Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月7日(2014.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トレッドが、少なくともジエンエラストマー、補強用充填剤およびEPDMとポリプロピレンとの熱可塑性エラストマー加硫物(TPV)を含むゴム組成物を含むことを特徴とするタイヤ。
【請求項２】
上記ジエンエラストマーが、ポリブタジエン(BR)、合成ポリイソプレン(IR)、天然ゴム (NR)、ブタジエンコポリマー、イソプレンコポリマーおよびこれらのエラストマーの混合物からなる群から選ばれる、請求項１記載のタイヤ。
【請求項３】
TPVエラストマーの含有量が、5phrよりも多い、請求項１または２記載のタイヤ。
【請求項４】
TPVエラストマーの含有量が、10phrと50phrの間の量である、請求項３記載のタイヤ。
【請求項５】
前記ゴム組成物が、可塑剤をさらに含む、請求項１〜４のいずれか１項記載のタイヤ。
【請求項６】
可塑剤の含有量が、10phrよりも多い、請求項５記載のタイヤ。
【請求項７】
前記可塑剤が熱可塑性炭化水素樹脂であって、そのガラス転移温度(Tg)が0℃よりも高い、請求項５または６記載のタイヤ。
【請求項８】
前記可塑剤が、20℃で液体であって、−20℃よりも低いガラス転移温度(Tg)を有する、請求項５または６記載のタイヤ。
【請求項９】
前記ゴム組成物が、請求項７記載の炭化水素樹脂と請求項８記載の液体可塑剤を含む、請求項５または６記載のタイヤ。
【請求項１０】
前記補強用充填剤が、カーボンブラック、シリカ、またはカーボンブラックとシリカの混合物を含む、請求項１〜９のいずれか１項記載のタイヤ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
最後に、本発明に従うタイヤのトレッドの組成物C.2〜C.4は、対照組成物C.1の値よりも常に高い0℃でのtan(δ)値、即ち、改良されているタイヤトレッドの湿潤グリップポテンシャルの当業者にとっての明白な指標を示していることも判明している。
本発明は、また、以下の態様であり得る。
〔１〕
トレッドが、少なくともジエンエラストマー、補強用充填剤およびEPDMとポリプロピレンとの熱可塑性エラストマー加硫物(TPV)を含むゴム組成物を含むことを特徴とするタイヤ。
〔２〕
上記ジエンエラストマーが、ポリブタジエン(BR)、合成ポリイソプレン(IR)、天然ゴム (NR)、ブタジエンコポリマー、イソプレンコポリマーおよびこれらのエラストマーの混合物からなる群から選ばれる、〔１〕記載のタイヤ。
〔３〕
TPVエラストマーの含有量が、5phrよりも多い、〔１〕または２〕記載のタイヤ。
〔４〕
TPVエラストマーの含有量が、10phrと50phrの間の量である、〔３〕記載のタイヤ。
〔５〕
前記ゴム組成物が、可塑剤をさらに含む、〔１〕〜〔４〕のいずれか１項記載のタイヤ。
〔６〕
可塑剤の含有量が、10phrよりも多い、〔５〕記載のタイヤ。
〔７〕
前記可塑剤が熱可塑性炭化水素樹脂であって、そのガラス転移温度(Tg)が0℃よりも高い、〔５〕または〔６〕記載のタイヤ。
〔８〕
前記熱可塑性炭化水素樹脂が、シクロペンタジエン(CPDと略記する)またはジシクロペンタジエン(DCPDと略記する)のホモポリマーまたはコポリマー樹脂、テルペンのホモポリマーまたはコポリマー樹脂、テルペン/フェノールのホモポリマーまたはコポリマー樹脂、C5留分のホモポリマーまたはコポリマー樹脂、C9留分のホモポリマーまたはコポリマー樹脂、α‐メチルスチレンのホモポリマーまたはコポリマー樹脂およびこれらの樹脂の混合物からなる群から選ばれる、〔７〕記載のタイヤ。
〔９〕
前記可塑剤が、20℃で液体であって、−20℃よりも低いガラス転移温度(Tg)を有する、〔５〕または〔６〕記載のタイヤ。
〔１０〕
前記液体可塑剤が、ナフテン系オイル、パラフィン系オイル、MESオイル、TDAEオイル、エステル可塑剤、エーテル可塑剤、ホスフェート可塑剤、スルホネート可塑剤およびこれら化合物の混合物からなる群から選ばれる、〔９〕記載のタイヤ。
〔１１〕
前記ゴム組成物が、〔７〕または〔８〕記載の炭化水素樹脂と〔９〕または〔１０〕記載の液体可塑剤を含む、〔５〕または〔６〕記載のタイヤ。
〔１２〕
前記補強用充填剤が、カーボンブラック、シリカ、またはカーボンブラックとシリカの混合物を含む、〔１〕〜〔１１〕のいずれか１項記載のタイヤ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月9日(2014.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルキレンオキシドに対して反応性である少なくとも１種の少なくとも二官能性の化合物とプロピレンオキシドとの触媒開環重合によるポリエーテルオールの製造方法であって、
少なくとも１種のＮ−複素環式カルベンを触媒として用いることを特徴とする製造方法。
【請求項２】
アルキレンオキシドに対して反応性である少なくとも二官能性の化合物が、ポリオール、特に、グリセロール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、ペンタエリスリトール、ソルビトール、スクロース、Ｃ１−Ｃ１８ジオール、ヒマシ油、エポキシ化された開環脂肪酸、トリメチロールプロパン、糖化合物（グルコース、ソルビトール、マンニトール及びスクロース等）、多官能フェノール、フェノールとホルムアルデヒドとのオリゴマー縮合物等のレゾール、フェノールとホルムアルデヒドとジアルカノールアミンのマンニッヒ縮合物、及びメラミンを含む群から、及び、これらの化合物の少なくとも２種の混合物から、選択されたものである請求項１に記載のポリエーテルオールの製造方法。
【請求項３】
Ｎ−複素環式カルベンが、
【化１】
2013526630.tif 000001
［式中、ＸはＯ及びＳを含む群から選択されたものであり；Ｒ１はアルキル、アリールを含む群から選択されたものであり；Ｒ２は、存在する場合は、アルキル、アリールを含む群から選択されたものであり；Ｒ３及びＲ４は、それぞれＨ、アルキル、アリールを含む群から選択されたものであり；Ｒ１とＲ３、Ｒ３とＲ４、及びまたＲ４とＲ２の間の閉環が可能である。］を含む群から選択されたものである請求項１又は２に記載のポリエーテルオールの製造方法。
【請求項４】
Ｎ−複素環式カルベンが、
【化２】
2013526630.tif 000002
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の定義は前記の通りである。］である請求項１〜３の何れか１項に記載のポリエーテルオールの製造方法。
【請求項５】
Ｎ−複素環式カルベンが、
【化３】
2013526630.tif 000003
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の定義は前記の通りである。］である請求項１〜３の何れか１項に記載のポリエーテルオールの製造方法。
【請求項６】
Ｎ−複素環式カルベンが、
【化４】
2013526630.tif 000004
［式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３の定義は前記の通りである。］である請求項１〜３の何れか１項に記載のポリエーテルオールの製造方法。
【請求項７】
Ｒ１及びＲ２の２つの基の少なくとも１つが一級アルキル基である請求項４〜６の何れか１項に記載のポリエーテルオールの製造方法。
【請求項８】
Ｒ１及びＲ２の２つの基の少なくとも１つが二級アルキル基である請求項４〜７の何れか１項に記載のポリエーテルオールの製造方法。
【請求項９】
Ｒ１及びＲ２の両方の基が一級アルキル基である請求項４〜７の何れか１項に記載のポリエーテルオールの製造方法。
【請求項１０】
ポリエーテルオールがＥＯエンドキャップを備える請求項１〜９の何れか１項に記載のポリエーテルオールの製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０の何れか１項に記載の製造方法により製造可能なポリエーテルオール。
【請求項１２】
請求項１１に記載のポリエーテルオールを、ポリウレタンの製造のために使用する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月20日(2014.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置の基板テーブル上に基板をロードした後に、前記基板テーブルが重力による加速度の少なくとも１０％である加速度によって下方向に加速するように前記基板テーブルを移動することを含む方法であって、それによって前記基板の変形が前記基板から少なくとも部分的に拡散され得るように前記基板と前記基板テーブルとの間の摩擦を低下させ、前記基板テーブルの下方向への加速の間に前記基板の一部が前記基板テーブルに局所的にクランプされる、方法。
【請求項２】
リソグラフィ装置の基板テーブル上に基板をロードした後に、前記基板テーブルが重力による加速度の少なくとも１０％である加速度によって下方向に加速するように前記基板テーブルを移動することを含む方法であって、それによって前記基板の変形が前記基板から少なくとも部分的に拡散され得るように前記基板と前記基板テーブルとの間の摩擦を低下させ、前記基板テーブルの一部をより遅い加速度をもって下方向に加速させることによって前記基板テーブルの下方向への加速の間に前記基板の一部が前記基板テーブルに固定される、方法。
【請求項３】
前記加速度は重力による前記加速度の少なくとも５０％である、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記加速度は重力による前記加速度と同等またはより大きい、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記加速度は重力による前記加速度の二倍またはそれ以上である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記基板テーブルの下方向への移動の間に前記基板は前記基板テーブルにクランプされない、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記方法はその後前記基板を前記基板テーブルにクランプすることをさらに含む、請求項１〜６のうちのいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記方法はリソグラフィ装置において実施される、請求項１〜７のうちのいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記方法は前記リソグラフィ装置の投影システムを使用して前記基板上にパターンを投影することをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
基板テーブルおよびポジショナを含むリソグラフィ装置であって、前記基板テーブルは基板を支持するように構成され、前記ポジショナは、前記基板テーブルが重力による加速度の少なくとも１０％である加速度によって下方向に加速するように、前記基板テーブルを移動させるように構成され、それによって前記基板の変形が前記基板から少なくとも部分的に拡散され得るように前記基板と前記基板テーブルとの間の摩擦を低下させ、前記基板テーブルは前記基板テーブルの下方向への加速の間に前記基板の一部を前記基板テーブルにクランプするように構成される局部的クランプ装置をさらに有する、装置。
【請求項１１】
基板テーブルおよびポジショナを含むリソグラフィ装置であって、前記基板テーブルは基板を支持するように構成され、前記ポジショナは、前記基板テーブルが重力による加速度の少なくとも１０％である加速度によって下方向に加速するように、前記基板テーブルを移動させるように構成され、それによって前記基板の変形が前記基板から少なくとも部分的に拡散され得るように前記基板と前記基板テーブルとの間の摩擦を低下させ、前記ポジショナは、前記基板テーブルの一部をより遅い加速度をもって下方向に加速させることによって前記基板テーブルの下方向への加速の間に前記基板の一部を前記基板テーブルに固定するように構成される、装置。
【請求項１２】
前記ポジショナは、重力による前記加速度の少なくとも５０％である加速度をもって前記基板テーブルを下方向に移動させるよう構成される、請求項１０または１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記ポジショナは、重力による前記加速度と同等またはより大きい加速度をもって前記基板テーブルを下方向に移動させるよう構成される、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記ポジショナは、重力による前記加速度の二倍またはそれ以上である加速度をもって前記基板テーブルを下方向に移動させるよう構成される、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
リソグラフィ装置は、
放射ビームを調節する照明システムと、
パターン付与された放射ビームを形成するように放射ビームの断面にパターンを付与することができるパターニングデバイスを支持するサポートと、
前記基板テーブルと、
前記基板のターゲット部分上に前記パターン付与された放射ビームを投影する投影システムとを含む、請求項１０〜１４のいずれかに記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板をロードするための方法およびリソグラフィ装置
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年4月10日(2014.4.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
オプトエレクトロニクスデバイスであって：
・オプトエレクトロニクス半導体チップ（１０４）を有しており、当該オプトエレクトロニクス半導体チップ（１０４）はコンタクト面（１０６）と、対向するビーム取り出し面（１０８）とを有しており、
・チップ担体（１０２）を有しており、当該チップ担体（１０２）の上には前記半導体チップ（１０４）が自身のコンタクト面（１０６）を介して被着されており、
・ビーム変換部材（１１０）を有しており、当該ビーム変換部材（１１０）は前記ビーム取り出し面（１０８）上に被着されており、
・反射性の注封材料（１１２）を有しており、当該注封材料（１１２）は前記チップ担体（１０２）上に被着されており、前記半導体チップ（１０４）と前記ビーム変換部材（１１０）とを側方で包囲しており、当該注封材料（１１２）は前記半導体チップ（１０４）および前記ビーム変換部材（１１０）と直接的に接触しており、
当該注封材料（１１２）は実質的に、前記ビーム変換部材（１１０）の上方縁部と同一平面を成しており、前記ビーム変換部材（１１０）の上面に前記注封材料（１１２）は存在しておらず、
前記半導体チップ（１０４）は自身のビーム取り出し面（１０８）を介して電気的に接触接続されている、
ことを特徴とする、オプトエレクトロニクスデバイス。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
種々の実施形態において、半導体チップは、チップ担体を介して電気的に接触接続されている。ここで、例えばフリップチップの形態であるこの半導体チップは、ｐコンタクトもｎコンタクトも、自身のコンタクト面上に有している。従って２つのコンタクトは、直接的に、チップ担体に接続される。これによって有利には、コンタクトをビーム取り出し面上に有していないオプトエレクトロニクスデバイスが提供される。従って、コンタクト部材または電気的な接続部によって暗くされることがなくなる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
種々の実施形態において、半導体チップは、自身のビーム取り出し面を介して電気的に接触接続されている。これは例えば、少なくとも１つのコンタクト、例えばｎコンタクトがビーム取り出し面上に設けられている発光ダイオードの場合である。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月28日(2014.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置でＥＵＶ放射ビームの経路から汚染粒子を除去するシステムであって、
（ａ）ＥＵＶ放射ビームの経路の反対側に備えられる少なくとも１対の電極と、
（ｂ）前記少なくとも１対の電極の間に制御された電圧を供給する電圧源と、
（ｃ）前記少なくとも１対の電極間に供給される電圧を制御するコントローラと
を備え、
前記コントローラは、前記少なくとも１対の電極間に電圧のレジームを供給し、前記レジームは、１対の電極にＡＣ電圧が供給される第１のステージと、１対の電極にＤＣ電圧が供給される第２のステージとを含む、システム。
【請求項２】
前記レジームの各ステージの必要な電圧は、それぞれの連続する期間に同じ対の電極間に供給される、請求項１に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項３】
前記ＥＵＶ放射ビームは、パルス放射源によって供給され、前記コントローラは、前記電圧レジームのステージの期間の合計が前記ＥＵＶ放射ビームの連続するパルスの開始の間の時間に対応するように構成される、請求項２に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項４】
前記第１のステージのＡＣ電圧の周波数と電位は、前記システムの構成に関して、前記１対の電極間に供給されるＡＣ電圧が前記ＥＵＶ放射ビームによって生成されるプラズマの密度を高めるように選択される、請求項２又は３に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項５】
前記第１のステージのＡＣ電圧の周波数は、２０〜１００ＭＨｚの間にある、請求項４に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項６】
前記第１のステージのＡＣ電圧の大きさは、４０〜２００Ｖの間にある、請求項４又は５に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項７】
ＡＣ電圧によって前記１対の電極に供給される電力は、０．００５〜０．０４Ｗ／ｃｍ２の間にある、請求項４から６のいずれか１項に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項８】
前記第１のステージのＡＣ電圧の周波数及び大きさは、前記システムの構成に関して、前記１対の電極間に供給されるＡＣ電圧が前記ＥＵＶ放射ビームによって生成されるプラズマを散逸させるように選択される、請求項２又は３に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項９】
前記第１のステージの前記ＡＣ電圧の周波数は、０．１〜２０ＭＨｚの間、望ましくは１０ＭＨｚである、請求項８に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項１０】
前記第１のステージの前記ＡＣ電圧の大きさは、１０〜４００Ｖの間、望ましくは２００Ｖである、請求項８又は９に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項１１】
前記電圧レジームは、ＡＣ電圧が１対の電極に供給される前記第１のステージと第２のステージとの間に設けられた中間ステージを含み、
前記第１のステージの前記ＡＣ電圧の周波数は、前記中間ステージの前記ＡＣ電圧の周波数よりも高い、請求項３に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項１２】
前記第１のステージと前記中間ステージの前記ＡＣ電圧の周波数及び大きさは、前記システムの構成に関して、前記第１のステージの前記１対の電極間に供給される前記ＡＣ電圧が前記ＥＵＶ放射ビームによって生成されるプラズマの密度を高め、前記第２のステージの前記１対の電極間に供給される前記ＡＣ電圧が前記プラズマを散逸させるように選択される、請求項１１に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項１３】
前記少なくとも１対の電極は、第１の対の電極が第２の対の電極よりも汚染粒子の発生源に近いように前記ＥＵＶ放射ビームの軸に沿ったそれぞれの位置に備えられる第１及び第２の対の電極を備え、
前記電圧レジームの前記第１のステージの電圧は、前記第１の対の電極に印加され、前記電極レジームの前記第２のステージの電圧は、前記第２の対の電極に印加される、請求項１に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項１４】
前記電圧レジームは、前記第１のステージと前記第２のステージとの間に備えられ、ＡＣ電圧が１対の電極に供給される中間ステージを含み、
前記第１のステージの前記ＡＣ電圧は、前記中間ステージの前記ＡＣ電圧よりも高い、請求項１３に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項１５】
前記レジームの前記中間ステージ及び第２のステージに必要な電圧は、それぞれの連続する期間に前記第２の対の電極間に供給される、請求項１４に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項１６】
前記第２のステージの前記ＤＣ電圧は、１００〜４００Ｖの範囲から選択され、望ましくは２００Ｖである、請求項１から１５のいずれか１項に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項１７】
請求項１から１６のいずれか１項に記載の汚染粒子を除去するシステムを含むリソグラフィ装置。
【請求項１８】
前記汚染粒子を除去するシステムは、照明システムと前記放射ビームにパターンを与えるパターニングデバイスとの間の前記ＥＵＶビーム経路から汚染粒子を除去する、請求項１７に記載の汚染粒子を除去するシステムを含むリソグラフィ装置。
【請求項１９】
リソグラフィ装置でＥＵＶ放射ビームの経路から汚染粒子を除去する方法であって、
ＥＵＶ放射ビームの経路の反対側に少なくとも１対の電極を備えるステップと、
前記少なくとも１対の電極間の電圧レジームを供給するステップと、
を含み、前記レジームはＡＣ電圧が１対の前記電極に供給される第１のステージと、ＤＣ電圧が前記電極に供給される第２のステージとを含む、方法。
【請求項２０】
パターニングされたＥＵＶ放射ビームを基板に投影するステップを含むデバイス製造方法であって、前記ＥＵＶ放射ビームの経路の少なくとも一部から汚染粒子を除去する、請求項１９に記載の方法を用いるステップを含むデバイス製造方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年2月24日(2014.2.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイの４つの角部の各々に複数の貫通基板ビアを備える半導体ダイであって、
前記ダイの４つの角部の各々が、円弧状に配置された外側の組の貫通基板ビアであって、前記円弧の頂点が、前記円弧が位置する前記角部の一点に位置合わせされ、外側の列の貫通基板ビアが、前記半導体ダイの側端に平行な方向において前記外側の列の貫通基板ビアが延長する方向に沿って前記円弧の端部の各々から外側に延長する、外側の組の貫通基板ビアを備え、
前記貫通基板ビアが、前記半導体ダイの反りを低減する、半導体ダイ。
【請求項２】
前記貫通基板ビアが、信号を伝達しない貫通基板ビアであり、
前記ダイの前記４つの角部の各々が、内側の円弧を形成するように配置された内側の組の貫通基板ビアであって、前記内側の円弧の頂点が、前記内側の円弧が位置する前記角部の前記一点に位置合わせされ、内側の列の貫通基板ビアが、前記半導体ダイの前記側端に平行な方向において前記外側の列の貫通基板ビアが延長する方向に沿って前記内側の円弧の端部の各々から外側に延長する、内側の組の貫通基板ビアをさらに含む、請求項１に記載の半導体ダイ。
【請求項３】
前記半導体ダイの機能ブロックに近接した中心領域に位置する、信号を伝達しない少なくとも１つの追加的な貫通基板ビアをさらに備える、請求項２に記載の半導体ダイ。
【請求項４】
前記貫通基板ビアが、応力緩和ビアを含む、請求項２に記載の半導体ダイ。
【請求項５】
前記内側及び外側の組の貫通基板ビアの円弧によって形成される領域において除去されるダイの材料が、前記内側及び外側の列の貫通基板ビアが延長する方向に沿った等しい大きさのダイ領域において除去されるダイの材料より多い、請求項２に記載の半導体ダイ。
【請求項６】
前記ダイの角部から延長する前記内側及び外側の列の貫通基板ビアが、前記内側及び外側の列の方向に垂直に延長する前記ダイの側部から同一の距離で終わる、請求項２に記載の半導体ダイ。
【請求項７】
携帯機器、ポータブルコンピュータ、携帯電話、固定位置リモートユニット、移動可能電話、携帯型データユニット、ノート型パーソナルコミュニケーションシステムユニット、携帯情報端末、メーターリーディング装置、固定位置データユニット及び／又はパーソナルコンピュータに組み込まれる、請求項１に記載の半導体ダイ。
【請求項８】
積層集積回路に組み込まれる、請求項１に記載の半導体ダイ。
【請求項９】
半導体ダイの熱膨張係数（ＣＴＥ）を増加する手段を備える半導体ダイであって、
前記熱膨張係数（ＣＴＥ）を増加する手段が、前記半導体ダイの４つの角部の各々に複数の貫通基板ビアを備え、
前記半導体ダイの前記４つの角部の各々が、
円弧状に配置された外側の組の貫通基板ビアであって、前記円弧の頂点が、前記円弧が位置する前記角部の一点に位置合わせされ、外側の列の貫通基板ビアが、前記半導体ダイの側端に平行な方向において前記外側の列の貫通基板ビアが延長する方向に沿って前記円弧の端部の各々から外側に延長し、前記熱膨張係数（ＣＴＥ）を増加する手段が、前記半導体ダイの反りを低減する、外側の組の貫通基板ビアと、
前記半導体ダイの機能ブロックに近接した中心領域に位置する、信号を伝達しない少なくとも１つの追加的な貫通基板ビアと、
を含む半導体ダイ。
【請求項１０】
携帯機器、ポータブルコンピュータ、携帯電話、固定位置リモートユニット、移動可能電話、携帯型データユニット、ノート型パーソナルコミュニケーションシステムユニット、携帯情報端末、メーターリーディング装置、固定位置データユニット及び／又はパーソナルコンピュータに組み込まれる、請求項９に記載の半導体ダイ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
図１において、リモートユニット１２０は、携帯電話として示され、リモートユニット１３０は、ポータブルコンピュータとして示され、リモートユニット１５０は、ワイヤレルローカルループシステムにおける固定された位置リモートユニットとして示される。例えば、リモートユニットは移動可能電話、ノート型パーソナルコミュニケーションシステム（ＰＣＳ）ユニット、携帯情報端末などの携帯型データユニット、ＧＰＳ可能装置、ナビゲーション装置、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、メーターリーディング装置などの固定位置データユニット、又は、データ若しくはコンピュータ指示又はそれらの組合せを保存又は読み出す他の装置であり得る。図１は、開示された教示に従うリモートユニットを示すけれども、この開示は、これらの例示的な示されたユニットに限定されない。この開示の実施形態は、集積回路を含むあらゆる装置に適切に採用され得る。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月29日(2014.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセスチャンバの内部表面に結合されるよう構成された第１の表面を有するボディであって、前記ボディを貫通して設けられた開口を有するボディと、
前記ボディの前記第１の表面の反対側の前記開口の第１の端部の近傍に設けられたフランジであって、前記開口の内部に延び、その上でウィンドウを支持するよう構成されたフランジと、
前記フランジ内に設けられた複数の穴に、前記ボディ内かつ前記開口の周りに設けられたチャネルを流体結合する、前記ボディ内に設けられた複数のガス分配チャネルとを含み、前記複数の穴は前記フランジの周りに放射状に設けられているプロセスチャンバのためのガス分配システム。
【請求項２】
前記ボディは、
前記プロセスチャンバの前記内部表面に、プレートを結合するよう構成された前記第１の表面を有するプレートであって、このプレートを貫通して設けられた前記開口を有するプレートと、
前記第１の表面の反対側の前記プレートの１つの面上で前記プレートから延び、それを貫通する前記開口を有するシリンダとを含み、前記フランジは前記プレートの反対側の前記シリンダの第１の端部の近傍に設けられている請求項１記載のガス分配システム。
【請求項３】
前記ボディはさらにプレナムを形成する前記チャネルの上部に設けられたキャップを含む請求項１記載のガス分配システム。
【請求項４】
前記プレナムはガス分配ソースからのガスを受けるガス入口の近傍の第１の断面領域と、前記開口の反対側に設けられた第２の断面領域とを有し、前記第１の断面領域は前記第２の断面領域より大きい請求項３記載のガス分配システム。
【請求項５】
前記複数のガス分配チャネルは約０．１１〜約０．１９インチの直径を含む請求項１記載のガス分配システム。
【請求項６】
前記開口内かつ前記フランジの上に設けられたウィンドウをさらに含み、前記フランジは前記ウィンドウと共に真空シールを形成するよう構成されている請求項１記載のガス分配システム。
【請求項７】
前記ウィンドウはクォーツ又はサファイアの少なくとも１つを含む請求項６記載のガス分配システム。
【請求項８】
前記ボディの前記上部表面は、前記プロセスチャンバの前記内部表面に結合されるときに、前記プロセスチャンバと共に真空シールを形成するよう構成されている請求項１記載のガス分配システム。
【請求項９】
前記ボディがアルミニウム又はステンレススチールの少なくとも１つを含む請求項１記載のガス分配システム。
【請求項１０】
複数の第２の穴が、前記ガスの放射状の分配を提供するために、前記フランジの周りに対称的に設けられている請求項１記載のガス分配システム。
【請求項１１】
前記複数のガス分配チャネルは約２つ以上のチャネルを含む請求項１記載のガス分配システム。
【請求項１２】
基板支持体を有するプロセスチャンバと、
前記基板支持体の支持表面の反対側に設けられた１つ以上の輻射加熱エレメントを含むヒータモジュールと、
前記ヒータモジュールと前記基板支持体との間で前記プロセスチャンバに結合されるガス分配システムであって、
前記プロセスチャンバの内部表面に結合されるよう構成された第１の表面を有するボディであって、前記ボディを貫通して設けられた開口を有し、前記開口は前記ヒータモジュールと前記基板支持体との間に見通し線を提供するボディと、
前記ボディの前記第１の表面の反対側の前記開口の第１の端部の近傍に設けられたフランジであって、前記開口の内部に延び、その上でウィンドウを支持するよう構成されたフランジと、
前記フランジ内に設けられた複数の穴に、前記ボディ内かつ前記開口の周りに設けられたチャネルを流体結合する、前記ボディ内に設けられた複数のガス分配チャネルとを含み、複数の第２の穴が前記フランジの周りに放射状に設けられているガス分配システムとを含むガス分配システム。
【請求項１３】
前記ボディは、
前記プロセスチャンバの前記内部表面に、プレートを結合するよう構成された前記第１の表面を有するプレートであって、このプレートを貫通して設けられた前記開口を有するプレートと、
前記プレートから前記プロセスチャンバの内側容積へ向かって延び、それを貫通する前記開口を有するシリンダとを含み、前記フランジは前記プレートの反対側の前記シリンダの第１の端部の近傍に設けられている請求項１２記載のガス分配システム。
【請求項１４】
前記ボディはプレナムを形成する前記チャネルの上側部分に設けられたキャップを含む請求項１２記載のガス分配システム。
【請求項１５】
前記プレナムはガス分配ソースからのガスを受けるガス入口の近傍の第１の断面領域と、前記開口の反対側に設けられた第２の断面領域とを有し、前記第１の断面領域は前記第２の断面領域より大きい請求項１４記載のガス分配システム。
【請求項１６】
前記開口内かつ前記フランジの上に設けられたウィンドウをさらに含み、前記フランジは前記ウィンドウと共に真空シールを形成するよう構成されている請求項１２記載のガス分配システム。
【請求項１７】
前記ボディの前記上部表面は、前記プロセスチャンバの前記内部表面に結合されるときに、前記プロセスチャンバとの間で真空シールを形成するよう構成されている請求項１２記載のガス分配システム。
【請求項１８】
前記ボディがアルミニウム又はステンレススチールの少なくとも１つを含む請求項１２記載のガス分配システム。
【請求項１９】
複数のガス分配チャネルが、前記ガスの放射状の分配を提供するために、前記フランジの周りに対称的に設けられている請求項１２記載のガス分配システム。
【請求項２０】
前記プロセスチャンバはロードロックチャンバである請求項１２記載のガス分配システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月24日(2014.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードのデバイスを製造するための方法であって、
LED層を成長基板上に成長させ、
当該LED層から離れて予め成形された蛍光体シートを供給し、
接着材を使用して前記LED層を担体基板に接着し、
当該担体基板が前記LED層に対する機械的支持を提供する間に前記成長基板を取り除き、
前記予め成形された蛍光体シートを前記LED層の露出面に積層し、
重なっている蛍光体層を各々が有する個々のLEDチップを作り出すために、前記接着材から前記LED層を取り外す前に、前記蛍光体シート及び前記LED層を賽の目に切断し、
前記蛍光体シート及び前記LED層を切り出した後、前記LED層を前記接着材から取り外し、
前記LED層を前記接着材から取り外した後、前記LEDチップを前記担体基板から取り外す、
ことを含む、方法。
【請求項２】
前記LED層がn-層及びp-層を有する請求項１の方法であって、前記LED層を前記担体基板に付着させるのに先立ち前記n-層及び前記p-層と接触する金属電極を形成することを更に含む、方法。
【請求項３】
前記LED層を前記担体基板に接着することが、前記金属電極の少なくとも幾つかを前記担体基板に接着することを含むことを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記LEDダイスが励起された場合当該LEDダイスが白色光を発するよう、励起された場合前記LED層が青色光を発し、当該青色光により励起された場合前記蛍光体シートが赤色光の波長及び緑色光の波長を発する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記蛍光体シートがYAG系蛍光体を有する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記蛍光体シートが前記成長基板の面積と大体同じか、又はそれより大きな面積である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記蛍光体シートが実質的に均一な厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記担体基板を接着材のシートの上にマウントし、前記蛍光体シート及び前記LED層を賽の目に切断することが前記担体基板を賽の目に切断することも含むが、前記接着材シートは賽の目に切断しない、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記成長基板を取り除くことが、レーザリフトオフ・プロセスを用いて当該成長基板を取り除くことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記接着材が紫外線、熱、又は溶剤のうちの少なくとも一つによって剥離可能な接着材を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
サブマウント・ウエハー上にある電極を前記LEDチップの対応する電極へとつなげることによって前記LEDチップを当該サブマウント・ウエハー上に載置することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記LEDチップを個々に前記担体基板から取り外すために取り外し-取り付け機械を使用することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
発光ダイオードの構造体であって、当該構造体が
成長基板を有し、第1の表面をもつLEDウエハーと、
接着材によって前記第1の表面に接着された担体基板であって、前記成長基板は前記LEDウエハーから取り除かれ、前記LEDウエハーは前記第1の表面の反対側に第2の表面を有する、担体基板と、
前記LEDウエハーから離れて形成され、当該LEDウエハーの第2の表面へ接着された予め成形された蛍光体シートと、
を有し、
前記蛍光体シート及びLEDウエハーが賽の目に切断されてはいない、構造体。
【請求項１４】
前記蛍光体シート、前記LEDウエハー、及び前記担体基板を賽の目に切断した後に、当該蛍光体シート、当該LEDウエハー、及び当該担体基板を支持するための伸縮性のあるシートに接着された前記担体基板を更に有する、請求項１３に記載の構造体。
【請求項１５】
前記LEDウエハーがn-層とp-層とを有し、当該LEDウエハーが少なくとも当該p-層と接触している金属電極を更に有し、前記担体基板が前記接着材を用いて前記金属電極へと接着されていることを特徴とする、請求項１３に記載の構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月12日(2014.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上の連続接続導体コイル（１４４）を含む少なくとも１つの一次回路または１つ以上の連続接続導体コイル（１０４）を含む二次回路を有するプレーナトランス、
導電材料の少なくとも２つの層（１１２）を有する母線であって、前記プレーナトランスの一次または二次回路の１つ以上のコイル（１４４・１０４）の少なくとも一方を前記母線の導電材料（１１２）の少なくとも２つの層の少なくとも一方と一体とする母線、および
コア（２０８）、
からなる装置（１００）。
【請求項２】
前記プレーナトランスの一次または二次回路の１つ以上のコイル（１４４・１０４）の少なくとも一方が、前記母線の導電材料の少なくとも２つの層（１１２）の対応する一方と接触または接続される、請求項１に記載の装置（１００）。
【請求項３】
前記プレーナトランスの一次または二次回路の１つ以上のコイル（１４４・１０４）の少なくとも一方は二次回路の１つ以上のコイル（１０４）からなり、一次回路は導電材料の１つ以上のコイル（１４４）からなるとともに、二次回路の１つ以上のコイル（１０４）または一次回路の１つ以上のコイル（１４４）と前記母線の導電材料の少なくとも２つの層（１１２）との間に絶縁材料の層（１２０）が配設される、請求項１に記載の装置（１００）。
【請求項４】
前記絶縁材料の層（１２０）は開口部を有するコイルからなるものとする、請求項３に記載の装置（１００）。
【請求項５】
前記コア（２０８）は、二次回路の１つ以上のコイル（１０４）の開口部、一次回路の１つ以上のコイル（１４４）の開口部、および絶縁材料の層（１２０）それぞれのコイルの開口部を経て配置される部分（２０４）からなるものとする、請求項４に記載の装置（１００）。
【請求項６】
前記コアは、第１のＥ字状コア（２０８）であって前記二次回路の１つ以上のコイル（１０４）の開口部、一次回路の１つ以上のコイル（１４４）の開口部、および絶縁材料の層（１２０）それぞれのコイルの開口部を経て配置される部分がＥ字状コア（２０８）の中央脚部からなるＥ字状コア（２０８）、および第２のＥ字状コアまたはＩ字状コア（２１６）であって開口部の１つが第１のＥ字状コア（２０８）と第２のＥ字状コアまたはＩ字状コア（２１６）との間に配置されるかあるいは１のＥ字状コア（２０８）と第２のＥ字状コアまたはＩ字状コア（２１６）が互いに当接するように配設されるようにＥ字状コア（２０８）と併置される第２のＥ字状コアまたはＩ字状コア（２１６）からなるものとする、請求項５に記載の装置（１００）。
【請求項７】
前記一次または二次回路の１つ以上のコイル（１４４・１０４）は二次回路の複数のコイル（１０４）からなり、前記一次回路は二次回路の複数のコイル（１０４）と交互配置される絶縁材料の複数のコイル（１２０）からなるとともに、絶縁材料の層（１２０）が一次および二次回路のコイル（１４４・１０４）の間、一次回路のコイル（１４４）の間または二次回路のコイル（１０４）の間に交互配置され、該交互配置はラミネート化されるものとする、請求項１に記載の装置（１００）。
【請求項８】
少なくとも１つの巻回を有する少なくとも１つのコイル（１０４）、
導電材料の少なくとも２つの層（１１２）を有する母線であって、少なくとも１つの巻回を有する少なくとも１つのコイル（１０４）の少なくとも１つが母線の導電材料の少なくとも２つの層の少なくとも１つと一体となる母線、および
少なくとも１つの脚部を有するコア（２０８）、
からなり、
前記少なくとも１つのコイルが、前記少なくとも１つの脚部を完全に囲む電流経路を備えるものとする、装置（１００）。
【請求項９】
前記少なくとも１つのコイル（１０４）の少なくとも１つは、母線の導電材料の少なくとも１つの層（１１２）と接触または接続されるものとする、請求項８に記載の装置（１００）。
【請求項１０】
前記少なくとも１つのコイル（１０４）は複数の連続して接続されたコイル（１０４・１０８）からなり、絶縁材料の層（１２０）が複数のコイル（１０４・１０８）の組の間に配設され、該絶縁材料の層（１２０）はポリエチレンテレフタラート、ポリエチレンナフタレート、ポリフッ化ビニル、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、およびポリフェニレンスルフィドからなる群からの難燃誘電体膜からなるとともに、該絶縁材料の層（１２０）は少なくとも一方の側をエポキシ、アクリレートまたはポリウレタン修飾樹脂からなる群の接着剤によって被覆される、請求項８に記載の装置（１００）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月3日(2014.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイパッケージを組み立てる方法であって、
その表面上にそれぞれのコンタクトを有する複数の第１のダイを提供することと、
その上面上に基板パッドを有するコンポジットキャリアを提供することであって、前記コンポジットキャリアが、その中に少なくとも１つの埋め込み金属層を含む有機パッケージ基板を含む、前記提供することと、
前記コンポジットキャリアの前記それぞれの基板パッドに前記複数の第１のダイの前記コンタクトを取り付けることであって、前記有機パッケージ基板が、半導体ウエハに固定される底面を更に有する、前記取り付けることと、
前記取り付けの後、前記有機パッケージ基板から前記半導体ウエハを取り外すことと、
前記有機パッケージ基板の前記底面に複数の電気的導電性コネクタを取り付けることと、
複数の個片化されたダイパッケージを形成するように、前記導電性コネクタを有する前記有機パッケージ基板をソーイングすることと、
を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記半導体ウエハがシリコンウエハを含む、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記複数の第１のダイがウエハ上に配置されている、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記複数の第１のダイが個片化されたダイを含む、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記複数の電気的導電性コネクタがボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）を含む、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記複数の第１のダイが基板貫通ビアを含む基板貫通ビアダイを含み、前記コンタクトが前記基板貫通ビアへのコンタクトを含む、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、
露出された基板貫通ビアエリアを提供するために、前記基板貫通ビアを露出させるように前記複数の基板貫通ビアダイの第２の側を薄化することと、
前記有機パッケージ基板上に複数のダイスタックを形成するために、複数の個片化された第２のダイを、前記露出された基板貫通ビアエリアに結合される基板貫通ビアコンタクトに取り付けることと、
を更に含む、方法。
【請求項８】
スタックされたダイパッケージを組み立てる方法であって、
複数の第１のダイの第１の側上のコンタクトを、コンポジットキャリアの上面上の基板パッドに取り付けることであって、前記コンポジットキャリアが、少なくとも１つの埋め込み金属層を含むと共に半導体ウエハに固定される底面を有するパッケージ基板を含む、前記取り付けることと、
前記パッケージ基板上に複数のダイスタックを形成するために、複数の個片化された第２のダイの各々を前記複数の第１のダイからのそれぞれの一つに取り付けることと、
前記パッケージ基板から前記半導体ウエハを取り外すことと、
複数の電気的導電性コネクタを前記パッケージ基板の底面に取り付けることと、
複数の個片化されたスタックされたダイパッケージを形成するように前記パッケージ基板をソーイングすることと、
を含む、方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、
前記半導体ウエハがシリコンウエハを含み、前記パッケージ基板が有機基板を含む、方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の方法であって、
前記複数の第１のダイが基板貫通ビアを備えた基板貫通ビアダイを含み、前記コンタクトが前記基板貫通ビアへのコンタクトを含む、方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、
露出された基板貫通ビアエリアを提供するために、前記基板貫通ビアを露出させるように前記複数の基板貫通ビアダイの第２の側を薄化することと、
前記パッケージ基板上に複数のダイスタックを形成するように、複数の個片化された第２のダイを、前記露出された基板貫通ビアエリアに結合されるそれぞれの前記基板貫通ビアコンタクトに取り付けることと、
を更に含む、方法。
【請求項１２】
請求項８に記載の方法であって、
前記複数の第１のダイがウエハ上に配置されている、方法。
【請求項１３】
請求項８に記載の方法であって、
前記複数の第１のダイが個片化されたダイを含む、方法。
【請求項１４】
スタックされたダイパッケージを組み立てる方法であって、
埋め込み基板貫通ビアと、それぞれの前記基板貫通ビアに結合される上側パッドとを有する複数の個片化された基板貫通ビアダイの上側を、コンポジットキャリアの上面上の基板パッドに取り付けることであって、前記コンポジットキャリアが、少なくとも１つの埋め込み金属層を含むと共にシリコンウエハに固定される底面を有する有機基板を含む、前記取り付けることと、
露出された基板貫通ビアエリアを提供するように前記複数の個片化された基板貫通ビアダイの底部側を薄化することと、
前記露出された基板貫通ビアエリア上に底部基板貫通ビアコンタクトを形成することと、
前記有機基板上に複数のダイスタックを形成するように、複数の個片化された第２のダイを、それぞれの前記底部側基板貫通ビアコンタクトに取り付けることと、
前記有機基板から前記シリコンウエハを取り外すことと、
複数の電気的導電性コネクタを前記有機基板の底面に取り付けることと、
複数の個片化されたスタックされたダイパッケージを形成するように前記有機基板を通してソーイングすることと、
を含む、方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、
前記複数の基板貫通ビアダイが基板貫通ビアウエハ上に配置される、方法。
【請求項１６】
請求項１４に記載の方法であって、
前記複数の基板貫通ビアダイが個片化された基板貫通ダイを含む、方法。
【請求項１７】
電子的アッセンブリであって、
少なくとも１つの埋め込み金属層を含むと共に半導体ウエハに固定される底面を有する有機パッケージ基板を含むコンポジットキャリアと、
２０〜１００μｍの厚みを有し、前記パッケージ基板の上面上の上側基板パッドに取り付けられた上側コンタクトを有する、複数の第１のダイと、
を含む、電子的アッセンブリ。
【請求項１８】
請求項１７に記載の電子的アッセンブリであって、
前記複数の第１のダイが、基板貫通ビアを含む基板貫通ビアダイであって、前記基板貫通ビアに結合されると共に前記パッケージ基板の上側基板コンタクトに取り付けられる前記上側コンタクトを有する、前記基板貫通ビアダイである、電子的アッセンブリ。
【請求項１９】
請求項１７に記載の電子的アッセンブリであって、
前記基板貫通ビアに結合される底部側コンタクトに取り付けられた複数の個片化された第２のダイを更に含む、電子的アッセンブリ。
【請求項２０】
請求項１７に記載の電子的アッセンブリであって、
前記半導体ウエハがシリコンウエハを含む、方法。
【請求項２１】
請求項１７に記載の電子的アッセンブリであって、
前記複数の第１のダイがウエハ上に配置される、電子的アッセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月11日(2014.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シングルボードコンピュータと共に用いるための楔形ロック部であって、
プリント回路基板（ＰＣＢ）に対して位置付けられる冷却プレートと、
動作環境において前記シングルボードコンピュータを固定するよう構成されたクランプ装置と、
前記冷却プレートの上面及び前記クランプ装置の上面に沿って位置付けられて前記ＰＣＢの伝導冷却を可能にする熱伝導プレートと、
を備え、
前記熱伝導プレートが、複数のシムを含み、
前記複数のシムの少なくとも第１の部分が第１の材料で形成され、
前記複数のシムの少なくとも第２の部分が第２の材料で形成される、
楔形ロック部。
【請求項２】
前記熱伝導プレートが、高熱伝導率をもたらす材料を含む、請求項１に記載の楔形ロック部。
【請求項３】
前記楔形ロック部が、前記ＰＣＢにより生成される熱を除去可能にする第１の熱経路を提供し、該第１の熱経路が前記冷却プレート及び前記クランプ装置を含む、請求項１に記載の楔形ロック部。
【請求項４】
前記楔形ロック部が、前記ＰＣＢにより生成される熱を除去可能にする第２の熱経路を提供し、該第２の熱経路が前記冷却プレート及び前記熱伝導プレートを含み、
前記第２の熱経路が、前記第１の熱経路の長さよりも短い長さを有する、請求項３に記載の楔形ロック部。
【請求項５】
前記クランプ装置が、第１の鋸歯状部分と、該第１の歯セットに対して位置付けられる第２の鋸歯状部分とを含み、
前記第１の鋸歯状部分が、第１の方向で移動して、前記第１の方向に垂直な第２の方向で前記第２の鋸歯状部分に作用する力を誘起するように構成され、
前記第２の方向で前記第２の鋸歯状部分に誘起される力が、動作環境内で前記シングルボードコンピュータを固定するように前記熱伝導プレートに誘起される、請求項１に記載の楔形ロック部。
【請求項６】
シングルボードコンピュータであって、
プリント回路基板（ＰＣＢ）と、
動作環境内で前記シングルボードコンピュータを固定するよう構成された楔形ロック部と、
を備え、該楔形ロック部が、
前記ＰＣＢに対して位置付けられた冷却プレートと、
クランプ装置と、
前記冷却プレートの上面及び前記クランプ装置の上面に沿って位置付けられて前記シングルボードコンピュータの伝導冷却を可能にする熱伝導プレートと、
を含み、
前記熱伝導プレートが、複数のシムを含み、
前記複数のシムの少なくとも第１の部分が第１の材料で形成され、
前記複数のシムの少なくとも第２の部分が第２の材料で形成される、シングルボードコンピュータ。
【請求項７】
前記楔形ロック部が、前記ＰＣＢによって生成された熱を伝導によって前記シングルボードコンピュータから逃がすことを可能にする第１の熱経路を提供し、該第１の熱経路が、前記冷却プレート及び前記クランプ装置を含む、請求項６に記載のシングルボードコンピュータ。
【請求項８】
前記楔形ロック部が、前記ＰＣＢによって生成された熱を伝導によって前記シングルボードコンピュータから逃がすことを可能にする第２の熱経路を提供し、該第２の熱経路が、前記冷却プレート及び前記熱伝導プレートを含み、
前記第２の熱経路が、前記第１の熱経路の長さよりも短い長さを有する、請求項７に記載のシングルボードコンピュータ。
【請求項９】
前記クランプ装置が、第１の鋸歯状部分と、該第１の歯セットに対して位置付けられる第２の鋸歯状部分とを含む、請求項６に記載のシングルボードコンピュータ。
【請求項１０】
前記第１の鋸歯状部分が、第１の方向で移動して、前記第１の方向に垂直な第２の方向で前記第２の鋸歯状部分に作用する力を誘起するように構成され、
前記第２の方向で前記第２の鋸歯状部分に誘起される力が、動作環境内で前記シングルボードコンピュータを固定するように前記熱伝導プレートに誘起される、請求項９に記載のシングルボードコンピュータ。
【請求項１１】
プリント回路基板（ＰＣＢ）と、冷却プレートと、該冷却プレートに対して位置付けられた熱伝導プレートと、保持プレートと、クランプ装置とを含むシングルボードコンピュータを有するコンピュータシステムを組み立てる方法であって、
前記コンピュータシステムの熱基準面に対して前記シングルボードコンピュータを位置付ける段階と、
前記コンピュータシステム内に前記シングルボードコンピュータを固定し且つ複数の熱経路を提供して前記シングルボードコンピュータの伝導冷却を可能にするよう前記クランプ装置を調整する段階と、
を含み、
前記熱伝導プレートが、複数のシムを含み、
前記複数のシムの少なくとも第１の部分が第１の材料で形成され、
前記複数のシムの少なくとも第２の部分が第２の材料で形成される、方法。
【請求項１２】
前記クランプ装置を調整する段階が、第１の方向でスクリューを回転させて、前記クランプ装置の第１の鋸歯状部分が、前記第１の方向に垂直な第２の方向で前記クランプ装置の第２の鋸歯状部分に作用する力を誘起するようにする段階を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
熱基準面に対して前記シングルボードコンピュータを位置付ける段階が、前記冷却プレート及び前記クランプ装置を含む第１の熱経路の提供を可能にする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
熱基準面に対して前記シングルボードコンピュータを位置付ける段階が更に、前記冷却プレート及び前記熱伝導プレートを含む第２の熱経路の提供を可能にし、該第２の熱経路は、前記第１の熱経路の長さよりも短い長さを有する、請求項１３に記載の方法。