(57)【要約】【課題】はんだバンプを形成するための開口部のアスペクト比（ｔ／λ’）を簡便な方法で小さくする方法及び配線テープ並びに半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】絶縁基材１１の片面に接着剤層２１を形成し、所定位置をパンチング等により孔明け加工して開口部１２を形成し、銅箔３１を加熱ロールラミネーターで貼り合わせ、銅箔３１をパターニング処理して絶縁基材１１の一方の面にパッド３１ａ及び配線層を形成する。プレス台６１上にパッド付きフィルム４０及び弾性体部材７１を載置し、平板プレスもしくはロールプレスにて加圧することにより、パッド３１ａの銅箔を変形させて、開口部１２内に窪み３１ｃ及びボールパッド３１ｂを形成し、窪み３１ｃ及びボールパッド３１ｂを有する半導体集積回路素子搭載用配線テープ１００を得る。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂フィルム等からなる絶縁基材（１１）の所定位置にボールパッド（３１ｂ）、配線層及び開口部（１２）が形成された半導体素子搭載用配線テープにおいて、前記開口部（１２）内に窪み（３１ｃ）を有するボールパッド（３１ｂ）が形成されていることを特徴とする半導体集積回路素子搭載用配線テープ。
【請求項２】
前記ボールパッド（３１ｂ）の窪み（３１ｃ）の断面形状が、前記開口部（１２）の中心部付近を底とした円または放物線の一部の形状を呈したすり鉢状であることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路素子搭載用配線テープ。
【請求項３】
前記ボールパッド（３１ｂ）の窪み量は、窪み量をｙ、絶縁基材（１１）の厚みをｔ１、接着剤層（２１）の厚みをｔ２とした時、
０．２（ｔ１＋ｔ２）≦ｙ≦０．８（ｔ１＋ｔ２）なる関係が満たされていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体集積回路素子搭載用配線テープ。
【請求項４】
少なくとも以下の工程を具備していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体集積回路素子搭載用配線テープの製造方法。
（ａ）絶縁基材（１１）の片面に接着剤層（２１）を形成する工程。
（ｂ）接着剤層（２１）が形成された絶縁基材（１１）の所定位置を孔開け加工して開口部（１２）を形成する工程。
（ｃ）開口部（１２）が形成された接着剤層（２１）面に所定厚の銅箔（３１）を積層する工程。
（ｄ）銅箔（３１）をパターニング処理して、パッド（３１ａ）及び配線層を形成する工程。
（ｅ）プレス台（６１）上にパッド（３１ａ）及び配線層が形成された絶縁基材（１１）及び所定厚の弾性体部材（７１）を載置し、平板プレスもしくはロールプレスにて、開口部（１２）内に窪み（３１ｃ）を形成し、窪み（３１ｃ）を有するボールパッド（３１ｂ）を形成する工程。
【請求項５】
少なくとも以下の工程を具備していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体集積回路素子搭載用配線テープの製造方法。
（ａ）絶縁基材（１１）の片面に接着剤層（２１）を形成する工程。
（ｂ）接着剤層（２１）が形成された絶縁基材（１１）の所定位置を孔開け加工して開口部（１２）を形成する工程。
（ｃ）開口部（１２）が形成された接着剤層（２１）面に所定厚の銅箔（３１）を積層する工程。
（ｄ）プレス台上に開口部（１２）が形成された絶縁基材（１１）及び上所定厚の弾性体部材（７１）を載置し、平板プレスもしくはロールプレスにて、開口部（１２）内に窪み（３１ｃ）を形成し、窪み（３１ｃ）を有する銅箔（３１）を形成する工程。
（ｅ）銅箔（３１）をパターニング処理して、窪み（３１ｃ）を有するボールパッド（３１ｂ）及び配線層を形成する工程。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体集積回路素子搭載用配線テープを用いて、半導体チップを実装してなる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路素子を搭載するための配線テープ及びその製造方法ならびに該配線テープに半導体チップを搭載した半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化、高性能化に伴い、ＬＳＩ等半導体集積回路の高密度化、多ピン化が進展している。これに従い、このＬＳＩを搭載した子基板と親基板との実装方法は、はんだボールによるＢＧＡ実装が主流になってきている。
はんだボールによるＢＧＡ実装方法について説明する。
まず、ボールパッド１３１及び開口部１２１が形成された配線テープにＬＳＩチップ１４１が搭載され、モールド樹脂１５１にて封止された半導体装置３００（図５（ａ）参照）のボールパッド１３１の開口部１２１にボールマウンタを使用してはんだボールを整列、載置し、リフロー工程ではんだバンプ１６１を形成し、半導体装置３１０を作製する（図５（ｂ）参照）。
次に、電極パッド１７１が形成された親基板３２０の所定の位置に、半導体装置３１０を位置合わせして配置し（図５（ｃ）参照）、リフロー工程により、半導体装置３１０のはんだバンプ１６１が親基板３２０の電極パッド１７１にはんだ付けされることによりＢＧＡ実装が完了する（図５（ｄ）参照）。
【０００３】
次に、半導体集積回路を搭載するための配線テープの製造方法の一例について説明する。
まず絶縁フィルム等の絶縁基材１１１の片面に接着剤層１２１が設けられた接着剤付きテープ材（図６（ａ）参照）の所定位置にパンチングにより開孔部１１２を形成する（図６（ｂ）参照）。
次に、接着剤層１２１面に銅箔を加熱加圧により接着し、導体層１３１を形成する（図６（ｃ）参照）。
次に、導体層１３１をエッチングによりパターニング処理し、配線層、ボールパッド１３１ａを形成する（図６（ｄ）参照）。
必要に応じて、絶縁基材１１１のボールパッド１３１ａ面にソルダーレジスト１４１を形成した後、これまた必要に応じて、配線層上及びボールパッド１３１ａの開口部１１２面にニッケル・金めっきを行い、配線テープが完成する。
最終的にはこの配線テープを半導体装置として個片化するが、これは半導体集積回路の搭載の前に行う場合と後に行う場合とがある。
【０００４】
最近、機器のさらなる小型化要求のため、ＢＧＡのはんだバンプの小径化が進み、次のような問題がおこっている。つまり強度保持のため支持体としてのテープ材１１１の厚さｔは変わらずに、はんだボールを形成するための開口部径λがλ’と小径化することで、開口部１１２’のアスペクト比（ｔ／λ’）は開口部１１２のアスペクト比（ｔ／λ）に比べて大きくなり（図７（ａ）及び（ｂ）参照）、はんだバンプ形成時にはんだとボールパッド部が接合されない現象が発生することがある。また、はんだバンプ形成時に問題がなくても、その後の親基板へのＢＧＡ実装時に、はんだが重力と表面張力により親基板側の電極パッドへ吸い取られて、はんだくびれ現象（図８（ａ）参照）もしくは、はんだボール落ち現象（図８（ｂ）参照）が発生してオープン不良となる現象が発生する場合がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
この問題を解決するために、めっき等により開口部内に金属導体等を充填して嵩上げするめっき充填法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
上記めっき充填法は開口部内を金属導体等で嵩上げするために、はんだくびれ現象及びはんだボール落ち現象に対しては有効であるが、以下のような課題も持ち合わせている。
まず、開口部内を金属導体等で嵩上げするためのめっき時間が長い。銅めっきに例をとった場合、電流密度を２０Ａ／ｄｍ２という高速めっきを使ったとしても４０μｍの厚さにめっきするには理論上９分以上のめっき時間が必要であり、リール搬送でのめっき装置では搬送速度１ｍ／分としても装置寸法は長さが概ね２０ｍ以上必要で、設備の負担が非常に大きくなる。
次に、マスキング工程が必要。開口部内にのみめっきするために、ボールパッド、配線層等を保護膜で一時的にマスキングしなくてはならない。また、めっき充填後にはこれを剥離しなくてはならない。
【０００６】
上記はんだくびれ現象及びはんだボール落ち現象を回避するためには、はんだバンプを形成するための開口部のアスペクト比（ｔ／λ’）を簡便な方法で小さくしてやればよい。
本発明は、上記問題点に鑑み、鋭意検討した結果考案されたもので、はんだバンプを形成するための開口部のアスペクト比（ｔ／λ’）を簡便な方法で小さくする方法及び配線テープ並びに半導体装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【特許文献１】
特許−第３２３８０７４号公報
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に於いて上記課題を達成するために、まず請求項１においては、樹脂フィルム等からなる絶縁基材１１の所定位置にボールパッド３１ｂ、配線層及び開口部１２が形成された半導体素子搭載用配線テープにおいて、前記開口部１２内に窪み３１ｃを有するボールパッド３１ｂが形成されていることを特徴とする半導体集積回路素子搭載用配線テープとしたものである。
【０００９】
また、請求項２においては、前記ボールパッド３１ｂの窪み３１ｃの断面形状が、前記開口部１２の中心部付近を底とした円または放物線の一部の形状を呈したすり鉢状であることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路素子搭載用配線テープとしたものである。
【００１０】
また、請求項３においては、前記ボールパッド３１ｂの窪み量は、窪み量をｙ、絶縁基材１１の厚みをｔ１、接着剤層２１の厚みをｔ２とした時０．２（ｔ１＋ｔ２）≦ｙ≦０．８（ｔ１＋ｔ２）なる関係が満たされていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体集積回路素子搭載用配線テープとしたものである。
【００１１】
また、請求項４においては、少なくとも以下の工程を具備していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体集積回路素子搭載用配線テープの製造方法としたものである。
（ａ）絶縁基材１１の片面に接着剤層２１を形成する工程。
（ｂ）接着剤層２１が形成された絶縁基材１１の所定位置を孔開け加工して開口部１２を形成する工程。
（ｃ）開口部１２が形成された接着剤層２１面に所定厚の銅箔３１を積層する工程。
（ｄ）銅箔３１をパターニング処理して、パッド３１ａ及び配線層を形成する工程。
（ｅ）プレス台６１上にパッド３１ａが形成された絶縁基材１１及び所定厚の弾性体部材７１を載置し、平板プレスもしくはロールプレスにて、開口部１２内に窪み３１ｃを形成し、窪み３１ｃを有するボールパッド３１ｂを形成する工程。
【００１２】
また、請求項５においては、少なくとも以下の工程を具備していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体集積回路素子搭載用配線テープの製造方法としたものである。
（ａ）絶縁基材１１の片面に接着剤層２１を形成する工程。
（ｂ）接着剤層２１が形成された絶縁基材１１の所定位置を孔開け加工して開口部１２を形成する工程。
（ｃ）開口部１２が形成された接着剤層２１面に所定厚の銅箔３１を積層する工程。
（ｄ）プレス台上に開口部１２が形成された絶縁基材１１及び上所定厚の弾性体部材７１を載置し、平板プレスもしくはロールプレスにて、開口部１２内に窪み３１ｃ形成し、窪み３１ｃを有する銅箔３１を形成する工程。
（ｅ）銅箔３１をパターニング処理して、窪み３１ｃを有するボールパッド３１ｂ、配線層を形成する工程。
【００１３】
さらにまた、請求項６においては、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体集積回路素子搭載用配線テープを用いて、半導体チップを実装してなる半導体装置としたものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態につき説明する。
請求項１に係る半導体集積回路素子搭載用配線テープは、図１に示すように、絶縁フィルム等からなる絶縁基材１１の開口部１２内に窪み３１ｃを有するボールパッド３１ｂを形成したもので、開口部１２内に窪み３１ｃを設けることにより、窪み量３１ｃだけ金属導体等で嵩上げしたのと同じ効果を持たせたものである。具体的には、開口部１２内にはんだバンプを形成する際、もしくははんだバンプを形成した半導体装置を親基板の電極パッドにはんだリフローする際のはんだくびれ現象、はんだ落ち現象及び開口部内にボイド等が発生するのを防止している。
【００１５】
請求項２に係る半導体集積回路素子搭載用配線テープは、図２に示すように、ボールパッド３１ｂの窪み３１ｃの断面形状を開口部１２の中心部付近を底とした円または放物線の一部の形状を呈したすり鉢状とすることにより、開口部１２にはんだボールを載置し、リフロー工程にてはんだバンプを形成する際リフローしたはんだとの接触面積が増加し、ボールパッド３１ｂへのはんだがなじみ易くなり、且つなだらかな形状のため応力が集中し難くなり、はんだバンプの接着強度が向上する。
ボールパッド３１ｂの窪み３１ｃの形状は、後記する弾性体部材の材質、厚み、加圧条件等により、適宜設定できる。
【００１６】
請求項３に係る半導体集積回路素子搭載用配線テープは、図２に示すように、ボールパッド３１ｂの窪み量ｙを規定したもので、窪み量をｙ、絶縁基材１１の厚みをｔ１、接着剤層２１の厚みをｔ２とした時０．２（ｔ１＋ｔ２）≦ｙ≦０．８（ｔ１＋ｔ２）なる関係が満たされるようにしたものである。
現状１メタルテープの絶縁基材厚は５０〜１００μｍが主流である。例えば、絶縁基材厚が５０μｍ、接着剤層厚が５μｍの場合、窪み量ｙの適性範囲は１１μｍ〜４４μｍとなる。
窪み量ｙが１１μｍ以下では、窪みによる十分な嵩上げ効果が得られない。また、窪み量ｙが４４μｍ以上は窪み加工の限界で、これ以上の窪み量を設定しようとすると銅箔の亀裂等が発生し、ボールパッド３１ｂの性能を損なうからである。
実際、窪み量の大きなものを作る場合、窪み量が大きくなるに従い銅箔が変形しにくくなるため、荷重の大きさの割に窪み量が増加しにくくなる。逆に窪み量の小さなものを作る場合は、配線テープ面内全てのボールバッドの窪みを均一に形成することが困難であった。以上の理由から工業的に、安定に窪みを形成できる範囲は、０．２（ｔ１＋ｔ２）≦ｙ≦０．８（ｔ１＋ｔ２）を満たす必要がある。また、アスペクト比（ｔ／λ）の値にもよるが、窪み量があまりにも大きい場合は、半導体集積回路素子を搭載した後のモールディング工程の際にモールド樹脂中のボールパッドの裏面部分に気泡が混入してしまう不具合が発生してしまうので、この理由からもｙ≦０．８（ｔ１＋ｔ２）を満たす必要がある。
【００１７】
以下、本発明の半導体集積回路素子搭載用配線テープの製造方法につき説明する。
図３（ａ）〜（ｆ）に、請求項４に係る半導体集積回路素子搭載用配線テープの製造方法の一例を工程順に示す。
まず、ポリイミドもしくはエポキシ樹脂等の樹脂フィルムからなる絶縁基材１１の片面に接着剤層２１を形成し、片面接着剤層付きフィルム１０を作製する（図３（ａ）参照）。さらに、片面接着剤層付きフィルム１０の両端をパンチングで穿孔して搬送用のスプロケットホールを形成し、さらに、絶縁基材１１及び接着剤層２１の所定位置をパンチング等により開口部１２を形成し、孔明き片面接着剤層付きフィルム２０を作製する（図３（ｂ）参照）。
【００１８】
次に、所定厚の片面粗化処理を施した銅箔３１を開口部１２が形成された孔明き片面接着剤層付きフィルム２０の接着剤層１２面に加熱ロールラミネーターで貼り合わせ、片面銅箔孔明きフィルム３０を作製する（図３（ｃ）参照）。
【００１９】
次に、片面銅箔孔明きフィルム３０の銅箔３１上にドライフィルムを積層する等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクにして、塩化第２鉄溶液で銅箔３１をエッチングし、レジストパターンを剥離して、絶縁基材１１の一方の面にパッド３１ａ及び配線層（特に、図示せず）を形成し、パッド付きフィルム４０を作製する（図３（ｄ）参照）。
【００２０】
次に、プレス台６１上にパッド付きフィルム４０及び弾性体部材７１を載置し、平板プレスもしくはロールプレスにて加圧することにより（図３（ｅ）参照）、パッド３１ａの銅箔を変形させて、開口部１２内に窪み３１ｃ及びボールパッド３１ｂを形成し、窪み３１ｃ及びボールパッド３１ｂを有する半導体集積回路素子搭載用配線テープ１００を得る（図３（ｆ）参照）。
ここで、窪み３１ｃの窪み量ｙは、絶縁基材１１の厚みをｔ１、接着剤層２１の厚みをｔ２とした時０．２（ｔ１＋ｔ２）≦ｙ≦０．８（ｔ１＋ｔ２）なる関係が満たされるように、弾性体部材７１の材質、厚みと加工条件により設定するが、好ましい窪み量は、０．５（ｔ１＋ｔ２）前後である。
【００２１】
さらに、上記平板プレス台をロールプレスに置き換えることにより、リール搬送の配線テープを連続的に、効率よく窪み加工を行うことができる。
また、弾性体部材７１はパッド３１ａの窪み量によって適宜選択され、材質は軟らかくて銅箔に傷を生じさせないものであれば任意に使用することができるが、好ましくはＴｇ（ガラス転移温度）が室温以下であるポリイソプレン、ポリブタジエン、加硫ゴム、シリコンゴム、ウレタンゴム、熱可塑性エラストマー等いわゆるゴム材料が適している。
【００２２】
図４（ａ）〜（ｆ）に、請求項５に係る半導体集積回路素子搭載用配線テープの製造方法の一例を工程順に示す。
まず、ポリイミドもしくはエポキシ樹脂等の樹脂フィルムからなる絶縁基材１１の片面に接着剤層２１を形成し、片面接着剤層付きフィルム１０を作製する（図４（ａ）参照）。さらに、片面接着剤層付きフィルム１０の両端をパンチングで穿孔して搬送用のスプロケットホールを形成し、さらに、絶縁基材１１及び接着剤層２１の所定位置をパンチング等により開口部１２を形成し、孔明き片面接着剤層付きフィルム２０を作製する（図４（ｂ）参照）。
【００２３】
次に、所定厚の片面粗化処理を施した銅箔３１を開口部１２が形成された孔明き片面接着剤層付きフィルム２０の接着剤層１２面に加熱ロールラミネーターで貼り合わせ、片面銅箔孔明きフィルム３０を作製する（図４（ｃ）参照）。
【００２４】
次に、プレス台６１上に片面銅箔孔明きフィルム３０及び弾性体部材７１を載置し、平板プレスもしくはロールプレスにて加圧することにより（図４（ｄ）参照）、開口部１２内に窪み３１ｃを形成し、窪み付き片面銅箔フィルム５０を作製する（図４（ｅ）参照）。
ここで、窪み３１ｃの形成条件は、上記パッド付きフィルム４０に窪み加工する場合と同じなので省略する。
【００２５】
次に、窪み付き片面銅箔フィルム５０の銅箔３１上にドライフィルムを積層する等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクにして、塩化第２鉄溶液で銅箔３１をエッチングし、レジストパターンを剥離して、絶縁基材１１に窪み３１ｃを有するボールパッド３１ｂが形成された半導体集積回路素子搭載用配線テープ１００を得る（図４（ｆ）参照）。
【００２６】
さらに、上記半導体集積回路素子搭載用配線テープ１００の配線層を有する側に、ダイシングしたＬＳＩチップをダイボンダーで搭載し、ワイヤボンディング後モールドを行い半導体装置を得ることができる。
【００２７】
【実施例】
以下実施例により本発明を詳細に説明する。
＜実施例１＞
まず、ポリイミド樹脂フィルム（ユーピレックスＳ（商品名）：宇部興産製）からなる絶縁基材１１の片側に５０μｍ厚のエポキシ樹脂系接着剤（タイプＸ（商品名）：巴川製紙所製）２１が形成され片面接着剤層付きフィルム１０（図３（ａ）参照）の両端に搬送用スプロケットホールをパンチングにて開孔し、続けて、パンチングにて５００μｍピッチで３００μｍの開口部を形成し、孔明き片面接着剤層付きフィルム２０を作製した（図３（ｂ）参照）。
【００２８】
次に、１８μｍ厚の片面粗化処理銅箔（ＦＱ−ＶＬＰ（商品名）：三井金属鉱業製）３１を開口部１２が形成された孔明き片面接着剤層付きフィルム２０の接着剤層１２面に加熱しながらロールラミネーターにて貼り合わせ、片面銅箔孔明きフィルム３０を作製した（図３（ｃ）参照）。
【００２９】
次に、片面銅箔孔明きフィルム３０の銅箔３１を洗浄し、ラミネータにてドライフィルムレジストを銅箔３１面に貼り合わせて感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターンを形成した。レジストパターンをマスクにして、塩化第２鉄溶液で銅箔３１をエッチングし、レジストパターンを剥離して、絶縁基材１１の一方の面にパッド３１ａ及び配線層（特に、図示せず）を形成し、パッド付きフィルム４０を作製した（図３（ｄ）参照）。
【００３０】
次に、平板プレス機のプレス台６１上にパッド付きフィルム４０及び２００μｍ厚のテフロン（登録商標）シートからなる弾性体部材７１を載置し、プレス平板６２にて約２００Ｎ／ｃｍ２の力で１０秒間加圧することにより（図３（ｅ）参照）、パッド３１ａの銅箔を開口部１２内に窪ませて、窪み量４０μｍの窪み３１ｃを有するボールパッド３１ｂを形成した。さらに、ソルダーレジストインク（ＰＳＲ−４０００（商品名）：太陽インキ製）をボールパッドおよび配線層面にスクリーン印刷で塗布し、乾燥してソルダーレジスト層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、ボールパッド上に開口部を有するソルダーレジストパターン４１を形成した。
【００３１】
次に、ボールパッド３１ｂおよび配線層の一部が露出した部位に電解ニッケルおよび金めっきを行い、約２μｍ厚のニッケルおよび約０．２μｍ厚の金被膜を形成し、窪み３１ｃ及びボールパッド３１ｂを有する半導体集積回路素子搭載用配線テープ１００を得た（図３（ｆ）参照）。
【００３２】
＜実施例２＞
まず、ポリイミド樹脂フィルム（ユーピレックスＳ（商品名）：宇部興産製）からなる絶縁基材１１の片側に５０μｍ厚のエポキシ樹脂系接着剤（タイプＸ（商品名）：巴川製紙所製）２１が形成された片面接着剤層付きフィルム１０（図４（ａ）参照）の両端に搬送用スプロケットホールをパンチングにて開孔し、続けて、パンチングにて５００μｍピッチで３００μｍの開口部を形成し、孔明き片面接着剤層付きフィルム２０を作製した（図４（ｂ）参照）。
【００３３】
次に、１８μｍ厚の片面粗化処理銅箔（ＦＱ−ＶＬＰ（商品名）：三井金属鉱業製）３１を開口部１２が形成された孔明き片面接着剤層付きフィルム２０の接着剤層１２面に加熱しながらロールラミネーターにて貼り合わせ、片面銅箔孔明きフィルム３０を作製した（図４（ｃ）参照）。
【００３４】
次に、平板プレス機のプレス台６１上に片面銅箔孔明きフィルム３０及び２００μｍ厚のテフロン（登録商標）シートからなる弾性体部材７１を載置し、プレス平板６２にて２００Ｎ／ｃｍ２の力で１０秒間加圧することにより（図４（ｄ）参照）、銅箔３１を開口部１２内に窪ませて、窪み量４０μｍの窪み３１ｃを形成し、窪み付き片面銅箔フィルム５０を作製した（図４（ｅ）参照）。
【００３５】
次に、窪み付き片面銅箔フィルム５０の銅箔３１を洗浄し、ラミネータにてドライフィルムレジストを銅箔３１面に貼り合わせて感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターンを形成した。レジストパターンをマスクにして、塩化第２鉄溶液で銅箔３１をエッチングし、レジストパターンを剥離して、絶縁基材１１の一方の面に窪み３１ｃを有するボールパッド３１ｂ及び配線層（特に、図示せず）を形成した。
【００３６】
次に、ソルダーレジストインク（ＰＳＲ−４０００（商品名）：太陽インキ製）をボールパッドおよび配線層面にスクリーン印刷で塗布し、乾燥してソルダーレジスト層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、ボールパッド３１ｂ上に開口部を有するソルダーレジストパターン４１を形成した。
【００３７】
次に、ボールパッド３１ｂおよび配線層の一部が露出した部位に電解ニッケルおよび金めっきを行い、約２μｍ厚のニッケルおよび約０．２μｍ厚の金被膜を形成し、窪み３１ｃ及びボールパッド３１ｂを有する半導体集積回路素子搭載用配線テープ１００を得た（図４（ｆ）参照）。
【００３８】
さらに、半導体集積回路素子搭載用配線テープ１００の配線層を有する側に、ダイシングしたＬＳＩチップをダイボンダーで搭載し、ワイヤボンディング後モールドを行い半導体装置を得た。
【００３９】
【発明の効果】
上記したように、本発明の半導体集積回路素子搭載用配線テープは、ボールパッドのはんだバンプ形成用の開口部に窪みを有するため、開口部にリフローにてはんだバンプを形成する際リフローしたはんだとの接触面積が増加し、ボールパッドへのはんだがなじみ易くなり、且つなだらかな形状のため応力が集中し難くなり、はんだバンプの接着強度が向上する。
また、本発明の半導体集積回路素子搭載用配線テープの製造法では、弾性体部材を用いたプレス加工により窪み加工を行っているため、窪み量の制御が容易で、リール搬送の配線テープを連続的に、効率よく行うことができる。
さらにまた、本発明の半導体集積回路素子搭載用配線テープを用いた半導体装置は、信頼性のある半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体集積回路素子搭載用配線テープの一実施例を示す模式構成部分断面図である。
【図２】図１（ａ）のＡ部を拡大した模式構成部分断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｆ）は、請求項４に係る半導体集積回路素子搭載用配線テープの製造方法の一実施例を工程順に示す模式構成部分断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｆ）は、請求項５に係る半導体集積回路素子搭載用配線テープの製造方法の一実施例を工程順に示す模式構成部分断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、従来の半導体装置及びＢＧＡ実装の一例を示す模式構成断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｅ）は、従来の配線テープの製造方法の一例を示す模式構成部分断面図である。
【図７】（ａ）及び（ｂ）は、絶縁フィルム基材厚と開口部の孔径との関係を示す説明図である。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は、熱リフローによりはんだバンプと電極パッドとを接合する際のはんだの接合状態を示す説明図である。
【符号の説明】
１０……片面接着剤層付きフィルム
１１、１１１……絶縁基材
１２、１１２、１１２’……開口部
２０……孔明き片面接着剤層付きフィルム
２１、１２１……接着剤層
３０……片面銅箔孔明きフィルム
３１……銅箔
３１ａ……パッド
３１ｂ、１３１……ボールパッド
３１ｃ……窪み
４０……パッド付きフィルム
４１……ソルダーレジストパターン
５０……窪み付き片面銅箔フィルム
６１……プレス台
６２……プレス平板
７１……弾性体部材
１００……半導体集積回路素子搭載用配線テープ
１４１……ＬＳＩチップ
１５１……モールド樹脂
１６１……はんだバンプ
１７１……電極パッド
３００、３１０……半導体装置
３２０……親基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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