【手続補正書】
【提出日】平成16年1月27日(2004.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＭＩＳトランジスタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート絶縁膜を挟んでシリコン基板に対向するように形成され、上部がシリサイド化されたゲート電極と、
前記ゲート電極の両側の前記シリコン基板上に形成され、前記ゲート電極に隣接する溝を有するサイドウォールとを備え、
前記ゲート電極は、前記溝内の該ゲート電極の壁にまでシリサイド化が及んでいることを特徴とする、ＭＩＳトランジスタ。
【請求項２】
前記サイドウォールは、前記シリコン基板に形成されたソース／ドレイン層を露出させるキャビティを有することを特徴とする、請求項１記載のＭＩＳトランジスタ。
【請求項３】
前記ゲート電極の表面が粗面化されていることを特徴とする、請求項１または請求項２記載のＭＩＳトランジスタ。
【請求項４】
前記サイドウォールは、前記シリコン基板に接する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜を含む、請求項１乃至請求項３のいずれか一つに記載のＭＩＳトランジスタ。
【請求項５】
ゲート絶縁膜を挟んでシリコン基板に対向するように形成され、上部がシリサイド化されたゲート電極と、
前記ゲート電極の両側の前記シリコン基板上に形成され、前記ゲート電極よりも高いサイドウォールとを備え、
前記サイドウォールは、前記ゲート電極が形成されている側の壁に、前記ゲート電極と接合するようにシリコン膜が形成されており、前記ゲート電極の表面のシリサイド化が前記シリコン膜の表面にまで及んでいることを特徴とする、ＭＩＳトランジスタ。
【請求項６】
前記ゲート電極の表面および前記シリコン膜の表面がともに粗面化されていることを特徴とする、請求項５記載のＭＩＳトランジスタ。
【請求項７】
ゲート絶縁膜を挟んでシリコン基板に対向するように形成され、上部がシリサイド化されたゲート電極と、
前記ゲート電極の両側の前記シリコン基板上に形成され、前記ゲート電極よりも高い断面Ｌ字形のサイドウォールと
を備える、ＭＩＳトランジスタ。
【請求項８】
前記ゲート電極の表面が粗面化されていることを特徴とする、請求項７記載のＭＩＳトランジスタ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
第１の発明に係るＭＩＳトランジスタは、ゲート絶縁膜を挟んでシリコン基板に対向するように形成され、上部がシリサイド化されたゲート電極と、前記ゲート電極の両側の前記シリコン基板上に形成され、前記ゲート電極に隣接する溝を有するサイドウォールとを備え、前記ゲート電極は、前記溝内の該ゲート電極の壁にまでシリサイド化が及んでいることを特徴とする。


【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
第２の発明に係るＭＩＳトランジスタは、第１のＭＩＳトランジスタにおいて、前記サイドウォールは、前記シリコン基板に形成されたソース／ドレイン層を露出させるキャビティを有することを特徴とする。


【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
第３の発明に係るＭＩＳトランジスタは、第１または第２の発明のＭＩＳトランジスタにおいて、前記ゲート電極の表面が粗面化されていることを特徴とする。
第４の発明に係るＭＩＳトランジスタは、第１乃至第３の発明のいずれか一つのＭＩＳトランジスタにおいて、前記サイドウォールは、前記シリコン基板に接する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜を含む。


【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
第５の発明に係るＭＩＳトランジスタは、ゲート絶縁膜を挟んでシリコン基板に対向するように形成され、上部がシリサイド化されたゲート電極と、前記ゲート電極の両側の前記シリコン基板上に形成され、前記ゲート電極よりも高いサイドウォールとを備え、前記サイドウォールは、前記ゲート電極が形成されている側の壁に、前記ゲート電極と接合するようにシリコン膜が形成されており、前記ゲート電極の表面のシリサイド化が前記シリコン膜の表面にまで及んでいることを特徴とする。


【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
第６の発明に係るＭＩＳトランジスタは、第５の発明のＭＩＳトランジスタにおいて、前記ゲート電極の表面および前記シリコン膜の表面がともに粗面化されていることを特徴とする。


【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
第７の発明に係るＭＩＳトランジスタは、ゲート絶縁膜を挟んでシリコン基板に対向するように形成され、上部がシリサイド化されたゲート電極と、前記ゲート電極の両側の前記シリコン基板上に形成され、前記ゲート電極寄りも高い断面Ｌ字形のサイドウォールを備えて構成される。


【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
第８の発明に係るＭＩＳトランジスタは、第７の発明のＭＩＳトランジスタにおいて、前記ゲート電極の表面が粗面化されていることを特徴とする。


【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
【発明の効果】
第１の発明に係るＭＩＳトランジスタによれば、ゲート電極に隣接する溝によってゲート電極表面の露出部分が増加することにより、ゲート電極表面のシリサイド化の際にシリサイドの相転移が容易化されるので、ゲート電極を微細化したときのゲート抵抗の増加を抑制し、ＭＩＳトランジスタの動作速度を落とすことなく微細化できるという効果がある。


【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
第２の発明に係るＭＩＳトランジスタによれば、サイドウォールに形成されたキャビティによって、ソース／ドレイン層の露出面積が大きくなり、ソース／ドレイン層上に形成されるシリサイドにとってソース／ドレイン層が実質的に長くなったのと同じ作用があるため、シリサイドの相転移が容易になりソース／ドレインに寄生する抵抗値を低減することができるという効果がある。


【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
第３の発明に係るＭＩＳトランジスタによれば、ゲート電極の表面が粗面化されているので、表面を粗面化することはゲート電極表面に形成されるシリサイドの幅を実質的に長くするのと同じように作用し、さらに微細化した場合にもシリサイドの相転移を容易化してゲート抵抗の増加を抑制でき、ＭＩＳトランジスタの動作速度を落とすことなく微細化できる範囲が広がるという効果がある。


【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
第５の発明に係るＭＩＳトランジスタによれば、サイドウォールの壁に形成されたシリコン膜とゲート電極とが接合されるとともに両方がシリサイド化さているので、内壁に形成されたシリコン膜の分だけ、ゲート電極表面に形成されるシリサイドの幅を実質的に長くするのと同じように作用し、ゲート電極を微細化した場合にシリサイドの相転移を容易化してゲート抵抗の増加を抑制でき、ＭＩＳトランジスタの動作速度を落とすことなく微細化できる範囲が広がるという効果がある。


【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
第６の発明に係るＭＩＳトランジスタによれば、ゲート電極の表面が粗面化されているので、表面を粗面化することはゲート電極表面に形成されるシリサイドの幅を実質的に長くするのと同じように作用し、さらに微細化した場合にもシリサイドの相転移を容易化してゲート抵抗の増加を抑制でき、ＭＩＳトランジスタの動作速度を落とすことなく微細化できる範囲が広がるという効果がある。


【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
第７の発明に係るＭＩＳトランジスタによれば、断面Ｌ字形のサイドウォールがゲート電極よりも高く形成されているので、ゲート電極とソース／ドレインとの間の短絡を防止する作用を高めることができるという効果がある。


【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
第８の発明に係るＭＩＳトランジスタによれば、ゲート電極の表面が粗面化されているので、表面を粗面化することはゲート電極表面に形成されるシリサイドの幅を実質的に長くするのと同じように作用し、さらに微細化した場合にもシリサイドの相転移を容易化してゲート抵抗の増加を抑制でき、ＭＩＳトランジスタの動作速度を落とすことなく微細化できる範囲が広がるという効果がある。