(57)【要約】　　　（修正有）【課題】デュアルダマシンによって絶縁膜内に金属配線を形成する際に、現像後に除去されないフォトレジスト残存物の生成を防止すると共に、多孔性絶縁膜の吸湿による誘電率の上昇を防止する。【解決手段】ａ）下部配線１が形成された半導体基板上に下部エッチング阻止膜２、下部絶縁膜３、上部エッチング阻止膜４及び上部絶縁膜５を順次形成する段階と、ｂ）前記上部絶縁膜、上部エッチング阻止膜及び下部絶縁膜をパターニングして、前記下部エッチング阻止膜を露出させるビアホールを形成する段階と、ｃ）ビアホールをＵＶ光で照射する段階と、ｄ）前記ビアホールが形成された半導体基板の全面にフォトレジスト膜を形成し、パターニングする段階と、ｅ）前記フォトレジストパターン６をエッチングマスクとして上部絶縁膜をパターニングすることにより、ビアホールを通る配線溝を上部絶縁膜に形成する段階と、ｆ）下部配線の上部を露出させる段階とを含む。【選択図】　　　　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）下部配線が形成された半導体基板上に下部エッチング阻止膜、下部絶縁膜、上部エッチング阻止膜及び上部絶縁膜を順次形成する段階と、
ｂ）前記上部絶縁膜、上部エッチング阻止膜及び下部絶縁膜をパターニングして、前記下部配線上の下部エッチング阻止膜を露出させるビアホールを形成する段階と、
ｃ）エッチング後にビアホールをＵＶ光で照射する段階と、
ｄ）前記ビアホールが形成された半導体基板の全面にフォトレジスト膜を形成し、パターニングする段階と、
ｅ）前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして上部絶縁膜をパターニングすることにより、ビアホールを通る配線溝を上部絶縁膜に形成する段階と、
ｆ）下部配線の上部を露出させる段階とを含む金属間絶縁膜のパターン形成方法。
【請求項２】
前記層間絶縁膜がＳｉＯ２膜、ＳｉＯＦ膜、ＳｉＯＣ膜又は多孔性絶縁膜であることを特徴とする請求項１に記載の金属間絶縁膜のパターン形成方法。
【請求項３】
前記多孔性絶縁膜が、
１）前駆体溶液を塗布して膜を形成する段階と、
２）前記塗布された膜をベーキングする段階と、
３）前記ベーキングされた膜を硬化させる段階と、
４）熱処理又はＵＶによって気孔を形成する段階とを含む方法によって形成されることを特徴とする請求項２に記載の金属間絶縁膜のパターン形成方法。
【請求項４】
前記多孔性絶縁膜が化学蒸着法（ＣＶＤ法）によって形成されることを特徴とする請求項２に記載の金属間絶縁膜のパターン形成方法。
【請求項５】
前記前駆体溶液にエアロゲル又はゼロゲル物質を含ませて多孔性絶縁膜を形成することを特徴とする請求項３に記載の金属間絶縁膜のパターン形成方法。
【請求項６】
前記前駆体溶液に界面活性物質を含ませて多孔性絶縁膜を形成することを特徴とする請求項３に記載の金属間絶縁膜のパターン形成方法。
【請求項７】
前記前駆体溶液に気孔形成物質（ｐｏｒｏｇｅｎ）を含ませて多孔性絶縁膜を形成することを特徴とする請求項３に記載の金属間絶縁膜のパターン形成方法。
【請求項８】
前記エッチング阻止膜が炭化珪素（ＳｉＣ）膜、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＮ膜または無定型の炭化珪素（ａ−ＳｉＣ）膜であることを特徴とする請求項１に記載の金属間絶縁膜のパターン形成方法。
【請求項９】
前記ＵＶ光が１５０〜４００ｎｍの波長を有することを特徴とする請求項１に記載の金属間絶縁膜のパターン形成方法。
【請求項１０】
前記ＵＶ光の照射時に１００〜３００℃の熱を共に加えることを特徴とする請求項１に記載の金属間絶縁膜のパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属間絶縁膜のパターン形成方法に関し、より詳細には、金属間絶縁膜のパターンを形成するにおいて、ビアホールの形成後にＵＶ光を照射してビアホール表面へのフォトレジスト残存物の発生を防止する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１は、半導体工程の中で、金属配線の形成時に多く適用されている趨勢のデュアルダマシン（ｄｕａｌ　ｄａｍａｓｃｅｎｅ）工程の進行過程を示すものである。なお、後述する図２、３に関し図１と同じ構成要件については、同じ符号を付した。この工程は、下部配線が露出されている状態で絶縁膜を二重に塗布して下部絶縁膜に上部配線と下部配線とを連結するビアホールを形成し、上部絶縁膜内に上部配線を形成した後、パターン内に金属を充填して化学的機械的研磨（ＣＭＰ）工程を行うことにより、配線を形成する。
【０００３】
これをより具体的に説明すると、まず半導体基板上に下部配線１を形成した後、下部配線上に下部エッチング阻止膜２、下部絶縁膜３、上部エッチング阻止膜４及び上部絶縁膜５を順次積層し、積層された全面にフォトレジストを塗布し、これを露光（１次露光工程）及び現像してフォトレジストパターン６を形成し（図１（ａ）参照）、これをマスクとしてドライエッチング工程（１次エッチング工程）で前記上部絶縁膜５、上部エッチング阻止膜４、下部絶縁膜３を順次エッチングして下部配線上のエッチング阻止膜を露出させることにより、ビアホール７を形成する（１次のビアホール形成工程；図１（ｂ）参照）。その後、上部金属配線溝を形成するために、前記ビアホール７が形成された半導体基板の全面にフォトレジスト８を塗布し（図１（ｃ）参照）、これを露光（２次露光工程）及び現像してフォトレジストパターン９を形成した（上部配線溝を形成するためのフォトリソグラフィ工程；図１（ｄ）参照）後、これをマスクとして２次エッチング工程で、露出された上部絶縁膜５をエッチングし、その後露出する上部エッチング阻止膜４及び下部エッチング阻止膜２を同時にエッチングすることにより、上部金属配線及び上・下部配線１を連結するビアホールパターンを形成する（図１（ｅ）参照）。
【０００４】
ところが、前記工程において、１次エッチング工程の際にＮ２気体を使用する場合、エッチング後にビアホールの側壁にＮＨ２−のようなアミノ基が形成される。形成された前記アミノ基は、上部配線溝を形成するための後続工程中のフォトリソグラフィ（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）工程でフォトレジスト内のＨ＋イオンをトラッピング（ｔｒａｐｐｉｎｇ）する。このため、露光及び現像の後にも除去されないフォトレジスト残存物が発生する。従って、２次エッチング工程の際に意図の通りのパターンが形成されないため、所望の特性を有する素子形成が不可能になる（図２（ｄ）参照のこと。図２（ｄ）中の丸で囲った部分はフォトレジスト残存物の一部を示す。）。
【０００５】
この問題に対して、１次のビアホール形成工程で使用されるＮ２気体の量を最小化するための努力が行われてきた。ところが、機械的物性の改善のために炭素含有の低誘電膜を使用するが、この場合、使用された低誘電膜のエッチングの際、エッチング率を調節しかつ選択比を高めるためにＮ２気体の使用が必須である。
【０００６】
最近、エッチング後にコンタクトホールの内部にフッ素含有の低誘電物質（ｋ≒３．２）を充填し、その後フォトリソグラフィを行ってＨ＋イオンのトラッピングを防止する方法が開発された。前記方法では、エッチング及びアッシング（ａｓｈｉｎｇ）後、ＨＦ溶液でフォトレジストを剥離（ｓｔｒｉｐ）させると、前記フッ素含有の低誘電物質が共に剥離される。前記方法は、誘電率ｋ＝２．７水準であり、気孔が含まれない低誘電絶縁膜を使用する場合には効果的である。しかし、多孔性の低誘電絶縁膜を使用する場合には、前記方法を適用することが難しいものと考えられる。これは、エッチング工程においてフッ素含有の低誘電物質と低誘電率膜とのエッチング比が同一又は類似でない場合、エッチング工程によって所望のパターンを収得することが難しいためである（例えば、気孔の多い多孔性低誘電膜は、気孔を含まない低誘電絶縁膜よりエッチング率が大きいため、フッ素含有の低誘電物質が遅くエッチングされるものと予想される）。従って、前記方法の場合、Ｈ＋トラッピングによる問題を解消するに困る。
【０００７】
一方、絶縁膜として、ナノサイズの気孔を含んだ多孔性の低誘電膜を用いる場合、絶縁膜がエッチング工程のプラズマに露出されることにより、絶縁膜上にシラノール基（≡Ｓｉ−ＯＨ）が生成されるため、絶縁膜内のビアホールの側壁が親水性に変化して水分子との結合（ｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎ）が容易になる。このようにビアホールの側壁が親水性の場合、後続のウェットクリーニング工程の際に気孔の内部に水分子が多量存在することになって誘電率が上昇され、低誘電絶縁膜の信頼性が低下することになる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、かかる従来の技術の問題点を解決するためのもので、デュアルダマシン工程によって金属間絶縁膜のパターンを形成するにおいて、ビアホールの形成後にＵＶ光を照射してビアホール側壁の化学構造を変化させることにより反応性を減少させ、現像後に除去されないフォトレジスト残存物の生成を防止することを目的にする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、ａ）下部配線が形成された半導体基板上に下部エッチング阻止膜、下部絶縁膜、上部エッチング阻止膜及び上部絶縁膜を順次形成する段階と、ｂ）前記上部絶縁膜、上部エッチング阻止膜及び下部絶縁膜をパターニングして、前記下部配線上の下部エッチング阻止膜を露出させるビアホールを形成する段階と、ｃ）エッチング後にビアホールをＵＶ光で照射する段階と、ｄ）前記ビアホールが形成された半導体基板の全面にフォトレジスト膜を形成し、パターニングする段階と、ｅ）前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして上部絶縁膜をパターニングすることにより、ビアホールを通る配線溝を上部絶縁膜に形成する段階と、ｆ）下部配線の上部を露出させる段階とを含む金属間絶縁膜のパターン形成方法を提供する。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明をより詳細に説明する。
【００１１】
本発明では、上記ｃ）段階として、ビアホールの形成後にＵＶ光の照射によってビアホール表面の化学構造を変化させることにより反応性を減少させ、現像後にも除去されていないフォトレジスト残存物の発生を防止する。また、ナノ気孔を含んだ低誘電絶縁膜のビアホールの表面を脱ヒドロキシル化（ｄｅｈｙｄｒｏｘｙｌａｔｉｏｎ）して後続のウェットクリーニング工程で多孔性絶縁膜（ｐｏｒｏｕｓ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｌａｙｅｒ）の吸湿を防止する。従って、上記ｃ）エッチング後にビアホールをＵＶ光で照射する段階以外の各段階に関しては、特に制限されるものではなく、従来既知の方法を適用することができるものであり、例えば、先に図１を用いて説明したと同様に行うことができるものであるが、これに限定されない。そのため、ここでの再度の説明は省略する。
【００１２】
図３はＵＶ光の照射によるビアホール表面の化学構造の変化を示す概略図である。図３（ｄ）に示すように、ビアホール７の表面に形成されたアミノ基（図３（ｄ）に示す−ＮＨ２、−ＮＨ−）は、主に低誘電物質の炭化水素と結合している。ここにＵＶ光を照射する場合、一時的に光エネルギーを吸収して炭素と窒素との結合が破壊される（図３（ｅ）参照のこと）。この際、熱エネルギーを加えると、本発明の効果をさらに高めることができる。
【００１３】
一方、低誘電絶縁膜として多孔性物質を使用する場合、図３（ｄ）に示すように、ビアホール７の表面にシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）が形成される。ここにＵＶ光を照射すると、シラノール基のＯ−Ｈ結合が破壊され、発生した酸素ラジカルが隣接したＳｉ原子を攻撃してＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成することになる（図３（ｅ）参照のこと）。従って、ビアホールの表面を疎水性に変化させて吸湿による誘電率の増加と素子機能の低下を防止することができる。
【００１４】
本発明において、ＵＶ光照射の際にレーザを用いて特定の波長領域のみを照射することもでき、紫外線ランプを用いて約７００ｎｍ以下の広い領域の光を照射することもでき、その他にも様々な光源を使用することもできる。好ましくは、１５０〜４００ｎｍのＵＶ光を照射することがよい。当該波長領域のＵＶ光を照射することにより、本発明の効果であるビアホールの表面を疎水性に変化させて吸湿による誘電率の増加と素子機能の低下防止効果を増加させることができる。ＵＶ光照射の際、１００〜３００℃の熱を共に処理すると、さらに本発明の効果であるビアホールの表面を疎水性に変化させて吸湿による誘電率の増加と素子機能の低下防止効果を増加させることができる。
【００１５】
本発明において、ＵＶ光の照射は、上部絶縁膜全体に亘って行われることができるが、１次露光工程で使用したフォトマスクと露光装備を用いてエッチングされた部分、すなわち形成されたビアホールのみを選択的に照射しても構わない。一方、ＵＶ光の照射は、ビアホールが形成された後、２次露光工程のためのフォトレジストの塗布直前に行われることが好ましいが、エッチング直後又はアッシング直後に行われることも可能である。
【００１６】
本発明において、層間絶縁膜である上部絶縁膜及び下部絶縁膜は、それぞれ当業界で通常用いられるＳｉＯ２膜、ＳｉＯＦ膜、ＳｉＯＣ膜又は多孔性絶縁膜で形成することができる。
【００１７】
前記多孔性絶縁膜は、具体的に、ＣＶＤ法（化学蒸着法）によって形成し、或いは１）前駆体溶液にエアロゲル又はゼロゲル物質、界面活性物質又は気孔形成物質（ｐｏｒｏｇｅｎ）を含ませて塗布して膜を形成する段階と、２）前記塗布された膜をベーキングする段階と、３）前記ベーキングされた膜を硬化させる段階と、４）熱処理又はＵＶによって気孔を形成する段階とを含む方法によって形成することができるが、これに限定されない。
【００１８】
この際、界面活性物質としては、例えば、サルフェート類（ｓｕｌｆａｔｅｓ）、スルホネート類（ｓｕｌｆｏｎａｔｅｓ）、ホスフェート類（ｐｈｏｓｐｈａｔｅｓ）、カルボン酸類（ｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ　ａｃｉｄｓ）、アルキルアンモニウム塩類（ａｌｋｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ　ｓａｌｔｓ）、ジェミニ界面活性物質（ｇｅｍｉｎｉ　ｓｕｒｆａｃｔａｎｔｓ）、セチルエチルピペリジニウム塩（ｃｅｔｙｌｅｔｈｙｌｐｉｐｅｒｉｄｉｎｉｕｍ　ｓａｌｔｓ）、ジアルキルジメチルアンモニウム（ｄｉａｌｋｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ）、第一アミン類（ｐｒｉｍａｒｙ　ａｍｉｎｅｓ）、ポリ（オキシエチレン）オキサイド類（ｐｏｌｙ（ｏｘｙｅｔｈｙｌｅｎｅ）ｏｘｉｄｅｓ）、オクタエチレングリコールモノデシルエーテル（ｏｃｔａｅｔｈｙｌｅｎｅ　ｇｌｙｃｏｌ　ｍｏｎｏｄｅｃｙｌ　ｅｔｈｅｒ）、オクタエチレングリコールモノヘキサデシルエーテル（ｏｃｔａｅｔｈｙｌｅｎｅ　ｇｌｙｃｏｌ　ｍｏｎｏｈｅｘａｄｅｃｙｌ　ｅｔｈｅｒ）又はブロック共重合体（ｂｌｏｃｋ　ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）が挙げられるが、これに限定されない。なお、界面活性物質として用いられる上記ブロック共重合体（ｂｌｏｃｋ　ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）としては、例えば、ＥＯ（１００）ＰＯ（６４）ＥＯ（１００）、ＥＯ（１７）ＰＯ（６４）ＥＯ（１７）、ＥＯ（２７）ＰＯ（６１）ＥＯ（２７）、ＥＯ（３７）ＰＯ（５６）ＥＯ（３７）、ＥＯ（１３３）ＰＯ（５０）ＥＯ（１３３）、ＥＯ（１０４）ＰＯ（３９）ＥＯ（１０４）、ＥＯ（７７）ＰＯ（２９）ＥＯ（７７）などのＰＥＯ−ＰＰＯ−ＰＥＯｓ（ポリエチレンオキシド−ポリプロピレンオキシド−ポリエチレンオキシド；ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｏｘｉｄｅ−ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅｏｘｉｄｅ−ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｏｘｉｄｅ）のブロック共重合体などが挙げられる。上記に例示した各ブロック共重合体の名称において、括弧内の数値は、各モノマー単位（構成単位）の数を表わすものであり、例えば、ＥＯ（１００）ＰＯ（６４）ＥＯ（１００）は、３つのブロックからなり、各ブロックは、１００の構成単位のエチレンオキシド（ＥＯ）、６４の構成単位のプロピレンオキシド（ＰＯ）、１００の構成単位のエチレンオキシド（ＥＯ）のそれぞれ別々のモノマー単位（構成単位）からなるものである。
【００１９】
また、気孔形成物質としては、例えば、ポリカプロラクトン（ｐｏｌｙｃａｐｒｏｌａｃｔｏｎｅｓ）、シクロデキストリン類（ｃｙｃｌｏｄｅｘｔｒｉｎｅｓ）、ポリ（オキシエチレン）オキサイド類（ｐｏｌｙ（ｏｘｙｅｔｈｙｌｅｎｅ）ｏｘｉｄｅｓ）、オクタエチレングリコールモノデシルエーテル（ｏｃｔａｅｔｈｙｌｅｎｅ　ｇｌｙｃｏｌ　ｍｏｎｏｄｅｃｙｌ　ｅｔｈｅｒ）、オクタエチレングリコールモノヘキサデシルエーテル（ｏｃｔａｅｔｈｙｌｅｎｅ　ｇｌｙｃｏｌ　ｍｏｎｏｈｅｘａｄｅｃｙｌ　ｅｔｈｅｒ）又はブロック共重合体（ｂｌｏｃｋ　ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）が挙げられるが、これに限定されない。なお、気孔形成物質として用いられる上記ブロック共重合体（ｂｌｏｃｋ　ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）としては、例えば、ＥＯ（１００）ＰＯ（６４）ＥＯ（１００）、ＥＯ（１７）ＰＯ（６４）ＥＯ（１７）、ＥＯ（２７）ＰＯ（６１）ＥＯ（２７）、ＥＯ（３７）ＰＯ（５６）ＥＯ（３７）、ＥＯ（１３３）ＰＯ（５０）ＥＯ（１３３）、ＥＯ（１０４）ＰＯ（３９）ＥＯ（１０４）、ＥＯ（７７）ＰＯ（２９）ＥＯ（７７）などのＰＥＯ−ＰＰＯ−ＰＥＯｓ（ポリエチレンオキシド−ポリプロピレンオキシド−ポリエチレンオキシド；ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｏｘｉｄｅ−ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅｏｘｉｄｅ−ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｏｘｉｄｅ）のブロック共重合体などが挙げられる。上記に例示した各ブロック共重合体の名称において、括弧内の数値は、各モノマー単位（構成単位）の数を表わすものであり、例えば、ＥＯ（１００）ＰＯ（６４）ＥＯ（１００）は、３つのブロックからなり、各ブロックは、１００の構成単位のエチレンオキシド（ＥＯ）、６４の構成単位のプロピレンオキシド（ＰＯ）、１００の構成単位のエチレンオキシド（ＥＯ）のそれぞれ別々のモノマー単位（構成単位）からなるものである。
【００２０】
本発明において、エッチング阻止膜としては、公知の炭化珪素膜（ＳｉＣ　ｌａｙｅｒ）、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＮ膜または無定型の炭化珪素（ａ−ＳｉＣ）膜を使用することができるが、これに限定されない。
【００２１】
本発明のパターンが形成された後、そのパターンに金属バリヤー及び金属を詰めるとデュアルダマシン構造が完成される。この際、金属バリヤーはＴｉ、ＴｉＮ、Ｔａまたは無定型の炭化珪素でなり、金属は、好ましくは、銅である。
【００２２】
【実施例】
以下、具体的な実施例によって本発明の構成及び効果をより詳細に説明するが、これらの実施例は、本発明を明確に理解させるためのものに過ぎず、本発明の範囲を限定するものではない。
【００２３】
実施例１：ＵＶ光照射前後のビアホール側壁の成分分析
小径のビアホール側壁の成分を分析することは容易でないので、絶縁膜（ＳｉＯＣであって気孔を含まない物質）を積層した後、フォトレジストパターンなしでＮ２気体の流れの下でドライエッチングを行った。絶縁膜積層直後とエッチング直後の絶縁膜表面の成分をＴＯＦ−ＳＩＭＳ（飛行時間型二次イオン質量分析装置）で分析し、これを図４に示した。絶縁膜積層直後には絶縁膜の構成成分である炭化水素系列のみが感知されたが、エッチング後には窒素成分含有の炭化窒化水素及びアンモニア系列の成分が大量検出された。
【００２４】
ＵＶ光照射による絶縁膜表面の成分変化を知るために、下記のような実験を行い、その結果を図５に示した。絶縁膜（ＳｉＯＣであって気孔を含まない物質）を積層した後、前記ドライエッチングされた絶縁膜の表面を２００℃で加熱しながら９０秒間ＵＶ光を照射した後、表面成分の変化をＴＯＦ−ＳＩＭＳで分析した。
【００２５】
図５より、ＵＶ光照射の後に窒素含有残留物が相当減少し且つＳｉＯＨの含量も約半分程度に減ったことが分る。
【００２６】
実施例２：ビアホールの形成
半導体基板上には下部配線を形成した後、下部配線上の全面に下部エッチング阻止膜、下部絶縁膜、上部エッチング阻止膜、上部絶縁膜を順次積層した。この際、エッチング阻止膜としては炭化珪素（ＳｉＣ）、絶縁膜としてはＳｉＯＣであって気孔を含まない物質を使用した。絶縁膜が積層された全面にフォトレジストを塗布し、これを露光及び現像して、ビアホールの形成のためのフォトレジストパターンを収得した。前記パターンをマスクとしてドライエッチングによって前記上部絶縁膜、上部エッチング阻止膜、下部絶縁膜を順次エッチングし、下部配線上の下部エッチング阻止膜を露出させてビアホールを形成した。
【００２７】
次に、前記ビアホールを２００℃で加熱しながら水銀光源によるＵＶ光を６０秒間照射してビアホールの側壁のエッチング残留物を除去し、エッチング後の洗浄の際に吸着、吸収される水分子を除去する。一方、対照サンプルとしてのビアホールはこのような処理（ＵＶ光の照射）をしなかった。その後、フォトレジストの塗布、露光及び現像を経てフォトレジストパターンを形成し、この写真を撮影して図６及び図７に示した。ビアホール及びフォトレジストパターンがきちんと形成された図６とは異なり、図７ではビアホール内部のフォトレジストが除去されなかったことが分る。
【００２８】
【発明の効果】
本発明によってデュアルダマシン工程で絶縁膜内の金属配線を形成する際、現像後に除去されないフォトレジスト残存物の発生を防止することができ、多孔性絶縁膜の場合、吸湿による誘電率の上昇を防止することができる。また、ドライエッチング工程なので、ウェットエッチング工程のように別途の追加乾燥工程を必要とするのではなく、現在使用中の装備を活用することができて簡便である。
【図面の簡単な説明】
【図１】デュアルダマシン工程による理想的なパターン形成過程を示す断面概略図である。図１（ａ）は上部絶縁膜上にフォトレジストパターンを形成した後の段階の様子を表わし、図１（ｂ）は１次のビアホールを形成した後の段階の様子を表わし、図１（ｃ）は半導体基板の全面にフォトレジストを塗布した後の段階の様子を表わし、図１（ｄ）は上部配線溝を形成するためにフォトレジストパターンを形成した後の段階の様子を表わし、図１（ｅ）はビアホールパターンを形成した後の段階の様子を表わす断面概略図である。
【図２】デュアルダマシン工程によるパターン形成の際にフォトレジスト残存物が発生する場合を示す図である。図２（ａ）〜図２（ｃ）は、図１（ａ）〜図１（ｃ）と同様であり、図２（ｄ）は上部配線溝を形成するためにフォトレジストパターンを形成した後に、ビアホール内やその周辺部分（図中、丸で囲った部分）にフォトレジスト残存物が発生した様子を表わす断面概略図である。
【図３】本発明によってＵＶ光を照射する際のビアホール側壁の化学構造変化を示す図である。図３（ａ）は上部絶縁膜上にフォトレジストパターンを形成した後の段階の様子を表わし、図３（ｂ´）は１次のビアホールを形成した後にＵＶ光を照射し、熱を共に加える段階の様子を表わし、図３（ｃ）は半導体基板の全面にフォトレジストを塗布した後の段階の様子を表わし、図３（ｄ）は１次のビアホールを形成した後の段階（ＵＶ光を照射前）のビアホール側壁の化学構造の様子を模式的に表し、図３（ｅ）はＵＶ光を照射し、熱を共に加えた後の段階のビアホール側壁の化学構造の様子を模式的に表した部面である。
【図４】本発明の実施例１において絶縁膜積層直後とエッチング工程後のＴＯＦ−ＳＩＭＳ分析図である。
【図５】本発明の実施例１においてエッチング工程後とＵＶ照射後のＴＯＦ−ＳＩＭＳ分析図である。
【図６】本発明の実施例２においてＵＶ光照射後に形成されたフォトレジストパターンを撮影した電子顕微鏡写真である。
【図７】本発明の実施例２においてＵＶ光照射なしで形成されたフォトレジストパターンを撮影した電子顕微鏡写真である。
【符号の説明】
１…下線配線、
２…下部エッチング阻止膜、
３…下部絶縁膜、
４…上部エッチング阻止膜、
５…上部絶縁膜、
６…フォトレジストパターン、
７…ビアホール、
８…フォトレジスト、
９…フォトレジストパターン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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