【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年12月11日(2013.12.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レシピに対してマスフローコントローラ（ＭＦＣ）制御スキームを確定する方法であって、前記ＭＦＣ制御スキームは、プラズマ処理システムの処理チャンバ内へのガス供給のタイムスケールを短縮するよう構成されており、
前記方法は、
前記レシピの実行中に利用され、目標供給タイムスケールよりも遅い１組の供給時間を有する１組の遅延ガス種を特定する工程と、
前記１組の遅延ガス種に含まれる各ガス種の初期オーバーシュート強度を確立する工程であって、前記初期オーバーシュート強度は、ＭＦＣ流量を増大させるための因子である、工程と、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の初期オーバーシュート持続時間を決定する工程であって、前記初期オーバーシュート持続時間は、前記初期オーバーシュート強度を前記ＭＦＣ流量に適用する持続時間である、工程と、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種のＭＦＣハードウェアを調整して前記レシピを実行することによって前記ＭＦＣ制御スキームを確立する工程であって、前記ＭＦＣハードウェアの調整は、前記ＭＦＣ制御スキームが、前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種に、前記処理チャンバの平衡圧の目標精度の範囲内にある圧力プロファイルを提供するか否かを判定するために、前記初期オーバーシュート強度を前記初期オーバーシュート持続時間にわたって適用することを含む工程と、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の前記圧力プロファイルが、前記処理チャンバの前記平衡圧の前記目標精度の範囲内にない場合に、前記初期オーバーシュート強度を調整する工程と、を備え、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の前記初期オーバーシュート持続時間は、調整されたＭＦＣ流量が前記ＭＦＣハードウェアの最大ＭＦＣ流量の所定の割合よりも大きい場合に修正され、
前記調整されたＭＦＣ流量は、前記初期オーバーシュート持続時間にわたって前記初期オーバーシュート強度によって修正された前記ＭＦＣ流量である、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、さらに、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の前記ＭＦＣ流量を特定する工程と、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種のタイムスケールを決定する工程と、を備え、
前記タイムスケールは、ガスラインの形状、前記各ガス種の質量、および、前記各ガス種の前記ＭＦＣ流量のうちの少なくとも１つの関数である、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記初期オーバーシュート持続時間は、前記ＭＦＣハードウェアの遅延応答時間と、前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種のタイムスケールと、の内の少なくとも一方の因子であり、
前記タイムスケールは、ガスラインの形状、前記各ガス種の質量、および、前記各ガス種の前記ＭＦＣ流量のうちの少なくとも１つの関数である、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記初期オーバーシュート強度は、前記初期オーバーシュート持続時間と、前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種のタイムスケールとの関数であり、
前記タイムスケールは、ガスラインの形状、前記各ガス種の質量、および、前記各ガス種の前記ＭＦＣ流量のうちの少なくとも１つの関数である、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記初期オーバーシュート強度が前記平衡圧の前記目標精度の範囲内にあり、前記調整されたＭＦＣ流量が、前記ＭＦＣハードウェアの前記最大ＭＦＣ流量の前記所定の割合よりも小さいときに、前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の最適オーバーシュート強度が決定される、方法。
【請求項６】
レシピに対してマスフローコントローラ（ＭＦＣ）制御スキームを確立する方法であって、前記ＭＦＣ制御スキームは、プラズマ処理システムの処理チャンバ内へのガス供給のタイムスケールを短縮するよう構成されており、
前記方法は、
前記レシピの実行中に利用され、目標供給タイムスケールよりも遅い１組の供給時間を有する１組の遅延ガス種を特定する工程と、
前記１組の遅延ガス種に含まれる各ガス種の初期オーバーシュート強度を確立する工程であって、前記初期オーバーシュート強度は、初期オーバーシュート持続時間中にＭＦＣ流量を増大させる第１の因子であり、前記初期オーバーシュート持続時間は、前記ＭＦＣ流量に前記初期オーバーシュート強度を適用するための第１の持続時間である、工程と、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の第２のオーバーシュート強度を確立する工程であって、前記第２のオーバーシュート強度は、第２のオーバーシュート持続時間中に前記ＭＦＣ流量を増大させる第２の因子であり、前記第２のオーバーシュート持続時間は、前記ＭＦＣ流量に前記第２のオーバーシュート強度を適用するための第２の持続時間である、工程と、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種のためのＭＦＣハードウェアを調整して前記レシピを実行することによって前記ＭＦＣ制御スキームを確立する工程と、
を備え、
前記ＭＦＣハードウェアの調整は、前記ＭＦＣ制御スキームが、前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種に、前記処理チャンバの平衡圧の目標精度の範囲内にある圧力プロファイルを提供するか否かを判定するために、前記初期オーバーシュート強度および前記第２のオーバーシュート強度を適用することを含む、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、さらに、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の前記ＭＦＣ流量を特定する工程と、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種のタイムスケールを決定する工程と、を備え、
前記タイムスケールは、ガスラインの形状、前記各ガス種の質量、および、前記各ガス種の前記ＭＦＣ流量の内の少なくとも１つの関数である、方法。
【請求項８】
請求項７の方法であって、
前記各ガス種の前記初期オーバーシュート強度は、前記ＭＦＣハードウェアの最大ＭＦＣ流量に設定される、方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、
前記各ガス種の前記初期オーバーシュート持続時間は、前記初期オーバーシュート強度および圧力上昇期間の因子であり、
前記圧力上昇期間は、前記各ガス種の圧力がキャリアガスの圧力と少なくとも同じになるために増大されている期間であり、前記キャリアガスは、前記各ガス種よりも高い流量で流れる、方法。
【請求項１０】
請求項９の方法であって、
前記第２のオーバーシュート持続時間は、前記ＭＦＣハードウェアの遅延応答時間の因子である、方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、
前記第２のオーバーシュート強度は、はじめに、前記初期オーバーシュート強度に設定され、
前記第２のオーバーシュート強度は、収集された経験的データを適用することによって調整され、
前記第２のオーバーシュート強度は、前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の前記圧力プロファイルが、前記処理チャンバの前記平衡圧の前記目標精度の範囲内にない場合に、調整される、方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の前記第２のオーバーシュート持続時間は、前記第２のオーバーシュート強度および前記第２のオーバーシュート持続時間に基づいて調整されたＭＦＣ流量が、前記ＭＦＣハードウェアの前記最大ＭＦＣ流量の所定の割合より大きい場合に、調整される、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、
前記第２のオーバーシュート強度が前記平衡圧の前記目標精度の範囲内にあり、前記調整されたＭＦＣ流量が、前記ＭＦＣハードウェアの前記最大ＭＦＣ流量の前記所定の割合よりも小さいときに、前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の最適オーバーシュート強度が決定される、方法。
【請求項１４】
レシピの実行中に、プラズマ処理システムの処理チャンバ内へのガス供給タイムスケールを短縮するための最適オーバーシュート強度を決定する方法であって、
前記レシピの前記実行中に利用され、目標供給タイムスケールよりも遅い１組の供給時間を有する１組の遅延ガス種を特定する工程と、
各ガス種の初期オーバーシュート強度を確立する工程であって、前記初期オーバーシュート強度は、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）流量を増大させるための因子である、工程と、
前記各ガス種の初期オーバーシュート持続時間を決定する工程であって、前記初期オーバーシュート持続時間は、前記初期オーバーシュート強度を前記各ガス種の前記ＭＦＣ流量に適用する持続時間である、工程と、
前記初期オーバーシュート持続時間にわたって前記初期オーバーシュート強度を適用することによって調整された前記各ガス種のＭＦＣ流量を用いて前記レシピを実行する工程と、
前記初期オーバーシュート強度が前記最適オーバーシュート強度であるか否かを判定するために、前記レシピの前記実行中に確立された前記各ガス種の圧力プロファイルを、前記処理チャンバの平衡圧の目標精度と比較する工程と、
前記各ガス種の前記圧力プロファイルが、前記処理チャンバの前記平衡圧の前記目標精度の範囲内にない場合に、前記初期オーバーシュート強度を調整する工程と、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の前記ＭＦＣ流量を特定する工程と、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種のタイムスケールを決定する工程と、を備え、
前記タイムスケールは、ガスラインの形状、前記各ガス種の質量、および、前記各ガス種の前記ＭＦＣ流量の内の少なくとも１つの関数であり、
前記初期オーバーシュート強度は、前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の前記初期オーバーシュート持続時間および前記タイムスケールの関数であり、
前記１組の遅延ガス種の前記各ガス種の前記初期オーバーシュート持続時間は、前記調整されたＭＦＣ流量がＭＦＣハードウェアの最大ＭＦＣ流量の所定の割合よりも大きい場合に、修正される、
方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、
前記初期オーバーシュート強度が前記平衡圧の前記目標精度の範囲内にあり、前記調整されたＭＦＣ流量が、前記ＭＦＣハードウェアの前記最大ＭＦＣ流量の前記所定の割合よりも小さいときに、前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の前記最適オーバーシュート強度が決定される、方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
上述の発明の概要は、本明細書に開示された本発明の多くの実施形態の内の１つのみに関するものであり、特許請求の範囲に記載される本発明の範囲を限定する意図はない。添付の図面を参照しつつ行う本発明の詳細な説明において、本発明の上述の特徴およびその他の特徴を詳述する。
本発明は、以下の適用例を含む。
［適用例１］
レシピに対してマスフローコントローラ（ＭＦＣ）制御スキームを確定する方法であって、前記ＭＦＣ制御スキームは、プラズマ処理システムの処理チャンバ内へのガス供給のタイムスケールを短縮するよう構成されており、
前記方法は、
前記レシピの実行中に利用され、目標供給タイムスケールよりも遅い１組の供給時間を有する１組の遅延ガス種を特定する工程と、
前記１組の遅延ガス種に含まれる各ガス種の初期オーバーシュート強度を確立する工程であって、前記初期オーバーシュート強度は、ＭＦＣ流量を増大させるための因子である、工程と、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の初期オーバーシュート持続時間を決定する工程であって、前記初期オーバーシュート持続時間は、前記初期オーバーシュート強度を前記ＭＦＣ流量に適用する持続時間である、工程と、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種のＭＦＣハードウェアを調整して前記レシピを実行することによって前記ＭＦＣ制御スキームを確立する工程であって、前記ＭＦＣハードウェアの調整は、前記ＭＦＣ制御スキームが、前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種に、前記処理チャンバの平衡圧の目標精度の範囲内にある圧力プロファイルを提供するか否かを判定するために、前記初期オーバーシュート強度を前記初期オーバーシュート持続時間にわたって適用することを含む工程と、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の前記圧力プロファイルが、前記処理チャンバの前記平衡圧の前記目標精度の範囲内にない場合に、前記初期オーバーシュート強度を調整する工程と、を備え、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の前記初期オーバーシュート持続時間は、調整されたＭＦＣ流量が前記ＭＦＣハードウェアの最大ＭＦＣ流量の所定の割合よりも大きい場合に修正され、
前記調整されたＭＦＣ流量は、前記初期オーバーシュート持続時間にわたって前記初期オーバーシュート強度によって修正された前記ＭＦＣ流量である、方法。
［適用例２］
適用例１に記載の方法であって、さらに、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の前記ＭＦＣ流量を特定する工程と、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種のタイムスケールを決定する工程と、を備え、
前記タイムスケールは、ガスラインの形状、前記各ガス種の質量、および、前記各ガス種の前記ＭＦＣ流量のうちの少なくとも１つの関数である、方法。
［適用例３］
適用例１に記載の方法であって、
前記初期オーバーシュート持続時間は、前記ＭＦＣハードウェアの遅延応答時間と、前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種のタイムスケールと、の内の少なくとも一方の因子であり、
前記タイムスケールは、ガスラインの形状、前記各ガス種の質量、および、前記各ガス種の前記ＭＦＣ流量のうちの少なくとも１つの関数である、方法。
［適用例４］
適用例１に記載の方法であって、
前記初期オーバーシュート強度は、前記初期オーバーシュート持続時間と、前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種のタイムスケールとの関数であり、
前記タイムスケールは、ガスラインの形状、前記各ガス種の質量、および、前記各ガス種の前記ＭＦＣ流量のうちの少なくとも１つの関数である、方法。
［適用例５］
適用例１に記載の方法であって、
前記初期オーバーシュート強度が前記平衡圧の前記目標精度の範囲内にあり、前記調整されたＭＦＣ流量が、前記ＭＦＣハードウェアの前記最大ＭＦＣ流量の前記所定の割合よりも小さいときに、前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の最適オーバーシュート強度が決定される、方法。
［適用例６］
レシピに対してマスフローコントローラ（ＭＦＣ）制御スキームを確立する方法であって、前記ＭＦＣ制御スキームは、プラズマ処理システムの処理チャンバ内へのガス供給のタイムスケールを短縮するよう構成されており、
前記方法は、
前記レシピの実行中に利用され、目標供給タイムスケールよりも遅い１組の供給時間を有する１組の遅延ガス種を特定する工程と、
前記１組の遅延ガス種に含まれる各ガス種の初期オーバーシュート強度を確立する工程であって、前記初期オーバーシュート強度は、初期オーバーシュート持続時間中にＭＦＣ流量を増大させる第１の因子であり、前記初期オーバーシュート持続時間は、前記ＭＦＣ流量に前記初期オーバーシュート強度を適用するための第１の持続時間である、工程と、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の第２のオーバーシュート強度を確立する工程であって、前記第２のオーバーシュート強度は、第２のオーバーシュート持続時間中に前記ＭＦＣ流量を増大させる第２の因子であり、前記第２のオーバーシュート持続時間は、前記ＭＦＣ流量に前記第２のオーバーシュート強度を適用するための第２の持続時間である、工程と、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種のためのＭＦＣハードウェアを調整して前記レシピを実行することによって前記ＭＦＣ制御スキームを確立する工程と、
を備え、
前記ＭＦＣハードウェアの調整は、前記ＭＦＣ制御スキームが、前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種に、前記処理チャンバの平衡圧の目標精度の範囲内にある圧力プロファイルを提供するか否かを判定するために、前記初期オーバーシュート強度および前記第２のオーバーシュート強度を適用することを含む、方法。
［適用例７］
適用例６に記載の方法であって、さらに、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の前記ＭＦＣ流量を特定する工程と、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種のタイムスケールを決定する工程と、を備え、
前記タイムスケールは、ガスラインの形状、前記各ガス種の質量、および、前記各ガス種の前記ＭＦＣ流量の内の少なくとも１つの関数である、方法。
［適用例８］
適用例７の方法であって、
前記各ガス種の前記初期オーバーシュート強度は、前記ＭＦＣハードウェアの最大ＭＦＣ流量に設定される、方法。
［適用例９］
適用例８に記載の方法であって、
前記各ガス種の前記初期オーバーシュート持続時間は、前記初期オーバーシュート強度および圧力上昇期間の因子であり、
前記圧力上昇期間は、前記各ガス種の圧力がキャリアガスの圧力と少なくとも同じになるために増大されている期間であり、前記キャリアガスは、前記各ガス種よりも高い流量で流れる、方法。
［適用例１０］
適用例９の方法であって、
前記第２のオーバーシュート持続時間は、前記ＭＦＣハードウェアの遅延応答時間の因子である、方法。
［適用例１１］
適用例１０に記載の方法であって、
前記第２のオーバーシュート強度は、はじめに、前記初期オーバーシュート強度に設定され、
前記第２のオーバーシュート強度は、収集された経験的データを適用することによって調整され、
前記第２のオーバーシュート強度は、前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の前記圧力プロファイルが、前記処理チャンバの前記平衡圧の前記目標精度の範囲内にない場合に、調整される、方法。
［適用例１２］
適用例１１に記載の方法であって、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の前記第２のオーバーシュート持続時間は、前記第２のオーバーシュート強度および前記第２のオーバーシュート持続時間に基づいて調整されたＭＦＣ流量が、前記ＭＦＣハードウェアの前記最大ＭＦＣ流量の所定の割合より大きい場合に、調整される、方法。
［適用例１３］
適用例１２に記載の方法であって、
前記第２のオーバーシュート強度が前記平衡圧の前記目標精度の範囲内にあり、前記調整されたＭＦＣ流量が、前記ＭＦＣハードウェアの前記最大ＭＦＣ流量の前記所定の割合よりも小さいときに、前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の最適オーバーシュート強度が決定される、方法。
［適用例１４］
レシピの実行中に、プラズマ処理システムの処理チャンバ内へのガス供給タイムスケールを短縮するための最適オーバーシュート強度を決定する方法であって、
前記レシピの前記実行中に利用され、目標供給タイムスケールよりも遅い１組の供給時間を有する１組の遅延ガス種を特定する工程と、
各ガス種の初期オーバーシュート強度を確立する工程であって、前記初期オーバーシュート強度は、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）流量を増大させるための因子である、工程と、
前記各ガス種の初期オーバーシュート持続時間を決定する工程であって、前記初期オーバーシュート持続時間は、前記初期オーバーシュート強度を前記各ガス種の前記ＭＦＣ流量に適用する持続時間である、工程と、
前記初期オーバーシュート持続時間にわたって前記初期オーバーシュート強度を適用することによって調整された前記各ガス種のＭＦＣ流量を用いて前記レシピを実行する工程と、
前記初期オーバーシュート強度が前記最適オーバーシュート強度であるか否かを判定するために、前記レシピの前記実行中に確立された前記各ガス種の圧力プロファイルを、前記処理チャンバの平衡圧の目標精度と比較する工程と、
前記各ガス種の前記圧力プロファイルが、前記処理チャンバの前記平衡圧の前記目標精度の範囲内にない場合に、前記初期オーバーシュート強度を調整する工程と、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の前記ＭＦＣ流量を特定する工程と、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種のタイムスケールを決定する工程と、を備え、
前記タイムスケールは、ガスラインの形状、前記各ガス種の質量、および、前記各ガス種の前記ＭＦＣ流量の内の少なくとも１つの関数であり、
前記初期オーバーシュート強度は、前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の前記初期オーバーシュート持続時間および前記タイムスケールの関数であり、
前記１組の遅延ガス種の前記各ガス種の前記初期オーバーシュート持続時間は、前記調整されたＭＦＣ流量がＭＦＣハードウェアの最大ＭＦＣ流量の所定の割合よりも大きい場合に、修正される、
方法。
［適用例１５］
適用例１４に記載の方法であって、
前記初期オーバーシュート強度が前記平衡圧の前記目標精度の範囲内にあり、前記調整されたＭＦＣ流量が、前記ＭＦＣハードウェアの前記最大ＭＦＣ流量の前記所定の割合よりも小さいときに、前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の前記最適オーバーシュート強度が決定される、方法。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６３】
図３は、本発明の一実施形態に従って、いくつかのオーバーシュート強度（α）を示した簡単なグラフである。例えば、平衡圧が１．００に設定されている状況を考える。一実施形態において、オーバーシュート強度（α）は、チャンバ圧力が所定の目標期間で目標精度（すなわち、１％）の範囲内になった場合、最適であるとみなされる。この例において、オーバーシュート持続時間が１秒間であり、所定の目標期間がオーバーシュート持続時間の２倍（すなわち、２秒間）であるとする。図からわかるように、圧力は、目標時間（２秒間）に目標精度の範囲内で設定圧力（１．００）に到達するため、２．５２のオーバーシュート強度（α）（曲線３０２）は、最適であるとみなされる。結果として、目標圧力精度は、ガスの圧力プロファイルが、設定圧力点にごく接近した範囲内にあり、所定の期間の前に平衡に達するように設定される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８６】
また、発明の名称および発明の概要は、便宜上、本明細書で提供されているものであり、特許請求の範囲を解釈するために用いられるべきものではない。さらに、要約書は、非常に簡潔に書かれており、便宜上、提供されているものであるため、特許請求の範囲に記載された発明全体を解釈または限定するために用いられるべきではない。「セット（組）」という用語が用いられている場合には、かかる用語は、一般的に理解される数学的な意味を持ち、０、１、または、２以上の要素を網羅するよう意図されている。また、本発明の方法および装置を実施する他の態様が数多く存在することにも注意されたい。したがって、以下に示す特許請求の範囲は、本発明の真の趣旨および範囲内に含まれる代替物、置換物、および、等価物の全てを網羅するものとして解釈される。
本発明は、次の態様を含む。
［他の態様１］
レシピに対してマスフローコントローラ（ＭＦＣ）制御スキームを確定する方法であって、前記ＭＦＣ制御スキームは、プラズマ処理システムの処理チャンバ内へのガス供給のタイムスケールを短縮するよう構成されており、
前記方法は、
前記レシピの実行中に利用され、目標供給タイムスケールよりも遅い１組の供給時間を有する１組の遅延ガス種を特定する工程と、
前記１組の遅延ガス種に含まれる各ガス種の初期オーバーシュート強度を確立する工程であって、前記初期オーバーシュート強度は、ＭＦＣ流量を増大させるための因子である、工程と、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の初期オーバーシュート持続時間を決定する工程であって、前記初期オーバーシュート持続時間は、前記初期オーバーシュート強度を前記ＭＦＣ流量に適用する持続時間である、工程と、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種のＭＦＣハードウェアを調整して前記レシピを実行することによって前記ＭＦＣ制御スキームを確立する工程と、を備え、
前記ＭＦＣハードウェアの調整は、前記ＭＦＣ制御スキームが、前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種に、前記処理チャンバの平衡圧の目標精度の範囲内にある圧力プロファイルを提供するか否かを判定するために、前記初期オーバーシュート強度を前記初期オーバーシュート持続時間にわたって適用することを含む、方法。
［他の態様２］
他の態様１に記載の方法であって、さらに、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の前記ＭＦＣ流量を特定する工程と、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種のタイムスケールを決定する工程と、を備え、
前記タイムスケールは、ガスラインの形状、前記各ガス種の質量、および、前記各ガス種の前記ＭＦＣ流量のうちの少なくとも１つの関数である、方法。
［他の態様３］
他の態様１に記載の方法であって、
前記初期オーバーシュート持続時間は、前記ＭＦＣハードウェアの遅延応答時間と、前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種のタイムスケールと、の内の少なくとも一方の因子であり、
前記タイムスケールは、ガスラインの形状、前記各ガス種の質量、および、前記各ガス種の前記ＭＦＣ流量のうちの少なくとも１つの関数である、方法。
［他の態様４］
他の態様１に記載の方法であって、
前記初期オーバーシュート強度は、前記初期オーバーシュート持続時間と、前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種のタイムスケールとの関数であり、
前記タイムスケールは、ガスラインの形状、前記各ガス種の質量、および、前記各ガス種の前記ＭＦＣ流量のうちの少なくとも１つの関数である、方法。
［他の態様５］
他の態様１に記載の方法であって、さらに、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の前記圧力プロファイルが、前記処理チャンバの前記平衡圧の前記目標精度の範囲内にない場合に、前記初期オーバーシュート強度を調整する工程を備える、方法。
［他の態様６］
他の態様５に記載の方法であって、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の前記初期オーバーシュート持続時間は、調整されたＭＦＣ流量が前記ＭＦＣハードウェアの最大ＭＦＣ流量の所定の割合よりも大きい場合に修正され、
前記調整されたＭＦＣ流量は、前記初期オーバーシュート持続時間にわたって前記初期オーバーシュート強度によって修正された前記ＭＦＣ流量である、方法。
［他の態様７］
他の態様６に記載の方法であって、
前記初期オーバーシュート強度が前記平衡圧の前記目標精度の範囲内にあり、前記調整されたＭＦＣ流量が、前記ＭＦＣハードウェアの前記最大ＭＦＣ流量の前記所定の割合よりも小さいときに、前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の最適オーバーシュート強度が決定される、方法。
［他の態様８］
レシピに対してマスフローコントローラ（ＭＦＣ）制御スキームを確立する方法であって、前記ＭＦＣ制御スキームは、プラズマ処理システムの処理チャンバ内へのガス供給のタイムスケールを短縮するよう構成されており、
前記方法は、
前記レシピの実行中に利用され、目標供給タイムスケールよりも遅い１組の供給時間を有する１組の遅延ガス種を特定する工程と、
前記１組の遅延ガス種に含まれる各ガス種の初期オーバーシュート強度を確立する工程であって、前記初期オーバーシュート強度は、初期オーバーシュート持続時間中にＭＦＣ流量を増大させる第１の因子であり、前記初期オーバーシュート持続時間は、前記ＭＦＣ流量に前記初期オーバーシュート強度を適用するための第１の持続時間である、工程と、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の第２のオーバーシュート強度を確立する工程であって、前記第２のオーバーシュート強度は、第２のオーバーシュート持続時間中に前記ＭＦＣ流量を増大させる第２の因子であり、前記第２のオーバーシュート持続時間は、前記ＭＦＣ流量に前記第２のオーバーシュート強度を適用するための第２の持続時間である、工程と、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種のためのＭＦＣハードウェアを調整して前記レシピを実行することによって前記ＭＦＣ制御スキームを確立する工程と、
を備え、
前記ＭＦＣハードウェアの調整は、前記ＭＦＣ制御スキームが、前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種に、前記処理チャンバの平衡圧の目標精度の範囲内にある圧力プロファイルを提供するか否かを判定するために、前記初期オーバーシュート強度および前記第２のオーバーシュート強度を適用することを含む、方法。
［他の態様９］
他の態様８に記載の方法であって、さらに、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の前記ＭＦＣ流量を特定する工程と、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種のタイムスケールを決定する工程と、を備え、
前記タイムスケールは、ガスラインの形状、前記各ガス種の質量、および、前記各ガス種の前記ＭＦＣ流量の内の少なくとも１つの関数である、方法。
［他の態様１０］
他の態様９の方法であって、
前記各ガス種の前記初期オーバーシュート強度は、前記ＭＦＣハードウェアの最大ＭＦＣ流量に設定される、方法。
［他の態様１１］
他の態様１０に記載の方法であって、
前記各ガス種の前記初期オーバーシュート持続時間は、前記初期オーバーシュート強度および圧力上昇期間の因子であり、
前記圧力上昇期間は、前記各ガス種の圧力がキャリアガスの圧力と少なくとも同じになるために増大されている期間であり、前記キャリアガスは、前記各ガス種よりも高い流量で流れる、方法。
［他の態様１２］
他の態様１１の方法であって、
前記第２のオーバーシュート持続時間は、前記ＭＦＣハードウェアの遅延応答時間の因子である、方法。
［他の態様１３］
他の態様１２に記載の方法であって、
前記第２のオーバーシュート強度は、前記初期オーバーシュート強度に設定され、
前記第２のオーバーシュート強度は、収集された経験的データを適用することによって調整され、
前記第２のオーバーシュート強度は、前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の前記圧力プロファイルが、前記処理チャンバの前記平衡圧の前記目標精度の範囲内にない場合に、調整される、方法。
［他の態様１４］
他の態様１３に記載の方法であって、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の前記第２のオーバーシュート持続時間は、前記第２のオーバーシュート強度および前記第２のオーバーシュート持続時間に基づいて調整されたＭＦＣ流量が、前記ＭＦＣハードウェアの前記最大ＭＦＣ流量の所定の割合より大きい場合に、調整される、方法。
［他の態様１５］
他の態様１４に記載の方法であって、
前記第２のオーバーシュート強度が前記平衡圧の前記目標精度の範囲内にあり、前記調整されたＭＦＣ流量が、前記ＭＦＣハードウェアの前記最大ＭＦＣ流量の前記所定の割合よりも小さいときに、前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の最適オーバーシュート強度が決定される、方法。
［他の態様１６］
レシピの実行中に、プラズマ処理システムの処理チャンバ内へのガス供給タイムスケールを短縮するための最適オーバーシュート強度を決定する方法であって、
前記レシピの前記実行中に利用され、目標供給タイムスケールよりも遅い１組の供給時間を有する１組の遅延ガス種を特定する工程と、
各ガス種の初期オーバーシュート強度を確立する工程であって、前記初期オーバーシュート強度は、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）流量を増大させるための因子である、工程と、
前記各ガス種の初期オーバーシュート持続時間を決定する工程であって、前記初期オーバーシュート持続時間は、前記初期オーバーシュート強度を前記各ガス種の前記ＭＦＣ流量に適用する持続時間である、工程と、
前記初期オーバーシュート持続時間にわたって前記初期オーバーシュート強度を適用することによって調整された前記各ガス種のＭＦＣ流量を用いて前記レシピを実行する工程と、
前記初期オーバーシュート強度が前記最適オーバーシュート強度であるか否かを判定するために、前記レシピの前記実行中に確立された前記各ガス種の圧力プロファイルを、前記処理チャンバの平衡圧の目標精度と比較する工程と、
前記各ガス種の前記圧力プロファイルが、前記処理チャンバの前記平衡圧の前記目標精度の範囲内にない場合に、前記初期オーバーシュート強度を調整する工程と、を備える、方法。
［他の態様１７］
他の態様１６に記載の方法であって、さらに、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の前記ＭＦＣ流量を特定する工程と、
前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種のタイムスケールを決定する工程と、を備え、
前記タイムスケールは、ガスラインの形状、前記各ガス種の質量、および、前記各ガス種の前記ＭＦＣ流量の内の少なくとも１つの関数である、方法。
［他の態様１８］
他の態様１７に記載の方法であって、
前記初期オーバーシュート強度は、前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の前記初期オーバーシュート持続時間および前記タイムスケールの関数である、方法。
［他の態様１９］
他の態様１８に記載の方法であって、
前記１組の遅延ガス種の前記各ガス種の前記初期オーバーシュート持続時間は、前記調整されたＭＦＣ流量がＭＦＣハードウェアの最大ＭＦＣ流量の所定の割合よりも大きい場合に、修正される、方法。
［他の態様２０］
他の態様１９に記載の方法であって、
前記初期オーバーシュート強度が前記平衡圧の前記目標精度の範囲内にあり、前記調整されたＭＦＣ流量が、前記ＭＦＣハードウェアの前記最大ＭＦＣ流量の前記所定の割合よりも小さいときに、前記１組の遅延ガス種に含まれる前記各ガス種の前記最適オーバーシュート強度が決定される、方法。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図３】
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