【事件の表示】
　平成　８年特許願第　７６４６７号「光記録媒体」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年１０月　７日出願公開、特開平　９−２６５６５８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年３月２９日の出願であって、平成１５年２月４日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月１８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月１６日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成１５年４月１６日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
    平成１５年４月１６日付の手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正後の本願発明
　平成１５年４月１６日付の手続補正（以下、「本補正」という。）は、特許請求の範囲の請求項１に関して、
　
補正前の
　「【請求項１】情報の記録および消去が、非晶相と結晶相の間の相変化によって行われ、ランドとグルーブの両方に記録マークを形成して記録を行う光記録媒体において、グルーブ深さが再生光の波長の１／７以上、１／５以下の光路長をなし、少なくとも、基板／第１誘電体層／記録層／第２誘電体層／光吸収層／反射層の順に積層され、第２誘電体層の厚さが１ｎｍ以上、５０ｎｍ以下であり、光吸収層の材質が実質的にＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｗ、Ｎｂ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｙ、Ｖ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｐｄ、ランタニド元素、Ｔｅから選ばれた少なくとも１種類以上の金属、混合物もしくは合金、または、１種類以上の金属とＳｉまたは／およびＧｅからなる合金から形成され、かつまた、記録層の非晶状態の光吸収率と結晶状態の光吸収率とが下記の式（１）で表されることを特徴とする光記録媒体。
　式（１）　　Ａａ−Ａｃ≦１０
　ここで、Ａａは記録層の非晶状態の光吸収率（％）、Ａｃは記録層の結晶状態の光吸収率（％）を表す。」を、
　
補正後の
　式（１）　　Ａａ−Ａｃ≦１０
　ここで、Ａａは記録層の非晶状態の光吸収率（％）、Ａｃは記録層の結晶状態
の光吸収率（％）を表す。」（以下、同項記載の発明を「本件補正発明」という。）とする補正を含むものである。
　
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「光吸収層の材質」に関して、
　「実質的にＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｗ、Ｎｂ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｙ、Ｖ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｐｄ、ランタニド元素、Ｔｅから選ばれた少なくとも１種類以上の金属、混合物もしくは合金、または、１種類以上の金属とＳｉまたは／およびＧｅからなる合金から形成され」について、
　「Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｗ、Ｎｂ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｙ、Ｖ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｐｄ、ランタニド元素、Ｔｅから選ばれた少なくとも１種類以上の金属、混合物もしくは合金、または、」との選択肢を削除し、
　「実質的に１種類以上の金属とＳｉまたは／およびＧｅからなる合金から形成され」との選択肢を残すものであるから、
　特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（「本件補正発明」）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶理由に引用された特開平７−３１１９８０号公報（以下、「引用例１」という。）には、
　（1-ｉ）「【請求項１】ディスク上に設けられたグルーブとランドの両方に、光ビームの照射による非晶相と結晶相の間の相変化により情報の記録及び消去が行われる光記録媒体において、ランドおよびグルーブの結晶部の反射率が７％以上１５％以下であり、非晶質の反射率が５％以下であることを特徴とする光記録媒体。
　【請求項２】グルーブ溝の深さが再生光の波長の１／８以上１／５以下の光路長をなすことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
　【請求項３】光記録媒体が少なくとも記録層と誘電体層と反射層を有し、基板／第１誘電体層／記録層／第２誘電体層／反射層の順に積層されており、記録層の組成が、下記の式（１）で表され（・・式省略・・）、かつ厚さが１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、かつ反射層の組成がＡｌもしくはＡｌ合金からなり、かつ厚さが５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。」（特許請求の範囲請求項１〜３参照）、及び、
　（1-ii）「【０００７】【発明が解決しようとする課題】　本発明の目的は、前述の従来の光記録媒体の課題を解決し、ランド、グルーブの両トラックを用いた記録方法において、従来よりもトラックピッチを広くすることなく、また、クロストーク量を低減するための特殊な光学系や信号処理回路を設けることなく、クロストーク量の低減をはかれる光記録媒体を提供することである。」（段落【０００７】参照）こと、
　（1-iii）「【００１５】第２誘電体層の厚さは、およそ、１０〜２５０ｎｍ程度である。およそ１０〜５０ｎｍとすることが、良好な消去率の得られる消去パワ−の範囲が広いことから好ましい。　・・・（後略）。」（段落【００１５】参照）こと、
　（1-iv）「【００２２】反射層の材質としては、光反射性を有するＡｌ、Ａｕなどの金属、これらを主成分とし、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈｆなどの添加元素を含む合金及びＡｌ、Ａｕなどの金属にＡｌ、Ｓｉなどの金属窒化物、金属酸化物、金属カルコゲン化物などの金属化合物を混合したものなどがあげられる。Ａｌ、Ａｕなどの金属、及びこれらを主成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導率を高くできることから好ましい。・・・（後略）。」（段落【００２２】参照）こと、
　（1-v）「【００３４】（前略）・・・。　また、グルーブ部の溝深さは、再生光の波長の１／５より深い場合では、トラッキングエラー信号が小さくなり、トラッキングが困難である。また、再生光の波長の１／８より浅い場合ではクロストークが増加してしまうことから、グルーブ部の溝深さは再生光の波長の１／８以上１／５以下が特に好ましい。」（段落【００３４】参照）こと、
　（1-vi）「【００６５】【発明の効果】本発明の光記録媒体によれば、以下の効果が得られた。　【００６６】（１）高感度で、かつ消去率、Ｃ／Ｎが高い。　【００６７】（２）ランド・グルーブ記録法におけるクロストークを低減できる。　【００６８】（３）スパッタ法により容易に製作できる。　【００６９】（４）高い線速度でも、良好なオーバーライト性能が得られる。　【００７０】（５）多数回の記録消去を繰り返しても、動作が安定しており、特性の劣化、欠陥の発生がほとんどない。」（段落【００６５】〜【００７０】参照）こと、が記載されている。
　
　これらの記載からすると、引用例１には、少なくともクロストークを低減しかつ良好なオーバーライト性能を有する光記録媒体に関し、「ディスク上に設けられたグルーブとランドの両方に、光ビームの照射による非晶相と結晶相の間の相変化により情報の記録及び消去が行われる光記録媒体において、グルーブ溝の深さが再生光の波長の１／８以上１／５以下の光路長をなし、少なくとも基板／第１誘電体層／記録層／第２誘電体層／反射層の順に積層され、第２誘電体層の厚さが１０〜５０ｎｍであり、ランドおよびグルーブの結晶部の反射率が７％以上１５％以下であり、非晶質の反射率が５％以下である光記録媒体。」の発明（以下「引用例１発明」という。）が記載されていると認めることができる。
　
　同じく、特開平５−１５９３６０号公報（以下、「引用例２」という。）には、
　（2-i）「結晶と非晶質間の可逆的な相変化を用い、レーザ光照射による情報記録膜の相状態変化によって情報の記録再生消去を行う相変化型光ディスクであって、透明基板と、前記透明基板上に形成された第一の保護膜と、前記第一保護膜上に形成された相変化型情報記録膜と、前記記録膜上に形成された第二の保護膜と、前記第二保護膜上に形成された吸収層と、前記吸収層上に形成された放熱層を有することを特徴とする相変化型光ディスク。」（特許請求の範囲請求項１参照）、及び、
　（2-ii）「【０００７】本発明の目的は上記欠点を解決し、相変化型光ディスクのオーバーライト消去率を改善し、高密度記録を可能にする新規な相変化型光ディスクを提供することにある。」（段落【０００７】参照）こと、
　（2-iii）「【０００９】　（前略）・・・。　吸収層５には、使用されるレーザ波長において、吸収特性をもつ材料、特には、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｆｅなどの金属が使用される。　放熱層６には、熱伝導率が大きい材料、特には、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇなどの金属が用いられる。」（段落【０００９】参照）こと、
　（2-iv）「【００１０】本発明の特徴はこのディスクの構成にあり、特に第二保護膜４上に形成した吸収層５と放熱層６に特徴がある。前述した従来の４層反射膜構成では、反射膜７でほとんどの光が反射されてしまうため、ディスクの反射率差がそのまま記録膜の吸収率差となってしまい、十分な再生信号を確保しようとすると吸収率差が大きくなりオーバーライト消去率不十分となる欠点があったが、本発明に係るディスクにおいては、記録膜３を通過した光が、吸収層５において、かなり吸収されるので、ディスクとしてある程度の反射率差がある場合でも、記録膜３での吸収率差を小さく抑えることができる。　この場合、吸収層５での光吸収に伴う昇温があり、吸収層５への熱的な負担が大きくなる恐れがあるが、それに対しては吸収層５に隣接して形成した放熱層６が有効に作用する。すなわち、放熱層６は吸収層５で発生した熱を効率良く逃がす役割をするので、吸収層５への熱的負担は大幅に軽減される。」（段落【００１０】参照）こと、
　（2-v）「【００１１】次に、使用するレーザ波長を８３０ｎｍに設定し、結晶と非晶質間の吸収率ができるだけ小さく、かつ、両相間での反射率差が大きくなるようにディスク構成を決定し、ディスクを作成した。基板１には直径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのプリグルーブ付きポリカーボネート基板を用いた。第一保護膜２及び第二保護膜４にはＺｎＳ＋ＳｉＯ２混合膜を、記録膜３にはＧｅＳｂＴｅを、吸収層５にはＴｉを、放熱層６にはＡｌを用い、マグネトロンスパッタ法により連続成膜した。各層の膜厚は、第一保護膜１４０ｎｍ、記録膜２０ｎｍ、第二保護膜２２０ｎｍ、吸収層５０ｎｍ、放熱層５０ｎｍとした。このディスクでは、波長８３０ｎｍにおける吸収率は結晶に対して６３％、非晶質に対しても６３％であり、反射率は結晶に対して２４％、非晶質に対して１％であった。」（段落【００１１】参照）こと、
　（2-vi）「【００１３】【発明の効果】　以上説明したように、本発明では、使用するレーザ波長に対して記録膜の吸収率を一定にできるため、オーバーライト時の消去率として十分な値が確保でき、さらにオーバーライト時のビット形状歪を抑える効果もある。これにより、オーバーライト時の再生信号のジッタ増加を小さく抑えることができるという効果がある。」（段落【００１３】参照）こと、が記載されている。
　
　周知引用例として提示する特開平７−１０５５７４号公報には、
　（3-i）「【請求項１】　透明な基板と、この基板の一方の面に形成された、光照射により結晶状態と非晶質状態との間の相変化が可逆的になされる材料からなる記録層と、この記録層の前記基板とは反対側の面に形成された反射層とを少なくとも備えた光情報記録媒体において、前記基板と記録層との間に、前記反射層とは異なる熱伝導率を有する光吸収性材料からなる光吸収層を設けたことを特徴とする光情報記録媒体。
　　【請求項２】　前記光吸収層が、金属、半金属、あるいは半導体からなることを特徴とする請求項１記載の光情報記録媒体。
　　【請求項３】　前記光吸収層が、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｇａ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｐｂ、およびＢｉからなる群より選ばれた元素、あるいはこの群より選ばれた元素を含む合金からなることを特徴とする請求項２記載の光情報記録媒体。」（請求項１〜３参照）、及び、
　（3-ii）「【０００８】　【発明が解決しようとする課題】　このように、単一ビーム法によるオーバーライトによれば、一回のレーザビームの走査で、古い情報を消去しながら同時に新たな情報を記録することが可能となるが、今回の走査により記録マークが形成される部分には、前回の走査において記録部分であったため非晶質状態にあるものと消去部分であったため結晶状態にあるものとの二通りがある。ここで、一般的に結晶状態の方が非晶質状態より熱伝導率が高いため、記録層で発生した熱の逸散は結晶状態にある部分の方が大きい。また、結晶状態にある部分を溶融するためには潜熱が必要である。これらのことから、前回消去部分であった結晶状態の部分に所定の記録マークを形成するには、前回記録部分であった非晶質状態の部分に同等の記録マークを形成するよりも大きなエネルギーが必要となる。
　【０００９】　しかしながら、前述の図５や図６に示す構造の従来の相変化型光ディスクでは、記録層におけるレーザ光の反射率は結晶状態部分の方が非晶質状態部分より高く、吸収率は結晶状態部分の方が非晶質状態部分より低い。すなわち、前述のように、同等の記録マークが形成されるためには結晶状態部分の方がより大きなエネルギーを必要とするにも関わらず、記録マーク形成のために必要な熱に変換されるレーザ光の吸収量は、結晶状態部分の方が非晶質状態部分より少ない。したがって、今回のレーザ光走査における記録部分に同じ記録レベルのレーザ光が照射されても、前回の走査により結晶状態であった部分の温度は、前回の走査により非晶質状態であった部分の温度よりも低くなってしまうという現象が生じていた。
 【００１０】　このように、今回の走査で同じ記録部分となるべき記録層の部分が、前回の記録状態によって温度上昇度合いが異なると、形成された記録マークの大きさが不揃いになったり、正規の位置からずれたところに記録マークが形成されたり、あるいは、前に記録されていた情報の消し残りが生じたりするという問題点が生じる。
 【００１１】　このような記録マークの位置ずれや長さの不揃いは、高密度記録の場合に、情報の正確な再生を阻害してエラーの原因となる。特に、記録マークの前端と後端の位置を情報として記録するマークエッジ記録と呼ばれる高密度記録再生方法では、記録マークの長さと前後端位置とを正確に制御する必要がある。
　本発明は、このような従来技術の問題点に着目してなされたものであり、単一ビームによるオーバーライトであっても、情報信号に忠実な記録マークを記録層に形成することのできる光情報記録媒体を提供することを目的とする。」（段落【０００８】〜【００１１】参照）こと、が記載されている。
　
（３）対比、判断
　そこで、本件補正発明と引用例１発明とを対比する。
　引用例１発明のグルーブ深さが「１／８以上１／５以下の光路長」であることは、本件補正発明のグルーブ深さの「１／７以上、１／５以下の光路長」とは、「１／７以上、１／５以下の光路長」の範囲で一致し、また、引用例１発明の「第２誘電体層の厚さが１０〜５０ｎｍ」であることは、本件補正発明の「第２誘電体の厚さが１ｎｍ以上、５０ｎｍ以下」とは、「１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下」の範囲で一致する。
　してみると、両発明は、少なくともクロストークを低減しかつ良好なオーバーライト性能を有する光記録媒体に関するものであり、「情報の記録および消去が、非晶相と結晶相との間の変化によって行われ、ランドとグルーブの両方に記録マークを形成して記録を行う光記録媒体において、グルーブ深さが再生光の波長の１／７以上、１／５以下の光路長をなし、少なくとも、基板／第１誘電体層／記録層／第２誘電体層／反射層の順に積層され、第２誘電体層の厚さが１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下である光記録媒体。」の発明で一致する。
　他方、本件補正発明は次の（ａ）、（ｂ）が規定されているのに対し、引用例１発明ではそのような規定がない点で相違する。
　（ａ）第２誘電体層と反射層の間に、材質が実質的に１種類以上の金属とＳｉまたは／およびＧｅからなる合金から形成された吸収層を備えることが規定されている点。
　（ｂ）記録層の非晶状態の光吸収率と結晶状態の光吸収率差が下記の式（１）で表されることと規定されている点。
　式（１）　　Ａａ−Ａｃ≦１０　　ここで、Ａａは記録層の非晶状態の光吸収率（％）、Ａｃは記録層の結晶状態の光吸収率（％）を表す。
　
（ａ）の点について
　ところで、引用例２には、前記摘示の如く、基板／第一の保護膜／相変化型情報記録層／第二の保護膜／吸収層／放熱層の順に積層され相変化型光ディスクの発明が記載されているところ、該第一及び第二の保護膜は、「ＺｎＳ＋ＳｉＯ２混合膜」が用いられていることなどから誘電体層と認められ、吸収層は、「使用されるレーザ波長において、吸収特性をもつ材料」で形成されているから光吸収層に相当し、放熱層は、その材質がＡｌ、Ａｕ、Ａｇなどの金属であることや記録媒体として反射が意図されていることなど考慮すると、引用例１に記載の反射層に相当すると認められるから、引用例２には、基板／第１誘電体層／相変化型情報記録層／第２誘電体層／光吸収層／反射層に相当の順に積層された相変化型光ディスクで、その層構成においては本件補正発明と一致している発明が記載されていることになる。
　そして、引用例２には、第２誘電体層と反射層（放熱層）の間に、「使用されるレーザ波長において、吸収特性をもつ材料、特には、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｆｅなどの金属」（摘示（2-iii）参照）が使用され形成された吸収層を備えることで、「記録膜３を透過した光が、吸収層５において、かなり吸収される」ので、記録膜の吸収率差を小さくすることができ（摘示（2-iv）参照）、その結果、オーバーライト時の消去率やオーバーライト時の再生信号のジッタ増加の抑制を好ましいものにすることができる（摘示（2-vi）参照）旨が教示されてる。
　そして、非晶相と結晶相の間の相変化を利用する光記録媒体において、オーバーライト時の消去率やオーバーライト時の再生信号のジッタ増加の抑制を好ましいものにすることは当然要求されることであるから、引用例１に記載の光記録媒体に、引用例２に記載の光吸収特性をもつ材料（例えば、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｆｅなどの金属）からなる光吸収層を設けることは、当業者であれば当然想起することである。
　なるほど、引用例２には、光吸収層の材質としてＳｉやＧｅを含む合金は言及されていない。　しかしながら、光吸収層の材質としては、前記の如く光吸収特性を持つ材料であれば足り、特に例示されているＴｉ、Ｎｉなどは当然採用できるばかりか、それらに限定される必要もなく、光吸収層の材質として金属Ｔｉ、Ｎｉなどの金属の他ＳｉやＧｅなどを含む合金を使用できることも知られている（例えば、前記提示した特開平７−１０５５７４号公報の摘示（3-i）など参照）ことに鑑みれば、Ｔｉなどの金属とＳｉやＧｅなどとの合金を採用してみることは適宜乃至容易になし得る程度のことと認められる。
　
　この点に関して、審判請求理由において審判請求人は、参考実験データを提示しそれを根拠として、「Ｔｉよりなる光吸収層を有する光記録媒体よりも本願発明に属するＴｉＳｉ２よりなる光吸収層を有する光記録媒体の方がジッタをより低減できる効果が高いことが明らかである。」（平成１５年６月１８日付け審判請求理由の手続補正書第９頁参照）ことや、「Ｔｉよりも、ＴｉＳｉ２を用いたディスクの方がより特性の優れていることがわかった。」（同書第１０頁参照）ことを主張している。
　しかしながら、本願当初明細書には、「誘電体層と記録層と光吸収層を有することにより、記録層の非晶時の光吸収率と結晶相時の光吸収率を制御でき、オーバーライト時のジッタをより低減できることから好ましい。」（当初明細書段落【００３４】）との記載はあるけれども、光吸収層の材質がＴｉの場合よりもＴｉＳｉ２の場合の方がジッタが優れていることは何ら言及も記載もされていないし、当初明細書の実施例３のＴｉを光吸収層とする場合と同実施例４のＴｉＳｉ２を光吸収層とする場合のいずれにおいても、ジッタ（１３Ｔと３Ｔの先端と後端のジッタ）が「４．９ｎｓ（ウィンド幅３８ｎｓの１３％）以下を満たしていた。」と記載されていて、一方の場合（ＴｉＳｉ２の場合など）が特に優れていることなど何ら認識されておらず、むしろ同等の作用効果を有していることだけを確認していることが明白である。そうであるから、そのような出願当初に認識されていなかった作用効果をことさらに強調して選択的意義があるとする主張は、採用すべきではない。
　なお、ＺｒＳｉ２、ＷＳｉ２、ＨｆＳｉ２、ＺｒＧｅ２、ＣｒＧｅ２ を光吸収層の材質とするジッタのデータも審判請求理由に提示されているけれども、その具体的数値は実施例レベルの４．９ｎｓ以下を満たすことを釈明する資料として解し得ても、ＳｉやＧｅを含有しない合金や金属に比べて格別優れていると解すべき理由は何もない（ＳｉやＧｅを含有することによって格別優れた作用効果があるとすることは、出願当初認識していなかった新たな選択発明を成立させることになるから、採用すべきではない）。
　そうであるから、光吸収層の材質として「実質的に１種類以上の金属とＳｉまたは／およびＧｅからなる合金」を用いることにより格別予想外の作用効果があると言うべきではない。
　
（ｂ）の点について
  引用例２には、記録膜の吸収率差を小さくすることでオーバーライト時の消去率やオーバーライト時の再生信号のジッタ増加を小さく抑えることができることが教示（摘示（2-iv）参照、また、摘示（2-v）の実施例では光吸収率が結晶でも非晶質のいずれでも６３％）されており、吸収率差の上限値をどのように設定するかは、消去率やジッタ増加の許容範囲に応じて適宜決定し得る設計的事項に過ぎない。
　
　したがって、上記（ａ）、（ｂ）の点を引用例１に記載された発明に採用することは、当業者が容易になし得ることであり、また、そのことによって格別予想外の作用効果を奏しているとも認められない。
　よって、本件補正発明は、周知技術を勘案し引用例１と引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１５年４月１６日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１にかかる発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１３年９月１３日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　「【請求項１】情報の記録および消去が、非晶相と結晶相の間の相変化によって行われ、ランドとグルーブの両方に記録マークを形成して記録を行う光記録媒体において、グルーブ深さが再生光の波長の１／７以上、１／５以下の光路長をなし、少なくとも、基板／第１誘電体層／記録層／第２誘電体層／光吸収層／反射層の順に積層され、第２誘電体層の厚さが１ｎｍ以上、５０ｎｍ以下であり、光吸収層の材質が実質的にＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｗ、Ｎｂ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｙ、Ｖ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｐｄ、ランタニド元素、Ｔｅから選ばれた少なくとも１種類以上の金属、混合物もしくは合金、または、１種類以上の金属とＳｉまたは／およびＧｅからなる合金から形成され、かつまた、記録層の非晶状態の光吸収率と結晶状態の光吸収率とが下記の式（１）で表されることを特徴とする光記録媒体。
　式（１）　　Ａａ−Ａｃ≦１０
　ここで、Ａａは記録層の非晶状態の光吸収率（％）、Ａｃは記録層の結晶状態の光吸収率（％）を表す。」
　
（１）引用例
　原査定の拒絶理由に引用される引用例、および、その記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比、判断
　本願発明は、光吸収層の材質として、前記２．で検討した本件補正発明の光吸収層の材質の「実質的に１種類以上の金属とＳｉまたは／およびＧｅからなる合金」に加え、「実質的にＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｗ、Ｎｂ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｙ、Ｖ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｐｄ、ランタニド元素、Ｔｅから選ばれた少なくとも１種類以上の金属、混合物もしくは合金」を選択肢としているものである。
　本件補正発明の構成要件を全て含む本願発明の部分に関しては、本願補正発明が前記「２．（３）」に記載したとおり、特開平７−１０５５７４号公報などの周知技術を勘案して引用例１に記載された発明と引用例２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も当業者が容易に発明をすることができたものである。
　なお、その加えられた選択肢の構成を選択した本願発明の部分に関して検討すると、引用例２には光吸収層の材質としてＴｉなどの金属を用いることが明示されているのであるから、特開平７−１０５５７４号公報などを勘案したＳｉまたは／およびＧｅに関しての言及を除き前記「２．（３）」に記載したのと同旨理由により、引用例１に記載された発明と引用例２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明と引用例２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。