(57)【要約】【課題】マスク洗浄時に、パーティクルやダメージなどの二次的な汚染が発生することなどを防止する。【解決手段】パターン転写マスク用収納容器２は、容器本体１０と、容器本体１０の内部に設けられ、マスクパターンを転写する際に用いるマスク１を保持するマスク保持部２０と、を有し、マスク保持部２０に保持されたマスク１と対向する容器本体１０の所定領域に、マスク保持部２０に保持されたマスク１を照射して洗浄するための所定の外部光が透過する光透過部３０が設けられている。マスク１は、所定の外部光を、光透過部３０から透過させて洗浄される。【選択図】          図１
2004356403.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器本体と、
前記容器本体の内部に設けられ、マスクパターンを転写する際に用いるマスクを保持するマスク保持部と、を有し、
前記マスク保持部に保持されたマスクと対向する前記容器本体の所定領域に、前記マスク保持部に保持されたマスクを照射して洗浄するための所定の外部光が透過する光透過部が設けられているパターン転写マスク用収納容器。
【請求項２】
前記容器本体の内部を排気するための排気口を有する請求項１に記載のパターン転写マスク用収納容器。
【請求項３】
前記容器本体の内部に給気するための給気口を有する請求項１に記載のパターン転写マスク用収納容器。
【請求項４】
前記光透過部は、前記外部光として、紫外線を透過する請求項１に記載のパターン転写マスク用収納容器。
【請求項５】
容器本体と、前記容器本体の内部に設けられ、マスクパターンを転写する際に用いるマスクを保持するマスク保持部と、を有し、前記マスク保持部に保持されたマスクと対向する前記容器本体の所定領域に、前記マスク保持部に保持されたマスクを照射して洗浄するための所定の外部光が透過する光透過部が設けられている収納容器と、
前記マスクが収納された前記収納容器を保持する収納容器保持部と、
前記収納容器保持部に保持された前記収納容器の前記光透過部から前記マスク保持部に保持されたマスクに前記外部光を照射する光源と、を有し、
前記光源からの外部光を前記マスクに照射することにより、前記マスクを洗浄するパターン転写マスクの洗浄装置。
【請求項６】
前記収納容器は、前記容器本体の内部を排気するための排気口を有し、
前記収納容器の排気口から、前記容器本体の内部を排気する排気部を有する請求項５に記載のパターン転写マスクの洗浄装置。
【請求項７】
前記収納容器は、前記容器本体の内部に給気するための給気口を有し、
前記収納容器の給気口から、前記容器本体の内部に給気する給気部を有する請求項５に記載のパターン転写マスクの洗浄装置。
【請求項８】
前記光源は、前記外部光として、紫外線を照射する請求項５に記載のパターン転写マスクの洗浄装置。
【請求項９】
前記収納容器は、前記収納容器保持部から着脱自在に設けられている請求項５に記載のパターン転写マスクの洗浄装置。
【請求項１０】
容器本体と、前記容器本体の内部に設けられ、マスクパターンを転写する際に用いるマスクを保持するマスク保持部と、を有し、前記マスク保持部に保持されたマスクと対向する前記容器本体の所定領域に、前記マスク保持部に保持されたマスクを照射して洗浄するための所定の外部光が透過する光透過部が設けられている収納容器の前記マスク保持部に、前記マスクを保持するマスク保持工程と、前記マスク保持部に保持された前記マスクに、所定の外部光を前記収納容器の前記光透過部から照射することにより、前記マスクを洗浄するマスク洗浄工程と、を有するパターン転写マスクの洗浄方法。
【請求項１１】
前記収納容器は、前記容器本体の内部を排気するための排気口と、前記容器本体の内部を給気するための給気口と、を有し、
前記マスク洗浄工程において、
前記収納容器の排気口から、前記容器本体の内部を排気して真空状態とし、
前記収納容器の給気口から、前記容器本体の内部に所定量の酸素またはオゾンの少なくともいずれか一方を給気し、
前記外部光として紫外線を照射する請求項１０に記載のパターン転写マスクの洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パターン転写マスク用収納容器、パターン転写マスクの洗浄装置およびその洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
リソグラフィ工程は、パターン転写マスクに形成されたマスクパターンを半導体基板の表面に転写して加工する工程であり、半導体装置を製造する際に繰り返し行われ、半導体装置の製造工程の中枢である。
【０００３】
リソグラフィ工程は、まず、感光性のフォトレジストを、半導体基板の被加工面の上に塗布してフォトレジスト膜を形成する。そして、マスクパターンが形成されたマスクを介して、光をフォトレジスト膜に照射し、現像してレジストパターンにパターン加工する。そして、レジストマスクを用いて、被加工面をエッチングしてパターン加工する。従来においては、フォトレジスト膜を感光させる照射光として、紫外線を用いることが一般的である。
【０００４】
近年、半導体装置は、高機能化、小型化するために、高集積化、微細化されている。これに伴い、リソグラフィ工程は、より微細な加工ができる技術が要求され、照射光として、紫外線よりも短い波長である電子線を用いる電子線リソグラフィが利用されている。
【０００５】
電子線リソグラフィとして、たとえば、ＥＰＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍＰｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）や、ＬＥＥＰＬ（Ｌｏｗ  Ｅｎｅｒｇｙ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）などが知られている。
【０００６】
ＥＰＬは、１００ｋｅＶ程度の高エネルギーの電子線を、マスクを介して照射し、光学レンズ系により縮小してマスクパターンを電子線に感光するレジストに転写し、レジストパターンを形成する。つまり、ＥＰＬは、縮小投影する電子線リソグラフィである。
【０００７】
ＬＥＥＰＬは、２ｋｅＶ程度の低エネルギーの電子線を、マスクを介して照射し、等倍にマスクパターンを電子線に感光するレジストに転写し、レジストパターンを形成する。つまり、ＬＥＥＰＬは、等倍投影する電子線リソグラフィである。
【０００８】
ＥＰＬやＬＥＥＰＬなどの電子線リソグラフィにおいて使用されるマスクとして、メンブレン層に開口部を設けることによりマスクパターンが形成されたステンシルマスクや、メンブレン層に遮光層を設けることによりマスクパターンが形成されたメンブレンマスクなどが知られている。
【０００９】
図３は、電子線リソグラフィのマスクの一例を示す斜視図である。電子線リソグラフィのマスクは、メンブレン層１０１と、メンブレン層１０１を補強する梁部１０２とを有する。梁部１０２は、列方向と行方向に交差して形成され、メンブレン層１０１を分割している。梁部１０２で分割されたメンブレン層１０１の領域が、パターン形成領域１０３となり、このパターン形成領域１０３に開口部または遮光層が設けられて、ステンシルマスクまたはメンブレンマスクが形成される。
【００１０】
メンブレン層１０１は、シリコン、ダイヤモンド等の材料が用いられ、厚さ３００ｎｍ〜２μｍ程度の薄膜であるため、梁部１０２が設けられている。しかしながら、パターン形成領域１０３にパターンが形成されると、メンブレン層１０１の面内の一部に応力集中する個所が発生する場合がある。このため、メンブレン層１０１は、梁部１０２で補強されていても、破損し易い。
【００１１】
そして、マスクは、搬送時あるいは保管時などハンドリングの過程において、パーティクルの付着や、大気への曝露などによりダメージを受け、汚染される場合がある。このように、マスクは破損し易く、汚染される場合があるため、その取り扱いは困難である。
【００１２】
また、マスクが汚染された場合、フォトレジスト膜を照射するための光が、汚染物質に遮光などされ、マスクパターンを正確にフォトレジスト膜に転写できない場合がある。特に、電子線リソグラフィにおいては、短波長の電子線を用いて微細加工するため、マスクの汚染の影響が大きく、さらに、パーティクルの付着などを防止するペリクルをマスクに形成することが困難である。このため、マスクの汚染により、半導体装置の歩留まりや信頼性の低下が発生していた。
【００１３】
また、パーティクル、ダメージなどにより汚染されたマスクは、ウェット洗浄法、機械的洗浄法、ドライ洗浄法などを、汚染物質の種類に合わせて使い分けて、洗浄する必要がある。このため、複数の洗浄工程が必要な場合があり、製造効率が低下する場合があった。
【００１４】
マスクの汚染などによって、半導体装置の歩留まり、信頼性、製造効率が低下することを防止するため、半導体装置の製造は、クリーンルームにて行われている。クリーンルームは、クリーンルーム全体を清浄化するため、高価で大規模な設備を必要とし、初期投資および設備維持にコストがかかる。近年の半導体装置の高集積化、微細化に伴って、クリーンルームは、ますます高いクリーン度が要求されており、初期投資および設備維持のためのコストが増大してきている。
【００１５】
従来において、ハンドリングの過程におけるマスクの汚染などを低コストで防止するため、移動自在な収納容器の内部にマスクを収納して収納環境を外部と分離し搬送するなど、局所的に高いクリーン度の環境を設けるミニエンバイロメントが提案されている（たとえば、特許文献１，２，３参照）。
【００１６】
【特許文献１】
特開平１０−２６１５６０号公報（４〜５ページ、図１など）
【特許文献２】
特開２００１−７６９９８号公報（４〜６ページ、図１など）
【特許文献３】
特開平４−１５７７４９号公報（３１５〜３１６ページ、図１〜４など）
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、マスクの汚染の原因は、前述のハンドリングの過程で発生するものの他、製造工程の過程で発生するものがある。たとえば、製造工程の過程で発生する汚染として、コンタミネーションがマスクに付着する場合がある。図４は、リソグラフィ工程において、マスクパターンを転写する際に光を照射した照射数Ｎと、マスクの線幅変動Ｌの一例を示す図である。光の照射数Ｎに伴い、マスクの線幅が狭く変動している。これは、マスク入射電子あるいは散乱電子と残留ガスとの反応や、フォトレジストと外気との反応などにより、有機物やカーボンなどのコンタミネーションがマスクに付着して変動していることを示す。
【００１８】
有機物やカーボンなどのコンタミネーションにより汚染されたマスクは、微量の酸素やオゾンを有する雰囲気下において、紫外光の照射を行い、コンタミネーションを酸化させて洗浄するドライ洗浄法などが行われる。
【００１９】
従来においては、コンタミネーションを洗浄する際、マスクを容器内に収納した状態のまま洗浄することができないため、マスクは、露光装置などの半導体製造装置から取り外され、長時間、大気中に曝露されていた。このように、洗浄時にはミニエンバイロメントを適用できないため、汚染されたマスクは、ハンドリングの際に、大気によるダメージやパーティクルの付着が、さらに二次的に発生していた。二次的にさらに汚染されたマスクは、コンタミネーションによる汚染を除去するための洗浄工程とは別に、二次的な汚染物質を洗浄するための工程を別途に実施する必要があり、半導体装置の製造効率を低下させていた。
【００２０】
また、二次的汚染によって洗浄工程が増えるために、ハンドリングすることがさらに必要となり、マスクを破損する機会は増え、特に、破損し易い電子線リソグラフィーのマスクをハンドリングする場合は、マスクを破損する危険が増大していた。そして、二次的な汚染物質が多い場合は、洗浄しても十分に洗浄できない場合などがあり、半導体装置の歩留まりや信頼性の低下が発生していた。
【００２１】
以上のように、従来においては、コンタミネーションなどにより汚染されたマスクを洗浄する際に、ハンドリングの過程で発生するパーティクルやダメージなどの二次的な汚染を防止することが困難であった。さらに、洗浄時には、外部にハンドリングする必要があるため、マスクが破損する危険が増大していた。この結果、半導体装置の歩留まり、信頼性、製造効率の低下が発生していた。また、洗浄時にミニエンバイロメントが適用できないため、初期投資および設備維持のためのコストが増大していた。
【００２２】
したがって、本発明は、マスク洗浄時に、マスクがパーティクルやダメージなどの二次的な汚染を防止することや、マスクの破損を防止することや、ミニエンバイロメントの適用などを容易に可能とし、その結果、半導体装置の歩留まりや信頼性や製造効率などの向上や、コストダウンができるパターン転写マスク用収納容器、パターン転写マスクの洗浄装置およびその洗浄方法を提供することを目的とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、容器本体と、前記容器本体の内部に設けられ、マスクパターンを転写する際に用いるマスクを保持するマスク保持部と、を有し、前記マスク保持部に保持されたマスクと対向する前記容器本体の所定領域に、前記マスク保持部に保持されたマスクを照射して洗浄するための所定の外部光が透過する光透過部が設けられているパターン転写マスク用収納容器である。
【００２４】
上記の本発明のパターン転写マスク用収納容器は、容器本体と、マスク保持部と、光透過部とを有する。マスク保持部は容器本体の内部に設けられている。光透過部は、マスク保持部に保持されたマスクと対向する容器本体の所定領域に設けられている。マスク保持部はマスクパターンを転写する際に用いるマスクを保持し、そのマスク保持部に保持されたマスクに、光透過部から所定の外部光が照射されることにより、洗浄することができる。
【００２５】
本発明は、容器本体と、前記容器本体の内部に設けられ、マスクパターンを転写する際に用いるマスクを保持するマスク保持部と、を有し、前記マスク保持部に保持されたマスクと対向する前記容器本体の所定領域に、前記マスク保持部に保持されたマスクを照射して洗浄するための所定の外部光が透過する光透過部が設けられている収納容器と、前記マスクが収納された前記収納容器を保持する収納容器保持部と、前記収納容器保持部に保持された前記収納容器の前記光透過部から前記マスク保持部に保持されたマスクに前記外部光を照射する光源と、を有し、前記光源からの外部光を前記マスクに照射することにより、前記マスクを洗浄するパターン転写マスクの洗浄装置である。
【００２６】
上記のパターン転写マスクの洗浄装置は、収納容器と、収納容器保持部と、光源とを有する。収納容器は、容器本体と、容器本体の内部に設けられ、マスクパターンを転写する際に用いるマスクを保持するマスク保持部と、を有し、マスク保持部に保持されたマスクと対向する容器本体の所定領域に、マスク保持部に保持されたマスクを照射して洗浄するための所定の外部光が透過する光透過部が設けられている。収納容器保持部は、マスクが収容された前記収納容器を保持する。光源は、収納容器保持部に保持された収納容器の光透過部から、マスク保持部に保持されたマスクに所定の外部光を照射する。光源からの所定の外部光をマスクに照射することにより、マスクを洗浄することができる。
【００２７】
本発明は、容器本体と、前記容器本体の内部に設けられ、マスクパターンを転写する際に用いるマスクを保持するマスク保持部と、を有し、前記マスク保持部に保持されたマスクと対向する前記容器本体の所定領域に、前記マスク保持部に保持されたマスクを照射して洗浄するための所定の外部光が透過する光透過部が設けられている収納容器の前記マスク保持部に、前記マスクを保持するマスク保持工程と、前記マスク保持部に保持された前記マスクに、所定の外部光を前記収納容器の前記光透過部から照射することにより、前記マスクを洗浄するマスク洗浄工程と、を有するパターン転写マスクの洗浄方法である。
【００２８】
上記の本発明のパターン転写マスクの洗浄方法は、マスク保持工程と、マスク洗浄工程とを有する。マスク保持工程は、容器本体と、容器本体の内部に設けられ、マスクパターンを転写する際に用いるマスクを保持するマスク保持部と、を有し、マスク保持部に保持されたマスクと対向する容器本体の所定領域に、マスク保持部に保持されたマスクを照射して洗浄するための所定の外部光が透過する光透過部が設けられ、収納容器のマスク保持部にマスクを保持する。マスク洗浄工程は、マスク保持部に保持されたマスクに、所定の外部光を収納容器の光透過部から照射することにより、マスクを洗浄する。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態の一例について添付図面を参照して説明する。
【００３０】
図１は、本実施形態のパターン転写マスク用収納容器２を示す概略断面図である。本実施形態のパターン転写マスク用収納容器２は、容器本体１０と、マスク保持部２０と、光透過部３０と、排気口４０と、給気口５０とを有する。
【００３１】
容器本体１０は、天板１１と、胴部１２と、底板１３と、を有する。天板１１は、円盤状の板であり、天板１１の周囲に筒型の胴部１２が立設して開口している。そして、底板１３は、胴部１２の開口を塞いでいる。容器本体１０の開口を底板１３で塞いで現れる内部の空間は、円盤状のパターン転写用のマスク１を収容することができる。天板１１と胴部１２と底板１３は密着し、容器本体１０の内部の空間を真空度１０００〜１００００Ｐａ程度の真空状態を維持できるように形成されている。このため、容器本体１０を構成する天板１１と胴部１２と底板１３は、真空状態を維持可能程度に硬質な材料であって、ハンドリングを容易にするため軽量な材料を用いることが好ましく、たとえば、アルミニウムなどの金属や、ポリカーボネートなどのプラスチックなどを用いることができる。また、底板１３の一方の面であって、容器本体１０の内部空間がある面と反対の面には、凸部１４が形成されている。この凸部１４は、後述するマスク洗浄装置の収納容器保持部に収納容器２を保持する際に用いる。
【００３２】
マスク保持部２０は、円盤状のマスク１を保持するため、容器本体１０の内部に設けられている。マスク保持部２０は、上部マスク保持部２１と、下部マスク保持部２２とを有する。下部マスク保持部２２は、容器本体１０の底板１３の上に、円盤状のマスク１を載置できるように、リング状に形成されている。上部マスク保持部２１は、下部マスク保持部２２の上に載置されたマスク１の端部を、たとえば、ピンで構成される上部マスク保持部２１で押圧して挟み込んでマスク１を保持する。
【００３３】
光透過部３０は、マスク保持部２１に保持されたマスク１を照射して洗浄するための所定の外部光を透過させるために設けられている。このため、光透過部３０は、マスク保持部２０に保持されたマスク１と対向する容器本体１０の所定領域に設けられ、本実施形態においては、容器本体１０の天板１１に、保持対象であるマスク１よりも大きい領域となるように設けられている。光透過部３０は、真空状態を維持可能な程度に硬質な材料であって、マスク１を洗浄するための所定の外部光が透過しやすい材料を用いる。たとえば、外部光として紫外線を用いて、マスク１に付着した有機物などを洗浄する場合、紫外線の透過率の高いホタル石、フッ化マグネシウム、石英などを用いたガラスが好ましい。
【００３４】
排気口４０は、容器本体１０の内部を排気するために設けられている。排気口４０は、排気管４１と排気弁４２とを有する。排気管４１は、容器本体１０の胴部１２に形成されている。排気弁４２は、排気管４１の開口を開閉するために設けられる。
【００３５】
給気口５０は、容器本体１０の内部に給気するために設けられている。給気口５０は、給気管５１と給気弁５２とを有する。給気口５０は、たとえば、容器本体１０の胴部１２の排気口４０が形成されている側と対向する側に形成されている。給気弁５２は、給気管５１の開口を開閉するために設けられる。
【００３６】
図２は、本実施形態のパターン転写マスクの洗浄装置３を示す概略断面図である。本実施形態のパターン転写マスクの洗浄装置３は、収納容器２と、収納容器保持部６０と、光源７０と、排気部８０と、給気部９０とを有する。
【００３７】
収納容器２は、上記の図１に示す収納容器２と同様に、容器本体１０と、マスク保持部２０と、光透過部３０と、排気口４０と、給気口５０とを有する。
【００３８】
収納容器保持部６０は、マスク１が収容された収納容器２を保持するために設けられている。収納容器保持部６０は、収納容器２を保持する保持面が設けられた台である。収納容器保持部６０の保持面には、図１で示した収納容器２の凸部１４が填まる凹部（図示なし）が形成され、凸部１４と凹部をはめ込んで、収納容器２が収納容器保持部６０に保持される。このように、収納容器保持部６０は、収納容器２を着脱自在となるように設けられている。そして、収納容器保持部６０に保持された収納容器２を覆うようにして洗浄用容器６１が設けられている。洗浄用容器６１は、収納容器２を出し入れできるように、開閉自在となっている。また、洗浄用容器６１の側部には、洗浄用容器６１の内部を排気する洗浄用排気口６２が設けられている。
【００３９】
光源７０は、収納容器保持部６０に保持された収納容器２の光透過部３０からマスク保持部２０に保持されたマスク２に外部光を照射するように、設けられている。光源７０は、ランプ７１と、ランプ電源７２とを有する。ランプ７１は、外部光として紫外線を照射し、ランプ電源７２により出力が調整される。本実施形態においては、光源７０は、１７２ｎｍ〜２５４ｎｍの波長の紫外線を１０〜５０ｍＷ／ｃｍ２程度の出力にて照射できる。光源７０から照射される外部光が光透過部３０に達するまでに減衰することを抑制するため、光源７０は、収納容器保持部６０に保持された収納容器２の光透過部３０と近接あるいは接するように配置されている。
【００４０】
排気部８０は、収納容器２の排気口４０から、容器本体１０の内部を排気するために設けられている。排気部８０は、収納容器２の排気口４０と着脱自在であり、排気ポンプなどで構成されている。
【００４１】
給気部９０は、収納容器２の給気口５０から、容器本体１０の内部に給気するために設けられている。給気部９０は、収納容器２の給気口５０と着脱自在であり、給気ポンプなどで構成されている。本実施形態においては、給気部９０は、マスクに付着した有機物のコンタミネーションを除去するため、酸素またはオゾンの供給源となる。なお、コンタミネーションを構成する材料によっては、塩素などの供給源となる。
【００４２】
つぎに、本実施形態のパターン転写マスクの洗浄方法について、以下に示す。
本実施形態のパターン転写マスクの洗浄方法においては、前述した図１の収納容器２と、図２の洗浄装置３とを用いて、フォトレジストを露光して有機物のコンタミネーションが付着したマスク１を洗浄する。本実施形態のパターン転写マスクの洗浄方法は、順次、マスク保持工程、マスク洗浄工程を実施する。
【００４３】
マスク保持工程は、収納容器２の内部に設けられているマスク保持部２０に、マスク１を保持する工程である。
【００４４】
本実施形態のマスク保持工程においては、まず、有機物のコンタミネーションで汚染された円盤状のマスク１を、マスク保持部２０であって、リング形状である下部マスク保持部２２に載置する。そして、下部マスク保持部２２に載置されたマスクを、ピンで構成される上部マスク保持部２１を用い、そのマスク１を挟み込んで保持する。
【００４５】
そして、マスク保持工程でマスクを保持した収納容器２を、洗浄装置３の収納容器保持部６０の保持面に保持する。収納容器保持部６０の保持面には、収納容器２の凸部１４が填まる凹部（図示なし）が形成されており、凸部１４と凹部をはめ込んで、収納容器２を収納容器保持部６０に保持する。
【００４６】
また、洗浄装置３の光源７０を、収納容器保持部６０に保持された収納容器２の光透過部３０と近接あるいは接するように配置する。光源７０から照射される外部光が、収納容器２の光透過部に達するまでに減衰することを抑制するため、光源７０と光透過部３０との間隔は、可能な限り狭い方が好ましい。
【００４７】
そして、洗浄装置３の排気部８０と給気部９０とを、それぞれ、収納容器２の排気口４０と給気口５０とに接続する。その後、収納容器保持部６０に保持された収納容器２を洗浄用容器６１でカバーする。
【００４８】
マスク洗浄工程は、マスク保持部２０に保持されたマスク１に、所定の外部光を収納容器２の光透過部３０から照射することにより、マスク１を洗浄する工程である。本実施形態のマスク洗浄工程は、有機物のコンタミネーションで汚染されたマスクを洗浄するため、真空環境の下、外部光である紫外線により、容器本体１０の内部に酸素のラジカルやイオンを生成し、コンタミネーションである有機物と反応させて分解するドライ洗浄法を行う。
【００４９】
本実施形態のマスク洗浄工程においては、外部光のマスクへの照射に先立って、マスク１が収容された収容容器２の容器本体１０の内部を真空状態とする。容器本体１０の内部を真空状態とするため、まず、排気弁４２を開放状態および給気弁５２を密閉状態とする。そして、排気部８０を用いて、排気口４０から容器本体１０の内部を排気して、真空度１０００〜１００００Ｐａ程度の真空状態とする。そして、排気弁４２を密閉状態として、収容容器２の内部の真空状態を維持する。
【００５０】
さらに、給気弁５２を開放状態および排気弁４２を密閉状態とし、給気部５０を用いて、収納容器２の給気口５０から、容器本体１０の内部に所定量の酸素またはオゾンのいずれか一方を給気する。
【００５１】
ここで、容器本体１０の内部の真空度は、１００００Ｐａ以下とすることが好ましい。真空度が本濃度範囲より高い場合は、コンタミネーションの分解反応が困難となる場合があり、マスク２のコンタミネーションの洗浄が十分にできない場合がある。
【００５２】
容器本体１０の内部の酸素およびオゾンの濃度は、０．０００１％以上とすることが好ましい。本濃度範囲より低い場合は、マスク２のコンタミネーションの酸化分解反応が困難となり、洗浄が十分にできない場合がある。しかし、濃度が高すぎる場合は、マスク２自身が酸化されるなどダメージが発生する場合がある。
【００５３】
収納容器２の容器本体１０の内部を、所定量の酸素を含んだ真空状態とした後、光源７０から外部光として、１７２ｎｍ〜２５４ｎｍの波長の紫外線を１０〜５０ｍＷ／ｃｍ２程度の出力でマスク１を照射する。紫外線の照射により、容器本体１０の内部の酸素またはオゾンは、ラジカルやイオンとなる。そして、有機物であるコンタミネーションとの酸化反応が起こり、ＣＯ２やＨ２Ｏなどが生成され、マスク１のコンタミネーションは分解される。
【００５４】
以上のように、本実施形態においては、コンタミネーションにより汚染されたマスク１を、収納容器２の容器本体１０の内部に設けられたマスク保持部２０に保持する。そして、マスクを収容した収納容器２を、洗浄装置３の収納容器保持手段６０を用いて保持する。マスク保持部に保持されたマスクと対向する容器本体１０の所定領域には、光透過部３０が設けられている。その光透過部３０から、洗浄装置３の光源７０を用いて、所定の外部光をマスク１に照射することにより、マスク１を洗浄する。このため、そのマスク１が容器本体１０に保持された状態で、所定の外部光を照射することができる。このように、マスク１が洗浄時に外部に曝露されないため、二次的にさらに汚染することを防止できる。そして、電子線リソグラフィのマスクのように破損し易い場合であっても、マスク１を収容容器２の外部にハンドリングする必要がないため、マスク１が破損することなどを防止できる。
【００５５】
そして、本実施形態は、容器本体１０の内部を排気するための排気口４０が収納容器２に設けられ、その排気口４０から、容器本体１０の内部を排気する排気部８０が洗浄装置３に設けられている。容器本体１０の内部を排気するための排気口４０を有するため、容器本体１０の内部を容易に真空状態とすることができ、有機物のコンタミネーションの分解が容易にできる。また、マスク１を収容して保管する場合に、大気によるダメージを容易に抑制することができる。
【００５６】
さらに、本実施形態は、容器本体１０の内部に給気するための給気口５０が収納容器２に設けられ、その給気口５０から、容器本体１０の内部に給気する給気部９０が洗浄装置３に設けられている。このため、容器本体１０の内部に、有機物のコンタミネーションの分解を促進する酸素やオゾンなどを容易に導入できる。
【００５７】
また、本実施形態は、外部光として紫外線を照射する光源７０が洗浄装置３に設けられ、その光源７０からの紫外線を透過することができる光透過部３０が収納容器２に設けられている。このため、有機物のコンタミネーションの分解を容易にできる。
【００５８】
また、本実施形態において、収納容器２は、洗浄装置３の収納容器保持部６０から着脱自在に設けられている。このため、ミニエンバイロンメントのように、局所的にクリーンな環境を有した状態で移動自在となるため、初期投資および設備維持のためのコストを抑えることができる。
【００５９】
したがって、本実施形態は、マスク洗浄時に、二次的な汚染の防止、マスクの破損の防止し、ミニエンバイロメントの適用などを容易に可能である。その結果、本実施形態は、半導体装置の歩留まりや信頼性や製造効率などの向上や、コストダウンが容易にできる。
【００６０】
なお、本発明の実施に際しては、上記した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形形態を採用することができる。
【００６１】
上記の実施形態においては、外部光のマスクへの照射に先立って、容器本体１０の内部を真空状態とし、そして、容器本体１０の内部に所定量の酸素やオゾンを給気した後に、排気弁４１と給気弁５２とを共に密閉して真空状態を維持して、紫外線を照射し、マスク１を洗浄していた。しかし、たとえば、排気弁４１と給気弁５２とを共に開放状態とし、連続的に給気と排気を実施して、真空状態を維持してもよい。このようにすることにより、容器本体１０の内部で生成されたコンタミネーションの酸化物などが外部に排気され、容器本体１０の内部をクリーン化することができる。
【００６２】
【発明の効果】
本発明によれば、マスク洗浄時に、マスクがパーティクルやダメージなどの二次的な汚染を防止することや、マスクの破損を防止することや、ミニエンバイロメントの適用などを容易に可能とし、その結果、半導体装置の歩留まりや信頼性や製造効率などの向上や、コストダウンができるパターン転写マスク用収納容器、パターン転写マスクの洗浄装置およびその洗浄方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の実施形態のパターン転写マスク用容器を示す概略断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施形態のパターン転写マスクの洗浄装置を示す概略断面図である。
【図３】図３は、従来における電子線リソグラフィで用いるパターン転写マスクを示す概略斜視図である。
【図４】図４は、リソグラフィ工程において、光照射数とマスクパターンの幅の変動を示す図である。
【符号の説明】
１：マスク、２：収納容器、３：洗浄装置、１０：容器本体、２０：マスク保持部、３０：光透過部、４０：排気口、５０：給気口、６０：収納容器保持部、７０：光源、８０：排気部、９０：給気部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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