Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月1日(2012.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１バッチの基板の、１つまたは複数の処理領域を画定する処理チャンバ内での処理であって、
前記バッチからの基板を前記処理チャンバ内で処理するステップと、
前記基板を前記処理チャンバから取り除くステップと、
オゾンの前記処理チャンバ内への導入および前記チャンバの紫外光に対する１分未満の間の暴露を含む離散的洗浄処理を開始するステップと、
前述のステップをバッチ内の最後の基板が処理されるまで繰り返すステップとをさらに含む、処理と、
前記バッチ内の前記最後の基板を処理した後の、前記最後の基板の前記処理チャンバからの除去と、
オゾンの前記処理チャンバ内への導入および前記処理チャンバの紫外光に対する３分間から１５分間の暴露を含む、バッチ洗浄処理の開始と
を含む、基板処理チャンバを洗浄する方法。
【請求項２】
前記基板を処理するステップが、前に前記基板上に堆積された誘電材料からポロゲンを取り除くことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板を処理するステップが、
前記チャンバを５Ｔｏｒｒまで加圧することと、
前記チャンバを３８５℃まで加熱することと、
ヘリウムを前記チャンバ内に、１０標準リットル／分で導入することと、
アルゴンを前記チャンバ内に、１０標準リットル／分で導入することと、
前記チャンバを紫外光に１６５秒間暴露することと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記チャンバが、前記離散的洗浄処理の間に、１５秒間から３０秒間、紫外光に暴露される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記離散的洗浄処理が、
前記チャンバを５Ｔｏｒｒまで加圧することと、
前記チャンバを３８５℃まで加熱することと、
オゾンを前記チャンバ内に、１０標準リットル／分で導入することと、
前記チャンバを紫外光に１５秒間暴露することと、
前記チャンバを１０標準リットル／分のヘリウムで１０秒間浄化することと、
前記チャンバを１０秒間ポンピングすることと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記バッチ洗浄処理が、
前記チャンバを５Ｔｏｒｒまで加圧することと、
前記チャンバを３８５℃まで加熱することと、
オゾンを前記チャンバ内に、１０標準リットル／分で導入することと、
前記チャンバを紫外光に６分間暴露することと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
処理チャンバを洗浄する方法であって、
（ａ）基板バッチからの基板を前記基板上に堆積された誘電材料からポロゲンを取り除くため、前記処理チャンバ内で処理するステップと、
（ｂ）前記基板を前記処理チャンバから取り除くステップと、
（ｃ）  前記処理チャンバを約５Ｔｏｒｒまで加圧することと、
前記処理チャンバを約３８５℃まで加熱することと、
オゾンを前記処理チャンバ内に、約１０標準リットル／分で導入することと、
前記処理チャンバを紫外光に約１５秒から約３０秒間暴露すること、
を含むラピッドチャンバクリーンのステップと、
（ｄ）前記（ａ）から（ｃ）のステップをバッチ内の最後の基板が処理されるまで繰り返すステップと、
（ｅ）前記最後の基板を前記処理チャンバから取り除くステップと
（ｆ）  前記処理チャンバを約５Ｔｏｒｒまで加圧することと、
前記処理チャンバを約３８５℃まで加熱することと、
オゾンを前記処理チャンバ内に、約１０標準リットル／分で導入することと、
前記処理チャンバを紫外光に約３分から約１５分間暴露すること、
を含むバッチチャンバクリーンのステップと、
を含む処理チャンバを洗浄する方法。
【請求項８】
前記ラピッドチャンバークリーンのステップが、さらに、
前記ステップ（ｄ）の前に、前記処理チャンバを約１０標準リットル／分のヘリウムで約１０秒間浄化することと、
前記処理チャンバを約１０秒間ポンピングすること
をさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
基板処理チャンバを洗浄する方法であって、
（ａ）シリコン含有前駆体とポロゲンの混合ガスを、第１の処理チャンバへ流入させるステップと、
（ｂ）前記第１のチャンバ内において、低誘電率誘電膜を基板上へ堆積させるステップと、
（ｃ）前記基板に堆積された前記低誘電率誘電膜からポロゲンを除去するために、基板のバッチを第２の処理チャンバ内で処理するステップと、
（ｄ）前記基板を前記第２の処理チャンバから取り除くステップと、
（ｅ）  前記第２の処理チャンバを比較的低い圧力で加圧することと、
前記第２の処理チャンバを約３８５℃まで加熱することと、
オゾンを前記第２の処理チャンバ内に、比較的高い流量で導入することと、
前記第２の処理チャンバを紫外光に約１５秒から約３０秒間暴露することと
を含むラピッドチャンバクリーンのステップと、
（ｆ）前記（ｃ）から（ｅ）のステップをバッチ内の最後の基板が処理されるまで繰り返すステップと、
（ｇ）前記最後の基板を前記第２の処理チャンバから取り除くステップと、
（ｈ）  前記第２の処理チャンバを比較的低い圧力で加圧することと、
前記第２の処理チャンバを約３８５℃まで加熱することと、
オゾンを前記第２の処理チャンバ内に、比較的高い流量で導入することと、
前記第２の処理チャンバを紫外光に約３分から約１５分間暴露することと
を含むバッチチャンバクリーンのステップと、
を含む基板処理チャンバを洗浄する方法。
【請求項１０】
前記シリコン含有前駆体がメチルジエトキシシランを含み、前記ポロゲンがアルファテルピネンを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ラピッドチャンバクリーンは前記基板の搬送中のチャンバのアイドルタイムよりも短い時間周期で実行される請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記ステップ（ｅ）と（ｈ）における前記第２の処理チャンバの圧力は約５Ｔｏｒｒである請求項９の方法。
【請求項１３】
前記ステップ（ｅ）が、前記第２の処理チャンバを約１０標準リットル／分のヘリウムで約１０秒間浄化することと、前記第２のチャンバを約１０秒間ポンピングすることをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２の処理チャンバを約５０Ｔｏｒｒで加圧し、約３８５℃で過熱しつつ、前記基板を約３００℃より高い温度で約１６５秒間紫外光に暴露し、前記第２の処理チャンバに約１０標準リットル／分のヘリウムを導入することによって、低誘電率誘電膜からポロゲンが除去される請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記第２の処理チャンバに約１０標準リットル／分のアルゴンを導入することを更に含む請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月9日(2012.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶装置上の記憶領域を認証するための方法であって、
前記記憶領域に対応した多重認証サイロそれぞれに関する認証要件を調整するステップと、
前記多重認証サイロの認証状態が、前記記憶領域に対するアクセスに対し集合的に有効な認可結果をもたらすか否か決定するステップと、
前記集合的結果に基づいて前記ホスト機器による記憶領域に対するアクセスを認可するステップと、を含む方法。
【請求項２】
更に、前記記憶領域に対応した前記多重認証サイロを生成するステップを含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記生成動作が更に、
認証証明書の拡張フィールドに記憶領域の構成可能な設定に関する値を設定するステップと、
前記記憶装置に前記認証証明書をインストールするステップと、を含むことを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記調整動作が更に、前記多重認証サイロの認証を試みるための優先シーケンスを決定するステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記調整動作が更に、
前記多重認証サイロの認証のどれかがユーザー入力を要求しているか否か決定するステップと、
認証要件を満たすユーザー入力を求めるステップと、を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記調整動作が更に、前記多重認証サイロ及び前記有効な認可に対する要件を発見するために、認証証明書に問い合わせを行うステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記調整動作が更に、
前記多重認証サイロの認証状態の組合せが、前記有効な認可を要求しているか否か発見するステップを含んでいて、
前記決定動作が更に、前記要求された組合せが満足するか否か計算するステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記計算動作が更に、前記多重認証サイロの前記認証状態のＭａｘＴｅｒｍ／ＭｉｎＴｅｒｍ値を計算するステップを含むことを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】
請求項１〜８記載のいずれかの方法に従って計算システムを制御するためのコンピュータープロセスを実行するための計算機実行可能命令をストアする計算機可読媒体。
【請求項１０】
プロセッサーと、
記憶領域を有するメモリー記憶ボリュームと、
前記記憶領域に対応した多重認証サイロを定義する前記記憶領域に関連付けられる認証証明書と、
前記プロセッサー上で実行するファームウェアアプリケーションであって、
前記記憶領域に対応した多重認証サイロそれぞれに対する認証要件を調整し、
前記多重認証サイロの認証状態が前記記憶領域に対するアクセスに対する集合的に有効な認可結果をもたらすか否か決定し、
前記集合的結果に基づいてホスト機器による前記記憶領域に対するアクセスを認可するように前記記憶装置を構成するものと、を含む記憶装置。
【請求項１１】
前記ファームウェアアプリケーションが更に、前記多重認証サイロの認証を試みるための優先シーケンスを決定するように前記記憶装置を構成することを特徴とする請求項１０記載の記憶装置。
【請求項１２】
前記ファームウェアアプリケーションが更に、
前記多重認証サイロの何れかの認証が、ユーザー入力を要求しているか否か決定し、
認証条件を満たすユーザー入力を求めるように前記記憶装置を構成することを特徴とする請求項１０記載の記憶装置。
【請求項１３】
前記ファームウェアアプリケーションが更に、
前記多重認証サイロの認証状態の組合せが、前記有効な認可を要求しているか否か発見し、
前記要求された組合せが満足するか否か計算するように前記記憶装置を構成することを特徴とする請求項１０記載の記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月31日(2012.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
システムであって、
ユーザによって入力された被選択製品のプロパティ情報を受信し、
１または複数のプロパティからなる群を共有する１または複数の製品からなる群を含み前記プロパティ情報に対応する標準プロパティ集合（ＳＰＵ）をデータベース内で検索し及び突き止め、前記ＳＰＵに属する前記１または複数の製品からなる群の少なくとも一部は異なる製品リストに関連し、
前記ＳＰＵに含まれる前記製品群に属する各製品に関する複数のユーザによって実施される１または複数の種類の行為インスタンスの蓄積数を決定することを含む、行為データの生成を実行し、
前記行為データの生成は、
前記行為データの蓄積数と前記ＳＰＵとの間の対応関係を構成し、
前記行為データの蓄積数と前記ＳＰＵとの間の対応性が含まれる基本行為データ表を生成することを含み、
前記行為データを出力する
プロセッサと、
前記プロセッサに結合され、前記プロセッサに命令を提供するメモリと、を備えるシステム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムであって、
行為インスタンスの１種類には、前記製品群が購入された回数が含まれる、システム。
【請求項３】
請求項１に記載のシステムであって、
行為インスタンスの１種類には、前記製品群が保存された回数が含まれる、システム。
【請求項４】
請求項１に記載のシステムであって、
行為インスタンスの１種類には、前記製品群が見られた回数が含まれる、システム。
【請求項５】
請求項１に記載のシステムであって、
前記データベースは、複数の製品を分類し、前記複数の製品を前記製品に対応する同一プロパティからなる群に従って異なるＳＰＵに関連付け、前記同一プロパティ群と前記ＳＰＵとの間の対応性を前記データベースに記録することによって、構築される、システム。
【請求項６】
請求項１に記載のシステムであって、
前記プロセッサは、更に、前記行為インスタンスを取得及び記録する、システム。
【請求項７】
ユーザによって入力された被選択製品のプロパティ情報をプロセッサを使用して受信し、
前記プロパティ情報に対応する標準プロパティ集合（ＳＰＵ）をデータベース内で検索し、突き止め、前記ＳＰＵは、１または複数のプロパティからなる群を共有する１または複数の製品からなる群を含み、前記ＳＰＵに属する前記１または複数の製品からなる群の少なくとも一部は異なる製品リストに関連し、
前記ＳＰＵに含まれる前記製品群に属する各製品に関する複数のユーザによって実施される１または複数の種類の行為インスタンスの蓄積数を決定することを含む、行為データの生成を実行し、
前記行為データの生成は、
前記行為データの蓄積数と前記ＳＰＵとの間の対応関係を構成し、
前記行為データの蓄積数と前記ＳＰＵとの間の対応性が含まれる基本行為データ表を生成することを含み、
前記行為データを出力する、
ことを備える方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、
行為インスタンスの１種類には、前記製品群が購入された回数が含まれる、方法。
【請求項９】
請求項７に記載の方法であって、
行為インスタンスの１種類には、前記製品群が保存された回数が含まれる、方法。
【請求項１０】
請求項７に記載の方法であって、
行為インスタンスの１種類には、前記製品群が見られた回数が含まれる、方法。
【請求項１１】
請求項７に記載の方法であって、
前記データベースは、複数の製品を分類し、前記複数の製品を前記製品に対応する同一プロパティからなる群に従って異なるＳＰＵに関連付け、前記同一プロパティ群と前記ＳＰＵとの間の対応性を前記データベースに記録することによって、構築される、方法。
【請求項１２】
請求項７に記載の方法であって、更に、前記行為インスタンスを取得及び記録するように構成される、方法。
【請求項１３】
ユーザによって入力された被選択製品のプロパティ情報を受信する機能と、
前記プロパティ情報に対応する標準プロパティ集合（ＳＰＵ）をデータベース内で検索し、突き止める機能と、前記ＳＰＵは、１または複数のプロパティからなる群を共有する１または複数の製品からなる群を含み、前記ＳＰＵに属する前記１または複数の製品からなる群の少なくとも一部は異なる製品リストに関連し、
前記ＳＰＵに含まれる前記製品群に属する各製品に関する複数のユーザによって実施される１または複数の種類の行為インスタンスの蓄積数を決定することを含む、行為データの生成を実行する機能と、
前記行為データの生成を実行する機能は、
前記行為データの蓄積数と前記ＳＰＵとの間の対応関係を構成し、
前記行為データの蓄積数と前記ＳＰＵとの間の対応性が含まれる基本行為データ表を生成することを含み、
前記行為データを出力する機能と、
をコンピュータによって実現させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
以上の実施形態は、理解を明瞭にする目的で幾らか詳細に説明されてきたが、発明は、提供された詳細に限定されない。発明を実現するには、多くの代替方法がある。開示された実施形態は、例示的であり、限定的ではない。
例えば、システムであって、ユーザによって入力された被選択製品のプロパティ情報を受信し、１または複数のプロパティからなる群を共有する１または複数の製品からなる群を含み前記プロパティ情報に対応する標準プロパティ集合（ＳＰＵ）をデータベース内で検索し及び突き止め、前記ＳＰＵに含まれる前記製品群に属する各製品に関連付けられた行為インスタンスの蓄積数を集約することを含む、行為データの生成を実行し、前記行為データを出力する、プロセッサと、
前記プロセッサに結合され、前記プロセッサに命令を提供するメモリと、を備えるシステムが提供されても良い。
あるいは、ユーザによって入力された被選択製品のプロパティ情報を受信し、前記プロパティ情報に対応する標準プロパティ集合（ＳＰＵ）をデータベース内で検索し、突き止め、前記ＳＰＵは、１または複数のプロパティからなる群を共有する１または複数の製品からなる群を含み、前記ＳＰＵに含まれる前記製品群に属する各製品に関連付けられた行為インスタンスの蓄積数を集約することを含む、行為データの生成を実行し、前記行為データを出力する、ことを備える方法が提供されても良い。
更には、ユーザによって入力された被選択製品のプロパティ情報を受信するための手段と、前記プロパティ情報に対応する標準プロパティ集合（ＳＰＵ）をデータベース内で検索し、突き止めるための手段と、前記ＳＰＵは、１または複数のプロパティからなる群を共有する１または複数の製品からなる群を含み、前記ＳＰＵに含まれる前記製品群に属する各製品に関連付けられた行為インスタンスの蓄積数を集約することを含む、行為データの生成を実行するための手段と、前記行為データを出力するための手段と、を備えるシステムが提供されても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月4日(2012.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信システムにおける端末のハンドオーバ方法であって、
サービング基地局からサービスの提供を受ける途中に他の基地局にハンドオーバする場合、アップリンクに送信する残留データ（ｒｅｓｉｄｕａｌ  ｄａｔａ）が存在するか否かを確認する過程と、
前記アップリンクに送信する残留データが存在する場合、ハンドオーバするためのターゲット基地局にネットワーク再進入（Ｎｅｔｗｏｒｋ  Ｒｅ−ｅｎｔｒｙ）を始める前に、前記サービング基地局に前記残留データのための帯域を要請する過程とを含む方法。
【請求項２】
前記サービング基地局に帯域を要請した後、前記ターゲット基地局から資源が割り当てられる過程と、
前記ターゲット基地局から割り当てられた資源を利用して、前記ターゲット基地局とデータを送受信する過程とをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ターゲット基地局とデータを送受信する際、前記ターゲット基地局にネットワーク再進入手順を行う過程をさらに含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記サービング基地局に帯域を要請した後、前記ターゲット基地局に専用コードを送信する過程をさらに含み、
前記ターゲット基地局から資源が割り当てられる過程は、前記専用コードを送信した後、前記ターゲット基地局から資源が割り当てられる請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記サービング基地局に帯域を要請する過程は、
前記ターゲット基地局にネットワーク再進入を始める前に、帯域要請情報をサービング基地局に周期的に送信する過程を含む請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記サービング基地局に帯域を要請する過程は、
前記ターゲット基地局へのハンドオーバを前記サービング基地局に指示する際、帯域要請情報を共に送信する過程を含む請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
無線通信システムにおける端末のハンドオーバ装置であって、
信号を受信する受信部と、
信号を送信する送信部と、
サービング基地局からサービスの提供を受ける途中に基地局にハンドオーバする場合、アップリンクに送信する残留データが存在すると、ハンドオーバするためのターゲット基地局にネットワーク再進入を始める前に、前記サービング基地局に前記残留データに対する帯域を要請する制御部とを備える装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記サービング基地局に帯域を要請した後、前記ターゲット基地局から割り当てられた資源を利用して、前記ターゲット基地局とデータを送受信する請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記ターゲット基地局とデータを送受信する際、前記ターゲット基地局にネットワーク再進入手順を行う請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記制御部は、前記サービング基地局に帯域を要請した後、前記ターゲット基地局に専用コードを送信し、
前記専用コードを送信した後、前記ターゲット基地局から資源が割り当てられる請求項７〜９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】
前記制御部は、前記ターゲット基地局にネットワーク再進入を始める前に、帯域要請情報をサービング基地局に周期的に送信する請求項７〜１０のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１２】
前記制御部は、前記ターゲット基地局へのハンドオーバを前記サービング基地局に指示する際、帯域要請情報を共に送信する請求項７〜１０のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１３】
無線通信システムの基地局における端末のハンドオーバを制御するための方法であって、
少なくとも一つの隣接基地局から端末のハンドオーバが要請される場合、前記端末のハンドオーバを支援できるか否かを決定する過程と、
前記端末のハンドオーバを要請した隣接基地局に前記端末のハンドオーバ支援有無を知らせる過程と、
前記隣接基地局から提供された情報に基づいて前記端末に資源を割り当てる過程と、
前記端末に割り当てた資源を利用して、前記端末とデータを送受信する過程とを含み、
前記隣接基地局から提供された情報は、前記端末が要請した帯域のうち前記端末に割り当てない帯域を含む方法。
【請求項１４】
前記端末に資源を割り当てる過程は、
前記端末に対するネットワーク再進入手順を行う以前に、前記隣接基地局から提供された情報に基づいて前記端末に資源を割り当てる過程を含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記隣接基地局から前記情報の提供を受けた後、前記端末から専用コード情報が受信されているか否かを確認する過程をさらに含み、
前記端末に資源を割り当てる過程は、
前記端末から前記専用コード情報が受信される場合、前記隣接基地局から提供された情報に基づいて前記端末に資源を割り当てる過程を含む請求項１３または１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記端末のハンドオーバを支援する場合、前記端末に識別子を割り当てる過程をさらに含み、
前記端末のハンドオーバ支援有無を知らせる過程は、
前記隣接基地局に端末のハンドオーバ支援有無と前記端末に割り当てた識別子情報を送信する過程を含む請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
サービスを提供した少なくとも一つの端末がハンドオーバする場合、前記端末がハンドオーバするためのターゲット基地局を確認する過程と、
前記端末に割り当てない資源情報を前記ターゲット基地局に送信する過程とをさらに含む請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
無線通信システムの基地局における端末のハンドオーバを制御するための装置であって、
信号を受信する受信部と、
信号を送信する送信部と、
隣接基地局から端末が要請した帯域のうち、前記端末に割り当てない帯域に対する情報の提供を受けた場合、前記情報に基づいて前記端末に資源を割り当て、前記割り当てた資源を介して前記端末とデータを送受信する制御部を備える装置。
【請求項１９】
前記制御部は、前記端末に対するネットワーク再進入手順を行う以前に、前記隣接基地局から提供された情報を基づいて前記端末に資源を割り当てる請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記制御部は、前記隣接基地局から前記情報の提供を受けた後、前記受信部を介して前記端末から専用コード情報が受信されるか否かを確認して、前記専用コード情報が受信される場合、前記隣接基地局から提供を受けた情報を基に端末に資源を割り当てる請求項１８または１９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２１】
前記制御部は、前記隣接基地局から端末のハンドオーバの要請を受ける場合、前記端末のハンドオーバ支援有無を前記隣接基地局に送信する請求項１８〜２０のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２２】
ハンドオーバを支援できる端末に識別子を割り当てる識別子割り当て部をさらに含み、
前記制御部は、前記端末のハンドオーバ支援有無と前記識別子割り当て部から前記端末に割り当てた識別子情報を前記隣接基地局に送信する請求項１８〜２１のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２３】
前記制御部は、サービスを提供した少なくとも一つの端末がハンドオーバするためのターゲット基地局を確認し、
前記端末に割り当てない資源情報を、前記ターゲット基地局に送信する請求項１８〜２２のいずれか１項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月3日(2012.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板上の照光式電気スイッチと１以上の発光素子とからなる装置であって、
照光式電気スイッチが、
閉成位置と開成位置との間を可動のスイッチングデバイスであって、それぞれが第１と第２の導体で構成される１以上の導体群を備え、
スイッチングデバイスを閉成位置に配置したときに電気的に接続され、
スイッチングデバイスを開成位置に配置したときは電気的に接続されないスイッチングデバイスと、
可視光を通過伝送させられるよう適合させた導波路を有するアクチュエーターであって、スイッチングデバイスに結合され、このスイッチングデバイスを指の圧力でアクチュエーターにより閉成位置と開成位置との間で動かせるようにしたアクチュエーターとを備え、
発光素子が照射する光が導波路を介して伝送され、それによってアクチュエーターの外面から光が視認可能となるよう、回路基板上の１以上の発光素子を導波路に対し配置し、
発光素子と照光式電気スイッチは、照光式電気スイッチが回路基板に装着されて支持されている間、発光素子を回路基板から取り除くことができるように配置されている、装置。
【請求項２】
照光式電気スイッチと発光素子は共に回路基板上に装着し支持してある、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
スイッチングデバイスを回路基板により装着支持状態に保ったまま、発光素子が回路基板から脱装／撤去できるよう、発光素子とスイッチングデバイスとを互いに配置した、請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
発光素子はスイッチングデバイスに対し側方に配置した、請求項１から３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
スイッチングデバイスの閉成位置または開成位置の一方への移動が１以上の発光素子に光を照射させ、スイッチングデバイスの閉成位置または開成位置の他方への移動が１以上の発光素子に光を照射させないようにする、請求項１から４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
導波路は、照光式スイッチングデバイスと１以上の発光素子を回路基板上に配置したときに、１以上の発光素子が導波路の下側に配置されるような形状とした、請求項１から５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
導波路はアクチュエーターの上面を画成していて、その中でアクチュエーターの側面は光の通過伝送を阻止するよう適合させた、請求項１から６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
アクチュエーターは、１以上の発光素子が照射する光を反射し、導波路内に光を均一に分布させるよう適合させた少なくとも１個の反射面を画成する、請求項１から７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
導波路はアクチュエーターに着脱可能に取り付けた、請求項１から８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項になる装置において使用する照光式電気スイッチ。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか１項に記載の照光式スイッチングデバイスと１以上の発光装置の回路基板への装着方法であって、
回路基板にスイッチングデバイスを装着する工程と、
１以上の発光素子を回路基板上に装着し、アクチュエーターをスイッチングデバイスに結合したときに、１以上の発光素子が導波路の下側に在るようにする工程と、
スイッチングデバイスにアクチュエーターを結合する工程と
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月2日(2012.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者の組織部位を治療するための減圧創傷治療システムにおいて、当該システムが：
第１の等方性領域と、
第２の等方性領域とを具える柔軟シートであって、
異方性伸縮特性を提供するように前記第１の等方性領域および前記第２の等方性領域が構成された柔軟シートを具え、実質的に不透過性の材料から形成される創傷用ドレープと；
当該創傷用ドレープと前記組織部位との間に配置するためのマニホルドと；
減圧を前記マニホルドに送達するための減圧サブシステムとを具えることを特徴とする減圧創傷治療システム。
【請求項２】
請求項１に記載の減圧創傷治療システムがさらに、前記創傷用ドレープに結合された把持部材を具えており、前記創傷用ドレープおよび前記把持部材が前記組織部位の上に流体シールを形成するように機能しうることを特徴とする減圧創傷治療システム。
【請求項３】
請求項１に記載の減圧創傷治療システムがさらに、前記創傷用ドレープに結合された把持部材を具えており、当該把持部材は閉鎖力を前記患者の皮膚に伝達するように機能し、前記創傷用ドレープおよび前記把持部材が前記組織部位の上に流体シールを形成するように機能しうることを特徴とする減圧創傷治療システム。
【請求項４】
請求項１に記載の減圧創傷治療システムにおいて、前記第１の等方性領域が第１の厚さ（ｔ１）を有し、前記第２の等方性領域が第２の厚さ（ｔ２）を有しており、前記第１の厚さが前記第２の厚さよりも大きい（ｔ１＞ｔ２）ことを特徴とする減圧創傷治療システム。
【請求項５】
請求項１に記載の減圧創傷治療システムにおいて、前記第１の等方性領域が第１の厚さ（ｔ１）を有し、前記第２の等方性領域が第２の厚さ（ｔ２）を有しており、前記第１の厚さが前記第２の厚さの１０５パーセント（１０５％）よりも大きい（ｔ１＞１０５％ｔ２）ことを特徴とする減圧創傷治療システム。
【請求項６】
請求項１に記載の減圧創傷治療システムにおいて、前記第１の等方性領域が第１の厚さ（ｔ１）を有し、前記第２の等方性領域が第２の厚さ（ｔ２）を有しており、前記第１の厚さが前記第２の厚さの１１０パーセント（１１０％）よりも大きい（ｔ１＞１１０％ｔ２）ことを特徴とする減圧創傷治療システム。
【請求項７】
請求項１に記載の減圧創傷治療システムにおいて、前記第１の等方性領域が第１の厚さ（ｔ１）を有し、前記第２の等方性領域が第２の厚さ（ｔ２）を有しており、前記第１の厚さが前記第２の厚さよりも大きく（ｔ１＞ｔ２）、前記第１の等方性領域がドレープ材料の少なくとも２つが結合した部分を具えることを特徴とする減圧創傷治療システム。
【請求項８】
請求項１に記載の減圧創傷治療システムにおいて、前記第１の等方性領域が第１の弾性係数（λ１）を有する第１の材料を含んでおり；前記第２の等方性領域が第２の弾性係数（λ２）を有する第２の材料を含んでおり；前記第１の弾性係数が前記第２の弾性係数よりも大きい（λ１＞λ２）ことを特徴とする減圧創傷治療システム。
【請求項９】
請求項１に記載の減圧創傷治療システムにおいて、前記第１の等方性領域が第１の弾性係数（λ１）を有する第１の材料を含んでおり；前記第２の等方性領域が第２の弾性係数（λ２）を有する第２の材料を含んでおり；前記第１の弾性係数が前記第２の弾性係数よりも大きく（λ１＞λ２）；前記第２の弾性係数（λ２）が前記患者の皮膚の弾性係数と概ね同等であることを特徴とする減圧創傷治療システム。
【請求項１０】
請求項１に記載の減圧創傷治療システムにおいて、前記第１の等方性領域が第１の弾性係数（λ１）を有する第１の材料を含んでおり；前記第２の等方性領域が第２の弾性係数（λ２）を有する第２の材料を含んでおり；前記第１の弾性係数が前記第２の弾性係数よりも大きく（λ１＞λ２）；前記第２の弾性係数（λ２）が前記患者の皮膚の弾性係数の１０％以下であることを特徴とする減圧創傷治療システム。
【請求項１１】
請求項１に記載の減圧創傷治療システムにおいて、前記第１の等方性領域が第１の弾性係数（λ１）を有する第１の材料を含んでおり；前記第２の等方性領域が第２の弾性係数（λ２）を有する第２の材料を含んでおり；前記第１の弾性係数が前記第２の弾性係数よりも大きく（λ１＞λ２）；前記第２の弾性係数（λ２）が前記患者の皮膚の弾性係数の５％以下であることを特徴とする減圧創傷治療システム。
【請求項１２】
請求項１に記載の減圧創傷治療システムにおいて、前記第１の等方性領域が、前記第２の等方性領域と概ね平行であることを特徴とする減圧創傷治療システム。
【請求項１３】
請求項１に記載の減圧創傷治療システムにおいて、前記第１の等方性領域が、前記第２の等方性領域と概ね同心であることを特徴とする減圧創傷治療システム。
【請求項１４】
請求項１に記載の減圧創傷治療システムにおいて、前記第１の等方性領域が前記第２の等方性領域と概ね同心であって、前記第１の等方性領域が平面図では概ね環状形状であることを特徴とする減圧創傷治療システム。
【請求項１５】
請求項１に記載の減圧創傷治療システムにおいて、前記第１の等方性領域は前記第２の等方性領域と概ね同心であって、前記第１の等方性領域が平面図では概ね環状の正方形状であることを特徴とする減圧創傷治療システム。
【請求項１６】
請求項１に記載の減圧創傷治療システムにおいて、前記第１の等方性領域が、流体膨脹性ブラダを具えることを特徴とする減圧創傷治療システム。
【請求項１７】
実質的に不透過性の材料から形成されて、組織部位の上に配置される柔軟シートであって、当該柔軟シートが：
第１の等方性領域と、
第２の等方性領域とを具え、
異方性伸縮特性を提供するように前記第１の等方性領域および前記第２の等方性領域が構成された柔軟シートを具えることを特徴とする創傷用ドレープ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月29日(2012.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理領域（２０２）を通して１または複数の基板（１５０）を搬送するように構成された第１のコンベヤ（１１１）と、
前記第１のコンベヤ（１１１）上に配置された前記１または複数の基板（１５０）に、１または複数の波長の電磁エネルギーを供給する放射伝熱組立体（２０１）と、
対流伝熱組立体（２０３）と
を備えた基板（１５０）を処理する装置であって、前記対流伝熱組立体（２０３）が、
加熱素子（２４０）を内蔵するプレナム（２４５）、および
前記プレナム（２４５）に内蔵された前記加熱素子（２４０）と、前記処理領域（２０２）内で前記第１のコンベヤ（１１１）上に配置された前記基板（１５０）の表面とにガスを通過させるように構成された流体供給デバイス（２２９）を含んでおり、
所望の熱プロファイルを達成するために、前記放射伝熱組立体（２０１）と前記対流伝熱組立体（２０３）が個別に制御される、基板（１５０）を処理する装置。
【請求項２】
前記プレナム（２４５）が、前記基板（１５０）の前記表面を通過した前記ガスを受け取るように配置された入口ポート（２４４）を有し、
前記対流伝熱組立体（２０３）が、前記入口ポート（２４４）から受け取った前記ガスと流体連通する熱交換面（２３２）を有する熱交換組立体（２３０）をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記熱交換組立体（２３０）が、前記熱交換面（２３２）と熱連通して前記入口ポート（２４４）から受け取った前記ガスから熱を除去する熱コントローラ（２３１）をさらに備える、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記第１のコンベヤ（１１１）および前記処理領域（２０２）の一部を取り囲む１または複数の壁（２５１）をさらに備え、
前記プレナム（２４５）が、前記加熱素子（２４０）と前記処理領域（２０２）との間に配置された出口ポート（２４３）をさらに備え、前記流体供給デバイス（２２９）によって供給される前記ガスが、前記出口ポート（２４３）を通って前記処理領域（２０２）の一部を取り囲む前記１または複数の壁（２５１）の間を流れてから前記入口ポート（２４４）に入る、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記放射伝熱組立体（２０１）が、１または複数のランプ（２０４Ａ）および前記ランプ（２０４Ａ）に電気的に結合された電源を有し、
前記装置が、前記ランプ（２０４Ａ）によって前記基板（１５０）に供給される電磁エネルギーの前記波長を調整するコントローラをさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記コンベヤ（１１１）が、基板（１５０）が前記処理領域（２０２）を通り、前記入口ポート（２４４）および出口ポート（２４３）を通過するように、前記基板（１５０）を搬送するベルト（１１６）を備えている、請求項４に記載の装置。
【請求項７】
回転アクチュエータ（１３０）に結合された第１の基板支持体（１３１）と、
前記回転アクチュエータ（１３０）が第１の方向に向く角度に配置されたときに、前記第１の基板支持体（１３１）を受け取るように配置された第１のスクリーン印刷チャンバ（１０２）と、
前記回転アクチュエータ（１３０）が第２の方向に向く角度に配置されたときに、前記第１の基板支持体（１３１）から基板（１５０）を搬送するように配置された第２のコンベヤ（１１２）であって、前記第１のコンベヤ（１１１）と搬送可能に連通する第２のコンベヤ（１１２）と
をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記回転アクチュエータ（１３０）に結合された第２の基板支持体（１３１）と、
前記回転アクチュエータ（１３０）が前記第１の方向に向く角度に配置されたときに、前記第２の基板支持体（１３１）に基板（１５０）を搬送するように配置された第３のコンベヤ（１１１）と、
前記回転アクチュエータ（１３０）が前記第１の方向に向く角度に配置されたときに、前記第２の基板支持体（１３１）から基板（１５０）を受け取るように配置された第４のコンベヤ（１１２）と
をさらに備える、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記対流伝熱組立体（２０３）が、
前記プレナム（２４５）に内蔵された複数の熱交換管（２４８）であって、前記流体供給デバイス（２２９）が、前記複数の熱交換管（２４８）の第１の表面、前記加熱素子（２４０）、および前記処理領域（２０２）内に配置された前記１または複数の基板（１５０）を通過するようにガスを移動させる、複数の熱交換管（２４８）と、
前記複数の熱交換管（２４８）の温度を制御する熱交換デバイス（２３０）と、
前記１または複数の基板（１５０）の前記表面を通過した前記ガスを受け取って、前記受け取ったガスを前記複数の熱交換管（２４８）の第２の表面を通過するように導くように配置されたプレナム入口と
をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
スクリーン印刷チャンバ（１０２）内に基板（１５０）を配置し、次いで、スクリーン印刷プロセスを用いて前記基板（１５０）上に材料を堆積させること、
前記材料を堆積させた後に、前記基板（１５０）を乾燥チャンバ（２００）の処理領域（２０２）に搬送すること、
前記処理領域（２０２）内に配置された前記基板（１５０）の表面に、放射伝熱組立体（２０１）により一定量の電磁エネルギーを供給すること、
前記処理領域（２０２）内に配置された前記基板（１５０）の前記表面を通過するように加熱ガスを対流伝熱組立体（２０３）により供給すること、および
所望の熱プロファイルと達成するために、前記放射伝熱組立体（２０１）と前記対流伝熱組立体（２０３）を個別に制御すること
を含む、基板（１５０）の処理方法。
【請求項１１】
前記一定量の電磁エネルギーを供給することが、前記堆積させた材料による前記電磁エネルギーの吸収を促進するとともに、前記基板（１５０）内に含まれる１または複数の材料により吸収されるエネルギーの量を最小限に抑えるために、１または複数の所望の波長の前記電磁エネルギーを供給することをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
加熱ガスを供給することが、
熱交換面（２３２）の温度を制御すること、および
前記加熱ガスが前記基板（１５０）を通って前記熱交換面（２３２）に供給された後に前記加熱ガスの少なくとも一部を供給することであって、前記熱交換面（２３２）の温度が、前記加熱ガスの前記一部に含まれる揮発性成分が前記熱交換面（２３２）上で凝縮するように制御されること
をさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の熱交換面（２３２）の温度が約４０℃〜約３００℃である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
加熱ガスを供給することが、
加熱素子（２４０）にガスを通すことによって前記ガスを加熱すること、
前記加熱ガスを、前記処理領域（２０２）の一領域を通るように導くこと、および
前記処理領域（２０２）を通るように導かれた前記加熱ガスの少なくとも一部を受け取って、前記加熱ガスの前記少なくとも一部を前記加熱素子（２４０）に通すことにより、前記加熱ガスの前記一部を再循環させること
をさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記基板（１５０）がシリコン含有基板である、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月26日(2012.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードは、
エピタキシャル層構造体と；
第１電極と；
第２電極と
を有し、
前記第１電極と前記第２電極は、前記エピタキシャル層構造体上に堆積され、
前記第２電極が形成される前記エピタキシャル層構造体の部分の表面は、３ｎｍ未満の二乗平均粗さを有し、
前記エピタキシャル層構造体は、第１エピタキシャル層と第２エピタキシャル層とを有し、
前記第１エピタキシャル層は、前記第１電極と前記第２エピタキシャル層の間に位置し、
前記第２エピタキシャル層は、前記第２電極と前記第１エピタキシャル層の間に位置し、
前記第２電極は、前記第２エピタキシャル層上に形成され、
前記第２電極が形成される前記第２エピタキシャル層の表面は、３ｎｍ未満の二乗平均粗さを有することを特徴とする、発光ダイオード。
【請求項２】
前記第２電極は、Ａｇ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｐｄ、Ｗ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｍｏ、およびそれらの合金からなる群から選択される金属を有する、
請求項１記載の発光ダイオード。
【請求項３】
前記第１エピタキシャル層は、ｎ型エピタキシャル層であり、
前記第２エピタキシャル層は、ｐ型エピタキシャル層である、
請求項１記載の発光ダイオード。
【請求項４】
前記第１電極は、ｎ型電極であり、
前記第２電極は、ｐ型電極である、
請求項３記載の発光ダイオード。
【請求項５】
前記第２エピタキシャル層は、有機金属化合物溶液を使用した有機金属化学気相成長法によって堆積される、
請求項１記載の発光ダイオード。
【請求項６】
前記第２エピタキシャル層は、９５０℃よりも高い温度で、且つ１５０Å／ｍｉｎ未満の成長率で形成される、
請求項５記載の発光ダイオード。
【請求項７】
前記エピタキシャル層構造体は、第１面と第２面を有し、
前記第１電極は、前記第１面上に堆積され、
前記第２電極は、前記第２面上に堆積される、
請求項１記載の発光ダイオード。
【請求項８】
前記第２電極は、基板上に搭載される、
請求項７記載の発光ダイオード。
【請求項９】
前記基板は、金属、半導体材料、およびセラミックスからなる群から選択される、
請求項８記載の発光ダイオード。
【請求項１０】
前記金属は、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、およびＡｌからなる群から選択される少なくとも１つを有し、
前記半導体材料は、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ、およびＧｅからなる群から選択される少なくとも１つを有し、
前記セラミックスは、Ａｌ２Ｏ３およびＡｌＮからなる群から選択される少なくとも１つを有する、
請求項９記載の発光ダイオード。
【請求項１１】
発光ダイオードは、
エピタキシャル層構造体と；
第１電極と；
第２電極と
を有し、
前記第１電極と前記第２電極は、前記エピタキシャル層構造体上に堆積され、
前記第２電極が形成される前記エピタキシャル層構造体の部分の表面は、３ｎｍ未満の二乗平均粗さを有し、
前記エピタキシャル層構造体は、第１エピタキシャル層と第２エピタキシャル層とを有し、
前記第１エピタキシャル層は、前記第１電極と前記第２エピタキシャル層の間に位置し、
前記第２エピタキシャル層は、前記第２電極と前記第１エピタキシャル層の間に位置し、
前記エピタキシャル構造体はさらに、前記第２エピタキシャル層と前記第２電極の間に形成される透明オーム性接触層を有し、
前記第２電極に隣接する前記透明オーム性接触層の表面は、３ｎｍ未満の二乗平均粗さを有することを特徴とする、発光ダイオード。
【請求項１２】
発光ダイオードは、
エピタキシャル層構造体と；
第１電極と；
第２電極と
を有し、
前記第１電極と前記第２電極は、前記エピタキシャル層構造体上に堆積され、
前記第２電極が形成される前記エピタキシャル層構造体の部分の表面は、３ｎｍ未満の二乗平均粗さを有し、
前記第１電極および前記第２電極は、前記エピタキシャル層構造体の或る面上に堆積され、
前記エピタキシャル層構造体は、ｐ型エピタキシャル層とｎ型エピタキシャル層を有し、
前記ｎ型エピタキシャル層は、前記第１電極と前記ｐ型エピタキシャル層の間に位置し、
前記ｐ型エピタキシャル層は、前記第２電極と前記ｎ型エピタキシャル層の間に位置し、
前記第１電極は、前記ｎ型エピタキシャル層上に位置することを特徴とする、発光ダイオード。
【請求項１３】
前記第１電極と前記第２電極は、基板上に搭載される、
請求項１２記載の発光ダイオード。
【請求項１４】
前記基板は、絶縁被膜を備える、
請求項１３記載の発光ダイオード。
【請求項１５】
前記第１電極と前記第２電極は、ハンダ接合部と金属配線構造体とのうちの１つを介して基板上に搭載される、
請求項１２記載の発光ダイオード。
【請求項１６】
前記基板は、金属、半導体材料、およびセラミックスからなる群から選択される、
請求項１２記載の発光ダイオード。
【請求項１７】
前記金属は、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、およびＡｌからなる群から選択される少なくとも１つを有し、
前記半導体材料は、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ、およびＧｅからなる群から選択される少なくとも１つを有し、
前記セラミックスは、Ａｌ２Ｏ３およびＡｌＮからなる群から選択される少なくとも１つを有する、
請求項１６記載の発光ダイオード。
【請求項１８】
前記ｎ型エピタキシャル層は、前記第１電極と前記ｐ型エピタキシャル層の間に位置する、
請求項１２記載の発光ダイオード。
【請求項１９】
発光ダイオードの製造方法であって、
エピタキシャル層構造体を形成する工程であって、前記エピタキシャル層構造体は、第１エピタキシャル層および第２エピタキシャル層を有することと；
前記エピタキシャル層構造体上に、第１電極と第２電極を堆積する工程と；
前記第２エピタキシャル層と前記第２電極の間に透明オーム性接触層を形成する工程とを有し、
前記第１エピタキシャル層は、前記第１電極と前記第２エピタキシャル層の間に位置し、
前記第２エピタキシャル層は、前記第２電極と前記第１エピタキシャル層の間に位置し、
前記第２電極が形成される前記エピタキシャル層構造体の部分の表面は、３ｎｍ未満の二乗平均粗さを有することを特徴とする、製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月29日(2012.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単離抗体又はその抗原結合断片であって、
i) 重鎖CDR1が配列番号:10のアミノ酸配列を含み、重鎖CDR2が配列番号:11のアミノ酸配列を含み、重鎖CDR3が配列番号:12のアミノ酸配列を含み、軽鎖CDR1が配列番号:26のアミノ酸配列を含み、軽鎖CDR2が配列番号:27のアミノ酸配列を含み 、及び軽鎖CDR3が配列番号:28のアミノ酸配列を含み、ヒトGD2へ特異的に結合する、抗体又はその抗原結合断片、
ii) AB527-HYB-3B2-3C9細胞により生産され、J鎖を取り込まない、単離抗体又はその抗原結合断片、
iii) ATCCアクセッション番号:PTA-9376を有する細胞により生産される抗体の重鎖CDR及び軽鎖CDRを含む、抗体又はその抗原結合断片、又は、
iv) ATCCアクセッション番号:PTA-9376を有する細胞により生産される抗体の重鎖可変領域及び軽鎖可変領域を含む、抗体又はその抗原結合断片。
【請求項２】
請求項1のi)の抗体又はその抗原結合断片は、
i) 前記抗体がヒト抗体である、
ii) 重鎖可変領域が配列番号:16のアミノ酸配列を含む、
iii) 軽鎖可変領域が配列番号:32のアミノ酸配列を含む、
iv) 重鎖が配列番号:40のアミノ酸配列を含む、
v) 軽鎖が配列番号:42のアミノ酸配列を含む、及び／又は、
vi) 前記抗体又はその抗原結合断片がIgMアイソタイプのものである、
請求項1に記載の単離抗体又はその抗原結合断片。
【請求項３】
請求項2のiv)の抗体又はその抗原結合断片は、重合体であり、その重合体状態は例えば五量体であり、その五量体の抗体又はその抗原結合断片は任意でJ鎖を取り込まない、
請求項2に記載の単離抗体又はその抗原結合断片。
【請求項４】
請求項1のi)の抗体又はその抗原結合断片は、補体依存性細胞障害を媒介する、
請求項1に記載の単離抗体又はその抗原結合断片。
【請求項５】
請求項1のi)の抗体又はその抗原結合断片をコードする、ポリヌクレオチド。
【請求項６】
配列番号:4を含む、請求項5に記載のポリヌクレオチド。
【請求項７】
i) 配列番号:2、配列番号:3、配列番号:18、配列番号:19、及び配列番号:20、
ii) 配列番号:8、
iii) 配列番号:24、
iv) 配列番号:39、及び／又は、
v) 配列番号:41、
の核酸配列を含む、請求項6に記載のポリヌクレオチド。
【請求項８】
請求項1のi)の抗体又はその抗原結合断片と、製薬上許容できる担体とを含む、組成物。
【請求項９】
請求項5に記載のポリヌクレオチド配列を含む、ベクター。
【請求項１０】
細胞であって、
i) 請求項9に記載のベクターを含み、前記細胞が例えば下記a)又はb)である細胞、
a) バクテリア細胞、又は、
b) 真核細胞であり、その真核細胞は任意でチャイニーズハムスター卵巣(CHO)細胞である、
又は、
ii) 下記a')又はb')の抗体又はその抗原結合断片を発現する細胞、
a') 請求項1のi)の抗体又はその抗原結合断片、又は
b') 請求項4の単離抗体又はその抗原結合断片。
【請求項１１】
請求項10のii)のa') の抗体又はその抗原結合断片を発現する細胞が、ハイブリドーマである、請求項10に記載の細胞。
【請求項１２】
請求項10のii)のb') の抗体又はその抗原結合断片を発現する細胞が、形質転換体である、請求項10に記載の細胞。
【請求項１３】
請求項1のi)の抗体又はその抗原結合断片は、GD2へ特異的に結合するものであり、被験体のGD2関連疾患の治療又は予防用である、
請求項1の単離抗体又はその抗原結合断片。
【請求項１４】
前記GD2関連疾患は癌であり、前記GD2関連疾患は例えばメラノーマである、
請求項13の単離抗体又はその抗原結合断片。
【請求項１５】
前記被験体は哺乳動物であり、例えばヒトである、
請求項13の単離抗体又はその抗原結合断片。
【請求項１６】
抗体又は抗原結合断片を製造する方法において、前記抗体若しくは抗原結合断片を生産するのに適した条件下で、請求項10のii)のa') の抗体又はその抗原結合断片を発現する細胞を培養し、前記細胞の培養物から前記抗体又はその抗原結合断片を回収することを含む方法。
【請求項１７】
被験体中、GD2発現細胞を検出する方法において、
前記被験体に請求項1のi)の抗体又は抗原結合断片を投与し、GD2を発現する細胞を検出する工程を含み、前記抗体又その抗原結合断片は例えば検出可能に標識され、前記検出可能な標識は例えばヨウ素-131である、
方法。