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【手続補正書】
【提出日】平成23年12月22日(2011.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
現場でゴム引きされる３＋Ｎ構造の２つの層（Ｃｉ，Ｃｅ）から成る金属コードであって、ピッチｐ1で螺旋の状態に一緒に巻かれる直径ｄ1の３本のコアワイヤで作られた内側層（Ｃｉ）と、ピッチｐ2で螺旋の状態に前記内側層（Ｃｉ）に一緒に巻き付けられる直径ｄ2のＮ（Ｎ＝６〜１２）本のコアワイヤで作られた外側層（Ｃｅ）とを有する金属コードにおいて、前記金属コードは、以下の特徴（ｄ1、ｄ2、ｐ1、ｐ2の単位は、ｍｍである）を有する、即ち
０．２０＜ｄ1＜０．５０、
０．２０＜ｄ2＜０．５０、
ｐ1／ｐ2≦１、
５＜ｐ1＜３０、
１０＜ｐ2＜３０、
前記内側層は、「充填ゴム」と呼ばれるジエンゴムコンパウンドで被覆され、前記充填ゴムは、少なくとも２ｃｍのコードの任意の長さ分に関し、前記コアワイヤにより形成された中央チャネル中及び前記３本のコアワイヤと前記外側層（Ｃｅ）の前記Ｎ本のワイヤとの間に位置する隙間の各々の中に存在し、
前記充填ゴムの含有量は、コード１ｇ当たり５〜３０ｍｇである、
ことを特徴とするコード。
【請求項２】
前記充填ゴムの前記ジエンエラストマーは、ポリブタジエン、天然ゴム、合成ポリイソプレン、ブタジエンコポリマー、イソプレンコポリマー、及びこれらエラストマーの配合物から成る群から選択される、
請求項１記載のコード。
【請求項３】
前記ジエンエラストマーが天然ゴムである、
請求項２記載のコード。
【請求項４】
以下の関係式（ｄ1，ｄ2の単位はｍｍである）、即ち
０．２３≦ｄ1≦０．４０、
０．２３≦ｄ2≦０．４０
が満足される、
請求項１に記載のコード。
【請求項５】
以下の関係式、即ち
０．５≦ｐ1／ｐ2≦１
が満足される、
請求項１に記載のコード。
【請求項６】
ｐ1＝ｐ2である、
請求項１に記載のコード。
【請求項７】
ｐ2が１２〜２５ｍｍである、
請求項６記載のコード。
【請求項８】
前記外側層（Ｃｅ）の前記ワイヤは、前記内側層（Ｃｉ）の前記ワイヤと同一のピッチ及び同一の撚り方向で螺旋の状態に巻かれている、
請求項１に記載のコード。
【請求項９】
前記外側層は、飽和層である、請求項１に記載のコード。
【請求項１０】
前記外側層（Ｃｅ）は、８本、９本、又は１０本のワイヤを有する、
請求項１に記載のコード。
【請求項１１】
前記外側層（Ｃｅ）の前記ワイヤは、以下の関係式、即ち
Ｎ＝８の場合、０．７≦（ｄ1／ｄ2）≦１、
Ｎ＝９の場合、０．９≦（ｄ1／ｄ2）≦１．２、
Ｎ＝１０の場合、１．０≦（ｄ1／ｄ2）≦１．３
を満足する、
請求項１０記載のコード。
【請求項１２】
ｄ1＝ｄ2である、
請求項１に記載のコード。
【請求項１３】
前記外側層は、９本のワイヤを有する、請求項１２記載のコード。
【請求項１４】
通気度試験（セクションＩ‐２）において、前記コードは、２ｃｍ3／分未満の平均空気流量を有する、
請求項１に記載のコード。
【請求項１５】
通気度試験（セクションＩ‐２）において、前記コードは、０．２ｃｍ3／分未満の平均空気流量を有する、
請求項１４記載のコード。
【請求項１６】
マルチストランドコードであって、ストランドのうちの少なくとも１本が請求項１に記載のコードであるマルチストランドコード。
【請求項１７】
請求項１に記載のコードを有するタイヤ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月5日(2011.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振器キャビティ長Ｌ0を有し、かつ発振器経路を定める発振器と、
Ｌcombined＝（Ｎ＋ｘ）×Ｌ0（式中、Ｎは整数であり、ｘは０．４と０．６の間の数である。）の場合に、長さＬcombinedを有して前記発振器経路を含む結合光キャビティを確立するために前記発振器に結合された多重通過光増幅器と、
を含むことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記発振器キャビティは、該発振器キャビティの端部を形成する光学系を含み、
前記光学系に結合され、かつ前記発振器キャビティ長を調節するように制御可能な電気起動可能要素、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記増幅器は、前記発振器から第１のビーム経路に沿って進んで実質的に第１の直線偏光を有する光を該増幅器に入力し、かつ第２のビーム経路に沿って該増幅器から該第１の偏光と直交する実質的な直線偏光を有する光を出力する偏光識別光学系を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記発振器は、発振器出力光学系を含み、前記増幅器は、増幅器入力光学系を含み、
前記発振器出力光学系と前記増幅器入力光学系の間のビーム経路長を調節する少なくとも１つの移動可能な光学系、
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記発振器は、キャビティダンプ式発振器を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
波長λ1を有する第１の出力ビームを生成する第１のレーザ源と、
λ1≠λ2の場合に波長λ2を有する第２の出力ビームを生成する第２のレーザ源と、
λ1及びλ2を含む利得帯域を有する増幅器と、
第１の直線偏光を有する光を実質的に透過し、かつ該第１の偏光と直交する直線偏光を有する光の透過を実質的に阻止する偏光識別光学系を有する光アイソレータと、
波長λ1を有する光に対しては透過反射比ＴＲＲ1、及び波長λ2を有する光に対してはＴＲＲ1＞ＴＲＲ2として透過反射比ＴＲＲ2を有し、かつ前記第１の出力ビーム及び第２の出力ビームを前記増幅器を通る共通のビーム経路上に結合する結合光学系と、
を含むことを特徴とする装置。
【請求項７】
前記第１のレーザ源は、９．３μｍの波長λ1を有する第１の出力ビームを生成するＣＯ2を含む利得媒体を有し、前記第２のレーザ源は、１０．６μｍの波長λ2を有する第２の出力ビームを生成するＣＯ2を含む利得媒体を有することを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記光アイソレータは、４５度位相リターデーション光学系及び直線偏光フィルタを含むことを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記増幅器は、共通ビーム経路に沿って位置決めされた複数の増幅チャンバを含み、前記結合光学系は、該共通ビーム経路上の２つの増幅チャンバの間に位置決めされることを特徴とする請求項６に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月18日(2011.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）式（Ｉ）の低分子半導体
【化１】
2011508967.tif 000001
（式中、
それぞれのＲ１は独立して、アルキル、アルコキシ、チオアルキル、ヒドロキシアルキル、ヘテロアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、アラルキル、ハロ、ハロアルキル、トリアルキルシリル、チエニル、ホルミル、アシル、アルコキシカルボニル、カルボキシ、アミノカルボニル、アミノスルホニル、又はこれらの組み合わせであり、
それぞれのｎは独立して、０、１、２、又は３に相当する整数であり、及び
それぞれのＲ２は独立して、アルキル、アルコキシ、アルケニル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアルキル、ヘテロアラルキル、又はヒドロキシアルキルである）、
（ｂ）絶縁ポリマー、並びに
（ｃ）有機溶媒、
を含むコーティング組成物であって、
式（Ｉ）の低分子半導体及び前記絶縁ポリマーがそれぞれ、前記コーティング組成物の総重量を基準として、少なくとも０．１重量％の溶解度を有する、
コーティング組成物。
【請求項２】
（ａ）式（Ｉ）の低分子半導体
【化２】
2011508967.tif 000002
（式中、
それぞれのＲ１は独立して、アルキル、アルコキシ、チオアルキル、ヒドロキシアルキル、ヘテロアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、アラルキル、ハロ、ハロアルキル、トリアルキルシリル、チエニル、ホルミル、アシル、アルコキシカルボニル、カルボキシ、アミノカルボニル、アミノスルホニル、又はこれらの組み合わせであり、
それぞれのｎは独立して、０、１、２、又は３に相当する整数であり、及び
それぞれのＲ２は独立して、水素、アルキル、アルコキシ、アルケニル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアルキル、ヘテロアラルキル、又はヒドロキシアルキルである）、並びに
（ｂ）絶縁ポリマー、
を含む半導体層を含む半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月16日(2011.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセスチャンバ内でシリコン含有基板を処理するためのプロセスであって、
前記基板の表面の少なくとも一部分上にドーパントの層を堆積させるステップ、
前記ドーパント層の少なくとも一部分の上にキャッピング層を形成するステップ、
前記基板を熱処理して、前記ドーパントを前記基板内に拡散させ、前記ドーパントを活性化させるステップ、
前記プロセスチャンバに反応性エッチャントを供給するステップ、
前記ドーパント層から前記キャッピング層を除去するステップ、
前記エッチャントをドーパントと反応させることによって、１種または複数種の揮発性化合物を形成するステップであって、前記１種または複数種の揮発性化合物が、アルシン（ＡｓＨ３）、ホスフィン（ＰＨ３）、ボラン（ＢＨ３）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）、ボラジン（Ｂ３Ｈ６Ｎ３）、またはそれらの組合せおよび誘導体を含むステップ、および
前記プロセスチャンバから前記１種または複数種の揮発性化合物を除去するステップ
を含むプロセス。
【請求項２】
前記ドーパントが、ホウ素（Ｂ）、ヒ素（Ａｓ）、リン（Ｐ）、またはそれらの組合せを含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記キャッピング層が、シリコン、酸素、炭素、窒素、金属、またはそれらの組合せを含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項４】
前記エッチャントが、三フッ化窒素（ＮＦ３）、四フッ化ケイ素（ＳｉＦ４）、またはそれらの組合せを含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項５】
前記キャッピング層が反射防止膜である、請求項１に記載のプロセス。
【請求項６】
前記反応性エッチャントのプラズマを形成するステップをさらに含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項７】
前記プラズマが遠隔プラズマである、請求項６に記載のプロセス。
【請求項８】
前記プラズマが誘電結合されたものである、請求項６に記載のプロセス。
【請求項９】
前記反応性エッチャントが、水素（Ｈ２）、窒素（Ｎ２）、酸素（Ｏ２）、アンモニア（ＮＨ３）、三フッ化窒素（ＮＦ３）、四フッ化ケイ素（ＳｉＦ４）、空気、またはそれらの組合せを含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１０】
前記１種または複数種の揮発性化合物を形成するステップの間、前記基板が、前記１種または複数種の揮発性化合物の前記基板からの蒸発を促進するように選択された第１の温度に熱制御される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１１】
前記第１の温度が少なくとも約５０度である、請求項１０に記載のプロセス。
【請求項１２】
ドーパントを前記基板内に拡散させ且つ前記ドーパントを活性化させるための前記基板の熱処理が、前記第１の温度と異なる第２の温度で行われる、請求項１０に記載のプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月19日(2011.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の一次コイル及び第２の一次コイルを含む、電力を伝送するための一次コイルと、
前記一次コイルと共に、電磁相互作用によって、前記電力を伝送するための二次コイルとを有する電力伝送装置であって、 
前記二次コイルが、前記第１の一次コイルと、前記第２の一次コイルとの間に位置付けられ、前記第１の一次コイル及び前記第２の一次コイルが、前記第１の一次コイル及び前記第２の一次コイルが前記二次コイルに誘導する磁界の方向にばらつきがないようにするよう構成される電力伝送装置。 
【請求項２】
前記第１の一次コイル及び前記第２の一次コイル並びに前記二次コイルが、同心状に配設される請求項１に記載の電力伝送装置。
【請求項３】
前記第１の一次コイル及び前記第２の一次コイル並びに前記二次コイルが、環状である請求項２に記載の電力伝送装置。
【請求項４】
前記第１の一次コイル及び前記第２の一次コイルにおけるコイル層の数が、６層以下である請求項１に記載の電力伝送装置。
【請求項５】
前記第１の一次コイル及び前記第２の一次コイルにおけるコイル層の数が、３層である請求項３に記載の電力伝送装置。
【請求項６】
第１の一次コイル及び第２の一次コイルを有する、電力を伝送するための装置であって、前記装置が、二次コイルと共に、電力を伝送するよう構成され、前記二次コイルが、前記第１のコイルと、前記第２のコイルとの間に位置付けられ、前記第１の一次コイル及び前記第２の一次コイルが、前記第１の一次コイル及び前記第２の一次コイルが前記二次コイルに誘導する磁界の方向にばらつきがないようにするよう構成される装置。
【請求項７】
前記第１の一次コイル及び前記第２の一次コイル並びに前記二次コイルが、環状であり、同心状に配設される請求項６に記載の装置。
【請求項８】
電力を伝送するための装置であって、前記装置が、二次コイルを有し、前記二次コイルが、第１の一次コイル及び第２の一次コイルと共に、前記電力を伝送するよう構成され、前記二次コイルが、前記第１の一次コイルと、前記第２の一次コイルとの間に位置付けられ、前記第１の一次コイル及び前記第２の一次コイルが、前記第１の一次コイル及び前記第２の一次コイルが前記二次コイルに誘導する磁界の方向にばらつきがないようにするよう構成される装置。
【請求項９】
前記第１の一次コイル及び前記第２の一次コイル並びに前記二次コイルが、環状であり、同心状に配設される請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
請求項５又は７に記載の装置を含む電子歯ブラシの充電器。
【請求項１１】
請求項５又は７に記載の装置を含む電子歯ブラシのハンドセット。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月17日(2011.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の物体と第２の物体との間に動作可能なように配置するための相互接続構造であって、
（ａ）前記第１の物体と動作可能なように並置するための第１の表面と、
（ｂ）前記第２の物体と動作可能なように並置するための第２の表面と、
（ｃ）前記第１の表面と前記第２の表面との間に厚さ方向に沿って画定された厚さ寸法部分と、
（ｄ）少なくとも約０．５Ｗ／ｍ・Ｋの熱伝導率を有する第１の材料と、
（ｅ）約１０，０００Ω未満の電気抵抗を有する第２の材料であって、１つ又は複数の異なる構造内に形成され、前記構造は前記厚さ寸法部分を通る前記第２の材料の少なくとも１つの実質的に連続的な経路を形成する、第２の材料とを有し、
前記第１の材料と前記構造は、６８９．５ｋＰａ（約１００ｐｓｉ）未満の前記厚さ方向に沿った圧縮率をそれぞれ有する前記相互接続構造を有する、相互接続構造。
【請求項２】
前記第１の物体は、熱発生要素である請求項１に記載の相互接続構造。
【請求項３】
前記第２の物体は、ヒート・シンクである請求項１に記載の相互接続構造。
【請求項４】
前記第１の材料は、ポリマー・マトリクスである請求項１に記載の相互接続構造。
【請求項５】
前記ポリマー・マトリクスは、約５重量％から約９５重量％までの熱伝導性粒子状物質を充填されている請求項４に記載の相互接続構造。
【請求項６】
前記熱伝導性粒子状物質は、アルミナ、アルミナ窒化物、窒化ホウ素、グラファイト、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される請求項５に記載の相互接続構造。
【請求項７】
前記熱伝導性微粒子状物質は、約１から２００μｍまでの平均粒子サイズ範囲を有する請求項５に記載の相互接続構造。
【請求項８】
前記第１の材料の少なくとも一部は、前記厚さ寸法部分を通って連続的に配設される請求項１に記載の相互接続構造。
【請求項９】
前記厚さ寸法部分を通ってそれぞれ連続的に延在する複数の前記構造を備える請求項１に記載の相互接続構造。
【請求項１０】
前記構造は、互いに実質的に平行であり、相隔てて相互配置される請求項９に記載の相互接続構造。
【請求項１１】
前記第１の材料は、前記構造を分離する請求項１０に記載の相互接続構造。
【請求項１２】
第１の物体から第２の物体へ熱エネルギー及び電気エネルギーを伝達するための方法であって、
（ａ）相互接続構造であって、
（ｉ）第１の表面、第２の表面、及び前記第１の表面と前記第２の表面との間に厚さ方向に沿って画定された厚さ寸法部分と、
（ｉｉ）少なくとも約０．５Ｗ／ｍ・Ｋの熱伝導率を有する第１の材料と、
（ｉｉｉ）約１０，０００Ω未満の電気抵抗を有する第２の材料であって、１つ又は複数の異なる構造内に形成され、前記構造は前記厚さ寸法部分を通る前記第２の材料の少なくとも１つの実質的に連続的な経路を形成する、第２の材料とを有し、
前記第１の材料と前記構造は、６８９．５ｋＰａ（約１００ｐｓｉ）未満の前記厚さ方向に沿った圧縮率をそれぞれ有する前記相互接続構造を有する、
相互接続構造を形成することと、
（ｂ）前記第１の物体と第２の物体との間に、前記第１の表面が前記第１の物体と熱的及び電気的に接触し、前記第２の表面が前記第２の物体と熱的及び電気的に接触するように前記相互接続構造を位置決めすることとを含む方法。
【請求項１３】
第１の物体は、熱発生要素である請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２の物体は、ヒート・シンクである請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の材料は、ポリマー・マトリクスである請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記ポリマー・マトリクスは、約５重量％から約９５重量％までの熱伝導性粒子状物質を充填されている請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１の材料の少なくとも一部は、前記厚さ寸法部分を通って連続的に配設される請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記厚さ寸法部分を通ってそれぞれ連続的に延在する複数の前記構造を備える請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
前記構造は、互いに実質的に平行である請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１の材料は、前記構造を分離する請求項１９に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年11月29日(2011.11.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１７】
レンズ形成材料が、型内で化学線により架橋及び／又は重合してポリマーマトリックスを有するコンタクトレンズを形成し、リン脂質が、型と型内の流体組成物との境界面に移動して、所望の時間内に平均型分離力を低減するのに十分な厚さを有する無損傷の界面膜を形成し、リン脂質が、リン脂質を含まないものと比較して平均型分離力を少なくとも約４０％低減するのに十分な量存在する、レンズ形成材料及びリン脂質を含む、コンタクトレンズを製造するための流体組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月12日(2011.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受像部材上に隆起したマルチカラー画像の電子写真印刷におけるフューザオフセットラチチュードを改善する方法であって、
前記受像部材上にクリアオーバーコートトナーのカバレッジが１００％の隆起エリアを有する第１のマルチカラートナー画像を形成する段階と、
カラートナーのレイヤを有し非隆起エリアを有する第２のマルチカラー画像を形成する段階であって、前記非隆起エリアは非隆起マスレイダウン（ＮＲＭＬ；ｍｇ／ｃｍ２）を有する段階と、
フューザ温度とニップ幅とを含むＮＲＭＬベースの要因の関数として、前記非隆起エリアのクリアオーバーコートマスレイダウン（ＯＭＬ；ｍｇ／ｃｍ２）の量を決定し、トータルマスレイダウン（ＴＭＬ）を超えずに前記フューザラチチュードを最適化する段階と、
隆起エリアと非隆起エリアとを有する前記第１と第２のマルチカラートナー画像を結合し、トナーを適宜デポジションする段階と、
隆起エリアの前記最大トータルマスレイダウン（TML）と、前記ニップ幅とにより決まる融解温度で前記クリアトナーオーバーコートと前記マルチカラートナー画像とを融解して、フューザオフセットラチチュードを最適化しつつ前記受像部材への融着をよくする段階とを有する
【請求項２】
受像部材の特性に基づき、一般的なカラープロファイルを用いて、前記受像部材上の異なる画素位置における前記色の組み合わせによりマルチカラー隆起画像を形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
カラーマスレイダウンは融解していないトナーの高さに直接関わる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記形成する段階はさらに、カラートナーのレイヤを有するエリアの上にカバレッジが１００％のクリアオーバーコートトナーを有する隆起エリアを有するマルチカラートナー画像を形成する段階を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
受像部材上に隆起したマルチカラー画像の電子写真印刷におけるフューザオフセットラチチュードを改善する方法であって、
各々カラーマスレイダウンを有する少なくとも異なる３つの色のトナー色素のトナーで受像部材上にマルチカラートナー画像を形成する段階と、
フューザオフセットラチチュードを最適化するカラーマスレイダウンの合計に直接比例する関数を決定する段階と、
マルチカラートナー画像上にクリアマスレイダウンを有するクリアトナーオーバーコートを形成する段階であって、クリアマスレイダウンは合計の関数により制御される段階と、
１つのカラーマスレイダウンとクリアマスレイダウンとニップ幅とのうち１つ以上により決まる融解温度でトナーオーバーコートとマルチカラートナー画像とを融解して、フューザオフセットラチチュードを最適化しつつ受像部材への融着をよくする段階とを有する方法。
【請求項６】
受像部材上に隆起したマルチカラー画像の電子写真印刷におけるフューザオフセットラチチュードを改善する方法であって、
各々カラーマスレイダウンを有する少なくとも異なる３つの色のトナー色素のトナーで受像部材上にマルチカラートナー画像を形成する段階と、
カラーシフトを制御するカラーマスレイダウンの合計に直接比例する関数を決定する段階と、
マルチカラートナー画像上にクリアマスレイダウンを有するクリアトナーオーバーコートを形成する段階であって、クリアマスレイダウンは合計の関数により制御される段階と、
１つのカラーマスレイダウンとクリアマスレイダウンとニップ幅とのうち１つ以上により決まる融解温度でトナーオーバーコートとマルチカラートナー画像とを融解して、前記マルチカラートナー画像の全てのエリアでカラーシフトを最小化する段階とを有する方法。
【請求項７】
受像部材の特性に基づき、一般的なカラープロファイルを用いて、前記受像部材上の異なる画素位置における前記色の組み合わせによりマルチカラー隆起画像を形成する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
受像部材上に隆起したマルチカラー画像の電子写真印刷（ＥＰ）におけるフューザオフセットラチチュードを最適化する方法であって、
隆起エリアに対する隆起画像データ部分と、非隆起エリアに対する非隆起画像データ部分とを有する画像データファイルを生成する段階と、
ＥＰプリンタに画像データファイルを送信する段階と、
画像データファイルを処理して、隆起エリアと非隆起エリアとを区別する段階と、
非隆起エリアのカラー画像トナー（ＣＭＹＫ）レイダウンの合計として、画素ごとに、ＮＲＭＬすなわち非隆起マスレイダウン（ＮＲＭＬ；ｍｇ／ｃｍ２）を計算する段階と、
ＮＲＭＬすなわち非隆起マスレイダウン（ＮＲＭＬ；ｍｇ／ｃｍ２）に対して、画素ごとに、非隆起エリアのクリアオーバーコートマスレイダウンの量を決定する段階と、
隆起画像データ部分と非隆起画像データ部分とを結合して最終画像データファイルを生成する段階と、
トナーのデポジションを含む、最終画像データファイルを印刷する段階とを有する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月17日(2011.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウォーターマークの出現を抑制するように半導体基板の疎水性表面を洗浄し準備する方法であって、前記半導体基板が、エピタキシャル成長のためのベース基板として使用するのに適したものであり、
（ａ）３未満のｐＫａを有する強酸に加えてフッ化水素酸（ＨＦ）を含有する水溶液であって、前記水溶液中で使用される前記強酸の重量濃度がフッ化水素酸（ＨＦ）の重量濃度よりも低い、前記水溶液により前記基板を洗浄するステップと、
（ｂ）リンスの実施中に、前記基板に超音波を当てながら脱イオン水により前記基板をリンスするステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
ステップ（ａ）の後でステップ（ｂ）の前に、別のステップ（ｂ０）において、前記基板は、超音波を適用せずに脱イオン水によりリンスされることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記リンスステップ（ｂ）に続いて、前記基板は、ステップ（ｃ）において乾燥されることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
適用される超音波出力は、最小１００ワットから最大１２００ワットの範囲、好ましくは最小８００ワットから最大１０００ワットの範囲であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
適用される超音波周波数は、最小１ｋＨｚから最大１０ＭＨｚの範囲、好ましくは最小７００ｋＨｚから最大１ＭＨｚの範囲であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
超音波の適用時間は、最小１秒から最大５分の範囲、好ましくは最小１０秒から最大６０秒の範囲であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
ステップ（ａ）の前記水溶液中で使用される前記強酸は、０未満のｐＫａを有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記強酸は、塩酸（ＨＣｌ）、硝酸（ＨＮＯ３）、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）および過塩素酸（ＨＣｌＯ４）からなる群から選択されることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記強酸は、塩酸（ＨＣｌ）であることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
ステップ（ａ）の前記水溶液中で使用される塩酸（ＨＣｌ）の濃度は、０．０１重量％＜［ＨＣｌ］＜３８重量％の範囲、好ましくは０．０１重量％＜［ＨＣｌ］＜５重量％の範囲に含まれることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記基板は、シリコン、歪みシリコン、またはシリコン−ゲルマニウムの表面層を含むことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記基板は、シリコン−ゲルマニウムの表面層を含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
ステップ（ａ）の前記水溶液中で使用されるフッ化水素酸（ＨＦ）の濃度は、重量で０．０５％＜［ＨＦ］＜４９％の範囲、好ましくは重量で０．５％＜［ＨＦ］＜１０％の範囲に含まれることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
ウォーターマークの出現を抑制するように半導体基板の疎水性表面を洗浄し準備する前記方法が、枚葉式ウェハ洗浄装置において実施されることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
基板の表面にエピタキシャル層を付加する方法であって、
（α）請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の方法により、初期に存在する基板の表面層を洗浄し準備する（１つまたは複数の）ステップと、
（β）前記洗浄し準備した表面上でエピタキシャル成長を実施するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１６】
前記基板の前記初期に存在する表面層は、シリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）層または歪みシリコン（ｓＳｉ）層であることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記初期に存在する表面層シリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）層は、ステップ（α）において洗浄される露出表面において、Ｓｉ原子に対するＧｅ原子の百分比として表わして、少なくとも２０％のゲルマニウム濃度を示すことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
ステップ（β）における前記エピタキシャル成長は、歪みシリコン（ｓＳｉ）層またはシリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）層の成長であることを特徴とする請求項１５乃至１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の方法に従って得られることを特徴とする洗浄し準備した基板。
【請求項２０】
請求項１５乃至１８のいずれか一項に記載の方法に従って得られる、洗浄し準備した基板上でのエピタキシャル成長によって得られた表面層を有することを特徴とする基板。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月16日(2011.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部コンタクトを有する第１の半導体素子を設ける工程と、
銅スタッドを前記外部コンタクトの上に、前記スタッドが前記第１の半導体素子の表面上を延在するように形成する工程と、
５重量パーセント未満の銅を有する錫マイクロパッドを得るために、前記銅スタッドを錫溶液に浸漬し、前記溶液内において、前記スタッドの銅の少なくとも９５パーセントを前記錫で置換する工程とを備える、方法。
【請求項２】
外部コンタクトを有する第１の半導体素子を設ける工程と、
銅スタッドを前記外部コンタクトの上に、前記スタッドが前記第１の半導体素子の表面上を延在するように形成する工程と、
５重量パーセント未満の銅を有する錫マイクロパッドを得るために、前記銅スタッドを錫溶液に浸漬し、前記溶液内において、前記スタッドの銅の少なくとも９５パーセントを前記錫で置換する工程と、
パッシベーション層を前記第１の半導体素子の上部表面に、開口部を前記外部コンタクトの上に有するように形成する工程とを備える、方法。
【請求項３】
外部コンタクトを有する第１の半導体素子を設ける工程と、
銅スタッドを前記外部コンタクトの上に、前記スタッドが前記第１の半導体素子の表面上を延在するように形成する工程と、
５重量パーセント未満の銅を有する錫マイクロパッドを得るために、前記銅スタッドを錫溶液に浸漬し、前記溶液内において、前記スタッドの銅の少なくとも９５パーセントを前記錫で置換する工程と、
スタッドを形成する前記工程の前に、バリア層を前記外部コンタクトの上に形成する工程とを備える、方法。
【請求項４】
外部コンタクトから第１の半導体素子の表面上を延在する銅スタッドを有する第１の半導体素子を提供する工程と、
前記銅スタッドを、５重量パーセント未満の銅を含む錫マイクロパッドに、前記銅スタッドを、６０℃〜８５℃の温度範囲に収まる錫塩溶液浴に浸漬することにより変化させる工程とを備える方法。
【請求項５】
表面、及び部分的に露出するコンタクトを有するとともに前記コンタクトのうちの露出する部分に前記表面よりも低くなるようにリセスが形成されている第１の半導体素子を設ける工程と、
外部コンタクトから前記半導体素子の表面上を延在する銅スタッドを形成する工程と、
前記銅スタッドを、少なくとも９９重量パーセントの錫を含む錫マイクロパッドに、前記銅スタッドを、６０℃〜８５℃の範囲に収まる温度の錫含有溶液浴に浸漬することにより変化させる工程とを備える、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月5日(2011.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複合不織繊維ウェブであって、
実質的に連続である３次元網状組織を形成する微粒子の集団を含む埋め込まれた相と、
前記微粒子の周囲の３次元網状組織を形成する繊維の集団を含むマトリックス相と、を含む、ウェブ。
【請求項２】
前記微粒子の集団が、吸収剤、吸着剤、活性炭、陰イオン交換樹脂、陽イオン交換樹脂、分子ふるい、又はこれらの組み合わせを含む、請求項１に記載のウェブ。
【請求項３】
前記繊維の集団が配向されている、請求項１に記載のウェブ。
【請求項４】
前記繊維の集団が、１μｍ未満の直径中央値を有し、かつ、任意に、前記繊維の集団が、０．２μｍ〜０．９μｍの範囲の繊維直径中間値を有する、請求項１に記載のウェブ。
【請求項５】
前記繊維の集団が、少なくとも１μｍの直径中央値を有し、かつ、任意に、前記繊維の集団が、２μｍ〜５０μｍの範囲の繊維直径中間値を有する、請求項１に記載のウェブ。
【請求項６】
前記ウェブが厚さを有し、１０％未満のソリディティを呈する、請求項１に記載のウェブ。
【請求項７】
前記繊維の集団が高分子繊維を含み、かつ、任意に、前記高分子繊維が、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリウレタン、ポリブテン、ポリ乳酸、ポリビニールアルコール、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルフォン、液晶ポリマー、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリアクリロニトリル、環状ポリオレフィン、ポリオキシメチレン、ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー、又はこれらの組み合わせを含む、請求項１に記載のウェブ。
【請求項８】
前記微粒子の集団の少なくとも一部分が、別に形成された繊維の少なくとも一部分と結合されている、請求項１に記載のウェブ。
【請求項９】
前記微粒子の周囲に３次元網状組織を形成する前記繊維の集団が、サブマイクロメータファイバーを含み、
前記マトリックス相がマイクロファイバーの集団を更に含み、
前記複合不織繊維ウェブが厚さを有し、前記マイクロファイバーの数に対する前記サブマイクロメータファイバーの数の比率が前記複合不織繊維ウェブの厚さにわたって変化し、かつ、任意に、
前記マイクロファイバーの数に対する前記サブマイクロメータファイバーの数の前記比率が前記複合不織繊維ウェブの厚さにわたって減少する、請求項１に記載のウェブ。
【請求項１０】
支持体層を更に含み、かつ、任意に、前記支持体層が、不織布、織布、ニット織物、発泡体層、フィルム、紙の層、裏面粘着層、又はこれらの組み合わせを含む、請求項１に記載のウェブ。
【請求項１１】
複合不織繊維ウェブの作製方法であって、
ａ．実質的に連続である３次元網状組織にある微粒子の集団を含む埋め込まれた相を形成する工程と、
ｂ．前記微粒子の周囲の３次元網状組織を形成する繊維の集団を含むマトリックス相を形成する工程と、を含む、作製方法。
【請求項１２】
前記微粒子の集団が、吸収剤、吸着剤、活性炭、陰イオン交換樹脂、陽イオン交換樹脂、分子ふるい、又はこれらの組み合わせを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記微粒子の集団の少なくとも一部分が、別に形成された繊維の少なくとも一部分と結合されている、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記微粒子の周囲に３次元網状組織を形成する前記繊維の集団が、サブマイクロメータファイバーを含み、
前記マトリックス相がマイクロファイバーの集団を更に含み、かつ、任意に、
前記マイクロファイバーの集団が前記サブマイクロメータファイバーの集団と別に形成される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１１に記載の方法により調製された複合不織繊維ウェブを含む物品であって、ガス濾過用品、液体濾過用品、音吸収用品、表面洗浄用品、細胞成長支援用品、薬物送達用品、個人衛生用品、及び創傷包帯用品からなる群から選択される、物品。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月27日(2011.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）生分解性アミノカルボキシレートであって、該生分解性アミノカルボキシレートが、エタノールジグリシン二ナトリウム溶液、イミノジコハク酸ナトリウム塩溶液、Ｌ−グルタミン酸溶液、二酢酸四ナトリウム塩溶液、エチレンジアミンジコハク酸三ナトリウム溶液、および３−ヒドロキシ−２、２’−イミノジコハク酸四ナトリウム溶液からなる群から選択される、生分解性アミノカルボキシレートと、
（ｂ）炭酸ナトリウムと、
（ｃ）水と、
を含んで成る、凝固マトリックスであって、
（ｄ）該凝固マトリックスが、水和物の固体であり、
（ｅ）４８．９℃（１２０°Ｆ）の温度で加熱された場合に、該凝固マトリックスが、寸法的に安定であり、そして２％未満の増大指数を有し、そして、
（ｆ）該凝固マトリックスが、リン含有化合物を含まない、凝固マトリックス。
【請求項２】
該生分解性アミノカルボキシレートが、該凝固マトリックスの１ｗｔ％〜２０ｗｔ％を構成する、請求項１に記載の凝固マトリックス。
【請求項３】
該炭酸ナトリウムが、該凝固マトリックスの２０ｗｔ％〜７０ｗｔ％を構成する、請求項１に記載の凝固マトリックス。
【請求項４】
該水が、該凝固マトリックスの２ｗｔ％〜５０ｗｔ％を構成する、請求項１に記載の凝固マトリックス。
【請求項５】
（ａ）固体洗剤組成物の１ｗｔ％〜２０ｗｔ％の生分解性アミノカルボキシレートであって、該生分解性アミノカルボキシレートが、エタノールジグリシン二ナトリウム溶液、イミノジコハク酸ナトリウム塩溶液、Ｌ−グルタミン酸溶液、二酢酸四ナトリウム塩溶液、エチレンジアミンジコハク酸三ナトリウム溶液、および３−ヒドロキシ−２、２’−イミノジコハク酸四ナトリウム溶液からなる群から選択される、生分解性アミノカルボキシレートと、
（ｂ）該固体洗剤組成物の２ｗｔ％〜５０ｗｔ％の水と、
（ｃ）該固体洗剤組成物の４０ｗｔ％未満のビルダーと、
（ｄ）該固体洗剤組成物の２０ｗｔ％〜７０ｗｔ％の炭酸ナトリウムと、
（ｅ）該固体洗剤組成物の０．５ｗｔ％〜１０ｗｔ％の界面活性剤と、
（ｆ）固体洗剤組成物の０．５ｗｔ％未満のリン含有化合物と、
を含んで成り、
（ｇ）４８．９℃（１２０°Ｆ）の温度で加熱された場合に、該固体洗剤組成物が、寸法的に安定であり、そして２％未満の増大指数を有する、固体洗剤組成物。
【請求項６】
該生分解性アミノカルボキシレートが、該固体洗剤組成物の２ｗｔ％〜１８ｗｔ％を構成する、請求項５に記載の固体洗剤組成物。
【請求項７】
該水が、該固体洗剤組成物の２ｗｔ％〜４０ｗｔ％を構成する、請求項５に記載の固体洗剤組成物。
【請求項８】
（ａ）炭酸ナトリウム、水、および生分解性アミノカルボキシレートを含む、凝固マトリックスであって、該生分解性アミノカルボキシレートが、エタノールジグリシン二ナトリウム溶液、イミノジコハク酸ナトリウム塩溶液、Ｌ−グルタミン酸溶液、二酢酸四ナトリウム塩溶液、エチレンジアミンジコハク酸三ナトリウム溶液、および３−ヒドロキシ−２、２’−イミノジコハク酸四ナトリウム溶液からなる群から選択される、凝固マトリックスと、
（ｂ）少なくとも１種の官能性成分と、
を含んで成る、固体ブロック組成物であって、
（ｃ）４８．９℃（１２０°Ｆ）の温度で加熱された場合に、該固体ブロック組成物が、寸法的に安定であり、そして２％未満の増大指数を有し、そして、
（ｄ）該固体ブロック組成物が、リン含有化合物を含まない組成物。
【請求項９】
組成物を凝固させる方法であって、該方法が、
（ａ）該凝固マトリックスを少なくとも１種の機能性材料に加える工程であって、該凝固マトリックスが、炭酸ナトリウム、水、および生分解性アミノカルボキシレート溶液を含んで成り、そして該生分解性アミノカルボキシレートが、エタノールジグリシン二ナトリウム溶液、イミノジコハク酸ナトリウム塩溶液、Ｌ−グルタミン酸溶液、二酢酸四ナトリウム塩溶液、エチレンジアミンジコハク酸三ナトリウム溶液、および３−ヒドロキシ−２、２’−イミノジコハク酸四ナトリウム溶液からなる群から選択される工程と、
（ｂ）該固体ブロック組成物が、リン含有化合物を含まず、そして、
（ｃ）該組成物を、１分〜３時間で凝固させて、４８．９℃（１２０°Ｆ）の温度に曝された場合に、寸法的に安定であり、そして２％未満の増大指数を有する固体組成物を生成させる工程と、
を含む、方法。
【請求項１０】
該組成物が、１分〜２時間で凝固する、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月9日(2011.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）約１、０００〜約１００、０００の分子量を有するポリアクリル酸ポリマー、約１、０００〜約１００、０００の分子量を有する改質されたポリアクリル 酸ポリマー、および約５００〜約５、０００の分子量を有するポリマレイン酸ポリマーからなる群から選択される、ポリカルボン酸ポリマーと、
（ｂ）炭酸ナトリウムと、
（ｃ）水と、
から本質的に成る、凝固マトリックスであって、
（ｄ）該凝固マトリックスが、水和物の固体であり、
（ｅ）４８．９℃（１２０°Ｆ）の温度で加熱された場合に、該凝固マトリックスが、寸法的に安定であり、そして２％未満の増大指数を有し、そして、
（ｆ）該凝固マトリックスが、リン含有化合物を含まない、凝固マトリックス。
【請求項２】
該ポリカルボン酸ポリマーが、該凝固マトリックスの約１ｗｔ％〜約１５ｗｔ％を構成する、請求項１に記載の凝固マトリックス。
【請求項３】
該炭酸ナトリウムが、該凝固マトリックスの約２０ｗｔ％〜約７０ｗｔ％を構成する、請求項１に記載の凝固マトリックス。
【請求項４】
該水が、該凝固マトリックスの約２ｗｔ％〜約５０ｗｔ％を構成する、請求項１に記載の凝固マトリックス。
【請求項５】
（ａ）該固体洗剤組成物の約１ｗｔ％〜約１５ｗｔ％のポリカルボン酸ポリマーと、
（ｂ）該固体洗剤組成物の約２ｗｔ％〜約５０ｗｔ％の水と、
（ｃ）該固体洗剤組成物の約４０ｗｔ％未満のビルダーと、
（ｄ）該固体洗剤組成物の約２０ｗｔ％〜約７０ｗｔ％の炭酸ナトリウムと、
（ｅ）該固体洗剤組成物の約０．５ｗｔ％〜約８ｗｔ％の界面活性剤と、
（ｆ）固体洗剤組成物の０．５ｗｔ％未満のリン含有化合物と、
を含んで成る、固体洗剤組成物であって、
該ポリカルボン酸ポリマーが、約１、０００〜約１００、０００の分子量を有するポリアクリル酸、約１、０００〜約１００、０００の分子量を有する改質され たポリアクリル酸、および約５００〜約５、０００の分子量を有するポリマレイン酸からなる群から選択され、
（ｇ）４８．９℃（１２０°Ｆ）の温度で加熱された場合に、該凝固マトリックスが、寸法的に安定であり、そして２％未満の増大指数を有する、固体洗剤組成物。
【請求項６】
該ポリカルボン酸ポリマーが、該固体洗剤組成物の約５ｗｔ％〜約１０ｗｔ％を構成する、請求項５に記載の固体洗剤組成物。
【請求項７】
該水が、該固体洗剤組成物の約２ｗｔ％〜約３５ｗｔ％を構成する、請求項５に記載の固体洗剤組成物。
【請求項８】
該ビルダーが、該固体洗剤組成物の約２５ｗｔ％未満を構成する、請求項５に記載の固体洗剤組成物。
【請求項９】
該炭酸ナトリウムが、該固体洗剤組成物の約４５ｗｔ％〜約６５ｗｔ％を構成する、請求項５に記載の固体洗剤組成物。
【請求項１０】
該界面活性剤が、該固体洗剤組成物の約１ｗｔ％〜約５ｗｔ％を構成する、請求項５に記載の固体洗剤組成物。
【請求項１１】
組成物を凝固させる方法であって、該方法が、
（ａ）該組成物に、炭酸ナトリウム、水、およびポリカルボン酸ポリマーから本質的になる凝固マトリックスを加える工程であって、
該ポリカルボン酸ポリマーが、約１、０００〜約１００、０００の分子量を有するポリアクリル酸ポリマー、約１、０００〜約１００、０００の分子量を有する 改質されたポリアクリル酸ポリマー、および約５００〜約５、０００の分子量を有するポリマレイン酸ポリマーからなる群から選択され、
該組成物が、リンを含まない、工程と、
（ｂ）該組成物を、約１分から約３時間で凝固させて、４８．９℃（１２０°Ｆ）の温度で加熱された場合に、寸法的に安定であり、そして２％未満の増大指数を有する固体生成物を生成させる工程と、
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月16日(2011.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＧＰＣＲの結合パートナーを生産する方法であって、
ａ）親ＧＰＣＲと比較して特定の立体構造で増大した安定性を有する、該親ＧＰＣＲのＧＰＣＲ変異体を提供する工程、
ｂ）１つ又は複数の試験化合物を提供する工程、
ｃ）前記試験化合物又はその各々が、特定の立体構造を備える場合の前記ＧＰＣＲ変異体に結合するか否かを測定する工程、及び
ｄ）前記特定の立体構造を備える場合の前記ＧＰＣＲ変異体に結合する１つ又は複数の試験化合物を単離する工程
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月9日(2011.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
上記遊星輪（１８）のシャフト（２０）の第２端部（２１）付近に、第２たわみ作用構成部（４１）を備えたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の構成。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2011508860.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2011508860.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月8日(2011.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
図３にも示されるように、クリップ１４は、指部３８とレール３６との間の曲げ半径において形成される複数のくぼみを有していてもよい。大体は利用されることが可能であるが、くぼみ４３はそれぞれの指部３８に形成されることが好ましい。くぼみ４３は、クリップ１４に加えられた強度および剛性により、アセンブリを容易にし、使用中にクリップ１４に加えられた所望のクランプ力を保持することを提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月7日(2011.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属水素化物の形での水素貯蔵タンクであって、
水素を収容するためのコンテナー（４）とコンテナーの内部に設置される金属水素化物とを備える型のタンクにおいて、
金属水素化物及びマトリックスを含む圧縮された材料で構成された少なくとも１つの固形物（６）を具備する
ことを特徴とするタンク。
【請求項２】
マトリックスが膨張グラファイト、好ましくは、膨張天然グラファイトで構成される、
請求項１に記載のタンク。
【請求項３】
金属水素化物が、マグネシウム又はマグネシウム合金の水素化物である、
請求項１又は２に記載のタンク。
【請求項４】
コンテナー（４）の内部において積層方向（Ｌ）に積み重ねられた複数の固形物（６）を備える、
請求項１〜３のいずれか１の請求項に記載のタンク。
【請求項５】
１つの又は各固形物（６）がペレットの形状をなす、
請求項１〜４のいずれか１の請求項に記載のタンク。
【請求項６】
１つの又は各固形物（６）がコンテナー（４）の横内部表面（２３）と１つの又は各固形物（６）との間の環状スペース（２２）が作られるようにコンテナー（４０）の内部に保持される、
請求項１〜５のいずれか１の請求項に記載のタンク。
【請求項７】
コンテナー（４）の内部で延びる、熱交換流体のための少なくとも１つのダクト（２５）を有する熱交換器（２４）を具備する、
請求項１〜６のいずれか１の請求項に記載のタンク。
【請求項８】
ダクト（２５）は、固形物（６）を貫通する
請求項７に記載のタンク。
【請求項９】
固形物（６）と交互にダクト（２５）にはめ込まれる金属プレート（４０）を具備する、
請求項８に記載のタンク。
【請求項１０】
金属プレート（４０）と一緒に交互にダクト（２５）にはめ込まれる環状スペーサー（４２）を具備し、
１つの又は各固形物（６）はスペーサー（４２）にはめ込まれる、
請求項９に記載のタンク。
【請求項１１】
ダクト（２５）は、略同軸である熱交換流体のための供給パイプ（３０）及び排出パイプ（３１）を具備する、
請求項７〜１０のいずれか１の請求項に記載のタンク。
【請求項１２】
ダクト（２５）は、外チューブ（２６）と外チューブの内部に延びる内チューブ（２８）とを具備し、
内チューブ（２８）は、熱交換流体のための供給パイプ及び排出パイプのうちの１つを画定し、
外チューブ（２６）は内チューブと共に、供給パイプ及び排出パイプのうちの別の１つを画定する、
請求項１１に記載のタンク。
【請求項１３】
供給パイプは、内チューブ（２８）に沿って分布される開口部（３２）を介して排出パイプに連通する、
請求項１２に記載のタンク。
【請求項１４】
排出パイプ（３１）は、環状であると共に、供給パイプ（３０）を包囲する、
請求項１２又は１３に記載のタンク。
【請求項１５】
固形物（６）のための加熱素子（４４）を具備する、
請求項１〜１４のいずれか１の請求項に記載のタンク。
【請求項１６】
各加熱素子（４４）は、複数の固形物（６）を貫通する、
請求項１５に記載のタンク。
【請求項１７】
加熱素子（４４）は、電気抵抗器である、
請求項１５又は１６に記載のタンク。
【請求項１８】
固形物（６）は、固形物同士の間の気体循環のためのスペース（６２）を有するよう、積層軸に沿って互いから離間し保持される、
請求項４に記載のタンク。
【請求項１９】
１つの又は各固形物は、１５〜２５質量％の膨張グラファイト、具体的には約２０質量％の膨張グラファイトを含む、
請求項２及び１８に記載のタンク。
【請求項２０】
１つの又は各固形物は、１〜１０質量％の膨張グラファイト、具体的には５〜１０質量％の膨張グラファイトを含む、
請求項２及び９に記載のタンク。