【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年8月13日(2014.8.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
本発明のいくつかの実施形態では、粒子は、実質的に対称性の微小粒子又はナノ粒子である。例として、実質的に対称性の粒子には、実質的に球状、実質的に立方体であるもの等が含まれる。他の実施形態では、本発明に有用な粒子は、３つ全ての空間的測定値において対称的ではない。かかる非対称性の粒子は、個々の粒子が、縦軸及び横軸を含み、縦軸は、横軸よりも長いという点で、例えば、針状又は楕円形であり得る。別の言い方をすると、実質的に対称性の粒子は、典型的には、実質的に等しい長さ、幅、及び高さを示し、一方非対称性の粒子は、他の２つの空間的測定値よりも大きい、又は小さい少なくとも１つの空間的測定値を有する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
酸化物粒子（例えば、二酸化ケイ素、二酸化チタン、二酸化ジルコニウムなど）を利用する本発明の実施形態では、好適な表面処理剤としては、粒子の表面上に沿ってヒドロキシル基と反応するものが含まれる。いくつかの実施形態では、好適な表面処理剤としては、オルガノシランが含まれる。いくつかの実施形態では、好適なオルガノシランとしては、１つの有機置換基及び３つの加水分解性置換基が含まれる。代表的なオルガノシランとしては、［２−（３−シクロヘキセニル）エチル］トリメトキシシラン、トリメトキシ（７−オクテン−１−イル）シラン、イソオクチルトリメトキシ−シラン、Ｎ−（３−トリエトキシシリルプロピル）メトキシエトキシエトキシエチルカルバメート、３−（メタクリロイルオキシ）プロピルトリメトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−（メタクリロイルオキシ）プロピルトリエトキシシラン、３−（メタクリロイルオキシ）プロピルメチルジメトキシシラン、３−（アクリロイルオキシプロピル）メチルジメトキシシラン、３−（メタクリロイルオキシ）プロピルジメチルエトキシシラン、３−（メタクリロイルオキシ）プロピルジメチルエトキシシラン、ビニルジメチルエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、イソオクチルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ビニルメチルジアセトキシシラン、ビニルメチルジエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリイソプロポキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリフェノキシシラン、ビニルトリ−ｔ−ブトキシシラン、ビニルトリス−イソブトキシシラン、ビニルトリイソプロペノキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、スチリルエチルトリメトキシシラン、メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ヘプタメチル（２−［トリス（２−メトキシエトキシ）シリル］エチル）トリシロキサン（例えば、米国特許第７，０３３，９７５号に記載されるような）ポリジメチルシロキサン、アリールシラン（例えば、置換及び非置換アリールシランを含む）、アルキルシラン（例えば、メトキシ及びヒドロキシ置換アルキルシランを含む）、並びに前述のもののうちの２つ以上の組み合わせが含まれる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７０】
本出願では、以下の態様が提供される。
１．  官能化粒子の調製方法であって、第１の温度で原料を提供する工程であって、前記原料が、粒子と、前記粒子と反応する表面処理剤と、溶媒と、を含む、工程と、前記原料を、マイクロ波放射に曝露し、前記原料を加熱して前記粒子を前記表面処理剤と反応させ、約６０分未満で前記官能化粒子を提供する工程と、を含む、方法。
２．  前記原料中の粒子の濃度が、約６０重量％〜約２０重量％である、態様１に記載の方法。
３．  前記粒子は実質的に対称性の粒子であり、前記溶媒は水であり、前記原料は水混和性有機溶媒を更に含む、態様１に記載の方法。
４．  前記実質的に対称性の粒子が、約１ナノメートル〜約３０マイクロメートルの平均直径を有する、実質的に球状の粒子である、態様３に記載の方法。
５．  前記実質的に球状の粒子が、約１マイクロメートル未満の平均直径を有する、態様４に記載の方法。
６．  前記球状の粒子が、約１００ｎｍ未満の平均直径を有する、態様４に記載の方法。
７．  前記球状の粒子が、異なる平均直径を有する粒子の混合物を含む、態様４に記載の方法。
８．  前記粒子が、金属、無機酸化物、無機硫化物、無機アンチモン化物、無機塩、無機窒化物、金属被覆粒子、及び前述のもののうちの２つ以上の組み合わせからなる群から選択される無機材料を含む、態様１に記載の方法。
９．  前記無機酸化物が、ジルコニア、酸化アルミニウム、二酸化チタン、酸化鉄、酸化亜鉛、二酸化ケイ素、三酸化アンチモン、酸化ホウ素、亜酸化ホウ素、酸化ビスマス（ＩＩＩ）、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化クロム（ＩＩＩ）、酸化鉄（ＩＩ）、酸化鉄（ＩＩＩ）、酸化マグネシウム、酸化マグネシウム（ＩＶ）、及び前述のもののうちの２つ以上の組み合わせからなる群から選択される、態様８に記載の方法。
１０．  前記無機硫化物が、硫化銅（Ｉ）、硫化銅（ＩＩ）、及び硫化亜鉛、並びに前述のもののうちの２つ以上の組み合わせからなる群から選択される、態様８に記載の方法。
１１．  前記粒子が、リン化インジウム、リン化アルミニウム、黄銅、金属被覆ガラス、炭化ホウ素、窒化ホウ素、炭化カルシウム、水酸化カルシウム、水酸化銅（ＩＩ）、水酸化リチウム、水酸化マグネシウム、アルミニウム、水酸化アルミニウム、硫酸アルミニウム、硫酸カルシウム、炭酸コバルト（ＩＩ）、炭酸銅（ＩＩ）、硝酸銅（ＩＩ）、硫酸銅（ＩＩ）、炭酸リチウム、硝酸リチウム、硫酸リチウム、炭酸マグネシウム、リン酸マグネシウム、硫酸マグネシウム、マンガン硫酸塩一水和物（ＩＩ）、リン酸マンガン（ＩＩ）、炭酸ニッケル（ＩＩ）、水酸化ニッケル（ＩＩ）、硝酸ニッケル（ＩＩ）、二酸化ケイ素、二酸化チタン、炭酸亜鉛、酸化亜鉛、硫酸亜鉛、及び前述のもののうちの２つ以上の組み合わせからなる群から選択される無機材料を含む、態様１に記載の方法。
１２．  前記粒子が、ガラスビーズを含む、態様１に記載の方法。
１３．  前記粒子はシリカ粒子を含み、前記表面処理剤は、オルガノシラン、有機チタン酸塩、有機ジルコン酸塩、有機酸、有機アミン、有機チオール、ホスフィン酸及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、態様１に記載の方法。
１４．  前記オルガノシランが、［２−（３−シクロヘキセニル）エチル］トリメトキシシラン、トリメトキシ（７−オクテン−１−イル）シラン、イソオクチルトリメトキシ−シラン、Ｎ−（３−トリエトキシシリルプロピル）メトキシエトキシエトキシエチルカルバメート、３−（メタクリロイルオキシ）プロピルトリメトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−（メタクリロイルオキシ）プロピルトリエトキシシラン、３−（メタクリロイルオキシ）プロピルメチルジメトキシシラン、３−（アクリロイルオキシプロピル）メチルジメトキシシラン、３−（メタクリロイルオキシ）プロピルジメチルエトキシシラン、３−（メタクリロイルオキシ）プロピルジメチルエトキシシラン、ビニルジメチルエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ビニルメチルジアセトキシシラン、ビニルメチルジエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリイソプロポキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリフェノキシシラン、ビニルトリ−ｔ−ブトキシシラン、ビニルトリス−イソブトキシシラン、ビニルトリイソプロペノキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、スチリルエチルトリメトキシシラン、メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、アクリル酸、メタクリル酸、オレイン酸、ステアリン酸、ドデカン酸、２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］酢酸（ＭＥＥＡＡ）、βカルボキシエチルアクリレート、２−（２−メトキシエトキシ）酢酸、メトキシフェニル酢酸、及び前述のもののうちの２つ以上の組み合わせからなる群から選択される、態様１３に記載の方法。
１５．  前記表面処理剤が、アクリル酸、メタクリル酸、オレイン酸、ステアリン酸、ドデカン酸、２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］酢酸、βカルボキシエチルアクリレート、２−（２−メトキシエトキシ）酢酸、メトキシフェニル酢酸、及び前述のもののうちの２つ以上の組み合わせからなる群から選択される、態様１に記載の方法。
１６．  前記表面処理剤が、アルキルアミン、アリールアミン、アルキルチオール、アリールチオール、アルキルカルボン酸、アリールカルボン酸、アルキルホスフィン酸、アリールホスフィン酸、及び前述のもののうちの２つ以上の組み合わせからなる群から選択される、態様１に記載の方法。
１７．  前記粒子は無機酸化物であり、前記表面処理剤は、アクリル酸、メタクリル酸、オレイン酸、ステアリン酸、ドデカン酸、２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］酢酸（ＭＥＥＡＡ）、βカルボキシエチルアクリレート、２−（２−メトキシエトキシ）酢酸、メトキシフェニル酢酸、及び前述のもののうちの２つ以上の組み合わせからなる群から選択される、態様１に記載の方法。
１８．  前記原料が、１−メトキシ−２−プロパノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、酢酸エチル、及び／又は１−メチル−２−ピロリジノン、ジメチルホルムアミド、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、メタノール、メトキシ（エトキシ（エトキシ））エタノール並びに前述のもののうちの２つ以上の組み合わせからなる群から選択される、有機共溶媒を更に含む、態様１に記載の方法。
１９．  前記原料をマイクロ波放射に曝露する工程が、約２分〜約６０分間で、前記官能化粒子を提供する、態様１に記載の方法。
２０．  前記原料をマイクロ波放射に曝露する工程が、前記原料を１３０℃〜２３０℃の範囲の温度に加熱する、態様１９に記載の方法。
２１．  前記原料が、前記曝露する工程中に撹拌される、態様２０に記載の方法。
本発明の実施形態を十分詳細に記載したが、当業者には、予測可能及び予測不可能の両方の変更又は修正が、本発明の趣旨及び範囲を逸脱することなく、記載される実施形態に対してなされ得ることが理解されよう。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
官能化粒子の調製方法であって、
第１の温度で原料を提供する工程であって、前記原料が、粒子と、前記粒子と反応する表面処理剤と、溶媒とを含む、工程と、
密閉容器中で前記原料をマイクロ波放射に曝露し、前記原料を加熱して前記粒子を前記表面処理剤と反応させ、６０分未満で前記官能化粒子を提供する工程と、
を含み、
前記粒子が酸化物粒子であり、
前記表面処理剤がオルガノシランを含み、且つ
前記原料をマイクロ波放射に曝露する工程が、前記原料を１３０℃〜２３０℃の範囲の温度に加熱する、
方法。
【請求項２】
前記粒子が、１ナノメートル〜３０マイクロメートルの平均直径を有する、球状の粒子である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記酸化物が、ジルコニア、酸化アルミニウム、二酸化チタン、酸化鉄、酸化亜鉛、二酸化ケイ素、三酸化アンチモン、酸化ホウ素、亜酸化ホウ素、酸化ビスマス（ＩＩＩ）、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化クロム（ＩＩＩ）、酸化鉄（ＩＩ）、酸化鉄（ＩＩＩ）、酸化マグネシウム、酸化マンガン（ＩＶ）、及び前述のもののうちの２つ以上の組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記粒子が、二酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化亜鉛、及び前述のもののうちの２つ以上の組み合わせからなる群から選択される無機材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記粒子はシリカ粒子を含み、前記オルガノシランが、［２−（３−シクロヘキセニル）エチル］トリメトキシシラン、トリメトキシ（７−オクテン−１−イル）シラン、イソオクチルトリメトキシ−シラン、Ｎ−（３−トリエトキシシリルプロピル）メトキシエトキシエトキシエチルカルバメート、３−（メタクリロイルオキシ）プロピルトリメトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−（メタクリロイルオキシ）プロピルトリエトキシシラン、３−（メタクリロイルオキシ）プロピルメチルジメトキシシラン、３−（アクリロイルオキシプロピル）メチルジメトキシシラン、３−（メタクリロイルオキシ）プロピルジメチルエトキシシラン、３−（メタクリロイルオキシ）プロピルジメチルエトキシシラン、ビニルジメチルエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ビニルメチルジアセトキシシラン、ビニルメチルジエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリイソプロポキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリフェノキシシラン、ビニルトリ−ｔ−ブトキシシラン、ビニルトリス−イソブトキシシラン、ビニルトリイソプロペノキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、スチリルエチルトリメトキシシラン、メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、及び前述のもののうちの２つ以上の組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記原料をマイクロ波放射に曝露する工程が、２分〜６０分間で、前記官能化粒子を提供し、前記原料が前記曝露する工程中に撹拌される、請求項１に記載の方法。