(57)【要約】      （修正有）【課題】イメージセンサーに関し、各フォトダイオードが自分の位置と関係なく、必要な受光量を均一に確保できるよう誘導することを可能とする。【解決手段】マイクロレンズアレイ１７及び外部露出レンズ１００の間に存在する大気とマイクロレンズアレイ１７の間の屈折率偏差を補償できる一連の光入射調節層２０をマイクロレンズアレイ１７の上部に追加配置し、マイクロレンズアレイ側に入射される全ての光が外部露出レンズ１００の通過部位と関係なく、一連の垂直方向性を有するよう誘導し、これを通して、各マイクロレンズ１７が別途の屈折現象なく、半導体基板に位置した全ての対応フォトダイオードに光をほぼ垂直に入射させることができるようにガイドすることにより、各フォトダイオードが自分の位置と関係なく、必要な受光量を均一に確保できるよう誘導することができる。【選択図】図３
2004215264.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部から入射される光を集光するマイクロレンズアレイ；
半導体基板の活性領域に配置され、前記マイクロレンズアレイにより集光された光を受け入れ、一連の光電荷を生成・蓄積するフォトダイオードアレイ；
前記フォトダイオードアレイがカバーされるよう前記半導体基板の上部に積層された状態で、前記マイクロレンズアレイを支持し、前記マイクロレンズアレイにより集光された光を前記フォトダイオードアレイ側に伝達する光透過層；
前記マイクロレンズアレイの上部に配置され、前記マイクロレンズアレイ側に入射される光を選択的に屈折させ、前記マイクロレンズアレイが前記フォトダイオードアレイ側に垂直方向の光を出射できるよう誘導する光入射調節層を含んで構成されたイメージセンサー。
【請求項２】
前記光入射調節層は前記マイクロレンズアレイより相対的にさらに小さい屈折率を有することを特徴とする第1項に記載のイメージセンサー 。
【請求項３】
前記光入射調節層は1.1〜1.5の屈折率を有することを特徴とする第2項に記載のイメージセンサー 。
【請求項４】
前記光入射調節層は互いに異なる屈折率を有する二層以上の複層レイヤーからなることを特徴とする第１項に記載のイメージセンサー 。
【請求項５】
前記複層レイヤーは上層レイヤーが下層レイヤーより相対的にさらに小さい屈折率を有することを特徴とする第４項に記載のイメージセンサー 。
【請求項６】
前記光入射調節層は透光性酸化層であることを特徴とする第１項に記載のイメージセンサー 。
【請求項７】
前記透光性酸化層はUSG層(Undoped Silicate Glass layer)、BPSG(Boron-Phosphorus Silicate Glass layer)層、TEOS層(Tetra Ethyl Ortho Silicate layer)、HDP酸化膜層(High Density Plasma Oxide layer)、TEOS/SiH4層のうち、いずれか一つであることを特徴とする第6項に記載のイメージセンサー。
【請求項８】
前記光入射調節層の厚さは0.6μm〜1.2μmであることを特徴とする第１項に記載のイメージセンサー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はイメージセンサーに関し、さらに詳細には大気(Atmosphere)とマイクロレンズアレイ (Micro lens array)との間の屈折率偏差を補償できる一連の光入射調節層をマイクロレンズアレイの上部に追加配置し、マイクロレンズアレイ側に入射される全ての光が外部露出レンズの通過部位と関係なく、一連の垂直方向性を有するよう誘導し、これを通して、各マイクロレンズが別途の屈折現象なく、半導体基板に位置した全ての対応フォトダイオードに光をほぼ垂直に入射させることができるようにガイドすることにより、各フォトダイオードが自分の位置と関係なく、必要な受光量を均一に確保できるよう誘導できるイメージセンサーに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、電気・電子技術が急激な発展を成し遂げながら、イメージセンサー技術を採用した多用な電子製品、例えば、ビデオカメラ、ディジタルカメラ、小型カメラ装着型ＰＣ、小型カメラ装着型携帯電話等が幅広く開発・普及されている。
【０００３】
伝統的に、上述した従来のイメージセンサーとしては電荷結合素子（CCD:Charge Coupled Device; 以下、“CCD”と呼ぶ）が主に用いられたが、このようなＣＣＤの場合、高い駆動電圧が要求される点、追加の支援回路が別途に要求される点、工程単価が高い点等の色々な短所を持っているので、現在その利用が大幅減少されつつある趨勢にある。
【０００４】
近来に、上述したCCDを代替できるイメージセンサーとして、言わば、相補型-モス（CMOS:Complementary Metal Oxide Semiconductor；以下、“CMOS”と呼ぶ）イメージセンサーが大きく脚光を浴びていた。このようなCMOSイメージセンサーは一連のCMOS回路技術を背景に製造されるので、既存のCCDとは異なり、低電圧駆動が可能な長所、追加支援回路が必要ない長所、工程単価が安価な長所等を幅広く有している。
【０００５】
図1に図示されたように、このような従来のイメージセンサー、例えば、CMOSイメージセンサーは外部露出レンズ(100)から入力される光を集光するマイクロレンズアレイ(7)と、このマイクロレンズアレイ(7)により集光された光をカラー化するカラーフィルターアレイ(6)と、カラーフィルターアレイ(6)によりカラー化された光をフォトダイオードアレイ(3)側に伝達する光透過層(4)と、素子分離層(2)により定義された半導体基板(1)の活性領域上で形成された状態で、光透過層(4)を通過した光を受けて一連の光電荷を生成及び蓄積するフォトダイオードアレイ(3)が組み合された構成をとる。この場合、光透過層(4)の上部にはカラーフィルターアレイ(6)の基底を平坦化し、均一な光伝達を誘導する平坦化層(5)が追加配置される。
【０００６】
このような従来の技術によるイメージセンサー体制下で、前述したように、外部露出レンズ(100)を通過した光はマイクロレンズアレイ(7)、カラーフィルターアレイ(6)、光透過層(4)等を全て経て、フォトダイオードアレイ(3)に伝達されるところ、この場合、外部露出レンズ(100)を通過した光は外部露出レンズ(100)自体の固有特性上、該外部露出レンズ(100)のどの部位を通過するかによって、マイクロレンズアレイ(7)側への入射様態が完全に異なる特性を見せることになる。
【０００７】
例えば、図2に図示されたように、外部露出レンズ(100)の中央部位を通過した光はほぼ垂直を成しながら、対応マイクロレンズ(7b; 即ち、半導体基板の中央に位置したマイクロレンズ)側に入射する特性を見せることに反して、外部露出レンズ(100)の外郭を通過した光は一定角度に傾いて、対応マイクロレンズ(7a,7c;即ち、半導体基板の外郭に位置したマイクロレンズ)側に入射する特性をみせることになる。
【０００８】
この際に、各マイクロレンズ(7a,7c)は自分と接した大気とその屈折率の差が極めて大きいので、もし、自分に入射される光(L1,L3)が別途の中間媒介物なしに、一定角度に傾いて直ちに入ってくる場合、該光(L1,L3)を大きい角度に屈折させるしかなくなり、結局、自分と対応される各マイクロレンズ(3a,3c；即ち、半導体基板の外郭に位置したマイクロレンズ)側に歪曲された光を伝達させるしかなくなる。
勿論、この状況においても、半導体基板(1)の中央に位置したマイクロレンズ(7b)は外部露出レンズ(100)を通過した光をほぼ垂直に入射されることができるので、別途の屈折なしに、該光をフォトダイオード（3b；即ち、半導体基板の中央に位置したフォトダイオード)側に伝達させることができるようになる。
【０００９】
このように、半導体基板(1)の外郭に位置したフォトダイオード(3a,3c)側に入射される光が歪曲される場合、該光は不必要に分散されるしかなくなり、その余波で、半導体基板(1)の外郭に位置したフォトダイオード(3a,3c)側では半導体基板(1)の中央に位置したフォトダイオード(3b)に比べ、自分の受光量を正常に確保することができなくなる。即ち、従来の体制下で、別途の措置が取れない限り、半導体基板(1)の中央に位置したフォトダイオード(3b)と、半導体基板(1)の外郭に位置したフォトダイオード(3a,3c)はその受光量において、大きい偏差を見せざるをえないものである。
【００１０】
勿論、このような各フォトダイオード(3a,3b,3c)の位置別受光量不均一状況において、別途の措置が取れなり場合、各フォトダイオード(3a,3b,3c)が生成蓄積できる光電荷量また不均一になるしかなくなり、結局、その影響により、最終形状化される映像はそのイメージ再現品質が大きく低下されるしかなくなる。
【００１１】
従来においては、このような問題点を勘案し、図面に図示されたように、半導体基板(1)の外郭に位置したフォトダイオード(3a,3c)のサイズ(W1,W3)を半導体基板(1)の中央に位置したフォトダイオード(3b)のサイズ(W2)よりさらに伸ばして、該フォトダイオード(3a,3c)の受光蓋然性を相対的に拡大し、これを通して、各フォトダイオード(3a,3b,3c)の間の受光量不均衡を補償する方案を講じている。
【００１２】
しかしながら、このように、半導体基板(1)の外郭に位置したフォトダイオード(3a,3c)のサイズを半導体基板(1)の中央に位置したフォトダイオード(3b)のサイズよりさらに伸ばすとしても、各フォトダイオード(3a,3b,3c)の間には基本的な光集中度の差が厳然と存在するので、各フォトダイオード(3a,3b,3c)の間の受光量不均衡を単に、サイズを調節する作業だけで解決することは決して容易でないことであり、さらに、各フォトダイオード(3a,3b,3c)のサイズを相異に調節するためには複雑なセル設計作業が予め先行されなければならないので、全体的な製品生産効率が大きく低下される問題点が追加に発生できるしかなくなる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
従って、本発明の目的はマイクロレンズアレイ及び外部露出レンズの間に存在する大気とマイクロレンズアレイの間の屈折率偏差を補償できる一連の光入射調節層をマイクロレンズアレイの上部に追加配置し、マイクロレンズアレイ側に入射される全ての光が外部露出レンズの通過部位と関係なく、一連の垂直方向性を有するよう誘導し、これらを通して、各マイクロレンズが別途の屈折現象なく、半導体基板に位置した全ての対応フォトダイオードに光をほぼ垂直に入射させることができるようにガイドすることにより、各フォトダイオードが自分の位置と関係なく、必要な受光量を均一に確保できるよう誘導することにある。
【００１４】
本発明の一つの目的は、光入射調節層の追加配置を通して各フォトダイオードが自分の位置と関係なく、必要な受光量を均一に確保できるよう誘導し、これを通して各フォトダイオードが生成蓄積できる光電荷量は自然に均一化されることができることにより、結局、最終形状化される映像のイメージ再現品質は大幅向上させることにある。
【００１５】
本発明のもう一つの目的は、光入射調節層の追加配置を通して、各フォトダイオードの受光量均一化を図り、これらを通して、工程手順内で、＜フォトダイオードのサーズ設計変更作業＞を自然に排除させることにより、これに起因した製品生産効率低下を予め遮断させることにある。
本発明のさらなるもう一つの目的は次の詳細な説明と添付された図面からより明確になるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記したような目的を達成するために本発明では外部から入射される光を集光するマイクロレンズアレイ、半導体基板の活性領域に配置され、マイクロレンズアレイにより集光された光を受け入れ、一連の光電荷を生成蓄積する
フォトダイオードアレイ、フォトダイオードアレイがカバーされるよう半導体基板の上部に積層された状態で、マイクロレンズアレイを支持し、マイクロレンズアレイにより集光された光をフォトダイオードアレイ側に伝達する光透過層、マイクロレンズアレイの上部に配置され、マイクロレンズアレイ側に入射される光を選択的に屈折させ、マイクロレンズアレイがフォトダイオードアレイ側に垂直方向の光を出射できるよう誘導する光入射調節層が組み合された構成をとるイメージセンサーを開示する。
【００１７】
この際、光入射調節層はマイクロレンズアレイより相対的にさらに小さい屈折率、好ましくは、1.1〜1.5の屈折率を有する。
また、光入射調節層は好ましく、互いに異なる屈折率を有する二つ層以上の複層のレイヤーからなる。この場合、複層レイヤーは好ましく、上層レイヤーが下層レイヤより相対的にさらに小さい屈折率を有する。
これとともに、光入射調節層は好ましく、USG層(Undoped Silicate Glass layer)、BPSG(Boron-Phosphorus Silicate Glass layer)層、TEOS層(Tetra Ethyl Ortho Silicate layer)、HDP酸化膜層(High Density Plasma Oxide layer)、TEOS/SiH4層等のような透光性酸化層からなる。この場合、光入射調節層は好ましく、0.6μm〜1.2μm程度の厚さを維持する。
【発明の効果】
【００１８】
以上で詳細に説明したように、本発明ではマイクロレンズアレイ及び 外部露出レンズの間に存在する大気とマイクロレンズアレイの間の屈折率偏差を補償できる一連の光入射調節層をマイクロレンズアレイの上部に追加配置し、マイクロレンズアレイ側に入射される全ての光が外部露出レンズの通過部位と関係なく、一連の垂直方向性を有するよう誘導し、これらを通して、各マイクロレンズが別途の屈折現象なく、半導体基板に位置した全ての対応フォトダイオードに光をほぼ垂直に入射させることができるようにガイドすることにより、各フォトダイオードが自分の位置と関係なく、必要な受光量を均一に確保できるよう誘導することができる。
【００１９】
このように、光入射調節層の追加配置を通して各フォトダイオードが自分の位置と関係なく、必要な受光量を均一に確保できるようになる場合、各フォトダイオードが生成・蓄積できる光電荷量は自然に均一化されることができ、結局、最終形状化される映像のイメージ再現品質は大幅向上されることができることになる。
【００２０】
また、光入射調節層の追加配置を通して、各フォトダイオードの受光量の均一化が現実化される場合、その余波で、工程手順内で、＜フォトダイオードのサイズ設計変更作業＞は自然に排除されることができるようにより、これに起因した製品生産効率低下問題点また容易に解決されることができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、添付された図面を参照しながら、本発明によるイメージセンサーをさらに詳細に説明すると次の通りである。
図3に示されたように、本発明によるイメージセンサー、例えば、CMOSイメージセンサーは外部露出レンズ(100)から入力される光を集光するマイクロレンズアレイ(17)と、このマイクロレンズアレイ(17)により集光された光をカラー化するカラーフィルターアレイ(16)と、カラーフィルターアレイ(16)によりカラー化された光をフォトダイオードアレイ(13)側に伝達する光透過層(14)と、素子分離層(12)により定義された半導体基板(11)の活性領域上に形成された状態で、光透過層(14)を通過した光を受けて一連の光電荷を生成及び蓄積するフォトダイオードアレイ(13)が組み合された構成をとる。
【００２２】
この際、例えば、絶縁膜(insulating layer)、金属配線、層間絶縁膜などが組み合された光透過層(14)はフォトダイオードアレイ(13)がカバーされるよう半導体基板(11)の上部に積層された状態で、マイクロレンズアレイ(17)を支持する構造をとり、この場合、光透過層(14)の上部にはカラーフィルターアレイ(16)の基底を平坦化し、均一な光伝達を誘導する平坦化層(15)が追加配置される。
【００２３】
このような本発明の体制下で、図4に示されたように、外部露出レンズ(100)の中央部位を通過した光（L5）はほぼ垂直をなしながら、 対応マイクロレンズ(17b; 即ち、半導体基板の中央に位置したマイクロレンズ)側に入射する特性を見せることに反して、外部露出レンズ(100)の外郭を通過した光は一定角度に傾いて、対応マイクロレンズ(17a,17c;即ち、半導体基板の外郭に位置したマイクロレンズ)側に入射する特性を見せることになる。
【００２４】
勿論、この状況において、別途の措置が取れないと、半導体基板(11)の外郭に位置したマイクロレンズ(17a,17c)は外部露出レンズ(100)を通過した光を大きい角度で屈折させ、各フォトダイオード(13a,13c；即ち、半導体基板の外郭に位置したフォトダイオード)側に伝達させるしかなくなり、結局、半導体基板(11)の外郭に位置したフォトダイオード(13a,13c)側では半導体基板(11)の中央に位置したフォトダイオード（13b)に比べ、自分の受光量を正常に確保できなくなる。
【００２５】
このような悪条件化で、本発明では図面に示されたように、マイクロレンズの上部に大気とマイクロレンズアレイ(17)の間の屈折率偏差を補償できる一連の光入射調節層(20)を追加配置する。この場合、光入射調節層(20)は好ましく、 USG層、BPSG層、TEOS層、HDP酸化膜層、TEOS/SiH4層等のような透光性酸化層からなる。
この際、好ましくは、光入射調節層(20)はマイクロレンズアレイ(17)より相対的にさらに小さい屈折率、好ましくは、1.1〜1.5程度の屈折率を有する。
【００２６】
例えば、光入射調節層(20)、例えば、USG層は1.58〜1.6程度の屈折率を有していると知られたマイクロレンズアレイ(17)に比べ、さらに少ない1.481〜1.483程度の屈折率を維持することになり、BPSG層は1.486〜1.488程度の屈折率を維持することになり、TEOS層は1.462〜1.464程度の屈折率を維持することになり、HDP酸化膜層は1.481〜1.483程度の屈折率を維持することになり、TEOS/SiH4層は1.462〜1.464程度の屈折率を維持することになる。
【００２７】
このように、マイクロレンズアレイ(17)の上部にマイクロレンズアレイ(17)より相対的にさらに小さい屈折率を有している光入射調節層(20)が形成された状況で、図面に示されたように、外部露出レンズ(100)を通過した光が一定角度に傾いて入ってきても、該当光は所謂、＜スネルの法則(Snell&#0;s law)＞による光入射調節層(20)の中間屈折作用に合せて、その傾き程度がほぼ垂直方向に大きく変更されることができることになり、その余波で、マイクロレンズ(17a,17c；即ち、半導体基板の外郭に位置したマイクロレンズ)また、従来と異なり、外部露出レンズ(100)を通過した光をマイクロレンズ（17b；即ち、半導体基板の中央に位置したマイクロレンズ)と類似に、ほぼ垂直に出射させることができるようになる。
【００２８】
勿論、このように、光入射調節層(20)の補償屈折作用により、各位置に置かれたマイクロレンズ(17a,17b,17c)が別途の屈折現象なしに、光をほぼ垂直に出射させることができる場合、半導体基板(11)の上部に配置された各フォトダイオード(13a,13b,13c；即ち、半導体基板の中央に置かれたフォトダイオード、半導体基板の外郭に置かれたフォトダイオード)は自分の位置と関係なしに、必要な受光量をほぼ均一に確保することができることになり、結局、各フォトダイオードが生成・蓄積できる光電荷量を自然に均一化されることができるようになる。
【００２９】
このような各フォトダイオード(13a,13b,13c)の位置別受光量均一状況で、各フォトダイオード(13a,13b,13c)が生成・蓄積できる光電荷量は自然に均一化されることができることになり、結局、その影響により、最終形状化される映像はそのイメージ再現品質が大きく向上されることができるようになる。
また、各フォトダイオード(13a,13b,13c)また、自分の位置と関係なく、必要な受光量を均一に確保することができるので、本発明が具現される場合、各フォトダイオード(13a,13b,13c)は自分の位置と関係せずに、そのサイズ（W4,W5,W6）を均一に維持することができるようになる。
【００３０】
勿論、このように、各フォトダイオード(13a,13b,13c)が 自分の位置と関係なく、サイズ（W4,W5,W6）を均一に維持することができるようになる場合、工程手順内で、＜フォトダイオードのサーズ設計変更作業＞はその進行が自然に排除されることができることにより、結局、該作業に起因した製品生産効率低下問題点は容易に解決できるようになる。
【００３１】
一方、このような本発明を実施することにより、光入射調節層(20)の厚さは極めて敏感なファクターで作用できるしかなくなる。これは光入射調節層(20)の厚さが厚過ぎることになる場合、光の通過経路が必要以上に極めて長くなって、マイクロレンズアレイ(17)を通過した光がフォトダイオードアレイ(13)に正常に到達しない問題点が惹起されることができるし、その反対に、光入射調節層(20)の厚さが極めて浅くなる場合、マイクロレンズアレイ(17)が正常にカバーできない問題点が惹起されることができるだけでなく、光入射調節層(20)がその固有性を失って、自分に与えられた光屈折機能を満足できるほどの水準に行えない問題点が惹起されることができるからである。
【００３２】
本発明では、このような事実を十分勘案して、光入射調節層(20)の厚さを0.6μm〜1.2μm程度に維持させることにより、＜マイクロレンズアレイを通過した光がフォトダイオードアレイに正常に到達しない問題点＞、＜光入射調節層の光屈折機能が失われる問題点＞等が最小から発生できないように、これを事前に遮断する。
【００３３】
一方、このような本発明は状況により、多様な変形を図ることができる。
例えば、本発明では図5及び図７に示されたように、状況により、光入射調節層(20)を互いに異なる屈折率を有する二層以上の複層レイヤー、例えば、第1及し第2光入射調節層(21、22)また第１乃至第3光入射調節層(21、22、23)で具現することができる。
【００３４】
勿論、図6及び図8に示されたように、このようなそれぞれの場合においても、外部露出レンズ(100)を通過して一定角度に傾いて入ってくる光（L4,L5,L6）は所謂、＜スネルの法則＞による光入射調節層(20)の連続的な中間屈折作用に合せて、その傾き程度がほぼ垂直方向に大きく変更されることができることになり、その余波で、マイクロレンズ(17a,17c；即ち、半導体基板の外郭に位置したマイクロレンズ)は従来と異なり、外部露出レンズ(100)を通過した光をマイクロレンズ（17b；即ち、半導体基板の中央に位置したマイクロレンズ）と類似に、ほぼ垂直に出射させることができるようになる。
【００３５】
このように、光入射調節層(20)の補償屈折作用により、各位置に置かれたマイクロレンズ(17a,17b,17c)が別途の屈折現象なしに、光をほぼ垂直に出射させることができる場合、半導体基板(1)の上部に配置された各フォトダイオード(13a,13b,13c；即ち、半導体基板の中央に置かれたフォトダイオード、半導体基板の外郭に置かれたフォトダイオード)は自分の位置と関係なく、必要な受光量をほぼ均一に確保することができることになり、結局、自分が生成・蓄積できる光電荷量を自然に均一化されることができるようになる。
【００３６】
このように、光入射調節層(20)が互いに異なる屈折率を有する二層以上の複レイヤーをなす状況で、上層レイヤー及び下層レイヤーのうち、どのレイヤーの屈折率をさらに高く設定するかについての問題は極めて敏感なファクターで作用することができる。
これはもし、上層レイヤー及び下層レイヤーの屈折率を精巧にマッチングさせられない場合、上層レイヤー及び下層レイヤーの不必要な相互作用によりマイクロレンズアレイ側に入射される光が一定角度に傾く問題点が惹起されることができるからである。
【００３７】
本発明では、このような事実を十分勘案し、上層レイヤーが下層レイヤーより相対的にさらい小さい屈折率を有するよう誘導する。
例えば、本発明では光入射調節層(20)が第1レイヤー(21)及び第２レイヤー(22)からなる場合、上層である第２レイヤー(22)が下層である第1レイヤー(21)より相対的にさらに小さい屈折率を有するよう誘導し、光入射調節層(20)が第１乃至第3レイヤー(21、22、23)からなる場合、上層である第３レイヤー(23)が下層である第２レイヤー(22)より相対的にさらに小さい屈折率を有することと共に、上層である第２レイヤー(22)が下層である第1レイヤー(21)より相対的にさらに小さい屈折率を有するよう誘導する。
【００３８】
このように、光入射調節層(20)が互いに異なる屈折率を有する二層以上の複層レイヤーをなす状況で、上層レイヤーが下層レイヤーより相対的にさらに小さい屈折率を有する場合、外部露出レンズ(100)を通過した後、一定角度に傾いて上層レイヤーに入ってくる光は所謂、＜スネルの法則＞による上層レイヤーの中間屈折作用に合せて、その傾き程度が大きく変更されることができるようになり、その余波で、下層レイヤーは該光を別途の問題点なしに、正常に垂直となり、マイクロレンズアレイ側に入射させることができるようになる。
前記で、本発明の特定な実施例が説明され図示されたが、本発明が当業者により多様に変形され実施される可能性があることは自明なことである。
【００３９】
このような変形された実施例は本発明の技術的思想や観点から個別的に理解されてはいけないし、このような変形された実施例は本発明の添付された特許請求の範囲内に属すると見なすべきであろう。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】従来技術によるイメージセンサーを図示した例示図。
【図２】従来技術によるマイクロレンズアレイの光入/出射過程を概念的に図示した例示図。
【図３】本発明によるイメージセンサーを図示した例示図。
【図４】本発明によるマイクロレンズアレイの光入/出射過程を概念的に図示した例示図。
【図５】本発明の一つの実施例によるイメージセンサーを図示した例示図。
【図６】本発明のもう一つの実施例によるマイクロレンズアレイの光入/出射過程を概念的に図示した例示図。
【図７】本発明のもう一つの実施例によるイメージセンサーを図示した例示図。
【図８】本発明のさらなるもう一つの実施例によるマイクロレンズアレイの光入/出射過程を概念的に図示した例示図。
【符号の説明】
【００４１】
１３    フォトダイオードアレイ
１４    光透過層
２０    光入射調節層
１７    マイクロレンズアレイ
１００    外部露出レンズ
【図１】
2004215264.tif 000003
【図２】
2004215264.tif 000004
【図３】
2004215264.tif 000005
【図４】
2004215264.tif 000006
【図５】
2004215264.tif 000007
【図６】
2004215264.tif 000008
【図７】
2004215264.tif 000009
【図８】
2004215264.tif 000010