【手続補正書】
【提出日】平成15年9月11日(2003.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上には、複数のデータ線と、前記複数のデータ線に交差する複数の走査線と、前記各データ線及び前記各走査線に対応して設けられた薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに対応して設けられた複数の画素電極とを具備し、前記薄膜トランジスタは半導体層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が配置されてなり、前記半導体層及びゲート電極上には層間絶縁膜が配置されてなり、前記薄膜トランジスタのドレイン領域は前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記画素電極に接続されてなる電気光学パネルであって、
前記コンタクトホールの下には嵩上げ膜が形成されてなることを特徴とする電気光学パネル。
【請求項２】
前記走査線と前記データ線の少なくとも一方と前記嵩上げ膜とはほぼ同一の膜厚からなることを特徴とする請求項１記載の電気光学パネル。
【請求項３】
基板上には、複数のデータ線と、前記複数のデータ線に交差する複数の走査線と、前記各データ線及び前記各走査線に対応して設けられた薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに対応して設けられた複数の画素電極と、蓄積容量とを具備し、前記薄膜トランジスタは半導体層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が配置されてなり、前記半導体層及びゲート電極上には層間絶縁膜が配置されてなり、前記薄膜トランジスタのドレイン領域は前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記画素電極に接続されてなり、前記蓄積容量の一方の電極となる容量線が前記走査線とほぼ平行に配置されてなる電気光学パネルであって、
前記コンタクトホールは前記各走査線と前記各容量線との間に配置されてなり、前記コンタクトホール下には嵩上げ膜が形成されてなることを特徴とする電気光学パネル。
【請求項４】
前記走査線と前記容量線とは同一材料により同時に形成されてなり、前記ゲート絶縁膜と前記蓄積容量の誘電体膜とは同一材料により同時に形成されてなり、前記半導体層と前記蓄積容量の他方の電極とは同一材料により同時に形成されてなることを特徴とする請求項３記載の電気光学パネル。
【請求項５】
前記嵩上げ膜の少なくとも一部は前記コンタクトホールを囲むように形成されてなり、前記走査線と前記容量線のうち少なくとも一方は、前記嵩上げ膜に沿って平面的に窪ませることを特徴とする請求項３又は４記載の電気光学パネル。
【請求項６】
前記嵩上げ膜は、前記走査線及び前記容量線に重ならないように形成されていることを特徴とする請求項３乃至請求項５のいずれか一項記載の電気光学パネル。
【請求項７】
前記嵩上げ膜は、前記走査線と前記容量線の少なくとも一方とほぼ同一の膜厚からなることを特徴とする請求項３乃至請求項６のいずれか一項記載の電気光学パネル。
【請求項８】
前記嵩上げ膜は、前記ドレイン領域と電気的に接続された導電膜であることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか一項記載の電気光学パネル。
【請求項９】
前記嵩上げ膜は、前記ドレイン領域上に前記データ線と同一材料で同時に形成された導電膜であることを特徴とする請求項８記載の電気光学パネル。
【請求項１０】
前記嵩上げ膜は、前記ドレイン領域下に形成された膜であることを特徴とする請求項８記載の電気光学パネル。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載の電気光学パネルを備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学パネルは、基板上には、複数のデータ線と、前記複数のデータ線に交差する複数の走査線と、前記各データ線及び前記各走査線に対応して設けられた薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに対応して設けられた複数の画素電極とを具備し、前記薄膜トランジスタは半導体層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が配置されてなり、前記半導体層及びゲート電極上には層間絶縁膜が配置されてなり、前記薄膜トランジスタのドレイン領域は前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記画素電極に接続されてなる電気光学パネルであって、前記コンタクトホールの下には嵩上げ膜が形成されてなることを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この電気光学パネルによれば、コンタクトホール下には嵩上げ膜が形成されているため、走査線とデータ線の少なくとも一方とコンタクトホールとの段差を少なくすることができ、層間絶縁膜の表面を平坦にすることが可能である。従って、段差による液晶のディスクリネーションを防ぐことができる。また、層間絶縁膜の所定の領域を開孔するため、層間絶縁膜を取り除かない領域にはレジストマスクを形成するが、このレジストマスクをフォトリソグラフィ工程で露光する際に、膜表面での光の反射を抑制することができ、レジストが後退することがないため、ほぼマスク寸法通りのコンタクトホールが形成できる。従って、コンタクトホールの開孔形成寸法が広がることがないので、画素欠陥による歩留まりの低下を招くことがない。また、コンタクトホールの寸法を微細化できるので、画素の微細化が可能となり、電気光学パネルの高精細化や小型化が実現できる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、電気光学パネルは、前記走査線と前記データ線の少なくとも一方と前記嵩上げ膜とはほぼ同一の膜厚からなると良い。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この電気光学パネルによれば、走査線とデータ線の少なくとも一方と嵩上げ膜とがほぼ同一の膜厚からなるため、段差をさらに少なくすることができる。従って、コンタクトホールの微細化及びディスクリネーションの低減にさらに効果的である。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の電気光学パネルは、基板上には、複数のデータ線と、前記複数のデータ線に交差する複数の走査線と、前記各データ線及び前記各走査線に対応して設けられた薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに対応して設けられた複数の画素電極と、蓄積容量とを具備し、前記薄膜トランジスタは半導体層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が配置されてなり、前記半導体層及びゲート電極上には層間絶縁膜が配置されてなり、前記薄膜トランジスタのドレイン領域は前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記画素電極に接続されてなり、前記蓄積容量の一方の電極となる容量線が前記走査線とほぼ平行に配置されてなる電気光学パネルであって、前記コンタクトホールは前記各走査線と前記各容量線との間に配置されてなり、前記コンタクトホール下には嵩上げ膜が形成されてなることを特徴とする。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この電気光学パネルによれば、走査線と容量線との間にコンタクトホールが形成されていて、しかもコンタクトホールの下には嵩上げ膜が形成されている。これにより、走査線と容量線とコンタクトホールとの段差を少なくすることができ、層間絶縁膜の表面を平らにすることが可能である。走査線と容量線との間にコンタクトホールを形成しているため、従来、隣り合う画素電極間で生じる横方向電界によるディスクリネーションと同じ領域に合わせ込むことにより、従来遮光せざるを得なかった領域に効果的にコンタクトホールを設けることができる。従って、液晶のディスクリネーションを防ぐことができるとともに、レジストマスクをフォトリソグラフィ工程で露光する際に、コンタクトホールの開孔形状寸法の広がりを抑えることができる。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、電気光学パネルは、前記走査線と前記容量線は同一材料により同時に形成されてなり、前記ゲート絶縁膜と前記蓄積容量の誘電体膜とは同一材料により同時に形成されてなり、前記半導体層と前記蓄積容量の他方の電極とを同一材料により同時に形成されてなると良い。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この電気光学パネルによれば、走査線と容量線の高さがほぼ同じである。従って、走査線と容量線の段差が緩和され、この高さに合わせて嵩上げ膜を形成することができるため、走査線と容量線とコンタクトホール形成領域の段差の調整が容易であり、さらに平坦化することが可能である。従って、コンタクトホールの微細化及びディスクリネーションの低減にさらに効果的である。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、電気光学パネルは、前記嵩上げ膜の少なくとも一部は前記コンタクトホールを囲むように形成されてなり、前記走査線と前記容量線のうち少なくとも一方は、前記嵩上げ膜に沿って窪ませると良い。


【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
この電気光学パネルによれば、嵩上げ膜の少なくとも一部はコンタクトホールの形成領域に沿って形成されてなり、走査線と容量線のうち少なくとも一方は、この嵩上げ膜に沿って窪ませてあるため、走査線と容量線とを近接配置させても、開口率を低下させることなく、走査線と容量線との間に大きな開口面積を有するコンタクトホールを形成することが可能である。


【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、電気光学パネルは、前記嵩上げ膜は、前記走査線及び前記容量線に重ならないように形成されていると良い。


【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
この電気光学パネルによれば、前記嵩上げ膜は、前記走査線及び前記容量線に重ならないように形成されているため、走査線あるいは容量線と嵩上げ膜との重なりによる段差を発生することなく、平坦にすることが可能である。
従って、段差によって生じる液晶のディスクリネーションやコンタクトホールの開孔形成寸法の広がりをさらに防ぐことができる。


【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、電気光学パネルは、前記嵩上げ膜は、前記走査線と前記容量線の少なくとも一方とほぼ同一の膜厚からなると良い。


【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
この電気光学パネルによれば、嵩上げ膜は、走査線と容量線の少なくとも一方とほぼ同一の膜厚からなることにより、嵩上げ膜と走査線と容量線の少なくとも一方との段差をより少なくすることが可能となる。


【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、電気光学パネルは、前記嵩上げ膜は、前記ドレイン領域と電気的に接続された導電膜であると良い。


【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
この電気光学パネルによれば、嵩上げ膜はドレイン領域と電気的に接続された導電膜である。従って、仮に嵩上げ膜がドレイン領域上に形成されている場合、コンタクトホール開孔時に嵩上げ膜はエッチングストッパーとして機能する。また嵩上げ膜がドレイン領域下に形成されていれば、コンタクトホール開孔時に万が一ドレイン領域を突き抜けたとしても、導電膜と電気的に導通が取れているため、画素欠陥を防ぐことができる。


【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、電気光学パネルは、前記嵩上げ膜は、前記ドレイン領域上に前記データ線と同一材料で同時に形成された導電膜であると良い。


【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
この電気光学パネルによれば、嵩上げ膜がデータ線と同一材料で同時に形成されるため、嵩上げ膜を工程を増やすことなく形成することができる。


【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、電気光学パネルは、前記嵩上げ膜は、前記ドレイン領域下に形成された導電膜であると良い。


【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
この電気光学パネルによれば、コンタクトホール開孔時に万が一ドレイン領域を突き抜けたとしても、電気的に導通が取れているため、画素欠陥を防ぐことができる。従って、半導体層を薄膜化することが可能となり、高速な書き込み特性が得られることから、コントラスト比の高い電気光学パネルが実現できる。


【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、本発明の電子機器は、上述した電気光学パネルを備えたことを特徴とする。


【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
この電子機器によれば、電子機器は、上述の本発明の電気光学パネルを備えており、開口領域に対する光照射領域が広く、光の利用効率が改善された電気光学パネルにより、明るく高品位な画像表示が可能となる。