(57)【要約】【課題】放熱性とコンパクトさを兼ね備えた安価な電力半導体装置を得る。【解決手段】発熱密度が高い電力半導体素子１を搭載した電力半導体装置本体（図中Ｂ部）と、上記電力半導体素子１からの熱を逃がすヒートシンク（図中Ａ部）とを備えたものである。ヒートシンク部における金属ワイヤ８は金属層３ｂに形成され、金属ワイヤ８は冷却流体に接触し、カバー９により金属ワイヤ８は包囲され、冷却流体が保持され、金属ワイヤ８が冷却流体に接触し、金属ワイヤ８から流体に熱が移動し、電力半導体素子１で発生する熱を効率良く逃がす。【選択図】　　　　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁板、この絶縁板の一方の面上に搭載された電力半導体素子、および上記絶縁板の他方の面上に設けられた金属層に固着され、冷却流体と接触する金属ワイヤを備えた電力半導体装置。
【請求項２】
金属ワイヤがループ状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電力半導体装置。
【請求項３】
金属層が、金属ベース板であることを特徴とする請求項１に記載の電力半導体装置。
【請求項４】
金属ワイヤが電力半導体素子と対向する領域のみに設けられていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電力半導体装置。
【請求項５】
冷却流体が液体であり、この液体を保持するカバーを備えたことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の電力半導体装置。
【請求項６】
金属ワイヤおよびこの金属層が固着した金属層が、めっきされていることを特徴とする請求項５に記載の電力半導体装置。
【請求項７】
冷却流体が流動保持される領域を分割するように仕切り部材が設けられ、上記領域に冷却流体の流路が形成されることを特徴とする請求項５に記載の電力半導体装置。
【請求項８】
複数の電力半導体素子と対向する領域のみに設けられた複数の金属ワイヤ群の間に、仕切り部材が設けられていることを特徴とする請求項７に記載の電力半導体装置。
【請求項９】
カバーの内壁に設けられた凸部を絶縁板側に当接することにより仕切り部材とすることを特徴とする請求項７に記載の電力半導体装置。
【請求項１０】
カバーの内壁に凹凸が設けられていることを特徴とする請求項５ないし請求項９のいずれかに記載の電力半導体装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の電力半導体装置の製造方法であって、絶縁板の一方の面上に電力半導体素子を搭載し、上記絶縁板の他方の面上に金属層を設ける第１の工程と、上記金属層に、冷却流体と接触するように金属ワイヤを固着する第２の工程を備え、上記第１の工程の後に上記第２の工程を施すことを特徴とする電力半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項６に記載の電力半導体装置の製造方法であって、金属ワイヤおよび上記金属ワイヤが固着された金属層にめっきする第３の工程を備え、第２の工程の後に上記第３の工程を施すことを特徴とする請求項１１に記載の電力半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項６に記載の電力半導体装置の製造方法であって、金属ワイヤおよび上記金属ワイヤが固着された金属層にめっきする第３の工程と、金属ワイヤに接触する冷却流体を保持するカバーを設ける第４の工程とを備え、第２の工程の後に上記第４の工程を施し、上記カバーをめっき槽として上記第３の工程を順次施すことを特徴とする請求項１１に記載の電力半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、インバータに用いるスイッチング素子や半導体レーザを備えた電力半導体装置、特に高効率のヒートシンクが必要となる発熱密度の高い電力半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体装置においては、絶縁体の片面に発熱の大きい半導体素子を搭載するための回路導体が接合され、絶縁板体の上記片面と反対側の面には裏面部材が接合され、上記回路導体と裏面部材の少なくとも一方に、上記半導体素子からの熱を冷却するための冷却用の液体を流す水路を形成している。
また、上記半導体装置においては、セラミック絶縁体と、回路導体と、液冷のための通路となるように所望のパターン形状に加工した裏面部材とを位置決めして重ね合わせた状態で接合しこれらを一体化して製造する。（例えば、特許文献１参照）
【０００３】
また、従来のモジュール用冷却装置においては、半導体チップを搭載した回路基板を冷却流体に接触させて半導体チップを直接冷却するもので、回路基板上に配した導体パターン上にワイヤボンディング装置によって複数の柱状のワイヤフィンを配設し、半導体チップで発生した熱はチップの下面のはんだやチップ上面に配設した電力供給用ワイヤ線を通じて導体パターンに伝導し、導体パターン上のワイヤフィンで冷却流体へ放熱している。（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平０６−０７７３６８号公報（第３、４頁、第１図）
【特許文献２】
特開２００１−５３２０７号公報（第３頁、第４図）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の半導体装置においては、複雑な水路を形成するために銅板をパターン加工して積層・水密接合する必要があり、通常の絶縁基板に対して大幅にコストが上昇した。
また、半導体素子と液冷機能付き絶縁基板を一体化して組み上げるため、途中で電気的、機械的な不良が発生した場合には、それらの高価な部材を共に廃却せざるを得ないという課題があった。
【０００６】
また、モジュール用冷却装置においては、電力半導体素子冷却用の冷媒として絶縁材料が不可欠となる。
また、ワイヤフィンのためのスペースが必要となるばかりでなく、製造の途中過程でワイヤボンディングを行うため、良品・不良品の区別なくワイヤボンディングを行う必要があり、製造プロセスのコストが上がるという課題があった。
【０００７】
本発明は、かかる課題を解決するためになされたものであり、第１の目的は、放熱性とコンパクトさを兼ね備えた安価な電力半導体装置を得るものである。
また、第２の目的は、製造工程が簡略になり、途中での不良発生に容易に対応できる電力半導体装置の製造方法を得るものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る第１の電力半導体装置は、絶縁板、この絶縁板の一方の面上に搭載された電力半導体素子、および上記絶縁板の他方の面上に設けられた金属層に固着され、冷却流体と接触する金属ワイヤを備えたものである。
【０００９】
本発明に係る第１の電力半導体装置の製造方法は、上記第１の発明の電力半導体装置の製造方法であって、絶縁板の一方の面上に電力半導体素子を搭載し、上記絶縁板の他方の面上に金属層を設ける第１の工程と、上記金属層に、冷却流体と接触するように金属ワイヤを固着する第２の工程を備え、上記第１の工程の後に上記第２の工程を施す方法である。
【００１０】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
図１は本発明の第１の実施の形態の電力半導体装置の断面図で、上記電力半導体装置は、例えばＩＧＢＴまたはダイオード等の「発熱密度が高い」電力半導体素子を搭載した電力半導体装置本体（図中Ｂ部）と、上記電力半導体素子からの熱を逃がすヒートシンク（図中Ａ部）とを備えたものである。
【００１１】
まず、本実施の形態に係わる電力半導体装置本体（図中Ｂ部）を電力半導体素子としてＩＧＢＴチップを用いた例により説明する。
つまり、絶縁板２の両面に金属層３ａ、３ｂを備えた絶縁基板に、ＩＧＢＴチップ１が、例えばはんだ４ではんだ付されている。なお、上記絶縁基板としては、例えば０．３ｍｍの銅板を０．６３５ｍｍの窒化アルミニウムの両側に接合したいわゆるＤＢＣ基板を用いることができる。なお、銅板に替えてアルミニウムを接合した基板でも同様の放熱効果が得られる。
【００１２】
また、絶縁基板には、例えばＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）で作られたケース６が例えばネジ留めまたは接着（図示せず）により固定されている。
上記ケース６には導体７が一体化されており、内部接続電極部７２または外部接続電極部７１として作用し、上記内部接続電極部７２と上記ＩＧＢＴチップ１間は例えば直径数１００μｍのアルミワイヤ１０で配線されている。外部接続電極部７１の下には端子用ナット１３が存在し、外部配線（図示せず）との固定において、上記外部配線に設けられた穴を通して、ボルト（図示せず）を用いて外部配線と外部接続電極部７１の間に締め付け力を発揮せしめ接触抵抗を小さくしている。
なお、上記ケース６と上記絶縁板２の内部空間には、絶縁性を確保するためのシリコーンゲル１１が充填され、上記シリコーンゲル１１と外気を遮断するために、例えばエポキシ樹脂によるオーバーコート１２がなされている。
【００１３】
次に、上記一般的な電力半導体装置本体ＢにおけるＩＧＢＴチップ１の発熱を逃がすヒートシンク（図中Ａ部）について、冷却流体として例えばエチレングリコール等の液冷媒を用いた場合について説明する。
本実施の形態に係わるヒートシンクにおける金属ワイヤ８は絶縁基板の金属層に直接形成され、金属ワイヤ８は冷却流体に接触するように、カバー９により上記冷却流体が保持されて冷却流体の流路を得ている。なお、カバー９としては例えばアルミダイカスト製のものを用い、Ｏリング１６とねじ１７で、電力半導体装置本体Ｂに固定している。
なお、上記カバー９は通常のヒートシンクと同様に形成できるが、放熱促進のためのフィン形状であることは必須ではなく、単なる外部との仕切り板の役割と流路の出入口の配管機能があれば良く、一体成形が可能で、例えばプラスティックでも液圧に耐えることができればよい。
また、図には示していないが、冷却流体として液冷媒を用いた場合は、金属ワイヤ８および金属ワイヤが固着されている絶縁基板の金属層３ｂにめっき層が形成されていると、耐腐食性を向上させることができる。
【００１４】
なお、本実施の形態は、冷却流体として液冷媒を用いた場合を示したが、通常のトランジスタ等、発熱密度が小さい半導体素子の場合は、上記カバー９を設けることなく、ヒートシンクとして空冷の方法を用いてもよい。
また、図１には絶縁板２上に一個の半導体素子を搭載した場合を示したが、通常は複数の半導体素子を搭載し、本実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００１５】
また、本実施の形態の電力半導体装置においては、電力半導体素子１とヒートシンクＡ部が絶縁されているため、冷媒としては絶縁性であることに限定されず、イオンを含有した冷媒でも使用することができ、適用範囲が大幅に向上する。
【００１６】
また、本実施の形態においては、金属ワイヤを、電力半導体素子を搭載した絶縁基板に直接設けたが、これは本実施の形態におけるヒートシンクにより、高効率の冷却が可能となったことにより、半導体チップ直下の小さい領域からでも大量の熱交換が可能となり、ヒートシンクと上記絶縁基板間に熱拡散用の下記実施の形態に示すような金属ベース板を省略することが可能となったからである。
さらに、金属ベース板を設けない構成によって、部材コストが低減できるだけでなく、絶縁基板と金属ベース板とのはんだ付が不要となり熱抵抗が低下することも、より高効率の放熱に寄与することになる。
【００１７】
次に、本実施の形態においてヒートシンクにおける金属ワイヤの作用について説明する。
つまり、冷却流体を所定の速度で金属ワイヤに衝突させて接触させると、高温状態の金属ワイヤから熱が冷却流体（本実施の形態においては液体）に移動する。また、金属ワイヤの断面が円であり流線型であるため、上記流体は金属ワイヤ前面から金属ワイヤ側面をスムーズに通って次に位置する金属ワイヤに衝突する。この衝突を繰り返すことによって、電力半導体素子で発生する熱を効率よく逃がすことができる。
【００１８】
また、一定の面積上に多数の金属ワイヤを固着することが放熱のため、表面積の増加という点では好ましいが、金属ワイヤの密度が高くなると流路の圧損が増加するので、圧損と表面積の兼ね合いで、形状と密度を決める。
なお、金属ワイヤ径が数１０μｍ〜数１００μｍ、ワイヤループ高さ３ｍｍ以下程度、ワイヤループ幅３ｍｍ以下程度、ピッチ３ｍｍ以下程度が好ましい。
【００１９】
また、本実施の形態では、図１に示すように、金属ワイヤがループ状である場合について説明したがこれに限定されない。
しかし、上記ヒートシンクに用いる金属ワイヤは一般的に３００μｍ程度と細いため、ピンフィンのように先端がフリーであると流体の圧力によって振動を開始し、疲労破壊してしまうことがあるが、ループ状にすることによって、金属ワイヤ両端が固定されているため、金属ワイヤが振動してしまうことを回避することができる。
ループ形状の金属ワイヤについては、ループを長くするとフィンである金属ワイヤの内部で温度差が発生しフィン効率が低下するのでループの長さは金属ワイヤ径との兼ね合いで決定する。
なお、ループの長さはワイヤ径の５０倍以下が好ましい。
さらに、金属ワイヤをループ状に多数連続形成するのは金属ワイヤをカットする手間が省けるので生産性上好ましく、スペースの点でも有利である。
【００２０】
実施の形態２．
図２は、本発明の第２の実施の形態の電力半導体装置の断面図で、実施の形態１の電力半導体装置において、金属ワイヤ８を例えば無酸素銅からなる金属ベース板５に固着した他は、実施の形態１と同様であり、金属ベース板５には、例えばＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）で作られたケース６が例えばネジ留めまたは接着（図示せず）により固定されている。
本実施の形態のように、金属ベース板５を用いると、金属ワイヤ８を安定に固着することができる。
なお、図は複数の電力半導体素子１を絶縁板上に搭載した例を示す。
【００２１】
また、本実施の形態は銅製のベース板の場合で説明したが、アルミ製のベース板とすることによって金属ワイヤはアルミを用いることができる。このときは、ケースもアルミ製とすることが腐食や歪の面で好ましい。なお、アルミベース板は２ｍｍ程度以下と薄くし、かつ高強度アルミを使うと熱抵抗低減やそり防止の点で好ましい。
【００２２】
実施の形態３．
本実施の形態においては、上記第２の実施の形態の電力半導体装置の製造方法について述べる。
まず、第２の実施の形態における電力半導体装置本体（図２中Ｂ）は下記のようにして製造する。
例えばＡｌＮなどのセラミック絶縁板の両側に例えば金属層３ａ、３ｂとなる銅材料を１０００℃程度の高温で接合する。
つぎに、金属ベース板５に、金属層を備えた絶縁板２と電力半導体素子１を例えばはんだ付する。
つぎに、全体の枠を形成するケース６を金属ベース板５に例えば接着剤で固定し、電力半導体素子１上の電極と、絶縁板２上の回路やケースの固着された電極とを例えばワイヤボンディングして回路を形成し、電力半導体素子１の絶縁や保護のためシリコーンゲル１１をケース内に供給して、ケースに蓋をする。
この時点で製品検査を行い、良品のみを次工程に進める。
また、次工程に進まない製品は通常の製品として用いることができるため、この工程までの部品の区別をする必要が無く、生産管理が容易である。
【００２３】
次工程に進む製品は、電力半導体装置本体の金属露出面を上側に配置して、ワイヤボンダーとボンディングワイヤでワイヤボンディングを行うが、例えば超音波ワイヤボンディングプロセスでワイヤボンディングを行うことにより、常温でのワイヤボンディングが可能となり、電力半導体装置本体内部のはんだが再溶融したり、樹脂が変質したりすることが防止される。
即ち、図１、図２に示すように、絶縁基板の金属層に例えば直径３００μｍのアルミニウムワイヤ８をループ状に複数形成するが、ループの幅が１．５ｍｍ、接合部が０．５ｍｍで連続に形成され、流体の流れはこのループに向かって流れるようになっている。
また、下流方向にも同様の形状のループが例えばピッチ１．５ｍｍで複数形成されており、流体はループ状の金属ワイヤに繰り返し衝突しながら熱を奪うようになっている。
【００２４】
上記のように本実施の形態においては、上記従来の半導体装置の製造方法のように、半導体素子と、冷却機能付き基板とを一体化するという工程ではなく、電力半導体装置本体を製造した時点で製品検査を行い、良品のみを次工程に進めることができるので、無駄なプロセスを省くことができる。
【００２５】
なお、例えば金属ワイヤに類似した細い多数のリードを成形したフレームを絶縁基板にはんだ付すると、リードは冷却フィンとしての機能を有することができるが、加熱工程が必要となり、半導体パッケージ内部のはんだが再溶融するので、完成した電力半導体本体を流用できなくなり、製造上好ましくない。
【００２６】
また、金属ワイヤを最初の工程でベース板にボンディングした場合は、金属ワイヤの変形防止策も不可欠であり、その後のはんだ付工程で加熱が困難となるほか、配線のためのワイヤボンディング工程でも接合安定性が劣化する。
したがって、本実施の形態におけるように、付加価値の点や生産管理の点だけでなく、生産の安定性に関しても、上記電力半導体装置本体を完成させた後に金属ワイヤをボンディングすることが好ましい。
【００２７】
なお、本実施の形態はボンディングワイヤがアルミニウムの場合で説明したが、熱特性や腐食の点では銅ワイヤであることが好ましい。ただし、銅の場合はボンディング用の軟らかい太線ワイヤ（１００μ程度以上）が必要となる。
【００２８】
さらに、冷却流体として液冷媒を用いた場合は、耐腐食性を向上させるのにはワイヤボンディング後に通常のめっき工程を追加するのが望ましい。
本実施の形態においては、ワイヤボンディング後にめっき工程を施すが、これは、ワイヤの耐食性を向上するために、あらかじめ例えばニッケルめっきを施したワイヤを用いるとボンディング性が大幅に劣化し、良品を製造することが困難であり、ボンディングができた場合にでもボンディング部分の界面ではわずかではあるがめっきがはがれ、所望の耐食性が確保できないからである。
本実施の形態のように、ボンディングした後にメッキすることによってボンディング性を確保した上で、耐食性も確保できる。
【００２９】
また、カバーを備えたものでは、カバーを取り付けた後に、このカバーをめっき槽として用いてめっきをすることによって、めっきの為のめっき槽が不要になるばかりでなく、容易にカバーと金属層に囲まれた領域のみのめっきを選択的に行うことができる。
さらに、本実施の形態の電力半導体装置は、液もれの耐圧試験が必要となるが、めっき工程と同時に行うことができると言う効果も得られる。
【００３０】
さらに、本実施の形態では電力半導体装置本体のケースがインサートモールドケースで構成された例で示したが、これに限られることはなく、アウトサートケースやトランスファーモールドであってもよい。要は前に述べたように半導体チップと金属露出部が絶縁されており、気密、水密が確保できる電力半導体装置本体であればよい。
【００３１】
実施の形態４．
図３は、本発明の第４の実施の形態の電力半導体装置の断面図、図４は図３のヒートシンク部Ａを図３の上面から見た平面図で、金属ワイヤを設けた状態と流路の構成を説明するものである。
つまり、本実施の形態の電力半導体装置は、実施の形態２の電力半導体装置において電力半導体装置本体Ｂの構造は上記実施の形態２と同様であり、電力半導体素子が搭載された絶縁板が、金属ベース板に複数設けられており、電力半導体素子が搭載された絶縁板を、金属ベース板に複数設けられているもので、セラミック等の絶縁板の割れを防止することができる。
【００３２】
また、実施の形態１、２のように、金属ワイヤを金属ベース板５のほぼ全面に形成する代わりに、上記電力半導体装置本体の電力半導体素子１に対向する領域のみに金属ワイヤ８を形成したものである。
即ち、本実施の形態では、上記実施の形態のように全面に金属ワイヤを形成する場合に比べて、ワイヤボンディング箇所が少なくなり、製造時間が短くなる。
また、金属ワイヤ８をベース板５のほぼ全面に形成したものでは、金属ワイヤの放熱効率がよいためベース板に温度分布が形成され、温度の低いベース板領域の上に形成された金属ワイヤは冷却の寄与度が低くなり、冷却効率が低下する可能性があるが、本実施の形態のように高温となる領域、即ち、半導体チップ直下の領域のみに金属ワイヤ８をワイヤボンディングを行うことにより、均一な冷却が容易となる。
【００３３】
また、上記実施の形態２においてはベース板のほぼ全面に形成していた金属ワイヤ全体を一つの流体の保持領域としてカバーで包囲していたので、流路が全面となるため流速分布ができて均一冷却が困難となるが、冷却流体が流動保持される領域を分割するように仕切り部材９２を設けることにより、図４の矢印に示すように上記冷却流体の並行流路を形成することができるので、流体の流量を増加することができ、放熱効率を向上することができる。図は上記金属ワイヤ８を包囲するカバー９の内壁に設けた凸部を絶縁基板側に当接することにより上記仕切り部材９２としている。
さらに、本実施の形態においては、高温となる領域、即ち、半導体チップ直下の領域のみにボンディングを行った金属ワイヤ群８１間に、図のように仕切り部材９２を設けて上記のように流路を形成（図はカバーで構成）したので、さらに均一な冷却が可能となった。
【００３４】
本実施の形態においては、金属ワイヤ群８１を６ヶ所に設け、金属ワイヤ群８１間に仕切り部材９２を設けて並列に３水路を形成している。以上のような配置とすることによって、金属ワイヤを形成する面積が減少したので、生産性が向上し、均一水流の形成が容易となったため性能低下はほとんどなく、工業的利用価値が大幅に向上した。
なお、このとき流体の水密が要求されるのは最外周のみで、内側の流路間については若干のすき間があって冷媒が漏れたとしても大きな問題とはならないため、高い精度を要求することもなく、安価にケースを作ることができる。
【００３５】
実施の形態５．
図５に本実施の形態５の電力半導体装置の断面図を示す。電力半導体装置本体Ｂの構造は上記実施の形態と同様であり、上記実施の形態４の電力半導体装置において、カバー９の内壁に複数の突起９４を設けて凹凸を形成したもので、金属ワイヤ８側の流速を低下させないで、流体の流量を増加させることができ、放熱効率の低下を防止できるという効果がある。
【００３６】
上記実施の形態４の電力半導体装置においては、金属ワイヤのループの高さは例えば約２ｍｍである。これは前述のフィンの効率や金属ワイヤの製造上の制約によるものである。
冷却用の流体の流速については３ｍ／ｓ程度が限界であり、これ以上速いと腐食の問題が発生する。特に細い金属ワイヤを用いる本発明においては１ｍ／ｓ程度が好ましい。
従ってこのような構造で、半導体チップから発生する大量の熱を奪うと、流量が少ないため液温は上昇し、下流側の放熱効率が低下する可能性がある。
【００３７】
そこで、流量を増やすには実施の形態４の図４のように仕切り部材を設けて並列流路を増やせばよいが、当然半導体素子の配列が優先され、また半導体素子の配列は電気的特性の適正化やパッケージ形状を小型化するという制約から、並列流路の増設も困難である場合がある。
また、単純にケースの高さを高くして流路面積を増やすと金属ワイヤ部分以外の流路抵抗が比較的小さい領域に優先的に冷却流体が流れ、金属ワイヤ部分の流速が低下して結果的に放熱効率が低下するという可能性がある。
【００３８】
そこで、本実施の形態の形態の図５に示すように、金属ワイヤのループ形状は上記実施の形態の場合と同一で、ケースの内壁に複数の突起をもうけることによって水路の断面積を増加させた。
その結果、流量が増加し、液温上昇が抑制され、下流側の半導体チップも効率よく冷却することが可能となった。即ち、ケース側への熱交換が行われなくても、突起があるため流れの抵抗となり、金属ワイヤ側の流速を低下させないことが可能となる。その結果、放熱特性が向上した。
【００３９】
例えば、ケース高さを６ｍｍにして突起高さを３ｍｍ、突起径を１ｍｍ、ピッチをワイヤピッチと同一の１．５ｍｍとすることによって、熱交換量は劣化させることなく、水量は約２倍になり、入口・出口間の液温上昇は約１／２に抑制することができた。
これによって、電力半導体装置の温度分布が小さくなり、装置性能を最大限に利用することができるようなった。
【００４０】
なお、上記実施の形態１〜５ではパワーモジュールに金属ワイヤを形成する例について示したが、例えば、ヒートシンクが露出したダイオードパッケージ、レーザダイオードを搭載したパッケージ、高周波モジュールパッケージなどにも用いることができる。
【００４１】
【発明の効果】
本発明の第１の電力半導体装置は、絶縁板、この絶縁板の一方の面上に搭載された電力半導体素子、および上記絶縁板の他方の面上に設けられた金属層に固着され、冷却流体と接触する金属ワイヤを備えたもので、放熱性とコンパクトさを兼ね備え、安価であるという効果がある。
【００４２】
本発明の第１の電力半導体装置の製造方法は、上記第１の発明の電力半導体装置の製造方法であって、絶縁板の一方の面上に電力半導体素子を搭載し、上記絶縁板の他方の面上に金属層を設ける第１の工程と、上記金属層に、冷却流体と接触するように金属ワイヤを固着する第２の工程を備え、上記第１の工程の後に上記第２の工程を施す方法で、製造工程が簡略になり、途中での不良発生に容易に対応できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の電力半導体装置の断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態の電力半導体装置の断面図である。
【図３】本発明の第４実施の形態の電力半導体装置の断面図である。
【図４】図３のヒートシンクの平面図である。
【図５】本発明の第５の実施の形態の電力半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
１　電力半導体素子、２　絶縁板、３ａ、３ｂ　金属層、、８　金属ワイヤ、９　カバー、Ａ　ヒートシンク、Ｂ　電力半導体装置本体、２　絶縁板、３ａ、３ｂ　金属層、５　金属ベース板、８　金属ワイヤ、８１　金属ワイヤ群、９　カバー、９２　仕切り部材、９４　突起。
【図１】
2004103936.tif 000003
【図２】
2004103936.tif 000004
【図３】
2004103936.tif 000005
【図４】
2004103936.tif 000006
【図５】
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