【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年10月5日(2012.10.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
高い音響インピーダンスを有する部分層と圧電基板とのあいだに配置される層は金属の部分層である。当該の部分層は有利には導電性であり、特に、圧電基板と高い音響インピーダンスを有する部分層とのあいだの接着媒介に適している。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８８】
図３のＢの実施例では、高い音響インピーダンスを有する層３１２と第１の基板１とのあいだに例えばチタンから成る付加的な導電層３１３が設けられ、当該の付加的な層が高い音響インピーダンスを有する層３１２に対する接着媒介層として用いられる。付加的な導電層３１３の厚さは有利にはほぼ１０ｎｍである。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
伝導する音響バルク波によって動作する電気音響素子において、
単結晶の第１の基板（１）および単結晶の第２の基板（２）が設けられており、
前記第１の基板の厚さは前記第２の基板の厚さの多くとも５０％であり、
金属層（３１）と誘電層（３２）とを含む層列（３）が前記第１の基板（１）と前記第２の基板（２）との間に配置され、
前記金属層（３１）は第１の音響インピーダンスＺａ，１を有する層（３１２）を含み、前記誘電層（３２）は、二酸化ケイ素から成り、かつ、第２の音響インピーダンスＺａ，２を有し、前記第１の音響インピーダンスは前記第２の音響インピーダンスよりも高く、ここでＺａ，１／Ｚａ，２≧４．５が成り立ち、
前記第１の音響インピーダンスを有する層（３１２）の厚さは前記金属層（３１）の全厚さの３０％から５０％であり、
前記第１の基板（１）と前記第１の音響インピーダンスＺａ，１を有する層（３１２）とのあいだに１０ｎｍよりも小さい厚さの接着媒介層として用いられる中間層（３１３）が配置されている
ことを特徴とする電気音響素子。
【請求項２】
前記第１の基板（１）は圧電特性を有する、請求項１記載の電気音響素子。
【請求項３】
前記層列（３）のうち前記第１の音響インピーダンスを有する層（３１２）は前記第１の基板（１）に面している、請求項１または２記載の電気音響素子。
【請求項４】
前記金属層（３１）は少なくとも９×１０４［Ωｃｍ］−１の高い導電率を有する部分層（３１１）を有する、請求項１から３までのいずれか１項記載の電気音響素子。
【請求項５】
前記高い導電率を有する部分層（３１１）はＡｌを含む、請求項４記載の電気音響素子。
【請求項６】
前記第１の音響インピーダンスを有する層（３１２）はタングステンから成る、請求項１から５までのいずれか１項記載の電気音響素子。
【請求項７】
前記第１の音響インピーダンスを有する層（３１２）は白金から成る、請求項１から５までのいずれか１項記載の電気音響素子。
【請求項８】
前記金属層（３１）内に所定の中心周波数で動作する変換器が構成されており、前記第１の音響インピーダンスを有する層（３１２）の厚さは前記変換器の音響反射係数の前記中心周波数に対する阻止帯域幅が少なくとも７．６％となるように選定されている、請求項１から７までのいずれか１項記載の電気音響素子。
【請求項９】
前記第１の音響インピーダンスを有する層（３１２）の厚さは０．０２λから０．０３λである、請求項８項記載の電気音響素子。
【請求項１０】
前記第１の基板（１）はＬｉＴａＯ３から成る、請求項１から９までのいずれか１項記載の電気音響素子。
【請求項１１】
前記第１の基板（１）は回転ＹＸカット角φを有しており、７°＜φ＜２４°が成り立つ、請求項１０記載の電気音響素子。
【請求項１２】
前記第１の基板（１）は回転ＹＸカット角φを有しており、１２°＜φ＜２１°が成り立つ、請求項１１記載の電気音響素子。
【請求項１３】
前記第１の基板（１）および前記第２の基板（２）は外部に面している、請求項１から１２までのいずれか１項記載の電気音響素子。
【請求項１４】
前記第１の基板の厚さは前記第２の基板の厚さの多くとも１／３である、請求項１から１３までのいずれか１項記載の電気音響素子。
【請求項１５】
前記金属層（３１）には変換器およびコンタクト面が構成されている、請求項１から１４までのいずれか１項記載の電気音響素子。
【請求項１６】
前記金属層（３１）は直接に前記第１の基板（１）上に配置されている、請求項１から１５までのいずれか１項記載の電気音響素子。
【請求項１７】
前記誘電層（３２）は前記第１の基板（１）に対して前記変換器の電極構造体を封止している、請求項１から１６までのいずれか１項記載の電気音響素子。
【請求項１８】
前記第２の基板（２）は高オーム性のケイ素を含む、請求項１から１７までのいずれか１項記載の電気音響素子。
【請求項１９】
前記コンタクト面は前記第２の基板（２）内に構成されたスルーコンタクトを介してコンタクトしている、請求項１５から１８までのいずれか１項記載の電気音響素子。
【請求項２０】
前記第１の基板（１）の突き合わせ縁部および前記層列（３）の突き合わせ縁部は斜めに切られている、請求項１から１９までのいずれか１項記載の電気音響素子。
【請求項２１】
前記第２の基板（２）の突き合わせ縁部の一部が斜めに切られている、請求項２０記載の電気音響素子。
【請求項２２】
前記第１の基板（１）の露出表面上および前記斜めに切られた突き合わせ縁部上に第２の金属層（４）が配置されている、請求項２１記載の電気音響素子。
【請求項２３】
前記第２の金属層（４）は前記第１の基板（１）の突き合わせ縁部および前記層列（３）の突き合わせ縁部を覆い、前記第２の基板（２）に対して閉鎖されている、請求項２２記載の電気音響素子。
【請求項２４】
前記第１の基板（１）の厚さは３λから５０λである、請求項１から２３までのいずれか１項記載の電気音響素子。
【請求項２５】
前記第２の基板（２）および前記層列（３）の全厚さは１００λを超えない、請求項１から２４までのいずれか１項記載の電気音響素子。
【請求項２６】
前記誘電層（３２）の厚さは０．１λから１λである、請求項１から２５までのいずれか１項記載の電気音響素子。
【請求項２７】
前記誘電層（３２）は前記第１の基板および／または前記第２の基板に対して反対の温度特性を有する、請求項１から２６までのいずれか１項記載の電気音響素子。
【請求項２８】
バルク波が前記層列（３）内を伝搬する際の伝搬速度は２つの基板（１，２）内を伝搬する際の伝搬速度の９０％以下である、請求項１から２７までのいずれか１項記載の電気音響素子。
【請求項２９】
バルク波が前記第１の基板（１）内を伝搬する際の伝搬速度は前記第２の基板（２）内を伝搬する際の伝搬速度よりも小さい、請求項１から２８までのいずれか１項記載の電気音響素子。
【請求項３０】
請求項１から２９までのいずれか１項記載の、伝導するバルク波によって動作する電気音響素子の製造方法において、
Ａ）複数の素子領域を備えた第１のウェハ（１，３）を準備し、ここで、素子構造体およびコンタクト面を備えた金属層（３１）を形成し、該金属層上に誘電層（３２）を被着して層列（３）とし、該層列を第１の基板（１）上に設け、
Ｂ）各素子領域の電気的特性を測定するために前記コンタクト面を露出させ、
Ｃ）前記層列（３）が２つのウェハ（１，２）間に位置するように前記第１のウェハと第２のウェハとを接合して全ウェハを形成し、
Ｄ）前記第１のウェハを薄膜化し、
Ｅ）前記第２のウェハにコンタクト孔を形成し、前記コンタクト面とのコンタクトのために前記コンタクト孔を金属化し、
Ｆ）各素子領域を個別化して個々の素子を形成する
ことを特徴とする電気音響素子の製造方法。
【請求項３１】
前記ステップＢ）において、トリミング構造体として設けられた素子構造体の変更などにより、層列の電気的なトリミングを行う、請求項３０記載の方法。
【請求項３２】
前記ステップＢ）において、誘電層の厚さの変更により、層列の機械的なトリミングを行う、請求項３０または３１記載の方法。
【請求項３３】
前記ステップＢ）の前に誘電層を平坦化する、請求項３０から３２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項３４】
前記ステップＤ）の後に、全ウェハを第１のウェハ側で設定された線に沿って第２のウェハの設定された深さまでＶ字状に切削し、第１のウェハの後面およびＶ字状の切欠部を金属化する、請求項３０から３３までのいずれか１項記載の電気音響素子。
【請求項３５】
前記第１のウェハの後面を金属化する際に導体路および／または端子面を形成する、請求項３４記載の方法。
【請求項３６】
前記ステップＥ）において、第２の基板の露出表面に外部端子を形成する、請求項３０から３５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項３７】
前記ステップＤ）の後に、複数の素子領域を有する支持体の上で全ウェハを位置決めし、各素子領域を支持体から取り外さずに個別化して個々の素子を形成し、ここで各素子の品質コントロールのための測定を支持体上で直接に行う、請求項３０から３６までのいずれか１項記載の方法。