【手続補正書】
【提出日】平成23年12月22日(2011.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型半導体層と、ｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間の活性領域と、
前記ｐ型半導体層の反対側の前記ｎ型半導体層上の不透明なフィーチャと、
前記ｐ型半導体層中にあって前記ｎ型半導体層上の前記不透明なフィーチャと位置合わせされた導電率低減領域であって、前記ｎ型半導体層の反対側の前記ｐ型半導体層の表面から前記活性領域の方に延びる導電率低減領域と
を備えることを特徴とする発光デバイス。
【請求項２】
前記導電率低減領域は、前記ｐ型半導体層の前記表面から前記活性領域まで延びることを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項３】
前記導電率低減領域は、前記ｐ型半導体層の前記表面から前記活性領域中に延びることを特徴とする請求項２に記載の発光デバイス。
【請求項４】
前記導電率低減領域は、前記ｐ型半導体層の前記表面から前記活性領域を通って延びることを特徴とする請求項３に記載の発光デバイス。
【請求項５】
前記導電率低減領域は、前記ｐ型半導体層、前記活性領域を通って、前記ｎ型半導体層中に延びることを特徴とする請求項４に記載の発光デバイス。
【請求項６】
前記導電率低減領域は、前記ｎ型半導体層を完全に通って延びることを特徴とする請求項５に記載の発光デバイス。
【請求項７】
前記不透明な領域は、ボンドパッド、パッシベーション領域、及び／又は電流拡散フィンガを含むことを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項８】
前記不透明なフィーチャは、前記導電率低減領域に接するワイヤボンドパッドを含み、
前記発光デバイスは、前記ワイヤボンドパッドに隣接し、それと電気的に接触する前記ｎ型半導体層上のオーム接触をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の発光デバイス。
【請求項９】
前記導電率低減領域は、絶縁領域を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項１０】
前記導電率低減領域は、不透明でない領域を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項１１】
前記導電率低減領域は、打込み領域を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項１２】
前記ｐ型半導体層の前記表面上に金属スタックをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項１３】
前記導電率低減領域は、前記金属スタックと前記ｐ型半導体層との間のインターフェースの損傷の領域に対応することを特徴とする請求項１２に記載の発光デバイス。
【請求項１４】
前記損傷の領域は、前記ｐ型半導体層のウェットエッチング又はドライエッチングされた領域を含むことを特徴とする請求項１３に記載の発光デバイス。
【請求項１５】
前記損傷の領域は、高エネルギープラズマにさらされた前記ｐ型半導体層の領域を含むことを特徴とする請求項１３に記載の発光デバイス。
【請求項１６】
前記損傷の領域は、Ｈ2にさらされた前記ｐ型半導体層の領域を含むことを特徴とする請求項１３に記載の発光デバイス。
【請求項１７】
前記損傷の領域は、高エネルギーレーザにさらされた前記ｐ型半導体層の領域を含むことを特徴とする請求項１３に記載の発光デバイス。
【請求項１８】
前記金属スタックは、前記ｐ型半導体層の直上のオーミック層、及び前記オーミック層上の反射層を含むことを特徴とする請求項１２に記載の発光デバイス。
【請求項１９】
前記金属スタックは、前記反射層上に接着層を含むことを特徴とする請求項１８に記載の発光デバイス。
【請求項２０】
前記反射層と前記接着層との間に障壁層をさらに含むことを特徴とする請求項１９に記載の発光デバイス。
【請求項２１】
第１及び第２の対向表面を含む基板をさらに備え、前記ｎ型半導体は前記基板の前記第１の表面上にあり、前記不透明なフィーチャは前記ｎ型半導体層の反対側の前記基板の前記第２の表面上にあることを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項２２】
前記活性領域は、ＩＩＩ族窒化物ベースの活性領域を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項２３】
ｐ型半導体層と、ｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間の活性領域と、
前記ｐ型半導体層の反対側の前記ｎ型半導体層上の不透明なフィーチャと、
前記ｎ型半導体層の反対側の前記ｐ型半導体層の表面上の金属接触と
を備える発光デバイスであって、
前記金属接触は、前記不透明なフィーチャと位置合わせされる前記ｐ型半導体層の前記表面の導電率低減区域以外の領域において前記ｐ型半導体層へのオーム接触上に形成され、前記発光デバイスは前記ｐ型半導体層の前記表面上に非オーム接触をさらに含み、前記非オーム接触は前記ｐ型半導体層とオーム接触を形成しない金属を含むことを特徴とする発光デバイス。
【請求項２４】
前記不透明な領域は、ボンドパッド、パッシベーション領域、及び／又は電流拡散フィンガを含むことを特徴とする請求項２３に記載の発光デバイス。
【請求項２５】
前記ｐ型半導体層中にあって前記不透明なフィーチャ及び前記導電率低減区域と位置合わせされた導電率低減領域をさらに含み、前記導電率低減領域が前記ｐ型半導体層の前記表面から前記活性領域の方に延びることを特徴とする請求項２３に記載の発光デバイス。
【請求項２６】
前記ｎ型半導体層中にあって前記不透明なフィーチャと位置合わせされた導電率低減領域をさらに含み、前記導電率低減領域が前記ｐ型半導体層の反対側の前記ｎ型半導体層の表面から前記活性領域の方に延びることを特徴とする請求項２３に記載の発光デバイス。
【請求項２７】
ｐ型半導体層と、ｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間の活性領域と、
前記ｐ型半導体層の反対側の前記ｎ型半導体層上のワイヤボンドパッドと、
前記ｎ型半導体層中にあって前記ワイヤボンドパッドと位置合わせされた導電率低減領域であって、前記ｐ型半導体層の反対側の前記ｎ型半導体層の前記表面から前記活性領域の方に延びる導電率低減領域と、
前記ワイヤボンドパッドに隣接し、それと電気的に接触する前記ｎ型半導体層上のオーム接触と
を備える発光デバイスであって、
前記発光デバイスは前記ｐ型半導体層の表面の導電率低減区域上に非オーム接触をさらに含み、前記非オーム接触は前記ｐ型半導体層とオーム接触を形成しない金属を含むことを特徴とする発光デバイス。
【請求項２８】
前記ｎ型半導体層の反対側の前記ｐ型半導体層の表面上に金属スタックをさらに備えることを特徴とする請求項２７に記載の発光デバイス。
【請求項２９】
前記金属スタックは、前記ｐ型半導体層の直上のオーミック層、及び前記オーミック層上の反射層を含むことを特徴とする請求項２８に記載の発光デバイス。
【請求項３０】
前記金属スタックは、前記反射層上に接着層を含むことを特徴とする請求項２９に記載の発光デバイス。
【請求項３１】
前記導電率低減領域は第１の導電率低減領域を含み、前記発光デバイスは、前記ｐ型半導体層中にあって前記ワイヤボンドパッドと位置合わせされた第２の導電率低減領域をさらに含み、前記第２の導電率低減領域は前記ｎ型半導体層の反対側の前記ｐ型半導体層の表面から前記活性領域の方に延びることを特徴とする請求項２７に記載の発光デバイス。
【請求項３２】
前記ｎ型半導体層の反対側の前記ｐ型半導体層の表面上に金属接触をさらに含み、前記金属接触が、前記ワイヤボンドパッドと位置合わせされる前記ｐ型半導体層の前記表面の導電率低減区域以外の領域において前記ｐ型半導体層へのオーム接触上に形成されることを特徴とする請求項２７に記載の発光デバイス。
【請求項３３】
前記導電率低減領域は、前記ｎ型半導体層と前記ワイヤボンドパッドとの間のインターフェースの損傷の領域に対応することを特徴とする請求項２７に記載の発光デバイス。
【請求項３４】
前記損傷の領域は、前記ｎ型半導体層のウェットエッチング又はドライエッチングされた領域を含むことを特徴とする請求項３３に記載の発光デバイス。
【請求項３５】
前記損傷の領域は、高エネルギープラズマにさらされた前記ｎ型半導体層の領域を含むことを特徴とする請求項３３に記載の発光デバイス。
【請求項３６】
前記損傷の領域は、Ｈ2にさらされた前記ｎ型半導体層の領域を含むことを特徴とする請求項３３に記載の発光デバイス。
【請求項３７】
前記損傷の領域は、高エネルギーレーザにさらされた前記ｎ型半導体層の領域を含むことを特徴とする請求項３３に記載の発光デバイス。
【請求項３８】
発光デバイスを形成する方法であって、
ｐ型半導体層と、ｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間の活性領域を形成するステップと、
前記ｐ型半導体層の反対側の前記ｎ型半導体層上に不透明なフィーチャを形成するステップと、
前記ｐ型半導体層中にあって前記不透明なフィーチャと位置合わせされた導電率低減領域を形成するステップであって、前記導電率低減領域が前記ｎ型半導体層の反対側の前記ｐ型半導体層の表面から前記活性領域の方に延びるステップと
を含む方法において、
前記導電率低減領域を形成するステップが、前記ｐ型半導体層の前記表面上にマスク層を形成するステップであって、前記マスク層が前記ボンドパッド領域に対応する開口を有するステップと、前記マスク層の前記開口を通して前記ｐ型半導体層中に原子を打ち込むステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項３９】
前記ｎ型半導体層上に不透明なフィーチャを形成するステップは、前記ｎ型半導体層上にワイヤボンドパッド、電流拡散フィンガ、及び／又はパッシベーション領域を形成するステップを含むことを特徴とする請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
前記導電率低減領域は、前記ｐ型半導体層の前記表面から前記活性領域まで延びることを特徴とする請求項３８に記載の方法。
【請求項４１】
前記導電率低減領域は、前記ｐ型半導体層の前記表面から前記活性領域中に延びることを特徴とする請求項３８に記載の方法。
【請求項４２】
前記導電率低減領域は、前記ｐ型半導体層の前記表面から前記活性領域を通って延びることを特徴とする請求項３８に記載の方法。
【請求項４３】
前記導電率低減領域は、前記活性領域を通って延びることを特徴とする請求項３８に記載の方法。
【請求項４４】
前記活性領域は、ＩＩＩ族窒化物ベースの活性領域を含むことを特徴とする請求項３８に記載の方法。
【請求項４５】
発光デバイスを形成する方法であって、
ｐ型半導体層と、ｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間の活性領域を形成するステップと、
前記ｐ型半導体層の反対側の前記ｎ型半導体層上にワイヤボンドパッドを形成するステップと、
前記ｎ型半導体層の反対側の前記ｐ型半導体層の表面上に金属接触を形成するステップであって、前記金属接触が、前記ワイヤボンドパッドと位置合わせされる前記ｐ型半導体層の前記表面の導電率低減区域以外の領域において前記ｐ型半導体層へのオーム接触上に形成されるステップと、
前記ｐ型半導体層の前記表面上に非オーム接触を形成するステップであって、前記非オーム接触が前記ｐ型半導体層とオーム接触を形成しない金属を含むステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項４６】
前記ｐ型半導体層中にあって前記ワイヤボンドパッド及び前記導電率低減区域と位置合わせされた導電率低減領域を形成するステップをさらに含み、前記導電率低減領域が前記ｐ型半導体層の前記表面から前記活性領域の方に延びることを特徴とする請求項４５に記載の方法。
【請求項４７】
前記ｎ型半導体層中にあって前記ワイヤボンドパッドと位置合わせされた導電率低減領域を形成するステップをさらに含み、前記導電率低減領域が前記ｐ型半導体層の反対側の前記ｎ型半導体層の表面から前記活性領域の方に延びることを特徴とする請求項４５に記載の方法。