Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月15日(2013.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）半導体基板の第１表面にｎドーパントをドープして、前記基板に第１ｎ＋層を形成すること、
ｂ）前記基板の第２表面にｐドーパントをドープして、前記基板にｐ＋層を形成すること、
ｃ）前記基板の前記第１表面に残存する前記ｎドーパントの濃度が前記第１表面全体で不等になるように、前記基板の前記第１表面から前記第１ｎ＋層の一部分を除去すること、但し、前記除去は前記第１表面に山および谷を生成するように前記第１表面をテクスチャ加工することを含み、テクスチャ加工後に前記第１表面に残留する前記ｎドーパントの濃度は前記谷より前記山の方が高い、
ｄ）第２ｎ＋層のｎドーパントの濃度が前記第１表面全体で不等になるように、前記基板の前記第１表面に前記ｎドーパントをドープして、前記第２ｎ＋層を形成すること、但し、前記第２ｎ＋層の前記ｎドーパントの濃度は前記谷より前記山の方が高く、前記山の前記ｎドーパントの前記濃度は前記ｎドーパントの無作為に分布する高濃度の局所的領域を表わす、
ｅ）前記第１表面および前記第２表面の各々に電気接点を形成し、それによって光起電力セルを製造すること
を含む、光起電力セルを製造する方法。
【請求項２】
前記第１ｎ＋層および前記ｐ＋層は同時に形成され、前記ｎドーパントをドープして前記第１ｎ＋層を形成すること、および前記ｐドーパントをドープして前記ｐ＋層を形成することは、
（ｉ）前記ｐドーパントを含む膜を前記第２表面に被着すること、
（ｉｉ）前記ｎドーパントを含む膜を前記第１表面に被着すること、および
（ｉｉｉ）前記基板を加熱し、それによって前記第１ｎ＋層および前記ｐ＋層を同時に形成すること
によって達成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１ｎ＋層および前記ｐ＋層は同時に形成され、前記ｎドーパントをドープして前記第１ｎ＋層を形成すること、および前記ｐドーパントをドープして前記ｐ＋層を形成することは、
（ｉ）前記ｐドーパントを含む膜を半導体基板の第２表面に被着すること、
（ｉｉ）前記基板の第１表面および前記基板の縁から前記ｐドーパントを含む前記膜を除去すること、
（ｉｉｉ）前記ｎドーパントを含む膜を前記第１表面に被着すること、および
（ｉｖ）前記第１ｎ＋層および前記ｐ＋層を同時に形成するために、前記基板を加熱すること
によって達成される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１ｎ＋層は３０オーム未満のシート抵抗を具備する、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記第１ｎ＋層は０．４〜２μｍの範囲の深さを有する、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記第１表面から前記ｎ＋層の前記一部分を除去することが、前記第１表面を４μｍから１２μｍの範囲の平均深さにエッチングすることを含む、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記ｐ＋層を形成した後、前記第２ｎ＋層を形成する前に、反射防止コーティングを前記第２表面に被着することをさらに含む、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の方法に従って製造される光起電力セル。
【請求項９】
半導体基板を備えた光起電力セルであって、前記基板がその第１表面にｎ＋層を、かつその第２表面にｐ＋層を含み、前記ｎ＋層がｎドーパントを含み、前記ｐ＋層がｐドーパントを含み、前記第１表面および前記第２表面の各々に電気接点が付着され、前記第１表面が山と谷とを含むようにテクスチャ加工され、かつ前記ｎ＋層の前記ｎドーパントの濃度が、前記第１表面の前記山では前記第１表面の前記谷より高く、前記山の前記ｎドーパントの前記濃度が、前記ｎドーパントの無作為に分布する高濃度の局所的領域を表わす、光起電力セル。
【請求項１０】
前記ｐ＋層および前記ｎ＋層は互いに接触せず、かつ前記ｐ＋層は前記第２表面の縁に到達しない、請求項９に記載の光起電力セル。
【請求項１１】
前記山の前記ｎドーパントの濃度は、前記谷の前記ｎドーパントの濃度の少なくとも２倍である、請求項９または１０に記載の光起電力セル。
【請求項１２】
両面光起電力セルである、請求項８〜１１のいずれかに記載の光起電力セル。
【請求項１３】
請求項８〜１２のいずれかに記載の複数の光起電力セルを備えた光起電力アレイであって、前記複数の光起電力セルが互いに相互接続されている、光起電力アレイ。
【請求項１４】
請求項１３に記載の光起電力アレイを備えている発電所。
【請求項１５】
請求項８〜１２のいずれかに記載の光起電力セルを備えている電気装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月15日(2013.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバに結合されたプラズマ源であって、
第１の端部、第２の端部、およびコア要素中心軸を有するコア要素と、
第１の環状形状プラズマ生成領域を少なくとも部分的に囲む１つまたは複数の表面を有する第１のプラズマブロックであって、前記第１の環状形状プラズマ生成領域は、前記コア要素の第１の部分の周囲に位置する、第１のプラズマブロックと、
前記コア要素の一部分を覆って配設されたコイルと
を備える、プラズマ源。
【請求項２】
前記第１の環状形状プラズマ生成領域と流体連通状態にある第１の入口、および前記コア要素の第２の部分の周囲に位置する第２の環状形状プラズマ生成領域と流体連通状態にある第２の入口とを有する、前記処理チャンバの壁部であって、前記第１の入口および前記第２の入口は共に、前記処理チャンバの処理領域と流体連通状態にある、壁部
をさらに備える、請求項１に記載のプラズマ源。
【請求項３】
前記コア要素はバー形状であり、前記コア要素の前記第１の部分は、第１の直径を有し、前記コア要素の前記第２の部分は、第２の直径を有し、前記第１の直径と前記第２の直径とが異なる、請求項２に記載のプラズマ源。
【請求項４】
入口および出口を有するハウジングであって、前記コア要素は、このハウジングの内部領域内に配設される、ハウジングと、
温度制御される流体を前記ハウジングの前記入口、前記内部領域、および前記出口を通して流すように構成された熱交換アセンブリと
をさらに備える、請求項１に記載のプラズマ源。
【請求項５】
前記第１のプラズマブロックは、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、および窒化ホウ素（ＢＮ）からなる群より選択される材料を含む、請求項１に記載のプラズマ源。
【請求項６】
前記コイルは、前記第１の端部にて、または前記第１の端部と前記第２の端部との間に位置する中間位置にて、前記コア要素の一部分を覆って配設される、請求項１に記載のプラズマ源。
【請求項７】
前記コア要素と前記第１の環状形状プラズマ生成領域との間に配設された複数の永久磁石をさらに備える、請求項１に記載のプラズマ源。
【請求項８】
前記コイルに結合されたＲＦ電源と、
前記第１の環状形状プラズマ生成領域の少なくとも一部分の周囲に配設され、ＤＣ電源に結合された、プラズマ再分布コイルと
をさらに備える、請求項１に記載のプラズマ源。
【請求項９】
前記第１の環状形状プラズマ生成領域に隣接して配設された電極と、
前記コイルおよび前記電極に電気的に結合された第１の電源と
をさらに備える、請求項１に記載のプラズマ源。
【請求項１０】
処理チャンバに結合されたプラズマ源であって、
第１の端部、第２の端部、およびコア要素中心軸を有するコア要素と、
第１の環状形状プラズマ生成領域を少なくとも部分的に囲む１つまたは複数の表面を有する第１のプラズマブロックであって、前記第１の環状形状プラズマ生成領域は、前記コア要素の第１の部分の周囲に位置し、前記コア要素中心軸にほぼ一致する中心軸を有する、第１のプラズマブロックと、
第２の環状形状プラズマ生成領域を少なくとも部分的に囲む１つまたは複数の表面を有する第２のプラズマブロックであって、前記第２の環状形状プラズマ生成領域は、前記コア要素の第２の部分の周囲に位置し、前記コア要素中心軸にほぼ一致する中心軸を有する、第２のプラズマブロックと、
前記第１のプラズマブロックの表面に結合された冷却プレートと、
前記第１の端部にて、または前記第１の端部と前記第２の端部との間に位置する中間位置にて、前記コア要素の一部分を覆って配設されたコイルと
を備える、プラズマ源。
【請求項１１】
前記第１のプラズマブロック中に形成された第１のガス出口であって、この第１のガス出口は、前記第１の環状形状プラズマ生成領域に形成されるガスラジカルを受け、前記処理チャンバの処理領域に前記ガスラジカルを送出するように構成される、第１のガス出口と、
前記第２のプラズマブロック中に形成された第２のガス出口であって、この第２のガス出口は、前記第２の環状形状プラズマ生成領域に形成されるガスラジカルを受け、前記処理チャンバの前記処理領域に前記ガスラジカルを送出するように構成される、第２のガス出口と
をさらに備える、請求項１０に記載のプラズマ源。
【請求項１２】
入口および出口を有するハウジングであって、前記コア要素は、このハウジングの内部領域内に配設される、ハウジングと、
温度制御される流体を前記ハウジングの前記入口、前記内部領域、および前記出口を通して流すように構成された熱交換アセンブリと
をさらに備える、請求項１０に記載のプラズマ源。
【請求項１３】
前記第１の環状形状プラズマ生成領域に対して前記コア要素を移動させるように構成されたアクチュエータと、
前記第１の環状形状プラズマ生成領域に対して前記コア要素の位置を自動的に調節するように構成されたシステム制御装置と
をさらに備える、請求項１０に記載のプラズマ源。
【請求項１４】
前記第１のプラズマブロックおよび前記第２のプラズマブロックはそれぞれ、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、および窒化ホウ素（ＢＮ）からなる群より選択される材料を含む、請求項１０に記載のプラズマ源。
【請求項１５】
処理チャンバに結合されたプラズマ源であって、
第１の端部、第２の端部、およびコア要素中心軸を有するコア要素と、
第１の環状形状プラズマ生成領域を少なくとも部分的に囲む１つまたは複数の表面を有する第１のプラズマブロックであって、前記第１の環状形状プラズマ生成領域は、前記コア要素の第１の部分の周囲に位置する、第１のプラズマブロックと、
前記コア要素の第１の部分を覆って配設された第１のコイルと、
前記コア要素の第２の部分を覆って配設された第２のコイルであって、前記第１のプラズマブロックは、前記コア要素の前記第１の部分と前記コア要素の前記第２の部分との間に配設される、第２のコイルと
を備え、前記第１のコイルおよび前記第２のコイルは、ＲＦ電源に直列または並列で接続される、プラズマ源。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月13日(2013.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１以上のサンプルを感知するための光検出システムであって、
ある波長範囲の連続スペクトルを含むビームを放出する広帯域光源と、
前記ビームの少なくとも一部分が前記サンプルに導かれて後方反射ビームを生じるように、前記サンプルを位置決めする１以上のチャネルを含む流体セルと、
前記サンプルからの前記後方反射ビームの干渉スペクトルを解析するスペクトロメータと
を含むシステム。
【請求項２】
前記広帯域光源のスペクトル帯域幅が１０ｎｍよりも大きい、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記流体セルが、２以上の毛細管又は流体チャネルを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
２以上の毛細管又は流体チャネルのうちの少なくとも１つが対照として作用する、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
２以上の毛細管又は流体チャネルのうちの少なくとも２つが異なる直径を有する、請求項３に記載のシステム。
【請求項６】
前記流体セルが、所定の温度変化を受けるように構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記スペクトロメータが、２以上のサンプルからの１以上の信号を同時に解析する、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記２以上のサンプルのうちの１つが対照として作用する、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記スペクトロメータが、二次元（２−Ｄ）スペクトロメータ、又は一次元（１−Ｄ）スペクトロメータである、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記システムが、インラインプロセス監視システムで使用される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
サンプルを解析するための請求項１に記載の光検出システムであって、当該システムが、前記ビームを第１部分と第２部分とに分割するビームスプリッタをさらに含んでいて、前記流体セルが、前記ビームの前記第１部分の少なくとも一部が前記サンプルに導かれて後方反射ビームを生じるように、前記サンプルを位置決めする、システム。
【請求項１２】
分子変化、配座変化又は相互作用を検出する方法であって、
ある波長範囲の連続スペクトルを含むビームを放出する広帯域源を準備するステップと、
１以上のチャネルを含む流体セルを準備するステップと、
前記チャネルに導入された前記サンプルを前記ビームの少なくとも一部分と相互作用させて、生じた後方反射ビームを捕捉するステップと、
スペクトロメータを用いて前記後方反射ビームからのスペクトルを解析するステップと
を含む方法。
【請求項１３】
前記ビームを第１部分と第２部分とに分割して、前記ビームの第１部分を前記サンプルと相互作用させて、後方反射ビームを生じさせるステップを更に含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記後方反射スペクトルを１Ｈｚ〜１ＭＨｚの範囲の周波数で解析する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記流体セル内に配置された２種以上の異なるサンプルを準備して、適宜、前記流体セル内で前記２種以上の異なるサンプルを混合すること、及び／又は
対照及びサンプル溶液のスペクトルを同時に測定すること、及び／又は
前記流体セル内の直径の異なる２以上のマイクロ流体チャネルに１種以上のサンプルを配置すること、及び／又は
前記後方反射スペクトルのバックグラウンド干渉を補償するために前記スペクトルに対照信号を印加すること、及び／又は
前記サンプルの導入を、第１の生化学種を前記チャネルに導入し、次いで第２の生化学種を同じチャネルに導入することによって行うこと、及び／又は
前記サンプルが液体を含むこと、及び／又は
前記流体セルの２箇所以上の位置でスペクトルを解析すること、及び／又は
前記サンプルをインライン監視すること、及び／又は
１以上の生物−分子相互作用、タンパク質−タンパク質会合又は解離、多タンパク質複合体集合又は脱集合、ＤＮＡ−ＤＮＡ会合又は解離、分子凝集及び分離、ＤＮＡ／ＲＮＡ−タンパク質会合及び解離、タンパク質又はＤＮＡ変性及び多タンパク質競合を測定すること
の１以上を含む、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月18日(2013.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音放射源および／または前記音放射源により放射される音響パワーの動作の結果としてある音場が広がる空間における選択された位置における音響吸収係数および／または音響透過係数を決定する方法であって、
（ａ）前記空間における前記選択された位置において、音圧ｐ（ｔ）とベクトルである粒子速度ｖ（ｔ）とを測定するステップと、
（ｂ）前記音圧ｐ（ｔ）のフーリエ変換Ｐ（ｆ）および前記粒子速度ｖ（ｔ）のフーリエ変換Ｖ（ｆ）を計算するステップと、
（ｃ）前記音圧ｐ（ｔ）のフーリエ変換Ｐ（ｆ）および前記粒子速度ｖ（ｔ）のフーリエ変換Ｖ（ｆ）に基づいて、関連面上の法ベクトルｎを用いて示された方向における時間平均された有効な強度Ｉａｃ（ｆ）と、前記法ベクトルｎを用いて示された前記方向における時間平均された全体の強度Ｉｔｏｔ（ｆ）とを計算するステップと、
（ｄ）前記法ベクトルｎを用いて示された方向における時間平均された入射音の強度Ｉｉｎ（ｆ）＝１／２（Ｉａｃ（ｆ）＋Ｉｔｏｔ（ｆ））を決定するステップと、
（ｅ）前記法ベクトルｎを用いて示された方向における時間平均された吸収係数αｔ＝Ｉａｃ（ｆ）／Ｉｉｎ（ｆ）を決定するステップと、および／または、
（ｆ）機械的な吸収を無視可能なバリアに対する前記法ベクトルｎを用いて示された方向における透過係数θ＝Ｉａｃ（ｆ）／Ｉｉｎ（ｆ）を決定するステップと、および／または、
（ｑ）前記音放射源の周囲の包絡面を画成するステップと、ならびに
（ｒ）前記包絡面上で前記時間平均された入射音の強度Ｉｉｎ（ｆ）を積分することにより、放射された音響パワーを決定するステップとを含む方法。
【請求項２】
（ｇ）ステップ（ｃ）を、次式の関係
【数１】
2013511712.tif 000001
および
【数２】
2013511712.tif 000002
に基づいて実行し、ここで、Δは空気の密度であり、ｃは位相速度であるステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
（ｈ）前記音圧ｐ（ｔ）のフーリエ変換Ｐ（ｆ）および前記粒子速度ｖ（ｔ）のフーリエ変換Ｖ（ｆ）に基づいて、前記法ベクトルｎを用いて示された前記方向における時間平均された無効な強度
【数３】
2013511712.tif 000003
を計算するステップと、
（ｉ）ステップ（ｃ）を、次式の関係
【数４】
2013511712.tif 000004
および
Itot(f)=(2/B)arcsin(Iac(f)/√(Iac(f)2+Ire(f)2))Iac(f)+…+(2/B)|Ire(f)|
に基づいて実行するステップとをさらに含む請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
（ｊ）前記空間における前記面の近傍において前記音圧ｐ（ｔ）を測定し、前記空間における複数の前記選択された位置において前記粒子速度ｖ（ｔ）を測定するステップと、
（ｋ）前記音圧ｐ（ｔ）のフーリエ変換Ｐ（ｆ）および前記粒子速度ｖ（ｔ）のフーリエ変換Ｖ（ｆ）を計算するステップと、
（ｌ）前記音圧ｐ（ｔ）のフーリエ変換Ｐ（ｆ）および前記粒子速度ｖ（ｔ）のフーリエ変換Ｖ（ｆ）に基づいて、ステップ（ｇ）またはステップ（ｉ）のもとで決定された前記時間平均された有効な強度Ｉａｃ（ｆ）の前記関連面上の積分によって得られた時間平均された有効なパワーＰａｃ（ｆ）を計算し、ステップ（ｄ）のもとで決定された前記時間平均された入射音の強度Ｉｉｎ（ｆ）の前記関連面上の積分によって得られた時間平均された入射パワーＰｉｎ（ｆ）を計算するステップと、
（ｎ）空間平均された吸収係数αｓ＝Ｐａｃ（ｆ）／Ｐｉｎ（ｆ）を決定するステップと、および／または、
（ｏ）機械的な吸収を無視可能なバリアに対する空間平均された透過係数θｓ＝Ｐａｃ（ｆ）／Ｐｉｎ（ｆ）を決定するステップと、
（ｓ）前記放射された音響パワーを前記入射パワーＰｉｎ（ｆ）と同一とすることにより、前記放射された音響パワーを決定するステップとをさらに含む請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
（ｐ）ともに粒子速度センサを構成するよう配置された２つの圧力センサを用いて前記粒子速度ｖ（ｔ）を測定するとともに、前記２つの圧力センサのうちの１つまたは２つを用いて前記音圧ｐ（ｔ）を測定することによって、ステップ（ａ）またはステップ（ｊ）を実行するステップをさらに含み、ここで、前記２つの圧力センサを用いる場合には２つの前記音圧の平均が決定される、請求項１ないし４のうちのいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のうちのいずれか一項に記載の方法を用いて、前記音響吸収係数および／または前記音響透過係数および／または前記音放射源により放射された前記音響パワーを決定する装置であって、
前記音圧ｐ（ｔ）を測定する音圧測定手段と、
前記音圧測定手段のごく近傍に配置され、前記粒子速度ｖ（ｔ）を測定する粒子速度測定手段と、
前記音圧ｐ（ｔ）のフーリエ変換Ｐ（ｆ）および前記粒子速度ｖ（ｔ）のフーリエ変換Ｖ（ｆ）を計算するフーリエ変換手段と、
前記音圧ｐ（ｔ）および前記粒子速度ｖ（ｔ）に基づいて、前記時間平均された有効な強度Ｉａｃ（ｆ）および前記時間平均された全体の強度Ｉｔｏｔ（ｆ）を計算する第１の計算手段と、
前記入射強度または前記入射パワーＰｉｎ（ｆ）を決定する第２の計算手段とを備え、ここで、前記入射パワーＰｉｎ（ｆ）は前記放射された音響パワーおよび前記時間平均された有効なパワーＰａｃ（ｆ）に等しいとされ、
前記装置は、
前記時間平均された吸収係数αｔ＝Ｉａｃ（ｆ）／Ｉｉｎ（ｆ）および／または前記空間平均された吸収係数αｓ＝Ｐａｃ（ｆ）／Ｐｉｎ（ｆ）および／または前記透過係数θ＝Ｉａｃ（ｆ）／Ｉｉｎ（ｆ）および／または前記空間平均された透過係数θｓ＝Ｐａｃ（ｆ）／Ｐｉｎ（ｆ）を決定する第３の計算手段を備える装置。
【請求項７】
前記粒子速度測定手段は２つの圧力センサを備え、前記音圧測定手段は前記２つの圧力センサのうち少なくとも１つを備える請求項６に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月18日(2013.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異種成分からなる関与媒質によって散乱された光の量の推定のための方法であって、
２つの連続する階層のレベルの間で少なくとも１つの方向にしたがって、前記媒質中の前記光の減衰差を表す誤差情報の少なくとも１つの項目にしたがって空間細分割の複数の階層のレベルの中から前記媒質の空間細分割の少なくとも１つのレベルを選択するステップと、
少なくとも１つの散乱方向に沿った前記媒質のサンプリングによって散乱された前記光の量を推定するステップであって、前記サンプリングは前記少なくとも１つの選択した空間細分割レベルに依存する推定するステップと
を含む、前記方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの散乱方向に沿った位置にある前記媒質の少なくとも１つの点によって散乱された前記光の前記減衰を表す少なくとも第１の値を推定するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つの散乱方向に沿った位置にある前記少なくとも１つの点内で前記光の少なくとも１つの放出方向にしたがって少なくとも１つの光源から受け取られる前記光の前記減衰を表す少なくとも第２の値を推定するステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
誤差情報の前記少なくとも１つの項目は、２つの第１の値の比較によって決定され、前記２つの第１の値は前記媒質の２つの連続する階層の空間細分割レベルに対してそれぞれ推定される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
誤差情報の前記少なくとも１つの項目は、２つの第２の値の比較によって決定され、前記２つの第２の値は前記媒質の２つの連続する階層の空間細分割レベルに対してそれぞれ推定される、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記誤差情報をしきい値と比較するステップを含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
誤差情報の前記少なくとも１つの項目が前記しきい値よりも小さい場合には、選択した前記空間細分割レベルは、最も高い階層の位置の前記レベルに対応する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
異種成分からなる関与媒質によって散乱された光の量の推定のために構成された装置であって、
２つの連続する階層のレベルの間で少なくとも１つの方向にしたがって、前記媒質中の前記光の減衰差を表す誤差情報の少なくとも１つの項目にしたがって空間細分割の複数の階層のレベルの中から前記媒質の空間細分割の少なくとも１つのレベルを選択するための手段と、
少なくとも１つの散乱方向に沿った前記媒質のサンプリングによって散乱された光の前記量を推定するための手段であって、前記サンプリングは前記少なくとも１つの選択した空間細分割レベルに依存する、推定するための手段と
を備える、前記装置。
【請求項９】
前記プログラムがコンピュータ上で実行されるときに請求項１から７のいずれか一項に記載の前記方法のステップを実行するためのプログラムコードの命令を備える、コンピュータプログラム製品。
【請求項１０】
コンピュータによって読取り可能な記憶装置であって、請求項１から７のいずれか一項に記載の前記方法のステップを実行するために前記コンピュータによって実行可能なプログラムコードの命令を記憶する、前記記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月22日(2013.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
急性腎障害の早期発見のための診断に利用するデータを取得する方法であって、
哺乳類から取得した尿サンプルにおける熱ショックタンパク質７２（Ｈｓｐ７２）の濃度を定量することを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
上記哺乳類がヒトであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
尿サンプル中のＨｓｐ７２が、腎臓において上記障害が誘発された後３時間から検出されうることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
Ｈｓｐ７２が、急性腎障害の期間を増加させることによって誘発された上記障害の強さを階層化することができることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
上記濃度がｍＲＮＡレベルで決定されうることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
上記濃度がイムノアッセイを用いて決定されうることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
上記イムノアッセイはＥＬＩＳＡであることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項８】
上記イムノアッセイはウエスタンブロットであることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項９】
上記濃度は、対照の値と比較して４０倍と５３３倍との間にあり、当該増加は上記障害の強さに依存することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月19日(2013.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象における卵巣癌を段階付けるインビトロの方法であって：
（ａ）上記対象からのＩｇＧ型抗体を含んでいるサンプルと卵巣腫瘍細胞に由来する抗原とを、抗体−抗原複合体の形成に十分な条件下で接触させること；
（ｂ）上記複合体における抗原と結合しているＩｇＧ抗体のサブクラスを決定すること；
（ｃ）上記サブクラスの相対的免疫反応性を決定すること；および
（ｄ）上記サブクラスの相対的免疫反応性に基づいて、上記対象を、ステージＩ、ステージＩＩまたはステージＩＩＩの卵巣癌を有していると同定することを含んでいる、方法。
【請求項２】
上記サブクラスは、ＩｇＧ１、ＩｇＧ２、ＩｇＧ３およびＩｇＧ４である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ＩｇＧ２＞ＩｇＧ３＞ＩｇＧ１＝ＩｇＧ４である相対的免疫反応性の存在はステージＩの卵巣癌の診断を示し；ＩｇＧ２＞ＩｇＧ３＞ＩｇＧ１＞ＩｇＧ４である相対的免疫反応性の存在はステージＩＩの卵巣癌の診断を示し、ＩｇＧ２≧ＩｇＧ３＝ＩｇＧ４＞ＩｇＧ１である相対的免疫反応性の存在はステージＩＩＩの卵巣癌の診断を示す、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
上記卵巣腫瘍細胞に関連する抗原は、卵巣腫瘍細胞のサイトゾルから単離されたか、卵巣腫瘍細胞の膜から単離されたか、または卵巣腫瘍細胞の核から単離されたものであり、
卵巣腫瘍細胞のサイトゾル、核、および膜から単離された抗原との抗原−抗体複合体の形成を比較することをさらに含んでおり、
卵巣腫瘍細胞のサイトゾル、核、または膜から単離された抗原に対する、ＩｇＧ１、ＩｇＧ２、ＩｇＧ３、およびＩｇＧ４から選択される少なくとも１つのサブクラスの相対的免疫反応性は、上記対象がステージＩ、ステージＩＩまたはステージＩＩＩの卵巣癌を有しているか否かを示す、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
（ａ）ステージＩの患者については、ＩｇＧ２およびＩｇＧ３に対する免疫反応性は、核の抗原がより大きく、続いて膜の抗原が大きく、サイトゾルの抗原が小さく；ＩｇＧ１およびＩｇＧ４に対する免疫反応性は、膜の抗原がより大きく、続いてサイトゾルの抗原が大きく、核の抗原が最小であり；
（ｂ）ステージＩＩの患者については、核の抗原がより大きく、続いて膜の抗原が大きく、サイトゾルの抗原が小さく；
（ｃ）ステージＩＩＩの患者については、核の抗原がわずかにより大きく、続いて膜の抗原が大きく、サイトゾルの抗原がより小さい、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
４０ｋＤより大きい、卵巣腫瘍細胞の核から単離された抗原に対するＩｇＧ２の一次免疫反応性の存在は、ステージＩまたはＩＩの卵巣癌を示し；
４０ｋＤより小さい、卵巣腫瘍細胞の膜から単離された抗原に対するＩｇＧ２の一次免疫反応性の存在は、ステージＩＩＩの卵巣癌を示す、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
上記卵巣癌細胞に由来する抗原は、ＵＬ−Ｂ、ＵＬ−Ｏ、またはＵＬ−６細胞系統から単離される、請求項１〜６の何れか１項に記載の方法。
【請求項８】
対象における卵巣癌の存在を診断するインビトロの方法であって：
（ａ）上記対象からのＩｇＧ型抗体を含んでいるサンプルと、卵巣腫瘍細胞の核から単離された、卵巣腫瘍細胞に由来する抗原とを、抗体−抗原複合体の形成に十分な条件下で接触させること；
（ｂ）ＩｇＧ２と上記卵巣腫瘍細胞から単離された核の抗原との抗原−抗体複合体の形成を検出すること；および
（ｃ）卵巣腫瘍細胞から単離された核の抗原との反応性があるＩｇＧ２を有している対象を、卵巣癌を有していると同定することを含んでいる、方法。
【請求項９】
上記対象からの上記サンプル中に存在するＩｇＧ２と、卵巣腫瘍細胞から単離された核の抗原との抗原−抗体複合体の形成のレベルを、卵巣腫瘍細胞から単離された核の抗原と癌を有していない対照の対象からのサンプル中に存在するＩｇＧ２とを含んでいる対照サンプルにおける抗原−抗体複合体の形成のレベルと比較すること；および
上記対照サンプルにおける抗原−抗体複合体のレベルと比較した場合の、上記対象からの上記サンプル中のＩｇＧ２と上記核の抗原との抗原−抗体複合体の形成のレベルの上昇の存在に基づいて、対象を、卵巣癌を有していると同定することをさらに含んでいる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
対象における卵巣癌を検出するインビトロの方法であって：
（ａ）上記対象からのＩｇＧ型抗体を含んでいるサンプルと、ヘテロ核リボヌクレオタンパク質（ＨＮＲＮＰ  Ａ２／Ｂ１）、非転移性細胞１／非転移性細胞２（ＮＭＥ１／ＮＭＥ２）、zinc finger DHHC-type 7 アイソフォーム２、ピリドキサールキナーゼ、およびペルオキシレドキシンからなる群より選択される１または２以上の腫瘍関連抗原とを、抗体−抗原複合体の形成に十分な条件下で接触させること；
（ｂ）抗体−抗原複合体の形成を検出することによって、上記１または２以上の腫瘍関連抗原に対する自己抗体の存在を検出すること；および
（ｃ）上記サンプル中の上記１または２以上の腫瘍関連抗原に対する自己抗体の存在に基づいて、上記対象を、卵巣癌を有していると診断することを含んでいる、方法。
【請求項１１】
対象におけるステージＩの卵巣癌の存在を検出する方法であって：
（ａ）上記対象からのＩｇＧ型抗体を含んでいるサンプルと、ヘテロ核リボヌクレオタンパク質（ＨＮＲＮＰ  Ａ２／Ｂ１）、非転移性細胞１／非転移性細胞２（ＮＭＥ１／ＮＭＥ２）、およびピリドキサールキナーゼからなる群より選択される１または２以上の腫瘍関連抗原とを、抗体−抗原複合体の形成に十分な条件下で接触させること；
（ｂ）抗体−抗原複合体の形成を検出することによって、上記１または２以上の腫瘍関連抗原に対する自己抗体の存在を検出すること；および
（ｃ）ＨＮＲＮＰ  Ａ２／Ｂ１、ＮＭＥ１／ＮＭＥ２、またはピリドキサールキナーゼと特異的に結合する自己抗体の存在に基づいて、上記対象を、ステージＩの卵巣癌を有していると同定することを含んでいる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
対象におけるステージＩＩまたはステージＩＩＩの卵巣癌の存在を検出する方法であって：
（ａ）上記対象からのＩｇＧ型抗体を含んでいるサンプルと、zinc finger DHHC-type containing 7 アイソフォーム２およびペルオキシレドキシンからなる群より選択される１または２以上の腫瘍関連抗原とを、抗体−抗原複合体の形成に十分な条件下で接触させること；および
（ｂ）抗体−抗原複合体の形成を検出することによって、上記１または２以上の腫瘍関連抗原に対する自己抗体の存在を検出すること；および
（ｃ）zinc finger DHHC-type containing 7 アイソフォーム２またはペルオキシレドキシンと特異的に結合する自己抗体の存在に基づいて、上記対象を、ステージＩＩまたはＩＩＩの卵巣癌を有していると同定することを含んでいる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
上記対象はヒトである、請求項１〜１２の何れか１項に記載の方法。
【請求項１４】
上記サンプルは血清を含んでいる、請求項１〜１３の何れか１項に記載の方法。
【請求項１５】
上記抗体はＩｇＧ２またはＩｇＧ３サブクラスである、請求項１０〜１４の何れか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月13日(2013.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱治療による腫瘍、優先的には固形腫瘍の治療において使用するための細菌マグネトソーム鎖。
【請求項２】
該マグネトソーム鎖が交流磁場に供されて熱の生成をもたらす熱療法による腫瘍の治療において使用するための、請求項１に記載の鎖。
【請求項３】
該マグネトソーム鎖が、少なくとも2個のマグネトソーム、好ましくは2〜30個のマグネトソーム、より好ましくは4〜20個のマグネトソームを含有する、請求項１または２に記載の鎖。
【請求項４】
該鎖内に含有されるマグネトソームが、最も頻繁には、10〜120nmのサイズを有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の鎖。
【請求項５】
該マグネトソーム鎖が、鉄、および／または、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、マンガン、クロム等の他の遷移金属を含有する増殖培地中で培養された走磁性細菌から得られたものである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の鎖。
【請求項６】
該マグネトソーム鎖が、キレート剤を含有する増殖培地中で培養された走磁性細菌から得られたものである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の鎖。
【請求項７】
該キレート剤が、ビスホスホン酸塩、ローダミンおよびEDTAから選択される、請求項６に記載の鎖。
【請求項８】
該マグネトソーム鎖が、該マグネトソームに結合している、および／または該マグネトソーム内に組み込まれている試薬を有し、該試薬は該マグネトソーム鎖を視覚化するために使用されるものである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の鎖。
【請求項９】
該試薬がフルオロフォアである、請求項８に記載の鎖。
【請求項１０】
該試薬がフルオロフォアおよびキレート剤、好ましくはローダミンである、請求項８に記載の鎖。
【請求項１１】
該マグネトソーム鎖が小胞内に封入されている、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の鎖。
【請求項１２】
該小胞が活性成分と併用されている、請求項９に記載の鎖。
【請求項１３】
該腫瘍細胞または腫瘍の治療がハイパーサーミアである、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の鎖。
【請求項１４】
該治療の温度が、37℃〜45℃、好ましくは40℃〜45℃、最も好ましくは43℃である、請求項１３に記載の鎖。
【請求項１５】
該腫瘍細胞または腫瘍の治療が熱アブレーションである、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の鎖。
【請求項１６】
該治療の温度が、約45℃〜約100℃、好ましくは約45℃〜約70℃、より好ましくは約45℃〜約55℃、最も好ましくは約50℃〜約55℃である、請求項１５に記載の鎖。
【請求項１７】
該磁場の周波数が50〜1000kHzである、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の鎖。
【請求項１８】
該磁場の振幅が0.1〜200mT、好ましくは1〜100mT、より好ましくは10〜50mTである、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の鎖。
【請求項１９】
該磁場が、1秒〜6時間、好ましくは1分〜1時間、最も好ましくは1分〜30分間の期間の間印加される、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の鎖。
【請求項２０】
該加熱処理が繰り返される、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の鎖。
【請求項２１】
該マグネトソーム鎖による該腫瘍または該腫瘍細胞の標的化が磁場を用いて行われる、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の鎖。
【請求項２２】
該腫瘍または該腫瘍細胞の標的化が、該マグネトソーム鎖または該マグネトソーム鎖を含有する小胞に結合した、抗体および／または葉酸および／またはPEGを用いることにより行われ、該抗体および／または葉酸および／またはPEGは、該腫瘍および／または該腫瘍細胞を特異的に認識するものである、請求項１〜２１のいずれか１項に記載の鎖。
【請求項２３】
該交流磁場が印加され、該腫瘍細胞への該マグネトソーム鎖の進入が改善される、請求項１〜２２のいずれか１項に記載の鎖。
【請求項２４】
細菌マグネトソーム、および交流磁場を生成できるデバイスを有する、キット。
【請求項２５】
該マグネトソーム鎖が小胞内に封入されている、請求項２４に記載のキット。
【請求項２６】
走磁性細菌中でマグネトソーム鎖を製造するための方法であって、該走磁性細菌が、鉄源、およびキレート剤、および／またはコバルト、ニッケル、銅、亜鉛、マンガン、クロム等の鉄以外の遷移金属を含有する増殖培地中で培養される、前記方法。
【請求項２７】
請求項２６に記載の方法により得られ得る細菌マグネトソーム鎖。
【請求項２８】
請求項３〜１２のいずれか１項に記載の細菌マグネトソーム鎖を含む薬物。
【請求項２９】
請求項３〜１２のいずれか１項に記載の細菌マグネトソーム鎖を含む医療用デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月18日(2013.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８８】
本明細書で参照されている全ての特許及び刊行物は、参照として全体が本明細書に組み込まれている。本開示の範囲及び原理から逸脱することなく、本開示の様々な修正及び変更を当業者が行うことができ、本開示は上記で説明した例示的な実施形態に過度に限定して理解すべきではない。
以下に、本願発明に関連する発明の実施形態について列挙する。
［実施形態１］
組立品であって、
バリア組立品上に配置された少なくとも０．２５ｍｍの厚さの感圧性接着剤層を備え、前記バリア組立品が高分子フィルム基材とバリアフィルムとを備え、前記組立品が可撓性であり、可視光及び赤外線に対して透過性である、組立品。
［実施形態２］
前記高分子フィルム基材が主表面を有し、前記バリアフィルムが互いに対向する第１主表面及び第２主表面を有し、前記感圧性接着剤層が互いに対向する第３主表面及び第４主表面を有し、前記バリアフィルムの前記第１主表面が前記高分子フィルム基材の前記主表面上に配置され、前記感圧性接着剤の前記第３主表面が前記バリアフィルムの前記第２主表面上に配置される、実施形態１に記載の組立品。
［実施形態３］
前記感圧性接着剤がポリイソブチレンを含む、実施形態１又は２に記載の組立品。
［実施形態４］
前記感圧性接着剤が添加溶媒を含まない、実施形態１〜３のいずれか一項に記載の組立品。
［実施形態５］
前記感圧性接着剤が、紫外線吸収剤、ヒンダードアミン光安定剤又は酸化防止剤のうちの少なくとも１つを更に含む、実施形態１〜４のいずれか一項に記載の組立品。
［実施形態６］
前記高分子フィルム基材がフルオロポリマーを含む、実施形態１〜５のいずれか一項に記載の組立品。
［実施形態７］
前記高分子フィルム基材が多層光学フィルムである、実施形態１〜６のいずれか一項に記載の組立品。
［実施形態８］
前記高分子フィルム基材が紫外線反射性多層光学フィルムを備え、前記紫外線反射性多層光学フィルムが、第１主表面及び第２主表面を有し、並びに、紫外線反射性光学層積層体を備え、前記紫外線反射性光学層積層体が、第１光学層と第２光学層とを備え、前記第１光学層の少なくとも一部分と前記第２光学層の少なくとも一部分が密接に接触しており、異なる反射率を有し、前記多層光学フィルムが、前記第１光学層、前記第２光学層、又は前記第１主表面若しくは前記第２主表面のうちの少なくとも１つの上に配置された第３層のうちの少なくとも１つの中に紫外線吸収剤を更に含む、実施形態７に記載の組立品。
［実施形態９］
前記バリアフィルムが、無機バリア層により分離された少なくとも第１ポリマー層と第２ポリマー層を備える、実施形態１〜８のいずれか一項に記載の組立品。
［実施形態１０］
前記組立品がロール形状である、実施形態１〜９のいずれか一項に記載の組立品。
［実施形態１１］
前記組立品が光電池上、光電池上方又は光電池周囲に配置される、実施形態１〜１０のいずれか一項に記載の組立品。
［実施形態１２］
前記光電池がＣＩＧＳ電池である、実施形態１１に記載の組立品。
［実施形態１３］
実施形態１〜１０のいずれか一項に記載の組立品の製造方法であって、
前記高分子フィルム基材及び前記バリアフィルムを備える前記バリア組立品を供給することと、
無溶媒押出成形により前記感圧性接着剤を押出成形することと、
前記感圧性接着剤を前記バリア組立品に適用することと、を含む、方法。
［実施形態１４］
光起電モジュールの製造方法であって、
光電池の前側表面に実施形態１〜１０のいずれか一項に記載の組立品を適用することを含む、方法。
［実施形態１５］
前記光電池が可撓性フィルム基材を備える、実施形態１４に記載の方法。
［実施形態１６］
モル当たり３００，０００グラム未満の重量平均分子量を有するポリイソブチレンと、
水素添加炭化水素粘着付与剤と、を含む感圧性接着剤であって、
前記感圧性接着剤が、少なくとも０．２５ｍｍの厚さのフィルムの形状である、感圧性接着剤。
［実施形態１７］
感圧性接着剤の製造方法であって、
モル当たり少なくとも５００，０００グラムの重量平均分子量を有するポリイソブチレンと水素添加炭化水素粘着付与剤とを含む押出成形可能な組成物をホットメルト押出成形することを含み、前記ホットメルト押出成形することが、前記ポリイソブチレン樹脂の重量平均分子量をモル当たり３００，０００グラム未満に低下させるのに十分な温度にて行われることにより、水素添加炭化水素粘着付与剤とモル当たり３００，０００未満の重量平均分子量を有するポリイソブチレン樹脂とを含む感圧性接着剤が生じる、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組立品であって、
バリア組立品上に配置された少なくとも０．２５ｍｍの厚さの感圧性接着剤層を備え、前記バリア組立品が高分子フィルム基材とバリアフィルムとを備え、前記組立品が可撓性であり、可視光及び赤外線に対して透過性である、組立品。
【請求項２】
前記高分子フィルム基材が主表面を有し、前記バリアフィルムが互いに対向する第１主表面及び第２主表面を有し、前記感圧性接着剤層が互いに対向する第３主表面及び第４主表面を有し、前記バリアフィルムの前記第１主表面が前記高分子フィルム基材の前記主表面上に配置され、前記感圧性接着剤の前記第３主表面が前記バリアフィルムの前記第２主表面上に配置される、請求項１に記載の組立品。
【請求項３】
前記感圧性接着剤がポリイソブチレンを含む、請求項１又は２に記載の組立品。
【請求項４】
前記組立品が光電池上、光電池上方又は光電池周囲に配置される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組立品。
【請求項５】
モル当たり３００，０００グラム未満の重量平均分子量を有するポリイソブチレンと、
水素添加炭化水素粘着付与剤と、を含む感圧性接着剤であって、
前記感圧性接着剤が、少なくとも０．２５ｍｍの厚さのフィルムの形状である、感圧性接着剤。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月14日(2013.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
繊維状タンパク質および医薬上許容される賦形剤を含む、対象における癌転移を抑制するための医薬組成物。
【請求項２】
繊維状タンパク質が繊維状アルブミンを含む、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
繊維状タンパク質が繊維状ヒト血清アルブミンを含む、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項４】
繊維状タンパク質が口蹄疫ウイルスの繊維状カプシドタンパク質を含む、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項５】
癌を患っているほ乳類を治療するための、治療有効量の繊維状ヒト血清アルブミンおよび医薬上許容される担体を含む、医薬組成物。
【請求項６】
癌が、α５β１および／またはαｖβ３インテグリンの過剰発現によって特徴づけられる、請求項５に記載の医薬組成物。
【請求項７】
以下の段階：
繊維状ヒト血清アルブミンを製造すること；および
治療有効量の繊維状ヒト血清アルブミンを医薬上許容される担体と混合すること、
を含む、請求項３に記載の医薬組成物を製造するための方法。
【請求項８】
繊維状ヒト血清アルブミンを製造する段階が、以下の段階：
界面活性剤溶液へヒト血清アルブミンを溶解すること；
溶解したヒト血清アルブミンを分子量７０ｋＤａ以上のタンパク質を分離するための細孔径を備えるゲル濾過カラムへ注ぐこと；および
カラムからヒト血清アルブミンを溶出すること、
を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ヒト患者における癌を治療するための、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
治療有効量の繊維状タンパク質および医薬上許容される担体を含む、対象における癌を治療するための医薬組成物であって、対象における癌転移を減少させるための、医薬組成物。
【請求項１１】
繊維状タンパク質が繊維状アルブミンを含む、請求項１０に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
繊維状タンパク質が繊維状ヒト血清アルブミンを含む、請求項１１に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
繊維状タンパク質が口蹄疫ウイルスの繊維状カプシドタンパク質を含む、請求項１０に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
繊維状タンパク質がキメラタンパク質である、請求項１０に記載の医薬組成物。
【請求項１５】
対象がヒトである、請求項１０に記載の医薬組成物。
【請求項１６】
癌が、α５β１および／またはαｖβ３インテグリンの過剰発現によって特徴づけられる、請求項１０に記載の医薬組成物。
【請求項１７】
静脈内注射、皮下注射、腹腔内注射、動脈内注射、筋肉内注射、腫瘍への病巣内注射、腫瘍に隣接する病巣内注射、静脈内注入および動脈内注入からなる群から選択される投与経路によって対象に投与される、請求項１０に記載の医薬組成物。
【請求項１８】
繊維状タンパク質が、以下の段階：
溶解したタンパク質を供給するために界面活性剤溶液へタンパク質を溶解すること；
溶解したタンパク質を分子量７０ｋＤａ以上のタンパク質を分離するための細孔径を備えるゲル濾過カラムへ注ぐこと；
溶出液を供給するためにゲル濾過カラムから溶解したタンパク質を溶出すること；および
溶出液から界面活性剤を除去すること、
を含む方法によって製造される、請求項１０に記載の医薬組成物。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年6月26日(2014.6.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
また、本発明は、以下の試薬、天然フェノール化合物に関し、それらは、通常は、単純フェノール類、酸性フェノール類（安息香酸類もしくはけい皮酸類の誘導体）、およびクマリン類、ナフトキノン、スチルベノイド類（２Ｃによって結合された２個のＣ６環）、フラボノイド類、イソフラボノイド類およびアントシアン類（Ｃ６−Ｃ３−Ｃ６構造）ならびに、重合型の、リグナン類、リグニン類、縮合型タンニン類および加水分解性タンニン類に再分される。これらの基本の炭素骨格は、植物の二次代謝から生じ、シキメート経路を経て合成される。それらは、少なくとも１つのベンゼン環とヒドロキシル基を含む分子である。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
【表１】
2013511586.tif 000001
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホルムアルデヒドを含まないフェノプラスト型の樹脂の調製方法であって、以下の工程
ポリオールの制御された酸化によって、アルデヒド官能基を有する高分子硬化剤を調製する工程、
フェノール化合物と該硬化剤を反応させる工程、
を含んでなる方法。
【請求項２】
前記ポリオールが、天然ポリオールから選択される、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ポリオールが、合成ポリオールから選択される、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記ポリオールが、２〜２０のヒドロキシ基を有する、請求項１〜３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記ポリオールが、ポリ（アリルアルコール）、ポリ（ヒドロキシエチルアクリレート）またはポリエーテルポリオールから選ばれた、請求項１〜４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記フェノール化合物が、天然由来である、請求項１〜５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記フェノール化合物が、単純フェノール類、ヒドロキシ安息香酸類、ヒドロキシけい皮酸類、クマリン類、ナフトキノン類、スチルベノイド類、フラボノイド類、イソフラボノイド類、アントシアン類、リグナン類、リグニン類、縮合型タンニン類および加水分解性タンニン類から選ばれた、請求項１〜６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記ポリオールの制御された酸化が、水中で、０℃で、かつ酸化剤の存在下で行なわれる、請求項１〜７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
前記酸化剤が、次亜ハロゲン酸塩を伴ったＴＥＭＰＯである、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
請求項１〜９記載のいずれか１項記載の方法で得ることができるフェノプラスト型の樹脂であって、前記フェノール化合物が、ヒドロキシ安息香酸類、ヒドロキシけい皮酸類、クマリン類、ナフトキノン類、スチルベノイド類、フラボノイド類、イソフラボノイド類、アントシアン類、リグナン類、リグニン類、縮合型タンニン類および加水分解性タンニン類から選ばれた、樹脂。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年10月6日(2014.10.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非官能化合成ゴムと、
アクリルポリマーであって、前記アクリルポリマーが少なくとも１つのアルキル（メタ）アクリレートと少なくとも１つのカルボン酸のコポリマーであり、前記コポリマーが、前記アクリルポリマーの側枝カルボン酸基に水素結合又は共有結合により結合している官能化ポリイソブチレンポリマーを有する、アクリルポリマーと、を含む、感圧性接着剤組成物。
【請求項２】
前記官能化ポリイソブチレンポリマーが、前記アクリルポリマー主鎖中に存在する第二官能基と水素結合している第一官能基を有する、請求項１に記載の感圧性接着剤組成物。
【請求項３】
前記第一又は第二官能基が水素結合受容体であり、前記官能基のうちのもう一方が水素結合供与体である、請求項２に記載の感圧性接着剤組成物。
【請求項４】
前記官能化ポリイソブチレンポリマーが、前記アクリルポリマー主鎖に前記側枝カルボン酸基を介して共有結合している、請求項１に記載の感圧性接着剤組成物。
【請求項５】
前記アクリルポリマー主鎖に前記側枝カルボン酸基を介して結合している前記官能化ポリイソブチレンポリマーが、（メタ）アクリレート官能化ＰＩＢとアルキル（メタ）アクリレートモノマーから調製される、請求項４に記載の感圧性接着剤組成物。
【請求項６】
前記非官能化合成ゴムがポリイソブチレンを含む、請求項１に記載の感圧性接着剤組成物。
【請求項７】
前記官能化ポリイソブチレンが１０，０００ｇ／モル未満の数平均分子量を有する、請求項１に記載の感圧性接着剤組成物。
【請求項８】
前記非官能化合成ゴムが７５，０００ｇ／モル〜４，０００，０００ｇ／モルの範囲の重量平均分子量を有する、請求項１に記載の感圧性接着剤組成物。
【請求項９】
前記アルキル（メタ）アクリレートがＣ４〜Ｃ２０アルキル（メタ）アクリレートである、請求項１に記載の感圧性接着剤組成物。
【請求項１０】
前記アルキル（メタ）アクリレートがＣ４〜Ｃ８アルキル（メタ）アクリレートである、請求項１に記載の感圧性接着剤組成物。
【請求項１１】
前記接着剤組成物が、化学的架橋剤を更に含む、請求項２に記載の感圧性接着剤組成物。
【請求項１２】
前記架橋剤がアジリジン架橋剤から選択される、請求項１１に記載の感圧性接着剤組成物。
【請求項１３】
前記組成物が、１０，０００ｇ／モル未満の数平均分子量を有する非官能化ポリイソブチレンを更に含む、請求項１に記載の感圧性接着剤組成物。
【請求項１４】
粘着付与樹脂、可塑剤又はこれらの混合物を更に含む、請求項１に記載の感圧性接着剤組成物。
【請求項１５】
前記官能化ポリイソブチレンポリマーと非官能化合成ゴムが、１：１〜１：３の重量比で存在する、請求項１に記載の感圧性接着剤組成物。
【請求項１６】
非官能化合成ゴムと、
アクリルポリマーであって、前記アクリルポリマーが少なくとも１つのアルキル（メタ）アクリレートと少なくとも１つのカルボン酸のコポリマーであり、前記コポリマーが、前記アクリルポリマーの側枝カルボン酸基に水素結合又は共有結合により結合している官能化ポリイソブチレンポリマーを有する、アクリルポリマーと、をブレンドすることを含む、感圧性接着剤組成物の製造方法。