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　平成　８年特許願第２５７７５７号「ＳＯＩ基板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　３月３１日出願公開、特開平１０−　８４１００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成８年９月６日の出願であって、平成１４年５月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月１０日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものであり、その請求項に係る発明は、平成１４年４月１８日付けの手続補正書で補正された明細書及び図面からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至６に記載された事項により特定されるとおりの「ＳＯＩ基板の製造方法」であると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　「ＳＯＩ基板を還元性雰囲気中で加熱処理する工程を有するＳＯＩ層の厚さが０．５ミクロン以下のＳＯＩ基板の製造方法において、
　該基板を還元性雰囲気中で熱処理する工程は、ＳＯＩ層の厚さを０．５ミクロンより厚いものとして行われ、
　その後ＳＯＩ層を薄膜化して所望厚さのＳＯＩ層に仕上げる、
　ことを特徴とするＳＯＩ層の厚さが０．５ミクロン以下のＳＯＩ基板の製造方法。」
　
２．引用例
　これに対して、原査定において拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平８−１３９２９７号公報（以下、「引用例１」という。）には、図１〜図４とともに、次のとおり記載されている。
（１）「所望の導電形不純物を第１不純物濃度で有する第１の半導体基板の一面に、前記第１不純物濃度より高い第２不純物濃度で前記所望の導電形不純物を有する半導体層を形成する工程と、
前記第１の半導体基板の前記半導体層の表面を、絶縁膜で覆われた第２の半導体基板に接着する工程と、
前記半導体層の形成されていない側の面から第１の半導体基板を削っていって前記半導体層を露出する工程と、
前記半導体層の接着された前記第２の半導体基板を還元性雰囲気中で加熱して、前記半導体層の不純物濃度を低減する熱処理工程とを少なくとも備えたことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。」（特許請求の範囲の請求項１）
（２）「請求項１記載のＳＯＩ基板の製造方法において、
前記熱処理工程の後に、酸化性雰囲気中で前記ＳＯＩ基板を酸化して酸化膜を形成する工程と、
この酸化膜を除去する工程と、
前記半導体層の不純物濃度の低減を行う工程とを有することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。」（特許請求の範囲の請求項２）
（３）「【００２３】
【発明の実施の形態】以下この発明の実施の形態を図を参照して説明する。なお、以下の説明において、これまでに説明した従来のものと同じものについては、図中、従来と同じ符号を用いて説明することにする。まず、図１の実施の形態において、活性層を形成する１０１５〜１０１６ｃｍ−３程度の不純物濃度の低濃度シリコンウェハ１０に、イオン注入法あるいは拡散法により５ｘ１０１９程度の不純物濃度としたｐ形高濃度シリコン層１１を形成して活性層側ウェハ１５を得る。」（明細書段落番号【００２３】）
（４）「【００２６】つぎに、図１（ｂ）に示すように、この活性層側ウェハ１５と、シリコンウェハ１６の表面を熱酸化することでシリコン酸化膜１７を形成した支持ウェハ１３とを貼り合わせる。この場合のシリコン酸化膜１７の厚さは、０．１〜１μｍである。この張り合わせの後、接着強度を高めるために熱処理を行う。この熱処理は、ｐ形高濃度層中の不純物の再拡散がおきないように、９００〜１０００℃で行う。つぎに、ＫＯＨ液あるいはＥＰＷ液等の濃度差エッチング液で、活性層側ウェハ１５の低濃度シリコンウェハ１０を、張り合わせ面から離れた面から選択エッチングする（削っていく）。」（明細書段落番号【００２６】）
（５）「【００２８】つぎに、還元性雰囲気のもとで熱処理を行う。そうすると、熱処理中に、ｐ形高濃度シリコン層１１中の不純物は、ｐ形高濃度シリコン層１１の表面から大気中へ拡散する。その結果、ｐ形高濃度シリコン層１１中の不純物は減少し、ｐ形高濃度シリコン層１１は低濃度シリコン層２１へと変わる（図１（ｄ））。
【００２９】ここで、還元性雰囲気中の熱処理効果を説明する。まず、図２は、ＥＰＷ液によるエッチングストップ後の、膜厚が０．５μｍのｐ形高濃度シリコン層１１中のボロン濃度〔原子数／ｃｍ３〕と深さ〔μｍ〕の関係を示すものである。ボロンの濃度は、２次イオン質量（ＳＩＭＳ）分析により求めた。次に、そのｐ形高濃度シリコン層１１を、水素雰囲気（還元雰囲気）中で１１００℃、１時間、熱処理を行うと、図３に示すようになる。図３もボロン濃度〔原子数／ｃｍ３〕と深さ〔μｍ〕の関係を示している。図３からわかるように、水素雰囲気中の熱処理によって、シリコン膜中のボロン濃度は３．０×１０１８／ｃｍ３となり、図２に示す熱処理前に比べ、ボロン濃度は約１／２０に減少している。
【００３０】そして、膜厚０．２μｍのｐ形高濃度シリコン層１１について、上記と同様に水素雰囲気中で１１００℃、１時間の熱処理を行うと、図４に示すようになる。図４も、図２，３と同様に、ボロン濃度〔原子数／ｃｍ３〕と深さ〔μｍ〕の関係を示している。図４から明らかなように、ボロン濃度の低下はさらに顕著となり、シリコン膜１１中のボロン濃度は１．６×１０１７／ｃｍ３に低減し、熱処理前に比べボロン濃度は約１／４００に激減している。」（明細書段落番号【００２８】−【００３０】）
（６）「【００３９】また、この実施の形態において、還元性ガス雰囲気または不活性ガス雰囲気中での熱処理工程の後に、酸化性雰囲気中でＳＯＩ層を酸化し、その酸化膜を除去し、さらに低濃度シリコン層２１の不純物濃度の低減を行うようにしてもよい。このようにすれば、熱処理による外方拡散だけの作用により所定の不純物濃度に低減するだけでなく、その後の酸化処理によるボロン等の吸い出し効果も併用し、ＳＯＩ層の不純物濃度を一層低減することができる。
【００４０】例えば、図４で説明した試料を１０００℃で１時間酸化し、これによって形成された酸化膜を除去すると、厚さ０．１μｍのＳＯＩ層が得られる。」（明細書段落番号【００３９】−【００４０】）
　
　これらの記載から、引用例１において、シリコンウェハの表面を熱酸化することでシリコン酸化膜を形成した支持ウェハに張り合わされているｐ形高濃度シリコン層の厚さが、０．５ミクロンの時に、ＳＯＩ基板を還元性雰囲気中で熱処理する工程によって、ｐ形高濃度シリコン層中の不純物は大気中に拡散し、ｐ形高濃度シリコン層は低濃度シリコン層へと変わるから、低濃度シリコン層の厚さも０．５ミクロンであることは明らかであり、また、この熱処理する工程の後に、厚さが０．５ミクロンの低濃度シリコン層を酸化性雰囲気中で酸化し、その酸化膜を除去すると、低濃度シリコン層の厚さが０．５ミクロン以下になることも明らかである。
　よって、引用例１には、
「ＳＯＩ基板を還元性雰囲気中で熱処理する工程を有する低濃度シリコン層の厚さが０．５ミクロン以下のＳＯＩ基板の製造方法において、該基板を還元性雰囲気中で熱処理する工程は、シリコンウェハ表面に形成されたシリコン酸化膜に張り合わされたｐ形高濃度シリコン層の厚さを０．５ミクロンとして行われ、前記熱処理する工程により、前記ｐ形高濃度シリコン層は、前記低濃度シリコン層に変わり、その後前記低濃度シリコン層を酸化性雰囲気中で酸化し、その酸化膜を除去する、ことを特徴とする低濃度シリコン層の厚さが０．５ミクロン以下のＳＯＩ基板の製造方法。」
が記載されている。
　
　また、同様に、原査定において拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平７−２８３３８０号公報（以下、「引用例２」という。）には、図１及び図２とともに、次のとおり記載されている。
（１）「・・・図１に本発明の第１の実施例に依るＳＯＩ基板の断面図を示す。同図に示すように、シリコン基板１０３上に５００〜２００００オングストロームのシリコン酸化膜１０２があり、その上に外方拡散により低濃度化したｐ型シリコン層１０１ａが存在する。図中、矢印は外方拡散方向を示す。シリコン基板１０３はｎ型でもｐ型でも可能であり、比抵抗も０．００１〜１０６（Ω・ｃｍ）のあらゆる値のものが使える。
【００２３】図２（ａ），（ｂ）は厚さ５０００オングストロームの場合の、外方拡散前と外方拡散後の濃度プロファイルを示すものである。図２における外方拡散は後述するＳＯＩ基板の製造方法によるものであり、同図に示すように、ｐ型シリコン層のボロンの不純物濃度１０２０ｃｍ−３を１０１６ｃｍ−３程度とすることができる。」（明細書段落番号【００２２】−【００２３】）
（２）「【００２８】次にＮ２又はＡｒ等の不活性ガス中又はＨ２等の還元性ガス中で、熱処理することで、ｐ＋型層１０１ｂを低濃度化して図１に示すようなＳＯＩ基板を得た。熱処理温度と時間により、低濃度化の程度が制御できる。熱処理温度としては１０００℃以上で充分な効果を発揮するが、処理時間を短縮化するためには出来るだけ高温が良い。」（明細書段落番号【００２８】）
（３）「【００６０】本実施例においては、減圧の効果とＨ２雰囲気の効果の両者をかけ合わせて外方拡散を行った。外方拡散の条件は、圧力１０−７ｔｏｒｒ〜５００ｔｏｒｒ、Ｈ２流量１０リットル／ｍｉｎ〜２００リットル／ｍｉｎ、温度１０００℃〜１３００℃で行うことができる。一例として図２８に圧力８０ｔｏｒｒ、Ｈ２流量１００リットル／ｍｉｎ、温度１１５０℃でボロンの外方拡散を行った実験結果を示す。横軸をＳｉ膜厚とし、外方拡散時間をパラメータとしたＳｉ膜中の平均ボロン濃度をプロットした。外方拡散前のボロンの濃度は５Ｅ１８〜３Ｅ１９、ＳＯＩのＳｉ膜厚は１６００〜１１１００オングストロームである。
【００６１】なお、ボロン濃度は、Ｓｉ膜中の平均的な濃度である。外方拡散時間と伴にＳｉ膜中のボロン濃度が小さくなる様子と、Ｓｉ膜厚が薄いほど、ボロンが効果的に放出される傾向が確認でき、Ｓｉ膜厚約６０００オングストローム以下において、Ｓｉ膜中の平均ボロン濃度１０１５台まで減少させることができた。」（明細書段落番号【００６０】−【００６１】）
　
３．対比・判断
　本願発明と引用例１に記載された発明（以下、「引用発明」という。）を対比すると、引用発明の「熱処理する工程」、「シリコンウェハ表面に形成されたシリコン酸化膜に張り合わされたｐ形高濃度シリコン層」は、それぞれ、本願発明の「加熱処理する工程」、「基板を還元性雰囲気中で熱処理する工程」での「ＳＯＩ層」に相当する。
　また、引用発明において、ＳＯＩ基板を還元性雰囲気中で熱処理する工程によって、シリコンウェハ表面に形成されたシリコン酸化膜に張り合わされたｐ形高濃度シリコン層は低濃度シリコン層へと変わるから、引用発明の「低濃度シリコン層」は、本願発明の「薄膜化」する前の「ＳＯＩ層」に相当する。
　さらに、引用発明において、低濃度シリコン層を酸化性雰囲気中で酸化し、その酸化膜を除去すると、この低濃度シリコン層は薄膜化され、所望厚さに仕上げられるから、引用発明の「前記低濃度シリコン層を酸化性雰囲気中で酸化し、その酸化膜を除去する」ことは、本願発明の「ＳＯＩ層を薄膜化して所望厚さのＳＯＩ層に仕上げる」ことに相当する。
　してみると、両者は、「ＳＯＩ基板を還元性雰囲気中で加熱処理する工程を有するＳＯＩ層の厚さが０．５ミクロン以下のＳＯＩ基板の製造方法において、
　該基板を還元性雰囲気中で熱処理する工程の後ＳＯＩ層を薄膜化して所望厚さのＳＯＩ層に仕上げる、
　ことを特徴とするＳＯＩ層の厚さが０．５ミクロン以下のＳＯＩ基板の製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　相違点　
　本願発明では、ＳＯＩ「基板を還元性雰囲気中で熱処理する工程は、ＳＯＩ層の厚さを０．５ミクロンより厚いものとして行われ、その後ＳＯＩ層を薄膜化して所望厚さのＳＯＩ層に仕上げ」たときの「ＳＯＩ層の厚さが０．５ミクロン以下」であるのに対して、引用発明では、ＳＯＩ「基板を還元性雰囲気中で熱処理する工程は、シリコンウェハ表面に形成されたシリコン酸化膜に張り合わされたｐ形高濃度シリコン層の厚さを０．５ミクロンとして行われ、前記熱処理する工程により、前記ｐ形高濃度シリコン層は、前記低濃度シリコン層に変わり、その後前記低濃度シリコン層を酸化性雰囲気中で酸化し、その酸化膜を除去」したときの「低濃度シリコン層の厚さが０．５ミクロン以下」である点。
　
　相違点についての検討
　引用例２には、シリコン基板上のシリコン酸化膜の上に存在するｐ型シリコン層、すなわち、ＳＯＩ層の厚さが例えば約６０００オングストローム（０．６ミクロン）以下のＳＯＩ基板を還元雰囲気中で熱処理し、ＳＯＩ層中のボロンを外方拡散させることで、ＳＯＩ層中のボロン濃度を１０１５（ｃｍ−３）台まで減少できることが記載されているから、ＳＯＩ層の厚さが０．５ミクロンより厚くても、ＳＯＩ層中のボロンが外方拡散することは明らかである。
　ところで、本願明細書には、「図１より、空洞の密度はＳＯＩ層の膜厚に依存し、ＳＯＩ層の膜厚が０．２ミクロンでは約８個ｃｍ−２の空洞が生じているが、ＳＯＩ層の膜厚が０．５ミクロンより厚いと空洞の発生はほぼ抑制されている。」（段落番号【００３５】）と記載されているが、図１において、ＳＯＩ層の膜厚が、例えば０．４５ミクロンの時の空洞密度は、０〜０．５個ｃｍ−２程度であるから、空洞の発生はほぼ抑制されているものと認められ、しかも、図１には、ＳＯＩ層の膜厚が０．５ミクロンの時の空洞密度の値は記載されていない。
　そうすると、本願明細書及び図面の記載からは、ＳＯＩ基板を還元性雰囲気中で熱処理するときのＳＯＩ層の厚さとして、０．５ミクロンなる数値に臨界的な意義があるとはいえない。
　よって、引用発明において、ＳＯＩ基板を還元性雰囲気中で熱処理する工程を、シリコンウェハ表面に形成されたシリコン酸化膜に張り合わされたｐ形高濃度シリコン層の厚さが０．５ミクロンである代わりに０．５ミクロンより厚いものとして行うことは、当業者であれば適宜選択できる程度のものであるし、また、ＳＯＩ基板を還元性雰囲気中で熱処理する工程が、シリコンウェハ表面に形成されたシリコン酸化膜に張り合わされたｐ形高濃度シリコン層の厚さを０．５ミクロンとして行われたとしても、一応の効果が得られるものと認められる。
　そして、引用発明において、低濃度シリコン層を酸化性雰囲気中で酸化し、その酸化膜を除去したときの低濃度シリコン層の厚さは、もともと０．５ミクロン以下であるから、ＳＯＩ基板を還元性雰囲気中で熱処理する工程を、シリコンウェハ表面に形成されたシリコン酸化膜に張り合わされたｐ形高濃度シリコン層の厚さが０．５ミクロンである代わりに０．５ミクロンより厚いものとして行った際にも、この熱処理する工程の後、低濃度シリコン層を酸化性雰囲気中で酸化し、その酸化膜を除去したときの低濃度シリコン層の厚さを０．５ミクロン以下とすることは、当業者であれば必要に応じて適宜なし得る程度の事項に過ぎない。
　したがって、本願発明は、当業者が各引用例に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２乃至６に係る発明について検討するまでもなく、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　よって、結論のとおりに審決する。