【手続補正書】
【提出日】平成15年10月2日(2003.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高い熱伝導率を有する第１のセラミック基板と、高い熱伝導率を有する第２のセラミック基板と、前記第１のセラミック基板と前記第２のセラミック基板とにより、その膜厚方向から挟持されることで、トラック幅方向に対して略中央部に位置する磁気抵抗効果素子を有する電磁変換部とを具備する薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記トラック幅方向は、前記電磁変換部が情報を伝達するときに、媒体に対して前記磁気ヘッドの移動方向と実質的に垂直であり、さらに前記第１および第２のセラミック基板はそれぞれ電磁変換部の両側に、前記第１および第２のセラミック基板が電磁変換部からの熱を放散するように、配置されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記第１セラミック基板および前記第２のセラミック基板の少なくとも一方は、熱伝導率が10W/mKないし270W/mKの範囲のセラミック基板からなることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記第１セラミック基板および前記第２のセラミック基板の少なくとも一方は、ビッカース硬度が800 Hvないし3000 Hvの範囲のセラミック基板からなることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記電磁変換部は前記第１および第２セラミック基板の間に保持された絶縁層内に配置されていることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記前記第１および第２セラミック基板のうち少なくとも一方は、前記絶縁層よりも高い熱伝導率を有することを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記電磁変換部は前記第１セラミック基板上に形成され、前記絶縁層および前記第２のセラミック基板はその間を無機材料の接合層で接合されていることを特徴とする請求項５記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記接合層は不活性な金属からなる接着剤層を有していることを特徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記磁気抵抗効果素子は、互いに対向するCo系磁性層とCu系非磁性層とからなることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
高い熱伝導率を有する第１のセラミック基板と、高い熱伝導率を有する第２のセラミック基板と、前記第１のセラミック基板と前記第２のセラミック基板との間に、電磁変換部に従って決定されるトラック幅方向に保持されている磁気抵抗効果素子を有する電磁変換部とを具備する薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記トラック幅方向は、前記電磁変換部が情報を伝達するときに、媒体に対して前記磁気ヘッドの移動方向と実質的に垂直であり、さらに前記第１および第２のセラミック基板はそれぞれ電磁変換部の両側に、前記第１および第２のセラミック基板が電磁変換部からの熱を放散するように、配置されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記電磁変換部は実質的にトラック幅方向に対して前記磁気ヘッドの中心にあることを特徴とする請求項９の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記第１セラミック基板および前記第２のセラミック基板の少なくとも一方は、熱伝導率が10W/mKないし270W/mKの範囲のセラミック基板からなることを特徴とする請求項９記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】
前記第１セラミック基板および前記第２のセラミック基板の少なくとも一方は、ビッカース硬度が800 Hvないし3000 Hvの範囲のセラミック基板からなることを特徴とする請求項９記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１３】
前記電磁変換部は前記第１のセラミック基板上に形成され、かつ前記電磁変換部は無機接合層を介して前記第２のセラミック基板と接合されていることを特徴とする請求項９記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１４】
媒体対向面側に磁気ギャップを挟んで形成された少なくとも１対の磁気コアと、前記１対の磁気コアを介して記録媒体から信号磁界が導かれる磁気抵抗効果素子とを有する電磁変換部と、前記電磁変換部を厚さ方向から挟持する、高い熱伝導率を有する第１および第２のセラミック基板からなる薄膜磁気ヘッドであって、
前記厚さ方向は、電磁変換部が情報を伝達する時、媒体に対する磁気ヘッドの移動方向と実質的に垂直な方向であり、また
前記第１および第２のセラミック基板は、前記第１および第２のセラミック基板が電磁変換部から熱を放散するように、電磁変換部のそれぞれの両側に配置されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項１５】
前記電磁変換部は前記１対の磁気コアに記録磁界を供給するコイルを有することを特徴とする請求項１４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１６】
前記電磁変換部はトラック幅方向に対して実質的に前記薄膜磁気ヘッドの中央部に位置していることを特徴とする請求項１４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１７】
前記第１セラミック基板および前記第２のセラミック基板の少なくとも一方は、熱伝導率が10W/mKないし270W/mKの範囲のセラミック基板からなることを特徴とする請求項１４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１８】
前記第１セラミック基板および前記第２のセラミック基板の少なくとも一方は、ビッカース硬度が800 Hvないし3000 Hvの範囲のセラミック基板からなることを特徴とする請求項１４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１９】
前記電磁変換部は前記第１のセラミック基板上に形成され、かつ前記電磁変換部は無機接合層を介して前記第２のセラミック基板と接合されていることを特徴とする請求項１４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項２０】
磁気記録媒体と薄膜磁気ヘッドを有する磁気ヘッドスライダーからなる磁気記録装置において、
前記薄膜磁気ヘッドが、高い熱伝導率を有する第１のセラミック基板と、高い熱伝導率を有する第２のセラミック基板と、および磁気抵抗素子を有する電磁変換部からなり、前記電磁変換部は、前記第１のセラミック基板と前記第２のセラミック基板との間に、その膜厚方向から、それにより前記電磁変換部が変換素子に従って決定される前記磁気記録媒体のトラック幅方向に対して前記ヘッドスライダーの略中央部に位置するよう、保持されいる、
さらに前記トラック幅方向は、電磁変換部が情報を伝達する時、媒体に対する磁気ヘッドの移動方向と実質的に垂直な方向であり、また
前記第１および第２のセラミック基板は、前記第１および第２のセラミック基板が電磁変換部から熱を放散するように、電磁変換部のそれぞれの両側に配置されていることを特徴とする磁気記録装置。
【請求項２１】
前記磁気ヘッドスライダーの前記磁気記録媒体からの浮上量は100 nm以下であることを特徴とする請求項２０記載の磁気記録装置。
【請求項２２】
磁気記録媒体および薄膜磁気ヘッドを有する磁気ヘッドスライダーからなる磁気記録装置において、
前記 薄膜磁気ヘッドが 高い熱伝導率を有する第１のセラミック基板、高い熱伝導率を有する第２のセラミック基板、および磁気抵抗効果素子を有する電磁変換部からなり、前記電磁変換部は、前記第１のセラミック基板と前記第２のセラミック基板との間に、電磁変換部に従って決められるトラック幅方向に保持されており、
前記トラック幅方向は、前記電磁変換部が情報を伝達するときに、媒体に対して前記磁気ヘッドの移動方向と実質的に垂直であり、さらに前記第１および第２ののセラミック基板はそれぞれ電磁変換部の両側に、前記第１および第２のセラミック基板が電磁変換部からの熱を放散するように、配置されていることを特徴とする磁気記録装置。
【請求項２３】
前記電磁変換部は実質的に前記トラック幅方向に対して前記薄膜磁気ヘッドの中央に位置することを特徴とする請求項２２記載の磁気記録装置。
【請求項２４】
前記磁気ヘッドスライダーの前記磁気記録媒体からの浮上量は100 nm以下であることを特徴とする請求項２２記載の磁気記録装置。
【請求項２５】
磁気記録媒体および薄膜磁気ヘッドを有する磁気ヘッドスライダーからなる磁気記録再生装置において、
前記 薄膜磁気ヘッドが 前記磁気記録媒体からの発生する磁界により信号を読み取りまたは前記磁気媒体に磁界により信号を書き込みする磁気抵抗効果素子を有する電磁変換部であって、媒体対向面側に磁気ギャップが介在された一対の磁気コアと、前記一対の磁気コアを介して前記記録媒体から信号磁束が導かれる前記磁気抵抗効果素子とを有する前記電磁変換部と、
前記電磁変換部を膜厚方向から保持する高い熱伝導率を有する第１のセラミック基板と第２のセラミック基板を備えることを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項２６】
前記電磁変換部は、前記一対の磁気コアに記録磁界を供給するフラットコイルを有することを特徴とする、請求項２５記載の磁気記録再生装置。
【請求項２７】
前記電磁変換部は、実質的に前記磁気記録媒体のトラック幅方向に対して前記薄膜磁気ヘッドの中央に位置することを特徴とする請求項２５記載の磁気記録再生装置。
【請求項２８】
前記磁気ヘッドスライダーの前記磁気記録媒体からの浮上量は100 nm以下であることを特徴とする請求項２５記載の磁気記録再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【問題を解決するための手段】本発明の第１の薄膜磁気ヘッドは、請求項１に記載したように、高い熱伝導率を有する第１のセラミック基板と、高い熱伝導率を有する第２のセラミック基板と、前記第１のセラミック基板と前記第２のセラミック基板とにより、その膜厚方向から挟持されることで、トラック幅方向に対して略中央部に位置する磁気抵抗効果素子を有する電磁変換部とを具備する薄膜磁気ヘッドであって、前記トラック幅方向は、前記電磁変換部が情報を伝達するときに、媒体に対して前記磁気ヘッドの移動方向と実質的に垂直であり、さらに前記第１および第２のセラミック基板はそれぞれ電磁変換部の両側に、前記第１および第２のセラミック基板が電磁変換部からの熱を放散するように、配置されていることを特徴としている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の第２の薄膜磁気ヘッドは、請求項９に記載したように、高い熱伝導率を有する第１のセラミック基板と、高い熱伝導率を有する第２のセラミック基板と、前記第１のセラミック基板と前記第２のセラミック基板との間に、電磁変換部に従って決定されるトラック幅方向に保持されている磁気抵抗効果素子を有する電磁変換部とを具備する薄膜磁気ヘッドであって、前記トラック幅方向は、前記電磁変換部が情報を伝達するときに、媒体に対して前記磁気ヘッドの移動方向と実質的に垂直であり、さらに前記第１および第２のセラミック基板はそれぞれ電磁変換部の両側に、前記第１および第２のセラミック基板が電磁変換部からの熱を放散するように、配置されていることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の第３の薄膜磁気ヘッドは、請求項１４に記載したように、媒体対向面側に磁気ギャップを挟んで形成された少なくとも１対の磁気コアと、前記１対の磁気コアを介して記録媒体から信号磁界が導かれる磁気抵抗効果素子とを有する電磁変換部と、前記電磁変換部を厚さ方向から挟持する、高い熱伝導率を有する第１および第２のセラミック基板からなる薄膜磁気ヘッドであって、  前記厚さ方向は、電磁変換部が情報を伝達する時、媒体に対する磁気ヘッドの移動方向と実質的に垂直な方向であり、また前記第１および第２のセラミック基板は、前記第１および第２のセラミック基板が電磁変換部から熱を放散するように、電磁変換部のそれぞれの両側に配置されていることを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、請求項２、１１および１９に記載したように、第１セラミック基板および第２セラミック基板の少なくとも一方が、熱伝導率が10W/mKないし270W/mKの範囲のセラミック基板からなることを特徴としている。さらに請求項３、１２および１８に記載したように、第１セラミック基板および第２セラミック基板の少なくとも一方が、熱伝導率がビッカース硬度が800 Hvないし3000 Hvの範囲のセラミック基板からなることを特徴としている。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
さらにまた、第１の薄膜磁気ヘッドは、電磁変換部は、請求項４記載のように、第１セラミック基板および第２セラミック基板の間に保持された絶縁層内に配置されていることを特徴とし、さらに請求項５記載のように、第１および第２のセラミック基板のうち少なくとも一方が絶縁層よりも高い熱伝導率を有することを特徴とし、さらにまた請求項６記載のように、電磁変換部は第１のセラミック基板の上に形成され、且つ絶縁部および第２のセラミック基板はその間を無機材料の接合層で接合されており、さらに請求項７記載のように、接合層は不活性の金属からなる接着剤層を有していることを特徴としている。
第２および第３の薄膜磁気ヘッドでは、請求項１３および１９に記載のように、電磁変換部は第１セラミック基板の上に形成され無機接合層を介して第２セラミック基板に接合されていることわ特徴としている。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明第１の磁気記録装置は、請求項２０に記載のように、磁気記録媒体と薄膜磁気ヘッドを有する磁気ヘッドスライダーからなる磁気記録装置であって、前記薄膜磁気ヘッドが、高い熱伝導率を有する第１のセラミック基板と、高い熱伝導率を有する第２のセラミック基板と、および磁気抵抗素子を有する電磁変換部からなり、前記電磁変換部は、前記第１のセラミック基板と前記第２のセラミック基板との間に、その膜厚方向から、それにより前記電磁変換部が変換素子に従って決定される前記磁気記録媒体のトラック幅方向に対して前記ヘッドスライダーの略中央部に位置するよう、保持されおり、さらに前記トラック幅方向は、電磁変換部が情報を伝達する時、媒体に対する磁気ヘッドの移動方向と実質的に垂直な方向であり、また前記第１および第２のセラミック基板は、前記第１および第２のセラミック基板が電磁変換部から熱を放散するように、電磁変換部のそれぞれの両側に配置されていることを特徴としている。また
請求項２１に記載のように、前記磁気ヘッドスライダーの前記磁気記録媒体からの浮上量は100 nm以下であることを特徴としている。また本発明第２の磁気記録装置は、請求項２２に記載のように、磁気記録媒体および薄膜磁気ヘッドを有する磁気ヘッドスライダーからなる磁気記録装置において、前記 薄膜磁気ヘッドが 高い熱伝導率を有する第１のセラミック基板、高い熱伝導率を有する第２のセラミック基板、および磁気抵抗効果素子を有する電磁変換部からなり、前記電磁変換部は、前記第１のセラミック基板と前記第２のセラミック基板との間に、電磁変換部に従って決められるトラック幅方向に保持されており、前記トラック幅方向は、前記電磁変換部が情報を伝達するときに、媒体に対して前記磁気ヘッドの移動方向と実質的に垂直であり、さらに前記第１および第２ののセラミック基板はそれぞれ電磁変換部の両側に、前記第１および第２のセラミック基板が電磁変換部からの熱を放散するように、配置されていることを特徴としている。さらにこの第２の磁気記録装置は、請求項２３に記載のように、電磁変換部は実質的に前記トラック幅方向に対して前記薄膜磁気ヘッドの中央に位置することを特徴とする、また請求項２４に記載のように、前記磁気ヘッドスライダーの前記磁気記録媒体からの浮上量は100 nm以下であることを特徴としている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明の磁気記録再生装置は、請求項２５に記載のように、磁気記録媒体および薄膜磁気ヘッドを有する磁気ヘッドスライダーからなる磁気記録再生装置であって、前記 薄膜磁気ヘッドが 前記磁気記録媒体からの発生する磁界により信号を読み取りまたは前記磁気媒体に磁界により信号を書き込みする磁気抵抗効果素子を有する電磁変換部であって、媒体対向面側に磁気ギャップが介在された一対の磁気コアと、前記一対の磁気コアを介して前記記録媒体から信号磁束が導かれる前記磁気抵抗効果素子とを有する前記電磁変換部と、前記電磁変換部を膜厚方向から保持する高い熱伝導率を有する第１のセラミック基板と第２のセラミック基板を備えることを特徴としている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本発明の磁気記録再生装置の好ましい形態としては、請求項２６に記載のように、前記電磁変換部は、前記一対の磁気コアに記録磁界を供給するフラットコイルを有すること、さらに請求項２７記載のように、前記電磁変換部は、実質的に前記磁気記録媒体のトラック幅方向に対して前記薄膜磁気ヘッドの中央に位置すること、さらにまた、請求項２８記載のように、前記磁気ヘッドスライダーの前記磁気記録媒体からの浮上量は100 nm以下であることである。