Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月25日(2012.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドリルビットであって、
ドリルストリングと流体連通状態にある内部キャビティと、
前記ドリルビットの外部に設けられた第１の計器パッドとを有し、前記第１の計器パッドは、前記内部キャビティと流体連通状態にある第１のオリフィスを有し、前記ドリルビットは、流体が前記第１のオリフィスから連続して流出するよう構成されている、ドリルビット。
【請求項２】
前記流体の流量は、前記ドリルビットをボーリング孔の壁から押し離すのに十分である、請求項１記載のドリルビット。
【請求項３】
前記ドリルビットは、１つ又は２つ以上のカッタを更に有する、請求項１又は２に記載のドリルビット。
【請求項４】
前記第１の計器パッドは、前記カッタのうちの大部分から見て実質的に反対側に配置されている、請求項１乃至３の何れか１項に記載のドリルビット。
【請求項５】
前記第１の計器パッドは、前記ドリルビットの回転方向に関し前記カッタのうちの大部分の後ろに約９０°のところに配置されている、請求項１乃至４の何れか１項に記載のドリルビット。
【請求項６】
前記第１のオリフィスからの前記流体の流量を調節する第１の弁を更に有する、請求項１乃至５の何れか１項に記載のドリルビット。
【請求項７】
前記ドリルビットの外部に設けられた第２の計器パッドを更に有し、前記第２の計器パッドは、前記内部キャビティと流体連通状態にある第２のオリフィスを有する、請求項１乃至６の何れか１項に記載のドリルビット。
【請求項８】
前記第１の弁は、前記第１及び前記第２のオリフィスからの流体の流量を調節する、請求項１乃至７の何れか１項に記載のドリルビット。
【請求項９】
前記第２のオリフィスからの流体の流量を調節する第２の弁を更に有する、請求項１乃至８の何れか１項に記載のドリルビット。
【請求項１０】
坑井現場システムであって、
ドリルストリングと、
前記ドリルストリングに結合されたケリーと、
ドリルビットとを有し、前記ドリルビットは、ドリルストリングと流体連通状態にある内部キャビティと、前記ドリルビットの外部に設けられた第１の計器パッドとを有し、前記第１の計器パッドは、前記内部キャビティと流体連通状態にある第１のオリフィスを有し、前記ドリルビットは、流体が前記第１のオリフィスから連続して流出するよう構成されている、坑井現場システム。
【請求項１１】
地下地層に湾曲したボーリング孔を穿孔する方法であって、
ドリルビットをドリルストリングに取り付けるステップを有し、前記ドリルビットは、ドリルストリングと流体連通状態にある内部キャビティと、前記ドリルビットの外部に設けられた第１の計器パッドとを有し、前記第１の計器パッドは、前記内部キャビティと流体連通状態にある第１のオリフィスを有し、前記ドリルビットは、流体が前記第１のオリフィスから連続して流出するよう構成され、
前記ドリルストリングの回転と前記ドリルストリングを通る前記ドリルビットへの流体の圧送を実質的に同時に実施するステップを有する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月25日(2012.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドリルビットであって、
ドリルストリングと流体連通状態にある内部キャビティと、
前記ドリルビットの外部に設けられた複数個の計器パッドとを有し、前記計器パッドのうちの１つ又は２つ以上は、前記内部キャビティと流体連通状態にあるオリフィスを有し、前記ドリルビットは、流体が前記オリフィスの各々から連続して流出するよう構成されている、ドリルビット。
【請求項２】
前記流体の流量は、前記ドリルビットをボーリング孔の壁から押し離すのに十分である、請求項１記載のドリルビット。
【請求項３】
前記ドリルビットは、前記内部キャビティと流体連通状態にあるオリフィスを備えた複数個の計器パッドを有する、請求項１又は２に記載のドリルビット。
【請求項４】
前記ドリルビットは、前記内部キャビティと流体連通状態にあるオリフィスを備えた３つの計器パッドを有する、請求項１乃至３の何れか１項に記載のドリルビット。
【請求項５】
前記オリフィスは、前記ドリルビットの外部に沿ってぐるりと中心が約１２０°の間隔を置いて配置されている、請求項１乃至４の何れか１項に記載のドリルビット。
【請求項６】
前記１つ又は２つ以上のオリフィスへの流体の流量の合計を調整するよう構成された弁を更に有する、請求項１乃至５の何れか１項に記載のドリルビット。
【請求項７】
坑底組立体であって、
ドリルストリングと流体連通状態にある内部キャビティと、
前記坑底組立体の外部に設けられた複数個の計器パッドとを有し、前記計器パッドのうちの少なくとも１つ又は２つ以上は、前記坑底組立体に正味の安定化力を与えるよう前記内部キャビティと流体連通状態にあるオリフィスを有する、坑底組立体。
【請求項８】
前記坑底組立体は、流体が前記１つ又は２つ以上のオリフィスの各々から連続して流出するよう構成されている、請求項７記載の坑底組立体。
【請求項９】
前記流体の流量は、前記ドリルビットをボーリング孔の壁から押し離して前記ドリルビットを前記ボーリング孔内で安定化するのに十分である、請求項７又は８に記載の坑底組立体。
【請求項１０】
前記坑底組立体は、前記内部キャビティと連通状態にあるオリフィスを備えた複数個の安定化パッドを有する、請求項７乃至９の何れか１項に記載の坑底組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月22日(2012.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊星歯車機構（３）のカムシャフト（２）への取付構造及び固定構造であって、前記遊星歯車機構（３）が、プラネタリギヤピン（６）上に支持された複数のプラネタリギヤ（７）を有しつつ前記カムシャフト（２）の駆動部として形成されたプラネタリキャリア（５）と、前記カムシャフト（２）にこれと相対回転しないよう結合されたリングギヤ（１０）と、サンギヤシャフト（９）を有するサンギヤ（８）とを含んで構成されている、前記取付構造及び固定構造において、
前記リングギヤ（１０）を、前記カムシャフト（２）の前端側において該カムシャフト（２）と同軸に配置するとともに、偏心配置された固定部材（４）によって、前記カムシャフト（２）にこれと相対回転しないよう結合したことを特徴とする取付構造及び固定構造。
【請求項２】
センタリング部（１０ａ）によって、前記リングギヤ（１０）を前記カムシャフト（２，２ａ）に対して心合せしたことを特徴とする請求項１記載の取付構造及び固定構造。
【請求項３】
前記プラネタリギヤピン（６）を中空に形成して該プラネタリギヤピン（６）にシリンダ状の中空部（６ａ）を設けるとともに、前記リングギヤ（１０）における前記中空部（６ａ）の軸方向延長部に前記固定部材（４）を配置したことを特徴とする請求項１又は２記載の取付構造及び固定構造。
【請求項４】
前記固定部材（４）をシリンダボルトとして形成するとともに、該シリンダボルトを前記プラネタリギヤピン（６）における前記中空部（６ａ）を介して容易に挿入可能としたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の取付構造及び固定構造。
【請求項５】
前記サンギヤ（８）及び前記サンギヤシャフト（９）を一体に形成したことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の取付構造及び固定構造。
【請求項６】
前記センタリング部（１０ａ）を、前記カムシャフト（２）の前端部（２ａ）を収容するセンタリング穴として前記リングギヤ（１０）に形成したことを特徴とする請求項２〜５のいずれか１項に記載の取付構造及び固定構造。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の遊星歯車機構をカムシャフト（２）へ取り付ける取付方法において、
前記遊星歯車（３）をまず組み付け、そして、前記カムシャフト（２，２ａ）の前端側で該カムシャフト（２，２ａ）上に配置し、かつ、心合せすることを特徴とする取付方法。
【請求項８】
前記固定部材（４）を、周方向において、中空に形成された前記プラネタリギヤピン（６）と共に調整し、次に、該プラネタリギヤピン（６）を通って挿入される取付工具（１１）によって取り付けることを特徴とする請求項７記載の取付方法。
【請求項９】
前記サンギヤ（８）及び前記サンギヤシャフト（９）を中実に形成したことを特徴とする請求項５記載の取付構造及び固定構造。
【請求項１０】
前記固定部材（４）をシリンダボルトとしたことを特徴とする請求項８記載の取付方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月16日(2012.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
安定な非晶質形態にあり、そして、０．１％〜７５％ｗ／ｗで存在する実質的に水不溶性の医薬活性成分；及び
複数のナノ細孔を有するメソ多孔性組成物；
を含む経口投与可能な医薬組成物であって、
前記実質的に水不溶性の医薬活性成分を前記メソ多孔性組成物と共に噴霧乾燥して、前記医薬活性成分を前記ナノ細孔内に閉じ込めるものとし、そして、
前記安定な非晶質形態は、４０℃及び相対湿度７５％で１２ヶ月間保存された後で、結晶成長が検出されないものとする、前記医薬組成物。
【請求項２】
前記実質的に水不溶性の医薬活性成分が、鎮痛剤、抗コレステロール剤又はコレステロール低下剤、解熱剤、抗炎症剤、抗菌剤、うっ血除去剤及び抗ヒスタミン剤からなる群から選択される構成員である、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
前記実質的に水不溶性の医薬活性成分が、１０ｇ／Ｌより小さい溶解度を有する、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記実質的に水不溶性の医薬活性成分が、イブプロフェンである、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項５】
前記メソ多孔性組成物が、粒度０．１μｍ〜１００μｍを有する、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項６】
前記メソ多孔性組成物の前記複数の細孔が、平均径１ｎｍ〜１００ｎｍを有する、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記メソ多孔性組成物の前記複数の細孔が、平均容積０．２ｃｍ３／ｇ〜４．０ｃｍ３／ｇを有する、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項８】
前記実質的に水不溶性の医薬活性成分が、１０％〜６０％ｗ／ｗで存在する、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項９】
前記メソ多孔性組成物が、炭素、カーバイド、ケイ化物、窒化物及び酸化物からなる群から選択される、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
前記メソ多孔性組成物が酸化物、又は酸化物及びケイ化物を含む、請求項９に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
前記メソ多孔性組成物が、酸化物及びケイ化物を含み、そして、ＭＣＭ−４１、ＭＣＭ−４８、ＳＢＡ−１５、ＭＣＦ、ＭＳＵ及びＣＭＫ−３からなる群から選択される構成員である、請求項１０に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
前記医薬組成物が、前記メソ多孔性組成物を有していない医薬組成物と比べて増加した溶解プロフィールを有する、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
経口投与可能な医薬組成物の製造方法であって：
実質的に水不溶性の医薬活性成分と複数のナノ細孔を有するメソ多孔性組成物とを、適当な溶媒又は溶媒の混合物中で混合すること；及び
前記実質的に水不溶性の医薬活性成分を前記メソ多孔性組成物と共に噴霧乾燥して、前記ナノ細孔内に前記医薬活性成分を安定な非晶質固体として閉じ込めること；
を含む、前記方法。
【請求項１４】
前記経口投与可能な医薬組成物が、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の医薬組成物である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
安定な非晶質形態にあり、そして、０．１％〜７５％ｗ／ｗで存在する実質的に水不溶性の医薬活性成分；及び
複数のナノ細孔を有するメソ多孔性組成物；
の経口投与用の医薬の製造における使用であって、
前記実質的に水不溶性の医薬活性成分を前記メソ多孔性組成物と共に噴霧乾燥して、前記医薬活性成分を前記ナノ細孔内に閉じ込めるものとし、そして、
前記安定な非晶質形態は、４０℃及び相対湿度７５％で１２ヶ月間保存された後で、結晶成長が検出されないものとする、前記使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
放出調節性賦形剤として用いるのに適当な膨潤性の侵食可能な（erodible）親水性材料としては：水膨潤性セルロース誘導体、ポリアルカレングリコール、熱可塑性ポリアルカレンオキシド、アクリルポリマー、親水コロイド、クレー（clay）、ゲル化デンプン、及び膨潤架橋ポリマー（swelling cross-linked polymer）、及び誘導体、コポリマー、及びそれらの組合せを挙げることができる。適当な水膨潤性セルロース誘導体の例としては、ナトリウムカルボキシメチルセルロース、架橋ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース（ＨＰＣ）、ヒドロキシプロピルメチルセルロース（ＨＰＭＣ）、ヒドロキシイソプロピルセルロース、ヒドロキシブチルセルロース、ヒドロキシフェニルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）、ヒドロキシペンチルセルロース、ヒドロキシプロピルエチルセルロース、ヒドロキシプロピルブチルセルロース、ヒドロキシプロピルエチルセルロースを挙げることができる。適当なポリアルカレングリコールの例としては、ポリエチレングリコールを挙げることができる。適当な熱可塑性ポリアルカレンオキシドの例としては、ポリ（エチレンオキシド）を挙げることができる。適当なアクリルポリマーの例としては、カリウムメタクリレートジビニルベンゼンコポリマー、ポリメチルメタクリレート、ＣＡＲＢＯＰＯＬ（ポリマー量架橋アクリル酸ホモポリマー及びコポリマー）等を挙げることができる。適当な親水コロイドの例としては、アルギン酸塩、寒天、グアーガム、ローカストビーンガム、カッパカラギーナン、イオタカラギーナン、タラ、アラビアゴム、トラガカント、ペクチン、キサンタンガム、ジェランガム、マルトデキストリン、ガラクトマンナン、プスツラン、ラミナリン、スクレログルカン、イヌリン、ペクチン、ゼラチン、ウィーラン、ラムサン、ズーグラン、メチラン、キチン、シクロデキストリン、キトサンを挙げることができる。適当なクレーの例としては、スメクタイト、例えば、ベントナイト、カオリン、及びラポナイト；三ケイ酸マグネシウム、ケイ酸アルミニウムマグネシウム等、及びそれらの誘導体及び混合物を挙げることができる。適当なゲル化デンプンの例としては、酸加水分解デンプン（acid hydrolyzed starch）、膨潤性デンプン、例えば、デンプングリコール酸ナトリウム、及びそれらの誘導体を挙げることができる。適当な膨潤架橋ポリマーの例としては、架橋ポリビニルピロリドン、架橋寒天、及び架橋カルボキシメチルセルロースナトリウムを挙げることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月19日(2012.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハイドロキノンに由来する構造ユニット（Ｉ）、
【化１】
2012506939.tif 000001
４，４’−ビフェノールに由来する構造ユニット（ＩＩ）、
【化２】
2012506939.tif 000002
テレフタル酸に由来する構造ユニット（ＩＩＩ）、
【化３】
2012506939.tif 000003
およびｐ−ヒドロキシ安息香酸に由来する構造ユニット（Ｖ）、
【化４】
2012506939.tif 000004
ならびに、任意によりさらに、イソフタル酸に由来する構造ユニット（ＩＶ）；
【化５】
2012506939.tif 000005
を含むポリエステルであって、ｐ−ヒドロキシ安息香酸に由来する構造ユニットは４０〜８０モル％の量で存在し、テレフタル酸およびイソフタル酸に由来する構造ユニットは合計で１０〜３０モル％の量で存在し、ならびに、ハイドロキノンおよび４，４’−ビフェノールに由来する構造ユニットは合計で１０〜３０モル％の量で存在し、モル％は、ポリエステル中に存在する構造ユニット（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）および（Ｖ）の総モル数に基づいており；
ハイドロキノンに由来する構造ユニット対４，４’−ビフェノールに由来する構造ユニットのモル比は０．５〜１．５であり；
イソフタル酸に由来する構造ユニット対テレフタル酸に由来する構造ユニットのモル比は０〜０．１であり；ならびに
ポリエステルの構造ユニットのすべての少なくとも８０モル％が、構造ユニット（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）および（Ｖ）からなる群から選択される、ポリエステル。
【請求項２】
構造ユニットのモル比（ハイドロキノン＋４，４’−ビフェノール）／（テレフタル酸＋イソフタル酸）が０．９５〜１．０５であり、ならびに、構造ユニット（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）および（Ｖ）の総モル数がすべての構造ユニットの総モル数を基準として少なくとも９５モル％であり、ならびに、イソフタル酸に由来する構造ユニット対テレフタル酸に由来する構造ユニットのモル比が０．０２〜０．５である、請求項１に記載のポリエステル。
【請求項３】
−１．５〜１５モル％のハイドロキノン（Ｉ）に由来する構造ユニット；８〜２３モル％の４，４’−ビフェノール（ＩＩ）に由来する構造ユニット；１８〜２５モル％のテレフタル酸（ＩＩＩ）に由来する構造ユニット；０〜２．５モル％のイソフタル酸（ＩＶ）に由来する構造ユニット；および、５０〜６５モル％のｐ−ヒドロキシ安息香酸（Ｖ）に由来する構造ユニットを含むポリエステル、ならびに
−０．８〜１３．５モル％のハイドロキノン（Ｉ）に由来する構造ユニット；４〜２０．５モル％の４，４’−ビフェノール（ＩＩ）に由来する構造ユニット；９〜２２．５モル％のテレフタル酸（ＩＩＩ）に由来する構造ユニット；０〜２モル％のイソフタル酸（ＩＶ）に由来する構造ユニット；および、５５〜６０モル％のｐ−ヒドロキシ安息香酸（Ｖ）に由来する構造ユニットを含むポリエステル、
からなる群から選択され、
モル％は、前記ポリエステル中に存在する構造ユニット（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）および（Ｖ）の総モル数を基準としている、請求項１または２に記載のポリエステル。
【請求項４】
全芳香族ポリエステルである、請求項１〜３のいずれか一項に記載のポリエステル。
【請求項５】
それぞれ、１００．０１±０．０３、−０．０４±０．０８および０．０３±０．０６のＬ＊、ａ＊およびｂ＊値を有する白色基準タイルに対して、Ｄ６５００照明を用いて２２以下のＣＩＥＬＡＢ  ΔＥ＊、ならびに
ＡＳＴＭ  Ｄ６４８に準拠した２６４ｐｓｉでの計測で３００℃以上の熱変形温度（ＨＤＴ）
を有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載のポリエステル。
【請求項６】
それぞれ、１００．０１±０．０３、−０．０４±０．０８および０．０３±０．０６のＬ＊、ａ＊およびｂ＊値を有する白色基準タイルに対して、Ｄ６５００照明を用いて２２以下のＣＩＥＬＡＢ  ΔＥ＊、ならびに
ＡＳＴＭ  Ｄ６４８に準拠した２６４ｐｓｉでの計測で３００℃以上の熱変形温度（ＨＤＴ）
を有する、全芳香族ポリエステル。
【請求項７】
４０〜８０モル％のｐ−ヒドロキシ安息香酸、ハイドロキノンおよび４，４’−ビフェノールから構成されるジオール混合物１０〜３０モル％、ならびに、テレフタル酸および任意により加えてイソフタル酸から構成される二酸１０〜３０モル％を含む初期モノマー混合物を形成する工程であって、ここで、モル％は、前記初期モノマー混合物中に存在するｐ−ヒドロキシ安息香酸、ハイドロキノン、４，４’−ビフェノール、テレフタル酸およびイソフタル酸の総モル数を基準としており；
ハイドロキノン対４，４’−ビフェノールのモル比が０．５〜１．５であり；
イソフタル酸対テレフタル酸のモル比が０〜０．１であり；ならびに
前記初期モノマー混合物のモノマーのすべての少なくとも８０モル％が、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、ハイドロキノン、４，４’−ビフェノール、テレフタル酸およびイソフタル酸からなる群から選択される工程；
ポリエステルを形成するために前記初期モノマー混合物のモノマーを反応させる工程
を含むポリエステルを製造する方法。
【請求項８】
前記初期モノマー混合物をアクリル化剤と混合してアシル化用混合物を形成する工程をさらに含み、
前記反応工程が：
前記アシル化用混合物を第１の温度に加熱してアシル化されたモノマー混合物を形成する工程；および
前記アシル化されたモノマー混合物を第２の温度に加熱して前記アシル化されたモノマー混合物の固相重縮合を実施する工程
を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ポリエステルが、請求項１〜５のいずれか一項に記載のポリエステルであるか、または、請求項６に記載の全芳香族ポリエステルである、請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のポリエステル、または、請求項６に記載の全芳香族ポリエステル、または、請求項７〜９のいずれか一項に記載の方法により製造されたポリエステルを含む、組成物。
【請求項１１】
少なくとも１種の光学増白剤をさらに含む、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１２】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のポリエステル、または、請求項６に記載の全芳香族ポリエステル、または、請求項７〜９のいずれか一項に記載の方法により製造されたポリエステル、または、請求項１０もしくは１１に記載の組成物を含む、付形物品。
【請求項１３】
請求項１２に記載の付形物品である構成部品を含むＬＥＤ素子。
【請求項１４】
構成部品がＬＥＤ反射材である、請求項１３に記載のＬＥＤ素子。
【請求項１５】
高電流ＬＥＤ素子またはパワーＬＥＤ素子である、請求項１３または１４に記載のＬＥＤ素子。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月26日(2012.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハフニウム又はジルコニウムを含有する酸化物からのコーティング（３，３'）において、ハフニウム又はジルコニウムを含有する酸化物が、１ａｔ％〜１０ａｔ％、殊に１．５ａｔ％〜３ａｔ％のケイ素割合（ｙ）を含有し、且つコーティング（３，３'）が、６５ａｔ％〜６８ａｔ％のＯ割合（ｚ）及び１ａｔ％〜１０ａｔ％のケイ素割合（ｙ）を有する、組成物ＨｆxＳｉyＯz又はＺｒxＳｉyＯzを有することを特徴する、ハフニウム又はジルコニウムを含有する酸化物からのコーティング（３，３'）。
【請求項２】
コーティング（３，３'）が、組成物ＨｆxＳｉyＯ66.7又はＺｒxＳｉyＯ66.66を有することを特徴とする、請求項１記載のコーティング（３，３'）。
【請求項３】
コーティング（３，３'）が、組成物Ｚｒ30.83Ｓｉ2.5Ｏ66.66を有することを特徴とする、請求項２記載のコーティング。
【請求項４】
基板（２）及び該基板（２）上に施与された、ハフニウム又はジルコニウムを含有する酸化物（ＨｆxＳｉyＯzもしくはＺｒxＳｉyＯz）からのコーティング（３）を有する光学部材（１）において、ハフニウム又はジルコニウムを含有する酸化物（ＨｆxＳｉyＯzもしくはＺｒxＳｉyＯz）が、１ａｔ％〜１０ａｔ％、殊に１．５ａｔ％〜３ａｔ％のケイ素割合（ｙ）を含有し、且つ６５ａｔ％〜６８ａｔ％のＯ割合（ｚ）を含有することを特徴する、基板（２）及び該基板（２）上に施与された、ハフニウム又はジルコニウムを含有する酸化物（ＨｆxＳｉyＯzもしくはＺｒxＳｉyＯz）からのコーティング（３）を有する光学部材（１）。
【請求項５】
基板（２）及び該基板（２）上に施与された多層膜系（５）を有する光学部材（１'）であって、その際、該多層膜系（５）が、ハフニウム又はジルコニウムを含有する酸化物（ＨｆxＳｉyＯzもしくはＺｒxＳｉyＯz）からの少なくとも１つの膜（３'）を有する光学部材（１'）において、ハフニウム又はジルコニウムを含有する酸化物（ＨｆxＳｉyＯzもしくはＺｒxＳｉyＯz）が１ａｔ％〜１０ａｔ％のケイ素割合（ｙ）を含有し、且つ６５ａｔ％〜６８ａｔ％のＯ割合（ｚ）を含有することを特徴とする、基板（２）及び該基板（２）上に施与された多層膜系（５）を有する光学部材（１'）。
【請求項６】
基板（２）が石英から成ることを特徴とする、請求項４又は５に記載の光学部材（１、１'）。
【請求項７】
膜（３）又は場合により多層膜系の膜応力が、８００ＭＰａより低く、好ましくは３００ＭＰａより低く、より好ましくは１００ＭＰａより低いことを特徴とする、請求項４から６までのいずれか１項記載の光学部材（１、１'）。
【請求項８】
ハフニウム又はジルコニウムを含有する酸化物（ＨｆxＳｉyＯzもしくはＺｒxＳｉyＯz）からのコーティング（３）をマグネトロンスパッタリングによって製造することを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項記載のコーティングの製造方法。
【請求項９】
ハフニウム又はジルコニウムを含有する酸化物（ＨｆxＳｉyＯzもしくはＺｒxＳｉyＯz）からのコーティング（３）をマグネトロンスパッタリングによって基板（２）上に施与することを特徴とする、請求項４から７までのいずれか１項記載の光学部材（１、１'）の製造方法。
【請求項１０】
コーティング（３）の製造を、Ｈｆ又はＺｒ及びＳｉの反応性コマグネトロンスパッタリングによって行うことを特徴とする、請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１１】
コーティング（３）の製造を、ＨｆＳｉ又はＺｒＳｉ及びＳｉの反応性コマグネトロンスパッタリングによって行うことを特徴とする、請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１２】
コーティング（３）の製造を、ＨｆxＳｉyＯz又はＺｒxＳｉyＯz及びＳｉの反応性コマグネトロンスパッタリングによって行うことを特徴とする、請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１３】
コーティング（３）の製造を、Ｈｆ又はＺｒ及びＳｉを含有する化合物ターゲットの使用下での反応性マグネトロンスパッタリングによって行うことを特徴とする、請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１４】
コーティング（３）の製造を、部分反応性マグネトロンスパッタリングによって導電性ＨｆzＳｉyＯz又はＺｒxＳｉyＯzの化合物ターゲットの使用下で行うことを特徴とする、請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１５】
反応性又は部分反応性のマグネトロンスパッタリングに反応性ｉｎ ｓｉｔｕプラズマ処理を伴うことを特徴とする、請求項８から１４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１６】
Ｓｉ割合を、膜（３）が最小吸光度と同時に低い膜応力及び高い屈折率を有するように調整することを特徴とする、請求項８から１５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１７】
光学部材（１）がレーザーミラーとして使用されることを特徴とする、請求項４から７までのいずれか１項記載の光学部材（１）の使用。
【請求項１８】
光学部材（１）がエッジフィルターとして使用されることを特徴とする、請求項４から７までのいずれか１項記載の光学部材（１）の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月24日(2012.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
他の同等物と接合可能及び密閉可能なプレハブパネルから組み立てられ、特に金属電気採取用及び電気精錬用の、金属電解処理で使用される電解溶液用に並列に配置された容器のモジュール式配列であって、
前記容器のモジュール式配列は、少なくとも一対の対向する端壁（1，2）と、側壁（3，4）と、複数のフロアパネル（5）と、複数の中間横壁（6）とを備え、
前記中間横壁（6）は２つの隣接した容器の間の共通壁となるものであり、
少なくとも中間壁（6）はそれぞれ電解溶液の保護された供給及び分配のための前記壁に組み込まれた通路（7，8）を有し、
前記壁は、縁部（9，10，11，12）で定義されたいずれか一方の端部及び上部及び下部に対する中央において幅の狭められた通路を有し、
前記縁部の少なくとも一つはその中に通路を備えることを特徴とする。
【請求項２】
前記中間壁（6）と同様に、前記側壁（3，4）は、電解溶液の保護された供給及び分配のためにそれぞれ組み込まれた前記通路と、前記縁部（9，10，11，12）とを備えたことを特徴とする請求項１に記載の並列に配置された容器のモジュール式配列。
【請求項３】
前記側壁および前記中間壁（3，4，6）の両端が前記縁部（9，10）によって定義されていることを特徴とする請求項１または２に記載の並列に配置された容器のモジュール式配列。
【請求項４】
電解溶液の保護された供給及び分配のための前記通路は、前記壁の端部の少なくとも一つを定義する前記縁部（9，10）の中に、垂直に延在する垂直主部（7）を有することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の並列に配置された容器のモジュール式配列。
【請求項５】
電解溶液の保護された供給及び分配のための前記通路は、前記壁の前記上部を定義するまたは前記壁の前記下部を定義する前記縁部（11）の中に、水平に延在する水平主部（8）を有することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の並列に配置された容器のモジュール式配列。
【請求項６】
電解溶液の保護された供給及び分配のための前記通路は、残りの前記縁部(9，10，11，12)の少なくとも一つの中に延在する一つ以上の延長部（7，8）を有することを特徴とする請求項４または５に記載の並列に配置された容器のモジュール式配列。
【請求項７】
電解溶液の保護された供給及び分配のための前記通路（7，8）は、更に、一つ以上の分岐またはアームを有することを特徴とする請求項４から６のいずれか一項に記載の並列に配置された容器のモジュール式配列。
【請求項８】
前記壁の両端において、前記縁部（9，10，11，12）の外面に隣接して2本の前記平行アームが形成されていることを特徴とする請求項７に記載の並列に配置された容器のモジュール式配列。
【請求項９】
前記通路(7，8)は、電解溶液の供給源及び未抽出の電解液の前記容器への少なくとも一つの出口穴と接続された上部入口（14）を有することを特徴とする請求項１に記載の並列に配置された容器のモジュール式配列。
【請求項１０】
前記通路（7，8）は前記容器への電解液の複数の出口穴（13）を有することを特徴とする請求項５から９のいずれか一項に記載の並列に配置された容器のモジュール式配列。
【請求項１１】
電解溶液の保護された供給及び分配のための前記通路（7，8）は前記壁の材料の中に埋め込まれたチューブによって定義されることを特徴とする請求項１の請求項に記載の並列に配置された容器のモジュール式配列。
【請求項１２】
電解溶液の保護された供給及び分配のための前記通路（7，8）は前記壁の中に成型されたコンジットによって定義されることを特徴とする請求項１に記載の並列に配置された容器のモジュール式配列。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月13日(2012.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外殻と閉じた両端部とを有している圧力容器（１１５）、
前記圧力容器の内部に位置し、複数のバイポーラ電気分解セルを第１の終端プレート（１０７ａ）および第２の終端プレート（１０８ａ）の間に積層して備えており、内圧のもとで動作するように構成されている電気分解セル積層体（１０１）、ならびに
前記セル積層体へと電解質を供給するための流体接続部、前記セル積層体から電気分解の生成物を集めるための流体接続部、および少なくともアノードおよびカソード接続部を含む電気接続部
を備えている電解槽（１００）であって、
前記セル積層体の第１の終端プレート（１０７ａ）が、前記圧力容器の閉じた両端部のうちの一方に一体化し、前記セル積層体の固定のヘッド（１０７）を形成しており、
前記固定のヘッド（１０７）に、前記セル積層体との前記流体接続部（１２２）ならびにアノードおよびカソード電気接続部（１２０、１２１）が備えられ、
前記セル積層体の第２の終端プレート（１０８ａ）が、前記圧力容器（１１５）の内部に位置し、熱膨張または熱収縮に応答して前記第１の終端プレートおよび前記容器に対して長手方向に自由に移動でき、すなわち前記セル積層体の浮動のヘッド（１０８）を形成している
ことを特徴とする電解槽。
【請求項２】
前記容器（１１５）が、前記セル積層体（１０１）の前記第１の終端プレートも構成する平坦な端部カバー（１０７ａ）を有している請求項１に記載の電解槽。
【請求項３】
前記電気接続部が、
前記セル積層体（１０１）の前記第１の終端プレート（１０７ａ）を貫通しており、該プレートから絶縁されており、前記積層体の第１のセルへと電気的に接続されている少なくとも第１の電気コネクタ（１２０）と、
前記第１の終端プレートに組み合わせられ、該プレートに電気的に接続されている少なくとも第２の電気コネクタ（１２１）と
を含んでおり、
前記第１の終端プレート（１０７ａ）が、前記積層体（１０１）の前記第２の終端プレート（１０８）に電気的に接続されている請求項１または２に記載の電解槽。
【請求項４】
前記セル積層体の前記第１および第２の終端プレートが、該第１および第２の端部プレート（１０７ａ、１０８ａ）の間の機械的および電気的接続をもたらすタイロッド（１０９）によって一体にされている請求項３に記載の電解槽。
【請求項５】
前記第１の電気コネクタ（１２０）および／または前記第２の電気コネクタ（１２０）が、タイロッドによって実現されている請求項３または４に記載の電解槽。
【請求項６】
前記第１の電気コネクタ（１２０）が、正であって、前記セル積層体（１０１）の第１のセルへとアノード電流を運び、前記第２の電気コネクタ（１２１）が、負であって、前記積層体の最後のセルのカソード末端の役割を有している請求項３〜５のいずれかに記載の電解槽。
【請求項７】
前記第１の電気コネクタ（１２０）が、前記セル積層体（１０１）の前記固定のヘッド（１０７）を貫通しかつ管状のブシュ（１１９）によって該固定のヘッドから絶縁されているタイロッドであって、該タイロッド（１２０）が、前記積層体（１０１）の第１のアノード（１１７）へと取り付けられており、
絶縁プレート（１１８）が、前記第１のアノード（１１７）と前記固定のヘッド（１０７）との間に設けられ、絶縁ブシュ（１２５）およびガスケット（１２６）が、前記タイロッドを前記セル積層体の内部の圧力空間から隔てるために設けられている請求項６に記載の電解槽。
【請求項８】
圧力容器と、該圧力容器の内部の電気分解セル積層体とを備えており、前記セル積層体が、複数のバイポーラ電気分解セルを第１および第２の終端プレートの間に積層して備えており、内圧のもとで動作するように構成されている、特には水の電気分解のための請求項１〜７のいずれかに記載の電解槽における電解プロセスであって、
前記容器が、前記セル積層体の動作の最中に、ガス状媒体によって加圧されることを特徴とする電解プロセス。
【請求項９】
前記ガス状媒体が、前記セル積層体における圧力のもとで生成される請求項８に記載の電解プロセス。
【請求項１０】
前記セル積層体における前記圧力が、前記容器の圧力レベルよりも高い、請求項９に記載の電解プロセス。
【請求項１１】
前記セル積層体により供給される水素の圧力は、３０ｂａｒよりも大きく、好ましくは、１００ｂａｒから７００ｂａｒの範囲にある、請求項８に記載の水の電気分解のための電解プロセス。
【請求項１２】
圧力容器（２２０）の内部にセル積層体（２１０）を備えており、該セル積層体が、圧力のもとで少なくともガス生成物をもたらすように構成されている請求項１〜１１のいずれか一項に記載の電解槽（２００）、
前記ガス生成物を受け取り、該ガス生成物を混入している電解質から分離するように構成された少なくとも１つの容器（Ｖ−１）、および
前記ガス生成物の少なくとも一部を加圧媒体として前記圧力容器（２２０）へと供給する流通配管（２０８）
を備える電気分解のための設備。
【請求項１３】
前記セル積層体（２１０）が、圧力のもとで水素および酸素をもたらすように構成されており、
前記電解槽（２００）において生成された水素を受け取る容器（Ｖ−１）および前記電解槽（２００）において生成された酸素を受け取る別の容器（Ｖ−２）を少なくとも備えており、該容器が、それぞれ前記水素および酸素を混入している電解質から分離するように構成されており、
少なくとも前記水素の一部または前記酸素の一部を加圧媒体として前記それぞれの容器から前記圧力容器（２２０）へと供給する流通配管（２０８）を備えている
水の電気分解のための請求項１２に記載の設備。
【請求項１４】
高圧の水素を水の電気分解から生成するために請求項１〜７のいずれかに記載の電解槽または請求項１２〜１４のいずれかに記載の設備の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月27日(2012.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウサギに化合物を投与し、そして該ウサギの中心耳動脈（ＣＥＡ）の管内腔の基線直径と比較して該ウサギの該中心耳動脈の管内腔の直径を測定する段階を含む、インビボにおける血管運動反応に及ぼす該化合物の効果を評価する方法であって、該基線直径が該化合物の投与前に測定される方法。
【請求項２】
該化合物が、経口的、末梢的、非経口的または局所的に該ウサギに投与される、請求項１の方法。
【請求項３】
該化合物が血管拡張剤である、請求項１の方法。
【請求項４】
該化合物が血管収縮剤である、請求項１の方法。
【請求項５】
該管内腔の直径が超音波画像システムによって測定される、請求項１の方法。
【請求項６】
インビボにおける血管運動反応に及ぼす化合物の効果を評価する方法であって、
ａ．ウサギの中心耳動脈（ＣＥＡ）の管内腔の基線直径を測定すること；
ｂ．該ウサギに該化合物を投与すること；
ｃ．該管の直径を前収縮させるために該ウサギの該ＣＥＡに血管収縮剤を投与すること；ｄ．該前収縮された管の直径を増加させるために該ウサギの該ＣＥＡに血管拡張剤を投与すること；そして
ｅ．段階ａにおいて測定される該管内腔の基線直径と比較して該ウサギの該ＣＥＡの該管内腔の直径を測定することによって、段階ｃおよびｄから得られる該管の直径に及ぼす該化合物の効果を決定すること；
の段階を含む、方法。
【請求項７】
該管内腔の直径が超音波画像システムによって測定される、請求項６の方法。
【請求項８】
該血管収縮剤が、ノルエピネフリン、エピネフリン、フェニレフリン、メトキサミン、メフェンテルミン、メタラミノール、ミドドリン、高用量ドーパミン、コカイン、アンフェタミンおよび関連作用物、セロトニン、バソプレッシンおよび関連類似体、アンギオテンシンＩＩおよび関連ペプチド、エンドテリンペプチド、ウロテンシンＩＩ、またはそれらの組み合わせ物から成る群から選択される、請求項６の方法。
【請求項９】
該血管拡張剤が、アセチルコリン、メタコリン、アセクリジン、アレコリン、ピロカルピン、セビメリン、ニトロプルッシド、ニトログリセリン、ニトロプルッシド、ニトログリセリン、一酸化窒素ガス、イソプロテレノールおよび関連β−２アドレナリン受容体アゴニスト、ヒドララジン、ミノキシジル、ジアゾキシド、ベラパミルおよび他のカルシウムチャンネルアンタゴニスト、カプトプリル、ロサルタン、クロニジン、ケタンセリン、ヒスタミン、ヘキサメトニウム、ブラジキニンおよび関連ペプチド、アドレノメヅリン、心房および脳ナトリウム排泄増加ペプチド、カルシトニン遺伝子関連ペプチド、またはそれらの組み合わせ物から成る群から選択される、請求項６の方法。
【請求項１０】
該血管拡張剤がコリン作動性アゴニストまたは血管拡張ペプチドである、請求項６の方法。
【請求項１１】
該血管拡張剤が、アセチルコリン、メタコリン、アセクリジン、アレコリン、ピロカルピン、セビメリン、またはそれらの組み合わせ物から成る群から選択されるコリン作動性アゴニストである、請求項１０の方法。
【請求項１２】
該血管拡張剤が、ブラジキニンおよび関連ペプチド、アドレノメヅリン、心房および脳ナトリウム排泄増加ペプチド、カルシトニン遺伝子関連ペプチド、またはそれらの組み合わせ物から成る群から選択されるコリン作動性アゴニストである、請求項１０の方法。
【請求項１３】
インビボにおける血管運動反応に及ぼす化合物の効果を評価する方法であって、
ａ．ウサギの中心耳動脈（ＣＥＡ）の管内腔の基線直径を測定すること；
ｂ．ウサギに該化合物を投与すること；
ｃ．該管の直径を前収縮させるために該ウサギの該ＣＥＡに血管収縮剤を投与すること；そして
ｄ．段階ａにおいて測定される該管内腔の基線直径と比較して該ウサギの該ＣＥＡの該管内腔の直径を測定することによって、段階ｃから得られる該管の直径に及ぼす該化合物の効果を決定すること；
の段階を含む、方法。
【請求項１４】
該管内腔の直径が超音波画像システムによって測定される、請求項１３の方法。
【請求項１５】
インビボにおける血管運動反応に及ぼす化合物の効果を評価する方法であって、
ａ．ウサギの中心耳動脈（ＣＥＡ）の管内腔の基線直径を測定すること；
ｂ．該ウサギに該化合物を投与すること；
ｃ．段階ａにおいて測定される該管内腔の基線直径と比較して該ウサギの該ＣＥＡの該管内腔の直径を測定することによって、段階ｂから得られる該管内腔の直径に及ぼす該化合物の効果を決定すること；
の段階を含む、方法。
【請求項１６】
該管内腔の直径が超音波画像システムによって測定される、請求項１５の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月16日(2012.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炎症性疾患、自己免疫疾患またはそれらの合併症を治療するためのジアセレインの１日１回投与用の制御放出製剤であって、有害な副作用が減少した制御放出製剤。
【請求項２】
該製剤が膜制御製剤、マトリックス製剤または浸透圧ポンプ製剤である、請求項１記載の制御放出製剤。
【請求項３】
該製剤が、即時放出製剤と比較した場合にバイオアベイラビリティの増加を提供する、請求項２記載の制御放出製剤。
【請求項４】
該製剤が界面活性剤、酸性化剤または緩衝剤を含む、請求項３記載の制御放出製剤。
【請求項５】
ジアセレインの粒径が２０００μｍ未満である、請求項３記載の制御放出製剤。
【請求項６】
ジアセレインが固体担体中に非晶質状態として存在している、請求項３記載の制御放出製剤。
【請求項７】
ジアセレインがシクロデキストリンと錯体を形成している、請求項３記載の制御放出製剤。
【請求項８】
ジアセレインが結晶性である、請求項３記載の制御放出製剤。
【請求項９】
５０ｍｇのジアセレインを含有する製剤が、定常状態に達したヒト患者に経口投与された場合に、ヒトの中で１ｍｇ／Ｌ以上の濃度のレインの血漿濃度を１２時間以上維持する、請求項１記載の制御放出製剤。
【請求項１０】
１００ｍｇのジアセレインを含有する製剤が、定常状態に達したヒト患者に経口投与された場合に、ヒトの中で２ｍｇ／Ｌ以上の濃度のレインの血漿濃度を１２時間以上維持する、請求項１記載の制御放出製剤。
【請求項１１】
１５０ｍｇのジアセレインを含有する製剤が、定常状態に達したヒト患者に経口投与された場合に、ヒトの中で３ｍｇ／Ｌ以上の濃度のレインの血漿濃度を１２時間以上維持する、請求項１記載の制御放出製剤。
【請求項１２】
２００ｍｇのジアセレインを含有する製剤が、定常状態に達したヒト患者に経口投与された場合に、ヒトの中で４ｍｇ／Ｌ以上の濃度のレインの血漿濃度を１２時間以上維持する、請求項１記載の制御放出製剤。
【請求項１３】
前述の有害な副作用が下痢である、請求項１記載の制御放出製剤。
【請求項１４】
Ｉ型／ＩＩ型糖尿病または骨関節炎を治療するための、請求項１記載の制御放出製剤。
【請求項１５】
Ｉ型／ＩＩ型糖尿病からの合併症を治療するための、請求項１記載の制御放出製剤。
【請求項１６】
Ｉ型／ＩＩ型糖尿病からの合併症が腎障害、網膜症、神経障害または足部潰瘍である、請求項１５記載の制御放出製剤。
【請求項１７】
第一有効成分のジアセレインおよび炎症性疾患、自己免疫疾患またはそれらの合併症を治療するための第二有効成分を含む、請求項１記載の１日１回投与用の制御放出製剤。
【請求項１８】
前述の第二有効成分がアンジオテンシン変換酵素阻害剤、アンジオテンシンＩＩ受容体遮断薬、血糖降下薬、または非ステロイド性抗炎症薬である、請求項１７記載の制御放出製剤。
【請求項１９】
２０.０重量％のジアセレイン、２０.０重量％のヒドロキシメチルプロピルセルロース、５７.０重量％のマンニトール、２.０重量％のポビドンおよび１.０重量％のステアリン酸マグネシウムを含む、請求項１記載の制御放出製剤。
【請求項２０】
２０.０重量％のジアセレイン、４０.０重量％のヒドロキシメチルプロピルセルロース、３７.０重量％のマンニトール、２.０重量％のポビドンおよび１.０重量％のステアリン酸マグネシウムを含む、請求項１記載の制御放出製剤。
【請求項２１】
２０.０重量％のジアセレイン、３３.０重量％のヒドロキシメチルプロピルセルロース、４６.０重量％のマンニトールおよび１.０重量％のステアリン酸マグネシウムを含む、請求項１記載の制御放出製剤。
【請求項２２】
活性層、持続放出フィルム層、および遅延放出フィルム層を含む、請求項１記載の制御放出製剤。
【請求項２３】
該活性層が４０.０重量％〜５０.０重量％の微結晶セルロース、２０.０重量％〜３０.０重量％のジアセレイン、２.０重量％〜５.０重量％のポビドンおよび２０.０重量％〜３０.０重量％のマンニトールを含む、請求項２２記載の制御放出製剤。
【請求項２４】
該活性層が５０.０重量％の微結晶セルロース、２５.０重量％のジアセレイン、２.０重量％のポビドンおよび２３.０重量％のマンニトールを含む、請求項２１記載の制御放出製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月7日(2012.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−８０℃〜＋８０℃の特定の温度掃引を用い、かつ１０Ｈｚで１０＋０．２％である特定のコンパクションを用いて、４０以上９５以下のＤＩＮ  ５３  ５０５およびＡＳＴＭ  Ｄ２２４０に対するショアＡ硬度を有し、−８０℃以上０℃以下のＤＩＮ  ５３  ５１３に対するガラス転移温度Ｔｇ（Ｅ''ｍａｘ）を有し、
天然ゴム、合成ポリ−イソプレンゴム、ポリイソブチレンゴム、ポリブタジエンゴム、およびスチレン−ブタジエンゴムから選択される少なくとも１つの加硫性ジエンゴムと；
少なくとも１０ｐｈｒが、カーボンブラック、シリカ、またはそれらの組み合わせでなければならず、かつ、カーボンブラック、シリカ、シリコンベースのフィラー、および金属酸化物から選択される、３５〜３００ｐｈｒである少なくとも１つの活性フィラーと；
０〜２５０ｐｈｒである他の、または、さらなる追加的な添加物と；
架橋して４を超える官能性をもたらす、０．１・１０−３〜４２・１０−３ｍｈｒ（ゴム１００部あたりのモル数）の加硫剤と；
０．１〜２０ｐｈｒである少なくとも１つの加硫促進剤と；
を含むことを特徴とするタイヤ組成物。
【請求項２】
前記加硫剤が、炭化水素の化学的性質、またはヘテロハイドロカーボンの化学的性質、またはシロキサンの化学的性質の構造を含むことを特徴とする請求項１に記載のタイヤ組成物。
【請求項３】
前記加硫剤が、以下の一般式：
Ｇ［ＣａＨ２ａ−ＣＨ２−ＳｘＹ］ｎ
を有する含硫構造を含み、
式中Ｇが、多価炭化水素基、および／またはヘテロハイドロカーボン基、および／またはシロキサン基であり、１〜１００個の原子を含み；Ｙの出現はそれぞれ独立してゴム活性基から選択されており；かつ下付き変数ａ、ｘおよびｎはそれぞれ整数であって、独立して以下があてはまり：ａは０〜６であり；ｘは０〜８であり；かつｎは３〜５であること、を特徴とする請求項２に記載のタイヤ組成物。
【請求項４】
前記加硫剤が、以下の一般式：
Ｇ［ＣａＨ２ａ−ＣＨ２−ＳｘＹ］ｎ
を有する含硫環状構造を含み、
式中Ｇが、多価環状ハイドロカルビレン基、および／またはヘテロハイドロカルビレン基、および／または環状シロキサン基であり、５〜８個の原子を該環状構造中に含み；Ｙはそれぞれ独立してゴム活性基から選択されており；かつａ、ｘおよびｎはそれぞれ整数であって、独立して以下があてはまり：ａは０〜６であり；ｘは０〜８であり；かつｎは３〜５であること、を特徴とする請求項２に記載のタイヤ組成物。
【請求項５】
前記加硫剤が、以下の一般式：
Ｇ［ＣａＨ２ａ−ＣＨ２−ＳｘＹ］ｎ
を有する含硫環状脂肪族炭化水素を含み、
式中Ｇが、多価環状ハイドロカルビレン基であり、５〜７個の炭素原子を含み；Ｙはそれぞれ独立して、チオスルホン酸基、ジチオカルバメート基、チオカルボニル基、メルカプト基、炭化水素基、またはチオスルホン酸ナトリウム基（ブンテ塩基）から選択されており；かつａ、ｘおよびｎはそれぞれ整数であって、独立して以下があてはまり：ａは０〜６であり；ｘは０〜８であり；かつｎは３〜５であること、を特徴とする請求項４に記載のタイヤ組成物。
【請求項６】
３０〜１００ｐｈｒである少なくとも１つのジエンゴムを含むことを特徴とする請求項１に記載のタイヤ組成物。
【請求項７】
前記追加的な添加物が可塑剤を含むことを特徴とする請求項１に記載のタイヤ組成物。
【請求項８】
０．１〜１５ｐｈｒである少なくとも１つの加硫促進剤を含むことを特徴とする請求項１に記載のタイヤ組成物。
【請求項９】
１０〜２２０ｐｈｒである追加的な添加物を含むことを特徴とする請求項１に記載のタイヤ組成物。
【請求項１０】
前記フィラーが少なくとも１つの非晶質シリカであることを特徴とする請求項１に記載のタイヤ組成物。
【請求項１１】
前記フィラーが非晶質シリカおよびカーボンブラックを含むことを特徴とする請求項１に記載のタイヤ組成物。
【請求項１２】
前記フィラーが少なくとも１つのカーボンブラックを含むことを特徴とする請求項１に記載のタイヤ組成物。
【請求項１３】
タイヤを製造するための請求項１に記載のタイヤ組成物の用途。
【請求項１４】
タイヤのトレッド又はタイヤ内部部品を製造するための請求項１３に記載のタイヤ組成物の用途。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月12日(2012.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の薄膜をパターン化する方法であって、
前記基板上に磁気薄膜を配置するステップと、
高エネルギーイオンの貫通を可能にする選択領域を有するパターンを前記磁気薄膜の上に配置するステップと、
１つまたは複数の元素の高エネルギーイオンを発生させるステップと、
前記磁気薄膜の少なくとも一部を前記１つまたは複数の元素の前記高エネルギーイオンにさらすステップであって、前記基板に約１ｋＶから約１１ｋＶの範囲内のバイアスをかけるステップと、
前記選択領域に近接した前記磁気薄膜の磁気特性を第１の値から第２の値に変えるステップであって、前記第２の値がゼロよりも大きいステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記パターンを配置するステップが、前記磁気薄膜に近接してマスクを位置決めするステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記マスクがポリビニルアルコールを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記パターンを配置するステップが、
前記磁気薄膜の表面にレジストを堆積させるステップと、
三次元パターンを有する型と前記レジストを接触させて前記レジスト中に窪みを作るステップであって、前記窪みが薄いレジストの場所と厚いレジストの場所を作り、前記薄いレジストが、高エネルギーイオンの貫通を可能にする前記選択領域に対応しているステップと、
前記レジストを硬化するステップと
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記磁気薄膜の少なくとも一部を高エネルギーイオンにさらす前記ステップが、前記磁気薄膜をプラズマにさらすステップを含み、前記高エネルギーイオンが、前記薄いレジストを貫通して前記磁気薄膜に接触するのに十分なエネルギーを有する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記レジストを除去するステップをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
熱可塑ナノインプリントリソグラフィまたは光ナノインプリントリソグラフィを使用して、前記磁気膜の表面上に前記レジストを堆積して硬化させ、前記１つまたは複数の元素が水素、ヘリウム、ホウ素、硫黄、アルミニウム、リチウム、ネオン、ゲルマニウム、およびこれらの組合せから成る群から選ばれる、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記磁気薄膜の上にパターンを配置する前記ステップが、前記基板の両面にパターンを配置するステップを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
基板上の磁気薄膜をパターン化する方法であって、
前記磁気薄膜の周りにパターンを設けるステップであって、前記パターンの選択領域では、１つまたは複数の元素の高エネルギーイオンが前記磁気薄膜の部分に接触することができるステップと、
前記パターンの選択領域および前記選択領域に近接した前記磁気薄膜の一部に侵入するのに十分なエネルギーを持った、１つまたは複数の元素の高エネルギーイオンを発生させるステップと、
前記高エネルギーイオンが前記磁気薄膜に接触するように、前記基板を前記高エネルギーイオンにさらすステップと、
前記選択領域に近接した前記磁気薄膜の前記一部を熱励起に供するステップと、
前記選択領域に近接した前記磁気薄膜の磁気特性を第１の値から第２の値に変えるステップであって、前記第２の値がゼロよりも大きいステップと
を含む方法。
【請求項１０】
前記選択領域に近接した前記磁気薄膜の部分が、イオンの前記侵入の前と異なる磁気特性を示す、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記選択領域に近接した前記磁気薄膜の前記一部を熱励起に供する前記ステップが、前記磁気薄膜の選択された他の部分を熱励起に供するステップをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記磁気薄膜の前記選択された他の部分を熱励起に供する前に、前記選択された他の部分の周りの前記パターンを除去するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記パターンを設ける前記ステップが、前記磁気薄膜の上にレジストをコーティングして前記パターンの前記選択領域に対応する複数の突起を有する型をインプリントするステップを含み、前記インプリントするステップが前記レジスト中に窪みを作り、前記窪みが幅および深さを有し、前記窪みを取り囲むレジストが前記窪みの深さと少なくともほぼ同じくらいのレジスト厚さを有し、かつ前記窪みを取り囲む前記レジスト厚さが、前記窪みを取り囲む前記レジストを高エネルギーイオンが貫通することを実質的に防ぐのに十分である、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記選択領域に近接した前記磁気薄膜の前記一部を熱励起に供する前記ステップが、レーザアニール、フラッシュアニール、高速熱アニール、またはマイクロ波エネルギーの印加によって前記磁気薄膜を加熱するステップを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記パターンを設ける前記ステップが、前記磁気薄膜の上にレジストをコーティングし、前記パターンの前記選択領域に対応する複数の突起を有する型をインプリントするステップを含む、請求項９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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