(57)【要約】【課題】ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子の発光特性を低下させることなく静電耐圧を向上させる。【解決手段】膜厚３ｎｍのノンドープＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎから成る井戸層１０６１と膜厚２０ｎｍのノンドープＧａＮから成る障壁層１０６２とを３ペア積層した多重量子井戸構造の発光層１０６の負電極側に、膜厚３ｎｍのノンドープＩｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎから成る層１０５１と膜厚２０ｎｍのノンドープＧａＮから成る層１０５２とを５ペア積層した多重層（静電耐圧向上層）１０５を形成した。多重層（静電耐圧向上層）１０５により、印加電圧が発光層のｎ電極側の一部に集中することなく、発光層のｎ電極側の広い範囲に広がる作用を奏する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多重量子井戸構造の発光層を有するＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子において、
発光層のｎ電極側に、ノンドープのＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）から成る層とノンドープのＧａＮから成る層との多重層を有し、
前記多重量子井戸構造の発光層の井戸層は少なくともインジウム（Ｉｎ）を含むＩＩＩ族窒化物系化合物半導体ＡｌｙＧａ１−ｙ−ｚＩｎｚＮ（０≦ｙ＜１，  ０＜ｚ≦１）から成り、
前記多重層を形成するＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）から成る層のインジウム（Ｉｎ）の組成ｘは、前記多重量子井戸構造の発光層の井戸層のインジウム（Ｉｎ）の組成ｚよりも小さいことを特徴とするＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項２】
前記ノンドープのＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）から成る層のインジウム（Ｉｎ）の組成ｘは、０．０２以上０．０７以下であることを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項３】
前記ノンドープのＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）から成る層の厚さは０．５ｎｍ以上６ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項４】
前記ノンドープのＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）から成る層の厚さの前記発光層の井戸層の厚さに対する比は、０．１以上２以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項５】
前記ノンドープのＧａＮから成る層の厚さの前記発光層の障壁層の厚さに対する比は、０．５以上４以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項６】
前記多重層の前記ノンドープのＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）から成る層の数は１以上７以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子に関する。本発明は静電耐圧の高いＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子構造を提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】
緑、青乃至紫外領域の発光素子としてＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子は汎用されつつあるが、発光強度以外のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子の諸特性は尚改善の余地がある。特に静電耐圧については、ガリウム・ヒ素系の発光素子やインジウム・リン系の発光素子に比較して格段に低く、大幅な静電耐圧の向上が期待されている。ここにおいて、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子の静電耐圧の向上のため、下記のような提案がされている。
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−１９１６３９号公報
【特許文献２】特開２０００−６８５９４号公報
【特許文献３】特開２０００−２４４０７２号公報
【特許文献４】特開２００１−２０３３８５号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
これらの技術を以てしても尚ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子の静電耐圧は十分でなく、また、発光強度や駆動電圧に対し、静電耐圧はトレードオフの関係にある。
【０００５】
そこで本発明は上記従来技術に対し、発光強度や駆動電圧を悪化させることなく静電耐圧を向上させることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、請求項１に記載の手段によれば、多重量子井戸構造の発光層を有するＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子において、発光層のｎ電極側に、ノンドープのＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）から成る層とノンドープのＧａＮから成る層との多重層を有し、前記多重量子井戸構造の発光層の井戸層は少なくともインジウム（Ｉｎ）を含むＩＩＩ族窒化物系化合物半導体ＡｌｙＧａ１−ｙ−ｚＩｎｚＮ（０≦ｙ＜１，  ０＜ｚ≦１）から成り、前記多重層を形成するＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）から成る層のインジウム（Ｉｎ）の組成ｘは、前記多重量子井戸構造の発光層の井戸層のインジウム（Ｉｎ）の組成ｚよりも小さいことを特徴とする。
【０００７】
また、請求項２に記載の手段によれば、前記ノンドープのＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）から成る層のインジウム（Ｉｎ）の組成ｘは、０．０２以上０．０７以下であることを特徴とする。また、請求項３に記載の手段によれば、前記ノンドープのＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）から成る層の厚さは０．５ｎｍ以上６ｎｍ以下であることを特徴とする。また、請求項４に記載の手段によれば、前記ノンドープのＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）から成る層の厚さの前記発光層の井戸層の厚さに対する比は、０．１以上２以下であることを特徴とする。また、請求項５に記載の手段によれば、前記ノンドープのＧａＮから成る層の厚さの前記発光層の障壁層の厚さに対する比は、０．５以上４以下であることを特徴とする。また、請求項６に記載の手段によれば、前記多重層の前記ノンドープのＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）から成る層の数は１以上７以下であることを特徴とする。
【０００８】
【作用及び発明の効果】
以下の実施例に示す通り、本願発明の発光層を形成するインジウム（Ｉｎ）を含むＩＩＩ族窒化物系化合物半導体ＡｌｙＧａ１−ｙ−ｚＩｎｚＮ（０≦ｙ＜１，  ０＜ｚ≦１）から成る井戸層よりもインジウム（Ｉｎ）の組成の小さいノンドープのＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）から成る層と、ノンドープのＧａＮから成る層との多重層を発光層のｎ電極側に設けることで、静電耐圧が向上し、発光強度や駆動電圧の悪化しないＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子を得ることができた。このような効果を生ずる作用については、印加電圧が発光層のｎ電極側の一部に集中することなく、発光層のｎ電極側の広い範囲に広がる作用を本願発明の多重層が奏するものと考えられる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明の好ましい実施の形態について説明する。まず、本願で用いる「ノンドープ」の語は、意図的に当該層を形成する際にドーパント不純物を導入しないの意に留まり、何らかの技術的理由で「ドーパント」が混入するものを排除するものではない。当該技術的理由としては近接する層からのマイグレーションや、異なる層を形成する境界時における導入原料の切り替えが完全でないことによるコンタミネーション、或いは製造装置の洗浄不良等により「常に」微量に生成するコンタミネーションがあげられる。これら意図的でなく「ドーパント」が混入した層は、実質的には本願で言う「ノンドープ層」に包含されるものとする。
【００１０】
発光層を構成する多重量子井戸構造は、少なくともインジウム（Ｉｎ）を含むＩＩＩ族窒化物系化合物半導体ＡｌｙＧａ１−ｙ−ｚＩｎｚＮ（０≦ｙ＜１，  ０＜ｚ≦１）から成る井戸層を含むものである。発光層の構成は、例えばドープされた、又はアンドープのＧａ１−ｚＩｎｚＮ（０＜ｚ≦１）から成る井戸層と、当該井戸層よりもバンドギャップの大きい任意の組成のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体ＡｌＧａＩｎＮから成る障壁層が挙げられる。好ましい例としてはアンドープのＧａ１−ｚＩｎｚＮ（０＜ｚ≦１）の井戸層とアンドープのＧａＮから成る障壁層である。
【００１１】
本発明の主たる特徴である発光層のｎ電極側に設けられる多重層は、発光層を形成する少なくともインジウム（Ｉｎ）を含むＩＩＩ族窒化物系化合物半導体ＡｌｙＧａ１−ｙ−ｚＩｎｚＮ（０≦ｙ＜１，  ０＜ｚ≦１）から成る井戸層のインジウム（Ｉｎ）の組成ｚよりも小さいインジウム（Ｉｎ）の組成ｘのノンドープのＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）から成る層とノンドープのＧａＮから成る層により形成される。このとき、当該多重層を形成するノンドープのＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）から成る層のインジウム（Ｉｎ）の組成ｘは、０．０２以上０．０７以下、より好ましくは０．０３以上０．０５以下が好ましい。
【００１２】
発光層のｎ電極側に設けられる多重層のノンドープのＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）から成る層の膜厚は、０．５ｎｍ以上６ｎｍ以下であることが好ましく、０．５ｎｍ以上４ｎｍ以下であることがより好ましい。以下に発光特性を記すが、ノンドープのＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）から成る層の膜厚が６ｎｍを越えると駆動電圧Ｖｆが大幅に上昇することが判明している。０．５ｎｍ未満となると、その膜厚の調整が困難となるので、避けるべきである。一方、当該多重層のノンドープのＧａＮから成る層は、少なくとも１０〜４０ｎｍの範囲では素子特性に大きな変化を生じないことが判明している。多重層のノンドープのＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）から成る層の厚さの発光層の井戸層の厚さに対する比は、０．１以上２以下とすることが望ましい。より望ましくは発光層の井戸層の厚さ以下に多重層のノンドープのＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）から成る層の厚さを調節する。一方、多重層のノンドープのＧａＮから成る層の厚さの発光層の障壁層の厚さに対する比は、０．５以上４以下であることが望ましい。より望ましくは発光層の障壁層の厚さ以上に多重層のノンドープのＧａＮから成る層の厚さを調節することが望ましい。
【００１３】
発光層のｎ電極側に設けられる多重層のノンドープのＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）から成る層の数は１以上７以下とすることが望ましく、より好ましくは１以上５以下とすると良い。
【００１４】
本発明に係るＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子は、上記の発明の主たる構成に係る限定の他は、任意の構成を取ることができる。また、発光素子は発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザダイオード（ＬＤ）、フォトカプラその他の任意の発光素子として良い。特に本発明に係るＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法としては任意の製造方法を用いることができる。
【００１５】
具体的には、結晶成長させる基板としては、サファイヤ、スピネル、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＺｎＯ、ＭｇＯ或いは、ＩＩＩ族窒化物系化合物単結晶等を用いることができる。ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層を結晶成長させる方法としては、分子線気相成長法（ＭＢＥ）、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）、ハライド気相成長法（ＨＤＶＰＥ）、液相成長法等が有効である。
【００１６】
電極形成層等のＩＩＩ族窒化物半導体層は、少なくともＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１，  ０≦ｙ≦１，  ０≦ｘ＋ｙ≦１）にて表される２元系、３元系若しくは４元系の半導体から成るＩＩＩ族窒化物系化合物半導体で形成することができる。また、これらのＩＩＩ族元素の一部は、ボロン（Ｂ）、タリウム（Ｔｌ）で置き換えても良く、また、窒素（Ｎ）の一部をリン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）で置き換えても良い。
【００１７】
更に、これらの半導体を用いてｎ型のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層を形成する場合には、ｎ型不純物として、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を添加し、ｐ型不純物としては、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等を添加することができる。
【００１８】
以上の本発明の手段により、前記の課題を効果的、或いは合理的に解決することができる。
【００１９】
〔実施例〕
図１に、本発明の実施例に係る半導体発光素子１００の模式的な断面図を示す。半導体発光素子１００では、図１に示す様に、厚さ約３００μｍのサファイヤ基板１０１の上に、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）から成る膜厚約１５ｎｍのバッファ層１０２が成膜され、その上にノンドープのＧａＮから成る膜厚約５００ｎｍの層１０３が成膜され、その上にシリコン（Ｓｉ）を１×１０１８／ｃｍ３ドープしたＧａＮから成る膜厚約５μｍのｎ型コンタクト層１０４（高キャリヤ濃度ｎ＋層）が形成されている。
【００２０】
また、このｎ型コンタクト層１０４の上には、膜厚３ｎｍのノンドープＩｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎから成る層１０５１と膜厚２０ｎｍのノンドープＧａＮから成る層１０５２とを５ペア積層した多重層（静電耐圧向上層）１０５が形成されている。更にその上には、膜厚３ｎｍのノンドープＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎから成る井戸層１０６１と膜厚２０ｎｍのノンドープＧａＮから成る障壁層１０６２とを３ペア積層して多重量子井戸構造の発光層１０６が形成されている。
【００２１】
更に、この発光層１０６の上には、Ｍｇを２×１０１９／ｃｍ３ドープした膜厚２５ｎｍのｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎから成るｐ型層１０７が形成されており、また、ｐ型層１０７の上には、Ｍｇを８×１０１９ドープした膜厚１００ｎｍのｐ型ＧａＮから成るｐ型コンタクト層１０８を形成した。
【００２２】
又、ｐ型コンタクト層１０８の上には金属蒸着による透光性薄膜ｐ電極１１０が、ｎ型コンタクト層１０４上にはｎ電極１４０が形成されている。透光性薄膜ｐ電極１１０は、ｐ型コンタクト層１０８に直接接合する膜厚約１．５ｎｍのコバルト（Ｃｏ）より成る第１層１１１と、このコバルト膜に接合する膜厚約６ｎｍの金（Ａｕ）より成る第２層１１２とで構成されている。
【００２３】
厚膜ｐ電極１２０は、膜厚約１８ｎｍのバナジウム（Ｖ）より成る第１層１２１と、膜厚約１５μｍの金（Ａｕ）より成る第２層１２２と、膜厚約１０ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）より成る第３層１２３とを透光性薄膜ｐ電極１１０の上から順次積層させることにより構成されている。
【００２４】
多層構造のｎ電極１４０は、ｎ型コンタクト層１０４の一部露出された部分の上から、膜厚約１８ｎｍのバナジウム（Ｖ）より成る第１層１４１と膜厚約１００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）より成る第２層１４２とを積層させることにより構成されている。
【００２５】
また、最上部には、ＳｉＯ２膜より成る保護膜１３０が形成されている。
サファイヤ基板１０１の底面に当たる外側の最下部には、膜厚約５００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）より成る反射金属層１５０が、金属蒸着により成膜されている。尚、この反射金属層１５０は、Ｒｈ、Ｔｉ、Ｗ等の金属の他、ＴｉＮ、ＨｆＮ等の窒化物でも良い。
【００２６】
〔実施例に対する他の多重層構成との比較〕
上記実施例についての静電耐圧、駆動電圧Ｖｆ、全放射束（発光強度）を、多重層構成を一部変更した場合と比較して以下、図に説明する。尚、静電耐圧はマシーンモデル式により０Ω、２００Ｆ、３０ｎｓのパルス電圧により測定した。
【００２７】
図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ、上記実施例の素子についての静電耐圧、駆動電圧Ｖｆ、全放射束を、膜厚３ｎｍのノンドープＩｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎから成る層１０５１の膜厚に関し、１．５ｎｍから１０ｎｍの場合を示した図である。ノンドープＩｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎから成る層１０５１は、膜厚を１．５ｎｍから３ｎｍとした素子の場合に静電耐圧を高く、駆動電圧Ｖｆを低くできるが、膜厚を１０ｎｍとした素子の場合は静電耐圧が若干低く、駆動電圧Ｖｆが高くなってしまう結果が得られた。一方、全放射束（発光強度）については膜厚に対して大きく左右されなかった。
【００２８】
図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ、上記実施例の素子についての静電耐圧、駆動電圧Ｖｆ、全放射束を、膜厚３ｎｍのノンドープＩｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎ（Ｉｎ組成３％）から成る層１０５１のＩｎ組成に関し、０．０１（１％）から０．０８（８％）の場合を示した図である。ノンドープＩｎＧａＮから成る層１０５１は、Ｉｎ組成を０．０３（３％）から０．０５（５％）とした素子の場合に駆動電圧Ｖｆを低くできるが、Ｉｎ組成を０．０１（１％）又は０．０８（８％）とした素子の場合は駆動電圧Ｖｆが高くなってしまう結果が得られた。一方、全放射束（発光強度）については膜厚に対して大きく左右されなかった。静電耐圧については駆動電圧Ｖｆが好適な範囲で、若干向上した。
【００２９】
図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ、上記実施例の素子についての静電耐圧、駆動電圧Ｖｆ、全放射束を、膜厚２０ｎｍのノンドープＧａＮから成る層１０５２にシリコン（Ｓｉ）を１×１０１８／ｃｍ３ドープした素子の場合とともに示した図である。ＧａＮから成る層１０５２はノンドープとした素子の場合に駆動電圧を低くできるが、シリコンを（Ｓｉ）を１×１０１８／ｃｍ３ドープした素子の場合は駆動電圧Ｖｆが高くなってしまう結果が得られた。一方、静電耐圧と全放射束（発光強度）は、ドープ／ノンドープの違いに対して大きく左右されなかった。
【００３０】
図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ、上記実施例の素子についての静電耐圧、駆動電圧Ｖｆ、全放射束を、膜厚３ｎｍのノンドープＩｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎから成る層１０５１にシリコン（Ｓｉ）を１×１０１８／ｃｍ３ドープした素子の場合とともに示した図である。Ｉｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎから成る層１０５１はノンドープとした場合に静電耐圧を高く、駆動電圧を低くできるが、シリコン（Ｓｉ）を１×１０１８／ｃｍ３ドープした素子の場合は静電耐圧が低く、駆動電圧Ｖｆが高くなってしまう結果が得られた。一方、全放射束（発光強度）は、ドープ／ノンドープの違いに対して大きく左右されなかった。
【００３１】
図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ、上記実施例の素子についての静電耐圧、駆動電圧Ｖｆ、全放射束を、膜厚３ｎｍのノンドープＩｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎから成る層１０５１と膜厚２０ｎｍのノンドープＧａＮから成る層１０５２のペア数を３ペアから１０ペアとした素子の場合について示した図である。多重層１０５は、その構成が３ペア、５ペアのときに静電耐圧を高く、駆動電圧Ｖｆを低くできるが、その構成を１０ペアとした素子の場合は静電耐圧が低く、駆動電圧Ｖｆが高くなってしまう結果が得られた。一方、全放射束（発光強度）は、ペア数の違いに対して大きく左右されなかった。
【００３２】
図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ、上記実施例の素子についての静電耐圧、駆動電圧Ｖｆ、全放射束を、膜厚３ｎｍのノンドープＩｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎから成る層１０５１と膜厚２０ｎｍのノンドープＧａＮから成る層１０５２の構成を膜厚３ｎｍのノンドープＩｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎから成る層と膜厚２０ｎｍのノンドープＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎから成る層とした素子の場合、及び膜厚３ｎｍのノンドープＧａＮから成る層と膜厚２０ｎｍのノンドープＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎとした素子の場合とともに示した図である。多重層１０５は、その構成が膜厚３ｎｍのノンドープＩｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎから成る層１０５１と膜厚２０ｎｍのノンドープＧａＮから成る層１０５２の構成のときに静電耐圧を高く、駆動電圧を低くできるが、上記他の２構成とした素子の場合は静電耐圧が低く、駆動電圧Ｖｆが高くなってしまう結果が得られた。一方、全放射束（発光強度）は、多重層１０５を構成する２層の組成の違いに対して大きく左右されなかった。
【００３３】
本発明は、上記実施例に限定されるものではなく他に様々な変形が考えられる。例えば、各ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層として、任意の混晶比の２元乃至４元系のＡｌＧａＩｎＮとしても良い。より具体的には、「ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）」成る一般式で表される２元、３元（ＧａＩｎＮ，ＡｌＩｎＮ，ＡｌＧａＮ）或いは４元（ＡｌＧａＩｎＮ）のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体等を用いることもできる。また、そられの化合物のＮの一部をＰ、Ａｓ等のＶ族元素で置換しても良い。また、上記実施例では保護膜１３０を形成したが、保護膜１３０は省略しても良い。また、本例ではサファイア基板裏面に反射金属層を形成し、ｐ電極側に透光性薄膜ｐ電極を設けたが、フリップチップタイプとするためには、サファイア基板裏面から光を取り出す構造とするために、サファイア基板裏面の反射金属層を形成せず、ｐ電極側を光反射層を兼ねる電極層を設けても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に係る半導体発光素子１００の断面図。
【図２】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ、ノンドープＩｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎから成る層１０５１の膜厚と静電耐圧、駆動電圧Ｖｆ、全放射束の関係を示した特性図。
【図３】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ、ノンドープＩｎＧａＮから成る層１０５１のＩｎ組成と静電耐圧、駆動電圧Ｖｆ、全放射束の関係を示した特性図。
【図４】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ、ＧａＮから成る層１０５２にシリコンをドープした場合としない場合についての静電耐圧、駆動電圧Ｖｆ、全放射束の関係を示した特性図。
【図５】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ、Ｉｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎから成る層１０５１にシリコンをドープした場合としない場合についての静電耐圧、駆動電圧Ｖｆ、全放射束の関係を示した特性図。
【図６】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ、多重層１０５のペア数と静電耐圧、駆動電圧Ｖｆ、全放射束の関係を示した特性図。
【図７】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ、多重層１０５を構成する２層の組成と静電耐圧、駆動電圧Ｖｆ、全放射束の関係を示した特性図。
【符号の説明】
１００  …  半導体発光素子
１０１  …  サファイヤ基板
１０２  …  バッファ層
１０３  …  ノンドープＧａＮ層
１０４  …  高キャリア濃度ｎ＋層
１０５  …  多重層（静電耐圧向上層）
１０６  …  発光層
１０７  …  ｐ型半導体層
１０８  …  ｐ型コンタクト層
１１０  …  透光性薄膜ｐ電極
１２０  …  ｐ電極
１３０  …  保護膜
１４０  …  ｎ電極
１５０  …  反射金属層
【図１】
2004356442.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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