【手続補正書】
【提出日】平成24年3月23日(2012.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板によって支持される電磁妨害（ＥＭＩ）被膜を有するＥＭＩフィルタであって、前記ＥＭＩ被膜は、ガラス基板から遠ざかる以下の層：
少なくとも２．２の屈折率（ｎ）を有する第１高屈折率層、
窒化ケイ素からなる第１層、
酸化亜鉛からなる第１層、
酸化亜鉛からなる第１層と接触する銀からなる第１ＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第１ＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第１層、
金属酸化物の第１層、
窒化ケイ素の第２層、
酸化亜鉛からなる第２層、
酸化亜鉛からなる第２層と接触する銀からなる第２ＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第２ＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第２層、
金属酸化物の第２層、
窒化ケイ素の第３層、
酸化亜鉛からなる第３層、
酸化亜鉛からなる第３層と接触する銀からなる第３ＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第３ＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第３層、および
透明導電性酸化物（ＴＣＯ）からなる被膜層、を有し、
前記ＥＭＩフィルタは１オームより低いシート抵抗を有し、
プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）と、前記プラズマディスプレイパネルの前部に設けられた前記ＥＭＩフィルタとを備えたプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
Ｎｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第３層とＴＣＯからなる被膜層との間に、ガラスから遠ざかる順に設置された以下の層：
金属酸化物の第３層、
窒化ケイ素の第４層、
酸化亜鉛からなる第４層、
酸化亜鉛からなる第４層と接触する銀からなる第４ＥＭＩ遮蔽層、および
銀からなる第４ＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第４層をさらに備えた請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
第１高屈折率層は、チタン酸化物からなる、請求項２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
少なくとも２．２の屈折率を有する第２高屈折率層をさらに備え、
第１および第２高屈折率層は、チタン酸化物からなり、
第２高屈折率層は、第２および第３ＥＭＩ遮蔽層間に位置する請求項２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
窒化ケイ素の第２層および酸化亜鉛からなる第２層間に位置する第４金属酸化物層と、
窒化ケイ素の第４層および酸化亜鉛からなる第４層間に位置する第５の金属酸化物層とをさらに備えた請求項４に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
各前記金属酸化物層は、酸化スズを有する請求項５に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
ガラス基板およびこれに結合したＥＭＩ被膜は、少なくとも５５％の可視透過率を有する請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
ＥＭＩフィルタは０．９オームよりも低いシート抵抗を有する請求項７に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
ＥＭＩフィルタは、ＰＤＰに直接接触する請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
ＴＣＯは、アルミニウムがドープされた酸化亜鉛である請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１１】
ＴＣＯは、アンチモンがドープされた酸化スズ、インジウム酸化スズ（ＩＴＯ）、およびニオブがドープされた酸化チタンのうちの少なくとも１つである請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１２】
ＴＣＯからなる被膜層は３０〜４０ｎｍの厚みであって、ＴＣＯは１．９５〜２．０５の屈折率を有する請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１３】
ガラス基板によって支持される電磁妨害（ＥＭＩ）被膜を有するＥＭＩフィルタであって、前記ＥＭＩ被膜は、ガラス基板から遠ざかる以下の層：
反射防止膜、
第１誘電体層、
銀からなる第１ＥＭＩ遮蔽層、
第２誘電体層、
銀からなる第２ＥＭＩ遮蔽層、
第３誘電体層、
銀からなる第３ＥＭＩ遮蔽層、
第４誘電体層、
銀からなる第４ＥＭＩ遮蔽層、および
透明導電性酸化物（ＴＣＯ）からなる被膜層、を有し、
ガラス基板およびこれに結合したＥＭＩ被膜は、少なくとも６０％の可視透過率を有し、
前記ＥＭＩフィルタは０．９オームより低いシート抵抗を有し、
前記ＴＣＯは１．９５〜２．０５の屈折率を有し、
プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）と、前記プラズマディスプレイパネルの前部に直接電気接点が設けられた前記ＥＭＩフィルタとを備えたプラズマディスプレイ装置。
【請求項１４】
第２、第３および第４誘電体層はそれぞれ、酸化スズからなる層によって支持される窒化ケイ素層を備え、第１誘電体層は、窒化ケイ素層を備える請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１５】
ＴＣＯは、アルミニウムがドープされた酸化亜鉛、アンチモンがドープされた酸化スズ、インジウム酸化スズ（ＩＴＯ）、およびニオブがドープされた酸化チタンのうちの少なくとも１つを備える請求項１４に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１６】
ガラス基板によって支持されるＥＭＩ被膜を備え、前記ＥＭＩ被膜は、前記ガラス基板から遠ざかる以下の層：
第１高屈折率層、
窒化ケイ素からなる第１層、
酸化亜鉛からなる第１層、
酸化亜鉛からなる第１層と接触する銀からなる第１ＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第１ＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第１層、
金属酸化物の第１層、
窒化ケイ素の第２層、
酸化亜鉛からなる第２層、
酸化亜鉛からなる第２層と接触する銀からなる第２ＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第２ＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第２層、
金属酸化物の第２層、
窒化ケイ素の第３層、
酸化亜鉛からなる第３層、
酸化亜鉛からなる第３層と接触する銀からなる第３ＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第３ＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第３層、
金属酸化物の第３層、
窒化ケイ素の第４層、
酸化亜鉛からなる第４層、
酸化亜鉛からなる第４層と接触する銀からなる第４ＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第４ＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第４層、および
透明導電性酸化物（ＴＣＯ）からなる被膜層を有し、
前記ＥＭＩフィルタは１オームより低いシート抵抗を有し、
前記ＴＣＯからなる被膜層は３０〜４０ｎｍの厚みであって、
前記ＴＣＯは１．９５〜２．０５の屈折率を有するプラズマディスプレイ装置。
【請求項１７】
第２高屈折率層をさらに備え、第２高屈折率層は、第２および第３ＥＭＩ遮蔽層間に位置し、
第１および第２高屈折率層は、チタン酸化物からなる請求項１６に記載のＥＭＩフィルタ。
【請求項１８】
窒化ケイ素の第２層および酸化亜鉛からなる第２層間に位置する第４の金属酸化物層と、
窒化ケイ素の第４層および酸化亜鉛からなる第４層間に位置する第５の金属酸化物層とをさらに備え、各金属酸化物層は、スズ酸化物を備える請求項１７に記載のＥＭＩフィルタ。
【請求項１９】
ガラス基板およびこれに結合したＥＭＩ被膜は、少なくとも５５％の可視透過率を有する請求項１６に記載のＥＭＩフィルタ。
【請求項２０】
ＥＭＩフィルタは０．９オームよりも低いシート抵抗を有する請求項１６に記載のＥＭＩフィルタ。
【請求項２１】
ＴＣＯは、アルミニウムがドープされた酸化亜鉛、アンチモンがドープされた酸化スズ、インジウム酸化スズ（ＩＴＯ）、およびニオブがドープされた酸化チタンのうちの少なくとも１つである請求項１６に記載のＥＭＩフィルタ。