【事件の表示】
　平成　４年特許願第１２４４７０号「磁気抵抗効果再生ヘッド」拒絶査定不服審判事件〔平成　５年　６月　１日出願公開、特開平　５−１３５３３２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　　　　平成　４年　５月１８日
（国内優先　特願平３−２２５９８３　　平成　３年　９月　５日）
　審査請求　　　　　　　　　　　　　　平成１１年　２月１７日
　拒絶査定　　　　　　　　　　　　　　平成１３年１１月２８日
　審判請求書　　　　　　　　　　　　　平成１３年１２月２６日
　手続補正書　　　　　　　　　　　　　平成１４年　１月２４日
　前置報告　　　　　　　　　　　　　　平成１４年　３月１８日
　拒絶理由通知　　　　　　　　　　　　平成１５年　８月２１日
　意見書・手続補正書　　　　　　　　　平成１５年１０月２７日
　
２　本願発明
　本件の特許請求の範囲請求項１〜５に係る発明は、手続補正書（平成１５年１０月２７日）に記載された特許請求の範囲請求項１〜５のとおりであり、そのうち請求項１のものは次のものである。
「【請求項１】
　磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜の両端部に直接接して形成された一対の硬磁性体材料薄膜と、前記磁気抵抗効果膜に検出電流を流すための１対の電極膜とを有し、
　前記磁気抵抗効果膜と前記一対の硬磁性体材料薄膜とは同一平面上に形成され、
　前記磁気抵抗効果膜は、前記硬磁性膜に直接接する部分である端部磁区制御領域と該端部磁区制御領域間に形成される中央部感磁領域からなり、
　該中央部感磁領域のトラック幅方向の長さは前記一対の電極膜間の長さよりも長いことを特徴とする磁気ヘッド。（以下、本願発明という。）」
　
３　引用例
　当審の拒絶の理由に引用された、本件優先権主張日前の刊行物である引用例（特開平３−１０８３８５号公報：拒絶理由通知の引用例１）には次の記載がある。
　
ａ　【特許請求の範囲】【請求項１】に、
「非磁性基板上にＣｏまたはＣｏを主成分とする第１の強磁性金属薄膜とＮｉまたはＮｉを主成分とする第２の強磁性金属薄膜とを交互に積層した多層膜からなる磁気抵抗効果素子の製造方法において、多層膜に直流の磁界を加えつつ、該多層膜の端部近傍にレーザ光を照射して加熱後冷却し、該照射部分を合金化する工程を備えてなることを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。」、
　
ｂ　第２頁右下欄第９行〜第３頁左上欄第８行に、
「［作用］
　以下に本発明の作用を簡単に説明する。
　Ｃｏ／Ｎｉの多層膜は、成膜した時には積層構造をとっており、Ｃｏ層とＮｉ層とでは結晶構造が異なるために、結晶粒径は各層の膜厚で制限されて数十Å程度の小さな値となっている。このため、結晶磁気異方性が抑制され、保磁力は小さく軟磁気特性を示す。しかし、この材料をある温度以上に加熱してから徐冷すると各層が相互に拡散して合金化し、結晶粒径も大きくなる。このため、Ｃｏの大きな結晶磁気異方性による保磁力が数１０　Ｏｅから数１００　Ｏｅの硬磁性材料となる。また、この加熱冷却の過程で直流磁界を印加すると、その磁界方向を容易軸とする１軸性の誘導磁気異方性を生じる。
　本発明のＭＲ素子は、ＭＲ素子の両端の部分がセンス電流方向に磁化した硬磁性体となっている。ＭＲ素子はその両端からの静磁界を受けるために単磁区構造が安定化され、バルクハウゼンノイズを生じない。」、
　
ｃ　第３頁左上欄第１５行〜左下欄第３行に、
「［実施例］
　以下に本発明の実施例について詳細に説明する。
実施例１，比較例１
　２基のターゲットを用いたＡｒガス中でのＲＦマグネトロンスパッタリングにより、１００℃に保持したガラス基板上にＣｏ層とＮｉ層とを交互に連続的に積層した多層膜を作製した。この時Ｃｏ層とＮｉ層との厚さは等しく、それぞれ２０Åとした。成膜速度はＣｏ、Ｎｉ共に１Å／秒であった。また、スパッタ電力は１．３Ｗ／ｃｍ２、スパッタ圧力は５×１０−３Ｔｏｒｒであった。膜全体の厚さは１０００Åとした。
　この後、この多層膜上に所定のフォトレジストパターンを形成し、Ａｒガス雰囲気でイオンエッチングを行い、長さ５０μｍ、幅５μｍの矩形状のパターンに加工した。
　次に、この矩形パターンの長さ方向に１００　Ｏｅの直流磁界を印加しながら、矩形パターンの中心から両側それぞれ１０μｍの位置に、レンズによってパターン上での直径を約５μｍ径に集束した出力１００ｍＷのＨｅ−Ｎｅレーザ光を１０μ秒間照射した後、自然冷却させた。この時、基板は送り精度０．１μｍのＸＹステージ上に保持し、顕微鏡でレーザ光の照射位置を制御した。
　次いで、前述の積層体にセンス電流を供給する電極をＴｉとＡｕの積層膜を用いて形成し、ＭＲ素子を作製した。この時、電極の位置は矩形パターンの中心から両側５μｍとし、電極の間隔は１０μｍとした。」
　
ｄ　引用例１には、磁気抵抗効果素子の製造方法が示されているが、その方法によって製造された磁気抵抗効果素子も示されている。
　即ち、第１の強磁性金属薄膜と第２の強磁性金属薄膜とを交互に積層した多層膜（磁気抵抗効果膜）を有し、その両端に接して硬磁性体２ａを有した磁気ヘッドが示されている。
　そして、磁気抵抗効果膜と硬磁性体とは明らかに同一平面上に形成されている。
　磁気抵抗効果膜の長さは、（１０−５／２）×２＝１５μｍであり、電極間隔が１０μｍである。
　硬磁性体膜に接する磁気抵抗効果薄膜の僅かな部分は端部磁区制御領域と認められ、磁気抵抗効果膜の大部分が中央感磁領域と認められ、中央感磁領域の長さは上記寸法計算から見て、電極との重なりが２．５μｍと長いので、電極部との重なりは端部磁区制御領域電極膜間より長いと認められる。してみると、中央部感磁領域のトラック幅方向の長さは一対の電極膜間の長さよりも長いものが示されている。
　
４　本願発明と引用例との対比
　
　引用例の「Ｃｏ層とＮｉ層とを交互に連続的に積層した多層膜２」は本願発明の「磁気抵抗効果膜」に、引用例の「レーザ光を照射して加熱後冷却し、該照射部分を合金化された部分２ａ」は本願発明の「該磁気抵抗効果膜の両端部に直接接して形成された一対の硬磁性体材料薄膜」に、引用例の「センス電流を供給する電極３」は本願発明の「磁気抵抗効果膜に検出電流を流すための１対の電極膜」にそれぞれ相当する。
　そして、引用例においても、磁気抵抗効果膜と前記一対の硬磁性体材料薄膜とは同一平面上に形成されており、磁気抵抗効果膜は、前記硬磁性膜に直接接する部分である端部磁区制御領域を当然に有しており、その領域の間には、引用例も中央部感磁領域も有している。
　更に、上記３ｄの検討により中央部感磁領域のトラック幅方向の長さは前記一対の電極膜間の長さよりも長い。
　
　従って、本願発明と引用例とはその構成が一致し、同一であるので、特許法第２９条第１項３号の規定により、特許を受けることができないものである。
　
　なお、本願発明において、「磁気抵抗効果膜は、前記硬磁性膜に直接接する部分である端部磁区制御領域と該端部磁区制御領域間に形成される中央部感磁領域からなり」としている「端部磁区制御領域」と「中央部感磁領域」は、本件明細書の実施例において次のように記載されている。
　
「【００３０】
　図１において、ＭＲ層３、シャント膜４、ＳＡＬ層１０５、硬磁性体層１、電極層１２から磁気ヘッドが構成される。ＭＲ層３は、媒体からの情報磁界を検出する中央部感磁領域１０２と、中央部感磁領域１０２の磁区構造を制御してバルクハウゼンノイズの発生を抑制するための端部磁区制御領域１０３に分けられる。」
　
「【００３５】
　本実施例では、磁気抵抗効果再生ヘッドを作製する前に、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ硬磁性体層１とＮｉ−ＦｅＭＲ層３の各々単独の薄膜のＢ−Ｈカーブを測定した結果、それぞれ７２〜１１２ｋＡ／ｍ、４０〜１２０Ａ／ｍの保磁力を示したのに対し、硬磁性体層１とＭＲ層３の端部磁区制御領域１０３の２層膜部のＢ−Ｈカーブを測定したところ、保磁力は図２に示すように、両層の値の中間の値を示し、硬磁性体層１の膜厚が減少するに従って２層膜の保磁力も減少する傾向を示した。また、Ｂ−Ｈカーブは段差のないスムーズなカーブを示し、硬磁性体層１と磁気抵抗層３が強磁性交換結合していることが確認された。」
　
「【００３８】
　図３に縦方向バイアスとＮｉ−ＦｅＭＲ膜に対するＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ硬磁性膜の厚さの比の関係を示す。３０１は中央感磁領域の長さが１０μｍでＭＲ層を上置きにした場合、３０２は中央感磁領域の長さが５０μｍでＭＲ層を上置きにした場合、３０３は中央感磁領域の長さが５０μｍでＭＲ層を下置きにした場合である。
【００３９】
　図３に示すように、縦方向バイアスはＭＲ層３の厚さに対する硬磁性体層１の厚さの比が１以上のときに印加されることが明らかである。この結果を使用することによって、磁気抵抗効果再生ヘッドの硬磁性体層１の厚さを選択して、望ましい縦方向バイアスを実現することができる。縦方向バイアスのレベルは、ＭＲ層３の中央部感磁領域１０２を単磁区状態に維持するのに充分な程度とすることが好ましい。この結果を基にして、磁気抵抗効果再生ヘッドを作製し、バルクハウゼンノイズの無い磁気抵抗効果再生ヘッドが得られることが判った。」
　
「【００４１】
　なお、本実施例では、トラック幅（電極内端面間距離）よりＭＲ層３の中央部感磁領域１０２の長さを長く形成したが、このことによつて、縦方向バイアスにより磁区が完全に制御されたＭＲ層３の内側だけからＭＲ出力を得ることができ、バルクハウゼンノイズの無い磁気抵抗効果再生ヘッドが得られた。」
　
　即ち、本件出願において、「端部磁区制御領域」と「中央部感磁領域」は最初からあるものとして示され、【００３５】の「硬磁性体層１とＭＲ層３の端部磁区制御領域１０３の２層膜部のＢ−Ｈカーブを測定したところ」の記載から見て、硬磁性体層１とＭＲ層３の２層膜部しかＢ−Ｈカーブを測定しておらず、 ＭＲ層３の端部磁区制御領域１０３がどの範囲まで広がるのか全く示されていない。してみると、ＭＲ層３の端部磁区制御領域１０３の範囲は、適宜任意に定めることができるものであると認められ、引用例１においても、上記３ｄに記載したように認めることができる。
　
５　まとめ
　本願発明は、特許法第２９条第１項３号の規定により、特許を受けることができないものであるので、他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本件は拒絶を免れ得ない。
　よって、結論のとおり審決する。