【事件の表示】
　平成　６年特許願第２９７９３０号「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　５月３１日出願公開、特開平　８−１３９０７８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成６年１１月７日の出願であって、平成１４年７月５日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月１５日（受付日）に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに同年９月９日（受付日）で手続補正がなされ、平成１５年１１月１７日付の当審からの拒絶理由に対して、平成１６年１月２２日（受付日）に意見書が提出されたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、平成１４年９月９日（受付日）に提出された手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載される以下のとおりのものである。
「【請求項１】半導体基板上に絶縁膜を介して導電膜を形成する工程と、
　前記導電膜上に反射防止膜を形成する工程と、
　前記反射防止膜上にレジストを塗布して露光現像する工程と、
　現像されたレジストをマスクとして前記導電膜をアッシャー一体型ドライエッチング装置の第１チャンバ内でエッチングしてパターン形成する工程と、
　前記ドライエッチング装置の第２チャンバに基板を移して前記レジストをアッシング除去した後、同じ第２チャンバ内で導入ガスを変更して前記反射防止膜をエッチング除去する工程とを有し、
　前記反射防止膜は、酸素を含む金属窒化物膜であり、前記第２チャンバ内で反射防止膜をエッチング除去する工程は、Ｏ２ガスにＣＨＦ３ガスを添加して行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。」（以下、「本願発明」という。）
　
３．引用刊行物とその記載事項
　当審から通知した平成１５年１１月１７日付け拒絶理由で引用した本願出願前に頒布された刊行物である特開平４−１８８７２４号公報（「引用例１」という。）及び特開平５−１２９２５０号公報（「引用例２」という。）には、以下の事項が記載されている。
引用例１；
「ガスをプラズマ化しエッチングを行うドライエッチング装置に於て
ａ）ウエハー上に形成された少なくともアルミニウム合金を含む配線層及び配線層上に形成された反射防止膜を塩素もしくは塩素化合物もしくはそれらの混合ガスでドライエッチングする工程と
ｂ）エッチング後、少なくとも酸素を含むガスでレジストを除去する工程と
ｃ）レジスト除去後、フッ素系ガスにより反射防止膜を除去する工程と
ｄ）反射防止膜除去後、少なくともＣｘＨｙもしくはＣｘＨｙＯＨｚを含むガスでプラズマを発生させる工程
　以上の工程を真空中で連続して行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。」（第１頁左下欄）、
「第１図は本実施例で用いたドライエッチング装置の概略図である。
　本実施例ではアルミニウム合金として８０００Åの膜厚のアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）、反射防止膜として４００Åの膜厚の窒化チタン（ＴｉＮ）を用いたものを示す。（第２図ａ）・・中略・・第１図に示す装置にＣｌ２及びＢＣｌ３ガスをそれぞれ９０及び６０（ＳＣＣＭ）導入し、・・中略・・（第２図ｂ）ついでウエハーをエッチング室と別室のアッシング室に搬送し、酸素２００（ＳＣＣＭ）・・中略・・の条件で１００秒アッシングを行いレジストを除去した。（第２図ｃ）その後ガスをＣＦ４に切り替えエッチングを行う。・・中略・・この処理によって不要になった反射防止膜（ＴｉＮ）を除去する。・・中略・・本実施例ではアルミニウム合金にＡｌ−Ｓｉ、反射防止膜にＴｉＮを用いたがこれに限るものではなく・・中略・・又、同様に使用するガスもこれに限るものではなく他の物でも同様な効果がある。」（第２頁左下欄１行〜第３頁左上欄１３行、第１図、第２図ａ〜ｄ）
　
引用例２；
「【０００５】従来の半導体装置の製造方法におけるアルミニウムクラウンの発生という問題を図６を参照して説明する。シリコン基板１００上に二酸化シリコン（以下、ＳｉＯ２と略す）から成る絶縁層１０２を形成し、その上にアルミニウム系金属配線１０４を形成する。この金属配線１０４は、チタンオキシナイトライドをバリアメタルとしたバリアメタル構造を有し、チタン（以下、Ｔｉと略す）層、ＴｉＯＮ層、及びＳｉを含有するアルミニウム（以下、Ａｌ−Ｓｉと略す）層から成る。
【０００６】この金属配線１０４の表面に、例えば厚さ２５μｍのＴｉＯＮから成る反射防止膜１０６を形成する。金属配線１０４及び反射防止膜１０６は、バリアメタル構造を有する金属配線層及び反射防止膜層をフォトリソグラフィ法によってパターニングし、次いでエッチングすることによって形成することができる。
【０００７】次に、絶縁層１０２及び反射防止膜１０６の上に、例えばＰＳＧから成る層間絶縁膜１０８を堆積させる。そして、その上に開孔部１１２が設けられたレジスト１１０を形成する（図６の（Ａ）参照）。レジスト１１０の開孔部１１２は、金属配線１０４に対する電気的接続を行うための接続孔を後の工程で形成するために設けられている。開孔部１１２はフォトリソグラフィ法にて形成することができる。
【０００８】次いで、リアクティブ・イオン・エッチング（以下、ＲＩＥと略す）装置を使用して、例えば、Ｏ２／ＣＨＦ３＝８／７５SCCM、５０mtorr、１３５０Ｗの条件にて層間絶縁膜１０８のエッチングを行い接続孔１１４を形成し更に反射防止膜１０６のエッチングを行う（図６の（Ｂ）参照）。
【０００９】このエッチング条件においては、ＰＳＧから成る層間絶縁膜１０８のエッチングレートは５０ｎｍ／分程度であるのに対して、ＴｉＯＮから成る反射防止膜１０６のエッチングレートは１０ｎｍ／分程度である。・・中略・・しかしながら、反射防止膜において、既にエッチングされた部分がオーバーエッチングされると、下地であるＡｌ−Ｓｉ層がスパッタされ、Ａｌ−Ｓｉが接続孔１１４の側壁１１４Ａやレジスト１１０の開孔部１１２の側壁に付着するという問題が生じる。この接続孔の側壁やレジストの開孔部の側壁に付着したＡｌ−Ｓｉをアルミニウムクラウンという。
【００１０】アルミニウムクラウンが発生すると、金属配線１０４と上層の配線層（図６には図示せず）とを電気的に接続するために配線材料で接続孔１１４を埋め込む際、かかる配線材料が接続孔１１４の側壁１１４Ａにも堆積し、接続孔を側壁１１４Ａから埋める結果となる。それ故、金属配線１０４と上層の配線層と間の電気的接続に不良が生じる。」（第２頁第２欄１行〜第３頁第３欄１行、図６（Ａ）〜（Ｃ））
　
４．対比・判断
　引用例１の記載事項からみて、引用例１には、
「半導体基板上に絶縁膜を介して導電膜を形成する工程と、前記導電膜上に反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜上にレジストを塗布して露光現像する工程と、現像されたレジストをマスクとして前記導電膜をアッシャー一体型ドライエッチング装置の第１チャンバ内でエッチングしてパターン形成する工程と、前記ドライエッチング装置の第２チャンバに基板を移して前記レジストをアッシング除去した後、同じ第２チャンバ内で導入ガスをフッ素系ガスに切り換えて前記反射防止膜をエッチング除去する工程とを有する半導体装置の製造方法。」（以下、「引用発明」という。）が開示されているものと認められる。
　本願発明と引用発明とを対比すると、「半導体基板上に絶縁膜を介して導電膜を形成する工程と、前記導電膜上に反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜上にレジストを塗布して露光現像する工程と、現像されたレジストをマスクとして前記導電膜をアッシャー一体型ドライエッチング装置の第１チャンバ内でエッチングしてパターン形成する工程と、前記ドライエッチング装置の第２チャンバに基板を移して前記レジストをアッシング除去した後、同じ第２チャンバ内で導入ガスを変更して前記反射防止膜をエッチング除去する工程とを有する半導体装置の製造方法。」で両者は一致する。
　しかし、両者は、以下の点で相違する。
　相違点１；本願発明では、反射防止膜が「酸素を含む金属窒化物膜」であるのに対して、引用発明では反射防止膜が特定されていない点。
　相違点２；本願発明では、反射防止膜のエッチング除去を、「Ｏ2ガスにＣＨＦ3ガスを添加して行う」としているのに対して、引用発明では、「フッ素系ガスに切り換えて行う」としている点。
　
　そこで、上記相違点１、２について検討する。
（１）相違点１について
　引用例２には、金属配線が形成された半導体装置の製造に当たり、金属配線の表面に反射防止膜としてＴｉＯＮ膜を設けることが記載されており、そして、ＴｉＯＮ膜が、「酸素を含む金属窒化物膜」に該当することは明らかであるところ、引用例１の「本実施例では・・・反射防止膜にＴｉＮを用いたがこれに限るものではなく」との記載からみれば、引用発明では、反射防止膜を、特定のものに限るとしているわけではない。
　そうであれば、引用発明において、反射防止膜として、「酸素を含む金属窒化物膜」であるＴｉＯＮ膜を用いることは、引用例２の記載から当業者が容易に想到し得ることと認める。
（２）相違点２について
　引用例２の「金属配線上に形成した反射防止膜ＴｉＯＮを、ＲＩＥ装置を使用して、Ｏ2／ＣＨＦ3＝８／７５SCCMの条件でエッチングすると、エッチングレートは１０ｎｍ／分程度である」旨の記載によれば、反射防止膜ＴｉＯＮは、Ｏ2ガスとＣＨＦ3ガスの混合ガスであるフッ素系ガスによって、エッチングレート１０ｎｍ／分程度でエッチング除去できることは明らかである。
　そうすると、反射防止膜をフッ素系ガスでエッチング除去する引用発明において、反射防止膜として「酸素を含む金属窒化物膜」であるＴｉＯＮ膜を設けた際（なお、引用発明における反射防止膜として、「酸素を含む金属窒化物膜」であるＴｉＯＮ膜を設けることが容易であることは、前記（１）で既に述べたとおり。）に、この反射防止膜を除去するフッ素系ガスとして、Ｏ2ガスとＣＨＦ3ガスの混合ガスを採用すること、即ち、反射防止膜のエッチング除去を、「Ｏ2ガスにＣＨＦ3ガスを添加して行う」ことは、引用例２の開示から当業者が容易に想到し得ることと認められる。
　
　なお、請求人は、平成１６年１月２２日（受付日）の意見書において、「引用例２は、導電膜上に形成された、酸素を含む金属窒化物膜からなる反射防止膜をエッチング除去する工程を一応開示している点で本願発明と共通するものの、反射防止膜を付された金属配線に達する接続孔を層間絶縁膜に形成する工程である点で本願発明と異なる結果、反射防止膜のエッチング除去の際における酸素とフッ素系ガスの混合ガスの使用を否定しているものである。この事実は、引用例１における「フッ素系ガスに切換えて」との構成を、「酸素とフッ素系ガスの混合ガスに切換えて」と置き換えることの障害となるものであり、この意味で、引用例２は、引用例１と本願発明との間の上記相違点２を埋めるものとはなり得ない。」旨主張する。
　そこで検討するに、引用例２には、Ｏ２／ＣＨＦ３＝８／７５SCCMの条件で層間絶縁膜１０８のエッチングを行い接続孔１１４を形成し更に反射防止膜１０６のエッチングを行うと、アルミニウムクラウンの発生による接続不良が生じる旨の記載はあるが、この記載は、層間絶縁膜１０８のエッチングを行い接続孔１１４を形成し更に反射防止膜１０６のエッチングを行うという特定の形態の半導体装置の製造においては、Ｏ2ガスとＣＨＦ3ガスの混合ガスでエッチングした際、アルミニウムクラウンの発生等の問題が生じるのでその使用は不適であることを述べているにすぎず、Ｏ2ガスとＣＨＦ3ガスの混合ガスでは、反射防止膜をエッチングすること自体が不可能であるということを述べているわけではない。
　ところで、引用発明は、層間絶縁膜１０８のエッチングを行い接続孔１１４を形成し更に反射防止膜１０６のエッチングを行うというものではないのであるから、Ｏ2ガスとＣＨＦ3ガスの混合ガスで反射防止膜のエッチングを行ったとしても、引用例２に記載されたような問題点を生じる恐れがないことは明らかである。
　そうであれば、引用発明におけるフッ素系ガスとして、引用例２に記載されたＯ2ガスとＣＨＦ3ガスの混合ガスを用いることに特段の技術上の障害（阻害要因）があるとはいえないから、相違点２は、引用例２の開示から当業者が容易に想到し得ることといわざるを得ない。
　よって、相違点２に関する請求人の前記主張は採用しない。
　
　相違点１、２については上記（１）、（２）のとおりであり、そして、本願発明により奏される効果も、引用例１、２の記載から当業者が当然に予想し得る程度のものであって、格別顕著なものではない。
　したがって、本願発明は、引用例１、２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。