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　平成　５年特許願第１５６０７２号「磁気抵抗トランスジューサにおけるバルクハウゼンノイズを軽減するための方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年　２月２５日出願公開、特開平　６−　５２５２２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　経緯
　本件は、１９９２年６月５日の米国出願をもとにパリ条約による優先権主張をして、平成５年６月２日に特許出願したものであり、平成１２年５月３０日に審査請求をし、同日に手続補正書を提出した。審査官から拒絶理由通知が平成１３年６月５日付けで出され、意見書及び手続補正書を平成１３年１２月１１日に提出したが、本願発明は拒絶理由通知で示した引用例記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとして、平成１３年１２月２６日付けで拒絶査定されたので、審判請求を平成１４年４月３日にするとともに同日に特許請求の範囲を変更する手続補正をした。前置報告が平成１４年６月２１日付けでなされた。
　
２　本願発明
　本件の特許請求の範囲請求項１〜６は、補正された明細書及び図面の記載から見て、その請求項１〜６に記載されたとおりのものであり、そのうち請求項４に係るものは次のとおりである。
「【請求項４】
　電流を磁気抵抗ストライプに供給するための第１の導体を含み、前記第１の導体はトランスジューサのトラック領域のエッジにおいてテーパ状部を有し、前記第１の導体のテーパ状部分がトランスジューサ基板に対して１０°から４５°の間の角度で形成されている、二重ストライプ磁気抵抗トランスジューサ（以下、本願発明という。）。」
　
３　引用例
（１）　引用例１
　拒絶の理由に引用された出願前公知の刊行物である特開平４−１４３９１４号公報（以下、引用例１という。）の
ａ　第１頁右下欄第１１行〜第２頁左上欄第４行に、
「　第２図は従来のＭＲヘッドの構成の一例を示すディスク対向面の断面図である。このＭＲヘッドでは、電極２がテーパー形状に形成されており、その上にＭＲ素子１が形成されている。電極がテーパー形状になっていることは、ＭＲ素子の形状異方性を生かし、バルクハウゼンノイズを軽減する効果がある。このＭＲヘッドにおいては、媒体から発する磁束のうち、電極の間を通るものが検出されるので、ＭＲヘッドの感知幅は電極間の距離に等しいといえる。また、図中、４は下シールド間ギャップを、５は上シールド間ギャップを示しており、磁気シールド６，７が媒体から発する磁束のうち余分な磁束を吸収することにより分解能を高めている。」と記載され、
　
ｂ　第２頁右上欄第４行〜右下欄第１行に、
「［作用］
　本発明においては、テーパー形状の電極とＭＲ素子層の間に絶縁層を設置し、感知幅として絶縁層の幅を用いることにより、トラック幅を精度よく決定することができる。また、絶縁層とＭＲ素子層の接触面を平面にすることにより、バルクハウゼンノイズの発生が抑えられる。
［実施例］
　次に本発明の実施例について詳細に説明する。
実施例１，２
　第１図は本発明の一実施例の断面図である。セラミックの非磁性基板上に厚さ１μｍのパーマロイを用いた下シールド７をメッキ法により成膜し、次いでイオンミリングにより、幅３０μｍにパターン化する。その上に、厚さ０．４μｍのＳｉＯ２を用いた下シールド間ギャープ４をスパッタリング法により成膜し、さらに、厚さ０．２４μｍのＡｕを用いた電極２を蒸着法により成膜する。この電極の上に、厚さ０．０１μｍのＴａ、厚さ０．１４μｍのＡｌ２Ｏ３、厚さ１μｍのレジストを成膜し、入射角３０゜のＡｒビームにより電極をテーパー形状にエッチングし、Ａｌ２Ｏ３をホットリン酸により除去する。次に、ステンシル形状のフォトレジストをトラック幅に相当する幅４．０μｍだけ離して１組作製し、厚さ０．０４μｍのＳｉＯ２からなる絶縁層３をリフトオフにより成膜する。
　さらに、ＭＲ素子層１として、厚さ０．０４μｍのパーマロイ膜、厚さ０．０２μｍのＴｉ膜、および厚さ０．０５μｍのＣｏＺｒＭｏ膜を成膜する。そしてＭＲ素子層と絶縁層と電極とを同時に幅５μｍにパターン化する。
　さらに、厚さ０．３μｍのＳｉＯ２膜を用いた上シールド間ギャップ５をスパッタリング法により成膜し、その上に厚さ１μｍのパーマロイを用いた上シールド６をメッキ法により成膜する。次いで、フォトリソグラフィー技術とイオンエッチング技術を用いて、幅３０μｍのパターンに形成する。得られたＭＲヘッドを実施例１とする。」
　
ｃ　第２頁右下欄第１７行〜第３頁右上欄第５行に、
「比較例１，２
　第２図は本発明の第１の比較例を示すＭＲヘッドの断面図である。セラミックの非磁性基板上に厚さ１μｍのパーマロイを用いた下シールド７をメッキ法により成膜し、イオンミリングにより幅３０μｍにパターン化する。その上に、厚さ０．４μｍのＳｉＯ２を用いた下シールド間ギャップ４をスパッタリング法により成膜し、さらに、厚さ０．２４μｍのＡｕを用いた電極２を蒸着法により成膜する。この電極の上に、厚さ０．０１μｍのＴａ、厚さ０．１４μｍのＡｌ２Ｏ３、厚さ１μｍのレジストを成膜し、入射角３０゜のＡｒビームにより電極をテーパー形状にエッチングし、Ａｌ２Ｏ３をホットリン酸により除去する。このとき分離した電極の幅が感知幅となる。本比較例ではこの幅が４μｍとなるようにレジストを配置している。
　次に、ＭＲ素子層１として、厚さ０．０４μｍのパーマロイ膜、厚さ０．０２μｍのＴｉ膜、および厚さ０．０５μｍのＣｏＺｒＭｏ膜を成膜する。そしてＭＲ素子層と絶縁層と電極とを同時に幅５μｍにパターン化する。
　さらに、厚さ０．３μｍのＳｉＯ２膜を用いた上シールド間ギャップ５をスパッタリング法により成膜し、その上に厚さ１μｍのパーマロイを用いた上シールド６をメッキ法により成膜する。次いでフォトリソグラフィー技術とイオンエッチング技術を用いて、幅３０μｍのパターンに形成する。得られたＭＲヘッドを比較例１とする。」と記載されている。
　
（２）　引用例２
　拒絶の理由に引用された出願前公知の刊行物である特開昭５０−６５２１１号公報（以下、引用例２という。）の
ａ　第２頁左下欄第８行〜右下欄第１８行に、
「本発明に従って、新規な磁気読取ヘッドは静磁気的に結合されている２つの磁気抵抗素子を含み、それらの素子に於て駆動電流は或る素子を流れる感知電流として働きそして又他方の素子を流れるバイアス電流として働く。それらの素子は静磁的に結合されているが、電気的には相互に分離されている。
　次に、図面を参照し、本発明について更に詳細に説明する。第２図及び第５図に於て、組立体に対して相対的に移動する磁気テープ３２のトラック上に記録されているビットを感知するための磁稀気ヘッド組立体が全体的に３０として示されている。上記トラックは回転磁気ディスク又は他の磁気ディスク又は他の磁気媒体に開運するものでもよく或いはビットが磁気バブルを移動することによっても発生され得ることは明らかである。
　本発明の実施に於て、ヘッド組立体は従来の電気めつき技術を用いて多層薄膜として製造され、そして相互に静磁的に結合されている磁気抵抗（ＭＲ）素子４０及び４２を含む。それらのＭＲ素子は相互に平行な強磁性薄膜として形成されることかできそして薄い絶縁層４４により隔てられている。素子４０及び４２は低い異方性を有しそして高い磁気抵抗係数を有している。ＭＲ素子は相互に整合されておりそして実質的に同一の厚さ、寸法、抵抗、熱膨張係数、抵抗率及び形状異方性を有している。ＭＲ素子４０及び４２は接地端子４６の如き基準電圧源に導体４９を経て接続されている共通接続点４６を有している。それらの素子は定電流源５０から導体４７及び４８を経て加えられる電流を受取る。導体４７、４８及び４９はＭＲ素子の端部上に付着されている。」と記載されている。
　
ｂ　即ち引用例２には、
「相互に静磁的に結合されている磁気抵抗（ＭＲ）素子４０及び４２は相互に平行な強磁性薄膜として形成され、薄い絶縁層４４により隔てられており、
ＭＲ素子の端部上に付着されている導体４７、４８及び４９は、ＭＲ素子４０及び４２に、定電流源５０からの電流を供給するヘッド組立体。」が記載されている。
　
４　本願発明と引用例との対比・判断
（１）　本願発明と引用例２との対比
ａ　引用例２の「相互に静磁的に結合されている磁気抵抗（ＭＲ）素子４０及び４２」は本願の二重ストライプ磁気抵抗トランスジューサを構成する磁気抵抗ストライプである。
　引用例２の「ヘッド組立体」は、本願発明の「二重ストライプ磁気抵抗トランスジューサ」に相当する。
　引用例２の「導体４７，４８または４９」は、本願発明の「電流を磁気抵抗ストライプに供給するための第１の導体」に相当する。
　
ｂ　一致点
　してみると、本願発明と引用例２のものとは、
「電流を磁気抵抗ストライプに供給するための第１の導体を含む、二重ストライプ磁気抵抗トランスジューサ」である点で一致する。　　
ｃ　相違点
　そして、本願発明は「前記第１の導体はトランスジューサのトラック領域のエッジにおいてテーパ状部を有し、前記第１の導体のテーパ状部分がトランスジューサ基板に対して１０°から４５°の間の角度で形成されている」が、引用例２のものは導体の形状が示されていない点で相違している。
　
（２）　相違点の検討
　本願発明の「前記第１の導体はトランスジューサのトラック領域のエッジにおいてテーパ状部を有し、前記第１の導体のテーパ状部分がトランスジューサ基板に対して１０°から４５°の間の角度で形成されている」構成により、本件出願において、「【００１６】【発明の効果】　以上詳細に説明したように、本発明によれば、磁気抵抗トランスジューサのトラック領域のエッジでテーパ状部を有し、側壁角が基板の平面から４５度未満に規制した導体から磁気抵抗ストライプに電流を供給するとともに、導体の様相を磁気抵抗ストライプが横切るようにしたので、磁気抵抗トランスジューサのバルクハウゼンノイズを軽減することができ、磁気抵抗トランスジューサのノイズ対信号比及びバルクハウゼンノイズに関連する重大な誤差の軽減及び／又は除去を可能とすることができ、ひいては、磁気抵抗トランスジューサの歩留り及び信頼性を向上できるという効果を奏する。」と記載している。
　ところで、引用例１において「第２図は従来のＭＲヘッドの構成の一例を示すディスク対向面の断面図である。このＭＲヘッドでは、電極２がテーパー形状に形成されており、その上にＭＲ素子１が形成されている。電極がテーパー形状になっていることは、ＭＲ素子の形状異方性を生かし、バルクハウゼンノイズを軽減する効果がある。」と記載されており、電極をテーパー状に形成することで、その上のストライプにおけるバルクハウゼンノイズを軽減する効果があることが示されている。そして、段差が少ないテーパー形状の上に形成された被膜は、断線しにくいものとすることは周知の技術（例えば、特開平１−１２５８８２号公報、第３頁右下欄第６行〜第８行「配線導体９の傾斜角θを７８度以下にする事により、断線故障率を効果的に小さくできる。」の記載参照。）であり、引用例１のものも本願発明の「磁気抵抗トランスジューサの歩留り及び信頼性を向上」という効果も奏するものと認められる。
　そして、引用例１において「厚さ１μｍのレジストを成膜し、入射角３０゜のＡｒビームにより電極をテーパー形状にエッチングし」とされることから、該テーパー部分は、ほぼエッチングビームの入射角の角度３０°程度であると認められる。
　してみると、引用例２の電極を形成する際に、引用例１のテーパーを有する形状にすることは、その目的から見ても当業者が容易になしえることである。そして、その際に基板に対して１０°から４５°の間の角度で形成することについてみると、角度が急であれば断線する可能性があることや、角度が浅ければ素子のサイズが大きくなるなどの、角度が大きい方にもまた小さい方にも限界があることは当業者にとって常識であり、引用例１の３０°程度を含む、１０°から４５°の間の角度とすることは当業者が実験などにより任意に設定できた設計的事項に過ぎない。
　従って、この相違点は格別ではない。
　
（３）　請求人の主張について
　請求人は審判請求書において「引用例２においては、二重ストライプ型にする点については記載されているものの、『第１の導体のテーパ状部分がトランスジューサ基板に対して１０°から４５°の間の角度で形成されている』点については記載されておらず、むしろ、第２図において電極導体と磁気抵抗素子とが垂直に接している旨の記載があり、この点で本願発明と相違する。」と主張しているが、引用例２の図面は単に模式的に二重ストライブ型の原理を述べるものであり、電極の構造は何ら示されていないものであり、まして、垂直に接しているものに限定されるものではない。従ってこの主張は失当である。
　
（４）　容易性のまとめ
　本願発明は、引用例１，２及び周知例記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
５　まとめ
　請求項４に係る本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。すると、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶を免れ得ない。
　よって結論のとおり審決する。