(57)【要約】【課題】挿入損失が良好であり、平衡型として動作可能で、通過帯域幅の広い弾性表面波フィルタ、さらには、帯域外減衰量も向上できる優れた弾性表面波フィルタを提供すること。【解決手段】圧電基板１上に、複数の電極指から成る櫛歯状電極を備えたＩＤＴ電極の複数（２，３，４，２）を直列に接続して成る複数モードのＳＡＷ共振子Ｓを１以上備えた弾性表面波フィルタとしている。ＳＡＷ共振子Ｓの中央部に位置し、且つ互いに噛み合わないＩＤＴ電極３，４において、任意の電極指の中心から隣の電極指の中心までの平均距離が他の領域と異なる領域５，６が形成されている。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極指から成る櫛歯状電極を備えたＩＤＴ電極の複数を直列に接続して成る複数モードのＳＡＷ共振子を１以上備えた弾性表面波フィルタであって、前記ＳＡＷ共振子の中央部に位置し、且つ互いに噛み合わないＩＤＴ電極において、任意の電極指の中心から隣の電極指の中心までの平均距離が他の領域と異なる領域が形成されていることを特徴とする弾性表面波フィルタ。
【請求項２】
複数の電極指から成る櫛歯状電極を有し、且つ通過帯域減衰量を向上させるための単一モードのＳＡＷ共振子を複数備えるとともに、前記複数モードのＳＡＷ共振子が、前記単一モードのＳＡＷ共振子の複数のそれぞれと接続されていることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項３】
前記複数モードのＳＡＷ共振子が複数段接続されていることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項４】
前記複数の単一モードのＳＡＷ共振子において、任意の電極指の中心から隣の電極指の中心までの平均距離が他の領域と異なる領域が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の弾性表面波フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、圧電基板上に平衡入力または平衡出力を行う平衡信号電極と、不平衡出力または不平衡入力を行う不平衡信号電極とを備えて成る共振器型の弾性表面波フィルタに関するものである。
【０００２】
【従来技術とその課題】
近年、移動体通信機器等の小型・軽量化および低コスト化のために、使用部品の削減が進められ、弾性表面波フィルタに新たな機能の付加が要求されてきている。その１つに不平衡入力−平衡出力型または平衡入力−不平衡出力型に構成できるようにするといった要求がある。ここで平衡入力または平衡出力とは、信号が２つの信号線路間の電位差として入力または出力するものをいい、各信号線路の信号は振幅が等しく、位相が逆相になっている。これに対して、不平衡入力または不平衡出力とは、信号がグランド電位に対する１本の線路の電位として入力または出力するものをいう。
【０００３】
従来の弾性表面波フィルタは、一般的に不平衡入力−不平衡出力型弾性表面波フィルタ（以下、不平衡型弾性表面波フィルタという）であるため、弾性表面波フィルタの後段に接続される回路や電子部品が平衡入力型となっている場合は、弾性表面波フィルタと後段との間に、不平衡−平衡変換器（以下、バランともいう）を挿入した回路構成を採っていた。同様に弾性表面波フィルタ前段の回路や電子部品が平衡出力型となっている場合は、前段と弾性表面波フィルタとの間にバランを挿入した回路構成となっていた。
【０００４】
現在、バランを削除するために、弾性表面波フィルタに不平衡−平衡変換機能または平衡−不平衡変換機能を持たせた、不平衡入力−平衡出力型弾性表面波フィルタまたは平衡入力−不平衡出力型弾性表面波フィルタ（以下、平衡型弾性表面波フィルタという）の実用化が進められている。
【０００５】
例えば、複数個並設したＩＤＴ（（Ｉｎｔｅｒ　Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極の弾性表面波伝搬路の両端に、弾性表面波を効率よく共振させるための反射器電極が設けられた共振器型電極パターンにおいて、通過帯域内での振幅と位相の平衡度の向上が求められている。ここで、振幅と位相の平衡度とは、信号が２つの信号線路間の電位差として入力または出力するもので、各信号線路の信号の振幅の大きさが等しいほど振幅の平衡度が優れており、また、各信号の位相の差が１８０°に等しいほど位相の平衡度が優れているといえる。
【０００６】
図６に従来までの平衡入出力に対応した共振器型弾性表面波フィルタを示す。圧電基板１０１上に配置させたＩＤＴ電極１０２は、一対の互いに対向させた櫛歯状電極に電界を加え、弾性表面波を励振させるものである。その原理により、ＩＤＴ電極１０２に入力信号を加えることで、励振された弾性表面波がＩＤＴ電極１０２の両側に位置する、出力信号用のＩＤＴ電極１０３，１０４に伝搬される。ＩＤＴ電極１０３、１０４の一方の櫛状電極から出力信号端子１１３、他方から出力信号端子１１５へ信号が伝わり平衡出力される。また、単一モードのＳＡＷ共振子１１６を付加することによりフィルタ特性の帯域外減衰量の向上ができる構成となっている。
【０００７】
上記のような共振器型弾性表面波フィルタでは、ＩＤＴ電極１０３、１０４の対向する櫛状電極の電極本数、配置された位置、または、寄生容量を発生させる要因となる周辺の電極パターンなど構造が異なるために、出力信号端子１１３、１１５に伝わる信号が互いに振幅が異なり、また位相が逆相からずれてしまい、その結果、平衡度の劣化した共振器型弾性表面波フィルタしか得られなかった。
【０００８】
近年、弾性表面波フィルタは各種通信機器の小形化、無調整化に一役を担っている。そして、通信機器の高周波数化、高機能化の進展にともない、弾性表面波フィルタの広帯域化の要求が益々増大してきている。例えば、９００ＭＨｚ帯携帯電話用のフィルタとしては、実効通過帯域幅３５ＭＨｚ以上（比帯域幅約３．７％以上）の高性能な広帯域フィルタが要求されている。なお、比帯域幅ＢＲは、ＢＲ＝ＢＷ／ｆｃ（ＢＷは帯域内挿入損失が３ｄＢにおける通過帯域幅、ｆｃは帯域内挿入損失が３ｄＢにおける通過帯域の中心周波数）であらわすことができる。
【０００９】
このような広帯域化を実現するために、従来、様々な方法が提案されている。例えば、３個のＩＤＴ電極（１対の櫛歯状電極を互いに対向させた電極）を設け、縦１次モードと縦３次モードを利用した、いわゆる２重モード弾性表面波共振子フィルタ（以下、共振器型フィルタともいう）が知られている。
【００１０】
図６に示すように、両端に位置する反射器電極１０７により弾性表面波が反射され、反射器電極１０７，１０７間で定在波となる。この定在波のモードには、３つのＩＤＴ電極により１次モードとその高次（３次）モードが含まれる。これらのモードで発生する共振周波数で通過特性が得られるため、共振周波数の間隔を制御することにより、通過帯域を広くさせることができる。なお、図中、１０５，１０６はＩＤＴ電極間部位、１０８はＩＤＴ電極と反射器電極間部位、１１１は入力信号端子、１１２は接地端子、１１３，１１５は出力信号端子である。
【００１１】
従来、このモード間の周波数制御に、全てのＩＤＴ電極を同じピッチＬにし、かつ、中央およびその両側に位置するＩＤＴ電極の端部（ＩＤＴ電極間部位）１０５，１０６における電極指中心間の間隔ｄの制御により、前記のモード間の周波数を制御する方法がとられていた。また、出力信号用のＩＤＴ電極に容量を付加して周波数を制御していた。
【００１２】
このため、従来の２重モード弾性表面波共振器フィルタでは、例えば圧電基板としてＬｉＴａＯ３単結晶の基板を用いた場合、比帯域幅（中心周波数に対する通過帯域幅の値）は０．４０％程度（特開平１−２３１４１７号公報を参照）、または高々２％程度しか得られていなかった（特開平４−４０７０５号公報を参照）。また、最大の帯域幅で３．７％が実現されているが（特開平７−５８５８１号公報を参照）、前記したように、システムの占有帯域幅の比率が３．７％であるため、フィルタとしては温度変動と作製時のばらつき変動の周波数分が必要であることから、広い通過帯域幅が要求されている携帯電話等の通信機器への適用には問題があった。
【００１３】
また、近年の携帯電話は例えば９００ＭＨｚ帯と１８００ＭＨｚ帯、１８００ＭＨｚ帯と１９００ＭＨｚ帯などのように複数の通話システムを使い分ける機能が追加されている。そのため、各仕様が他仕様に干渉するのを防止するために他の通話システムで使用している周波数帯の減衰量を向上させることが新たに要求されてきている（例えば欧州用の１８００ＭＨｚ帯（１８４２．５ＭＨｚ）と北米の１９００ＭＨｚ帯（１９６０ＭＨｚ）の両用携帯電話を例にとると、１８００ＭＨｚフィルタは１９２０ＭＨｚや１９８０ＭＨｚ付近の帯域外減衰量の向上が求められている）。従来のフィルタでは、帯域外減衰量の向上に単一モードのＳＡＷ共振子を１つ使用しているが、全ての帯域外減衰量を向上させることは非常に困難であり、今後需要が伸びていく複数の通話システムを使い分ける携帯電話等の通信機器への適用には問題があった。
【００１４】
そこで本発明は、平衡型として動作可能で挿入損失が良好であり、通過帯域幅の広い弾性表面波フィルタ、さらには、複数の通話システムを使い分けるために帯域外減衰量も向上できるという、優れた弾性表面波フィルタを提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の共振器型の弾性表面波フィルタは、複数の電極指から成る櫛歯状電極を備えたＩＤＴ電極の複数を直列に接続して成る複数モードのＳＡＷ共振子を１以上備えた弾性表面波フィルタであって、前記ＳＡＷ共振子の中央部に位置し、且つ互いに噛み合わないＩＤＴ電極において、任意の電極指の中心から隣の電極指の中心までの平均距離が他の領域と異なる領域が形成されていることを特徴とする。
【００１６】
また、上記構成において、複数の電極指から成る櫛歯状電極を有し、且つ通過帯域減衰量を向上させるための単一モードのＳＡＷ共振子を複数備えるとともに、前記複数モードのＳＡＷ共振子が、前記単一モードのＳＡＷ共振子の複数のそれぞれと接続されていることを特徴とする。また、前記複数モードのＳＡＷ共振子が複数段接続されていることを特徴とする。さらに、前記複数の単一モードのＳＡＷ共振子において、任意の電極指の中心から隣の電極指の中心までの平均距離が他の領域と異なる領域が形成されていることを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を模式的に図示した図面に基づいて詳細に説明する。
【００１８】
図１に本発明に係る弾性表面波フィルタの平面図を示す。圧電基板１上に、複数の電極指から成る櫛歯状電極を備えたＩＤＴ電極の複数（２，３，４，２）を直列に接続して成る複数モードのＳＡＷ共振子Ｓを１以上備えた弾性表面波フィルタとしている。ＳＡＷ共振子Ｓの中央部に位置し、且つ互いに噛み合わないＩＤＴ電極３，４において、任意の電極指の中心から隣の電極指の中心までの平均距離が他の領域と異なる領域５，６が形成されている。さらに、複数モードのＳＡＷ共振子Ｓは複数の単一モードのＳＡＷ共振子２１，２２のそれぞれに接続されている。ここで、単一モードのＳＡＷ共振子２１，２２は、複数の電極指から成る櫛歯状電極を有し且つ通過帯域減衰量を向上させるためのものである。
【００１９】
具体的には、不平衡信号電極であるＩＤＴ電極３，４および平衡信号電極であるＩＤＴ電極２を複数配置させ、その両端に反射器電極７を載置させることは、従来構造と同様であるが、本発明の構造では、ＳＡＷ共振子Ｓの中央部に位置し、且つ互いに噛み合わないＩＤＴ電極３，４において、任意の電極指の中心から隣の電極指の中心までの平均距離が他の領域と異なる領域５，６を形成させることで異なるモードを発生させることにより、振幅および位相バランスを制御するようにしている。なお、ＩＤＴ電極２，３，４および反射器電極７の電極指の本数は数本〜数１００本にもおよぶため、その形状を簡略化して図示している。以下、弾性表面波フィルタを示す図面においては、全て同様に簡略化して図示するものとする。
【００２０】
ここで、３種類のＩＤＴ電極２〜４のうち、中央に配置されたＩＤＴ電極３、４は不平衡入力用または不平衡出力用のＩＤＴ電極であり、その両端に配置されたＩＤＴ電極２はそれぞれ平衡入力用または平衡出力用のＩＤＴ電極である。出力用のＩＤＴ電極を形成している１対の電極のうち、一方を出力１とすると、他方が出力１に対して振幅が同じ大きさで位相が逆相になっている出力２となり、平衡型の動作を行う。
【００２１】
上述のように電極指間の平均距離が異なる領域をＳＡＷ共振子の中央部に形成させることで帯域幅の制御をすることができ、さらにその領域を３種類のＩＤＴ電極における中央に配置されたＩＤＴ電極３，４に形成することにより低挿入損失を維持しながら、帯域を広げられることがわかった。特に、周波数が１９２０ＭＨｚ〜１９８０ＭＨｚにおける減衰量の関係から上記電極指の平均距離の相違は０．９〜４．８％程度が最も好ましいことも判明した。
【００２２】
また、ＳＡＷ共振子を接続することで減衰極を形成することができ、電極指周期を調整することにより要求される仕様を満たすように特性を制御できることが判明した。さらに複数の共振子の電極周期を異なるように設計することにより減衰量を複数形成、制御することができ、さらに高度に要求される仕様を満たす設計ができることが判明した。
【００２３】
次に、本発明の電極構成の変形例を図２〜５に示す。なお、図１と同様な構成については説明を省略するものとする。
【００２４】
図２は複数モードのＳＡＷ共振子の前段に単一モードのＳＡＷ共振子２３，２４を設けたものであり、ＩＤＴ電極（共振子）を直列に２個、並列に２列、計４個接続した弾性表面波フィルタである。上記構造により、ファイル特性の帯域外減衰量の減衰極を移動させることが可能になり、減衰特性を容易に設計することができ、図１の構造より単一モードのＳＡＷ共振子を多く設けていることから通過帯域減衰量の制御性を高めることができる。
【００２５】
図３は共振器型フィルタの前段に図１と同様にＳＡＷ共振子を並列に２個、後段の各出力線路に対しＳＡＷ共振子２５，２６を直列に１個ずつ、計４個接続した弾性表面波フィルタである。上記構造により、ファイル特性の帯域外減衰量の減衰極を移動させることが可能になり、減衰特性を容易に設計することができ、図１と同様な効果を奏することができる。
【００２６】
図４は複数モードのＳＡＷ共振子Ｓの後段に、図２と同様にしてＳＡＷ共振子２７，２８を直列に２個、並列に２列、計４個接続した弾性表面波フィルタである。上記構造により、ファイル特性の帯域外減衰量の減衰極を移動させることが可能になり、減衰特性を容易に設計することができ、通過帯域内特性を高めることができる。
【００２７】
図５は共振器型フィルタを複数段（この例では２段）接続した弾性表面波フィルタである。不平衡信号電極であるＳＡＷ共振子９１へ不平衡信号が入力され、ＳＡＷ共振子９２から不平衡信号が出力される。上記構造によりフィルタ特性の帯域外減衰量を大きく向上させることができ、図４の場合より通過帯域外減衰量の制御性を高めることができる。
【００２８】
なお、図１においては弾性表面波フィルタを１セクションの共振器で構成したが、これに限定されるものではなく、共振器を２個以上縦続接続した弾性表面波フィルタやＩＤＴ電極を５個以上並べた弾性表面波フィルタにおいても本発明を適用することができる。
【００２９】
また、図２、３、４、５の弾性表面波フィルタの電極構造においてもこれに限定されるものではなく、２つの反射器電極の間に少なくとも３つのＩＤＴ電極を配するとともに、これら３つのＩＤＴ電極のうち中央に位置するＩＤＴ電極を不平衡入力部または不平衡出力部とし、かつ両端に位置するＩＤＴ電極を平衡出力部または平衡入力部としたものであれば、多数段に構成したりすることもできる。
【００３０】
また、弾性表面波フィルタ用の圧電基板１として、３６°±３°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム単結晶、４２°±３°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム単結晶、６４°±３°ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム単結晶、４１°±３°ＹカットＸ伝搬リチウム単結晶、４５°±３°ＸカットＺ伝搬四ホウ酸リチウム単結晶は電気機械結合係数が大きく、かつ、周波数温度係数が小さいため圧電基板として好ましい。圧電基板の厚みは０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度がよく、０．１ｍｍ未満では圧電基板がもろくなり、０．５ｍｍ超では材料コストと部品寸法が大きくなり、使用できない。
【００３１】
また、ＩＤＴ電極２，３，４は、ＡｌもしくはＡｌ合金（Ａｌ−Ｃｕ系、Ａｌ−Ｔｉ系）からなり、蒸着法、スパッタ法、またはＣＶＤ法などの薄膜形成法により形成する。電極厚みは０．１μｍ〜０．５μｍ程度とすることが弾性表面波フィルタとしての特性を得るうえで好適である。
【００３２】
さらに、本発明に係る弾性表面波フィルタの電極および圧電基板上の弾性表面波伝搬部にＳｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３を保護膜として形成して、導電性異物による通電防止や耐電力向上を行ってもかまわない。
【００３３】
【実施例】
本発明に係る弾性表面波フィルタを具体的に試作した実施例について説明する。
【００３４】
３８．７°ＹカットのＬｉＴａＯ３単結晶の圧電基板上に、図１に示すようなＡｌ（９９重量％）−Ｃｕ（１重量％）による微細電極パターンを形成した。ＩＤＴ電極２の対数は１６対、ＩＤＴ電極３，４の対数は１１対、電極の周期はＩＤＴ電極２，３，４ともに１．０６μｍ、ＩＤＴ電極２−３間または２−４間のＩＤＴ電極の端部における電極指中心間の間隔ｄは０．９μｍとした。パターン作製には、スパッタリング装置、縮小投影露光機（ステッパー）、およびＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置によりフォトリソグラフィを行った。
【００３５】
まず、基板材料をアセトン・ＩＰＡ等によって超音波洗浄し、有機成分を落とした。次に、クリーンオーブンによって充分に基板乾燥を行った後、電極の成膜を行った。電極の成膜にはスパッタリング装置を使用し、Ａｌ−Ｃｕ１ｗｔ％合金から成る材料を用いた。このときの電極膜厚は約０．２μｍとした。
【００３６】
次に、フォトレジストを約０．５μｍの厚みにスピンコートし、縮小投影露光装置（ステッパー）により、所望形状にパターニングを行ない、現像装置にて不要部分のフォトレジストをアルカリ現像液で溶解させ、所望パターンを表出した後、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置により電極膜のエッチングを行ないパターンニングを終了し、梯子型弾性表面波フィルタを構成する弾性表面波共振器の電極パターンを得た。
【００３７】
この後、前記電極の所定領域上に保護膜を作製した。すなわち、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置により、電極パターンおよび圧電基板上にＳｉＯ２を約０．０２μｍの厚みに形成した。その後、フォトリソグラフィによってフォトレジストのパターニングを行ない、ＲＩＥ装置等でフリップチップ用窓開け部のエッチングを行った。その後、スパッタリング装置を使用し、Ａｌを主体とする電極を成膜した。このときの電極膜厚は約１．０μｍとした。その後、フォトレジストおよび不要箇所のＡｌをリフトオフ法により同時に除去し、フリップチップ用バンプを形成するパッドを完成した。
【００３８】
次に、上記パッドにＡｕからなるフリップチップ用バンプをバンプボンディング装置を使用し形成した。バンプの直径は約８０μｍ高さは約３０μｍである。
【００３９】
次に、基板をダイシング線に沿ってダイシング加工を施し、チップごとに分割した。その後、各チップをフリップチップ実装装置にて電極形成面を下面にしてパッケージ内に接着した。その後、Ｎ２雰囲気中でベークを行い、弾性表面波フィルタを完成した。パッケージは１．６×１．４ｍｍ角の積層構造のものを用いた。
【００４０】
比較用サンプルとして、図６に示すような微細電極パターンも上記と同様な工程で作製を行った。ＩＤＴ電極１０２の対数は１６対、ＩＤＴ電極１０３，１０４の対数は１１対、電極の周期はＩＤＴ電極１０２，１０３，１０４ともに１．０６μｍ、ＩＤＴ電極１０２−１０３間または１０２−１０４間のＩＤＴ電極の端部における電極指中心間の間隔ｄは０．９μｍとした。
【００４１】
次に、本実施例における弾性表面波フィルタの特性測定を行った。０ｄＢｍの信号を入力し、周波数１６４２．５ＭＨｚ〜２０４２．５ＭＨｚ、測定ポイント数８０１ポイントの条件にて測定した。サンプル数は３０個、測定機器はアジレント・テクノロジー社製マルチポート・ネットワークアナライザＥ５０７１Ａである。
【００４２】
通過帯域近傍の周波数特性グラフを図７、８に示す。ここで、図７はフィルタの伝送特性を表す挿入損失の周波数依存性および反射信号の大きさを評価する比率ＶＳＷＲ（Ｖｏｌｔａｇｅ　Ｓｔａｎｄｉｎｇ　Ｗａｖｅ　Ｒａｔｉｏ）の周波数依存性を示すグラフである。
【００４３】
本発明品のフィルタ特性は非常に良好であった。図７に示すように、通過帯域内１８０５ＭＨｚ〜１８８０ＭＨｚの挿入損失は約±２．５ｄＢ以下であり、１９２０〜１９８０ＭＨｚ帯の減衰量は約２５ｄＢ以上、１９８０〜２４００ＭＨｚ帯の減衰量は約２８ｄＢ以上であった。これに対して、比較サンプルとして作製した従来構造の弾性表面波フィルタは、図８に示すとおり、通過帯域内１８０５ＭＨｚ〜１８８０ＭＨｚの挿入損失は約±２．４ｄＢ以下であり、１９２０〜１９８０ＭＨｚ帯の減衰量は約１８ｄＢ以上、１９８０〜２４００ＭＨｚ帯の減衰量は約２１ｄＢ以上であった。挿入損失は従来と変化なく、帯域外減衰量はそれぞれ約７ｄＢの改善が見られた。
【００４４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の弾性表面波フィルタによれば、複数の電極指から成る櫛歯状電極を備えたＩＤＴ電極の複数を直列に接続して成る複数モードのＳＡＷ共振子を１以上備えた弾性表面波フィルタであって、前記ＳＡＷ共振子の中央部に位置し、且つ互いに噛み合わないＩＤＴ電極において、任意の電極指の中心から隣の電極指の中心までの平均距離が他の領域と異なる領域が形成されているので、異なるモードの好適な発生により振幅および位相バランスを制御するようにし、挿入損失が良好であり、平衡型として動作可能で通過帯域幅の広い弾性表面波フィルタ、さらには、帯域外減衰量も向上できる優れた弾性表面波フィルタを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の弾性表面波フィルタの構成例を模式的に示す平面図である。
【図２】本発明の弾性表面波フィルタの単一モードのＳＡＷ共振子と複数モードのＳＡＷ共振子の構成例を模式的に示す平面図である。
【図３】本発明の弾性表面波フィルタの単一モードのＳＡＷ共振子と複数モードのＳＡＷ共振子の構成例を模式的に示す平面図である。
【図４】本発明の弾性表面波フィルタの単一モードのＳＡＷ共振子と複数モードのＳＡＷ共振子の構成例を模式的に示す平面図である。
【図５】本発明の弾性表面波フィルタの複数モードのＳＡＷ共振子を２段接続したときの構成例を模式的に示す平面図である。
【図６】従来の弾性表面波フィルタの構成例を示す平面図である。
【図７】本発明の弾性表面波フィルタにおける通過帯域近傍の周波数特性を示すグラフである。
【図８】従来の弾性表面波フィルタにおける通過帯域近傍の周波数特性を示すグラフである。
【符号の説明】
１　：圧電基板
２，３，４　：ＩＤＴ電極
５，６　：ＩＤＴ電極間部位
７　：反射器電極
８　：ＩＤＴ電極と反射器電極間部位
１１　：入力信号端子
１２　：接地端子
１３，１５　：出力信号端子
Ｓ　：複数モードのＳＡＷ共振子
【図１】
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【図２】
2004096349.tif 000004
【図３】
2004096349.tif 000005
【図４】
2004096349.tif 000006
【図５】
2004096349.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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