(57)【要約】【課題】寄生インダクタンスが小さく、高周波特性に優れる半導体レーザモジュールを提供する。【解決手段】ステムベース３上にはステムブロック４が設けられ、ステムブロック４には、ステムベース３の表面に沿った方向に突出してＬＤ用サブマウント５が取り付けられている。ＬＤ用サブマウント５には、レーザダイオード６が取り付けられ、レーザダイオード６とステムベース３との間には、フォトダイオード１２が設けられている。ステムベース２には、リードピン１４Ａ，１４Ｂが設けられており、ＬＤ用サブマウント４に形成された伝送線路７，８を介してレーザダイオード６に差動で電流を供給している。【選択図】  図１
2004356233.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステムベースおよびステムブロックからなるステムと、
前記ステムブロックに対して、前記ステムベースの表面に沿った方向に突出して取り付けられたサブマウント部材と、
前記サブマウント部材に取り付けられたレーザダイオードと、
前記レーザダイオードと前記ステムベースとの間に配置されたフォトダイオードと、
前記ステムベースを貫通して取り付けられ、前記レーザダイオードに対して正相電流を供給する正相入力用リードピンと、
前記ステムベースを貫通して取り付けられ、前記レーザダイオードに対して逆相電流を供給する逆相入力用リードピンと、
前記サブマウント部材に形成され、前記正相入力用リードピンと前記レーザダイオードとを接続する第１伝送線路と、
前記サブマウント部材に形成され、前記逆相入力用リードピンと前記レーザダイオードとを接続する第２伝送線路と、
を備えることを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項２】
ステムベースおよびステムブロックからなるステムと、
前記ステムブロックに取り付けられたサブマウント部材と、
前記サブマウント部材に取り付けられたレーザダイオードと、
前記レーザダイオードと前記ステムベースとの間に配置され、前記ステムブロックにおける前記サブマウント部材が取り付けられている側の面に取り付けられたフォトダイオードと、
前記ステムベースを貫通して取り付けられ、前記レーザダイオードに対して正相電流を供給する正相入力用リードピンと、
前記ステムベースを貫通して取り付けられ、前記レーザダイオードに対して逆相電流を供給する逆相入力用リードピンと、
前記サブマウント部材に形成され、前記正相入力用リードピンと前記レーザダイオードとを接続する第１伝送線路と、
前記サブマウント部材に形成され、前記逆相入力用リードピンと前記レーザダイオードとを接続する第２伝送線路と、
を備えることを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項３】
前記第１伝送線路に前記正相入力用リードピンが直接電気的に接合され、
前記第２伝送線路に前記逆相入力用リードピンが直接電気的に接合されている請求項１または請求項２に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項４】
前記第１伝送線路における前記正相入力用リードピンと前記レーザダイオードとの間、および前記第２伝送線路における前記逆相入力用リードピンと前記レーザダイオードとの間の少なくとも一方に、抵抗素子が設けられている請求項１〜請求項３のうちのいずれか１項に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項５】
前記サブマウント部材にビアが形成され、
前記第１伝送線路は、前記レーザダイオードのカソードおよびアノードの一方と接続され、
前記レーザダイオードのカソードおよびアノードの他方は、ボンディングワイヤおよび前記ビアを介してステムブロックに接続され、
前記第２伝送線路は、前記ビアを介して前記ステムブロックに接続され、前記ステムは、接地電位に接続されている請求項１〜請求項４のうちのいずれか１項に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項６】
前記レーザダイオードから出射される送信光を光ファイバに結合させるレンズ系を有する請求項１〜請求項５のうちのいずれか１項に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項７】
前記サブマウント部材に、前記レーザダイオードの照射光を受光する光ファイバが配置される案内溝が形成されており、
前記案内溝は、前記光ファイバが、前記レーザダイオードに対してアライメントされる深さに調整されている請求項１〜請求項４のうちのいずれか１項に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項８】
光ファイバとを接合するレセプタクルを有する請求項１〜請求項６のうちのいずれか１項に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項９】
請求項１〜請求項８のうちのいずれか１項に記載の半導体レーザモジュールにおける前記正相入力用リードピンおよび前記逆相入力用リードピンに、駆動回路基板が接続されており、
前記駆動回路基板における駆動回路に、インピーダンス整合用終端抵抗が設けられている半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザモジュールおよびこの半導体レーザモジュールを用いた半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体レーザモジュールとしては、たとえば特開平１１−２３３８７６号公報に開示されたものがある。図１２に示すように、この半導体レーザモジュール６０は、ステムベース６１を有しており、ステムベース６１にはステムブロック６２が設けられている。ステムブロック６２には、サブマウント６３が設けられており、サブマウント６３にレーザダイオード６４が取り付けられている。また、ステムベース６１には、それぞれステムベース６１と絶縁されたリードピン６５，６６が設けられている。このうちのリードピン６５は、ボンディングワイヤ６７を介してレーザダイオード６４とのアノードと接続されている。
【０００３】
また、リードピン６６は、ボンディングワイヤ６８を介してレーザダイオード６４のアノードと接続されるとともに、半導体レーザモジュール６０の外部で接地電位に接続されている。さらに、ステムベース６１にはリードピン６９が設けられており、リードピン６９は、ボンディングワイヤ７０を介してサブマウント６３の表面を経由してレーザダイオード６４のカソードと接続されている。
【０００４】
そして、レーザダイオード６４の直近まで差動で信号を供給することにより、差動負荷のバランスを完全にとるようにしている。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１１−２３３８７６号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記従来の半導体レーザモジュールでは、リードピンとレーザダイオードとの間が長いため、両者の間をボンディングワイヤで接続していた。このように、ボンディングワイヤで接続していることから、寄生インダクタンスが大きくなるという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明の課題は、寄生インダクタンスが小さく、高周波特性に優れる半導体レーザモジュールを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決した本発明に係る半導体レーザモジュールは、ステムベースおよびステムブロックからなるステムと、ステムブロックに対して、ステムベースの表面に沿った方向に突出して取り付けられたサブマウント部材と、サブマウント部材に取り付けられたレーザダイオードと、レーザダイオードとステムベースとの間に配置されたフォトダイオードと、ステムベースを貫通して取り付けられ、レーザダイオードに対して正相電流を供給する正相入力用リードピンと、ステムベースを貫通して取り付けられ、レーザダイオードに対して逆相電流を供給する逆相入力用リードピンと、を備えることを特徴とする
【０００９】
本発明に係る半導体レーザモジュールでは、レーザダイオードが取り付けられるサブマウント部材がステムブロックに取り付けられており、ステムブロックには、リードピンと接続される伝送線路が形成されている。このため、レーザダイオードに電流を供給する正相入力用リードピンおよび逆相入力用リードピンと、サブマウント部材との距離を近づけることができる。したがって、これらのリードピンとレーザダイオードとをボンディングワイヤで接続する際に、そのボンディングワイヤの長さを短くすることができる。ボンディングワイヤを短くすることにより、寄生インダクタンスの低減を図ることができ、高周波特性を良好なものとすることができる。また、サブマウント部材がステムベースの表面に沿った方向に突出して設けられているので、ステムベース上にフォトダイオードを設置するスペースを確保することができる。また、サブマウント部材は、矩形のものなど単純な形状とすればよいので、その製造が容易なものとなる。さらに、サブマウント部材に正相入力用リードピンとレーザダイオードとを接続する第１伝送線路および逆相入力用リードピンとレーザダイオードとを接続する第２伝送線路を形成している。このため、レーザダイオードの直近まで差動信号を供給することができる。そして、ボンディングワイヤを用いる場合等と比較して、寄生インダクタンスを小さくして配線を形成することができる。
【００１０】
また、上記課題を解決した本発明に係る半導体レーザモジュールは、ステムベースおよびステムブロックからなるステムと、ステムブロックに取り付けられたサブマウント部材と、サブマウント部材に取り付けられたレーザダイオードと、レーザダイオードとステムベースとの間に配置され、ステムブロックにおけるサブマウント部材が取り付けられている側の面に取り付けられたフォトダイオードと、ステムベースを貫通して取り付けられ、レーザダイオードに対して正相電流を供給する正相入力用リードピンと、ステムベースを貫通して取り付けられ、レーザダイオードに対して逆相電流を供給する逆相入力用リードピンと、サブマウント部材に形成され、正相入力用リードピンとレーザダイオードとを接続する第１伝送線路と、サブマウント部材に形成され、逆相入力用リードピンと、レーザダイオードとを接続する第２伝送線路と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明に係る半導体レーザモジュールでは、ステムブロックにおける前記サブマウント部材が取り付けられている側の面に取り付けられたフォトダイオードに取り付けることにより、レーザダイオードとステムベースとの間にフォトダイオードを配置している。このため、サブマウント部材をステムベース近傍の位置にまで伸ばすことができるので、リードピンを短くすることができる。
【００１２】
ここで、第１伝送線路に正相入力用リードピンが直接電気的に接合され、第２伝送線路に逆相入力用リードピンが直接電気的に接合されている態様とするのが好適である。
【００１３】
このように、各リードピンが各伝送線路に直接電気的に接合されていることにより、ボンディングワイヤなどを介してこれらの間をつなぐ必要がなくなる。したがって、その分寄生インダクタンスの低減を図ることができる。
【００１４】
また、第１伝送線路における正相入力用リードピンとレーザダイオードとの間、および第２伝送線路における逆相入力用リードピンとレーザダイオードとの間の少なくとも一方に、抵抗素子が設けられている態様とするのが好適である。
【００１５】
このように、各伝送線路におけるいずれかの場所またはその両方に抵抗素子を設けることにより、この抵抗素子による抵抗がダンピング抵抗として作用し、レーザダイオードと伝送線路とのインピーダンス不整合を緩和することができる。
【００１６】
また、サブマウント部材にビアが形成され、第１伝送線路は、レーザダイオードのカソードおよびアノードの一方と接続され、レーザダイオードのカソードおよびアノードの他方は、ボンディングワイヤおよびビアを介してステムブロックに接続され、第２伝送線路は、ビアを介してステムブロックに接続され、ステムは、接地電位に接続されている態様とすることもできる。
【００１７】
本発明においては、パッケージの接地電位に流れる高周波電流がデータ正相信号とデータ逆相信号とでキャンセルされる。このため、接地電位が安定し、放射ノイズを低減させることができる。
【００１８】
また、半導体レーザモジュールにおけるレーザダイオードから出射される送信光を光ファイバに結合させるレンズ系を有する態様とするのが好適である。
【００１９】
このように、光ファイバに結合させるレンズ系を有することにより、半導体レーザモジュールにレーザダイオードから出射される送信光を光ファイバに確実に導入することができる。
【００２０】
また、半導体レーザモジュールにおけるサブマウント部材に、レーザダイオードの照射光を受光する光ファイバが配置される案内溝が形成されており、案内溝は、光ファイバが、レーザダイオードに対してアライメントされる深さに調整されている態様とするのが好適である。
【００２１】
本発明に係る半導体レーザモジュールでは、サブマウント部材に光ファイバが配置される案内溝が形成されており、この案内溝に光ファイバを配置することにより、光ファイバがレーザダイオードに対してアライメントされる。このため、光ファイバとレーザダイオードとの間に、レーザダイオードの照射光を集光するレンズを設ける必要が無くなり、部品点数の削減を図ることができる。
【００２２】
さらに、半導体レーザモジュールと、光ファイバとを接合するレセプタクルを有する態様とするのが好適である。
【００２３】
このように、半導体レーザモジュールと光ファイバとをレセプタクルによって接合することにより、半導体レーザモジュールと光ファイバとを確実に接続することができるとともに、取り付け、取り外しを容易に行うことができるものとなる
【００２４】
また、半導体レーザ装置として、上記半導体レーザモジュールにおける正相入力用リードピンおよび逆相入力用リードピンに、駆動回路基板が接続されており、駆動回路基板における駆動回路に、インピーダンス整合用終端抵抗が設けられている態様とすることができる。
【００２５】
駆動回路基板における駆動回路にインピーダンス整合用終端抵抗が設けられていることにより、半導体レーザモジュールと駆動回路との間の多重反射を防止することができる。このため、高品質な光出力を得ることができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、同一要素には同一符号を用いるものとし、重複する説明は省略する。
【００２７】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザモジュールの側断面図、図２はその半導体レーザモジュールの要部斜視図、図３はその半導体レーザモジュールの正断面図である。
【００２８】
図１〜図３に示すように、本実施形態に係る半導体レーザモジュールＭ１は、ステム２を有している。ステム２は、金属製のステムベース３と、銅などの放熱性金属のステムブロック４とを備えている。ステムブロック４は、ステムベース３の上面に載置して設けられている。この形態では、ステムベース３とステムブロック４とは別体に形成されているが、これらが一体に形成されている態様とすることもできる。
【００２９】
ステムブロック４の正面には、たとえばＡｌＮからなる本発明のサブマウント部材であるＬＤ用サブマウント５が取り付けられており、ＬＤ用サブマウント５には、光半導体素子であるレーザダイオード６が設けられている。ＬＤ用サブマウント５は、ステムブロック４よりも小さい矩形状をなしており、ステムブロック４の側面上方位置に取り付けられている。このため、ＬＤ用サブマウント５は、ステムベース３の表面に沿った方向に突出してステムブロック４に取り付けられている。また、ＬＤ用サブマウント５の下方位置には、空間が形成されている。このＬＤ用サブマウント５としては、ＡｌＮのほか、ＳｉＣ、Ｃ−ＢＮ、ダイヤモンドなどの高伝導性セラミックを好適に用いることができる。また、ステムブロック４としては、銅のほか、ＳＰＣ鋼（窒化鋼）を好適に用いることができる。表１にステムブロック４およびＬＤ用サブマウント５に用いて好適な金属とその熱伝導率について示す。
【表１】
2004356233.tif 000003
上記の材料をステムブロック４およびＬＤ用サブマウント５に用いることにより、レーザダイオード６を高速で駆動する際の動作温度を下げて温度特性を良好なものとすることができる。また、駆動電流を小さくすることができるので、別途設けられる駆動ＩＣへの負担を軽減することができる。
【００３０】
他方、ステムブロック４を設ける代わりに、ステムベース一部分の厚みを大きくし、そのステムベース上に直接ＬＤ用サブマウント５を設ける態様とすることもできる。
【００３１】
ＬＤ用サブマウント５の表面には、第１伝送線路７および第２伝送線路８が形成されている。伝送線路７，８としては、たとえばマイクロストリップラインを好適に用いることができる。第１伝送線路７は、たとえばＡｕからなり、ＬＤ用サブマウント５における左側下端部からレーザダイオード６が設けられている上部中央位置まで延在し、その一端部がレーザダイオード６のカソードに直接接続されている。また、第２伝送線路８は、やはりたとえばＡｕからなり、ＬＤ用サブマウント５における右側下端部からレーザダイオード６が設けられている上部位置の近傍まで延在し、その一端部がステムブロック４に終端されている。また、レーザダイオードのアノードは、ボンディングワイヤ９を介して同じくステムブロック４に終端されている。なお、第１伝送線路７がアノードに接続され、レーザダイオードのカソードがステムブロック４に接続される態様とすることもできる。
【００３２】
ＬＤ用サブマウント５に取り付けられるレーザダイオード６としては、たとえばＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰから構成される多重量子井戸構造のファブリペロー型レーザダイオードやＤＦＢ型レーザダイオードを適用することができる。
【００３３】
ＬＤ用サブマウント５の下方におけるステムベース３の表面には、ＰＤ用サブマウント１１が載置されて固定されている。ＰＤ用サブマウント１１の上面には、たとえば面受光型のフォトダイオード１２がモニター用受光素子として載置されて固定されている。ＰＤ用サブマウント１１は、レーザダイオード６の下方位置であって、ＬＤ用サブマウント５の下方に形成された空間位置に配置されている。フォトダイオード１２は、その受光面がレーザダイオード６の方向を向いて配置されており、レーザダイオード６が出射する出射光を受光している。
【００３４】
さらに、ステムベース３には、複数、本実施形態では４個の貫通孔１３が形成されている。これらの貫通孔１３には、それぞれリードピン１４が貫通した状態で挿入されている。また、貫通孔１３は、それぞれガラス封止部１５によって封止されている。これらのリードピン１４のうち、本発明のデータ正相入力ピンである第１リードピン１４Ａおよびデータ逆相入力ピンである第２リードピン１４Ｂは、それぞれＰＤ用サブマウント１１およびフォトダイオード１２の側方の通り、ＬＤ用サブマウント５の下端位置にまで延在している。第１リードピン１４Ａは、その上端部がＬＤ用サブマウント５の左側下端部に配置された第１伝送線路７の端部に接続されている。一方、第２リードピン１４Ｂは、その上端部がＬＤ用サブマウント５の右側下端部に配置された第２伝送線路８の端部に接続されている。これらの第１リードピン１４Ａおよび第２リードピン１４Ｂには、図示しない差動出力型の駆動回路が接続されている。
【００３５】
また、フォトダイオード１２には、フォトダイオード１２に電流を供給する第３リードピン１４Ｃが接続されており、ステムベース３の裏面側には、ステム２に電気的に短絡された本発明のケース用リードピンである第４リードピン１４Ｄが接続されている。第３リードピン１４Ｃは、ボンディングワイヤ１６を介してフォトダイオード１２に接続されている。ステム２は、接地電位にされており、レーザダイオード６のアノードは、ボンディングワイヤ９を介して接地電位に接続されている。
【００３６】
一端部にレーザダイオード６が接続され、他端部に第１リードピン１４Ａが接続された第１伝送線路７におけるレーザダイオード６と第１リードピン１４Ａの間には、ＴａＮなどの薄膜抵抗からなる第１抵抗素子１７が配置されている。また、一端部が接地電位に接続され、他端部に第２リードピンが接続された第２伝送線路８におけるレーザダイオードと第２リードピン１４Ｂの間には、ＴａＮなどの薄膜抵抗からなる第２抵抗素子１８が配置されている。
【００３７】
さらに、ステム２のステムベース３における上面側には、キャップ１９が被せらており、ステムベース３に載置されたレーザダイオード６、フォトダイオード１２、ＬＤ用サブマウント５、ＰＤ用サブマウント１１等は、キャップ１９の内部に収容されてパッケージが形成されている。また、キャップ１９の上部中央には、レーザダイオード６が照射する照射光を集光するレンズ２０が設けられている。こうして、半導体レーザモジュールＭ１は、いわゆるＴＯ−ＣＡＮ型の半導体レーザモジュールとして構成されている。
【００３８】
以上の構成を有する本実施形態に係る半導体レーザモジュールＭ１においては、ＬＤ用サブマウント５がステムベース３の表面に沿った方向に突出してステムブロック４に対して取り付けられている。このため、ＬＤ用サブマウント５の下方にＰＤ用サブマウント１１およびフォトダイオード１２の実装スペースを確保することができる。また、ＬＤ用サブマウント５に伝送線路７，８が形成されていることにより、第１，第２リードピン１４Ａ，１４Ｂからの電気信号をレーザダイオード６の近傍にまで伝送線路７，８で供給することができる。したがって、ボンディングワイヤを用いる場合と比較すると、寄生インダクタンスを非常に小さくすることができる。
【００３９】
さらに、本実施形態に係る半導体レーザモジュールＭ１では、伝送線路７，８にそれぞれ抵抗素子１７，１８が設けられていることから、それらの抵抗素子１７，１８による抵抗がダンピング抵抗として働く。その結果、レーザダイオード６と伝送線路７，８とのインピーダンスの不整合を緩和することができる。したがって、外部基板上に抵抗を設けるよりも効果的に高周波特性を改善することができる。
【００４０】
また、図３は、本実施形態に係る半導体レーザモジュールの等価回路を示す回路図である。図３に示すように、半導体レーザモジュールＭ１では、データ正相信号が供給される第１リードピン１４Ａがレーザダイオード６のカソードに接続され、データ逆相信号が供給される第２リードピン１４Ｂが接地電位に接続されている。第１，第２リードピン１４Ａ，１４Ｂから高周波電流によってデータ正相信号とデータ逆相信号を供給することにより、接地電位では両者がキャンセルされる。したがって、接地電位が安定し、放射ノイズを低減させることができる。しかも、良好な高周波特性を発揮することができる
【００４１】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
【００４２】
図４は、本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザモジュールの側断面図である。図４に示すように、本実施形態に係る半導体レーザモジュールＭ２は、上記第１の実施形態に係る半導体レーザモジュールと比較して、第２伝送線路８にビア１０が設けられている点において異なる。このビア１０が形成されていることにより、第２伝送線路８は、ビア１０を介してステムブロック４に終端されている。さらに、レーザダイオード６のアノードは、ボンディングワイヤ９およびビア１０を介してステムブロック４に終端されている。その他の点については、上記第１の実施と同様の構成を有している。
【００４３】
以上の構成を有する本実施形態に係る半導体レーザモジュールＭ２においては、第１リードピン１４Ａおよび第２リードピン１４Ｂに差動駆動型の駆動回路が接続されている。このため、レーザダイオード６は、差動駆動される。この差動駆動の際に、差動用の配線としてビア１０を用いることにより、高周波特性を良好なものとすることができる。
【００４４】
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。
【００４５】
図５は、本発明の第３の実施形態に係る半導体レーザモジュールの正断面図である。図５に示すように、本実施形態に係る半導体レーザモジュールＭ３では、上記第１の実施形態に係るステムブロック４よりも背の高いステムブロック２１を用いている。このステムブロック４に、ＬＤ用サブマウント２２が取り付けられており、ＬＤ用サブマウント２２の下方位置に、ＰＤ用サブマウント１１およびフォトダイオード１２が設けられている。また、ＬＤ用サブマウント２２におけるフォトダイオード１２の上方位置に、レーザダイオード６が取り付けられている。
【００４６】
また、ＬＤ用サブマウント２２の側面上部には、本発明の案内溝である小Ｖ字溝２３が形成されており、この小Ｖ字溝２３に光ファイバＦが配置されている。この小Ｖ字溝２３は、レーザダイオード６に対してアライメントされる深さに調整されている。また、小Ｖ字溝２３の延長線上には、大Ｖ字溝２４が形成されている。大Ｖ字溝２４は、小Ｖ字溝２３よりも深く形成されており、この大Ｖ字溝２４の光ファイバＦを保護するチューブが配置される。さらに、小Ｖ字溝２３には、光ファイバＦを小Ｖ字溝２３に当接させるための止め金２５が設けられている。その他の点については、上記第１の実施形態と同様の構成を有している。
【００４７】
以上の構成を有する本実施形態に係る半導体レーザモジュールＭ３においては、光ファイバＦを載置する小Ｖ字溝２３が形成されている。このため、光ファイバＦと半導体レーザモジュールＭ３とを容易に接続することができる。また、小Ｖ字溝２３に光ファイバＦを配置するだけでレーザダイオード６に対するアライメントがなされるので、レンズを設けて調芯する必要がなくなる。
【００４８】
続いて、本発明の第４の実施形態について説明する。
【００４９】
図６は、本発明の第４の実施形態に係る半導体レーザ装置に取り付けられる駆動回路の回路図である。図６に示すように、本実施形態に係る半導体レーザ装置３０は、レーザダイオード６を駆動するための駆動回路３１を有しており、リードピン１４Ａ，１４Ｂ（図２）に電気的に接続されている。駆動回路３１には、その出力部に終端抵抗３２，３３が設けられている。また、駆動回路３１には差動出力部３４および増幅部３５が設けられている。このような終端抵抗３２，３３を設けることにより、半導体レーザモジュールＭ２と駆動回路３１との間の多重反射を防ぐことができ、その結果、高品質な光出力を得ることができる。
【００５０】
ここで設ける終端抵抗の抵抗値は、伝送路のインピーダンスに整合させるか、その前後のインピーダンスとするのが好適となる。具体的に、伝送路のインピーダンスが２０Ωである駆動回路基板において、それぞれ終端抵抗の抵抗値を設定して、その高周波特性をシミュレーションした。設定した抵抗値は、２５Ω、５０Ω、１００Ωである。また、終端抵抗を設けない例についてもシミュレーションを行った。その結果を図７に示す。
【００５１】
図７からわかるように、駆動回路出力部に終端抵抗を入れることにより、レーザダイオード６と駆動回路３１との間の反射による通過特性のピークを低減することができる。なお、抵抗値としては、２０Ω〜１００Ωの範囲で実用上問題ない。ここで、抵抗値を２０Ωとすると、伝送路のインピーダンスとマッチングするが、ドライブ電流のロスが大きくなるので、２０Ω〜１００Ωの範囲程度とするのが好適である。
【００５２】
また、駆動回路３１の出力部に終端抵抗を設けた場合と、設けない場合とについて、それぞれ光出力波形を実測した。その結果を図８に示す。図８（ａ）は、駆動回路３１の出力部に５０Ωの終端抵抗を設けた例であり、（ｂ）は終端抵抗を設けなかった例である。図８からわかるように、終端抵抗を設けた例では、安定した光出力波形を得ることができたが、終端抵抗を設けなかった例では、光出力波形が不安定なものとなった。このことから、終端抵抗を設けた方が、安定した光出力を得ることができることがわかる。
【００５３】
さらに、本発明の第５の実施形態について説明する。
【００５４】
図９は、本発明の第５の実施形態に係る半導体レーザ装置の側断面図である。図９に示すように本実施形態に係る半導体レーザ装置４０は、上記第１の実施形態で示した半導体レーザモジュールＭ１に接続された駆動回路基板４１を有しており、半導体レーザモジュールＭ１には、光ファイバと接合するためのレセプタクル４２が取り付けられている。レセプタクル４２は、半導体レーザモジュールＭ１に取り付けられる第１スリーブ４３を備えている。第１スリーブ４３の上方には、第２スリーブ４４が設けられており、第２スリーブ４４の外側に第３スリーブ４５が設けられている。第３スリーブ４５には、ねじ山４５Ａが形成されており、光ファイバＦに取り付けられた光プラグＰに設けられた図示しないねじ溝がねじ込まれるようになっている。さらに、第１スリーブ４４の内側にはファイバスタブ部品４６が設けられている。
【００５５】
以上の構成を有する本実施形態に係る半導体レーザ装置４０においては、半導体レーザモジュールＭ１と光ファイバＦとを接合する際にレセプタクル４２を用いている。このため、半導体レーザモジュールＭ１と光ファイバＦとを確実に接続することができる。また、半導体レーザモジュールＭ１に光ファイバＦを取り付けまたは取り外す際に、その取り付け、取り外しを容易に行うことができる。
【００５６】
次に、本発明の第６の実施形態について説明する。
【００５７】
図１０は、本発明の第６の実施形態に係る半導体レーザモジュールの正断面図である。図１０に示すように、本実施に係る半導体レーザモジュールＭ４は、上記第１の実施形態と比較して、ＬＤ用レーザマウントの構成が主に異なる。本実施形態に係る半導体レーザモジュールＭ４では、ステムブロック４の側面にＬＤ用サブマウント４８が取り付けられており、このＬＤ用サブマウント４８は、ステムベース３の表面に到達する位置にまで延在している。このＬＤ用レーザマウント４８の上端部にレーザダイオード６が設けられている。また、ＬＤ用レーザマウント４８におけるレーザダイオード６が設けられた面と同一の面における下方位置に、フォトダイオード１２が取り付けられている。ここでは、フォトダイオード１２として、端面入射型フォトダイオードが用いられている。ＬＤ用レーザマウント４８の側面には、図示はしないが、第１の実施形態と同様の伝送線路および抵抗素子が設けられており、伝送線路にはリードピンが直接電気的に接続されている。その他の点については、上記第１の実施形態と同様の構成を有している。
【００５８】
以上の構成を有する本実施形態に係る半導体レーザモジュールＭ４においては、ＬＤ用サブマウント４８におけるレーザダイオード６の下方位置にフォトダイオード１２が設けられている。ＬＤ用サブマウント４８に伝送線路が形成されていることにより、第１，第２リードピン１４Ａ，１４Ｂからの電気信号をレーザダイオード６の近傍にまで伝送線路で供給することができる。したがって、ボンディングワイヤを用いる場合と比較すると、寄生インダクタンスを非常に小さくすることができる。特に、ＬＤ用サブマウント４８がステムベース３の近傍位置にまで到達していることから、上記第１の実施形態と比較して、第１，第２リードピン１４Ａ，１４Ｂをさらに短くすることができる。
【００５９】
続いて、本発明の第７の実施形態について説明する。
【００６０】
図１１は、本発明の第７の実施形態に係る半導体レーザモジュールの側断面図である。図１１に示すように、本実施形態に係る半導体レーザモジュールＭ５は、上記第２の実施形態と比較して、ステムブロックおよびＬＤ用サブマウントの構成が主に異なる。本実施形態に係る半導体レーザモジュールＭ５におけるステムブロック５１は、第２の実施形態に係るステムブロックよりも長尺であり、その側面にＬＤ用サブマウント５２が取り付けられている。ＬＤ用サブマウント５２は、ステムブロック５１とほぼ同じ高さを有しており、ステムベース３の表面近傍の位置まで延在している。ＬＤ用サブマウント５２の側面には、上記第２の実施形態と同様の第１伝送線路７および第２伝送線路８が設けられている。また、各伝送線路７，８には、それぞれ抵抗素子１７，１８が設けられており、第２伝送線路８にビア１０が形成されている。
【００６１】
さらに、ＬＤ用サブマウント５２の上方位置には、上記第３の実施形態と同様の小Ｖ字溝５３が形成されている。この小Ｖ字溝５３は、レーザダイオード６に対してアライメントされる深さに調整されている。また、小Ｖ字溝５３の延長線上には、大Ｖ字溝５４が形成されている。大Ｖ字溝５４は、小Ｖ字溝５３よりも深く形成されており、この大Ｖ字溝５４の光ファイバＦを保護するチューブが配置される。さらに、小Ｖ字溝５３には、光ファイバＦを小Ｖ字溝５３に当接させるための止め５２５が設けられている。
【００６２】
また、ＬＤ用サブマウント５２が設けられた面におけるレーザダイオード６の下方位置には、上記第６の実施形態と同様の端面入射型のフォトダイオード１２が設けられている。その他の点については、上記第２実施形態と同様の構成を有している。
【００６３】
以上の構成を有する本実施形態に係る半導体レーザモジュールＭ５においては、上記第６の実施形態と同様、光ファイバＦを載置する小Ｖ字溝２３が形成されている。このため、光ファイバＦと半導体レーザモジュールＭ５を容易に接続することができる。また、小Ｖ字溝５３に光ファイバＦを配置するだけでレーザダイオード６に対するアライメントがなされるので、レンズを設けて調芯する必要がなくなる。
【００６４】
しかも、上記第６の実施形態と同様、ＬＤ用サブマウント５２がステムベース３の近傍位置にまで到達していることから、上記第１の実施形態と比較して、第１，第２リードピン１４Ａ，１４Ｂをさらに短くすることができる。
【００６５】
他方、ＬＤ用サブマウントにフォトダイオードを取り付ける態様としては、たとえば、ＬＤ用サブマウントに突起を形成してこの突起に鏡などの光路変換器を設け、裏面入射型フォトダイオードや上面入射型フォトダイオードを取り付ける態様とすることもできる。
【００６６】
【発明の効果】
以上の説明のとおり、本発明によれば、寄生インダクタンスが小さく、高周波特性に優れる半導体レーザモジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係る半導体レーザモジュールの側断面図である。
【図２】第１の実施形態に係る半導体レーザモジュールの正断面図である。
【図３】第１の実施形態に係る半導体レーザモジュールの等価回路図である。
【図４】第２の実施形態に係る半導体レーザモジュールの側断面図である。
【図５】第３の実施形態に係る半導体レーザモジュールの側断面図である。
【図６】第４の実施形態に係る半導体レーザ装置の回路図である。
【図７】駆動回路に終端抵抗を設けた場合の半導体レーザモジュールの高周波特性を示すグラフである。
【図８】（ａ）は、駆動回路に終端抵抗を設けた場合の光出力波形を示すグラフ、（ｂ）は、駆動回路に終端抵抗を設けない場合の光出力波形を示すグラフである。
【図９】第５の実施形態に係る半導体レーザ装置の側断面図である。
【図１０】第６の実施形態に係る半導体レーザモジュールの正断面図である。
【図１１】第７の実施形態に係る半導体レーザモジュールの側断面図である。
【図１２】従来の半導体レーザモジュールの斜視図である。
【符号の説明】
２…ステム、３…ステムベース、４，５１…ステムブロック、５，４８，５２…ＬＤ用サブマウント、６…レーザダイオード、７…第１伝送線路、８…第２伝送線路、９…ボンディングワイヤ、１０…ビア、１１…ＰＤ用サブマウント、１２…フォトダイオード、１３…貫通孔、１４…リードピン、１４Ａ…第１リードピン、１４Ｂ…第２リードピン、１４Ｃ…第３リードピン、１４Ｄ…第４リードピン、１５…ガラス封止部、１６…ボンディングワイヤ、１７…第１抵抗素子、１８…第２抵抗素子、１９…キャップ、２０…レンズ、２１…ステムブロック、２２…用サブマウント、２３，５３…小Ｖ字溝、２４，５４…大Ｖ字溝、２５…止め金、３０，４０…半導体レーザ装置、３１…駆動回路、３２，３３…終端抵抗、３４…差動出力部、３５…増幅部、４１…駆動回路基板、４２…レセプタクル、４３…第１スリーブ、４４…第２スリーブ、４５…第３スリーブ、４５Ａ…ねじ山、４６…ファイバスタブ部品、Ｆ…光ファイバ、Ｍ１〜Ｍ５…半導体レーザモジュール、Ｐ…光プラグ。
【図１】
2004356233.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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