Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月9日(2011.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザからの所望のテキスト入力を受け入れるためのタッチタイプ可能装置であって、前記タッチタイプ可能装置のテキスト入力キーパッドの１つ以上のキーによってマップされる複数のセルを含む可動キーマスク、を備え、前記可動キーマスクの前記複数のセルの各々が、前記タッチタイプ可能装置の前記テキスト入力キーパッドを使用して前記可動キーマスクの前記複数のセルから前記ユーザが前記所望のテキスト入力を選ぶことを可能にするテキスト入力選択肢の上に重畳する、ことを特徴とするタッチタイプ可能装置。
【請求項２】
前記可動キーマスクが、前記タッチタイプ可能装置のディスプレイ上に配置される、ことを特徴とする請求項１に記載のタッチタイプ可能装置。
【請求項３】
前記テキスト入力選択肢が、一組のありそうなかつ妥当な入力選択肢からすべてのユーザ入力の後で選択され、前記ありそうなかつ妥当な入力選択肢が、前のテキスト入力順序、音素および音節表パターン、前記前のテキスト入力順序とテキスト入力選択肢の組との間の統計的相関、辞書検索、および前記ユーザの使用パターンの１つ以上に基づいて選ばれる、ことを特徴とする請求項１に記載のタッチタイプ可能装置。
【請求項４】
前記所望のテキスト入力が前記テキスト入力選択肢内にない場合には、前記ユーザが前記タッチタイプ可能装置の前記テキスト入力キーパッドを使用して前記ありそうなかつ妥当な入力選択肢の組から前記可動キーマスク上の前記テキスト入力選択肢の第２の組にアクセスする、ことを特徴とする請求項３に記載のタッチタイプ可能装置。
【請求項５】
前記ありそうなかつ妥当な入力選択肢の組から選択される前記テキスト入力選択肢が、前記可動キーマスクの前記複数のセルへの前記ユーザの物理的アクセス、前記可動キーマスク上の前記テキスト入力選択肢の持続性、前にアクセスされたセル上の最もありそうなテキスト入力選択肢の割当て、前記タッチタイプ可能装置の前記テキスト入力キーパッド上の前記テキスト入力選択肢のレイアウト、および使用された最後のキーに対する接近の１つ以上に基づいて前記可動キーマスク上に重畳される、ことを特徴とする請求項３に記載のタッチタイプ可能装置。    
【請求項６】
前記可動キーマスクが、前記テキスト入力選択肢を含むキャラクタマップの上に重畳され、更に、前記可動キーマスクの前記複数のセルの各々が前記キャラクタマップのテキスト入力選択肢の上に重畳する、ことを特徴とする請求項１に記載のタッチタイプ可能装置。
【請求項７】
前記可動キーマスクが、前記タッチタイプ可能装置を使用して前記テキスト入力選択肢にアクセスするために前記キャラクタマップにわたってナビゲートされる、ことを特徴とする請求項６に記載のタッチタイプ可能装置。
【請求項８】
前記可動キーマスクが、前記テキスト入力選択肢を含むキャラクタマップと隣接しており、更に、前記可動キーマスク内に表示される前記テキスト入力選択肢が、前記キャラクタマップ内の前記ユーザによって選ばれる、および／または強調される前記所望のテキスト入力に基づいて動的に変更される、ことを特徴とする請求項１に記載のタッチタイプ可能装置。
【請求項９】
前記所望のテキスト入力が、前に入力されたテキスト入力の間の統計的相関に基づいて圧縮される、ことを特徴とする請求項１に記載のタッチタイプ可能装置。
【請求項１０】
前記テキスト入力選択肢が、１つ以上の言語をサポートし、かつ言語転換性を可能にするように配置される、ことを特徴とする請求項１に記載のタッチタイプ可能装置。
【請求項１１】
前記テキスト入力選択肢が、アルファベット、語、多国語文字組、シンボル、数学記号、式、およびエンジニアリングコードの１つ以上を含む、ことを特徴とする請求項１に記載のタッチタイプ可能装置。
【請求項１２】
前記タッチタイプ可能装置が、携帯電話、パーソナルハンディフォンシステム（ＰＨＳ）、自動車電話、パーソナル携帯情報機器、サーフェスコンピュータ、ポケットビーパ、ＡＴＭ、ＳＴＢ、タッチスクリーンキオスク、ゲームコンソール、およびテレビのようなディスプレイ装置のリモートコントロールの１つ以上を含む、ことを特徴とする請求項１に記載のタッチタイプ可能装置。
【請求項１３】
タッチタイプ可能装置を通してユーザから所望のテキスト入力を受け入れるための一方法であって、
前記タッチタイプ可能装置のテキスト入力キーパッドの１個以上のキーによってマップされる複数のセルを含む可動キーマスクを生成するステップと、
テキスト入力選択肢の上に前記可動キーマスクの前記複数のセルを重畳するステップと、
前記タッチタイプ可能装置の前記テキスト入力キーパッドを使用して前記可動キーマスクの前記複数のセルから前記所望のテキスト入力を受け取るステップと、を含む方法。
【請求項１４】
前記可動キーが、前記タッチタイプ可能装置のディスプレイ上に部分的にまたは完全に表示されるように構成される、ことを特徴とする請求項１３の方法。
【請求項１５】
前記所望のテキスト入力が存在し、かつ前記可動キーマスクの前記複数のセルを通して表示されるかどうかに基づいて、前記ユーザがテキスト入力選択肢の第２の組から前記所望のテキスト入力を選ぶことを可能にするステップ、をさらに含み、前記所望のテキスト入力が存在せず、かつ前記可動キーマスクの前記複数のセルを通して表示されない場合、テキスト入力選択肢の前記第２の組が前記タッチタイプ可能装置を使用して前記可動キーマスクの前記複数のセルを通して表示される、ことを特徴とする請求項１３の方法。
【請求項１６】
前記テキスト入力選択肢が動的に選択され、かつ一組のありそうなかつ妥当な入力選択肢からのすべてのユーザ入力の後で前記可動キーマスク上に表示され、前記ありそうなかつ妥当な入力選択肢が、前のテキスト入力順序、音素および音節表パターン、前記前のテキスト入力順序とテキスト入力選択肢の組との間の統計的相関、辞書検索、ならびに前記ユーザの使用パターンの１つ以上に基づいて選ばれる、ことを特徴とする請求項１３の方法。
【請求項１７】
前記ありそうなかつ妥当な入力選択肢の組から選択される前記テキスト入力選択肢が、前記可動キーマスクの前記複数のセルへの前記ユーザの物理的アクセス、前記可動キーマスク上の前記テキスト入力選択肢の持続性、前にアクセスされたセル上の最もありそうなテキスト入力選択肢の割当て、前記タッチタイプ可能装置の前記テキスト入力キーパッド上の前記テキスト入力選択肢のレイアウト、および使用した最後のキーに対する接近の１つ以上に基づいて前記可動キーマスク上に重畳される、ことを特徴とする請求項１６の方法。
【請求項１８】
前記ユーザが前記テキスト入力選択肢にアクセスすることを可能にするように、前記可動キーマスクがスクロールされることができる、ことを特徴とする請求項１３の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月14日(2012.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータ環境において正規ツリーパターンを分析するための方法であって、前記コンピュータ環境が少なくとも１つのコンピュータプロセッサおよび少なくとも１つのコンピュータ可読メモリを備え、
少なくとも１つのシーケンスおよび少なくとも１つの集合の各々を備える正規ツリーパターンを備えるデータを受け取るステップと、
前記少なくとも１つのシーケンスに対応する第１のマシンを決定するステップと、
前記少なくとも１つの集合に対応する第２のマシンを決定するステップと、
前記第１のマシンと第２のマシンとの和集合を作成するステップと、
前記マシンの和集合に対するラベル付き受容状態の集合を決定するステップと、
前記ラベル付き受容状態から前記第１のマシンと第２のマシンとに対するサブタイプ関係を決定するステップと
ラベル付きネストへの少なくとも１つの遷移を備えるルートレベルマシンを決定するステップと、
前記ラベル付きネストに対応するモジュールを作成するステップと、
前記ラベル付きネストの復帰に対応する継続状態をスタック上に置くステップと、
前記ラベル付きネストに対応するアクションを実行するステップと、
前記ラベル付きネストに対する受容状態に到達する時、前記スタックから継続状態をポップさせ、前記ルートレベルマシンに対する処理を再開するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
当該受け取られたデータが、プログラミング言語で構造型を定義するデータに対応することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
当該受け取られたデータが、データベースのスキーマを備えるデータに対応することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
当該受け取られたデータが、ＸＭＬスキーマに対応することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
２つのデータタイプが等価であるかどうかを決定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
２つのデータベーススキーマが等価であるかどうかを決定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
正規ツリーパターンを分析するための方法をプロセッサに実行させるためのコンピュータプログラムであって、前記方法は、
少なくとも１つのシーケンスおよび少なくとも１つの集合の各々を備える正規ツリーパターンを備えるデータを受け取るステップと、
前記少なくとも１つのシーケンスに対応する第１のマシンを決定するステップと、
前記少なくとも１つの集合に対応する第２のマシンを決定するステップと、
前記第１のマシンと第２のマシンとの和集合を作成するステップと、
前記マシンの和集合に対するラベル付き受容状態の集合を決定するステップと、
前記ラベル付き受容状態から前記第１のマシンと第２のマシンとに対するサブタイプ関係を決定するステップと
ラベル付きネストへの少なくとも１つの遷移を備えるルートレベルマシンを決定するステップと、
前記ラベル付きネストに対応するモジュールを作成するステップと、
前記ラベル付きネストの復帰に対応する継続状態をスタック上に置くステップと、
前記ラベル付きネストに対応するアクションを実行するステップと、
前記ラベル付きネストに対する受容状態に到達する時、前記スタックから継続状態をポップさせ、前記ルートレベルマシンに対する処理を再開するステップと
を含むことを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項８】
当該受け取られたデータが、プログラミング言語で構造型を定義するデータに対応することを特徴とする請求項７に記載のコンピュータプログラム。
【請求項９】
当該受け取られたデータが、データベースのスキーマを備えるデータに対応することを特徴とする請求項７に記載のコンピュータプログラム。
【請求項１０】
当該受け取られたデータが、ＸＭＬスキーマに対応することを特徴とする請求項７に記載のコンピュータプログラム。
【請求項１１】
前記方法は、２つのデータタイプが等価であるかどうかを決定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のコンピュータプログラム。
【請求項１２】
前記方法は、２つのデータベーススキーマが等価であるかどうかを決定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月6日(2012.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分子量１０〜１００ｋＤａのポリマー主鎖であってポリペプチドコポリマーを含むポリマー主鎖と、
（ｉ）各々が酵素開裂及び生化学的酸化に耐える第１の結合を介して主鎖に共有結合したある数（ｚ）の近赤外蛍光色素と、
（ｉｉ）各々が酵素代謝又は生化学的酸化によって開裂し得る第２の結合を介して主鎖に共有結合したある数（ｚ）の消光剤部分と
とを含んでなる分子内消光型蛍光プローブであって、ｚが１〜１５０の値を有する整数であり、前記消光剤部分は前記蛍光色素と蛍光消光性エネルギー移動関係にある、蛍光プローブ。
【請求項２】
第２の結合が酵素代謝によって開裂し得る、請求項１記載のプローブ。
【請求項３】
前記酵素が加水分解酵素である、請求項２記載のプローブ。
【請求項４】
前記ポリマー主鎖が酵素開裂に耐える、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載のプローブ。
【請求項５】
前記コポリマーがリシン−グルタミン酸コポリマーを含む、請求項１記載のプローブ。
【請求項６】
前記消光剤部分が
（ｉ）非蛍光性色素、
（ｉｉ）ニトロ置換フェニル部分、及び
（ｉｉｉ）アズレンダイマー
から選択される、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載のプローブ。
【請求項７】
前記消光剤部分が非蛍光性である、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載のプローブ。
【請求項８】
前記蛍光色素が６００〜１０００ｎｍの範囲内に吸収極大を有する蛍光色素である、請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載のプローブ。
【請求項９】
さらに生物学的標的化分子を含む、請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載のプローブ。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項記載のプローブを含んでなる、インビボイメージングのために適した光学イメージング剤。
【請求項１１】
前記プローブが、哺乳動物への投与に適した形態で該プローブを生体適合性キャリヤーと共に含んでなる医薬組成物として提供される、請求項１０記載の光学イメージング剤。
【請求項１２】
請求項１１記載の光学イメージング剤組成物を製造するためのキットであって、当該キットは請求項１乃至請求項９のいずれか１項記載のイメージング剤を無菌固体形態で含んでいて、生体適合性キャリヤーの無菌供給物で再構成すれば溶解が起こって所望の医薬組成物を与える、キット。
【請求項１３】
インビボ光学イメージング方法であって、
（ｉ）請求項１０又は請求項１１記載の光学イメージング剤を生きている動物又はヒト被験体に投与する段階、
（ｉｉ）（ａ）プローブが前記被験体内の検査対象標的組織中に蓄積し、（ｂ）前記標的組織中の酵素が請求項１記載の第２の結合の１以上を酵素開裂することでプローブを活性化するための時間を経過させて活性化プローブを得る段階、
（ｉｉｉ）前記活性化プローブの蛍光色素によって吸収され得る波長の近赤外励起光で標的組織を照明する段階、
（ｉｖ）段階（ｉｉｉ）における蛍光色素の励起によって活性化プローブから発生する蛍光を、蛍光検出器を用いて検出する段階、
（ｖ）蛍光検出器によって検出された光を任意に濾光して蛍光成分を分離する段階、及び
（ｖｉ）段階（ｉｖ）又は（ｖ）の検出された蛍光から標的組織の光学画像を形成する段階
を含んでなる方法。
【請求項１４】
インビボ光学イメージング方法であって、
（ｉ）請求項１０又は請求項１１記載の光学イメージング剤を生きている動物又はヒト被験体に投与する段階、
（ｉｉ）（ａ）プローブが前記被験体内の検査対象標的組織中に蓄積し、（ｂ）前記標的組織中の酵素が請求項１記載の第２の結合の１以上を酵素開裂することでプローブを活性化するための時間を経過させて活性化プローブを得る段階、
（ｉｉｉ）不均質組成を有する前記被験体の光散乱性生体組織を、所定の経時変動強度を有する光源からの励起光に暴露してイメージング剤を励起する段階であって、組織が励起光を多重散乱させる段階、
（ｉｖ）前記暴露に応答した組織からの多重散乱発光を検出する段階、
（ｖ）組織内の様々な位置における蛍光特性のレベルにそれぞれ対応する複数の値をプロセッサーで確定することにより、発光から組織全体の蛍光特性を定量化する段階であって、蛍光特性のレベルが組織の不均質組成に応じて変化する段階、及び
（ｖｉ）段階（ｖ）の値に従って組織の不均質組成のマッピングを行うことで組織の画像を生成する段階
を含んでなる方法。
【請求項１５】
哺乳動物体の疾患状態の検出、ステージング、診断、疾患進行のモニタリング又は治療のモニタリングを行う方法であって、請求項１３又は請求項１４記載のインビボ光学イメージング方法を含んでなる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月19日(2012.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多機能インサート、特に、空間的に膨らんだ両縁（６）と圧縮された中央部（７）とを含む空間的形状に形成された少なくとも１層のフラットな材料からなる固定インサート（１）からなる多機能インサートであって：
少なくとも１つの補足搬送手段（２）および／または補足包装手段（３）を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月8日(2012.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの金属補強要素層から成る半径方向カーカス補強材を有するタイヤであって、前記タイヤが、それ自体トレッドで半径方向に被覆されたクラウン補強材を有し、前記トレッドが２つのサイドウォールを経て２つのビードに接合されているタイヤにおいて、
前記少なくとも１つのカーカス補強材層の前記金属補強要素は、通気度試験において２０ｃｍ3／分未満の流量を示す非たが掛けコードであり、前記カーカス補強材の少なくとも１つの層は、少なくとも一方の側に真っ直ぐな向きのテキスタイル細線を備え、前記テキスタイル細線は、前記少なくとも１つのカーカス補強材層の前記金属補強要素の方向と１０°を超える角度をなしている、
ことを特徴とするタイヤ。
【請求項２】
前記少なくとも１つのカーカス補強材層の前記金属補強要素は、少なくとも２つの層を有するコードであり、少なくとも内側の層は、ポリマー配合物、例えば架橋可能な又は架橋済みのゴム配合物、好ましくは少なくとも１種類のジエンエラストマーを主成分とする架橋可能な又は架橋済みのゴム配合物から成る層で外装されている、
請求項１記載のタイヤ。
【請求項３】
前記コードは、通気度試験において、１０ｃｍ3／分未満、好ましくは２ｃｍ3／分未満の流量を示す、
請求項１又は２記載のタイヤ。
【請求項４】
少なくとも１つの金属補強要素層から成る半径方向カーカス補強材を有するタイヤであって、前記タイヤが、それ自体トレッドで半径方向に被覆されたクラウン補強材を有し、前記トレッドが２つのサイドウォールを経て２つのビードに接合されている、タイヤにおいて、前記少なくとも１つのカーカス補強材層の前記金属補強要素は、少なくとも２つの層を有するコードであり、少なくとも内側の層は、ポリマー配合物、例えば架橋可能な又は架橋済みのゴム配合物、好ましくは少なくとも１種類のジエンエラストマーを主成分とする架橋可能な又は架橋済みのゴム配合物から成る層で外装され、前記カーカス補強材の少なくとも１つの層は、少なくとも一方の側に真っ直ぐな向きのテキスタイル細線を備え、前記テキスタイル細線は、前記少なくとも１つのカーカス補強材層の前記金属補強要素の方向と１０°を超える角度をなしている、
ことを特徴とするタイヤ。
【請求項５】
前記テキスタイル細線と前記カーカス補強材の少なくとも１つの層の前記金属補強要素の方向とのなす角度は、４５°を超えている、
請求項１ないし４のいずれか１項に記載のタイヤ。
【請求項６】
前記カーカス補強材の少なくとも１つの層の前記補強要素の方向に平行な方向に沿って測定された２本のテキスタイル細線相互間のピッチと前記カーカス補強材の少なくとも１つの層の前記補強要素の方向に垂直な方向に沿って測定された前記カーカス補強材の少なくとも１つの層の前記補強要素相互間のピッチの比は、１０を超えている、
請求項１ないし５のいずれか１項に記載のタイヤ。
【請求項７】
前記カーカス補強材の少なくとも１つの層は、少なくとも一方の面に真っ直ぐな向きのテキスタイル細線の少なくとも２つの層を備え、前記テキスタイル細線は、１つの層から次の層にクロス掛けされている、
請求項１ないし６のいずれか１項に記載のタイヤ。
【請求項８】
前記少なくとも１つのカーカス補強材層の前記金属補強要素は、タイヤカーカス補強材の補強要素として使用できる［Ｌ＋Ｍ］又は［Ｌ＋Ｍ＋Ｎ］構造の層状金属コードであり、前記層状金属コードは、直径ｄ1のＬ本の細線（Ｌは、１〜４である）を有する第１の層Ｃ１をピッチｐ2で螺旋の状態に互いに巻かれた直径ｄ2のＭ本の細線（Ｍは、３〜１２である）を有する少なくとも１つの中間層Ｃ２で包囲したものであり、前記層Ｃ２は、オプションとして、ピッチｐ3で螺旋の状態に互いに巻かれた直径ｄ3のＮ本の細線（Ｎは、８〜２０である）の外側層Ｃ３によって包囲され、少なくとも１種類のジエンエラストマーを主成分とする架橋可能な又は架橋済みゴム配合物から成るシースが、［Ｌ＋Ｍ］構造では、前記第１の層Ｃ１を覆い、［Ｌ＋Ｍ＋Ｎ］構造では、少なくとも前記中間層Ｃ２を覆う、
請求項１ないし７のいずれか１項に記載のタイヤ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月28日(2012.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
切削工具（４０）のためのホルダ（１）であって、前記切削工具（４０）のステム（４１）を受入れるための第１のチャンネル（６）を有するボディ（２）を包含し、前記ボディ（２）が前記第１のチャンネル（６）と交差する第２のチャンネル（８）を有し、前記ホルダ（１）が前記第２のチャンネル（８）内に挿入されることになるプランジャ（１３）をさらに包含し、前記プランジャ（１３）が第３のチャンネル（１４）を、前記プランジャ（１３）が前記ボディ（２）内に挿入されたときに前記第３のチャンネル（１４）の断面が少なくとも部分的に前記第１のチャンネル（６）の断面とオーバーラップするように、かつ前記切削工具（４０）の前記ステム（４１）が前記第１のチャンネル（６）内に挿入されたときに前記ステム（４１）が前記第３のチャンネル（１４）内まで延びることを可能にするように有し、かつ前記ホルダ（１）が、前記プランジャによって前記ボディ（２）に関する移動に対して前記ステム（４１）をロックするためのメカニズム（２６）をさらに包含し、
前記プランジャ（１３）が前記ロックするメカニズム（２６）を包含し、前記ロックするメカニズム（２６）が、圧力チャンバ（２２）を区切る膜（２０）を包含し、前記膜（２０）が前記第３のチャンネル（１４）の部分を形成し、かつ前記ステム（４１）に直接作用するべく構成されることを特徴とするホルダ（１）。
【請求項２】
前記ボディ（２）に関する移動に対して前記ステム（４１）をロックするための前記メカニズム（２６）が、前記膜（２０）を前記ステム（４１）に対して押圧するように前記圧力チャンバ（２２）を加圧するための手段（２７，２８）を含むことを特徴とする、請求項１に記載のホルダ（１）。
【請求項３】
前記メカニズム（２６）が液圧オイル・パイプ（２５）を包含し、それが前記圧力チャンバ（２２）を、前記圧力チャンバ（２２）を加圧するための前記手段（２７，２８）が位置する前記プランジャ（１３）の外向きに面する端壁（１６ａ）と接続することを特徴とする、請求項２に記載のホルダ（１）。
【請求項４】
前記膜（２０）が柱筒状であることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載のホルダ（１）。
【請求項５】
前記第１のチャンネル（６）が第１の長さ軸（７）に沿って延び、前記第２のチャンネル（８）が第２の長さ軸（９）に沿って延び、前記第１および第２の軸（７，９）が互いに関して本質的に垂直であることを特徴とする、請求項１ないし４のいずれかに記載のホルダ（１）。
【請求項６】
前記切削工具（４０）の前記ステム（４１）が前記第１のチャンネル（６）内に挿入されたときに前記ステム（４１）が第３のチャンネル（１４）を通って延びることが可能となるように前記第３のチャンネル（１４）が前記プランジャ（１３）を通って延びることを特徴とする、請求項１ないし５のいずれかに記載のホルダ（１）。
【請求項７】
前記ホルダが、さらに、前記ステム（４１）が前記ボディに関する横方向ポジションにおいて位置決めされるように前記第２のチャンネルの長さ軸に沿って前記プランジャを移動するためのメカニズム（２９）を包含することを特徴とする、請求項１ないし６のいずれかに記載のホルダ（１）。
【請求項８】
前記ホルダが、前記ボディ（２）に関する前記切削工具（４０）の角度方向および／または軸方向の位置決めのための手段（３８）を包含することを特徴とする、請求項１ないし７のいずれかに記載のホルダ（１）。
【請求項９】
前記位置決め手段が前記第１のチャンネル（６）の開口（１８）に提供される凹み（３８）を包含し、前記凹みが、前記切削工具（４０）の前記ステム（４１）上に提供されたノッチ（４４）を受入れ、それによって前記切削工具（４０）の軸方向および角度方向の位置決めを可能にするべく配されることを特徴とする、請求項８に記載のホルダ（１）。
【請求項１０】
ホルダ（１）内における使用のための切削工具（４０）であって、前記切削工具（４０）がステム（４１）を含み、前記切削工具（４０）が、前記ホルダ（１）のボディ（２）に関する前記切削工具（４０）の角度方向および／または軸方向の位置決めのための手段（４４）を包含し、それにおいて前記位置決め手段（４４）が前記切削工具（４０）のステム（４１）上に提供されるノッチ（４４）を包含し、前記ノッチが前記ホルダの凹み内に挿入され、それによって前記ホルダ内における前記切削工具の軸方向および角度方向の位置決めを可能にするべく適合されており、それにおいて前記切削工具（４０）の前記ステム（４１）が、前記ステム（４１）の下側領域内の冷却液体フローの入口（４５）、前記液体フローの入口（４５）から前記ステム（４１）のトップに位置するヘッド（４２）まで延びる冷却液体供給コンジット（４７）、および前記ヘッド（４２）において前記冷却液体供給コンジット（４７）に接続された冷却液体エジェクタ流出口ノズル（４８）を含み、それにおいて前記冷却液体エジェクタ流出口ノズル（４８）が、前記冷却液体供給コンジット（４７）より小さい断面積を有し、それにおいて前記冷却液体エジェクタ流出口ノズル（４８）が、１ｍｍと３ｍｍの間の長さを有することを特徴とする切削工具（４０）。
【請求項１１】
前記冷却液体供給コンジット（４７）が、前記ステム（４１）の中心軸（４９）に関して偏心されていることを特徴とする、請求項１０に記載の切削工具（４０）。
【請求項１２】
前記ヘッドが、前記切削工具の長さ方向の軸（４７）と平行な平面内に広がる第１の表面（５０）であって切削インサート（４３）が配置される第１の表面、および前記長さ方向の軸（４７）に対して直角な平面に関して傾斜され、かつ前記冷却液体エジェクタ流出口ノズル（４８）の長さ軸（５６）と交差する平面（Ｐ）内に広がる第２の表面（５１）を含むことを特徴とする、請求項１０または１１に記載の切削工具（４０）。
【請求項１３】
前記ステム（４１）が超硬合金を含むかまたはそれからなり、前記ヘッド（４２）が工具鋼から作られることを特徴とする、請求項１０ないし１２のいずれかに記載の切削工具。
【請求項１４】
切削インサート（４３）であって、使用前はそれが多角形断面形状を有し、前記多角形の辺（５２）が丸み付きコーナ（５３）に接し、かつ前記丸み付きエリア内に真直部分（５４）が存在し、前記丸み付きコーナ（５３）が０．６ｍｍと１．２ｍｍの間の曲率半径を有し、前記真直部分が０．０７ｍｍと０．１５ｍｍの間の長さを有することを特徴とする切削インサート（４３）。
【請求項１５】
正三角形または正方形の形状を有することを特徴とする、請求項１４に記載の切削インサート（４３）。
【請求項１６】
前記真直部分（５４）が前記ステム（４１）の中心軸（４９）と同軸となるように前記ヘッドに前記切削インサート（５３）が固定されることを特徴とする、請求項１４または１５に記載の切削インサート（４３）。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月6日(2012.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｋ１）の非対称リンカー化合物の製造方法であって、下記の反応を含んでなる方法。
【化１】
2012513391.tif 000001
式中、ＬＧは脱離基であり、ｎは１〜１９を表す。
【請求項２】
請求項１記載の化合物Ｅ１及びＬ１を製造するための方法であって、Ｇ１及びＬ１から抽出又は結晶化によってＨ１を分離する、方法。
【請求項３】
Ｅ１がポリプロピレングリコールから両方の末端ヒドロキシル基上に脱離基（ＬＧ）を導入することによって製造される、請求項１記載の方法。
【請求項４】
Ｃ１をＥ１と反応させてＦ１とＧ１とＥ１の混合物を生成させる、請求項１記載の方法。
【請求項５】
好ましい温度が約２２℃であり、好ましい時間が約５〜８時間である、請求項４記載の方法。
【請求項６】
Ｆ１とＧ１とＥ１の混合物をフタルイミド塩と反応させてＨ１とＧ１とＬ１の混合物を生成させる、請求項１記載の方法。
【請求項７】
Ｆ１とＧ１とＥ１の混合物を約３０〜約７０℃の温度範囲で約１〜約４時間にわたりフタルイミド塩と反応させてＨ１とＧ１とＬ１の混合物を生成させる、請求項６記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月5日(2012.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成形可能な物品であって、
第１の材料からなる第１の障壁と、前記第１の障壁内の内部空間とを含む第１の容器と、
前記内部空間内に収容され、第１のガラス転移温度及び第１の結晶化開始温度を有する第１のガラスを含む、複数の第１のガラス粒子であって、前記複数の第１のガラス粒子は第１の成形温度で成形可能であり、前記第１のガラス転移温度と前記第１の結晶化開始温度との間の差異は、少なくとも約５°Ｋ（−２６８℃）であり、前記第１のガラスは、少なくとも２つの金属酸化物、０〜２０重量％未満のＳｉＯ2、０〜２０重量％未満のＢ2Ｏ3、及び０〜４０重量％未満のＰ2Ｏ5、を含む組成を有する、複数の第１のガラス粒子と、を含み、
前記第１の材料は、前記第１の成形温度未満の第１の分解温度を有する、物品。
【請求項２】
第２の材料からなる第２の障壁と、前記第２の障壁内の第２の内部空間とを含む、第２の容器であって、全体が前記第１の容器の前記内部空間内にある、第２の容器と、
前記第２の内部空間内に収容される複数の第２のガラス粒子であって、前記複数の第２のガラス粒子及び前記複数の第１のガラス粒子が、互いに分離されていて、前記複数の第２のガラス粒子は第２のガラスを含み、かつ第２の成形温度で成形可能である、複数の第２のガラス粒子と、を更に含む、請求項１に記載の物品。
【請求項３】
成形可能な物品を作製する方法であって、
第１のレセプタクルの中に複数の、第１のガラス転移温度及び第１の結晶化開始温度を有する第１のガラスの粒子を配置する工程であって、前記複数の第１のガラスの粒子は第１の成形温度で成形可能であり、前記第１のガラス転移温度と前記第１の結晶化開始温度との間の差異は、少なくとも約５°Ｋ（−２６８℃）であり、前記第１のガラスは、少なくとも２つの金属酸化物を含む組成を有する、工程と、
前記第１のガラスの粒子から、捕捉された水分を除去する工程と、
第１の障壁を含む第１の容器を形成するために前記第１のレセプタクルを密封する工程であって、前記第１の障壁は内部空間を画定し、前記複数の第１の微小粒子は、前記内部空間の少なくとも一部を占有し、前記内部空間は、実質的に水を含まず、前記第１の障壁は、前記第１の成形温度より低い第１の分解温度を有する第１の材料を含む、工程と、を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月16日(2012.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種のリチウム塩、およびリチウム塩が溶ける非水溶媒を含む電池用電解質溶液であって、該電池用電解質溶液の０．０１から８０重量％が、構造：
【化１７】
2012513666.tif 000001
［式中、Ａ１は、１つまたは複数の芳香族環を含む基であり；各Ｒは、独立に、１、２もしくは３個の炭素原子を含むことができ、かつＡ１基の芳香族環の炭素原子に直接結合した２価アルキレン基であり、各Ｒ１は、独立に、水素、ハロゲン、ＯＨ、１２個までの炭素原子を有するヒドロカルビル基、または１２個までの炭素原子を有するアルコキシル基であるか、あるいは、同じリン原子に結合した２つのＲ１基は一緒になって、そのリン原子を含む環構造を形成しており；ｘは、少なくとも２の整数である］
によって表される少なくとも１種の芳香族リン化合物である電池用電解質溶液。
【請求項２】
前記芳香族リン化合物が、構造：
【化１８】
2012513666.tif 000002
［式中、各Ｒ３は、独立に、水素、Ｃ１〜３アルキル、ヒドロキシル、ハロゲン、１から３個の炭素原子を含むアルコキシル、またはＣ２〜３アルキレンであり、各Ｒは、独立に、１、２もしくは３個の炭素原子を含み得る２価アルキレン基であり、各Ｒ１は、独立に、水素、ハロゲン、ＯＨ、１２個までの炭素原子を有するヒドロカルビル基、または１２個までの炭素原子を有するアルコキシル基であるか、あるいは、同じリン原子に結合した２つのＲ１基は一緒になって、そのリン原子を含む環構造を形成しており；ｘは、少なくとも２の整数である］
を有する、請求項１に記載の電池用電解質溶液。
【請求項３】
前記芳香族リン化合物が、構造：
【化１９】
2012513666.tif 000003
［式中、Ｒ３は、独立に、水素、Ｃ１〜３アルキル、ヒドロキシル、ハロゲン、１から３個の炭素原子を含むアルコキシル、またはＣ２〜３アルキレンであり、各Ｒ４は、独立に、１から８個の炭素原子を有するアルキルである］
を有する、請求項２に記載の電池用電解質溶液。
【請求項４】
前記芳香族リン化合物が、構造：
【化２０】
2012513666.tif 000004
［式中、Ｒ３は、独立に、水素、Ｃ１〜３アルキル、ヒドロキシル、ハロゲン、１から３個の炭素原子を含むアルコキシル、またはＣ２〜３アルキレンであり、各Ｒ４は、独立に、１から８個の炭素原子を有するアルキルである］
を有する、請求項２に記載の電池用電解質溶液。
【請求項５】
次の構造を有する少なくとも２種の芳香族リン化合物：
【化２３】
2012513666.tif 000005
［式中、各Ｒ３は、独立に、水素、Ｃ１〜３アルキル、ヒドロキシル、ハロゲン、１から３個の炭素原子を含むアルコキシル、またはＣ２〜３アルキレンであり、各Ｒは、独立に、１、２もしくは３個の炭素原子を含むことができ、かつ前記芳香族環の炭素原子に直接結合した２価アルキレン基であり、各Ｒ１は、独立に、水素、ハロゲン、ＯＨ、１２個までの炭素原子を有するヒドロカルビル基、または１２個までの炭素原子を有するアルコキシル基であるか、あるいは、同じリン原子に結合した２つのＲ１基は一緒になって、そのリン原子を含む環構造を形成しており；少なくとも１種の前記芳香族リン化合物では、ｘは少なくとも３であり、別の少なくとも１種の前記芳香族リン化合物では、ｘは２である］
を含む、請求項１に記載の電池用電解質溶液。
【請求項６】
構造：
【化２４】
2012513666.tif 000006
［式中、各Ｒ３は、独立に、水素、Ｃ１〜３アルキル、ヒドロキシル、ハロゲン、１から３個の炭素原子を含むアルコキシル、またはＣ２〜３アルキレンであり、Ｒは、１、２もしくは３個の炭素原子を含むことができ、かつ前記芳香族環の炭素原子に直接結合した２価アルキレン基であり、各Ｒ１は、独立に、水素、ハロゲン、ＯＨ、１２個までの炭素原子を有するヒドロカルビル基、または１２個までの炭素原子を有するアルコキシル基であるか、あるいは、同じリン原子に結合した２つのＲ１基は一緒になって、そのリン原子を含む環構造を形成している］
を有する少なくとも１種の化合物をさらに含む、請求項１から５のいずれかに記載の電池用電解質溶液。
【請求項７】
構造：
【化２５】
2012513666.tif 000007
［式中、Ｘは、酸素または硫黄であり、Ｔは、共有結合、酸素または硫黄であるが、但し、ＸおよびＴの少なくとも一方は硫黄であり、各Ｘ’は、独立に、酸素または硫黄であり、各ｍは、独立に、Ｘ’が酸素である場合、ゼロまたは１であり、Ｘ’が硫黄である場合、ゼロ、１または２であり、ｎは、少なくとも１であり、好ましくは少なくとも２であり、各Ｒ５は、独立に、非置換であるか、または不活性置換されたヒドロカルビル基であるか、あるいは、Ｒ５基は一緒になって、非置換であるか、または不活性置換された２価の有機基を形成しており、Ａは、有機連結基である］
によって表される少なくとも１種のリン−硫黄化合物をさらに含む、請求項１から６のいずれかに記載の電池用電解質溶液。
【請求項８】
脂肪族炭素−炭素不飽和を有する少なくとも１種のカーボネート化合物をさらに含む、請求項１から７のいずれかに記載の電池用電解質溶液。
【請求項９】
少なくとも１種のスルトン化合物をさらに含む、請求項１から７のいずれかに記載の電池用電解質溶液。
【請求項１０】
アノード、カソード、該アノードとカソードの間に配置されたセパレータ、ならびに該アノードおよびカソードに接触している電解質溶液を含む電池であって、該電解質溶液が請求項１から９のいずれかに記載の電池用電解質溶液である、電池。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月29日(2012.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動作時に、所定のイメージ（１０）を生成するオプトエレクトロニクス投影装置であって、
電磁放射を発生させるのに適している活性層（１０１）と放射出口面（１０２）とを有する半導体ボディ（１）、を備えており、
前記半導体ボディ（１）との電気接続を形成するため、第１のコンタクト層（２）および第２のコンタクト層（３）が、前記半導体ボディ（１）の裏面（１０３）に配置されており、かつ分離層（４）によって互いに電気的に絶縁されており、前記裏面（１０３）が前記放射出口面（１０２）とは反対側に位置しており、
前記第１のコンタクト層（２）の部分領域（２０３）は、前記裏面（１０３）から、前記活性層（１０１）における少なくとも１つの孔（perforation）（１０４）の中を、前記放射出口面（１０２）に向かう方向に延在しており、
前記半導体ボディ（１）が前記投影装置のイメージ生成要素であり、前記第２のコンタクト層（３）が、ピクセル（３０１）の形の構造化されており、前記投影装置の動作時、前記ピクセル（３０１）が投影される結果として、前記所定のイメージ（１０）の少なくとも一部が生じる、
オプトエレクトロニクス投影装置。
【請求項２】
前記第１のコンタクト層（２）が、前記半導体ボディ（１）とは反対側である前記第２のコンタクト層（３）の面、に配置されており、前記第２のコンタクト層（３）と電気絶縁性の前記分離層（４）が前記ピクセル（３０１）毎に複数の開口（３０２）を有し、前記第１のコンタクト層（２）が前記開口（３０２）の中を前記半導体ボディ（１）の方に延在しており、前記半導体ボディ（１）の前記放射出口面（１０２）は電気接続がない、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス投影装置。
【請求項３】
前記ピクセル（３０１）が２次元のセグメントディスプレイとして配置されている、
請求項２に記載のオプトエレクトロニクス投影装置。
【請求項４】
前記ピクセル（３０１）が、ｎ行およびｍ列からなる２次元の規則的な行列に配置されている、
請求項２に記載のオプトエレクトロニクス投影装置。
【請求項５】
前記第２のコンタクト層（３）が、絵文字、文字、またはレタリングの形の少なくとも１つの構造（３０１ｂ）を有する、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス投影装置。
【請求項６】
前記活性層（１０１）は、前記ピクセル（３０１）の全体にわたって延在する連続的でコヒーレントな層である、
請求項１から請求項５のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス投影装置。
【請求項７】
前記半導体ボディ（１）と前記活性層（１０１）が、パターンを形成するように構造化されており、前記投影装置の動作時、前記パターンが投影される結果として、前記所定のイメージ（１０）の少なくとも一部が生じる、
請求項１から請求項６のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス投影装置。
【請求項８】
前記半導体ボディ（１）は部分的に完全に除去され、除去された領域（８）が生じ、
前記除去された領域（８）には反射滴材料（８１）が充填され、前記第１のコンタクト層（２）は、前記ピクセル（３０１）の全体にわたって横方向に延在する薄層のミラーとして設計される、
請求項１から請求項７のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス投影装置。
【請求項９】
前記第１のコンタクト層（２）が、前記放射出口面（１０２）に面している前記活性層（１０１）の側において前記半導体ボディ（１）との電気接続を形成するのに適している少なくとも１つの電気接続領域（２０１）、を有する、
請求項１から請求項８のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス投影装置。
【請求項１０】
前記第１のコンタクト層（２）が、構造（２０２）の形に構造化されており、かつ複数の電気接続領域（２０１）を有し、構造（２０２）それぞれが接続領域（２０１）に導電接続されている、
請求項１から請求項９のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス投影装置。
【請求項１１】
前記第２のコンタクト層（３）が、ピクセル（３０１）の形に構造化されており、かつ複数の電気接続パッド（３０３）を有し、ピクセル（３０１）それぞれが接続パッド（３０３）に導電接続されている、
請求項１から請求項１０のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス投影装置。
【請求項１２】
前記放射出口面（１０２）上に部分的に放射取り出し構造（１１）が配置されており、
前記放射取り出し構造（１１）が、前記半導体ボディ（１）の前記放射出口面（１０２）のうち、垂直方向下方に前記第２のコンタクト層（３）の前記ピクセル（３０１）の１つが配置されている領域にのみ配置されている、
請求項１から請求項１１のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス投影装置。
【請求項１３】
前記半導体ボディ（１）の下流、前記放射出口面（１０２）上に光学要素（５）が配置されている、
請求項１から請求項１２のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス投影装置。
【請求項１４】
前記第１のコンタクト層（２）もしくは前記第２のコンタクト層（３）またはその両方が、前記電磁放射の一部を前記放射出口面（１０２）の方向に反射し、前記一部が、前記活性層（１０１）から前記裏面（１０３）に向かう方向に放出された部分である、
請求項１から請求項１３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス投影装置。
【請求項１５】
前記投影装置が電子装置（６）、特に、携帯電話、携帯情報端末（ＰＤＡ）、ノート型コンピュータ、デスクトップコンピュータ、時計、または目覚し時計、の一部である、
請求項１から請求項１４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス投影装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月10日(2012.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化ガリウム（ＧａＮ）層と、
前記ＧａＮ層上に配置された第１ダイアモンド層と、
前記ＧａＮ層および前記第１ダイアモンド層と接触して配置されたゲート構造と、
を備えているデバイスを製造するステップを含み、
該製造するステップが、
前記ＧａＮ層の第１表面上に第１ダイアモンド層を堆積させること、及び
前記ＧａＮ層の第１表面とは反対側となる、前記ＧａＮ層の第２表面上に第２ダイアモンド層を堆積させること、を含む、
方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、前記堆積することが、マイクロ波プラズマ化学蒸着（ＣＶＤ）を用いて、前記ＧａＮ層上に前記ダイアモンド層を堆積させることを含む、方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法において、前記堆積させることが、１，０００オングストロームよりも大きいダイアモンド層を堆積させることを含む、方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、前記ＧａＮ層の第１表面とは反対側となる、前記ＧａＮ層の第２表面上に第２ダイアモンド層を堆積させることが、前記ＧａＮ層の第２表面に、第１熱伝導率を有する第２ダイアモンド層と、この第２ダイアモンド層に堆積され、前記第１熱伝導率よりも高い第２熱伝導率を有する第３ダイアモンド層とを付着させることを含む、方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法において、前記ＧａＮ層を備えるデバイス製造するステップが、非ドープＧａＮ、ドープＧａＮ、または他の元素と組み合わせたＧａＮの内少なくとも１つを備えているＧａＮ層を備えているデバイスを製造するステップを含む、方法。
【請求項６】
請求項１記載の方法において、デバイスを製造するステップが、高周波デバイス、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、またはマイクロ波デバイスの内１つを製造することを含む、方法。
【請求項７】
窒化ガリウム（ＧａＮ）の第１表面上にダイアモンド層を配置するステップと、
前記ダイアモンド層の一部を除去して、前記ＧａＮの第１表面を露出させるステップと、
前記ＧａＮの第１表面および前記ダイアモンド層に接触するゲート構造を形成するステップと、
前記ＧａＮの第１表面の反対側となる、前記ＧａＮの第２表面に第２ダイアモンド層を付着させるステップと、
を備えている、方法。
【請求項８】
請求項７記載の方法であって、更に、高周波デバイス、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、またはマイクロ波デバイスの内少なくとも１つを、前記ダイアモンド／ＧａＮ構造から製造するステップを備えている、方法。
【請求項９】
請求項７記載の方法において、前記ダイアモンド層の一部を除去して前記ＧａＮの第１表面を露出させるステップが、酸素プラズマを用いて前記ダイアモンド層の一部を除去することを含む、方法。
【請求項１０】
請求項７記載の方法において、ダイアモンド層を配置するステップが、ダイアモンド層を堆積させることを含む、方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の方法であって、更に、前記ダイアモンド層を堆積させる前に、ナノ−ダイアモンド粒子を含む溶液内に浸漬したＧａＮに超音波を付するステップを含む、方法。
【請求項１２】
請求項７記載の方法であって、
第１基板上にＧａＮを成長させるステップと、
前記ＧａＮ上に材料層を堆積させるステップと、
前記第１基板を除去するステップと、
を備えている、方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の方法において、第１基板上にＧａＮを成長させるステップが、シリコン・カーバイド、シリコン、またはサファイアの内１つにＧａＮを成長させることを含む、方法。
【請求項１４】
請求項１２記載の方法において、前記ＧａＮ上に材料層を堆積させるステップが、シリコン層またはガラス層の内１つを堆積させることを含む、方法。
【請求項１５】
請求項１２記載の方法であって、更に、ダイアモンド／ＧａＮ構造を形成するために、前記材料層を除去するステップを備えている、方法。
【請求項１６】
窒化ガリウム（ＧａＮ）層と、
前記ＧａＮ層上に配置された第１ダイアモンド層と、
前記ＧａＮ層および前記第１ダイアモンド層と接触して配置されたゲート構造と、
第１熱伝導率を有し、前記ＧａＮ層の第２表面上に堆積された第２ダイアモンド層と、
を備えており、
前記ゲートおよび前記第１ダイアモンド層が、前記ＧａＮの第２表面とは反対側となる、前記ＧａＮ層の第１表面上に堆積される、デバイス。
【請求項１７】
請求項１６記載のデバイスであって、更に、前記第１熱伝導率よりも高い第２熱伝導率を有し、前記第２ダイアモンド層上に堆積された第３ダイアモンド層を備えている、デバイス。
【請求項１８】
請求項１６記載のデバイスであって、更に、前記第２ダイアモンド層と前記ＧａＮ層との間に堆積された中間層を備えている、デバイス。
【請求項１９】
請求項１６記載のデバイスにおいて、前記第２ダイアモンド層が約２ミルよりも大きく、前記第１ダイアモンド層が１ミル未満である、デバイス。
【請求項２０】
請求項１６記載のデバイスにおいて、前記デバイスが、高周波デバイス、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、またはマイクロ波デバイスの内の１つである、デバイス。
【請求項２１】
請求項１６記載のデバイスにおいて、前記ＧａＮ層が、非ドープＧａＮ、ドープＧａＮ、または他の元素と組み合わせたＧａＮの内少なくとも１つを含む、デバイス。
【請求項２２】
窒化ガリウム（ＧａＮ）層と、
前記ＧａＮ層上に配置された第１ダイアモンド層と、
前記ＧａＮ層および前記第１ダイアモンド層と接触して配置されたゲート構造と、
第１熱伝導率を有し、前記ＧａＮ層の第２表面上に堆積された第２ダイアモンド層と、
前記第２ダイアモンド層と前記ＧａＮ層との間に堆積された中間層と、
を備えており、
前記ゲートおよび前記第１ダイアモンド層が、前記ＧａＮの第２表面とは反対側となる、前記ＧａＮ層の第１表面上に堆積され、
前記ＧａＮ層が、非ドープＧａＮ、ドープＧａＮ、または他の元素と組み合わせたＧａＮの内少なくとも１つを含む、デバイス。
【請求項２３】
請求項２２記載のデバイスであって、更に、前記第１熱伝導率よりも高い第２熱伝導率を有し、前記第２ダイアモンド層上に堆積された第３ダイアモンド層を備えている、デバイス。
【請求項２４】
請求項２２記載のデバイスにおいて、前記第２ダイアモンド層が約２ミルよりも大きく、前記第１ダイアモンド層が１ミル未満である、デバイス。
【請求項２５】
請求項２２記載のデバイスにおいて、前記デバイスが、高周波デバイス、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、またはマイクロ波デバイスの内の１つである、デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月25日(2012.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の第１の導電層と第２の導電層との間に電気的接続を形成するための方法であって、
前記第１の層と接続領域において電気的に接触し、前記第１の層の材料とは異なる導電性材料を含むパッドを形成する工程と、
前記第１の層の領域を陽極酸化する工程と、
前記陽極酸化の後に、前記パッドを露出させる工程と、
前記露出したパッドと電気的に接触させて前記第２の層を配置する工程と、を含む、方法。
【請求項２】
導電性の陽極酸化性材料を含み、第１の電子素子の電極を形成するように構成された第１の回路層と、
前記第１の回路層上に配置された、前記第１の回路層の前記材料の陽極酸化型を含む陽極酸化層と、
第２の電子素子の電極を形成するように構成された第２の回路層と、
前記第１の電子素子の前記電極を前記第２の電子素子の前記電極と電気的に接続するように構成され、導電性の非陽極酸化性パッドを含むビアと、を含む、薄膜電子回路。