【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年1月18日(2012.1.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】回路個片化システム及び方法
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
近年、マイクロエレクトロニクス産業には、ラップトップコンピュータ及び移動電話のような軽量薄型の消費者向け電子製品への強い願望がある。これらの消費者向け電子製品には、低コスト、薄型及び軽量集積回路パッケージの高スループットアセンブリが要求される。集積回路は多数のユニットにパッケージ化されて所望のスループットを達成し、かつハンドリングの要求を少なくしている。この工程の最後には、パッケージ化されたデバイスを個片化することが必要である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
集積回路パッケージまたは回路基板が作られる材料には、例えば銅層、ガラス繊維層またはウィーブ（ｗｅａｖｅ）、ＦＲ４、ＢＴガラス／エポキシ、接着剤、オーバコート材、はんだマスクまたは半導体が含まれる。別のタイプの回路基板は、ポリマーをベースにしたフレキシブル（フレックス）回路である。本発明は、液晶シートのような薄層、又は、ディスプレイに使用されるエレクトロクロミック誘電体薄膜を切断するのに適用される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
図Ａ（ａ）乃至Ａ（ｄ）は、いくつかのＢＧＡデバイスが取り付けられたストリップの例を示している。図Ａ（ａ）では、オーバコート材料１が、ダイ２と、前記ダイと基板３間の電気的接続とを保護している。組立工程には、孔あけを容易にするためにツール用穴及び切り込み部分４の存在が要求される。図Ａ（ｂ）のストリップは、切り込みストリップが無い点を除いて図Ａ（ａ）のそれと類似しており、図Ａ（ｃ）のストリップでは、ツール用穴が無い。図Ａ（ｄ）のストリップでは、前記オーバコート材料が多数のダイを覆っている。このような状態において、ＢＧＡの個片化には、前記オーバコート材料をも切断することが要求される。添付図面における破線５は、個々のパッケージを個片化するための切断線を示している。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
現在の個片化の方法に関して、図Ｄは、ＢＧＡ／ＣＳＰデバイスの製造の現在の方法に関連する最終工程を示している。関連するデバイス及びシステムの性質により、ウエハソーでの個片化工程を支持するためにいくつかのハンドリング及び清浄化工程を追加しなければならない。これらの工程には次のものが含まれる。
・ボート、パネルまたはトレーにおける電気テスト及びレーザマーキング。
・ボートまたはトレーからの取り外し及び粘着性ＵＶテープへのマウント。
・ソーを用いた切断及び清浄化。
・ＵＶ硬化。
・トレーへの配置。
・マーキング及び検査。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
チップスケールパッケージのソーイング及び孔あけ加工は、国際公開ＷＯ９９／０３１２８（チップスケールパッケージのための個片化システム）、及び国際公開ＷＯ９８／５２２１２（チップスケールパッケージを多層フィルムストリップから分離する取り出し及び配置切断ヘッド）に記載されている。ＵＶテープ、ウエハリング、ソーブレード及び洗浄溶液のようないくつかの消耗品を使用しなければならない。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
本発明の目的は、製造ラインの個片化レート要件に適合するのに十分な速度で上記材料を切断するシステム及び方法を提供することにある。別の目的は、付着するデブリの範囲を少なくすることにより、及び、ハンドリング要件を少なくすることによって、前記方法及び装置によってより高い歩留まりが得られることである。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
本発明によれば、電子回路を結合する積層材料を切断することにより前記電子回路を個片化するための方法であって、次の特性即ち、４００ｎｍ未満の波長、及び、１００Ｊ／ｃｍ2以上のエネルギー密度または１ＧＷ／ｃｍ2以上のピークパワー密度を有するレーザビームを生成する過程と、前記材料の特徴または基準に関してレーザビームを合わせる過程と、切断が終わるまで前記レーザビームを前記材料に沿って向ける過程とからなる方法が提供される。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
或る実施例では、前記レーザビームが１ｋＨｚより大きいパルス繰返し周波数で生成される。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
或る実施例では、前記積層構造の厚さは、前記レーザビームの焦点深度によって定義される厚さにほぼ一致する。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
或る実施例では、前記積層材料が、ＢＴエポキシ、ガラス繊維、銅、金、ポリイミド、接着剤、オーバーモールド材料、アンダーフィル、導体、誘電体、硬化剤、安定剤、プロテクタまたは他の電子パッケージに使用される材料から選択される２つまたはそれ以上の層を含む。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
別の実施例では、前記積層材料の個々の前記層が、異なるアブレーション及びイオン化閾値、異なるアブレーション及びイオン化速度、並びに異なる非線形吸収及び非イオン化係数を有する。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
更に別の実施例では、前記レーザビームは、特定の繰り返し周波数でピークとなる特定の平均出力を有する固体レーザから生成される。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
或る実施例では、前記レーザビームが、前記繰返し周波数が増加しまたは減少するにつれて平均出力が低下するように制御され、かつ最大平均出力の前記繰返し周波数以外の繰返し周波数において個々のパルスエネルギーが増加するにもかかわらず、他のレーザ切断パラメータによりこれら繰返し周波数のいずれか以外の繰返し周波数で最大切断速度が達成される。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
或る実施例では、前記レーザビームが、１または複数のスキャニングガルバノメータに取り付けられた１つまたは複数のミラーを用いてワーク表面に送られ、かつ、要求されたスポットサイズは、ガルバノメータのミラーより前段のオンアクシス（ｏｎ−ａｘｉｓ）レンズの位置調整を利用することによって、及び、ガルバノメータのミラーより後段のフラットフィールドレンズからなるレンズによって、又は、これらのレンズの組み合わせを利用することによって達成される。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
或る実施例では、前記レーザビームが、１つまたは複数の平行移動ステージに取り付けられた１つまたは複数のミラーを用いて送られ、かつ、焦点合わせは、テレスコープ、又は、移動ミラーより前のオンアクシス（ｏｎ−ａｘｉｓ）レンズ、又は、材料表面より前に設けられビーム伝送ミラーと協働するレンズの使用によって実行され、このようにして集束したビームは、材料表面へと送られる。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
更に別の実施例では、アシストガスを用いて切断過程を補助し、デブリが材料表面に付着するのを防止しかつ、それが連続レーザ光パルスの散乱または吸収を生じないように切断過程で生成される材料を除去する。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
或る実施例では、真空吸引過程を用いて、切断面で生成されるヒューム(fumes)及び固体デブリを取り出す。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
別の側面によれば、本発明によって、材料により相互結合された電子回路の組を支持するための手段と、４００ｎｍ未満の波長、及び、１００Ｊ／ｃｍ2以上のエネルギー密度または１ＧＷ／ｃｍ2以上のピークパワー密度を有するレーザビームを生成するための手段からなるレーザビーム源と、前記材料にレーザビームを向けるためおよびそれを切断線に沿って向け、電子回路を個片化するための手段からなるビーム位置決め機構とを備える回路個片化システムが提供される。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
或る実施例では、前記ビーム位置決めシステムが、少なくともそのいくつかが前記レーザビームを向けるために可動である一連のミラーと集束レンズとからなる。
【誤訳訂正２１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
本発明は、添付図面を参照しつつ、以下に例示されるいくつかの実施態様に関する詳細な説明からより明確に理解することができる。
本発明は、図１に示すように、個片化のためのレーザビームの使用に基づくものである。この方法は、パッケージを「ソーイング」するのに紫外レーザを使用する。前記レーザは、気化したデブリのみを生成し、消耗品を使用せず、かつ、切断エッジに全くチッピングや微小クラックを生じない、優れた品質の切断を行う。
【誤訳訂正２２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
紫外レーザパルスを用いた材料の光アブレーションの概念は、１９８２年にスリニバシン（Srinivasan）によって紹介された。（R.Srinivasan他、Applied physics letters、４１、第５７６ページ、１９８２）。材料除去のための基本的機構は、紫外波長における個々の光子のエネルギーが、材料を一体に保持する結合のエネルギーに近いという点において、より長い波長の工程とは異なる。いくつかの代表的な結合の共有結合の強度の例が表１に示されている。
加えて、室温において吸収バンドの幅は、少なくとも有機共有結合については、４００ｎｍ未満（＜３ｅＶ）の波長範囲内でのパルス紫外放射で、光アブレーションを生じさせるのに十分である。
【誤訳訂正２３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
本願発明者による光アブレーションの研究から、次の結論を引き出すことができる。
・ある閾値のフルエンスまたは強度以下では、全くアブレーションが認められない。しかしながら、光劣化が起こりかつ材料表面に形態学的な変化を生じさせることがある。（P.E.Dyer 他, Journal of applied physics, 57, p1420, 1985; J.H.Brannon 他, Journal of applied physics, 58, p2036, 1985; R.Srinivasan 他, Applied physics 61 p372, 1987）
・アブレーションされている表面から剥がれる破片は、材料の小クラスタ及びガス状の産物からなる。（R.C.Estler 他, Applied physics letters, 49, p1175, 1986; G.Koren 他, Applied physics letters, 44, p1112, 1984; G.S.Hansen 他, Jounal of applied physics, p1878. 1990.）
・ポリイミドの３０８ｎｍのアブレーションを例外として（D.L. Singleton 他, Chemical physics, 144, p415, 1990）、レーザパルスの有効作用時間及び形状は、アブレーションに決定的効果を有することが報告されている。（R.Srinivasan 他, Applied physics letters, 53, p1233, 1988）
・一般に光アブレーションプロセスは、２０ｎｓのレーザパルス幅より小さい速い時間スケールで起こる。
・パルスの衝突及び吸収に続いて爆風が生じる。（R.Srinivasan 他, Jounal of applied physics, 68, p1842, 1990）
・吸収係数は、低いパワー密度（ｍＷ／ｃｍ2）で定義され、かつエッチングレートは非常に高い方のパワー密度（ｍＷ乃至ＭＷ／ｃｍ2）での材料除去を表す。アブレーションは吸収と共に開始するので、多くの場合に吸収係数αとエッチング深さとの間に関連がある。すなわち、強い吸収剤は弱い吸収剤よりも低いアブレーション閾値（パワー密度）を持つことになる。しかしながら、強い吸収剤のエッチングレートは、光子のエネルギーは大部分がより浅い深さに制限されるので、より小さいものであり得る。これは共通の意見である。しかしながら、これは決して一般的な場合ではない。吸収は必要条件にすぎない。これは十分ではない。高い吸収剤は、放射性においてまたは熱的にそのもとの基底状態に戻すことが可能である。光アブレーションを起こすには、結合の切断すなわち、励起状態（光化学反応）または基底状態（光熱的反応）を介して反応物質から産物への反応が必要である。第２にαの分光測定とアブレーションレジーム間における異なる強度レジームのために、多光子吸収のような非線形現象が、パワー密度と共にエッチングレートの劇的な増加へ（及び恐らくは飽和へ）と導く虞がある。このように、２つの物質は類似のα（すなわち、低い強度において）を有するが、一方の材料で２光子または多光子吸収が始まるので、完全に異なるエッチングレート（高い強度において）となる。例えば、３５５ｎｍにおいて、有機物の芳香族間はまだ励起されていない（２４０−２８０ｎｍで吸収ピーク）。しかし、十分な出力−光子で結合の切断が起こり得る。
・前記プロセスを実際通りに説明することは、（i）大部分の断面及びリラクセーション時間が不明であること、及び（ii）多分子事象（すなわち、切断された結合のエネルギーがマトリックスに消散する様子）、機械的特性、及び熱的特性が同様に重要な場合にアブレーションガ固体で起こることから、困難である。
【誤訳訂正２４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
図２には、ビーム位置決め機構３０が示されている。フレーム３１は、個片化されるターゲット３２を支持する。光路は、
３３：レーザビーム発生源
３４：ビーム光学（エキスパンダ）
３５：固定ミラー
３６：固定ミラー
３７：Ｘ方向に可動なミラー
３８：Ｙ方向に可動なミラー
３９：パッケージの特徴に合わせるためのカメラ、及び
４０：集束レンズ。
【誤訳訂正２５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
切断加工は、入射ビームの経路に沿ってかつ光電検出器へと背面反射される、切断されている材料の表面から反射される光エネルギーを観測することによって、リアルタイムでモニタすることができる。前記材料が完全に切断された場合には、反射面が無くなり、かつ前記検出器における信号がバックグラウンドレベル、理想的にはゼロにまで降下する。前記反射光はＵ．Ｖ．レーザ光とすることができ、その場合にレーザ波長のためのビームスプリッタが使用される。別の実施例では、紫外光（例えば、３５５ｎｍ）に対して透過性を有するミラーを用いて、二次高調波波長（例えば５３２ｎｍ）のような二次波長を反射する。この場合、紫外波長における入力パワーの犠牲はない。
【誤訳訂正２６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
別の可能性は、フィードバック機構が切断過程において発生するプルームの可視−赤外発光である。このプルームが存在しない場合には、切断が行われておらず、材料は切断されてしまっている。前記プルームの存在は、切断が起こっていることの証拠としてとらえることができる。更に、前記プルームの分光内容によって、切断されている材料に関する情報が得られる。
【誤訳訂正２７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
集束させたレーザビームをワーク表面に送るためには、フラットフィールドレンズまたはｚ軸焦点調整を用いることが必要である。回路基板及びチップスケールのパッケージ材料を紫外レーザで除去するのに、ガルバノメータ及びガントリシステム双方が可能である。その選択は、切断加工の正確な要件に依存する。
【誤訳訂正２８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
ガルバノメータを用いた方法での高加速に高い精度が要求される場合には、これはガルバノメータとＸＹステージまたはガントリとを用いた方法の組合せによって提供することができる。例えば、材料をガルバノメータの構成の下側にあるＸＹステージ上に取り付けることができる。高速及び加速は、ガルバノメータの動作を介して小さい面積で高精度に行うことが可能であり、ＸＹステージによって高精度でより低速な動作が可能である。低速な動作の数が少ない場合には、全体として、処理時間への影響は無視し得ることになる。このガルバノメータ／ＸＹステージの組合せによって、精度及び速度を十分に引き出すことが可能になる。
【誤訳訂正２９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５４】
レーザの種類、レーザ出力の仕様、ビーム送出方法、及び切断される材料の全てが、材料を切断する速度、及びその結果である切断の品質に影響を与える。
【誤訳訂正３０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５５】
上述した光学的構成は、切断しようとする表面にレーザビームを送り出す。レンズを用いて、前記ビームを小径で、高強度のスポットに集束させる。前記レーザは、１ｋＨｚより大きいレートで連続的にパルスを発射する。切断は、切断できるようにパルス間のオーバラップが十分であるような速度で材料上をビームでスキャニングする（またはビームの中に材料をスキャニングする）ことによって達成される。切断速度及び品質を最大にするためには、正しいオーバラップ要素を確保しかつ同じ経路に多数のパスを用いて材料を切断することが必要であることが確かめられた。切断加工への研究から、本願発明者は以下のことを確認した。
【誤訳訂正３１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５６】
・レーザ、材料及びスキャニングのパラメータが、最適の切断速度及び品質のために最適化しなければならないパラメータの組を形成する。
・平均出力、繰返し周波数、及びスキャニング速度の関係を用いて、多数のパスを用いることにより平均出力で切断速度の線形スケーリングを確保することが可能である。
・切断品質は、同様にオーバラップによって影響される。
・より高いピークパワー密度が要求される場合に、焦点サイズは小さくまたは大きくすることができ、かつ対応するオーバラップパラメータを調整する（繰返し周波数またはスキャニング速度を調整することによって）することができる。
・エッチングレートまたは切断速度に関する高パワー密度（＞１００ＭＷ／ｃｍ2）のスケーリング法則は、低出力（１ＫＷから１００ＭＷ／ｃｍ2）について観測されるものと異なる。
【誤訳訂正３２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５８】
繰り返し周波数は、毎秒当たりのパルスの数を定義する。
【誤訳訂正３３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５９】
スキャニング速度：材料に関するレーザのスキャニング速度は、一定の繰返し周波数で所定のスポットサイズについて要求される空間的なオーバラップにより定義される。
【誤訳訂正３４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６１】
スポットサイズ：スポットサイズまたはビーム径は、切断面におけるピークパワー密度（Ｗ／ｃｍ2）及びフルエンス（Ｊ／ｃｍ2）を決定する。また、スポットサイズは所望のオーバラップを達成するのに材料に関してレーザをどの速度でスキャニングすべきかを決定する。
【誤訳訂正３５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６２】
【数１】
2003506216.tif 000001
【誤訳訂正３６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６３】
平均出力は、１秒に全パルスにより送られるパルスエネルギである。エネルギｘ繰返し周波数。
【誤訳訂正３７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７５】
一定強度の波で、かつ２光子吸収が起こる波長において、その結果生じる波の強度の減少は次の式によって数学的に表すことができる。
【誤訳訂正３８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８３】
アシストガスを用いて、デブリが確実に材料表面上に再付着しないようにすることが可能である。また、いくつかのガスは、材料の光除去を強化することができ、かつ他のものは好ましくない非清浄な化学過程を抑制することができる。
【誤訳訂正３９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８５】
エネルギー密度は１００Ｊ／ｃｍ2以上にすべきであり、またはピークパワー密度は１．０ＧＷ／ｃｍ2以上にすべきである。
【誤訳訂正４０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８６】
一定のレーザパルスエネルギでは、スキャニング速度及び繰返し周波数によってオーバラップが定義される。スキャニング速度及び繰返し周波数を増やすことにより、前記オーバラップは維持することができ、スキャニングの数は一定に維持されるが、切断に要する時間は、スキャニング速度の増加に従って線形に減少する、すなわち切断速度は線形に減少する。
・一定のパルス繰返し周波数、スキャン速度及びオーバラップ（５％−９５％）では、材料を切断するのに必要なパスの数は、パルスのエネルギが増加するにつれて減少する。最適の切断速度で作動する４Ｗまでの平均出力を有し、かつこれを実現するように設定されたパラメータを有するＵＶ固体レーザについては、一般にこの増加が線形の傾向を示す。標準的な光アブレーションと同様に、非線形吸収及びイオン化の効果が、より高いパワー密度レジーム（１００ＭＷ／ｃｍ2を越える）において起こる。
・従って、切断速度がパルスエネルギへの線形または線形以上の依存性で減少する。上述したＵＶレーザについては、次のことにより、切断を実現するのに必要なスキャニングの数を減らすことができる。
・３Ｗの低出力で切断速度を最適化すること、及び
・変更される唯一のパラメータがパルスエネルギ（例えば１５Ｗの平均出力を与える）であるように平均パワー出力を上向きに拡大すること。
【誤訳訂正４１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８７】
材料によって、スキャンの数を５だけ（１５Ｗ／３Ｗ、線形）、５以上（超線形）または５未満（飽和状態）減らして完全な切断を達成することが可能な場合がある。一般に、チップスケールパッケージ、回路基板及びフレックス回路における材料については、切断速度はパルスエネルギが増加するにつれて線形にまたは「超」線形に増加する。
【誤訳訂正４２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８８】
上述したスケーリングの法則の１例として、厚さ１ｍｍの多層構造を考える。本願発明者は、３Ｗの平均出力で４．２ｍｍ／ｓの切断速度を実現する。これは、５．５ｋＨｚの繰り返し周波数、９５ｎｓのパルス幅、１００ｍｍ／ｓでのスキャニング及び２５ミクロンのスポットサイズで達成される。これには、完全に切断しかつ所望の品質を達成するのに、全部で２４パスが必要である。この例について、対応するエネルギ密度（すなわちフルエンス）及びピークパワー密度は次のように計算することができる。
【誤訳訂正４３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８９】
【数９】
2003506216.tif 000002
2003506216.tif 000003
【誤訳訂正４４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９０】
スキャン速度を３００ｍｍ／ｓに増加し、かつ繰り返し周波数を１６．５ｋＨｚに増加し、かつ同じパルスエネルギを取ると、少なくとも１２．６ｍｍ／ｓの切断速度を実現することが可能である。これには、９Ｗの平均出力を必要とする。これは、ダイオード励起ＵＶ固体レーザの能力の範囲内である。
【誤訳訂正４５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９１】
この繰り返し周波数で出力を更に増加（例えば１８Ｗに）し、かつ他の全てのパラメータを維持した場合には、この速度を２倍にして２５．２ｍｍ／ｓという結果を得ることができる。
【誤訳訂正４６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９２】
上記パラメータの全てを同じに維持すると、パルス幅を減らすことによって更に改善（切断速度が増加）することが可能である。一定のエネルギに対してパルス幅を減らすことは、ピーク出力を増加させる結果となる。非線形のプロセスは、ピーク出力に強く依存し、かつ非線形吸収、イオン化または材料除去の速度に貢献する屈折プロセスがある場合には、パルス幅の減少が材料除去の速度を増加させることになり、その結果切断速度が増加する。また、アブレーションは強いパルス幅依存性を示す。
【誤訳訂正４７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９３】
材料におけるビームエネルギ／パワー密度に影響を与える別のパラメータはビーム径である。材料においてより小さいビームウエストに集束させることは、材料におけるピークパワー密度、平均パワー密度及びエネルギ密度の増加を生じる結果となる。これらは全て材料除去を増加させる結果となる。結局は、しかしながら、切断される領域の「カーフ」即ち幅が物理的に材料の除去を妨げ、材料除去の速度を維持するのに十分なカーフ幅を確保することが必要である。考慮しなければならない第２の要素は、被写界深度である。よりきつく集束させることは被写界深度を小さくすることになる。最後に、位置決めシステムの再現性は、より小さいビームサイズについて重要なものとなる。これらの要素を考慮して、最適のビーム径は８〜７０ミクロンの範囲内にある。
【誤訳訂正４８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９４】
そこで、パラメータ空間は次のように定義される（特に順序はない）。
パルス幅：＜１００ｎｓ
ビームウエスト：＜７０ミクロン
平均出力：＞３Ｗ
繰り返し周波数：＞１ｋＨｚ
パスの数：＞１
波長：＜４００ｎｍオーバラップ（繰り返し周波数及び切断速度に依存）：５％乃至９５％で好ましくは３０％乃至５０％。
１００Ｊ／ｃｍ2以上のエネルギ密度または１．０ＧＷ／ｃｍ2以上のピークパワー密度。
【誤訳訂正４９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９６】
表２：実施例１に関するレーザパラメータ
【表２】
2003506216.tif 000004
【誤訳訂正５０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９７】
５つの代表的なフレックス回路材料について切断パラメータを使用した。サンプルは、はんだマスク、ポリイミド及び接着剤を様々に積層したもので構成されている。
サンプル＃１： ５層の材料を含む。２−ポリイミド、２−接着剤、１−はんだマスク。
サンプル＃１Ａ： このサンプルは、一方の側のヒートボンディング領域の上にはんだマスクが連続していることを除いて、サンプル＃１と同一である。
サンプル＃２： このサンプルは３層の材料を含む。１−ポリイミド、２−はんだマスク。
サンプル＃３： このサンプルは非銅領域（non-copper loaded areas）に５層を含む。３−ポリイミド、２−接着剤。
サンプル＃４： このサンプルは３層の材料を含む。（１−液晶ポリマ、２−はんだマスク）
【誤訳訂正５１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９８】
最適の繰り返し周波数は、繰り返し周波数及びスキャニング速度を変化させ、同様のオーバラップを確保しかつ機械加工を終わらせるのに必要なパスの数を数えることによって確立された。繰り返し周波数は１５ｋＨｚまで調整できるにもかかわらず、最適の機械加工性能は、平均出力がピークに近いときに得られる。この点において、各パルスエネルギーは最大ではないが、全送出エネルギーは可能な最も早い時間で切断が行われるようなものとなる。
【誤訳訂正５２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０２】
次の実施例はレーザビーム出力の要件を示している。
１ｍｍ厚さ多層オーバモールドＢＧＡパッケージ（実施例２を参照）
使用した平均出力＝３Ｗ 
繰返し周波数５．５ｋＨｚ
スポットサイズ２５μｍ（１／ｅ２）
スキャン速度１００ｍｍ／ｓ
切断に要したパスの数＝２４
有効切断速度＝４．２ｍｍ／秒
【誤訳訂正５３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０３】
【数１０】
2003506216.tif 000005
2003506216.tif 000006
【誤訳訂正５４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１１】
上記説明が理解されるように、本発明によって従来技術に対して次のような利点が得られる。
１．速度の改善：
・部品がパネル、ストリップ又はボートにおいて前の工程から直接移される。
・例えば、１ｍｍの厚さを有するパッケージの個片化については、５Ｗレーザで１０００ＵＰＨ（時間当たりのユニット）より大きな速度が達成される。これは出力が大きいほど大きくなる。
・清浄処理が必要ない。
【誤訳訂正５５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電子回路を結合する材料を切断することにより前記複数の電子回路を個片化するための方法であって、
４００ｎｍ未満の波長、及び、１００Ｊ／ｃｍ２以上のエネルギー密度、または、１ＧＷ／ｃｍ２以上のピークパワー密度を有するパルスレーザビームを生成する過程と、
カメラを用いて前記材料の特徴に前記レーザビームを合わせる過程と、
切断が終わるまで前記レーザビームを前記材料に向けて送る過程とからなる方法。
【請求項２】
前記レーザビームを送る過程が、連続パルスが空間的にオーバラップするように前記レーザビームを動かす過程からなり、そのオーバラップが５％乃至９５％の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記オーバラップが３０％乃至５０％の範囲内であることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記レーザビームを送る過程が前記レーザビームを前記材料上に複数のパスで動かす過程からなることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
前記レーザビームを生成する過程が、１ｋＨｚより大きいパルス繰り返し周波数でレーザビームを生成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記レーザビームを生成する過程が、少なくとも切断すべき前記材料の厚さに等しい焦点深度で前記レーザビームを生成する過程からなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記材料が半導体であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
単一の電子回路を個片化することを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記材料が積層材料であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記積層材料が、ＢＴエポキシ、ガラス繊維、銅、金、ポリイミド、接着剤、オーバーモールド材料、アンダーフィル、導体、誘電体、硬化剤、安定剤、プロテクタまたは他の電子パッケージに使用される材料から選択される２つまたはそれ以上の層を含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記積層材料の個々の前記層が、異なるアブレーション及びイオン化閾値、異なるアブレーション及びイオン化速度、並びに異なる非線形吸収及び非イオン化係数を有することを特徴とする請求項９又は１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記レーザを生成する過程が、切断されている前記材料から光学的フィードバックを得て、前記フィードバックに従って前記レーザビームのパラメータを変化させる、さらなる過程からなることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記光学的フィードバックを得る過程が、前記材料が完全に切断されたときを決定するべく、切断されている前記材料の表面から光が反射されるかどうかを検出する過程からなることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記光学的フィードバックを得る過程が、前記切断処理によって発生するプルームからの発光を検出する過程からなることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記光学的フィードバックを得る過程が、前記プルームの分光内容を決定して、切断されている前記材料の情報を提供する過程からなることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記レーザビームのパラメータを変化させる過程が、連続するパス間でパラメータを変化させる過程からなることを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
前記レーザビームのパラメータを変化させる過程が、或るパスにおいて連続するパルス間でパラメータを変化させる過程からなることを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
前記レーザビームが、特定の繰り返し周波数でピークとなる特定の平均出力を有する固体レーザから生成されることを特徴とする請求項１乃至１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
前記レーザビームは、繰り返し周波数が特定の値から増加または減少するにつれて平均出力が低下し、
かつ、
前記特定の値以外で個々のパルスエネルギーは増加するが、他のレーザ切断パラメータにより前記特定の値で最大切断速度が達成される
ように制御されることを特徴とする請求項１乃至１８のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】
前記レーザビームの平均出力が３Ｗより大きく、パルス幅が１００ナノ秒未満、連続パルスの空間的オーバラップが１０−７０％かつビーム径が１／ｅ2点の空間的強度プロフィルにおいて７０ミクロン未満であることを特徴とする請求項１乃至１９のいずれかに記載の方法。
【請求項２１】
前記レーザビームが、９００乃至１６００ｎｍ波長範囲内の基本発光を有し、かつレーザキャビティ内またはレーザキャビティ外に適当な結晶を配置することにより得られるこの波長の１／２、１／３、１／４、１／５次の第２、第３、第４または第５次高調波生成を有するダイオードレーザ励起利得媒体デバイスにより生成されることを特徴とする請求項１乃至２０のいずれかに記載の方法。
【請求項２２】
前記レーザデバイスが、Ｎｄ：ＹＡＧ、ＮＤ：ＹＬＦ、Ｎｄ：ＹＶＯ４または要求される範囲内で耐久性を有しかつ４００ｎｍ未満の動作波長への高調波生成を有する他の組合せの不純物：母体利得媒体からなることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記レーザビームは、１または複数のスキャニングガルバノメータに取り付けられた１つまたは複数のミラーを用いて、切断すべき前記材料のワーク表面に送られ、
所要のスポットサイズは、前記ガルバノメータのミラーより前段のオンアクシス（ｏｎ−ａｘｉｓ）レンズの位置調整によって、及び、前記ガルバノメータのミラーより後段のフラットフィールドレンズからなるレンズによって、又は、これらのレンズの組み合わせを利用することによって達成されることを特徴とする請求項１乃至２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２４】
前記レーザビームが、１つまたは複数の平行移動ステージに取り付けられた１つまたは複数のミラーを用いて送られ、
焦点合わせは、テレスコープ、または、移動ミラーより前段に設けられ、光軸に沿った位置調整が可能なオンアクシス（ｏｎ−ａｘｉｓ）レンズ、または、サンプル表面より前段に設けられ、ビーム伝送ミラーと協働するレンズを用いることによって達成されることを特徴とする請求項１乃至２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２５】
アシストガスを用いて切断過程を補助し、デブリが材料表面に付着するのを防止し、かつ、前記デブリが連続レーザ光パルスの散乱または吸収を生じないように、切断過程中で生成される材料を除去することを特徴とする請求項１乃至２４のいずれかに記載の方法。
【請求項２６】
前記アシストガスを用いて不活性雰囲気を提供し、切断時に好ましくない特定の光化学及び光物理的反応の形成が起こるのを防止することを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
真空吸引過程を用いて、切断面で生成されるヒューム及び固体残渣を取り出すことを特徴とする請求項１乃至２６のいずれかに記載の方法。
【請求項２８】
前記レーザビームの前記材料の特徴又は基準に関して位置合わせする過程が、それに沿って切断がおこる座標を提供するイメージ処理手段及びセンサを用いる過程からなり、かつビーム位置決め機構が、所望の切断経路に前記レーザビームが確実に追従するように制御されることを特徴とする請求項１乃至２７のいずれかに記載の方法。
【請求項２９】
材料により相互結合された複数の電子回路を支持するための手段と、
４００ｎｍ未満の波長、及び、１００Ｊ／ｃｍ２以上のエネルギー密度または１ＧＷ／ｃｍ２以上のピークパワー密度を有するレーザビームを生成するための手段からなるレーザビーム源と、
前記材料にレーザビームを向けるためおよび前記レーザビームを切断線に沿って向け、前記複数の電子回路の少なくとも１つを個片化するための手段からなるビーム位置決め機構と、を備える回路個片化システム。
【請求項３０】
前記ビーム位置決めシステムが、少なくともそのいくつかが前記レーザビームを向けるために可動である一連のミラーと集束レンズとからなることを特徴とする請求項２９に記載の回路個片化システム。
【請求項３１】
前記ミラーが直線的に可動であることを特徴とする請求項３０に記載の回路個片化システム。
【請求項３２】
前記ミラーが回転可能であることを特徴とする請求項３０に記載の回路個片化システム。