【手続補正書】
【提出日】平成26年8月13日(2014.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）親水性基板を与える工程；
ｂ）
ｉ）疎水性フルオロアルキル側鎖基を有するエラストマーポリマー；
ｉｉ）光開始剤；ならびに
ｉｉｉ）
【化１】
2013538147.tif 000001
からなる群から選択されるモノマーならびにこれらの混合物
を含むポリマー層を前記基板上に堆積させる工程；
ｃ）前記架橋ポリマーパターンおよび非架橋ポリマーパターンを形成するポリマー層上にパターンを画像形成させる工程；ならびに
ｄ）前記非架橋ポリマーパターンが溶解している前記画像形成されたポリマー層を現像する工程
を含む方法。
【請求項２】
前記エラストマーポリマーが、疎水性フルオロアルキル側鎖基を有するスチレン−ブタジエン−スチレンまたはスチレン−イソプレン−スチレンのブロックコポリマーである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ａ）基板を与える工程；
ｂ）
ｉ）疎水性フルオロアルキル基を有するエラストマーポリマー；
ｉｉ）開始剤；
ｉｉｉ）
【化２】
2013538147.tif 000002
からなる群から選択されるモノマーならびにこれらの混合物
を含む第１のポリマー層を前記基板上に堆積させる工程；
ｃ）前記第１のポリマー層を架橋させる工程；
ｄ）
ｉ）親水性ヒドロキシル基を有するエラストマーポリマー；
ｉｉ）光開始剤；および
ｉｉｉ）非フッ素化アクリレートまたはメタクリレートから選択されるモノマー
を含む第２のポリマー層を前記第１のポリマー層上に堆積させる工程；
ｅ）前記架橋ポリマーパターンおよび非架橋ポリマーパターンを形成する第２のポリマー層上にパターンを画像形成させる工程；ならびに
ｄ）前記非架橋ポリマーパターンが溶解している前記画像形成された第２のポリマー層を現像する工程
を含む方法。
【請求項４】
前記第１のポリマー層におけるエラストマーポリマーが、疎水性フルオロアルキル側鎖基を有するスチレン−ブタジエン−スチレンまたはスチレン−イソプレン−スチレンのブロックコポリマーであり、前記第２のポリマー層におけるエラストマーポリマーが、親水性ヒドロキシル側鎖基を有するスチレン−ブタジエン−スチレンまたはスチレン−イソプレン−スチレンのブロックコポリマーである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
ａ）基板を与える工程；
ｂ）
ｉ）疎水性ヒドロキシル側鎖基を有するエラストマーポリマー；
ｉｉ）開始剤；
ｉｉｉ）非フッ素化アルリレートまたはメタクリレートから選択されるモノマー
を含む第１のポリマー層を前記基板上に堆積させる工程；
ｃ）前記第１のポリマー層を架橋させる工程；
ｄ）
ｉ）疎水性フルオロアルキル側鎖基を有するエラストマーポリマー；
ｉｉ）光開始剤；ならびに
ｉｉｉ）
【化３】
2013538147.tif 000003
からなる群から選択されるモノマーならびにこれらの混合物
を含む第２のポリマー層を前記第１のポリマー層上に堆積させる工程；
ｅ）前記架橋ポリマーパターンおよび非架橋ポリマーパターンを形成する第２のポリマー層上にパターンを画像形成させる工程；ならびに
ｄ）前記非架橋ポリマーパターンが溶解している前記画像形成された第２のポリマー層を現像する工程
を含む方法。
【請求項６】
前記第１のポリマー層におけるエラストマーポリマーが、親水性ヒドロキシル側鎖基を有するスチレン−ブタジエン−スチレンまたはスチレン−イソプレン−スチレンのブロックコポリマーであり、前記第２のポリマー層におけるエラストマーポリマーが、疎水性フルオロアルキル側鎖基を有するスチレン−ブタジエン−スチレンまたはスチレン−イソプレン−スチレンのブロックコポリマーである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ａ）基板を与える工程；
ｂ）
ｉ）エラストマーポリマー；
ｉｉ）開始剤；
ｉｉｉ）非フッ素化アクリレートまたはメタクリレートから選択されるモノマー；
を含む第１のポリマー層を前記基板上に堆積させる工程；
ｃ）前記第１のポリマー層を架橋させる工程；
ｄ）
ｉ）疎水性フルオロアルキル側鎖基を有するエラストマーポリマー；
ｉｉ）光開始剤；ならびに
ｉｉｉ）
【化４】
2013538147.tif 000004
からなる群から選択されるモノマーならびにこれらの混合物
を含む第２のポリマー層を前記第１のポリマー層上に堆積させる工程；
ｅ）前記架橋ポリマーパターンおよび非架橋ポリマーパターンを形成する第２のポリマー層上にパターンを画像形成させる工程；ならびに
ｄ）前記非架橋ポリマーパターンが溶解している前記画像形成された第２のポリマー層を現像する工程
を含む方法。
【請求項８】
前記第１のポリマー層におけるエラストマーポリマーが、スチレン−ブタジエン−スチレンまたはスチレン−イソプレン−スチレンのブロックコポリマーであり、前記第２のポリマー層におけるエラストマーポリマーが、疎水性フルオロアルキル側鎖基を有するスチレン−ブタジエン−スチレンまたはスチレン−イソプレン−スチレンのブロックコポリマーである、請求項７に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
得られた２層プレートを、エタノールで１：５に希釈したＡｇナノインクＤＧＰ４０（Ａｄｖａｎｃｅｄ  ＮａｎｏＰｒｏｄｕｃｔｓ社、ソウル、韓国）で濡らした。そのインクをプレート上に１０００ＲＰＭでスピンコーティングした。次いで、インキングされたプレートを光学顕微鏡で観察し、インキングされた、およびインキングされなかった部分を決定した。結果は、親水性銀インク処方物による差別的濡れを示し、インクはプレートの凹んだ形態にもっぱら存在した。２層プレートのより疎水性で上側のフルオロアルキル化ＳＢＳ層上にインクは認められなかった。
なお、本発明は、特許請求の範囲を含め、以下の発明を包含する。
１．ａ）親水性基板を与える工程；
ｂ）
ｉ）疎水性フルオロアルキル側鎖基を有するエラストマーポリマー；
ｉｉ）光開始剤；ならびに
ｉｉｉ）
【化１】
2013538147.tif 000005
からなる群から選択されるモノマーならびにこれらの混合物
を含むポリマー層を前記基板上に堆積させる工程；
ｃ）前記架橋ポリマーパターンおよび非架橋ポリマーパターンを形成するポリマー層上にパターンを画像形成させる工程；ならびに
ｄ）前記非架橋ポリマーパターンが溶解している前記画像形成されたポリマー層を現像する工程
を含む方法。
２．前記エラストマーポリマーが、疎水性フルオロアルキル側鎖基を有するスチレン−ブタジエン−スチレンまたはスチレン−イソプレン−スチレンのブロックコポリマーである、１に記載の方法。
３．前記単一のポリマー層が、１０から１００ＭＰａの範囲の弾性率を有する、１または２に記載の方法。
４．前記単一のポリマー層が、２０から４０ＭＰａの範囲の弾性率を有する、１または２に記載の方法。
５．ａ）基板を与える工程；
ｂ）
ｉ）疎水性フルオロアルキル基を有するエラストマーポリマー；
ｉｉ）開始剤；
ｉｉｉ）
【化２】
2013538147.tif 000006
からなる群から選択されるモノマーならびにこれらの混合物
を含む第１のポリマー層を前記基板上に堆積させる工程；
ｃ）前記第１のポリマー層を架橋させる工程；
ｄ）
ｉ）親水性ヒドロキシル基を有するエラストマーポリマー；
ｉｉ）光開始剤；および
ｉｉｉ）非フッ素化アクリレートまたはメタクリレートから選択されるモノマー
を含む第２のポリマー層を前記第１のポリマー層上に堆積させる工程；
ｅ）前記架橋ポリマーパターンおよび非架橋ポリマーパターンを形成する第２のポリマー層上にパターンを画像形成させる工程；ならびに
ｄ）前記非架橋ポリマーパターンが溶解している前記画像形成された第２のポリマー層を現像する工程
を含む方法。
６．前記第１のポリマー層におけるエラストマーポリマーが、疎水性フルオロアルキル側鎖基を有するスチレン−ブタジエン−スチレンまたはスチレン−イソプレン−スチレンのブロックコポリマーであり、前記第２のポリマー層におけるエラストマーポリマーが、親水性ヒドロキシル側鎖基を有するスチレン−ブタジエン−スチレンまたはスチレン−イソプレン−スチレンのブロックコポリマーである、５に記載の方法。
７．ａ）基板を与える工程；
ｂ）
ｉ）疎水性ヒドロキシル側鎖基を有するエラストマーポリマー；
ｉｉ）開始剤；
ｉｉｉ）非フッ素化アルリレートまたはメタクリレートから選択されるモノマー
を含む第１のポリマー層を前記基板上に堆積させる工程；
ｃ）前記第１のポリマー層を架橋させる工程；
ｄ）
ｉ）疎水性フルオロアルキル側鎖基を有するエラストマーポリマー；
ｉｉ）光開始剤；ならびに
ｉｉｉ）
【化３】
2013538147.tif 000007
からなる群から選択されるモノマーならびにこれらの混合物
を含む第２のポリマー層を前記第１のポリマー層上に堆積させる工程；
ｅ）前記架橋ポリマーパターンおよび非架橋ポリマーパターンを形成する第２のポリマー層上にパターンを画像形成させる工程；ならびに
ｄ）前記非架橋ポリマーパターンが溶解している前記画像形成された第２のポリマー層を現像する工程
を含む方法。
８．前記第１のポリマー層におけるエラストマーポリマーが、親水性ヒドロキシル側鎖基を有するスチレン−ブタジエン−スチレンまたはスチレン−イソプレン−スチレンのブロックコポリマーであり、前記第２のポリマー層におけるエラストマーポリマーが、疎水性フルオロアルキル側鎖基を有するスチレン−ブタジエン−スチレンまたはスチレン−イソプレン−スチレンのブロックコポリマーである、７に記載の方法。
９．ａ）基板を与える工程；
ｂ）
ｉ）エラストマーポリマー；
ｉｉ）開始剤；
ｉｉｉ）非フッ素化アクリレートまたはメタクリレートから選択されるモノマー；
を含む第１のポリマー層を前記基板上に堆積させる工程；
ｃ）前記第１のポリマー層を架橋させる工程；
ｄ）
ｉ）疎水性フルオロアルキル側鎖基を有するエラストマーポリマー；
ｉｉ）光開始剤；ならびに
ｉｉｉ）
【化４】
2013538147.tif 000008
からなる群から選択されるモノマーならびにこれらの混合物
を含む第２のポリマー層を前記第１のポリマー層上に堆積させる工程；
ｅ）前記架橋ポリマーパターンおよび非架橋ポリマーパターンを形成する第２のポリマー層上にパターンを画像形成させる工程；ならびに
ｄ）前記非架橋ポリマーパターンが溶解している前記画像形成された第２のポリマー層を現像する工程
を含む方法。
１０．前記第１のポリマー層におけるエラストマーポリマーが、スチレン−ブタジエン−スチレンまたはスチレン−イソプレン−スチレンのブロックコポリマーであり、前記第２のポリマー層におけるエラストマーポリマーが、疎水性フルオロアルキル側鎖基を有するスチレン−ブタジエン−スチレンまたはスチレン−イソプレン−スチレンのブロックコポリマーである、９に記載の方法。
１１．前記第１のポリマー層および前記第２のポリマー層が、１０から１００ＭＰａの範囲の弾性率を有する、５に記載の方法。
１２．前記第１のポリマー層および前記第２のポリマー層が、１０から１００ＭＰａの範囲の弾性率を有する、７に記載の方法。
１３．前記第１のポリマー層および前記第２のポリマー層が、１０から１００ＭＰａの範囲の弾性率を有する、９に記載の方法。
１４．前記第１のポリマー層および前記第２のポリマー層が、２０から４０ＭＰａの範囲の弾性率を有する、５に記載の方法。
１５．前記第１のポリマー層および前記第２のポリマー層が、２０から４０ＭＰａの範囲の弾性率を有する、７に記載の方法。
１６．前記第１のポリマー層および前記第２のポリマー層が、２０から４０ＭＰａの範囲の弾性率を有する、９に記載の方法。