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【手続補正書】
【提出日】平成26年5月1日(2014.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置される第１裏面電極と、
前記基板上に前記第１裏面電極と離隔されて配置される第２裏面電極と、
前記第１裏面電極及び前記第２裏面電極の間に介されるセパレーターと、
を含むことを特徴とする、太陽光発電装置。
【請求項２】
前記第１裏面電極上に配置される第１光吸収部と、
前記第２裏面電極上に配置される第２光吸収部と、を含み、
前記セパレーターは前記第１光吸収部及び前記第２光吸収部の間に介されることを特徴とする、請求項１に記載の太陽光発電装置。
【請求項３】
前記セパレーターは前記第１光吸収部の側面及び前記第２光吸収部の側面に直接接触することを特徴とする、請求項２に記載の太陽光発電装置。
【請求項４】
前記第１光吸収部上に配置される第１ウィンドウを含んで、
前記第１ウィンドウは前記セパレーターを覆うことを特徴とする、請求項２または３に記載の太陽光発電装置。
【請求項５】
前記第１光吸収部は前記セパレーターを覆うことを特徴とする、請求項２〜４のいずれか１項に記載の太陽光発電装置。
【請求項６】
前記セパレーターはシリコンオキサイドを含むことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の太陽光発電装置。
【請求項７】
前記セパレーターは前記基板と一体に形成されることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の太陽光発電装置。
【請求項８】
基板と、
前記基板上に配置される複数個のセパレーターと、
前記セパレーターの間にそれぞれ配置される複数個の裏面電極と、
を含むことを特徴とする、太陽光発電装置。
【請求項９】
前記裏面電極上と前記セパレーターの間にそれぞれ配置される複数個の光吸収部を含むことを特徴とする、請求項８に記載の太陽光発電装置。
【請求項１０】
前記光吸収部の上に配置される複数個のウィンドウを含み、
前記ウィンドウはそれぞれ前記セパレーターを覆うことを特徴とする、請求項９に記載の太陽光発電装置。
【請求項１１】
前記セパレーターの上面の粗さは前記セパレーターの側面の粗さより大きいことを特徴とする、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の太陽光発電装置。
【請求項１２】
前記セパレーターは前記基板と一体に形成されることを特徴とする、請求項８〜１１のいずれか１項に記載の太陽光発電装置。
【請求項１３】
基板上に複数個の犠牲セパレーターを形成する段階と、
前記基板上に前記犠牲セパレーターの間にそれぞれ複数個の裏面電極を形成する段階と、
前記裏面電極の上に複数個の光吸収部を形成する段階と、
前記犠牲セパレーターの一部をとり除く段階と、
前記犠牲セパレーター及び前記光吸収部の上にウィンドウ層を形成する段階と、
を含むことを特徴とする、太陽光発電装置の製造方法。
【請求項１４】
前記光吸収部を形成した後、前記犠牲セパレーターの一部をとり除くことを特徴とする、請求項１３に記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項１５】
前記犠牲セパレーターの高さは、２０μｍ乃至３０μｍであることを特徴とする、請求項１３または１４に記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項１６】
前記犠牲セパレーターを形成する段階は、
前記基板の一部を加熱する段階と、
前記加熱した基板の一部を隆起させる段階と、
を含むことを特徴とする、請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項１７】
前記光吸収部を形成する段階は、
前記裏面電極の上に光吸収層を形成する段階と、
前記犠牲セパレーターに接して前記光吸収層に貫通溝を形成する段階と、
を含むことを特徴とする、請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項１８】
前記貫通溝を形成する段階で、
前記犠牲セパレーターを基準にして前記貫通溝が形成される位置が決まることを特徴とする、請求項１７に記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項１９】
前記ウィンドウ層に貫通溝が形成される段階を含み、
前記犠牲セパレーターを基準にして前記貫通溝が形成される位置が決まることを特徴とする、請求項１３〜１８のいずれか１項に記載の太陽光発電装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月28日(2014.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に第１電極層を形成するステップと、
前記第１電極層の上に光吸収層を形成するステップと、
前記光吸収層の上にバッファ層を形成するステップと、
前記バッファ層の酸素含有量を減少させるように熱処理するステップと、
前記バッファ層の上に第２電極層を形成するステップと、
を含むことを特徴とする、太陽電池の製造方法。
【請求項２】
前記熱処理するステップは、急速アニーリング（rapid thermal annealing；ＲＴＡ）工程により遂行されることを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項３】
前記熱処理するステップの熱処理温度が２５０乃至４００℃であることを特徴とする、請求項１または２に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項４】
前記熱処理するステップは、真空または水素雰囲気下で遂行されることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項５】
前記熱処理するステップにより熱処理されたバッファ層の酸素含有量が２乃至５ａｔ％であることを特徴とする、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項６】
前記熱処理するステップの以前に前記バッファ層の酸素含有量が６ａｔ％以上であることを特徴とする、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項７】
前記バッファ層を形成するステップでは、化学溶液成長法（chemical bath depositon；ＣＢＤ）により前記バッファ層を形成することを特徴とする、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項８】
前記バッファ層が硫化カドミウム（ＣｄＳ）または硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含むことを特徴とする、請求項１ないし７のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項９】
基板と、
前記基板の上に位置する第１電極層と、
前記第１電極層の上に位置する光吸収層と、
前記光吸収層の上に位置し、酸素含有量が２乃至５ａｔ％であるバッファ層と、
前記バッファ層の上に位置する第２電極層と、
を含むことを特徴とする、太陽電池。
【請求項１０】
前記バッファ層が硫化カドミウム（ＣｄＳ）または硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含むことを特徴とする、請求項９に記載の太陽電池。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月22日(2014.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モザイク画像からカラー画像を形成する方法であて、
前記モザイク画像は、
本質的に赤色がである第１のスペクトル応答がある第１の信号を有する赤色の画像画素と、
本質的に赤色がである第２のスペクトル応答がある第２の信号を有するマゼンタの画像画素と
含み、
前記方法は、
少なくとも前記第１及び第２の信号の関数として、第３の信号を生成して前記マゼンタの画像画素ために赤色を表すステップを含む方法。
【請求項２】
前記第２の信号に対する前記第３の信号の導関数の大きさは、極小があることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記極小がある位置は、前記第２の信号の範囲内に、前記第１の信号に従って変化することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記大きさは、前記極小と、前記大きさが最大であるところとの間に少なくとも２倍だけ変化するすることを特徴とする請求項２または３において記載の方法。
【請求項５】
第２の信号が前記極小を達成する場合、前記第１の信号に対する第３の信号の導関数は、前記第２の信号が異なる状態にある場合よりも大きくなる請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記マゼンタの画像画素は、本質的にマゼンタ色であるスペクトル応答を有する第４の信号をさらに有し、
前記方法は、
前記第４の信号の第２の倍数から前記第２の信号の第１の倍数を減算して前記マゼンタの画像画素に対して青色を表現する第５の信号を形成するステップさらに含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記マゼンタの画像画素は、本質的にマゼンタ色であるスペクトル応答を有する第４の信号をさらに有し、
前記方法は、
前記第４の信号の第２の倍数から前記第３の信号の第１の倍数を減算して前記マゼンタの画像画素に対して青色を表現する第５の信号を形成するステップさらに含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
請求項１から７までののいずれかに記載の方法を前記モザイク画像に実行してカラー画像を生成するデモザイク部と、
イメージセンサから前記モザイク画像の画像データを受信するように構成された入力インターフェースと、
を備えるカメラプロセッサ。
【請求項９】
コンピュータ可読命令を載し、
前記コンピュータ可読命令がコンピューティングデバイスによって実行されるとき、前記コンピューティングデバイスが請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法を実行させる不揮発性のコンピュータのデータ記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月29日(2014.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバ（１０４、２０４）内に配置される基板（１０２、２０２、７３０）上に薄膜トランジスタゲート絶縁層（１００、２００、７３４）を形成するための方法であって、
前記処理チャンバ（１０４、２０４）内にプラズマを生成するための処理ガス（１１６、２１６）を導入するステップと、
前記基板（１０２、２０２、７３０）を５０℃〜３５０℃の基板処理温度まで加熱するステップと、
１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚの周波数においてターゲットアセンブリ（１０８、２０６）をスパッタリングすることによって加熱された前記基板（１０２、２０２、７３０）上に酸化ケイ素、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素を堆積させるステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記堆積させるステップは、１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚの周波数での二重陰極（１３２ａ、１３２ｂ、２２６ａ、２２６ｂ）スパッタリングを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ターゲットアセンブリ（１０８、２０６）は、回転可能ターゲットを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記スパッタリングは、完全反応性スパッタリングである、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記ターゲットアセンブリ（１０８、２０６）は、純粋なシリコンターゲットを含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
基板上に薄膜トランジスタの少なくとも一部を形成するための堆積システム（１８０、２８０、５００、６００）であって、
プラズマを内部に生成するための処理ガス（１１６、２１６）を収容するように構成される処理チャンバ（１０４、２０４）と、
前記基板（１０２、２０２、７３０）を５０℃〜３５０℃の基板処理温度まで加熱するように構成される加熱システム（１１０、２１０）と、
前記基板（１０２、２０２、７３０）上にゲート絶縁層（１００、３０２、７３４）が形成されるように、１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚの周波数においてターゲットアセンブリ（１０８、２０６）をスパッタリングすることによって前記加熱された基板（１０２、２０２、７３０）上に酸化ケイ素、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素を堆積させるように構成されるスパッタリングシステム（１２８、２２８）と
を備える、堆積システム（１８０、２８０、５００、６００）。
【請求項７】
前記加熱システム（１１０、２１０）は、前記基板を加熱するために前記基板（１０２）に結合されるヒータ（１１２、２１２）と、前記基板処理温度を制御するために前記ヒータ（１１２、２１２）に関連付けられる加熱制御システム（２１４）とを備え、前記加熱制御システム（２１４）は、前記基板処理温度を５０℃〜３５０℃の温度に調整するように構成される、請求項６に記載の堆積システム（１８０、２８０、５００、６００）。
【請求項８】
前記スパッタリングシステム（１２８、２２８）は、少なくとも２つの電極（１３２ａ、１３２ｂ、２２６ａ、２２６ｂ）と、電源（１３０、２２２）とを含み、前記電源は、前記ターゲットアセンブリ（１０８、２０６）のスパッタリング中に前記プラズマに中波ＡＣ電力が結合されるように、前記少なくとも２つの電極に動作可能なように結合される、請求項６または７に記載の堆積システム（１８０、２８０、５００、６００）。
【請求項９】
前記スパッタリングシステム（１２８、２２８）は、前記陰極アセンブリ（１０８、２０６）の一部を形成する二重陰極からの１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚの周波数のスパッタリングによって、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素を堆積させるように構成される、請求項６から８のいずれか一項に記載の堆積システム（１８０、２８０、５００、６００）。
【請求項１０】
前記ターゲットアセンブリ（１０８、２０６）は、回転可能ターゲットを含む、請求項６から９のいずれか一項に記載の堆積システム（２８０）。
【請求項１１】
前記処理チャンバ（２０４）に関連付けられた、前記処理ガス（２１６）を前記処理チャンバ（２０４）に供給するためのガス供給源（２２４）を更に備え、前記ガス供給源および前記ターゲットアセンブリは、前記ターゲット（２３０ａ、２３０ｂ）の完全反応性スパッタリングによって、前記ゲート絶縁層（２００）を形成するように構成される、請求項６から１０のいずれか一項に記載の堆積システム（２８０）。
【請求項１２】
トランジスタ基板上に薄膜トランジスタの少なくとも一部を形成するように構成される堆積システム（１８０、２８０、５００、６００）とともに用いるための制御アセンブリ（３００）であって、前記堆積システム（１８０、２８０、５００、６００）は、前記トランジスタ基板を加熱するための加熱システム（１１０、２１０）と、スパッタリング周波数においてターゲットアセンブリ（１０６、２３０ａ、２３０ｂ）をスパッタリングすることによって酸化ケイ素、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素を堆積させるためのスパッタリングシステム（１２８、２２８）とを備え、前記制御アセンブリ（３００）は、
前記トランジスタ基板の温度を基板処理温度に調整するために前記加熱システム（１１０、２１０）を動作させるように構成される加熱制御モジュール（３０２）と、
前記基板処理温度が約５０℃〜３５０℃であるときに、１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚのスパッタリング周波数において前記ターゲット（１０６、２３０ａ、２３０ｂ）をスパッタリングすることによって前記薄膜トランジスタのゲート絶縁層（１００、２００、７３４）を形成するために前記スパッタリングシステム（１２８、２２８）を動作させるように構成されるスパッタリング制御モジュール（３０４）と
を備える、制御アセンブリ（３００）。
【請求項１３】
１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚの周波数においてターゲットアセンブリ（１０８、２０６）をスパッタリングすることによって、５０℃〜３５０℃の基板処理温度において基板（１０２、２０２、７３０）上に堆積される酸化ケイ素、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素を含むゲート絶縁層（１００、２００、７３４）
を備える、薄膜トランジスタ（７００）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月1日(2014.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
降圧変圧器の巻線タップと巻線タップとの間を遮断なしに切り換えるための負荷時タップ切換器であって、
２つの負荷分岐部が、切り換えるべき各相に対して設けられていて、
各負荷分岐部が、主接触子として作用する１つの真空バルブを有し、１つの限流抵抗と１つずつの別の真空バルブとから成る少なくとも１つの直列回路を前記真空バルブに対して並列に有し、
両負荷分岐部が、１つの共通の引込線に接続されているか又は機械式切換要素によって接続可能である当該負荷時タップ切換器において、
各負荷分岐部の少なくとも２つずつの真空バルブが、別々に互いに独立して操作可能な２つの可動接触子（４，５）と１つの共通の固定接触子（６）とを有する１つの真空バルブ（Ｖａ，Ｖｂ）に構造的に結合されていること、及び
前記共通の固定接触子（６）が、共通の前記引込線（ＬＡ）に接続されているか又は機械式切換要素（ＭＤＣａ，ＭＤＣｂ）によって接続可能であることを特徴とする負荷時タップ切換器。
【請求項２】
１つの限流抵抗と１つの別の真空バルブとから成る１つの直列抵抗が、各負荷分岐部内に正確に設けられていること、及び
各負荷分岐部の、一方の前記真空バルブと他方の前記真空バルブとがそれぞれ、１つの真空バルブ（Ｖａ，Ｖｂ）内で結合されていることを特徴とする請求項１に記載の負荷時タップ切換器。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の負荷時タップ切換器用の真空バルブにおいて、
別々に独立して操作可能な２つの可動接触子（４，５）が、１つの共通のハウジング（１）内にミラー対称に存在すること、
前記可動接触子（４，５）が、前記真空バルブの縦軸線（ｓ１）の両反対側に配置された複数のタペット（２，３）によって操作可能であること、及び
両可動接触子（４，５）が、１つの固定接触子（６）に接続可能であることを特徴とする真空バルブ。
【請求項４】
１つの接触子系（Ｉ，ＩＩ）が、１つの別々の切換室内に複数の前記可動接触子のうちの１つの可動接触子（４，５）を、その可動接触子を包囲する１つの防水シールド（１１，１２）と一緒に構成すること、
両前記接触子系（Ｉ，ＩＩ）及び両前記切換室が、前記真空バルブの回転対称な前記縦軸線（ｓ１）に対して垂直な対称軸線（ｓ２）の周りでミラー対称に対向していることを特徴とする請求項３に記載の真空バルブ。
【請求項５】
両前記タペット（２，３）の各々が、気密のベローズ（７，８）によって包囲されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の真空バルブ。
【請求項６】
両前記接触子系（Ｉ，ＩＩ）がそれぞれ、真空バルブを構成されているその負荷時タップ切換器の電気条件に適合されているように、これらの接触子系が、幾何学的に異なる大きさで寸法決めされていることを特徴とする請求項３〜５のいずれか１項に記載の真空バルブ。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年6月30日(2014.6.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
ある特定の実施形態において、前記方法は、第２の画像に基づいて第２の複数のキーポイントを決定することをさらに含むことができる。いくつかの実施形態において、第１の複数のキーポイントからのキーポイントを第２の画像における位置と相関させることは、第１の複数のキーポイントからのキーポイントを第２の複数のキーポイントからのキーポイントと相関させることを含む。いくつかの実施形態において、第１の複数のキーポイントからのキーポイントを第２の画像における位置と相関させることは、第２の画像における検索範囲内のピクセルを介して繰り返すことを含む。いくつかの実施形態において、第１の複数のキーポイントからのキーポイントを第２の画像における位置と相関させることは、第１の画像および第２の画像におけるピクセル間の平均２乗誤差を決定することを含む。いくつかの実施形態において、第１の画像に基づいて第１の複数のキーポイントを決定することは、第１の画像に基づいてスケール不変特徴変換（ＳＩＦＴ：Scale Invariant Feature Transform）キーポイントを決定することを含む。いくつかの実施形態において、第１の画像に基づいて第１の複数のキーポイントを決定することは、第１の画像をサブサンプリングすることと、第１の画像に高域フィルタ（high-pass filter）を適用することと、第１の画像力（power of the first image）を計算することと、第１の画像を閾値処理することを含む。いくつかの実施形態において、第１の複数のキーポイントからのキーポイントを第２の画像における位置と相関させることは、リアルタイムで生じる。いくつかの実施形態において、電子デバイスは、携帯電話を含む。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
いくつかの実施形態において、前記命令は、また、プロセッサに、第２の画像に基づいて第２の複数のキーポイントを決定させるように構成される。いくつかの実施形態において、第１の複数のキーポイントからのキーポイントを第２の画像における位置と相関させることは、第１の複数のキーポイントからのキーポイントを第２の複数のキーポイントからのキーポイントと相関させることを含む。いくつかの実施形態において、第１の複数のキーポイントからのキーポイントを第２の画像における位置と相関させることは、第２の画像における検索範囲内のピクセルを介して繰り返すことを含む。いくつかの実施形態において、第１の複数のキーポイントからのキーポイントを第２の画像における位置と相関させることは、第１の画像および第２の画像におけるピクセル間の平均２乗誤差を決定することを含む。いくつかの実施形態において、第１の画像に基づいて第１の複数のキーポイントを決定することは、第１の画像に基づいてスケール不変特徴変換（ＳＩＦＴ）キーポイントを決定することを含む。いくつかの実施形態において、第１の画像に基づいて第１の複数のキーポイントを決定することは、第１の画像をサブサンプリングすることと、第１の画像に高域フィルタ（high-pass filter）を適用することと、第１の画像力を計算することと、第１の画像を閾値処理することを含む。いくつかの実施形態において、第１の複数のキーポイントからのキーポイントを第２の画像における位置と相関させることは、リアルタイムで生じる。いくつかの実施形態において、コンピュータは、携帯電話に位置する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年6月30日(2014.6.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
図３には本発明の第２実施形態による方法に対する伝送線図が示されている。図３では無線認証装置１により、無線通信装置２の事前通知方式の監視Ｂが実行される。無線通信装置２は、隣接センサノード３ｂおよび場合によって別のセンサノード３ａ，３ｂ，３ｄを介し、また無線インタフェース４ａを介して、その識別番号およびアクセスキーＪＫをベース装置４に伝送する。ベース装置４により、この識別番号およびアクセスキーＪＫの記憶Ｒ3が行われる。ベース装置４はさらに、事前登録が成功したという情報を含む事前通知信号を無線通信装置２に返送する。この事前通知方式では、無線認証装置１によって監視されて（監視Ｂ）、分析される。つぎにこの分析の結果に依存して認証情報ＡＩを無線通信装置２に伝送するか否かを決定する。分析Ａの結果がＯＫの場合、認証情報ＡＩを無線通信装置２に伝送する。無線通信装置２それ自体は、受け取った認証情報および無線通信装置２の識別番号をセンサノード３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄおよび無線インタフェース４ａを介してベース装置４に伝送する。ベース装置４では登録Ｒ4が行われ、ここでこの登録は、認証情報ＡＩがチェックされ、チェック結果がＯＫの場合に無線通信装置２の識別番号およびアクセスキーＪＫが、上記の図についての説明したように、相応するアクセステーブルに書き込まれることによって行われる。さらにベース装置４は、ベース装置４における無線通信装置２の登録が成功したという相応の情報を無線通信装置２に返送する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線認証装置（１）を用いて無線通信装置（２）をベース装置（４）に登録する方法において、
（ａ）前記無線認証装置（１）が、認証情報（ＡＩ）を送信し、
（ｂ）前記無線通信装置（２）が、固有の認証情報（ＡＩ）を受信し、
（ｃ）前記無線通信装置（２）が、前記受信した認証情報（ＡＩ）を前記ベース装置（４）に伝送し、
（ｄ）前記伝送された認証情報（ＡＩ）を前記ベース装置（４）がチェックし、
（ｅ）前記チェックの結果に依存して前記無線通信装置（２）をネットワーク（５）にバインドするものであり、
前記認証情報（ＡＩ）の送出の前に、前記無線通信装置（２）および／または前記無線認証装置（１）の無線到達範囲内にある別の無線通信装置（３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ）の通信信号の監視を前記無線認証装置（１）が行う、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
前記認証情報（ＡＩ）が、限定された空間でしか受信できないようにするために、当該認証情報（ＡＩ）の送出を、低減した送信出力によって、および／または指向させて行う、
ことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法において、
前記監視した信号を前記認証情報（ＡＩ）に符号化し、
前記ベース装置（４）が当該監視され符号化された通信を評価する、
ことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法において、
前記認証情報（ＡＩ）を送出する前に無線環境の少なくとも１つのパラメタをチェックする、
ことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法において、
前記認証情報（ＡＩ）を送出する前に前記無線認証装置（１）の位置を決定する、
ことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法において、
前記無線通信装置（２）が、インバンド通信を用いて前記の固有の認証情報（ＡＩ）を受信する、
ことを特徴とする方法。
【請求項７】
無線通信装置（２）をベース装置（４）に登録するためのシステムにおいて、
該システムは、
（ａ）認証情報（ＡＩ）を送出するための無線認証装置（１）と、
（ｂ）前記送出した認証情報（ＡＩ）を受信し、かつ、前記無線通信装置（２）を登録するためにベース装置（４）に前記認証情報（ＡＩ）を送信するための無線通信装置（２）とを有しており、
（ｃ）前記ベース装置（４）により、前記認証情報（２）のチェック結果に依存して前記無線通信装置（２）をネットワーク（５）にバインドするものであり、
前記認証情報（ＡＩ）の送出の前に、前記無線通信装置（２）および／または前記無線認証装置（１）の無線到達範囲内にある別の無線通信装置（３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ）の通信信号の監視を前記無線認証装置（１）が行う、
ことを特徴とするシステム。
【請求項８】
請求項７に記載のシステムにおいて、
前記認証情報（ＡＩ）が、限定された空間でしか受信できないようにするため、前記認証情報（ＡＩ）の前記送出を、低減した送信出力によって、および／または指向させて行う、
ことを特徴とするシステム。
【請求項９】
請求項７または８に記載のシステムにおいて、
前記無線認証装置（１）は、無線環境を監視するため、および／または前記無線認証装置（１）の位置を決定するための監視手段（１ａ）を有する、
ことを特徴とするシステム。
【請求項１０】
請求項８または９に記載のシステムにおいて、
前記無線認証装置（１）は、送信出力を調整するための手段を有する（２）、
ことを特徴とするシステム。
【請求項１１】
無線通信装置を登録するために請求項７から１０までのいずれか１項に記載のシステムを使用する、
ことを特徴とする使用方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月18日(2013.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、
隔離ポートを備えたブランチライン・ハイブリッド・カプラーを有する直交ミキサーであって、入力信号とローカル発振器信号とを受け取り、同相信号と直交信号とを出力する、前記直交ミキサーと、
前記隔離ポートに結合され、制御信号により制御される調節可能なインピーダンスネットワークと、
を含み、
前記調節可能なインピーダンス回路が、前記隔離ポートに結合され、前記制御信号を受け取る容量性ネットワークと、前記容量性ネットワークに結合される抵抗性ネットワークと、前記抵抗性ネットワークに結合される誘導性ネットワークとを含む、装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記容量性ネットワークがスイッチドキャパシタアレイを更に含む、装置。
【請求項３】
請求項１に記載の装置であって、
前記容量性ネットワークが、互いに直列に結合される複数のバラクターを更に含み、前記制御信号が、前記バラクターのうち少なくとも２つの間のノードで受け取られる制御電圧を更に含む、装置。
【請求項４】
請求項３に記載の装置であって、
前記誘導性ネットワークが、前記容量性ネットワークに並列に結合されるインダクタを更に含む、装置。
【請求項５】
請求項４に記載の装置であって、
前記抵抗性ネットワークが、前記容量性ネットワークに並列に結合されるレジスタを更に含む、装置。
【請求項６】
請求項５に記載の装置であって、
前記調節可能なインピーダンスネットワークが、前記容量性ネットワークに並列に結合される調節回路を更に含む、装置。
【請求項７】
請求項６に記載の装置であって、
前記調節回路が、そのゲートで調節電圧を受け取るＭＯＳトランジスタを更に含む、装置。
【請求項８】
装置であって、
入力信号を受け取る相互コンダクタンス回路と、
第１のポートと第２のポートと第３のポートと第４のポートとを有するハイブリッドカプラーであって、前記第１のポートが前記相互コンダクタンス回路に結合される、前記ハイブリッドカプラーと、
前記第２のポートに結合される第１のスイッチング回路と、
前記第３のポートに結合される第２のスイッチング回路と、
前記第１及び第２のスイッチング回路の各々に結合され、ローカル発振器信号を受け取る入力回路と、
前記第４のポートに結合され、制御信号により制御される、調節可能なインピーダンスネットワークと、
を含み、
前記調節可能なインピーダンス回路が、前記第４のポートに結合され、前記制御信号を受け取る容量性ネットワークと、前記容量性ネットワークに結合される抵抗性ネットワークと、前記抵抗性ネットワークに結合される誘導性ネットワークとを含む、装置。
【請求項９】
請求項８に記載の装置であって、
前記容量性ネットワークがスイッチドキャパシタアレイを更に含む、装置。
【請求項１０】
請求項８に記載の装置であって、
前記容量性ネットワークが、互いに直列に結合される複数のバラクターを更に含み、前記制御信号が、前記バラクターのうち少なくとも２つの間のノードで受け取られる制御電圧を更に含む、装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の装置であって、
前記誘導性ネットワークが、前記容量性ネットワークに並列に結合されるインダクタを更に含む、装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の装置であって、
前記抵抗性ネットワークが、前記容量性ネットワークに並列に結合されるレジスタを更に含む、装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の装置であって、
前記調節可能なインピーダンスネットワークが、前記容量性ネットワークに並列に結合される調節回路を更に含む、装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の装置であって、
前記調節回路が、そのゲートで調節電圧を受け取るＭＯＳトランジスタを更に含む、装置。
【請求項１５】
装置であって、
相互コンダクタンス回路であって、
第１の差動対ＮＭＯＳトランジスタであって、前記第１の差動対からの各ＮＭＯＳトランジスタがそのゲートで無線周波数（ＲＦ）入力信号の一部を受け取る、前記第１の差動対ＮＭＯＳトランジスタと、
前記第１の差動対内の前記ＮＭＯＳトランジスタのドレイン間に結合されるインダクタと、
前記インダクタに各々結合されるカスコードトランジスタの対と、
前記カスコードトランジスタの対の各々に結合されるカプラーと、
を有する、前記相互コンダクタンス回路と、
第１のポートと第２のポートと第３のポートと第４のポートとを有し、前記第１のポートが前記カプラーに結合されるハイブリッドカプラーと、
第１のスイッチング回路であって、
前記第２のポートに結合される第１の変圧器と、
前記第１の変圧器に各々結合される第３の差動対ＮＭＯＳトランジスタと、
前記第１の変圧器に各々結合される第４の差動対ＮＭＯＳトランジスタと、
を有する、前記第１のスイッチング回路と、
第２のスイッチング回路であって、
前記第３のポートに結合される第２の変圧器と、
前記第２の変圧器に各々結合される第５の差動対ＮＭＯＳトランジスタと、
前記第２の変圧器に各々結合される第６の差動対ＮＭＯＳトランジスタと、
を有する、前記第２のスイッチング回路と、
前記第１及び第２のスイッチング回路の各々に結合される第３の変圧器を有する入力回路であって、前記第３の変圧器がローカル発振器信号を受け取る、前記入力回路と、
調節可能なインピーダンスネットワークであって、
前記第４のポートに結合され、制御信号を受け取る容量性ネットワークと、
前記容量性ネットワークに結合される抵抗性ネットワークと、
前記抵抗性ネットワークに結合される誘導性ネットワークと、
を有する、前記調節可能なインピーダンスネットワークと、
を含む、装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の装置であって、
前記容量性ネットワークがスイッチドキャパシタアレイを更に含む、装置。
【請求項１７】
請求項１５に記載の装置であって、
前記容量性ネットワークが、互いに直列に結合される複数のバラクターを更に含み、前記制御信号が、前記バラクターのうち少なくとも２つの間のノードで受け取られる制御電圧を更に含む、装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の装置であって、
前記調節可能なインピーダンスネットワークが、そのゲートで調節電圧を受け取り、そのソース及びドレインで前記容量性ネットワークに結合される、ＭＯＳトランジスタを更に含む、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月10日(2014.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の撮影モードを有するデジタルカメラであって、
撮像センサと、
シーンを前記撮像センサ上に結像する光学系と、
画像キャプチャ動作を起こさせるための画像キャプチャ制御部と、
複数の撮影モード間での選択を行うための撮影モードユーザインタフェースであり、前記撮影モードは、関連付けられた画像キャプチャ設定及び画像処理設定を有する、撮影モードユーザインタフェースと、
当該デジタルカメラをオン又はオフに切り換えるための電源制御部であり、当該デジタルカメラがオフ状態にあり且つ該電源制御部が第１の作動パターンで作動されるとき、当該デジタルカメラはオンに切り換えられ且つデフォルトの撮影モードで動作するように設定され、該電源制御部が第２の作動パターンで作動されるとき、当該デジタルカメラはオンに切り換えられ且つ以前に選択された撮影モードで動作するように設定される、電源制御部と、
を有するデジタルカメラ。
【請求項２】
前記電源制御部は電源ボタンである、請求項１に記載のデジタルカメラ。
【請求項３】
前記電源ボタンは機械式の電源ボタンである、請求項２に記載のデジタルカメラ。
【請求項４】
前記電源ボタンはタッチ検知面である、請求項２に記載のデジタルカメラ。
【請求項５】
前記第１の作動パターンは、所定の閾値より短い時間を有する前記電源ボタンの短時間ボタン押下げであり、前記第２の作動パターンは、前記所定の閾値より長い時間を有する前記電源ボタンの長時間ボタン押下げである、請求項２に記載のデジタルカメラ。
【請求項６】
前記第１の作動パターンは、所定の閾値より長い時間を有する前記電源ボタンの長時間ボタン押下げであり、前記第２の作動パターンは、前記所定の閾値より短い時間を有する前記電源ボタンの短時間ボタン押下げである、請求項２に記載のデジタルカメラ。
【請求項７】
前記第１の作動パターンは、前記電源ボタンの一度のボタン押下げであり、前記第２の作動パターンは、前記電源ボタンの二度のボタン押下げである、請求項２に記載のデジタルカメラ。
【請求項８】
前記第１の作動パターンは、前記電源ボタンの二度のボタン押下げであり、前記第２の作動パターンは、前記電源ボタンの一度のボタン押下げである、請求項２に記載のデジタルカメラ。
【請求項９】
前記電源ボタンは圧力検知式であり、前記第１の作動パターンは、所定の閾値より低い圧力を有する前記電源ボタンの軽圧力ボタン押下げであり、前記第２の作動パターンは、前記所定の閾値より高い圧力を有する前記電源ボタンの重圧力ボタン押下げである、請求項２に記載のデジタルカメラ。
【請求項１０】
前記電源ボタンは圧力検知式であり、前記第１の作動パターンは、所定の閾値より高い圧力を有する前記電源ボタンの重圧力ボタン押下げであり、前記第２の作動パターンは、前記所定の閾値より低い圧力を有する前記電源ボタンの軽圧力ボタン押下げである、請求項２に記載のデジタルカメラ。
【請求項１１】
前記以前に選択された撮影モードは、当該デジタルカメラが最後にオフに切り換えられた時に当該デジタルカメラがあった撮影モードである、請求項１に記載のデジタルカメラ。
【請求項１２】
前記以前に選択された撮影モードは、ユーザ指定のお気に入り撮影モードである、請求項１に記載のデジタルカメラ。
【請求項１３】
前記電源制御部の作動は、前記第１及び第２の作動パターンを検出するプロセスを開始させる、請求項１に記載のデジタルカメラ。
【請求項１４】
データ処理システムと、
前記データ処理システムに通信可能に接続されたメモリシステムであり、前記データ処理システムに、
前記画像キャプチャ制御部の作動に応答して前記撮像センサを用いてデジタル画像をキャプチャさせ、且つ
キャプチャされたデジタル画像を、選択された撮影モードに従って処理させる、
ように構成された命令を格納するメモリシステムと、
を更に含む請求項１に記載のデジタルカメラ。
【請求項１５】
複数の撮影モードを自動的に選択する方法であって、
電源ボタンを用いながらデジタルカメラをオン又はオフに切り換え、当該デジタルカメラがオフ状態にあり且つ該電源ボタンが第１の作動パターンで作動されるとき、当該デジタルカメラはオンに切り換えられ且つデフォルトの撮影モードで動作するように設定され、該電源ボタンが第２の作動パターンで作動されるとき、当該デジタルカメラはオンに切り換えられ且つ以前に選択された撮影モードで動作するように設定され、
前記第１の作動パターン及び第２の作動パターンは、前記電源ボタンが押下された継続時間によって、前記電源ボタンが押下された回数、又は前記電源ボタンが押下された圧力によって区別されるものである、
ことを特徴とする方法。
【請求項１６】
前記電源ボタンは圧力検知式であり、前記第１の作動パターンは、所定の閾値より低い圧力を有する前記電源ボタンの押下げを含み、前記第２の作動パターンは、前記所定の閾値より高い圧力を有する前記電源ボタンの押下げを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記以前に選択された撮影モードは、当該デジタルカメラが最後にオフに切り換えられた時に当該デジタルカメラがあった撮影モードを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記以前に選択された撮影モードは、ユーザ指定のお気に入り撮影モードを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記電源ボタンの作動は、前記第１及び第２の作動パターンを検出するプロセスを開始させる、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記デジタルカメラをオン又はオフに切り換えることは、
画像キャプチャ制御部の作動に応答して撮像センサによりデジタル画像をキャプチャさせ、且つ
キャプチャされたデジタル画像を、選択された撮影モードに従って処理させる、
ことを含む、請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月17日(2014.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
【図１Ａ】配送されたままの、キャップ付き初期状態での自動注射器の縦方向断面図である。
【図１Ｂ】配送されたままの、キャップ付き初期状態での自動注射器の縦方向断面図である。
【図２】自動注射器の等角断面図である。
【図３】自動注射器の別の等角断面図である。
【図４】キャップを取り除いているときの自動注射器の近位端の等角図である。
【図５】キャップを保護ニードルシールドおよびシリンジとともに示す等角図である。
【図６】キャップを取り外した後の自動注射器の近位端の等角図である。
【図７】キャップを取り外した後の自動注射器の近位端を起動された指ガードとともに示す等角図である。
【図８】自動注射器のシャシを起動された指ガードとともに示す等角図である。
【図９】自動注射器内のシャッタ機構の第１の代替実施形態の詳細図である。
【図１０】傾斜した移動突起を有する移動シャッタを備えた図９のシャッタ機構の概略図である。
【図１１】シャッタ機構の第２の代替実施形態の概略図である。
【図１２】シャッタ機構の第３の代替実施形態の概略図である。
【図１３】シャッタ機構の第４の代替実施形態の概略図である。
【図１４】シャッタ機構の第５の代替実施形態の概略図である。
【図１５】シャッタ機構の第６の代替実施形態の概略図である。
【図１６Ａ】起動前のシャッタ機構の第７の代替実施形態の概略図である。
【図１６Ｂ】並進運動中のシャッタ機構の第７の代替実施形態の概略図である。
【図１７】シャッタ機構の第８の代替実施形態の概略図である。
【図１８】シャッタ機構の第９の代替実施形態の概略図である。
【図１９】シャッタ機構の第１０の代替実施形態の概略図である。
【図２０Ａ】シャッタ機構の第１１の代替実施形態の概略図である。
【図２０Ｂ】シャッタ機構の第１１の代替実施形態の概略図である。
【図２０Ｃ】シャッタ機構の第１１の代替実施形態の概略図である。
【図２０Ｄ】シャッタ機構の第１１の代替実施形態の概略図である。
【図２１Ａ】シャッタ機構の第１２の代替実施形態の概略図である。
【図２１Ｂ】シャッタ機構の第１２の代替実施形態の概略図である。
【図２２Ａ】シャッタ機構の第１３の代替実施形態の概略図である。
【図２２Ｂ】シャッタ機構の第１３の代替実施形態の概略図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
保護ニードルシールド３６を取り外した後では、針４は、もはや保護されていないが、依然としてオリフィス４６内にわずかな距離後退して入っている。しかし、オリフィス４６はユーザが、少なくとも子供が指で触れる程度には大きい。指が入らないようにするために、ばねワイヤ４８がオリフィス４６のところに配置されている。ばねワイヤ４８はシャシ２に取り付けられ、円弧状の横断線セクション４８．１を有する。横断線セクション４８．１は、内側に撓むように偏倚しており、そのため、極めて小さな指でも入らないようにオリフィス４６を本質的に塞いでいるが、針４がばねワイヤ４８に触れずに前進するには十分に中心からずれている（図７および図８参照）。ノッチ４９が、オリフィス４６の近傍のシャシ２の近位面に配置されており、そのため、ばねワイヤ４８がその位置でロックされて、ユーザの指によって容易にはわきへ押されないようになっている。キャップ４４が近位端Ｐに取り付けられている限り、内部シリンダ４５により円弧状の横断線セクション４８．１が内側に撓まない（図４および図６参照）。図６に、キャップ４４が定位置にある状況を、キャップ４４自体を除いて示す。図４に、キャップ４４を取り外しているときの自動注射器１の近位端を、連動スリーブ２５を除いて示す。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月3日(2014.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
当業者であれば、例示した無針式経皮輸送装置１００および手持ち式の注射器４００以外にも、様々な無針注射器を、本発明の実施形態の方法に利用できることを理解するであろう。また、当業者であれば、本明細書で述べたパラメータが例示的なものに過ぎず、本発明にかかる方法および材料の詳細な用途によっては、実際のパラメータが変化し得ることを容易に理解するであろう。また、当業者であれば、前述した実施形態が例示的なものに過ぎず、添付の特許請求の範囲および等価物の範疇であれば、本明細書で具体的に説明した以外の形態であっても、本発明を実施できることを理解するであろう。さらに、構成要素について、材料、形状、サイズ、および構成要素間の相互関係を変更し、それらを多種多様に組み合わせたり置換したりしてもよく、そのような変形例および等価物も、本発明の一部をなすものとする。
なお本発明は、実施態様として以下の内容を含んでいてもよい。
［実施態様１］
物質を生体の表面を介して注入する方法であって、
前記物質を前記生体の前記表面を介して注入するように構成された無針式経皮輸送装置を用意する過程と、
（ｉ）前記無針式経皮輸送装置に設置されたアンプルの変形、周囲の温度、注入される物質の温度、前記生体に衝突する物質の音、および気圧のうちの少なくとも１つを含む、注入に関するパラメータを検出し、
（ｉｉ）検出されたパラメータに基づき、サーボ制御部を用いて、少なくとも１つの注入特性を動的に調節しながら、
前記輸送装置により、前記物質を前記生体に注入する過程と、
を含み、
前記物質は、（ｉ）前記物質の量の一部が第１の注入圧力で注入される第１の期間と、（ｉｉ）前記物質の量の残りが第２の注入圧力で注入される第２の期間とで注入される、注入方法。
［実施態様２］
実施態様１に記載の注入方法において、前記パラメータの検出が、さらに、注入圧力、前記輸送装置内の圧力、位置、体積、機械インピーダンス、力、電流、および電圧のうちの少なくとも１つを検出することを含む、注入方法。
［実施態様３］
実施態様１に記載の注入方法において、前記少なくとも１つの注入特性が、注入深さおよび注入される物質の量からなる群から選択される、注入方法。
［実施態様４］
実施態様１に記載の注入方法において、さらに、
前記物質を注入する過程の前に、ジェット速度の波形を、前記輸送装置に予めプログラムする過程、
を含む、注入方法。
［実施態様５］
実施態様４に記載の注入方法において、前記ジェット速度の波形が、第１のジェット速度、第１の期間、第２の後続速度、および前記物質の量を含む、注入方法。
［実施態様６］
実施態様５に記載の注入方法において、前記第２の期間が、前記無針式経皮輸送装置によって決定される、注入方法。
［実施態様７］
実施態様１に記載の注入方法において、前記無針式経皮輸送装置がコイルを備えており、
前記注入特性を、コイルの変位量に基づいて動的に制御する、注入方法。
［実施態様８］
実施態様７に記載の注入方法において、前記無針式経皮輸送装置が位置センサを備えており、
前記コイルの変位量を、前記位置センサによって検出する、注入方法。
［実施態様９］
物質を生体の表面を介して注入する方法であって、
前記物質を前記生体の前記表面を介して注入する無針式経皮輸送装置を用意する過程と、
前記物質の粘度を決定する過程と、
前記決定された粘度に基づき、前記物資を注入する圧力を算出する過程と、
前記無針式経皮輸送装置により、前記算出された圧力で前記物質を注入する過程と、
を含む、注入方法。
［実施態様１０］
実施態様９に記載の注入方法において、前記物質が、粘性を有する溶液を含む、注入方法。
［実施態様１１］
実施態様９に記載の注入方法において、前記物質が、温度に依存する少なくとも１つの特性を有する高分子材を含む、注入方法。
［実施態様１２］
実施態様１１に記載の注入方法において、前記物質が、薬剤を含有し当該薬剤の徐放を可能にする生分解性高分子を含む、注入方法。
［実施態様１３］
実施態様９に記載の注入方法において、前記物質の粘度を決定する過程が、前記粘度を、前記無針式経皮輸送装置に予めプログラムすることを含む、注入方法。
［実施態様１４］
実施態様９に記載の注入方法において、前記物資の粘度を決定する過程が、前記無針式経皮輸送装置によって前記物質をアンプルに充填し、当該アンプルを充填するのに用いた力に基づいて前記粘度を算出することを含む、注入方法。
［実施態様１５］
実施態様９に記載の注入方法において、前記物資の粘度を決定する過程が、前記物質の注入の最中に、当該物質の注入に必要な圧力および速度のうちの少なくとも一方の変化を検出することを含む、注入方法。
［実施態様１６］
実施態様１５に記載の注入方法において、前記無針式経皮輸送装置がサーボ制御部を備えており、当該サーボ制御部により、前記決定された粘度に基づき前記注入圧力を算出する、注入方法。
［実施態様１７］
物質を生体の表面を介して注入する無針式経皮輸送装置用の制御システムであって、
注入のパラメータを検出するセンサと、
検出されたパラメータに基づき、少なくとも１つの注入特性を動的に調節するサーボ制御部と、
を備え、前記センサおよび前記サーボ制御部は、
前記物質の注入を、（ｉ）前記物質の量の一部が第１の注入圧力で注入される第１の期間と、（ｉｉ）前記物質の量の残りが第２の注入圧力で注入される第２の期間とで行うように制御する、制御システム。
［実施態様１８］
実施態様１７に記載の制御システムにおいて、前記センサが、ジャイロメータ、加速度計、歪みゲージ、温度センサ、音響センサもしくは音響トランスデューサ、および気圧センサからなる群から選択される、制御システム。
【備考】
今回の補正において、出願当初の請求項１〜１８に対応する構成を明細書の段落［００８７］に、実施態様１〜１８として記載いたしました。