【事件の表示】
　平成　７年特許願第１９９９８０号「半導体装置の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法及び液晶ディスプレイ」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　３月１８日出願公開、特開平　９−　７４２０１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、特許法第４１条に基づく優先権主張を伴う平成７年８月４日（優先権主張　平成７年７月３日）の出願であって、平成１２年８月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１２年９月２６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年９月２６日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１２年９月２６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１２年９月２６日付けの手続補正を却下する。
　［理由］
　（１）補正の内容
　本件補正の内容は、特許請求の範囲を次のとおりに補正するとともに、発明の名称及び発明の詳細な説明を補正するものであって、本件補正により特許請求の範囲の請求項１ないし９（以下、「補正後請求項１」ないし「補正後請求項９」という。）は、以下のとおり補正された。
　「【請求項１】  絶縁基板上に非晶質シリコン膜を形成する工程と、
　シート状に加工されたレーザービームを前記非晶質シリコン膜に照射することにより前記非晶質シリコン膜をアニールして多結晶シリコン膜を形成する工程と、
　前記多結晶シリコン膜に、不純物領域を形成する工程と、
　前記不純物領域を、ランプを熱源として急速加熱することにより活性化する工程と、
を含むことを特徴とした半導体装置の製造方法。
　　【請求項２】  前記ランプを熱源として急速加熱する工程は、ＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）法を用いて急速加熱する工程であることを特徴とした請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項３】  前記ランプを熱源として急速加熱する工程は、シート状のアニール光を発するランプ光源を用いることを特徴とした請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項４】  前記ランプとして、キセノンアークランプを用いることを特徴とした請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項５】  前記ＲＴＡを複数回に分けて行うことを特徴とした請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項６】  前記複数回のＲＴＡの温度を、段階的に上昇させることを特徴とした請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項７】  前記多結晶シリコン膜に不純物領域を形成する工程の前に、ゲート電極を形成する工程を行うことを特徴とした請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項８】  前記ゲート電極が少なくとも非晶質シリコン膜を有し、前記不純物の活性化のための熱処理により結晶化されることを特徴とした請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項９】  前記非晶質シリコン膜が微結晶を含むことを特徴とした請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。」
　
　　本件補正は、平成１１年８月２６日付けで補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし１２（以下、「旧請求項１」ないし「旧請求項１２」という。）を補正するものであるところ、補正事項は以下のとおりである。
　［補正事項１］
　「絶縁基板上に非晶質シリコン膜を形成する工程と、
　この非晶質シリコン膜をレーザーアニールして多結晶シリコン膜を形成する工程と、
　前記多結晶シリコン膜に、不純物領域を形成する工程と、
　前記不純物領域を、ランプを熱源として急速加熱することにより活性化する工程と、
を含むことを特徴とした半導体装置の製造方法。」（旧請求項２）を
　「絶縁基板上に非晶質シリコン膜を形成する工程と、
　シート状に加工されたレーザービームを前記非晶質シリコン膜に照射することにより前記非晶質シリコン膜をアニールして多結晶シリコン膜を形成する工程と、
　前記多結晶シリコン膜に、不純物領域を形成する工程と、
　前記不純物領域を、ランプを熱源として急速加熱することにより活性化する工程と、
を含むことを特徴とした半導体装置の製造方法。」（補正後請求項１）と補正する。
　［補正事項２］
　「絶縁基板上に非晶質シリコン膜を形成する工程と、
　この非晶質シリコン膜をレーザーアニールして多結晶シリコン膜を形成する工程と、
　前記多結晶シリコン膜に、不純物領域を形成する工程と、
　前記不純物領域をＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）法を用いて急速加熱することにより活性化する工程と、
を含むことを特徴とした半導体装置の製造方法。」（旧請求項１）を
　「前記ランプを熱源として急速加熱する工程は、ＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）法を用いて急速加熱する工程であることを特徴とした請求項１に記載の半導体装置の製造方法。」（補正後請求項２）と補正する。
　［補正事項３］
　「前記ＲＴＡ法に用いる熱源として、ランプからの光照射熱を用いることを特徴とした請求項１に記載の半導体装置の製造方法。」（旧請求項７）を
　「前記ランプを熱源として急速加熱する工程は、シート状のアニール光を発するランプ光源を用いることを特徴とした請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。」（補正後請求項３）
　と補正する。
　［補正事項４］
　「前記ランプとして、キセノンアークランプを用いることを特徴とした請求項２又は７に記載の半導体装置の製造方法。」（旧請求項８）を
　「前記ランプとして、キセノンアークランプを用いることを特徴とした請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。」（補正後請求項４）と補正する。
　［補正事項５］
　「前記ＲＴＡを複数回に分けて行うことを特徴とした請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。」（補正後請求項５）を追加する。
　［補正事項６］
　「前記複数回のＲＴＡの温度を、段階的に上昇させることを特徴とした請求項５に記載の半導体装置の製造方法。」（補正後請求項６）を追加する。
　［補正事項７］
　「前記多結晶シリコン膜に不純物領域を形成する工程の前に、ゲート電極を形成する工程を行うことを特徴とした請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。」（旧請求項３）を
　「前記多結晶シリコン膜に不純物領域を形成する工程の前に、ゲート電極を形成する工程を行うことを特徴とした請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。」（補正後請求項７）と補正する。
　［補正事項８］
　「前記ゲート電極が少なくとも非晶質シリコン膜を有し、前記不純物の活性化のための熱処理により結晶化されることを特徴とした請求項３に記載の半導体装置の製造方法。」（旧請求項４）を
　「前記ゲート電極が少なくとも非晶質シリコン膜を有し、前記不純物の活性化のための熱処理により結晶化されることを特徴とした請求項７に記載の半導体装置の製造方法。」（補正後請求項８）と補正する。
　［補正事項９］
　「前記非晶質シリコン膜が微結晶を含むことを特徴とした請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。」（旧請求項６）を
　「前記非晶質シリコン膜が微結晶を含むことを特徴とした請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。」（補正後請求項９）と補正する。
　［補正事項１０］
  旧請求項５を削除する。
　［補正事項１１］
　旧請求項９及び１０（「薄膜トランジスタの製造方法」）並びに、旧請求項１１及び１２（「液晶ディスプレイ」）を削除する。
　［補正事項１２］
　発明の詳細な説明の段落【０００１】、【００１２】、【００１３】、【００１４】、【００１５】、【００１６】、【００１７】、【００１８】、【００１９】、【００２０】、【００２１】、【００２２】、【００８１】の補正。
　
　（２）本件補正についての検討
　補正の適否について、以下において各補正事項について検討する。
　旧請求項１ないし８及び、補正後請求項１ないし９は、「半導体装置の製造方法」に関するものであり、一方、補正により削除された旧請求項９ないし１２は、「薄膜トランジスタの製造方法」又は「液晶ディスプレイ」に関するものである。
　［補正事項５］について検討するに、補正後請求項５は、補正後請求項１ないし３を引用しており、補正後請求項１ないし３はそれぞれ、旧請求項２，旧請求項１及び旧請求項７を技術的に限定したものであるところ、旧請求項においては、旧請求項２，旧請求項１及び旧請求項７を引用した請求項は旧請求項には存在せず、補正後請求項５に対応する旧請求項は存在しないから、補正後請求項５は、旧請求項のいずれを限定するものでもない。
  ここで、「半導体装置の製造方法」についての請求項数は、補正により、８から９に増加しており、仮に補正により削除された旧請求項５に、追加した補正後請求項５が対応しているとしても、追加した補正後請求項６については、対応する旧請求項が存在せず、実質的に新たに請求項を追加したこととなる。
　　
　したがって、実質的に新たに請求項を追加する補正は、請求項の削除に該当しないから、特許法第１７条の２第４項第１号に該当せず、また、同項第２号ないし第４号のいずれにも該当しない。
　
　よって、補正事項５及び６を含む本件補正は、補正事項１ないし４及び、補正事項７ないし１２については検討するまでもなく、特許法第１７条の２第４項第１号ないし第４号のいずれにも該当しないから、本件補正は、特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明
　平成１２年９月２６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたから、本願の請求項１ないし１２に係る発明は、平成１１年８月２６日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　「絶縁基板上に非晶質シリコン膜を形成する工程と、
　この非晶質シリコン膜をレーザーアニールして多結晶シリコン膜を形成する工程と、
　前記多結晶シリコン膜に、不純物領域を形成する工程と、
　前記不純物領域をＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）法を用いて急速加熱することにより活性化する工程と、
を含むことを特徴とした半導体装置の製造方法。」
　
４．引用例
　引用文献１
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先権主張日前の平成６年９月１６日に頒布された刊行物である特開平６−２６０６４５号公報（以下、「引用例１」という。）には、図２ないし図１２とともに、次のとおり記載されている。　
・「【００２８】次に、図１に示したようなオフセットゲート構造薄膜トランジスタの製造方法を図２〜図１３を参照して説明する。
【００２９】図２に示すように、絶縁性非晶質材料からなる絶縁性透明基板１上に、非単結晶半導体薄膜２を成膜する。ここで、上記絶縁性非晶質材料としては、石英、ガラス、窒化膜あるいはＳｉＯ2 膜等が用いられる。・・・」（第２８〜２９段落）
・「【００３０】図２に示すように石英基板１上に、プラズマＣＶＤ装置を用い、ＳｉＨ4 とＨ2 の混合ガスを、１３．５ＭＨｚの高周波グロー放電により分解させて非晶質Ｓｉ膜２２を堆積させる。・・・」（第３０段落）
・「【００３２】次に、図３に示すように、非晶質Ｓｉ薄膜２を固相成長させて固相成長シリコン薄膜２３を形成する。固相成長には、石英管により炉アニールを用いるのが便利である。・・・固相成長アニール温度は５００℃〜７００℃とする。このような低温アニールでは、結晶成長の活性化エネルギーの小さな結晶方位を持つ結晶粒のみが選択的に成長し、しかもゆっくりと大きく成長する。本発明者の実験において、アニール温度６００℃、アニール時間１６時間で固相成長させることにより２μｍ以上の大粒径シリコン薄膜が得られている。」（第３２段落）
・「【００３４】次に、固相成長シリコン薄膜３を例えばフォトリソグラフィ法によって図４に示すように島状にパターニングする。
　【００３５】次に、図５に示すように、パターニングされた固相成長シリコン薄膜３上にゲート酸化膜４を形成する。・・・」（第３４段落〜第３５段落）
・「【００３８】次に、３層ゲート電極の作製プロセスを説明する。図６に示すようにゲート酸化膜４および絶縁性透明基板１の上に、最下層の不純物添加された多結晶シリコン膜５を成膜する。・・・」（第３８段落）
・「【００４０】続いて図７に示すように、最下層膜２５の上に中間層のシリサイド膜６を成膜し、多結晶シリコン／シリサイド２層膜を形成する。・・・」（第４０段落）
・「【００４２】次に、フォトリソグラフィ法により図８に示すように前記多結晶シリコン／シリサイド２層膜をパターニングする。・・・」（第４２段落）
・「【００４３】続いて図９に示すように、３層ゲート電極の最上層となる高抵抗の多結晶シリコン膜７を成膜する。・・・」（第４３段落）
・「【００４４】次に、図１０に示すように、多結晶シリコン／シリサイド２層膜のパターンを完全に覆うようにレジストマスク１０を形成し、最上層の高抵抗の多結晶シリコン膜７をエッチングする。・・・」（第４４段落）
・「【００４５】次に図１１に示すように、イオン注入方により、第１の半導体層としての固相成長シリコン薄膜３に対しアクセプター型またはドナー型の不純物をイオン注入し、最上層の高抵抗の多結晶シリコン膜７のパターンに対して上記シリコン薄膜２３に自己整合的にソース領域およびドレイン領域を形成する。図１１において、８は高濃度にイオン注入されたソース領域を示し、９はドレイン領域を示している。」（第４５段落）
・「【００４７】続いて図１２に示すようにレジストマスク１０を剥離した後、層間絶縁膜１１を積層する。・・・続いて、前記層間絶縁膜の緻密化と前記ソース領域およびドレイン領域の活性化と結晶性の回復を目的として活性化アニールを行う。この活性化アニールの条件としては、Ｎ2 ガス雰囲気中で８００〜１０００℃程度に低温化し、アニール時間を２０分〜１時間程度とする。９００〜１０００℃では２０分程度のアニールで不純物はかなり活性化される。・・・また、赤外線ランプやハロゲンランプを用いたＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ　Ｔｈｅｒｍａｌ　Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）法も効果がある。さらには、レーザービーム等を用いたレーザー活性化法を利用することも効果がある。」（第４７段落）
　
　よって、引用例１には
　「絶縁性透明基板１上に非晶質Ｓｉ薄膜を形成する工程と、
　前記非晶質Ｓｉ薄膜を炉アニールして固相成長シリコン薄膜を形成する工程と、
　レジストマスク１０及び多結晶シリコン膜７をマスクとして前記固相成長シリコン薄膜に不純物をイオン注入してソース領域及びドレイン領域を形成する工程と、
　前記ソース領域及び前記ドレイン領域を活性化するためにＲＴＡ（Rapid　Thermal　Annealing）法により活性化アニールする工程と、
　を含む半導体装置の製造方法。」
が記載されている。
　
　引用文献２
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先権主張日前の昭和６２年５月１４日に頒布された刊行物である特開昭６２−１０４１１７号公報（以下、「引用例２」という。）には、次のとおり記載されている。　
　「（１）絶縁基板上に非晶質半導体薄膜を形成し、レーザービームを走査照射することにより、該非晶質半導体薄膜を多結晶半導体膜となす半導体薄膜の製造方法において、レーザービームの走査速度をビームスポット径×５０００／秒以上として完全な溶融状態に至らしめることなく結晶化させることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
　（２）非晶質半導体薄膜が非晶質シリコン薄膜である特許請求の範囲第１項記載の半導体薄膜の製造方法。」（特許請求の範囲第１項及び第２項）
　
　引用文献３
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先権主張日前の昭和６３年２月８日に頒布された刊行物である特開昭６３−２９９２４号公報（以下、「引用例３」という。）には、次のとおり記載されている。　
　「（１）基板上にマイクロクリスタルシリコン（μｃ−Ｓｉ）層を含むアモルファスシリコン層を堆積せしめる堆積工程と、
　前記アモルファスシリコン層に対し、レーザ光を照射することにより、再結晶せしめるアニール工程と、
　を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲第１項）
　
５．対比・判断
　本願発明と引用例１に記載された発明（以下、「引用発明」という。）とを対比する。
　
　引用発明の「絶縁性透明基板」が絶縁基板であることは明らかであるから、引用発明の「絶縁性透明基板」は、本願発明の「絶縁基板」に相当する。
　
　引用例１には、非晶質Ｓｉ薄膜をアニールし、固相成長により「２μｍ以上の大粒径シリコン薄膜」が得られると記載されており（第３２段落）、引用発明の「非晶質Ｓｉ薄膜」をアニールして形成した「固相成長シリコン薄膜」が多結晶シリコンであることは、当業者に明らかであるから、引用発明の「固相成長シリコン薄膜」は、本願発明の「多結晶シリコン膜」に相当する。
　
　引用発明においては、不純物をイオン注入して形成された「ソース領域及びドレイン領域」を活性化アニールしており、一方、本願発明では「不純物領域」を活性化するためにＲＴＡ法により熱処理しているから、本願発明の「不純物領域」が不純物が導入された領域であることは明らかである。したがって、引用発明の、「ソース領域及びドレイン領域」は、本願発明の、「不純物領域」に相当するところ、所定の領域にマスクを形成して不純物をイオン注入等で導入することで不純物領域が形成されることは明らかであるから、引用発明の、「レジストマスク１０及び多結晶シリコン膜７をマスクとして前記固相成長シリコン薄膜に不純物をイオン注入してソース領域及びドレイン領域を形成する工程」は、本願発明の、「前記多結晶シリコン膜に、不純物領域を形成する工程」に相当する。　
　
  さらに、「ＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）法」により半導体薄膜をアニールする場合には、短時間に急速に加熱できることは当業者に明らかであるから、引用発明の「前記ソース領域及び前記ドレイン領域を活性化するためにＲＴＡ（Rapid　Thermal　Annealing）法により活性化アニールする工程」は、本願発明の「前記不純物領域をＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）法を用いて急速加熱することにより活性化する工程」に相当する。
　したがって、引用発明の、「絶縁透明基板」、「非晶質Ｓｉ薄膜」、「固相成長シリコン薄膜」、「ソース領域及びドレイン領域」、「ＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）法」及び、「半導体装置」は、それぞれ、
　本願発明の、「絶縁基板」、「非晶質シリコン膜」、「多結晶シリコン膜」、「不純物領域」、「ＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）法」及び、「半導体装置」に相当する。
　
　よって、両者は
　「絶縁基板上に非晶質シリコン膜を形成する工程と、
　この非晶質シリコン膜をアニールして多結晶シリコン膜を形成する工程と、
　前記多結晶シリコン膜に、不純物領域を形成する工程と、
　前記不純物領域をＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）法を用いて急速加熱することにより活性化する工程と、
を含むことを特徴とした半導体装置の製造方法。」
の点で一致し、
以下の点で相違する。
　
　相違点１
　本願発明では、「この非晶質シリコン膜をレーザーアニールして多結晶シリコン膜を形成する工程」を含むのに対して、
　引用発明では、「前記非晶質Ｓｉ薄膜を炉アニールして固相成長シリコン薄膜を形成する工程」を含む点。
　
　以下で、相違点１について検討する。
　相違点１について
　半導体の非晶質薄膜を再結晶化又は半導体の多結晶薄膜とするためのアニール工程において、レーザービームを用いることは、例えば、引用例２（「絶縁基板上に非晶質半導体薄膜を形成し、レーザービームを走査照射することにより、該非晶質半導体薄膜を多結晶半導体膜となす半導体薄膜の製造方法」（特許請求の範囲第１項参照）及び引用例３（「基板上にマイクロクリスタルシリコン（μｃ−Ｓｉ）層を含むアモルファスシリコン層を堆積せしめる堆積工程と、前記アモルファスシリコン層に対し、レーザ光を照射することにより、再結晶せしめるアニール工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲第１項）参照）に記載されるように従来周知であるから、引用発明のアニール工程において、炉アニールに代えて、レーザービームによるアニールを用いることにより、本願発明の如く、レーザーアニールにより非晶質シリコン膜から多結晶シリコン膜を形成することは、当業者が何ら困難性なくなしえたものである。
　
　したがって、本願発明は、引用例１、引用例２及び、引用例３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、特許請求の範囲の第２項ないし第１２項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。