【事件の表示】
　平成　８年特許願第　６２５４５号「半導体メモリ素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年１０月　３日出願公開、特開平　９−２６０６００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
  １．手続の経緯
　本願は、平成８年３月１９日の出願であって、平成１４年２月２０日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月２８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月２４日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成１４年４月２４日付の手続補正(以下、「本件補正」という)について
［補正却下の決定の結論］
平成１４年４月２４日付の手続補正を却下する。
［理由］
　平成１４年４月２４日付の手続補正は、特許請求の範囲を以下のように補正しようとするものである。
「【請求項１】　高誘電体膜または強誘電体膜を有するキャパシタと、該キャパシタの下部電極と導通性プラグにより接続されたトランジスタとを備えた半導体メモリ素子の製造方法において、
　上記プラグ上に金属窒化酸化物からなる導電性の拡散バリア層を形成した後、該拡散バリアに接して直接上記下部電極を形成することを特徴とする、半導体メモリ素子の製造方法。
　　【請求項２】　高誘電体膜または強誘電体膜を有するキャパシタと、該キャパシタの下部電極と導通性プラグにより接続されたトランジスタとを備えた半導体メモリ素子の製造方法において、
　上記プラグ上に金属窒化物からなる導電性の拡散バリア層を形成した後、該拡散バリア層に酸化処理を施し、少なくとも表面に上記金属窒化酸化物を形成した後、該金属窒化酸化膜に接して直接上記下部電極を形成することを特徴とする、半導体メモリ素子の製造方法。
　　【請求項３】　上記金属窒化物が窒化チタンであることを特徴とする、請求項２に記載の半導体メモリ素子の製造方法。」
　
　本件補正は、出願当初の特許請求の範囲請求項１に記載された
（a）「導電性プラグ」、及び、
（b）「拡散バリア層を形成した後、上記下部電極を形成する」
について、それぞれ、
（a）「導通性プラグ」、及び、
（b）「拡散バリア層を形成した後、該拡散バリアに接して直接上記下部電極を形成する」と補正している。
　また、出願当初の特許請求の範囲請求項２に記載された
（c）「導電性プラグ」、及び、
（d）「少なくとも表面に上記金属窒化酸化物を形成した後、上記下部電極を形成する」について、それぞれ、
（c）「導通性プラグ」、及び、
（d）「少なくとも表面に上記金属窒化酸化物を形成した後、該金属窒化酸化膜に接して直接上記下部電極を形成する」と補正している。
　また、出願当初の特許請求の範囲請求項３に記載された
（e）「請求項２記載の半導体メモリ素子」を「請求項２に記載のメモリ素子」と補正している。
　
　（a）及び（c）について
　願書に最初に添付した明細書又は図面では、特許請求の範囲に記載された「導電性プラグ」については「導電性プラグ」という語が統一的に用いられており、「導通性プラグ」の語については一切記載されておらず、「導通性プラグ」は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項から自明の事項とも認められないから、特許法第１７条の２第３項に規定された要件を満たしていない。
　
（b）について
　願書に最初に添付した明細書又は図面の特許請求の範囲の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である「拡散バリア層を形成した後、上記下部電極を形成する」を「拡散バリア層を形成した後、該拡散バリアに接して直接上記下部電極を形成する」に補正することは、拡散バリア層と下部電極との位置関係を限定するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（d）について
　願書に最初に添付した明細書又は図面の特許請求の範囲の請求項２に係る発明を特定するために必要な事項である「少なくとも表面に上記金属窒化酸化物を形成した後、上記下部電極を形成する」を「少なくとも表面に上記金属窒化酸化物を形成した後、該金属窒化酸化膜に接して直接上記下部電極を形成する」に補正することは、金属窒化酸化物と下部電極との位置関係を限定するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　以上のとおりであるから、本件補正は、（e）については検討するまでもなく、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてする補正とは認められず、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。よって、本件補正は、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１４年４月２４日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、本願出願日、平成８年３月１９日における特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「高誘電体膜または強誘電体膜を有するキャパシタと、該キャパシタの下部電極と導電性プラグにより接続されたトランジスタとを備えた半導体メモリ素子の製造方法において、
　上記プラグ上に金属窒化酸化物からなる導電性の拡散バリア層を形成した後、上記下部電極を形成することを特徴とする、半導体メモリ素子の製造方法。」
　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願日前の平成７年８月４日に頒布された特開平７−２０２０３９号公報（以下、引用例１という。）には、図１とともに、次のとおり記載されている。
「【産業上の利用分野】本発明は、不揮発性半導体記憶装置に関し、特に強誘電体を用いて不揮発性半導体記憶装置に関するものである。」(第1段落)
「（実施例１)図１は本発明の一実施例を示す半導体記憶装置の断面図である。シリコン基板１の表面に素子分離用のフィールド酸化膜２が形成された後に、素子領域の基板表面上にゲート絶縁膜３を介してポリシリコンのワード線４を形成する。次に上記電荷転送用トランジスタのソースまたはドレインになる不純物拡散領域５，５′が形成され、その上に層間絶縁膜６が形成されている。絶縁膜６に前記電荷転送用トランジスタのソースまたはドレインになる一方の不純物拡散領域５まで達するようにコンタクトホールが形成された後、ポリシリコン７を堆積し導電性のコンタクトをとる。ポリシリコン上にシリコン拡散バリアメタル層となる窒化チタン層８、強誘電体下部電極となる白金層９を形成しパターニングされて個々のメモリセル用として独立した強誘電体キャパシタの一方の電極が形成される。次に強誘電体１０がスパッタ法、ＣＶＤ法、ゾル・ゲル法、レーザーアブレージョン法等により形成される。本実施例では（Ｐｂ0.75Ｃａ0.25）ＴｉＯ3 をゾル・ゲル法により形成する方法を説明する。所定量の酢酸鉛、イソプロポキシカルシウム、イソプロポキシチタンをメトキシエタノールに溶解し１２０℃で２４時間加熱撹拌する。この溶液を０．３Ｍに希釈した後、上記した基板上に３０００ｒｐｍで１分間スピンコートし、酸素雰囲気中で６００℃で１０分間熱処理する。この塗布および熱処理を合計３回繰り返し膜厚３００ｎｍの強誘電体膜１０を作製した。この上に上部電極白金層１１が形成される。」(第10段落)
　これらの記載より、引用例１には、
「強誘電体キャパシタと、該キャパシタの強誘電体下部電極とポリシリコン7により接続された電荷転送用トランジスタとを備えた不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、
　ポリシリコン上に窒化チタン層8からなるシリコン拡散バリアメタル層を形成し、強誘電体下部電極となる白金層９を形成することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法」
が記載されている。
　
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願日前の平成３年７月１日に頒布された特開平３−１５３０８４号公報（以下、引用例２という。）には、第１図とともに、次のとおり記載されている。
「（１）強誘電体膜が、半導体基板上に集積された半導体装置に於て、前記強誘電体膜を挟む上、下部電極の少なくとも１層以上が、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｒｄ、Ｒｈ、Ｗ等の電解又は無電解メッキ層よりなることを特徴とする半導体装置。
（２）前記メッキ層のバリアメタルとして、メタル、メタルナイトライド、メタルシリサイド、メタルカーバイトの単相、又は組み合せ積層膜より成ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
（３）バリアメタルの少なくとも１層以上は、膜中に酸素を含有するか、酸化物層を有することを特徴とする請求項１、又は２記載の半導体装置。」（特許請求の範囲第１項〜第３項）
「・・・バリアメタルはＯ2プラズマあるいはＯ2を微量含む不活性ガス中でのアニールによりＯ2を含有又は酸化物層を形成することにより、より効果を増すものである。」(第２頁左下欄第第5〜8行)
「・・・108は高濃度拡散層、109は第２フィールド膜でありコンタクトフォトエッチング後、先ずＴｉＮ/Ｔｉ、1000Å/200Åをデポし、Ｏ2プラズマ中で酸化処理をする。次に、Ｐｔ/Ｔｉを1000Å/200Åデポし、この膜110を電極として、Ａｕメッキ111を０.８μ形成する。
　続いて、ＴｉＮ/Ｔｉを第１層と同様にデポ、Ｏ2プラズマ処理し、Ｐｔ/Ｔｉを全面デポ後、ＰＺＴ膜を０.８μスパッタでデポする。パターンエッチして、ＰＺＴ膜114と、下部電極113を得る。」(第２頁左下欄第14行〜同右下欄第5行)
「結果的に強誘電メモリは、
Ａｕメッキ(上部電極)
Ｐｔ／Ｔｉ／ＴｉＯＮ−ＴｉＮ／Ｔｉ／Ｐｔ
　　　　　(上バリア)
ＰＺＴ／Ｐｔ／Ｔｉ／ＴｉＯＮ−ＴｉＮ／Ｔｉ
　　　　　(下部バリア)
Ａｕメッキ(下部電極)
となり、５００℃でアニールしても殆どＰＺＴへの拡散はなく、実験では該構造では９００℃まで大きな変化は生じないことが確認された。」(第2頁右下欄第14行〜第3頁左上欄第3行)
　
（２）対比
　そこで、本願発明と引用例１に記載された発明(以下「引用例１発明」という。)とを対比すると、引用例１発明の「電荷転送用トランジスタ」はソース又はドレインになる一方の不純物拡散領域からコンタクトホールに堆積された「ポリシリコン7」を介して「強誘電体下部電極」に電気的に接続される構造であり、また、上下の層を導電的に接続するためのコンタクトホールに堆積された導電体は半導体分野においては一般にプラグと呼ばれているから、「強誘電体下部電極」と「電荷転送用トランジスタ」を導電的に接続するために、コンタクトホールに堆積された「ポリシリコン7」は、本願発明の「導電性プラグ」に相当する。
　また、引用例１発明に係る「不揮発性半導体記憶装置」は、「半導体メモリ素子」のうちの一種類であり、概念的に半導体メモリ素子に包含されるものであるから、引用例１発明の「不揮発性半導体記憶装置」は、本願発明の「半導体メモリ素子」に相当する。
　したがって、引用例１発明の「強誘電体キャパシタ」、「電荷転送用トラジスタ」、「強誘電体下部電極」、「ポリシリコン7」、「シリコン拡散バリアメタル層」及び、「不揮発性半導体記憶装置」は、本願発明の「強誘電体膜を有するキャパシタ」、「トランジスタ」、「キャパシタの下部電極」、「導電性プラグ」、「導電性の拡散バリア層」及び、「半導体メモリ素子」にそれぞれ相当する。
　また、引用例１発明では「ポリシリコン上にシリコン拡散バリアメタル層となる窒化チタン層8」と「強誘電体下部電極となる白金層９」とを一連の工程で形成しているから、「窒化チタン層8からなるシリコン拡散バリアメタル層」と「強誘電体下部電極となる白金層９」とを形成する工程は、前者を形成した後、後者を形成する工程となっている。
　
　よって、本願発明と引用例１発明は、
「強誘電体膜を有するキャパシタと、該キャパシタの下部電極と導電性プラグにより接続されたトランジスタとを備えた半導体メモリ素子の製造方法において、
　上記プラグ上に導電性の拡散バリア層を形成した後、上記下部電極を形成することを特徴とする半導体メモリ素子の製造方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点１］
　本願発明では、「導電性プラグ上に金属窒化酸化物からなる導電性の拡散バリア層を形成した」のに対し、引用例１発明では、「ポリシリコン上に窒化チタン層8からなるシリコン拡散バリアメタル層を形成した」点。
［相違点２］
　本願発明では、「高誘電体膜または強誘電体膜を有するキャパシタと、該キャパシタの下部電極と導電性プラグにより接続されたトランジスタとを備えた半導体メモリ素子の製造方法」であるのに対して、引用例１発明では、「強誘電体キャパシタ」と、該キャパシタの下部電極と導電性プラグにより接続されたトランジスタとを備えた半導体メモリ素子の製造方法である点。
　
（３）判断
　上記相違点について以下に検討する。
［相違点１について］
　引用例２に記載された事項から、下部バリアとして定義されるＰｔ／Ｔｉ／ＴｉＯＮ−ＴｉＮ／Ｔｉの構造のうち、「Ｏ2プラズマあるいはＯ2を微量含む不活性ガス中でのアニールによりＯ2を含有又は酸化物層を形成することにより、より効果を増す」バリアメタルはＴｉＯＮであり、特に、Ａｕの「５００℃でアニールしても殆どＰＺＴへの拡散はなく、実験では該構造では９００℃まで大きな変化は生じないこと」という記載によれば、ＴｉＯＮはＰＺＴへのＡｕの熱拡散を防ぐバリアである。また、引用例２に記載されたＰＺＴ膜より下の層構成「ＰＺＴ／Ｐｔ／Ｔｉ／ＴｉＯＮ−ＴｉＮ／Ｔｉ/Ａｕ」では、ＴｉＯＮとＰＺＴ膜との間に存在する膜はＰｔ／Ｔｉのみであり、「メッキ層のバリアメタル」としてのＴｉＯＮはＡｕの拡散を、ＰＺＴ膜のみならず、Ｐｔ／Ｔｉを含んだＴｉＯＮより上に存在する膜に対して防止しているから、このＰｔ／Ｔｉ膜は、本願発明の「キャパシタの下部電極」に相当するものである。
　そして、本願発明の「導電性プラグ」は引用例１発明の「ポリシリコン7」と同じ材質のポリシリコンより成るが、Ａｕの上に拡散バリアメタル層として、ＴｉＯＮを形成する引用例２記載の方法とポリシリコンの上に拡散バリアメタル層を形成する引用例１記載の方法とは、拡散バリアメタル層の下層からの拡散を防ぐ点で共通であるから、耐熱性などから考えて、ＴｉＯＮがポリシリコンに対する拡散バリアメタル層となりうることも明らかである。
　これらの点を考慮すると、引用例２に記載された発明において、強誘電体であるＰＺＴ膜と接するＰｔ／Ｔｉの直下にあって、Ａｕの拡散バリア層としてのＴｉＯＮ、すなわち金属窒化酸化物を、引用例１発明における、拡散バリア層としての窒化チタン層8に代えて形成することは、当業者が容易に想到し得た事項である。
［相違点２について］
　請求項１に記載された「高誘電体膜または強誘電体膜を有するキャパシタ」は、「強誘電体膜を有するキャパシタ」を含む表現であり、引用例１発明における「強誘電体キャパシタ」は本願発明の「強誘電体膜を有するキャパシタ」に相当するから、「高誘電体膜または強誘電体膜を有するキャパシタ」は引用例１発明の「強誘電体キャパシタ」を包含するものであり、本願発明と引用例１発明とは、この点で実質的には相違するものではない。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。