Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月14日(2014.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
PI3K-AKT-mTOR経路インヒビターを用いて癌を治療するための、アウリスタチン系抗体薬物複合体を含む医薬組成物。
【請求項２】
PI3K-AKT-mTOR経路インヒビターがmTORインヒビター、PI3Kインヒビター、またはAKTインヒビターである、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
癌が血液学的悪性である、請求項１〜２のいずれか1項に記載の医薬組成物。
【請求項４】
血学的悪性がB細胞リンパ球増殖障害である、請求項３に記載の医薬組成物。
【請求項５】
血学的悪性がT細胞リンパ球増殖障害である、請求項３に記載の医薬組成物。
【請求項６】
血液学的悪性がホジキンリンパ腫である、請求項３に記載の医薬組成物。
【請求項７】
癌が腎細胞癌である、請求項３に記載の医薬組成物。
【請求項８】
PI3K-AKT-mTOR経路インヒビターが活性部位mTORインヒビターである、請求項１〜７のいずれか1項に記載の医薬組成物。
【請求項９】
活性部位インヒビターがPI3KおよびmTORC1/2の二重特異性インヒビターである、請求項８に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
インヒビターが活性部位インヒビターであり、該活性部位インヒビターが選択的mTORインヒビターである、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
選択的インヒビターがPIKキナーゼα、PIKキナーゼβ、PIKキナーゼδ、およびPIKキナーゼγと比較してmTORC1およびmTORC2を選択的に阻害する、請求項１０に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
PI3K-AKT-mTOR経路インヒビターが非活性部位mTORインヒビターである、請求項１〜７のいずれか1項に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
非活性部位インヒビターがラパログである、請求項１２に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
ラパログがシロリムス、テムシロリムス、エベロリムス、またはデフォロリムス（AP23573）である、請求項１３に記載の医薬組成物。
【請求項１５】
PI3K-AKT-mTOR経路インヒビターがPI3KインヒビターまたはAKTインヒビターである、請求項１〜７のいずれか1項に記載の医薬組成物。
【請求項１６】
アウリスタチン系抗体薬物複合体が次式：
L-(LU-D)p   （I）
［式中、
Lは癌細胞の表面上にある癌細胞抗原と特異的に結合する抗体であり；そして
(LU-D)はリンカーユニット-薬物ユニット部分であり、ここでLU-はリンカーユニットであり、-Dは標的細胞に対して細胞分裂停止または細胞傷害活性を有するアウリスタチンであり；そして
pは1〜20である］
またはその製薬上許容される塩の形を有する、請求項１〜１５のいずれか1項に記載の医薬組成物。
【請求項１７】
アウリスタチンが次式：
【化１】
2014502957.tif 000001
またはその製薬上許容される塩の形を有し、あるいは
アウリスタチンが次式：
【化２】
2014502957.tif 000002
またはその製薬上許容される塩の形を有する、請求項１６に記載の医薬組成物。
【請求項１８】
アウリスタチン系抗体薬物複合体が次式：
【化３】
2014502957.tif 000003
またはその製薬上許容される塩の形を有し；あるいは
アウリスタチン系抗体薬物複合体が次式：
【化４】
2014502957.tif 000004
またはその製薬上許容される塩の形を有する、請求項１６に記載の医薬組成物。
【請求項１９】
アウリスタチン系抗体薬物複合体が次式：
【化５】
2014502957.tif 000005
またはその製薬上許容される塩の形を有し；あるいは
アウリスタチン系抗体薬物複合体が次式：
【化６】
2014502957.tif 000006
［式中、mAbはモノクローナル抗体であり、Sは抗体の硫黄原子であり、そしてpは1〜8である］
またはその製薬上許容される塩の形を有する、請求項１６に記載の医薬組成物。
【請求項２０】
アウリスタチン系抗体薬物複合体が次式：
【化７】
2014502957.tif 000007
［式中、mAbはモノクローナル抗体であり、Sは抗体の硫黄原子であり、そしてpは1〜8である］
またはその製薬上許容される塩の形を有する、請求項１６に記載の医薬組成物。
【請求項２１】
被験者に投与される抗体薬物複合体を含み、かつ組成物中の1抗体当たり薬物分子の平均数が2〜6である、請求項１〜２０のいずれか1項に記載の医薬組成物。
【請求項２２】
癌がCD30抗原を発現しかつアウリスタチン系抗体薬物複合体が抗CD30アウリスタチン系抗体薬物複合体である、請求項１〜２１のいずれか1項に記載の医薬組成物。
【請求項２３】
抗体薬物複合体がブレンツキシマブ・ベドチンである、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項２４】
癌がCD70抗原を発現しかつアウリスタチン系抗体薬物複合体が抗CD70アウリスタチン系抗体薬物複合体である、請求項１〜２１のいずれか1項に記載の医薬組成物。
【請求項２５】
アウリスタチン系抗体薬物複合体がh1F6-mcFである、請求項２４に記載の医薬組成物。
【請求項２６】
h1F6-mcF抗体薬物複合体がSGN-75である、請求項２４に記載の医薬組成物。
【請求項２７】
癌がCD19抗原を発現しそしてアウリスタチン系抗体薬物複合体が抗CD19アウリスタチン系抗体薬物複合体である、請求項１〜１９のいずれか1項に記載の医薬組成物。
【請求項２８】
アウリスタチン系抗体薬物複合体がhBU12-mcFである、請求項２７に記載の医薬組成物。
【請求項２９】
hBU12-mcF複合体がSGN-19Aである、請求項２８に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月17日(2014.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カドヘリン-17に特異的に結合する、単離された抗体であって、
該単離された抗体は、a)重鎖可変領域及びb)軽鎖可変領域を含み、
a)重鎖可変領域が、
i)配列番号36と少なくとも80％の配列同一性を有するアミノ酸配列を含む、第１のCDRと、
ii)配列番号2と少なくとも80％の配列同一性を有するアミノ酸配列を含む、第２のCDRと、
iii)配列番号39と少なくとも80％の配列同一性を有するアミノ酸配列を含む、第３のCDRと、を含み、
b)軽鎖可変領域が、
i)配列番号4と少なくとも80％の配列同一性を有するアミノ酸配列を含む、第１のCDRと、
ii)配列番号40と少なくとも80％の配列同一性を有するアミノ酸配列を含む、第２のCDRと、
iii)配列番号41と少なくとも80％の配列同一性を有するアミノ酸配列を含む、第３のCDRと、を含む、
前記単離された抗体。
【請求項２】
(a)重鎖フレームワーク領域が、配列番号27と少なくとも85％の配列同一性を有するアミノ酸配列を含み、及び／又は、
(b)軽鎖フレームワーク領域が、配列番号31と少なくとも85％の配列同一性を有するアミノ酸配列を含む、
請求項1記載の単離された抗体。
【請求項３】
前記抗体が、完全長抗体、抗体断片、単鎖抗体、二重特異性抗体、ミニボディ、ドメイン抗体、合成抗体及び抗体融合体、並びにこれらの断片からなる群より選択される、請求項1又は2記載の単離された抗体。
【請求項４】
前記抗体が、Fcドメインを更に含み、好ましくは該Fcドメインが、ヒト又は変異体ヒトFcドメインである、請求項1〜3のいずれか一項記載の単離された抗体。
【請求項５】
前記抗体が、モノクローナルである、請求項1〜4のいずれか一項記載の単離された抗体。
【請求項６】
前記抗体が、治療的部分、好ましくは細胞毒、薬物若しくは放射性毒素を含むか、又はこれに結合されている、請求項1〜5のいずれか一項記載の単離された抗体。
【請求項７】
前記抗体が、抗体依存性細胞傷害作用(ADCC)を誘発する、請求項1〜6のいずれか一項記載の単離された抗体。
【請求項８】
抗体であって、
ａ）配列番号27記載のアミノ酸配列を含む重鎖可変領域、及び、配列番号31記載のアミノ酸配列を含む軽鎖可変領域を含む抗体により認識される、カドヘリン-17上のエピトープに結合する、又は、
ｂ）カドヘリン-17への結合について、配列番号27記載のアミノ酸配列を含む重鎖可変領域、及び、配列番号31記載のアミノ酸配列を含む軽鎖可変領域を含む抗体と競合する、
前記抗体。
【請求項９】
請求項1〜8のいずれか一項記載の抗体を、任意に、医薬として許容し得る担体と共に含有する、医薬組成物。
【請求項１０】
医薬品として使用するための、又は治療若しくは診断に使用するための、請求項9記載の医薬組成物。
【請求項１１】
請求項1〜8のいずれか一項記載の単離された抗体の有効量を含む、カドヘリン-17に関連した疾患を治療又は予防するための医薬組成物。
【請求項１２】
前記疾患が癌である、請求項11記載の医薬組成物。
【請求項１３】
前記癌が、胃癌、膵臓癌、及び結腸癌からなる群より選択される、請求項12記載の医薬組成物。
【請求項１４】
医薬品として使用するための、又は治療若しくは診断に使用するための、請求項1〜8のいずれか一項記載の抗体。
【請求項１５】
カドヘリン-17に関連した疾患を治療又は予防するための、請求項1〜8のいずれか一項記載の抗体。
【請求項１６】
前記疾患が癌である、請求項15記載の抗体。
【請求項１７】
前記癌が、胃癌、膵臓癌、及び結腸癌からなる群より選択される、請求項16記載の抗体。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月26日(2013.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの把持用突起（１０）を有し、突起には前記突起（１０）の内側縁部（１１）にほぼ平行な開口部（１３）が設けられている調理器具を扱うための、着脱式把持装置であって、装置がシェル（２０）を備え、シェルが細長い孔（２３）でシェル（２０）の前面（２２）に横方向に開口している内部空洞（２１）を含み、前記内部空洞（２１）が突起が細長い孔（２３）から挿入される時に突起（１０）を収納するのに適しており、把持装置がまた、シェル（２０）に設けられ、上方で少なくとも部分的に閉じている隙間チャンバ（４０）の内部に収納されたロック手段（６０）を含み、ロック手段（６０）がロック位置とロック解除位置との間の隙間チャンバの内部で回転するよう装着されたプレート（６１）を含み、前記プレートが、その前端部（６２）に、ロック手段のロック位置で、突起が内部空洞（２１）に収納されている時に、突起（１０）の開口部（１３）に収納されるのに適したくちばし状部材（６３）を含み、また前記プレート（６１）が、プレートの下面（６５）に配置された回転軸（６４）を含み、前記回転軸（６４）が細長い孔（２３）にほぼ平行に延びており、シェル（２０）が一体成形であること、および、プレートをほぼ水平な方向に沿って隙間チャンバに挿入することを可能とするために回転軸の長さがプレート（６１）の幅より小さいまたは等しいことを特徴とする、把持装置。
【請求項２】
回転軸がプレート（６１）の後端部（６６）の近傍に配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
ロック手段（６０）がまた、プレートをロック位置に導こうとする、またはロック位置に保持しようとする弾性戻し手段を含むことを特徴とする、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
弾性戻し手段がバネ（８１）であり、
プレート（６１）が上面（６７）に、プレート（６１）の前端部（６２）とプレートの回転軸（６４）との間に、バネの側方維持溝（６８）を含み、バネの第一の端部（８２）がプレート（６１）の溝（６８）内で固定され、バネの第二の端部（８３）が隙間チャンバ（４０）の上方壁部（４１）によりかかっていること、および／または、
隙間チャンバ（４０）の上方壁部（４１）がバネの側方維持溝（４２）を含み、バネの第二の端部（８３）が隙間チャンバ（４０）の上方壁部（４１）の溝（４２）内に維持され、バネの第一の端部（８２）がプレート（６１）の前端部とプレート（６１）の回転軸（６４）との間でプレート（６１）の上面（６７）によりかかっていること、
を特徴とする、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
プレート（６１）が、プレート（６１）の後端部（６６）に超厚部（６９）を有することを特徴とする、請求項２〜４のいずれか一つに記載の装置。
【請求項６】
プレートの超厚部（６９）が、支え縁部（７０）によって延長されていることを特徴とする、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
隙間チャンバ（４０）が、ロック手段（６０）を隙間チャンバ（４０）に挿入することを可能にする挿入孔（４５）で隙間チャンバ（４０）の後方壁部（４３）の上部で横方向に開口することを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一つに記載の装置。
【請求項８】
挿入孔（４５）が、隙間チャンバ（４０）の後方壁部（４３）の上部および隙間チャンバ（４０）の上方壁部（４１）の後部に延びていることを特徴とする、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
挿入孔（４５）の下方で、隙間チャンバの後方壁部（４３）の下部が第一のリブ（４７）を形成し、シェルがまた、隙間チャンバの下方壁部（４９）から延びる第二のリブ（４８）を含み、第一のリブおよび第二のリブが、お互いにプレートの回転軸の直径とほぼ等しい距離で、細長い孔にほぼ平行な方向に沿って延びており、二つのリブが、プレートの回転軸を保持する溝をともに形成することを特徴とする、請求項２と組み合わせた、請求項７または８に記載の装置。
【請求項１０】
第二のリブ（４８）の上面（５０）と隙間チャンバの上方壁部（４１）との間の距離が、プレートの厚さにロック手段のプレートの回転軸の厚さを足したものとほぼ等しいことを特徴とする、請求項７〜９のいずれか一つに記載の装置。
【請求項１１】
シェルが、ほぼＵ字型の把持部分（２５）を含み、ほぼＵ字型の把持部分の、両分岐部（２６、２７）の端部がシェル（２０）の後面（２９）から延びており、Ｕ字の底部（２８）が把持装置の把持領域を形成することを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一つに記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月27日(2014.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光抽出面を画定する少なくとも１つの主面を有する光導体と、
前記光抽出面を画定する前記光導体の前記主面に配置された少なくとも１つの繊維層と、を含み、
前記少なくとも１つの繊維層が、前記光抽出面を画定する前記光導体の前記主面に複数の別個の結合領域で結合される、点灯装置。
【請求項２】
前記光導体が光抽出要素を更に含む、請求項１に記載の点灯装置。
【請求項３】
周囲照明を用いて照明するための、請求項１又は２に記載の点灯装置の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月28日(2014.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
少なくとも１個のプロセッサーと、送信手段と、連動するメモリーとを備えるコンピューターシステムを用いて金融口座のための代理口座データを生成することを含む安全な取引を促進するための方法であって、
当該方法はコンピューターシステムにより実行され、且つ、当該方法はさらに、
第１の顧客のために、シリアル番号を選択し、
前記シリアル番号と前記第１の顧客の口座との対応関係を記憶し、
前記シリアル番号を暗号化し、
前記暗号化されたシリアル番号を、検証可能なデータと統合し、
前記暗号化されたシリアル番号と前記検証可能なデータとの対応関係を記憶し、
前記統合された暗号化されたシリアル番号及び前記検証可能なデータを暗号化して前記代理口座データを生成すること、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月10日(2013.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
近位にマーカーを沈着させることにより試料中の標的を検出する方法であって、
試料を標的に特異的な特異的結合部分を含む識別液と接触させることと；
特異的結合部分を酵素で標識することと；
試料を酵素基質を含む検出液と接触させて、式
2014502728.tif 000001
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、脂肪族、アリール、ハロゲン、ヘテロ原子含有部分及び水素より独立して選択され；Ｒ１及び又はＲ３はＲ２と結合して融合した芳香環系を形成してよく；Ａは炭素原子、イオウを除くヘテロ原子及びそれらの任意の組合せより選択される）を有する沈着エンハンサーの存在下で標的の近位にマーカーが沈着するようにすることと；
マーカーを検出すること、を含む方法。
【請求項２】
試料を検出液と接触させることが、マーカーを形成するために酸化剤を使用して酵素基質を酵素的に酸化することを含み、酸化剤を使用して酵素基質を酵素的に酸化することが、酵素基質の可溶性又は安定性を低下させ、酵素基質がマーカーとして沈着するようにすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
酵素基質が、色素原及びチラミド−コンジュゲートからなる群より選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４が水素及びヒドロキシルから選択され、Ａが炭素原子であり、ここで、Ｒ１、Ｒ３及びＲ４が水素であり、Ｒ２がヒドロキシルであってもよい、請求項１から３の何れかに記載の方法。
【請求項５】
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３が独立してアルキル、アルケン、アルキン、水素、ヨウ素、臭素、塩素、フッ素及びその組合わせから選択される、請求項１から３の何れかに記載の方法。
【請求項６】
酵素がオキシドレダクターゼ又はペルオキシダーゼである、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
特異的結合部分が抗体又は核酸を含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
酵素基質が、１,３-ジアミノベンジジン、３-アミノ-９-エチルカルバゾール、テトラメチルベンジジン、フルオレセイン、ルミノフォア、クマリン、ボディパイ色素、レゾルフィン、ローダミン又はそれらの誘導体より選択されるか、又は酵素基質がチラミン誘導体である、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
検出液が、ヘテロアリール化合物、ボロン酸、フェノール化合物又はそれらの組合せより選択される促進剤をさらに含み、ヘテロアリール化合物が、イミダゾール、Ｌ-ヒスチジン、ピリジンＮ-オキシド、ピリミジンＮ-オキシド、Ｎ-メチルモルホリンオキシド及び２,２,６,６-テトラメチルピペリジン-１-オキシルより選択されてもよい、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
検出液が、式(Ｃ２Ｈ４Ｏ)２３Ｃ１２Ｈ２５ＯＨを有するポリオキシエチレンラウリルエーテル；ポリオキシエチレン (２０) ソルビタンモノアルキレート（ここでモノアルキレートは８から１４の炭素を有する）；式Ｃ１２-１４Ｈ２５-２９Ｏ(ＣＨ２ＣＨ２Ｏ]ｘを有する直鎖２級アルコールポリオキシエチレン（式中ｘは２から１２の整数に等しい）；及びポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテルより選択される非イオン性界面活性剤をさらに含むか、又は検出液が、重硫酸ナトリウム、スズ酸ナトリウム、メタ重硫酸ナトリウム及びそれらの組合せより選択される抗酸化剤をさらに含むか、又は検出液が、式ＭＸ２又はＭＸ（ここでＭはリチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、カルシウム、マグネシウム、ストロンチウム及びバリウムより選択されるＩ族又はＩＩ族の金属であり；Ｘはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素、カルボネート、水酸化物及びホスフェートより選択される）を有する、Ｉ族又はＩＩ族の金属含有塩をさらに含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
近位にマーカーを沈着させることにより試料中の標的を検出するための組成物であって、
式
2014502728.tif 000002
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、脂肪族、アリール、ハロゲン、ヘテロ原子含有部分及び水素より独立して選択され；Ｒ１及び又はＲ３はＲ２と結合して融合した芳香環系を形成してよく；Ａは炭素原子、イオウを除くヘテロ原子及びそれらの任意の組合せより選択される）を有する沈着エンハンサーと、
酵素基質を含む、組成物。
【請求項１２】
酵素基質が、１,３-ジアミノベンジジン、３-アミノ-９-エチルカルバゾール、テトラメチルベンジジン、フルオレセイン、ルミノフォア、クマリン、ボディパイ色素、レゾルフィン、ローダミン、トリアミド又はそれらの誘導体から選択される、請求項１１に記載の組成物。
【請求項１３】
ヘテロアリール化合物、ボロン酸、フェノール化合物又はそれらの組合せより選択される促進剤；式(Ｃ２Ｈ４Ｏ)２３Ｃ１２Ｈ２５ＯＨを有するポリオキシエチレンラウリルエーテル；ポリオキシエチレン (２０) ソルビタンモノアルキレート（モノアルキレートは８から１４の炭素を有する）；式Ｃ１２-１４Ｈ２５-２９Ｏ(ＣＨ２ＣＨ２Ｏ]ｘ（式中、ｘは２から１２の整数に等しい）を有する直鎖２級アルコールポリオキシエチレン；及びポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテルより選択される非イオン性界面活性剤及び重硫酸ナトリウム、スズ酸ナトリウム、メタ重硫酸ナトリウム及びそれらの組合せより選択される抗酸化剤をさらに含む、請求項１１又は１２に記載の組成物。
【請求項１４】
沈着エンハンサーが、約５ｍＭから約１５ｍＭの範囲の濃度を有し、酵素基質が、０ｍＭより高い濃度から約８ｍＭの範囲の濃度を有する、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法、又は請求項１１から１３の何れか一項に記載の組成物。
【請求項１５】
沈着エンハンサー及び酵素基質を含む検出液を備えるキットであって、沈着エンハンサーは、式
2014502728.tif 000003
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、脂肪族、アリール、ハロゲン、ヘテロ原子含有部分及び水素より独立して選択され；Ｒ１及び／又はＲ３はＲ２と結合して融合した芳香環系を形成してよく；Ａは炭素原子、イオウを除くヘテロ原子及びそれらの任意の組合せより選択される）を有する、キット。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月19日(2014.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２６】
ＰＳ中断情報にさらに基づいて、ＲＡＵプロシージャを実行すべきかどうかを判断することを、以下の例によって示す。第１のネットワークは、たとえば、ＬＴＥネットワークであり得、第３のネットワークは、たとえば、ＧＥＲＡＮネットワークであり得る。ＰＳ中断情報は、たとえば、ＰＳ中断が実行されるという指示を含み得る。ＧＥＲＡＮネットワークは、たとえば、ＤＴＭ対応ＧＥＲＡＮネットワークであり得る。ユーザ端末のＩＳＲステータスは「オン」ステータスであり得、ＲＡＵプロシージャを実行すべきかどうかを判断することは、ＲＡＵプロシージャを実行すべきであると判断することを含み得る。すなわち、ＰＳ中断情報と、ＩＳＲステータスと、ネットワークＲＡＴとが説明されたようなものであると判断することに応答して、ユーザ端末はＲＡＵを開始し得る。プロセスは、ＲＡＵプロシージャを実行することと並行してＣＳ呼設定プロシージャを実行することをさらに含み得る。ＲＡＵプロシージャを実行することと並行してＣＳ呼設定プロシージャを実行することは、ＩＳＲオンステータスに部分的に基づいて行われ得る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２８】
ＰＳ中断情報にさらに基づいて、ＲＡＵプロシージャを実行すべきかどうかを判断することを、以下の第２の代替例によってさらに示す。ＧＥＲＡＮネットワークは、たとえば、非ＤＴＭ  ＧＥＲＡＮネットワークであり得、ユーザ端末のＩＳＲステータスは「オフ」ステータスであり得る。ＰＳ中断情報は、たとえば、ＰＳ中断が実行されるという指示を含み得る。ＲＡＵプロシージャを実行すべきかどうかを判断することは、ＲＡＵプロシージャを実行すべきであると判断することを含み得る。すなわち、ＰＳ中断情報と、ＩＳＲステータスと、ネットワークＲＡＴとが説明されたようなものであると判断することに応答して、ユーザ端末はＲＡＵを開始し得る。プロセスは、ＣＳ呼設定プロシージャを実行するより前にＲＡＵプロシージャを実行することをさらに含み得る。ＣＳ呼設定プロシージャを実行するより前にＲＡＵプロシージャを実行することは、ＩＳＲ「オフ」ステータスに部分的に基づいて行われ得る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６９】
ＵＥ１６５０では、送信された変調信号はＮr個のアンテナ１６５２1〜１６５２Nrによって受信され、各アンテナ１６５２から受信された信号は、それぞれの受信機（ＲＣＶＲ）１６５４1〜１６５４Nrに与えられる。各受信機１６５４は、それぞれの受信信号を調整（たとえば、フィルタ処理、増幅、およびダウンコンバート）し、調整された信号をデジタル化して、サンプルを与え、さらにそれらのサンプルを処理して、対応する「受信」シンボルストリームを与える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７０】
次いで、ＲＸデータプロセッサ１６６０は、特定の受信機処理技法に基づいてＮr個の受信機１６５４1〜１６５４NrからＮr個の受信シンボルストリームを受信し、処理して、Ｎs個の「検出」シンボルストリームを与えて、Ｎs個の送信シンボルストリームの推定値を与える。次いで、ＲＸデータプロセッサ１６６０は、各検出シンボルストリームを復調し、デインターリーブし、復号して、データストリームのトラフィックデータを復元する。ＲＸデータプロセッサ１６６０による処理は、一般に、基地局１６１０においてＴＸ  ＭＩＭＯプロセッサ１６２０およびＴＸデータプロセッサ１６１４によって実行される処理を補足するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８４】
最終的に、ＢＳＳは、ＧＰＲＳ中断の条件が消滅したと判断し得る。ＢＳＳが、ＧＰＲＳサービスを再開するようにＳＧＳＮに要求することが可能である場合、２０１８において、ＢＳＳは再開（ＴＬＬＩ、ＲＡＩ）メッセージをＳＧＳＮに送り得る。２０２０において、ＳＧＳＮは、再開Ａｃｋを戻すことによって、再開の成功した結果を確認応答し得る。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９２】
２１２４において、ＣＳ接続が終了した後、ＢＳＳは新しいＳＧＳＮに再開（ＴＬＬＩ、ＲＡＩ）メッセージを送り得るが、古いＳＧＳＮに対する再開は必要とされないので、２１２６において、新しいＳＧＳＮは再開Ｎａｃｋメッセージを送ることによって再開に確認応答し得る。ＭＳは、この場合、ＣＳ接続が終了し、ＭＳコンテキストが古いＳＧＳＮから新しいＳＧＳＮに移動され得るときにＧＰＲＳサービスの更新のためのＲＡ更新を実行すべきであるので、古いＳＧＳＮに対する再開は不要であり得る。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０３】
２３２６において、３Ｇ  ＳＧＳＮは中断応答メッセージを２Ｇ  ＳＧＳＮ２３０６に戻す。２３２８において、次いで、２Ｇ  ＳＧＳＮ２３０６は中断ＡｃｋメッセージをＢＳＳに戻す。２３３０において、ＣＳ接続が終了した後、ＢＳＳは２Ｇ  ＳＧＳＮに再開（ＴＬＬＩ、ＲＡＩ）メッセージを送り得るが、３Ｇ  ＳＧＳＮに対する再開は必要とされないので、２Ｇ  ＳＧＳＮは、２３３２において、再開Ｎａｃｋメッセージを送ることによって再開に確認応答する。ＭＳは、ＣＳ接続が終了し、ＭＳコンテキストが３Ｇ  ＳＧＳＮから２Ｇ  ＳＧＳＮに移動され得るときにＧＰＲＳサービスの更新のためのＲＡ更新を実行し得るので、この場合、再開は不要である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2014502096.tif 000001
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３Ｃ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３Ｃ】
2014502096.tif 000002
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１８】
2014502096.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月9日(2014.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シート（２）、特に電極及び／又はセパレータシート（２）のスタック（１）と、液状の電解質（４）とを有する電気化学エネルギー貯蔵セルを製造するための方法において、
前記方法は、少なくとも以下の、
‐前記スタック（１）内で隣り合う多数のシート（２）の間に隙間を形成するステップ（ステップＳ１）と、
‐前記スタック（１）を前記電解質（４）に接触させるステップ（ステップＳ２）と、
‐前記スタック（１）内で隣り合う前記多数のシート（２）の間にステップＳ１において形成された隙間を取り除くステップ（ステップＳ３）と、
を有しており、前記ステップは、何回もかつ／又は記載された順序とは異なる順序で実施され得ることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記スタック（１）内で隣り合う多数のシート（２）の間に隙間を形成するステップＳ１は、少なくとも以下の、
‐前記スタック（１）内の多数のシート（２）を、少なくとも１つの点において、互いに対して固定するサブステップ（ステップＳ１．１）と、
‐前記スタック（１）が曲げられ、前記スタック（１）内の前記シート（２）は少なくとも部分的に互いに対して可動性を有するサブステップ（ステップＳ１．２）と、
‐曲げられた前記スタック（１）内の多数のシート（２）が、互いに対して固定されるので、前記多数のシート（２）は、少なくとも２つの点においてそれぞれ互いに対して固定されているサブステップ（ステップＳ１．３）と、
‐曲げられた前記スタック（１）が、ステップＳ１．１及び／又はＳ１．３で行われた固定を維持しつつ、前記スタック（１）の最初の形状に概ね相当する形状に戻されるサブステップ（ステップＳ１．４）と、
を記載された順番で有しており、このとき、ステップＳ１．１は任意であることを特徴とする請求項１に記載の電気化学エネルギー貯蔵セルを製造するための方法。
【請求項３】
ステップＳ２における前記スタック（１）と前記電解質（４）との接触は、前記電解質（４）を前記スタック（１）内に注入若しくは噴射することによって、前記スタック（１）を前記電解質（４）に浸すこと、及び／又は、前記スタック（１）に前記電解質（４）を注入していっぱいにすることによって可能であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気化学エネルギー貯蔵セルを製造するための方法。
【請求項４】
ステップＳ２において前記スタック（１）を前記電解質（４）と接触させる間、かつ／又は、接触させた後、前記スタック（１）に遠心力を作用させることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気化学エネルギー貯蔵セルを製造するための方法。
【請求項５】
ステップＳ１で形成された前記スタック（１）内で隣り合う前記多数のシート（２）間の隙間を取り除いた（ステップＳ３）後、前記スタック（１）に力が、好ましくは押圧運動、摩擦運動又は回転運動の形態で、外側から加えられることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気化学エネルギー貯蔵セルを製造するための方法。
【請求項６】
ステップＳ３において、ステップＳ１で形成された前記スタック（１）内で隣り合う前記多数のシート（２）間の隙間を取り除くことは、ステップＳ１．１及び／又はステップＳ１．３で行われた固定の解除によって行われることを特徴とする請求項２に記載の電気化学エネルギー貯蔵セルを製造するための方法。
【請求項７】
多数のシート（２）の固定（ステップＳ１．１及び／又はＳ１．３）、前記スタック（１）の屈曲（ステップＳ１．２）、曲げられた前記スタック（１）の復元（ステップＳ１．４）から成るステップの少なくとも２つのシーケンスが順々に行われ、前記スタック（１）は、ステップＳ１．２において、それぞれ反対の方向（５、６）に曲げられることを特徴とする請求項２又は６に記載の電気化学エネルギー貯蔵セルを製造するための方法。
【請求項８】
多数のシート（２）の固定（ステップＳ１．１及び／又はＳ１．３）、前記スタック（１）の屈曲（ステップＳ１．２）、曲げられた前記スタック（１）の復元（ステップＳ１．４）から成るステップの少なくとも２つのシーケンスが順々に行われ、前記多数のシート（２）の固定は、ステップＳ１．１及び／又はＳ１．３において、前記スタック（１）の異なる箇所で少なくとも部分的に行われることを特徴とする請求項２、６又は７のいずれか一項に記載の電気化学エネルギー貯蔵セルを製造するための方法。
【請求項９】
前記多数のシート（２）は、曲げられた前記スタック（１）内で、ステップＳ１．１及び／又はＳ１．３において、互いに対して、前記スタック（１）の２つの向かい合う縁部の領域において固定されることを特徴とする請求項２、６、７又は８のいずれか一項に記載の電気化学エネルギー貯蔵セルを製造するための方法。
【請求項１０】
前記多数のシート（２）は、曲げられた前記スタック（１）内で、ステップＳ１．１及び／又はＳ１．３において、互いに対して、前記スタック（１）の縁部の領域において、及び、前記スタック（１）の前記縁部に位置しない少なくとも１つの角の領域において固定されることを特徴とする請求項２、６、７、８又は９のいずれか一項に記載の電気化学エネルギー貯蔵セルを製造するための方法。
【請求項１１】
ステップＳ１．１及び／又はＳ１．３における、前記スタック（１）内での多数のシート（２）の、互いに対する固定は、クランプ要素（３、８、９）を用いた前記多数のシートのクランプによって、かつ／又は、前記多数のシート（２）をストッパー要素（１１）に当てることによって行われることを特徴とする請求項２、６、７、８、９又は１０のいずれか一項に記載の電気化学エネルギー貯蔵セルを製造するための方法。
【請求項１２】
前記スタック（１）は、方法の全てのステップ又は略全てのステップの間、完全又は部分的にカバー内に存在していることを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の電気化学エネルギー貯蔵セルを製造するための方法。
【請求項１３】
前記カバーは、前記電気化学エネルギー貯蔵セルの外側カバーを形成することを特徴とする請求項１２に記載の電気化学エネルギー貯蔵セルを製造するための方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年10月20日(2014.10.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
好ましい実施形態を参照しながら本発明は説明されたが、当業者は、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、形態および詳細において変更を加えることができることを認識するであろう。上述のように、特定するステップは、さまざまなパラメータに基づいて実施することができる。それらのパラメータのいくつかは、テスト装置によって、またはそうでなければ特定のバッテリーまたはセルへの電圧または充電状態によって個別に調整することができる。他のパラメータ、たとえば、コンダクタンスまたはインピーダンスは変更されなくてもよい。交換用バッテリーパックを準備するときには、個別に調整可能なパラメータを必要に応じて変更すること、たとえば交換用パックにおいて他のバッテリーとよりよく整合させるために、バッテリーを充電または放電することができる。特定するステップは、調整が不可能であるパラメータに重み付けをより与えるような構成であってもよい。そのような場合では、交換用バッテリーパックの組み立てに先行して、調整可能なパラメータを互いにより近付けて一致するように適宜調整することができる。さらに、特定のタイプのバッテリーのために、電圧または充電状態をコンダクタンスまたはインピーダンスに関連付ける、データベース情報の拡張を行なってもよい。これ以降、調整可能なパラメータの均一化を得ることが困難であるとデータベース情報が示すような状況において、その特定のバッテリーを使用しないようにし、それにより再生工程における時間の節約をするように測定装置および／または方法を構成することができる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気自動車からの使用されたバッテリーパックを修復する方法であって、
複数のバッテリーを含むバッテリーパックを車両から取り外す工程と、
複数のバッテリーのうちの少なくともいくつかでバッテリーテストをバッテリーテスト装置で実施し、テストしたバッテリーのテスト結果を得てデータベースに当該テスト結果を格納する工程と、
交換用バッテリーを複数得る工程と、
複数の交換用バッテリーでバッテリーテストをバッテリーテスト装置で実施し、交換用バッテリーのテスト結果を得てデータベースに当該テスト結果を格納する工程と、
コントローラが、データベースからテスト結果を検索する工程と、
前記コントローラが、再生バッテリーパックを形成するのに使用するため、検索したバッテリーテスト結果に基づいてバッテリーを特定する工程と
を含む方法。
【請求項２】
バッテリーを特定する工程が、データベースに格納されるバッテリーテスト結果に選択基準を適用する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
選択基準がバッテリーの調整可能なパラメータに基づくものであり、少なくとも１つのバッテリーの調整可能なパラメータを調整する工程を更に含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
選択基準がバッテリーの調整不可能なパラメータに基づくものであり、選択基準が、調整不可能なパラメータに関して、重み付けをより与えることを調整不可能なパラメータに適用する、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
選択基準が、バッテリーのパラメータを相互に比較すること、および選択された範囲内のパラメータに基づいてバッテリーを特定することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
選択基準がバッテリーの複数のパラメータに基づくものである、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
特定のバッテリーへのテスト結果と関連付けられたバッテリー識別情報をデータベースに格納することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
コンピュータメモリにデータベースを実装することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
バッテリーテストが、バッテリーに強制作用信号を付与すること、およびバッテリーからの応答を監視することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
バッテリーが個々のセルを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
バッテリーがセルのグループを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
バッテリーパックのバッテリーでバッテリーテストを実施することが、車両からバッテリーパックを取り外す前に実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
バッテリーパックのバッテリーでバッテリーテストを実施することが、車両からバッテリーパックを取り外すのに続いて実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
交換用バッテリーが他のバッテリーパックから得られる、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
交換用バッテリーが新しいバッテリーを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
バッテリーテスト結果に基づいて、再生バッテリーパックにおいて交換するためのバッテリーの構成を特定することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
特定する工程をコンピュータに実装することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
電気自動車からの使用されたバッテリーパックの再生に使用するための装置であって、
使用されたバッテリーパックのバッテリーでバッテリーテストを実施するように構成されるバッテリーテスト回路と、
バッテリー識別情報およびバッテリーテスト回路から得られる少なくとも1つの関連するバッテリーパラメータを格納するように構成されるデータベースと、
再生バッテリーパックの作製に使用するためのバッテリーを特定する選択基準と、
データベースから情報を検索し、選択基準を適用し、それに応答して再生バッテリーパックの作製に使用するため、データベースで特定される利用可能なバッテリーを指し示す選択情報出力を提供するコントローラを含む、装置。
【請求項１９】
選択基準が、バッテリーのパラメータを相互に比較すること、および選択された範囲内のパラメータに基づいてバッテリーを特定することを含む、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
選択基準がバッテリーの調整可能なパラメータに基づくものであり、コントローラが少なくとも１つのバッテリーの調整可能なパラメータを調整するように更に構成される、請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
選択基準がバッテリーの調整不可能なパラメータに基づくものであり、選択基準が、調整不可能なパラメータに関して、重み付けをより与えることを調整不可能なパラメータに適用する、請求項１９に記載の装置。
【請求項２２】
選択基準がバッテリーの複数のパラメータに基づくものである、請求項１８に記載の装置。
【請求項２３】
データベースが、特定のバッテリーへのテスト結果と関連付けられたバッテリー識別情報を含む、請求項１８に記載の装置。
【請求項２４】
バッテリーテストが、バッテリーに強制作用信号を付与すること、およびバッテリーからの応答を監視することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２５】
バッテリーが個々のセルを含む、請求項１８に記載の装置。
【請求項２６】
バッテリーがセルのグループを含む、請求項１８に記載の装置。
【請求項２７】
選択情報出力が、バッテリーテスト結果に基づいて、再生バッテリーパックにおいて交換するためのバッテリーの構成を特定する情報を含む、請求項１８に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月16日(2014.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流コレクタと、
前記電流コレクタと接触するグラファイトコーティングと、を備え、
前記グラファイトコーティングが、結合剤を含まず、
前記電流コレクタが、多孔質金属を含む、導電性物品。
【請求項２】
前記多孔質金属が、エッチングされたアルミニウムを含む、請求項１に記載の導電性物品。
【請求項３】
第１の表面及び第２の表面を有する多孔質金属箔を用意するステップと、
炭素粉末を前記多孔質金属箔の前記第１の表面に付着させるステップであって、前記炭素粉末を塗料溶媒又は結合剤が存在しない乾燥粉末として付着させるステップと、
前記炭素粉末を付着させるステップに続いて、前記多孔質金属箔の前記第１の表面を振動パッドで研磨するステップと、を含む、電極の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月30日(2014.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上にエレクトロルミネッセンス層スタックを有する有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記エレクトロルミネッセンス層スタックが、有機発光層スタックであって、前記有機発光層スタックに駆動電圧を印加する、前記基板に面する第１電極と、第２電極との間に挟まれる１つ以上の有機層を備える有機発光層スタック、及び前記有機発光層スタックと、前記第２電極との間に配設される第１電子輸送層スタックを有し、前記電子輸送層スタックが、低い屈折率を持つ第１電子輸送材料で作成される電子輸送層、及び少なくとも１つのｎ型ドーピングした層を有し、前記有機エレクトロルミネッセンス装置が、前記第１電極と前記有機発光層スタックとの間に配設される第１電荷発生層スタックであって、前記第１電荷発生層スタックが、少なくとも、前記第１電極に面するｎ型ドーピングした層と、前記有機発光層スタックに面するｐ型ドーピングした層とを有する第１電荷発生層スタック、及び前記第１電荷発生層スタックと前記第１電極との間に配設される少なくとも第２電子輸送層スタックを更に有し、前記第２電子輸送層スタックが、前記第１電極と接触しており、前記第２電子輸送層スタックが、前記第１電子輸送材料で作成される別の電子輸送層を少なくとも有する有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
前記第１電子輸送材料が、1.3と1.65との間の屈折率ｎ、好ましくは、1.4と1.57との間の屈折率ｎを持つことを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
前記第１電子輸送材料が、フッ素原子を含む有機化合物であり、好ましくは、前記第１電子輸送材料が、完全にフッ素化されることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
前記第１電子輸送材料が、2,4,6-トリス-(ノナフルオロビフェニル)-1,3,5-トリアジンであることを特徴とする請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
前記第１電子輸送層スタックが、２つのｎ型ドーピングした層を更に有し、前記電子輸送層が、前記２つのｎ型ドーピングした層の間に配設されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
前記第２電子輸送層スタックが、前記電子輸送層と前記第１電極との間に配設されるｎ型ドーピングした層を更に有することを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項７】
前記エレクトロルミネッセンス層スタックが、前記第１電子輸送層スタックと前記第２電極との間に配設される第２電荷発生層スタックを更に有し、前記第２電荷発生層スタックが、ｎ型ドーピングした層とｐ型ドーピングした層とを有し、前記ｐ型ドーピングした層が前記第２電極に面することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項８】
前記第２電荷発生層スタックと前記第２電極との間に第２正孔輸送層が配設され、好ましくは、更に、前記正孔輸送層と前記第２電極との間にｐ型ドーピングした中間層が配設されることを特徴とする請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項９】
前記第１電荷発生層スタック及び／又は前記第２電荷発生層スタックが、少なくとも、前記ｐ型ドーピングした層内へのｎ型ドーパントの拡散及び／又は前記ｎ型ドーピングした層内へのｐ型ドーパントの拡散を阻止するために、前記ｎ型ドーピングした層と前記ｐ型ドーピングした層との間に障壁層を更に有することを特徴とする請求項１又は７に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１０】
請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス層スタックを備える有機エレクトロルミネッセンス装置を製造する方法であって、
少なくとも第１電極で覆われた基板を設けるステップと、
前記第１電極の上に、少なくとも、前記有機発光層スタックを堆積させるステップと、
前記有機発光層スタックの上に、低い屈折率を持つ第１電子輸送材料で作成される電子輸送層、及び少なくとも１つのｎ型ドーピングした層を有する第１電子輸送層スタックを堆積させるステップと、
前記第１電子輸送層スタックの上に、前記第２電極を堆積させるステップと、
前記第１電極の上に、前記第１電子輸送材料で作成される別の電子輸送層を少なくとも有する第２電子輸送層スタックを堆積させるステップと、
前記第２電子輸送層スタックの上に、第１電荷発生層スタックを堆積させるステップとを有し、前記第１電荷発生層スタックが、少なくとも、ｎ型ドーピングした層と、前記有機発光層スタックに面するｐ型ドーピングした層とを有する方法。
【請求項１１】
前記第１電子輸送層スタックを堆積させるステップが、
前記有機発光層スタックの上に、前記ｎ型ドーピングした層を堆積させるステップと、
前記ｎ型ドーピングした層の上に、前記電子輸送層を堆積させるステップと、
前記第１電子輸送層の上に、別のｎ型ドーピングした層を堆積させるステップとを有することを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２電子輸送層スタックを堆積させるステップが、前記電子輸送層と前記第１電極との間にｎ型ドーピングした層を堆積させるステップを更に有することを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１電子輸送層スタックと前記第２電極との間に第２電荷発生層スタックを堆積させるステップを更に有し、前記第２電荷発生層スタックが、ｎ型ドーピングした層とｐ型ドーピングした層とを有し、前記ｐ型ドーピングした層が前記第２電極に面する請求項１１乃至１２のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月18日(2014.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を用意するステップ；
前記基板を高真空環境に置くステップ；
熱蒸発により前記高真空環境において前記基板の表面に銅、亜鉛、スズならびに硫黄およびセレンの少なくとも１つを、前記基板上に付着される前記材料の著しい再蒸発が生じないように前記基板の温度を十分に低い範囲に維持しながら付着させ、それにより太陽電池用の吸収層を形成するステップ、および
前記付着ステップ中に維持される温度より十分に高い第２の温度で基板上に前記付着された吸収層をアニールするステップ
を含む方法。
【請求項２】
前記銅、亜鉛、スズおよび硫黄もしくはセレンまたはその両方は前記基板上に同時に付着され、付着中の前記温度の範囲は１００〜２００℃であり、前記第２の温度は５００℃超であり、アニールが３０分以下の時間で実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板は硫黄の存在下でアニールされる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記銅、亜鉛およびスズは放出セルから付着される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記硫黄もしくはセレンまたはその両方はクラッキングセルから付着される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記基板はモリブデン・コーティングを含む表面を有するガラスを含み、前記吸収層は前記モリブデン・コーティング上に付着される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記吸収層上にエミッタ層を形成するステップ、および
前記エミッタ層上に窓層を付着させるステップ
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記銅、亜鉛、スズならびに硫黄およびセレンの少なくとも一方の１つまたは複数を熱蒸発の前に非元素形態で供給するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記銅、亜鉛、スズならびに硫黄およびセレンの少なくとも一方は１０−６〜１０−８トルに維持された真空中かつ１００〜２００℃の温度で３〜５ｎｍ／分の速度で同時に付着され、アニールが３００℃を超える温度で３０分以下の時間で実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
実質的な平面を有する基板を用意するステップ、
前記基板の前記実質的な平面上に銅、亜鉛、スズならびに硫黄およびセレンの少なくとも一方を、前記基板上に付着される前記材料の著しい再蒸発が生じないように前記基板の温度を十分に低い範囲に維持しながら同時に真空付着させ、それにより太陽電池用吸収層を形成するステップ、
前記基板上に前記真空付着される吸収層を、３０分以下の時間で３００℃を超える温度でアニールするステップ、
前記吸収層上にエミッタ層を形成するステップ、および
前記エミッタ層の上に窓層を形成するステップ
を含む方法。
【請求項１１】
前記銅、亜鉛、スズならびに硫黄およびセレンの少なくとも一方の少なくとも１つは前記平面上に元素形態で真空付着される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記銅、亜鉛、スズ、ならびに硫黄およびセレンの少なくとも一方を前記基板の前記平面上に真空付着させる間に、前記銅、亜鉛、スズ、ならびに硫黄およびセレンの少なくとも一方の各流束を制御するステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記基板の前記平面はモリブデンを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記銅、亜鉛、スズならびに硫黄およびセレンの少なくとも一方が前記平面上に真空付着されるとき、前記基板は１００〜２００℃に維持され、前記吸収層をアニールするステップが５００℃を超える温度で行われる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記硫黄はクラッキングセルから前記基板の前記平面上に付着され、前記銅、亜鉛およびスズは放出セルから前記平面上に同時に真空付着される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記基板はガラスを含み、前記基板の前記平面はモリブデンを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記硫黄、銅、亜鉛およびスズは１０−６〜１０−８トルに維持された真空中で３〜５ｎｍ／分の速度で真空付着される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記エミッタ層はＣｄＳを含み、溶液成長法により形成され、前記窓層はｉ−ＺｎＯおよびＡｌ−ＺｎＯを含み、スパッタリングにより形成される、請求項１５に記載の方法。