【手続補正書】
【提出日】平成26年3月10日(2014.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
【表２】
2013531729.tif 000001
本願発明は以下の態様を含む。
（態様１）
コーティングを沈着させる方法であって、
アノード、カソード、前記アノードおよび前記カソードと関連付けられた電着浴、ならびに前記アノードおよび前記カソードに接続された電源を提供する工程と、
前記電源を駆動させて、タングステンおよび／またはモリブデンを更に含有する銀系合金を含むコーティングを基材に沈着させる工程と
を含み、
前記銀系合金は１ミクロンより小さい平均粒径を有することを特徴とする、方法。
（態様２）
前記銀系合金が０．１原子パーセント〜５０原子パーセントのタングステンおよび／またはモリブデンである、態様１に記載の方法。
（態様３）
前記銀系合金が１００ｎｍより小さい平均粒径を有する、態様１に記載の方法。
（態様４）
前記コーティングが約５マイクロインチより大きい厚さを有する、態様１に記載の方法。
（態様５）
前記基材が銅を含む、態様１に記載の方法。
（態様６）
前記コーティングが複数の層を含む、態様１に記載の方法。
（態様７）
前記複数の層の少なくとも１つが前記銀系合金を含む、態様６に記載の方法。
（態様８）
前記複数の層の少なくとも１つがＲｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕまたはそれらの組合せを含む、態様６に記載の方法。
（態様９）
前記複数の層の少なくとも１つがＮｉおよび／またはＣｏを含む、態様６に記載の方法。
（態様１０）
前記コーティングが第１の層および第２の層を含み、前記第１の層が前記基材上に形成され、前記第２の層が前記第１の層上に形成される、態様１に記載の方法。
（態様１１）
前記銀系合金が、前記コーティングの厚さの５０％より小さい平均粒径を有する、態様１に記載の方法。
（態様１２）
前記電着浴が銀イオン種ならびにタングステンおよび／またはモリブデンイオン種を含む、態様１に記載の方法。
（態様１３）
前記電着浴がアルキルヒドロキシルカルボン酸を含む、態様１に記載の方法。
（態様１４）
前記電着浴が置換ピリジン化合物を含む、態様１に記載の方法。
（態様１５）
前記電着浴がイミド官能基含有化合物を含む、態様１に記載の方法。
（態様１６）
前記電着浴が約７．０〜９．０のｐＨを有する、態様１に記載の方法。
（態様１７）
前記電着浴が水溶液である、態様１に記載の方法。
（態様１８）
コーティングを沈着させる方法であって、
アノード、カソード、前記アノードおよび前記カソードと関連付けられた電着浴、ならびに前記アノードおよび前記カソードに接続された電源を提供する工程と、
前記電源を駆動させて、タングステンおよび／またはモリブデンを更に含有する銀系合金を含むコーティングを基材に沈着させる工程と
を含み、
前記銀系合金中のタングステンおよび／またはモリブデンの濃度が０．１原子パーセント〜５０原子パーセントであることを特徴とする、方法。
（態様１９）
前記銀系合金が１ミクロンより小さい平均粒径を有する、態様１８に記載の方法。
（態様２０）
前記基材が銅を含む、態様１８に記載の方法。
（態様２１）
前記コーティングが第１の層および第２の層を含み、前記第１の層が前記銀系合金を含む、態様１８に記載の方法。
（態様２２）
前記第２の層がＲｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕまたはそれらの組合せを含む、態様２１に記載の方法。
（態様２３）
前記第１の層が前記基材上に形成され、前記第２の層が前記第１の層上に形成される、態様２１に記載の方法。
（態様２４）
前記電着浴が銀イオン種ならびにタングステンおよび／またはモリブデンイオン種を含む、態様１８に記載の方法。
（態様２５）
前記電着浴が置換ピリジン化合物を含む、態様１８に記載の方法。
（態様２６）
前記電着浴がイミド官能基含有化合物を含む、態様１８に記載の方法。
（態様２７）
前記電着浴が水溶液である、態様１８に記載の方法。
（態様２８）
電気コネクタを形成する方法であって、
アノード、カソード、前記アノードおよび前記カソードと関連付けられた電着浴、ならびに前記アノードおよび前記カソードに接続された電源を提供する工程と、
前記電源を駆動させて、タングステンおよび／またはモリブデンを更に含有する銀系合金を含むコーティングを導電性基材に電着させる工程と、
被覆された前記導電性基材から電気コネクタを形成する工程と
を含む、方法。
（態様２９）
前記銀系合金が０．１原子パーセント〜５０原子パーセントのタングステンおよび／またはモリブデンである、態様２８に記載の方法。
（態様３０）
前記銀系合金が１ミクロンより小さい平均粒径を有する、態様２８に記載の方法。
（態様３１）
前記コーティングが約５マイクロインチより大きい厚さを有する、態様２８に記載の方法。
（態様３２）
前記導電性基材が銅を含む、態様２８に記載の方法。
（態様３３）
前記コーティングが第１の層および第２の層を含み、前記第１の層が前記銀系合金を含む、態様２８に記載の方法。
（態様３４）
前記第２の層がＲｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕまたはそれらの組合せを含む、態様３３に記載の方法。
（態様３５）
前記第１の層が前記基材上に形成され、前記第２の層が前記第１の層上に形成される、態様３３に記載の方法。
（態様３６）
前記電着浴が銀イオン種ならびにタングステンおよび／またはモリブデンイオン種を含む、態様２８に記載の方法。
（態様３７）
前記電着浴が置換ピリジン化合物を含む、態様２８に記載の方法。
（態様３８）
前記電着浴がイミド官能基含有化合物を含む、態様２８に記載の方法。
（態様３９）
前記電着浴が水溶液である、態様２８に記載の方法。
（態様４０）
コーティングを沈着させる方法であって、
アノード、カソード、前記アノードおよび前記カソードと関連付けられた電着浴、ならびに前記アノードおよび前記カソードに接続された電源を提供する工程と、
前記電源を駆動させて、タングステンおよび／またはモリブデンを更に含有する銀系合金を含むコーティングを基材に沈着させる工程と
を含み、
前記コーティングは水溶液から沈着されることを特徴とする、方法。
（態様４１）
前記銀系合金が０．１原子パーセント〜５０原子パーセントのタングステンおよび／またはモリブデンである、態様４０に記載の方法。
（態様４２）
前記銀系合金が１ミクロンより小さい平均粒径を有する、態様４０に記載の方法。
（態様４３）
前記導電性基材が銅を含む、態様４０に記載の方法。
（態様４４）
前記コーティングが第１の層および第２の層を含み、前記第１の層が前記銀系合金を含む、態様４０に記載の方法。
（態様４５）
前記第２の層がＲｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕまたはそれらの組合せを含む、態様４４に記載の方法。
（態様４６）
前記第１の層が前記基材上に形成され、前記第２の層が前記第１の層上に形成される、態様４４に記載の方法。
（態様４７）
前記電着浴が銀イオン種ならびにタングステンおよび／またはモリブデンイオン種を含む、態様４０に記載の方法。
（態様４８）
前記電着浴が置換ピリジン化合物を含む、態様４０に記載の方法。
（態様４９）
前記電着浴がイミド官能基含有化合物を含む、態様４０に記載の方法。
（態様５０）
基材と、
前記基材上に形成された、タングステンおよび／またはモリブデンを更に含有する銀系合金を含むコーティングと
を含む物品であって、
前記銀系合金中のタングステンおよび／またはモリブデンの濃度は少なくとも１．５原子パーセントであり、前記銀系合金は１ミクロンより小さい平均粒径を有することを特徴とする、物品。
（態様５１）
前記銀系合金が１００ｎｍより小さい平均粒径を有する、態様５０に記載の物品。
（態様５２）
前記コーティングが電着プロセスを用いて形成される、態様５０に記載の物品。
（態様５３）
前記コーティングが浴において形成される、態様５０に記載の物品。
（態様５４）
前記銀系合金が、前記コーティングの厚さの５０％より小さい平均粒径を有する、態様５０に記載の物品。
（態様５５）
前記コーティングが約５マイクロインチより大きい厚さを有する、態様５０に記載の物品。
（態様５６）
前記銀系合金が面心立方構造を有する、態様５０に記載の物品。
（態様５７）
前記銀系合金が０．１原子パーセント〜５０原子パーセントのタングステンおよび／またはモリブデンである、態様５０に記載の物品。
（態様５８）
前記基材が銅を含む、態様５０に記載の物品。
（態様５９）
前記コーティングがニッケル含有層を更に含む、態様５０に記載の物品。
（態様６０）
前記コーティングが、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕまたはそれらの組合せを含有する層を更に含む、態様５０に記載の物品。
（態様６１）
基材と、
前記基材上に形成された、タングステンおよび／またはモリブデンを更に含有する銀系合金を含むコーティングと
を含む物品であって、
前記銀系合金は前記コーティングの厚さの５０％より小さい平均粒径を有することを特徴とする、物品。
（態様６２）
前記銀系合金が１００ｎｍより小さい平均粒径を有する、態様６１に記載の物品。
（態様６３）
前記銀系合金中のタングステンおよび／またはモリブデンの濃度が少なくとも１．５原子パーセントである、態様６１に記載の物品。
（態様６４）
前記銀系合金が０．１原子パーセント〜５０原子パーセントのタングステンおよび／またはモリブデンである、態様６１に記載の物品。
（態様６５）
前記コーティングが約５マイクロインチより大きい厚さを有する、態様６１に記載の物品。
（態様６６）
前記銀系合金が面心立方構造を有する、態様６１に記載の物品。
（態様６７）
前記基材が銅を含む、態様６１に記載の物品。
（態様６８）
前記コーティングがニッケル含有層を更に含む、態様６１に記載の物品。
（態様６９）
前記コーティングが、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕまたはそれらの組合せを含有する層を更に含む、態様６１に記載の物品。
（態様７０）
導電性基材と、
前記導電性基材上に形成された、タングステンおよび／またはモリブデンを更に含有する銀系合金を含むコーティングと
を含む、電気部品。
（態様７１）
前記導電性基材が銅を含む、態様７０に記載の電気コネクタ。
（態様７２）
前記コーティングがニッケル含有層を更に含む、態様７０に記載の電気コネクタ。
（態様７３）
前記コーティングが、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕまたはそれらの組合せを含有する層を更に含む、態様７０に記載の電気コネクタ。
（態様７４）
前記銀系合金が１００ｎｍより小さい平均粒径を有する、態様７０に記載の電気コネクタ。
（態様７５）
前記銀系合金が、前記コーティングの厚さの５０％より小さい平均粒径を有する、態様７０に記載の電気コネクタ。
（態様７６）
前記銀系合金が０．１原子パーセント〜５０原子パーセントのタングステンおよび／またはモリブデンである、態様７０に記載の電気コネクタ。
（態様７７）
前記コーティングが約５マイクロインチより大きい厚さを有する、態様７０に記載の電気コネクタ。
（態様７８）
前記銀系合金が面心立方構造を有する、態様７０に記載の電気コネクタ。
（態様７９）
銀イオン種と、
タングステンおよび／またはモリブデンイオン種と、
少なくとも１種類の錯化剤と
を含む浴であって、
前記浴は電着プロセスに適していることを特徴とする、浴。
（態様８０）
前記少なくとも１種類の錯化剤が銀およびタングステンの共析を許容する、態様７９に記載の浴。
（態様８１）
前記少なくとも１種類の錯化剤がアルキルヒドロキシルカルボン酸を含む、態様７９に記載の浴。
（態様８２）
前記少なくとも１種類の錯化剤が置換ピリジン化合物を含む、態様７９に記載の浴。
（態様８３）
前記少なくとも１種類の錯化剤がイミド官能基含有化合物を含む、態様７９に記載の浴。
（態様８４）
前記浴が約７．０〜９．０のｐＨを有する、態様７９に記載の浴。
（態様８５）
前記浴が水溶液である、態様７９に記載の浴。
（態様８６）
湿潤剤を更に含む、態様７９に記載の浴。
（態様８７）
前記少なくとも１種類の錯化剤がシアン化物を含む、態様７９に記載の浴。
（態様８８）
前記浴が実質的にシアン化物を含まない、態様７９に記載の浴。
（態様８９）
浴と、
少なくとも１つの電極と、
電源と
を含む電着システムであって、
前記浴は銀イオン種、タングステンおよび／またはモリブデンイオン種ならびに少なくとも１種類の錯化剤を含み、前記浴は、前記少なくとも１つの電極と関連付けられ、前記電源は、前記少なくとも１つの電極に接続されることを特徴とすることを特徴とする、電着システム。
（態様９０）
前記少なくとも１種類の錯化剤がアルキルヒドロキシルカルボン酸を含む、態様８９に記載の電着システム。
（態様９１）
少なくとも１種類の錯化剤が置換ピリジン化合物を含む、態様８９に記載の電着システム。
（態様９２）
前記少なくとも１種類の錯化剤がイミド官能基含有化合物を含む、態様８９に記載の電着システム。
（態様９３）
前記浴が約７．０〜９．０のｐＨを有する、態様８９に記載の電着システム。
（態様９４）
前記浴が水溶液である、態様８９に記載の電着システム。
（態様９５）
湿潤剤を更に含む、態様８９に記載の電着システム。
（態様９６）
前記電源が、逆パルスシーケンスを有する波形を発生させることができる、態様８９に記載の電着システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
前記基材上に形成された、タングステンおよび／またはモリブデンを更に含有する銀系合金を含むコーティングと
を含む物品であって、
前記銀系合金中のタングステンおよび／またはモリブデンの濃度は少なくとも１．５原子パーセントであり、前記銀系合金は１ミクロンより小さい平均粒径を有することを特徴とする、物品。
【請求項２】
前記銀系合金が１００ｎｍより小さい平均粒径を有する、請求項１に記載の物品。
【請求項３】
前記コーティングが電着プロセスを用いて形成される、請求項１に記載の物品。
【請求項４】
前記銀系合金が、前記コーティングの厚さの５０％より小さい平均粒径を有する、請求項１に記載の物品。
【請求項５】
前記コーティングが約５マイクロインチより大きい厚さを有する、請求項１に記載の物品。
【請求項６】
前記銀系合金が面心立方構造を有する、請求項１に記載の物品。
【請求項７】
前記基材が銅を含む、請求項１に記載の物品。
【請求項８】
前記コーティングがニッケル含有層を更に含む、請求項１に記載の物品。
【請求項９】
前記コーティングが、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕまたはそれらの組合せを含有する層を更に含む、請求項１に記載の物品。
【請求項１０】
前記銀系合金がタングステンを更に含む、請求項１に記載の物品。
【請求項１１】
コーティングを沈着させる方法であって、
アノード、カソード、前記アノードおよび前記カソードと関連付けられた電着浴、ならびに前記アノードおよび前記カソードに接続された電源を提供する工程と、
前記電源を駆動させて、タングステンおよび／またはモリブデンを更に含有する銀系合金を含むコーティングを基材に沈着させる工程と
を含み、
前記銀系合金は１ミクロンより小さい平均粒径を有することを特徴とする、方法。
【請求項１２】
前記銀系合金が１００ｎｍより小さい平均粒径を有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記コーティングが約５マイクロインチより大きい厚さを有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記コーティングが第１の層および第２の層を含み、前記第１の層が前記基材上に形成され、前記第２の層が前記第１の層上に形成される、請求項１１に記載の方法。