(57)【要約】【課題】反りを低減させることのできる素子内蔵用空所の形成方法及び素子内蔵基板を提供すること。【解決手段】接着シート１にのみ厚さ方向を貫通するくり抜き部８を形成して、接着シート１を挟むようにコア基板２、３を重ねて加熱加圧する工程と、接着シート１の一方の面に接着された一方のコア基板２の、くり抜き部８に重なる部分を厚さ方向にくり抜いて接着シート１のくり抜き部８とつなげて素子内蔵用の空所１２を形成する工程とを有する。【選択図】        図２
2004356188.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接着シートの両面にそれぞれコア基板を接着させて積層された積層体に素子内蔵用の空所を形成する素子内蔵用空所の形成方法であって、
前記接着シートにのみ厚さ方向を貫通するくり抜き部を形成して、前記接着シートを挟むように前記コア基板を重ねて加熱加圧する工程と、
前記接着シートの一方の面に接着された一方の前記コア基板の、前記くり抜き部に重なる部分を厚さ方向にくり抜いて前記くり抜き部とつなげて前記空所を形成する工程とを有する
ことを特徴とする素子内蔵用空所の形成方法。
【請求項２】
前記一方のコア基板をくり抜く前に、前記一方のコア基板と、前記接着シートの他方の面に接着された他方の前記コア基板との間の層間接続を行う
ことを特徴とする請求項１に記載の素子内蔵用空所の形成方法。
【請求項３】
接着シートの両面にそれぞれコア基板を接着させて積層された積層体に素子が内蔵された素子内蔵基板であって、
前記積層体は、前記接着シートにのみ厚さ方向を貫通するくり抜き部を形成した状態で前記接着シートを挟むように前記コア基板が重ねられて加熱加圧されて得られ、前記接着シートの一方の面に接着された一方の前記コア基板の、前記くり抜き部に重なる部分が前記くり抜き部とつながるようにしてくり抜かれて形成された空所に前記素子が内蔵されている
ことを特徴とする素子内蔵基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コア基板どうしが接着シートを介して互いに接着されて積層された積層体に素子を内蔵させるための空所を形成する素子内蔵用空所の形成方法及び素子内蔵基板に関し、更に詳しくは、反りを抑制するべく空所の形成方法を工夫した素子内蔵用空所の形成方法及びその空所に素子が内蔵された素子内蔵基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、弾性表面波（ＳＡＷ；Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ  ）素子などのように、機能面を直接封止材で覆うことができず、機能面側を中空にしなければならないような素子については、溶接封止やセラミックパッケージを用いて気密封止し、それを１つの部品として配線基板に表面実装していた。
【０００３】
その場合の実装は配線基板の最外層表面だけに限られ、しかも素子がパッケージングされているため、本来の素子のサイズであるベアチップサイズよりも大きい実装面積が必要となる。しかし、最外層表面上の部品実装面積には限りがあり、近年の配線基板全体の小型化、高密度化実装への要求を満足できなくなってきている。
【０００４】
そこで、より多くの部品の実装を可能とし、同時に配線基板の小型化を実現するものとして、配線基板の内部に空所を形成して、その空所に、パッケージングしていない素子（ベアチップ）を実装するようにしたものがある（例えば特許文献１）。
【０００５】
【特許文献１】
特開昭６１−１１２３９９号公報
【０００６】
このような素子内蔵用の空所を有する配線基板の製造方法の従来例を図７、８に示す。
【０００７】
先ず、図７に示される、接着シート１、およびその接着シート１を介して積層されるコア基板２、３をそれぞれ作製する。コア基板３は、絶縁層５の両表面に導体パターン７ａ、７ｂが形成されて構成される。また、両表面に形成された導体パターン７ａ、７ｂ間は層間接続されている。他方のコア基板２も同様に、絶縁層４の両表面に導体パターン６ａ、６ｂが形成されて構成される。
【０００８】
接着シート１は、例えば、ガラス布、ガラス不織布、紙などの補強基材に、ワニス状のエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂などを含浸させて乾燥しＢステージまで半硬化させて得られる。
【０００９】
一方のコア基板２及び接着シート１には、例えば、ドリルなどの研削工具を用いた機械的加工や、レーザ加工、エッチング加工などの方法により、厚さ方向に貫通するくり抜き部３９、８がそれぞれ形成される。くり抜き部３９、８の平面寸法は内蔵されるべき素子の平面寸法より大きくされる。
【００１０】
以上のようにして得られる、コア基板２、３、及び接着シート１を互いに積層する。具体的には、接着シート１の一方の面にコア基板２を、他方の面にコア基板３を重ねて、これらを例えばステンレスなどからなる鏡面板の間に挟んで固定し、加熱加圧する。
【００１１】
以上の加熱加圧により、図８Ａに示すように、両コア基板２、３間で狭圧された接着シート１は各コア基板２、３の導体パターン６ｂ、７ａ間に入り込んで導体パターン６ｂ、７ａ間を充填すると共に、Ｃステージまで硬化されて各コア基板２、３が接着シートに完全に接着固定される。
【００１２】
次いで、図８Ａで得られた積層体に層間接続孔を形成し、その層間接続孔にめっきが施される。更に、層間接続孔内に導電性あるいは絶縁性の充填材９が充填される。これにより、図８Ｂに示されるように、コア基板２の導体パターン６ａ、６ｂと、コア基板３の導体パターン７ａ、７ｂとが層間接続される。
【００１３】
また、他の従来例として、特許文献２には、図１０に示すように、素子の実装面となるコア基板３１ａの上に、くり抜き部が形成された接着シート３４ｂ、くり抜き部が形成されたコア基板３１ｂ、くり抜き部が形成された接着シート３４ａ、くり抜き部が形成されたコア基板３１ｃ、および２枚の熱可塑性樹脂フィルム３５の間にプリプレグ３６を配したクッション材３２を重ねて加熱加圧して、素子内蔵用の空所３３を有する配線基板を得ることが開示されている。クッション材３２は、加熱加圧後、コア基板３１ｃから剥離される。
【００１４】
【特許文献２】
特開平９−１９９８５６号公報
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
上記図７、８に示す方法では、コア基板２、３、および接着シート１の加熱加圧後に、図９に示すようにコア基板３を下にした状態で四隅が水平面上から浮き上がる方向への反りが発生してしまう問題がある。
【００１６】
この反りが生じる要因としては、くり抜き部の形成されていないコア基板３と、くり抜き部３９の形成されたコア基板２との間に生じる熱膨張の程度の差が考えられる。あるいは、接着シート１の硬化収縮に伴う両コア基板２、３間での歪みの程度の差も要因の１つに挙げられる。例えば接着シート１の材料としてよく用いられるエポキシ系樹脂がコア基板２、３に接着した状態で硬化収縮した場合に、くり抜き部のあるコア基板２の方がくり抜き部のないコア基板３よりも硬化収縮に伴う歪み量が大きめとなり、結果としてこの積層体全体で図９に示すような反りが生じ易くなる。
【００１７】
また、特許文献２では、接着シート３４ｂ、コア基板３１ｂ、接着シート３４ａ、コア基板３１ｃには素子収容のための孔あけ加工が施された状態で加熱加圧される。すなわち、ベースとなるコア基板３１ａの上方側に空所が偏って存在した状態で加熱加圧され、くり抜き部のないコア基板３１ａとくり抜き部の形成されたコア基板３１ｂ、３１ｃとの間で熱膨張や歪みの程度に偏りが生じ、積層体全体として反りが発生しやすくなる。また、特許文献２では、積層後にクッション材３２を剥離するので、この剥離時に積層体に作用する応力が積層体の反りを引き起こしてしまうおそれもある。
【００１８】
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、その目的とするところは、反りを低減させることのできる素子内蔵用空所の形成方法及び素子内蔵基板を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するにあたり、本発明の素子内蔵用空所の形成方法は、接着シートにのみ厚さ方向を貫通するくり抜き部を形成して、接着シートを挟むように接着シートの両面にそれぞれコア基板を重ねて加熱加圧する工程と、
接着シートの一方の面に接着された一方のコア基板の、くり抜き部に重なる部分を厚さ方向にくり抜いて接着シートのくり抜き部とつなげて、素子内蔵用の空所を形成する工程とを有することを特徴としている。
【００２０】
また、本発明の素子内蔵基板は、接着シートにのみ厚さ方向を貫通するくり抜き部を形成した状態で接着シートを挟むようにコア基板が重ねられて加熱加圧されて、素子を内蔵するための積層体が得られ、接着シートの一方の面に接着された一方のコア基板の、接着シートのくり抜き部に重なる部分がくり抜き部とつながるようにしてくり抜かれて形成された空所に素子が内蔵されていることを特徴としている。
【００２１】
本発明では、素子内蔵用の空所形成にあたり、コア基板を接着シートで貼り合わせるが、その際、接着シートにのみくり抜き部を形成しておき、積層後に一方のコア基板をその表層から接着シートのくり抜き部にかけてくり抜いて空所を形成する。加熱加圧時に、接着シートを挟む両側のコア基板がくり抜かれていない構造であるので、両コア基板間の熱膨張や歪みの程度に大きな差が生じることなく、反りを抑制できる。これにより、素子を内蔵させる際の実装精度、あるいはその素子を内蔵した素子内蔵基板を他のマザーボードなどに実装する際の実装精度を高くできる。
【００２２】
また、接着シートにはくり抜き部を設けた状態で加熱加圧するが、これは、積層時に、素子が実装されるコア基板上の導体パターンは接着シートに覆われないようにし、空所が得られた際にはその導体パターンが空所内に露出して素子の接合の妨げにならないようにするためである。
【００２３】
また、加熱加圧後の積層された状態では、素子の実装されるべき空間は両コア基板間に密閉され外部に露出されていない。よって、一方のコア基板をくり抜いて空所を形成する前に、両コア基板間の層間接続を行えば、素子の実装されるべき空間にめっきが施されることなく、素子が接合される導体パターンの形状や厚さが不所望に変わってしまうことを防げる。
【００２４】
本発明で、接着シートは、それ自体では接着性を有しないあるいは弱いコア基板どうしの接着を担う。更に、コア基板間で狭圧されることで、導体パターン間に充填され絶縁分離する機能も有する。このような接着シートの一例として、硬化反応の中間段階（ワニス状態のＡステージと完全硬化した状態のＣステージの間の段階）にあるＢステージ状態の、エポキシ系、アクリル−エポキシ系の樹脂が挙げられる。あるいは、織布の両面に接着剤を塗布した後乾燥させたものや、樹脂、短繊維、フィラー等からなる組成物をシート状に成形したものでもよい。
【００２５】
また、コア基板は、絶縁層上に導体パターン（素子が接合されるランドや各ランド間を接続する配線）が支持された配線基板であり、片面のみに導体パターンが形成されていてもよいし、両面に導体パターンが形成されていてもよい。あるいは、絶縁層の表面だけでなく内層にも導体パターンを有する構造であってもよい。導体パターンが２層以上ある場合には各導体パターン間が層間接続された構成であってもよい。この層間接続は、積層前でも積層後でもよい。
【００２６】
また、加熱加圧時に、接着シートを異なる温度帯での複数段階、例えば２段階に分けて硬化させることも熱歪みの抑制に寄与させることができる。また、加熱加圧時の雰囲気としては大気圧下でもよいし、減圧下でもよい。減圧下で行えば、接着面でのボイドの発生を防ぎ接着信頼性を高めることができ、また均一な板厚にできる。
【００２７】
積層後に、一方のコア基板をくり抜く方法としては、ドリル、ルータなどを用いた機械的加工、レーザー加工、エッチング液を用いた選択的エッチングなどを用いることができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一例としての実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２９】
［第１の実施の形態］
図１〜図５は、第１の実施の形態に係る素子内蔵用空所の形成方法を示す。以下、各工程について順に説明する。
【００３０】
先ず、図１に示される、接着シート１、およびその接着シート１を介して積層される２つのコア基板２、３をそれぞれ作製する。
【００３１】
コア基板３は、絶縁層５の両表面に導体パターン７ａ、７ｂが形成されて構成される。例えば、絶縁層５に対してベタ状の金属箔を貼り付けた後、不要部分をエッチングするサブトラクティブ法、あるいは無電解めっきや電気めっきにてパターンめっきを行うアディティブ法などで所望の形状にパターニングされた導体パターン７ａ、７ｂが形成される。
【００３２】
次いで、絶縁層５の両表面に形成された導体パターン７ａ、７ｂ間を層間接続する。例えばドリルやレーザーなどを用いてコア基板３の所定箇所を厚さ方向に貫通する層間接続孔を形成した後、その層間接続孔にめっきが施される。更に、層間接続孔内に導電性あるいは絶縁性の充填材９が充填される。
【００３３】
他方のコア基板２も同様に、絶縁層４の両表面に対して、例えば、ベタ状の金属箔を貼り付けた後、不要部分をエッチングするサブトラクティブ法、あるいは無電解めっきや電気めっきにてパターンめっきを行うアディティブ法などで所望の形状にパターニングされた導体パターン６ａ、６ｂが絶縁層４の両表面に形成されて構成される。
【００３４】
コア基板２、３における絶縁層４、５や導体パターン６ａ、６ｂ、７ａ、７ｂの材料は要求される特性によって異なり、特に限定されるものではない。一例を挙げると、絶縁層４、５としては、例えば、ガラス布やガラス不織布にエポキシ樹脂を含浸させたもの、ガラス布やガラス不織布にポリイミド樹脂を含浸させたもの、紙にフェノール樹脂を含浸させたものなどが用いられる。また、エポキシ樹脂とビスマレイミド・トリアジン樹脂の混合物や液晶ポリマー、ベンゾシクロブテンなどを用いてもよい。導体パターン６ａ、６ｂ、７ａ、７ｂの材料としては、通常銅がよく用いられるが、要求される電気的特性を満足するものであれば他の金属を用いても構わない。
【００３５】
また、各コア基板２、３において、導体パターンは片面のみであってもよく、あるいは内層にも導体パターンを有する構成であってもよい。
【００３６】
また、例えば導体パターン６ａ、６ｂ、７ａ、７ｂを覆うように絶縁層４、５表面上にペースト状の絶縁性樹脂材を塗布し、その樹脂材を加熱硬化させた後、研磨して導体パターン６ａ、６ｂ、７ａ、７ｂの表面を外部に露出させ、導体パターン６ａ、６ｂ、７ａ、７ｂ間を埋め且つ導体パターン６ａ、６ｂ、７ａ、７ｂ表面と面一な平坦化層を絶縁層４、５の上に形成させてもよい。
【００３７】
接着シート１は、例えば、ガラス布、ガラス不織布、紙などの補強基材に、ワニス状のエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂などを含浸させて乾燥しＢステージまで半硬化させて得られる。なお、上述したコア基板２、３における絶縁層４、５は導体パターン６ａ、６ｂ、７ａ、７ｂを形成するための金属箔との貼り付け時の加熱などでＣステージまで完全に硬化された状態とされている。
【００３８】
接着シート１には、例えば、ドリルなどの研削工具を用いた機械的加工や、レーザ加工、エッチング加工などの方法により、厚さ方向に貫通するくり抜き部８が形成される。このくり抜き部８の平面寸法は後工程で内蔵される素子の平面寸法より大きくされる。
【００３９】
（積層工程）
以上のようにして得られる、コア基板２、３、及び接着シート１を互いに積層する。具体的には、接着シート１の一方の面にコア基板２を、他方の面にコア基板３を重ねて、これらを例えばステンレスなどからなる鏡面板の間に挟んで固定し、例えば大気雰囲気中、加熱温度１５０℃〜１８０℃の条件で、加熱加圧する。
【００４０】
両コア基板２、３のうち、コア基板３における導体パターン７ａの形成された面は後述する素子が実装される面であり、よって接着シート１とコア基板３との位置決めに際しては、その素子の実装箇所に接着シート１のくり抜き部８を位置させて、その実装箇所が接着シート１で覆われないようにする。
【００４１】
以上の加熱加圧により、図２Ａに示すように、両コア基板２、３間で狭圧された接着シート１は各コア基板２、３の導体パターン６ｂ、７ａ間に入り込んで導体パターン６ｂ、７ａ間を充填すると共に、Ｃステージまで硬化されて各コア基板２、３が接着シート１に完全に接着固定される。接着シート１のくり抜き部８に露出しているコア基板３の導体パターン７ａには接着シート１はかからずに、導体パターン７ａは、もう一方のコア基板２との間に空隙を形成してくり抜き部８に露出している。
【００４２】
この加熱加圧時、接着シート１にのみくり抜き部８が形成され、その接着シート１の両面に接着される両コア基板２、３はくり抜かれていない。このため、それらコア基板２、３および接着シート１から構成される積層体において、加熱加圧時に、厚さ方向に関して空隙部が偏って存在していない構造となっている。よって、接着シート１を挟む両コア基板２、３間で、熱膨張率や、接着シート１の硬化収縮に伴う歪みの程度に大きな差を生じさせることなくこの積層体全体としての反りを抑制できる。
【００４３】
（図２Ｂの工程）
図２Ａで得られた積層体に層間接続孔１０を形成する工程である。例えば、ドリルやレーザーなどを用いてコア基板２及び接着シート１の所定箇所を厚さ方向に貫通し、コア基板３の一方の面に形成された導体パターン７ａに達する層間接続孔１０を形成する。
【００４４】
（図３Ｃの工程）
その層間接続孔１０にめっきが施される。更に、層間接続孔１０内に導電性あるいは絶縁性の充填材９が充填される。これにより、コア基板２の導体パターン６ａ、６ｂと、コア基板３の導体パターン７ａ、７ｂとが層間接続される。
【００４５】
なお、コア基板３には積層前に予めこのコア基板３の両面を層間接続させておいたが、その層間接続をこのときに合わせて行うようにしてもよい。
【００４６】
（図３Ｄの工程）
次に、コア基板２において、その下の接着シート１のくり抜き部８に重なる部分を厚さ方向にくり抜いて、接着シート１のくり抜き部８とつながるくり抜き部１１を形成する。例えば、コア基板２表面上に、予めくり抜くべき部分にマーキングを施しておき、そのマークを目安にドリルやルータなどを用いた機械的加工、レーザ加工、エッチング加工などの方法によりくり抜かれる。
【００４７】
図３Ｄではコア基板２のくり抜き部１１の平面寸法は接着シート１のくり抜き部８の平面寸法とほぼ同じに示したが、内蔵される素子の平面寸法より大きければよく、この条件を満たせば、接着シート１のくり抜き部８の平面寸法より小さくても、大きくてもかまわない。
【００４８】
以上の２つのくり抜き部８、１１によって形成される凹状の空間が、素子を内蔵するための空所１２となる。この空所１２の大きさは内蔵すべき素子の大きさに応じて決められ、空所１２の平面寸法は素子の平面寸法より大きく、また空所の高さも素子の厚さ（バンプ高さも含む）よりも大きくされる。
【００４９】
また、コア基板２をくり抜いた際に、ドリルやルータとの摩擦熱、あるいはレーザの熱によってコア基板２の絶縁層４を構成する樹脂材が溶融して空所１２にはみ出してしまった場合には、くり抜き部１１の加工後、空所１２にはみ出した樹脂材をレーザなどによりトリミングする。これにより、空所１２の加工精度を向上させて素子の実装精度を向上させることができる。
【００５０】
空所１２の形成加工及びこの後のトリミングの作業容易さを考慮すると、両くり抜き部８、１１の平面寸法を同じとして空所１２の内壁に段差のない形態が好ましい。
【００５１】
以上のようにして、２つのコア基板２、３が接着シート１を介して積層された積層体に素子内蔵用の空所１２が形成された配線基板が得られる。この配線基板を得るにあたっては、上述したように、積層体の加熱加圧時に接着シート１にのみくり抜き部８を形成した状態で加熱加圧させたので、反りのない、あるいは反り量の抑制された配線基板とすることができ、素子が接合される導体パターンへのはんだの供給や、導体パターン上への素子の搭載精度を高くできる。
【００５２】
また、図２Ｂで示される層間接続孔１０にめっきをするためにめっき浴に浸漬される際に、くり抜き部８は両コア基板２、３間で密閉され、素子が実装されるべきコア基板３の導体パターン７ａは外部に露出しておらず、よってその導体パターン７ａにめっきが施されてしまうことがなくその導体パターン７ａの不所望の厚さ増大を防げる。したがって、導体パターン７ａの設計厚さに変更をきたすことなく、特性インピーダンスなどの電気的特性の安定化が図れる。
【００５３】
（反り量の比較）
次に、本実施の形態によって得られた空所１２を有する配線基板と、図７、８に示した従来の方法によって得られた比較例の配線基板とで反り量を比較した結果について説明する。
【００５４】
本実施の形態及び比較例とも、接着シート１は平面寸法１０ｍｍ×１０ｍｍ、厚さ０．１ｍｍのＲＯ４４５０（Ｒｏｇｅｒｓ社）を、コア基板２、３は平面寸法１０ｍｍ×１０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍのＲＯ４３５０（Ｒｏｇｅｒｓ社）を用い、これらを積層する際の加熱加圧条件も同じとした。
【００５５】
異なるのは、比較例の配線基板は接着シート１に加えて一方のコア基板２にもくり抜き部３９（図７参照）を形成して予め素子内蔵用の空所が確保された状態で２つのコア基板２、３及び接着シート１を加熱加圧し、本実施の形態の配線基板は上述したように接着シート１にのみくり抜き部８を形成した状態で２つのコア基板２、３及び接着シート１を加熱加圧した後に、一方のコア基板２をくり抜いて素子内蔵用の空所を形成した。
【００５６】
そして、本実施の形態と比較例のそれぞれの配線基板を、空所の形成されていない側のコア基板３を下にして平坦な定盤の上に置き、四隅での持ち上がり量の最も大きいところを反り量として測定した。
【００５７】
比較例の配線基板では反り量は０．５ｍｍであり、これに対して、本実施の形態の配線基板では反り量は０．１ｍｍ以下に抑えられていた。
【００５８】
（素子内蔵工程）
上記図３の工程に続いて、以下に説明する図４、５の工程を行うことで本実施の形態に係る素子内蔵基板が得られる。
【００５９】
（図４Ｅの工程）
空所１２に露出するコア基板３上の導体パターン７ａに、例えば弾性表面波素子などの素子１６をその機能面を下にしたフェイスダウン方式で実装する。素子１６の機能面側の周囲には複数の導電性バンプ（例えば、はんだバンプ、金スタッドバンプ等）１６ａが形成されており、それら導電性バンプ１６ａを導体パターン７ａに接合させる。この導電性バンプ１６ａによって、素子１６の機能面と実装面との間の間隙が確保され、機能面上の弾性表面波の伝播が妨げられない。あるいは、機能面を上に向けた状態で実装してもよい。また、この接合に際して、接合性をより向上させるために、導体パターン７ａの表面にＮｉ、Ａｕ、Ｓｎ系合金めっきを行ってもよい。
【００６０】
（図４Ｆの工程）
コア基板２の上に、更に別の接着シート１７を介してコア基板１８を積層して空所１２を密閉する。これにより、空所１２及びこれに内蔵された素子１６は、外部と気密及び液密に遮断される。この空所１２の密閉工程は、例えば乾燥した窒素ガス雰囲気中で行われる。したがって、空所１２内は窒素ガスに置換され、空所１２内を水分の含まない雰囲気下にすることができ、素子１６の高い信頼性を保持できる。なお、その他不活性ガスとして、アルゴンガスやヘリウムガスなどを用いてもよい。
【００６１】
空所１２の密閉に用いるコア基板１８は、前記コア基板２、３と同様、絶縁層の両表面に導体パターンが形成されると共に、それら両導体パターン間が層間接続されてなる。接着シート１７についても、前記接着シート１と同様、ガラス布、ガラス不織布、紙などの補強基材に、ワニス状のエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂などを含浸させて乾燥しＢステージまで半硬化させて得られる。ただし、接着シート１７にはくり抜き部は形成されていない。
【００６２】
（図５の工程）
最後に、コア基板１８、３の外部に露出する表面に、その表面を腐食性ガス、温度、湿度や塵埃などの影響から保護するための絶縁性保護膜１９が形成される。コア基板１８、３の表面には、この後、他の素子を表面実装してもよく、絶縁性保護膜１９は、その際のソルダレジストとしても機能する。
【００６３】
以上のようにして、反りのない平坦な素子内蔵基板２０が得られ、例えばこの素子内蔵基板２０を他のマザーボードなどに実装する際に、実装精度を高くできる。
【００６４】
また、反り抑制を図るべくコア基板２、３の材料や加熱加圧条件の調整からのアプローチにそれほど制限を加えなくても済み、材料や条件の選択自由度も高くなる。
【００６５】
更に、素子１６を内蔵させる直前まで、素子１６の実装箇所であるコア基板３の導体パターン７ａを、くり抜き部の形成されていないコア基板２によって外部から密閉された構造とすることができるので、その実装箇所の樹脂材の吸湿や導体パターン７ａの汚染などを抑制できる。
【００６６】
［第２の実施の形態］
図６は、本発明の第２の実施の形態に係る素子内蔵基板２５の断面図を示す。なお、上記第１の実施の形態と同じ構成部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００６７】
本実施の形態では、空所１２を密閉するためのコア基板１８側にも素子２６を実装させておき、そのコア基板１８が接着シート１７を介してコア基板２に重ねられたときにその素子２６も空所１２に内蔵されるようにしたものである。
【００６８】
具体的には、コア基板２とコア基板１８とを接着する接着シート１７を部分的に除去して、コア基板１８の導体パターン２７を部分的に露出させ、その導体パターン２７に導電性バンプ２６ａを介して素子２６を実装する。そして、その素子２６を空所１２側に向けた状態でコア基板１８及び接着シート１７をコア基板２に被せて積層接着する。これにより、空所１２内に２つの素子１６、２６が内蔵された素子内蔵基板２５が得られる。
【００６９】
以上、本発明の各実施の形態について説明したが、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００７０】
機能面側を中空にされて実装されるべき素子としては弾性表面波素子に限ることはなく、例えば、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）素子や水晶、更には、歪みや応力によって磁性薄膜の磁化方向を変えるようにした磁気機能素子などが挙げられる。
【００７１】
また、素子はフェイスダウンによる実装形態に限らず、ワイヤボンディング実装であってもよい。また、素子の機能面を除く部分に樹脂材を充填して空所内を封止するようにしてもよい。
【００７２】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、接着シートにのみ厚さ方向を貫通するくり抜き部を形成した状態でこの接着シートを挟むようにコア基板を重ねて加熱加圧した後で、一方のコア基板をくり抜いて接着シートのくり抜き部とつなげて素子内蔵用の空所を形成するようにしたので、加熱加圧時に、接着シートを挟む両側のコア基板間の熱膨張や歪みの程度に大きな差が生じることなく、反りを抑制できる。この結果、素子を内蔵させる際の実装時、あるいは素子実装基板自体の他の配線板などへの実装時の実装精度を高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る素子内蔵用空所の形成方法を示す断面図である。
【図２】図１に続く工程の断面図である。
【図３】図２に続く工程の断面図である。
【図４】図１〜図３で得られた空所に素子を内蔵させる工程を示す断面図である。
【図５】上記空所に素子が内蔵されて空所が密閉された素子内蔵基板の断面図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る素子内蔵基板の断面図である。
【図７】従来例の素子内蔵用空所の形成方法を示す断面図である。
【図８】図７に続く工程の断面図である。
【図９】素子内蔵用空所を有する配線基板が反った状態を模式的に示す断面図である。
【図１０】他従来例の素子内蔵用空所の形成方法を示す断面図である。
【符号の説明】
１…接着シート、２…コア基板、３…コア基板、４…絶縁層、５…絶縁層、６ａ，６ｂ…導体パターン、７ａ，７ｂ…導体パターン、８…くり抜き部、１１…くり抜き部、１２…空所、１６…素子、２０…素子内蔵基板、２５…素子内蔵基板、２６…素子、２７…導体パターン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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