(57)【要約】【課題】光ファイバピグテイルの引っ張り強度が弱いという課題を解決する。【解決手段】光パッケージ等に光ファイバの被覆部から先端が露出した素線が組み込まれ、該素線の先端近傍の側面にメタライズ層を形成してなる光ファイバーピグテイルにおいて、前記メタライズ層の膜厚が前記光ファイバ素線の先端部になるにしたがって薄くなるように形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光パッケージ等に光ファイバの被覆部から先端が露出した素線が組み込まれ、該素線の先端近傍の側面にメタライズ層を形成してなる光ファイバーピグテイルにおいて、前記メタライズ層の膜厚が前記光ファイバ素線の先端部になるにしたがって薄くなるように形成したことを特徴とする光ファイバピグテイル。
【請求項２】
請求項１に記載の光ファイバピグテイルの製造方法であって、前記素線先端側面を前記メタライズ層の厚みよりも厚いマスキング部材で覆った後、該マスキング部材及び素線の双方に金属材料を被着して前記素線にメタライズ層を形成し、しかる後、前記マスキング部材を除去することを特徴とする光ファイバピグテイルの製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の光ファイバピグテイルと、光素子が組み込まれた基板とを有し、該基板に前記光ファイバピグテイルのメタライズ層を前記光素子と結合する位置に接合固定してなる光ファイバーモジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信等に使用される光ファイバピグテイルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、図１３に示すように、光ファイバピグテイル９は光パッケージ２６の内部で発光源２５と共に組み込まれ、光ファイバモジュールとして用いられる。例えばレーザダイオードモジュール（以降ＬＤモジュール）２７として形成される。上記光ファイバピグテイル９は光パッケージ２６に組み込まれる際に、光軸合わせをしたのち半田２８にて光パッケージ２６に固定される。
【０００３】
光パッケージ２６の内部は長期稼働中に空中の酸素や湿度により内部の部品が酸化し、それによる通信不良等の不具合を発生させないように、内部空間には金属と反応しない窒素を封入し、酸素や湿度が流入しないように開口部を気密封止している。光ファイバピグテイル９と光パッケージ２６を固定するために半田２８使用するのは気密封止するための最適な方法であるからである。
【０００４】
従来の光ファイバピグテイル９０は図１４に示すように光ファイバの被覆１０から先端が露出した石英ガラスからなる素線５０の表面にクロム、クロム−金合金、金の順で薄膜２０が形成され、その上にニッケル、金の厚膜３０を形成した構造になっており、この厚膜３０の部分を半田２８で接合することを本出願人は提案していた（特開２００１−４２１７２号公報参照）。
【０００５】
このとき、薄膜２０と厚膜３０からなるメタライズ層４０の端部４０ａは、通常、光ファイバの素線５０の側面に対して垂直になるように形成されていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の光ファイバピグテイル９０は、地上系で採用される場合には問題が生じなかったが、光ファイバの普及により海底ケーブルの中継器内で採用されることとなり、万一故障した場合、引き上げ交換する経費が膨大に掛かるために、特に厳しい信頼性を要求される様になった。
【０００７】
そのためにヒートサイクル試験を行った後、薄膜２０及び厚膜３０と素線５０との熱伝導率の差があるために、半田固定後に光ファイバ先端にマイクロクラックが増長し、引っ張り強度が低下するという課題があった。特に、メタライズ層４０の端部４０ａに応力が集中するため強度劣化することが知られている。これは薄膜２０の形成時に１００℃以上、厚膜３０の形成時に８０℃以上まで素線５０が加熱されるため、熱膨張率の小さい素線５０の材料である石英ガラスに対して熱膨張率の大きい薄膜２０や厚膜３０が収縮することにより図１４の矢印方向に応力が発生するものである。
【０００８】
素線５０である石英ガラスの熱膨張係数が０．５×１０−６／℃であるのに対して、薄膜２０であるクロムの熱膨張係数が４５×１０−６／℃、厚膜３０であるニッケルの熱膨張係数が１３〜１４×１０−６／℃とあまりにも大きいことから素線５０の表面のマイクロクラックが増長したものと推測できる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題に鑑み、光パッケージ等に光ファイバが組み込まれ、該光ファイバの先端近傍の側面にメタライズ層を形成してなる光ファイバーピグテイルにおいて、前記メタライズ層の膜厚が前記光ファイバ素線の先端部になるにしたがって薄くなるように形成した光ファイバピグテイルを提供する。
【００１０】
また、上記光ファイバピグテイルの製造方法であって、前記素線先端側面を前記メタライズ層の厚みよりも厚いマスキング部材で覆った後、該マスキング部材及び素線の双方に金属材料を被着して前記素線にメタライズ層を形成し、しかる後、前記マスキング部材を除去することを特徴とする光ファイバピグテイルの製造方法を提供する。
【００１１】
更に、上記光ファイバピグテイルと、光素子が組み込まれた基板とを有し、該基板に前記光ファイバピグテイルのメタライズ層を前記光素子と結合する位置に接合固定してなる光ファイバーモジュールを提供する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施形態を説明する。
図１は本発明の第一実施形態を示す光ファイバピグテイル９の側面図である。
本発明の実施形態の光ファイバピグテイル９は、光ファイバの被覆部１の先端領域を除去し、石英ガラスからなる光ファイバの素線５先端面６の形状がフラット面を呈し、素線５の先端近傍の側面にメタライズ層４を形成したものであり、メタライズ層４は、薄膜２と厚膜３から構成されている。また、メタライズ層４の端部４ａ付近（以下、領域Ｘとする）はメタライズ層４の膜厚が素線５の先端部になるにしたがって薄くなったテーパー形状となっており、メタライズ層４の薄膜２および厚膜３がテーパー形状となるように調整されている。
【００１３】
ここでテーパー状とはその領域Ｘの範囲が０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下のものを意味し、０．１ｍｍ以下では領域Ｘで応力集中が急増して素線５の引っ張り強度が低下する一方、１ｍｍ以上では領域Ｘで４ａに近い膜厚の薄い側程、密着性が低下して膜剥がれの原因となる。
【００１４】
この薄膜２と厚膜３の材質は、図２の光ファイバの素線５側から順にクロム薄膜３４、クロム−金合金薄膜２１、金薄膜２２の薄膜を形成し、その上に金厚膜２３、ニッケル厚膜２４、金厚膜２３の順で厚膜を形成したものである。
【００１５】
このように光ファイバの素線５から順にクロム薄膜３４、クロム−金合金薄膜２１、金薄膜２２の薄膜としたのは、光ファイバの素線５の熱膨張係数が０．５×１０−６／℃と小さいため、熱膨張係数が２３×１０−６／℃と低熱膨張係数であり、石英ガラスと濡れ性がよいクロム薄膜３４素線５に直付けする金属として採用した。又、厚膜形成までに金属膜が酸化されないように、最外周に耐食性、耐熱性に優れ特に空気中及び水中では永久に酸化しない金薄膜２２を用いる必要がある。そのため、熱膨張係数が１１８×１０−６／℃の金と低熱膨張係数のクロムとの中間的な熱膨張係数でしかも金、クロムともに濡れ性が良い、両金属を溶け合わせたクロム−金合金薄膜２１を中間層として採用した。
【００１６】
上記薄膜３上に厚膜２を形成した理由は、光ファイバピグテイル９を光パッケージに半田固定するときに、薄膜だけであると光ファイバピグテイル９の素線５に形成された薄膜が半田に吸い取られる「半田食われ現象」が生じ、素線５と薄膜３との密着性がなくなり、気密がとれなくなる。その為に、上記薄膜３上に厚膜２を形成する必要が生じる。
又、上記厚膜を金厚膜２３、ニッケル厚膜２４、金厚膜２３としたのは、厚膜を全て金だけで形成すると、光ファイバピグテイル９のコストが高くなってしまうからである。その為に、比較的安価でしかも厚膜２を形成しやすいニッケル２４で下地を形成し、最外周には上記薄膜３同様、耐食性、耐熱性に優れ特に空気中及び水中では永久に酸化しない金厚膜２３を用いる必要がある。
【００１７】
また、薄膜３と接触する側の金厚膜２３は素線５と厚膜であるニッケル厚膜２４の熱膨張率差により発生する応力をその延性によって応力緩和させるために設けられている。金薄膜２２の薄膜上にさらに金厚膜２３の厚膜を設けるのは、金厚膜２３をメッキ等で仕上げることによって金厚膜２３を厚く形成して半田ぬれ性を向上させるためである。また、金厚膜２３はイオンプレーテイングもしくはスパッタリングで形成される場合、内部応力が高くなり、光ファイバの強度を低下させるため、金薄膜２２は金厚膜２３と密着性を良くする程度に薄く形成し、大部分は内部応力の少ない電気メッキで金厚膜２３を形成すればよい。厚膜２の厚みは半田の上記半田食われ現象に鑑みたとき、図２におけるニッケル厚膜２４は１．５〜３μｍ、金厚膜２３は０．５〜１．５μｍが適当である。
【００１８】
薄膜３と接触する側の金厚膜２３はニッケル厚膜２４で保護されるため半田食われ現象の影響を受けないが、応力緩和の効果が顕著に得られる膜厚範囲は、０．１μｍ〜１．５μｍの範囲である。金厚膜２３が０．１μｍ未満では引っ張り強度特性が急速に劣化し、また、１．５μｍを超えると引っ張り強度特性への効果が鈍くなり、金消費量を増加させるだけになる。
【００１９】
以上のようにして得られた本発明の光ファイバピグテイル９は、図１３のような光ファイバモジュールであるＬＤモジュール２７内に半田で固定することによって、好適に用いることができる。
【００２０】
以上の構成により、図１４における従来の構成では、メタライズ層４０の端部４０ａに応力が集中するため強度劣化するのに対して、図１では薄膜形成時に１００℃以上、メッキ等の厚膜形成時に８０℃以上まで加熱して熱膨張率の小さい素線５の石英ガラスに対して熱膨張率の大きい薄膜２や厚膜３が形成後収縮することにより矢印方向に応力が発生していたが、本発明の第一実施形態によれば、領域Ｘがテーパー形状にすることでメタライズ層４の端部４ａにかかる応力集中を拡散することができるので強度劣化が低減されている。
【００２１】
図３は本発明の第二実施形態を示す光ファイバピグテイルの側面図である。
【００２２】
第１実施形態ではメタライズ層４の領域Ｘが素線の先端になるに従って薄くなるテーパー形状としているのに対し、メタライズ層４の端部４ａ付近（以下領域Ｙという）は素線５の先端にいくに従って形成する膜の積層数が少なくなっていく段違いの形状となっている。
【００２３】
この場合も第一実施形態同様、領域Ｙに段違い形状とすることにより領域Ｙにかかる応力が拡散され強度劣化を低減する効果がある。
次に、薄膜形成方法について説明する。
光ファイバピグテイル９への薄膜２の形成方法は蒸着、気相成長、スパッタ、イオンプレーティングの４方法が考えられる。
【００２４】
図５に示すように蒸着は、るつぼ１５とそれを加熱するヒータ１５０、蒸発した蒸気を付着させる基板１３があり、形成される膜はヒータに近いところが厚くなり、光ファイバ全周に渡り均一の膜厚とならないために高温作用時に熱応力の不均一から膜剥離が生じ、現実的には光ファイバピグテイルへの適用は好ましくない。
【００２５】
また、気相成長は不図示であるが、膜とする元素を含んだ蒸発しやすい気体を高温に加熱した基板表面に送り、分解、酸化、還元、置換などの化学反応により薄膜を形成する方法であるが、酸化物、窒化物、炭化物などの安定した化合物の薄膜生成に用いられ、光ファイバピグテイルにおける金属単体の薄膜には好ましくない。
【００２６】
そこで図４に示すスパッタにより形成するのが望ましい。スパッタは、プラズマ中のイオン３５がターゲット１１の表面にある原子１２をはねとばし、はねとばされた原子１２はターゲット１１の近くにおかれた基板１３の上について膜１４を形成する方法で、ターゲットの温度を上げる必要がないことが特徴で、樹脂製被覆をもつ光ファイバピグテイル９の薄膜形成方法として適している。
【００２７】
また、図５に示すようにイオンプレーティングにより、るつぼ１５から蒸発させながら、スパッタにおけるターゲットを基板１３として膜１４を付けて、蒸着とスパッタの中間的な方法を用いるのが好ましい。この方法では、基板１３はスパッタのターゲットと同様にイオンによって表面がスパッタされ清浄化されるのと同時に高温になるので、付着強度が大きくなり、光ファイバピグテイル９には最も適した方法である。以上より、本発明の光ファイバピグテイル９を形成する方法としてはスパッタ又はイオンプレーティングを用いるのが好ましく、いずれの方法においても半田付けする等の高温作用時においても石英ガラスと薄膜間の剥離は生じない。
【００２８】
以上によりスパッタ及びイオンプレーテイングいずれの成膜方法でも、図２におけるクロム薄膜３４、クロム−金合金薄膜２１、金薄膜２２のそれぞれの最適な膜厚範囲０．０１〜０．０９μｍ程度に形成することができる。
【００２９】
一方光ファイバピグテイルの薄膜形成後の厚膜形成方法は電気メッキ、置換メッキ、化学還元メッキの３方法が考えられる。
【００３０】
置換メッキは、電解質溶液中の異種金属間の電位差を利用したものであるが、被メッキ品表面上を置換した金属で被覆されると反応は停止するために、析出膜厚は薄く、しかも素材との密着性も悪いので光ファイバピグテイル９に採用することは好ましくない。
【００３１】
又、化学還元メッキは一般的には無電解メッキといい、金属塩を含む溶液は可溶性の還元剤、ｐｈ調整剤、メッキ液の安定剤等からなり、上記溶液中に被メッキ品を浸漬すると、還元剤の酸化によって放たれる電子が金属イオンに転移し、金属皮膜が得られるものである。しかし、無電解金メッキは膜厚が１．５μｍ以下ではピンホール数が極端に多く、半田付け時に高温加熱することにより下地のニッケルが酸化し褐色に呈色する。又、金は貴金属のため高価なので膜厚を１．５μｍ以上にすることはコスト上昇につながり、現実的なものとならない。
【００３２】
そこで、本発明に適用できる厚膜形成方法について図６を用いて説明する。
【００３３】
図６は電気メッキを示す概要図である。電気メッキはメッキ液１６、陽極１７、直流電源１８とからなり、被メッキ品１９を陰極にし外部からの電気エネルギーを用いて被メッキ品１９に所望の金属を析出させるものである。同時に金属源が陽極１７から溶解して補給されるため、一度建浴すると経時変化するものが少なく、液組成分中不足分を補給するだけで半永久的に使用できる。
【００３４】
その為に、密着性、経済性ともに３方法の中で最も優れており、本発明の光ファイバピグテイル９の厚膜形成方法として最も適している。
【００３５】
次に第一実施形態を実施するための蒸着時のマスキングの方法について説明する。
【００３６】
図７に示すマスキング７には通常エタノールに可溶な熱効果型樹脂やＵＶ効果型樹脂が塗布されてなるものが一般的であるが、冶具でメタライズ層４の端部４ａまで掩蔽することでマスキングしてもよい。
【００３７】
これにより被覆部１を除去して露出した素線５に飛来する薄膜粒子８はマスキング部材７との境界付近のみシャドウ効果により薄膜の厚みに勾配ができる。即ち、図１に示すメタライズ層４の端部４ａをテーパ状にするには、光ファイバピグテイル９の素線５の先端側面にメタライズ層４の厚みよりも厚いマスキング部材７で覆った後、マスキング部材７及び素線５の双方に金属材料を被着して素線５にメタライズ層４を形成し、しかる後に、マスキング部材７を除去することで、メタライズ層４の厚みが素線５の先端部になるに従って薄くなるように形成する。
【００３８】
このマスキング部材７の厚みをそのシャドウ効果によりＸ＝０．１〜１ｍｍの範囲で膜厚勾配ができる程度とすることが好ましい。
【００３９】
図１２に示すように、範囲Ｘが０．１ｍｍ以下であると図１４に示す矢印方向の応力がメタライズ層４ａに集中することにより引っ張り強度が低下し、１ｍｍ以上であると薄膜２の端部が厚膜３の応力により引っ張られ、薄膜２の端部の密着性が低下するため、これを起点としてメタライズ層４が剥離し易くなってしまう。
【００４０】
図１に示す第一実施形態は、蒸着による薄膜２の端部４をテーパー状にすることで、メッキによる厚膜３をテーパー状の薄膜の膜厚に比例したテーパー状の厚膜を形成することができる。これは薄膜の電気抵抗がその厚みに反比例するからである。
【００４１】
次に、第二実施形態を実施するためのメッキ時のマスキング方法について説明する。
【００４２】
光ファイバピグテイルの素線５の先端部側面を第１のマスキング部材（不図示）で覆った後、第１のマスキング部材及び素線５の双方に金属材料を被着して素線５に第１の金属膜２を形成する。そして、図８に示すように第１の金属膜２の先端部側面を第２のマスキング部材７０で覆った後、第２のマスキング部材７０及び第１の金属膜２の表面に第２の金属膜（不図示）を形成する。この工程を繰り返して形成し、随時もしくは最終的にマスキング部材を除去することで、図３のように前記素線の先端になるに従って形成される金属膜の積層数が少なくなる様に形成してなる。
【００４３】
図３に示す第二実施形態は、被覆部１を除去した素線５に形成するメタライズ層４の端部４ａを薄膜２と厚膜３の段違い３２の領域ＹがＹ＝０．１〜１ｍｍとなることが好ましい。
【００４４】
そのためには、メッキ時のマスキングが必要であり、図９に示すように被覆部１を除去した素線５に既に形成されている薄膜２上に０．１〜１ｍｍの範囲で重なるように熱硬化型もしくはＵＶ硬化型樹脂のマスキング７を塗布するかまたは、冶具でマスキングすることにより図３の領域Ｙにメッキによる厚膜が形成されないようにすることができる。
【００４５】
熱硬化型もしくはＵＶ硬化型樹脂のマスキング７を塗布する場合、素線５の先端をマスキング剤に浸漬して塗布するだけなのでマスキングが容易であり、マスキングの除去は素線５の先端をエタノールに１時間浸漬することで容易に除去することができる。
【００４６】
冶具でマスキング７をする場合は、冶具としてシリコンゴム製のチューブなどを用意して素線５をチューブの穴に挿通する。蒸着後チューブを外すだけなので、マスキングの洗浄が不要という点で有効である。
【００４７】
図１２に示すように、この範囲が０．１ｍｍ以下であると矢印方向の応力が集中することにより引っ張り強度が低下し、１ｍｍ以上であると薄膜２の端部が厚膜３の応力により引っ張られるため、薄膜２の端部の密着性が低下するため、これを起点として剥離し易くなってしまう。
【００４８】
【実施例】
ここで、以下に示す方法で実験を行った。
【００４９】
端面形状がテーパ球面である光ファイバピグテイルのサンプルを１５０本作成し、内５０本を本発明の第一実施形態としてＵＶ硬化型樹脂を厚さ０．５ｍｍ程度で先端をマスキングしてクロム、クロム−金合金、金の順に薄膜をイオンプレーティングでそれぞれ０．１μｍ以下の膜厚で形成し、この薄膜の上に金、ニッケル、金の順に厚膜を電気メッキでそれぞれ１〜３μｍの膜厚で形成した。
【００５０】
別の５０本を本発明の第二実施形態としてＵＶ硬化型樹脂を従来の厚み（０．１ｍｍ程度）で先端をマスキングしてクロム、クロム−金合金、金の順で薄膜をイオンプレーティングでそれぞれ０．１μｍ以下の膜厚で形成し、ＵＶ硬化型樹脂を１００ｕｍ程度薄膜に重なるように先端をマスキングして薄膜の上にニッケル、金の順で厚膜を電気メッキでそれぞれ１〜３μｍの膜厚で形成した。
【００５１】
残りの５０本を本発明の比較例としてＵＶ硬化型樹脂を従来の厚み（０．１ｍｍ程度）で先端をマスキングしてクロム、クロム−金合金、金の順で薄膜をイオンプレーティングでそれぞれ０．１μｍ以下の膜厚で形成し、この薄膜の上にニッケル、金の順で厚膜を電気メッキでそれぞれ１〜３μｍの膜厚で形成した。尚、上記サンプルについて被覆の除去部分の長さは４０ｍｍ、マスキングの長さは２０ｍｍで統一してある。
【００５２】
これらのサンプルをヒートサイクル試験後に引っ張り荷重を加えて引っ張り強度試験をおこなった。
また、図１０に示すように光ファイバの被覆部１を万力３３で固定して素線５をシリコンゴム３１で挟み固定した。この状態で万力３３を矢印方向へ引き、メタライズ層２９及び素線５での破断時の引っ張り荷重を測定した。ヒートサイクル条件は、温度範囲が４０〜８５℃、温度昇降速度１０℃／分、滞留時間３０分間、サイクル回数２００回とした。
【００５３】
図１１より本発明の第一実施形態（実施例１）及び第二実施形態（実施例２）は、初期で高い引っ張り強度を示し、２００サイクル後も１０Ｎ以上を十分に保持している。これに対して従来例（比較例）としては、初期では１０Ｎ以上を保持するが１００サイクル以降で、メタライズ端部での破断による引っ張り強度の低下が顕れた。
【００５４】
この結果より、本発明の実施形態によれば、メタライズ端部での応力集中が緩和されて引っ張り強度が強い光ファイバピグテイルが得られた。従って、本発明の光パッケージ等に組み込まれる光ファイバピグテイルにおいて、引っ張り強度性に優れた効果があらわれた。
【００５５】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、光ファイバ素線の先端部近傍の側面に形成されたメタライズ層の端部がテーパー状もしくは段違い状とすることによりサイクル試験後の引っ張り強度も強い光ファイバピグテイルを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一実施形態の光ファイバピグテイルを示す断面図である。
【図２】本発明の光ファイバピグテイルのメタライズを説明するための断面図である。
【図３】本発明の第二実施形態の光ファイバピグテイルを示す断面図である。
【図４】本発明の光ファイバピグテイルにおける薄膜を形成するための方法であるスパッタリング装置を示す図である。
【図５】本発明の光ファイバピグテイルにおける薄膜を形成するための方法であるイオンプレーティング装置を示す図である。
【図６】本発明の光ファイバピグテイルにおける厚膜を形成するための方法である電気メッキを示す断面図である。
【図７】本発明の第一実施形態の光ファイバピグテイルにおける蒸着時のマスキング部材を形成した状態を示す図である。
【図８】本発明の第一実施形態の光ファイバピグテイルにおける蒸着時のマスキング部材を形成した状態を示す図である。
【図９】本発明の第二実施形態の光ファイバピグテイルにおけるメッキ時のマスキング部材を形成した状態を示す図である。
【図１０】光ファイバピグテイルにおける引っ張り強度測定方法を示す図である。
【図１１】本発明の実施例と比較例の引っ張り強度のサイクル試験結果を示すグラフである。
【図１２】本発明の実施例における引っ張り強度と薄膜剥離の境界部範囲依存性を示す図である。
【図１３】本発明の光ファイバピグテイルのパッケージを説明するための一部透視斜視図である。
【図１４】従来例の光ファイバピグテイルを示す断面図である。
【符号の説明】
１：被覆
２：薄膜
３：厚膜
４：メタライズ層
４ａ：メタライズ層の端部
５：石英ガラス部
６：先端面
７：マスキング
８：薄膜粒子
９：光ファイバピグテイル
３５：イオン
１１：ターゲット
１２：原子
１３：基板
１４：膜
１５：るつぼ
１６：メッキ液
１７：陽極
１８：直流電源
１９：被メッキ品
３４：クロム薄膜
２１：クロム−金合金薄膜
２２：金薄膜
２３：金厚膜
２４：ニッケル厚膜
２５：発光源
２６：光パッケージ
２７：レーザーダイオードモジュール
２８：半田
２９：メタライズ層
３３：万力
３１：シリコンゴム
３２：段違い
１０：被覆
２０：薄膜
３０：厚膜
４０：メタライズ層
４０ａ：メタライズ層の端部
５０：素線
９０：光ファイバピグテイル
１５０：ヒーター
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2004054198.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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