Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年9月14日(2012.9.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
【化６】
2007535595.tif 000001
［式中、Ｒ１＊およびＲ２＊は無関係に、水素、ハロゲン、ＣＮ、１〜２０個、有利には１〜６個および特に有利には１〜４個の炭素原子を有し、１〜（２ｎ＋１）のハロゲン原子（ｎはアルキル基の炭素原子の数である（たとえばＣＦ３））により置換されていてもよい線状もしくは分枝鎖状のアルキル基、２〜１０個、有利には２〜６個および特に有利には２〜４個の炭素原子を有し、１〜（２ｎ−１）のハロゲン原子、有利には塩素（ｎはアルキル基の炭素原子の数、たとえばＣＨ２＝ＣＣｌ−である）により置換されていてもよいα，β−不飽和の線状もしくは分枝鎖状のアルケニル基またはアルキニル基、３〜８個の炭素原子を有し、１〜（２ｎ−１）のハロゲン原子、有利には塩素（ｎはシクロアルキル基の炭素原子の数である）により置換されていてもよいシクロアルキル基、６〜２４個の炭素原子を有し、１〜（２ｎ−１）のハロゲン原子（ｎはアリール基の炭素原子の数である）、有利には塩素、および／または１〜６個の炭素原子を有するアルキル基により置換されていてもよいアリール基、ＣＯＯＲ９＊（式中、Ｒ９＊は１〜４０個の炭素原子を有するアルキル基である）、Ｃ（＝Ｙ＊）Ｒ５＊、Ｃ（＝Ｙ＊）ＮＲ６＊Ｒ７＊、Ｙ＊Ｃ（＝Ｙ＊）Ｒ５＊、ＳＯＲ５＊、ＳＯ２Ｒ５＊、ＯＳＯ２Ｒ５＊、ＮＲ８＊ＳＯ２Ｒ５＊、ＰＲ５＊２、Ｐ（＝Ｙ＊）Ｒ５＊２、Ｙ＊ＰＲ５＊２、Ｙ＊Ｐ（＝Ｙ＊）Ｒ５＊２、ＮＲ８＊２（付加的なＲ８＊基、アリール基またはヘテロシクリル基により四級化されていてもよい）からなる群から選択されており、その際、Ｙ＊はＮＲ８＊、ＳまたはＯ、有利にはＯであってよく、Ｒ５＊は１〜２０個の炭素原子を有するアルキル基、１〜２０個の炭素原子を有するアルキルチオ、ＯＲ１０＊（Ｒ１０＊は水素またはアルカリ金属）、１〜２０個の炭素原子を有するアルコキシ、アリールオキシまたはヘテロシクリルオキシであり、Ｒ６＊およびＲ７＊は無関係に水素または１〜２０個の炭素原子を有するアルキル基であるか、またはＲ６＊およびＲ７＊は一緒になって２〜７個、有利には２〜５個の炭素原子を有するアルキレン基を形成してもよく、その際、３員〜８員の、有利には３員〜６員の環が形成され、かつＲ８＊は水素、１〜２０個の炭素原子を有する線状もしくは分枝鎖状のアルキル基またはアリール基であり、Ｒ３＊およびＲ４＊は無関係に、水素、ハロゲン（有利にはフッ素または塩素）、１〜６個の炭素原子を有するアルキル基およびＣＯＯＲ９＊（式中でＲ９＊は１〜４０個の炭素原子を有するアルキル基である）からなる群から選択されているか、またはＲ３＊およびＲ４＊は一緒になって式（ＣＨ２）ｎ′の基を形成してもよく、該基は１〜２ｎ′のハロゲン原子またはＣ１〜Ｃ４−アルキル基により置換されていてもよく、または式Ｃ（＝Ｏ）−Ｙ＊−Ｃ（＝Ｏ）を形成し、その際、ｎ′は２〜６、有利には３または４であり、かつＹ＊は前記の通りであり、かつその際、基Ｒ１＊、Ｒ２＊、Ｒ３＊およびＲ４＊の少なくとも２つは水素またはハロゲンである］に相応する、本発明による重合のためのコモノマーは特に好適である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年1月11日(2012.1.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
少なくとも１つの第１材料領域（１）及び１つの第２材料領域から成る半導体構造にあって、この場合、第２材料領域（３）が、第１材料領域（１）をエピタキシャルに包囲して界面（２）を形成し、この場合、フェルミ準位ピニング（９）が、両材料領域（１，３）の界面（２）に対向する第２材料領域（３）の非エピタキシャル界面（４）に存在し、第１材料領域（１）が、自由荷電キャリアに対する量子井戸を形成するように、第１及び第２材料領域（１，３）の材料及び／又はこれらの材料領域の寸法及び／又はこれらの材料領域のドープが提供されている半導体構造において、
第２材料領域（３）は、釣鐘形でエピタキシャルに互いに配置された多数の面を有することを特徴とする半導体構造。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
第２材料領域は、釣鐘形でエピタキシャルに互いに配置された多数の面を有する。第２材料領域は、例えばＧａＡｓから成る第１材料領域に隣接した界面から出発してＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ，ＡｌＡｓ及びＡｌ０．５１Ｇａ０．４９Ａｓから成る連続した２０ナノメートルの厚さの複数の領域から構成され得る。薄くてドープされなかった又は低くドープされたスペーサが、第２材料領域を外部に対して遮断する。このスペーサは、第１材料領域内部の荷電キャリアの拡散を低減する。ＧａＡｓから成るこの第１材料領域は、この連続した領域によって包囲される。これに対してこの第１材料領域は、長手方向に、すなわち第２材料領域に対して垂直にヘテロ構造を有する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年6月11日(2012.6.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７６】
本明細書で使用されるように、ハイブリダイゼーションのための「ストリンジェントな」条件とは、現在の出願者によって使用される条件と同じかまたはほぼ同じである、ハイブリダイゼーションの特異性の程度を達成する条件をいう。具体的には、32P-標識された遺伝子特異的プローブとの、サザンブロット上に固定化されたDNAのハイブリダイゼーションは、標準的な方法によって実行することができる（例えば、Maniatis et al. 1982を参照されたい）。一般的に、ハイブリダイゼーションおよび引き続く洗浄は、標的配列の検出を可能にする条件下で実行することができる。二本鎖DNA遺伝子プローブについては、ハイブリダイゼーションは、6×SSPE、5×Denhardt's溶液、0.1% SDS、0.1mg/ml変性DNA中で、DNAハイブリッドの融解温度（Tm）よりも20〜25℃下で、一晩実行することができる。融解温度は以下の数式によって記載される（Beltz et al. 1983）。
Tm = 81.5 C + 16.6 Log [Na+] + 0.41(%G+C) - 0.61(ホルムアミド%) -  600/塩基対で表した二重鎖の長さ
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年11月24日(2011.11.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電気的な絶縁材料から形成した基板材料上に設けられた半導体ボディを具え、その半導体ボディから発生した第１の波長範囲の電磁放射を互いに相違する波長範囲の可視光に変換する発光層を前記半導体ボディに設けた光電素子において、導電層を前記基板と前記発光層との間に配置し、電気泳動によって前記発光層を堆積させる電極として配列し、その導電率Ｘを、前記光電素子の動作中、前記導電層を流れる電流が最大でも前記半導体素子を流れる電流の５％となるように選択したことを特徴とする光電素子。
【請求項２】  前記光電素子の動作中、前記導電層を流れる電流を、最大でも前記半導体素子を流れる電流の１‰としたことを特徴とする請求項１記載の光電素子。
【請求項３】  前記導電層が、前記半導体素子から発生した電磁放射に対して透明であることを特徴とする請求項１又は２記載の光電素子。
【請求項４】  前記導電層が、透明な酸化金属含むことを特徴とする請求項１，２又は３記載の光電素子。
【請求項５】  前記導電層が、酸化インジウムスズ、酸化アンチモンスズ及び酸化スズからなる群から選択した一つ以上の酸化物を含むことを特徴とする請求項１，２，３又は４記載の光電素子。
【請求項６】  前記半導体ボディがＬＥＤの一部を形成することを特徴とする請求項１から５のうちのいずれか１項に記載の光電素子。
【請求項７】  電気的な絶縁材料の基板上に設けた半導体ボディを具える光電素子に発光層を被覆する方法であって、その基板に導電層を被覆した後、少なくとも前記導電層を発光材料のサスペンションに接触させ、その発光材料を、電気泳動によって前記導電層の表面上に配置し、前記導電層が第１電極としての役割を果たし、前記サスペンション中に第２電極が存在し、これら電極間で所定の電位差を維持し、前記導電層の導電率Ｘを、前記サスペンションの導電率より高くするとともに、前記半導体素子の導電率より低くすることを特徴とする方法。
【請求項８】  前記光電素子がＬＥＤを具えることを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】  前記光電素子を、複数の光電素子が設けられる支持プレート上に接続することを特徴とする請求項７又は８記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
本発明による光電素子を、前記光電素子の動作中、前記導電層を流れる電流を、最大でも前記半導体素子を流れる電流の１‰として実施することができる。
前記導電層が、前記半導体素子から発生した電磁放射に対して透明である場合、本発明による光電素子は比較的高い効率を有する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年7月23日(2012.7.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１３９】
実施例３９−４３の感圧接着テープを、貯蔵弾性率試験方法ＩＩに従って、試験した。結果は、表３にまとめられている。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年3月7日(2012.3.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【書類名】      明細書
【発明の名称】  フォスナービット形式のドリルビット
【特許請求の範囲】
【請求項１】  フォスナービット形式のドリルビットであって、ドリルシャンクと切削頭部とを備え、該切削頭部がマンドレルを有し、該マンドレルから第１と第２の正面切れ刃が、互いに逆の工具アプローチ方向で半径方向外方へ延び、しかも、該第１と第２の正面切れ刃の外周側端部には、外周切れ刃を有し、かつ切削頭部外周を形成する各1つの中空部分円筒状壁部が続き、正面切れ刃とは反対側の外周切れ刃端部が、他方の正面切れ刃へ向かって開く各１つのチップスペースを形成し、該チップスペースが切削頭部を貫通している、フォスナービット形式のドリルビットにおいて、
双方の外周切れ刃（８）の、少なくとも部分区域に、外周切れ刃（８）の延びに沿って角のない凹部と凸部が連続して交互にある波形凹凸部（１３，１４）を有することを特徴とする、ドリルビット。
【請求項２】  前記波形凹凸部（１３，１４）が、波状研削部により形成されていることを特徴とする、請求項１に記載されたドリルビット。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、ドリルビット、特にフォスナービット形式のドリルビットであって、ドリルシャンクと切削頭部とを備え、該切削頭部がマンドレルを有し、該マンドレルから第１と第２の正面切れ刃が互いに逆の工具アプローチ方向で半径方向外方へ延在し、しかも、該第１と第２の正面切れ刃の外周側端部には、外周切れ刃を有し、かつ切削頭部外周を形成する各1つの中空部分円筒状壁部が続き、正面切れ刃とは反対側の外周切れ刃端面が、他方の正面切れ刃へ向かって開く各１つのチップスペースを形成し、該チップスペースが切削頭部を貫通している形式のドリルビットに関する。
【０００２】
この種のドリルビットは、ハンドドリル、ボックスコラム・ボール盤、ピンドリル、インライン多軸ボール盤に使用される量産品で、大量生産され、販売される。該ドリルビットを用いて、プラスチック被覆チップ繊維板や接着木材板から、アクリルガラス板その他の基礎材料に至るまで、極めて種々の材料に比較的大きな直径の穴あけが可能である。従来式の公知ドリルビットの欠点は、ボール盤が比較的高い穴あけ力またはトルクを必要とする点である。これは、直線状の刃を有する正面切れ刃と外周切れ刃とが、高い材料抵抗を克服せねばならないからである。
【０００３】
この公知ドリルビットの外周切れ刃は、穴あけ工程時の高い負荷により過熱する傾向があり、この過熱は青色発生により看取できる。これにより、ドリルビットは往々にして永続的な損傷を受ける。この過熱効果を防止するため、歯状に構成した外周切れ刃が用いられている。しかし、この構成では、ドリルビットの案内が不正確になり、穴が損傷される。
【０００４】
本発明の課題は、冒頭に挙げた種類のドリルビットについて、穴あけに消費されるエネルギー効率を高くすること、すなわち、より小さい穴あけ力で穴あけが可能になるようにすることにあり、しかもそのさい、材料によるドリルビットの負荷がより小さく押さえられるようにすることにある。
【０００５】
この課題は、本発明により、双方の外周切れ刃が、その延びの少なくとも一部に沿って波形凹凸部を有するようにすることで解決された。
【０００６】
波形に構成された外周切れ刃が粗削り刃として機能することで、公知外周切れ刃の場合に被削材内に絶え間なく発生する摩擦が、多少の差はあれ点状の摩擦に低減され、それによって、永久摩擦が防止される。こうすることで、穴あけに要するボール盤のトルクが低減されるため、ドリルビットは、例えば木材内へはるかに容易に突入できる。
【０００７】
本発明の構成によれば、更に波状凹凸部が波状研削部により形成される。
【０００８】
外周切れ刃上に波形研削部を設けることにより、穴あけ時のドリルビットの案内が極めて正確に行われ、穴の損傷が防止される。
【０００９】
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【００１３】
以下で、添付図面に示した実施例につき、本発明を説明する。
図１および図２には、実質的に、ドリルチャック内へチャックされるドリルシャンク２と切削頭部４とから構成されるフォスナービットが示されている。切削頭部４は、突出するマンドレル１を有し、該マンドレルからは、第１と第２の正面切れ刃１００，１００’が、互いに逆の工具アプローチ方向で半径方向外方へ延在している。図１の実施例の場合、マンドレルがピラミッド状に尖っているため、穴のマーク上へドリルビットを精密に位置決めできる。そのさい、マンドレルは、ボール盤起動時のドリルのビットスリップが防止される程度まで被削材内へ突入せしめられる。
【００１４】
第１と第２の正面切れ刃１００，１００’の外周側端部には、それぞれ、外周切れ刃８を有する部分円筒形壁部１０が続き、該壁部が切削頭部４の外周を形成している。外周切れ刃８は、正面切れ刃１００，１００’とは反対側の端部のところに、切削頭部を貫通し、かつ他方の正面切れ刃へ向かって開く各１つのチップスペース７を形成している。正面切れ刃１００，１００’からは、続く各壁部１０へ向かって傾斜面１２が延びている。
【００１５】
外周切れ刃８の過熱を防止するため、双方の外周切れ刃８は、その延びに沿って波状の凹凸部１３，１４を有している。これらの凹凸部は、外周切れ刃８の一部分に沿ってだけ設けてもよい。
【００１６】
波状凹凸部１３，１４は、波状研削部により形成されるのが好ましい。
【００１７】
本発明は、フォスナービット、その他類似の木工用ドリルビットに適用できる。
【００１８】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明によるドリルビットの一実施例の正面図。
【図２】
図１のドリルビットの側面図。
【図３】
図２のドリルビットを９０°旋回させて示した図。
【図４】
図３に示した円内の部分の詳細図。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年5月10日(2012.5.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６７】
本発明の有利な実施態様において、底面電極１５０１並びに上面電極１５０２はふるい状又はネット状の、ｎ型ドープされた層によりｐ型ドープされたエピタキシャル層４０１中にもしくはｐ型ドープされた基板１０１中に形成される。ふるい状もしくはネット状の層のｎ型ドープされた領域は、有利に著しく狭く、平坦であり、かつ相互に適当な間隔を有しているため、この領域はエッチング媒体により多孔性の上面電極１５０２の形成のために下方エッチングすることができる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６８】
ｎ型ドープ層はエッチング媒体により十分に攻撃されず、エッチング媒体は、後になって中空室２０１を作成するために上面電極１５０２のふるい状又はネット状の層を貫通する。この中空室２０１は特に図１〜３との関連ですでに記載された方法によって作成することができる。底面電極１５０１のために、ふるい状又はネット状の、有利に同様にｎ型ドープされた層を設けることも有利である。それにより、電気化学的エッチング工程の際に有利に十分に均質な電界が生じる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】  半導体構成素子の製造方法において、半導体構成素子のｐ型ドープ層内にｎ型ドープ層を形成することを含み、
該ｎ型ドープ層が、開口部を有するふるい状の層またはネット状の層の少なくとも１つを含み、
該ｎ型ドープ層の開口部を介してｐ型ドープ層を多孔性にエッチングし、
多孔性にエッチングされたｐ型ドープ層が、半導体構成素子の上面電極を形成するように構成され、且つ、
ｎ型ドープ層の下側に中空室を形成する、
半導体構成素子の製造方法。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項３】  さらに、素子内で上面電極の下側に底面電極を形成することを含み、該底面電極はふるい状の層または第２のネット状の層の少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１８】  中空室を、
多孔性にエッチングされたｐ型ドープ層の下に唯一の平面状の孔を形成する工程と、
該唯一の平面状の中空室を深部方向へ拡大して、中空室を形成する工程
とを含む、電気化学的なエッチング工程によって直接的に製造する、請求項１に記載の方法。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２１】  半導体構成素子の製造方法において、半導体構成素子のｐ型ドープ層内にｎ型ドープ層を形成することを含み、
該ｎ型ドープ層が、開口部を有するふるい状の層またはネット状の層の少なくとも１つを含み、
該ｎ型ドープ層の開口部を介してｐ型ドープ層を多孔性にエッチングし、
多孔性にエッチングされたｐ型ドープ層が、半導体構成素子の上面電極を形成するように構成され、且つ、
多孔性にエッチングされたｐ型ドープ層の下に第２の多孔性の層を製造することによって、ｎ型ドープ層の下側に中空室を形成し、第２の多孔性の層は、７０％より大きな気孔率を有し、
該中空室を、熱処理によって第２の多孔性の層から製造する
工程を含む、半導体構成素子の製造方法。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２２】  半導体構成素子の製造方法において、半導体構成素子のｐ型ドープ層内にｎ型ドープ層を形成することを含み、
該ｎ型ドープ層が、開口部を有するふるい状の層またはネット状の層の少なくとも１つを含み、
該ｎ型ドープ層の開口部を介してｐ型ドープ層を多孔性にエッチングし、
多孔性にエッチングされたｐ型ドープ層が、半導体構成素子の上面電極を形成するように構成され、且つ、
ｎ型ドープ層の下側に中空室を形成し、
該中空室形成工程が、多孔性にエッチングされたｐ型ドープ層の下に唯一の平面状の中空室を形成し、該唯一の平面状の中空室を深部方向へ拡大して、中空室を形成するサブステップを含む、
半導体構成素子の製造方法。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２３】  半導体構成素子の製造方法において、半導体構成素子のｐ型ドープ層内にｎ型ドープ層を形成することを含み、
該ｎ型ドープ層が、開口部を有するふるい状の層またはネット状の層の少なくとも１つを含み、
該ｎ型ドープ層の開口部を介してｐ型ドープ層を多孔性にエッチングし、
多孔性にエッチングされたｐ型ドープ層が、半導体構成素子の上面電極を形成するように構成され、且つ、
ｎ型ドープ層の下側に中空室を形成し、
該中空室を、
多孔性にエッチングされたｐ型ドープ層の下に唯一の平面状の中空室を形成する工程と、該唯一の平面状の中空室を深部方向へ拡大して、中空室を形成する工程
とを含む、電気化学的なエッチング工程によって直接的に製造する、半導体構成素子の製造方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年9月4日(2012.9.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
例えば、一実施形態では、有限体演算素子は、ｎを１６〜３２の素数とする有限体ＧＦ（２ｎ）上で有限体演算を実行するよう構成される。その範囲には、１７、１９、２３、２９及び３１の５つの素数が存在する。すなわち、有限体は各々、２17、２19、２23、２29、２31という要素を有することになる。これらの有限体上で演算を実行するための有限体演算部は、およそ７ｎ２のＮＡＮＤ論理ゲートで実現される。７ｎ２に近い数のＮＡＮＤ論理ゲートで実現される別の有限体演算部が用いられることもあるが、許容されるレンジの有意な変形は、類似の値あるいは場合によってはさらに大きい値から、ｎが１７、１９、２３、２９、３１のいずれかの場合の変分までである。さらに別の実施例では、有限体演算素子は別のタイプの論理ゲートでも、ＮＡＮＤゲート及び別のタイプの論理ゲートとの混合でも、論理ゲートではなく別の手段であってもよい。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
乱数発生装置であって、
１又は複数のオシレータを有するイニシャルランダムソースと、
イニシャルランダムソースと通信可能に接続された後処理ブロックであって、
２つのデータ信号入力と、出力と、イニシャルランダムソースからの信号を受け取るコントロール信号入力とを有するマルチプレクサと、
マルチプレクサの出力に接続された第１入力と、第２入力と、出力とを有する有限体乗算部と、
入力と、有限体乗算要素の第２入力に接続された出力とを有する有限体二乗部と、
有限体乗算部の出力に接続された入力と、有限体二乗部の入力及び後処理ブロックの出力端に接続された出力とを有するアキュムレータと
を備えた後処理ブロックと
を備えていることを特徴とする乱数発生装置。
【請求項２】
請求項１記載の乱数発生装置において、後処理ブロックで入力信号に適用される１又は複数の有限体演算は、ｎを整数として、素数のｎ乗であるガロア体上の有限体演算であることを特徴とする乱数発生装置。
【請求項３】
請求項２記載の乱数発生装置において、後処理ブロックはさらに、ｎを１７、１９、２３、２９及び３１からなるグループから選択するように構成されることを特徴とする乱数発生装置。
【請求項４】
請求項２記載の乱数発生装置において、素数は２であることを特徴とする乱数発生装置。
【請求項５】
請求項１記載の乱数発生装置において、後処理ブロックはさらに、ランダム化された出力からのビットのサブセットとして、出力信号を提供するよう構成されることを特徴とする乱数発生装置。
【請求項６】
請求項１記載の乱数発生装置において、イニシャルランダムソースのオシレータは複数の直列接続された素子を備え、これら素子は、インバータ、バッファ、ＯＲ論理ゲート及びＡＮＤ論理ゲートからなるグループから選択された少なくとも１タイプの素子であることを特徴とする乱数発生装置。
【請求項７】
請求項１記載の乱数発生装置において、イニシャルランダムソース及び後処理ブロックが第１乱数発生器に備えられており、乱数発生装置はさらに、第１乱数発生器と並行して動作する１又は複数の追加の乱数発生器を具え、出力信号が第１乱数発生器及び１又は複数の追加の乱数発生器の各々からのランダムビットであることを特徴とする乱数発生装置。
【請求項８】
請求項１記載の乱数発生装置において、該装置はさらに、後処理ブロックと通信可能に接続される１又は複数の追加的な素子を具え、該素子は、後処理ブロックからの出力信号を受信し、出力信号に対して１又は複数の追加的な変換を実行するよう構成されることを特徴とする乱数発生装置。
【請求項９】
乱数発生方法であって、
１又は複数のリングオシレータからイニシャルランダム信号を生成するステップと、
イニシャルランダム信号をコントロール信号として用いて、複数の任意の入力信号から１つを選択するステップと、
乗算器によって、選択された入力信号である第１信号と、該第１信号とは別の第２信号とで有限体乗算を実行して、乗算結果を生成する乗算ステップと、
加算器によって、生成された乗算結果を累算する累算ステップと、
乗算器によって、累算された乗算結果を有限体二乗して二乗結果を得るステップと、
得られた二乗結果を、乗算ステップにおいて用いられる第２信号として提供するステップと、
累算ステップにおいて得られた累算された乗算結果に少なくとも部分的に基づいている出力信号を提供するステップと
からなることを特徴とする乱数発生方法。
【請求項１０】
集積回路デバイスであって、
リングオシレータと、
２つのデータ信号入力、コントロール信号入力、及び出力を具えるマルチプレクサであって、コントロール信号入力がリングオシレータの出力と通信可能に接続されるマルチプレクサと、
第１及び第２入力並びに出力を備えている有限体乗算部であって、有限体乗算部の第１入力端がマルチプレクサの出力端と通信可能に接続される有限体乗算部と、
入力及び出力を備えている有限体二乗部であって、有限体二乗部の出力が有限体乗算部の第２入力と通信可能に接続される有限体二乗部と、
入力及び出力を備えているアキュムレータであって、アキュムレータの入力が有限体乗算部の出力と通信可能に接続されており、アキュムレータの出力が、有限体二乗部の入力及び出力チャネルの両方に通信可能に接続されるアキュムレータと
を備えていることを特徴とする集積回路デバイス。
【請求項１１】
請求項１０記載の集積回路デバイスにおいて、有限体乗算部は２のｎ乗の有限体上で乗算をするよう構成され、有限体乗算部は７ｎ２のＮＡＮＤ論理ゲートを備えていることを特徴とする集積回路デバイス。
【請求項１２】
請求項１０記載の集積回路デバイスにおいて、有限体二乗部は入力バイナリベクトルのサイクリックシフトを実行するよう構成されることを特徴とする集積回路デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月16日(2011.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体層と、第２導電型半導体層と、前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層との間にある活性層とを含む発光構造物と、
前記第１導電型半導体層の上の第１電極と、を含み、
前記発光構造物は、該発光構造物の外側領域に形成された周縁溝を含み、該発光構造物の外側領域の厚みが該発光構造物の内側領域の厚みよりも小さい、
半導体発光素子。
【請求項２】
前記周縁溝の幅は１０μｍ〜５００μｍである請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記発光構造物の下にある反射電極層と、
前記反射電極層の下にある伝導性支持基板と、を更に含む請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記反射電極層は、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及びそれらの組み合わせの一つを有する、単層または多層で形成されている請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記反射電極層の外側に配置された周縁部保護層を更に含む請求項３または４に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記周縁部保護層は、GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInNの中の少なくとも一つを含み、ｎ型ドーパント若しくはｐ型ドーパントでドープされている、またはドーパントがドープされていない請求項５に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記周縁部保護層は、前記第２導電型半導体層と同一材料から形成されている請求項５または６に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記周縁部保護層は、前記発光構造物を、前記伝導性支持基板または前記反射電極層から離隔させている請求項５乃至７のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項９】
前記発光構造物の周縁部にある別途の絶縁膜を更に含む請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
前記周縁部保護層は、前記周縁溝の幅より大きな幅を有する請求項５乃至８のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
前記周縁部保護層の幅は、２０μｍ〜６００μｍである請求項５〜８，１０のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項１２】
前記活性層は、InGaNからなる量子井戸層とGaNからなる量子障壁層とを交互に含んでいることを請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項１３】
前記第２導電型半導体層の下にある透明電極層を更に含む請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項１４】
前記周縁溝は、前記第１導電型半導体層から、前記第２導電型半導体層または前記周縁部保護層の一部が露出する深さまで、形成されている請求項１または５に記載の半導体発光素子。
【請求項１５】
前記周縁溝は、前記第１導電型半導体層から、前記周縁部保護層の一部が露出する深さまで、形成されている請求項５〜８，１０のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月16日(2012.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記第２の導光シート上に形成された前記文字パターンは、無彩色で実施されることを特徴とする、請求項１に記載の導光シートを使用した変換型キーパッドパッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記第１の導光シート上に形成される前記数字パターンは、無彩色で実施されることを特徴とする、請求項２に記載の導光シートを使用した変換型キーパッドパッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月6日(2012.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を含む空間充填材と、
筒状部と、
該空間充填材と連結され、該空間充填材の外側から該空間充填材の内部部分内に延びる注入部材であって、該注入部材は、該開口部と流体連絡する注入管腔を含み、該開口部は、該空間充填材の該内部部分内にある該注入部材の一部上に配置され、該開口部は、該注入管腔と、該空間充填材の該内部部分との間に流体連絡を提供し、該筒状部は、該空間充填材の該内部部分と向かい合う該筒状部の側面において、該開口部を覆う、注入部材と、
該空間充填材の該内部部分内の気腹流体であって、該気腹流体は、該注入管腔から該開口部を通って送達される、気腹流体と、
該注入管腔から該開口部を通って送達され、該筒状部と該開口部との間で受容されるオイルであって、該オイルは該気腹流体以外の材料である、オイルと
を含む、胃空間充填装置。
【請求項２】
前記筒状部は、前記注入部材の周りに巻き付けられる、請求項１に記載の胃空間充填装置。
【請求項３】
前記筒状部は、前記空間充填材の膨張の間、気腹流体を該空間充填材に流入させる、請求項１に記載の胃空間充填装置。
【請求項４】
前記筒状部は、前記オイルが該筒状部と前記開口部との間に受容された後、前記気腹流体を前記空間充填材から流出させない、請求項３に記載の胃空間充填装置。
【請求項５】
前記注入管腔は、突起が該注入管腔内に挿入されるまで、流体の通過を減少させるゲートを備える、請求項１に記載の胃空間充填装置。
【請求項６】
鞘をさらに備え、前記鞘は、少なくとも部分的に前記空間充填材を覆う、請求項１に記載の胃空間充填装置。
【請求項７】
前記鞘は、ステッチによって、前記空間充填材の周囲に固着される、請求項６に記載の胃空間充填装置。
【請求項８】
前記ステッチは、該ステッチを引張ることによって解放される、請求項７に記載の胃空間充填装置。
【請求項９】
鞘解放クリップをさらに備え、該鞘解放クリップは、該鞘解放クリップが前記胃空間充填装置上に係合されている間、前記ステッチが解放されるのを防止し、さらに、該鞘解放クリップは、該鞘解放クリップが該胃空間充填装置から除去されると、該ステッチを解放させる、請求項８に記載の胃空間充填装置。
【請求項１０】
気腹流体を前記空間充填材に送達するように構成される送達管腔と、
該送達管腔に接続されるルアーと、
該送達管腔に除去可能に取り付けられるハンドルと
を備える、送達システムをさらに備え、該ハンドルは、内部区画を含み、該ルアーは、ハンドルが該送達管腔に除去可能に取り付けられている間、該ハンドルの該内部区画の少なくとも一部内に配置され、該ルアーは、該ハンドルが除去されるときに、露出され、さらに、前記ステッチは、該ハンドルが除去されるときに、該ステッチが引張られるように、該ハンドルに取り付けられる、請求項８に記載の胃空間充填装置。
【請求項１１】
前記鞘は、前記空間充填材が膨張するとき、自動的に該空間充填材の覆いを取り、該鞘は、覆いを取った後に該空間充填材と接触したままである、請求項６に記載の胃空間充填装置。
【請求項１２】
胃空間充填装置を患者内に据え付けるシステムであって、該システムは、
胃空間充填装置に取り付けられる送達システムを備え、該送達システムおよび該胃空間充填装置は、患者の胃内へ食道を通して送達されるように構成され、該胃空間充填装置は、
開口部を含む空間充填材であって、該開口部は、該空間充填材の外側から該空間充填材の内部に延びる注入部材上に配置される空間充填材と、
筒状部であって、該空間充填材の内部部分と向かい合う該筒状部の側面において、該開口部を覆う、筒状部と、
該筒状部と該開口部との間のオイルと、
該空間充填材の少なくとも一部を覆うように構成される鞘と
を備えている、システム。
【請求項１３】
前記空間充填材は膨張するように構成され、前記鞘は、該空間充填材が膨張したときに、自動的に該空間充填材の覆いを取り、前記胃空間充填装置と接触したままである、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
独立して充填される複数のチャンバを備えている胃空間充填装置であって、
１つのチャンバの予想外の収縮の際に、少なくとも１つの他のチャンバは、幽門を通る該胃空間充填装置の通過を防止するために膨張したままである、胃空間充填装置。
【請求項１５】
前記胃空間充填装置は、２つの独立チャンバを備える、請求項１４に記載の胃空間充填装置。
【請求項１６】
前記チャンバは、胃の概略的な形状に一致するように配置される、請求項１４に記載の胃空間充填装置。
【請求項１７】
前記オイルは、石油ベースのオイルを含む、請求項１に記載の胃空間充填装置。
【請求項１８】
前記オイルは、鉱油を含む、請求項１に記載の胃空間充填装置。
【請求項１９】
前記筒状部の少なくとも一部は、前記空間充填材の内部部分の膨張の前に、前記開口部から離れるように動くように構成される、請求項１２に記載のシステム。
【請求項２０】
前記筒状部は、前記注入部材の周りに巻き付けられる、請求項１２に記載のシステム。
【請求項２１】
前記筒状部は、前記空間充填材の外側の圧力が、該空間充填材内部よりも大きいとき、前記開口部を通る膨張流体の通過を可能にするように構成され、前記スリーブは、該空間充填材の内部の圧力が、該空間充填材の外側の圧力よりも大きいとき、該開口部を通って該膨張流体が流出することを防ぐようにさらに構成される、請求項１２に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月15日(2011.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半径方向内方に開いたトーラスの形態をしていて、外壁及び内壁を備えたチューブレスタイヤにおいて、前記内壁の少なくとも一部は、熱可塑性スチレン（ＴＰＳ）エラストマーから成るセルフシール層で被覆され、前記セルフシール層のショア０スケール硬度が３５未満であるタイヤ。
【請求項２】
前記セルフシール層のショア０スケール硬度は、２０未満であり、好ましくは１０未満である、請求項１記載のタイヤ。
【請求項３】
前記セルフシール層は、０．０１ＭＰａ未満の動的弾性率Ｇ*を有し、Ｇ*は、１０Ｈｚの周波数及び６０℃の温度で測定される、請求項１記載のタイヤ。
【請求項４】
前記セルフシール層は、前記タイヤの内部キャビティに向いた側がフィルムで被覆されている、請求項１乃至３の何れか１項に記載のタイヤ。
【請求項５】
前記フィルムは、ポリエチレン（ＰＥ）フィルム、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）フィルム、及びポリビニリデンクロリド（ＰＶＤＣ）フィルムから成る群から選択された延伸性熱可塑性フィルムである、請求項４記載のタイヤ。
【請求項６】
前記ＴＰＳは、前記セルフシール層の主成分エラストマーである、請求項１記載のタイヤ。
【請求項７】
前記ＴＰＳエラストマーは、スチレン／ブタジエン／スチレン（ＳＢＳ）、スチレン／イソプレン／スチレン（ＳＩＳ）、スチレン／イソプレン／ブタジエン／スチレン（ＳＩＢＳ）、スチレン／エチレン‐ブチレン／スチレン（ＳＥＢＳ）、スチレン／エチレン‐プロピレン／スチレン（ＳＥＰＳ）、スチレン／エチレン‐エチレン‐プロピレン／スチレン（ＳＥＥＰＳ）ブロックコポリマー及びこれらコポリマーの配合物から成る群から選択される、請求項１記載のタイヤ。
【請求項８】
前記ＴＰＳエラストマーは、ＳＥＢＳコポリマー、ＳＥＰＳコポリマー、及びこれらコポリマーの配合物から成る群から選択される、請求項７記載のタイヤ。
【請求項９】
前記セルフシール層は、２００ｐｈｒ（ゴム又エラストマーの１００部当たりの重量部）よりも多い量のエキステンダー油を含む、請求項１乃至８の何れか１項に記載のタイヤ。
【請求項１０】
インフレーションガスに対して実質的に気密性であるゴム配合物から成り、実質的に、前記タイヤの前記内壁全体を被覆した気密層を更に有し、前記セルフシール層は、少なくとも一部が、前記タイヤの内部キャビティに向いた前記気密層の側を被覆している、請求項１記載のタイヤ。
【請求項１１】
前記セルフシール層は、前記タイヤのクラウンのところに配置されている、請求項１記載のタイヤ。
【請求項１２】
前記タイヤは、サイクル用に適している、請求項１記載のタイヤ。
【請求項１３】
前記セルフシール層の厚さは、０．６〜１．５ｍｍ、好ましくは０．８〜１．２ｍｍである、請求項１２記載のタイヤ。
【請求項１４】
セルフシールラミネートを請求項１２又は１３記載のサイクル用タイヤの内壁に被着させる方法であって、
‐前記タイヤを裏返しにして前記内壁を前記トーラスの外部に位置させると共に前記外壁を前記トーラスの内部に位置するようにするステップと、
‐前記タイヤの前記トーラス外壁を伸長させるステップと、
‐前記セルフシール手段を前記タイヤの前記内壁に被着させるステップと、
‐前記タイヤを裏返しにして前記内壁及び前記外壁をこれらの初期位置に戻すステップとを有する、方法。
【請求項１５】
前記伸長は、内圧により行われ、前記タイヤが所与の公称インフレーション圧力を有する場合、前記内圧は、前記公称圧力の０．５〜３倍である、請求項１４記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月23日(2011.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第２の流体によって取り囲まれる第１の流体の複合流れを供給するための１セットの流路と、入口オリフィスおよび出口オリフィスを有する膨張空洞とを備える、連続インクジェット印刷機の部品として使用するための小滴生成デバイスであって、前記空洞の横断面面積が、前記複合流れが前記空洞内で前記第２の流体内の前記第１の流体の小滴を形成するために細分化するようにいずれのオリフィスの横断面積より大きく、前記出口オリフィスがインクジェットデバイスのノズルも形成し、前記第１の流体の前記小滴が前記出口オリフィスを通過すると前記複合ジェットが複合小滴になることを特徴とする、小滴生成デバイス。
【請求項２】
１セットの流路内に第１の流体および第２の流体を供給するステップを含む、ガスに高周波数および高速度で小滴を形成させる方法であって、前記流体の界面が界面の張力または界面弾性によって特徴付けられ、前記第２の流体が複合ジェットを形成するように前記第１の流体を取り囲み、前記ジェットが入口オリフィスおよび出口オリフィスを有する膨張空洞を通過し、前記空洞の横断面面積がいずれのオリフィスの横断面面積より大きく、前記第１の流体が前記空洞内で前記第２の流体内の小滴になり、前記第１のおよび第２の流体の複合組成物が前記出口オリフィスからの流出に際してジェットを形成し、前記第１の流体の前記小滴が前記出口オリフィスを通過すると前記複合ジェットが小滴になることを特徴とする、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の１つ以上の小滴生成デバイスを備えることを特徴とする連続インクジェット印刷装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年10月23日(2012.10.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
このために、両制御開口の少なくとも一方が円形状と異なった横断面を有する。両制御開口は、制御開口の横断面がノズル軸２４の回転運動（矢印Ｂ）に関して前方及び／又は後方の縁領域に、ある形状を有する、つまり、他の制御開口の横断面の形状に対して、以下のように補償的或いは実質的に補償的である形状を有するよう、すなわち、適切な噴射ノズル２８が各噴射位相の開始の際、既に制御開口の最初の重なりの際に、拡大された流れ横断面でもって開放されるか、或いは各噴射位相の終了の際に、拡大された流れ横断面でもって、制御開口がもはや重ならなくなるまで、開放されたままであるよう、補償的或いは実質的に補償的である形状を有するよう、互いに調和されている。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項３】
洗浄機械、特に瓶或いは容器洗浄機械の噴射ステーションに使用する噴射管であって、液状噴射媒体或いは洗浄媒体を供給する分配管（１１）を備えており、
分配管（１１）に設けられた複数の噴射ノズル（２８）を備えており、
この噴射ノズルは、それぞれ、分配管（１１）に保持されたノズル要素（１７）と、全ノズル（２８）或いは一グループの複数のノズル（２８）に共通のノズル軸（２４）とから成っており、
このノズル要素は、分配管（１１）の内部と接続しており、かつ第一制御開口（３２）を形成する少なくとも一つの第一ノズル通路（１８）を有し、
このノズル軸は各噴射ノズル（２８）に対してノズル開口及び第二制御開口（３３）を形成する少なくとも一つの第二ノズル通路（２５）を以下のように有する、つまり、ノズル軸（２４）のその軸線を中心とする回転或いは旋回の際に各ノズル（２８）が、ノズル軸（２４）の回転運動の少なくとも一つの角度範囲、すなわち、少なくとも一つの第一と少なくとも一つの第二の制御開口（３２、３３）が互いに交差する角度範囲にわたり、噴射媒体或いは洗浄媒体の噴流（２９）の放出のために開き、この少なくとも一つの角度範囲或いは噴射角度の外部においては、しかし、噴射媒体或いは洗浄媒体の放出のために閉じるよう有する、洗浄機械、特に瓶或いは容器洗浄機械の噴射ステーションに使用する噴射管において、
少なくとも一つの第一制御開口（３２）或いは少なくとも一つの第二制御開口（３３）の横断面形状が以下のように選択されている、つまり、第一制御開口（３２）或いは第二制御開口（３３）が、制御開口（３２、３３）を開放又は閉鎖するために相対的に互いに移動される軸線方向に関する前方及び／又は後方横断面側において第二或いは第一制御（３３、３２）の形状に対して補償的或いは実質的に補償的形状を有するように、選択されていることを特徴とする噴射管。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月8日(2012.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バタフライバルブにおいて使用するためのシールであって、
前記バタフライバルブの内部に取り付けられ、前記バタフライバルブの流量制御穴を囲むように構成されている実質的に可撓なリング状のキャリアと、
前記リング状のキャリアの内径と接続されるリング状のカートリッジとを備えており、  
前記リング状のカートリッジが、第１の部位と、シールリングを保持するための周状の開口を定めるように、締まりばめ、第１の溶接および化学的な固定方法のうちの少なくとも１つを用いて前記第１の部位と接続される第２の部位とを有しているシール。
【請求項２】
前記リング状のキャリアーが第１の材料からなり、前記リング状のカートリッジが第２の材料からなり、前記第１の材料が前記第２の材料とは異なっている請求項１に記載のシール。
【請求項３】
前記第１の部位が、第１の内向き表面を有しており、前記第２の部位が、前記第１の内向き表面と係合する第２の内向き表面を有している請求項２に記載のシール。
【請求項４】
前記周状の開口に保持されるシールリングをさらに備えている請求項３に記載のシール。
【請求項５】
前記シールリングが第３の材料からなっており、該第３の材料が前記第１の材料および前記第２の材料とは異なっている請求項４に記載のシール。
【請求項６】
前記シールリングと前記リング状のカートリッジの前記第１の部位との間に配設される第４の材料からなる層をさらに備えており、前記第４の材料が前記シールリングを前記リング状のカートリッジへ固定する請求項５に記載のシール。
【請求項７】
前記リング状のカートリッジが第２の溶接により前記リング状のキャリアと接続されている請求項６に記載のシール。
【請求項８】
前記第１の材料が第１の金属であり、前記第２の材料が第２の金属である請求項２に記載のシール。
【請求項９】
前記第１の内向き表面および前記第２の内向き表面の少なくとも一部分が、前記第１の溶接によって融合させられ、前記開口を定めているアキシャル壁に実質的に隣接している請求項８に記載のシール。
【請求項１０】
前記第１の部位が、少なくとも第１のラジアル表面を有しており、前記第２の部位が、前記第１のラジアル表面と係合するための少なくとも第２のラジアル表面を有している請求項１に記載のシール。
【請求項１１】
前記第１および第２のラジアル表面が、溶接部によって接合される請求項１０に記載のシール。
【請求項１２】
前記溶接部が、ラジアル溶接部である請求項１１に記載のシール。
【請求項１３】
前記第１の部位が、第１のアキシャル表面を有しており、前記第２の部位が、前記第１のアキシャル表面と係合するための第２のアキシャル表面を有している請求項１０に記載のシール。
【請求項１４】
前記アキシャル表面が、前記ラジアル表面よりも小さい係合表面積を有している請求項１３に記載のシール。
【請求項１５】
バタフライバルブにおいて使用するためのシールであって、
第１のリング状の部位と、開口を定めるように、締まりばめ、溶接および化学的な固定方法のうちの少なくとも１つを用いて前記第１のリング状の部位と接続される第２のリング状の部位とを有しているカートリッジと、 
前記開口に保持されたる実質的に剛なリング状のシールと
を備えているシール。
【請求項１６】
前記第１のリング状の部位が、ラジアル溝を含んでおり、前記第２のリング状の部位が、前記ラジアル溝に係合するための軸突起を含んでいる請求項１５に記載のシール。
【請求項１７】
前記軸突起が、前記ラジアル溝の表面へと溶接される請求項１６に記載のシール。
【請求項１８】
前記ラジアル溝の内径の壁が、前記開口の外径に実質的に整列する請求項１６に記載のシール。
【請求項１９】
前記開口は、前記第１のリング状の部位によって定められる第１のラジアル表面およびアキシャル表面と、前記第２のリング状の部位によって定められる第２のラジアル表面とを含んでいる請求項１５に記載のシール。
【請求項２０】
前記第１および第２のラジアル表面が、実質的に非平行である請求項１９に記載のシール。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月16日(2012.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つのドメインを含む生物学的に活性なタンパク質であって、
（ａ）前記少なくとも２つのドメインの第１のドメインが、前記生物活性を有し、かつ／または媒介するアミノ酸配列を含み、
（ｂ）前記少なくとも２つのドメインの第２のドメインが、少なくとも約１００アミノ酸残基からなり、ランダムコイルコンフォメーションを形成するアミノ酸配列を含み、かつ、前記第２のドメインは、アラニン、セリンおよびプロリン残基からなり、
これにより前記ランダムコイルコンフォメーションが、前記生物学的に活性なタンパク質のインビボおよび／またはインビトロ安定性の増大を媒介する、生物学的に活性なタンパク質。
【請求項２】
ランダムコイルコンフォメーションを形成する前記第２のドメインが複数のアミノ酸反復を含み、前記反復がＡｌａ、Ｓｅｒ、およびＰｒｏ残基からなり、６以下の連続するアミノ酸残基が同一である、請求項１に記載の生物学的に活性なタンパク質。
【請求項３】
前記プロリン残基が、ランダムコイルコンフォメーションを形成する前記第２のドメインのアミノ酸の４％超および４０％未満を構成する、請求項１または２に記載の生物学的に活性なタンパク質。
【請求項４】
第２のドメインが、
ASPAAPAPASPAAPAPSAPA（配列番号１８）；AAPASPAPAAPSAPAPAAPS（配列番号２０）；APSSPSPSAPSSPSPASPSS（配列番号２２）、SAPSSPSPSAPSSPSPASPS（配列番号６３）、SSPSAPSPSSPASPSPSSPA（配列番号２４）、AASPAAPSAPPAAASPAAPSAPPA（配列番号２６）およびASAAAPAAASAAASAPSAAA（配列番号２８）
からなる群から選択されるアミノ酸配列、またはこれらの配列の全部もしくは一部としてこれらの配列の円順列変異バージョンまたは（１つまたは複数の）多量体を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の生物学的に活性なタンパク質。
【請求項５】
前記少なくとも２つのドメインの前記第２のドメインが、ランダムコイルコンフォメーションを形成する約１００から３０００アミノ酸残基からなるアミノ酸配列を含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の生物学的に活性なタンパク質。
【請求項６】
生物活性を有する前記ポリペプチドが、結合分子、抗体フラグメント、サイトカイン、成長因子、ホルモンまたは酵素からなる群から選択される、請求項１から５のいずれか一項に記載の生物学的に活性なタンパク質。
【請求項７】
前記結合分子が、抗体、Ｆａｂフラグメント、Ｆ（ａｂ’）２フラグメント、ＣＤＲ由来ペプチドミメティック、一本鎖可変フラグメント（ｓｃＦｖ）、レクチンおよびリポカリンからなる群から選択される、請求項６に記載の生物学的に活性なタンパク質。
【請求項８】
生物活性を有する前記ポリペプチドが、顆粒球コロニー刺激因子、ヒト成長ホルモン、アルファ−インターフェロン、ベータ−インターフェロン、ガンマ−インターフェロン、腫瘍壊死因子、エリスロポエチン、凝固第ＶＩＩＩ因子、ｇｐ１２０／ｇｐ１６０、可溶性腫瘍壊死因子ＩおよびＩＩ受容体、レテプラーゼ、エキセンジン−４、アナキンラ、インターロイキン−２および好中球ゼラチナーゼ関連リポカリンからなる群から選択される、請求項１から７のいずれか一項に記載の生物学的に活性なタンパク質。
【請求項９】
前記生物学的に活性なタンパク質の前記インビボ安定性の増大が、前記ランダムコイルを形成する第２のドメインを欠く前記生物学的に活性なタンパク質と比較して延長された前記ランダムコイルを形成する第２のドメインを含む前記生物学的に活性なタンパク質の血漿半減期である、請求項１から８のいずれか一項に記載の生物学的に活性なタンパク質。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の生物学的に活性なタンパク質を含む組成物。
【請求項１１】
随意に薬学的に許容可能な担体をさらに含んでいてもよい医薬組成物である、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１２】
請求項１から９のいずれか一項に記載の生物学的に活性なタンパク質をコードする核酸分子。
【請求項１３】
請求項１２に記載の核酸を含むベクター。
【請求項１４】
請求項１２に記載の核酸または請求項１３に記載のベクターを含む細胞。
【請求項１５】
請求項１４に記載の細胞を培養する工程、及び該培養物から前記生物学的に活性なタンパク質を単離する工程を含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の生物学的に活性なタンパク質の調製方法。
【請求項１６】
前記生物学的に活性なタンパク質のインビボおよび／またはインビトロ安定性が増大した医薬品として使用するための、請求項１から９のいずれか一項に記載の生物学的に活性なタンパク質、請求項１２に記載の核酸、請求項１３に記載のベクターまたは請求項１４に記載の細胞。
【請求項１７】
ホルモン欠乏関連障害、自己免疫疾患、癌、貧血、血管新生疾患、感染性／炎症性疾患、血栓症、心筋梗塞、糖尿病、および再灌流障害または他の腎臓疾患の治療用の医薬品として使用するための、請求項１から９のいずれか一項に記載の生物学的に活性なタンパク質、請求項１２に記載の核酸、請求項１３に記載のベクターまたは請求項１４に記載の細胞。
【請求項１８】
請求項１から９のいずれか一項に記載の生物学的に活性なタンパク質、請求項１２に記載の核酸、請求項１３に記載のベクターまたは請求項１４に記載の細胞を含むキット。