【手続補正書】
【提出日】平成23年7月27日(2011.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
図１２Ｃ１〜図１２Ｃ２を参照すると、微視的ＲＦサンドイッチは、間に絶縁アイランドを有する１対の位置合わせされたメッシュを使用して作成される。例えば、３枚のシート層によって形成された既存のサンドイッチが穿孔されて、単一サンドイッチメッシュが形成される。或いは、既存の半絶縁メッシュが、導電性になるように表面上で改質されるか、金属被覆が両面に付着される（例えば、滑り角（sliding angle）での金属スパッタリングによって）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
質量分析計におけるイオンガイドであって、
１０μｍ〜１ｍｍの寸法のセルを備えたメッシュ電極と、
イオンを外部イオン源から質量分析計に移送するための前記メッシュ電極上方の空間と、
前記メッシュ電極のセル寸法に匹敵する距離で前記メッシュ電極の背部に位置決めされた第２の電極と、
イオンを跳ね返すためにメッシュ電極の上方に無線周波数の電場を提供するために前記メッシュ電極と第２の電極の間に結合された無線周波数電圧源とを有するイオンガイド。
【請求項２】
前記メッシュ電極のまわりに実質的に対称的なＲＦ電場を形成するために前記メッシュ電極の上方に配置された第３の電極を更に有する、請求項１に記載のイオンガイド。
【請求項３】
イオンの衝突減衰のために前記メッシュ電極内にガスの流れを供給するためのガス供給源を更に有し、前記供給源が、連続的ガス供給源、パルスガス弁、及びパルス粒子線に晒される冷表面のいずれかを含む、請求項２に記載のイオンガイド。
【請求項４】
前記メッシュ電極と第２の電極の少なくとも１個に結合された少なくとも１個の直流電圧源を有する、請求項１に記載のイオンガイド。
【請求項５】
前記メッシュがメッシュセルを定義し、イオンの平均密度がメッシュセル１個当たりイオン１個未満になるように調整された、請求項１に記載のイオンガイド。
【請求項６】
前記無線周波数電圧源は二次コイルを有し、前記二次コイルの２個の部分を切断するか、ＦＴＭＯＳトランジスタを使用して前記二次コイルの出力をクランプすることによって遮断され、前記トランジスタが、(ｉ）低キャパシタンスダイオード及び（ｉｉ）線形ＲＦ増幅器の内の一方によって結合された、請求項１に記載のイオンガイド。
【請求項７】
前記メッシュがメッシュセルと前記メッシュの幾何学的スケールを定義し、前記メッシュセルと前記第２の電極間の距離が３ｍｍ未満であり、ＲＦ周波数が１００ｋＨｚ〜１ＧＨｚの範囲で且つ前記メッシュセルサイズと反比例するように調整された、請求項１に記載のイオンガイド。
【請求項８】
前記メッシュがメッシュセルと前記メッシュセルの幾何学的スケールを定義し、前記メッシュと前記第２の電極間の距離が、１ｍｍ未満、０．３３ｍｍ未満、０．１ｍｍ未満、３０μｍ未満、１０μｍ未満、３μｍ未満及び１μｍ未満であり、ＲＦ周波数が２ＭＨｚ〜１ＧＨｚの範囲で且つ前記メッシュセルサイズに反比例するように調整された、請求項１に記載のイオンガイド。
【請求項９】
前記ガス供給源が、約１Ｔｏｒｒから周囲大気ガス圧力までの周囲で前記ＲＦ電圧源の周波数に比例して拡張されたガス圧力範囲を提供する、請求項３に記載のイオンガイド。
【請求項１０】
前記メッシュ電極が絶縁材料を使用して支持され位置合わせされ、前記絶縁材料は、メッシュと電極間のシート、メッシュ電線下のブリッジ、メッシュ電線下のアイランド、及び２個のメッシュ電線間のブリッジのいずれかの形状を有する層である、請求項１に記載のイオンガイド。
【請求項１１】
前記メッシュと絶縁体層が、サンドイッチを構成し、剛性又は可撓性シート上のＰＣＢ技術、ＭＥＭＳ技術、制御された粒子蒸着、及び絶縁層を形成する前記メッシュの酸化のいずれかを使用して作成された、請求項１０に記載のイオンガイド。
【請求項１２】
前記メッシュ電極は反発ＲＦメッシュ電極であり、イオンチャネルが、貫通ＲＦ電界を有する前記反発ＲＦメッシュ電極と、円筒又は任意形状の箱に包まれた同じ反発ＲＦメッシュ、別の反発ＲＦメッシュ、直流反発電極、静電場の移動波を形成する１組の電極、及びＲＦトラッピングメッシュのいずれかによって構成された、請求項１１に記載のイオンガイド。
【請求項１３】
前記イオンチャネルが、屈曲チャネル、ループチャネル、並行流（co-flow）及び向流（counter-flow）の平行チャネル、平滑又は段付き漏斗、合流チャネル、分割チャネル、自由排水口を有するチャネル、蓋付きチャネル、弁スイッチを有するチャネル、イオンリザーバ、パルスダンパ、及びイオンポンプのいずれかの形に形成された、請求項１２に記載のイオンガイド。
【請求項１４】
前記イオンチャネル内のイオン流が、ガス流、軸方向静電場、静電場の移動波、及び移動磁場のいずれかによって引き起こされる、請求項１２に記載のイオンガイド。
【請求項１５】
イオンガイドが、イオンビームガイド、衝突減衰を有するイオンビームガイド、平行イオンガイドのアレイ、イオントラップのアレイ、イオンフラグメンテーションセル、粒子を有するイオン貯蔵リアクタ、イオン分光用のセル、質量分析計に連続注入するためのイオン源、質量分析計にパルス注入するためのイオン源、飛行時間形質量分析計に注入するためのイオンパケットパルス源、質量フィルタ、及び質量分析計のいずれかとして働く、請求項１に記載のイオンガイド。
【請求項１６】
少なくとも請求項１に記載のイオンガイドを含む、質量分析計にガスイオン源からイオンを輸送するためのインタフェース。
【請求項１７】
前記イオンガイドが、１ｍｔｏｒｒから最大１大気圧までの幅広いガス圧力の質量範囲において動作し、ＲＦ閉じ込めを保証するために、メッシュスケールＬとＲＦ周波数Ｆが、Ｌ（ｍｍ）＜１／Ｐ（Ｔｏｒｒ）で且つＦ（ＭＨｚ）＞１＊Ｐ（Ｔｏｒｒ）となるように調整された、請求項１６に記載のインタフェース。
【請求項１８】
前記ガスイオン源からより高いガス流をサンプリングするために使用される複数のノズルを有する、請求項１６に記載のインタフェース。
【請求項１９】
前記イオンガイドが、複数の差動ポンピング段を貫通して延在する、請求項１６に記載のインタフェース。
【請求項２０】
前記イオンガイドが、（ｉ）ＥＳＩ、ＡＰＣＩ、ＡＰＰＩ、ＣＩ、ＥＩ等の個別のイオン源の選択的作動、（ｉｉ）主イオン源と質量較正複合物を有するイオン源との間の周期的切り替え、及び（ｉｉｉ）イオン流をその反応、質量較正又は感度較正のために混合するための同時作動のいずれかのために、複数のイオン源からのイオン流を合流させるために使用される、請求項１６に記載のインタフェース。
【請求項２１】
前記イオンガイドが、（ｉ）イオンクラスタの破壊、（ｉｉ）イオンフラグメンテーション、及び（ｉｉｉ）イオン・粒子間反応の誘導又は抑制のために、イオンを励起するために使用される、請求項１６に記載のインタフェース。
【請求項２２】
前記イオンガイドが、（ｉ）四重極磁石セクタＭＳ、又は直交加速器を有するＴＯＦ  ＭＳ等の連続的に動作する質量分光計（ＭＳ）内への直接且つ連続的導入、（ｉｉ）ＩＴＭＳ、ＦＴＭＳ、オービトラップ、及び同期された直交加速器を有するＴＯＦ  ＭＳ等の周期的に動作するＭＳ内へのパルス軸方向導入、及び（ｉｉｉ）周期的に動作するＭＳ内への直交パルス加速のいずれかによって、イオンを質量分析計に導入するために使用される、請求項１６に記載のインタフェース。
【請求項２３】
質量分析計が飛行時間形質量分析計であり、イオンが外部イオン源からコンバータに注入され、イオンパケットが電場のパルスによって前記イオンガイドから飛行時間形質量分析計に直接注入される、請求項１に記載のイオンガイドを有するパルスイオンコンバータ。
【請求項２４】
前記メッシュ電極は反発ＲＦメッシュ電極であり、イオンチャネルが、貫通ＲＦ電界を有する前記反発ＲＦメッシュ電極と、円筒又は任意形状の箱に包まれた同じ反発ＲＦメッシュ、別の反発ＲＦメッシュ、直流反発電極、静電場の移動波を形成する１組の電極、及びＲＦトラッピングメッシュのいずれかによって構成された、請求項２３に記載のパルスイオンコンバータ。
【請求項２５】
前記イオンガイドがイオンガイドのアレイを有する、請求項２３に記載のパルスイオンコンバータ。
【請求項２６】
ガス圧力とＲＦ周波数が両方とも、メッシュセルサイズに反比例するように調整された、請求項２３に記載のパルスイオンコンバータ。
【請求項２７】
前記無線周波数電圧源は二次コイルを有し、前記二次コイルの２個の部分を切断するか、ＦＴＭＯＳトランジスタを使用して前記二次コイルの出力をクランプすることによって遮断され、前記トランジスタが、(ｉ）低キャパシタンスダイオード及び（ｉｉ）線形ＲＦ増幅器の内の一方によって結合され、ＲＦ信号スイッチングと電気パルス印加との間の遅延が、前記飛行時間形質量分析計における時間収束を改善するように調整された、請求項２３に記載のパルスイオンコンバータ。
【請求項２８】
前記パルス電場の強度が、縮小されたメッシュ幾何学的スケールに反比例して調整された、請求項３３に記載のパルスイオンコンバータ。
【請求項２９】
前記イオンガイドが、多数の差動ポンピング段を貫通しており、ガス圧力が、前記イオンガイドに沿って実質的に変化し、イオンガイドへのイオン注入が、イオン放出領域より実質的に高いガス圧力で行われる、請求項２３に記載のパルスイオンコンバータ。
【請求項３０】
請求項１のイオンガイドを有する質量選択的貯蔵装置。
【請求項３１】
請求項１６のイオンガイドを有する質量選択的貯蔵装置。
【請求項３２】
個々のトラップ間でガス流によってイオンが移動され、セル内のイオン捕捉が、ＲＦ信号と直流信号を調整することにより時間で変化する、請求項２に記載のイオンガイドを備えたイオンクロマトグラフ。
【請求項３３】
（ｉ）永続イオン運動の共振励起の使用、（ｉｉ）ＲＦ及び直流電場の四次（quadrupolar）及びそれより高次の成分の比率の調整、及び（ｉｉｉ）連続した微視的質量分離セルの大きなアレイ内の質量分離段の多重繰り返しのいずれかによって分解能が改善された、請求項３２に記載のイオンガイドを備えたイオンクロマトグラフ。
【請求項３４】
（ｉ）イオン保持、（ｉｉ）誘導、（ｉｉｉ）励起、（ｉｖ）衝突減衰、（ｖ）ガス衝突における内部エネルギーの冷却、（ｖｉ）パルスイオンフラックスの連続又は疑似連続イオンフラックスへの変換、（ｖｉｉ）帯電と材料付着に対する表面保護、（ｖｉｉｉ）異極性の荷電粒子の保持、（ｉｘ）幅広い質量範囲のイオンの保持、及び（ｘ）質量対電荷比によるイオンの粗フィルタリングのいずれかのために、請求項１に記載のＲＦ反発面を有する内部イオン化を有するイオン源。
【請求項３５】
内部イオン化が、（ｉ）蒸気試料の電子、（ｉｉ）蒸気試料の光子、（ｉｉｉ）蒸気試料の反応物イオン、（ｉｖ）表面からの高速の粒子、（ｖ）表面からの光子、及び（ｖｉ）固体又は液体マトリクスからの光子のいずれかによって行われる、請求項３４に記載のイオン源。
【請求項３６】
無線周波数電場によってイオンが保持され、（ｉ）十分に高い運動エネルギーでの前記イオンガイドへのイオン注入、（ｉｉ）イオンガイドのイオン衝突表面、（ｉｉｉ）高速原子によるイオン衝撃、（ｉｖ）光子によるイオン照明、（ｖ）高速電子へのイオンの露出、（ｖｉ）電子捕獲解離のための低速電子へのイオン露出、（ｖｉｉ）異極性の粒子とのイオン反応、及び（ｖｉｉｉ）積極的蒸気とのイオン反応のいずれかによってイオンフラグメンテーションが引き起こされる、請求項１に記載のイオンガイドを有するフラグメンテーションセル。
【請求項３７】
質量分析計で用いるイオン操作方法であって、
１０μｍ〜１ｍｍの寸法のセルを備えたメッシュ電極を提供する段階と、
イオンを外部イオン源から質量分析計に移送するために前記メッシュ電極上方に空間を提供する段階と、
前記メッシュ電極のセル寸法に匹敵する距離で前記メッシュ電極の背部に第２の電極を提供する段階と、
メッシュ電極を貫通するＲＦ電場を印加してイオンを跳ね返す段階とを含む方法。
【請求項３８】
質量分析計で用いるイオン操作方法であって、
１０μｍ〜１ｍｍの寸法のセルを備えたメッシュ電極を提供する段階と、
イオンを外部イオン源から質量分析計に移送するために前記メッシュ電極上方に空間を提供する段階と、
前記メッシュ電極のセル寸法に匹敵する距離で前記メッシュ電極の背部に第２の電極を提供する段階と、
前記メッシュ電極の周囲に実質的に対称的に無線周波数電場を印加してイオンを捕捉する段階とを含む方法。
【請求項３９】
連続的ガス流を提供すること、パルスノズルからパルスガス噴流を提供すること、又はパルス粒子線によって引き起こされる冷表面から脱着蒸気のパルスフラックスを提供することによるイオン衝突減衰段階を更に含む、請求項３７に記載の方法。
【請求項４０】
前記メッシュ電極に直流電場を印加することにより前記メッシュ電極に引き付ける段階を更に含む、請求項３７に記載の方法。
【請求項４１】
イオンを放出するためにＲＦ電場を遮断する、請求項３７に記載の方法。
【請求項４２】
前記ＲＦ電場の幾何学的スケールを、１ｍｍ未満、０．３ｍｍ未満、０．１ｍｍ未満、３０μｍ未満、１０μｍ未満、３μｍ未満、１μｍ未満のいずれかに選択する段階を更に含み、ＲＦ周波数が数ＧＨｚまで幾何学的スケールに反比例して調整される、請求項３７に記載の方法。
【請求項４３】
ガスの流れを供給することを更に含み、ガス圧力範囲が、ＲＦ周波数に比例して１ｍｔｏｒｒから大気ガス圧力までの範囲で変化する、請求項３７に記載の方法。
【請求項４４】
メッシュを支持しカウンタ電極に位置合わせする方法として前記ＲＦ電場に絶縁体を挿入する段階を更に含む、請求項３７に記載の方法。
【請求項４５】
イオンチャネルを形成することを更に含み、イオン流は、前記イオンチャネル内でガイドされ、前記イオンチャネルが、反発ＲＦ電場と、円筒又は任意形状の箱内に包まれた同じ反発ＲＦ電場、別の反発ＲＦ電場、直流反発電界、静電場の移動波、及びＲＦ捕捉電場のいずれかによって形成された、請求項３７に記載の方法。
【請求項４６】
前記イオンチャネル内でのイオン流の誘導が、屈曲、ループ形成、並行流と向流のための平行チャネルのアレイ、平滑又は段付き漏斗内へのイオン流の閉じ込め、合流、分割、自由排出、蓋被せ、弁切り替え、イオンリザーバ内での貯蔵、パルス減衰、イオン流の速度変調、及びポンピングのいずれかの方法によって前記イオン流の変形のために使用される、請求項４５に記載の方法。
【請求項４７】
イオン流が、ガス、軸方向静電場、静電場の移動波、及び移動磁場のいずれかによって引き起こされる、請求項４５に記載の方法。
【請求項４８】
前記イオン操作が、イオンビーム移動、イオンビーム閉じ込め、イオン捕捉、イオンフラグメンテーション、所定期間のイオン・粒子間反応のためのイオン露出、質量分析計へのイオンの連続注入、質量分析計へのイオンパルス注入、及び飛行時間形質量分析計へのイオンパケットの注入からなる群の内の１個のために使用される、請求項３７に記載の方法。