【手続補正書】
【提出日】平成26年10月27日(2014.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＩＣを含む基板をダイシングする方法であって、
ＩＣを覆い、保護する基板の上に、マスクを形成する工程と、
レーザスクライビングプロセスによってマスク厚さの少なくとも一部をパターニングし、これによってパターニングされたマスクにトレンチを提供し、ＩＣ間の基板の領域を露出させる工程と、
パターニングされたマスク内のトレンチを貫通して基板をプラズマエッチングして、ＩＣを個片化する工程を含み、マスクを形成する工程は、基板の上にポリマーをプラズマ蒸着する工程を更に含み、マスクを形成する工程は、ポリマーの層をプラズマ蒸着する前に、第２マスク材料をスピンコートすることによって第２マスク材料層を塗布する工程を更に含み、第２マスク材料層のスピンコートは、プラズマエッチングの全期間を通してバンプを保護するのに不十分なマスク厚さによってＩＣ上に銅バンプの上面を残しておき、第２マスク材料層は、水溶性ポリマーであり、レーザスクライビングプロセスによってマスクの少なくとも一部をパターニングする工程は、第２マスク材料をアブレーション加工してトレンチを形成する工程を更に含み、半導体基板をエッチングする工程は、水溶性ポリマーマスク材料層を１００℃未満に維持するエッチングプロセスによってトレンチをエッチングする工程を更に含む方法。
【請求項２】
プラズマエッチングする工程が、複数の連続するエッチングサイクル及び蒸着サイクルを含むディープトレンチエッチングプロセスを含み、各蒸着サイクルはポリマーの追加量を蒸着する請求項１記載の方法。
【請求項３】
マスク層をプラズマ蒸着し、基板をエッチングする工程は、同一のプラズマチャンバによって実行される請求項２記載の方法。
【請求項４】
マスキング層をプラズマ蒸着する工程は、ＩＣの上の銅バンプの上面の上にポリマーの層を堆積させる工程を含む請求項１記載の方法。
【請求項５】
ポリマーの層をプラズマ蒸着する工程は、Ｃ４Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、又はＣＨ２Ｆ２のうちの少なくとも１つを含む原料ガスのプラズマに基板を曝露させる工程を含む請求項４記載の方法。
【請求項６】
ポリマーの層をプラズマ蒸着する工程は、層を少なくとも１ミクロンの厚さに蒸着する工程を含む請求項５記載の方法。
【請求項７】
第２マスク材料を形成する工程は、ＩＣのパッシベーション層の上面に接触して、ポリ（ビニルアルコール）、ポリ（アクリル酸）、ポリ（メタクリル酸）、ポリ（アクリルアミド）、又はポリ（エチレンオキシド）のうちの少なくとも１つを形成する工程を含む請求項１記載の方法。
【請求項８】
レーザスクライビングプロセスによってマスクの少なくとも一部をパターニングする工程は、第２マスク材料内にトレンチをアブレーション加工する工程を含み、ポリマーの層をプラズマ蒸着する工程は、第２マスク材料内にトレンチをアブレーション加工する工程の後に実行される請求項１記載の方法。
【請求項９】
プラズマエッチングする工程は、第２マスク材料内にアブレーション加工されたトレンチ内に形成されたプラズマ蒸着されたポリマーの層を一掃するのに十分なブレークスルーエッチングを含み、ブレークスルーエッチングはトレンチの外側に形成されたプラズマ堆積されたポリマーの層を一掃するには不十分である請求項８記載の方法。
【請求項１０】
フェムト秒レーザスクライビングプロセスでマスク層をパターニングする工程は、５４０ナノメートル以下の波長と４００フェムト秒以下のパルス幅を有するレーザを使用する工程を含む請求項１記載の方法。
【請求項１１】
基板のプラズマエッチング後に、マスクを水溶液で除去する工程を含む請求項１記載の方法。
【請求項１２】
複数のＩＣを含む半導体基板をダイシングする方法であって、
シリコン基板上に水溶性材料層を形成する工程であって、水溶性材料層はダイシングによって除去される基板の領域を覆う工程と、
シリコン基板上に水溶性材料層とは異なるポリマーをプラズマ蒸着する工程であって、プラズマ蒸着されたポリマーはＩＣ上の銅バンプを覆う工程と、
フェムト秒レーザで水溶性材料層をパターニングし、これによってＩＣ間のシリコン基板の領域を露出させる工程と、
シリコン基板の露出した領域をエッチングして、これによってＩＣを個片化する工程とを含む方法。
【請求項１３】
ポリマー層をプラズマ蒸着する工程は、Ｃ４Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、又はＣＨ２Ｆ２のうちの少なくとも１つを含む原料ガスのプラズマに基板を曝露させる工程を含み、シリコン基板をエッチングする工程は、複数の連続するエッチング及び蒸着サイクルに基板を曝露させる工程を含み、各蒸着サイクルは、Ｃ４Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、又はＣＨ２Ｆ２のうちの少なくとも１つを含む原料ガスのプラズマに基板を曝露させる請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
複数のＩＣを含む基板をダイシングする方法であって、
ＩＣを覆い、保護する基板の上に、マスクを形成する工程と、
レーザスクライビングプロセスによってマスク厚さの少なくとも一部をパターニングし、これによってパターニングされたマスクにトレンチを提供し、ＩＣ間の基板の領域を露出させる工程と、
パターニングされたマスク内のトレンチを貫通して基板をプラズマエッチングして、ＩＣを個片化する工程を含み、マスクを形成する工程は、基板の上にポリマーをプラズマ蒸着する工程を更に含み、マスクを形成する工程は、ポリマーの層をプラズマ蒸着した後で、第２マスク材料をスピンコートすることによって、第２マスク材料層を塗布する工程を更に含み、第２マスク材料層のスピンコートは、ポリマーのプラズマ蒸着層の無いプラズマエッチングの全期間を通して、ポリマーの下地蒸着層を保護するのに不十分な、ＩＣ上の銅バンプの上面の上に配置された第２マスク材料層厚さを提供し、第２マスク材料層は、水溶性ポリマーであり、レーザスクライビングプロセスによってマスクの少なくとも一部をパターニングする工程は、第２マスク材料をアブレーション加工してトレンチを形成する工程を更に含み、半導体基板をエッチングする工程は、水溶性ポリマーマスク材料層を１００℃未満に維持するエッチングプロセスによってトレンチをエッチングする工程を更に含む方法。
【請求項１５】
プラズマエッチングする工程が、複数の連続するエッチングサイクル及び蒸着サイクルを含むディープトレンチエッチングプロセスを含み、各蒸着サイクルはポリマーの追加量を蒸着する請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
マスク層をプラズマ蒸着し、基板をエッチングする工程は、同一のプラズマチャンバによって実行される請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
マスキング層をプラズマ蒸着する工程は、ＩＣの上の銅バンプの上面の上にポリマーの層を堆積させる工程を含む請求項１４記載の方法。
【請求項１８】
ポリマーの層をプラズマ蒸着する工程は、Ｃ４Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、又はＣＨ２Ｆ２のうちの少なくとも１つを含む原料ガスのプラズマに基板を曝露させる工程を含む請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
ポリマーの層をプラズマ蒸着する工程は、層を少なくとも１ミクロンの厚さに蒸着する工程を含む請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
第２マスク材料を形成する工程は、ポリ（ビニルアルコール）、ポリ（アクリル酸）、ポリ（メタクリル酸）、ポリ（アクリルアミド）、又はポリ（エチレンオキシド）のうちの少なくとも１つを形成する工程を含む請求項１４記載の方法。
【請求項２１】
スピンコートする工程とプラズマ蒸着する工程の両方は、レーザスクライビングプロセスによってマスクの少なくとも一部をパターニングする工程の前である請求項１４記載の方法。
【請求項２２】
フェムト秒レーザスクライビングプロセスでマスク層をパターニングする工程は、５４０ナノメートル以下の波長と４００フェムト秒以下のパルス幅を有するレーザを使用する工程を含む請求項１４記載の方法。
【請求項２３】
基板のプラズマエッチング後に、マスクを水溶液で除去する工程を含む請求項１４記載の方法。
【請求項２４】
複数のＩＣを含む基板をダイシングする方法であって、
ＩＣを覆い、保護する基板の上に、マスクを形成する工程と、
レーザスクライビングプロセスによってマスク厚さの少なくとも一部をパターニングし、これによってパターニングされたマスクにトレンチを提供し、ＩＣ間の基板の領域を露出させる工程と、
パターニングされたマスク内のトレンチを貫通して基板をプラズマエッチングして、ＩＣを個片化する工程を含み、マスクを形成する工程は、第１マスク材料をスピンコートする工程と、続いて、第２マスク材料としてポリマーの層をプラズマ蒸着する工程を含み、第１マスク材料層をスピンコートする工程は、プラズマエッチングの全期間を通してバンプを保護するのに不十分なマスク厚さによってＩＣ上に銅バンプの上面を残しておく方法。
【請求項２５】
プラズマエッチングする工程が、複数の連続するエッチングサイクル及び蒸着サイクルを含むディープトレンチエッチングプロセスを含み、各蒸着サイクルはポリマーの追加量を蒸着する請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
ポリマーの層をプラズマ蒸着する工程は、Ｃ４Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、又はＣＨ２Ｆ２のうちの少なくとも１つを含む原料ガスのプラズマに基板を曝露させる工程を含む請求項２４記載の方法。
【請求項２７】
ポリマーの層をプラズマ蒸着する工程は、層を少なくとも１ミクロンの厚さに蒸着する工程を含む請求項２４記載の方法。
【請求項２８】
第１マスク材料を形成する工程は、ＩＣのパッシベーション層の上面に接触して、ポリ（ビニルアルコール）、ポリ（アクリル酸）、ポリ（メタクリル酸）、ポリ（アクリルアミド）、又はポリ（エチレンオキシド）のうちの少なくとも１つを形成する工程を含む請求項２４記載の方法。
【請求項２９】
基板のプラズマエッチング後に、マスクを水溶液で除去する工程を含む請求項２４記載の方法。