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　平成１１年特許願第１３７６２１号「磁気抵抗効果素子、再生ヘッド、および記録再生システム」拒絶査定に対する審判事件［平成１２年　８月１５日出願公開、特開２０００−２２８００４］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　　　　平成１１年　５月１８日
　拒絶理由通知　　　　　　　　　　　　平成１３年　３月１３日
　意見書・手続補正書１　　　　　　　　平成１３年　５月２１日
　拒絶査定　　　　　　　　　　　　　　平成１３年　７月１２日
　審判請求　　　　　　　　　　　　　　平成１３年　８月２２日
　手続補正書２　　　　　　　　　　　　平成１３年　８月２２日
　前置報告　　　　　　　　　　　　　　平成１３年１１月２２日
　
２　平成１３年８月２２日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１３年８月２２日付の手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正の内容および補正発明
　平成１３年８月２２日付の手続補正２は、平成１３年５月２１日の手続補正１で補正された特許請求の範囲の旧請求項１〜２１を新請求項１〜６に補正するものであり、請求項１についてみると、
「【請求項１】　 磁気抵抗効果素子としてフリー層／非磁性層／固定層を基本構成とするトンネル接合素子を用いフリー層の少なくとも一部に接触する縦バイアス層が設けられているシールド型磁気抵抗効果素子において、フリー層パターンの少なくとも一部の上部または下部に縦バイアスパターンの少なくとも一部が形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。（以下、本願発明という。）」を、
「【請求項１】　 磁気抵抗効果素子としてフリー層／非磁性層／固定層を基本構成とするトンネル接合素子を用い、該フリー層に接触する縦バイアス層パターンが設けられているシールド型磁気抵抗効果素子において、該フリー層パターンの端部近傍で、該フリー層パターン下部に該フリー層パターン下面と該縦バイアス層上面とが面で接するように縦バイアス層パターンが形成されているか、あるいは該フリー層パターン上部に該フリー層パターン上面と該縦バイアス層パターン下面とが面で接するように縦バイアス層パターンが形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。（以下、補正発明という。）」とする補正を含んでいる。
　当該補正は、（補正１）「フリー層の少なくとも一部に接触する縦バイアス層が設けられているシールド型磁気抵抗効果素子において」を、「、該フリー層に接触する縦バイアス層パターンが設けられているシールド型磁気抵抗効果素子において」とする補正、および（補正２）「フリー層パターンの少なくとも一部の上部または下部に縦バイアスパターンの少なくとも一部が形成されている」としていたものを、「該フリー層パターンの端部近傍で、該フリー層パターン下部に該フリー層パターン下面と該縦バイアス層上面とが面で接するように縦バイアス層パターンが形成されているか、あるいは該フリー層パターン上部に該フリー層パターン上面と該縦バイアス層パターン下面とが面で接するように縦バイアス層パターンが形成されている」と限定する補正である。
　補正１は、「フリー層の少なくとも一部に接触する」を「フリー層に接触する」としており、少なくとも一部に接触する概念を単に接触する概念と上位概念的に補正するものであるが、補正２の構成を限定したことを参照して全体を見ると拡大されたものとはいえない。また、補正２は明らかに構成を減縮したものである。してみると、当該補正は特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。 
　
（２）引用例
  拒絶の査定に引用された、本願出願前公知の刊行物である特開平１０−２５５２３１号公報（以下、引用例という。）には、
ａ　【０００１】に、
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、強磁性トンネル接合を感磁部に用いた磁気抵抗効果素子及びそれを用いた磁気ヘッドに関する。」と記載され、
　
ｂ　【００２１】〜【００２９】に、
「【００２１】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る磁気抵抗効果素子を模式的に示す斜視図、図２は図１の２−２線に沿った断面図、図３は図１の３−３線に沿った断面図である。図示するように、本発明に係る磁気抵抗効果素子は、強磁性トンネル接合部２１と、磁区制御膜２１４、２１５とを有する。強磁性トンネル接合部２１は、絶縁膜２１０と、第１の強磁性膜２１１と、第２の強磁性膜２１２とを含む。第１の強磁性膜２１１及び第２の強磁性膜２１２は絶縁膜２１０の両側に積層されている。これらは適当な絶縁支持基板４上に積層されている。磁区制御膜２１４、２１５は、第１の強磁性膜２１１の両端部に隣接して設けられている。この実施例では、第１の強磁性膜２１１を微少外部磁場に対して磁化方向が自由に変化する自由強磁性膜とし、第２の強磁性膜２１２を微少外部磁場に対して磁化方向が動かないピン止め強磁性膜とした場合について説明する。
【００２２】＜磁区制御＞この種の磁気抵抗効果素子において、強磁性トンネル接合部２１は、微細な矩形状パターンとして形成される。かかるパターンでは、パターン端部に磁気的な不安定部分が発生し、磁区が形成されてしまうのを回避することができない。このため、磁壁移動モードでの磁化反転が部分的に発生し、ノイズを発生する。そこで、第１の強磁性膜２１１の両端部に、磁区制御膜２１４、２１５を形成し、第１の強磁性膜２１１を単一磁区状態に保持する。実施例に示された磁区制御膜２１４、２１５は磁気バイアス膜である。
【００２３】図４は図１〜図３に示した磁気抵抗効果素子のトンネル接合部の動作を説明する図である。印加磁場Ｈが零のとき、第２の強磁性膜２１２の磁化の向きＭ２は、印加されるべき磁場Ｈに対して平行となる方向にピン止めされているものとする。第１の強磁性膜２１１の磁化の向きＭ１は、磁区制御膜２１４、２１５により、印加されるべき磁場Ｈと垂直となる方向に制御されている。この状態で、磁気ディスク等の磁気記録媒体から磁場Ｈが印加された場合、ピン止めされている第２の強磁性膜２１２の磁化の向きＭ２は変化しないが、第１の強磁性膜２１１の磁化の向きＭ１は、例えば角度θだけ変化する。これにより磁気抵抗効果が生じる。
【００２４】このような磁区制御膜２１４、２１５が第１の強磁性膜２１１の両端部に隣接して設けられているから、第１の強磁性膜２１１及び第２の強磁性膜２１２の間に電気的短絡の生じる余地はない。したがって、強磁性トンネル接合部２１に十分な大きさのトンネル電流を流すことができる。このため、大きな磁気抵抗変化率が得られる。
【００２５】しかも、磁区制御膜２１４、２１５の備えられた第１の強磁性膜２１１を、単一磁区状態にすることができる。このため、出力波形歪みの原因となるバルクハウゼンノイズの発生を抑えることができ、ノイズのない安定した出力が得られる。
【００２６】磁区制御膜２１４、２１５としては、硬質強磁性膜または反強磁性膜を用いることができる。磁区制御膜２１４、２１５を構成する硬質強磁性膜としては、外部擾乱磁界による影響を防ぐために、１ｋＯｅ以上の保磁力を有する強磁性膜が望ましい。硬質強磁性膜の膜厚、材料は特に限定されるものではないが、所定の大きさのバイアス磁界を発生させるためには、硬質強磁性膜の膜厚ｔと残留磁束密度Ｂｒの積であるｔ・Ｂｒが所定の大きさである必要がある。このため、材料としてはＣｏ系合金が望ましく、中でもＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＣｒ、　ＣｏＰｔＴａ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＰｔＴａＣｒなどが薄い膜厚でも高い保磁力が得られるため、好ましい。
【００２７】また、これらの硬質強磁性膜の保磁力を大きくするために下地層を形成してもよい。これらの硬質強磁性膜は基本的には最密六方晶構造の結晶構造を有し、磁化容易軸はＣ軸である。そのため、膜面内方向に効率的にバイアス磁界をかけるためにはＣ軸を面内方向にするのが好ましい。その場合、何らかの下地層を設けてもよい。下地層を形成することにより保磁力を更に大きくすることができる。下地層はＣｏ系合金との格子定数が同じ程度の材料が好ましく、中でも体心立方構造を有するＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｒ及びこれらの合金が好ましい。
【００２８】磁区制御膜２１４、２１５として反強磁性膜用いる場合は、第１の強磁性膜２１１との交換結合により交換バイアス磁界を生じさせる。大きな交換バイアス磁界を生じさせるためには、強磁性層／反強磁性層の界面において、良好な平坦性を実現すること、及び、ミキシング層の形成を抑えることが重要である。
【００２９】反強磁性材料としては、金属系材料と酸化物系材料があり、金属系反強磁性材料としてはＦｅＭｎ、ＮｉＭｎなどのＭｎ系合金やＣｒＡｌ、ＣｒＳｂなどのＣｒ系合金を用いるのがよい。また、酸化物系反強磁性材料としてはＮｉＯ、ＣｏＯ、Ｆｅ２Ｏ３などを用いればよい。特に好ましいのはＭｎ系反強磁性材料であり、大きな交換バイアス磁界を得ることができる。しかしながら、Ｍｎ系合金の中には、ＮｉＦｅなどの強磁性膜上でエピタキシャル成長をさせなければ得られないものがあり、この場合は、図５及び図６に示すように、反強磁性膜でなる磁区制御膜２１４、２１５が、強磁性トンネル接合部２１の単一磁区状態にすべき第１の強磁性膜２１１上に接する構造にすることが望ましい。あるいは、図７に示すように磁区制御膜２１４、２１５の上に第１の強磁性膜２１１を設けてもよい。」と記載されている。
　
ｃ　また、【００８１】〜【００８４】に、
「【００８１】図２２は強磁性トンネル接合型磁気変換素子２の部分の拡大断面図、図２３はその拡大斜視図、図２４は図２３の２４−２４線に沿った断面図である。強磁性トンネル接合型磁気変換素子２は、強磁性トンネル接合部２１の構造が、図１〜図４に示した磁気抵抗効果素子と実質的に同じものが用いられている。即ち、強磁性トンネル接合型磁気変換素子２は、強磁性トンネル接合部２１と、電極膜２２、２３とを含み、スライダ１の一部を構成する絶縁支持膜２４、２５によって支持されている。強磁性トンネル接合部２１は、絶縁膜２１０と、第１の強磁性膜２１１と、第２の強磁性膜２１２とを含んでいる。第１の強磁性膜２１１と第２の強磁性膜２１２とは、絶縁膜２１０を介して積層されている。磁区制御膜２１４、２１５は、第１の強磁性膜２１１の両端部に隣接して設けられている。
【００８２】電極膜２２、２３は、第１の電極膜２２と、第２の電極膜２３とを含んでいる。第１の電極膜２２は第１の強磁性膜２１１に接続され、第２の電極膜２３は第２の強磁性膜２１２に接続されている。
【００８３】これらの第１の電極膜２２及び第２の電極膜２３は、ＡＢＳ面１３（または１４）に露出しないように設けられている。その具体的手段として、実施例では、強磁性トンネル接合部２１の先端面をＡＢＳ面１３（または１４）に位置させると共に、第１の電極膜２２及び第２の電極膜２３を、強磁性トンネル接合部２１の先端面の位置するＡＢＳ面１３（または１４）から、間隔Ｄ１だけ後退させてある。
【００８４】強磁性トンネル接合型磁気変換素子２は、下部磁気シールド膜５１と、上部磁気シールド膜５２との間において、絶縁支持膜２４、２５の内部に配置されている。下部磁気シールド膜５１はセラミック基体１０１に設けられた絶縁膜１０２の上に付着され、絶縁支持膜２４は下部磁気シールド膜５１の上に付着されている。」と記載されている。
　
ｄ　以上の記載を、各図面を参照して整理すると、引用例には、
「磁気記録媒体から磁場Ｈが印加された場合、磁化の向きＭ１が角度θだけ変化する第１の強磁性膜２１１、及びピン止めされている第２の強磁性膜２１２を有し、両強磁性膜２１１，２１２は絶縁膜２１０の両側に積層され、それらを有する強磁性トンネル接合を感磁部に用いた磁気抵抗効果素子において、
　磁気バイアス膜である反強磁性膜でなる磁区制御膜２１４、２１５を、強磁性トンネル接合部２１の単一磁区状態にすべき第１の強磁性膜２１１上に接する構造とする、あるいは、磁区制御膜２１４、２１５の上に第１の強磁性膜２１１を設けた磁気抵抗効果素子」が記載されている。
　
（３）　補正発明と引用例との対比・判断
ａ　引用例の「磁気記録媒体から磁場Ｈが印加された場合、磁化の向きＭ１は、例えば角度θだけ変化する第１の強磁性膜２１１」、「絶縁膜２１０」、「ピン止めされている第２の強磁性膜２１２」は、補正発明の「フリー層」、「非磁性層」、「固定層」にそれぞれ相当する。
　そして、引用例の磁区制御膜２１４、２１５は、第１の強磁性膜２１１に明らかに接触しており、磁気バイアス膜である反強磁性膜でなる磁区制御膜２１４、２１５は、第１の強磁性膜２１１に縦バイアスを与えていると認められるので、補正発明の「縦バイアス層パターン」に相当する。
　
ｂ　一致点
　してみると、補正発明と引用例とは、
「磁気抵抗効果素子としてフリー層／非磁性層／固定層を基本構成とするトンネル接合素子を用い、該フリー層に接触する縦バイアス層パターンが設けられている磁気抵抗効果素子において、該フリー層パターンの端部近傍で、該フリー層パターン下部に該フリー層パターン下面と該縦バイアス層上面とが面で接するように縦バイアス層パターンが形成されているか、あるいは該フリー層パターン上部に該フリー層パターン上面と該縦バイアス層パターン下面とが面で接するように縦バイアス層パターンが形成されている磁気抵抗効果素子」である点で一致する。
　
ｃ　相違点
　そして、補正発明は、「シールド型磁気抵抗効果素子」であるが、引用例は、シールド型とは明記されていない点で相違している。
　
ｄ　相違点の検討
　引用例には、磁区制御膜２１４、２１５は、第１の強磁性膜２１１の両端部に隣接して設けられている型のものであるが、強磁性トンネル接合型磁気変換素子２が下部磁気シールド膜５１と上部磁気シールド膜５２との間に形成されたものが記載されている（引用例【００８４】【図２４】等参照）。
　してみると、フリー層パターン下部にフリー層パターン下面と縦バイアス層上面とが面で接するようにバイアス層パターンが形成されている型、あるいはフリー層パターン上部にフリー層パターン上面と縦バイアス層パターン下面とが面で接するように縦バイアス層パターンが形成されている型の、強磁性トンネル接合型磁気変換素子を用いて、下部磁気シールド膜と上部磁気シールド膜との間に形成したものとすることに格別の困難があるとは認められないので、当業者が容易に想到することができたものである。
　従ってこの相違点は格別ではない。
　
ｅ　補正発明は引用例記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）　補正却下のまとめ
　補正発明は、引用例記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合しないので、第５３条第１項の規定により、平成１３年８月２２日付の手続補正を却下する。
　
３　本願発明
　平成１３年８月２２日付の手続補正は却下されたので、平成１３年５月２１日の手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１〜２１に係る発明は、平成１３年５月２１日の手続補正書に記載された特許請求の範囲の請求項１〜２１のとおりのものであり、そのうち請求項１に係るものは上記２［理由］（１）補正の内容および補正発明で記載した本願発明のとおりである。
　　　
４　引用例
　拒絶の査定の理由に引用された上記引用例には、上記２（２）引用例で記載したとおりのものである。
　
５　本願発明と引用例との対比・判断
　本願発明は、補正発明の「該フリー層に接触する縦バイアス層パターンが設けられているシールド型磁気抵抗効果素子において」が「フリー層の少なくとも一部に接触する縦バイアス層が設けられているシールド型磁気抵抗効果素子において」となり、「該フリー層パターンの端部近傍で、該フリー層パターン下部に該フリー層パターン下面と該縦バイアス層上面とが面で接するように縦バイアス層パターンが形成されているか、あるいは該フリー層パターン上部に該フリー層パターン上面と該縦バイアス層パターン下面とが面で接するように縦バイアス層パターンが形成されている」の限定をなくし、「フリー層パターンの少なくとも一部の上部または下部に縦バイアスパターンの少なくとも一部が形成されている」としたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する補正発明が、前記２（３）ａ〜ｅの対比判断に記載したとおり、引用例に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６　まとめ
　本願発明は、引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本件出願は拒絶を免れ得ない。
　よって、結論のとおり審決する。