【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年1月24日(2014.1.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超伝導性の物品であって、以下のものよりなる：
基板；
前記基板の上に横たわる、結晶性の、耐エピタキシャル膜、該耐エピタキシャル膜は、［１１１］結晶方向に沿った平面外方位に並んだ単一軸テキスチャーを持つ；
前記耐エピタキシャル膜の上に横たわるバッファー膜であって、該バッファー膜は、平面外方位に沿った＜００１＞方位を持つ２軸の結晶テキスチャーを持つ；かつ、
前記バッファー膜の上に横たわる超伝導性の層。
【請求項２】
請求項１に記載の超伝導性の物品であって、
前記２軸結晶テキスチャーは、３０度より大きくない、平面外ミス方位である。
【請求項３】
請求項２に記載の超伝導性の物品であって、
前記２軸結晶テキスチャーは、２０度より大きくない、平面外ミス方位である。
【請求項４】
請求項３に記載の超伝導性の物品であって、
前記２軸結晶テキスチャーは、１０度より大きくない、平面外ミス方位である。
【請求項５】
請求項１に記載の超伝導性の物品であって、
前記結晶性耐エピタキシャル膜は、１０ｎｍより小さくない平均グレインサイズを持つ。
【請求項６】
請求項５に記載の超伝導性の物品であって、
前記結晶性耐エピタキシャル膜は、２０ｎｍより小さくない平均グレインサイズを持つ。
【請求項７】
以下のものよりなる超伝導性の物品：
基板；
前記基板の上に横たわる、結晶性の、耐エピタキシャル膜；
前記耐エピタキシャル膜の上に横たわるバッファー膜であって、該バッファー膜は、２軸の結晶テキスチャーを持つ；かつ、
前記バッファー膜の上に横たわる超伝導性層、
ここで、前記耐エピタキシャル膜の表面格子対称性は、３重対称性であり、前記バッファー膜の表面格子対称性は、４重対称性である。
【請求項８】
請求項７に記載の超伝導性の物品であって、
前記耐エピタキシャル膜は、（１１１）方位を持つ、フルオライト型材料、パイロクロア型材料、及び、希土類Ｃ型材料より選択されたものである。
【請求項９】
請求項１に記載の超伝導性の物品であって、
前記耐エピタキシャル膜は、格子パラメータａ、ｂ、ｃを持つ非立方体材料よりなり、ここで、上記格子パラメータのうちの任意の２つの値間の差は、２０％より小さくない。
【請求項１０】
請求項９に記載の超伝導性の物品であって、
前記耐エピタキシャル膜は、格子平面を持つ、単斜晶系の、または、三斜晶系の、構造材料よりなり、ここで、前記格子平面間の角度は、５°以上だけ、非直交である。
【請求項１１】
請求項９に記載の超伝導性の物品であって、
前記耐エピタキシャル膜は、直交構造材料よりなる。
【請求項１２】
請求項１０に記載の超伝導性の物品であって、
前記耐エピタキシャル膜は、単斜晶系構造材料よりなる。
【請求項１３】
請求項１に記載の超伝導性の物品であって、
前記耐エピタキシャル膜は、酸化ガドリニウム、酸化テルビウム、酸化スカンジウム、酸化サマリウム、酸化チタニウム、酸化ヴァナジウム、酸化ニオビウム、酸化クロミウム、酸化ジルコニウム、酸化ネオジミウム、酸化ホルミウム、酸化プラセオジミウム、酸化プロメシウム、酸化ジスプロシウム、酸化ツリウム、酸化ルテチウム、酸化イッテルビウム、および、酸化ビスマスよりなるグループからの少なくとも１つの材料よりなる。
【請求項１４】
請求項１に記載の超伝導性の物品であって、
前記耐エピタキシャル膜は、表面緩和を持つ材料よりなる。
【請求項１５】
請求項１に記載の超伝導性の物品であって、前記バッファー膜は、（００１）電荷バランス結晶表面を持つ非岩塩状材料よりなる。
【請求項１６】
請求項１に記載の超伝導性の物品であって、
前記バッファー膜は、（００１）最低自由エネルギーの、または（１００）最密充填平面を持つ、非立方体構造の材料よりなる。
【請求項１７】
請求項１に記載の超伝導性の物品であって、
前記バッファー膜は、MgO、NiO、YSZ、CeO2、Y2O3、  Mn3O4,  Fe3O4、Cu2O,  および、RE2O3,  ここで、ＲＥは、希土類元素であり、正方晶構造材料、菱面体晶構造材料、および、異方性の層構造材料、よりなるグループからの少なくとも１つの材料よりなる。
【請求項１８】
請求項１に記載の超伝導性の物品であって、
前記超伝導性の層は、REBa2Cu3O7-x よりなり、ここで、ＲＥは、稀土類元素である。
【請求項１９】
請求項１８に記載の超伝導性の物品であって、
ＲＥは、Ｙよりなる。
【請求項２０】
請求項１に記載の超伝導性の物品であって、
前記超伝導性物品は、超伝導性のテープの形をしている。
【請求項２１】
請求項２０に記載の超伝導性の物品であって、
前記物品は、１０より小さくない寸法比を有し、当該寸法比とは、前記基板または前記テープの長さの、次の最も長い寸法、すなわち、該基板または該テープの幅、に対する比である。
【請求項２２】
請求項１に記載の超伝導性の物品であって、
前記超伝導性の物品は、超伝導性テープのコイルであり、該超伝導性テープのコイルは、前記基板、前記耐エピタキシャル膜、前記バッファー膜、および、前記超伝導性の層よりなる。
【請求項２３】
請求項１に記載の超伝導性の物品であって、
該物品は、電力変圧器よりなり、該電力変圧器は、少なくとも１つの、一次巻線、および、２次巻線を備え、ここで、少なくとも１つの一次巻線、および、２次巻線は、超伝導性のテープの巻かれたコイルよりなり、前記超伝導性のテープは、前記基板、前記耐エピタキシャル膜、前記バッファー膜、および、前記超伝導性の層よりなる。
【請求項２４】
請求項１に記載の超伝導性の物品であって、
前記物品は、回転機械であり、該回転機械は、少なくとも１つの巻き線を含み、ここで、該少なくとも１つの巻き線は、前記基板、前記耐エピタキシャル膜、前記バッファー膜、および、前記超伝導性の層より形成される超伝導性のテープよりなる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】超伝導性の物品
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
もう１つの実施形態において、該耐エピタキシャル膜２０２は、バッファー膜２０４の表面格子対称性とは異なる表面格子対称性を持つ結晶学的材料よりなり、該バッファー膜２０４における結晶成長を妨げる。以前の実施形態において述べたように、該耐エピタキシャル膜２０２よりなる材料の選択は、該バッファー膜２０４よりなる材料により、部分的に決定される。１つの実施形態において、該バッファー膜２０４材料は、岩塩状結晶構造よりなり、代表的に、４重の表面格子対称性を持つ、ＩＢＡＤ  ＭｇＯ、のようなＩＢＡＤにより形成される。したがって、該耐エピタキシャル膜２０２は、３重の、または２重の、表面格子対称性のような、異なる表面格子対称性を持つ材料を含むことができる。１つの実施形態において、該バッファー膜２０４は、（００１）方位のＩＢＡＤ  ＭｇＯを含み、該耐エピタキシャル膜２０２は、イットリウム安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、GdZrO7  等のパイロクロア型材料、および、酸化イットリウム等の希土類Ｃ型材料等の、（１１１）方位のフルオライト型材料よりなる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
もう１つの実施形態において、該耐エピタキシャル膜２０２は、格子パラメータａ、ｂ、ｃを持つ非立方体材料よりなり、ここで、上記格子パラメータのうちの任意の２つの値間の差は、約２０％より小さくなく、好ましくは、約３０％より、小さくない。
もう１つの実施形態において、耐エピタキシャル膜２０２は、格子平面間の角度が、少なくとも５°だけ、好ましくは、少なくとも１０°だけ、直角ではない、三斜晶系の、または単斜晶系の、結晶構造を持つ材料よりなる。該耐エピタキシャル膜２０２材料は、上記したように、ａ、ｂ、ｃ格子定数間に、両方ともに大きな差を持ち、かつ、三斜晶系、または単斜晶系構造をもつ材料よりなる。適切な材料は、酸化ガドリニウム、酸化テルビウム、酸化スカンジウム、酸化サマリウム、酸化ジルコニウム、酸化ホルミウム、酸化プラセオジミウム、酸化プロメシウム、酸化ジスプロシウム、酸化ツリウム、酸化ルテチウム、酸化イッテルビウム、および、酸化ネオジミウム等の、基を中心とした単斜晶系構造を含む。他の、酸化チタニウム、酸化ヴァナジウム、酸化ニオビウム、酸化クロミウム等の単斜晶系材料、および、酸化ビスマス等の直交構造材料をも、利用することができる。