【事件の表示】
　平成１０年特許願第　１１７０４号「クロム−チタンのシード層を有する薄膜磁気ディスクおよびディスク・ドライブ」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年　８月１１日出願公開、特開平１０−２１４４１２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年１月２３日（パリ条約による優先権主張１９９７年１月３０日、米国）の出願であって、平成１３年６月１日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月１５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成１３年８月１５日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１３年８月１５日付の手続補正を却下する。
［理由］
　平成１３年８月１５日付け手続補正（以下、「本補正」という。）は、補正後の特許請求の範囲の請求項１において、「磁気層の平均粒子サイズが２０３Å以下である」との技術事項を追加する補正を含むものである。
　しかしながら、該技術事項については、出願当初の明細書又は図面には記載はないし、出願当初の明細書又は図面の記載から自明なものとして導き出されるものでもないから、本補正は新規事項の追加となる。
　なお、審判請求理由を検討しても、該技術事項の追加について何らの釈明もなされていないし、また、誤訳訂正書の提出もない。
　したがって、本補正は、特許法第１７条の２第３項に違反するので、同法第１５９条第１項の規定で準用する同法第５３条第１項により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１３年８月１５日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願請求項１〜１２に係る発明の内本願請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１３年５月１０日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものである。
　「基板、下層、磁気層および主としてクロムおよびチタンを含むシード層を有する薄膜磁気ディスクであって、前記シード層が５〜４５原子％のチタンを含む、前記薄膜磁気ディスク。」
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平７−７３４４１号公報（以下、「引用例」という。）には、
　（i）「非磁性基板の表面側に非磁性下地層、一軸結晶磁気異方性を有するＣｏ合金からなる磁性層が同順序で積層成膜された金属薄膜型磁気記録媒体において、前記基板の上にアモルファス状のＣｒ合金又はＶ合金からなるシード層が形成され、該シード層の上に非磁性下地層が積層されている金属薄膜型磁気記録媒体。」（特許請求の範囲の請求項３参照）、及び、
　（ii）「【従来の技術】　近年、磁気記録媒体の高密度記録化に伴って、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＴａ等の一軸結晶磁気異方性を有するＣｏ合金からなる磁性層を非磁性基板上にＣｒ下地層を介して積層成膜した金属薄膜型磁気記録媒体が用いられている。　　従来、非磁性基板として、・・・（略）・・・。　一方、Ｃｒ下地層は、該下地層を構成するＣｒの結晶構造が、その上に成膜されるＣｏ合金磁性層の磁気異方性を示す結晶軸（Ｃ軸）を面内配向させるように作用し、保磁力を向上させる作用を有する。　　最近、ハードディスク装置の小型化と大容量化に拍車がかかり、それに応じた磁気記録媒体の開発が求められている。磁気記録媒体の高密度記録化が進むと、記録ビットサイズが小さくなるために、磁気ヘッドの浮上量をできるだけ小さくして読み出し出力を上げなければならない。そのためには磁性層が成膜される非磁性基板の平滑化を促進して、ヘッドの低浮上化を図る必要がある。」（段落【０００２】〜【０００３】参照）こと、
　（iii）「シード層をアモルファス状非磁性合金の内、特にＣｒ合金、Ｖ合金により形成した場合、酸素を付加しなくても、従来に比して十分に高い保磁力が得られる。その理由は、シード層がアモルファス状組織であることに起因する下地層、磁性層の結晶微細化作用の他、下地層、磁性層の結晶配向がより保磁力の向上する構造になるためと考えられる。すなわち、シード層をアモルファス状のＣｒ合金あるいはＶ合金で形成することにより、その上に成膜される下地層を形成するＣｒもしくはＣｒ合金の結晶が主として（２１１）に配向する。このため、該下地層の上に成膜される磁性層を形成するＣｏ合金の結晶が主として（１００）配向するようになり、これに起因して、保磁力が向上するものと思われる。尚、この結晶配向の変化は、酸素を含有したＣｒ、Ｖ、Ｃｒ合金あるいはＶ合金についても成り立つ。」（段落【００１１】参照）こと、
　（iv）「前記アモルファス状合金として以下のものを例示することができる。Ｃｒ合金としては・・・ＣｒＴｉ（Ｔｉ：４０〜６０ａｔ％）を例示することができ、・・・これらの合金の内、Ｃｒ合金、Ｖ合金については、酸素を含有あるいは結合させなくても、比較的高い保磁力が得られる。・・・」（段落【００１５】参照）こと、が記載されている。
　
　これらの記載からすると、引用例には、「非磁性基板、非磁性下地層、磁性層および主としてクロムおよびチタンを含むシード層を有する金属薄膜型磁気記録媒体であって、前記シード層がＣｒＴｉ（Ｔｉ：４０〜６０ａｔ％）のＣｒ合金である、前記金属薄膜型磁気記録媒体。」の発明が記載されているものと認められる。
　
（３）対比、判断
　本願発明と引用例に記載された発明とを対比する。
　引用例に記載された発明の金属薄膜型磁気記録媒体としては、従来技術の説明（前記摘示（ii）参照）にハードディスク装置に関してのものとされていること及び技術常識を勘案すれば、磁気ディスクが対象とされていることが明らかであるから、引用例に記載された発明の「金属薄膜型磁気記録媒体」は、本願発明の「薄膜磁気ディスク」に相当する。　そして、引用例に記載された発明の「非磁性下地層」と「磁性層」は、それぞれ本願発明の「下層」と「磁気層」に相当する。
　よって、両発明は、「基板、下層、磁気層および主としてクロムおよびチタンを含むシード層を有する薄膜磁気ディスク。」で一致し、該シード層に関して、本願発明では「シード層が５〜４５原子％のチタンを含む」と規定されているのに対し、引用例に記載された発明では、「シード層がＣｒＴｉ（Ｔｉ：４０〜６０ａｔ％）のＣｒ合金」とされている点で一応相違する。
　
　そこで、この一応の相違点について検討する。
　本願発明のシード層のＴｉの含有量の５〜４５原子％は、引用例の４０〜６０原子（ａｔ）％と４０〜４５原子％で重複している。　しかも、本願明細書を検討しても、Ｔｉの含有量を５〜４５原子％としての規定は、「Ｔｉの比率は５原子％より大きくなければならず、一般に磁気記録媒体の記録性能は、Ｔｉの比率の増加に伴い改善する。」ものと説明されているところ（この観点からは、引用例の４０〜６０原子％は条件を満たしている。）、Ｔｉの含有量を上限を４５原子％と規定した記載及びＣｒ５７Ｔｉ４３の実施例があるけれども、その４５原子％を上限とする臨界的な理由は説明されておらず、Ｔｉの含有量が４５原子％までと４５原子％を越える場合に作用効果において格別の差異が生じることは記載されていないし、生じる理由も記載されていない。
　そうであるから、Ｔｉの含有量の上限を単に４５原子％と規定することは単なる所望にすぎず、当業者に格別の創意工夫が必要とされるものではない。　そして、本願発明と引用例に記載された発明とは、少なくともＴｉの含有量が４０〜４５原子％の一致する範囲で作用効果上に格別差異が生じる理由もない。
　なお、平成１３年５月１０日付け意見書において、本願発明のシード層には酸素などの他の元素を含んでいない点、また、平成１３年８月１５日付け審判請求理由において、本願請求項に記載の「シード層が、引用文献１（注：引用例のこと）に記載の発明の必須要件である「酸素」を含んでいないことは明白であり、」との点を理由として、本願発明が引用例からは当業者が容易に発明をすることができたものでない旨を主張しているけれども、前記摘示（iv）の記載から明らかなように、引用例記載の発明でも酸素を含有させなくても良い旨明示されているから、上記の主張は構成の差異に基づかないものであり採用できるものではない。　また、同意見書において、「本発明の如く低チタン濃度のシード層ではＣｒＴｉ合金は体心立方構造（ＢＣＣ）となりますので、引用文献１に記載の記録媒体のアモルファスシード層とは明らかに構造が異なります。」と主張しているけれども、そのような結晶構造は本願発明では特定されないものであり、かつ少なくともＴｉ含有量が４０〜４５原子％を含有する範囲でチタン濃度が同じであるため構造が異なる理由とはなり得ないものと認められるから、該主張も採用できない。
　
　よって、シード層のＴｉの含有量を、４０〜４５原子％を含む本願発明５〜４５原子％の範囲に規定することは、当業者が容易になし得ることといえる。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。