【事件の表示】
　平成１０年特許願第５１６５１号「電子部品およびその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１１年９月１７日出願公開、特開平１１−２５１５０３］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１０年３月４日の出願であって、平成１４年３月４日付けで平成１４年１月２８日付けの手続補正書が却下されるとともに、平成１３年１０月２９日付け手続補正書によって補正された請求項１〜５に係る発明について、
（１）請求項１〜５に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
（２）請求項１〜４に係る発明は、特許法第２９の２の規定により特許を受けることができない。
（３）この出願は、特許法３７条の要件を満たしていないから、特許を受けることができない。
　という、平成１３年１１月２１日付けの拒絶理由通知書に記載した拒絶理由で拒絶査定がなされ、平成１４年４月１８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに同年５月１５日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１４年５月１５日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１４年５月１５日付けの手続補正を却下する。
［理由］            
（１）補正後の発明
　平成１４年５月１５日付けの手続補正により、請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という）は、
「外部接続用電極リード線に、ＳｎとＢｉとからなり、Ｂｉを４重量％未満含有してなる合金層を付着形成し、Ｂｉが４重量％以上含有する合金層は付着形成しないことを特徴とする電子部品。」と補正された。
　上記補正は、
　請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「外部接続用電極リード線に、ＳｎとＢｉとからなる金属層を付着形成」する際、
（１−１）当該「金属層」を「合金層」とし、
（１−２）「Ｂｉが４重量％以上含有する合金層は付着形成しない」と補正したものである。
　そして、上記補正の根拠として、
　請求人は、出願当初の明細書には、
（ａ）第【００１４】欄に、
「ここで、Ｂｉの含有量を４重量％未満としたのは、４重量％以上であると、曲げ加工時に電極リード線の素地が見えるめっきクラックが発生するためである（表１参照）。」と記載され、
（ｂ）例えば、第【００２７】欄に、実施例１として、
「銅材のリードフレーム上に半導体素子がダイボンドされ、外部電極との配線も施され、樹脂封止およびリード加工の終了した半導体装置の外部接続用電極リード線に、厚さ１〜３μｍの下地Ｎｉめっき膜（下地金属層）を形成した後、さらにその下地金属層上にＢｉを２重量％含むＳｎ−Ｂｉ合金膜（金属層）を電流密度１．０Ａ／ｄｍ２で厚さ１０μｍに付着形成した。」と記載されている。
　したがって、「２（１）（１−１）」及び「２（１）（１−２）」は、上記出願当初の明細書に基づいてなしたものである旨主張している。
（２）判断
　そこで「２（１）（１−２）」について検討するに、
　出願当初の明細書の記載をみると、請求人が、補正の根拠として指摘する「実施例１」には、
「下地Ｎｉめっき膜」および「Ｂｉを２重量％含むＳｎ−Ｂｉ合金膜」を付着形成することの記載はあるが、「Ｂｉが４重量％以上含有する合金層は付着形成しない」との記載は見あたらない。
　そして、上記明細書の他の記載又は図面をみても当該事項の記載はなく、また、出願当初の明細書又は図面の記載からみて、自明と言うこともできない。
　してみれば、「２（１）（１−１）」について検討するまでもなく、本補正は、出願当初の明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてされたものではない。
（３）むすび
　以上のとおり、本補正は、特許法１７条の２第３項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
３．平成１４年５月１５日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という）は、平成１３年１０月２９日付けの手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６のうち、その請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「外部接続用電極リード線に、ＳｎとＢｉとからなり、Ｂｉを４重量％未満含有してなる金属層を付着形成したことを特徴とする電子部品。」
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項
　平成１３年１１月２１日付け拒絶理由に引用された特願平９−３０８７７５号（特開平１０−２２９１５２号公報）の出願当初の明細書及び図面（以下、「引用例」という）には、
（ａ）【特許請求の範囲】に、
「【請求項１】導電性基体の表面に、第１めっき層と第２めっき層とがこの順序で積層されている電子部品用リード材であって、前記第２めっき層の溶融温度が前記第１めっき層の溶融温度よりも低いことを特徴とする電子部品用リード材。
【請求項２】前記第１めっき層がＳｎ単体から成り、前記第２めっき層が、Ａｇ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｚｎの群から選ばれる少なくとも１種を含有するＳｎ合金から成る請求項１の電子部品用リード材。
【請求項３】前記第１めっき層が、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｂ、Ｙの群から選ばれる少なくとも１種を含むＳｎ合金から成り、前記第２めっき層がＳｎ単体から成る請求項１の電子部品用リード材。
【請求項４】前記第１めっき層の厚みをｔ１、前記第２めっき層の厚みをｔ２としたとき、ｔ１、ｔ２は、１μｍ≦ｔ１≦１５μｍ、０．５μｍ≦ｔ２≦５μｍであり、かつｔ２／ｔ１≦１．０の関係を満足する請求項２または３の電子部品用リード材。
【請求項５】５μｍ≦ｔ１＋ｔ２≦１５μｍである請求項４の電子部品用リード材。
【請求項６】少なくとも前記第２めっき層がリフロー処理されている請求項１〜５の電子部品用リード材。
【請求項７】請求項１〜６の電子部品用リード材を用いたリード。
【請求項８】請求項７のリードを用いた半導体装置。」が記載され、
（ｂ）第【００２５】欄には、
「Ｓｎ合金（I）としてＳｎ−Ｂｉ系合金を用いる場合には、半田付け後の接合部におけるＢｉ含有量が２０重量％よりも少なくなるような合金組織に調整することが好ましい。」と記載され、
（ｃ）第【００３４】欄には、【実施例】が、
「実施例１〜１２、比較例１〜３
　直径０．５ｍｍの銅被服鋼線を、電解脱脂槽、酸洗槽、Ｓｎめっき槽、Ｓｎ合金めっき槽に順次走行せしめて表１で示した第１めっき層、第２めっき層を形成し、本発明の第１のリード材であるリード線を製造した。」と記載され、
（ｄ）第【００３８】欄には表１に、実施例１１として、
「第１めっき層Ｓｎ、第２めっき層Ｓｎ−２％Ｂｉ」と記載され、
（ｅ）第【００５５】欄には、
「めっき層は、高融点の第１めっき層とそれよりも融点の低い第２めっき層との２層構造になっているので、半田付け時に第２めっき層が溶融しても、そのときの熱で基体から拡散してくるＣｕなどは第１めっき層でバリアされ、その結果、半田付け性は向上する。」と記載されている。
　
（２）対比・判断
　前記「３（１）（ａ）〜（ｅ）」を総合すれば、引用例には、
「導電性基体の表面に第１めっき層、及び当該第１めっき層よりも溶融温度が低く、Ｂｉ含有量が２０重量％よりも少ないＳｎ−Ｂｉ合金であって、Ｓｎ−２％Ｂｉを例とする第２層めっきが積層されている電子部品用リード。」（以下、「引用発明１」という）が開示されているといえる。
　本願発明と、引用発明１とを対比すると、
　引用発明１の、「リード」は、本願発明の「外部接続用電極リード線」に相当し、かつ、引用発明１の第２めっき層は、Ｓｎ−２％Ｂｉからなるものが例示されているから、両者に相違は認められない。
　なお、引用発明１では、第２めっき層よりも高融点の第１めっき層を設けているが、本願明細書には、Ｓｎなどの多層構造の金属層としてもよいこと、及び、「ＣｕもしくはＮｉ等の下地金属層」を設けてもよいこと（以上、第【００１９】欄）が記載されていることからすると、上記第１めっき層の点において、両者の発明に実質的な相違はない。
　したがって、本願発明は、引用発明１と同一である。
（３）まとめ
　上記のとおり、本願発明は、本出願の日前の出願であって当該特許出願後に特開平１０−２２９１５２号公報として出願公開された特願平９−３０８７７５号の願書に最初に添付した明細書または図面に記載された発明と同一であり、しかも、上記本出願の日前の他の特許出願の発明者が、本出願の発明者と同一であるとも、本出願の出願時に本出願の出願人と他の特許出願の出願人とが同一であるとも認められないから、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項２〜６に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。