【手続補正書】
【提出日】平成24年2月3日(2012.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
発明の要旨
本発明の残渣除去洗浄用組成物は、酸性のテトラフルオロホウ酸塩含有溶媒系組成物である。これらの組成物は、ｐＨが３以下であり、約８０重量パーセント〜約９９重量パーセントのスルホン溶媒、約０．２５重量パーセント〜１９重量パーセントの水、テトラフルオロホウ酸塩イオン（ＢＦ４￣）を提供する約０．２５重量パーセント〜１０重量パーセントの少なくとも１つの成分を含有する。上記組成物は、キレート剤、多価アルコール、界面活性剤および酸を含有してもよい。本発明の組成物は、特に、Ｓｉ含有反射防止コーティングを含有し、下側に低ｋ誘電体層、特に、任意の多孔質低ｋ誘電体層を有するマイクロエレクトロニクス基板から、マイクロエレクトロニクス基板の洗浄によりエッチング／アッシング残渣を除去するために用いてもよい。マイクロエレクトロニクス基板またはデバイスの洗浄を行うために、マイクロエレクトロニクス基板またはデバイスを本発明の組成物に対して、そのような洗浄を達成するために十分な時間と温度で接触させる。
本発明は、例えば以下の項目を提供する。
（項目１）
マイクロエレクトロニクス基板洗浄用組成物であって、該組成物は、
ａ）該組成物の約８０重量％〜約９９重量％の少なくとも１つの有機スルホンと；
ｂ）該組成物約０．２５重量％〜約１９重量％の水と；
ｃ）該組成物の約０．２５重量％〜約１０重量％のテトラフルオロホウ酸塩イオンを提供する少なくとも１つの成分と、を含み、
該組成物の１０重量％水溶液としての該組成物のｐＨは３以下である、マイクロエレクトロニクス基板洗浄用組成物。
（項目２）
約１重量％〜約１０重量％の少なくとも１つの多価アルコールをさらに含む、項目１に記載のマイクロエレクトロニクス基板洗浄用組成物。
（項目３）
前記スルホンはスルホランを含む、項目１に記載のマイクロエレクトロニクス基板洗浄用組成物。
（項目４）
前記テトラフルオロホウ酸塩イオンを提供する少なくとも１つの成分はテトラフルオロホウ酸を含む、項目１に記載のマイクロエレクトロニクス基板洗浄用組成物。
（項目５）
前記テトラフルオロホウ酸塩イオンを提供する少なくとも１つの成分はテトラフルオロホウ酸を含む、項目３に記載のマイクロエレクトロニクス基板洗浄用組成物。
（項目６）
多価アルコールはグリセロールを含む、項目２に記載のマイクロエレクトロニクス基板洗浄用組成物。
（項目７）
前記少なくとも１つのスルホンはスルホランを含み、前記テトラフルオロホウ酸塩イオンを提供する少なくとも１つの成分はテトラフルオロホウ酸を含む、項目６に記載のマイクロエレクトロニクス基板洗浄用組成物。
（項目８）
マイクロエレクトロニクス基板またはデバイスのエッチング／アッシング後の残渣を洗浄するプロセスであって、前記プロセスは、
該マイクロエレクトロニクス基板またはデバイスと、下記：
ａ）該組成物の約８０重量％〜約９９重量％の少なくとも１つの有機スルホン；
ｂ）該組成物の約０．２５重量％〜約１９重量％の水；および
ｃ）該組成物の約０．２５重量％〜約１０重量％のテトラフルオロホウ酸塩イオンを提供する少なくとも１つの成分
を含む洗浄用組成物とを接触させる工程を包含し、
該組成物の１０重量％水溶液としての該組成物のｐＨは３以下である、プロセス。
（項目９）
前記洗浄用組成物は約１重量％〜約１０重量％の少なくとも１つの多価アルコールをさらに含む、項目８に記載のプロセス。
（項目１０）
前記スルホンはスルホランを含む、項目８に記載のプロセス。
（項目１１）
前記テトラフルオロホウ酸塩イオンを提供する少なくとも１つの成分はテトラフルオロホウ酸を含む、項目８に記載のプロセス。
（項目１２）
前記テトラフルオロホウ酸塩イオンを提供する少なくとも１つの成分はテトラフルオロホウ酸を含む、項目１０に記載のプロセス。
（項目１３）
多価アルコールはグリセロールを含む、項目９に記載のプロセス。
（項目１４）
前記少なくとも１つのスルホンはスルホランを含み、前記テトラフルオロホウ酸塩イオンを提供する少なくとも１つの成分はテトラフルオロホウ酸を含む、項目１３に記載のプロセス。
（項目１５）
前記マイクロエレクトロニクス基板またはデバイスはＳｉ系反射防止コーティングおよび低ｋ誘電体を含む、項目８に記載のプロセス。
（項目１６）
前記マイクロエレクトロニクス基板またはデバイスはＳｉ系反射防止コーティングおよび低ｋ誘電体を含む、項目１４に記載のプロセス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロエレクトロニクス基板洗浄用組成物であって、該組成物は、
ａ）該組成物の約８０重量％〜約９９重量％の少なくとも１つの有機スルホンと；
ｂ）該組成物約０．２５重量％〜約１９重量％の水と；
ｃ）該組成物の約０．２５重量％〜約１０重量％の、テトラフルオロホウ酸塩イオンを提供する少なくとも１つの成分と、を含み、
該組成物の１０重量％水溶液のときの該組成物のｐＨは３以下である、マイクロエレクトロニクス基板洗浄用組成物。
【請求項２】
約１重量％〜約１０重量％の少なくとも１つの多価アルコールをさらに含む、請求項１に記載のマイクロエレクトロニクス基板洗浄用組成物。
【請求項３】
前記スルホンはスルホランを含む、請求項１に記載のマイクロエレクトロニクス基板洗浄用組成物。
【請求項４】
テトラフルオロホウ酸塩イオンを提供する前記少なくとも１つの成分はテトラフルオロホウ酸を含む、請求項１に記載のマイクロエレクトロニクス基板洗浄用組成物。
【請求項５】
テトラフルオロホウ酸塩イオンを提供する前記少なくとも１つの成分はテトラフルオロホウ酸を含む、請求項３に記載のマイクロエレクトロニクス基板洗浄用組成物。
【請求項６】
前記少なくとも一つの多価アルコールはグリセロールを含む、請求項２に記載のマイクロエレクトロニクス基板洗浄用組成物。
【請求項７】
前記少なくとも１つのスルホンはスルホランを含み、テトラフルオロホウ酸塩イオンを提供する前記少なくとも１つの成分はテトラフルオロホウ酸を含む、請求項６に記載のマイクロエレクトロニクス基板洗浄用組成物。
【請求項８】
マイクロエレクトロニクス基板またはデバイスのエッチング／アッシング後の残渣を洗浄するプロセスであって、該プロセスは、
該マイクロエレクトロニクス基板またはデバイスを、洗浄用組成物と接触させる工程を包含し、該洗浄用組成物は：
ａ）該組成物の約８０重量％〜約９９重量％の少なくとも１つの有機スルホンと；
ｂ）該組成物の約０．２５重量％〜約１９重量％の水と；
ｃ）該組成物の約０．２５重量％〜約１０重量％の、テトラフルオロホウ酸塩イオンを提供する少なくとも１つの成分と
を含み、
該組成物の１０重量％水溶液のときの該組成物のｐＨは３以下である、プロセス。
【請求項９】
前記洗浄用組成物は約１重量％〜約１０重量％の少なくとも１つの多価アルコールをさらに含む、請求項８に記載のプロセス。
【請求項１０】
前記スルホンはスルホランを含む、請求項８に記載のプロセス。
【請求項１１】
テトラフルオロホウ酸塩イオンを提供する前記少なくとも１つの成分はテトラフルオロホウ酸を含む、請求項８に記載のプロセス。
【請求項１２】
テトラフルオロホウ酸塩イオンを提供する前記少なくとも１つの成分はテトラフルオロホウ酸を含む、請求項１０に記載のプロセス。
【請求項１３】
前記少なくとも一つの多価アルコールはグリセロールを含む、請求項９に記載のプロセス。
【請求項１４】
前記少なくとも１つのスルホンはスルホランを含み、テトラフルオロホウ酸塩イオンを提供する前記少なくとも１つの成分はテトラフルオロホウ酸を含む、請求項１３に記載のプロセス。
【請求項１５】
前記マイクロエレクトロニクス基板またはデバイスはＳｉ系反射防止コーティングおよび低ｋ誘電体を含む、請求項８に記載のプロセス。
【請求項１６】
前記マイクロエレクトロニクス基板またはデバイスはＳｉ系反射防止コーティングおよび低ｋ誘電体を含む、請求項１４に記載のプロセス。
【請求項１７】
マイクロエレクトロニクス基板またはデバイスの、エッチング／アッシング後の残渣、フォトレジスト、およびＳｉ系反射防止コーティングを、下側にある該マイクロエレクトロニクス基板もしくはデバイスの誘電体層または金属被膜を損傷することなく、洗浄するプロセスであって、該プロセスは、該マイクロエレクトロニクス基板またはデバイスを、洗浄用組成物と接触させる工程を包含し、該洗浄用組成物は：
ｄ）該組成物の約８０重量％〜約９９重量％の少なくとも１つの有機スルホンと；
ｅ）該組成物の約０．２５重量％〜約１９重量％の水と；
ｆ）該組成物の約０．２５重量％〜約１０重量％の、テトラフルオロホウ酸塩イオンを提供する少なくとも１つの成分と
を含み、
該組成物の１０重量％水溶液のときの該組成物のｐＨは３以下である、プロセス。
【請求項１８】
前記組成物は、約２のｐＨを有する、請求項１７に記載のプロセス。
【請求項１９】
前記誘電体層は、多孔質低ｋ誘電体層である、請求項１７に記載のプロセス。
【請求項２０】
前記洗浄用組成物は、ＨＢＦ４、スルホラン、および水を含む、請求項１９に記載のプロセス。