【事件の表示】
　平成　９年特許願第１９７２９１号「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　２月１２日出願公開、特開平１１−　４０５２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成９年７月２３日の出願であって、その請求項１ないし１０に係る発明は、平成１４年６月３日付け手続補正書により補正された明細書及び願書に最初に添付された図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。
「　【請求項１】　ウェーハの主表面に半導体素子を形成する工程と、ダイシングラインに沿って上記ウェーハの主表面側から完成時のチップの厚さよりも少なくとも５μｍ深い溝を形成する工程と、上記ウェーハの主表面上に保持部材を貼り付ける工程と、上記ウェーハの裏面を上記完成時のチップの厚さまで研削及び研磨して最終的なチップ厚を２９０μｍより薄くし、ウェーハを個々のチップに分離する工程と、分離したチップを先端の曲率半径が０．３５ｍｍ以上のピックアップニードルを用いて、上記保持部材から剥離する工程と、剥離したチップを外囲器に封止する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
２．刊行物記載の発明ないし技術事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平７−１０６２８５号公報（以下、「刊行物１」という。）、特開平６−８５０５５号公報（以下、「刊行物２」という。）及び特開平８−７８５０５号公報（以下、「刊行物３」という。）には、以下の事項が記載されている。
（１）刊行物１
ａ．「ウエハを個々のチップに分割するに際して、ウエハの割れや欠けを防止することができる半導体製造方法を提供することを目的とする。」（第２欄第１６〜１８行）
ｂ．「図１は本発明に係わる半導体製造方法の第１実施例を説明する図である。図１（ａ）は、ウエハプロセス完了時の状態を示しており、この状態ではウエハ１の表面（チップ形成面）にチップ（不図示）間を仕切る平面格子状のストリート２が形成されている。このウエハ１を個々のチップに分割する場合、本第１実施例では、先ず図１（ｂ）に示すように、ウエハ１上のストリート２に沿って切溝３を形成する。・・・また、ウエハ１に対するダイヤモンドブレードの切り込み量を、最終的なチップの仕上げ厚よりも大きく設定して、チップ表面からの切溝３の深さ寸法をチップ仕上げ厚よりも若干大きめにした。・・・次いで、図１（ｃ）に示すように、ウエハ１の表面に・・・保護テープ４を貼り付ける。・・・続いて、図１（ｄ）に示すように、ウエハ１の裏面を図示せぬバックグラインダで研削し、これにより切溝３を境にウエハ１を個々のチップ５に分割する。・・・ここで、裏面研削によって分割されるチップ５の固定状態は、保護テープ４との接着だけで保持されるため、・・・さらに、ウエハ１から分割したチップ５を・・移し変える場合は、図１（ｅ）に示すように、保護テープ４の上方からピッカー６を突いてチップ５を押し下げる。このとき・・・コレット１０を突き上げる。これにより、ピッカー６で押し下げたチップ５の裏面に、下方から突き上げたコレット１０の先端を当接させてチップ５を吸着保持し、この状態からコレット１０を引き戻して保護テープ４からチップ５を剥離する。」（第２欄第３９行〜第３欄第３１行）
ｃ．「チップ仕上げ厚が２００μｍ程度以下の薄型ウエハ」（第６欄第２２〜２３行）
　上記摘記事項ａ〜ｃ及び図１（ａ）〜（ｅ）の記載からみて、刊行物１には次の発明（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されていると認める。
「ウエハプロセスと、チップ５間を仕切る平面格子状のストリート２に沿って上記ウエハ１の表面（チップ形成面）側から完成時のチップ５の厚さよりも若干大きい深さ寸法の切溝３を形成する工程と、上記ウエハ１の表面（チップ形成面）上に保護テープ４を貼り付ける工程と、上記ウエハ１の裏面を上記完成時のチップ５の厚さまで研削してチップ５仕上げ厚を２００μｍ程度以下にし、ウエハ１を個々のチップ５に分離する工程と、分離したチップ５をピッカー６を用いて、上記保護テープ４から剥離する工程とを具備する半導体の製造方法。」
（２）刊行物２               
ａ．「従来の・・・ダイシングの抜け側すなわち基板Ａの裏面で“割れ”が発生する不具合を生じる。」（第１欄第３５〜３９行）
ｂ．「この半導体素子の製造方法は、例えば厚さ６００μｍのシリコン基板１のパターン２形成面（シリコン基板１の表面）側にペレット３…の分割予定境界線に沿って幅が例えば５０μｍの有底の溝４…をダイシング装置により刻設する溝入れ工程（図１参照）と、溝入れ工程後に・・・シリコン基板１のパターン２形成面にこのパターン２を保護するための保護テープ５を貼着する保護テープ貼着工程（図４参照）と、この保護テープ貼着工程後にシリコン基板１の保護テープ５側をチャックにより真空吸着しシリコン基板１の裏面を研削し且つ最終被加工面を粗面にする裏面研削工程（図５参照）と、・・・溝入れ工程は、ダイシング装置によりペレット３…の寸法（例えば縦１０ｍｍ，横１０ｍｍ）に応じて格子状に溝入れする。各溝４…の深さＤ１（例えば２２０μｍ）は、裏面研削工程後のシリコン基板１の厚さＴ１（例えば２００μｍ）よりも例えば２０μｍ〜２５μｍ程度大きくなるように設定する。一方、裏面研削工程における除去量Ｔ２は、この除去量Ｔ２と、裏面研削工程後のシリコン基板１の厚さＴ１との和が、加工前のシリコン基板１の厚さＴ３に等しくなるように例えば４００μｍに設定する。したがって、裏面研削工程後においては、溝４…はシリコン基板１の裏面側に開口する。その結果、各ペレット３…は分離し、切り離しが可能な状態となる。」（第２欄第２６行〜第３欄第１５行）
ｃ．「あらかじめ溝入れ工程において、シリコン基板の表面側にペレットの分割予定境界線に沿って溝を刻設し、裏面研削工程によるシリコン基板の裏面の除去と同時に溝を裏面に連通させ、各ペレットを分離させるようにし、・・・“割れ”の発生を防止することができ、」（第４欄第１２〜１９行）
　上記摘記事項ａ〜ｃ及び図１、５の記載からみて、刊行物２には次の技術事項が記載されていると認める。
　半導体素子の製造方法において、分割予定境界線に沿ってシリコン基板１の表面側から完成時のペレット３の厚さよりも２０μｍ〜２５μｍ程度大きくなるよう深い溝４を形成する工程と、上記シリコン基板１の表面上に保護テープ５を貼り付ける工程と、上記シリコン基板１の裏面を上記完成時のペレット３の厚さまで研削して最終的なペレット３厚を２００μｍにし、シリコン基板１を個々のペレット３に分離する工程とを具えたこと。
（３）刊行物３
ａ．「ウェハの底面に付着しているテープから各個のチップを分離する際、半導体チップとパッケージの損傷を防止するために先端の円いインジェクターピンを有する半導体チップ分離装置に関するものである。」（第１欄第２５〜２９行）
ｂ．「図６は、従来技術の問題点を説明する従来の半導体パッケージの断面図である。・・・半導体チップ３１の底面には、インジェクターピン（図４の１６）によるマーク（図５(B) 参照）が生じ、半導体チップのパッケージ工程中の加熱と加圧により半導体チップ自体に亀裂が起こる。・・・以上記述したように、従来の半導体チップ分離装置には尖ったインジェクターピンによって半導体チップ上に多数個のひびが生ずるが、このひびは、インジェクターピン１６が尖るほど、・・・ますます大になる。」（第２欄第４６行〜第３欄第２０行）
ｃ．「インジェクターピン４６の先端の曲率半径は０．２０ｍｍ以上にして接着テープ４２が貫かれないようにすべきであるが、半導体チップ分離装置の接着テープ４２との分離を容易にするため、曲率半径は０．５０ｍｍ以下にすることが好ましい。」（第４欄第２５〜２９行）
ｄ．「図３を参照すれば、本発明による半導体チップ分離装置を利用した半導体パッケージ６０は、半導体チップ６１がダイパッド６２上に接着剤６３で付着されてあり、半導体チップ６３は、ワイヤ６４で内部リード６５と電気的に連結されている。・・・半導体チップ６３は・・・樹脂６７でモールディングされてあり、半導体チップ６３はインジェクターピンでマークが生じないようになっているので、チップの亀裂やパッケージのクラックが起こることがない。」（第５欄第１２〜２２行）
　上記摘記事項ａ〜ｄ及び図１〜３、５、６の記載からみて、刊行物３には次の技術事項が記載されていると認める。
　分離した半導体チップ６３を先端の曲率半径が０．２０〜０．５０ｍｍのインジェクターピン４６を用いて、接着テープ４２から剥離する工程と、剥離したチップを半導体パッケージ６０に封止する工程とを具備すること。
３．対比・判断
　本願発明１と刊行物１記載の発明とを対比すると、その技術的意義からみて、後者の「ウエハ１」は前者の「ウェーハ」に相当し、以下同様に、「表面（チップ形成面）」は「主表面」に、「ウエハプロセス」は「半導体素子を形成する工程」に、「切溝３」は「溝」に、「チップ仕上げ厚」は「最終的なチップ厚」に、「ピッカー６」は「ピックアップニードル」に、「半導体」は「半導体装置」に、それぞれ、相当する。
　また、後者の「保護テープ４」は、ウェーハを接着して保持するものであることから、前者の「保持部材」に相当し、通常ダイシングラインはチップ間を仕切る平面格子状のストリートに沿って設けられることから、後者の「チップ間を仕切る平面格子状のストリート２に沿って」は、前者の「ダイシングラインに沿って」に相当し、後者の図１（ａ）〜（ｅ）で示された順次行われる作業の各々は、工程といいかえることができる。
　そうすると、両者は、
「ウェーハの主表面に半導体素子を形成する工程と、ダイシングラインに沿って上記ウェーハの主表面側から完成時のチップの厚さよりも深い溝を形成する工程と、上記ウェーハの主表面上に保持部材を貼り付ける工程と、上記ウェーハの裏面を上記完成時のチップの厚さまで研削して最終的なチップ厚を２００μｍ程度以下にし、ウェーハを個々のチップに分離する工程と、分離したチップをピックアップニードルを用いて、上記保持部材から剥離する工程とを具備する半導体装置の製造方法。」である点で一致し、次の点で相違している。
　相違点１：前者では、完成時のチップの厚さよりも少なくとも５μｍ深い溝を形成し、ウェーハの裏面を上記完成時のチップの厚さまで研削及び研磨するのに対して、後者では、完成時のチップの厚さよりも深い溝を形成するもののどの程度深い溝なのか不明であり、また、ウェーハの裏面を上記完成時のチップの厚さまで研削する点。
　相違点２：前者では、ピックアップニードルの先端の曲率半径が、０．３５ｍｍ以上であるのに対して、後者では、そのようにされていない点。
　相違点３：前者では、剥離したチップを外囲器に封止する工程を具備しているのに対して、後者では、そのような工程を具備していることについて明らかではない点。
　そこで、相違点１について検討すると、
　刊行物２に記載された技術事項の「分割予定境界線」は本願発明１の「ダイシングライン」に、以下同様に、「シリコン基板１」は「ウェーハ」に、「表面」は「主表面」に、「ペレット３」は「チップ」に、それぞれ相当することは明らかであり、また、刊行物２に記載された技術事項の「保護テープ５」は、本願発明１の「保持部材」に相当しているので、刊行物２には、
　ダイシングラインに沿ってウェーハの主表面側から完成時のチップの厚さよりも２０μｍ〜２５μｍ程度大きくなるよう深い溝を形成する工程と、上記ウェーハの主表面上に保持部材を貼り付ける工程と、上記ウェーハの裏面を上記完成時のチップの厚さまで研削して最終的なチップ厚を２００μｍにし、ウェーハを個々のチップに分離する工程とを具えたことが記載されていると認める。
　そして、刊行物１記載の発明と前記刊行物２に記載された技術事項とは、ウェーハの裏面研削によって、ウェーハに形成された溝を境に個々のチップに分割する際の割れの発生を防止する点で課題及び技術分野が共通しているので、刊行物１記載の発明に、前記刊行物２に記載された技術事項を採用することにより、本願発明１のように溝の深さを完成時のチップの厚さよりも少なくとも５μｍ深いものとすることは当業者が容易になし得たことである。また、研削に代えて研削及び研磨することは、必要により当業者が適宜なし得たことである。
　次に、相違点２及び３について検討すると、
　刊行物３に記載された技術事項の「半導体チップ６３」は本願発明１の「チップ」に、以下同様に、「インジェクターピン４６」は「ピックアップニードル」に、「半導体パッケージ６０」は「外囲器」に、それぞれ相当することは明らかであり、また、刊行物３に記載された技術事項の「接着テープ４２」は、本願発明１の「保持部材」に相当しているので、刊行物３には、
　分離したチップを先端の曲率半径が０．２０〜０．５０ｍｍのピックアップニードルを用いて、保持部材から剥離する工程と、剥離したチップを外囲器に封止する工程とを具備したことが記載されていると認める。
　そして、刊行物１記載の発明と刊行物３に記載された技術事項とは、分離した半導体チップをピックアップニードルを用いて、保持部材から剥離する点で技術分野が共通しているので、刊行物１記載の発明に刊行物３に記載された技術事項を適用して、相違点２及び３に関する本願発明１の構成のようになすことは、当業者が容易に想到し得たことである。
　また、本願発明１の奏する効果も、刊行物１記載の発明並びに刊行物２及び刊行物３に記載された各技術事項から予測できる程度のものであって格別なものでもない。
４．むすび
　以上のとおり、本願発明１は、刊行物１記載の発明並びに刊行物２及び刊行物３に記載された各技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、本願の請求項２ないし１０に係る発明について検討するまでもなく、結論のとおり審決する。