【手続補正書】
【提出日】平成25年12月25日(2013.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＩＩ−Ｎトランジスタと、
ＩＩＩ−Ｎ整流デバイスと、
前記ＩＩＩ−Ｎトランジスタと前記ＩＩＩ−Ｎ整流デバイスを封入する単一パッケージと、
を備え、
前記ＩＩＩ−Ｎトランジスタのゲート電極は、前記単一パッケージの第１リードまたは前記単一パッケージの導電構造部と電気的に接続され、
前記ＩＩＩ−Ｎトランジスタのドレイン電極は、前記単一パッケージの第２リードおよび前記ＩＩＩ−Ｎ整流デバイスの第１電極と電気的に接続され、
前記ＩＩＩ−Ｎ整流デバイスの第２電極は、前記単一パッケージの第３リードと電気的に接続されている
ことを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記ＩＩＩ−Ｎトランジスタは、電界効果トランジスタである
ことを特徴とする請求項１記載の電子部品。
【請求項３】
前記ＩＩＩ−Ｎトランジスタは、高圧スイッチングトランジスタである
ことを特徴とする請求項１記載の電子部品。
【請求項４】
前記ＩＩＩ−Ｎ整流デバイスはＩＩＩ−Ｎダイオードであり、
前記第１電極はアノード電極であり、
前記第２電極はカソード電極である
ことを特徴とする請求項１記載の電子部品。
【請求項５】
前記ＩＩＩ−Ｎトランジスタは、
導電または半導電基板と、
前記導電または半導電基板と前記ＩＩＩ−Ｎトランジスタのチャネルの間に配置された絶縁または半絶縁ＩＩＩ−Ｎ層と、
を備える横型デバイスであり、
前記導電または半導電基板は、前記ＩＩＩ−Ｎトランジスタと前記単一パッケージの前記導電構造部の間に絶縁スペーサを挿入することなしに、前記単一パッケージの前記導電構造部に直接取り付けられている
ことを特徴とする請求項４記載の電子部品。
【請求項６】
前記導電または半導電基板は、半導電シリコン基板である
ことを特徴とする請求項５記載の電子部品。
【請求項７】
前記ＩＩＩ−Ｎトランジスタと前記ＩＩＩ−Ｎダイオードは、共通基板上に配置されている
ことを特徴とする請求項４記載の電子部品。
【請求項８】
前記ＩＩＩ−Ｎトランジスタは、ＩＩＩ−Ｎ空乏モードトランジスタであり、
前記電子部品はさらに、前記単一パッケージ内に収容されたエンハンスメントモードトランジスタを備え、
前記エンハンスメントモードトランジスタは、ｅ−モードトランジスタソース電極、ｅ−モードトランジスタゲート電極、ｅ−モードトランジスタドレイン電極を備え、
前記ｅ−モードトランジスタソース電極は、前記単一パッケージの前記導電構造部または前記単一パッケージのソースリードと電気的に接続され、
前記ｅ−モードトランジスタドレイン電極は、前記ＩＩＩ−Ｎ空乏モードトランジスタのソース電極と電気的に接続され、
前記ｅ−モードトランジスタゲート電極は、前記単一パッケージの前記第１リードと電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項１記載の電子部品。
【請求項９】
前記ＩＩＩ−Ｎ空乏モードトランジスタは、高圧スイッチングトランジスタであり、
前記エンハンスメントモードトランジスタは、低圧トランジスタである
ことを特徴とする請求項８記載の電子部品。
【請求項１０】
前記エンハンスメントモードトランジスタは、Ｓｉ  ＭＯＳデバイスである
ことを特徴とする請求項９記載の電子部品。
【請求項１１】
前記電子部品は電圧変換器の一部であることを特徴とする請求項１記載の電子部品。
【請求項１２】
ＩＩＩ−Ｎ空乏モードトランジスタ、
エンハンスメントモードトランジスタ、
ＩＩＩ−Ｎ整流デバイス、
前記ＩＩＩ−Ｎ空乏モードトランジスタ、前記エンハンスメントモードトランジスタ、および前記ＩＩＩ−Ｎ整流デバイスを封入する単一パッケージ、
を備え、
前記ＩＩＩ−Ｎ空乏モードトランジスタのゲート電極は、前記エンハンスメントモードトランジスタのソース電極と電気的に接続され、
前記ＩＩＩ−Ｎ空乏モードトランジスタのソース電極は、前記エンハンスメントモードトランジスタのドレイン電極と電気的に接続され、
前記ＩＩＩ−Ｎ空乏モードトランジスタのドレイン電極は、前記単一パッケージの第２リードおよび前記ＩＩＩ−Ｎ整流デバイスの第１電極と電気的に接続され、
前記ＩＩＩ−Ｎ整流デバイスの第２電極は、前記単一パッケージの第１リードと電気的に接続されている
ことを特徴とする電子部品。
【請求項１３】
前記エンハンスメントモードトランジスタは、Ｓｉ  ＭＯＳデバイスである
ことを特徴とする請求項１２記載の電子部品。
【請求項１４】
ＩＩＩ−Ｎ空乏モードトランジスタ、
エンハンスメントモードトランジスタ、
ＩＩＩ−Ｎ整流デバイス、
前記ＩＩＩ−Ｎ空乏モードトランジスタ、前記エンハンスメントモードトランジスタ、および前記ＩＩＩ−Ｎ整流デバイスを封入し、第１および第２リードを有する単一パッケージ、
を備え、
前記ＩＩＩ−Ｎ空乏モードトランジスタのゲート電極は、前記単一パッケージの前記第１リードまたは前記単一パッケージの導電構造部と電気的に接続され、
前記ＩＩＩ−Ｎ空乏モードトランジスタのソース電極は、前記エンハンスメントモードトランジスタのドレイン電極と電気的に接続され、
前記ＩＩＩ−Ｎ空乏モードトランジスタのドレイン電極は、前記ＩＩＩ−Ｎ整流デバイスの第１電極と電気的に接続され、
前記ＩＩＩ−Ｎ整流デバイスの第２電極は、前記単一パッケージの前記第２リードと電気的に接続されている
ことを特徴とする電子部品。
【請求項１５】
前記ＩＩＩ−Ｎ空乏モードトランジスタの前記ドレイン電極は、前記単一パッケージの第３リードと電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項１４記載の電子部品。
【請求項１６】
前記ＩＩＩ−Ｎ整流デバイスはダイオードを備え、
前記ＩＩＩ−Ｎ整流デバイスの前記第１電極はアノードを備える
ことを特徴とする請求項１４記載の電子部品。
【請求項１７】
前記電子部品は電圧変換器の一部であることを特徴とする請求項１４記載の電子部品。
【請求項１８】
前記ＩＩＩ−Ｎ空乏モードトランジスタと前記ＩＩＩ−Ｎ整流デバイスは、共通基板上に配置されている
ことを特徴とする請求項１４記載の電子部品。
【請求項１９】
前記ＩＩＩ−Ｎ空乏モードトランジスタの前記ドレイン電極は、前記単一パッケージの前記第２リードと電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項１４記載の電子部品。
【請求項２０】
前記ＩＩＩ−Ｎ整流デバイスはＩＩＩ−Ｎダイオードであり、
前記第１電極はアノード電極であり、
前記第２電極はカソード電極である
ことを特徴とする請求項１２記載の電子部品。
【請求項２１】
前記電子部品は電圧変換器の一部であることを特徴とする請求項１２記載の電子部品。
【請求項２２】
前記ＩＩＩ−Ｎ空乏モードトランジスタと前記ＩＩＩ−Ｎ整流デバイスは、共通基板上に配置されている
ことを特徴とする請求項１２記載の電子部品。
【請求項２３】
前記ＩＩＩ−Ｎダイオードは、
導電または半導電基板と、
前記導電または半導電基板と前記ＩＩＩ−Ｎダイオードのチャネルの間に配置された絶縁または半絶縁ＩＩＩ−Ｎ層と、
を備える横型デバイスであり、
前記導電または半導電基板は、前記ＩＩＩ−Ｎダイオードと前記単一パッケージの前記導電構造部の間に絶縁スペーサを挿入することなしに、前記単一パッケージの前記導電構造部に直接取り付けられている
ことを特徴とする請求項４記載の電子部品。
【請求項２４】
前記導電または半導電基板は、半導電シリコン基板である
ことを特徴とする請求項２３記載の電子部品。
【請求項２５】
前記ＩＩＩ−Ｎダイオードは、絶縁または半絶縁部を備える横型デバイスであり、
前記絶縁または半絶縁部は、前記ＩＩＩ−Ｎダイオードと前記単一パッケージの前記導電構造部の間に絶縁スペーサを挿入することなしに、前記単一パッケージの前記導電構造部に直接取り付けられている
ことを特徴とする請求項４記載の電子部品。
【請求項２６】
前記絶縁または半絶縁部は、絶縁または半絶縁基板である
ことを特徴とする請求項２５記載の電子部品。