(57)【要約】【課題】　液晶の注入速度を速めて注入時間を短縮し、生産性を向上させることができ、大型の液晶表示装置を実現可能な液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置を提供する。【解決手段】　対向基板１１上に画素電極１４とＴＦＴ素子１３と信号配線１２とを設け、少なくとも表示部３１となる位置の透明基板２０上に透明層１０を設け、画素電極１４が形成された面と透明層１０が形成された面とを対向させて対向基板１１と透明基板２０とを貼り合せ、前記２枚の基板間に液晶を注入して液晶層１７を形成し、液晶表示装置１を製造する。液晶を注入する際、ＴＦＴ素子１３および信号配線１２が設けられる非表示部３０においても液晶の流動経路を確保することができるので、液晶の注入速度を速めて注入時間を短縮し、生産性を向上させることができる。また大型の液晶表示装置の製造が可能になる。【選択図】　　　図１
2004139029.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　一方の表面上に、液晶を駆動するために設けられる複数の画素電極、前記画素電極毎に設けられ前記画素電極の電位を制御する複数の駆動素子および前記駆動素子に電気的に接続される配線を有する第１基板と、
　前記第１基板の前記画素電極が設けられる面を臨み前記第１基板に対向して設けられる第２基板と、
　前記第１基板と前記第２基板との間に液晶が注入されてなる液晶層とを備える液晶表示装置において、
　前記第１基板に前記駆動素子および前記配線が設けられる部分であって表示に使用されない部分である非表示部と、前記非表示部以外の部分であって表示に使用される部分である表示部とのうち、
　少なくとも前記表示部に対応する前記第２基板の前記第１基板を臨む表面上には透明層が設けられることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
　前記非表示部の少なくとも一部の前記液晶層の厚みｔ１は、前記表示部の前記液晶層の厚みｔ２の０．４８倍以上（ｔ１≧０．４８ｔ２）であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
　前記透明層は、樹脂で形成されることを特徴とする請求項１または２記載の液晶表示装置。
【請求項４】
　前記透明層は、前記表示部および前記非表示部に設けられ、
　前記非表示部の少なくとも一部の前記透明層の厚みｄ１は、前記表示部の前記透明層の厚みｄ２よりも薄い（ｄ１＜ｄ２）ことを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれか１つに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
　前記透明層は、前記非表示部の少なくとも一部には設けられないことを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれか１つに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
　前記第２基板は、前記非表示部の前記第１基板を臨む表面上に、さらに遮光膜を有することを特徴とする請求項１〜５のうちのいずれか１つに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
　前記第２基板は、前記非表示部の前記第１基板を臨む表面上に、さらに遮光膜を有し、
　前記駆動素子の厚みが０．２μｍ以上０．４μｍ以下、
　前記表示部の前記液晶層の厚みｔ２が１．０μｍ以上５．０μｍ以下、
　前記遮光膜の厚みｓが０．５μｍ以上２．０μｍ以下であるとき、
　前記表示部の前記透明層の厚みｄ２と前記遮光膜の厚みｓとの差Δｄ（Δｄ＝ｄ２−ｓ）は、下記式（１）を満足することを特徴とする請求項５記載の液晶表示装置。
　　　−１．５μｍ＜Δｄ≦２．４μｍ　　　　　　　　　　　　　　　　　…（１）
【請求項８】
　前記差Δｄ（Δｄ＝ｄ２−ｓ）は、下記式（２）を満足することを特徴とする請求項７記載の液晶表示装置。
　　　０μｍ≦Δｄ≦１．０μｍ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（２）
【請求項９】
　前記複数の画素電極は、予め定められる間隔を空けて行列状に配置されて画素電極行列を構成し、
　　前記画素電極行列の隣合う２つの行は、行方向に配置される複数の前記画素電極によって形成される配列周期が互いに一致するように配置され、
　　前記画素電極行列の隣合う２つの列は、列方向に配置される複数の前記画素電極によって形成される配行周期が互いに一致するように配置され、
　前記遮光膜は、前記画素電極行列の列間に対応する位置に、前記画素電極行列の列方向に平行な方向に延びて設けられることを特徴とする請求項６〜８のうちのいずれか１つに記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
　前記複数の画素電極は、予め定められる間隔を空けて行列状に配置されて画素電極行列を構成し、
　　前記画素電極行列の隣合う２つの行は、行方向に配置される複数の前記画素電極によって形成される配列周期が互いに一致するように配置され、
　　前記画素電極行列の隣合う２つの列は、列方向に配置される複数の前記画素電極によって形成される配行周期が互いに一致するように配置され、
　前記遮光膜は、前記画素電極行列の行間に対応する位置に、前記画素電極行列の行方向に平行な方向に延びて、また前記画素電極行列の列間に対応する位置に、前記画素電極行列の列方向に平行な方向に延びて設けられることを特徴とする請求項６〜８のうちのいずれか１つに記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
　前記複数の画素電極は、予め定められる間隔を空けて行列状に配置されて画素電極行列を構成し、
　　前記画素電極行列の隣合う２つの行は、行方向に配置される複数の前記画素電極によって形成される配列周期が互いに略半周期ずれるように配置され、
　　前記画素電極行列の隣合う２つの列は、列方向に配置される複数の前記画素電極によって形成される配行周期が互いに一致するように配置され、
　前記遮光膜は、前記画素電極行列の行間に対応する位置に、前記画素電極行列の行方向に平行な方向に延びて、また前記画素電極行列の列間に対応する位置に、前記画素電極行列の列方向に沿って設けられることを特徴とする請求項６〜８のうちのいずれか１つに記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
　前記透明層は、可視光領域における平均透過率が８０％以上であることを特徴とする請求項１〜１１のうちのいずれか１つに記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
　前記透明層の厚みは、２．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜１２のうちのいずれか１つに記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
　第１基板の一方の表面上に、液晶を駆動するための複数の画素電極、前記画素電極毎に設けられ前記画素電極の電位を制御する複数の駆動素子および前記駆動素子に電気的に接続される配線を形成する工程と、
　もう１つの基板である第２基板を準備し、前記第１基板に前記駆動素子および配線が設けられる部分であって表示に使用されない非表示部と、前記非表示部以外の部分であって表示に使用される表示部とのうち、少なくとも前記表示部となるべく予め定められる位置に対応するように、前記第２基板の一方の表面上に透明層を形成する工程と、
　前記第１基板の前記画素電極が形成された面と、前記第２基板の前記透明層が形成された面とを、予め定められる間隔を空けて対向させ、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せる工程と、
　前記第１基板と前記第２基板との間に液晶を注入し、液晶層を形成する工程とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１５】
　少なくとも前記表示部となるべく予め定められる位置に対応するように、前記第２基板の一方の表面上に透明層を形成する工程の前に、
　前記非表示部となるべく予め定められる位置に対応するように、前記第２基板の一方の表面上に遮光膜を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１４記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１６】
　少なくとも前記表示部となるべく予め定められる位置に対応するように、前記第２基板の一方の表面上に透明層を形成する工程は、
　　前記第２基板の一方の表面上に、光が照射された部分が硬化する性質を有する透明樹脂によって光硬化型透明樹脂層を形成する工程と、
　　少なくとも前記表示部となるべく予め定められる位置の前記光硬化型透明樹脂層に対して光を照射する工程と、
　　前記光硬化型透明樹脂層を現像する工程とを含むことを特徴とする請求項１４または１５記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１７】
　少なくとも前記表示部となるべく予め定められる位置に対応するように、前記第２基板の一方の表面上に透明層を形成する工程は、
　　前記第２基板の一方の表面上に、光が照射された部分が分解する性質を有する透明樹脂によって光分解型透明樹脂層を形成する工程と、
　　前記表示部となるべく予め定められる位置以外の前記光分解型透明樹脂層に対して光を照射する工程と、
　　前記光分解型透明樹脂層を現像する工程とを含むことを特徴とする請求項１４または１５記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１８】
　少なくとも前記表示部となるべく予め定められる位置に対応するように、前記第２基板の一方の表面上に透明層を形成する工程は、
　　前記第２基板の一方の表面上に、透明樹脂によって透明樹脂層を形成する工程と、
　　前記透明樹脂層の表面上に、レジスト層を形成する工程と、
　　前記レジスト層に対して、少なくとも前記表示部となるべく予め定められる位置の前記レジスト層の現像剤に対する溶解性が、前記位置以外の前記溶解性よりも低くなるように露光を施す工程と、
　　前記レジスト層を現像する工程と、
　　前記レジスト層が除去された位置の前記透明樹脂層を除去する工程とを含むことを特徴とする請求項１４または１５記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１９】
　少なくとも前記表示部となるべく予め定められる位置に対応するように、前記第２基板の一方の表面上に透明層を形成する工程は、
　　前記第２基板の一方の表面上に、レジスト層を形成する工程と、
　　前記レジスト層に対して、少なくとも前記表示部となるべく予め定められる位置の前記レジスト層の現像剤に対する溶解性が、前記位置以外の前記溶解性よりも高くなるように露光を施す工程と、
　　前記レジスト層を現像する工程と、
　　前記レジスト層が除去された位置の前記第２基板の前記表面と前記レジスト層の表面とを覆うように、透明樹脂によって透明樹脂層を形成する工程と、
　　剥離液を用いて、前記レジスト層と前記レジスト層の表面上に形成される前記透明樹脂層とを共に除去する工程とを含むことを特徴とする請求項１４または１５記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、液晶表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　液晶表示装置は、一対の基板間に挟持される液晶層に電圧を印加することによって液晶分子の配列を変化させ、これに伴う液晶層の光の透過特性の変化を利用して白黒またはカラーの文字や画像を表示する表示装置である。
【０００３】
　図４０は、白黒表示を行う従来の液晶表示装置５の簡略化した構成を示す概略断面図である。
【０００４】
　液晶表示装置５は、対向基板５１と、透明基板６０と、対向基板５１と透明基板６０との間に液晶が注入されてなる液晶層５７とを含んで構成される。透明基板６０上には、遮光膜５９と薄膜電極５８と配向膜５５とが形成される。対向基板５１上には、信号配線５２と薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；略称：ＴＦＴ）素子などの駆動素子５３と画素電極５４と配向膜５５とが形成される。対向基板５１と透明基板６０との間には、対向基板５１と透明基板６０との間隔を所定の値にするために、ガラスまたはプラスチックなどからなるスペーサ５６が配置される。スペーサ５６は、対向基板５１および透明基板６０のいずれかの基板上に散布される。またはフォトリソグラフィ技術によって対向基板５１および透明基板６０のいずれかの基板上に形成される（非特許文献１参照）。
【０００５】
【非特許文献１】液晶応用技術研究会編，「最新液晶応用技術」，株式会社工業調査会，１９９４年１２月１５日，ｐ．３−６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
　図４０に示すように、液晶表示装置５では、表示に使用されない部分である非表示部７０に、信号配線５２および駆動素子５３、ならびに遮光膜５９が液晶層５７側に突出して設けられているので、非表示部７０において対向する配向膜５５同士によって形成される間隙ｈ１は極端に小さく、表示に使用される部分である表示部７１において対向する配向膜５５同士によって形成される間隙ｈ２よりも小さい（ｈ１＜ｈ２）。したがって、液晶表示装置５の製造工程において、対向基板５１と透明基板６０との間に液晶を注入する際、非表示部７０となる部分では、信号配線５２および駆動素子５３、ならびに遮光膜５９が障壁となって液晶の流動が妨げられ、液晶の流動経路が小さくなるので、液晶が注入されにくくなって液晶の注入速度が小さくなり、液晶の注入に長時間を要する。
【０００７】
　近年の液晶表示装置の薄型化に伴い、対向基板５１と透明基板６０との間隔はさらに狭くなっており、前述の非表示部７０の間隙ｈ１もさらに小さくなっている。これによって、非表示部７０となる部分における液晶の流動経路がさらに縮小されて注入速度が低下し、注入時間の著しい増加が問題となっている。
【０００８】
　また、液晶表示装置の大型化に伴い、画素数が多くなり、非表示部７０の間隙ｈ１が小さいことによる影響が大きくなっており、液晶表示装置全体に液晶を充填することが困難な場合が生じている。
【０００９】
　本発明の目的は、液晶の注入速度を速めて注入時間を短縮し、生産性を向上させることができ、大型の液晶表示装置を実現可能な液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
　本発明は、一方の表面上に、液晶を駆動するために設けられる複数の画素電極、前記画素電極毎に設けられ前記画素電極の電位を制御する複数の駆動素子および前記駆動素子に電気的に接続される配線を有する第１基板と、
　前記第１基板の前記画素電極が設けられる面を臨み前記第１基板に対向して設けられる第２基板と、
　前記第１基板と前記第２基板との間に液晶が注入されてなる液晶層とを備える液晶表示装置において、
　前記第１基板に前記駆動素子および前記配線が設けられる部分であって表示に使用されない部分である非表示部と、前記非表示部以外の部分であって表示に使用される部分である表示部とのうち、
　少なくとも前記表示部に対応する前記第２基板の前記第１基板を臨む表面上には透明層が設けられることを特徴とする液晶表示装置である。
【００１１】
　また本発明は、前記非表示部の少なくとも一部の前記液晶層の厚みｔ１は、前記表示部の前記液晶層の厚みｔ２の０．４８倍以上（ｔ１≧０．４８ｔ２）であることを特徴とする。
【００１２】
　さらに本発明は、前記透明層は、樹脂で形成されることを特徴とする。
　さらに本発明は、前記透明層は、前記表示部および前記非表示部に設けられ、
　前記非表示部の少なくとも一部の前記透明層の厚みｄ１は、前記表示部の前記透明層の厚みｄ２よりも薄い（ｄ１＜ｄ２）ことを特徴とする。
【００１３】
　さらに本発明は、前記透明層は、前記非表示部の少なくとも一部には設けられないことを特徴とする。
【００１４】
　さらに本発明は、前記第２基板は、前記非表示部の前記第１基板を臨む表面上に、さらに遮光膜を有することを特徴とする。
【００１５】
　さらに本発明は、前記第２基板は、前記非表示部の前記第１基板を臨む表面上に、さらに遮光膜を有し、
　前記駆動素子の厚みが０．２μｍ以上０．４μｍ以下、
　前記表示部の前記液晶層の厚みｔ２が１．０μｍ以上５．０μｍ以下、
　前記遮光膜の厚みｓが０．５μｍ以上２．０μｍ以下であるとき、
　前記表示部の前記透明層の厚みｄ２と前記遮光膜の厚みｓとの差Δｄ（Δｄ＝ｄ２−ｓ）は、下記式（１）を満足することを特徴とする。
　　　−１．５μｍ＜Δｄ≦２．４μｍ　　　　　　　　　　　　　　　　　…（１）
【００１６】
　さらに本発明は、前記差Δｄ（Δｄ＝ｄ２−ｓ）は、下記式（２）を満足することを特徴とする。
　　　０μｍ≦Δｄ≦１．０μｍ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（２）
【００１７】
　さらに本発明は、前記複数の画素電極は、予め定められる間隔を空けて行列状に配置されて画素電極行列を構成し、
　　前記画素電極行列の隣合う２つの行は、行方向に配置される複数の前記画素電極によって形成される配列周期が互いに一致するように配置され、
　　前記画素電極行列の隣合う２つの列は、列方向に配置される複数の前記画素電極によって形成される配行周期が互いに一致するように配置され、
　前記遮光膜は、前記画素電極行列の列間に対応する位置に、前記画素電極行列の列方向に平行な方向に延びて設けられることを特徴とする。
【００１８】
　さらに本発明は、前記複数の画素電極は、予め定められる間隔を空けて行列状に配置されて画素電極行列を構成し、
　　前記画素電極行列の隣合う２つの行は、行方向に配置される複数の前記画素電極によって形成される配列周期が互いに一致するように配置され、
　　前記画素電極行列の隣合う２つの列は、列方向に配置される複数の前記画素電極によって形成される配行周期が互いに一致するように配置され、
　前記遮光膜は、前記画素電極行列の行間に対応する位置に、前記画素電極行列の行方向に平行な方向に延びて、また前記画素電極行列の列間に対応する位置に、前記画素電極行列の列方向に平行な方向に延びて設けられることを特徴とする。
【００１９】
　さらに本発明は、前記複数の画素電極は、予め定められる間隔を空けて行列状に配置されて画素電極行列を構成し、
　　前記画素電極行列の隣合う２つの行は、行方向に配置される複数の前記画素電極によって形成される配列周期が互いに略半周期ずれるように配置され、
　　前記画素電極行列の隣合う２つの列は、列方向に配置される複数の前記画素電極によって形成される配行周期が互いに一致するように配置され、
　前記遮光膜は、前記画素電極行列の行間に対応する位置に、前記画素電極行列の行方向に平行な方向に延びて、また前記画素電極行列の列間に対応する位置に、前記画素電極行列の列方向に沿って設けられることを特徴とする。
【００２０】
　さらに本発明は、前記透明層は、可視光領域における平均透過率が８０％以上であることを特徴とする。
　さらに本発明は、前記透明層の厚みは、２．０μｍ以下であることを特徴とする。
【００２１】
　さらに本発明は、第１基板の一方の表面上に、液晶を駆動するための複数の画素電極、前記画素電極毎に設けられ前記画素電極の電位を制御する複数の駆動素子および前記駆動素子に電気的に接続される配線を形成する工程と、
　もう１つの基板である第２基板を準備し、前記第１基板に前記駆動素子および配線が設けられる部分であって表示に使用されない非表示部と、前記非表示部以外の部分であって表示に使用される表示部とのうち、少なくとも前記表示部となるべく予め定められる位置に対応するように、前記第２基板の一方の表面上に透明層を形成する工程と、
　前記第１基板の前記画素電極が形成された面と、前記第２基板の前記透明層が形成された面とを、予め定められる間隔を空けて対向させ、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せる工程と、
　前記第１基板と前記第２基板との間に液晶を注入し、液晶層を形成する工程とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法である。
【００２２】
　さらに本発明は、少なくとも前記表示部となるべく予め定められる位置に対応するように、前記第２基板の一方の表面上に透明層を形成する工程の前に、
　前記非表示部となるべく予め定められる位置に対応するように、前記第２基板の一方の表面上に遮光膜を形成する工程をさらに含むことを特徴とする。
【００２３】
　さらに本発明は、少なくとも前記表示部となるべく予め定められる位置に対応するように、前記第２基板の一方の表面上に透明層を形成する工程は、
　　前記第２基板の一方の表面上に、光が照射された部分が硬化する性質を有する透明樹脂によって光硬化型透明樹脂層を形成する工程と、
　　少なくとも前記表示部となるべく予め定められる位置の前記光硬化型透明樹脂層に対して光を照射する工程と、
　　前記光硬化型透明樹脂層を現像する工程とを含むことを特徴とする。
【００２４】
　さらに本発明は、少なくとも前記表示部となるべく予め定められる位置に対応するように、前記第２基板の一方の表面上に透明層を形成する工程は、
　　前記第２基板の一方の表面上に、光が照射された部分が分解する性質を有する透明樹脂によって光分解型透明樹脂層を形成する工程と、
　　前記表示部となるべく予め定められる位置以外の前記光分解型透明樹脂層に対して光を照射する工程と、
　　前記光分解型透明樹脂層を現像する工程とを含むことを特徴とする。
【００２５】
　さらに本発明は、少なくとも前記表示部となるべく予め定められる位置に対応するように、前記第２基板の一方の表面上に透明層を形成する工程は、
　　前記第２基板の一方の表面上に、透明樹脂によって透明樹脂層を形成する工程と、
　　前記透明樹脂層の表面上に、レジスト層を形成する工程と、
　　前記レジスト層に対して、少なくとも前記表示部となるべく予め定められる位置の前記レジスト層の現像剤に対する溶解性が、前記位置以外の前記溶解性よりも低くなるように露光を施す工程と、
　　前記レジスト層を現像する工程と、
　　前記レジスト層が除去された位置の前記透明樹脂層を除去する工程とを含むことを特徴とする。
【００２６】
　さらに本発明は、少なくとも前記表示部となるべく予め定められる位置に対応するように、前記第２基板の一方の表面上に透明層を形成する工程は、
　　前記第２基板の一方の表面上に、レジスト層を形成する工程と、
　　前記レジスト層に対して、少なくとも前記表示部となるべく予め定められる位置の前記レジスト層の現像剤に対する溶解性が、前記位置以外の前記溶解性よりも高くなるように露光を施す工程と、
　　前記レジスト層を現像する工程と、
　　前記レジスト層が除去された位置の前記第２基板の前記表面と前記レジスト層の表面とを覆うように、透明樹脂によって透明樹脂層を形成する工程と、
　　剥離液を用いて、前記レジスト層と前記レジスト層の表面上に形成される前記透明樹脂層とを共に除去する工程とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
　本発明によれば、液晶表示装置は、複数の画素電極、複数の駆動素子および配線を有する第１基板と、第１基板の画素電極が設けられる面を臨み第１基板に対向して設けられる第２基板と、第１基板と第２基板との間に液晶が注入されてなる液晶層とを備え、第１基板に駆動素子および配線が設けられる非表示部と表示部とのうち、少なくとも表示部に対応する第２基板の第１基板を臨む表面上には透明層が設けられる。このことによって、非表示部の少なくとも一部の液晶層の厚みｔ１を、表示部の液晶層の厚みｔ２を変化させることなく、大きくすることができる。
【００２８】
　第２基板が表示部に対応する第１基板を臨む表面上に透明層を有しない場合、非表示部の液晶層の厚みｔ１は、表示部の液晶層の厚みｔ２に依存するので、前記厚みｔ１を大きくするためには、前記厚みｔ２を大きくすることが必要である。すなわち、前記厚みｔ２を変化させることなく、前記厚みｔ１を大きくすることはできない。しかしながら、前記厚みｔ１を大きくするために前記厚みｔ２を大きくすると、第１基板と第２基板との間に注入される液晶の量が増加するので、液晶の注入に長時間を要する。また前記厚みｔ２が大きくなりすぎると、前記厚みｔ２を液晶表示装置全体に渡って均一にすることが困難になり、表示不良が発生する。
【００２９】
　前述のように、前記本発明の液晶表示装置は、少なくとも表示部の第２基板の第１基板を臨む表面上に透明層を有するので、前記厚みｔ１を大きくするために第１基板と第２基板との間隔を広くする場合であっても、前記透明層の厚みを調整することによって、前記厚みｔ２の増加量を、第１基板と第２基板との間隔の増加量に比べて小さくすることができる。すなわち、前記厚みｔ２を変化させることなく、前記厚みｔ１を大きくすることができ、また前記厚みｔ１を前記厚みｔ２よりも大きくすることもできる。したがって、非表示部の液晶層の第１基板および第２基板に略垂直な面における断面積を大きくし、第１基板と第２基板との間に液晶を注入する際に、駆動素子および配線が設けられる非表示部においても液晶の流動経路を確保し、流動抵抗を下げることができるので、製造時の液晶の注入速度が速く注入時間が短く、生産性の高い液晶表示装置を得ることができる。また大型の液晶表示装置を実現することができる。
【００３０】
　また本発明によれば、非表示部の少なくとも一部の液晶層の厚みｔ１は、表示部の液晶層の厚みｔ２の０．４８倍以上（ｔ１≧０．４８ｔ２）である。このことによって、第１基板と第２基板との間に液晶を注入する際に、駆動素子および配線が設けられる非表示部においても液晶の流動経路を確保し、流動抵抗を下げることができるので、製造時の液晶の注入速度が速く注入時間が短く、生産性の高い液晶表示装置を得ることができる。また大型の液晶表示装置を実現することができる。
【００３１】
　また本発明によれば、透明層は、樹脂で形成される。このことによって、第２基板上に、透明層を容易に設けることができる。
【００３２】
　また本発明によれば、非表示部に設けられる透明層の少なくとも一部の厚みｄ１は、表示部に設けられる透明層の厚みｄ２よりも薄い（ｄ１＜ｄ２）。このことによって、非表示部の少なくとも一部の液晶層の第１基板および第２基板に略垂直な面における断面積をさらに大きくすることができる。また、非表示部に設けられる透明層が第２基板側に凹んだ凹型の形状になって凹所が形成され、この凹所が第１基板と第２基板との間に液晶を注入する際に流路として機能するので、注入された液晶は前記凹所を伝って流れ、貼り合わされた第１基板および第２基板の端部まで速やかに充填される。したがって、製造時の液晶の注入速度をさらに速め、注入時間をより短縮することができる。
【００３３】
　また本発明によれば、透明層は、非表示部の少なくとも一部には設けられない。このことによって、非表示部の少なくとも一部の液晶層の第１基板および第２基板に略垂直な面における断面積をさらに大きくすることができる。また、隣合う透明層同士の間に間隙が形成され、この間隙が第１基板と第２基板との間に液晶を注入する際に流路として機能するので、注入された液晶は前記間隙を伝って流れ、貼り合わされた第１基板および第２基板の端部まで速やかに充填される。したがって、製造時の液晶の注入速度をさらに速め、注入時間をより短縮することができる。
【００３４】
　また本発明によれば、第２基板は、非表示部の第１基板を臨む表面上に、さらに遮光膜を有する。第１基板に駆動素子および配線が設けられる非表示部では、液晶層に含まれる液晶の配向を制御することができないので、非表示部の第２基板の第１基板を臨む表面上に遮光膜がない場合、非表示部の液晶層を通過した光が第２基板を透過して表示光の一部となり、表示不良の発生することがあるけれども、前記本発明の液晶表示装置は、前述のように非表示部の第２基板の第１基板を臨む表面上に遮光膜を有するので、非表示部の液晶層を通過した光が第２基板を透過することがなく、表示不良の発生が抑えられる。また非表示部の第２基板の第１基板を臨む表面上に遮光膜がない場合、外部からの光が非表示部の第１基板に設けられる駆動素子に入射して電流が発生し、誤って画素電極に電流が流れて液晶層に電圧が印加され、表示不良の発生することがあるけれども、前記本発明の液晶表示装置は、前述のように非表示部の第２基板の第１基板を臨む表面上に遮光膜を有するので、外部からの光が駆動素子に入射することを防ぎ、表示不良の発生を抑えることができる。また、前述のように、第２基板は少なくとも表示部の第１基板を臨む表面上に透明層を有するので、非表示部に遮光膜を有する構成であっても、表示部の液晶層の厚みｔ２を変化させることなく、非表示部の液晶層の厚みｔ１を大きくすることができる。したがって、製造時の液晶の注入速度を低下させることなく、液晶表示装置の表示不良を低減することができる。
【００３５】
　また本発明によれば、表示部の透明層の厚みｄ２と遮光膜の厚みｓとの差Δｄ（Δｄ＝ｄ２−ｓ）が好適な範囲に選択されるので、製造時の液晶の注入速度をさらに速め、注入時間をより短縮することができる。
【００３６】
　また本発明によれば、複数の画素電極によって構成される画素電極行列の隣合う２つの行は配列周期が互いに一致するように配置され、また隣合う２つの列は配行周期が互いに一致するように配置される。遮光膜は、画素電極行列の列間に対応する位置に、画素電極行列の列方向に平行な方向に延びて設けられる。すなわち、遮光膜は画素電極行列の列方向に垂直な方向には延びて存在せず、光が透過可能な部分はストライプ配列になっている。このことによって、画素電極行列の列方向に対して平行な直線成分を多く含む文字などの表示に優れるとともに、高い開口率を示し、ノート型パーソナルコンピュータやテレビジョンなどに好適な液晶表示装置を得ることができる。また、前述のように、第２基板は少なくとも表示部の第１基板を臨む表面上に透明層を有するので、このような液晶表示装置の製造工程において、液晶の注入速度を速めて注入時間を短縮し、生産性を向上させることができる。
【００３７】
　また本発明によれば、複数の画素電極によって構成される画素電極行列の隣合う２つの行は配列周期が互いに一致するように配置され、また隣合う２つの列は配行周期が互いに一致するように配置される。遮光膜は、画素電極行列の行間に対応する位置に、行方向に平行な方向に延びて、また画素電極行列の列間に対応する位置に、列方向に平行な方向に延びて設けられる。すなわち、光が透過可能な部分はモザイク配列になっている。このことによって、画素電極行列の行方向および列方向に対して傾斜する斜線の表示に優れ、計測器などに好適な液晶表示装置を得ることができる。また、前述のように、第２基板は少なくとも表示部の第１基板を臨む表面上に透明層を有するので、このような液晶表示装置の製造工程において、液晶の注入速度を速めて注入時間を短縮し、生産性を向上させることができる。
【００３８】
　また本発明によれば、複数の画素電極によって構成される画素電極行列の隣合う２つの行は配列周期が互いに略半周期ずれるように配置され、また隣合う２つの列は配行周期が互いに一致するように配置される。遮光膜は、画素電極行列の行間に対応する位置に、行方向に平行な方向に延びて、また画素電極行列の列間に対応する位置に、列方向に沿って設けられる。すなわち、光が透過可能な部分はデルタ（Δ）配列になっている。このことによって、画像表示に優れ、テレビジョンなどに好適な液晶表示装置を得ることができる。また、前述のように、第２基板は少なくとも表示部の第１基板を臨む表面上に透明層を有するので、このような液晶表示装置の製造工程において、液晶の注入速度を速めて注入時間を短縮し、生産性を向上させることができる。
【００３９】
　また本発明によれば、透明層の可視光領域における平均透過率は８０％以上である。このことによって、表示に使用される光が透明層に吸収されて光量が減少し、表示が暗くなることを防止することができる。
【００４０】
　また本発明によれば、透明層の厚みは、２．０μｍ以下である。前記透明層を形成する際、前記透明層の厚みには５〜１０％のばらつきがあるけれども、前述のように、前記透明層の厚みを２．０μｍ以下にすることによって、透明層の厚みのばらつきを０．２μｍ以下にすることができる。したがって、透明層が形成される部分の液晶層の厚みのばらつきを小さくすることができるので、液晶層の厚みのばらつきによる表示品位の低下を防ぐことができる。
【００４１】
　また本発明によれば、第１基板の一方の表面上に複数の画素電極、複数の駆動素子および配線を形成し、少なくとも表示部となるべく予め定められる位置に対応するように第２基板の一方の表面上に透明層を形成し、第１基板の画素電極が形成された面と第２基板の透明層が形成された面とを予め定められる間隔を空けて対向させて第１基板と第２基板とを貼り合せ、第１基板と第２基板との間に液晶を注入して液晶層を形成し、液晶表示装置を製造する。このように、少なくとも表示部となるべく予め定められる位置に対応するように第２基板の表面上に透明層を形成するので、第１基板と第２基板とを貼り合わせた際、非表示部において第１基板の表面層と第２基板の表面層とによって形成される間隙Ｔ１を、表示部において第１基板の表面層と第２基板の表面層とによって形成される間隙Ｔ２を変化させることなく、大きくすることができる。ここで、第１基板の表面層とは、第１基板上の第２基板を臨む層の中で第２基板に最も近い層のことであり、非表示部では駆動素子または配線のことであり、表示部では画素電極のことである。第１基板の表面層は、駆動素子、配線および画素電極に限定されることなく、後述の図１に示されるように、配向膜などの液晶表示装置を製造する際に第１基板上に形成される層であってもよい。また第２基板の表面層とは、第２基板上の第１基板を臨む層の中で第１基板に最も近い層のことであり、非表示部では第２基板そのものであり、表示部では透明層のことである。第２基板の表面層は、第２基板および透明層に限定されることなく、後述の図１に示されるように、配向膜などの液晶表示装置を製造する際に第２基板上に形成される層であってもよい。
【００４２】
　表示部となるべく予め定められる位置に対応するように第２基板の表面上に透明層を形成しない場合、非表示部の間隙Ｔ１は、表示部の間隙Ｔ２に依存するので、前記間隙Ｔ１を大きくするためには、前記間隙Ｔ２を大きくすることが必要である。すなわち、前記間隙Ｔ２を変化させることなく、前記間隙Ｔ１を大きくすることはできない。しかしながら、前記間隙Ｔ１を大きくするために前記間隙Ｔ２を大きくすると、第１基板と第２基板との間に注入される液晶の量が増加するので、液晶の注入に長時間を要する。また前記間隙Ｔ２が大きくなりすぎると、前記間隙Ｔ２を基板全体に渡って均一にすることが困難になり、製造された液晶表示装置に表示不良が発生する。
【００４３】
　前述のように、本発明の液晶表示装置の製造方法では、少なくとも表示部となるべく予め定められる位置に対応するように第２基板の表面上に透明層を形成するので、前記間隙Ｔ１を大きくするために第１基板と第２基板との間隔を広くする場合であっても、前記透明層の厚みを調整することによって、前記間隙Ｔ２の増加量を、第１基板と第２基板との間隔の増加量に比べて小さくすることができる。すなわち、前記間隙Ｔ２を変化させることなく、前記間隙Ｔ１を大きくすることができ、また前記間隙Ｔ１を前記間隙Ｔ２よりも大きくすることもできる。したがって、非表示部の液晶層となる部分の第１基板および第２基板に略垂直な面における断面積を大きくし、第１基板と第２基板との間に液晶を注入する際に、駆動素子および配線が設けられる非表示部においても液晶の流動経路を確保し、流動抵抗を下げることができるので、液晶の注入速度を速めて注入時間を短縮し、生産性を向上させることができる。また大型の液晶表示装置を製造することが可能になる。
【００４４】
　また本発明によれば、非表示部となるべく予め定められる位置に対応するように第２基板の一方の表面上に遮光膜を形成した後、少なくとも表示部となるべく予め定められる位置に対応するように第２基板の前記表面上に透明層を形成する。このことによって、非表示部となるべく予め定められる位置に対応するように遮光膜を形成する場合であっても、非表示部において第１基板の表面層と第２基板の表面層とによって形成される間隙Ｔ１を大きくすることができ、第１基板と第２基板との間に液晶を注入する際の液晶の流動経路を確保し、流動抵抗を下げることができる。したがって、駆動素子および配線が設けられる非表示部に遮光膜を有し表示不良が低減された液晶表示装置を、液晶の注入速度を低下させることなく製造することができる。
【００４５】
　また本発明によれば、透明層は、第２基板の一方の表面上に光が照射された部分が硬化する性質を有する透明樹脂によって光硬化型透明樹脂層を形成し、少なくとも表示部となるべく予め定められる位置に光を照射した後現像することによって形成される。したがって、少なくとも表示部となるべく予め定められる位置に対応するように第２基板の一方の表面上に設けられる透明層を容易に形成することができる。
【００４６】
　また本発明によれば、透明層は、第２基板の一方の表面上に光が照射された部分が分解する性質を有する透明樹脂によって光分解型透明樹脂層を形成し、表示部となるべく予め定められる位置以外に光を照射した後現像することによって形成される。したがって、少なくとも表示部となるべく予め定められる位置に対応するように第２基板の一方の表面上に設けられる透明層を容易に形成することができる。
【００４７】
　また本発明によれば、透明層は、第２基板の一方の表面上に透明樹脂によって透明樹脂層を形成し、さらにその表面上にレジスト層を形成し、少なくとも表示部となるべく予め定められる位置のレジスト層の現像剤に対する溶解性が、前記位置以外の前記溶解性よりも低くなるように露光を施した後現像し、レジスト層が除去された位置の透明樹脂層を除去することによって形成される。したがって、少なくとも表示部となるべく予め定められる位置に対応するように第２基板の一方の表面上に設けられる透明層を容易に形成することができる。
【００４８】
　また本発明によれば、透明層は、第２基板の一方の表面上にレジスト層を形成し、少なくとも表示部となるべく予め定められる位置のレジスト層の現像剤に対する溶解性が前記位置以外の前記溶解性よりも高くなるように露光を施した後現像し、レジスト層が除去された位置の第２基板の前記表面とレジスト層の表面とを覆うように透明樹脂によって透明樹脂層を形成し、剥離液を用いてレジスト層とレジスト層の表面上に形成される透明樹脂層とを共に除去することによって形成される。すなわち、透明層はリフトオフ法によって形成される。したがって、少なくとも表示部となるべく予め定められる位置に対応するように第２基板の一方の表面上に設けられる透明層を容易に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４９】
　図１は、本発明の第１の実施の形態である液晶表示装置１の一部の構成を簡略化して示す概略断面図である。図２は、図１に示す液晶表示装置１を矢符４０の方向から見て示す平面図であり、図１は、図２の切断面線Ｉ−Ｉから見て示す断面図に相当する。図３は、図１に示す液晶表示装置１を斜め上方向から見て示す斜視図である。図４は、液晶表示装置１の全体を示す正面図である。なお、図２では、図１に示す対向基板１１、信号配線１２、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）素子１３、画素電極１４、配向膜１５、液晶層１７および薄膜電極１８は、図が錯綜して理解が困難になるので記載を省略する。また図３では、図１に示す対向基板１１、信号配線１２、ＴＦＴ素子１３、画素電極１４、配向膜１５、スペーサ１６、液晶層１７および薄膜電極１８は、図が錯綜して理解が困難になるので記載を省略する。
【００５０】
　液晶表示装置１は、第１基板である対向基板１１と、第２基板である透明基板２０と、液晶層１７とを含んで構成される。対向基板１１の透明基板２０を臨む表面上には、液晶層１７に含まれる液晶を駆動するための複数の画素電極１４と、画素電極１４毎に設けられ画素電極１４の電位を制御する複数の駆動素子であるＴＦＴ素子１３と、ＴＦＴ素子１３に電気的に接続される信号配線１２と、液晶層１７に含まれる液晶の配向を制御する配向膜１５とが形成される。透明基板２０の対向基板１１を臨む表面上には、透明層１０と遮光膜１９と薄膜電極１８と配向膜１５とが形成される。対向基板１１と透明基板２０との間には、対向基板１１と透明基板２０との間隔を所定の値にするために、ガラスまたはプラスチックなどからなるスペーサ１６が配置される。液晶層１７は、対向基板１１と透明基板２０とをシール材で接着してなる液晶セル２８の注入口２７から、対向基板１１と透明基板２０との間に液晶が注入されて形成される。液晶表示装置１の表示画面２９は、ＴＦＴ素子１３および信号配線１２が設けられる部分であって表示に使用されない部分である非表示部３０と、非表示部３０以外の部分であって表示に使用される部分である表示部３１とを含んで構成される。
【００５１】
　透明層１０は、少なくとも表示部３１に対応する透明基板２０の対向基板１１を臨む表面上に設けられる。このことによって、非表示部３０の少なくとも一部の液晶層１７の厚みｔ１を、表示部３１の液晶層１７の厚みｔ２を変化させることなく大きくすることができ、また前記厚みｔ１を前記厚みｔ２よりも大きくすることもできる。したがって、非表示部３０の液晶層１７の対向基板１１および透明基板２０に略垂直な面における断面積を大きくし、対向基板１１と透明基板２０との間に液晶を注入する際に、ＴＦＴ素子１３および信号配線１２が設けられる非表示部３０においても液晶の流動経路を確保し、流動抵抗を下げることができるので、製造時の液晶の注入速度が速く注入時間が短く、生産性の高い液晶表示装置を得ることができる。また大型の液晶表示装置を実現することができる。この効果は、カラーフィルタが設けられない白黒の液晶表示装置、特に遮光膜１９が設けられる白黒の液晶表示装置において特に大きくなる。
【００５２】
　図５は、液晶の充填された領域と注入開始からの経過時間との関係を説明する図である。図５（ａ）は、本実施の形態である透明層１０が設けられる場合の構成を模式的に示す平面図であり、図５（ｂ）は、透明層１０が設けられない場合の構成を模式的に示す平面図である。なお、図５では、構成を簡略化して図示し、透明層１０、透明基板２０，２０’、対向基板１１，１１’および注入口２７，２７’を記載する。また図５では、説明の便宜上、図４に示す注入口２７および注入口２７と同様に形成される注入口２７’をそれぞれ１つずつ記載する。
【００５３】
　注入口２７，２７’からそれぞれ注入された液晶は、注入開始から時間ｔｍ１経過後には、交差斜線で示される領域８１，９１まで充填される。さらに時間が経過し、前述の時間ｔｍ１よりも長い時間ｔｍ２（ｔｍ２＞ｔｍ１）経過後には、液晶が、領域８１，９１よりも広い左下がりの斜線で示される領域８２，９２まで充填される。このとき、透明層１０が設けられる場合の領域８２の面積は、透明層１０が設けられない場合の領域９２の面積よりも大きい。さらに時間が経過し、前述の時間ｔｍ２よりも長い時間ｔｍ３（ｔｍ３＞ｔｍ２＞ｔｍ１）経過後には、液晶が、領域８２，９２よりもさらに広い右下がりの斜線で示される領域８３，９３まで充填される。時間ｔｍ３経過後の透明層１０が設けられる場合の領域８３の面積と透明層１０が設けられない場合の領域９３の面積との差は、時間ｔｍ２経過後の透明層１０が設けられる場合の領域８２の面積と透明層１０が設けられない場合の領域９２の面積との差よりもさらに大きくなる。
【００５４】
　前述のように、本実施の形態では、少なくとも表示部３１に対応する透明基板２０の対向基板１１を臨む表面上に透明層１０が設けられるので、非表示部３０の液晶層１７の対向基板１１および透明基板２０に略垂直な面における断面積を大きくし、対向基板１１と透明基板２０との間に液晶を注入する際に、非表示部３０においても液晶の流動経路を確保し、流動抵抗を下げることができる。したがって、図５（ａ）に示す透明層１０が設けられる構成において注入口２７から注入された液晶は、図５（ｂ）に示す透明層１０が設けられない構成において注入口２７’から注入された液晶に比べ、同一の所要時間でより広い面積を充填することができるので、本実施の形態では、液晶の注入速度が速くなり、注入時間が短くなる。
【００５５】
　また透明層１０は、図１〜図３に示すように、非表示部３０の少なくとも一部には設けられない。このことによって、非表示部３０の少なくとも一部の液晶層１７の対向基板１１および透明基板２０に略垂直な面における断面積を、非表示部３０のすべての部分に透明層１０を設ける場合に比べ、さらに大きくすることができる。また、隣合う透明層１０同士の間に間隔ｗの間隙１０ａが形成され、この間隙１０ａが対向基板１１と透明基板２０との間に液晶を注入する際に流路として機能するので、注入口２７から注入された液晶は間隙１０ａを伝って流れ、対向基板１１および透明基板２０が貼り合わされてなる液晶セル２８の端部まで速やかに充填される。すなわち、本実施の形態である透明層１０が設けられる構成では、図５（ａ）に示すように、液晶が充填されている領域８２，８３は、隣合う透明層１０同士で形成される間隙１０ａの長手方向に沿って広域に拡充されていることが判る。したがって、非表示部３０のすべての部分に透明層１０を設ける場合に比べ、製造時の液晶の注入速度をさらに速め、注入時間をより短縮することができる。
【００５６】
　このように透明層１０が非表示部３０の一部に設けられない構成において、駆動素子であるＴＦＴ素子１３の厚みＬが０．２μｍ以上０．４μｍ以下、表示部３１の液晶層１７の厚みｔ２が１．０μｍ以上５．０μｍ以下、遮光膜１９の厚みｓが０．５μｍ以上２．０μｍ以下であるとき、表示部３１の透明層１０の厚みｄ２と遮光膜１９の厚みｓとの差Δｄ（Δｄ＝ｄ２−ｓ）は、下記式（１）を満足することが好ましく、下記式（２）を満足することがより好ましい。
　　　−１．５μｍ＜Δｄ≦２．４μｍ　　　　　　　　　　　　　　　　　…（１）
　　　０μｍ≦Δｄ≦１．０μｍ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（２）
【００５７】
　これによって、製造時の液晶の注入速度をさらに速め、注入時間をより短縮することができる。Δｄの値が−１．５μｍ以下であると、製造時に対向基板１１と透明基板２０との間に液晶を注入することが困難になる。Δｄの値が２．４μｍを超えると、注入時間短縮効果が薄れる。また厚膜化により、フォトリソグラフィ法で形成される場合の透明層１０のパターン精度、すなわち解像度が低下し、隣合う透明層１０同士の間に図１に示す間隔ｗの間隙１０ａを形成することが困難になる。したがって、−１．５μｍ＜Δｄ≦２．４μｍとした。
【００５８】
　また透明層１０の可視光領域における平均透過率は、８０％以上である。このことによって、表示に使用される光が透明層１０に吸収されて光量が減少し、表示が暗くなることを防止することができる。
【００５９】
　遮光膜１９は、非表示部３０に対応する透明基板２０の対向基板１１を臨む表面上に設けられる。このことによって、表示不良の発生を抑えることができる。
【００６０】
　図６は、配向不良領域１７０を透過した光１００に対する遮光膜１９の働きについて説明するための図であり、図７は、外部からの光２００に対する遮光膜１９の働きについて説明するための図である。図６および図７では、遮光膜１９を有する構成と遮光膜１９を有しない構成とを対比して説明する。図６（ａ）および図７（ａ）は、本実施の形態である遮光膜１９を有する構成を模式的に示す図であり、図６（ｂ）および図７（ｂ）は、遮光膜１９を有しない構成を模式的に示す図である。
【００６１】
　図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、対向基板１１にＴＦＴ素子１３および信号配線１２が設けられる非表示部３０では、液晶層１７に含まれる液晶の配向を制御することができないので、破線で示される配向不良領域１７０が存在する。図６（ｂ）に示すように、非表示部３０の透明基板２０の対向基板１１を臨む表面上に遮光膜１９がない場合、非表示部３０の液晶層１７、すなわち配向不良領域１７０を通過した光１００が透明基板２０を透過して表示光の一部となり、表示不良の発生することがある。一方、図６（ａ）に示すように、非表示部３０の透明基板２０の対向基板１１を臨む表面上に遮光膜１９を有する場合、非表示部３０の液晶層１７、すなわち配向不良領域１７０を通過した光１００は、遮光膜１９によって吸収され、透明基板２０を透過することがないので、表示不良の発生が抑えられる。
【００６２】
　また、図７（ｂ）に示すように、非表示部３０の透明基板２０の対向基板１１を臨む表面上に遮光膜１９がない場合、外部からの光２００が非表示部３０の対向基板１１に設けられるＴＦＴ素子１３に入射して電流が発生し、誤って画素電極１４に電流が流れて液晶層１７に電圧が印加され、表示不良の発生することがある。一方、図７（ａ）に示すように、非表示部３０の透明基板２０の対向基板１１を臨む表面上に遮光膜１９を有する場合、外部からの光２００は遮光膜１９によって吸収されるので、外部からの光２００がＴＦＴ素子１３に入射することを防ぎ、表示不良の発生を抑えることができる。
【００６３】
　以上のように、遮光膜１９を設けることによって、表示不良の発生を抑えることができる。また前述のように、透明基板２０は少なくとも表示部３１の対向基板１１を臨む表面上に透明層１０を有するので、非表示部３０に遮光膜１９を有する構成であっても、表示部３１の液晶層１７の厚みｔ２を変化させることなく、非表示部３０の液晶層１７の厚みｔ１を大きくすることができる。したがって、製造時の液晶の注入速度を低下させることなく、液晶表示装置の表示不良を低減することができる。
【００６４】
　図８は、遮光膜１９と画素電極１４との位置関係および遮光膜１９と透明層１０との位置関係を示す図である。図８（ａ）は、遮光膜１９と画素電極１４との位置関係を、図１の矢符４０の方向から見て模式的に示す平面図であり、図８（ｂ）は、遮光膜１９と透明層１０との位置関係を、図１の矢符４０の方向から見て模式的に示す平面図であり、図８（ｃ）は、図８（ｂ）の切断面線ＩＩ−ＩＩから見て示す断面図である。なお、図８（ａ）では、遮光膜１９、画素電極１４および透明基板２０のみを記載し、図８（ｂ）および図８（ｃ）では、遮光膜１９、透明層１０および透明基板２０のみを記載する。
【００６５】
　図８（ａ）に示すように、複数の画素電極１４は、予め定められる間隔を空けて行列状に配置されて画素電極行列１４０を構成する。画素電極行列１４０の隣合う２つの行は、参照符４２で示される行方向に配置される複数の画素電極１４によって形成される配列周期すなわちピッチＢが互いに一致するように配置される。また画素電極行列１４０の隣合う２つの列は、参照符４３で示される列方向に配置される複数の画素電極１４によって形成される配行周期すなわちピッチＡが互いに一致するように配置される。遮光膜１９は、画素電極行列１４０の列間に対応する位置に、画素電極行列１４０の列方向４３に平行な方向に延びて設けられる。すなわち、遮光膜１９は画素電極行列１４０の列方向４３に垂直な方向である行方向４２には延びて存在せず、斜線で示される光が透過可能な部分（以下、このような部分を光透過部と称する）３００はストライプ配列になっている。このことによって、画素電極行列１４０の列方向４３に対して平行な直線成分を多く含む文字などの表示に優れるとともに、高い開口率を示し、ノート型パーソナルコンピュータやテレビジョンなどに好適な液晶表示装置を得ることができる。
【００６６】
　また前述のように、透明基板２０は少なくとも表示部３１の対向基板１１を臨む表面２０ａ上に透明層１０を有し、透明層１０は、図８（ｂ）に示すように、遮光膜１９が形成されない画素電極行列１４０の列に対応する位置に、画素電極行列１４０の列方向４３に平行な方向に延びて設けられる。したがって、図８に示すように遮光膜１９が設けられる液晶表示装置１の製造工程において、液晶の注入速度を速めて注入時間を短縮し、生産性を向上させることができる。
【００６７】
　以上のように構成される液晶表示装置１において、前述の非表示部３０の少なくとも一部の液晶層１７の厚みｔ１は、表示部３１の液晶層１７の厚みｔ２の０．４８倍以上（ｔ１≧０．４８ｔ２）であることが好ましい。
【００６８】
　図９は、非表示部３０に設けられる透明層１０の形状を模式的に示す図である。図１０は、遮光膜１９を設けない構成において、非表示部３０に設けられる透明層１０の形状を模式的に示す図である。なお、図９では、透明層１０、遮光膜１９および透明基板２０のみを記載し、図１０では、透明層１０および透明基板２０のみを記載する。前述のように、本実施の形態では、非表示部３０の少なくとも一部には透明層１０を設けないけれども、これに限定されることなく、非表示部３０のすべての部分に透明層１０を設けてもよい。この場合、非表示部３０に設けられる透明層１０は、図９（ａ）、図９（ｂ）および図９（ｃ）に示すように、透明基板２０側に凹んだ凹型の形状であることが好ましい。また本実施の形態とは異なるけれども、遮光膜１９を設けない構成において、非表示部３０のすべての部分に透明層１０を設ける場合には、図１０に示すように、非表示部３０に設けられる透明層１０の少なくとも一部の厚みｄ１は、表示部３１に設けられる透明層１０の厚みｄ２よりも薄い（ｄ１＜ｄ２）ことが好ましい。
【００６９】
　このことによって、透明層１０を非表示部３０の少なくとも一部に設けない場合と同様に、非表示部３０の少なくとも一部の液晶層１７の対向基板１１および透明基板２０に略垂直な面における断面積をさらに大きくすることができる。また、非表示部３０に設けられる透明層１０が透明基板２０側に凹んだ凹型の形状になって凹所が形成され、対向基板１１と透明基板２０との間に液晶を注入する際に流路として機能するので、注入された液晶は前記凹所を伝って流れ、対向基板１１および透明基板２０が貼り合わされてなる液晶セル２８の端部まで速やかに充填される。したがって、製造時の液晶の注入速度をさらに速め、注入時間をより短縮することができる。
【００７０】
　また本実施の形態では、駆動素子として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）素子１３を用いるけれども、これに限定されることなく、その他の三端子素子または薄膜ダイオード素子などの二端子素子などを用いてもよい。
【００７１】
　図１に示す液晶表示装置１の製造方法を説明する。図１１〜図２６、図２８および図２９は、液晶表示装置１の製造における各工程の状態を模式的に示す断面図である。なお、図１１〜図１９では、ＴＦＴ素子１３が形成されるべく予め定められる部分を拡大して示す。
【００７２】
　図１１は、対向基板１１の一方の表面１１ａ上に、ゲート電極２０１を形成した状態を示す図である。無アルカリガラスなどからなるガラス基板などの対向基板１１の一方の表面１１ａ上に、たとえばスパッタ法などによってアルミニウム（元素記号：Ａｌ）膜などを成膜した後、フォトリソグラフィ法などによってパターニングすることによって、ゲート電極２０１を形成する。
【００７３】
　図１２は、ゲート絶縁膜２０２を形成した状態を示す図である。ゲート電極２０１の表面と対向基板１１の一方の表面１１ａとに、たとえば化学気相成長（chemical vapor
deposition； 略称：ＣＶＤ）法またはスパッタ法などによって窒化シリコン（化学式：ＳｉＮｘ）膜などを成膜することによって、ゲート絶縁膜２０２を形成する。
【００７４】
　図１３は、第１半導体膜２０３を形成した状態を示す図である。ゲート絶縁膜２０２の表面に、たとえばＣＶＤ法などによってアモルファスシリコン（略称：ａ−Ｓｉ）膜などを成膜することによって、第１半導体膜２０３を形成する。
【００７５】
　図１４は、保護膜２０４を形成した状態を示す図である。第１半導体膜２０３の表面に、たとえばＣＶＤ法などによって窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜などを成膜した後、フォトリソグラフィ法などによってパターニングすることによって、保護膜２０４を形成する。
【００７６】
　図１５は、第２半導体膜２０５を形成した状態を示す図である。保護膜２０４および第１半導体膜２０３の表面に、たとえばＣＶＤ法などによって、ｎ型不純物たとえばリン、ヒ素またはアンチモンなどの５価の元素を高濃度に混入させたアモルファスシリコン（略称：ｎ＋　ａ−Ｓｉ）膜などを成膜することによって、第２半導体膜２０５を形成する。
【００７７】
　図１６は、第１半導体膜２０３および第２半導体膜２０５を島状にパターニングした状態を示す図である。たとえばドライエッチングなどによって、第１半導体膜２０３および第２半導体膜２０５を図１６に示すように島状にパターニングする。
【００７８】
　図１７は、画素電極１４を形成した状態を示す図である。ゲート絶縁膜２０２、第２半導体膜２０５および第１半導体膜２０３の表面に、たとえばスパッタ法などによってインジウム−錫酸化物（Indium−Tin Oxide；略称：ＩＴＯ）膜などを成膜した後、フォトリソグラフィ法などによってパターニングすることによって、画素電極１４を形成する。
【００７９】
　図１８は、電極膜２０６を形成した状態を示す図である。画素電極１４、ゲート絶縁膜２０２、第２半導体膜２０５および第１半導体膜２０３の表面に、たとえばスパッタ法などによってアルミニウム（Ａｌ）膜などを成膜することによって、電極膜２０６を形成する。
【００８０】
　図１９は、ＴＦＴ素子１３および信号配線１２を形成した状態を示す図である。たとえばフォトリソグラフィ法などによって電極膜２０６および第２半導体膜２０５をパターニングすることによって、画素電極１４に電気的に接続されるドレイン電極２０７と、ソース電極２０８と、ソース電極２０８に電気的に接続される信号配線１２とを形成する。これによって、ＴＦＴ素子１３が形成される。
【００８１】
　図２０は、配向膜１５を形成した状態を示す図である。なお、図２０では、図１９に示すゲート電極２０１、ゲート絶縁膜２０２、第１半導体膜２０３、保護膜２０４、第２半導体膜２０５、ドレイン電極２０７およびソース電極２０８をまとめて、ＴＦＴ素子１３として記載する。ＴＦＴ素子１３、信号配線１２および画素電極１４が形成された対向基板１１上に、ポリイミドなどの配向膜材料を塗布し、配向膜１５を形成する。
【００８２】
　図２１は、透明基板２０の一方の表面２０ａ上に遮光膜レジスト層２１を形成した状態を示す図である。たとえば無アルカリガラスなどからなるガラス基板などの透明基板２０の一方の表面２０ａ上に、遮光膜１９となるレジストをスピン塗布法などによって塗布した後、乾燥させ、遮光膜レジスト層２１を形成する。レジストには、光の透過率が０．１％以下であり、また光が照射された部分が硬化する性質を有するレジストを使用する。
【００８３】
　図２２は、遮光膜レジスト層２１に対して、露光を施す様子を示す図である。ホトマスク２２を用いて、少なくとも非表示部３０となるべく予め定められる位置の遮光膜レジスト層２１に対して、紫外線などの露光光２３を照射する。
【００８４】
　図２３は、透明基板２０の一方の表面２０ａ上に遮光膜１９を形成した状態を示す図である。露光が施された遮光膜レジスト層２１を、たとえばアルカリ性の現像液を用いて現像した後、焼成することによって、非表示部３０となるべく予め定められる位置に対応するように、透明基板２０の一方の表面２０ａ上に遮光膜１９を形成する。以上のようにして形成される遮光膜１９の厚みｓは、１．５μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１．０μｍ以下である。また参照符４４で示される方向の幅ｓ１は、６μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１０μｍ以上２０μｍ以下である。また隣合う遮光膜１９同士の間隔ｓ２は、５０μｍ以上であることが好ましい。
【００８５】
　図２４は、遮光膜１９が形成された透明基板２０上に光硬化型透明樹脂層２４を形成した状態を示す図である。遮光膜１９が形成された透明基板２０上に、光が照射された部分が硬化する性質を有する透明樹脂を塗布し、光硬化型透明樹脂層２４を形成する。
【００８６】
　図２５は、光硬化型透明樹脂層２４に対して露光を施す様子を示す図である。ホトマスク２５を用いて、少なくとも表示部３１となるべく予め定められる位置の光硬化型透明樹脂層２４に対して、紫外線などの露光光２６を照射する。これによって、表示部３１となるべく予め定められる位置の光硬化型透明樹脂層２４の現像剤に対する溶解性を、前記位置以外の前記溶解性よりも低くすることができる。
【００８７】
　図２６は、透明層１０を形成した状態を示す図である。露光が施された光硬化型透明樹脂層２４を、現像液を用いて現像した後、焼成することによって、少なくとも表示部３１となるべく予め定められる位置に対応するように、透明基板２０の一方の表面２０ａ上に透明層１０を形成する。
【００８８】
　このように形成される透明層１０の可視光領域における平均透過率は、前述のように８０％以上である。図２７は、図２６に示す透明層１０に対して、矢符４０の方向から３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの光を透過させたときの光の波長と透過率との関係を示す図であり、横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は透過率（％）である。なお、透過率の測定は、オリンパス光学工業株式会社製のＯＳＰ-ＳＰ２００を用いて行った。また表１に、このときの透過率の値を５ｎｍ毎に示す。
【００８９】
【表１】
2004139029.tif 000003
【００９０】
　また透明層１０の表示部３１に対応する位置における厚みｄ２は、２．０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１．０μｍ以上１．５μｍ以下である。透明層１０を形成する際、透明層１０の厚みには５〜１０％のばらつきがあるけれども、前述のように、透明層１０の厚みを２．０μｍ以下にすることによって、透明層１０の厚みのばらつきを０．２μｍ以下にすることができる。したがって、透明層１０が形成される部分の液晶層１７の厚みのばらつきを小さくすることができるので、液晶層１７の厚みのばらつきによる表示品位の低下を防ぐことができる。また隣合う透明層１０同士の間隔ｗは、０μｍ以上であることが好ましく、より好ましくは３μｍ以上である。
【００９１】
　図２８は、薄膜電極１８および配向膜１５を形成した状態を示す図である。透明層１０が形成された透明基板２０上に、スパッタ法などによってインジウム−錫合金酸化物（ＩＴＯ）などの薄膜を成膜することによって、薄膜電極１８を形成する。インジウム−錫合金酸化物（ＩＴＯ）で形成された膜は、透過率が９０％であり光を充分に透過するので、薄膜電極１８は、ＩＴＯで形成されることが好ましい。薄膜電極１８が形成された透明基板２０上に、ポリイミドなどの配向膜材料を塗布し、配向膜１５を形成する。
【００９２】
　図２９は、透明基板２０と対向基板１１とを貼り合せた状態を示す図である。図２０に示す対向基板１１の画素電極１４が形成された面１１ａと、図２８に示す透明基板２０の透明層１０が形成された面２０ａとを対向させ、前記２枚の基板間にガラスまたはプラスチックなどからなるスペーサ１６を挟持させ、図４に示す注入口２７となるべく予め定められる位置以外の部分をシール材で接着し、注入口２７を形成する。これによって、対向基板１１と透明基板２０とが貼り合わされた液晶セル２８を得る。充分な真空条件に達するように、液晶セル２８の内部を減圧した後、注入口２７が形成された液晶セル２８の端部を図示しない液晶溜に浸漬し、浸漬した状態を維持したまま、液晶セル２８および液晶溜の周囲の圧力を大気圧まで昇圧する。これによって、注入口２７から対向基板１１と透明基板２０との間、すなわち液晶セル２８の内部に液晶を注入し、液晶層１７を形成する。次いで、注入口２７を封止する。以上のようにして、図１に示す液晶表示装置１を得る。
【００９３】
　図３０は、透明層１０を形成する場合と透明層１０を形成しない場合とを対比して示す図である。図３０（ａ）は、本実施の形態である透明層１０を形成する場合の構成を模式的に示す図であり、図３０（ｂ）は、透明層１０を形成する場合の他の構成を模式的に示す図であり、図３０（ｃ）は、透明層１０を形成しない場合の構成を模式的に示す図である。なお、図３０では、対向基板１１、信号配線１２、ＴＦＴ素子１３、透明層１０、遮光膜１９および透明基板２０のみを記載する。また図３０（ａ）、図３０（ｂ）および図３０（ｃ）において、間隙Ｔ２は等しくなっている。
【００９４】
　以上に述べたように、本実施の形態の液晶表示装置１の製造方法では、図２４〜図２６に示す工程において、少なくとも表示部３１となるべく予め定められる位置に対応するように、透明基板２０の一方の表面２０ａ上に透明層１０を形成する。したがって、図３０（ａ）および図３０（ｂ）に示すように、対向基板１１と透明基板２０とを貼り合わせた際、非表示部３０において対向基板１１の表面層と透明基板２０の表面層とによって形成される間隙Ｔ１を、表示部３１において対向基板１１の表面層と透明基板２０の表面層とによって形成される間隙Ｔ２を変化させることなく、大きくすることができる。
【００９５】
　図３０（ｃ）に示すように、表示部３１となるべく予め定められる位置に対応するように透明基板２０の一方の表面２０ａ上に透明層１０を形成しない場合、非表示部３０の間隙Ｔ１は、表示部３１の間隙Ｔ２に依存するので、前記間隙Ｔ１を大きくするためには、前記間隙Ｔ２を大きくすることが必要である。すなわち、前記間隙Ｔ２を変化させることなく、前記間隙Ｔ１を大きくすることはできない。しかしながら、前記間隙Ｔ１を大きくするために前記間隙Ｔ２を大きくすると、対向基板１１と透明基板２０との間に注入される液晶の量が増加するので、液晶の注入に長時間を要する。また前記間隙Ｔ２が大きくなりすぎると、前記間隙Ｔ２を基板全体に渡って均一にすることが困難になり、製造された液晶表示装置に表示不良が発生する。
【００９６】
　前述のように、本実施の形態の液晶表示装置１の製造方法では、少なくとも表示部３１となるべく予め定められる位置に対応するように透明基板２０の一方の表面２０ａ上に透明層１０を形成するので、前記間隙Ｔ１を大きくするために対向基板１１と透明基板２０との間隔を広くする場合であっても、透明層１０の厚みを調整することによって、前記間隙Ｔ２の増加量を、対向基板１１と透明基板２０との間隔の増加量に比べて小さくすることができる。すなわち、前記間隙Ｔ２を変化させることなく、図３０（ｂ）に示すように前記間隙Ｔ１を大きくすることができ、また図３０（ａ）に示すように前記間隙Ｔ１を前記間隙Ｔ２よりも大きくすることもできる。したがって、非表示部３０の液晶層１７となる部分の対向基板１１および透明基板２０に略垂直な面における断面積を大きくし、対向基板１１と透明基板２０との間に液晶を注入する際に、ＴＦＴ素子１３および信号配線１２が設けられる非表示部３０においても液晶の流動経路を確保し、流動抵抗を下げることができるので、液晶の注入速度を速めて注入時間を短縮し、生産性を向上させることができる。また大型の液晶表示装置を製造することが可能になる。
【００９７】
　また本実施の形態では、非表示部３０となるべく予め定められる位置に対応するように透明基板２０の一方の表面２０ａ上に遮光膜１９を形成した後、少なくとも表示部３１となるべく予め定められる位置に対応するように透明基板２０の前記表面２０ａ上に透明層１０を形成する。このことによって、非表示部３０となるべく予め定められる位置に対応するように遮光膜１９を形成する場合であっても、非表示部３０において対向基板１１の表面層と透明基板２０の表面層とによって形成される間隙Ｔ１を大きくすることができ、対向基板１１と透明基板２０との間に液晶を注入する際の液晶の流動経路を確保し、流動抵抗を下げることができる。したがって、ＴＦＴ素子１３および信号配線１２が設けられる非表示部３０に遮光膜１９を有し表示不良が低減された液晶表示装置を、液晶の注入速度を低下させることなく製造することができる。
【００９８】
　また透明層１０は、図２４〜図２６に示すように、透明基板２０の一方の表面２０ａ上に光が照射された部分が硬化する性質を有する透明樹脂によって光硬化型透明樹脂層２４を形成し、少なくとも表示部３１となるべく予め定められる位置に光を照射した後現像することによって形成される。したがって、少なくとも表示部３１となるべく予め定められる位置に対応するように透明基板２０の一方の表面２０ａ上に設けられる透明層１０を容易に形成することができる。
【００９９】
　透明層１０の形成方法はこれに限定されるものではなく、透明層１０は、透明基板２０の一方の表面２０ａ上に光が照射された部分が分解する性質を有する透明樹脂によって光分解型透明樹脂層を形成し、表示部３１となるべく予め定められる位置以外に光を照射した後現像することによって形成されてもよい。また透明層１０は、透明基板２０の一方の表面２０ａ上に透明樹脂によって透明樹脂層を形成し、さらにその表面上にレジスト層を形成し、少なくとも表示部３１となるべく予め定められる位置のレジスト層の現像剤に対する溶解性が、前記位置以外の前記溶解性よりも低くなるように露光を施した後現像し、レジスト層が除去された位置の透明樹脂層を除去することによって形成されてもよい。また透明層１０は、リフトオフ法によって形成されてもよい。
【０１００】
　図３１〜図３４は、リフトオフ法によって透明層１０を形成する場合の各工程の状態を模式的に示す図である。リフトオフ法によって透明層１０を形成する場合、前述の図２４〜図２６に示す工程に代えて、図３１〜図３４に示す工程を行う。
【０１０１】
　図３１は、レジスト層１０１に対して露光を施す様子を示す図である。遮光膜１９が形成された透明基板２０上に、光が照射された部分が硬化する性質を有するネガ型レジストを塗布し、レジスト層１０１を形成する。ホトマスク１０２を用いて、少なくとも表示部３１となるべく予め定められる位置以外のレジスト層１０１に対して、紫外線などの露光光１０３を照射する。これによって、少なくとも表示部３１となるべく予め定められる位置のレジスト層１０１の現像剤に対する溶解性を、前記位置以外の前記溶解性よりも高くすることができる。
【０１０２】
　図３２は、レジスト層１０１を現像した状態を示す図である。露光が施されたレジスト層１０１を、現像液を用いて現像する。これによって、少なくとも表示部３１となるべく予め定められる位置のレジスト層１０１が除去され、レジストパターン１０４が形成される。
【０１０３】
　図３３は、透明樹脂層１０５を形成した状態を示す図である。レジスト層１０１が除去された位置の透明基板２０の一方の表面２０ａおよび遮光膜１９の表面と、レジスト層１０１の表面とを覆うように、スピンコーティング法などによって透明樹脂を塗布し、透明樹脂層１０５を形成する。
【０１０４】
　図３４は、レジスト層１０１とレジスト層１０１の表面上の透明樹脂層１０５とが除去される様子を示す図である。透明樹脂層１０５が形成された透明基板２０をレジスト層１０１の剥離液に浸漬することによって、レジスト層１０１を溶解させ、遮光膜１９から剥離する。このとき、レジスト層１０１の表面上に形成された透明樹脂層１０５が同時に除去される。これによって、透明層１０が形成される。
【０１０５】
　なお、図３１〜図３４に示す工程において、レジスト層１０１は、光が照射された部分が硬化する性質を有するネガ型レジストによって形成されるけれども、これに限定されることなく、光が照射された部分が分解する性質を有するポジ型レジストによって形成されてもよい。この場合には、図３１に示す工程において、少なくとも表示部３１となるべく予め定められる位置のレジスト層１０１に対して、露光光１０３を照射する。
【０１０６】
　また遮光膜１９は、樹脂で形成されるけれども、これに限定されることなく、クロムなどの金属で形成されてもよい。
【０１０７】
　図３５は、本発明の第２の実施の形態である液晶表示装置２の構成を簡略化して示す概略断面図である。図３６は、遮光膜１９と画素電極１４との位置関係および遮光膜１９と透明層１０との位置関係を示す図である。図３６（ａ）は、遮光膜１９と画素電極１４との位置関係を、図３５の矢符４０の方向から見て模式的に示す平面図であり、図３６（ｂ）は、遮光膜１９と透明層１０との位置関係を、図３５の矢符４０の方向から見て模式的に示す平面図であり、図３６（ｃ）は、図３６（ｂ）の切断面線ＩＩＩ−ＩＩＩから見て示す断面図である。なお、図３６（ａ）では、遮光膜１９、画素電極１４および透明基板２０のみを記載し、図３６（ｂ）および図３６（ｃ）では、遮光膜１９、透明層１０および透明基板２０のみを記載する。本実施の形態の液晶表示装置２は、実施の第１形態の液晶表示装置１と類似し、対応する部分については同一の参照符号を付して説明を省略する。
【０１０８】
　注目すべきは、遮光膜１９が、画素電極行列１４０の列間に対応する位置に加えて、画素電極行列１４０の行間に対応する位置に、画素電極行列１４０の行方向４２に平行な方向に延びて設けられることである。
【０１０９】
　図３６（ａ）に示すように、遮光膜１９は、画素電極行列１４０の行間に対応する位置に、画素電極行列１４０の行方向４２に平行な方向に延びて、また画素電極行列１４０の列間に対応する位置に、画素電極行列１４０の列方向４３に平行な方向に延びて設けられる。すなわち、遮光膜１９は格子状に設けられ、斜線で示される光透過部３０１は、画素電極行列１４０を構成する複数の画素電極１４と同様に行列状に配置されたモザイク配列になっている。このことによって、画素電極行列１４０の行方向４２および列方向４３に対して傾斜する斜線の表示に優れ、計測器などに多用される液晶表示装置を得ることができる。
【０１１０】
　また実施の第１形態の液晶表示装置１と同様に、透明基板２０は少なくとも表示部３１の対向基板１１を臨む表面２０ａ上に透明層１０を有し、透明層１０は、図３６（ｂ）に示すように、遮光膜１９が形成されない画素電極行列１４０の行および列に対応する位置に、画素電極行列１４０を構成する複数の画素電極１４と同様に行列状に設けられる。したがって、図３６に示すように遮光膜１９が設けられる液晶表示装置２の製造工程において、液晶の注入速度を速めて注入時間を短縮し、生産性を向上させることができる。
【０１１１】
　図３７は、本発明の第３の実施の形態である液晶表示装置３の構成を簡略化して示す概略断面図である。図３８は、遮光膜１９と画素電極１４との位置関係および遮光膜１９と透明層１０との位置関係を示す図である。図３８（ａ）は、遮光膜１９と画素電極１４との位置関係を、図３７の矢符４０の方向から見て模式的に示す平面図であり、図３８（ｂ）は、遮光膜１９と透明層１０との位置関係を、図３７の矢符４０の方向から見て模式的に示す平面図であり、図３８（ｃ）は、図３８（ｂ）に示す切断面線ＩＶ−ＩＶから見て示す断面図である。なお、図３８（ａ）では、遮光膜１９、画素電極１４および透明基板２０のみを記載し、図３８（ｂ）および図３８（ｃ）では、遮光膜１９、透明層１０および透明基板２０のみを記載する。本実施の形態の液晶表示装置３は、実施の第１形態の液晶表示装置１と類似し、対応する部分については同一の参照符号を付して説明を省略する。
【０１１２】
　注目すべきは、複数の画素電極１４によって構成される画素電極行列１４１の隣合う２つの行が、行方向に配置される複数の画素電極１４によって形成される配列周期が互いに略半周期ずれるように配置され、遮光膜１９が、画素電極行列１４１の行間に対応する位置に、画素電極行列１４１の行方向４２に平行な方向に延びて、また画素電極行列１４１の列間に対応する位置に、画素電極行列１４１の列方向４３０に沿って設けられることである。
【０１１３】
　図３８（ａ）に示すように、複数の画素電極１４は、予め定められる間隔を空けて行列状に配置されて画素電極行列１４１を構成する。画素電極行列１４１の隣合う２つの行は、行方向４２に配置される複数の画素電極１４によって形成される配列周期すなわちピッチＢが互いに略半周期ずれるように配置され、隣合う２つの列は、参照符４３０で示される列方向に配置される複数の画素電極１４によって形成される配行周期すなわちピッチＡが互いに一致するように配置される。遮光膜１９は、画素電極行列１４１の行間および列間に対応する位置に設けられる。画素電極行列１４１の行方向４２は直線で示されるので、画素電極行列１４１の行間に対応する位置の遮光膜１９は、画素電極行列１４１の行方向４２に平行な方向に延びて帯状に設けられる。一方、画素電極行列１４１の列方向４３０は、折れ曲がった線で示されるので、画素電極行列１４１の列間に対応する位置の遮光膜１９は、帯状には設けられず、画素電極行列１４１の列方向４３０に沿って設けられる。すなわち、斜線で示される光透過部３０２は、隣合う２つの行のうち、一方の行の隣合う２つの光透過部３０２ａおよび３０２ｂと、これに隣合う他方の行の１つの光透過部３０２ｃとによって三角形が形成される、いわゆるデルタ（Δ）配列になっている。このことによって、画像表示に優れ、テレビジョンなどに好適な液晶表示装置を得ることができる。
【０１１４】
　また実施の第１形態の液晶表示装置１と同様に、透明基板２０は少なくとも表示部３１の対向基板１１を臨む表面２０ａ上に透明層１０を有し、透明層１０は、図３８（ｂ）に示すように、遮光膜１９が形成されない画素電極行列１４１の行および列に対応する位置に、画素電極行列１４１を構成する複数の画素電極１４と同様に行列状に設けられる。したがって、図３８に示すように画素電極１４および遮光膜１９が設けられる液晶表示装置３の製造工程において、液晶の注入速度を速めて注入時間を短縮し、生産性を向上させることができる。
【０１１５】
　以上に述べた実施の第２形態の液晶表示装置２および実施の第３形態の液晶表示装置３は、実施の第１形態の液晶表示装置１の製造方法において、遮光膜１９を形成するための露光の際に使用する図２２に示すホトマスク２２、および透明層１０を形成するための露光の際に使用する図２５に示すホトマスク２５の形状を変更することによって製造することができる。
【０１１６】
　（実施例）
　次に実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明するけれども、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１１７】
　（実施例１）
　図１に示す液晶表示装置１を作製する。表示画面２９の大きさは、縦３０６ｍｍ、横４０８ｍｍとし、対角線４１の長さは２０インチとした。また画素電極１４の大きさは、縦２５５μｍ、横８５μｍとした。また画素数は、縦方向１２００画素、横方向４８００画素とした。
【０１１８】
　無アルカリガラスからなる対向基板１１の一方の表面１１ａ上に、信号配線１２、ＴＦＴ素子１３および画素電極１４を形成した。ＴＦＴ素子１３のゲート電極２０１、ドレイン電極２０７およびソース電極２０８、ならびに信号配線１２にはアルミニウム（Ａｌ）膜を用い、第１半導体膜２０３にはａ−Ｓｉ膜を用い、第２半導体膜２０５にはｎ＋　ａ−Ｓｉ膜を用い、画素電極１４にはＩＴＯ膜を用いた。ＴＦＴ素子１３、信号配線１２および画素電極１４が形成された対向基板１１上に、配向膜材料（ＪＳＲ株式会社製：オプトマーＡＬ）を塗布することによって配向膜１５を形成した。
【０１１９】
　また、無アルカリガラスからなる透明基板２０の一方の表面２０ａ上に、遮光膜１９となるレジスト（富士フィルムオーリン株式会社製：カラーモザイクＣＭ−Ｋ）をスピン塗布法によって塗布した後、乾燥させ、遮光膜レジスト層２１を形成した。少なくとも非表示部３０となるべく予め定められる位置の遮光膜レジスト層２１に対して、露光光２３を照射した。このとき、露光光２３には波長３６５ｎｍの光を用い、露光量は４０〜６０ｍＪ／ｃｍ２とした。露光が施された遮光膜レジスト層２１をアルカリ性の現像液を用いて現像した後、焼成し、非表示部３０となるべく予め定められる位置に対応するように、透明基板２０の一方の表面２０ａ上に遮光膜１９を形成した。遮光膜１９の厚みｓは１．５μｍ、幅ｓ１は１２μｍ、隣合う遮光膜１９同士の間隔ｓ２は８５μｍとした。
【０１２０】
　遮光膜１９が形成された透明基板２０上に、光が照射された部分が硬化する性質を有する透明樹脂（ＪＳＲ株式会社製：オプトマーＮＮ）を塗布し、光硬化型透明樹脂層２４を形成した。
【０１２１】
　少なくとも表示部３１となるべく予め定められる位置の光硬化型透明樹脂層２４に対して露光光２６を照射した後、現像して焼成し、表示部３１となるべく予め定められる位置に対応するように、透明基板２０の一方の表面２０ａ上に透明層１０を形成した。表示部３１に対応する位置における透明層１０の厚みｄ２は０．５μｍ、隣合う透明層１０同士の間隔ｗは０．０μｍとした。すなわち、非表示部３０のすべての部分に透明層１０を形成した。
【０１２２】
　透明層１０が形成された透明基板２０上に、スパッタ法によってインジウム−錫合金酸化物（ＩＴＯ）の薄膜を成膜し、薄膜電極１８を形成した。薄膜電極１８が形成された透明基板２０上に、配向膜材料（ＪＳＲ株式会社製：オプトマーＡＬ）を塗布することによって配向膜１５を形成した。
【０１２３】
　対向基板１１の画素電極１４が形成された面１１ａと、透明基板２０の透明層１０が形成された面２０ａとを対向させ、前記２枚の基板間に直径３．５μｍの球状のスペーサ１６（積水化学工業株式会社製：ミクロパール）を挟持させ、注入口２７となるべく予め定められる位置以外の部分をシール材で接着し、注入口２７を形成した。これによって、対向基板１１と透明基板２０とが貼り合わされた液晶セル２８を得た。
【０１２４】
　充分な真空条件に達するように、液晶セル２８の内部を２Ｐａまで減圧した後、注入口２７が形成された液晶セル２８の端部を液晶溜に浸漬し、浸漬した状態を維持したまま、液晶セル２８および液晶溜の周囲の圧力を大気圧まで昇圧し、液晶セル２８の内部に液晶を充填した。このとき、大気圧への昇圧を開始した時点から液晶セル２８の内部全体に液晶が充填されるまでの時間を測定し、液晶充填時間とした。次いで、注入口２７を封止した。
　以上のようにして、図１に示す構成の液晶表示装置を製造した。
【０１２５】
　（実施例２〜１６）
　透明層１０の形成に際し、表示部３１における透明層１０の厚みｄ２および隣合う透明層１０同士の間隔ｗを、表２に示すように変化させること以外は、実施例１と同様にして、１５種類の液晶表示装置を作製した。
【０１２６】
　（比較例）
　透明層１０を形成しないこと以外は、実施例１と同様にして液晶表示装置の作製を試みた。
　しかしながら、液晶セルの内部全体に液晶を充填することはできなかった。
【０１２７】
【表２】
2004139029.tif 000004
【０１２８】
　以上の各液晶表示装置の液晶充填時間を表３に示す。なお、表３では、前述の厚みｄ２と間隔ｗとによって、実施例１〜１６および比較例の液晶表示装置を表す。また図３９に、表示部３１の透明層１０の厚みｄ２（μｍ）と液晶充填時間（分）との関係を、間隔ｗ（μｍ）毎に示す。図３９において、参照符４５で示されるグラフは、間隔ｗが０μｍのときの関係を示し、参照符４６で示されるグラフは、間隔ｗが３μｍのときの関係を示し、参照符４７で示されるグラフは、間隔ｗが５μｍのときの関係を示し、参照符４８で示されるグラフは、間隔ｗが８μｍのときの関係を示す。
【０１２９】
【表３】
2004139029.tif 000005
【０１３０】
　実施例１〜１６と比較例との比較から、透明層１０を形成しない比較例では、液晶セルの内部全体に液晶を充填することができないけれども、透明層１０を形成する実施例１〜１６では、液晶セルの内部全体に液晶を充填できることが判った。また液晶充填時間は、表示部３１の透明層１０の厚みｄ２が厚くなるほど短くなり、前記厚みｄ２が遮光膜１９の厚みｓ以上ではほぼ一定であった。また間隔ｗが０．０μｍであり透明層１０が非表示部３０のすべての部分に設けられた実施例１，５，９および１３の液晶表示装置よりも、間隔ｗが３μｍ、５μｍまたは８μｍであり、非表示部３０の一部に透明層１０が設けられなかった実施例２〜４，６〜８，１０〜１２，１４〜１６の液晶表示装置の方が、液晶充填時間が短いことが判った。
【図面の簡単な説明】
【０１３１】
【図１】本発明の第１の実施の形態である液晶表示装置１の一部の構成を簡略化して示す概略断面図である。
【図２】図１に示す液晶表示装置１を矢符４０の方向から見て示す平面図である。
【図３】図１に示す液晶表示装置１を斜め上方向から見て示す斜視図である。
【図４】液晶表示装置１の全体を示す正面図である。
【図５】液晶の充填された領域と注入開始からの経過時間との関係を説明する図である。
【図６】配向不良領域１７０を透過した光１００に対する遮光膜１９の働きについて説明するための図である。
【図７】外部からの光２００に対する遮光膜１９の働きについて説明するための図である。
【図８】遮光膜１９と画素電極１４との位置関係および遮光膜１９と透明層１０との位置関係を示す図である。
【図９】非表示部３０に設けられる透明層１０の形状を模式的に示す図である。
【図１０】遮光膜１９を設けない構成において、非表示部３０に設けられる透明層１０の形状を模式的に示す図である。
【図１１】対向基板１１の一方の表面１１ａ上に、ゲート電極２０１を形成した状態を示す図である。
【図１２】ゲート絶縁膜２０２を形成した状態を示す図である。
【図１３】第１半導体膜２０３を形成した状態を示す図である。
【図１４】保護膜２０４を形成した状態を示す図である。
【図１５】第２半導体膜２０５を形成した状態を示す図である。
【図１６】第１半導体膜２０３および第２半導体膜２０５を島状にパターニングした状態を示す図である。
【図１７】画素電極１４を形成した状態を示す図である。
【図１８】電極膜２０６を形成した状態を示す図である。
【図１９】ＴＦＴ素子１３および信号配線１２を形成した状態を示す図である。
【図２０】配向膜１５を形成した状態を示す図である。
【０１３２】
【図２１】透明基板２０の一方の表面２０ａ上に遮光膜レジスト層２１を形成した状態を示す図である。
【図２２】遮光膜レジスト層２１に対して、露光を施す様子を示す図である。
【図２３】透明基板２０の一方の表面２０ａ上に遮光膜１９を形成した状態を示す図である。
【図２４】遮光膜１９が形成された透明基板２０上に光硬化型透明樹脂層２４を形成した状態を示す図である。
【図２５】光硬化型透明樹脂層２４に対して露光を施す様子を示す図である。
【図２６】透明層１０を形成した状態を示す図である。
【図２７】図２６に示す透明層１０に対して、矢符４０の方向から３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの光を透過させたときの光の波長と透過率との関係を示す図である。
【図２８】薄膜電極１８および配向膜１５を形成した状態を示す図である。
【図２９】透明基板２０と対向基板１１とを貼り合せた状態を示す図である。
【図３０】透明層１０を形成する場合と透明層１０を形成しない場合とを対比して示す図である。
【図３１】レジスト層１０１に対して露光を施す様子を示す図である。
【図３２】レジスト層１０１を現像した状態を示す図である。
【図３３】透明樹脂層１０５を形成した状態を示す図である。
【図３４】レジスト層１０１とレジスト層１０１の表面上の透明樹脂層１０５とが除去される様子を示す図である。
【図３５】本発明の第２の実施の形態である液晶表示装置２の構成を簡略化して示す概略断面図である。
【図３６】遮光膜１９と画素電極１４との位置関係および遮光膜１９と透明層１０との位置関係を示す図である。
【図３７】本発明の第３の実施の形態である液晶表示装置３の構成を簡略化して示す概略断面図である。
【図３８】遮光膜１９と画素電極１４との位置関係および遮光膜１９と透明層１０との位置関係を示す図である。
【図３９】表示部３１の透明層１０の厚みｄ２（μｍ）と液晶充填時間（分）との関係を、間隔ｗ（μｍ）毎に示す図である。
【図４０】白黒表示を行う従来の液晶表示装置５の簡略化した構成を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【０１３３】
　１，２，３　液晶表示装置
　１０　透明層
　１０ａ　間隙
　１１　対向基板
　１２　信号配線
　１３　ＴＦＴ素子
　１４　画素電極
　１５　配向膜
　１６　スペーサ
　１７　液晶層
　１８　薄膜電極
　１９　遮光膜
　２０　透明基板
　２１　遮光膜レジスト層
　２２，２５　ホトマスク
　２３，２６　露光光
　２４　光硬化型透明樹脂層
　２７　注入口
　２８　液晶セル
　２９　表示画面
　３０　非表示部
　３１　表示部
　１００　光
　１０１　レジスト層
　１０２　ホトマスク
　１０３　露光光
　１０４　レジストパターン
　１０５　透明樹脂層
　２００　光
　２０１　ゲート電極
　２０２　ゲート絶縁膜
　２０３　第１半導体膜
　２０４　保護膜
　２０５　第２半導体膜
　２０６　電極膜
　２０７　ドレイン電極
　２０８　ソース電極
　１４０，１４１　画素電極行列
　１７０　配向不良領域
　３００，３０１，３０２　光透過部
【図２７】
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【図３８】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2004139029.tif 000012
【図６】
2004139029.tif 000013
【図７】
2004139029.tif 000014
【図８】
2004139029.tif 000015
【図９】
2004139029.tif 000016
【図１０】
2004139029.tif 000017
【図１１】
2004139029.tif 000018
【図１２】
2004139029.tif 000019
【図１３】
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【図１４】
2004139029.tif 000021
【図１５】
2004139029.tif 000022
【図１６】
2004139029.tif 000023
【図１７】
2004139029.tif 000024
【図１８】
2004139029.tif 000025
【図１９】
2004139029.tif 000026
【図２０】
2004139029.tif 000027
【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
2004139029.tif 000031
【図２５】
2004139029.tif 000032
【図２６】
2004139029.tif 000033
【図２８】
2004139029.tif 000034
【図２９】
2004139029.tif 000035
【図３０】
2004139029.tif 000036
【図３１】
2004139029.tif 000037
【図３２】
2004139029.tif 000038
【図３３】
2004139029.tif 000039
【図３４】
2004139029.tif 000040
【図３５】
2004139029.tif 000041
【図３６】
2004139029.tif 000042
【図３７】
2004139029.tif 000043
【図３９】
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【図４０】
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