【事件の表示】
　平成１１年特許願第　１９１２２号「スピンバルブ型薄膜磁気素子およびそのスピンバルブ型薄膜磁気素子を備えた薄膜磁気ヘッド」拒絶査定に対する審判事件［平成１２年　８月　４日出願公開、特開２０００−２１５４２４］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　経緯
　本件は、　平成１１年１月２７日に特許出願され、平成１１年１０月２２日に審査請求したところ、平成１３年３月１６日付けで、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるとの拒絶理由が通知され、平成１３年５月２８日に意見書及び手続補正書を提出したが、平成１３年６月２６日付けで拒絶査定されたので、平成１３年８月２日に審判請求されたものである。
　
２　本願発明
　本件出願の特許請求の範囲請求項１〜１８に係る発明は、平成１３年５月２８日付け手続補正書の請求項１〜１８に記載された事項で特定されるものであり、そのうち請求項１に係るものは次のとおりである。
「【請求項１】　反強磁性層と、この反強磁性層に接して形成されこの反強磁性層との交換結合磁界により一定方向に磁化方向が固定された固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性導電層を介して形成されたフリー磁性層と、前記フリー磁性層の磁化方向を前記固定磁性層の磁化方向と交差する方向へ揃えるためのハードバイアス層と、前記固定磁性層と前記非磁性導電層とフリー磁性層とに検出電流を与える導電層とを有し、前記フリー磁性層の厚さ方向両側に各々非磁性導電層と固定磁性導電層と反強磁性層が形成された構造とされ、
　前記固定磁性層が非磁性中間層を介して第１の固定磁性層と第２の固定磁性層の２層に分断され、分断された層どうしで磁化の向きが反平行のフェリ磁性状態とされ、
　第１の固定磁性層（下）、非磁性中問層（下）、第２の固定磁性層（下）、非磁性導電層、フリー磁性層、非磁性導電層、第２の固定磁性層（上）、非磁性中間層（上）、第１の固定磁性層（上）、反強磁性層をこれらの順で具備してなる断面台形状の積層体がそれよりも幅広の反強磁性層上に形成され、
　第１の固定磁性層（下），第１の固定磁性層（上）の磁化を共に同じ方向に向け、この前記第１の固定磁性層（下），第１の固定磁性層（上）の磁化と反平行に、第２の固定磁性層（下），第２の固定磁性層（上）の磁化を共に同じ方向に向けて、
　前記反強磁性層が、Ｘ−Ｍｎ合金，Ｐｔ−Ｍｎ−Ｘ’合金（ただし前記組成式において、ＸはＰｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕのなかから選択される１種、または２種以上の元素を示し、Ｘ’はＰｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｎｉのなかから選択される１種または２種以上を示す）のいずれかからなり、
　前記ハードバイアス層が、前記積層体の両側に位置して形成され、かつ、前記積層体の側面に乗り上げる傾斜部と、前記フリー磁性層とほぼ平行で、前記フリー磁性層の膜厚方向に前記フリー磁性層の膜厚よりも大きな膜厚とされ、前記フリー磁性層と同じ階層位置に配置された平坦部とを有し、
　前記ハードバイアス層と前記積層体との間および前記ハードバイアス層と前記反強磁性層との間に、バイアス下地層が設けられ、
　前記バイアス下地層が、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｗ，Ｍｏ，ＷＭｏの中から選択される１種以上からなることを特徴とするスピンバルブ型薄膜磁気素子。（以下、本願発明という。）」
　
３　引用例記載事項
（１）　引用例１
　原査定の拒絶の理由で引用された、本件出願前公知の刊行物である特開平１０−１４３８１８号公報（以下、引用例１という。）に次の記載がある。
ａ　【０００１】に、
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンピューター等の情報の記録，再生に用いる新規な磁気ディスク装置とそれに用いる薄膜磁気ヘッドに関するものである。」と記載され、
ｂ　シングルスピンバルブ型であるが、【００４９】、【００５０】に、
「【００４９】図６は、本実施例に係るスピンバルブヘッドの媒体対向面を示す構成図である。図６において再生用の磁気抵抗効果型ヘッドとして構成されたスピンバルブヘッド（巨大磁気抵抗効果型ヘッド）は磁気抵抗効果膜１０，磁区制御層１２，一対の電極１４を備えており、磁気抵抗効果膜１０が反強磁性膜１６上に積層されている。磁気抵抗効果膜１０は、磁気記録媒体のトラック幅に対応した大きさの複数の膜が多層に積層されている。多層膜は、第一の強磁性膜１８，非磁性膜２０，第二の強磁性膜２２，２４から構成されており、第二の強磁性膜２４が反強磁性膜１６上に積層されている。これら多層膜は、所定の幅（磁気抵抗効果膜の幅２６）に対応した大きさに切り落された状態で積層されている。第一の強磁性膜１８は自由層として、例えばＮｉＦｅ，ＣｏＦｅ，ＣｏＮｉＦｅ等を用いて構成され、膜厚は５ｎｍ（好ましくは２〜１５ｎｍ）に設定されている。非磁性膜２０には、例えばＣｕが用いられており、膜厚は２ｎｍ（好ましくは１〜５ｎｍ）に設定されている。第二の強磁性膜２２，２４はそれぞれ固定層として積層膜を構成しており、第二の強磁性膜２２には、例えばＣｏが用いられ、膜厚は１ｎｍに設定されている。第二の強磁性膜２４には、例えばＮｉＦｅが用いられており、この膜厚は１ｎｍに設定され、好ましくは両者で１〜５ｎｍである。反強磁性膜１６にはＮｉＯが用いられており、この膜厚は５０ｎｍ（好ましくは２０〜８０ｎｍ）に設定されている。そして第二の強磁性膜２２，２４はその磁化方向が反強磁性膜１６との交換結合によってほぼ媒体対向面を指すように固定されている。第一の強磁性膜１８の磁化方向は、例えば磁気抵抗効果膜の幅方向に設定されており、この磁化方向は磁気記録媒体の磁界によって紙面と垂直方向に変化するようになっている。第一の強磁性膜１８は第二の強磁性膜２２，２４の合計の厚さより大きく約２〜３倍の大きさを有する。
【００５０】磁区制御層１２は永久磁石膜２８と配向制御下地膜３０とが積層された積層膜で構成されており、磁区制御層１２は磁気抵抗効果膜１０の積層方向と交差する幅方向の領域の両側に隣接して配置されている。永久磁石膜２８としては、例えばＣｏＣｒＰｔ系の合金が用いられており、配向制御下地膜３０としては、１０ｎｍ（好ましくは５〜２０ｎｍ）のＣｒが用いられている。そして磁区制御層１２から発生する磁界によって第一の強磁性膜１８が単一の磁区に制御されるようになっている。磁区制御層１２は第一の強磁性膜１８とほぼ同じ高さに配置されており、その厚さは１０ｎｍ（好ましくは４〜３０ｎｍ、より５〜１５ｎｍが好ましい）である。」と記載され、
ｃ　【００５４】に、
「【００５４】また、スピンバルブヘッドの膜構成の別の例として下部シールド１側よりＴａ（５ｎｍ），ＮｉＦｅ（５ｎｍ），ＣｏＦｅ（１ｎｍ），Ｃｕ（２．５ｎｍ），ＣｏＦｅ（３ｎｍ），ＣｒＭｎＰｔ（３０ｎｍ）及びＴａ（５ｎｍ）の各層が順次積層され、両端のハードバイアス層としてＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金及び電極１４（Ｔａ）が設けられる。これにより、抵抗変化率を６．５％とすることができる。上層のＣｏＦｅ層が固定層，下層のＣｏＦｅ層とＮｉＦｅ層とが媒体の磁界に対して自由層となる。」と記載され、
ｄ　デュアルスピンバルブ型について、【００５６】、【００５７】に、
「【００５６】図８は、スピンバルブヘッドの出力を高くするため、その応用であるデュアルスピンバルブヘッドを用いた構成図である。この場合の磁気抵抗効果膜１０の構成は、図８に示すように、第一の強磁性膜１８，磁化方向が固定された第二の強磁性膜２２，２４，第三の強磁性膜３６，３８，第一の強磁性膜１８と第二の強磁性膜２２との間に挿入された非磁性膜２０と、第一の強磁性膜１８と第三の強磁性膜３６との間に挿入された非磁性導体膜３４とから構成されており、第二の強磁性膜２２，２４は反強磁性膜１６上に積層され、反強磁性膜４０は第三の強磁性膜３６，３８上に積層された構成となっている。第一の強磁性膜１８は自由層として、例えば、ＮｉＦｅ，ＣｏＦｅ，ＣｏＮｉＦｅ等を用いて構成され、膜厚は５ｎｍに設定されている。非磁性膜２０，３４には、例えばＣｕが用いられ、膜厚は２ｎｍに設定されている。第二の強磁性膜２２，２４および第三の強磁性膜３６，３８は、それぞれ固定層として積層膜を構成しており、第二の強磁性膜２２，第三の強磁性膜３６には例えばＣｏが用いられ、ともに膜厚は１ｎｍに設定されている。第二の強磁性膜２４，第三の強磁性膜３８には例えばＮｉＦｅが用いられ、ともに膜厚は１ｎｍ（好ましくは０．５〜３ｎｍ）に設定されている。反強磁性膜１６，４０にはＮｉＯ，ＣｏＯ等酸化物やＦｅＭｎ系，ＮｉＭｎ系，ＣｒＭｎ系の合金などから最も適したものが選ばれる。ここで反強磁性膜１６，４０は同一の材料で構成しても別材料で構成してもよく、更に永久磁石に置換することもできる。また第二の強磁性膜２２，２４のうちいずれか一方を省略することもでき、同様に第三の強磁性膜３６，３８のうちいずれか一方を省略することもできる。他の各層の厚さは図６と同様である。
【００５７】また上記各スピンバルブヘッドにおいて、永久磁石膜２８は、ＮｉＦｅ系合金と反強磁性膜であるＦｅＭｎ系，ＭｎＩｒ系，ＮｉＭｎ系，ＣｒＭｎ系などの合金との積層膜に置換することもできる。この場合、配向制御下地膜３０はＴａなどに置換した方が良い特性が得られる。磁区制御層１２は磁気抵抗効果膜１０の上面より下に形成される。」と記載され、
ｅ　【００６８】〜【００７０】に、
「【００６８】本実施例によれば、多層二重スピン，バルブ構造を有する磁気抵抗（ＭＲ）効果センサは、低い印加磁界で大きなＭＲ応答が得られる。このＭＲ構造は、基板上に形成され、非磁性金属材料の薄膜層で分離された第１，第２及び第３の強磁性体薄膜層を備えた積層構造である。第１（注：第２の誤記）と第３の強磁性体層の外側の層はその磁化方向が固定され、中間の第２（注：第１の誤記）層は軟磁性であって、その磁化方向が印加磁界がゼロのとき外側の２つの強磁性体層の固定された磁化方向に対して実質上垂直である。第１（注：第２の誤記）及び第３の強磁性体層の磁化方向は、隣接する反強磁性体層によるハード・バイアスまたは交換バイアスを含むいくつかの方法で固定される。
【００６９】２つの外側の強磁性体層はその磁化方向が相互に反平行に固定されており、したがって各固定層は他方の固定層の磁束を保持する働きをする。中間の第２の強磁性体層の磁化方向は、印加磁界によって自由に回転することができる。強磁性体層の第１層と第２層及び第２層（注：第１層の誤記）と第３層の電気抵抗は、その対の２つの強磁性体層の磁化方向の間の角度の余弦の関数として変化する。そして、中間の自由層の磁化方向が第１の外側固定層の磁化方向にほぼ平行な方向から第３の外側固定層の磁化方向にほぼ平行な方向へと回転するとき、センサの抵抗が最小値から最大値に変化する。
【００７０】更に、好ましい例では、２つの外側強磁性体層における磁化方向が平行で、共に中間の強磁性体自由層における磁化方向に垂直な、多層スピンバルブ構造とすることができる。」と記載されている。
　
ｆ　図８を参照すると、「第二の強磁性膜２２，２４、非磁性膜２０、第一の強磁性膜１８（自由層）、非磁性導体膜３４、第三の強磁性膜３６，３８、反強磁性膜４０をこれらの順で断面台形状の積層体が、それよりも幅広の反強磁性膜１６上に形成され、配向制御下地膜３０は積層膜と永久磁石膜２８の間および反強磁性膜１６と永久磁石膜２８の間に形成され」ている。
　即ち、引用例１には、
「反強磁性膜１６と、磁化方向が反強磁性膜１６との交換結合によってほぼ媒体対向面を指すように固定されている第二の強磁性膜２２，２４と、第一の強磁性膜１８と第二の強磁性膜２２との間に挿入された非磁性膜２０と、第一の強磁性膜１８と、第一の強磁性膜１８と第三の強磁性膜３６との間に挿入された非磁性導体膜３４と、磁化方向が固定された第三の強磁性膜３６，３８と、第三の強磁性膜３６，３８上に積層された反強磁性膜４０と、永久磁石膜２８と配向制御下地膜３０とが積層された積層膜で構成され磁区制御層１２は磁気抵抗効果膜１０の積層方向と交差する幅方向の領域の両側に隣接して配置され、
　第二の強磁性膜２２，２４および第三の強磁性膜３６，３８は、それぞれ固定層として積層膜を構成しており、２つの外側の強磁性体層はその磁化方向が相互に反平行に固定されており、
　第二の強磁性膜２２，２４、非磁性膜２０、第一の強磁性膜１８（自由層）、非磁性導体膜３４、第三の強磁性膜３６，３８、反強磁性膜４０をこれらの順で断面台形状の積層体が、それよりも幅広の反強磁性膜１６上に形成され、
　２つの外側の強磁性体層はその磁化方向が相互に反平行に固定されており、
　反強磁性膜１６，４０にはＮｉＯ，ＣｏＯ等酸化物やＦｅＭｎ系，ＮｉＭｎ系，ＣｒＭｎ系の合金などから最も適したものが選ばれ、
　磁区制御層１２は磁気抵抗効果膜１０の積層方向と交差する幅方向の領域の両側に隣接して配置され、磁区制御層１２は第一の強磁性膜１８とほぼ同じ高さに配置されており、
　配向制御下地膜３０は積層膜と永久磁石膜２８の間および反強磁性膜１６と永久磁石膜２８の間に形成され、配向制御下地膜３０はＣｒである
多層二重スピンバルブ構造を有する磁気抵抗（ＭＲ）効果センサ。」が示されている。
　
（２）　引用例２
　原査定の拒絶の理由で引用された、本件出願前公知の刊行物である特開平１０−９１９２１号公報（以下、引用例２という。）に次の記載がある。
ａ　【特許請求の範囲】に、
「【請求項１】　フリー磁性層の上下に積層された非磁性導電層と、一方の前記非磁性導電層の上および他方の非磁性導電層の下に位置するピン磁性層と、一方の前記ピン磁性層の上および他方のピン磁性層の下に位置して交換異方性磁界によりそれぞれのピン磁性層の磁化方向を一定の方向に固定する反強磁性層と、前記フリー磁性層の磁化方向を前記ピン磁性層の磁化方向と交叉する方向に揃えるバイアス層とを有し、前記反強磁性層がＰｔＭｎ（白金−マンガン）合金で形成されていることを特徴とするデュアルスピンバルブ型薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】　前記フリー磁性層及び前記ピン磁性層がＦｅＮｉ（鉄−ニッケル）合金または、Ｃｏ（コバルト），Ｆｅ−Ｃｏ合金，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金で形成されている請求項１記載のデュアルスピンバルブ型薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】　前記ＰｔＭｎ合金の膜組成は、Ｐｔが４４〜５１原子％で、Ｍｎが４９〜５６原子％の範囲である請求項１または２記載のデュアルスピンバルブ型薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】　反強磁性層が、ＰｔＭｎ合金に代えて、Ｐｔ−Ｍｎ−Ｘ（Ｘ＝Ｎｉ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ）合金、あるいはＰｄＭｎ合金により形成される請求項１記載のデュアルスピンバルブ型薄膜磁気ヘッド。」
　また、図１からハードバイアス層は、積層体の両側に位置して形成され、かつ、積層体の側面に乗り上げる傾斜部と、フリー磁性層とほぼ平行で、フリー磁性層の膜厚方向にフリー磁性層の膜厚よりも大きな膜厚とされ、フリー磁性層と同じ階層位置に配置された平坦部とを有している構造が示されている。
　
（３）　周知例Ａ
　本件出願前公知の刊行物である特開平１０−８３５２３号公報（以下、周知例Ａという。）に次の記載がある。
　従来例として、【０００７】に、
「発明が解決しようとする課題】図４Ａは、自由強磁性（ＦＭ）層が２つの導体スペーサ１２、１３によりピン止め（固定）ＦＭ層１６、１７から離隔された従来のデュアルスピンバルブ構造を示している。ＦＭ層１６、１７はＡＦＭ膜１８、１９に交換結合している。単層スピンバルブ構造に存在するスピン依存散乱の外側境界面の一方を消去し、かつスピン依存散乱の界面の数を２倍にすることにより、ＧＭＲ効果は、従来の単層スピンバルブ構造に比して効果的に５０％増大させることができる。この対称形デュアルスピンバルブは、矢印１６ａ、１７ａで表されるように、同じ方向に沿ってピン止めされた２つの外側ＦＭ層１６、１７を有し、従って中央のＦＭ層１１の磁化は、理想的には適当なヘッドの動作のために水平にすべきである。」と記載されている。
　
（４）　周知例Ｂ
　本件出願前公知の刊行物である特開平１０−４９８３７号公報（以下、周知例Ｂという。）に次の記載がある。
「【００６１】図８（Ａ）にはＧＭＲ膜のうちの一つであるデュアルスピンバルブを持った素子の媒体対向面を示す。積層膜１００は第一の強磁性膜３１，第二の強磁性膜３３，第一の強磁性膜と第二の強磁性膜との間に挿入された非磁性導体膜３２，第三の強磁性膜３５，第一の強磁性膜と第三の強磁性膜との間に挿入された非磁性導体膜３４，第二の強磁性膜３３の磁化方向を固定するための反強磁性膜３６，第三の強磁性膜３５の磁化方向を固定するための反強磁性膜３７からなっている。第一の強磁性膜３１は自由層として、例えば膜厚１から１０ｎｍ程度のＮｉＦｅと膜厚０．５から５ｎｍ程度のＣｏもしくはＣｏＦｅとの積層膜を用いて構成されている。各非磁性導体膜３２，３４は例えば膜厚１から４ｎｍ程度のＣｕで構成されている。第二の強磁性膜３３および第三の強磁性膜３５は固定層として、例えば膜厚１から５ｎｍ程度のＣｏを用いて構成されており、二つの膜厚は必ずしも等しくなくても良い。本実施例では第二の強磁性膜３３をより薄く形成した。反強磁性膜３６は例えば膜厚３０から５０ｎｍ程度のＮｉＯを用いて構成され、反強磁性膜３７は例えば膜厚６から３０ｎｍ程度のＦｅＭｎを用いて構成されている。第一の強磁性膜３１を単一の磁区構造に保つために、これらの積層膜の両隣にはＣｏＰｔ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＴａ等の永久磁石膜とその配向を制御するための下地膜とからなる磁区制御層３８が配置されている。一対の電極３９は各磁区制御層３８の上に積層して形成されている。次に図８（Ｂ）に示した前記デュアルスピンバルブ素子を上面から見た展開図を用いて、その動作を簡単に示す。第二の強磁性膜３３の平均的な磁化３３１の方向と第三の強磁性膜３５の平均的な磁化３５１の方向とは、反強磁性膜３６もしくは反強磁性膜３７によって媒体対向面を指すように固定されている。よってその磁化方向は、バイアス電流７５の方向によらず一定である。また電流が作り第一の強磁性膜３１が受ける磁界７４は、第一の強磁性膜３１の上側にある膜（３４，３５，３７）と下側にある膜（３２，３３，３６）の電気抵抗が等しい場合には打ち消し合う。しかしここでは反強磁性膜３６は絶縁体ＮｉＯで、第二の強磁性膜３３の膜厚は第三の強磁性膜３５の膜厚に比べて薄いため、上側にある膜（３４，３５，３７）の方が低抵抗である。よって電流が作る第一の強磁性膜３１に受ける磁界７４は、バイアス電流を左向きとしたときに下向きとなる。このとき最良な線形応答性が得られる。バイアス電流７５を右向きに印加した場合、第二の強磁性膜の磁化３３１の作る磁界および第三の強磁性膜の磁化３５１の作る磁界と、電流の作る磁界７４の方向が等しくなるので、第一の強磁性膜の磁化３１１の方向は斜め上を向く。デュアルスピンバルブ素子に媒体の漏洩磁界７１が印加されると、それに応じて第一の強磁性膜の磁化３１１の方向が変化し、第二の強磁性膜の磁化３３１の方向および第三の強磁性膜の磁化３５１の方向とのなす角度が変化することで電気抵抗が変化し、これを電気信号として検知する。」と記載されている。
　
（５）　周知例Ｃ
　本件出願前公知の刊行物である特開平９−１６９２０号公報（以下、周知例Ｃという。）に次の記載がある。
ａ　【特許請求の範囲】に、
「【請求項１】非磁性材料のスペーサ層によって分離された強磁性材料の第１層および第２層であって、強磁性材料の前記第１層の磁化方向がゼロ印加磁界のとき強磁性材料の前記第２層の磁化方向に対してある角度をなし、強磁性材料の前記第２層が、第１および第２の強磁性フィルムと、第１の強磁性フィルムと第２の強磁性フィルムの間にそれらと接触して配置され、その磁化が相互に逆平行に整列され印加磁界の存在下で逆平行に含まれるように第１の強磁性フィルムと第２の強磁性フィルムを反強磁性的に結合するための非磁性の逆平行結合フィルムとを備える強磁性材料の第１層および第２層と、酸化ニッケル（Ｎｉ１−ｘＣｏｘ）Ｏ（ｘは０．０〜０．５）、（Ｆｅ−Ｍｎ）合金およびＣｒよりなるグループから選択された反強磁性材料の交換バイアス層であって、印加磁界の存在下で前記第２強磁性層中の前記強磁性フィルムのうちの一枚の磁化を固定された方向に維持するように前記交換バイアス層が前記強磁性フィルムのうちの一枚に隣接しかつ接触し、それによって印加磁界の存在下で前記第１強磁性層の磁化は自由に回転するが、前記第２強磁性層中の第１と第２の強磁性フィルムの磁化方向は固定され互いに逆平行のままとなる、反強磁性材料の交換バイアス層とを備える磁気抵抗センサ。」、
ｂ　【００１６】、【００１７】に、
「【００１６】本発明のＳＶＭＲセンサでは、従来の単層ピン止め強磁性層の代わりに、２枚の強磁性フィルムの逆平行結合（ＡＰＣ）を提供する薄い非強磁性フィルムで分離された少なくとも２枚の強磁性フィルムを備える積層構造体を使用する。この積層逆平行（ＡＰ）ピン止め層は、同時係属の米国特許出願第０８／１３９４７７号に記載されている。この逆平行結合（ＡＰＣ）フィルムは、２枚の強磁性フィルムを相互に反磁性結合させることのできる適切なタイプおよび厚さのものであり、好ましい実施形態では約２〜８Åのルテニウム（Ｒｕ）である。次に、この積層ピン止め層をＳＶＭＲセンサの底部で基板の近傍に配置し、積層ピン止め層をピン止めするための反強磁性（ＡＦ）層は、耐食性が比較的高い反強磁性材料のグループから選択する。このＡＦ層は、普通なら従来のＳＶＭＲセンサでの使用に適さない、比較的低い交換異方性を有する材料からなるものでよい。
【００１７】図５に示すように、ＳＶＭＲセンサは次のような一般的構造を有する。基板／シード／ＡＦ／ＰＦ１／ＡＰＣ／ＰＦ２／ＳＰ／ＦＲ／ＣＰ。基板４５はガラス、半導体材料、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）などのセラミック材料を含めて適当などんな物質でもよい。シード層５５は、後続の層の結晶テキスチャまたは粒径を変更するために付着させる層であり、基板によっては不要なこともある。シード層を使用する場合、タンタル（Ｔａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニッケル−鉄（Ｎｉ−Ｆｅ）、またはＡｌ２Ｏ３で形成する。反強磁性層（ＡＦ）５７は酸化ニッケル（ＮｉＯ）であることが好ましい。このＮｉＯ　ＡＦ層５７は、ＮｉＯターゲットのスパッタリングや、酸素含有ガスの存在下でのＮｉターゲットのスパッタリングなど任意の従来の方法によって、シード層５５上に、所望の交換特性が得られる厚さ、通常は２００〜５００Åに付着させる。ＰＦ１／ＡＰＣ／ＰＦ２積層ピン止め層７０はＡＦ層５７上に形成される。２層の強磁性層７２、７４（ＰＦ１とＰＦ２）はＣｏで形成され、磁気モーメントが等しいかまたはほぼ等しく、ＰＦ１とＰＦ２を反強磁性的に強く結合させる非強磁性材料の逆平行結合（ＡＰＣ）フィルム７３によって分離することが好ましい。積層ＡＰピン止め層７０中の２枚のＣｏフィルム７２、７４は、矢印７５、７６で示すように磁化方向が逆平行に配向している。２枚のフィルム７２、７４の磁化が逆平行に整列するのは、ＡＰＣフィルム７３を介する反強磁性交換結合のためである。この反強磁性結合のため、また２枚のＣｏフィルム７２、７４が実質上同じ厚さを有するため、各フィルムの磁気モーメントは相互にほとんど打ち消し合い、したがって積層ＡＰピン止め層７０中では正味磁気モーメントは非常に小さく、または本質的にない。その結果、層７２のみをＡＦ層５７によってピン止めされる単一ピン止め層として使用した場合よりも高い交換磁界の増幅がもたらされる。」と記載されている。
　
４　本願発明と引用例との対比・判断
　
　引用例１の「第二の強磁性膜２２，２４」及び「第三の強磁性膜３６，３８」は、本願発明の「固定磁性層」に相当し、更に「第一の強磁性膜１８」は「フリー磁性層」に、「永久磁石膜２８」は「ハードバイアス層」に、「配向制御下地膜３０」は「バイアス下地層」にそれぞれ相当する。
　
（一致点）
　してみると、本願発明と引用例１のものは次の点で一致する。
「　反強磁性層と、この反強磁性層に接して形成されこの反強磁性層との交換結合磁界により一定方向に磁化方向が固定された固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性導電層を介して形成されたフリー磁性層と、前記フリー磁性層の磁化方向を前記固定磁性層の磁化方向と交差する方向へ揃えるためのハードバイアス層と、前記固定磁性層と前記非磁性導電層とフリー磁性層とに検出電流を与える導電層とを有し、前記フリー磁性層の厚さ方向両側に各々非磁性導電層と固定磁性導電層と反強磁性層が形成された構造とされ、
断面台形状の積層体がそれよりも幅広の反強磁性層上に形成され、
　前記ハードバイアス層と前記積層体との間および前記ハードバイアス層と前記反強磁性層との間に、バイアス下地層が設けられ、
　前記ハードバイアス層が、前記積層体の両側に位置して形成され、かつ、前記積層体の側面に乗り上げる傾斜部と、
　前記バイアス下地層が、Ｃｒからなることを特徴とするスピンバルブ型薄膜磁気素子。」
　
　そして次の点で相違している。
（相違点１）
　本願発明は「前記固定磁性層が非磁性中間層を介して第１の固定磁性層と第２の固定磁性層の２層に分断され、分断された層どうしで磁化の向きが反平行のフェリ磁性状態とされ、第１の固定磁性層（下），第１の固定磁性層（上）の磁化を共に同じ方向に向け、この前記第１の固定磁性層（下），第１の固定磁性層（上）の磁化と反平行に、第２の固定磁性層（下），第２の固定磁性層（上）の磁化を共に同じ方向に向け」るのに対して、引用例１のものは「第二の強磁性膜２２，２４および第三の強磁性膜３６，３８は、それぞれ固定層として積層膜を構成して」いるが、第二の強磁性膜２２と２４との磁化の向き、および第三の強磁性膜３６と３８との磁化の向きは同方向である点、
　
　また、本願発明は断面台形状の積層体が「第１の固定磁性層（下）、非磁性中問層（下）、第２の固定磁性層（下）、非磁性導電層、フリー磁性層、非磁性導電層、第２の固定磁性層（上）、非磁性中間層（上）、第１の固定磁性層（上）、反強磁性層をこれらの順で具備してなる」が、引用例１のものは「磁化方向が反強磁性膜１６との交換結合によってほぼ媒体対向面を指すように固定されている第二の強磁性膜２２，２４と、第一の強磁性膜１８と第二の強磁性膜２２との間に挿入された非磁性膜２０と、第一の強磁性膜１８と、第一の強磁性膜１８と第三の強磁性膜３６との間に挿入された非磁性導体膜３４と、磁化方向が固定された第三の強磁性膜３６，３８と、第三の強磁性膜３６，３８上に積層された反強磁性膜４０と」である点も相違するが、この点は、本願発明は「第１の固定磁性層（下）、非磁性中問層（下）、第２の固定磁性層（下）」であるが、引用例１のものは「第二の強磁性膜２２，２４」であり、本願発明は「第２の固定磁性層（上）、非磁性中間層（上）、第１の固定磁性層（上）」であるが、引用例１のものは「第三の強磁性膜３６，３８」である点となり、上記相違点１に帰趨する。
　
 （相違点２）
　本願発明は「前記反強磁性層が、Ｘ−Ｍｎ合金，Ｐｔ−Ｍｎ−Ｘ’合金（ただし前記組成式において、ＸはＰｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕのなかから選択される１種、または２種以上の元素を示し、Ｘ’はＰｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｎｉのなかから選択される１種または２種以上を示す）のいずれかからな」留画、引用例１のものは「反強磁性膜１６，４０にはＮｉＯ，ＣｏＯ等酸化物やＦｅＭｎ系，ＮｉＭｎ系，ＣｒＭｎ系の合金などから最も適したものが選ばれ」るとしている点、
　
（相違点３）
　本願発明は「前記ハードバイアス層が、前記フリー磁性層とほぼ平行で、前記フリー磁性層の膜厚方向に前記フリー磁性層の膜厚よりも大きな膜厚とされ、前記フリー磁性層と同じ階層位置に配置された平坦部とを有し」ているが、引用例１のものは「磁区制御層１２は第一の強磁性膜１８とほぼ同じ高さに配置されて」いる点。
　
（相違点１について）
　周知例Ｃに、「非磁性材料のスペーサ層によって分離された強磁性材料の第１層および第２層であって、強磁性材料の前記第１層の磁化方向がゼロ印加磁界のとき強磁性材料の前記第２層の磁化方向に対してある角度をなし、強磁性材料の前記第２層が、第１および第２の強磁性フィルムと、第１の強磁性フィルムと第２の強磁性フィルムの間にそれらと接触して配置され、その磁化が相互に逆平行に整列され印加磁界の存在下で逆平行に含まれるように第１の強磁性フィルムと第２の強磁性フィルムを反強磁性的に結合するための非磁性の逆平行結合フィルムとを備える強磁性材料の第１層および第２層」が示されている。周知例Ｃは、シングルスピンバルブ型であるが、デュアルスピンバルブ型の強磁性層に適用できない格別な事情が見あたらないので、引用例１記載の第一の固定磁性層及び第二の固定磁性層に適用して、本願発明のごとく「第１の固定磁性層（下）、非磁性中問層（下）、第２の固定磁性層（下）」及び「第２の固定磁性層（上）、非磁性中間層（上）、第１の固定磁性層（上）」とすることに格別のことが認められない。
　そして、デュアルスピンバルブ型の場合に、フリー磁性を挟む２つの固定磁性層の磁化方向を同じ向きにすることは、周知例Ａ，Ｂに見られるから、「第１の固定磁性層（下），第１の固定磁性層（上）の磁化を共に同じ方向に向け、この前記第１の固定磁性層（下），第１の固定磁性層（上）の磁化と反平行に、第２の固定磁性層（下），第２の固定磁性層（上）の磁化を共に同じ方向に向け」ことも当業者が任意に設定できた事項である。
　従って、相違点１は格別なものではない。
　
（相違点２について）
　引用例１の【００５４】には、シングルスピンバルブ型で、反強磁性膜が上になるものにおいて、反強磁性膜としてＣｒＭｎＰｔ（３０ｎｍ）を用いたものがあり、ＣｒＭｎＰｔが使用できることが示されており、また、引用例２には、反強磁性層がＰｔＭｎ（白金−マンガン）合金で形成されること、及びＰｔＭｎ合金に代えて、Ｐｔ−Ｍｎ−Ｘ（Ｘ＝Ｎｉ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ）合金、あるいはＰｄＭｎ合金により形成されることが示されている。従って、引用例２のこれらの材料を、引用例１の「反強磁性膜１６，４０にはＮｉＯ，ＣｏＯ等酸化物やＦｅＭｎ系，ＮｉＭｎ系，ＣｒＭｎ系の合金など」に変えて用いることに格別の困難性が認められない。
　従って、相違点２も格別なものではない。
　
（相違点３について）
　引用例１の第８図のものにおいて、【００５６】で示された各層の厚さ、及び他の層は図６と同様とされた【００４９】で示された層の厚さを見ると、反強磁性層１６上の第二の強磁性膜のＮｉＦｅが１ｎｍ、Ｃｏが１ｎｍ、非磁性膜Ｃｕが２ｎｍ、第一の強磁性膜（フリー層）が５ｎｍであり、各層の合計厚は９ｎｍである。そして、永久磁石膜２８は１０ｎｍであるから、ハードバイアス層が、フリー磁性層の膜厚方向にフリー磁性層の膜厚よりも大きな膜厚とされている。
　また、引用例２には、フリー磁性層とほぼ平行で、フリー磁性層の膜厚方向に平坦部とを有するハードバイアス層が図示されており、平坦部を「フリー磁性層と同じ階層位置に配置された平坦部」とすることは当業者の容易に設定できた事項であると認められる。
　従ってこの相違点３も格別のものではない。
　また、各相違点を総合的に見ても格別ではない。
　
　してみると、本願発明は、引用例１，２及び周知例Ａ，Ｂ，Ｃ記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許を受けることができない。
　
５　まとめ
　本願発明は、引用例１，２及び周知例Ａ，Ｂ，Ｃ記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許を受けることができない。
　他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本件出願は拒絶を免れない。
　よって結論のとおり審決する。