Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月9日(2012.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
したがって、電気機械材料及びそれを含むデバイスの実施形態を開示する。本開示が、開示されたもの以外の実施形態で実施され得ることは当業者には理解されよう。開示された実施形態は、図示の目的のために示され、制限のために示されてはおらず、本開示は以下の「特許請求の範囲」によってのみ制限される。
本発明はまた、以下の内容を包含する。
（１）ポリマーと、
殻材料を含む外殻、及び微小球の前記外殻内に含有されるガス又は液体を有する、少なくとも１つの膨張した微小球と、
を含む複合材料を含む電気機械物品であって、
前記ポリマーが、前記微小球を少なくとも部分的に封入し、前記ポリマー、前記微小球の殻材料、及び前記微小球内のガス又は液体がすべて、異なる誘電率を有し、
圧電特性又は焦電特性を有する、電気機械物品。
（２）前記ポリマーがビニルポリマーである、項目１に記載の電気機械物品。
（３）前記ポリマーがポリ（フッ化ビニリデン）を含む、項目１に記載の電気機械物品。
（４）前記少なくとも１つの微小球が、約５マイクロメートル（μｍ）〜約５０マイクロメートル（μｍ）の膨張していない直径を有する、項目１に記載の電気機械物品。
（５）前記少なくとも１つの微小球がガラスを含む、項目１に記載の電気機械物品。
（６）前記少なくとも１つの微小球がセラミック材料を含む、項目１に記載の電気機械物品。
（７）前記殻材料がポリマーを含む、項目１に記載の電気機械物品。
（８）前記少なくとも１つの微小球が、ＥＸＰＡＮＣＥＬの商品名で市販されているポリマー微小球である、項目７に記載の電気機械物品。
（９）前記複合材料が、前記複合材料の総重量に基づき、約７０重量％以下の微小球を含む、項目１に記載の電気機械物品。
（１０）前記複合材料が、前記複合材料の総重量に基づき、約３０重量％〜約４０重量％の微小球を含む、項目９に記載の電気機械物品。
（１１）前記複合材料が可塑剤を更に含む、項目１に記載の電気機械物品。
（１２）前記複合材料が圧電特性を有する、項目１に記載の電気機械物品。
（１３）前記複合材料が、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、又はこれらの組み合わせを更に含む、項目１２に記載の電気機械物品。
（１４）ポリマーと、
殻材料を含む外殻、及び前記外殻内に含有されるガス又は液体を有する、少なくとも１つの膨張した微小球と、
を含む電気機械層であって、前記ポリマーが、前記膨張した微小球を少なくとも部分的に封入し、前記ポリマー、前記微小球の前記殻材料、及び前記微小球内の前記ガス又は液体がすべて、異なる誘電率を有する、電気機械層、
第１の導電層、並びに
第２の導電層、
を備えた電気機械デバイスであって、
前記電気機械層が、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に位置付けられ、それらの両方と電気的接続状態にある、電気機械デバイス。
（１５）前記第１の導電層に電気的に接続される、第１の電気接点と、
前記第２の導電層に電気的に接続される、第２の電気接点と、
前記第１の電気接点及び前記第２の電気接点に電気的に接続される、制御デバイスと、を更に備える、項目１４に記載の電気機械デバイス。
（１６）前記制御デバイスが、メータ、電力供給装置、又は両方を備える、項目１５に記載の電気機械デバイス。
（１７）電気機械物品を作製する方法であって、
ポリマー及び複数の微小球を組み合わせることによって、複合組成物を形成する工程であって、前記複数の微小球のそれぞれが、殻材料を含む外殻と前記外殻内に含有されるガス又は液体とを有する、工程と、
前記複合組成物のフィルムを形成する工程と、
前記複合組成物の前記フィルムを加熱して、前記微小球の前記外殻内に含有される前記ガス又は液体を膨張させ、膨張した微小球を形成する工程と、
を含む方法。
（１８）前記複合組成物が、少なくとも１つの溶媒を更に含み、前記方法が、前記フィルムを加熱する前に、前記フィルムから前記溶媒の少なくとも一部を除去する工程を更に含む、項目１７に記載の方法。
（１９）前記フィルムから前記溶媒の少なくとも一部を除去する工程が、前記微小球の前記外殻内に含有される前記ガス又は液体が膨張する温度未満の温度まで、オーブン内で前記フィルムを加熱する工程によって達成される、項目１８に記載の方法。
（２０）前記フィルムを加熱する前に、基材から前記フィルムを除去する工程を更に含む、項目１７に記載の方法。
（２１）加熱後に、前記フィルムをポーリングする工程を更に含む、項目１７に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマーと、
少なくとも１つの膨張した微小球であって、殻材料を含む外殻、及び前記微小球の前記外殻内に含有されるガス又は液体を有する、少なくとも１つの膨張した微小球と、
を含む複合材料を含む電気機械層を含む電気機械物品であって、前記複合材料が、最大５０重量％の微小球を含み、
前記ポリマーが、前記微小球を少なくとも部分的に封入し、前記ポリマー、前記微小球の殻材料、及び前記微小球内のガス又は液体がすべて、異なる誘電率を有し、
圧電特性又は焦電特性を有する、電気機械物品。
【請求項２】
ポリマーと、
殻材料を含む外殻、及び前記外殻内に含有されるガス又は液体を有する、少なくとも１つの膨張した微小球と、
を含む複合材料を含む電気機械層であって、前記複合材料が、最大５０重量％の微小球を含み、前記ポリマーが、前記膨張した微小球を少なくとも部分的に封入し、前記ポリマー、前記微小球の前記殻材料、及び前記微小球内の前記ガス又は液体がすべて、異なる誘電率を有する、電気機械層、
第１の導電層、並びに
第２の導電層、
を備えた電気機械デバイスであって、
前記電気機械層が、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に位置付けられ、それらの両方と電気的接続状態にある、電気機械デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月11日(2012.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＯＦＤＭＡ（直交周波数分割多重接続）通信システム内で使用される基地局で実行される、ダウンリンク・チャネル符号化の方法であって、
複数のトランスポート・ブロックを順序置換することと、
複数のコンポーネント・キャリア上にマップされるべき複数の物理チャネルに、前記複数のトランスポート・ブロックの順序置換された連結体を細分化することと、
前記各コンポーネント・キャリアが被ったチャネル条件に応じてリンク適応化を実行することと、
を有する方法。
【請求項２】
前記リンク適応化は、前記各コンポーネント・キャリアに関して変調方式を適応化させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記リンク適応化は、前記各コンポーネント・キャリアに関して送信ストリームの数（ランク）を適応化させることを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記リンク適応化は、前記各コンポーネント・キャリアに関してプリコーディングを適応化させることを含む、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記リンク適応化は、前記各コンポーネント・キャリアに関して送信方式を適応化させることを含む、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
複数のコンポーネント・キャリア上でデータが送信されるＯＦＤＭＡ（直交周波数分割多重接続）通信システム内で使用される基地局で実行される、リソース・ブロック・マッピングの方法であって、
複数の信号処理チェーンの各々においてトランスポート・ブロックを処理することと、
トランスポート・ブロックとコンポーネント・キャリアとの間の所定のマッピング・パターンに応じて、特定のトランスポート・ブロックに関連する複数のリソース・ブロックを異なるコンポーネント・キャリアにマッピングすることと、
を有する方法。
【請求項７】
前記所定のマッピング・パターンは、前記複数のコンポーネント・キャリア間での前記トランスポート・ブロックの巡回的なホッピングを定義する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記所定のマッピング・パターンは、前記複数のコンポーネント・キャリア間での前記トランスポート・ブロックの擬似ランダム的なホッピングを定義する、請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月1日(2012.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波（ＲＦ）電源で駆動されるガス放電レーザーにおいて、
垂直方向に離間し互いに平行な第１及び第２縦長平板放電電極であって、
前記第１及び第２縦長平板放電電極が互いに電気的に絶縁され、前記第１縦長平板放電電極が通電電極として機能するとともにＲＦ電圧をその電源から受電するように構成され、前記第２縦長平板放電電極が接地電極として機能し、
前記第１及び第２縦長平板放電電極が第１及び第２電気的絶縁スペーサストリップで互いに離間され、
前記第１及び第２電気的絶縁スペーサストリップが、第１及び第２対向端部を有するとともに前記第１及び第２縦長平板放電電極の対向縁部に沿って設けられ、各電気的絶縁スペーサストリップの内縁は横方向において第１距離だけ離間しており、
前記第１及び第２電気的絶縁スペーサストリップが、通電及び接地電極の垂直方向の離間距離を決める高さを有する、第１及び第２縦長平板放電電極と；
前記第１及び第２縦長平板放電電極の間で長手方向に延在する第１及び第２ミラーであって、前記第１縦長平板放電電極にＲＦ電圧が印加されて前記第１及び第２縦長平板放電電極間のレージングガス中で放電を生じたとき、レーザー光がレーザー共振器内を往復するレーザー共振器を形成する第１及び第２ミラーと；
前記第１縦長平板放電電極の両端部に前記第１縦長平板放電電極から長手方向において離間して設けられる平板補助電極であって、
前記平板補助電極は前記接地電極から垂直方向において離間し、前記第２縦長平板放電電極に電気的に接続され、
この延長ブロックはその表面に、高さが前記電気的絶縁スペーサストリップの高さにほぼ等しい隆起部を２つ有し、２つの前記隆起部は横方向において前記第１距離よりも短い第２距離だけ離間し、これによりレーザー光による前記電気的絶縁スペーサストリップの侵食を最小にする平板補助電極と；
を備えるガス放電レーザー。
【請求項２】
前記第１縦長平板放電電極の長さが前記第２縦長平板放電電極より短く、前記第１縦長平板放電電極の長さ、前記平板補助電極の長さ、及び前記平板補助電極の離間距離の長さの合計が、前記第２縦長平板放電電極の長さにほぼ等しい、請求項１のガス放電レーザー。
【請求項３】
前記第１縦長平板放電電極と、前記第２縦長平板放電電極が同一平面内に有る、請求項１のガス放電レーザー。
【請求項４】
前記共振器内で発生する迷光共振を妨げるために、前記平板補助電極の前記隆起部の対向端部がその先端部において面取りされている、請求項１のガス放電レーザー。
【請求項５】
前記平板補助電極と前記第１縦長平板放電電極との長手方向離間距離が、ガス放電レーザーの操作条件下において前記第１縦長平板放電電極と前記平板補助電極との間のガス放電を防止するために十分な大きさである、請求項１のガス放電レーザー。
【請求項６】
前記電気的絶縁スペーサストリップがセラミック材のストリップである、請求項１のガス放電レーザー。
【請求項７】
前記電気的絶縁スペーサストリップが前記第１縦長平板放電電極を超えて長手方向に延在して前記平板補助電極と前記第２縦長平板放電電極との垂直方向離間距離を決め、前記第１縦長平板放電電極と前記平板補助電極とが同一平面内にある、請求項１のガス放電レーザー。
【請求項８】
前記電気的絶縁スペーサストリップの両端部の幅を減少させて、前記平板補助電極の隆起部に適合するように構成された、請求項７のガス放電レーザー。
【請求項９】
前記電気的絶縁スペーサストリップがセラミック材のストリップである、請求項８のガス放電レーザー。
【請求項１０】
レーザーガスを保有する筐体と；
前記筐体内に互いに対向し離間して設けられ、一方の電極がホット電極として作動し、他方の電極が接地電極として作動する一対の縦長矩形平板電極と；
前記一対の電極の両端部に沿って延在してレーザー共振器を画成する一対のミラーであって、前記ホット電極の長さの方が前記接地電極の長さより短く、前記接地電極の両端部よりも前記ホット電極の両端部の方が遠くに位置する一対のミラーと；
前記ホット電極の両端部と、これらに向き合うミラーとの間にそれぞれ位置する一対の金属製の延長ブロックであって、ホット電極の端部からホット電極の長さ方向において離間するとともに前記接地電極と向かい合う延長ブロックとを備え、
前記接地電極と前記延長ブロックとの間にレーザー放電が生じないように各前記延長ブロックが接地されている、スラブレーザー。
【請求項１１】
前記延長ブロックと前記ホット電極の端部との離間距離が、前記ホット電極と前記接地電極との離間距離よりも大きい、請求項１０のスラブレーザー。
【請求項１２】
さらに前記一対の縦長矩形平板電極の間において前記電極の両縁部に沿って設けられ、前記一対の縦長矩形平板電極の間に空間を画成する一対の縦長誘電スペーサを備える、請求項１１のスラブレーザー。
【請求項１３】
前記延長ブロックのそれぞれが、前記延長ブロックの表面に形成された一対の台状隆起部を備え、前記台状隆起部が前記接地電極の両縁部に位置して前記接地電極に対向する、請求項１２のスラブレーザー。
【請求項１４】
互いに向き合う台状隆起部の対向縁間の横方向離間距離が、前記誘電スペーサの対向縁間の横方向離間距離よりも小さい、請求項１３のスラブレーザー。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月30日(2012.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ファセットミラー（１３，１４；４７；６４；６７；７０）を構成する個別ミラー（１３９）であって、
該個別ミラー（２１；９９；１１２；１２６；１３８）のミラー本体（７９）が、剛性のキャリア体（８１）に対して少なくとも１つの傾斜軸を中心に傾斜可能に構成される、個別ミラー（１３９）において、
前記少なくとも１つの傾斜軸を中心とした傾斜制御用のアクチュエータ（１１９）が、
第１の継手本体に可動に接続される移動電極（１２０）と、
第２の継手本体に剛接続される対向電極（１２２）と、
を有し、
誘電体層（１２３）が、前記移動電極（１２０）と前記対向電極（１２２）との間に配置され、
前記対向電極（１２２）は、前記誘電体層（１２３）を介して前記移動電極（１２０）の接触面部分（１２４）に直接当接し、前記アクチュエータ（１１９）の無力状態では、離間面部分（１２５）での前記対向電極（１２２）と前記移動電極（１２０）との間隔が連続的に拡大し、前記移動電極（１２０）が前記第１の継手本体に接続される接続領域（１２１，１２９）が、前記離間面部分（１２５）に位置付けられ、
前記移動電極（１２０）は、個別の傾斜位置に応じて、前記離間面部分（１２５）に隣接する領域を介して、前記誘電体（１２３）にさらに当接することを特徴とする、個別ミラー。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月1日(2012.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
ポジティブブランチ不安定共振器の設計は、ネガティブブランチ不安定共振器より一段と調整が困難であったが、共振器のミラーの曲率の変化により生じる出力ビーム指向性の変動は小さかった。共振器のミラーの曲率の変化は、ミラーの温度変化の結果生じる。ネガティブブランチ不安定共振器は、温度に起因するミラーの曲率の変化に対し敏感である。ビーム指向性の変動は、レーザービームを特定の場所又は被処理物の特定の場所に正確に向けるか又は導く必要がある殆どの用途において問題となる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月28日(2012.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
しかしながら、図5とは異なり、図9のレンズ構造900の抑制／集束電極904は、電極板ではなく、棒状電極とすることができる。棒状電極の位置を、図5のフレアー状レンズ構造500の電極のエッジに位置させる限り、イオンビーム90に及ぼす影響を最小限にすることができる。例えば、図10は、本発明の実施形態による平行レンズ構造と比較した、棒状電極を用いたレンズ構造の偏向、減速、及び／又はフォーカスの例示グラフ1000である。ここで、棒状の電極棒により、本発明の実施形態による偏向、減速、及び／又はフォーカスの独立した制御をもたらすことができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
図11Aは、本発明の実施形態による棒状電極を用いたレンズ構造1100Aの上面図である。この例では、棒状電極1104を、1つ以上の絶縁ブロック1114、又は絶縁ブッシングを有する1つ以上の導電性板の穴（図示せず）を経て取り付けることができる。絶縁ブロック1114又はブッシングを用いることにより、棒状電極1104の位置を、温度の変動に無関係に維持することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
電極1104が十分な幅を有しない場合、又は絶縁ブロック1114がイオンビームにより帯電される場合、絶縁ブロック1114又はブッシングが、イオンビーム付近の静電場と干渉し得ることは、明らかである。したがって、電極1104が十分な幅を有し、このような絶縁ブロック1114又はブッシングからの干渉の影響を最小限にするレンズ構造を提供するのが有利である。絶縁ブロック1114又はブッシングの影響をさらに最小限にするために、1つ以上の電場終端電極1116を用いることができる。いくつかの実施形態では、これらの電場終端電極1116を、絶縁ブロック1114又はブッシング上で、抑制／集束電極1104どうしの間の中間電位領域に取り付けて、イオンビームに及ぼすあらゆる付加的な影響を軽減することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
図13は、本発明の実施形態による導電磁場終端用の装着ブッシング1320を用いたレンズ構造1300の側面図である。1つ以上の装着ブッシング1320を用いて、抵抗シート（例えば、電場終端電極1316）を棒状電極1304に接続することができることは、明らかである。これらの装着ブッシング1320は、例えばグラファイト、ガラス状炭素などの導電性材料、及び／又は他の導電性材料で形成することができる。側部集束電極1318も設けることができる。側部集束電極1318は、絶縁ブロック1314又は装着ブッシング1320に接続することができる。いくつかの実施形態では、電場終端電極1316を、例えば炭化ケイ素(SiC)のような高い抵抗率を有する導電性材料、又は他の同様の抵抗材料（例えば、アルミニウム）で形成することができる。このことにより、棒状電極1304に接続される高電圧源から過剰電流が流れるのを抑えることができる。炭化ケイ素(SiC)は、1E7 Ω・cm未満の抵抗率を有することができる。絶縁ブロック1314又はブッシングは、石英製又は他の同様の材料製とすることができる。他の様々な実施形態も可能である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
このような構造の利点は、側部集束電極1218、1318上の等電位線の形状が、棒状電極1204、1304の印加電圧で変化又は適合し得ることである。このことは、固定の幾何学的形状を有する側部終端電極1216、1316とは、対照的であり得る。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月27日(2012.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ・デバイス内で少なくとも１つの軟データ値を生成する方法であって、
デコーダから性能フィードバックを入手することと、
前記性能フィードバックに基づいて読取統計を入手することと、
前記入手された読取統計に基づいて前記少なくとも１つの軟データ値を生成することと
を含む方法。
【請求項２】
前記性能フィードバックは、（ｉ）前記デコーダによって復号されたデータに基づく誤りのあるビットの個数、（ｉｉ）前記デコーダによって復号されたデータ、および、（ｉｉｉ）満足されないパリティ検査の個数、の１つ以上を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
メモリ・デバイス内で少なくとも１つの軟データ値を生成する方法であって、
硬データを入手することと、
前記硬データを復号することと、
前記復号されたデータに基づいて読取統計を入手することと、
前記入手された読取統計に基づいて前記少なくとも１つの軟データ値を生成することと
を含む方法。
【請求項４】
前記軟データ値は、（ｉ）１つまたは複数の対数尤度比を生成するのに使用される軟読取値、および（ｉｉ）１つまたは複数の対数尤度比、の１つ以上を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも１つの軟データ値は、メモリ・アレイの１つまたは複数の所望の位置について入手され、誤りのあるビットの個数は、前記１つまたは複数の所望の位置について判定される、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記読取統計は、少なくとも１つのターゲット・セルに関連する１つまたは複数のアグレッサ・セル内の所与のパターンＰＡＴＴについて入手され、前記方法は、１つまたは複数のターゲット・セルおよび１つまたは複数の関連するアグレッサ・セルについて硬データを復号するステップと、前記関連するアグレッサ・セル内の前記所与のパターンＰＡＴＴを有する誤りのある復号されたターゲット・ビットの個数を判定するステップと、誤りのある復号されたターゲット・ビットの前記個数に基づいて前記所与のパターンについて前記読取統計を入手するステップとをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記読取統計は、複数の可能な値について入手された非対称読取統計を含み、前記方法は、前記復号されたデータ内の第１の値を有する誤りのあるビットの個数を判定するステップと、前記復号されたデータ内の第２の値を有する誤りのあるビットの前記個数を判定するステップと、前記第１の値を有する誤りのあるビットの前記個数に基づいて前記第１の値に関する読取統計を入手するステップと、前記第２の値を有する誤りのあるビットの前記個数に基づいて前記第２の値に関する読取統計を入手するステップとをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項８】
メモリ・デバイス内で少なくとも１つの軟データ値を生成する方法であって、
満足されないパリティ検査の個数を入手することと、
満足されないパリティ検査の前記個数に基づいて前記少なくとも１つの軟データ値を生成することと
を含む方法。
【請求項９】
前記軟データ値は、（ｉ）１つまたは複数の対数尤度比を生成するのに使用される軟読取値、および（ｉｉ）１つまたは複数の対数尤度比、の１つ以上を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記軟データ値は、メモリ・アレイの１つまたは複数の所望の位置について入手され、前記１つまたは複数の所望の位置内のビットを有する符号語は、使用され、満足されないパリティ検査の前記個数は、前記符号語について入手される、請求項８に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年12月21日(2011.12.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性な相変化性メモリ材料の層と不活性な誘電材料の層との多層構造の異質混合物である複合メモリ材料であって、
前記相変化性メモリ材料が、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ａｓ、Ｓ、Ｓｉ、Ｐ、Ｏ及びそれらの混合物又は合金から成るグループから選択された一又はそれ以上の元素を含み、
前記誘電材料が、酸化物、窒化物、酸化窒化物、炭化窒化物、フッ化物、硫化物、塩化物、炭化物、ホウ化物、リン化物及びそれらの混合物から成るグループから選択された一又はそれ以上の材料であるか、または、有機誘電材料であり、
前記相変化性メモリ材料は、
ＴｅａＧｅｂＳｂ１００−（ａ＋ｂ）
ここで、２３≦ａ≦５８及び８≦ｂ≦４０；４８≦ａ≦５８及び８≦ｂ≦４０；又は４８≦ａ≦５８及び８≦ｂ≦３０、
（ＴｅａＧｅｂＳｂ１００−（ａ＋ｂ））ｃＴＭ１００−ｃ
ここで、２３≦ａ≦５８，８≦ｂ≦４０及び９０≦ｃ≦９９．９９、ＴＭは一以上の遷移金属元素であり、並びに
（ＴｅａＧｅｂＳｂ１００−（ａ＋ｂ））ｃＴＭｄＳｅ１００−（ｃ＋ｄ）
ここで、２３≦ａ≦５８，８≦ｂ≦４０，９０≦ｃ≦９９．９９及び０．０１≦ｄ≦１０、ＴＭは一以上の遷移金属元素であり、
から成るグループから選択された組成の一つを有することを特徴とする、複合メモリ材料。
【請求項２】
前記一以上の遷移金属元素が、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｐｔ及びそれらの混合物又は合金から成るグループから選択される、請求項１の複合メモリ材料。
【請求項３】
（ａ）活性な相変化性メモリ材料の層と不活性な誘電材料の層との多層構造の異質混合物であって、単一セルメモリ素子を規定している一定体積の複合メモリ材料と、
（ｂ）前記メモリ素子に保存された情報を読み出したり書き込んだりするための端子を提供する、間をおいて配置された一対のコンタクトと
を含む単一セルメモリ素子であって、
前記相変化性メモリ材料が、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ａｓ、Ｓ、Ｓｉ、Ｐ、Ｏ及びそれらの混合物から成るグループから選択された一又はそれ以上の元素を含み、
前記誘電材料が、酸化物、窒化物、酸化窒化物、炭化窒化物、フッ化物、硫化物、塩化物、炭化物、ホウ化物、リン化物及びそれらの混合物又は合金から成るグループから選択された一又はそれ以上の材料であるか、または、有機誘電材料であり、
前記相変化性メモリ材料は、
ＴｅａＧｅｂＳｂ１００−（ａ＋ｂ）
ここで、２３≦ａ≦５８及び８≦ｂ≦４０；４８≦ａ≦５８及び８≦ｂ≦４０；又は４８≦ａ≦５８及び８≦ｂ≦３０、
（ＴｅａＧｅｂＳｂ１００−（ａ＋ｂ））ｃＴＭ１００−ｃ
ここで、２３≦ａ≦５８，８≦ｂ≦４０及び９０≦ｃ≦９９．９９、ＴＭは一以上の遷移金属元素であり、並びに
（ＴｅａＧｅｂＳｂ１００−（ａ＋ｂ））ｃＴＭｄＳｅ１００−（ｃ＋ｄ）
ここで、２３≦ａ≦５８，８≦ｂ≦４０，９０≦ｃ≦９９．９９及び０．０１≦ｄ≦１０、ＴＭは一以上の遷移金属元素であり、
から成るグループから選択された組成の一つを有することを特徴とする、単一セルメモリ素子。
【請求項４】
前記一以上の遷移金属元素が、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｐｔ及びそれらの混合物又は合金から成るグループより選択される、請求項３の単一セルメモリ素子。
【請求項５】
前記間をおいて配置された一対のコンタクトのうち少なくとも一は、第１コンタクト材料と第２コンタクト材料との混合物であって、第１コンタクト材料は炭素を含み、かつ第２コンタクト材料は少なくとも一の遷移金属元素を含む、請求項３の単一セルメモリ素子。
【請求項６】
前記第２コンタクト材料が、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ及びそれらの混合物又は合金から成るグループより選択される一又はそれ以上の元素を含む、請求項５の単一セルメモリ素子。
【請求項７】
前記第２コンタクト材料がＴｉとＷとを含む、請求項６の単一セルメモリ素子。
【請求項８】
前記活性な相変化性メモリ材料の層の厚さが５Å〜７５Åであり、前記不活性な誘電材料の層の厚さが５Å〜７５Åである、請求項１の複合メモリ材料。
【請求項９】
前記活性な相変化性メモリ材料の層の厚さが５Å〜７５Åであり、前記不活性な誘電材料の層の厚さが５Å〜７５Åである、請求項３の単一セルメモリ素子。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
複合メモリ材料は活性相変化性メモリ材料と不活性誘電材料の異質混合物であるのが好ましい。このような異質混合物の１つの実施形態は、相変化性メモリ材料の層が誘電材料の層と混在している多層構造物のそれである。各層の厚さは約５Å〜約７５Åであるのが好ましい。各層の厚さは約１０Å〜約５０Åであればもっと好ましい。各層の厚さは約２０Å〜約３０Åであればもっとも好ましい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
複合メモリ材料中の誘電材料の体積百分率は制御可能である。誘電材料の体積百分率は約１０％〜約９０％の間であるのが好ましい。誘電材料の体積百分率は約２０％〜約８０％であればより好ましい。誘電材料の体積百分率は約４０％〜約６０％であればもっとも好ましい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５４】
複合メモリ材料３６の層は、約２００Å〜５０００Åの厚さに堆積するのが好ましく、約２５０Å〜２５００Åの堆積厚さがより好ましく、約２５０Å〜５００Åの厚さに堆積するのがもっとも好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月23日(2012.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エレクトレット物品を作製する方法であって、
（ａ）帯電されるポリマー物品を提供する工程と、
（ｂ）帯電される前記ポリマー物品を以下のｐＨ及び伝導度を有する水性液と接触させる工程であって、
（ｉ）前記物品が−７．５ｍＶ以下のゼータ電位を有する場合、前記接触液は７を超えるｐＨと、１センチメートル当り約５〜９，０００マイクロシーメンスの伝導度とを有し、
（ｉｉ）前記物品が−７．５ｍＶを超えるゼータ電位を有する場合、前記接触液は７以下のｐＨと、１センチメートル当り約５〜５，５００マイクロシーメンスの伝導度とを有する、工程と、
（ｃ）前記物品を乾燥させる工程と、を含む、方法。
【請求項２】
フィルターエレメントを作製する方法であって、請求項１に記載の不織布ウェブをフィルターカートリッジ又はマスク本体に設置する工程、を含む、方法。
【請求項３】
呼吸マスクを作製する方法であって、請求項１に記載の不織布ウェブを人の鼻及び口を覆って着用されるように適合されるマスク本体に設置する工程であって、前記不織布ウェブは、前記呼吸マスクのユーザーにより吸入される前に、濾過されるべき空気が前記不織布ウェブを通過するように前記マスク本体に配置される工程、を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月11日(2011.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面層（５）とコア（６）を備え、前記コアが木質繊維（１４’）を含む建物用パネルであって、前記表面層（５）が、木質繊維（１４）、バインダ（１９）および耐摩耗性粒子（１２）の実質的に均質な混合物から構成されており、前記表面層（５）内の木質繊維（１４）が精製されておらずかつリグニンのような天然樹脂を含み、
前記建物用パネルは、バランス層（７）を有するフロアパネルであり、
前記バインダ（１９）は熱硬化性樹脂であり、
前記耐摩耗性粒子（１２）は酸化アルミニウムを含み、酸化アルミニウム粒子（１２’）は前記コア（６）の上部と直接的に接触している
ことを特徴とする建物用パネル。
【請求項２】
前記コア（６）が板、例えばＨＤＦあるいはパーティクルボードであり、
前記表面層（５）が着色色素（１５）を含み、
前記表面層（５）の木質繊維（１４）が、前記コア（６）と同一な材料タイプの繊維を含むことを特徴とする請求項１に記載の建物用パネル。
【請求項３】
前記バインダ（１９）がメラミン樹脂を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の建物用パネル。
【請求項４】
前記耐摩耗性粒子（１２）が、前記メラミン樹脂によって前記表面層（５）内の前記木質繊維（１４）に結合されていることを特徴とする請求項３に記載の建物用パネル。
【請求項５】
前記表面層（５）は、前記パネル（１）の主な平面と平行に延びる３つの水平面（Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３）を具備した垂直部分（Ｐ）を有しており、
前記表面層（５）の上側部分上に配置された第１の上側平面（Ｈ１）は第１の酸化アルミニウム粒子（１２）から構成され、
前記第１の酸化アルミニウム粒子（１２）の下側に配置された第２の中間平面（Ｈ２）は木から構成され、
前記第２の平面（Ｈ２）の下側の前記第３の下側平面（Ｈ３）は第２の酸化アルミニウム粒子（１２’）を含み、
前記酸化アルミニウム粒子（１２’）が、前記コア（６）の上部と直接的に接触していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の建物用パネル。
【請求項６】
前記表面層（５）内の酸化アルミニウム粒子の重量含有量が、前記表面層の総重量の約５％〜約３０％の範囲であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の建物用パネル。
【請求項７】
前記表面層（５）内の酸化アルミニウム粒子の重量含有量が、少なくとも１００グラム／平方メートルであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の建物用パネル。
【請求項８】
前記コア（６）がＨＤＦであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載した建物用パネル。
【請求項９】
前記コア（６）がパーティクルボードであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の建物用パネル。
【請求項１０】
前記表面層（５）が、前記上側の耐摩耗性粒子（１２）の下方の表面内に延びる印刷をさらに有していることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の建物用パネル。
【請求項１１】
前記表面層（５）が、繊維組織が異なる、ブラシをかけられた部分を有していることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の建物用パネル。
【請求項１２】
前記表面層（５）が、耐摩耗性が異なる、ブラシをかけられた部分を有していることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の建物用パネル。
【請求項１３】
前記表面層（５）の木質繊維（１４）が本質的に１ｍｍより小さいことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の建物用パネル。
【請求項１４】
前記表面層（５）は、本質的に０．５ｍｍより小さい粉末の形態の木質繊維（１４）を含むことを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一項に記載の建物用パネル。
【請求項１５】
前記建物用パネルの縁部が、前記建物用パネルをこれに類似する他の建物用パネルに係止するための機械的な係止装置（４，４’）を有しており、かつそのような係止装置が前記コア（６）に形成されていることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか一項に記載の建物用パネル。
【請求項１６】
建物用パネル（１）を製造する方法であって、
天然樹脂を含む木質繊維（１４）、熱硬化性樹脂のバインダ、着色色素（１５）、および小さい耐摩耗性粒子（１２）を含む粒子を乾燥混合する段階と、
乾燥混合物を、木質繊維ベースの板からなる前記コア（６）上に直接的に付加する段階と、
前記ドライ混合物を高い圧力および温度の下に置き、建物用パネルの装飾性の表面層として形成する段階と、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項１７】
前記建物用パネルがフロアパネルであることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記木質繊維ベースの板がＨＤＦであることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記木質繊維ベースの板がパーティクルボードであることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
最終的なプレスの前に予備プレスする段階をさらに備えることを特徴とする請求項１６〜１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
最終的なプレスの前に印刷操作する段階をさらに備えることを特徴とする請求項１６〜２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
前記建物用パネルを、両側の縁部に機械的な係止装置（４、４’）を有するフロアパネル（１）に形成することを含む機械加工作業の段階を備えることを特徴とする請求項１６〜２１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
木質繊維およびバインダから構成されているバランス層（７）上に前記コア（６）の層を配置する段階、
前記表面層、前記コア（６）の層および前記バランス層（７）から構成される３つの層に熱および圧力を負荷する段階、
をさらに備えることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項２４】
前記コア層（６）より高い密度のバランス層（７）を付加する段階を備えることを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記ドライ混合物のアルミニウム酸化物（１２’）は前記コア（６）の上部に直接接触していることを特徴とする請求項１６〜２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
建物用パネルであって、表面層（５）とコア（６）を備え、前記コアが木質繊維（１４）を含んでおり、前記表面層（５）が天然樹脂を含む木質繊維（１４）、バインダ（１９）および耐摩耗性粒子（１２）の実質的に均質な混合物から構成されており、前記建物用パネルがバランス層（７）を含むフロアパネルであり、前記バインダ（１９）は熱硬化性樹脂であり、前記耐摩耗性粒子（１２）がアルミニウム酸化物を含み、前記表面層（５）が、前記建物用パネル（１）の主な平面と平行に延びる３つの水平面（Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３）を具備した垂直部分（Ｐ）を有しており、前記表面層（５）の上側部分上に配置された第１の上側平面（Ｈ１）は第１の酸化アルミニウム粒子（１２）を含み、前記第１の酸化アルミニウム粒子（１２）の下側に配置された第２の中間平面（Ｈ２）は木を含み、前記第２の平面（Ｈ２）の下側の前記第３の下側平面（Ｈ３）は第２の酸化アルミニウム粒子（１２’）を含み、前記酸化アルミニウム粒子（１２’）が、前記コア（６）の上部と直接的に接触していることを特徴とする建物用パネル。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月23日(2012.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
ガス注入部３の下方の壁は好ましくは２つのプレートから成り、ガス注入部３の下向きの面はガス放出面３’を形成する。内側プレート２７の一部が図６に反転して示される。内側プレート２７は非常に多数の穴（ガス放出ポート６）を持ち、それらの穴は張り出した放出ポート６’の中に開く。張り出した放出ポート６’は、正方形のベースエリアを持った突出部２８の中に配置される。これらの突出部２８は、下方プレート３０の正方形の凹部２９の中に下向きに突き出す。下方プレート３０の上側の壁は溝を持ち、それらの溝の中に加熱コイル１９が配置される。それらの溝は開口（正方形の凹部２９）の間の領域にある。その結果として、組み立てられた状態において加熱コイル１９は突出部
２８の間の領域にある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
特にパイプの直径によって定義されるガスライン（１３、１５および９）の流れ抵抗と、実質的に前記ガス放出ポート（６）の直径と数によって定義される前記平面ガス分配器（３）の流れ抵抗とは、前記熱分解チャンバー（２）の中の１ミリバールより低い全圧と前記プロセスチャンバー（８）の中のおよそ０．１ミリバールの全圧で少なくとも２０００ｓｃｃｍの全体のガスの流れを達成することができるような範囲とされることを特徴とする請求項１に記載の堆積装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2011522130.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月14日(2012.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧縮機の回転可能な軸とハウジングとの間にシール関係で設けられるガス潤滑非接触シールのためのシール監視システムであって、
前記ガス潤滑非接触シールに隣接して非ガス状物質を示す相信号を提供するように設けられる相センサと、
前記相信号を受け取るように設けられるプログラマブルロジック制御システムであって、さらに前記相信号に基づいて前記ガス潤滑非接触シールの動作状態を判定するように、且つ前記動作状態に応じて出力信号を提供するように設けられるプログラマブルロジック制御システムとを備える、シール監視システム。
【請求項２】
前記ガス潤滑非接触シールの構成要素の温度を示す第１の温度信号を提供するように設けられる第１の温度センサをさらに備え、前記プログラマブルロジックコントローラーは、さらに前記第１の温度信号を受け取るように、且つ前記第１の温度信号にさらに基づいて前記出力を提供するように設けられる、請求項１に記載のシール監視システム。
【請求項３】
前記プログラマブルロジックコントローラーは、さらに前記動作状態に基づいて異常動作状態の存在を判定するように、且つ前記ガス潤滑非接触シールの少なくとも１つの動作パラメータを調整することによって前記異常動作状態を修正するために少なくとも１つの軽減プロセスを行うように設けられる、請求項１に記載のシール監視システム。
【請求項４】
前記圧縮機の前記ハウジングに形成されるプロセスガス入口通路を介して前記ガス潤滑非接触シールにプロセスガス流を提供するように構成されるプロセスガス処理モジュールをさらに備え、
前記プロセスガス処理モジュールは、
上流端から下流端へ前記プロセスガス流を提供するようになっているプロセスガス導管と、
前記プロセスガス導管を流体的に横切る少なくとも１つのコアレッシングフィルタと、
前記プロセスガス導管に沿って前記少なくとも１つのコアレッシングフィルタの前後に設けられて、プロセスガス差圧信号を提供する差圧センサと、
前記少なくとも１つのコアレッシングフィルタの下流の前記プロセスガス導管内の非ガス状物質を示すプロセスガス相信号を提供するように設けられるプロセスガス相センサと、
プロセスガス温度信号を提供するように設けられるプロセスガス温度センサと、
前記少なくとも１つのコアレッシングフィルタの下流の前記プロセスガス流の流量を示すプロセスガス流量信号を提供するように設けられるプロセスガス流量センサとを含み、
前記プログラマブルロジック制御システムは、前記プロセスガス差圧信号、前記プロセスガス相信号、前記プロセスガス温度信号、及び前記プロセスガス流量信号の少なくとも１つに基づいて、さらに前記少なくとも１つの軽減プロセスを行うように設けられる、請求項３に記載のシール監視システム。
【請求項５】
前記プロセスガス処理モジュールは、
前記プロセスガス導管に沿って設けられ、且つ前記プログラマブルロジック制御システムによって提供される温度変更命令信号に応じてプロセスガス温度を調整するように設けられるヒータ／クーラデバイスと、
前記プロセスガス導管に沿って設けられ、且つ前記プログラマブルロジック制御システムによって提供される流量制御信号に応じて前記プロセスガス流の流量を調整するように設けられる流量制御デバイスとをさらに備え、
前記温度変更命令信号及び前記流量制御信号の少なくとも一方が、前記プログラマブルロジック制御システムの前記少なくとも１つの軽減プロセスの一部として提供される、請求項４に記載のシール監視システム。
【請求項６】
前記圧縮機の前記回転可能な軸と前記ハウジングとの間に前記ガス潤滑非接触シールに対してタンデム構成で設けられる第２のガス潤滑非接触シールをさらに備え、
前記第２のガス潤滑非接触シールは、
前記第２のガス潤滑非接触シールの付加的な構成要素の温度を示す第２の温度信号を提供するように設けられる第２の温度センサと、
前記第２のガス潤滑非接触シールの第２の一次リングと第２のメイティングリングとの間の距離を示す第２のギャップ信号を提供するように設けられる第２のギャップセンサと、
前記第２のガス潤滑非接触シールに隣接して非ガス状物質を示す付加的な相信号を提供するように設けられる付加的な相センサとに関連付けられ、
前記プログラマブルロジック制御システムは、さらに前記第２の温度信号、前記第２のギャップ信号、及び前記付加的な相信号を受け取るように設けられ、
前記プログラマブルロジック制御システムは、前記第２の温度信号、前記第２のギャップ信号、及び前記付加的な相信号の少なくとも１つに基づいて、さらに少なくとも１つの軽減プロセスを行うように設けられる、請求項１に記載のシール監視システム。
【請求項７】
前記第２のガス潤滑非接触シールに分離ガス流を提供するようになっている二次ガス供給システムをさらに備え、
前記二次ガス供給システムは、
前記プログラマブルロジック制御システムによって提供される分離ガス弁制御信号に応じて前記分離ガス流の流量を調整するように設けられる分離ガス制御弁と、
前記プログラマブルロジック制御システムに分離ガス流量信号を提供するように設けられる分離ガス流量センサと、
前記プログラマブルロジック制御システムに分離ガス相信号を提供するように設けられる分離ガス相センサと、
前記プログラマブルロジック制御システムに分離ガス入口圧力信号を提供するように設けられる分離ガス入口圧力センサとを含み、
前記動作状態の前記判定は、前記分離ガス流量信号、前記分離ガス相信号、及び前記分離ガス入口圧力信号の少なくとも１つにさらに基づき、
前記少なくとも１つの軽減プロセスは、調整された分離ガス弁制御信号の提供をさらに含む、請求項６に記載のシール監視システム。
【請求項８】
前記ガス潤滑非接触シールの第１の一次リングと第１のメイティングリングとの間の距離を示す第１のギャップ信号を提供するように設けられる第１のギャップセンサをさらに備え、前記ガス潤滑非接触シールの前記動作状態の前記判定は、前記第１のギャップ信号にさらに基づく、請求項１に記載のシール監視システム。
【請求項９】
前記圧縮機の回転可能部品と固定部品との間の軸方向距離を示す位置信号を提供するように設けられる位置センサをさらに備え、前記ガス潤滑非接触シールの前記動作状態の前記判定は、前記位置信号にさらに基づく、請求項１に記載のシール監視システム。
【請求項１０】
前記プログラマブルロジックコントローラーは、さらに前記軸方向距離が許容値を超えることを前記位置信号が示す場合に付加的な出力信号を起動させるように配置される、請求項９に記載のシール監視システム。
【請求項１１】
前記出力信号は、視覚的手段による前記動作状態の表示を含む、請求項１に記載のシール監視システム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月13日(2012.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の式１を有する化合物：
【化１】
2011522774.tif 000001
式１
(式中、R1〜R6は、個々に、H、C1‐6アルキル、ハロゲン、CH2OH、CH2N(R7)2、CH2CN、C
(O)R8、CF3、およびアリールからなる群から選ばれ；R7は、HまたはC1‐6アルキルであり
；R8は、H、C1‐6アルキルまたはアリールである)。
【請求項２】
C1‐6アルキルが、メチルである、請求項１記載の化合物。
【請求項３】
ハロゲンが、F、ClまたはBrである、請求項１記載の化合物。
【請求項４】
下記の式２および式３からなる群から選ばれる式を有する請求項１記載の化合物：
【化２】
2011522774.tif 000002
式２
【化３】
2011522774.tif 000003
式３
(式中、R1〜R3は、個々に、H、C1‐6アルキル、ハロゲン、CH2OH、CH2N(R7)2、CH2CNおよびCF3からなる群から選ばれ；R7は、HまたはC1‐6アルキルである)。
【請求項５】
下記からなる群から選ばれる、請求項１記載の化合物：
【化４】
2011522774.tif 000004
【請求項６】
下記の式１を有する化合物および製薬上許容し得る担体を含む製薬組成物：
【化５】
2011522774.tif 000005
式１
(式中、R1〜R6は、個々に、H、C1‐6アルキル、ハロゲン、CH2OH、CH2N(R7)2、CH2CN、C
(O)R8、CF3、およびアリールからなる群から選ばれ；R7は、HまたはC1‐6アルキルであり
；R8は、H、C1‐6アルキルまたはアリールである)。
【請求項７】
C1‐6アルキルが、メチルである、請求項６記載の製薬組成物。
【請求項８】
ハロゲンが、F、ClまたはBrである、請求項７記載の製薬組成物。
【請求項９】
前記化合物が、下記の式２および式３からなる群から選ばれる式を有する、請求項７記載の製薬組成物：
【化６】
2011522774.tif 000006
式２
【化７】
2011522774.tif 000007
式３
(式中、R1〜R3は、個々に、H、C1‐6アルキル、ハロゲン、CH2OH、CH2N(R7)2、CH2CNおよびCF3からなる群から選ばれ；R7は、H又はC1‐6アルキルである)。
【請求項１０】
前記化合物が、下記からなる群から選ばれる、請求項７９記載の製薬組成物：
【化８】
2011522774.tif 000008
【請求項１１】
アルファ2Bレセプター介在疾患または症状の治療のための医薬品の製造のための下記の式１を有する化合物の使用：
【化９】
2011522774.tif 000009
式１
(式中、R1〜R6は、個々に、H、C1‐6アルキル、ハロゲン、CH2OH、CH2N(R7)2、CH2CN、C(
O)R8、CF3、およびアリールからなる群から選ばれ；R7は、HまたはC1‐6アルキルであり
；R8は、H、C1‐6アルキルまたはアリールである)。
【請求項１２】
前記化合物が、下記の式２および式３からなる群から選ばれる式を有する請求項１１記載の使用：
【化１０】
2011522774.tif 000010
式２
【化１１】
2011522774.tif 000011
式３
(式中、R1〜R3は、個々に、H、C1‐6アルキル、ハロゲン、CH2OH、CH2N(R7)2、CH2CNおよびCF3からなる群から選ばれ；R7は、HまたはC1‐6アルキルである)。
【請求項１３】
前記化合物が、下記からなる群から選ばれる式を有する、請求項１１記載の使用：
【化１２】
2011522774.tif 000012
【請求項１４】
前記疾患または症状が、緑内障、高眼圧、虚血性神経障害、視神経症、疼痛、内臓痛、角膜痛、頭痛、片頭痛、癌性疼痛、背痛、過敏性腸症候群痛、筋肉痛および糖尿病性神経障害に関連する疼痛、糖尿病性網膜症の治療、他の網膜変性症状、卒中、認知障害、神経精神症状、薬物依存および中毒症、禁断症状、強迫障害、肥満症、インスリン耐性、ストレス関連症状、下痢、利尿、鼻詰まり、痙性、注意力欠陥障害、精神病、不安神経症、抑うつ症、自己免疫疾患、クローン病、胃炎、アルツハイマー病性およびパ−キンソン病性ALSからなる群から選ばれる、請求項１１記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月13日(2012.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の式の１つに従う化合物またはその製薬上許容し得る塩：
【化１】
2011522775.tif 000001
(式中、点線は、結合の存在または不存在を示し；
Rは、下記である：
【化２】
2011522775.tif 000002
)。
【請求項２】
下記の式の請求項１記載の化合物またはその製薬上許容し得る塩：
【化３】
2011522775.tif 000003
【請求項３】
下記の式の請求項１記載の化合物またはその製薬上許容し得る塩：
【化４】
2011522775.tif 000004
【請求項４】
下記の式の請求項１記載の化合物またはその製薬上許容し得る塩：
【化５】
2011522775.tif 000005
【請求項５】
下記の式の請求項１記載の化合物またはその製薬上許容し得る塩：
【化６】
2011522775.tif 000006
【請求項６】
下記の式の請求項１記載の化合物またはその製薬上許容し得る塩：
【化７】
2011522775.tif 000007
【請求項７】
下記の式の請求項１記載の化合物またはその製薬上許容し得る塩：
【化８】
2011522775.tif 000008
【請求項８】
下記の式の請求項１記載の化合物またはその製薬上許容し得る塩：
【化９】
2011522775.tif 000009
【請求項９】
下記の式の請求項１記載の化合物またはその製薬上許容し得る塩：
【化１０】
2011522775.tif 000010
【請求項１０】
緑内障または高眼圧症の治療のための医薬の製造の為の請求項1記載の化合物の使用。
【請求項１１】
請求項１記載の化合物含む組成物であって、局所眼科投与に適する水性液体である組成物。
【請求項１２】
請求項１１記載の組成物、その液滴を分配するためのパッケージ、および前記組成物を緑内障または高眼圧症の局所治療するために使用することを指示する使用指示書を含むキット。
【請求項１３】
毛髪成長の刺激のための医薬の製造の為の請求項1記載の化合物の使用。