【手続補正書】
【提出日】平成24年2月24日(2012.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）陰極、陽極プレート、前記陰極を電源に接続する第１の電導路、および、前記電源を前記陽極プレートに接続する第２の電導路を備える電気化学セルを提供する工程；
（ｂ）前記陰極と前記陽極との間に配置された水系電解質として、カーボンナノチューブおよび第１のアニオン性ポリマーから形成された錯体の分散体を提供する工程；
（ｃ）前記電気化学セルに電圧を印加して前記錯体を前記陽極に堆積させる工程；ならびに
（ｄ）前記陽極プレートを前記電気化学セルから取り出すと共に前記プレートを空気中で焼成する工程
を含むカーボンナノチューブの堆積方法。
【請求項２】
（ａ）陰極、陽極プレート、前記陰極を電源に接続する第１の電導路、および、前記電源を前記陽極プレートに接続する第２の電導路を備える電気化学セルを提供する工程；
（ｂ）前記陰極と前記陽極との間に配置された水系電解質を提供する工程であって、前記電解質は、ホウ酸および／またはホウ酸化合物、ならびに、カーボンナノチューブおよび第１のアニオン性ポリマーから形成された錯体の分散体を含む工程；ならびに
（ｃ）前記電気化学セルに電圧を印加して前記錯体を前記陽極に堆積させる工程
を含むカーボンナノチューブの堆積方法。
【請求項３】
基板と、前記基板に配置された、（ａ）ホウ酸および／またはホウ酸化合物と、（ｂ）カーボンナノチューブおよび第１のアニオン性ポリマーから形成された錯体とを備える膜。
【請求項４】
請求項３に記載の膜を備える電界放出デバイス用の陰極構体。
【請求項５】
請求項４に記載の陰極構体を備える電界放出デバイス。
【請求項６】
（ａ）電子放射材料を基板に堆積させて電子電界エミッタを調製する工程；
（ｂ）前記電子電界エミッタを前記陽極プレートとして電気化学セルに設置する工程であって、前記電気化学セルが、陰極、前記陰極を電源に接続する第１の電導路、および、前記電源を前記陽極プレートに接続する第２の電導路をさらに備えている工程；
（ｃ）前記陰極とホウ酸および／またはホウ酸化合物を含む前記陽極プレートとの間に配置された電解質を提供する工程；ならびに
（ｄ）前記電気化学セルに電圧を印加する工程
を含む、電子放射材料の基板への堆積方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
本明細書においては、本明細書の主題の実施形態が、一定の特徴または要素を包含し、含有し、有し、これらを含んでなり、またはこれらから構成されるとして記述または説明されている用法の文脈によって、明確にそうでないと記載されていない、または反対に示されていない限りにおいて、明らかに記述または説明されているものに追加する特徴または要素の１つ以上が実施形態において存在していてもよい。本明細書の主題の代替的実施形態は、しかしながら、基本的に、一定の特徴または要素から構成されるとして記述または説明され得、この実施形態においては、作動の原理、または実施形態の特色的な特徴を実質的に変更するであろう特徴または要素はそこには存在しない。本明細書の主題のさらなる代替的実施形態は、一定の特徴または要素から構成されるとして記述または説明され得、この実施形態またはそのわずかな変形においては、特定的に記述または説明された特徴または要素のみが存在する。
なお、本発明は、特許請求の範囲を含め、以下の発明を包含する。
１．（ａ）陰極、陽極プレート、前記陰極を電源に接続する第１の電導路、および、前記電源を前記陽極プレートに接続する第２の電導路を備える電気化学セルを提供する工程；
（ｂ）前記陰極と前記陽極との間に配置された水系電解質として、カーボンナノチューブおよび第１のアニオン性ポリマーから形成された錯体の分散体を提供する工程；
（ｃ）前記電気化学セルに電圧を印加して前記錯体を前記陽極に堆積させる工程；ならびに
（ｄ）前記陽極プレートを前記電気化学セルから取り出すと共に前記プレートを空気中で焼成する工程
を含むカーボンナノチューブの堆積方法。
２．前記水性電解質が、凝析剤をさらに含む、１に記載の方法。
３．前記凝析剤残渣が、前記錯体と一緒に前記陽極上に堆積される、２に記載の方法。
４．前記第１のポリマーが核酸分子を含む、１に記載の方法。
５．前記第１のポリマーがＲＮＡを含む、１に記載の方法。
６．前記電解質が第２のアニオン性ポリマーをさらに含む、１に記載の方法。
７．前記第２のイオン性ポリマーが、スチレンアイオノマーまたはイオン化エチレン／（メタ）アクリル酸コポリマーを含む、６に記載の方法。
８．前記陽極上に堆積される前記錯体が、前記第２のアニオン性ポリマーのマトリックス中に堆積される、６に記載の方法。
９．前記第１のポリマーが核酸分子を含む、７に記載の方法。
１０．前記陽極プレートを前記セルから取り出すと共に、これを電界放出デバイスに設置する工程をさらに含む、１に記載の方法。
１１．（ａ）陰極、陽極プレート、前記陰極を電源に接続する第１の電導路、および、前記電源を前記陽極プレートに接続する第２の電導路を備える電気化学セルを提供する工程；
（ｂ）前記陰極と前記陽極との間に配置された水系電解質を提供する工程であって、前記電解質は、ホウ酸および／またはホウ酸化合物、ならびに、カーボンナノチューブおよび第１のアニオン性ポリマーから形成された錯体の分散体を含む工程；ならびに
（ｃ）前記電気化学セルに電圧を印加して前記錯体を前記陽極に堆積させる工程
を含むカーボンナノチューブの堆積方法。
１２．ホウ酸および／またはホウ酸化合物が、前記錯体と一緒に前記陽極に堆積される、１１に記載の方法。
１３．前記水系電解質が凝析剤をさらに含んでいる、１１に記載の方法。
１４．凝析剤残渣が、前記錯体と一緒に前記陽極に堆積される、１３に記載の方法。
１５．前記第１のポリマーが核酸分子を含んでいる、１１に記載の方法。
１６．前記第１のポリマーがＲＮＡを含んでいる、１１に記載の方法。
１７．前記電解質が、第２のアニオン性ポリマーをさらに含んでいる、１１に記載の方法。
１８．前記第２のイオン性ポリマーが、スチレンアイオノマーまたはイオン化エチレン／（メタ）アクリル酸コポリマーを含んでいる、１７に記載の方法。
１９．前記第１のポリマーが核酸分子を含んでいる、１７に記載の方法。
２０．前記陽極プレートを前記セルから取り出すと共に、これを電界放出デバイスに設置する工程をさらに含む、１１に記載の方法。
２１．基板と、前記基板に配置された、（ａ）ホウ酸および／またはホウ酸化合物と、（ｂ）カーボンナノチューブおよび第１のアニオン性ポリマーから形成された錯体とを備える膜。
２２．前記基板に凝析剤残渣がさらに配置されている、２１に記載の膜。
２３．前記第１のポリマーが核酸分子を含んでいる、２１に記載の膜。
２４．前記第１のポリマーがＲＮＡを含んでいる、２１に記載の膜。
２５．前記基板に第２のアニオン性ポリマーがさらに配置されている、２１に記載の膜。
２６．前記第２のイオン性ポリマーが、スチレンアイオノマーまたはイオン化エチレン／（メタ）アクリル酸コポリマーを含んでいる、２５に記載の膜。
２７．前記基板に配置されている前記錯体が、前記第２のアニオン性ポリマーのマトリックス中に配置されている、２５に記載の膜。
２８．前記第１のポリマーが核酸分子を含んでいる、２５に記載の膜。
２９．２１に記載の膜を備える電界放出デバイス用の陰極構体。
３０．２９に記載の陰極構体を備える電界放出デバイス。
３１．（ａ）電子放射材料を基板に堆積させて電子電界エミッタを調製する工程；
（ｂ）前記電子電界エミッタを前記陽極プレートとして電気化学セルに設置する工程であって、前記電気化学セルが、陰極、前記陰極を電源に接続する第１の電導路、および、前記電源を前記陽極プレートに接続する第２の電導路をさらに備えている工程；
（ｃ）前記陰極とホウ酸および／またはホウ酸化合物を含む前記陽極プレートとの間に配置された電解質を提供する工程；ならびに
（ｄ）前記電気化学セルに電圧を印加する工程
を含む、電子放射材料の基板への堆積方法。
３２．ホウ酸および／またはホウ酸化合物が、前記電解質中に、約０．１重量％以上、かつ、さらには約１０重量％以下の範囲内の濃度で存在する、３１に記載の方法。
３３．前記電子放射材料が前記基板にスクリーン印刷されている、３１に記載の方法。
３４．前記陽極プレートを前記電気化学セルから取り出すと共に、前記プレートを空気中で焼成する工程をさらに含む、３１に記載の方法。
３５．前記焼成プレートを電界放出デバイスの前記陰極構体に設置する工程をさらに含む、３４に記載の方法。