(57)【要約】【課題】コイルピッチが小さく、断面積が大きく、製造の容易な薄膜コイルを実現する。【解決手段】薄膜磁気ヘッドは、再生ヘッドと記録ヘッドとを備えている。記録ヘッドは、下部磁極層８および上部磁極層（磁極部分層４１、磁性層４２およびヨーク部分層４３）と、これら２つの磁極層の各磁極部分の間に設けられた記録ギャップ層１２と、少なくとも一部がこれら２つの磁極層の間に、２つの磁極層に対して絶縁された状態で配設された薄膜コイルとを有している。薄膜コイルは、記録ギャップ層１２を介して配置された第１層部分３１と第２層部分３４とを有している。第１層部分３１と第２層部分３４の一方の各端部は接続部３１ａ，３４ａによって互いに接続され、第１層部分３１と第２層部分３４の他方の各端部は接続部３１ｂ，３４ｂによって互いに接続されている。【選択図】図７
2004103244.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　積層されたコイル形状の第１および第２の導体パターンと、
　前記第１および第２の導体パターン間に配置された絶縁層と、
　前記第１および第２の導体パターンの一方の端部同士を接続する第１の接続部と、
　前記第１および第２の導体パターンの他方の端部同士を接続する第２の接続部と
を備えたことを特徴とする薄膜コイル。
【請求項２】
　コイル形状の第１の導体パターンを形成する工程と、
　前記第１の導体パターンの上に絶縁層を形成する工程と、
　前記絶縁層の上にコイル形状の第２の導体パターンを形成すると共に、第１および第２の導体パターンの一方の端部同士を接続し、第１および第２の導体パターンの他方の端部同士を接続する工程と
を備えたことを特徴とする薄膜コイルの製造方法。
【請求項３】
　前記第１および第２の導体パターンは、フレームめっき法によって形成されることを特徴とする請求項２記載の薄膜コイルの製造方法。
【請求項４】
　コイル形状の第１の導体パターンと、
　前記第１の導体パターンの巻線間を絶縁すると共に、前記第１の導体パターンの一方の面と共に平坦化されたコイル絶縁層と、
　前記第１の導体パターンの一方の面に接触するように配置されたコイル形状の第２の導体パターンと
を備えたことを特徴とする薄膜コイル。
【請求項５】
　コイル形状の第１の導体パターンを形成する工程と、
　前記第１の導体パターンの巻線間を絶縁すると共に、前記第１の導体パターンの一方の面と共に平坦化されたコイル絶縁層を形成する工程と、
　前記第１の導体パターンの一方の面に接触するように配置されたコイル形状の第２の導体パターンを形成する工程と
を備えたことを特徴とする薄膜コイルの製造方法。
【請求項６】
　前記第１および第２の導体パターンは、フレームめっき法によって形成されることを特徴とする請求項５記載の薄膜コイルの製造方法。
【請求項７】
　記録媒体に対向する媒体対向面と、互いに磁気的に連結され、前記媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドであって、
　前記薄膜コイルは、
　積層されたコイル形状の第１および第２の導体パターンと、
　前記第１および第２の導体パターン間に配置された絶縁層と、
　前記第１および第２の導体パターンの一方の端部同士を接続する第１の接続部と、
　前記第１および第２の導体パターンの他方の端部同士を接続する第２の接続部とを有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
　記録媒体に対向する媒体対向面と、互いに磁気的に連結され、前記媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
　前記第１の磁性層を形成する工程と、前記第１の磁性層の上に前記ギャップ層を形成する工程と、前記ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する工程と、少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で配置されるように、前記薄膜コイルを形成する工程とを備え、
　前記薄膜コイルを形成する工程は、
　コイル形状の第１の導体パターンを形成する工程と、
　前記第１の導体パターンの上に絶縁層を形成する工程と、
　前記絶縁層の上にコイル形状の第２の導体パターンを形成すると共に、第１および第２の導体パターンの一方の端部同士を接続し、第１および第２の導体パターンの他方の端部同士を接続する工程と
を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
　前記第１および第２の導体パターンは、フレームめっき法によって形成されることを特徴とする請求項８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
　記録媒体に対向する媒体対向面と、互いに磁気的に連結され、前記媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドであって、
　前記薄膜コイルは、
　コイル形状の第１の導体パターンと、
　前記第１の導体パターンの巻線間を絶縁すると共に、前記第１の導体パターンの一方の面と共に平坦化されたコイル絶縁層と、
　前記第１の導体パターンの一方の面に接触するように配置されたコイル形状の第２の導体パターンと
を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
　記録媒体に対向する媒体対向面と、互いに磁気的に連結され、前記媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
　前記第１の磁性層を形成する工程と、前記第１の磁性層の上に前記ギャップ層を形成する工程と、前記ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する工程と、少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で配置されるように、前記薄膜コイルを形成する工程とを備え、
　前記薄膜コイルを形成する工程は、
　コイル形状の第１の導体パターンを形成する工程と、
　前記第１の導体パターンの巻線間を絶縁すると共に、前記第１の導体パターンの一方の面と共に平坦化されたコイル絶縁層を形成する工程と、
　前記第１の導体パターンの一方の面に接触するように配置されたコイル形状の第２の導体パターンを形成する工程と
を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
　前記第１および第２の導体パターンは、フレームめっき法によって形成されることを特徴とする請求項１１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、薄膜磁気ヘッド等に用いられる薄膜コイルおよびその製造方法、ならびに薄膜コイルを有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　近年、ハードディスク装置の面記録密度の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵抗（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）とも記す。）素子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。
【０００３】
　上記薄膜磁気ヘッドの誘導型電磁変換素子は薄膜コイルを含んでいる。この薄膜コイルには、その層数で区別すると、特許文献１に示されるように１層で構成されたものや、特許文献２に示されるように２層で構成されたものや、３層以上で構成されたものがある。薄膜コイルには、このような層数の違いの他にも、ターン数（巻数）や、コイルの巻線のピッチ（以下、コイルピッチという。）や、コイルの膜厚等の違いを含めると、様々なデザインのものがある。
【０００４】
　なお、複数の層を有する従来のコイルは、層数に関わらず、各層部分が直列に接続されたものになっている。
【０００５】
　特許文献３には、絶縁層の上面にパターンレジストを形成した後、第１のエッチング工程にて、パターンレジストの形状に基づいて、絶縁層を下方に向かってエッチングし、さらに第２のエッチング工程にて、絶縁層のエッチングにより形成された溝部の側壁のうち、少なくとも上端付近を、側方に向かってエッチングすることにより、パターンレジストの下縁にオーバーハング部を形成した後、その上から、導体を蒸着させて導体膜を形成し、パターンレジスト上面に載っている導体膜をリフトオフすることにより、微細導電パターンを形成する技術が開示されている。
【０００６】
　また、特許文献４には、絶縁層の上に第１の低抵抗膜、金属保護膜、第２の低抵抗膜を順次積層し、第２の低抵抗膜をフォトエッチングしてコイルのパターンを形成し、パターン化された第２の低抵抗膜の側面に側面保護膜を形成した後に、第１の低抵抗膜をエッチングして、パターン化された複数の低抵抗膜を積層した構造のコイルを形成する技術が開示されている。
【０００７】
　また、特許文献５には、後で説明するフレームめっき法が記載されている。
【０００８】
【特許文献１】特開昭５５−８４０１９号公報
【特許文献２】特開昭６１−２５５５２３号公報
【特許文献３】特開平６−２１５３２９号公報
【特許文献４】特開昭６３−２０４５０４号公報
【特許文献５】特公昭５６−３６７０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
　近年、ハードディスク装置の面記録密度が向上しており、それに伴い記録周波数の向上と、記録ヘッドのトラック幅の狭小化が求められている。
【００１０】
　高い記録周波数に対応した薄膜磁気ヘッドを作るためには、記録ヘッドのインダクタンスを小さくしなくてはならず、そのためには、磁路長を短くする必要がある。
【００１１】
　一方、トラック幅の狭小化に伴い、記録ヘッドの高周波領域における書き込み能力の向上も求められている。この書き込み能力を決める一つの要素にコイルのターン数がある。ターン数の多い方が書き込み能力が上がる。
【００１２】
　上記の２項目、すなわち記録ヘッドのインダクタンスを小さくすることと、ターン数を多くすることを同時に満たすためには、コイルピッチを小さくしなくてはならない。
【００１３】
　しかしながら、コイルの膜厚を一定にしたままコイルピッチを小さくしていくと、コイルの断面積が小さくなり、その結果、コイルの抵抗が大きくなってしまう。そして、コイルの抵抗が大きくなると、コイルが発熱し、その結果、エレクトロマイグレーションを引き起こし、コイルが断線してしまう場合がある。
【００１４】
　この問題を解決するためには、コイルピッチを小さくし、コイルの膜厚を大きくすればよい。コイルは通常、フレームめっき法により形成されるので、コイルの膜厚を大きくするためには、レジストフレームの膜厚も大きくしなくてはならない。しかしながら、膜厚の大きいレジスト層をパターニングして、微細なレジストフレームを形成するのは困難である。従って、従来は、コイルピッチが小さく、膜厚が大きいコイルを形成することが困難であった。
【００１５】
　なお、特許文献３に記載された技術を用いてコイルを形成しても、１層のコイルでは、コイルの膜厚を大幅に大きくすることは困難である。
【００１６】
　また、フレームめっき法によって形成されたコイル用の薄膜パターンの上に、同じデザインの薄膜パターンを再度フレームめっき法によって形成して、コイルの膜厚を大きくすることも考えられる。しかしながら、微細な薄膜パターンの上に、微細な薄膜パターンを精度よく形成することは困難であり、上下の薄膜パターンの位置がずれやすいという問題点がある。
【００１７】
　また、特許文献４に記載された技術では、側面保護膜が形成された後の低抵抗膜に関して、パターン側面のサイドエッチングが進行することを防止することはできるが、各低抵抗膜のエッチングの際におけるサイドエッチングの発生自体を防止することはできない。従って、この技術では、コイルの大幅な微細化は難しいという問題点がある。
【００１８】
　本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、コイルピッチが小さく、断面積が大きく、製造の容易な薄膜コイルおよびその製造方法を提供することにある。
【００１９】
　また、本発明の第２の目的は、コイルピッチが小さく、断面積が大きく、製造の容易な薄膜コイルを有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
　本発明の第１の薄膜コイルは、
　積層されたコイル形状の第１および第２の導体パターンと、
　第１および第２の導体パターン間に配置された絶縁層と、
　第１および第２の導体パターンの一方の端部同士を接続する第１の接続部と、
　第１および第２の導体パターンの他方の端部同士を接続する第２の接続部と
を備えたものである。
【００２１】
　本発明の第１の薄膜コイルの製造方法は、
　コイル形状の第１の導体パターンを形成する工程と、
　第１の導体パターンの上に絶縁層を形成する工程と、
　絶縁層の上にコイル形状の第２の導体パターンを形成すると共に、第１および第２の導体パターンの一方の端部同士を接続し、第１の接続部と第１および第２の導体パターンの他方の端部同士を接続する工程と
を備えたものである。
【００２２】
　本発明の第１の薄膜コイルまたはその製造方法では、第１および第２の導体パターン間には絶縁層が配置され、第１の接続部によって第１および第２の導体パターンの一方の端部同士が接続され、第２の接続部によって第１および第２の導体パターンの他方の端部同士が接続される。従って、第１および第２の導体パターンは並列に接続される。
【００２３】
　本発明の第１の薄膜コイルの製造方法において、第１および第２の導体パターンはフレームめっき法によって形成されてもよい。
【００２４】
　本発明の第２の薄膜コイルは、
　コイル形状の第１の導体パターンと、
　第１の導体パターンの巻線間を絶縁すると共に、第１の導体パターンの一方の面と共に平坦化されたコイル絶縁層と、
　第１の導体パターンの一方の面に接触するように配置されたコイル形状の第２の導体パターンと
を備えたものである。
【００２５】
　本発明の第２の薄膜コイルの製造方法は、
　コイル形状の第１の導体パターンを形成する工程と、
　第１の導体パターンの巻線間を絶縁すると共に、第１の導体パターンの一方の面と共に平坦化されたコイル絶縁層を形成する工程と、
　第１の導体パターンの一方の面に接触するように配置されたコイル形状の第２の導体パターンを形成する工程と
を備えたものである。
【００２６】
　本発明の第２の薄膜コイルまたはその製造方法では、第１の導体パターンの巻線間を絶縁するコイル絶縁層が、第１の導体パターンの一方の面と共に平坦化され、第１の導体パターンの一方の面に接触するように第２の導体パターンが配置される。
【００２７】
　本発明の第２の薄膜コイルの製造方法において、第１および第２の導体パターンはフレームめっき法によって形成されてもよい。
【００２８】
　本発明の第１の薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面と、互いに磁気的に連結され、媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む第１および第２の磁性層と、第１の磁性層の磁極部分と第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が第１および第２の磁性層の間に、第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備え、
　薄膜コイルは、
　積層されたコイル形状の第１および第２の導体パターンと、
　第１および第２の導体パターン間に配置された絶縁層と、
　第１および第２の導体パターンの一方の端部同士を接続する第１の接続部と、
　第１および第２の導体パターンの他方の端部同士を接続する第２の接続部とを有するものである。
【００２９】
　本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、記録媒体に対向する媒体対向面と、互いに磁気的に連結され、媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む第１および第２の磁性層と、第１の磁性層の磁極部分と第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が第１および第２の磁性層の間に、第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
　第１の磁性層を形成する工程と、第１の磁性層の上にギャップ層を形成する工程と、ギャップ層の上に第２の磁性層を形成する工程と、少なくとも一部が第１および第２の磁性層の間に、第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で配置されるように、薄膜コイルを形成する工程とを備え、
　薄膜コイルを形成する工程は、
　コイル形状の第１の導体パターンを形成する工程と、
　第１の導体パターンの上に絶縁層を形成する工程と、
　絶縁層の上にコイル形状の第２の導体パターンを形成すると共に、第１および第２の導体パターンの一方の端部同士を接続し、第１および第２の導体パターンの他方の端部同士を接続する工程と
を有するものである。
【００３０】
　本発明の第１の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法では、薄膜コイルの第１および第２の導体パターン間には絶縁層が配置され、第１の接続部によって第１および第２の導体パターンの一方の端部同士が接続され、第２の接続部によって第１および第２の導体パターンの他方の端部同士が接続される。従って、第１および第２の導体パターンは並列に接続される。
【００３１】
　本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、第１および第２の導体パターンはフレームめっき法によって形成されてもよい。
【００３２】
　本発明の第２の薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面と、互いに磁気的に連結され、媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む第１および第２の磁性層と、第１の磁性層の磁極部分と第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が第１および第２の磁性層の間に、第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備え、
　薄膜コイルは、
　コイル形状の第１の導体パターンと、
　第１の導体パターンの巻線間を絶縁すると共に、第１の導体パターンの一方の面と共に平坦化されたコイル絶縁層と、
　第１の導体パターンの一方の面に接触するように配置されたコイル形状の第２の導体パターンと
を有するものである。
【００３３】
　本発明の第２の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、記録媒体に対向する媒体対向面と、互いに磁気的に連結され、媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む第１および第２の磁性層と、第１の磁性層の磁極部分と第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が第１および第２の磁性層の間に、第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
　第１の磁性層を形成する工程と、第１の磁性層の上にギャップ層を形成する工程と、ギャップ層の上に第２の磁性層を形成する工程と、少なくとも一部が第１および第２の磁性層の間に、第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で配置されるように、薄膜コイルを形成する工程とを備え、
　薄膜コイルを形成する工程は、
　コイル形状の第１の導体パターンを形成する工程と、
　第１の導体パターンの巻線間を絶縁すると共に、第１の導体パターンの一方の面と共に平坦化されたコイル絶縁層を形成する工程と、
　第１の導体パターンの一方の面に接触するように配置されたコイル形状の第２の導体パターンを形成する工程と
を有するものである。
【００３４】
　本発明の第２の薄膜磁気ヘッドまたその製造方法では、第１の導体パターンの巻線間を絶縁するコイル絶縁層が、第１の導体パターンの一方の面と共に平坦化され、第１の導体パターンの一方の面に接触するように第２の導体パターンが配置される。
【００３５】
　本発明の第２の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、第１および第２の導体パターンはフレームめっき法によって形成されてもよい。
【発明の効果】
【００３６】
　請求項１記載の薄膜コイルもしくは請求項２または３記載の薄膜コイルの製造方法によれば、第１および第２の導体パターン間に絶縁層を配置し、第１および第２の導体パターンを並列に接続したので、コイルピッチが小さく、断面積が大きい薄膜コイルを、容易に製造することが可能になるという効果を奏する。
【００３７】
　また、請求項４記載の薄膜コイルもしくは請求項５または６記載の薄膜コイルの製造方法によれば、第１の導体パターンの巻線間を絶縁するコイル絶縁層を、第１の導体パターンの一方の面と共に平坦化し、第１の導体パターンの一方の面に接触するように第２の導体パターンを配置したので、コイルピッチが小さく、断面積が大きい薄膜コイルを、容易に製造することが可能になるという効果を奏する。
【００３８】
　また、請求項７記載の薄膜磁気ヘッドもしくは請求項８または９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、薄膜コイルの第１および第２の導体パターン間に絶縁層を配置し、第１および第２の導体パターンを並列に接続したので、コイルピッチが小さく、断面積が大きく、製造の容易な薄膜コイルを有する薄膜磁気ヘッドを実現することができるという効果を奏する。
【００３９】
　また、請求項１０記載の薄膜磁気ヘッドもしくは請求項１１または１２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、薄膜コイルの第１の導体パターンの巻線間を絶縁するコイル絶縁層を、第１の導体パターンの一方の面と共に平坦化し、第１の導体パターンの一方の面に接触するように第２の導体パターンを配置したので、コイルピッチが小さく、断面積が大きく、製造の容易な薄膜コイルを有する薄膜磁気ヘッドを実現することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
　以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
［第１の実施の形態］
　始めに、図１ないし図６を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜コイルおよびその製造方法ならびに薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。なお、図１ないし図６において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。
【００４１】
　本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、まず、図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よりなる絶縁層２を、約５μｍの厚みで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料、例えばパーマロイよりなる再生ヘッド用の下部シールド層３を、約３μｍの厚みに形成する。下部シールド層３は、例えば、フォトレジスト膜をマスクにして、めっき法によって、絶縁層２の上に選択的に形成する。次に、図示しないが、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層を、例えば４〜５μｍの厚みに形成し、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって、下部シールド層３が露出するまで研磨して、表面を平坦化処理する。
【００４２】
　次に、図２に示したように、下部シールド層３の上に、絶縁膜としての下部シールドギャップ膜４を、例えば約２０〜４０ｎｍの厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、再生用のＭＲ素子５を、数十ｎｍの厚みに形成する。ＭＲ素子５は、例えば、スパッタによって形成したＭＲ膜を選択的にエッチングすることによって形成する。なお、ＭＲ素子５には、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、ＭＲ素子５に電気的に接続される一対の電極層６を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上に、絶縁膜としての上部シールドギャップ膜７を、例えば約２０〜４０ｎｍの厚みに形成し、ＭＲ素子５をシールドギャップ膜４，７内に埋設する。シールドギャップ膜４，７に使用する絶縁材料としては、アルミナ、窒化アルミニウム、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等がある。また、シールドギャップ膜４，７は、スパッタ法によって形成してもよいし、例えばトリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ3）3）とＨ2Ｏ等を用いた化学的気相成長（ＣＶＤ）法によって形成してもよい。ＣＶＤ法を用いると、薄く、且つ緻密でピンホールの少ないシールドギャップ膜４，７を形成することが可能となる。
【００４３】
　次に、上部シールドギャップ膜７の上に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部磁極層と記す。）８の第１の部分８ａを、約１．０〜１．５μｍの厚みで、選択的に形成する。なお、下部磁極層８は、この第１の部分８ａと、後述する第２の部分８ｂ、第３の部分８ｃとで構成される。下部磁極層８の第１の部分８ａは、後述する薄膜コイルの少なくとも一部に対向する位置に配置される。
【００４４】
　次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層２１を約３〜４μｍの厚みに形成する。次に、例えばＣＭＰによって、下部磁極層８の第１の部分８ａが露出するまで、絶縁層２１を研磨して、表面を平坦化処理する。
【００４５】
　次に、図３に示したように、下部磁極層８の第１の部分８ａの上に、下部磁極層８の第２の部分８ｂおよび第３の部分８ｃを、約１．５〜２．５μｍの厚みに形成する。第２の部分８ｂは、下部磁極層８の磁極部分を形成し、第１の部分８ａの薄膜コイルが形成される側（図３（ａ）において上側）の面に接続される。第３の部分８ｃは、第１の部分８ａと後述する上部磁極層とを接続するための部分である。第２の部分８ｂのうち上部磁極層と対向する部分におけるエアベアリング面３０とは反対側の端部の位置は、スロートハイトを規定する。また、第２の部分８ｂのうち上部磁極層と対向する部分におけるエアベアリング面３０とは反対側の端部の位置がスロートハイトゼロ位置となる。なお、スロートハイトとは、２つの磁極層が記録ギャップ層を介して対向する部分すなわち磁極部分の、エアベアリング面３０側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。また、スロートハイトゼロ位置とは、磁極部分のエアベアリング面３０とは反対側の端部の位置をいう。
【００４６】
　下部磁極層８の第２の部分８ｂおよび第３の部分８ｃは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。
【００４７】
　次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁膜９を、約０．３〜０．６μｍの厚みに形成する。
【００４８】
　次に、フォトレジストをフォトリソグラフィ工程によりパターニングして、薄膜コイルの第１層部分３１をフレームめっき法によって形成するためのフレーム１９を形成する。次に、このフレーム１９を用いて、フレームめっき法によって、例えば銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コイルの第１層部分３１を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚みおよび０．５〜２．０μｍのコイルピッチで形成する。第１層部分３１は、コイル形状を有し、本発明における第１の導体パターンに対応する。次に、フレーム１９を除去する。なお、図中、符号３１ａは、薄膜コイルの第１層部分３１の一方の端部に設けられた接続部を示している。この接続部３１ａは、後述する薄膜コイルの第２層部分３４の一方の端部に設けられる接続部３４ａと導電層であるリード４４とに接続されるようになっている。
【００４９】
　次に、図４に示したように、全体に、例えばアルミナよりなるコイル絶縁層３２を、約３〜４μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、下部磁極層８の第２の部分８ｂおよび第３の部分８ｃが露出するまで、コイル絶縁層３２を研磨して、表面を平坦化処理する。コイル絶縁層３２は、薄膜コイルの第１層部分３１の巻線間を絶縁する。なお、図４では、薄膜コイルの第１層部分３１は露出しているが、第１層部分３１が露出しないようにしてもよい。
【００５０】
　次に、図５に示したように、露出した下部磁極層８の第２の部分８ｂおよび第３の部分８ｃとコイル絶縁層３２の上に、絶縁材料よりなる記録ギャップ層１２を、例えば０．２〜０．３μｍの厚みに形成する。
【００５１】
　次に、磁路形成のために、下部磁極層８の第３の部分８ｃの上において、記録ギャップ層１２を部分的にエッチングしてコンタクトホールを形成する。また、薄膜コイルの第１層部分３１の接続部３１ａの上の部分において、記録ギャップ層１２およびコイル絶縁層３２を部分的にエッチングしてコンタクトホールを形成する。
【００５２】
　次に、記録ギャップ層１２の上に、上部磁極層の磁極部分を形成する磁極部分層４１を例えば２〜３μｍの厚みに形成すると共に、下部磁極層８の第３の部分８ｃの上に位置する部分の上に形成されたコンタクトホールの位置に、磁性層４２を２〜３μｍの厚みに形成する。磁性層４２は、後述する上部磁極層のヨーク部分層４３と下部磁極層８とを接続するための部分である。本実施の形態では、上部磁極層の磁極部分層４１のエアベアリング面３０側の端部から反対側の端部までの長さは、下部磁極層８の第２の部分８ｂのうちスロートハイトを規定する部分のエアベアリング面３０側の端部から反対側の端部までの長さ以上に形成される。
【００５３】
　上部磁極層の磁極部分層４１および磁性層４２は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。
【００５４】
　次に、上部磁極層の磁極部分層４１をマスクとして、ドライエッチングにより、記録ギャップ層１２を選択的にエッチングする。このときのドライエッチングには、例えば、ＢＣｌ2，Ｃｌ2等の塩素系ガスや、ＣＦ4，ＳＦ6等のフッ素系ガス等のガスを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が用いられる。次に、例えばアルゴンイオンミリングによって、下部磁極層８の第２の部分８ｂを選択的に約０．３〜０．６μｍ程度エッチングして、図５（ｂ）に示したようなトリム構造とする。
【００５５】
　次に、フレームめっき法によって、例えば銅よりなる薄膜コイルの第２層部分３４を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚みおよび０．５〜２．０μｍのコイルピッチで形成する。第２層部分３４は、第１層部分３１と同じデザインのコイル形状を有し、本発明における第２の導体パターンに対応する。なお、図中、符号３４ａは、薄膜コイルの第２層部分３４の一方の端部に設けられた接続部を示している。この接続部３４ａは、薄膜コイルの第１層部分３１の一方の端部に設けられた接続部３１ａとリード４４とに接続されるようになっている。
【００５６】
　本実施の形態では、第１の導体パターンとしての第１層部分３１と第２の導体パターンとしての第２層部分３４との間に記録ギャップ層１２が配置されている。この記録ギャップ層１２は、本発明における第１の導体パターンと第２の導体パターンとの間に配置された絶縁層に対応する。
【００５７】
　次に、図６に示したように、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層３５を、約３〜４μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、上部磁極層の磁極部分層４１および磁性層４２が露出するまで、絶縁層３５を研磨して、表面を平坦化処理する。ここで、図６では、薄膜コイルの第２層部分３４は露出していないが、薄膜コイルの第２層部分３４が露出するようにしてもよい。第２層部分３４が露出するようにした場合には、第２層部分３４および絶縁層３５の上に他の絶縁層を形成する。また、薄膜コイルの第２層部分３４の接続部３４ａの上の部分において、絶縁層３５を部分的にエッチングしてコンタクトホールを形成する。
【００５８】
　次に、平坦化された上部磁極層の磁極部分層４１および磁性層４２、絶縁層３５の上に、記録ヘッド用の磁性材料からなる上部磁極層のヨーク部分を形成するヨーク部分層４３を、例えば約２〜３μｍの厚みに形成する。このヨーク部分層４３は、磁性層４２を介して、下部磁極層８の第３の部分８ｃと接触し、磁気的に連結している。上部磁極層のヨーク部分層４３は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。また、高周波特性の改善のため、上部磁極層のヨーク部分層４３を、無機系の絶縁膜とパーマロイ等の磁性層とを何層にも重ね合わせた構造としてもよい。
【００５９】
　本実施の形態では、上部磁極層のヨーク部分層４３のエアベアリング面３０側の端面は、エアベアリング面３０から離れた位置（図６（ａ）において右側）に配置されている。
【００６０】
　次に、接続部３４ａの上の部分を含む絶縁層３５の上に、例えばフレームめっき法により、例えば銅よりなるリード４４を形成する。
【００６１】
　次に、全体に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層３７を、２０〜４０μｍの厚みに形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない電極用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面３０を形成して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００６２】
　図７は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの主要部分についての平面図（図７において上側に配置された図）と断面図（図７において下側に配置された図）とを対応付けて示す説明図である。なお、図７における平面図では、オーバーコート層３７や、その他の絶縁層および絶縁膜を省略している。図７において、符号ＴＨはスロートハイトを表し、ＴＨ０はスロートハイトゼロ位置を表し、ＭＲ−ＨはＭＲハイトを表している。なお、ＭＲハイトとは、ＭＲ素子５のエアベアリング面３０側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。
【００６３】
　図７に示したように、薄膜コイルの第１層部分３１の他方の端部と第２層部分３４の他方の端部には、それぞれ接続部３１ｂ，３４ｂが設けられている。これらの３１ｂ，３４ｂは、互いに接続されると共に、リード４５に接続されている。
【００６４】
　本実施の形態では、下部磁極層８が本発明における第１の磁性層に対応し、磁極部分層４１、磁性層４２およびヨーク部分層４３よりなる上部磁極層が、本発明における第２の磁性層に対応する。
【００６５】
　ここで、図８ないし図１２を参照して、薄膜コイルの第１層部分３１および第２層部分３４を形成するために用いられるフレームめっき法について簡単に説明する。フレームめっき法は、例えば特許文献５に記載されているように、レジストをパターニングして形成した型（フレーム）を用いて、パターニングされためっき膜を形成する方法である。
【００６６】
　図８は、フレームめっき法を用いためっき膜の形成方法の一例における一工程を示す断面図である。フレームめっき法では、まず、図８に示したように、例えば絶縁性基板５００の上に、スパッタリング法や蒸着法を用いて電極膜５０２を成膜する。この電極膜５０２の下層に、電極膜５０２と絶縁性基板５００との密着性を高めるために、クロム（Ｃｒ）膜やチタン（Ｔｉ）膜等による接着層を形成してもよい。電極膜５０２は、導電性のある材料であれば問題ないが、できればめっきされる金属材料と同一の材料を用いることが望ましい。
【００６７】
　次に、図９に示したように、全面にレジストを塗布してレジスト層５０４を形成し、必要に応じてレジスト層５０４のプリベーク処理を行う。次に、所定のパターンが描画されたマスク５０６を介して露光光を照射して、レジスト層５０４を露光する。
【００６８】
　次に、必要に応じて熱処理を行った後、アルカリ現像液で現像する。アルカリ現像液としては、例えば、２．３８重量％の濃度のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）が用いられる。次に、レジスト層５０４中の現像液を洗浄液で洗浄し、レジスト層５０４の現像溶解反応を停止させて、図１０に示したように、所定形状にパターニングされたレジストフレーム５０８を形成する。
【００６９】
　次に、図１１に示したように、基板５００をめっき槽中のめっき液５１２に浸漬して、レジストフレーム５０８を型にしてめっき処理を行い、レジストフレーム５０８間にめっき膜５１４を形成する。
【００７０】
　次に、図１２に示したように、必要に応じて水洗し乾燥させてから、レジストフレーム５０８を有機溶剤を用いて基板５００から剥離する。次に、めっき膜５１４をマスクにして電極膜５０２をイオンミリングや反応性イオンエッチング等のドライエッチングまたはウエットエッチングにより除去する。
【００７１】
　以上のようにして、レジスト層５０４をパターニングしたレジストフレーム５０８を型として用いて所定の形状のめっき膜５１４が形成される。
【００７２】
　以上説明したように、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、再生ヘッドと記録ヘッド（誘導型電磁変換素子）とを備えている。再生ヘッドは、ＭＲ素子５と、記録媒体に対向する媒体対向面（エアベアリング面３０）側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置され、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層（下部磁極層８）とを有している。
【００７３】
　記録ヘッドは、互いに磁気的に連結され、媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む下部磁極層８および上部磁極層（磁極部分層４１、磁性層４２およびヨーク部分層４３）と、これら２つの磁極層の各磁極部分の間に設けられた記録ギャップ層１２と、少なくとも一部がこれら２つの磁極層の間に、２つの磁極層に対して絶縁された状態で配設された薄膜コイルとを有している。
【００７４】
　薄膜コイルは、第１層部分３１と第２層部分３４とを有している。第１層部分３１と第２層部分３４の間には、絶縁層としての記録ギャップ層１２が配置されている。第１層部分３１の一方の端部と第２層部分３４の一方の端部は、接続部３１ａ，３４ａによって互いに接続されていると共に、リード４４に接続されている。第１層部分３１の他方の端部と第２層部分３４の他方の端部は、接続部３１ｂ，３４ｂによって互いに接続されていると共に、リード４５に接続されている。このように、本実施の形態では、薄膜コイルの第１層部分３１と第２層部分３４は並列に接続される。
【００７５】
　ここで、図１３ないし図１５を参照して、本実施の形態における薄膜コイルと従来の１層または２層コイルとの回路上の違いについて説明する。図１３は従来の１層コイルを簡略化して表したものである。図１４は従来の２層コイルの回路構成を示したものである。図１４に示したように、従来の２層コイルでは、第１層部分１０１と第２層部分１０２とが直列に接続されている。図１５は本実施の形態における薄膜コイルの回路構成を示したものである。図１５に示したように、本実施の形態における薄膜コイルでは、第１層部分３１と第２層部分３４とが並列に接続されている。
【００７６】
　本実施の形態によれば、第１層部分３１と第２層部分３４とを並列に接続して薄膜コイルを構成したので、コイルピッチを小さくしながら、第１層部分３１と第２層部分３４とを合わせた薄膜コイル全体の断面積を大きくすることができる。従って、本実施の形態によれば、記録ヘッドにおける磁路長の縮小が可能となり、その結果、記録ヘッドの高周波特性の向上や、非線形トランジションシフト（Non-linear　Transition　Shift；以下、ＮＬＴＳと記す。）の改善が可能になる。また、本実施の形態によれば、薄膜コイルの起磁力を向上させることが可能となり、その結果、オーバーライト特性等の記録能力を向上させることが可能になる。また、本実施の形態によれば、薄膜コイルの抵抗を小さくできるので、コイルの発熱を防止でき、その結果、エレクトロマイグレーションを防止することができる。
【００７７】
　また、本実施の形態では、薄膜コイルの第１層部分３１と第２層部分３４は、共に平坦な面の上に形成される。従って、本実施の形態によれば、第１層部分３１および第２層部分３４を微細に且つ精度よく形成することが可能となり、その結果、容易にコイルピッチを小さくすることが可能になる。
【００７８】
　また、本実施の形態では、接続部３１ａ，３４ａ同士、および接続部３１ｂ，３４ｂ同士以外の部分では、第１層部分３１と第２層部分３４とを接触させる必要がないので、第１層部分３１と第２層部分３４との位置は、ずれても構わない。また、本実施の形態では、第１層部分３１と第２層部分３４のデザインを変えることも可能である。これらのことから、本実施の形態によれば、薄膜コイルの製造が容易になる。
【００７９】
［第２の実施の形態］
　次に、図１６および図１７を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜コイルおよびその製造方法ならびに薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。なお、図１６および図１７において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。
【００８０】
　本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、図４に示したように、薄膜コイルの第１層部分３１の巻線間を絶縁するコイル絶縁層３２を形成する工程までは、第１の実施の形態と同様である。
【００８１】
　本実施の形態では、次に、例えばＣＭＰによって、下部磁極層８の第２の部分８ｂおよび第３の部分８ｃ、および薄膜コイルの第１層部分３１が露出するまで、コイル絶縁層３２を研磨して、表面を平坦化処理する。これにより、第１層部分３１の上面と共にコイル絶縁層３２の上面が平坦化される。
【００８２】
　次に、図１６に示したように、下部磁極層８の第２の部分８ｂおよび第３の部分８ｃ、薄膜コイルの第１層部分３１、およびコイル絶縁層３２の上に、絶縁材料よりなる記録ギャップ層１２を、例えば０．２〜０．３μｍの厚みに形成する。
【００８３】
　次に、磁路形成のためと、薄膜コイルの第１層部分３１の上に第２層部分３４を重ねて形成するために、下部磁極層８の第３の部分８ｃの上と薄膜コイルの第１層部分３１が存在している領域の上の部分において、記録ギャップ層１２を部分的にエッチングする。
【００８４】
　次に、記録ギャップ層１２の上に、上部磁極層の磁極部分を形成する磁極部分層４１を例えば２〜３μｍの厚みに形成すると共に、下部磁極層８の第３の部分８ｃの上に、磁性層４２を２〜３μｍの厚みに形成する。
【００８５】
　次に、第１の実施の形態と同様に、上部磁極層の磁極部分層４１をマスクとして、ドライエッチングにより、記録ギャップ層１２を選択的にエッチングし、更に、例えばアルゴンイオンミリングによって、下部磁極層８の第２の部分８ｂを選択的に約０．３〜０．６μｍ程度エッチングして、図１６（ｂ）に示したようなトリム構造とする。
【００８６】
　次に、フレームめっき法によって、例えば銅よりなる薄膜コイルの第２層部分３４を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚みおよび０．５〜２．０μｍのコイルピッチで形成する。第２層部分３４は、第１層部分３１と同じデザインのコイル形状を有している。本実施の形態では、第２層部分３４は、第１層部分３１の上面に接触するように配置される。
【００８７】
　次に、図１７に示したように、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層３５を、約３〜４μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、上部磁極層の磁極部分層４１および磁性層４２が露出するまで、絶縁層３５を研磨して、表面を平坦化処理する。ここで、図１７では、薄膜コイルの第２層部分３４は露出していないが、第２層部分３４が露出するようにしてもよい。第２層部分３４が露出するようにした場合には、第２層部分３４および絶縁層３５の上に他の絶縁層を形成する。また、薄膜コイルの第２層部分３４の接続部３４ａの上の部分において、絶縁層３５を部分的にエッチングしてコンタクトホールを形成する。
【００８８】
　次に、平坦化された上部磁極層の磁極部分層４１および磁性層４２と、絶縁層３５の上に、記録ヘッド用の磁性材料からなる上部磁極層のヨーク部分を形成するヨーク部分層４３を、例えば約２〜３μｍの厚みに形成する。このヨーク部分層４３は、磁性層４２を介して、下部磁極層８の第３の部分８ｃと接触し、磁気的に連結している。
【００８９】
　次に、接続部３４ａの上の部分を含む絶縁層３５の上に、例えばフレームめっき法により、例えば銅よりなるリード４４を形成する。
【００９０】
　次に、全体に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層３７を、２０〜４０μｍの厚みに形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない電極用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面３０を形成して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００９１】
　本実施の形態では、薄膜コイルの第１層部分３１の巻線間を絶縁するコイル絶縁層３２が、第１層部分３１の上面と共に平坦化され、第１層部分３１の上面に接触するように第２層部分３４が配置される。従って、本実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様に、コイルピッチを小さくしながら、第１層部分３１と第２層部分３４とを合わせた薄膜コイル全体の断面積を大きくすることができる。従って、本実施の形態によれば、記録ヘッドにおける磁路長の縮小が可能となり、その結果、記録ヘッドの高周波特性の向上や、ＮＬＴＳの改善が可能になる。また、本実施の形態によれば、薄膜コイルの起磁力を向上させることが可能となり、その結果、オーバーライト特性等の記録能力を向上させることが可能になる。また、本実施の形態によれば、薄膜コイルの抵抗を小さくできるので、コイルの発熱を防止でき、その結果、エレクトロマイグレーションを防止することができる。
【００９２】
　また、本実施の形態では、薄膜コイルの第１層部分３１と第２層部分３４は、共に平坦な面の上に形成される。従って、本実施の形態によれば、第１層部分３１および第２層部分３４を微細に且つ精度よく形成することが可能となり、その結果、容易にコイルピッチを小さくすることが可能になる。特に、本実施の形態では、薄膜コイルの第２層部分３４を精度よく形成することができることから、第１層部分３１の位置と第２層部分３４の位置を正確に合わせることが可能になる。これらのことから、本実施の形態によれば、薄膜コイルの製造が容易になる。
【００９３】
　本実施の形態におけるその他の構成および作用は、第１の実施の形態と同様である。
【００９４】
　なお、本発明は上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、上記各実施の形態では、薄膜コイルを第１層部分３１と第２層部分３４との２層で構成したが、３つ以上の層で薄膜コイルを構成してもよい。
【００９５】
　また、本発明は、誘導型電磁変換素子のみを備えた記録専用の薄膜磁気ヘッドや、誘導型電磁変換素子によって記録と再生を行う薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。
【００９６】
　また、本発明の薄膜コイルまたはその製造方法は、薄膜磁気ヘッドの誘導型電磁変換素子に限らず、薄膜コイルを含むインダクタ、モータ、トランス、アクチュエータ等にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図である。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図である。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図である。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの主要部分についての平面図と断面図とを対応付けて示す説明図である。
【図８】フレームめっき法を用いためっき膜の形成方法の一例における一工程を示す断面図である。
【図９】図８に続く工程を説明するための断面図である。
【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図である。
【図１２】図１１に続く工程を説明するための断面図である。
【図１３】従来の１層コイルを簡略化して表した説明図である。
【図１４】従来の２層コイルの回路構成を示す説明図である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜コイルの回路構成を示す説明図である。
【図１６】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図１７】図１６に続く工程を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００９８】
　１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、５…ＭＲ素子、８…下部磁極層、１２…記録ギャップ層、３１…薄膜コイルの第１層部分、３２…コイル絶縁層、３４…薄膜コイルの第２層部分、４１…磁極部分層、４３…ヨーク部分層、３７……オーバーコート層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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