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【手続補正書】
【提出日】平成26年4月28日(2014.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個体の高血圧又はその関連疾患を治療するための薬剤の製造へのデキストロメトルファン（ｄｅｘｔｒｏｍｅｔｈｏｒｐｈａｎ）の用法。
【請求項２】
前記薬剤が約０．１ｍｇ／日〜約５００ｍｇ／日のデキストロメトルファンを含む請求項１に記載の用法。
【請求項３】
前記薬剤は、静脈輸液、経皮搬送、或いは錠剤又はカプセル経口で投与される請求項１に記載の用法。
【請求項４】
前記薬剤は、カルシウムチャネル拮抗剤を更に含む請求項１に記載の用法。
【請求項５】
前記カルシウムチャネル拮抗剤及びデキストロメトルファンは、カルシウムチャネル拮抗剤：デキストロメトルファンが１：０．５〜１：１００の用量比となる請求項４に記載の用法。
【請求項６】
前記カルシウムチャネル拮抗剤は、アムロジピン（ａｍｌｏｄｉｐｉｎｅ）、ベプリジル（ｂｅｐｒｉｄｉｌ）、クレンチアゼム（ｃｌｅｎｔｉａｚｅｍ）、ジルチアゼム（ｄｉｌｔｉａｚｅｍ）、フェンジリン（ｆｅｎｄｉｌｉｎｅ）、ガロパミル（ｇａｌｌｏｐａｍｉｌ）、ミベフラジル（ｍｉｂｅｆｒａｄｉｌ）、プレニラミン（ｐｒｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、セモチアジル（ｓｅｍｏｔｉａｄｉｌ）、テロジリン（ｔｅｒｏｄｉｌｉｎｅ）、ベラパミル（ｖｅｒａｐａｍｉｌ）、アラニジピン（ａｒａｎｉｄｉｐｉｎｅ）、バルニジピン（ｂａｒｎｉｄｉｐｉｎｅ）、ベニジピン（ｂｅｎｉｄｉｐｉｎｅ）、シルニジピン（ｃｉｌｎｉｄｉｐｉｎｅ）、エホニジピン（ｅｆｏｎｉｄｉｐｉｎｅ）、エルゴジピン（ｅｌｇｏｄｉｐｉｎｅ）、フェロジピン（ｆｅｌｏｄｉｐｉｎｅ）、イスラジピン（ｉｓｒａｄｉｐｉｎｅ）、ラシジピン（ｌａｃｉｄｉｐｉｎｅ）、レルカニジピン（ｌｅｒｃａｎｉｄｉｐｉｎｅ）、マニジピン（ｍａｎｉｄｉｐｉｎｅ）、ニカルジピン（ｎｉｃａｒｄｉｐｉｎｅ）、ニフェジピン（ｎｉｆｅｄｉｐｉｎｅ）、ニルバジピン（ｎｉｌｖａｄｉｐｉｎｅ）、ニモジピン（ｎｉｍｏｄｉｐｉｎｅ）、ニソルジピン（ｎｉｓｏｌｄｉｐｉｎｅ）、ニトレンジピン（ｎｉｔｒｅｎｄｉｐｉｎｅ）、シンナリジン（ｃｉｎｎａｒｉｚｉｎｅ）、フルナリジン（ｆｌｕｎａｒｉｚｉｎｅ）、リドフラジン（ｌｉｄｏｆｌａｚｉｎｅ）、ロメリジン（ｌｏｍｅｒｉｚｉｎｅ）、ベンシクラン（ｂｅｎｃｙｃｌａｎｅ）、エタフェノン（ｅｔａｆｅｎｏｎｅ）、ペルヘキシリン（ｐｅｒｈｅｘｉｌｉｎｅ）、及びフルスピリレン（ｆｌｕｓｐｉｒｉｌｅｎｅ）からなる群から選ばれる請求項４に記載の用法。
【請求項７】
前記カルシウムチャネル拮抗剤は、アムロジピンである請求項４に記載の用法。
【請求項８】
前記薬剤は、ＣＹＰ２Ｄ６阻害剤を更に備える請求項１〜７のいずれかに記載の用法。
【請求項９】
有効量のデキストロメトルファン、有効量のカルシウムチャネル拮抗剤、及び医薬的に許容可能な担体を含む、個体の高血圧又はその関連疾患を治療する医薬組成物。
【請求項１０】
前記カルシウムチャネル拮抗剤は、アムロジピン（ａｍｌｏｄｉｐｉｎｅ）、ベプリジル（ｂｅｐｒｉｄｉｌ）、クレンチアゼム（ｃｌｅｎｔｉａｚｅｍ）、ジルチアゼム（ｄｉｌｔｉａｚｅｍ）、フェンジリン（ｆｅｎｄｉｌｉｎｅ）、ガロパミル（ｇａｌｌｏｐａｍｉｌ）、ミベフラジル（ｍｉｂｅｆｒａｄｉｌ）、プレニラミン（ｐｒｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、セモチアジル（ｓｅｍｏｔｉａｄｉｌ）、テロジリン（ｔｅｒｏｄｉｌｉｎｅ）、ベラパミル（ｖｅｒａｐａｍｉｌ）、アラニジピン（ａｒａｎｉｄｉｐｉｎｅ）、バルニジピン（ｂａｒｎｉｄｉｐｉｎｅ）、ベニジピン（ｂｅｎｉｄｉｐｉｎｅ）、シルニジピン（ｃｉｌｎｉｄｉｐｉｎｅ）、エホニジピン（ｅｆｏｎｉｄｉｐｉｎｅ）、エルゴジピン（ｅｌｇｏｄｉｐｉｎｅ）、フェロジピン（ｆｅｌｏｄｉｐｉｎｅ）、イスラジピン（ｉｓｒａｄｉｐｉｎｅ）、ラシジピン（ｌａｃｉｄｉｐｉｎｅ）、レルカニジピン（ｌｅｒｃａｎｉｄｉｐｉｎｅ）、マニジピン（ｍａｎｉｄｉｐｉｎｅ）、ニカルジピン（ｎｉｃａｒｄｉｐｉｎｅ）、ニフェジピン（ｎｉｆｅｄｉｐｉｎｅ）、ニルバジピン（ｎｉｌｖａｄｉｐｉｎｅ）、ニモジピン（ｎｉｍｏｄｉｐｉｎｅ）、ニソルジピン（ｎｉｓｏｌｄｉｐｉｎｅ）、ニトレンジピン（ｎｉｔｒｅｎｄｉｐｉｎｅ）、シンナリジン（ｃｉｎｎａｒｉｚｉｎｅ）、フルナリジン（ｆｌｕｎａｒｉｚｉｎｅ）、リドフラジン（ｌｉｄｏｆｌａｚｉｎｅ）、ロメリジン（ｌｏｍｅｒｉｚｉｎｅ）、ベンシクラン（ｂｅｎｃｙｃｌａｎｅ）、エタフェノン（ｅｔａｆｅｎｏｎｅ）、ペルヘキシリン（ｐｅｒｈｅｘｉｌｉｎｅ）、及びフルスピリレン（ｆｌｕｓｐｉｒｉｌｅｎｅ）からなる群から選ばれる請求項９に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
剤形毎に約０．１ｍｇ〜約５００ｍｇのデキストロメトルファン及び約０．０１ｍｇ〜約１００ｍｇのカルシウムチャネル拮抗剤を含む請求項９に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
剤形毎に約１ｍｇ〜約３００ｍｇのデキストロメトルファン及び約０．５ｍｇ〜約２０ｍｇのカルシウムチャネル拮抗剤を含む請求項９に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
前記カルシウムチャネル拮抗剤は、アムロジピンである請求項９に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
剤形毎に約０．１ｍｇ〜約５００ｍｇのデキストロメトルファン及び約０．０１ｍｇ〜約１００ｍｇのアムロジピンを含む請求項１３に記載の医薬組成物。
【請求項１５】
剤形毎に約１０ｍｇ〜約１００ｍｇのデキストロメトルファン及び約０．５ｍｇ〜約２０ｍｇのアムロジピンを含む請求項１３に記載の医薬組成物。
【請求項１６】
前記アムロジピンは、実質上光学的に純粋なＳ‐（‐）‐アムロジピンである請求項１３に記載の医薬組成物。
【請求項１７】
前記アムロジピンは、（Ｒ，Ｓ）‐アムロジピンである請求項１３に記載の医薬組成物。
【請求項１８】
１：０．５〜１：１００のアムロジピン：デキストロメトルファン比を含む請求項１３に記載の医薬組成物。
【請求項１９】
ＣＹＰ２Ｄ６阻害剤を更に備える請求項９〜１８のいずれかに記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月21日(2014.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抗甲状腺剤による処置、放射性ヨウ素による処置および甲状腺の全部または一部の外科的除去からなる群から選択される少なくとも１つの抗甲状腺処置を受ける被験者の処置に用いるためのトリヨードチロニン（Ｔ３）又はその生化学的類似体を含む薬学的組成物。
【請求項２】
抗甲状腺剤による処置、放射性ヨウ素による処置および甲状腺の全部または一部の外科的除去からなる群から選択される少なくとも１つの抗甲状腺処置を受ける被験者の処置に用いるためのトリヨードチロニン（Ｔ３）又はその生化学的類似体からなる薬学的組成物であって、以下の：
（ａ）抗癌処置に対する癌の被験者における感作；
（ｂ）癌を処置すること
のうちの少なくとも１つを達成するために有効である上記薬学的組成物。
【請求項３】
癌を対象とする請求項１記載の薬学的組成物。
【請求項４】
前記組成物が、以下の：
（ａ）抗癌処置に対する癌の被験者における感作；
（ｂ）癌を処置すること
のうちの少なくとも１つを達成するために有効である請求項３記載の薬学的組成物。
【請求項５】
Ｔ３の前記生化学的類似体が前記Ｔ３の少なくとも部分的なホルモン性活性を示す請求項１〜４のいずれか一項に記載の薬学的組成物。
【請求項６】
前記生化学的類似体がＴ３のＬ−異性体である請求項５記載の薬学的組成物。
【請求項７】
Ｔ３の前記Ｌ−異性体がリオチロニンナトリウムである請求項６記載の薬学的組成物。
【請求項８】
前記被験者の処置が１日量のＴ３またはその生化学的類似体による請求項１〜７のいずれか一項に記載の薬学的組成物。
【請求項９】
前記１日量のＴ３またはその生化学的類似体がリオチロニンナトリウムの活性の少なくとも一部を示す請求項８記載の薬学的組成物。
【請求項１０】
Ｔ３またはその生化学的類似体の前記１日用量が５μｇ〜４０μｇである請求項８または９記載の薬学的組成物。
【請求項１１】
１日１回または１日数回のＴ３またはその生化学的類似体を用いるための請求項８〜１０のいずれか一項に記載の薬学的組成物。
【請求項１２】
前記被験者への経口、静脈内または筋肉内投与に適した剤形の請求項１〜１１のいずれか一項に記載の薬学的組成物。
【請求項１３】
前記癌が固形癌である請求項２〜１２のいずれか一項に記載の薬学的組成物。
【請求項１４】
前記固形癌が、血管新生化腫瘍、生殖腺癌、消化管、食道癌、バレット食道癌、口腔癌、耳下腺癌、鼻咽頭癌、甲状腺癌、ＣＮＳ癌、泌尿生殖癌、皮膚癌、骨および結合組織癌からなる群から選択される請求項１３記載の薬学的組成物。
【請求項１５】
前記固形癌が神経膠腫である請求項１４記載の薬学的組成物。
【請求項１６】
前記神経膠腫が神経膠芽細胞腫である請求項１５記載の薬学的組成物。
【請求項１７】
前記抗甲状腺剤がチオアミドベースの薬剤である請求項１〜１６のいずれか一項に記載の薬学的組成物。
【請求項１８】
前記チオアミドベースの薬剤がプロピルチオウラシル（ＰＴＵ）またはメチマゾールである請求項１７記載の薬学的組成物。
【請求項１９】
１０ｍｇ〜８０ｍｇ／日の量のメチマゾール、または１００ｍｇ〜１２００ｍｇ／日の量のＰＴＵを含む請求項１８記載の薬学的組成物。
【請求項２０】
前記組成物が少なくとも１つの抗癌処置と組合せて用いるための請求項１〜１９のいずれか一項に記載の薬学的組成物。
【請求項２１】
前記抗癌処置が、化学療法、放射線療法、モノクローナル抗体療法、血管新生阻害剤療法、生物学的療法、骨髄移植、末梢血幹細胞移植、遺伝子療法、温熱療法、レーザー療法、光線力学的療法、標的癌療法からなる群から選択される請求項２０記載の薬学的組成物。
【請求項２２】
抗甲状腺剤の共在的なまたは別々の投与と組み合せて用いるための請求項１〜２１のいずれか一項に記載の薬学的組成物。
【請求項２３】
少なくとも４週間の期間の被験者の連続処置のために用いるための請求項１〜２２のいずれか一項に記載の薬学的組成物。
【請求項２４】
治療的処置を必要とする被験者の処置のために少なくとも１つの抗甲状腺剤と組合せて用いるためのトリヨードチロニン（Ｔ３）またはその生化学的類似体。
【請求項２５】
トリヨードチロニン（Ｔ３）またはその生化学的類似体の剤形の第一包装、
少なくとも１つの抗甲状腺剤の剤形の第二包装、ならびに
第一剤形および第二剤形を用いる被験者の組合せ療法のための使用説明書
を包含するキット。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月16日(2014.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酵素によって調製される植物由来の脂肪源を含む脂質組成物の使用であって、前記脂肪源が、脂肪酸すべてのうち１５〜５５％がパルミチン酸部分であるトリグリセリドを含むトリグリセリド脂肪源であり、グリセロール主鎖のｓｎ−２位でのパルミチン酸部分のレベルがパルミチン酸すべての少なくとも３０％である、対象において有益な腸管内菌叢の発達を促進するための製剤の調製における使用。
【請求項２】
脂質組成物が、対象の腸管内の少なくとも１種の病原性細菌のコロニー形成に対して効果を有し、前記効果が、少なくとも１種の病原性細菌のコロニー形成を阻害すること、妨げること及び減らすことから成る群から選択される請求項１の使用。
【請求項３】
脂質組成物が対象の免疫系に対して効果を有する請求項１又は２の使用。
【請求項４】
前記対象が、腸管内菌叢の不均衡から生じる免疫系の少なくとも１つの障害を患っている請求項３の使用。
【請求項５】
免疫系における少なくとも１つの障害が、炎症、アトピー、アレルギー、栄養不耐性、及び感染から選択され、脂質組成物が前記障害を治療するのに有効である請求項４の使用。
【請求項６】
脂質組成物が、ビフィズス菌及び乳酸菌で強化される腸管内菌叢の発達を促進する請求項１〜５のいずれか１項の使用。
【請求項７】
脂質組成物が、対象の腸管内における少なくとも１種の細菌のコロニー形成を強化し、前記細菌がビフィズス菌及び乳酸菌から成る群から選択される請求項１〜５のいずれか１項の使用。
【請求項８】
脂質組成物が、対象の腸管内における少なくとも１種の病原性細菌のコロニー形成を阻害する請求項１〜７のいずれか１項の使用。
【請求項９】
前記対象が小児である請求項１〜８のいずれか１項の使用。
【請求項１０】
前記小児が乳児又は幼児である請求項９の使用。
【請求項１１】
前記乳児が帝王切開によって産まれた請求項１０の使用。
【請求項１２】
前記乳児が、早期産児及び正期産児から選択される新生児である請求項１０又は１１のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１３】
前記対象が、腸管内菌叢集団の特性に不均衡を発生させるリスクにある請求項１〜１２のいずれか１項の使用。
【請求項１４】
前記植物由来の脂肪源が植物油の混合物と混合される脂肪ベースを含み、前記混合物が、大豆、ヤシ、キャノーラ、ココナッツ、パーム核油、ヒマワリ、コーン、ベニバナ及び菜種油から成る群から選択される油を含む請求項１〜１３のいずれか１項の使用。
【請求項１５】
前記植物油が、脂肪ベースと混合する前にランダム化されてもよい請求項１４の使用。
【請求項１６】
前記植物由来の脂肪源が食品及び乳児用調整乳のいずれか１つに含まれ、前記食品が、パン、特にビスケット及びペストリーを含むベーカリー製品、代用母乳脂肪、ミルク及び乳飲料を含む乳製品、アイスクリーム、シリアル製品、ソース、スープ、マーガリン、詰め物、油脂を含むスプレッド、大豆製品、肉製品、揚げ物製品、菓子製品、棒、キャンディ棒、キャンディ及びチョコレート、スナック菓子、飲料及びシェーク、即席製品、即席飲料製品、冷凍食品、加工した調理済みのすり潰した野菜及び／又は果実を含む乳児、幼児及び小児用の加工食品、香辛料製品、及び料理用の油脂から選択される請求項１〜１５のいずれか１項の使用。
【請求項１７】
前記乳児用調整乳が、タンパク質源と、炭水化物源と、ミネラルと、ビタミンと、任意でキャリア、希釈剤、添加剤又は賦形剤の少なくとも１つと一緒に前記植物由来の脂肪源を含む請求項１６の使用。
【請求項１８】
酵素によって調製される植物由来の脂肪源を含む脂質組成物の使用であって、前記脂肪源が脂肪酸すべてのうち１５〜５５％がパルミチン酸部分であるトリグリセリドを含むトリグリセリド脂肪源であり、グリセロール主鎖のｓｎ−２位でのパルミチン酸部分のレベルがパルミチン酸すべての少なくとも３０％である、乳児において号泣期の頻度及び持続時間を減らすための製剤の調製における使用。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月2日(2014.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの放射素子を通じて、電磁エネルギ供給源からのＲＦエネルギを空洞中の物体に印加するための装置であって、当該装置が：
前記空洞中の領域に関連付けられたエネルギ吸収の特性σを取得し；
前記領域に吸収される所望のエネルギー量Ｗを取得し；
複数の電磁場パタンであって、各々が前記領域においてＷ＝σΣＴｉＩｉとなるような強度Ｉｉを有する電磁場パタンのそれぞれについて重みＴｉを計算し；
前記空洞内における前記複数の電磁場パタンのそれぞれを、前記計算された重みに応じて供給源に励起させ、前記複数の電磁場パタンが前記重みに応じた時間分または前記重みに応じたパワーレベル、若しくはこれらの組み合わせにより励起される；
ように構成されたプロセッサを具えることを特徴とする装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置において、前記複数の電磁場パタンのそれぞれの励起が、前記空洞内の電磁場パタンに影響を与えるような可変パラメタ値の特定のセットにより前記供給源を調節することによってなされることを特徴とする装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の装置において、前記プロセッサが、前記物体からのフィードバックを表すシグナルを受信し、当該シグナルに基づいて前記特性σを決定するように構成されていることを特徴とする装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか１項に記載の装置において、前記特性σの取得が複数領域の特性σの取得からなることを特徴とする装置。
【請求項５】
請求項４に記載の装置において、前記複数領域の前記特性σが動的に作成されることを特徴とする装置。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか１項に記載の装置において、前記プロセッサが、前記物体の熱力学的特性に基づいて前記重みを計算するよう構成され、前記物体の前記熱力学的特性が、前記物体の少なくとも一部の熱伝導、熱容量および比質量の少なくとも一つを含むことを特徴とする装置。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか１項に記載の装置において、前記プロセッサが前記供給源に、前記複数の電磁場パタンのそれぞれを、前記計算された重みに依存するパワーで励起させるように構成されていることを特徴とする装置。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか１項に記載の装置において、前記プロセッサが前記供給源に、前記複数の電磁場パタンのそれぞれを、前記計算された重みに依存する時間幅で励起させるように構成されていることを特徴とする装置。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか１項に記載の装置において、当該装置が複数の放射素子を含み、前記プロセッサが、前記放射素子を一つ以上選択して、前記複数の電磁場パタンのそれぞれを励起するように構成されていることを特徴とする装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか１項に記載の装置が、さらに前記電磁的エネルギの供給源を具えることを特徴とする装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の何れか１項に記載の装置が、さらに前記空洞を具えることを特徴とする装置。
【請求項１２】
少なくとも一つの放射素子を通じて、電磁エネルギ供給源からのＲＦエネルギを空洞中の物体に印加するための方法であって、当該方法が：
前記空洞中の領域に関連付けられたエネルギ吸収の特性σを取得するステップと；
前記領域に吸収されるエネルギー量Ｅａｂｓを取得するステップと；
複数の電磁場パタンのそれぞれについて重みＴｉを計算するステップであって、各電磁場パタンが前記領域においてＥａｂｓ＝σΣＴｉＩｉとなるような強度Ｉｉを有するステップと；
前記供給源に、前記空洞内における前記複数の電磁場パタンのそれぞれを、前記計算された重みに応じて励起させるステップであって、前記複数の電磁場パタンが前記重みに応じた時間分または前記重みに応じたパワーレベル、若しくはこれらの組み合わせにより励起されるステップと；
を具えることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法において、前記複数の電磁場パタンのそれぞれが、前記空洞内の電磁場パタンに影響を与えるような可変パラメタ値の特定のセットにより前記供給源を調節することによって励起されることを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１２又は１３に記載の方法において、前記特性σを取得するステップが前記物体からのフィードバックに基づいた損失プロファイルを作成することによることを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１２乃至１４の何れか１項に記載の方法において、前記計算が、前記物体の熱力学的特性に基づいてなされ、前記物体の前記熱力学的特性が、前記物体の少なくとも一部の熱伝導、熱容量および比質量の少なくとも一つを含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月27日(2014.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
実施例１の通りＬＩＶ測定を実施した。ＬＩＶ測定値は、積層されたＯＬＥＤ装置が１０００ｎｉｔにおいて３２Ｃｄ／Ａのピーク効率を有していたことを示し、これは、１０００ｎｉｔにおいて４２Ｃｄ／Ａであった積層していない装置のピーク効率よりも著しく低かった。１０ｍＡ／ｍ2における軸上輝度は、積層しない場合５２１５Ｃｄ／ｍ2、積層した場合３８０２Ｃｄ／ｍ2であった。１０ｍＡ／ｍ2における積分強度は、積層しない場合１０５７３ルーメン／ｍ2、積層した場合８５７３ルーメン／ｍ2であった。
本開示は以下も包含する。
［１］  有機発光ダイオード装置用のガラス基材に積層される光抽出フィルムであって、
実質的に透明な可撓性フィルムと；
前記実質的に透明な可撓性フィルムに適用される低屈折率ナノ構造層と；
前記ナノ構造層上に適用される高屈折率平坦化バックフィル層と；
前記実質的に透明な可撓性フィルムの前記ナノ構造層とは反対側に積層されるガラス基材と；
前記実質的に透明な可撓性フィルムと前記ガラス基材との間の超低屈折率領域と、を含む、光抽出フィルム。
［２］  前記超低屈折率領域が１以上の空隙を含む、［１］に記載の光抽出フィルム。
［３］  前記超低屈折率領域がアルゴン又は窒素を含む、［１］に記載の光抽出フィルム。
［４］  前記超低屈折率領域が構造化接着剤を含む、［１］に記載の光抽出フィルム。
［５］  前記超低屈折率領域が反射防止構造化表面を含む、［１］に記載の光抽出フィルム。
［６］  前記超低屈折率領域が超低屈折率材料を含む、［１］に記載の光抽出フィルム。
［７］  前記低屈折率ナノ構造層が、前記実質的に透明な可撓性フィルムに対して表面層の方法で適用されるナノ粒子を含む、［１］に記載の光抽出フィルム。
［８］  前記低屈折率ナノ構造層がフォトニック結晶構造又は線形格子を含む、［１］に記載の光抽出フィルム。
［９］  前記バックフィル層上に適用される保護層を更に含む、［１］に記載の光抽出フィルム。
［１０］  有機発光ダイオード装置用のガラス基材に積層される光抽出フィルムを製造する方法であって、
実質的に透明な可撓性フィルムを提供する工程と；
前記実質的に透明な可撓性フィルムに低屈折率ナノ構造層を適用する工程と；
前記ナノ構造層上に高屈折率平坦化バックフィル層を適用する工程と；
前記実質的に透明な可撓性フィルムの前記ナノ構造層とは反対側にガラス基材を積層する工程であって、前記実質的に透明な可撓性フィルムと前記ガラス基材との間に超低屈折率領域を提供することを含む工程と、を含む、方法。
［１１］  前記超低屈折率領域が１以上の空隙を含む、［１０］に記載の方法。
［１２］  前記超低屈折率領域がアルゴン又は窒素を含む、［１０］に記載の方法。
［１３］  前記超低屈折率領域が構造化接着剤を含む、［１０］に記載の方法。
［１４］  前記超低屈折率領域が反射防止構造化表面を含む、［１０］に記載の方法。
［１５］  前記超低屈折率領域が超低屈折率材料を含む、［１０］に記載の方法。
［１６］  前記低屈折率ナノ構造層が、前記実質的に透明な可撓性フィルムに対して表面層の方法で適用されるナノ粒子を含む、［１０］に記載の方法。
［１７］  前記低屈折率ナノ構造層がフォトニック結晶構造又は線形格子を含む、［１０］に記載の方法。
［１８］  前記バックフィル層上に保護層を適用する工程を更に含む、［１０］に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機発光ダイオード装置用のガラス基材に積層される光抽出フィルムであって、
透明な可撓性フィルムと；
前記透明な可撓性フィルムに適用される第１の表面と前記第１の表面とは反対側の第２の表面とを有するナノ構造層と；
前記ナノ構造層の前記第２の表面上に適用され、前記ナノ構造層よりも高い屈折率を有する平坦化バックフィル層と；
前記透明な可撓性フィルムの前記ナノ構造層とは反対側に積層されるガラス基材と；
前記透明な可撓性フィルムと前記ガラス基材との間の領域であって、前記透明な可撓性フィルムと前記ガラス基材との間の接着剤によって囲まれた１以上の空隙を含む領域、を含む、光抽出フィルム。
【請求項２】
有機発光ダイオード装置用のガラス基材に積層される光抽出フィルムを製造する方法であって、
透明な可撓性フィルムを提供する工程と；
前記透明な可撓性フィルムに適用される第１の表面と前記第１の表面とは反対側の第２の表面とを有するナノ構造層を前記透明な可撓性フィルムに適用する工程と；
前記ナノ構造層の前記第２の表面上に前記ナノ構造層よりも高い屈折率を有する平坦化バックフィル層を適用する工程と；
前記透明な可撓性フィルムの前記ナノ構造層とは反対側にガラス基材を積層する工程であって、前記透明な可撓性フィルムと前記ガラス基材との間の領域であって前記透明な可撓性フィルムと前記ガラス基材との間の接着剤によって囲まれた１以上の空隙を含む領域を提供することを含む工程と、を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月17日(2014.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質としての酸でドープされた、有機酸または無機酸のポリアゾール塩に基づくプロトン伝導性ポリマー電解質膜であって、該有機酸または無機酸のポリアゾール塩が、電解質として使用される酸中で、電解質として使用される酸のポリアゾール塩よりも低い可溶性を有する、前記プロトン伝導性ポリマー電解質膜。
【請求項２】
電解質として使用される酸がリン酸である、請求項１に記載のプロトン伝導性ポリマー電解質膜。
【請求項３】
単数または複数の無機酸または有機酸が、過フッ素化フェノール、過フッ素化フェニルアルコール、Ｋ2ＳＯ4、ＨＮＯ3、ＦＳＯ3Ｈ、ＨＰＯ2Ｆ2、Ｈ2ＳＯ3、ＨＯＯＣ−ＣＯＯＨ、スルホン酸、過フッ素化スルホン酸、パーフルオロスルホンアミド、パーフルオロホスホン酸およびパーフルオロアルキルカルボン酸からなる群から選択される、請求項１または２に記載のプロトン伝導性ポリマー電解質膜。
【請求項４】
前記無機酸または有機酸が、ペンタフルオロフェノール、ＣＨ3ＳＯ3Ｈ、ＣＦ3ＳＯ3Ｈ、ＣＦ3ＣＦ2ＳＯ3Ｈ、（ＣＦ3）2ＳＯ2ＮＨ、（ＣＦ3ＣＦ2）2ＳＯ2ＮＨ、（ＣＦ3ＣＦ2ＣＦ2）2ＳＯ2ＮＨ、ＣＦ3ＰＯ3Ｈ2、ＣＦ3ＣＦ2ＰＯ3Ｈ2およびＣＦ3ＣＦ2ＣＦ2ＰＯ3Ｈ2からなる群から選択される、請求項１から３までのいずれか１項に記載のプロトン伝導性ポリマー電解質膜。
【請求項５】
前記ポリアゾール塩が、一般式（Ｉ）および／または（ＩＩ）：
【化１】
2013525973.tif 000001
［式中、
Ａｒ基は、同一または異なり、且つ各々、四価の芳香族基または複素環式芳香族基であって１つまたはそれより多くの環を有し得るものである、
Ａｒ1基は、同一または異なり、且つ各々、二価の芳香族基または複素環式芳香族基であって１つまたはそれより多くの環を有し得るものである、
Ａｒ2基は、同一または異なり、且つ各々、二価または三価の芳香族基または複素環式芳香族基であって１つまたはそれより多くの環を有し得るものである、
Ｘ基は、同一または異なり、且つ各々、酸素、硫黄、または、さらなる基として１つの水素原子、１〜２０個の炭素原子を有する基、好ましくは分枝または非分枝のアルキルまたはアルコキシ基、またはアリール基を有するアミノ基である、
ｎは１０以上、好ましくは１００以上の整数である］
の繰り返しアゾール単位を含むポリアゾールに基づく、請求項１から４までのいずれか１項に記載のプロトン伝導性ポリマー電解質膜。
【請求項６】
前記ポリアゾール塩が、ポリベンズイミダゾール、ポリ(ピリジン)、ポリ(ピリミジン)、ポリイミダゾール、ポリベンゾチアゾール、ポリベンゾキサゾール、ポリオキサジアゾール、ポリキノキサリン、ポリチアジアゾールおよびポリ（テトラアザピレン）からなる群から選択されるポリアゾールに基づいている、請求項１から５までのいずれか１項に記載の、電解質としてのリン酸を含むプロトン伝導性ポリマー電解質膜。
【請求項７】
前記ポリアゾールが、以下の式
【化２】
2013525973.tif 000002
［式中、
ここで、ｎは≧１０の整数である］
の１つの繰り返しベンズイミダゾール単位を有する、請求項６に記載のプロトン伝導性ポリマー電解質膜。
【請求項８】
前記ポリマー電解質膜が補強要素を有する、請求項１から７までのいずれか１項に記載のプロトン伝導性ポリマー電解質膜。
【請求項９】
ポリマー電解質膜が繊維で補強されている、請求項８に記載のプロトン伝導性ポリマー電解質膜。
【請求項１０】
補強要素の容積による割合が、ポリマー電解質膜の総容積に対して、５容積％〜９５容積％である、請求項８または９に記載のプロトン伝導性ポリマー電解質膜。
【請求項１１】
請求項１から１０までのいずれか１項に記載のプロトン伝導性ポリマー電解質膜の製造方法であって、以下の工程：
ｉａ）  少なくとも１つのポリアゾールをリン酸中で溶解させる工程、
ｉｉａ）  工程ｉ）により得ることができる溶液を不活性ガス下で４００℃までの温度に加熱する工程、
ｉｉｉａ）  支持材を提供し、且つ随意に該支持材上に補強要素を配置する工程、
ｉｖａ）  工程ｉｉｉ）からの支持材上に、工程ｉｉ）によるポリマーの溶液を使用して膜を形成する工程、
ｖａ）  工程ｉｖａ）において形成された膜を、それが自立的となるまで処理する工程、
ｖｉａ）  随意に、工程ｖａ）において得られた膜を、該膜が中性になるまで、水で洗浄する工程、
ｖｉｉａ）  工程ｖａ）または工程ｖｉａ）において得られた膜を、水中で、電解質として使用される酸、特に好ましくはリン酸よりも低いｐＫaを有する有機酸または無機酸で処理する工程、
ｖｉｉｉａ）  工程ｖｉｉａ）において得られた膜とリン酸とを混合する工程
を含む前記製造方法。
【請求項１２】
ポリマー電解質膜によって分離された少なくとも２つの電気化学的に活性な電極を含む膜・電極接合体であって、該ポリマー電解質膜が請求項１から１０までのいずれか１項に記載のプロトン伝導性ポリマー電解質膜、または請求項１１に記載の方法によって製造されたプロトン伝導性ポリマー電解質膜である、前記膜・電極接合体。
【請求項１３】
請求項１２に記載の少なくとも１つの膜・電極接合体を含む、燃料電池。
【請求項１４】
請求項１から１０までのいずれか１項に記載のプロトン伝導性ポリマー電解質膜または請求項１１に記載の方法によって製造されたプロトン伝導性ポリマー電解質膜を含む燃料電池。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月25日(2014.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
典型的な２Ｄ  ＰｈＣ複製領域のＡＦＭ試験は、他のフィルム上で複製された同じ構造に非常に類似している得られた２Ｄ  ＰｈＣの構造的特徴に対して非常に忠実な複製が行われたことを示した。
本開示は以下も包含する。
［１］  内部ナノ構造及び外部マイクロ構造を有する光抽出フィルムであって、
実質的に透明な可撓性フィルムと；
前記実質的に透明な可撓性フィルムに適用される低屈折率ナノ構造層と；
前記ナノ構造層上に適用される高屈折率平坦化バックフィル層と；
前記実質的に透明な可撓性フィルムの前記ナノ構造層とは反対側に適用される外部光学マイクロ構造と、を含む、光抽出フィルム。
［２］  前記外部光学マイクロ構造が一次元マイクロ構造を含む、［１］に記載の光抽出フィルム。
［３］  前記外部光学マイクロ構造が二次元マイクロ構造を含む、［１］に記載の光抽出フィルム。
［４］  前記ナノ構造層が一次元ナノ構造を含み、前記外部光学マイクロ構造が前記一次元ナノ構造に対して垂直な一次元マイクロ構造を含む、［１］に記載の光抽出フィルム。
［５］  前記一次元ナノ構造及び前記一次元マイクロ構造がそれぞれ線形構造である、［４］に記載の光抽出フィルム。
［６］  前記低屈折率ナノ構造層が、前記実質的に透明な可撓性フィルムに対して表面層の方法で適用されるナノ粒子を含む、［１］に記載の光抽出フィルム。
［７］  前記低屈折率ナノ構造層がフォトニック結晶構造又は線形格子を含む、［１］に記載の光抽出フィルム。
［８］  前記バックフィル層上に適用される保護層を更に含む、［１］に記載の光抽出フィルム。
［９］  前記外部光学マイクロ構造がマイクロレンズアレイを含む、［１］に記載の光抽出フィルム。
［１０］  前記外部光学マイクロ構造が曲面を有する錐体構造を含む、［１］に記載の光抽出フィルム。
［１１］  内部ナノ構造及び外部マイクロ構造を有する光抽出フィルムを製造する方法であって、
実質的に透明な可撓性フィルムを提供する工程と；
前記実質的に透明な可撓性フィルムに低屈折率ナノ構造層を適用する工程と；
前記ナノ構造層上に高屈折率平坦化バックフィル層を適用する工程と；
前記実質的に透明な可撓性フィルムの前記ナノ構造層とは反対側に外部光学マイクロ構造を適用する工程と、を含む、方法。
［１２］  前記外部光学マイクロ構造が一次元マイクロ構造を含む、［１１］に記載の方法。
［１３］  前記外部光学マイクロ構造が二次元マイクロ構造を含む、［１１］に記載の方法。
［１４］  前記ナノ構造層が一次元ナノ構造を含み、前記外部光学マイクロ構造が前記一次元ナノ構造に対して垂直な一次元マイクロ構造を含む、［１１］に記載の方法。
［１５］  前記バックフィル層上に保護層を適用する工程を更に含む、［１１］に記載の方法。
［１６］  前記ナノ構造層及び前記外部光学マイクロ構造が、共に積層されている２枚のフィルム内に含まれる［１１］に記載の方法。
［１７］  前記ナノ構造層及び前記外部光学マイクロ構造が、続くマイクロ複製プロセスを用いて形成される、［１１］に記載の方法。
［１８］  前記ナノ構造層及び前記外部光学マイクロ構造が、２つの構造化及び同期化された用具を用いる単一マイクロ複製プロセスにおいて形成される、［１１］に記載の方法。
［１９］  前記ナノ構造層及び前記外部光学マイクロ構造が、押出成形プロセスを用いて形成される、［１１］に記載の方法。
［２０］  前記ナノ構造層及び前記外部光学マイクロ構造が、それぞれレーザーアブレーションプロセスを用いて形成される、［１１］に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部ナノ構造及び外部マイクロ構造を有する光抽出フィルムであって、
主面と前記主面に平行な面内方向とを有する実質的に透明な可撓性フィルムと；
前記実質的に透明な可撓性フィルムに適用されナノ構造を有する低屈折率ナノ構造層と；
前記ナノ構造層上に適用される高屈折率平坦化バックフィル層と；
前記実質的に透明な可撓性フィルムの前記ナノ構造層とは反対側に適用される外部光学マイクロ構造と、を含み、
前記ナノ構造が、第１の単方向に沿って前記面内方向と実質的に平行に延びる一次元ナノ構造からなり、前記外部光学マイクロ構造が、第２の単方向に沿って前記面内方向と実質的に平行に延びる一次元マイクロ構造からなり、前記第１の単方向が前記第２の単方向とは異なる、光抽出フィルム。
【請求項２】
内部ナノ構造及び外部マイクロ構造を有する光抽出フィルムを製造する方法であって、
主面と前記主面に平行な面内方向とを有する実質的に透明な可撓性フィルムを提供する工程と；
前記実質的に透明な可撓性フィルムにナノ構造を有する低屈折率ナノ構造層を適用する工程と；
前記ナノ構造層上に高屈折率平坦化バックフィル層を適用する工程と；
前記実質的に透明な可撓性フィルムの前記ナノ構造層とは反対側に外部光学マイクロ構造を適用する工程と、を含み、
前記ナノ構造が、第１の単方向に沿って前記面内方向と実質的に平行に延びる一次元ナノ構造からなり、前記外部光学マイクロ構造が、第２の単方向に沿って前記面内方向と実質的に平行に延びる一次元マイクロ構造からなり、前記第１の単方向が前記第２の単方向とは異なる、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月12日(2014.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２個のページバッファソースからデータバッファへのデータ転送を制御する方法であって、
前記２個のページバッファソースでリード動作を開始するステップ、
前記２個のページバッファソースのうちのリード動作の完了した第１のページバッファソースから前記データバッファへデータを自動的に転送するステップ、
前記２個のページバッファソースのうちの第２のページバッファソースがリード動作を完了し且つ前記データバッファがビジーのとき、前記第２のページバッファソースからのデータ転送を抑制するステップ、
前記データバッファが利用可能になるのを待つステップ、
前記データバッファが利用可能であるとき、前記第２のページバッファソースからデータを転送するステップ、
を有する方法。
【請求項２】
各前記２個のページバッファソース及び前記データバッファは１つのデータページを格納する大きさである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のページバッファソースは第１のメモリ素子であり、前記第２のページバッファソースは第２のメモリ素子である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のページバッファソースはメモリ素子の第１のページバッファであり、前記第２のページバッファソースは前記メモリ素子の第２のページバッファである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
データを自動的に転送するステップは、前記第１のページバッファソースからレディ信号を受信するステップを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
データを自動的に転送するステップは、前記レディ信号が前記第１のページバッファソースから受信された後に、前記第１のページバッファソースへデータ転送コマンドを発行するステップを有する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
データ転送を抑制するステップは、前記第２のページバッファソースのリード動作が進行中の場合に、前記第２のページバッファソースの延期状態を設定するステップを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
延期状態を設定するステップは、前記第２のページバッファソースに対応する延期状態レジスタを延期状態に設定するステップを有する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
データを転送するステップは、前記延期状態レジスタを非延期状態に設定するステップを有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
データ転送を抑制するステップは、前記第２のページバッファソースからレディ信号を受信するステップを有する、請求項２に記載の方法。
【請求項１１】
前記第２のページバッファソースからのリード信号が受信され且つ前記第２のページバッファソースが延期状態に設定された後に、前記第２のページバッファソースへのデータ転送コマンドの発行を抑制するステップ、を更に有する請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
待つステップは、前記データバッファに格納された前記第１のページバッファソースのデータを出力するステップを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
データを転送するステップは、前記データバッファが前記第１のページバッファソースのデータを出力し終えた後に、前記第２のページバッファソースへデータ転送コマンドを発行するステップを有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
データ転送を抑制するステップは、レディ信号が受信されたとき、前記第２のページバッファソースに対して延期状態を設定するステップを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
延期状態を設定するステップは、前記第２のページバッファソースに対応する延期状態レジスタを延期状態に設定するステップを有する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
第１のページバッファソース及び第２のページバッファソースからリードデータを受信するブリッジ装置であって、
前記第１のページバッファソースからの第１のリードデータ及び前記第２のページバッファソースからの第２のリードデータを受信するための所定の大きさを有するデータバッファであって、前記第１のリードデータ及び前記第２のリードデータは、前記所定の大きさである、データバッファ、
前記第１のページバッファソースが前記第１のリードデータを供給する準備ができていることの検出に応答して、第１のリード転送信号を生成し、少なくとも前記第１のページバッファが前記第１のリードデータを供給する準備ができているときに前記第２のページバッファソースが前記第２のリードデータを供給する準備ができたとき、第２のリード転送信号の生成を抑制する、アービトレータ回路、
前記第１のページバッファソースから前記データバッファへ前記第１のリードデータを転送するために、前記第１のリード転送信号に応答して、前記第１のページバッファソースへデータ転送コマンドを発行する制御部、
を有するブリッジ装置。
【請求項１７】
前記第１のページバッファソースは第１のメモリ素子であり、前記第２のページバッファソースは第２のメモリ素子である、請求項１６に記載のブリッジ装置。
【請求項１８】
前記アービトレータ回路は、前記第１のメモリ素子が前記第１のリードデータを供給する準備ができていることを示す第１のＲｅａｄｙ／Ｂｕｓｙ信号の遷移を前記第１のメモリ素子から受信し、前記第１のＲｅａｄｙ／Ｂｕｓｙ信号の遷移の後に、第２のＲｅａｄｙ／Ｂｕｓｙ信号の遷移を前記第２のページバッファソースから受信する、請求項１７に記載のブリッジ装置。
【請求項１９】
前記第１のページバッファソースはメモリ素子の第１のプレーンであり、前記第２のページバッファソースは前記メモリ素子の第２のプレーンである、請求項１６に記載のブリッジ装置。
【請求項２０】
前記アービトレータ回路は、前記第１のプレーン及び前記第２のプレーンが前記第１のリードデータ及び前記第２のリードデータを供給する準備ができていることを示すＲｅａｄｙ／Ｂｕｓｙ信号を前記メモリ素子から受信する、請求項１９に記載のブリッジ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月7日(2014.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オンラインビデオと関連したデジタルコンテンツを特定する方法であって、
オンラインビデオから、テキスト特徴、視覚的特徴、または音声的特徴のうち少なくとも1つかを含む一組の特徴を抽出するステップと、
前記一組の特徴に基づいて一組の追加情報を決定するステップと、
前記一組の追加情報内の、前記一組の特徴中の第１の特徴に関連する第１のデジタルコンテンツを特定するステップと、
前記一組の追加情報内の、前記一組の特徴中の第２の特徴に関連する第２のデジタルコンテンツを特定するステップと、
前記第１のデジタルコンテンツと第２のデジタルコンテンツを、前記第１のデジタルコンテンツと第２のデジタルコンテンツの提示をするビデオに集約するステップと
を有する方法。
【請求項２】
前記ビデオ内に前記第１のデジタルコンテンツと第２のデジタルコンテンツとを順次的に提示するステップを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ビデオ内に前記第１のデジタルコンテンツと第２のデジタルコンテンツとを同時に提示するステップを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
一組の特徴を抽出するステップは、
前記オンラインビデオの当初の放送コンテンツを特定するステップと、
前記当初の放送コンテンツから前記一組の特徴を抽出するステップとを有する、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
一組の特徴を抽出するステップは、
前記オンラインビデオ内に埋め込まれた販売促進コンテンツを特定するステップと、
前記販売促進コンテンツから前記一組の特徴を抽出するステップとを有する、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記一組の特徴を抽出するステップは、
ＯＣＲテキスト認識技術を用いてテキスト特徴を抽出するステップ、または
スケール不変特徴変換を用いてビジュアル特徴を抽出するステップ
のうち少なくとも一方を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
一組の追加情報を決定するステップは、前記一組の特徴を用いてデータベースに対してマルチモーダル関係性マッチングアルゴリズムを実行して、前記一組の追加情報を決定するステップを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１コンテンツタイプによりフォーマットされた第１のデジタルコンテンツと、前記第１のコンテンツタイプとは異なる前記第２コンテンツタイプによりフォーマットされた第２のデジタルコンテンツとを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
一組の特徴を抽出するステップは、
前記オンラインビデオを一または複数のセグメントに解析する、一セグメントは一連のフレームを含むステップと、
各セグメントについて、セグメントの一連のフレームを表す一または複数のキーフレームを抽出するステップと、
各セグメントの一または複数のキーフレームから前記一組の特徴を抽出するステップとを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
オンラインビデオと関連したデジタルコンテンツを特定するシステムであって、
オンラインビデオから、テキスト特徴、視覚的特徴、または音声的特徴のうち少なくとも1つかを含む一組の特徴を抽出するように構成された特徴抽出コンポーネントと、
前記一組の特徴に基づいて一組の追加情報を決定し、
前記一組の追加情報内の、前記一組の特徴中の第１の特徴に関連する第１のデジタルコンテンツを特定し、
前記一組の追加情報内の、前記一組の特徴中の第２の特徴に関連する第２のデジタルコンテンツを特定し、
前記第１のデジタルコンテンツと第２のデジタルコンテンツを、前記第１のデジタルコンテンツと第２のデジタルコンテンツの提示をするビデオに集約する、前記特徴抽出コンポーネントまたは前記情報抽出コンポーネントの少なくとも一方の少なくとも一部は、少なくとも部分的に処理ユニットを介してインプリメントされるように構成された情報抽出コンポーネントと
を有する、システム。
【請求項１１】
前記ビデオ内に前記第１のデジタルコンテンツと第２のデジタルコンテンツとを順次的に提示するように構成されたプレゼンテーションコンポーネントを有する、
請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記特徴抽出コンポーネントは、
前記オンラインビデオ内に埋め込まれた販売促進コンテンツを特定し、
前記販売促進コンテンツから前記一組の特徴を抽出するように構成されている、
請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
前記オンラインビデオを一または複数のセグメントに解析する、一セグメントは一連のフレームを含み、
各セグメントについて、セグメントの一連のフレームを表す一または複数のキーフレームを抽出するように構成された解析コンポーネントを有する、
請求項１０に記載のシステム。
【請求項１４】
前記情報抽出コンポーネントは、前記一組の特徴を用いてデータベースに対してマルチモーダル関係性マッチングアルゴリズムを実行して、前記一組の追加情報を決定する、
請求項１０に記載のシステム。
【請求項１５】
プロセッサにより実行されたとき、前記プロセッサにオンラインビデオに関連するデジタルコンテンツを特定する方法を実行させるコンピュータプログラムであって、前記方法は、
オンラインビデオから、テキスト特徴、視覚的特徴、または音声的特徴のうち少なくとも1つかを含む一組の特徴を抽出するステップと、
前記一組の特徴に基づいて一組の追加情報を決定するステップと、
前記一組の追加情報内の、前記一組の特徴中の第１の特徴に関連する第１のデジタルコンテンツを特定するステップと、
前記一組の追加情報内の、前記一組の特徴中の第２の特徴に関連する第２のデジタルコンテンツを特定するステップと、
前記第１のデジタルコンテンツと第２のデジタルコンテンツを、前記第１のデジタルコンテンツと第２のデジタルコンテンツの提示をするビデオに集約するステップとを有するコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月2日(2014.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報を記憶するための複数のセクタを有するエミュレーションメモリ、および制御手段を有するシステムにおける方法であって、
使用されるアドレスの数を前記エミュレーションメモリの所定のアドレス範囲内の有効レコードの数で除算する計算を行って分数を算出すること、
前記エミュレーションメモリの現在使用されている空間内の情報を記憶するために使用されていない残りのアドレスの量を計算すること、
計算された前記分数が第１の所定の数よりも大きいか否かを判定し、かつ前記残りのアドレスの量が第２の所定の数よりも大きいか否かを判定すること、
前記分数が前記第１の所定の数よりも大きく、かつ前記残りのアドレスの量が前記第２の所定の数よりも大きい場合には、前記エミュレーションメモリの前記現在使用されている空間を使用して任意の後続の更新要求に応答し、前記分数が前記第１の所定の数よりも小さいか、又は前記残りのアドレスの量が前記第２の所定の数よりも小さい場合は前記エミュレーションメモリの圧縮が必要であると判断し、有効データを前記エミュレーションメモリの利用可能なセクタにコピーすることを備える、方法。
【請求項２】
前記エミュレーションメモリの前記複数のセクタを２つのセクタとして実装することであって、前記２つのセクタのうちの第１のセクタは、利用されているアドレス指定済みの空間から成る第１の部分および残りのアドレスから成る第２の部分を有する、前記エミュレーションメモリの前記現在使用されている空間であり、前記２つのセクタのうちの第２のセクタは空の記憶空間である、前記実装することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
多重セクタによって、前記エミュレーションメモリの前記複数のセクタを実装することであって、前記エミュレーションメモリの第１の部分はデータを保持していない複数のセクタを有し、前記エミュレーションメモリの前記複数のセクタのうちの１つまたは複数は前記エミュレーションメモリの前記現在使用されている空間として割り当てられ、前記現在使用されている空間の一部は、情報を記憶するために使用されていない前記残りのアドレスの量である、前記実装することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の所定の数を、現在情報を記憶していない前記エミュレーションメモリの前記現在使用されている空間内の前記残りの有効アドレスの量の関数である数として決定することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の所定の数を、前記計算された分数の関数である数として決定することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記エミュレーションメモリ内のレコードの更新を求める要求に応答して前記使用されるアドレスの数を前記有効レコードの数で除算する計算を行うとともに、前記残りのアドレスの量を計算することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
さらに、前記圧縮が、前記複数のセクタのうちの最も古いフルセクタを消去すること、および、前記消去に続いて有効情報を前記最も古いフルセクタにコピーすることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
システムであって、
情報を順次記憶するための複数のセクタを有するエミュレーションメモリと、
前記エミュレーションメモリに結合されるメモリコントローラとを備え、
前記メモリコントローラは、
使用されるアドレスの数を前記エミュレーションメモリの所定のアドレス範囲内の有効レコードの数で除算する計算を行って分数を算出し、
前記エミュレーションメモリの現在使用されている空間内の情報を記憶するために使用されていない残りのアドレスの量を計算し、
計算された分数の割合が第１の所定の数よりも大きいか否かを判定し、
前記残りのアドレスの量が第２の所定の数よりも大きいか否かを判定し、
前記分数の割合が前記第１の所定の数よりも大きく、かつ前記残りのアドレスの量が前記第２の所定の数よりも大きい場合には、前記メモリコントローラは、前記エミュレーションメモリの前記現在使用されている空間を使用して任意の後続の更新要求に応答し、
前記分数の割合が前記第１の所定の数よりも小さいか、または前記残りのアドレスの量が前記第２の所定の数よりも小さい場合には、前記メモリコントローラは、前記エミュレーションメモリの圧縮が必要であると判断し、有効データを前記エミュレーションメモリの利用可能なセクタにコピーする、システム。
【請求項９】
前記エミュレーションメモリはさらに２つのセクタを含み、
前記２つのセクタのうちの第１のセクタは、利用されているアドレス指定済みの空間から成る第１の部分および残りのアドレスから成る第２の部分を有する、前記エミュレーションメモリの前記現在使用されている空間であり、
前記２つのセクタのうちの第２のセクタは空の記憶空間である、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記エミュレーションメモリは多重セクタをさらに含み、
前記エミュレーションメモリの第１の部分はデータを保持していない複数のセクタを有し、
前記エミュレーションメモリの前記複数のセクタのうちの１つまたは複数のセクタは前記エミュレーションメモリの前記現在使用されている空間として割り当てられ、
前記現在使用されている空間の一部は、情報を記憶するために使用されていない前記残りのアドレスの量である、請求項８に記載のシステム。
【請求項１１】
前記メモリコントローラは、前記第１の所定の数を、現在情報を記憶していない前記エミュレーションメモリの前記現在使用されている空間内の前記残りの有効アドレスの量の関数である数として決定する、請求項８に記載のシステム。
【請求項１２】
前記メモリコントローラは、前記第２の所定の数を、前記分数の割合の関数である数として決定する、請求項８に記載のシステム。
【請求項１３】
前記メモリコントローラは、前記エミュレーションメモリ内のレコードの更新を求める要求に応答して前記計算を実行する、請求項８に記載のシステム。
【請求項１４】
前記メモリコントローラは、前記圧縮を、前記複数のセクタのうちの最も古いフルセクタを消去すること、および、前記消去に続いて有効情報を前記最も古いフルセクタにコピーすることによって実行する、請求項８に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月4日(2014.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
面を有する基材と、
前記基材の前記面の上に配置される、金属導電性トレースのタッチ感知パターンと、
前記基材の同一面の上に配置される、金属導電体を備える第１受動回路要素と、
を備え、
前記第１受動回路要素が、金属トレースを備える相互嵌合型コンデンサを備え、
金属導電性トレースの前記タッチ感知パターンの厚さ及び前記第１受動回路要素の前記金属導電体の厚さが、実質的に同一である、静電容量センサ。