルタ挿入の効果を評価した。
【００６１】
フィルタを挿入した回路では、フィルタが無い回路において２．２ｎｓｅｃであったパルス形成時間が、遅延時間の増加を含めても、形成時間が１．９ｎｓｅｃに短縮されていることが分かる。フィルタが無い場合、最近端子（Ｂ端子）の出力電圧は分岐からの負反射パルスの影響で緩慢に上昇しており、印加波形によってはパルス形成時間がさらに遅くなる可能性もある。フィルタを挿入すれば負反射パルスが吸収されるため、パルス形成時間は最遠位置の端子（最遠端子、Ｆ端子）より短くなっており、フィルタ挿入による効果が明確になっている。
【００６２】
このように、バスヘの吸収型高域遮断フィルタ挿入は「共振を抑制するだけでなく、パルス形成時間を短縮して高速バス駆動を可能にする」と分かった。２００ＭＨｚクロック・バスでは、パルス形成時間が１周期：５ｎｓｅｃの１／２である２．５ｎｓｅｃ以下でなければならないので、フィルタが無いバスではほとんどマージンが少なく２００ＭＨｚクロックは困難であったが、フィルタ挿入により充分なマージンが得られて２００ＭＨｚクロックが可能となる。
【００６３】
しかしながら、フィルタを挿入する回路構成ではフィルタを挟んで、駆動側にある端子と反対側の端子でパルス波形が大きく異なり、フィルタによる遅延時間にも差が生ずる。このような問題を解決するには、遅延時間と吸収量の少ないフィルタを各分岐に挿入して遅延時間やパルス波形の差異を緩和する必要がある。
【００６４】
各分岐にフィルタを挿入することは、回路構成が煩雑になって実用的でない。
そこで、本願発明者は、バス全体を吸収型高域遮断フィルタ線路として、エネルギ吸収を分散させることによってこの問題を解決した（特許文献１、非特許文献１、非特許文献２及び非特許文献３参照）。
【００６５】
上述したように、コンピュータ・バス線路中を伝播するパルスは、分岐から発生する負パルスの影響を受けて、最近端子が最も遅く立ち上がり、最遠端子の立ち上がりが最も早いことがわかる。
【００６６】
従って、バス内のパルス立ち上がりを早くするためには、
（Ａ）パルス立ち上がり時間を短縮する周波数成分をバス内に残し、波形歪みを生じさせる周波数成分を吸収する、
（Ｂ）最近端子の立ち上がり時間を早める、
という２点が重要とされる。
【００６７】
スペクトラム・マネージメントによるパルスの立ち上がり時間短縮については、パルス波形の合成から、次のように定量化できる。矩形波はパルスの繰り返し周波数を基本とする正弦波の整数倍周波数の正弦波で合成され、それらの振幅は次のようにあらわされる。
【００６８】
【数１】
2004103840.tif 000003
この式において、ｎ次までの高調波を取り込んで合成したパルスの近似波形を図１１に示す。同図から、低次の高調波は立ち上がり時間短縮に寄与するが、高次の高調波はパルスの鋭さを強めるだけで立ち上がり時間短縮にはほとんど寄与しないことが分かる。
【００６９】
パルスの立ち上がり時間を図１２のように規格化立ち上がり時間比として定義し、高調波次数増加と規格化立ち上がり時間比の関係を求めた。その結果を、図１３に示す。同図において、×でプロットした曲線は規格化立ち上がり時間比Ｔｂ／Ｔａを表しており、○でプロットした曲線は高調波を次の次数まで増大させたときの立ち上がり時間比減少分を表している。同図より、５次までの高調波は立ち上がり時間の減少に大きく寄与するが、７次以上の高調波はパルスの縁を鋭くすることには寄与しても、立ち上がり時間の減少にはほとんど寄与しないことが分かる。また、立ち上がり時間比減少分を表す曲線は、７次以上の高調波では次数を一つ増加することによる立ち上がり時間の比の減少が５％以下である。従って、定量化されたスペクトラム・マネージメントでは、早い立ち上がり実現のためには、バス内の信号から７次以上の高調波を吸収によって除去するのが効果的といえる。
【００７０】
最近のパルス・ドライバでは周波数制限により縁を丸めたパルスでコンピュータ・バスを駆動し、負パルスの反射による波形歪みと立ち上がり時間増加とを防ぐ方法が採られている。このプレ・スペクトラム・マネージメントというべきパルスによる駆動（スペクトラム制限パルス駆動）と吸収型高域遮断フィルタ線路とによるパルス伝播を比較した。縁を丸めたパルスはパルス・ドライバに積分回路を付加して、出力波形が５次迄の正弦波で合成されたパルスＰ５（ｔ）に最も良く近似された波形が得られるように時定数を調整して得ている。その結果を、吸収型高域遮断フィルタ線路と比較して図１４に示す。
【００７１】
同図より明らかなように、縁を丸めたパルスによって駆動されたバスの立ち上がりは、吸収型高域遮断フィルタ線路バスの立ち上がりより遅くなっている。その理由は、パルスの縁を丸めることによって駆動パルスの立ち上がりが遅くなり、一様な時間遅れでバス全体の立ち上がりが遅れたためである。吸収型高域遮断フィルタ線路では、最も立ち上がりの遅い最近端子が鋭いパルスで早く立ち止がり、その後戻ってくる負パルスの周波数成分を時間経過の中で次々と吸収するため、分岐による負ハルスの影響が大きいにもかかわらず早い立ち上がり時間を実現している。
【００７２】
このように、バスを早く立ち上がらせるには、最近端子の立ち上がりを重視しながら時間経過の中でスペクトラム・マネージメントを実行する「ダイナミカル・スペクトラム・マネージメント」が必要であると分かる。その意味では、吸収型高域遮断フィルタ線路バスによるパルス伝送が原理的に最も早い立ち上がり時間を得る方式となる。
【００７３】
この結果から、早い立ち上がりのバスを構成するには、バスが５次までの高調波を損失無く通過させ、７次以上の高調波を吸収によって除く通過特性が必要であることが分かる。従って、バス・クロック周波数の増加に対応して遮断特性を変化させねばならない。
【００７４】
前述した特許文献１、非特許文献１、非特許文献２及び非特許文献３に記載されている吸収型高域遮断フィルタは、バスの線路を磁性体シートで覆い、上部にインピーダンス調整と不要放射抑止のためにグランド面を設け、回路に接地する構造となっていた。この場合の磁性体シートは、カーボニル鉄を混入したゴムシートである。カーボニル鉄の電磁特性は図１５及び図１６にそれぞれ示すようになっており、周波数と共に透磁率の損失が増加する。これは、カーボニル鉄の損失が渦電流に起因しているためである。このような磁性体で構成されたシートは、磁性体の重量比を調整することによってカットオフ周波数を調整できる。カーボニル鉄を８５ｗｔ％混入したシートで構成された高域遮断フィルタ線路の通過特性を基準にして、カーボニルの重量比を７０％の割合で順次減少させたときの通過特性変化が図１７に示されている。通過損失が３ｄＢとなる周波数を遮断周波数と定義して、その変化が図１８に示されている。
【００７５】
Ｄｏｕｂｌｅ　Ｄａｔａ　Ｒａｔｅ駆動で２００ＭＨｚクロックの場合、ドライバから１００ＭＨｚのパルスが供給される。この程度のクロック周波数では、カーボニル鉄の磁性体シートで十分なスペクトラム・マネージメントを実行できる。さらにクロック周波数が増加して、Ｄｏｕｂｌｅ　Ｄａｔａ　Ｒａｔｅ駆動で４００ＭＨｚクロックになった場合を考える。この場合、パルスドライバからは２００ＭＨｚが供給され、従って吸収型高域遮断フィルタ線路バスは１，４００ＭＨｚ以上の７次以上の高調波を十分抑制しなければならない。カーボニル鉄の磁性体シートについてカットオフ周波数が５次高調波に相当する１０００ＭＨｚになる場合の減衰特性は、図１７においてカーボニル鉄の量が６０ｗｔ％の例に相当する。このようにして製作されたシートでは、７次高調波である１，４００ＭＨｚにおける減衰量は、図１９に示すように、未だ５ｄＢであり、スペクトラム・マネージメントの要請を満たしているとは言い難く、さらに大きな減衰量が求められる。
【００７６】
コンピュータ・バスのスペクトラム・マネージメントでは、７次以上の高次高調波における周波数で大きな減衰量が必要であるから、要求される周波数で減衰量が大きくなる物質を混入して必要な減衰特性を確保すればよい。この周波数帯域で強い電波吸収を起こす磁性体としては、磁性体内部の自然強磁性共鳴を利用するプレーナ型フェライトがある。しかし、このフェライトは共鳴周波数が組成によって固定されており、任意の周波数で強磁性共鳴を発生させるのは困難である。磁性体の共鳴周波数を任意の値に設定する方法として、磁性体に外部から磁界を印加して発生させる強磁性共鳴を利用する。ただし、強磁性共鳴では共鳴周波数付近でのみ強い吸収が発生し、共鳴の外ではほとんどエネルギを吸収しないため、広い範囲での高域遮断特性確保には、カーボニル鉄のように広い周波数範囲で吸収特性を示す物質とハイブリッド構造にしてフィルタを構成する必要がある。
【００７７】
強磁性共鳴による吸収の大きさは共鳴半値幅で定義され、半値幅が小さい物質は狭い周波数範囲で強い吸収特性を示す。磁性体の種類が同一であっても、半値幅は磁性体の大きさ（粒径）に反比例する。樹脂に混入するイットリウム鉄ガーネット（ＹＩＧ）を、粉状及び鱗片状に変えて作製した磁性体シート（厚さ：０．５ｍｍ）を用いて図２０のように構成した線路に外部磁界を印加したときの伝送特性を図２１に示す。
鱗片状のＹＩＧを混入した磁性体シートの方が、粉状のＹＩＧを混入した磁性体シートの場合より急峻な吸収特性が得られる。これは、反磁場係数がより大きい鱗片状のＹＩＧに外部から磁場を印加した場合、飽和することによって磁壁の移動による共鳴がなくなり、強磁性共鳴のみの影響がきれいに現れてくるためである。
【００７８】
図２０において、２００は基板、２０１はこの基板２００上に形成された線路、２０３は線路２０１を覆うように基板２００上に積層された磁性体シート、２０５はこの磁性体シート２０３上に空隙２０６を介して積層された上部グランド導体層、２０７は基板２００の下面に積層された下部グランド層をそれぞれ示している。
【００７９】
外部磁界の印加方向はシート面に垂直・平行の何れでも共鳴吸収が観測された。これは高周波磁束が信号の伝送方向に垂直な面内を循環しており、いずれかの部分で印加磁界と高周波磁界が直交して共鳴が発生しているためである。鉄も強磁性体であるが、カーボニル鉄を練入した磁性体シートでは強磁性体共鳴を観測しなかった。強磁性体金属薄膜では強い共鳴吸収が観測されている事実と考え合わせれば、金属鉄粒の表面における表皮効果のためエネルギ浸透が妨げられて共鳴に係わる鉄イオン数が少ないため吸収が顕在化しないのであろう。
【００８０】
鱗片状磁性体で製作したシートにカーボニル鉄６０ｗｔ％を練り込んだシート（厚さ：０．５ｍｍ）を重ねて電磁石で磁界を印加した場合の伝送特性を図２２に示す。この結果は、吸収特性の異なるシートを組み合わせることで、双方の特性を合成した伝送特性が得られることを示しており、これらの周波数特性を適当に調整することでコンピュータ・バスのスペクトラム・マネージメントに適した吸収型高域遮断フィルタ線路が構成できる。
【００８１】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００８２】
図２３は本発明のトリプレート線路の一実施形態として、バス線路の上部を被覆シートで覆ったトリプレート吸収型高域遮断フィルタ線路によるコンピュータ用信号バスを示す斜視図であり、図２４はその断面図である。
【００８３】
これらの図において、２３０は基板、２３１はこの基板２３０上に形成されたバス線路、２３２はバス線路２３１を覆うように基板２３０上に積層された金属磁性体シート、２３３は金属磁性体シート２３２上に積層された酸化物軟質磁性体シート、２３４は酸化物軟質磁性体シート上に積層された酸化物硬質磁性体シート、２３５はこの酸化物硬質磁性体シート２３４上に空隙２３６を介して積層された上部グランド導体層、２３７は基板２３０の下面に積層されており、上部グランド層２３５と電気的に接続された下部グランド層をそれぞれ示している。
【００８４】
酸化物軟質磁性体シート２３３は、酸化物軟質磁性体である鱗片状のＹＩＧを混入した樹脂コンパウンドで構成されている。鱗片状のＹＩＧとしては、焼結したＹＩＧ薄板（板厚：０．１ｍｍ程度）を破砕して得た２ｍｍ平方程度のものを使用している。粗砕したＹＩＧでも同様の効果が得られる。樹脂としては、シリコンゴム又は塩素系ゴム等が用いられる。
【００８５】
酸化物硬質磁性体シート２３４は、酸化物硬質磁性体であるバリウムフェライトを樹脂に混入して磁化したシートである。酸化物硬質磁性体としてはバリウムフェライトの他に希土類永久磁石材料を用いてもよい。樹脂としては、シリコンゴム又は塩素系ゴム等が用いられる。
【００８６】
金属磁性体シート２３２は、金属磁性体であるカーボニル鉄をゴムに練り込んだ磁性体である。
【００８７】
上部及び下部グランド導体層２３５及び２３７は、例えば銅箔であるが、これは導電材料による層であればいかなるものであってもよい。空隙２３６は誘電体層を構成している。誘電体層としては、このような空気層の他に固体誘電体材料層であってもよい。
【００８８】
なお、酸化物軟質磁性体シート２３３、酸化物硬質磁性体シート２３４及び金属磁性体シート２３２は、単層構造であっても多層構造であっても良い。
【００８９】
酸化物硬質磁性体シート（バリウムフェライトシート）２３４から印加される磁界によって、酸化物軟質磁性体シート（ＹＩＧシート）２３３のＹＩＧが磁化されて強磁性共鳴が発生する。金属磁性体シート（カーボニル鉄シート）２３２は、バリウムフェライトシート２３４から印加される磁界のヨークとして動作する。
【００９０】
本実施形態のごとく構成したトリプレート吸収型コンピュータ用信号バスの伝送特性を図２５に示す。この図２５の特性は、電磁石で磁界を印加した図２２の場合に比較して、吸収が弱く、半値幅も広くなっている。この現象は、バリウムフェライトによる第２の磁性体シート２３４の生成する磁界が均一ではなく、共鳴周波数に分散が生じたためと思われる。
【００９１】
なお、充分な共鳴吸収効果を得るため、カーボニル鉄シート２３２、ＹＩＧシート２３３及びバリウムフェライトシート２３４の積層順序は、この順序であることが望ましい。カーボニル鉄シート２３２とバリウムフェライトシート２３４とが隣接するように積層すると、共鳴周波数が低く吸収量も少なくなってしまう。一方、ＹＩＧシート２３３及びバリウムフェライトシート２３４とを隣接させれば、図２４に示すように、カーボニル鉄シート２３２が直流磁界２３８のヨークとなり、印加磁界の強度と均一性とを高められる。
【００９２】
本実施形態によれば、バリウムフェライトからの磁界によってＹＩＧが磁化され強磁性共鳴が生じるため、カットオフ周波数帯域における遮断特性が改善されて、不要な高調波成分のみを効率よく吸収することができる。また、このようなトリプレート線路構造により、不要信号の吸収と遮蔽を同時に実現できるので、バス線路が外部に不要信号を放射するのを抑制でき、より効果的な電磁干渉対策が可能となる。
【００９３】
即ち、本実施形態は、カーボニル鉄を練入したゴム部材のように、ある周波数（遮断周波数）以上において周波数と共に損失が増加するような金属磁性体シートと、軟質磁性体シートと、磁化された硬質磁性体シートとを隣接配置することにより、軟質磁性体シートに要求された周波数で強磁性共鳴を発生するようにして遮断特性の鋭い吸収型高域遮断フィルタ線路バスを得るものである。
【００９４】
図２６は本発明のトリプレート線路の他の実施形態として、バス線路の上部を被覆シートで覆ったトリプレート吸収型高域遮断フィルタ線路によるコンピュータ用信号バスを示す斜視図である。
【００９５】
同図において、２６０は基板、２６１はこの基板２６０上に形成されたバス線路、２６２はバス線路２６１を覆うように基板２６０上に積層された金属磁性体シート、２６３は金属磁性体シート２６２上に積層された酸化物軟質及び硬質磁性体シート、２６５はこの酸化物軟質及び硬質磁性体シート２６３上に空隙２６６を介して積層された上部グランド導体層、２６７は基板２６０の下面に積層されており、上部グランド層２６５と電気的に接続された下部グランド層をそれぞれ示している。
【００９６】
酸化物軟質及び硬質磁性体シート２６３は、酸化物軟質磁性体である鱗片状のＹＩＧと酸化物硬質磁性体であるバリウムフェライトとを適当量混入した樹脂コンパウンドで構成されている。鱗片状のＹＩＧとしては、焼結したＹＩＧ薄板（板厚：０．１ｍｍ程度）を破砕して得た２ｍｍ平方程度のものを使用している。
粗砕したＹＩＧでも同様の効果が得られる。酸化物硬質磁性体としてはバリウムフェライトの他に希土類永久磁石材料を用いてもよい。樹脂としては、シリコンゴム又は塩素系ゴム等が用いられる。
【００９７】
金属磁性体シート２６２は、金属磁性体であるカーボニル鉄をゴムに練り込んだ磁性体である。
【００９８】
上部及び下部グランド導体層２６５及び２６７は、例えば銅箔であるが、これは導電材料による層であればいかなるものであってもよい。空隙２６６は誘電体層を構成している。誘電体層としては、このような空気層の他に固体誘電体材料層であってもよい。
【００９９】
なお、酸化物軟質及び硬質磁性体シート２６３及び金属磁性体シート２６２は、単層構造であっても多層構造であっても良い。
【０１００】
酸化物軟質及び硬質磁性体シート２６３中のバリウムフェライトから印加される磁界によって、ＹＩＧが磁化されて強磁性共鳴が発生する。金属磁性体シート（カーボニル鉄シート）２６２は、バリウムフェライトから印加される磁界のヨークとして動作する。
【０１０１】
本実施形態によれば、バリウムフェライトからの磁界によってＹＩＧが磁化され強磁性共鳴が生じるため、カットオフ周波数帯域における遮断特性が改善されて、不要な高調波成分のみを効率よく吸収することができる。また、このようなトリプレート線路構造により、不要信号の吸収と遮蔽を同時に実現できるので、バス線路が外部に不要信号を放射するのを抑制でき、より効果的な電磁干渉対策が可能となる。
【０１０２】
即ち、本実施形態は、カーボニル鉄を練入したゴムシートのように、ある周波数（遮断周波数）以上において周波数と共に損失が増加するような金属磁性体シートと、絶縁物軟質強磁性体を磁化された硬質磁性体に一体化することにより要求された周波数で強磁性共鳴を発生するようにした磁性体シートとを貼り合わせて遮断特性の鋭い吸収型高域遮断フィルタ線路バスを得るものである。
【０１０３】
以上の実施形態によれば、カーボニル鉄シートによる直流磁界増強効果が鋭い吸収特性実現には重要であること示している。ただし、カーボニル鉄、ＹＩＧ及びバリウムフェライトの三種全てを練入したシートでは、カーボニル鉄シートのヨーク効果が期待できず、小型化は可能であるが鋭い吸収特性が得られない。
【０１０４】
図２７は本発明のトリプレート線路のさらに他の実施形態として、バス線路の上部を被覆シートで覆ったトリプレート吸収型高域遮断フィルタ線路によるコンピュータ用信号バスを示す斜視図である。
【０１０５】
同図において、２７０は基板、２７１はこの基板２７０上に形成されたバス線路、２７３及び２７４はバス線路２７１を覆うように基板２７０上に積層されており、互いに隣接して並列に形成された帯状の酸化物軟質磁性体ストリップ及び酸化物硬質磁性体ストリップ、２７５はこれら酸化物軟質磁性体ストリップ２７３及び酸化物硬質磁性体ストリップ２７４上に空隙２７６を介して積層された上部グランド導体層、２７７は基板２７０の下面に積層されており、上部グランド層２７５と電気的に接続された下部グランド層をそれぞれ示している。
【０１０６】
酸化物軟質磁性体ストリップ２７３は、酸化物軟質磁性体である鱗片状のＹＩＧを混入した樹脂コンパウンドで構成されている。鱗片状のＹＩＧとしては、焼結したＹＩＧ薄板（板厚：０．１ｍｍ程度）を破砕して得た２ｍｍ平方程度のものを使用している。粗砕したＹＩＧでも同様の効果が得られる。樹脂としては、シリコンゴム又は塩素系ゴム等が用いられる。
【０１０７】
酸化物硬質磁性体ストリップ２７４は、酸化物硬質磁性体であるバリウムフェライトを樹脂に混入して磁化したシートである。酸化物硬質磁性体としてはバリウムフェライトの他に希土類永久磁石材料を用いてもよい。樹脂としては、シリコンゴム又は塩素系ゴム等が用いられる。
【０１０８】
上部及び下部グランド導体層２７５及び２７７は、例えば銅箔であるが、これは導電材料による層であればいかなるものであってもよい。空隙２７６は誘電体層を構成している。誘電体層としては、このような空気層の他に固体誘電体材料層であってもよい。
【０１０９】
なお、酸化物軟質磁性体ストリップ２７３及び酸化物硬質磁性体ストリップ２７４は、単層構造であっても多層構造であっても良い。
【０１１０】
酸化物硬質磁性体ストリップ（バリウムフェライトストリップ）２７４から印加される磁界によって、酸化物軟質磁性体ストリップ（ＹＩＧストリップ）２７３のＹＩＧが磁化されて強磁性共鳴が発生する。
【０１１１】
なお、本実施形態では設けられていないが、金属磁性体シート（カーボニル鉄シート）を酸化物軟質磁性体ストリップ２７３及び酸化物硬質磁性体ストリップ２７４の一方の面上に積層し、バリウムフェライトストリップ３７４から印加される磁界のヨークとして動作するように構成してもよい。
【０１１２】
外部磁界をシート面と平行に印加しても共鳴が発生するから、本実施形態のように帯状磁性体ストリップで構成しても同じ伝送特性が得られる。即ち、バリウムフェライトからの磁界によってＹＩＧが磁化され強磁性共鳴が生じるため、カットオフ周波数帯域における遮断特性が改善されて、不要な高調波成分のみを効率よく吸収することができる。また、このようなトリプレート線路構造により、不要信号の吸収と遮蔽を同時に実現できるので、バス線路が外部に不要信号を放射するのを抑制でき、より効果的な電磁干渉対策が可能となる。
【０１１３】
本実施形態のような帯状の磁性体ストリップでは、その厚みを厚く構成できること、並びに酸化物軟質磁性体ストリップ２７３及び酸化物硬質磁性体ストリップ２７４と信号バス線路２７１との距離を同一にできるため、高周波側まで効率の良いエネルギ吸収ができる。しかしながら、信号伝播方向に交互にストリップが配置されているため、信号バス線路が短い場合には各ストリップ間の寸法割付上の制限で必要特性を満たせなくなるおそれがある。
【０１１４】
図２８は本発明のトリプレート線路のまたさらに他の実施形態として、バス線路の上部を被覆シートで覆ったトリプレート吸収型高域遮断フィルタ線路によるコンピュータ用信号バスを示す斜視図である。
【０１１５】
同図において、２８０は基板、２８１はこの基板２８０上に形成されたバス線路、２８２、２８３及び２８４はバス線路２８１を覆うように基板２８０上に積層されており、互いにこの順序で隣接して並列に形成された帯状の金属磁性体ストリップ、酸化物軟質磁性体ストリップ及び酸化物硬質磁性体ストリップ、２８５はこれら金属磁性体ストリップ２８２、酸化物軟質磁性体ストリップ２８３及び酸化物硬質磁性体ストリップ２８４上に空隙２８６を介して積層された上部グランド導体層、２８７は基板２８０の下面に積層されており、上部グランド層２８５と電気的に接続された下部グランド層をそれぞれ示している。
【０１１６】
酸化物軟質磁性体ストリップ２８３は、酸化物軟質磁性体である鱗片状のＹＩＧを混入した樹脂コンパウンドで構成されている。鱗片状のＹＩＧとしては、焼結したＹＩＧ薄板（板厚：０．１ｍｍ程度）を破砕して得た２ｍｍ平方程度のものを使用している。粗砕したＹＩＧでも同様の効果が得られる。樹脂としては、シリコンゴム又は塩素系ゴム等が用いられる。
【０１１７】
酸化物硬質磁性体ストリップ２８４は、酸化物硬質磁性体であるバリウムフェライトを樹脂に混入して磁化したシートである。酸化物硬質磁性体としてはバリウムフェライトの他に希土類永久磁石材料を用いてもよい。樹脂としては、シリコンゴム又は塩素系ゴム等が用いられる。
【０１１８】
金属磁性体ストリップ２８２は、金属磁性体であるカーボニル鉄をゴムに練り込んだ磁性体である。
【０１１９】
上部及び下部グランド導体層２８５及び２８７は、例えば銅箔であるが、これは導電材料による層であればいかなるものであってもよい。空隙２８６は誘電体層を構成している。誘電体層としては、このような空気層の他に固体誘電体材料層であってもよい。
【０１２０】
なお、金属磁性体ストリップ２８２、酸化物軟質磁性体ストリップ２８３及び酸化物硬質磁性体ストリップ２８４は、単層構造であっても多層構造であっても良い。
【０１２１】
酸化物硬質磁性体ストリップ（バリウムフェライトストリップ）２８４から印加される磁界によって、酸化物軟質磁性体ストリップ（ＹＩＧストリップ）２８３のＹＩＧが磁化されて強磁性共鳴が発生する。金属磁性体ストリップ（カーボニル鉄ストリップ）２８２は、バリウムフェライトから印加される磁界のヨークとして動作する。
【０１２２】
外部磁界をシート面と平行に印加しても共鳴が発生するから、本実施形態のように帯状磁性体ストリップで構成しても同じ伝送特性が得られる。即ち、バリウムフェライトからの磁界によってＹＩＧが磁化され強磁性共鳴が生じるため、カットオフ周波数帯域における遮断特性が改善されて、不要な高調波成分のみを効率よく吸収することができる。また、このようなトリプレート線路構造により、不要信号の吸収と遮蔽を同時に実現できるので、バス線路が外部に不要信号を放射するのを抑制でき、より効果的な電磁干渉対策が可能となる。
【０１２３】
即ち、本実施形態は、カーボニル鉄を練入したゴム部材のように、ある周波数（遮断周波数）以上において周波数と共に損失が増加するような金属磁性体ストリップと、軟質磁性体ストリップと、磁化された硬質磁性体ストリップとを隣接配置することにより、軟質磁性体ストリップに要求された周波数で強磁性共鳴を発生するようにして遮断特性の鋭い吸収型高域遮断フィルタ線路バスを得るものである。
【０１２４】
本実施形態のような帯状の磁性体ストリップでは、その厚みを厚く構成できること、並びに金属磁性体ストリップ２８２、酸化物軟質磁性体ストリップ２８３及び酸化物硬質磁性体ストリップ２８４と信号バス線路２８１との距離を同一にできるため、高周波側まで効率の良いエネルギ吸収ができる。
【０１２５】
図２９本発明のトリプレート線路のさらに他の実施形態として、バス線路の上部を被覆シートで覆ったトリプレート吸収型高域遮断フィルタ線路によるコンピュータ用信号バスを示す斜視図である。
【０１２６】
同図において、２９０は基板、２９１はこの基板２９０上に形成されたバス線路、２９２及び２９３はバス線路２９１を覆うように基板２９０上に積層されており、互いに隣接して並列に形成された帯状の金属磁性体ストリップ並びに酸化物軟質及び硬質磁性体ストリップ、２９５はこれら金属磁性体ストリップ２９２並びに酸化物軟質及び硬質磁性体ストリップ２９３上に空隙２９６を介して積層された上部グランド導体層、２９７は基板２９０の下面に積層されており、上部グランド層２９５と電気的に接続された下部グランド層をそれぞれ示している。
【０１２７】
酸化物軟質及び硬質磁性体ストリップ２９３は、酸化物軟質磁性体である鱗片状のＹＩＧと酸化物硬質磁性体であるバリウムフェライトとを適当量混入した樹脂コンパウンドで構成されている。鱗片状のＹＩＧとしては、焼結したＹＩＧ薄板（板厚：０．１ｍｍ程度）を破砕して得た２ｍｍ平方程度のものを使用している。粗砕したＹＩＧでも同様の効果が得られる。酸化物硬質磁性体としてはバリウムフェライトの他に希土類永久磁石材料を用いてもよい。樹脂としては、シリコンゴム又は塩素系ゴム等が用いられる。
【０１２８】
金属磁性体ストリップ２９２は、金属磁性体であるカーボニル鉄をゴムに練り込んだ磁性体である。
【０１２９】
上部及び下部グランド導体層２９５及び２９７は、例えば銅箔であるが、これは導電材料による層であればいかなるものであってもよい。空隙２９６は誘電体層を構成している。誘電体層としては、このような空気層の他に固体誘電体材料層であってもよい。
【０１３０】
なお、金属磁性体ストリップ２９２並びに酸化物軟質及び硬質磁性体ストリップ２９３は、単層構造であっても多層構造であっても良い。
【０１３１】
酸化物軟質及び硬質磁性体ストリップ２９３のバリウムフェライトから印加される磁界によって、ＹＩＧが磁化されて強磁性共鳴が発生する。金属磁性体ストリップ（カーボニル鉄ストリップ）２９２は、バリウムフェライトから印加される磁界のヨークとして動作する。
【０１３２】
外部磁界をシート面と平行に印加しても共鳴が発生するから、本実施形態のように帯状磁性体ストリップで構成しても同じ伝送特性が得られる。即ち、バリウムフェライトからの磁界によってＹＩＧが磁化され強磁性共鳴が生じるため、カットオフ周波数帯域における遮断特性が改善されて、不要な高調波成分のみを効率よく吸収することができる。また、このようなトリプレート線路構造により、不要信号の吸収と遮蔽を同時に実現できるので、バス線路が外部に不要信号を放射するのを抑制でき、より効果的な電磁干渉対策が可能となる。
【０１３３】
即ち、本実施形態は、カーボニル鉄を練入したゴム部材のように、ある周波数（遮断周波数）以上において周波数と共に損失が増加するような金属磁性体ストリップと、絶縁物強磁性体を磁化された磁性体に一体化することにより要求された周波数で強磁性共鳴を発生するようにした磁性体ストリップとを隣接配置して遮断特性の鋭い吸収型高域遮断フィルタ線路バスを得るものである。
【０１３４】
本実施形態のような帯状の磁性体ストリップでは、その厚みを厚く構成できること、並びに金属磁性体ストリップ２９２並びに酸化物軟質及び硬質磁性体ストリップ２９３と信号バス線路２９１との距離を同一にできるため、高周波側まで効率の良いエネルギ吸収ができる。
【０１３５】
本発明におけるトリプレート吸収型高域遮断フィルタ線路によるコンピュータ用信号バスの構成は、種々のものが考えられ、上述した実施形態の構成は単なる一例であってこれらに示したもののみが本発明の対象となるものではない。例えば、絶縁体基板上に敷設されたマイクロストリップ線路を挟んで導体層が外側に位置するように２つの被覆シートを被着したトリプレート吸収型高域遮断フィルタ線路によるコンピュータ用信号バスも本発明の対象である。
【０１３６】
このように、マイクロストリップ線路によるコンピュータ用信号バスをグランド層付きの上述した磁性体の被覆シートで覆うと共にグランド層をマイクロストリップ線路のグランド層に接続して構成されたトリプレート吸収型高域遮断フィルタ線路では、バスの共振が充分に抑制され、分岐から反射される負パルスで端子電圧を減少させる現象も緩和されるため、分布定数的な共振抑制とパルス形成時間短縮によって、高速クロック駆動が可能になる。特に、本発明のように、その磁性体被覆シートに強磁性共鳴を利用してクロックパルスの第５次または第７次の高調波を強く吸収させる機能を与えることによって、バスクロック周波数が一層効果的に高速化を図れる。
【０１３７】
また、本発明は、コンピュータ用信号バス以外のトリプレート線路や一般的な電子回路の被覆構造にも当然に適用される。即ち、マイクロストリップ線路をグランド層付きの上述した磁性体の被覆シートで覆うトリプレート吸収型高域遮断フィルタ線路に変更することにより不要信号の放射は大幅に減少し、放射雑音の吸収と遮蔽により効果的な電磁干渉対策が可能になる。不要信号の吸収・遮蔽はバスのみの問題ではなく一般の電子機器でも重要な問題であるから、障害源となっている線路をグランド層付きの上述した磁性体の被覆シートで覆うことで、一般の電子機器の不要信号の吸収と遮蔽を同時に実現する電磁干渉対策が可能となる。
【０１３８】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【０１３９】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように本発明によれば、酸化物軟質磁性体を混入した樹脂コンパウンドで構成された少なくとも１層の第１の磁性体層と、第１の磁性体層の一方の面上に積層されており、第１の磁性体層に磁界を印加して酸化物軟質磁性体に強磁性共鳴を生起させる少なくとも１層の第２の磁性体層とを備えた被覆シートを基板上に形成されている対象とする信号線路又は信号バス上に被着し、トリプレート線路構造を構成すれば、信号線路又は信号バスの高速化を図ることができる。即ち、線路内のパルス伝送機構分析によれば、信号線路又は信号バス中の分岐及び端子からの反射波のうちの高周波成分がパルス波形を歪ませる主因であることが判明している。従って、信号線路又は信号バス内信号の周波数成分をできる限り線路の共振周波数まで拡張して存在させることにより、パルスの立ち上がりを早めしかも共振を抑制して安定化させることができるので遅延時間が短縮化する。特に本発明では、パルスの立ち上がり特性改善に必要な周波数成分に対してさらに数値的な検討を加えて線路内のスペクトラム・マネージメントを遂行し、酸化物軟質磁性体を混入した樹脂コンパウンドで構成された第１の磁性体層に磁界を印加して酸化物軟質磁性体に強磁性共鳴を生起させるように構成した。その結果、カットオフ周波数帯域における遮断特性が改善され、不要高調波成分の除去を行うと共に必要な高調波成分の減衰を防ぐことができる。即ち、不要な高調波成分のみを効率よく吸収することができる。また、このようなトリプレート線路構造により、不要信号の吸収と遮蔽を同時に実現できるので、信号線路又は信号バスが外部に不要信号を放射するのを抑制でき、より効果的な電磁干渉対策が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】コンピュータの一般的な構成を示すブロック図である。
【図２】単位信号バスの構成図である。
【図３】単位信号バス上のステップ・パルス応答を示す特性図である。
【図４】ステップ・パルス応答のダイアグラムである。
【図５】整合型分岐線路の構造例を示す断面図である。
【図６】バスにクロックパルスを印加したときの応答を示す特性図である。
【図７】吸収型高域遮断フィルタの特性例を示す図である。
【図８】吸収型高域遮断フィルタをバスに挿入した構造例を示す断面図である。
【図９】フィルタが無い場合のパルス応答を示す特性図である。
【図１０】フィルタを挿入したときのパルス応答を示す特性図である。
【図１１】ｎ次までの高調波で合成したパルス波形を表す波形図である。
【図１２】規格化立ち上がり時間比（Ｔｂ／Ｔｐ）の定義を説明する図である。
【図１３】高調波次数増加と規格化立ち上がり時間比の関係を示す特性図である。
【図１４】スペクトラム制限パルス駆動と吸収型高域遮断フィルタ線路とによるパルス伝播を比較して示す特性図である。
【図１５】カーボニル鉄の比透磁率の周波数特性図である。
【図１６】カーボニル鉄の比誘電率の周波数特性図である。
【図１７】カーボニル鉄の重量比を変えた場合の通過特性の周波数（対数表示）特性図である。
【図１８】カーボニル鉄の重量比と遮断周波数との関係を示す特性図である。
【図１９】カーボニル鉄の重量比を変えた場合の通過特性の周波数（線形表示）特性図である。
【図２０】通過特性測定のためのトリプレート線路を示す斜視図である。
【図２１】図２０の線路に外部磁界を印加したときの伝送特性を示す特性図である。
【図２２】鱗片状軟性磁性体シートにカーボニル鉄シートを重ねたトリプレート線路に電磁石で磁界を印加した場合の伝送特性を示す特性図である。
【図２３】本発明のトリプレート線路の一実施形態として、バス線路の上部を被覆シートで覆ったトリプレート吸収型高域遮断フィルタ線路によるコンピュータ用信号バスを示す斜視図である。
【図２４】図２３の断面図である。
【図２５】図２３の実施形態における通過特性を示す特性図である。
【図２６】本発明のトリプレート線路の他の実施形態として、バス線路の上部を被覆シートで覆ったトリプレート吸収型高域遮断フィルタ線路によるコンピュータ用信号バスを示す斜視図である。
【図２７】本発明のトリプレート線路のさらに他の実施形態として、バス線路の上部を被覆シートで覆ったトリプレート吸収型高域遮断フィルタ線路によるコンピュータ用信号バスを示す斜視図である。
【図２８】本発明のトリプレート線路のまたさらに他の実施形態として、バス線路の上部を被覆シートで覆ったトリプレート吸収型高域遮断フィルタ線路によるコンピュータ用信号バスを示す斜視図である。
【図２９】本発明のトリプレート線路のさらに他の実施形態として、バス線路の上部を被覆シートで覆ったトリプレート吸収型高域遮断フィルタ線路によるコンピュータ用信号バスを示す斜視図である。
【符号の説明】
２００、２３０、２６０、２７０、２８０、２９０　基板
２０１、２３１、２６１、２７１、２８１、２９１　バス線路
２３２、２６２　金属磁性体シート
２０３、２３３　酸化物軟質磁性体シート
２３４　酸化物硬質磁性体シート
２０５、２３５、２６５、２７５、２８５、２９５　上部グランド導体層
２０６、２３６、２６６、２７６、２８６、２９６　空隙
２０７、２３７、２６７、２７７、２８７、２９７　下部グランド層
２３８　直流磁界
２６３　酸化物軟質及び硬質磁性体シート
２８２、２９２　金属磁性体ストリップ
２７３、２８３　酸化物軟質磁性体ストリップ
２７４、２８４　酸化物硬質磁性体ストリップ
２９３　酸化物軟質及び硬質磁性体ストリップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2004103840.tif 000008
【図６】
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【図７】
2004103840.tif 000010
【図８】
2004103840.tif 000011
【図９】
2004103840.tif 000012
【図１０】
2004103840.tif 000013
【図１１】
2004103840.tif 000014
【図１２】
2004103840.tif 000015
【図１３】
2004103840.tif 000016
【図１４】
2004103840.tif 000017
【図１５】
2004103840.tif 000018
【図１６】
2004103840.tif 000019
【図１７】
2004103840.tif 000020
【図１８】
2004103840.tif 000021
【図１９】
2004103840.tif 000022
【図２０】
2004103840.tif 000023
【図２１】
2004103840.tif 000024
【図２２】
2004103840.tif 000025
【図２３】
2004103840.tif 000026
【図２４】
2004103840.tif 000027
【図２５】
2004103840.tif 000028
【図２６】
2004103840.tif 000029
【図２７】
2004103840.tif 000030
【図２８】
2004103840.tif 000031
【図２９】
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