【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年4月10日(2012.4.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記化学式２から選択される１つ以上の銀化合物及び下記化学式４または化学式５の１つ以上のアンモニウムカーボネート系化合物とを反応させて得られる銀錯体化合物。
2008530001.tif 000001
（化学式２）
（上記式で、ｎは１〜４の整数であり、Ｘは酸素、硫黄、ハロゲン、シアノ、シアネート、カーボネート、ニトレート、ニトライト、サルフェート、ホスフェート、チオシアネート、クロレート、パークロレート、テトラフルオロボレート、アセチルアセトネート、及びカルボキシレートから選択される置換基である）
2008530001.tif 000002
（化学式４）
2008530001.tif 000003
（化学式５）
（上記式で、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、互いに独立的に、それぞれ水素、炭素数１〜３０個の脂肪族や脂環族のアルキル基またはアリール基、または置換基が炭素数１〜６個のアルコキシ、シアノ及びアミノから選択される置換アルキル基や置換アリール基であり、但し、Ｒ１乃至Ｒ６が全て水素である場合は除く。）
【請求項２】
上記化学式２の銀化合物は、酸化銀、チオシアネート化銀、シアン化銀、シアネート化銀、炭酸銀、硝酸銀、亜硝酸銀、硫酸銀、燐酸銀、過塩素酸銀、四フッ素ボレート化銀、アセチルアセトネート化銀、酢酸銀、乳酸銀、及びシュウ酸銀から選択される何れか１つ以上のものであることを特徴とする請求項１に記載の銀錯体化合物。
【請求項３】
前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、互い独立的に、水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、アミル、ヘキシル、エチルヘキシル、ヘプチル、オクチル、イソオクチル、ノニル、デシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、ドコデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、メトキシエチル、メトキシプロピル、シアノエチル、アミノエチル、メトキシエトキシエチル、メトキシエトキシエトキシエチル、ヘキサメチレンイミン、モルホリン、ピペリジン、ピペラジン、ピロール、イミダゾール、ピリジン、フェニル、メトキシフェニル、シアノフェニル、及びトリルから選択され、但し、Ｒ１乃至Ｒ６が全て水素である場合は除くことを特徴とする請求項１に記載の銀錯体化合物。
【請求項４】
アンモニウムカーボネート系化合物は、エチルアンモニウムカーボネート、イソプロピルアンモニウムカーボネート、イソプロピルアンモニウムバイカーボネート、ｎ−ブチルアンモニウムカーボネート、イソブチルアンモニウムカーボネート、ｔ−ブチルアンモニウムカーボネート、ｔ−ブチルアンモニウムバイカーボネート、２−エチルヘキシルアンモニウムカーボネート、２−エチルヘキシルアンモニウムバイカーボネート、２−メトキシエチルアンモニウムカーボネート、２−メトキシエチルアンモニウムバイカーボネート、２−シアノエチルアンモニウムカーボネート、２−シアノエチルアンモニウムバイカーボネート、オクタデシルアンモニウムカーボネート、ジブチルアンモニウムカーボネート、ジオクタデシルアンモニウムカーボネート、ジオクタデシルアンモニウムバイカーボネート、メチルデシルアンモニウムカーボネート、ヘキサメチレンイミニウムカーボネート、モルホリウムカーボネート、アミノエチルアンモニウムカーボネート、オクチルアンモニウムバイカーボネート、イソブチルアンモニウムバイカーボネート、ｎ−ブチルアンモニウムバイカーボネート、及びモルホリンアンモニウムバイカーボネートから選択されることを特徴とする請求項１に記載の銀錯体化合物。
【請求項５】
化学式２の銀化合物は、酸化銀、炭酸銀またはその混合物であることを特徴とする請求項１に記載の銀錯体化合物。
【請求項６】
請求項１乃至５から選択される何れか一項の銀錯体化合物を用いて薄膜を形成した後、酸化処理、還元処理、熱処理、化学蒸着、プラズマ蒸着、スパッタリング、電気メッキ、リソグラフィ工程、赤外線、電子線、またはレーザー処理を施して、金属または金属酸化物膜を形成する方法。
【請求項７】
前記薄膜は、基板上に塗布して形成することを特徴とする請求項６に記載の金属または金属酸化物膜を形成する方法。
【請求項８】
前記基板は、ガラス、シリコン、ポリエステル、ポリイミド、紙から選択されることを特徴とする請求項７に記載の金属または金属酸化物膜を形成する方法。
【請求項９】
前記熱処理は、空気、窒素、アルゴン、水素、またはこれらの混合ガスで進行させることを特徴とする請求項６に記載の金属または金属酸化物膜を形成する方法。
【請求項１０】
前記塗布は、スピンコーティング、ロールコーティング、スプレーコーティング、ディップコーティング、フローコーティングから選択される塗布方法であることを特徴とする請求項７に記載の金属または金属酸化物膜を形成する方法。
【請求項１１】
前記塗布は、インクジェットプリンティング、オフセットプリンティング、スクリーンプリンティング、グラビアプリンティング、フレキソプリンティングから選択されるプリンティング方法によるものであることを特徴とする請求項７に記載の金属または金属酸化物膜を形成する方法。
【請求項１２】
前記銀錯体化合物を用いた塗布は、銀錯体化合物を、アルコール、グリコール、アセテート、エーテル、ケトン、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、及びハロゲン化炭化水素から選択される溶媒に溶解して製造した銀錯体化合物溶液を利用することを特徴とする請求項７に記載の金属または金属酸化物膜を形成する方法。
【請求項１３】
前記溶媒がメタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、エチレングリコール、グリセリン、エチルアセテート、ブチルアセテート、カルビトールアセテート、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、メチルエチルケトン、アセトン、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、クロロホルム、メチレンクロライド、カーボンテトラクロライドから選択される何れか１つ以上であることを特徴とする請求項１２に記載の金属または金属酸化物膜を形成する方法。
【請求項１４】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の銀錯体化合物をアルコール、グリコール、アセテート、エーテル、ケトン、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、及びハロゲン化炭化水素から選択される溶媒に溶解して製造した銀錯体化合物溶液。
【請求項１５】
前記溶媒がメタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、エチレングリコール、グリセリン、エチルアセテート、ブチルアセテート、カルビトールアセテート、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、メチルエチルケトン、アセトン、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、クロロホルム、メチレンクロライド、カーボンテトラクロライドから選択される何れか１つ以上であることを特徴とする請求項１４に記載の銀錯体化合物溶液。
【請求項１６】
上記化学式２の１つ以上の銀化合物と、一つ以上の化学式４又は化学式５のアンモニウムカーボネート系化合物とを、溶媒の存在下で、常温で反応させて、請求項１乃至５の何れか一項に記載された銀錯体化合物を製造する方法。
【請求項１７】
前記溶媒は、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、エチレングリコール、グリセリン、エチルアセテート、ブチルアセテート、カルビトールアセテート、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、メチルエチルケトン、アセトン、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、クロロホルム、メチレンクロライド、カーボンテトラクロライドから選択される何れか１つ以上であることを特徴とする請求項１６に記載の銀錯体化合物の製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
2008530001.tif 000004
（化学式２）
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
2008530001.tif 000005
（化学式４）
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
2008530001.tif 000006
（化学式５）
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
また、化学式４または化学式５において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、互いに独立的に、それぞれ水素、炭素数１〜３０個の脂肪族や脂環族のアルキル基またはアリール基、または置換基が炭素数１〜６個のアルコキシ、シアノ及びアミノから選択される置換アルキル基や置換アリール基であり、但し、Ｒ１乃至Ｒ６が全て水素である場合は除く。 
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
2008530001.tif 000007
（化学式１）
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
以下、実施例を通じて本発明を詳細に説明するが、本発明がこれらの実施例に限定されるものではない。また、参考例として化学式２で表される銀化合物と、下記化学式３で表されるアンモニウムカルバメ―ト系化合物とを反応して得られる有機銀錯体化合物及びこれの製造方法についてもあわせて説明する。
2008530001.tif 000008
（化学式３）
また、化学式３において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、互いに独立的に、それぞれ水素、炭素数１〜３０個の脂肪族や脂環族のアルキル基またはアリール基、置換アルキル基や置換アリール基、ヘテロ環化合物基又は高分子化合物基であることが好ましい。
前記化学式３において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、具体的に例えば、水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、アミル、ヘキシル、エチルヘキシル、ヘプチル、オクチル、イソオクチル、ノニル、デシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、ドコデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、アリル、メトキシ、メトキシエチル、メトキシプロピル、シアノエチル、エトキシ、ブトキシ、ヘキシルオキシ、メトキシエトキシエチル、メトキシエトキシエトキシエチル、ヘキサメチレンイミン、モルホリン、ピペリジン、ピペラジン、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、トリエチレンジアミン、ピロール、イミダゾール、ピリジン、カルボキシメチル、トリメトキシシリルプロピル、トリエトキシシリルプロピル、フェニル、メトキシフェニル、シアノフェニル、フェノキシ、トリル、ベンジルなどが挙げられるが、特にこれに限定されるものではない。
前記化学式３で表されるアンモニウムカルバメート系化合物として例えば、アンモニウムカルバメート、エチルアンモニウムエチルカルバメート、イソプロピルアンモニウムイソプロピルカルバメート、ｎ−ブチルアンモニウムｎ−ブチルカルバメート、イソブチルアンモニウムイソブチルカルバメート、ｔ−ブチルアンモニウムｔ−ブチルカルバメート、２−エチルヘキシルアンモニウム２−エチルヘキシルカルバメート、オクタデシルアンモニウムオクタデシルカルバメート、２−メトキシエチルアンモニウム２−メトキシエチルカルバメート、２−シアノエチルアンモニウム２−シアノエチルカルバメート、ジブチルアンモニウムジブチルカルバメート、ジオクタデシルアンモニウムジオクタデシルカルバメート、メチルデシルアンモニウムメチルデシルカルバメート、ヘキサメチレンイミニウムヘキサメチレンイミンカルバメート、モルホリウムモルホリンカルバメート、ピリジニュムエチルヘキシルカルバメート、トリエチレンジアミニウムイソプロピルバイカルバメート、ベンジルアンモニウムベンジルカルバメート、トリエトキシシリルプロピルアンモニウムトリエトキシシリルプロピルカルバメートなどが挙げられる。
上記アンモニウムカルバメート系化合物のうち、１次アミン置換されたアルキルアンモニウムアルキルカルバメートは反応性及び安定性面で２次または３次アミンより優れるため、さらに好ましい。
参考例である化学式２で表される銀化合物と、下記化学式３で表されるアンモニウムカルバメ―ト系化合物とを反応して得られる銀錯体化合物の構造は下記化学式１で表される。
2008530001.tif 000009
（化学式１）
（Ａは化学式３の化合物であり、ｍは０．７〜２．５である。）
この参考例による銀錯体は白色の固体として分離され、前記錯体に温度を加えて分解された化合物は酸化された状態ではない導電性を有する０価の銀であり、銀錯体化合物のIＲスペクトルである図３からＣ＝Ｏ吸収バンドが観察されて、製造時に二酸化炭素の発生がなく、図１の１Ｈ  ＮＭＲスペクトル、図２の１３Ｃ  ＮＭＲスペクトルからアンモニウムカーボネート系化合物の作用基を確認することができる。
参考例による銀錯体化合物は、図４及び図５の銀錯体化合物のＴＧＡ熱分解曲線（ｔｈｅｒｍｏｇｒａｍ）とＤＳＣ熱分解曲線（ｔｈｅｒｍｏｇｒａｍ）に図示されたように、特定温度での融点と分解挙動パターンが存在して、融解された状態の銀錯体をまた冷却しても安定した固体状態の銀錯体に回復される。