【手続補正書】
【提出日】平成26年6月3日(2014.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池構造体の製造方法であって、
太陽電池基板上に薄い誘電体層を形成する工程と、
Ｐ型にドーピングされたシリコンナノ粒子を前記薄い誘電体層の上に印刷することによって、前記太陽電池構造体の複数の第１拡散領域を形成する工程と、
Ｎ型にドーピングされたシリコンナノ粒子を前記薄い誘電体層の上に印刷することによって、前記太陽電池構造体の複数の第２拡散領域を形成する工程と、
前記Ｎ型にドーピングされたシリコンナノ粒子及びＰ型にドーピングされたシリコンナノ粒子の融点を下回る第１温度で、前記Ｎ型にドーピングされたシリコンナノ粒子及びＰ型にドーピングされたシリコンナノ粒子を加熱することによって、前記薄い誘電体層の上に連続したナノ粒子膜を形成する工程と
を備える太陽電池構造体の製造方法。
【請求項２】
前記Ｎ型にドーピングされたシリコンナノ粒子及びＰ型にドーピングされたシリコンナノ粒子を前記第１温度で加熱する前に、前記Ｎ型にドーピングされたシリコンナノ粒子及びＰ型にドーピングされたシリコンナノ粒子を、前記第１温度を下回る第２温度で加熱することによって、前記Ｎ型にドーピングされたシリコンナノ粒子及びＰ型にドーピングされたシリコンナノ粒子から有機物を除去する工程を更に備える、請求項１に記載の太陽電池構造体の製造方法。
【請求項３】
前記Ｎ型にドーピングされたシリコンナノ粒子及びＰ型にドーピングされたシリコンナノ粒子は、炉内を所定の速度で動かされつつ、前記第２温度で加熱される、請求項２に記載の太陽電池構造体の製造方法。
【請求項４】
前記薄い誘電体層は、シリコン基板の表面に熱成長させた二酸化シリコンを含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の太陽電池構造体の製造方法。
【請求項５】
前記Ｎ型にドーピングされたシリコンナノ粒子及びＰ型にドーピングされたシリコンナノ粒子を印刷する前に、前記薄い誘電体層上に湿潤剤を形成する工程を更に備える、請求項１から４のいずれか一項に記載の太陽電池構造体の製造方法。
【請求項６】
前記湿潤剤が非晶質シリコンを含む、請求項５に記載の太陽電池構造体の製造方法。
【請求項７】
前記Ｎ型にドーピングされたシリコンナノ粒子及びＰ型にドーピングされたシリコンナノ粒子の粒子サイズは、１０ナノメートル未満である、請求項１から６のいずれか一項に記載の太陽電池構造体の製造方法。
【請求項８】
太陽電池構造体の製造方法であって、
シリコン基板の表面に二酸化シリコンを成長させる工程と、
前記二酸化シリコンの上にシリコンナノ粒子を印刷することによって、前記太陽電池構造体の拡散領域を形成する工程と、
前記シリコンナノ粒子を第１温度で加熱することによって、前記シリコンナノ粒子から有機物を除去する工程と、
前記第１温度よりも高く、かつ、前記シリコンナノ粒子の融点を下回る第２温度で前記シリコンナノ粒子を加熱することによって、前記二酸化シリコンの上に連続したナノ粒子膜を形成する工程と
を備える太陽電池構造体の製造方法。
【請求項９】
前記シリコンナノ粒子を印刷する前に、前記二酸化シリコン上に湿潤剤を形成する工程を更に備える、請求項８に記載の太陽電池構造体の製造方法。
【請求項１０】
前記シリコンナノ粒子の粒子サイズが、１０ナノメートル未満である、請求項８または９に記載の太陽電池構造体の製造方法。
【請求項１１】
太陽電池構造体の製造方法であって、
太陽電池基板上に薄い誘電体を形成する工程と、
前記薄い誘電体の上にシリコンナノ粒子を形成することによって、前記太陽電池構造体の拡散領域を形成する工程と、
前記シリコンナノ粒子の融点を下回る温度で、前記シリコンナノ粒子を加熱する工程と
を備える太陽電池構造体の製造方法。
【請求項１２】
前記薄い誘電体と前記拡散領域との間に、湿潤剤を形成する工程を更に備える、請求項１１に記載の太陽電池構造体の製造方法。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか一項に記載の製造方法により製造される太陽電池構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
シリコンナノ粒子を有する太陽電池の製造技術が開示されている。本発明の具体的な実施形態を提供したが、これらの実施形態は説明を目的としたものであり、限定的なものでないことは理解されよう。多くの追加的実施形態が、本開示を読む当業者にとっては明らかとなろう。
［項目１］
太陽電池構造体の製造方法であって、
太陽電池基板上に薄い誘電体層を形成する工程と、
Ｐ型にドーピングされたシリコンナノ粒子を前記薄い誘電体層の上に印刷することによって、前記太陽電池構造体の複数の第１拡散領域を形成する工程と、
Ｎ型にドーピングされたシリコンナノ粒子を前記薄い誘電体層の上に印刷することによって、前記太陽電池構造体の複数の第２拡散領域を形成する工程と、
前記Ｎ型にドーピングされたシリコンナノ粒子及びＰ型にドーピングされたシリコンナノ粒子の融点を下回る第１温度で、前記Ｎ型にドーピングされたシリコンナノ粒子及びＰ型にドーピングされたシリコンナノ粒子を加熱することによって、前記薄い誘電体層の上に連続したナノ粒子膜を形成する工程と
を備える太陽電池構造体の製造方法。
［項目２］
前記Ｎ型にドーピングされたシリコンナノ粒子及びＰ型にドーピングされたシリコンナノ粒子を前記第１温度で加熱する前に、前記Ｎ型にドーピングされたシリコンナノ粒子及びＰ型にドーピングされたシリコンナノ粒子を、前記第１温度を下回る第２温度で加熱することによって、前記Ｎ型にドーピングされたシリコンナノ粒子及びＰ型にドーピングされたシリコンナノ粒子から有機物を除去する工程を更に備える、項目１に記載の太陽電池構造体の製造方法。
［項目３］
前記Ｎ型にドーピングされたシリコンナノ粒子及びＰ型にドーピングされたシリコンナノ粒子は、炉内を所定の速度で動かされつつ、前記第２温度で加熱される、項目２に記載の太陽電池構造体の製造方法。
［項目４］
前記Ｎ型にドーピングされたシリコンナノ粒子及びＰ型にドーピングされたシリコンナノ粒子が、インクジェット印刷によって印刷される、項目１に記載の太陽電池構造体の製造方法。
［項目５］
前記Ｎ型にドーピングされたシリコンナノ粒子及びＰ型にドーピングされたシリコンナノ粒子が、インクジェット印刷ヘッドの同じパスでインクジェット印刷することによって印刷される、項目１に記載の太陽電池構造体の製造方法。
［項目６］
前記太陽電池基板が単結晶シリコン基板を含む、項目１に記載の太陽電池構造体の製造方法。
［項目７］
前記薄い誘電体層は、前記シリコン基板の表面に熱成長させた二酸化シリコンを含む、項目６に記載の太陽電池構造体の製造方法。
［項目８］
前記Ｎ型にドーピングされたシリコンナノ粒子及びＰ型にドーピングされたシリコンナノ粒子を印刷する前に、前記薄い誘電体層上に湿潤剤を形成する工程を更に備える、項目１に記載の太陽電池構造体の製造方法。
［項目９］
前記湿潤剤が非晶質シリコンを含む、項目８に記載の太陽電池構造体の製造方法。
［項目１０］
前記Ｎ型にドーピングされたシリコンナノ粒子及びＰ型にドーピングされたシリコンナノ粒子の粒子サイズは、１０ナノメートル未満である、項目１に記載の太陽電池構造体の製造方法。
［項目１１］
項目１の製造方法により製造される太陽電池構造体。
［項目１２］
太陽電池構造体の製造方法であって、
シリコン基板の表面に二酸化シリコンを成長させる工程と、
前記二酸化シリコンの上にシリコンナノ粒子を印刷することによって、前記太陽電池構造体の拡散領域を形成する工程と、
前記シリコンナノ粒子を第１温度で加熱することによって、前記シリコンナノ粒子から有機物を除去する工程と、
前記第１温度よりも高く、かつ、前記シリコンナノ粒子の融点を下回る第２温度で前記シリコンナノ粒子を加熱することによって、前記二酸化シリコンの上に連続したナノ粒子膜を形成する工程と
を備える太陽電池構造体の製造方法。
［項目１３］
前記シリコンナノ粒子が、インクジェット印刷ヘッドの同じパスでインクジェット印刷することによって印刷される、項目１２に記載の太陽電池構造体の製造方法。
［項目１４］
前記シリコンナノ粒子を印刷する前に、前記二酸化シリコン上に湿潤剤を形成する工程を更に備える、項目１２に記載の太陽電池構造体の製造方法。
［項目１５］
前記湿潤剤が非晶質シリコンを含む、項目１４に記載の太陽電池構造体の製造方法。
［項目１６］
前記シリコンナノ粒子の粒子サイズが、１０ナノメートル未満である、項目１２に記載の太陽電池構造体の製造方法。
［項目１７］
項目１２に記載の製造方法により製造される太陽電池構造体。
［項目１８］
太陽電池構造体の製造方法であって、
太陽電池基板上に薄い誘電体を形成する工程と、
前記薄い誘電体の上にシリコンナノ粒子を形成することによって、前記太陽電池構造体の拡散領域を形成する工程と、
前記シリコンナノ粒子の融点を下回る温度で、前記シリコンナノ粒子を加熱する工程と
を備える太陽電池構造体の製造方法。
［項目１９］
前記薄い誘電体と前記拡散領域との間に、湿潤剤を形成する工程を更に備える、項目１８に記載の太陽電池構造体の製造方法。
［項目２０］
項目１８に記載の製造方法により製造される太陽電池構造体。