【手続補正書】
【提出日】平成24年9月12日(2012.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図１６Ａ，図１６Ｂは、他の公知の技術を示す。図１６Ａにおいては、形状１５０表面に形成されるべき所望パターンである。図１６Ｂは、その形状１５０を形成するために用いられ得る、３つの露光パターンの組を示す。この例においては、露光パターン１５１は、所望パターンの形状である、露光パターン１５２および１５３は、補助露光である。露光パターン１５２および１５３は、通常よりも低いドーズで露光され、露光中および後続のレジストプロセス中に、形状１５０の端部が短くなることを防止するためのデザインである。図１６Ａ，１６Ｂの技術においては、所望パターンについての露光と補助露光との間に、明らかな区別がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームリソグラフィを用いて表面を加工するための方法であって、前記方法は、
複数の可変整形ビーム（ＶＳＢ）ショットを決定するステップを備え、
前記複数のＶＳＢショットにおけるいくつかのショットは重なり合い、
前記方法は、
前記複数のＶＳＢショットによって前記表面上にパターンを形成するステップをさらに備え、
ショット数または書込時間は、重なり合わないＶＳＢショットの使用に比べて低減され、
前記パターンの異なる部分は異なるドーズを受ける、方法。
【請求項２】
前記複数のＶＳＢショットから、前記表面上の計算パターンを計算するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記計算するステップは、荷電粒子ビームシミュレーションを含み、
前記荷電粒子ビームシミュレーションは、前方散乱、後方散乱、レジスト拡散、クーロン効果、エッチング、フォギング、装荷、およびレジスト帯電により構成されるグループのうちの少なくとも１つを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記表面はレチクルである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
光リソグラフィプロセスを用いて集積回路を製造するための方法であって、
前記集積回路は基板を有し、
前記光リソグラフィプロセスはレチクルを使用し、
前記方法は、
複数の可変整形ビーム（ＶＳＢ）ショットを決定するステップを備え、
前記複数のＶＳＢショットにおけるいくつかのショットは重なり合い、
前記方法は、
前記複数のＶＳＢショットによって前記レチクル上にパターンを形成するステップとをさらに備え、
ショット数または書込時間は、重なり合わないＶＳＢショットの使用に比べて低減され、
前記パターンの異なる部分は異なるドーズを受ける、方法。
【請求項６】
前記レチクルからマスクを製造するステップをさらに備え、
前記マスクは、前記レチクル上に形成された前記パターンを含み、
前記方法は、
光リソグラフィを用いて、前記マスク上の前記パターンを前記基板上に転写するステップをさらに備える、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
表面上に形成されるべきパターンを含むデザインの光近接効果補正（ＯＰＣ）のための方法であって、
前記表面は、基板上に前記パターンを転写するための光リソグラフィプロセスにおいて用いられ、
前記方法は、
前記基板上のための所望パターンを入力するステップと、
複数の可変整形ビーム（ＶＳＢ）ショットを決定するステップとを備え、
前記複数のＶＳＢショットにおけるいくつかのショットは重なり合い、
前記複数のＶＳＢショットは、前記光リソグラフィプロセスにおいて用いられるときに、前記基板のための前記所望パターンを形成するパターンを、前記表面上に形成する、方法
【請求項８】
前記複数のＶＳＢショットは、前記表面上に曲線パターンを形成する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記複数のＶＳＢショットから、前記表面上の計算パターンを計算するステップをさらに備える、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記計算するステップは、荷電粒子ビームシミュレーションを含み、
前記荷電粒子ビームシミュレーションは、前方散乱、後方散乱、レジスト拡散、クーロン効果、エッチング、フォギング、装荷、およびレジスト帯電により構成されるグループのうちの少なくとも１つを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記表面上の前記計算パターンが、光リソグラフィを用いて前記基板上に転写されたときに、前記基板上に、予め定められた許容値の範囲内で前記基板についての前記所望パターンと等価であるパターンを形成するか否かを演算するステップをさらに備え、
前記演算は、リソグラフィシミュレーションおよびエッチングシミュレーションのうちの少なくとも１つを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
フラクチャリング、マスクデータ準備、または近接効果補正のための方法であって、
複数の可変整形ビーム（ＶＳＢ）ショットを決定するステップを備え、
前記複数のＶＳＢショットによって定められるパターンの異なる部分は、異なるドーズを受け、
前記複数のＶＳＢショットにおけるいくつかのショットは重なり合い、
ショット数または書込時間は、重なり合わないＶＳＢショットの使用に比べて低減される、方法。
【請求項１３】
前記複数のＶＳＢショットから、表面上の計算パターンを計算するステップをさらに備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記計算するステップは、荷電粒子ビームシミュレーションを含み、
前記荷電粒子ビームシミュレーションは、前方散乱、後方散乱、レジスト拡散、クーロン効果、エッチング、フォギング、装荷、およびレジスト帯電により構成されるグループのうちの少なくとも１つを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記表面上に形成されるべき所望パターンを入力するステップと、
前記複数のＶＳＢショットを修正するとともに、前記計算パターンが前記所望パターンから予め定められた許容値より大きい程度に異なっている場合に、前記計算パターンを再計算するステップとをさらに備える、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記決定するステップは、最適化技術を用いて前記複数のＶＳＢショットを決定するステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記複数のＶＳＢショットにおける各ショットは、割り当てられたドーズを含み、
前記複数のＶＳＢショットにおけるショットの前記割り当てられたドーズは、ドーズ補正の前に、他の各々に対して変化する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記表面は、基板を製造するための光リソグラフィプロセスにおいて用いられるべきレチクルであり、
前記方法は、
前記基板のための所望パターンと、
前記基板上のシミュレートされたパターンを計算するステップとをさらに備え、
前記決定するステップは、前記基板上の前記所望パターンと前記基板上のシミュレートされたパターンとの間の差を最小化するステップを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
表面上に形成されるべきパターンを含む設計の光近接効果補正（ＯＰＣ）のためのシステムであって、
前記表面は、前記パターンを基板に転写するために光リソグラフィプロセスにおいて用いられ、
前記システムは、
前記基板のための所望パターンと、
複数の可変整形ビーム（ＶＳＢ）ショットを決定するための装置とを備え、
前記複数のＶＳＢショットにおけるいくつかのショットは重なり合い、
前記複数のＶＳＢショットは、前記光リソグラフィプロセスにおいて用いられるときに、前記基板のための前記所望パターンを形成するパターンを、前記表面上に形成する、システム。
【請求項２０】
フラクチャリング、マスクデータ準備、または近接効果補正のためシステムであって、
複数の可変整形ビーム（ＶＳＢ）ショットを決定することが可能な装置を備え、
前記複数のＶＳＢショットによって定められるパターンの異なる部分は、異なるドーズを受け、
前記複数のＶＳＢショットにおけるいくつかのショットは重なり合い、
ショット数または書込時間は、重なり合わないＶＳＢショットの使用に比べて低減される、システム。
【請求項２１】
光近接効果補正（ＯＰＣ）のための方法であって、
入力パターンを入力するステップと、
表面上にパターンを形成することができる複数の可変整形ビーム（ＶＳＢ）ショットを決定するステップとを備え、
前記表面パターンは、前記入力パターンのＯＰＣ補償バージョンであり、
前記決定するステップは、粒子ビームシミュレーションを用いる、方法。
【請求項２２】
前記粒子ビームシミュレーションは、前方散乱、後方散乱、レジスト拡散、クーロン効果、エッチング、フォギング、装荷、およびレジスト帯電により構成されるグループのうちの少なくとも１つを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記複数のＶＳＢショットのうちの少なくとも２つのショットは重なり合う、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
前記複数のＶＳＢショットは、数が低減される、請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
光近接効果補正（ＯＰＣ）のためのシステムであって、
入力パターンと、
一組のＯＰＣ指令と、
表面上にパターンを形成することができる複数の可変整形ビーム（ＶＳＢ）ショットを決定することができる装置とを備え、
前記パターンは、前記入力パターンのＯＰＣ補償バージョンであり、
前記決定することができる装置は、粒子ビームシミュレーションを用いる、システム。
【請求項２６】
フラクチャリング、またはマスクデータ準備、または近接効果補正、または光近接効果補正、または光近接効果補正最適化のための方法であって、
複数の可変整形ビーム（ＶＳＢ）ショットを決定するステップを備え、
前記複数のＶＳＢショットにおける少なくとも２つのショットは重なり合い、
前記決定するステップは、荷電粒子ビームシミュレーションを用いて、前記複数のＶＳＢショットから、表面上の計算パターンを計算するステップを含む、方法。
【請求項２７】
前記荷電粒子ビームシミュレーションは、前方散乱、後方散乱、レジスト拡散、クーロン効果、エッチング、フォギング、装荷、およびレジスト帯電により構成されるグループのうちの少なくとも１つを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記決定するステップは、最適化技術を使用するステップを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
フラクチャリング、またはマスクデータ準備、または近接効果補正、または光近接効果補正、または光近接効果補正最適化のためのシステムであって、
複数の可変整形ビーム（ＶＳＢ）ショットを決定することができる装置を備え、
前記決定することができる装置は、荷電粒子ビームシミュレーションを用いて、前記複数のＶＳＢショットから表面上の計算パターンを計算し、
前記複数のＶＳＢショットにおける少なくとも２つのショットは重なり合う、システム。
【請求項３０】
荷電粒子ビームリソグラフィを用いて表面を製造するための方法であって、
複数の可変整形ビーム（ＶＳＢ）ショットを決定するステップと、
前記複数のＶＳＢショットを用いて前記表面上にパターンを形成するステップとを備え、
前記複数のＶＳＢショットにおける少なくとも２つのショットは重なり合い、
前記決定するステップは、荷電粒子ビームシミュレーションを用いて、前記複数のＶＳＢショットから前記表面上の計算パターンを計算するステップを含む、方法。
【請求項３１】
前記荷電粒子ビームシミュレーションは、前方散乱、後方散乱、レジスト拡散、クーロン効果、エッチング、フォギング、装荷、およびレジスト帯電により構成されるグループのうちの少なくとも１つを含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
光リソグラフィプロセスを用いて集積回路を製造するための方法であって、
前記集積回路は基板を含み、
前記光リソグラフィプロセスはレチクルを使用し、
前記方法は、
複数の可変整形ビーム（ＶＳＢ）ショットを決定するステップと、
前記複数のＶＳＢショットを用いて前記レチクル上にパターンを形成するステップとを備え、
前記複数のＶＳＢショットにおける少なくとも２つのショットは重なり合い、
前記決定するステップは、荷電粒子ビームシミュレーションを用いて、前記複数のＶＳＢショットから、前記レチクル上の計算パターンを計算するステップを含む、方法。
【請求項３３】
前方散乱、後方散乱、レジスト拡散、クーロン効果、エッチング、フォギング、装荷、およびレジスト帯電により構成されるグループのうちの少なくとも１つを含む、請求項３２に記載の方法。