Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月18日(2014.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サーバーシステムにおいて、興味のあるトピックの表示を第１のクライアントから受信するステップであって、前記トピックの表示は写真を含む、ステップと、
前記表示を受信するステップに応答して前記トピックについてのコンテンツを自動的に収集するステップであって、前記写真内の対象を自動的に認識するステップと、ネットワークを使用してその対象についての情報を検索するステップと、その対象を販売している小売店を見つけるステップを含む、ステップと、
前記サーバーシステムにおいて、前記クライアントからコンテキスト情報を受信するステップであって、前記コンテキスト情報は前記クライアントの位置を含む、ステップと、
前記受信されたコンテキスト情報に基づいて前記収集されたコンテンツのサブセットを識別するステップと、
前記収集されたコンテンツの前記識別されたサブセットを報告するステップであって、前記クライアントの近隣で前記小売店が前記対象を販売していることを識別するステップを含む、ステップと
を備える、コンテンツを配信するための方法。
【請求項２】
トピックの前記表示が第１のユーザーに関連付けられ、
前記コンテキスト情報が前記第１のユーザーに関連付けられる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記報告するステップが、前記収集されたコンテンツの前記識別されたサブセットを、前記第１のクライアントとは異なるタイプのデバイスである第２のクライアントに送信するステップを含み、
前記第１のクライアントと前記第２のクライアントが前記第１のユーザーに関連付けられる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
コンテンツを収集する前記ステップが、１つまたは複数のアプリケーションにおいて前記第１のユーザーによって識別された１人または複数の他のユーザーについての情報を決定するステップを含み、
前記収集されたコンテンツのサブセットを識別する前記ステップが、前記コンテキスト情報および１人または複数の他のユーザーについての前記情報に応答して実行される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
コンテンツを収集する前記ステップが、前記第１のユーザーによる要求なしに実行される、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記受信されたコンテキスト情報が、前記第１のユーザーによって実行されている機能の表示を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
コンテンツを収集する前記ステップが、前記トピックのうちの１つまたは複数に関連するイベントを識別するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
１つまたは複数のクライアントと通信しているレーダーサービスを備える１つまたは複数のコンピューターの第１のセットであって、興味のあるトピックの表示を第１のユーザーに関連付けられる第１のクライアントから受信する、１つまたは複数のコンピューターの第１のセットと、
前記レーダーサービスを備える１つまたは複数のコンピューターの前記第１のセットと通信しているインテリジェンスサービスを備える１つまたは複数のコンピューターの第２のセットであって、１つまたは複数のコンピューターの前記第２のセットは集約するために利用可能な情報の１つまたは複数のインデックスを格納し、１つまたは複数のコンピューターの前記第２のセットは、ユーザーが特定の位置にいること以外の、前記第１のユーザーの行動に基づく推論から導出される前記第１のユーザーの意図を含む前記第１のユーザーについてのコンテキスト情報を作成し、１つまたは複数のコンピューターの前記第１のセットは、興味のあるトピックの前記表示に関連する情報、前記コンテキスト情報ならびに１つまたは複数のコンピューターの前記第２のセットに格納された情報の前記１つまたは複数のインデックスを集約することによって、前記興味のある前記トピックについてのコンテンツを自動的かつ継続的に収集し、１つまたは複数のコンピューターの前記第１のセットは、前記コンテンツを前記第１のユーザーについてのクライアントにプッシュする、コンテンツを配信するシステム。
【請求項９】
１つまたは複数のコンピューターの前記第１のセットは、前記第１のクライアントによって前記第１のユーザーから検出されたスピーチにおいて自動的に識別される１つまたは複数のキーワードに基づいて、前記興味のあるトピックについてのコンテンツを収集する、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
１つまたは複数のコンピューターの前記第１のセットが、前記収集されたコンテンツが前記コンテキスト情報にとってどれくらい適切かに基づいて、前記収集されたコンテンツに関連性スコアを割り当てることによって前記収集されたコンテンツのフィルタリングに参加する関連性エンジンを含む、請求項８に記載のシステム。
【請求項１１】
１つまたは複数のコンピューターの前記第１のセットが、興味のあるトピックについての情報を自動的かつ継続的に収集する、持続的で、個人専用にされたソフトウェア処理であるマグネットを含み、
前記マグネットが、興味のある前記トピックについての前記コンテンツを自動的かつ継続的に収集する、請求項８に記載のシステム。
【請求項１２】
１つまたは複数のコンピューターの前記第１のセットが、１つまたは複数のリコメンデーションエンジンを含み、前記マグネットが前記リコメンデーションエンジンを使用してネットワークを介してコンテンツを識別し、
１つまたは複数のコンピューターの前記第１のセットが、前記収集されたコンテンツが前記コンテキスト情報にとってどれくらい適切かに基づいて、前記収集されたコンテンツに関連性スコアを割り当てることによって前記収集されたコンテンツのフィルタリングに参加する関連性エンジンを含む、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
１つまたは複数のコンピューターの前記第２のセットが、ネットワークを介して利用可能なコンテンツについてのパブリックインデックス、前記ネットワークを介して利用可能なコンテンツについての１つまたは複数のプライベートインデックス、広告および提示のためのデータ構造、ならびにユーザープロファイルデータを含み、
前記マグネットが、前記パブリックインデックス、前記１つまたは複数のプライベートインデックス、広告および提示のための前記データ構造、ならびにユーザープロファイルデータに基づいて、興味のある前記トピックについての前記コンテンツを自動的かつ継続的に収集する、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記コンテキスト情報が、前記第１のユーザーによって実行されている動作の表示を含む、請求項８に記載のシステム。
【請求項１５】
１つまたは複数のコンピューターの前記第１のセットは、前記コンテンツを、前記第１のユーザーに関連付けられる第２のクライアントにプッシュする、請求項８に記載のシステム。
【請求項１６】
１つまたは複数のコンピューターの前記第１のセットは、前記コンテンツを、前記第１のユーザーに関連付けられる前記第１のクライアントにプッシュする、請求項８に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月5日(2014.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クライアントとデータ記憶サーバを含むコンピューティング環境において、前記データ記憶サーバ内の記憶最適化の詳細が前記クライアントに見えるようにする方法であって、
前記データ記憶サーバ上のファイルデータの記憶を記述したメタデータにアクセスするステップであって、前記ファイルデータは、前記ファイルデータのネイティブ形体とは異なる形体で前記データ記憶サーバ上にストアされており、前記メタデータは、前記ファイルデータの記憶形体を前記データ記憶サーバ上にストアされている通りに見えるようにするステップと、
前記ファイルデータに対するリクエストを前記クライアントから前記データ記憶サーバに送信するステップと、
前記ファイルデータの１つまたは２つ以上、前記データ記憶サーバ上のファイルデータの記憶を記述した追加メタデータおよび前記ファイルデータの少なくとも一部を表わすデータを含む情報を、前記データ記憶サーバから受信するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記データ記憶サーバ上の前記ファイルデータの記憶を記述した前記メタデータは、前記データ記憶サーバ上の前記ファイルデータの非重複の結果得られる前記ファイルデータの記憶を記述したデータを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記データ記憶サーバ上の前記ファイルデータの記憶を記述した前記メタデータは、前記データファイルのサブセットの暗号ハッシュを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記データ記憶サーバ上の前記ファイルデータの記憶を記述した前記メタデータは、前記ファイルデータの複数のサブセットの各々の暗号ハッシュを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記データ記憶サーバ上の前記ファイルデータの記憶を記述した前記メタデータは、前記ファイルデータの圧縮したサブセットを記述したデータを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
クライアントとデータ記憶サーバを含むコンピューティング環境において、前記データ記憶サーバ内の記憶最適化の詳細が前記クライアントに見えるようにする方法であって、
前記データ記憶サーバ上のファイルデータの記憶を記述したメタデータを送信するステップであって、前記ファイルデータは、前記ファイルデータのネイティブ形体とは異なる形体で前記データ記憶サーバ上にストアされており、前記メタデータは、前記ファイルデータの記憶形体を前記データ記憶サーバ上にストアされている通りに見えるようにするステップと、
コンピューティングシステムからの前記ファイルデータに対するリクエストを前記データ記憶サーバで受信するステップと、
前記ファイルデータの少なくとも１つ、前記データ記憶サーバ上のファイルデータの記憶を記述した追加メタデータおよび前記ファイルデータの少なくとも一部を表わしているデータを含む情報を前記データ記憶サーバから送信するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
前記データ記憶サーバ上の前記ファイルデータの記憶を記述した前記メタデータは、前記データ記憶サーバ上の前記ファイルデータの非重複の結果得られる前記ファイルデータの記憶を記述したデータを含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記データ記憶サーバ上の前記ファイルデータの記憶を記述した前記メタデータは、前記データファイルのサブセットの暗号ハッシュを含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記データ記憶サーバ上の前記ファイルデータの記憶を記述した前記メタデータは、前記ファイルデータの複数のサブセットの各々の暗号ハッシュを含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記データ記憶サーバ上の前記ファイルデータの記憶を記述した前記メタデータは、前記ファイルデータの圧縮したサブセットを記述したデータを含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
１つ以上のコンピュータプロセッサ上で実行されるときに、データ記憶サーバ内の記憶最適化の詳細がクライアントに見えるようにする方法を前記１つ以上のコンピュータプロセッサに実行させるコンピュータ実行可能命令、を有するコンピュータプログラムであって、前記方法は、
ファイルデータに対するリクエストをコンピューティングシステムから前記データ記憶サーバに送信するステップと、
前記データ記憶サーバ上のファイルデータの記憶を記述した情報を含む情報を前記データ記憶サーバから受信するステップと、
を含むことを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１２】
前記データ記憶サーバ上の前記ファイルデータの記憶を記述した情報を含む前記情報は、前記データ記憶サーバ上の前記ファイルデータの非重複の結果得られる前記ファイルデータの記憶を記述したデータを含むことを特徴とする請求項１１に記載のコンピュータプログラム。
【請求項１３】
前記データ記憶サーバ上の前記ファイルデータの記憶を記述した情報を含む前記情報は、前記ファイルデータのサブセットの暗号ハッシュを含むことを特徴とする請求項１１に記載のコンピュータプログラム。
【請求項１４】
前記データ記憶サーバ上の前記ファイルデータの記憶を記述した情報を含む前記情報は、前記ファイルデータの複数のサブセットの各々の暗号ハッシュを含むことを特徴とする請求項１１に記載のコンピュータプログラム。
【請求項１５】
前記データ記憶サーバ上の前記ファイルデータの記憶を記述した情報を含む前記情報は、前記ファイルデータの圧縮したサブセットを記述した情報を含むことを特徴とする請求項１１に記載のコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月18日(2014.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感知領域内の物体を感知するように構成された、複数の感知電極からなる感知電極配列と、
前記感知電極配列に結合された処理システムであって、
前記感知電極配列を操作して前記感知領域内の物体の位置を検出し、
第１の物体位置と第２の物体位置との間の第１の距離を特定し、
前記第２の物体位置と第３の物体位置との間の第２の距離を特定し、
前記第１の距離が第１の閾値より大きく、且つ前記第２の距離が第２の閾値より小さいかどうかを判定することにより、前記第１の物体位置と前記第２の物体位置の両方が単一の入力物体に対応するかどうかを前記第１の距離及び前記第２の距離から判定する
ように構成された処理システムと、
を備える入力装置。
【請求項２】
前記処理システムが、第０の物体位置と前記第１の物体位置との間の第０の距離を特定するようにさらに構成され、前記処理システムが、前記第０の距離が第０の閾値より小さいかどうかを追加的に判定することにより、前記第１の物体位置と前記第２の物体位置の両方が前記単一の入力物体に対応するかどうかを判定するように構成される、請求項１に記載の入力装置。
【請求項３】
前記処理システムは、前記第１の物体位置と前記第２の物体位置の両方が前記単一の入力物体に対応すると判定されるのに応答して動き制御信号を通知し、前記第１の物体位置と前記第２の物体位置の両方が前記単一の入力物体に対応するのではないと判定されるのに応答して前記動き制御信号を通知しないようにさらに構成される、請求項１または２に記載の入力装置。
【請求項４】
前記処理システムが、
前記第２の物体位置の取得及び前記第１の距離の特定の少なくとも一方に応答して制御信号をバッファリングし、
前記第１の物体位置と前記第２の物体位置の両方が前記単一の入力物体に対応すると判定されるのに応答して前記制御信号を通知し、
前記第１の物体位置と前記第２の物体位置の両方が前記単一の入力物体に対応するのではないと判定されるのに応答して前記制御信号を通知しない
ようにさらに構成される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の入力装置。
【請求項５】
前記感知領域内の入力物体で接触することが可能な入力面をさらに備え、前記入力面が、前記入力面に加えられた力に応答して動くようにさらに構成され、前記処理システムが、前記入力面の無視できない動きに応答して作動信号を通知するようにさらに構成される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の入力装置。
【請求項６】
感知領域内の物体を感知するように構成された入力装置のための処理システムであって、
前記感知領域内の入力物体の物体位置を取得するように構成された位置取得モジュールと、
前記位置取得モジュールによって取得された第１の物体位置と、前記位置取得モジュールによって取得された第２の物体位置との間の第１の距離を特定し、
前記第２の物体位置と、前記位置取得モジュールによって取得された第３の物体位置との間の第２の距離を特定し、
前記第１の距離が第１の閾値より大きく、且つ前記第２の距離が第２の閾値より小さい場合に、前記第１の物体位置と前記第２の物体位置の両方が単一の入力物体に対応すると判定する
ように構成された判定モジュールと、
を備える処理システム。
【請求項７】
前記判定モジュールが、第０の物体位置と前記第１の物体位置との間の第０の距離を特定するようにさらに構成され、前記処理システムが、前記第０の距離が第０の閾値より小さいかどうかを追加的に判定することにより、前記第１の物体位置と前記第２の物体位置の両方が前記単一の入力物体に対応するかどうかを判定するように構成される、請求項６に記載の処理システム。
【請求項８】
前記第１の物体位置と前記第２の物体位置の両方が前記単一の入力物体に対応すると判定されるのに応答して動き制御信号を通知し、前記第１の物体位置と前記第２の物体位置の両方が前記単一の入力物体に対応するのではないと判定されるのに応答して前記動き制御信号を通知しないように構成された通知モジュールをさらに備える、請求項６または７に記載の処理システム。
【請求項９】
前記第２の物体位置の取得及び前記第１の距離の特定の少なくとも一方に応答して制御信号をバッファリングし、
前記第１の物体位置と前記第２の物体位置の両方が前記単一の入力物体に対応すると判定されるのに応答して前記制御信号を通知し、
前記第１の物体位置と前記第２の物体位置の両方が前記単一の入力物体に対応するのではないと判定されるのに応答して前記制御信号を通知しない
ように構成された通知モジュールをさらに備える、請求項６〜８のいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項１０】
前記入力装置が、前記感知領域内の入力物体で接触することが可能な入力面をさらに備え、前記入力面が、前記入力面に加えられた力に応答して動くようにさらに構成され、前記処理システムが、前記入力面の無視できない動きに応答して作動信号を通知するようにさらに構成される、請求項６〜９のいずれか一項に記載の処理システム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年5月8日(2014.5.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
図５Ａから図５Ｄには、本発明による方法が示されている。ステップ５０５においては、データ処理システム１００が位相構造の定義を受信する。位相構造の定義は位相構造の一つ又は複数の構築エレメントの定義を含むことができる。ステップ５１０においては、データ処理システム１００が第１の構造エレメントの定義を受信する。ステップ５１５においては、データ処理システム１００が、第１の構造エレメントと、位相構造の一つの構築エレメント又は複数の構築エレメントの内の一つの構築エレメントとの間の第１の幾何学的な関係を受信する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
ステップ５１５の後に、データ処理システム１００はステップ５０５に戻り、複数の構築エレメントの内の第１の構築エレメントを再定義する。この再定義は複数の構築エレメントの第２の構築エレメント及び第１の構造エレメントを参照する。別のケースにおいては、ステップ５１５の後に、データ処理システム１００はステップ５１０に戻り、第２の構造エレメントの定義を受信し、それに続いてステップ５１５において、第２の構造エレメントと第１の構造エレメント（又は位相構造の一つのエレメント）の幾何学的な関係を受信する。更に別のケースにおいては、ステップ５１５の後に、データ処理システム１００はステップ５１０に戻り、第１の構造エレメントを再定義するか、又は、ステップ５１５に進み、第１の構造エレメントと位相構造の複数の構築エレメントの内の一つの構築エレメントの幾何学的な関係を再定義する（又は、第１の構造エレメントと他の構造エレメントの幾何学的な関係を定義する）。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
ステップ５０５においては、複数の構築エレメントの第２の構築エレメント及び第１の構造エレメント（又は他の構造エレメント）を参照して複数の構築エレメントの内の第１の構築エレメントを再定義するために、位相構造の定義を修正することができる。そのような状況では、ステップ５５５（図５Ｃ）において、データ処理システム１００は第２の構築エレメント又は第１の構造エレメント（又は他の構造エレメント）に対する変更を受信することができる。変更に応答して、データ処理システム１００は受信した変更に従い第１の構築エレメントを変更することができる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項６】
前記位相構造の定義は、前記位相構造の第２の構築エレメント及び前記第１の構造エレメントを参照する、前記位相構造の第１の構築エレメントの定義を含む、請求項１に記載の方法。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項７】
更に、
前記データ処理システムにおいて、前記第２の構築エレメント及び前記第１の構造エレメントの内の一方に対する第２の変更を受信するステップと、
前記第２の変更に応答して、前記データ処理システムにおいて、前記第２の変更に従い前記第１の構築エレメントを変更するステップとを備えている、請求項６に記載の方法。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１３】
前記位相構造の定義は、前記位相構造の第２の構築エレメント及び前記第１の構造エレメントを参照する、前記位相構造の第１の構築エレメントの定義を含む、請求項８に記載のデータ処理システム。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１４】
前記データ処理システムは更に、
前記第２の構築エレメント及び前記第１の構造エレメントの内の一方に対する第２の変更を受信するステップと、
前記第２の変更に応答して、前記第２の変更に従い前記第１の構築エレメントを変更するステップとを実行するよう構成されている、請求項１３に記載のデータ処理システム。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２０】
前記位相構造の定義は、前記位相構造の第２の構築エレメント及び前記第１の構造エレメントを参照する、前記位相構造の第１の構築エレメントの定義を含む、請求項１５に記載のコンピュータ読み出し可能記憶媒体。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２１】
実行されると、前記データ処理システムが、
前記第２の構築エレメント及び前記第１の構造エレメントの内の一方に対する第２の変更を受信するステップと、
前記第２の変更に応答して、前記第２の変更に従い前記第１の構築エレメントを変更するステップとを実行するコンピュータ実行可能な命令が更にコーディングされている、請求項２０に記載のコンピュータ読み出し可能記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月21日(2014.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品（１）であって、
放射通過面（１０）と、
オプトエレクトロニクス半導体チップ（２）と、
空洞（３１）が形成されているチップキャリア（３）であって、前記空洞（３１）の中に前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（２）が配置されている、前記チップキャリア（３）と、
前記チップキャリア（３）の少なくとも一部分を囲んでいる成形体（５）と、
を備えており、
前記放射通過面（１０）に直角な垂直方向において、前記チップキャリア（３）が前記成形体（５）を完全に貫いており、
前記成形体（５）が、垂直方向には、前記チップキャリア（３）の上部（３５）によって決まる第１の主面（５５）と、前記チップキャリア（３）の下部（３６）によって決まる第２の主面（５６）との間に、その全体が形成されており、前記成形体（５）が、コンタクト構造（４）の領域に凹部（５１）を備えており、
前記成形体（５）の中に前記コンタクト構造（４）が配置されており、前記コンタクト構造（４）が垂直方向に前記成形体を完全に貫いており、前記コンタクト構造（４）が、接続線（８）を介して前記半導体チップ（２）に導電接続されており、前記接続線（８）の一部分が、前記第１の主面（５５）と前記放射通過面（１０）との間に延びている、
表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品。
【請求項２】
前記チップキャリア（３）が第１のコンタクト（６１）を形成しており、前記コンタクト構造（４）がさらなるコンタクト（６２）を形成しており、前記第１のコンタクト（６１）および前記さらなるコンタクト（６２）が、前記放射通過面（１０）とは反対側の前記部品（１）の面に配置されている、
請求項１に記載の表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品。
【請求項３】
前記空洞（３１）の側面（３１１）が、前記オプトエレクトロニクス部品（１）の動作時に前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（２）によって生成される放射、もしくは前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（２）によって受信される放射、またはその両方に対して、反射性であるように構成されている、
請求項１または請求項２に記載の表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品。
【請求項４】
前記空洞（３１）の底面（３１０）が第１のコーティングを備えており、前記空洞（３１）の前記側面（３１１）が第２のコーティングを備えており、前記第１のコーティングが金を含んでおり、前記第２のコーティングが、銀、アルミニウム、ロジウム、またはクロムを含んでいる、
請求項３に記載の表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品。
【請求項５】
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（２）がカバー体（７）に埋め込まれており、前記カバー体（７）が前記成形体（５）を少なくとも部分的に覆っている、
請求項１から請求項４の何れか１項に記載の表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品。
【請求項６】
前記チップキャリア（３）がアンカー構造（３２，３２ａ，３２ｂ）を備えており、前記アンカー構造（３２，３２ａ，３２ｂ）の上に前記カバー体（７）もしくは前記成形体（５）またはその両方が成形されている、
請求項５に記載の表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品。
【請求項７】
前記カバー体（７）と前記成形体（５）が、少なくとも、前記放射通過面（１０）に沿って延びる方向において、端部が揃っている、
請求項５または請求項６に記載の表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品。
【請求項８】
表面実装可能な部品（１）の製造方法であって、
ａ）チップキャリア（３）を形成するステップであって、前記チップキャリア（３）の上部（３５）に空洞（３１）が形成されているステップと、
ｂ）前記空洞（３１）の中にオプトエレクトロニクス半導体チップ（２）を配置するステップと、
ｃ）前記チップキャリア（３）を補助キャリア（１５）の上に配置するステップと、
ｄ）前記チップキャリア（３）を有する前記補助キャリア（１５）を成形型（５９）の中に配置するステップであって、前記空洞（３１）が、前記成形型（５９）と前記チップキャリア（３）の前記上部（３５）とによって密閉されるステップと、
ｅ）前記成形型（５９）に成形用組成物（５０）を満たすステップであって、前記成形用組成物（５０）が、前記空洞（３１）の外側において、前記チップキャリア（３）の少なくとも一部分に成形されるステップと、
ｆ）前記成形型（５９）を除去するステップと、
ｇ）前記補助キャリア（１５）を除去するステップと、
を含んでいる、方法。
【請求項９】
前記補助キャリア（１５）の上にコンタクト構造（４）が設けられ、
ステップｅ）において、前記チップキャリア（３）と前記コンタクト構造（４）が成形体（５）によって機械的に互いに結合される、
請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記チップキャリア（３）が外側側面（３９）を備えており、前記外側側面（３９）が前記チップキャリア（３）の前記上部（３５）から前記下部（３６）まで延在しており、前記外側側面（３９）が前記成形用組成物（５０）によって完全に囲まれる、
請求項８または請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記成形体（５）が、射出成形またはトランスファ成形によって形成される、
請求項８から請求項１０の何れか１項に記載の方法。
【請求項１２】
ステップｅ）の後、前記半導体チップ（２）にカバー体（７）が設けられ、前記カバー体（７）が前記成形体（５）を完全に覆う、
請求項８から請求項１１の何れか１項に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１から請求項７の何れか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品が製造される、
請求項８から請求項１２の何れか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月17日(2014.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドナー無線基地局（１２）と無線基地局（１４）との間の無線ネットワーク接続のタイプに関する情報を獲得する中継ノード（１０）における方法であって、前記中継ノード（１０）と前記ドナー無線基地局（１２）は無線通信ネットワークに含まれ、前記ドナー無線基地局（１２）は前記中継ノード（１０）にサービスを提供するものであり、前記方法は、
前記ドナー無線基地局（１２）を介して第１のタイプの無線ネットワーク・アプリケーション・プロトコルのハンドオーバー要求メッセージを前記無線基地局（１４）へ伝送することによって、前記無線基地局（１４）への無線アクセスネットワーク通信を開始するステップ（１５０１）であって、前記ハンドオーバー要求メッセージは、前記無線基地局（１４）の被検出セルへのハンドオーバーを要求し、且つ第１のタイプ又は第２のタイプの無線ネットワーク・アプリケーション・プロトコルを示し、第１及び第２の無線ネットワーク・アプリケーション・プロトコルはそれぞれＸ２ＡＰ及びＳ１ＡＰである、開始するステップ（１５０１）と、
前記ドナー無線基地局（１２）から、前記第１のタイプ又は前記第２のタイプの無線ネットワーク・アプリケーション・プロトコルを示すハンドオーバー応答メッセージを受信するステップ（１５０２）であって、示された前記無線ネットワーク・アプリケーション・プロトコルのタイプは、前記ドナー無線基地局（１２）と前記無線基地局（１４）との間の無線ネットワーク接続のタイプを示すものである、受信するステップ（１５０２）と、
前記ハンドオーバー応答メッセージ中で示された前記無線ネットワーク・アプリケーション・プロトコルのタイプに基づいて前記ドナー無線基地局（１２）と前記無線基地局（１４）の間でＸ２ＡＰ接続が確立されたか否かを決定するステップ（１５０３）と
を含む方法。
【請求項２】
前記無線基地局（１４）と後で通信するときに前記無線ネットワーク接続のタイプを選択するため、前記無線基地局（１４）に関連して前記無線ネットワーク接続のタイプを記憶するステップ（１５０４）をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ハンドオーバー応答メッセージは、前記ドナー無線基地局（１２）と前記無線基地局（１４、１９）との間の前記無線ネットワーク接続のタイプを明示的に提示する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記決定するステップは、前記ドナー無線基地局から受信した前記ハンドオーバー応答メッセージが前記Ｘ２ＡＰプロトコルを用いて送信された場合、Ｘ２ＡＰ接続が前記ドナー無線基地局（１２）と前記無線基地局（１４）との間で確立されたと決定することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記決定するステップは、前記ドナー無線基地局から受信した前記ハンドオーバー応答メッセージが前記Ｘ２ＡＰプロトコルを用いて送信され、且つ、前記ハンドオーバー応答メッセージが、前記Ｘ２ＡＰプロトコルが前記ドナー無線基地局（１２）と前記無線基地局（１４）との間で確立されていないことを示すハンドオーバー失敗原因を含む場合、Ｘ２ＡＰ接続が前記ドナー無線基地局（１２）と前記無線基地局（１４）の間で確立されていないと決定することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ドナー無線基地局（１２）と無線基地局（１４）との間の無線ネットワーク接続のタイプに関する情報を獲得する中継ノード（１０）であって、前記中継ノード（１０）と前記ドナー無線基地局（１２）は無線通信ネットワークに含まれ、前記ドナー無線基地局（１２）は前記中継ノード（１０）にサービスを提供するものであり、前記中継ノード（１０）は、
前記ドナー無線基地局（１２）を介して第１のタイプの無線ネットワーク・アプリケーション・プロトコルのハンドオーバー要求メッセージを前記無線基地局（１４）へ伝送することによって、前記無線基地局（１４）への無線アクセスネットワーク通信を開始するように構成された開始回路であって、前記ハンドオーバー要求メッセージは、前記無線基地局（１４）の被検出セルへのハンドオーバーを要求し、且つ第１のタイプ又は第２のタイプの無線ネットワーク・アプリケーション・プロトコルを示すように構成されており、第１及び第２の無線ネットワーク・アプリケーション・プロトコルはそれぞれＸ２ＡＰ及びＳ１ＡＰである、開始回路と、
前記ドナー無線基地局（１２）から、前記第１のタイプ又は前記第２のタイプの無線ネットワーク・アプリケーション・プロトコルを示すハンドオーバー応答メッセージを受信するように構成された受信機（１６２０）であって、示された前記無線ネットワーク・アプリケーション・プロトコルのタイプが前記ドナー無線基地局（１２）と前記無線基地局（１４）との間の無線ネットワーク接続のタイプを示すように構成されている受信機（１６２０）と、
前記ハンドオーバー応答メッセージ中で示された前記無線ネットワーク・アプリケーション・プロトコルのタイプに基づいて前記ドナー無線基地局（１２）と前記無線基地局（１４）の間でＸ２ＡＰ接続が確立されたか否かを決定するように構成されている決定回路（１６３０）と、
を備える中継ノード（１０）。
【請求項７】
前記無線基地局（１４）と後で通信するとき前記無線ネットワーク接続のタイプを選択するときに使用するために、前記無線基地局（１４）に関連して前記無線ネットワーク接続のタイプを記憶するように構成されているメモリ回路（１６４０）をさらに備える、請求項６に記載の中継ノード。
【請求項８】
前記ハンドオーバー応答メッセージは、前記ドナー無線基地局（１２）と前記無線基地局（１４、１９）との間の前記無線ネットワーク接続のタイプを明示的に提示する、請求項６に記載の中継ノード。
【請求項９】
前記決定回路（１６３０）は、前記ドナー無線基地局から受信した前記ハンドオーバー応答メッセージが前記Ｘ２ＡＰプロトコルを用いて送信された場合、Ｘ２ＡＰ接続が前記ドナー無線基地局（１２）と前記無線基地局（１４）との間で確立されたと決定するように構成されている、請求項６に記載の中継ノード。
【請求項１０】
前記決定回路（１６３０）は、前記ドナー無線基地局から受信した前記ハンドオーバー応答メッセージが前記Ｘ２ＡＰプロトコルを用いて送信され、且つ、前記ハンドオーバー応答メッセージが、前記Ｘ２ＡＰプロトコルが前記ドナー無線基地局（１２）と前記無線基地局（１４）との間で確立されていないことを示すハンドオーバー失敗原因を含む場合、Ｘ２ＡＰ接続が前記ドナー無線基地局（１２）と前記無線基地局（１４）の間で確立されていないと決定するように構成されている、請求項６に記載の中継ノード。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月16日(2014.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電半導体チップ（２）と当該半導体チップの光線通過面（２０）上に配置された光学素子（３）とを備える半導体構成素子（１）であって、
前記光学素子は、少なくとも１．５２の屈折率を有する高屈折率のポリマー材料をベースにする半導体構成素子。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体構成素子であって、
前記光学素子は、シリコーン、エポキシドまたはハイブリッド材料を含む半導体構成素子。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体構成素子であって、
前記高屈折率のポリマー材料には、屈折率を高めるためにナノ粒子が埋め込まれている半導体構成素子。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか１項に記載の半導体構成素子であって、
前記光学素子は、前記半導体チップとは反対の側では当該半導体構成素子を上から見る方向で凸状に湾曲している半導体構成素子。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか１項に記載の半導体構成素子であって、
前記光学素子は、横方向には最大でも前記半導体チップの側面（２０１）までしか延在しない半導体構成素子。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか１項に記載の半導体構成素子であって、
前記光学素子に発光変換物質（３２）が埋め込まれている半導体構成素子。
【請求項７】
請求項１から５までのいずれか１項に記載の半導体構成素子であって、
前記光学素子には発光変換物質（３２）が埋め込まれており、前記光学素子の前記半導体チップとは反対の側には別の光学素子（３５）が配置されており、該別の光学素子は高屈折率のポリマー材料をベースにし、凸状に湾曲している半導体構成素子。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体構成素子であって、
前記半導体チップと前記光学素子との間には高屈折率の接続層（３１）が配置されている半導体構成素子。
【請求項９】
ａ）光電半導体チップ（２）を準備するステップと、
ｂ）光学素子（３）用の成形材料（３０）を取り付けるステップと、ただし前記成形材料は高屈折率のポリマー材料をベースにし、
ｃ）前記成形材料を前記半導体チップ（２）に取り付けた後、該成形材料を高くても５０℃の温度で予硬化するステップと、
ｄ）前記成形材料を硬化するステップと、
を有する半導体構成素子（１）の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
前記予硬化を電磁光線によって誘発し、該予硬化を、前記成形材料（３０）が前記半導体チップ（２）の側面を超えて延在しないように行う方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、
前記成形材料は前記ステップｃ）で、０．２Ｊ／ｃｍ２から２．０Ｊ／ｃｍ２のエネルギー量を備える光線に晒される方法。
【請求項１２】
請求項９から１１までのいずれか１項に記載の方法であって、
前記成形材料は前記ステップｃ）で、当該成形材料の少なくとも２つの成分の混合によって活性化される方法。
【請求項１３】
請求項９から１２までのいずれか１項に記載の方法であって、
前記ステップｄ）は、前記ステップｃ）での温度よりも高い温度で実施される方法。
【請求項１４】
請求項９から１３までのいずれか１項に記載の方法であって、
前記ステップｄ）では熱的硬化が実施される方法。
【請求項１５】
請求項９から１４までのいずれか１項に記載の方法であって、
請求項１から８までのいずれか１項に記載の半導体構成素子が製造される方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月22日(2014.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層体であって、
基板と、
前記基板に隣接して位置する接合層と、
前記接合層に隣接して位置し、金属吸収層を含む光熱変換層と、
前記光熱変換層に隣接して位置する光透過性支持体と、
を含む積層体。
【請求項２】
基板と光透過性支持体との間に位置決め可能な光熱変換層であって、
金属吸収層と、
スペーサ層と、
を含み、少なくとも１８０℃の温度に分解することなく耐えることができる、光熱変換層。
【請求項３】
積層体を形成する方法であって、
ｉ．金属吸収層を含む光熱変換層を光透過性支持体にコーティングする工程と、
ｉｉ．基板を設ける工程と、
ｉｉｉ．接合層を使用して前記基板を前記光熱変換層に接着させて積層体を形成する工程と、
を含む方法。
【請求項４】
積層体であって、
基板と、
前記基板に隣接して位置する接合層と、
前記接合層に隣接して位置する光熱変換層であって、前記接合層を硬化するのに必要な光の波長の少なくとも約３％を透過させ、前記光熱変換層を分解するのに必要な電磁放射の波長の少なくとも約１０％を吸収する、光熱変換層と、
前記光熱変換層に隣接して位置する光透過性支持体と、
を含む積層体。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月9日(2014.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨面及び該研磨面と反対側の裏面を有する金属基材を備え、前記研磨面に前記金属基材に付着した研磨粒子を含む研磨部材と、
受容面及び該受容面に隣接する周囲縁部を有し、前記受容面が前記研磨部材の裏面に取り付けられ、隣接する支持キャリアと、
前記周囲縁部に取り付けられた陽極と、
電解質溶液と接触した場合に、前記陽極から前記金属基材まで陰極防食電流を供給するよう構成される陰極防食回路と、を含む、化学機械平坦化用の陰極防食したパッドコンディショナー。
【請求項２】
半導体ウェハの化学機械平坦化中に請求項１に記載の陰極防食したパッドコンディショナーを使用する工程を含む、パッドのコンディショニング方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月13日(2014.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基地局と通信する無線通信機器であって、
複数のレイヤーで送信されるアップリンク制御情報について、レイヤーあたりのシンボル数を決定する決定手段と、
物理アップリンク共有チャネル上の複数の上記レイヤーで、上記アップリンク制御情報を送信する送信手段と、を備え
上記アップリンク制御情報が多重化された１または複数のトランスポートブロックは、複数の上記レイヤーで送信されることを特徴とする無線通信機器。
【請求項２】
１つのβoffset値は、上記複数のレイヤーで複数のトランスポートブロックを送信するための上記アップリンク制御情報について、レイヤーあたりのシンボル数を決定するために用いられることを特徴とする請求項１に記載の無線通信機器。
【請求項３】
上記アップリンク制御情報は、肯定応答／否定応答（ＡＣＫ／ＮＡＣＫ）およびランク  指標（ＲＩ）の一方または両方を含んでいる、ことを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の無線通信機器。
【請求項４】
無線通信機器と通信する基地局であって、
複数のレイヤーで送信されるアップリンク制御情報について、レイヤーあたりのシンボル数を決定する決定手段と、
物理アップリンク共有チャネル上の複数の上記レイヤーで、上記アップリンク制御情報を受信する受信手段と、を備え
上記アップリンク制御情報が多重化された１または複数のトランスポートブロックは、複数の上記レイヤーで送信されることを特徴とする無線通信機器。
【請求項５】
１つのβoffset値は、上記複数のレイヤーで複数のトランスポートブロックを送信するための上記アップリンク制御情報について、レイヤーあたりのシンボル数を決定するために用いられることを特徴とする請求項４に記載の基地局。
【請求項６】
上記アップリンク制御情報は、肯定応答／否定応答（ＡＣＫ／ＮＡＣＫ）およびランク  指標（ＲＩ）の一方または両方を含んでいる、ことを特徴とする、請求項４または請求項５に記載の無線通信機器。
【請求項７】
基地局の通信方法であって、
複数のレイヤーで送信されるアップリンク制御情報について、レイヤーあたりのシンボル数を決定し、
物理アップリンク共有チャネル上の複数の上記レイヤーで、上記アップリンク制御情報を受信し、
上記アップリンク制御情報が多重化された１または複数のトランスポートブロックは、複数の上記レイヤーで送信されることを特徴とする通信方法。
【請求項８】
無線通信機器の通信方法であって、
複数のレイヤーで送信されるアップリンク制御情報について、レイヤーあたりのシンボル数を決定し、
物理アップリンク共有チャネル上の複数の上記レイヤーで、上記アップリンク制御情報を送信し、
上記アップリンク制御情報が多重化された１または複数のトランスポートブロックは、複数の上記レイヤーで送信されることを特徴とする無線通信機器。
【請求項９】
無線通信機器と基地局を含む通信システムであって、
上記無線通信機器は、
複数のレイヤーで送信されるアップリンク制御情報について、レイヤーあたりのシンボル数を決定する決定手段と、
物理アップリンク共有チャネル上の複数の上記レイヤーで、上記アップリンク制御情報を送信する送信手段と、を備え
上記基地局は、
複数のレイヤーで送信されるアップリンク制御情報について、レイヤーあたりのシンボル数を決定する決定手段と、
物理アップリンク共有チャネル上の複数の上記レイヤーで、上記アップリンク制御情報を受信する受信手段と、を備え
上記アップリンク制御情報が多重化された１または複数のトランスポートブロックは、複数の上記レイヤーで送信されることを特徴とする通信システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月13日(2014.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料電池電極層であって、
触媒と、
前記電極層内に、第一の電子伝導体を含んでおり複数の接続された電子伝導体に富むネットワークと、
第１のイオン伝導体と、
第２のイオン伝導体と
を含んでおり、
前記第１及び第２のイオン伝導体はそれぞれポリマーであり、
前記第１のイオン伝導体は前記第２のイオン伝導体とは異なり、前記第１のイオン伝導体及び前記第２のイオン伝導体は、前記電極層内で、互いに、前記電子伝導体及び前記触媒と共に散在しており、
前記第１のイオン伝導体は、大半が約１マイクロメートルを超える径を有する粒子を含んでおり、前記第２のイオン伝導体は、大半が約５０ｎｍ未満の径を有する粒子を含む、
燃料電池電極層。
【請求項２】
燃料電池電極層であって、
触媒と、
前記電極層内に、第一の電子伝導体を含んでおり複数の接続された電子伝導体に富むネットワークと、
第１のイオン伝導体と、
第２のイオン伝導体と
を含んでおり、
前記第１及び第２のイオン伝導体はそれぞれポリマーであり、
前記第１のイオン伝導体は前記第２のイオン伝導体とは異なり、前記第１のイオン伝導体及び前記第２のイオン伝導体は、前記電極層内で、互いに、前記電子伝導体及び前記触媒と共に散在しており、
前記第１のイオン伝導体は粒子を含んでおり、前記第１のイオン伝導体の前記粒子の大半は実質的に平滑かつ中空である、
燃料電池電極層。
【請求項３】
電極層を含む燃料電池サブアセンブリであって、
前記電極層が、
触媒と、
電子伝導体と、
前記電子伝導体及び前記触媒と入り混じった第１のイオン伝導体と、
第２のイオン伝導体から本質的に構成される粒子と
を含んでおり、前記第２のイオン伝導体から本質的に構成される前記粒子の大半は、５０ｎｍを超える径を有する回転楕円体粒子である、
燃料電池サブアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月12日(2014.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの発光ダイオードを持つ発光ダイオード素子を有する光生成ユニットと、光変換ユニットとを有する照明装置において、
前記光生成ユニットは、前記発光ダイオード素子と熱的に接続された熱伝導材料を有するベース部を有し、
前記光変換ユニットが、前記光生成ユニットと分離されるとともに、キャビティを封入する一体型筐体と、前記キャビティ内に配置された有機蛍光体素子とを有し、
前記キャビティは、酸素による経時劣化から前記有機蛍光体素子を保護するために、制御された雰囲気を供給され、
前記光生成ユニットの前記発光ダイオード素子によって生成された光が、前記光変換ユニットを通って前記有機蛍光体素子により変換され、出力される、
ことを特徴とする、照明装置。
【請求項２】
前記光生成ユニット及び前記光変換ユニットが協働して、前記発光ダイオード素子が配置される追加的なキャビティを定める、請求項１記載の照明装置。
【請求項３】
前記光生成ユニットが、前記発光ダイオード素子によって生成された光の衝突光を前記光変換ユニットの方へ反射するための内面に光反射板を持つ壁部を含む光変換支持体を有する、請求項１又は２に記載の照明装置。
【請求項４】
前記照明装置が、前記発光ダイオード素子と前記光変換ユニットとの間に配置された光ガイドを有する、請求項１又は２に記載の照明装置。
【請求項５】
前記有機蛍光体素子が、前記一体型筐体の内面上に堆積された層である、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項６】
前記有機蛍光体素子が、分離した素子である、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項７】
前記一体型筐体がガラスでできている、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項８】
前記発光ダイオード素子が、青色光を生成する、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項９】
前記光生成ユニットが、
前記光変換ユニットと前記光変換ユニットを超えて延在する前記ベース部の一部分とに取り付けられ、且つ、駆動電子回路が前記ベース部に配置される空間を形成するシェルを有する、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月9日(2014.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
OLEDデバイスを製造する方法であって、
複数の導電性ストリップを基板上に与えるステップと、
当該基板上の前記導電性ストリップによって仕切られた領域内に有機層を配置するステップと、
前記OLEDデバイスを封止するために、封止剤を前記導電性ストリップ上へ与えるステップと、
各導電性ストリップ上へ少なくとも部分的に導電性の保護層を、前記封止剤の外にある導電性ストリップの表面が当該導電性の保護層によって保護されるように配置するステップと、
を含み、前記導電性の保護層を与えるステップが、転写層の一部又は一連の転写層をキャリアから転写するステップを含む、方法。
【請求項２】
前記キャリアがプラスチックの箔を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記導電性ストリップ上へ前記導電性の保護層を配置するステップが、前記転写層の一部を前記キャリアから前記導電性ストリップ上に転写するためにレーザ転写を実行するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記レーザ転写を実行するステップが、前記転写層が少なくとも部分的に前記導電性ストリップ上に転写されるよう、当該転写層の特定の場所にエネルギを堆積させるステップを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記転写層が前記有機層と直接接触するよう、前記キャリアが前記有機層に対して配置される、請求項１乃至４の何れか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記導電性の保護層を前記導電性ストリップ上へ与えるステップが、前記OLEDデバイスを封止するステップに先行する、請求項１乃至４の何れか一項に記載の方法。
【請求項７】
OLEDデバイスであって、
基板上へ与えられた複数の導電性ストリップと、
前記基板上の前記導電性ストリップに仕切られた領域の中に配置された有機層と、
前記導電性ストリップとの間に電気的な接触が構築されるように、当該導電性ストリップに当接するよう配置された導電性の保護層と、
前記OLEDデバイスを封止するための封止剤であって、前記導電性ストリップの表面が前記導電性の保護層により保護されるよう、前記導電性の保護層と前記導電性ストリップとの境界に与えられた封止剤と、
を有する、OLEDデバイス。
【請求項８】
前記導電性の保護層が少なくとも一つの耐腐食性金属を有する、請求項７に記載のOLEDデバイス。
【請求項９】
前記導電性の保護層が厚くても1.0μm、より好ましくは0.3μm、最も好ましくは100 nmの厚さを有する、請求項７に記載のOLEDデバイス。