【手続補正書】
【提出日】平成15年12月17日(2003.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１の光ビームと第２の光ビームとを、互いに異なった入射角で照射し、互いに干渉させる工程と；
前記基板上に形成されたレジスト層を、前記第１および第２の光ビームの干渉により形成された干渉縞に従って露光する工程と；
前記基板上に、前記干渉縞に従って、回折格子を形成する工程とよりなる光半導体装置の製造方法であって、
前記第１および第２の光ビームは、前記第１の光ビームの波面と前記第２の光ビームの波面との交線が、前記基板面に平行になるように照射され、
さらに、前記第１および第２の光ビームを、前記第１および第２の光ビームの光路中に挿入された、前記交線に平行な第１の方向に傾斜し、さらに前記交線に直交する第２の方向にも傾斜した平滑な傾斜面を有する光学要素により、屈折させる工程を含むことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記傾斜面は、前記基板に平行な面内で前記第１の方向に延在する第１の辺と、前記第１の辺に連続し、前記基板に平行な面内で前記第２の方向に延在する第２の辺と、前記第１の辺に連続し、前記第２の辺に対向して前記第２の方向に延在する、前記基板面に対して傾斜した第３の辺と、前記第２および第３の辺に連続し、前記第１の辺に対向して前記第１の方向に延在する、前記基板面に対して傾斜した第４の辺とにより画成されることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記光学要素は、レンズであることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置の光半導体装置の製造方法。
【請求項４】
基板上に、第１の光ビームと第２の光ビームとを、互いに異なった入射角で照射し、互いに干渉させる工程と；
前記基板上に形成されたレジスト層を、前記第１および第２の光ビームの干渉により形成された干渉縞に従って露光する工程と；
前記基板上に、前記干渉縞に従って、回折格子を形成する工程とよりなる光半導体装置の製造方法であって、
前記第１および第２の光ビームは、前記第１の光ビームの波面と前記第２の光ビームの波面との交線が、前記基板面に平行になるように照射され、
さらに、前記第１および第２の光ビームを、前記第１および第２の光ビームの光路中に挿入された光学要素により屈折させる工程を含み、
前記光学要素は、前記交線の方向に平行な前記第１の方向に整列した複数の領域を含み、前記複数の領域の各々は、前記第１の方向に傾斜し、さらに前記第１の方向に直交する第２の方向にも傾斜した平滑な傾斜面を有することを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記各々の傾斜面は、前記基板に平行な面内で前記第１の方向に延在する第１の辺と、前記第１の辺に連続し、前記基板に平行な面内で前記第２の方向に延在する第２の辺と、前記第１の辺に連続し、前記第２の辺に対向して前記第２の方向に延在する、前記基板面に対して傾斜した第３の辺と、前記第２および第３の辺に連続し、前記第１の辺に対向して前記第１の方向に延在する、前記基板面に対して傾斜した第４の辺とにより画成されることを特徴とする請求項４記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記光学要素において、前記複数の傾斜面は、前記第１の方向への傾斜角を前記第１の方向に沿って正負交互に変化させ、前記第１の方向に隣接する傾斜面に連続することを特徴とする請求項４または５記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項７】
さらに、前記レジスト層を現像して、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクに前記基板をエッチングして回折格子を、前記第２の方向への回折格子のピッチが、前記第１の方向で変化するように形成する工程と、
前記回折格子を形成した基板上に、前記第１の方向に整列して、各々前記第２の方向に延在する複数のレーザダイオードを形成する工程を含むことを特徴とする請求項１〜６記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項８】
基板上に、第１の光ビームと第２の光ビームとを、互いに異なった入射角で照射し、互いに干渉させる工程と；
前記基板上に形成されたレジスト層を、前記第１および第２の光ビームの干渉により形成された干渉縞に従って露光する工程と；
前記基板上に、前記干渉縞に従って、回折格子を形成する工程とよりなる光半導体装置の製造方法であって、
前記第１および第２の光ビームは、前記第１の光ビームの波面と前記第２の光ビームの波面との交線が、前記基板面に平行になるように照射され、
さらに、前記第１および第２の光ビームを、前記第１および第２の光ビームの光路中に挿入された、前記交線に平行な第１の方向に直交する第２の方向に傾斜した平滑な傾斜面を有する光学要素により、屈折させる工程を含むことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記傾斜面は、前記基板に平行な面内で前記第１の方向に延在する第１の辺と、前記第１の辺に連続し、前記基板面に対して傾斜した前記第２の方向に延在する第２の辺と、前記第１の辺に連続し、前記第２の辺に平行に、前記基板面に対して傾斜して延在する第３の辺と、前記第２および第３の辺に連続し、前記第１の辺に対向して前記第１の方向に延在する、前記基板面に平行な第４の辺とにより画成されることを特徴とする請求項８記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
基板上に、第１の光ビームと第２の光ビームとを、互いに異なった入射角で照射し、互いに干渉させる工程と；
前記基板上に形成されたレジスト層を、前記第１および第２の光ビームの干渉により形成された干渉縞に従って露光する工程と；
前記基板上に、前記干渉縞に従って、回折格子を形成する工程とよりなる光半導体装置の製造方法であって、
前記第１および第２の光ビームは、前記第１の光ビームの波面と前記第２の光ビームの波面との交線が、前記基板面に平行になるように照射され、
さらに、前記第１および第２の光ビームを、前記第１および第２の光ビームの光路中に挿入された光学要素により屈折させる工程を含み、
前記光学要素は、前記交線の方向に平行な前記第１の方向に整列した複数の領域を含み、前記複数の領域の各々は、前記第１の方向に直交する第２の方向に傾斜した平滑な傾斜面を有することを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記各々の傾斜面は、前記基板に平行な面内で前記第１の方向に延在する第１の辺と、前記第１の辺に連続し、前記基板面に対して傾斜した前記第２の方向に延在する第２の辺と、前記第１の辺に連続し、前記第２の辺に平行に、前記基板面に対して傾斜して延在する第３の辺と、前記第２および第３の辺に連続し、前記第１の辺に対向して前記第１の方向に延在する、前記基板面に平行な第４の辺とにより画成され、前記傾斜面は、隣接する傾斜面に、前記第４の辺において連続することを特徴とする請求項１０記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記一の傾斜面は、隣接する傾斜面と、平滑面により連続していることを特徴とする請求項１０または１１記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
さらに、前記レジスト層を現像して、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクに前記基板をエッチングして回折格子を、前記第１の方向への回折格子のピッチが、前記第１の方向で変化するように形成する工程と、
前記回折格子を形成した基板上に、前記第２の方向に整列して、各々前記第１の方向に延在する複数のレーザダイオードを形成する工程を含むことを特徴とする請求項８〜１２記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
第１の導電型を有し、第１および第２の方向に延在する半導体基板と；
前記半導体基板上に形成され、各々大略前記第１の方向に延在し、前記第２の方向に繰り返される複数の溝よりなり、前記第２の方向に測ったピッチが、前記第１の方向に向かって連続的に変化する回折格子と；
前記回折格子上に形成された、前記第１の導電型を有する導波層と；
前記導波層上に形成された活性層と；
前記活性層上に形成された、第２の導電型を有するクラッド層と；
さらに前記クラッド層上に形成された、前記第２の導電型を有するコンタクト層とよりなることを特徴とする光半導体装置。
【請求項１５】
第１の導電型を有し、第１および第２の方向に延在する半導体基板と；
前記半導体基板上に形成され、各々前記第１の方向に延在し、前記第２の方向に繰り返される複数の溝よりなり、前記溝の前記第２の方向に測った繰り返しピッチが前記第２の方向に連続的に変化する回折格子と；
前記回折格子上に形成された、前記第１の導電型を有する導波層と；
前記導波層上に形成された活性層と；
前記活性層上に形成された、第２の導電型を有するクラッド層と；
さらに前記クラッド層上に形成された、前記第２の導電型を有するコンタクト層とよりなることを特徴とする光半導体装置。
【請求項１６】
第１の導電型を有し、第１および第２の方向に延在する半導体基板と；
前記半導体基板上に、前記第１の方向に繰り返し、相互に離間して形成され、各々は第１および第２の側縁により画成され前記第２の方向に延在する複数のメサ領域と；
前記複数のメサ領域の各々に形成された、各々大略前記第１の方向に延在し、前記第２の方向に繰り返される複数の溝よりなり、前記溝の前記第１の方向に測ったピッチが前記第２の方向に、前記メサ領域の第１の側縁から第２の側縁まで連続的に変化する回折格子と；
前記各々のメサ構造において、前記回折格子上に形成された、前記第１の導電型を有する導波層と；
前記導波層上に形成された活性層と；
前記活性層上に形成された、第２の導電型を有するクラッド層と；
前記クラッド層上に、第１の極性のキャリアを注入するように形成された第１の電極手段と；
前記基板上に、第２の極性のキャリアを注入するように形成された第２の電極手段とよりなるレーザダイオードアレイにおいて、
前記複数のメサ構造の各々において、前記回折格子を構成する溝の各々は、隣接するメサ構造上の対応する溝と、大略前記第１の方向に延在し、前記第２の方向に繰り返され、前記第２の方向への繰り返しピッチが前記第１の方向に向かって連続的に変化する複数の仮想的ラインの一上において整列することを特徴とするレーザダイオードアレイ。
【請求項１７】
第１の導電型を有し、第１および第２の方向に延在する半導体基板と；
前記半導体基板上に、前記第１の方向に繰り返し、相互に離間して形成され、各々は第１および第２の側縁により画成され前記第２の方向に延在する複数のメサ領域と；
前記複数のメサ領域の各々に形成された、各々大略前記第１の方向に延在し、前記第２の方向に繰り返される複数の溝よりなり、前記第１の方向に測ったピッチが前記第２の方向に、前記メサ領域の第１の側縁から第２の側縁まで連続的に変化する回折格子と；
前記各々のメサ構造において、前記回折格子上に形成された、前記第１の導電型を有する導波層と；
前記導波層上に形成された活性層と；
前記活性層上に形成された、第２の導電型を有するクラッド層と；
前記クラッド層上に、第１の極性のキャリアを注入するように形成された第１の電極手段と；
前記基板上に、第２の極性のキャリアを注入するように形成された第２の電極手段とよりなるレーザダイオードアレイにおいて、
前記複数のメサ構造の各々において、前記回折格子を構成する溝の各々は、隣接するメサ構造上の対応する溝と、前記第１の方向に延在し、前記第２の方向に繰り返され、前記第２の方向への繰り返しピッチが前記第２の方向に向かって連続的に変化する複数の仮想的ラインの一上において整列することを特徴とするレーザダイオードアレイ。
【請求項１８】
基板上に、第１の光ビームと第２の光ビームとを、互いに異なった入射角で照射し、互いに干渉させる工程と；
前記基板上に形成されたレジスト層を、前記第１および第２の光ビームの干渉により形成された干渉縞に従って露光する工程と；
前記基板上に、前記干渉縞に従って、回折格子を形成する工程とよりなる回折格子の形成方法であって、
前記第１および第２の光ビームは、前記第１の光ビームの波面と前記第２の光ビームの波面との交線が、前記基板面に平行になるように照射され、
さらに、前記第１および第２の光ビームを、前記第１および第２の光ビームの光路中に挿入された、前記交線に平行な第１の方向に傾斜し、さらに前記交線に直交する第２の方向にも傾斜した平滑な傾斜面を有する光学要素により、屈折させる工程を含むことを特徴とする回折格子の形成方法。
【請求項１９】
基板上に、第１の光ビームと第２の光ビームとを、互いに異なった入射角で照射し、互いに干渉させる工程と；
前記基板上に形成されたレジスト層を、前記第１および第２の光ビームの干渉により形成された干渉縞に従って露光する工程と；
前記基板上に、前記干渉縞に従って、回折格子を形成する工程とよりなる回折格子の形成方法であって、
前記第１および第２の光ビームは、前記第１の光ビームの波面と前記第２の光ビームの波面との交線が、前記基板面に平行になるように照射され、
さらに、前記第１および第２の光ビームを、前記第１および第２の光ビームの光路中に挿入された、前記交線に平行な第１の方向に直交する第２の方向に傾斜した平滑な傾斜面を有する光学要素により、屈折させる工程を含むことを特徴とする回折格子の形成方法。
【請求項２０】
第１の導電型を有し、第１および第２の方向に延在する半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、各々大略前記第１の方向に延在し、前記第２の方向に繰り返される複数の溝よりなり、前記第２の方向に測ったピッチが、前記第１の方向に向かって連続的に変化する回折格子と；
前記回折格子上に形成された導波層と；
前記導波層上に形成された活性層と；
前記活性層上に形成されたクラッド層と；
さらに前記クラッド層上に形成された第２の導電型を有するコンタクト層とよりなることを特徴とする光半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の課題を、
請求項１に記載したように、
基板上に、第１の光ビームと第２の光ビームとを、互いに異なった入射角で照射し、互いに干渉させる工程と；
前記基板上に形成されたレジスト層を、前記第１および第２の光ビームの干渉により形成された干渉縞に従って露光する工程と；
前記基板上に、前記干渉縞に従って、回折格子を形成する工程とよりなる光半導体装置の製造方法であって、
前記第１および第２の光ビームは、前記第１の光ビームの波面と前記第２の光ビームの波面との交線が、前記基板面に平行になるように照射され、
さらに、前記第１および第２の光ビームを、前記第１および第２の光ビームの光路中に挿入された、前記交線に平行な第１の方向に傾斜し、さらに前記交線に直交する第２の方向にも傾斜した平滑な傾斜面を有する光学要素により、屈折させる工程を含むことを特徴とする光半導体装置の製造方法により、または
請求項２に記載したように、
前記傾斜面は、前記基板に平行な面内で前記第１の方向に延在する第１の辺と、前記第１の辺に連続し、前記基板に平行な面内で前記第２の方向に延在する第２の辺と、前記第１の辺に連続し、前記第２の辺に対向して前記第２の方向に延在する、前記基板面に対して傾斜した第３の辺と、前記第２および第３の辺に連続し、前記第１の辺に対向して前記第１の方向に延在する、前記基板面に対して傾斜した第４の辺とにより画成されることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置の製造方法により、または
請求項３に記載したように、
前記光学要素は、レンズであることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置の光半導体装置の製造方法により、または
請求項４に記載したように、
基板上に、第１の光ビームと第２の光ビームとを、互いに異なった入射角で照射し、互いに干渉させる工程と；
前記基板上に形成されたレジスト層を、前記第１および第２の光ビームの干渉により形成された干渉縞に従って露光する工程と；
前記基板上に、前記干渉縞に従って、回折格子を形成する工程とよりなる光半導体装置の製造方法であって、
前記第１および第２の光ビームは、前記第１の光ビームの波面と前記第２の光ビームの波面との交線が、前記基板面に平行になるように照射され、
さらに、前記第１および第２の光ビームを、前記第１および第２の光ビームの光路中に挿入された光学要素により屈折させる工程を含み、
前記光学要素は、前記交線の方向に平行な前記第１の方向に整列した複数の領域を含み、前記複数の領域の各々は、前記第１の方向に傾斜し、さらに前記第１の方向に直交する第２の方向にも傾斜した平滑な傾斜面を有することを特徴とする光半導体装置の製造方法により、または
請求項５に記載したように、
前記各々の傾斜面は、前記基板に平行な面内で前記第１の方向に延在する第１の辺と、前記第１の辺に連続し、前記基板に平行な面内で前記第２の方向に延在する第２の辺と、前記第１の辺に連続し、前記第２の辺に対向して前記第２の方向に延在する、前記基板面に対して傾斜した第３の辺と、前記第２および第３の辺に連続し、前記第１の辺に対向して前記第１の方向に延在する、前記基板面に対して傾斜した第４の辺とにより画成されることを特徴とする請求項４記載の光半導体装置の製造方法により、または
請求項６に記載したように、
前記光学要素において、前記複数の傾斜面は、前記第１の方向への傾斜角を前記第１の方向に沿って正負交互に変化させ、前記第１の方向に隣接する傾斜面に連続することを特徴とする請求項４または５記載の光半導体装置の製造方法により、または
請求項７に記載したように、
さらに、前記レジスト層を現像して、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクに前記基板をエッチングして回折格子を、前記第２の方向への回折格子のピッチが、前記第１の方向で変化するように形成する工程と、
前記回折格子を形成した基板上に、前記第１の方向に整列して、各々前記第２の方向に延在する複数のレーザダイオードを形成する工程を含むことを特徴とする請求項１〜６記載の光半導体装置の製造方法により、または
請求項８に記載したように、
基板上に、第１の光ビームと第２の光ビームとを、互いに異なった入射角で照射し、互いに干渉させる工程と；
前記基板上に形成されたレジスト層を、前記第１および第２の光ビームの干渉により形成された干渉縞に従って露光する工程と；
前記基板上に、前記干渉縞に従って、回折格子を形成する工程とよりなる光半導体装置の製造方法であって、
前記第１および第２の光ビームは、前記第１の光ビームの波面と前記第２の光ビームの波面との交線が、前記基板面に平行になるように照射され、
さらに、前記第１および第２の光ビームを、前記第１および第２の光ビームの光路中に挿入された、前記交線に平行な第１の方向に直交する第２の方向に傾斜した平滑な傾斜面を有する光学要素により、屈折させる工程を含むことを特徴とする光半導体装置の製造方法により、または
請求項９に記載したように、
前記傾斜面は、前記基板に平行な面内で前記第１の方向に延在する第１の辺と、前記第１の辺に連続し、前記基板面に対して傾斜した前記第２の方向に延在する第２の辺と、前記第１の辺に連続し、前記第２の辺に平行に、前記基板面に対して傾斜して延在する第３の辺と、前記第２および第３の辺に連続し、前記第１の辺に対向して前記第１の方向に延在する、前記基板面に平行な第４の辺とにより画成されることを特徴とする請求項８記載の光半導体装置の製造方法により、または
請求項１０に記載したように、
基板上に、第１の光ビームと第２の光ビームとを、互いに異なった入射角で照射し、互いに干渉させる工程と；
前記基板上に形成されたレジスト層を、前記第１および第２の光ビームの干渉により形成された干渉縞に従って露光する工程と；
前記基板上に、前記干渉縞に従って、回折格子を形成する工程とよりなる光半導体装置の製造方法であって、
前記第１および第２の光ビームは、前記第１の光ビームの波面と前記第２の光ビームの波面との交線が、前記基板面に平行になるように照射され、
さらに、前記第１および第２の光ビームを、前記第１および第２の光ビームの光路中に挿入された光学要素により屈折させる工程を含み、
前記光学要素は、前記交線の方向に平行な前記第１の方向に整列した複数の領域を含み、前記複数の領域の各々は、前記第１の方向に傾斜し、さらに前記第１の方向に直交する第２の方向にも傾斜した平滑な傾斜面を有することを特徴とする光半導体装置の製造方法により、または
請求項１１に記載したように、
前記各々の傾斜面は、前記基板に平行な面内で前記第１の方向に延在する第１の辺と、前記第１の辺に連続し、前記基板面に対して傾斜した前記第２の方向に延在する第２の辺と、前記第１の辺に連続し、前記第２の辺に平行に、前記基板面に対して傾斜して延在する第３の辺と、前記第２および第３の辺に連続し、前記第１の辺に対向して前記第１の方向に延在する、前記基板面に平行な第４の辺とにより画成され、前記傾斜面は、隣接する傾斜面に、前記第４の辺において連続することを特徴とする請求項１０記載の光半導体装置の製造方法により、または
請求項１２に記載したように、
前記一の傾斜面は、隣接する傾斜面と、平滑面により連続していることを特徴とする請求項１０または１１記載の光半導体装置の製造方法により、または
請求項１３に記載したように、
さらに、前記レジスト層を現像して、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクに前記基板をエッチングして回折格子を、前記第１の方向への回折格子のピッチが、前記第１の方向で変化するように形成する工程と、
前記回折格子を形成した基板上に、前記第２の方向に整列して、各々前記第１の方向に延在する複数のレーザダイオードを形成する工程を含むことを特徴とする請求項８〜１２記載の光半導体装置の製造方法により、または
請求項１４に記載したように、
第１の導電型を有し、第１および第２の方向に延在する半導体基板と；
前記半導体基板上に形成され、各々大略前記第１の方向に延在し、前記第２の方向に繰り返される複数の溝よりなり、前記第２の方向に測ったピッチが、前記第１の方向に向かって連続的に変化する回折格子と；
前記回折格子上に形成された、前記第１の導電型を有する導波層と；
前記導波層上に形成された活性層と；
前記活性層上に形成された、第２の導電型を有するクラッド層と；
さらに前記クラッド層上に形成された、前記第２の導電型を有するコンタクト層とよりなることを特徴とする光半導体装置により、または
請求項１５に記載したように、
第１の導電型を有し、第１および第２の方向に延在する半導体基板と；
前記半導体基板上に形成され、各々前記第１の方向に延在し、前記第２の方向に繰り返される複数の溝よりなり、前記溝の前記第２の方向に測った繰り返しピッチが前記第２の方向に連続的に変化する回折格子と；
前記回折格子上に形成された、前記第１の導電型を有する導波層と；
前記導波層上に形成された活性層と；
前記活性層上に形成された、第２の導電型を有するクラッド層と；
さらに前記クラッド層上に形成された、前記第２の導電型を有するコンタクト層とよりなることを特徴とする光半導体装置により、または
請求項１６に記載したように、
第１の導電型を有し、第１および第２の方向に延在する半導体基板と；
前記半導体基板上に、前記第１の方向に繰り返し、相互に離間して形成され、各々は第１および第２の側縁により画成され前記第２の方向に延在する複数のメサ領域と；
前記複数のメサ領域の各々に形成された、各々大略前記第１の方向に延在し、前記第２の方向に繰り返される複数の溝よりなり、前記溝の前記第１の方向に測ったピッチが前記第２の方向に、前記メサ領域の第１の側縁から第２の側縁まで連続的に変化する回折格子と；
前記各々のメサ構造において、前記回折格子上に形成された、前記第１の導電型を有する導波層と；
前記導波層上に形成された活性層と；
前記活性層上に形成された、第２の導電型を有するクラッド層と；
前記クラッド層上に、第１の極性のキャリアを注入するように形成された第１の電極手段と；
前記基板上に、第２の極性のキャリアを注入するように形成された第２の電極手段とよりなるレーザダイオードアレイにおいて、
前記複数のメサ構造の各々において、前記回折格子を構成する溝の各々は、隣接するメサ構造上の対応する溝と、大略前記第１の方向に延在し、前記第２の方向に繰り返され、前記第２の方向への繰り返しピッチが前記第１の方向に向かって連続的に変化する複数の仮想的ラインの一上において整列することを特徴とするレーザダイオードアレイにより、または
請求項１７に記載したように、
第１の導電型を有し、第１および第２の方向に延在する半導体基板と；
前記半導体基板上に、前記第１の方向に繰り返し、相互に離間して形成され、各々は第１および第２の側縁により画成され前記第２の方向に延在する複数のメサ領域と；
前記複数のメサ領域の各々に形成された、各々大略前記第１の方向に延在し、前記第２の方向に繰り返される複数の溝よりなり、前記第１の方向に測ったピッチが前記第２の方向に、前記メサ領域の第１の側縁から第２の側縁まで連続的に変化する回折格子と；
前記各々のメサ構造において、前記回折格子上に形成された、前記第１の導電型を有する導波層と；
前記導波層上に形成された活性層と；
前記活性層上に形成された、第２の導電型を有するクラッド層と；
前記クラッド層上に、第１の極性のキャリアを注入するように形成された第１の電極手段と；
前記基板上に、第２の極性のキャリアを注入するように形成された第２の電極手段とよりなるレーザダイオードアレイにおいて、
前記複数のメサ構造の各々において、前記回折格子を構成する溝の各々は、隣接するメサ構造上の対応する溝と、前記第１の方向に延在し、前記第２の方向に繰り返され、前記第２の方向への繰り返しピッチが前記第２の方向に向かって連続的に変化する複数の仮想的ラインの一上において整列することを特徴とするレーザダイオードアレイにより、または
請求項１８に記載したように、
基板上に、第１の光ビームと第２の光ビームとを、互いに異なった入射角で照射し、互いに干渉させる工程と；
前記基板上に形成されたレジスト層を、前記第１および第２の光ビームの干渉により形成された干渉縞に従って露光する工程と；
前記基板上に、前記干渉縞に従って、回折格子を形成する工程とよりなる回折格子の形成方法であって、
前記第１および第２の光ビームは、前記第１の光ビームの波面と前記第２の光ビームの波面との交線が、前記基板面に平行になるように照射され、
さらに、前記第１および第２の光ビームを、前記第１および第２の光ビームの光路中に挿入された、前記交線に平行な第１の方向に傾斜し、さらに前記交線に直交する第２の方向にも傾斜した平滑な傾斜面を有する光学要素により、屈折させる工程を含むことを特徴とする回折格子の形成方法により、または
請求項１９に記載したように、
基板上に、第１の光ビームと第２の光ビームとを、互いに異なった入射角で照射し、互いに干渉させる工程と；
前記基板上に形成されたレジスト層を、前記第１および第２の光ビームの干渉により形成された干渉縞に従って露光する工程と；
前記基板上に、前記干渉縞に従って、回折格子を形成する工程とよりなる回折格子の形成方法であって、
前記第１および第２の光ビームは、前記第１の光ビームの波面と前記第２の光ビームの波面との交線が、前記基板面に平行になるように照射され、
さらに、前記第１および第２の光ビームを、前記第１および第２の光ビームの光路中に挿入された、前記交線に平行な第１の方向に直交する第２の方向に傾斜した平滑な傾斜面を有する光学要素により、屈折させる工程を含むことを特徴とする回折格子の形成方法により、または
請求項２０に記載したように、
第１の導電型を有し、第１および第２の方向に延在する半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、各々大略前記第１の方向に延在し、前記第２の方向に繰り返される複数の溝よりなり、前記第２の方向に測ったピッチが、前記第１の方向に向かって連続的に変化する回折格子と；
前記回折格子上に形成された導波層と；
前記導波層上に形成された活性層と；
前記活性層上に形成されたクラッド層と；
さらに前記クラッド層上に形成された第２の導電型を有するコンタクト層とよりなることを特徴とする光半導体装置により、解決する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
請求項１４，１６記載の本発明の特徴によれば、第１の導電型を有し、第１および第２の方向に延在する半導体基板上に、各々大略前記第１の方向に延在し、前記第２の方向に繰り返される複数の溝よりなり、前記第２の方向に測ったピッチが、前記第１の方向に向かって連続的に変化する回折格子と、前記第１の導電型を有する導波層と、活性層と、第２の導電型を有するクラッド層と、前記第２の導電型を有するコンタクト層とを順次形成することにより、発振波長が異なった複数のレーザダイオードを単一の基板上に集積したレーザダイオードアレイを形成することが可能になる。また請求項２０記載の本発明の特徴によれば、第１の導電型を有し、第１および第２の方向に延在する半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、各々大略前記第１の方向に延在し、前記第２の方向に繰り返される複数の溝よりなり、前記第２の方向に測ったピッチが、前記第１の方向に向かって連続的に変化する回折格子と、前記回折格子上に形成された導波層と、前記導波層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたクラッド層と、さらに前記クラッド層上に形成された第２の導電型を有するコンタクト層とよりなることを特徴とする光半導体装置が可能になる。