(57)【要約】【課題】エレクトロニクス分野の中で半導体製造用等方性エッチングガスとして使用される高純度二フッ化キセノンの精製方法を提供する。【解決手段】二フッ化キセノン中に含まれる四フッ化キセノン及び六フッ化キセノンを２００〜１０００℃の温度範囲でキセノンと還元反応させる。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
二フッ化キセノン中に含まれる四フッ化キセノン及び六フッ化キセノンを２００〜１０００℃の温度範囲でキセノンと還元反応させることを特徴とする二フッ化キセノンの精製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エレクトロニクス分野の中で半導体製造用等方性エッチングガスとして使用される二フッ化キセノンの精製方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】
二フッ化キセノンは、半導体製造用等方性エッチングガスとして利用され、その使用量は年々増加している。そのため、現在、二フッ化キセノンを高純度でかつ効率よく製造するための技術が求められている。
【０００３】
二フッ化キセノン合成方法としては、加熱、放電、光、γ線、電子照射を利用した方法がある。その中でも、加熱して合成する方法は、効率的でかつ簡便な装置で合成でき、量産には適した製造方法である（非特許文献１）。
【０００４】
二フッ化キセノンを加熱して合成する場合、加熱方法は、フッ素ガスとキセノンガスを混合して、その混合ガスを４００℃程度に保持したＮｉ製の反応器に流通させる。この場合、四フッ化キセノン及び六フッ化キセノンが副生する。二フッ化キセノン中の四フッ化キセノン、六フッ化キセノン除去方法は、二フッ化キセノンおよび六フッ化キセノンをバナジウムなど五価のフッ化物と錯体にして、四フッ化キセノンを蒸留した後、六フッ化キセノンをフッ化ナトリウムで除去する方法がある（非特許文献２）。しかし、錯体にした後に分解して分離する必要があるなど工程が複雑になり有効な精製方法ではない。
【０００５】
そこで、本発明は、二フッ化キセノン中の四フッ化キセノン、六フッ化キセノンをキセノンによる還元反応で効率的に精製する方法を提供することにある。
【０００６】
【非特許文献１】
Ｈ．Ｈ．Ｃｌａｓｓｅｎ    Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，８４，３５９３，（１９６２）
【非特許文献２】
Ｆ．Ｓｃｈｒｅｉｎｅｒ：Ｊ．Ｃｈｅｍ．ｐｈｙｓ．，５１，４８３８，（１９６９）
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、鋭意検討した結果、二フッ化キセノン合成時に副生する四フッ化キセノン及び六フッ化キセノンをキセノンと特定の温度範囲で還元反応させることにより精製できることを見いだし本発明に到達した。
【０００８】
すなわち、本発明は、二フッ化キセノン中に含まれる四フッ化キセノン及び六フッ化キセノンを２００〜１０００℃の温度範囲でキセノンと還元反応させることを特徴とする二フッ化キセノンの精製方法を提供するものである。
【０００９】
本発明の精製方法の有利性としては、（ａ）精製工程では、キセノンのみを使用するので、フッ化ナトリウムやバナジウム塩などの使用を必要とせず、また、これら他成分の混入がない。（ｂ）還元剤であるキセノンをフッ化キセノンのキャリアーガスとして使用するので、反応器（以下、還元器と呼ぶ）への導入が容易である。（ｃ）還元反応の生成物が目的物の二フッ化キセノンである、等が挙げられる。
【００１０】
本発明において、二フッ化キセノン中の四フッ化キセノン及び六フッ化キセノンとキセノンの反応の挙動について検討した。
ＸｅＦ４（ｇ）＋  Ｘｅ（ｇ）→２ＸｅＦ２（ｇ）              （１）
ＸｅＦ６（ｇ）＋２Ｘｅ（ｇ）→３ＸｅＦ２（ｇ）              （２）
二フッ化キセノン中の四フッ化キセノン及び六フッ化キセノンとキセノンを反応させると、それぞれ、式（１）、式（２）に示す還元反応が起こり、二フッ化キセノンが生成するため、高純度の二フッ化キセノンが製造可能となる。
【００１１】
四フッ化キセノンを還元する式（１）の反応は、室温付近ではほとんど進行しないが、２００℃付近から反応速度が大きくなり、温度上昇と共に反応速度が増す。一方、六フッ化キセノンを還元する式（２）の反応もまた、室温付近ではほとんど進行しないが、２００℃付近から反応速度が大きくなり、温度上昇と共に反応速度が増す。さらに、これらキセノンによる還元反応は、７００℃を超える広い温度範囲において、式（１）、式（２）の反応が主反応として起きていることがわかった。このように、式（１）、式（２）の反応は、２００℃付近から反応が進むが、さらに十分な反応速度を得るためには、温度を高くする必要がある。特に、５５０℃以上の温度で反応させることが好ましい。上限は、高いほど反応が促進されるが、反応器材料を考慮すると１０００℃以下が好ましい。ただし、Ｎｉ製の還元器を用いるときは、その還元器材質を考慮すると、反応温度は６００℃以下が望ましい。
【００１２】
四フッ化キセノンとキセノンから二フッ化キセノンを生成させる反応は、四フッ化キセノンに対してキセノンが当モル必要である。また、六フッ化キセノンとキセノンから二フッ化キセノンを生成させる反応は、六フッ化キセノンに対して２倍のモル数のキセノンが必要である。このように、四フッ化キセノン及び六フッ化キセノンとキセノンの混合比については、量論比以上で混合することが必要な条件であるが、量論比で混合するとキセノンが反応する結果、キセノン濃度が低下して、そのため反応速度の低下が顕著になる。必要キセノン量については量論比以上であればよいが、効率性を考慮すると量論比の２倍から１０倍、つまりガス中のキセノン濃度が６７〜９５ｖｏｌ％にすることが好ましい。また、この量論比であれば、二フッ化キセノン中に存在する四フッ化キセノン及び六フッ化キセノン濃度が大きくても、反応速度への影響は特に見られない。
【００１３】
次に，キセノン過剰条件で精製することを考慮すると、精製方法としては、キセノン循環使用による精製が推奨される。これは、反応の余剰キセノンをポンプを用いて系内で循環させて再利用する方法である。気化して還元器に導入された四フッ化キセノン及び六フッ化キセノンは、還元器内でキセノンで還元され、二フッ化キセノンを生じ、還元器出口の捕集器で捕集される。捕集器出口のガス成分はキセノンのみであり、これを循環させ、反応によるキセノン消費分を添加すれば安定して操業できる。
【００１４】
滞在時間条件は、還元器の温度設定により適宜決定すればよいが、５５０℃では、３分以上にすることが好ましい。反応圧力条件もまた、特に限定はされないが、大気圧以下でも十分である。
【００１５】
【実施例】
以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、係る実施例に限定されるものではない。
【００１６】
比較例１、実施例１〜１１
二フッ化キセノンと四フッ化キセノンの混合物を封入した容器（以下、気化器と呼ぶ）を四フッ化キセノン還元器の前段に設置した。還元器は、内径８０ｍｍφ、長さ８００ｍｍのＮｉ製で、両端には、供給口と排出口を備えている。また、還元器外周には、電気ヒーターを配し還元器が所定の温度に保たれる。気化器は、内径５５ｍｍφ、長さ４００ｍｍのステンレス製で、ガス供給口として、ディップ式のノズルを有しており、天板にガス排出口を有する。封入した試料は、二フッ化キセノンと四フッ化キセノン濃度が同程度（四フッ化キセノン；約３５ｖｏｌ％、二フッ化キセノン；約６５ｖｏｌ％）である試料（実施例１〜１０）と四フッ化キセノン濃度が高い（四フッ化キセノン；約９０ｖｏｌ％、二フッ化キセノン；約１０ｖｏｌ％）試料（実施例１１）を準備した。気化器は３０〜１００℃に加熱して、そこにキセノンを０．４〜３．８ＮＬ／ｍｉｎ導入して、滞在時間、供給速度、混合比を調節した。内部圧力は、−０．００５〜−０．０２０ＭＰａで行った。気化したフッ化キセノンは、キセノンと共に気化器から排出され、１５０〜６００℃に加熱された還元器に導入した。還元ガスは、ガス排出口から排出して、ガスクロマトグラフィーとＦＴ−ＩＲによってその成分を分析した。また、還元器出口のフッ化キセノンは、−６０〜−７０℃に冷却された捕集器により捕集した。捕集器は、気化器と同じ大きさのものを用いた。捕集器出口の余剰キセノンは、ポンプにより、再び気化器に導入した。反応すると系内の圧力が下がるので、圧力が一定になるように、反応分のキセノンを還元器入口から導入した。この方法で実施した結果を表１に示す。（なお、ここで示すフッ化キセノン及び表１，２中のフッ化キセノンとは、二フッ化キセノン、四フッ化キセノン、六フッ化キセノンの混合物の総称である。）
【００１７】
還元温度が１５０℃である比較例１では、四フッ化キセノンは、ほとんど還元されなかった。還元温度２００℃以上である実施例１〜４では、二フッ化キセノンは還元された。さらに、還元温度５５０℃、６００℃の実施例５〜１１は、還元器出口で四フッ化キセノンの形跡はなかった。キセノンガス流量を増やすことで、滞在時間を小さくした実施例７と、フッ化キセノン供給量を増やすことで、ガス中のキセノン濃度を低くした実施例９では、四フッ化キセノンが検出された。気化器に封入したフッ化キセノン中に含まれている四フッ化キセノンの濃度が高い実施例１１においても四フッ化キセノンは還元された。
【００１８】
【表１】
2004307261.tif 000002
【００１９】
比較例２〜３、実施例１２〜２２
気化器内に二フッ化キセノンと六フッ化キセノンの混合物を封入して実施例１〜１１と同様の方法で評価した。その結果を表２に示す。還元温度が５０℃、１５０℃である比較例２、比較例３では、六フッ化キセノンはほとんど還元されなかった。還元温度２００〜３５０℃である実施例１２、１３では、温度が上がるにつれて六フッ化キセノンは還元された。さらに、還元温度５００〜６００℃の実施例１４〜２２は、還元器出口で六フッ化キセノンの形跡はなかった。
【００２０】
【表２】
2004307261.tif 000003
【００２１】
【発明の効果】
本発明によれば、四フッ化キセノン、六フッ化キセノンを含んだ二フッ化キセノンをキセノンによる還元方法で、エレクトロニクス分野用途グレードの高純度二フッ化キセノンを容易に製造することが可能となる。