【手続補正書】
【提出日】平成26年6月27日(2014.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ源であって、
リングプラズマチャンバと、
前記リングプラズマチャンバの外側に巻かれた一次巻線と、
複数のフェライトと、を備え、
前記リングプラズマチャンバは、前記複数のフェライトの各々を貫通している、プラズマ源。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ源であって、さらに、
前記プラズマチャンバを処理チャンバに結合する複数のプラズマチャンバ流出口を備える、プラズマ源。
【請求項３】
請求項１に記載のプラズマ源であって、
前記プラズマチャンバは、処理チャンバ上部に含まれ、さらに、前記処理チャンバ上部に複数の流出口を備える、プラズマ源。
【請求項４】
請求項３に記載のプラズマ源であって、
前記複数の流出口の少なくとも１つは、前記処理チャンバ上部の実質的に中心の位置に配置される、プラズマ源。
【請求項５】
請求項１に記載のプラズマ源であって、さらに、
処理ガス源を前記プラズマチャンバに結合する少なくとも１つの処理ガス流入口を備える、プラズマ源。
【請求項６】
請求項１に記載のプラズマ源であって、さらに、
処理ガスプレナムを備え、
前記処理ガスプレナムは、
処理ガス源に結合された少なくとも１つの処理ガス流入口と、
前記処理ガスプレナムおよび前記プラズマチャンバの間に結合された複数の流入口と、を含む、プラズマ源。
【請求項７】
請求項６に記載のプラズマ源であって、
前記複数の流入口は、前記リングプラズマチャンバの周囲に分散されている、プラズマ源。
【請求項８】
請求項１に記載のプラズマ源であって、
前記フェライトは、前記リングプラズマチャンバの周囲に実質的に均等に分散されている、プラズマ源。
【請求項９】
請求項１に記載のプラズマ源であって、
前記フェライトは、前記リングプラズマチャンバの周囲に複数のグループに分けて配置される、プラズマ源。
【請求項１０】
請求項１に記載のプラズマ源であって、
前記リングプラズマチャンバは、略円形、略三角形、略長方形、または、略多角形からなる一群の形状の内の１つである、プラズマ源。
【請求項１１】
プラズマを生成する方法であって、
処理ガスをリングプラズマチャンバ内に供給する工程と、
前記リングプラズマチャンバの外側に巻かれた一次巻線に一次電流を印加する工程と、
前記一次巻線内に磁界を生成する工程と、
複数のフェライトによって前記磁界を集中させる工程であって、前記リングプラズマチャンバは、前記複数のフェライトの各々を貫通している、工程と、
前記リングプラズマチャンバ内の前記処理ガスに二次電流を誘導する工程と、
前記二次電流で前記リングプラズマチャンバの前記処理ガス内にプラズマを生成する工程と、を備える、方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、さらに、
前記プラズマチャンバを処理チャンバに結合する複数の流出口を通して前記処理チャンバに中性種およびラジカル種の少なくとも一方を供給する工程を備える、方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の方法であって、さらに、
処理チャンバ上部の複数の流出口を通して前記処理チャンバからプラズマ副生成物および再結合生成物の少なくとも一方を除去する工程を備え、
前記複数の流出口の少なくとも１つは、前記処理チャンバ上部の実質的に中心の位置に配置される、方法。
【請求項１４】
請求項１１に記載の方法であって、
前記処理ガスを前記リングプラズマチャンバ内に供給する工程は、前記リングプラズマチャンバへの少なくとも１つの処理ガス流入口に前記処理ガスを入力する工程を含む、方法。
【請求項１５】
請求項１１に記載の方法であって、
前記処理ガスを前記リングプラズマチャンバ内に供給する工程は、前記処理ガスを処理ガスプレナムに入力する工程を含み、
前記処理ガスを前記処理ガスプレナムに入力する工程は、前記処理ガスプレナムおよび前記プラズマチャンバの間の複数の流入口に前記処理ガスを分配する工程を含む、方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、
前記複数の流入口は、前記リングプラズマチャンバの周囲に分散されている、方法。
【請求項１７】
請求項１１に記載の方法であって、
前記フェライトは、前記リングプラズマチャンバの周囲に実質的に均等に分散されている、方法。
【請求項１８】
請求項１１に記載の方法であって、さらに、
少なくとも１つの処理監視センサから処理フィードバック信号を受信する工程と、
少なくとも１つの設定値を調整する工程と、を備える、方法。
【請求項１９】
プラズマ処理システムであって、
リングプラズマチャンバと、
前記リングプラズマチャンバの外側に巻かれた一次巻線と、
複数のフェライトであって、前記リングプラズマチャンバが前記複数のフェライトの各々を貫通している、複数のフェライトと、
前記プラズマチャンバを処理チャンバに結合する複数のプラズマチャンバ流出口と、
少なくとも１つの処理監視センサと、
コントローラと、を備え、
前記コントローラは、
処理ガスを前記リングプラズマチャンバ内に供給するためのロジックと、
前記リングプラズマチャンバの外側に巻かれた一次巻線に一次電流を印加するためのロジックと、
前記一次巻線内に磁界を生成するためのロジックと、
前記リングプラズマチャンバが前記複数のフェライトの各々を貫通している前記複数のフェライトによって前記磁界を集中させるためのロジックと、
前記リングプラズマチャンバ内の前記処理ガスに二次電流を誘導するためのロジックと、
前記二次電流で前記リングプラズマチャンバの前記処理ガス内にプラズマを生成するためのロジックと、
前記少なくとも１つの処理監視センサから処理フィードバック信号を受信するためのロジックと、
少なくとも１つの設定値を調整するためのロジックと、を含む、プラズマ処理システム。
【請求項２０】
基板を処理するためのプラズマシステムであって、
処理チャンバであって、
底部と、
複数の側壁と、
前記底部に近接する基板支持体と、
前記処理チャンバを囲むように前記側壁と結合されたチャンバ上部と、を有する、処理チャンバと、
前記基板支持体の複数の領域に分散されるように前記チャンバ上部の上に配置された複数のフェライトと、を備え、
前記領域は、前記基板支持体の外部と前記基板支持体の中心部との間に少なくとも伸びる、プラズマシステム。
【請求項２１】
請求項２０に記載のプラズマシステムであって、さらに
前記複数のフェライトに電流を供給する電源を備え、
前記複数のフェライトは、前記基板支持体の前記領域に前記電流を集中させる、プラズマシステム。
【請求項２２】
請求項２０に記載のプラズマシステムであって、
前記チャンバ上部は、複数の処理ガス流入口および複数の処理ガス流出口を含み、
前記複数の処理ガス流入口および前記複数の処理ガス流出口は、前記チャンバ上部において分散されている、プラズマシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
理解を深めるために、上述の発明について、ある程度詳しく説明したが、添付の特許請求の範囲内で、ある程度の変更や変形を行ってもよいことは明らかである。したがって、本実施形態は、例示的なものであって、限定的なものではないとみなされ、本発明は、本明細書に示した詳細に限定されず、添付の特許請求の範囲および等価物の範囲内で変形されてよい。例えば以下に示す適用例として実施されて良い。
［適用例１］プラズマ源であって、
リングプラズマチャンバと、
前記リングプラズマチャンバの外側に巻かれた一次巻線と、
複数のフェライトと、を備え、
前記リングプラズマチャンバは、前記複数のフェライトの各々を貫通している、プラズマ源。
［適用例２］適用例１に記載のプラズマチャンバであって、さらに、
前記プラズマチャンバを処理チャンバに結合する複数のプラズマチャンバ流出口を備える、プラズマチャンバ。
［適用例３］適用例１に記載のプラズマチャンバであって、
前記プラズマチャンバは、処理チャンバ上部に含まれ、さらに、前記処理チャンバ上部に複数の流出口を備える、プラズマチャンバ。
［適用例４］適用例３に記載のプラズマチャンバであって、
前記複数の流出口の少なくとも１つは、前記処理チャンバ上部の実質的に中心の位置に配置される、プラズマチャンバ。
［適用例５］適用例１に記載のプラズマチャンバであって、さらに、
処理ガス源を前記プラズマチャンバに結合する少なくとも１つの処理ガス流入口を備える、プラズマチャンバ。
［適用例６］適用例１に記載のプラズマチャンバであって、さらに、
処理ガスプレナムを備え、
前記処理ガスプレナムは、
処理ガス源に結合された少なくとも１つの処理ガス流入口と、
前記処理ガスプレナムおよび前記プラズマチャンバの間に結合された複数の流入口と、を含む、プラズマチャンバ。
［適用例７］適用例６に記載のプラズマチャンバであって、
前記複数の流入口は、前記リングプラズマチャンバの周囲に分散されている、プラズマチャンバ。
［適用例８］適用例１に記載のプラズマチャンバであって、
前記フェライトは、前記リングプラズマチャンバの周囲に実質的に均等に分散されている、プラズマチャンバ。
［適用例９］適用例１に記載のプラズマチャンバであって、
前記フェライトは、前記リングプラズマチャンバの周囲に複数のグループに分けて配置される、プラズマチャンバ。
［適用例１０］適用例１に記載のプラズマチャンバであって、
前記リングプラズマチャンバは、略円形、略三角形、略長方形、または、略多角形からなる一群の形状の内の１つである、プラズマチャンバ。
［適用例１１］プラズマを生成する方法であって、
処理ガスをリングプラズマチャンバ内に供給する工程と、
前記リングプラズマチャンバの外側に巻かれた一次巻線に一次電流を印加する工程と、
前記一次巻線内に磁界を生成する工程と、
複数のフェライトによって前記磁界を集中させる工程であって、前記リングプラズマチャンバは、前記複数のフェライトの各々を貫通している、工程と、
前記リングプラズマチャンバ内の前記処理ガスに二次電流を誘導する工程と、
前記二次電流で前記リングプラズマチャンバの前記処理ガス内にプラズマを生成する工程と、を備える、方法。
［適用例１２］適用例１１に記載の方法であって、さらに、
前記プラズマチャンバを処理チャンバに結合する複数の流出口を通して前記処理チャンバに中性種およびラジカル種の少なくとも一方を供給する工程を備える、方法。
［適用例１３］適用例１１に記載の方法であって、さらに、
処理チャンバ上部の複数の流出口を通して前記処理チャンバからプラズマ副生成物および再結合生成物の少なくとも一方を除去する工程を備え、
前記複数の流出口の少なくとも１つは、前記処理チャンバ上部の実質的に中心の位置に配置される、方法。
［適用例１４］適用例１１に記載の方法であって、
前記処理ガスを前記リングプラズマチャンバ内に供給する工程は、前記リングプラズマチャンバへの少なくとも１つの処理ガス流入口に前記処理ガスを入力する工程を含む、方法。
［適用例１５］適用例１１に記載の方法であって、
前記処理ガスを前記リングプラズマチャンバ内に供給する工程は、前記処理ガスを処理ガスプレナムに入力する工程を含み、
前記処理ガスを前記処理ガスプレナムに入力する工程は、前記処理ガスプレナムおよび前記プラズマチャンバの間の複数の流入口に前記処理ガスを分配する工程を含む、方法。
［適用例１６］適用例１５に記載の方法であって、
前記複数の流入口は、前記リングプラズマチャンバの周囲に分散されている、方法。
［適用例１７］適用例１１に記載の方法であって、
前記フェライトは、前記リングプラズマチャンバの周囲に実質的に均等に分散されている、方法。
［適用例１８］適用例１１に記載の方法であって、さらに、
少なくとも１つの処理監視センサから処理フィードバック信号を受信する工程と、
少なくとも１つの設定値を調整する工程と、を備える、方法。
［適用例１９］プラズマ処理システムであって、
リングプラズマチャンバと、
前記リングプラズマチャンバの外側に巻かれた一次巻線と、
複数のフェライトであって、前記リングプラズマチャンバが前記複数のフェライトの各々を貫通している、複数のフェライトと、
前記プラズマチャンバを処理チャンバに結合する複数のプラズマチャンバ流出口と、
少なくとも１つの処理監視センサと、
コントローラと、を備え、
前記コントローラは、
処理ガスを前記リングプラズマチャンバ内に供給するためのロジックと、
前記リングプラズマチャンバの外側に巻かれた一次巻線に一次電流を印加するためのロジックと、
前記一次巻線内に磁界を生成するためのロジックと、
前記リングプラズマチャンバが前記複数のフェライトの各々を貫通している前記複数のフェライトによって前記磁界を集中させるためのロジックと、
前記リングプラズマチャンバ内の前記処理ガスに二次電流を誘導するためのロジックと、
前記二次電流で前記リングプラズマチャンバの前記処理ガス内にプラズマを生成するためのロジックと、
前記少なくとも１つの処理監視センサから処理フィードバック信号を受信するためのロジックと、
少なくとも１つの設定値を調整するためのロジックと、を含む、プラズマ処理システム。
［適用例２０］基板を処理するためのプラズマシステムであって、
処理チャンバであって、
底部と、
複数の側壁と、
前記底部に近接する基板支持体と、
前記処理チャンバを囲むように前記側壁と結合されたチャンバ上部と、を有する、処理チャンバと、
前記基板支持体の複数の領域に分散されるように前記チャンバ上部の上に配置された複数のフェライトと、を備え、
前記領域は、前記基板支持体の外部と前記基板支持体の中心部との間に少なくとも伸びる、プラズマシステム。
［適用例２１］適用例２１に記載のプラズマシステムであって、さらに
前記複数のフェライトに電流を供給する電源を備え、
前記複数のフェライトは、前記基板支持体の前記領域に前記電流を集中させる、プラズマシステム。
［適用例２２］適用例２１に記載のプラズマシステムであって、
前記チャンバ上部は、複数の処理ガス流入口および複数の処理ガス流出口を含み、
前記複数の処理ガス流入口および前記複数の処理ガス流出口は、前記チャンバ上部において分散されている、プラズマシステム。