【手続補正書】
【提出日】平成26年1月20日(2014.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上の関数成分を有する不均一性のある磁場をシミングする方法であって、該磁場は二つの対向する、相互に距離をおくアセンブリ端部を有する磁石アセンブリにより生じるもので、該方法は、
複数の共通に方向付けされたシムパスを提供すること、該複数のシムパスは二つの対向する、相互に距離をおくアセンブリ端部を有する共通の表面上に設けられ、該それぞれの表面の端部は少なくとも一つの対応するコネクタを有し、
複数の協調的に変調された単一シム電流を、該複数のシムパスの対応する１つに沿って適用し、該シム電流のそれぞれは前記表面端部の一つにある前記電気コネクタから、前記もう一つの表面端部にある前記電気コネクタへ流れるものであり；および、
前記複数のシム電流を利用して、前記磁場内における不均一性の前記１つ以上の関数成分を抑制することを含むものであり、
前記表面端部のそれぞれは、前記シム電流の少なくとも一部が、前記アセンブリ端部からもう一つのアセンブリ端部に向けて流れるように、対応する前記アセンブリ端部に近接している、前記方法。
【請求項２】
複数のシム電流の各個々の１つが複数のシムパスのそれぞれの１つにおいて流れ、電流の個々の１つが、
既知の電流を複数のシムパスの各々に適用することで生じる磁場を見積もること；
関数成分値を取得するために、見積もられた磁場の関数成分を表わす関数のスカラー積を演算すること；
前記関数成分値を行列として配列すること；
疑似逆行列値を取得するために行列の疑似逆を決定すること；および
疑似逆行列値に従って電流の個々の１つを選択すること、
により決定される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記適用することが、前記シム電流の大きさを協調的に調節することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
主磁場にさらされるサンプル内の磁気共鳴を検出する検出器であって、該検出器は、
２つの対向する、相互に距離をおく端部を有する実質的に平らなシムパネルを含むものであり、該端部のそれぞれは、一つ以上の対応する電気コネクタを有し、該シムパネルは；および前記２つのパネル端部の間に伸びる実質的に共通の方向性を有する複数のシムパスを含み、該複数のシムパスはそこに複数のシム電流を適用し、該電流のそれぞれは、前記パネル端部のひとつの前記電気コネクタから、もう一つのパネル端部の前記電気コネクタへ流れるものである、前記検出器。
【請求項５】
軸を有する縦方向空間をさらに含み、サンプルプローブの挿入のための縦方向空間は該軸に沿ったサンプルを含み、方向性は該軸に実質的に平行である、請求項８に記載の検出器。
【請求項６】
平らなシムパネルが、少なくとも２つの平らなパネルをさらに含み、２つのシムパネルのそれぞれは、離隔した二つの磁極片のそれぞれに取り付けられ、該磁極片は縦方向空間内に伸びるものである、請求項９に記載の検出器。
【請求項７】
複数のシムパスの少なくとも１つのサブセットが、実質的に平行な前記シムパネルの表面上に配置される、請求項８に記載の検出器。
【請求項８】
平らなシムパネルをその上に含むプリント基板をさらに含む、請求項８に記載の検出器。
【請求項９】
第一および第二の実質的に距離が置かれ相互に対向するパネル端部を有し、該パネル端部の間にそれぞれ実質的に伸び該パネル端部において終端する複数の電流伝導シムパスを含む実質的に平らな部分を有する、プリント基板含むシムパネルであって、該シムパスの個々の１つは、実質的に共通の方向性を有する、前記シムパネル。
【請求項１０】
複数のシムパスは、互いに前記表面端部の一つにおいて接続され、前記互いに接続されたパス端部は外部の電気的手段によって接地電気ポテンシャルに保持されている、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記磁石アセンブリは一つのアセンブリ軸を有し、サンプルは前記磁場内に前記アセンブリ軸に沿って挿入され、ここにおいて前記パネル軸は前記アセンブリ軸に一致するかまたは実質的に平行である、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
複数のシムパスを含む磁気共鳴装置内に一組の所望の磁場配置を形成する方方法であって、
ａ．前記複数のシムパスの最初のものの既知のシム電流により発生される磁場の関数表現を、ビオサバールの式を積分することにより見積もるステップ、
ｂ．（ｉ）所望の磁場配置と（ｉｉ）ズテップ（ａ）に従って見積もられた磁場関数のスカラー積を計算するステップ、
ｃ．前記所望の磁場配置と見積もられた既知のシム電流により発生されるシム場との複数の組についてステップ（ａ）およびステップ（ｂ）を繰り返すステップ、
ｄ．ステップ（ｃ）のスカラー積値を行列として配置するステップ、
ｅ．前記行列の疑似逆行列を計算するステップ、および
ｆ．前記所望の磁場配置を生成するために必要な電流を決定するために、前記疑似逆行列を利用するステップ、
を含む、前記方法。
【請求項１３】
複数の協調的に変調された前記単一シム電流を、対応する複数の実質的に同様に配置された単一の前記シムパスに沿って適用し、該シムパスは、一つの共通表面に設けられ、前記複数のシム電流を用いて前記磁場における非均一性の一つ以上の関数成分を抑制することをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
磁石アセンブリにより生じる磁場をシミングする方法であって、
ａ．請求項１２に記載の方法により一組の所望の磁場を形成するステップ、および
ｂ．前記疑似逆行列値に従って協調して前記複数のシムパスのそれぞれの電流を変調するステップ、
を含む前記方法。
【請求項１５】
前記シムパスの少なくとも一つのサブセットが第１および第２の実質的に距離を置いたパネル端部を有し実質的に平坦部を有する一つのシムパネルに含まれ、前記シムパスのサブセットのそれぞれのものは実質的に前記パネル端部の間に延びており、前記シムパスのそれぞれのものは実質的に共通の全体配置を有するものである、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記適用することが、協調して前記シム電流の大きさを調整することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項１７】
前記磁石アセンブリが、少なくとも部分的にサンプルの大きさを規定するものである、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記磁場が、二つの対向し互いに距離を置いたアセンブリ端部を有する磁石アセンブリにより少なくとも部分的に生成され、前記二つのパネル端部のそれぞれが、前記アセンブリ端部に近接したものである、請求項５に記載の検出器。
【請求項１９】
協働する磁石アレイ内のチャネル内に配置可能であるように適応され、それにより前記電流を運ぶシムパスが前記チャネル内を伸びるものである、請求項９に記載のシムパネル。
【請求項２０】
前記パネル端部が、対応する前記チャネルの端部からアクセス可能である電気コネクタを含む、請求項１９に記載のシムパネル。
【請求項２１】
複数のシムパスを含む磁気共鳴装置内に一組の所望の磁場配置を形成する方方法であって、
ａ．前記複数のシムパスの最初のものの既知のシム電流により発生される磁場の値の空間マップを、磁気プローブを用いて収集するステップ、
ｂ．（ｉ）所望の磁場配置と（ｉｉ）ズテップ（ａ）に従って見積もられた磁場関数のスカラー積を計算するステップ、
ｃ．前記所望の磁場配置と見積もられた既知のシム電流により発生されるシム場との複数の組についてステップ（ａ）およびステップ（ｂ）を繰り返すステップ、
ｄ．ステップ（ｃ）のスカラー積値を行列として配置するステップ、
ｅ．前記行列の疑似逆行列を計算するステップ、および
ｆ．前記所望の磁場配置を生成するために必要な電流を決定するために、前記疑似逆行列を利用するステップ、
を含む、前記方法。