【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年2月7日(2014.2.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に隣接する透明導電性酸化物層と；
前記透明導電性酸化物層に隣接する半導体の二重層であり、前記二重層は、半導体のウインドウ層と、これに隣接する結晶配向性半導体の吸収層を有し、前記結晶配向性半導体の吸収層の結晶の６５％から７５％が、層の配置面に対して選択方位を有する、半導体の二重層と；
前記半導体の二重層に隣接する背面接触部と、を備えた太陽光発電装置。
【請求項２】
透明導電性酸化物層がスズ酸カドミウムを有する、請求項１記載の太陽光発電装置。
【請求項３】
透明導電性酸化物層がインジウムをドープした酸化カドミウムを有する、請求項１記載の太陽光発電装置。
【請求項４】
透明導電性酸化物層がスズをドープした酸化インジウムを有する、請求項１記載の太陽光発電装置。
【請求項５】
基板がガラスを含む、請求項１記載の太陽光発電装置。
【請求項６】
ガラスがソーダ石灰ガラスを含む、請求項５記載の太陽光発電装置。
【請求項７】
さらに基板および透明導電性酸化物層の間に障壁層を有する、請求項１記載の太陽光発電装置。
【請求項８】
障壁層が二酸化ケイ素を含む、請求項７記載の太陽光発電装置。
【請求項９】
障壁層が窒化ケイ素を含む、請求項７記載の太陽光発電装置。
【請求項１０】
さらに透明導電性酸化物層に隣接する最上層を有する、請求項１記載の太陽光発電装置。
【請求項１１】
さらに透明導電性酸化物層に隣接する最上層を有する、請求項７記載の太陽光発電装置。
【請求項１２】
最上層がスズ酸亜鉛を含有する、請求項１０記載の太陽光発電装置。
【請求項１３】
最上層が酸化スズを含有する、請求項１０記載の太陽光発電装置。
【請求項１４】
半導体のウインドウ層が硫化カドミウムを含有する、請求項１記載の太陽光発電装置。
【請求項１５】
結晶配向性半導体の吸収層が、配向性のテルル化カドミウム層を有する、請求項１記載の太陽光発電装置。
【請求項１６】
さらに背面接触部に隣接する背面支持部を備えた、請求項１記載の太陽光発電装置。
【請求項１７】
透明導電性酸化物層に隣接するように半導体のウインドウ層を配置する工程と；
前記半導体のウインドウ層に隣接するように結晶配向性半導体の吸収層を配置する工程とを備え、
前記結晶配向性半導体の吸収層の結晶の６５％から７５％が、層の配置面に対して選択方位を有する、ことを特徴とする、太陽光発電装置の製造方法。
【請求項１８】
半導体のウインドウ層を配置する前に、さらに透明導電性酸化物層に隣接するように最上層を配置する工程を備える、請求項１７記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項１９】
透明導電性酸化物層がスズ酸カドミウムを含有する、請求項１７記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項２０】
透明導電性酸化物層がインジウムをドープした酸化カドミウムを含有する、請求項１７記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項２１】
透明導電性酸化物層がスズをドープした酸化インジウムを含有する、請求項１７記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項２２】
透明導電性酸化物層に隣接するように半導体のウインドウ層を配置する工程が、基板上に硫化カドミウム層を設置する工程を備える、請求項１７記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項２３】
透明導電性酸化物層に隣接するように最上層を配置する工程が、透明導電性酸化物層上にスズ酸亜鉛をスパッタリングして、透明導電性酸化物スタックを形成する工程を備える、請求項１８記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項２４】
透明導電性酸化物層に隣接するように最上層を配置する工程が、透明導電性酸化物層上に酸化スズをスパッタリングして、透明導電性酸化物スタック形成する工程を備える、請求項１８記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項２５】
さらに透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程を備える、請求項２３または２４に記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項２６】
透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、減圧下で透明導電性酸化物スタックを加熱する工程を備える、請求項２５記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項２７】
透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、透明導電性酸化物スタックを４００℃から８００℃で加熱する工程を備える、請求項２５記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項２８】
透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、透明導電性酸化物スタックを５００℃から７００℃で加熱する工程を備える、請求項２５記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項２９】
透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、透明導電性酸化物スタックを１０分間から２５分間加熱する工程を備える、請求項２５記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項３０】
透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、透明導電性酸化物スタックを１５分間から２０分間加熱する工程を備える、請求項２９記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項３１】
透明導電性酸化物層に隣接するように半導体のウインドウ層を配置する工程が、蒸着工程を備える、請求項１７記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項３２】
半導体のウインドウ層に隣接するように結晶配向性半導体の吸収層を配置する工程が、蒸着工程を備える、請求項１７記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項３３】
半導体のウインドウ層に隣接するように結晶配向性半導体の吸収層を配置する工程が、基板上にテルル化カドミウム層を設置する工程を備える、請求項１７記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項３４】
さらに結晶配向性半導体の吸収層に隣接するように背面接触部を配置する工程を備える、請求項１７記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項３５】
さらに背面接触部に隣接するように背面支持部を設置する工程を備える、請求項３４記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項３６】
さらに基板に隣接するように透明導電性酸化物層を配置する工程を備える、請求項１７に記載された太陽光発電装置の製造方法。
【請求項３７】
基板に隣接するように透明導電性酸化物層を設置する前に、さらに障壁層に隣接するように透明導電性酸化物層を配置する工程を備える、請求項３６記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項３８】
透明導電性酸化物層に隣接するように半導体のウインドウ層を配置する前に、さらに透明導電性酸化物層に隣接するように最上層を配置する工程を備える、請求項３６記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項３９】
透明導電性酸化物層に隣接するように半導体のウインドウ層を配置する前に、さらに透明導電性酸化物層に隣接するように最上層を配置して、透明導電性酸化物スタックを形成する工程を備える、請求項３７記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項４０】
さらに透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程を備える、請求項３９記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項４１】
透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、減圧下で透明導電性酸化物スタックを加熱する工程を備える、請求項４０記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項４２】
透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、透明導電性酸化物スタックを４００℃から８００℃で加熱する工程を備える、請求項４０記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項４３】
透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、透明導電性酸化物スタックを５００℃から７００℃で加熱する工程を備える、請求項４２記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項４４】
透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、透明導電性酸化物スタックを１０分間から２５分間加熱する工程を備える、請求項４０記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項４５】
透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、透明導電性酸化物スタックを１５分間から２０分間加熱する工程を備える、請求項４４記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項４６】
基板に隣接するように透明導電性酸化物層を配置する工程が、基板上にスズ酸カドミウムを設置する工程を備える、請求項３６記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項４７】
基板に隣接するように透明導電性酸化物層の配置する工程が、基板上にインジウムをドープした酸化カドミウムを設置する工程を備える、請求項３６記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項４８】
基板に隣接するように透明導電性酸化物層を配置する工程が、基板上にスズをドープした酸化インジウムを設置する工程を備える、請求項３６記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項４９】
透明導電性酸化物層に隣接するように半導体のウインドウ層を配置する工程が、透明導電性酸化物層に隣接するように硫化カドミウムを設置する工程を備える、請求項３６記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項５０】
基板に隣接するように透明導電性酸化物層を配置する工程が、ガラス上に透明導電性酸化物層をスパッタリングして、層状構造を形成する工程を備える、請求項３６記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項５１】
さらに層状構造をアニーリングする工程を備える、請求項５０記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項５２】
層状構造をアニーリングする工程が、減圧下で層状構造を加熱する工程を備える、請求項５１記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項５３】
層状構造をアニーリングする工程が、層状構造を４００℃から８００℃で加熱する工程を備える、請求項５１記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項５４】
層状構造をアニーリングする工程が、層状構造を５００℃から７００℃で加熱する工程を備える、請求項５３記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項５５】
層状構造をアニーリングする工程が、層状構造を１０分間から２５分間加熱する工程を備える、請求項５１記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項５６】
層状構造をアニーリングする工程が、層状構造を１５分間から２０分間加熱する工程を備える、請求項５５記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項５７】
障壁層に隣接するように透明導電性酸化物層を配置する工程が、二酸化ケイ素層上に透明導電性酸化物層をスパッタリングして、透明導電性酸化物スタックを形成する工程を備える、請求項３６記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項５８】
障壁層に隣接するように透明導電性酸化物層を配置する工程が、窒化ケイ素層上に透明導電性酸化物層をスパッタリングして、透明導電性酸化物スタックを形成する工程を備える、請求項３７記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項５９】
さらに透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程を備える、請求項５７または５８に記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項６０】
透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、減圧下で透明導電性酸化物スタックを加熱する工程を備える、請求項５９記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項６１】
透明導電性酸化物スタックのアニーリング工程が、透明導電性酸化物スタックを４００℃から８００℃で加熱する工程を備える、請求項５９記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項６２】
透明導電性酸化物スタックのアニーリング工程が、透明導電性酸化物スタックを５００℃から７００℃で加熱する工程を備える、請求項６１記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項６３】
透明導電性酸化物スタックのアニーリング工程が、透明導電性酸化物スタックを１０分間から２５分間加熱する工程を備える、請求項５９記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項６４】
透明導電性酸化物スタックのアニーリング工程が、透明導電性酸化物スタックを１５分間から２０分間加熱する工程を備える、請求項６３記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項６５】
透明導電性酸化物層に隣接するように最上層を配置する工程が、透明導電性酸化物層上にスズ酸亜鉛をスパッタリングして、透明電導性酸化物スタックを形成する工程を備える、請求項３８記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項６６】
透明導電性酸化物層に隣接するように最上層を配置する工程が、透明導電性酸化物層上に酸化スズをスパッタリングして、透明導電性酸化物スタックを形成する工程を備える、請求項３８記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項６７】
さらに透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程を備える、請求項６５または６６に記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項６８】
透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、減圧下で透明導電性酸化物スタックを加熱する工程を備える、請求項６７記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項６９】
透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、透明導電性酸化物スタックを４００℃から８００℃で加熱する工程を備える、請求項６７記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項７０】
透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、透明導電性酸化物スタックを５００℃から７００℃で加熱する工程を備える、請求項６９記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項７１】
透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、透明導電性酸化物スタックを１０分間から２５分間加熱する工程を備える、請求項６７記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項７２】
透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、透明導電性酸化物スタックを１５分間から２０分間加熱する工程を備える、請求項７１記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項７３】
透明導電性酸化物層に隣接するように半導体のウインドウ層を配置する工程が、蒸着工程を備える、請求項３６記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項７４】
半導体のウインドウ層に隣接するように結晶配向性半導体の吸収層を配置する工程が、蒸着工程を備える、請求項３６記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項７５】
半導体のウインドウ層に隣接するように結晶配向性半導体の吸収層を配置する工程が、基板上にテルル化カドミウムを設置する工程を備える、請求項３６記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項７６】
さらに結晶配向性半導体の吸収層に隣接するように背面接触部を配置する工程を備える、請求項３６記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項７７】
さらに背面接触部に隣接するように背面支持部を配置する工程を備える、請求項７６記載の太陽光発電装置の製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
太陽光発電装置の結晶配向性の半導体の吸収層は、配向性のテルル化カドミウム層を有していてもよい。配向性のテルル化カドミウム層は、選択方位とすることができる。配向性のテルル化カドミウム層の結晶の約６５％から約７５％が、層の配置面に対して選択方位を有するように配置してもよい。太陽光発電装置は、背面接触部に隣接する背面支持部を備えていてもよい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
透明導電性酸化物層に隣接するように半導体のウインドウ層を配置する工程は、蒸着工程を備えていてもよい。半導体のウインドウ層に隣接するように配向性半導体の吸収層を配置する工程は、蒸着工程を備えていてもよい。半導体のウインドウ層に隣接するように配向性半導体の吸収層を配置する工程は、基板上にテルル化カドミウム層を設置する工程を備えていてもよい。配向性半導体の吸収層を配置する工程は、選択方位を有するように、結晶性半導体の吸収層を配向させる工程を含む。配向性半導体の吸収層の結晶の約６５％から約７５％が、層の配置面に対して関して選択方位を有するようにしてもよい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
配向性半導体の吸収層を配置する工程は、基板上にテルル化カドミウム層を設置する工程を備えていてもよい。配向性半導体の吸収層の配置は、選択方位を有するように結晶性半導体吸収層を配向させる工程を備えていてもよい。配向性半導体の吸収層の結晶の約６５％から約７５％が、層の配置面に対して選択方位を有するようにしてもよい。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
太陽光発電装置１０の配向性半導体の吸収層３２０は、その微細構造に比較的大きい粒径の配向性結晶を有していてもよい。配向性半導体の吸収層３２０は、選択方位とすることができる。例えば、選択方位の半導体の吸収層３２０は、ランダム配向とは対照的な配向、例えば、平面上の配向、層の配置面に垂直な配向、または成長面に垂直な配向といった、選択方位を有していてもよい。配向性半導体の吸収層３２０は、配向性半導体の吸収層の結晶が、層の設置面に配向するような微細構造を有していてもよい。配向性半導体の吸収層３２０の結晶の約６５％から約７５％が、層の配置面に対して選択方位を有していてもよい。形成される結晶の粒径は、比較的大きくてもよい。例えば、約１．４μｍ以上の平均粒径としてもよい。約１．８μｍ以上、例えば１．８８μｍの平均粒径としてもよい。