Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月2日(2014.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの温度を制御するための回路であって、
前記半導体チップに組み込まれ、前記半導体チップの前記温度を増加させる熱を発生する第１の加熱要素と、
温度センサを有し、前記第１の加熱要素に結合されると共に前記半導体チップに組み込まれ、所望の温度での前記半導体チップのテストを可能にするように前記温度を制御する温度コントローラと、
を含み、
前記温度センサが、
前記温度を感知する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのベースに接続されるベースを有し、前記第１のトランジスタと連係して前記温度を感知する、第２のトランジスタと、
電源に結合され、前記第１のトランジスタのコレクタに結合されるドレインを有する、第３のトランジスタと、
前記電源に結合され、前記第３のトランジスタのゲートに結合されるゲートを有する、第４のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと直列に接続される第１のレジスタと、
前記第４のトランジスタと直列に接続され、前記第４のトランジスタと連係して前記温度に対応する電圧を提供する、第２のレジスタと、
前記電源に結合され、前記第３のトランジスタのゲートと前記第４のトランジスタのゲートとに結合されるゲートを有する、第５のトランジスタと、
を含み、
前記第３のトランジスタと前記第５のトランジスタとが、前記電源から流れる電流を第１の電流と第２の電流とに分流し、前記第１の電流が、前記第３のトランジスタと前記第１のトランジスタと前記第１のレジスタとを介して流れ、前記第２の電流が、前記第５のトランジスタと前記第２のトランジスタとを介して流れる、回路。
【請求項２】
請求項１に記載の回路であって、
前記温度コントローラが、
前記温度に対応する電圧を提供するために前記半導体チップの前記温度を測定する温度センサと、
デジタル入力に応答して基準電圧を提供する基準生成器と、
前記温度センサと前記基準生成器とに結合され、前記温度に対応する電圧が前記基準電圧より大きい場合に前記第１の加熱要素を不活性化する制御回路と、
を含む、回路。
【請求項３】
請求項２に記載の回路であって、
前記制御回路が、
前記温度センサと前記基準生成器とに結合され、コンパレータ出力を発生するために前記電圧を前記参照電圧と比較するコンパレータと、
前記コンパレータと前記第１の加熱要素との間に結合され、前記コンパレータ出力に応答して前記第１の加熱要素を活性化することと前記第１の加熱要素を不活性化することとの一方を実行する、第１のバッファと、
を含む、回路。
【請求項４】
請求項３に記載の回路であって、
前記コンパレータがシュミットトリガーを含む、回路。
【請求項５】
請求項３に記載の回路であって、
前記制御回路が、前記コンパレータと前記第１のバッファとの間に結合される第１のゲートを更に含み、
前記半導体チップが非テストモードにあるときに前記第１のゲートと前記第１のバッファとが前記第１の加熱要素を不活性化する、回路。
【請求項６】
請求項５に記載の回路であって、
前記半導体チップに組み込まれ、前記半導体チップの温度を増加させる熱を発生する第２の加熱要素を更に含む、回路。
【請求項７】
請求項６に記載の回路であって、
前記制御回路が、
前記コンパレータと前記第２の加熱要素との間に結合され、前記コンパレータ出力に応答して前記第２の加熱要素を活性化することと前記第２の加熱要素を不活性化することとの一方を実行する、第２のバッファと、
前記コンパレータと前記第２のバッファとの間に結合される第２のゲートと、
を更に含み、
前記半導体チップが前記非テストモードにあるときに前記第２のゲートと前記第２のバッファとが前記第２の加熱要素を不活性化する、回路。
【請求項８】
請求項６に記載の回路であって、
前記第１の加熱要素と前記第２の加熱要素とが、負の金属酸化物半導体（ＮＭＯＳ）型トランジスタと正の金属酸化物半導体（ＰＭＯＳ）型トランジスタとレジスタとの一つである、回路。
【請求項９】
請求項１に記載の回路であって、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとが負型バイポーラ接合トランジスタであり、
前記第３のトランジスタと前記第４のトランジスタと前記第５のトランジスタとが正の金属酸化物半導体（ＰＭＯＳ）型トランジスタである、回路。
【請求項１０】
所望の温度での半導体チップのテストを可能にするための回路であって、
前記回路が、
前記半導体チップに組み込まれ、前記半導体チップの温度を増加させる熱を発生する第１の加熱要素と、
前記半導体チップに組み込まれ、前記温度に対応する電圧を提供するために前記半導体チップの前記温度を測定する温度センサと、
前記半導体チップに組み込まれ、入力温度に応答して基準電圧を提供する基準生成器と、
前記半導体チップに組み込まれ、前記温度センサと前記基準生成器とに結合され、コンパレータ出力を発生するために前記温度に対応する電圧を前記参照電圧と比較するコンパレータと、
前記コンパレータと前記第１の加熱要素との間に結合され、前記コンパレータ出力に応答して前記第１の加熱要素を活性化することと前記第１の加熱要素を不活性化することとの一方を実行する、第１のバッファと、
前記コンパレータと前記第１のバッファとの間に結合される第１のゲートと、
前記半導体チップに組み込まれ、前記半導体チップの温度を増加させる熱を発生する第２の加熱要素と、
前記コンパレータと前記第２の加熱要素との間に結合され、前記コンパレータ出力に応答して前記第２の加熱要素を活性化することと前記第２の加熱要素を不活性化することとの一方を実行する、第２のバッファと、
前記コンパレータと前記第２のバッファとの間に結合される第２のゲートと、
を含み、
前記半導体チップが非テストモードにあるときに前記第１のゲートと前記第１のバッファとが前記第１の加熱要素を不活性化し、
前記半導体チップが前記非テストモードにあるときに前記第２のゲートと前記第２のバッファとが前記第２の加熱要素を不活性化する、回路。
【請求項１１】
請求項１０に記載の回路であって、
前記第１の加熱要素と前記第２の加熱要素とが、負の金属酸化物半導体（ＮＭＯＳ）型トランジスタと正の金属酸化物半導体（ＰＭＯＳ）型トランジスタとレジスタとの一つである、回路。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月24日(2014.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
積層の前に、前記光電気構造に前記複数の横断導電体が設けられる、請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月13日(2014.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
領域内の複数のモバイルデバイスと通信をやりとりするように構成された少なくとも１つの基地局を含む種類の通信サービスを動作させる方法であって、
第１のインターバル中に、領域内の第１の複数のモバイルデバイスの各々と通信をやりとりするステップであって、前記第１の複数のデバイスとの通信は基地局に割り当てられた認可されたスペクトル内の第１の量の帯域幅を全体として使用する、ステップと、
前記領域が第２の複数のモバイルデバイスを含む第２のインターバル中に、前記第２の複数のモバイルデバイスに基づいてトリガー条件が存在することを判定するステップと、
トリガー条件が存在すると判定される場合に、前記認可されたスペクトルを使用して前記第２の複数のモバイルデバイスの第１の部分と通信をやりとりし、代替周波数スペクトルを使用して前記第２の複数のモバイルデバイスの第２の部分と通信をやりとりするステップであって、前記代替周波数スペクトルは前記第１の認可されたスペクトルとは異なる、ステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記認可されたスペクトルを使用して前記第２の複数のモバイルデバイスの第１の部分と通信をやりとりするステップは、３Ｇ標準に従って通信するステップを含み、
前記代替周波数スペクトルを使用して前記第２の複数のモバイルデバイスの第２の部分と通信をやりとりするステップは、前記領域において割り当てられていないデジタルＴＶのチャンネルを使用して通信をやりとりするステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記領域内の位置に少なくとも部分的に基づいて前記第２の複数のモバイルデバイスの第２の部分を選択するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の部分を選択するステップは、前記第２の複数のモバイルデバイスのうち、前記基地局からの距離が閾値未満であるモバイルデバイスを識別するステップを含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
第２の時刻において前記基地局とやりとりされる通信により使用される１つ又は複数の時刻及び全帯域幅に基づいて前記閾値の距離を決定するステップをさらに含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】
第１のサービスを提供する通信システムの基地局であって、
第１の認可されたスペクトルにおける第１の帯域幅及び第２の認可されたスペクトルにおける第２の帯域幅を使用して複数のモバイルデバイスとの通信をサポートする少なくとも１つのトランシーバーであって、前記第１の認可されたスペクトルにおける前記第１の帯域幅は前記第１のサービスを提供する際の前記通信システムによる使用のために割り当てられ、前記第２の認可されたスペクトルにおける前記第２の帯域幅は前記第１のサービスとは異なる第２のサービスを提供する際の使用のために割り当てられる、少なくとも１つのトランシーバーと、
前記基地局との接続を有するモバイルデバイスによる前記第１の認可されたスペクトルにおける累積の帯域幅消費量を決定し、
前記累積の帯域幅消費量が閾値を超えるかどうかを判定し、
前記累積の帯域幅消費量が前記閾値を超える場合、前記第１の帯域幅を使用する第１の組のモバイルデバイス及び前記第２の帯域幅を使用する第２の組のモバイルデバイスとの通信のために前記少なくとも１つのトランシーバーを設定する
ように構成される制御モジュールと
を備える基地局。
【請求項７】
前記制御モジュールは、前記基地局と前記基地局の近くのモバイルデバイスとの間の距離を決定するように構成される距離検出コンポーネントをさらに含み、
前記制御モジュールは、前記第２の組に割り当てられる各デバイスについて前記距離検出コンポーネントによって決定される距離が第２の閾値を下回ることに基づいて前記第２の組に前記複数のデバイスのうちのモバイルデバイスを割り当てる、帯域割り当てコンポーネントを含む請求項６に記載の基地局。
【請求項８】
前記制御モジュールは、前記第２の組に割り当てられる各デバイスから受信される要求される帯域幅が閾値を下回ることに基づいて前記第２の組に前記複数のデバイスのうちのモバイルデバイスを割り当てる帯域割り当てコンポーネントを含む請求項６に記載の基地局。
【請求項９】
前記制御モジュールは、前記基地局と前記基地局の近くのモバイルデバイスとの間の距離を決定するように構成される距離検出コンポーネントをさらに含み、
前記制御コンポーネントは、
前記基地局との接続を求めるモバイルデバイスとの通信をやりとりするように構成される承認制御コンポーネントであって、前記通信は前記承認制御コンポーネントから送信されるより小さな帯域幅を受け入れる要求及び前記より小さな帯域幅の受け入れを示すモバイルデバイスからの応答を含む、承認制御コンポーネントと、
前記より小さな帯域幅の受け入れを示す前記モバイルデバイスからの応答に基づいて前記第２の組に前記複数のデバイスのうちのモバイルデバイスを割り当てるように構成される帯域割り当てコンポーネントと
を含む請求項６に記載の基地局。
【請求項１０】
少なくとも１つのトランシーバーが、２Ｍｐｓを超えるデータレートで前記第１の組に割り当てられたモバイルデバイスと通信をやりとりするように、及び１Ｍｐｓ未満のデータレートで前記第２の組に割り当てられたモバイルデバイスと通信をやりとりするように構成される請求項６に記載の基地局。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月12日(2014.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央壁の両側に配置された２つの基板ロード位置を有する基板ロードステーションと、
基板スタッキングモジュールから基板を取り出し、基板ロードステーションに基板を配置するように操作可能なロボットと、
基板ロードステーションに結合され、中央壁の両側に配置された２つの基板位置を有するロードロックチャンバと、
ロードロックチャンバに結合され、１以上の処理ソースの両側に配置された２つの基板ロード位置を有する処理チャンバを含む装置。
【請求項２】
２つの基板ロードステーションであって、各基板ロードステーションは、中央壁の両側に配置された２つの基板ロード位置を有する基板ロードステーションと、
基板スタッキングモジュールから基板を取り出すように操作可能な２つのロボットであって、各ロボットは、各基板ロードステーションに基板を配置するように操作可能なロボットと、
２つのロードロックチャンバであって、各ロードロックチャンバは、対応する基板ロードステーションに結合され、各ロードロックチャンバは、中央壁の両側に配置された２つの基板位置を有するロードロックチャンバと、
２つの処理チャンバであって、各処理ステーションは、対応するロードロックチャンバに結合され、各処理チャンバは、１以上の処理ソースの両側に配置された２つの基板ロード位置を有する処理チャンバを含む装置。
【請求項３】
処理チャンバは、２つの蓋を有し、中央壁の両側のそれぞれに対応し、各蓋は、４つの別々の場所で真空源に結合されている請求項１記載の装置。
【請求項４】
処理チャンバは、ロードロックチャンバに対して移動可能であり、これによって処理チャンバが熱膨張によって移動することを可能にする請求項１記載の装置。
【請求項５】
処理チャンバに結合された基板キャリアサービスステーションを更に含む請求項１記載の装置。
【請求項６】
基板ロードステーションは大気内ステーションであり、ロードロックチャンバと処理チャンバは真空チャンバである請求項１記載の装置。
【請求項７】
１つ以上の処理ソースは複数のマイクロ波源を含む請求項１又は２記載の装置。 
【請求項８】
各処理チャンバは、２つの蓋を有し、中央壁の両側のそれぞれに対応し、各蓋は、４つの別々の場所で真空源に結合されている請求項２記載の装置。
【請求項９】
２つの蓋は、それぞれ処理チャンバの内部を露出するように中央壁から離れて移動可能であり、処理チャンバを真空源に結合する管は、蓋と共に移動可能である請求項３又は８記載の装置。
【請求項１０】
各処理チャンバは、対応するロードロックチャンバに対して移動可能であり、これによって処理チャンバが熱膨張によって移動することを可能にする請求項２記載の装置。
【請求項１１】
２つの基板キャリアサービスステーションを更に含み、各基板キャリアサービスステーションは、対応する処理チャンバに結合している請求項２記載の装置。
【請求項１２】
各基板ロードステーションは大気内ステーションであり、各ロードロックチャンバと各処理チャンバは真空チャンバである請求項２記載の装置。
【請求項１３】
第１ロボットの上に第１基板スタッキングモジュールから第１基板を取り出す工程と、
第１基板を第１基板ロードステーション内の第１位置に配置する工程と、
第１ロボットの上に第１基板スタッキングモジュールから第２基板を取り出す工程と、
第２基板を第１基板ロードステーションとは別の第２基板ロードステーション内の第２位置に配置する工程と、
第２ロボットの上に第２基板スタッキングモジュールから第３基板を取り出す工程と、
第３基板を第１基板ロードステーション内の第１位置とは別の第３位置に配置する工程と、
第２ロボットの上に第２基板スタッキングモジュールから第４基板を取り出す工程と、
第４基板を第２基板ロードステーション内の第２位置とは別の第４位置に配置する工程を含む方法。
【請求項１４】
第１基板を第１基板ロードステーションに配置する工程は、第１基板キャリアの上に第１基板を配置する工程を含み、
第２基板を第２基板ロードステーションに配置する工程は、第２基板キャリアの上に第２基板を配置する工程を含み、
第３基板を第１基板ロードステーションに配置する工程は、第１基板と第３基板が第１基板キャリアと第３基板キャリアによって離間するように、第３基板キャリアの上に第３基板を配置する工程を含み、
第４基板を第２基板ロードステーションに配置する工程は、第２基板と第４基板が第２基板キャリアと第４基板キャリアによって離間するように、第４基板キャリアの上に第４基板を配置する工程を含む請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
第１ロボットと第２ロボットは、共通のトラックに沿って移動し、
第１基板を取り出す工程は、第１方向を有する第１位置から第１基板を取り出す工程を含み、
第１基板を第１基板ロードステーション内に配置する工程は、第１位置と実質的に垂直な第２方向を有する第１基板ロードステーション内の第２位置に基板を配置する工程を含む請求項１３記載の方法。
【請求項１６】
マイクロ波源のピッチを考慮して、複数のマイクロ波源の前で振動するように構成された基板フレームを含む請求項７記載の装置。
【請求項１７】
処理システム内で基板を処理する方法であって、前記処理システムは、
処理チャンバ内に配置された複数のマイクロ波源であって、各マイクロ波源が処理チャンバの上部から処理チャンバの底部まで垂直に延びるマイクロ波源と、
処理チャンバ内に配置された複数のガス源と、
処理チャンバ内外へ移動するように構成された基板キャリアを含み、前記方法は、
マイクロ波源のピッチを考慮して、複数のマイクロ波源の前で基板キャリアを振動させる工程を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月17日(2014.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器と、前記真空容器へのガス入口の配列と、前記真空容器中にプラズマを発生するプラズマ配列と、前記真空容器内の基板ホルダと、前記真空容器から除去されるべきガス用に前記真空容器の壁に接近して設けられ、かつ、前記ガス入口の配列および前記基板ホルダから離れている排気配列とを備え、前記排気配列は、前記壁を通り、間隔を空けられた少なくとも２つの排気孔と、実質的に前記真空容器から除去されるべきガス流のみを、前記少なくとも２つの排気孔の一方に向かって、または前記排気孔の他方に向かって分流するように構成された少なくとも１つのガス分流器体とを含み、前記少なくとも１つのガス分流器体は、棒状の形状の側面を有する、プラズマリアクタ。
【請求項２】
前記真空容器は、頂部壁および底部壁、ならびに側壁を含む箱の形状であり、前記少なくとも１つのガス排気配列は、前記側壁に接近して設けられており、前記プラズマを発生する前記プラズマ配列は、前記頂部壁および前記底部壁の一方に沿って延在する電極表面と、前記側壁から離れた電極表面周囲部とを有する電極を含み、前記ガス分流器体は、前記排気配列に最も近い前記電極表面周囲部のエリアを通過した前記除去されるべきガス流を選択的に分流するように構成されている、請求項１に記載のプラズマリアクタ。
【請求項３】
前記真空容器は四角い箱の形状であり、前記電極表面は四角い形状である、請求項２に記載のプラズマリアクタ。
【請求項４】
前記ガス分流器体は、棒の形状であり、前記排気孔に最も近い前記電極表面周囲部の横に沿って、かつそこから離れて配置され、さらに、前記排気孔に最も近い前記電極表面周囲部と前記排気孔との間の前記真空容器のスペース中の前記排気孔から離れて配置されている、請求項２に記載のプラズマリアクタ。
【請求項５】
前記真空容器は、頂部壁および底部壁、ならびに側壁を含む箱の形状であり、前記少なくとも１つのガス排気配列は、前記側壁に接近して設けられており、前記基板ホルダは、前記頂部壁および前記底部壁の一方に沿って延在し、かつ、前記側壁から離れた基板ホルダ周囲部を有し、前記ガス分流器体は、前記排気配列に最も近い前記基板ホルダ周囲部のエリアを通過した前記除去されるべきガス流を選択的に分流するように構成されている、請求項１に記載のプラズマリアクタ。
【請求項６】
前記真空容器は四角い箱の形状であり、前記基板ホルダは四角い形状である、請求項５に記載のプラズマリアクタ。
【請求項７】
前記ガス分流器体は棒の形状であり、前記排気孔に最も近い前記基板ホルダ周囲部の横に沿って、かつそこから離れて配置され、さらに、前記排気孔に最も近い前記基板ホルダ周囲部と前記排気孔との間の前記真空容器のスペース中の前記排気孔から離れて配置されている、請求項５に記載のプラズマリアクタ。
【請求項８】
前記真空容器は、頂部壁および底部壁、ならびに側壁を含む箱の形状であり、前記少なくとも１つのガス排気配列は、前記側壁に接近して設けられており、前記プラズマを発生する前記プラズマ配列は、前記頂部壁および前記底部壁の一方に沿って延在する電極表面と、前記側壁から離れた電極表面周囲部とを有する電極を含み、前記ガス分流器体は、前記排気配列に最も近い前記電極表面周囲部のエリアを通過した前記除去されるべきガス流を選択的に分流するように構成されている、請求項１に記載のプラズマリアクタ。
【請求項９】
前記真空容器は四角い箱の形状であり、前記電極表面は四角い形状であり、前記排気配列は、四角い箱の４つの側壁の１つに接近して設けられている、請求項８に記載のプラズマリアクタ。
【請求項１０】
前記ガス分流器体は棒の形状であり、前記排気孔に最も近い前記電極表面周囲部の横に沿って、かつそこから離れて配置され、さらに、前記排気孔に最も近い前記電極表面周囲部と前記排気孔との間の前記真空容器のスペース中の前記排気孔から離れて配置されている、請求項８に記載のプラズマリアクタ。
【請求項１１】
前記真空容器は、頂部壁および底部壁、ならびに側壁を含む箱の形状であり、前記少なくとも１つのガス排気配列は、前記側壁に接近して設けられており、前記基板ホルダは、前記頂部壁および前記底部壁の一方に沿って延在し、かつ、前記側壁から離れた基板ホルダ周囲部を有し、前記ガス分流器体は、前記排気配列に最も近い前記基板ホルダ周囲部のエリアを通過した前記除去されるべきガス流を選択的に分流するように構成されている、請求項１に記載のプラズマリアクタ。
【請求項１２】
前記ガス分流器体は棒の形状であり、前記排気孔に最も近い前記基板ホルダ周囲部の横に沿って、かつそこから離れて配置され、さらに、前記排気孔に最も近い前記基板ホルダ周囲部と前記排気孔との間の前記真空容器のスペース中の前記排気孔から離れて配置されている、請求項１１に記載のプラズマリアクタ。
【請求項１３】
前記少なくとも１つのガス分流器体は金属からなり、前記プラズマリアクタの金属部に電気的に接続されているか、前記プラズマリアクタの如何なるさらなる金属部からも電気的に絶縁されている、請求項１から１２のいずれかに記載のプラズマリアクタ。
【請求項１４】
排気された真空容器中に基板を設ける工程と、前記基板の表面に沿って分散されるプラズマ放電を発生する工程と、前記プラズマ放電中に分散されるガスを吸入して、前記プラズマ放電からのガスを、前記真空容器中の間隔を空けられた少なくとも２つの排気孔を通して除去する工程と、前記排気孔に接近して設けられ、かつそこから離れている少なくとも１つのガス流ブロッキング分流器体によって、前記少なくとも２つのガス排気孔の排気効果の空間的な分散を選択的に調整することにより、前記プラズマ放電からのガス流の分散を前記少なくとも２つの排気孔に向かってその中へと制御する工程とを含み、前記少なくとも１つのガス流ブロッキング分流器体は、棒状の形状の側面を有する、真空処理された基板を製造するための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月28日(2014.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラスチック基礎構造上のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を含むポリマーマトリックスの選択的エッチングのための方法であって、以下のこと：
ａ）アルカリベースのエッチングペーストを、カーボンナノチューブを有するポリマーマトリックスおよびプラスチック基板を含む複合材料の表面上に印刷すること、
ｂ）加熱すること、および
ｃ）基板を清浄にすること
を含む、前記方法。
【請求項２】
ステップａ）において、エッチングペーストを印刷することを含み、ここでエッチャントが、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシドおよびテトラエチルアンモニウムヒドロキシドの群から、またはＮａＯＨおよびＫＯＨの群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
水、１価の、または多価のアルコール、例えばグリセロール、１，２−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、２−エチル−１−ヘキセノール、エチレングリコール、ジエチレングリコールおよびジプロピレングリコール、ならびにそれらのエーテル、例えばエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルおよびジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ならびにエステル、例えば［２，２−ブトキシ（エトキシ）］エチルアセテート、炭酸のエステル、例えばプロピレンカーボネート、ケトン、例えばアセトフェノン、メチル−２−ヘキサノン、２−オクタノン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンおよび１−メチル−２−ピロリドン単独または混合物の群から選択された溶媒を含むエッチングペーストを、媒体の合計量を基準として１０〜９０重量％の量において、好ましくは１５〜８５重量％の量において使用する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
溶媒が１，４−ブタンジオールであるエッチングペーストを使用する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
有機もしくは無機充填剤粒子またはその混合物を、エッチング媒体の合計量を基準として０．５〜２５重量％の量において含むエッチングペーストを使用する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ポリスチレン、ポリアクリル酸、ポリアミド、ポリイミド、ポリメタクリレート、メラミン、ウレタン、ベンゾグアニンおよびフェノール樹脂、シリコーン樹脂、微粉末化セルロース、フッ素化ポリマー（とりわけＰＴＦＥ、ＰＶＤＦ）および微粉末化ろうの群から選択された有機ポリマー粒子を充填剤および増粘剤として含むエッチングペーストを使用する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
酸化アルミニウム、フッ化カルシウム、酸化ホウ素および塩化ナトリウムの群から選択された無機粒子を充填剤および増粘剤として含むエッチングペーストを使用する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
エッチングペーストを表面上に、スクリーン印刷、インクジェット、分注またはマイクロジェットによって適用する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
基板の加熱を、２０〜１７０℃の範囲内の温度において１０秒〜１５分間、好ましくは３０秒〜７分間継続することを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
基板の加熱を１３０℃で５分間継続することを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
処理した基板を、ＤＩ水または溶媒で洗浄し；洗浄した部分を、乾燥空気または窒素流れで乾燥することを特徴とする、請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記プラスチックがポリウレタン、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）またはＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
導電性ポリマー層中に埋め込まれたＣＮＴ（カーボンナノチューブ）が、単層カーボンナノチューブ（ＳＷＮＴ）、多層カーボンナノチューブ（ＭＷＮＴ）、フラーレン（Ｃ６０）またはグラフェンである、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
導電性ポリマーが、ポリ（３−オクチルチオフェン）（Ｐ３ＯＴ）、ポリ（３−ヘキシル−チオフェン）ポリマー（Ｐ３ＨＴ）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）もしくは他のポリチオフェン誘導体およびポリアニリンの群から選択されるか、またはポリマーの組み合わせ、例えば
ポリ［２−メトキシ−５−（３’，７’−ジメチルオクチルオキシ）１，４−フェニレンビニレン］（ＭＤＭＯ−ＰＰＶ）／１−（３−メトキシカルボニル）−プロピル−１−フェニル）［６，６］Ｃ６１（ＰＣＢＭ）；ポリ（３−ヘキシル−チオフェン）ポリマー（Ｐ３ＨＴ）／（ＰＣＢＭ）および
ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホネート）  （ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
印刷した線、点または構造の解像度が少なくとも５００μｍである、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を有するポリマーマトリックスおよびプラスチック基板を含む複合材料の表面上に印刷することによって、かかるポリマーマトリックスを選択的エッチングするためのエッチングペーストであって、該エッチングペーストが、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシドおよびテトラエチルアンモニウムヒドロキシドの群から、またはＮａＯＨおよびＫＯＨの群から選択されるエッチャントを含むことを特徴とする、前記エッチングペースト。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月20日(2014.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セットトップボックスであって、
第１の通気口を有する第１の垂直外側壁と、第２の通気口を有する第２の垂直外側壁とを有するハウジングと、
第１の熱源要素と第２の熱源要素とを有する回路基板と、
前記第１の熱源要素と熱的に係合している、前記回路基板の少なくとも３分の１を覆い、前記第１の垂直側壁に沿って延在する、起伏のあるヒートシンクと、
前記第２の熱源要素と接触している、前記セットトップボックスの２分の１のみにあり、前記第２の通気口と位置合わせされた、第２のヒートシンクと
ベースとエンボスとを有し、前記ベースは前記回路基板の下にあり、前記エンボスは前記回路基板に接触し支持するフレームと、
を有する、セットトップボックス。
【請求項２】
前記起伏のあるヒートシンクは、平坦な周辺部分と中央くぼみ部分とを有し、
前記平坦な周辺部分は前記中央くぼみ部分の少なくとも一部を囲み、
前記中央くぼみ部分は前記第１の熱源要素に接触している、
請求項１に記載のセットトップボックス。
【請求項３】
前記フレームは、前記第１の垂直外側壁に沿った少なくとも第１の垂直側壁と、前記第２の垂直外側壁に沿った第２の垂直側壁とを有し、
前記第１の垂直側壁は前記第１の通気口と位置合わせされた第１の内部通気口を有し、前記第２の垂直側壁は前記第２の通気口と位置合わせされた第２の内部通気口を有する、
請求項１または２に記載のセットトップボックス。
【請求項４】
前記起伏のあるヒートシンクは、前記中央くぼみ部分を完全に囲んでいる平坦な周辺部分を有し、
前記起伏のあるヒートシンクは、前記回路基板をほぼ覆い、前記第２のヒートシンクを完全に覆っている、
請求項１ないし３いずれか一項に記載のセットトップボックス。
【請求項５】
前記第２のヒートシンクはフィン付きヒートシンクである、
請求項１ないし４いずれか一項に記載のセットトップボックス。
【請求項６】
前記第２のヒートシンクは、第２の平坦な周辺部分と第２の中央くぼみ部分とを有し、
前記第２の平坦な周辺部分は前記第２の中央くぼみ部分の少なくとも一部を囲み、
前記第２の中央くぼみ部分は前記第２の熱源要素に接触している、
請求項１ないし５いずれか一項に記載のセットトップボックス。
【請求項７】
前記起伏のあるヒートシンクは、前記回路基板の半分未満を覆い、前記第２のヒートシンクは、前記回路基板の３分の１より大きい部分を覆っている、
請求項１または２に記載のセットトップボックス。
【請求項８】
前記第２の熱源要素は前記回路基板の下にあり、前記回路基板は前記第２の熱源要素の上に、かつ前記第２の中央くぼみ部分の下に熱通過ビアホールを有し、それにより前記第２の熱源要素により発生された熱が前記熱通過ビアホールを通して前記第２のヒートシンクに伝達される、
請求項１ないし７いずれか一項に記載のセットトップボックス。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月28日(2014.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路であって、
電源端子に結合される第１電流電極、負荷に電流を供給するように結合される第２電流電極、および制御電極を有するスイッチと；
制御信号を受け取るための入力、および前記スイッチの前記制御電極に結合される出力を有するドライバ回路と；
ブートストラップコンデンサから電圧を受け取るように結合される第１端子、前記電源端子に結合される第２端子、および前記ドライバ回路に結合される制御端子を有する開回路検出器と
を備え、
前記開回路検出器は、開回路を検出し、それに応答して、前記ドライバ回路に前記スイッチを開かせるために前記制御端子において信号を提供し、
前記開回路検出器はさらに、
前記電源端子に結合される第１端子、および第２端子を有する第１電流源と；
前記電源端子に結合される第１端子、および第２端子を有する第２電流源と；
前記第２電流源の前記第２端子に結合される第１端子、および第２端子を有する第１抵抗器と；
前記第１抵抗器の前記第２端子に結合される第１電流電極、第２電流電極、および、前記第１電流源の前記第２端子に結合される制御電極を有する第１トランジスタと；
前記第１トランジスタの前記制御電極に結合される第１端子、および前記第１トランジスタの前記第２電流電極に結合される第２端子を有する第２抵抗器と
を備える、回路。
【請求項２】
前記開回路検出器はさらに、
第１電流電極、前記スイッチの前記第２電流電極に結合される制御電極、および、前記第１抵抗器の前記第１端子に結合される第２電流電極を有する第２トランジスタと；
前記第２トランジスタの前記第１電流電極に結合される入力、および、前記制御端子において前記信号を提供するための出力を有するカレントミラーと
を備える、
請求項１に記載の回路。
【請求項３】
回路であって、
電源端子に結合される第１電流電極、負荷に電流を供給するように結合される第２電流電極、および制御電極を有するスイッチと；
制御信号を受け取るための入力、および前記スイッチの前記制御電極に結合される出力を有するドライバ回路と；
ブートストラップコンデンサから電圧を受け取るように結合される第１端子、前記電源端子に結合される第２端子、および前記ドライバ回路に結合される制御端子を有する開回路検出器と
を備え、
前記開回路検出器は、開回路を検出し、それに応答して、前記ドライバ回路に前記スイッチを開かせるために前記制御端子において信号を提供し、
前記開回路検出器はさらに、
第１端子と第２端子とを有する第１電流源と；
第１端子と、前記第２端子に結合される第２端子とを有する第２電流源と；
前記第１電流源の前記第１端子に結合される第１平板電極と、前記第２電流源の前記第１端子に結合される第２平板電極とを有するコンデンサと；
前記電源端子に結合される第１端子と、前記第２電流源の前記第１端子に結合される第２端子とを有する抵抗器と；
第１電流電極と、前記コンデンサの前記第１平板電極に結合される制御電極と、前記電源端子に結合される第２電流電極とを有するトランジスタと
を備える、回路。
【請求項４】
回路であって、
電源端子に結合される第１電流電極と、負荷に電流を供給するように結合される第２電流電極と、制御電極とを有するパワートランジスタと；
制御信号を受け取るための入力と、前記パワートランジスタの前記制御電極に結合される出力とを有するドライバ回路と；
ブートストラップコンデンサから電圧を受け取るように結合される第１端子と、前記電源端子に結合される第２端子と、前記ドライバ回路に結合される制御端子とを有する開回路検出器と
を備え、
前記開回路検出器は、前記ドライバ回路における接地開放を検出し、それに応答して、前記ドライバ回路に前記パワートランジスタをオフにさせるために前記制御端子において信号を提供し、
前記開回路検出器はさらに、
第１電流電極と、制御電極と、第２電流電極とを有する第１トランジスタと；
第１端子と、前記第１トランジスタの前記第１電流電極に結合される第２端子とを有する第１抵抗器と；
前記第１トランジスタの前記制御端子に結合される第１端子と、前記第１トランジスタの前記第２電流電極に結合される第２端子とを有する第２抵抗器と；
第１電流電極と、前記パワートランジスタの前記第２電流電極に結合される制御電極と、前記第１抵抗器の前記第１端子に結合される第２電流電極とを有する第２トランジスタと；
前記第２トランジスタの前記第１電流電極に結合される入力と、前記制御端子において前記信号を提供するための出力とを有するカレントミラーと
を備える、回路。
【請求項５】
回路であって、
電源端子に結合される第１電流電極と、負荷に電流を供給するように結合される第２電流電極と、制御電極とを有するパワートランジスタと；
制御信号を受け取るための入力と、前記パワートランジスタの前記制御電極に結合される出力とを有するドライバ回路と；
ブートストラップコンデンサから電圧を受け取るように結合される第１端子と、前記電源端子に結合される第２端子と、前記ドライバ回路に結合される制御端子とを有する開回路検出器と
を備え、
前記開回路検出器は、前記ドライバ回路における接地開放を検出し、それに応答して、前記ドライバ回路に前記パワートランジスタをオフにさせるために前記制御端子において信号を提供し、
前記開回路検出器はさらに、
第１電流電極、制御電極、および第２電流電極を有する第１トランジスタと；
前記制御電極に結合される第１平板電極、および第２平板電極を有するコンデンサと；
前記第１トランジスタの前記第１電流電極に結合される入力、および出力を有するカレントミラーと；
前記カレントミラーの前記出力に結合される入力、および、前記制御端子において前記信号を提供するための出力を有するラッチと；
所定の遅延の後まで前記ラッチが前記信号を提供することを妨げるように結合される遅延回路と
を備える、回路。
【請求項６】
パワートランジスタの制御電極を駆動するための回路において、開回路を検出するための方法であって、前記方法は、
前記開回路の検出に応答して代替の電流経路を提供することと；
ブートストラップコンデンサによって蓄積されている電圧を使用して前記代替の電流経路に電流を供給することと；
前記電流に応答して制御電圧を提供することであって、前記制御電圧は前記パワートランジスタをオフにさせる、制御電圧を提供することと
を有し、
前記制御電圧を前記提供することはさらに、
ミラー電流を提供するために前記電流をミラーリングすることと；
前記ミラー電流に応答して前記制御電圧をラッチすることと
を有する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月19日(2014.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のブロックに分割された符号化画像データをブロック単位で復号する方法であって、
対象ブロックと空間的に隣接したブロックであって、前記対象ブロックのイントラ予測に用いる複数の復号済みブロックに含まれる画素におけるエッジ検出を行うステップと、
前記エッジ検出の結果に基づいて、前記複数の復号済みブロックに含まれる画素に対して第１フィルタリングを適用するか否かを決定するステップと、
前記複数の復号済みブロックの画像データから前記対象ブロックをイントラ予測するステップと、を含み、
前記第１フィルタリングを適用すると決定した場合、前記第１フィルタリングした前記複数の復号済みブロックの画像データを用いて前記対象ブロックをイントラ予測する
方法。
【請求項２】
複数のブロックに分割された画像データをブロック単位で符号化する方法であって、
対象ブロックと空間的に隣接したブロックであって、前記対象ブロックのイントラ予測に用いる複数の復号済みブロックに含まれる画素におけるエッジ検出を行うステップと、
前記エッジ検出の結果に基づいて、前記複数の復号済みブロックに含まれる画素に対して第１フィルタリングを適用するか否かを決定するステップと、
前記複数の復号済みブロックの画像データから前記対象ブロックをイントラ予測するステップと、を含み、
前記第１フィルタリングを適用すると決定した場合、前記第１フィルタリングした前記複数の復号済みブロックの画像データを用いて前記対象ブロックをイントラ予測する
方法。
【請求項３】
前記エッジ検出は、前記複数の復号済みブロックの分散を算出することによって実行される
請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１フィルタリングは、前記分散が予め定義された閾値よりも小さい場合に適用され、
前記分散が前記予め定義された閾値よりも大きい場合は適用されない
請求項３に記載の方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法を実行するように構成された、コンピュータ読み取り可能プログラムコードを実装したコンピュータ読み取り可能媒体
を備えるコンピュータプログラム製品。
【請求項６】
前記第１フィルタリングを適用しないと決定した場合、第２フィルタリングした複数の復号済みブロックの画像データを用いて前記対象ブロックをイントラ予測する
請求項１または２に記載の方法。
【請求項７】
前記決定するステップでは、前記エッジ検出の結果に応じて、前記第１フィルタリングと前記第２フィルタリングの何れを前記複数の復号済みブロックに対して適用するかを決定し、
前記対象ブロックの予測では、前記決定するステップで決定されたフィルタリングをした前記複数の復号済みブロックの画像データを用いてイントラ予測を行う
請求項６に記載の方法。
【請求項８】
複数のブロックに分割された符号化画像データをブロック単位で復号する装置であって、
制御部と、
算出部と、
メモリと、を備え、
前記算出部は、
対象ブロックと空間的に隣接したブロックであって、前記対象ブロックのイントラ予測に用いる複数の復号済みブロックに含まれる画素におけるエッジ検出を行い、
前記エッジ検出の結果に基づいて、前記複数の復号済みブロックに含まれる画素に対して第１フィルタリングを適用するか否かを決定し、
前記複数の復号済みブロックの画像データから前記対象ブロックをイントラ予測し、
前記第１フィルタリングを適用すると決定した場合、前記第１フィルタリングした前記複数の復号済みブロックの画像データを用いて前記対象ブロックをイントラ予測する
装置。
【請求項９】
複数のブロックに分割された画像データをブロック単位で符号化する装置であって、
制御部と、
算出部と、
メモリと、を備え、
前記算出部は、
対象ブロックと空間的に隣接したブロックであって、前記対象ブロックのイントラ予測に用いる複数の復号済ブロックに含まれる画素におけるエッジ検出を行い、
前記エッジ検出の結果に基づいて、前記複数の復号済みブロックに含まれる画素に対して第１フィルタリングを適用するか否かを決定し、
前記複数の復号済みブロックの画像データから前記対象ブロックをイントラ予測し、
前記第１フィルタリングを適用すると決定した場合、前記第１フィルタリングした前記複数の復号済みブロックの画像データを用いて前記対象ブロックをイントラ予測する
装置。
【請求項１０】
前記算出部は、前記複数の復号済みブロックの分散を算出することによって、前記エッジを検出する
請求項８または９に記載の装置。
【請求項１１】
前記第１フィルタリングは、前記算出部によって算出された前記分散が予め定義された閾値よりも小さい場合に適用され、
前記分散が前記予め定義された閾値よりも大きい場合は、適用されない
請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記第１フィルタリングを適用しないと決定した場合、第２フィルタリングした複数の復号済みブロックの画像データを用いて前記対象ブロックをイントラ予測する
請求項８または９に記載の装置。
【請求項１３】
前記算出部は、
前記エッジ検出の結果に応じて、前記第１フィルタリングと前記第２フィルタリングの何れを前記複数の復号済みブロックに対して適用するかを決定し、
決定されたフィルタリングをした前記複数の復号済みブロックの画像データを用いてイントラ予測を行う
請求項１２に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月31日(2014.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マシンタイプコミュニケーション（ＭＴＣ）装置をネットワークへ接続する方法であって、
第１のアクセス制限情報と第２のアクセス制限情報を基地局装置から受信する工程と、
前記ＭＴＣ装置が前記基地局装置へのアクセス権を有しているか否かを判定する工程と、
前記ＭＴＣ装置が前記アクセス権を有しているか否かに基づいてネットワークへの接続を試みるかどうかを決定する工程と、
前記ＭＴＣ装置がアクセス権を有していない場合、前記ネットワークへの接続の試みを中止する工程と、
前記ＭＴＣ装置がアクセス権を有している場合、前記ネットワークへの接続を試みる工程と、を含み、
前記第１のアクセス制限情報の変更は次の変更期間まで変更を待つ必要がなく、前記第１のアクセス制限情報は現在の変更期間内でも変更可能であり、前記第２のアクセス制限情報は現在の変更期間内に変更されず、前記第２のアクセス制限情報の変更は次の変更期間まで待つ必要があることを特徴とする方法。
【請求項２】
システム情報の変更を知らせるページングメッセージを受信する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１のアクセス制限情報と第２のアクセス制限情報をマシンタイプコミュニケーション（ＭＴＣ）装置へ送信する基地局装置の方法であって、
前記第１のアクセス制限情報を変更するか否かを決定する工程と、
前記第１のアクセス制限情報を変更する工程と、を含み、
前記第１のアクセス制限情報の変更は次の変更期間まで変更を待つ必要がなく、前記第１のアクセス制限情報は現在の変更期間内でも変更可能であり、前記第２のアクセス制限情報は現在の変更期間内に変更されず、前記第２のアクセス制限情報の変更は次の変更期間まで待つ必要があることを特徴とする方法。
【請求項４】
システム情報の変更を知らせるページングメッセージを受信する工程をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
マシンタイプコミュニケーション（ＭＴＣ）装置であって、
プロセッサと、
前記プロセッサと電子的に通信するメモリと、
前記メモリに蓄積された命令と、を備え、
前記命令は、
第１のアクセス制限情報と第２のアクセス制限情報を基地局装置から受信する工程と、
前記ＭＴＣ装置が前記基地局装置へのアクセス権を有しているか否かを判定する工程と、
前記ＭＴＣ装置が前記アクセス権を有しているか否かに基づいてネットワークへの接続を試みるかどうかを決定する工程と、
前記ＭＴＣ装置がアクセス権を有していない場合、前記ネットワークへの接続の試みを中止する工程と、
前記ＭＴＣ装置がアクセス権を有している場合、前記ネットワークへの接続を試みる工程とを、実行可能であり、
前記第１のアクセス制限情報の変更は次の変更期間まで変更を待つ必要がなく、前記第１のアクセス制限情報は現在の変更期間内でも変更可能であり、前記第２のアクセス制限情報は現在の変更期間内に変更されず、前記第２のアクセス制限情報の変更は次の変更期間まで待つ必要があることを特徴とするＭＴＣ装置。
【請求項６】
前記命令はさらに、システム情報の変更を知らせるページングメッセージを受信する工程を実行可能であることを特徴とする請求項５に記載のＭＴＣ装置。
【請求項７】
第１のアクセス制限情報と第２のアクセス制限情報をマシンタイプコミュニケーション（ＭＴＣ）装置へ送信する基地局装置であって、
プロセッサと、
前記プロセッサと電子的に通信するメモリと、
前記メモリに蓄積された命令と、を備え、
前記命令は、
前記第１のアクセス制限情報を変更するか否かを決定する工程と、
前記第１のアクセス制限情報を変更する工程とを、実行可能であり、
前記第１のアクセス制限情報の変更は次の変更期間まで変更を待つ必要がなく、前記第１のアクセス制限情報は現在の変更期間内でも変更可能であり、前記第２のアクセス制限情報は現在の変更期間内に変更されず、前記第２のアクセス制限情報の変更は次の変更期間まで待つ必要があることを特徴とする基地局装置。
【請求項８】
前記命令はさらに、システム情報の変更を知らせるページングメッセージを受信する工程を実行可能であることを特徴とする請求項７に記載の基地局装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月10日(2014.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ負荷に電力を供給するプラズマ供給装置であって、
前記プラズマ供給装置は少なくとも１つの直交結合器を有しており、当該少なくとも１つの直交結合器は少なくとも１つのキャパシタンスと少なくとも１つのインダクタンスを有しており、かつ互いに９０°だけ位相のずれた同じ周波数の２つのＨＦ電力信号を結合し、
前記直交結合器の第１有用信号端子と第２有用信号端子には、有用信号としてそれぞれ１つのＨＦ電力信号が供給され、当該ＨＦ電力信号は第３有用信号端子において有用信号として出力されるべき結合されたＨＦ電力に適合されており、
少なくとも１つの有用信号端子は第１インピーダンス用に設計されている、
プラズマ供給装置において、
前記少なくとも１つの直交結合器が前記第１インピーダンスよりも高い第２インピーダンス用に設計された第４有用信号端子を有するか、または、前記少なくとも１つの直交結合器（１５０、２５０、２６０、２９０、６１０、６２０、７１０）が３つの有用信号端子（１、２、３、２５１〜２５３、２６１〜２６３、２９１〜２９３、６１１〜６１３、６２１〜６２３、７１１〜７１３）だけを有する、ことを特徴とするプラズマ供給装置。
【請求項２】
前記第２インピーダンスは前記第１インピーダンスの少なくとも４倍、好ましくは少なくとも１０倍である、請求項１に記載のプラズマ供給装置。
【請求項３】
前記直交結合器（１５０、２５０、２６０、２９０、６１０、６２０、７１０）は１つのキャパシタンス（Ｃ）と１つのインダクタンス（Ｌ）だけを有する、請求項１または２に記載のプラズマ供給装置。
【請求項４】
少なくとも１つのキャパシタンス（Ｃ）と少なくとも１つのインダクタンス（Ｌ）は、共通のプリント基板（１５１）上に配置されたプレーナ構造を含んでいる、請求項１から３のいずれか１項に記載のプラズマ供給装置。
【請求項５】
前記直交結合器（１５０、２５０、２６０、２９０、６１０、６２０、７１０）のキャパシタンス（Ｃ）のリアクタンスは、前記直交結合器（１５０、２５０、２６０、２９０、６１０、６２０、７１０）のインダクタンス（Ｌ）の負のリアクタンスに等しい、請求項１から４のいずれか１項に記載のプラズマ供給装置。
【請求項６】
前記直交結合器（１５０、２５０、２６０、２９０、６１０、６２０、７１０）のインダクタンス（Ｌ）のリアクタンスが
2013527642.tif 000001
であり、前記直交結合器（１５０、２５０、２６０、２９０、６１０、６２０、７１０）のキャパシタンス（Ｃ）のリアクタンスが
2013527642.tif 000002
であり、ここでＺ0はシステムインピーダンスであり、Ｐ1は第１有用信号端子における電力であり、Ｐ2は第２有用信号端子における電力である、請求項１から５のいずれか１項に記載のプラズマ供給装置。
【請求項７】
２つの有用信号端子（６１１、６１２、６２１、６２２）のそれぞれに、１つのインピーダンス整合した高周波源（８１０〜８４０）が接続されている、請求項１から６のいずれか１項に記載のプラズマ供給装置。
【請求項８】
前記インピーダンス整合した高周波源（８１０〜８４０）はそれぞれ、４つの有用信号端子（５１１〜５１４、５２１〜５２４、５３１〜５３４、５４１〜５４４）を有する第２直交結合器（５１０、５２０、５３０、５４０）と、別の２つの高周波源（４１０〜４８０）と、成端抵抗（８１１、８２１、８３１、８４１）とを含んでおり、
前記第２直交結合器（５１０、５２０、５３０、５４０）の２つの有用信号端子（５１１、５１２、５２１、５２２、５３１、５３２、５４１、５４２）にはそれぞれ前記別の高周波源（４１０〜４８０）の一方が接続されており、前記第２直交結合器（５１０、５２０、５３０、５４０）の第３有用信号端子（５１３、５２３、５３３、５４３）にはそれぞれ前記第１直交結合器（６１０、６２０）の１つの有用信号端子（５１１、６１２、６２１、６２２）が接続されており、前記第２直交結合器（５１０、５２０、５３０、５４０）の第４有用信号端子（５１４、５２４、５３４、５４４）には前記成端抵抗（８１１、８２１、８３１、８４１）が接続されている、請求項７に記載のプラズマ供給装置。
【請求項９】
３ＭＨｚ〜３０ＭＨｚの範囲の周波数において５００Ｗを超える高周波電力を発生させる複数の高周波源（２１０、２２０、２３０、２４０、４１０、４２０、４３０、４４０、４５０、４６０、４７０、４８０、８１０、８２０、８３０、８４０）が設けられている、請求項１から８のいずれか１項に記載のプラズマ供給装置。