【手続補正書】
【提出日】平成24年3月2日(2012.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の誘電率が4未満である低誘電率(low-k)誘電体膜を硬化させる方法であって：
基板上にlow-k誘電体膜を形成する工程；
前記low-k誘電体膜を第1赤外(IR)放射線に暴露する工程；
前記low-k誘電体膜を前記第1IR放射線の暴露に続いて紫外(UV)放射線に暴露する工程；及び、
前記low-k誘電体膜を前記UV放射線の暴露に続いて第2赤外(IR)放射線に暴露する工程；
を有する方法。
【請求項２】
前記第1IR暴露中、前記low-k誘電体膜を、200℃〜600℃の範囲である第1IR熱処理温度にまで前記基板温度を昇温することによって加熱する工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記第1IR熱処理温度は約350℃〜約450℃の範囲である、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
前記UV暴露中、前記low-k誘電体膜を、200℃〜600℃の範囲であるUV熱処理温度にまで前記基板温度を昇温することによって加熱する工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記UV熱処理温度は約300℃〜約500℃の範囲である、請求項4に記載の方法。
【請求項６】
前記第2IR暴露中、前記low-k誘電体膜を、200℃〜600℃の範囲である第2IR熱処理温度にまで前記基板温度を昇温することによって加熱する工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記第2IR熱処理温度は約350℃〜約450℃の範囲である、請求項6に記載の方法。
【請求項８】
前記のlow-k誘電体膜をUV放射線に暴露する工程は、多色UV放射線、単色UV放射線、パルス状UV放射線、若しくは連続波UV放射線、又は上記2つ以上の組み合わせに前記low-k誘電体膜を暴露する工程を有する、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記のlow-k誘電体膜をUV放射線に暴露する工程は、1つ以上のUVランプ、1つ以上のUV  LED、若しくは1つ以上のUVレーザー、又は上記2つ以上を組み合わせたものからのUV放射線に前記low-k誘電体膜を暴露する工程を有する、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
前記のlow-k誘電体膜をUV放射線に暴露する工程は、200nm〜400nmの範囲の波長を有するUV放射線に前記low-k誘電体膜を暴露する工程を有する、請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
前記のlow-k誘電体膜をUV放射線に暴露する工程は、200nm〜240nmの範囲の波長を有するUV放射線に前記low-k誘電体膜を暴露する工程を有する、請求項1に記載の方法。
【請求項１２】
前記のlow-k誘電体膜を第1IR放射線に暴露する工程は、多色IR放射線、単色IR放射線、パルス状IR放射線、若しくは連続波IR放射線、又は上記2つ以上の組み合わせに前記low-k誘電体膜を暴露する工程を有する、請求項1に記載の方法。
【請求項１３】
前記のlow-k誘電体膜を第1IR放射線に暴露する工程は、1つ以上のIRランプ、1つ以上のIR  LED、若しくは1つ以上のIRレーザー、又は上記2つ以上を組み合わせたものからのIR放射線に前記low-k誘電体膜を暴露する工程を有する、請求項1に記載の方法。
【請求項１４】
前記のlow-k誘電体膜を第1IR放射線に暴露する工程は、8μm〜12μmの範囲の波長を有するIR放射線に前記low-k誘電体膜を暴露する工程を有する、請求項1に記載の方法。
【請求項１５】
前記のlow-k誘電体膜をUV放射線に暴露する工程は、前記UV暴露中の少なくとも一時期に、前記low-k誘電体膜を第3IR放射線に暴露する工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
【請求項１６】
前記のlow-k誘電体膜を第3IR放射線に暴露する工程は、8μm〜12μmの範囲の波長を有するIR放射線に前記low-k誘電体膜を暴露する工程を有する、請求項15に記載の方法。
【請求項１７】
前記第2IR暴露に続いて、前記誘電体膜上に他の膜を堆積する工程、前記誘電体膜を洗浄する工程、又は前記誘電体膜をプラズマに暴露する工程のうちの1つ以上を実行することによって前記誘電体膜を処理する工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
【請求項１８】
前記low-k誘電体膜は構造形成材料と孔生成材料を有する、請求項1に記載の方法。
【請求項１９】
前記第1IR暴露中に前記low-k誘電体膜を第2UV放射線に暴露する工程をさらに有する請求項1に記載の方法であって、
前記第2UV暴露は第1IR暴露に続く前記第1UV暴露とは異なる、方法。
【請求項２０】
前記のlow-k誘電体膜を第2UV放射線に暴露する工程は、300nm〜450nmの範囲の波長を有するUV放射線に前記low-k誘電体膜を暴露する工程を有する、請求項19に記載の方法。
【請求項２１】
基板上の低誘電率(low-k)誘電体膜を硬化させる方法であって、
当該方法は：
基板上にlow-k誘電体膜を形成する工程であって、前記low-k誘電体膜は構造形成材料と孔生成材料を有する工程；
前記low-k誘電体膜を第1期間の間赤外(IR)放射線に暴露する工程；及び、
前記第1期間中、前記low-k誘電体膜を第2期間の間紫外(UV)放射線に暴露する工程；
を有し、
前記第2期間は前記第1期間のわずか一部分であり、かつ
前記第2期間は前記第1期間の開始時後の第1時点にて始まり、前記第1期間の終了時前の第2時点にて終了する、
方法。
【請求項２２】
基板上の低誘電率(low-k)誘電体膜を硬化させる方法であって：
基板上にlow-k誘電体膜を形成する工程であって、前記low-k誘電体膜は構造形成材料と孔生成材料を有する工程；
前記low-k誘電体膜から前記孔生成材料を実質的に除去することで有孔性low-k誘電体膜を形成する工程；
前記除去に続いて前記有孔性low-k誘電体膜中に架橋開始剤を生成する工程；及び、
前記架橋開始剤の生成に続いて前記有孔性low-k誘電体膜を架橋する工程；
を有する方法。
【請求項２３】
基板上に有孔性低誘電率(low-k)膜を調製する方法であって：
構造形成材料と架橋を抑制する物質を有するlow-k誘電体膜を形成する工程；
前記low-k誘電体膜を赤外(IR)放射線に暴露する工程；及び、
前記low-k誘電体膜の機械特性、電気特性、光学特性、孔のサイズ、若しくは有孔率、又は上記2種類以上を組み合わせた特性を調節するために前記架橋を抑制する物質の残量を調整する工程；
を有する方法。
【請求項２４】
前記架橋を抑制する物質は、湿気、水分、汚染物、孔生成材料、残留する孔生成材料、前記構造形成材料と弱く結合する側鎖基、孔生成分子（の断片）、又は上記2つ以上の混合物を有する、請求項23に記載の方法。
【請求項２５】
前記架橋を抑制する物質は孔生成材料を有し、かつ
前記の構造形成材料と架橋を抑制する物質を有するlow-k誘電体膜を形成する工程は、前記基板表面上の構造形成分子と孔生成分子を共重合させる工程を有する、
請求項23に記載の方法。
【請求項２６】
前記架橋を抑制する物質は孔生成材料を有し、かつ
前記の構造形成材料と架橋を抑制する物質を有するlow-k誘電体膜を形成する工程は、前記基板表面上に構造形成分子を堆積させる工程であって、前記構造形成分子は該構造形成分子と弱く結合する孔生成分子の側鎖基を有する工程、を有する、
請求項23に記載の方法。
【請求項２７】
前記の架橋を抑制する物質の残量を調節する工程は、前記IR暴露中、前記low-k誘電体膜から前記架橋を抑制する物質を実質的に除去する工程を有する、請求項23に記載の方法。
【請求項２８】
前記架橋を抑制する物質は、前記low-k誘電体膜が紫外(UV)放射線に暴露される前に実質的に除去される、請求項27に記載の方法。
【請求項２９】
前記の架橋を抑制する物質の残量を調節する工程は、前記IR暴露の期間、前記IR暴露のIR強度、若しくは前記IR暴露のIR照射量、又は前記2つ以上の組み合わせを調節する工程を有する、請求項23に記載の方法。
【請求項３０】
前記機械特性が弾性モジュラス(E)及び/又は硬度(H)を有する、請求項23に記載の方法。
【請求項３１】
前記電気特性が誘電率(k)を有する、請求項23に記載の方法。
【請求項３２】
前記光学特性が屈折率(n)を有する、請求項23に記載の方法。
【請求項３３】
前記low-k誘電体膜を紫外(UV)放射線に暴露する工程をさらに有する、請求項23に記載の方法。
【請求項３４】
前記UV暴露が前記IR暴露に続いて行われる、請求項33に記載の方法。
【請求項３５】
前記UV暴露が前記IR暴露の一部期間中又は全期間中に行われる、請求項33に記載の方法。
【請求項３６】
前記の架橋を抑制する物質の残量を調節する工程は、前記IR暴露中での前記UV暴露の期間、前記UV暴露のUV強度、若しくは前記UV暴露のUV照射量、又は前記2つ以上の組み合わせを調節する工程を有する、請求項33に記載の方法。
【請求項３７】
前記IR暴露に続いて、前記low-k誘電体膜を紫外(UV)放射線に暴露する工程；及び、
前記UV暴露中に前記low-k誘電体膜を第2IR放射線に暴露する工程；
をさらに有する、請求項23に記載の方法。
【請求項３８】
前記UV暴露に続いて、前記low-k誘電体膜を第3IR放射線に暴露する工程をさらに有する、請求項37に記載の方法。
【請求項３９】
前記IR暴露に続いて、前記low-k誘電体膜を第1紫外(UV)放射線に暴露する工程；及び、
前記第1UV暴露中に前記low-k誘電体膜を第2UV放射線に暴露する工程；
をさらに有する請求項28に記載の方法であって、
前記第2UV暴露は前記第1UV暴露とは異なる、
方法。
【請求項４０】
前記の架橋を抑制する物質の残量を調節する工程は、前記IR暴露中での前記第2UV暴露の期間、前記第2UV暴露のUV強度、若しくは前記第2UV暴露のUV照射量、又は前記2つ以上の組み合わせを調節する工程を有する、請求項39に記載の方法。
【請求項４１】
前記IR暴露前、前記IR暴露中、前記IR暴露後、又は上記2つ以上の時期に前記基板を加熱する工程をさらに有する、請求項23に記載の方法。
【請求項４２】
基板上に有孔性low-k誘電体膜を調製する方法であって：
化学気相成長(CVD)法を用いて基板上にSiCOH含有誘電体膜を形成する工程であって、前記CVD法はジエトキシメチルシラン(DEMS)及び孔生成材料を用いる、工程；
前記SiCOH含有誘電体膜を、前記孔生成材料を実質的に除去するのに十分な長さである第1期間だけ、IR放射線に暴露する工程；
前記IR暴露に続いて、前記SiCOH含有誘電体膜を、第2期間だけ、UV放射線に暴露する工程；並びに、
前記第2期間の一部期間又は全期間中に前記SiCOH含有誘電体膜を加熱する工程；
を有する方法。
【請求項４３】
前記孔生成材料は、ターペン、ノルボルネン、5-ジメチル-1,4-シクロオクタジエン、デカヒドロナフタレン、エチルベンゼン、若しくはリモネン、又は前記2つ以上の混合物を有する、請求項42に記載の方法。
【請求項４４】
前記孔生成材料はα-テルピネン(ATRP)を有する、請求項42に記載の方法。
【請求項４５】
基板上に有孔性low-k誘電体膜を調製する方法であって：
化学気相成長(CVD)法を用いて基板上にSiCOH含有誘電体膜を形成する工程であって、前記CVD法はジエトキシメチルシラン(DEMS)及び孔生成材料を用いる、工程；
前記SiCOH含有誘電体膜を、前記孔生成材料を実質的に除去するのに十分な長さである第1期間だけ、IR放射線に暴露する工程；
前記IR暴露に続いて、前記SiCOH含有誘電体膜を、第2期間だけ、UV放射線に暴露する工程；
前記UV暴露中、第3期間だけ、前記SiCOH含有誘電体膜を第2IR放射線へ暴露する工程；及び、
前記UV暴露に続いて、第4期間だけ、前記SiCOH含有誘電体膜を第3IR放射線へ暴露する工程；
を有する方法。
【請求項４６】
前記第2期間の一部期間又は前記第2期間の全期間中に前記SiCOH含有誘電体膜を加熱する工程をさらに有する、請求項45に記載の方法。
【請求項４７】
前記第3期間は前記第2期間と一致する、請求項46に記載の方法。
【請求項４８】
前記孔生成材料は、ターペン、ノルボルネン、5-ジメチル-1,4-シクロオクタジエン、デカヒドロナフタレン、エチルベンゼン、若しくはリモネン、又は前記2つ以上の混合物を有する、請求項45に記載の方法。
【請求項４９】
前記孔生成材料はα-テルピネン(ATRP)を有する、請求項45に記載の方法。