【事件の表示】
　特願２０００−９４８１５「半導体装置製造用パンチおよびダイ」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１０月１２日出願公開、特開２００１−２８４５１４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続の経緯および、この出願の発明
【１-1】手続の経緯
　本願は、平成１２年３月３０日の出願であって、平成１４年８月１日付けで拒絶理由が通知され、その指定期間内の同年９月２０日に意見書が提出されたが、平成１４年１０月１０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月１３日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　　
【１-2】この出願の発明
　この出願の明細書の、特許請求の範囲の請求項１に係る発明(以下単に、「本願発明」という)は、願書に添付した明細書の特許請求の範囲の【請求項１】に記載された事項により特定されるとおりの、
「半導体装置のパッケージ製造工程において使用されるパンチであって、切刃部の先端部がダイヤモンド焼結体層で形成され、かつ、前記ダイヤモンド焼結体層が平均粒径１〜５μｍのダイヤモンド粒と結合材とから構成されていることを特徴とする半導体装置製造用パンチ。」である。
　　
【２】原審における拒絶理由の概要
　原審の拒絶の理由は、「この出願の発明は、次の引用文献１，２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」というものである。
　　引用文献１；登録実用新案第３０３０７１５号公報(以下、「引用例」という)・・・平成８年１１月５日発行
　　引用文献２；特開平８−１７９８６号公報
　　
【３】引用例の記載事項および、その開示内容
【３-1】引用例の記載事項
　段落【0008】に、
(引a)「アウタ・リード５１とダム・バー５２の空間に充填されたバリ５６は、・・・・・櫛の歯状のパンチを用い、プレスによってダム・バー５２と共に除去される」と記載され、
　段落【0013】に、
(引b)「本考案は、半導体装置パッケージ製造工程で使用される各種パンチにおける上記問題点を解消するもので、比較的製造が簡単で耐摩耗性に優れ、さらに強度に優れたパンチを提供し、半導体装置の生産性を向上させることを目的とする」と記載され、
　段落【0016】に、
(引c)「ダイヤモンド焼結体層を備えた超硬チップは、カプセル内に母材となる超硬板と、直径数μｍ〜数十μｍのダイヤモンドパウダ及びＣｏなどの金属媒体を充填し、ダイヤモンドの生成条件である１４００〜１５００℃、５万気圧の条件で焼結することによって、母材の表面に砥粒層を固着成形することができる」と記載され、
　段落【0017】に、
(引d)「超砥粒の粒径としては、特に限定されないが、ダイヤモンド砥粒の場合、５μｍ以下、８〜１５μｍ、２０〜３０μｍのものを用いることができ、これとバインダとしての金属（Ｃｏ等）を、体積比で９：１程度に混合して使用する」と記載され、
　段落【0022】に、
(引e)「１０は超硬からなるパンチ母材、１１はこのパンチ母材１０の先端に銀ロウ付けＳにより接合された超硬チップである。超硬チップ１１は、先端が分割された櫛の歯状に形成され、超硬からなるチップ母材１１ａの先端に、厚さ約５００μｍのダイヤモンド焼結体層１１ｂが形成され」と記載され、
　段落【0028】に、
(引f)「このような構造によって、従来の超硬又は超微粒子超硬製のパンチに比べ、飛躍的に耐久性が向上し、半導体製造装置におけるパンチの交換頻度が減少し、生産性を向上させることができる」と記載され、
　段落【0034】に、
(引g)「本考案の半導体装置製造用パンチは、超硬チップを櫛の歯状とし、かつ母材との接合位置を、櫛歯深さよりも０．５ｍｍ以上母材側としたことにより、比較的製造が簡単でありかつ耐摩耗性に優れたパンチが提供でき、これによって半導体装置の生産性を向上させることができる」と記載されている。
　　
【３-2】引用例の開示内容
　前記(引a)〜(引e)の記載から、引用例には、
「半導体装置のパッケージ製造工程において使用されるパンチであって、超硬チップの先端部がダイヤモンド焼結体層で形成され、かつ、前記ダイヤモンド焼結体層がダイヤモンドパウダとバインダとから構成されていることを特徴とする半導体装置製造用パンチ」の発明(以下、「引用発明」という)が開示されている。
　　
【４】当審の判断
【４-1】本願発明と引用発明との対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、
　引用発明の「超硬チップ」，「ダイヤモンドパウダ」，「バインダ」は、
　本願発明の「切刃部」，「ダイヤモンド粒」，「結合材」に、それぞれ相当する。
　したがって、両者は、
「半導体装置のパッケージ製造工程において使用されるパンチであって、切刃部の先端部がダイヤモンド焼結体層で形成され、かつ、前記ダイヤモンド焼結体層がダイヤモンド粒と結合材とから構成されていることを特徴とする半導体装置製造用パンチ」であることで一致する。
　一方、両者は、
　本願発明においては「平均粒径１〜５μｍ」のダイヤモンド粒であるのに対して、引用発明ではダイヤモンドパウダの平均粒径を特定していない点(以下、「相違点」という)で相違する。
　　
【４-2】相違点の検討
　前記相違点について考察するに、
　引用例には、上記(引c)，(引d)に摘記したように、「直径数μｍ〜数十μｍのダイヤモンドパウダ及びＣｏなどの金属媒体を・・・・・焼結することによって、母材の表面に砥粒層を固着成形する」こと、および「ダイヤモンド砥粒の場合、５μｍ以下・・・・・のものを用いることができ、これとバインダとしての金属（Ｃｏ等）を、体積比で９：１程度に混合して使用する」ことが記載されている。
　そして、前記(引c)，(引d)の記載内容から、「数十μｍ」が「２０〜３０μｍ」に対応しているので、「数μｍ」は一般的概念にも相応する「２，３μｍ」と考えることになんらの非合理性もない。
　してみると、引用例には、粒径として２，３μｍ〜５μｍの「ダイヤモンドパウダ」を用いて「ダイヤモンド焼結体層」を成形する一態様(引z)が開示されているといえる。
　したがって、本願発明において「平均粒径１〜５μｍ」のダイヤモンド粒を使用して「ダイヤモンド焼結体層」を構成した点は、前記引用例の(引z)から当業者が容易に想到できたものと認められる。
　また、本願発明の作用効果も、上記(引b),(引f),(引g)の記載を参酌すると、引用発明のそれに較べて格別顕著なものとも認められない。
　さらに、本願発明で「加工時の衝撃による焼結体層の欠損を防止し、加工精度の劣化およびそれに伴う工具寿命の低下を防止」できるとしている点も、引用発明において、上記(引z)の態様から自ずと生じるものである。
　　
　なお、審判請求人は、審判請求理由中で、引用文献１(引用例)において、「超砥粒の粒径としては、特に限定されないが、ダイヤモンド砥粒の場合、５μｍ以下、８〜１５μｍ、２０〜３０μｍのものを用いることができる」と記載されているのは、超砥粒の粒径がそれぞれの範囲に属する粒度の超砥粒を適宜混合して、平均粒径が１０〜３０μｍとなるようにすることを意味している、と主張しているが、
　引用例に、「超砥粒の粒径がそれぞれの範囲に属する粒度の超砥粒を適宜混合」するなどということは、どこにも記載されていないから、審判請求人の前記主張は失当である。
　　
【５】むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、上記の引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。