【事件の表示】
　平成１１年特許願第２３６２６９号「薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　３月　６日出願公開、特開２００１−　６０３０７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　本願は、平成１１年８月２４日の出願であって、平成１４年１１月１４日付け拒絶理由通知に対して、平成１５年１月１７日に意見書及び補正書が提出されたが、平成１５年５月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１５年７月４日に拒絶査定不服の審判が請求されるとともに、平成１５年７月３１日に明細書について手続補正書が提出されたものである。
　
　
２．平成１５年７月３１日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
〔補正却下の決定の結論〕
　平成１５年７月３１日付けの手続補正（以下、「本件手続補正」という。）を却下する。
　
〔理　由〕
（１）本件手続補正前及び本件手続補正後の本願発明
　本件手続補正は、特許請求の範囲についてするもので、本件手続補正前には、
　
「【請求項１】　互いに磁気的に連結され、記録媒体に対向する媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含む第１および第２の磁性層と、
　前記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
　少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルと、
　基板とを備え、
　前記第１および第２の磁性層、ギャップ層および薄膜コイルは、前記基板に積層され、且つ前記第１および第２の磁性層のうち、第１の磁性層の方が前記基板に近い位置に配置された薄膜磁気ヘッドであって、
　前記第１の磁性層は、前記薄膜コイルの少なくとも一部に対向する位置に配置される第１の部分と、前記第１の部分における前記薄膜コイル側の面に接続され、磁極部分を形成する第２の部分とを有し、
　前記薄膜コイルの少なくとも一部は前記第２の部分の側方に配置され、
　薄膜磁気ヘッドは、更に、前記薄膜コイルの少なくとも一部における巻線間を絶縁するための絶縁層を備え、
　前記絶縁層は、形成時に流動性を有する絶縁材料よりなり、前記薄膜コイルの少なくとも一部の下地となる層に接して、前記薄膜コイルの少なくとも一部における巻線間および前記第２の部分と前記薄膜コイルの少なくとも一部との間の各空間の少なくとも一部を埋めるように配置された第１の絶縁膜と、無機絶縁材料よりなり、前記第１の絶縁膜を覆うように配置された第２の絶縁膜とを有し、
　前記第２の絶縁膜における上面は、前記第２の部分の上面と共に平坦化され、前記第２の絶縁膜および前記第２の部分の上に前記ギャップ層が形成され、このギャップ層の上に前記第２の磁性層が形成されている
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項２】　前記第１の絶縁膜は有機絶縁材料よりなることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項３】　前記第１の絶縁膜はスピンオングラス膜であることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項４】　前記第１の絶縁膜は、前記薄膜コイルの少なくとも一部を覆うように配置されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項５】　前記第１の絶縁膜は、前記各空間の一部を埋めるように配置されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項６】　互いに磁気的に連結され、記録媒体に対向する媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含む第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
　前記第１の磁性層を形成する工程と、
　前記第１の磁性層の上に前記ギャップ層を形成する工程と、
　前記ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する工程と、
　少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で配置されるように、前記薄膜コイルを形成する工程とを含み、
　前記第１の磁性層を形成する工程は、前記薄膜コイルの少なくとも一部に対向する位置に配置される第１の部分と、前記第１の部分における前記薄膜コイル側の面に接続され、磁極部分を形成する第２の部分とを形成し、
　前記薄膜コイルを形成する工程は、前記薄膜コイルの少なくとも一部を前記第２の部分の側方に配置し、
　薄膜磁気ヘッドの製造方法は、更に、前記薄膜コイルの少なくとも一部における巻線間を絶縁するための絶縁層を形成する工程を含み、
　前記絶縁層を形成する工程は、形成時に流動性を有する絶縁材料よりなる第１の絶縁膜を、前記薄膜コイルの少なくとも一部の下地となる層に接して、前記薄膜コイルの少なくとも一部における巻線間および前記第２の部分と前記薄膜コイルの少なくとも一部との間の各空間の少なくとも一部を埋めるように形成する工程と、無機絶縁材料よりなる第２の絶縁膜を、前記第１の絶縁膜を覆うように形成する工程とを含み、
　薄膜磁気ヘッドの製造方法は、更に、前記第２の絶縁膜における上面を、前記第２の部分の上面と共に平坦化する工程を含み、
　前記第２の絶縁膜および前記第２の部分の上に前記ギャップ層が形成され、このギャップ層の上に前記第２の磁性層が形成される
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　　【請求項７】　前記第１の絶縁膜は有機絶縁材料よりなることを特徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　　【請求項８】　前記第１の絶縁膜はスピンオングラス膜であることを特徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　　【請求項９】　前記第１の絶縁膜を形成する工程は、前記薄膜コイルの少なくとも一部を覆うように第１の絶縁膜を形成することを特徴とする請求項６ないし８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　　【請求項１０】　前記第１の絶縁膜を形成する工程は、前記各空間の一部を埋めるように第１の絶縁膜を形成することを特徴とする請求項６ないし８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　　【請求項１１】　互いに磁気的に連結され、記録媒体に対向する媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含む第１および第２の磁性層と、
　前記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
　少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルと、
　基板とを備え、
　前記第１および第２の磁性層、ギャップ層および薄膜コイルは、前記基板に積層され、且つ前記第１および第２の磁性層のうち、第１の磁性層の方が前記基板に近い位置に配置された薄膜磁気ヘッドであって、
　前記第１の磁性層と前記第２の磁性層のそれぞれは、前記薄膜コイルの少なくとも一部に対向する位置に配置される第１の部分と、前記第１の部分における前記薄膜コイル側の面に接続され、磁極部分を形成する第２の部分とを有し、
　前記薄膜コイルは、少なくとも一部が前記第１の磁性層の第２の部分の側方に配置された第１層部分と、少なくとも一部が前記第２の磁性層の第２の部分の側方に配置された第２層部分とを有し、
　薄膜磁気ヘッドは、更に、前記薄膜コイルの第１層部分の少なくとも一部における巻線間を絶縁するための第１の絶縁層と、前記薄膜コイルの第２層部分の少なくとも一部における巻線間を絶縁するための第２の絶縁層とを有し、
　前記第１の絶縁層と第２の絶縁層のそれぞれは、形成時に流動性を有する絶縁材料よりなり、前記第１層部分の少なくとも一部または第２層部分の少なくとも一部の下地となる層に接して、前記第１層部分の少なくとも一部または第２層部分の少なくとも一部における巻線間、および前記第１層部分の少なくとも一部または第２層部分の少なくとも一部と前記第２の部分との間の各空間の少なくとも一部を埋めるように配置された第１の絶縁膜と、無機絶縁材料よりなり、前記第１の絶縁膜を覆うように配置された第２の絶縁膜とを有し、
　前記第１の絶縁層の第２の絶縁膜における上面は、前記第１の磁性層の第２の部分の上面と共に平坦化され、前記第１の絶縁層の第２の絶縁膜および前記第１の磁性層の第２の部分の上に前記ギャップ層が形成され、このギャップ層の上に前記第２の磁性層の第２の部分が形成されている
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項１２】　前記第１の絶縁膜は有機絶縁材料よりなることを特徴とする請求項１１記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項１３】　前記第１の絶縁膜はスピンオングラス膜であることを特徴とする請求項１１記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項１４】　前記第１の絶縁膜は、前記薄膜コイルの少なくとも一部を覆うように配置されていることを特徴とする請求項１１ないし１３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項１５】　前記第１の絶縁膜は、前記各空間の一部を埋めるように配置されていることを特徴とする請求項１１ないし１３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項１６】　互いに磁気的に連結され、記録媒体に対向する媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含む第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
　前記第１の磁性層を形成する工程と、
　前記第１の磁性層の上に前記ギャップ層を形成する工程と、
　前記ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する工程と、
　少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で配置されるように、前記薄膜コイルを形成する工程とを含み、
　前記第１の磁性層を形成する工程と前記第２の磁性層を形成する工程のそれぞれは、前記薄膜コイルの少なくとも一部に対向する位置に配置される第１の部分と、前記第１の部分における前記薄膜コイル側の面に接続され、前記第１の磁性層の磁極部分を形成する第２の部分とを形成し、
　前記薄膜コイルを形成する工程は、少なくとも一部が前記第１の磁性層の第２の部分の側方に配置された第１層部分と、少なくとも一部が前記第２の磁性層の第２の部分の側方に配置された第２層部分とを形成し、
　薄膜磁気ヘッドの製造方法は、更に、前記薄膜コイルの第１層部分の少なくとも一部における巻線間を絶縁するための第１の絶縁層を形成する工程と、前記薄膜コイルの第２層部分の少なくとも一部における巻線間を絶縁するための第２の絶縁層を形成する工程とを含み、
　前記第１の絶縁層を形成する工程と前記第２の絶縁層を形成する工程のそれぞれは、形成時に流動性を有する絶縁材料よりなる第１の絶縁膜を、前記第１層部分の少なくとも一部または第２層部分の少なくとも一部の下地となる層に接して、前記第１層部分の少なくとも一部または第２層部分の少なくとも一部における巻線間、および前記第１層部分の少なくとも一部または第２層部分の少なくとも一部と前記第２の部分との間の各空間の少なくとも一部を埋めるように形成する工程と、無機絶縁材料よりなる第２の絶縁膜を、前記第１の絶縁膜を覆うように形成する工程とを含み、
　薄膜磁気ヘッドの製造方法は、更に、前記第１の絶縁層の第２の絶縁膜における上面を、前記第１の磁性層の第２の部分の上面と共に平坦化する工程を含み、
　前記第１の絶縁層の第２の絶縁膜および前記第１の磁性層の第２の部分の上に前記ギャップ層が形成され、このギャップ層の上に前記第２の磁性層の第２の部分が形成されることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　　【請求項１７】　前記第１の絶縁膜は有機絶縁材料よりなることを特徴とする請求項１６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　　【請求項１８】　前記第１の絶縁膜はスピンオングラス膜であることを特徴とする請求項１６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　　【請求項１９】　前記第１の絶縁膜を形成する工程は、前記薄膜コイルの少なくとも一部を覆うように第１の絶縁膜を形成することを特徴とする請求項１６ないし１８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　　【請求項２０】　前記第１の絶縁膜を形成する工程は、前記各空間の一部を埋めるように第１の絶縁膜を形成することを特徴とする請求項１６ないし１８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。」
　
とあったものを、
　
「【請求項１】　互いに磁気的に連結され、記録媒体に対向する媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含む第１および第２の磁性層と、
　前記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
　少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルと、
　基板とを備え、
　前記第１および第２の磁性層、ギャップ層および薄膜コイルは、前記基板に積層され、且つ前記第１および第２の磁性層のうち、第１の磁性層の方が前記基板に近い位置に配置された薄膜磁気ヘッドであって、
　前記第１の磁性層は、前記薄膜コイルの少なくとも一部に対向する位置に配置される第１の部分と、前記第１の部分における前記薄膜コイル側の面に接続され、磁極部分を形成する第２の部分とを有し、
　前記薄膜コイルの少なくとも一部は前記第２の部分の側方に配置され、
　薄膜磁気ヘッドは、更に、前記薄膜コイルの少なくとも一部における巻線間を絶縁するための絶縁層を備え、
　前記絶縁層は、形成時に流動性を有する絶縁材料よりなり、前記薄膜コイルの少なくとも一部の下地となる層に接して、前記薄膜コイルの少なくとも一部における巻線間および前記第２の部分と前記薄膜コイルの少なくとも一部との間の各空間の少なくとも一部を埋めるように配置された第１の絶縁膜と、無機絶縁材料よりなり、前記第１の絶縁膜を覆うように配置された第２の絶縁膜とを有し、
　前記第２の絶縁膜における上面は、前記第２の部分の上面と共に平坦化され、
　前記第２の磁性層は、平坦な層であり、且つトラック幅を規定し、
　前記第２の絶縁膜および前記第２の部分の平坦化された上面の上に前記ギャップ層が形成され、このギャップ層の上に前記第２の磁性層が形成されている
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項２】　前記第１の絶縁膜は有機絶縁材料よりなることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項３】　前記第１の絶縁膜はスピンオングラス膜であることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項４】　前記第１の絶縁膜は、前記薄膜コイルの少なくとも一部を覆うように配置されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項５】　前記第１の絶縁膜は、前記各空間の一部を埋めるように配置されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項６】　互いに磁気的に連結され、記録媒体に対向する媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含む第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
　前記第１の磁性層を形成する工程と、
　前記第１の磁性層の上に前記ギャップ層を形成する工程と、
　前記ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する工程と、
　少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で配置されるように、前記薄膜コイルを形成する工程とを含み、
　前記第１の磁性層を形成する工程は、前記薄膜コイルの少なくとも一部に対向する位置に配置される第１の部分と、前記第１の部分における前記薄膜コイル側の面に接続され、磁極部分を形成する第２の部分とを形成し、
　前記薄膜コイルを形成する工程は、前記薄膜コイルの少なくとも一部を前記第２の部分の側方に配置し、
　薄膜磁気ヘッドの製造方法は、更に、前記薄膜コイルの少なくとも一部における巻線間を絶縁するための絶縁層を形成する工程を含み、
　前記絶縁層を形成する工程は、形成時に流動性を有する絶縁材料よりなる第１の絶縁膜を、前記薄膜コイルの少なくとも一部の下地となる層に接して、前記薄膜コイルの少なくとも一部における巻線間および前記第２の部分と前記薄膜コイルの少なくとも一部との間の各空間の少なくとも一部を埋めるように形成する工程と、無機絶縁材料よりなる第２の絶縁膜を、前記第１の絶縁膜を覆うように形成する工程とを含み、
　薄膜磁気ヘッドの製造方法は、更に、前記第２の絶縁膜における上面を、前記第２の部分の上面と共に平坦化する工程を含み、
　前記第２の磁性層は、平坦な層であり、且つトラック幅を規定し、
　前記第２の絶縁膜および前記第２の部分の平坦化された上面の上に前記ギャップ層が形成され、このギャップ層の上に前記第２の磁性層が形成される
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　　【請求項７】　前記第１の絶縁膜は有機絶縁材料よりなることを特徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　　【請求項８】　前記第１の絶縁膜はスピンオングラス膜であることを特徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　　【請求項９】　前記第１の絶縁膜を形成する工程は、前記薄膜コイルの少なくとも一部を覆うように第１の絶縁膜を形成することを特徴とする請求項６ないし８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　　【請求項１０】　前記第１の絶縁膜を形成する工程は、前記各空間の一部を埋めるように第１の絶縁膜を形成することを特徴とする請求項６ないし８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　　【請求項１１】　互いに磁気的に連結され、記録媒体に対向する媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含む第１および第２の磁性層と、
　前記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
　少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルと、
　基板とを備え、
　前記第１および第２の磁性層、ギャップ層および薄膜コイルは、前記基板に積層され、且つ前記第１および第２の磁性層のうち、第１の磁性層の方が前記基板に近い位置に配置された薄膜磁気ヘッドであって、
　前記第１の磁性層と前記第２の磁性層のそれぞれは、前記薄膜コイルの少なくとも一部に対向する位置に配置される第１の部分と、前記第１の部分における前記薄膜コイル側の面に接続され、磁極部分を形成する第２の部分とを有し、
　前記薄膜コイルは、少なくとも一部が前記第１の磁性層の第２の部分の側方に配置された第１層部分と、少なくとも一部が前記第２の磁性層の第２の部分の側方に配置された第２層部分とを有し、
　薄膜磁気ヘッドは、更に、前記薄膜コイルの第１層部分の少なくとも一部における巻線間を絶縁するための第１の絶縁層と、前記薄膜コイルの第２層部分の少なくとも一部における巻線間を絶縁するための第２の絶縁層とを有し、
　前記第１の絶縁層と第２の絶縁層のそれぞれは、形成時に流動性を有する絶縁材料よりなり、前記第１層部分の少なくとも一部または第２層部分の少なくとも一部の下地となる層に接して、前記第１層部分の少なくとも一部または第２層部分の少なくとも一部における巻線間、および前記第１層部分の少なくとも一部または第２層部分の少なくとも一部と前記第２の部分との間の各空間の少なくとも一部を埋めるように配置された第１の絶縁膜と、無機絶縁材料よりなり、前記第１の絶縁膜を覆うように配置された第２の絶縁膜とを有し、
　前記第１の絶縁層の第２の絶縁膜における上面は、前記第１の磁性層の第２の部分の上面と共に平坦化され、
　前記第２の磁性層の第２の部分は、トラック幅を規定し、
　前記第１の絶縁層の第２の絶縁膜および前記第１の磁性層の第２の部分の平坦化された上面の上に前記ギャップ層が形成され、このギャップ層の上に前記第２の磁性層の第２の部分および前記薄膜コイルの第２層部分が形成されている
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項１２】　前記第１の絶縁膜は有機絶縁材料よりなることを特徴とする請求項１１記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項１３】　前記第１の絶縁膜はスピンオングラス膜であることを特徴とする請求項１１記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項１４】　前記第１の絶縁膜は、前記薄膜コイルの少なくとも一部を覆うように配置されていることを特徴とする請求項１１ないし１３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項１５】　前記第１の絶縁膜は、前記各空間の一部を埋めるように配置されていることを特徴とする請求項１１ないし１３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項１６】　互いに磁気的に連結され、記録媒体に対向する媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含む第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
　前記第１の磁性層を形成する工程と、
　前記第１の磁性層の上に前記ギャップ層を形成する工程と、
　前記ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する工程と、
　少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で配置されるように、前記薄膜コイルを形成する工程とを含み、
　前記第１の磁性層を形成する工程と前記第２の磁性層を形成する工程のそれぞれは、前記薄膜コイルの少なくとも一部に対向する位置に配置される第１の部分と、前記第１の部分における前記薄膜コイル側の面に接続され、磁極部分を形成する第２の部分とを形成し、
　前記薄膜コイルを形成する工程は、少なくとも一部が前記第１の磁性層の第２の部分の側方に配置された第１層部分と、少なくとも一部が前記第２の磁性層の第２の部分の側方に配置された第２層部分とを形成し、
　薄膜磁気ヘッドの製造方法は、更に、前記薄膜コイルの第１層部分の少なくとも一部における巻線間を絶縁するための第１の絶縁層を形成する工程と、前記薄膜コイルの第２層部分の少なくとも一部における巻線間を絶縁するための第２の絶縁層を形成する工程とを含み、
　前記第１の絶縁層を形成する工程と前記第２の絶縁層を形成する工程のそれぞれは、形成時に流動性を有する絶縁材料よりなる第１の絶縁膜を、前記第１層部分の少なくとも一部または第２層部分の少なくとも一部の下地となる層に接して、前記第１層部分の少なくとも一部または第２層部分の少なくとも一部における巻線間、および前記第１層部分の少なくとも一部または第２層部分の少なくとも一部と前記第２の部分との間の各空間の少なくとも一部を埋めるように形成する工程と、無機絶縁材料よりなる第２の絶縁膜を、前記第１の絶縁膜を覆うように形成する工程とを含み、
　薄膜磁気ヘッドの製造方法は、更に、前記第１の絶縁層の第２の絶縁膜における上面を、前記第１の磁性層の第２の部分の上面と共に平坦化する工程を含み、
　前記第２の磁性層の第２の部分は、トラック幅を規定し、
　前記第１の絶縁層の第２の絶縁膜および前記第１の磁性層の第２の部分の平坦化された上面の上に前記ギャップ層が形成され、このギャップ層の上に前記第２の磁性層の第２の部分および前記薄膜コイルの第２層部分が形成される
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　　【請求項１７】　前記第１の絶縁膜は有機絶縁材料よりなることを特徴とする請求項１６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　　【請求項１８】　前記第１の絶縁膜はスピンオングラス膜であることを特徴とする請求項１６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　　【請求項１９】　前記第１の絶縁膜を形成する工程は、前記薄膜コイルの少なくとも一部を覆うように第１の絶縁膜を形成することを特徴とする請求項１６ないし１８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　　【請求項２０】　前記第１の絶縁膜を形成する工程は、前記各空間の一部を埋めるように第１の絶縁膜を形成することを特徴とする請求項１６ないし１８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。」
　
と補正しようとするものである。
　
　すると、本件手続補正は、請求項１及び請求項６については、
（１）第２の磁性層について「平坦な層であり、且つトラック幅を規定」するものである点、
（２）ギャップ層について、第２の絶縁膜及び第１の磁性層の第２の部分の「平坦化された上面」の上に形成されるものである点、をそれぞれ限定するものである。
　請求項１１については、
（３）第２の磁性層の第２の部分について、「トラック幅を規定」するものである点、
（４）ギャップ層について、第１の絶縁層の第２の絶縁膜及び第１の磁性層の第２の部分の「平坦化された上面」の上に形成されるものである点、
（５）ギャップ層の上に前記第２の磁性層の第２の部分に加えて「および前記薄膜コイルの第２層部分」が形成されている点、をそれぞれ限定するものである。
　請求項１６については、上記（３）〜（５）の点を限定することに加えて、「磁極部分を形成する第２の部分とを形成し、」に付されていた「前記第１の磁性層の」との限定を削除したものであるが、この点は、「前記第１の磁性層を形成する工程と前記第２の磁性層を形成する工程のそれぞれ」についての記載であることからすると、第１の磁性層に限って特定することは明らかに不合理であるから、誤記を訂正したものと認める。
　
　したがって、本件手続補正は、特許法第１７条の２第４項第２号または第３号に規定する事項を目的とするものである。
　
　そこで、本件手続補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）否かを、請求項１に係る発明（以下、「本願補正第１発明」という）、及び請求項１１に係る発明（以下、「本願補正第２発明」という）について以下に検討する。
　
（２）引用例
１）第１引用例
　本願出願前に頒布された刊行物である特開平９−７１１８号公報（以下、「第１引用例」という）には、図面とともに以下の技術事項が記載されている。
（ａ）
「【０００４】そして、図３に示す従来の一般的な誘導型の薄膜磁気ヘッドは、周知のように真空成膜技術とフォトリソグラフィ技術とエッチング手段とを適用して、各構成部材相互間の電気的な絶縁が絶縁膜を用いて行なわれているような状態で、基板１または非磁性材料の無機絶縁薄膜による下地膜２が被着されている基板１に、磁性材料の薄膜や導電材料の薄膜や非磁性材料の無機絶縁薄膜等を、所定のパターン、所定の順序で、順次に積層することにより作られる。ところで、薄膜による各構成部材を順次に積層して行く際に、例えばコイルパターン６のように薄膜の厚さ方向に凹凸のある構成部材上へ、成膜技術によって薄膜を被着させた場合には、その薄膜の表面に、薄膜が被着された構成部材の凹凸の影響が現われる。
【０００５】それで、導電材料の薄膜によるコイルパターン６上に、真空蒸着法やスパッタリング法のような真空成膜技術によって非磁性材料の無機絶縁薄膜８を構成させた場合には、前記の非磁性材料の無機絶縁薄膜８の表面には、導電材料の薄膜によるコイルパターン６の凹凸形状が現われるから、前記の非磁性材料の無機絶縁薄膜８の表面に、磁性材料の薄膜によって構成される上部磁気コア７にも凹凸形状が転写されることになる。前記のように、凹凸形状を示す面上に、軟磁気特性を示す磁性膜を形成させた場合には、前記した磁性膜の軟磁気特性、透磁率が著るしく低下してしまうために、必然的に薄膜磁気ヘッドの記録，再生特性を極端に低下させることになる。」
（ｂ）
「【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明は非磁性体材料製基板上に、下部磁気コアと、上部磁気コアと、前記の上部，下部の両磁気コアの一端部に磁気空隙を構成させるために設けた中間磁気コアと、前記の上部，下部の両磁気コアの他端部を接続する結合磁路と、前記の結合磁路の位置を巻回中心位置として、前記した上部，下部の両磁気コア間の空間を少なくとも含んでいる空間部内に、所定のコイルパターンを有するコイルが非磁性の無機絶縁材料薄膜中に埋設された状態に設けられる状態となるように、導電体材料が充填されることにより所定のコイルパターンを有するコイルが非磁性の無機絶縁材料薄膜中に構成されるような溝を備えていてＳｉＯ2を主成分とするコイル埋設用の非磁性の無機絶縁材料薄膜と、前記したコイル埋設用の非磁性の無機絶縁材料薄膜以外の非磁性の無機絶縁材料薄膜とが積層して構成された薄膜磁気ヘッドにおいて、前記したコイル埋設用の非磁性の無機絶縁材料薄膜以外の非磁性の無機絶縁材料薄膜として、膜内部応力が前記したＳｉＯ2を主成分とするコイル埋設用の非磁性の無機絶縁材料薄膜の膜内部応力に比べて小さく、また、弗素系のエッチングガスによるリアクティブイオンエッチング時のエッチング速度が、前記したＳｉＯ2を主成分とするコイル埋設用の非磁性の無機絶縁材料薄膜のエッチング速度に比べて小さく、かつ、熱膨脹係数が前記したＳｉＯ2を主成分とするコイル埋設用の非磁性の無機絶縁材料薄膜の熱膨脹係数よりも非磁性体材料製基板の熱膨脹係数に近い値を示す非磁性の無機絶縁材料薄膜を用いて薄膜磁気ヘッドを構成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッドを提供する。」
（ｃ）
「【００２３】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の薄膜磁気ヘッドの具体的な内容について詳細に説明する。図１及び図２は本発明の薄膜磁気ヘッドの説明に使用される薄膜磁気ヘッドの概略の製作工程を示している図である。　本発明の薄膜磁気ヘッドは、磁性体材料製基板１上に、下部磁気コア３と、上部磁気コア１６と、前記の上部，下部の両磁気コア３，１６の一端部に磁気空隙を構成させるために設けた中間磁気コア１０と、前記の上部，下部の両磁気コア３，１６の他端部を接続する結合磁路１１と、前記の結合磁路１１の位置を巻回中心位置として、前記した上部，下部の両磁気コア間の空間を少なくとも含んでいる空間部内に、所定のコイルパターンを有するコイル１４が非磁性の無機絶縁材料薄膜１２中に埋設された状態に設けられる状態となるように、導電体材料が充填されることにより所定のコイルパターンを有するコイルが非磁性の無機絶縁材料薄膜１２中に構成されるような溝１３を備えているコイル埋設用の非磁性の無機絶縁材料薄膜１２と、前記したコイル埋設用の非磁性の無機絶縁材料薄膜１２以外の非磁性の無機絶縁材料薄膜２，９，１５，１７とが所要のように積層して構成されている、例えば図１の（ｈ）及び図２の（ｉ）の断面図によって例示されているような薄膜磁気ヘッドにおいて、前記した導電体材料が充填されることにより所定のコイルパターンを有するコイルが非磁性の無機絶縁材料薄膜１２中に構成されるような溝１３を備えているコイル埋設用の非磁性の無機絶縁材料薄膜１２は、ＳｉＯ2を主成分とする非磁性の無機絶縁材料薄膜を用い、また、前記したコイル埋設用の非磁性の無機絶縁材料薄膜１２以外の非磁性の無機絶縁材料薄膜２，９，１５，１７としては、膜内部応力が前記したＳｉＯ2を主成分とするコイル埋設用の非磁性の無機絶縁材料薄膜１２の膜内部応力に比べて小さく、また、弗素系のエッチングガスによるリアクティブイオンエッチング時のエッチング速度が、前記したＳｉＯ2を主成分とするコイル埋設用の非磁性の無機絶縁材料薄膜１２のエッチング速度に比べて小さく、かつ、熱膨脹係数が前記したＳｉＯ2を主成分とするコイル埋設用の非磁性の無機絶縁材料薄膜１２の熱膨脹係数よりも非磁性体材料製基板の熱膨脹係数に近い値を示す非磁性の無機絶縁材料の薄膜(例えばＡｌ2Ｏ3の薄膜)を用いて構成したものである。
【００２４】まず、図１の（ｈ）に示されているような構成態様の薄膜磁気ヘッドとして本発明の薄膜磁気ヘッドを作製する場合について、図１を参照して説明すると次のとおりである。図１において１は薄膜磁気ヘッドの基板として用いられる非磁性材料製の基板（または非磁性絶縁材料製の基板）であり、前記の非磁性材料製の基板１としてはＣａＴｉＯ3のウエファ（またはＢａＴｉＯ3のウエファ、またはあるいはＡｌ2Ｏ3-ＴｉＣ材のウエファ）その他の材料から適当な材料が選択して用いることができる｛なお、図２の（ｉ）に示されているような構成態様の薄膜磁気ヘッドにおける非磁性材料製の基板１の材料としても、前述の材料を用いることができる｝。
【００２５】図１の（ａ）に示されている基板１は、例えばＣａＴｉＯ3のような非磁性材料製の基板である。前記の基板１上には、例えば真空蒸着法、またはスパッタリング法等の真空成膜技術を用いて、例えば１μｍ〜１０μｍの膜厚のＡｌ2Ｏ3の薄膜を、非磁性の無機絶縁材料薄膜２として形成させる。前記の薄膜２の構成材料としては、Ａｌ2Ｏ3、の他にＴｉＯ2、ＺrＯ2等の非磁性の無機絶縁材料の内から適当な材料が選択使用されてよい。スパッタリング法によってＡｌ2Ｏ3の薄膜を成膜するのに、成膜室内のアルゴンガス圧を５ミリＴｏｒｒとし、５インチのターゲットを用いて、１ＫＷの電力を供給し、室温で成膜を行なったときに、成膜されたＡｌ2Ｏ3の薄膜の圧縮応力は、３かける十の八乗ダイン／平方センチメートルであった。また、マグネトロンスパッタリング法によってＴｉＯ2の薄膜を成膜するのに、成膜室内のアルゴンガス圧を１５ミリＴｏｒｒとし、６インチのターゲットを用いて、０．6ＫＷの電力を供給し、室温で成膜を行なったときに、成膜されたＴｉＯ2の薄膜の圧縮応力は、７かける十の八乗ダイン／平方センチメートルであった。
【００２６】既述のようにして基板１上に形成させたＡｌ2Ｏ3の薄膜からなる非磁性の無機絶縁材料薄膜２上には、図１の（ａ）中の３で示されるような下部磁気コア３が例えば次のようにして形成される。すなわち、まず、例えば真空蒸着法、またはスパッタリング法等の真空成膜技術を適用して、前記したＡｌ2Ｏ3の薄膜からなる非磁性の無機絶縁材料薄膜２の全面に磁性膜を形成させる。前記した磁性膜は、例えばＣｏ系のアモルファス、ＦｅＴａＮなどの磁性材料を使用して、例えば４μｍ〜５μｍの膜厚のものと形成される。　次に、前記の磁性膜の全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト層を形成させる。前記のフォトレジスト、及び後述される各工程で使用されているフォトレジストとしては、例えば、東京応化（株）製のＯＦＰＲ−８００を用いることができる。　そして、前記のフォトレジスト層には、周知のフォトリソグラフィ法を適用し、フォトレジスト層に対する露光，現像処理を経て、下部磁気コア３の形状のマスクパターンをフォトレジスト層で形成させてから、前記の磁性膜におけるフォトレジスト層によって被覆されていない部分を、例えばイオンビームミリング等のドライエッチング手段の適用により除去して、基板１上に形成させたＡｌ2Ｏ3の薄膜からなる非磁性の無機絶縁材料薄膜２上には、図１の（ａ）に示されているように、下部磁気コア３が形成される。なお、図１の（ａ）は、図１の（ｂ）によって示されている平面図におけるＡ−Ａ線位置における縦断面図である。
【００２８】　次に、平面図が図１の（ｂ）で示されるとともに縦断面図が図１の（ａ）で示されるような素材に対して、非磁性の無機絶縁材料としてＡｌ2Ｏ3を用いて、例えば真空蒸着法、またはスパッタリング法（ステップカバレージの良好な…パターンに対して被覆率の良好な…例えば、基板に高周波バイアスを印加したバイアススパッタリング法）等の真空成膜技術により、Ａｌ2Ｏ3の薄膜からなる非磁性の無機絶縁材料の薄膜を、前記した下部磁気コア３の厚さ以上の膜厚のものとして形成させる。次いで、前記したＡｌ2Ｏ3の薄膜からなる非磁性の無機絶縁材料の薄膜における盛上がっている部分を研磨して、図１の（ｃ）に示されているように、下部磁気コア３がＡｌ2Ｏ3の薄膜からなる非磁性の無機絶縁材料の薄膜９中に埋設された状態で、かつ、下部磁気コア３の上面がＡｌ2Ｏ3の薄膜からなる非磁性の無機絶縁材料の薄膜９から露出している状態の素材を得る。
【００２９】次に、図１の（ｃ）に示されている素材の全面に、例えばＣｏ系のアモルファス、ＦｅＴａＮなどの磁性材料を使用して、例えば４μｍ〜５μｍの膜厚の磁性膜を形成させ、次いで前記の磁性膜の全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト層を形成させる。前記のフォトレジスト層に対して周知のフォトリソグラフィ法を適用し、フォトレジスト層に露光，現像処理を施して、中間磁気コア１０と結合磁路１１との形状を備えたマスクパターンをフォトレジスト層で形成させてから、前記のフォトレジスト層によるマスクパターンで被覆されていない磁性膜の部分を、例えばイオンビームミリング等のドライエッチング手段を適用して除去して、下部磁気コア３の両端に、前記の磁性膜により中間磁気コア１０と結合磁路１１とが形成されている状態の素材を得る。
【００３０】　次いで、例えば真空蒸着法、またはスパッタリング法等の真空成膜技術を用いて、ＳｉＯ2を主成分とする非磁性の無機絶縁材料により、前記した中間磁気コア１０と結合磁路１１との厚さ以上の膜厚の薄膜を前記の素材に対して形成させた後に、前記のＳｉＯ2を主成分とする非磁性の無機絶縁材料の薄膜における盛上がっている部分を研磨して、中間磁気コア１０と結合磁路１１とが、ＳｉＯ2を主成分とする非磁性の無機絶縁材料の薄膜１２中に埋設された状態で、かつ、中間磁気コア１０の上面と結合磁路１１との上面とが、ＳｉＯ2を主成分とする非磁性の無機絶縁材料の薄膜１２から露出している状態の素材、すなわち、図１の（ｄ）に示すような素材を得る。なお、図１の（ｄ）は、図１の（ｅ）によって示されている平面図におけるＡ−Ａ線位置における縦断面図である。
【００３１】次に、平面図が図１の（ｅ）で示されるとともに縦断面図が図１の（ｄ）で示されるような素材の面上に、例えばスピンコート法によりフォトレジスト層を形成させた後に、前記のフォトレジスト層に対して周知のフォトリソグラフィ法を適用し、フォトレジスト層に対する露光，現像処理を経て、所望のコイルパターンを有するマスクパターンをフォトレジスト層で形成させる。　そして、前記の所望のコイルパターンを有するマスクパターンを用いて、リアクティブイオンエッチング法によるドライエッチングを行なって、前記したＳｉＯ2を主成分とする非磁性の無機絶縁材料の薄膜１２中に、前記した所望のコイルパターンと対応する溝１３，１３…を形成させる。
【００３２】　すなわち、前記のコイルパターンを有するマスクパターンが設けられた素材を被エッチング部材として、成膜室（真空外囲器）中の電極上に載置し、真空外囲器を密封した後に、真空ポンプを始動させて真空外囲器内の排気動作を行なった後に、エッチングガス源とされるエッチングガスの容器から、エッチングガス（例えばＣＨＦ3，ＣＨＦ4のようなフロロカーボン等の弗素系のエッチングガス）を真空外囲器内に導入する。真空外囲器内のエッチングガスの圧力を適正にし、電極間に高周波電源から高周波電力の供給を開始させてフロロカーボン等の弗素系のエッチングガスのプラズマが発生させて、電極上に載置されている被エッチング部材におけるＳｉＯ2を主成分とする非磁性の無機絶縁材料の薄膜１２に、前記したＣＨＦ3ガスのプラズマにより、リアクティブイオンエッチング法によるドライエッチングを行なう。それにより、前記したＳｉＯ2を主成分とする非磁性の無機絶縁材料の薄膜１２には、図１の（ｆ）に示されているように溝１３，１３…が形成される。
【００３３】前記のようにして、ＳｉＯ2を主成分とする非磁性の無機絶縁材料の薄膜１２に所定の深さの溝１３，１３…が構成されたならば、真空外囲器内で行なわれていたエッチング動作を停止させて、素材を真空外囲器外に取出し、素材に残されたフォトレジスト層によるマスク部材を除去する。次いで、前記したＳｉＯ2を主成分とする非磁性の無機絶縁材料薄膜１２中にコイルパターンと対応する溝１３，１３…が設けられた状態の素材の全面に、真空成膜技術により導電材料、例えば銅の薄膜を被着させた後に、前記のＳｉＯ2を主成分とする非磁性の無機絶縁材料薄膜１２の表面や、中間磁気コア１０と結合磁路１１の表面などが露出する状態になるように研磨する。それにより前記したＳｉＯ2を主成分とする非磁性の無機絶縁材料薄膜１２中のコイルパターンと対応する溝１３，１３…が、導電材料１４によって充填された状態にされた図１の（ｆ）に示されるような素材が得られる。なお、図１の（ｆ）は、図１の（ｇ）によって示されている平面図におけるＡ−Ａ線位置における縦断面図である。
【００３４】次に、図１の（ｆ）に示されるような素材の表面に、所定の磁気空隙長の磁気空隙部を形成させるために、例えば真空蒸着法、またはスパッタリング法等の真空成膜技術を用いて、Ａｌ2Ｏ3の薄膜からなる非磁性の無機絶縁材料の薄膜１５を構成させた後に、前記の素材の面上に例えば真空蒸着法、またはスパッタリング法等の真空成膜技術を適用して、前記したＡｌ2Ｏ3の薄膜からなる非磁性の無機絶縁材料薄膜１５の全面に、例えばＣｏ系のアモルファス、ＦｅＴａＮなどの磁性材料を使用して、例えば４μｍ〜５μｍの膜厚の磁性膜を形成させ、次に、前記の磁性膜の全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト層を形成させる。
【００３５】　そして、前記のフォトレジスト層に対して、周知のフォトリソグラフィ法を適用し、フォトレジスト層に対する露光，現像処理を経て、上部磁気コア１６の形状を備えたマスクパターンをフォトレジスト層により形成させてから、前記の磁性膜におけるフォトレジスト層によって被覆されていない部分を、例えばイオンビームミリング等のドライエッチング手段の適用により除去することにより、Ａｌ2Ｏ3の薄膜からなる非磁性の無機絶縁材料薄膜１５上には、図１の（ｈ）に示されているように、上部磁気コア１６が形成される。次に、例えば真空成膜技術により、上部磁気コア１６が、Ａｌ2Ｏ3の薄膜からなる非磁性の無機絶縁材料によって埋設された状態となるようにした後に、前記のＡｌ2Ｏ3の薄膜からなる非磁性の無機絶縁材料における盛上がっている部分を研磨して、前記の上部磁気コア１６がＡｌ2Ｏ3の薄膜からなる非磁性の無機絶縁材料薄膜１７中に埋設された状態で、かつ、上部磁気コア１６の上面がＡｌ2Ｏ3の薄膜からなる非磁性の無機絶縁材料薄膜１７から露出している状態とされた図１の（ｈ）に示すような素材を得る。
【００３６】図１の（ｈ）に示されている状態の素材には、次いで、成膜技術と、フォトリソグラフィ技術と、エッチング技術等を適用して、コイルパターンの始端部とコイルパターンの終端部とにスルーホール部を設けたり、リード線を形成したり、ボンディングパットを形成させたり、Ａｌ2Ｏ3の薄膜からなる非磁性の無機絶縁材料薄膜を保護膜として形成させて薄膜磁気ヘッドを完成させる。」
　
　上記第１引用例記載事項及び図面の記載事項を総合勘案すると、第１引用例には、結局、次の発明が記載されている（以下、「第１引用発明」という）。
　
「例えばＣａＴｉＯ3のような非磁性材料製の基板基板１上に、例えば真空蒸着法、またはスパッタリング法等の真空成膜技術を用いて、例えば１μｍ〜１０μｍの膜厚のＡｌ2Ｏ3の薄膜を、非磁性の無機絶縁材料薄膜２として形成させ、
　非磁性の無機絶縁材料薄膜２上には、図１の（ａ）中の３で示されるような下部磁気コア３が真空成膜技術、マスクパターンの形成、ドライエッチング等の工程を経て形成され、
　次に、Ａｌ2Ｏ3の薄膜からなる非磁性の無機絶縁材料の薄膜を、下部磁気コア３の厚さ以上の膜厚のものとして形成させ、次いで、前記したＡｌ2Ｏ3の薄膜からなる非磁性の無機絶縁材料の薄膜における盛上がっている部分を研磨して、図１の（ｃ）に示されているように、下部磁気コア３がＡｌ2Ｏ3の薄膜からなる非磁性の無機絶縁材料の薄膜９中に埋設された状態で、かつ、下部磁気コア３の上面がＡｌ2Ｏ3の薄膜からなる非磁性の無機絶縁材料の薄膜９から露出している状態の素材を得、
　次に、下部磁気コア３の両端に、磁性膜により中間磁気コア１０と結合磁路１１とを形成し、
　次に、ＳｉＯ2を主成分とする非磁性の無機絶縁材料により、前記した中間磁気コア１０と結合磁路１１との厚さ以上の膜厚の薄膜を前記の素材に対して形成させた後に、前記のＳｉＯ2を主成分とする非磁性の無機絶縁材料の薄膜における盛上がっている部分を研磨して、中間磁気コア１０と結合磁路１１とが、ＳｉＯ2を主成分とする非磁性の無機絶縁材料の薄膜１２中に埋設された状態で、かつ、中間磁気コア１０の上面と結合磁路１１との上面とが、ＳｉＯ2を主成分とする非磁性の無機絶縁材料の薄膜１２から露出している状態の素材、すなわち、図１の（ｄ）に示すような素材を得、
　次に、前記ＳｉＯ2を主成分とする非磁性の無機絶縁材料の薄膜１２に所望のコイルパターンと対応する溝１３を形成し、当該溝に例えば銅の薄膜を被着させた後に、前記のＳｉＯ2を主成分とする非磁性の無機絶縁材料薄膜１２の表面や、中間磁気コア１０と結合磁路１１の表面などが露出する状態になるように研磨することで、ＳｉＯ2を主成分とする非磁性の無機絶縁材料薄膜１２中のコイルパターンと対応する溝１３，１３…が、導電材料１４によって充填された状態にされた図１の（ｆ）に示されるような素材とし、
　所定の磁気空隙長の磁気空隙部を形成させるために、例えば真空蒸着法、またはスパッタリング法等の真空成膜技術を用いて、Ａｌ2Ｏ3の薄膜からなる非磁性の無機絶縁材料の薄膜１５を構成させた後に、
　例えば真空蒸着法、またはスパッタリング法等の真空成膜技術を適用して、前記したＡｌ2Ｏ3の薄膜からなる非磁性の無機絶縁材料薄膜１５の全面に、例えばＣｏ系のアモルファス、ＦｅＴａＮなどの磁性材料を使用して、例えば４μｍ〜５μｍの膜厚の磁性膜を形成させ、その後、フォトレジスト層によるマスクパターンの形成、ドライエッチング手段の適用により上部磁気コア１６が形成された、
薄膜磁気ヘッド」
２）第２引用例
　原査定において引用された、本願出願前の刊行物である特開平９−２１２８１９号公報（以下、第２引用例という）には、図面とともに以下の技術事項が記載されている。
（ｄ）
「【００２１】
【発明の実施の形態】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施例について、以下に図と共に説明する。図１及び図２は、本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例の製造工程を示す断面図であり、第１乃至第１２の製造工程を示す断面図である。
【００２２】　第１の製造工程
［薄膜磁気ヘッドの下コア１４の形成　図１（Ａ）参照］基板１０の上に下コア１４を絶縁膜１２内に埋込み平坦化する。前記絶縁膜１２として、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）と二酸化チタン（ＴｉＯ2 ）のうち少なくともいずれか一方を使用して行なう。
【００２３】　第２の製造工程
［薄膜磁気ヘッドの中間コア１６，１８の形成　図１（Ｂ）参照］下コア１４上の一部に中間コア１６，１８を夫々形成する。
【００２４】　第３の製造工程
［薄膜磁気ヘッドの前部中間コア１６の後端部に穴のあいた所定のパターンの形成　図１（Ｃ）参照］フォトレジスト４５を塗布し、前部中間コア１６の後端部に穴のあいた所定のパターニングを行なう。
【００２５】第４の製造工程
［前部中間コア１６の後端部に穴のあいた所定のパターンの形成図１（Ｄ）参照］イオンミリング等のエッチング方法を用いて必要な深さだけエッチングを行ない、その後フォトレジスト４５を除去する。
【００２６】　第５の製造工程
［薄膜磁気ヘッドの絶縁膜２０の形成　図１（Ｅ）参照］二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）による絶縁膜２０を成膜し研磨を行なって平坦化する。前記絶縁膜２０として、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）と二酸化チタン（ＴｉＯ2）のうち少なくともいずれか一方を使用して行なう。
【００２７】　第６の製造工程
［薄膜磁気ヘッドのコイル溝２４の形成　図１（Ｆ）参照］ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）等のエッチング方法を用いて、コイル溝２４を形成する。
【００２８】　第７の製造工程
［薄膜磁気ヘッドの導体膜２８の形成　図１（Ｇ）参照］Ｃｕ等の導体膜（１層目のコイル）２８を成膜し、表面を研磨して平坦化する。
【００２９】　第８の製造工程
［ギャップ材３０の形成　図２（Ｈ）参照］基板１０の表面上であって、後部中間コア１８の形成領域を除いた部分に非磁性絶縁材料によるギャップ材３０を所定の厚さだけ形成する。
【００３０】第９の製造工程
［薄膜磁気ヘッドの前部後部の中間コア３２，３４の形成　図２（Ｉ）参照］前部中間コア３２、後部中間コア３４、絶縁膜３６を所定の厚みに形成し、表面を平坦化する。前記第５の製造工程と同様に、前記絶縁膜３６として、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）と二酸化チタン（ＴｉＯ2 ）のうち少なくともいずれか一方を使用して行なう。
【００３１】　第１０の製造工程
［薄膜磁気ヘッドの２層目のコイル３８の形成　図２（Ｊ）参照］　前記第４及び５の製造工程と同様にして、２層目のコイル３８を形成する。
【００３２】　第１１の製造工程
［薄膜磁気ヘッドの上コア４２の形成　図２（Ｋ）参照］　前部中間コア３２と後部中間コア３４の形成領域を除いた部分に絶縁膜４０を所定の厚さ形成するとともに、前記第１の製造工程と同様の方法で上コア４２を形成する。
【００３３】　第１２の製造工程
［薄膜磁気ヘッドのリード線４４の形成　図２（Ｌ）参照］　絶縁膜４０にコイル３８に接続するリード線４４を形成する。
【００３４】　このようにして、基板上に多数形成された各磁気ヘッド素子のチップを切断し、所定のギャップ深さ（寿命寸法）となるように研磨等の方法で媒体対向面を加工して、図３に断面を示すような本発明の薄膜磁気ヘッド１が得られる。
　
　上記第２引用例記載事項及び図面の記載事項を総合勘案すると、第２引用例には、結局、次の発明が記載されている（以下、「第２引用発明」という）。
「基板１０の上に下コア１４を絶縁膜１２内に埋込み平坦化し、
下コア１４上の一部に中間コア１６，１８を夫々形成し、
二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）による絶縁膜２０を成膜し研磨を行なって平坦化し、
Ｃｕ等の導体膜（１層目のコイル）２８を成膜し、表面を研磨して平坦化し、
後部中間コア１８の形成領域を除いた部分に非磁性絶縁材料によるギャップ材３０を所定の厚さだけ形成し、
前部中間コア３２、後部中間コア３４、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）による絶縁膜３６を所定の厚みに形成し、表面を平坦化し、
２層目のコイル３８を形成し、
上コア４２を形成し、
所定のギャップ深さ（寿命寸法）となるように研磨等の方法で媒体対向面を加工した、図３に断面を示すような薄膜磁気ヘッド１」
　
３）第３引用例
　同じく原査定において引用された、本願出願前の刊行物である特開平７−３１１９１２号公報（以下、第３引用例という）には、図面とともに以下の技術事項が記載されている。
（ｅ）
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高密度磁気ディスク装置に用いられる薄膜磁気ヘッドや薄膜モータ等の、薄膜技術によって製造される物に関し、詳しくはそれらの物において用いられる薄膜コイルを製造する方法に関する。」
（ｆ）
「【００１０】
【作用】線材相互間に無機酸化物を充填する際に、線材相互の深部であって、比較的強度を要しない部分は流動性の大きいレジストで埋めることによって線材相互間の深さを浅くして段差を小さくすることによって、無機酸化物の進入を円滑化し、線材の上部相互間にボイドの発生無く無機酸化物を充填できるようにする。線材の上部位置相互間にボイド無く充填された無機酸化物は効果的に高い機械的強度を示し、又高い電気的絶縁性を示す。
【００１１】
【実施例】以下本願の実施例を示す図面について説明する。まず説明に先立って一般的な薄膜コイルの形成方法の例を図１の（Ａ）〜（Ｇ）を用いて説明する。先ず（Ａ）のように絶縁層６の上にコイルをメッキするベースとする為のシード層31をスパッタリングによって形成する。シード層31としては絶縁層６に対する密着性の良い点からチタン或いはクロームを用いる。次に（Ｂ）の如くシード層31の上にフォトレジスト32をコートする。次に（Ｃ）の如くフォトマスク33を被せ、紫外線34によって露光する。次にそれを現像し更にポストベークして、（Ｄ）の如くメッキ用の凹部36を有するレジストパターン35を形成する。次に電解メッキによって上記凹部36に銅をメッキし、（Ｅ）の如くコイル７の線材7aを矩形の基本形状に形成する。次に（Ｆ）の如くフォトレジスト35を剥離除去し、更に例えばイオンビームエッチングにより（Ｇ）の如くコイルの線材7a相互間のシード層31を除去する。このようにしてコイルは形成される。」
（ｇ）
「【００１４】次に本例では、コイルを２層に形成する為に、上記（Ａ）〜（Ｉ）の工程をもう一度繰り返して、（Ｊ）の如く上記コイル７の上にもう一つのコイル40を形成する。尚41はシード層、40ａはコイル40の線材、42は絶縁材（無機酸化物）である。上記（Ａ）〜（Ｊ）の工程を完了することにより、絶縁材中に埋められた状態の２層のコイル７，40を備える薄膜コイルが完成する。前記磁気ヘッドをこのような２層のコイル７，40を有する構造にすると、電気的感度を向上させられる。コイルは１層でも或いはより多層にしても良い。」
（ｈ）
「【００１８】次に図１の（Ｇ）に示されるような多数のコイル線材7a、7a間及びそれらの上面に無機酸化物８を被せ付ける手段につき図５を用いて説明する。まず図１の（Ｇ）と同様に多数のコイル線材7a、7aから成るコイルを絶縁材６の上に形成する（図５の（Ａ）参照）。これの形成方法は前述した通りであって、ドライエッチング方式であっても、電解メッキ方式であってもよい。次に図５の（Ｂ）に示されるようにコイル線材7a、7aの上に高温にて短時間内に流動化する性質のレジストを塗布する。手段としては周知のスピンナーによるとよい。レジストの量は（Ｃ）のようにコイル線材7a、7a相互間の深さＨの略半分がレジスト8aによって埋まる程度に止め、上方に残りの空間8bが形成されるようにする。なおこの場合（Ｂ）の如くコイル線材7a、7aの上部にもレジスト8cが堆積する。従って、前記レジストの量としては、この堆積するレジスト8cを周知のように高温の雰囲気（例えば200℃）に接しさせると流動化し、コイル線材7a、7a相互間に流れ込むので、予めこの流れ込み量を見込んだ量にしておくとよい。なおレジスト8cの量が多いときには除去すればよい。このようにして（Ｂ）の状態にあったレジストは流動化して（Ｃ）の状態になる。この（Ｃ）のような断面、即ち、コイル線材7a、7a相互間が既にレジスト8aによって途中迄埋められて浅くなっている場合は、これらのコイルの上にスパッタリングによって無機酸化物を被せても、コイル線材7a、7a相互間には無機酸化物が入り易く、図６で示したようなボイドの発生は起り得ない。従ってコイルの上に無機酸化物をスパッタすると、コイル線材7a、7a相互間の比較的浅い溝8bは（Ｄ）のように完全に無機酸化物8bで充填され、またコイル全体も図５の（Ｄ）で示すように覆われる。
【００１９】この（Ｄ）のコイル線材7a、7aの上部位置相互間に無機酸化物が完全に充填された状態から図１の（Ｉ）に示すように無機酸化物を重ね、さらには（Ｊ）で示すように複数段重ねにしてもよい。しかし、用途によっては図５の（Ｅ）のように（Ｄ）におけるコイル線材7a、7aの上面より上にある無機酸化物8eを周知の研磨手段により除去し、コイル線材7a、7aの上面8fと無機酸化物8dの高さを同高にしておいてもよい。
【００２０】
【発明の効果】以上のように本願発明にあっては、前記の目的を達成して、コイル線材7a、7a相互間が比較的狭くても、またコイル線材7a、7a相互間の深さが比較的深くても、コイル線材7a、7a相互間の下方深部は流動性の高いレジストで埋り、浅く変化しているので、重要部であるコイル線材7a、7aの上部位置相互間に対しては、無機酸化物の充填を円滑に、特にボイドの発生を予防した状態で無機酸化物の充填ができる効果がある。」
　
４）第４引用例
　同じく原査定において引用された、本願出願前の刊行物である特開平８−７２２２号公報（以下、第４引用例という）には、図面とともに以下の技術事項が記載されている。
（ｉ）
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置や磁気記録再生装置等に用いる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に係り、特に高アスペクト比化されたコイルを有する薄膜ヘッドに好敵な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。」
（ｊ）
「【００３８】〈実施例１〉図１は、実施例１における薄膜磁気ヘッドの製造工程の各製造段階の状態を示す要部断面図である。但し、コイル間の隙間に絶縁層を形成する以外の工程は示していない。
【００３９】図１において、２は下部コア、４ａは下部絶縁層、５はコイル、１０は塗布型絶縁材によるコイル間の絶縁膜、１１はスパッタ絶縁材によるコイル間の絶縁膜である。また、図１（ａ）に示す、本実施例による薄膜磁気ヘッドのコイル形状は、コイルの膜幅（ｗ）＝６μｍ、コイル間隔（ｋ）＝４μｍ、コイル膜厚（ｈ）＝５μｍ、コイル端部の外側傾斜角（θ）＝９０°である。従って、コイル膜厚(ｈ)とコイル間隔(ｋ)との比ｐ（＝ｈ/ｋ）は、１．２５となる。
【００４０】すなわち、この状態でコイル間の隙間に第２の絶縁層を一層目の絶縁層としてスパッタ形成した場合、図５から明らかなように、絶縁層内には空洞が発生する条件である。しかし、本発明の実施例によれば、以下に説明するように、この空洞発生の問題は完全に解消される。
【００４１】先ず、図１（ａ）に示すように、フォトリソグラフィ技術及びメッキ技術等により、下部絶縁層４ａ上にコイル５を形成する。すなわち、図示しないが、下部絶縁層４ａの表面を一様に被覆するように、真空蒸着或いはスパッタ等により、０．０１μｍ程度のメッキ用下地導電膜を形成する。次に、フォトレジスト液を７μｍ程度の厚さに塗布し、フォトリソグラフィ技術により、コイル５のパターンに相当する開口パターンを有するメッキ用マスク層を形成する。続いて、メッキ用下地導電膜をメッキ用電極として用いる電解メッキ技術により、メッキ用マスク層の非マスク部を埋めるように、膜厚が５μｍ程度のＣｕメッキ膜を形成する。そして、メッキ用マスク層を除去した後、Ｃｕメッキ膜をエッチングマスクとして、イオンミリングによってメッキ用下地導電膜の露出部を除去する。これにより、Ｃｕメッキ膜が渦巻の径方向に絶縁されて、コイル５が形成される。
【００４２】以上の処理により、下部絶縁層４ａ上に１層目のコイル５を形成した後、塗布型絶縁材１０として、例えば流動性シリカ等の塗布型ガラス系無機絶縁材を、平坦部での塗布膜厚が約０．３μｍとなる条件で回転塗布する。一般に、塗布型材料を凹凸部に回転塗布する場合、凹部の塗布膜厚は凸部よりも厚くなる特性がある。そのため、コイル間に生じる隙間、特にコイル端部での塗布膜厚は厚くなる。本実施例では、図１（ｂ）に示すように、コイル間に約１．０〜１．５μｍ厚の塗布型ガラス系無機絶縁材による第１の絶縁層が形成される。
【００４３】次に、図１（ｃ）に示すように、第１の絶縁層１０上に、スパッタにより、二酸化珪素（ＳｉＯ２）で構成される第２の絶縁層１１を８μｍの層厚で形成する。そして、スパッタによる第２の絶縁層１１上の凹凸を、イオンミリング法により平坦化し、１層目のコイル及びコイル間の隙間を埋める絶縁層の形成が完了する。
【００４４】以下、２層目のコイルも１層目のコイルと同様に形成される。すなわち、図１（ｄ）に示すように、２層目のコイルをフォトリソグラフィ技術で形成した後、図１（ｂ）に示すように、塗布型ガラス系無機絶縁材による第１の絶縁層を形成する。そして、図１（ｃ）に示すように、この第１の絶縁層上にスパッタによる第２の絶縁層を形成して、２層目のコイルを無機絶縁材で埋め込み、２層コイルの薄膜磁気ヘッドを作製する。」
（ｋ）
「【００５４】〈実施例２〉次に、塗布型絶縁材として耐熱性の良好なポリイミド系有機絶縁材を平坦部での塗布膜厚が約０．２μｍで回転塗布した後、スパッタによりアルミナ（Ａｌ2Ｏ３）で構成される絶縁層を約１０μｍの層厚で形成した。その他は、実施例１と同一工程とした。その結果、絶縁層内に空洞は発生せず、実施例１と同じ効果が得られた。」
　
以下の文献を周知例として掲げる。
５）第１周知例
　本願出願前の刊行物である特開平３−１００９１０号公報（以下、「第１周知例」という）には、図面とともに以下の技術事項が記載されている。
（ｌ）実施例２について、
「第２図（Ａ）〜（Ｂ）は本発明になる別の薄膜磁気ヘッド６０を示す図であり、同図（Ａ）は記録媒体摺動面を示す概略平面図、同図（Ｂ）は同図（Ａ）のＴ−Ｔ切断線に沿った概略断面図である。
　本実施例になる薄膜磁気ヘッド６０が前記薄膜磁気ヘッド５０と異なる点は、本実施例においては、磁気ギャップ１６が上コア１３と前部中間コア３１の間に形成されており、トラック幅ｔは上コア１３の幅により規定され、前部中間コア３１の幅は上コア１３の幅よりも大きい点である。」
（４頁右上欄第１９行〜同頁左下欄第１１行）
　
６）第２周知例
　同じく本願出願前に頒布された刊行物である特開平７−２６２５１９号公報（以下、「第２周知例」という）には、以下の事項が記載されている。
（ｍ）
「【００１１】ＭＲ複合ヘッドを製造するための本方法では、第２シールド層Ｓ２の上にギャップ層を堆積した後に、ギャップ層の上に頂磁極端要素ＰＴ２を堆積する。頂磁極端要素ＰＴ２は、フォトレジスト・フレームめっきまたはイオン・ビーム・ミリングのいずれかによって画定できる。頂磁極端要素ＰＴ２の幅は、書き込まれるトラックの幅を制限するために、５μｍ程度に狭く保たれる。しかし、このＭＲ読取りヘッドの第２シールド層Ｓ２は、読取りヘッド内のＭＲ要素をシールドするために、５０μｍ程度の非常に広い幅を有する。」
また、特に第６図、図１８を参照されたい。
　
７）第３周知例
　同じく、本願出願前に頒布された刊行物である特開平７−２２５９１７号公報（以下、「第３周知例」という）には、以下の事項が記載されている。
（ｎ）
「【００２６】図５に示す書込みヘッド５２は、エア・ベアリング面（ＡＢＳ）とゼロ・スロート・レベル間に位置する磁極端領域７５と、ゼロ・スロート・レベルから後方の後部ギャップまで延びて後部ギャップを含む後部領域とを有する。下部磁極層Ｐ１と上部磁極層Ｐ２を有するヨークが備わっている。下部磁極は下部磁性体の薄膜層８０、上部磁極は上部磁性体の薄膜層８１を含む。下部磁極層Ｐ１と上部磁極層Ｐ２はまたそれぞれ、後部領域に位置する後部層域を含み、両磁極層の後部層域は後部ギャップ領域（ＢＧ）で磁気的に接続されている。下部磁極層Ｐ１は、ＡＢＳとゼロ・スロート・レベル間の磁極端領域７５に位置する磁極端構造体を有する。この磁極端構造体は、下部磁極端素子ＰＴ１ａと上部磁極端素子ＰＴ１ｂを有する。上部磁極層Ｐ２は、ＡＢＳとゼロ・スロート・レベル間の磁極端領域７５に位置する磁極端構造体を有する。この磁極端構造体は、上部磁極端素子ＰＴ２ａと下部磁極端素子ＰＴ２ｂを有する。上部磁極端素子ＰＴ２ａは上部磁極層Ｐ２の磁性体の薄膜層８１の前部であり、下部磁極端素子ＰＴ２ｂは独立した磁性体の薄膜層８２である。
【００２７】図５において下部磁極端素子ＰＴ１ａと上部磁極端素子ＰＴ１ｂはそれぞれ、独立した磁性体の薄膜層８３と８４である。磁性体の薄膜層８３は、後で形成プロセスが説明される下部磁極層Ｐ１の磁性体の薄膜層８０の前方拡張部であり、磁性体の薄膜層８３の上に独立した層である磁性体の薄膜層８４が付着される。
【００２８】本発明の他の実施例５２ａが図６で示される。図５の実施例との唯一の差は、下部磁極層Ｐ１の磁極端構造体が単一の層８５であることである。単一の層８５は、後で詳細に述べられるプロセスによって形成される下部磁極層Ｐ１の磁性体の薄膜層８０の前方拡張部である。下部磁極層Ｐ１が唯一単一の層である場合、複数の製作ステップが省略される。しかしながら、図５で示すように上部磁極端素子ＰＴ１ｂが独立した磁性体の薄膜層８４である場合、下部磁極端素子ＰＴ１ａと上部磁極端素子ＰＴ１ｂは異なる材料で製作されるのが望ましい。前記両方の実施例において下部磁極層Ｐ１はＭＲ読取りヘッドの第２のシールド層７４（図３参照）を含む。この配置により組合わせＭＲヘッドが与えられる。組合わせヘッドは読取りヘッドと書込みヘッドの間隔を縮小し、製作ステップ数を減じる利点がある。」
（ｏ）
「【００３２】図６で示すように上部磁極端素子ＰＴ１ｂ、磁極ギャップ層Ｇ及び下部磁極端素子ＰＴ２ｂの第１の側壁は第１の共通プレーン９６に置かれ、並びに上部磁極端素子ＰＴ１ｂ、磁極ギャップ層Ｇ及び下部磁極端素子ＰＴ２ｂの第２の側壁は第２の共通プレーン９８に置かれる。上部磁極端素子ＰＴ１ｂの第１の側壁と下部磁極端素子ＰＴ２ｂの第２の側壁は、第１の共通プレーン９６と第２の共通プレーン９８に沿ってそれぞれ互いに揃い、所望のトラック外の領域への磁束漏洩を最小にする。第１の共通プレーン９６と第２の共通プレーン９８は、１）互いに平行、２）ＡＢＳに対して垂直、３）下部磁極端素子ＰＴ２ｂの膜面と磁極ギャップ層Ｇの膜面に対して垂直、４）書込みヘッドのトラック幅である間隔ｗだけ互いに離れている。第１の共通プレーン９６と第２の共通プレーン９８間の間隔ｗは、０．７μｍ乃至１μｍの範囲にある。この狭いトラック幅は後で説明される本発明のプロセスによって得られる。トラック幅を狭くすることによってトラック密度が増し、書込みヘッドの面密度が増加する。」
（ｐ）
図６に示された実施例の製作ステップとして、
「【００４４】図１３及び図１４で示すようにレジスト層１２２はフォトレジスト・マスクとなり、２つのフォトレジスト層１２４と１２６を作る。これらの層はその上部膜面と下部膜面との間でよく画定されたサイドを持つ。前部のフォトレジスト層１２４は、書込みヘッドの磁極端が位置する磁極端領域を覆う。フォトレジスト層１２４（図１４）の幅は、書込みヘッドのトラック幅に求められた幅である。本発明では０．７μｍのトラック幅が好適である。図１３で示すように前部のフォトレジスト層１２４の後部サイドは、磁極端のゼロ・スロート・レベルに一致する。フォトレジスト層１２６は後部ギャップ領域ＢＧを覆う。
【００４５】次に、イオン・ビーム・ミリングが下記の層に対して行われる。１）上部磁極層Ｐ２の下部磁性体の薄膜層８２、２）磁極端ギャップ層Ｇ、３）図１５で示される下部磁極層Ｐ１の磁性体の薄膜層８０。フォトレジスト層の保護のためにこのイオン・ビーム・ミリングは、磁性体の薄膜層８２の前面部、磁極端ギャップ層Ｇ及び磁性体の薄膜層８０を残し、下部磁極端素子ＰＴ２ｂ、磁極端ギャップ層Ｇ及び上部磁極端素子ＰＴ１ｂを形成する。図１６で示すようにイオン・ビーム・ミリング後、フォトレジスト層は除去される。
【００４６】イオン・ビーム・ミリングは、上部磁極層Ｐ２の下部磁性体の薄膜層８２の後面部及び下部磁極層Ｐ１の磁性体の薄膜層８０の後面部を残し、後部ギャップ領域ＢＧの一部を形成する。図１６で示すようにイオン・ビーム・ミリングは、ゼロ・スロート・レベルと後部ギャップの間の上部磁極層Ｐ２の下部磁性体の薄膜層８２の後面部、磁極端ギャップ層Ｇ及び下部磁極層Ｐ１の磁性体の薄膜層８０を除去してウェルを形成する。図１６で示すようにイオン・ビーム・ミリングはまた下部磁極端素子ＰＴ２ｂ、磁極端ギャップ層Ｇ及び上部磁極端素子ＰＴ１ｂのそれぞれの後壁を形成する。下部磁極端素子ＰＴ２ｂ、磁極端ギャップ層Ｇ及び上部磁極端素子ＰＴ１ｂのそれぞれの後壁は、共通プレーンに隣接して置かれ、ゼロ・スロート・レベルで磁極端の後壁１２２を形成する。
【００４７】図１７で示すようにイオン・ビーム・ミリングはまた、上部磁極端素子ＰＴ１ｂ、下部磁極端素子ＰＴ２ｂ及び磁極端ギャップ層Ｇの第１の側壁及び第２の側壁を形成し、それぞれの第１の側壁は第１の共通プレーン９６に置かれ、並びにそれぞれの第２の側壁は第２の共通プレーン９８に置かれる。第１の共通プレーン９６と第２の共通プレーン９８の間は、間隔ｗだけ互いに平行して離隔し、書込みヘッドのトラック幅を画定する。本発明におけるトラック幅は、０．７μｍなどの１μｍ以下である。この狭いトラック幅は、前部の薄いフォトレジスト層１２４とイオン・ビーム・ミリングによって得ることができる。後部ギャップ領域ＢＧが図１８で示されており、上部磁極層Ｐ２の下部磁性体の薄膜層８２は、下部磁極層Ｐ１の磁性体の薄膜層８０と磁気的接続を生み出す。」
　
８）第４周知例
　同じく、本願出願前に頒布された刊行物である特開平１１−１７５９１６号公報（以下、「第４周知例」という）には、以下の事項が記載されている。
（ｑ）
「【００４０】次に、図23に示すように、書き込みトラック幅Ｗを決定する第２の磁性層32（ポールチップとも称する）を約１〜４μm の厚さで所定のパターンにしたがって選択的に形成する。この第２の磁性層32はパーマロイ（Ni：50wt％、Fe：50wt％）で形成する。その後、ポールチップ32をマスクとするリアクティブイオンエッチングまたはイオンビームエッチングによってポールチップの周辺のギャップ層31を選択的に除去した後、露出した第１の磁性層27を、例えばイオンミリングで100 〜200nm の深さまでエッチングして、第１の磁性層にトリム状の磁極部分を形成した様子を図24に示す。 なお、本発明において、磁極部分とは、凹部25の端縁から積層体の端面までの、第１の磁性層27とギャップ31と第２の磁性層（ポールチップ）32とが接合している領域をいう。したがって、製品段階において、この端面を研磨してエアベアリング面を形成した場合には、磁極部分は、凹部25の端縁からエアベアリング面までの領域となり、これはスロートハイトTHに一致する。」　
（ｒ）
「【００４３】上述のようにして、第２の磁性層32を形成した後、アルミナ絶縁層33を３〜４μmの膜厚に形成した後、CMPによって研磨して第２の磁性層32を露出させ、らにその上に第１の磁性層27と同じパーマロイより成る第３の磁性層34を３〜４μmの膜厚に形成した状態を図25に示す。上述した図28および29に示すように、この第３の磁性層34の平面形状は磁極部分を有するほぼ正五角形の形状を有している。このように、第３の磁性層34の形状を後方に行くにしたがって幅が広がる形状として、第２の磁性層32を覆うようにすると、ポールチップと第３の磁性層との位置合わせに若干の誤差が生じたとしても、全体として接触面積の変動は少ないので、磁束の飽和が生じることはない。なお、この第３の磁性層34は、磁極部分から離れた後方位置において、第２の磁性層32を介して第１の磁性層27と接触し、第１および第２，３の磁性層によって構成される閉磁路を薄膜コイル29が通り抜ける構造になっている。」
　
（３）対比及び判断
３−１）本願補正第１発明について
１）対比
　本願補正第１発明を、第１引用発明と比較すると、第１引用発明における「基板１」は、本願補正第１発明における「基板」に相当する。
　第１引用発明における「薄膜１５」は、本願補正第１発明における「ギャップ層」に相当する。
　第１引用発明における「下部磁気コア３」及び「中間磁気コア１０」は、「上部磁気コア１６」と「結合磁路１１」により互いに磁気的に連結されるとともに、上記薄膜１５を挟んで磁気空隙を形成するものであるから、上記「下部磁気コア３」及び「中間磁気コア１０」は、併せて本願補正第１発明における「第１磁性層」に相当し、第１引用発明における「上部磁気コア１６」は、本願補正第１発明の「第２の磁性層」に相当する。
　第１引用発明における「コイル」は、「上部，下部の両磁気コア間の空間を少なくとも含んでいる空間部内に、所定のコイルパターンを有するコイル」として、「無機絶縁材料薄膜１２」のなかに形成されるのであるから、本願補正第１発明における「少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイル」に相当する。
　すると、第１引用発明における「下部磁気コア３」は、コイルに対向する部分であり、「中間磁気コア１０」は、上記下部磁気コア３のコイル側の面に形成されてコイルの側方に配置され、また、磁極を形成する部分でもあることからすると、上記「下部磁気コア３」及び「中間磁気コア１０」は、それぞれ、本願補正第１発明における「第１の磁性層の第１の部分」及び、「第１の磁性層の第２の部分」に相当する。
　同時に、上記「中間磁気コア１０」とコイルの配置は、本願補正第１発明の「前記薄膜コイルの少なくとも一部は前記第２の部分の側方に配置され、」に相当する。
　第１引用発明における薄膜磁気ヘッドは、下部磁気コア３及び中間磁気コア１０、上部磁気コア１６、薄膜１５、コイル１３が基板１に形成されていくもので、下部磁気コア３及び中間磁気コア１０の方が明らかに基板１に近い側であるから、本願補正第１発明における「前記第１および第２の磁性層、ギャップ層および薄膜コイルは、前記基板に積層され、且つ前記第１および第２の磁性層のうち、第１の磁性層の方が前記基板に近い位置に配置された薄膜磁気ヘッド」に相当する。
　「薄膜１２」は、「所定のコイルパターンを有するコイルが非磁性の無機絶縁材料薄膜中に埋設された状態に設けられる」ことから、薄膜コイルの少なくとも一部の巻線間を絶縁するためのものであることが自明であり、本願補正第１発明における「絶縁層」に相当する。
　第１引用発明において薄膜１２が、中間磁気コア１０と結合磁路１１とが露出するように研磨される点は、本願補正第１発明において、絶縁層の上面が、絶縁層について第２の絶縁膜と限定されている部分を除き、第２の部分の上面と共に平坦化されていることに相当する。
　第１引用発明における薄膜１５は前記のように研磨された平面に真空成膜技術を用いて形成されるのであるから、平坦であり、その薄膜１５の上に真空成膜技術を用いて形成される上部磁気コア１６もまた、平坦な層となることは自明な事項である。
　
　すると、本願補正第１発明と、第１引用例に記載された発明とは、次の点で一致する。
＜一致点＞
　互いに磁気的に連結され、記録媒体に対向する媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含む第１および第２の磁性層と、
　前記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
　少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルと、
　基板とを備え、
　前記第１および第２の磁性層、ギャップ層および薄膜コイルは、前記基板に積層され、且つ前記第１および第２の磁性層のうち、第１の磁性層の方が前記基板に近い位置に配置された薄膜磁気ヘッドであって、
　前記第１の磁性層は、前記薄膜コイルの少なくとも一部に対向する位置に配置される第１の部分と、前記第１の部分における前記薄膜コイル側の面に接続され、磁極部分を形成する第２の部分とを有し、
　前記薄膜コイルの少なくとも一部は前記第２の部分の側方に配置され、
　薄膜磁気ヘッドは、更に、前記薄膜コイルの少なくとも一部における巻線間を絶縁するための絶縁層を備え、
　（前記絶縁層の）上面は、前記第２の部分の上面と共に平坦化され、
　前記第２の磁性層は、平坦な層であり、且つトラック幅を規定し、
　（前記絶縁層の）前記第２の部分の平坦化された上面の上に前記ギャップ層が形成され、このギャップ層の上に前記第２の磁性層が形成されている
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
　
　ここにおいて、（前記絶縁層の）は、本願補正第１発明の「第２の絶縁膜」が絶縁層の一部であることから、当該「第２の絶縁層」が「絶縁層の（一部であるところの）第２の絶縁膜」の意味であることが明らかであるから、対比の便宜上補った文言である。
　
　一方で、以下の点で相違する。
＜相違点＞
（相違点１）
　本願補正第１発明においては、絶縁層が「形成時に流動性を有する絶縁材料よりなり、前記薄膜コイルの少なくとも一部の下地となる層に接して、前記薄膜コイルの少なくとも一部における巻線間および前記第２の部分と前記薄膜コイルの少なくとも一部との間の各空間の少なくとも一部を埋めるように配置された第１の絶縁膜と、無機絶縁材料よりなり、前記第１の絶縁膜を覆うように配置された第２の絶縁膜とを有し」ているのに対し、第１引用発明では、単に「ＳｉＯ2を主成分とする非磁性の無機絶縁材料」であって、「所定のコイルパターンを有するコイルが、・・・埋設された状態に設けられる」となっている点。
（相違点２）
　本願補正第１発明においては、「前記第２の絶縁膜における上面は、前記第２の部分の上面と共に平坦化され」及び「前記第２の絶縁膜および前記第２の部分の平坦化された上面の上に前記ギャップ層が形成され」とされているのに対し、第１引用発明においては、「絶縁層の上面は、前記第２の部分の上面と共に平坦化され」「絶縁層及び前記第２の部分の平坦化された上面の上に前記ギャップ層が形成され」たものとなっている点。
（相違点３）
　本願補正第１発明においては、第２の磁性層が「トラック幅を規定し」とされているのに対し、第１引用発明では、このような点に特段の言及がない点。
　
２）判断
Ａ．相違点１及び相違点２について
　本願補正第１発明における「第２の絶縁膜」は、本願補正第１発明における「絶縁層」の一部をなすものである。すると、相違点２は、結局のところ、絶縁層の構成について掲げた相違点１に帰着するものであるから、相違点１及び２をまとめて検討することにする。
　第３引用例及び第４引用例には、いずれも薄膜磁気ヘッドの、特に薄膜コイルについて記載されている。
　第３引用発明に記載されたものにおいて、流動性の大きいレジスト８ａは、
i)形成時に流動性を有する絶縁材料よりなり、
ii)前記薄膜コイルの少なくとも一部における巻線間の各空間の少なくとも一部を埋めるように配置される
の二点に限り、本願補正第１発明の「第１の絶縁膜」に相当する。
　無機酸化物８については、「コイル線材７ａ，７ａ相互間の比較的浅い溝８ｂは（Ｄ）のように完全に無機酸化物８ｂ（注：あきらかに「８ｄ」の誤記」）で充填され」ると記載されているから、本願補正第１発明の「無機絶縁材料よりなり、前記第１の絶縁膜を覆うように配置された第２の絶縁膜」に相当する。
　第４引用例に記載された「塗布型絶縁層１０」は、ポリイミド系有機絶縁材を回転塗布するものであるから、「形成時に流動性を有する絶縁材料」よりなることが明らかであり、また、コイル間の隙間を埋めることで下部絶縁層４ａとも接しているから、「前記薄膜コイルの少なくとも一部の下地となる層に接して、前記薄膜コイルの少なくとも一部における巻線間の各空間の少なくとも一部を埋めるように配置された」点に限り、本願補正第１発明の「第１の絶縁膜」に相当する。
　また、同じく第４引用例に記載された「スパッタ絶縁層１１」は、二酸化珪素、アルミナ等で構成され、第１の絶縁層の上に形成されるものであるから、本願補正第１発明の「無機絶縁材料よりなり、前記第１の絶縁膜を覆うように配置された第２の絶縁膜」に相当する。
　第３，第４引用例はいずれも第１引用発明同様、薄膜磁気ヘッドについて記載したものであるから、第１引用発明に第３及び第４引用例を適用することは当業者が容易に想到しうるものである。その場合、形成時流動性を有する絶縁材料が、コイル間の空間のみならず、中間磁気コア１０ととコイルの少なくとも一部との間をも埋めるように形成されることは、特段の創意を要するものでもなく、当該絶縁材料が流動性を有するものである以上、必然的に予測しうる結果にすぎない。
　そして、絶縁層を第３，第４引用例のように形成した場合、中間磁気コア及び結合磁路とともに研磨することで、絶縁層のうち、上側を覆うように形成される無機酸化物８ｂまたはスパッタ絶縁層１１とともに平坦化されることになるのは、必然的結果にすぎない。
　すると、第１引用発明において、コイルと、コイルを絶縁する絶縁層に、第３，第４引用例に記載されたような工程により形成される構造を採用することで、相違点１及び２について、本願補正第１発明のようにすることは当業者が容易に想到しうるものである。
　
Ｂ．相違点３について
　第１周知例には、実施例２（第２図参照）に、上コア１３の幅がトラック幅ｔを規定する薄膜磁気ヘッドが開示されている。また、第２周知例には、頂極片Ｐ２がトラック幅ｗを規定する薄膜磁気ヘッドが開示されている。
　これらからすると、上側の磁極がトラック幅を規定する構造は周知にすぎないことが明らかであり、このような周知の構造を第１引用発明の上部磁気コア１６に適用することにより、相違点３について本願発明のようにすることは当業者が容易に想到しうるものである。
　
Ｃ．以上の検討を総合すると、本願補正第１発明は、第１、第３及び第４各引用例、並びに第１及び第２周知例により示される周知事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３−２）本願補正第２発明について
１）対比
　本願補正第２発明を、第２引用発明と比較すると、第２引用発明における「基板１０」は、本願補正第２発明における「基板」に相当する。
　第２引用発明における「ギャップ材３０」は、本願補正第２発明における「ギャップ層」に相当する。
　第２引用発明では、「下コア１４」及び「中間コア１６，１８」は、「前部中間コア３２」、「後部中間コア３４」及び「上コア１６」と互いに磁気的に連結され、前記「中間コア１６」及び「前部中間コア３２」においてギャップ材を挟んで磁気空隙を形成するものである。すると、第２引用発明における「下コア１４」及び「中間コア１６，１８」は、併せて本願補正第２発明における「第１の磁性層」に相当し、第２引用発明における「上コア４２」、「前部中間コア３２」及び「後部中間コア３４」及びは、本願補正第２発明の「第２の磁性層」に相当する。
　そして、下コア１４の上に形成される「中間コア１６」，及び「前部中間コア３２」は、ギャップ材３０を挟んで磁気ギャップを形成するものであるから、それぞれ本願補正第２発明の「第１の磁性層の磁極部分」、及び「第２の磁性層の磁極部分」に相当する。
　第２引用発明における「１層目のコイル２８」及び「２層目のコイル３８」は、それぞれ本願補正第２発明の「薄膜コイルの第１層部分」及び「薄膜コイルの第２層部分」に相当する。
　第２引用発明における「絶縁膜２０」及び「絶縁膜３６」は、それぞれ１層目のコイル２８及び２層目のコイル３８を絶縁するものであるから、本願補正第２発明の「第１の絶縁層」及び「第２の絶縁層」に相当する。
　第２引用発明において、図面を参照すると明らかなように、１層目のコイル２８は、下コア１４に面し、中間コア１６の側方に形成され、２層目のコイル３８は、上コア４２に面し、前部中間コア３２の側方に形成されるものであるから、第２引用発明における「下コア１４」、「中間コア１６」、「上コア４２」及び「前部中間コア３２」は、それぞれ、本願補正第２発明の「第１の磁性層の第１の部分」、「第１の磁性層の第２の部分」、「第２の磁性層の第１の部分」及び「第２の磁性層の第２の部分」に相当する。
　第２引用発明において、「Ｃｕ等の導体膜（１層目のコイル）２８を成膜し、表面を研磨して平坦化」している点は、後に続く工程に、ギャップ材を所定の厚さに形成して磁気ギャップとすること、及び後部中間コア３４を形成して磁路を形成することから、ここでの「平坦化」は、中間コア１６，１８，絶縁膜２０，１層目のコイル２８を含めたものと解するのが妥当であるから、当該平坦化は本願補正第２発明において、「前記第１の絶縁層の上面は、前記第１の磁性層の第２の部分と共に平坦化され」とすることに相当する。
　第２引用発明において、
「後部中間コア１８の形成領域を除いた部分に非磁性絶縁材料によるギャップ材３０を所定の厚さだけ形成し、
前部中間コア３２、後部中間コア３４、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）による絶縁膜３６を所定の厚みに形成し、表面を平坦化し、
２層目のコイル３８を形成し、」
とした点は、本願補正第２発明において、
「前記第１の絶縁層および前記第１の磁性層の第２の部分の平坦化された上面の上に前記ギャップ層が形成され、このギャップ層の上に前記第２の磁性層の第２の部分および前記薄膜コイルの第２層部分が形成されている」
ことに相当する。
　
　すると、本願補正第２発明と、第２引用例に記載された発明とは、次の点で一致する。
＜一致点＞
「互いに磁気的に連結され、記録媒体に対向する媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含む第１および第２の磁性層と、
　前記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
　少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルと、
　基板とを備え、
　前記第１および第２の磁性層、ギャップ層および薄膜コイルは、前記基板に積層され、且つ前記第１および第２の磁性層のうち、第１の磁性層の方が前記基板に近い位置に配置された薄膜磁気ヘッドであって、
　前記第１の磁性層と前記第２の磁性層のそれぞれは、前記薄膜コイルの少なくとも一部に対向する位置に配置される第１の部分と、前記第１の部分における前記薄膜コイル側の面に接続され、磁極部分を形成する第２の部分とを有し、
　前記薄膜コイルは、少なくとも一部が前記第１の磁性層の第２の部分の側方に配置された第１層部分と、少なくとも一部が前記第２の磁性層の第２の部分の側方に配置された第２層部分とを有し、
　薄膜磁気ヘッドは、更に、前記薄膜コイルの第１層部分の少なくとも一部における巻線間を絶縁するための第１の絶縁層と、前記薄膜コイルの第２層部分の少なくとも一部における巻線間を絶縁するための第２の絶縁層とを有し、
　前記第１の絶縁層の上面は、前記第１の磁性層の第２の部分の上面と共に平坦化され、
　前記第１の絶縁層および前記第１の磁性層の第２の部分の平坦化された上面の上に前記ギャップ層が形成され、このギャップ層の上に前記第２の磁性層の第２の部分および前記薄膜コイルの第２層部分が形成されている
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。」
　
　一方で、以下の点で相違する。
＜相違点＞
（相違点１）
　本願補正第２発明においては、「前記第１の絶縁層と第２の絶縁層のそれぞれは、形成時に流動性を有する絶縁材料よりなり、前記第１層部分の少なくとも一部または第２層部分の少なくとも一部の下地となる層に接して、前記第１層部分の少なくとも一部または第２層部分の少なくとも一部における巻線間、および前記第１層部分の少なくとも一部または第２層部分の少なくとも一部と前記第２の部分との間の各空間の少なくとも一部を埋めるように配置された第１の絶縁膜と、無機絶縁材料よりなり、前記第１の絶縁膜を覆うように配置された第２の絶縁膜とを有し」ているのに対し、第２引用発明における「絶縁膜２０」及び「絶縁膜３６」は、「二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）による絶縁膜」となっている点。
（相違点２）
　本願補正第２発明においては、「前記第１の絶縁層の第２の絶縁膜における上面」が前記第２の部分の上面と共に平坦化されるとされており、また「前記第１の絶縁層の第２の絶縁膜」および前記第２の部分の平坦化された上面の上に前記ギャップ層が形成されとされているのに対し、第２引用発明においては、「絶縁膜２０」が、中間コアとともに平坦化され、当該平坦化された面の上にギャップ材３０が形成されるものとなっている点。
（相違点３）
　本願補正第１発明においては、第２の磁性層が「トラック幅を規定し」とされているのに対し、第１引用発明では、このような点に特段の言及がない点。
　
２）判断
Ａ．相違点１及び相違点２について
　本願補正第２発明における「第２の絶縁膜」は、本願補正第２発明において「絶縁層」の一部をなすものである。すると、相違点２は、結局のところ、絶縁層の構成について掲げた相違点１に帰着するものであるから、相違点１及び２をまとめて検討することにする。
　第３引用例及び第４引用例には、いずれも薄膜磁気ヘッドの、特に薄膜コイルについて記載されている。
　第３引用発明に記載されたものにおいて、流動性の大きいレジスト８ａは、
i)形成時に流動性を有する絶縁材料よりなり、
ii)前記薄膜コイルの少なくとも一部における巻線間の各空間の少なくとも一部を埋めるように配置される点に限り、本願補正第１発明の「第１の絶縁膜」に相当する。
　無機酸化物８については、「コイル線材７ａ，７ａ相互間の比較的浅い溝８ｂは（Ｄ）のように完全に無機酸化物８ｂ（注：あきらかに「８ｄ」の誤記」）で充填され」ると記載されているから、本願補正第１発明の「無機絶縁材料よりなり、前記第１の絶縁膜を覆うように配置された第２の絶縁膜」に相当する。
　第４引用例に記載されたものにおいて、「塗布型絶縁層１０」は、ポリイミド系有機絶縁材を回転塗布するものであるから、「形成時に流動性を有する絶縁材料よりなり」、また、コイル間の隙間を埋めることで下部絶縁層４ａとも接しているから、「前記薄膜コイルの少なくとも一部の下地となる層に接して、前記薄膜コイルの少なくとも一部における巻線間の各空間の少なくとも一部を埋めるように配置された」点に限り、本願補正第１発明の「第１の絶縁膜」に相当する。また、同じく第４引用例に記載されたものにおいて、「スパッタ絶縁層１１」は、二酸化珪素、アルミナ等で構成されるもので、第１の絶縁層の上に形成されるものであるから、本願補正第１発明の「無機絶縁材料よりなり、前記第１の絶縁膜を覆うように配置された第２の絶縁膜」に相当する。
　第３，第４引用例はいずれも第２引用発明同様、薄膜磁気ヘッドについて記載したものであるから、第２引用発明に第３及び第４引用例を適用することは当業者が容易に想到しうるものである。その場合、形成時流動性を有する絶縁材料が、コイル間の空間のみならず、中間磁気コア１０ととコイルの少なくとも一部との間をも埋めるように形成されることは、特段の創意を要するものでもなく、当該絶縁材料が流動性を有するものである以上、必然的に予測しうる結果にすぎない。
　そして、第１の絶縁層を第３，第４引用例のように形成した場合、中間コア１６，１８とともに研磨することで、絶縁層のうち、上側を覆うように形成される無機酸化物８ｂまたはスパッタ絶縁層１１とともに平坦化されることになるのは、必然的な結果にすぎない。
　すると、第２引用発明において、コイルとコイルを絶縁する絶縁層の形成について、第３，第４引用例に記載されたような工程により形成される構造を採用することで、相違点１及び２について、本願補正第２発明のようにすることは当業者が容易に想到しうるものである。
　
Ｂ．相違点３について
　第３周知例に示された薄膜ヘッドでは、上部磁極層Ｐ２の上部磁極端素子ＰＴ２ａ、下部磁極端素子ＰＴ２ｂを有し、ＰＴ２ｂがトラック幅を規定するように形成されることが記載されている（明細書摘記箇所、並びに図６，図１７及び図２９等において特に明らかである）。また、第４周知例には、第３の磁性層３４と共に上側の磁極を形成する第２の磁性層３２がトラック幅ｗを規定するように形成することが開示されている。
　これらからすると、上側の磁性層の磁極を構成する部分がトラック幅を規定する構造の薄膜磁気ヘッドは、周知にすぎないものであり、このような周知の構造を第２引用発明の前部中間コア３２に採用することにより、相違点３について本願補正第２発明のようにすることは当業者が容易に想到しうるものである。
　
Ｃ．以上の検討を総合すると、本願補正第２発明は、第２、第３及び第４各引用例、並びに第３及び第４各周知例により示される周知事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）本件手続補正についての結び
　以上のとおり、本願補正第１発明及び本願補正第２発明は、いずれも特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件手続補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１５年７月３１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１乃至２０に係る発明は、平成１５年１月１７日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至２０に記載されたとおりのものであるところ、請求項１１に係る発明（以下、「本願発明」という）は、上記２．（１）に本件手続補正前の請求項１１として掲げたとおりのものである。
　
（２）引用例
　原査定において引用された引用例及びその記載事項は、前記「２．（２）」に、第２引用例乃至第４引用例として掲げたとおりである。
　
（３）対比・判断
　本願発明は、上記２．の「３−２）本願補正第２発明について」で検討した本願補正第２発明から、
１）第２の磁性層の第２の部分について、「トラック幅を規定」するものである点
２）ギャップ層について、第１の絶縁層の第２の絶縁膜及び第１の磁性層の第２の部分の「平坦化された上面」の上に形成されるものである点、
３）ギャップ層の上に前記第２の磁性層の第２の部分に加えて「および前記薄膜コイルの第２層部分」が形成されている点
について、それぞれの限定を削除したものに相当する。
　
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、更に他の要件を付加したものに相当する本願補正第２発明が上記２．３−２）の「２）判断」に記載したとおり、第２引用例乃至第４引用例に記載された発明及び第３及び第４周知例に示した周知事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、第２引用例乃至第４引用例に記載された発明及び周知事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願請求項１１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。