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【手続補正書】
【提出日】平成26年10月10日(2014.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
担体上に支持されたセラミック前駆体材料の層であって、前記セラミック前駆体材料の層がセラミック前駆体と遊離水とを含む、層を提供することと、
レーザービームを用いて、前記セラミック前駆体材料の層を切断し、成形セラミック前駆体粒子をもたらすことと、を含む方法。
【請求項２】
前記成形セラミック前駆体粒子を乾燥させて、乾燥した成形セラミック前駆体粒子をもたらすことと、
前記乾燥した成形セラミック前駆体粒子を焼成して、焼成された成形セラミック前駆体粒子をもたらすことと、
前記焼成された成形セラミック前駆体粒子を焼結して、成形セラミック研磨粒子をもたらすことと、を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記成形セラミック前駆体粒子を乾燥させて、乾燥した成形セラミック前駆体粒子をもたらすことと、
前記乾燥した成形セラミック前駆体粒子を焼成して、焼成された成形セラミック前駆体粒子をもたらすことと、
前記焼成された成形セラミック前駆体粒子を、第２の液体媒質と、金属酸化物及びその前駆体のうちの少なくとも１つとを含有する混合物を含む含浸組成物で含浸させて、含浸され焼成された成形セラミック前駆体粒子をもたらすことと、を更に含み、前記焼成された成形セラミック前駆体粒子の他の表面よりも前記レーザービームによる切削によって形成された表面で、より軽度に、前記含浸組成物が、前記焼成された成形セラミック前駆体粒子に含浸される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記含浸され焼成された成形セラミック前駆体粒子を焼結して、成形セラミック研磨粒子をもたらすことを更に含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
担体上に支持されたセラミック前駆体材料の層であって、前記セラミック前駆体材料の層がセラミック前駆体と遊離水とを含む、層を提供することと、
レーザービームを用いて、前記セラミック前駆体材料の層に刻み目をつけ、セラミック前駆体材料の刻み目つきの層をもたらすことと、を含む方法。
【請求項６】
前記セラミック前駆体材料の刻み目つきの層を、刻み目線に沿って破断させ、成形セラミック前駆体粒子をもたらすことと、
前記成形セラミック前駆体粒子を焼成して、焼成された成形セラミック前駆体粒子をもたらすことと、
前記焼成された成形セラミック前駆体粒子を焼結して、成形セラミック研磨粒子をもたらすことと、を更に含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記セラミック前駆体材料の刻み目つきの層を乾燥させて、セラミック前駆体材料の刻み目つきの乾燥した層をもたらすことと、
前記セラミック前駆体材料の刻み目つきの乾燥した層を、刻み目線に沿って破断させて、乾燥した成形セラミック前駆体粒子をもたらすことと、
前記乾燥した成形セラミック前駆体粒子を焼成して、焼成された成形セラミック前駆体粒子をもたらすことと、
前記焼成された成形セラミック前駆体粒子を焼結して、成形セラミック研磨粒子をもたらすことと、を更に含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
成形セラミック研磨粒子であって、前記成形セラミック研磨粒子のそれぞれが、本体部材と、前記本体部材から延在する少なくとも３つのロッド形部材とを独立して備える、成形セラミック研磨粒子。
【請求項９】
成形セラミック研磨粒子であって、前記成形セラミック研磨粒子のそれぞれが、周囲ループ部分によって境界づけられた本体部分を有し、前記周囲ループ部分は前記本体部分に比べて粗い表面質感を有する、成形セラミック研磨粒子。
【請求項１０】
成形セラミック前駆体粒子であって、前記成形セラミック前駆体粒子が、内部を包囲しかつそれに接触する周囲ループ部分を有し、前記周囲ループ部分が、αアルミナを含み、前記内部が、αアルミナ前駆体を含みかつαアルミナを含まない、成形セラミック前駆体粒子。
【請求項１１】
成形セラミック前駆体粒子であって、前記成形セラミック前駆体粒子のそれぞれが、第１及び第２の、対向する非隣接の主表面と、前記第１の主表面と前記第２の主表面との間に延在する周囲部表面とを有し、前記周囲部表面が、前記第１の主表面に隣接して前記周囲部表面に沿って延在するが前記第２の主表面とは接触しないアブレーションされた領域と、前記第２の主表面に隣接して前記周囲部表面に沿って延在するが前記第１の主表面とは接触しない断裂領域とを備える、成形セラミック前駆体粒子。
【請求項１２】
成形セラミック研磨粒子であって、前記成形セラミック研磨粒子のそれぞれが、第１及び第２の、対向する非隣接の主表面と、前記第１の主表面と前記第２の主表面との間に延在する周囲部表面とを有し、前記周囲部表面が、前記第１の主表面に隣接して前記周囲部表面に沿って延在するが前記第２の主表面とは接触しないアブレーションされた領域と、前記第２の主表面に隣接して前記周囲部表面に沿って延在するが前記第１の主表面とは接触しない断裂領域とを備える、成形セラミック研磨粒子。
【請求項１３】
結合剤内に保持された請求項１２に記載の成形セラミック研磨粒子を含む接合研磨物品。
【請求項１４】
成形セラミック研磨粒子であって、前記成形セラミック研磨粒子のそれぞれが、第１及び第２の対向する辺並びに第１及び第２の対向する端部によって接続される第１及び第２の、対向する主表面を備え、前記第１及び第２の主表面が、実質的に滑らかであり、前記第１及び第２の対向する辺並びに前記第１及び第２の対向する端部が、屈曲し丸められたマイクロメートルスケールの凸部及び凹部を備える表面トポグラフィーを有し、前記第１の辺が前記第１の主表面に接触して鋭角の二面角を形成し、前記第２の辺が前記第１の主表面に接触して、鈍角の二面角を形成する、成形セラミック研磨粒子。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月6日(2014.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
手動制御される切削工具を備える工作機械を操縦するための支援システムにおいて、
前記切削工具によって被加工物上に作製される所望の切削面のモデルを定義するデータを受信するための第１のデータ・ポートと、
少なくとも２次元での前記切削工具の現在位置に関するデータを受信するための第２のデータ・ポートと、
作製される前記所望の切削面、前記所望の切削面に対する前記切削工具の前記現在位置での切削工具アイコン、および、
前記切削工具の前記現在位置または移動方向のいずれかと前記所望の切削面との間での現在の誤差の指示
を示す表示を前記受信データから生成するためのプロセッサと
を備えることを特徴とする、支援システム。
【請求項２】
請求項１に記載の支援システムにおいて、前記切削工具によって被加工物上に作製される所望の切削面のモデルを定義する前記データが、図面の表示であることを特徴とする支援システム。
【請求項３】
請求項１または２に記載の支援システムにおいて、前記切削工具によって被加工物上に作製される所望の切削面のモデルを定義する前記データが、前記切削工具の位置データであることを特徴とする支援システム。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の支援システムにおいて、前記第１のデータ・ポートおよび第２のデータ・ポートが結合されて単一のポートになることを特徴とする支援システム。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の支援システムにおいて、前記表示がまた、現在の送り速度の指示を示すことを特徴とする支援システム。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の支援システムにおいて、前記表示がまた、前記現在の送り速度と所定の送り速度との間の誤差の指示を示すことを特徴とする支援システム。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の支援システムにおいて、前記表示がまた、前記所望の切削面に対する、視覚的に強調または拡大された前記切削工具の偏位を示すことを特徴とする支援システム。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の支援システムにおいて、前記表示がまた、前記所望の切削面および作製された切削面の拡大領域を示すことを特徴とする支援システム。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の支援システムにおいて、前記表示がまた、前記所望の切削面に戻る滑らかな方向の切削経路を示すことを特徴とする支援システム。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の支援システムにおいて、前記表示が、前記被加工物に対する前記切削工具の履歴経路を示すことを特徴とする支援システム。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の支援システムにおいて、前記表示がまた、前記切削工具の現在の測定位置の数値を示すことを特徴とする支援システム。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の支援システムにおいて、前記所望の切削面が、１つもしくは複数のラインまたはポイントの形状であることを特徴とする支援システム。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の支援システムにおいて、前記表示がまた、所定のポイントから前記切削工具までの距離を示すことを特徴とする支援システム。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の支援システムにおいて、前記表示がまた、停止アイコンを示し、所定のポイントからの前記停止アイコンまでの距離が、前記所定のポイントから前記切削工具までの前記距離に基づいていることを特徴とする支援システム。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか一項に記載の支援システムにおいて、前記表示が、前記受信データにおける更新値から周期的に生成されることを特徴とする支援システム。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか一項に記載の支援システムにおいて、前記第２のデータ・ポートが、リニア・エンコーダまたはロータリ・エンコーダからの信号を受信し、その情報が前記支援システムによって必要とされているとき、ＵＳＢ（ユニバーサル・シリアル・バス）を介してデータのパケットを前記プロセッサに送るための、高速データ取得装置に接続されたＵＳＢポートであることを特徴とする支援システム。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか一項に記載の支援システムにおいて、前記工作機械が、ミリング・マシン、プラズマ・カッタ、穿孔器、ドリル、ラジアルボール盤、旋盤、木工機械、プラスチック・カッタ、または布カッタであることを特徴とする支援システム。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれか一項に記載の支援システムにおいて、前記被加工物の材料が、金属、木材、プラスチック、または布であることを特徴とする支援システム。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれか一項に記載の支援システムにおいて、前記現在の誤差の前記指示の概観は、前記切削工具の前記現在位置が前記所望の切削面を横切ったかどうかに基づくことを特徴とする支援システム。
【請求項２０】
請求項１〜１９のいずれか一項に記載の支援システムにおいて、前記現在の誤差の前記指示が、所定の公差の指示を含むことを特徴とする支援システム。
【請求項２１】
請求項１〜２０のいずれか一項に記載の支援システムにおいて、前記現在の誤差の前記指示が、マーカおよび目盛りを含み、前記目盛りに対する前記マーカの位置が前記誤差に基づくことを特徴とする支援システム。
【請求項２２】
手動制御される切削工具を備える工作機械を操縦するための方法において、
前記切削工具によって被加工物上に作製される所望の切削面のモデルを定義するデータを受信するステップと、
少なくとも２次元での前記切削工具の現在位置に関するデータを受信するステップと、
作製される前記所望の切削面、前記所望の切削面に対する前記切削工具の前記現在位置、および、
前記切削工具の測定された位置または移動方向のいずれかと所望の切削面との間での現在の誤差の指示
を示す表示を生成するステップと
をコンピュータに実行させることを特徴とする、方法。
【請求項２３】
手動制御される切削工具、および工作機械を操縦するための支援システムを備える工作機械において、前記支援システムが、
前記切削工具によって被加工物上に作製される所望の切削面のモデルを定義するデータを受信するための第１のデータ・ポートと、
少なくとも２次元での前記切削工具の現在位置に関するデータを受信するための第２のデータ・ポートと、
作製される前記所望の切削面、前記所望の切削面に対する前記切削工具の前記現在位置での切削工具アイコン、および、
前記切削工具の前記現在位置または移動方向のいずれかと前記所望の切削面との間での現在の誤差の指示
を示す表示を前記受信データから生成するためのプロセッサと
を備えることを特徴とする、工作機械。
【請求項２４】
コンピュータにインストールされると、前記コンピュータが請求項２２に記載の方法を実行できるようにすることを特徴とする、ソフトウェア。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月1日(2014.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
上記以降の別の例としては、Ｆ−１１１、トムキャット、Ｔｅｒｒａｆｕｇｉａ社製品を含む軍用機および非軍用機に見られる。トムキャットおよびＦ−１１１の翼は枢動式であったが、コルセアおよびＴｅｒｒａｆｕｇｉａの翼は折り畳み式であった。これら各々が有するヒンジ機構は、飛行中に翼から著しい荷重がかかるため、非常に頑健でなければならない。また、Ｆ−１１１とトムキャットの枢動翼には保守整備に関する問題もある。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
（先行技術文献）
（特許文献）
（特許文献１）  米国特許第４，２１２，４４１号明細書
（特許文献２）  米国特許第４，７０３，９０５号明細書
（特許文献３）  米国特許出願公開第２００４／００２６５６４号明細書
（特許文献４）  米国特許第５，１９２，０３７号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月26日(2014.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
より良好な概観のために、この方向を図７に示す。図６に対応するこの図は、反応器壁１０、担体環２０、担体３０、溝４０および更なるメッシュ編織布６０のみを示す。弾性予備引張ニットワイヤーメッシュ編織布９０はまた、図６にみられる通り、更なるメッシュ編織布６０の「Ｕ」により形成されたくぼみに置くことができる。
本発明の好ましい態様は、以下を包含する。
［１］流体の不均一触媒反応のための化学反応器であって、流体が流れる粒子（８０、１００）用保持装置を含み、流体の流れの方向から見た場合に上流に位置する保持装置の側は、ニットワイヤーメッシュ編織布（５０）を含み、およびニットワイヤー編織布（５０）の平均クリヤーメッシュ幅は、粒子（８０、１００）の平均粒径ｘ５０．３より小さいことを特徴とする、化学反応器。
［２］ニットワイヤー（５０）の平均クリヤーメッシュ幅は、粒径（８０、１００）の平均粒径ｘ５０．３の≧２０％〜≦８０％である、［１］に記載の反応器。
［３］ニットワイヤーメッシュ編織布（５０）の進展性は、平面方向における機械および／または熱応力への暴露下で≧１％である、［１］に記載の反応器。
［４］ニットワイヤーメッシュ編織布（５０）のワイヤー径は、≧０．０３ｍｍ〜≦１ｍｍである、［１］に記載の反応器。
［５］ニットワイヤーメッシュ編織布（５０）の高さは、粒子用保持装置において≧３ｍｍ〜≦１００ｍｍである、［１］に記載の反応器。
［６］ニットワイヤーメッシュ編織布（５０）は、機械的作用により変形したニットワイヤーメッシュ編織布である、［１］に記載の反応器。
［７］ニットワイヤーメッシュ編織布（５０）は、担体（３０）上に配置され、および担体（３０）は、流体の流れの方向において連続的開口（４０）を含む、［１］に記載の反応器。
［８］ニットワイヤーメッシュ編織布（６０）は、担体（３０）および反応器の壁（１０）の間に更に配置されている、［７］に記載の反応器。
［９］触媒粒子（８０）は、保持装置においてニットワイヤーメッシュ編織布（５０）上に配置されている、［１］に記載の反応器。
［１０］流体に対して不活性である粒子（１００）の層は、保持装置においてニットワイヤーメッシュ編織布（５０）上に配置され、触媒粒子（８０）は、該層上に配置される、［１］に記載の反応器。
［１１］流体の反応のための方法であって、該反応を、［１］〜［１０］のいずれかに記載の反応器において不均一触媒粒子（８０）の存在下で行い、および触媒粒子（８０）を、触媒粒子（８０）用保持装置において配置することを特徴とする、方法。
［１２］反応が終了したときに、反応器を、≧２００℃〜≦４００℃の温度にて酸素の存在下で加熱することを継続する、［１１］に記載の方法。
［１３］流体は、芳香族ニトロ化合物および水素を含む、［１１］に記載の方法。
［１４］反応は断熱的に行う、［１１］に記載の方法。
［１５］化学反応器における触媒粒子（８０）および／または不活性粒子（１００）用保持装置としてのニットワイヤーメッシュ編織布（５０）の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体の不均一触媒反応のための化学反応器であって、流体が流れる粒子（８０、１００）用保持装置を含み、流体の流れの方向から見た場合に上流に位置する保持装置の側は、ニットワイヤーメッシュ編織布（５０）を含み、およびニットワイヤー編織布（５０）の平均クリヤーメッシュ幅は、粒子（８０、１００）の平均粒径ｘ５０．３より小さいことを特徴とする、化学反応器。
【請求項２】
流体の反応のための方法であって、該反応を、請求項１に記載の反応器において不均一触媒粒子（８０）の存在下で行い、および触媒粒子（８０）を、触媒粒子（８０）用保持装置において配置することを特徴とする、方法。
【請求項３】
化学反応器における触媒粒子（８０）および／または不活性粒子（１００）用保持装置としてのニットワイヤーメッシュ編織布（５０）の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月2日(2014.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高流束運転状態で維持する膜モジュールを備える曝気ゾーンにおいて、汚水に含まれた有機物質および窒素を処理するための方法であって、
曝気装置を装備し、バクテリアおよび流入汚水の混合物を含んで混合液を形成する液で充填された曝気ゾーンを提供することと、
曝気槽内に５μｍ〜１５０μｍの孔径を有する膜を備える膜モジュールを提供することと、
前記曝気ゾーンへ汚水流入水を提供することと、
前記曝気ゾーンに供給される酸素の速度を制御することによって、酸素超過を維持することと、
前記曝気ゾーン内の前記混合液を、
処理済みの処理水として透過水を形成するために前記膜を通して前記混合液の第１の部分をろ過し、ろ過されていない活性汚泥として残留部分を前記曝気ゾーン内に懸濁させたままに残すことと、
前記混合液の第２の部分を前記曝気ゾーンから嫌気性ゾーンへ送ることと、
前記曝気ゾーンからの前記混合液の前記第２の部分を前記嫌気性ゾーン内の前記液と混合することと、によって処理することと、
前記嫌気性ゾーンからの混合液を前記曝気ゾーンへ送ることと
を含む、方法。
【請求項２】
前記曝気ゾーンにおいて、
有機炭素の二酸化炭素への酸化を促進すること、
硫化物の硫酸塩への酸化を促進すること、および／または
独立栄養脱窒によるアンモニアの硝酸塩への酸化を促進すること、をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記嫌気性ゾーンにおいて、
有機炭素を二酸化炭素に酸化することによって、硫酸塩の硫化物への還元を促進すること、
硝酸塩を窒素ガスに還元するために、硫化物を使用して独立栄養脱窒を促進すること、および／または
硝酸塩を窒素ガスに還元するために、有機炭素を使用して従属栄養脱窒を促進すること、をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
海水、塩分汚水、または硫酸塩、亜硫酸塩、チオ硫酸塩、硫化物、および元素硫黄からなる群から選択された硫黄の添加を通して、硫化物および硫酸塩を提供することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記膜として、不織布、プラスチック、ポリマー、ステンレス鋼、金属、セラミック、ガラス繊維、または薄膜合成物からなる群から選択された材料を含む構造を有する膜を使用することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記曝気ゾーンにおいて、その中に組み込まれたシート状の不織布材料膜を備え、その上に孔を備えて提供される２つの薄型耐食性プレートによって固定される、高流束膜モジュールを使用することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記膜の全域に２〜１６ｍ３／ｍ２日の流束を確立することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
汚水処理装置であって、
汚水流入水を受容し、前記汚水流入水を活性汚泥と混合して第１の混合液を形成する、曝気ゾーンと、
孔径が５μｍ〜１５０μｍの膜を使用する、曝気ゾーン内の膜モジュールと、
前記曝気ゾーンに供給される酸素の速度を制御することによって、酸素超過を維持する曝気装置と、
透過水を形成するために前記第１の混合液の第１の部分をろ過し、ろ過されていない活性汚泥として前記残留部分を残すことと、
前記曝気ゾーンにおいて、前記ろ過されていない活性汚泥を前記活性汚泥と混合することと、
前記第１の混合液のろ過されていない活性汚泥の第２の部分を前記曝気ゾーンから嫌気性ゾーンへ送ることと、
第１の混合液のろ過されていない活性汚泥の前記第２の部分を、前記嫌気性ゾーンにおいて汚泥と混合して、第２の混合液を形成することと、
前記第２の混合液の部分を前記曝気ゾーンへ再循環することと、によって前記第１の混合液を処理することが可能である、分割処理セクションと
を備える、汚水処理装置。
【請求項９】
海水、塩分汚水、または硫酸塩、亜硫酸塩、チオ硫酸塩、硫化物、および元素硫黄からなる群から選択された硫黄の添加を通して、硫化物および硫酸塩を提供するための構成をさらに備える、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記曝気ゾーンは、有機炭素の二酸化炭素への酸化、
独立栄養硝化によるアンモニアの硝酸塩への酸化、および／または
硫化物の硫酸塩への酸化、を促進するための構成を有する、請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
前記嫌気性ゾーンは、
有機炭素の二酸化炭素への酸化による硫酸塩の硫化物への還元、
硫酸塩を使用する独立栄養脱窒による硝酸塩の窒素ガスへの還元、および／または
有機炭素を使用する従属栄養脱窒による硝酸塩の窒素ガスへの還元、を促進するための構成を有する、請求項８に記載の装置。
【請求項１２】
汚水処理装置であって、
汚水流入水を受容し、前記汚水流入水を活性汚泥と混合する、曝気ゾーンと、
孔径が５μｍ〜１５０μｍの膜を使用する膜モジュールと、
前記曝気ゾーンに供給される酸素の速度を制御することによって、酸素超過を維持する曝気装置と、
前記処理済み処理水として透過水を形成するために、前記膜を通して前記混合液の一部を引き出すためのポンプと
を備える、汚水処理装置。
【請求項１３】
前記曝気装置は、高流束運転状態において前記膜モジュールのファウリングのない状態を維持するために、前記膜を扇動するために曝気気泡を使用する膜洗浄機能をさらに備える、請求項８または１２に記載の装置。
【請求項１４】
膜バイオリアクターは、前記膜モジュールとして、高流束でファウリングのない膜モジュールを備える、請求項８または１２に記載の装置。
【請求項１５】
前記膜バイオリアクターは、２〜１６ｍ３／ｍ２日の前記膜バイオリアクターの流束を確立する、請求項８または１２に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月8日(2014.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス−粒子プロセッサーであって、
ガスインレット、ガスアウトレット及び一つ以上の粒子インレットを有するチャンバーと、
第１の制御された質量流量でガスインレットからガスアウトレットにチャンバーを通じてガスを流すように動作可能なガスの流れの装置と、
第２の制御された質量流量でチャンバーの中に一つ以上の流れの粒子を導入するように動作可能な粒子の流れの装置であって、各粒子の流れはチャンバーのそれぞれのプロセス領域を通じて流れる、粒子の流れの装置と、を備え、
プロセッサーは、０．９００−０．９９５の各プロセス領域の実質的な部分のガス−粒子混合空隙率を提供するために第１及び／又は第２の制御された質量流量を制御するために動作可能である、ガス−粒子プロセッサー。
【請求項２】
請求項１記載のガス−粒子プロセッサーにおいて、
チャンバーは、そこを通じて粒子がチャンバーを出る少なくとも一つの粒子アウトレットを備える、ガス−粒子プロセッサー。
【請求項３】
請求項２記載のガス−粒子プロセッサーにおいて、
チャンバーは、各粒子インレットに対して一つの粒子アウトレットを備え、
粒子インレット及び粒子アウトレットは、各粒子の流れが粒子インレットを通じてチャンバーに入り特定の粒子アウトレットを通じてチャンバーを出るように構成され、
各粒子インレット及びその特定のアウトレットは、それぞれ、チャンバーの対向する領域に配置される、ガス−粒子プロセッサー。
【請求項４】
請求項２記載のガス−粒子プロセッサーにおいて、
チャンバーは、そこを通じて全ての粒子インレットからの粒子がチャンバーを出る単一の粒子アウトレットを備える、ガス−粒子プロセッサー。
【請求項５】
請求項２乃至４のうちのいずれか一つに記載のガス−粒子プロセッサーにおいて、
チャンバーは、第１端部と、対向する第２端部とを備え、
チャンバーは、第１端部と第２端部との間で延び、
ガスインレットは第１端部近傍に配置され、
ガスアウトレットは第２端部近傍に配置され、
チャンバーは、第１端部と第２端部との間で延びる第１及び第２の対向する壁部分を備える、ガス−粒子プロセッサー。
【請求項６】
請求項５記載のガス−粒子プロセッサーにおいて、
チャンバーは、ガスアウトレットが配置される第２端部に配向され、第２端部は、ガスインレットが配置される第１端部の上方に配置され、壁部分は、概ね垂直方向に延び、
あるいは、
チャンバーは、ガスアウトレットが配置される第２端部に配向され、第２端部は、ガスインレットが配置される第１端部の側方に配置され、壁部分は、概ね水平方向に延びる、ガス−粒子プロセッサー。
【請求項７】
請求項５又は６に記載のガス−粒子プロセッサーにおいて、
少なくとも一つの粒子インレットが第１壁部分に形成され、少なくとも一つの粒子インレットが第２壁部分に形成され、
あるいは、
チャンバーは、内部部材を備え、
少なくとも一つの粒子インレットが内部部材に形成され、
少なくとも一つの粒子アウトレットがチャンバーの第１及び／又は第２の壁部分に形成される、ガス−粒子プロセッサー。
【請求項８】
請求項１乃至７のうちのいずれか一つに記載のガス−粒子プロセッサーにおいて、
ガスの流れの装置は、ガスをチャンバーを通じて螺旋状の流路で流すためのガスローターを備え、
ガスローターは、ガスをチャンバーを通じて螺旋状の流路で流すために使用されることができる、一つ以上のインペラー、パドル、ベーンあるいは他の適当な部材、デバイス又は装置からなる、ガス−粒子プロセッサー。
【請求項９】
請求項８に記載のガス−粒子プロセッサーにおいて、
ガスローターは、多くのバンクで構成された複数のインペラー、パドルなどからなり、
バンクは、ガスインレットとガスアウトレットとの間で離間配置され、
バンクは、各プロセス領域の間に配置される、及び／又は、バンクの少なくとも一つは、各プロセス領域の間に配置される、ガス−粒子プロセッサー。
【請求項１０】
請求項９記載のガス−粒子プロセッサーにおいて、
チャンバーは、内部部材を備え、少なくとも一つの粒子インレットが内部部材に形成され、
インペラー、パドルなどのバンクは、内部部材の軸線を中心としたバンクの回転を可能するために回転可能なリングによって内部部材に取り付けられる、ガス−粒子プロセッサー。
【請求項１１】
ガス−粒子プロセス方法であって、
ガスをチャンバーの中にガスインレットを通じて導入するステップと、
第１の制御された質量流量でガスインレットからガスアウトレットにチャンバーを通じてガスを流すステップと、
第２の制御された質量流量でチャンバーの一つ以上の粒子インレットを通じてチャンバーの中に少なくとも一つ以上の粒子の流れを導入するステップと、
各粒子の流れをチャンバーのそれぞれのプロセス領域を通じて流すステップと、
各プロセス領域の実質的な部分のガス−粒子混合空隙率が０．９００−０．９９５であるように第１及び／又は第２の制御された質量流量を制御するステップと、を備える、方法。
【請求項１２】
請求項１記載の方法において、
ガスは、ガスインレットからガスアウトレットに実質的に直線状に流れる、
あるいは、
ガスは、ガスインレットからガスアウトレットに螺旋状の流路で流れる、方法。
【請求項１３】
請求項１１又は１２に記載の方法において、
各粒子の流れは、チャンバーの壁部分を通じてチャンバーの中に導入される、
あるいは、
各粒子の流れは、チャンバー内に配置された内部部材からチャンバーの中に導入される、方法。
【請求項１４】
請求項１１乃至１３のうちのいずれか一つに記載の方法において、
ガスは、第１速度でガスインレットからガスアウトレットにチャンバーを通じて流れ、
第１速度は、チャンバーを通るガスの流線速度であり、
各粒子の流れは、第２速度でチャンバーの中に流れ、
第２速度は、第１方向の要素及び第２方向の要素を備え、
前記方法は、
粒子がチャンバーに導入されるときに粒子の第２速度の第１方向の要素を、チャンバーへの導入によってガスの流線速度に対して反対方向に粒子に作用する周知の力のせいで任意の速度以下のそれぞれのプロセス領域のガスの第１の流線速度に実質的に等しいように制御するステップを備える、方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の方法において、
各粒子の流れは、粒子の終端速度に実質的に等しい又は粒子の終端速度よりも高い第２速度の第２方向の要素と共に導入される、
あるいは、
各粒子の流れは、第２方向の要素に対する終端速度を達成するために重力加速度の下で導入される、方法。
【請求項１６】
請求項１４又は１５に記載の方法において、
第２（粒子）速度の第１方向の要素がガスの流線速度に実質的に等しくなるように各粒子の流れに対する供給角度を決定するステップと、
ガスの流線（第１）速度の方向に対する供給角度でチャンバーの中に各粒子の流れを導入するステップと、を更に備える、方法。
【請求項１７】
請求項１１乃至１６のうちのいずれか一つに記載の方法において、
使用される粒子は、３００μｍ未満の直径を有する、好ましくは、２００μｍ乃至１００μｍの直径を有する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月26日(2014.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ある出力を有するレーザビームを発生させるためのレーザソース、及び
切断レーザビームの通路のための端部ノズルを有する切断ヘッド、を有する切断システムによって材料から部分を切り取るための最適化されたレーザ切断方法であって、
前記方法は、切断出力Ｐｄを、
Ｐｄ＝Ｍａｘ（Ｐｏｐｔ；λｅ）
のように決定するステップを有することを特徴とし、
Ｍａｘは最大値の数学演算子であり、
Ｐｏｐｔは、前記切断システムの前記レーザビームの最適な出力であって、前記部分が切り取られている場合に発生するエアロゾルの量を最小にするために、
切り取られることになる前記部分、及び／又は
切断パラメータ及び／又は
前記システムのタイプ、
に応じて決定され、
λは、前記部分の厚さのｍｍ当りの前記部分を切り取るために必要なｋＷの数を表す主係数であり、
ｅは前記部分のｍｍの厚さである、
方法。
【請求項２】
前記Ｐｏｐｔの前記決定は、
Ｐｏｐｔ＝α・ＤＢ＋β・ｅ＋γ・ｋ＋δ
のように、前記切断システムのタイプを代表する、所定の４つ組の定数（α；β；γ；δ）を用いて行われ、
ＤＢは、ミリメートルでの前記ノズルの直径であり、
ｅは、ミリメートルでの前記部分の厚さであり、
ｋは、前記切断ヘッドの制限速度係数、すなわち、標準的な切断速度と前記部分の制限切断速度との間の比である、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
約１μｍの波長を有するレーザビームのためのイットリウムアルミニウムガーネットＹＡＧタイプのレーザソースを有する切断システムを代表する、前記所定の４つ組の定数（α；β；γ；δ）は、
（−０．１４；０．０７；−１．１２；５．６４）である、
請求項２に記載の方法。
【請求項４】
切り取られることになる前記部分、及び／又は前記切断パラメータ、及び／又は前記システムのタイプに応じて前記レーザビームの前記出力の式を決定する初期ステップを有し、前記初期ステップによれば：
−  前記システムは、前記ビームの前記出力、及び／又は切り取られることになる前記部分、及び／又は前記切断パラメータ及び／又は前記システムのタイプを変化させながら、前記部分の複数の試験切断を実行し；
−  センサは、前記部分の各前記試験切断の間に前記発生するエアロゾルの量の複数の対応する測定を実行し、
−  コンピュータは、
前記ビームの前記出力、及び／又は切り取られることになる前記部分、及び／又は前記切断パラメータ及び／又は前記システムのタイプに従って、前記部分の各前記試験切断の間に発生する前記エアロゾルの量を表し；
前記レーザビームの前記出力に対して、発生する前記エアロゾルの量の前記式の偏導関数を求め、及び切り取られることになる前記部分、及び／又は前記切断パラメータ及び／又は前記システムのタイプに従って前記偏導関数をキャンセルすることを可能にする式を決定する、
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月13日(2013.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビルナウイルスのｐＶＰ２タンパク質またはそのフラグメントからなるサブユニット（ａ）、および
ヒトパピローマウイルス（ＨＰＶ）の初期発現タンパク質Ｅ７またはそのフラグメントからなるサブユニット（ｂ）
を含んでいる融合タンパク質によって形成される、キメラウイルス様粒子（ＶＬＰ）。
【請求項２】
前記サブユニット（ａ）が、配列番号１と少なくとも８０％の同一性を有するタンパク質またはそのフラグメントからなる、請求項１に記載のキメラウイルス様粒子。
【請求項３】
前記サブユニット（ａ）が、配列番号１を有するタンパク質またはそのフラグメントからなる、請求項２に記載のキメラウイルス様粒子。
【請求項４】
前記サブユニット（ａ）が配列番号４である、請求項３に記載のキメラウイルス様粒子。
【請求項５】
前記サブユニット（ｂ）が、配列番号２と少なくとも３０％の同一性を有するタンパク質またはそのフラグメントからなる、請求項１〜４のいずれか一項に記載のキメラウイルス様粒子。
【請求項６】
前記サブユニット（ｂ）が配列番号２またはそのフラグメントである、請求項５に記載のキメラウイルス様粒子。
【請求項７】
前記サブユニット（ｂ）が配列番号６である、請求項６に記載のキメラウイルス様粒子。
【請求項８】
前記サブユニット（ｂ）が、前記サブユニット（ａ）のカルボキシル末端に連結されている、請求項１〜７のいずれか一項に記載のキメラウイルス様粒子。
【請求項９】
前記サブユニット（ｂ）が、前記サブユニット（ａ）のカルボキシル末端に連結されており、該サブユニット（ａ）と該サブユニット（ｂ）との間には１０個以下のアミノ酸のリンカーポリペプチドが配置されている、請求項８に記載のキメラウイルス様粒子。
【請求項１０】
前記配列番号６が配列番号４のＲ４５２に連結されている、請求項８または９に記載のキメラウイルス様粒子。
【請求項１１】
配列番号７に記載のアミノ酸配列を有する、請求項１０に記載のキメラウイルス様粒子。
【請求項１２】
前記サブユニット（ｂ）が、前記サブユニット（ａ）に挿入されている、請求項１〜７のいずれか一項に記載のキメラウイルス様粒子。
【請求項１３】
１５個以下のアミノ酸のリンカーポリペプチドを１つまたは２つさらに含んでおり、そのいずれもが前記サブユニット（ｂ）のアミノ配列と前記サブユニット（ｂ）のアミノ酸配列との間に配置されている、請求項１２に記載のキメラウイルス様粒子。
【請求項１４】
前記配列番号６が、前記配列番号４のアミノ酸Ｌ４３６とアミノ酸Ｋ４３７の間に含まれる、請求項１２または１３に記載のキメラウイルス様粒子。
【請求項１５】
配列番号８に記載のアミノ酸配列を有する、請求項１４に記載のキメラウイルス様粒子。
【請求項１６】
前記配列番号６が、前記配列番号４のアミノ酸Ａ４４１とアミノ酸Ｆ４４２との間に挿入されている、請求項１２または１３に記載のキメラウイルス様粒子。
【請求項１７】
配列番号９に記載のアミノ酸配列を有する、請求項１６に記載のキメラウイルス様粒子。
【請求項１８】
前記配列番号６が、前記配列番号４のアミノ酸Ａ４５０とアミノ酸Ｉ４５１との間に挿入されている、請求項１２または１３に記載のキメラウイルス様粒子。
【請求項１９】
配列番号１０に記載のアミノ酸配列を有する、請求項１８に記載のキメラウイルス様粒子。
【請求項２０】
請求項１〜１９のいずれか一項に記載のキメラウイルス様粒子を得るためのプロセスであって、キメラウイルス様粒子を形成するために、請求項１〜１９のいずれかに記載の融合タンパク質の発現および該融合タンパク質のアセンブリを可能にする条件下にて、該融合タンパク質をコードする核酸を含んでいる宿主細胞を培養する工程を包含する、プロセス。
【請求項２１】
前記キメラウイルス様粒子を分離培養する工程または該粒子を精製する工程をさらに包含する、請求項２０に記載のキメラウイルス様粒子を得るための、プロセス。
【請求項２２】
薬剤を調製するための、請求項１〜１９のいずれか一項に記載のキメラウイルス様粒子の、使用。
【請求項２３】
ヒトパピローマウイルスによって引き起こされる腫瘍形成を予防するおよび／または処置するための薬剤を調製するための、請求項１〜１９のいずれか一項に記載のキメラウイルス様粒子の、使用。
【請求項２４】
子宮頸癌を予防するおよび／または処置するための薬剤を調製するための、請求項１〜１９のいずれか一項に記載のキメラウイルス様粒子の、使用。
【請求項２５】
請求項１〜１９のいずれか一項に記載のキメラウイルス様粒子を含んでいる、薬学的組成物。
【請求項２６】
薬学的に受容可能なビヒクルをさらに含んでいる、請求項２５に記載の薬学的組成物。
【請求項２７】
別の有効成分をさらに含んでいる、請求項２５または２６に記載の薬学的組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月21日(2013.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＤＮＡの非メチル化配列を選択的に増幅するための方法であって、以下の工程を含み、工程（ii）及び（iii）が同時に実施される、上記方法：
（i）少なくとも１つの部位でメチル化されているＤＮＡを含む試料を提供する工程、
（ii）メチル化依存性ヌクレアーゼで上記試料におけるＤＮＡを処理する工程、及び
（iii）上記メチル化依存性ヌクレアーゼを用いて切断されたＤＮＡをランダムプライムド配列増幅(random-primed sequence amplification)する工程。
【請求項２】
上記増幅が等温で実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記増幅が鎖置換増幅を用いて実施される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
上記増幅がランダムプライムドＰＣＲ(random-primed PCR)を用いて実施される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
以下のさらなる工程を含む、請求項１から４の何れか１項に記載の方法：
（iv）増幅されたＤＮＡの少なくとも１つの配列セグメントを検出する工程。
【請求項６】
上記検出が、増幅されたＤＮＡの少なくとも１つの配列セグメントの定量を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ハイブリダイゼーションを介した方法を用いることにより、増幅されたＤＮＡの１以上の配列セグメントの検出が実施される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
定量リアルタイムＰＣＲを用いることにより、増幅されたＤＮＡの１以上の配列セグメントの検出が実施される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
マイクロアレイに基づく方法を用いることにより、増幅されたＤＮＡの１以上の配列セグメントの検出が実施される、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
配列決定法を用いることにより、増幅されたＤＮＡの１以上の配列セグメントの検出が実施される、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
メチル化依存性ヌクレアーゼで処理された上記試料におけるＤＮＡの１以上の配列セグメントの量が、メチル化依存性ヌクレアーゼで処理されていない対照試料におけるＤＮＡの当該配列セグメントの量と比較される、請求項４から１０の何れか１項に記載の方法。
【請求項１２】
上記メチル化依存性ヌクレアーゼが、ＭｃｒＢＣ、ＭｃｒＡ、ＤｐｎＩ、ＢｉｓＩ、ＢｌｓＩ、ＧｌａＩ、ＧｌｕＩ、ＭａｌＩ、及びＰｃｓＩからなる群から選択される、前記請求項の何れか１項に記載の方法。
【請求項１３】
上記ＤＮＡがゲノムＤＮＡである、前記請求項の何れか１項に記載の方法。
【請求項１４】
ゲノムＤＮＡの非メチル化配列を選択的に調製（選択的に蓄積）するための、請求項１から１３の何れか１項に記載の方法の使用。
【請求項１５】
ゲノムＤＮＡにおいて全域的なメチル化パターンを解析するための、請求項１から１３の何れか１項に記載の方法の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月26日(2014.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に配置される裏面電極層と、
前記裏面電極層の上に配置される光吸収層と、
前記光吸収層の上に配置されるバッファ層と、
前記バッファ層の上に配置されるウィンドウ層と、を含み、
前記バッファ層は（ＡｘＺｎ１−ｘ）Ｏ（０≦ｘ≦１）の化学式で形成され、前記Ａは金属元素を含むことを特徴とする、太陽電池。
【請求項２】
前記バッファ層のＡは２族元素を含むことを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記バッファ層のＡはＭｇ、Ｃａ及びＳｒのうちの１つであることを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記ｘは約０．１乃至約０．５の値を有することを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項５】
前記バッファ層のバンドギャップは約３．３ｅＶ乃至約３．６ｅＶの値を有することを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項６】
前記バッファ層は約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍの厚さで形成されることを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項７】
前記バッファ層と接する光吸収層領域にＣＩＧＳ：Ｚｎの化学式で形成された亜鉛拡散層を含むことを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項８】
前記亜鉛拡散層は約２．２ｅＶ乃至約２．８ｅＶのバンドギャップを有することを特徴とする、請求項７に記載の太陽電池。
【請求項９】
前記亜鉛拡散層は約１０乃至約１００ｎｍの厚さで形成されることを特徴とする、請求項７に記載の太陽電池。
【請求項１０】
前記基板は、ガラス、ポリマー金属のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項１１】
基板の上に裏面電極層を形成するステップと、
前記裏面電極層の上に光吸収層を形成するステップと、
前記光吸収層の上に（ＡｘＺｎ１−ｘ）Ｏ（０≦ｘ≦１）の化学式（Ａは金属元素）を有するバッファ層を形成するステップと、
前記バッファ層の上にウィンドウ層を形成するステップと、
を含むことを特徴とする、太陽電池製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月26日(2014.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成される背面電極層と、
前記背面電極層上に形成され、第２貫通溝を含む光吸収層と、
前記光吸収層上に形成されるウィンドウ層と、
前記基板と前記背面電極層の間に形成されたバリア層と、
前記背面電極層と前記光吸収層の間に形成されるオーミック層と、
を含む太陽電池。
【請求項２】
前記オーミック層は、二セレン化モリブデン(MoSe２)を含む請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記オーミック層は、前記第２貫通溝が形成されていない領域に対応して形成される請求項１に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記バリア層はナトリウム拡散を防止する請求項１に記載の太陽電池。
【請求項５】
前記バリア層は、前記第２貫通溝に対応する領域に形成された請求項１に記載の太陽電池。
【請求項６】
前記バリア層の幅は前記背面電極層の幅の１/３〜２/３である請求項１に記載の太陽電池。
【請求項７】
前記バリア層の厚さは前記背面電極層の厚さの１/５〜１/３である請求項１に記載の太陽電池。
【請求項８】
前記バリア層はSiO２またはSiO４を含む請求項１に記載の太陽電池。
【請求項９】
基板上に配置され、第１貫通溝を含む背面電極層と、
前記背面電極層上に配置され、第２貫通溝を含む光吸収層と、
前記光吸収層上に配置されるウィンドウ層と、
前記基板と前記背面電極層の間に形成されたバリア層と、
前記背面電極層と前記光吸収層の間に形成されたオーミック層とを含む太陽電池セルを、多数個含む太陽電池モジュール。
【請求項１０】
前記太陽電池セルのそれぞれは、第３貫通溝によって分離される請求項９に記載の太陽電池モジュール。
【請求項１１】
前記バリア層は、前記第２貫通溝と前記第３貫通溝の間に対応して形成される請求項１０に記載の太陽電池モジュール。
【請求項１２】
前記基板は、
前記太陽電池セルが配置される活性領域と、
前記活性領域の間に配置される非活性領域と、
を含む請求項９に記載の太陽電池モジュール。
【請求項１３】
前記バリア層は前記非活性領域に対応して配置され、
前記オーミック層は前記活性領域に対応して配置される請求項１２に記載の太陽電池モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月29日(2014.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）１つまたは２つの別個の抗ＥＧＦＲ抗体分子；
ｂ）１つまたは２つの別個の抗ＨＥＲ２抗体分子；および
ｃ）１つまたは２つの別個の抗ＨＥＲ３抗体分子
を含む、医薬抗体組成物。
【請求項２】
２つの別個の抗体分子が少なくとも１つのＥＧＦＲ、ＨＥＲ２またはＨＥＲ３に結合し、該２つの分子が受容体上の非重複エピトープに結合する、請求項１に記載の抗体組成物。
【請求項３】
ａ）１つまたは２つの別個の抗ＥＧＦＲ抗体分子が、それぞれ、１２７７、１５６５および１２５４から選択される抗体の結合を阻害することができる、および／または１２７７、１５６５および１２５４から選択される抗体と同じエピトープに結合する；
ｂ）１つまたは２つの別個の抗ＨＥＲ２抗体分子が、それぞれ、４３８４、４３８５、４５１７および４５１８から選択される抗体の結合を阻害することができる、および／または４３８４、４３８５、４５１７および４５１８から選択される抗体と同じエピトープに結合する；および
ｃ）１つまたは２つの別個の抗ＨＥＲ３抗体分子が、それぞれ、５０３８および５０８２から選択される抗体の結合を阻害することができる、および／または５０３８および５０８２から選択される抗体と同じエピトープに結合する
請求項１または２に記載の抗体組成物。
【請求項４】
ａ）それぞれ、抗体１２７７および１５６５の結合を阻害することができる、および／または抗体１２７７および１５６５と同じエピトープに結合する、２つの別個の抗ＥＧＦＲ抗体分子；
ｂ）それぞれ、抗体４３８４および４５１７の結合を阻害することができる、および／または抗体４３８４および４５１７と同じエピトープに結合する、２つの別個の抗ＨＥＲ２抗体分子；および
ｃ）それぞれ、抗体５０３８および５０８２の結合を阻害することができる、および／または抗体５０３８および５０８２と同じエピトープに結合する、２つの別個の抗ＨＥＲ３抗体分子
を含む、請求項３に記載の抗体組成物。
【請求項５】
ａ）それぞれ、抗体１２７７および１５６５の結合を阻害することができる、および／または抗体１２７７および１５６５と同じエピトープに結合する、２つの別個の抗ＥＧＦＲ抗体分子；
ｂ）それぞれ、抗体４３８５および４５１８の結合を阻害することができる、および／または抗体４３８５および４５１８と同じエピトープに結合する、２つの別個の抗ＨＥＲ２抗体分子；および
ｃ）それぞれ、抗体５０３８および５０８２の結合を阻害することができる、および／または抗体５０３８および５０８２と同じエピトープに結合する、２つの別個の抗ＨＥＲ３抗体分子
を含む、請求項３に記載の抗体組成物。
【請求項６】
ａ）１２７７、１５６５および１２５４から選択される抗体の重鎖および軽鎖ＣＤＲ１−３をそれぞれ含む、１つまたは２つの別個の抗ＥＧＦＲ抗体分子；
ｂ）４３８４、４３８５、４５１７および４５１８から選択される抗体の重鎖および軽鎖ＣＤＲ１−３をそれぞれ含む、１つまたは２つの別個の抗ＨＥＲ２抗体分子；および
ｃ）５０３８および５０８２から選択される抗体の重鎖および軽鎖ＣＤＲ１−３をそれぞれ含む、１つまたは２つの別個の抗ＨＥＲ３抗体分子
を含む、医薬組成物。
【請求項７】
ａ）それぞれ、１２７７および１５６５の重鎖および軽鎖ＣＤＲ１−３を含む２つの別個の抗ＥＧＦＲ抗体分子；
ｂ）それぞれ、４３８４および４５１７の重鎖および軽鎖ＣＤＲ１−３を含む２つの別個の抗ＨＥＲ２抗体分子；および
ｃ）それぞれ、５０３８および５０８２の重鎖および軽鎖ＣＤＲ１−３を含む２つの別個の抗ＨＥＲ３抗体分子
を含む、請求項６に記載の抗体組成物。
【請求項８】
ａ）１つまたは２つの別個の抗ＥＧＦＲ抗体分子が、１２７７および１５６５から選択される抗体の重鎖および軽鎖可変ドメインを含む；
ｂ）１つまたは２つの別個の抗ＨＥＲ２抗体分子が、４３８４および４５１７から選択される抗体の重鎖および軽鎖可変ドメインを含む；および
ｃ）１つまたは２つの別個の抗ＨＥＲ３抗体分子が、５０３８および５０８２から選択される抗体の重鎖および軽鎖可変ドメインを含む
請求項６に記載の抗体組成物。
【請求項９】
ａ）それぞれ、１２７７および１５６５の重鎖および軽鎖可変ドメインを含む２つの別個の抗ＥＧＦＲ抗体分子；
ｂ）それぞれ、４３８４および４５１７の重鎖および軽鎖可変ドメインを含む２つの別個の抗ＨＥＲ２抗体分子；および
ｃ）それぞれ、５０３８および５０８２の重鎖および軽鎖可変ドメインを含む２つの別個の抗ＨＥＲ３抗体分子
を含む、請求項８に記載の抗体組成物。
【請求項１０】
少なくとも１つの抗体分子が
ａ）キメラ抗体、ここで、該抗体はヒトＩｇＧ１またはＩｇＧ２定常ドメインを含み得る；
ｂ）ヒト化抗体；または
ｃ）ヒト抗体
である、請求項１−９のいずれかに記載の抗体組成物。
【請求項１１】
抗体１２７７、１５６５、４３８４、４５１７、５０３８および５０８２を含む、抗体組成物。
【請求項１２】
少なくとも１つの抗体分子が、抗癌剤と結合した抗体を含む免疫複合体である、請求項１−１１のいずれかに記載の抗体組成物。
【請求項１３】
請求項１−１１のいずれかに記載の抗体組成物を生産するための方法であって、該組成物の抗体分子を発現することができるそれぞれの宿主細胞を提供すること、抗体分子の発現のために適した条件下で該宿主細胞を培養すること、および生じた抗体分子を単離することを含む、方法。
【請求項１４】
宿主細胞を単一のバイオリアクターにおいて培養する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１−１２のいずれかに記載の抗体組成物および薬学的に許容される担体を含む医薬組成物。
【請求項１６】
請求項１−１２のいずれかに記載の抗体組成物または請求項１５に記載の医薬組成物を含む組成物であって、それを必要とする対象を処置することにおける使用のための、組成物。
【請求項１７】
対象における癌の処置における使用のための、請求項１−１２のいずれかに記載の抗体組成物または請求項１５に記載の医薬組成物を含む組成物。
【請求項１８】
癌が抗ＨＥＲ抗体またはチロシンキナーゼインヒビターでの処置に対して耐性の獲得を有する、請求項１７に記載の組成物。
【請求項１９】
対象におけるＨＥＲ依存により特徴付けられる障害の処置における使用のための、請求項１−１２のいずれかに記載の抗体組成物または請求項１５に記載の医薬組成物を含む組成物。
【請求項２０】
対象がヒトである、請求項１６−１９のいずれかに記載の組成物。