【事件の表示】
　平成１０年特許願第５００３５７号「有機エレクトロルミネセント発光素子及びこれの作成方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　９年１２月１１日国際公開、ＷＯ９７／４７０５１、平成１２年　３月２８日国内公表、特表２０００−５０３７９８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年５月１６日（パリ条約による優先権主張１９９６年６月５日、世界知的所有権機関）を国際出願日とする特願平１０−５００３５７号であって、平成１４年１月１７日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月１７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成１４年４月１７日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１４年４月１７日付の手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「ａ）基板（６０；７０；１１０；１３０）と、
　ｂ）アノード（６１；７５；１１３；１３３）と、
　ｃ）カソード（６４；７１；１１１；１３６）と、
　ｄ）前記アノードとカソードの間に電圧が印加されたときにエレクトロルミネセンスが起こる有機領域（６５；７６；１１２；１３５）と
を有し、
　正孔を前記有機領域に注入する前記アノードの材料がＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮおよびＩｎＡｌＧａＮからなる群から選ばれた材料であることを特徴とする有機発光素子。」
と補正された。
　上記補正は、本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「正孔を前記有機領域に注入する前記アノードの材料」としての「伝導性のＩＩＩ属の窒化物」を、その下位概念である「ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮおよびＩｎＡｌＧａＮからなる群から選ばれた材料」と限定するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用例に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前日本国内又は外国において頒布された刊行物である、ＪＯＵＲＮＡＬ　ＯＦ　ＡＰＰＬＩＥＤ　ＰＨＹＳＩＣＳ、Ｖｏｌ．７５、Ｎｏ．３（１９９４）、ｐ．１６５６−１６６６（以下、「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。
ア　ｐ．１６５６左欄第２行〜第７行
「現在、従来の半導体材料と比較して広い波長範囲を有することに加え、製法や機械的・サイズ的な利点により、ライト−エミッティングダイオード（ＬＥＤｓ）の要素として、半導体エレクトロルミネセンスポリマーの使用に大きな関心が持たれている。」
イ　ｐ．１６５７左欄第３３行〜右欄第７行
「本論文で議論される素子は３層から構成され、典型的には、ガラス基板にコーティングしたｉｎｄｉｕｍ−ｔｉｎ−ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ）（１００Ω／□）、ポリマーフィルム（典型的には厚さ１２００Å）及び蒸着された金属電極からなる。・・・正のバイアスにおいて、ＩＴＯ電極はアノードとして接続される。」
ウ　ｐ．１６６０右欄第７行〜第１１行
「ここで示されている結果は、ＩＴＯ／ＭＥＨ−ＰＰＶ／Ｃａ素子において、正孔はＩＴＯの界面におけるバリヤを通過してポリマーに進入することを示している。同様に、電子はＣａの界面におけるバリヤを通過してポリマーに進入する。」
エ　ｐ．１６６１左欄第１８行〜第２０行
「このモデルは、図１１によって示されるように、正孔が、ポリマーのＨＯＭＯとアノードの仕事関数の相違によって生じるバリヤを通過して進入することを想定している。」
オ　ｐ．１６６１左欄第３１行〜第３４行
「電子注入に対する同様なタイプのバリヤが想定され、電子は、ＬＵＭＯとカソードの仕事関数の相違によって生じるオフセットを通過して進入する。」
カ　ｐ．１６６１右欄第１１行〜２５行
「逆にいえば、（カソードを変更しないで）アノードのバリヤの高さを増大することは、素子の効率性はほとんど変化しないが、（正孔のバリヤが２つのうちの低い方である限り）素子に対してより高い駆動電圧をもたらすことになる。何故なら、多くの正孔による進入が生じるようアノードのバリヤを薄くする以前に、ポリマーのバンドをより傾けなければならなからである（図１２（ａ）参照）。この推測は、アノード材料（ＩＴＯ、仕事関数は４．７ｅＶ）をＡｇ（４．５５ｅＶ）及びＣｒ（４．３ｅＶ）に置き換えた図１２（ｂ）及び１２（ｃ）に示されるデータから実験的にも確認される。アノードの仕事関数を低くすれば、正孔に対するバリヤの高さを増大させ、注入のためのより高い場が必要となる。ＩＴＯを用いた素子の駆動電圧は約１０Ｖであるが、Ａｇでは約１５Ｖ、Ｃｒでは約２５Ｖに増大する。」
キ　ｐ．１６６２左欄第１行〜末行
「このモデルにおいて、最も高い効率は、小数の注入キャリアに対するバリヤの高さがゼロのときに生じ、最も低い駆動電圧は、多数の注入キャリアに対するバリヤの高さがゼロのときに生じることが予測される。これを別に表現すれば、素子の最大パフォーマンスは、ポリマーと電極材料が合致したとき、すなわち、アノードの仕事関数がポリマーのイオン化ポテンシャルと等しく、カソードの仕事関数がポリマーの電子親和力に等しいときに生じる。」
ク　図１１
　図１１には、ＩＴＯ電極とＣａ電極の間にポリマー層を有することが記載されている。
ケ　図１２
　図１２には、アノード材料の仕事関数を高くすれば、その界面におけるバリヤの高さが低くなることが記載されている。
　
　上記ア〜ケの記載からみて、引用例１には、以下の発明が記載されているものと認める（以下、「引用発明」という。）。
「ガラス基板と、
　アノードと、
　カソードと、
　前記アノードとカソードの間に電圧が印加されたときにエレクトロルミネセンスが起こるポリマー層と
を有し、
　正孔を前記ポリマー層に注入する前記アノードの材料がＩＴＯであることを特徴とするＬＥＤ。」
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明における（ａ）「ガラス基板」、（ｂ）「ポリマー層」、（ｃ）「ＬＥＤ」は、それぞれ本願補正発明の（ａ）「基板」、（ｂ）「有機領域」、（ｃ）「有機発光素子」に相当する。したがって、両者は、
「基板と、
　アノードと、
　カソードと、
　前記アノードとカソードの間に電圧が印加されたときにエレクトロルミネセンスが起こる有機領域と
を有することを特徴とする有機発光素子。」
で一致し、次の点で相違する。
［相違点］
　正孔を有機領域に注入するアノードの材料として、本願補正発明ではＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮおよびＩｎＡｌＧａＮからなる群から選ばれた材料であるのに対し、引用発明ではＩＴＯである点。
　
（４）判断
　上記相違点について以下に検討する。
　エレクトロルミネセンスを用いたディスプレイ用の透明電極として、ＩＴＯに代わり、ＧａＮ、ＧａＢＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮを用いることは、従来周知（特開平４−１９９１２号公報（第１ページ左下欄第１１行〜第２ページ左上欄第１２行、第２ページ右上欄第７行〜同欄第１２行）、特開平６−１５０７２３号公報（段落番号０００２〜０００４、０００９）参照。）である。
　また、ＥＬ素子の駆動電圧を低くするために、仕事関数が高いアノード材料が好ましいことは引用例１（特に記載事項カ、キ、ケ）にも記載されているように従来周知であるから、ＥＬ素子の透明電極として適用可能な材料のうち、そのような観点からアノード材料を選択し、上記相違点の構成とすることは当業者であれば容易に想到できることである。　
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用例１の記載及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　したがって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項に規定される独立特許要件を満たしていないものであり、特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定によって却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１４年４月１７日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１３年９月１７日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「ａ）基板（６０；７０；１１０；１３０）と、
　ｂ）アノード（６１；７５；１１３；１３３）と、
　ｃ）カソード（６４；７１；１１１；１３６）と、
　ｄ）前記アノードとカソードの間に電圧が印加されたときにエレクトロルミネセンスが起こる有機領域（６５；７６；１１２；１３５）と
を有し、
　正孔を前記有機領域に注入する前記アノードの材料が伝導性のＩＩＩ属の窒化物であることを特徴とする有機発光素子。」
　なお、平成１３年９月１７日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１では、「正孔を前記有機領域に注入する前記アノードの材料が伝導性のＩＩＩ属の窒化物をであること」と記載されているが、「正孔を前記有機領域に注入する前記アノードの材料が伝導性のＩＩＩ属の窒化物であること」の誤記として上記のように認定した。
　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例およびその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から、「正孔を前記有機領域に注入する前記アノードの材料」の限定事項である「ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮおよびＩｎＡｌＧａＮからなる群から選ばれた材料」を、その上位概念である「伝導性のＩＩＩ属の窒化物」とするものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに一部の構成要件を下位概念に限定したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。