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【手続補正書】
【提出日】平成26年9月3日(2014.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンチセンスオリゴヌクレオチドの２つの塩基間に組み込まれた少なくとも１つの修飾を含むアンチセンスオリゴヌクレオチドであって、修飾がアンチセンスオリゴヌクレオチドの結合親和性及びヌクレアーゼ耐性を高める、上記アンチセンスオリゴヌクレオチド。
【請求項２】
修飾が末端ヌクレオチドの３塩基内にある、請求項１に記載のアンチセンスオリゴヌクレオチド。
【請求項３】
修飾がアンチセンスオリゴヌクレオチドの３'又は５'末端のいずれかの末端塩基と最後から２番目の塩基との間に位置する、請求項１に記載のアンチセンスオリゴヌクレオチド。
【請求項４】
修飾がアンチセンスオリゴヌクレオチドの３'及び５'末端の両方で末端塩基と最後から２番目の塩基との間にある、請求項１に記載のアンチセンスオリゴヌクレオチド。
【請求項５】
修飾がナフチレン−アゾ化合物である、請求項１に記載のアンチセンスオリゴヌクレオチド。
【請求項６】
修飾が構造：
【化１】
2013539967.tif 000001
（式中、オリゴヌクレオチドの内部位置に修飾を配置する連結基Ｌ1及びＬ2は、独立して
アルキル、アルキニル、アルケニル、ヘテロアルキル、置換されたアルキル、アリール、ヘテロアリール、置換されたアリール、シクロアルキル、アルキルアリール、又はアルコキシ基であり；Ｒ1〜Ｒ5は、独立して水素、アルキル、アルキニル、アルケニル、ヘテロアルキル、置換されたアルキル、アリール、ヘテロアリール、置換されたアリール、シクロアルキル、アルキルアリール、アルコキシ、電子吸引基、電子供与基、又はリガンドの結合点であり；そしてＸは窒素又は炭素原子であり、ここで、Ｘが炭素原子である場合、炭素原子に結合される第４の置換基は水素又はＣ1−Ｃ8アルキル基であることができる）を有する、請求項１に記載のアンチセンスオリゴヌクレオチド。
【請求項７】
修飾が構造：
【化２】
2013539967.tif 000002
（式中、オリゴヌクレオチドの内部位置に修飾を配置する連結基Ｌ1及びＬ2は、独立してアルキル、アルキニル、アルケニル、ヘテロアルキル、置換されたアルキル、アリール、ヘテロアリール、置換されたアリール、シクロアルキル、アルキルアリール、又はアルコキシ基であり；Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5は、独立して水素、アルキル、アルキニル、アルケニル、ヘテロアルキル、置換されたアルキル、アリール、ヘテロアリール、置換されたアリール、シクロアルキル、アルキルアリール、アルコキシ、電子吸引基、又は電子供与基であり；Ｒ6、Ｒ7、Ｒ9〜Ｒ12は、独立して水素、アルキル、アルキニル、アルケニル、ヘ
テロアルキル、置換されたアルキル、アリール、ヘテロアリール、置換されたアリール、シクロアルキル、アルキルアリール、アルコキシ、電子吸引基、又は電子供与基であり；Ｒ8は、水素、アルキル、アルキニル、アルケニル、ヘテロアルキル、置換されたアルキ
ル、アリール、ヘテロアリール、置換されたアリール、シクロアルキル、アルキルアリール、アルコキシ、又は電子吸引基であり；そしてＸは窒素又は炭素原子であり、ここで、Ｘが炭素原子である場合、炭素原子に結合される第４の置換基は水素又はＣ1−Ｃ8アルキル基であることができる）を有する、請求項１に記載のアンチセンスオリゴヌクレオチド。
【請求項８】
Ｒ8がＮＯ2である、請求項７に記載のアンチセンスオリゴヌクレオチド。
【請求項９】
修飾が構造：
【化３】
2013539967.tif 000003
を有する、請求項１に記載のアンチセンスオリゴヌクレオチド。
【請求項１０】
アンチセンスオリゴヌクレオチドが、少なくとも１つの２'−Ｏ−メチルＲＮＡをさら
に含む、請求項１に記載のアンチセンスオリゴヌクレオチド。
【請求項１１】
アンチセンスオリゴヌクレオチドが、１つ又はそれ以上のホスホロチオエート結合をさらに含む、請求項１に記載のアンチセンスオリゴヌクレオチド。
【請求項１２】
アンチセンスオリゴヌクレオチドが、ホスホジエステル結合を通して結合された塩基領域を含み、ここで、その領域は、一方又は両方の末端でホスホロチオエート結合を含む領域が側面に位置している、請求項１に記載のアンチセンスオリゴヌクレオチド。
【請求項１３】
構造：
５'−Ｘ１−Ｚ−Ｘ２−Ｘ３−Ｘ４−Ｚ−Ｘ５−３'
（式中、Ｘ１及びＸ５は、独立して１−３個のヌクレオチドであり、ここで、ヌクレオチド間結合は、場合によりホスホロチオエートであり；Ｚは、ナフチレン−アゾ化合物であり；Ｘ2及びＸ4は、独立して１〜５個のヌクレオチドであり、ここで、ヌクレオチド間結合は、場合によりホスホロチオエートであり；そしてＸ3は、１０〜２５個のヌクレオチ
ドである）を有するアンチセンスオリゴヌクレオチド。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月18日(2014.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多型領域の対立遺伝子が試料中に存在するか否かを決定する方法であって、
試料内の出発ポリヌクレオチド分子にアダプターを付着させることであって、このとき、前記アダプターが、Ｒ、Ｙ、Ｓ、Ｗ、Ｋ、Ｍ、Ｂ、Ｄ、Ｈ、Ｖ、Ｎ、およびこれらの修飾型から選択される少なくとも１つのヌクレオチド塩基を含む、縮重塩基領域（ＤＢＲ）を含むものであることと、
前記アダプターを付着させたポリヌクレオチドを増幅して、増幅したアダプター付着ポリヌクレオチドを製造させることと、
複数の前記増幅したアダプター付着ポリヌクレオチドを配列決定することであって、このとき、前記ＤＢＲおよび前記ポリヌクレオチドの少なくとも一部分の配列が、前記複数のアダプター付着ポリヌクレオチドのそれぞれについて得られるものであることと、
標的多型領域の対立遺伝子について、前記複数の配列決定されたアダプター付着ポリヌクレオチド内に存在する別個のＤＢＲ配列の数を決定して、前記配列決定工程で配列決定された対立遺伝子について出発ポリヌクレオチドの数を評価することと、
前記配列決定工程で配列決定された対立遺伝子について出発ポリヌクレオチドの数に基づいて、前記対立遺伝子が前記試料中にあるか否かを決定することと、
を含む、方法。
【請求項２】
標的多型領域の一つの対立遺伝子について、前記対立遺伝子に関連する異なるＤＢＲ配列の数を決定することと、
標的多型領域の前記対立遺伝子について、異なるＤＢＲ配列のそれぞれを含む配列読み出しの数を決定することと、
計数した異なる配列の数と計数した配列読み出しの数とを用いて、前記対立遺伝子が前記試料中に存在する可能性を算出することと、
前記対立遺伝子が前記試料中にあるか否かを決定することであって、このとき可能性が高いほど前記決定の信頼度が増すこと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記アダプターが、再帰的配列、およびプロモーター部位のうちの１つ以上をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ＤＢＲが、少なくとも２個のヌクレオチド塩基を含み、前記少なくとも２個のヌクレオチド塩基のそれぞれが、Ｒ、Ｙ、Ｓ、Ｗ、Ｋ、Ｍ、Ｂ、Ｄ、Ｈ、Ｖ、およびＮから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ＤＢＲが３〜２０個のヌクレオチド塩基を含み、前記３〜１０個のヌクレオチド塩基のそれぞれが、Ｒ、Ｙ、Ｓ、Ｗ、Ｋ、Ｍ、Ｂ、Ｄ、Ｈ、Ｖ、およびＮから選択される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記アダプターが試料を同定する固有の多重識別子を含み、前記方法が、配列決定の前に前記試料を他の複数の試料とプールすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記試料が、ゲノムＤＮＡ試料である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記他の複数の試料が、異なる対象に由来する、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記試料がヒトゲノムＤＮＡの試料である、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
さらに前記試料が、前記付着工程の前に、目的とする領域に対して富化される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
目的とする領域に対して、前記アダプター付着ポリヌクレオチドを富化することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記アダプターが非対称アダプターであり、第１のアダプタードメインが前記ポリヌクレオチドの第１の末端に存在し、第２のアダプタードメインが前記ポリヌクレオチドの第２の末端に存在し、前記ＤＢＲが、前記第１のアダプタードメイン内の少なくとも２個のヌクレオチド塩基のうちの１つ以上と、前記第２のアダプタードメイン内の少なくとも２個のヌクレオチド塩基のうちの１つ以上とを含む、分割ＤＢＲである、請求項４に記載の方法。
【請求項１３】
前記アダプターが、増幅反応において前記ポリヌクレオチド分子に付着され、前記ＤＢＲが、前記増幅反応に用いられる合成プライマーに存在する、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記増幅反応がＰＣＲである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記方法が、前記試料中の前記ポリヌクレオチドの遺伝的異質性を決定することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記試料が、腫瘍組織に由来するポリヌクレオチドを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記試料が、微生物および／またはウイルスに由来するポリヌクレオチドを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記方法が、前記他の複数の試料に存在する前記ポリヌクレオチドの遺伝的異質性を決定することを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１９】
前記他の複数の試料が、経時的に対象に由来する、請求項６に記載の方法。
【請求項２０】
前記対象が感染を有し、経時的に前記感染病原体（一又は複数）の遺伝的異質性が決定される、請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月1日(2014.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニューロピリン１（ＮＲＰ１）に結合する単離された抗体であって、（ａ）配列番号３のアミノ酸配列を含むＨＶＲ−Ｈ１、（ｂ）配列番号４のアミノ酸配列を含むＨＶＲ−Ｈ２、及び（ｃ）配列番号５のアミノ酸配列を含むＨＶＲ−Ｈ３を含む抗体。
【請求項２】
（ａ）配列番号８のアミノ酸配列を含むＨＶＲ−Ｌ１、（ｂ）配列番号９のアミノ酸配列を含むＨＶＲ−Ｌ２、及び（ｃ）配列番号１０のアミノ酸配列を含むＨＶＲ−Ｌ３を更に含む、請求項１に記載の抗体。
【請求項３】
ニューロピリン１（ＮＲＰ１）に結合する単離された抗体であって、（ａ）配列番号８のアミノ酸配列を含むＨＶＲ−Ｌ１、（ｂ）配列番号９のアミノ酸配列を含むＨＶＲ−Ｌ２、及び（ｃ）配列番号１０のアミノ酸配列を含むＨＶＲ−Ｌ３を含む抗体。
【請求項４】
ニューロピリン１（ＮＲＰ１）に結合する単離された抗体であって、（ａ）配列番号２のアミノ酸配列に対して少なくとも９５％の配列同一性を有するＶＨ配列；（ｂ）配列番号７のアミノ酸配列に対して少なくとも９５％の配列同一性を有するＶＬ配列；又は（ｃ）（ａ）のＶＨ配列及び（ｂ）のＶＬ配列を含む抗体。
【請求項５】
配列番号２のＶＨ配列を含む、請求項４に記載の抗体。
【請求項６】
配列番号７のＶＬ配列を含む、請求項４に記載の抗体。
【請求項７】
ニューロピリン１（ＮＲＰ１）に結合する単離された抗体であって、配列番号２のＶＨ配列及び配列番号７のＶＬ配列を含む抗体。
【請求項８】
ＩｇＧ１抗体である、請求項１から７の何れか一項に記載の抗体。
【請求項９】
ニューロピリンに結合する抗体断片である、請求項１から７の何れか一項に記載の抗体。
【請求項１０】
請求項１から７の何れか一項に記載の抗体をコードする単離された核酸。
【請求項１１】
請求項１０に記載の核酸を含む宿主細胞。
【請求項１２】
請求項１１に記載の宿主細胞を、抗体が産生されるように培養することを含む、抗体を産生する方法。
【請求項１３】
請求項１から７の何れか一項に記載の抗体を含むイムノコンジュゲート。
【請求項１４】
生物学的サンプル中のＮＲＰ１の存在を検出することにおける使用のための請求項１から７の何れか一項に記載の抗体。
【請求項１５】
ＮＲＰ１の存在の検出が免疫組織化学的検査による、請求項１４に記載の抗体。
【請求項１６】
生物学的サンプル中のＮＲＰ１の存在を検出する方法であって、生物学的サンプルを請求項１から７の何れか一項に記載の抗体と接触させ、結合した抗体の存在を検出することを含む方法。
【請求項１７】
ＮＲＰ１の存在が免疫組織化学的検査により検出される、請求項１６に記載の抗体。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月27日(2014.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実質的に直立の向きに置かれた食品を調理するようになっている、断熱された調理装置であって、
外壁との内壁とを備える、断熱されたフレームアセンブリであって、前記外壁および内壁はそれぞれ、前記外壁および内壁の間で、断熱領域を少なくとも部分的に画定するために、間隔を空けて稼働する構成物の中で、協働して構造化され、配置されている分離、独立した構造を有する断熱されたフレームアセンブリと、
少なくとも１つの成形ハウジングであって、それらを通した熱伝達を容易にするように構成されている第１の熱伝導材料を備え、前記内壁の内部に構造化され、配置されている少なくとも１つの成形ハウジングと、
少なくとも１つの成形チャンバであって、それらを通した熱伝達を容易にするように構成されている第２の熱伝導材料を備え、前記成形チャンバの少なくとも一部は、前記成形ハウジングの中に配置することが可能である少なくとも１つの成形チャンバと、
前記成形ハウジングを取り囲んで稼働するように配置され、前記成形ハウジングの全長にわたって均一な熱エネルギープロファイルを生成する熱源であって、熱エネルギーを生成し、かつ前記成形チャンバの中の未調理食品組成物へと伝達する熱源と、
前記熱源を調整し、調理手順の間、前記成形チャンバの動作温度を、所定の温度範囲の中に保持する温度制御アセンブリとを備え、
前記フレームアセンブリは、前記内壁と前記熱源との間に稼働するように配置された断熱スリーブをさらに備え、前記断熱スリーブは、前記熱源を取り囲み、
前記断熱スリーブは、前記断熱スリーブを介する熱伝導を阻害するように構造化された断熱性材料を含み、前記熱源によって生成された前記熱エネルギーは、内側で、前記成形ハウジングに向かってかつ前記成形チャンバ内へ伝達され、
前記成形チャンバは、その中に、未調理食品組成物を受け入れるように構成されている開口上端部を有し、前記成形チャンバは、前記未調理食品組成物を実質的に直立の向きに保持するように構成され、前記成形チャンバは、直立の向きに設置されて作動することを特徴とする調理装置。
【請求項２】
前記フレームアセンブリは、ベースおよびカバーと、それぞれが前記ベースおよび前記カバーと共同して作動するように接続され、それにより、前記外壁および内壁を前記作動位置に保持している、前記外壁および内壁とを更に備えていることを特徴とする、請求項１に記載の調理装置。
【請求項３】
前記成形チャンバは、前記成形ハウジングの中に着脱可能な形に構成されている挿入可能成形チャンバを備えていることを特徴とする、請求項１に記載の調理装置。
【請求項４】
前記温度制御アセンブリは、前記成形ハウジングの少なくとも一部分と結合して作動するようになっている少なくとも１つの温度スイッチを備えていることを特徴とする、請求項１に記載の調理装置。
【請求項５】
前記温度スイッチは、バイメタル材料を備えていることを特徴とする、請求項４に記載の調理装置。
【請求項６】
前記温度制御アセンブリは、タイマーを備えていることを特徴とする、請求項１に記載の調理装置。
【請求項７】
前記成形チャンバは、前記成形ハウジングと一体化して構成されていることを特徴とする、請求項１に記載の調理装置。
【請求項８】
前記成形チャンバは、前記調理手順の間に調理される食品に所定の形状を与えるようになっていることを特徴とする、請求項１に記載の調理装置。
【請求項９】
実質的に直立の向きに置かれた食品を調理するための調理装置であって、前記調理装置は、
熱伝達を容易にするように構成された熱伝導性材料を備える成形チャンバと、
フレームアセンブリであって、内部と外部とを有し、前記成形チャンバに結合して作動し、前記成形チャンバを実質的に直立の向きに保持するように構成され配置され、前記フレームアセンブリが作動位置にある時には、前記成形チャンバを、前記フレームアセンブリの前記内部に実質的に配置するフレームアセンブリと、
温度スイッチを備え、前記フレームアセンブリの前記内部が、所定の温度範囲の中である時を示すように構成されたインジケータを更に備える温度インジケータアセンブリとを備え、
前記成形チャンバは、その中に未調理食品組成物を受け入れるように構成された開口上端部を有し、
前記フレームアセンブリは、前記フレームアセンブリの前記内部への熱エネルギーの伝達を容易にするように構成され配置されていることを特徴とする調理装置。
【請求項１０】
前記成形チャンバは、少なくとも部分的に前記成形チャンバの軸に沿って前記成形チャンバを通して延びている、内部シャフトを備え、前記内部シャフトは、前記成形チャンバの内部に配置された前記未調理食品組成物に対して熱エネルギーの伝達を可能にするように構成され配置された熱伝導性材料を備えていることを特徴とする、請求項９に記載の調理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月17日(2014.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
ビード３８は、概ね側壁１６の中間の若干上方に配置される。側壁１６は、ビード３８の下に、底壁１４まで下側壁エリア４０を有し、ビード３８の上に、自由縁１８まで上側壁エリア４２を有する。側壁１６は、上側壁エリア４２が滅菌容器１０の滅菌容器中心の方向に下側壁エリア４０を越えて突き出るのではなく、下側壁エリア４０の後方にやはり留まるような形状である。従って、上側壁エリア４２は、下側壁エリア４０に対して滅菌容器１０の外側の方向に突き出る。このことは、容器内部２８が自由縁１８の方向で広がることを意味する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
更に、ビード３８は、不注意により蓋２０をぶつける、又は槽１２から離れる方向へ下から把持することから蓋縁２４を保護する。このことにより、密封要素２６での密封が改良されるにも関わらず、容器内部２８から大気へと、及びその逆へとガス交換が可能である間隙が自由縁１８と蓋２０との間に形成する可能性が低減する。このことも、滅菌結果に対する有利な効果を有する。というのも、このようなガス交換があると、容器内部２８で自由縁１８と蓋２０との間に侵入し、滅菌目的で置かれた外科器具を汚染し得る細菌を殺すために、新たな滅菌過程の実施が必要であると判明することがあり得るからである。従って、このことは、滅菌容器１０の操作性をも改良する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
図８は、その突起要素３４が側壁１６と一体に形成される、本発明による滅菌容器の更なる好適な実施形態５６を示す。滅菌容器５６の場合、側壁１６は、滅菌容器５６の外側で、滅菌容器５６の下側の方向に、自由縁１８にて１８０°曲げられる。結果として、上側壁エリア４２は二層構造になる。側壁１６は、滅菌容器５６の外側の方向に、自由縁１８から距離をおいて再度曲げられ、これによって水平棚５８を生成する。水平棚５８は、滅菌容器５６の突起要素３４を形成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の滅菌容器であって、前記側壁（１６）が、少なくとも１つの突起要素（３４；６２）を含むこと、を特徴とする滅菌容器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月20日(2014.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）脂肪族アルコール及びポリ（アルキレンオキシ）ポリマーを含む担体と、
ｂ）組成物の総重量を基準にして５〜２０重量％の、抗菌剤と、
を含む抗菌性組成物。
【請求項２】
前記抗菌性酸が次式：
【化１】
2013540000.tif 000001
（式中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して、Ｈ又はＣ１〜Ｃ８アルキル基、Ｃ６〜Ｃ１２アリール、又はＣ６〜Ｃ１２アラルキル若しくはアルカリル基である）のα−ヒドロキシ酸である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記抗菌性酸が次式：
【化２】
2013540000.tif 000002
（式中、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５はそれぞれ独立して、Ｈ又はＣ１〜Ｃ８アルキル基、Ｃ６〜Ｃ１２アリール、又はＣ６〜Ｃ１２アラルキル若しくはアルカリル基であり、Ｒ６はＨ、（Ｃ１〜Ｃ４）アルキル又はハロゲンである）のものである、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記抗菌剤が次式：
Ｒ７−ＣＲ８２−ＣＯＯＨ
（式中、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立して、Ｈ又はＣ１〜Ｃ４アルキル基、Ｃ６〜Ｃ１２アリール基、アリール基及びアルキル基の両方を含有するＣ６〜Ｃ１２基であり、Ｒ７及びＲ８は、所望により１個以上のカルボン酸基で置換されてもよい）の抗菌性酸である、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
ａ）Ｃ１４〜Ｃ２２脂肪族アルコールとポリ（アルキレンオキシ）ポリマーとを含む担体と、
ｂ）αβ−ヒドロキシ酸抗菌剤と、
を含む抗菌性組成物。
【請求項６】
トップシートと、前記トップシートに結合されたバックシートと、前記トップシートと前記バックシートとの間に配置される吸収性材料と、前記トップシート、前記バックシート、及び／又は前記吸収性材料の少なくとも１つの表面上に配置される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の抗菌性組成物のコーティングと、を含む、使い捨て吸収性物品。
【請求項７】
前記菌性組成物のコーティング重量が０．５〜２５ｇ／平方メートルである、請求項６に記載の使い捨て吸収性物品。
【請求項８】
前記物品が女性用衛生用品である、請求項６に記載の使い捨て吸収性物品。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月22日(2014.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像系列におけるピクチャを符号化する方法であって、
前記ピクチャのオリジナルバージョンから除去されるべき１以上のオリジナルブロックを識別する段階と、
前記除去されるべき１以上のオリジナルブロックについて１以上の置換えブロックをそれぞれ生成することで、前記ピクチャの除去されたバージョンを生成する段階と、
前記ピクチャの除去されたバージョンを回復するためのメタデータを生成する段階と、前記メタデータは、前記１以上の置換えブロックの位置情報を含み、
少なくとも１つのエンコーダを使用して、前記ピクチャの除去されたバージョンと前記メタデータを符号化する段階と、
を含む方法。
【請求項２】
前記ピクチャの除去されたバージョンは、前記ピクチャのオリジナルバージョンを複数のブロックに分割し、前記除去されるべき１以上のオリジナルブロックを前記１以上の置換えブロックでそれぞれ置き換えることで生成され、
前記１以上の置換えブロックの少なくとも１つにおける全ての画素は、同じ色値又は低解像度のうちの１つを有し、前記低解像度は、前記除去されるべき１以上のオリジナルブロックに関して決定される、
請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記同じ色値は、前記複数のブロックの前記少なくとも１つのブロック内の前記全ての画素の平均の色値に等しい、
請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記ピクチャの除去されたバージョンは、混合された解像度のピクチャである、
請求項２記載の方法。
【請求項５】
前記１以上の除去されたブロックは、前記除去されるべき１以上のオリジナルブロックのそれぞれのブロックよりも、特定の周波数を超えて少ない情報を含む、
請求項２記載の方法。
【請求項６】
前記位置情報は、前記１以上の置換えブロックの座標情報を含む、
請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記除去されるべき１以上のオリジナルブロックを識別する段階は、前記ピクチャのオリジナルバージョンから除去されるべき１以上のオリジナルブロックを識別する識別プロセスを実行する段階を含み、
前記除去されるべき１以上のオリジナルブロックの所与の１つのブロックは、指定された周波数よりも大きい、前記除去されるべき１以上のオリジナルブロックの前記所与の１つのブロックの信号成分のエネルギーの量に基づいて、前記識別プロセスにより識別される、
請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記メタデータは、前記識別プロセスに関して誤検出のブロックの位置情報と、見逃したブロックの位置情報とを含む、
請求項７記載の方法。
【請求項９】
映像系列におけるピクチャを符号化する装置であって、
前記ピクチャのオリジナルバージョンから除去されるべき１以上のオリジナルブロックを識別する手段と、
前記除去されるべき１以上のオリジナルブロックについて１以上の置換えブロックをそれぞれ生成することで、前記ピクチャの除去されたバージョンを生成する手段と、
前記ピクチャの除去されたバージョンを回復するためのメタデータを生成する手段と、前記メタデータは、前記１以上の置換えブロックの位置情報を含み、
前記ピクチャの除去されたバージョンと前記メタデータを符号化する手段と、
を備える装置。
【請求項１０】
前記ピクチャの除去されたバージョンは、前記ピクチャのオリジナルバージョンを複数のブロックに分割し、前記除去されるべき１以上のオリジナルブロックを前記１以上の置換えブロックでそれぞれ置き換えることで生成され、
前記１以上の置換えブロックの少なくとも１つにおける全ての画素は、同じ色値又は低解像度のうちの１つを有し、前記低解像度は、前記除去されるべき１以上のオリジナルブロックに関して決定される、
請求項９記載の装置。
【請求項１１】
前記同じ色値は、前記複数のブロックの前記少なくとも１つのブロック内の前記全ての画素の平均の色値に等しい、
請求項１０記載の装置。
【請求項１２】
前記ピクチャの除去されたバージョンは、混合された解像度のピクチャである、
請求項１０記載の装置。
【請求項１３】
前記１以上の除去されたブロックは、前記除去されるべき１以上のオリジナルブロックのそれぞれのブロックよりも、特定の周波数を超えて少ない情報を含む、
請求項１０記載の装置。
【請求項１４】
前記位置情報は、前記１以上の置換えブロックの座標情報を含む、
請求項９記載の装置。
【請求項１５】
前記識別する手段は、前記ピクチャのオリジナルバージョンから除去されるべき１以上のオリジナルブロックを識別する識別プロセスを実行し、
前記除去されるべき１以上のブロックの所与の１つのブロックは、指定された周波数よりも大きい、前記除去されるべき１以上のオリジナルブロックの前記所与の１つのブロックの信号成分のエネルギーの量に基づいて、前記識別プロセスにより識別される、
請求項９記載の装置。
【請求項１６】
前記メタデータは、前記識別プロセスに関して誤検出のブロックの位置情報と、見逃したブロックの位置情報を含む、
請求項１５記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月6日(2014.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
４４０nm以上の波長を有する青色光を含む励起光を発生させるために動作可能な少なくとも１つの固体発光素子と、
少なくとも１つのフォトルミネッセンス材料の粒子及び光反射材料の粒子の混合物を含むフォトルミネッセンス波長変換コンポーネントであって、少なくとも１つの固体発光素子により発生された励起光の一部は、動作中、フォトルミネッセンス波長変換コンポーネントを通って放出され最終的な可視放出生成物に寄与するように構成されているフォトルミネッセンス波長変換コンポーネントと、
を含む発光装置。
【請求項２】
フォトルミネッセンス材料及び光反射材料の混合物が分布する面積が、発光素子の光放出面積の少なくとも５０倍である、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
波長変換コンポーネントが、少なくとも１つの発光素子から少なくとも５mmの距離に配置可能である、請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
光反射材料が、０．０１μmから１０μm、０．０１μmから１μm及び０．１μmから１μmからなる群から選択される範囲の粒子寸法を有する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
少なくとも１つのフォトルミネッセンス材料に対する光反射材料の装填量の重量パーセントが、０．０１％から１０％、０．０１％から１％、０．１％から１％及び０．５％から１％からなる群から選択される範囲にある、請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
光反射材料が、酸化マグネシウム、二酸化チタン、硫酸バリウム及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
波長変換コンポーネントが、フォトルミネッセンス材料及び光反射材料の混合物が少なくとも１層提供される光透過性基板、光ガイドとして構成され、フォトルミネッセンス材料及び光反射材料の混合物が光ガイドの面の少なくとも一部の上に提供される光透過性基板、ボリューム全体に渡って均一に分布したフォトルミネッセンス材料及び光反射材料の混合物を有する光透過性基板、並びに、フォトルミネッセンス材料及び光反射材料の混合物が少なくとも１層提供される光反射面からなる群から選択される、請求項１に記載の発光装置。
【請求項８】
少なくとも１つの固体発光素子が、波長範囲４４０nmから４８０nmでピーク波長を有する青色励起光を発生させるために動作可能なＬＥＤを含む、請求項１に記載の発光装置。
【請求項９】
フォトルミネッセンス材料及び光反射材料の混合物が、少なくとも０．８cm2の面積に渡って分布する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項１０】
光反射材料の粒子が、少なくとも１つの蛍光体材料によって発生する光より励起光を比較的多く粒子が散乱させるような粒子寸法に相当する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項１１】
フォトルミネッセンス波長変換コンポーネントに隣接した光拡散層を更に含む、請求項１に記載の発光装置。
【請求項１２】
光拡散層が、少なくとも１つのフォトルミネッセンス材料によって発生する光より励起光を比較的多く粒子が散乱させるような粒子寸法に相当する光反射材料の粒子を含む、請求項１１に記載の発光装置。
【請求項１３】
光反射材料が、１００nmから１５０nmの範囲の粒子寸法を有する、請求項１２に記載の発光装置。
【請求項１４】
少なくとも１つのフォトルミネッセンス材料が、蛍光体又は量子ドットを含む、請求項１に記載の発光装置。
【請求項１５】
光放出サインとして構成される、請求項１に記載の発光装置。
【請求項１６】
少なくとも１つのフォトルミネッセンス材料の粒子及び光反射材料の粒子の混合物を含む、固体発光装置のための波長変換コンポーネントであって、４４０nm以上の波長を有する青色光を含む励起光の一部が、動作中、波長変換コンポーネントを通って放出され最終的な可視放出生成物に寄与するように構成されている波長変換コンポーネント。
【請求項１７】
光反射材料が、０．０１μmから１０μm、０．０１μmから１μm及び０．１から１μmからなる群から選択される範囲の粒子寸法を有する、請求項１６に記載の波長変換コンポーネント。
【請求項１８】
少なくとも１つのフォトルミネッセンス材料に対する光反射材料の装填量の重量パーセントが、０．０１％から１０％、０．０１％から１％、０．１％から１％及び０．５％から１％からなる群から選択される範囲にある、請求項１６に記載の波長変換コンポーネント。
【請求項１９】
波長変換コンポーネントが、少なくとも１つのフォトルミネッセンス材料及び光反射材料の混合物が少なくとも１層提供される光透過性基板、光ガイドとして構成され、フォトルミネッセンス材料及び光反射材料の混合物が光ガイドの面の少なくとも一部の上に提供される光透過性基板、ボリューム全体に渡って均一に分布したフォトルミネッセンス材料及び光反射材料の混合物を有する光透過性基板、並びに、フォトルミネッセンス材料及び光反射材料の混合物が少なくとも１層提供される光反射面からなる群から選択される、請求項１６に記載の波長変換コンポーネント。
【請求項２０】
少なくとも１つのフォトルミネッセンス材料及び光反射材料の混合物が、少なくとも０．８cm2の面積に渡って分布する、請求項１６に記載の波長変換コンポーネント。
【請求項２１】
光反射材料の粒子が、少なくとも１つの蛍光体材料によって発生する光より励起光を比較的多く粒子が散乱させるような粒子寸法に相当する、請求項１６に記載の波長変換コンポーネント。
【請求項２２】
光反射材料が、１００nmから１５０nmの範囲の粒子寸法を有する、請求項２１に記載の波長変換コンポーネント。
【請求項２３】
フォトルミネッセンス波長変換コンポーネントに隣接した光拡散層を更に含む、請求項１６に記載の波長変換コンポーネント。
【請求項２４】
光反射層が、少なくとも１つの蛍光体材料によって発生する光より励起光を比較的多く粒子が散乱させるような粒子寸法に相当する光反射材料の粒子を含む、請求項２３に記載の波長変換コンポーネント。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月2日(2014.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２７】
請求項２２に記載のチャンバであって、
前記静電チャックが、
金属ベースと、
前記金属ベース上に配置される誘電体層であって、前記基板の支持面を規定する誘電体層と、
前記誘電体層内に配置される、導電材料から形成される幾何学的パターンと、
前記導電材料に電圧を印加する回路であって、前記誘電体層内に配置される回路と、を備えるチャンバ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】静電デチャックを行う装置及び方法、並びに、半導体ウェハを処理するチャンバ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は以下の適用例としても実現可能である。
［適用例１］
静電チャック及びデチャックを行なう装置であって、
複数のゾーンを備える静電チャックであって、各ゾーンは、基板の底面に接触するリフトピンの周囲に１つ又は複数の極性領域を含む、静電チャックと、
前記リフトピンを制御する１つ又は複数のコントローラと、
前記極性領域を制御する１つ又は複数のコントローラと、
を備える装置。
［適用例２］
適用例１に記載の装置であって、
前記リフトピンが、さらに空気圧シリンダを備える、装置。
［適用例３］
適用例２に記載の装置であって、
各リフトピンが、別々のセンサに関連付けられる、装置。
［適用例４］
適用例３に記載の装置であって、
前記センサが、前記リフトピン用のコントローラにフィードバックを提供する、装置。
［適用例５］
適用例４に記載の装置であって、
１つのコントローラが、すべてのリフトピンに接続される、装置。
［適用例６］
適用例４に記載の装置であって、
別々のコントローラが、各リフトピンに接続される、装置。
［適用例７］
適用例６に記載の装置であって、
前記センサが、前記リフトピン用のコントローラにフィードバックを提供する、装置。
［適用例８］
適用例３に記載の装置であって、
１つのコントローラが、すべての前記極性領域に接続される、装置。
［適用例９］
適用例８に記載の装置であって、
前記センサが、前記極性領域用のコントローラにフィードバックを提供する、装置。
［適用例１０］
適用例３に記載の装置であって、
別々のコントローラが、各極性領域に接続される、装置。
［適用例１１］
適用例１０に記載の装置であって、
前記センサが、各極性領域用の各コントローラにフィードバックを提供する、装置。
［適用例１２］
適用例１に記載の装置であって、
さらに、センサピンを備える、装置。
［適用例１３］
適用例１２に記載の装置であって、
前記センサピンが、前記リフトピン用のコントローラにフィードバックを提供する、装置。
［適用例１４］
適用例１３に記載の装置であって、
１つのコントローラが、すべての極性領域に接続される、装置。
［適用例１５］
適用例１４に記載の装置であって、
前記センサピンが、前記極性領域用のコントローラにフィードバックを提供する、装置。
［適用例１６］
適用例１３に記載の装置であって、
別々のコントローラが、各極性領域に接続される、装置。
［適用例１７］
適用例１６に記載の装置であって、
前記センサピンが、各極性領域用の各コントローラにフィードバックを提供する、装置。
［適用例１８］
集積回路を製造するための基板を処理する自動化された方法であって、
処理チャンバ内で静電チャック上に前記基板を載置する工程であって、前記静電チャックが複数のゾーンを備え、各ゾーンが、空気圧で動くリフトピンの周囲に１つ又は複数の極性領域を含む、工程と、
前記１つ又は複数の極性領域に電圧を印加することによって、前記静電チャックに前記基板を固定する工程と、
前記基板を処理する工程と、
前記処理の操作を終了する工程と、
前記１つ又は複数のゾーンの前記１つ又は複数の極性領域に別の電圧を印加して、デチャックを開始させる工程と、
１つ又は複数のリフトピンを前記基板の底面に接触させる工程と、
センサを用いて、前記基板と前記静電チャックとの間の静電力を測定する工程と、を備える方法。
［適用例１９］
適用例１８に記載の方法であって、さらに、
１つ又は複数のリフトピンの空気圧を調整する工程を備える、方法。
［適用例２０］
適用例１８に記載の方法であって、さらに、
１つ又は複数のゾーンの１つ又は複数の極性領域の電圧を調整する工程を備える、方法。
［適用例２１］
適用例１８に記載の方法であって、
前記基板を処理する工程が、プラズマを発生させ、前記発生したプラズマを用いて、
前記基板をエッチングする、
前記基板上に材料を蒸着させる、又は、
他の半導体製造作業を行なう、工程を備える、方法。
［適用例２２］
半導体ウエハを処理するチャンバであって、
基板を支持するように構成される静電チャックであって、基板が存在する場合に前記基板に係合するリフトピンを収容する複数の穴を有し、前記複数の穴の各々の少なくとも一部を囲むように構成される複数の極性領域を含む静電チャックを備える、チャンバ。
［適用例２３］
適用例２２に記載のチャンバであって、
前記複数の極性領域の各々が、幾何学的パターンと、前記幾何学的パターンに接続される電圧源とを有する、チャンバ。
［適用例２４］
適用例２２に記載のチャンバであって、
前記複数の極性領域の各々が、同じ電圧に接続される、チャンバ。
［適用例２５］
適用例２２に記載のチャンバであって、
前記複数の極性領域の各々が、異なる電圧に接続される、チャンバ。
［適用例２６］
適用例２２に記載のチャンバであって、
前記複数の極性領域の各々が、ゾーンを規定し、各ゾーンが電圧源に接続される、チャンバ。
［適用例２７］
適用例２２に記載のチャンバであって、
前記静電チャックが、
金属ベースと、
前記金属ベース上に配置される誘電体層であって、前記基板の支持面を規定する誘電体層と、
前記誘電体層内に配置される、導電金属から形成される幾何学的パターンと、
前記導電材料に電圧を印加する回路であって、前記誘電体層内に配置される回路と、を備えるチャンバ。
［適用例２８］
適用例２７に記載のチャンバであって、
前記穴が、前記金属ベースと前記誘電体層とを貫通するように形成される、チャンバ。
本発明の効果は、添付の図面と共に本発明の原理を例示する以下の詳細な説明から明らかになるであろう。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月3日(2014.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの第１のチャネルによって分離された第１のコンタクトを持つサブマウントと、
少なくとも１つの第２のチャネルによって分離された第２のコンタクトを具備する金属層を持つ発光構造体と、
前記第２のチャネルの近傍において、前記発光構造体に熱誘起応力を減少させるために、前記発光構造体に追加された１又は複数の要素と、を有し、
前記１又は複数の要素は、前記金属層において１又は複数のギャップを有し、前記ギャップは、前記第２のチャネルの近傍を越えて前記応力を分散させる位置にある、発光デバイス。
【請求項２】
前記１又は複数の要素は、前記発光構造体における発光素子と前記金属層との間にバッファ層を有し、前記バッファ層は、前記金属層よりも高いコンプライアンスを持つ、請求項１記載の発光デバイス。
【請求項３】
前記バッファ層は、金を含む、請求項２記載の発光デバイス。
【請求項４】
前記１又は複数の要素は、前記第２のチャネル内にフィルタ材料を有し、前記フィルタ材料は、当該フィルタ材料の熱膨張率に基づいて選択される、請求項１記載の発光デバイス。
【請求項５】
前記１又は複数の要素は、前記第１のチャネル内にフィルタ材料を有し、前記フィルタ材料は、当該フィルタ材料の熱膨張率に基づいて選択される、請求項１記載の発光デバイス。
【請求項６】
少なくとも１つの第１のチャネルによって分離された第１のコンタクトを持つサブマウントと、
少なくとも１つの第２のチャネルによって分離された第２のコンタクトを具備する金属層を持つ発光構造体と、
前記第２のチャネルの近傍において、前記発光構造体に熱誘起応力を減少させるために、前記発光構造体に追加された１又は複数の要素と、を有し、
前記発光構造体は、相互接続材料によって前記サブマウントと結合され、前記１又は複数の要素は、前記第２のチャネルに隣接する領域において追加的な相互接続材料を有する、発光デバイス。
【請求項７】
前記相互接続材料は、複数のマイクロバンプを有する、請求項６記載の発光デバイス。
【請求項８】
前記発光構造体は、フリップチップ構造を有する、請求項６記載の発光デバイス。
【請求項９】
前記金属層は、合金を有する、請求項６記載の発光デバイス。
【請求項１０】
前記合金は、銅合金を有する、請求項９記載の発光デバイス。
【請求項１１】
前記銅合金は、ＣｕＮｉ、ＣｕＮｉＴｉ、ＣｕＷ、ＣｕＦｅ、及び、ＣｕＭｏのうちの少なくとも１つを有する、請求項１０記載の発光デバイス。
【請求項１２】
前記銅合金は、ＣｕＮｉＴｉを有する、請求項１０記載の発光デバイス。
【請求項１３】
少なくとも１つの第１のチャネルによって分離された第１のコンタクトを持つサブマウントと、
少なくとも１つの第２のチャネルによって分離された第２のコンタクトを具備する金属層を持つ発光構造体と、を有し、
前記金属層は、２０℃乃至２５０℃の温度範囲で、銅の熱膨張率よりも小さい熱膨張率を持つ合金を有する、発光デバイス。
【請求項１４】
前記合金は、銅合金を有する、請求項１３記載の発光デバイス。
【請求項１５】
前記銅合金は、ＣｕＮｉ、ＣｕＮｉＴｉ、ＣｕＷ、ＣｕＦｅ、及び、ＣｕＭｏのうちの少なくとも１つを有する、請求項１４記載の発光デバイス。
【請求項１６】
前記銅合金は、ＣｕＮｉＴｉを有する、請求項１４記載の発光デバイス。
【請求項１７】
前記合金の熱膨張率は、２０℃乃至２５０℃の温度範囲で、１０ｐｐｍ／Ｋよりも小さい、請求項１３記載の発光デバイス。
【請求項１８】
前記合金の熱膨張率は、２０℃乃至２５０℃の温度範囲で、８ｐｐｍ／Ｋよりも小さい、請求項１３記載の発光デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月11日(2014.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互接続体エッジの近くの相互接続体側に相互接続体パッドを有する半導体ダイを備え、上記相互接続体側の少なくとも一部が、相似誘電コーティングにより被覆され、
上記誘電コーティング上の導電相互接続体トレースが、上記誘電コーティングの表面と大きいインターフェース角を形成し、
相互接続体材料から形成された上記相互接続体は、導電ポリマーを含んで成り、
上記相互接続体トレースは、上記半導体ダイの上記相互接続体エッジを超えて少なくとも１つの相互接続体パッドに関連して横方向に延びるとともに、別の導電要素を用いて少なくとも１つの相互接続体エッジに電気的に相互接続しているアセンブリ。
【請求項２】
上記相互接続体材料が硬化性相互接続体材料を含んで成る請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
上記複数の相互接続体トレースによって積層され電気接続された複数の上記ダイを備え、各相互接続体トレースは、上記複数の半導体ダイの少なくとも２つのダイの少なくとも１つの相互接続体パッドに電気的に相互接続された請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項４】
上記半導体ダイが、ダイの積層体内の複数のダイのうちの１つであり、上記複数の相互接続体トレースによって支持体上の回路上に取り付けられかつ電気接続されており、
各相互接続体トレースは、上記複数の半導体ダイのうち１つのダイの少なくとも１つの相互接続体パッドと上記支持体上の回路に電気的に相互接続された請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項５】
上記相似コーティングがポリマー材料を含んで成る請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項６】
上記相似コーティングのポリマー材料が、非有機ポリマーを含んで成る請求項５に記載のアセンブリ。
【請求項７】
上記相似コーティングの上記ポリマー材料が、有機ポリマーを含んで成る請求項５に記載のアセンブリ。
【請求項８】
上記相似コーティングの上記ポリマー材料が、ハイブリッドポリマーを含んで成る請求項５に記載のアセンブリ。
【請求項９】
上記相似コーティングの上記ポリマー材料が、パリレンを含んで成る請求項７に記載のアセンブリ。
【請求項１０】
上記相似コーティングの上記ポリマー材料が、パリレンＣ、パリレンＮ、パリレンＡ、又はパリレンＳＲのうちの１つ又は組み合わせを含んで成る請求項９に記載のアセンブリ。
【請求項１１】
上記相互接続体材料が、硬化性導電ポリマー又は導電インクを含んで成る請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１２】
上記相互接続体材料が、粒子状の導電材料が充填されたポリマー、金属が充填されたポリマー、金属が充填されたエポキシ、金属が充填された熱硬化性ポリマー、金属が充填された熱可塑性ポリマー、有機ポリマー、無機ポリマー、ハイブリッド有機ー非有機ポリマー、導電インク、硬化性ポリマー、段階的に硬化性である硬化性ポリマーからなるグループから選択された材料を含んで成る請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１３】
上記相互接続体材料が、導電充填材を含む母材を含んで成る請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１４】
上記相互接続体材料が硬化性又は固化性材料を含んで成り、上記導電充填材が粒子状の導電金属を含んで成る請求項２４に記載のアセンブリ。
【請求項１５】
上記相互接続体材料が導電エポキシを含んで成る請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１６】
上記相互接続体材料が、６０〜９０重量％の銀を有する充填エポキシを含んで成る請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１７】
上記相互接続体材料が、８０〜８５重量％の銀を有する充填エポキシを含んで成る請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１８】
インターフェース角が約６０゜と約１２０゜との間の範囲内にある請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１９】
インターフェース角が約７５゜と約１０５゜との間の範囲内にある請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項２０】
インターフェース角が約７５゜と約９０゜との間の範囲内にある請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項２１】
下重ねのダイの少なくも１つの相互接続体パッドは、該下重ねのダイ上の積層体内の別のダイの相互接続体エッジを超えて露出されている請求項３に記載のアセンブリ。
【請求項２２】
下重ねのダイの少なくも１つの相互接続体パッドは、該下重ねのダイの相互接続体エッジに沿って相互接続体縁部の一部を内に位置され、該相互接続体縁部の一部は、上記積層体内の別のダイの上記相互接続体エッジを超えて露出されている請求項３に記載のアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月17日(2014.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画像の復号方法であって、
各々が他の第１の領域とは独立して復号される１以上の第１の領域と、該各第１の領域を構成する１以上の第２の領域と、を含む上記動画像のフレームを受信する工程と、
上記第２の領域を復号するための第１の情報を受信する工程と、を含み、
上記第１の情報は、上記第２の領域の数に関する情報と、上記第２の領域の位置を示す情報とを含んでいることを特徴とする復号方法。
【請求項２】
上記第２の領域の位置は、ビットストリーム中の差分位置であることを特徴とする請求項１に記載の復号方法。
【請求項３】
上記第１の領域は、複数の上記第２の領域を含んでいることを特徴とする請求項１又は２に記載の復号方法。
【請求項４】
上記第１の情報は、ヘッダで通知されることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の復号方法。
【請求項５】
上記第２の領域の位置は、上記第２の領域のうちの１つに関連付けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の復号方法。
【請求項６】
上記ヘッダは、上記第１の領域に関連付けられていることを特徴とする請求項４に記載の復号方法。
【請求項７】
上記第１の領域はスライスであり、
上記第２の領域は、最大コーディングユニット（largest coding unit）の行又はマクロブロックの行であることを特徴とする請求項１に記載の復号方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月5日(2014.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２種の粉末成分を含む組成物を焼結する方法であって、
第１の粉末成分の水分活性が、第２の粉末成分の水分活性よりも高く、
第１の粉末成分のガラス転移温度が、第２の粉末成分のガラス転移温度よりも低く、
前記方法が、第１の粉末成分のガラス転移温度より高く、且つ第２の粉末成分のガラス転移温度よりも２０℃高い温度より低い温度で、２種の粉末成分の混合物を熱処理するステップを含み、
前記混合物の総水分含量が、熱処理中、一定に保たれる、方法。
【請求項２】
２種の粉末成分の混合物が、第２の粉末成分のガラス転移温度より低い温度に加熱される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
２種の粉末成分の混合物が、第１の粉末成分のガラス転移温度より少なくとも１０℃高い温度に加熱される、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
２種の粉末成分の混合物が、処理される混合物の原材料すべての水分活性が完全に平衡になった後に達する水分活性における第２の粉末成分のガラス転移温度よりも５℃高い温度より低い温度に加熱される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
２種の粉末成分の混合物が、処理される混合物の原材料すべての水分活性が完全に平衡になった後に達する水分活性における第１の粉末成分のガラス転移温度未満の温度に加熱される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
第１の粉末成分及び第２の粉末成分が水溶性である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
第１の粉末成分がマルトデキストリンを含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
第２の粉末成分が粉乳を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
第２の粉末成分が可溶性コーヒーを含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
２種の粉末成分の混合物が、４５℃〜７５℃の間の温度に加熱される、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。