Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月3日(2012.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェブページに関連付けられているＨＴＭＬコードを受信するステップと、
前記ウェブページにコンテンツを提供している一つ以上の第三者を識別するために前記ＨＴＭＬコードを処理するステップと、
個々に識別された第三者に対し、前記第三者がコンテンツを提供している１つ以上のウェブページに前記第三者を関連付けるためのデータをストアするステップと、
特定の第三者が、前記特定の第三者に関連しストアされているデータに従ってユーザーの閲覧傾向を観測できる立場にあるか否か検出するステップと、
前記検出するステップに応答し前記ユーザーが、前記特定の第三者からのコンテンツに関して１つ以上の動作を前記ユーザーに実行させ得るユーザーインターフェース手段を出力するステップと、を含む計算機実行方法。
【請求項２】
前記検出するステップ及び出力するステップが、ウェブブラウザーによって実行されることを特徴とする請求項１記載の計算機実行方法。
【請求項３】
前記ユーザーインターフェース手段が、ポップアップウィンドウを含むことを特徴とする請求項１記載の計算機実行方法。
【請求項４】
前記ユーザーインターフェース手段が、前記コンテンツをブロックするか又は許可するか指定するための入力を前記ユーザーに提供できる１つ以上の選択可能なボタンを含むことを特徴とする請求項１記載の計算機実行方法。
【請求項５】
前記ユーザーインターフェース手段が、前記特定の第三者に関する付加的な情報を前記ユーザーが取得できる選択可能なリンクを含むことを特徴とする請求項１記載の計算機実行方法。
【請求項６】
前記選択可能なリンクが選択されたとき、前記特定の第三者から前記付加情報を前記ユーザーが取得できるように前記特定の第三者のウェブサイトへリダイレクトさせることを特徴とする請求項５記載の計算機実行方法。
【請求項７】
前記検出するステップが、異なるウェブページに前記特定の第三者が関連付けられるたびに、前記特定の第三者に関連付けられているカウンターを増やすステップを含むことを特徴とする請求項１記載の計算機実行方法。
【請求項８】
更に、
前記ユーザーインターフェース手段を介し前記ユーザーからの入力を受信するステップと、
前記ユーザーからの前記入力に従って、前記特定の第三者からの前記コンテンツをブロックするか又は許可するステップと、を含む請求項１記載の計算機実行方法。
【請求項９】
ウェブページに関連付けられているＨＴＭＬコードを受信するステップと、
前記ウェブページに含まれている第三者のコンテンツソースからのコンテンツを識別するために前記ＨＴＭＬコードを処理するステップと、
前記第三者のコンテンツソースからのコンテンツが、アプリケーションによってナビゲートされたウェブページにおいて遭遇した回数を計算するステップと、
計算された回数に基づいて、前記第三者のコンテンツのソースが、前記アプリケーションの前記ユーザーの閲覧傾向を観測できる立場にあるか否か確認するステップと、を含む計算機実行方法。
【請求項１０】
更に、前記確認するステップに応答し、検出された第三者のコンテンツソースの前記ユーザーに通知するためのユーザーインターフェース手段を出力するステップを含む請求項９記載の計算機実行方法。
【請求項１１】
更に、
前記計算された回数に基づいて、知覚された危険水準を第三者のコンテンツソースに割り当てるステップと、
前記検出された第三者のコンテンツソースの前記ユーザーに通知するための前記ユーザーインターフェース手段出力を介し、前記知覚された危険水準を提示するステップと、を含む請求項１０記載の計算機実行方法。
【請求項１２】
前記ユーザーインターフェース手段が、前記アプリケーションのメニューバー内にメニューバー項目形式で出現することを特徴とする請求項１０記載の計算機実行方法。
【請求項１３】
更に、前記確認するステップに応答し、前記検出された第三者のコンテンツソースに関する行動を前記ユーザーが実行できる複数の選択可能な部分を有するユーザーインターフェース手段を出力するステップであって、前記複数の選択可能な部分が、
前記第三者のコンテンツソースからのコンテンツをブロックするための選択可能なボタンと、
前記第三者のコンテンツソースからのコンテンツを許可するための選択可能なボタンと、を少なくとも含む請求項９記載の計算機実行方法。
【請求項１４】
前記アプリケーションが、ウェブブラウザーであることを特徴とする請求項９記載の計算機実行方法。
【請求項１５】
前記確認するステップが、前記第三者のコンテンツソースからのコンテンツが遭遇した前記計算された回数を、知覚された危険水準を示す１つ以上の閾値と比較するステップを含むことを特徴とする請求項９記載の計算機実行方法。
【請求項１６】
１つ以上の処理装置と、
１つ以上の計算機可読記憶媒体と、
前記１つ以上の計算機可読記憶媒体上に具体化された計算機可読命令であって、前記１つ以上の処理装置によって実行されるとき、
第三者のコンテンツソースが、ウェブブラウザーによってナビゲートされるウェブページに対するコンテンツを提供する回数を計算し、
計算された回数に基づいて、前記第三者のコンテンツソースがユーザーの閲覧傾向を観測できる立場にあるときを決定し、
前記第三者のコンテンツソースが、前記ユーザーの閲覧傾向を観測できる立場にあることを通信するための通知を出力するように、前記ウェブブラウザーを動作させるもの、を含むシステム。
【請求項１７】
前記ウェブブラウザーが、ポップアップウィンドウとして前記通知を出力することを特徴とする請求項１６記載のシステム。
【請求項１８】
前記ウェブブラウザーが、前記ウェブブラウザーのメニューバー項目として前記通知を出力することを特徴とする請求項１６記載のシステム。
【請求項１９】
前記出力される通知が、閲覧傾向を観測できる立場にあることを決定された前記第三者のコンテンツソースをユーザーが許可、ブロック、又は無視できる複数の選択可能部分を含むことを特徴とする請求項１６記載のシステム。
【請求項２０】
前記ウェブブラウザーが、更に、
第三者のコンテンツソースからの複数のコンテンツ項目とのウェブページにおける遭遇を記述しているデータベースを維持し、前記データベースが、前記コンテンツ項目と遭遇するウェブページと、前記コンテンツ項目それぞれのユニフォーム・リソース・インジケーター（ＵＲＩ）とを一致させるためのデータをストアするように構成されているものと、
前記第三者のコンテンツソースがウェブページにコンテンツを提供する前記計算された回数に達した前記コンテンツ項目のＵＲＩの類似性に関する少なくとも一部に基づいて、前記データベース内のコンテンツ項目をマージするように動作することを特徴とする請求項１６記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月30日(2012.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材料を含む基板と、
該基板の少なくとも１つの表面に取り付けられた複数の導電性トラックと、
該基板の少なくとも１つの表面に堆積されたコーティング（該コーティングは、該複数の導電性トラックの少なくとも一部を覆っており、少なくとも１つのハロ炭化水素ポリマーを含む）と、
ワイヤボンドによって少なくとも１つの導電性トラックに接続されている少なくとも１つの導線（該ワイヤボンドは、該ワイヤボンドが該コーティングと接するように、該コーティングを予め除去することなくコーティングを通して形成されている）と
を含む、プリント回路基板。
【請求項２】
(a) 該ワイヤボンドが、該基板の少なくとも１つの表面に平行な平面に沿って該コーティングと接しているか、又は、
(b) 該ワイヤボンドが、ボールボンド、及びウェッジボンドの少なくとも１つである、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項３】
(a) 該ワイヤが、金、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、及び鉄の少なくとも１つを含むか、又は
(b) 該ワイヤの少なくとも一部が該コーティングにより覆われている、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項４】
(a) 該コーティングが、１ナノメートル〜２マイクロメートルの厚さを有するか、又は
(b) 該コーティングが、１０ナノメートル〜１００ナノメートルの厚さを有するか、又は
(c) 該少なくとも１つのハロ炭化水素ポリマーが、フルオロ炭化水素ポリマーである、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項５】
該ワイヤボンドが該基板の特定領域に形成されており、該ワイヤボンドの形成が、該基板の他の領域において該コーティングを変化させることなく、該特定領域において該コーティングを変化させる、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項６】
該コーティングが、該ワイヤボンドが形成される前に該基板の該特定領域から除去されず、
該ワイヤボンドの形成が、該基板の該特定領域から該コーティングを選択的に除去することによって、該基板の該特定領域において該コーティングを変化させる、請求項５に記載のプリント回路基板。
【請求項７】
(a) はんだ接合によって少なくとも１つの導電性トラックに接続された少なくとも１つの電気部品を更に含んでいる（該はんだ接合が該コーティングと接するように、該はんだ接合は該コーティングを通してはんだ付けされている）か、又は
(b) 該ワイヤボンドが、該基板の第１の領域に形成されており（該第１の領域は該コーティングにより被覆されている）、更に該基板の第２の領域における少なくとも１つの導電性トラックにはんだ接合によって接続されている少なくとも１つの電気部品を含んでいる（該第２の領域は、別のコーティングにより被覆されている）、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項８】
(a) ハロゲン化金属層が、該複数の導電性トラックの少なくとも一部を覆うように、該コーティングが堆積されているか、又は
(b) 該複数の導電性トラックと該コーティングとの間にハロゲン化金属層が本質的に存在しないように、該コーティングが堆積されている、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項９】
絶縁材料を含む基板の少なくとも１つの表面に複数の導電性トラックを取り付けるステップと、
該基板の少なくとも１つの表面にコーティングを堆積させるステップ（該コーティングは、該複数の導電性トラックの少なくとも一部を覆い、該コーティングは、少なくとも１つのハロ炭化水素ポリマーを含む）と、
少なくとも１つの導線と少なくとも１つの導電性トラックとの間にワイヤボンドを形成するステップ（該ワイヤボンドは、該ワイヤボンドが該コーティングと接するように、該コーティングを予め除去することなく該コーティングを通して形成されている）と
を含む方法。
【請求項１０】
(a) 該ワイヤボンドが、該基板の少なくとも１つの表面に平行な平面に沿って、該コーティングと接しているか、又は
(b) 該ワイヤボンドが、ボールボンド、及びウェッジボンドの少なくとも１つであるか、又は
(c) 該ワイヤが、金、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、及び鉄の少なくとも１つを含むか、又は
(d) 該ワイヤボンドを形成する前に、該ワイヤの少なくとも一部が該コーティングにより覆われる、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
(a) 該コーティングが、１ナノメートル〜２マイクロメートルの厚さを有するか、又は
(b) 該コーティングが、１０ナノメートル〜１００ナノメートルの厚さを有するか、又は
(c) 該少なくとも１つのハロ炭化水素ポリマーが、フルオロ炭化水素ポリマーである、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
該ワイヤボンドが該基板の特定領域に形成されており、該ワイヤボンドの形成が、該基板の他の領域において該コーティングを変化させることなく、該特定領域において該コーティングを変化させる、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
該コーティングが、該ワイヤボンドの形成前に該基板の該特定領域から除去されず、
該ワイヤボンドの形成が、該基板の該特定領域から該コーティングを選択的に除去することによって、該基板の該特定領域における該コーティングを変化させる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
該コーティングを堆積させた後、電気部品と該基板に取り付けられた少なくとも１つの導電性トラックとの間に、該コーティングを通してはんだ付けをして、はんだ接合を形成するステップ（該はんだ接合は該コーティングと接している）を更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
(a) 該ワイヤボンドが、該基板の第１の領域で形成され（該第１の領域は該コーティングにより被覆される）、更に
該基板の第２の領域に別のコーティングを堆積するステップ、及び
該基板の該第２の領域の該別のコーティングを通してはんだ付けをして、電気部品と該基板に取り付けられた少なくとも１つの導電性トラックとの間にはんだ接合を形成するステップ
を含むか、又は
(b) 該コーティングを堆積するステップが、該コーティングの第１の層を堆積するステップを含み、該ワイヤボンドの形成後に該基板の該少なくとも１つの表面上に該コーティングの第２の層を堆積するステップを更に含む（該コーティングの該第２の層は、該ワイヤボンドの少なくとも一部を覆っている）か、又は
(c) 該ワイヤボンドが、ベアダイワイヤボンドであるか、又は
(d) 該基板が、プリント回路基板中に含まれており、
該ワイヤボンドの形成後に、該プリント回路基板にコンフォーマルコーティングを堆積させるステップを更に含む（該コンフォーマルコーティングは、少なくとも１つのハロ炭化水素ポリマーを含み、該コンフォーマルコーティングが、次の特性：
はんだ貫通能力、
該コンフォーマルコーティングを通したワイヤボンドを可能にする能力、及び
該コンフォーマルコーティングを被覆した表面と垂直な軸に沿った導電率
の少なくとも１つを有する、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月27日(2012.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１表面および第２表面を有する光学層と、
基板であって、前記基板の熱伝導率は前記光学層の熱伝導率より実質的に大きい、基板と、
前記光学層と前記基板との間に配置された導電層であって、（ｉ）前記基板の表面および（ｉｉ）前記光学層の前記第１表面のうちの１つ以上に結合されている導電層と
を含む、レチクル。
【請求項２】
前記光学層は実質的にゼロの熱膨張係数を有する材料を含み、
前記基板は実質的にゼロの熱膨張係数を有する材料を含む、請求項１に記載のレチクル。
【請求項３】
前記光学層は超低膨張（ＵＬＥ）ガラスを含み、
前記基板はコーディエライトを含み、
前記導電層はアルミニウムを含む、請求項１に記載のレチクル。
【請求項４】
前記導電層は前記光学層の前記第１表面上に配置されている、請求項１に記載のレチクル。
【請求項５】
前記基板の前記表面上に配置された第２導電層と、
前記導電層と前記第２導電層との間に配置された中間層とをさらに含み、
前記導電層は前記中間層の第１表面に結合され、
前記第２導電層は前記中間層の第２表面に結合されている、請求項４に記載のレチクル。  
【請求項６】
前記光学層の前記第２表面は、実質的に平坦であり、かつ実質的に欠陥を有さない、請求項１に記載のレチクル。
【請求項７】
前記光学層の前記第２表面上に配置された反射層をさらに含む、請求項６に記載のレチクル。
【請求項８】
前記基板の厚さは前記光学層の厚さより大きい、請求項１に記載のレチクル。
【請求項９】
放射ビームをパターン付けするレチクルのために、前記放射ビームを生成する照明システムと、
パターン付きビームを基板のターゲット部分上に投影する投影システムとを含むリソグラフィ装置であって、
前記レチクルは、
第１表面および第２表面を有する光学層と、
基板であって、前記基板の熱伝導率は前記光学層の熱伝導率より実質的に大きい、基板と、
前記光学層と前記基板との間に配置された導電層であって、（ｉ）前記基板の表面および（ｉｉ）前記光学層の前記第１表面のうちの１つ以上に結合されている導電層と
を含む、リソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記光学層は実質的にゼロの熱膨張係数を有する材料を含み、
前記基板は実質的にゼロの熱膨張係数を有する材料を含む、請求項９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記光学層は超低膨張（ＵＬＥ）ガラスを含み、
前記基板はコーディエライトを含み、
前記導電層はアルミニウムを含む、請求項９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記導電層は前記光学層の前記第１表面上に配置されている、請求項９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記基板の前記表面上に配置された第２導電層と、
前記導電層と前記第２導電層との間に配置された中間層とをさらに含み、
前記導電層は前記中間層の第１表面に結合され、
前記第２導電層は前記中間層の第２表面に結合されている、請求項１２に記載のリソグラフィ装置。  
【請求項１４】
レチクルを生成する方法であって、
導電材料層を光学層の第１表面上に配置することと、
前記導電材料層を（ｉ）中間層の第１表面または（ｉｉ）前記光学層の熱伝導率より実質的に大きい熱伝導率を有する基板の表面のうちの１つに結合することと
を含む、方法。
【請求項１５】
前記結合することは、
前記導電材料層を前記中間層の前記第１表面に結合することと、
第２導電材料層を前記基板の前記表面上に配置することと、
前記第２導電材料層を前記中間層の第２表面に結合することを含む、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月1日(2012.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体パッケージに薄箔を組み込むための装置であって、
複数のキャビティを有する担体であって、少なくとも一つのデバイスエリアパターンを画定する複数のペデスタルを前記キャビティが画定する、前記担体と、
前記担体により支持される金属箔であって、前記ペデスタルが前記金属箔を支持する助けとなるように前記少なくとも一つのデバイスエリアパターンに重なる、前記金属箔と、
を含む、装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記金属箔に取り付けられる複数の集積回路ダイであって、各ダイが、関連するデバイスエリアパターンの一部に重なる前記金属箔の一領域において前記金属箔に取り付けられる、前記複数の集積回路ダイと、
集積回路ダイを前記金属箔に電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、
を更に含む、装置。
【請求項３】
請求項２に記載の装置であって、
前記ダイとボンディングワイヤを封止するモールディング物質を更に含み、前記モールディング物質が前記キャビティ内に前記金属箔を押し広げて、前記金属箔が隆起エリアと凹んだエリアとを含むようにする、装置。
【請求項４】
請求項３に記載の装置であって、
前記モールディング物質の一部が前記キャビティ内に伸張して、前記モールディング物質が前記担体の上面より下に伸張するようになっている、装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の装置であって、前記担体が、前記複数のペデスタルを支持するウェブを含み、前記金属箔と前記ウェブとの間にギャップが存在する、装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の装置であって、前記複数のキャビティの少なくとも幾つかが前記担体を貫通して伸びる、装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の装置であって、前記金属箔が約０．６ミルから約２ミルの範囲の厚みを有し、且つ前記担体が約５ミルから約１２ミルの範囲の厚みを有する、装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の装置であって、前記複数のキャビティの少なくとも幾つかの深さが少なくとも約３ミルである、装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の装置であって、前記担体が、前記担体の周に沿って配置される基準（fiducial）を含み、前記基準が、ダイ取り付け及びワイヤボンディングのための参照点として作用するように構成される、装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の装置であって、前記金属箔が、ニッケル及びパラジウムで覆われる少なくとも一つの表面を有する銅層である、装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載の装置であって、前記担体が、再利用可能であり、銅、アルミニウム、鋼鉄、及びエポキシからなる群のうちのいずれか一つで形成される、装置。
【請求項１２】
集積回路デバイスをパッケージングするための方法であって、
担体に接着された金属箔を含む箔担体構造を提供するステップと、
複数のダイを前記金属箔に取り付けるステップと、
モールディングされた箔担体構造を形成するため、前記複数のダイ及び前記金属箔の一部をモールディング物質で封止するステップであって、前記封止するステップが、前記金属箔に隆起エリアと凹んだエリアとを形成し、前記凹んだエリアが少なくとも一つのデバイスエリアを画定し、各デバイスエリアが一つの集積回路ダイに電気的に接続するように適合されている、ステップと、
前記金属箔の前記隆起エリアの少なくとも一部を取り除くステップであり、それにより、前記モールディング物質の一部を露出させて各デバイスエリアの複数の電気的コンタクトパッドを分離するようにする、ステップと、
を含む、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、前記モールディングされた箔担体構造を単体化（singulate）して複数のパッケージングされた集積回路デバイスを形成するステップを含む、方法。
【請求項１４】
請求項１２又は１３に記載の方法であって、前記封止するステップの後且つ前記取り除くステップの前に、前記モールディングされた箔担体構造から前記担体を取り除くステップを更に含む、方法。
【請求項１５】
請求項１２〜１４のいずれかに記載の方法であって、前記担体が、少なくとも一つのデバイスエリアパターンを画定する複数のペデスタルを画定する複数のキャビティを含み、前記ペデスタルが前記封止された箔内の前記凹んだエリアを画定し、前記キャビティが前記金属箔の前記隆起エリアを画定する、方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、前記封止するステップの間、前記モールディング物質が前記金属箔を前記担体に対して押し付け、それにより、前記金属箔の各部分が前記キャビティ内に押し広げられ、前記金属箔が成形し直されて前記金属箔に隆起エリアと凹んだエリアとが形成されるようにする、方法。
【請求項１７】
請求項１２〜１６のいずれかに記載の方法であって、前記封止するステップの前に前記金属箔構造をモールド上に配置するステップを更に含み、前記担体が貫通孔を含み、前記封止するステップが、前記貫通孔を介してモールディング物質を前記モールドのキャビティ内に堆積させて、前記モールディング物質が前記金属箔を前記モールドに対して押し付けるようにすることを含み、それにより、前記金属箔の各部分が前記キャビティ内に押し広げられ、前記金属箔が成形し直されて前記金属箔に隆起エリアと凹んだエリアとが形成されるようにする、方法。
【請求項１８】
請求項１２〜１７のいずれかに記載の方法であって、前記金属箔の前記隆起エリアの少なくとも一部を取り除くステップがグラインディングに関与する、方法。
【請求項１９】
請求項１２〜１８のいずれかに記載の方法であって、前記担体が、前記担体の周に沿って配置される基準を含み、この方法が、
前記基準を参照点として用いて、前記金属箔上のワイヤボンディング地点を決定するステップと、
前記決定するステップに基づいて、前記複数のダイを前記ワイヤボンディング地点に接続するワイヤを取り付けるステップと、
を更に含む、方法。
【請求項２０】
集積回路パッケージングに用いるモールディングされた箔構造であって、
金属箔と、
前記金属箔に取り付けられる複数の集積回路ダイと、
前記集積回路ダイを前記金属箔に電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、
前記集積回路ダイ及び前記ボンディングワイヤを封止するモールディング物質であって、前記モールディング物質が前記金属箔を押し広げて前記金属箔が隆起エリアと凹んだエリアとを含むようにする、前記モールディング物質と、
を含む、モールディングされた箔構造。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月13日(2012.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サンプル中の異なる分析物の濃度の比を決定する方法であって、
二つ以上の分析物の二つ以上の個別の分析物反応を取得するために、選択した測定プロセスを用いてサンプル中の二つ以上の分析物の反応を測定し、
前記選択した測定プロセスを用いて取得した前記二つ以上の個別の分析物反応の一次関数として前記二つ以上の分析物の濃度の比を規定する一つ以上の変換法を選択し、前記一次関数は、前記濃度の比を出力する多変数回帰モデルを有し、前記回帰モデルの複数の変数は、前記二つ以上の個別の分析物反応を有し、
選択した前記一つ以上の変換法と、前記二つ以上の個別の分析物反応とを用いることによって、前記サンプル中の前記二つ以上の分析物の濃度の比をプロセッサにより算出することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記一次関数から出力される比は、ある分析物の濃度を他の分析物の濃度で除算したものとして規定される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記一次関数は、回帰変数としての測定された個別の分析物反応を有する多変数回帰モデルを用いることによって前記測定された個別の分析物反応を前記分析物の比に関連させる請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記多変数回帰は、変数が整数の乗数となる分析物の反応の積である多項回帰である請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記一つ以上の変換法で用いられる前記二つ以上の個別の分析物反応は、前記一つ以上の変換法の一部として変換が行われる請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記変換によって、回帰モデルで用いられる回帰項の数を減少させる請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記変換によって、長い実験校正間隔(longer laboratory calibration interval)を容易にする請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記変換によって、実験校正(laboratory calibration)に必要な校正数を減少させる請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記変換は、前記個別の分析物反応の二つを算術的に組み合わせる請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
前記変換は、
【数１】
2012500401.tif 000001
として規定され、この場合、ｚ１及びｚ２は、前記測定された分析物反応であり、ｘ１及びｘ２は、変換された反応であり、ａ１１，ａ１２，ａ１３，ａ２１，ａ２２及びａ２３は、校正することができる係数である請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記変換は、規則的なユーザ校正スケジュールで決定されない一つ以上の係数を用いる請求項５に記載の方法。
【請求項１２】
前記変換は、ユーザロットスケジュールで決定される一つ以上の係数を用いる請求項５に記載の方法。
【請求項１３】
前記選択した測定プロセスはＨＰＬＣである請求項５に記載の方法。
【請求項１４】
前記選択した測定プロセスは免疫測定法である請求項５に記載の方法。
【請求項１５】
前記選択した測定法は、電気泳動法、キャピラリー電気泳動法、分光法、クロマトグラフィー、表面プラズモン共鳴のうちの一つである請求項５に記載の方法。
【請求項１６】
前記分析物の一つ以上は、タンパク質、炭水化物又は核酸である請求項５に記載の方法。
【請求項１７】
前記分析物は、糖タンパク質である請求項５に記載の方法。
【請求項１８】
前記分析物の一つは、ヘモグロビンＡ１ｃである請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記二つの分析物は、ヘモグロビンのグリコシル化形態及びトータルヘモグロビンである請求項５に記載の方法。
【請求項２０】
二つ以上の分析物の濃度の比を測定する装置であって、
サンプル中の二つ以上の分析物の反応を測定することができる測定モジュールと、
前記測定モジュールからの測定された分析物反応を格納するメモリと、
前記測定モジュールから取得した分析物の測定された反応の一次関数として二つ以上の分析物の濃度の比を規定する一つ以上の変換方法を実行する命令を有するコンピュータ読取可能コードを含み、前記一次関数は、前記濃度の比を出力する多変数回帰モデルを有し、前記回帰モデルの複数の変数は、前記二つ以上の個別の分析物反応を有する、コンピュータ読取可能媒体と、
前記一つ以上の変換法を用いて前記二つ以上の分析物の濃度の比を計算するために前記コンピュータ読取可能媒体の前記コンピュータ読取可能コードを実行するプロセッサと、
を備える装置。
【請求項２１】
前記測定モジュールは、前記分析物の反応を測定するために多重(multiplex)免疫測定法を用いる請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
サンプル中の異なる分析物の濃度の比を決定する命令を有するコンピュータ読取可能なコードを有する非一時的コンピュータ読取可能媒体であって、前記コンピュータ読取可能なコードは、
二つ以上の分析物の二つ以上の個別の分析物反応を取得するために、選択した測定プロセスを用いてサンプル中の二つ以上の分析物の反応を測定するコードと、
前記選択した測定プロセスから取得した分析物の二つ以上の個別の反応の一次関数として二つ以上の分析物の比を規定する変換法を選択し、前記一次関数は、前記濃度の比を出力する多変数回帰モデルを有し、前記回帰モデルの複数の変数は、前記二つ以上の個別の分析物反応を有する、コードと、
前記選択した変換法及び前記サンプルからの測定された分析物反応を用いて前記サンプルの二つ以上の分析物の濃度の比を算出するコードと、
を備えることを特徴とするコンピュータ読取可能媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月6日(2012.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリであって、
前記電極板は、前記電極板の外縁に係合して前記電極板を前記バッキング板に弾性的に押し付けるクランプ部材によって前記バッキング板に結合され、前記クランプ部材と前記バッキング板との間には、熱伝導性で且つ導電性のガスケットが配された複合シャワーヘッド電極アセンブリ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリであって、
前記電極板は、エラストマ系の接着接合によって前記バッキング板に結合された複合シャワーヘッド電極アセンブリ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２６】
請求項２５に記載の電極板であって、更に、
前記界面ゲルを覆う転写シート、及び／又は前記電極板の前記上面上で少なくとも１つのブリッジ領域内に配された熱伝導性で且つ導電性のガスケットを備える電極板。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月4日(2012.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
いくつかの実施形態によれば、本発明は、ユーザ関心情報を管理するためにデータ処理デバイスによって少なくとも一部は実施される方法を提供し、この方法は、（ａ）ユーザ関心情報から公表された情報のコンテンツ、及び（ｂ）ユーザ関心情報から公表された情報の使用に関する制限、を含むユーザ規定条件の集合にアクセスするステップと、ユーザ関心情報またはその派生情報の少なくとも一部を、ユーザ規定条件の集合に従って受信者に対して伝送するステップとを伴う。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザ関心情報を管理するために少なくとも一部はデータ処理デバイスによって実施される方法であって、
（ａ）前記ユーザ関心情報から公表された情報のコンテンツ、及び（ｂ）前記ユーザ関心情報から公表された情報の使用に関する制限、を含むユーザ規定条件の集合にアクセスするステップと、
前記ユーザ関心情報またはその派生情報の少なくとも一部を、前記ユーザ規定条件の集合に従って受信者に対して伝送するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記ユーザ規定条件の集合は、前記ユーザ関心情報から公表された情報のコンテンツを含む条件の部分集合を含み、前記条件の部分集合は、前記ユーザ関心情報から公表された情報の精度を含む特定の条件を含む、ことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、
前記精度は、複数のタイプのユーザ関心情報に適用される精度の定義済みレベルの集合を含む、ことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記ユーザ規定条件の集合は、前記ユーザ関心情報から公表された情報のコンテンツを含む条件の部分集合を含み、前記条件の部分集合は、前記ユーザ関心情報から公表された情報のタイプに関係する特定の条件を含む、ことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月11日(2012.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プライマリ周波数（ｐｒｉｍａｒｙ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）及び少なくとも一つのセカンダリ周波数（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）を使用する無線通信システムにおける基地局の動作方法において、
前記少なくとも一つのセカンダリ周波数のうち少なくとも一つの活性化又は非活性化を決定する過程と、
前記少なくとも一つのセカンダリ周波数のうち少なくとも一つの活性化又は非活性化を指示するビットマップを含むメッセージを移動局に送信する過程と、を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記プライマリ周波数は、前記移動局が初期接続設定手順を行った周波数であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記プライマリ周波数は、常にオン状態であることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも一つのセカンダリ周波数のうち少なくとも一つの活性化又は非活性化を決定する過程は、
該当セカンダリ周波数を使用する移動局のバッテリ残量が閾値未満である場合、前記該当セカンダリ周波数の負荷量が閾値以上である場合、前記該当セカンダリ周波数に対する信号強度測定値が閾値未満である場合のうち一つである場合、前記該当セカンダリ周波数の非活性化を判断する過程を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記メッセージは、非活性化される少なくとも一つのセカンダリ周波数に対するオフ期間情報、前記非活性化されるセカンダリ周波数以外に他の周波数の使用を要請する情報、前記他の周波数を指示する情報のうち少なくとも一つを更に含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記メッセージは、前記移動局のスリープモード進入要請に対する許容可否を知らせるスリープ応答メッセージの一部であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
プライマリ周波数及び少なくとも一つのセカンダリ周波数を使用する無線通信システムにおける基地局の動作方法において、
基地局から前記少なくとも一つのセカンダリ周波数のうち少なくとも一つの活性化又は非活性化を指示するビットマップを含むメッセージを受信する過程と、
前記メッセージに応じて前記少なくとも一つのセカンダリ周波数のうち少なくとも一つを活性化又は非活性化する過程と、を含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
前記プライマリ周波数は、前記移動局が初期接続設定手順を行った周波数であることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記プライマリ周波数は、常にオン状態であることを特徴とする請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
前記メッセージは、非活性化される少なくとも一つのセカンダリ周波数に対するオフ期間情報、前記非活性化されるセカンダリ周波数以外に他の周波数の使用を要請する情報、前記他の周波数を指示する情報のうち少なくとも一つを更に含むことを特徴とする請求項７〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記メッセージは、前記移動局のスリープモード進入を要請するスリープ要請メッセージの一部であることを特徴とする請求項７〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
プライマリ周波数及び少なくとも一つのセカンダリ周波数を使用する無線通信システムにおける基地局装置において、
前記少なくとも一つのセカンダリ周波数のうち少なくとも一つの活性化又は非活性化を決定する制御部と、
前記少なくとも一つのセカンダリ周波数のうち少なくとも一つの活性化又は非活性化を指示するビットマップを含むメッセージを移動局に送信する送信部と、を含むことを特徴とする装置。
【請求項１３】
前記プライマリ周波数は、前記移動局が初期接続設定手順を行った周波数であることを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記プライマリ周波数は、常にオン状態であることを特徴とする請求項１２または１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記制御部は、該当セカンダリ周波数を使用する移動局のバッテリ残量が閾値未満である場合、前記該当セカンダリ周波数の負荷量が閾値以上である場合、前記該当セカンダリ周波数に対する信号強度測定値が閾値未満である場合のうち一つである場合、前記該当セカンダリ周波数の非活性化を判断することを特徴とする請求項１２〜１４のいずれかに記載の装置。
【請求項１６】
前記メッセージは、非活性化される少なくとも一つのセカンダリ周波数に対するオフ期間情報、前記非活性化されるセカンダリ周波数以外に他の周波数の使用を要請する情報、前記他の周波数を指示する情報のうち少なくとも一つを更に含むことを特徴とする請求項１２〜１５のいずれかに記載の装置。
【請求項１７】
前記メッセージは、前記移動局のスリープモード進入要請に対する許容可否を知らせるスリープ応答メッセージの一部であることを特徴とする請求項１２〜１６のいずれかに記載の装置。
【請求項１８】
プライマリ周波数及び少なくとも一つのセカンダリ周波数を使用する無線通信システムにおける基地局の動作装置において、
基地局から前記少なくとも一つのセカンダリ周波数のうち少なくとも一つの活性化又は非活性化を指示するビットマップを含むメッセージを受信する受信部と、
前記メッセージに応じて前記少なくとも一つのセカンダリ周波数のうち少なくとも一つを活性化又は非活性化する制御部と、を含むことを特徴とする装置。
【請求項１９】
前記プライマリ周波数は、前記移動局が初期接続設定手順を行った周波数であることを特徴とする請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記プライマリ周波数は、常にオン状態であることを特徴とする請求項１８または１９に記載の装置。
【請求項２１】
前記メッセージは、非活性化される少なくとも一つのセカンダリ周波数に対するオフ期間情報、前記非活性化されるセカンダリ周波数以外に他の周波数の使用を要請する情報、前記他の周波数を指示する情報のうち少なくとも一つを更に含むことを特徴とする請求項１８〜２０のいずれかに記載の装置。
【請求項２２】
前記メッセージは、前記移動局のスリープモード進入を要請するスリープ要請メッセージの一部であることを特徴とする請求項１８〜２１のいずれかに記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月17日(2012.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セルラ無線システムにおけるセルIDに関する情報を、無線基地局から移動機へ送信する方法であって、
属するトラッキングエリアに従ってグループ化された複数のセルIDを含んだメッセージを生成するステップ(301)と、
前記メッセージを前記無線基地局から前記移動機へ送信するステップ(303)と、を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記複数のセルIDがE-UTRAN(Evolved Universal Mobile Telecommunications System Terrestrial Radio Access Network)物理層セルIDであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記グループ化された複数のセルIDの情報が、同報メッセージとして送信されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
移動機においてセル再選択を行う方法であって、
属するトラッキングエリアに従ってグループ化された複数のセルIDを含んだメッセージを受信するステップ(401)と、
セル再選択を実行するステップ(403)と、
前記移動機が選択したセルで拒否された場合、削減されたバックオフ時間の経過後に、他のグループに属するセルの選択を試行するステップ(405)と、を有することを特徴とする方法。
【請求項５】
前記移動機が選択したセルで拒否された場合、前記他のグループに属するセルの選択が直ちに実行されることを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記移動機が、前記移動機がセルに拒否された情報と、該セルが前記グループのどれに属するかの情報とに基づいて、測定／測定報告を実行する(407)ことを特徴とする請求項４又は請求項５記載の方法。
【請求項７】
セルラ無線システムにおけるセルIDに関する情報を送信するように構成された無線基地局であって、
属するトラッキングエリアに従ってグループ化された複数のセルIDを含んだメッセージを生成する手段(108)と、
前記メッセージを前記無線基地局から前記移動機へ送信する手段(108)とを有することを特徴とする無線基地局。
【請求項８】
前記複数のセルIDがE-UTRAN(Evolved Universal Mobile Telecommunications System Terrestrial Radio Access Network)物理層セルIDであることを特徴とする請求項８記載の無線基地局。
【請求項９】
前記グループ化された複数のセルIDの情報を、同報メッセージとして送信するように構成されたことを特徴とする請求項７または請求項８に記載の無線基地局。
【請求項１０】
セル再選択を行うように構成された移動機(103)であって、
属するトラッキングエリアに従ってグループ化された複数のセルIDを含んだメッセージを受信する手段(102)と、
セル再選択を実行する手段(102)と、
前記移動機が選択したセルで拒否された場合、削減されたバックオフ時間の経過後に、他のグループに属するセルの選択を試行する手段(102)と、を有することを特徴とする移動機。
【請求項１１】
前記移動機が選択したセルで拒否された場合、前記他のグループに属するセルの選択を直ちに実行するように構成されたことを特徴とする請求項１０記載の移動機。
【請求項１２】
前記移動機がセルに拒否された情報と、該セルが前記グループのどれに属するかの情報とに基づいて、測定／測定報告を実行するように構成されたことを特徴とする請求項１０又は請求項１１記載の移動機。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月25日(2012.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音響スワッスビームを発射するスワッスビーム音響変換器において、
関連する音響孔を有する細長状凹状放射面を集合的に提供するように構成される能動音響要素の配列であって、前記放射面から、スワッスビームを発射するように動作可能である、前記能動音響要素の配列と、
前記能動音響要素と電気的に接続し、且つ前記能動音響要素のそれぞれを駆動して、前記放射面から、前記長手方向に垂直な面における広視野を有する音響スワッスビームを発射するための電気駆動信号を生成する制御システムを備え、
前記スワッスビームの前記遠方音響強度は、前記視野内で実質的に均一である、
ことを特徴とするスワッスビーム音響変換器。
【請求項２】
前記制御システムは、更に、前記放射面によって受信される反射されたスワッスビームに応答して生成される前記能動音響要素からの電気信号を受信及び処理する、
請求項１に記載のスワッスビーム音響変換器。
【請求項３】
前記放射面は、半円筒の周外面に実質的に一致する凹状円筒放射面であり、
前記能動音響要素は、前記凹状半円筒放射面の周囲に配置され、各要素は、前記円筒軸から半径分等しく間隔をあけている、
請求項１又は２に記載のスワッスビーム音響変換器。
【請求項４】
前記能動音響要素の配列は、実質的に連続する放射面を提供するように配置される、
請求項１ないし３のいずれか１項に記載のスワッスビーム音響変換器。
【請求項５】
各能動音響要素は、電気的に励振可能な電極間に結合される能動音響素材を備える音響変換器要素であり、
各音響要素は、能動音響素材に直接的又は間接的に結合される１又は２以上の整合層を備え、前記整合層は、前記変換器と音響ビームが伝搬する音響媒体との間のインピーダンス整合を提供するように構成される、
請求項１ないし４のいずれか１項に記載のスワッスビーム音響変換器。
【請求項６】
各能動音響要素は、前記放射面と前記能動音響素材との間に位置している整合層を備える、
請求項５に記載のスワッスビーム音響変換器。
【請求項７】
前記能動音響要素は、支持構造体内において、相互に音響的に隔離されている、
請求項１ないし６のいずれか１項に記載のスワッスビーム音響変換器。
【請求項８】
前記配列内の各能動音響要素は、まっすぐ且つ細長状であり、
各能動音響要素の長さは、実質的に前記放射面の全長にわたって延びる、
請求項１ないし７に記載のスワッスビーム音響変換器。
【請求項９】
前記変換器は、前記放射面の前記長手軸の方向について、実質的に固定された幅を有するスワッスビームを生成するように構成される、
請求項８に記載のスワッスビーム音響変換器。
【請求項１０】
各まっすぐ且つ細長状の能動音響要素は、前記変換器の長さに沿って、互いから音響的及び電気的に隔離されるライン状の複数の個々の能動音響要素から集合的に形成され、
前記個々の能動音響要素のラインは、前記変換器の長さに沿って、互いに整列して並べられ、それにより、前記変換器の長さに沿った能動音響要素の一連の選択的に動作可能な凹状配列セグメントを提供する
請求項８に記載のスワッスビーム音響変換器。
【請求項１１】
前記制御システムは、能動音響要素の１又は２以上の前記凹状配列セグメントのいずれかを活性化又は非活性化するように動作可能であり、それにより、前記放射面の有効長さを制御し、その結果、前記放射面の長手軸方向における伝搬されるスワッスビームの幅を制御する、
請求項１０に記載のスワッスビーム音響変換器。
【請求項１２】
前記制御システムは、能動音響要素の前記凹状配列セグメントに差動位相駆動信号を加えるように動作可能であり、それにより、前記放射面の長手軸を横切る軸の周囲の所望の方向に、伝搬されるスワッスビームを操縦する、
請求項１０又は１１に記載のスワッスビーム音響変換器。
【請求項１３】
前記能動音響要素は、前記制御システムにより所定の動作周波数で駆動され、前記能動音響要素の配列は、前記放射面の周囲の隣接する音響要素間の中心間距離が前記動作周波数の波長の約１／２より大きくないように配置される、
請求項１ないし１２のいずれか１項に記載のスワッスビーム音響変換器。
【請求項１４】
前記放射面は、音響スワッスビームが発射され又は受信される前記音響孔を形成し、
前記変換器は更に、前記音響孔を少なくとも部分的に充填するように配置された１又は２以上の保護層を有し、前記放射面は、前記１又は２以上の保護層を介して、前記発射又は受信された音響スワッスビームが伝搬する音響媒体に間接的に露出する、
請求項１ないし１３のいずれか１項に記載のスワッスビーム音響変換器。
【請求項１５】
少なくとも１つの前記保護層は、前記変換器が水中で動作可能とするために、水中で音響的透明となるように作成されたゴムから形成される、
請求項１４に記載のスワッスビーム音響変換器。
【請求項１６】
音響スワッスビームを発射する方法において、
関連する音響孔を有する細長状凹状放射面を集合的に提供する音響変換器要素を、前記長手方向に垂直な面における広視野を有するスワッスビームを発射するために、駆動し、前記スワッスビームの前記遠方音響強度は、前記視野内で実質的に均一である、
ことを特徴とする、音響スワッスビームを発射する方法。
【請求項１７】
前記変換器は、前記変換器の長さに沿った、能動音響要素の一連の選択的に動作可能な凹状配列セグメントにより形成されている、
請求項１６に記載の音響スワッスビームを発射する方法。
【請求項１８】
前記音響スワッスビームを発射する方法は更に、
選択された数の隣接する凹状配列セグメントを駆動するステップを備え、これにより、前記放射面の有効長さを制御し、その結果、前記放射面の長手軸方向における伝搬されるスワッスビームの幅を制御する、
請求項１７に記載の音響スワッスビームを発射する方法。
【請求項１９】
前記音響スワッスビームを発射する方法は更に、
前記凹状配列セグメントに差動位相駆動信号を加えることで、前記放射面の長手軸を横切る軸の周囲の所望の方向に、伝搬されるスワッスビームを操縦するステップを備えている、
請求項１７又は１８に記載の音響スワッスビームを発射する方法。
【請求項２０】
音響スワッスビームの発射に用いられるスワッスビーム音響変換器であって、
関連する音響孔を有する細長状凹状放射面を集合的に提供するように構成される能動音響要素の配列であって、前記能動音響要素の配列は、前記放射面から、前記長手方向に垂直な面における広視野を有する音響スワッスビームを発射するために電気的に駆動されて用いられる、前記能動音響要素の配列を有し、
前記スワッスビームの前記遠方音響強度は、前記視野内で実質的に均一である、
スワッスビーム音響変換器。
【請求項２１】
能動音響要素の前記配列は、更に前記放射面でスワッスビームを受信するために動作するように用いられる、
請求項２０に記載のスワッスビーム音響変換器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月12日(2011.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
グラフベースの符号を用いて符号化された符号化されたデータを復号する方法であって、
（ａ）候補の復号された符号語を生成するために、前記符号化されたデータに対して復号を実行することと、
（ｂ）前記候補の復号された符号語が復号された正しい符号語ではない場合に、前記復号された正しい符号語を生成することを試みるためにトラッピング・セット（ＴＳ）−ＲＡＭリスト復号方法を実行することであって、前記ＴＳ−ＲＡＭリスト復号方法は、ＲＡＭメモリ内に格納された１つまたは複数のＴＳプロファイルにアクセスし、各ＴＳプロファイルは、異なるトラッピング・セットに対応する、実行することと
を含む方法。
【請求項２】
（ｃ）新しいＴＳプロファイルを格納するために前記ＲＡＭメモリを更新すること
をさらに含む、請求項１に記載の発明。
【請求項３】
前記ＴＳ−ＲＡＭリスト復号が前記復号された正しい符号語の生成に失敗する場合に、ステップ（ｂ）は、前記復号された正しい符号語を生成することを試みるために他の復号方法を実行することをさらに含み、
前記他の復号方法が前記復号された正しい符号語を生成する場合に、ステップ（ｃ）は、前記候補の復号された符号語および前記復号された正しい符号語に基づいて前記新しいＴＳプロファイルを生成することを含む
請求項２に記載の発明。
【請求項４】
ステップ（ｃ）は、
（ｃ１）追出しのために、前記ＲＡＭメモリに以前に格納された１つまたは複数のＴＳプロファイルを選択することと、
（ｃ２）前記選択された１つまたは複数のＴＳプロファイルを前記ＲＡＭメモリから追い出すことと、
（ｃ３）前記新しいＴＳプロファイルを前記ＲＡＭメモリに格納することと
を含む、請求項２に記載の発明。
【請求項５】
各ＴＳプロファイルは、
前記対応するトラッピング・セット内の満足されないチェックノードの個数（たとえば、ｂ）と、
前記対応するトラッピング・セット内の各満足されないチェックノードの識別（たとえば、ＵＳＣ＿ＩＮＤＥＸ）と、
前記対応するトラッピング・セット内の各満足されないチェックノードの少なくとも１つの誤りのあるビットノードの識別（たとえば、ＥＢＮ＿ＩＮＤＥＸ）と
を含む、請求項１に記載の発明。
【請求項６】
前記候補の復号された符号語が、前記復号された正しい符号語ではない場合に、前記候補の復号された符号語は、１つまたは複数の観察された満足されないチェックノードのセットを含む観察されたトラッピング・セットを識別し、
前記ＴＳ−ＲＡＭリスト復号方法は、
（ｂ１）前記観察されたトラッピング・セットと一致する格納されたＴＳプロファイルを前記ＲＡＭメモリから検索することと、
（ｂ２）ＬＤＰＣ符号化されたデータの１つまたは複数の誤りのあるビットノードを変更することであって、前記１つまたは複数の変更される誤りのあるビットノードは、前記一致するＴＳプロファイルによって識別される、変更することと、
（ｂ３）前記変更されたＬＤＰＣ符号化されたデータに対してＬＤＰＣ復号を実行することと
を含む、請求項１に記載の発明。
【請求項７】
前記格納されたＴＳプロファイルは、前記格納されたＴＳプロファイルの前記１つまたは複数の満足されないチェックノードが前記観察されたトラッピング・セットの前記１つまたは複数の観察された満足されないチェックノードとの同形一致を形成する時に、前記観察されたトラッピング・セットと一致する、請求項６に記載の発明。
【請求項８】
前記グラフベースの符号は、Ｌｏｗ−Ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｐａｒｉｔｙ  Ｃｈｅｃｋ（ＬＤＰＣ）符号である、請求項１に記載の発明。
【請求項９】
グラフベースの符号を用いて符号化された符号化されたデータを復号する装置であって、
（ａ）候補の復号された符号語を生成するために、前記符号化されたデータに対して復号を実行する手段と、
（ｂ）ＲＡＭメモリと、
（ｃ）前記候補の復号された符号語が復号された正しい符号語ではない場合に、前記復号された正しい符号語を生成することを試みるためにＴＳ−ＲＡＭリスト復号方法を実行する手段であって、手段（ｃ）が、前記ＲＡＭメモリ内に格納された１つまたは複数のＴＳプロファイルにアクセスし、各ＴＳプロファイルは、異なるトラッピング・セットに対応する手段とを含む装置。
【請求項１０】
（ｄ）新しいＴＳプロファイルを格納するために前記ＲＡＭメモリを更新するための手段をさらに含む、請求項９に記載の発明。