【事件の表示】
　平成４年特許願第３２１９５４号「電子機器用きょう体およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成６年６月２４日出願公開、特開平６−１７７５７１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成４年１２月１日の出願であって、本願の請求項１ないし８に係る発明は、平成１３年３月３０日付け及び平成１３年１０月１日付けの各手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された次のとおりのものと認める。
　「【請求項１】　電子機器を内部に収容するためのきょう体において、下記皮膜が形成される表面がプラズマエッチングにより洗浄された樹脂製のきょう体基体の該内部側表面または両面に、乾式法により形成された実質的に銅から成る下層と、乾式法により形成され該銅の下層を腐食から保護する耐食性金属または合金から成る上層とから成る電磁波シールド用皮膜を設けたことを特徴とする電子機器用きょう体。
　　【請求項２】　前記下層および上層がイオンプレーティングにより形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子機器用きょう体。
　　【請求項３】　前記上層が異種の耐食性金属または合金から成る複数の層から成ることを特徴とする請求項１または２に記載の電子機器用きょう体。
　　【請求項４】　前記上層が、ニッケル、錫、パーマロイ、ミューメタル、金および銀から成る群から選択された耐食性金属または合金から成る層を含むことを特徴とする請求項１から３までのいずれか１項に記載の電子機器用きょう体。
　　【請求項５】　電子機器を内部に収容するためのきょう体を製造する方法において、下記皮膜を形成する表面がプラズマエッチングにより洗浄された樹脂製のきょう体基体の該内部側表面または両面に、実質的に銅から成る下層を乾式法により形成した後、該下層上に、該銅の下層を腐食から保護する耐食性金属または合金から成る上層を乾式法により形成することにより、該下層および上層から成る電磁波シールド用皮膜を形成する工程を含むことを特徴とする電子機器用きょう体の製造方法。
　　【請求項６】　前記下層および上層をイオンプレーティングにより形成することを特徴とする請求項５に記載の電子機器用きょう体の製造方法。
　　【請求項７】　前記下層上に、異種の耐食性金属または合金から成る複数の層を形成して前記上層とすることを特徴とする請求項５または６に記載の電子機器用きょう体の製造方法。
　　【請求項８】　前記上層を構成する少なくとも一層を、ニッケル、錫、パーマロイ、ミューメタル、金および銀から成る群から選択された耐食性金属または合金から成る層として形成することを特徴とする請求項５から７までのいずれか１項に記載の電子機器用きょう体の製造方法。」（以下、請求項１に係る発明を「本願発明」という。）
　
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された特開昭６２−５６９９号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、「電磁波遮蔽性Ｃｕ薄膜」に関して、次の事項が記載されている。
　ア）「電子機器類の電磁波遮蔽方法としては従来、……筐体を金属性にする、……プラスチックの表面をメタライズする、……導電性の充填材を分散配合する、……等が知られている。」（第１頁左下欄末行〜右下欄第８行）
　イ）「この発明は、……Ｃｕ薄膜の少くとも片面に、……異種の金属薄膜を積層し、電磁波遮蔽性が高くしかも該電磁波遮蔽性が経時的に低下しないＣｕ薄膜としたことを特徴とする、電磁波遮蔽性Ｃｕ薄膜である。
　……
　Ｃｕ薄膜は真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の薄膜生成法により適宜の基板上に形成する。基板はこの発明の電磁波遮蔽性Ｃｕ薄膜を使用する分野、用途等に応じて適宜選択すればよく、例えば筐体に直接形成してもよく、またプラスチックフイルム等に形成してもよい。
　……
　Ｃｕ薄膜に積層する異種の金属薄膜はＣｕ薄膜の保護ともなるものであり、使用する分野により適宜の金属薄膜を真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等によりＣｕ薄膜の片面又は両面に形成する。
　異種の金属薄膜としては例えばＮｉ、Ｓｎ、……等の薄膜が使用できる。異種の金属薄膜はＣｕ薄膜の片面又は両面に積層するが、両面の場合表裏で同一又は異つた金属のいずれを使用してもよい。」（第２頁左上欄第９行〜右上欄末行）
　
　引用刊行物には、電磁波遮蔽性Ｃｕ薄膜を筐体に直接形成してもよい旨が記載されており（記載事項イ、参照）、当該筐体は、引用刊行物の従来の技術（記載事項ア、参照）に記載されているように、電子機器を内部に収容するためのものであって、通常はプラスチック製のものである。
　そうすると、記載事項ア及びイを総合すると、引用刊行物には、
　「電子機器を内部に収容するための筐体において、プラスチック製の筐体に、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等により形成されたＣｕ薄膜と、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等により形成され該Ｃｕ薄膜を保護する異種の金属薄膜とから成る電磁波遮蔽性Ｃｕ薄膜を設けた電子機器用筐体」
の発明（以下、「引用刊行物記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
　
３．発明の対比
　本願発明と引用刊行物記載の発明とを対比すると、引用刊行物記載の発明の「プラスチック製の筐体」は、本願発明の「樹脂製の筐体」に相当する。
　また、引用刊行物記載の発明の「真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング」等の薄膜生成法は、それぞれ、本願発明の「乾式法」の一種といえるものであって、当該薄膜生成法により形成される、引用刊行物記載の発明の「Ｃｕ薄膜」、「Ｃｕ薄膜を保護する異種の金属薄膜」、「電磁波遮蔽性Ｃｕ薄膜」は、それぞれ、本願発明の「実質的に銅から成る下層」、「銅の下層を腐食から保護する耐食性金属から成る上層」、「電磁波シールド用皮膜」に実質的に相当する。
　よって、本願発明と引用刊行物記載の発明とは、
　「電子機器を内部に収容するためのきょう体において、樹脂製のきょう体に、乾式法により形成された実質的に銅から成る下層と、乾式法により形成され該銅の下層を腐食から保護する耐食性金属から成る上層とから成る電磁波シールド用皮膜を設けた電子機器用きょう体」
である点で一致し、次の２点（相違点１及び２）で相違している。
　
《相違点１》
　本願発明では、「下記皮膜が形成される表面がプラズマエッチングにより洗浄された樹脂製のきょう体基体」を発明の構成に欠くことができない事項としているのに対して、引用刊行物記載の発明では、そのようなプラズマエッチングについての言及がない点。
《相違点２》
　本願発明では、「樹脂製のきょう体基体の該内部側表面または両面に」、電磁波シールド用皮膜を設けているのに対して、引用刊行物記載の発明では、きょう体（筐体）のどの表面に、電磁波シールド用皮膜（電磁波遮蔽性Ｃｕ薄膜）を設けるかについての言及がない点。
　
４．当審の判断
　そこで、上記各相違点について以下で検討する。
《相違点１》について
　一般的に、樹脂製の基体の表面に金属皮膜を形成する前に、当該樹脂製の基体の表面をプラズマエッチング処理することは周知技術であり（例えば、特開平２−２７７７７８号公報第１頁右下欄第３〜１１行、特開平３−３５５８５号公報第１頁左下欄第５行〜右下欄第１行、参照）、引用刊行物記載の発明において、電磁波シールド用皮膜（電磁波遮蔽性Ｃｕ薄膜）が形成されるきょう体（筐体）基体の表面をプラズマエッチング処理して洗浄することは、上記周知技術に基いて、当業者であれば容易に想到できた事項である。
《相違点２》について
　電子機器用きょう体は、通常、内部側表面及び外部側表面を有しており、きょう体（筐体）のどの表面に、電磁波シールド用皮膜（電磁波遮蔽性Ｃｕ薄膜）を設けるかは、当業者であれば、適宜選択しうる設計上の事項である。
　
　また、本願発明が奏する作用効果も、引用刊行物記載の発明及び上記周知技術から予測される程度以上のものでもない。
　
５．請求項２ないし８に係る発明について
　本願の請求項２ないし８に係る発明においても、発明の新規性あるいは進歩性が認められるような格別の構成事項は見あたらない。
　
６．むすび
　したがって、本願の請求項１ないし８に係る発明は、引用刊行物記載の発明及び上記周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。