(57)【要約】【課題】　有機溶剤可溶性に優れたエンジニアリングプラスチックを幅広く使用できる、半導体基板上に樹脂膜パターンを形成する方法、半導体チップ、半導体パッケージの製造法、及びこれに用いられるレジスト像剥離液を提供する。【解決手段】　（A）半導体基板上に有機溶剤可溶性樹脂膜層を形成させ；（B）この上に所望のパターンのレジスト像を形成させ；（C）有機溶剤で処理して、レジスト像で被覆されていない部分の有機溶剤可溶性樹脂膜層をエッチング・除去し；（D）レジスト像剥離液で処理して、レジスト像を有機溶剤可溶性樹脂膜層から剥離させる；半導体基板上に樹脂膜パターンを形成させる方法。上記（D）の処理の後に（E）アルコールで処理する工程、を加えてもよい。【選択図】　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
　溶媒１００重量部に対してアリールスルホン酸を０．０１〜１０．０重量部含み、かつ、その溶媒は溶解性パラメータが５．０〜１１．０である、有機溶剤可溶性樹脂膜層上に形成されたレジスト像を剥離するためのレジスト像剥離液。
【請求項２】
　有機溶剤可溶性樹脂膜層がＮ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、キシレン及びヘプタンからなる群より選ばれる１種又は２種以上の有機溶剤に可溶な樹脂膜層である、請求項１記載のレジスト像剥離液。
【請求項３】
　アリールスルホン酸が、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、エチルベンゼンスルホン酸及びプロピルベンゼンスルホン酸の群から選ばれる少なくとも一つである、請求項１又は２記載のレジスト像剥離液。
【請求項４】
　溶解性パラメータが５．０〜１１．０である溶媒が、キシレン、シクロヘキサン、トルエン及びベンゼンからなる群から選ばれる少なくとも一つを含む溶媒である、請求項１又は２記載のレジスト像剥離液。
【請求項５】
　アリールスルホン酸が、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、エチルベンゼンスルホン酸及びプロピルベンゼンスルホン酸の群から選ばれる少なくとも一つであり、かつ、溶解性パラメータが５．０〜１１．０である溶媒が、キシレン、シクロヘキサン、トルエン及びベンゼンからなる群から選ばれる少なくとも一つを含むものである、請求項１又は２記載のレジスト像剥離液。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、半導体基板上に所望のパターンの樹脂膜を形成する方法、半導体チップ、半導体パッケージ、及びレジスト像剥離液に関する。
【背景技術】
【０００２】
　半導体チップは、シリコン（Ｓｉ）ウェハー、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）ウェハー等の基板上に、トランジスター、ダイオード、抵抗、コンデンサーのような電子回路を構成する要素である回路素子を製造し、更にＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＰＳＧ（phosphosilicate glass）等の無機絶縁膜及びアルミニウム等の金属の配線を形成した半導体基板に、配線の外部接続用端子となる電極部分以外の部分に表面を保護するための絶縁樹脂膜を形成して製造される。このように半導体基板の電極部分以外の部分に形成され表面を保護するための絶縁樹脂膜を、本発明では樹脂膜パターンという。従来、樹脂膜パターンの樹脂は、特定のポリイミド樹脂が用いられている。この特定のポリイミド樹脂を用いる樹脂膜パターンは、ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミド酸を有機溶剤に溶かし、シリコンチップ等の半導体基板に塗布後、（ａ）２２０〜３５０℃で熱処理し、その生じた樹脂膜層上にレジスト像を形成させ、ヒドラジン系溶液で処理して樹脂膜層をエッチング・除去し、次いで、フェノール化合物含有有機溶剤系の剥離液を用いて樹脂膜からレジスト像を剥離する方法（例えば、特開昭５３−５３４０１号公報）、（ｂ）１１０〜１６０℃で熱処理し、その樹脂膜層上にレジストを塗布し、所望のパターンを重ねて露光後（未露光部がレジスト像となる）、アルカリ性水溶液で処理して露光部のレジストと樹脂膜とを同時にエッチング・除去し、次いで、溶剤として酢酸ブチルやセロソルブ類を含有するレジスト像剥離液を用いて樹脂膜からレジスト像を剥離する方法（例えば、特開平５−２１８００８号公報）、等により形成されることが知られている。上記（ａ）の方法と（ｂ）の方法を比べると、（ａ）の方法は有害なヒドラジン系溶液（エッチング液）及びフェノール化合物含有有機溶剤（レジスト像剥離液）を多量に使用する欠点がある一方、（ｂ）の方法は、レジストと樹脂膜とを同時にエッチング・除去でき、工程がより単純である等の利点のため、現在の主流の方法となっている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
　しかし、上記（ｂ）の方法は、樹脂膜層のエッチング液に用いているアルカリが半導体基板のアルミニウム配線を侵す難点があるので、エッチング液にアルカリを用いない方法、すなわち、エッチング液に有機溶剤を使用する方法の開発が望まれている。また、半導体基板の表面上に形成される樹脂膜パターンは、樹脂膜形成温度の低温化やその樹脂膜パターンの耐熱性、電気特性、吸湿性等の特性改善の要求から、従来用いられている有機溶剤不溶の特定のポリイミド樹脂に替えて、有機溶剤可溶性に優れたポリイミドやポリアミド、あるいはポリスルホン等のエンジニアリングプラスチックも幅広く使用できる方法の開発も望まれている。
　しかし、樹脂膜パターンの樹脂として有機溶剤可溶性に優れた樹脂を使用し、エッチング液に有機溶剤を使用した場合、上記（ａ）及び（ｂ）で使用されているいずれのレジスト像剥離液を用いた場合も、使用した樹脂がレジスト像剥離液の有機溶剤に溶かされ、樹脂膜パターンを形成させることができない。本発明は、エッチング液に（アルカリを用いず）有機溶剤を用いる方法で、アルミニウム等の金属配線が侵される心配がなく、従来用いられているポリイミド樹脂以外に、他の更に有機溶剤可溶性に優れたエンジニアリングプラスチックの使用も幅広く可能な、半導体基板上に樹脂膜パターンを形成する方法、半導体チップ、半導体パッケージの製造法、及びこれに用いられるレジスト像剥離液を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
　本発明の半導体基板上に樹脂膜パターンを形成する方法は、下記（１）〜（６）の通りである。
（１）（A）半導体基板上に有機溶剤可溶性樹脂膜層を形成させ；
（B）この上に所望のパターンのレジスト像を形成させ；
（C）有機溶剤で処理して、レジスト像で被覆されていない部分の有機溶剤可溶性樹脂膜層をエッチング・除去し；
（D）レジスト像剥離液で処理して、レジスト像を有機溶剤可溶性樹脂膜層から剥離させる；半導体基板上に所望のパターンの樹脂膜を形成する方法。
（２）上記した（D）の処理のあと更に、（E）アルコールで処理する；上記（１）の方法。
（３）レジスト像剥離液が、溶媒１００重量部に対しアリールスルホン酸０．０１〜１０．０重量部を含み、かつ、その溶媒の溶解性パラメータが５．０〜１１．０である、上記（１）又は（２）のいずれかの方法。
（４）アリールスルホン酸が、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、エチルベンゼンスルホン酸及びプロピルベンゼンスルホン酸からなる群から選ばれる少なくとも一つを含むものである、上記（３）の方法。（５）溶解性パラメータが５．０〜１１．０である溶媒が、キシレン、シクロヘキサン、トルエン及びベンゼンからなる群から選ばれる少なくとも一つを含むものである、上記（３）の方法。
（６）有機溶剤可溶性樹脂がポリイミド樹脂である、上記（１）〜（５）のいずれかの方法。
【発明の効果】
【０００５】
　請求項１〜６の方法により、有機溶剤可溶性樹脂を幅広く用いて、半導体基板上に樹脂膜パターンを形成できる。また、この方法はエッチング液に（アルカリを用いず）有機溶剤を用いるので、配線を腐食させる心配がない。請求項７の半導体チップ、又は請求項８の半導体パッケージは信頼性が高いものが得られる。請求項９〜１２のレジスト像剥離液は新しい組成物で、これを用いて請求項１〜６の方法が可能となる。また、このレジスト像剥離液は半導体基板上ばかりではなく、配線板用基板等の配線表面の保護、絶縁等、あるいは接着等のための樹脂膜パターンの形成にも有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
　本発明において、樹脂膜パターンを形成させる半導体基板は、シリコン（Ｓｉ）ウェハー、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）ウェハー等の基板上に、トランジスター、ダイオード、抵抗、コンデンサーのような電子回路を構成する要素である回路素子を製造し、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＰＳＧ（phosphosilicate glass）等の無機絶縁膜及びアルミニウム等の金属の配線を形成したものであり、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＳＬＩ等を含む。
【０００７】
　半導体基板上に有機溶剤可溶性樹脂膜層を生成させるには、例えば、スピンコートにより、又はアプリケータやドクターブレードを用いる塗工方法により、あるいは樹脂ワニス中に基板を浸漬後引き上げる方法等により、樹脂ワニスを基板に塗布し、その後これを加熱し、有機溶剤可溶性樹脂層中の有機溶剤を揮散させて樹脂膜層とすることができる。
【０００８】
　本発明で用いる有機溶剤可溶性樹脂は、有機溶剤に可溶な樹脂であれば特に制限はない。例えば、ポリイミド、ポリアミド等の耐熱性樹脂や、その他、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリレート等のエンジニアリングプラスチック等があり、好ましくは、ポリイミド又はポリアミド、特に好ましくは、ポリイミドである。ポリイミドを用いる場合、閉環したポリイミドであっても前駆体であるポリアミド酸であってもよい。なお、ここでポリイミドとは、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリエーテルイミド等のイミド基を有する樹脂も含む。
【０００９】
　本発明において、レジスト像とはエッチング液に対して侵食されず、抵抗性をもつ材料から成る層をいう。半導体基板上の有機溶剤可溶性樹脂膜層の上に、所望のパターンのレジスト像を形成させる方法は種々あるが、通常は、有機溶剤可溶性樹脂膜層の上にレジスト像形成用材料（本明細書では単に、「レジスト」ともいう。）の層を生成させ、これを所望のパターンのフォトマスクを通して露光後、現像液で処理して形成させる。
【００１０】
　前記レジスト像形成用材料は、エッチング液の有機溶剤に耐えることが要求されるが、その形態は溶液状、ペースト状又はフィルム状のいずれも使用できる。そのようなレジスト像形成用材料としては、熱硬化性もしくは感光性のレジストインクのほかにフォトレジスト等があり、これらはネガ型レジスト又はポジ型レジストのいずれでもよい。好ましくは、塩素化ポリメチルスチレン、ポリビニルシナメイト、ポリエステルアクリレート、ポリエポキシアクリレート、ポリウレタンアクリレート、ポリエポキシとオニウム塩との混合系、ポリビニルフェノールとビスアジドとの混合系、ポリケイ皮酸もしくは環化ゴムとビスアジドとの混合系、ノボラック樹脂とジアゾナフトキノンとヘキサメトキシメチルメラミンとの混合系のネガ型レジスト、更に好ましくは、ゴムとビスアジドとの混合系のネガ型フォトレジストである。また、上記露光後のレジスト像の現像には、レジストの種類に応じて適当な現像液を選ぶ。
【００１１】
　有機溶剤可溶性樹脂膜層をエッチングするために用いる有機溶剤は、樹脂膜層を溶解できる有機溶剤であれば、特に限定しない。用いる有機溶剤可溶性樹脂の種類により、適宜、選択する。そのような有機溶剤としては、例えば、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等がある。これらの有機溶剤により、レジスト像で被覆されていない部分の樹脂膜層がエッチングされ、除去される。なお、露光後のレジスト像の現像と樹脂膜層のエッチングを同一の有機溶剤で行なえる場合には、これらを同時に行ってもよい。
【００１２】
　本発明の樹脂膜パターンを形成する方法で用いるレジスト像剥離液については、後ほど述べるレジスト像剥離液を用いる。
【００１３】
　レジスト像剥離液による処理は、レジスト像・樹脂膜含有基板を剥離液中に浸漬したり、これにレジスト剥離液をスプレーする等して行うことができる。このとき、超音波を併用してもよい。浸漬やスプレーの処理の温度は、用いる有機溶剤が液体を保つ温度であれば特に制限はない。通常は室温からレジスト像剥離液の溶媒の沸点以下の範囲で行なう。浸漬やスプレー等の処理時間は、レジスト像が樹脂膜から剥離するのに十分な時間とする。通常は数秒〜数時間である。
【００１４】
　上記の浸漬やスプレー等の処理に引き続いて、これをアルコール系溶剤中に浸漬し、あるいはアルコール系溶剤をスプレーする等の処理をすると、レジスト像を樹脂膜から容易に、完全に除去することができる。ここで適当なアルコール系溶剤としてはメタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、メチルセロソルブ、セロソルブ、ブチルセロソルブ等が挙げられる。この際のアルコール系溶剤による処理温度は、用いる溶剤が液体を保つ温度であれば特に制限はないが、通常は室温で行なう。浸漬時間はレジスト像が樹脂膜から完全に分離するのに十分な時間で、通常は、数秒〜数時間である。アルコール系溶剤への浸漬の代わりに、ブラシ等でこすってもレジスト像を除去できるが、大量処理には不向きである。
【００１５】
　レジスト像剥離液による処理、又はそれに続くアルコールによる処理の後、室温で乾燥、あるいは加熱して乾燥させ、樹脂膜パターンが形成された半導体チップとする。
【００１６】
　図１の１Ａ〜１Ｄに、本発明の代表的な、半導体基板上に樹脂膜パターンを形成する方法の工程を断面模式図により示した。１Ａは、シリコンウェハー（１）上に製造された回路素子（１'）の上に無機絶縁膜（２）及びアルミニウム配線（３）を形成させた半導体チップに、樹脂膜層（４）を形成させたところ、１Ｂは、その上に所望のパターンのレジスト像（５）を形成させたところ、１Ｃは、レジスト像で被覆されていない樹脂膜層を有機溶剤でエッチング・除去したところ、１Ｄは、レジスト像剥離液で処理し、レジスト像を除去したところの、それぞれの断面図を示す。
【００１７】
　本発明の、樹脂膜パターンを形成させた半導体チップは、前記のいずれかの方法によって半導体基板上に所望のパターンの樹脂膜を形成させて製造される。また、本発明の半導体パッケージは、この樹脂膜パターンを形成させた半導体チップとリードフレームを接着し、半導体チップの電極とリードフレームとを金線等のワイヤで接続（ワイヤボンディング）したのち、半導体チップ、半導体チップとリードフレームとの接着部及びワイヤ接続部を、封止材で封止して製造することができる。用いる封止材は、特に耐湿性の良好なものが望ましい。また、半導体チップとリードフレームの接着にはこの技術分野で使用される通常の接着剤を用いることができ、あるいは半導体基板上に形成させた樹脂膜パターンを接着剤として兼用して用いることもできる。この技術分野で使用される通常の接着剤としてはテープ状接着剤等の接着剤がある。
【００１８】
　このようにして製造される半導体パッケージの例を図２〜５に断面模式図で示した。図２は半導体チップがリードフレームに対して下側に位置する半導体パッケージ、図３は半導体チップがリードフレームに対して上側に位置する半導体パッケージ、図４は半導体チップがリードフレームの上側に位置する半導体パッケージをそれぞれ示す。図２〜４において、符号６は樹脂膜パターンを形成させた半導体チップを示し、これは図１の１Ｄに対応するものであり、符号７は接着剤を示し、符号８はリードフレームを示し、符号９はワイヤを示し、符号１０は封止材をそれぞれ示す。図５は、図２の半導体パッケージにおける接着剤（７）を用いず、その代わりに、樹脂膜パターンが形成された半導体チップ（６）の樹脂膜パターンを接着剤として兼用させた半導体パッケージの例を示し、符号８〜１０は前記の意味と同じである。
【００１９】
　また図６は、半導体チップがリードフレームに対して下側に位置し、半導体チップは表面に絶縁層が形成された半導体チップ（６’）で、その半導体チップ（６’）上には本願方法により樹脂膜パターン（７’）を接着剤として形成させた半導体パッケージの例を示し、符号８〜１０は前記の意味と同じである。このように、表面に絶縁層が形成された半導体チップ（６’）上の接着剤を、シリコンウェハー、ヒ化ガリウムウェハー等の基板上に、トランジスター、ダイオード、抵抗、コンデンサーのような電子回路を構成する要素である回路素子を製造し、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＰＳＧ等の無機絶縁膜及びアルミニウム等の金属の配線を形成し、更に絶縁層を形成させたものの上に、（A）有機溶剤可溶性樹脂膜層を形成させ；
（B）この上に所望のパターンのレジスト像を形成させ；
（C）有機溶剤で処理して、レジスト像で被覆されていない部分の有機溶剤可溶性樹脂膜層をエッチング・除去し；
（D）レジスト像剥離液で処理して、レジスト像を有機溶剤可溶性樹脂膜層から剥離させる；ことによって形成させることもできる。
【００２０】
　本発明は、また、以下のレジスト像剥離液である。
（i）溶媒１００重量部に対してアリールスルホン酸を０．０１〜１０．０重量部含み、かつ、その溶媒は溶解性パラメータが５．０〜１１．０である、レジスト像剥離液。
（ii）アリールスルホン酸が、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、エチルベンゼンスルホン酸及びプロピルベンゼンスルホン酸の群から選ばれる少なくとも一つである、上記（i）のレジスト像剥離液。
（iii）溶解性パラメータが５．０〜１１．０である溶媒が、キシレン、シクロヘキサン、トルエン及びベンゼンからなる群から選ばれる少なくとも一つを含む溶媒である、上記（i）のレジスト像剥離液。
（iv）アリールスルホン酸が、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、エチルベンゼンスルホン酸及びプロピルベンゼンスルホン酸の群から選ばれる少なくとも一つであり、かつ、溶解性パラメータが５．０〜１１．０である溶媒が、キシレン、シクロヘキサン、トルエン及びベンゼンからなる群から選ばれる少なくとも一つを含むものである、上記（i）のレジスト像剥離液。
【００２１】
　本発明のレジスト像剥離液は、溶媒１００重量部に対し剥離助剤のアリールスルホン酸を０．０１〜１０．０重量部含み、かつ、その溶媒の溶解性パラメータが５．０〜１１．０である液を用いる。アリールスルホン酸としては、例えば、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、エチルベンゼンスルホン酸、プロピルベンゼンスルホン酸、ヘキシルベンゼンスルホン酸、オクチルベンゼンスルホン酸、デシルベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸等が挙げられ、好ましくはベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、エチルベンゼンスルホン酸、プロピルベンゼンスルホン酸であり、更に好ましくはトルエンスルホン酸である。
【００２２】
　アリールスルホン酸の使用量は、レジスト像剥離液の有機溶剤１００重量部に対し０．０１〜１０．０重量部、好ましくは０．０１〜５．０重量部、更に好ましくは０．０５〜３．０重量部、特に好ましくは０．１〜１．０重量部である。１０．０重量部を越えると、レジスト像剥離液が吸水した場合に液性が強酸性となり金属を腐食する恐れがあり、０．０１重量部未満であると剥離能力が低下する。レジスト像剥離液中のアリールスルホン酸の濃度は、従来のレジスト像剥離液で用いられている濃度よりもかなり少量で有効（剥離が可能）である点が特徴的である。
【００２３】
　本発明のレジスト像剥離液の溶媒として用いる有機溶剤は、半導体基板上に生成させた樹脂膜層を侵さない有機溶剤の中から好ましいものを選択する。そのような有機溶剤は、好ましくは、溶解性パラメータが５．０〜１１．０である単一溶剤、又は溶解性パラメータが５．０〜１１．０となるように混合された混合溶剤である。上記溶解性パラメータの好ましい範囲は、用いる有機溶剤可溶性樹脂の種類により変動するので、その種類に応じて適宜、好ましい範囲を選ぶ。
【００２４】
　使用する有機溶剤可溶性樹脂がポリイミド樹脂の場合、レジスト像剥離液の溶媒として用いる有機溶剤の溶解性パラメータは、５．０〜１１．０、更に好ましくは６．０〜１０．０、特に好ましくは６．５〜１０．０となるようにする。このような有機溶剤としては、例えば、キシレン（溶解性パラメータ８．８）、シクロヘキサン（溶解性パラメータ８．３）、ベンゼン（溶解性パラメータ９．２）、トルエン（溶解性パラメータ８．９）、又はこれらを１以上含む含む混合液等があり、より好ましくは、キシレン、シクロヘキサン又はこれらを１以上含む混合液である。
【００２５】
　なお、溶解性パラメータは溶解度係数ともいわれるもので、Ｅ／Ｖ（但し、Ｅは液体の分子凝集エネルギー、Ｖは分子容）の平方根で与えられる液体の特性値で、その値は溶剤ハンドブック（浅原ほか編、講談社サイエンティフィック）等に記載されている。また、混合液の溶解性パラメータは、本明細書では、それぞれの有機溶剤の溶解性パラメータに重量分率を乗じ、これらの和で算出する。レジスト像剥離液に用いる有機溶剤の溶解性パラメータが５．０未満のものであっても、あるいは、１１．０を越えるものであっても、樹脂膜からのレジスト像の剥離は困難となる。
【００２６】
　アリールスルホン酸がレジスト像剥離液の溶媒で溶かしにくい場合は、樹脂を侵さず、溶媒の溶解性パラメータが５．０〜１１．０の範囲を越えない程度に、アリールスルホン酸をよく溶かす他の有機溶剤を添加してもよい。
【００２７】
　本発明のレジスト像剥離液は新しい組成物で、これにより、エッチング液にアルカリを用いずに有機溶剤を用い、従来用いられているポリイミド樹脂以外に、他の更に有機溶剤可溶性に優れた樹脂を用いることも可能な、半導体基板上に樹脂膜パターンを形成する方法、及びその方法を用いることで信頼の高い半導体チップ、半導体パッケージを提供することが可能となった。
【００２８】
　なお、本発明のレジスト像剥離液は、何も半導体基板上に形成される樹脂膜パターンに限定されて使用されるものではない。本発明のレジスト像剥離液と前記したような有機溶剤可溶性に優れる樹脂、及び汎用の有機溶剤をエッチング液とすることとを組み合わせて、種々の基板、例えば、銅、鉄、アルミニウム、42アロイ等の金属板、ガラス基板、アルミナ基板、チッ化ケイ素基板等のセラミック基板、ガラスエポキシ基板、紙フェノール基板、ガラスポリイミド基板等の配線板用基板等の基板上に、表面の保護、絶縁、あるいは接着等のために樹脂膜パターンを形成させる際にも、有用に使用できる。
【実施例】
【００２９】
　以下、本発明を実施例で具体的に説明する。
実施例１
　半導体基板（基板：シリコンウェハー）上に、無水トリメリット酸及び２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（ＢＡＰＰ）から成るポリアミドイミドのＮ−メチルピロリドン ワニスを、スピンコートにより２０μｍ（乾燥後の膜厚み）の厚さに塗布し、１００℃で３０分間、乾燥した。このポリアミドイミド上に、ネガ型フォトレジストＯＭＲ−８５（東京応化工業（株）製）をスピンコートにより１μｍ（乾燥後の膜厚み）の厚さに塗布し、９０℃で２０分間、乾燥し、レジスト膜を形成した。
【００３０】
　このレジスト上に、線状パターンのフォトマスクを置き、露光し、ＯＭＲ現像液ＳＬ（東京応化工業（株）製）を用いて現像し、ＯＭＲリンス液（東京応化工業（株）製）でリンスし、純水で洗浄し、１４０℃で２０分間、乾燥し、レジスト像を形成した。エッチング液としてＮ−メチルピロリドンを用い、５０℃で５分浸漬した後、回転乾燥し、更に１００℃で３０分間、乾燥した。キシレン（溶解性パラメータ８．８）１００重量部に対しパラトルエンスルホン酸０．５重量部を含む溶液をレジスト像剥離液として、８０℃で１０分間浸漬した後、イソプロパノール中に室温で３０秒間浸漬してレジスト像の剥離を完了させた。その後、２００℃で３０分間、乾燥して、残存溶剤を除去した。このポリアミドイミド被膜を観察したところ、フォトマスク通りのパターンが形成されており、またこのレジスト像剥離液による樹脂表面の荒れや膜減り等はなかった。
【００３１】
実施例２
　パラトルエンスルホン酸３重量部を、溶解補助のためのメチルセロソルブ（溶解性パラメータ１１．４）２５重量部とキシレン（溶解性パラメータ８．８）７５重量部との混合液（溶解性パラメータ９．５）に溶解し、これをレジスト像剥離液としたほかは実施例１と同様にして半導体基板（基板：シリコンウェハー）上に樹脂膜パターンを形成させた。ポリアミドイミド被膜のパターンはフォトマスク通りに形成されており、またレジスト像剥離液による樹脂表面の荒れや膜減り等は観察されなかった。
【００３２】
実施例３
　半導体基板（基板：シリコンウェハー）上に、ビスフェノールＡビストリメリテート二無水物（ＢＡＢＴ）及び４、４’−ジアミノ−３、３’、５、５’−テトラエチルジフェニルメタン（ＴＥＤＤＭ）から成るポリイミドのＮ−メチルピロリドン ワニスをスピンコートにより１０μｍ（乾燥後の膜厚み）の厚さに塗布した後、１００℃で３０分間、乾燥した。このポリイミド上に、ネガ型フォトレジストＯＭＲ−８３（東京応化工業（株）製）をスピンコートにより１μｍ（乾燥後の膜厚み）の厚さに塗布した後、９０℃で２０分間乾燥し、レジスト膜を形成した。
【００３３】
　このレジスト上に、線状パターンのフォトマスクを置き、露光した後、ＯＭＲ現像液ＳＬを用いて現像し、ＯＭＲリンス液でリンスし、純水で洗浄した後、１４０℃で２０分間乾燥してレジスト像を形成した。エッチング液としてＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを用い、３０℃で５分間浸漬した後、１００℃で３０分間乾燥した。パラトルエンスルホン酸０．５重量部をシクロヘキサン（溶解性パラメータ８．３）とイソプロパノール（溶解性パラメータ１１．５）との９０：１０（重量比）混合液（溶解性パラメータ８．６）１００重量部に溶解させた液をレジスト像剥離液として、これに６０℃で１０分間浸漬した後、室温で１分間イソプロパノールに浸漬し、レジスト像の剥離を完了させた。その後、２００℃で３０分間乾燥して残存溶剤を除去した。このポリイミド被膜を観察したところ、フォトマスク通りのパターンが形成されており、またこのレジスト像剥離液による樹脂表面の荒れや膜減り等はなかった。
【００３４】
実施例４
　半導体基板（基板：シリコンウェハー）上に、２、２−ビスフタル酸ヘキサフルオロイソプロピリデン二無水物（６ＦＤＡ）及び４、４’−ジアミノ−３、３’、５、５’−テトライソプロピルジフェニルメタン（ＩＰＤＤＭ）から成るポリイミドのＮ−メチルピロリドン ワニスをスピンコートにより１０μｍ（乾燥後の膜厚み）の厚さに塗布した後、１２０℃で３０分間乾燥した。このポリイミド上に、ネガ型フォトレジストＯＭＲ−８５（東京応化工業（株）製）をスピンコートにより１μｍ（乾燥後の膜厚み）の厚さに塗布した後、９０℃で２０分間乾燥し、レジストの膜を形成した。
【００３５】
　このレジスト上に線状パターンのフォトマスクを置き、露光した後、キシレンとヘプタンとの混合液を用いレジストの現像と同時に樹脂のエッチングも行い、１４０℃で３０分間乾燥した。パラトルエンスルホン酸０．５重量部をシクロヘキサンとイソプロパノールとの９０：１０（重量比）混合液（溶解性パラメータ８．６）に溶かし、これをレジスト像剥離液として６０℃で１０分間浸漬した後、室温でイソプロパノール中に１分間浸漬してレジスト像の剥離を完了させた。その後、２００℃で３０分間乾燥して残存溶剤を除去した。このポリイミド被膜を観察したところ、フォトマスク通りのパターンが形成されており、またこのレジスト像剥離液による樹脂表面の荒れや膜減り等はなかった。
【００３６】
比較例１
　レジスト像剥離液としてアリールスルホン酸を含まないキシレン（溶解性パラメータ８．８）を用いたほかは、実施例１と同様に、半導体基板（基板：シリコンウェハー）上に樹脂膜パターンを形成させた。レジスト像は樹脂膜から剥離しなかった。
【００３７】
比較例２
　レジスト像剥離液としてアリールスルホン酸を含まないシクロヘキサン（溶解性パラメータ８．３）を用いたほかは、実施例３と同様にして半導体基板（基板：シリコンウェハー）上に樹脂膜パターンを形成させた。レジスト像は樹脂膜から剥離しなかった。
【００３８】
比較例３
　レジスト像剥離液としてアリールスルホン酸を含まないイソプロパノール（溶解性パラメータ１１．５）を用いたほかは、実施例３と同様にして半導体基板（基板：シリコンウェハー）上に樹脂膜パターンを形成させた。レジスト像は樹脂膜から剥離しなかった。
【００３９】
比較例４
　パラトルエンスルホン酸３重量％含有イソプロパノール（溶解性パラメータ１１．５）をレジスト像剥離液として用い、浸漬温度及び浸漬時間を７０℃及び２０分間としたほかは実施例１と同様に、半導体基板（基板：シリコンウェハー）上に樹脂膜パターンを形成させた。レジスト像は樹脂膜から剥離しなかった。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の代表的な、樹脂膜パターンの形成の工程を説明する断面模式図である。１Ａは、シリコンウェハー（１）上に製造された回路素子（１'）の上に、無機絶縁膜（２）及びアルミニウム配線（３）を形成させた半導体チップに、樹脂膜層（４）を形成させたところ、１Ｂは、その上に所望のパターンのレジスト像（５）を形成させたところ、１Ｃは、レジスト像で被覆されていない樹脂膜層を有機溶剤でエッチング・除去したところ、１Ｄは、レジスト像剥離液で処理し、レジスト像を除去したところである。
【図２】本発明の一例の半導体パッケージを示す断面模式図で、半導体チップはリードフレームに対して下側に位置する。
【図３】本発明の他の例の半導体パッケージを示す断面模式図で、半導体チップはリードフレームに対して上側に位置する。
【図４】本発明の更に別の例の半導体パッケージを示す断面模式図であって、半導体チップはリードフレームの上側に位置する。
【図５】図２の半導体パッケージにおける接着剤（７）を用いず、その代わりに樹脂膜パターンが形成された半導体チップの樹脂膜パターンを接着剤として兼用させた半導体パッケージの断面模式図である。
【図６】半導体チップがリードフレームに対して下側に位置し、半導体チップは表面に絶縁層が形成された半導体チップで、その半導体チップ上には本願方法により樹脂膜パターンを接着剤として形成させた半導体パッケージの断面模式図である。
【符号の説明】
【００４１】
１：シリコンウェハー
１'：回路素子
２：無機絶縁膜
３：アルミニウム配線
４：樹脂膜層
５：レジスト層
６：樹脂膜パターンが形成された半導体チップ
６'：表面に絶縁層が形成された半導体チップ
７：接着剤
７'：表面に絶縁層が形成された半導体チップ（６'）上に形成された樹脂膜パターン
８：リードフレーム
９：ワイヤ
１０：封止材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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