【手続補正書】
【提出日】平成26年2月21日(2014.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）エレクトロクロミック基板を用意するステップと、
（ｂ）前記エレクトロクロミック基板を、１つ又は複数の基板ドーターパネルに切断するステップと、
（ｃ）前記１つ又は複数の基板ドーターパネルのそれぞれの上に、複数のエレクトロクロミックデバイス前駆体を製作するステップと、
（ｄ）前記複数のエレクトロクロミックデバイス前駆体のそれぞれを、個々のエレクトロクロミックデバイスに切断するステップと、
(ｅ）前記個々のエレクトロクロミックデバイスのそれぞれを、個別の外部積層体ガラス板に積層するステップと
を含み、
前記個々のエレクトロクロミックデバイスのそれぞれが、少なくとも約６０ＭＰａのエッジ強度を有する、エレクトロクロミックデバイス積層体の製造方法。
【請求項２】
前記複数のエレクトロクロミックデバイス前駆体のそれぞれがレーザ切断される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数のエレクトロクロミックデバイス前駆体のそれぞれが電熱切断によって切断される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記個々のエレクトロクロミックデバイスのそれぞれが、少なくとも約６９ＭＰａのエッジ強度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記個々のエレクトロクロミックデバイスのそれぞれが、少なくとも約７５ＭＰａのエッジ強度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記個々のエレクトロクロミックデバイスのそれぞれが、少なくとも約１００ＭＰａのエッジ強度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記個々のエレクトロクロミックデバイスが、少なくとも１つの寸法において前記外部積層体ガラス板よりも小さい、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記個々のエレクトロクロミックデバイスが、少なくとも１つの寸法において、前記外部積層体ガラス板に対して約０．５ｍｍから約３ｍｍにインデント加工がなされている、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記個々のエレクトロクロミックデバイスが、少なくとも１つの寸法において、前記外部積層体ガラス板に対して約１ｍｍから約２ｍｍにインデント加工がなされている、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記エレクトロクロミック基板および前記外部積層体ガラス板が、同じ材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記エレクトロクロミック基板が、約４ｐｐｍ／Ｋから約８ｐｐｍ／Ｋの範囲の熱膨張係数を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
少なくとも約６０ＭＰａのエッジ強度を有する基板を備える、請求項１に記載の方法で製造された、積層体。
【請求項１３】
（ａ）エレクトロクロミック基板を用意するステップと、
（ｂ）前記エレクトロクロミック基板上に複数のエレクトロクロミックデバイス前駆体を製作するステップと、
（ｃ）前記複数のエレクトロクロミックデバイス前駆体のそれぞれを、個々のエレクトロクロミックデバイスに切断するステップと、
(ｄ）前記個々のエレクトロクロミックデバイスのそれぞれを、個別の外部積層体ガラス板に積層するステップと
を含み、
前記個々のエレクトロクロミックデバイスのそれぞれが、少なくとも約６０ＭＰａのエッジ強度を有する、エレクトロクロミックデバイス積層体の製造方法。
【請求項１４】
前記複数のエレクトロクロミックデバイス前駆体のそれぞれがレーザ切断される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記複数のエレクトロクロミックデバイス前駆体のそれぞれが、電熱切断によって切断される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記個々のエレクトロクロミックデバイスのそれぞれが、少なくとも約６９ＭＰａのエッジ強度を有する、請求項１３２５に記載の方法。
【請求項１７】
前記個々のエレクトロクロミックデバイスのそれぞれが、少なくとも約７５ＭＰａのエッジ強度を有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
前記個々のエレクトロクロミックデバイスのそれぞれが、少なくとも約１００ＭＰａのエッジ強度を有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
前記個々のエレクトロクロミックデバイスが、少なくとも１つの寸法において前記外部積層体ガラス板よりも小さい、請求項１３に記載の方法。
【請求項２０】
前記個々のエレクトロクロミックデバイスが、少なくとも１つの寸法において、前記外部積層体ガラス板に対して約０．５ｍｍから約３ｍｍにインデント加工がなされている、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記個々のエレクトロクロミックデバイスが、少なくとも１つの寸法において、前記外部積層体ガラス板に対して約１ｍｍから約２ｍｍにインデント加工がなされている、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記エレクトロクロミック基板および前記外部積層体ガラス板が、同じ材料を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項２３】
前記エレクトロクロミック基板が、約４ｐｐｍ／Ｋから約８ｐｐｍ／Ｋの範囲の熱膨張係数を有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項２４】
少なくとも約６０ＭＰａのエッジ強度を有する基板を備える、請求項１３に記載の方法によって製造された、積層体。
【請求項２５】
（ａ）アニールされたガラス基板上にエレクトロクロミックスタックを備える、エレクトロクロミックデバイスと、
（ｂ）外部積層体ガラス板と、
（ｃ）前記エレクトロクロミックデバイスおよび前記外部積層体ガラス板の間に挟まれた中間層材料と
を備え、
前記個々のエレクトロクロミックデバイスのそれぞれが、少なくとも約６０ＭＰａのエッジ強度を有する、積層体。
【請求項２６】
前記エレクトロクロミックデバイスが、少なくとも約６９ＭＰａのエッジ強度を有する、請求項２５に記載の積層体。
【請求項２７】
前記エレクトロクロミックデバイスが、少なくとも約７５ＭＰａのエッジ強度を有する、請求項２５に記載の積層体。
【請求項２８】
前記エレクトロクロミックデバイスが、電熱切断によって調製される、請求項２５に記載の積層体。
【請求項２９】
前記エレクトロクロミックデバイスが、レーザ切断によって調製される、請求項２５に記載の積層体。
【請求項３０】
前記アニールされたガラス基板が、少なくとも１つの寸法において前記外部積層体ガラス板よりも小さい、請求項２５に記載の積層体。
【請求項３１】
前記アニールされたガラス基板が、少なくとも１つの寸法において、前記外部積層体ガラス板に対して約０．５ｍｍから約３ｍｍにインデント加工がなされている、請求項３０に記載の積層体。
【請求項３２】
前記アニールされたガラス基板が、少なくとも１つの寸法において、前記外部積層体ガラス板に対して約１ｍｍから約２ｍｍにインデント加工がなされている、請求項３０に記載の積層体。
【請求項３３】
前記より小さいアニールされたガラス基板の周辺が、少なくとも片側において、中間層材料および保護材料からなる群から選択される材料により取り囲まれている、請求項３０に記載の積層体。
【請求項３４】
前記アニールされたガラス基板が、レーザ切断によって調製されかつ少なくとも６９ＭＰａのエッジ強度を有する、請求項３０に記載の積層体。
【請求項３５】
前記エレクトロクロミックデバイスが、少なくとも約１００ＭＰａのエッジ強度を有する、請求項３０に記載の積層体。
【請求項３６】
前記エレクトロクロミックデバイスが、少なくとも約６９ＭＰａのエッジ強度を有する、請求項２８に記載の積層体。
【請求項３７】
前記エレクトロクロミックデバイスが、少なくとも約６９ＭＰａのエッジ強度を有する、請求項２９に記載の積層体。