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【手続補正書】
【提出日】平成24年2月16日(2012.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＳＴ部品（３）を封入するための方法であって、
前記ＭＳＴ部品（３）は容器（２）内に配置され、
前記容器は被覆層（４）で閉じられ、
前記被覆層（４）には、リング状のくぼみに閉じられた少なくとも１つの切抜部（４ａ）が設けられ、切抜部は、内側領域および外側領域の両方が、前記ＭＳＴ部品（３）の、前記被覆層に面する上部側に接続されるように、前記被覆層を内側領域および外側領域に分割し、
前記外側領域が接着したままの状態で、前記内側領域が剥離される、方法。
【請求項２】
前記被覆層（４）は、前記ＭＳＴ部品（３）および前記容器（２）の上部側に接着接合される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
自己接着性の被覆層（４）が使用される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記容器（２）が前記被覆層で閉じられる前に、被覆層（４）と前記容器（２）の端縁との間、および前記被覆層（４）と前記部品の（３）の上部側との間の接続領域に接着剤が塗布される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記被覆層にさらなる切抜部が作成され、前記容器の上部側の一領域が露出される、請求項１〜４のうちいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記切抜部（４ａ）は、レーザアブレーションによって前記被覆層（４）に作成される、請求項１〜５のうちいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記被覆層（４）は、フォトリソグラフィ処理によって処理可能な材料を含み、マスク露光または走査露光および現像によって構造化される、請求項１〜６のうちいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記被覆層（４）および前記切抜部（４ａ）は、部分的に金属層（５）で被覆される、請求項１〜７のうちいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
複数の容器（２）を含むパネルが設けられ、少なくとも１つのＭＳＴ部品（３）が前記容器の各々に配置され、前記被覆層（４）は、前記パネルの複数の容器上に塗布される、請求項１〜８のうちいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記被覆層（４）の内側領域は、上に積層されていた剥離膜（７）によって引離される、請求項１〜９のうちいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記剥離膜（７）は、前記被覆層（４）の内部領域および外側領域上の全域にわたって塗布され、前記被覆層（４）の外側領域上の前記剥離膜（７）の接着強度をＵＶ照射（９）によって低下させる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記被覆層（４）の前記外側領域上の前記剥離膜（７）は、構造化された様式で照射される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
マイクロホンが前記ＭＳＴ部品（３）として使用される、請求項１〜１２のうちいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
効果的な方法で全域にわたって金属層（５）を前記被覆層（４）上に作成した後、前記金属層（５）および下地である前記被覆層が少なくとも部分的に開口される、請求項１〜１３のうちいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
ＭＳＴ部品（１）を含む装置であって、
一方側が開いている容器（２）を有し、ＭＳＴ部品（３）が前記容器内に配置されており、
前記容器の内側と前記ＭＳＴ部品との間に空洞（１ａ）が設けられ、
前記被覆層（４）は前記空洞を被覆し、前記被覆層に面する上部側において前記容器に前記ＭＳＴ部品を接続し、
前記ＭＳＴ部品の一領域は、容器開口部に面する上部側において前記被覆層から解放される、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月20日(2012.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸受面を形成する表面及び裏面を有する軸受基体と、インプラントを骨に対して固定するために前記裏面から突出した固定手段とを含む、膝関節における骨表面再建用の脛骨インプラントであって、前記軸受基体の裏面の少なくとも一部が、前頭面において凸状である前記脛骨インプラント。
【請求項２】
前記軸受基体が、前記前頭面において上方に湾曲する第一の側面を有し、該第一の側面上で上方に突出する請求項１に記載の脛骨インプラント。
【請求項３】
前記固定手段が、前記軸受基体の裏側に沿って延在するリブの形態である、請求項１から３のいずれか一項に記載の脛骨インプラント。
【請求項４】
インプラントを骨に固定するためにインプラントが湾曲路に沿って挿入されるように、前記固定手段が湾曲している、請求項１から３のいずれか一項に記載の脛骨インプラント。
【請求項５】
内側及び外側の脛骨プラトーの１つを表面再建するように構成された、請求項１から４のいずれか一項に記載の脛骨インプラント。
【請求項６】
前記軸受面の少なくとも一部が、前頭面において凹状である、請求項１から５のいずれか一項に記載の脛骨インプラント。
【請求項７】
前記軸受面の少なくとも一部が、矢状面において凸状である、請求項１から６のいずれか一項に記載の脛骨インプラント。
【請求項８】
前記軸受面の少なくとも一部が、矢状面において凹状である、請求項１から７のいずれか一項に記載の脛骨インプラント。
【請求項９】
前記軸受基体の前記軸受面及び裏面が共に湾曲し、そのため、前記軸受基体の大部分が実質的に一定の厚さである、請求項１から８のいずれか一項に記載の脛骨インプラント。
【請求項１０】
前記固定手段が、骨に対してインプラントを固定するために骨の切り込み面に抗して保持されるように構成された固定面を有する、請求項１から９のいずれか一項に記載の脛骨インプラント。
【請求項１１】
脛骨インプラント及び大腿骨インプラントを含む単顆インプラントセットであって、前記脛骨インプラントが請求項１から１０のいずれか一項に記載のインプラントである、インプラントセット。
【請求項１２】
各々が請求項１１に記載の単顆インプラントセットである２つの単顆インプラントセットを含む、膝表面再建インプラントセット。
【請求項１３】
膝蓋骨に取り付けるための膝蓋骨コンポーネントと、大腿骨に取り付けるためであって、前記膝蓋骨コンポーネントに接触するように構成された軸受面を有する滑車コンポーネントとを更に含む、請求項１１又は１２に記載の膝表面再建インプラントセット。
【請求項１４】
前記滑車コンポーネントの軸受面が、その外側に１つの凸状部分的球状部分を、その内側に凹状部分を含む、請求項１３に記載のインプラントセット。
【請求項１５】
前記滑車コンポーネントが実質的に一定の厚さの軸受基体を含み、その前方表面が軸受面を形成する、請求項１３又は１４に記載のインプラントセット。
【請求項１６】
前記軸受基体が、その外側における上方突出部及びその内側における下方突出部の少なくとも１つを有する、請求項１５に記載のインプラントセット。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月5日(2012.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）予め定められた形状の組織縁部によって包囲された組織アクセス部位を組織に生成するように設計された組織切開要素と、
（ｂ）前記組織縁部の少なくとも１つに対応する領域の前記組織に少なくとも１つの縫合糸を取り付けるための少なくとも１つの組織穿刺要素を有する組織閉鎖装置と
を備え、前記組織切開要素および前記組織閉鎖装置は単一筐体内に組み込まれる、組織アクセス部位システム。
【請求項２】
前記要素は、前記組織アクセス部位を切開して前記組織内に進入するように設計される、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記要素は、前記組織から外に出ると前記組織アクセス部位を切開するように設計される、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
システムは、前記組織アクセス部位の生成の前、途中、または後で少なくとも１つの縫合糸が前記組織縁部の少なくとも１つに対応する領域の前記組織に取り付けられるように、前記要素および前記組織閉鎖装置の動作を協調させるように構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記組織にパッチを送達するためのパッチ送達装置をさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
接着剤またはシーラント送達装置をさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
（ａ）組織の穴を拡張するように設計された組織拡張要素と、
（ｂ）前記穴の周りの前記組織に少なくとも１つの縫合糸を取り付けるための組織閉鎖装置と
を備えた、組織アクセス部位システム。
【請求項８】
前記組織拡張要素は、ガイドワイヤで配置されるように設計される、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記組織閉鎖装置は少なくとも１つの組織穿刺要素を含む、請求項７に記載のシステム。
【請求項１０】
システムは、穴の拡張の前、途中、または後で少なくとも１つの縫合糸が前記穴の周りの前記組織に取り付けられるように、前記組織拡張要素および前記組織閉鎖装置の動作を協調させるように構成される、請求項７に記載のシステム。
【請求項１１】
前記組織閉鎖装置は、縫合糸を前記組織に出し入れすることができる、請求項７に記載のシステム。
【請求項１２】
前記組織拡張要素および前記組織閉鎖装置は単一筐体内に組み込まれる、請求項７に記載のシステム。
【請求項１３】
（ａ）対側入口部位から同側血管にアクセスするために構成される第１カテーテルであって、前記同側血管を少なくとも部分的に閉塞することができるバルーンを有するように構成される第１カテーテルと、
（ｂ）同側入口部位から同側血管にアクセスするために構成される第２カテーテルであって、前記同側血管内の展開可能な管状要素を送達するための第２カテーテルと、
を備えた、組織アクセス部位の閉鎖のためのシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2011527226.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４Ａ−４Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４Ａ−４Ｂ】
2011527226.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2011527226.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2011527226.tif 000004
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７Ａ−７Ｃ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７Ａ−７Ｃ】
2011527226.tif 000005
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】
2011527226.tif 000006
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
2011527226.tif 000007
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１８】
2011527226.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月13日(2011.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部および少なくとも２つの側部を有するフローティングゲートを形成する工程（５０４、５１４、５２０、９０２）と、
前記フローティングゲートの前記上部に誘電体キャップを形成する工程（５０５、５１４、９０４、９１２、９２６、９４６）であって、前記フローティングゲートの前記上部に前記誘電体キャップを形成することは、第１の材料と第２の材料とを前記フローティングゲートの前記上部に注入することを含み、前記第２の材料が前記誘電体キャップの形成を制御することを特徴とする前記工程と、
前記フローティングゲートの前記少なくとも２つの側部の周りおよび前記誘電体キャップの上部の上にゲート間誘電体層を形成する工程（５２８）と、
前記フローティングゲートの上部の上に制御ゲートを形成する工程（５３０）であって、前記ゲート間誘電体層が前記制御ゲートを前記フローティングゲートから分離させる前記工程（５３０）と、
を備える、不揮発性記憶装置を形成する方法。
【請求項２】
前記フローティングゲートを形成する工程は、シリコンから前記フローティングゲートを形成する工程を含み、
前記誘電体キャップを形成する工程は、
前記フローティングゲートの前記上部に酸素を注入する工程と、
前記注入された酸素および前記フローティングゲートが形成されたシリコンから前記誘電体キャップを形成するために前記フローティングゲートを加熱する工程と、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記フローティングゲートを形成する工程は、ハードマスクを使用する工程を含み、
前記フローティングゲートの前記上部に酸素を注入する工程は、前記ハードマスクを通して酸素を注入する工程を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記フローティングゲートの前記少なくとも２つの側部を囲むシャロー・トレンチ・アイソレーション構造体用の絶縁材料を堆積させる工程と、
前記フローティングゲートの上に存在するハードマスクのレベルまで前記絶縁材料を平坦化する工程と、
前記フローティングゲートの上から前記ハードマスクを除去する工程と、
をさらに備え、
前記フローティングゲートの前記上部に酸素を注入する工程は、前記ハードマスクを除去する工程の後であって、前記フローティングゲートの前記少なくとも２つの側部から前記絶縁材料を除去する工程の前に実行される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記フローティングゲートの前記側部を囲むシャロー・トレンチ・アイソレーション用の絶縁材料を堆積させる工程と、
前記フローティングゲートの上にあるハードマスクのレベルまで前記絶縁材料を平坦化する工程と、
前記フローティングゲートの上から前記ハードマスクを除去する工程と、
前記フローティングゲートの前記少なくとも２つの側部のうちの少なくとも一部分を露出させるため前記絶縁材料の一部分をエッチバックする工程と、
をさらに備え、
前記フローティングゲートの前記上部に酸素を注入する工程は、前記絶縁材料の一部分をエッチバックする工程の後に実行される、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記フローティングゲートを形成する工程および前記誘電体キャップを形成する工程は、
前記フローティングゲートを形成するため使用されるポリシリコンの層を形成する工程と、
前記ポリシリコンの上に、前記誘電体キャップを形成するため使用される酸化物層を形成する工程と、
前記酸化物層の上にパターンを形成する工程と、
前記誘電体キャップおよび前記フローティングゲートを形成するため、前記パターンに基づいて前記酸化物膜および前記ポリシリコンをエッチングする工程と、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記フローティングゲートを形成する工程および前記誘電体キャップを形成する工程は、
前記フローティングゲートの前記上部に曲率を設け、前記ポリシリコンの酸化された部分が前記誘電体キャップの一部分を形成するように、前記フローティングゲートを形成するために使用される前記ポリシリコンを選択的に酸化する工程をさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記制御ゲートを形成する工程は、前記フローティングゲートの前記少なくとも２つの側部の周りに前記制御ゲートを形成する工程をさらに含む、請求項１から７のうちのいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
上部および側部を有しているフローティングゲート（４１２）と、
前記フローティングゲート（４１２）の前記上部の上および前記側部の周りにある制御ゲート（４０４）と、
前記フローティングゲート（４１２）と前記制御ゲート（４０４）との間にあり、前記フローティングゲート（４１２）の上にある誘電体キャップ（４０８）と前記フローティングゲート（４１２）の上および周りにある誘電体材料の層（４０６）とを備えるゲート間誘電体（４０６、４０８）と、
を備え、
前記フローティングゲートおよび前記制御ゲートが異なった電圧にあるときに電界が前記ゲート間誘電体内に存在し、前記誘電体キャップは、前記フローティングゲートの前記上部における前記ゲート間誘電体内の前記電界の強さが前記フローティングゲートの前記側部に接した前記ゲート間誘電体の領域内の前記電界の強さと同じもしくはそれより低くなるように成形されている、不揮発性記憶装置。
【請求項１０】
前記誘電体キャップの垂直厚さが前記ゲート間誘電体内の前記電界のピークを前記フローティングゲートの前記側部に引き起こす、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記誘電体キャップは二酸化ケイ素を含む、請求項９または１０のうちのいずれかに記載の装置。
【請求項１２】
前記誘電体キャップは曲線状の上部を有している、請求項９から１１のうちのいずれか一項に記載の装置。
【請求項１３】
前記誘電体キャップが実質的に平坦な上部を有している、請求項９から１１のうちのいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】
前記誘電体キャップの上部が曲率半径をもつ曲線状の形状を有し、前記誘電体キャップに最も接近した前記フローティングゲートの一部分の幅が前記誘電体キャップの前記曲率半径のおよそ２倍である、請求項９から１２のうちのいずれか一項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月27日(2011.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が裏面照明用に構成された画素アレイを有する複数のイメージセンサを形成するためのウェハレベル加工方法であって、前記複数のイメージセンサはイメージセンサウェハを使って形成され、前記イメージセンサウェハは基板と、前記基板上に形成された埋め込み酸化膜層と、前記埋め込み酸化膜層上に形成されたシード層を含み、前記方法は、
前記シード層の上に犠牲酸化膜層を形成するステップと、
前記犠牲酸化膜層の上にフォトレジストを堆積させるステップと、
前記フォトレジストをパターニングして、前記イメージセンサウェハの複数の画素アレイ領域のみを露出させるステップであって、その各画素アレイ領域とは、前記各イメージセンサのための画素アレイが形成される領域である、ステップと、
前記露出された画素アレイ領域内のみにおいて、前記シード層の中にｎ型ドーパントを注入するステップと、
前記フォトレジストの残りの部分を除去するステップと、
前記犠牲酸化膜層を除去するステップと、
前記ドープシード層の上にｐ型エピタキシャル層を形成するステップと、
前記イメージセンサウェハをさらに加工して前記複数のイメージセンサを形成するステップであって、前記複数のイメージセンサのための前記画素アレイを形成することを含む、ステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記犠牲酸化膜層と前記シード層を通って前記埋め込み酸化膜層の表面に延びるアラインメントマークを形成するステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記ｎ型ドーパントは、ヒ素とリンのうちの一方からなることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記露出された画素アレイ領域内の前記シード層の中にｎ型ドーパントを注入する前記ステップは、前記ｎ型ドーパントを、前記犠牲酸化膜層を通じて前記露出された画素アレイ領域内の前記シード層の中に注入するステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記露出された画素アレイ領域内の前記シード層の中にｎ型ドーパントを注入する前記ステップは、前記露出された画素アレイ領域の各々の前記犠牲酸化膜層に開口部をエッチングするステップと、前記エッチングされた開口部を通じて前記シード層に前記ｎ型ドーパントを注入するステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記犠牲酸化膜層を除去する前に前記イメージセンサウェハをアニーリングするステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
前記エピタキシャル層の中に前記画素アレイの感光素子を形成するステップと、
前記基板を除去して、前記埋め込み酸化膜層の裏面を露出させるステップと、
をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、
前記イメージセンサウェハを前記複数のイメージセンサに分離するステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項９】
裏面照明用に構成された画素アレイを有するイメージセンサであって、
前記画素アレイの複数の感光素子を含むセンサ層と、
前記センサ層の裏面に隣接する酸化膜層と、
を備え、
前記センサ層はシード層と、前記シード層の上に形成されたｐ型エピタキシャル層を含み、前記シード層は、指定されたｎ型ドーパントが前記センサ層の画素アレイ領域に略限定される断面ドーピングプロファイルを有することを特徴とするイメージセンサ。
【請求項１０】
デジタルイメージングデバイスに含まれることを特徴とする、請求項９に記載のイメージセンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月9日(2012.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基準平面内に延在する幅および長さをもつ下方表面と、前記基準表面から離れている上方表面と、前記上方表面と下方表面との間に延在するエッジとを第１の金属線毎に有し、この第１の金属線の前記上方表面と前記下方表面との間の第１の距離がこの第１の金属線の厚さを画定する複数の第１の金属線と、
前記第１の金属線の前記幅の方向に前記第１の金属線とインターリーブされる複数の第２の金属線であって、前記基準平面内に延在する幅および長さをもつ上方表面と、前記基準平面から離れている下方表面とを第２の金属線毎に有し、この第２の金属線の前記上方表面と前記下方表面との間の第２の距離がこの第２の金属線の厚さを画定する複数の第２の金属線と、
前記第１の金属線のうちの金属線を前記第２の金属線のうちの隣接する金属線から分離する誘電体層と、
を備え、前記第２の金属線のそれぞれが、当該第２の金属線の上方表面と下方表面との間に延在するエッジを有し、前記第１の金属線のうちの１つの金属線のエッジの１つと、前記第２の金属線のうちの１つの金属線の隣接するエッジの１つとの間隙が、隣接する前記第１の金属線の幅および前記第２の金属線の幅より小さい、超小型電子相互接続素子。
【請求項２】
前記第１の金属線と該第１の金属線に隣接する前記第２の金属線との間のピッチが前記第１の金属線のうちの隣接する金属線の間の第１のピッチより小さく、前記第２の金属線のうちの隣接する金属線の間の第２のピッチより小さくされている、請求項１に記載の超小型電子相互接続素子。
【請求項３】
前記第１のピッチは前記第１の金属線のうちの１つの金属線の幅の少なくとも約２倍に等しく、前記第２のピッチは前記第２の金属線のうちの１つの金属線の幅の少なくとも約２倍に等しく、前記第１の金属線の前記幅の方向で、前記第１の金属線のうちの少なくとも一部は、前記第２の金属線のうちの少なくとも一部から絶縁され、前記第１の金属線のうちの１つの前記幅より遙かに小さい幅で離間されている、請求項２に記載の超小型電子相互接続素子。
【請求項４】
前記第１の金属線および前記第２の金属線は、エッチングによって画定されている、請求項１に記載の超小型電子相互接続素子。
【請求項５】
前記第１の金属線および前記第２の金属線のうちの少なくとも一部は、めっきによって画定されている、請求項１に記載の超小型電子相互接続素子。
【請求項６】
前記第１の金属線の前記幅および前記第２の金属線の前記幅は、約６０ミクロン未満である、請求項１に記載の超小型電子相互接続素子。
【請求項７】
前記第１の金属線の前記幅および前記第２の金属線の前記幅は、最大で約２０ミクロンである、請求項１に記載の超小型電子相互接続素子。
【請求項８】
前記第１の金属線の前記幅および前記第２の金属線の前記幅は、最大で約１０ミクロンである、請求項１に記載の超小型電子相互接続素子。
【請求項９】
前記第１の金属線のうちの少なくとも一部が、前記第２の金属線のうちの少なくとも一部から分離され、前記第１の金属線のうちの１つの金属線の幅の１０％未満の間隔をおいている、請求項３に記載の超小型電子相互接続素子。
【請求項１０】
前記基準平面の方向に延在する導電性パッドと、前記導電性パッドから前記誘電体層を通って延在する導電性ビアとをさらに備える、請求項１に記載の超小型電子相互接続素子。
【請求項１１】
前記導電性ビアは中実金属バンプを含み、前記導電性パッドは、前記第１の金属線のうちの少なくとも１つに接続されている金属リングと、前記金属リング内部の導電性接合剤とを含み、前記中実金属バンプは、前記導電性接合剤に接合されている、請求項１０に記載の超小型電子相互接続素子。
【請求項１２】
前記中実金属バンプは、エッチングされた金属バンプである、請求項１１に記載の超小型電子相互接続素子。
【請求項１３】
前記金属リングおよび前記第１の金属線は、同じ金属層から形成されている、請求項１１に記載の超小型電子相互接続素子。
【請求項１４】
（ａ）第１の露出金属層および第２の露出金属層と、前記第１の金属層と前記第２の金属層との間に挟まれたエッチングバリア層とを含む積層素子を提供するステップと、
（ｂ）前記第１の金属線を覆う誘電体層を形成するステップと、
（ｃ）前記第２の露出金属層をエッチングすることを含むプロセスによって第２の金属線を画定するステップと、
を含む、超小型電子相互接続素子を形成する方法。
【請求項１５】
エッチングバリア層は導電性であり、ステップ（ｂ）の前に前記第１の金属線の間の前記エッチングバリア層の一部分を除去するステップと、ステップ（ｃ）の後に前記第２の金属線の間の前記エッチングバリア層の一部分を除去するステップとをさらに含む、請求項１４に記載の超小型電子相互接続素子を形成する方法。
【請求項１６】
前記第１の金属線のうちの金属線と前記第２の金属線のうちの隣接する金属線との間のピッチが、前記第１の露出金属層をエッチングすることにより得られる前記第１の金属線の間の第１のピッチより小さく、前記第２の露出金属層をエッチングすることにより得られる前記第２の金属線の間のピッチより小さくされる、請求項１４に記載の超小型電子相互接続素子を形成する方法。
【請求項１７】
（ａ）第１の厚さを有する第１の露出金属薄層と、前記第１の厚さより実質的に大きい第２の厚さを有する第２の露出金属層と、前記第１の金属層と前記第２の金属層との間に挟まれた剥離可能層と含む積層素子が与えられ、複数の第１の金属線を前記第１の金属層の第１の表面にめっきするステップと、
（ｂ）前記第１の金属線を覆う誘電体層を形成するステップと、
（ｃ）前記第１の金属層の第２の表面を露出させるため少なくとも前記第２の金属層および前記剥離可能層を除去するステップと、
（ｄ）複数の第２の金属線を前記第１の金属層の前記第２の表面にめっきするステップと、
（ｅ）前記第１の金属線と前記第２の金属線との間で露出した前記第１の金属層の少なくとも一部分を除去するステップと、
を含む、超小型電子相互接続素子を形成する方法。
【請求項１８】
前記第１の金属線のうちの金属線と前記第２の金属線のうちの隣接する金属線との間のピッチが、めっきすることにより得られる前記第１の金属線の間のピッチより小さく、めっきにより得られる前記第２の金属線の間のピッチより小さくされる、請求項１７に記載の超小型電子相互接続素子を形成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月1日(2012.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロエレクトロメカニカル（ＭＥＭＳ）リレーであって、
誘電体構造に接触し、磁気伝導性材料を含むコア、
前記誘電体構造に接触し、前記コアの周りに巻かれているコイル、
前記誘電体構造に接触するスイッチ部材、及び、
前記誘電体構造に接触し、磁気伝導性材料を有する懸架部材であって、前記コイルを介して電流が流れないとき前記懸架部材のどの部分も前記コアに接触せず、前記コイルを介して流れる電流に応答して前記コアへ向かって移動可能な前記懸架部材、
を含む、ＭＥＭＳリレー。
【請求項２】
請求項１に記載のＭＥＭＳリレーであって、
前記スイッチ部材に接触する第１導電性トレース、及び、
前記懸架部材に接触する第２導電性トレース、
を更に含む、ＭＥＭＳリレー。
【請求項３】
請求項２に記載のＭＥＭＳリレーであって、前記コイルを介して流れる電流の変化に応答して前記懸架部材が移動すると、前記第１導電性トレースと前記第２導電性トレースとの電気的接触が成され、前記第１導電性トレースと前記第２導電性トレースとの電気的接触が解除される、ＭＥＭＳリレー。
【請求項４】
請求項３に記載のＭＥＭＳリレーであって、前記コイルを介して電流が流れるとき、前記懸架部材の一部を介して磁束が通過し且つ前記第１及び第２導電性トレースを介して実質的に磁束が通過しない、ＭＥＭＳリレー。
【請求項５】
請求項２に記載のＭＥＭＳリレーであって、前記第１導電性トレースが第１接触表面を有し、前記第２導電性トレースが第２接触表面を有する、ＭＥＭＳリレー。
【請求項６】
請求項５に記載のＭＥＭＳリレーであって、前記第２導電性トレースの前記第２接触表面が、前記コイルを介して電流が流れるとき前記第１導電性トレースの前記第１接触表面に向かって移動し且つ前記第１接触表面に接触し、前記コイルを介して電流が流れないとき前記第１導電性トレースの前記第１接触表面から離れて移動する、ＭＥＭＳリレー。
【請求項７】
請求項６に記載のＭＥＭＳリレーであって、前記コイルを介して電流が流れるとき、前記懸架部材の一部を介して磁束が通過し且つ前記第１及び第２導電性トレースを介して実質的に磁束が通過しない、ＭＥＭＳリレー。
【請求項８】
請求項７に記載のＭＥＭＳリレーであって、前記コイルを介して電流が流れないとき、前記懸架部材と前記コアとが第１最小分離距離を有し、前記コイルを介して電流が流れないとき、前記第１導電性トレースの前記第１接触表面と前記第２導電性トレースの前記第２接触表面とが、前記第１最小分離距離に等しいか又はそれより小さい第２最小分離距離を有する、ＭＥＭＳリレー。
【請求項９】
請求項６に記載のＭＥＭＳリレーであって、前記コアがＵ形状を含むＭＥＭＳリレー。
【請求項１０】
請求項６に記載のＭＥＭＳリレーであって、前記コイルのどの部分も前記懸架部材の周りに巻かれていない、ＭＥＭＳリレー。
【請求項１１】
マイクロエレクトロメカニカル（ＭＥＭＳ）リレーを形成する方法であって、
コイルの多数の下部水平セクションを形成する多数の離隔された下部コイル部材を形成すること、
前記離隔された下部コイル部材に接触する下部誘電体層を形成すること、
前記下部誘電体層に接触する犠牲構造を形成すること、及び、
前記下部誘電体層に接触するコアと、スイッチ部材と、懸架部材とを形成すること、
を含み、前記懸架部材が前記犠牲層に接触し、前記スイッチ部材のどの部分も前記コアに接触しない、方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、コイルと、前記スイッチ部材上方にある第１導電性トレースと、前記懸架部材上方にあり且つその上に載る第２導電性トレースとを形成するため前記下部コイル部材に接触する上部及び側部を形成することを更に含み、前記コイルのどの部分も前記懸架部材の周りに巻かれていない、方法。
【請求項１３】
請求項1２に記載の方法であって、前記コイルを介して流れる電流の変化に応答して前記懸架部材が移動するように、前記コイルと、前記第１導電性トレースと、前記第２導電性トレースとが形成された後、前記犠牲構造を取り除くことを更に含み、方法。
【請求項１４】
請求項1３に記載の方法であって、前記コイルを介して流れる電流の変化に応答して前記懸架部材が移動すると、前記第１導電性トレースと前記第２導電性トレースとの電気的接触が成され、前記第１導電性トレースと前記第２導電性トレースとの電気的接触が解除される、方法。
【請求項１５】
請求項1４に記載の方法であって、前記コイルを介して電流が流れるとき、前記懸架部材の一部を介して磁束が通過し且つ前記第１及び第２導電性トレースを介して実質的に磁束が通過しない、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月23日(2012.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ画素アレイを有する裏面照射型のイメージセンサを、基板及びその上方に形成されたセンサ層を有するイメージセンサウェハを用い、複数個形成するウェハレベルの処理方法であって、
センサ層の裏面に裏面トレンチを形成する工程と、
その裏面トレンチを介しセンサ層内にドーパントをインプラントすることで裏面トレンチに対応する裏面フィールド分離材インプラント領域を形成する工程と、
裏面トレンチを充填する工程と、
充填された裏面トレンチの上方に抗反射層を少なくとも一層形成する工程と、
裏面に一時キャリアウェハを取り付け、前記基板を除去する工程と、
前記基板を除去した後、イメージセンサウェハを更に処理して画素アレイを含むイメージセンサを複数個形成する工程と、
を有する処理方法。
【請求項２】
請求項１記載の処理方法であって、
センサ層の上方に酸化物層を形成する工程と、
その酸化物層の上方に窒化物層を形成する工程と、
それら窒化物層及び酸化物層を貫きセンサ層内に延びるよう整列マークを形成する工程と、
を有する処理方法。
【請求項３】
請求項２記載の処理方法であって、
センサ層の裏面に裏面トレンチを形成する工程が、上記窒化物層及び酸化物層をエッチングして裏面トレンチを形成する工程を含む処理方法。
【請求項４】
請求項１記載の処理方法であって、
裏面トレンチを充填する前に、裏面トレンチ内にリニア酸化物層を形成する工程を有する処理方法。
【請求項５】
請求項１記載の処理方法であって、
センサ層の裏面にあり充填されている裏面トレンチの上方に抗反射層を少なくとも一層形成する工程が、
そのセンサ層の裏面に抗反射酸化物層を形成する工程と、
その抗反射酸化物層の上方に抗反射窒化物層を形成する工程と、
を含む処理方法。
【請求項６】
請求項１記載の処理方法であって、
充填された裏面トレンチの上方に抗反射層を少なくとも一層形成する前に、センサ層にドーパントをインプラントして裏面パッシベーション材インプラント領域を形成する工程を有する処理方法。
【請求項７】
請求項１記載の処理方法であって、
充填された裏面トレンチの上方に抗反射層を少なくとも一層形成した後に、センサ層にドーパントをインプラントして裏面パッシベーション材インプラント領域を形成する工程を有する処理方法。
【請求項８】
請求項１記載の処理方法であって、
抗反射層の上方にフォトレジストを堆積させる工程と、
そのフォトレジストをパターニングすることで裏面トレンチの上方に開口を形成する工程と、
その開口を通じドーパントをインプラントすることで裏面トレンチに対応する裏面ウェル分離材インプラント領域を形成する工程と、
を有する処理方法。
【請求項９】
請求項１記載の処理方法であって、
イメージセンサウェハを更に処理して画素アレイを含むイメージセンサを複数個形成する工程が、
イメージセンサの中に画素アレイを形成する前に、上記抗反射層の上方に酸化物層を形成する工程
を有する処理方法。
【請求項１０】
請求項１記載の処理方法であって、
イメージセンサウェハを更に処理して画素アレイを含むイメージセンサを複数個形成する工程が、
センサ層の表面に画素アレイの感光素子を形成する工程と、
センサ層の表面に表面トレンチを形成する工程と、
表面トレンチに対応する表面フィールド分離材インプラント領域を形成する工程と、
表面トレンチを充填する工程と、
表面トレンチに対応する表面ウェル分離材インプラント領域を形成する工程と、
センサ層の表面に誘電体層を少なくとも一層形成する工程と、
誘電体層の表面にハンドルウェハを取り付ける工程と、
ハンドルウェハを取り付けた後に、一時キャリアウェハを除去する工程と、
イメージセンサウェハを複数個のイメージセンサへと分割する工程と、
を有する処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月9日(2012.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バックウェブ厚さを有するセパレータ材料のバックウェブと、
第１の距離だけ前記バックウェブ厚さ外に突出している第１の大リブ及び第２の大リブであって、前記第１の大リブが前記第２の大リブから距離を有して設けられる、第１の大リブ及び第２の大リブと、
前記第１の大リブと前記第２の大リブとの間に設けられ、第２の距離だけ前記バックウェブ厚さ外に突出している、中リブと、
前記バックウェブの端部と前記端部から最も近い大リブとの間に設けられた肩部であって、第２の距離だけ前記バックウェブ厚さ外に突出している中リブと、第３の距離だけ前記バックウェブ厚さ外に突出している複数の改良型肩部小リブと、を備える肩部と、
を備え、
前記第１の距離が前記第２の距離より大きく、前記第２の距離が前記第３の距離より大きく、
前記大リブおよび前記中リブが前記バックウェブに亘ってほぼ等間隔で配置されている、
電池セパレータ。
【請求項２】
前記第１の大リブと前記第２の大リブとの間ごとに３本の中リブが設けられる請求項１に記載の電池セパレータ。
【請求項３】
前記第２の距離は約０．４５ｍｍから約０．６０ｍｍまでである請求項１に記載の電池セパレータ。
【請求項４】
前記第１の距離は約０．６０ｍｍから約１．９０ｍｍまでである請求項３に記載の電池セパレータ。
【請求項５】
奇数本の大リブがある請求項１に記載の電池セパレータ。
【請求項６】
７本の大リブがある請求項５に記載の電池セパレータ。
【請求項７】
１本の大リブがセパレータのほぼ中央を通る請求項１に記載の電池セパレータ。
【請求項８】
前記肩部が第１の肩部であり、前記バックウェブの端部が前記バックウェブの第１の端部であり、
前記バックウェブの第２の端部と前記第２の端部に最も近い大リブとの間に第２の肩部を備え、前記第２の肩部が、第２の距離だけ前記バックウェブ厚さ外に突出している中リブと、第３の距離だけ前記バックウェブ厚さ外に突出している複数の改良型肩部小リブと、を備える、請求項１に記載の電池セパレータ。
【請求項９】
前記第１の大リブと前記第２の大リブとの間に設けられた、２つの中リブ及び３つの小リブをさらに備え、前記小リブが第４の距離だけ前記バックウェブ厚さ外に突出しており、前記第４の距離が前記第２の距離よりも小さい、請求項１に記載の電池セパレータ。
【請求項１０】
前記改良型肩部小リブは前記バックウェブ厚さ外に約０．１５ｍｍ突出している請求項４に記載の電池セパレータ。
【請求項１１】
前記第１の大リブと前記第２の大リブとの間に設けられた、前記２つの中リブ及び３つの小リブの他のリブが全て小リブである、請求項９に記載の電池セパレータ。
【請求項１２】
請求項１に記載の電池セパレータを有する電池。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月12日(2012.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージセンサのウエハ中にカラーフィルタアレイ位置合わせマークを形成する方法であって、
当該イメージセンサのウエハは複数のイメージセンサの形成に利用され、
前記複数のイメージセンサの各々は背面発光を行うように備えられた画素のアレイを有し、
当該イメージセンサのウエハは少なくとも基板及び該基板全体にわたって形成されるセンサ層を有し、
当該方法は：
前記センサ層中にカラーフィルタアレイ位置合わせマーク開口部をエッチングにより形成する工程；及び
前記センサ層の前面の非保護部分に単結晶シリコンのエピタキシャル層を形成すると同時に、前記センサ層中のカラーフィルタアレイ位置合わせマーク開口部に対応する位置にポリシリコンのカラーフィルタアレイ位置合わせマークを形成する工程；
を有する方法。
【請求項２】
当該イメージセンサのウエハが、前記基板と前記センサ層との間に設けられた酸化膜を有する方法であって：
前記酸化膜の背面を露出させる工程；及び
前記カラーフィルタアレイ位置合わせマークに対して位置合わせされた状態で前記酸化膜の背面にカラーフィルタアレイを形成する工程；
を有する、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記の酸化膜の背面を露出させる工程が：
前記誘電層の前面にハンドルウエハを取り付ける工程；及び
前記基板を除去することで前記酸化膜の背面を露出させる工程；
を有する、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
結果として処理されたウエハを前記複数のイメージセンサに分離する工程をさらに有する、請求項3に記載の方法。
【請求項５】
前記のカラーフィルタアレイ位置合わせマークに対して位置合わせされた状態で前記酸化膜の背面にカラーフィルタアレイをエッチングにより形成する工程が、前記開口部が前記センサ層内で終端するように前記開口部をエッチングする工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記のカラーフィルタアレイ位置合わせマークに対して位置合わせされた状態で前記酸化膜の背面にカラーフィルタアレイをエッチングにより形成する工程が、前記開口部が前記センサ層を貫通して前記酸化膜内で終端するように前記開口部をエッチングする工程をさらに有する、請求項2に記載の方法。
【請求項７】
前記のカラーフィルタアレイ位置合わせマークに対して位置合わせされた状態で前記酸化膜の背面にカラーフィルタアレイをエッチングにより形成する工程が、前記開口部が前記センサ層を貫通して前記酸化膜の前面で終端するように前記開口部をエッチングする工程をさらに有する、請求項2に記載の方法。
【請求項８】
前記カラーフィルタアレイ位置合わせマークに対して位置合わせされた状態で、前記カラーフィルタアレイの対応するカラーフィルタ素子全体にわたってマイクロレンズを形成する工程をさらに有する、請求項2に記載の方法。
【請求項９】
前記誘電層が層間絶縁膜を有し、かつ複数のレベルのメタライゼーションを分離する金属間絶縁膜をさらに有する、請求項3に記載の方法。
【請求項１０】
当該イメージセンサがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ウエハを有する、請求項1に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月11日(2012.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
前記プロセッサが、さらに、
前記基地局においてスクランブリング・コードを生成し、
前記スクランブリング・コードに基づいて、前記識別子を、又は前記ネットワーク・セルの前記識別子に含まれる複数の部分のうちの１つの部分をスクランブリングすること
を特徴とする請求項１７に記載の基地局。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月7日(2012.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｈＣＭＶタンパク質ＵＬ１２８、ＵＬ１３０、およびＵＬ１３１Ａの組み合わせに特異的であり、ヒトサイトメガロウイルス（ｈＣＭＶ）による内皮細胞、網膜細胞、または樹状細胞の感染を中和する、単離された抗体またはその抗原結合断片であって、ｈＣＭＶを５０％中和するのに必要とされる前記抗体の濃度は、０．１μｇ／ｍＬ以下である、前記単離された抗体またはその抗原結合断片。
【請求項２】
前記３つのタンパク質によって形成される立体構造エピトープに結合する、請求項１に記載の抗体または断片。
【請求項３】
配列番号１、配列番号２、および配列番号３にそれぞれ記載される、ＣＤＲ１、ＣＤＲ２、およびＣＤＲ３重鎖可変領域配列、または配列番号４、配列番号５、および配列番号６にそれぞれ記載される、ＣＤＲ１、ＣＤＲ２、および／もしくはＣＤＲ３軽鎖可変領域配列を含む、ｈＣＭＶタンパク質ＵＬ１２８、ＵＬ１３０、およびＵＬ１３１Ａの組み合わせに特異的な、単離された抗体またはその抗原結合断片。
【請求項４】
配列番号７に記載される重鎖可変領域、および／または配列番号８に記載される軽鎖可変領域を含む、ｈＣＭＶタンパク質ＵＬ１２８、ＵＬ１３０、およびＵＬ１３１Ａの組み合わせに特異的な、単離された抗体またはその抗原結合断片。
【請求項５】
前記抗体は、ヒト抗体、モノクローナル抗体、ヒトモノクローナル抗体、単鎖抗体、Ｆａｂ、Ｆａｂ'、Ｆ（ａｂ'）２、Ｆｖ、またはｓｃＦｖである、請求項１〜４のうちのいずれか１項に記載の抗体または断片。
【請求項６】
ｈＣＭＶ感染を中和し、請求項４に記載の抗体または断片と同じエピトープに結合するか、またはｈＣＭＶへの結合に対して請求項４に記載の抗体または断片と競合する、単離された抗体またはその抗原結合断片。
【請求項７】
請求項３〜５のうちのいずれか１項に記載の抗体または断片をコードするヌクレオチド配列を含む、単離された核酸分子。
【請求項８】
配列番号９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、または１６のうちのいずれか１つと少なくとも９５％同一であるヌクレオチド配列を含む、請求項７に記載の核酸分子。
【請求項９】
請求項７または８に記載の核酸分子を含む、ベクター。
【請求項１０】
請求項９に記載のベクターを含む、細胞。
【請求項１１】
請求項１〜６のうちのいずれか１項に記載の抗体または断片を発現する、単離された細胞。
【請求項１２】
請求項１〜６のうちのいずれか１項に記載の抗体もしくは断片、または請求項７もしくは８に記載の核酸、および薬学的に許容される希釈剤もしくは担体、ならびに任意で第２の抗体もしくはその抗原結合断片を含む、ｈＣＭＶ感染を中和する組成物。
【請求項１３】
第２の抗体が、gBタンパク質に結合する、請求項12記載の組成物。
【請求項１４】
ｈＣＭＶ感染の治療用の薬物の製造における、請求項１〜６のうちのいずれか１項に記載の抗体もしくは断片、請求項７もしくは８に記載の核酸、または請求項１０に記載の細胞の使用。
【請求項１５】
請求項１〜６のうちのいずれか１項に記載の抗体または断片を産生するための方法であって、
（ｉ）請求項１０に記載の細胞を培養すること、および（ｉｉ）前記抗体または断片を単離することを含む、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月15日(2012.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルター材および接着剤を用いてフィルター材に接着されるプラグラッパーから形成されたフィルターロッドを切断するための切断エレメントを含む紙巻きタバコ製造装置またはフィルター組み付け装置であって、このエレメントは、円形のブレードを含み、このブレードは、その中に切断の際にブレードとフィルターロッドの端部との接触領域を減らすために構成され、よって切断エレメントに堆積する接着剤の量を最小限にする開口部を有する紙巻きタバコ製造装置またはフィルター組み付け装置。
【請求項２】
前記ブレードが円周方向に延びた切断縁部とブレードの中心を延びた回転軸を有することを特徴とする請求項１記載の紙巻きタバコ製造装置またはフィルター組み付け装置。
【請求項３】
前記ブレードが切断装置に切断エレメントを取り付けるために上記回転軸と同心の開口部を有することを特徴とする請求項２記載の紙巻きタバコ製造装置またはフィルター組み付け装置。
【請求項４】
各開口部がブレードの軸から半径方向に間隔をおいて配置され、切断縁部に隣接して位置することを特徴とする請求項２または３記載の紙巻きタバコ製造装置またはフィルター組み付け装置。
【請求項５】
各開口部の中心が切断エレメントによって係合される目標のフィルターロッドの直径より短い距離を切断縁部から半径方向に離れて位置すること特徴とする請求項４記載の紙巻きタバコ製造装置またはフィルター組み付け装置。
【請求項６】
各開口部が同じ大きさ、形状であり、これら開口部は、互いに等間隔で配置されていることを特徴とする請求項４または５記載の紙巻きタバコ製造装置またはフィルター組み付け装置。
【請求項７】
回転軸を中心に対称であることを特徴とする請求項６記載の紙巻きタバコ製造装置またはフィルター組み付け装置。
【請求項８】
各開口部が円形であることを特徴とする請求項１乃至７いずれか１項記載の紙巻きタバコ製造装置またはフィルター組み付け装置。
【請求項９】
各開口部が弓形のスロットであることを特徴とする請求項１乃至７いずれか１項記載の紙巻きタバコ製造装置またはフィルター組み付け装置。
【請求項１０】
フィルター材および接着剤を用いてフィルター材に接着されるプラグラッパーから形成されたフィルターロッドを切断するために使用される紙巻きタバコ製造装置またはフィルター組み付け装置の切断エレメントに堆積する接着剤を減らす方法であって、前記切断エレメントが円形のブレードを含み、さらに切断エレメントに堆積する接着剤の量を最小限にするために切断の際にブレードとフィルター端部との接触領域を減らすために構成された円形ブレードの開口部を供する工程を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月29日(2012.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気コネクタシステムであって、
電子装置に挿入可能な複数の信号端子を有する先端と、前記先端から嵌合端の方に延在するストリップ線路接地板と、を含むヘッダと、
前記ヘッダの前記嵌合端と結合可能なキャリア組立体であって、複数の終端装置を含み、各終端装置が、前記ヘッダの前記信号端子のうちの１つと電気的に結合するように構成された接点で終端されたケーブルと、前記接点のまわりに配置された絶縁体と、前記絶縁体のまわりに配置された管状シールドと、を有するキャリア組立体と、
を含み、
前記キャリア組立体が、前記ヘッダに接続されたときに、前記管状シールドが、前記ストリップ線路接地板と接触して、前記電気コネクタシステム内の各終端装置を共通接地する、電気コネクタシステム。
【請求項２】
電気コネクタシステムであって、
電子装置に挿入可能な複数の差分信号端子を有する先端と、前記ヘッダの前記先端から嵌合端の方に延在する少なくとも２つの分離されたストリップ線路接地板と、を含むヘッダと、
前記ヘッダの前記嵌合端と結合可能なキャリア組立体と、
を含み、前記キャリア組立体が、
連結してチャネルの配列を画定する複数の列仕切板と行仕切板を含む仕切と、
複数の終端装置であって、各終端装置が、前記チャネルのうちの１つのチャネル内に少なくとも部分的に配置され、前記差分信号端子のうちの１つと電気的に結合するように構成された接点と、前記接点のまわりに配置された絶縁体と、前記絶縁体のまわりに配置された管状シールドと、含む複数の終端装置と、
を含み、
前記仕切が、前記ストリップ線路接地板と接触して前記電気コネクタシステム内の接続を電子的に遮蔽する、電気コネクタシステム。
【請求項３】
信号端子と、隣接する行の信号端子を分離するストリップ線路接地板と、を有するヘッダと嵌合するように構成されたキャリア組立体であって、
連結してチャネルの配列を画定する複数の列仕切板と行仕切板とを含む仕切と、
複数の終端装置であって、各終端装置が、前記チャネルのうちの１つのチャネル内に少なくとも部分的に配置され、前記信号端子のうちの１つと電気的に結合するように構成された内部接点で終端されたケーブルと、前記接点のまわりに配置された絶縁体と、前記絶縁体のまわりに配置された管状シールドと、を含む複数の終端装置と、
を含み、
前記仕切が、前記信号端子と嵌合するように前記終端装置を位置合わせし、前記管状シールドが、前記信号端子のまわりに共通接地マトリックスを形成するように構成された、キャリア組立体。