【手続補正書】
【提出日】平成23年11月8日(2011.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【表１】
2011503882.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
より一層高いエネルギーが必要とされる場合、システム300は粒子ビームを速めることができる加速システム306を含みうる。システム300は、ろ過し、スキャンし、および粒子ビームに対し粒子を形作るために、1つまたはそれよりも多くの追加の、オプションのビーム操作構成要素308を含むことができる。図4に図示されるように、システム300の特定の例、オプションのビーム操作構成要素308は、第1の磁石分析機406、第1の減速度（D1）ステージ408、第2の磁石分析機410、および第2の減速度（D2）ステージ412を含むことができる。本開示では、第1の磁石分析機406、実質的に双極子の磁石は、望ましくない質量および/またはエネルギーの粒子が磁石分析機406を通過しないように、粒子の質量およびエネルギーに基づく粒子をろ過することができる。一方、第2の磁石分析機410、別の実質双極子の磁石は、望ましい形状（例は、リボン）および/または寸法をもつ粒子ビーム中に粒子を平行にするように構成することができる。粒子が望ましいエネルギーで基材に導入されることができるように、D1およびD2の減速度ステージ408および412を浸透する粒子のエネルギーを操作することができる。1種の具体化において、D1および/またはD2は、空間電荷効果を最小にし、そしてビームの空間的完全性を維持することができる分割レンズであることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
操作において、アンテナ510および512のうちの少なくとも1つは、パワーサプライ（電源）514によって動かされるRFまたはDCであることができる。アンテナ510および512のうちの1種が動かされるRFまたはDCである場合、アンテナ510および512の他の1種は渦流のアンテナであることができる。アンテナ510および512の他の1種は、電源514に電気的につながらないので、渦流のアンテナでありうる。代わりに、アンテナ510および512の他の1つは、電源514で動かされるアンテナに、磁気的につながる。あるいはまた、アンテナ510および512の双方とも、RF流を伴う電源514によって動かされうる。しかる後、アンテナ510および512のうちの少なくとも1つは、第1および第2の誘電体セクション506および508を介してシステム500にRF電流を誘導する。RF電流によって誘導される電磁場は、システム500において含まれるガスがプラズマに変換することができる。一方、バイアス電圧電源524は、基板522にプラズマ中で荷電粒子を引きつけるよう、プラテン520を偏らせるかもしれません。システム500のさらなる詳細は、米特許出願連続番号第11/766984号明細書で見出すことができ、出願公開第2005/0205211号明細書、出願公開第2005/0205212号明細書、および出願公開第2007/0170867号明細書、それらの各々を参照することによって全体として組み込む。
オプションの構成要素
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
図9を参照し、本開示の別の具体化によって基材を調製することで組み込むことができるプロセスが示される。本具体化において、基材は結晶質の、およびアモルファスの層を有する薄膜太陽電池であることができる。別の具体化において、基材は絶縁層（示さず）上に配置されるFPDの半導電性層でありうる。図9Aに例示するように、アモルファスSi層902はガラス層（示さず）上に堆積することができる。しかる後、予め定められた用量およびエネルギーをもつ粒子904は、全体のSi層906（図9B）を結晶化するために、アモルファスSi層902に導入することができる。図9Cに例示するように、複数の粒子の第2の種908、エネルギー、および用量は、結晶質のSi層の表面の近くの層をアモルファス化するために、基材に導入することができる。結果として生じる太陽電池は、アモルファスの頂部のSi層902および結晶質の下側のSi層906 をもつことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
結晶質のサブレイヤー1006を形成した後、サブレイヤー1006での結晶の1つまたはそれよりも多くのものは、全体のSi層1002を結晶化することができるまで、サブレイヤー1006から離れて成長させることができる。結晶は、炉アニーリング、迅速な熱的アニーリング（RTA）、フラッシュランプアニーリング、およびレーザーアニーリングのうちの1つを介して成長することができる。あるいはまた、結晶は粒子アシストアニーリングによって成長させることができる。たとえば、同じ、または別のタイプの粒子（示さず）は、予め定めた用量および/または別の予め定めたエネルギーを、基材の下側表面の方へ1またはそれよりも多くの結晶の粒界を延ばすために、結晶化されたサブレイヤーの下の領域に対してもつ。このプロセスでは、全体のSi層1002は、垂直方向において延びる粒界をもつ1またはそれよりも多くの結晶を含むことができる。本具体化ではまた、新しく結晶化されたSi層1006の1部分をアモルファス化するために、随意のアモルファス化ステップを含むことができる。たとえば、粒子1010は次いで、新しく結晶化されたSi層1006の少なくとも1部分（図10D）をアモルファス化し、アモルファスのサブレイヤー1012を形成するために、新しく結晶化されたSi層1006に導入することができる。本開示で、粒子を、新しい結晶質のSi層1006の粒子で、前のアモルファスSi層1002を結晶化させるために用いたものと同じ粒子に導入した。代わりに、新しい結晶質のSi層1006に導入された粒子は、前のアモルファスSi層1002を結晶化させるのに用いられたそれらのものとは異なることがある。上記のプロセスは、厚いアモルファスSi層を結晶化させるのに用いることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
第１の領域は基材の上側および下側の表面から離れて間隔をあけられ、および粒界を第２の領域にまで延ばすことにはその境界を基材の上側および下側の方へ延ばすことが含まれる、請求項１の方法。
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
アモルファス化された部分は基材の上側表面に隣接し、基材は複数の結晶を含み、および複数の結晶は垂直方向に沿って延びる粒界をもつ、請求項８の方法。
【手続補正８】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
粒子アシスト成長には、複数の第３の粒子を第２領域に導入することが含まれる、請求項１１の方法。
【手続補正９】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
粒子アシスト成長には、さらに第３の粒子のエネルギーを調節することが含まれる、請求項１２の方法。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2011503882.tif 000002
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2011503882.tif 000003