【事件の表示】
　平成１０年特許願第５６４３６号「プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年８月２５日出願公開、特開平１０−２２９０７４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯・本願発明
　本願は、平成４年２月１９日を出願日とする特願平４−３１７９６号（以下、「原出願」という。）を平成１０年３月９日に特許法第４４条第１項の規定により特許出願の分割をした出願であって、その請求項１、２に係る発明は、平成１１年１月８日付、平成１３年７月１３日付、平成１３年１０月２４日付、及び平成１４年４月５日付の各手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１、２に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである
「プラズマを発生するための真空容器を備え、該真空容器内の載置電極上に基板を支持し、前記真空容器内に水素原子を含むフッ化炭素系のエッチングガスを供給し、前記基板を処理するために、前記載置電極に高周波電圧を印加して前記真空容器のプラズマ源領域に高周波エネルギを供給し、さらに前記エッチングガスに加えて、フッ素を取り除くためにプラズマに接触する固体シリコン源をプラズマ源領域の前記高周波エネルギにより加速電位が供給される領域に提供するステップとを含むことを特徴とするプラズマエッチング方法。」
　　
［２］刊行物の記載事項
　これに対して、原査定の拒絶理由に引用された原出願の出願前に頒布された刊行物である特開昭６４−１５９３０号公報（以下、「 刊行物１」という。）には、以下の事項が記載されている。
「１．デポジション性のガスを含む処理ガスが供給され、所定圧力に減圧排気される処理と、電磁界を利用して前記処理ガスをプラズマ化するプラズマ化手段とを具備し、前記処理室内に配置された試料にほぼ対向して非磁性の加熱板を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
２．前記試料に対向する加熱板の表面が凹凸状である特許請求の範囲第１項記載のプラズマ処理装置。
３．前記加熱板表面が前記処理ガスと反応しやすい材料でなる特許請求の範囲第２項記載のプラズマ処理装置。
４．前記処理ガスがＣＨＦ３を含むＣＦ系のガスであり、前記試料の下地材料はＳｉで、エッチング材料はＳｉＯ２である特許請求の範囲第１項記載のプラズマ処理装置。」（特許請求の範囲）、
「第１図は本発明のプラズマ処理装置、例えば、ドライエッチング装置の一例を示したものであり、この場合、処理室１の上部には上壁面を兼ねた電極４が設けてあり、下部には底壁面を兼ねた電極６が絶縁材でなる支持材５を介して設けてある。処理室１には図示しない処理ガス供給装置につながるガス導入口２と、図示しない排気装置につながる排気口３とが設けてある。また、この場合、電極４は接地され、電極６にはカップリングキャパシタ７およびマッチングボックス８を介して高周波電源９が接続してある。試料１１は、この場合、電極６に配置され、試料１１に対向する位置で電極４の内面に加熱板１２が取り付けてあり、さらに電極４の外側に磁石要素１０を設けている。加熱板１２の内部には、この場合、抵抗体１３が埋設してあり、抵抗体１３は導入端子１４を介して温度制御器１５に接続してある。また、加熱板１２の対試料面側は、この場合、波状の凹凸を設けた表面としてあり、第２図に示すように円周状波状にしてある。上記構成の装置により、例えば、試料として下地材料がＳｉで、エッチング材料がＳｉＯ２のものを使用し、処理ガスとしてＣ２Ｆ６にデポジション性のＣＨＦ３を混合したガスを用い、ガス流流が３０ＳＣＣＭで、圧力が５×１０−３Ｔｏｒｒで、電極間隔が３０ｍｍで、印加電力が１３．５６ＭＨｚの高周波電力を４００Ｗで、電極６と磁石要素１０との間隔が４５ｍｍで‥‥‥‥‥‥取り付けたものである。この条件のもとに、加熱板１２の条件を表１のように変えて、Ｓｉに対するＳｉＯ２の選択比がほぼ１０に一定するように、Ｃ２Ｆ６とＣＨＦ３との混合の処理ガスの組成比を変える実験を行った。」（第２頁右上欄３行〜左下欄２０行）、
　表１に、加熱板の材質、形状、加熱条件が異なるケース１〜４における各ＣＨＦ３組成比が示されるとともに、
「ケース４のように加熱板１２の材質を処理ガスと反応性のあるＳｉＣとし、波状の形状にして加熱すると、ＣＨＦ３の組成比はさらに２０％まで下げられた。これは、下地材料のＳｉのエッチングに寄与するプラズマ中のＦ＊が、ＳｉＣの材質でなる加熱板１２と反応し、ＳｉＦ４、ＣＦ４等の安定したガスになって排気され、下地材料のＳｉの方へ飛んで行くＦ＊の数が少なくなるからと思われる。」（第３頁右上欄１〜９行）、
「加熱板１２の材質を下地材料のＳｉのエッチャントであるＦ＊と反応性のある材質とすることで、下地材料のエッチングに寄与するＦ＊の量が少なくなるので、さらにＣＨＦ３の組成比を下げることができ、さらにクリーニング周期を延ばすことができる。」（第３頁左下欄１４〜１９行）と記載されており、
　そして、上述の記載に対応させて第１図、第２図が示されている。
　　 
［３］当審の判断
　上記［２］欄に摘記した事項を総合すると、刊行物１には、「プラズマ処理装置の処理室の上部には上壁面を兼ねた電極４を設け、該処理室の下部には底壁面を兼ねた電極６を設け、下地材料がＳｉで、エッチング材料がＳｉＯ２である試料を電極６上に配置し、前記処理室内にはＣＨＦ３を含むＣＦ系の処理ガスを供給し、前記試料をプラズマ処理するために、電極６に高周波電力を印加して前記処理室内のプラズマ化する処理ガス中に高周波電力を供給し、さらに前記処理ガスに加えて、プラズマ中のＦ＊と反応させて該Ｆ＊を取り除くＳｉＣ材質の加熱板をプラズマに接触して設けたプラズマ処理方法」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　そして、本願発明１と引用発明とを対比すると、引用発明における「プラズマ処理装置の処理室」、「電極６」、「下地材料がＳｉで、エッチング材料がＳｉＯ２である試料」、「ＣＨＦ３を含むＣＦ系の処理ガス」、「処理室内のプラズマ化する処理ガス中」、「プラズマ中のＦ＊と反応させて該Ｆ＊を取り除くＳｉＣ材質の加熱板」、「プラズマ処理」はそれぞれ、本願発明１における「プラズマを発生するための真空容器」、「載置電極」、「基板」、「水素原子を含むフッ化炭素系のエッチングガス」、「真空容器のプラズマ源領域」、「フッ素を取り除くためにプラズマに接触する固体シリコン源」、「プラズマエッチング」に相当するので、両者は、「プラズマを発生するための真空容器を備え、該真空容器内の載置電極上に基板を支持し、前記真空容器内に水素原子を含むフッ化炭素系のエッチングガスを供給し、前記基板を処理するために、前記載置電極に高周波電圧を印加して前記真空容器のプラズマ源領域に高周波エネルギを供給し、さらに前記エッチングガスに加えて、フッ素を取り除くためにプラズマに接触する固体シリコン源を提供するステップとを含むプラズマエッチング方法」の点で一致し、下記（イ）の点で相違する。
（イ）本願発明１では、固体シリコン源をプラズマ源領域の高周波エネルギにより加速電位が供給される領域に提供するステップを含むのに対し、引用発明では、そのように記載されていない点。
　　　
　そこで、相違点（イ）について以下検討する。
　プラズマエッチング方法において、フッ素を取り除くための固体シリコン源を、プラズマ源領域の高周波エネルギにより加速電位が供給される領域に設けることは原出願の出願前周知の技術である［例えば、特公昭６２−７２６８号公報，第４欄５行〜第６欄５行，第１〜７図；実願昭５８−３７７３１号（実開昭５９−１４１５７０号）のマイクロフイルム，実用新案登録請求の範囲，第５頁６〜１３行，図面；特開昭６３−９１２０号公報，特許請求の範囲第１項，同第６項，第２頁右下欄１７行〜第３頁左下欄１２行，第５頁左上欄４〜５行，第１図参照］。
　そうすると、引用発明のプラズマエッチング方法において、フッ素を取り除くためにプラズマに接触して設けられている固体シリコン源を、上記周知技術のようにプラズマ源領域の高周波エネルギにより加速電位が供給される領域に設けて、該領域に該固体シリコン源を提供するステップを設けることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　また、相違点（イ）に係る本願発明１の効果も、引用発明及び上記周知技術から普通に予測できる程度のものであって、格別なものは見出せない。
　よって、本願発明１は、引用発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
 　　
［４］むすび
　したがって、本願発明１は、引用発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、上記のとおり本願発明１が特許を受けることができないため、本願の請求項２に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。