Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月31日(2012.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を有さないＬＥＤの積層体（１）と、
該積層体に光放射のために設けられた放射面（９）と、
前記基板を有さないＬＥＤを配置する上面を有する基板（４）と、
前記基板のうち前記放射面に対して垂直な側面（１４）に配置された複数のコンタクト面、および／または、前記放射面に対して垂直な側面（１４’）に複数のコンタクト面を備えた、前記基板を実装するためのベースボディ（３０）と、
前記ＬＥＤと第１のコンタクト面とを接続する第１の接続線路（１０）と、
前記ＬＥＤと第２のコンタクト面とを接続する第２の接続線路（２０）と
を備えており、
前記基板を有さないＬＥＤの配置される前記基板および／または前記ベースボディの実装面にはキャビティが存在しない
ことを特徴とするＬＥＤモジュール。
【請求項２】
前記積層体（１）は種々の色の光を形成するために設けられた複数の層を含み、各色のＬＥＤに対してそれぞれ別個のコンタクト面へ接続された２つずつの接続線路（１１，２１；１２，２２；１３，２３）が設けられている、請求項１記載のＬＥＤモジュール。
【請求項３】
前記基板（４）の上面に配置された、前記基板を有さない複数のＬＥＤと、前記基板（４）の側面（１４）および／または前記基板を実装した前記ベースボディ（３０）の側面（１４’）に配置された複数のコンタクト面とが対応する前記複数のＬＥＤの接続線路（１０，２０；１１−１３，２１−２３）に接続されている、請求項１または２記載のＬＥＤモジュール。
【請求項４】
前記複数のＬＥＤが前記基板（４）の上面に個々の列として配置されている、請求項１から３までのいずれか１項記載のＬＥＤモジュール。
【請求項５】
前記接続線路（１０，２０；１１−１３，２１−２３）に接続されたコンタクト面は前記上面に対して垂直に配向された導体路である、請求項１から４までのいずれか１項記載のＬＥＤモジュール。
【請求項６】
少なくとも幾つかのコンタクト面は、はんだ付け用フィレット（５）に配置されており、それぞれ薄い導体層（６）によって中空１／４円柱の形状で形成されている、請求項１から５までのいずれか１項記載のＬＥＤモジュール。
【請求項７】
前記側面（１４，１４’）を備えた前記基板（４）または前記ベースボディ（３０）は複数の電気端子を備えたプリント回路板（２４）上に配置されている、請求項１から６までのいずれか１項記載のＬＥＤモジュール。
【請求項８】
角石状のベースボディ（３０）が設けられており、該ベースボディは前記基板（４）の配置された上面と前記コンタクト面の配置された側面（１４’）とを有しており、前記上面に対して垂直な方向で測定される前記基板の高さ（ｈ）は１００μｍから４００μｍまでであり、前記側面（１４’）に対して平行な方向で測定される前記ベースボディの上面の長さ（ｌＧ）は１ｍｍから３ｍｍまでであり、前記側面（１４’）に対して垂直な方向で測定される前記ベースボディの高さ（ｈＧ）は典型的には約０．２ｍｍから２ｍｍまでであり、前記上面に対して垂直な方向で測定された深さ（ｄＧ）は０．５ｍｍから２ｍｍまでである、請求項１から７までのいずれか１項記載のＬＥＤモジュール。
【請求項９】
前記ＬＥＤモジュールはコンタクト斜面（２６）を含み、該コンタクト斜面上に前記基板を有さないＬＥＤのコンタクトを形成する第２の接続線路（２０）が配置されており、前記コンタクト斜面（２６）とは、前記基板（４）によって定められる高さの差を克服するための斜面である、請求項１から８までのいずれか１項記載のＬＥＤモジュール。
【請求項１０】
基板を有さず複数の電気端子を有する複数のＬＥＤをウェハの上面に実装し、
前記ウェハの壁に複数の凹部を形成し、
前記壁に複数の電気導体を配置し、
前記ウェハの上面に配置された複数の接続線路（１０，２０；１１−１３，２１−２３）を介して前記複数の電気導体と前記ＬＥＤの前記複数の電気端子とを電気的に接続し、
前記複数の電気導体が配置された側面（１４）が前記上面に接して形成されるように、前記ウェハを複数の基板（４）へ分割する
ことを特徴とするＬＥＤモジュールの製造方法。
【請求項１１】
前記複数の電気導体を前記ウェハの前記複数の凹部に複数のスルーコンタクト（２５）の形状で形成し、
前記複数のＬＥＤと前記複数のスルーコンタクト（２５）とのあいだに複数の接続線路（１０，２０；１１−１３，２１−２３）を形成し、
前記複数のスルーコンタクト（２５）がそれぞれ前記複数の電気導体を備えたはんだ付け用フィレット（５）を形成するように、前記ウェハを複数の基板（４）へ分割する、
請求項１０記載のＬＥＤモジュールの製造方法。
【請求項１２】
複数のコンタクト孔を前記ウェハ内に形成し、各コンタクト孔の壁に薄い導体層（６）を被着することによって、前記複数のスルーコンタクト（２５）を形成する、請求項１１記載のＬＥＤモジュールの製造方法。
【請求項１３】
前記はんだ付け用フィレット（５）が前記基板（４）のうち前記ＬＥＤの設けられる上面に対して垂直に延在する稜に位置するように、前記ウェハを複数の基板（４）へ分割する、請求項１１または１２記載のＬＥＤモジュールの製造方法。
【請求項１４】
前記複数の凹部を製造するために前記ウェハの側壁に複数のトレンチを形成し、
前記ウェハの上面に対して垂直に延在する複数の導体路を前記側壁に形成し、
複数の接続線路（１０，２０；１１−１３，２１−２３）を複数のＬＥＤと前記複数の導体路とのあいだに形成し、
前記トレンチの側壁に形成された前記複数の導体路が前記基板（４）の前記上面に接する側面に生じるように、前記ウェハを複数の基板（４）へ分割する、
請求項１０記載のＬＥＤモジュールの製造方法。
【請求項１５】
前記基板（４）の同じ側面に配置された電気導体のみを前記接続線路（１０，２０；１１−１３，２１−２３）に接続する、請求項１０から１４までのいずれか１項記載のＬＥＤモジュールの製造方法。
【請求項１６】
基板を有さず、光放射のための放射面（９）を備えたＬＥＤの積層体（１）を基板（４）の上面に配置し、該基板にＬＥＤの電気端子と前記上面の反対側の下面のコンタクト面とを電気的に接続する接続線路を設けるステップと、
前記基板のうち前記コンタクト面および接続導体（３１，３２）の設けられた前記下面を、前記コンタクト面がベースボディ（３０）のうち前記放射面に対して垂直な側面（１４’）に位置するように、かつ、前記接続導体を介して前記基板の前記コンタクト面への電気的接続が形成されるように、前記ベースボディに実装するステップと
を有する
ことを特徴とするＬＥＤモジュールの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月2日(2012.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１カバー及び第１カバーに結合された第２カバーを含み、前記第１及び第２カバーのうちの少なくとも１つは透光性であり、チューブ形状に形成されたカバーと、
前記カバーの内部に複数の発光ダイオードを有する発光モジュールと、
前記発光モジュールの上に複数の放熱パッドと、
前記カバーの両端に電極端子を含む複数のキャップ部と、を含み、
前記第１カバーは、内周面及び外周面のうちの少なくとも１つに放熱ピンと、前記第１カバーの内側方向に突出する支持台を含み、
前記複数の放熱パッドの上部は、前記第１カバーの内周面に接触し、
前記キャップ部は外周面にガイド部を含み、
前記ガイド部は前記第１カバーと前記第２カバーの外周面と接することを特徴とする、発光装置。
【請求項２】
前記キャップ部は前記ガイド部に回転ガイド溝を含み、
前記カバーの回転をガイドするために、前記第１カバーと前記第２カバーの少なくとも１つの両端の外周面に形成された回転ガイド突起を含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記発光モジュールは、回路基板及び前記回路基板の下に複数の発光ダイオードアレイを含み、
前記回路基板は、前記支持台と接することを特徴とする、請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第１カバー及び第２カバーの両端に互いに対応するように形成される係止段及び係止突起を含み、
前記第１及び第２カバーのうちの少なくとも１つは半円筒状であることを特徴とする、請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記係止突起の内部に前記係止段に所定の弾性を伝達する弾性バンドを含むことを特徴とする、請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第２カバーの内周面に拡散シートまたは拡散剤を含む拡散部材を含むことを特徴とする、請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
前記第２カバーの内部にシート挿入溝、及び前記シート挿入溝に拡散シートを含むことを特徴とする、請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】
前記放熱パッドはシリコン材質を含むことを特徴とする、請求項７に記載の発光装置。
【請求項９】
前記発光モジュールは回路基板の下に少なくとも１列の発光ダイオードがアレイされ、前記回路基板上に前記複数の放熱パッドが配置されることを特徴とする、請求項８に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記複数の発光ダイオードの光出力を制御する制御モジュールを含み、
前記発光モジュールは回路基板及び前記回路基板の下に複数の発光ダイオードアレイを含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記発光ダイオードアレイはアレイ別に順方向または逆方向に並列で連結されたことを特徴とする、請求項１０に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記制御モジュールは、ＡＣ電源端または安定器の電源を整流する整流部と、前記整流部により整流された電源を安定化する電圧安定化部と、前記電圧安定化部の出力電圧を用いて発光ダイオードの駆動を制御するＬＥＤ制御部と、を含むことを特徴とする、請求項１０に記載の発光装置。
【請求項１３】
前記発光モジュールは基板を含み、
前記発光モジュールの基板は、メタルコアＰＣＢ及びシリコン材質を含む放熱パッドを含むことを特徴とする、請求項１２に記載の発光装置。
【請求項１４】
前記複数の支持台は相互に平行に形成されていることを特徴とする請求項９に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月4日(2012.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス半導体素子の製造方法において、
成長基板（１）上にエピタキシャル層列（５）を成長させるステップと、
前記エピタキシャル層列（５）の成長基板（１）とは反対側表面に、コンタクト層（６）とそれに続くバリア層（７）とを被着するステップと、
前記エピタキシャル層列（５）内に複数のトレンチ（９）を形成することによって前記エピタキシャル層列（５）を個別の半導体（８）に構造化するステップと、
前記トレンチ（９）内に露出する半導体（８）の少なくとも側方縁部（１０）に、誘電層（１１）を被着するステップと、
前記半導体（８）の間のトレンチ（９）内でハンダ層（１３）の第１部分（１３ａ）を半導体（８）へ被着するステップと、
ハンダ層（１３）の第２部分（１３ｂ）を支持体（１４）に被着するステップと、
前記半導体（８）を、成長基板（１）とは反対側において、ハンダ層（１３）を用いて支持体（１４）に接続させるステップとを有し、この場合、ハンダ層（１３）の第１部分（１３ａ）と第２部分（１３ｂ）とが相互に溶融され、半導体（８）間の複数のトレンチ（９）がハンダ層（１３）によって充填され、さらに、
成長基板（１）を剥離するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記誘電層（１１）は窒化珪素または二酸化珪素を含み得る、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記誘電層（１１）の被着後に、ミラー層（２１）を前記誘電層（１１）に被着する、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記ミラー層（２１）は、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｌ、又はＲｈを含み得る、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記ミラー層（２１）に保護層（２２）が設けられている、請求項３または４記載の方法。
【請求項６】
前記保護層（２２）は、窒化珪素、二酸化珪素、金属若しくは金属性接合部を含み得る、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記ハンダ層（１３）は、半導体（８）の間のトレンチ（９）からの成長基板（１）の剥離後に除去される、請求項１から６いずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記ハンダ層（１３）は、半導体（８）の間のトレンチ（９）からの成長基板（１）の剥離後に残されている、請求項１から６いずれか１項記載の方法。
【請求項９】
前記支持体（１４）は、トレンチ（９）内で、個別の半導体素子に分断される、請求項１から８いずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月28日(2012.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３Ｄシーンの異なる視点から取得された複数の画像を受信することと、
前記複数の画像内に現れるオブジェクトの少なくともいくつかを識別する入力を受信することと、
視覚的注意モデルを用いて、前記複数の画像を解析することと、
前記解析に基づいて、識別されたオブジェクトが前記３Ｄシーンの異なる視点にわたる視覚的注意を集める傾向がある程度を決定することと、を含む、コンピュータ実行型の方法。
【請求項２】
コンピュータシステムであって、
プロセッサ及びメモリと、
複数の視点のシーン解析モジュールであって、少なくとも
（１）３Ｄシーン内から取得された複数の画像を受信する、
（２）前記画像内に現れる少なくともいくつかのオブジェクトを識別する、
（３）前記画像に視覚的注意モジュールを適用し、前記視覚的注意モジュールは視覚的注意を集める傾向がある前記画像内のオブジェクトを予測するように機能する、
（４）前記視覚的注意モジュールによって予測される前記識別されたオブジェクトのうちのどれが、前記３Ｄシーンの異なる視点にわたる視覚的注意を集める傾向があるかを決定するように、機能する、複数の視点のシーン解析モジュールと、を含む、コンピューターシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月27日(2012.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）入力されたシーンを受信し、
（ｂ）視覚的注意モデルを前記入力されたシーンに適用し、
（ｃ）前記入力されたシーン内の、視覚的注意を引き付ける傾向がある領域を予測するように機能する視覚的注意モジュールと、
前記視覚的注意モジュールと相互作用して、識別された領域の少なくとも１つが堅牢である、又は前記シーンが堅牢である、という程度を決定するように機能する堅牢性評価モジュールと、を含み、
堅牢性が、前記視覚的注意モデルから、
（ａ）前記シーンの視覚的特性内の変動、又は
（ｂ）前記視覚的注意モジュールによって適用される前記視覚的注意モデル内の変動、のうちのいずれか、若しくはこれらのいくつかの組み合わせへ出力された予測の感度の尺度である、コンピュータシステム。
【請求項２】
入力されたシーンを受信することと、
視覚的注意モデルを前記入力されたシーンに適用して、前記入力されたシーン内の視覚的注意を引き付ける傾向がある領域を予測することと、
修正されたシーンを生成するように、前記シーンを修正することと、
前記視覚的注意モデルを前記修正され、入力されたシーンに適用して、前記入力されたシーン内の視覚的注意を引き付ける傾向がある領域を予測することと、
前記視覚的注意モデルの、前記入力されたシーン及び前記修正されたシーンへの適用から識別された領域に基づいて、前記識別された領域又は前記入力されたシーンのうちの１つが堅牢である、という程度を測定することと、を含み、
堅牢が、視覚的注意モデルから、前記シーン内の前記視覚的特性内の変動までの予測の低感度の尺度である、コンピュータ実行型の方法。
【請求項３】
入力されたシーンを受信することと、
視覚的注意モデルを前記入力されたシーンに適用して、前記入力されたシーン内の視覚的注意を引き付ける傾向がある領域を予測することと、
修正された視覚的注意モデルを生成するように、前記視覚的注意モデルを変更することと、
前記修正された視覚的注意モデルを前記入力されたシーンに適用して、前記入力されたシーン内の視覚的注意を引き付ける傾向がある領域を予測することと、
前記視覚的注意モデル及び前記修正された視覚的注意モデルの、前記入力されたシーンへの適用から識別された領域に基づいて、前記識別された領域又は前記入力されたシーンのうちの１つが堅牢である、という程度を測定することと、を含み、
堅牢が、視覚的注意モデルから、前記シーン内の前記視覚的特性内の変動までの予測の低感度の尺度である、コンピュータ実行型の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月28日(2012.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シーンに関する少なくとも１つの視覚的目標を定義することであって、前記シーンは複数のオブジェクトからなり、前記視覚的目標は、視覚的注意モデルによって注意が払われると予測されることが望まれている、前記シーン内の少なくとも１つのオブジェクトを明記する、定義することと、
前記シーンに対する許容可能な変更を定義する入力を受信することと、
前記許容可能な変更の少なくともいくつかに、コストの見積りを割り当てることと、
修正されたシーンを作るように、前記定義された許容可能な変更と一致する、前記複数のオブジェクトのいくつかを自動的に修正することと、
視覚的注意モデルを用いて、前記修正されたシーンを評価することと、
前記評価に基づいて、前記シーンに関する前記少なくとも１つの視覚的目標を達成する、前記修正されたシーンの少なくともいくつかを決定することと、を含む、コンピュータ実行型の方法。
【請求項２】
コンピュータシステムであって、
プロセッサ及びメモリと、
シーン最適化モジュールであって、
（１）プロパティを有する複数のオブジェクトからなるシーンに関する関して、少なくとも１つの視覚的目標を定義する入力を受信し、
（２）どのように前記プロパティが変更され得るかを定義する、許容可能な変更を定義する入力を受信し、
（３）前記許容可能な変更をコストの見積りと関連付けし、
（４）前記許容可能な変更と一致する前記オブジェクトのプロパティを変更することによって、変更されたシーンを生成し、
（５）視覚的注意モジュールと相互作用して、どの変更されたシーンが前記視覚的目標を達成するかを決定し、及び
（６）前記修正されたシーンの少なくともいくつかにおいて関連する前記コストを決定するように、少なくとも機能する、シーン最適化モジュールと、
前記シーンを評価し、視覚的注意を引き付ける傾向がある、前記シーン内のオブジェクトを予測するように機能する視覚的注意モジュールと、を含む、コンピュータシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月27日(2012.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ・デバイス（８６０、９６０）の少なくとも１つの軟データ値を生成する方法であって、
少なくとも１つの読取値を入手するステップと、
前記入手された少なくとも１つの読取値と前記メモリ・デバイスの１つまたは複数の性能特性に基づく調整値とに基づいて前記軟データ値を生成するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記調整値は、前記入手された少なくとも１つの読取値に基づく公称値を調整し、前記調整値は、前記メモリ・デバイスの１つまたは複数の性能特性に基づくオフセット値を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記性能特性は、耐久特性、プログラム／消去サイクルの個数、読取サイクルの個数、保持時間、温度特性、温度特性変化、プロセス・コーナー特性、セル間干渉影響、メモリ・アレイ内の位置、前記読取値がそこから入手されるワード線の位置、前記読取値がそこから入手されるページの位置、前記読取値がそこから読み取られるワード線内のページの位置、およびアグレッサ・セルのパターンのうちの１つまたは複数を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記調整値は、セル内の異なるビット、ワード線内の異なるページ、異なるビット線、および異なる硬読取データ値のうちの１つまたは複数に関する別々の性能特性に基づく、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記読取値は、データ・ビット、電圧レベル、電流レベル、および抵抗レベルのうちの１つまたは複数を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記読取値は、軟データおよび硬データのうちの１つまたは複数を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記軟データ値は、（ｉ）１つまたは複数の対数尤度比を生成するのに使用される軟読取値および（ｉｉ）１つまたは複数の対数尤度比のうちの１つまたは複数を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記性能特性は、１つまたは複数のパターン依存性能特性と位置固有性能特性とを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
メモリ・デバイスの少なくとも１つの軟データ値を生成するシステム（８００、９００）であって、
メモリと、
前記メモリに結合され、
少なくとも１つの読取値を入手し、
前記入手された少なくとも１つの読取値と前記メモリ・デバイスの１つまたは複数の性能特性に基づく調整値とに基づいて前記軟データ値を生成する
ように動作可能な少なくとも１つのプロセッサと
を含むことを特徴とするシステム。
【請求項１０】
前記調整値は、前記入手された少なくとも１つの読取値に基づく公称値を調整し、前記調整値は、前記メモリ・デバイスの１つまたは複数の性能特性に基づくオフセット値を含む、請求項９に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月8日(2012.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
トラフィック転送を行う移動体端末（２）における方法であって、前記移動体端末はホーム基地局（１）との無線接続部を有し、該ホーム基地局（１）は、複数のローカルノード（４）を備えたローカルネットワークとの接続部（５、８）と、アクセスネットワーク（１４）を介する移動通信システムのコアネットワーク（１５）との接続部と、前記アクセスネットワークを介するインターネット（２１）との接続部とを備え、
前記方法は、
前記コアネットワークを経由することなく、ローカルノードとインターネットの少なくともいずれかへのアップリンクトラフィックの転送を示すローカルブレークアウト・トランスポートの対象とすべき前記アップリンクトラフィックを識別する工程（１４３）と、
ローカルブレークアウト・トランスポートの対象とすべきトラフィックのための、前記移動体端末と前記ホーム基地局との間に延びた無線ベアラである専用ローカルブレークアウトベアラ（２２）を確立するためにシグナリングを用いて前記ホーム基地局と通信を行う工程（１４１）と、
前記確立されたローカルブレークアウトベアラで前記識別されたアップリンクトラフィックを前記ホーム基地局へ送信する工程（１４４）とを有することを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記ローカルブレークアウトベアラ（２２）を確立するために前記ホーム基地局（１）と通信を行う工程（１４１）は、ローカルブレークアウト・トランスポートの対象とすべきトラフィック用専用ＩＰアドレスを前記ホーム基地局から受信する工程を含み、
前記送信する工程（１４４）は、前記ローカルブレークアウトベアラ（２２）で送信される前記アップリンクトラフィック用のソースアドレスとして前記受信されたＩＰアドレスを使用する工程を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】
前記ローカルブレークアウトベアラ（２２）を確立するために前記移動体端末（２）との通信を行う工程は、前記移動体端末と前記ホーム基地局（１）との間で１つ以上の非アクセス層（ＮＡＳ）シグナリングメッセージを交換する工程を実行することによって実行されることを特徴とする請求項１４乃至１８のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５１】
通信システムの運用及び保守システムにおいて用いられる運用及び保守ノード（１７０）であって、
前記ノードは、ローカルブレークアウト・トランスポートのためにホーム基地局（１）を動作可能にしたり、動作不能にしたりするために前記ホーム基地局と通信を行うように適合された制御ユニット（１７１）を備え、
前記ローカルブレークアウト・トランスポートは、移動通信システムのコアネットワーク（１５）を経由することなく、ローカルノード（４）とインターネット（２１）との内の少なくともいずれかへトラフィックを転送することを示すものであることを特徴とする運用及び保守ノード。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５２】
通信システムの運用及び保守システムの運用及び保守ノード（１７０）における方法であって、
ローカルブレークアウト・トランスポートのためにホーム基地局を動作可能にしたり、動作不能にしたりするための制御情報を前記ホーム基地局（１）へ送信する工程を有し、
前記ローカルブレークアウト・トランスポートは、移動通信システムのコアネットワーク（１５）を経由することなく、ローカルノード（４）とインターネット（２１）との内の少なくともいずれかへトラフィックを転送することを示すものであることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月1日(2012.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ・デバイスの少なくとも１つの軟データ値を生成する方法であって、
少なくとも１つの硬読取値を入手するステップと、
該硬読取値を読み取るための統計に基づいて該少なくとも１つの硬読取値に関連する該軟データ値を生成するステップとを含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
該硬読取値は、データ・ビット、電圧レベル、電流レベル、及び抵抗レベルのうちの１つ又は複数を含む方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、
該軟データ値は、（ｉ）１つ又は複数の対数尤度比を生成するのに使用される軟読取値、及び（ｉｉ）１つ又は複数の対数尤度比、のうちの１つ又は複数を含む方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法において、
該統計は、ビット・ベースの統計、セル・ベースの統計、及びパターン依存統計のうちの１つ又は複数を含む方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法において、
１つ又は複数の可能なレベルＬＶＬｗｒｉｔに関する該セル・ベースの統計は、該書込レベルＬＶＬｗｒｉｔが書き込まれたか復号された時にレベルＬＶＬｒｅａｄが読み取られた確率に基づく方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法において、
該統計は、ターゲット・セルに対する少なくとも１つのアグレッサ・セルのパターン依存外乱を含む方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法において、
１つ又は複数の識別されたパターンに関する及び１つ又は複数の可能な基準レベルＬＶＬｒｅｆに関する該パターン依存統計は、該基準レベルＬＶＬｒｅｆが復号されたか書き込まれた時にレベルＬＶＬｒｅａｄが読み取られた確率に基づく方法。
【請求項８】
請求項６に記載の方法において、
１つ又は複数の識別されたパターンに関する及び１つ又は複数の可能な読取レベルＬＶＬｒｅａｄに関する該パターン依存統計は、該読取レベルＬＶＬｒｅａｄが読み取られた時に基準レベルＬＶＬｒｅｆが復号されたか書き込まれた確率に基づく方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法において、
該統計は、位置固有統計を含み、該軟データ値は、該メモリ・デバイスの所望の位置について生成される方法。
【請求項１０】
メモリ・デバイスの少なくとも１つの軟データ値を生成する方法であって、
軟読取値を入手するステップと、
該軟読取値を読み取るための統計に基づいて該軟読取値に関連する該軟データ値を生成するステップであって、該統計は、位置固有統計及びパターン依存統計のうちの１つ又は複数を含む、生成するステップとを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月27日(2012.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ・デバイス内で少なくとも１つの軟データ値を生成する方法であって、
１つまたは複数の基準セルに既知のデータを書き込むことと、
前記基準セルのうちの１つまたは複数を読み取ることと、
前記読み取られた１つまたは複数の基準セルに基づいて読取統計を入手することと、
前記入手された読取統計に基づいて前記少なくとも１つの軟データ値を入手することと
を含む方法。
【請求項２】
前記軟データ値は、（ｉ）１つまたは複数の対数尤度比を生成するのに使用される軟読取値、および（ｉｉ）１つまたは複数の対数尤度比、の１つ以上を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記読取統計は、前記１つまたは複数の基準セルから読み取られた１つまたは複数のビットを前記既知のデータ内の１つまたは複数のビットと比較することによって判定される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記読取統計は、前記既知のデータ内の基準ビットの総数に対する誤りのあるビットの個数に基づく、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記読取統計は、メモリ・アレイの１つまたは複数の所望の位置について入手され、前記書き込むステップは、前記既知のデータを前記１つまたは複数の所望の位置に書き込むことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記所望の位置は、ページ位置、ワード線位置、ビット線位置、およびマルチレベル・セル内の所与のビットのうちの１つまたは複数を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
１つまたは複数の所望の位置に関する前記読取統計は、前記１つまたは複数の所望の位置に関連するデータを復号するのに使用される、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記読取統計は、少なくとも１つのターゲット・セルに関連する１つまたは複数のアグレッサ・セル内の所与のパターンＰＡＴＴについて入手され、前記書き込むステップは、前記既知のデータを前記少なくとも１つのターゲット・セルに書き込むことを含み、前記方法は、前記１つまたは複数のアグレッサ・セル内の前記所与のパターンＰＡＴＴを有する誤りのあるターゲット・ビットの個数を判定するステップと、誤りのあるターゲット・ビットの前記個数に基づいて前記所与のパターンに関する前記読取統計を入手するステップとをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記所与のパターンＰＡＴＴに関する前記読取統計は、前記１つまたは複数の関連するアグレッサ・セルが前記パターンＰＡＴＴを含むときにデータを復号するのに使用される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
メモリ・デバイス内で少なくとも１つの軟データ値を生成するシステムであって、
メモリと、
前記メモリに結合され、
１つまたは複数の基準セルに既知のデータを書き込み、
前記基準セルのうちの１つまたは複数を読み取り、
前記読み取られた１つまたは複数の基準セルに基づいて読取統計を入手し、
前記入手された読取統計に基づいて前記少なくとも１つの軟データ値を入手する
ように動作可能な少なくとも１つのプロセッサと
を含むシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月9日(2012.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画像カテゴリ（１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃ）に分類される複数のデジタル画像（１０２）の間における画像選択方法であって、
少なくとも一つの強度値（１１２，１１２ｉ，１１２ｊ，１１２ｋ）を各画像に割り当てるステップと、
ユーザに前記複数のデジタル画像の中から画像を選択させるステップ（１２０）と、
ユーザデータを収集するステップ（１２２）と、
前記ユーザにより選択された画像と同じカテゴリに分類されるすべての画像の前記強度値を、収集された前記ユーザデータに応じて更新するステップ（１３０）と、
前記ユーザによる画像（３１０）の選択時に、前記ユーザにより選択された画像と同じ少なくとも一つのカテゴリに分類される少なくとも一つの追加画像（３１２，３１２Ｌ，３１２Ｓ）を自動的に選択するステップであって、強度値に基づいて前記追加画像を選択するステップ（１４２）と、
選択された前記画像を後の使用のために有効にするステップ（１４６）と、
から成る方法。
【請求項２】
ユーザデータの収集は、
前記ユーザにより視認される各画像について表示時間を測定することと、
ユーザの氏名、生年月日、年齢、住所についてのデータを収集することと、
前記ユーザにより選択された画像が表示されている間に、コンピュータキーボード／マウスで実施されたクリック数をカウントすることと、
前記ユーザの顔の画像を捕捉することと、
同じユーザにより視認された以前の画像についてのデータを収集することと、
視認した画像に対する前記ユーザの感情反応を測定することと、
のうち少なくとも一つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記強度値は、
選択された前記画像の前記表示時間に比例する更新値と、
選択された前記画像の意味内容と前記ユーザの顔の捕捉画像との相関関係に比例する更新値と、
選択された画像のメタデータに前記ユーザの氏名、生年月日、住所が見つかった時のプリセット更新値と、
選択された前記画像が表示されている間に実施されるクリック数に比例する更新値と、
選択された前記画像に対する視認者の感情反応に比例する更新値と、
前に視認された画像の強度値に比例する更新値と、
により更新される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記画像は、
前記画像の意味内容に対応するカテゴリと、
前記画像が捕捉された時刻または日付フレームに対応するカテゴリと、
前記画像データとともにメタデータとして記憶されるキーワードに対応するカテゴリと、
選択／視認装置での同じセッション中にユーザにより選択された画像のカテゴリと、
前記画像捕捉の場所またはユーザの場所により選択される画像のカテゴリと、
前記視認者にとっての有意性により選択される画像のカテゴリと、
のうちの少なくとも一つに分類される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
さらに、
画像を収集するステップ（２１０）と、
画像データおよび／または画像メタデータ計算に基づいて前記画像の特徴を決定するステップ（２１２）と、
画像集合のために決定された特徴間の類似性を検索する、および／または画像カテゴリの計算特徴とプリセット特徴との間の類似性を検索するステップ（２１４）と、
類似特徴を有する画像を共通カテゴリに記憶するステップと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月5日(2012.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バスを介して複数の周辺コンポーネントと通信するように構成可能なＣＰＵを備えたバスルートと、
前記バスルートに直接的に結合され、更に第２の周辺コンポーネントに直接的に結合される第１の周辺コンポーネントとを備え、
前記第１の周辺コンポーネントが、データを受信及び送信するように構成可能な内部ブリッジを備えており、
前記データを受信および送信することが、前記第１の周辺コンポーネントと前記第２の周辺コンポーネントとの間の直接的に通信することを含む、システム。
【請求項２】
前記第１の周辺コンポーネントと前記第２の周辺コンポーネントとが、それぞれ更に、データを送信及び受信すべく前記バスルートと直接的に通信するように構成可能である、請求項１のシステム。
【請求項３】
前記データを受信および送信することが、前記バスルートを介して前記第２の周辺コンポーネントから前記第１の周辺コンポーネントへと要求及びデータを送信することを更に備えている、請求項１のシステム。
【請求項４】
前記バスルートがライト動作を実行するように構成可能であり、
前記第２の周辺コンポーネントへのライト動作が、前記バスルートが前記第１の周辺コンポーネントの前記内部ブリッジへライト要求を送信することと、前記第１の周辺コンポーネントの前記内部ブリッジが前記ライト要求を前記第２の周辺コンポーネントへ直接的に送信することとを備えている、請求項１のシステム。
【請求項５】
前記バスルートがライト動作を実行するように構成可能であり、
前記第１の周辺コンポーネントへのライト動作が、前記バスルートが前記ブリッジへライト要求を送信することと、前記ブリッジが前記ライト要求を前記第１の周辺コンポーネントの内部バスインタフェースへ送信することとを備えている、請求項１のシステム。
【請求項６】
前記バスルートがリード動作を実行するように構成可能であり、
前記第１の周辺コンポーネントへのリード動作が、前記バスルートが前記ブリッジへリード要求を送信することと、前記ブリッジが前記リード要求を前記第１の周辺コンポーネントの内部バスインタフェースへ送信することとを備えている、請求項１のシステム。
【請求項７】
前記バスルートがリード動作を実行するように構成可能であり、
前記第２の周辺コンポーネントへのリード動作が、前記バスルートが前記ブリッジへリード要求を送信することと、前記ブリッジが前記リード要求を前記第２の周辺コンポーネントへ直接的に送信することとを備えている、請求項１のシステム。
【請求項８】
前記ブリッジが、受信したライト要求、受信したリード要求、及び受信したデータに対して経路付けを決定するように構成可能な論理を備えている、請求項１のシステム。
【請求項９】
前記第１の周辺コンポーネント及び前記第２の周辺コンポーネントの各々が、それぞれのバスインタフェースに結合されるそれぞれ複数のクライアントを備えており、
前記クライアントが、シェーダユニット及び符号器／復号器ユニットを備えたビデオ処理論理を備えている、請求項１のシステム。
【請求項１０】
多重プロセッサシステムにおける通信の方法であって、
バスルートが要求を直接的に第１の周辺コンポーネントへ送信することと、
前記第１の周辺コンポーネントが、前記第１の周辺コンポーネントの内部ブリッジ内の第１のバスを介して前記要求を受信することと、
前記内部ブリッジが、前記要求に対して適切な経路付けを決定することとを備えており、
前記要求がリード要求及びライト要求を備えており、
前記適切な経路付けが、
第２の周辺コンポーネントに向けられている要求を前記ブリッジから直接的に前記第２の周辺コンポーネントのバスインタフェースへ第２のバスを介して経路付けることと、
前記第１の周辺コンポーネントに向けられている要求を前記第１の周辺コンポーネントのバスインタフェースへ経路付けることとを備えている、方法。
【請求項１１】
前記第２のコンポーネントが第３のバスを介してデータを直接的に前記バスルートへ送信することによって前記リード要求に応答することを更に備えている、請求項１０の方法。
【請求項１２】
前記第１の周辺コンポーネントがリード要求を前記第２の周辺コンポーネントへ前記第２のバスを介して送信することと、
前記第２の周辺コンポーネントが前記リード要求に応答してデータを前記バスルートへ前記第３のバスを介して送信することと、
前記バスルートが前記データを前記ブリッジへ前記第１のバスを介して送信することとを更に備えている、請求項１０の方法。
【請求項１３】
その上に記憶された命令を有するコンピュータ可読媒体であって、
前記命令は多重プロセッサシステム内で実行されるときに通信の方法を実行させ、
前記方法が、
バスルートが要求を直接的に第１の周辺コンポーネントへ送信することと、
前記第１の周辺コンポーネントが、前記第１の周辺コンポーネントの内部ブリッジ内の第１のバスを介して前記要求を受信することと、
前記内部ブリッジが、前記要求に対して適切な経路付けを決定することとを備えており、
前記要求がリード要求及びライト要求を備えており、
前記適切な経路付けが、
第２の周辺コンポーネントに向けられている要求を前記ブリッジから直接的に前記第２の周辺コンポーネントのバスインタフェースへ第２のバスを介して経路付けることと、
前記第１の周辺コンポーネントに向けられている要求を前記第１の周辺コンポーネントのバスインタフェースへ経路付けることとを備えている、コンピュータ可読媒体。
【請求項１４】
前記方法が、前記第２のコンポーネントが第３のバスを介してデータを直接的に前記バスルートへ送信することによって前記リード要求に応答することを更に備えている、請求項１３のコンピュータ可読媒体。
【請求項１５】
前記方法が、
前記第１の周辺コンポーネントがリード要求を前記第２の周辺コンポーネントへ前記第２のバスを介して送信することと、
前記第２の周辺コンポーネントが前記リード要求に応答してデータを前記バスルートへ前記第３のバスを介して送信することと、
前記バスルートが前記データを前記ブリッジへ前記第１のバスを介して送信することとを更に備えている、請求項１３のコンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月26日(2012.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノード及びシステム管理装置を有するネットワークを動作する方法において、前記システム管理装置が、αの複雑度を各々持つ関数のセットであるルート鍵材料を有し、前記ノードが、αの複雑度を持つノード鍵材料共有を与えられ、前記ノード鍵材料共有が、前記ルート鍵材料から導出され、前記方法は、前記ノードに対するアクセスを得るための外部ユーザに対する要求の前記システム管理装置における受信後に、
ａ）前記システム管理装置が、前記ルート鍵材料からαの複雑度の外部ユーザ鍵材料共有を生成し、アクセス識別子を生成するステップと、
ｂ）前記システム管理装置が、前記外部ユーザ鍵材料共有から、αより小さい複雑度のアクセス鍵材料を生成し、前記ノードの識別子を生成するステップと、
ｃ）前記システム管理装置が、前記外部ユーザに前記アクセス鍵材料共有及び前記アクセス識別子を与えるステップと、
ｄ）前記外部ユーザが、前記アクセス鍵材料共有から鍵を導出し、この鍵及び前記アクセス識別子を前記ノードに送信するステップと、
ｅ）前記ノードが、前記アクセス識別子及び前記ノード鍵材料共有から鍵を計算するステップと、
ｆ）前記ノードが、前記外部ユーザを承認するために、前記外部ユーザにより送信された鍵及び前記ノードにより計算された鍵を比較するステップと、
を有する、方法。
【請求項２】
前記アクセス識別子が、前記システム管理装置により受信された前記要求に基づいてアクセス証明書に対して実行されたハッシュ関数の結果であり、前記ノードが、前記ハッシュ関数を与えられ、
前記ステップｃ）は、前記システム管理装置が、前記外部ユーザに前記アクセス証明書を与えるステップを有し、前記ステップｄ）は、前記外部ユーザが、前記アクセス証明書を前記ノードに送信するステップを有し、
前記方法は、
ｇ）前記ノードが、前記アクセス証明書の前記ハッシュ関数を計算し、その結果を前記受信されたアクセス識別子と比較することにより前記アクセス証明書を検証するステップ、
を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記システム管理装置により受信された前記要求が、少なくとも１つのアクセス特性を有し、前記アクセス証明書が、この特性に依存する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記アクセス特性が、ノード識別子、有効期間を規定するパラメータ、前記外部ユーザに対して承認されたアクションの限定的なセットを規定するパラメータの少なくとも１つを有する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ルート鍵材料が、総次数アルファの二変数多項式である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ステップａ）が、前記ユーザ鍵材料に対応する次数アルファの単変数多項式を得るように、前記アクセス識別子に対応する第１の点において二変数ルート鍵材料共有を評価するステップを有し、
前記ステップｂ）が、
ｂ１）減少された次数の単変数多項式を得るように前記ノード識別子に対応する第２の点において前記単変数多項式を少なくとも部分的に事前に計算するステップ、
を有する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ステップｂ１）が、前記第２の点において最大次数係数のセットに対して次数アルファの前記単変数多項式を計算するステップを有する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
α−１の最大次数係数が計算される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ルート鍵材料及びアクセス証明書が、無相関方法を用いて保護される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記システムが、前記システム管理装置から鍵材料共有を得た第１のノードから第３のノードへのアクセス権の委託を可能にし、前記第３の装置が、前記システム管理装置から鍵材料を得た第２のノードにアクセスすることができる、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
αの複雑度を持つ関数のセットであるルート鍵材料を有するシステム管理装置において、前記システム管理装置が、ノード及び前記システム管理装置を有するネットワークに含まれ、前記システム管理装置が、
−前記ノードに対するアクセスを得るための外部ユーザに対する要求の受信後に、前記ルート鍵材料から複雑度αの外部ユーザ鍵材料共有を生成し、アクセス識別子を生成する手段と、
−前記外部ユーザ鍵材料共有からαより小さい複雑度のアクセス鍵材料を生成し、前記ノードの識別子を生成する手段と、
を有し、
−前記システム管理装置が、前記外部ユーザに前記アクセス鍵材料共有及び前記アクセス識別子を与える、
システム管理装置。
【請求項１２】
−前記ネットワーク内の第１のノードから外部ユーザにアクセス権を委託する手段であって、これにより、前記ユーザが、前記システム管理装置との通信を要求することなしに前記ネットワーク内の第２のノードにアクセスすることができる、前記委託する手段と、
−前記ネットワーク内の前記ノードに配布された前記鍵材料共有を無相関にする無相関手段であって、これにより、攻撃者が、前記ネットワーク内の前記ノードに配布された前記鍵材料共有から情報を得ることができないが、前記ネットワーク内の前記ノードが、前記システム管理装置から配布された前記鍵材料共有にリンク付けされたアクセス及び委託証明書を検証することができる、前記無相関手段と、
を有する、請求項１１に記載のシステム管理装置。
【請求項１３】
請求項１１に記載のシステム管理装置及びノードを有するネットワークであって、請求項１に記載の方法により動作されるネットワーク。
【請求項１４】
請求項１に記載の方法を実施するコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月23日(2012.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化ケイ素系誘電体層を堆積する方法であって、
ケイ素前駆体及びラジカル窒素前駆体を堆積チャンバーに導入することを含み、ここで、前記ケイ素前駆体は、Ｎ−Ｓｉ−Ｈ結合、Ｎ−Ｓｉ−Ｓｉ結合及びＳｉ−Ｓｉ−Ｈ結合からなる群から選択される結合を有し、前記ラジカル窒素前駆体は、内包酸素を実質的に含まず、前記ラジカル窒素前駆体は、堆積チャンバーの外で発生させ、
前記窒化ケイ素系誘電体層を形成するため、前記ケイ素前駆体及び前記ラジカル窒素前駆体を相互作用させることを含み、
流動性前記窒化ケイ素系誘電体層を形成する間の基板の温度は約１００℃以下である方法。
【請求項２】
前記ケイ素前駆体が、直鎖ポリシラン、ジアミノシラン、トリシリルアミン、ビス（ジエチルアミノ）シラン、シクロペンタシラン、Ｎ（ＳｉＨ３）３、及び／又はラダーポリシランからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ラジカル窒素前駆体が、Ｎ、ＮＨ、及びＮＨ２からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
追加のラジカル不活性気体前駆体を導入することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記追加のラジカル不活性気体前駆体が、ラジカルアルゴン（Ａｒ）である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ケイ素前駆体及び前記ラジカル窒素前駆体を相互作用させることが、約−１０℃と約１００℃の間の工程温度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記窒化ケイ素系誘電体層が、窒化ケイ素層である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
遠隔プロセスシステムにおいて前記ラジカル窒素前駆体を発生させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
窒化ケイ素系誘電体層を堆積する方法であって、
ケイ素前駆体及びラジカル窒素前駆体を堆積チャンバーに導入することを含み、ここで、前記ケイ素前駆体は、式ＳｉＨｎＸ４−ｎを有し、ｎは、１〜４の数であり、Ｘは、ハロゲンであり、前記ケイ素前駆体は、Ｓｉ−Ｘ結合より弱いＳｉ−Ｈ結合を有し、前記ラジカル窒素前駆体は、内包酸素を実質的に含まず、前記ラジカル窒素前駆体は、堆積チャンバーの外で発生させ、
前記窒化ケイ素系誘電体層を形成するため、前記ケイ素前駆体及び前記ラジカル窒素前駆体を相互作用させることを含み、
流動性前記窒化ケイ素系誘電体層を形成する間の基板の温度は約１００℃以下である方法。
【請求項１０】
前記ケイ素前駆体が、シランである、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ラジカル窒素前駆体が、Ｎ、ＮＨ、及びＮＨ２からなる群から選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
ラジカル不活性気体前駆体をさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記ケイ素前駆体及び前記ラジカル窒素前駆体を相互作用させることが、約−１０℃と約１００℃の間の工程温度を有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記窒化ケイ素系誘電体層が、窒化ケイ素層である、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
遠隔プロセスシステムにおいて前記ラジカル窒素前駆体を発生させることをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月24日(2012.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプリント・リソグラフィ・テンプレートをクリーニングする方法であって、
前記テンプレートが前記インプリント・リソグラフィ・システム内に配置されている間に、真空紫外線放射源からの真空紫外線放射を前記テンプレートの表面に照射するステップを有し、
前記真空紫外線放射源は、チャンバ内に配置され、前記チャンバは非ＵＶ吸収性ガスによりパージされることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記真空紫外エネルギー源は誘電バリア放電源を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記テンプレートの前記表面に照射するステップは、該テンプレートの活性面に照射するステップを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記テンプレートに照射する前に、前記テンプレートを前記真空紫外線放射源に近接して配置するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記テンプレートに照射する前に、前記真空紫外線放射源を前記テンプレートに近接して配置するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記テンプレートの前記表面と前記真空紫外線放射源との間の距離は、約１０ｍｍ又はそれより短いことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記非ＵＶ吸収性ガスは、窒素又はアルゴンを含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記真空紫外線放射源から前記テンプレートに向けて、実質的に層流の非ＵＶ吸収性ガスを確立するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１乃至７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記チャンバ内の圧力は、大気圧より大きいか又は実質的に等しいことを特徴とする請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
前記チャンバは、真空紫外線放射に対して実質的に透明なウィンドウを含み、前記テンプレートの表面は、前記ウィンドウの外面から約５ｍｍ又はそれより短い距離をおいて配置されることを特徴とする請求項７乃至９に記載の方法。
【請求項１１】
前記テンプレートに照射している間に、基板を前記インプリント・リソグラフィ・システム内に装填するか、又は取り外すステップを含むことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記テンプレートは、テンプレート・チャックに結合されることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
テンプレート表面の上にガスを流し、前記インプリント・リソグラフィ・システムから前記ガスを排気して、該インプリント・リソグラフィ・システムから汚染物質を除去するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
第２の紫外線放射源を前記テンプレートの前記表面に曝し、前記インプリント・リソグラフィ・システムからの汚染物質の除去を改善するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１乃至１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記第２の紫外線放射源は、１７０ｎｍから３７０ｎｍまでの波長範囲の放射を生成することを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第２の紫外線放射源は、２２５ｎｍから２７５ｎｍまでの波長範囲の放射を生成することを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記第２の紫外線放射源は、インプリント・リソグラィ処理中、変形可能な材料を実質的に固化するためにも用いられる源によって与えられることを特徴とする請求項１４乃至１６のいずれかに記載の方法。