【事件の表示】
　平成　６年特許願第　１８７７５号「半導体モジュール」拒絶査定に対する審判事件［平成　７年　８月２９日出願公開、特開平　７−２３１０７１］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、平成６年２月１６日の出願であって、拒絶理由通知がなされ、平成１２年５月９日付で手続補正書が提出され、同年５月２６日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年８月２日付で手続補正書が提出されたものである。
　　
［２］平成１２年８月２日付手続補正についての補正却下の決定
　　
＜補正却下の決定の結論＞
　平成１２年８月２日付手続補正を却下する。
　　
＜理由＞
（１）補正の内容
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１〜５を、
「【請求項１】冷却ブロックの両面に設けられた電極板と、この電極板の表面に隣接配設された複数の半導体素子と、前記冷却ブロックの両面に設けられたカバーと、このカバー内部の前記半導体素子の間に充填されたゲル状の絶縁体とを具備してなる半導体モジュール。
【請求項２】内部に流れる冷却水で冷却される冷却ブロックの少なくとも片面に設けられた絶縁板と、この絶縁板の表面に設けられた導電板と、この導電板の対向側に平行に配設された複数の端子板と、この導電板の表面に隣接配設された複数のスイッチ素子及びダイオードと、前記冷却ブロックの少なくとも片面に設けられたカバーと、このカバーの内部の前記スイッチ素子及びダイオードの間に充填されたゲル状の絶縁体とを具備してなる半導体モジュール。
【請求項３】内部に流れる冷却水で冷却される冷却ブロックの少なくとも片面に設けられた複数の絶縁板と、この絶縁板の表面に設けられた導電板と、この導電板の対向側に平行に配設された複数の端子板と、この導電板の表面に隣接配設された複数のスイッチ素子及びダイオードと、前記冷却ブロックの少なくとも片面に設けられたカバーと、このカバーの内部の前記スイッチ素子及びダイオードの間に充填されたゲル状の絶縁体とを具備してなる半導体モジュール。
【請求項４】対置された冷却ブロックの対向側に設けられた絶縁板と、この絶縁板の表面に設けられた導電板と、この導電板の表面に隣接配設された複数のスイッチ素子及びダイオードと、前記冷却ブロックの側面に設けられたカバーと、このカバーの内部の前記スイッチ素子及びダイオードの間に充填されたゲル状の絶縁体とを具備してなる半導体モジュール。
【請求項５】内部に流れる冷却水で冷却される円板状の冷却ブロックの少なくとも片面に設けられた絶縁板と、この絶縁板の表面に設けられた導電板と、この導電板の中心に立設された端子と、前記導電板の表面に交互に配設された複数のスイッチ素子及びダイオードと、前記冷却ブロックの少なくとも片面に設けられたカバーと、このカバーの内部の前記スイッチ素子及びダイオードの間に充填されたゲル状の絶縁体とを具備してなる半導体モジュール。」
に補正し、また、明細書の段落【００５７】の記載を、
「また、請求項２に記載の発明によれば、冷却ブロックの少なくとも片面に設けられた絶縁板と、この絶縁板の表面に設けられた導電板と、この導電板の対向側に平行に配設された複数の端子板と、この導伝板の表面に隣接配設された複数のスイッチ素子及びダイオードと、前記冷却ブロックの少なくとも片面に設けられたカバーと、このカバーの内部の前記スイッチ素子及びダイオードの間に充填されたゲル状の絶縁体とを具備することで、スイッチ素子及びダイオードで発生した熱を導電板と絶縁板を介して冷却ブロックに伝達し、スイッチ素子及びダイオードを導電板の対向側に平行に配設された複数の端子板と接続される接続導体で外部に接続したので、半導体電力変換装置の高速化及び小形化と効率向上を図ることができる半導体モジュールを得ることができる。」
に補正しようとするものである。
　　
（２）補正の目的
　上記補正において、補正前の請求項２に「この導電板の対向側に平行に配設された複数の端子板と、」を付加する補正は、該「端子板」を具備する半導体モジュールに限定するものといえるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、補正前の請求項１〜５に記載されていた「電極版」「導伝板」をそれぞれ「電極板」「導電板」とする補正は、誤記の訂正を目的とするものに該当し、また、明細書の段落【００５７】の補正は、上記請求項２の補正に伴う明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　　
（３）独立特許要件
　次いで、特許請求の範囲の減縮を目的とする上記補正後の請求項２に係る発明（以下、「本願補正発明２」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
　　
（３−１）
  本願補正発明２は、平成１２年５月９日付手続補正書及び同年８月２日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項２に記載された、上記［２］（１）の【請求項２】に記載したとおりのものである。
　　
（３−２）引用刊行物の記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前の平成２年１１月３０日に頒布された特開平２−２９１１５７号公報（以下、「引用刊行物」という。）には下記の事項が記載されている。
「半導体チップと、電極端子をその一方の面に接着させた絶縁基板と、この絶縁基板の他方の面に半田等のろう材で接着させた放熱板と、前記半導体チップ、電極端子の一部及び絶縁基板等を覆って放熱板上に接着させるケースとを備え、前記ケース内にエポキシ樹脂などの充填材を充填硬化させてなる半導体装置において、前記放熱板の下面に冷却液を循環させる金属パイプを備えたことを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲）、
「第２図は従来のトランジスタモジュール構造を示す断面斜視図である。図において、（１）はシリコンチップ、（２），（３）および（４）はシリコンチップ（１）と外部回路を接続するＬ字型の電極、（５）はシリコンチップ（１）で発生した熱を放散させるための銅等の放熱板、（６）は電極（２），電極（３），電極（４）の裏面と放熱板（５）を絶縁するセラミック等の絶縁板、（７）は電極（２）と絶縁板（６）を接合する半田、（８）は絶縁板（６）と放熱板（５）を接合する半田、（９）は放熱板（５）周囲に接着されたチップ（１），電極（２），電極（３），電極（４），絶縁板（６）を包囲するプラスチックパッケージ、（１０）はケース内の少なくともチップ（１）を覆うように充填されるシリコンゲル、（１１）はシリコンゲル（１０）の上に充填される樹脂である。」（第１頁左下欄１９行〜右下欄１２行）、
「第１図はこの発明の一実施例を示す半導体装置の断面斜視図であり、（１）〜（４），（６）〜（１１）は従来装置におけるものと同等のものであり、‥‥‥（１２）は冷却液を循環させる複数の金属パイプであり、‥‥‥放熱板（１５）と金属パイプ（１２）の接合は、半田等のろう材で行なう。」（第２頁左上欄１８行〜右上欄４行）と記載されており、
そして、上述の記載に対応させて第１図、第２図が示されている。
　　
（３−３）対比
　上記［２］（３−２）に摘記した事項を総合すると、引用刊行物には、下面に設けた金属パイプに流れる冷却液で冷却される放熱板の少なくとも片面に設けられた絶縁板と、この絶縁板の表面に設けられた複数の電極と、この各電極のケース上方に延びる部分と、この電極の表面に隣接配設されたトランジスタモジュールのシリコンチップと、前記放熱板の少なくとも片面に設けられたケースと、このケースの内部の前記シリコンチップを覆うように充填されたシリコンゲルとを具備する半導体装置の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものといえる。
　そこで、本願補正発明２と引用発明とを対比すると、後者の「放熱板」、「電極」、「電極のケース上方に延びる部分」、「トランジスタモジュールのシリコンチップ」、「ケース」、「シリコンゲル」、「半導体装置」はそれぞれ、前者の「冷却ブロック」、「導電板」、「端子板」、「素子」、「カバー」、「ゲル状の絶縁体」、「半導体モジュール」に該当するので、両者は、「冷却ブロックの少なくとも片面に設けられた絶縁板と、この絶縁板の表面に設けられた導電板と、複数の端子板と、この導電板の表面に配設された素子と、前記冷却ブロックの少なくとも片面に設けられたカバーと、このカバーの内部に充填されたゲル状の絶縁体とを具備してなる半導体モジュール。」の点で一致し、次の点で相違する。
（イ）本願補正発明２の冷却ブロックが内部に流れる冷却水で冷却されるのに対して、引用発明の冷却ブロックは、下面に設けた金属パイプに流れる冷却液で冷却される点。
（ロ）本願補正発明２では、カバー内に配設される素子が複数のスイッチ素子及びダイオードであり、隣接する素子間にゲル状の絶縁体が充填されるのに対して、引用発明では、一個のシリコンチップがカバー内に配設され、該チップを覆うようにゲル状の絶縁体が充填される点。
（ハ）本願補正発明２では、端子板が導電板の対向側に平行に配設されるのに対して、引用発明では、そのように配設されていない点。
　　
（３−４）当審の判断                  
　上記相違点（イ）〜（ハ）について検討するに、半導体装置の冷却ブロックの内部に冷却水を流す構造のものは本願出願前周知であり（例えば、特開平４−２１５６号公報、実開平１−６３１４２号公報、特開昭６２−１０８５６０号公報参照）、引用発明の半導体装置の冷却ブロックを同様の構造とすることは、当業者が設計上適宜に採択できることである。
　また、複数のスイッチ素子及びダイオードをカバー内に隣接配設する半導体モジュールは本願出願前周知であるから（例えば、特開平３−１４５７５６号公報、実開昭６２−５２９９２号公報、特開昭６１−２１８１５１号公報参照）、同様の複数の素子を引用発明のカバー内に隣接配設して半導体モジュールを構成することは、当業者が設計上適宜に採択できるとともに、引用発明では、カバー内の素子を覆うようにゲル状の絶縁体を充填するのであるから、そのカバー内に隣接配設した複数の素子を覆うように該素子間に該絶縁体を充填することは、当業者が適宜に行えることである。
　また、半導体モジュールの導電板の対向側に平行に端子板を配設することは本願出願前周知であり（例えば、特開平３−１３６４１２号公報、実開昭６２−５２９９２号公報、特開昭６３−２７８２６４号公報、特開昭６１−２１８１５１号公報参照）、引用発明の半導体モジュールの端子板を同様に配設することは、当業者が設計上適宜に採択できることである。
　そして、本願補正発明２の構成全体によってもたらされる作用・効果について検討してみても、引用発明及び上記周知の技術から当業者が普通に予測できる程度のものであって、格別のものは見当らない。
　　
　したがって、本願補正発明２は、引用発明及び上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　
（４）むすび
　以上のとおりであるから、本件補正は特許法第１７条の２第４項で準用する同法第１２６条第３項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
 　　
［３］本願発明
　平成１２年８月２日付手続補正は上記のとおり却下されたので、本願請求項１〜５に記載された発明は、平成１２年５月９日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されたとおりの「半導体モジュール」にあるものと認められるところ、その請求項２に記載された発明（以下、「本願発明２」という。）は次のとおりである。
「内部に流れる冷却水で冷却される冷却ブロックの少なくとも片面に設けられた絶縁板と、この絶縁板の表面に設けられた導伝板と、この導伝板の表面に隣接配設された複数のスイッチ素子及びダイオードと、前記冷却ブロックの少なくとも片面に設けられたカバーと、このカバーの内部の前記スイッチ素子及びダイオードの間に充填されたゲル状の絶縁体とを具備してなる半導体モジュール。」
　　
［４］引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物（特開平２−２９１１５７号公報）に記載された事項は、上記［２］（３−２）に記載したとおりである。
　　
［５］対比・判断
　本願発明２に係る「導伝板」は、上記［２］において検討した本願補正発明２に係る「導電板」に該当し、本願発明２は、本願補正発明２における「この導電板の対向側に平行に配設された複数の端子板と、」の記載が除かれ、端子板について特定されない半導体モジュールとしたものに相当する。
　してみると、本願補正発明２は、本願発明２の構成を全て具備した上に、端子板について更に特定されたものといえるが、この補正発明２が、上記［２］（３−３）（３−４）で説示したとおり、上記引用刊行物に記載された引用発明及び本願出願前周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである以上、本願発明２も、端子板についての理由を除いた同様の理由により、引用発明及び本願出願前周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
［５］むすび
　以上のとおり、本願発明２は、引用発明及び本願出願前周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、上記のとおり本願発明２が特許を受けることができないため、本願の他の請求項１、３〜５に係る発明ついて検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。