Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月12日(2014.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め決められたタイプのアンビエント照明を生成する方法であって、
予め決められたタイプのアンビエント照明に対する複数の照明器具のそれぞれの影響を決定するステップと、
前記複数の照明器具のそれぞれの決定された影響に基づいて前記予め決められたタイプのアンビエント照明を生成するように前記複数の照明器具のそれぞれの照射を制御するステップと、
デバイスの少なくとも１つの動作状態をアンビエント照明の複数の予め決められたタイプのうち少なくとも１つにマッピングするステップとを有する、方法。
【請求項２】
前記デバイスは、家庭用器具、メディアプレーヤ及びオーディオ製品のうち１つである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数の照明器具に基づいてアンビエント照明の複数の予め決められたタイプの組み合わせを決定するステップと、
アンビエント照明の予め決められたタイプの決定された組み合わせに基づいて前記デバイスの複数の動作状態条件に対して前記のマッピングを適合させるステップとを更に有する、請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記複数の照明器具のそれぞれの影響を決定するステップは、アンビエント照明の複数の予め決められたタイプのそれぞれに対する前記複数の照明器具のそれぞれの影響を決定するステップを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記のアンビエント照明の複数の予め決められたタイプのそれぞれに対する前記複数の照明器具のそれぞれの影響を決定するステップは、
複数の照射モードを取得するステップと、
複数の取得された照射モードのそれぞれをアンビエント照明の前記複数の予め決められたタイプのそれぞれと関連付けるステップとを有する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記予め決められたタイプのアンビエント照明を生成するように前記複数の照明器具のそれぞれの照射を制御するステップは、
要求された予め決められたタイプのアンビエント照明に関連付けられた取得された照射モードを選択するステップと、
選択され取得された照射モードに従って前記複数の照明器具を照射するステップとを有する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記の複数の照明器具のそれぞれの影響を決定するステップは、
複数の影響ファクタを決定するステップと、
複数の決定された影響ファクタのうち少なくとも１つに基づいて前記影響を決定するステップとを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記影響ファクタは、各照明器具の位置、各照明器具の色出力、オブジェクトの位置、影、部屋のサイズ、他のアンビエント照明及びユーザの位置のうちいずれか１つを有する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記複数の照明器具のそれぞれの照射を制御するステップは、各照明器具の色強度出力、各照明器具の輝度レベル、各照明器具の照射方向、各照明器具の照射タイミングのうち少なくとも１つを制御するステップを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のうちいずれか一項に記載の方法を実行するための複数のプログラムコード部分を有する、コンピュータプログラム。
【請求項１１】
予め決められたタイプのアンビエント照明を生成するための装置であって、
予め決められたタイプのアンビエント照明に対する複数の照明器具のそれぞれの影響を決定し、前記複数の照明器具のそれぞれの決定された影響に基づいて前記予め決められたタイプのアンビエント照明を生成するように前記複数の照明器具のそれぞれの照射を制御するためのプロセッサを有し、
前記プロセッサは、デバイスの少なくとも１つの動作状態をアンビエント照明の複数の予め決められたタイプのうち少なくとも１つにマッピングするように更に動作する、装置。
【請求項１２】
前記デバイスは、家庭用器具、メディアプレーヤ及びオーディオ製品のうち１つである、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記複数の照明器具の複数の照射モードを取得するための取得デバイスと、
複数の取得した照射モードのそれぞれをアンビエント照明の複数の予め決められたタイプのそれぞれに関連付けるためのプロセッサと、
取得した複数の照射モードを格納するためのストレージデバイスとを有する、請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
デバイスの動作状態を示す方法であって、
デバイスの動作状態の数を決定するステップと、
複数の照明器具の予め決められたタイプのアンビエント照明の数を決定するステップと、
前記デバイスの動作状態の決定された数と予め決められたタイプのアンビエント照明の決定された数とに基づいて、前記動作状態及び前記予め決められたタイプのアンビエント照明のマッピングを生成するステップと、
前記デバイスの現在の動作状態を示すために、生成されたマッピングに従って、予め決められたタイプのアンビエント照明を生成するステップとを有する、方法。
【請求項１５】
デバイスの動作状態を示す装置であって、
デバイスの動作状態の数を決定し、
複数の照明器具の予め決められたタイプのアンビエント照明の数を決定し、
前記デバイスの動作状態の決定された数と予め決められたタイプのアンビエント照明の決定された数とに基づいて、前記動作状態及び前記予め決められたタイプのアンビエント照明のマッピングを生成し、
前記デバイスの現在の動作状態を示すために、生成されたマッピングに従って、予め決められたタイプのアンビエント照明を生成するためのプロセッサを有する、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月21日(2014.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個人の顔の特徴を示すモーションデータストリームを受信するステップと、
前記個人の顔の特徴を示すデータを、３次元のリグ上に顔の特徴としてマッピングするステップと、
前記個人の顔の特徴を示すデータが顔の特徴としてマッピングされた３次元のリグを駆動するステップであって、３次元のリグを駆動することとは、リアルタイムで３次元のリグの顔の特徴を更新することによって、前記個人の顔の特徴の変化に対応する変化を持たせるステップと、
前記個人の顔の特徴の変化がキャラクターによって表現されるように、前記３次元のリグを駆動することによってディスプレイスクリーン上でキャラクターをアニメーションさせるステップと
を含むコンピューターによって実行される方法。
【請求項２】
前記キャラクターが、カスタマイズできるスタイルを有するアバターである請求項１に記載の方法。
【請求項３】
スタイルの選択を受信するステップと、
前記選択されたスタイルに対応する前記３次元のリグ上の位置に前記選択されたスタイルをマッピングするステップと、
前記キャラクター上の前記選択されたスタイルを、前記３次元のリグを駆動することによって前記個人の顔の特徴の変化が表現されるようにアニメーションするステップと
をさらに含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記モーションデータストリームをセンサーから受信するステップと、
前記モーションデータストリームから前記個人の顔の特徴を取り出すステップと、
をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記センサーは、深度センサーを含み、
前記ディスプレイスクリーン上でキャラクターをアニメーションさせることとは、その一部が前記深度センサーの出力に基づく、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記センサーは、マイクロホンを含み、
前記ディスプレイスクリーン上でキャラクターをアニメーションさせることとは、その一部が前記マイクロホンで取り込まれた可聴音に基づく、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
第２の個人の顔の特徴を表す第２のモーションデータストリームを受信するステップと、
前記第２の個人の顔の特徴が第２のキャラクターの顔の特徴となるように、前記第２の個人の顔の特徴を表す前記第２のモーションデータストリームに基づいて前記ディスプレイスクリーン上で第２のキャラクターをアニメーションさせるステップであって、前記第２のキャラクターをアニメーションさせることとは、前記第２のキャラクターの顔の特徴を、前記第２のモーションデータストリームで表現される前記第２の個人の顔の特徴のリアルタイムの変化を表現するように変化させるステップと、
をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記モーションデータストリームを含むデータを、前記第２の個人によって用いられるコンピューターに対して送信することをさらに含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記３次元のリグが、骨格の階層的な組を覆う皮膚を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記骨格の階層的な組の骨格はそれについての３次元の変形を含み、前記骨格の３次元の変形は、骨格の位置、骨格の大きさ、骨格の方向を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法を実行するためのプログラム。
【請求項１２】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法を実行するためのプログラムを記録した記録媒体。
【請求項１３】
プロセッサーと、
前記プロセッサーによって実行可能であるコンポーネントを含むメモリーであって、前記コンポーネントとして、
モーションデータストリームを受信し、前記モーションデータストリームから、個人の顔の特徴の変化を表現する前記個人の顔の特徴の位置を含むデータを抽出する顔認識コンポーネント、
前記モーションデータストリームから抽出されたデータに基づき、３次元のリグを駆動する駆動コンポーネントであって、前記個人の顔の特徴の位置を対応する３次元のリグの顔の特徴にリアルタイムでマッピングする駆動コンポーネントと、
前記個人の顔の特徴を反映するように前記３次元のリグに基づいて、ディスプレイスクリーン上でキャラクターをアニメーションさせるレンダーコンポーネント、
を含む、メモリーと
を含むコンピューティング装置。
【請求項１４】
前記コンピューティング装置が、ビデオゲームコンソールである、請求項１３に記載のコンピューティング装置。
【請求項１５】
前記モーションデータストリームを生成するように構成されたビデオカメラを含むセンサーユニットをさらに含む請求項１３に記載のコンピューティング装置。
【請求項１６】
前記キャラクターに関係する複数の選択可能なスタイルから少なくとも一つのスタイルを選択できるインターフェースコンポーネントと、
前記少なくとも一つのスタイルを前記３次元のリグの顔の特徴に適用する適用コンポーネントであって、その結果、前記レンダーコンポーネントが、前記キャラクターの前記少なくとも一つのスタイルを、前記モーションデータストリームから抽出したデータの少なくとも一部に基づいてアニメーションさせることとなる適用コンポーネント
をさらに含む請求項１３に記載のコンピューティング装置。
【請求項１７】
前記コンピューティング装置が、ポータブルコンピューティングデバイスである、請求項１３に記載のコンピューティング装置。
【請求項１８】
計算機読み取り可能なメモリーを含むビデオゲームコンソールであって、
計算機読み取り可能なメモリーは、プロセッサーで実行可能な命令を含み、
前記命令は、
顔の特徴を含む３次元のリグを受け取り、
アバターに含まれるべき、個人の顔の特徴に関連するスタイルの選択を受けとり、
前記個人の顔の特徴に対応する３次元のリグの顔の特徴に前記スタイルを適用し、
前記個人の顔の特徴の位置を表現するビデオデータを受け取り、
前記個人の顔の特徴の位置を前記３次元のリグの顔の特徴にリアルタイムでマッピングし、
前記３次元のリグを、前記個人の顔の特徴の位置と前記３次元のリグの顔の特徴の間のマッピングの少なくとも一部に基づいて駆動し、
ディスプレイスクリーン上の前記アバターを前記３次元のリグを駆動することによって前記個人の顔の特徴の変化をリアルタイムに反映するようにアニメーションさせることであって、前記スタイルを前記個人の顔の特徴の変化を反映するようにアニメーションさせることによって前記アバターをアニメーションさせる、
ことを前記プロセッサーに実行させる命令であること、
を含むビデオゲームコンソール。
【請求項１９】
前記３次元のリグが人間の形状であって、皮膚と骨格の階層的な組を含む、請求項１８に記載のビデオゲームコンソール。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月15日(2014.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性材料の製造方法であって、
（ａ）基板を提供するステップと、
（ｂ）低エネルギー磁性イオンを前記基板に注入するステップと、
（ｃ）大気圧未満のチャンバー中で、前記注入された基板を荷電粒子ビームでピーク温度まで加熱し、前記注入された基板の温度を低下させて、前記磁性材料を得るステップと、を含み、
前記ステップ（ｂ）中、２種類以上のイオンが逐次注入される、方法。
【請求項２】
前記ステップ（ｃ）中、前記ピーク温度を所定の時間維持する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板が絶縁体である、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記基板が絶縁性の酸化物または窒化物である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記基板が、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、および窒化ケイ素からなる群から選択される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記磁性イオンが、鉄、コバルト、ニッケル、サマリウム、ネオジム、およびクロムからなる群から選択される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記磁性イオンが、鉄およびコバルト、またはサマリウムおよびコバルトである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ステップ（ｂ）中、前記磁性イオンが前記基板の深さ１００ｎｍまで浸透する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記磁性イオンが１．０×１０１５イオン／ｃｍ２〜５．０×１０１６イオン／ｃｍ２の間のフルエンスで注入される、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記荷電粒子ビームが電子ビームである、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記ステップ（ｃ）中、前記注入された磁性イオンが凝集して磁性ナノクラスターを形成する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
電気絶縁基板中に磁性ナノクラスターを含む磁性材料の製造方法であって、
（ａ）前記電気絶縁基板を提供するステップと、
（ｂ）鉄、コバルト、ニッケル、サマリウム、ネオジム、およびクロムのイオンからなる群から選択される第１の低エネルギーイオン種を５ｎｍ〜１００ｎｍの間の深さまで前記基板に注入し、
鉄、コバルト、ニッケル、サマリウム、ネオジム、クロム、酸素、およびホウ素のイオンからなる第２の群から選択される１種類以上の低エネルギーイオン種を５ｎｍ〜１００ｎｍの間の深さまで前記基板に注入するステップであって、前記第２の群から選択される前記種が、前記第１の種とは異なるステップと、
（ｃ）１×１０−６ｍｂａｒ未満の圧力のチャンバー中で、前記注入されたイオンが凝集して磁性ナノクラスターを形成するように、前記注入された基板を電子ビームで５００℃〜１４００℃の間のピーク温度まで加熱し、前記注入された基板の温度を低下させて、前記磁性材料を得るステップと、を含む、方法。
【請求項１３】
前記ステップ（ｃ）中、前記ピーク温度を所定の時間維持する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
電気絶縁基板中に磁性ナノクラスターを含む磁性材料の製造方法であって、
（ａ）前記電気絶縁基板を提供するステップと、
（ｂ）鉄、コバルト、ニッケル、サマリウム、ネオジム、およびクロムのイオンからなる群から選択される第１の低エネルギーイオン種を５ｎｍ〜１００ｎｍの間の深さまで前記基板に注入し、
鉄、コバルト、ニッケル、サマリウム、ネオジム、クロム、酸素、およびホウ素のイオンからなる第２の群から選択される１種類以上の低エネルギーイオン種を５ｎｍ〜１００ｎｍの間の深さまで前記基板に注入するステップであって、前記第２の群から選択される前記種が、前記第１の種とは異なるステップと、
（ｃ）１×１０−６ｍｂａｒ未満の圧力のチャンバー中で、前記注入されたイオンが凝集して磁性ナノクラスターを形成するのに有効なピーク温度および時間で、前記注入された基板を電子ビームで加熱し、前記注入された基板の温度を低下させて、前記磁性材料を得るステップと、を含む、方法。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法によって製造された磁性材料。
【請求項１６】
請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法によって製造された磁性材料を含む磁気電気デバイス。
【請求項１７】
正の磁気抵抗比を有する磁性材料を含む磁気電気デバイスであって、
前記磁性材料は、
（ａ）基板を提供するステップと、
（ｂ）低エネルギー磁性イオンを前記基板に注入するステップと、
（ｃ）大気圧未満のチャンバー中で、前記注入された基板を電子ビーム、プロトンビームまたは陽電子ビームでピーク温度まで加熱し、前記注入された基板の温度を低下させて、前記磁性材料を得るステップと、を含む方法により製造される、磁気電気デバイス。
【請求項１８】
前記ステップ（ｃ）中、前記ピーク温度を所定の時間維持する、請求項１７に記載の磁気電気デバイス。
【請求項１９】
前記磁気電気デバイスは、マグネトレジスターまたは磁気センサーである、請求項１７または１８に記載の磁気電気デバイス。
【請求項２０】
前記磁気電気デバイスは、マイクロまたはナノ電気機械システム中に組み込まれる、請求項１７〜１９のいずれか一項に記載の磁気電気デバイス。
【請求項２１】
前記磁気抵抗比は、磁性材料の表面に対して垂直な場で測定したとき、変化の大きさが、４テスラの印加場の場合３００Ｋにおいて最大２０％および１００Ｋにおいて最大９０％、または、８テスラの印加場の場合３００Ｋにおいて最大４０％である、請求項１７〜２０のいずれか一項に記載の磁気電気デバイス。
【請求項２２】
前記基板が絶縁性の酸化物または窒化物である、請求項１７〜２１のいずれか一項に記載の磁気電気デバイス。
【請求項２３】
前記基板が、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、および窒化ケイ素からなる群から選択される、請求項１７〜２２のいずれか一項に記載の磁気電気デバイス。
【請求項２４】
前記磁性イオンが、鉄、コバルト、ニッケル、サマリウム、ネオジム、およびクロムからなる群から選択される、請求項１７〜２３のいずれか一項に記載の磁気電気デバイス。
【請求項２５】
前記ステップ（ｂ）中、前記磁性イオンが前記基板の深さ１００ｎｍまで浸透する、請求項１７〜２４のいずれか一項に記載の磁気電気デバイス。
【請求項２６】
前記磁性イオンが１．０×１０１５イオン／ｃｍ２〜５．０×１０１６イオン／ｃｍ２の間のフルエンスで注入される、請求項１７〜２５のいずれか一項に記載の磁気電気デバイス。
【請求項２７】
前記ビームが電子ビームである、請求項１７〜２６のいずれか一項に記載の磁気電気デバイス。
【請求項２８】
前記ステップ（ｃ）中、前記注入された磁性イオンが凝集して磁性ナノクラスターを形成する、請求項１７〜２７のいずれか一項に記載の磁気電気デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月7日(2014.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被覆組成物で半導体ウエハを被覆する方法であって、
（Ａ）被覆組成物を準備することと、
（Ｂ）半導体ウエハに被覆組成物を配置することと、および
（Ｃ）被覆組成物が硬化するのに充分な量のパルスＵＶ光への前記組成物の曝露によって、前記組成物をＢ−ステージ化硬化すること
とを含み、被覆組成物が、（ｉ）融点が８０°と１３０℃との間の固形エポキシ樹脂と、（ｉｉ）構造式：
【化１】
2013535098.tif 000001
（式中、ｎは５と５００との間の整数であり、およびｍは１〜５の整数である）を有する高分子メルカプタン−ペンダントシリコーンとを含む、該方法。
【請求項２】
被覆組成物が、合計０．１〜１０Ｊ／ｃｍ２のパルスUV源からのUV照射に暴露される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
パルスＵＶ光源を、１５〜３００秒の間、ウエハからバルブへの距離が１２〜３８ｃｍで使用する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
半導体ウエハの厚さが、１００μｍ以下である請求項１に記載の方法。
【請求項５】
被覆組成物が、熱硬化することができる樹脂と、フリーラジカル重合によって硬化することができる樹脂とを含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
熱硬化することができる樹脂がエポキシ樹脂であり、およびフリーラジカル重合により硬化することができる樹脂がアクリレート樹脂である請求項５に記載の方法。
【請求項７】
請求項１の方法を使用して被覆された半導体ウエハ。
【請求項８】
（Ａ）被覆組成物を準備することと、
（Ｂ）半導体ウエハに被覆組成物を配置することと、および
（Ｃ）被覆組成物が硬化するのに充分な量のパルスＵＶ光への前記組成物の曝露によって、前記組成物をＢ−ステージ化硬化すること
とを含む被覆組成物で半導体ウエハを被覆する方法を使用して被覆された半導体ウエハであって、被覆組成物が、（ｉ）融点が８０°と１３０℃との間の固形エポキシ樹脂と、（ｉｉ）粘度が５０ｍＰａｓ未満であり、沸点が１５０℃を超えるアクリレート樹脂とを含む半導体ウエハ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月13日(2014.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
約１０％未満の光学的ヘイズと、
約５０％未満の光学的透明度と、を有する構造化表面を備え、
前記構造化表面の少なくとも８５％が約７．５度未満の勾配規模を有する、光学フィルム。
【請求項２】
約７．５％未満の光学的ヘイズと、
約６０％未満の光学的透明度と、を有する構造化表面を備え、
前記構造化表面の少なくとも９０％が約７．５度未満の勾配規模を有し、
約０．５マイクロメートル未満の平均寸法を有する複数の粒子を含む、光学フィルム。
【請求項３】
光学フィルムの表面上に不規則に分布する複数のミクロ構造であって、不規則な分布のフーリエＲＲ１値が２未満である複数のミクロ構造を含み、
前記光学フィルムの表面の５０％が約１度〜５度の勾配を有する、光学フィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月3日(2014.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記電極（４３１、４３２、５３１、５３２、７３１、７３２）が、前記群（４２、５２、７２）の前記ナノチューブ内で、前記電極に印加される電圧または電気信号（２２９）の関数として前記光導波路（２１）の前記能動部分（２１０）を循環する光束（２１９）の変調を実行するカー効果および／またはシュタルク効果および／または電界吸収を引き起こす電界を生じさせることにより、電気接続なしで前記ナノチューブと相互作用することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の部品（２、４、５、７、９０３）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記配向領域内の前記ナノチューブ（６２１、８２１）のほとんどがそれぞれ前記２つの電極（６３１および６３２）に接続されており、よって、前記電極への電圧または電気信号（２２９）の印加が、前記接続されたナノチューブ（６２１、８２１）において、エレクトロルミネセンスの現象により、前記光導波路（２１）の前記能動部分（２１０）の全部または一部を含む光学モード（６９、８９）内で光束の放射を引き起こす電荷キャリアの注入を生じさせ、前記電極に印加される前記信号（２２９）または電圧から前記光導波路（２１）において光束（２１９）を生じさせ、よって前記光導波路のための光源を作り出すことを特徴とする請求項５に記載の部品（２、６、８、９０１）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記ナノチューブ群（２２、４２、５２、６２、７２）が複数のナノチューブを備えることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の部品（２、４、５、６、７）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
ナノチューブへの電流の注入がエレクトロルミネセンスを引き起こし、エレクトロルミネセンスは第３の電極１３３上に堆積された銀のミラー１０１に基づくキャビティ１５０によって増幅される。このマイクロキャビティは、ナノチューブのどちらの側にも、シリカの層１０２と、金のミラー１０４が載ったＰＭＭＡの層１０３とを備える。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１８】
この部品４、５および７では、ナノチューブの群４２、５２、７２は、電極４３１、４３２、５３１、５３２、７３１、７３２の間に、光導波路２１の能動部分２１０を囲む、またはこれと接する実質的に平坦な層を形成している。電極は、群４２、５２、７２中のナノチューブ内でカー効果および／またはシュタルク効果を引き起こす電界を発生させることにより、上記ナノチューブと相互作用する。この効果は、電極に印加される電圧または電気信号２２９の関数として、光導波路の能動部分２１０を循環する光束の変調を生じさせる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２２】
図４には、電極４３１、４３２がナノチューブ群４２の上部に堆積されている同様の構成が表されている。この構造は、電極がナノチューブに接続されないことによって容易になる。この構造が有利となり得るのは、例えば、群４２の両辺を切断せずにこれらの電極を堆積させることが可能になるからである。これは作成を簡素化し、複数の部品が相互に近接して、かつ／または図１２を参照して後述するように同じナノチューブ層上に作成されるときにより高い密度を可能にする。この配置は、例えば、導波路２１０、次いでアンダーエッチング２０９、次いでナノチューブ４２、次いで電極４３１、４３２を取り付けるという順序などで実行することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２５】
配向領域内のナノチューブ６２１〜６２１ｎおよび８２１の大部分は、それぞれ、２つの電極６３１、６３２、８３１、８３２に接続されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２６】
図６ａからわかるように、ナノチューブ群はまず堆積され、次いで配向される。次いで、配向方向Ａ６２のどちらの側にも位置するこの群の外部領域６３１０および６３２０が、例えば、化学エッチングによって、またはレーザを用いて切断される。次いで電極がこれらの領域に堆積されて、能動領域６２０のすべてのナノチューブ６２１〜６２１ｎの対応する端部ｅｘ１およびｅｘ２と電気接続する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３５】
この回路９は、光信号９２９によって相互にやりとりするための、部品９０１、９０２、９０３および９９１をそれぞれ含む少なくとも１つの本発明による電気−光学部品をそれぞれが備え、使用する組立品９９ｈおよび９９をそれぞれ含む複数の電子組立品を備える。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2013535028.tif 000001
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2013535028.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月10日(2013.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
約５パーセント（５％）未満の合成マイクロファイバーを備えた音響面材であって、約１．５〜約５．０オンス毎平方ヤード（ｏｓｙ）の坪量と、ＡＳＴＭ  Ｄ１７７７に準拠して測定する約０．０５０インチ未満の厚さと、約８ミクロン〜約４０ミクロンの間の平均細孔径と、少なくとも約２５０Ｒａｙｌｓの音響抵抗とを有する音響面材。
【請求項２】
前記音響面材がセルロース系繊維を備えた請求項１に記載の音響面材。
【請求項３】
前記セルロース系繊維が前記音響面材の約２０〜約１００重量％を構成する請求項２に記載の音響面材。
【請求項４】
前記音響面材が合成繊維を備えた請求項１に記載の音響面材。
【請求項５】
前記合成繊維が前記音響面材の約０〜約８０重量％を構成する請求項４に記載の音響面材。
【請求項６】
前記音響面材が不織布を備えた請求項１に記載の音響面材。
【請求項７】
前記音響面材がスパンレース布を備えた請求項１に記載の音響面材。
【請求項８】
前記音響面材の通気抵抗が、１又は複数の機械的プロセスに変更されたものである請求項１に記載の音響面材。
【請求項９】
前記機械的プロセスが、伸長、バルキー出し、カレンダリングまたはこれらの組み合わせを含むものである請求項８に記載の音響面材。
【請求項１０】
前記音響面材の通気抵抗が、１又は複数の化学処理プロセスに変更されたものである請求項１に記載の音響面材。
【請求項１１】
前記化学処理プロセスが、仕上げ、コーティング、接着剤塗布またはこれらの組み合わせを含むものである請求項１０に記載の音響面材。
【請求項１２】
前記音響面材が、難燃性、接着性、クロック耐性、微生物抵抗性、撥水性、撥油性および耐蝕性からなる群から選択される１又は複数の機能特性を有する請求項１に記載の音響面材。
【請求項１３】
前記音響面材が、ＭＶＳＳ−３０２で規定する燃焼性試験に適合する請求項１に記載の音響面材。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の音響面材と、前記音響面材に積層された少なくとも１つのさらなる層とを備える積層体。
【請求項１５】
前記少なくとも１つのさらなる層が、ガラス繊維バット、樹脂加工ガラス繊維パネル、ロックウール、プラスチックフォーム、ウレタンフォーム、屑繊維でできたショディパッド、ポリエステルバットまたは樹脂加工ファイバーフィル、エーロゲル、独立気泡フォームおよび網状フォームからなる群から選択される請求項１４に記載の積層体。
【請求項１６】
前記少なくとも１つのさらなる層が、接着剤を含むものである請求項１４に記載の積層体。
【請求項１７】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の音響面材によってそれぞれ構成される第１および第２の音響面材と、
前記第１および第２の音響面材間に挟まれた低密度材料層と
を備える積層体であって、
前記低密度材料層が、ガラス繊維バット、樹脂加工ガラス繊維パネル、ロックウール、プラスチックフォーム、ウレタンフォーム、屑繊維でできたショディパッド、ポリエステルバットまたは樹脂加工ファイバーフィル、エーロゲル、独立気泡フォームおよび網状フォームからなる群から選択されるものである積層体。
【請求項１８】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の音響面材と、
１又は複数の機能特性を前記音響面材にもたらすための仕上げ又はコーティングと、
前記音響面材に積層された低密度材料層と
を備える物品。
【請求項１９】
前記１又は複数の機能特性が、難燃性、接着性、クロック耐性、グラブ引張、引裂強度、色彩、微生物抵抗性、導電率、熱伝導率、不透明度、制御可能な弾性率、撥水性、耐蝕性および制御可能な表面テクスチャからなる群から選択される請求項１８に記載の吸音物品。
【請求項２０】
音響面材を製造する方法であって、
約５パーセント（５％）未満の合成マイクロファイバーを備え、約１．５〜約５．０オンス毎平方ヤード（ｏｓｙ）の坪量と、ＡＳＴＭ  Ｄ１７７７に準拠して測定する約０．０５０インチ未満の厚さと、約８ミクロン〜約４０ミクロンの間の平均細孔径とを有する布を用意するステップと、
前記布が少なくとも約２５０Ｒａｙｌｓの音響抵抗を有するように調整するステップと含み、前記調整するステップが、
１又は複数の化学処理による仕上げ又はコーティングを前記布に適用するか、
伸長、バルキー出し、カレンダリングまたはこれらの組み合わせから選択される１又は複数の機械的プロセスを適用するか、
又はこれらの組み合わせである方法。
【請求項２１】
少なくとも１つのさらなる層を前記布に積層するステップをさらに含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記少なくとも１つのさらなる層が、ガラス繊維バット、樹脂加工ガラス繊維パネル、ロックウール、プラスチックフォーム、ウレタンフォーム、屑繊維でできたショディパッド、ポリエステルバットまたは樹脂加工ファイバーフィル、エーロゲル、独立気泡フォームおよび網状フォームからなる群から選択される請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記少なくとも１つのさらなる層が、接着剤を含むものである請求項２１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月18日(2014.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レドックスペアを形成し、かつ互いに分離されて存在する物質Ａ及びＳによって電気エネルギーを貯蔵するための装置において、
ａ）該装置が、該物質Ａ及びＳを含み、ここで、該物質Ａはアルカリ金属であり、かつ該物質Ｓは硫黄である、
ｂ）該物質Ａ及びＳが、互いに分離されて、上下に配置されている容器ＢＡ及びＢＳにそれぞれ含まれており、
ｃ）該容器ＢＡ及びＢＳが、カチオンに対して透過性である固体電解質Ｅによって接続されており、
ｄ）該容器ＢＡ及びＢＳが、外装容器に含まれていることを特徴とし、該装置は、固体電解質Ｅによって接続された容器ＢＡ及びＢＳを含む少なくとも２つの外装容器を含み、ここで、該装置は、液体アルカリ金属を収容するためのアノード室Ａ、液体硫黄を収容するためのカソード室Ｋを包含し、ここで、硫黄電極は、硫黄／多硫化ナトリウムで含浸された薄板状の炭素構造物から形成され、かつ炭素電極は、セラミック電解質管の周りで同心円状に配置されていることを特徴とする、該装置。
【請求項２】
前記容器ＢＡ及びＢＳが、上下に一列に並んだ円筒ペアとして配置されていることを特徴とする、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記アルカリ金属、殊にナトリウムが、溶融物として存在し、かつ、下部が閉じられ、電解質Ｅにより形成された複数のセラミック管の内部に保持されており、そしてこれらの空間が上昇管を介して該上昇管の上にある共通のアルカリ金属、殊にナトリウムだめと連通していることを特徴とする、請求項１又は２記載の装置。
【請求項４】
前記電解質Ｅが、本質的にセラミック又はカチオン伝導性ガラスから成ることを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項記載の装置。
【請求項５】
前記電解質Ｅが、本質的に、場合により安定化されたβ−アルミナ又はβ''−アルミナから成ることを特徴とする、請求項４記載の装置。
【請求項６】
前記外装円筒の少なくとも２つが輸送用コンテナに収納されており、その際、電極が直列接続でつながれていることを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項記載の装置。
【請求項７】
前記下側の内部円筒が鋼板円筒であり、該円筒がアルミニウム−マグネシウム合金より成る内張りを有することを特徴とする、請求項１から６までのいずれか１項記載の装置。
【請求項８】
電気化学反応器の使用下で電気エネルギーを貯蔵及び放出及び場合により輸送するための方法において、請求項１から７までのいずれか１項記載の装置を使用することを特徴とする方法。
【請求項９】
前記容器ＢＡ及びＢＳを固体電解質Ｅによって一回又は幾重に接続することができ、かつ前記容器の数が変更可能であることから出力と容量の調節が可能となる装置を使用することを特徴とする、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
物質Ａとしてアルカリ金属の溶融物を使用し、かつ物質Ｓとして硫黄溶融物を使用することを特徴とする、請求項８又は９記載の方法。
【請求項１１】
前記ナトリウム溶融物が、電気化学反応の間に、静水圧勾配又は電気化学的に作り出された圧力勾配によって移動させられていることを特徴とする、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記方法を、少なくとも２５０℃の温度で実施することを特徴とする、請求項８から１１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
前記容器ＢＡが、底部の孔及び管インサートの使用によって、前記液体ナトリウムが該管インサートの周りを自由に連通することができ、一方で、該管インサートの内側には、電流供給線及びナトリウム上昇管を導通させるための自由空間が残るように構成されていることを特徴とする、請求項９記載の方法。
【請求項１４】
前記容器ＢＡ又はＢＳの少なくとも１つにおいて、反応物質の質量が、押しのけ体の使用によって減らされていることを特徴とする、請求項８から１３までのいずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月21日(2014.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰＲＰＫ／ＴＰＲＫＢ複合体を調節する剤を同定する方法であって、
（ａ）ＰＲＰＫ及びＴＰＲＫＢを含むＰＲＰＫ／ＴＰＲＫＢ複合体を用意することと、
（ｂ）試験剤及び基準剤を用意することと、
（ｃ）該試験剤及び基準剤を該ＰＲＰＫ／ＴＰＲＫＢ複合体と接触させることと、
（ｄ）該試験剤と該ＰＲＰＫ／ＴＰＲＫＢ複合体との相互作用の量を測定すること、
とを含み、
該基準剤が、下記式Ｉ：
【化１】
2013535009.tif 000001
（式中、Ｘは−Ｃ（＝Ｏ）−又は−ＣＨ2−であり；
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は独立して水素、ハロ、Ｃ1-6アルキル、Ｃ1-6アルコキシ又は−Ｎ（Ｒ5）2であり；
各Ｒ5は独立して水素又はＣ1-6アルキルであるか、又は２個のＲ5はそれらが結合した窒素と共に複素環を形成し；
Ｒ6は水素、ハロ、ベンジル又はＣ1-8アルキルであり；
Ｒ7は水素、ベンジル又はＣ1-8アルキルであり；
Ｒ8、Ｒ8'、Ｒ9及びＲ9'は独立して水素、ハロ、Ｃ1-6アルキル又はＣ1-6アルコキシである）で表される化合物である、
方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、さらに
（ｅ）第２のＰＲＰＫ／ＴＰＲＫＢ複合体を用意することと、
（ｆ）前記試験剤を用意することと、
（ｇ）該試験剤を該第２のＰＲＰＫ／ＴＰＲＫＢ複合体と接触させることと、
（ｈ）該試験剤と該第２のＰＲＰＫ／ＴＰＲＫＢ複合体との相互作用の量を測定することと、
（ｉ）前記（ｄ）で測定した相互作用の量と前記（ｈ）で測定した相互作用の量とを比較することと、
（ｊ）前記（ｉ）の結果、前記（ｄ）で測定した量が前記（ｈ）で測定した量よりも小さい場合に、該試験剤をＰＲＰＫ／ＴＰＲＫＢ複合体を調節する剤として同定すること、
とを含む方法。
【請求項３】
前記試験剤（ａ）と基準剤（ｂ）とのモル比（ｂ／ａ）が２０〜８０である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記基準剤が以下からなる群より選択される化合物である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【化２】
2013535009.tif 000002
【化３】
2013535009.tif 000003
【化４】
2013535009.tif 000004
【請求項５】
前記基準剤が標識されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記基準剤がアフィニティー試薬である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
ＰＲＰＫ／ＴＰＲＫＢ複合体を調節する剤を同定する方法であって、
（ａ）ＰＲＰＫ及びＴＰＲＫＢを含むＰＲＰＫ／ＴＰＲＫＢ複合体を用意することと、
（ｂ）試験剤及び競合剤を用意することと、
（ｃ）該試験剤及び競合剤を該ＰＲＰＫ／ＴＰＲＫＢ複合体と接触させることと、
（ｄ）該競合剤と競合する該試験剤を検出すること、
とを含み、
該競合剤が、下記式Ｉ：
【化５】
2013535009.tif 000005
（式中、Ｘは−Ｃ（＝Ｏ）−又は−ＣＨ2−であり；
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は独立して水素、ハロ、Ｃ1-6アルキル、Ｃ1-6アルコキシ又は−Ｎ（Ｒ5）2であり；
各Ｒ5は独立して水素又はＣ1-6アルキルであるか、又は２個のＲ5はそれらが結合した窒素と共に複素環を形成し；
Ｒ6は水素、ハロ、ベンジル又はＣ1-8アルキルであり；
Ｒ7は水素、ベンジル又はＣ1-8アルキルであり；
Ｒ8、Ｒ8'、Ｒ9及びＲ9'は独立して水素、ハロ、Ｃ1-6アルキル又はＣ1-6アルコキシである）で表される化合物である、
方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、さらに
（ｅ）第２のＰＲＰＫ／ＴＰＲＫＢ複合体を用意することと、
（ｆ）前記試験剤及び対照剤を用意することと、
（ｇ）該試験剤及び対照剤を該第２のＰＲＰＫ／ＴＰＲＫＢ複合体と接触させることと、
（ｈ）該対照剤と競合しない該試験剤と該第２のＰＲＰＫ／ＴＰＲＫＢ複合体との相互作用の量を測定することと、
（ｉ）前記（ｄ）で測定した相互作用の量と前記（ｈ）で測定した相互作用の量とを比較することと、
（ｊ）前記競合剤と競合するが、該対照剤と競合しない該試験剤を、ＰＲＰＫ／ＴＰＲＫＢ複合体を調節する剤として同定すること、
とを含む方法。
【請求項９】
前記試験剤（ａ）と競合剤（ｂ）とのモル比（ｂ／ａ）が２０〜８０である、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
前記競合剤が以下からなる群より選択される化合物である、請求項７〜９のいずれか１項に記載の方法。
【化６】
2013535009.tif 000006
【化７】
2013535009.tif 000007
【化８】
2013535009.tif 000008
【請求項１１】
前記競合剤が標識されている、請求項７〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記競合剤がアフィニティー試薬である、請求項７〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記ＰＲＰＫ／ＴＰＲＫＢ複合体が、ＰＲＰＫ、ＴＰＲＫＢ、ＯＳＧＥＰ、並びにＬＡＧＥ３及びそのホモログを含むＫＥＯＰＳ複合体である、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
ＰＲＰＫ、ＴＰＲＫＢ、ＯＳＧＥＰ、又はＬＡＧＥ３若しくはそのホモログを調節する剤が同定される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
ＰＲＰＫのモジュレーターを同定する方法であって、
ＰＲＰＫを用意することと、
ＰＲＰＫのリン酸化基質を用意することと、
試験剤を用意することと、
ＰＲＰＫが該基質をリン酸化する能力に対する該試験剤の作用を評価すること、
とを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月6日(2014.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
建物サービスシステムの設置済み建物サービスセンサのうち少なくとも１つのセンサを調整する方法であって、
上記方法は、前記少なくとも１つのセンサのセンサ対象領域を自動的に調整するステップを有し、
前記少なくとも１つのセンサのそれぞれのセンサ対象領域の前記調整は、前記設置済み建物サービスセンサのうち少なくとも１つの他のセンサに対する設置済みセンサの位置に関する情報に基づく、方法。
【請求項２】
前記システムは、少なくとも１つの設置済み建物サービス供給装置を更に有し、
前記方法は、前記少なくとも１つのセンサのそれぞれに前記少なくとも１つの設置済み建物サービス供給装置の少なくとも１つを割り当てるために、前記少なくとも１つのセンサの位置に関する情報を使用するステップを更に有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つの設置済み建物サービス供給装置は、照明器具、加熱ユニット、換気ユニット及び空調ユニットのうちいずれか１つ以上を有する、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも１つのセンサのセンサ対象領域を自動的に調整するステップにおいて、前記少なくとも１つのセンサの各センサのセンサ対象領域は、前記設置済み建物サービスセンサのうち少なくとも最も近くの隣接センサに対する前記センサの位置に関する情報に基づいて調整される、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも１つのセンサのセンサ対象領域を自動的に調整するステップにおいて、前記少なくとも１つのセンサの各センサのセンサ対象領域は、前記設置済み建物サービスセンサの前記少なくとも１つの設置済みセンサの空間配置のマップに基づいて調整される、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つのセンサのそれぞれが、前記センサのセンサ対象領域を調整するためのセンサ対象調整ユニットを有し、
前記少なくとも１つのセンサのセンサ対象領域を自動的に調整するステップにおいて、前記調整は、前記センサのセンサ対象領域を調整するために、前記少なくとも１つのセンサのそれぞれの前記センサ対象調整ユニットを制御することを含む、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記少なくとも１つのセンサのそれぞれが、前記センサのセンサ入力をマスキングするための少なくとも１つのマスキング部材を有し、
前記少なくとも１つのセンサのセンサ対象領域を自動的に調整するステップにおいて、前記調整は、前記センサのセンサ対象領域を調整するために、前記少なくとも１つのセンサのそれぞれの前記少なくとも１つのマスキング部材を制御することを含む、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記少なくとも１つのセンサのセンサ対象領域を自動的に調整するステップにおいて、前記少なくとも１つのセンサの各センサは、
前記設置済み建物サービスセンサのうち少なくとも１つの他のセンサに対する前記センサの位置に関する情報に基づいて、前記センサのセンサ対象領域を調整するステップを実行する、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも１つのセンサのそれぞれが、無線通信手段を有し、
前記方法は、
前記少なくとも１つのセンサのそれぞれが、前記建物サービスシステムの少なくとも１つの他の建物サービス装置に対する前記センサの前記位置を決定するために、前記センサの前記無線通信手段を介して、前記センサと前記少なくとも１つの他の建物サービス装置との間で無線通信を確立するステップを更に有する、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記設置済み建物サービスセンサは、存在検出センサ、動きセンサ、温度センサ及び照度センサのうちのいずれか１つ以上を有する、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記設置済み建物サービスセンサは、光学センサを有する、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
第１の建物サービスセンサのグループを有し、
第１のセンサの前記グループのうち少なくとも１つのセンサが、前記センサのセンサ対象領域を自動的に調整するためのセンサ対象調整ユニットを有し、
各センサ対象調整ユニットは、前記第１のセンサが設置されたシステムの状態において、第１のセンサの前記グループのうち少なくとも１つの他の設置済みセンサに対する前記設置済みセンサの位置に関する情報に基づき、設置済みセンサそれぞれの前記センサ対象領域を調整する、建物サービスシステム。
【請求項１３】
少なくとも２つの建物サービス供給装置を更に有し、
第１のセンサの前記グループの各センサは、前記センサに割り当てられた前記建物サービス供給装置の少なくとも１つを制御する、請求項１２記載の建物サービスシステム。
【請求項１４】
少なくとも１つの第２のセンサを更に有し、
第１のセンサの前記グループの各センサは、第１の操作モードで動作させるために、前記センサに割り当てられた前記少なくとも１つの建物サービス供給装置を制御し、
少なくとも１つの第２の建物サービスセンサは、第２の操作モードで動作させるために、第１のセンサの前記グループの少なくとも１つのセンサに割り当てられた建物サービス供給装置の少なくとも１つを制御する、請求項１３記載の建物サービスシステム。
【請求項１５】
前記第１のセンサ及び前記少なくとも１つの第２のセンサが設置されたシステムの状態において、前記第２のセンサのセンサ対象領域は、第１のセンサの前記グループの少なくとも２つのセンサのセンサ対象領域を含む、請求項１４記載の建物サービスシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月26日(2014.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号を案内するためのシングルモード光ファイバであって、該光ファイバが、長手方向の光軸と該光軸に垂直な断面とを有し、
光信号波長λ１において実効屈折率ｎｃを有したコア基本モードに、光信号を案内可能なコア領域と、
該コア領域を包囲するクラッド領域であって、該クラッド領域が、内側クラッドの領域と外側クラッドの領域とを具備し、前記内側クラッドの領域が、屈折率ｎｂを有したバックグラウンド材料と、該バックグラウンド材料に配置された内側クラッドの複数のフィーチャとを具備し、前記内側クラッドの複数のフィーチャのうちの少なくとも幾つかが、第１タイプフィーチャであり、該第１タイプフィーチャが、前記内側クラッドのバックグラウンド材料の屈折率よりも大きな屈折率ｎｒを有した高屈折率材料からなる高屈折率領域に包囲された空孔を含み、第１タイプフィーチャが、光信号波長λ１におけるコア基本モードの実効屈折率ｎｃ以下の実効屈折率ｎ１を有した光モードをサポートし、
前記コア領域は、約４０μｍ以上の最大断面寸法を有し、
前記高屈折率材料と前記内側クラッドのバックグラウンド材料との間の屈折率差は、約１×１０−２以下である、光ファイバ。
【請求項２】
前記内側クラッドの複数のフィーチャは、空孔を含む第２タイプフィーチャをさらに備えるか、ほぼ円形であるか、又はその両方である、請求項１に記載の光ファイバ。
【請求項３】
前記光ファイバは、クラッドの励起またはコアの励起が可能であるとともに、光信号を増幅するように適合されており、前記コア領域は、少なくとも１つの活性元素を用いてドープされた材料を含有し、前記内側クラッドの領域は、励起波長λｐの励起信号を案内可能である、請求項１又は２に記載の光ファイバ。
【請求項４】
前記コア領域は、コア実効屈折率を有し、該コア実効屈折率は、前記内側クラッドのバックグラウンド材料の屈折率と実質的に等しい、請求項１〜３のいずれか一項に記載の光ファイバ。
【請求項５】
前記活性元素を用いてドープされた材料は、前記コア領域の中央部を包囲する活性部分に実質的に配置されており、前記活性部分は、前記コア領域の中央部を包囲する断面環状
領域によって前記活性部分が実質的に形成され、前記活性部分は、コア基本モードが前記活性部分と重複するモード域を有するように配置され、その重複モード域は、約５０％以下である（例えば、約２５％以下、約２０％以下、約１５％以下、約１０％以下、約５％以下、約１％以下である）、請求項３又は４に記載の光ファイバ。
【請求項６】
前記コア領域は、フッ素（Ｆ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、およびセリウム（Ｃｅ）の群から選択される一又は複数の材料、またはこれらの組合せを用いてさらにドープされる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の光ファイバ。
【請求項７】
前記内側クラッドのフィーチャは、六方格子などの実質的に周期的な格子周期性Λとなるように配置され、前記格子の周期性Λは、比率Λ／λ１が約５以上である（例えば、約８以上、約１０以上、約１２以上、約１５以上、約２０以上、約３０以上、約４０以上、約５０以上である）、請求項１〜６のいずれか一項に記載の光ファイバ。
【請求項８】
第１タイプフィーチャの空孔の直径ｄ１は、ｄ１／Λの比率が約０．５以下である（例えば、約０．４以下、約０．３５以下、約０．３以下、約０．２５以下、約０．２以下、約０．１５以下、約０．１以下、約０．０５以下である）、請求項７に記載の光ファイバ。
【請求項９】
第１タイプフィーチャの高屈折率領域は、ゲルマニウムでドープされたシリカを含有している、請求項１〜８のいずれか一項に記載の光ファイバ。
【請求項１０】
前記内側クラッドの複数のフィーチャは、実質的に六方格子として配置され、第１タイプフィーチャを包囲する６つの最隣接フィーチャは、第２タイプである、請求項１〜９のいずれか一項に記載の光ファイバ。
【請求項１１】
前記内側クラッドの第１タイプフィーチャは、光モードをサポート可能であり、該光モードは、前記光信号波長λ１において前記コア基本モードの実効屈折率よりも小さい実効屈折率を有し、且つ前記光信号波長λ１よりも短い波長範囲で、前記コア基本モードの実効屈折率以上の実効屈折率を有している、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の光ファイバ。
【請求項１２】
前記ファイバは、ロッドファイバである、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の光ファイバ。
【請求項１３】
前記光ファイバは、光信号を増幅するクラッド励起光ファイバであり、前記コア領域は、少なくとも１つの活性元素を用いてドープされた材料を含有し、
前記クラッド領域は、内側クラッドの領域および外側クラッドの領域を含み、前記内側クラッドの領域が、励起波長λｐにおいて励起信号を案内可能であり、前記内側クラッドの領域が、屈折率ｎｂを有したバックグラウンド材料と該バックグラウンド材料に配置された内側クラッドの複数のフィーチャとを有し、前記内側クラッドの複数のフィーチャのうちの少なくとも幾つかが、第１タイプフィーチャであり、第１タイプフィーチャが、前記内側クラッドのバックグラウンド材料の屈折率よりも大きな屈折率ｎｒを有した高屈折率材料からなる高屈折率領域に包囲された空孔を含み、前記内側クラッドの複数の第１タイプフィーチャが、高次コア・モードを抑制する少なくとも１つのクラッド・モードを提供するように配置される、
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の光ファイバ。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の光ファイバを製作する方法であって、該方法は、
ｉ．  少なくとも１つのコアのプレフォーム要素と内側クラッドの複数のプレフォーム要素とを提供するステップと、
ｉｉ．  前記コアのプレフォーム要素と前記内側クラッドのプレフォーム要素とを、前記内側クラッドのプレフォーム要素が前記コアのプレフォーム要素を包囲するように配置し、随意に、前記コアのプレフォーム要素および前記内側クラッドのプレフォーム要素を包囲するように、外側クラッドの複数のプレフォーム要素および外側クラッドのプレフォーム管の一方または両方を配置して１つのプレフォームとするステップと、
ｉｉｉ．  該１つになったプレフォームを光ファイバとして引き出すステップとを含み、
前記内側クラッドの複数のプレフォーム要素は、高屈折率領域に包囲された空孔を含む複数の第１タイプ・プレフォーム要素を備える方法。
【請求項１５】
光信号波長λ１における光信号を増幅する光増幅システムであって、該システムは、
ｉ．  請求項１〜１３のいずれか一項に記載のシングルモード・クラッド励起式光ファイバと、
ｉｉ．  励起波長λｐにおいて励起光を供給可能な励起光源であって、該励起光源が、前記クラッド励起式光ファイバに光学的に結合されている、前記励起光源と、
ｉｉｉ．  前記クラッド励起式光ファイバのコアに光信号を放射するように配置されたシード光源とを備えるシステム。