【事件の表示】
　特許第３１８１１９３号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［第１］．手続の経緯
　本件訂正請求の趣旨は、平成７年６月１９日出願の特願平７−１５１８９９号に係る、平成１３年４月２０日付で設定登録された特許第３１８１１９３号の特許明細書（願書に添付した明細書）を、本件審判請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正することを求めるというものであるが、この訂正請求に対し、当審より訂正拒絶理由を通知したところ、平成１５年２月１７日付で、上記訂正請求についての手続補正がされたものである。
　
［第２］．訂正請求の補正について
　１．補正の趣旨
　上記平成１５年２月１７日付手続補正の概要は、本件訂正請求に関して、審判請求書に添付された全文訂正明細書の記載を、次の（１）〜（３）のとおりに補正するというものである。
　（１）特許請求の範囲の請求項１中の、「バイアホールを介して前記ビルドアップ多層配線層の内層導体層と電気的に接続され、」という記載を、
「バイアホールを介して前記ビルドアップ多層配線層の
基板外周部に向かって順方向に配線される
　（２）同じく請求項２末尾の、「接続されてなることを特徴とする電子回路部品搭載用基板。」という記載を、
「接続されてなり、
さらに、第２の接続端子群が形成されるビルドアップ多層配線層には、基板外周部に向かって順方向に配線される内層導体層を有する
　（３）発明の詳細な説明中の【０００７】において上記（１）と同趣旨の補正をし、また、同じく【０００８】において上記（２）と同趣旨の補正をする。
　２．補正の可否の判断
　上記１．（１）〜（３）のいずれの補正も、特許法第１３１条第１項第三号に掲げる「請求の趣旨及びその理由」の補正に該当するが、上記補正がされることにより、当該＜請求の趣旨＞の要旨が変更されることになるのは明らかである。
　したがって、上記補正は、特許法第１３１条第２項本文の規定を満たすものとはいえないから、上記の補正を認めることはできない。
　（なお、当該補正に関しては、後記［第５］の７．を参照されたい。）
　
［第３］．本件訂正の要旨
　上記のように、本件訂正請求に関する平成１５年２月１７日付の手続補正を認容することができないので、本件訂正の要旨は、審判請求書に記載されたとおりの、次のイ〜ハである。
　イ　願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という）の特許請求の範囲における、請求項１中の「前記ベース基板の第１の接続端子群が形成される側には、内層導体層と絶縁層とが交互に積層され、」という記載を、
　「前記ベース基板
は、樹脂製の基材からなり、この基板
粗化面が形成された樹脂からなる
　ロ　同じく請求項２中の「前記ベース基板の両面には、内層導体層と絶縁層とが交互に積層され、」という記載を、　
　「前記ベース基板
は、樹脂製の基材からなり、この基板
粗化面が形成された樹脂からなる
　ハ　特許明細書における、発明の詳細な説明中の【０００７】において上記イと同趣旨の訂正をし、同じく【０００８】において上記ロと同趣旨の訂正をする。
　
［第４］．訂正請求の適否（その１）
　　　−［訂正の目的、新規事項及び拡張・変更の有無］−
　上記イ、ロの訂正事項は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められ、また、上記ハの訂正事項は、明細書の前後における齟齬を解消しようとするもので、明瞭でない記載の釈明を目的とするものと認められる。
　そして、上記各訂正事項は、登録時における特許明細書の【００１０】、【００１５】、【００１６】、【００１９】、【００２０】欄に記載された事項の範囲内において、訂正しようとするものと認められる。
　更に、上記訂正の趣旨からみて、上記イ〜ハの各訂正事項の内容は、特許明細書に記載されている発明の目的の範囲を逸脱するところはなく、特許請求の範囲を実質的に拡張又は変更するものとはいえない。
　以上のとおりであるから、上記各訂正事項は、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定により適用される、同法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項第１、３号に掲げる事項を目的とするものであり、同条第１項ただし書き、同第２項の各規定には適合しているといえる。
　
［第５］．訂正請求の適否（その２）−［独立特許要件の検討］−
　上記［第４］のとおり、本件訂正請求は、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正事項を含むので、特許法第１２６条第３項（上記平成６年法律第１１６号による改正前）の規定により、訂正後における特許請求の範囲に記載されている事項によって構成される発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものでなければならない。以下、この独立特許要件について検討する。
　１．訂正発明
　本件訂正請求に係る請求項の発明は、平成１４年１１月５日付審判請求書に添付された訂正明細書における、特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された次のとおりのものと認める。
　「【請求項１】　スルーホールを有するベース基板の一方の面の所定箇所に第１の接続端子群が密集した状態で形成され、その反対側の面の少なくとも外周部に第２の接続端子群が形成され、第１の接続端子群と第２の接続端子群とがスルーホールを介して電気的に接続されてなる電子回路部品搭載用基板において、
　前記ベース基板は、樹脂製の基材からなり、この基板の第１の接続端子群が形成される側には、内層導体層と粗化面が形成された樹脂からなる絶縁層とが交互に積層され、内層導体層同士がバイアホールにて電気的に接続され、また内層導体層がスルーホールと電気的に接続されたビルドアップ多層配線層が形成されてなり、前記第１の接続端子群は、該ビルドアップ多層配線層の最外層に形成されるとともに、前記第１の接続端子群の中央部に位置する接続端子は、バイアホールを介して前記ビルドアップ多層配線層の内層導体層と電気的に接続され、前記第１の接続端子群の中央部に位置する接続端子よりも外側に位置する接続端子は、基板外周部に向かって延びる外層導体層に接続されてなることを特徴とする電子回路部品搭載用基板。
　【請求項２】　スルーホールを有するベース基板の一方の面の所定箇所に第１の接続端子群が密集した状態で形成され、その反対側の面の少なくとも外周部に第２の接続端子群が形成され、第１の接続端子群と第２の接続端子群とがスルーホールを介して電気的に接続されてなる電子回路部品搭載用基板において、
　前記ベース基板は、樹脂製の基材からなり、この基板の両面には、内層導体層と粗化面が形成された樹脂からなる絶縁層とが交互に積層され、内層導体層同士がバイアホールにて電気的に接続され、また内層導体層がスルーホールと電気的に接続されたビルドアップ多層配線層が形成されてなり、前記第１の接続端子群及び第２の接続端子群は、それぞれ該ビルドアップ多層配線層の最外層に形成されるとともに、前記第１の接続端子群の中央部に位置する接続端子及び第２の接続端子群を構成する各接続端子は、バイアホールを介して前記ビルドアップ多層配線層の内層導体層と電気的に接続され、前記第１の接続端子群の中央部に位置する接続端子よりも外側に位置する接続端子は、基板外周部に向かって延びる外層導体層に接続されてなることを特徴とする電子回路部品搭載用基板。」
（上記訂正に係る請求項１及び２の発明のうち、当該請求項１の発明を、便宜上、以下、「訂正発明」という）
　
　２．引用刊行物とその記載事項
　これに対し、当審より平成１４年１２月１６日付で通知した訂正拒絶理由において引用した、本件特許に係る出願前に頒布された刊行物は次のとおりである。
　　＜引用刊行物＞
　第１引用例：特開昭５６−１１４３６１号公報
　第２引用例：特開平２−２６８４５６号公報（半導体容器（パッケージ）用の基板材料として、樹脂を用いるものもあることを示す周知例）
　第３引用例：特開昭６３−１５２１５９号公報（同）
　第４引用例：特開平６−２７５９５９号公報（樹脂基板（絶縁層）の表面を粗面化して、導体層との接着性の向上を図る技術を開示する周知例）
　第５引用例：特開平５−２３５５４６号公報（同）　　
　第６引用例：特開平５−２９９８４６号公報（ポリイミド絶縁層の表面を粗面化して、導体層との接着性の向上を図る技術を開示する周知例）
　第７引用例：特開平５−２５１５１１号公報（同）
　上記第１引用例には、次のイ〜ホの記載がある。
　イ＞　「従来のこの種の半導体装置を収容した容器構成の概要を第１図に示してある。この第１図において、（１）は半導体装置を示し、（１１）はこの半導体装置（１）に設けられた各端子である。また、（２）は半導体容器を示し、（２１１）は通常、セラミックからなる複数の絶縁体層、（２１２）はこの絶縁体面に選択的位置を占めて形成された導電体層、（２１３）はこの絶縁体層（２１１）のスルーホールを通して両面の導電体層（２１２）間を接続する接続部、（２１４）は各外部リード端子である。」（第１頁左下欄第１９行〜同右下欄第８行）
　ロ＞　「前記従来例の構成では、収容すべき半導体装置（１）が異なった場合には、それぞれに異なった容器を準備する必要があり、殊に複数個の半導体装置（１）を収容するのには、半導体容器（２）自体の汎用性が著るしく損なわれるものであった。」（第１頁右下欄第１８行〜第２頁左上欄第２行）
　ハ＞　「第２図および第３図において、前記第１図と同一符号は同一又は相当部分を示しており、この実施例では、従来と同様に一層からなる絶縁体層（２１１）、導電体層（２１２）、接続部（２１３）および外部リード端子（２１４）によるモジュール基板部分（２１）と、この基板部分（２１）上に形成された絶縁体層（２２１）、導電体層（２２２）およびスルーホールを通した接続部（２２３）による多層配線部分（２２）とによって半導体容器（２）を構成させ、半導体装置（１）は多層配線部分（２２）上の導電体層（２２２）に接続配置したものである。」（第２頁左上欄第１１行〜同右上欄第１行）
　ニ＞　「多層配線部分（２２）は、前記基板部分（２１）の形成温度よりも低温で、しかも比較的平滑なモジュール基板表面に対して、各用途に合わせて特有のパターンに形成されるもので、写真製版法の適用により微細パターン形成が可能である。そしてこの多層配線部分（２２）の絶縁体層（２２１）は、表面平滑度が良好でしかも低温形成可能なポリイミドなどの有機物でも、あるいは・・・低融点ガラスなどの無機物でもよく、導電体層（２２２）としては、Ｍｏ、・・・などの低抵抗金属を用いるのが望ましく、かつ前記絶縁体層（２２１）との密着性をよくするためには、これらを多層構造にするのがよい。」（第２頁右上欄第９行〜同左下欄第３行）
　ホ＞　「前記実施例では、モジュール基板部分（２１）について、絶縁体層（２１１）が一層の場合を述べたが、従来例でのように絶縁体層（２１１）、導電体層（２１２）を多層構造としてもよいことは勿論である。」（第２頁左下欄第４〜７行）
　更に、上掲イ〜ホの記載と第１、３図に示されているところから、第１引用例には、次のヘ、トで指摘する事項が記載されているものと認定できる。
　ヘ＞　第１引用例の第１図に示されている、半導体容器（２）の絶縁体層の表面（上面）には、導電体層（２１２）と共に、半導体装置（１）の各端子（１１）と対応関係にある接続端子群が形成されているとみるべきであって、その形成の態様は、第３図に示されている配置状態からみて、「密集した状態」といえるし、同様に、半導体容器（２）の絶縁体層の裏面（下面）側の「少なくとも外周部」に、上記イの「各外部リード端子」（２１４）を接続するための「接続端子群」が形成されているものと認められる。
　ト＞　同じく第１図では、半導体装置（１）の各端子（１１）と対応関係にある接続端子群のうちの、中央部に位置する接続端子はスルーホールを介して内層の導体層と接続され、外側に位置する接続端子は外周に向かって延びる外層導体層に接続されることが示されているものと認められる。
　
　３．発明の対比
　訂正発明（請求項１の発明）の構成事項と第１引用例の記載事項とを対比する。
　第１引用例の上記イに摘示した「複数の絶縁体層」（２１１）及び「絶縁体面に選択的位置を占めて形成された導電体層」（２１２）は、「スルーホールを通して両面の導電体層（２１２）間を接続する接続部」（２１３）が設けられているところから、訂正発明でいう「スルーホールを有するベース基板」に相当するものを含むといえる。
　そして、上記ヘの認定事項によれば、「半導体容器」（２）の絶縁体層の表面側には、訂正発明でいう「第１の接続端子群」に相当するものが「密集した状態」で形成されており、また、裏面側の「少なくとも外周部」には、「第２の接続端子群」に相当するものが形成されていると認められ、更に、上記トの認定事項によれば、「第１の接続端子群」に相当するもののうち、外側に位置する接続端子は外周に向かって延びる外層の導体層に接続されることが示されているものと認められる。
　また、第１引用例記載の「半導体装置」は「電子回路部品」とみることができ、上記の「半導体容器」は、訂正発明の「電子回路部品搭載用基板」に相当するものを含むといえるから、訂正発明と、第１引用例の上記イ並びに第１図に記載された発明（以下、「第１引用例記載の発明」という）との一致点と相違点を次のとおりに認定できる。
　　＜一致点＞
　「スルーホールを有するベース基板の一方の面の所定箇所に第１の接続端子群が密集した状態で形成され、その反対側の面の少なくとも外周部に第２の接続端子群が形成され、第１の接続端子群と第２の接続端子群とがスルーホールを介して電気的に接続されてなる電子回路部品搭載用基板において、
　前記第１の接続端子群の中央部に位置する接続端子よりも外側に位置する接続端子は、基板外周部に向かって延びる外層導体層に接続されてなる電子回路部品搭載用基板」である点。
　　＜相違点１＞　ベース基板の素材に関し、訂正発明では、「樹脂製の基材」からなるとされているのに対し、第１引用例では、「セラミック」の例示があるにとどまる点。
　　＜相違点２＞　訂正発明では、ベース基板の第１の接続端子群を設ける側に「内層導体層と粗化面が形成された樹脂からなる絶縁層とが交互に積層され、内層導体層同士がバイアホールにて電気的に接続され、また内層導体層がスルーホールと電気的に接続されたビルドアップ多層配線層」が形成されるのに対して、第１引用例の上記イ及び第１図では、「ビルドアップ多層配線層」を形成することに関する言及がない点。
　　＜相違点３＞　訂正発明では、第１の接続端子群は、「該ビルドアップ多層配線層の最外層」に形成されると共に「第１の接続端子群の中央部に位置する接続端子は、バイアホールを介して前記ビルドアップ多層配線層の内層導体層と電気的に接続され」るのに対して、上記のとおり、第１引用例の上記イ及び第１図では、「ビルドアップ多層配線層」を形成することに関する言及がなく、したがって、第１引用例記載の発明では第１の接続端子群が「該ビルドアップ多層配線層の最外層」に形成されることや、「第１の接続端子群の中央部に位置する接続端子は、バイアホールを介して前記ビルドアップ多層配線層の内層導体層と電気的に接続され」ることについての言及はない点。
　
　４．相違点の検討
　（１）相違点１について
　半導体容器（パッケージ）を構成する基板材料としては、上記第２引用例（第１頁左下欄第１９行〜同右下欄第２行参照）及び第３引用例（第１頁左下欄第１８行〜同右下欄第５行参照）に開示があるように、セラミック及び樹脂のいずれもが、通常のものとして採用されている。また、第１引用例においても「通常、セラミックからなる複数の絶縁体層」（上記イ）と記載されており、上記基板材料として、セラミック以外のものを用いることが排除されているわけではないから、第１引用例記載の発明において、ベース基板の素材として例示されているセラミックに代えて、樹脂製の材料を採用することは、当業者が容易になし得る設計事項といえる。
　（２）相違点２について
　第１引用例の上記ハにおける「多層配線部分（２２）」に関する記載は、ベースとなる基板（「モジュール基板部分（２１）」）に対して、本件発明における「ビルドアップ多層配線層」に対応するものを形成することを示唆したものといえる。しかも、「ビルドアップ」による多層配線層の形成手法自体は上記第４及び第５引用例にも示されているように周知の技術事項であって、このような周知の技術事項には、「粗化面が形成された樹脂からなる絶縁層」を積層することも含まれる（第４引用例では、第３頁左欄【請求項８】中の（３）、（４）の工程と【００５２】欄の記載、第５引用例では、【００４２】〜【００４４】欄の記載参照）。更に、第６引用例以下では、ポリイミド系の樹脂材料で形成される絶縁層の表面を粗面化することが開示されている。
　したがって、第１引用例記載の発明（上記イ並びに第１図に記載された発明）における半導体容器基板の、「ベース基板」に対応する基板の表面に、上記周知の技術事項である「粗化面が形成された樹脂からなる絶縁層」を積層する、「ビルドアップ」による多層配線層を形成することは格別困難とはいえない。
　（３）相違点３について
　上記のように、第１引用例記載の発明における「ベース基板」に対応する基板の表面に、「粗化面が形成された」樹脂からなる絶縁層を積層する、多層配線層を形成した場合には、当該粗化面が導電体層との接着性に優れるため、第１引用例の第２図に示されるような絶縁体層（２２２）を最外層に配置する必要がなくなり、「ビルドアップ多層配線層の最外層」には導電体層が配置されることになるから、当該最外層に、「第１の接続端子群が形成」されると共に、「第１の接続端子群の中央部に位置する接続端子」が、「バイアホールを介して前記ビルドアップ多層配線層の内層導体層と電気的に接続され」る構成とすることは、第１引用例に関しての上記ヘ及びトの認定事項等を考慮すれば当業者が容易に想到できる設計事項といえる。
　（４）相違点の評価と作用効果について
　以上の各相違点の検討によれば、上記いずれの相違点も格別のものではなく、また、それぞれの相違点に係る構成を組み合わせることによる本件発明の作用効果をみても、上記各引用例の記載事項から容易に予測しうる域を出るものが認められない。
　したがって、訂正発明は、上記各引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものといえる。
　
　５．請求人の主張に対する当審の見解
　（１）請求人は、審判請求書（特に、第１１頁第２行〜第１３頁第８行）において、第１引用例では、ビルドアップ用の絶縁層材料として、「表面平滑度が良好」なポリイミドが例示されていることをもって、第１引用例記載の発明では、絶縁層「表面の粗化を否定」しているとして、訂正発明における「外層導体層」が（最上層として）形成される構成は第１引用例に示唆されていない旨の主張をしている。
　しかし、第１引用例では「ポリイミドなどの有機物でも、あるいは・・・低融点ガラスなどの無機物でもよく」（上記ニ）という記載から明らかなように、「表面平滑度が良好」なポリイミドは、単に「有機物」の一例として挙げられているのであって、有機物（樹脂）系の材料を選択する場合に必ずしもポリイミドを採用する必要がないことは明らかであるし、しかも、ポリイミドを採用する場合であっても、上記の第６引用例及び第７引用例に指摘されているように、ポリイミド絶縁層の表面を粗面化して、導体層との接着性の向上を図る必要性がありうることは周知の事項である。
　また、第１引用例の第２図では、たしかに最上の導電体層（導体層）の上に更に最上層の「絶縁体層２２１」が形成される状態が示されているが、当該「絶縁体層２２１」を形成する技術的な意義についてみると、第１引用例（上記ニ）に、「（導電体層と）前記絶縁体層（２２１）との密着性をよくするためには、これらを多層構造にするのがよい」という記載があることから、上記の最上層の「絶縁体層」は、最上の導電体層と、当該導電体層が形成される絶縁体層との「密着性」の不足を補うための保護層として設けられていると解される。
　そうすると、上記の相違点２についての検討で指摘したように、多層配線層の「ビルドアップ」に際して、周知の技術事項である「粗化面が形成された樹脂からなる絶縁層」を積層した場合には、最上の導電体層も当然に当該「粗化面」の上に形成され、導電体層と絶縁体層との密着性が向上することになるから、必ずしも、第１引用例の第２図に示されるような、最上層となる「絶縁体層２２１」を形成する必要はなくなるし、しかも、第１引用例第１図では、最上の導電体層を「外層導体層」とすることも開示されていることを考慮すれば、請求人の上記主張は合理的なものといえず、採用することはできない。
　（２）請求人は、平成１５年２月１７日付の意見書（第１６頁第４〜１８行）において、第１引用例記載の発明のように「（ベース基板である）セラミック基板中にスルーホールを有する場合」は、「セラミック基板上の有機樹脂絶縁層の表面を粗化する」ことに不都合がある旨を主張しているが、半導体容器の基板材料がセラミックに限定されるものでないことは、上述（＜相違点１＞について）のとおりである。
　また、請求人は同じく上記意見書（第１７頁第４〜１５行）において、第１引用例中に、半導体容器の「一方」を通常の形成方法によって共通の形状とし、「他方」を
これよりも低温の形成方法で、
　しかし、第１引用例の上記記載は、必ずしも、特定の「形成方法」を指定する趣旨のものではないし、上記の「一方」及び「他方」の基板ともに、有機物系の絶縁層が採用可能であることは、第４引用例（【００２８】）や第５引用例（【００４８】）の開示事項からも明らかである。
　
　６．訂正に係る請求項２の発明について
　ベースとなる基板の両面にビルドアップ多層配線層を形成することは、上記の第４及び第５引用例に開示があり、当該引用例に開示された事項を規定している本件請求項２の発明も、訂正発明と同様に、上記第１〜第７引用例に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものといえる。
　また、上記のような「両面にビルドアップ多層配線層を形成する」構成を採用した場合、「反りを防止するため」の「ダミーのビルドアップ層が不必要」になる（平成１５年２月１７日付意見書第１９頁第１９〜２９行参照）のは当然のことであり、そのような当然のことをもって、格別の作用効果とみることはできない。
　
　７．付記
　上記［第２］のとおり、本件訂正請求に関しては、平成１５年２月１７日付の手続補正を認容していないが、当該補正に係る「多層配線層の
基板外周部に向かって順方向に配線される
　
［第６］．むすび
　以上のとおり、本件訂正に係るいずれの発明も、上記各引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたもので、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから、本件訂正請求は特許法第１２６条第３項（上記平成６年の改正前）の規定を満たすものとはいえず、本件訂正請求を容認することはできない。
　よって、結論のとおり審決する。