(57)【要約】【課題】小型化、薄型化が可能なＳＡＷ装置を提供する。【解決手段】圧電基板の表面に電極パターン２を設けた弾性表面波チップ３と、電極パターン２と電気的に接続する基板側導電性パターン４を有して電子部品を実装する絶縁性基板７と、弾性表面波チップ３の電極パターン２が絶縁性基板７と接触しないように隙間２１を設けて、電極パターン２と基板側導電性パターン４を電気的に接続する金属バンプ２０と、弾性表面波チップ３を外側から直接覆い、周辺部２３を絶縁性基板７に接着２４したシート状シール材２２とを備えたことを特徴とする。【選択図】      図４
2004215218.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板の表面に電極パターンを設けた弾性表面波チップと、
前記電極パターンと電気的に接続する基板側導電性パターンを有して電子部品を実装する絶縁性基板と、
前記弾性表面波チップの電極パターンが絶縁性基板と接触しないように隙間を設けて、電極パターンと基板側導電性パターンを電気的に接続する金属バンプと、
前記弾性表面波チップを外側から直接覆い、周辺部を絶縁性基板に接着したシート状シール材とを備えたことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項２】
圧電基板の表面に電極パターンを設けた弾性表面波チップと、
前記電極パターンと電気的に接続する単板側導電性パターンを有する絶縁性単板と、
前記弾性表面波チップの電極パターンが絶縁性単板と接触しないように隙間を設けて、電極パターンと単板側導電性パターンを電気的に接続する金属バンプと、
基板側導電性パターンを有し、前記絶縁性単板ならびに電子部品を実装する絶縁性基板と、
前記弾性表面波チップを外側から直接覆い、周辺部を絶縁性単板に接着したシート状シール材とを備えたことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の弾性表面波装置において、複数の弾性表面波チップを１枚のシート状シール材で覆って封止したことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載の弾性表面波装置において、前記シート状シール材の周辺部が外側にほぼＬ字形に折り曲げられて、そのＬ字形の周辺部が絶縁性基板または絶縁性単板に接着されていることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか１項記載の弾性表面波装置において、前記シート状シール材が熱可塑性材料で構成され、シール材の周辺部が熱融着により絶縁性基板または絶縁性単板に接着されていることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項６】
請求項５記載の弾性表面波装置において、前記シート状シール材が耐湿性に優れた熱可塑性材料で構成されていることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項７】
請求項１ないし請求項４のいずれか１項記載の弾性表面波装置において、前記シート状シール材の少なくとも一部が耐湿層で覆われていることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項８】
請求項１または請求項２記載の弾性表面波装置において、前記シート状シール材の上からキャップを嵌着したことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項９】
請求項４記載の弾性表面波装置において、前記シール材の上からキャップを嵌着して、キャップの開口端でシート状シール材の周辺部を押圧したことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項１０】
請求項８または請求項９記載の弾性表面波装置において、前記キャップの開口端に突出部が設けられ、前記絶縁基板に位置決め用凹部が形成されて、前記突出部を位置決め用凹部に挿入することによりキャップを位置決めすることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項１１】
請求項８ないし請求項１０のいずれか１項記載の弾性表面波装置において、前記キャップが導電性を有して接地されていることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項１２】
請求項１ないし請求項４のいずれか１項記載の弾性表面波装置において、前記シート状シール材の少なくとも一部が導電層で覆われていることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の弾性表面波装置において、前記導電層が薄膜からなることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項１４】
請求項１２または請求項１３記載の弾性表面波装置において、前記導電層が絶縁性基板または絶縁性単板のグランド端子部と電気的に接続されていることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項１５】
請求項１ないし請求項１４のいずれか１項記載の弾性表面波装置をＲＦ部フロントエンドに用いたことを特徴とする移動体通信機。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばページャ、携帯電話機、ＰＨＳ、ＦＰＬＭＴＳ、ＷＣＤＭＡ、業務用無線機、アマチュア無線用携帯電話機などの移動体通信機のＲＦ、ＩＦフィルタ、ハンディパソコン用無線モデム（ＣＤＰＤ）のＲＦなどに使用される弾性表面波（以下、ＳＡＷと略記する）装置に係り、特にパッケージの小型化、薄型化が可能なＳＡＷ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、携帯電話機やＰＨＳなどの移動体通信機には多数の電子機器が組み込まれて、これらの通信機は近年、小型化、薄型化が急速に進んでおり、それに搭載する各種部品も小型化、薄型化が要求されている。
【０００３】
図３１ないし図３７は従来のＳＡＷフィルタを説明するための図である。図３１は第１の従来例に係るＳＡＷフィルタの拡大分解斜視図、図３２はそのＳＡＷフィルタの拡大断面図である。
【０００４】
この従来例は下記の特許文献１に記載されているＳＡＷフィルタで、絶縁性基板７上にＳＡＷチップ３が搭載され、絶縁性基板７上の基板側導電性パターン４とＳＡＷチップ３の電極パターン２はボンディングワイヤ１０により電気的に接続されている。ＳＡＷチップ３の上方から絶縁性基板７に絶縁性キャップ１１を被せ、キャップ１１の開口端と絶縁性基板７の間は封止用接着剤１２でシールされている。
【０００５】
図３３は第２の従来例に係るＳＡＷフィルタの拡大分解斜視図、図３４はそのＳＡＷフィルタの拡大断面図である。この従来例は図３４に示すように、絶縁性基板７上の基板側導電性パターン４とＳＡＷチップ３の電極パターン２はバンプ１３により電気的に接続されている。ＳＡＷチップ３の上方から絶縁性基板７に絶縁性キャップ１１を被せ、キャップ１１の開口端と絶縁性基板７の間は封止用接着剤１２でシールされている。
【０００６】
図３５は第３の従来例に係るＳＡＷフィルタの断面図である。この従来例は、下記の特許文献２に記載されているＳＡＷフィルタで、絶縁性基板７にシールリング１４を銀鑞付けし、金属製キャップ１５をシーム溶接の手法で封止して気密性を高めたものである。符号１６はシーム溶接部を示す。
【０００７】
図３６は第４の従来例に係るＳＡＷフィルタの断面図である。絶縁性基板７上にＳＡＷチップ３が搭載され、絶縁性基板７上の基板側導電性パターン４とＳＡＷチップ３の電極パターン２はバンプ１３により電気的に接続されている。絶縁性基板７にシールリング１４を銀鑞付けし、金属性製ャップ１５をシーム溶接の手法で封止して気密性を高めたものである。符号１６はシーム溶接部を示す。
【０００８】
図３７は第５の従来例に係るＳＡＷフィルタの断面図である。この従来例は、下記の非特許文献１に記載されているＳＡＷフィルタで、セラミック多層化技術を用い、積層セラミックケース１７でＳＡＷチップ収納用のポケット１８を形成し、ポケット１８内にＳＡＷチップ３を配置し、銀鑞付けしたシールリング１４を介してフラットな金属板１９でポケット１８の開口部を閉塞している。
【０００９】
【特許文献１】
特開昭６１−２４５７０９号公報
【００１０】
【特許文献２】
特開平３−７２７０８号公報
【００１１】
【非特許文献１】
株式会社  日立製作所  電子機器部品カタログ  ２０００年９月発行
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記第１、第３、第５の従来例のＳＡＷフィルタ（図３２、図３５、図３７参照）は、ワイヤボンディング１０を配置するためのスペースＡが必要で、このスペースＡの存在によりパッケージサイズが必然的に大きくなるという欠点があった。
【００１３】
前記第２の従来例のＳＡＷフィルタ（図３４参照）では、封止用接着剤１２を使用しているため、煩雑な作業が必要であり、生産性が悪いという欠点を有している。
【００１４】
前記第３〜第５の従来例のＳＡＷフィルタ（図３５〜図３７参照）では、シールリング１４を使用しているから、絶縁性基板７に銀鑞付けする技術的に高度で、煩雑な作業が必要であり、そのために材料費が高く、生産性が悪いという欠点を有している。
【００１５】
近年の移動体通信機、特に携帯電話機、ＰＨＳ、ページャ等の小型化、薄型化、低価格化の要求が強く、これに対応するには採用する部品それぞれの小型化、薄型化、低価格化が不可欠である。
【００１６】
本発明は、このような技術背景に鑑みてなされたものであり、小型化、薄型化が可能なＳＡＷ装置及びそれを用いた移動体通信機を提供することを目的とするものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために本発明の第１の手段は、圧電基板の表面に電極パターンを設けた弾性表面波チップと、
前記電極パターンと電気的に接続する基板側導電性パターンを有して電子部品を実装する絶縁性基板と、
前記弾性表面波チップの電極パターンが絶縁性基板と接触しないように隙間を設けて、電極パターンと基板側導電性パターンを電気的に接続する金属バンプと、
前記弾性表面波チップを外側から直接覆い、周辺部を絶縁性基板に接着したシート状シール材とを備えたことを特徴とするものである。
【００１８】
本発明の第２の手段は、圧電基板の表面に電極パターンを設けた弾性表面波チップと、
前記電極パターンと電気的に接続する単板側導電性パターンを有する絶縁性単板と、
前記弾性表面波チップの電極パターンが絶縁性単板と接触しないように隙間を設けて、電極パターンと単板側導電性パターンを電気的に接続する金属バンプと、
基板側導電性パターンを有し、前記絶縁性単板ならびに電子部品を実装する絶縁性基板と、
前記弾性表面波チップを外側から直接覆い、周辺部を絶縁性単板に接着したシート状シール材とを備えたことを特徴とするものである。
【００１９】
本発明の第３の手段は前記第１の手段または第２の手段において、例えばＧＳＭ帯用弾性表面波チップ、ＤＣＳ帯用弾性表面波チップ、ＰＣＳ帯用弾性表面波チップなどの複数の弾性表面波チップを１枚のシート状シール材で覆って封止したことを特徴とするものである。
【００２０】
本発明の第４の手段は前記第１の手段ないし第３の手段のいずれかにおいて、前記シート状シール材の周辺部が外側にほぼＬ字形に折り曲げられて、そのＬ字形の周辺部が絶縁性基板または絶縁性単板に接着されていることを特徴とするものである。
【００２１】
本発明の第５の手段は前記第１の手段ないし第３の手段のいずれかにおいて、前記シート状シール材が熱可塑性材料からなり、そのシール材の周辺部が熱融着により絶縁性基板または絶縁性単板に接着されていることを特徴とするものである。
【００２２】
本発明の第６の手段は前記第５の手段において、前記シート状シール材が例えばポリオレフィン系合成樹脂などの耐湿性に優れた熱可塑性材料で構成されていることを特徴とするものである。
【００２３】
本発明の第７の手段は前記第１の手段ないし第４の手段のいずれかにおいて、前記シート状シール材の少なくとも一部が例えばアルミニウム金属箔などの耐湿層で覆われていることを特徴とするものである。
【００２４】
本発明の第８の手段は前記第１の手段または第２の手段において、前記シール材の上からキャップを嵌着したことを特徴とするものである。
【００２５】
本発明の第９の手段は前記第４の手段において、前記シール材の上からキャップを嵌着して、キャップの開口端でシール材の周辺部を押圧したことを特徴とするものである。
【００２６】
本発明の第１０の手段は前記第８の手段または第９の手段において、前記キャップの開口端に突出部が設けられ、前記絶縁性基板に位置決め用凹部が形成されて、前記突出部を位置決め用凹部に挿入することによりキャップを位置決めすることを特徴とするものである。
【００２７】
本発明の第１１の手段は前記第８の手段ないし第１０の手段のいずれかにおいて、前記キャップが例えば金属製で導電性を有して接地されていることを特徴とするものである。
【００２８】
本発明の第１２の手段は、前記第１の手段ないし第４の手段のいずれかにおいて、前記シート状シール材の少なくとも一部が導電層で覆われていることを特徴とするものである。
【００２９】
本発明の第１３の手段は、前記第１２の手段において、前記導電層が例えば金属薄膜または金属微粉末を分散保持した薄膜などの薄膜からなることを特徴とするものである。
【００３０】
本発明の第１４の手段は、前記第１２の手段または第１３の手段において、前記導電層が例えば側面メタライズ部などを介して絶縁性基板または絶縁性単板のグランド端子部と電気的に接続されていることを特徴とするものである。
【００３１】
本発明の第１５の手段は、例えばページャ、携帯電話機、ＰＨＳなどの移動体通信機のＲＦ部フロントエンドに、前記第１の手段ないし第１４の手段のいずれかの弾性表面波装置を用いたことを特徴とするものである。
【００３２】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態に係るＳＡＷ装置を説明する前に、ＧＳＭ方式デュアルバンド対応携帯電話機のＲＦ回路に用いるフロントエンド部の構成を図３０のブロック図とともに簡単に説明する。
【００３３】
デュアルバンド対応携帯電話機とは、ＧＳＭ帯（８００ＭＨｚ帯）とＤＣＳ帯（１８００ＭＨｚ帯）の２種類を同時に送受信できる携帯電話機のことである。図中のＤＩＰ（ダイプレクサ）は簡単なローパスフィルタとハイパスフィルタが内蔵されており、アンテナ（ＡＮＴ）からの受信信号をＧＳＭ帯とＤＣＳ帯に分ける。
【００３４】
さらにスイッチング回路（ＳＷ１，ＳＷ２）、外部のハイパワーアンプ（ＨＰＡ）の入力信号に含まれている高調波をカットするためのローパスフィルタ回路（ＬＰＦ１，ＬＰＦ２）が設けられ、受信側にはＳＡＷフィルタ（ＳＡＷ１，ＳＡＷ２）が配置されている。
【００３５】
図３０に示す点線内の回路を１つのパッケージにし、前記機能を１つにした回路装置をフロントエンドモジュールと称し、ＧＳＭ帯信号とＤＣＳ帯信号を状況に応じて切り替えることが可能である。
【００３６】
次に本発明の各実施形態に係るＳＡＷ装置の構成について説明する。第１実施形態を図１ないし図４に示す。図１はＳＡＷ装置の分解斜視図、図２は組み立てが完了した状態のＳＡＷ装置の斜視図、図３はそのＳＡＷ装置に用いるＳＡＷフィルタの拡大斜視図、図４はそのＳＡＷフィルタの拡大断面図である。
【００３７】
図１に示すように絶縁性基板１上に、ＧＳＭ帯対応の受信用ＳＡＷフィルタ９ａ、ＤＣＳ帯対応の送信用ＳＡＷフィルタ９ｂ、空芯コイル５、チップ部品６などを搭載し、金属製カバー８を被せて、金属製カバー８は絶縁性基板７に半田１３で固定されている。金属製カバー８により、外部からの保護と電気的シールドを行なっている。
【００３８】
前記絶縁性基板７は、セラミック基板を用いた複数層からなり、内部にパターンによるストリップライン線路および複数の回路機能を有している。
【００３９】
前記ＳＡＷフィルタ９ａ，９ｂは図３と図４に示すように、絶縁性基板７の上面に形成された基板側導電性パターン４とＳＡＷチップ３の圧電基板の下面に形成された櫛歯状（図示せず）の電極パターン２は金属バンプ２０で電気的に接続されている。
【００４０】
この金属バンプ２０の介在により、ＳＡＷチップ３の電極パターン２と絶縁性基板７の上面との間に隙間２１が形成され、電極パターン２は絶縁性基板７と非接触の状態に保持され、従って電極パターン２の機能が阻害されることなく、その特性を十分に発揮することができる。
【００４１】
ＳＡＷチップ３の上に、それよりも若干広い面積を有する熱可塑性材料からなる１枚のシート状（フィルム状）シール材２２を外側から被せてＳＡＷチップ３の全体を直接覆う。そしてシール材２２の周辺部２３を外側に向けてほぼＬ字形に折り曲げて、絶縁性基板７上に例えば熱融着などの手段により接着２４する。この接着２４は、図３に示すように周辺部２３の全周に施され、気液蜜性が維持される。
【００４２】
熱可塑性高分子からなるシール材２２としては、例えば下記のようなシートが使用できる。
【００４３】
１．二軸延伸ポリプロピレンシート
水蒸気透過率  ：１．５〔ｇｍ−２〕（２４ｈ／０．１ｍｍ）
吸水率        ：０．０１％未満
融点（軟化点）：１６０〜１７０℃
２．無延伸ポリプロピレンシート
水蒸気透過率  ：３．０〔ｇｍ−２〕（２４ｈ／０．１ｍｍ）
吸水率        ：０．０１％未満
融点（軟化点）：１６０〜１７０℃
３．高密度ポリエチレンシート
水蒸気透過率  ：３〜５〔ｇｍ−２〕（２４ｈ／０．１ｍｍ）
吸水率        ：０．０１％未満
融点（軟化点）：１３２℃
４．低密度ポリエチレンシート
水蒸気透過率  ：５〜１０〔ｇｍ−２〕（２４ｈ／０．１ｍｍ）
吸水率        ：０．０１％未満
融点（軟化点）：１０５〜１１５℃
５．二軸延伸ポリエチレンテレフタレートシート
水蒸気透過率  ：５．５〔ｇｍ−２〕（２４ｈ／０．１ｍｍ）
吸水率        ：０．５％
融点（軟化点）：２６３℃
６．ポリ塩化ビニルシート
水蒸気透過率  ：１０〔ｇｍ−２〕（２４ｈ／０．１ｍｍ）
吸水率        ：０．０１％未満
融点（軟化点）：１７０℃
熱可塑性シートの中でもポリプロピレンやポリエチレンなどのポリオレフィン系のシートは水蒸気透過率ならびに吸水率が極めて低くて耐湿性に優れ、しかも融点（軟化点）が比較的低くて熱シール性が良好であるため賞用できる。シール材２２は、単一層のものでも複合層のものでも構わないが、特に複数枚積層した複合層のものは厚さのコントロールが可能で均一な厚さのものが得られるため賞用できる。複数枚積層するシート材は同種でも異種の材料でも構わない。シール材２２の厚さは、例えば４０〜３００μｍが適当である。
【００４４】
図５は、本発明の第２実施形態に係るＳＡＷフィルタの拡大断面図である。この実施形態で前記第１実施形態と相違する点は、ＳＡＷチップ３の全体を覆って、周辺部２３を絶縁性基板１上に接着２４したシール材２２の上に、金属製または合成樹脂製のキャップ２５を嵌着して、二重の密閉構造にした点である。
【００４５】
このキャップ２５の圧入により、同図に示すようにキャップ２５の開口端２６でシール材２２の周辺部２３を局部的に押圧してシール効果をさらに高め、より強力な気密性が得られる。キャップ１０が金属製で導電性を有している場合、そのキャップ１０を接地することにより電気的シールド機能が得られる。
【００４６】
図６は、本発明の第３実施形態に係るＳＡＷフィルタの拡大断面図である。本実施形態ではシール材２２の厚みを例えば３００〜５００μｍ程度と厚くして、ＳＡＷチップ３の上部をシール材２２内に強制的に埋め込み、シール材２２の周辺部２３を外側にＬ字形に折り曲げないで、肉厚のまま絶縁性基板７に接着２４する。
【００４７】
ＳＡＷチップ３の上部をシール材２２内に埋め込むことにより、より強力な気密性が得られ、また、シール材２２の周辺部２３を外側にＬ字形に折り曲げる工程が不要となり、作業工程の簡略化が図れる。
【００４８】
図７は、本発明の第４実施形態に係るＳＡＷフィルタの拡大断面図である。本実施形態で前記第３実施形態と相違する点は、シール材２２の上に金属製または合成樹脂製のキャップ２５を嵌着した点である。なお、キャップ２５の開口端２６も絶縁性基板７に接着することもできる。
【００４９】
このようにシール材２２の上からキャップ２５を嵌着することにより、より強力な気密性が得られる。キャップ２５が金属製の場合、そのキャップ２５を接地することにより電気的シールド機能が得られる。
【００５０】
図８ないし図１０は本発明の第５実施形態を示す図で、図８はＳＡＷ装置の分解斜視図、図９はＳＡＷフィルタの拡大断面図、図１０はそのＳＡＷフィルタに使用する小型絶縁性単板の底面図である。
【００５１】
本実施形態の場合、図９に示すようにＳＡＷチップ３は小型で薄いセラミック板などからなる絶縁性単板２７に搭載され、ＳＡＷチップ３の全体を覆ったシール材２２の周辺部２３を絶縁性単板２７上に接着２４している。この絶縁性単板２７は他のチップ部品などを搭載する必要がないためＳＡＷチップ３とほぼ同じ小型のものでよく、また最終的には絶縁性基板７に実装されるのであるから、機械的強度はさほど必要ではなく、薄くても構わない。
【００５２】
図９に示すように絶縁性単板２７の上面には単板側導電性パターン２８が形成され、この単板側導電性パターン２８は金属バンプ２０を介してＳＡＷチップ３の電極パターン２と電気的に接続されている。この金属バンプ２０の介在により、電極パターン２と絶縁性単板２７の間に隙間２１が形成されている。
【００５３】
図１０に示すように絶縁性単板２７の下面には半田によるメタライズ部２９が施され、絶縁性単板２７の上面に形成されている前記単板側導電性パターン２８とスルーホール（図示せず）を介して電気的に接続されている。
【００５４】
絶縁性単板２７上にＳＡＷチップ３を実装して各種テストを行ない、そのテストに合格したもののみを図９に示すように絶縁性基板７上に実装する。この実装の際にメタライズ部２９を加熱溶融して、絶縁性基板７上の基板側導電性パターン４と接続・固定する。
【００５５】
図１１ないし図１３は本発明の第６実施形態を示す図で、図１１はＳＡＷフィルタの拡大断面図、図１２はＳＡＷフィルタの拡大斜視図、図１３はそのＳＡＷフィルタの拡大下面図である。
【００５６】
図５に示す第２実施形態と相違する点は、絶縁性基板７の一部に位置決め用凹部３０を形成し、一方、キャップ２５の開口端２６に絶縁性基板７側へ伸びる突出部３１を設ける。図１２と図１３に示すように前記突出部３１を位置決め用凹部３０に嵌入することにより、量産におけるキャップ２５の位置決め作業を簡略化することができる。本実施形態では溝状の位置決め用凹部３０を形成したが、穴状の位置決め用凹部でも構わない。
【００５７】
このキャップ２５が金属などの導電性材料で構成されている場合、図１３に示すように絶縁性基板７の裏面に形成された基板側導電性パターン４と、それに近接しているキャップ２５の突出部３１とを半田３２などで電気的に接続することにより、外部との電磁気干渉を排除することができる。
【００５８】
図１４ないし図１６は本発明の第７実施形態を示す図で、図１４と図１５はＳＡＷフィルタの組み立て途中の状態を示す拡大断面図、図１６はＳＡＷフィルタの拡大断面図である。
【００５９】
本実施形態の場合、例えば厚さが３００〜５００μｍ程度の厚手のシール材２２を図１４に示すようにＳＡＷチップ３上に載せ、そのシール材２２を絶縁性基板７側に加熱加圧して、周辺部２３を形成するとともに、周辺部２３を絶縁性基板７の周辺部に熱溶着により接着２４する（図１５参照）。この際、樹脂の一部が周辺部２３側にはみ出して周辺部２３が肉厚になり、横幅が増大する。
【００６０】
そのため図１５に示すように、シール材２２の周辺部２３と絶縁性基板７の周辺部を共に一点鎖線で示すカット位置３２で切断して、図１６に示すように横幅の短いコンパクトなＳＡＷフィルタを得る。
【００６１】
図１７は、本発明の第８実施形態を示すＳＡＷフィルタの拡大断面図である。本実施形態の場合、ＳＡＷチップ３上に形成されたシール材２２の上面に、例えばアルミニウムなどの金属箔あるいは耐湿性に優れた高分子層などからなる耐湿層３３が形成されている。
【００６２】
シール材２２をＳＡＷチップ３の上から加熱加圧して固定する際にシール材２２の上部が比較的薄くなり、そのためにシール材２２の上部から水分が浸透して性能劣化を招来する懸念がある。これを防止するために本実施形態では、シール材２２の上面に耐湿層３３が形成されている。
【００６３】
図１８は、本発明の第９実施形態を示すＳＡＷフィルタの拡大断面図である。本実施形態の場合、シール材２２の外周面全体に耐湿層３３が形成されている。シール材２２の素材として予め耐湿層３３を形成した複合材を使用することにより、シール材２２の外周面全体に耐湿層３３を形成することができる。この第８，９実施形態のように耐湿層３３を設けることにより、薄いシール材２２の使用が可能となる。
【００６４】
図１９ないし図２１は本発明の第１０実施形態を示す図で、図１９はＳＡＷ装置の分解斜視図、図２０はＳＡＷフィルタの拡大斜視図、図２１はそのＳＡＷフィルタの拡大断面図である。
【００６５】
前述のようにフロントエンドモジュールは、複数の帯域を同時処理すめため（デュアルバンドの場合はＧＳＭ帯とＤＣＳ帯）に複数のＳＡＷチップ３を内蔵する必要がある。このことから本実施形態ではＧＳＭ帯用ＳＡＷチップ３ａとＤＣＳ帯用ＳＡＷチップ３ｂを絶縁性基板１上に接近して設置し、シール材２２で２つのＳＡＷチップ３ａ，３ｂを覆ったチップ集合体３４（図１９参照）を搭載している。図２１中の符号３５は、シール材２２をＳＡＷチップ３ａ，３ｂの上から加熱加圧した際に、ＳＡＷチップ３ａとＳＡＷ３ｂの隙間に入り込んだ樹脂層で、ＳＡＷチップ３ａ，３ｂ間の緩衝材として機能している。
【００６６】
図２２は本発明の第１１実施形態を示す図で、前記第１０実施形態と相違する点は、シール材２２の上にキヤップ２５を嵌着した点である。
【００６７】
図２３は本発明の第１２実施形態を示す図で、前記第１０実施形態と相違する点は、絶縁性基板７とＳＡＷチップ３ａ，３ｂの間に絶縁単板２７を介在した点である。
【００６８】
図２４は、本発明の第１３実施形態を示す図ＳＡＷフィルタの拡大断面図である。本実施形態では携帯電話機のマルチバンド化に対応するため、ＧＳＭ用ＳＡＷチップ３ａ（９００ＭＨｚ）、ＤＣＳ用ＳＡＷチップ３ｂ（１８００ＭＨｚ）、ＰＣＳ用ＳＡＷチップ３ｃ（１９００ＭＨｚ）を使用している。
【００６９】
これら３つのＳＡＷチップ３ａ〜３ｃを同図に示すように絶縁性基板７上に接近して搭載し、シール材２２を介してキャップ２５を嵌着している。このように３つのＳＡＷチップ３ａ〜３ｃを同時に封止することにより、封止工程が簡略化でき、作業効率の向上が図れる。またＳＡＷチップ３ａ〜３ｃを３つ並べてそれぞれを封止するよりも、３つのＳＡＷチップ３ａ〜３ｃを同時に封止した方が、チップ間の隙間を狭くすることができ、装置の小型化が図れる。
【００７０】
本実施形態ではキヤップ２５を被せたが、キヤップ２５を被せないもの、あるいは絶縁性単板２７を用いるもの、耐湿層３３を設けるものなどにも適用可能である。
【００７１】
図２５ないし図２７は本発明の第１４実施形態を示す図で、図２５はＳＡＷフィルタの斜視図、図２６はそのＳＡＷフィルタの断面図、図２７はそのＳＡＷフィルタの底面図である。
【００７２】
本実施形態で図６に示す第３実施形態と相違する点は、シール材２２の外表面の全体もしくは主要部を薄膜状の導電層３６で覆い、さらにその導電層３６の下端部３７で絶縁性基板７の側面に設けられた側面メタライズ部３８の上端部４０を覆った点である（図２６参照）。側面メタライズ部３８は図２７に示すように、絶縁性基板７の底面に設けられた導電パターン４のうちのグランド端子部３９と接触している。
【００７３】
このように導電層３６が側面メタライズ部３８を介してグランド端子部３９と電気的に接続されることにより、電気的なシールド効果が得られる。
【００７４】
前記導電層３６は、例えばエポキシ系バインダー中に銀粉末を分散した銀ペーストなどの塗料を塗布したり、あるいはスプレーで吹き付けたり、白金系または銅−銀系などの金属の蒸着などによって形成されている。導電層３６の膜厚は、１０〜３０μｍ程度が適当である。
【００７５】
図２８は本発明の第１５実施形態を示す図で、前記第１４実施形態と相違する点は、側面メタライズ部３８の上端部４０を絶縁性基板７の上面まで延ばして断面形状をほぼＬ字形とし、導電層３６の下端部３７を側面メタライズ部３８の上端部４０に重ね合わせないで、上端部４０と接触させた点である。このようにすれば、導電層３６の下端部３７と側面メタライズ部３８の上端部４０との重複部分がなく、さらに小型化が図れる。
【００７６】
図２９は本発明の第１６実施形態を示す図で、前記第１４実施形態と相違する点は、絶縁性基板７の外周上面付近に上面の幅寸法が短くなるように段部４１を形成し、その段部４１に沿って側面メタライズ部３８を設けた点である。
【００７７】
このようにすれば、導電層３６の下端部３７と側面メタライズ部３８の上端部４０との重複部分が絶縁性基板７の外周から突出せず、さらに小型化が図れる。また導電層３６の下端部３７と側面メタライズ部３８の上端部４０との接触面積が増え、電気的なシールド効果が確実である。
【００７８】
図２５ないし図２９に示す実施形態では１個のＳＡＷチップ３を１枚のシート状シール材２２で覆う場合を説明したが、複数個のＳＡＷチップ３を１枚のシート状シール材２２で覆う場合にも適用可能である。
【００７９】
図２５ないし図２９に示す実施形態ではＳＡＷチップ３を絶縁性基板７上に搭載する構造を説明したが、ＳＡＷチップ３を絶縁性単板２７上に搭載する構造にも適用可能である。
【００８０】
図３８（ａ），（ｂ）は従来のボンディングワイヤを使用したＤＣＳ用ＳＡＷチップの４８Ｍ〜６ＧＨｚ帯と１６００〜２０００ＭＨｚ帯（帯域内近傍）の特性図、図３９（ａ），（ｂ）は本発明の第６実施形態（図１１参照）に係るＤＣＳ用ＳＡＷチップの封止前における４８Ｍ〜６ＧＨｚ帯と１６００〜２０００ＭＨｚ帯（帯域内近傍）の特性図、図４０（ａ），（ｂ）は本発明に係るそのＳＡＷチップの封止後における４８Ｍ〜６ＧＨｚ帯と１６００〜２０００ＭＨｚ帯（帯域内近傍）の特性図である。
【００８１】
なお、電気特性の評価は、最高温度２６０℃のリフロー炉に５回繰り返して入れた後、ネットワークアナライザによって特性試験を行なった。
【００８２】
図３８（従来品）と図４０（本発明品）を比較すると、帯域内減衰量に関しては本発明品は従来品とほぼ同等であるが、帯域外減衰量に関しては本発明品は従来品よりも減衰量が多く、電気的特性に優れている。
【００８３】
また、図３９（本発明品の封止前）と図４０（本発明品の封止後）を比較すると、シール材による封止前，後では電気的特性の変化はなく、性能的に安定していることが立証される。
【００８４】
【発明の効果】
本発明の第１の手段によれば、弾性表面波チップの外側から直接シート状シール材を被せてシールしているため、余分な空間が形成されず、装置の小型化、薄型化が可能となる。
【００８５】
本発明の第２の手段によれば、弾性表面波チップの外側から直接シート状シール材を被せてシールしているため、余分な空間が形成されず、装置の小型化、薄型化が可能となる。また、弾性表面波チップは絶縁性単板に搭載する構造になっているから、テストに合格した弾性表面波チップ搭載済み絶縁性単板のみを絶縁性基板に実装することができ、不良率の低減が図れる。
【００８６】
本発明の第３の手段によれば、複数の弾性表面波チップを１枚のシート状シール材で同時に覆って封止するため、複数の弾性表面波チップを個別にシールするよりもシール作業の効率化が図れる。
【００８７】
本発明の第４の手段によれば、シート状シール材にＬ字形の周辺部を設けることにより、接着面積が十分に確保でき、シール作業が簡便で、シール効果が確実である。
【００８８】
本発明の第５の手段によれば、シール材の熱融着によりシールできるため、シール効果が確実で、しかもシール作業の効率化が図れる。
【００８９】
本発明の第６の手段によれば、耐湿性に優れたシート状シール材を使用しているため、水分の侵入による性能劣化が防止できる。
【００９０】
本発明の第７の手段によれば、シート状シール材が耐湿層で覆われているため、水分の侵入による性能劣化が防止できる。
【００９１】
本発明の第８の手段によれば、シール材の上からキャップを嵌着した二重構造になっているから、水分の侵入による性能劣化が防止でき、またキャップによって内部保護ができる。
【００９２】
本発明の第９の手段によれば、シール材の上からキャップを嵌着した二重構造になっており、しかもキャップの開口端でシール材の周辺部を押圧しているから、水分の侵入による性能劣化がより確実に防止でき、またキャップによって内部保護ができる。
【００９３】
本発明の第１０の手段によれば、キャップの位置決めが容易かつ確実となり、キャップの嵌着作業が簡便になる。
【００９４】
本発明の第１１の手段によれば、導電性キャップの接地により外部との電磁気的干渉を排除することができる。
【００９５】
本発明の第１２の手段によれば、導電層により外部との電磁気的干渉を排除することができる。
【００９６】
本発明の第１３の手段によれば、導電層が薄膜状であるため小型化を図ることができる。
【００９７】
本発明の第１４の手段によれば、グランド端子部と電気的に接続された導電層により外部との電磁気的干渉を排除することができる。
【００９８】
本発明の第１５の手段によれば、移動体通信機の小型化、薄型化が可能となるなどの特長を有している。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係るＳＡＷ装置の分解斜視図である。
【図２】組み立てが完了した状態のＳＡＷ装置の斜視図である。
【図３】そのＳＡＷ装置に用いるＳＡＷフィルタの拡大斜視図である。
【図４】そのＳＡＷフィルタの拡大断面図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係るＳＡＷフィルタの拡大断面図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係るＳＡＷフィルタの拡大断面図である。
【図７】本発明の第４実施形態に係るＳＡＷフィルタの拡大断面図である。
【図８】本発明の第５実施形態に係るＳＡＷ装置の分解斜視図である。
【図９】そのＳＡＷ装置に用いるＳＡＷフィルタの拡大断面図である。
【図１０】そのＳＡＷフィルタに用いる絶縁性単板の下面図である。
【図１１】本発明の第６実施形態に係るＳＡＷフィルタの拡大断面図である。
【図１２】そのＳＡＷフィルタの拡大斜視図である。
【図１３】そのＳＡＷフィルタの拡大下面図である。
【図１４】本発明の第７実施形態に係るＳＡＷフィルタの組み立て途中の状態を示す拡大断面図である。
【図１５】そのＳＡＷフィルタの組み立て途中の状態を示す拡大断面図である。
【図１６】ＳＡＷフィルタの拡大断面図である。
【図１７】本発明の第８実施形態に係るＳＡＷフィルタの拡大断面図である。
【図１８】本発明の第９実施形態に係るＳＡＷフィルタの拡大断面図である。
【図１９】本発明の第１０実施形態に係るＳＡＷ装置の分解斜視図である。
【図２０】そのＳＡＷフィルタの拡大斜視図である。
【図２１】そのＳＡＷフィルタの拡大断面図である。
【図２２】本発明の第１１実施形態に係るＳＡＷフィルタの拡大断面図である。
【図２３】本発明の第１２実施形態に係るＳＡＷフィルタの拡大断面図である。
【図２４】本発明の第１３実施形態に係るＳＡＷフィルタの拡大断面図である。
【図２５】本発明の第１４実施形態に係るＳＡＷフィルタの斜視図である。
【図２６】そのＳＡＷフィルタの断面図である。
【図２７】そのＳＡＷフィルタの底面図である。
【図２８】本発明の第１４実施形態に係るＳＡＷフィルタの断面図である。
【図２９】本発明の第１５実施形態に係るＳＡＷフィルタの断面図である。
【図３０】ＧＳＭ方式デュアルバンド対応携帯電話機のＲＦ回路に用いるフロントエンド部の構成図である。
【図３１】第１の従来例に係るＳＡＷフィルタの拡大分解斜視図である。
【図３２】そのＳＡＷフィルタの拡大断面図である。
【図３３】第２の従来例に係るＳＡＷフィルタの拡大分解斜視図である。
【図３４】そのＳＡＷフィルタの拡大断面図である。
【図３５】第３の従来例に係るＳＡＷフィルタの拡大断面図である。
【図３６】第４の従来例に係るＳＡＷフィルタの拡大断面図である。
【図３７】第５の従来例に係るＳＡＷフィルタの拡大断面図である。
【図３８】（ａ），（ｂ）は従来のボンディングワイヤを使用したＤＣＳ用ＳＡＷチップの４８Ｍ〜６ＧＨｚ帯と１６００〜２０００ＭＨｚ帯（帯域内近傍）の特性図である。
【図３９】（ａ），（ｂ）は本発明の実施形態に係るＤＣＳ用ＳＡＷチップの封止前における４８Ｍ〜６ＧＨｚ帯と１６００〜２０００ＭＨｚ帯（帯域内近傍）の特性図である。
【図４０】（ａ），（ｂ）は本発明の実施形態に係るＤＣＳ用ＳＡＷチップの封止後における４８Ｍ〜６ＧＨｚ帯と１６００〜２０００ＭＨｚ帯（帯域内近傍）の特性図である。
【符号の説明】
２：電極パターン、３：ＳＡＷチップ、３ａ：ＧＳＭ帯用ＳＡＷチップ、３ｂ：ＤＣＳ帯用ＳＡＷチップ、３ｃ：ＰＣＳ帯用ＳＡＷチップ、４：基板側導電性パターン、５：空芯コイル、６：チップ部品、７：絶縁性基板、８：金属製カバー、９ａ：受信用ＳＡＷフィルター、９ｂ：送信用ＳＡＷフィルター、１０：ボンディングワイヤ、１１：絶縁性キャップ、１２：封止用接着剤、１３：半田、１４：シールリング、１５：金属製キャップ、１６：シーム溶接部、１７：積層セラミックケース、１８：ポケット、１９：金属板、２０：バンプ、２１：隙間、２２：シール材、２３：周辺部、２４：接着、２５：キャップ、２６：開口端、２７：絶縁性端板、２８：単板側導電性パターン、２９：メタライズ、３０：位置決め用凹部、３１：突出部、３２：カット位置、３３：耐湿層、３４：チップ集合体、３５：樹脂層、３６：導電層、３７：下端部、３８：側面メタライズ部、３９：グランド端子部、４０：上端部、４１：段部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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