Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月17日(2014.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に秩序化重合体層を提供する方法であって、
前記基板上のプライマー層上に直に自己組織化可能な重合体層を堆積して、前記自己組織化可能な重合体層と前記プライマー層との間に界面を設けるステップと、
前記界面に第１及び第２のドメインタイプを備える秩序化重合体層へと自己組織化がなされるように前記自己組織化可能な重合体層を処理するステップと、
を含み、
前記プライマー層は、前記自己組織化可能な重合体層を前記秩序化重合体層へと自己組織化する間に、前記自己組織化重合体内の界面の第１の位置に第１のドメインタイプが存在するとこれに応答して、前記界面の前記第１の位置にある第１のドメインタイプの化学親和力を改善する、方法。
【請求項２】
前記プライマー層は、前記自己組織化重合体層を前記秩序化重合体層へと自己組織化する間に、前記自己組織化重合体内の前記界面の第２の位置に前記第２のドメインタイプが存在するとこれに応答して、前記界面の前記第２の位置にある前記第２のドメインタイプの化学親和力を改善する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記プライマー層は、第１及び第２の化学種を含み、
前記第１の化学種は、前記第１のドメインタイプでは前記第２の化学種よりも化学親和力が高く、
前記第２の化学種は、前記第２のドメインタイプでは前記第１の化学種よりも化学親和力が高く、
前記第１の化学種は、前記自己組織化可能な重合体層が前記秩序化重合体層へと自己組織化する間に、前記界面の前記第１の位置に前記第１のドメインタイプが存在するとそれに応答して前記界面の前記第１の位置へと再配置される、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の化学種は、前記自己組織化可能な重合体層が前記秩序化重合体層へと自己組織化する間に、前記界面の前記第２の位置に前記第２のドメインタイプが存在するとそれに応答して、前記界面の前記第２の位置へと再配置される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の化学種は、前記第１の化学種が内部に分布された重合体マトリクスである、請求項３又は４に記載の方法。
【請求項６】
反応性単量体と非反応性化合物とを含む組成物が前記基板表面上に堆積され、前記単量体が反応して内部に実質的に均一に分布された第１の化学種として非反応性化合物を有する第２の化学種として重合体マトリクスを形成して前記プライマー層が提供される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
架橋性重合体と非反応性化合物とを含む組成物が前記基板表面上に堆積され、前記架橋性重合体が反応して内部に実質的に均一に分布された第１の化学種として非反応性化合物を有する第２の化学種として重合体マトリクスを形成して前記プライマー層が提供される、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記プライマー層は、第１の化学種として前記第１のドメインタイプとの化学親和力を有する第１の重合体と、第２の化学種として前記第２のドメインタイプとの化学親和力を有する第２の重合体と、の実質的に均一な分布を含み、前記第１及び第２の重合体は、各々がそれぞれの重合体の末端を前記基板に結合する末端基を有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記プライマー層は、前記秩序化重合体層を形成する前記自己組織化可能な重合体層とは異なる二元ブロック共重合体を含み、前記二元共重合体は、第１の化学種として前記第１のドメインタイプとの化学親和力を有する第１のブロックと、第２の化学種として前記第２のドメインタイプとの化学親和力を有する第２のブロックと、を有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記二元ブロック共重合体は、前記ブロック共重合体の末端を前記基板に結合する末端基を有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記プライマー層は、第１の化学種として前記第１のドメインタイプとの化学親和力を有する第１のブロックと、第２の化学種として前記第２のドメインタイプとの化学親和力を有する第２のブロックと、を有する分岐状三元ブロック共重合体を含み、各ブロックは、第３のブロックの第１の末端に結合され、前記第３のブロックの対向する第２の末端は、前記第３のブロックの前記第２の末端を基板に結合する末端基を有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記プライマー層はガラス転移温度Ｔｇ’を示し、前記自己組織化可能な重合体は秩序／無秩序転移温度Ｔｏ／ｄとガラス転移温度Ｔｇとを示し、Ｔｇ及びＴｇ’はＴｏ／ｄ未満であり、前記自己組織化可能な重合体の前記秩序化重合体層への自己組織化はＴｏ／ｄ未満、Ｔｇ及びＴｇ’以上の温度で行われる、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
自己組織化可能な重合体を有する界面で使用され、前記界面において第１及び第２のドメインタイプを含む秩序化重合体層へと自己組織化するプライマー層であって、
前記プライマー層は、前記自己組織化可能な重合体層が前記秩序化重合体層へと自己組織化する間に、前記自己組織化可能な重合体層内の前記界面の第１の位置に前記第１のドメインタイプが存在するとそれに応答して、前記界面の前記第１の位置の前記第１のドメインタイプとの化学親和力を高める、プライマー層。
【請求項１４】
基板表面に秩序化重合体層を備える方法であって、
前記基板上のプライマー層上に直に自己組織化可能な重合体層を堆積して、前記自己組織化可能な重合体層と前記プライマー層との間に界面を設けるステップと、
前記界面に第１及び第２のドメインタイプを備える秩序化重合体層へと自己組織化がなされるように前記自己組織化可能な重合体層を処理するステップと、
を含み、
前記プライマー層は、第１及び第２の化学種を含み、
前記第１の化学種は、前記第２の化学種よりも前記第１のドメインタイプとの化学親和力が高く、
前記第２の化学種は、前記第１の化学種よりも前記第２のドメインタイプとの化学親和力が高く、
前記自己組織化可能な重合体層を前記秩序化重合体層へと自己組織化する間に、
前記第１の化学種の界面濃度が前記界面の第１の位置で、前記第１の位置に前記第１のドメインタイプが存在するとそれに応答して、前記プライマー層内の前記第１の化学種の平均濃度よりも高まり、
前記第２の化学種の界面濃度は前記界面の第２の位置で、前記第２の位置に前記第２のドメインタイプが存在するとそれに応答して、前記プライマー層内の前記第２の化学種の平均濃度よりも高まる、方法。
【請求項１５】
レジストエッチングにより基板表面をパターニングするためのリソグラフィ方法であって、
請求項１から１２及び１４のいずれか１項に記載の方法により秩序化重合体層を提供するステップを含み、前記秩序化重合体層はレジスト層として機能する、リソグラフィ方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月24日(2013.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に実質的に格子整合するのに適した合金組成物であって、
多接合太陽電池の選択されたサブセルで使用するため、少なくとも０．９ｅＶのバンドギャップを実現するように、低含有のアンチモン（Ｓｂ）と、高含有のインジウム（Ｉｎ）と、高含有の窒素（Ｎ）によるＧａ1-XＩｎXＮYＡｓ1-Y-ZＳｂZを含む、組成物。
【請求項２】
隣接する基板は、ＧａＡｓおよびＧｅ族から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
Ｇａ1-XＩｎXＮYＡｓ1-Y-ZＳｂZの組成範囲は、０．０７≦ｘ≦０．１８、０．０２５≦ｙ≦０．０４、０．００１≦ｚ≦０．０３である、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
少なくとも１つのサブセルはＧａ1-XＩｎXＮYＡｓ1-Y-ZＳｂZを含み、前記少なくとも１つのサブセルは低含有のアンチモン（Ｓｂ）と、高含有のインジウム（Ｉｎ）と、高含有の窒素（Ｎ）を有し、前記含有のレベルは少なくとも０．９ｅＶのバンドギャップを実現するために選択されたことを特徴とする多接合太陽電池。
【請求項５】
ＧａＡｓおよびＧｅ族から選択された基板を更に含む請求項４に記載の多接合太陽電池。
【請求項６】
Ｇａ1-XＩｎXＮYＡｓ1-Y-ZＳｂZの組成範囲は、０．０７≦ｘ≦０．１８、０．０２５≦ｙ≦０．０４、０．００１≦ｚ≦０．０３である、請求項４に記載の多接合太陽電池。
【請求項７】
少なくとも０．９ｅＶのバンドギャップを実現するように選択された組成で、低含有のアンチモン（Ｓｂ）と、高含有のインジウム（Ｉｎ）と、高含有の窒素（Ｎ）によるＧａ1-XＩｎXＮYＡｓ1-Y-ZＳｂZの合金の第１のサブセルを形成するステップと、
多接合太陽電池を形成するため、前記第１のサブセルを、少なくとも１つの隣接するサブセルと接合させるステップとを含む多接合太陽電池を製造する方法。
【請求項８】
Ｇａ1-XＩｎXＮYＡｓ1-Y-ZＳｂZの組成範囲は、０．０７≦ｘ≦０．１８、０．０２５≦ｙ≦０．０４、０．００１≦ｚ≦０．０３である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記Ｇａ1-XＩｎXＮYＡｓ1-Y-ZＳｂZサブセルは、ＧａＡｓおよびＧｅ族から選択された基板に実質的に格子整合している、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
低含有値はｚに相当し、高含有値はｘに相当する請求項６に記載の多接合太陽電池。
【請求項１１】
前記少なくとも１つのＧａ1-XＩｎXＮYＡｓ1-Y-ZＳｂZサブセルは、基板に実質的に格子整合することを特徴とする請求項１または６に記載の多接合太陽電池。
【請求項１２】
前記少なくとも１つのＧａ1-XＩｎXＮYＡｓ1-Y-ZＳｂZサブセルは、ＧａＡｓおよびＧｅ族から選択された基板に実質的に格子整合していることを特徴とする請求項１１に記載の多接合太陽電池。
【請求項１３】
前記少なくとも１つのＧａ1-XＩｎXＮYＡｓ1-Y-ZＳｂZサブセルは、基板の前記格子定数の５％以下の格子定数を有することを特徴とする請求項１１に記載の多接合太陽電池。
【請求項１４】
前記少なくとも１つのＧａ1-XＩｎXＮYＡｓ1-Y-ZＳｂZサブセルは、フィルタリングされたＡＭ１．５Ｄスペクトルを使用して１，０００Ｗ／ｍ2の強度で多接合太陽電池の少なくとも０．３Ｖの照射下の開路電圧で１３ｍＡ／ｃｍ2以上の短路電流の発生が可能であることを特徴とする請求項１または６に記載の多接合太陽電池。
【請求項１５】
前記少なくとも１つのＧａ1-XＩｎXＮYＡｓ1-Y-ZＳｂZサブセルは、フィルタリングされたＡＭ１．５Ｄスペクトルを使用して１，０００Ｗ／ｍ2の強度で多接合太陽電池の少なくとも０．３Ｖの照射下の開路電圧で１３ｍＡ／ｃｍ2以上の短路電流を示すことを特徴とする請求項１に記載の多接合太陽電池。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月3日(2014.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に側方に離隔されたｎ−領域及びｐ−領域を有する半導体部、
前端及び後端を有する前記ｎ−領域と前記ｐ−領域との間の活性領域、
前記ｎ−領域に隣接し、その上部に配置されて前記活性領域内へ電流を導入するための第一の導入部を有する第一のメタライゼーション層、並びに
前記第一のメタライゼーション層と対向し、前記ｐ−領域に隣接し、その上部に配置されて前記活性領域内へ電流を導入するための第二の導入部を有する第二のメタライゼーション層を備え、
少なくとも一つの前記メタライゼーション層の厚さ及び／または幅が、前記活性領域の少なくとも一端の近傍の活性領域の一部における電流導入を、前記活性領域の他の部分における電流導入と比較して制御できるように選択され、少なくとも一つの前記メタライゼーション層の幅が、前記活性領域の幅よりも大きく、
前記活性領域が、前記前端近傍で拡張部を備え、前記拡張部が、減少された幅及び／または厚さを有する少なくとも一つの前記メタライゼーション層の一部によって覆われる、半導体レーザーダイオード。
【請求項２】
少なくとも一つの前記メタライゼーション層が、前記活性領域の前端近傍に前端部を備え、前記前端部が、前記活性領域の前端近傍の電流導入が前記活性領域の他のどの領域における電流導入と比較しても実質的に減少されるように構成される、請求項１に記載のレーザーダイオード。
【請求項３】
少なくとも一つの前記メタライゼーション層の前端部の幅及び／または厚さが、少なくとも一つの前記メタライゼーション層の他のどの部分の厚さよりも薄い、請求項２に記載のレーザーダイオード。
【請求項４】
少なくとも一つの前記メタライゼーション層の前端部が、少なくとも一つの前記メタライゼーション層の抵抗が前記前端部において少なくとも一つの前記メタライゼーション層内の他のどの領域と比較しても増加されるように構成される、請求項２または３に記載のレーザーダイオード。
【請求項５】
少なくとも一つの前記メタライゼーション層が、前記活性領域の前端及び後端近傍の電流導入が前記活性領域の中間部における電流導入と比較して減少されるように構成される、請求項１から４のいずれか一項に記載のレーザーダイオード。
【請求項６】
少なくとも一つの前記メタライゼーション層が、前記活性領域の前端近傍でほぼ均一な電流密度を提供するように構成される、請求項１から５のいずれか一項に記載のレーザーダイオード。
【請求項７】
前記導入部が、前記活性領域の少なくとも一端から離れた少なくとも一つの前記メタライゼーション層の一部の上に位置されたワイヤーボンドを備える、請求項１から６のいずれか一項に記載のレーザーダイオード。
【請求項８】
前記活性領域の前端において少なくとも一つの前記メタライゼーション層と前記半導体部との間に、前記活性領域の前端における電流導入を遮断するための絶縁層をさらに備え、前記絶縁層が、前記活性領域内において非ポンプ端部を形成する、請求項１から７のいずれか一項に記載のレーザーダイオード。
【請求項９】
少なくとも一つの前記メタライゼーション層が、第一の層及び第二の層を備え、前記第二の層が、前記第一の層よりも厚い、請求項１から８のいずれか一項に記載のレーザーダイオード。
【請求項１０】
前記第二の層が、少なくとも一つの前記メタライゼーション層の後端部上で前記第一の層の少なくとも一部を覆う、請求項９に記載のレーザーダイオード。
【請求項１１】
フレアリッジダイオード、
非フレアリッジダイオード、及び
広域シングルエミッタ（ＢＡＳＥ）ダイオード、
からなる群から選択される、請求項１から１０のいずれか一項に記載のレーザーダイオード。
【請求項１２】
前記半導体部の前記ｐ−領域が、メタライズされたサブマウントと接合されるように構成される、請求項１から１１のいずれか一項に記載のレーザーダイオード。
【請求項１３】
内部に側方に離隔されたｎ−領域及びｐ−領域を有する半導体部、
前端及び後端を有する前記ｎ−領域と前記ｐ−領域との間の活性領域、
前記ｎ−領域に隣接し、その上部に配置されて前記活性領域内へ電流を導入するための第一の導入部を有する第一のメタライゼーション層並びに、
前記第一のメタライゼーション層と対向し、前記ｐ−領域に隣接し、その上部に配置されて前記活性領域内へ電流を導入するための第二の導入部を有する第二のメタライゼーション層を備える高出力レーザーダイオードを製造する方法であって、
少なくとも一つの前記メタライゼーション層の幅及び／または厚さをダイオードの長さに沿って、前記活性領域の少なくとも一端の近傍の前記活性領域の一部における電流導入を、前記活性領域の他の部分における電流導入と比較して制御できるように変更することを含み、少なくとも一つの前記メタライゼーション層の幅が、前記ダイオードの長さに沿った前記活性領域の幅よりも大きく、
前記活性領域の前記前端近傍に拡張部を形成し、前記拡張部が、減少された幅及び／または厚さを有する少なくとも一つの前記メタライゼーション層の一部によって覆われる、方法。
【請求項１４】
少なくとも一つの前記メタライゼーション層を、選択的成膜及び成膜後の選択的除去またはエッチングを備える群から選択されたパターニングプロセスによって製造することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記パターニングプロセスに用いられるマスクの形状を、前記メタライゼーション層の所定のパターンを得ることができるように選択することをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
少なくとも一つの前記メタライゼーション層の前端部の幅及び／または厚さを、後端部と比較して減少させること、
少なくとも一つの前記メタライゼーション層の前記後端部上にワイヤーボンドを備える少なくとも一つの前記導入部を位置させること、
サブマウントの形状を形成すること、または前記ｐ−領域及び／もしくは前記ｎ−領域の材料を最適化すること、及び
少なくとも一つの前記メタライゼーション層と前記半導体部との間の前記活性領域の前端に絶縁層を形成すること、
の一つまたはすべてによって、前記前端における電流導入が減少される、請求項１３から１５のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月25日(2014.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の光透過電極と、
ｎ型ＴｉＯ２を含み且つ前記第１の光透過電極上に堆積された第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に堆積され且つｐ型光吸収量子ドットナノ粒子を含む第２の半導体層と、さらに
前記第２の半導体層上に堆積された第２の電極と、を備え、
前記第１および第２の半導体層はその間に接合を形成し、その接合の少なくとも一方の側は当該デバイスが照射されていない場合、自由電子および自由ホールが実質的に空乏化されている、光起電力デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の光起電力デバイスにおいて、前記第１の半導体層と前記ｐ型光吸収量子ドットナノ粒子は、前記接合の少なくとも一方の側が空乏化するように、充分に異なる大きさのバンドギャップを有する、光起電力デバイス。
【請求項３】
請求項２に記載の光起電力デバイスにおいて、前記第１の半導体層の前記バンドギャップは前記ｐ型光吸収量子ドットナノ粒子の層のバンドギャップより少なくとも約１．５ｅＶ大きい、光起電力デバイス。
【請求項４】
請求項２に記載の光起電力デバイスにおいて、前記第１の半導体層のバンドギャップは前記ｐ型光吸収量子ドットナノ粒子の層のバンドギャップより少なくとも約１．５ｅＶから約５ｅＶ大きい、光起電力デバイス。
【請求項５】
請求項２に記載の光起電力デバイスにおいて、前記第１の半導体層のバンドギャップは前記ｐ型光吸収量子ドットナノ粒子の層のバンドギャップより少なくとも約２ｅＶから約５ｅＶ大きい、光起電力デバイス。
【請求項６】
請求項１に記載の光起電力デバイスにおいて、前記ｐ型光吸収量子ドットナノ粒子はコロイド量子ドットである、光起電力デバイス。
【請求項７】
請求項１に記載の光起電力デバイスにおいて、前記ｐ型光吸収量子ドットナノ粒子は金属カルコゲナイドコロイド量子ドットである、光起電力デバイス。
【請求項８】
請求項１に記載の光起電力デバイスにおいて、前記ｐ型光吸収量子ドットナノ粒子は鉛カルコゲナイドコロイド量子ドットである、光起電力デバイス。
【請求項９】
請求項１に記載の光起電力デバイスにおいて、前記ｐ型光吸収量子ドットナノ粒子は硫化鉛コロイド量子ドットである、光起電力デバイス。
【請求項１０】
請求項６に記載の光起電力デバイスにおいて、前記コロイド量子ドットは３ｎｍから６ｎｍの数値平均直径を有する、光起電力デバイス。
【請求項１１】
請求項１に記載の光起電力デバイスにおいて、前記光吸収量子ドットナノ粒子は、表面に陰イオンを含む１つの表面を備えた量子ドットコアと、前記量子ドットコアを取り囲み前記コア表面の前記陰イオンをパッシベートする陽イオンを含む第１のシェルと、さらに、前記第１のシェルを取り囲み前記コア表面において存在する全ての陽イオンと前記第１のシェルの前記陽イオンとをパッシベートする陰イオンを含む第２のシェルと、を備えるナノ粒子である、光起電力デバイス。
【請求項１２】
請求項１１に記載の光起電力デバイスにおいて、前記量子ドットコアは金属カルコゲナイドコロイド量子ドットである、光起電力デバイス。
【請求項１３】
請求項１１に記載の光起電力デバイスにおいて、前記量子ドットコアは金属硫化物コロイド量子ドットである、光起電力デバイス。
【請求項１４】
請求項１１に記載の光起電力デバイスにおいて、前記量子ドットコアは金属硫化物コロイド量子ドットであり、前記第１のシェルの前記陽イオンは、Ｃｄ2+、Ｐｂ2+、Ｚｎ2+およびＳｎ2+からなるグループから選択された部材である、光起電力デバイス。
【請求項１５】
請求項１１に記載の光起電力デバイスにおいて、前記量子ドットコアは金属硫化物コロイド量子ドットであり、前記第１のシェルの前記陽イオンは、Ｃｄ2+である、光起電力デバイス。
【請求項１６】
請求項１１に記載の光起電力デバイスにおいて、前記第１のシェルの前記陽イオンはＣｄ2+であり、前記第２のシェルの前記陰イオンは、ハロゲンイオンおよびチオシアン酸イオンからなるグループから選択された部材である、光起電力デバイス。
【請求項１７】
請求項１１に記載の光起電力デバイスにおいて、前記量子ドットコアは金属硫化物コロイド量子ドットであり、前記第１のシェルの前記陽イオンはＣｄ2+であり、前記第２のシェルの第２の陰イオンはハロゲンイオンである、光起電力デバイス。
【請求項１８】
請求項１１に記載の光起電力デバイスにおいて、前記量子ドットコアは金属硫化物コロイド量子ドットであり、前記第１のシェルの前記陽イオンはＣｄ2+であり、前記第２のシェルの前記陰イオンは臭素イオンである、光起電力デバイス。
【請求項１９】
請求項１に記載の光起電力デバイスにおいて、前記第１の光透過電極は、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化インジウムスズおよびフッ素ドープの酸化スズからなるグループから選択された部材である、光起電力デバイス。
【請求項２０】
請求項１に記載の光起電力デバイスにおいて、前記第１の光透過電極はフッ素ドープの酸化スズである、光起電力デバイス。
【請求項２１】
請求項１に記載の光起電力デバイスにおいて、前記第２の電極は、ニッケル、フッ化リチウム、プラチナ、パラジウム、銀、金、銅および銀、金および銅の合金からなるグループから選択された部材である、光起電力デバイス。
【請求項２２】
請求項１に記載の光起電力デバイスにおいて、前記第２の電極は金である、光起電力デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月22日(2013.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号を受け取る積分器と、
前記積分器に結合されるパルス幅変調器（ＰＷＭ）と、
前記パルス幅変調器に結合される論理回路と、
出力段と、
を含む装置であって、
前記出力段が、
第１のノードと、
第２のノードと、
第３のノードと、
接地に結合される第４のノードと、
前記第１及び第２のノード間に結合されるキャパシタと、
前記第１のノード、前記第２のノード、前記第３のノード、前記第４のノード、及び供給レールに結合されるスイッチネットワークと、
を有し、
第１のモード、第２のモード、及び第３のモードで動作するように前記スイッチネットワークが前記論理回路により制御され、
前記第１のモードにおいて、電源が前記キャパシタを充電し、前記第３のノードが接地され、
前記第２のモードにおいて、前記キャパシタが正のサプライ電圧を前記第３のノードに提供し、さらに
前記第３のモードにおいて、前記キャパシタが前記第３のモードでの負のサプライ電圧を提供する、
装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記スイッチネットワークが、
前記供給レールと前記第１のノードとの間に結合され、前記第１のモードで閉じている第１のスイッチと、
前記第１のノードと前記第４のノードとの間に結合され、前記第３のモードで閉じている第２のスイッチと、
前記第１のノードと前記第３のノードとの間に結合され、前記第２のモードで閉じている第３のスイッチと、
前記第２のノードと前記第４のノードとの間に結合され、前記第１のモード及び前記第２のモードで閉じている第４のスイッチと、
前記第２のノードと前記第４のノードとの間に結合され、前記第３のモードで閉じている第５のスイッチと、
前記第３のノードと前記第４のノードとの間に結合され、前記第１のモードで閉じている第６のスイッチと、
を更に含む、装置。
【請求項３】
請求項１に記載の装置であって、
前記入力信号が差動である、装置。
【請求項４】
請求項３に記載の装置であって、
前記積分器が、
第１の入力端子と第２の入力端子と第１の出力端子と第２の出力端子とを有する増幅器と、
前記第１の入力端子と前記第１の出力端子との間に結合される第１のフィードバック・キャパシタと、
前記第２の入力端子と前記第２の出力端子との間に結合される第２のフィードバック・キャパシタと、
を更に含む、装置。
【請求項５】
請求項１に記載の装置であって、
前記パルス幅変調器が、
第１の入力端子と第２の入力端子と出力端子とを有する第１のコンパレータであって、前記第１のコンパレータの前記第１の入力端子が前記積分器に結合され、前記第１のコンパレータの前記出力端子が前記論理回路に結合される、前記第１のコンパレータと、
第１の入力端子と第２の入力端子と出力端子とを有する第２のコンパレータであって、前記第２のコンパレータの前記第１の入力端子が前記積分器に結合され、前記第２のコンパレータの前記出力端子が前記論理回路に結合される、前記第２のコンパレータと、
前記第１のコンパレータの前記第２の入力端子及び前記第２のコンパレータの前記第２の入力端子に結合されるランプ発生器と、
を更に含む、装置。
【請求項６】
請求項１に記載の装置であって、
オーディオ信号を生成する音源と、
前記オーディオ信号を受け取るように前記音源に結合される第２のキャパシタと、
前記第３のノードに結合されるスピーカーと、
を更に含み、
前記積分器が前記第２のキャパシタに結合され、
前記第２のキャパシタ、積分器、パルス幅変調器、論理回路、及び出力段がＤ級アンプを提供する、装置。
【請求項７】
請求項６に記載の装置であって、
前記スイッチネットワークが、
前記供給レールと前記第１のノードとの間に結合され、前記第１のモードで閉じている第１のスイッチと、
前記第１のノードと前記第４のノードとの間に結合され、前記第３のモードで閉じている第２のスイッチと、
前記第１のノードと前記第３のノードとの間に結合され、前記第２のモードで閉じている第３のスイッチと、
前記第２のノードと前記第４のノードとの間に結合され、前記第１のモード及び前記第２のモードで閉じている第４のスイッチと、
前記第２のノードと前記第４のノードとの間に結合され、前記第３のモードで閉じている第５のスイッチと、
前記第３のノードと前記第４のノードとの間に結合され、前記第１のモードで閉じている第６のスイッチと、
を更に含む、装置。
【請求項８】
請求項７に記載の装置であって、
前記積分器が、
第１の入力端子と第２の入力端子と第１の出力端子と第２の出力端子とを有する増幅器と、
前記第１の入力端子と前記第１の出力端子との間に結合される第１のフィードバック・キャパシタと、
前記第２の入力端子と前記第２の出力端子との間に結合される第２のフィードバック・キャパシタと、
を更に含む、装置。
【請求項９】
請求項８に記載の装置であって、
前記パルス幅変調器が、
第１の入力端子と第２の入力端子と出力端子とを有する第１のコンパレータであって、前記第１のコンパレータの前記第１の入力端子が前記積分器に結合され、前記第１のコンパレータの前記出力端子が前記論理回路に結合される、前記第１のコンパレータと、
第１の入力端子と第２の入力端子と出力端子とを有する第２のコンパレータであって、前記第２のコンパレータの前記第１の入力端子が前記積分器に結合され、前記第２のコンパレータの前記出力端子が前記論理回路に結合される、前記第２のコンパレータと、
前記第１のコンパレータの前記第２の入力端子及び前記第２のコンパレータの前記第２の入力端子に結合されるランプ発生器と、
を更に含む、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月22日(2013.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、
第１のピン、
第２のピン、
第３のピン、
第１の入力端子と第２の入力端子と出力端子とを有する増幅器であって、前記出力端子が前記第３のピンに結合される、前記増幅器、
前記第１のピンと前記増幅器の前記第１の入力端子との間に結合され、前記第２のピンと前記増幅器の前記第２の入力端子との間に結合される第１のスイッチネットワーク、
前記増幅器の前記第１の入力端子と、前記増幅器の前記第２の入力端子と、前記増幅器の前記出力端子とに結合される第２のスイッチネットワーク、及び
第１の制御信号を前記第１のスイッチネットワークに提供するように結合され、第２の制御信号を前記第２のスイッチネットワークに提供するように結合されるコントローラであって、増幅モード及び遷移モードの間前記第１の制御信号が前記第１のスイッチネットワーク内の各スイッチをアクティベートし、ミュートモード及び前記遷移モードの間前記第２の制御信号が前記第２のスイッチネットワーク内の各スイッチをアクティベートし、前記ミュートモードの間前記増幅器を介するフィードバックが前記増幅器をアクティブにミュートする、前記コントローラ、
を含む、装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記増幅器がＡＢ級オーディオアンプを更に含む、装置。
【請求項３】
請求項１に記載の装置であって、
第１のスイッチネットワークが、
前記第１のピンと前記増幅器の前記第１の入力端子との間に結合され、前記第１の制御信号により制御される第１のスイッチ、及び
前記第２のピンと前記増幅器の前記第２の入力端子との間に結合され、前記第１の制御信号により制御される第２のスイッチ、
を更に含む、装置。
【請求項４】
請求項３に記載の装置であって、
前記第１及び第２のスイッチがＭＯＳＦＥＴスイッチを更に含む、装置。
【請求項５】
請求項４に記載の装置であって、
前記第１の制御信号の立ち上がり時間及び立ち下がり時間が約３０μｓである、装置。
【請求項６】
請求項１に記載の装置であって、
前記第２のスイッチネットワークが、
前記増幅器の前記出力端子と前記増幅器の前記第１の入力端子との間に結合され、前記第２の制御信号により制御される第１のスイッチ、及び
前記増幅器の前記第２の入力端子と接地との間に結合され、前記第２の制御信号により制御される第２のスイッチ、
を更に含む、装置。
【請求項７】
請求項６に記載の装置であって、
前記第２のスイッチネットワークが、前記第１のスイッチと前記増幅器の前記第１の入力端子との間に結合されるレジスタを更に含む、装置。
【請求項８】
請求項７に記載の装置であって、
前記レジスタが第１のレジスタを更に含み、
前記第２のスイッチネットワークが、前記増幅器の前記第１の入力端子に結合され、前記第２の制御信号により制御される第３のスイッチ、及び、前記第３のスイッチと接地との間に結合される第２のレジスタを更に含む、装置。
【請求項９】
請求項８に記載の装置であって、
前記第１及び第２のレジスタが各々約１０ｋΩの抵抗を有する、装置。
【請求項１０】
請求項８に記載の装置であって、
前記第１、第２、及び第３のスイッチがＭＯＳＦＥＴスイッチを更に含む、装置。
【請求項１１】
請求項４に記載の装置であって、
前記第２の制御信号の立ち上がり時間及び立ち下がり時間が約３０μｓである、装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の装置であって、
前記遷移モードの長さが少なくとも約１００μｓである、装置。
【請求項１３】
請求項１に記載の装置であって、
前記第１のスイッチネットワークが、前記第１のピンと前記増幅器の前記第１の入力端子との間に結合される第１のスイッチと、前記第２のピンと前記増幅器の前記第２の入力端子との間に結合される第２のスイッチとを有し、
前記第２のスイッチネットワークが、前記増幅器の前記出力端子に結合される第３のスイッチと、前記増幅器の前記第２の入力端子と接地との間に結合される第４のスイッチと、前記第１のスイッチと前記増幅器の前記第１の入力端子との間に結合される第１のレジスタと、前記増幅器の前記第１の入力端子に結合される第５のスイッチと、前記第３のスイッチと接地との間に結合される第２のレジスタとを有し、
前記コントローラが、前記第１の制御信号を前記第１及び第２のスイッチに提供するように結合され、前記第２の制御信号を前記第３、第４、及び第５のスイッチに提供するように結合され、
前記増幅モード及び前記遷移モードの間、前記第１の制御信号が、前記第１のスイッチネットワーク内の前記第１及び第２のスイッチの各々をアクティベートし、更に、
前記ミュートモード及び前記遷移モードの間、前記第２の制御信号が、前記第２のスイッチネットワーク内の前記第３、第４、及び第５のスイッチの各々をアクティベートする、装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の装置であって、
前記増幅器がＡＢ級オーディオアンプを更に含む、装置。
【請求項１５】
方法であって、
信号源からの信号を増幅器で増幅するようにアクティブモードの間第１の制御信号で第１のスイッチネットワーク内の複数のスイッチをアクティベートする工程であって、前記第１のスイッチネットワークが第１のピンと前記増幅器の第１の入力端子との間に結合され、前記増幅器が第２の入力端子と出力端子とを更に含み、前記増幅器の前記出力端子が第３のピンに結合され、前記第１のスイッチネットワークがまた第２のピンと前記増幅器の前記第２の入力端子との間に結合される、前記工程、
前記増幅器の閉ループオペレーションを保持するため遷移モードの間第２の制御信号で第２のスイッチネットワーク内の複数のスイッチをアクティベートする工程であって、前記第２のスイッチネットワークが前記増幅器の前記第１の入力端子と前記増幅器の前記第２の入力端子と前記増幅器の前記出力端子とに結合される、前記工程、及び
ミュートモードの間前記第１の制御信号で前記第１のスイッチネットワーク内の前記複数のスイッチをディアクティベートする工程であって、それにより前記増幅器を介するフィードバックが前記増幅器をアクティブにミュートするようにし、前記ミュートモードが前記遷移モードに続く、前記工程、
を含み、
増幅モード及び前記遷移モードの間前記第１の制御信号が前記第１のスイッチネットワーク内の各スイッチをアクティベートし、前記ミュートモード及び前記遷移モードの間前記第２の制御信号が前記第２のスイッチネットワーク内の各スイッチをアクティベートする、方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、
前記第１及び第２の制御信号の立ち上がり時間及び立ち下がり時間が約３０μｓであり、前記遷移モードの長さが約１００μｓである、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月1日(2014.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のホップ上に第１のデータを備える第１の送信を受信し、第２のホップ上に第２のデータを備える第２の送信を受信し、デコードのために前記第１の送信及び前記第２の送信から前記第１のデータと前記第２のデータとを結合し、前記第１の送信および前記第２の送信に対するＨＡＲＱフィードバックを送信するように構成されたプロセッサ
を備え、
前記ＨＡＲＱフィードバックは、次の基地局及び中継ノードの１つ又は複数によりオーバーハードされかつデコードされるように構成されたことを特徴とするワイヤレス送受信ユニティ（ＷＴＲＵ）。
【請求項２】
前記第１の送信は前記基地局からであることを特徴とする請求項１に記載のＷＴＲＵ。
【請求項３】
前記第２の送信は前記中継ノードからであることを特徴とする請求項１に記載のＷＴＲＵ。
【請求項４】
前記ＨＡＲＱフィードバックは前記基地局に送られることを特徴とする請求項２に記載のＷＴＲＵ。
【請求項５】
前記基地局に送られた前記ＨＡＲＱフィードバックは、前記中継ノードによってオーバーハードされ、デコードされることを特徴とする請求項４に記載のＷＴＲＵ。
【請求項６】
前記第２のデータは、前記第１のデータ内に含まれたデータの一部を備えることを特徴とする請求項１に記載のＷＴＲＵ。
【請求項７】
前記第１の送信に対する第１のＨＡＲＱエンティティ、および前記第２の送信に対する第２のＨＡＲＱエンティティを有するようにさらに構成されたことを特徴とする請求項１に記載のＷＴＲＵ。
【請求項８】
前記第１の送信および前記第２の送信に対してＨＡＲＱエンティティを予約させるようにさらに構成されたことを特徴とする請求項１に記載のＷＴＲＵ。
【請求項９】
前記中継ノードが第２のＷＴＲＵであることを特徴とする請求項３に記載のＷＴＲＵ。
【請求項１０】
ワイヤレスシステム内の協調送信のための方法であって、
第１のホップ上に第１のデータを備える第１の送信を受信することと、
第２のホップ上に第２のデータを備える第２の送信を受信することと、
デコードのために前記第１の送信及び前記第２の送信から前記第１のデータと前記第２のデータとを結合することと、
前記第１の送信および前記第２の送信に対するＨＡＲＱフィードバックを送信することと
を備え、
前記ＨＡＲＱフィードバックは、次の基地局及び中継ノードの１つ又は複数によりオーバーハードされかつデコードされるように構成されたことを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記第１の送信は第１のＨＡＲＱエンティティを使用し、前記第２の送信は第２のＨＡＲＱエンティティを使用することを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１のＨＡＲＱエンティティを前記第２のＨＡＲＱエンティティと調整すること
をさらに備えることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１のデータおよび前記第２のデータを共同でデコードすること
をさらに備えることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２のデータは、前記第１のデータに含まれたデータの一部を備えることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
ワイヤレス送受信ユニットによって実施されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
進化型Ｎｏｄｅ  Ｂによって実施されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
第１のＨＡＲＱエンティティにおいて第１のデータを備える、第１のホップ上に第１の送信を受信し、第２のＨＡＲＱエンティティにおいて第２のデータを備える、第２のホップ上に第２の送信を受信し、前記第１のＨＡＲＱエンティティを前記第２のＨＡＲＱエンティティと調整し、ＨＡＲＱフィードバックを送信するように構成されたプロセッサ
を備え、
前記ＨＡＲＱフィードバックは、次の基地局及び中継ノードの１つ又は複数によりオーバーハードされかつデコードされるように構成された
ことを特徴とするワイヤレス送受信ユニット（ＷＴＲＵ）。
【請求項１８】
前記プロセッサは、前記第１のデータと前記第２のデータが共同でデコードされるように、前記第１のＨＡＲＱエンティティを前記第２のＨＡＲＱエンティティと調整するように構成されたことを特徴とする請求項１７に記載のＷＴＲＵ。
【請求項１９】
ダウンリンク制御情報（ＤＣＩ）を受信するようにさらに構成され、前記ＤＣＩは、送信を中継ノードと調整することに関する制御情報を含むことができることを特徴とする請求項１７に記載のＷＴＲＵ。
【請求項２０】
前記中継ノードは、基地局からクロスリンク制御情報を受信することを特徴とする請求項１９に記載のＷＴＲＵ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月12日(2014.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
指向性無線周波数（ＲＦ）通信を行うデータセンタであって、
スイッチング部を形成する複数の処理ユニットを有し、前記複数の処理ユニットのうちの個々の処理ユニットは、
演算機能を実行するための処理リソースと、
データを格納するためのメモリリソースと、
少なくとも２つの方向に向いたＲＦビームを形成するための少なくとも２つの無線ＲＦ通信要素と、
前記処理リソースと、前記メモリリソースと、前記少なくとも２つの無線ＲＦ通信要素とを結合するためのスイッチングリソースと
を有し、前記個々の処理ユニットのうちの第１の処理ユニットは、
指定された時間スロットを利用して第２の処理ユニットに制御データを転送し、及び
指定された別の時間スロットを利用して前記第２の処理ユニットにペイロードデータを転送する、データセンタ。
【請求項２】
前記複数の処理ユニットは少なくとも２つのグループの処理ユニットを備え、各処理ユニットが、ローカルグループの少なくとも１つの他の処理ユニットと通信するための少なくとも１つのグループ内無線通信要素と、少なくとも１つの近傍グループの少なくとも１つの他の処理ユニットと通信するための少なくとも１つのグループ間通信要素とを備える請求項１に記載のデータセンタ。
【請求項３】
前記複数の処理ユニットは円柱構造を形成する処理ユニットのグループを備え、前記円柱構造が、前記グループ内部の処理ユニット間のグループ内通信を収容するための内部自由空間領域を有する請求項１に記載のデータセンタ。
【請求項４】
処理ユニットの少なくとも一つのサブセットのそれぞれが、外部エンティティと通信するための少なくとも１つの有線通信要素を備える請求項１に記載のデータセンタ。
【請求項５】
前記複数のユニットは互いに相対して配置されて永続的な干渉を回避し、第１の処理ユニットは第２の処理ユニットと通信できるが、前記第２の処理ユニットは前記第１の処理ユニットと直接には通信できない場合には、永続的な干渉が存在すると判定する、請求項１に記載のデータセンタ。
【請求項６】
前記複数の処理ユニットは、起点の処理ユニットから宛先の処理ユニットへ、少なくとも１つの中間の処理ユニットを介してペイロード・データを送信するスイッチング部を形成する請求項１に記載のデータセンタ。
【請求項７】
前記ペイロードデータの送信に関与する少なくとも１つの処理ユニットは、メモリ・リソースの少なくとも一部を、前記スイッチング部が送信する前記ペイロードデータを一時的に格納するためのバッファとして使用する、請求項６に記載のデータセンタ。
【請求項８】
前記スイッチング部は、前記データセンタ内の準最適に動作する処理ユニットを回避するようにメッセージをルーティングするルーティング方式を使用する、請求項６に記載のデータセンタ。
【請求項９】
前記スイッチング部は、処理ユニットの第１のサブセットを用いてペイロードデータを第１の方向に送信し、処理ユニットの第２のサブセットを用いてペイロードデータを第２の方向に送信するように構成される請求項６に記載のデータセンタ。
【請求項１０】
前記複数の処理ユニットは、隠れ端末の現象を解決するメディアアクセスプロトコルを用いて、無線通信を介して互いに通信するように構成される請求項１に記載のデータセンタ。
【請求項１１】
前記複数の処理ユニットは、制御データ及びペイロードデータを送信することによって互いに通信するように構成され、ペイロードデータに対する制御データの比率は、待ち時間に関連しかつ容量に関連する目標のパフォーマンスをもたらすように選択される請求項１に記載のデータセンタ。
【請求項１２】
前記複数の処理ユニットは、周波数及び時間に関して決定された複数のスロットを用いて前記制御データを通信するように構成される請求項１１に記載のデータセンタ。
【請求項１３】
処理ユニットをデータセンタ内に配置するための配置方法であって、
前記データセンタにおける新たな処理ユニットを、１つ以上の他の既に配置されている処理ユニットに対する候補位置に配置するステップであって、処理ユニットの各々は、無線通信を用いて少なくとも１つの他の処理ユニットと通信するために指向性ビームを形成する少なくとも１つの通信要素を有する、ステップと、
前記新たな処理ユニットを前記候補位置に配置すると永続的な干渉が前記データセンタ内に生ずるか否かを判定するステップであって、第１の処理ユニットは第２の処理ユニットと通信できるが前記第２の処理ユニットは前記第１の処理ユニットと直接には通信できない場合に、永続的な干渉が存在すると判定する、ステップと、
永続的な干渉が存在しない場合には、前記新たな処理ユニットを前記候補位置に配置することを許可するステップと、
永続的な干渉が存在する場合には、少なくとも１つの処理ユニットの位置を変更して、前記判定するステップを繰り返すステップと、
を含む配置方法。
【請求項１４】
前記判定するステップは、永続的な干渉が検出された場合には警告を通知するステップを含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
評価される処理ユニット各々の通信能力に基づいて、前記データセンタ内の処理ユニットの相互接続に関するトポロジ情報を生成するステップをさらに含む請求項１３に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】データセンタ及び配置方法
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月20日(2014.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セカンダリ局を動作させる方法であって、セカンダリ局が、第１構造を有するサーチ空間により複数のキャリアのうちの第１キャリアをサーチし、前記複数のキャリアのうちの前記第１キャリアの識別が時間とともに予め定められた態様で変更される、方法。
【請求項２】
前記セカンダリ局が、第２構造を有するサーチ空間により前記複数のキャリアのうちの第２キャリアを少なくともサーチする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１キャリアがアンカー・キャリアである請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記複数のキャリアがアクティブなキャリアのセットであり、前記第１キャリアの前記識別が、時間とともに前記予め定められた態様で、アクティブなキャリアの前記セット中のキャリアを変更することによって変更される、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記複数のキャリアが、アクティブなキャリアのセットの中のキャリアのサブセットであり、前記第１キャリアの前記識別が、時間とともに前記予め定められた態様で、サーチされるアクティブなキャリアの前記サブセットを変更することによって変更される、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記セカンダリ局が間欠受信周期タイマにしたがって間欠的に動作し、前記セカンダリ局が、各間欠受信周期の終わりにアクティブなキャリアの前記サブセットをサーチする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記複数のキャリアがコンポーネント・キャリアであり、前記複数のキャリアのうちの前記第１キャリアの前記識別が、複数の前記コンポーネント・キャリア上の事前に設定された周波数ホッピング・スキームにしたがって変更される、請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記複数のキャリアのうちの前記第１キャリアの前記識別の変更が、動作中にネットワークによって設定される、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記複数のキャリアのうちの前記第１キャリアの前記識別の変更が、予め定められた変更スキームのセットからの予め定められた変更スキームの選択により前記プライマリ局によって設定される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記複数のキャリアのうちの前記第１キャリアの前記識別が、ホッピング・シーケンス又は循環シフトにより変更される、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記サーチ空間の前記第１構造が、複数のセカンダリ局に共通であることができる少なくとも１つのキャリア上の共通サーチサブ空間を有し、前記共通サーチサブ空間の少なくとも一部が前記第１キャリア上にある、請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記サーチ空間の前記第１構造が、前記セカンダリ局に固有の第１サーチサブ空間を有し、前記第１サーチサブ空間は第２キャリア上にあり、前記複数のキャリアのうちの前記第２キャリアの識別が、時間とともに予め定められた態様で変更される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１キャリアと前記第２キャリアが同じキャリアである請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１構造が、前記セカンダリ局に固有の第２サーチサブ空間を有し、前記第２サーチサブ空間が、前記第１サーチサブ空間より小さく、前記第２サーチサブ空間は、前記第１キャリア又は前記第２キャリアの識別が変更されるときに識別が変更されないキャリア上にある、請求項１２又は請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
第１構造を有するサーチ空間により複数のキャリアのうちの第１キャリアを少なくともサーチするための手段を有し、前記第１キャリアの識別が時間とともに予め定められた態様で変更される、セカンダリ局。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月24日(2014.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クライアント装置で、コンテンツの時間長に対応する複数のチャンクに分割されたコンテンツを受信するストリーミング方法であって、該チャンクは少なくとも第１および第２のフォーマットに符号化され、該第２のフォーマットが該第１のフォーマットよりも良好なコンテンツのレンダリング品質レベルに対応し、チャンクがチャンク受信期間に受信され、当該方法は、該クライアント装置において、
前記次のチャンク受信期間に前記チャンクを受信できるように、前記少なくとも第１または第２のフォーマットのうちのいずれか一方に符号化された該チャンクを送信するようにサーバにリクエストするステップと、
前記チャンクを受信すると、該チャンクに符号化されたコンテンツをレンダリングし、前記チャンクをメモリに記憶するステップと、
前記第１のフォーマットで符号化された前記記憶されたチャンクが受信されている場合であって、前記次のチャンク受信期間に帯域幅が利用可能である場合には、前記利用可能な帯域幅を使用して前記第２のフォーマットで符号化された前記チャンクの部分をリクエストするステップと、
を含む、前記方法。
【請求項２】
前記第２のフォーマットで符号化された前記チャンクの部分をリクエストするステップは、前記チャンクが動きの激しいシーケンスに対応するコンテンツからなる場合に行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のフォーマットで符号化された前記チャンクは、第１の接続を介して受信され、前記第２のフォーマットで符号化された前記チャンクは第２の接続を介して受信される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記接続がＴＣＰ／ＩＰ接続である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
クライアント装置で、コンテンツの時間長に対応する複数のチャンクに分割されたコンテンツを受信するストリーミング方法であって、前記チャンクはスケーラブルビデオ符号化（ＳＶＣ）技術に従って基本レイヤーと少なくとも１つの拡張レイヤーに符号化され、チャンクがチャンク受信期間に受信され、当該方法は、該クライアント装置で、
前記次のチャンク受信期間に該チャンクを受信できるように、少なくとも１つのＳＶＣレイヤーを用いて符号化されたチャンクを送信するようにサーバにリクエストするステップと、
前記チャンクを受信すると、該チャンクに符号化されたコンテンツをレンダリングし、前記チャンクをメモリに記憶するステップと、
前記次のチャンク受信期間に帯域幅が利用可能である場合には、少なくとも１つの拡張レイヤー無しで以前に受信されたチャンクの１つの拡張レイヤーの部分を送信するように前記サーバにリクエストし、前記拡張レイヤーを前記メモリに記憶するステップと、を含む、前記方法。
【請求項６】
前記１つの拡張レイヤーの部分を送信するように前記サーバにリクエストするステップは、前記チャンクが動きの激しいシーケンスに対応するコンテンツからなる場合に行われる、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
プログラムであって、コンピュータ上で当該プログラムが実行されたときに、請求項１〜６に従った方法の各ステップを実行するプログラム・コード・インストラクションを含む、前記プログラム。