【事件の表示】
　平成９年特許願第８１６９号「半導体ウェーハの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成９年１０月１４日出願公開、特開平９−２７０４００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年１月２１日の出願であって、平成１４年６月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月１０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年７月１５日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１４年７月１５日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　本件補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「原料ウェーハの両面を１次研磨する両面１次研磨工程と、両面１次研磨されたウェーハの裏面のみをスピン式エッチング装置を用いて
　
む
「原料ウェーハの両面を１次研磨する両面１次研磨工程と、両面１次研磨されたウェーハの裏面のみをスピン式エッチング装置を用いて
酸エッチング液によって酸
み、上記酸エッチング液が弗酸、硝酸、硫酸及び水を必須成分とするものである
　上記補正事項は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「エッチング」を、「弗酸、硝酸、硫酸及び水を必須成分とする」「酸エッチング液」によるものに限定したものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）刊行物記載の発明（事項）
　原査定の拒絶の理由に引用され本願の出願前に国内で頒布された刊行物である特開平８−２３６４８９号公報（以下、「刊行物１」という。）及び特開平４−１２４８２３号公報（以下、「刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されていると認められる。
（２−１）刊行物１
（イ）第３欄１４行〜２１行
「半導体ウェハの製造方法を、インゴットをスライスしてウェハを得、スライスされたウェハの周縁部を面取りし、面取りされたウェハの切断面をラッピングにより平面化し、ラッピングされたウェハの両面を同時に研磨し、両面研磨されたウェハをエッチングし、エッチングされたウェハの表面を鏡面仕上げし、表面を鏡面仕上げされたウェハを洗浄するようにしたものである。）
（ロ）第３欄２２行〜２７行
「【作用】本発明では、ラップドウェハをエッチングすることなく、その両面を同時に研磨することにより、ラッピングによって発生する加工歪を除去するのと同時に平坦度をあげることができ、さらに平坦度の高い半導体ウェハを従来技術より効率よく製造できる。」
（ハ）第４欄４８行〜第５欄１１行
「図５は本発明に係る半導体ウェハの製造方法にエッチング工程を加えた工程図である。エッチングする方法としては、図５に示すように両面研磨をされたウェハをエッチングすることによりウェハの周縁部に加工歪を除去する。この際、エッチングレートが高い薬液を使用すると両面研磨によって得られた平坦度が損なわれるため、比較的エッチングレートの低いものが望ましく、・・・希釈混酸などが好適である。この周縁部の加工歪を除去されたウェハを、上記実施例と同様に片面仕上研磨を施し、洗浄して半導体ウェハを得る。・・・尚、このエッチングする方法は、ウェハ裏面の粗さをコントロールする作用もあり、・・・。」
　これらの摘記事項及び図５の記載からみて、刊行物には、
「原料ウェハの両面を研磨する工程と、両面研磨されたウェハを希釈混酸によって酸エッチングするエッチング工程と、ウェハの表面を片面仕上研磨する鏡面仕上研磨工程とを含む半導体ウェハの製造方法」の発明（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（２−２）刊行物２
（ニ）第２頁左上欄１３行〜同頁左下欄１１行
「両面ポリッシング法では両面ラッピング法と同様の理由で平坦度の良いウエハができる。・・・しかしながら、両面ポリッシング法では裏面も鏡面となるため、以下の問題点が生じ現在実用化されていない。即ち（ａ）ウエハの表面と裏面ともに鏡面であるため表裏の区別がつきにくい。・・・本発明はこれら両者の欠点を解決しようとするものであり、平坦度が良く、裏面は非鏡面にする方法を提供するものである。・・・本発明は前述の課題を解決するために、ウエハを両面ポリッシング法で平坦度の良い鏡面ウエハとした後、裏面のみ平坦度を劣化させることなく、エッチングガス雰囲気（ＨＦ系ガス）中で非鏡面にするようにしたものである。」
　
（３）対比
　そこで、本願補正発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、後者の「ウェハ」が前者の「ウェーハ」に、後者の「原料ウェハの両面を研磨する工程」が前者の「原料ウェーハの両面を１次研磨する両面１次研磨工程」に、後者の「ウェハの表面を片面仕上研磨する鏡面仕上研磨工程」が前者の「ウェーハの表面を鏡面研磨する鏡面研磨工程」に、それぞれ相当することは明らかである。そして、後者の「両面研磨されたウェハを希釈混酸によって酸エッチングするエッチング工程」と前者の「両面１次研磨されたウェーハの裏面のみをスピン式エッチング装置を用いて、弗酸、硝酸、硫酸及び水を必須成分とする酸エッチング液によって酸エッチングする裏面エッチング工程」とは、「両面１次研磨されたウェーハを酸エッチング液によって酸エッチングするエッチング工程」の限りで一致する。
　そうすると、両者の一致点及び相違点は以下のとおりである。
〈一致点〉原料ウェーハの両面を１次研磨する両面１次研磨工程と、両面１次研磨されたウェーハを酸エッチング液によって酸エッチングするエッチング工程と、エッチングされたウェーハの表面を鏡面研磨する鏡面研磨工程とを含む半導体ウェーハの製造方法。
〈相違点１〉前者は、エッチングがウェーハの裏面のみに行われるのに対して、後者は、エッチングがウェーハの裏面のみを対象とするのか否かが明らかではない。
〈相違点２〉前者は、エッチングがスピン式エッチング装置を用いて行われるのに対して、後者はエッチング手段について明らかではない点。
〈相違点３〉前者は、酸エッチング液が弗酸、硝酸、硫酸及び水を必須成分とするものであるのに対して、後者は、酸エッチング液が希釈混酸である点。
　
（４）判断
〈相違点１について〉
　本願補正発明において、両面１次研磨されたウェーハの裏面のみをエッチングすることの技術的意義は、「ウェーハの両面が鏡面化されるため、ウェーハの表裏の判別がつか」ないという問題を解消するために（本願明細書の段落【０００５】を参照）、「裏面を粗面とすることによってウェーハ表裏の判別を容易とする」ことにある（本願明細書の段落【０００８】を参照）と認められる。
　ところで、両面研磨されたウェーハが表裏の判別がつかないとの課題を有するとの事項、また、両面研磨されたウェーハの裏面のみをエッチングして、裏面を粗面化し、ウェーハ表裏の判別を容易とするとの事項は、刊行物２に示されている（上記の摘記事項（ニ）を参照）。そして、刊行物１には、「エッチングする方法は、
ウェハ裏面の粗さをコントロール
　してみると、両面１次研磨工程を含む刊行物１記載の発明において、上記の課題を有していること、また、その解消を目的として、両面一次研磨後のエッチングをウェーハの裏面のみに対して行うことは、刊行物１、２の上記記載から当業者が容易に想到し得ることである。
〈相違点２について〉
　エッチングにスピン式エッチング装置を用いることは従来周知の事項であるから（例えば、特開平１−１７５２３３号公報等を参照）、刊行物１記載の発明におけるエッチング工程をスピン式エッチング装置を用いたものとすることに格別の困難性を見出せない。
〈相違点３について〉      
　刊行物１記載の発明で酸エッチング液に使用する希釈混酸は、技術常識を勘案すると複数の酸を水で希釈したものと認められ、また、弗酸、硝酸、硫酸等の酸を組み合わせた酸エッチング液は従来周知のものである（例えば、特開平７−３１６８５３号公報、特開平６−４１７７０号公報、特開平８−１０７０９１号公報等を参照）。
　そして、本願明細書をみても、本願補正発明における酸エッチング液を、弗酸、硝酸、硫酸及び水を必須成分とするものとすることに格別の技術的意義を見出せないことからすると、刊行物１記載の発明で酸エッチング液に使用する希釈混酸を、弗酸、硝酸、硫酸及び水を必須成分とするものにすることは、当業者が容易になし得ることである。
〈本願補正発明の作用効果〉
　そして、本願補正発明の作用効果も、刊行物１記載の発明及び事項、刊行物２記載の事項並びに上記周知の事項から当業者が予測できる範囲内のものであって、格別のものではない。
　したがって、本願補正発明は、刊行物１記載の発明及び事項、刊行物２記載の事項並びに上記周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項の規定において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１４年７月１５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜６に係る発明は、平成１４年５月２日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「原料ウェーハの両面を１次研磨する両面１次研磨工程と、両面１次研磨されたウェーハの裏面のみをスピン式エッチング装置を用いてエッチングする裏面エッチング工程と、裏面エッチングされたウェーハの表面を鏡面研磨する鏡面研磨工程とを含むことを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。」
　
（２）刊行物記載の発明（事項）
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物、及び、その記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から「エッチング」の限定事項である「弗酸、硝酸、硫酸及び水を必須成分とする」「酸エッチング液」によるものとの事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の発明特定事項を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、刊行物１記載の発明及び事項、刊行物２記載の事項並びに上記周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、刊行物１記載の発明及び事項、刊行物２記載の事項並びに上記周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、請求項２〜６に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。