【手続補正書】
【提出日】平成25年12月12日(2013.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の第１の部分の上に形成される薄い誘電体層と、
前記基板の第２の部分の上に形成される厚い誘電体層と、
少なくとも前記薄い誘電体層の一部の上に延在する第１の導電性層の第１の部分であって、前記第１の導電性層が第１のゼーベック係数を有する第１の材料で作られる、前記第１の導電性層の第１の部分と、
少なくとも前記厚い誘電体層の一部の上に延在する前記第１の導電性層の第２の部分と、
前記薄い誘電体層と前記厚い誘電体層のそれぞれの少なくとも一部の上に延在する第２の導電性層であって、前記第２の導電性層と前記基板との間に垂直的な温度勾配を作るように前記第２の導電性層が赤外線放射を受け取るように構成される、前記第２の導電性層と、
前記第２の導電性層と前記第１の導電性層の前記第２の部分との間に形成され、第２のゼーベック係数を有する導電性パスと、
前記第１の導電性層の前記第１の部分に結合されており、第３のゼーベック係数を有する第１の相互接続パスと、
前記第１の導電性層の前記第２の部分に結合される第２の相互接続パスと、
を含む、装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記第２のゼーベック係数と前記第３のゼーベック係数とが実質的に同じであり、前記第１の導電性層がポリシリコンで形成され、前記薄い誘電体層と前記厚い誘電体層とが二酸化シリコンで形成され、前記第２の導電性層がアルミニウム又は銅で形成されるメタライゼーション層であり、前記薄い誘電体層が約１０ｎｍから約１２ｎｍの間である、装置。
【請求項３】
請求項２に記載の装置であって、
前記厚い誘電体層が約２００ｎｍから約２２０ｎｍの間のフィールド酸化物層である、装置。
【請求項４】
請求項３に記載の装置であって、
前記第１の導電性層の前記第１の部分の少なくとも一部の上に延在する第３の導電性層の第１の部分と、
前記第１の導電性層の前記第２の部分の少なくとも一部の上に延在する前記第３の導電性層の第２の部分と、
前記第１の導電性層の前記第１の部分と前記第３の導電性層の前記第１の部分との間に形成される第１の導電性バイアと、
前記第１の導電性層の前記第２の部分と第３の導電性層の前記第２の部分との間に形成される第２の導電性バイアと、
第４の導電性層の第１、第２及び第３の部分と、
前記第３の導電性層より高い熱インピーダンスを有する相互接続層と、
前記第３の導電性層の前記第１の部分と前記第４の導電性層の前記第３の部分との間に形成される第３の導電性バイアと、
前記第４の導電性層の前記第１の部分と前記相互接続層との間に形成される第４の導電性バイアと、
前記相互接続層と前記第４の導電性層の前記第２の部分との間に形成される第５の導線性バイアと、
前記第３の導電性層の前記第２の部分と前記第４の導電性層の前記第１の部分との間に形成される第６の導電性バイアと、
前記第４の導電性層の前記第１の部分と前記第２の導電性層との間に形成される第７の導電性バイアと、
を更に含み、
前記第２の導電性バイアと、前記第３の導電性層の前記第２の部分と、前記第６の導電性バイアと、前記第４の導電性層の前記第１の部分と、前記第７の導電性バイアとが、前記導電性パスの少なくとも一部を形成し、前記第４の導電性層の第１の部分と、前記第４の導電性バイアと、前記相互接続層と、前記第５の導電性バイアと、第４の導電性層の前記第２の部分とが、前記第１の相互接続パスの少なくとも一部を形成し、前記第１の導電性バイアと、前記第３の導電性層の前記第１の部分と、前記第３の導電性バイアと、前記第４の導電性層の前記第３の部分とが、前記第２の相互接続パスの少なくとも一部を形成する、装置。
【請求項５】
請求項４に記載の装置であって、
前記第３及び第４の導電性層がそれぞれアルミニウム又は銅で形成され、前記第１、第２、第３、第４、第５及び第６の導電性バイアがアルミニウム又はタングステンで形成され、前記相互接続層が窒化チタンで形成される、装置
【請求項６】
請求項１に記載の装置であって、
前記第１の導電性層が第１の導電型の材料でドープされたポリシリコンで形成され、前記薄い誘電体層と前記厚い誘電体層とが二酸化シリコンで形成される、装置。
【請求項７】
サーモパイルを形成するためにアレイ状に互いに結合される複数の熱電対を含む装置であって、
各熱電対が、
薄い誘電体層と、
厚い誘電体層と、
少なくとも前記薄い誘電体層の一部の上に延在する第１の導電性層の第１の部分であって、前記第１の導電性層が第１のゼーベック係数を有する第１の材料で作られる、前記第１の導電性層の第１の部分と、
少なくとも前記厚い誘電体層の一部の上に延在する前記第１の導電性層の第２の部分と、
前記薄い誘電体層と前記厚い誘電体層のそれぞれの少なくとも一部の上に延在する第２の導電性層であって、前記第２の導電性層と前記基板との間に垂直的な温度傾斜を作るように前記第２の導電性層が赤外線放射を受け取るように構成される、前記第２の導電体層と、
前記第２の導電性層と前記第１の導電性層の前記第２の部分との間に形成され、第２のゼーベック係数を有する導電性パスと、
前記第１の導電性層の前記第１の部分に結合され、第３のゼーベック係数を有する第１の相互接続パスと、
前記第１の導電性層の前記第２の部分に結合される第２の相互接続パスと、
を含む、装置。
【請求項８】
請求項７に記載の装置であって、
前記第２のゼーベック係数と前記第３のゼーベック係数とが実質的に同じであり、前記第１の導電性層がポリシリコンで形成され、前記第２の導電性層がアルミニウム又は銅で形成されるメタライゼーション層であり、前記薄い誘電体層が約１０ｎｍから約１２ｎｍの間であり、前記薄い誘電体層と前記厚い誘電体層とが二酸化シリコンで形成される、装置。
【請求項９】
請求項８に記載の装置であって、
前記厚い誘電体層が２００ｎｍから約２２０ｎｍの間のフィールド酸化物層である、装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の装置であって、
各熱電対が、
前記第１の導電性層の前記第１の部分の少なくとも一部の上に延在する第３の導電性層の第１の部分と、
前記第１の導電性層の前記第２の部分の少なくとも一部の上に延在する前記第３の導電性層の第２の部分と、
前記第１の導電性層の前記第１の部分と前記第３の導電性層の前記第１の部分との間に形成される第１の導電性バイアと、
前記第１の導電性層の前記第２の部分と前記第３の導電性層の前記第２の部分との間に形成される第２の導電性バイアと、
第４の導電性層の第１、第２及び第３の部分と、
前記第３の導電性層より高い熱インピーダンスを有する相互接続層と、
前記第３の導電性層の前記第１の部分と前記第４の導電性層の前記第３の部分との間に形成される第３の導電性バイアと、
前記第４の導電性層の前記第１の部分と前記相互接続層との間に形成される第４の導電性バイアと、
前記相互接続層と前記第４の導電性層の前記第２の部分との間に形成される第５の導電性バイアと、
前記第３の導電性層の前記第２の部分と前記第４の導電性層の第１の部分との間に形成される第６の導電性バイアと、
前記第４の導電性層の前記第１の部分と前記第２の導電性層との間に形成される第７の導電性バイアと、
を更に含み、
前記第２の導電性バイアと、前記第３の導電性層の前記第２の部分と、前記第６の導電性バイアと、前記第４の導電性層の前記第１の部分と、前記第７の導電性バイアとが、前記導電性パスの少なくとも一部を形成し、前記第４の導電性層の前記第１の部分と、前記第４の導電性バイアと、前記相互接続層と、前記第５の導電性バイアと、前記第４の導電性層の前記第２の部分とが、前記第１の相互接続パスの少なくとも一部を形成し、前記第１の導電性バイアと、前記第３の導電性層の前記第１の部分と、前記第３の導電性バイアと、前記第４の導電性層の前記第３の部分とが、前記第２の相互接続パスの少なくとも一部を形成し、前記第１の相互接続パスが各熱電対を近傍の熱電対に電気的に結合する、装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の装置であって、
前記第３及び第４の導電性層がそれぞれアルミニウム又は銅で形成され、前記第１、第２、第３、第４、第５、第６、及び第７の導電性バイアがアルミニウム又はタングステンで形成され、前記相互接続層が窒化チタンで形成される、装置。
【請求項１２】
請求項８に記載の装置であって、
前記厚い誘電体層が２００ｎｍから約２２０ｎｍの間の分離領域である、装置。
【請求項１３】
請求項７に記載の装置であって、
前記サーモパイルに結合される増幅器と、
前記増幅器に結合されるアナログ・デジタル変換器（ＡＤＣ）と、
前記ＡＤＣに結合されるデジタル線形化エンジンと、
前記デジタル線形化エンジンに結合されるインターフェースと、
を更に含む、装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の装置であって、
前記ＡＤＣがシグマ・デルタＡＤＣである、装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の装置であって、
前記インターフェースがＳＭＢｕｓ準拠インターフェースである、装置。
【請求項１６】
請求項７に記載の装置であって、
前記第１の導電性層が第１の導電型の材料でドープされたポリシリコンで形成される、装置。
【請求項１７】
熱電対を製造する方法であって、
基板の上に厚い誘電体層と薄い誘電体層とを形成することと、
前記厚い誘電体層と前記薄い誘電体層とのそれぞれの少なくとも一部の上に延在し、第１のゼーベック係数を有する、前記第１の導電性層を形成することと、
前記第１の導電性層の上に酸化物層を形成することと、
前記第１の導電性層と前記薄い誘電体層との少なくとも一部と全般的に同一境界を有する第１のアパーチャを形成するよう、ならびに前記第１の導電性層と前記厚い誘電体層との少なくとも一部と全般的に同一境界を有する第２のアパーチャを形成するように、前記酸化物層をエッチングすることと、
第１及び第２の導電性バイアを形成するために前記第１及び第２のアパーチャを充填することと、
前記酸化物層の上に第２のゼーベック係数を有する前記第２の導電性層を形成することと、
互いに実質的に電気的に隔離された前記第２の導電性層の第１の部分と第２の部分とを形成するように前記第２の導電性層をエッチングすることと、
を含む、方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法であって、
前記第１の導電性層がポリシリコンで形成され、前記薄い誘電体層と前記厚い誘電体層とが二酸化シリコンで形成され、前記第２の導電性層がアルミニウム又は銅で形成されるメタライゼーション層であり、前記第１及び第２の導電性バイアがタングステン又はアルミニウムで形成され、前記薄い誘電体層が約１０ｎｍから約１２ｎｍの間である、方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、
前記厚い誘電体層が約２００ｎｍから約２２０ｎｍの間のフィールド酸化物層である、方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法であって、
前記メタライゼーション層が第１のメタライゼーション層を更に含み、前記酸化物層が第１の酸化物層を更に含み、
前記方法が、
前記第１のメタライゼーション層の上に第２の酸化物層を形成することと、
前記第２の酸化物層の上に相互接続層を形成することと、
前記相互接続層の上に第３の酸化物層を形成することと、
前記第１の導電性バイアと全般的に同一境界を有する第３のアパーチャと、前記第２の導電性バイアと全般的に同一境界を有する第４のアパーチャと、前記相互接続層の少なくとも一部と全般的に同一境界を有する第５のアパーチャと、及び前記相互接続層の少なくとも一部と全般的に同一境界を有する第６のアパーチャとを形成するように前記第２及び第３の酸化物層をエッチングすることと、
第３、第４、第５及び第６の導電性バイアを形成するために前記第３、第４、第５及び第６のアパーチャを充填することと、
前記第３の酸化物層の上に第２のメタライゼーション層を形成することと、
第４及び第５の導電性バイアが電気的に接続され、前記第３の導電性バイアが第１の近傍の熱電対に電気的に接続され、前記第６の導電性バイアが第２の近傍の熱電対に電気的に接続されるように、前記第２のメタライゼーション層をエッチングすることと、
を更に含む、方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の方法であって、
前記第２メタライゼーション層がアルミニウム又は銅で形成され、前記第３、第４、第５及び第６の導電性バイアがアルミニウム又はタングステンで形成され、前記相互接続層が窒化チタンで形成される、方法。
【請求項２２】
請求項１７に記載の方法であって、
前記厚い誘電体層が約２００ｎｍから約２２０ｎｍの間の隔離領域であり、前記酸化物層が第１の酸化物層を更に含み、前記メタライゼーション層の前記第１及び第２の部分が第１及び第２の近傍の熱電対に電気的に接続され、
前記方法が、
前記第１の導電性バイアの下の前記基板内に埋め込み層を形成することと、
前記メタライゼーション層の上に第２の酸化物層を形成することと、
前記第２のバイアの上に吸収層を形成することと、
を更に含む、方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載の方法であって、
前記吸収層がポリアミドで形成される、方法。
【請求項２４】
請求項２３に記載の方法であって、
前記第１の導電性層が第１の導電型の材料でドープされたポリシリコンで形成され、前記第２の導電性層が第２の導電型の材料でドープされたポリシリコンで形成される、方法。