【事件の表示】
　平成　５年特許願第１７２２２０号「縦型拡散・ＣＶＤ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年　１月１０日出願公開、特開平　７−　　６９６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　
　本願は、平成５年６月１８日の出願であって、平成１３年１０月１５日付けで拒絶の理由が通知され、その指定期間内の平成１３年１２月１２日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成１３年１２月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１４年２月１４日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　そして、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１３年１２月１２日付手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりの
　「縦型炉の下方にボートエレベータを設け、該ボートエレベータによりボートに保持されたウェーハを前記縦型炉内に装入、引出し可能とした縦型拡散・ＣＶＤ装置に於いて、前記ボートに保持されたウェーハを前記縦型炉内に装入後炉内を排気すると共に前記ボートの装入速度を６００mm／min〜２０００mm／minの範囲の速度としたことを特徴とする縦型拡散・ＣＶＤ装置。」であると認める。
　
２．引用刊行物記載の発明
　
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願の日前である平成４年８月６日に頒布された特開平４−２１５４２３号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、次の事項が記載されている。
（１）「【産業上の利用分野】この発明は、半導体製造工程における・・・拡散、・・・化学気相成長（ＣＶＤ）等の各熱処理工程で、半導体基板を加熱して所要の熱処理をする際に、半導体基板表面に形成される自然酸化膜を抑制するための熱処理方法に関するものである。」（段落【０００１】）
（２）「・・・もとより大量の窒素ガスを使用し十分時間をかけてパージし、加熱すればかかる水分を排除できるが、それでは熱処理に長時間を要し、生産性が低下する。・・・」（段落【０００７】）
（３）「・・・本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、短時間で自然酸化膜の成長を十分に抑制し得る実用的な熱処理方法を提供し、基板の品質を一段と向上させることを技術課題とする。」（段落【０００８】）
（４）「・・・図１は本発明に係る熱処理方法を適用した熱処理シーケンスを示すグラフ、・・・図３は本発明の熱処理方法を実施するのに適した熱処理炉の縦断面図・・・である。」（段落【００１１】，図１，３）
（５）「以下図１・・に基づいて本発明の特徴をなす熱処理シーケンスについて説明する。ステップＳ1では、熱処理炉１内の温度を約５００℃に設定した状態で、プロセスチューブ２の窒素ガス入り口２ａより窒素ガスＮ2を流入させながら、基板Ｗを搭載したウエハボート１８ａを熱処理炉１のプロセスチューブ２内に高速(５００mm/min程度)で装填し（図５）、プロセスチューブ２をボート支持台１７で密閉する。・・・ステップＳ2では、予備加熱工程として基板Ｗを設定温度５００℃に昇温しながらプロセスチューブ２内を減圧手段２１で減圧パージする。これにより基板Ｗの表面に付着した水分を離脱させる。このときプロセスチューブ２内は１０=3Torr以下まで真空引きされる。・・・そしてステップＳ6では、窒素ガスＮ2でプロセスチューブ２内をパージしながら、基板Ｗを搭載したウエハボード１８ａを取り出す。」（段落【００１５】，図１，５）
（６）「・・・なお、予備過熱工程の設定温度が６５０℃を超えると基板の面内の温度差のため、そりやスリップ等が発生し、最悪の場合基板が破損する。」（段落【００１５】）
（７）「【発明の効果】・・・・　これにより、半導体基板の生産性を低下させずに一段と基板の品質を向上させることができる。」（段落【００１７】）
　上記の記載事項（１）、（４）、（５）によると、引用刊行物の図３、５に記載された装置は、半導体製造工程における拡散、ＣＶＤ等の熱処理工程で使用する縦型炉を備えた縦型拡散・ＣＶＤ装置であり（記載事項（１）,（４））、周知の縦型拡散・ＣＶＤ装置の構造に照らせば、当該装置がウエハボートを昇降するための手段（ボートエレベータ）を具備することは明らかであるから、該引用刊行物には、「縦型炉の下方にボートエレベータを設け、該ボートエレベータによりボートに保持されたウエハを前記縦型炉内に装填、取り出し可能とした縦型拡散・ＣＶＤ装置に於いて、前記ボートに保持されたウエハを、約５００℃に設定された縦型炉内に装入後炉内を減圧パージすると共に前記ボートの装填速度を高速(５００mm/min程度)とした縦型拡散・ＣＶＤ装置」（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
３．対比
　
　本願発明と引用発明とを対比すると、両者は、
　「縦型炉の下方にボートエレベータを設け、該ボートエレベータによりボートに保持されたウェーハを前記縦型炉内に装入、引出し可能とした縦型拡散・ＣＶＤ装置に於いて、前記ボートに保持されたウェーハを前記縦型炉内に装入後炉内を排気する縦型拡散・ＣＶＤ装置」である点で一致し、
　本願発明はボートの装入速度を６００mm／min〜２０００mm／minの範囲の速度としているのに対して、引用発明は該装入速度を高速(５００mm/min程度)としている点で相違する。
　
４．当審の判断
　
　一般的に、縦型拡散・ＣＶＤ装置におけるボート装入速度は、半導体ウェーハの中心部温度と周辺部温度との温度差に起因するスリップ等の不具合が生じないように設定されているが、特に上記不具合が問題とならないときは、装置の処理能力（生産性）の向上という観点から、できるだけボート装入速度を高速化し処理時間の短縮を図ることが望ましいことは明らかである（要すれば、特開昭６１−２０３１８号公報の第２頁左上欄最下行−左下欄第１行、特開平２−２８９５００号公報の第１頁右下欄第１１−１８行、特開平４−１５７７１８号公報の第２頁左下欄第９行−右上欄第４行、特開平２−７３６２５号公報の第１頁右下欄第５行−第２頁右上欄第１１行を参照）。
　そして、上記不具合への配慮と生産性の向上は、引用発明においても加味されている事項であること（記載事項（２）,（３）,（６）,（７））に加えて、上記記載事項（６）を斟酌すると、引用発明においては、縦型炉の予備加熱温度が約５００℃に設定されていることから、該縦型炉にボートを装入するに際して、上記不具合を特に考慮する必要はないと解することができる。
　一方、本願明細書の段落【００２４】、【００２６】には、「ボート９の上昇速度を増大させたので、ボート９の装入完了迄の時間は従来に比べ大幅に短縮される。従って、ボート９装入完了時のウェーハの温度は反応温度以下、例えば３００℃以下に押さえることができ、更に前記内部反応管３内の吸引排気は、ウェーハが反応温度（４００℃）に達する迄に完了する、或は略完了する。」、「【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、反応炉にウェーハを高速で装入し、ウェーハが反応温度に達する前に反応炉内を真空排気するので、更に反応炉に装入する直前にウェーハ間の大気を不活性ガスに置換するので、ウェーハの無用の酸化、ウェーハの汚染を防止することができ、成膜品質の向上を図ることができ、更に予備室等が不要であるので設備費の低減、処理時間の短縮を図ることができる。」との記載があるものの、本願発明では、ボート装入完了時のウェーハの温度と反応温度との関係、及びウェーハの温度と炉内排気のタイミングとの関係については何ら特定されていないから、本願発明の効果として、上記本願明細書記載の「ボート９の上昇速度を増大させたので、ボート９の装入完了迄の時間は従来に比べ大幅に短縮される」ことは認め得るが、「反応炉にウェーハを高速で装入し、ウェーハが反応温度に達する前に反応炉内を真空排気するので、更に反応炉に装入する直前にウェーハ間の大気を不活性ガスに置換するので、ウェーハの無用の酸化、ウェーハの汚染を防止することができ、成膜品質の向上を図ることができ」るという効果は、本願発明の構成に基くものとはいえず、本願発明が奏する効果であるということはできない。
　してみると、「ボートの装入速度を６００mm／min〜２０００mm／minの範囲の速度としたこと」という本願発明の構成により奏される効果は、「ボート９の上昇速度を増大させたので、ボート９の装入完了迄の時間は従来に比べ大幅に短縮される」こと、すなわち、生産性向上を主眼とするものであるというべきである。
　以上の点を踏まえ、前述の相違点について検討すると、本願発明と引用発明はともに、生産性の向上をも課題としており、上記したように引用発明においては、ボート装入に際して上記不具合に対する特段の配慮を要しないわけであるから、ボート装入速度のさらなる高速化を阻害する要因も見当たらない。
　よって、生産性向上という視点に立てば、引用発明における高速（５００mm/min程度）というボート装入速度を、より高速化し、６００mm／min〜２０００mm／min程度の速度とすることは、当業者ならば容易に想到し得るものといえる。
　
５．むすび
　
　したがって、本願発明は引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。