Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月27日(2012.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｅメールをパッケージ化及び表示する方法において、
−少なくとも１つの第１の独立デジタルオブジェクト及び対応する第１のタグ、並びに
−前記第１のタグにより前記第１の独立デジタルオブジェクトと関連付けられた少なくとも１つの第１の従属デジタルオブジェクト、
を持つＥメールを作成するステップと、
前記の関連付けられた第１の独立デジタルオブジェクトとマッチさせるための前記第１の従属デジタルオブジェクトの抽出のために前記Ｅメールを処理するステップであって、これにより第１の処理されたコンテンツを形成する、ステップと、
前記第１の処理されたコンテンツの前記第１の独立デジタルオブジェクト及び前記第１の従属デジタルオブジェクトが同時に提示されるように前記Ｅメールを表示するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
前記Ｅメールが、端末装置により制御されるテレビジョンセット上に表示される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記処理するステップが、中間サーバにより実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記処理するステップが、前記Ｅメールの構文解析を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記Ｅメールのメッセージ本文及び前記処理されたコンテンツが、別々に提示される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の従属デジタルオブジェクトが、対応するタグを持つ、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記Ｅメールは、前記第１の独立デジタルオブジェクトに対して、前記対応するタグが前記Ｅメールに書き込まれ、前記関連付けられた従属デジタルオブジェクト及び<ENTER>キーが後に続くように構成される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記Ｅメールが、
対応する第２のタグを持つ第２の独立デジタルオブジェクトと、
前記第２のタグにより前記第２の独立デジタルオブジェクトと関連付けられた少なくとも１つの第２の従属デジタルオブジェクトと、
を有し、
前記処理するステップが、前記の関連付けられた第２の独立デジタルオブジェクトとマッチさせるための前記第２の従属デジタルオブジェクトの抽出を有し、これにより第２の処理されたコンテンツを形成し、前記表示するステップが、前記第２の処理されたコンテンツの前記第２の独立デジタルオブジェクト及び前記第２の従属デジタルオブジェクトを同時に提示し、前記第１の処理されたコンテンツ及び前記第２の処理されたコンテンツを順次的に提示することを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
独立デジタルオブジェクトが、フォトであり、前記フォトに関連付けられた従属デジタルオブジェクトが、前記フォトを説明するテキストであり、前記表示するステップの間に、前記テキストが、前記フォトとともに添付されたテキストとして表示される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
計算装置上で実行される場合に、請求項１ないし９のいずれか一項に記載の方法のステップを実施するように構成されたコード手段を含むコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月27日(2012.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
コンピュータプログラムであって、コンピュータで実行されるとき、
テキストメッセージを作るステップであって、前記メッセージが、有形のオブジェクトを表面に配置することにより作成される、ステップを実行するよう構成されるプログラムコードを有し、
前記オブジェクトの各々が識別子を持ち、かつ１つ又は複数のシンボルを表し、前記オブジェクトの検出された識別子及び位置に基づき、前記テキストメッセージが作成される、コンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月16日(2012.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
クエリーと呼ばれるデジタル画像とターゲットと呼ばれるデジタル画像とに適用される物体認識方法であって：
ａ）各回転・チルト対ごとにシミュレート画像を作成するために、各デジタル画像から、複数のデジタル回転と１ではない少なくとも２つのデジタルチルトとをシミュレートし；そして、
ｂ）クエリーとターゲットとの間の類似又は同一の物体を認識するのに使用される、ＳＩＦ（スケール不変特性）と呼ばれる局所的特徴を決定するために、シミュレート画像上に、並進、回転及びズームにおいて不変である値を生成するアルゴリズムを適用する；
前記方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前述の目的のうちの少なくとも１つは、少なくとも１つのデジタル画像における物体認識方法であって：
ａ）各回転・チルト対ごとにシミュレート画像を作成するために、各デジタル画像から、複数のデジタル回転と１ではない少なくとも２つのデジタルチルトとをシミュレートし；そして、
ｂ）クエリーとターゲットとの間の類似又は同一の物体を認識するのに使用される、ＳＩＦ（スケール不変特性）と呼ばれる局所的特徴を決定するために、シミュレート画像上に、並進、回転及びズームにおいて不変である値を生成するアルゴリズムを適用する；
前記方法を用いて達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
シミュレートされる合計面積が初期画像の面積を過度に上回らないようにするために、例えば、ａ＝ルート２及びｎ＝４を使用することができる。各チルトｔがアンダーサンプリングによって得られる場合、これはチルト後の画像の面積をｔで除算する。従って、画像（その合計面積が、初期画像の面積の１８０．ｔ／（７２．ｔ）＝２．５倍である）が、各々のｔごとにシミュレートされる。従って、処理される面積は、初期画像の面積の２．５倍にチルトの数をかけたものに等しい。従って、シミュレートされる面積は、初期画像の面積の２．５．ｎ＝１０倍である。しかしながら、本発明の方法が、クエリー画像及びターゲット画像の３を係数とするズームアウトに適用される場合、シミュレートされる面積は初期面積の１０／９＝１．１１倍にすぎない。従って、本発明の方法は、例えば、ＳＩＦＴ法に匹敵する時間をとり、その間に、最大で１６の転位（translation）チルトまでの斜めのビューの認識が可能である。しかしながら、チルトは、一方向でのオーバーサンプリングと、直交する方向でのアンダーサンプリングとを組み合わせることによってシミュレートすることができるので、その結果、画像の面積が一定のままであり、縮小することがない（後述のチルトの定義を参照されたい）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
従って、図２のステップ１４において、シミュレートされた画像は、次に、画像の回転（＝カメラの光軸の周りのカメラの回転）、並進（＝カメラの軸に垂直なカメラの移動）、及びズーム（＝カメラの光軸上のカメラの移動）を法として有効な認識を行う既存のアルゴリズムのいずれか１つによって、相互に比較される。そのようなアルゴリズムは、特に、米国特許第６７１１２９３号明細書に記載されるＳＩＦＴアルゴリズムである。図４は、シミュレート画像上で実行される複数の比較図を示す。２つの正方形で表される２つの画像クエリーＡ及びターゲットＢは、２つのチルトと関連付けられた回転とによって獲得されるそれらのシミュレートビュー（平行四辺形）に取り囲まれている。一方の画像の平行四辺形（複数）と他方の画像のいくつかの平行四辺形とを結び付ける矢印は、一方の画像のシミュレートビューと他方のシミュレートビューとの間で比較が行われることを表している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
出力１５は、２つの画像上で認識された物体と、サブ画像の一方を他方に変換することを可能にするものとして識別されたアフィン変換とを含む、クエリー及びターゲットのサブ画像の対の（場合により空の）リストであることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
本発明は、以下の分野：
−  １本のフィルムの種々の画像又は数本のフィルムの種々の画像の比較；
−  連続位置又は同時位置に配置された１台のカメラ又は数台のカメラによって撮影された種々の画像の比較；
−  カメラを搭載した車両内での、例えばそのナビゲーションなどのための使用；
−  画像と任意の直線に対して対称化された画像とにこの方法を適用することによる、画像内の斜対称の検出；
−  動く物体（人間、動物、機械）の認識；
−  写真、絵画、及び一般的な視覚芸術作品の比較又は分類；
−  大規模な個別又は集合的画像データベースの編成及び管理；
−  数個のビューからの場面又は物体のレリーフの再構築；
−  １台又は複数のカメラによって撮影された画像の較正又は格付け；
−  空中、空間、又は地上のビューの比較による、平面又はレリーフとしての地図製作；
−  記号、単語、印刷文字又はロゴの認識；及び
−  １つの完全なシーケンスに存在する物体を追跡するためのフィルムへの適用；
のうちの１つに有効に適用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月28日(2011.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）第１の電荷信号、（ｉｉ）第２の電荷信号、（ｉｉｉ）供給電圧、及び（ｉｖ）ホスト制御信号に応じて、第１のパワーダウン制御信号と第２のパワーダウン制御信号を生成するように構成された充電器回路と、
第１のバッテリ信号と第２のバッテリ信号に応じて、前記第１の電荷信号と前記第２の電荷信号を生成するように構成された制御回路とを備えた装置であって、
（Ａ）（ｉ）前記装置は、パワーダウン状態を開始する前記ホスト制御信号に応じて、前記パワーダウン状態を開始し、（ｉｉ）前記制御回路は、前記パワーダウン状態においてスリープモードを開始し、（ｉｉｉ）前記制御回路は、前記パワーダウン状態において前記充電器回路からの動作電力を遮断し、
（Ｂ）前記充電器回路は、（ｉ）前記装置が第１のモードにあるとき前記供給電圧から、（ｉｉ）前記装置が第２のモードにあるとき前記第１の電荷信号と前記第２の電荷信号の少なくとも１つから、電力を受け、
（Ｃ）前記制御回路は、前記装置が前記第１のモードにあるとき、第１の監視プロトコルによって、前記第１のバッテリ信号と前記第２のバッテリ信号の残りの充電を監視し、 （Ｄ）前記制御回路は、前記装置が前記パワーダウン状態にあるとき、前記第１の監視プロトコルより少ない電力を用いる第２の監視プロトコルによって、前記第１のバッテリ信号と前記第２のバッテリ信号の残りの充電を監視する装置。
【請求項２】
前記制御回路は、前記装置が前記第２のモードにあるとき、前記スリープモードを開始し、前記第１の電荷信号と前記第２の電荷信号の両方が前記充電器回路から削除される請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記制御回路は、前記装置が前記パワーダウン状態にあるとき、低パワーモードで動作するように構成された第１の計器回路と第２の計器回路を含む請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記制御回路は、前記装置が前記パワーダウン状態にあるとき、前記低パワーモードで動作するように構成された第１のアナログフロントエンド回路と第２のアナログフロントエンド回路を更に含む請求項３に記載の装置。
【請求項５】
（ｉ）前記第１のバッテリ信号は第１のバッテリパックから受信され、（ｉｉ）前記第２のバッテリ信号は第２のバッテリパックから受信される請求項２に記載の装置。
【請求項６】
前記ホスト制御信号は、制御バスを介して受信される請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記装置は、独立ディスク冗長アレイ（ＲＡＩＤ）コントローラに電力を供給するように構成される請求項１に記載の装置。
【請求項８】
（ｉ）第１の電荷信号、（ｉｉ）第２の電荷信号、（ｉｉｉ）供給電圧、及び（ｉｖ）ホスト制御信号に応じて、第１のパワーダウン制御信号と第２のパワーダウン制御信号を生成するための手段と、
第１のバッテリ信号と第２のバッテリ信号に応じて、前記第１の電荷信号と前記第２の電荷信号を生成するための手段とを備えた装置であって、
（ｉ）前記装置は、パワーダウン状態を開始する前記ホスト制御信号に応じて、前記パワーダウン状態を開始し、（ｉｉ）前記第１の電荷信号と前記第２の電荷信号を生成するための前記手段は、前記パワーダウン状態においてスリープモードを開始し、（ｉｉｉ）前記第１の電荷信号と前記第２の電荷信号を生成するための前記手段は、前記パワーダウン状態において前記第１のパワーダウン制御信号と前記第２のパワーダウン制御信号を生成するための前記手段からの動作電力を遮断し、
前記装置は、（ｉ）第１のバスの複数の第１の制御信号の生成によって、第１のバッテリの充放電を制御し、（ｉｉ）第２のバスの複数の第２の制御信号の生成によって、第２のバッテリの充放電を制御し、（ｉｉｉ）メイン電源、前記第１のバッテリ、及び前記第２のバッテリの中で利用可能ないずれかから動作電力を取り出し、（ｉｖ）前記動作電力が利用不可能なとき、前記第１のバスと前記第２のバスの両方を解放するように更に構成される装置。
【請求項９】
メイン電源とホストバスから受信されたホスト制御信号とに応じて、有効状態と無効状態を有するシミュレートされた電源供給信号を生成するように構成された入力回路と、
好都合でない電力を回避するように構成された充電器回路であって、前記シミュレートされた電源供給信号が前記有効状態にあるとき、前記充電器回路の動作を無効にする充電器回路とを備えた装置であって、
（Ａ）前記充電器回路は、（ｉ）前記メイン電源が存在するとき、第１のバッテリと第２のバッテリを充電するように構成され、（ｉｉ）前記ホストバスの損傷による前記メイン電源の過電圧状態を防ぎ、
（Ｂ）前記無効状態において、利用不可能な前記第１のバッテリ、利用不可能な第２のバッテリ、及び前記シミュレートされた電源供給信号を有する前記装置の電源投入時シーケンスを初期化するとき、前記好都合でない電力が生じ、
（Ｃ）前記充電器回路は、（ｉ）第１のバスの複数の第１の制御信号の生成によって、前記第１のバッテリの充放電を制御し、（ｉｉ）第２のバスの複数の第２の制御信号の生成によって、前記第２のバッテリの充放電を制御し、（ｉｉｉ）前記メイン電源、前記第１のバッテリ、及び前記第２のバッテリの中で利用可能ないずれかから動作電力を取り出し、（ｉｖ）前記動作電力が利用不可能なとき、前記第１のバスと前記第２のバスの両方を解放するように更に構成される装置。
【請求項１０】
前記充電器回路は、前記メイン電源が存在しないとき、前記第１のバッテリと前記第２のバッテリから受けた電力を用いて動作するように構成される請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記ホストバスは、Ｉ２Ｃバスを含む請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
前記装置は、独立ディスク冗長アレイ（ＲＡＩＤ）コントローラに電力を供給するように構成される請求項９に記載の装置。
【請求項１３】
前記充電器回路は、前記シミュレートされた電源供給信号が前記無効状態にあるとき、クーロンカウントを実行するように更に構成される請求項９に記載の装置。
【請求項１４】
前記メイン電源、前記第１のバッテリ、及び前記第２のバッテリの中から最も高い電圧を伝達する和信号を生成するように構成された制御回路を更に含む請求項９に記載の装置。
【請求項１５】
前記入力回路は、前記和信号から出力信号を生成するように更に構成され、前記出力信号は、前記装置に接続可能な負荷に電力を供給する請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
（ｉ）前記第１の制御信号に応じて、前記第１のバッテリの第１のバッテリ信号と前記充電器回路とを選択的に切替え、（ｉｉ）前記第２の制御信号に応じて、前記第２のバッテリの第２のバッテリ信号と前記充電器回路とを選択的に切替え、（ｉｉｉ）前記充電器回路が前記第１のバスと前記第２のバスの両方を解放するのに応じて、スリープモードを開始するように構成された制御回路を更に含む請求項９に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月16日(2012.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒子状アルミニウムと、亜鉛有機成分と、有機溶剤を含む有機ビヒクルとを含むアルミニウムペースト。
【請求項２】
次のステップ、すなわち、
（ｉ）ｐ型領域、ｎ型領域およびｐ−ｎ接合を有するシリコンウエハの裏面側に請求項１に記載のアルミニウムペーストを塗布するステップと、
（ｉｉ）前記アルミニウムペーストを塗布した表面を焼成するステップであって、前記ウエハが７００〜９００℃のピーク温度に達するステップと、
を含むシリコン太陽電池の形成方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法によって作製されたシリコン太陽電池。
【請求項４】
アルミニウム裏面電極を含むシリコン太陽電池であって、前記アルミニウム裏面電極が、請求項１に記載のアルミニウムペーストを使用して製造されるシリコン太陽電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
【表１】
2011521401.tif 000001
以下、本明細書に記載される代表的な発明につき列記する。
１．
粒子状アルミニウムと、亜鉛有機成分と、有機溶剤を含む有機ビヒクルとを含むアルミニウムペースト。
２．
１種類以上のガラスフリットを、全アルミニウムペースト組成物を基準として、０．０１〜５質量％の総比率でさらに含む、前記１．に記載のアルミニウムペースト。
３．
無定形二酸化ケイ素を、全アルミニウムペースト組成物を基準として、０超〜０．５質量％の比率でさらに含む、前記１．に記載のアルミニウムペースト。
４．
前記粒子状アルミニウムが、全アルミニウムペースト組成物を基準として、５０〜８０質量％の比率で存在する、前記１．に記載のアルミニウムペースト。
５．
前記亜鉛有機成分が、１種類の固体の亜鉛有機化合物と、２種類以上の固体の亜鉛有機化合物の組合せと、１種類の液体の亜鉛有機化合物と、２種類以上の液体の亜鉛有機化合物の組合せと、固体および液体の亜鉛有機化合物の組合せと、１種類以上の亜鉛有機化合物の有機溶剤における溶液とからなる群から選択される、前記１．に記載のアルミニウムペースト。
６．
前記亜鉛有機成分が、全アルミニウムペースト組成物を基準として、０．０５〜０．６質量％の亜鉛の濃度寄与分に相当する比率で存在する、前記５．に記載のアルミニウムペースト。
７．
前記亜鉛有機化合物が、亜鉛レジネートおよびカルボン酸亜鉛からなる群から選択される亜鉛有機塩化合物である、前記５．に記載のアルミニウムペースト。
８．
前記亜鉛有機成分が、全アルミニウムペースト組成物を基準として、０．５〜３．０質量％の比率で存在するネオデカン酸亜鉛である、前記５．に記載のアルミニウムペースト
。
９．
前記有機ビヒクルが、有機ポリマーおよび／または有機添加剤をさらに含む、前記１．に記載のアルミニウムペースト。
１０．
次のステップ、すなわち、
（ｉ）ｐ型領域、ｎ型領域およびｐ−ｎ接合を有するシリコンウエハの裏面側に前記１．に記載のアルミニウムペーストを塗布するステップと、
（ｉｉ）前記アルミニウムペーストを塗布した表面を焼成するステップであって、前記ウエハが７００〜９００℃のピーク温度に達するステップと、
を含むシリコン太陽電池の形成方法。
１１．
前記アルミニウムペーストの塗布を印刷によって実施する、前記１０．に記載の方法。
１２．
焼成を、焼成において前面側および／または裏面側の電極を形成するためにシリコンウエハに塗布された前面側および／または裏面側の他の金属ペーストと共に、共焼成として実施する、前記１０．に記載の方法。
１３．
前記１０．に記載の方法によって作製されたシリコン太陽電池。
１４．
アルミニウム裏面電極を含むシリコン太陽電池であって、前記アルミニウム裏面電極が、前記１．に記載のアルミニウムペーストを使用して製造されるシリコン太陽電池。
１５．
シリコンウエハをさらに含む、前記１４．に記載のシリコン太陽電池。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月13日(2012.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セルケーシングと、
セルケーシング内に配置された複数の電池セルであり、それぞれ端子を有し、該端子は上部及び外周側面部分を有する、電池セルと、
一群の電池セル間の電気的接続を提供する少なくとも一つのバスバー・セグメントであり、少なくとも一つのバスバー・セグメントは端子の上部に接触するため電池セル群の長手方向端部を横切り延在する、バスバー・セグメントと、
を備え、
端子の外周側面は、端子を少なくとも一つのバスバー・セグメントに溶接するため、レーザーが外周側面の方へ向けられるように少なくとも一つのバスバー・セグメントによって遮られていない、
電池モジュール。
【請求項２】
端子は、少なくとも２つの外周側面を備え、バスバー・セグメントは、端子に接触する突起を備え、突起は、端子の少なくとも２つの外周側面とほぼ整列された第１面及び第２面を有する、請求項１記載の電池モジュール。
【請求項３】
複数のバスバー・セグメントを備え、複数のバスバー・セグメントの各々は、電池セルの列に沿って延在する方向において互いから隔てられる、請求項１記載の電池モジュール。
【請求項４】
セルケーシングは、隣接のセルケーシングにセルケーシングを連結するよう作用する連結機構を備える、請求項１記載の電池モジュール。
【請求項５】
連結機構は、タブ及びスロットの少なくとも一つを備え、任意に、隣接のセルケーシングのスロット及びタブの少なくとも一つとそれぞれ係合するタブ及びスロットを備える、請求項４記載の電池モジュール。
【請求項６】
電池セル群は、少なくとも第１及び第２の列を備え、端子は、複数の角を有する周縁形状を有し、第１列における端子の角の一つは、第２列から離れて向けられ、第２列における端子の角の一つは、第１列から離れて向けられ、
任意に、上記端子は、正方形の周縁形状を有する、請求項２記載の電池モジュール。
【請求項７】
電池モジュールの電圧及び温度の少なくとも一つをモニターするプリント回路基板を備え、
任意に、カバーを備え、プリント回路基板は、カバーと複数のバスバー・セグメントとの間で複数のバスバー・セグメントに沿って延在する、請求項３記載の電池モジュール。
【請求項８】
複数のバスバー・セグメントは、第１のバスバー構成を形成し、電池モジュールは、電池セルの別の端部で、第２のバスバー構成を形成する第２の複数のバスバー・セグメントを備える、請求項３記載の電池モジュール。
【請求項９】
第１のバスバー構成は、第２のバスバー構成よりも多数のセグメントを有する、請求項８記載の電池モジュール。
【請求項１０】
第２のバスバー構成を冷却するヒートシンクを備え、
任意に、ヒートシンクは、第２のバスバー構成に沿って延在し、冷却液入口及び出口を備える、請求項８記載の電池モジュール。
【請求項１１】
電池セルの端子をそれぞれ囲むヒューズ構成を備え、
電池セルは、隣接した電池セルの中心が正三角形を形成する重ねられた方法で配置され、及び／又は、電池セルは、円筒状のリチウムイオンセルである、請求項１記載の電池モジュール。
【請求項１２】
電池モジュールを製造する方法であって、
アレイ状に複数の電池セルを配置し、ここで複数の電池セルは端子を持つ第１長手方向端部を有し、端子はそれぞれ上部及び外周側面を有し、
端子の上部を横切りバスバーを配置し、それにより端子の外周側面が露出され、
バスバーと端子との間で溶接を確立するように端子の外周側面でレーザーを向けること、
を備えた方法。
【請求項１３】
端子は少なくとも２つの外周側面を備え、バスバーは端子と接触する突起を備え、
任意に、突起は端子の少なくとも２つの外周側面と整列する第１側面及び第２側面を有し、レーザーは、溶接を確立するために端子の少なくとも２つの外周側面に沿って与えられる、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
レーザーを向ける操作の前に複数の電池セルが第１セルケーシングに配置され、セルケーシングは、電池セルを保持する複数のスロットを有し、及び／又は、レーザーは、電池セルの長手方向にほぼ直角方向に向けられ溶接を形成する、請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
第２セルケーシングを設け、第１及び第２のセルケーシングの横の連結機構を用いて第２セルケーシングを第１セルケーシングに連結することをさらに備え、
又は、第１セルケーシングにヒートシンクを設けることをさらに備え、ヒートシンクは、電池セルの第２の長手方向端から熱を抜き取る、請求項１２記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月15日(2012.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本出願では、以下の態様が提供される。
１．  導電性パターンを不定長の材料のウェブ上に適用する方法であって、パターン形成されたウェブを提供するために、金属含有組成物を前記ウェブ上に適用する工程と、前記パターン形成されたウェブを、非常に低い熱質量を有するロールの周囲で搬送する工程と、前記金属を導電性パターンに変換するために、前記パターン形成されたウェブに熱を適用する工程と、前記導電性パターンを冷却する工程と、を含み、前記パターン形成されたウェブに熱を適用する工程及び前記導電性パターンを冷却する工程が、前記パターン形成されたウェブを前記ロールの周囲で搬送している間に実施される、方法。
２．  前記ロールが、空気ベアリング上に実装された、薄い金属シェルを備える、態様１に記載の方法。
３．  前記薄い金属シェルが、主にニッケルで構成される、態様２に記載の方法。
４．  前記薄い金属シェルを所定の基準温度で維持するための、基準加熱デバイスを更に備える、態様２に記載の方法。
５．  前記パターン形成されたウェブに熱を適用する工程が、赤外線エネルギー源を用いて達成される、態様１に記載の方法。
６．  前記ウェブが、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、及びポリイミドからなる群から選択されるポリマーを含むフィルムを備える、態様１に記載の方法。
７．  前記導電性パターンを冷却する工程が、前記パターン形成されたウェブを前記ロールの周囲で搬送している間に、前記ウェブをそのガラス転移温度未満の温度に冷却する工程を含む、態様１に記載の方法。
８．  前記冷却する工程が、前記薄い金属シェルの外側表面に隣接して実装された、急冷システムを使用して達成される、態様７に記載の方法。
９．  前記急冷システムが、少なくとも１つのエアーナイフを備える、態様８に記載の方法。
１０．  前記金属含有組成物が、媒体中に懸濁された銀粒子を備え、前記パターン形成されたウェブに熱を適用する工程が、前記銀粒子を前記導電性パターンに焼結する、態様１に記載の方法。
１１．  前記薄い金属シェルの厚さが、約０．１２７ｍｍ（５ミル）〜０．３８１ｍｍ（１５ミル）である、態様３に記載の方法。
１２．  前記空気ベアリングが、非回転コアの周囲で、前記薄い金属シェルを支持する、態様１１に記載の方法。
１３．  前記ロールが、１ｃｍ２の前記ロールの表面を１°Ｋだけ変化させるのに、０．５ジュール未満のエネルギーを必要とする、態様１に記載の方法。
１４．  前記ロールが、１ｃｍ２の前記ロールの表面を１°Ｋだけ変化させるのに、０．２ジュール未満のエネルギーを必要とする、態様１に記載の方法。
１５．  前記パターン形成されたウェブに熱を適用する工程が、前記ロールの円周の２度以下の弧にわたって実施される、態様１に記載の方法。
１６．  前記パターン形成されたウェブに熱を適用する工程が、誘導エネルギー源を用いて達成される、態様１に記載の方法。
１７．  前記赤外線エネルギー源が、前記ウェブが前記ロールの周囲を搬送されている間、レンズによって、前記ウェブの区域上に集束される、態様５に記載の方法。
１８．  前記レンズが、両凸のレンズを備え、前記両凸のレンズと前記ウェブとの間に開口が配置される、態様１７に記載の方法。
１９．  前記パターン形成されたウェブに熱を適用する工程中の周囲相対湿度が、３０％未満である、態様１に記載の方法。
２０．  導電性パターンを不定長の材料のウェブ上に適用する方法であって、パターン形成されたウェブを提供するために、金属含有組成物を前記ウェブ上に適用する工程と、前記パターン形成されたウェブを、非常に低い熱質量を有する接触層を備える搬送表面上で搬送する工程と、前記金属を導電性パターンに変換するために、前記パターン形成されたウェブに熱を適用する工程と、前記導電性パターンを冷却する工程と、を含み、前記パターン形成されたウェブに熱を適用する工程及び前記導電性パターンを冷却する工程が、前記パターン形成されたウェブを前記搬送表面上で搬送している間に実施される、方法。
本発明について、それらの様々な実施形態に関連して示し説明してきたが、当業者であれば、形状及び細部における様々な他の変更が、本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、その分野においてなされ得ることが理解されよう。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性パターンを不定長の材料のウェブ上に適用する方法であって、
パターン形成されたウェブを提供するために、金属含有組成物を前記ウェブ上に適用する工程と、
前記パターン形成されたウェブを、非常に低い熱質量を有するロールの周囲で搬送する工程と、
前記金属を導電性パターンに変換するために、前記パターン形成されたウェブに熱を適用する工程と、
前記導電性パターンを冷却する工程と、
を含み、前記パターン形成されたウェブに熱を適用する工程及び前記導電性パターンを冷却する工程が、前記パターン形成されたウェブを前記ロールの周囲で搬送している間に実施される、方法。
【請求項２】
前記ロールが、空気ベアリング上に実装された、薄い金属シェルを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記薄い金属シェルが、主にニッケルで構成される、請求項２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月2日(2012.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電型を有するシリコンカーバイドのドリフト領域と、
前記ドリフト領域の上に設けられたショットキーコンタクトと、
前記ショットキーコンタクトに隣接する前記ドリフト領域の表面に設けられた複数の接合型バリアショットキー（ＪＢＳ）領域であって、このＪＢＳ領域は、前記第１の導電型と反対の第２の導電型を有すると共に、第１の幅および前記ＪＢＳ領域のうちの隣接する領域の間に第１の隙間を有するＪＢＳ領域と、
前記ショットキーコンタクトに隣接する前記ドリフト領域の表面に設けられたサージ保護領域であって、このサージ保護領域は、前記第１の幅よりも広い第２の幅を有し、前記第２の導電型を有する複数のサージ保護サブ領域を含み、これらサージ保護サブ領域の各々は、前記第１の幅よりも狭い第３の幅を有し、前記ＪＢＳ領域のうちの隣接する領域の間の前記第１の隙間よりも狭い、第２隙間を前記サージ保護サブ領域のうちの隣接するサブ領域の間に有するサージ保護領域と、
を備えたショットキーダイオード。
【請求項２】
前記第１の隙間と、前記第２の隙間と、前記第３の幅とが、前記ドリフト層の表面から前記サージ保護サブ領域のうちの１つと前記ドリフト領域との間の接合部の中心までの電圧低下が前記ショットキーダイオードの定格電流よりも大きい順方向電流で順方向バイアスを前記接合部にかけられるように十分大きく、よって前記ショットキーダイオードに電流サージ取り扱い能力を与えるようになっている、請求項１に記載のショットキーダイオード。
【請求項３】
前記第１の隙間は、約４μｍ〜約６μｍであり、前記第２の隙間は、約１μｍ〜約３μｍである、請求項１に記載のショットキーダイオード。
【請求項４】
前記第１の幅は、約１μｍ〜約３μｍであり、前記第３の幅は、約１μｍ〜約３μｍである、請求項１に記載のショットキーダイオード。
【請求項５】
前記サージ保護サブ領域は、前記ドリフト層の表面から前記ドリフト層内に約０.３μｍ〜約０.５μｍの深さまで延びる、請求項１に記載のショットキーダイオード。
【請求項６】
前記ドリフト領域のドーピングレベルは、約５×１０１４ｃｍ−３〜約１×１０１６ｃｍ−３である、請求項１に記載のショットキーダイオード。
【請求項７】
前記ショットキーコンタクトと前記サージ保護サブ領域との間の境界部は、オーミックコンタクトである、請求項１に記載のショットキーダイオード。
【請求項８】
前記ドリフト層は、４Ｈ−ＳｉＣを含み、前記ドリフト層は、約５×１０１５ｃｍ−３〜１×１０１６ｃｍ−３のドーピングレベルを有し、前記サージ保護サブ領域は、５×１０１８ｃｍ−３より大きいドーピングレベルを有する、請求項１に記載のショットキーダイオード。
【請求項９】
前記サージ保護領域の下方の前記ドリフト領域の一部は、前記ショットキーコンタクトに印加される順方向電圧に応答し、前記ＪＢＳ領域の下方の前記ドリフト領域の一部よりも高い電位を有する、請求項１に記載のショットキーダイオード。
【請求項１０】
前記ショットキーコンタクトに隣接して前記ドリフト層内に複数のサージ保護領域を更に備える、請求項１に記載のショットキーダイオード。
【請求項１１】
前記第１の導電型はｎ型を含み、かつ、前記第２の導電型はｐ型を含む、請求項１に記載のショットキーダイオード。
【請求項１２】
前記サージ保護サブ領域は、前記ドリフト領域内の複数のトレンチと、前記複数のトレンチのそれぞれのトレンチの下方に延びる前記ドリフト層内の複数のドープされた領域とを含む、請求項１に記載のショットキーダイオード。
【請求項１３】
前記サージ保護サブ領域は、前記サージ保護サブ領域のそれぞれの間で前記ドリフト領域内に垂直の電流路を構成し、前記サージ保護領域の深さは、前記トレンチの深さと前記ドープされた領域の深さとによって定められる、請求項１２に記載のショットキーダイオード。
【請求項１４】
第１の導電型を有するシリコンカーバイドドリフト領域の表面に複数の接合型バリアショットキー（ＪＢＳ）領域を形成するステップであって、この複数のＪＢＳ領域は、前記第１の導電型と反対の第２の導電型を有すると共に、前記ＪＢＳ領域のうちの隣接する領域の間に第１の隙間を有するステップと、
前記ショットキーコンタクトに隣接する前記ドリフト領域の表面にサージ保護領域を形成するステップであって、このサージ保護領域は、前記第２の導電型を有する複数のサージ保護サブ領域を含み、これらサージ保護サブ領域の各々は、前記ＪＢＳ領域のうちの隣接する領域の間の前記第１の隙間よりも狭い第２隙間を、前記サージ保護サブ領域のうちの隣接するサブ領域の間に有するステップと、
前記ドリフト領域上にショットキーコンタクトを形成するステップと、
を含むショットキーダイオードを形成する方法。
【請求項１５】
前記第１の隙間は、約４μｍ〜約６μｍであり、前記第２の隙間は、約１μｍ〜約３μｍである、請求項１４に記載のショットキーダイオードを形成する方法。
【請求項１６】
前記複数のＪＢＳ領域を形成し、前記サージ保護領域を形成する前記ステップは、
前記第２の導電型のドーパントイオンを前記ドリフト層内に選択的に注入するステップと、
１７００℃よりも高い温度で前記注入されたイオンを熱処理するステップと、を含む、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記注入されたイオンを含む前記ドリフト層の上に、グラファイトコーティングを形成するステップをさらに含み、前記注入されたイオンを熱処理する前記ステップは、前記グラファイトコーティングを熱処理するステップである、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記イオンを注入する前に前記ドリフト層内に複数のトレンチをエッチングするステップをさらに含み、前記イオンを注入するステップは、前記複数のトレンチ内に前記イオンを注入するステップである、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記ドリフト領域に前記ショットキーコンタクトを形成するステップは、単一金属を使用し、前記ドリフト領域に対する前記ショットキーコンタクトと前記サージ保護サブ領域に対するオーミックコンタクトとを形成するステップを含む、請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月18日(2012.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化亜鉛系エピタキシャル層を成長させる方法であって、該方法は、
ｍ平面または微斜面ｍ平面ウルツ鉱基板を提供することと、
金属有機化学蒸着を使用して、該基板上に酸化亜鉛系エピタキシャル層を形成することと
を含む、方法。
【請求項２】
前記基板上に前記酸化亜鉛系エピタキシャル層を形成することは、前記基板を約４００℃乃至約９００℃に加熱することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板は、約５５０℃乃至約６５０℃に加熱される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記基板は、酸化亜鉛系基板である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ＶＩ族元素対ＩＩ族元素の金属有機化学蒸着過飽和比は、８０００未満である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記酸化亜鉛系エピタキシャル層は、金、銀、およびカリウムから成る群から選択される、少なくとも１つの元素をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記基板は、前記ｍ平面から約２度乃至約１５度の範囲のオフカット角度を有する、微斜面基板である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法に従って生成されるエピタキシャル層を有するデバイス。
【請求項９】
酸化亜鉛系エピタキシャル層を成長させる方法であって、該方法は、
半極性ウルツ鉱基板を提供することと、
金属有機化学蒸着を使用して、該基板上に酸化亜鉛系エピタキシャル層を形成することと
を含む、方法。
【請求項１０】
前記基板を約４００℃乃至約９００℃に加熱することをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記基板は、酸化亜鉛系基板である、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
ＶＩ族元素対ＩＩ族元素の金属有機化学蒸着過飽和比は、８０００未満である、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記酸化亜鉛系エピタキシャル層は、金、銀、およびカリウムから成る群から選択される少なくとも１つの元素をさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板は、｛１１−２２｝または｛１０−１２｝平面群に属する平面と平行または実質的に平行な堆積表面を有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
請求項９に記載の方法に従って生成されるエピタキシャル層を有するデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月6日(2011.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面実装可能な半導体装置（１）であって、
・取り付け面（６）と、
・相互に対向しているチップ上面（２２）とチップ下面（２１）とを備えている少なくとも１とのオプトエレクトロニクス半導体チップ（２）と、
・少なくとも部分的にビームを透過するビーム透過体（３）と、
・前記半導体装置（１）を電気的に接触接続するための少なくとも２つの電気的接続箇所（５）とを有しており、
前記ビーム透過体はビーム透過体下面（３０）を有しており、前記チップ上面（２２）が当該ビーム透過体下面（３０）の方を向くように、当該ビーム透過体下面（３０）に前記半導体チップ（２）が取り付けられており、
前記ビーム透過体（３）のラテラル方向の拡がりと前記半導体チップ（２）のラテラル方向の拡がりの偏差は４０％よりも低く、
少なくとも部分的にビームを透過する付着接続部（４）を有しており、当該付着接続部を介して、前記半導体チップ（２）とビーム透過体（３）とが相互に接続されており、前記チップ下面（２１）には前記付着接続部（４）は設けられておらず、
前記ビーム透過体（３）は、前記ビーム透過体下面（３０）に切欠き（１３）を有しており、当該切欠き内に前記少なくとも１つの半導体チップ（２）が収容されており、
前記接続箇所（５）は、前記ビーム透過体（３）をラテラル方向で越えず、前記半導体チップ（２）と反対側の接続箇所面は、前記半導体装置（１）を半導体装置の取り付け面（６）で制限している半導体装置において、
前記半導体チップ（２）の方を向いている、前記接続箇所（５）の面は、前記チップ下面（２１）に対して垂直に、前記ビーム透過体（３）と同一平面を成す、
ことを特徴とする半導体装置（１）。
【請求項２】
複数の切欠き（１３）を有しており、各切欠き（１３）内には１つの半導体チップ（２）が位置している、請求項１記載の半導体装置（１）。
【請求項３】
前記ビーム透過体（３）はレンズ形状に構成されている、請求項１または２記載の半導体装置（１）。
【請求項４】
前記ビーム透過体（３）は円柱レンズまたはフレネルレンズである、
請求項３記載の半導体装置（１）。
【請求項５】
接続箇所（５）がＳＭＴコンタクト可能である、請求項１から４までのいずれか１項記載の半導体装置（１）。
【請求項６】
前記接続箇所（５）は前記半導体チップ（２）をラテラル方向で越えない、請求項１から５までのいずれか１項記載の半導体装置（１）。
【請求項７】
前記接続箇所（５）は直接的にチップ下面（２１）に接しており、当該チップ下面（２１）に対して平行に配向されており、平らに構成されている、請求項１から６までのいずれか１項記載の半導体装置（１）。
【請求項８】
前記接続箇所（５）が、透明導電酸化物のグループからの透明材料から構成されている、請求項１から７までのいずれか１項記載の半導体装置（１）。
【請求項９】
前記ビーム透過体（３）のラテラル方向の拡がりと、前記半導体チップ（２）のラテラル方向の拡がりは１０％を下回る偏差を有している、請求項１から８までのいずれか１項記載の半導体装置（１）。
【請求項１０】
前記チップ下面（２１）は少なくとも部分的に自由にアクセス可能である、請求項１から９までのいずれか１項記載の半導体装置（１）。
【請求項１１】
前記ビーム透過体（３）は、ラテラル方向（１４）において前記半導体チップ（２）を、相互に対向している２つの側面でのみ取り囲んでいる、請求項１から１０までのいずれか１項記載の半導体装置（１）。
【請求項１２】
前記接続箇所（５）は、ラテラル方向（１４）において、前記半導体チップ（２）と同一平面を成す、請求項１から１１までのいずれか１項記載の半導体装置（１）。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月27日(2012.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電チャックであって、
電極と、
表面層と、を備え、前記表面層は、前記電極の電圧によって活性化されて、基板を前記静電チャックに静電的にクランプする電荷を形成し、前記表面層は、複数の突起（突起群）を含み、前記突起群は、前記突起群を囲む前記表面層の複数部分の上の、ある高さまで伸びることにより、前記基板が静電クランプされている間、前記基板を前記突起群の上で支持し、前記突起群は、隣接する突起のペアの中心から中心までの距離として測定される間隔が、前記表面層の全体にわたって、ほぼ等しくなるように配置される、
静電チャック。
【請求項２】
前記静電クランプ中に前記基板が加熱されている場合に、前記基板の温度および温度分布のうちの少なくとも１つが、前記基板と、前記突起群と、前記突起群を囲む前記表面層の前記複数部分との間の空間におけるガスのガス熱伝導によって、ほぼ制御されるように、前記突起群の前記高さと接触面積と粗度とのうちの少なくとも１つが設定されている、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項３】
前記突起群のそれぞれの上部面積のうちの、約２５％、約５０％、および約７５％からなる群から選択される割合を超える面積が、前記静電クランプ中に前記基板と接触する、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項４】
前記突起群は、少なくとも１つの低応力材料から形成される、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項５】
前記低応力材料は、非晶質誘電体材料および多結晶誘電体材料のうちの少なくとも一方を含む、請求項４に記載の静電チャック。
【請求項６】
前記突起群は、シリコン、シリコンと少なくとも１種類の他の元素との合金、シリコンカーバイド、および非化学量論的シリコンカーバイドのうちの少なくとも１つを含む誘電体材料を含む、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項７】
前記突起群は、アルミナおよびアルミニウム窒化物のうちの少なくとも一方を含む誘電体材料を含む、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項８】
前記突起群は、コンプライアント誘電体材料を含む、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項９】
前記突起群と前記基板との接触面積が、前記静電チャックの全面積の約１％から約１０％を含む、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項１０】
前記隣接する突起のペアの中心から中心までの距離は、約８ミリメートル未満である、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項１１】
前記突起群の前記高さは、前記静電クランプ中に、前記基板と、前記突起群と、前記突起群を囲む前記表面層の前記複数部分との間の空間に位置するガスの平均自由行程とほぼ等しい、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項１２】
前記突起群は、突起の丸み部分の特徴的な長さに対する丸み部分の特徴的な高さの比率が、約０．００４０７から約０．００３０６と、約０．００６１１から約０．００２４４４とからなる群から選択される比率に等しいように修正されたエッジ形状を有する、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項１３】
前記表面層は、電荷制御表面層を含む、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項１４】
前記電荷制御表面層は、約１×１０８Ω／スクエアから約１×１０１１Ω／スクエアの範囲の表面抵抗率を有する、請求項１３に記載の静電チャック。
【請求項１５】
前記電荷制御表面層は、シリコンカーバイド組成物を含む、請求項１３に記載の静電チャック。
【請求項１６】
前記電荷制御表面層の前記表面抵抗率は、前記シリコンカーバイド組成物を作る際に用いられるシリコン前駆体ガスおよび炭素前駆体ガスの量を変えることにより制御される、請求項１５に記載の静電チャック。
【請求項１７】
前記電荷制御表面層は、少なくとも１つの突起と、表面コーティング層とを含む、請求項１３に記載の静電チャック。
【請求項１８】
前記電荷制御表面層は、
シリコンカーバイド組成物層を誘電体上に一括堆積させることと、
フォトリソグラフィを用いて前記シリコンカーバイド組成物層をパターン化することと、
反応性イオンエッチングを用いて前記シリコンカーバイド組成物層の複数部分を除去して、少なくとも１つのシリコンカーバイド組成物の突起を残すことと、
によって形成される、請求項１３に記載の静電チャック。
【請求項１９】
前記電荷制御表面層は、
ビードブラスチングまたはエッチングを用いて誘電体層をパターン化することと、
前記誘電体層に前記電荷制御表面層を絶縁保護コーティングすることと、
によって形成される、請求項１３に記載の静電チャック。
【請求項２０】
前記電荷制御表面層は、ダイヤモンド様炭素、非晶質シリコン、金属ドープ酸化物、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの材料を含む、請求項１３に記載の静電チャック。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月8日(2012.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体層（１０，２０，１００，２００）を備えた層構造体を含むオプトエレクトロニクスモジュールにおいて、
・前記複数の半導体層（１０，２０，１００，２００）は、基板層（１０）、第１層列（１００）、および、第２層列（２００）を含み、
・前記第１層列（１００）は、前記基板層（１０）の上に配置された発光層（１０１，１０２）を有しており、
・前記第２層列（２００）は、前記発光層の動作状態を制御するための少なくとも２つの回路（２０１，２０２，２０３，２０４）を含み、
・該少なくとも２つの回路のうち少なくとも１つが前記基板層（１０）によって完全に包囲されており、かつ、該少なくとも２つの回路のうち少なくとも１つは前記基板層（１０）の上に配置されているおよび／または前記基板層（１０）によって部分的に包囲されている、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクスモジュール。
【請求項２】
前記基板層（１０）によって、前記層列（２００，２０２，２０３，２０４）の少なくとも１つの回路と導電接続された少なくとも１つの導体路（３０）が包囲されている、
ことを特徴とする請求項１記載のオプトエレクトロニクスモジュール。
【請求項３】
前記第２層列は、オプトエレクトロニクスモジュールを静電的放電から保護するための回路（２０１）を含む、
ことを特徴とする請求項１または２記載のオプトエレクトロニクスモジュール。
【請求項４】
前記オプトエレクトロニクスモジュールを静電的放電から保護するための回路（２０１）は、前記第１層列（１００）のコンタクト用のコンタクト端子として構成された導体路（３０）の下に、前記基板層（１０）のドーピング領域（２０１ａ，２０１ｂ）によって形成されている、
ことを特徴とする請求項３記載のオプトエレクトロニクスモジュール。
【請求項５】
前記第２層列（２００）は、前記第１層列（１００）の発光層から放射される放射の輝度または色を制御するための回路（２０２）を含む、
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載のオプトエレクトロニクスモジュール。
【請求項６】
前記第２層列（２００）は、集積された回路の周囲の輝度を検出するための回路（２０３）を含む、
ことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載のオプトエレクトロニクスモジュール。
【請求項７】
前記第２層列（２００）は、前記第１層列（１００）の発光層の放射を発生するための電圧または電流を供給するために構成された回路（２０４）を含む、
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載のオプトエレクトロニクスモジュール。
【請求項８】
前記第２層列（２００）は、
オプトエレクトロニクスモジュールを静電的放電から保護するための回路（２０１）、
前記第１層列（１００）の発光層から放射される放射の輝度または色を制御するための回路（２０２）、
集積された回路の周囲の輝度を検出するための回路（２０３）、および、
前記第１層列（１００）の発光層の放射を発生するための電圧または電流を供給するために構成された回路（２０４）
を含む、
ことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項記載のオプトエレクトロニクスモジュール。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項記載のオプトエレクトロニクスモジュール（１，２，３）を複数個含む、オプトエレクトロニクスモジュール装置において、
・前記複数のオプトエレクトロニクスモジュールのうちの１つのオプトエレクトロニクスモジュール（１）は１つの層列（２００）を含み、
該層列（２００）は、該オプトエレクトロニクスモジュール（１）の基板層（１０）の上に載置されているか、または該オプトエレクトロニクスモジュール（１）の基板層（１０）によって包囲されており、
・前記１つの層列（２００）は、前記複数のオプトエレクトロニクスモジュール（１，２，３）の各発光層（１０１，１０２）から放射される放射を制御するための回路（２０２）を含む、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクスモジュール装置。
【請求項１０】
前記層列（２００）は、前記複数のオプトエレクトロニクスモジュールの各発光層（１０１，１０２）から放射される放射の輝度、色、または色混合を調整するための１つの回路を含む、
ことを特徴とする請求項９記載のオプトエレクトロニクスモジュール装置。
【請求項１１】
前記層列（２００）は、前記複数のオプトエレクトロニクスモジュールの各発光層（１０１，１０２）から放射される放射を無線遠隔制御するための１つの回路を含む、
ことを特徴とする請求項９または１０記載のオプトエレクトロニクスモジュール装置。
【請求項１２】
オプトエレクトロモジュールの製造方法において、
・発光層（１０１，１０２）を備えた第１層列（１００）を支持体層（５００）の上に成長させ、
・基板層（１０）と第２層列（２００）を含む複数の半導体層（１０，２０，２００）を備えた層構造体を準備し、
なお、前記第２層列（２００）は、発光層の動作状態を制御するための少なくとも２つの回路を含み、該少なくとも２つの回路のうち少なくとも１つが前記基板層（１０）によって完全に包囲されており、かつ、該少なくとも２つの回路のうち少なくとも１つは前記基板層（１０）の上に配置されているおよび／または前記基板層（１０）によって部分的に包囲されており、
・前記第１層列（１００）を、前記基板層（１０）の上に載置する、
ことを特徴とする製造方法。
【請求項１３】
前記複数の半導体層（１０，２０，２００）を備えた層構造体を、前記第２層列（２００）を前記基板層（１０）の上に載置することによって、または前記基板層（１０）の中に集積させることによって準備する、
ことを特徴とする請求項１２記載の製造方法。
【請求項１４】
前記第２層列（２００）の少なくとも１つの回路を、前記基板層（１０）の上に層析出によって堆積させる、および／または、イオン注入によって前記基板層（１０）の中に集積する、
ことを特徴とする請求項１２または１３記載の製造方法。