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　平成　８年特許願第２５７９８５号「ＬＤ励起固体レーザ装置」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年　４月２４日出願公開、特開平１０−１０７３５３］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年９月３０日の出願であって、平成１４年１月１７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年２月２１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年３月８日付けで手続補正がなされたものである。
　　　　
２．平成１４年３月８日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１４年３月８日付けの手続補正を却下する。
［理由］
　本件補正により、平成１３年１１月１２日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１の
　「レーザダイオードからの光によりＹＡＧ結晶を励起する方式のレーザで、光共振器内に非線形光学結晶であるＫＮ結晶が配置されてなる固体レーザが組み込まれたレーザヘッドと、その固体レーザを制御するコントローラを備えたＬＤ励起固体レーザ装置において、レーザダイオードとＫＮ結晶の各温度データを含む制御に必要なデータを記憶するための記憶手段がレーザヘッド内に設けられていることを特徴とするＬＤ励起固体レーザ装置。」
が、
　「レーザダイオードからの光により固体媒質を励起する方式のレーザで、光共振器内に非線形光学結晶が配置されてなる固体レーザが組み込まれたレーザヘッドと、その固体レーザを制御するコントローラを備えたＬＤ励起固体レーザ装置において、レーザダイオードと非線形光学結晶の各温度データを含む制御に必要なデータを記憶するための記憶手段と該記憶手段に供給する基準電圧を発生するダイオードがレーザヘッド内に設けられていることを特徴とするＬＤ励起固体レーザ装置。」
と補正された。
　上記補正では、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「ＹＡＧ結晶」、「（非線形光学結晶である）ＫＮ結晶」を、それぞれ「固体媒質」、「非線形光学結晶」とし、さらに、レーザヘッド内に設けられるものとして、「該記憶手段に供給する基準電圧を発生するダイオード」を付加するように補正する。
　ところで、「ＹＡＧ結晶」は「固体媒質」のうちの１種類のものであり、また、「ＫＮ結晶」は「非線形光学結晶」のうちの１種類のものであるという関係にあるから、上記補正のうち、「ＹＡＧ結晶」を「固体媒質」とすることと、「（非線形光学結晶である）ＫＮ結晶」を「非線形光学結晶」とすることとは、特許請求の範囲を拡張するものであって、減縮するものには該当せず、誤記の訂正にも、明りょうでない記載の釈明にも該当しない。
　したがって、上記補正は、特許法第１７条の２第４項第１号ないし第４号のいずれの規定にも該当せず、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　　　　
３．本願発明
　平成１４年３月８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成１３年１１月１２日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
　「レーザダイオードからの光によりＹＡＧ結晶を励起する方式のレーザで、光共振器内に非線形光学結晶であるＫＮ結晶が配置されてなる固体レーザが組み込まれたレーザヘッドと、その固体レーザを制御するコントローラを備えたＬＤ励起固体レーザ装置において、レーザダイオードとＫＮ結晶の各温度データを含む制御に必要なデータを記憶するための記憶手段がレーザヘッド内に設けられていることを特徴とするＬＤ励起固体レーザ装置。」（以下、「本願発明」という）
　　　　
４．引用例に記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願前に頒布された刊行物である特開平７−１０６６８１号公報（以下、「引用例１」という）には、次のように記載されている。
　「半導体レーザー励起の固体レーザー装置において、固体レーザー結晶を温度制御する機能と、レーザーヘッド内温度測定用サーミスタと、レーザーヘッド内温度と関連して非線形光学結晶を温度制御する機能とを具備することを特徴とするレーザー装置。」（特許請求の範囲請求項１）
　「・・・・図１は、本発明に係るレーザー装置、特にレーザーヘッド部１の構成を示す図である。図中、２は半導体レーザー、３はサーミスタ、４は半導体レーザー２の温度を制御するためのペルチェ素子、５は熱を吸収させるためのヒートシンク、６は円柱状をなす屈折率分布型レンズ（商品名セルフォックレンズ），７は固体レーザー結晶（例えばＮｄ：ＹＶＯ４）である。８はサーミスタ、９は固体レーザー結晶７の温度を制御するためのペルチェ素子、１０はヒートシンク、１１は非線形光学結晶〔例えばＫＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ４)、１２はサーミスタ、１３は非線形光学結晶１１の温度を制御するためのペルチェ素子、１４はヒートシンクである。
【０００９】１５は後述するコーティングにより第二高調波が透過し平面側１５ａから射出する射出ミラー、１６はレーザーヘッド部１の内部の雰囲気の温度をモニタするための温度モニ用サーミスタである。上述の構成要素のうち、半導体レーザー２，セルフォックレンズ６，固体レーザー結晶７，非線形光学結晶１１及び射出ミラー１５は、同一の光軸上に配置してある。・・・・
【００１０】半導体レーザー２から射出された励起光は、セルフォックレンズ６により集光されて固体レーザー結晶７に入射し、吸収される。固体レーザー結晶７の半導体レーザー２側の端面には、励起光に対して高透過であり基本波と第二高調波に対して高反射となるコーティングが施されている。また、固体レーザー結晶７の非線形光学結晶１１側の端面には、基本波と第二高調波に対して高透過となるコーティングが施されている。非線形光学結晶１１の両端面は、基本波と第二高調波に対して高透過となるコーティングが施されている。射出ミラー１５の凹面１５ｂは、基本波に対して高反射であり第二高調波に対して高透過となるコーティングが施されている。固体レーザー結晶７の半導体レーザー２側の端面と射出ミラー１５のコーティングされた凹面１５ｂとで光共振器を構成し、基本波が発振する。
【００１１】　この基本波が、光共振器内におかれた非線形光学結晶１１によって第二高調波に変換され、射出ミラー１５を透過し、射出ミラー１５の平面側１５ａから射出する。・・・・」（段落【０００８】〜【００１１】）
　「図２は、本発明に係るレーザー装置における電源の構成の一例を示すブロック図である。図中、１７は半導体レーザー２の駆動回路、１８は半導体レーザー２に対する温度制御回路、１９は非線形光学結晶１１の雰囲気の温度の補償機能を備えた温度制御回路、２０は固体レーザー結晶７に対する温度制御回路、２１はこれらの回路を含み構成されている電源部である。」（段落【００１７】）
　また、図１には特にレーザーヘッド部の構成が示され、図２には電源部の構成が示されている。
　以上の記載からすれば、引用例１には、「半導体レーザー２から射出された励起光を固体レーザー結晶７（Ｎｄ：ＹＶＯ４等）に入射して光共振器で基本波を発生させ、光共振器内に第二高調波を発生するＫＴＰ等の非線形光学結晶１１が位置されてなるレーザーヘッド部１と、半導体レーザー２の駆動回路１７、半導体レーザー２に対する温度制御回路１９、非線形光学結晶１１に対する温度制御回路１９、固体レーザー結晶７に対する温度制御回路２０を含み構成された電源部２１とを備えたレーザー装置」が記載されているものと認める。
　同じく引用された刊行物である特開平５−２３５４６０号公報（以下、「引用例２」という）には、次のように記載されている。
　「・・・・半導体レーザ１は電流及び温度によってその発振周波数が変化し、さらに発振周波数の電流係数及び温度係数は材料、構造等によっても変化する。そこで、従来例においては半導体レーザを駆動する駆動回路等の制御パラメータを個々半導体レーザに対応して設定していた。このため、例えば半導体レーザを交換した場合には、その都度、駆動回路等の設定電流及び設定温度等の制御パラメータを設定し直す必要があった。従って本発明の目的は、レーザ若しくは温度制御素子を交換する際に駆動回路等の制御パラメータの設定が不要な周波数安定化光源の実現にある。」（段落【０００３】）　
　「・・・・図１は本発明に係る周波数安定化光源の第１の実施例を示す構成ブロック図である。・・・・図１において７ａは駆動回路、９は設定電流、設定温度等を格納した記憶素子、１０は駆動回路７ａに対する設定情報の送出機能及びシーケンス制御機能等を有する演算制御回路である。また、半導体レーザ１、レンズ２、光アイソレータ３、温度制御素子８及び記憶素子９はレーザ・モジュール５０を構成している。
【０００７】
　半導体レーザ１の光出力はレンズ２及び光アイソレータ３を介して光分岐部品４に入射される。光分岐部品４では入射光が２つに分岐され、一方は周波数安定化光源の出力光１００として出力され、他方は吸収セル５を介して光検出器６に入射される。光検出器６の出力により出力光１００の周波数が吸収セル５の吸収線に一致するように半導体レーザ１及び温度制御素子８を駆動する。この時、出力光１００の周波数が吸収セル５の吸収線に一致するようするためには、予め、半導体レーザ１の設定電流及び設定温度を知る必要がある。また、回路の利得等を適切に設定するためには、半導体レーザ１の周波数の電流係数、温度係数、電流変調時の周波数特性等も知る必要がある。
【０００８】
　従って、演算制御回路１０は駆動回路７ａの指示に応じて記憶素子９より設定電流、設定温度等を読出して初期設定情報として駆動回路７ａに送出する。駆動回路７ａは演算制御回路１０からの設定電流、設定温度等の初期設定情報から、光検出器６の出力に基づいて出力光１００の周波数が吸収セル５の吸収線に一致するように半導体レーザ１及び温度制御素子８を駆動する。
【０００９】
　ここで、レーザ・モジュール５０を交換した場合、個々の半導体レーザ１等の特性の違いによる各種パラメータはレーザ・モジュール５０内の記憶素子９に格納されているので、駆動回路７ａは外部から何ら設定を変更する必要はなく、演算制御回路１０により各種パラメータを読出し、初期設定情報として駆動回路７ａに送出することによって、自動的に調整がなされ、駆動回路７ａは交換したレーザ・モジュール５０の半導体レーザ等に適切に対応した制御電流等で駆動することができる。」（段落【０００６】〜【０００９】）
　「・・・・本発明によれば次のような効果がある。個々の半導体レーザ等の特性の違いによる各種パラメータをレーザ・モジュール内の記憶素子に格納し、このパラメータにより駆動回路を制御することによって、半導体レーザを交換の際に駆動回路等の制御パラメータの設定が不要になる」（段落【００１６】）
　　　
５．対比、判断
　本願発明と引用例１に記載のものを対比する。
　引用例１に記載のものにおける「半導体レーザー２」は、本願発明における「レーザダイオード」または「ＬＤ」に相当するものであり、本願発明における「ＹＡＧ結晶」、「ＫＮ結晶」は、それぞれ「固体レーザ結晶」、「非線形光学結晶」のうちの１種類のものであり、引用例１に記載のものにおける「レーザーヘッド部１」は、光共振器内に非線形光学結晶が配置されてなる固体レーザーが組み込まれてなるものであって、本願発明における「レーザヘッド」に相当する。また、引用例に記載のものにおける「電源部２１」は、半導体レーザー２の駆動回路１７、半導体レーザー２に対する温度制御回路１０、非線形光学結晶１１に対する温度制御回路１９、固体レーザー結晶に対する温度制御回路２０を含み構成されたものであって、本願発明における「固体レーザを制御するコントローラ」に相当する。さらに、引用例１に記載のものにおける「レーザー装置」は、半導体レーザ２からの光により固体レーザー結晶７を励起するレーザであって、本願発明における「ＬＤ励起固体レーザ装置」に相当する。
　そうすると、本願発明と引用例１に記載のものとは、「レーザダイオードからの光により固体レーザ結晶を励起する方式のレーザで、光共振器内に非線形光学結晶が配置されてなる固体レーザが組み込まれたレーザヘッドと、その固体レーザを制御するコントローラを備えたＬＤ励起固体レーザ装置」である点において一致するが、次の点において相違する。
ａ．本願発明においては、固体レーザ結晶がＹＡＧ結晶であり、非線形光学結晶がＫＮ結晶であるのに対して、引用例１に記載のものにおいては、固体レーザー結晶７の例としてＮｄ：ＹＶＯ４結晶が示されているが、ＹＡＧ結晶については記載されておらず、また、非線形光学結晶の例としてＫＴＰ結晶が示されているが、ＫＮ結晶については示されていない点。
ｂ．本願発明においては、レーザダイオードとＫＮ結晶の各温度データを含む制御に必要なデータを記憶するための記憶手段がレーザヘッド内に設けられているのに対して、半導体レーザー２と非線形光学結晶１１の各温度データに必要なデータを記憶するための記憶手段がレーザーヘッド部１内に設けられていない点。
　そこで、上記相違点について検討する。
相違点ａについて：
　固体レーザ結晶としてＹＡＧ結晶を用いること、非線形光学結晶としてＫＮ結晶を用いることは、いずれも周知の事項であり（例えば、特開平２−１４６７８４号公報を参照）、引用例１に記載のものにおける固体レーザー結晶７としてＹＡＧ結晶を用い、非線形光学結晶としてＫＮ結晶を用いることは、適宜選択し得ることである。
相違点ｂについて：
　引用例２には、半導体レーザ１、温度制御素子８、記憶素子９を含むレーザ・モジュール５０と、駆動回路７ａ、演算制御回路１０等を備えた装置において、個々の半導体レーザ１の設定電流、設定温度等の、制御に必要なパラメータをレーザ・モジュール内の記憶素子に格納しておき、このパラメータを読み出し、初期設定情報として駆動回路７ａに送出することによって自動的に調節を行い、レーザ・モジュールを交換した場合に駆動回路等の制御のパラメータの設定が不要になることが記載されている。
　一方、引用例１に記載のものにおいて、半導体レーザー２，固体レーザー結晶７、非線形光学結晶１１の温度を検出し、制御しているが、このような温度の制御を行うに際して、各温度制御回路等において必要なパラメータ等の初期設定を行うべきであるのは明らかであり、引用例１に記載のものにおいてそのような必要なパラメータ等の初期設定を行うに際して使用するデータを何らかの形で容易に取り出せるよう保持するのが望ましいことは、引用例２に記載される半導体レーザの場合と同様であると考えられる。
　してみれば、半導体レーザの場合に設定温度等の制御に必要なパラメータをレーザ・モジュール内の記憶素子に格納しておき、このパラメータを読み出し、駆動回路に送出する引用例２に記載された手法を引用例１に記載される固体レーザーの装置に適用することは、当業者が容易に想到し得るところであり、その際に、引用例１に記載のものにおける非線形光学素子の温度制御に必要なパラメータをも記憶素子に格納しておくことも適宜考慮し得る事項である。
　また、このように必要なパラメータを格納するための記憶素子をレーザ・モジュール内に設けることによる効果も引用例１及び引用例２の各々の記載から推測される域を出ることはない。
　それゆえ、相違点ｂも何ら格別なものではない。
　さらに、相違点ａ及び相違点ｂを総合しても、何ら格別な技術的特徴は認められない。
　　　　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例１及び２に各々記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。