【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年7月17日(2014.7.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リボンイオンビームを引き出す誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）ソースであって、
チャンバを備え、
前記チャンバは、
上面、下面及び側面を有し、長さ、奥行き及び高さを有し、前記高さは前記上面および前記下面の間の距離として規定され、前記長さは前記側面間の距離として規定され、前記高さは前記長さよりも小さいチャンバ本体と、
誘電体窓と、
前記誘電体窓に対向して設けられ、前記上面及び前記下面から対称的に間隔を空けて設けられ、かつ、前記上面及び前記下面に平行な少なくとも１つの細長い引き出しスリットを有する端部とを有し、
前記細長い引き出しスリットは、リボンイオンビームを引き出すべく、前記側面間を延在しており、
前記奥行きは、前記誘電体窓と前記誘電体窓に対向する前記端部との間の距離として規定され、
前記誘導結合プラズマソースは更に、
前記チャンバにガスを流入させるのを可能とするべく前記チャンバ本体における前記上面および前記下面の少なくとも一つに配置された少なくとも１つのガス供給口と、
前記誘電体窓に平行に近接して設けられ、プラズマを形成するべく前記チャンバ内の前記ガスを励起させる細長い平面スパイラル形状のアンテナと、
前記細長い引き出しスリットに近接して位置し、前記細長い引き出しスリットを介して前記プラズマからイオンを引き出す引き出し光学系とを備える誘導結合プラズマソース。
【請求項２】
前記上面、前記下面及び前記側面に近接して設けられる磁気閉じ込め構造を更に備える請求項１に記載の誘導結合プラズマソース。
【請求項３】
前記磁気閉じ込め構造は、
磁性体を含むヨークと、
複数のマグネットと、
前記複数のマグネットの各々の間に位置する１以上の非磁性スペーサとを有する請求項２に記載の誘導結合プラズマソース。
【請求項４】
前記複数のマグネットは、一のマグネットのＮ極が前記チャンバに面し、前記一のマグネットに隣接するマグネットのＳ極が前記チャンバに面するように配置されている請求項３に記載の誘導結合プラズマソース。
【請求項５】
前記複数のマグネットの長手方向が、前記チャンバ本体の縁部方向に沿うように向けられている請求項３または４に記載の誘導結合プラズマソース。
【請求項６】
前記複数のマグネットの長手方向が、前記チャンバ本体の前記奥行き方向に沿うように向けられている請求項３または４に記載の誘導結合プラズマソース。
【請求項７】
前記磁気閉じ込め構造は、前記チャンバ内の磁場を形成し、
前記高さは、前記細長い引き出しスリットの所望の数及び磁場の貫通深さに応じて決定される請求項２から６のいずれか一項に記載の誘導結合プラズマソース。
【請求項８】
前記磁気閉じ込め構造は、前記チャンバ内に磁場を形成し、
前記高さの最小値は、前記チャンバの鉛直方向中央線に対応する部分に磁場が存在しないように決定される請求項２から７のいずれか一項に記載の誘導結合プラズマソース。
【請求項９】
前記奥行きは、前記アンテナによって前記プラズマが最適に生成されるように決定される請求項１から８のいずれか一項に記載の誘導結合プラズマソース。
【請求項１０】
前記長さは、前記リボンイオンビームの所望の幅に基づいて決定される請求項１から９のいずれか一項に記載の誘導結合プラズマソース。
【請求項１１】
前記ガス供給口は、水平方向の中央線に沿って位置する請求項１から１０のいずれか一項に記載の誘導結合プラズマソース。
【請求項１２】
前記アンテナは、１３．５６ＭＨｚで電力を得る請求項１から１１のいずれか一項に記載の誘導結合プラズマソース。
【請求項１３】
前記アンテナは、０．４６ＭＨｚ、２．０ＭＨｚ、２７ＭＨｚ又は６０ＭＨｚで電力を得る請求項１から１１のいずれか一項に記載の誘導結合プラズマソース。
【請求項１４】
前記チャンバ本体は、八角形の形状を有し、
前記上面及び前記下面が、テーパ状の面によって、前記側面にそれぞれ接続されている請求項１から１３のいずれか一項に記載の誘導結合プラズマソース。
【請求項１５】
前記チャンバ本体の前記側面は、前記上面及び前記下面に接続される半筒形状を有する請求項１から１４のいずれか一項に記載の誘導結合プラズマソース。
【請求項１６】
前記細長い平面スパイラル形状のアンテナは、複数の真っすぐな部分と複数の巻き部とを有し、前記複数の真っすぐな部分は前記細長い引き出しスリットに対して平行である、請求項１から１５のいずれか一項に記載の誘導結合プラズマソース。
【請求項１７】
前記複数の真っすぐな部分は、前記細長い引き出しスリットの最長寸法よりも長い、請求項１６に記載の誘導結合プラズマソース。
【請求項１８】
リボンイオンビームを引き出す誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）ソースであって、
チャンバを備え、
前記チャンバは、
上面、下面及び２つの側面を有し、長さ、奥行き及び高さを有し、前記高さは前記上面および前記下面の間の距離として規定され、前記長さは前記２つの側面間の距離として規定され、前記高さは前記長さよりも小さく、テーパ状の一つの面によって前記上面が前記２つの側面にそれぞれ接続され、テーパ状の別の一つの面によって前記下面が前記２つの側面にそれぞれ接続される八角形の断面形状を有するチャンバ本体と、
誘電体窓と、
前記誘電体窓に対向して設けられ、前記上面及び前記下面から対称的に間隔を空けて設けられ、かつ、前記上面及び前記下面に平行な少なくとも１つの細長い引き出しスリットを有する端部とを有し、
前記細長い引き出しスリットは、リボンイオンビームを引き出すべく、前記側面間を延在しており、
前記奥行きは、前記誘電体窓と前記誘電体窓に対向する前記端部との間の距離として規定され、
前記誘導結合プラズマソースは更に、
前記チャンバにガスを流入させるのを可能とするべく前記チャンバ本体における前記上面および前記下面の少なくとも一つに配置された少なくとも１つのガス供給口と、
前記誘電体窓に平行に近接して設けられ、プラズマを形成するべく前記チャンバ内の前記ガスを励起させる細長い平面スパイラル形状のアンテナと、
前記上面、前記下面、前記テーパ状の面及び前記２つの側面に近接し、前記上面、前記下面、前記テーパ状の面及び前記２つの側面に沿って設けられる磁気閉じ込め構造と、
前記細長い引き出しスリットに近接して位置し、前記細長い引き出しスリットを介して前記プラズマからイオンを引き出す引き出し光学系とを備える誘導結合プラズマソース。
【請求項１９】
前記細長い平面スパイラル形状のアンテナは、複数の真っすぐな部分と複数の巻き部とを有し、前記複数の真っすぐな部分は前記細長い引き出しスリットに対して平行であり、前記複数の真っすぐな部分は、前記細長い引き出しスリットの最長寸法よりも長い、請求項１８に記載の誘導結合プラズマソース。
【請求項２０】
リボンイオンビームを引き出す誘導結合プラズマソース（ＩＣＰ）であって、
チャンバを備え、
前記チャンバは、
上面、下面及び２つの側面を有し、１５０ｍｍ〜２５０ｍｍの間の高さ及び６００ｍｍ〜７００ｍｍの間の長さを有し、テーパ状の一つの面によって前記上面が前記２つの側面にそれぞれ接続され、テーパ状の別の一つの面によって前記下面が前記２つの側面にそれぞれ接続される八角形の断面形状を有するチャンバ本体と、
誘電体窓と、
前記誘電体窓に対向して、前記誘電体窓から１００ｍｍ〜２００ｍｍ離れて設けられた端部であって、前記上面及び前記下面から対称的に間隔を空けて設けられ、かつ、前記上面及び前記下面に平行な少なくとも１つの細長い引き出しスリットを有する端部とを有し、
前記細長い引き出しスリットは、リボンイオンビームを引き出すべく、前記側面間を延在しており、
前記誘導結合プラズマソースは更に、
前記チャンバにガスを流入させるのを可能とするべく前記チャンバ本体における前記上面および前記下面の少なくとも一つに配置された少なくとも１つのガス供給口と、
前記誘電体窓に平行に近接して設けられ、１３．５６ＭＨｚで電力を得て、プラズマを形成するべく前記チャンバ内の前記ガスを励起させる細長い平面スパイラル形状のアンテナと、
前記上面、前記下面、前記テーパ状の面及び前記２つの側面に近接して設けられる磁気閉じ込め構造と、
前記細長い引き出しスリットに近接して位置し、前記細長い引き出しスリットを介して前記プラズマからイオンを引き出す引き出し光学系とを備える誘導結合プラズマソース。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
【図１Ａ】従来技術のＩＣＰソースを示した図である。
【図１Ｂ】図１Ａに示したプラズマソースの半径方向のプラズマ密度プロファイルを示した図である。
【図２Ａ】一実施形態に係るＩＣＰプラズマソースの鉛直断面を示した図である。
【図２Ｂ】一実施形態に係るＩＣＰプラズマソースの水平断面を示した図である。
【図２Ｃ】一実施形態に係るＩＣＰプラズマソースの正面図である。
【図２Ｄ】一実施形態に係る１つの引き出しスリットを有するＩＣＰプラズマソースの端面図である。
【図２Ｅ】別の実施形態に係る３つの引き出しスリットを有するＩＣＰプラズマソースの端面図である。
【図３Ａ】軸方向のカスプ磁場の配置と共に、第２実施形態に係るＩＣＰプラズマソースの鉛直断面を示した図である。
【図３Ｂ】軸方向のカスプ磁場の配置と共に、第２実施形態に係るＩＣＰプラズマソースの水平断面を示した図である。
【図３Ｃ】軸方向のカスプ磁場の配置と共に、第２実施形態に係るＩＣＰプラズマソースの正面を示した図である。
【図４Ａ】カスプ配置における磁力線と共にマグネット及びスペーサの移動を示した図である。
【図４Ｂ】チャンバ壁に垂直な方向におけるプラズマチャンバへの磁場進入深さを示した図である。
【図４Ｃ】プラズマチャンバにおいて磁場が存在しない範囲を示した図である。
【図５Ａ】ＢＦ３プラズマの場合の引き出されたイオンビーム電流を示した図である。
【図５Ｂ】ＰＨ３プラズマの場合の引き出されたイオンビーム電流を示した図である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
高いプラズマ密度及び良好な均一性を得るべく、磁気マルチカスプ閉じ込め構造を使用してもよい。図２Ａ〜２Ｅには、方位マルチカスプ配置を示した図である。永久磁石であってもよい複数のマグネット２１０及び複数のスペーサ２１１のアレイが、チャンバ本体２０１を取り囲む。マグネット２１０は、矩形状の断面を有してもよい。ある実施形態では、マグネット２１０は、９．５×９．５ｍｍ２の断面積を有し、長手方向の寸法が１５７ｍｍである。マグネット２１０は、Ｓｍ−Ｃｏ（サマリウム−コバルト）のような、約３５０℃までの耐熱性を有する磁性材料で形成されていてもよい。スペーサ２１１は、マグネット２１０間に位置し、アルミニウムのような非磁性材料で形成されている。マグネット２１０は、交互に配置されている。例えば、１つのマグネット２１０の磁気ベクトルが、チャンバ本体２０１の壁部に対して垂直で、方向は内側に向かう方向であり、隣接するマグネット２１０は、外側に向いた磁気ベクトルを有する。チャンバ２１８内の磁場の強さを増大し、チャンバ２１８の外側の長距離磁力線をシールドするべく、例えば鉄又は磁気スチール磁性鋼から構成される磁性ヨーク２１２を使用して、磁気マルチカスプ閉じ込め構造を覆い、プラズマソース２００の外側に位置する磁力線の短経路を提供してもよい。図２Ａから２Ｅに示すように、カスプ配置を正しく機能させるために、磁場の対称性が良好であることが望ましい。例えば、チャンバ本体２０１の上側（図２Ｃ参照）の（ｘ＝０，ｙ＝＋ｄ／２）に位置するＳ−Ｎ方向のマグネットは、チャンバ本体２０１の下側の（ｘ＝０、ｙ＝−ｄ／２）に位置するＮ−Ｓ方向のマグネットに対向して配置されるべきである（ここで、ｘ＝０及びｙ＝０はそれぞれ、鉛直方向及び水平方向の中央線を規定する）。プラズマチャンバのその他の面全てについても同様に、（ｘ＝−ｗ／２，ｙ＝０）におけるＮＳ方向のマグネットは、対向する側の（ｘ＝＋ｗ／２，ｙ＝０）におけるＳ−Ｎ方向のマグネットに面する。磁性の対称性が欠けると、上下方向の磁気双極子が発生し、特定の空間位置において荷電粒子がトラップされて、プラズマの均一性に悪影響を及ぼす。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
（マルチカスプ磁場閉じ込め及びｚ方向に沿った真空排気の効果によるｘ及びｙ方向における壁面反射係数を考慮しない）概算では、Λの値は、約３ｃｍとなる。ＢＦ２＋イオン（ＢＦ３プラズマの主イオン成分）の拡散係数約５×１０４ｃｍ２／ｓ、及び、約０．０５ｅＶの適度なイオン温度を使用した場合、拡散平均自由行程は約３〜４ｃｍとなる。高いプラズマ均一性のために複数の拡散平均自由行程を可能とすることにより、プラズマチャンバ奥行き（図２Ａ〜２Ｅ及び図３Ａ〜３Ｃにおけるｄ）の下限は、約１０〜１２ｃｍとなる。異なるイオンについて同様な計算を行い、それぞれ異なる拡散長さ、及び、異なる最適なプラズマチャンバ奥行きが得られる。プラズマチャンバを様々な前躯体ガスで動作させようとする場合、プラズマ密度は、動作パラメータ（ＲＦ出力及びガス圧）によって制御可能である。また、プラズマ均一性は、主にプラズマチャンバ設計によって設定される。したがって、多くの実施形態では、プラズマチャンバ２１８の奥行きは、１０〜２０ｃｍの間であってもよい。上記のような考察に基づいて、様々な前駆体ガス（ＢＦ３、ＰＦ４、ＰＨ３、ＡｓＦ３、ＧｅＦ４、ＣＯ２、ＳｉＦ４、Ｎ２、Ａｒ、Ｘｅ等）におけるプラズマを生成する図２Ａ〜２Ｅ及び図３Ａ〜３Ｃに示すプラズマチャンバについて、チャンバの奥行きを約１４ｃｍに設定してもよい。上記の式によれば、フォームファクター（ξ）は、約０．３２である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
上記のプラズマソースの別の特徴として、プラズマチャンバを囲む磁性カスプの配置が挙げられる。図４Ａに示すように、磁力線がチャンバ本体２０１の面で交差する"有効"プラズマリーク面積を除いて、得られる磁力線４０１は、チャンバ本体２０１の表面と平行な面に存在する。その結果、壁又は面に向かう拡散は、壁又は面に向かう荷電粒子が磁気トラップされることにより、大幅に減少する。チャンバ全表面積（Ａ）に比例するカスプ構成が存在しない壁又は面での損失は、次の式（１０）に示すようなカスプの数（Ｎ）及びカスプリーク面積（Σ）に比例する比（ｆ）にまで減少できる。
【数１０】
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