【手続補正書】
【提出日】平成15年12月26日(2003.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、Ｒ５’、Ｒ１’’、Ｒ２’’、Ｒ３’’、Ｒ４’’、Ｒ５’’、Ｒ１’’’、Ｒ２’’’、Ｒ３’’’、Ｒ４’’’およびＲ５’’’が表す、置換基を有していてもよいアルキニル基のアルキニル基としては、炭素数３〜８のアルキニル基が好ましい。例えば、２−プロピニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、２−ペンチニル基、３−ペンチニル基、４−ペンチニル基、３−メチル−２−プロピニル基、１−メチル−２−ブチニル基、１−メチル−３−ブチニル基、２−メチル−３−ブチニル基、３−メチル−１−ブチニル基、１−ヘキシニル基、２−ヘキシニル基、３−ヘキシニル基、４−ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、４−メチル−１−ペンチニル基、４−メチル−２−ペンチニル基、１−ヘプチニル基、２−ヘプチニル基、３−ヘプチニル基、４−ヘプチニル基、５−ヘプチニル基、６−ヘプチニル基、３−エチル−１−ペンチニル基、３−エチル−４−メチル−１−ペンチニル基、１−オクチニル基、１−ノニニル基などが挙げられる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
工程２においては、必要に応じて三級ホスフィン（例えば、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、（Ｒ）−（＋）−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、（Ｓ）−（−）−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、（４Ｒ、５Ｒ）−（＋）−４，５−ビス（ジフェニルホスフィノメチル）−２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン、（４Ｓ、５Ｓ）−（−）−４，５−ビス（ジフェニルホスフィノメチル）−２，２−ジメチル−１，３−ジオキソランなど）を添加することもでき、その添加量はパラジウム触媒に対し０．１モル当量〜５モル当量、好ましくは０．５モル当量〜３モル当量である。光学活性な三級ホスフィンを添加した場合、生成するインダンジエン誘導体（ＩＩＩ）は光学活性体となる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
また、インダンジエン誘導体（ＩＩＩ）の還元後、必要に応じて生成物の置換基の酸化、保護または脱保護に付すことができる。置換基の酸化、保護および置換基の脱保護のうちいずれか１操作行ってもよいし、複数行ってもよい。複数行う場合にはその順序は所望のインデン誘導体（ＩＶ）によって適宜決定することができる。例えば、（１）酸化後、保護してもよいし、（２）保護後、酸化を行ってもよいし、（３）保護、酸化、脱保護の順に行ってもよい。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
参考例３  エチル  ２−（２−（エトキシカルボニル）エチル）−３−トリフルオロメタンスルホニルオキシ−１，３−シクロヘキサジエン−１−カルボキシレートの合成
参考例２で得られた３−エトキシカルボニル−２−（２−（エトキシカルボニル）エチル）−２−シクロヘキセン−１−オン２．１０ｇ（７．８３ｍｍｏｌ）を１００ｍｌの三つ口フラスコに分取し、アルゴンガス雰囲気下、乾燥テトラヒドロフラン３９ｍｌに溶解させた。この溶液を−７８℃に冷却し、リチウム  ジイソプロピルアミド溶液４．３０ｍｌ（２．０Ｍ；ヘプタン／テトラヒドロフラン／エチルベンゼン混合溶液，８．６０ｍｍｏｌ）を添加した。この溶液を−７８℃で１時間攪拌した後に、Ｎ−フェニルビストリフルオロメタンスルホンイミド５．６０ｇ（１５．８ｍｍｏｌ）を添加した。添加後、反応液を０℃で１時間攪拌したのち、酢酸エチルで反応液を希釈し、水、飽和重曹水、１０％−クエン酸水溶液、飽和食塩水で順次洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、減圧下濃縮した。残滓を冷ヘキサンで３回再結晶して未反応のＮ−フェニルビストリフルオロメタンスルホンイミドを結晶として回収した後に、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し（溶離液：３％〜７％酢酸エチル／ヘキサン溶液）、下記物性を有するエチル  ２−（２−（エトキシカルボニル）エチル）−３−トリフルオロメタンスルホニルオキシ−１，３−シクロヘキサジエン−１−カルボキシレート２．０５ｇ（収率６５％）と未反応の３−エトキシカルボニル−２−（２−（エトキシカルボニル）エチル）−２−シクロヘキセン−１−オン０．５６ｇ（回収収率２７％；３％〜７％酢酸エチル／ヘキサン溶液）を得た。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
実施例２  エチル  （Ｚ）−５−（２−エトキシカルボニル−６−メチル−１，５−シクロヘキサジエニル）−２−メチル−３−トリフルオロメタンスルホニルオキシ−２−ペンテネートの合成（トリエン誘導体（ＩＩ）の合成）
実施例１で得られた粗エチル  ５−（２−エトキシカルボニル−６−メチル−１，５−シクロヘキサジエニル）−２−メチル−３−オキソバレレート６８０ｍｇ（２．１１ｍｍｏｌ）を５０ｍｌの三つ口フラスコに分取し、アルゴンガス雰囲気下、乾燥テトラヒドロフラン６．３ｍｌを添加した。この溶液に０℃、水素化ナトリウム１３８ｍｇ（５５％オイル懸濁品、３．２ｍｍｏｌ）を添加した。この混合液を３０分間、０℃で攪拌した後、Ｎ−フェニルビストリフルオロメタンスルホンイミド２．２６ｇ（６．３２ｍｍｏｌ）を添加した。この溶液を室温で１時間攪拌させた後、ジエチルエーテルで希釈した。この希釈液を水、飽和重曹水、１０％−クエン酸水溶液、飽和食塩水で順次洗浄し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、濾過、減圧下濃縮した。残滓を冷ヘキサンで３回再結晶して未反応のＮ−フェニルビストリフルオロメタンスルホンイミドを結晶として回収した後に、ＧＰＣカラムクロマトグラフィーで精製し（ＧＰＣカラム：ＪＡＩＧＥＬ−１Ｈ  ａｎｄ  ２Ｈ、溶離液：クロロホルム）、下記物性を有するエチル  （Ｚ）−５−（２−エトキシカルボニル−６−メチル−１，５−シクロヘキサジエニル）−２−メチル−３−トリフルオロメタンスルホニルオキシ−２−ペンテネートとエチル  （Ｅ）−５−（２−エトキシカルボニル−６−メチル−１，５−シクロヘキサジエニル）−２−メチル−３−トリフルオロメタンスルホニルオキシ−２−ペンテネートの混合物９１７ｍｇ（収率９６％；エチル  （Ｚ）−５−（２−エトキシカルボニル−６−メチル−１，５−シクロヘキサジエニル）−２−メチル−３−トリフルオロメタンスルホニルオキシ−２−ペンテネート：エチル  （Ｅ）−５−（２−エトキシカルボニル−６−メチル−１，５−シクロヘキサジエニル）−２−メチル−３−トリフルオロメタンスルホニルオキシ−２−ペンテネート＝９８：２）を無色の油状物として得た。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３１】
実施例４    エチル  （Ｅ）−５−（２−エトキシカルボニル−６−メチル−１，５−シクロヘキサジエニル）−２−メチル−３−トリフルオロメタンスルホニルオキシ−２−ペンテネートとエチル  （Ｚ）−５−（２−エトキシカルボニル−６−メチル−１，５−シクロヘキサジエニル）−２−メチル−３−トリフルオロメタンスルホニルオキシ−２−ペンテネートの混合物の合成（トリエン誘導体（ＩＩ）の合成）
実施例１で得られた粗エチル  ５−（２−エトキシカルボニル−６−メチル−１，５−シクロヘキサジエニル）−２−メチル−３−オキソバレレート１．００ｇ（３．１０ｍｍｏｌ）を１００ｍｌの三つ口フラスコに分取し、アルゴンガス雰囲気下、乾燥Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１２ｍｌに溶解させた。この溶液に０℃、水素化ナトリウム１６２ｍｇ（５５％オイル懸濁品、３．７ｍｍｏｌ）を添加した。この混合液を３０分間、０℃で攪拌した後、Ｎ−フェニルビストリフルオロメタンスルホンイミド２．２１ｇ（６．１９ｍｍｏｌ）を添加した。この溶液を室温で１時間攪拌させた後、ジエチルエーテルで希釈した。この希釈液を水、飽和重曹水、１０％−クエン酸水溶液、飽和食塩水で順次洗浄し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、濾過、減圧下濃縮した。残滓を冷ヘキサンで３回再結晶して未反応のＮ−フェニルビストリフルオロメタンスルホンイミドを結晶として回収した後に、ＧＰＣカラムクロマトグラフィーで精製し（ＧＰＣカラム：ＪＡＩＧＥＬ−１Ｈ  ａｎｄ  ２Ｈ、溶離液：クロロホルム）、エチル  （Ｅ）−５−（２−エトキシカルボニル−６−メチル−１，５−シクロヘキサジエニル）−２−メチル−３−トリフルオロメタンスルホニルオキシ−２−ペンテネートとエチル  （Ｚ）−５−（２−エトキシカルボニル−６−メチル−１，５−シクロヘキサジエニル）−２−メチル−３−トリフルオロメタンスルホニルオキシ−２−ペンテネートの混合物１．３２ｇ（収率９４％）を無色の油状物として得た。Ｅ体とＺ体の生成比率は（Ｅ）：（Ｚ）＝６５：３５（ＨＰＬＣ面積比率）であった。Ｚ体、Ｅ体は分離精製することなく実施例５に供した。