(57)【要約】      （修正有）【課題】ラッチアップ等の問題のない高電圧センサ用接合電子部品を提供する。【解決手段】接合装置は少なくとも第１のタイプの半導体領域33と第２のタイプの半導体領域34とを含み、それらは互いに隣接して配置され、それぞれ互いに反対の第１および第２の導電型を有し、さらに、第１と第２のバイアス領域37, 38を有し、装置はさらに抵抗領域35を備えており、それは第１の導電型を有し、第１と第２のバイアス領域37, 38間の抵抗路を形成するように第１のタイプの半導体領域33から延在して第２のタイプの半導体領域34に隣接している。【選択図】図４
2004356622.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電型とそれと反対の第２の導電型を有する第１のタイプの半導体領域(33,132,133,233,333)および第２のタイプの半導体領域(34,134,234,334)であって、互いに隣接して配置され、それらの間にＰＮ接合(36,140,141,236,336)を形成している少なくとも第１のタイプの半導体領域および第２のタイプの半導体領域と、
前記ＰＮ接合(36,140,141,236,336)に関して反対側に位置する第１のバイアス領域および第２のバイアス領域(37,38,142,9,19)とを具備している接合型電子部品において、
前記第１の導電型を有し、前記第１のタイプの半導体領域(33,132,133,233,333)から連続して第２のタイプの半導体領域(34,134,234,334)に延在して前記第１および第２のバイアス領域の間に前記ＰＮ接合(36,140,141,236,336)と並列に抵抗路を形成している１以上の抵抗性領域(35,135,235,335)を具備していることを特徴とする接合型電子部品。
【請求項２】
前記抵抗性領域(35,135,235)は、前記第２のタイプの半導体領域(34,134,234)を通って延在している請求項１記載の電子部品。
【請求項３】
前記抵抗性領域(335) は、前記第２のタイプの側面に沿って境界を接している請求項１記載の電子部品。
【請求項４】
前記抵抗性領域(35,135,235,335)は、予め定められた幅（Ｌ，Ｌ''）の半導体ストリップである請求項１乃至３のいずれか１項記載の電子部品。
【請求項５】
前記第１および第２のバイアス領域(37,38) は、それぞれ第１のタイプの半導体領域(33)および第２のタイプの半導体領域(34)上に配置され、前記抵抗性領域(35)は前記第１のタイプの半導体領域(33)から第２のバイアス領域(38)に延在している請求項１乃至３のいずれか１項記載の電子部品。
【請求項６】
さらに、前記第２のタイプの半導体領域から分離された２以上の第１のタイプの半導体領域(132, 133)を具備して共通の端子を有する第１および第２のダイオード(137,138) を形成している請求項１乃至４のいずれか１項記載の電子部品。
【請求項７】
前記抵抗性領域(135) は、前記第１のタイプの半導体領域(132,133) の間に延在している請求項６記載の電子部品。
【請求項８】
複数の第１および第２のダイオードを形成するように隣接して交互に対として配置されている複数の第１のタイプの半導体領域(233, 333)および複数の第２のタイプの半導体領域(234,334) を含み、第１および第２のダイオード(237, 238)の隣接する対はそれぞれ共通の端子を有している請求項１乃至４のいずれか１項記載の電子部品。
【請求項９】
複数の抵抗性領域(235, 335)を有し、それらのそれぞれは連続する第１のタイプの半導体領域(233, 333)の各対の間に延在している請求項８記載の電子部品。
【請求項１０】
制御端子(19)と高電圧端子(9,11)を有し、それら制御端子(19)と高電圧端子(9,11)に接続されている高電圧センサ(230, 330)を具備している集積回路パワー装置において、
前記高電圧センサ(230, 330)は請求項１乃至９のいずれか１項記載の接合電子部品を具備している集積回路パワー装置。
【請求項１１】
アクチブ領域(3,5,6,7) を含み、前記高電圧センサ(230) は誘電体材料の層(25)によって前記アクチブ領域から分離されている請求項１０記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接合型電子部品および前記電子部品を含む集積された電力装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
よく知られているように、例えば絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）またはパワーＭＯＳトランジスタのような数百ボルトの電圧に耐えるように設計された集積されたパワー装置は通常駆動装置によって制御され、それは、特に、重大な問題を生じる可能性のある高電圧端子における過電圧または不所望な振動を阻止するように動作する。
【０００３】
例えば、内燃機関の燃焼点火に使用される電子点火装置の場合において、ＩＧＢＴは通常高電圧変成器の１次巻線に給電するための電力スイッチとして使用されている。詳しく説明すると、電力スイッチのスイッチオンにおいて、高電圧変成器の１つの１次巻線は一定のバッテリ電圧を供給され、したがって時間と共に増加する電流によりトラバースされる。１次巻線に蓄積されたエネルギが同じ変成器の２次巻線に接続されたスパークプラグの電極間にスパークを生じさせるのに十分であるとき、クランプ回路が介在されて前記電流を制限する。電力スイッチによる回路の開路は電圧ピーク（通常は４００乃至６００Ｖの範囲）を生じ、それは変成器の巻線比によって増幅されてスパークを生じさせる。説明した例ではＩＧＢＴのコレクタ（高電圧端子）における電圧はＩＧＢＴ自体のスイッチオフにおいて可能な絶縁破壊を阻止し、制限回路が介在するとき制御が存在しないので大きな振動が生じて望ましくないスパークを生じさせる。
【０００４】
明らかに、制御を行うことができるようにするためには、高電圧端子（ＩＧＢＴの場合にはコレクタ端子）に存在する電圧を表す信号を電力装置に関係する駆動装置に供給することが必要であり、この信号に基づいて駆動装置は電力装置の制御端子に作用する。
【０００５】
このため、既知の技術では電力装置内に高電圧センサを集積している。特に２つの方法が提案されており、それらについて以下説明する。
【０００６】
第１の方法は図１に示されており、それは半導体本体中に形成されたＩＧＢＴ1 を備え、それはコレクタ領域3 、導電領域5 、本体領域6 、エミッタ領域7 、ゲート領域8 、等電位領域9 および保護回路10を有している。
【０００７】
コレクタ領域3 は基体2 中に形成され、ここではＰ＋であり、コレクタコンタクト11を形成する金属層で表面を被覆されている。Ｎ−型の導電領域5 はコレクタ領域3 の上に延在し、Ｎ＋型の接合層13によりそれから分離されている。さらに、コレクタ領域3 と導電領域5 とは高電圧領域である。
【０００８】
Ｐ＋型の本体領域6 は導電領域5 中にあり、それ自身の導電領域の表面5aに現れる。次に本体領域6 はエミッタ領域7 を含み、それはＮ＋型であり、それはまた表面5aと同一平面である。全てのエミッタ領域7 は単一のエミッタコンタクト14に接続されることが好ましい。
【０００９】
ポリシリコンからなるゲート領域8 は薄いゲート酸化物の層15により導電領域5 から絶縁され、絶縁層16によりエミッタコンタクト14から絶縁されている。さらに、ゲート領域8 はゲートコンタクト19を設けられた第１の部分8aと第２のバイアス部分8bとを有している（第１と第２の部分8a，8bは共に接続されているが、しかしながらその接続は図１の断面図では見えていない）。ゲート領域8 の第２の部分8bは隣接する本体領域6 間に延在してエミッタ領域7 と部分的に重なっている。
【００１０】
通常金属である等電位領域9 は導電領域5 と直接電気的に接続され、ＩＧＢＴ1 の周囲の表面5a上に延在する。導電領域5 と等電位領域9 の電圧はコレクタ領域3 および接合領域13により形成されたＰＮ接合に存在する順方向電圧だけコレクタ領域3 の電圧とは異なっている。このため、等電位領域9 はコレクタ電圧の検出のためのセンサとして使用される。
【００１１】
保護装置10はゲートコンタクト19および等電位領域9 に接続され背中合わせの形態で接続されている（すなわちカソードが共通端子である）１対のツェナーダイオード20の縦続接続を含んでいる。実際にはツェナーダイオードは隣接して交互に配置されたＰ型とＮ型のポリシリコンの第１と第２のストリップ21, 22により形成されている（図２参照）。さらに正確には、例えばＰ型の各第１のストリップ21はＮ型の２個の第２のストリップ22と隣接し、その代わりに各第２のストリップ22が２個の第１のストリップ21と隣接していてもよい。ツェナーダイオード20は隣接するストリップ21, 22の間の接合23によって形成されている。結果的にＰ型の各第１のストリップ21は２つの隣接するツェナーダイオード20の共通アノード端子を構成し、同様にＮ型の各第２のストリップ22は２つの隣接するツェナーダイオード20の共通カソード端子を構成する。保護装置10はさらに厚いフィールド酸化膜領域25上に形成され、したがって等電位領域9 を通ってのみ導電領域5 に電気的に接続されている。実際に保護装置10はゲート領域8 と等電位領域9 との間の電圧を同じ方向のツェナーダイオード20の逆方向破壊電圧の合計に等しい最大値に制限する（すなわちツェナーダイオード20の全体の数の半分）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、説明された方法は、基本的に制限があり、高電圧センサとして使用される端子、すなわち等電位領域9 はそのために高電圧であり、したがって数百ボルトの電圧に耐え、処理することのできる制御装置にしか接続されることができない。
【００１３】
別の方法は図３に示されており、それにおいては、すでに示された部品と同じ部品は同じ参照符号を付けられ、高電圧非線形抵抗として動作する接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）27のような電圧センサとして使用される。一般的に詳しく説明すると、ＪＦＥＴ27は導電領域5 の部分5aに形成されたエミッタコンタクト28を有し、それは２つの本体領域6 によって横方向を規制されている。さらに本体領域6 および導電領域5 はゲート領域およびそれぞれＪＦＥＴ27のドレイン領域として使用され、一方エミッタコンタクト14はまたゲートコンタクトとして機能する。実際にはＪＦＥＴ27を通って流れる電流は導電領域5 とエミッタコンタクト14との間に存在する電圧により変調される。
【００１４】
その後、この場合に、電圧センサの出力は電流であることが有利であり、それは容易に低電圧信号に変換されることができる。しかしながら、導電領域5 内のトランジスタの存在は能動寄生部品を導入して不所望な付勢（ラッチアップ）に関する問題を導入し、電力装置の性能を変化させる傾向がある。さらに、全体的な寸法も増加する。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の特徴は、前述の欠点のない高電圧センサとして使用されることができる接合電子部品を提供し、また、その接合電子部品を含む集積された電力装置を提供することである。
【００１６】
本発明の特徴に依れば請求項１および１０に記載されているような接合電子部品およびそのような接合電子部品を含む高電力集積装置を提供することである。
【００１７】
本発明をさらによく理解するために、いくつかの実施形態について説明するが、それらは添付図面を参照する権利範囲を限定しない例示として与えられるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下の説明は当業者が本発明を構成し、使用することを可能にするために行なわれるものである。当業者にはそれらの実施形態の種々の変形が容易に明らかであり、ここに示された一般的原理は本発明の技術的範囲を逸脱することなく他の実施形態や応用に適用できる。したがって、本発明は示された実施形態に限定されることを意図するものではなく、ここに開示された原理および特徴にしたがった広い技術的範囲に適応するものである。
【００１９】
図４を参照すると、接合電子部品は符号30で示されており、それは例えばシリコンからなる半導体本体31中に集積されており、ツェナーダイオード32および集積された抵抗領域35を含んでいる。ツェナーダイオード32はＰ型のアノード領域33と、アノード領域33に隣接するＮ型のカソード領域34とを有している。アノード領域33とカソード領域34とはそれぞれ予め定められたドープレベルを有し、ＰＮ接合36を形成し、それは約０．７Ｖの順方向導電電圧ＶF とドープレベルに関係する逆方向破壊電圧ＶB とを有している。例えばアノード領域33に対する４×１０18原子／cm3 のドープレベルと、カソード領域34に対する２×１０19原子／cm3 のドープレベルの場合には逆方向絶縁破壊電圧ＶB は約７．５Ｖである。アノード領域33とカソード領域34とはＰＮ接合36と反対側で回路部品（ここでは示されていない）に接合部品30を接続するためにそれぞれ金属のアノードコンタクト37とカソードコンタクト38とを設けられている。接合部品30はまた図１および３に示されている電力装置のフィールド酸化物層25のような絶縁層上に付着されたポリシリコン層で形成されることができる。この場合に、アノード領域33とカソード領域34とは接合部品30が形成されるポリシリコン層と同じ厚さを有している。実際には、アノード領域33とカソード領域34とは接合部品30の前面と後面との間に延在している。したがってＰＮ接合36は接合部品30の厚さを横切って延在している。
【００２０】
同じくポリシリコン層で形成された集積された抵抗領域35はアノード領域33と同じ導電型（Ｐ）を有し、同じドープレベルであることが好ましい。さらに、集積された抵抗領域35は予め定められた幅Ｌのストリップ状の形状であり、それはアノード領域33からＰＮ接合36にほぼ垂直な方向に突出し、カソード領域34を通ってカソードコンタクト38の下まで延在している。換言すれば集積された抵抗領域35とカソードコンタクト38は互いに直接電気的に接続されている。このようにして実際に抵抗路はＰＮ接合36と並列にアノードおよびカソードコンタクト37, 38を接続している（図５）。結果的に接合部品30は図６に示されるような特性を有する。特に、接合部品30を流れる動作電流ＩD は、前記動作電圧ＶD が−｜ＶB ｜とＶF との間にあるとき（この場合には集積された抵抗領域35だけが電流の導通に寄与し、一方ツェナーダイオード31はカットオフである）、アノード端子37とカソード端子38との間に供給された動作電圧ＶD に実質的に直線的に依存しており、そうでない場合にはツェナーダイオード31が導通しているから動作電流ＩD は動作電圧ＶD とは無関係にはるかに近似している。
【００２１】
実効的に動作電圧ＶD と動作電流ＩD との間の関係は弱い逆電圧に対してさえも正確に線形ではない。事実、また集積された抵抗領域35およびカソード領域34は互いに隣接しており、したがってＰＮ接合が集積された抵抗領域35自体のエッジ40に沿って形成される。電流の存在下で、集積された抵抗領域35とカソード領域34との間の逆電圧は集積された抵抗領域35の部分的な空乏を生じる。その結果、集積された抵抗領域35の予め定められた実効幅ＬE は減少し、その抵抗は増加する。換言すれば、集積された抵抗領域35はＪＦＥＴの典型的ないわゆる“ピンチ・オフ”を生じる傾向がある。
【００２２】
本発明による接合電子部品は、ポリシリコンダイオードのアノードおよびカソード端子を通る電流の制御された通路を与えることが必要な全ての場合に使用できる利点がある。ダイオード内に直接抵抗領域を集積するために、接合部品は非常にコンパクトであり、占有面積をかなり節約することができる。別の利点は、正常のドープレベルにより、集積された抵抗領域の抵抗値が温度に実用上無関係であることである。
【００２３】
さらに、記載されている接合電子部品は、以下説明するように、背中合わせ構造のダイオード対で形成された高電圧センサで使用されるモジュールに特に適している。
【００２４】
特に、図７に示されている本発明の別の実施形態によれば、接合電子部品130 は、共にＰ型の第１のアノード領域132 および第２のアノード領域133 と、Ｎ型で両方のアノード領域に隣接しているカソード領域134 と、アノード領域133 と同じ導電度を有する集積された抵抗領域135 とを有している。第１のアノード領域132 と第２のアノード領域133 はカソード134 と互いに同一で反対方向の（背中合わせ構造、図８参照）第１のツェナーダイオード137 と第２のツェナーダイオード138 を形成している。特に、第１のツェナーダイオード137 は第１のアノード領域132 とカソード領域134 との間に規定された第１のＰＮ接合140 を有し、一方、第２のツェナーダイオード138 は第２のアノード領域133 とカソード領域134 との間に規定された第２のＰＮ接合141 を有しており、したがってカソード領域134 はツェナーダイオード137 と138 に共通である。金属コンタクト142 は第１のアノード領域132 と第２のアノード領域133 の反対側の端部に形成され、したがってＰＮ接合140, 141の反対側にある。接合部品130 は、図１および３に示された電力装置のフィールド酸化物層25のような絶縁層上に付着されたポリシリコン層中に形成されることが好ましい。この場合に、第１と第２のアノード領域132 ，133 およびカソード領域134 はポリシリコン層と同じ厚さを有し、そこに接合部品が形成される。実際には、第１と第２のアノード領域133 ，132 およびカソード領域134 は接合部品130 の前面と後面との間に延在している。したがってＰＮ接合140, 141は接合部品130 の厚さ全体にわたって延在している。
【００２５】
集積された抵抗領域135 はカソード領域134 を横切って第１および第２のアノード領域132 ，133 間に延在している（図７）。さらに、集積された抵抗領域135 は予め定められた幅Ｌ' を有してＰＮ接合140, 141に実質上垂直に延在し、エッジ143 に沿ってカソード領域134 に隣接している。また、この場合に、集積された抵抗領域135 はツェナーダイオード137 と138 に並列な抵抗路を規定し、コンタクト142 に接続されている（図８）。詳細に説明すると、電圧が徐々に集積された抵抗領域135 に沿って変化する場合に、抵抗領域135 自体の中間点135aはカソード領域134 の電位にある。さらに、中間点135aと第１のアノード領域132 との間の部分を構成している集積された抵抗領域135 の第１の部分135bはツェナーダイオード137 に並列な抵抗路を形成し、一方、中間点135aと第２のアノード領域133 との間の部分である集積された抵抗領域135 の第２の部分135bはツェナーダイオード138 に並列な抵抗路を形成している。
【００２６】
図９に示されているように、接合部品130 の特性は実質上対称である。実際に、動作電圧ＶD ' の絶対値がツェナーダイオード137 ，138 の順方向電圧ＶF ' （約０．７Ｖ）よりも低い場合には、動作電流ＩD ' は集積された抵抗領域135 だけを通ってコンタクト142 間を流れる。その結果、動作電圧ＶD ' と動作電流ＩD ' は実質上線形関係でリンクされる。動作電圧ＶD ' が十分に高いとき、ツェナーダイオード137 ，138 はオンである。さらに正確に説明すれば、ＶB ' によって指定されたＰＮ接合140, 141の逆方向絶縁破壊電圧（約７．５Ｖ）は｜ＶF ' ｜＜｜ＶD ' ｜＜｜ＶB ' ｜＋｜ＶF ' ｜の関係にある。ツェナーダイオード137 ，138 の１つは順方向電流を伝送し、他方は阻止されている。この場合に接合部品130 の特性の傾斜は阻止されているツェナーダイオード137 ，138 に並列な集積された抵抗領域の部分135b, 135cによって実質上決定される。
【００２７】
その代わりに、｜ＶD ' ｜＞｜ＶB ' ｜＋｜ＶF ' ｜であるとき、
ツェナーダイオード137 ，138 は共に導通している（それぞれの場合にツェナーダイオード137 ，138 の一方は順方向電流を導通し、他方は逆方向電流を導通する）。この状態では集積された抵抗領域135 の影響は無視されることができる。
【００２８】
図１０では、図１で示したものと同じ部品は同じ符号で示され、電力装置、特に本発明によるＩＧＢＴ200 が示されている。さらに詳しく説明すると、ＩＧＢＴ200 はコレクタ領域3 と、導電領域5 と、本体領域6 と、エミッタ領域7 と、ゲートコンタクト19を備えたゲート領域8 と、等電位領域9 と、および高電圧センサとして使用される接合部品230 とを備えている。この目的で、接合部品230 はフィールド酸化物層25により導電領域5 から分離されており、等電位領域9 とゲートコンタクト19の間に接続されている。図１１に示されるように、多結晶シリコンで構成された接合部品230 は、Ｐ型の複数のアノード領域233 と、Ｎ型の複数のカソード領域234 と、この場合にはＰ型の複数の集積された抵抗領域235 とを有している。さらに、図１１では、接合部品230 と接触するゲートコンタクト19と等電位領域9 とは破線で示されている。アノード領域233 とカソード領域234 とは交互に隣接した対で複数の第１と第２のツェナーダイオード237, 238を形成し、それらは互いに同一であり、それぞれＰＮ接合236 を有している。さらに、アノード領域233 とカソード領域234 とは接合部品230 と同じ厚さＴを有している。実際にはアノード領域233 とカソード領域234 のそれぞれは図１０に示されるように接合部品230 の前面と後面の間に延在している（後面は直接フィールド酸化物層25と接触しており、前面は後面と反対側である。前面と後面は図１０では共に水平である）。
【００２９】
したがってＰＮ接合236 は実質上接合部品230 の前面と後面に垂直に配置され（すなわち図１０では垂直）、接合部品230 の厚さ全体を横切って延在している。第１のツェナーダイオード237 と第２のツェナーダイオード238 とは交互に配置され、それにより互いに隣接する第１のツェナーダイオード237 と第２のツェナーダイオード238 とは共に背中合わせの構造で接続されている。実際には、アノード領域233 とカソード領域234 のそれぞれは第１の各ツェナーダイオード237 と第２の各ツェナーダイオード238 に共通である。記載された構造で、各ＰＮ接合236 は隣接するＰＮ接合236 に対するバイアス領域として機能する。
【００３０】
集積された抵抗領域235 はＰＮ接合236 に対して垂直な２つの連続するアノード領域233 間に、対応するカソード領域234 を横切って延在している。したがって、集積された各抵抗領域235 は対応する第１のツェナーダイオード237 および第２のツェナーダイオード238 と並列の抵抗路を形成している。さらに、図示された実施形態では整列している集積された抵抗領域235 はゲートコンタクト19と等電位領域9 を接続する抵抗路を規定している。特に、集積された各抵抗領域235 は対応しているＰＮ接合236 に並列である（図１２参照）。
【００３１】
ＩＧＢＴ200 の動作中に感知電流Ｉs は接合部品230 （図１３）を通って流れ、導電領域5 の電圧と相関され、したがってコレクタコンタクト11上に存在するコレクタ電圧Ｖc と相関される（前述のように事実これらの電圧はＰＮ接合の順方向バイアス電圧に等しい量、すなわち０．７Ｖだけ異なっている）。感知電流Ｉs は、コレクタ電圧Ｖc が絶対値でＮ＊（｜ＶF ''｜＋｜ＶB ''｜）に等しいクランプ電圧ＶLIM よりも低いときのコレクタ電圧Ｖc に実質上で区分的線形(piecewise-linear)で依存している。ここでＶB ''はツェナーダイオード237 と238 の逆方向絶縁破壊電圧であり、Ｎはツェナーダイオード237 の数（或いは同様に第２のツェナーダイオード238 の数）である。さらに正確に言えば、接合部品230 の特性は、｜Ｖc ｜＜Ｎ＊｜ＶF ''｜の場合には第１の傾斜（大きい抵抗）を有し、
Ｎ＊｜ＶF ''｜＜｜Ｖc ｜＜ＶLIM の場合は第２の傾斜（小さい抵抗）を有している。
【００３２】
接合部品230 はさらにコレクタ電圧Ｖc をクランプ電圧ＶLIM に制限し、電圧がそれに到達した場合には、感知電流Ｉs はコレクタ電圧Ｖc と実質上無関係になる（集積された抵抗領域235 を流れる電流による影響は実質上無視できる）。明らかにクランプ電圧ＶLIM の値は存在している第１のツェナーダイオード237 の数、或いは第２のツェナーダイオード238 の数に依存し、通常は４００乃至６００Ｖの範囲である。したがって接合部品230 はまた高電圧クランプとして使用するのに適している。
【００３３】
感知電流Ｉs はゲートコンタクトに供給され、都合よく取出され、コレクタ電圧Ｖc （高電圧）を示す低電圧信号に変換される。結果的に、ＩＧＢＴ200 を標準的な制御回路に関連させることができる。それは高電圧を処理することのできる装置を設ける必要はない。接合部品230 はＩＧＢＴ200 中に寄生構造を持込むことはない。その理由はアクチブな区域の外側の厚い酸化物層（フィールド酸化物）の上のポリシリコンによって形成されているためである。さらに、接合部品230 のクランプ電圧ＶLIM は適当な数のツェナーダイオードを選択することによって制御することが都合がよい。別の利点は、集積された抵抗領域235 が中間感知点として使用できることである。それは電圧が等電位領域9 とゲートコンタクト19の間の抵抗路に沿って徐々に変化するからである。
【００３４】
本発明の第４の実施形態が図１４に示されている。この実施例では接合部品330 は多結晶シリコンで形成され、Ｐ型のアノード領域333 と、Ｎ型のカソード領域334 と、集積された抵抗領域335 とを有している。図１１および１２に示されている接合部品230 と同様に、接合部品330 はＩＧＢＴ（図示せず）の等電位領域9 とゲートコンタクト19との間に接続されている。さらに、アノード領域333 とカソード領域334 とは交互に配置され、対として隣接して第１と第２のツェナーダイオード337, 338を形成しており、それぞれＰＮ接合336 を有している。各アノード領域333 とカソード領域334 は隣接する第１と第２のツェナーダイオード337, 338の対に共通であり、背中合わせの構造で接続されている（図１５）。さらに、アノード領域333 とカソード領域334 は接合部品330 と同じ厚さを有している。実際にはアノード領域333 とカソード領域334 のそれぞれは接合部品330 の前面と後面の間に延在している（後面は直接フィールド酸化物層25と接触しており、前面は後面と反対側である）。したがって、ＰＮ接合336 は実質上接合部品330 の前面と後面に垂直に配置され、接合部品330 の厚さ全体を横切って延在している。
【００３５】
集積された抵抗領域335 はＰ型であり、ＰＮ接合336 に対してほぼ垂直な方向で連続するアノード領域333 間に延在している。この場合に集積された抵抗領域335 は互いにずらされてカソード領域334 自体の第１と第２の反対側のエッジ340, 341に沿って交互に、対応するカソード領域334 の側部に配置されている。結果的に集積された抵抗領域335 は、１つの側面で対応するカソード領域334 に隣接し、蛇行抵抗路が形成され、それは等電位領域9 とゲートコンタクト19を接続し、またアノード領域333 を含んでいる。さらに、各集積された抵抗領域335 は対応するＰＮ接合336 と並列である。蛇行抵抗路の大きい長さは接合部品330 の別の利点を表している。事実、同じ占有面積が与えられるときツェナーダイオード337, 338に並列の全体の抵抗は増加される。また、接合部品330 は高電圧クランプとして使用するのに適している。
【００３６】
最後に、ここで説明した部品に対して本発明の技術的範囲を逸脱することなく変形、変更が行なわれてもよいことは明らかである。  
特に、集積された抵抗領域は上述したものと異なった形態を有することができる（例えば幅と長さの比は異なることができる）。さらに、集積された抵抗領域はカソード領域と同じ導電型を有し、カソード領域からアノード領域を通って延在することもできる。しかしながら、両方の場合に、集積された抵抗領域のドープレベルはアノード領域およびカソード領域の両者のドープレベルと異ならせることができる（この目的で接合部品の製造はイオン注入を行なうことができ、恐らく集積された抵抗領域をドープするために特別のマスク工程が行われる）。
【００３７】
実施例に記載されている接合部品30, 130, 230, 330 は説明したＩＧＢＴのような種々の形式のＭＯＳ装置で使用されることができる。さらに、そのような装置は、内燃機関の電子点火システムや別の形式の高電圧制御システムのような種々の異なるタイプの電子システムに含まれることが可能である。
【００３８】
以上の説明から、本発明は、ここで特定の実施形態が例示の目的で記載されたが、種々の変形、変更が本発明の技術的範囲を逸脱することなく  行われることができることが認識されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】第１の既知の集積された電力装置の断面図。
【図２】図１の線II−IIに沿った断面の、図１の装置の上方から見た拡大された平面図。
【図３】第２の既知の集積された電力装置の断面図。
【図４】本発明の第１の実施形態による接合電子部品の上方から見た平面図。
【図５】図４の電子部品の等価回路図。
【図６】図４の電子部品の電気特性を示すグラフ図。
【図７】本発明の第２の実施形態による電子部品の上方から見た平面図。
【図８】図７の電子部品の等価回路図。
【図９】図７の電子部品の電気特性を示すグラフ図。
【図１０】本発明の第３の実施形態による接合電子部品を含む集積された電力装置の断面図。
【図１１】図１０の線II−IIに沿った断面の、図１０の電子部品の上方から見た拡大された平面図。
【図１２】図１０の電子部品の等価回路図。
【図１３】図１０の電子部品の電気特性を示すグラフ図。
【図１４】本発明の第４の実施形態による接合電子部品の上方から見た部分的に断面で示された拡大された平面図。
【図１５】図１４の電子部品の等価回路図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【外国語明細書】
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