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　平成１１年特許願第１１１７１９号「電荷転送装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１１月　２日出願公開、特開２０００−３０７０９９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．出願の経緯・本願発明
　本願は、平成１１年４月２０日の出願であって、平成１４年４月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月１６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年６月７日付けで手続補正がなされたものである。そして、本願の請求項１及び請求項２に係る発明は、平成１４年６月７日付けの手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び請求項２に記載された事項により特定されるとおりの「電荷転送装置の製造方法」であると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりである。
　「電荷転送チャネル上に第１の酸化シリコン膜を形成する工程と、前記第１の酸化シリコン膜上に窒化シリコン膜を形成する工程と、前記窒化シリコン膜上に第２の酸化シリコン膜を形成することにより多層膜を形成する工程と、前記第２の酸化シリコン膜上に第１層目のポリシリコン膜からなる第１の電荷転送電極を形成する工程と、出力電極とリセット電極とが形成される領域の少なくとも第２の酸化シリコン膜と窒化シリコン膜とを除去する工程と、少なくとも前記領域に前記多層膜よりも膜厚の大きい第３の酸化シリコン膜を形成する工程と、その後、前記第３の酸化シリコン膜上に第２層目のポリシリコン膜からなる出力電極とリセット電極とを形成する工程を有することを特徴とする電荷転送装置の製造方法。」
　
２．引用例
　これに対して、拒絶の理由に引用された、本願の出願前の平成１年７月２５日に頒布された刊行物である特開平１−１８５９７０号公報（以下「引用例１」という。）には、第１図、第２図及び第３図とともに、次のとおり記載されている。
・「（３）基板上に酸化膜及び窒化膜を積層し、電荷転送部となる領域に第１の電極層を形成する工程と、上記第１の電極層をマスクの一部として上記窒化膜を選択的に除去し、電荷転送用電極が形成される領域のみに上記窒化膜を残す工程と、第２の電極層を形成することにより、電荷転送用電極の一部、周辺回路部のゲート電極および浮遊拡散領域に隣接する電極を形成する工程とを有することを特徴とする電荷転送装置の製造方法。」（特許請求の範囲請求項３）
・「上記浮遊拡散領域に隣接する電極をＭＯＳ構造とすることで、ゲート絶縁膜に窒化膜が存在しないため、電荷のトラップ等の現象が抑えられ、閾値電圧Ｖｔｈの変動等が小さくなる。また、電荷転送用電極の一部を構成する第１の電荷層をマスクの一部とすることにより、電荷転送用電極が形成される領域のみに窒化膜が残存し、第２の電極層を形成することで、浮遊拡散領域に隣接する電極及び周辺回路部のゲート電極は、窒化膜のない領域に形成されてＭＯＳ構造となる。」（第２頁右下欄第１４行〜第３頁左上欄第４行）
・「第２の実施例
　本実施例は、上述の電荷転送装置を製造する方法にかかるものである。以下、その製造工程に従って、第３図ａ〜第３図ｅを参照しながら説明する。
（ａ）まず、第３図ａに示すように、Ｐ型のシリコン基板である基板３１ａ，３１ｂ上に酸化膜３２を形成する。ここで、基板３１ａ，３１ｂは同一基板を分けて示したものであり、最終的に基板３１ａ側が電荷転送部として機能し、基板３１ｂ側が周辺回路部として機能する。上記酸化膜３２上には窒化膜３３が形成される。この窒化膜３３上には所謂ナイトライド酸化によって酸化膜３４が形成される。なお、基板３１ａ側には、電荷転送用電極が形成される領域に亘り高濃度に不純物が導入され、Ｎ+型の不純物領域４０が形成される。このＮ+型の不純物領域４０は、電荷転送のポテンシャル（ストレージ部分）を形成する。
　このように、全面が酸化膜３２，窒化膜３３，酸化膜３４の積層構造とされたところで、さらに全面に例えば多結晶シリコン層からなる第１の電極層を形成し、その第１の電極層をパターニングして第１電荷転送用電極３５，３５ｆを得る。
（ｂ）第１電荷転送用電極３５，３５ｆを形成した後、第３図ｂに示すように、レジスト層３６を選択的に形成する。レジスト層３６の端部は終端部の第１電荷転送用電極３５ｆの上部にすることができ、このようにすることで、その第１電荷転送用電極３５ｆがマスクの一部として機能し、該第１電荷転送用電極３５ｆとセルフアラインでの窒化膜３３の除去が可能となる。
　次に、選択的な酸化膜３４及び窒化膜３３の除去を行う。そのマスクは上記レジスト層３６及び上記露出した部分の第１電荷転送用電極３５ｆである。従って、その第１電荷転送用電極３５ｆの終端側から整合的に窒化膜３３及び酸化膜３４が除去されることになる。また、このとき同時に、周辺回路部となる基板３１ｂ上でも窒化膜３３及び酸化膜３４が除去され、最終的にはＭＯＳ構造をとることができる。
（ｃ）次に、第３図ｃに示すように、第１電荷転送電極３５，３５ｆ間の領域に、所要のイオン注入を行う。すなわち、初めに全面にレジスト層３７が形成され、第２電荷転送電極が形成される領域で該レジスト層３７が開口される。その開口部の端部は上述のレジスト層３６と同様に第１電荷転送用電極３５ｆの上部とすることができる。そして、Ｐ型の不純物（例えば、Ｂ+，ＢＦ２+等）を用いて、イオン注入を行う。すると、上記第１電荷転送電極３５，３５ｆ間の領域にセルフアラインで、上記不純物が打ち込まれることになり、第１電荷転送電極３５，３５ｆ間の領域では、不純物領域４０のＮ+型の導電型が多少打ち消されてＮ−型の不純物領域４１となる。このＮ−型の不純物領域４１は、不純物領域４０に隣接して電荷転送のポテンシャル（トランスファ部分）を形成することになる。
（ｄ）上記レジスト層３７の除去後、全面に第２の電極層を形成し、その電極層をパターニングして第３図ｄに示すような各電極を得る。パターン形成される各電極は、第２電荷転送用電極４２，出力ゲート３８，プリチャージゲート３９および周辺回路のゲート電極４３である。第２電荷転送用電極４２は、各第１電荷転送用電極３５，３５ｆの間の酸化膜３５上に接し、マージン確保のためにその一部が該第１電荷転送用電極３５，３５ｆの端部に重複するように形成される。なお、図中層間絶縁膜は省略している。出力ゲート３８は、上記電荷転送用電極の終端部に位置する第１電荷転送用電極３５ｆに隣接して形成され、窒化膜３３は上記第１電荷転送用電極３５ｆの端部までしか形成されていないために、主に出力ゲート３８は酸化膜３２上に形成されてＭＯＳ構造となる。プリチャージゲート３９は、上記出力ゲート３８から所定の間隔をあけて配置され、直接酸化膜３２上に形成されることから、同様にＭＯＳ構造となる。そして、周辺回路のゲート電極４３は、基板３１ｂ上の酸化膜３２上に形成されるため、同様にＭＯＳ構造をとることになる。
（ｅ）このように第２の電極層を形成したところで、第３図ｅに示すように、イオン注入を行う。このイオン注入では、リン，砒素等のＮ型不純物を打ち込む。すると、上記出力ゲート３８に隣接し、且つ上記プリチャージゲート３９に隣接して浮遊拡散領域窒化膜４４が形成され、さらにリセット用の不純物領域４５がプリチャージゲート３９に隣接して形成される。また、周辺回路部ではゲート電極４３に隣接してソース・ドレイン領域４６が形成される。以後、所定の配線等を施して電荷転送装置を完成する。
　本実施例の電荷転送装置の製造方法では、浮遊拡散領域に隣接する電極としての出力ゲートやプリチャージゲートがＭＯＳ構造とされる電荷転送装置を容易に製造することができ、特に終端部の第１電荷転送用電極３５ｆを用いて、セルフアラインで窒化膜３３を除去することができ、閾値電圧Ｖｔｈ等の変動を十分に抑えることができる。また、窒化膜の除去工程は１度であり、周辺回路の電極等も第２の電極層などを用いて形成することができ、その工程が簡略化されたものとなる。」（第４頁右上欄第６行〜第５頁左下欄第６行）」
　
　これらの記載より、引用例１には、
　「Ｎ＋型の不純物領域４０を含むＰ型シリコン基板３１ａ、３１ｂ上に酸化膜３２を形成する工程と、前記酸化膜３２上に窒化膜３３を形成する工程と、前記窒化膜３３上に酸化膜３４を形成する工程と、前記酸化膜３４上に多結晶シリコン層からなる第１の電極層を形成し、前記第１の電極層をパターニングすることにより第１電荷転送用電極３５，３５ｆを形成する工程と、出力ゲートとプリチャージゲートが形成される部分で、前記酸化膜３４及び前記窒化膜３３を除去する工程と、前記酸化膜３４及び前記窒化膜３３を除去した部分に前記第１電荷転送用電極３５，３５ｆとは異なる導電層により出力ゲート３８，プリチャージゲート３９を形成する工程とを備えた電荷転送装置の製造方法」
が記載されている。
　
　また、同様に拒絶の理由に引用された、本願の出願前の平成４年１１月２４日に頒布された刊行物である特開平４−３３５５７５号公報（以下「引用例２」という。）には、図１及び図４とともに、次のとおり記載されている。
 ・「【０００７】信号検出動作は、以下のように行なわれる。まず、ゲート電極１１にリセットゲートパルスφRGが供給されてＲＧが開かれ、ＦＤがリセットドレイン電位にリセットされる。
【０００８】次に、ゲート電極１３に水平転送パルスφH1が供給されて、水平シフトレジスタ３よりＦＤに信号電荷が注入される。このとき、信号電荷量によってＦＤの電位が低下するが、この電位変化がＭＯＳアンプ（図示せず）で増幅されて取り出される。
【０００９】ここで、ＭＯＳアンプのゲートでの検出信号ΔＶout は、信号電荷量をＱsig、ＦＤに関する全容量をＣFDとすると、数１に示すようになる。
【００１０】
【数１】ΔＶout ＝Ｑsig ／ＣFD
【発明が解決しようとする課題】ところで、超小型ＣＣＤ固体撮像素子やＨＤＶＳ用ＣＣＤ固体撮像素子では、垂直、水平のシフトレジスタ２，３の取り扱い電荷量を増やすため、これらシフトレジスタ２，３のゲート酸化膜ＦGOを薄くする傾向にある。
【００１１】この場合、ＨＯＧやＲＧにも、そのゲート酸化膜が共通に使用される。そのため、ＨＯＧ、ＲＧのゲート酸化膜ＦGOの膜厚は、水平シフトレジスタ３のゲート酸化膜ＦGOの膜厚ｄと等しく、例えば７００オングストロームとされる。
【００１２】しかし、ＨＯＧやＲＧのゲート酸化膜ＦGOを薄くすると、ＦＤとゲート電極１１，１２間の容量Ｃ１，Ｃ２が増加するため、検出信号ΔＶout が小さくなり（数１参照）、ＦＤの変換効率が低下する欠点があった。
【００１３】そこで、この発明では、フローティングデフュージョン（ＦＤ）の変換効率を上げるようにするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】この発明は、フローティングデフュージョン（ＦＤ）の両側に位置するリセットゲート（ＲＧ）および水平出力ゲート（ＨＯＧ）のいずれかまたは双方のゲート酸化膜ＦGOの一部または全部の膜厚を、水平シフトレジスタ３のゲート酸化膜ＦGOの膜厚よりも厚くするものである。
【００１５】
【作用】ＲＧやＨＯＧのゲート酸化膜ＦGOの膜厚が、水平シフトレジスタ３のゲート酸化膜ＦGOの膜厚より厚くされるため、ＦＤとＲＧのゲート電極１１間の容量Ｃ１やＦＤとＨＯＧのゲート電極１２間の容量Ｃ２が減少する。これにより、数１におけるＣFDが小さくなるため、検出信号ΔＶout が大きくなり、ＦＤの変換効率が上がる。
【００１６】
【実施例】以下、図１を参照しながら、この発明の一実施例について説明する。図１において、図４と対応する部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
【００１７】本例においては、リセットゲート（ＲＧ）および水平出力ゲート（ＨＯＧ）のゲート酸化膜ＦGOの膜厚ｄ′が、水平シフトレジスタ３のゲート酸化膜ＦGOの膜厚ｄよりも厚く、例えば１５００オングストロームとされる。この場合、ゲート電極１１，１２の電位を合わせるために、予めイオン注入が行なわれる。
【００１８】本例は以上のように構成され、その他は図４の例と同様に構成される。
【００１９】本例においては、ＲＧやＨＯＧのゲート酸化膜ＦGOの膜厚ｄ′が、水平シフトレジスタ３のゲート酸化膜ＦGOの膜厚ｄよりも厚くされるので、ＦＤとゲート電極１１，１２間の容量Ｃ１，Ｃ２が減少する。そのため、図４に示す従来例に比べて検出信号Δout が大きくなり、ＦＤの変換効率を上げることができる。したがって、ＣＣＤ固体撮像素子の感度が上がる利益がある。」
　
３．対比・判断
　本願発明と引用例１に記載された発明（以下「引用発明」という。）とを対比すると、
　引用発明における、Ｐ型シリコン基板に形成された「Ｎ＋型の不純物領域」が実質的に電荷転送装置の電荷転送チャネルであることは当業者に明らかであるとともに、引用発明における、「酸化膜」、「窒化膜」及び、「多結晶シリコン層」が、それぞれ、「酸化シリコン膜」、「窒化シリコン膜」及び、「ポリシリコン」層であることは明らかであるから、
　引用発明の「Ｎ＋型不純物領域」、「酸化膜３２」、「窒化膜３３」、「酸化膜３４」、「多結晶シリコン層」、「第１電荷転送用電極」、「出力ゲート」及び、「プリチャージゲート」は、
　本願発明の「電荷転送チャネル」、「第１の酸化シリコン膜」、「窒化シリコン膜」、「第２の酸化シリコン膜」、「ポリシリコン膜」、「第１の電荷転送電極」、「出力電極」及び、「リセット電極」にそれぞれ相当する。
　また、引用発明において、酸化膜３２，窒化膜３３及び酸化膜３４を積層した膜が多層膜であることは明らかである。
　よって、両者は、
  「電荷転送チャネル上に第１の酸化シリコン膜を形成する工程と、前記第１の酸化シリコン膜上に窒化シリコン膜を形成する工程と、前記窒化シリコン膜上に第２の酸化シリコン膜を形成することにより多層膜を形成する工程と、前記第２の酸化シリコン膜上に第１層目のポリシリコン膜からなる第１の電荷転送電極を形成する工程と、出力電極とリセット電極とが形成される領域の第２の酸化シリコン膜と窒化シリコン膜とを除去する工程と、出力電極とリセット電極とを形成する工程を有することを特徴とする電荷転送装置の製造方法。」
である点で一致し、
　以下の点で相違する。
　
　相違点１
　本願発明では、「出力電極とリセット電極とが形成される領域の少なくとも第２の酸化シリコン膜と窒化シリコン膜とを除去する工程」を備えているのに対して、
　引用発明においては、「出力ゲートとプリチャージゲートが形成される部分で、前記酸化膜３４及び前記窒化膜３３を除去する工程」である点。
　相違点２
　本願発明では、「少なくとも前記領域に前記多層膜よりも膜厚の大きい第３の酸化シリコン膜を形成する工程」を備えているのに対して、
　引用発明では、上記工程を備えていない点。
　相違点３
　本願発明では、「その後、前記第３の酸化シリコン膜上に第２層目のポリシリコン膜からなる出力電極とリセット電極とを形成する工程」を備えているのに対して、
　引用発明では、「前記酸化膜３４及び前記窒化膜３３を除去した部分に前記第１電荷転送用電極３５，３５ｆとは異なる導電層により出力ゲート３８，プリチャージゲート３９を形成する」工程は備えているが、出力ゲートとプリチャージゲート３９とを「第３の酸化シリコン膜」上に形成するか否か記載されていない点。
　
　相違点１について
　引用発明においても、出力ゲートとプリチャージゲートが形成される部分で、「前記酸化膜３４及び前記窒化膜３３」を除去しており、一方、本願発明の「少なくとも第２の酸化シリコン膜と窒化シリコン膜とを除去する工程」には、「第２の酸化シリコン膜と窒化シリコン膜」のみを除去する工程も含まれるから、この点は、実質的な相違点ではない。
　
　相違点２について
　引用発明においては、出力ゲート３８、プリチャージゲート３９及び第２電荷転送用電極４２を形成するための第２の電極層を形成する前に、「前記酸化膜３４及び前記窒化膜３３を除去」した部分及び第１電荷転送用電極上に酸化膜等の絶縁膜を形成することは記載されていないところ、「第２電荷転送用電極４２は、各第１電荷転送用電極３５，３５ｆの間の酸化膜３５上に接し、マージン確保のためにその一部が該第１電荷転送用電極３５，３５ｆの端部に重複するように形成される。なお、図中層間絶縁膜は省略している。」（第５頁左上欄第９〜１４行参照、なお、「酸化膜３５」は「酸化膜３４」の誤記である。）と記載されるとともに、第１電荷転送用電極と第２電荷転送用電極との間の導電接触を防止するために絶縁層（層間絶縁膜）を形成することは当業者にとり自明な事項であり、また、引用発明において、第１電荷転送用電極３５ｆと出力ゲート３８とを絶縁するための絶縁層を形成することも必要であるとともに、第１電荷転送用電極３５ｆの全表面に絶縁層を形成するためには、Ｎ−型の不純物領域４１を形成するための不純物注入用レジスト層３７（第３図Ｃ参照）を除去した後、酸化膜を形成することが必要であり、さらに、半導体装置を製造するための工程数を可能な限り減少させることは、当業者にとって自明の課題であるから、引用発明は出力ゲートとプリチャージゲートが形成される部分を含む全面に第２の電極層を形成する前に何らかの絶縁層を１回の工程により形成する工程を当然備えているものと認める。
　一方、引用例２には、ＣＣＤ固体撮像素子のフローティングデフュージョン（ＦＤ）での容量を減少させてＦＤの変換効率を改善するために、ＣＣＤ固体撮像素子のリセットゲート（ＲＧ）及び水平出力ゲート（ＨＯＧ）のゲート絶縁膜の「全部の膜厚」を水平シフトレジスタのゲート絶縁膜の膜厚よりも厚くすることが記載されており、図１に記載される如き上記構成を形成する工程として、水平シフトレジスタのゲート電極を形成した後で、リセットゲート（ＲＧ）及び水平出力ゲート（ＨＯＧ）を形成する前に、リセットゲート（ＲＧ）及び水平出力ゲート（ＨＯＧ）のゲート絶縁膜の全部の膜厚を、水平シフトレジスタのゲート絶縁膜よりも厚く形成する工程が必要であることは当業者にとって明らかであって、引用例２に記載される「ＣＣＤ固体撮像素子」、「リセットゲート」、「水平出力ゲート」及び、「水平シフトレジスタ」が、引用発明の「電荷転送装置」、「プリチャージゲート」、「出力ゲート」及び、「第１電荷転送電極」と「第２電荷転送電極」とを併せたものに相当するから、引用発明における、出力ゲートとプリチャージゲートが形成される部分を含む全面に、パターンニング後に出力ゲートとプリチャージゲートとなる第２の電極層を形成する前に何らかの絶縁層を形成する工程において、引用例２に記載される如く、「何らかの絶縁層」の厚さと「酸化膜３２」との合計の厚さ（本願発明の「第３の酸化シリコン膜」に相当）を、酸化膜３２、窒化膜３３及び酸化膜３４の合計の厚さより厚く形成することにより、本願発明の如く、出力電極とリセット電極が形成される領域に前記多層膜よりも膜厚の厚い酸化シリコン膜を形成することは、当業者が何ら困難性なくなしえたものである。
　
　相違点３について
　引用発明においても、前記酸化膜３４及び前記窒化膜３３を除去した後に、出力ゲート３８及びプリチャージゲート３９を形成することは明らかであるから、「その後」の点については、実質的な相違点ではない。
　次に、「相違点２について」で既に検討したとおり、引用発明においても、出力ゲートとプリチャージゲートが形成される部分を含む全面に、パターンニング後に出力ゲートとプリチャージゲートとなる第２の電極層を形成する前に何らかの絶縁層を１回の工程で形成することは明らかであるから、引用発明においても、出力ゲートとプリチャージゲートが形成される部分を含む全面に第２の電極層を形成する前に何らかの絶縁層を形成する工程を実質的に備えており、引用発明においても、「前記酸化膜３４及び前記窒化膜３３を除去した部分」に絶縁層を形成した後に、出力ゲート３８，プリチャージゲート３９を形成しており、さらに、酸化シリコン膜は絶縁膜として従来周知のものであるから、本願発明の如く、酸化シリコン膜上に出力電極とリセット電極を形成する点は当業者が何らの困難性なくなしえたものである。
　また、ゲート電極として、ポリシリコン膜は従来より周知の材料であるから、引用発明において、出力ゲート及びプリチャージゲートの材料としてポリシリコン膜を用いることは当業者が必要に応じて適宜選択しえたものである。
　
　したがって、本願発明は、引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。