(57)【要約】【課題】　高光学純度の光学活性１−ハロゲノ−２−ヒドロキシプロピル化合物または高光学純度の光学活性グリシジル化合物を高収率で製造すること。【解決手段】　光学活性エピハロヒドリンに、下記式【化１】2004075683.tif 000022（式中、ｎは、０、１または２を意味し、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3およびＺ4は、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、置換もしくは無置換のアルキル基などを意味し、Ａは対イオンを意味し、Ｍは金属イオンを意味する。）で表される金属錯体触媒下、水、フェノールなどの求核剤を反応させて、光学活性１−ハロゲノ−２−ヒドロキシプロピル化合物を位置選択的に製造し、続いて、塩基性試剤を作用させて光学活性グリシジル化合物を製造する方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
　下記式（１）
【化１】
2004075683.tif 000011
（式中、Ｘはハロゲン原子を意味する。）
で表される光学活性エピハロヒドリンに、下記式（２）
【化２】
2004075683.tif 000012
（式中、ｎは０、１または２の整数を意味し、Ｙ1、Ｙ2およびＹ3は、同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、アシル基、またはアルコキシカルボニル基を意味し、また、Ｙ1とＹ2、あるいはＹ2とＹ3は、互いに一緒になり、それらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、Ａは対イオンを意味し、そしてＭは金属イオンを意味する。）
で表される金属錯体触媒存在下、下記式（３）
【化３】
2004075683.tif 000013
（式中、Ｎｕは置換基を有するヘテロ原子を意味し、そしてＱは水素原子または置換基を有するケイ素原子を意味する。）
で表される求核剤を反応させて、下記式（４）
【化４】
2004075683.tif 000014
（式中、ＸおよびＮｕは前掲と同じものを意味する。）
で表される光学活性１−ハロゲノ−２−ヒドロキシプロピル化合物を位置選択的に製造する方法。
【請求項２】
　下記式（１）
【化５】
2004075683.tif 000015
（式中、Ｘは、前掲と同じものを意味する。）
で表される光学活性エピハロヒドリンに、下記式（２）
【化６】
2004075683.tif 000016
（式中、ｎ、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、ＡおよびＭは、前掲と同じものを意味する。）
で表される金属錯体触媒下、下記式（３）
【化７】
2004075683.tif 000017
（式中、ＮｕおよびＱは前掲と同じものを意味する。）
で表される求核剤を反応させ、下記式（４）
【化８】
2004075683.tif 000018
（式中、ＸおよびＮｕは前掲と同じものを意味する。）
で表される光学活性１−ハロゲノ−２−ヒドロキシプロピル化合物を位置選択的に製造し、続いで塩基性試剤を作用させ、下記式（５）
【化９】
2004075683.tif 000019
（式中、Ｎｕは、前掲と同じものを意味する。）
で表される光学活性グリシジル化合物を製造する方法。
【請求項３】
　Ｘで示されるハロゲン原子が、塩素原子または臭素原子である請求項１または２に記載の製造法。
【請求項４】
　式（２）で示される金属錯体触媒が、下記式（６）で示されるものである請求項１〜３のいずれかに記載の製造法。
【化１０】
2004075683.tif 000020
（式中、ｎは０、１または２の整数を意味し、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3およびＺ4は、同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、置換もしくは無置換の直鎖アルキル基、置換もしくは無置換のアラルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のアルキルオキシ基、置換もしくは無置換のアラルキルオキシ基、または置換もしくは無置換のアリールオキシ基を意味し、また、Ｚ1とＺ2、Ｚ2とＺ3、あるいはＺ3とＺ4は、互いに一緒になり、それらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、Ａは対イオンを意味し、そしてＭは金属イオンを意味する。）
【請求項５】
　式（３）で示される求核剤が、下記式（７）で示されるものである請求項１〜４のいずれかに記載の製造法。
【化１１】
2004075683.tif 000021
（式中、Ｒは、水素原子、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、直鎖、分岐もしくは環状のアルキルカルボニル基、置換もしくは無置換のアラルキル基、置換もしくは無置換のアラルキルカルボニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換のアリールカルボニル基を意味する。）
【請求項６】
　式（２）または（６）で示される金属錯体触媒において、金属イオンＭがバナジウムイオン、クロムイオン、マンガンイオン、鉄イオン、コバルトイオン、ニッケルイオン、モリブデンイオン、ルテニウムイオンまたはタングステンイオンである請求項１〜５のいずれかに記載の製造法。
【請求項７】
　式（２）または（６）で示される金属錯体触媒において、対イオンＡがアセテート、ｎ−ブチレート、（±）−カンファースルホネート、メタンスルホネート、ｐ−トルエンスルホネートまたはトリフルオロメタンスルホネートである請求項１〜６のいずれかに記載の製造法。
【請求項８】
　光学活性エピハロヒドリン（１）を光学活性１−ハロゲノ−２−ヒドロキシプロピル化合物（４）へ誘導する反応において、エーテル系溶媒中で反応させることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の製造法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は医薬、農薬等の合成中間体として有用な光学活性１−ハロゲノ−２−ヒドロキシプロピル化合物および光学活性グリシジル化合物の製造法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　エピハロヒドリンから１−ハロゲノ−２−ヒドロキシプロピル化合物を経てグリシジル化合物へ導くことを基盤とする製造法は、古くから様々に報告されている。
　しかしながら、その殆どは、ラセミ体のエピハロヒドリンをラセミ体のグリシジル化合物に導く方法に関するものであり、光学活性体のエピハロヒドリンを光学活性体のグリシジル化合物に導く方法に関する報告例は数少ない。その理由の一つとしては、エピハロヒドリン上の活性位である１位のハロゲノメチレン位と３位のエポキシ環末端位に顕著な活性の差がなく、扱いにくいことが挙げられる。
【０００３】
　つまり、下記反応式に示すように、求核種との反応において理論上ではａ経路による求核反応が優先し、［I］または［II］を選択的に与えるとされているが、実際、この選択性は完全でなく、ｂ経路による反応を経て［III］を副生し、結果として目的生成物［II］の光学純度が低下する。
【０００４】
　　　　　　　　　　　反応式
【化１】
2004075683.tif 000002
（上記式において、Ｘ'はハロゲン原子、Ｎｕ’は求核種の残基である。）
　上記の問題を克服するための手法も幾つか検討されており、例えば、（i）光学活性エピハロヒドリンと４−カルバモイルメチルフェノールとを含水溶媒中、水酸化アルカリおよび第４級アンモニウム塩存在下で反応させる方法（特許文献１参照）、（ii）光学活性エピハロヒドリンとベンジルアルコールとを三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体存在下で反応させる方法（特許文献１参照）などが挙げられるが、いずれも原料であるエピハロヒドリンに比べて生成物であるグリシジル化合物の光学純度が１〜２％程度低下しており、依然、改良の余地が残されている。
　また、光学活性エピクロロヒドリンと水とを光学活性コバルト（III）錯体存在下で反応させた後、炭酸カリウムで処理する方法（特許文献２参照）によれば、光学活性グリシドールを高光学純度で得ることができるが、この方法により反応を行なうには、原料であるエピクロロヒドリンの立体異性体ごとに特定の立体配置をもつ高価な光学活性コバルト（III）錯体触媒を調製して使用しなければならず、煩雑であるのみならず、非経済的である。
【０００５】
【特許文献１】特公平６−３７４８２号公報
【非特許文献１】Heterocycles，31, 1715 (1990)
【非特許文献２】J. Am. Chem. Soc. 124, 1307 (2002)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
　本発明は、従来技術の上記問題点に鑑み、光学活性エピハロヒドリンから、その光学純度を損なうことがなく、かつ高収率で光学活性１−ハロゲノ−２−ヒドロキシプロピル化合物および光学活性グリシジル化合物を製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
　本発明者らは上記の問題点を解決すべく種々検討を重ねた結果、後記式で示されるノンキラルな金属錯体触媒（２）を用いることによって、高収率かつ高光学純度で光学活性１−ハロゲノ−２−ヒドロキシプロピル化合物および光学活性グリシジル化合物を製造する新たな方法を見出し本発明を完成するに至った。
　本発明はすなわち、下記式（１）
【化２】
2004075683.tif 000003
（式中、Ｘはハロゲン原子を意味する。）
で表される光学活性エピハロヒドリンに、下記式（２）
【化３】
2004075683.tif 000004
（式中、ｎは０、１または２の整数を意味し、Ｙ1、Ｙ2およびＹ3は、同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、アシル基、またはアルコキシカルボニル基を意味し、また、Ｙ1とＹ2、あるいはＹ2とＹ3は、互いに一緒になり、それらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、Ａは対イオンを意味し、そしてＭは金属イオンを意味する。）
で表される金属錯体触媒存在下、下記式（３）
【化４】
2004075683.tif 000005
（式中、Ｎｕは置換基を有するヘテロ原子を意味し、そしてＱは水素原子または置換基を有するケイ素原子を意味する。）
で表される求核剤を反応させて、下記式（４）
【化５】
2004075683.tif 000006
（式中、ＸおよびＮｕは前掲と同じものを意味する。）
で表される光学活性１−ハロゲノ−２−ヒドロキシプロピル化合物を位置選択的に製造する方法、並びに、続いて該化合物に塩基性試剤を作用させて下記式（５）
【化６】
2004075683.tif 000007
（式中、Ｎｕは前掲と同じものを意味する。）
で表される光学活性グリシジル化合物を製造する方法を含む、光学活性１−ハロゲノ−２−ヒドロキシプロピル化合物および光学活性グリシジル化合物の製造法に関する。
【発明の効果】
【０００８】
　本発明を実施することにより、原料である光学活性エピハロヒドリンの光学純度を保持しつつ高収率で、光学活性１−ハロゲノ−２−ヒドロキシプロピル化合物または光学活性グリシジル化合物を製造することができる。
【発明を実施するための好ましい形態】
【０００９】
　以下、本発明を更に詳細に説明する。
　まず、光学活性エピハロヒドリン（１）に、金属錯体触媒（２）存在下、求核剤（３）を反応させて、光学活性１−ハロゲノ−２−ヒドロキシプロピル化合物（４）を得る工程について以下に説明する。
【００１０】
　式（１）において、Ｘが、塩素原子または臭素原子である光学活性エピハロヒドリンが好ましく用いられる。
　式（２）の金属錯体触媒において、Ｙ１が水素原子であり、Ｙ２およびＹ３が、互いに一緒になり、それらが結合する炭素原子と共に、例えば置換基を有していてもよいベンゼン環、シクロヘキセン環などの環を形成する該金属錯体触媒が好ましく、そして特に好ましい金属錯体触媒は、下記式（６）で示される。
【００１１】
【化７】
2004075683.tif 000008
（式中、ｎは０、１または２の整数を意味し、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3およびＺ4は、同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、直鎖、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアラルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のアルキルオキシ基、置換もしくは無置換のアラルキルオキシ基、または置換もしくは無置換のアリールオキシ基を意味し、また、Ｚ1とＺ2、Ｚ2とＺ3、あるいはＺ3とＺ4は、互いに一緒になり、それらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、Ａは対イオンを意味し、そしてＭは金属イオンを意味する。）
【００１２】
　上記式（６）において、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3およびＺ4は、例えば、水素原子、フッ素原子、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子、ニトロ基、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、２，２−ジメチルプロピル、ｎ−ブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、ｎ−へプチル、ｎ−ヘキシルなどの炭素数１〜６の直鎖もしくは分岐アルキル基、シクロペンチル、シクロヘキシルなどの炭素数３〜７の環状アルキル基、トリフルオロメチル、パーフルオロ−tert−ブチルなどの置換アルキル基、ベンジル、４−メチルベンジル、クメニルなどの置換もしくは無置換のアラルキル基、フェニル、４−メチルフェニル、１−ナフチル、２−ナフチルなどの置換もしくは無置換のアリール基、メトキシ、エトキシ、tert−ブトキシ、トリフルオロメトキシ、パーフルオロ−tert−ブトキシなどの置換もしくは無置換のアルキルオキシ基、ベンジルオキシ、４−メチルベンジルオキシなどの置換もしくは無置換のアラルキルオキシ基、フェノキシ、４−メチルフェノキシなどの置換もしくは無置換のアリールオキシ基が挙げられる。また、Ｚ1とＺ2、Ｚ2とＺ3、あるいはＺ3とＺ4は、互いに一緒になり、それらが結合する炭素原子と共に、例えば、ベンゼン環、シクロヘキセン環などの環を形成してもよい。また、該環は置換基を有していてもよい。
　Ｚ１〜Ｚ４における好ましい基は、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｚ4がいずれも水素原子、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3が水素原子であり、そしてＺ4がtert−ブチル基、あるいはＺ1およびＺ3が水素原子であり、そしてＺ2およびＺ4がtert−ブチル基である。
　また、該金属錯体触媒を、ポリマー、シリカゲル、アルミナ、ゼオライトなどの不溶性担体に、エーテル結合やメチレン鎖を介して固定化して用いることも好ましい例の１つである。
【００１３】
　式（２）または式（６）の金属錯体触媒においてＡで示される対イオンとしては、例えば、ナイトレート、フルオリド、クロライド、ブロマイドなどのハロゲン原子、ペンタフルオロ−tert−ブトキシドなどの置換アルコキシド、ペンタフルオロフェノキシド、２，４，６−トリニトロフェノキシドなどの置換アリールオキシド、アセテート、ｎ−ブチレート、トリフルオロアセテート、トリクロロアセテートなどの置換もしくは無置換のアルキルカルボネート、フェニルアセテート、４−ニトロフェニルアセテート、３，５−ジフルオロフェニルアセテートなどの置換もしくは無置換のアラルキルカルボネート、ベンゾエート、ペンタフルオロベンゾエート、２，４−ジニトロベンゾエートなどの置換もしくは無置換のアリールカルボネート、メタンスルホネート、トリフルオロメタンスルホネート、（±）−カンファースルホネートなどの置換もしくは無置換のアルキルスルホネート、ベンゼンスルホネート、ｐ−トルエンスルホネート、３−ニトロベンゼンスルホネートなどの置換もしくは無置換のアリールスルホネートが挙げられる。好ましい対イオンは、アセテート、ｎ−ブチレート、（±）−カンファースルホネート、メタンスルホネート、ｐ−トルエンスルホネート、およびトリフルオロメタンスルホネートである。
【００１４】
　式（２）または式（６）の金属錯体触媒において、Ｍで示される金属イオンは、特に限定されるものではなく、例えば、アルミニウムイオン、チタンイオン、バナジウムイオン、クロムイオン、マンガンイオン、鉄イオン、コバルトイオン、ニッケルイオン、銅イオン、亜鉛イオン、モリブデンイオン、ルテニウムイオン、ロジウムイオン、タングステンイオンなどが挙げられ、好ましくはバナジウムイオン、クロムイオン、マンガンイオン、鉄イオン、コバルトイオン、ニッケルイオン、モリブデンイオン、ルテニウムイオン、またはタングステンイオンである。また、各々の金属イオンは、（II）〜（IV）のいずれかの酸化状態に相当する。特に好ましくはクロムイオン（III）、コバルトイオン（III）である。
【００１５】
　なお、例えば、コバルト（III）錯体は、下記式（８）
【化８】
2004075683.tif 000009
（式中、ｎ、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3およびＺ4は、式（６）と同じものを意味する。）
で表されるコバルト（II）錯体を、前掲のＡで示される電子吸引性置換基に水素原子が結合したものに相当する酸試剤の存在下、適当な溶媒中、室温で空気酸化することにより容易に調製することができる。
　この際、酸試剤の使用量はコバルト（II）錯体に対して１〜１０当量、好ましくは１〜２当量である。また、コバルト（II）錯体は、公知の反応、すなわち、アルキルジアミン類１当量とサリチルアルデヒド類２当量とをカップリングして得られるサレン配位子と酢酸コバルト（II）四水和物とを混合する錯体形成反応から容易に調製することができる。
　その他の本発明に用いられる金属錯体は、公知の方法で容易に調製することができる。
　本発明における金属錯体触媒の使用量は、光学活性エピハロヒドリンに対して０．１〜１０モル％、好ましくは１〜５モル％である。また、コバルト（III）錯体については、前掲した方法にてコバルト（II）錯体から空気酸化した後、その溶液を精製せずにそのまま反応に用いることもできる。さらに、金属錯体触媒の単独使用で本反応を進行させることが充分に可能であるが、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン、トリイソブチルアミン等の嵩高い３級アミンを０．１〜１００モル％量添加すると反応が促進される。
【００１６】
　式（３）の求核剤においてＮｕで示される置換基は、置換基を有するヘテロ原子ならば、特に限定されることはなく、例えば、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、窒素原子、リン原子、または砒素原子などのヘテロ原子に、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアラルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のアルキルカルボニル基、置換もしくは無置換のアラルキルカルボニル基、置換もしくは無置換のアリールカルボニル基などが置換したものが挙げられる。また、Ｑで示される置換基としては、水素原子、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリイソプロピルシリルなどの直鎖もしくは分岐のアルキルシリル基が挙げられる。
【００１７】
　好ましい求核剤は、下記式（７）で示される。
【化９】
2004075683.tif 000010
（式中、Ｒは、水素原子、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、直鎖、分岐もしくは環状のアルキルカルボニル基、置換もしくは無置換のアラルキル基、置換もしくは無置換のアラルキルカルボニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換のアリールカルボニル基を意味する。）
　Ｒで示される基の具体例としては、例えば、水素原子、メチル、エチル、イソプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどの直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、ベンジル、３−ブロモベンジル、４−メトキシベンジルなどの置換もしくは無置換のアラルキル基、フェニル、トリル、４−フルオロフェニル、２−アリルオキシフェニルなどの置換もしくは無置換のアリール基、アセチル、プロピオニル、ブチリル、ピバロイルなどの直鎖もしくは分岐のアルキルカルボニル基、フェニルアセチル、２−ブロモフェニルアセチルなどの置換もしくは無置換のアラルキルカルボニル基、ベンゾイル、２，４，６−トリメチルベンゾイル、４−フェニルベンゾイルなどの置換もしくは無置換のアリールカルボニル基が挙げられる。
　求核剤の使用量は、光学活性エピハロヒドリン（１）に対して０．５〜２．０当量、好ましくは０．８〜１．２当量である。
【００１８】
　本反応を行う際に使用される溶媒としては、ジエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、tert−ブチルメチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテルなどのエーテル系溶媒、クロロホルム、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエンなどの炭化水素系溶剤、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル系溶媒、アセトン、２−ブタノンなどのケトン系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトニトリルなどの非プロトン性極性溶媒、またはこれらの混合溶媒などが挙げられ、好ましくはテトラヒドロフラン、tert−ブチルメチルエーテルなどのエーテル系溶媒である。これらの溶媒の使用量は特に制限はない。また、本反応は無溶媒でも行うことが可能である。
【００１９】
　本反応は、−８０℃〜溶媒の還流温度の範囲で行なわれ、好ましくは−５０〜５０℃、さらに好ましくは０〜３０℃で行なわれる。また、常圧でも加圧下でもよい。
　反応終了後、反応液は特に処理を施さないで次の工程に使用できる。また、抽出、水洗操作後、過剰の溶媒を減圧下留去し、残渣を蒸留、再結晶、シリカゲルカラムクロマトグラフィーなどの精製処理を施すことにより、目的物である光学活性１−ハロゲノ−２−ヒドロキシプロピル化合物（４）を得ることもできる。
【００２０】
　次に、前工程で得られた光学活性１−ハロゲノ−２−ヒドロキシプロピル化合物（４）を、塩基試剤存在下、閉環反応に付し、光学活性グリシジル化合物（５）を得る工程について説明する。
　使用できる塩基試剤としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウムなどのアルカリ金属またはアルカリ土類金属の水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、炭酸セシウムなどのアルカリ金属またはアルカリ土類金属の炭酸塩、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムベンジルオキシド、ナトリウムフェノキシド、カリウムtert−ブトキシドなどのアルカリ金属アルコキシド、ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属、水素化ナトリウム、水素化カリウムなどの水素化アルカリ金属、ナトリウムアミド、マグネシウムアミドなどのアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属アミド、１，１，３，３−テトラメチルグアニジン、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノン−５−エン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセンなどのアミン類が挙げられる。ただし、置換基Ｎｕ中にカルボニル基を含む式（４）で示される化合物については、加水分解されるため前掲のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の水酸化物は使用できない。
　塩基試剤の使用量は、光学活性１−ハロゲノ−２−ヒドロキシプロピル化合物（４）に対して１当量以上であり、好ましくは１．１〜２．０当量である。
　なお、塩基試剤の単独使用で本反応を進行させることが充分に可能であるが、４−ジメチルアミノピリジン、１５−クラウン−５、１８−クラウン−６などのクラウンエーテル、ヨウ化ナトリウム、ヨウ化カリウムなどのヨウ化アルカリ金属塩、臭化ナトリウム、臭化カリウムなどの臭化アルカリ金属塩などの試薬を０．１〜１０モル％量添加すると反応が促進される。
【００２１】
　本反応に使用できる溶媒は水溶性溶媒と非水溶性溶媒とに分けられ、水溶性溶媒としては、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサンなどのエーテル系溶剤、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトニトリルなどの非プロトン性極性溶媒、またはこれらの混合溶媒が挙げられ、非水溶性溶媒としては、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、tert−ブチルメチルエーテルなどのエーテル系溶媒、クロロホルム、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエンなどの炭化水素系溶剤、またはこれらの混合溶媒が挙げられる。なお、これらの溶媒の使用量は特に制限はない。
【００２２】
　非水溶性溶媒は、塩基性試剤を含む水溶液との二相系溶媒としても反応に使用することもできる。ただし、置換基Ｎｕ中にカルボニル基を含む式（４）で示される化合物については、加水分解されるため使用できない。水溶液として調製できる塩基性試剤としては、前掲したものの中で、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウムなどのアルカリ金属またはアルカリ土類金属の水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸カルシウムなどのアルカリ金属またはアルカリ土類金属の炭酸塩が挙げられ、好ましくは水酸化ナトリウム、水酸化カリウムである。また、二相系溶媒中での反応の場合、相関移動触媒を使用すると反応が著しく促進される。使用できる相関移動触媒としては、テトラブチルアンモニウムクロリド、テトラブチルアンモニウムブロミド、ベンジルトリメチルアンモニウムブロミド、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド、ベンジルトリブチルアンモニウムクロリド、メチルトリオクチルアンモニウムクロリド、テトラオクチルアンモニウムブロミド、Ｎ−ベンジルキニウムクロリドなどの４級アンモニウム塩、テトラブチルホスホニウムクロリド、テトラブチルホスホニウムブロミド、テトラフェニルホスホニウムクロリド、テトラフェニルホスホニウムブロミド、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロリド、ベンジルトリフェニルホスホニウムブロミドなどの４級ホスホニウム塩、１２−クラウン−４、１５−クラウン−５、１８−クラウン−６などのクラウンエーテルが挙げられる。添加量は基質に対して０．１〜１０モル％量が好ましい。
【００２３】
　本反応は、−８０〜５０℃の範囲で行なわれる。ただし、非水溶性溶媒と塩基性試剤を含む水溶液との二相系溶媒を使用する場合は、凍結のおそれがあるため、０〜５０℃の範囲で好ましく行なわれる。また、本反応は常圧でも加圧下でもよい。
　反応終了後、抽出、水洗による分液操作、過剰の溶媒の減圧下留去、そして、残渣の蒸留、再結晶、シリカゲルカラムクロマトグラフィーなどの精製処理を施すことにより、目的物である光学活性グリシジル化合物（５）を得ることができる。
【実施例】
【００２４】
　以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、実施例において、ガスクロマトグラフィーによる定量分析とは内部標準法（内部標準物質：ｍ−ジメトキシベンゼン）によるガスクロマトグラフィーを用いた生成物量の定量、ガスクロマトグラフィーによる光学純度分析とは光学活性キャピラリーカラム（G−TA／ジーエルサイエンス社製）を用いた光学純度の測定、高速液体クロマトグラフィーによる光学純度分析とは光学活性カラム（CHIRALCEL　OD−H／ダイセル社製）を用いた光学純度の測定を意味する。
【００２５】
実施例１
　（S)-３−クロロ−１，２−プロパンジオールの製造
　Ｎ，Ｎ’−ビス（３,５−ジ−tert−ブチルサリチリデン）エチレンジアミナトコバルト（II）１１９ｍｇ（０．２１６ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（以下ＴＨＦと略記する。）２．０ｍＬの混合液に、（±）−カンファースルホン酸６０．３ｍｇ（０．２６０ｍｍｏｌ）を加え、系内を空気で満たしつつ室温で１時間撹拌した。続いて、この溶液、すなわちコバルト（III）錯体のＴＨＦ溶液に、（S)-エピクロロヒドリン１．００ｇ（１０．８ｍｍｏｌ，光学純度９９％e.e.）、Ｈ2Ｏ　２３４μＬ（１３．０ｍｍｏｌ）を順次加え、室温で２０時間撹拌した。反応終了後、反応液をガスクロマトグラフィーにて定量分析および光学純度分析した結果、標題の（S)-３−クロロ−１，２−プロパンジオールの生成量は１．１４ｇ（収率９５．４％）であり、そして光学純度は９９％e.e.であった。
【００２６】
実施例２
　（R)-３−クロロ−１，２−プロパンジオールの製造
　Ｎ，Ｎ’−ビス（３,５−ジ−tert−ブチルサリチリデン）エチレンジアミナトコバルト（II）１１９ｍｇ（０．２１６ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン２．０ｍＬの混合液に、（±）−カンファースルホン酸６０．３ｍｇ（０．２６０ｍｍｏｌ）を加え、系内を空気で満たしつつ室温で１時間撹拌した。続いて、この溶液（コバルト（III）錯体のＴＨＦ溶液）に、（R)-エピクロロヒドリン１．００ｇ（１０．８ｍｍｏｌ，光学純度９９％e.e.）およびＨ2Ｏ　２３４μＬ（１３．０ｍｍｏｌ）を順次加え、室温で２０時間撹拌した。反応終了後、反応液をガスクロマトグラフィーにて定量分析および光学純度分析した結果、標題の（R)-３−クロロ−１，２−プロパンジオールの生成量は１．１２ｇ（収率９３．７％）であり、そして光学純度は９９％e.e.であった。
【００２７】
実施例３
　（R)-グリシジルフェニルエーテルの製造
　Ｎ，Ｎ’−ジサリチリデンエチレンジアミナトコバルト（II）１７３ｍｇ（０．５３２ｍｍｏｌ）とジクロロメタン１３ｍＬの混合液に、（±）−カンファースルホン酸１４８ｍｇ（０．６３８ｍｍｏｌ）を加えて系内を空気で満たしつつ室温で１時間撹拌した後、反応液を減圧下濃縮乾固して黒褐色の粗コバルト（III）錯体を得た。続いて、tert−ブチルメチルエーテル５．０ｍＬを加えて粗コバルト（III）錯体を分散させた後、（S)-エピクロロヒドリン２．５０ｍＬ（３１．９ｍｍｏｌ，光学純度９９％e.e.）およびフェノール２．５０ｇ（２６．６ｍｍｏｌ）を順次加え、窒素ガス雰囲気下、室温で２４時間撹拌した。反応終了後、反応液にtert−ブチルメチルエーテル２０ｍＬを加えて希釈し、６％水酸化ナトリウム水１０ｍＬ、飽和食塩水１０ｍＬにて順次洗浄し、有機層を減圧下濃縮して粗（S)-１−クロロ−３−フェノキシ−２−プロパノール５．７５ｇを得た。
　上記の粗（S)-１−クロロ−３−フェノキシ−２−プロパノール５．７５ｇをイソプロパノール１０ｍＬに溶解し、氷冷下２４％水酸化ナトリウム水６．６４ｇ（３９．８ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間撹拌した。反応終了後、反応液にtert−ブチルメチルエーテル５０ｍＬを加えて希釈し、水２０ｍＬ、飽和塩化アンモニウム水２０ｍＬ、飽和食塩水２０ｍＬにて順次洗浄し、有機層を減圧下濃縮して粗（R)-グリシジルフェニルエーテル３．９６ｇを得た。ガスクロマトグラフィーにて定量分析した結果、標題の（R)-グリシジルフェニルエーテルの生成量は３．８０ｇ（収率９５．４％）であり、そして高速液体クロマトグラフィーにて光学純度分析した結果、光学純度は９９％e.e.であった。
【００２８】
実施例４
　（S)-グリシジルフェニルエーテルの製造
　Ｎ，Ｎ’−ジサリチリデンエチレンジアミナトコバルト（II）１７３ｍｇ（０．５３２ｍｍｏｌ）とジクロロメタン１３ｍＬの混合液に、（±）−カンファースルホン酸１４８ｍｇ（０．６３８ｍｍｏｌ）を加えて系内を空気で満たしつつ室温で１時間撹拌した後、反応液を減圧下濃縮乾固して黒褐色の粗コバルト（III）錯体を得た。続いて、tert−ブチルメチルエーテル５．０ｍＬを加えて粗コバルト（III）錯体を分散させた後、（R)-エピクロロヒドリン２．５０ｍＬ（３１．９ｍｍｏｌ，光学純度９９％e.e.）およびフェノール２．５０ｇ（２６．６ｍｍｏｌ）を順次加え、窒素ガス雰囲気下、室温で２４時間撹拌した。反応終了後、反応液にtert−ブチルメチルエーテル２０ｍＬを加えて希釈し、６％水酸化ナトリウム水１０ｍＬ、飽和食塩水１０ｍＬにて順次洗浄し、有機層を減圧下濃縮して粗（R)-１−クロロ−３−フェノキシ−２−プロパノール５．４４ｇを得た。
　上記の粗（R)-１−クロロ−３−フェノキシ−２−プロパノール５．４４ｇをイソプロパノール１０ｍＬに溶解し、氷冷下２４％水酸化ナトリウム水６．６４ｇ（３９．８ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間撹拌した。反応終了後、反応液にtert−ブチルメチルエーテル５０ｍＬを加えて希釈し、水２０ｍＬ、飽和塩化アンモニウム水２０ｍＬ、飽和食塩水２０ｍＬにて順次洗浄し、有機層を減圧下濃縮して粗（S)-グリシジルフェニルエーテル３．８０ｇを得た。ガスクロマトグラフィーにて定量分析した結果、標題の（S)-グリシジルフェニルエーテルの生成量は３．７１ｇ（収率９３．０％）であり、そして高速液体クロマトグラフィーにて光学純度分析した結果、光学純度は９９％e.e.であった。
【００２９】
実施例５
　（R)-グリシジルフェニルエーテルの製造
　Ｎ，Ｎ’−ジサリチリデンエチレンジアミナトコバルト（II）１３８ｍｇ（０．４２５ｍｍｏｌ）とジクロロメタン１０ｍＬの混合液に、メタンスルホン酸３３μＬ（０．５１０ｍｍｏｌ）を加えて系内を空気で満たしつつ室温で１時間攪拌した後、反応液を減圧下濃縮乾固して黒褐色の粗コバルト（III）錯体を得た。続いて、tert−ブチルメチルエーテル４．０ｍＬを加えて粗コバルト（III）錯体を分散させた後、（S)-エピクロロヒドリン２．００ｍＬ（２５．５ｍｍｏｌ，光学純度９９％e.e.）そしてフェノール２．００ｇ（２１．３ｍｍｏｌ）を順次加え、窒素ガス雰囲気下、室温で２４時間攪拌した。反応終了後、反応液にtert−ブチルメチルエーテル２０ｍＬを加えて希釈し、６％水酸化ナトリウム水１０ｍＬ、飽和食塩水１０ｍＬにて順次洗浄し、有機層を減圧下濃縮して粗（S)-１−クロロ−３−フェノキシ−２−プロパノール４．８５ｇを得た。
　上記の粗（S)-１−クロロ−３−フェノキシ−２−プロパノール４．８５ｇをイソプロパノール１０ｍＬに溶解し、氷冷下２４％水酸化ナトリウム水４．５０ｇ（２５．５ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間撹拌した。反応終了後、反応液にtert−ブチルメチルエーテル５０ｍＬを加えて希釈し、水２０ｍＬ、飽和塩化アンモニウム水２０ｍＬ、飽和食塩水２０ｍＬにて順次洗浄し、有機層を減圧下濃縮して粗（R)-グリシジルフェニルエーテル３．２４ｇを得た。ガスクロマトグラフィーにて定量分析した結果、標題の（R)-グリシジルフェニルエーテルの生成量は３．０７ｇ（収率９６．１％）であり、そして高速液体クロマトグラフィーにて光学純度分析した結果、光学純度は９９％e.e.であった。
【００３０】
実施例６
　（R)-グリシジルメチルエーテルの製造
　Ｎ，Ｎ’−ジサリチリデンエチレンジアミナトコバルト（II）７０．２ｍｇ（０．２１６ｍｍｏｌ）とジクロロメタン５．０ｍＬの混合液に、（±）−カンファースルホン酸６０．３ｍｇ（０．２６０ｍｍｏｌ）を加えて系内を空気で満たしつつ室温で１時間撹拌した後、反応液を減圧下濃縮乾固して黒褐色の粗コバルト（III）錯体を得た。続いて、tert−ブチルメチルエーテル２．０ｍＬを加えて粗コバルト（III）錯体を分散させた後、（S)-エピクロロヒドリン１．０ｇ（１０．８ｍｍｏｌ，光学純度９９％e.e.）およびメタノール５２７μＬ（１３．０ｍｍｏｌ）を順次加え、窒素ガス雰囲気下、室温で７２時間撹拌した。反応終了後、反応液にtert−ブチルメチルエーテル２０ｍＬを加えて希釈し、６％水酸化ナトリウム水１０ｍＬ、飽和食塩水１０ｍＬにて順次洗浄し、有機層を減圧下濃縮して粗（S)-１−クロロ−３−メトキシ−２−プロパノール１．５４ｇを得た。
　上記の粗（S)-１−クロロ−３−メトキシ−２−プロパノール１．５４ｇをイソプロパノール５．０ｍＬに溶解し、氷冷下２４％水酸化ナトリウム水２．７０ｇ（１６．２ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間撹拌した。反応終了後、反応液にtert−ブチルメチルエーテル２０ｍＬを加えて希釈し、水１０ｍＬ、飽和塩化アンモニウム水１０ｍＬ、飽和食塩水１０ｍＬにて順次洗浄し、有機層を減圧下濃縮して粗（R)-グリシジルメチルエーテル２．９０ｇを得た。ガスクロマトグラフィーにて定量分析した結果、標題の（R)-グリシジルメチルエーテルの生成量は０．７６３ｇ（収率８０．２％）であり、そして高速液体クロマトグラフィーにて光学純度分析した結果、光学純度は９９％e.e.であった。
【００３１】
実施例７
　（R)-グリシジルアセテートの製造
　Ｎ，Ｎ’−ジサリチリデンエチレンジアミナトコバルト（II）７０．２ｍｇ（０．２１６ｍｍｏｌ）とジクロロメタン５．０ｍＬの混合液に、トリフルオロメタンスルホン酸２３μＬ（０．２６０ｍｍｏｌ）を加えて系内を空気で満たしつつ室温で１時間撹拌した後、反応液を減圧下濃縮乾固して黒褐色の粗コバルト（III）錯体を得た。続いて、tert−ブチルメチルエーテル２．０ｍＬを加えて粗コバルト（III）錯体を分散させた後、（S)-エピクロロヒドリン１．０ｇ（１０．８ｍｍｏｌ，光学純度９９％e.e.）および酢酸７４２μＬ（１３．０ｍｍｏｌ）を順次加え、窒素ガス雰囲気下、室温で４８時間撹拌した。反応終了後、反応液にtert−ブチルメチルエーテル８．０ｍＬを加えて希釈し、氷冷下カリウムtert−ブトキシド１．４６ｇ（１３．０ｍｍｏｌ）を加え、１時間撹拌した。反応終了後、塩化アンモニウム１１６ｍｇ（２．１６ｍｍｏｌ）を加えて３０分間撹拌し、沈殿物をろ過、ろ液を減圧下濃縮して粗（Ｒ）−グリシジルアセテート１．３８ｇを得た。ガスクロマトグラフィーにて定量分析した結果、標題の（R)-グリシジルアセテートの生成量は０．７９５ｇ（収率６３．４％）であり、そしてガスクロマトグラフィーにて光学純度分析した結果、光学純度は９９％e.e.であった。
【００３２】
実施例８
　（R)-グリシジルアセテートの製造
　Ｎ，Ｎ’−ビス（３,５−ジ−tert−ブチルサリチリデン）エチレンジアミナトコバルト（II）１１９ｍｇ（０．２１６ｍｍｏｌ）とジクロロメタン５．０ｍＬの混合液に、トリフルオロメタンスルホン酸２３μＬ（０．２６０ｍｍｏｌ）を加えて系内を空気で満たしつつ室温で１時間撹拌した後、反応液を減圧下濃縮乾固して黒緑色の粗コバルト（III）錯体を得た。続いて、tert−ブチルメチルエーテル２．０ｍＬを加えて粗コバルト（III）錯体を分散させた後、（Ｓ）−エピクロロヒドリン１．０ｇ（１０．８ｍｍｏｌ，光学純度９９％e.e.）および酢酸７４２μＬ（１３．０ｍｍｏｌ）を順次加え、窒素ガス雰囲気下、室温で２４時間撹拌した。反応終了後、反応液にtert−ブチルメチルエーテル８．０ｍＬを加えて希釈し、氷冷下カリウムtert−ブトキシド１．４６ｇ（１３．０ｍｍｏｌ）を加え、１時間撹拌した。反応終了後、塩化アンモニウム１１６ｍｇ（２．１６ｍｍｏｌ）を加えて３０分間撹拌し、沈殿物をろ過、ろ液を減圧下濃縮して粗（R)-グリシジルアセテート１．３６ｇを得た。ガスクロマトグラフィーにて定量分析した結果、標題の（R）−グリシジルアセテートの生成量は０．８０２ｇ（収率６３．９％）、ガスクロマトグラフィーにて光学純度分析した結果、光学純度は９９％e.e.であった。
【００３３】
実施例９
　(S)-３−クロロ−１，２−プロパンジオール １−（ｎ−ブチレート）の製造
　Ｎ，Ｎ’−ビス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルサリチリデン）エチレンジアミナトコバルト（II）１．４９ｇ（２．７０ｍｍｏｌ）とｎ−酪酸５２．４ｇ（０．５９４ｍｏｌ）の混合液を、系内を空気で満たしつつ、５０℃に加熱下、１時間撹拌した。続いて、この溶液、すなわちコバルト（III）錯体のｎ−酪酸溶液に、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン６．８９ｇ（５４．０ｍｍｏｌ）およびＳ−エピクロロヒドリン５０．０ｇ（０．５４０ｍｏｌ，光学純度９９％e.e.）を順次加え、室温で２４時間撹拌した。反応終了後、反応液を減圧下蒸留して標題の（Ｓ）−３−クロロ−１，２−プロパンジオール １−（ｎ−ブチレート）８０．０ｇ（収率８２．０％）を得た。高速液体クロマトグラフィーにて光学純度分析した結果、光学純度は９９％e.e.であった。
【００３４】
実施例１０
　(R)-グリシジル n−ブチレートの製造
　実施例９で得られた（Ｓ）−３−クロロ−１，２−プロパンジオール １−（ｎ−ブチレート）５０．０ｇ（０．２７７ｍｏｌ，光学純度９９％e.e.）を、１，２−ジクロロエタン２００ｍＬに溶解し、氷冷下カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド３２．６ｇ（０．２９１ｍｏｌ）を加え、１時間撹拌した。反応終了後、反応液を分液ロートに移して水２００ｍＬにて２回洗浄し、有機層を減圧下濃縮した。得られた粗油を減圧下蒸留して標題の（Ｒ）−グリシジル n−ブチレート２８．７ｇ（収率７２．０％）を得た。高速液体クロマトグラフィーにて光学純度分析した結果、光学純度は９９％e.e.であった。