【事件の表示】
　平成　５年特許願第　７２５９５号「薄膜磁気ヘッドのポールトリミング方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年１０月１８日出願公開、特開平　６−２９０４２３］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　経緯
　本件は、平成５年３月３１日に特許出願し、平成１２年２月１７日付けで公知の刊行物に記載された発明に基づいて容易に発明できたとする拒絶理由が出され、平成１２年４月２８日に意見書及び手続補正書を提出したが、平成１４年５月１７日付けで拒絶査定されたので、平成１４年６月２６日に審判請求におよんだものである。
　
２　本願発明
　上記手続補正書で補正された明細書および図面の記載から見て、本願発明の特許請求の範囲請求項１，２に係る発明は、その請求項１，２に記載されたとおりのものであり、そのうち請求項１に係る発明は次のものである。
「【請求項１】ポールピース部を形成する上部磁性層と下部磁性層をイオンビームでエッチングするイオンビームエッチングにおいて、前記上部磁性層側から前記イオンビームを照射するとともに、前記イオンビームの入射角を前記下部磁性層材の最大エッチングレートとなる入射角とは異なる角度に設定し、前記角度により前記上部磁性層の上面とエッジ部及び、前記下部磁性層の上部磁性層側面の真下から外側のエッジ部を削除するようにイオンビームエッチングすることを特徴とする薄膜磁気ヘッドのポールトリミング方法。（以下、本願発明という。）」
　
３　引用例
　拒絶の理由に引用された、本件出願前公知の刊行物である引用文献２（特開昭６３−５５７１１号公報、以下引用例という。）には次の記載がある。
　
ａ　第２頁左下欄第１０行〜第３頁左上欄第１４行に、
「〔実施例〕
　第２図は本発明の実施例である。右側の図（ａ’）〜（ｃ’）はヘッドの上面図、左側の図（ａ）〜（ｃ）は磁極先端の断面である。
　図（ａ）に示すように、まず基板２上に下部磁極の磁性層（ＮｉＦｅ）３ａを所定の下部磁極厚ｔＤだけ形成する。形成方法はメッキ方、スパッタ法、蒸着法のいずれでもよい。ただし先端の幅ＷＤは、所望コア幅ＣＷに比べて十分に大きいものとする。その後ギャップ層（Ａｌ２Ｏ３あるいはＳｉＯ２）４をスパッタ法にて形成し、さらにコイル層５、絶縁層６を形成する。図ではコイル５の端子部への引き出し部分のみ示す。そしてその上に上部磁極用の磁性層（ＮｉＦｅ）７ａを、その先端の幅が所望コア幅ＣＷになるようマスクメッキ法にて形成する。マスクメッキ法では、フォトリソグラフィー技術を用いるため、コア幅ＣＷの精度は高い。なあ（注：なおの誤記）、膜厚ｔｕ’は所定の上部磁極厚ｔｕと下部磁極厚ｔＤとの和以上に、（すなわちｔｕ’≧ｔｕ＋ｔＤの関係を満足するように）形成する。以上の製造プロセスは、磁極層３ａ、７ａの角膜厚、先端の幅は異なるものの基本的には従来プロセスとほぼ同じである。
　本発明では、さらに以下のプロセス工程を追加する。
　まず図（ｂ）に示すように、絶縁層６のヘッド先端側より内側（Ａ−Ａ’線より絶縁層６側）に、イオンミリングのマスクとなるレジストパターン９を形成する。そして露出している上下の磁極用磁性層７ａ、３ａの先端部を、イオンミリングで加工する。この際、下部磁極用の磁性層３ａに対し上部磁極用の磁性層７ａはマスクとして作用する。
　イオンミリングは、下部磁極用の磁性層３ａの露出している端部が完全に除去され、上部磁極用の磁性層７ａの膜ｔｕ’が、所定の上部磁極厚ｔｕとなるまでおこない、その後レジストマスク（レジストパターン９）は除去される。得られた磁極先端のパターン形状は、図（Ｃ）のようにイオンミリングされ段差が付くが、後工程で囲う保護膜が形成さる（注：されるの誤記）ため問題はない。なお、１０は上下磁極の接合部である。」と記載され、
　
ｂ　第３頁右上欄第５行〜第１０行に、
「〔発明の効果〕
　以上説明したように本発明によれば、所望コア幅の上部磁極用磁性層自身をイオンミリングマスクに使い、下部磁極用の磁性層をエッチングするので、上下磁極の位置ずれがなく、高精度なコア幅の磁極パターンが形成できる。」と記載されている。
　
ｃ　　そして、第２図（ｂ）に、イオンミリングと記載され、上部磁性層側から入射角が０°と見られるエッチング方向の矢印が示されている。
　
ｄ　すなわち引用例には、
「露出している上下の上部磁極用磁性層７ａ、下部磁極用磁性層３ａの先端部を、イオンミリングで加工する際に、
　上部磁性層側から入射角が０°と見られる方向にイオンビームを照射し、
　イオンミリングは、下部磁極用の磁性層３ａの露出している端部が完全に除去されるまでおこなう磁極パターンの製造方法」
が示されている。
　
４　本発明と引用例との対比・判断
（１）　一致点
　引用例の「上下の磁極用磁性層７ａ、３ａの先端部」は、本願発明の「ポールピース部を形成する」ことは明らかである。
　また、本願発明では、「上部磁性層の上面とエッジ部」をエッチングすると記載しているが、上部とエッジ部がどのような状態になるようにエッチングするとまでは規定していないので、上面とエッジ部がエッチングされれば良いと解される。してみると、引用例では「上部磁極用の磁性層７ａの膜ｔｕ’が、所定の上部磁極厚ｔｕとなるまでおこない」としていることから、これは本願発明の「上部磁性層の上面とエッジ部」をエッチングしていることに相当し、引用例は、「イオンミリングは、下部磁極用の磁性層３ａの露出している端部が完全に除去されるまでおこなう」としているので、本願発明の「下部磁性層の上部磁性層側面の真下から外側のエッジ部を削除するようにイオンビームエッチングする」に相当する。
　そうすると、本願発明と引用例とは、
「ポールピース部を形成する上部磁性層と下部磁性層をイオンビームでエッチングするイオンビームエッチングにおいて、前記上部磁性層側から前記イオンビームを照射するとともに、前記上部磁性層の上面とエッジ部及び、前記下部磁性層の上部磁性層側面の真下から外側のエッジ部を削除するようにイオンビームエッチングすることを特徴とする薄膜磁気ヘッドのポールトリミング方法。」の点で一致する。
　
（２）　相違点
　そして、本願発明は、「前記イオンビームの入射角を前記下部磁性層材の最大エッチングレートとなる入射角とは異なる角度に設定し、前記角度により」エッチングするのに対して、引用例は「上部磁性層側から入射角が０°と見られる方向にイオンビームを照射し」てエッチングする点で相違している。
　
（３）　相違点の検討
ａ　本願の明細書【００２５】に、実施例の説明として、
「【００２５】
　従って、上部磁性層１６および下部磁性層９の材質がＦｅ−Ｎｉである場合には、イオンビームＢの入射角を４５°以外の入射角に設定すれば、作用の説明にも示したように、上部磁性層１６および下部磁性層９のエッジ部１６ｂおよび９ｂの最大エッチングレートとなる角度の部分からエッチングが始まり、（ｃ）に示したように、最大エッチングレートの角度、Ｆｅ−Ｎｉの場合は４５°の角度でエッチング、すなわちトリミングされる。この場合、上部磁性層１６とともにそれ以外の基板７（図４参照）上の部材もエッチングされるが、これらの部材に対するイオンビームの照射角はほぼ０°であるのでそのエッチングレートは小さく、エッジ部１６ｂのトリミング量１μｍに対して０．５μｍ程度と少なく、エッチングのこれら他の部材に与える影響は極めて小さく無視することができる。たゞ、上部磁性層１６の厚さは磁気ヘッドの特性に大きな影響を与えるので、下部磁性層９のエッジ部９ｂのトリミング量と上部磁性層１６の表面１６ｃの被エッチング量との相関を把握してエッチング前の上部磁性層１６の厚さを管理することが必要であることはいうまでもない。
　従って、上部磁性層１６および下部磁性層９の材質がＦｅ−Ｎｉである場合には、イオンビームＢの入射角を４５°以外の入射角に設定すれば、作用の説明にも示したように、上部磁性層１６および下部磁性層９のエッジ部１６ｂおよび９ｂの最大エッチングレートとなる角度の部分からエッチングが始まり、（ｃ）に示したように、最大エッチングレートの角度、Ｆｅ−Ｎｉの場合は４５°の角度でエッチング、すなわちトリミングされる。この場合、上部磁性層１６とともにそれ以外の基板７（図４参照）上の部材もエッチングされるが、これらの部材に対するイオンビームの照射角はほぼ０°であるのでそのエッチングレートは小さく、エッジ部１６ｂのトリミング量１μｍに対して０．５μｍ程度と少なく、エッチングのこれら他の部材に与える影響は極めて小さく無視することができる。たゞ、上部磁性層１６の厚さは磁気ヘッドの特性に大きな影響を与えるので、下部磁性層９のエッジ部９ｂのトリミング量と上部磁性層１６の表面１６ｃの被エッチング量との相関を把握してエッチング前の上部磁性層１６の厚さを管理することが必要であることはいうまでもない。」と記載されている。
　すなわち、上部磁性層１６も下部磁性層９も、Ｆｅ−Ｎｉを用いている。
　引用例の実施例も「上部磁極用の磁性層（ＮｉＦｅ）７ａ」、「下部磁極の磁性層（ＮｉＦｅ）３ａ」とＮｉＦｅを用いており、両者のエッチングレート最大角は同じであると認められる。確かに引用例においてはイオンビームの入射角を前記下部磁性層材の最大エッチングレートとなる入射角とは異なる角度に設定するとの記載はないが、実施例としてイオンビームの照射角はほぼ０°である点は同じである。
　また、イオンビームをエッチングレートの大きい角度で照射して、エッチング速度を速くするか、エッチング速度を遅くなる角度ですることでエッチング制御を容易とするかなど、当業者が任意に設定できた事項である。
　してみると、オンビームの入射角を前記下部磁性層の最大エッチングレートとなる入射角とは異なる角度に設定することは、引用例において、上部磁性層側から入射角が０°と見られる方向にイオンビームを照射し定ることから、当業者が容易に想到できた事項である。
　従ってこの相違点は格別ではない。
　
５　まとめ
　本願発明は、上記引用例記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶を免れ得ない。
　よって結論のとおり審決する。