【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年6月24日(2014.6.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にイオンを注入する際に用いられるマスクであって、
前記マスクの対辺に配される第１のベース部および第２のベース部と、
互いに離間して配され、１以上の隙間を形成し、前記第１のベース部に支持される第１の複数のフィンガー部と、
互いに離間して配され、１以上の隙間を形成し、前記第２のベース部に支持される第２の複数のフィンガー部と、
前記第１の複数のフィンガー部および前記第２の複数のフィンガー部に隣接して、対辺上に配される第３のベース部および第４のベース部と
を備え、
互いに離間して配された前記第１のベース部と前記第２のベース部とによって、開口が規定され、
前記１以上の隙間をイオンビームが通過することにより、選択的な注入が実行され、前記開口を前記イオンビームが通過することにより、ブランケット注入が実行されるマスク。
【請求項２】
前記第１の複数のフィンガー部のそれぞれは、第１の端部および第２の端部を有し、
前記第１の端部は、前記第１のベース部上に配される、
請求項１に記載のマスク。
【請求項３】
前記第１の複数のフィンガー部の前記第２の端部は、支持されていない、
請求項２に記載のマスク。
【請求項４】
前記マスクは、石英、グラファイト、サファイア、シリコン、炭化シリコンおよび窒化シリコンから選択される少なくとも１つの材料を含む、
請求項１から３のいずれか一項に記載のマスク。
【請求項５】
基板にイオンを注入する装置であって、
目的とする種のイオンを含むイオンビームを発生させるイオン源と、
前記基板を収容するエンドステーションと、
前記イオン源および前記基板の間に配されるマスクと、
を備え、
前記基板および前記マスクの一方は、前記基板および前記マスクの他方に対して移動するように構成され、
前記イオンビームは、互いに近接した第１の部分および第２の部分を含み、
前記マスクは、１以上の隙間を含み、
前記イオンビームの前記第１の部分からのイオンの部分が、前記１以上の隙間を通過し、選択的なイオン注入を実施するために、前記第１の部分からの前記イオンの前記部分が前記基板に注入され、ブランケット・イオン注入を実施するために、前記イオンビームの前記第２の部分からのイオンが前記基板に注入されるように、前記マスクは、前記イオンビームの前記第１の部分の軌道中に配される
装置。
【請求項６】
前記マスクは、前記イオンビームに対して特定の位置に位置決めされる、
請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記マスクは、前記基板の全高よりも短い、
請求項５または６に記載の装置。
【請求項８】
前記マスクは、互いに離間して配され、前記１以上の隙間を形成する複数のフィンガー部を有し、
前記複数のフィンガー部は、前記イオンビームの前記第１の部分の軌道中に配される、
請求項５に記載の装置。
【請求項９】
前記複数のフィンガー部は、前記イオンビームの前記第２の部分の軌道中に配されない、
請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記イオンビームの前記第１の部分の高さは、前記イオンビームの前記第２の部分の高さに等しい、
請求項５から９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
前記イオンビームの前記第１の部分の高さは、前記イオンビームの前記第２の部分の高さより大きい、
請求項５から９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１２】
前記イオンビームの前記第１の部分の高さと、前記イオンビームの前記第２の部分の高さとの比は、３：２である、
請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記イオンビームの前記第１の部分の高さは、前記イオンビームの前記第２の部分の高さより小さい、
請求項５から９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】
前記イオンビームの前記第１の部分の高さと、前記イオンビームの前記第２の部分の高さとの比は、２：３である、
請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
基板にイオンを注入する装置であって、
目的とする種のイオンを含むイオンビームを発生させるイオン源と、
前記基板を収容するエンドステーションと、
前記イオン源および前記基板の間に配されるマスクと、
を備え、
前記マスクは、互いに離間して配され、１以上の隙間を形成する複数のフィンガー部を有し、
前記複数のフィンガー部の高さ方向の長さは、前記イオンビームの全高よりも短い、
装置。
【請求項１６】
前記マスクおよび前記基板の少なくとも一方が、前記マスクおよび前記基板の他方に対して移動させられる、
請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記イオンビームは、前記イオンビームの対辺に配される第１の部分および第２の部分を含み、
前記イオンビームの前記第１の部分からのイオンが、前記基板上でブランケット・イオン注入を実施し、前記イオンビームの前記第２の部分からのイオンが、前記基板上で選択的なイオン注入を実施するように構成される、
請求項１５または１６に記載の装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】マスクおよび装置
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
この特定の例示的な実施形態のさらなる側面に関して、イオンビームの第１の部分の高さと、イオンビームの第２の部分の高さとの比は、おおよそ３：２であってよい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
この特定の例示的な実施形態のさらなる側面に関して、イオンビームの第１の部分の高さは、イオンビームの第２の部分の高さより小さくてよい。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
この特定の例示的な実施形態のさらなる側面に関して、イオンビームの第１の部分の高さと、イオンビームの第２の部分の高さとの比は、おおよそ２：３であってよい。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
図１は、一実施形態に係る基板１００を示す。基板１００は、本開示の技術を用いて製造される。本実施形態において、太陽電池基板１００が示される。一方の側において、基板１００は、１以上のコンタクト領域１０２を含む。コンタクト領域のそれぞれの上には、金属コンタクト（図示されていない。）が形成されてもよい。コンタクト領域１０２は、予め定められた量の目的ドーパントを領域１０２に導入することで形成されてよい。基板１００が２以上のコンタクト領域１０２を含む場合には、コンタクト領域１０２は、スペーサ領域１０４によって、互いに離間して配されてよい。いくつかの実施形態において、基板１００は、１以上のスペーサ領域１０４を含んでよく、それぞれのスペーサ領域１０４に、ドーパントまたは不純物が導入されてもよい。本実施形態において、コンタクト領域１０２およびスペーサ領域１０４に導入されるドーパント種は、同一である。しかしながら、コンタクト領域１０２のドーパント注入量（dopant dose）は、スペーサ領域１０４のドーパント注入量よりも大きくてよい。基板が太陽電池である場合、基板１００の表面（front side）上における、高濃度にドープされた（heavily doped）コンタクト領域１０２と、低濃度にドープされた（lightly doped）スペーサ領域１０４とを含むこのパターンは、選択的なエミッタデザイン（selective emitter design）と称される場合がある。コンタクト領域１０２を高濃度にドープすることにより、コンタクト領域１０２と金属コンタクトとの間の接点を良好にすることができる。加えて、コンタクト領域１０２を高濃度にドープすることにより、コンタクト領域１０２の導電率を大きくすることができる。好ましくはないかもしれないが、他の実施形態において、コンタクト領域１０２およびスペーサ領域１０４に、ドーパント種の異なるドーパントが導入されてもよい。例えば、特定のコンタクト領域１０２およびスペーサ領域１０４に、ｐ型ドーパントが導入されてよく、他のコンタクト領域１０２およびスペーサ領域１０４に、ｎ型ドーパントが導入されてもよい。他の実施形態において、コンタクト領域１０２およびスペーサ領域１０４に、型が同一で、種の異なるドーパントが導入されてよい。加えて、コンタクト領域１０２中のドーパント注入量は、スペーサ領域１０４中のドーパント注入量より大きくてもよい。あるいは、コンタクト領域１０２中のドーパント注入量は、スペーサ領域１０４中のドーパント注入量以下であってもよい。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
イオン源２０２と基板１００との間に、１以上のマスク２５０が配されてよい。本開示において、マスク２５０は、１以上のフィンガー部を有してよい。フィンガー部は、イオン２０が基板１００に到達することを妨げる。マスク２５０は、１以上の開口を有してもよい。イオン２０は、上記の開口を通過して、基板１００中に注入されてよい。マスク２５０は、エンドステーション２０６の壁を含む、システム２００の様々な構成要素によって支持されてよい。マスク２５０を支持する様々な構成要素によって、マスク２５０が、イオンビーム２０および／または基板１００に対して適切な向きまたは位置に配されてよい。例えば、アクチュエータ（図示されていない。）がマスク２５０に結合され、マスク２５０を、基板１００および／またはイオンビーム２０に対して、並進、回転または傾転させてもよい。マスク２５０の温度が過度に上昇することを抑制する目的で、マスク２５０が冷却されてもよい。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
本実施形態において、基板５００およびマスク３５０は、イオン注入システム２００の内部に配されてよい。図５ａおよび図５ｂに示されるように、マスク３５０のフィンガー部３５２の大きさまたは位置は、矢印５１０で示される高さ方向にそって、基板５００の全高（全長）にわたって延伸することがないように決定される。また、フィンガー部３５２の大きさまたは位置は、イオンビーム２０の全高（全長）にわたって延伸することがないように決定されてよい。本実施形態において、マスク３５０のフィンガー部３５２は、イオンビーム２０の高さの約５０％にわたって延伸してよい。全高の最初から最後までは延伸していないフィンガー部３５２を有することで、基板５００に方向付けられたイオンビーム２０を、複数の軌道に分割することができる。例えば、イオンビーム２０は、イオンビーム２０の第１の端部２０ｉから仮想的な参照線２０ｉｉｉにわたる第１の部分２０ａを含んでよい。また、イオンビーム２０は、イオンビーム２０の第２の端部２０ｉｉから参照線２０ｉｉｉにわたる第２の部分２０ｂを含んでよい。参照線２０ｉｉｉは、フィンガー部３５２ｉの端部によって規定されてよい。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
フィンガー部３５２が、イオンビーム２０の高さの約５０％にわたって延伸している場合、イオンビーム２０の第１の部分２０ａおよび第２の部分２０ｂは、実質的に等しくてよい。イオンビームの第１の部分２０ａ中のイオンが、基板５００に直接注入されて、ブランケット・イオン注入（blanket ion implantation）が実施されてよい。一方、第２の部分２０ｂ中のイオンの一部が、開口３５６を通って基板５００に注入されて、選択的なイオン注入が実施されてよい。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５４】
本実施形態において、マスク６５０は、少なくとも１つのフィンガー部６５２を含んでよく、フィンガー部６５２は、隙間もしくは開口６５６を規定するために、互いに離間して配されてよい。例えば、イオンビーム３０は、イオンビーム３０の第１の端部から仮想的な参照線３０ｉｉｉに延びる第１の部分３０ａを含んでよい。イオンビーム３０は、イオンビーム３０の第２の端部から参照線３０ｉｉｉに延びる第２の部分３０ｂを含んでよい。参照線３０ｉｉｉは、フィンガー部６５２ｉの端部によって定義されてよい。本実施形態において、基板５００およびマスク６５０が、イオン注入システムの中に配置される。その後、イオンビーム３０が、基板５００に向かって方向付けられてよい。本実施形態において、矢印５１０に示された方向におけるイオンビーム３０の高さは、基板５００がイオンビーム３０に対して移動しなくてもよいように、十分に大きくてよい。言い換えれば、イオンビーム３０の高さは、注入されるべき基板５００内の特定の領域が、イオンビーム３０の高さによって覆われる程度に十分に大きく、基板５００またはイオンビーム３０が、互いに相対移動する必要がない。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６６】
本実施形態において、隣接する横列９５５ａ−９５５ｃに含まれる開口９５６ａ−９５６ｃは、不均一であってよい。本実施形態において、開口９５６ａ−９５６ｃの位置または配置（alignment ）について、不均一であってよい。例えば、第１の横列９５５ａに含まれる（複数の）第１の開口９５６ａと、第２の横列９５５ｂに含まれる（複数の）第２の開口９５６ｂとは、高さ方向９１０に位置あわせされていなくてよい。この工程において、開口９５６ａおよび開口９５６ｂの中心は、幅方向９１２に沿って、距離ｘだけずれた状態で配されてよい。