【事件の表示】
　特願２０００−１４７５１４「薄膜磁気ヘッド」拒絶査定に対する審判事件［平成１３年　１月１２日出願公開、特開２００１−　　６１２３］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　経緯
　原特許出願　　　　　　　　　　　　　平成　６年　８月　１日
　本件特許出願（分割）　　　　　　　　平成１２年　５月１９日
　審査官拒絶理由通知　　　　　　　　　平成１４年　１月２４日
　意見書・手続補正書　　　　　　　　　平成１４年　３月２９日
　拒絶査定　　　　　　　　　　　　　　平成１４年　４月３０日
　審判請求　　　　　　　　　　　　　　平成１４年　６月　５日
　
２　本願発明
（１）　本願の特許請求の範囲請求項１〜５に係る発明は、上記手続補正書の特許請求の範囲請求項１〜５に記載されたとおりであり、そのうち請求項１に係る発明は、次のものである。
「【請求項１】　第１の磁性層／非磁性導電層／第２の磁性層から成る磁気抵抗効果素子と、交換異方性結合により前記第１の磁性層の磁化を一方向に固定する反強磁性層とを有し、
　前記磁気抵抗効果素子の各層および前記反強磁性層のトラック幅方向の両側端面が連続面とされて、前記反強磁性層、前記第１の磁性層、前記非磁性導電層および前記第２の磁性層の各層のトラック幅方向の両側にわたる硬磁性層が設けられ、前記硬磁性層から磁界を与えられた前記第２の磁性層の磁化方向が前記第１の磁性層の固定磁化方向と直交する方向へ向けられており、
　前記第１の磁性層の固定磁化方向と、記録媒体からの漏れ磁界による前記第２の磁性層の膜内での磁化方向の変化との関係により電気抵抗値の変化が検出されることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。（以下、本願発明という。）」
　
３　引用例記載の発明
３−１　引用例１　特開平４−３５８３１０号公報
　拒絶の理由に引用された本件出願前公知の刊行物である特開平４−３５８３１０号公報（以下、引用例１という。）に次の事項が記載されている。
　【００１２】に、
「【００１２】
　本発明のこの新しい構造が図３に例示されている。本発明のＭＲセンサは、ガラス、セラミック、又は半導体のような適切なサブストレート１０の上に、例えば、軟質強磁性体の第１薄膜層１２、非磁性金属体の薄膜層１４、及び強磁性体の第２薄膜層１６を付着させた構造である。強磁性体の薄膜層１２及び１６は、磁界が印加されていない場合は、個々の磁化方向が約９０度の角度差になるようにする。さらに、強磁性体の第２薄膜層１６の磁化方向は、矢印２０が示す方向に固定される。磁界が印加されていない場合の軟質強磁性体の第１薄膜層１２の磁化方向は矢印２２で示されている。印加された磁界（例えば、図３の磁界方向ｈ）に感応して第１薄膜層１２に生じる磁化回転は、図３の点線に示す方向に変化する。」、　
　【００１４】に、
「【００１４】
　図４に例示する本発明の実施例において、高電気抵抗の反強磁性体の薄膜層１８が、強磁性体の第２薄膜層１６に直接、接触して付着させられているので従来技術で周知のように交換結合によってバイアス磁界が生じる。代替構造として、薄膜層１８を十分に高い直角度で、高飽和保磁力、且つ高電気抵抗を有する強磁性の層にすることができる。図４の構造は逆構造にもすることができる。この場合は、薄膜層１８を最初に付着してから薄膜層１６、１４、及び１２の各層を付着させる。」、
　【００１６】〜【００１８】に、
「【００１６】
　図５には薄膜層１２を、図５の矢印が示す方向に単一のドメイン状態に保持させるための、縦方向にバイアスを生じさせる手段が提供されている。図５の特定的な実施例が例示するように縦方向にバイアスを生じさせる手段は、高飽和保磁力、高直角度、且つ、高電気抵抗を有する硬質強磁性体の薄膜層２６を含む。硬質強磁性体の薄膜層２６は、軟質強磁性体の薄膜層１２の端部の領域に接触している。薄膜層２６の磁化方向は、図５の矢印が示すように方向づけられている。
【００１７】
　代替構造として反強磁性体の薄膜層を薄膜層１２の端部の領域に接触させて付着させることができ、図５の矢印のように方向づけし、必要な縦方向のバイアスを生じさせる。これらの反強磁性体の薄膜層は、強磁性体の第２薄膜層１６の磁化方向を固定させるために用いられる反強磁性体の薄膜層１８よりも十分に異なるブロッキング温度を有さねばならない。
【００１８】
　次に、例えば、Ｔａのような高抵抗の材料のキャッピング層２８が、ＭＲセンサ上部全体に付着させられる。電気伝導部３０及び３２が備えられ、ＭＲセンサ構造体と電流源３４、及び検知手段３６間に回路が形成される。」、
　図面の簡単な説明の欄に、
「【図３】
　本発明の磁気抵抗センサの特定的な実施例の立体展開図である。
【図４】
　本発明の磁気抵抗センサの代替実施例の立体展開図である。
【図５】
本発明の磁気抵抗センサのさらに他の実施例の断面図である。」。
　
　即ち、引用例１には、「軟質強磁性体の第１薄膜層１２、非磁性金属体の薄膜層１４、及び強磁性体の第２薄膜層１６を付着させ、反強磁性体の薄膜層１８が、強磁性体の第２薄膜層１６に直接、接触して付着させられ、交換結合によってバイアス磁界が生じている磁気抵抗センサであって、硬質強磁性体の薄膜層２６または反強磁性体の薄膜層２６を薄膜層１２の端部の領域に接触させて付着させ、必要な縦方向のバイアスを生じさせ、電気伝導部３０及び３２が備えられた磁気抵抗センサ。」が示されている。
　そして、磁界が印加されていない場合の軟質強磁性体の第１薄膜層１２の磁化方向は矢印２２で示されている。印加された磁界（例えば、図３の磁界方向ｈ）に感応して第１薄膜層１２に生じる磁化回転は、図３の点線に示す方向に変化する。
　
３−２　引用例２　特開平３−１２５３１１号公報
　拒絶の理由に引用された本件出願前公知の刊行物である特開平３−１２５３１１号公報（以下、引用例２という。）に次の事項が記載されている。
　第３頁右下欄第２行〜第１５行に、
「本発明によるＭＲ読取り変換器の概念図を第１図に示す。ＭＲ読取り変換器は、実質的に中心能動領域２４上のみに延びるＭＲ層２２と、ＭＲリード変換器１０中に縦バイアスを発生させるためＭＲ層２２との隣接接合部３０を形成する各端部領域２８中の硬磁性バイアス層２６とを含んでいる。（中略）各端部領域２８の硬磁性バイアス層２６は、ＭＲ層２２との電気的及び磁気的連続性を提供しなければならない。硬磁性バイアス層２６には、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＰｔなどメタラジの単層を設けることができるが、タングステンや金などの下側層または上側層を使用することが望ましい。」、
　第４頁左上欄第１５行〜右上欄第１行に、
「ステンシル３２は、ＭＲ材料の薄膜２２、スペーサ層２５及び軟磁性薄膜２３にスパッタ・エッチング、イオン・ミリング、化学的エッチングなどのザブトラクティブ工程を施して、ＭＲ層２２の各縁部確定するために用いる。」。
　
４　本願発明と引用例との対比
　
４−１　本願発明と引用例１との対比
　本願発明と引用例１のものを対比すると、本願発明の「第１の磁性層」、「非磁性導電層」、「第２の磁性層」は、引用例１の「軟質強磁性体の第１薄膜層１２」、「非磁性金属体の薄膜層１４」、「強磁性体の第２薄膜層１６」、「反強磁性体の薄膜層１８」にそれぞれ相当し、本願発明の「薄膜磁気ヘッド」は引用例１の「磁気抵抗センサ」に相当するから、両者は次の点で一致する。
　
（一致点）
　第１の磁性層／非磁性導電層／第２の磁性層から成る磁気抵抗効果素子と、交換異方性結合により前記第１の磁性層の磁化を一方向に固定する反強磁性層とを有し、
　前記磁気抵抗効果素子の第１の磁性層と非磁性導電層および前記反強磁性層のトラック幅方向の両側端面が連続面とされて、前記反強磁性層、前記第１の磁性層、前記非磁性導電層の各層のトラック幅方向の両側にわたる硬磁性層が設けられ、前記硬磁性層から磁界を与えられた前記第２の磁性層の磁化方向が前記第１の磁性層の固定磁化方向と直交する方向へ向けられており、
　前記第１の磁性層の固定磁化方向と、記録媒体からの漏れ磁界による前記第２の磁性層の膜内での磁化方向の変化との関係により電気抵抗値の変化が検出されることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
　
（相違点１）
　そして、請求項１の発明は、「前記磁気抵抗効果素子の各層および前記反強磁性層のトラック幅方向の両端面が連続面とされた」のに対して、引用例１のものは、非磁性金属体の薄膜層１４、強磁性体の第２薄膜層１６、反強磁性体の薄膜層１８の各層のトラック幅方向の両端面が連続面とされているのが、第１薄膜層１２の両端は、連続面でなく、外側に延在している点で両者は相違している。
　
４−２　相違点１の評価
　引用例２には、ＧＭＲではないが、第１の磁性層／非磁性導電層／第２の磁性層から成り、各層のトラック幅方向の両端面が連続面とされたものが示されている。引用例１の軟質強磁性体の第１薄膜層１２、非磁性金属体の薄膜層１４、及び強磁性体の第２薄膜層１６の各層のトラック幅方向の両端面が連続面とすることに格別の困難が認められない。そして、その際に元々引用例１で反強磁性層もトラック幅方向の両側端面が連続面に形成されているのであるから、第１の磁性層／非磁性導電層／第２の磁性層および反強磁性層の各層をトラック幅方向の両側端面が連続面となるように形成することは格別の困難が認められない。従って、この相違点１は格別ではない。
　
４−３　容易性のまとめ
　本願発明は、上記引用例１、２記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。他の請求項について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　
５　まとめ
　よって、結論のとおり審決する。