【手続補正書】
【提出日】平成24年2月28日(2012.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウェハの表面からシリコンを取り除く方法であって、
上記ウェハは、中央軸と、該中央軸に対して略垂直である前方表面及び後方表面と、外周端部と、上記中央軸から上記ウェハの上記外周端部に沿ったあるポイントまで延びる半径Ｒと、上記中央軸に最も近い、上記ウェハの上記外周端部に沿ったあるポイントと、上記最も近い外周端部ポイントから、上記最も近い外周端部ポイントと上記中央軸との間のあるポイントまで、上記最も近い外周端部ポイントから約１５ｍｍ以下だけ延在する、ウェハの前方表面及び後方表面のエッジ部分と、を有し、
該方法は、
（ｉ）上記ウェハの外周端部、（ii）上記ウェハの前方表面のエッジ部分、及び（iii）上記ウェハの後方表面のエッジ部分のみをエッチング剤に浸漬し接触させる工程を有し、
上記外周端部及び上記前方表面及び後方表面のエッジ部分は、上記ウェハの前方表面の平坦度が約５０％以上減少するまで、上記エッチング剤と接触させることを特徴とする方法。
【請求項２】
シリコンウェハの表面からシリコンを取り除く方法であって、
上記ウェハは、中央軸と、該中央軸に対して略垂直である前方表面及び後方表面と、外周端部と、上記中央軸から上記ウェハの上記外周端部に沿ったあるポイントまで延びる半径Ｒと、上記中央軸に最も近い、上記ウェハの上記外周端部に沿ったあるポイントと、上記最も近い外周端部ポイントから、上記最も近い外周端部ポイントと上記中央軸との間のあるポイントまで、上記最も近い外周端部ポイントから約１５ｍｍ以下だけ延在する、ウェハの前方表面及び後方表面のエッジ部分と、を有し、
該方法は、
（ｉ）上記ウェハの外周端部、（ii）上記ウェハの前方表面のエッジ部分、及び（iii）上記ウェハの後方表面のエッジ部分をエッチング剤に接触させる工程を有し、
上記ウェハは、当該接触前において、ウェハの前方表面に対して少なくとも約２０μｍの全厚変動を有することを特徴とする方法。
【請求項３】
シリコンウェハの表面からシリコンを取り除く方法であって、
上記ウェハは、中央軸と、該中央軸に対して略垂直である前方表面及び後方表面と、外周端部と、上記中央軸から上記ウェハの上記外周端部に沿ったあるポイントまで延びる半径Ｒと、上記中央軸に最も近い、上記ウェハの上記外周端部に沿ったあるポイントと、上記最も近い外周端部ポイントから、上記最も近い外周端部ポイントと上記中央軸との間のあるポイントまで、上記最も近い外周端部ポイントから約１５ｍｍ以下だけ延在する、ウェハの前方表面及び後方表面のエッジ部分と、を有し、
該方法は、
（ｉ）上記ウェハの外周端部、（ii）上記ウェハの前方表面のエッジ部分、及び（iii）上記ウェハの後方表面のエッジ部分をエッチング剤に接触させ、それによりエッジエッチングされたウェハを作製する工程と、
上記エッジエッチングされたウェハの全厚変動を約３μｍ未満まで減少させる工程と、を有することを特徴とする方法。
【請求項４】
上記ウェハの前方表面及び後方表面のエッジ部分は、上記最も近い外周端部ポイントから、上記最も近い外周端部ポイントから約１０ｍｍ以下のポイントまで延在することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
上記ウェハの前方表面及び後方表面のエッジ部分は、上記最も近い外周端部ポイントから、上記最も近い外周端部ポイントから約１ｍｍ以下のポイントまで延在することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
シリコンウェハの表面からシリコンを取り除く方法であって、
上記ウェハは、中央軸と、該中央軸に対して略垂直である前方表面及び後方表面と、外周端部と、上記中央軸から上記ウェハの上記外周端部に沿ったあるポイントまで延びる半径Ｒと、上記中央軸に最も近い、上記ウェハの上記外周端部に沿ったあるポイントと、上記最も近い外周端部ポイントから、上記最も近い外周端部ポイントと上記中央軸との間のあるポイントまで、上記最も近い外周端部ポイントから約１ｍｍ〜約１５ｍｍだけ延在する、ウェハの前方表面及び後方表面のエッジ部分と、を備え、
該方法は、
（ｉ）上記ウェハの外周端部、（ii）上記ウェハの前方表面のエッジ部分、及び（iii）上記ウェハの後方表面のエッジ部分のみをエッチング剤に浸漬し接触させる工程を有することを特徴とする方法。
【請求項７】
上記ウェハの前方表面及び後方表面のエッジ部分は、上記最も近い外周端部ポイントから、上記最も近い外周端部ポイントから約１ｍｍ〜１０ｍｍのポイントまで延在することを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】
上記接触は、上記ウェハの前方表面及び後方表面の平坦度が約５０％を超えて減少するまで、行うことを特徴とする請求項２〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
上記ウェハの外周端部及び前方及び後方エッジ部分を、上記ウェハを回転させることにより、上記エッチング剤と接触させることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
上記ウェハの回転を反転させ、上記ウェハの外周端部及び前方及び後方エッジ部分が上記エッチング剤に接触しつつ、上記ウェハを時計回り及び反時計回りに回転させることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
上記ウェハの外周端部及び前方及び後方エッジ部分は、全厚に対して、少なくとも約１０μｍが、上記ウェハの前方及び後方エッジ部分から取り除かれる間、上記エッチング剤に接触させることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
上記ウェハの外周端部及び前方及び後方エッジ部分は、上記ウェハの直径が少なくとも約１０μｍだけ減少する間、上記エッチング剤に接触させることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
上記ウェハにおいて応力を解放するため、上記ウェハの前方表面を腐食性エッチング剤に接触させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
上記腐食性エッチング剤により、上記ウェハの表面から約０．５μｍ〜約２μｍの材料を除去することを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
上記ウェハの平坦度を減少させるため、上記エッジエッチングされたウェハの前方表面及び後方表面を研磨する工程を含むことを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
シリコンウェハの表面からシリコンを取り除く方法であって、
上記ウェハは、中央軸と、該中央軸に対して略垂直である前方表面及び後方表面と、外周端部と、上記中央軸から上記ウェハの上記外周端部に沿ったあるポイントまで延びる半径Ｒと、上記中央軸に最も近い、上記ウェハの上記外周端部に沿ったあるポイントと、上記最も近い外周端部ポイントから、上記最も近い外周端部ポイントと上記中央軸との間のあるポイントまで、上記最も近い外周端部ポイントから約１５ｍｍ以下だけ延在する、ウェハの前方表面及び後方表面のエッジ部分と、を備え、
該方法は、
（ｉ）上記ウェハの外周端部、（ii）上記ウェハの前方表面のエッジ部分、及び（iii）上記ウェハの後方表面のエッジ部分をエッチング剤に接触させる工程と、
上記エッジエッチングされたウェハの平坦度を少なくとも約５０％減少させる工程と、
上記エッジエッチングされたウェハの外周端部、前方表面及び後方表面を、水酸化物イオン源を含む水溶液の形態の腐食性エッチング剤に接触させる工程と、
上記エッジエッチングされたウェハの前方表面及び後方表面を研磨する工程と、
上記エッジエッチングされたウェハの外周端部を研磨する工程と、を備える方法。
【請求項１７】
中央軸と、該中央軸に対して略垂直である前方表面及び後方表面と、上記中央軸から外周端部に沿ったあるポイントまで延びる半径Ｒと、上記中央軸に最も近い、上記外周端部に沿ったあるポイントと、上記最も近い外周端部ポイントから、上記最も近い外周端部ポイントと上記中央軸との間のあるポイントまで、上記最も近い外周端部ポイントから約１５ｍｍ以下延在する、ウェハの前方表面及び後方表面のエッジ部分と、上記最も近い外周ポイントと上記中央軸との間のポイントから、上記中央軸まで延びる、ウェハの前方表面及び後方表面の中央部分と、を備え、
上記ウェハの前方表面及び後方表面は、少なくとも約２０μｍの全厚変動を有し、
上記ウェハの前方表面及び後方表面の中央部分は、少なくとも約０，３μｍＲａの表面粗さを有し、かつ
上記ウェハの前方表面及び後方表面のエッジ部分は、約０．３μｍ未満の表面粗さＲａを有することを特徴とするシリコンウェハ。
【請求項１８】
中央軸と、該中央軸に対して略垂直である前方表面及び後方表面と、上記中央軸から外周端部に沿ったあるポイントまで延びる半径Ｒと、上記中央軸に最も近い、上記外周端部に沿ったあるポイントと、上記最も近い外周端部ポイントから、上記最も近い外周端部ポイントと上記中央軸との間のあるポイントまで延在する、ウェハの前方表面及び後方表面のエッジ部分と、上記最も近い外周ポイントと上記中央軸との間のポイントから、上記中央軸まで延びる、ウェハの前方表面及び後方表面の中央部分と、を備え、
上記ウェハの前方表面及び後方表面は、少なくとも約２０μｍの全厚変動を有し、
上記ウェハの前方表面及び後方表面の中央部分は、少なくとも約０，３μｍの表面粗さＲａを有し、かつ
上記ウェハの前方表面及び後方表面のエッジ部分は、約０．２μｍ未満の表面粗さＲａを有することを特徴とするシリコンウェハ。
【請求項１９】
上記ウェハの前方表面及び後方表面が、少なくとも約２５μｍの全厚変動を有することを特徴とする請求項１７又は１８に記載のシリコンウェハ。
【請求項２０】
上記ウェハの前方表面及び後方表面の中央部分が、約０．３〜約２．５μｍの表面粗さＲａを有することを特徴とする請求項１７又は１８に記載のシリコンウェハ。
【請求項２１】
上記ウェハの前方表面及び後方表面の中央部分が、約０．７〜約２μｍの表面粗さＲａを有することを特徴とする請求項１７〜２０のいずれかに記載のシリコンウェハ。
【請求項２２】
上記ウェハの前方表面及び後方表面の中央部分が、約１〜約１．５μｍの表面粗さＲａを有することを特徴とする請求項１７〜２０のいずれかに記載のシリコンウェハ。
【請求項２３】
ウェハとともに用いるウェハエッジエッチング装置であって、
ケーシングと、
上記ケーシング内に配置された複数のローラーであって、各ローラーは、中央軸を有し、かつ各近接するローラーの環状溝部に略平行に配置された複数の環状溝部を備えるローラーと、
上記ケーシング内に配置された複数のウェハと、
上記ケーシング内に配置され、上記ウェハの外周端部、前方及び後方表面のエッジ部分のみに接触するエッチング剤と、を有し、
それぞれ、中央軸に対して略垂直である前方表面及び後方表面と、上記中央軸から上記ウェハの外周端部に沿ったあるポイントまで延びる半径Ｒと、上記中央軸に最も近い、上記ウェハの上記外周端部に沿ったあるポイントと、上記最も近い外周端部ポイントから、上記最も近い外周端部ポイントと上記中央軸との間のあるポイントまで、上記最も近い外周端部ポイントから約１５ｍｍ以下延在する、ウェハの前方表面及び後方表面のエッジ部分と、を有するウェハを、上記ローラーの環状溝部内に固定するエッジエッチング装置。
【請求項２４】
上記環状溝部は、第１環状端部及び第２環状端部により規定され、
上記第１環状端部及び第２環状端部は、両方、上記中央軸に向かって半径方向内側に延び、
上記第１環状端部が半径方向内側に向かうに従って、上記第１環状端部は、上記第２環状端部に対して軸方向に向かうことを特徴とする請求項２３記載のエッジエッチング装置。
【請求項２５】
上記第１端部の最も半径方向内側のポイントと、上記第２端部の最も半径方向内側のポイントとの間の距離が、溝部が受容できる大きさ及び形状で形成されたウェハの先端部の幅未満であることを特徴とする請求項２４記載のエッジエッチング装置。
【請求項２６】
上記第２環状端部が半径方向内側に向かうに従って、上記第２環状端部は、上記第１環状端部に対して軸方向に向かうことを特徴とする請求項２４記載のエッジエッチング装置。
【請求項２７】
上記溝部が、上記第１端部の最も半径方向内側のポイントと、上記第２端部の最も半径方向内側のポイントとの間のフローにより規定され、
上記フロアーの幅が、溝部が受容できる大きさ及び形状に形成されたウェハの先端部の幅未満であることを特徴とする請求項２４記載のエッジエッチング装置。
【請求項２８】
上記第２環状端部が半径方向内側に向かうに従って、上記第２環状端部は、上記第１環状端部に対して軸方向に向かうことを特徴とする請求項２７記載のエッジエッチング装置。
【請求項２９】
上記環状溝部は、第１環状端部及び第２環状端部により規定され、
上記第１環状端部及び第２環状端部は、両方、上記中央軸に向かって半径方向内側に延び、
上記第１環状端部が半径方向内側に延びるに従って、上記第１環状端部は、上記第２環状端部に対して軸方向に向かって延び、
上記第１端部の最も半径方向内側のポイントと、上記第２端部の最も半径方向内側のポイントとの間の距離が、約２００μｍ未満であることを特徴とする請求項２３記載のエッジエッチング装置。
【請求項３０】
上記第１端部と上記第２端部とが交差し、上記第１端部の最も半径方向内側のポイント、及び上記第２端部の最も半径方向内側のポイントを規定する頂点を形成することを特徴とする請求項２３記載のエッジエッチング装置。
【請求項３１】
上記第２環状端部が半径方向内側に延びるに従って、上記第２環状端部が、上記第１環状端部に対して軸方向に向かって延びることを特徴とする請求項３０記載のエッジエッチング装置。
【請求項３２】
上記ケーシングが、汚染されたエッチング剤を当該ケーシングから放出するための開口部を有することを特徴とする請求項２３記載のエッジエッチング装置。
【請求項３３】
当該装置が、上記ケーシング内に上部ローラーを備えることを特徴とする請求項２３記載のエッジエッチング装置。