(57)【要約】【課題】反射防止膜を用いてファラデー回転子の表裏面を明確に区別できる手法を提供する。【解決手段】ファラデー回転子２２４ｂの表面には反射防止膜ＡＲを形成しないコーナ部Ｃを設ける一方、裏面にはその全面に反射防止膜ＡＲを形成する。光を照射することにより、反射防止膜ＡＲが形成されている領域とそうでない領域とを認識できるため、ファラデー回転子２２４ｂの表裏を区別することができる。なお、表面の１つのコーナ部Ｃを面取りすることにより、表裏を区別するともできる。【選択図】　　　図４
2004054215.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射された光の偏波面を回転させるファラデー回転子であって、
ビスマス置換型希土類鉄ガーネット単結晶膜から構成され、対向する表裏面を備えた扁平状の回転子本体と、
前記回転子本体の表裏面に形成された反射防止膜と、を備え、
前記反射防止膜は、前記表裏面でその形成形態を異ならせたことを特徴とするファラデー回転子。
【請求項２】
前記表裏面のいずれかの面における少なくとも１つのコーナ部近傍に、前記反射防止膜を形成しないことにより、前記表裏面でその形成形態を異ならせたことを特徴とする請求項１に記載のファラデー回転子。
【請求項３】
前記表裏面のいずれか一方の面には全面に前記反射防止膜を形成し、他方の面には前記ファラデー回転子の光透過領域を含む所定の領域のみに前記反射防止膜を形成することにより、前記表裏面で前記反射防止膜の形成形態を異ならせたことを特徴とする請求項１に記載のファラデー回転子。
【請求項４】
入射された光の偏波面を回転させるファラデー回転子であって、
ビスマス置換型希土類鉄ガーネット単結晶膜から構成され、対向する表裏面を備えた扁平状の回転子本体と、
前記回転子本体のコーナ部またはエッジ部に施された表裏確認処理部と、
を備えたことを特徴とするファラデー回転子。
【請求項５】
前記表裏確認処理部は、前記回転子本体の少なくとも１つのコーナ部を面取り加工したものであることを特徴とする請求項４に記載のファラデー回転子。
【請求項６】
前記表裏確認処理部は、前記回転子本体のすべてのエッジ部をラウンド加工し、かつ前記回転子本体の表面に属するエッジ部と裏面に属するエッジ部とで前記ラウンド加工に差異が設けてあることを特徴とする請求項４に記載のファラデー回転子。
【請求項７】
前記表裏確認処理部は、前記コーナ部に施された印刷処理であることを特徴とする請求項４に記載のファラデー回転子。
【請求項８】
前記表裏確認処理部は、前記コーナ部に施されたレーザ照射痕であることを特徴とする請求項４に記載のファラデー回転子。
【請求項９】
前記表裏確認処理部は、前記ファラデー回転子の光透過領域外に形成されることを特徴とする請求項４に記載のファラデー回転子。
【請求項１０】
入射された光の偏波面を回転させるファラデー回転子の製造方法であって、
ビスマス置換型希土類鉄ガーネット単結晶膜から構成され、対向する表裏面を備えた扁平状の回転子本体を得る工程（ａ）と、
前記回転子本体の表裏面に反射防止膜を形成する工程（ｂ）と、を備え、
前記工程（ｂ）では、前記表裏面でその形態の異なる前記反射防止膜を形成することを特徴とするファラデー回転子の製造方法。
【請求項１１】
入射された光の偏波面を回転させるファラデー回転子の製造方法であって、
ビスマス置換型希土類鉄ガーネット単結晶膜から構成され、対向する表裏面を備えた扁平状の回転子本体を得る工程（ｃ）と、
前記回転子本体の表裏面に反射防止膜を形成する工程（ｄ）と、を備え、
前記工程（ｃ）の後または前記工程（ｄ）の後に前記回転子本体のコーナ部またはエッジ部に表裏確認処理部を形成することを特徴とするファラデー回転子の製造方法。
【請求項１２】
順方向の光が入射されるとともに、逆方向の光の透過を阻止する第１の偏光子と、
前記第１の偏光子と所定間隔を隔てて対向配置され前記順方向の光が出射されるとともに、前記逆方向の光が入射される第２の偏光子と、
前記第１の偏光子と前記第２の偏光子との間に配置され、前記第１の偏光子を透過した前記順方向の光の偏波面を回転させて前記第２の偏光子に向けて出射するとともに、前記第２の偏光子を透過した前記逆方向の光の偏波面を前記順方向の場合と同じ方向に回転させ前記第１の偏光子に向けて出射するファラデー回転子とを備え、
前記ファラデー回転子は、
ビスマス置換型希土類鉄ガーネット単結晶膜から構成され、対向する表裏面を備えた扁平状の回転子本体と、
前記回転子本体の表裏面に形成された反射防止膜と、を備え、
前記反射防止膜は、前記表裏面でその形成形態を異ならせたことを特徴とする光アイソレータ
【請求項１３】
順方向の光が入射されるとともに、逆方向の光の透過を阻止する第１の偏光子と、
前記第１の偏光子と所定間隔を隔てて対向配置され前記順方向の光が出射されるとともに、前記逆方向の光が入射される第２の偏光子と、
前記第１の偏光子と前記第２の偏光子との間に配置され、前記第１の偏光子を透過した前記順方向の光の偏波面を回転させて前記第２の偏光子に向けて出射するとともに、前記第２の偏光子を透過した前記逆方向の光の偏波面を前記順方向の場合と同じ方向に回転させ前記第１の偏光子に向けて出射するファラデー回転子とを備え、
前記ファラデー回転子は、
ビスマス置換型希土類鉄ガーネット単結晶膜から構成され、対向する表裏面を備えた扁平状の回転子本体と、
前記回転子本体のコーナ部またはエッジ部に施された表裏確認処理部と、を備えたことを特徴とする光アイソレータ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ファラデー回転子に関し、特に表裏面の区別を行うことのできるファラデー回転子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在の光通信システムは、電気信号を光送信器のＬＤ（レーザ・ダイオード）で光信号に変換し、この光信号を光ファイバで伝送してから、光受信器のＰＤ（フォト・ダイオード）で電気信号に変換する。このように、光通信システムに不可欠な要素は、ＬＤ、ＰＤ、光ファイバおよび光コネクタである。比較的低速かつ近距離の通信システムはともかく、高速かつ長距離の通信システムにおいては、以上の要素のほかに、光増幅器、光分配器などの光伝送機器、これら機器に適用される光アイソレータ、光サーキュレータ、光カプラ、光分波器、光スイッチ、光変調器、光減衰器などの光部品（光デバイス）が必要となる。
【０００３】
高速・長距離伝送、あるいは多分岐の光通信システムで、とりわけ重要となるのは光アイソレータである。現在の光通信システムにおいて、光アイソレータは、光送信器のＬＤモジュールおよび中継器の中で使用されている。光アイソレータは、電磁波を一方向にだけ伝え、途中で反射して戻ってくる電磁波を阻止する役割を持った光デバイスである。光アイソレータは、磁気光学効果の一種であるファラデー効果を応用している。ファラデー効果は、ファラデー効果を示す材料、すなわち希土類鉄ガーネット単結晶膜などのファラデー回転子を透過した光の偏波面が回転する現象をいう。ファラデー効果のように光の偏波方向が回転する性質を旋光性と呼ぶが、通常の旋光性と異なって、ファラデー効果においては、光の進行方向を逆にしても元に戻らずに、さらに偏波方向が回転する。ファラデー効果によって光の偏波方向が回転する現象を利用した素子をファラデー回転子という。
【０００４】
従来はファラデー回転子を磁気的に飽和させるための永久磁石を付随させることが必要であったが、最近では磁気ヒステリシスの非常に大きな、つまり硬磁性のビスマス置換型希土類鉄ガーネット単結晶膜が開発されたために、永久磁石を必要としない光アイソレータの作製が可能になった。この光アイソレータは、永久磁石を設ける必要がないため、小型化かつ低コスト化を実現することができる。
【０００５】
硬磁性ガーネットは、所定組成のビスマス置換型希土類鉄ガーネット単結晶膜を強い磁場中に置くことにより磁気的に飽和させて硬磁性が付与される。得られた硬磁性ガーネットは、磁化方向、換言すればその表裏を区別して光アイソレータに組み込む必要がある。ところが、硬磁性を付与した後に、加工、洗浄といった工程が控えており、この後工程でその表裏を区別し続けることは容易ではない。
そのために、特開平１０−１１５８１５号公報では、ファラデー回転子に形成される反射防止膜の色相をその表裏面で異ならせることを提案している。
また、硬磁性ガーネットを対象とするものではないが、ファラデー回転子の表裏面を区別する手法として、特開２０００−８９１６５号公報では、磁性ガーネット単結晶を縦横に切断して矩形板状チップに加工する際、一方の切断線に沿って片面から溝加工を施すことにより、一辺に沿って切り込みを形成する提案がなされている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
特開平１０−１１５８１５号公報の提案、特開２０００−８９１６５号公報の提案は、ともにファラデー回転子の表裏面を区別可能とした点で評価される。ところが、特開平１０−１１５８１５号公報の提案については、ファラデー回転子に施される反射防止膜は、本来表裏面で同一のものを用いれば足りるところ、あえて異なる色相の異なる反射防止膜を施すことは、反射防止膜の設計、成膜条件の設定を表裏面で各々行う負担が生じる。また、本発明者らの検討によれば、表裏面の色相によってはその違いを認識するのが熟練者であっても容易でないことがあった。
また、特開２０００−８９１６５号公報の提案のように、一方の切断線に沿って片面から溝加工を施すことにより、一辺に沿って切り込みを形成したファラデー回転子は、本発明者らの検討によると、硬磁性のファラデー回転子に要求される特性、特に保磁力の低下を招くことを確認した。
【０００７】
そこで本発明は、反射防止膜を用いてファラデー回転子の表裏面を明確に区別できる利便性のよい手法を提供する。また本発明は、ファラデー回転子に要求される特性の劣化を防止しつつ表裏面の区別を行うことのできる加工手法を提供する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者は反射防止膜を用いてファラデー回転子の表裏面を区別する手法を検討したところ、特開平１０−１１５８１５号公報の提案のように色相を表裏面で相違させるのではなく、例えば表裏面のいずれか一方の面にはこれまでと同様にその全面に反射防止膜を形成する一方、他方の面には一部に反射防止膜を形成しない領域を設けることにより、その表裏面で反射防止膜の形態を相違させれば、その表裏面を区別できることを知見した。したがって本発明は、入射された光の偏波面を回転させるファラデー回転子であって、ビスマス置換型希土類鉄ガーネット単結晶膜から構成され、対向する表裏面を備えた扁平状の回転子本体と、回転子本体の表裏面に形成された反射防止膜とを備え、反射防止膜は、表裏面でその形成形態を異ならせたことを特徴としている。
【０００９】
本発明のファラデー回転子は、反射防止膜がその表裏面で形成の形態が異なっているから、その表裏面に光を当てただけで一見して表裏面の区別ができる。表裏面の反射防止膜の色相を異ならせた場合に比べて、表裏面の区別のしやすさは格段に向上する。反射防止膜の色相の相違は、例えば薄紫と青紫といった相違であり、ファラデー回転子本体を構成するビスマス置換型希土類鉄ガーネット単結晶膜がほぼ黒色であることを考慮すると、その区別は容易ではない。これに対して、本発明によれば、色相は同一であっても、光を照射しさえすれば、反射防止膜が形成されていない領域を反射防止膜が形成された領域と明確に区別することができる。しかも、反射防止膜を全面に形成する面を表面あるいは裏面と決めておけば、全面に反射防止膜が形成されている面を認識することによっても、ファラデー回転子の表裏を区別することができる。
【００１０】
反射防止膜がその表裏面で形成の形態が異なる態様は種々存在する。　例えば、表裏面のいずれかの面おける少なくとも１つのコーナ部近傍に、反射防止膜を形成しないことにより、表裏面でその形成形態を異ならせることができる。反射防止膜は、例えば光アイソレータに組み込まれた際に光が透過する領域に形成されていればその機能を果たすことができる。逆に言えば、光透過領域以外の領域には反射防止膜を形成する意味はない。これまでのファラデー回転子は、光透過領域のみに選択的に反射防止膜を形成する煩雑さを嫌って表裏両面の全面に反射防止膜を形成していたに過ぎない。そこで、光透過領域に該当しないコーナ部近傍に反射防止膜を形成しない領域を形成することを本発明は推奨するのである。また、表裏面のいずれか一方の面には全面に反射防止膜を形成する一方、他方の面にはファラデー回転子の光透過領域を含む所定の領域のみに反射防止膜を形成することも望ましい一形態をなす。
【００１１】
以上では反射防止膜を用いたファラデー回転子の表裏両面を区別する手法について提案したが、本発明は以下説明するように、機械加工、その他の加工を施すことによるファラデー回転子の表裏両面を区別する手法をも提案する。
特開２０００−８９１６５号公報の提案のように、一方の切断線に沿って片面から溝加工を施すことにより、一辺に沿って切り込みを形成したファラデー回転子は、保磁力の低下および非対称な磁気ヒステリシスを招く。ところが、加工領域を限定することにより、特性劣化を防止しつつファラデー回転子の表裏面が区別できるようになる。本発明では、この加工領域を光透過領域以外の領域、より具体的にはファラデー回転子のコーナ部に限定して表裏面を区別する処理部を形成することを提案する。つまり本発明は、入射された光の偏波面を回転させるファラデー回転子であって、ビスマス置換型希土類鉄ガーネット単結晶膜から構成され、対向する表裏面を備えた扁平状の回転子本体と、回転子本体のコーナ部に施された表裏確認処理部と、を備えたことを特徴とするファラデー回転子である。
【００１２】
本発明の表裏確認処理部は、回転子本体の少なくとも１つのコーナ部を面取り加工したものとすることができる。例えば、回転子本体の表面または裏面のいずれか一方の面に属するコーナ部を面取り加工することにより、回転子本体の表裏を区別することができる。面取り加工するコーナ部は、少なくとも１つあれば足りるが、２〜４つのコーナ部について面取り加工することも許容する。
本発明の表裏確認処理部として、回転子本体のすべてのエッジ部をラウンド加工し、かつ回転子本体の表面に属するエッジ部と裏面に属するエッジ部とでそのラウンド加工に差異を設けることもできる。
なお、本発明におけるコーナ部、エッジ部については、後述する実施の形態中で言及する。また、ラウンド加工とは、面取り加工をした加工面に丸みを付与した形態をいう。
【００１３】
本発明の表裏確認処理部とは、以上のように機械的加工を施す形態に限定されず、例えばコーナ部に印刷を施すことによって表裏確認処理部を構成することもできる。さらに、コーナ部にレーザビームを照射して得られるレーザ照射痕を表裏確認処理部とすることもできる。
なお、以上の表裏確認処理部は、ファラデー回転子の光透過領域外に形成することが重要である。光透過領域内に表裏確認処理部がある場合には、ファラデー回転子における光の透過を阻害してファラデー回転子の特性を劣化させるおそれがあるからである。また、以上の表裏確認処理部の例は、望ましい形態を列挙したにすぎず、本発明におけるすべての形態を示したものではない。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明をより詳細かつ具体的に説明する。本発明のファラデー回転子の主たる用途として、光通信システムがあることは前述の通りである。そこで、まず、図１を用いて、本発明が適用される光通信システム１について説明する。
光通信システム１は、送信側と受信側との間で情報を光信号によって伝送するためのシステムである。送信側には光送信器２が、また受信側には光受信器３が配設されている。光送信器２と光受信器３とは、光ファイバからなる光伝送ライン４で接続されている。光伝送ライン４上には光増幅器５が介在している。光増幅器５は、光伝送ライン４の長さに応じた数だけ設けられる。
【００１５】
光送信器２は、電子回路２１と、ＬＤモジュール２２とを備えている。伝送の対象となるデータを電気信号として受けた電子回路２１は、所定の処理を施した後にＬＤモジュール２２に出力する。ＬＤモジュール２２は、受けた電気信号を光信号に変換した後に、光伝送ライン４に伝送する。
光受信器３は、ＰＤモジュール３１と、電子回路３２とを備えている。光伝送ライン４から伝送された光信号を受けたＰＤモジュール３１は、電気信号に変換して電子回路３２に出力する。電子回路３２は、受けた電気信号を受信側に出力する。
光伝送ライン４上に配置された光増幅器５は、光伝送ライン４を伝送される光信号の減衰を防止するために増幅する。
【００１６】
図２は、ＬＤモジュール２２の構成を示す図である。ＬＤモジュール２２は、ケース内に配置されるＬＤ２２２と、ＬＤ２２２から出力される光（信号）が透過するレンズ２２３と、レンズ２２３を透過した光（信号）の偏波面を回転する光アイソレータ２２４とを備えている。
図３は、光アイソレータ２２４の構成を示す図である。図３に示すように、光アイソレータ２２４は、２つの偏光子２２４ａ，２２４ｃの間にファラデー回転子２２４ｂが配置された構成を有する。２つの偏光子２２４ａ，２２４ｃは、所定の間隔を隔てて対向配置される。いま、偏光子２２４ａに順方向の光が入射されるものとすると、順方向の光は偏光子２２４ｃから光伝送ライン４に向けて出射される。一方、偏光子２２４ｃに逆方向の光が入射されるものとすると、偏光子２２４ａは偏光子２２４ｃからの逆方向の光の透過を阻止する。これは、ファラデー効果を利用した以下の理由に基づく。すなわち、順方向においては、偏光子２２４ａを透過した直線偏光はファラデー回転子２２４ｂにより４５°回転し、４５°の相対角度をもって配置される偏光子２２４ｃを透過する。一方、逆方向においては、偏光子２２４ｃを透過した直線偏光は、ファラデー回転子２２４ｂにより順方向の場合と同じ方向にさらに４５°回転するため、偏光子２２４ａを透過することができなくなるためである。
【００１７】
偏光子２２４ａ，２２４ｃの箇所でも述べたように、ファラデー回転子２２４ｂは、偏光子２２４ａを透過した順方向の光の偏波面を回転させて偏光子２２４ｃに向けて出射する。また、ファラデー回転子２２４ｂは、偏光子２２４ｃを透過した逆方向の光の偏波面を、順方向の場合と同じ方向に回転させて偏光子２２４ａに向けて出射する。
なお、ファラデー回転子２２４ｂは、光の透過方向に垂直な面が矩形を有しているが、その矩形形状の範囲内において透過する光は一般に円形をなしている。したがって、ファラデー回転子２２４ｂのすべての部分がその機能を果たすために用いられるのではなく、光が透過する領域に対応する部分以外はファラデー回転子２２４ｂとしての機能を果たしていないといえる。
【００１８】
本発明においては、このファラデー回転子２２４ｂを角型の磁気ヒステリシスを示すビスマス置換型希土類鉄ガーネット単結晶膜で構成することが望ましい。ビスマス置換型希土類鉄ガーネット単結晶膜の組成は、（Ｂｉ３−ｘ−Ｒｘ）−Ｆｅ（５−ｗ）−Ｍｗ−Ｏ１２の化学組成（ただし、Ｒ＝Ｙを含む希土類元素の１種または２種以上、Ｍ＝Ｇａ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｓｃ、Ｉｎ、ＳｉおよびＴｉの一種または二種以上）とすることが望ましい。ここで、Ｒは、Ｙを含む希土類元素（Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，ＹｂおよびＬｕ）の１種または２種以上である。以下、Ｙを含む希土類元素を「希土類元素Ｒ」と称する。
また、本発明が適用される硬磁性ガーネット材料において、０．５≦ｘ≦２．５であり、かつ０．２≦ｗ≦２．５とすること、さらには１．０≦ｘ≦２．３であり、かつ０．４≦ｗ≦１．５とすることが望ましい。
【００１９】
希土類元素ＲとしてはＧｄ、Ｔｂ、Ｙｂが特に好ましい。Ｇｄは磁気モーメントが希土類元素の中で最も大きいため、飽和磁化（４πＭｓ）の低減に有効である。また、ＧｄＢｉ系のガーネットは、磁化反転温度が−１０℃程度と、ＴｂＢｉ系のガーネットの−５０℃に比べて室温に近いため、硬磁性にとって有利である。さらに、Ｇｄは１．２μｍ以上の波長の光の吸収がないため、挿入損失にとって有利である。
Ｔｂは、温度特性、波長特性を確保するために有効な元素である。Ｇｄは磁気異方性が大きく高保磁力化に有効な元素であるが、保磁力への寄与はＴｂのほうが大きい。
【００２０】
以上の理由から、本発明のビスマス置換型希土類鉄ガーネット単結晶膜において、その組成を（Ｂｉ３−ａ−ｂ−ｃＧｄａＴｂｂＹｂｃ）Ｆｅ（５−ｗ）ＭｗＯ１２の化学組成（ただし、Ｍ＝Ｇａ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｓｃ、Ｉｎ、ＳｉおよびＴｉの一種または二種以上、０．５≦ａ＋ｂ＋ｃ≦２．５，０．２≦ｗ≦２．５）とすることが特に望ましい。
【００２１】
本発明のビスマス置換型希土類鉄ガーネット単結晶膜は、ＬＰＥ法により形成されることを前提とするが、Ｙｂは、当該単結晶膜の格子定数を基板の格子定数と整合させるために含有される。ファラデー回転能を大きくするためには、Ｂｉを多く含む結晶とすることが望まれる。ここで、ファラデー回転角は、ファラデー回転子２２４ｂを構成する材料の厚さに比例し、単位厚さあたりの回転角をファラデー回転能と呼ぶ。また、光アイソレータ２２４に用いられるファラデー回転子２２４ｂの回転角は４５°であるから、ファラデー回転能が大きいほどファラデー回転子２２４ｂの厚さを薄くでき、小型化にとって有利となる。
また、ＬＰＥ法に用いられる基板（以下、ＬＰＥ基板）は、所定の格子定数を有している。Ｂｉはイオン半径が大きいために、単にＢｉの量を多くしたのでは、得たい結晶膜の格子定数と基板の格子定数の整合が取れなくなる。そこで、Ｂｉの量を多くしつつ、イオン半径の小さいＹｂを含有せしめることにより、得たい結晶膜の格子定数と基板の格子定数の整合を取るのである。そして、Ｙｂは光通信に使用される光の波長域で光吸収がないので、挿入損失を劣化させることもない。
【００２２】
本発明のビスマス置換型希土類鉄ガーネット材料において、ＭはＦｅの一部を置換する元素であり、Ｇａ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｓｃ、Ｉｎ、ＳｉおよびＴｉの一種または二種以上から選択される。この中では単結晶育成の容易さの観点からＧａが最も望ましい元素である。
【００２３】
本発明のビスマス置換型希土類鉄ガーネット材料において、Ｇｄ、ＴｂおよびＹｂの含有量を示すａ，ｂおよびｃは、０．５≦ａ＋ｂ＋ｃ≦２．５とする。ａ＋ｂ＋ｃが０．５未満になると、イオン半径の大きいＢｉの量が相対的に多くなり、ＬＰＥ法により単結晶膜を育成するためのＬＰＥ基板との格子定数の整合性が取れなくなる。また、ａ＋ｂ＋ｃが２．５を超えると、逆にＢｉの量が相対的に少なくなり、ファラデー回転能が小さくなる。結果として、単結晶膜の厚さを厚くしなければならず、ＬＰＥ法による単結晶膜の育成が難しくなり、歩留まりの低下をきたす。ａ＋ｂ＋ｃの望ましい範囲は１．０≦ａ＋ｂ＋ｃ≦２．３である。
【００２４】
さらに、ａ，ｂおよびｃの各々は、０．１≦ａ≦１．５、０．３≦ｂ≦２．０、０．１≦ｃ≦１．５とすることが望ましい。ａ（Ｇｄ量）を０．１以上とするのは硬磁性を得るための磁気異方性を十分に確保するためである。一方、ａが１．５を超えるとＴｂおよびＢｉの量が不足するため、高いファラデー回転能を得ることができなくなる。
ｂ（Ｔｂの量）を０．３以上とするのは硬磁性を得るための磁気異方性を十分に確保するためである。一方、ｂが２．０を超えると、１．５μｍを超える波長の光における挿入損失が大きくなる。
ｃ（Ｙｂの量）を０．１以上とするのは０．１未満では、十分なファラデー回転能を確保することができず、膜厚を厚くする必要性が出てくるからである。一方、ｃが１．５を超えると、Ｇｄ、ＴｂおよびＢｉの量が不足して、高いファラデー回転能を確保できなくなるためである。
【００２５】
本発明のビスマス置換型希土類鉄ガーネット材料において、ＭのＦｅに対する置換量であるｗは０．２≦ｗ≦２．５とする。ｗが０．２未満では、得られた単結晶膜が角型の磁気ヒステリシスを保てなくなる。一方、ｗが２．５を超えると、単結晶の育成中に溶融部分に不必要な結晶核が生成して単結晶の健全な育成が困難となる。望ましいｗの範囲は０．３≦ｗ≦２．０、さらに望ましいｗの範囲は０．４≦ｗ≦１．５である。
【００２６】
以上説明の通り、単結晶膜の組成を適宜調整することで、−２０℃〜＋８０℃の温度範囲、つまり光アイソレータ２２４の動作保証が必要とされる温度範囲においてファラデー効果を具現するとともに、ファラデー回転能が７００°／ｃｍ以上のビスマス置換型希土類鉄ガーネット材料が得られる。このガーネット材料は、当該材料が示す飽和磁化以上の大きさの外部磁界を印加した後に当該外部磁界を除去した後においても、以上のファラデー回転能が実質的に維持される。
なお、硬磁性のビスマス置換型希土類鉄ガーネット単結晶膜に本発明を適用することが望ましいが、軟磁性のビスマス置換型希土類鉄ガーネット単結晶膜への適用を排除するものではない。例えば、偏波スクランブラ、光アッテネータのように、軟磁性のビスマス置換型希土類鉄ガーネット単結晶膜を用いる場合であっても、その表裏面が問われる用途もあるからである。
【００２７】
次に、ファラデー回転子２２４ｂについてより詳細に説明する。
本発明によるファラデー回転子２２４ｂは、反射防止膜が、表裏面で形成形態が相違する。その一形態として、表裏面のいずれかの面における少なくとも１つのコーナ部近傍に反射防止膜を形成しないファラデー回転子２２４ｂが掲げられる。このファラデー回転子２２４ｂを図４に示す（第１の実施形態）。図４（ｂ）に示すように、ファラデー回転子２２４ｂの表面（裏面であってもよい。以下、同様）には反射防止膜ＡＲがその全面に形成されているが、図４（ａ）に示すように、その裏面（表面であってもよい。以下同様）は、１つのコーナ部Ｃ近傍を除いて反射防止膜ＡＲが形成されている。このような反射防止膜ＡＲを得るためには、前記コーナ部Ｃ近傍にマスキングを施した状態で反射防止膜ＡＲを形成した後にマスキングを除去するか、または一度全面に反射防止膜ＡＲを形成した後に前記コーナ部Ｃ近傍の反射防止膜ＡＲを除去（例えば、エッチング）することにより得ることができる。製造方法の具体的内容については、追って説明する。なお、図４では反射防止膜ＡＲをグレー、ファラデー回転子２２４ｂの本体を白抜きで示しているが、現実の色彩を反映させているわけではないことを念のため言及しておく。
裏面に対して光を照射することにより、反射防止膜ＡＲを形成している部分と反射防止膜ＡＲを形成していない部分を、肉眼で容易に区別することができる。したがって、ファラデー回転子２２４ｂの表裏面も容易に区別することができる。なお、反射防止膜ＡＲを形成しない部分をコーナ部Ｃ近傍に限ったのは、コーナ部Ｃ近傍は光が透過する部分でないため、そもそも反射防止膜ＡＲを形成する必要がないためである。また、図４（ａ）の例では、１つのコーナ部Ｃの近傍のみを除いて反射防止膜ＡＲを形成したが、２〜４つのコーナ部の近傍を除いて反射防止膜ＡＲを形成することができることはいうまでもない。さらに、本実施の形態によれば、反射防止膜ＡＲを構成する物質は表裏において同一のものを用いても、表裏の区別ができる。
【００２８】
次に、反射防止膜ＡＲを用いて表裏を区別できる他の形態を図５に示す（第２の実施形態）。図５（ａ）に示すように、この形態は回転子本体の表面には円形状に反射防止膜ＡＲを形成する。この円形状の領域は、光透過領域を含むことが必要である。一方、図５（ｂ）に示すように、回転子本体の裏面にはその全面に反射防止膜ＡＲを形成する。この形態によっても、回転子本体の表面に光を照射することにより、反射防止膜ＡＲが形成されている領域とそうでない領域とを区別できる。その結果、ファラデー回転子２２４ｂの表裏を容易に区別することができる。
【００２９】
以上のように、反射防止膜ＡＲの形成形態を、ファラデー回転子２２４ｂの表裏面で相違させることにより、ファラデー回転子２２４ｂの表裏面を容易に区別することができる。なお、以上の形態では、回転子本体の裏面には、その全面に反射防止膜ＡＲを形成したが、本発明はこの形態に限定されない。たとえば、図４に示した形態において、裏面の２つのコーナ部近傍に反射防止膜ＡＲを形成しない形態とすることによって、表裏面の反射防止膜ＡＲの形成形態を相違させることができる。また、図５に示した形態において、裏面に形成する反射防止膜ＡＲを、光透過領域を含む矩形状の領域に形成することによって、表裏面の反射防止膜ＡＲの形成形態を相違させることもできる。
【００３０】
次に、機械的な加工を施すことによって、表裏確認処理部を形成したファラデー回転子２２４ｂについて説明する。
図６はその一例であって、ファラデー回転子２２４ｂの表面の１つのコーナ部Ｃに面取りを施した形態を示している（第３の実施形態）。なお、ファラデー回転子２２４ｂの裏面は平面のままで、またその全面に反射防止膜ＡＲを形成している。図６に示したファラデー回転子２２４ｂも、面取りを表面のみに形成することにより、ファラデー回転子２２４ｂの表裏を容易に区別することができる。なお、図６に示した例では表面のみに面取りを施したが、その数を異ならせて表裏両面に面取りを形成することもできる。
【００３１】
図７は図６の変形例であり、ファラデー回転子２２４ｂのすべてのエッジ部Ｅに面取りを施してある（第４の実施形態）。なお、本発明において、エッジ部Ｅとは、コーナ部Ｃとコーナ部Ｃとの間に存在する稜線を含む部分をいう。しかも、面取りは、ラウンド加工、つまり丸みを帯びている。このようにラウンド加工した面取りをすべてのエッジ部Ｅを対象として形成したのは、ファラデー回転子２２４ｂの特性、特に保磁力の劣化を防止するためである。つまり、ファラデー回転子２２４ｂは、後述するように、所定の単結晶膜を切断して得られるが、この切断時にエッジ部Ｅにチッピングが生じやすく、そうすると保磁力が低下する傾向にあるのに対して、エッジ部Ｅをラウンド加工することにより、保磁力の低下を抑制できるからである。
図７の例では、ファラデー回転子２２４ｂのすべてのエッジ部Ｅにラウンド加工した面取りを形成し、かつ表面に属する面の面取りを、裏面に属する面の面取りよりも面取り量を大きくしてある。そのため、面取り量を比較することにより、表面と裏面との区別が可能になる。
【００３２】
図８は、機械的な加工を施すことなく、表裏確認処理部を形成したファラデー回転子２２４ｂの一例を示している（第５の実施形態）。この例は、ファラデー回転子２２４ｂの表面のコーナ部近傍に、円形の印刷Ｐを施したものである。印刷Ｐは、反射防止膜ＡＲと区別が明瞭な色彩で行うことが望ましい。
さらに図９も、機械的な加工を施すことなく、表裏確認処理部を形成したファラデー回転子２２４ｂの一例を示している（第６の実施形態）。この例は、ファラデー回転子２２４ｂの表面のコーナ部近傍に、レーザビームを照射することによる照射痕が形成されている。レーザビームの照射は、反射防止膜ＡＲの形成前後のいずれに行ってもよい。反射防止膜ＡＲの形成前にレーザビームを照射した場合には、照射痕が他の部分よりもへこんでいることにより、表面であることを認識することができる。また、反射防止膜ＡＲを形成した後にレーザビームを照射した場合には、照射痕が他の部分よりもへこんでいることに加えて、レーザビーム照射により反射防止膜ＡＲが除去されていることによっても、表面であることを認識することができる。
【００３３】
次に、本発明のファラデー回転子２２４ｂの製造方法について説明する。図１０に示すように、本発明は、単結晶膜育成工程（ステップＳ１０１）、切断・研磨工程（ステップＳ１０３）、反射防止膜形成工程（ステップＳ１０５）、細断工程（ステップＳ１０７）および着磁工程（ステップＳ１０９）を含む。この各工程において、または各工程の間に表裏確認処理部形成工程が実施される。以下、各工程について順次説明する。
【００３４】
＜単結晶膜育成工程＞
はじめに、単結晶膜育成工程（ステップＳ１０１）について説明する。
本発明による単結晶膜は、ＬＰＥ法により育成することができる。図１１はＬＰＥ法により単結晶膜を育成している様子を示している。
図１１に示すように、例えば白金製の坩堝４０に得たい単結晶膜の原料とフラックスとを投入する。坩堝４０に投入された原料とフラックスとは、加熱コイル４１へ通電することにより加熱、溶融してメルト４２を形成する。メルト４２の温度を下げて過冷却状態にして、ＬＰＥ基板４３を回転させながらメルト４２に接触させると、ＬＰＥ基板４３上に、単結晶膜４４がエピタキシャル成長する。なお、育成された単結晶膜４４には、フラックスおよび坩堝４０から不純物が不可避的に混入するが、本発明がこのような不可避的不純物の混入を許容することは言うまでもない。もちろん、本発明の効果を実行あらしめるために、これら不純物の混入を低減することが望ましい。
ＬＰＥ法により得る単結晶膜４４は、最終的に得たいファラデー回転子２２４ｂの厚さよりも若干厚く育成される。研磨加工に供した後にファラデー回転子２２４ｂとして用いるためである。
【００３５】
＜切断・研磨工程＞
単結晶膜４４を形成した後に、切断・研磨工程（ステップＳ１０３）に進む。切断・研磨工程（ステップＳ１０３）において、単結晶膜４４を所定の大きさに切断・研磨することにより、ファラデー回転子２２４ｂが得られる。
単結晶膜４４の切断は、ワイヤーソーを用いて行うことが好ましい。ここでは、１０ｍｍ×１０ｍｍ程度の寸法に切断する。ワイヤーソーを用いた切断によれば、切断時のチッピングを最小限に抑えることができる。このようにチッピングを抑えることで、単結晶膜育成工程（ステップＳ１０１）で育成した完全結晶に近い状態を維持しつつ、磁気特性の良好な単結晶膜４４を得ることが可能となる。ここで、チッピングとは、単結晶膜４４を切断する際に単結晶膜４４の切断面のエッジが欠ける現象をいう。
また、ファラデー回転子２２４ｂには、使用される光の波長に対して回転角が４５°になるような単結晶膜４４が用いられる。換言すれば、ＬＰＥ法により育成された単結晶膜４４は、ファラデー回転角が４５°になるまで研磨加工される。ファラデー回転子２２４ｂは、概ね５００μｍ程度の厚さを有している。
【００３６】
＜反射防止膜形成工程＞
切断・研磨加工された後に、挿入損失低減のために、ファラデー回転子２２４ｂの表面に反射防止膜ＡＲを形成する反射防止膜形成工程（ステップＳ１０５）に進む。ここで、挿入損失とは、入射光に対す出射光の減衰分をいう。ファラデー回転子２２４ｂにおける挿入損失は、ファラデー回転子２２４ｂを構成する材料の光吸収損失と、当該材料と空気との屈折率の違いによる界面の反射損失からなる。高品質な情報伝送を確保するために、ファラデー回転子２２４ｂにおいては、挿入損失を低減することが要求されているが、ファラデー回転子２２４ｂ表面に反射防止膜ＡＲを施すことにより、反射損失は無視できる程度まで低減できる。
【００３７】
反射防止膜ＡＲとしては、公知の材質、例えば、ＳｉＯ２、ＭｇＦ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５　、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ｎｄ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３を単独または組み合わせて用いることができる。反射防止膜ＡＲを形成する手法としては、真空蒸着法、イオンアシスト法、イオンプレーティング法、スパッタ法を用いることができる。
【００３８】
＜細断工程＞
反射防止膜ＡＲを形成した後に、所定寸法まで切断する細断工程（ステップＳ１０７）に進む。例えば、反射防止膜ＡＲが形成された段階で１０ｍｍ×１０ｍｍ程度の寸法を有している単結晶膜４４を、１ｍｍ×１ｍｍ程度の寸法まで切断する。この細断工程（ステップＳ１０７）における切断手法としては、ダイヤモンドソー、ワイヤーソー等の公知の切断手法を用いることができる。特に、ワイヤーソーはチッピングの発生を低減できるため好適である。ワイヤーソーとしては、例えばダイヤモンドワイヤソーを用いることができる。ダイヤモンドワイヤソーは、ダイヤモンド砥粒が混合されたメタルボンドのビーズを専用のワイヤーに配列・接合したものである。
【００３９】
＜着磁工程＞
細断工程（ステップＳ１０７）の後に、着磁工程（ステップＳ１０９）に進む。この着磁工程（ステップＳ１０９）では、単結晶膜４４からなるファラデー回転子２２４ｂに対し、外部磁場を施す。この着磁工程（ステップＳ１０９）を行う以前に、ファラデー回転子２２４ｂの表裏が区別できるようにしておく必要がある。着磁後に、着磁方向を認識するためである。したがって、単結晶膜育成工程（ステップＳ１０１）の以降であってかつ着磁工程（ステップＳ１０９）以前のいずれかの段階で、先に説明した表裏確認処理部を形成する必要がある。
【００４０】
着磁工程（ステップＳ１０９）における外部磁場の強度は、飽和磁場以上、具体的には、前述した組成からなるファラデー回転子２２４ｂの場合、５００Ｏｅ以上とする。最大で保磁力Ｈｃの数倍程度の範囲内で外部磁場の強度が高ければ高いほどファラデー回転子２２４ｂの高保磁力化が期待できる。ただし、装置の高コスト化を防ぐため、現状では外部磁場の強度の上限を２０ｋＯｅ程度とする。より望ましい外部磁場の強度は１ｋＯｅ以上、さらに望ましい外部磁場の強度は２ｋＯｅ以上である。
外部磁場を施す時間は、１分から１時間程度とすればよい。但し、この時間は外部磁場の強度によって左右されるものであり、外部磁場の強度が高い場合、具体的には外部磁場の強度が２ｋＯｅ以上の場合には、外部磁場を施す時間が数秒であっても高保磁力化という効果を得ることができる。
【００４１】
磁場の印加方向は、最終的にファラデー回転子２２４ｂが着磁されるべき方向とし、具体的にはファラデー回転子２２４ｂの厚さ方向に磁場を印加する。ファラデー回転子２２４ｂは偏光子２２４ａ，２２４ｃの間に配置されるが、光が進む方向、つまり順方向の光と略平行になるようにファラデー回転子２２４ｂの厚さ方向に磁場を印加するのである。なお、着磁工程は、細断工程（ステップＳ１０７）の前に行うこともできる。
【００４２】
以上では、本発明のファラデー回転子２２４ｂを得るための基本的な製造工程について説明した。以下では、図４〜図９に示した第１の実施形態〜第６の実施形態に固有な製造工程の好適な例について説明する。
第１の実施形態（図４参照）によるファラデー回転子２２４ｂは、図１２に示すように、反射防止膜ＡＲを形成すべき領域が打ち抜かれたマスクＭを、例えば１０ｍｍ×１０ｍｍのサイズを有する単結晶膜４４に積層し、その状態で反射防止膜ＡＲを形成する。なお、マスクＭを積層した面の反対側の面には、マスクＭを施すことなくその全面に反射防止膜ＡＲを形成する。反射防止膜ＡＲが形成された単結晶膜４４は、図１３に示すように、マスクＭにより反射防止膜ＡＲの形成が阻止された部分（白抜き部分）を除いて反射防止膜ＡＲが形成されている。図１３に示す状態の単結晶膜４４が、次に細断工程（図１０　Ｓ１０７）に供される。
第２の実施形態（図５）よるファラデー回転子２２４ｂも、以上説明した第１の実施形態と同様の手法により、表面の所定領域のみ反射防止膜ＡＲを形成することができる。
【００４３】
第３の実施形態（図６）によるファラデー回転子２２４ｂは、細断工程（図１０　Ｓ１０７）にて切断した後に、例えばエアで駆動されるマイクログラインダを用いて、またはレーザビーム照射することにより、面取りを形成することができる。
第４の実施形態（図７）によるファラデー回転子２２４ｂは、細断工程（図１０　Ｓ１０７）を経た後に、はじめにバレル研磨によりファラデー回転子２２４ｂのエッジ部Ｅをラウンド加工する。バレル研磨を施した後に、第１の実施形態と同様に、マイクログラインダ、レーザビーム照射等によって、表側に属するエッジ部Ｅの面取りサイズを裏側に属する面の面取りよりも大きくする。
【００４４】
第５の実施形態（図８）によるファラデー回転子２２４ｂは、図１４に示すように、反射防止膜形成工程（図１０　Ｓ１０５）が終了した後であって、反射防止膜ＡＲが形成された単結晶膜４４の状態で、ドットマトリックスプリンタ（図１４には１つのドットワイヤＤのみを示している）を用いて、印刷を行う。単結晶膜４４の状態では、ファラデー回転子２２４ｂを構成する領域ごとにドットワイヤＤで印刷を施す。図１４の白抜き部分が印刷を示している。なお、この例では、ドットマトリックスプリンタについて言及したが、インクジェットプリンタ等他の機器を用いることもできる。
【００４５】
第６の実施形態（図９）によるファラデー回転子２２４ｂは、反射防止膜形成工程（図１０　Ｓ１０５）が終了した後であって、反射防止膜ＡＲが形成された単結晶膜４４の状態で、レーザビームＲＢの照射が行われる。図１５はその様子を示しており、ファラデー回転子２２４ｂを構成する領域ごとに、レーザビーム照射装置ＲＭからレーザビームＲＢを照射して照射痕を形成した後に、細断工程（図１０　Ｓ１０７）に進む。
【００４６】
以下本発明の具体的な実施例について説明する。
（実施例１）
酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３，４Ｎ）、酸化第２鉄（Ｆｅ２Ｏ３，４Ｎ）、酸化ガドリニウム（Ｇｄ２Ｏ３，５Ｎ）、酸化テルビウム（Ｔｂ４Ｏ７，３Ｎ）　、酸化イッテルビウム（Ｙｂ２Ｏ３，４Ｎ）、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３，４Ｎ）を原料として、図１１に示す装置を用いて、エピタキシャル成長により、ビスマス置換型希土類鉄磁性ガーネット単結晶膜を育成した。用いたＬＰＥ基板は、（１１１）ガーネット単結晶（（ＧｄＣａ）３（ＧａＭｇＺｒ）５Ｏ１２）である。この基板の格子定数は、１．２４９７±０．０００２ｎｍである。なお、前記原料は、単結晶膜４４が着磁された後に硬磁性を示すように選定されている。また、前記原料のほかに、酸化鉛（ＰｂＯ，４Ｎ）および酸化ほう素（Ｂ２Ｏ３，５Ｎ）をフラックスとして白金製の坩堝４０に投入した。
【００４７】
ビスマス置換型希土類鉄磁性ガーネット単結晶膜を育成した後、得られた単結晶膜４４の組成分析を行った結果、Ｂｉ１．０Ｇｄ０．３Ｔｂ１．５Ｙｂ０．２Ｆｅ４．２Ｇａ０．８Ｏ１２．０であった。
得られた単結晶膜４４を、切断・研磨により１０ｍｍ×１０ｍｍ×５００μｍのサイズとした。切断・研磨された単結晶膜４４に、図１２に示す方法で反射防止膜ＡＲをイオンアシストされた真空蒸着法により形成した。なお、反射防止膜ＡＲの材質としてはＴａ２Ｏ５とＳｉＯ２を用い、単結晶膜４４上にこの順に積層した。反射防止膜ＡＲを形成した後に、ダイヤモンドワイヤソーを用いて１ｍｍ×１ｍｍのサイズに切断することにより、ファラデー回転子２２４ｂを得た。
【００４８】
得られたファラデー回転子２２４ｂに外部磁場１０ｋＯｅ中で着磁処理を施した。この着磁処理の際、反射防止膜ＡＲの形成形態の異なる表裏面に対して着磁方向が一致するように配慮した。着磁処理が終了した後に、偏光子２２４ａ，２２４ｃとともに光アイソレータ２２４として組み立てた。この際、ファラデー回転子２２４ｂの表裏面を確認しつつ組み立て作業が行われた。
こうして組み立てられた光アイソレータ２２４の特性を測定したところ、挿入損失が０．０８ｄＢ、消光比が４０ｄＢであった。また、ファラデー回転子２２４ｂの表裏面の誤りはなく、製品歩留まりは１００％であった。なお、反射防止膜ＡＲの形成形態を相違させることのないファラデー回転子２２４ｂの場合、表裏面の誤りにより、製品歩留まりは８０％程度となった。
【００４９】
（実施例２）
実施例１と同様の方法で単結晶膜４４を、切断・研磨工程（図１０　Ｓ１０３）、反射防止膜ＡＲの形成、細断工程（図１０　Ｓ１０７）を経ることにより、１ｍｍ×１ｍｍサイズのファラデー回転子２２４ｂを得た。このファラデー回転子２２４ｂを、マイクログラインダを用いて、図６に示すように、表面の１つのコーナ部Ｃの面取りを行った。面取りされたファラデー回転子２２４ｂに対して実施例１と同様の方法で着磁処理を行った。着磁処理がなされたファラデー回転子２２４ｂを用いて、実施例１と同様にして光アイソレータ２２４を組み立て、その特性を測定した。その結果、挿入損失が０．０８ｄＢ、消光比が４０ｄＢであった。また、ファラデー回転子２２４ｂの表裏面の誤りはなく、製品歩留まりは１００％であった。
【００５０】
比較例として、１ｍｍ×１ｍｍサイズのファラデー回転子２２４ｂを、マイクログラインダを用いて図１６に示すような形状に加工した。このファラデー回転子２２４ｂと、コーナ部の面取りを行っていないファラデー回転子２２４ｂ、さらに実施例２によるファラデー回転子２２４ｂの保磁力を測定した。その結果、コーナ部の面取りを行っていないファラデー回転子２２４ｂの保磁力が５００Ｏｅであるのに対して、図１６に示す形状に加工されたファラデー回転子２２４ｂは、磁気ヒステリシスが非対称になり、かつ保磁力も低下（２００Ｏｅおよび−４００Ｏｅ）したため、硬磁性のファラデー回転子２２４ｂとしては不適当であることが確認された。これに対して、実施例２によるファラデー回転子２２４ｂの保磁力は４９０Ｏｅと、わずかな保磁力の低下が確認されたのみであった。
【００５１】
（実施例３）
実施例１と同様の方法で単結晶膜４４を、切断・研磨工程（図１０　Ｓ１０３）、反射防止膜ＡＲの形成、細断工程（図１０　Ｓ１０７）を経ることにより、１ｍｍ×１ｍｍサイズのファラデー回転子２２４ｂを得た。このファラデー回転子２２４ｂを、バレル研磨装置で処理した後に、マイクログラインダを用いて、図７に示すように、表面の１つのコーナ部Ｃの面取りサイズを大きくした。面取りされたファラデー回転子２２４ｂに対して実施例１と同様の方法で着磁処理を行った。着磁処理がなされたファラデー回転子２２４ｂを用いて、実施例１と同様にして光アイソレータ２２４を組み立て、その特性を測定した。その結果、挿入損失が０．０８ｄＢ、消光比が４０ｄＢであった。また、ファラデー回転子２２４ｂの表裏面の誤りはなく、製品歩留まりは１００％であった。
【００５２】
（実施例４）
実施例１と同様の方法で単結晶膜４４を、切断・研磨することにより、１０ｍｍ×１０ｍｍ×５００μｍのサイズとした。切断・研磨された単結晶膜４４に、反射防止膜ＡＲをイオンアシストされた真空蒸着法により形成した。なお、反射防止膜ＡＲの材質としてはＴａ２Ｏ５とＳｉＯ２を用い、単結晶膜４４上にこの順に積層した。反射防止膜ＡＲを形成した後に、図１４に示すようにしてドットインパクトプリンタを用いて印刷を施した。印刷の大きさは、直径５０μｍであり、使用したインクは白色である。印刷終了後、ダイヤモンドワイヤソーを用いて１ｍｍ×１ｍｍのサイズに切断し、以後は実施例１と同様にして光アイソレータ２２４を組み立て、その特性を測定した。その結果、挿入損失が０．０８ｄＢ、消光比が４０ｄＢであった。また、ファラデー回転子２２４ｂの表裏面の誤りはなく、製品歩留まりは１００％であった。
【００５３】
実施例１と同様の方法で単結晶膜４４を、切断・研磨することにより、１０ｍｍ×１０ｍｍ×５００μｍのサイズとした。切断・研磨された単結晶膜４４に、反射防止膜ＡＲをイオンアシストされた真空蒸着法により形成した。なお、反射防止膜ＡＲの材質としてはＴａ２Ｏ５とＳｉＯ２を用い、単結晶膜４４上にこの順に積層した。反射防止膜ＡＲを形成した後に、図１５に示すようにしてレーザビームＲＢの照射を行った。レーザビーム照射装置ＲＭとしては、加工用のＵＶレーザ装置を用いた。ＵＶレーザは、波長が短いため、微細で熱の影響がない浅い加工痕を実現することができる利点がある。レーザビームＲＢの照射が終了した後に、ダイヤモンドワイヤソーを用いて１ｍｍ×１ｍｍのサイズに切断し、以後は実施例１と同様にして光アイソレータ２２４を組み立て、その特性を測定した。その結果、挿入損失が０．０８ｄＢ、消光比が４０ｄＢであった。また、ファラデー回転子２２４ｂの表裏面の誤りはなく、製品歩留まりは１００％であった。
【００５４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の表裏確認手法を採用することにより、表裏の区別の確実性が格段に向上し、かつファラデー回転子としての特性の劣化を最小限に抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態による光通信システムの構成を示す図である。
【図２】本実施の形態によるＬＤモジュールの構成を示す斜視図である。
【図３】本実施の形態による光アイソレータの構成を示す図である。
【図４】第１の実施形態によるファラデー回転子を示す図である。
【図５】第２の実施形態によるファラデー回転子を示す図である。
【図６】第３の実施形態によるファラデー回転子を示す図である。
【図７】第４の実施形態によるファラデー回転子を示す図である。
【図８】第５の実施形態によるファラデー回転子を示す図である。
【図９】第６の実施形態によるファラデー回転子を示す図である。
【図１０】ファラデー回転子の製造工程を示すフローチャートである。
【図１１】ＬＰＥ法を説明するための図である。
【図１２】第１の実施形態によるファラデー回転子の製造方法を示す図である。
【図１３】第１の実施形態によるファラデー回転子の製造方法を示す図である。
【図１４】第５の実施形態によるファラデー回転子の製造方法を示す図である。
【図１５】第６の実施形態によるファラデー回転子の製造方法を示す図である。
【図１６】比較例にかかるファラデー回転子を示す図である。
【符号の説明】
１…光通信システム、２…光送信器、２１…電子回路、２２…ＬＤモジュール、２２２…ＬＤ、２２３…レンズ、２２４…光アイソレータ、２２４ａ，２２４ｃ…偏光子、２２４ｂ…ファラデー回転子、３…光受信器、３１…ＰＤモジュール、３２…電子回路、４…光伝送ライン、５…光増幅器、４０…坩堝、４１…加熱コイル、４２…メルト、４３…ＬＰＥ基板、４４…単結晶膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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