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【手続補正書】
【提出日】平成24年5月31日(2012.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の（Ａ）及び（Ｂ）ステップを備えた、抗原提示細胞を用いて免疫寛容をインビトロで誘導するための方法。
（Ａ）単離された抗原提示細胞に、該抗原提示細胞を感染させるのに十分な有効量の呼吸器多核体ウイルス（ＲＳＶ）又はその一部分を感染させるステップ；
（Ｂ）ＣＤ４＋Ｔ細胞、及び/又はＣＤ８＋Ｔ細胞を、ＲＳＶ感染抗原提示細胞と接触させ、前記ＣＤ４＋Ｔ細胞、及び/又はＣＤ８＋Ｔ細胞が寛容原性となっていることをインビトロで混合白血球反応により測定するステップ；
【請求項２】
抗原提示細胞が、末梢血単核細胞、未熟樹状細胞、成熟樹状細胞又はランゲルハンス細胞である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
（Ｂ）ステップにおいて、ＲＳＶ感染抗原提示細胞対Ｔ細胞を１：１〜１：１００の比率にて接触させる、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
ＲＳＶ感染抗原提示細胞が、Ｔ細胞との接触前に固定される、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
ＲＳＶ感染抗原提示細胞が、ＣＤ８０ｈｉｇｈ、ＣＤ８６ｈｉｇｈ、ＣＤ４０ｈｉｇｈ及びＣＤ８３ｌｏｗである、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
ＲＳＶ感染抗原提示細胞が、インフルエンザ感染抗原提示細胞と比較した場合に、ＣＤ８０ｈｉｇｈ、ＣＤ８６ｈｉｇｈ、ＣＤ４０ｈｉｇｈ及びＣＤ８３ｌｏｗである、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
ＲＳＶ感染抗原提示細胞が、制御性Ｔ細胞の増殖を誘導する、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
ＲＳＶ感染抗原提示細胞が、ＩＬ−１０を分泌し、ＲＳＶ未処理の抗原提示細胞よりも、ＳＩＧＬＥＣ−１、ＰＤＬ−１、ＩＬＴ−４、ＨＬＡ−Ｇ、ＳＬＡＭ及びＬＡＩＲの発現が増加している、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
ＲＳＶ感染抗原提示細胞が、ＲＳＶ未処理の抗原提示細胞と比較した場合に、ＩＬ−１０、ＬＡＩＲ２、ＳＯＣＳ２、ＰＴＰＮ２、ＩＬＴ−６、ＡＱＰ９、ＰＴＸ３及びＳＬＡＭＦ１の遺伝子発現が増加している、請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
寛容化樹状細胞を作製するための方法であって、
単離された樹状細胞に、有効量の呼吸器多核体ウイルス（ＲＳＶ）を感染させてＩＬ−１０依存性寛容原性免疫機能を生じさせるステップを含み、前記呼吸器多核体ウイルスが、同種ＣＤ４＋Ｔ細胞を寛容化し；サプレッサーＴ細胞増殖を引き起こし；ＩＬ−１０を分泌し、かつ阻害分子ＰＤＬ−１、ＩＬＴ−４及びＨＬＡ−Ｇを発現する前記樹状細胞の能力を増加させ；前記感染した樹状細胞が、ＣＤ８０ｈｉｇｈ、ＣＤ８６ｈｉｇｈ、ＣＤ４０ｈｉｇｈ及びＣＤ８３ｌｏｗである、前記方法。
【請求項１１】
同種ＣＤ４＋Ｔ細胞を活性化する樹状細胞の能力を阻害するために、ＲＳＶを感染させる際に、樹状細胞同士の細胞間接触を必要とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
対象から単離された樹状細胞の抗ウイルス免疫をインビトロで抑制するための方法であって、
単離された樹状細胞に有効量の呼吸器多核体ウイルスを感染させてＩＬ−１０依存性寛容原性免疫機能を生じさせるステップ
を含む方法。
【請求項１３】
ＣＤ８０ｈｉｇｈ、ＣＤ８６ｈｉｇｈ、ＣＤ４０ｈｉｇｈ及びＣＤ８３ｌｏｗである単離された樹状細胞を含む寛容原性樹状細胞。
【請求項１４】
末梢血単核細胞に、ＣＤ４＋Ｔ細胞、及び/又はＣＤ８＋Ｔ細胞を寛容原性にするのに十分な有効量の呼吸器多核体ウイルス（ＲＳＶ）又はその一部分を感染させ、寛容原性がインビトロで混合白血球反応により測定される方法により作製される寛容原性樹状細胞であって、ＣＤ８０ｈｉｇｈ、ＣＤ８６ｈｉｇｈ、ＣＤ４０ｈｉｇｈ及びＣＤ８３ｌｏｗである樹状細胞。
【請求項１５】
単離されたＴ細胞を、細胞表面マーカーＣＤ８０ｈｉｇｈ、ＣＤ８６ｈｉｇｈ、ＣＤ４０ｈｉｇｈ及びＣＤ８３ｌｏｗの少なくとも１つの発現を引き起こすのに十分な量の呼吸器多核体ウイルス（ＲＳＶ）又はその一部分に感染した樹状細胞と接触させることにより、寛容原性Ｔ細胞媒介免疫応答をインビトロで促進する方法。
【請求項１６】
アネルギーＴヘルパー細胞をインビトロで誘導する方法であって、
単離された抗原提示細胞（ＡＰＣ）を、該抗原提示細胞を感染させ、且つ細胞表面マーカーＣＤ８０ｈｉｇｈ、ＣＤ８６ｈｉｇｈ、ＣＤ４０ｈｉｇｈ及びＣＤ８３ｌｏｗの少なくとも１つの発現を引き起こすのに十分な量の呼吸器多核体ウイルス（ＲＳＶ）とインキュベートするステップと、
ＲＳＶ感染抗原提示細胞を、Ｔ細胞を寛容化する条件下でＴ細胞と接触させるステップとを含み、
前記寛容化が、インビトロで混合リンパ球反応により測定される、前記方法。
【請求項１７】
単離された寛容原性樹状細胞を作製する方法であって、
単離された樹状細胞を、該樹状細胞を感染させるのに十分な量の呼吸器多核体ウイルス（ＲＳＶ）と、細胞表面マーカーＣＤ８０ｈｉｇｈ、ＣＤ８６ｈｉｇｈ、ＣＤ４０ｈｉｇｈ及びＣＤ８３ｌｏｗの発現を引き起こす条件下でインキュベートするステップ
を含む方法。
【請求項１８】
呼吸器多核体ウイルス（ＲＳＶ）に予め感染された、細胞表面マーカーＣＤ８０ｈｉｇｈ、ＣＤ８６ｈｉｇｈ、ＣＤ４０ｈｉｇｈ及びＣＤ８３ｌｏｗを有する単離された寛容原性樹状細胞を含む、哺乳動物宿主において寛容原性を増進させるためのキット。
【請求項１９】
寛容原性抗原提示細胞（ＡＰＣ）を創製する方法であって、
単離されたＡＰＣに、樹状細胞を感染させるのに十分な量の呼吸器多核体ウイルス（ＲＳＶ）を感染させるステップと、
細胞表面マーカーＣＤ８０ｈｉｇｈ、ＣＤ８６ｈｉｇｈ、ＣＤ４０ｈｉｇｈ及びＣＤ８３ｌｏｗの発現を引き起こし、それにより寛容原性抗原提示細胞（ＡＰＣ）を創製するステップと
を含む、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月11日(2012.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒドロゲルの形態のキトサン組成物であって、前記組成物は、約４０％〜約６０％の範囲でアセチル化度を有する高アセチル化キトサンと、約２０％以下のアセチル化度を有する高脱アセチル化キトサンを含み、２５℃およびｐＨ７．０±０．２で前記組成物は２０ｒｐｍのせん断速度で少なくとも約１００ｍＰａ・ｓの粘度を有し、高脱アセチル化キトサンは非均一に脱アセチル化し、高アセチル化キトサンは均一に再アセチル化してなり、高アセチル化キトサンおよび高脱アセチル化キトサンは、全組成物の０．２％〜３％ｗ／ｖの濃度でそれぞれ存在するキトサン組成物。
【請求項２】
高脱アセチル化キトサンは少なくとも約１００ｋＤａの分子量を有し、高アセチル化キトサンは少なくとも約２００ｋＤａの分子量を有する請求項１に記載のキトサン組成物。
【請求項３】
高脱アセチル化キトサンおよび高アセチル化キトサンは、全組成物の約０．５％〜約２％ｗ／ｖの濃度でそれぞれ存在し、前記組成物における高脱アセチル化キトサンおよび高アセチル化キトサンの割合は、１：１，１：２，１：３および１：４から成る群から選択される請求項１に記載のキトサン組成物。
【請求項４】
多糖、リン脂質およびそれら組み合わせから成る群から選択される少なくとも１個の負に帯電した物質をさらに含む請求項１に記載のキトサン組成物。
【請求項５】
負に帯電した多糖は、動物由来の多糖、植物由来の多糖、コンドロイチン硫酸、デルタマン硫酸、デキストラン硫酸、ヘパラン硫酸、ヘパリン、ヒアルロン酸、ケラタン硫酸およびそれらの組み合わせから成る群から選択される請求項４に記載のキトサン組成物。
【請求項６】
薬物、ポリペプチド、動物細胞および植物細胞の少なくとも１個をさらに含む請求項１〜５のいずれかに記載のキトサン組成物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の組成物を有する埋め込み型装置。
【請求項８】
外科的接着の予防または治療、創傷治癒、組織再生および組織交換から成る群から選択される少なくとも１つの用途のための薬剤を調製するための請求項１〜６のいずれかに記載のキトサン組成物の使用。
【請求項９】
注射可能な溶液の形態のキトサン組成物であって、前記組成物は、約４０％〜約６０％の範囲でアセチル化度を有する高アセチル化キトサン、および約２０％以下のアセチル化度を有する高脱アセチル化キトサンを有し、２５℃および中性領域未満のｐＨで前記組成物は５０ｒｐｍのせん断速度で約１５０ｍＰａ・ｓ以下の粘度を有し、高アセチル化キトサンおよび高脱アセチル化キトサンは全組成物の０．２％〜３％ｗ／ｖの濃度でそれぞれ存在するキトサン組成物。
【請求項１０】
高脱アセチル化キトサンは少なくとも約１００ｋＤａの分子量を有し、高アセチル化キトサンは少なくとも約２００ｋＤａの分子量を有する請求項９に記載のキトサン組成物。
【請求項１１】
高脱アセチル化キトサンおよび高アセチル化キトサンは、全組成物の約０．５％〜約２％ｗ／ｖの濃度でそれぞれ存在し、前記組成物における高脱アセチル化キトサンおよび高アセチル化キトサンの割合は、１：１，１：２，１：３および１：４から成る群から選択される請求項９に記載のキトサン組成物。
【請求項１２】
多糖、リン脂質およびそれらの組み合わせから成る群から選択される少なくとも１個の負に帯電した物質をさらに含む請求項９に記載のキトサン組成物。
【請求項１３】
負に帯電した多糖は、動物由来の多糖、植物由来の多糖、コンドロイチン硫酸、デルタマン硫酸、デキストラン硫酸、ヘパラン硫酸、ヘパリン、ヒアルロン酸、ケラタン硫酸およびそれらの組み合わせから成る群から選択される請求項１２に記載のキトサン組成物。
【請求項１４】
薬物、ポリペプチド、動物細胞、ヒト細胞および植物細胞の少なくとも１個をさらに含む請求項８〜１３のいずれかに記載のキトサン組成物。
【請求項１５】
骨関節症の治療および腱板損傷の治療からなる群から選択される少なくとも１つの用途のための薬剤を調製するための請求項８〜１４のいずれかに記載の組成物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月30日(2012.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コレステロール及びスフィンゴミエリンを１：１のモル比で備え、
カルジオリピン、L-β,γ-ジミリストイルフォスファチジン酸から選択されるさらなる脂質を備える、
ベータアミロイドペプチドへの結合に使用可能なリポソーム
【請求項２】
前記さらなる脂質は、コレステロール、スフィンゴミエリン及びさらなる脂質の総量に対してモル濃度で5〜40％を占める、
請求項１に記載のリポソーム。
【請求項３】
前記さらなる脂質は、コレステロール、スフィンゴミエリン及びさらなる脂質の総量に対して、モル濃度で５％を占める、
請求項２に記載のリポソーム。
【請求項４】
前記さらなる脂質は、コレステロール、スフィンゴミエリン及びさらなる脂質の総量に対して、15〜25 mol%を占める、
請求項２に記載のリポソーム。
【請求項５】
前記さらなる脂質は、コレステロール、スフィンゴミエリン及びさらなる脂質の総量に対して、20mol%を占める、
請求項２に記載のリポソーム。
【請求項６】
患者におけるベータアミロイドペプチドの過剰生成の抑制用の請求項１〜５のいずれかに記載のリポソーム。
【請求項７】
アルツハイマー病の治療用の請求項１〜５のいずれかに記載のリポソーム。
【請求項８】
請求項１〜５のいずれかに記載のリポソームを備える医薬組成物。
【請求項９】
患者におけるベータアミロイドペプチドの過剰生成の抑制用の請求項８に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
アルツハイマー病の治療用の請求項８に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
患者から採取した生体試料と請求項１〜５のいずれかに記載のリポソームとをインキュベートすること、
リポソームを試料から回収すること、及び
それに結合したベータアミロイドペプチドを定量すること、
を備えるインビトロでのアルツハイマー病の診断方法。
【請求項１２】
適切な有機溶媒中で、１：１の重量比のコレステロール及びスフィンゴミエリン、並びに、カルジオリピン、L-β,γ-ジミリストイルホスファチジル酸から選択されるさらなる脂質を混合することを備える、
請求項１〜５のいずれかのリポソームを製造する方法。
【請求項１３】
前記さらなる脂質は、コレステロール、スフィンゴミエリン及びさらなる脂質の総量に対してモル濃度で5〜40 mol％の量で使用される、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記さらなる脂質は、コレステロール、スフィンゴミエリン及びさらなる脂質の総量に対してモル濃度で5 mol％の量で使用される、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記さらなる脂質は、コレステロール、スフィンゴミエリン及びさらなる脂質の総量に対してモル濃度で15〜25 mol％の量で使用される、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記さらなる脂質は、コレステロール、スフィンゴミエリン及びさらなる脂質の総量に対してモル濃度で20 mol％の量で使用される、
請求項１３に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
ＦＥＢＳ  Ｌｅｔｔ．，  ｖｏｌ．５８２，  ｎｏ．２，  ２００７，  ｐａｇｅｓ  ２１５−２２０と、Ｂｉｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，  ｖｏｌ．４２，  ｎｏ．１１，  ２００３，  ｐａｇｅｓ  ３２９５−３３０４は、それぞれ、原線維形成中にプリオンたんぱく質中で引き起こる構造変化、および、ｐＨによる影響を考慮した、リポソームのプリオンたんぱく質との相互作用について議論している。Ｃｏｌｌｏｉｄｓ  ａｎｄ  Ｓｕｒｆａｃｅｓ  Ｂ：  Ｂｉｏｉｎｔｅｒｆａｃｅｓ，  ｖｏｌ．５８，  ｎｏ．２，  ２００７，  ｐａｇｅｓ  ２３１−２３６には、４つのＤＰＰＧ／ＤＰＰＣ含有リポソームとＡβペプチドの結合に関する記載がある。その結合親和性が１０−５のオーダーの大きさであることが見出された。Ｍｉｃｒｏｎ，  ｖｏｌ．３３，  ｎｏ．７−８，  ２００２  ｐａｇｅｓ  ６０９−６２６は、Ａβペプチドとリポソームとの相互作用により得られたＡβペプチド原線維の顕微鏡観察に関する研究についてである。“シンク効果”の例（Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ  Ａｍｅｒｉｃａｎ，  ｖｏｌ．２８６，  ｎｏ．５，  Ｍａｙ  ２００２，  ｐ．１８）が、いくつか実験的に示されているが、ベータアミロイドペプチドに結合することのできる有効かつ信頼性の高い系は、まだ存在していない。また、容易に全身投与することのできる系は、まだ実用化されていない。最終的には、上述した効果と、高額な合成及び半合成物質及び／又は患者の免疫系に作用する物質の使用を含まない、単純で低費用な製造方法とを両立することが必要である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月8日(2012.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エフリンA型受容体7若しくはその断片に特異的結合し得る親和性試薬を含む、癌を治療するための医薬組成物であって、前記癌においてエフリンA型受容体7が過剰発現されており、前記親和性試薬が、単離されたモノクローナル抗体、若しくはその抗原結合部分、抗体断片、又は抗体模倣体である、前記医薬組成物。
【請求項２】
前記親和性試薬が、治療的部分を含む又は治療的部分に抱合化されている、請求項1記載の組成物。
【請求項３】
前記治療的部分が細胞傷害性部分又は放射性アイソタイプである、請求項2記載の組成物。
【請求項４】
前記抗体がIgG1、IgG2、IgG3又はIgG4アイソタイプの全長モノクローナル抗体である、請求項1〜3のいずれか1項記載の組成物。
【請求項５】
前記抗体が、全抗体、抗体断片、ヒト化抗体、単鎖抗体、免疫複合体、脱フコシル化抗体及び二重特異性抗体からなる群から選択される、請求項1〜4のいずれか1項記載の組成物。
【請求項６】
前記抗体断片が、ユニボディ、ドメイン抗体及びナノボディからなる群から選択される、請求項1〜5のいずれか1項記載の組成物。
【請求項７】
前記抗体模倣体が、アフィボディ、DARPin、アンチカリン、アビマー、バーサボディ及びデュオカリンからなる群から選択される、請求項1〜6のいずれか1項記載の組成物。
【請求項８】
前記モノクローナル抗体が、ヒト補体の存在下で、エフリンA型受容体7抗原発現細胞に対し細胞傷害性を有する、請求項1〜4のいずれか1項記載の組成物。
【請求項９】
前記モノクローナル抗体が、ヒト免疫エフェクター細胞の存在下で、エフリンA型受容体7抗原発現細胞に対し細胞傷害性を有する、請求項1〜4のいずれか1項記載の組成物。
【請求項１０】
前記癌が、転移癌を含む、膀胱癌、乳癌、結腸直腸癌、胃癌、頭頸部癌、腎癌、肺癌、骨肉腫、膵臓癌、前立腺癌、皮膚癌、甲状腺癌又は子宮癌である、請求項1〜9のいずれか1項記載の組成物。
【請求項１１】
前記癌が膀胱癌である、請求項10記載の組成物。
【請求項１２】
前記癌が胃癌である、請求項10記載の組成物。
【請求項１３】
エフリンA型受容体7若しくはその断片に特異的結合し得る親和性試薬であって、該親和性試薬が、単離されたモノクローナル抗体、若しくはその抗原結合部分、抗体断片、又は抗体模倣体であり、該親和性試薬が、細胞傷害性部分又は放射性アイソタイプから選択される治療的部分を含む、あるいは細胞傷害性部分又は放射性アイソタイプから選択される治療的部分に抱合化されている、前記親和性試薬。
【請求項１４】
前記治療的部分が細胞傷害性部分である、請求項13記載の親和性試薬。
【請求項１５】
前記親和性試薬がIgG1、IgG2、IgG3又はIgG4アイソタイプの全長抗体である、請求項13又は14記載の親和性試薬。
【請求項１６】
対象において、転移癌を含む、膀胱癌、乳癌、結腸直腸癌、胃癌、頭頸部癌、腎癌、肺癌、骨肉腫、膵臓癌、前立腺癌、皮膚癌、甲状腺癌若しくは子宮癌を検出、診断及び／又はスクリーニングし、若しくはこれらの進行をモニタリングする方法、又は抗転移癌を含む、抗膀胱癌、抗乳癌、抗結腸直腸癌、抗胃癌、抗頭頸部癌、抗腎癌、抗肺癌、抗骨肉腫、抗膵臓癌、抗前立腺癌、抗皮膚癌、抗甲状腺癌若しくは抗子宮癌の薬剤若しくは療法の効果をモニタリングする方法であって、前記対象における、エフリンA型受容体7若しくはその1以上の断片の存在若しくはレベル、又はエフリンA型受容体7の活性の存在若しくはレベルを検出することを含むか、又は該レベルの変化を検出することを含み、前記エフリンA型受容体7若しくはその1以上の断片の存在が、エフリンA型受容体7若しくはその1以上の断片に特異的結合し得る親和性試薬を使用して検出される、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月8日(2012.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トピラメートの有効量；
微結晶セルロース；および
メチルセルロース、
を含む、対象において肥満症、糖尿病または関連状態を治療するための制御放出組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月5日(2012.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の構造を有する化合物を投与することにより、哺乳類におけるα‐アドレナリンレセプターの活性化によって緩和される症状または疾患の治療をするための医薬組成物：
【化１】
2011522893.tif 000001
(式中、R1およびR2は、各々、個々に、水素、C1‐4アルキル、C1‐4アルコキシ、OH、ハロゲン、NR'2、CN、CO2R'、C(O)NR'R''、アルコール、C1‐4ハロゲン化アルキル、C1‐4ハロゲン化アルコキシ、および置換または非置換のアリールまたはヘテロアリールから選ばれ；
R'は、水素、C1‐4アルキルおよびC1‐4ハロゲン化アルキル、置換または非置換のアリールまたはヘテロアリールから選ばれ；
R''は、水素およびC1‐4アルキル、置換または非置換のアリールまたはヘテロアリールから選ばれる)。
前記化合物は、前記α−アドレナリンレセプターの少なくとも一つを活性化し、
前記症状または疾患は、疼痛、内臓痛、角膜痛、頭痛、癌性疼痛、背痛、過敏性腸症候群性疼痛、筋肉痛、または糖尿病性神経障害に関連する疼痛からなる群より選択される。
【請求項２】
R1およびR2が、各々、個々に、ハロゲンまたはハロゲン化アルキルである、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項３】
前記化合物が、N‐(2‐クロロ‐3‐フルオロ‐ベンジル)‐4,5‐ジヒドロ‐1H‐イミダゾール‐2‐アミンである、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記化合物が、N‐(2‐ジフルオロメトキシ)‐ベンジル)‐4,5‐ジヒドロ‐1H‐イミダゾール‐2‐アミンである、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項５】
前記化合物が、N‐(2,3‐ジメチル‐ベンジル)‐4,5‐ジヒドロ‐1H‐イミダゾール‐2‐アミンである、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項６】
前記化合物が、N‐(トリフルオロメチル‐ベンジル)‐4,5‐ジヒドロ‐1H‐イミダゾール‐2‐アミンである、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記化合物が、N‐(トリフルオロメトキシ‐ベンジル)‐4,5‐ジヒドロ‐1H‐イミダゾール‐2‐アミンである、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項８】
前記化合物が、N‐(2‐フルオロ‐ベンジル)‐4,5‐ジヒドロ‐1H‐イミダゾール‐2‐アミンである、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項９】
前記化合物が、N‐(2‐フルオロ‐3‐トリフルオロメチル‐ベンジル)‐4,5‐ジヒドロ‐1H‐イミダゾール‐2‐アミンである、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項１０】
前記化合物が、N‐(2,3‐ジメトキシ‐ベンジル)‐4,5‐ジヒドロ‐1H‐イミダゾール‐2‐アミンである、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項１１】
前記化合物が、N‐(3‐ブロモ‐2‐メトキシ‐ベンジル)‐4,5-ジヒドロ‐1H‐イミダゾール‐2‐アミンである、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項１２】
前記化合物が、N‐(2‐クロロ‐ベンジル)‐4,5‐ジヒドロ‐1H‐イミダゾール‐2‐アミンである、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項１３】
前記化合物が、N‐(2‐メチル‐ベンジル)‐4,5‐ジヒドロ‐1H‐イミダゾール‐2‐アミンである、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項１４】
前記化合物が、N‐(3‐クロロ‐2‐フルオロ‐ベンジル)‐4,5‐ジヒドロ‐1H‐イミダゾール‐2‐アミンである、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項１５】
前記化合物が、N‐(2,3‐ジクロロベンジル)‐4,5‐ジヒドロ‐1H‐イミダゾール‐2‐アミンである、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項１６】
前記化合物が、N‐(2,3‐ジメチルベンジル)‐4,5‐ジヒドロ‐1H‐イミダゾール‐2‐アミンである、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項１７】
前記化合物が、N‐(2‐フルオロベンジル)‐4,5‐ジヒドロ‐1H‐イミダゾール‐2‐アミンである、請求項１記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月8日(2012.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象において体重減少を達成する方法であって、該対象に２ｍｇ〜８ｍｇの範囲のフェンテルミンの１日量を、フェンテルミン単独の有効性の喪失を防ぐために選択したトピラメートの１日量と組み合わせて、相当期間にわたって継続的に投与することを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月18日(2012.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被験体の心血管疾患を治療するための医薬の製造における、配列番号１に示されるアミノ酸配列を含む単離されたポリペプチドまたは配列番号１の生物学的活性を有するその断片もしくはその類似体の使用。
【請求項２】
医薬が血管リモデリングおよび／または新血管形成を改善するためのものである、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
医薬が循環血中の血管新生細胞（ＣＡＣ）数を増加させるおよび／またはＣＡＣ機能を改善するためのものである、請求項１または２に記載の使用。
【請求項４】
医薬がＣＡＣを酸化ストレスから保護するためのものである、請求項３に記載の使用。
【請求項５】
医薬がＣＡＣ動員を改善するまたはＣＡＣ老化を低減するためのものである、請求項３または４に記載の使用。
【請求項６】
前記単離されたポリペプチドが約０．００１μｇ／ｋｇ〜約１０ｍｇ／ｋｇの範囲で変わる用量で投与される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の使用。
【請求項７】
医薬が静脈内、皮下、経皮的、経口、口腔、舌下、経鼻的、および吸入からなる群より選択される経路により投与されるのに適している、請求項６に記載の使用。
【請求項８】
被験体が１型または２型糖尿病に罹患している、請求項１〜７のいずれか１項に記載の使用。
【請求項９】
被験体が肥満に罹患している、請求項１〜８のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１０】
前記心血管疾患が代謝症候群に関連している、請求項１〜９のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１１】
前記心血管疾患がアテローム硬化性血管変性症である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１２】
前記その断片が配列番号１のアミノ酸残基８〜１２またはその類似体および配列番号１のアミノ酸残基６〜１３またはその類似体からなる群から選択されるアミノ酸配列を有する、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１３】
前記その断片が配列番号６、配列番号７、配列番号８およびその類似体からなる群から選択されるアミノ酸配列を有する、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１４】
前記被験体がヒトである、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１５】
前記被験体が静脈性または糖尿病性潰瘍に罹患している、請求項１に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月21日(2012.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
【化１】
2011522827.tif 000001
の形態Ｎ−１。
【請求項２】
結晶形の測定が約２０℃〜約２５℃の温度において、下表：
2011522827.tif 000002
の単位格子パラメータの特徴を有する、
【化２】
2011522827.tif 000003
の形態Ｎ−１。
【請求項３】
表３に列挙された単位格子内の部分原子座標を特徴とする、
【化３】
2011522827.tif 000004
の形態Ｎ−１。
【請求項４】
約２０℃〜約２５℃の温度で、４.６±０.１、９.４±０.１、１０.６±０.１、１４.１±０.１、１５.４±０.１、１８.２±０.１、１９.５±０.１の２θ値に粉末Ｘ線回折パターンにおける特徴的なピークを有する、
【化４】
2011522827.tif 000005
の形態Ｎ−１。
【請求項５】
典型的には２３５〜２４５℃の範囲に開始する分解吸熱を伴う融解の特徴を有する、
【化５】
2011522827.tif 000006
の形態Ｎ−１。
【請求項６】
【化６】
2011522827.tif 000007
の実質的に純粋な形態Ｎ−１。
【請求項７】
前記形態Ｎ−１が少なくとも９８重量％の純度を有する、請求項６の形態。
【請求項８】
前記形態Ｎ−１が少なくとも９９重量％の純度を有する、請求項６の形態。
【請求項９】
【化７】
2011522827.tif 000008
の形態Ｎ−１および医薬的に許容される担体を含む医薬組成物。
【請求項１０】
１つ以上の追加の薬物と組み合わせて、
【化８】
2011522827.tif 000009
の形態Ｎ−１を含む医薬組成物。
【請求項１１】
哺乳類における鬱病を治療するための医薬を製造するための
【化９】
2011522827.tif 000010
の形態Ｎ−１の使用。
【請求項１２】
該哺乳類がヒトである、請求項１１の使用。
【請求項１３】
哺乳類における不安障害を治療するための医薬を製造するための
【化１０】
2011522827.tif 000011
の形態Ｎ−１の使用。
【請求項１４】
哺乳類における疼痛を治療するための医薬を製造するための
【化１１】
2011522827.tif 000012
の形態Ｎ−１の使用。
【請求項１５】
哺乳類における肥満症を治療するための医薬を製造するための
【化１２】
2011522827.tif 000013
の形態Ｎ−１の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月4日(2012.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ及び式６の化合物のうちの少なくとも１種類の単離精製された化合物を含み、式Ｉ及び式６の化合物の少なくとも１種類が、多細胞生物においてエストロゲン受容体β（ＥＲβ）がモジュレートされるのに充分な量で含まれる医薬組成物。
【化１】
2011522822.tif 000001
（式Ｉ中、Ｒは、ＨまたはＯＨである；Ｒ１は、Ｃ１〜Ｃ４アルキル（メチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｉ−ブチル、ｎ−ブチル、ｓ−ブチルもしくはｔ−ブチル）またはＣＨ２ＯＨである。）
【化２】
2011522822.tif 000002
オクタヒドロキシアントラキノン（６）
【請求項２】
少なくとも１種類の単離精製された式６の化合物と、少なくとも１種類の式Ｉの化合物とを含み、少なくとも１種類の式Ｉの化合物と式６の化合物の合計量が、多細胞生物においてエストロゲン受容体β（ＥＲβ）がモジュレートされるのに充分な量である請求項１記載の医薬組成物。
【請求項３】
少なくとも１種類の式Ｉの化合物が、式ＩＩで表される化合物（１）、（２）及び（３）から選択される請求項１又は２記載の医薬組成物。
【化３】
2011522822.tif 000003
（式中、化合物（１）では、ＲＡがＯＨであり、ＲＢがＣＨ３である；化合物（２）では、ＲＡがＨであり、ＲＢがＣＨ２ＯＨである；化合物（３）では、ＲＡがＨであり、ＲＢがＣＨ３である。）
【請求項４】
少なくとも１つの更年期症状の治療又は予防；骨粗鬆症の治療又は予防；子宮癌の治療又は予防；乳癌の治療又は予防；頚部癌の治療又は予防；卵巣癌の治療又は予防；および心血管疾患の治療または予防に用いる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項５】
前記少なくとも１つの更年期症状が、のぼせ、不眠、膣乾燥、性欲減退、尿失禁及び鬱からなる群から選択される請求項４記載の組成物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の組成物を、少なくとも１種類のさらなる薬学的に許容され得る成分と合わせることを含み、該さらなる成分は活性または不活性である、医薬の単位投薬形態の調製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月8日(2012.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨装置内においてウェハを保持する研磨ヘッドであって、
研磨装置の操作中、ウェハに係合し当該ウェハを保持するサポートプレートと、当該サポートプレートの外側において上記サポートプレートから延びる環状壁部と、を含むプレッシャープレートを備え、
上記サポートプレートは、略平面ポジションにあり、上記平面ポジションから凸状ポジション及び凹状ポジションへ選択的に変位可能であり、
上記環状壁部は、約２ミリメートル（０．０７９インチ）〜約３ミリメートル（０．１１８インチ）の厚さを有し、
上記環状壁部は、ヒンジを構成し、上記サポートプレートが当該ヒンジを中心として、上記平面ポジションから、上記凸状ポジション及び上記凹状ポジションのいずれか一方へ変位する、研磨ヘッド。
【請求項２】
上記サポートプレート及び上記環状壁部は一体として構成され、上記プレッシャープレートは、少なくとも部分的に内部チャンバーを構成し、
上記サポートプレートは、当該サポートプレートを貫通して延びる複数の通路を有する請求項１記載の研磨ヘッド。
【請求項３】
ベースと、
ウェハのフロント表面を研磨するため当該ウェハのフロント表面と係合可能なワーク表面を有する研磨パッドを上面に有するターンテーブルであって、当該ターンテーブル及び当該研磨パッドに垂直な軸を中心として上記ベースに対して当該ターンテーブル及び研磨パッドを回転させるための当該ベースに取り付けられたターンテーブルと、
上記ターンテーブルの軸に実質的に平行な軸を中心とする回転運動を付与するため、上記ベースに取り付けられた駆動機構と、
請求項１記載の研磨ヘッドと、を備えるウェハ研磨装置。
【請求項４】
上記プレッシャープレートに正の圧力を付加して、上記プレッシャープレートを上記平面ポジションから上記凸状ポジションへ変位させ、真空引きを行って上記プレッシャープレートを上記平面ポジションから上記凹状ポジションへ変位させる第１プレッシャーソースをさらに備える請求項３記載のウェハ研磨装置。
【請求項５】
上記プレッシャープレートは、サポートプレートと、上記サポートプレートから延びる環状壁部と、を有し、
上記サポートプレート及び上記環状壁部は、少なくとも部分的に第１内部チャンバーを構成し、
当該ウェハ研磨装置は、さらにリテーニングプレートを有し、
上記リテーニングプレート、上記サポートプレート及び上記環状壁部は、上記第１内部チャンバーを構成する請求項４記載のウェハ研磨装置。
【請求項６】
上記プレッシャープレートは、上記プレッシャープレートを貫通して延びる複数の通路を備え、
当該ウェハ研磨装置は、上記プレッシャープレートを貫通して延びる通路に圧力を加える第２プレッシャーソースと、
上記プレッシャープレート上に取り付けれたバッフルプレートと、をさらに備え、
上記バッフルプレート及び上記プレッシャープレートは共同して第２内部チャンバーを構成する請求項３記載のウェハ研磨装置。
【請求項７】
一群の半導体ウェハを研磨する方法であって、
プレッシャープレートと、上記プレッシャープレートと直接接触するように配置されたウェハと、を有する、ウェハ研磨装置の研磨ヘッドに接触するように上記一群の半導体ウェハの１つを配置する工程と、
ウェハのフロント表面が研磨パッドの摩耗しているワーク表面と係合するように、研磨ヘッドにより保持されたウェハを配置する工程と、
研磨パッドのワーク表面における摩耗の量に基づいて、略平面ポジションから、凸状のポジション及び凹状のポジションのいずれか一方へプレッシャープレートを変位させる工程と、
ウェハのフロント表面を研磨パッドに対して付勢する工程と、
ウェハ研磨装置のターンテーブル上において第１軸を中心として研磨パッドを回転させる工程と、
実質的に第１軸と不一致の第２軸を中心として研磨ヘッドを回転させ、それにより、ウェハのフロント表面を研磨する工程と、
ウェハを上記ターンテーブルから取り外す工程と、
上記ウェハを上記研磨ヘッドから取り除く工程と、を備える方法。
【請求項８】
上記プレッシャープレートを変位させる工程は、上記研磨ヘッドの第１内部チャンバを加圧する工程と、略ドーム状の形状を有するフロント表面を含むウェハを研磨するため、上記プレッシャープレートをその略平面ポジションからその凸状ポジションへ変位させる工程と、を含む請求項７記載の方法。
【請求項９】
上記のプレッシャープレートを変位させる工程が、上記研磨ヘッドの第１内部チャンバに対して真空引きを行う工程と、略皿状のフロント表面を有するウェハを研磨するため、上記プレッシャープレートをその略平面ポジションからその凹状ポジションへ変位させる工程と、を含む請求項７記載の方法。
【請求項１０】
上記プレッシャープレートに直接接触して半導体ウェハを配置する工程が、プレッシャープレートを介してウェハの裏面に対して真空引きを行うことを含む請求項７記載の方法。
【請求項１１】
研磨パッドのワーク表面に対してウェハのフロント表面を振動させる工程をさらに含む請求項７記載の方法。
【請求項１２】
さらに、上記ウェハのフロント表面の平坦度を定量化する工程を備える請求項７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月25日(2012.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート型横型サイリスタ（ＧＬＴ）デバイス（４６０）と、
前記ゲート型横型サイリスタ（ＧＬＴ）デバイス（４６０）に結合され書き込みアクセスを制御するための書き込みアクセストランジスタ（４７０）と、
前記書き込みアクセストランジスタ（４７０）に直接的に結合され読み出しアクセスを制御するための読み出しアクセストランジスタ（４８０）とを備えたメモリセル（４１０）。
【請求項２】
前記ＧＬＴデバイス（４６０）、前記書き込みアクセストランジスタ（４７０）及び前記読み出しアクセストランジスタ（４８０）に結合される検出トランジスタ（４９０）を更に備えた、請求項１に記載のメモリセル（４１０）。
【請求項３】
前記書き込みアクセストランジスタ（４７０）は第１のノード（４４１／６３３）に結合され、
前記読み出しアクセストランジスタ（４８０）は第２のノード（４４２）に結合され且つ第３のノード（４４３）にて前記書き込みアクセストランジスタ（４７０）に直接的に結合され、
前記ゲート型横型サイリスタ（ＧＬＴ）デバイス（４６０）は第４のノード（４４４）にて前記書き込みアクセストランジスタ（４７０）に結合され、
前記検出トランジスタ（４９０）は前記第４のノード（４４４）にて前記ＧＬＴデバイス（４６０）及び前記書き込みアクセストランジスタ（４７０）に結合され且つ第５のノード（４４５）にて前記読み出しアクセストランジスタ（４８０）に結合される、請求項２に記載のメモリセル（４１０）。
【請求項４】
前記書き込みアクセストランジスタ（４７０）は、
前記第１のノード（４４１／６３３）に結合される第１のソース電極（４７２）と、
前記第４のノード（４４４）に結合される第１のドレイン電極（４７４）と、
第１のゲート電極（４７５）と、を備えており、
前記ＧＬＴデバイス（４６０）は、
前記第４のノード（４４４）にて前記第１のドレイン電極（４７４）に結合されるカソードノード（４６４）と、
第６のノード（４４６）に結合されるゲート電極（４６５）と、
前記検出トランジスタ（４９０）に結合されるアノードノード（４６６）と、を備えており、
前記読み出しアクセストランジスタ（４８０）は、
前記第２のノード（４４２）に結合される第２のソース電極（４８２）と、
前記第５のノード（４４５）に結合される第２のドレイン電極（４８４）と、
前記第１のゲート電極（４７５）に結合され且つ一体の第２のゲート電極（４８５）と、を備えており、
前記検出トランジスタ（４９０）は、
前記第５のノード（４４５）にて前記第２のドレイン電極（４８４）に結合される第３のソース電極（４９２）と、
第７のノード（４３２／６３５）にて前記アノードノード（４６６）に結合される第３のドレイン電極（４９４）と、
前記第４のノード（４４４）にて前記第１のドレイン電極（４７４）及び前記カソードノード（４６４）に結合される第３のゲート電極（４９５）と、を備えている、請求項３に記載のメモリセル（４１０）。
【請求項５】
供給線（４３２／６３２）と、
書き込みビット線（４５２）と、
読み出しビット線（４５４）と、
前記書き込みビット線（４５２）及び前記供給線（６３２）の１つに結合される書き込みアクセストランジスタ（４７０）と、
前記読み出しビット線（４５４）に結合され且つ前記書き込みアクセストランジスタ（４７０）に直接的に結合される読み出しアクセストランジスタ（４８０）と、
前記書き込みアクセストランジスタ（４７０）に結合されるゲート型横型サイリスタ（ＧＬＴ）デバイス（４６０）と、を備えたメモリデバイス（３４０）。
【請求項６】
書き込みイネーブル線（４３０）と、
書き込みビット線（４５２）と、
読み出しビット線（４５４）と、
第１のゲート電極（４７５）、第１のソース電極（４７２）及び第１のドレイン電極（４７４）を備える第１のトランジスタ（４７０）と、
前記第１のゲート電極（４７５）及び前記読み出しビット線（４５４）に結合される第２のソース電極（４８２）、前記第１のゲート電極（４７５）に結合される第２のゲート電極（４８５）、及び第２のドレイン電極（４８４）を備える第２のトランジスタ（４８０）と、
アノードノード（４６６）、前記書き込みイネーブル線（４３０）に結合されるゲート電極（４６５）、及び前記第１のドレイン電極（４７４）に結合されるカソードノード（４６４）を備えるゲート型横型サイリスタ（ＧＬＴ）デバイス（４６０）と、
第３のドレイン電極（４９４）、前記第２のドレイン電極（４８４）に結合される第３のソース電極（４９２）、並びに共通ノード（４４４）にて前記第１のドレイン電極（４７４）及び前記カソードノード（４６４）に結合される第３のゲート電極（４９５）を備える第３のトランジスタと、を備えたメモリデバイス（３４０）。
【請求項７】
前記アノードノード（４６６）及び前記第３のドレイン電極（４９４）に結合される供給線（４３２）を更に備え、
前記書き込みビット線（４５２）は前記第１のソース電極（４７２）に結合されている、請求項６に記載のメモリデバイス（３４０）。
【請求項８】
前記第１のソース電極（４７２）に結合される供給線（６３２）を更に備え、
前記アノードノード（４６６）は前記第３のドレイン電極（４９４）に結合され、
前記書き込みビット線（４５２）は前記アノードノード（４６６）及び前記第３のドレイン電極（４９４）に結合されている、請求項６に記載のメモリデバイス（３４０）。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月7日(2012.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加工済みフィーチャの断層像をつくる方法であって、
前記加工済みフィーチャに近接する表面をミリングする工程であって、前記表面は、前記フィーチャが位置する層と実質的に平行にミリングされる工程と、
前記ミリングされた表面と実質的に垂直な方向の位置から前記加工済みフィーチャを画像化し、複数の断面画像の内の第１の断面画像を生成する工程と
を備える方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、さらに、
前記フィーチャの高さ全体に沿って、前記ミリング工程および画像化工程を繰り返す工程と、
前記複数の断面画像の各々を、前記加工済みフィーチャの表現に再構成する工程と
を備える方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、さらに、前記加工済みフィーチャを二次元表現として再構成する工程を備える方法。
【請求項４】
請求項２に記載の方法であって、さらに、前記加工済みフィーチャを三次元表現として再構成する工程を備える方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか一項に記載の方法であって、さらに、集束イオンビーム装置によって前記ミリング工程を実行するよう選択する工程を備える方法。
【請求項６】
請求項１ないし４のいずれか一項に記載の方法であって、さらに、レーザアブレーション装置によって前記ミリング工程を実行するよう選択する工程を備える方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか一項に記載の方法であって、さらに、走査型電子顕微鏡によって前記画像化工程を実行するよう選択する工程を備える方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、さらに、前記走査型電子顕微鏡として、側長トップダウン走査型電子顕微鏡を選択する工程を備える方法。
【請求項９】
請求項１ないし６のいずれか一項に記載の方法であって、さらに、光散乱装置によって前記画像化工程を実行するよう選択する工程を備える方法。
【請求項１０】
請求項１ないし６のいずれか一項に記載の方法であって、さらに、プロファイリング装置によって前記画像化工程を実行するよう選択する工程を備える方法。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の方法であって、さらに、前記フィーチャの任意の開口部を、前記フィーチャが加工された前記層を構成する材料と異なる材料で満たすことによって、前記加工済みフィーチャを保護する工程を備える方法。
【請求項１２】
１または複数の加工済みフィーチャの画像を生成する方法であって、
前記１または複数のフィーチャの断面を繰り返し生成する工程であって、前記１または複数の加工済みフィーチャに近接する表面をイオンミリングする工程を含み、前記表面は、前記フィーチャが位置する層と実質的に平行にミリングされる工程と、
前記１または複数の加工済みフィーチャのトップダウン画像化を実行し、複数の断面画像を生成する工程と
を備える方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、さらに、前記複数の断面画像の各々を、前記加工済みフィーチャの表現に再構成する工程を備える方法。
【請求項１４】
請求項１２または１３に記載の方法であって、さらに、走査型電子顕微鏡によって前記画像化工程を実行するよう選択する工程を備える方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、さらに、前記走査型電子顕微鏡として、側長走査型電子顕微鏡を選択する工程を備える方法。
【請求項１６】
請求項１２または１３に記載の方法であって、さらに、光散乱装置によって前記画像化工程を実行するよう選択する工程を備える方法。
【請求項１７】
請求項１２または１３に記載の方法であって、さらに、プロファイリング装置によって前記画像化工程を実行するよう選択する工程を備える方法。
【請求項１８】
請求項１２ないし１７のいずれか一項に記載の方法であって、さらに、前記フィーチャの任意の開口部を、前記フィーチャが加工された前記層を構成する材料と異なる材料で満たすことによって、前記加工済みフィーチャを保護する工程を備える方法。
【請求項１９】
１または複数の加工済みフィーチャの画像を生成する方法であって、
前記１または複数のフィーチャの断面を繰り返し生成する工程であって、前記１または複数の加工済みフィーチャに近接する表面をイオンミリングする工程を含み、前記表面は、前記フィーチャが位置する層と実質的に平行にミリングされる工程と、
走査型電子顕微鏡を用いて前記１または複数の加工済みフィーチャのトップダウン画像化を実行し、複数の断面画像を生成する工程と、
前記複数の断面画像の各々を、前記加工済みフィーチャの表現に再構成する工程と
を備える方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法であって、さらに、前記加工済みフィーチャを三次元表現として再構成する工程を備える方法。
【請求項２１】
請求項２０の方法であって、前記三次元表現は回転可能である方法。
【請求項２２】
請求項１９に記載の方法であって、さらに、前記フィーチャの任意の開口部を、前記フィーチャが加工された前記層を構成する材料と異なる材料で満たすことによって、前記加工済みフィーチャを保護する工程を備える方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】加工済みフィーチャの断層像をつくる方法および１または複数の加工済みフィーチャの画像を生成する方法
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月17日(2012.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス装置において、
該オプトエレクトロニクス装置は、オプトエレクトロニックモジュールと、光学素子（５）とを有しており、
前記オプトエレクトロニックモジュールは、
支持体（３）に配置された少なくとも１つの発光ダイオードチップ（２）と、
前記支持体（３）に固定されておりかつ発光ダイオードチップ（２）を少なくとも部分的に覆う取付突出部（４）とを有しており、
当該取付突出部（４）は、その上側に構造化部（６）を有しており、当該構造化部（６）によって光学素子（５）の位置決めが可能になり、
前記光学素子（５）は、前記取付突出部（４）に載置されており、
前記光学素子（５）は、前記取付突出部（４）の前記構造化部（６）に少なくとも部分的にはめ込まれる構造化部を有しており、
前記取付突出部（４）の構造化部（６）には、当該取付突出部（６）に上側に配置された隆起部（６１）が含まれており、
当該隆起部（６１）には平坦部（６３）が含まれており、
当該平坦部（６３）は前記取付突出部（６）のビーム透過領域に配置されていることを特徴とする
オプトエレクトロニック装置。
【請求項２】
前記取付突出部（４）の下側に発光ダイオードチップ（２）を収容するための凹部（４１）が形成されている、
請求項１に記載のオプトエレクトロニック装置。
【請求項３】
前記取付突出部（４）により、発光ダイオードチップ（２）が完全に覆われる、
請求項１または２に記載のオプトエレクトロニック装置。
【請求項４】
前記取付突出部（４）により、発光ダイオードチップ（２）が完全に覆われておりかつ側方が完全に包囲されている、
請求項１から３までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニック装置。
【請求項５】
−  前記取付突出部（４）の上側に少なくとも１つのピン状隆起部が形成されている、
請求項１から４までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニック装置。
【請求項６】
−  前記取付突出部（４）の上側にくぼみ（６２）、例えばスロット状のくぼみが形成されている、
請求項１から５までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニック装置。
【請求項７】
−  前記取付突出部（４）の上側に開口部が形成されている、
請求項１から６までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニック装置。
【請求項８】
前記取付突出部（４）には、ガラス、ビーム透過性セラミック、アルミニウム窒化物、アルミニウム酸化物またはビーム透過性プラスチックが含まれている、
請求項１から７までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニック装置。
【請求項９】
前記光学素子（５）の前記構造化部には平坦部が含まれており、
当該平坦部は、前記取付突出部（４）の平坦部とは相補的に構成されている、
請求項１から８までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニック装置。
【請求項１０】
前記取付突出部（４）と、少なくとも１つの発光ダイオードチップ（２）との間の空間が気体によって、例えば空気によって充たされている、
請求項１から９までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニック装置。
【請求項１１】
前記光学素子（５）の構造化部は、前記取付突出部（４）の構造化部に対して相補的に構成さされている、
請求項１から１０までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニック装置。
【請求項１２】
前記取付突出部（４）と前記光学素子（５）との間の前記取付突出部（４）のビーム透過領域に平坦な接触接続部が設けられている、
請求項１から１１までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニック装置。
【請求項１３】
前記取付突出部（４）と光学素子（５）との間のビーム透過領域に中間空間が設けられている、
請求項１から１１までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニック装置。
【請求項１４】
前記光学素子（５）は前記取付突出部（４）に固定されている、
請求項１から１３までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニック装置。
【請求項１５】
前記光学素子（５）は前記支持体（３）に固定されている、
請求項１から１４までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニック装置。