【手続補正書】
【提出日】平成15年10月29日(2003.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザー発振器、レーザー装置及びレーザー照射システム


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振空間へガスを導入するガス導入手段と、
導入された前記ガスを分解する放電用の電極と、を備え、
前記ガス導入手段は複数のガス導入口を有し、前記ガス導入口から前記発振空間へ前記ガスが導入されることを特徴とするレーザー発振器。
【請求項２】
内部が一方向に延長した構造のレーザー発振器において、
発振空間へガスを導入するガス導入手段と、
導入された前記ガスを分解する放電用の電極、とを備え、
前記ガス導入手段は長手方向に配置された複数のガス導入口を有し、前記ガス導入口より前記発振空間へ前記ガスが導入されることを特徴とするレーザー発振器。
【請求項３】
発振空間へガスを導入するガス導入手段と、
導入された前記ガスを分解する放電用の電極と、
前記ガスを攪拌させるファンと、を備え、
前記ガス導入手段は複数のガス導入口を有し、前記ガス導入口より前記発振空間へ前記ガスが導入されることを特徴とするレーザー発振器。
【請求項４】
内部が一方向に延長した構造のレーザー発振器において、
発振空間へガスを導入するガス導入手段と、
導入された前記ガスを分解する放電用の電極と、
前記ガスを攪拌させるファンと、を備え、
前記ガス導入手段は長手方向に配置された複数のガス導入口を有し、前記ガス導入口より前記発振空間へ前記ガスが導入されることを特徴とするレーザー発振器。
【請求項５】
請求項１乃至４に記載したガス導入口において、
前記複数のガス導入口は等間隔に配置されていることを特徴とするレーザー発振器。
【請求項６】
請求項１乃至５に記載のレーザー発振器を備えたことを特徴とするレーザー装置。
【請求項７】
エキシマレーザーを発振させる発振器と、
該発振器からのレーザー光を線状に成形する光学系と、
前記レーザー光を走査して照射する手段と、
を有したレーザー照射システムであって、
レーザー発振に寄与するガスを前記発振器内部において複数の箇所から供給する手段を有していることを特徴とするレーザー照射システム。
【請求項８】
エキシマレーザーを発振させる発振器と、
該発振器からのレーザー光を線状に成形する光学系と、
前記レーザー光を走査して照射する手段と、
を有したレーザー照射システムであって、
レーザー発振に寄与するガスを前記発振器内部において複数の箇所から供給する手段を有していることを特徴とするレーザー照射システム。
【請求項９】
エキシマレーザーを発振させる発振器と、
該発振器からのレーザー光を線状に成形する光学系と、
前記レーザー光を走査して照射する手段と、
を有したレーザー照射システムであって、
前記発振器は、内部が一方向に延長した構造を有し、前記一方向に延長した方向の一方の端部からレーザー光が取り出される構成を有し、
レーザー発振に寄与するガスを、少なくとも前記発振器内部における延長した方向の一方の端部および他方の端部から導入する手段を有することを特徴とするレーザー照射システム。
【請求項１０】
エキシマレーザーを発振させる発振器と、
該発振器からのレーザー光を線状に成形する光学系と、
前記レーザー光を走査して照射する手段と、
を有したレーザー照射システムであって、
前記発振器は、内部が一方向に延長した構造を有し、前記一方向に延長した方向の一方の端部からレーザー光が取り出される構成を有し、
レーザー発振に寄与するガスを、前記発振器内部における延長した方向に配列された複数の箇所から導入する手段を有することを特徴とするレーザー照射システム。
【請求項１１】
エキシマレーザーを発振させる発振器と、
該発振器からのレーザー光を線状に成形する光学系と、
前記レーザー光を走査して照射する手段と、
を有したレーザー照射システムであって、
前記発振器は、内部が一方向に延長した構造を有し、前記一方向に延長した方向の一方の端部からレーザー光が取り出される構成を有し、
レーザー発振に寄与するガスを、前記発振器内部における延長した方向に等間隔に配列された複数の箇所から導入する手段を有することを特徴とするレーザー照射システム
【請求項１２】
エキシマレーザーを発振させる発振器と、
該発振器からのレーザー光を線状に成形する光学系と、
前記レーザー光を走査して照射する手段と、
を有したレーザー照射システムであって、
前記発振器は、内部が一方向に延長した構造を有し、前記一方向に延長した方向の一方の端部からレーザー光が取り出される構成を有し、
レーザー発振に寄与するガスを、前記発振器内部における延長した方向に沿って線状に配列された複数の箇所から導入する手段を有することを特徴とするレーザー照射システム。
【請求項１３】
エキシマレーザーを発振させる発振器と、
該発振器からのレーザー光を線状に成形する光学系と、
前記レーザー光を走査して照射する手段と、
を有したレーザー照射システムであって、
前記発振器は、内部が一方向に延長した構造を有し、前記一方向に延長した方向の一方の端部からレーザー光が取り出される構成を有し、
レーザー発振に寄与するガスを、前記発振器内部における延長した方向に沿って線状に等間隔に配列された複数の箇所から導入する手段を有することを特徴とするレーザー照射システム。
【請求項１４】
エキシマレーザーを発振させる発振器と、
該発振器からのレーザー光を線状に成形する光学系と、
前記レーザー光を走査して照射する手段と、
を有したレーザー照射システムであって、
前記発振器は、内部が一方向に延長した構造を有し、前記一方向に延長した方向の一方の端部からレーザー光が取り出される構成を有し、
前記延長した方向に沿って配列された複数の箇所からレーザー発振に寄与するガスが導入され、前記発振器からのレーザー光を光学系により線状のビームに成形し、該線状のビームに成形されたレーザー光を線状ビームの幅方向に走査しながら半導体薄膜に照射することにより半導体薄膜のアニールを行う手段を有することを特徴とするレーザー照射システム。
【請求項１５】
エキシマレーザーを発振させる発振器と、
該発振器からのレーザー光を線状に成形する光学系と、
前記レーザー光を走査して照射する手段と、
を有したレーザー照射システムであって、
前記発振器は、内部が一方向に延長した構造を有し、前記一方向に延長した方向の一方の端部からレーザー光が取り出される構成を有し、
前記延長した方向に沿って等間隔に配列された複数の箇所からレーザー発振に寄与するガスが導入され、前記発振器からのレーザー光を光学系により線状のビームに成形し、該線状のビームに成形されたレーザー光を線状ビームの幅方向に走査しながら半導体薄膜に照射することにより半導体薄膜のアニールを行う手段を有することを特徴とするレーザー照射システム。
【請求項１６】
エキシマレーザーを発振させる発振器と、
該発振器からのレーザー光を線状に成形する光学系と、
前記レーザー光を走査して照射する手段と、
を有したレーザー照射システムであって、
前記発振器は、内部が一方向に延長した構造を有し、前記一方向に延長した方向の一方の端部からレーザー光が取り出される構成を有し、
前記延長した方向に沿って配列された複数の箇所からレーザー発振に寄与するガスを導入することにより空間的なゆらぎの是正されたレーザー発振を行わせ、前記発振器から発振されたレーザー光を光学系により線状にビーム形成し照射する手段を有することを特徴とするレーザー照射システム。
【請求項１７】
エキシマレーザーを発振させる発振器と、
該発振器からのレーザー光を線状に成形する光学系と、
前記レーザー光を走査して照射する手段と、
を有したレーザー照射システムであって、
前記発振器は、内部が一方向に延長した構造を有し、前記一方向に延長した方向の一方の端部からレーザー光が取り出される構成を有し、
前記延長した方向に沿って等間隔に配列された複数の箇所からレーザー発振に寄与するガスを導入することにより空間的なゆらぎの是正されたレーザー発振を行わせ、前記発振器から発振されたレーザー光を光学系により線状にビーム形成し照射する手段を有することを特徴とするレーザー照射システム。
【請求項１８】
エキシマレーザーを発振させる発振器と、
該発振器からのレーザー光を線状に成形する光学系と、
前記レーザー光を走査して照射する手段と、
を有したレーザー照射システムであって、
レーザー発振に寄与するガスを前記発振器内部において均一に供給する手段を有していることを特徴とするレーザー照射システム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
図２に作製工程を示す。まずガラス基板（または石英基板）５０１上に図示しない下地膜を成膜する。ここでは、図示しない下地膜としてスパッタ法により、酸化珪素膜を３００ｎｍの厚さに成膜する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
次にプラズマＣＶＤ法（または減圧熱ＣＶＤ法）により、非晶質珪素膜５０２を５０ｎｍの厚さに成膜する。こうして図２（Ａ）に示す状態を得る。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
ゲイト絶縁膜として機能する酸化珪素膜５０３をプラズマＣＶＤ法により、１００ｎｍの厚さに成膜する。さらに図示しないアルミニウム膜をスパッタ法により４００ｎｍの厚さに成膜し、それをパターニングすることにより、ゲイト電極５０４、５０５、５０６を形成する。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
次に得られたゲイト電極のパターンを陽極とした陽極酸化を行うことにより、陽極酸化膜５０７、５０８、５０９を１００ｎｍの厚さに形成する。陽極酸化膜は、ゲイト電極を電気的及び物理的に保護する機能を有している。こうして図２（Ｂ）に示す状態を得る。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
なお、本実施例においては、陽極酸化膜５０７、５０８、５０９が存在する関係で、その厚さの分でオフセットゲイト領域がチャネルとソース／ドレイン領域の間に形成される。しかし、その寸法は１００ｎｍ（実際はプラズマドーピング時における注入イオンの回り込みにより、さらに小さくなると考えられる）程度であるので、ここではその存在は無視する。なお、陽極酸化膜の膜厚を２００ｎｍ程度以上というように厚くした場合には、オフセットゲイト領域の効果が顕在化する。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
次に第１の層間絶縁膜として、２００ｎｍ厚の窒化珪素膜５１６とポリイミド樹脂でなる膜５１７を積層する。ここでは、窒化珪素膜をプラズマＣＶＤ法により成膜し、ポリイミド樹脂でなる膜をスピンコート法でもって成膜する。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
特にレーザー発振器内部におけるレーザー発振位置のバラツキを是正し、線状レーザービームの長手方向における照射エネルギーのバラツキ（このバラツキは発振毎に発生する）を是正することができる。そして、表示ムラのないアクティブマトリクス型の液晶ディスプレイを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】レーザー発振器の概要を示す図。
【図２】周辺駆動回路一体型のアクティブマトリクス型の液晶表示装置のＴＦＴ部分の作製工程を示す図。
【図３】薄膜トランジスタの作製工程を示す図。
【図４】ドーピング手段を示す図。
【図５】光学系の概要を示す図。
【図６】光学系の概要を示す図。
【図７】レーザー光のパルス間のばらつきを示す図。
【符号の説明】
３０１        レーザー発振器の容器
３０２        電極
３０３        ファン
３０４        ファン駆動用のモーター
３０５        ガス導入手段
３０６        ガス噴射口