【手続補正書】
【提出日】平成26年8月1日(2014.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部にカーボンナノチューブ成長環境を有し、かつ、カーボンナノチューブを合成する反応器内で行われる連続的なカーボンナノチューブ成長方法であって、
触媒担持金属基材を形成するために前記金属基材に触媒物質を析出させる工程と、
前記触媒物質の前若しくは後、又は前記触媒物質と同時に、前記金属基材に非触媒物質を析出させる工程と、
前記触媒担持金属基材を連続的に前記反応器に通して搬送する工程と、
前記触媒担持金属基材にカーボンナノチューブを成長させる工程と、
を含んで構成される、連続的なカーボンナノチューブ成長方法。
【請求項２】
前記触媒物質は、触媒又は触媒前駆体を含んで構成される、請求項１に記載の連続的なカーボンナノチューブ成長方法。
【請求項３】
前記触媒物質は、前記非触媒物質の前に析出する、請求項２に記載の連続的なカーボンナノチューブ成長方法。
【請求項４】
前記触媒物質は、前記非触媒物質の後に析出する、請求項２に記載の連続的なカーボンナノチューブ成長方法。
【請求項５】
前記触媒物質は、前記非触媒物質と同時に析出する、請求項２に記載の連続的なカーボンナノチューブ成長方法。
【請求項６】
前記触媒物質は、遷移金属の硝酸塩、遷移金属の酢酸塩、遷移金属の塩化物、及びこれらの組み合わせからなるグループより選択される遷移金属塩を含んで構成される、請求項２に記載の連続的なカーボンナノチューブ成長方法。
【請求項７】
前記触媒物質は、パラジウム、ＦｅＯ、Ｆｅ2Ｏ3、Ｆｅ3Ｏ4、及びこれらの組み合わせからなるグループより選択される、請求項２に記載の連続的なカーボンナノチューブ成長方法。
【請求項８】
前記非触媒物質は、アルミニウム塩、ガラス、ケイ酸塩、シラン、及びこれらの組み合わせからなるグループより選択される、請求項２に記載の連続的なカーボンナノチューブ成長方法。
【請求項９】
前記アルミニウム塩は、硝酸アルミニウム、酢酸アルミニウム、及びこれらの組み合わせからなるグループより選択される、請求項８に記載の連続的なカーボンナノチューブ成長方法。
【請求項１０】
前記触媒物質及び前記非触媒物質は少なくとも１つの溶液から析出し、前記触媒物質に対する前記非触媒物質のモル比は最大で約６：１である、請求項２に記載の連続的なカーボンナノチューブ成長方法。
【請求項１１】
触媒担持金属基材が前記反応器を通って搬送されている間、前記触媒前駆体から触媒ナノ粒子を形成する工程を更に含んで構成される、請求項２に記載の連続的なカーボンナノチューブ成長方法。
【請求項１２】
前記触媒担持金属基材を前記反応器に通して搬送する前に、前記触媒前駆体から触媒ナノ粒子を形成する工程を更に含んで構成される、請求項２に記載の連続的なカーボンナノチューブ成長方法。
【請求項１３】
前記金属基材は、銅、タングステン、白金、チタン、鉄、鋼合金、ステンレス鋼合金、ニッケル、ニッケルクロム合金、ニッケル銅合金、金、銀、黄銅合金、及びこれらの組み合わせからなるグループより選択される、請求項１に記載の連続的なカーボンナノチューブ成長方法。
【請求項１４】
前記触媒物質及び前記非触媒物質は、約１０ｎｍから約１μｍに及ぶ厚さを有する触媒コーティングを含んで構成される、請求項１に記載の連続的なカーボンナノチューブ成長方法。
【請求項１５】
請求項１の連続的なカーボンナノチューブ成長方法により作製されるカーボンナノチューブが成長した金属基材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
本発明は開示された実施形態を参照して説明されたが、当業者であれば、これらが本発明の例示にすぎないことを容易に認識するであろう。当然のことながら、本発明の精神から逸脱することなく、様々な変形例を考え出すことが可能である。
以上の実施形態から把握し得る請求項以外の技術的思想について、以下に記載する。
（イ）前記触媒物質及び前記非触媒物質は、スプレーコーティング、浸漬コーティング、及びこれらの組み合わせからなるグループより選択される技術により析出する、請求項２に記載の連続的なカーボンナノチューブ成長方法。
（ロ）前記遷移金属塩は、硝酸鉄（II）、硝酸鉄（III）、硝酸コバルト（III）、硝酸ニッケル（II）、硝酸銅（II）、酢酸鉄（II）、酢酸鉄（III）、酢酸コバルト（III）、酢酸ニッケル（II）、酢酸銅（II）、塩化鉄（II）、塩化鉄（III）、塩化コバルト（III）、塩化ニッケル（II）、塩化銅（II）、及びこれらの組み合わせからなるグループより選択される請求項６に記載の連続的なカーボンナノチューブ成長方法。
（ハ）前記触媒物質及び前記非触媒物質は、夫々、前記少なくとも１つの溶液において、約０．１ｍＭから約１．０Ｍに及ぶ濃度である請求項１０に記載の連続的なカーボンナノチューブ成長方法。
（ニ）前記触媒物質及び前記非触媒物質は、夫々、前記少なくとも１つの溶液において、約５０ｍＭから約１．０Ｍに及ぶ濃度である請求項１０に記載の連続的なカーボンナノチューブ成長方法。
（ホ）前記触媒物質に対する前記非触媒物質のモル比は、最大で約２：１である請求項１０に記載の連続的なカーボンナノチューブ成長方法。
（ヘ）内部にカーボンナノチューブ成長環境を有し、かつ、カーボンナノチューブを合成する反応器内で行われるカーボンナノチューブ成長方法であって、
触媒担持金属基材を形成するために約８００℃を超える融点を有する金属基材に溶液から触媒物質を析出させる工程と、
前記触媒担持金属基材にカーボンナノチューブを成長させる工程と、
を含んで構成され、
前記触媒担持金属基材が、これにカーボンナノチューブを成長させる間、静止している、あるいは、連続的に反応器を通って搬送されるカーボンナノチューブ成長方法。
（ト）前記触媒物質は触媒前駆体を含んで構成される（へ）に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
（チ）前記触媒ナノ粒子を形成することには、前記触媒担持金属基材上の前記触媒前駆体を加熱することが含まれる請求項１２に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
（リ）前記触媒物質の前若しくは後、又は前記触媒物質と同時に、前記金属基材に溶液から非触媒物質を析出させる工程を更に含んで構成される（ト）に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
（ヌ）前記触媒担持金属基材を前記反応器に連続的に通して搬送する工程を更に含んで構成された（リ）に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
（ル）前記触媒物質は第１の溶液中にあり、前記非触媒物質は第２の溶液中にあり、前記触媒物質は前記非触媒物質の前に析出する請求項（リ）に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
（ヲ）前記触媒物質は第１の溶液中にあり、前記非触媒物質は第２の溶液中にあり、前記触媒物質は、前記非触媒物質の後に析出する（リ）に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
（ワ）前記触媒物質及び前記非触媒物質は、同一の溶液中にあり、かつ、同時に析出する（リ）に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
（カ）前記触媒物質は、遷移金属の硝酸塩、遷移金属の酢酸塩、遷移金属の塩化物、及びこれらの組み合わせからなるグループより選択される遷移金属塩を含んで構成される（リ）に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
（ヨ）前記非触媒物質は、アルミニウム塩、ガラス、ケイ酸塩、シラン、及びこれらの組み合わせからなるグループより選択される物質を含んで構成される（リ）に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
（タ）前記触媒物質及び前記非触媒物質は、約１０ｎｍから約１μｍに及ぶ厚さを有する触媒コーティングを含んで構成される（リ）に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
（レ）前記触媒物質は、遷移金属の硝酸塩、遷移金属の酢酸塩、遷移金属の塩化物、及びこれらの組み合わせからなるグループより選択される遷移金属塩を含んで構成される（へ）に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
（ソ）内部にカーボンナノチューブ成長環境を有し、かつ、カーボンナノチューブを合成する反応器内で行われる連続的なカーボンナノチューブ成長方法であって、
触媒担持金属基材を形成するために溶液から金属基材に触媒前駆体を析出させる工程と、
前記触媒前駆体の前若しくは後、又は前記触媒前駆体と同時に、溶液から前記金属基材に非触媒物質を析出させる工程と、
前記触媒担持金属基材にカーボンナノチューブを成長させる間、前記触媒担持金属基材を反応器に連続的に通して搬送する工程と、
を含んで構成される連続的なカーボンナノチューブ成長方法。