Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月25日(2003.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査者から採取したサンプルからゲノムＤＮＡ断片及びＲＮＡ断片を得る第１の工程と，
逆転写酵素反応により前記ＲＮＡ断片の相補ＤＮＡ断片を得る第２の工程と，前記ゲノムＤＮＡ断片及び前記相補ＤＮＡ断片を鋳型としてＰＣＲ増幅反応を行ない，前記ゲノムＤＮＡ断片の標的領域に由来する第１のＰＣＲ増幅産物と前記相補ＤＮＡ断片の標的領域に由来する第２のＰＣＲ増幅産物を得る第３の工程と，
前記第１のＰＣＲ増幅産物及び前記第２のＰＣＲ増幅産物の量を前記ゲノムＤＮＡ断片及び前記相補ＤＮＡ断片が由来する対立遺伝子ごとに計測する第４の工程と，
前記第１のＰＣＲ増幅産物の一方の対立遺伝子の量に対する他方の対立遺伝子の量の比である第１の比と，前記第２のＰＣＲ増幅産物の一方の対立遺伝子の量に対する他方の対立遺伝子の量の比である第２の比を求める第５の工程と，
前記第１の比と前記第２の比との比である第３の比，又は，前記第１の比と前記第２の比の差に基づいて遺伝子異常の有無を判定する第６の工程とを含むことを特徴とする遺伝子検査方法。
【請求項２】
請求項１に記載の遺伝子検査方法に於いて，前記第１のＰＣＲ増幅産物及び前記第２のＰＣＲ増幅産物の末端を平滑化処理する工程をさらに含むことを特徴とする遺伝子検査方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の遺伝子検査方法に於いて，前記ＰＣＲ増幅反応の条件を，前記ゲノムＤＮＡ断片及び前記相補ＤＮＡ断片の両鋳型に対して同一とすることを特徴とする遺伝子検査方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の遺伝子検査方法に於いて，前記第４の工程を１本鎖ＤＮＡ高次構造多型解析法によって行なうことを特徴とする遺伝子検査方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の遺伝子検査方法に於いて，前記第３の工程に於けるＰＣＲ増幅反応に蛍光標識したプライマーを用い，前記第３の工程に於いて得られた前記第１のＰＣＲ増幅産物及び前記第２のＰＣＲ増幅産物を電気泳動し，前記蛍光標識からの蛍光を検出して前記第４の工程に於ける計測を行なうことを特徴とする遺伝子検査方法。
【請求項６】
請求項５に記載の遺伝子検査方法に於いて，前記第５の工程は，次式：
【数１】
Ｓ１（ＤＮＡ）／Ｓ２（ＤＮＡ）
〔式中，Ｓ１（ＤＮＡ）及びＳ２（ＤＮＡ）は，前記第１のＰＣＲ増幅産物の泳動バンドの面積値を，前記ゲノムＤＮＡ断片が由来する対立遺伝子ごとに表わしたものである。〕
又は次式：
【数２】
Ｓ２（ＤＮＡ）／Ｓ１（ＤＮＡ）
〔式中，Ｓ１（ＤＮＡ）及びＳ２（ＤＮＡ）は前記と同義である。〕
で表される前記第１の比と，次式：
【数３】
Ｓ１（ｃＤＮＡ）／Ｓ２（ｃＤＮＡ）
〔式中，Ｓ１（ｃＤＮＡ）及びＳ２（ｃＤＮＡ）は，前記第２のＰＣＲ増幅産物の泳動バンドの面積値を，前記相補ＤＮＡ断片が由来する対立遺伝子ごとに表わしたものである。〕
又は次式：
【数４】
Ｓ２（ｃＤＮＡ）／Ｓ１（ｃＤＮＡ）
〔式中，Ｓ１（ｃＤＮＡ）及びＳ２（ｃＤＮＡ）は前記と同義である。〕
で表される前記第２の比を求めることを特徴とする遺伝子検査方法。
【請求項７】
請求項５に記載の遺伝子検査方法に於いて，前記第５の工程は，次式：
【数５】
Ｐ１（ＤＮＡ）／Ｐ２（ＤＮＡ）
〔式中，Ｐ１（ＤＮＡ）及びＰ２（ＤＮＡ）は，前記第１のＰＣＲ増幅産物の泳動バンドのピーク値を，前記ゲノムＤＮＡ断片が由来する対立遺伝子ごとに表わしたものである。〕
又は次式：
【数６】
Ｐ２（ＤＮＡ）／Ｐ１（ＤＮＡ）
〔式中，Ｐ１（ＤＮＡ）及びＰ２（ＤＮＡ）は前記と同義である。〕
で表される第１の比と，次式：
【数７】
Ｐ１（ｃＤＮＡ）／Ｐ２（ｃＤＮＡ）
〔式中，Ｐ１（ｃＤＮＡ）及びＰ２（ｃＤＮＡ）は，前記第２のＰＣＲ増幅産物の泳動バンドのピーク値を，前記相補ＤＮＡ断片が由来する対立遺伝子ごとに表わしたものである。〕
又は次式：
【数８】
Ｐ２（ｃＤＮＡ）／Ｐ１（ｃＤＮＡ）
〔式中，Ｐ１（ｃＤＮＡ）及びＰ２（ｃＤＮＡ）は前記と同義である。〕
で表される第２の比を求めることを特徴とする遺伝子検査方法。
【請求項８】
請求項６または７に記載の遺伝子検査方法に於いて，前記第１の比及び前記第２の比を数値又はグラフで表示する工程をさらに含むことを特徴とする遺伝子検査方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月26日(2003.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルムに光を照射する光源手段と、
前記光源手段により前記フィルムに照射される光量を色毎に制御する光量制御手段と、
前記フィルム上の画像を読み取る画像読取手段と、
前記画像読取手段により前記フィルムの未露光部分を読み取ることで得られる情報に基づき、前記画像読取手段により前記フィルム上の画像を読み取る際の前記光源手段から前記フィルムに照射される光量を色毎に制御するための光量制御量を決定する光量制御量決定手段と
を備えることを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
予め決められた光照射条件で前記光源手段により前記フィルムに光を照射した状態で、前記画像読取手段により前記フィルムの未露光部分を読み取ることを特徴とする請求項１記載の画像読取装置。
【請求項３】
さらに、前記画像読取手段により得られた画像信号を色成分毎に増幅する信号増幅手段と、前記画像読取手段により前記フィルムの未露光部分を読み取ることで得られる情報に基づき、前記信号増幅手段による前記画像信号の増幅率を色成分毎に決定する増幅率決定手段とを備えることを特徴とする請求項１記載の画像読取装置。
【請求項４】
フィルムに光を照射する光源手段と、前記光源手段により前記フィルムに照射される光量を色毎に制御する光量制御手段と、前記フィルム上の画像を読み取る画像読取手段とを備える画像読取装置の画像読取方法であって、
前記光源手段により前記フィルムに光を照射し、前記画像読取手段により前記フィルムの未露光部分を読み取る工程と、
前記フィルムの未露光部分を読み取る工程で得られる情報に基づき、前記画像読取手段により前記フィルム上の画像を読み取る際の前記フィルムに照射される光量を色毎に制御するための光量制御量を決定する工程と
を有することを特徴とする画像読取方法。
【請求項５】
フィルムに光を照射する光源手段と、前記光源手段により前記フィルムに照射される光量を色毎に制御する光量制御手段と、前記フィルム上の画像を読み取る画像読取手段とを備える画像読取装置をコンピュータにより制御するためのプログラムであって、
前記光源手段により前記フィルムに光を照射し、前記画像読取手段により前記フィルムの未露光部分を読み取るためのモジュールと、
前記フィルムの未露光部分を読み取ることで得られる情報に基づき、前記画像読取手段により前記フィルム上の画像を読み取る際の前記フィルムに照射される光量を色毎に制御するための光量制御量を決定するためのモジュールと
を有することを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、フィルムに光を照射する光源手段と、前記光源手段により前記フィルムに照射される光量を色毎に制御する光量制御手段と、前記フィルム上の画像を読み取る画像読取手段と、前記画像読取手段により前記フィルムの未露光部分を読み取ることで得られる情報に基づき、前記画像読取手段により前記フィルム上の画像を読み取る際の前記光源手段から前記フィルムに照射される光量を色毎に制御するための光量制御量を決定する光量制御量決定手段とを備えることを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明は、フィルムに光を照射する光源手段と、前記光源手段により前記フィルムに照射される光量を色毎に制御する光量制御手段と、前記フィルム上の画像を読み取る画像読取手段とを備える画像読取装置の画像読取方法であって、前記光源手段により前記フィルムに光を照射し、前記画像読取手段により前記フィルムの未露光部分を読み取る工程と、前記フィルムの未露光部分を読み取る工程で得られる情報に基づき、前記画像読取手段により前記フィルム上の画像を読み取る際の前記フィルムに照射される光量を色毎に制御するための光量制御量を決定する工程とを有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明は、フィルムに光を照射する光源手段と、前記光源手段により前記フィルムに照射される光量を色毎に制御する光量制御手段と、前記フィルム上の画像を読み取る画像読取手段とを備える画像読取装置をコンピュータにより制御するためのプログラムであって、前記光源手段により前記フィルムに光を照射し、前記画像読取手段により前記フィルムの未露光部分を読み取るためのモジュールと、前記フィルムの未露光部分を読み取ることで得られる情報に基づき、前記画像読取手段により前記フィルム上の画像を読み取る際の前記フィルムに照射される光量を色毎に制御するための光量制御量を決定するためのモジュールとを有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、画像読取手段によりフィルムの未露光部分を読み取ることで得られる情報に基づき、画像読取手段により前記フィルム上の画像を読み取る際の光源手段からフィルムに照射される光量を色毎に制御するための光量制御量を決定するので、フィルムベースの色に影響されることなく、最適な読取画像を得ることができる。


【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月9日(2004.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
電子線装置に光学要素を所定の位置決め精度でセット可能な光学要素組立体において、
中で前記複数の光学要素を収容可能な筒体であって、一端に前記筒体の中心軸線を中心とする同一円周上に外周縁を有するフランジ部を有し、前記電子線装置内の所定の位置に脱着可能に取り付けられるようになっている筒体と、
前記筒体内に収容された複数の前記光学要素と、
前記筒体に円周方向に等間隔に隔てて取り付けられた複数組の保持器であって、前記筒体の内周面より半径方向内側に突出可能な先端を有し、前記先端で前記光学要素を位置調整可能に保持する複数組の保持器と、
を組み合わせて備え、前記筒体内に前記光学要素を保持した状態で光学要素を加工可能にした電子線装置用の光学要素組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月7日(2003.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化アルミニウム単結晶基板と、該基板上に直接形成された窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化インジウム及びこれらの物質からなる混晶の中から選ばれた少なくとも１種のＩＩＩ−Ｖ族窒化物の単結晶膜とを備えることを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
前記単結晶膜が窒化アルミニウム単結晶基板上に、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化インジウム及びこれらの物質からなる混晶の中から選ばれた少なくとも１種のＩＩＩ−Ｖ族窒化物の低温成長バッファー層を介して形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
窒化アルミニウム単結晶基板のＸ線回折におけるロッキングカーブの半値幅が１．５分以下であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の半導体素子。
【請求項４】
窒化アルミニウム単結晶基板の厚みが３００μｍ以上であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体素子。
【請求項５】
窒化アルミニウム単結晶基板が１０ｐｐｂ以上０．１モル以下の遷移金属を含有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体素子。
【請求項６】
遷移金属がチタンであることを特徴とする、請求項５に記載の半導体素子。
【請求項７】
前記半導体素子が、発光ダイオード又はレーザーダイオードであることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の半導体素子。
【請求項８】
レーザーダイオードの共振面が、窒化アルミニウム単結晶基板とＩＩＩ−Ｖ族窒化物単結晶膜の劈開によって形成されることを特徴とする、請求項７に記載の半導体素子。
【請求項９】
レーザーダイオードを構成する窒化アルミニウム単結晶基板の面方位が（０００１）面であることを特徴とする、請求項７又は８に記載の半導体素子。
【請求項１０】
レーザーダイオードを構成する窒化アルミニウム単結晶基板の面方位が（１０−１０）面、又は（１１−２０）面であることを特徴とする、請求項７又は８に記載の半導体素子。
【請求項１１】
前記半導体素子が、整流特性を有するダイオードであることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の半導体素子。
【請求項１２】
前記ダイオードが２００℃以下で整流特性を有することを特徴とする、請求項１１に記載の半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
かかる窒化アルミニウム単結晶の結晶性は、Ｘ線回折におけるロッキングカーブの半値幅で１．５分以下であることが好ましく、半値幅が１．５分を上回る単結晶基板を用いると半導体素子の寿命などの性能を低下させる傾向がある。また、窒化アルミニウム単結晶の基板としての厚みは、３００μｍ以上であることが好ましく、３００μｍ未満になると結晶性が低下しやすい。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
実施例５
基板とする窒化アルミニウム単結晶を合成する際に、使用するＳｉＣ単結晶基板を６Ｈ−ＳｉＣの（０００１）面とし、窒化アルミニウム単結晶の成長時間を５０分及び１時間とした以外は前記実施例１と同様にして、窒化アルミニウム単結晶の（０００１）面をそれぞれ合成した。得られた各窒化アルミニウム単結晶は、厚みがそれぞれ２９０μｍ及び３４０μｍであり、（０００２）面のロッキングカーブをＣｕ−Ｋα線によるガリウム（１１０）面を用いた４結晶法で測定した半値幅はそれぞれ１．７分及び１．２分であった。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
これらの結果から、窒化アルミニウム単結晶基板のロッキングカーブの半値幅が１．５分を越える基板（厚み２９０μｍ）を用いたＬＤでは、発光スペクトルの半値幅が広く、しかも発光特性に経時変化が見られる傾向があるため、単結晶基板のロッキングカーブの半値幅は１．５分以下が好ましいことが分った。また、窒化アルミニウム単結晶基板の厚みを３００μｍ以上にすることで、結晶性の良い単結晶が得られることが分った。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月22日(2004.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
本例においては、励磁コイル４を定着ニップ部Ｎ近傍に集中して分布させることによって、発生磁界を定着フィルム１の金属層１ａの所望の加熱域において通すことが可能であり、効率の高い定着装置を実現できる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月18日(2003.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２次元表示と３次元表示が可能な表示制御装置であって、
描画対象のオブジェクトが３次元画像データを有するか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段によって前記描画対象のオブジェクトが３次元画像データを有すると判定された場合、該描画対象のオブジェクトについて３次元表示を行う３次元表示手段とを備えることを特徴とする表示制御装置。
【請求項２】
複数のウインドウを１画面上に表示するウインドウ表示手段と、
前記複数のウインドウのうちの指定されたウインドウに対応するオブジェクトに前記判定手段と前記３次元表示手段を実行する制御手段とを更に備えることを特徴とする請求項１に記載の表示制御装置。
【請求項３】
前記複数のウインドウの非指定状態のウインドウについて２次元表示を行う２次元表示手段を更に備えることを特徴とする請求項２に記載の表示制御装置。
【請求項４】
前記３次元表示手段は、少なくとも２つの視差画像をストライプ状に刻んで交互に配列した合成画像を対応するウインドウに表示するとともに、当該ウインドウの表示位置においてストライプ状の開口を制御して立体表示を行うことを特徴とする請求項２に記載の表示制御装置。
【請求項５】
前記描画対象オブジェクトのファイルは、当該ファイルが３次元表示をするための３次元画像データを含むか否かを示す描画情報を当該ファイルのヘッダ部に含み、
前記判定手段は、前記描画情報に基づいて描画対象のオブジェクトが３次元画像データを有するか否かを判定することを特徴とする請求項１に記載の表示制御装置。
【請求項６】
前記３次元表示手段は、少なくとも２つの視差画像をストライプ状に刻んで交互に配列した合成画像を対応するウインドウに表示するとともに、１画面全体の全体についてストライプ状の開口を一様に制御して立体表示を行い、
前記２次元表示手段は、描画対象オブジェクトの２次元画像データを、両眼に同じ画像が観察されるように前記ストライプ状の開口に合わせて表示することを特徴とする請求項２に記載の表示制御装置。
【請求項７】
前記３次元表示手段における３次元表示時間を所望の時間に設定する設定手段を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の表示制御装置。
【請求項８】
前記表示手段は、
前記立体表示領域に、少なくとも２つの視差画像をストライプ状に刻んで交互に配列した合成画像を描画する描画手段と、
前記合成画像を３次元観察可能に照明すべく、市松状のマスクパターンと母線方向が互いに直行する２つのレンチキュラとを介して照明光を供給する照明手段と、
前記照明手段が前記合成画像に対応する部分に前記市松状のマスクパターンを形成することで前記立体表示領域の３次元表示を行う制御手段とを備えることを特徴とする請求項１に記載の表示制御装置。
【請求項９】
前記表示手段は、
前記立体表示領域において左右のストライプ視差画像を交互に配列した合成画像を描画するとともに、他の部分においては連続する２つのストライプに同一画像を配置して合成画像を描画する描画手段と、
前記合成画像を３次元観察可能に照明すべく、市松状のマスクパターンと母線方向が互いに直行する２つのレンチキュラとを介して照明光を供給する照明手段とを備えることを特徴とする請求項１に記載の表示制御装置。
【請求項１０】
前記表示手段は、前記市松状のマスクパターンの全体についてパターンの有無を制御する制御手段を有し、
前記表示画面上に３次元表示領域が存在しない場合には、前記描画手段は該表示画面全体にわたって通常の２次元表示を行うと共に、前記制御手段は前記市松状のマスクパターンが存在しない状態とすることを特徴とする請求項９に記載の表示制御装置。
【請求項１１】
前記表示手段は、前記照明手段よりの照明光の指向性を任意のタイミングにおいて除去する除去手段を有し、
前記表示画面上に３次元表示領域が存在しない場合には、前記描画手段は該表示画面全体にわたって通常の２次元表示を行うと共に、前記除去手段は前記照明光の指向性を除去することを特徴とする請求項９に記載の表示制御装置。
【請求項１２】
前記表示手段は、前記市松状のマスクパターンと前記レンチキュラとの間隔を制御することにより前記照明光の指向性の有無を制御する制御手段を備え、
前記表示画面上に３次元表示領域が存在しない場合には、前記描画手段は該表示画面全体にわたって通常の２次元表示を行うと共に、前記制御手段は前記姦悪を変更して前記照明光が指向性を持たない状態とすることを特徴とする請求項９に記載の表示制御装置。
【請求項１３】
前記照明制御手段は、前記照明光の指向性を所望の領域において除去する除去部を備え、前記制御手段は、該指向性除去部による指向性の除去を、前記立体表示領域以外の部分において有効とすることで、前記立体表示領域の３次元表示を行うことを特徴とする請求項８に記載の表示制御装置。
【請求項１４】
前記表示手段において、前記表示画面上においてオブジェクトを指し示すポインタが、３次元表示中の立体表示領域に在る場合は、該立体表示領域が２次元表示に切り換わることを特徴とする請求項１に記載の表示制御装置。
【請求項１５】
前記表示手段は、３次元表示中のオブジェクトを含むウインドウがドラッグ操作された場合、当該ドラッグ操作の間当該オブジェクトを２次元表示とすることを特徴とする請求項１に記載の表示制御装置。
【請求項１６】
２次元表示と３次元表示が可能な表示装置の制御方法であって、
描画対象のオブジェクトが３次元画像データを有するか否かを判定する判定工程と、
前記判定工程によって前記描画対象のオブジェクトが３次元画像データを有すると判定された場合、該描画対象のオブジェクトについて３次元表示を行う３次元表示工程とを備えることを特徴とする表示制御方法。
【請求項１７】
複数のウインドウを１画面上に表示するウインドウ表示工程と、
前記複数のウインドウのうちの指定されたウインドウに対応するオブジェクトに前記判定工程と前記３次元表示工程を実行する制御工程とを更に備えることを特徴とする請求項１６に記載の表示制御方法。
【請求項１８】
前記複数のウインドウの非指定状態のウインドウについて２次元表示を行う２次元表示工程を更に備えることを特徴とする請求項１７に記載の表示制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月7日(2003.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
以上のような本発明高分子固体電解質電池は、請求項５に記載の製造方法で作製できる。すなわち、少なくとも有機溶媒を含む溶液を塗布基板である活物質層に含浸させた後、活物質層表面にプレポリマー組成物を塗布し、塗布面に熱、電磁波、または電子線を照射してプレポリマーを重合硬化する。これにより、有機溶媒溶液を含んでなる弾性ゲル状の高分子固体電解質層を当該活物質層上に一体的に形成できる。また、塗布基板となる活物質層には、予め、有機溶媒溶液が含浸されているので、この有機溶媒溶液が活物質層空隙を満たしプレポリマー組成物の空隙への浸透を抑制する。これにより、弾性ゲル状高分子固体電解質層と活物質層との間に明瞭に区別できる境界面の形成された高分子固体電解質層一体型電極体が形成されることになる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
【実施の形態】
本発明で用いるプレポリマー組成物は、熱、電磁波、又は電子線で重合硬化する重合性勇気高分子物質（ポリマー）、及び特定の有機溶媒を含むものであり、これ以外の任意成分として、電解質塩、重合促進剤、及びその他の物質を含めることができる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
なぜなら、本発明では、活物質層（負極活物質層及び／又は正極活物質層）の表面にプレポリマー組成物を塗布し、この塗布面に電磁波、熱または電子線を照射してプレポリマーを重合し、ゲル状高分子固体電解質層一体型電極を形成するが、プレポリマー組成物の成分としての有機溶媒に、１５０℃未満の低沸点有機溶媒を用いた場合、重合硬化の際の熱で有機溶媒が揮散してしまうおそれがあるからである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
図３中、１は厚み約６０μｍの負極活物質層、２は厚み約７０μｍの正極活物質層、３は厚み約２０μｍの高分子固体電解質層である。４は、高分子固体電解質層３のそれぞれの面に負極活物質層１と正極活物質層２を重ね合わせてなる発電体である。５は封口体、６は負極外装体、７は正極外装体であり、これらにより電池ケースが構成される。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
この電池は、発電体４を前記負極外装体６と正極外装体７の間に配置し、封口体５で封口したものであり、電極面積１０ｃｍ2、設計電池容量２０ｍＡｈに設定されている。そして、この電池が本発明例電池である場合には、負極活物質層１と正極活物質層２は、有機電解液が含浸されたものであり、高分子固体電解質層３は、有機電解液を含んでなるゲル状高分子固体電解質層となっている。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
次いで、プレポリマーとしてポリエチレングリコールジメタクリレート（オキシエチレンユニット数＝９；日本油脂（株）製）を２ｇ、前記有機電解液Ｅ1を６ｇ、重合促進剤としてベンジルメチルケタールを２０００ｐｐｍ混合し、プレポリマー組成物Ｐ1を作製し、このプレポリマー組成物Ｐ1を前記有機電解液含有負極板（１）の一方の面に塗布した後、塗布面に紫外線照射しプレポリマーを重合硬化して、有機電解液含有負極板（１）の表面に弾性ゲル状の高分子固体電解質層（３）が形成された高分子固体電解質層一体型電極体を作製した。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
発電体は次のようにして作製した。上記負極含浸液を含浸させた負極板の一方の面に前記プレポリマー組成物Ｐ2を塗布し、紫外線照射してプレポリマーを重合硬化し、高分子固体電解質層一体型複合負極体を作製した。この負極体の固体電解質面に、正極含浸液を含浸させた正極板を重ね合わせ、８０℃で１０分間加熱して各発電要素が一体化された発電体となした。その他の事項については実施例１と同様にして、比較例１にかかる高分子固体電解質電池を作製した。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月10日(2003.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク状の光学記録媒体の径方向に移動可能とされたフレームと、
上記フレームに配設された第１の対物レンズと、
上記フレームに配設され、上記第１の対物レンズに対して第１の光路を経て入射される光束を発する第１の光源と、
上記フレームに配設された第２の対物レンズと、
上記フレームに配設され、上記第２の対物レンズに対して第２の光路を経て入射される光束を発する第２の光源とを備え、
上記第１の光路と上記第２の光路は、互いに交差されていることを特徴とする光学ピックアップ。
【請求項２】
上記第１及び第２の対物レンズは、開口数が互いに異なることを特徴とする請求項１記載の光学ピックアップ。
【請求項３】
上記第１及び第２の光源は、互いに異なる波長の光束を発することを特徴とする請求項１記載の光学ピックアップ。
【請求項４】
上記第１及び第２の光路は、第１及び第２の対物レンズの光軸に垂直な方向となされている部分において互いに交差されていることを特徴とする請求項１記載の光学ピックアップ。
【請求項５】
ディスク状の光学記録媒体を回転操作する回転操作機構と、
上記ディスク状の光学記録媒体の径方向に移動可能とされたフレームと、上記フレームに配設された第１の対物レンズと、上記フレームに配設され、上記第１の対物レンズに対して第１の光路を経て入射される光束を発する第１の光源と、上記フレームに配設された第２の対物レンズと、上記フレームに配設され、上記第２の対物レンズに対して第２の光路を経て入射される光束を発する第２の光源とを備え、上記第１の光路と上記第２の光路とが互いに交差されている光学ピックアップと
を備えていることを特徴とするディスクプレーヤ。
【請求項６】
上記第１及び第２の対物レンズは、開口数が互いに異なることを特徴とする請求項５記載のディスクプレーヤ。
【請求項７】
上記第１及び第２の光源は、互いに異なる波長の光束を発することを特徴とする請求項５記載のディスクプレーヤ。
【請求項８】
上記第１及び第２の光路は、第１及び第２の対物レンズの光軸に垂直な方向となされている部分において互いに交差されていることを特徴とする請求項５記載のディスクプレーヤ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決するため、本発明に係る光学ピックアップは、ディスク状の光学記録媒体の径方向に移動可能とされたフレームと、フレームに配設された第１の対物レンズと、フレームに配設され、第１の対物レンズに対して第１の光路を経て入射される光束を発する第１の光源と、フレームに配設された第２の対物レンズと、フレームに配設され、第２の対物レンズに対して第２の光路を経て入射される光束を発する第２の光源とを備え、第１の光路と第２の光路が互いに交差されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また、本発明に係るディスクプレーヤは、ディスク状の光学記録媒体を回転操作する回転操作機構と、ディスク状の光学記録媒体の径方向に移動可能とされたフレームと、フレームに配設された第１の対物レンズと、フレームに配設され、第１の対物レンズに対して第１の光路を経て入射される光束を発する第１の光源と、フレームに配設された第２の対物レンズと、フレームに配設され、第２の対物レンズに対して第２の光路を経て入射される光束を発する第２の光源とを備え、第１の光路と上記第２の光路とが互いに交差されている光学ピックアップとを備えている。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月29日(2003.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学記録媒体の光透過層の一部または全部を液状光硬化性樹脂で形成する場合に、
液状光硬化性樹脂を基板上に滴下し、
該基板を回転させて上記液状光硬化性樹脂を延伸させると同時に、全面的に光照射を行って、上記液状光硬化性樹脂を硬化させることを特徴とする光学記録媒体の製造方法。
【請求項２】
上記液状光硬化性樹脂の厚さを検出した後において、基板全面に上記光照射を行って、上記液状光硬化性樹脂を硬化させることを特徴とする請求項１に記載の光学記録媒体の製造方法。
【請求項３】
少なくとも第１および第２の情報記録層が積層された光学記録媒体の製造方法であって、
上記第１の情報記録層は、該第１の情報記録層を形成する第１の微細凹凸を、射出成型によって基板の成型と同時に該基板と共に形成するか、光硬化性樹脂シートにスタンパーを圧着させて形成し、該第１の微細凹凸上に反射膜を形成することによって構成し、
上記第２の情報記録層は、該第２の情報記録層を形成する第２の微細凹凸を、上記第１の情報記録層上に形成した光硬化性樹脂にスタンパーを圧着して形成し、該第２の微細凹凸上に半透明膜を形成することによって構成し、
該第２の情報記録層上に、液状光硬化性樹脂を滴下し、該基板を回転させて上記液状光硬化性樹脂を延伸させると同時に、全面的に光照射を行って、上記液状光硬化性樹脂を硬化させて光透過層を形成することを特徴とする光学記録媒体の製造方法。
【請求項４】
上記光透過層は、上記液状光硬化性樹脂の上に、更に光硬化性樹脂からなる均一な厚さを有する透明シートを積層することによって形成することを特徴とする請求項３に記載の光学記録媒体の製造方法。
【請求項５】
少なくとも第１および第２の情報記録層が積層された光学記録媒体の製造方法であって、
光硬化性樹脂からなる透明シートの両面に、それぞれスタンパーの圧着によって上記第１および第２の情報記録層を形成する第１および第２の微細凹凸を形成し、
上記第１の微細凹凸上に反射膜を形成して上記第１の情報記録層を形成し、
上記第２の微細凹凸上に半透明膜を形成して上記第２の情報記録層を形成し、
上記透明シートを、上記第１の情報記録層側を基板側として該基板上に積層し、上記第２の情報記録層上から液状光硬化性樹脂を滴下し、上記基板を回転させて上記液状光硬化性樹脂を延伸させると同時に、全面的に光照射を行って上記液状光硬化性樹脂を硬化させて光透過層を形成することを特徴とする光学記録媒体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
オーディオ用、ビデオ用その他の各種情報を記録する光学記録媒体として、その記録もしくは再生を光照射によって行う光ディスク、光カード、光磁気ディスク、相変化光学記録媒体等のＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）型、追記型、書換え型等の光学記録媒体があるが、例えばコンパクトディスク（ＣＤ）におけるようなＲＯＭ型においてその情報記録層にデータ情報、トラッキングサーボ信号等の記録がなされる位相ピット、プリグルーブ等の微細凹凸の形成がなされる。また、追記型、書換え型等の光磁気あるいは相変化等による光磁気媒体においてもプリグルーブ等の微細凹凸の形成がなされる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
1998074341.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
1998074341.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月23日(2003.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記円形孔の半径Ｒ1 と前記切欠部の円弧の半径Ｒ2 との比Ｒ2 ／Ｒ1 が１．０＜Ｒ2 ／Ｒ1 ≦１．３のいずれかである
請求項２に記載のカラー陰極線管用インライン電子銃。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記円形孔の半径Ｒ1 と前記切欠部の円弧の半径Ｒ2 との比Ｒ2 ／Ｒ1 は、好ましくは、１．０＜Ｒ2 ／Ｒ1 ≦１．３のいずれかである。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月1日(2003.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポーズを検出するために音声データを処理することを含み、選択されたポーズ・サブセットで音声ブロック境界を形成し、
各音声ブロックが、予め選択された標的音声ブロック長に近づくように前記ポーズ・サブセットが選択されることを特徴とする音声をセグメント化するための方法。
【請求項２】
音声ブロック長が前記標的音声ブロック長からどのくらい逸脱しているかを示すための誤差メトリックを使用することと、
ファイル内の音声データの誤差値を算出することと、
前記音声データ中の最重要ポーズを検出することと、
前記最重要ポーズの音声ブロック境界の両側にある音声ブロックの平均誤差値を算出し、前記平均誤差値が現誤差値よりも小さい場合にこの音声ブロック境界を前記音声データ中に保持することと、
反復的に次の最重要ポーズを検出し、前記次の最重要ポーズの音声ブロック境界の両側にある音声ブロックの平均誤差値を算出し、前記平均誤差値がさらに減少する場合には、当該音声ブロック境界を前記音声データ中に保持することとを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記誤差値が、音声ブロックの持続時間と標的音声ブロック長との間の差の二乗に比例することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記誤差値が、音声ブロックの持続時間の平方根と標的音声ブロック長の平方根との間の差の二乗に比例することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】
保持される各音声ブロック境界ごとに、境界の両側の音声ブロックの平均誤差値を、２つのブロックの和からなるブロックの誤差値と比較するステップと、
誤差を最も減少させる音声ブロック境界を削除するステップと、
それ以上誤差値が減少しなくなるまでこれらのステップを繰り返すステップとをさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項６】
ポーズの重要度が、前記ポーズの持続時間に比例することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項７】
ポーズの重要度が、前記ポーズのエネルギーに反比例することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項８】
音声／沈黙検出器を使用して、音声データを処理する前にポーズが識別されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
音声データのセグメントで所定のサイズの最低エネルギー間隔を探索するステップと、
この最低エネルギー間隔をそれぞれの音声セグメント中の最重要ポーズとして処理するステップとを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
音声をセグメント化するための手順を実行するシステムであって、
ポーズを検出するため音声データを処理する検出手段と、
選択されたポーズ・サブセットで音声ブロック境界を形成するセグメント化手段であって、前記ポーズ・サブセットは、それぞれの音声ブロックが予め選択されたブロック長に近づくように選択される、セグメント化手段とを有することを特徴とするシステム。
【請求項１１】
音声データを音声ブロックの形で表す表示手段をさらに有することを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
好ましくは、誤差値は音声ブロックの持続時間の平方根と標的音声ブロック長の平方根との間の差の二乗に比例する。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月3日(2003.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
賞球払出の作動契機となる入賞領域と、図柄表示領域を有する図柄表示装置と、賞球払出及び図柄表示装置の表示図柄変動の作動契機となる始動領域とを遊技領域内に有し、始動領域に遊技球が入賞すると、図柄表示装置の図柄表示領域に表示される表示図柄を変動して停止し、この停止図柄を大当りの図柄とする場合には、大入賞装置を遊技球の入賞検出が可能な状態とするパチンコ遊技機において、
始動領域以外の前記入賞領域は、入賞球が通過後そのまま遊技盤の前面を流下する通過式とし、始動領域の位置に開口を設け、該始動領域に入賞した遊技球は、遊技盤の裏面へ導かれるようにし、さらに始動領域の下方に水平方向に延びる横長構造の大入賞装置が配置され、この大入賞装置は、遊技球の通過を検出するカウントスイッチを備えた遊技球が常時通過可能な通過ゲートを有し、さらには通過ゲートを通過した遊技球はアウト口へ導かれるものとしたことを特徴とするパチンコ遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は遊技機、特に複数の入賞領域および始動領域が配置された遊技領域に遊技球を発射装置から発射して、これら入賞領域または始動領域に入賞させて遊技するパチンコ遊技機に関する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、賞球払出の作動契機となる入賞領域と、図柄表示領域を有する図柄表示装置と、賞球払出及び図柄表示装置の表示図柄変動の作動契機となる始動領域とを遊技領域内に有し、始動領域に遊技球が入賞すると、図柄表示装置の図柄表示領域に表示される表示図柄を変動して停止し、この停止図柄を大当りの図柄とする場合には、大入賞装置を遊技球の入賞検出が可能な状態とするパチンコ遊技機において、始動領域以外の前記入賞領域は、入賞球が通過後そのまま遊技盤の前面を流下する通過式とし、始動領域の位置に開口を設け、該始動領域に入賞した遊技球は、遊技盤の裏面へ導かれるようにし、さらに始動領域の下方に水平方向に延びる横長構造の大入賞装置が配置され、この大入賞装置は、遊技球の通過を検出するカウントスイッチを備えた遊技球が常時通過可能な通過ゲートを有し、さらには通過ゲートを通過した遊技球はアウト口へ導かれるものとしたことを特徴とするパチンコ遊技機である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
かかる本発明のパチンコ遊技機によると、遊技盤の始動領域の位置に開口を形成しており、始動領域への入賞球を遊技盤の裏面へ導く。また、始動領域の下方に複数の入賞領域を有する大入賞装置が配置される。また、各入賞領域は、遊技球が通過可能な開口と、この開口と位置合わせされた開口を有する入賞検出スイッチとにより構成される。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月15日(2003.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技領域を形成する遊技盤と、裏機構盤と、を備える遊技機において、
前記遊技盤に取り付けられる複数の遊技盤側遊技装置と、
前記裏機構盤に取り付けられる複数の裏機構盤側遊技装置と、
前記遊技盤側遊技装置と前記裏機構盤側遊技装置とを中継する第１中継手段と、
を備えていることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記第１中継手段には、前記遊技盤側遊技装置からの信号線を接続するための遊技盤側接続端子と、前記裏機構盤側遊技装置からの信号線を接続するための裏機構盤側接続端子とが配設され、
前記裏機構盤側遊技装置からの信号線が、前記共通部品を構成する請求項１記載の遊技機。
【請求項３】
前記遊技盤には、遊技装置の制御を司る前記遊技盤側遊技装置としての制御装置が配設され、前記第１中継手段により前記制御装置と前記裏機構盤側遊技装置との間の信号線が中継されている請求項１又は２に記載の遊技機。
【請求項４】
前記裏機構盤側遊技装置は、少なくとも前記遊技盤側遊技装置に電力を供給するための電源装置を含み、前記第１中継手段により前記電源装置と前記遊技盤側遊技装置との間の信号線が中継されている請求項１ないし３のいずれか１項に記載の遊技機。
【請求項５】
前記第１中継手段が、前記遊技盤の所定部位に取り付けられている請求項１ないし４のいずれか１項に記載の遊技機。
【請求項６】
前記第１中継手段が、前記共通部品に対して、複数種類の遊技機で共通的に利用できない非共通部品とされている請求項１ないし５のいずれか１項に記載の遊技機。
【請求項７】
前記裏機構盤には、前記裏機構盤側遊技装置からの信号線を中継する第２中継手段が取り付けられている請求項１ないし６のいずれか１項に記載の遊技機。
【請求項８】
前記第２中継手段は、前記裏機構盤側遊技装置と前記第１中継手段との間の信号線を中継するとともに、前記第１中継手段に接続可能な前記第２中継手段からの信号線が前記共通部品を構成する請求項７記載の遊技機。
【請求項９】
前記第２中継手段は、前記電源装置と、該電源装置以外の前記裏機構盤側遊技装置との間の信号線を中継するものである請求項７記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月11日(2003.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニルとエピハロヒドリンとから誘導されたエポキシ樹脂の結晶化物であって、ＤＳＣ装置を用いて毎分１０℃の速度で昇温して測定した５０℃から１３０℃の間の吸熱量と８０℃から１２５℃の間の吸熱量との比が１．０３以上であることを特徴とするエポキシ樹脂結晶化物。
【請求項２】
ＤＳＣ装置を用いて毎分１０℃の速度で昇温して測定した５０℃から１３０℃の間の吸熱量と８０℃から１２５℃の間の吸熱量との比が１．０５以上、１．５０以下であり、吸熱のピーク温度が１１０℃以下であることを特徴とする請求項１記載のエポキシ樹脂結晶化物。
【請求項３】
エポキシ当量が１８０から２１０である４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニルとエピハロヒドリンとから誘導されたエポキシ樹脂を１０５℃以上の溶融状態から冷却し、１０５℃より低い温度になってから２時間以内にほぼ完全に結晶化させることを特徴とする、ＤＳＣ装置を用いて毎分１０℃の速度で昇温して測定した５０℃から１３０℃の間の吸熱量と８０℃から１２５℃の間の吸熱量との比が１．０３以上であるエポキシ樹脂結晶化物の製造方法。
【請求項４】
前記ＤＳＣ装置を用いて毎分１０℃の速度で昇温して測定した５０℃から１３０℃の間の吸熱量と８０℃から１２５℃の間の吸熱量との比が１．０５以上、１．５０以下であり、吸熱のピーク温度が１１０℃以下であることを特徴とする請求項３記載のエポキシ樹脂結晶化物の製造方法。
【請求項５】
前記溶融状態のエポキシ樹脂を１０５℃以上の溶融状態から冷却し、１０５℃より低い温度になってから２時間以内にほぼ完全に結晶化させる方法が、１０５℃より低い温度で結晶核を加える方法及び剪断力を加える方法のいずれか一方もしくは両方の方法で結晶化させる方法であることを特徴とする請求項３又は４に記載のエポキシ樹脂結晶化物の製造方法。
【請求項６】
請求項１及び請求項２のいずれか１項に記載のエポキシ樹脂結晶化物とエポキシ樹脂用硬化剤を必須成分として配合して成る硬化性エポキシ樹脂組成物。
【請求項７】
請求項６記載の硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化して得られる硬化物。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月21日(2003.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実質的に窒化ケイ素粒子と粒界相とからなる窒化ケイ素焼結体基板において、当該焼結体基板表面における窒化ケイ素粒子と粒界相の合計面積率を100％としたとき、前記窒化ケイ素粒子の面積率が70〜100％であり、中心線平均粗さ（Ra）が0.2〜20μｍの表面性状を有することを特徴とする窒化ケイ素基板。
【請求項２】
実質的に窒化ケイ素粒子と粒界相とからなる窒化ケイ素焼結体基板において、当該焼結体基板表面における窒化ケイ素粒子と粒界相の合計面積率を100％としたとき、前記窒化ケイ素粒子の面積率が70〜100％であり、表面に露出した窒化ケイ素粒子の最大高さの山頂部と、窒化ケイ素粒子又は粒界相の最低高さの谷底部との距離（Ｌ）が１〜40μｍの表面性状を有することを特徴とする窒化ケイ素基板。
【請求項３】
実質的に窒化ケイ素粒子と粒界相とからなる窒化ケイ素焼結体基板において、当該焼結体基板表面における窒化ケイ素粒子と粒界相の合計面積率を100％としたとき、前記窒化ケイ素粒子の面積率が70〜100％であり、表面に露出した窒化ケイ素粒子の最大高さの山頂部と、窒化ケイ素粒子又は粒界相の最低高さの谷底部との距離（Ｌ）が１〜40μｍであり、中心線平均粗さ（Ra）が0.2〜20μｍの表面性状を有することを特徴とする窒化ケイ素基板。
【請求項４】
実質的に窒化ケイ素粒子と粒界相とからなる窒化ケイ素焼結体基板において、当該焼結体基板表面における中心線平均粗さ（Ra）が0.2〜20μｍであり、表面に露出した窒化ケイ素粒子の最大高さの山頂部と、窒化ケイ素粒子又は粒界相の最低高さの谷底部との距離（Ｌ）が１〜40μｍの表面性状を有することを特徴とする窒化ケイ素基板。
【請求項５】
請求項１〜４の何れかに記載の窒化ケイ素焼結体基板の少なくとも一面にＡｌあるいはＣｕの回路板を接合してなることを特徴とする高強度・高熱伝導性に優れた回路基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決した本発明の窒化ケイ素基板は、実質的に窒化ケイ素粒子と粒界相とからなる窒化ケイ素焼結体基板において、当該焼結体基板表面における窒化ケイ素粒子と粒界相の合計面積率を100％としたとき、前記窒化ケイ素粒子の面積率が70〜100％であり、中心線平均粗さ（Ra）が0.2〜20μｍの表面性状を有することを特徴とする。中心線平均粗さ（Ra）が20μｍ超では、窒化ケイ素基板に金属回路板を接合したとき接合界面に局所的にボイドが生成し、未接着面積が多くなり接合強度の著しい低下を招く。一方、中心線平均粗さ（Ra）が0.2μｍ未満では、ボイドの生成を抑制できるが、アンカ−リングによる複合効果が得られないため、やはり充分な接合強度が得られない。従って、窒化ケイ素基板の表面性状に関し、中心線平均粗さ（Ra）は0.2〜20μｍが望ましい。また、実質的に窒化ケイ素粒子と粒界相とからなる窒化ケイ素焼結体からなり、基板表面における前記窒化ケイ素粒子及び前記粒界相の合計面積率を100％として、前記窒化ケイ素粒子の面積率が70〜100％であるのが好ましい。この条件を満たす窒化ケイ素基板は、優れた耐熱衝撃性及び耐熱疲労信頼性を有する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の窒化ケイ素基板は、実質的に窒化ケイ素粒子と粒界相とからなる窒化ケイ素焼結体基板において、当該焼結体基板表面における窒化ケイ素粒子と粒界相の合計面積率を100％としたとき、前記窒化ケイ素粒子の面積率が70〜100％であり、表面に露出した窒化ケイ素粒子の最大高さの山頂部と、窒化ケイ素粒子又は粒界相の最低高さの谷底部との距離（Ｌ）が１〜40μｍの表面性状を有することを特徴とする。さらに特徴的な表面性状として、距離（Ｌ）が40μｍ超では窒化ケイ素基板と金属回路板との接合界面に局所的にボイドが生成し、未接着面積が多くなり接合強度の低下を生じる。また１μｍ未満ではボイドの生成を抑制できるが、アンカ−リングによる複合効果が得られないため、やはり充分な接合強度が得られない。
従って、さらに本発明の窒化ケイ素基板は、実質的に窒化ケイ素粒子と粒界相とからなる窒化ケイ素焼結体基板において、当該焼結体基板表面における中心線平均粗さ（Ra）が0.2〜20μｍであり、表面に露出した窒化ケイ素粒子の最大高さの山頂部と、窒化ケイ素粒子又は粒界相の最低高さの谷底部との距離（Ｌ）が１〜40μｍの表面性状を有することを特徴とする。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明の窒化ケイ素基板は、実質的に窒化ケイ素粒子と粒界相とからなる窒化ケイ素焼結体基板において、当該焼結体基板表面における窒化ケイ素粒子と粒界相の合計面積率を100％としたとき、前記窒化ケイ素粒子の面積率が70〜100％であり、表面に露出した窒化ケイ素粒子の最大高さの山頂部と、窒化ケイ素粒子又は粒界相の最低高さの谷底部との距離（Ｌ）が１〜40μｍであり、中心線平均粗さ（Ra）が0.2〜20μｍの表面性状を有することを特徴とする。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の回路基板は、高強度・高熱伝導性窒化珪素焼結体からなる基板の少なくとも一面に金属回路板を接合してなる。金属回路板としてはＡｌあるいはＣｕを接合してなるものが好ましく、従来に比べて格段に優れた接合強度および耐冷熱サイクル特性が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月27日(2003.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明にかかる情報記録用紙は、ノンインパクト式、静電記録式、インパクト式、サーマルヘッド式、インクジェット式等、いずれの方式による情報記録にも適用可能なものであり、主に▲１▼塗工型又は非塗工型の情報記録用紙において、基材が水酸化アルミニウムを含有するものと、▲２▼塗工型の情報記録用紙において、塗工層が水酸化アルミニウムを含有するものと、がある。そこで、以下では、基材が水酸化アルミニウムを含有する場合の非塗工型情報記録用紙の実施の形態と、塗工層が水酸化アルミニウムを含有する場合の塗工型情報記録用紙の実施の形態とを詳説する。なお、基材及び塗工層のいずれもが水酸化アルミニウムを含有する形態等も考えられるが、本実施の形態では説明を省略する。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、塗工層を構成する組成物の主成分についても、その種類を何ら限定するものでなく、通常の塗工型情報記録用紙と同様のものを使用することができ、例えば、バインダー成分としてスチレン−ブタジエン系、アクリロニトリル−ブタジエン系、メチルメタクリレート−ブタジエン系、アクリロニトリル−スチレン系、アクリル系、ＰＶＡ系、ピグメントとしてクレー、タルク、カオリン・ケイ酸カルシウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、重質炭酸カルシウム、軽質炭酸カルシウム、二酸化チタン、酸化アルミニウム等を使用することができる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
表１から、基材が水酸化アルミニウムを３質量％以上含有すると、特に５質量％以上含有すると、塩化水素の発生量が減ることがわかった。また、基材の含有する水酸化アルミニウムの量が１０質量％以下になるように抄紙すれば、ワイヤー磨耗の早まり、及びトナー定着性の低下を避けられることがわかった。さらに、水酸化アルミニウムの中心粒径を３０μｍ以下にすると、用紙搬送性、カール防止効果が向上することが、５μｍ以下にすると、用紙の熱伝導性、トナー定着性が向上することが分かった。これに対し、水酸化アルミニウムを０．５μｍ未満または３０μｍ超にすると、塩化水素発生量が増え、しかもワイヤー磨耗の早まることがわかった。