【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年6月12日(2012.6.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続する以下のステップを含む１つまたはそれ以上の圧電性の酸化物セラミックに基づ
いて材料を作成する工程、
ａ）酸化物セラミックの前駆体として、酸化物のセラミックの粉末とゾルゲル溶液とを
有する分散の層を液体に関する方法によって基板の少なくとも１つの面に成膜するステッ
プで、前記酸化物セラミック粉末は圧電性であり、及び／又は、前記ゾルゲル溶液が圧電
性で酸化物のセラミック前駆体であり、
ｂ）ステップａ）を２回以上行って、少なくとも２つの層から成る多層構造のフィルムを得るステップ、
ｃ）前記の層を熱処理し、相当するセラミックに変換するステップ、
ｄ）ステップｃ）で得られた多層構造のフィルムを、ステップａ）で使用されたゾルゲ
ル溶液と同一または異なるゾルゲル溶液で浸漬被覆(dip coating)するステップ、
ｅ）ステップｄ）を１回またはそれ以上繰り返すステップ、
及び
ｆ）前記多層構造のフィルムを熱処理して、その多層構造のフィルムを浸透させている
ゾルゲル溶液を相当するセラミックに変換するステップ。
【請求項２】
基板がステンレス鋼、ニッケルを含む鋼、白金で任意にメッキされたシリコン、アルミ
ニウム、アルミナ、チタニウム、またはカーボンから選択される材料であることを特徴と
する請求項１記載の工程。
【請求項３】
ステップａ）の前に、その基板の片面または両面に障壁層の成膜を含み、この障壁層が
二酸化珪素（ＳｉＯ２）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）
、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）
、チタン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ）およびこれらの組合せから選択される材料
から成る層であることを特徴とする請求項１または２に記載の工程。
【請求項４】
酸化物セラミック粉末が、その分散の総重量に対して８０％重量までの含有量でその分
散中に存在することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の工程。
【請求項５】
酸化物のセラミック粉末が、その分散の総重量に対して１０〜６０％重量の含有量でそ
の分散に存在することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の工程。
【請求項６】
酸化物セラミック粉末の粒子直径の平均が１０ｎｍ〜１００μｍの範囲であることを特
徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の工程。
【請求項７】
ステップａ）の成膜が浸漬被覆(dip coating)によって行われることを特徴とする請求
項１乃至６のいずれか１項に記載の工程。
【請求項８】
ステップｃ）で行われる熱処理が連続的に以下のステップ：
前記層のゲル化を引き起こす為に適した温度で成膜した夫々の層を乾燥するステップ、
その層の中にある有機物質を除去することに適した温度で成膜した夫々の層を焼成する
ステップ、
及び
その層を酸化物のセラミックとして結晶化することに適した温度で成膜した夫々の層を
アニーリングするステップ、
を含むことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の工程。
【請求項９】
ステップｃ）で行われる熱処理が連続して以下のステップ：
前記層のゲル化を引き起こすことに適した温度で成膜した夫々の層を乾燥するステップ
、
その層の中にある有機物質を除去することに適した温度で成膜した夫々の層を焼成する
ステップ、
及び
成膜されたｎ個の全ての層（ｎは２〜成膜された層の総数）をアニーリングするステッ
プで、前記アニーリングがその層を酸化物のセラミックとして結晶化することに適した温
度で行われるステップ、
を含むことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の工程。
【請求項１０】
圧電性の酸化物セラミック材料が、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸バリウ
ムストロンチウム（ＢＳＴ）、亜鉛ニオブ酸鉛チタン酸鉛（ＰＺＮＴ）、ニオブ酸マグネ
シウム鉛（ＰＭＮ）、チタン酸鉛（ＰＴ）、ニオブ酸カルシウムカリウム、チタン酸カリ
ウムビスマス（ＢＫＴ）、及び、ストロンチウムビスマスチタン酸塩（ＳＢＴ）から選択
される材料であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の工程。
【請求項１１】
圧電性の酸化物セラミック材料がチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）であることを特徴と
する請求項１０記載の工程。
【請求項１２】
ＰＺＴ前駆体のゾルゲル溶液がステップａ）の分散がステップｄ）の浸透に使用される
ゾルゲル溶液と同一であることを特徴とする請求項１０記載の工程。
【請求項１３】
ステップａ）で使用された分散のＰＺＴ前駆体のゾルゲル溶液と、ステップｄ）の浸透
に使用するＰＺＴ前駆体のゾルゲル溶液とが、連続する以下のステップ：
ＰＺＴセラミックの前駆体としてのゾルゲル溶液がジオール溶媒を含む有機溶媒中にて
作成されるステップ、
上記で作成された溶液が、時間が経つにつれて実質的に一定のままで残存する粘性を有
するのに必要で十分な時間の間、置かれるステップ、
得られたその溶液が次に第１のステップで使用されたジオール溶媒と同一のジオール溶
媒、または、作成段階で使用されたジオール溶媒と混和性である異なるジオール溶媒、で
所定のレベルまで希釈されるステップ、
から生じることを特徴とする請求項１２記載の工程。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の工程によって得ることが可能な１つまたはそれ
以上の圧電性のセラミックに基づく材料。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
工程を気相で行うことに関して、最も一般的に使用される工程は成膜である。そこでは
成膜させられるセラミックが、蒸気を形成し、冷却した基板の上に被覆もしくはフィルム
の形状で再び凝結させられる温度まで熱せられるつぼ（crucible）に入れられる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
プラズマ相を含む工程に関しては、スパッタリング法が言及されるかもしれない。この
技術では、プラズマによって発生したイオンが、成膜させられるセラミックに衝突する。
そのプラズマにおけるイオンの速度エネルギーは、成膜させられる材料の原子に伝わり、
この原子は高い初速度で被覆される基板上に投射させられ、その基板上へコートもしくは
フィルムの形態で成膜する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
また、セラミック粉末を有機溶媒と混合すること、この分散をフィルムの形状で基板上
に成膜させること、及び、このフィルムを熱処理すること、を含む固体と液体の分散に関
する技術にも言及されるかもしれない。もう１つの技術は、粘着剤の添加した基板上にセ
ラミック粉末を焼結することを含む。これら２つの技術では、フィルムの厚さは正確に制
御できない。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
そのゾルゲル法は、以下のステップを含む。まず第１に酸化物セラミックを分子状態（
有機金属化合物、金属塩）の前駆体として含んでいる溶液を作成し、次にゾル（ゾルゲル
溶液とも呼ばれる）を形成する。第２に、このゾルがフィルムの形状で基板上に成膜させ
られる。周囲の蒸気の接触がある場合、この前駆体は加水分解し、濃縮して溶媒を補足す
る酸化物格子を形成し、ゲル化する。その後、フィルムを形成するゲルの層は熱処理され
、セラミックフィルムを形成する。
しかしながら、そのゾルゲル法を使用してフィルムを成膜させ、１μｍ以上の厚さを達
成することは困難である。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
しかしながら、そのゾルゲル法を使用してフィルムを成膜させ、１μｍ以上の厚さを達
成することは困難である。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
ここで、その圧電性材料への適用の多様性は、これらの材料が非常に広い厚さの範囲（
１００ｎｍ〜１００μｍ）を有することを意味する。１μｍ以上の厚さを達成する為に、
ある著者は、持続的な分散媒として圧電性の酸化物セラミック前駆体のゾルゲル溶液と、
分散相として圧電性の酸化物セラミックの粉末とを含んでいる分散を成膜の溶液として使
用することを提案している。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
それゆえ、Ｄ．Ａ.Ｂａｒｒｏｗらは、チタン酸ジルコン酸鉛から成る１０μｍ以上の
厚さの圧電性被覆を作成する工程を記載している（非特許文献１）。
この工程は、前記セラミック粉末の分散を含むＰＺＴセラミック前駆体ゾルゲル溶液の
２、３のフィルムを基板上へ成膜すること、それに続いて適切な熱処理が行われることを
含む。この工程の後、得られた被覆は使用された溶液の複合性により、多くの表面の不規
則性と非常に高いレベルの気孔率を有する。これは、低い誘電率の材料が得られるという
結果となる。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
上述の欠点を改善する為に、著者のDoreyらは、上記に定められるような分散フィルム
を成膜させる各ステップに続いて、そのフィルムの熱処理の後に粉末を含まないゾルゲル
溶液でそのフィルムに染み込ませるステップを行うことを提案している（非特許文献２）
。これらの工程は、得られる材料の相対的な誘電率の上昇に役立つが、７０ｐＣ／Ｎを超
えない圧電定数ｄ３３の値には、明白な影響を及ぼさないようである。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
本発明者らは、本発明で設定された目的を達成した。本発明の目的の内容は、１つまた
はそれ以上の圧電性の酸化セラミックに基づいて材料を作成する工程であり、以下の連続
するステップを構成する。
ａ）酸化物セラミックの前駆体として、酸化セラミックの粉末とゾルゲル溶液、つまり
、圧電性である酸化物セラミック及び／もしくは圧電性の酸化セラミックの前駆体である
ゾルゲル溶液を含む分散の層を基板へ液体による方法で成膜する。
ｂ）ステップａ）を２回以上行って少なくとも２つの層から成る多層構造のフィルムを得られる。
ｃ）相当するセラミックに変換する為に前記の層を熱処理する。
ｄ）ステップａ）と同一もしくは異なるゾルゲル溶液で多層構造を浸漬被覆することに
より、ステップｃ）で得られた多層構造のフィルムを浸透するステップ。
ｅ）ステップｄ）を１回もしくはそれ以上反復するステップ。
ｆ）前記多層構造を熱処理し、多層構造のフィルムを浸透しているゾルゲル溶液を変換
して相当するセラミックに変換するステップ。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
本発明によれば、その工程は第１に、酸化セラミックの前駆体として酸化セラミックの
粉末とゾルゲル溶液を含む、つまり、圧電性である酸化セラミック粉末及び／または圧電
性の酸化物セラミックの前駆体であるゾルゲル溶液を含む、分散の層を基板に成膜するス
テップを踏み、この成膜は液体の工程で起こるものである。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
液体の工程での成膜技術のうち、次のものが予想される。
−浸漬被覆(dip coating)
−スピン・コーティング(spin coating)
−層流コーティング(laminar-coating)（メニスカスコーティング(meniscus coating）
−吹き付け塗装（spray coating）
−Doctor Blade法によるコーティング（doctor-blade coating）
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
これらの技術の中で最も有用なものは浸漬被覆の技術であり、この技術はすばらしい結
果を達成することができ、複雑な形状の基板への成膜が可能となる。分散の層が成膜され
るその基板には、様々なものがある。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
好適には、この基板が熱処理中に例えばイオンの移動により、その成膜した層を汚染し
てはならず、その層の良好な粘着を確かなものとする必要がある。好適には、その軟化温
度は成膜された層に対して行われた熱処理の温度よりも高くなければならず、その熱膨張
係数は前記の層の熱膨張係数と両立して、アニーリング中の圧力を制限することが可能で
なければならない。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
特にその基板が、金属、すなわち、アルミニウムまたはチタンの基板を基礎としている
場合、例えばSiO、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、TiO2、ＰＺＴ、BSTとそれらの組合せから選択さ
れる酸化物の厚い層を（分散の層の成膜を助ける役割をする）基板の表面へ成膜すること
が好適である場合がある。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
この層は障壁層として機能し、故に熱処理中にその基板に属している原子が多層構造の
フィルムの中へと拡散することを防止する。この障壁層はゾルゲル溶液をこの層の成分の
酸化物セラミック前駆体として基板に成膜することにより得られる場合がある。そのよう
なゾルゲル溶液は、上述した液体の成膜技術の１つにより成膜されうる。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
層の形状で基板に成膜される分散は、伝統的な方法で酸化物の前駆体としてゾルゲル溶
液中に酸化物セラミック粉末を分散させることにより得られる。その酸化物セラミック粉
末は圧電性であり、及び／又は、そのゾルゲル溶液は圧電性の酸化物セラミックの前駆体
であり、それゆえその粉末はゾルゲル溶液が持続的な分散媒を構成する中、分散相を構成
する。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
以下のステップはそのゲルを乾燥させ、その結果結晶格子の間の溶媒を除去し、この後
乾燥ゲル（乾膠体）が再生させられ、もし後者が粉末以外の形状の場合、この乾膠体を製
粉する任意の方法が続く。得られる粉末の性質によって、その乾燥の後に、焼成ステップ
のような熱処理ステップを行い、残存するかもしれない有機化合物の残存物を除去したり
、また、アニーリングステップのような熱処理ステップを行い、所望の結晶系でその粉末
を結晶化するようにする必要がある場合がある。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
本発明の状況の中で使用されたその粉末は、好適には平均粒径が１０ｎｍ〜１００μｍ
の範囲である。その粒子が上述のゾルゲル溶液に取り込まれる前に、それらは例えば摩滅
フライス削りなどによる粉砕ステップを経て、さらに細かい粒子が得られる。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
この作成された分散は、次に（上で説明された）液体の工程により上述のような基板に
層の形状で成膜させられる。この成膜率は、その層の所望の厚さによって選択される。大
抵成膜される各層の厚さは０．０５〜１５μｍの範囲である。
【誤訳訂正２１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
浸漬被覆(dip coating)の場合、被覆される基板は事前に作成された分散に浸漬させら
れ、所定の割合で引き上げられる。その引き上げの割合は一般的に１〜３０ｃｍ／ｍｉｎ
である。スピン・コーティング(spin coating)、層流コーティング(laminar-coating)、
及び、浸漬被覆(dip coating)などの液体での成膜の技術は成膜される層の厚さを正確に
制御できる利点を有する。
【誤訳訂正２２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
この成膜のステップは１回又はそれ以上の回数繰り返され、少なくとも２以上の層、例
えば５０層までを成す多層構造のフィルムを得る。この繰り返しのステップの回数は１μ
ｍより厚くすることができる所望の多層構造のフィルム膜の厚さによって当業者によって
設定される。
【誤訳訂正２３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
第１の選択肢によると、その熱処理は層ごとに行われる場合がある。この場合、その熱
処理は一般的に連続して以下のステップを含む。
―前記の層のゲル化を引き起こすことに適した温度でその層を乾燥するステップ、
―その層の中の有機物質を除去するのに適した温度における焼成のステップ、
及び、
―その層を酸化物セラミックとして結晶化することに適した温度でアニーリングするステ
ップ。
【誤訳訂正２４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
この熱処理は成膜された夫々の層で繰り返される、言い換えれば成膜された層が存在す
るだけ何度も繰り返される。本発明によれば、この熱処理はその全体の多層構造のフィル
ムをアニーリングするステップでもって完遂されうる。
【誤訳訂正２５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
第２の選択肢によれば、その熱処理は以下のように行われる場合がある。
―成膜された夫々の層を乾燥するステップ、
―成膜された夫々の層を焼成するステップ、
及び
―ｎ個の成膜された層全てをアニーリングするステップで、ｎの範囲は２〜成膜された層
の総数である。
【誤訳訂正２６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５４】
その焼成のステップは、その分子の前駆体の凝結から生ずる有機及び／又は無機の物質
の除去を意図しており、大抵は３００℃以上の温度、アルコールのような有機物質の場合
は例えば３４０〜３８０℃、存在するかもしれない炭酸塩を除去するためには例えば３８
０〜４００℃の範囲の温度にて行われる。最後に、そのアニーリングステップは一般的に
５５０℃以上の温度にて行われ、それらの層を結晶化する。
【誤訳訂正２７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５５】
一度その多層構造のフィルムが生成されると、発明に係る工程は酸化物セラミックの前
駆体としてのゾルゲル溶液（前記の粉末を含まない溶液）でその完成した多層構造のフィ
ルムを浸透するステップを設けており、第１のステップで使用された前記溶液は上述の蒸
着ステップでの持続的な分散媒と同一のタイプもしくは異なるタイプであり、この浸透の
ステップは１回またはそれ以上繰り返される。この前駆体の溶液は、持続的な分散媒とし
て上述の成膜のステップで使用されたタイプと同一かもしくは異なるタイプである場合が
ある。
【誤訳訂正２８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５８】
第１の選択肢では、その熱処理は各浸透処理のステップの終わりに行われる場合がある
。この場合、それは大抵１００℃以下の温度で行う乾燥のステップを含み、続いて、３０
０度以上の温度にて行われ、有機物質や溶液からゲルへの変換でことによると生じた炭酸
塩を除去することを意図した焼成のステップ、大抵最後に酸化物のセラミックを結晶化す
ることを意図したアニーリングのステップが行われ、このアニーリングステップは大抵５
００℃以上の温度にて行われる。
【誤訳訂正２９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５９】
第２の選択肢では、その熱処理は以下のステップを連続で含む。
―各浸透における乾燥のステップ、
―各浸透における焼成のステップ、
及び、
―全てのｍ浸透でのアニーリングステップであり、ｍは２〜浸透の総数までの範囲である
。
【誤訳訂正３０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６５】
本発明によれば、この成熟化段階に続いて希釈が行われるが、この希釈はその生じたゾ
ルゲル溶液の粘性を決定的に調節する効果を有し、そのため同じ操作条件下で産生された
ゾルゲル溶液から層の成膜の再現性、及び、層の成膜の再現性を、この工程で得られたゾ
ルゲル溶液の安定性により保証する。
【誤訳訂正３１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７２】
しかしながら、そのような水和された前駆体が使用された場合、後者を脱水させるのが
望ましい。というのも、そのゾルゲル溶液を伴う攪拌の場合、水の存在によりその金属の
前駆体の不完全な成熟が起こり、続いて重合が行われてしまうからである。この攪拌のス
テップから生じるものは、もはやチタニウム、ジルコニウム、鉛を基礎とする攪拌された
ゾルゲル溶液ではなく、反応液産物はゲルではあるが、このゲルを成膜させてフィルム形
状に製造することは困難である。
【誤訳訂正３２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８０】
本発明によれば、その作成された分散は次に層の形状で基板に成膜される。この成膜は
、スピン・コーティング、層流コーティング(laminar-coating)、浸漬被覆(dip coating)
、Doctor Blade法によるコーティング（doctor-blade coating）、望ましくは浸漬被覆(d
ip coating)のような液体の工程により行われる。この成膜操作は２回以上行われ、所望の厚さを有する多層構造のフィルムが得られる。
【誤訳訂正３３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８１】
本発明によれば、この成膜された層は熱処理されてぺロブスカイト（灰チタン石）系で
結晶化したＰＺＴからなる多層構造のフィルムが得られる。この熱処理は様々な方法で行
われる場合がある。
第１の選択肢では、その熱処理は以下のステップを含む。
―前記の層のゲル化を引き起こすのに適した温度、一般的に１００℃以下である温度にて
その層を乾燥するステップ、
―その層の中にある有機物質を除去するのに適した温度における焼成のステップ、
及び、
―その層を酸化物のセラミックとして結晶化するのに適した温度におけるアニーリングの
ステップ。
【誤訳訂正３４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８２】
この熱処理は成膜された各層で繰り返される、すなわち成膜された層の数分繰り返され
る。最終的な熱処理が多層構造のフィルム膜の全体がアニールされるステップにより行わ
れる。
【誤訳訂正３５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８３】
第２の選択肢では、そのセラミック化は次の態様で行われる。
―成膜された各層を乾燥するステップ、
―成膜された各層を焼成するステップ、
及び、
―成膜されたそのｎ個の層全てをアニーリングするステップで、ｎの範囲は２〜成膜され
た層の総数である。
【誤訳訂正３６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８４】
考えられた選択肢がどれであっても、その乾燥は前記の成膜された層がゲル化すること
を確実にすることを意図している。更に正確には、このステップはそのジオール溶媒のい
くらかを蒸発させることと、連続的な分散媒として機能してゾルゲル溶液の作成に使用さ
れるその希釈溶液の幾分かを蒸発させることとを意図している。この効果的な温度と乾燥
を確実にするための持続時間は、当業者により例えば赤外線（ＩＲ）分光測定を使用して
容易に決定される。
【誤訳訂正３７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８５】
一度それらの層がゲル化すると、それらの層はゲル形成の間に渡ってその凝縮反応液か
ら生ずる有機物質を除去することに適した時間の間、ある温度で焼成の処理が行われる。
その焼成の温度が選択されることで、その成膜された層から有機化合物を除去、特にゾル
ゲル溶液を作成し希釈する為の溶媒から分子の前駆体の間において反応により生成した有
機化合物を除去する。
【誤訳訂正３８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８７】
最後に、一度焼成されたそれらの層にはアニーリングステップが行われる。このステッ
プの目的はぺロブスカイト（灰チタン石）系で結晶化したＰＺＴの層を得ることである。
そのアニーリングの温度と持続時間は、Ｘ線構造解析などの構造解析により容易に確認で
きる結晶化を得るように選択される。好ましくは、このアニーリングステップは６００〜
８００℃で１分〜４時間の間行われる。
【誤訳訂正３９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８８】
このアニーリングは各種の技術を使用することで実施される場合がある。例えば、その
アニーリングは従来の加熱炉などでＲＴＡ（急速な熱アニール：Rapid Thermal Annealin
g）により行われる場合がある。
【誤訳訂正４０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８９】
一度その多層構造のフィルム膜が結晶化すると、フィルムは、好適には連続の分散媒を
形成するために使用されたものと同じ方法で作成されたゾルゲル溶液で浸透させられる幾
つかのステップに供される。これらの浸透のステップは、上述した液体での成膜の技術、
最も好適には浸漬被覆(dip coating) ような液体の成膜の技術により実施される。
【誤訳訂正４１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０３】
その事前に作成された粉末は、ポイント１）にて作成されるＰＺＴのゾルゲル溶液と混
合される前に、前もって臼にて挽かれる。この比率は、５０／５００（質量）である。こ
の得られた分散は２０分間攪拌を伴って超音波にて分解され、それにより粒子サイズが減
らされ、分散が均一化させられた。次にこれら全ては少なくとも１日間は攪拌された。
４）分散の成膜
【誤訳訂正４２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０５】
この成膜は浸漬被覆(dip coating)を使用して行われた。この基板は１分間浸され、１
０ｃｍ／分の速さで引き上げられた。その支持体から完全に離れた後、そのフィルムは５
０℃のホットプレート上に５分間置かれ、次に３６０℃で５分置かれた。この溶液は各蒸
着の間で攪拌が維持された。その攪拌は浸漬被覆(dip coating)の間は止められた。５つ
の連続的な層が成膜された後、６００℃、１０分間で加熱炉内での処理が行われた。１０
つの層から成る最終的な多層構造のフィルムは７００℃、４時間で処理された。
５）その多層構造のフィルムの浸透
【誤訳訂正４３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０７】
この加熱処理は片面に生成されたそのコーティングに対してホットプレート上にて行わ
れた。４回の浸透の後、６００℃、１０分の処理が（ホットプレート上で、加熱炉の中で
）行われた。その操作はフィルムの明白な飽和状態が得られるまで繰り返された。浸透は
表面形状測定装置によってそのフィルムの粗さが１０倍減少したことが測定された場合に
終了すると考えられている。この実施例では１７回の浸透が行われた。その多層構造のフ
ィルムは最終的に７００℃で４時間アニーリングされた。そのフィルムの総合的な厚さは
３５μｍであった。
６）εｒとｄ３３の測定
【誤訳訂正４４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０８】
εｒとｄ３３の測定するため、得られたそのフィルムはアルミニウムを用いてスパッタ
リング法もしくは成膜法により厚さ４０００Åで成膜されて金属化させられた。
【誤訳訂正４５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１２】
分散の層は、浸漬被覆(dip coating)の技術により成膜された。これを行う為、その基
板が１分間、事前に用意されたその分散に浸され、次に１０ｃｍ／分の割合で引き上げら
れた。その層で被覆された基板は、次に５０℃のホットプレートに５分間置かれ、次に３
６０℃で５分間置かれた。
【誤訳訂正４６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１４】
それぞれの浸透の後、材料が５０℃で５分間、次に３６０℃で５分間加熱させられた。
この３回の浸透の後、その材料は３８８℃で１０分間、次に６００℃で１０分間加熱させ
られた。この層の成膜／浸透のサイクルが４回繰り返された。５つの層から成る、この最
終的な多層構造のフィルムは、最後に７００℃で４時間アニーリングされた。
【誤訳訂正４７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１６】
εｒとｄ３３を測定するために、得られたそのフィルムはアルミニウムを用いてスパッ
タリング法もしくは成膜により厚さ４０００Åで金属化させられた。この誘電率は、誘電
率を測定する装置、ＨＰ４２８４を使用して０Ｖ、１０ｋＨｚ及び３０ｍｖにて測定され
た。