【手続補正書】
【提出日】平成23年9月16日(2011.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート層、誘電体層、チャネル層、ソース−ドレイン層、及び保護層を含む、少なくとも５つの層を含んで成る薄膜トランジスタを製造する方法であって、該５つの層のうちの少なくとも３つが、実質的に大気圧で又は大気圧を上回る圧力で実施される原子層堆積法によって基板上に成長させられ、堆積中の基板の温度は３００℃を下回り、そして該大気層堆積法が、順に、少なくとも、第１反応ガス材料と、不活性パージガスと、そして第２反応ガス材料とを含む一連のガス流を、該基板から離隔した複数の出力開口を通るように同時に方向付けする工程、そして該複数の出力開口に対して所定の方向に、そして該基板上のいかなる点も該第１、第２及び第３ガス材料の連続を受けるように、該基板を移動させる工程を含み、これにより、該連続が原子層堆積によって形成される層を生じる、薄膜トランジスタを製造する方法。
【請求項２】
該チャネル層の堆積中、該第１反応ガス材料が、酸化亜鉛系薄膜半導体を製造するために、亜鉛基及び有機基の両方を含む揮発性有機亜鉛前駆体化合物である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
揮発性アクセプタ・ドーパント前駆体が、該チャネル層の形成時に、該第１反応ガス材料中に、該第２反応ガス材料中に、該不活性パージガス中に、又は補足ガス材料の追加のガス流中に導入され、これにより、揮発性アクセプタ・ドーパント前駆体が反応し、ｎ型酸化亜鉛系薄膜半導体中にアクセプタ・ドーパントとして内蔵される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
該揮発性アクセプタ・ドーパント前駆体が、ＮＯ、Ｎ2Ｏ、ＮＯ2、又はアンモニアの形態で窒素を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
該ゲート層、該ゲート層のための該誘電体層、該チャネル層、該ソース−ドレイン層、及び該保護層が、該原子層堆積法によって成長させられる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
該ゲート層、該誘電体層、該チャネル層、及び該保護層が、該原子層堆積法によって成長させられる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
該ゲート層が、原子層堆積法によって成長させられ、該ゲート層が、インジウム、アルミニウム、ホウ素、及びフッ素から選択された元素でドーピングされた酸化亜鉛である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
該ソース−ドレイン層が、原子層堆積法によって成長させられ、該ソース−ドレイン層が、インジウム、アルミニウム、ホウ素、及びフッ素から選択された元素でドーピングされた酸化亜鉛である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
該一連のガス流が、平面図において該基板に向いている、並行であり、該基板に近接して該基板上に配置され、堆積装置の出力面内にある、一連の開いた細長い出力開口を含む該堆積装置によって提供され、該出力面は、堆積を受ける基板表面から１ｍｍ以内の間隔が開いている請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
薄膜堆積のための基板表面へのガス材料のうちの１種又は２種以上の流れが、該基板表面から供給ヘッドの堆積出力面を分離する力の少なくとも一部を提供する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
順に、
（Ａ）入口セクション
（Ｂ）（ｉ）  それぞれ該第１、第２、及び第３ガス材料のための少なくとも第１、第２、及び第３源を含む、それぞれ複数のガス材料のための複数の源；
（ｉｉ）該複数のガス材料を、薄膜堆積を受ける基板に供給するための供給ヘッドであって、該供給ヘッドが
（ａ）該第１、第２、及び第３ガス材料をそれぞれ受容するための少なくとも第１、第２、及び第３流入ポートを含む複数の流入ポート；及び
（ｂ）該基板から所定の距離だけ離され、該第１、第２、及び第３ガス材料のそれぞれのための実質的に平行な複数の細長い出力開口を含む堆積出力面
を含み、該堆積出力面内の該出力開口から該第１、第２、及び第３ガス材料を同時に供給するように構成されている該供給ヘッド、
を含む被覆セクション；
（Ｃ）  出口セクション；
（Ｄ）  該被覆セクションを一方向で通過するように基板を動かすための手段；並びに
（Ｅ）  薄膜堆積中、供給ヘッドの堆積出力面と基板の表面との間に実質的に均一な距離を維持する手段を含む、基板上に固体材料を薄膜堆積するための堆積システムであって、
該被覆セクション内の該供給ヘッドが、薄膜堆積のための基板表面に、該基板表面から該供給ヘッドの該堆積出力面を分離する力の少なくとも一部も提供する、ガス材料のうちの１種又は２種以上の材料の流れを提供するように構成されており、
任意選択的に、該入口セクション及び／又は該出口セクションがそれぞれ、該堆積システム内の通過の少なくとも一部の時間中に、該基板表面に非反応ガスのガス流を提供するように構成された複数の非堆積出力開口を有する非堆積出力面を含む、
該堆積システムを含んで成る請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
該方法が、薄膜トランジスタ内の半導体を形成するために用いられ、薄膜が酸化亜鉛系材料を含み、該方法が、３００℃以下の温度で基板上に、少なくとも１つの酸化亜鉛系材料層を形成することを含み、第１の反応ガスが有機亜鉛前駆体化合物を含み、そして第２の反応ガスが反応性酸素含有ガス材料を含み、
そして該方法が、互いに離隔されたソース電極及びドレイン電極を形成することをさらに含み、該ソース電極及び該ドレイン電極は、該ｎ型酸化亜鉛系薄膜半導体によって隔離され、そして該ｎ型酸化亜鉛系薄膜半導体と電気的に接続されており；そして、該ｎ型酸化亜鉛系薄膜半導体から離隔されたゲート電極を形成することをさらに含む、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
必ずしも下記順序通りではなく、下記工程：
該基板を用意する工程；
該基板上にゲート電極材料を提供する工程；
該ゲート電極材料上に誘電体層を提供する工程；
該ゲート誘電体上に、該ｎ型酸化亜鉛系薄膜半導体を形成する工程；そして
該ｎ型酸化亜鉛系薄膜半導体に隣接して、ソース電極及びドレイン電極を提供する
工程を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
該電子デバイスが、集積回路、アクティブ・マトリックス・ディスプレイ、太陽電池、アクティブ・マトリックス撮像装置、センサ、及びｒｆ価格ラベル、識別ラベル、又は在庫ラベルから成る群から選択され、請求項１３に記載の方法に従って形成された複数の薄膜トランジスタを含む電子デバイス。
【請求項１５】
基板、ゲート電極、ゲート誘電体、半導体、保護層、ソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタを製造する方法であって、該ゲート誘電体と、該半導体と、該保護層、該ゲート電極、又は該ソース及びドレイン電極のうちの少なくとも１つとがそれぞれ、実質的に大気圧で又は大気圧を上回る圧力で実施される原子層堆積（ＡＬＤ）法である堆積法によって形成され、堆積中の基板の温度は３００℃を下回り、そして該ＡＬＤ法が、順に、少なくとも、第１反応ガス材料と、不活性パージガスと、第２反応ガス材料とを含む一連のガス流を、該基板から離隔した複数の出力開口を通るように同時に方向付けする工程、そして、該複数の出力開口に対して所定の方向に、そして該基板上のいかなる点も該第１、第２及び第３ガス材料の連続を受けるように、該基板を移動させる工程を含み、これにより、該連続が原子層堆積によって形成される層を生じる、薄膜トランジスタを製造する方法。