(57)【要約】【解決手段】磁気書込みヘッドは、下ポールＰ１を画定しかつ空気ベアリング面ＡＢＳから実質的に引込んだ位置にあるペデスタルスロートハイトを有する。書込みヘッドは更に、ペデスタルゼロスロート１２５よりも空気ベアリング面に近いノーズを画定する上ポールＰ２を有する。【効果】大きな書込み磁場が得られかつ隣接トラックの消去が最小になる。比較的高い比率のオフトラック対オントラック磁場が得られる。例えば、１：４の比率が達成されて、磁束飽和から生じる隣接トラックの消去の問題が大幅に緩和される。【選択図】　図４
2004054976.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ記憶装置に使用するための書込みヘッドであって、
軟磁性材料で形成された第１ポール層Ｐ１と、
前記第１ポール層Ｐ１上に形成され、空気ベアリング面（ＡＢＳ）と概ね平行な平面内に存在するゼロスロートを画定するペデスタルと、
ノーズを画定する第２ポール層Ｐ２とを備え、
前記ペデスタルが前記ゼロスロートまで延長し、かつ
前記ノーズが前記ゼロスロートよりも前記空気ベアリング面に近いことを特徴とする書込みヘッド。
【請求項２】
前記ゼロスロートがゼロスロートハイトＺＴＨにより画定され、
前記ノーズがノーズ長さＮＬにより画定され、かつ
前記ノーズ長さＮＬが前記ゼロスロートハイトＺＴＨの半分より小さいことを特徴とする請求項１に記載の書込みヘッド。
【請求項３】
前記第１ポール層Ｐ１が前記空気ベアリング面からバックギャップまで延長していることを特徴とする請求項２に記載の書込みヘッド。
【請求項４】
前記ペデスタルが前記空気ベアリング面から前記ゼロスロートまで延長していることを特徴とする請求項３に記載の書込みヘッド。
【請求項５】
前記ノーズが、約０．６μｍと約１．３μｍの範囲にあるノーズ長さＮＬにより画定されることを特徴とする請求項４に記載の書込みヘッド。
【請求項６】
前記ノーズが更に、トラック幅を画定するノーズ幅ｎｗにより画定されることを特徴とする請求項５に記載の書込みヘッド。
【請求項７】
前記ペデスタルが、約１．５５μｍから約３μｍの範囲にあるペデスタル高さｐｈにより画定されることを特徴とする請求項６に記載の書込みヘッド。
【請求項８】
書込みコイルを更に有することを特徴とする請求項１に記載の書込みヘッド。
【請求項９】
前記書込みコイルが、所望の書込み磁場を発生させる複数の多数ターン導体コイル素子を有することを特徴とする請求項８に記載の書込みヘッド。
【請求項１０】
前記書込みコイルが多層で形成されていることを特徴とする請求項８に記載の書込みヘッド。
【請求項１１】
データ記憶装置において使用するための書込みヘッドであって、
軟磁性材料で形成された第１ポール層Ｐ１と、
前記第１ポール層Ｐ１上に形成され、空気ベアリング面（ＡＢＳ）と概ね平行な平面内に存在するゼロスロートを画定するペデスタルとを備え、
前記ペデスタルが前記ゼロスロートまで延長し、かつ
前記ゼロスロートが実質的に前記空気ベアリング面から引込んだ位置にあることを特徴とする書込みヘッド。
【請求項１２】
前記空気ベアリング面に実質的に近い位置にあるノーズを画定する第２ポール層Ｐ２を更に有することを特徴とする請求項１１に記載の書込みヘッド。
【請求項１３】
前記ゼロスロートがゼロスロートハイトＺＴＨにより画定され、
前記ノーズがノーズ長さＮＬにより画定され、かつ
前記ノーズ長さＮＬが前記ゼロスロートハイトＺＴＨの半分より小さいことを特徴とする請求項１２に記載の書込みヘッド。
【請求項１４】
前記第１ポール層Ｐ１が前記空気ベアリング面からバックギャップまで延長していることを特徴とする請求項１３に記載の書込みヘッド。
【請求項１５】
前記ペデスタルが前記空気ベアリング面から前記ゼロスロートまで延長していることを特徴とする請求項１４に記載の書込みヘッド。
【請求項１６】
前記ノーズが、約０．６μｍと約１．３μｍの範囲にあるノーズ長さＮＬにより画定されることを特徴とする請求項１５に記載の書込みヘッド。
【請求項１７】
前記ノーズが更に、トラック幅を画定するノーズ幅ｎｗにより画定されることを特徴とする請求項１６に記載の書込みヘッド。
【請求項１８】
前記ペデスタルが、約１．５５μｍから約３μｍの範囲にあるペデスタル高さｐｈにより画定されることを特徴とする請求項１７に記載の書込みヘッド。
【請求項１９】
データ記憶システムに使用するための読出し／書込みヘッドであって、
読出しヘッドと、
軟磁性材料で形成された第１ポール層Ｐ１、
前記第１ポール層Ｐ１上に形成され、空気ベアリング面（ＡＢＳ）と概ね平行な平面内に存在するゼロスロートを画定するペデスタル、及び
ノーズを画定する第２ポール層Ｐ２を備え、
前記ペデスタルが前記ゼロスロートまで延長し、かつ
前記ノーズが前記ゼロスロートよりも前記空気ベアリング面に近い書込みヘッドとを備えることを特徴とする読出し／書込みヘッド。
【請求項２０】
前記ゼロスロートがゼロスロートハイトＺＴＨにより画定され、
前記ノーズがノーズ長さＮＬにより画定され、かつ
前記ノーズ長さＮＬが前記ゼロスロートハイトＺＴＨの半分より小さいことを特徴とする請求項１９に記載の読出し／書込みヘッド。
【請求項２１】
データ記憶装置に使用するための読出し／書込みヘッド
であって、
読出しヘッドと、
軟磁性材料で形成された第１ポール層Ｐ１、及び
前記第１ポール層Ｐ１上に形成され、空気ベアリング面（ＡＢＳ）と概ね平行な平面内に存在するゼロスロートを画定するペデスタルを備え、
前記ペデスタルが前記ゼロスロートまで延長し、かつ
前記ゼロスロートが実質的に前記空気ベアリング面から引込んだ位置にある書込みヘッドとを備えることを特徴とする読出し／書込みヘッド。
【請求項２２】
前記空気ベアリング面に実質的に近い位置にあるノーズを画定する第２ポール層Ｐ２を更に有することを特徴とする請求項２１に記載の読出し／書込みヘッド。
【請求項２３】
アームと、
前記アームに固定されたスライダと、
読出し／書込みヘッドとを備え、前記読出し／書込みヘッドが、
読出しヘッドと、
軟磁性材料で形成された第１ポール層Ｐ１、
前記第１ポール層Ｐ１上に形成され、空気ベアリング面（ＡＢＳ）と概ね平行な平面内に存在するゼロスロートを画定するペデスタル、及び
ノーズを画定する第２ポール層Ｐ２を備え、
前記ペデスタルが前記ゼロスロートまで延長し、かつ
前記ノーズが前記ゼロスロートよりも前記空気ベアリング面に近い書込みヘッドとを備えることを特徴とするデータ記憶装置。
【請求項２４】
前記ゼロスロートがゼロスロートハイトＺＴＨにより画定され、
前記ノーズがノーズ長さＮＬにより画定され、かつ
前記ノーズ長さＮＬが前記ゼロスロートハイトＺＴＨの半分より小さいことを特徴とする請求項２３に記載のデータ記憶装置。
【請求項２５】
アームと、
前記アームに固定されたスライダと、
読出し／書込みヘッドとを備え、前記読出し／書込みヘッドが、
読出しヘッドと、
軟磁性材料で形成された第１ポール層Ｐ１、及び
前記第１ポール層Ｐ１上に形成され、空気ベアリング面（ＡＢＳ）と概ね平行な平面内に存在するゼロスロートを画定するペデスタルを備え、
前記ペデスタルが前記ゼロスロートまで延長し、かつ
前記ゼロスロートが実質的に前記空気ベアリング面から引込んだ位置にある書込みヘッドとを備えることを特徴とするデータ記憶装置。
【請求項２６】
前記空気ベアリング面に実質的に近い位置にあるノーズを画定する第２ポール層Ｐ２を更に有することを特徴とする請求項２５に記載のデータ記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般にディスクドライブのようなデータ記憶装置に関し、特にそのようなデータ記憶システムに使用するための薄膜読出し／書込みヘッドに関する。より詳細に言えば、本発明は、ペデスタル位置（スロートハイト）が空気ベアリング面（ＡＢＳ）から実質的に引っ込んでおり、かつ上ポールのフレア（拡がり）位置またはノーズがＡＢＳに向けて実質的に延長している、ペデスタルデファインドゼロスロート（ＰＤＺＴ）書込みヘッドとしても知られる、薄膜インダクティブ型書込みヘッド構造の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の磁気記憶装置では、薄膜磁気ヘッドがスライダ上に取り付けられたインダクティブ読出し／書込み素子を有する。磁気ヘッドが、サスペンションと、回転する磁気ディスクの表面の上に配置されたアクチュエータアームとにより回転アクチュエータマグネット及びボイスコイルアセンブリに接続されている。動作時には、磁気ヘッドと回転磁気ディスクとの間の空気力学的相互作用により持上げ力が発生する。この持上げ力は、回転磁気ディスクの表面の上方に回転アクチュエータアセンブリの半径方向の全ストロークに亘って所定の浮上高さが維持されるように、サスペンションによって与えられる等しい逆向きのばね力に対抗するものである。
【０００３】
磁気ヘッドの一例が図１０Ａ・Ｂ及び図１１Ａ・Ｂに示されており、下ポールＰ１及び上ポールＰ２を有する薄膜書込みヘッドを備える。下ポールＰ１は、一般にスロートハイト「ＴＨ」と称するポール先端部の高さ（ポール先端長さと称する）の寸法を示している。完成した書込みヘッドでは、スロートハイトは、ポール先端部のラッピング及びポリッシュ加工により形成される空気ベアリング面「ＡＢＳ」と、書込みヘッドのポール先端部が後部領域に移行する位置のゼロスロート（ＺＴ）高さとの間で測定される。
【０００４】
ポール先端領域は、ＡＢＳとゼロスロート高さ間の領域として定義される。このポール先端領域は、下ポールＰ１の延長部であるペデスタルとしても知られている。
【０００５】
同様に、上ポールＰ２は、一般にノーズ長さと呼ばれるポール先端高さ寸法を有する。一般に、従来の構成では、ノーズ長さは１．５〜３μｍの範囲にある。完成した書込みヘッドでは、ノーズは、ＡＢＳとポール先端部が後部領域に移行する位置の「フレア位置」間の上ポールＰ２の領域として定義される。下ポールＰ１及び上ポールＰ２は、それぞれその各ポール先端領域に配置されたポール先端部を有する。ポールＰ１及びＰ２の先端領域は、非磁性材料の薄膜からなる磁気書込み（または記録）ギャップにより分離されている。従来の構造では、上ポールＰ２のノーズが一般に、スロートハイトに関してＡＢＳから０．５〜１．５μｍの範囲にある後部位置まで延長している。上ポールＰ２のポール先端部の幅が一般的な磁気記憶媒体のトラック幅により画定されるのに対して、ペデスタル領域の幅はいくつかのトラック分まで広げることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
磁気記憶装置業界における最近の傾向は、磁気記憶媒体の高トラック密度設計に向いている。このトラック密度の増大によって、従来構造のものよりもより大きな記憶容量が可能になる。業界の標準インタフェースを維持するために、磁気記憶装置は、記憶媒体のジオメトリを大きく変更することなくトラック密度を増加させる手段としてトラック幅を減少させることに益々依存している。
【０００７】
磁気書込みヘッドの最近の設計における重大な関心は、磁気記憶媒体の高トラック密度設計のために近接位置にある隣接トラックのデータの品質に悪影響を与えることなく目標トラックにデジタルデータを書き込む能力にある。
【０００８】
この仕事は、現在の磁気書込みヘッドの構造では、特に達成が困難である。特に、書込み動作の際に、上ポールＰ２からの大きな磁束の漏れが、ペデスタル領域を介して下ポールＰ１に入り、ペデスタルに磁気飽和を生じさせる。この磁束の漏れは、下ポールＰ１のスロートハイトに関して長い上ポールＰ２のノーズの結果である。
【０００９】
更に図１１Ａ、Ｂを参照すると、ペデスタル領域における磁気飽和は、ペデスタルのプラットホームの両側にかつＡＢＳと平行に配置された、Ｅ１及びＥ２と称されるペデスタルの傾斜領域に主に集中する。
【００１０】
領域Ｅ１及びＥ２は、目標トラックに隣接する多数のデータトラックに及んでいるので、これら隣接するトラックのデータは周囲の領域における磁束飽和によって乱される傾向がある。ある場合には、目標トラックの両側に最大６つまでもの隣接トラックが悪影響を受けることがある。最悪の場合には、このデータの妨害が、数回繰り返して書込み動作を行った後に、隣接トラックのデータを完全に消去する結果となり得る。
【００１１】
この例における隣接する即ちオフトラック磁場と目標の即ちオントラック磁場との比率は、一般的な従来の磁気書込みヘッドの構造においておおよそ約１：３である。従って、隣接トラックにおける磁束飽和を最小にするために、この比率を大きくすることが望ましい。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の特徴は、従来構造の書込みヘッドよりも書込み磁場が大きく、かつ隣接するトラックの消去が少ない磁気書込みヘッドアーキテクチュアを提供することである。本発明のアーキテクチュアの簡単さによって、磁束飽和の問題を効果的に低減させつつ、製造性が改善される。
【００１３】
その他の新規な特徴の中で、本発明の書込みヘッドのアーキテクチュアには、次の２つの新規な構造要素が取り入られている。
１．下ポールＰ１のペデスタル位置即ちスロートハイトが実質的にＡＢＳから引っ込んでいること、
２．上ポールＰ２のノーズ長さが、上ポールＰ２のフレア位置をＡＢＳにより近くに移動させるように実質的に小さくなっていることである。
【００１４】
これらの２つの構造上の特徴を達成するため、ペデスタル領域の新しいジオメトリは、本発明の新しい書込みヘッドのアーキテクチュアが比較的高い比率のオフトラック対オントラック磁場を達成することが考えられている。特に、この構造について１：４の望ましい比率が可能であり、それによって磁束飽和の結果生じる隣接トラックの消去の問題が大幅に緩和される。
【００１５】
以下の詳細な説明及び添付図面を参照することにより、本発明の特徴及びそれを実現する方法は明らかであり、かつ発明自体を理解することができる。
【００１６】
添付図面において、類似の構成要素には類似の番号が付与される。図中の各構成要素の寸法は正確に比例しているものではなく、見やすくするため及び説明の目的で表示されていることを理解されたい。
【００１７】
【発明の実施の形態】
図１乃至図９は、本発明の主な特徴を示している。図１は、ヘッド積層体アセンブリ１２と、共通の軸１５に関して回転可能な、離隔された磁気データ記憶ディスクまたは媒体の積層体１４とからなるディスクドライブ１０を示している。ヘッド積層体アセンブリ１２は、アクチュエータ軸１６に関して矢印Ｃの向きに回転可能である。ヘッド積層体アセンブリ１２は、ディスク１４の間の間隙内に延長する多数のアクチュエータアームを有するが、添付図面にはその内の３つ１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃのみが示されている。
【００１８】
ヘッド積層体アセンブリ１２は、更にＥ字型ブロック１９と、該ブロック１９にアクチュエータアーム１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃとは直径方向反対側の位置に取り付けられた磁気ロータ２０とを有する。ロータ２０は、アクチュエータ軸１６に関して円弧状に回転するために、図示しないステータと協働する。ロータ２０のコイルをある極性または逆の極性の直流電流で通電すると、アクチュエータアーム１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃを含むヘッド積層体アセンブリ１２が、アクチュエータ軸１６に関してディスク１４の概ね半径方向に回転する。
【００１９】
ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）２８は、各アクチュエータアーム、例えば１８Ａに固定されている。図２を参照すると、ＨＧＡ２８はサスペンション３３及び読出し／書込みヘッド３５を備える。サスペンション３３は、弾性ロードビーム３６と、ヘッド３５が固定されたフレクシャ４０とを有する。
【００２０】
ヘッド３５は、フレクシャ４０によりロードビーム３６の自由端に固定されたスライダ４７と、スライダ４７に支持された読出し／書込み素子５０とで形成されている。スライダ４７は、従来のまたは利用可能なあらゆるスライダとすることができる。
【００２１】
図２の実施例では、読出し／書込み素子５０は、その最前の先端部が概ねスライダ４７のＡＢＳと同一平面上にあるように、スライダ４７の後縁部に取り付けられる。本発明による別の実施例では、複数の読出し／書込み素子５０をスライダ４７の後縁部５５または他の側面に固定することができる。
【００２２】
図３を参照すると、読出し／書込み素子は、書込み部６０と読出し部６１とを統合している。読出し部６１は、軟磁性及び熱伝導性双方の性質を有する材料で形成すると好ましい第１シールド層（シールド１）８０で形成されている。絶縁層８２が第１シールド層８０の略全面に亘って形成され、非磁性の変換読出しギャップ８７を画定している。また、読出し部６１は、絶縁層８２内に形成された読出しセンサ８３を備える。読出しセンサ８３は、磁気抵抗（ＭＲ）素子、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）素子、スピンバルブ、または面内電流モード（ＣＩＰ）センサを含むあらゆる適当なセンサとすることができるが、これらに限定するものではない。
【００２３】
また、読出し部６１は、第１シールド層８０のそれと類似または同等にすることができる、軟磁性または熱伝導性材料で形成された第２シールド層（シールド２）８５を備える。第２シールド層８５は、絶縁層８２の略全面に亘って形成される。
【００２４】
書込みヘッド６０は、ＡＢＳから書込みコイル９４の最終ターン９２の背後のバックギャップ９１まで延長する第１ポール層または下ポールＰ１（同じく符号９０で示す）を有する。下ポールＰ１即ち９０は、軟磁性材料で形成され、かつ例示の目的だけであるが、第１シールド層８０のそれと類似または同等にすることができる。図３の実施例では、第２シールド層８５及び第１ポール層Ｐ１、９０が同じ層として示されている。しかしながら、本発明の別の実施例によれば、第２シールド層８５と第１ポール層Ｐ１、９０とを別個に形成し、かつそれらの間の絶縁層により分離し得ることは明らかである。
【００２５】
さらに図４乃至図８を参照すると、第１ポール層９０上にＡＢＳから最大の精度でゼロスロート高さを画定する背面１２５までペデスタルが形成されている。ペデスタル１２０はペデスタル領域で囲まれている。ゼロスロート高さは、ペデスタル１２０の全面と同一面上にあるＡＢＳの平面と概ね平行な明確に画定された平面内に存在する。好適な実施例では、ペデスタル１２０は、約１．５５μｍから約３μｍの範囲にあるペデスタル高さｐｈでゼロスロート１２５まで延長しているだけである。また、ペデスタル高さは、本明細書において「スロートハイト」とも称する。
【００２６】
書込みコイル９４は、複数の多数ターン導体コイル素子（または導体）９４Ａを有し、書込み部９０の一部分を形成するが、添付図面にはその一部だけが図示されている。コイル素子９４Ａは、絶縁層９５内に形成される。書込みコイル９４は、必要に応じて２つ、４つまたはそれ以上のターン、一般には６乃至１２ターンを有し、所望の書込み磁場を発生させる。本発明の別の実施例によれば、書込みコイル９４は、一般に１層、２層またはそれ以上の多層構造を有することができる。
【００２７】
第２ポール層即ち上ポールＰ２（同じく符号９６で示す）は、第１シールド層８０及び第１ポール層８５のそれと類似または同等にすることができる軟磁性材料で形成されている。第２ポール層９６はペデスタル１２０の上にそれから離隔して形成され、それらの間に書込みギャップ９８を画定している。第２ポール層９６の厚さは、第１シールド層８０のそれと実質的に同じまたは類似である。書込みギャップ９８は、絶縁層８２のそれと類似または同等の材料で充填することができる。
【００２８】
更に図３を参照すると、書込み回路（図示せず）が書込みコイル９３に接続され、かつ書込みモードの際にはこれが電流Ｉｗを送って、書込みギャップ９８の中に磁束フローを発生させる。書込みギャップ９８における磁束フローの変化が、書込み動作においてディスク１４の磁化領域またはドメインの交互に変化する磁化配向を生じさせる。
【００２９】
図４Ｂを参照すると、第２ポール層９６は、斜めの（即ち傾斜した）後縁部即ちフレア１１５を有し、それに沿って第２ポール層９６が上（または上側）ヨーク１０４に接続している（図７Ａ）。ＡＢＳからフレア１１５の前縁部１３０までの第２ポール層９６の部分がノーズ１３５を称する。また、前縁部１３０はフレア位置として知られる。
【００３０】
好適実施例において、ノーズ長さＮＬは、一般に約０．６μｍから約１．３μｍの範囲内にある。前記ノーズの幅ｎｗは、所望のトラック幅と正確に等しくするのが好ましい。本発明の１つの特徴は、ノーズ長さＮＬが、図１０Ｂの従来構造におけるノーズの長さより短いことである。
【００３１】
本発明によれば、ノーズ長さＮＬは、完成した書込みヘッドにおいてゼロスロートハイトがＡＢＳとゼロスロート高さを画定する背面１２５との間で測定される場合に、ゼロペデスタルハイトとも称するゼロスロートハイトＺＴＨの半分より概ね小さい。この関係は次の式によって表すことができる。
【００３２】
【数１】
2004054976.tif 000003
【００３３】
図１０Ａ及び図１０Ｂに示す従来構造に関して言えば、一般的なノーズ長さＴＭＬは、ペデスタルのスロートハイトＴＨの長さより大きい。この関係は次の式で表すことができる。
【００３４】
【数２】
2004054976.tif 000004
【００３５】
オントラック磁場の増加と隣接トラック磁場の減少とを同時に可能にするのは、この比率の変化である。
【００３６】
本発明の別の重要な特徴は、ペデスタル１２０のゼロスロート１２５が、図１０に示す従来構造のそれよりＡＢＳから実質的に離れた遠位に設けられていることである。この特徴は、ゼロスロートハイトＺＴＨを増加させることがオフトラック磁場及びオントラック磁場双方を減少させることになるのに対し、フレア位置１３０をＡＢＳにより近く動かすことによって、減少したオフトラック磁場に影響を与えることなく、増加したゼロスロートハイトから減少したオントラック磁場十分以上に補償するようにオントラック磁場を実質的に改善する点において重要である。この構成によって、１：４のオフトラック対オントラック磁場の比率を得ることができ、さもなければ隣接するトラックに起こり得るであろうデータの消去または損失を引き起こす磁束飽和の大幅な減少が達成される。
【００３７】
次に図５乃至図８を参照すると、ペデスタル１２０は、第１ポール層９０の上に配置された多面ブロックで形成されている。ペデスタル１２０の高さＰＨは、図１１の従来構造の一般的なペデスタル高さＴＰＨより実質的に大きい。この特徴によって、磁気飽和領域が第２ポール層９６から入る磁束の漏れを少なくするのを助けることができるようにするため、ペデスタル１２０の後部がＡＢＳから遠くに動かされる。
【００３８】
ペデスタル１２０の表面は、第１ポール層９０と概ね平行をなす２つの類似した矩形の平坦な面１５５、１６０を有する。これら平坦面１５５、１６０はそれぞれ、対応する上向き傾斜面１６５、１７０に一体に延長している。図５乃至図９に示す実施例では、平坦面１５５が傾斜面１６５内に延長し、平坦面１６０が傾斜面１７０内に延長している。２つの傾斜面１６５、１７０は、本発明による特別な形状を有する隆起プラットフォーム２００内に延長している。プラットフォーム２００は、その周囲が前面１４０、それぞれ２つの傾斜した側面２２０、２３０内に延長する２つの垂直な側面２１０、２４０（図７Ｂ）、上面２５０、及び背面１２５で囲まれている。
【００３９】
前面１４０は一般にＡＢＳと共面関係にあり、かつ一般に背面１２５と平行である。上面２５０は平坦で、ＡＢＳに垂直な平面内に存在する。
【００４０】
２つの垂直な側面２１０、２４０は一般に形状が類似している。両垂直側面２１０、２４０はそれぞれ、ＡＢＳ及び上面２５０に対して垂直な平面内に存在する。側面２４０は傾斜した側面２２０内に一体に延長し、その間に角度αを形成している。同様に、側面２４０は傾斜側面２３０内に一体に延長し、その間に角度αを形成している。この角度αは、約１０〜４５度の範囲内とすることができる。好適な実施例では、角度αは約３５度である。側壁２０の高さであるプラットフォーム２００の高さｐｈ（図８）は、約０．１５μｍから約０．４５μｍの範囲内とすることができる。
【００４１】
プラットフォーム２００は一般に、プラットフォーム２００の幅ｐｗがノーズ１３５の幅ｍｗと、及び所望のトラック幅と対応するように、ノーズ１３５と互いに整合関係にある。
【００４２】
プラットフォーム２００の各面について説明したが、これは２つの部分、前部３００及び後部３５０から構成されると言うことができる（図８）。前部３００は、前面１４０、上面２５０及び２つの側面２１０、２４０により画定される。前部３００は一般に上面２５０の平面に沿って概ね矩形の断面を有する。
【００４３】
後部３５０（図８）は、２つの傾斜側面２２０、２３０、上面２５０及び背面１２５により画定される。本明細書においてフレア部分と称される後部は、上面２５０の平面に沿って概ね台形形状を有する。
【００４４】
ＡＢＳに関してフレア部分３５０を後部に配置することは、フレア部分３５０が第２ポール層９６から入ってくる磁束の漏れをペデスタル領域からそらし、それによりエッジ領域１４５、１５０における磁束飽和の問題を減少させるという点において、本発明の重要な特徴を示している。両傾斜側面２２０、２３０は、磁束の干渉作用を最小にするために、フレア１１５と一致（即ち、その対応する側面と共面関係にある）している（図４Ｂ）。
【００４５】
本発明のペデスタル構造１２０及び第２ポール層９６のフレア位置１３０に関するその配置によって、書込みヘッドのポール先端領域から磁化を後ろに動かすことができ、それによってオントラック磁場を強化しつつ、オフトラック磁場のエッジ領域１４５、１５０への集中を減少させる。
【００４６】
本明細書に記載される構成要素のジオメトリ、構成及び寸法は本発明の技術的範囲内において変更することができ、かつ排他的であることを意味するものでなく、むしろ本発明の技術的範囲内において様々に変更・変形し得ることが理解される。特定の環境において本発明を実行する場合には、他の変形・変更を行うことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による読出し／書込みヘッドを用いたデータ記憶装置の部分斜視図である。
【図２】ヘッド積層体アセンブリに使用するための、サスペンション及び図１の読出し／書込みヘッド固定されたスライダからなるヘッドジンバルアセンブリの斜視図である。
【図３】本発明に従って構成された、図１及び図２の読出し／書込みヘッドの一部分を形成する薄膜読出し／書込み素子の拡大斜視図である。
【図４】Ａ図は図３の書込みヘッドの、読出し素子を省略した６−６線における断面図、Ｂ図はＡ図の書込みヘッドの上面図である。
【図５】図３及び図４の書込みヘッドの下ポールＰ１及び上ポールＰ２のポール先端領域及びペデスタル領域を示す拡大部分斜視図である。
【図６】図５のペデスタル及びポール先端領域の側面図である。
【図７】Ａ図は図５及び図６のペデスタル及びポール先端領域の正面図、Ｂ図は下ポールＰ１のペデスタル領域の上面図である。
【図８】図５乃至図７のペデスタル領域を示す拡大部分斜視図である。
【図９】本発明の読出し／書込みヘッドＡＢＳを示す図である。
【図１０】Ａ図は従来の書込みヘッドを側部から見た断面図、Ｂ図はＡ図の書込みヘッドの上面図である。
【図１１】Ａ図は図１０の書込みヘッドのペデスタル領域を示す拡大部分斜視図、Ｂ図はＡ図のペデスタル領域の側面図である。
【符号の説明】
１０　ディスクドライブ
１２　ヘッド積層体アセンブリ
３５　読出し／書込みヘッド
５０　読出し／書込み素子
９０　第１ポール層
９１　バックギャップ
９２　最終ターン
９６　第２ポール層
１１５　フレア
１２０　ペデスタル
１２５　ゼロスロート
１３０　前縁部
１３５　ノーズ
１４０　前面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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