【事件の表示】
　平成　５年特許願第３２５６０４号「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年　７月２１日出願公開、特開平　７−１８３５１９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成５年１２月２４日の出願であって、平成１４年１０月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１１月２８日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の発明は、明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものである。（以下、「本願発明」という。）
　「多結晶半導体膜上に絶縁膜を介して制御電極が形成され、この制御電極により前記絶縁膜側の前記多結晶半導体膜の表面のキャリア濃度を制御する構造を備えた半導体装置の製造方法において、
　前記多結晶半導体膜を形成する工程と、この多結晶半導体膜の表面の結晶性不良部を除去した後に、前記多結晶半導体膜上に前記絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜上に前記制御電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
３．引用文献
　引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願日前の平成２年３月２３日に頒布された特開平２−８２５７８号公報（以下、「引用例１」という。）には、第１図、第３図とともに、以下の記載がなされている。
・「絶縁基板上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、チャネル部を成す半導体層を形成する工程と、ゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート電極を形成する工程を含む薄膜トランジスタの製造方法において、該ゲート絶縁膜を形成する前に、水素電子サイクロトロン共鳴プラズマ（以下水素ＥＣＲプラズマと呼ぶ）を照射し、真空を保ち該ゲート絶縁膜を電子サイクロトロン共鳴ＣＶＤ法（以下ＥＣＲプラズマＣＶＤと呼ぶ）で形成したことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」（特許請求の範囲請求項１）　
・「［課題を解決するための手段］
　本発明の薄膜トランジスタは、ゲート絶縁膜を形成する前に、水素ＥＣＲプラズマを照射し、真空を保ちゲート絶縁膜をＥＣＲプラズマＣＶＤ法で形成したことを特徴とする。
［実施例］
　以下実施例に基づいて、本発明を詳しく説明する。第１図に本発明による薄膜トランジスタの製造方法を示す。
　第１図１０１に示す様に、ガラス、石英、サファイア等の絶縁基板１０１上にドナーあるいはアクセプタとなる不純物を添加した多結晶シリコン・・・から成るソース電極１０２及びドレイン電極１０３を減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等のＣＶＤ法により形成する。・・・次に多結晶シリコン・・・から成る半導体層１０４を減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等のＣＶＤ法・・・により形成する。その膜厚は２０００Å以下が望ましい。・・・
　次に第１図（ｂ）に示す様に水素ＥＣＲプラズマを照射する。使用した装置の概略を第３図に示す。・・・プラズマ室内でマイクロ波と磁界の相互作用で発生したＥＣＲプラズマとイオン流３０４は発散磁界によって試料室３１０へ輸送され、絶縁基板３０１上に照射される。マイクロ波のパワーを６２０Ｗ、ガスライン３０６より５０ｓｃｃｍの水素ガスを供給し、圧力１．５×１０−３Torrで２分間水素ＥＣＲプラズマを照射した。水素ＥＣＲプラズマの照射により、半導体層を成すシリコン薄膜は約２５Å／ｍｉｎの速さでエッチングされた。
　１×１０−６Torr以下の高真空に保持したまま第１図（Ｃ）に示す様にＥＣＲプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ２、ＳｉＮｘ等のゲート絶縁膜１１１を形成する。水素ＥＣＲプラズマを照射後高真空を保持したままゲート絶縁膜を形成するため、同一の装置で引き続き処理した。・・・
　次に第１図（ｄ）に示す様に金属、透明導電膜より成るゲート電極１１２をスパッタ法、蒸着法により形成する。
　この様に製造された薄膜トランジスタは、水素ＥＣＲプラズマ照射により半導体層の表面をエッチングするため清浄な表面が得られ、更に高真空を維持したまま引き続き１０−４Torr台でゲート絶縁膜を形成するため、半導体層とゲート絶縁膜の界面に不純物等が付着することがなく、表面電荷密度を熱ＣＶＤ法の１／１０以下の小さな値とすることができ、その結果薄膜トランジスタの信頼性を大幅に向上できる。」（第２頁右上欄第８行〜第３頁左上欄第１６行）
・「本発明は次のようなすぐれた効果を有する。
　第１に、薄膜トランジスタの表面電荷密度を小さくでき、信頼性を大幅に向上できる。」（第３頁左下欄第７行〜第９行）
　
　よって、引用例１には、
　「多結晶シリコンから成る半導体層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成されると共に、前記多結晶シリコンから成る半導体層がチャネル部を成し、ソース電極及びドレイン電極を備えた薄膜トランジスタの製造方法において、
　前記多結晶シリコンから成る半導体層を形成する工程と、水素電子サイクロトロン共鳴プラズマの照射により、前記多結晶シリコンから成る半導体層をエッチングし、その後前記ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート電極を形成する工程を備えた、薄膜トランジスタの製造方法。」
が記載されている。
　
４．対比・判断
　本願発明と引用例１に記載された発明（以下、「引用発明」という。）とを対比する。
　　　
　引用発明の、「多結晶シリコンから成る半導体層」、「ゲート絶縁膜」、「ゲート電極」及び、「薄膜トランジスタ」は、
それぞれ、本願発明の、「多結晶半導体膜」、「絶縁膜」、「制御電極」及び、「半導体装置」に相当する。
　
　よって、両者は、
　「多結晶半導体膜上に絶縁膜を介して制御電極が形成された半導体装置の製造方法において、
　前記多結晶半導体膜を形成する工程と、前記多結晶半導体膜上に前記絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜上に前記制御電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
である点で一致し、以下の点において一応相違する。
　
　  相違点１
　本願発明が、「多結晶半導体膜上に絶縁膜を介して制御電極が形成され、この制御電極により前記絶縁膜側の前記多結晶半導体膜の表面のキャリア濃度を制御する構造を備えた半導体装置」であるのに対し、
　引用発明が、「多結晶シリコンから成る半導体層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成されると共に、前記多結晶シリコンから成る半導体層がチャネル部を成し、ソース電極及びドレイン電極を備えた薄膜トランジスタ」である点及び、
　
　相違点２
  本願発明が、「この多結晶半導体膜の表面の結晶性不良部を除去した後に、前記多結晶半導体膜上に前記絶縁膜を形成する工程」を備えるのに対し、
　引用発明が、「水素電子サイクロトロン共鳴プラズマの照射により、前記多結晶シリコンから成る半導体層をエッチングし、その後前記ゲート絶縁膜を形成する工程」を備える点において、一応相違する。
　
　以下、相違点について検討する。
　相違点１について
　引用発明は、「多結晶シリコンから成る半導体層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成されると共に、前記多結晶シリコンから成る半導体層がチャネル部を成し、ソース電極及びドレイン電極を備えた薄膜トランジスタ」であって、「薄膜トランジスタ」が電界効果トランジスタであることは明らかであり、電界効果トランジスタが、ゲート電極により、チャネル部のゲート絶縁膜側の表面のキャリアの量を制御するものであることは当業者に自明な電界効果トランジスタの動作特性であり、一方、本願発明は、「多結晶半導体膜上に絶縁膜を介して制御電極が形成され、この制御電極により前記絶縁膜側の前記多結晶半導体膜の表面のキャリア濃度を制御する構造を備えた半導体装置」であって、多結晶半導体膜上に形成した絶縁膜を介して形成された制御電極により多結晶半導体膜の表面のキャリア濃度を制御するものであるところ、電界効果トランジスタのゲート電極又は制御電極によるキャリアの制御は、制御電極で制御されるチャネル領域等の半導体領域のキャリアの数、それを、「量」と表現するか「濃度」と表現するかにより表現上は相違するものの、結局、チャネルを通過するキャリアの数を制御しているのであるから、この点において、本願発明と引用発明は相違していない。
　
　相違点２について
　引用例１には、形成された多結晶シリコンから成る半導体層表面に「結晶性不良部」が形成されるとの明示的な記載はされていないものの、「２分間水素プラズマを照射した。水素ＥＣＲプラズマの照射により、半導体層を成すシリコン薄膜は約２５Å／ｍｉｎの速さでエッチングされた。」（第２頁右下欄第２〜６行参照）との記載より、多結晶シリコンから成る半導体層の表面が約５０Åエッチング除去されており、また、本願発明の「多結晶半導体膜」がプラズマＣＶＤ法により形成されているのに対して、引用例１においても多結晶シリコンから成る半導体層はプラズマＣＶＤ法により形成されており、同様な方法で多結晶シリコン膜を形成すると同様な性質を備えた多結晶シリコン膜が形成される蓋然性が高いから、引用例１においても、形成された「多結晶シリコンから成る半導体層」には、本願発明と同様に、その表面に「結晶性不良部」が形成されているものと推測される。
　したがって、引用発明において、「水素電子サイクロトロン共鳴プラズマの照射により、前記多結晶シリコンから成る半導体層をエッチング」し、半導体層の表面を約５０Å除去しており、本願の実施例における、１０ｎｍ（１００Å）除去した時と比較して除去する深さ（厚さ）は相違するものの、多結晶シリコンから成る半導体層に形成されるであろう「結晶性不良部」がエッチングされ、少なくともその一部が除去されることは、極めて高い確率で起こりうるものと認める。
　よって、引用発明の「水素電子サイクロトロン共鳴プラズマの照射により、前記多結晶シリコンから成る半導体層をエッチング」することは、実質的に、本願発明の「この多結晶半導体膜の表面の結晶性不良部を除去」することに相当するから、この点は実質的な相違点ではない。
　
　なお、引用例１では、エッチングにより、多結晶シリコンから成る半導体層の表面を約５０Å（５ｎｍ）除去しているのに対して、本願の実施例では、１０ｎｍ除去しているものの、多結晶シリコンから成る半導体層の表面を５ｎｍまたは、１０ｎｍ除去すれば、シリコン表面の「結晶性不良部」が除去される点においては相違しない。
　ここで、シリコン単結晶の格子定数は約５．４３Åであり、格子定数の距離離れた２つの平行平面を考えると、シリコン単結晶においても前記２つの平行平面の間には２個程度の原子が異なる深さ方向で存在しているから、引用例１でのエッチング深さ約５０Åには、２０個程度の原子が異なる深さに存在することになる。 
　したがって、多結晶シリコンの、単結晶シリコンの格子定数に相当する、平均格子間距離は、単結晶シリコンの格子定数と比べて多少大きいもののほぼ同等であることは、当業者に明らかであるから、多結晶シリコンから成る半導体層において、原子数で２０個程度の深さのシリコン層をエッチングにより除去すれば、本願の実施例での１０ｎｍの除去、即ち、原子数で４０個程度の深さまで除去することに比較して、「結晶性不良部」の除去できる程度が多少異なるとしても、本願明細書に記載される「結晶性不良部」が除去できることは、当業者にとって自明のことである。
　　
５．まとめ
　したがって、本願発明は、引用例１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の発明に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。