【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年2月5日(2014.2.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
基本的な(Rudimentary)量子ドットベースの発光デバイスは、通常はシリコーン又はアクリレートである、光学的に透明な(即ち、十分に透過的な)ＬＥＤカプセル化媒体(medium)に、コロイド的に生産された量子ドットを埋め込み、その後ソリッドステートＬＥＤの上に配置することによって、製造されている。量子ドットの使用は、量子ドットが単分散される場合、放射波長を調整する能力、強い吸収特性、及び低い散乱性等の、より従来的なリン光体の使用に勝る幾らか顕著な利点を潜在的に有する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
好ましい実施形態において、複数の量子ドットは、１又は複数のシリカビーズに組み込まれる。１又は複数のシリカビーズはまた、ベンゾフェノンやその誘導体などの遊離基捕捉剤(free radical scavenger)を含んでいる。量子ドット含有ビーズは、次に、シリコーン、エポキシ樹脂、(メタ)アクリレート又はポリマー材料等のホストＬＥＤカプセル化材料に埋め込まれるか取り込まれる(entrapped)。このような配置が図１に概略的に描かれており、電流を与えた直後に青色１次光(2)を放射するように構成されたＬＥＤ(1)が、市販のＬＥＤカプセル材(3)に沈められている。その中には、ビーズの安定性を高めるための遊離基捕捉剤を含んでいる複数の量子ドット含有シリカビーズ(4, 5)が埋め込まれている。一部のビーズ(4)は、ＬＥＤ(1)の青色１次光による励起の直後に赤色２次光(6)を放射する量子ドットを含んでおり、残りのビーズ(4)は、ＬＥＤ(1)の青色１次光による励起の直後に緑色２次光(7)を放射する量子ドットを含んでいる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
ナノ粒子含有１次粒子又はビーズは、マイクロビーズの形態で与えられることが好ましい。直径が５０ｎｍ乃至５００μｍ、又はより好ましくは２５ｎｍ乃至０．１ｍｍ、又は更により好ましくは２０ｎｍ乃至０．５ｍｍのサイズに及び得る小さいマイクロビーズに量子ドットを予め入れて、添加物を加え、その後、例えばポリマー材料又は酸化材料の表面コーティングを随意選択的に与える。その結果もたらされるビーズは、ＵＶ又は青色ＬＥＤ上でのＬＥＤカプセル化材料への量子ドット含有ビーズの組込みのような、周囲環境及び／又は続く処理条件に対してより安定する。結果として、例えばＬＥＤベースのデバイスにおいて用いられる場合、量子ドットの取扱いがより容易になるだけでなく、量子ドットの光学性能が改善され、量子ドットが放射する光の色を調整するのがより簡易になる。更に、このアプローチは、演色、色の処理、及び色の再現を容易にするのに、ＬＥＤカプセル材(例えば、シリコーン、エポキシ、(メタ)アクリレート、ポリマー材料等)に量子ドットを直接組み込もうとするよりも簡易であり、光酸化に対してより卓越した量子ドット安定性を提供する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
２次マトリックス材料は、前述の１次マトリックス材料の群から選ばれてよい。例として、２次マトリックス材料は、ポリマー、樹脂、モノリス、ガラス、ゾルゲル、エポキシ、シリコーン及び(メタ)アクリレートからなる群から選ばれる材料を含んでよい。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
＜１次マトリックス材料＞
１次マトリックス材料は、光学的に透過な媒体、即ち、光が通過して、そして必ずでないが、光学的にほぼ透明な媒体であることが好ましい。１次マトリックス材料は、ビーズ又はマイクロビーズの形態であることが好ましく、樹脂、ポリマー、モノリス、ガラス、ゾルゲル、エポキシ、シリコーン、(メタ)アクリレート等であってよく、或いは、シリカを含んでいてよい。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９５】
＜ＬＥＤカプセル化材料＞
任意の既存の市販のＬＥＤカプセル材が、本発明に従って生成された、添加物含有ＱＤ-ビーズと共に使用されてよい。好ましいＬＥＤカプセル材は、シリコーン、エポキシ、(メタ)アクリレート及び他のポリマーを含むが、シリカガラス、シリカゲル、シロキサン、ゾルゲル、ヒドロゲル、アガロース、セルロース、エポキシ、ポリエーテル、ポリエチレン、ポリビニル、ポリ−ジアセチレン、ポリフェニレン−ビニレン、ポリスチレン、ポリピロール、ポリイミド、ポリイミダゾール、ポリスルホン、ポリチオフェン、ポリリン酸、ポリ(メタ)アクリレート、ポリアクリルアミド、ポリペプチド、多糖類、及びこれらの組合せ等の非限定の更なるオプションが利用可能であることは当業者によって理解できるであろう。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９６】
使用され得るＬＥＤカプセル材は、硬化処理を支持するために１又は複数の触媒を必要とするカプセル材を含む、ＵＶ硬化性カプセル材及び熱硬化性カプセル材を含むが、これらに限定されない。適した市販のシリコーンカプセル材の具体例は、ＳＣＲ１０１１、ＳＣＲ１０１２、ＳＣＲ１０１６、ＬＰＳ−３４１２(すべてＳｈｉｎ Ｅｔｓｕより入手可能)からなる群から選ばれてよく、適切なエポキシカプセル材の例は、Ｐａｃｉｆｉｃ Ｐｏｌｙｔｅｃｈ ＰＴ１００２、Ｆｉｎｅ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ Ｅｐｉｆｉｎｅ ＥＸ−１０３５Ａ、及びＦｉｎｅ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ Ｅｐｉｆｉｎｅ Ｘ−１９８７からなる群から選ばれてよい。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０５】
本発明は、発光デバイスを製造するのに用いられてよい、ロバストで高性能な、添加物含有ＱＤ-ビーズを提供する。１次粒子又はビーズの量子ドットは、１次光源からの１次光による励起があると、１次粒子の量子ドットが所望の色の２次光を放射するように、ソリッドステートの１次光子/光源(例えばＬＥＤ、レーザ、アーク灯又は黒体光源)と光学的に繋がっている。デバイス自体から放射される光の必要とされる強度及び放射波長は、１次光の色と、量子ドットによる１次光のダウンコンバージョンからもたらされる２次光の色との適切な混合に応じて選ばれる。更に、１次粒子の各タイプの量子ドットのサイズ(従って放射)及び数は、１次粒子を構成する１次マトリックス材料のサイズ、形態及び構成要素(constituency)のように制御されて、量子ドット含有メディアの続く混合により、任意の特定の色及び強度の光をもたらすことが可能となる。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１０】
＜ＺｎＳシェルの成長＞
ＨＤＡ(８００ｇ)を３つ口丸底フラスコに入れ、動的真空下で１時間以上１２０°Ｃに加熱することで、乾燥及び脱気した。その後、溶液を６０°Ｃに冷却し、これに、ＰＬ最大放射値が５８５ｎｍのＣｄＳｅナノ粒子を９．２３ｇ加えた。その後、ＨＤＡを２２０°Ｃに加熱した。これに、総計２０ｍｌの０．５Ｍ  Ｍｅ2Ｚｎ・ＴＯＰ、及びオクチルアミンに溶解した０．５Ｍ、２０ｍｌの硫黄を、交互に滴下付加して加えた。夫々３．５、５．５及び１１．０ｍｌの３つの交互付加を行い、これによって、最初に３．５ｍｌの硫黄を、ＰＬの最大強度がゼロに近づくまで滴下して加えた。その後、３．５ｍｌのＭｅ2Ｚｎ・ＴＯＰを、ＰＬの最大強度が最大値に達するまで滴下して加えた。このサイクルを、ＰＬの最大値が各サイクルでより高い強度に達する度に繰り返した。最後のサイクルで、ＰＬの最大強度に達したら、最大強度を５乃至１０％下回るまで更に前駆体を加え、反応液を１時間１５０°Ｃでアニールした。その後、反応混合物を６０°Ｃに冷却し、直ぐに３００ｍｌの「暖かい」乾燥エタノールを加え、粒子の沈殿を生じさせた。生じたＣｄＳｅ−ＺｎＳ粒子を乾燥させた後に、トルエンに再溶解させ、セライトを通して濾過した後に、温かいエタノールから再沈殿させて、あらゆる余分なＨＤＡを除去した。これにより、ＨＤＡでキャッピングされた１２．０８ｇのＣｄＳｅ−ＺｎＳコア−シェルナノ粒子が生成された。元素分析では、Ｃ＝２０．２７、Ｈ＝３．３７、Ｎ＝１．２５、Ｃｄ＝４０．１１、Ｚｎ＝４．４３％であった。最大ＰＬは５９０ｎｍ、ＦＷＨＭは３６ｎｍであった。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１３】
＜処理後の処置＞
上記のように調製したＩｎＰ量子ドットの量子収率は、希ＨＦ酸で洗浄することで増加した。ドットを、脱気した無水クロロホルム(〜２７０ｍｌ)に溶解させた。部分的に５０ｍｌを取り除き、プラスチック製のフラスコに入れ、窒素でフラッシュ(flush)した。プラスチックシリンジを用いて、３ｍｌの６０重量／重量％ＨＦを水に加え、脱気したＴＨＦ(１７ｍｌ)に加えて、ＨＦ溶液を作った。ＨＦをＩｎＰドットに５時間かけて滴下して加えた。付加完了後、溶液を一晩撹拌したままにした。塩化カルシウム水溶液を通して抽出し、エッチングされたＩｎＰドットを乾燥することで、過剰なＨＦを除去した。乾燥したドットを、将来の使用のために５０ｍｌのクロロホルム中に再分散させた。最大ＰＬが５６７ｎｍ、ＦＷＨＭが６０ｎｍであった。この段階のコア材料の量子効率は２５乃至９０％に及ぶ。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ナノ粒子の集団を含んでいる１次マトリックス材料を含む１次粒子であって、
各１次粒子は、半導体ナノ粒子の物理的、化学的及び／又は光安定性を高める添加物を更に含んでおり、それら１次粒子は、マイクロビーズの形態で提供され、
添加物は、還元剤、遊離基捕捉剤、及び水素化物反応剤からなる群から選択される１次粒子。
【請求項２】
マイクロビーズは、２０ｎｍ乃至０．５ｍｍの平均直径を有する、請求項１に記載の１次粒子。
【請求項３】
１次マトリックス材料は、ポリマー、樹脂、モノリス、ガラス、ゾルゲル、エポキシ、シリコン及び(メタ)アクリレートからなる群から選ばれる材料を含む、請求項１又は請求項２に記載の１次粒子。
【請求項４】
１次マトリックス材料は、アクリレートポリマー、エポキシド、ポリアミド、ポリイミド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリチオエーテル、ポリアクリロニトリル、ポリジエン、ポリスチレンポリブタジエンコポリマー、パイリレン、シリカ−アクリレートハイブリッド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフッ化ビニリデン、ポリジビニルベンゼン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイソブチレン、ポリイソプレン、セルロース誘導体、及びこれらの組合せからなる群から選ばれる材料を含む、請求項１又は請求項２に記載の１次粒子。
【請求項５】
添加物は、アスコルビン酸パルミテート、α−トコフェノール、オクタンチオール、ブチルヒドロキシアニソール、ブチルヒドロキシトルエン、ガレートエステル、及びメタ重亜硫酸からなる群から選択される、請求項１乃至請求項４の何れかに記載の１次粒子。
【請求項６】
添加物は、ベンゾフェノンである、請求項１乃至請求項４の何れかに記載の１次粒子。
【請求項７】
添加物は、１，４−ブタンジオール、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸アリル、１，６ヘプタジエン−４−オル、オクタジエン、及び１，４ブタジエンを含む群から選択される、請求項１乃至請求項４の何れかに記載の１次粒子。
【請求項８】
１次粒子には、表面コーティング材料の層が与えられている、請求項１乃至請求項７の何れかに記載の１次粒子。
【請求項９】
表面コーティング材料は、外部環境から１次マトリックス材料を通って半導体ナノ粒子にまで及ぶ、有害であり得る種の通過又は拡散を防止する保護バリアを、１次粒子に与えるように選ばれた材料を含んでいる、請求項８に記載の１次粒子。
【請求項１０】
表面コーティング材料は、１次マトリックス材料を通る酸素又は酸化剤の通過を妨害又は防止するバリアとして機能する、請求項８に記載の１次粒子。
【請求項１１】
表面コーティング材料は、１次マトリックス材料を通るフリーラジカル種の通過を妨害又は防止するバリアとして機能する、請求項８に記載の１次粒子。
【請求項１２】
表面コーティング材料は、水分が１次マトリックス材料を通過することを妨害又は防止するバリアとして機能する、請求項８に記載の１次粒子。
【請求項１３】
表面コーティング材料は、最大で５００ｎｍの厚さを有する、請求項８乃至請求項１２の何れかに記載の１次粒子。
【請求項１４】
表面コーティング材料は、５乃至１００ｎｍの厚さを有する、請求項８乃至請求項１２の何れかに記載の１次粒子。
【請求項１５】
表面コーティング材料は、無機材料を含む、請求項８乃至請求項１４の何れかに記載の１次粒子。
【請求項１６】
無機材料は、誘電体、金属酸化物、金属窒化物、又はシリカベースの材料からなる群から選択される、請求項１５に記載の１次粒子。
【請求項１７】
表面コーティング材料は、ポリマー材料を含む、請求項８乃至請求項１４の何れかに記載の１次粒子。
【請求項１８】
ポリマー材料は、飽和炭化水素ポリマー又は不飽和炭化水素ポリマーであり、或いは、１又は複数のヘテロ原子若しくはヘテロ原子含有官能基を組み込んでいるポリマーである、請求項１７に記載の１次粒子。
【請求項１９】
半導体ナノ粒子は、周期表の１１族、１２族、１３族、１４族、１５族及び／又は１６族から選ばれるイオン、或いは、１又は複数タイプの遷移金属イオン若しくはｄブロック金属イオンを含む、請求項１乃至請求項１８の何れかに記載の１次粒子。
【請求項２０】
半導体ナノ粒子は、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＰ、ＡｌＳ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ及びそれらの組合せからなる群から選ばれる、１又は複数の半導体材料を含む、請求項１乃至請求項１８の何れかに記載の１次粒子。
【請求項２１】
２次マトリックス材料に分散された、請求項１乃至請求項２０の何れかに記載の複数の１次粒子を組み込んでいる複合材料。
【請求項２２】
２次マトリックス材料は、ポリマー、樹脂、モノリス、ガラス、ゾルゲル、エポキシ、シリコン及び(メタ)アクリレートからなる群から選ばれる材料を含む、請求項２１に記載の複合材料。
【請求項２３】
２次マトリックス材料は、１又は複数の２次粒子の形態であり、各２次粒子は、半導体ナノ粒子の物理的、化学的及び／又は光安定性を高める１又は複数の添加物を含む、請求項２１又は請求項２２に記載の複合材料。
【請求項２４】
ホスト発光ダイオードカプセル化媒体に埋め込まれており、請求項１乃至請求項２０の何れかに記載の複数の１次粒子を含む調製物と光学的に繋がっている１次光源を有する発光デバイス。
【請求項２５】
ホスト発光ダイオードカプセル化媒体に埋め込まれており、請求項２１乃至請求項２３の何れかに記載の複合材料を含む調製物と光学的に繋がっている１次光源を有する発光デバイス。
【請求項２６】
１次マトリックス材料と、半導体ナノ粒子の集団と、半導体粒子の物理的、化学的及び／又は光安定性を高める添加物とを含む１次粒子を調製する方法であって、
１次粒子を形成するのに適した条件下で、半導体ナノ粒子と、1次マトリックス材料と、添加物とを結合させることを含んでおり、
添加物は、還元剤、遊離基捕捉剤、及び水素化物反応剤からなる群から選択される方法。
【請求項２７】
添加物は、１次マトリックス材料の前駆体の反応中に、半導体ナノ粒子と、１次マトリックス材料の前駆体とに結合する、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
半導体ナノ粒子は、１次マトリックス材料の前駆体と結合する前に、マトリックス材料内に含まれている、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
半導体ナノ粒子が第１マトリックス材料に取り込まれた後で、添加物が加えられる、請求項２６、請求項２７、又は請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
表面コーティングが、１次粒子の表面に与えられている、請求項２６乃至請求項２９の何れかに記載されている方法。
【請求項３１】
表面コーティングは、１乃至５００ｎｍの層厚を有するように形成されている、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
表面コーティングは、原子層堆積によって与えられる、請求項３０又は請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
表面コーティングは、１次粒子の表面上にイン・サイチュで生成される、請求項３０又は請求項３１に記載の方法。