【手続補正書】
【提出日】平成15年7月16日(2003.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低誘電率の層間絶縁膜を形成する方法であって、基材上に膜を成長させるのに十分な化学気相成長条件下で有機ケイ素前駆物質を、随意に１種以上の追加の反応性物質と一緒に、反応させて、約３．５以下の誘電率を有する層間絶縁膜を形成することを含み、当該有機ケイ素前駆物質が、下記の構造式Ｉ〜ＩＩＩのうちの１つ以上で表される１種以上のシリルエーテル、又は構造式ＩＶで表されるシリルエーテルオリゴマーを含む、低誘電率層間絶縁膜の形成方法。
【化１】
2002256434.tif 000001
（式中、ｘは１〜３の整数、ｙは１又は２、ｚは２〜６の整数であり、
Ｒ１は、Ｈ、フッ素、枝分かれした又は直鎖のＣ１〜Ｃ６アルキル基、置換又は不置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル基、置換又は不置換のＣ６〜Ｃ１２芳香族基、部分的又は完全にフッ素化されたＣ１〜Ｃ６アルキル基、部分的又は完全にフッ素化されたＣ３〜Ｃ８シクロアルキル基、あるいは部分的又は完全にフッ素化されたＣ６〜Ｃ１２芳香族基のうちの１種以上であり、
Ｒ２は、置換又は不置換のＣ６〜Ｃ１２芳香族基、部分的又は完全にフッ素化された直鎖又は枝分かれ鎖のＣ１〜Ｃ６アルキル基、部分的又は完全にフッ素化されたＣ３〜Ｃ８シクロアルキル基、あるいは部分的又は完全にフッ素化されたＣ６〜Ｃ１２芳香族基のうちの１種以上であり、
Ｒ３は、Ｒ２、Ｃ１〜Ｃ６の線状又は枝分かれしたアルキル基、あるいは置換又は不置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル基のうちの１種以上であり、
Ｒ４は、Ｃ１〜Ｃ６の直鎖又は枝分かれしたアルキル基、置換又は不置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル基、置換又は不置換のＣ６〜Ｃ１２芳香族基、部分的又は完全にフッ素化されたＣ１〜Ｃ６の直鎖又は枝分かれしたアルキル基、部分的又は完全にフッ素化されたＣ３〜Ｃ８シクロアルキル基、あるいは部分的又は完全にフッ素化されたＣ６〜Ｃ１２芳香族基である）
【請求項２】
低誘電率の層間絶縁膜を形成する方法であって、基材上に膜を成長させるのに十分な化学気相成長条件下で有機ケイ素前駆物質を、随意に１種以上の追加の反応性物質と一緒に、反応させて、３．５以下の誘電率を有する層間絶縁膜を形成することを含み、当該有機ケイ素前駆物質が、Ｃ２〜Ｃ１０エポキシド、Ｃ２〜Ｃ８カルボキシレート、Ｃ２〜Ｃ８アルキン、Ｃ４〜Ｃ８ジエン、Ｃ３〜Ｃ５のひずみのある環式基、及び当該有機ケイ素前駆物質に立体障害もしくはひずみをもたらすことができるＣ４〜Ｃ１０基からなる群より選ばれる１以上の反応性側基を有する１種以上の有機ケイ素化合物を含む、低誘電率層間絶縁膜の形成方法。
【請求項３】
前記有機ケイ素化合物を、フェノキシトリメチルシラン、２−ｔｅｒｔ−ブチル−フェノキシトリメチルシラン、ジメチルエトキシシラン、ジメトキシメチルシラン、１，２−ビス（トリメチルシロキシ）エタン、１，４−ビス（トリメチルシロキシ）ベンゼン、１，２−ビス（トリメチルシロキシ）シクロブテン、１，２−ジメトキシテトラメチルジシラン、ペンタフルオロフェノキシトリメチルシラン、１，１，１−トリフルオロエトキシトリメチルシラン、１，１，１−トリフルオロエトキシジメチルシラン、ジメチオキシメチルフルオロシラン、１，２−ビス（トリメチルシロキシ）テトラフルオロエタン、１，４−（トリフルオロシロキシ）テトラフルオロベンゼン、１，１−ジメチル−１−シラ−２，６−ジオキサヘキサフルオロシクロヘキサン、１，２−ジフルオロ−１，２−ジメトキシジメチルジシラン、及びそれらの混合物からなる群より選ぶ、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記有機ケイ素前駆物質を、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、トリメチルシリルアセチレン、ビス（トリメチルシリル）アセチレン、トリメチルシロキシアセチレン、１−（トリメチルシロキシ）−１，３−ブタジエン、２−（トリメチルシリル）−１，３−ブタジエン、トリメチルシリルシクロペンタジエン、４−（ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）シラン、１，２−（ジメチルシリル）ベンゼン、トリメチルシリルアセテート、ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシジアセトキシシラン、及びそれらの混合物からなる群より選ぶ、請求項２記載の方法。
【請求項５】
前記層間絶縁膜が式ＳｉａＯｂＣｃＨｄＦｅで表され、原子％基準で、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００％となるように、ａ＝１０〜３５％、ｂ＝１〜６６％、ｃ＝１〜３５％、ｄ＝０〜６０％、そしてｅ＝０〜２５％である、請求項１又は２記載の方法。
【請求項６】
前記化学気相成長条件がプラズマ化学気相成長の条件である、請求項１又は２記載の方法。
【請求項７】
前記化学気相成長条件が熱化学気相成長の条件である、請求項１又は２記載の方法。
【請求項８】
前記基材がシリコンウエハーである、請求項１又は２記載の方法。
【請求項９】
前記層間絶縁膜が、Ｓｉ−Ｏ−Ｃ、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ、Ｓｉ−Ｃ、Ｓｉ−Ｆ、Ｓｉ−Ｈ、Ｃ−Ｏ、Ｃ−Ｈ、及びＣ−Ｆから選ばれる結合タイプのうちの１つ以上を有する、請求項１又は２記載の方法。
【請求項１０】
前記誘電率が３以下である、請求項１又は２記載の方法。
【請求項１１】
前記層間絶縁膜が多孔質である、請求項１又は２記載の方法。
【請求項１２】
前記化学気相成長条件が、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ２、Ｎ２Ｏ、及びそれらの混合物からなる群より選ばれる酸化剤の使用を含む、請求項１又は２記載の方法。
【請求項１３】
前記化学気相成長条件が酸化剤の使用を除外する、請求項１又は２記載の方法。
【請求項１４】
前記化学気相成長条件が、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、窒素からなる群より選ばれる１種以上の不活性ガスの使用を含む、請求項１又は２記載の方法。
【請求項１５】
前記１種以上の反応性物質を、気体又は液体の有機物質、アンモニア、水素、二酸化炭素、一酸化炭素、フルオロカーボン、及びそれらの混合物からなる群より選ぶ、請求項１又は２記載の方法。
【請求項１６】
前記気体又は液体の有機物質が、メタン、エタン、エテン、エチン、プロパン、プロペン、ブテン、ベンゼン、ナフタレン、トルエン、スチレン、及びそれらの混合物からなる群より選ばれ、前記フルオロカーボンが、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ６、Ｃ６Ｆ６、及びそれらの混合物からなる群より選ばれる、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記膜を前記基材上に、集積回路の絶縁層、層間絶縁膜層、金属間誘電体層、キャッピング層、化学的機械的平坦化又はエッチング停止層、バリヤ層、又は密着層として成長させる、請求項１又は２記載の方法。
【請求項１８】
前記化学気相成長条件がプラズマ化学気相成長の条件であり、且つ、前記１種以上のシリルエーテルが構造式ＩＩで表される、請求項１記載の方法。
【請求項１９】
請求項１又は２記載の方法により形成された膜。
【請求項２０】
請求項１８記載の方法により形成された膜。
【請求項２１】
前記膜が多孔質である、請求項１９記載の膜。
【請求項２２】
小角ニュートロン散乱又は陽電子消滅寿命分光分析法で測定して、相当球体直径で５ｎｍ以下の細孔寸法を有する、請求項２１記載の膜。
【請求項２３】
小角ニュートロン散乱又は陽電子消滅寿命分光分析法で測定して、相当球体直径で２．５ｎｍ以下の細孔寸法を有する、請求項２１記載の膜。
【請求項２４】
２ｇ／ｃｍ３以下の密度を有する、請求項１９記載の膜。
【請求項２５】
１．５ｇ／ｃｍ３以下の密度を有する、請求項１９記載の膜。
【請求項２６】
誘電率が２．５〜３．５であり、ヤング率が３ＧＰａより高く及び／又はナノインデンテーション硬度が０．５ＧＰａより高い、請求項１９記載の膜。
【請求項２７】
基材上に膜を成長させるのに十分な化学気相成長条件下で、ジエトキシメチルシラン、ジメチルエトキシシラン、ジメトキシメチルシラン、ジメチルメトキシシラン、フェノキシジメチルシラン、ジフェノキシメチルシラン、ジメトキシフェニルシラン、ジエトキシシクロヘキシルシラン、ｔｅｒｔ−ブトキシジメチルシラン、及びジ（ｔｅｒｔ−ブトキシ）メチルシランからなる群より選ばれる１種以上のシリルエーテルを含む有機ケイ素前駆物質を反応させて、約３．５以下の誘電率を有する層間絶縁膜を形成することを含む、低誘電率層間絶縁膜形成方法。
【請求項２８】
前記化学気相成長条件がプラズマ化学気相成長の条件である、請求項２７記載の方法。
【請求項２９】
前記プラズマ化学気相成長の条件が、二酸化炭素、アルゴン、ヘリウム、窒素、酸素、亜酸化窒素、過酸化水素及びオゾンからなる群から選ばれる１種以上のガスの使用を含む、請求項２８記載の方法。
【請求項３０】
前記有機ケイ素前駆物質がジエトキシメチルシランである、請求項２８記載の方法。
【請求項３１】
前記プラズマ化学気相成長の条件が二酸化炭素又はヘリウムの使用を含む、請求項３０記載の方法。
【請求項３２】
二酸化炭素又はヘリウムの存在下に、基材上に膜を成長させるのに十分なプラズマ気相成長条件下で、ジエトキシメチルシランを反応させて約２．５〜３．５の誘電率を有する層間絶縁膜を形成することを含む、低誘電率層間絶縁膜形成方法。
【請求項３３】
請求項２７，２８，３０及び３２のいずれか一つに記載の方法により形成された膜。