【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年4月5日(2012.4.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化珪素に対してオーミック・コンタクトを生成する方法であって、
炭化珪素の表面上に、ニッケル及びシリコンのデポジット膜を、これら元素のいずれもの炭化珪素と反応する温度未満の温度において、前記デポジット膜におけるシリコンの原子分率が０．５０よりも大きく０．６７未満となるように形成するステップと、
前記ニッケル及びシリコンのデポジット膜を、化学式Ｎｉ１−ｘＳｉｘ（ただし、０．５＜ｘ＜０．６７）で表されるニッケル−シリコン化合物が形成される温度であるが、これら元素のいずれもの炭化珪素と反応する温度未満の温度で加熱するステップと、
前記ニッケル−シリコン化合物を、前記ニッケル及びシリコンのデポジット膜の加熱温度よりも高い温度であって、自由炭素が存在しない状態図の領域において、アニールするステップと
を備えていることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、前記ニッケル及びシリコンのデポジット膜を加熱するステップは、２００〜５００℃の間の温度で実行されることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法において、前記アニールするステップは、５００〜８５０℃の間の温度で実行されることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、前記ニッケル及びシリコンのデポジット膜を形成するステップは、前記ニッケル及びシリコンのデポジット膜においてシリコンの原子分率の方が大きくなるようなそれぞれの割合に基づく厚さで、ニッケルの層及びシリコンの層をデポジットすることを含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法において、前記ニッケル及びシリコンのデポジット膜を形成するステップは、前記ニッケル及びシリコンのデポジット膜においてシリコンの原子分率の方が大きくなるようなそれぞれの割合に基づく厚さで、複数のニッケル層及び複数のシリコン層をデポジットすることを含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項４又は５記載の方法において、前記ニッケル及びシリコンのデポジット膜を形成するステップは、シリコン層の厚さのニッケル層の厚さに対する比率が約１．８１：１〜３．６５：１の間となるように、前記ニッケル及びシリコンをデポジットすることを含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項４記載の方法において、前記ニッケル及びシリコンのデポジット膜を形成するステップは、前記炭化珪素面上に前記シリコン層をデポジットし、その後前記シリコン層の上に前記ニッケル層をデポジットすることを含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１記載の方法において、前記ニッケル及びシリコンのデポジット膜を形成するステップは、前記炭化珪素面上に、前記ニッケル及びシリコンを所望の割合で、ニッケル−シリコン層をスパッタ・デポジットすることを含むことを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１記載の方法において、前記ニッケル及びシリコンのデポジット膜を形成するステップは、ドープした炭化珪素面上に、前記デポジット膜を形成するステップを備えていることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１記載の方法において、前記ニッケル及びシリコンのデポジット膜を形成するステップは、炭化珪素のバルク単結晶及び炭化珪素のエピタキシャル層から成る群から選択した炭化珪素の表面上に、前記デポジット膜を形成するステップを備えていることを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１記載の方法において、前記ニッケル及びシリコンのデポジット膜を形成するステップは、炭化珪素の４Ｈ及び６Ｈポリタイプから成る群から選択したポリタイプを有する炭化珪素の表面上に、前記デポジット膜を形成するステップを備えていることを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１記載の方法において、前記デポジット膜における前記シリコンの原子分率が１／２より大きく２／３未満であり、前記ニッケル−シリコン化合物が化学式Ｎｉ１−ｘＳｉｘ（ただし、１／２＜ｘ＜２／３）で表されることを特徴とする方法。
【請求項１３】
半導体構造であって、
炭化珪素の層と、
前記炭化珪素層の上にあり、オーミック特質を呈するコンタクトであって、化学式Ｎｉ１−ｘＳｉｘを有する組成で形成され、０．５＜ｘ＜０．６７である、オーミック・コンタクトと
を備えていることを特徴とする半導体構造。
【請求項１４】
請求項１３記載の半導体構造において、前記オーミック・コンタクトは、化学式Ｎｉ０．４８Ｓｉ０．５２を有することを特徴とする半導体構造。
【請求項１５】
請求項１３記載の半導体構造において、前記炭化珪素は、炭化珪素の４Ｈ及び６Ｈポリタイプから成る群から選択したポリタイプを有することを特徴とする半導体構造。
【請求項１６】
請求項１３記載の半導体構造において、前記炭化珪素は、エピタキシャル層又はバルク単結晶から成ることを特徴とする半導体構造。
【請求項１７】
請求項１３記載の半導体構造において、前記炭化珪素は、ｐ型又はｎ型であることを特徴とする半導体構造。
【請求項１８】
請求項１３記載の半導体構造であって、前記オーミック・コンタクトの抵抗率が１０−３〜１０−５オーム−ｃｍ２の間であることを特徴とする半導体構造。
【請求項１９】
請求項１３記載の半導体構造であって、前記オーミック・コンタクトの抵抗率が１０−５〜１０−７オーム−ｃｍ２の間であることを特徴とする半導体構造。
【請求項２０】
請求項１３記載の半導体構造において、
該半導体構造は更に、前記オーミック・コンタクト上のメタライゼーション層を備えており、
前記オーミック・コンタクトの抵抗率が少なくとも１０−４オーム−ｃｍ２である
ことを特徴とする半導体構造。
【請求項２１】
請求項２１記載の半導体構造において、前記オーミック・コンタクトの抵抗率が、１０−５〜１０−６オーム−ｃｍ２の間であることを特徴とする半導体構造。
【請求項２２】
請求項１３記載の半導体構造において、
前記オーミック・コンタクトは、ｎ型炭化珪素面上のオーミック・コンタクトであり、前記オーミック・コンタクトの比接触抵抗が、３×１０−６〜４×１０−６オーム−ｃｍ２の間であることを特徴とする半導体構造。
【請求項２３】
請求項２２記載の半導体構造において、前記オーミック・コンタクトの比接触抵抗が３．４×１０−６オーム−ｃｍ２であり、比接触抵抗の標準偏差が１．４×１０−７であり、ＴＬＭモデルに対するＲ二乗適合性が０．９９９９９となることを特徴とする半導体構造。
【請求項２４】
請求項１３記載の半導体構造において、
前記オーミック・コンタクトは、ｐ型炭化珪素面上のオーミック・コンタクトであり、前記オーミック・コンタクトの比接触抵抗が、２×１０−３〜３×１０−３オーム−ｃｍ２の間であることを特徴とする半導体構造。
【請求項２５】
請求項２４記載の半導体構造において、前記オーミック・コンタクトの比接触抵抗が２．４×１０−３オーム−ｃｍ２であり、比接触抵抗の標準偏差が１．０×１０−４であり、ＴＬＭモデルに対するＲ二乗適合性が０．９９９８５となることを特徴とする半導体構造。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
本発明は、従来技術を検討しこれを改良している、炭化珪素にオーミック・コンタクトを生成する方法である。この方法は、いずれの元素（ニッケル又はシリコン）であっても該元素が炭化珪素と反応する温度未満の温度において、ニッケル及びシリコンの膜を炭化珪素上にデポジット（堆積）することを含み、ニッケル及びシリコンそれぞれの割合が、デポジットした膜におけるシリコンの原子分率がニッケルの原子分率よりも大きくなるようにする。このような組成を「シリコン・リッチ（シリコン高濃度）」であると呼ぶことができる。次いで、本方法は、シリコンの原子分率がニッケルの原子分率よりも大きくなるようにニッケル−シリコン（ニッケル珪化物）化合物を形成する温度であって、いずれの元素であっても該元素が炭化珪素と反応する温度未満の温度で、デポジットしたニッケル及びシリコンの膜を加熱する。
追加の利点として、得られたコンタクトのオーミック特性は、第２の、更に高い温度のアニール工程を実行することによって高めることができる。これについては後に更に詳しく説明する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
したがって、図３が示すように、シリコン（原子量＝２８．１）の原子百分率は、重量百分率が約３２％よりも大きいときには、５０％よりも大きくなる（ニッケルの原子量は５８．７である）。同様に、約６７％のシリコンの原子百分率において開始して（ニッケル原子１つ当たり２つのシリコン原子として理解することが適当である）、これらの元素は化合物ＮｉＳｉ２を形成する。この化合物は、シリコン・リッチであるが、炭化珪素の４Ｈ又は６Ｈポリタイプに対して必ずしも低抵抗のオーミック・コンタクトを形成するのではない。
同様に、５０重量百分率シリコン未満のニッケル及びシリコンの組成では、オーミック・コンタクトを形成するが、背景技術において明記した問題を生ずる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
オーミック・コンタクトは、炭化珪素のバルク単結晶又は炭化珪素のエピタキシャル層に形成することが最も一般的であるが、適した炭化珪素面であれば、その他のいずれにでも追加することができる。同様に、ニッケル−シリコン系は、４Ｈ又は６Ｈポリタイプのいずれかを有する炭化珪素と共に用いることが好ましいという性質がある。４Ｈ  ＳｉＣへのコンタクトの例を、本明細書の実験の章において記述する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
図６は、本実施形態を示し（この場合も、同一拡縮率ではない）、炭化珪素１０、オーミック・コンタクト１３、及びオーミック・コンタクト１３に隣接してＳｉＣ１０内に相互作用ゾーン１４を備えている。相互作用ゾーン１４は、ニッケル−シリコン組成が勝る領域を表し、これによってグラファイトの形成を極力抑えるか、又は排除する。
この実施形態でも、オーミック・コンタクトを、４Ｈ又は６Ｈポリタイプの炭化珪素に対して形成し、炭化珪素のエピタキシャル層又はバルク単結晶層に対して形成することが最も通例である。先に注記したように、そして実験の章でも更に説明するが、本発明は、ｐ型及びｎ型炭化珪素に対してオーミック特性を生成する。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
約２００〜５００℃の間の温度範囲は、シリコン及びニッケル膜間に十分な拡散を生じさせるのには十分高いが、この温度は、ニッケル又はシリコンと炭化珪素面との間で、何らかの有意な反応が生じるよりも低い温度である。
ニッケル−シリコン二元状態図（図３）によれば、シリコン・リッチのニッケル珪化物は、これらの条件の下においてシリコン及びニッケル薄膜間の反応によって生ずるはずである。このシリコン・リッチのニッケル珪化物膜は、ドープした炭化珪素面上においてオーミック挙動を呈する。得られるオーミック・コンタクトの典型的な抵抗率は、ｐ型コンタクトでは約１０−３オーム−ｃｍ２であり、ｎ型コンタクトでは約１０−５オーム−ｃｍ２である。これは、多数の現在及び今後の電子用途に適していると考えられ、したがって、意図する半導体デバイスの金属に対する金属相互接続のデポジット以外には、コンタクトの処理はこれ以上必要ない。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
４Ｈ ＳｉＣ ｎ型材料上における本発明によるシリコン・リッチのニッケル珪化物のオーミック・コンタクトは、３．４×１０−６オーム−ｃｍ２の比接触抵抗を呈し、標準偏差は１．４×１０−７、そして伝送線モデル（ＴＬＭ）に対する「Ｒ二乗」(R-squared)適合性が０．９９９９９となる。
４Ｈ ＳｉＣ ｐ型材料上における本発明によるシリコン濃厚ニッケル珪化物のオーミック・コンタクトは、２．４×１０−６オーム−ｃｍ２の比接触抵抗を呈し、標準偏差は１．０×１０−４、そして伝送線モデル（ＴＬＭ）に対する「Ｒ二乗」適合性が０．９９９８５となる。
このように、ｐ型材料に対するコンタクトは、ｎ型材料に対するコンタクトよりもいくらか抵抗が高いが、オーム的挙動を必要とする用途には有用であるが、必ずしも接触抵抗が低いとは限らない。