【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年11月5日(2014.11.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
本発明の実施形態による有機光電構成素子は、
・第１の電極と、
・該第１の電極の上に配置された第１の平坦化層と、
・該第１の平坦化層の上に配置された第１の注入層と、
・該第１の注入層の上に配置された有機機能層と、
・該有機機能層の上に配置された第２の電極とを有し、
第１の電極がアノードである場合には、エネルギーレベルに対して：
ＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｉｎｊ．≦ＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｐｌａｎ．かつＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｉｎｊ．＜ＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｆｕｎｋ．が成り立ち、または
第１の電極がカソードである場合には、エネルギーレベルに対して：
ＥＬＵＭＯ，Ｉｎｊ．−ＥＦ≦ＥＬＵＭＯ，Ｐｌａｎ．−ＥＦかつＥＬＵＭＯ，Ｉｎｊ．−ＥＦ＜ＥＬＵＭＯ，Ｆｕｎｋ．−ＥＦが成り立ち、
ここでＥＦはフェルミエネルギー、ＥＨＯＭＯはそれぞれの層が最大で有するエネルギーレベルのエネルギー、そしてＥＬＵＭＯはそれぞれの層が最小で有しないエネルギーレベルのエネルギーである。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
第１の電極がアノードである場合には、有利にはエネルギーレベルに対して：
ＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｉｎｊ．＜ＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｐｌａｎ．かつＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｉｎｊ．＜ＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｆｕｎｋ．が成り立ち、または
第１の電極がカソードである場合には、エネルギーレベルに対して：
ＥＬＵＭＯ，Ｉｎｊ．−ＥＦ＜ＥＬＵＭＯ，Ｐｌａｎ．−ＥＦかつＥＬＵＭＯ，Ｉｎｊ．−ＥＦ＜ＥＬＵＭＯ，Ｆｕｎｋ．−ＥＦが成り立つ。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
本発明の別の実施形態では、第１の電極がアノードである場合にエネルギーレベルに対して：
ＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｐｌａｎ．＜ＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｆｕｎｋ．が成り立ち、または
第１の電極がカソードである場合には、エネルギーレベルに対して：
ＥＬＵＭＯ，Ｆｕｎｋ．−ＥＦ＜ＥＬＵＭＯ，Ｐｌａｎ．−ＥＦが成り立つ。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
本発明の別の実施形態では、第１の平坦化層（ＲＰｌａｎ．）と第１の注入層（ＲＩｎｊ．）の抵抗Ｒならびに境界面抵抗に対しては第１の平坦化層と第１の注入層とが接触することにより（ＲＫｏｎｔａｋｔ，Ｉｎｊ．）、ならびに境界面抵抗に対しては第１の注入層と有機機能層とが接触することにより（ＲＫｏｎｔａｋｔ，Ｆｕｎｋ．）条件：
ＲＰｌａｎ．＋ＲＫｏｎｔａｋｔ，Ｉｎｊ．≦ＲＩｎｊ．＋ＲＫｏｎｔａｋｔ，Ｆｕｎｋ．が成り立つ。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
本発明の別の実施形態では、第１の注入層は次から選択されるマトリクス材料を有する：
Ａｌｑ３（ＬＵＭＯ−３．１ｅＶ）、ＢＣＰ（ＬＵＭＯ−２．９ｅＶ）、Ｂｐｈｅｎ（ＬＵＭＯ−２．９ｅＶ）、ＮＴＣＤＡ（ＬＵＭＯ−４．０ｅＶ）、ＺｎＰｃ、ＴＨＡＰ（ＬＵＭＯ−４．６ｅＶ）。ここでこのマトリクス材料は以下の物質の１つによりｎドープされている：Ｌｉ、Ｃｓ、ＢＥＤＴ−ＴＴＦ、ピロニン−Ｂ−塩化物、Ｃｓ２ＣＯ３、Ｒｕ（テルピー）２、ＣｏＣｐ２。ここで「ＬＵＭＯ」は、最小の非占有分子軌道に対するものである。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
本発明の別の実施形態では、第１の注入層は次から選択される物質を有する：４，４’，４’’−トリス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ）トリフェニルアミン、フタロシアニン銅錯体、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニル−アミノ）トリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタリン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン、２，２’，７，７’−テトラキス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミン）−９，９’−スピロビフルオレン、ジ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジトリル−アミノ）−フェニル］シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
以下の表にはそれぞれの物質がそれぞれ最高で有する分子軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギーレベルが記入されている。
【表１】
2013506949.tif 000001
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
本発明の別の実施形態では、第１の注入層は次から選択される物質を有する：
ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、ポリ（９−ビニルカルバゾール）、ポリ（Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ポリアニリン。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
個々の層の正確なエネルギーレベル値は、それぞれのドーピングにより調整することができる。したがって第１の注入層と第１の平坦化層に対して、正確なエネルギーレベルをドープ物質により調整することのできる同じマトリクス材料を使用することができる。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
本発明の別の実施形態では、第１の平坦化層は次から選択される物質を有する：
ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、ＰＥＤＯＴベースの材料、ポリ（９−ビニルカルバゾール）、ポリ（Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ポリアニリン。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
有機光電構成素子の製造方法の実施形態でこの方法は、
Ａ）第１の電極を準備する工程、
Ｂ）第１の平坦化層を第１の電極上に取り付ける工程、
Ｃ）第１の注入層を第１の平坦化層上に取り付ける工程、
Ｄ）有機機能層を第１の注入層上に取り付ける工程、
Ｅ）第２の電極を有機機能層の上に取り付ける工程、を有し、
第１の電極がアノードである場合には、エネルギーレベルに対して：
ＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｉｎｊ．≦ＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｐｌａｎ．かつＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｉｎｊ．＜ＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｆｕｎｋ．が成り立ち、または
第１の電極がカソードである場合には、エネルギーレベルに対して：
ＥＬＵＭＯ，Ｉｎｊ．−ＥＦ≦ＥＬＵＭＯ，Ｐｌａｎ．−ＥＦかつＥＬＵＭＯ，Ｉｎｊ．−ＥＦ＜ＥＬＵＭＯ，Ｆｕｎｋ．−ＥＦが成り立ち、
ここでＥＦはフェルミエネルギー、ＥＨＯＭＯはそれぞれの層が最大で有するエネルギーレベルのエネルギー、そしてＥＬＵＭＯはそれぞれの層が最小で有しないエネルギーレベルのエネルギーである。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５６】
図２ａからｄは、本発明の実施形態の概略的断面を示す。この実施形態は、図１ａからｄに示した実施形態とは異なり付加的に第２の平坦化層２’と第２の注入層３’を有する。これらは上記の方法工程Ｆ）とＧ）により形成することができる。ここで第２の平坦化層２’は、第２の電極５と第２の注入層３’との間に配置されている。第２の注入層３’は、第２の平坦化層２’と有機機能層４との間に配置されている。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５９】
図３ａと３ｂは、第１の平坦化層２、これに続く第１の注入層３ならびに有機機能層４のエネルギースキームを示す。上半分はそれぞれコンタクトが形成される前のエネルギースキームであり、下半分は個々の層のコンタクトが形成された後のエネルギースキームを示す。コンタクト形成の後、熱力学的調整がポテンシャルポットを形成するため行われる。図中のＥＦにより、フェルミエネルギーが示されている。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６２】
図４には、５つの異なる構成素子に対する５つの電流電圧特性曲線がローマ数字ＩからＶにより示されている。それぞれ電流密度Ｊが印加される電圧Ｕに対してプロットされている。この構成素子は、もっぱら正孔を電荷担体とする構成素子（いわゆるホールオンリー素子）である。これらは次の構造を有する。ＩＴＯアノード、同時に正孔注入層（ＨＩＬ）として用いられる１２０ｎｍ厚の平坦化層、場合により２０ｎｍ厚のｐドープされた注入層、１００ｎｍ厚のＮ，Ｎ’−ジ（ナフサ−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン、およびＡｌカソード。特性曲線ＩとＩＩが記録された構成素子はそれぞれ第１の注入層を有しておらず、したがって本発明の構成素子ではない。これに対して特性曲線ＩＩＩからＩＶが測定された構成素子は、注入層を有する構成素子である。特性曲線ＩとＩＩＩの構成素子に対しては、第１の平坦化層と第１の注入層に対してそれぞれ同じポリマーが選択された。同じことが特性曲線ＩＩおよびＩＶが記録された構成素子にも当てはまる。したがって特性曲線ＩとＩＩＩが記録された構成素子と特性曲線ＩＩとＩＶが記録された構成素子とは、それぞれ第１の注入層が存在するかまたは存在しないかの点で異なる。特性曲線Ｖが記録された構成素子は、第１の平坦化層および第１の注入層を有していない。線図から分かるように、１つの平坦化層しか有しておらず、注入層を有しない構成素子の特性曲線はかなり異なっているが、平坦化層と注入層を有する構成素子の特性曲線は１から７Ｖの範囲でほとんど重なっている。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
・第１の電極（１）と、
・該第１の電極（１）の上に配置された第１の平坦化層（２）と、
・該第１の平坦化層（２）の上に配置された第１の注入層（３）と、
・該第１の注入層（３）の上に配置された有機機能層（４）と、
・該有機機能層（４）の上に配置された第２の電極（５）と、
・前記第２の電極（５）と前記有機機能層（４）との間に配置された第２の平坦化層（２’）と、
・前記第２の平坦化層（２’）と前記有機機能層（４）との間に配置された第２の注入層（３’）とを有する有機光電構成素子であって、
前記第１の電極（１）がアノードであり、エネルギーレベルに対して：
ＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｉｎｊ．≦ＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｐｌａｎ．かつＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｉｎｊ．＜ＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｆｕｎｋ．が成り立ち、
前記第２の電極（５）がカソードであり、エネルギーレベルに対して：
ＥＬＵＭＯ，Ｉｎｊ．−ＥＦ≦ＥＬＵＭＯ，Ｐｌａｎ．−ＥＦかつＥＬＵＭＯ，Ｉｎｊ．−ＥＦ＜ＥＬＵＭＯ，Ｆｕｎｋ．−ＥＦが成り立ち、
ここでＥＨＯＭＯはそれぞれの層が最大で有するエネルギーレベルのエネルギー、そしてＥＬＵＭＯはそれぞれの層が最小で有しないエネルギーレベルのエネルギーであり、ＥＦはフェルミエネルギーであることを特徴とする、
有機光電構成素子。
【請求項２】
前記第１の注入層及び前記第１の平坦化層はドープされており、かつ、それぞれが同一のマトリクス材料を有し、該マトリクス材料は、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、ポリ（９−ビニルカルバゾール）、ポリ（Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ポリアニリンから選択されており、
前記第１の注入層はｐドープされており、かつ、前記第１の注入層のドーピング物質は、ＭｏＯ２、ＭｏＯ３、ＷＯ３、ＲｅＯ３、Ｒｅ２Ｏ７、Ｖ２Ｏ５から選択されている、
請求項１に記載の有機光電構成素子。
【請求項３】
エネルギーレベルに対して：
ＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｐｌａｎ．＜ＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｆｕｎｋ．が成り立つ、
請求項１に記載の有機光電構成素子。
【請求項４】
前記第１の電極（１）から放出される電荷担体が前記第１の注入層（３）に蓄積される、請求項１から３のいずれか一項に記載の有機光電構成素子。
【請求項５】
前記第１の注入層（３）に蓄積された電荷担体が、該注入層（３）に続く層に注入される、請求項４に記載の有機光電構成素子。
【請求項６】
前記第１の注入層（３）の層厚は１から２０ｎｍである、請求項１から５のいずれか一項に記載の有機光電構成素子。
【請求項７】
前記第１の注入層（３）はドープされている、請求項１から６のいずれか一項に記載の有機光電構成素子。
【請求項８】
ドーピング物質は、ＭｏＯ２、ＭｏＯ３、ＷＯ３、ＲｅＯ３、Ｒｅ２Ｏ７、Ｖ２Ｏ５から選択されている、請求項７に記載の有機光電構成素子。
【請求項９】
前記第１の注入層（３）は、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ）トリフェニルアミン、フタロシアニン銅錯体、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニル−アミノ）トリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタリン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン、２，２’，７，７’−テトラキス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミン）−９，９’−スピロビフルオレン、ジ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジトリル−アミノ）−フェニル］シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジンから選択された物質を含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の有機光電構成素子。
【請求項１０】
前記第１の注入層（３）は、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、ポリ（９−ビニルカルバゾール）、ポリ（Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ポリアニリンから選択された物質を含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の有機光電構成素子。
【請求項１１】
前記第１の平坦化層（２）は、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、ＰＥＤＯＴベースの材料、ポリ（９−ビニルカルバゾール）、ポリ（Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ポリアニリンから選択された物質を含む、請求項１から１０のいずれか一項に記載の有機光電構成素子。
【請求項１２】
エレクトロルミネセンス構成素子として構成されている、請求項１から１１のいずれか一項に記載の有機光電構成素子。
【請求項１３】
有機光電構成素子の製造方法において、
Ａ）第１の電極（１）を準備する工程、
Ｂ）第１の平坦化層（２）を前記第１の電極（１）上に取り付ける工程、
Ｃ）第１の注入層（３）を前記第１の平坦化層（２）上に取り付ける工程、
Ｄ）有機機能層（４）を前記第１の注入層（３）上に取り付ける工程、
Ｅ）第２の電極（５）を前記有機機能層（４）上に取り付ける工程、
Ｆ）第２の注入層（３′）を前記有機機能層（４）上に取り付ける工程、
Ｇ）第２の平坦化層（２′）を前記第２の注入層（３′）上に取り付ける工程、
を有し、
前記工程Ｆ）及びＧ）は前記ステップＥ）の前に実施し、
前記第１の電極（１）がアノードであり、エネルギーレベルに対して：
ＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｉｎｊ．≦ＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｐｌａｎ．かつＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｉｎｊ．＜ＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｆｕｎｋ．が成り立ち、
前記第２の電極（５）がカソードであり、エネルギーレベルに対して：
ＥＬＵＭＯ，Ｉｎｊ．−ＥＦ≦ＥＬＵＭＯ，Ｐｌａｎ．−ＥＦかつＥＬＵＭＯ，Ｉｎｊ．−ＥＦ＜ＥＬＵＭＯ，Ｆｕｎｋ．−ＥＦが成り立ち、
ここでＥＨＯＭＯはそれぞれの層が最大で有するエネルギーレベルのエネルギー、そしてＥＬＵＭＯはそれぞれの層が最小で有しないエネルギーレベルのエネルギーであり、ＥＦはフェルミエネルギーであることを特徴とする、
製造方法。
【請求項１４】
前記第１の注入層（３）は、前記工程Ｃ）において湿式化学法により取り付けられる、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の注入層及び前記第１の平坦化層はドープされており、かつ、それぞれが同一のマトリクス材料を有し、該マトリクス材料は、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、ポリ（９−ビニルカルバゾール）、ポリ（Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ポリアニリンから選択されており、
前記第１の注入層はｐドープされており、かつ、前記第１の注入層のドーピング物質は、ＭｏＯ２、ＭｏＯ３、ＷＯ３、ＲｅＯ３、Ｒｅ２Ｏ７、Ｖ２Ｏ５から選択されている、
請求項１３に記載の方法。