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【手続補正書】
【提出日】平成15年7月22日(2003.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】紙幣入出金機


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
紙幣の取出および投入がされる入出金口と、紙幣を判別する紙幣判別部と、紙幣を収納する紙幣収納庫と、前記入出金口に投入された紙幣を前記紙幣判別部と前記紙幣収納庫に搬送する紙幣搬送路とを有する紙幣入出金機であって、
前記入出金口は、
前記紙幣入出金機の利用者側である前方の位置で前方に傾斜して配する前板と、
前記紙幣入出金機の利用者の反対側である後方の位置に配する後板と、
前記前板と後板の間の位置で前方に傾斜して配する中板と、床面とで形成される紙幣の収納空間と、
前記収納空間に置かれた紙幣を前記紙幣搬送路へ送り出す分離機構と、
前記紙幣搬送路から前記収納空間に紙幣を集積するスタック機構とを有することを特徴とする紙幣入出金機。
【請求項２】
請求項１記載の紙幣入出金機であって、
前記床面は、前方に傾斜し、
前記分離機構は、前記収納空間の前方下部に配し、
前記スタック機構は、前記収納空間の後方下部に配し、且つ、
前記分離機構よりも高い位置に配することを特徴とする紙幣入出金機。
【請求項３】
請求項１または２記載の紙幣入出金機であって、
前記中板は、前記分離機構に紙幣を押し付けるようスライド移動し、
前記スタック機構は、前記分離機構に紙幣を押し付ける前記中板の面の背面上に紙幣を集積することを特徴とする紙幣入出金機。
【請求項４】
紙幣の取出および投入がされる入出金口と、紙幣を判別する紙幣判別部と、紙幣を収納する紙幣収納庫と、前記入出金口に投入された紙幣を前記紙幣判別部と前記紙幣収納庫に搬送する紙幣搬送路とを有する紙幣入出金機であって、
前記入出金口は、
その内部の紙幣収納空間を区分けする中板と、
前記中板の一面に投入された紙幣を前記紙幣搬送路に送り
出す分離機構と、
前記紙幣収納庫から繰り出された紙幣を前記中板の他面に集積するスタック機構とを有することを特徴とする紙幣入出金機。
【請求項５】
請求項４記載の紙幣入出金機であって、さらに、
前記スタック機構によって集積された紙幣の枚数または厚みに応じて前記中板を前記スタック機構と反対側の方向へスライド移動させる駆動手段を有することを特徴とする紙幣入出金機。
【請求項６】
請求項４または５記載の紙幣入出金機であって、さらに、
前記入出金口を開閉するシャッタを有し、
前記シャッタを開くとき、前記前板と前記後板とから前記収納空間に集積した紙幣が離れているよう、前記収納空間に集積した紙幣を前記中板で移動させることを特徴とする紙幣入出金機。
【請求項７】
紙幣の取出および投入がされる入出金口と、紙幣を判別する紙幣判別部と、紙幣を収納する紙幣収納庫と、前記入出金口に投入された紙幣を前記紙幣判別部と前記紙幣収納庫に搬送する紙幣搬送路とを有する紙幣入出金機であって、
前記入出金口は、
前記紙幣搬送路から入出金口の内部に紙幣を繰出すスタックローラと、
弾性部材を有するブラシローラと、
入出金口の内部を区分けする第１の板と、第２の板とを有し、
前記ブラシローラは、その弾性部材と前記第１の板との間で前記スタックローラによって繰出された紙幣を挟み、
前記第２の板は、前記ブラシローラで挟まれた紙幣に当接するよう移動して、その後、前記第１の板と共に移動することを特徴とする紙幣入出金機。
【請求項８】
紙幣の取出および投入がされる入出金口と、紙幣を判別する紙幣判別部と、紙幣を収納する紙幣収納庫と、前記入出金口に投入された紙幣を前記紙幣判別部と前記紙幣収納庫に搬送する紙幣搬送路とを有する紙幣入出金機であって、
前記入出金口は、前板と、後板と、前記前板と前記後板との間に配する中板と、紙幣が前記紙幣搬送路へ繰り出される紙幣繰出口とを有し、
前記前板、前記繰出口、前記中板、前記後板の順の配置から前記前板、前記中板、前記紙幣繰出口、前記後板の順の配置になるよう移動することを特徴とする紙幣入出金機。
【請求項９】
紙幣の取出および投入がされる入出金口と、紙幣を判別する紙幣判別部と、紙幣を収納する紙幣収納庫と、前記入出金口に投入された紙幣を前記紙幣判別部と前記紙幣収納庫に搬送する紙幣搬送路とを有する紙幣入出金機であって
前記入出金口は、前板と、後板と、前記前板と前記後板との間に配する中板と、紙幣を前記紙幣搬送路へ繰り出すフィードローラとを有し、
前記中板は、前記中板と前記後板との間にある紙幣が前記フィードローラに接するようにその紙幣の面または前記前板の面に沿って退避することを特徴とする紙幣入出金機。
【請求項１０】
請求項８または９記載の紙幣入出金機であって、さらに、
前記中板がスライドする方向を規定しているスライド板と、前記スライド板が規定する方向への前記中板のスライドを駆動する中板駆動部材と、前記中板駆動部材を移動する中板駆動べルトと、前記中板駆動べルトを回転するプーリとを有し、
前記プーリは、プーリの中心をはずれた部分に突起を有し、前記プーリの回転によって前記突起を前記スライド板の端に当接して押し付け、
前記スライド板は、くの字型であり、前記突起の押し付けによって前記中板を前記紙幣繰出口または前記フィードローラの上方に退避することを特徴とする紙幣入出金機。
【請求項１１】
紙幣の取出および投入がされる入出金口と、紙幣を判別する紙幣判別部と、紙幣を収納する紙幣収納庫と、前記入出金口に投入された紙幣を前記紙幣判別部と前記紙幣収納庫に搬送する紙幣搬送路とを有する紙幣入出金機であって、
前記入出金口は、投入された紙幣を繰り出すフィードローラと、前記フィードローラが紙幣を繰り出す方向には回転せず前記フィードローラと対向するゲートローラと、前記フィードローラに圧接するピンチローラと、前記フィードローラの両外側に配置して前記フィードローラと連動する駆動ローラと、前記駆動ローラに圧接するバックアップローラとを有する分離機構部を有し、
前記フィードロ一ラは、前記紙幣搬送路の搬送ローラの両外側の幅よりも狭い位置に配置することを特徴とする紙幣入出金機。
【請求項１２】
紙幣の取出および投入がされる入出金口と、紙幣を判別する紙幣判別部と、紙幣を収納する紙幣収納庫と、前記入出金口に投入された紙幣を前記紙幣判別部と前記紙幣収納庫に搬送する紙幣搬送路とを有する紙幣入出金機であって、
前記入出金口は、回転して投入された紙幣を繰り出すフィードローラと、前記フィードローラと対向するゲートローラと、前記フィードローラに圧接するピンチローラと、前記フイードローラの両外側に配置して前記フィードローラと連動する駆動ローラと、前記駆動ローラに対向するバックアップローラと、前記バックアップローラの前記駆動ローラへの圧接またはその退避を切り替える駆動源とを有し、
前記駆動源は、前記フィードローラが紙幣を繰り出しているときには前記バックアップローラを退避し、前記フィードローラが紙幣を繰り出す回転とは逆の回転をしているときには前記バックアップローラを前記駆動ローラに圧接することを特徴とする紙幣入出金機。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月27日(2003.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
つぎに、ロック装置(8)について説明する。ロック装置(8)は、障子(2)をロックしたロック状態および障子(2)のロックを解除したロック解除状態をとるものであり、
障子(2)の左かまちに上下に間隔をおいて取り付けられた２つ係合部材(9)と、左窓枠部材(1c)に上下に間隔をおいて設けられた２つのカム(14)と、左窓枠部材(1c)と閉状態にある障子(2)の左かまちとの間に上下動自在に設けられた複数のアーム状部材を連結してなる移動部材(12)と、移動部材(12)を上下動させるために窓枠(1)左下部における屋内側に揺動自在に設けられたレバー状のロック操作部材(13)と、操作部材(13)の揺動を移動部材(12)の上下動に変換して伝達するアーム状の伝動部材(16)と、移動部材(12)に上下に間隔をおいて揺動自在に取り付けられた２つのフック(10)と、カム(14)に取り付けられたストッパ(15)とを備えている。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
操作部材(13)は、窓の左下部に取り付けられたレバー支持部材(20)の凹部(20a)に取り付けられて、図３に示す操作部材(13)が上下にのびるロック状態と、図４に示す前後にのびるロック解除状態との間を揺動するようになっている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
伝動部材(16)の前端部には長孔(16a)が形成され、この長孔(16a)に移動部材(12)の下端部に設けられたピン(12a)嵌め入れられている。また伝動部材(16)の後端部は、操作部材(13)の枢支部に回転自在に取り付けられている。このようにして、操作部材(13)の揺動によって伝動部材(16)の前端が上下動して移動部材(12)が上下に動くようになっている。なお、操作部材(13)は、ばね(19)によって図３に示す障子ロック状態となるように付勢されている。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
フック(10)の下降にともないカムフォロワ(10d)は切り欠き(14c)内を下降する。切り欠き(14c)内における上部のまっすぐな部分(14f)をカムフォロワ(10d)が下降しているさい、フック(10)はまっすぐ下方に下降していく。このときストッパ(15)はフック(10)の下降に伴い反時計回りに回転していくが係合部材(9)の位置はロック状態のときと変わらず障子(2)は閉状態を保ったままである。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
この状態では、ストッパ(15)の後板状部(15c)によって移動部材(12)の上方への移動が阻止される。従って、この状態では、フック(10)が上方に移動することがないので、障子(2)が開いた状態で謝って操作部材(13)を操作してロック装置(8)がロック状態になるのが防止される。なお、このとき操作部材(13)は、左右にのびたロック解除状態にあり、これ以上時計回りに揺動できない位置にあるため移動部材(12)を下方に移動させることもできない。
【手続補正書】
【提出日】平成15年4月2日(2003.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水溶性の洗浄剤の細粒に、糊等の水溶性の物質に空気を混入して、コーチングした粒子を付着した水溶性用紙に、芳香消臭液を浸透し、又は二枚の用紙に、洗浄剤と芳香消臭液を、別に付着、浸透して、トイレ使用前に、水面に浮かべる事で、事前に芳香消臭液を気化放出して、大便などの汚水が跳ね返る事を防止し、悪臭に依る自身、及び、直後に使用する人の、不快感を、防止する様にし、水溶性洗浄剤の、粒子を付着した用紙の上面中央に、指先で持てる部分を構成し、水面に置いて使用、汚物が直接便器に付着せず、芳香消臭液等を浸透し、先に芳香消臭液が気化放出し、トイレ使用後に用紙が水に溶け洗浄剤の粒子が溶ける際に、排水に水流で、便器内が洗浄される、用紙を二重にして間に洗浄剤の細粒と芳香消臭液を浸透付着した用紙。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月19日(2003.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面領域に形成された１対の不純物拡散層と、
前記１対の不純物拡散層間における前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを備え、
前記ゲート電極に所定電圧を印加することにより前記ゲート絶縁膜にキャリアを捕獲するように成された半導体記憶装置であって、
前記１対の不純物拡散層のそれぞれに近接する位置における前記ゲート絶縁膜中に、前記ゲート絶縁膜に比してキャリアトラップ特性が高い電荷捕獲膜が形成されており、
前記ゲート絶縁膜は、前記１対の不純物拡散層のそれぞれに近接する位置が他の領域に比して薄く形成されていることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
前記ゲート絶縁膜は、前記１対の不純物拡散層のそれぞれに近接する位置の電気容量換算膜厚が他の領域に比して小さくなるように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記ゲート絶縁膜上に別の電荷捕獲膜が形成され、前記ゲート絶縁膜上に当該別の電荷捕獲膜を介して前記ゲート電極が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
半導体基板上に第１及び第２の絶縁膜を順次形成する第１の工程と、
前記第１及び第２の絶縁膜を選択的に除去して共にパターニングする第２の工程と、
露出した前記半導体基板上から前記第２の絶縁膜の下層の所定範囲にかけての前記半導体基板上に第３の絶縁膜を形成する第３の工程と、
前記第２の絶縁膜をマスクとして前記半導体基板に不純物を導入し、前記第２の絶縁膜の両側の前記半導体基板の表面領域に各々が独立した一対の不純物拡散層を形成する第４の工程と、
前記第２の絶縁膜の下層の所定範囲に形成された前記第３の絶縁膜を残し、他の領域の前記第３の絶縁膜を除去して前記半導体基板を露出させる第５の工程と、
露出した前記半導体基板を熱酸化して素子分離膜を形成する第６の工程と、
前記第１及び第２の絶縁膜を除去して、下層の前記半導体基板及び前記第３の絶縁膜を露出させ、当該第３の絶縁膜を電荷捕獲膜とする第７の工程と、
露出した前記半導体基板の表面を熱酸化して第４の絶縁膜を形成し、前記電荷捕獲膜の上層及び下層を当該第４の絶縁膜で覆う第８の工程と、
前記第４の絶縁膜の上層に導電膜を形成する第９の工程と、
前記導電膜をゲート電極形状にパターニングする第１０の工程とを有することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２の工程と前記第３の工程の間に、前記第１の絶縁膜をパターン幅方向に所定量除去して、前記第２の絶縁膜のパターン幅よりも幅狭にする第１１の工程を更に有し、
前記第３の工程において、露出した前記半導体基板上及び前記所定量の範囲における前記半導体基板上に前記第３の絶縁膜を形成することを特徴とする請求項４に記載の半導体記憶装置の製造方法。
【請求項６】
前記第８の工程と前記第９の工程の間に、前記第４の絶縁膜上に第５の絶縁膜を形成する第１２の工程を更に有し、
前記第９の工程において前記第４の絶縁膜上に前記第５の絶縁膜を介して前記導電膜を形成することを特徴とする請求項４に記載の半導体記憶装置の製造方法。
【請求項７】
半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜を選択的に除去して下層の前記半導体基板を露出させる工程と、
前記第１の絶縁膜をマスクとして露出した前記半導体基板に不純物を導入し、
前記第１の絶縁膜の両側の前記半導体基板の表面領域に各々が独立した一対の不純物拡散層を形成する工程と、
前記不純物拡散層上及び前記第１の絶縁膜を覆うように第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上の前記第２の絶縁膜を除去し、前記第１の絶縁膜を露出させる工程と、
前記第１の絶縁膜を除去して下層の前記半導体基板を露出させ、この領域を素子活性領域とする工程と、
前記素子活性領域における前記半導体基板上に第３の絶縁膜を形成する工程と、
前記第３の絶縁膜上に第４の絶縁膜を形成する工程と、
前記第４及び第２の絶縁膜を覆うように第５の絶縁膜を形成する工程と、
前記素子活性領域の両側にのみ残存するように前記第５の絶縁膜を除去して、
前記第２の絶縁膜の側壁に前記第５の絶縁膜から成るサイドウォールを形成するとともに、前記素子活性領域における前記半導体基板を露出させる工程と、
露出した前記半導体基板上に第６の絶縁膜を形成する工程と、
前記サイドウォールを除去して前記サイドウォールの下層の前記第４の絶縁膜を露出させ、当該第４の絶縁膜を電荷捕獲膜とする工程と、
前記電荷捕獲膜上に第７の絶縁膜を形成する工程と、
前記第６及び第７の絶縁膜上を覆う導電膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体記憶装置は、半導体基板の表面領域に形成された１対の不純物拡散層と、前記１対の不純物拡散層間における前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを備え、前記ゲート電極に所定電圧を印加することにより前記ゲート絶縁膜にキャリアを捕獲するように成された半導体記憶装置であって、前記１対の不純物拡散層のそれぞれに近接する位置における前記ゲート絶縁膜中に、前記ゲート絶縁膜に比してキャリアトラップ特性が高い電荷捕獲膜が形成されており、前記ゲート絶縁膜は、前記１対の不純物拡散層のそれぞれに近接する位置が他の領域に比して薄く形成されている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月8日(2003.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内の台に表面にシリコン酸化膜が形成されだ被処理物を設置する工程と、
前記処理室内に、流量がO.5sccm以上1OOsccm以下のC4F8ガスまだは流量が0.5sccm以上50sccm以下のC5F8ガスと、流量が2OOOsccm以下のアルゴンを導入し、
前記台との距離が30mm以上前記被処理物の径のl/2以下である、前記台と対向して設けられた平面板から、300MHz以上500MHz以下の電磁波を放射して、前記ガスをプラズマ化する工程と、
ガス圧力が0.01Pa以上6Pa以下で、前記プラズマを用いて、前記シリコン酸化膜をプラズマ処理する工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理方法において、前記アルゴンと前記C4F3ガスに、O.5sccm以上1OOsccm以下の酸素、水素、CHF3,CH2F2,CH4,CH3Fの少なくとも何れか１つつのガスを添加して、前記処理室内に導入することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項３】
請求項ｌまたは２記載のプラズマ処理方法において、
前記プラズマ処理する工程の後、ArとCF4と酸素の混合ガスまだはArとC2F6と酸素の混合ガスのプラズマを用いて、前記被処理物をさらにプラズマ処理する工程を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項４】
処理室内の台に表面にシリコン酸化膜が形成された被処理物を設置する工程と、
前記処理室内に、C2F6、CHF3、C2F4,CF3I、C2F5I、C3F6、CF4、C3F6、C3F8、C5F8の少なくとも何れか１つのガスと、流量が2OOOsccm以下のアルゴンとを導入し、
前記台との距離が30mm以上前記被処理物の径の1/2以下である、前記台と対向して設けられた平面板から、300MHz以上500MHz以下の電磁波を放射して、前記ガスをブラズマ化する工程と、
ガス圧力が0.01Pa以上6Pa以下で、前記プラズマを用いて、前記シリコン酸化膜をプラズマ処理する工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】
請求項３記載のプラズマ処理方法において、
前記何れか１つのガスを前記アルゴンに、C,Oまたは酸素ガスを添加して前記処理室内に導入することを特徴とする請求項3記載のプラズマ処理方法。
【請求項６】
処理室内の台に、表面にSi,Al,Wの少なくとも何れか１つを含む膜が形成された被処理物を設置する工程と、
前記処理室内に、塩素またはHBrの少なくとも何れかのガスを導入し、
前記台との距離が30mm以上前記被処理物の径の1/2以下である、前記台と対向して設けられた平面板から、300MHz以上500MHz以下の電磁波を放射して、前記ガスをブラズマ化する工程と、
ガス圧力が0.01Pa以上6Pa以下で、前記プラズマを用いて、前記膜をブラズマ処理する工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項７】
請求項６記載のプラズマ処理方法において、
前記ガスに、酸素ガスを添加して前記処理室内に導入することを特徴とする請求項６記載のプラズマ処理方法。
【請求項８】
処理室内の台に表面に有機膜が形成された被処理物を設置する工程と、
前記処理室内に、酸素、メタン、塩素、窒素、水素、NH3、NF3、CH3OH、C2H5OH、CF4、C2F6、CH2F2、C4F8、SF6のうち少なくとも何れか一種のガスを導入し、
前記台との距離が30mm以上前記被処理物の径の1/2以下である、前記台と対向して設けられた平面板から、300MHz以上500MHz以下の電磁波を放射して、前記ガスをプラズマ化する工程と、
前記プラズマを用いて、前記膜をプラズマ処理する工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項９】
処理室内の台に、表面にSi、Al、Wの少なくとも何れか１つを含む膜が形成された被処理物を設置する工程と、
前記処理室内に、塩素とBCl3、塩素とBCl3とCH4、塩素とBCl3とCH4とAr、塩素とBCl3とCHF3、塩素とBCl3とCH2F2、塩素とBC13とHC1、塩素とBCl3とCH4とAr、塩素とBCl3とN2、塩素とBC13とN2とHC1、塩素とBCl3とHCl、塩素とBC13とHClとCH4とAr、塩素とBCl3とCHCl3の何れかのガスを導入し、
前記台との距離が30mm以上前記被処理物の径の1/2以下である、前記台と対向して設けられた平面板から、300MHz以上500MHz以下の電磁波を放射して、前記ガスをプラズマ化する工程と、
庄力が0.1Pa以上2Pa以下で、前記プラズマを用いて、前記膜をプラズマ処理する工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
次に図1の実施の形態の動作例を説明する。本実施の形態ではシリコン酸化膜のエッチング処理を実施する場合を記す。シリコン酸化膜をエッチングする場合、本発明では原料ガスにアルゴンとC4F8の混合ガスを用いる。原料ガスの圧力は2Paである。アルゴンの流量は0〜2000sccm、C4F8の流量は0.5sccm以上100sccm以下の範囲で設定できる。本実施例では、流量はアルゴンが400sccm、C4F8が15sccmとした。平面板5には450MHz電源7から800Wの電力を供給し、プラズマを形成した。さらに平面板5に13.56MHz電源9から300Wの電力を450MHzに重畳して印可し、平面板5上に配置したシリコン10とプラズマ間に形成される電位を調整した。被加工試料6は200mm径のウエハを用いた。被加工試料台11の被加工試料6に接する領域は-20度の温度に保たれ、被加工試料6の温度を制御している。また被加工試料6には800kHz電源18の電磁波が供給され、被加工試料6にプラズマから入射するイオンのエネルギーを制御している。図4に本動作例によるシリコン酸化膜のエッチング速度およびシリコン酸化膜と窒化シリコン膜のエッチング速度差(選択比)を示す。図4では被加工試料台11の高さを変え、シリコン10と被加工試料6の間隔によるエッチング特性を示した。図4では本発明の間隔制御による効果を示すため、シリコン10と被加工試料6の間隔を被加工試料径の1/2より大きい、140mmからのエッチング特性を示した。図4の結果よりエッチング速度は間隔にあまり大きく依存しないが、エッチング選択比は大きく変化することが確認できる。特に被加工試料径の1/2に相当する100mm以下からのエッチング選択比向上が顕著であることがわかり、本発明の有用性が確認できる。以上のように高いエッチング選択比が得られることで、前記シリコン酸化膜に対しシリコン窒化膜のエッチング速度を低く押さえ高いエッチング選択比を得ることで高精度の酸化膜エッチングが可能となる。本実施の形態ではアルゴン流量を400sccmとしたが0から2000sccmとし、C4F8または酸素の分圧を制御すること加工条件を制御することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月20日(2003.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
入力信号系列から所定の周波数帯域の信号を得るディジタル信号処理方法であって、
入力信号系列を奇数番信号系列と偶数番信号系列に分離する信号系列分離工程と、
前記奇数番信号系列或いは偶数番信号系列にリフティング処理を用いたフィルタ処理を施すことにより、所定の周波数帯域の係数信号列を生成する第１のフィルタ工程と、
前記リフティング処理される信号系列に対して、前記第１のフィルタ工程で用いるリフティング処理とは異なるフィルタ処理を施すことにより、前記所定の周波数帯域の係数信号列を生成する第２のフィルタ工程と、
前記第１、第２フィルタ工程で得られる複数の係数信号列のいずれか一方を適応的に選択して出力する適応的選択工程とを具備することを特徴とするディジタル信号処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月12日(2003.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも圧縮処理された静止画情報を記録する記録メディアにおいて、
異なる圧縮形式のフォーマット毎に設定されて該当する圧縮形式のフォーマットの静止画ファイルが記録される複数のディレクトリと、夫々の該ディレクトリに記録される該静止画ファイル間の関連性を示す管理情報からなるファイル情報とを含む画像ファイルシステムが構築されており、
同じ静止画情報が、異なる該圧縮形式のフォーマットの静止画ファイルとして、該当するディレクトリに夫々記録され、該ディレクトリのいずれかからも該静止画情報を再生可能に構成したことを特徴とする記録メディア。
【請求項２】
請求項１記載の記録メディアにおいて、
前記圧縮形式はＭＰＥＧ規格とＪＰＥＧ規格とであって、
前記ディレクトリは、静止画情報が該ＭＰＥＧ規格に準拠して圧縮されて記録される第１のディレクトリと、同じ該静止画情報が該ＪＰＥＧ規格に準拠して圧縮されて記録される第２のディレクトリであることを特徴とする記録メディア。
【請求項３】
請求項１または２記載の記録メディアにおいて、
前記管理情報は、前記静止画ファイルの記録位置を示すポインタ，ファイル名，ファイルサイズ，属性などの情報であることを特徴とする記録メディア。
【請求項４】
入力する静止画情報を複数の異なる圧縮形式のフォーマットの静止画情報に符号化する符号化回路と、
該複数の静止画情報を静止画ファイルとして夫々記録メディアの該当するディレクトリに記録する記録回路と
を備え、該記録回路は、上記夫々のディレクトリに記録する静止画ファイルを関連付ける管理情報をファイル情報として該記録メディアに記録することを特徴とする映像記録装置。
【請求項５】
請求項４記載の映像記録装置において、
前記記録回路は、前記記録メディアでの不要な静止画情報の指定とその削除指令とに応じて、前記管理情報に基づいて、該不要な静止画情報に対応する前記静止画ファイルを削除するとともに、削除するこれら静止画ファイルに対する前記管理情報を削除することを特徴とする映像記録装置。
【請求項６】
請求項４記載の映像記録装置において、
前記符号化回路は、第１の圧縮形式の静止画情報を、これとは異なる第２の圧縮形式の静止画情報に符号変換することを特徴とする映像記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月11日(2003.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバー内に基材と該基材に対向して配置された導電材からなるターゲットを配置し、該基材と該ターゲット間に電圧を印加し、該チャンバー内にスパッタガスを導入しイオン化され加速された粒子を該ターゲットに衝突させ、該ターゲットから跳び出した導電材粒子を前記基材に堆積させ該基材に形成された微細な凹みを被覆又は埋込む２極式直流マグネトロンスパッタリングによる基材の配線形成方法であって、
前記基材の表面に形成した微細な凹みを被覆又は埋込む工程の実行に際し、前記チャンバー内の圧力を１．３３×１０-2〜２．７×１０-1Ｐａとし、且つ前記基材と前記ターゲット間の電位差を０．８〜３０ｋＶの範囲の値とすることを特徴とする基材の配線形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基材の配線形成方法において、
前記基材の表面に形成した微細な凹みを被覆又は埋込む工程の実行に際し、前記基材とターゲット間の距離及び電位差を夫々、Ｌｍｍ、ＥＶとし、圧力をＰＰａとしたとき、下式（１）、（２）を同時に満足する条件で行うことを特徴とする基材の配線形成方法。
Ｐ≦１３．３３／Ｌ                                （１）
８≦Ｅ／Ｌ≦１５０                                （２）
【請求項３】
請求項１又は２に記載の基材の配線形成方法において、
前記微細な凹みが形成された基材は半導体基板であり、前記ターゲットは銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）又はそれらのうち少なくとも一種を構成要素とする合金若しくは化合物からなることを特徴とする基材の配線形成方法。
【請求項４】
チャンバー内に基材と該基材に対向して配置された導電材からなるターゲットを配置し、該基材と該ターゲット間に電圧を印加し、該チャンバー内にスパッタガスを導入しイオン化され加速された粒子を該ターゲットに衝突させ、該ターゲットから跳び出した導電材粒子を前記基材の表面に堆積させ該基材に形成された微細な凹みを被覆又は埋込む２極式直流マグネトロンスパッタリングによる基材の配線形成装置であって、
前記チャンバー内圧力を調整する圧力調整手段と、前記基材とターゲット間に印加する電圧を調整する電圧調整手段を設け、
前記基材の表面に形成した微細な凹みを被覆又は埋込む工程の実行に際し、前記圧力調整手段でチャンバー内の圧力を１．３３×１０-2〜２．７×１０-1Ｐａにすると共に、前記電圧調整手段で前記基材とターゲット間の電位差を０．８〜３０ｋＶの範囲の値とすることを特徴とする基材の配線形成装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基材の配線形成装置において、
前記圧力調整手段と前記電圧調整手段は、前記基材の表面に形成した微細な凹みを被覆又は埋込む工程の実行に際し、前記基材とターゲット間の距離及び電位差を夫々、Ｌｍｍ、ＥＶとし、圧力をＰＰａとしたとき、下式（１）、（２）を同時に満足させることを特徴とする基材の配線形成装置。
Ｐ≦１３．３３／Ｌ                                （１）
８≦Ｅ／Ｌ≦１５０                                （２）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため請求項１に記載の発明は、チャンバー内に基材と該基材に対向して配置された導電材からなるターゲットを配置し、該基材と該ターゲット間に電圧を印加し、該チャンバー内にスパッタガスを導入しイオン化され加速された粒子を該ターゲットに衝突させ、該ターゲットから跳び出した導電材粒子を基材に堆積させ該基材に形成された微細な凹みを被覆又は埋込む２極式直流マグネトロンスパッタリングによる基材の配線形成方法であって、基材の表面に形成した微細な凹みを被覆又は埋込む工程の実行に際し、チャンバー内の圧力を１．３３×１０-2〜２．７×１０-1Ｐａとし、且つ基材とターゲット間の電位差を０．８〜３０ｋＶの範囲の値とすることを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項４に記載の発明は、チャンバー内に基材と該基材に対向して配置された導電材からなるターゲットを配置し、該基材と該ターゲット間に電圧を印加し、該チャンバー内にスパッタガスを導入しイオン化され加速された粒子を該ターゲットに衝突させ、該ターゲットから跳び出した導電材粒子を基材の表面に堆積させ該基材に形成された微細な凹みを被覆又は埋込む２極式直流マグネトロンスパッタリングによる基材の配線形成装置であって、チャンバー内圧力を調整する圧力調整手段と、基材とターゲット間に印加する電圧を調整する電圧調整手段を設け、基材の表面に形成した微細な凹みを被覆又は埋込む工程の実行に際し、圧力調整手段でチャンバー内の圧力を１．３３×１０-2〜２．７×１０-1Ｐａにすると共に、電圧調整手段で基材とターゲット間の電位差を０．８〜３０ｋＶの範囲の値とすることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月28日(2003.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記第一の発振器に第一の発振トランジスタを設けると共に、前記第二の発振器に第二の発振トランジスタを設け、前記第一のスイッチダイオードのカソードと前記第二のスイッチダイオードのカソードとを接地し、コレクタが電源に接続されＮＰＮトランジスタと、エミッタが前記電源に接続されたＰＮＰトランジスタとを備え、前記ＮＰＮトランジスタのエミッタを前記第一の発振トランジスタのベースに接続すると共に前記第二のスイッチダイオードのアノードに接続し、前記ＰＮＰトランジスタのコレクタを前記第二の発振トランジスタのベースに接続すると共に前記第一のスイッチダイオードのアノードに接続し、前記ＮＰＮトランジスタのベースと前記ＰＮＰトランジスタのベースとにハイレベル又はローレベルの切替電圧を共に印加したことを特徴とする請求項２記載の発振装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、前記第一の発振器に第一の発振トランジスタを設けると共に、前記第二の発振器に第二の発振トランジスタを設け、前記第一のスイッチダイオードのカソードと前記第二のスイッチダイオードのカソードとを接地し、コレクタが電源に接続されＮＰＮトランジスタと、エミッタが前記電源に接続されたＰＮＰトランジスタとを備え、前記ＮＰＮトランジスタのエミッタを前記第一の発振トランジスタのベースに接続すると共に前記第二のスイッチダイオードのアノードに接続し、前記ＰＮＰトランジスタのコレクタを前記第二の発振トランジスタのベースに接続すると共に前記第一のスイッチダイオードのアノードに接続し、前記ＮＰＮトランジスタのベースと前記ＰＮＰトランジスタのベースとにハイレベル又はローレベルの切替電圧を共に印加した。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
先ず、図１において、第一の発振器１と第二の発振器２とは、それぞれバラクタダイオードを備えた電圧制御発振器で構成されており、第一の発振器１は第一の発振信号を出力し、第二の発振器２は第二の発振信号を出力する。それぞれの発振信号の周波数はバラクタダイオードによって変えられる。そして、二つの発振器１、２は、例えば、電源電圧を供給するためのスイッチ手段３、４の切替によっていずれか一方が動作状態となるように構成されている。即ち、第一のスイッチ手段３の開閉と第二のスイッチ手段４の開閉とは互いに逆の関係にあり、第一のスイッチ手段３が閉状態（オン）のときは第二のスイッチ手段４が開状態（オフ）となり、第一の発振器１が動作状態となり、第二の発振器２が非動作状態となる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月28日(2003.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記インダクタンス素子の他端を直流カットコンデンサを介して接地し、前記バラクタダイオードのカソードに供給するための制御電圧を前記インダクタンス素子の他端に印加したことを特徴とする請求項１記載の電圧制御発振器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の電圧制御発振器は、前記インダクタンス素子の他端を直流カットコンデンサを介して接地し、前記バラクタダイオードのカソードに供給するための制御電圧を前記インダクタンス素子の他端に印加した。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月4日(2003.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】テキスト検索装置およびテキスト検索方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検索対象テキストに対し、検索文字列に基づいて検索処理を行うテキスト検索装置において、
前記検索文字列とその部分列との間の指定された一致度に応じて前記検索文字列の部分列を発生する部分列発生手段と、
発生された前記部分列と一致する文字列パターンを含んだ候補文字列を前記検索対象テキスト中に探索する候補探索手段と、
を有することを特徴とするテキスト検索装置。
【請求項２】
検索対象テキストから、検索文字列に一致する可能性を有する候補文字列を検索するテキスト検索装置において、
前記検索対象テキストの生成で生じうる誤り文字列パターンを登録した誤り文字列登録部と、
前記検索文字列に基づいて前記候補文字列を探索する候補探索手段と、
前記候補文字列中の前記検索文字列と異なる部分に、前記誤り文字列登録部に登録された登録誤り文字列パターンを検出する誤り文字列検出手段と、
前記候補文字列に対し前記検索文字列との一致可能性に応じた優先度を定める優先度付与手段と、
を有し、
前記優先度付与手段は、前記候補文字列中における前記登録誤り文字列パターンの検出に応じて当該候補文字列の前記優先度を定めること、
を特徴とするテキスト検索装置。
【請求項３】
前記検索文字列とその部分列との間の指定された一致度に応じて前記検索文字列の部分列を発生する部分列発生手段を有し、
前記候補文字列は、発生された前記部分列と一致する文字列パターンを含んだ文字列であること、
を特徴とする請求項２記載のテキスト検索装置。
【請求項４】
前記候補探索手段は、前記検索文字列と前記部分列との差分を構成する曖昧文字を、前記検索対象テキスト中の任意の１文字とみなす手段を有して前記探索を行うことを特徴とする請求項１又は請求項３記載のテキスト検索装置。
【請求項５】
前記候補探索手段は、前記検索文字列と前記部分列との差分を構成する曖昧文字を、前記検索対象テキスト中の任意の２文字とみなす手段を有して前記探索を行うことを特徴とする請求項１又は請求項３記載のテキスト検索装置。
【請求項６】
前記候補探索手段は、前記検索文字列と前記部分列との差分を構成する曖昧文字のうち連続する２つを、前記検索対象テキスト中の任意の１文字とみなす手段を有して前記探索を行うことを特徴とする請求項１又は請求項３記載のテキスト検索装置。
【請求項７】
前記優先度付与手段は、前記登録誤り文字列パターンの検出頻度に応じて前記優先度を定めることを特徴とする請求項２又は請求項３記載のテキスト検索装置。
【請求項８】
前記誤り文字列登録部は、さらに前記登録誤り文字列パターンの検出頻度を格納することを特徴とする請求項７記載のテキスト検索装置。
【請求項９】
前記優先度に応じて前記候補文字列を表示する候補文字列表示手段を有することを特徴とする請求項２又は請求項３記載のテキスト検索装置。
【請求項１０】
検索対象テキストに対し、検索文字列に基づいて検索処理を行うテキスト検索方法において、
前記検索文字列とその部分列との間の指定された一致度に応じて前記検索文字列の部分列を発生する部分列発生ステップと、
発生された前記部分列と一致する文字列パターンを含んだ候補文字列を前記検索対象テキスト中に探索する候補探索ステップと、
を有することを特徴とするテキスト検索方法。
【請求項１１】
検索対象テキストから、検索文字列に一致する可能性を有する候補文字列を検索するテキスト検索方法において、
前記検索文字列に基づいて前記候補文字列を探索する候補探索ステップと、
前記検索対象テキストの生成で生じうる、予め登録された誤り文字列パターンに基づき、前記候補文字列中の前記検索文字列と異なる部分に、前記登録された登録誤り文字列パターンを検出する誤り文字列検出ステップと、
前記候補文字列に対し前記検索文字列との一致可能性に応じた優先度を定める優先度付与ステップと、
を有し、
前記優先度付与ステップは、前記候補文字列中における前記登録誤り文字列パターンの検出に応じて当該候補文字列の前記優先度を定めるステップであること、
を特徴とするテキスト検索方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
第五の本発明に係るテキスト検索装置は、前記優先度に応じて前記候補文字列を表示する候補文字列表示手段を有するものである。本発明によれば、ユーザは、優先度に基づいて、複数の候補文字列における検索文字列に一致する可能性を把握することができ、例えば、検索処理の結果をチェックする際に便利である。また、本発明に係るテキスト検索方法は、検索対象テキストに対し、検索文字列に基づいて検索処理を行うテキスト検索方法において、前記検索文字列とその部分列との間の指定された一致度に応じて前記検索文字列の部分列を発生する部分列発生ステップと、発生された前記部分列と一致する文字列パターンを含んだ候補文字列を前記検索対象テキスト中に探索する候補探索ステップと、を有することを特徴とする。さらに、本発明に係るテキスト検索方法は、検索対象テキストから、検索文字列に一致する可能性を有する候補文字列を検索するテキスト検索方法において、前記検索文字列に基づいて前記候補文字列を探索する候補探索ステップと、前記検索対象テキストの生成で生じうる、予め登録された誤り文字列パターンに基づき、前記候補文字列中の前記検索文字列と異なる部分に、前記登録された登録誤り文字列パターンを検出する誤り文字列検出ステップと、前記候補文字列に対し前記検索文字列との一致可能性に応じた優先度を定める優先度付与ステップと、を有し、前記優先度付与ステップは、前記候補文字列中における前記登録誤り文字列パターンの検出に応じて当該候補文字列の前記優先度を定めるステップであること、を特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月4日(2003.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのクライアントと、
前記クライアントから処理要求を受け取る第１のサーバと、
処理要求をキューに登録する手段と、
複数の処理要求を並列的に処理可能な並列処理手段と、
受け取られた処理要求が完了するのを待たずに、処理要求が前記キューに登録された後に、前記少なくとも１つのクライアントに対して応答を返す手段と、
を備えるコンピュータシステム。
【請求項２】
請求項１に記載のコンピュータシステムであって、
処理要求を不揮発性メモリに格納する手段と、
前記コンピュータシステムに障害が発生した場合に、前記不揮発性メモリから処理要求を取り出し、前記キューに登録する手段と、
をさらに備えるコンピュータシステム。
【請求項３】
請求項１に記載のコンピュータシステムであって、
前記並列処理手段は、キューから処理要求を選択し、選択した処理要求を複数の個別処理手段のいずれかに渡して処理させる手段を有することを特徴とするコンピュータシステム。
【請求項４】
請求項３に記載のコンピュータシステムであって、前記各個別処理手段は、前記選択された要求を受け取って処理し、その後その要求を前記不揮発性メモリから削除することを特徴とするコンピュータシステム。
【請求項５】
請求項４に記載のコンピュータシステムであって、前記第１のサーバが選択された要求を処理している間にイベントが発生した時に、通知クライアントに通知する通知手段をさらに備えたことを特徴とするコンピュータシステム。
【請求項６】
請求項５に記載のコンピュータシステムであって、前記通知手段は第２のサーバを備え、前記第２のサーバは、前記第１のサーバが選択された要求を処理している時にイベントが発生した場合に、前記第１のサーバから要求を受け取り、イベント通知を前記通知クライアントに送信することを特徴とするコンピュータシステム。
【請求項７】
コンピュータシステムで要求を処理する方法であって、
クライアントから処理要求を受け取り、
該処理要求を処理要求のキューに登録し、
該処理要求を外部装置に記憶させ、
受け取られた処理要求が完了するのを待たずに、該処理要求をキューに登録した後に前記クライアントに応答を戻し、
処理要求のいずれかをキューから取り出し、
取り出した処理要求を処理することを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、取り出された処理要求の処理が完了した時にその処理要求を前記外部装置から削除するステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、
前記外部装置に処理要求が含まれているかどうかを判別し、
障害からの回復時に、記憶されている各処理要求を前記外部装置から読み取り、
読み取られた処理要求を、前記サーバが受け取った順序に対応する順序で、前記キューに登録するステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
少なくとも一つのクライアントと、
前記クライアントから処理要求を受け取るサーバと、
受け取られた処理要求の完了を待たずに、処理要求をキューに登録し、処理要求を前記キューに登録した後に、前記クライアントのうちのその処理要求を発したクライアントに対して応答を返すモジュールと、
を備えるコンピュータシステム。
【請求項１１】
請求項１０に記載のコンピュータシステムであって、前記モジュールは処理要求を外部装置に格納することを特徴とするコンピュータシステム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のコンピュータシステムであって、コンピュータシステム障害が発生した場合に、前記外部装置から処理要求を取り出し、取り出した要求を前記キューに登録する第２のモジュールをさらに備えることを特徴とするコンピュータシステム。
【請求項１３】
請求項１１に記載のコンピュータシステムであって、
前記キューから処理要求を選択する第２のモジュールと、
選択された複数の処理要求を並列的に処理する第３のモジュールと、
をさらに備えることを特徴とするコンピュータシステム。
【請求項１４】
請求項１３に記載のコンピュータシステムであって、処理要求は前記第３のモジュールにより処理された後に前記外部装置から削除されることを特徴とするコンピュータシステム。
【請求項１５】
請求項１４に記載のコンピュータシステムであって、選択された要求を前記サーバが処理している間にイベントが発生すると、前記サーバから第１の要求を受け取った後でイベント通知を通知クライアントに送信する通知サーバをさらに含むことを特徴とするコンピュータシステム。
【請求項１６】
請求項１３に記載のコンピュータシステムであって、
キューから選択した処理要求の数をカウントするカウンタと、
前記カウンタによりカウントした処理要求の数に基づいて、前記第３のモジュールによるキューからの処理要求の選択を制御するリミッタと、
をさらに備えることを特徴とするコンピュータシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月16日(2003.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微細なピット又は溝による信号が施されたその上に反射膜又は記録膜が形成されたディスク基板１と、保護基板２とを、記録信号面を内側にして貼り合わせて構成される光ディスクの製造法において、予め粘着剤層を設けた保護基板２をディスク基板１に貼り合わせることを特徴とする光ディスクの製造方法。
【請求項２】
保護基板２として柔軟性を有する材料を使用することを特徴とする請求項１記載の光ディスクの製造方法。
【請求項３】
ディスク基体１のクランピングエリアが情報記録面から保護基板２の厚みにほぼ一致する高さの突起部分を形成しており、予め粘着剤層を設けた保護基板２はクランピングエリアに相当する部分がカットされていることを特徴とする請求項１又は２記載の光ディスクの製造方法。
【請求項４】
保護基板２は連続したシートで供給し、これをディスク基板１に貼り付けた後、ディスク基板１の外径に合わせて切り抜くことを特徴とする請求項１、２又は３記載の光ディスクの製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法により製造されたことを特徴とする光ディスク。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の光ディスクの製造方法によれば、粘着剤層が予め保護基板２に設けられているので、ディスク基板１との貼り合わせ時、保護基板２に皺ができたり、めくれたりすることがないため、安定した光ディスクの生産が行える。
本発明によれば、第五に、上記一、二、三又は四の製造法により製造されたことを特徴とする光ディスクが提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【発明の効果】
（１）請求項１の発明によれば、粘着剤層を予め保護基板２に形成してあるので、ディスク基板１と保護基板２との貼り合わせ時に保護基板２にシワができたり、めくれたりする恐れが無く、安定して生産ができる。
（２）請求項２の発明によれば、貼り合わせ時に、保護基板２を自在にたわませることが可能になるため、貼り合わせ面に気泡が混入する恐れが無くなる。また、保護基板２がディスク基板１の貼合わせ面の微小な凸凹に倣うため凹部に気泡が残らない。
（３）請求項３の発明によれば、ディスク基板１を支えるクランピング部分の厚みが増すため、ディスク基板１の平面度が向上する。
（４）請求項４の発明によれば、保護基板２が樹脂シートの切り抜きで製作できるため、低コストになる。また、枚葉で保護基板２を供給する時のように、ロボットハンドが不必要になるため、貼り合わせ装置がコンパクトで、低価格で光ディスクが製作できる。
（５）請求項５の発明によれば、低価格で安定した光ディスクが提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月11日(2003.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，  ５，５’−テトラメチルビフェニルとエピハロヒドリンとをアルカリ金属化合物の存在下に反応させて得られるエポキシ樹脂組成物であって、テトラメチルジフェノキノンの含有量が０．５重量％以下及び下記構造式１で表されるグリシジル化合物の含有量が０．５重量％以下であることを特徴とするテトラメチルビフェニル型エポキシ樹脂組成物。
【化１】
2002128861.tif 000001
【請求項２】
テトラメチルジフェノキノンと前記構造式１で表されるグリシジル化合物の含有量の合計量が０．８重量％以下である請求項１記載のテトラメチルビフェニル型エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
テトラメチルジフェノキノンの含有量が０．５重量％以下及び下記構造式２で表されるフェノール化合物の含有量が０．５重量％以下である４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，  ５，５’−テトラメチルビフェニルとエピハロヒドリンとをアルカリ金属化合物の存在下に反応させることを特徴とするテトラメチルジフェノキノンの含有量が０．５重量％以下及び下記構造式１で表されるグリシジル化合物の含有量が０．５重量％以下であるテトラメチルビフェニル型エポキシ樹脂組成物の製造方法。
【化２】
2002128861.tif 000002
【化３】
2002128861.tif 000003
【請求項４】
前記４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，  ５，５’−テトラメチルビフェニルはテトラメチルジフェノキノンと前記構造式２で表されるフェノール化合物の含有量の合計量が０．８重量％以下であり、生成テトラメチルビフェニル型エポキシ樹脂組成物におけるテトラメチルジフェノキノンと下記構造式１で表されるグリシジル化合物の含有量の合計量が０．８重量％以下であることを特徴とする請求項３記載のテトラメチルビフェニル型エポキシ樹脂組成物の製造方法。
【化４】
2002128861.tif 000004
【請求項５】
請求項１又は２のいずれか１項に記載のテトラメチルビフェニル型エポキシ樹脂組成物とエポキシ樹脂用硬化剤を必須成分として配合して成る硬化性エポキシ樹脂組成物。
【請求項６】
請求項５記載の硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化して得られる硬化物。