【事件の表示】
　平成　７年特許願第２７５９２９号「有機ＥＬディスプレイ」拒絶査定に対する審判事件［平成　９年　５月　２日出願公開、特開平　９−１１４３９８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成７年１０月２４日に出願された特願平７−２７５９２９号であって、平成１３年１１月１６日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月２０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１４年１月１７日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成１４年１月１７日付の手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　　平成１４年１月１７日付の手続補正を却下する。
　
［理由］
　
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「複数の信号電極線、走査電極線及び共通電極線の間に画素ＥＬ素子が配置され、前記信号電極線と前記走査電極線との交差近傍に設けられる電気スイッチが、走査信号パルス及び信号パルスでスイッチング動作し、前記画素ＥＬ素子が、発光又は発光停止して画像表示を行うアクティブマトリックスの有機ＥＬディスプレイであって、
　前記画素ＥＬ素子の画素電極が、４．１ｅＶ以下の低仕事関数の化合物または非アルカリ金属または非アルカリ土類金属からなり、
　前記電気スイッチが、単結晶シリコンで活性層が形成された二つのＭＯＳ電界効果トランジスタ駆動素子からなり、
　前記信号電極線、走査電極線及び電気スイッチ及び共通電極線が、絶縁破壊強度を２〜１０ＭＶ／ｃｍの絶縁膜中に埋め込まれている
　ことを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。」
と補正された。
　本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項４と実質的に同一であるから、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第１号の請求項の削除を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用例に記載された発明
　
（２−１）特開平７−１１１３４１号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前日本国内又は外国において頒布された刊行物である特開平７−１１１３４１号公報（以下、「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
　
ア　段落【０００１】
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ディスプレイなどに使用される電流制御型発光素子アレイに関し、特に、ＥＬあるいはＬＥＤのような発光輝度が素子を流れる電流により制御される電流制御型発光素子をマトリクス状に配置した、アクティブマトリクス型の電流制御型発光素子アレイに関する。
【０００２】
【従来の技術】ディスプレイなどに用いられる電流制御型発光素子として、ＥＬ或いはＬＥＤなどがよく知られている。なかでも有機の蛍光物質の薄膜を発光体層とした電荷注入型有機ＥＬ（以後、有機薄膜ＥＬと記す）は、無機の薄膜ＥＬやＬＥＤでは実現困難な、安価で大面積のフルカラー表示を実現するものとして注目を集めている。以下に、従来の電流制御型発光素子アレイの構成を、上記の有機薄膜ＥＬを用いたＥＬパネルを例にして、主として駆動方法と関連させて説明する。」
　
イ　段落【０００５】
「【０００５】・・・この表示ディスプレイでは、いわゆる単純マトリクス型線順次駆動でパネルを駆動する。つまり、走査線５３をコモンとしてこれらの走査線５３を一本ずつ順次選択し、各走査線ごとにその走査線が選択されている期間信号線５１に一斉に正のパルス電圧ＶＤを印加する。このような構成で、駆動パルス電圧ＶＤ＝２０〜３０Ｖ、デューティ３．５％でパルス駆動したとき、２０〜３０Ｃｄ／ｍ２の輝度が得られ、又、駆動パルスのオン・オフに伴なう発光の応答速度は１０μｓ以下であった。尚、このようなパルス駆動の場合、輝度は駆動パルス幅に比例する。」
　
ウ　段落【０００９】
「【０００９】図６を参照すると、この発光素子アレイの単位画素３０（Ｎ＋１行、Ｍ列に配置された画素を例にする）は、その素子を流れる電流により輝度が決る電流制御型の発光素子ＥＬ（有機薄膜ＥＬ）と、発光素子ＥＬの電流を制御するための電流制御用トランジスタＱＩと、電荷保持用の容量Ｃと、スイッチングトランジスタＱＳとからなっている。このアレイには、各単位画素を選択するために各行毎に走査電極線が設けられ、又、各列毎に信号電極線が設けられている。例えば、図６において、（Ｎ＋１）行、Ｍ列に配置された単位画素３０は、（Ｎ＋１）番目の行に属する複数の単位画素に共通な走査電極線３Ｎ＋１と、Ｍ番目の列に属する複数の単位画素に共通な信号電極線１Ｍとによって選択される。発光素子ＥＬには、電源電極５から電源電圧ＶＤＤが供給されている。図６において、走査電極線３Ｎ＋１が選択されスイッチングトランジスタＱＳがオンになると、信号電極線１Ｍの電圧がスイッチングトランジスタＱＳを介して電荷保持用容量Ｃに供給される。走査電極線３Ｎ＋１が非選択の状態になると、スイッチングトランジスタＱＳがオフになって容量Ｃに印加された電圧が保持される。容量Ｃの端子電圧は電流制御用トランジスタＱＩのゲート・ソース間に印加されるので、電流制御用トランジスタＱＩのゲート電圧・ドレイン電流特性に応じた電流が電源電極５から供給され、発光素子ＥＬとトランジスタＱＩとを通って、共通電極線７に流れる。この電流により発光素子ＥＬが発光する。」
　
エ　段落【００２０】〜【００２１】
「【００２０】まず本実施例の回路構成について説明する。図１は、本発明の第１の実施例の回路図であり、図６と同様に、発光素子アレイ中の２行２列の部分を図示している。図１を参照すると、本実施例は、単位画素１０中の電流制御用トランジスタＱＩのソース電極（発光素子ＥＬ側の電極とは反対側の電極）と電荷保持用容量Ｃの一方の電極（トランジスタＱＩのゲート電極に接続される電極とは反対側の電極）とが一つ前の行の走査電極線に接続されている点が、図６に示す従来の発光素子アレイとは異なっている。本実施例では、例えば（Ｎ＋１）行、Ｍ列に位置する単位画素１０の場合、トランジスタＱＩ及び容量Ｃの上記２つの電極はそれぞれ、一つ前の行（Ｎ行）の走査電極線３Ｎに接続されている。図６に示す従来の発光素子アレイでは、これら電極は共通電極線７に接続されている。
【００２１】ここで、本実施例の断面構造及び素子の平面レイアウトを、図１に示す回路図と関連させて説明し、併せてその製作過程を説明する。図２は、本実施例の単位画素における素子の平面レイアウトを示す図であり、走査電極線３Ｎと３Ｎ＋１及び信号電極線１Ｍと１Ｍ＋１で囲まれた四辺形の単位画素内に配置された電荷保持用容量Ｃ、電流制御用トランジスタＱＩ及びスイッチングトランジスタＱＳの配置を示す。発光素子としての有機薄膜ＥＬは、これらトランジスタ及び容量の上部に単位画素内にほぼ一杯に形成されており、平面レイアウト図では表し難いので、電子注入電極（後述）５２Ｃのみを示し詳細は図示省略してある。図３は、図２中のＡ−Ａ断面図であって、容量Ｃ、トランジスタＱＩ及びこれらの上部に形成された有機薄膜ＥＬの断面構造を示す。」
　
オ　段落【００２３】〜【００２４】
「【００２３】有機薄膜層５２の上部には、透明電極材料ＩＴＯを用いた透明な正孔注入電極５４が形成されている。この正孔注入電極５４は、図１における電源電極５に相当する。一方、有機薄膜ＥＬのＴＦＴ側には、金属材料ＭｇＡｇ製の電子注入電極５５が形成されている。この電子注入電極５５は、第２コンタクトホール５６Ｂを介して電流制御用トランジスタＱＩのドレイン電極ＤＱＩに電気的に接続されている。本実施例では、有機薄膜ＥＬを構成するそれぞれの薄膜層のうち、電子注入電極５５は各画素単位で独立した島状パターンとなっているのに対して、有機薄膜層５２と正孔注入電極５４とは、発光素子アレイを構成する全画素に共通して形成されている、つまり、パネル全面に形成されている。そして、ある画素が選択されてその画素内のトランジスタＱＩが導通すると、全体の有機薄膜層のうちその選択された画素上の部分が加えられた電界によって発光し、透明電極５４を通して外部に光を放出する。
【００２４】図２を参照すると、本実施例では、同図中に斜線を施して示すように、紙面左右方向に走る走査電極線３Ｎから分岐してきた配線の一部がそのまま電荷保持用容量Ｃの電極となっている。一方、走査電極線３Ｎからのもう一つの分岐が、第１コンタクトホール５６Ａを介して電流制御用トランジスタのソース電極ＳＱＩに接続している。すなわち、容量Ｃの電極及び電流制御用トランジスタのソース電極は、一つ前の行の走査電極線３Ｎに接続されている。これに対して、スイッチングトランジスタＱＳにおいては、紙面左右方向に走る走査電極線３Ｎ＋１から分岐した配線の一部がそのままスイッチングトランジスタのゲート電極ＧＱＳとなっている。すなわち、スイッチングトランジスタのゲート電極は、自身が属する行の走査電極線３Ｎ＋１に接続されている。」
　
カ　段落【００２５】〜【００２８】
「【００２５】本発明者らは、本実施例を以下のようにして作製した。はじめに、ガラス基板５０上にＣｒを２００ｎｍ成長し、走査電極線３Ｎ及び３Ｎ＋１、電荷保持用容量Ｃの一方の電極、スイッチングトランジスタのゲート電極ＧＱＳ、電流制御用トランジスタのゲート電極ＧＱＩをパターニングし、更にゲート絶縁膜としてＳｉＯ２を４００ｎｍ成長した後、第１コンタントホール５６Ａを開ける。
【００２６】次に、ＳｉＯ２上に、ＴＦＴのアイランドを形成するためのイントリンジックアモルファスシリコン（ｉ−ａ−Ｓｉ）及び、オーミックコンタクトを取るためのｎ＋アモルファスシリコン（ｎ＋−ａ−Ｓｉ）を、それぞれ３００ｎｍ及び５０ｎｍ成長し、パターニングしてアイランドを形成する。このアイランドは、後にＴＦＴ（電流制御用トランジスタＱＩ及びスイッチングトランジスタＱＳ）のチャネル部が形成される部分である。
【００２７】次いで、Ｃｒを１０ｎｍ堆積しパターニングして、信号線１Ｍ、電流制御用トランジスタＱＩのソース電極ＳＱＩ及びドレイン電極ＤＱＩ、スイッチングトランジスタＱＳのドレイン電極及びソース電極、電荷保持用容量Ｃのもう一方の電極を形成する。更に、電流制御用及びスイッチングの各ＴＦＴのアイランドのｉ−ａ−Ｓｉ及びｎ＋−ａ−Ｓｉを、各ＴＦＴのソース電極及びドレイン電極用のＣｒをマスクとしてｉ−ａ−Ｓｉの途中までエッチングし、各ＴＦＴのチャネル部を形成する。
【００２８】次に、ＳｉＯ２を２００ｎｍ成長し、電流制御用トランジスタＱＩのソース電極ＳＱＩとこの後の工程で成長される電子注入電極（有機薄膜ＥＬの一方の電極）５５とを接続するための第２コンタクトホール５６Ｂをエッチングして開ける。その後、ＭｇＡｇを２００ｎｍ成長し、リフトオフ法によってパターニングして電子注入電極５５を形成する。」
　
キ　段落【００３２】〜【００３３】
「【００３２】以下に、本実施例の動作について説明する。図１において、いま、走査電極線３Ｎ＋１が選択されスイッチングトランジスタＱＳがオン状態になると、Ｍ列目の信号電極線１Ｍの電圧がスイッチングトランジスタＱＳを通して電荷保持用容量Ｃに供給される。
【００３３】走査電極線３Ｎ＋１が非選択の状態になるとスイッチングトランジスタＱＳがオフになって、信号線１Ｍの電圧が電荷保持用容量Ｃに保持される。容量Ｃの端子電圧は電流制御用トランジスタＱＩのゲート・ソース間に印加され、トランジスタＱＩのゲート電圧・ドレイン電流特性に応じた電流が、電源電極５→発光素子ＥＬ→トランジスタＱＩ→走査電極線３Ｎという経路で流れ、発光素子ＥＬが発光する。このとき、発光素子ＥＬの輝度と容量Ｃに印加する電圧との関係がわかっていれば、所定の輝度で発光素子ＥＬを発光させることが可能である。」
　
ク　段落【００４５】
「【００４５】本発明を有機薄膜ＥＬに適用すれば、有機薄膜ＥＬの画素数を多くして高精細にしても低電圧で高輝度なマトリクスタイプの有機薄膜ＥＬディスプレイが得られる。」
　
　上記ア〜クの記載並びに図１〜図３及び図６の記載からみて、引用例２には、以下の発明が記載されているものと認める（以下、「引用発明」という。）。
「複数の信号電極線及び走査電極線で囲まれた単位画素内に有機薄膜ＥＬ、電流制御用トランジスタＱＩ及びスイッチングトランジスタＱＳが配置され、前記電流制御用トランジスタＱＩ及び前記スイッチングトランジスタＱＳは、前記信号電極線及び前記走査電極線の選択に従ってオン・オフし、前記有機薄膜ＥＬが発光又は発光停止して大面積のフルカラー表示を行うアクティブマトリクス型の有機薄膜ＥＬディスプレイであって、
　前記有機薄膜ＥＬの電子注入電極は、各画素単位で独立した島状パターンのＭｇＡｇからなる電子注入電極であり、
　前記電流制御用トランジスタＱＩ及び前記スイッチングトランジスタＱＳはＭＯＳ電界効果トランジスタ駆動素子であり、
　前記信号電極線、走査電極線、電流制御用トランジスタＱＩ及びスイッチングトランジスタＱＳが、絶縁膜中に埋め込まれている
　ことを特徴とする有機薄膜ＥＬディスプレイ。」
　
（２−２）特開平４−１２５６８３号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前日本国内又は外国において頒布された刊行物である特開平４−１２５６８３号公報（以下、「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。
　
ケ　第３ページ左上欄第１９行〜同ページ右上欄第２行
「シリコンウェハー１’のような半導体結晶上にスイッチング素子２としてのＴＦＴ領域群を形設して成るアクティブマトリクスも利用可能である。」
　
コ　第１図
　第１図には、ＴＦＴを信号電極母線とゲート電極母線との交差近傍に設けることが記載されている。
　
（２−３）特開平２−９８９３２号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前日本国内又は外国において頒布された刊行物である特開平２−９８９３２号公報（以下、「引用例３」という。）には、次の事項が記載されている。
　
サ　第３ページ左上欄第１２行〜同欄第１５行
「これと共に、酸化シリコン膜の耐圧性も、基板温度が３３０℃以下では、耐圧が急激に高くなり、基板温度３３０℃で耐圧が３×１０６ｖ／ｃｍに達し、飽和する。」
　
シ　第４ページ左下欄第１９行〜同ページ右下欄第３行
「従って、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜・・・などに用いるのに必要な諸特性を備えた酸化シリコン膜が、有機シランと酸素ガスまたは非金属酸化物ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法により製造が可能となる。」
　
（２−４）特開昭６３−２６４６９２号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前日本国内又は外国において頒布された刊行物である特開昭６３−２６４６９２号公報（以下、「引用例４」という。）には、次の事項が記載されている。
　
ス　第２６ページ左下欄第１１行〜同欄第２０行
「高または低仕事関数金属を含めた任意の金属で構成されるカソードを用いることができる。予想外の製作上、性能上、および安定性上の利点が、低仕事関数金属と少くとも一つの他の金属との組合せのカソードを形成することによって実現された。低仕事関数金属はここでは４ｅＶより低い仕事関数をもつ金属として定義される。一般的には、金属の仕事関数が低いほど、有機質発光媒体中への電子注入にとって必要とされる電圧が低い。」
　
セ　第２７ページ右上欄第１行〜同欄第１８行
「前記の列挙から、利用できる低仕事関数金属は、大部分は第ＩＩａ属あるいはアルカリ土類族の金属、第ＩＩＩ族金属（希土類金属、すなわちイットリウムおよびランタニドを含むが硼素とアルミニウムを除く）、および、アクチニド族金属に属することが明らかである。・・・３．０から４．０ｅＶの範囲の仕事関数を示す低仕事関数金属はより低い仕事関数を示す金属より一般的に安定であり、従って好まれる。」
　
（２−５）特開平５−３４６５９２号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前日本国内又は外国において頒布された刊行物である特開平５−３４６５９２号公報（以下、「引用例５」という。）には、次の事項が記載されている。
　
ソ　段落【０００１】
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置や（ＥＬ）装置など平面型の表示装置を、各画素ごとに表示できるように制御する駆動素子内蔵タイプの平面型表示装置用の駆動素子基板およびその製法に関する。さらに詳しくは、半導体単結晶基板に形成されたＭＯＳトランジスタを駆動素子として使用し、駆動速度の早い平面型表示装置用の駆動素子基板およびその製法に関する。」
　
タ　段落【０００３】
「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アモルファスまたは多結晶材料の原子配列の不規則性は、単結晶シリコンにくらべて、電子の移動度（キャリヤ移動度）が１０〜１００倍低いという欠点を有している。このため、高速スイッチング特性が悪く、高速性が要求されないディスプレイのスイッチング素子などへの適用に限られている。」
　
チ　段落【００１０】
「【００１０】図１において１は透明基板として用いられるガラス基板であり、ガラス基板１の上にＭＯＳトランジスタを形成した半導体層部が貼り付けられている。当該半導体層部は、酸化膜分離層３により分離されたシリコン単結晶層２に、シリコン単結晶層２と異なる導電型の不純物領域で形成されたソース領域４およびドレイン領域７、ソース領域４とドレイン領域７に挟まれ、シリコン単結晶層２の上面に形成されたチャネル領域１２、該チャネル領域１２の表面にゲート酸化膜５を介して形成されたゲート電極６、層間絶縁膜１０を介してソース領域４に接続されたソース電極８、ドレイン領域７に接続されたドレイン電極１３が形成され、該ドレイン電極と接続されて透明導電膜９がＩＴＯなどで形成されている。さらに、表面には、保護膜１１が形成されている。」
　
ツ　段落【００１９】
「【００１９】また、図４に本発明の駆動基板を利用してエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置としたときの構成の断面説明図を示す。この例では前述のＩＴＯ膜９上には保護膜１１を形成しないで、ＺｎＳ系を主とし、Ｍｎ、Ｃｕ、ＡｌなどがドーピングされたＥＬ材１５が形成され、その上に他方の電極とするＩＴＯ膜１６が形成され、さらにその上に保護膜１７がＳｉＯ２などで形成されて画素ごとに高速の駆動トランジスタを有するＥＬ装置が構成される。」
　
テ　段落【００２１】
「【００２１】
【発明の効果】本発明の平面型表示装置の駆動素子基板によれば、半導体単結晶層で駆動素子としてのＭＯＳトランジスタが形成されているため、電子の移動度が大きく、高速スイッチング特性を有する回路が構成できる。」
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明における
（Ａ）「有機薄膜ＥＬ」
（Ｂ）「電流制御用トランジスタＱＩ及びスイッチングトランジスタＱＳ」
（Ｃ）「オン・オフ」
（Ｄ）「大面積のフルカラー表示」
（Ｅ）「有機薄膜ＥＬディスプレイ」
（Ｆ）「各画素単位で独立した島状パターンの電子注入電極」
は、それぞれ本願補正発明の
（ａ）「画素ＥＬ素子」
（ｂ）「電気スイッチ」
（ｃ）「スイッチング動作」
（ｄ）「画像表示」
（ｅ）「有機ＥＬディスプレイ」
（ｆ）「画素電極」
に相当する。そして、本願発明と引用発明における電気スイッチは、ともに信号電極線と走査電極線に囲まれた単位画素内に設けられる点で一致する。
　したがって、両者は、
「複数の信号電極線及び走査電極線の間に画素ＥＬ素子が配置され、前記信号電極線と前記走査電極線に囲まれた単位画素内に設けられる電気スイッチが、スイッチング動作し、前記画素ＥＬ素子が、発光又は発光停止して画像表示を行うアクティブマトリックスの有機ＥＬディスプレイであって、
　前記画素ＥＬ素子が画素電極を有し、
　前記電気スイッチが、二つのＭＯＳ電界効果トランジスタ駆動素子からなり、
　前記信号電極線及び前記電気スイッチが、絶縁膜中に埋め込まれている
　ことを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。」
で一致し、次の点で相違する。
　
［相違点１］
　本願発明では、信号電極線及び走査電極線以外に共通電極線を有し、当該共通電極線を絶縁膜中に埋め込んでいるのに対して、引用発明では、共通電極線を有していない点。
　
［相違点２］
　本願発明では、電気スイッチを信号電極線と走査電極線との交差近傍に設けているのに対して、引用発明では、信号電極線と走査電極線に囲まれた単位画素内に設けている点。
　
［相違点３］
　本願発明では、走査信号パルス及び信号パルスで電気スイッチを動作させているのに対して、引用発明では、信号電極線及び走査電極線を選択するにあたり、どのような信号を用いるのかについて言及していない点。
　
［相違点４］
　本願発明では、画素ＥＬ素子の画素電極が、４．１ｅＶ以下の低仕事関数の化合物または非アルカリ金属または非アルカリ土類金属からなるのに対して、引用発明の画素電極はＭｇＡｇからなる点。
　
［相違点５］
　本願発明では、電気スイッチを構成するＭＯＳ電界効果トランジスタ駆動素子の活性層を単結晶シリコンから形成するのに対して、引用発明では、アモルファスシリコンから形成している点。
　
［相違点６］
　本願発明では、絶縁破壊強度が２〜１０ＭＶ／ｃｍの絶縁膜を用いているのに対して、引用発明では、絶縁膜中の破壊強度について言及していない点。
　
（４）判断
　上記相違点について以下に検討する。
　
（４−１）相違点１について
　アクティブマトリックスの有機ＥＬディスプレイにおいて、信号電極線及び走査電極線以外に共通電極線を設けることは、引用例２に従来技術として記載されている（記載事項ウ参照。）。引用発明は、配線数の減少を目的として、この従来技術である共通電極線に代えて走査電極線を兼用したものであるが、当該目的を最優先の課題としないのであれば、引用発明において、共通電極線を設けて本願発明のように構成することは、当業者であれば容易に想到できることである。
　そして、引用発明における信号電極線、走査電極線及び電気スイッチはすべて絶縁膜中に埋め込まれており、かつ、有機薄膜ＥＬを構成する有機薄膜層や正孔注入電極は、これら信号電極線、走査電極線及び電気スイッチの上に全画素共通して形成されるものであるから、新たに設ける共通電極線を絶縁膜中に埋め込むことは当業者であれば適宜成し得る事項にすぎない。
　
（４−２）相違点２について
　アクティブマトリックスの有機ＥＬディスプレイにおいて、ＴＦＴ（本願発明における「電気スイッチ」に相当。）を、信号電極母線とゲート電極母線（本願発明における「信号電極線と走査電極線」に相当。）との交差近傍に設けることは引用例１に記載されている（記載事項コ参照。）ことからみて、引用発明における電気スイッチにおいて、信号電極線と走査電極線との交差近傍に設けて本願発明のように構成することは、当業者であれば容易に想到できることである。
　
（４−３）相違点３について
　アクティブマトリックスの有機ＥＬディスプレイにおいて、信号電極線にパルス電圧を印加してディスプレイを駆動することは、引用例２に従来技術として記載されている（記載事項イ参照。）ことからみて、引用発明において、信号電極線及び走査電極線の選択にパルス電圧を用いて本願発明のように構成することは、当業者であれば容易に想到できることである。
　
（４−４）相違点４について
　有機ＥＬの電子注入電極を、４．１ｅＶ以下の低仕事関数の化合物または非アルカリ金属または非アルカリ土類金属から形成することは、従来周知（例えば、引用例４（記載事項ス〜セ）、特開平２−２３４３９４号公報（第３ページ左上欄第１３行〜同ページ右上欄第２行）参照。）であるから、引用発明における画素電極を、４．１ｅＶ以下の低仕事関数の化合物または非アルカリ金属または非アルカリ土類金属から形成して本願発明のように構成することは、当業者であれば容易に想到できることである。
　
（４−５）相違点５について
　アクティブマトリクスのＥＬディスプレイにおいて、その単位画素ごとに設けられるＭＯＳ電界効果トランジスタ駆動素子の活性層を単結晶シリコンで形成することは、例えば引用例１（記載事項ケ参照。）に記載されるよう従来周知（その他にも、引用例５（記載事項ソ〜テ）、特開昭６１−５９４７３号公報（第２ページ左下欄第１２行〜同欄第１４行、第３ページ右上欄第１８行〜同欄末行、第４図）参照。）であるから、引用発明における二つのＭＯＳ電界効果トランジスタの活性層を、単結晶シリコンで形成して本願発明のように構成することは、当業者であれば容易に想到できることである。
　なお、シリコンウェハーが単結晶シリコンからなることは、例えば、日本半導体製造装置協会編「半導体製造装置用語辞典」第３版、日刊工業新聞社、１９９４年１１月３０日発行、第８９ページ、に記載されるよう当業者にとって自明のことである。
　
（４−６）相違点６について
　ＭＯＳ電界効果トランジスタのゲート絶縁膜に用いられる絶縁膜の絶縁破壊強度を２〜１０ＭＶ／ｃｍとすることは、従来周知（例えば、引用例３（記載事項サ〜シ）、特開平５−２５９１５３号公報（段落【０００１】〜【０００２】、【００４０】）、特開平５−２７１９９３号公報（段落【０００５】、【００１４】）参照。）である。そして、引用発明における絶縁膜がゲート絶縁膜として作用することは図３からみて明らかであるから、引用発明において、絶縁破壊強度が２〜１０ＭＶ／ｃｍの絶縁膜を用いることは、当業者であれば容易に想到できることである。
　
　また、本願補正発明の作用効果も、引用例１、２及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　従って、本願補正発明は、引用例１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項の規定で準用する同法第１２６条第４項に規定される独立特許要件を満たしていないものであるから、特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定によって却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１４年１月１７日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項４に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１３年８月６日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項４に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　複数の信号電極線、走査電極線及び共通電極線の間に画素ＥＬ素子が配置され、前記信号電極線と前記走査電極線との交差近傍に設けられる電気スイッチが、走査信号パルス及び信号パルスでスイッチング動作し、前記画素ＥＬ素子が、発光又は発光停止して画像表示を行うアクティブマトリックスの有機ＥＬディスプレイであって、
　前記電気スイッチは、単結晶シリコンで活性層が形成された二つのＭＯＳ電界効果トランジスタ駆動素子からなり、かつ、
　前記信号電極線、走査電極線及び電気スイッチ及び共通電極線が、絶縁膜中に埋め込まれるとともに、
　当該絶縁膜の絶縁破壊強度を２〜１０ＭＶ／ｃｍとすることを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。
【請求項４】
　前記請求項１記載の有機ＥＬディスプレイにおいて、前記画素電極が、非アルカリ金属または非アルカリ土類金属からなる４．１ｅｖ以下の低仕事関数の化合物または金属から構成してあることを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。」
　なお、平成１３年８月６日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項４は請求項１を引用して記載するため、平成１３年８月６日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１も併せて記載した。
　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例およびその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明と実質的に同一であり、本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、引用例１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同一の理由により、引用例１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。