【事件の表示】
　平成　５年特許願第１１９１３６号「フォトマスクおよび半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　６年　３月１８日出願公開、特開平　６−　７７１１５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願は、平成５年４月２２日（優先権主張平成４年６月２５日）の出願であって、その請求項２に係る発明は、平成１４年７月２２日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、次のとおりのものである。（以下、「本件第２発明」という。）
　請求項２
　ほぼ正方形のホールパターンを複数有するフォトマスクであって、
　前記フォトマスクの中心近傍の領域に設けられたほぼ正方形のホールパターンは、その各辺が、前記フォトマスクの任意の水平軸または垂直軸に平行となるように設けられ、
　前記フォトマスクの中心近傍の領域外に位置するとともに前記フォトマスクの中心を通る任意の直線近傍に位置するほぼ正方形のホールパターンは、その各辺が、前記直線に対して平行あるいは垂直となるように設けられたことを特徴とするフォトマスク。
　
２．これに対し、原査定の拒絶の理由に引用した特開平３−２１３８６０号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の記載がある。
　引用例１の第２頁左上欄第１５行〜同ぺージ右上欄第１５行には、
「［従来の技術］
　第４図（ａ）と（ｂ）は、それぞれ、レチクルパターンとそれに対応するレジストパターンの従来例を説明するための図で、１はレチクル、２はレチクル中心、１３ａ乃至１３ｈはレチクルパターン、８はレジスト膜、９はレジスト膜中心、１４ａ乃至１４ｈはレジストパターンを表す。
　従来のフォトリソグラフィー工程におけるレチクルは、そのほとんどが正規直交座標系のｘ軸及びｙ軸方向の直線の組み合わせでレチクルパターンが描かれている。
　ところで、縮小投影レンズはいかに精度よく製造しても、レンズの設計に起因する収差は取り除くことができない。特にレチクルパターンで問題となるのは非点収差である。この収差があると、レンズのサジタル方向（中心を通る方向）とそれに直交する方向（メリディオナル方向）で焦点を結ぶ位置が異なり、そのため一点の像がサジタル方向に伸びた楕円、あるいはサジタル方向に縮んだ楕円となって結像する。」
と記載されている。
　引用例１の第２頁左下欄第１１行〜同欄第１５行には、
「さらに、レジストパターンの寸法が縮小投影レンズの分解能に接近するほど微細である場合は、第４図（ｂ）に示すように、四角形のレチクルパターンでもレジストパターンにおいては角が丸まった状態となる。」
と記載されている。
　引用例１の第２頁右下欄第３行〜第３頁左下欄第２０行には、
「［発明が解決しようとする課題］
　前述のように、従来はレチクル上で同一形状パターンでも、縮小投影されたレジストパターンでは差を生じ、その結果、ウエハ上では形状、寸法ともに異なるパターンが生じるといった問題があった。
　本発明はレチクルパターンが露光フィールドのどこであっても、形状、寸法の差の少ないレジストパターンを形成する方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
　上記課題は、縮小投影レンズの中心に対応するレチクル中心２を設定し、該レチクル中心２を通る放射状の直線でレチクル領域をｎ分割（ｎ＞４）して、ｎ箇の分割領域３を設定し、該レチクル中心２を通り各分割領域３の頂角を２等分する２等分線４を設定し、各分割領域３において該２等分線４に平行な平行線５と該平行線５に垂直な垂直線６を組み合わせてレチクルパターン７を形成するレチクルパターンの形成方法によって解決される。
　
［作用］
　第１図（ａ）と（ｂ）は本発明によるレチクルパターンとそれに対応するレジストパターンを説明するための図で、１はレチクル、２はレチクル中心、３は分割領域、４は２等分線、５は平行線、６は垂直線、７はレチクルパターン、８はレジスト膜、９はレジスト膜中心、１０はレジスト分割領域、１１はレジストパターンを表す。
　点線矢印は非点収差がある場合の点の結像を説明するためのもので、レチクル中心２を通る方向の像であるサジタル像とそれに直交するメリディオナル像で焦点が異なるため、点は楕円形となって結像する。
　本発明では、レチクル１のｎ分割した分割領域３において、その頂角を２等分する方向をもってこの分割領域のサジタル方向を代表させ、それに直交する方向をもってこの分割領域のメリディオナル方向を代表させる。
　このようにして、レチクル１上のすべてのパターンを、できるだけレチクル中心２を通る直線に平行な直線とそれに直交する直線を組み合わせて形成することにより、レチクル１上のすべてのパターンが縮小投影レンズに対してできるだけ同等の方向性を持つようにしている。その結果、レンズの非点収差の影響はレチクル１上のどこのパターンでもほぼ均等となる。このとき、ｎ＞４とすることにより、従来よりも均等性を高めることができる。
　従って、露光フィールド内では寸法、形状がほぼ同一のレジストパターン１１が得られる。
　
［実施例］
　第２図（ａ）、（ｂ）はレチクルパターンとそれによるレジストパターンの実施例Ｉを説明するための図で、１はレチクル、２はレチクル中心、３は分割領域、４は２等分線、７ａ乃至７ｈはレチクルパターン、８はレジスト膜、９はレジスト膜中心、１２ａ乃至１２ｈはレジストパターンを表す。
　この実施例は、レチクル中心２を通り、ｘ軸及びｙ軸の両側に２２．５度の角度をなす直線でレチクル領域を８分割し、各々の分割領域３にレチクルパターンを形成する。
　各レチクルパターンはレチクル中心２を通り頂角を２等分する直線に平行な平行線とそれに垂直な垂直線の組み合わせからなっている（第２図（ａ））。
　第２図（ｂ）はこのレチクルパターンにより縮小投影露光したレジストパターンを示す。レジストパターン１２ａ乃至１２ｈはレチクルパターン７ａ乃至７ｈに対応する。レジストパターンは０．７μｍ□となるように設定したが、縮小投影レンズの分解能に近いため角が丸まり、さらに非点収差のためサジタル方向とメリディオナル方向で長さが異なる。しかし、すべてのレジストパターンはほぼ等しい形状と寸法を有している。」
と記載されている。
　
　引用例１に添付された図面
２．１　引用例１記載の発明の認定
　引用例１記載のレチクルパターンは、「各レチクルパターンはレチクル中心２を通り頂角を２等分する直線に平行な平行線とそれに垂直な垂直線の組み合わせからなっている（第２図（ａ））。」と記載され、また、「第２図（ｂ）はこのレチクルパターンにより縮小投影露光したレジストパターンを示す。レジストパターン１２ａ乃至１２ｂはレチクルパターン７ａ乃至７ｈに対応する。レジストパターンは０．７μｍ□となるように設定した」（第３頁左下欄第９行〜第１６行）ものであるから、引用例１記載の各レチクルパターンは、複数の正方形であることは明らかである。
　
　また、引用例１の第３頁右上欄第１９行〜同頁左下欄第１１行には、「第２図（ａ）、（ｂ）はレチクルパターンとそれによるレジストパターンの実施例Ｉを説明するための図で、１はレチクル、２はレチクル中心、３は分割領域、４は２等分線、７ａ乃至７ｈはレチクルパターン、８はレジスト膜、９はレジスト膜中心、１２ａ乃至１２ｈはレジストパターンを表す。
　この実施例は、レチクル中心２を通り、ｘ軸及びｙ軸の両側に２２．５度の角度をなす直線でレチクル領域を８分割し、各々の分割領域３にレチクルパターンを形成する。
　各レチクルパターンはレチクル中心２を通り頂角を２等分する直線に平行な平行線とそれに垂直な垂直線の組み合わせからなっている（第２図（ａ））。」と記載されているから、引用例１記載の各々の分割領域３に形成されたレチクルパターンは、レチクル中心２を通り頂角を２等分する直線４（第２図（ａ）参照）に平行な平行線とそれに垂直な垂直線の組み合わせからなっているものであり、分割領域３の数は４を越える範囲で任意に選択できること、さらに、第１図及び第２図に関する説明から、分割領域３の設定自体に任意性があると認められることを考慮すると、当該直線４は、事実上レチクルの中心を通る任意の直線であると認められる。
　
　さらに、引用例１記載の［発明が解決しようとする課題］において、「前述のように、従来はレチクル上で同一形状パターンでも、縮小投影されたレジストパターンでは差を生じ、その結果、ウエハ上では形状、寸法ともに異なるパターンが生じるといった問題があった。
　
本発明はレチクルパターンが露光フィールドのどこであっても、形状、寸法の差の少ないレジストパターンを形成する
該レチクル中心２を通る放射状の直線でレチクル領域をｎ分割
　
　そうすると、引用例１には、ほぼ正方形のレチクルパターンを複数有するレチクルであって、
　レチクルの中心を通る任意の直線近傍に位置するほぼ正方形のレチクルパターンは、その各辺が、前記直線に対して平行あるいは垂直となるように設けられたレチクルの発明が記載されている。
　
３．本件第２発明と、引用例１記載の発明の対比
　引用例１記載の「レチクルパターン」及び「レチクル」は、それぞれ、本件第１発明の「ホールパターン」及び「フォトマスク」に相当する。
　そうすると、本件第２発明と引用例１記載の発明は、
「ほぼ正方形のホールパターンを複数有するフォトマスクであって、
　前記フォトマスクの中心を通る任意の直線近傍に位置するほぼ正方形のホールパターンは、フォトマスクの中心近傍領域以外で、その各辺が、前記直線に対して平行あるいは垂直となるように設けられたことを特徴とするフォトマスク。」
において一致する。
　しかるに本件第２発明は、「フォトマスクの中心近傍の領域に設けられたほぼ正方形のホールパターンは、その各辺が、前記フォトマスクの任意の水平軸または垂直軸に平行となるように設けられ」るのに対し、引用例１記載の発明は、フォトマスクの中心近傍の領域に設けられたほぼ正方形のホールパターンにおいても、その各辺が、フォトマスクの中心と前記ほぼ正方形のホールパターンの中心とを結ぶ直線に対して平行あるいは垂直となるように設けられている点において相違（以下、「相違点」という。）する。
　上記相違点について検討する。
　ほぼ正方形のホールパターンを複数有するフォトマスクにおいて、ほぼ正方形のホールパターンは、その各辺が、前記フォトマスクの任意の水平軸または垂直軸に平行となるように設けることは、周知手段（例えば、特開平２−８３９７２号公報及び特開昭５８−１２１６４５号公報等参照）であって、当該周知手段において、レンズの収差の影響が、光軸付近では少なく、光軸をはずれると大きくなることは周知の事項（岸川利郎著「ユーザーエンジニアのための光学入門」　オプトロニクス社刊　１９９０年１１月２６日発行　Ｐ．８０−８２、Ｐ．１１２−１２１参照）であることを考慮すると、フォトマスクの中心近傍の領域以外のみ引用例１記載のホールパターンを適用し、上記相違点の構成とすることは、当業者が容易に想到できたことである。
　また、上記相違点に基づく効果についても、当業者が容易に予測できたことである。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本件請求項２に係る発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明できたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって結論のとおり審決する。