【手続補正書】
【提出日】平成26年6月3日(2014.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ショットキー・バリアダイオードであって、
第１の型の基板と、
前記第１の型の基板上の第２の型のウェル分離領域と、前記第２の型のウェル分離領域上の第１の型のウェル領域と、
前記第２の型のウェル分離領域上の周囲容量ウェル接合リングと、
前記第２の型のウェル分離領域上の第２の型のウェル領域であって、前記周囲容量ウェル接合リングが、前記第１の型のウェル領域と前記第２の型のウェル領域との間に位置してこれらを分離する、前記第２の型のウェル領域と、
前記第２の型のウェル領域上の第２の型のコンタクト領域と、
前記第１の型のウェル領域の内側部分に接触する第１の型のコンタクト領域であって、前記第１の型のウェル領域の前記内側部分が、前記第１の型のコンタクト領域の中心の内部に位置する、前記第１の型のコンタクト領域と、
前記第１の型のコンタクト領域上の第１のオーミック金属層と、
前記第１の型のウェル領域上の第２のオーミック金属層であって、前記第１のオーミック金属層は、接合部において前記第２のオーミック金属層と接触し、前記接合部が、前記ショットキー・バリアダイオードのショットキー障壁を含む、前記第２のオーミック金属層と
を備えており、
前記第２の型のウェル領域が前記第１の型の基板と接触する下方部分を有し、前記第２の型のウェル領域の前記下方部分が前記第２の型のウェル分離領域を取り囲む、
前記ショットキー・バリアダイオード。
【請求項２】
前記周囲容量ウェル接合リングが、
未ドープ材料、
前記第１の型のウェル領域より低いドープ濃度を有する第１の型にドープされた材料、及び
前記第１の型のウェル領域より低いドープ濃度を有する第２の型にドープされた材料
のうちの１つを含む、請求項１に記載のショットキー・バリアダイオード。
【請求項３】
前記第１の型のウェル領域が、前記第２の型のウェル分離領域と接触する下方部分を含み、
前記第１の型のウェル領域の前記内側部分が、前記第１の型のウェル領域の前記下方部分より小さい周長を有する、
請求項１に記載のショットキー・バリアダイオード。
【請求項４】
前記第２の型のウェル領域の前記下方部分が、前記第２の型のウェル分離領域と接触する、請求項１に記載のショットキー・バリアダイオード。
【請求項５】
前記第２の型のコンタクト領域が、前記第２の型のウェル領域より高いドープ濃度を有し、
前記第１の型のコンタクト領域が、前記第１の型のウェル領域より高いドープ濃度を有する、
請求項１に記載のショットキー・バリアダイオード。
【請求項６】
ポジティブ型ショットキー・バリアダイオードであって、
ポジティブ型基板と、
前記ポジティブ型基板上に位置し、これと接触するネガティブ型ウェル分離領域と、
前記ネガティブ型ウェル分離領域上に位置し、これと接触するポジティブ型ウェル領域と、
前記ネガティブ型ウェル分離領域上に位置し、これと接触する周囲容量ウェル接合リングであって、前記ポジティブ型ウェル領域を取り囲み、これと接触する、前記周囲容量ウェル接合リングと、
前記ネガティブ型ウェル分離領域上に位置し、これと接触するネガティブ型ウェル領域であって、前記ポジティブ型ウェル領域と前記ネガティブ型ウェル領域との間に位置してこれらを分離する前記周囲容量ウェル接合リングを取り囲み、これと接触する、前記ネガティブ型ウェル領域と、
前記ネガティブ型ウェル領域上に位置し、これと接触するネガティブ型コンタクト領域と、
前記ポジティブ型ウェル領域の内側部分を取り囲み、これと接触するポジティブ型コンタクト領域であって、前記ポジティブ型ウェル領域の前記内側部分が、前記ポジティブ型コンタクト領域の中心の内部に位置する、前記ポジティブ型コンタクト領域と、
前記周囲容量ウェル接合リング上に位置し、これと接触する浅いトレンチ分離リングであって、前記ネガティブ型コンタクト領域と前記ポジティブ型コンタクト領域との間に位置し、これらを分離する、前記浅いトレンチ分離リングと、
前記ポジティブ型コンタクト領域上の第１のオーミック金属層と、
前記ポジティブ型ウェル領域上の第２のオーミック金属層であって、前記第１のオーミック金属層は、接合部において前記第２のオーミック金属層と接触し、前記接合部が、前記ショットキー・バリアダイオードのショットキー障壁を含む、前記第２のオーミック金属層と
を備えている、前記ポジティブ型ショットキー・バリアダイオード。
【請求項７】
前記周囲容量ウェル接合リングが、
未ドープ材料、
前記ポジティブ型ウェル領域より低いドープ濃度を有するポジティブ型ドープ材料、及び
前記ポジティブ型ウェル領域より低いドープ濃度を有するネガティブ型ドープ材料
のうちの１つを含む、請求項６に記載のポジティブ型ショットキー・バリアダイオード。
【請求項８】
前記ポジティブ型ウェル領域が、前記ネガティブ型ウェル分離領域と接触する下方部分を含み、
前記ポジティブ型ウェル領域の前記内側部分が、前記ポジティブ型ウェル領域の前記下方部分より小さい周長を有する、
請求項６に記載のポジティブ型ショットキー・バリアダイオード。
【請求項９】
前記ネガティブ型ウェル領域が、前記ポジティブ型基板と接触する下方部分を有し、前記ネガティブ型ウェル領域の前記下方部分が、前記ネガティブ型ウェル分離領域と接触し、これを取り囲む、請求項６に記載のポジティブ型ショットキー・バリアダイオード。
【請求項１０】
前記ネガティブ型コンタクト領域が、前記ネガティブ型ウェル領域より高いドープ濃度を有し、
前記ポジティブ型コンタクト領域が、前記ポジティブ型ウェル領域より高いドープ濃度を有する、
請求項６に記載のポジティブ型ショットキー・バリアダイオード。
【請求項１１】
ショットキー・バリアダイオードを形成する方法であって、
第１の型の基板上に、第２の型のウェル分離領域を形成するステップと、
前記第２の型のウェル分離領域上に、第１の型のウェル領域を形成するステップと、
前記第２の型のウェル分離領域上に、周囲容量ウェル接合リングを形成するステップと、
前記第２の型のウェル分離領域上に、第２の型のウェル領域を形成し、前記周囲容量ウェル接合リングが前記第１の型のウェル領域と前記第２の型のウェル領域との間に配置されてこれらを分離するようにするステップと、
前記第２の型のウェル領域上に、第２の型のコンタクト領域を形成するステップと、
前記第１の型のウェル領域の内側部分を取り囲み、これと接触する、第１の型のコンタクト領域を形成し、前記第１の型のウェル領域の前記内側部分が前記第１の型のコンタクト領域の中心の内部に位置するようにするステップと、
少なくとも前記第１の型のコンタクト領域及び前記第１の型のウェル領域の上にシリサイドを形成するステップと
を含み、
前記シリサイドを形成することで、前記第１の型のコンタクト領域上に第１のオーミック金属層が形成され、前記第１の型のウェル領域上に第２のオーミック金属層が形成され、
前記第１のオーミック金属層が、接合部において前記第２のオーミック金属層と接触し、前記接合部が、前記ショットキー・バリアダイオードのショットキー障壁を含み、
前記第２の型のウェル領域が前記第１の型の基板と接触する下方部分を有するように形成され、前記第２の型のウェル領域の前記下方部分が前記第２の型のウェル分離領域を取り囲むように形成される、
前記方法。
【請求項１２】
前記周囲容量ウェル接合リングが、
未ドープ材料、
前記第１の型のウェル領域より低いドープ濃度を有する第１の型にドープされた材料、及び
前記第１の型のウェル領域より低いドープ濃度を有する第２の型にドープされた材料
のうちの１つを含むように形成される、
請求項１１に記載のショットキー・バリアダイオードを形成する方法。
【請求項１３】
前記第１の型のウェル領域が、前記第２の型のウェル分離領域と接触する下方部分を含むように形成され、前記第１の型のウェル領域の前記内側部分が、前記第１の型のウェル領域の前記下方部分より小さい周長を有するように形成される、請求項１１に記載のショットキー・バリアダイオードを形成する方法。
【請求項１４】
前記第２の型のウェル領域の前記下方部分が、前記第２の型のウェル分離領域と接触するように形成される、請求項１１に記載のショットキー・バリアダイオードを形成する方法。
【請求項１５】
前記第２の型のコンタクト領域が、前記第２の型のウェル領域より高いドープ濃度を有するように形成され、
前記第１の型のコンタクト領域が、前記第１の型のウェル領域より高いドープ領域を有するように形成される、
請求項１１に記載のショットキー・バリアダイオードを形成する方法。
【請求項１６】
ポジティブ型ショットキー・バリアダイオードを形成する方法であって、
ポジティブ型基板上に、ネガティブ型ウェル分離領域を形成するステップと、
前記ネガティブ型ウェル分離領域上に、ポジティブ型ウェル領域を形成するステップと、
前記ネガティブ型ウェル分離領域上に、前記ポジティブ型ウェル領域を取り囲み、これと接触するように、周囲容量ウェル接合リングを形成するステップと、
前記ネガティブ型ウェル分離領域上に、前記周囲容量ウェル接合リングを取り囲み、これと接触するように、ネガティブ型ウェル領域を形成し、前記周囲容量ウェル接合リングが、前記ポジティブ型ウェル領域と前記ネガティブ型ウェル領域との間に配置されてこれらを分離するようにするステップと、
前記ネガティブ型ウェル領域上に、ネガティブ型コンタクト領域を形成するステップと、
前記ポジティブ型ウェル領域の内側部分を取り囲み、これと接触するポジティブ型コンタクト領域を形成し、前記ポジティブ型ウェル領域の前記内側部分が前記ポジティブ型コンタクト領域の中心の内部に位置するようにするステップと、
前記周囲容量ウェル接合リング上に、前記ネガティブ型コンタクト領域と前記ポジティブ型コンタクト領域との間に配置されてこれらを分離するように、浅いトレンチ分離リングを形成するステップと、
少なくとも前記ポジティブ型コンタクト領域及び前記ポジティブ型ウェル領域上にシリサイドを形成するステップと
を含み、
前記シリサイドを形成することで、前記ポジティブ型コンタクト領域上に第１のオーミック金属層が形成され、前記ポジティブ型ウェル領域上に第２のオーミック金属層が形成され、
前記第１のオーミック金属層が、接合部において前記第２のオーミック金属層と接触し、前記接合部が前記ショットキー・バリアダイオードのショットキー障壁を含む、
前記方法。
【請求項１７】
前記周囲容量ウェル接合リングが、
未ドープ材料、
前記ポジティブ型ウェル領域より低いドープ濃度を有するポジティブ型ドープ材料、及び
前記ポジティブ型ウェル領域より低いドープ濃度を有するネガティブ型ドープ材料
のうちの１つを含むように形成される、
請求項１６に記載のポジティブ型ショットキー・バリアダイオードを形成する方法。
【請求項１８】
前記ポジティブ型ウェル領域が、前記ネガティブ型ウェル分離領域と接触する下方部分を含むように形成され、前記ポジティブ型ウェル領域の内側部分が、前記ポジティブ型ウェル領域の前記下方部分より小さい周長を有するように形成される、請求項１６に記載のポジティブ型ショットキー・バリアダイオード。
【請求項１９】
前記ネガティブ型ウェル領域が、前記ポジティブ型基板と接触する下方部分を有するように形成され、前記ネガティブ型ウェル領域の前記下方部分が、前記ネガティブ型ウェル分離領域と接触してこれを取り囲むように形成される、請求項１６に記載のポジティブ型ショットキー・バリアダイオードを形成する方法。
【請求項２０】
前記ネガティブ型コンタクト領域が、前記ネガティブ型ウェル領域より高いドープ濃度を有するように形成され、
前記ポジティブ型コンタクト領域が、前記ポジティブ型ウェル領域より高いドープ濃度を有するように形成される、
請求項１６に記載のポジティブ型ショットキー・バリアダイオードを形成する方法。
【請求項２１】
設計プロセスで用いられる機械可読媒体内で具体化される設計構造体であって、前記設計構造体は、ショットキー・バリアダイオードを含み、前記ショットキー・バリアダイオードは、
第１の型の基板と、
前記第１の型の基板上の第２の型ウェル分離領域と、前記第２の型のウェル分離領域上の第１の型のウェル領域と、
前記第２の型のウェル分離領域上の周囲容量ウェル接合リングと、
前記第２の型のウェル分離領域上の第２の型のウェル領域であって、前記周囲容量ウェル接合リングが、前記第１の型のウェル領域と前記第２の型のウェル領域との間に位置してこれらを分離する、第２の型のウェル領域と、
前記第２の型のウェル領域上の第２の型のコンタクト領域と、
前記第１の型のウェル領域の内側部分に接触する第１の型のコンタクト領域であって、前記第１の型のウェル領域の前記内側部分が、前記第１の型のコンタクト領域の中心の内部に位置する、第１の型のコンタクト領域と、
前記第１の型のコンタクト領域上の第１のオーミック金属層と、
前記第１の型のウェル領域上の第２のオーミック金属層であって、前記第１のオーミック金属層は、接合部において前記第２のオーミック金属層と接触し、前記接合部が、前記ショットキー・バリアダイオードのショットキー障壁を含む、第２のオーミック金属層と
を備えており、
前記第２の型のウェル領域が前記第１の型の基板と接触する下方部分を有し、前記第２の型のウェル領域の前記下方部分が前記第２の型のウェル分離領域を取り囲む、
前記設計構造体。
【請求項２２】
前記設計構造体がネットリストを含む、請求項２１に記載の設計構造体。
【請求項２３】
前記設計構造体が集積回路のレイアウトデータの交換のために用いられるデータ形式として格納媒体上に存在する、請求項２１に記載の設計構造体。
【請求項２４】
前記設計構造体が、試験データ、特徴付けデータ、検証データ、又は設計仕様のうちの少なくとも１つを含む、請求項２１に記載の設計構造体。