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【手続補正書】
【提出日】平成24年11月2日(2012.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カソードと、アノードとを備え、且つそれらの間に、７，１０−ジアリール置換フルオランテン核を有し且つ該フルオランテン核と環化した芳香環を有しない非発光性フルオランテンホスト化合物と赤色発光リン光ドーパントとを含有する赤色発光層を有し、
前記フルオランテン化合物が、式（ＩＩ）：
【化１】
2011501462.tif 000001
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は独立して、水素又は６個〜２４個の炭素原子を含有する芳香族基であるが、但しどの隣接するＲ1〜Ｒ4も、フルオランテン核と環化した芳香環系の一部ではなく、Ｒは水素又は置換基であり、且つｎ及びｍは独立して１〜５である）に従うものであり、
前記リン光ドーパントが、イリジウム又は白金を含有する有機金属錯体であるＯＬＥＤデバイス。
【請求項２】
前記フルオランテン化合物が、式（ＩＩＩａ）又は式（ＩＩＩｂ）：
【化２】
2011501462.tif 000002
（式中、Ｒ2及びＲ4は独立して、水素又は６個〜２４個の炭素原子を含有する芳香族基であるが、但しＲ2及びＲ4の両方が水素であることはなく、Ｒ2がＲと結合して芳香環を形成することもなく、Ｒは水素又は置換基であり、且つｎ及びｍは独立して１〜５である）に従うものである請求項１に記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項３】
前記有機金属錯体の金属がイリジウムである請求項１に記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項４】
前記有機金属錯体の配位子が窒素含有複素環を含む請求項１に記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項５】
前記有機金属錯体の配位子が、ピリジル基、キノリン基又はイソキノリン基を含む請求項１に記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項６】
前記有機金属錯体の配位子がフェニルイソキノリン基を含む請求項４に記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項７】
前記有機金属錯体の配位子がフェニルピリジル基を含む請求項４に記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項８】
多環芳香族炭化水素を含む電子輸送層をさらに備える、請求項１に記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項９】
前記多環芳香族炭化水素が、式（Ｐ）：
【化３】
2011501462.tif 000003
（式中、Ｒ1〜Ｒ10は、水素、１個〜２４個の炭素原子を有するアルキル基又は１個〜２４個の炭素原子を有する芳香族基から独立して選択される）に従うアントラセンである請求項８に記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項１０】
前記多環芳香族炭化水素が、７，１０−ジアリール置換フルオランテン核を有し且つ該フルオランテン核と環化した芳香環を有しないフルオランテン化合物である請求項８に記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項１１】
前記ＥＴＬ中の前記７，１０−ジアリール−フルオランテン化合物が、式（Ｉ）：
【化４】
2011501462.tif 000004
（式中、各Ａｒは、６個〜２４個の炭素原子を含有する芳香環であり、同一であっても、又は異なっていてもよく、Ｒ1〜Ｒ8は、水素及び６個〜２４個の炭素原子を含有する芳香環から個々に選択されるが、但し隣接する２つのＲ1置換基〜Ｒ8置換基が結合してフルオランテン核と環化した芳香環系を形成することはない）に従うものである請求項１０に記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項１２】
前記電子輸送層がアルカリ金属化合物をさらに含む請求項８に記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項１３】
前記アルカリ金属化合物が、式（Ｖ）：
【化５】
2011501462.tif 000005
（式中、Ｚ及び破線の弧は、２個〜４個の原子及びリチウムカチオンを有する５員〜７員環を完成させるのに必要な結合を表し、各Ａは、水素又は置換基を表し、各Ｂは、水素又は独立して選択されるＺ原子上の置換基を表すが、但し２つ以上の置換基が結合して縮合環又は縮合環系を形成してもよく、ｊは０〜３であり、ｋは１又は２であり、且つｍ及びｎは錯体の電荷が中性となるように独立して選択される整数である）に従う有機リチウム化合物である請求項１２に記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項１４】
蛍光発光層をさらに備える請求項１に記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項１５】
前記蛍光発光層が、アントラセン、テトラセン、キサンテン、ペリレン、フェニレン、ジシアノメチレンピラン、チオピラン、ポリメチン化合物、ピリリウム、チアピリリウム、アリールピレン、アリーレンビニレン、ペリフランテン、インデノペリレン、ビス（アジニル）アミンホウ素、ビス（アジニル）メタンホウ素、ジスチリルベンゼン、ジスチリルビフェニル、ジスチリルアミン及びカルボスチリル化合物から選択されるドーパントを含有する請求項１４に記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項１６】
前記リン光発光層が、少なくとも１つの追加の非発光性共ホスト材料を含み、且つ存在する全てのホスト材料の総量は該層の少なくとも７５体積％である請求項１に記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項１７】
前記フルオランテン化合物が、存在する全てのホスト材料の総量の５０％以下を占める請求項１に記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項１８】
前記デバイスが白色光を発する請求項１に記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項１９】
請求項１に記載のデバイス全体に電位をかけることを含む、発光させる方法。
【請求項２０】
請求項１に記載のデバイスを備えるディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月7日(2012.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の順序で
ａ．基板、
ｂ．前記基板と接触するカソード、
ｃ．第２の電子受容層の５０体積％超過を構成し、且つ飽和カロメルを基準として−０．５Ｖ超過の還元電位を有する第２の電子不足有機物質を含む第２の電子受容層、
ｄ．電子輸送層、
ｅ．少なくとも１つの発光層、
ｆ．正孔輸送層、
ｇ．前記正孔輸送層とアノードとの間に配置されると共に、第１の電子受容層の５０体積％超過を構成し、且つ飽和カロメルを基準として−０．５Ｖ超過の還元電位を有する第１の電子不足有機物質を含む第１の電子受容層、及び
ｈ．アノード
を含む倒置型ＯＬＥＤ装置。
【請求項２】
前記第１又は第２の電子不足有機物質は、ヘキサアザトリフェニレン誘導体である請求項１に記載の倒置型ＯＬＥＤ装置。
【請求項３】
前記ヘキサアザトリフェニレン誘導体は、ヘキサシアノヘキサアザトリフェニレンである請求項２に記載の倒置型ＯＬＥＤ装置。
【請求項４】
前記第１及び第２の電子不足有機物質の両方は、ヘキサシアノヘキサアザトリフェニレンであり、且つ前記第１及び第２の電子受容層の全体積を実質的に構成する請求項２に記載の倒置型ＯＬＥＤ装置。
【請求項５】
前記第１又は第２の電子不足有機物質の前記還元電位は、−０．１Ｖよりも大きい請求項１に記載の倒置型ＯＬＥＤ装置。
【請求項６】
前記アノードはアルミニウムを含み、且つ前記カソードはインジウムスズ酸化物を含む請求項１に記載の倒置型ＯＬＥＤ装置。
【請求項７】
前記アノードはインジウムスズ酸化物を含み、且つ前記カソードは、アルミニウム及び前記アルミニウムの上方のインジウムスズ酸化物の層を含む請求項１に記載の倒置型ＯＬＥＤ装置。
【請求項８】
前記第１の電子受容層は、前記アノードと直接接触する請求項１に記載の倒置型ＯＬＥＤ装置。
【請求項９】
ａ．基板を提供すること、
ｂ．前記基板上に直接カソードを形成すること、
ｃ．第２の電子受容層の５０体積％超過を構成し、且つ飽和カロメル電極を基準として−０．５Ｖ超過の還元電位を有する第２の電子不足有機物質を含む第２の電子受容層を前記カソードの上方に堆積すること、
ｄ．前記第２の電子受容層の上方に電子輸送層、前記電子輸送層の上方に１つ以上の発光層、及び最後に堆積された発光層の上方に正孔輸送層を順次堆積すること、
ｅ．第１の電子受容層の５０体積％超過を構成し、且つ飽和カロメル電極を基準として−０．５Ｖ超過の還元電位を有する第１の電子不足有機物質を含む第１の電子受容層を前記正孔輸送層の上方に堆積すること、及び
ｆ．前記第１の電子受容層と接触するアノードを形成すること
を含む倒置型ＯＬＥＤ装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１及び第２の電子不足有機物質の両方は、ヘキサシアノヘキサアザトリフェニレンであり、且つ前記第１及び第２の電子受容層の全体積を実質的に構成する請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月5日(2011.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
色品質尺度が向上したランプであって、前記ランプは、蛍光体組成物を含む蛍光体層を備え、前記組成物は少なくとも第１の蛍光体と第２の蛍光体とを含み、前記第１の蛍光体は、Ｙ2Ｏ3：Ｅｕ；３．５ＭｇＯ＊０．５ＭｇＦ2＊ＧｅＯ2：Ｍｎ4+；Ｇｄ（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｂ5Ｏ10：Ｃｅ，Ｍｎ；（Ｓｒ，Ｍｇ）3（ＰＯ4）2：Ｓｎ；Ｙ（Ｖ，Ｐ）Ｏ4：Ｅｕ；およびそれらの組み合わせからなる群から選択され、前記第２の蛍光体は、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+，Ｍｎ2+；ＬａＰＯ4：Ｃｅ，Ｔｂ；ＺｎＳｉＯ4：Ｍｎ；（Ｃｅ，Ｔｂ）ＭｇＡｌ11Ｏ19；（Ｃｅ，Ｔｂ）（Ｍｇ，Ｍｎ）Ａｌ11Ｏ19；およびそれらの組み合わせからなる群から選択されるランプ。
【請求項２】
前記組成物は、発光帯の最大値が４３０〜４９０ｎｍの間にある蛍光体を含み、前記ランプは、作動したときに、相関色温度として２０００〜３５００ケルビンを、色品質尺度Ｑa値として６０以上を示す、請求項１に記載のランプ。
【請求項３】
前記蛍光体組成物は、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+；（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ）5（ＰＯ4）3Ｃｌ：Ｅｕ；Ｓｒ4Ａｌ14Ｏ25：Ｅｕ；Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ；Ｃａ10（ＰＯ4）6ＦＣｌ：Ｓｂ，Ｍｎ；およびそれらの組み合わせからなる群から選択される第３の蛍光体をさらに含む請求項１に記載のランプ。
【請求項４】
前記第１の蛍光体はＹ2Ｏ3：Ｅｕであり、前記第２の蛍光体は（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+，Ｍｎ2+である請求項１に記載のランプ。
【請求項５】
内面を有する光透過性ガラス・エンベロープ、前記エンベロープの内部に密封された放電維持充填ガス、および前記エンベロープと前記蛍光体層との間に位置する障壁層をさらに備え、前記障壁層はアルミナ粒子を含み、放電維持充填ガスは水銀を含む請求項１に記載のランプ。
【請求項６】
色品質尺度が向上したランプであって、前記ランプは、蛍光体組成物を含む蛍光体層を備え、前記組成物は少なくとも第１の蛍光体と第２の蛍光体とを含み、前記第１の蛍光体は、発光帯の最大値が５９０ｎｍ〜６７０ｎｍの間にあり、前記第１の蛍光体は、１０〜９０重量パーセントの量で存在し、前記第２の蛍光体は、発光帯の最大値が５００ｎｍ〜５７０ｎｍの間にあり、前記第２の蛍光体は、５〜５０重量パーセントの量で存在し、前記ランプは、Ｑa値が６０よりも大きく、相関色温度が２０００〜３５００ケルビンの間にあるランプ。
【請求項７】
前記第１の蛍光体は、Ｙ2Ｏ3：Ｅｕ；３．５ＭｇＯ＊０．５ＭｇＦ2＊ＧｅＯ2：Ｍｎ4+；Ｇｄ（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｂ5Ｏ10：Ｃｅ，Ｍｎ；（Ｓｒ，Ｍｇ）3（ＰＯ4）2：Ｓｎ；Ｙ（Ｖ，Ｐ）Ｏ4：Ｅｕ；およびそれらの組み合わせからなる群から選択され、
前記第２の蛍光体は、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+，Ｍｎ2+；ＬａＰＯ4：Ｃｅ，Ｔｂ；ＺｎＳｉＯ4：Ｍｎ；（Ｃｅ，Ｔｂ）ＭｇＡｌ11Ｏ19；（Ｃｅ，Ｔｂ）（Ｍｇ，Ｍｎ）Ａｌ11Ｏ19；およびそれらの組み合わせからなる群から選択され、
前記組成物は、Ｙ2Ｏ3：Ｅｕ；３．５ＭｇＯ＊０．５ＭｇＦ2＊ＧｅＯ2：Ｍｎ4+；Ｇｄ（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｂ5Ｏ10：Ｃｅ，Ｍｎ；（Ｓｒ，Ｍｇ）3（ＰＯ4）2：Ｓｎ；Ｙ（Ｖ，Ｐ）Ｏ4：Ｅｕ；（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+，Ｍｎ2+；ＬａＰＯ4：Ｃｅ，Ｔｂ；ＺｎＳｉＯ4：Ｍｎ；（Ｃｅ，Ｔｂ）ＭｇＡｌ11Ｏ19；（Ｃｅ，Ｔｂ）（Ｍｇ，Ｍｎ）Ａｌ11Ｏ19；（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+；（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ）5（ＰＯ4）3Ｃｌ：Ｅｕ；Ｓｒ4Ａｌ14Ｏ25：Ｅｕ；Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ；Ｃａ10（ＰＯ4）6ＦＣｌ：Ｓｂ，Ｍｎ；およびそれらの組み合わせからなる群から選択される第３の蛍光体をさらに含む請求項６に記載のランプ。
【請求項８】
作動したときに、相関色温度として２０００ケルビン〜３５００ケルビンを示し、色品質尺度が向上したランプであって、前記ランプは、作動したときに光放射を伴う少なくとも１つの発光要素を備え、前記ランプが作動したときに、前記ランプから発生する光の総光放射のデルタ・クロマ値は、ＣＱＳのうちの少なくとも２つの色見本が、ＶＳ１に対して−２〜７；ＶＳ２に対して−３〜７；ＶＳ３に対して−７〜７のパラメータ内であり、ＣＱＳのうちの少なくとも１つの色見本が、ＶＳ４に対して−２〜８；ＶＳ５に対して−２〜１４のパラメータ内であり、ＣＱＳのうちの少なくとも２つの色見本が、ＶＳ６に対して１〜２５；ＶＳ７に対して４〜２５；ＶＳ８に対して−１〜１５のパラメータ内であり、ＣＱＳのうちの少なくとも２つの色見本が、ＶＳ９に対して−２〜７；ＶＳ１０に対して−４〜６；ＶＳ１１に対して−２〜８のパラメータ内であり、ＣＱＳのうちの少なくとも１つの色見本が、ＶＳ１２に対して−１〜８；ＶＳ１３に対して−１〜１３のパラメータ内であり、ＣＱＳのうちの少なくとも１つの色見本が、ＶＳ１４に対して−７〜１３；ＶＳ１５に対して−９〜１２のパラメータ内であり、前記デルタ・クロマ値はＣＩＥＬＡＢ空間において測定され、但しランプは白熱発光要素を備えていないランプ。
【請求項９】
前記ランプは、光透過性エンベロープと、前記エンベロープの内部に密封された充填ガスとを備える蛍光またはＣＦＬランプであり、前記発光要素のうちの少なくとも１つは蛍光体である請求項８に記載のランプ。
【請求項１０】
前記発光要素のうちの少なくとも１つは蛍光体であり、前記ランプが作動したときに、前記ランプから発生する光の総光放射のデルタ・クロマ値は、ＣＱＳのうちの少なくとも２つの色見本が、ＶＳ１に対して０〜６；ＶＳ２に対して−１〜６；ＶＳ３に対して−５〜５のパラメータ内であり、ＣＱＳのうちの少なくとも１つの色見本が、ＶＳ４に対して０〜５；ＶＳ５に対して０〜１０のパラメータ内であり、ＣＱＳのうちの少なくとも２つの色見本が、ＶＳ６に対して３〜２０；ＶＳ７に対して６〜２０；ＶＳ８に対して２〜１０のパラメータ内であり、ＣＱＳのうちの少なくとも２つの色見本が、ＶＳ９に対して０〜５；ＶＳ１０に対して０〜５；ＶＳ１１に対して０〜５のパラメータ内であり、ＣＱＳのうちの少なくとも１つの色見本が、ＶＳ１２に対して０〜６；ＶＳ１３に対して０〜１０のパラメータ内であり、ＣＱＳのうちの少なくとも１つの色見本が、ＶＳ１４に対して−６〜１０；ＶＳ１５に対して−８〜１０のパラメータ内である請求項８に記載のランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月24日(2012.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接合膜であって、それを介して第１導電面を第２導電面と相互接続する接合膜において、
前記接合膜がポリマー担体に埋設された複数のナノ構造体を有して構成され、
前記ナノ構造体が、互いに平行に配向されて前記ポリマー担体の頂面と底面に対して垂直方向に延び、
前記ポリマー担体が、
第１導電面と第２導電面との間に配置される際に、それらに接着し、
硬化の際に前記ナノ構造体でばね荷重力を与えるように接触し、それにより、第１導電面と第２導電面のぞれぞれと前記ナノ構造体との間に確実な接触が達成されるように構成される接合膜。
【請求項２】
前記ナノ構造体が導電性又は伝熱性である、請求項１に記載の接合膜。
【請求項３】
前記ナノ構造体それぞれが、互いに混じり合った２以上の材料を含み、前記互いに混じり合った２以上の材料が、前記複数のナノ構造体の形状に影響を及ぼす少なくとも１つの材料と、前記複数のナノ構造体の電気的特性に影響を及ぼす少なくとも１つの材料とを含む、請求項２に記載の接合膜。
【請求項４】
前記互いに混じり合った２以上の材料の少なくとも１つが、前記ナノ構造体それぞれの先端及びベースの少なくとも一方に存在する、請求項３に記載の接合膜。
【請求項５】
前記互いに混じり合った２以上の材料の少なくとも１つが、非結晶質のシリコンおよびゲルマニウムからなる群より選択される、請求項３又は４に記載の接合膜。
【請求項６】
伝導性の部品表面を有する電子部品と、
伝導性の基板表面を有する基板と、
前記伝導性の部品表面と前記伝導性の基板表面との間に配置される請求項１ないし５のいずれかに記載の接合膜と、
を有して構成される電子デバイスであって、
前記接合膜に含まれるナノ構造体が前記伝導性の部品表面と前記伝導性の基板表面に対してバネ荷重力によって押圧されるように、前記接合膜に含まれるポリマー担体が硬化状態にある、電子デバイス。
【請求項７】
伝導性の部品表面を有する電子部品と、伝導性の基板表面を有する基板とを相互に接続する方法であって、前記方法は、
前記伝導性の部品表面と、前記伝導性の基板表面との間に請求項１ないし５のいずれかに記載の接合膜を配置するステップと、
前記接合膜に含まれる担体を、前記接合膜に含まれるナノ構造体にバネ荷重力を付与するように硬化することによって、前記伝導性の部品表面と前記伝導性の基板表面のそれぞれと、前記ナノ構造体との確実な接触を達成するステップと、
を含む方法。
【請求項８】
複数のナノ構造体が伝導性の基板に対して垂直方向に延びるように、前記複数のナノ構造体を前記伝導性の基板上に成長させるステップと、
担体で前記複数のナノ構造体を被膜して前記伝導性の基板上に接合膜を形成するステップと、
前記伝導性の基板から前記接合膜を引き上げるステップと、
を含む接合膜を形成する方法。
【請求項９】
前記ナノ構造体を均一な長さとなるように前記接合膜を研磨するステップをさらに含む請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記接合膜が上部に配置されている間に前記基板をダイシングするステップをさらに含む請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１１】
前記担体は接着性ポリマーである請求項８ないし１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記複数のナノ構造体を前記伝導性の基板上に成長させるステップが、
１つまたは複数の中間層を前記伝導性の基板上に堆積するステップと、
前記１つまたは複数の中間層上に触媒層を堆積するステップと、
前記基板を最初にアニールすることなく、ナノ構造体を形成できる温度まで前記基板を加熱するステップと、
前記温度で前記触媒層上に２以上のナノ構造体を成長させるステップであって、前記１つまたは複数の中間層のうちの少なくとも１つが前記触媒層と相互に混じり合い、相互に混じり合った前記触媒層と、前記１つまたは複数の中間層のうちの少なくとも１つとが、前記ナノ構造体中に存在するステップと、
を含む、請求項８ないし１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記ナノ構造体を金属堆積物で被覆し、前記伝導性の基板上に金属が埋め込まれたナノ構造体を形成するステップをさらに含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ナノ構造体アセンブリを使用して第１導電面を第２導電面に接続する方法であって、
前記方法が、
ナノ構造体アセンブリを生成するステップと、
１つまたは複数の中間層を前記第１導電面上に堆積するステップと、
前記１つまたは複数の中間層上に触媒層を堆積するステップと、
前記基板を最初にアニールすることなく、ナノ構造体を形成できる温度まで前記基板を加熱するステップと、
前記温度で前記触媒層上に２以上のナノ構造体を成長させるステップであって、前記１つまたは複数の中間層のうちの少なくとも１つが前記触媒層と相互に混じり合い、相互に混じり合った前記触媒層と、前記１つまたは複数の中間層のうちの少なくとも１つとが、前記ナノ構造体中に存在するステップと、
前記第２導電面を前記ナノ構造体アセンブリに接着することにより、前記第１導電面と第２導電面とを接続するステップと、
を含む、方法。
【請求項１５】
前記ナノ構造体アセンブリを接着性ポリマーで被覆し、埋込みナノ構造体を有する膜を前記第１導電面上に形成するステップをさらに含み、
前記接着するステップが、
前記第１導電面と前記第２導電面との間に埋め込んだナノ構造体と前記膜をはさむステップと、
埋め込んだナノ構造体とともに前記膜を硬化することによって、前記第１導電面と前記第２導電面のそれぞれと、前記埋め込まれたナノ構造体との間に確実な接触を達成するステップと、
を含む請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月14日(2011.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像のシャープネスの度合いを示すためにフォーカス信号を前記画像中の複数のエッジから生成する方法であって、
前記複数のエッジの中の各エッジは、前記フォーカス信号に幅を寄与し、ピーク勾配を有し、
前記方法は、
前記複数のエッジ間で変化するしきい値によって前記各エッジを精細化するステップ
を備え、
大きな前記ピーク勾配を有するエッジの前記しきい値は、小さい前記ピーク勾配を有する別のエッジの前記しきい値よりも高い、
前記しきい値よりも低い勾配が画像ピクセルにおいて、または前記画像ピクセルと前記ピーク勾配との間における場合、前記画像ピクセルは、前記エッジから除外される
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記複数のエッジのしきい値は、それぞれ前記複数のエッジのピーク勾配の所定割合である
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項３】
画像のシャープネスの度合いを示すために前記画像の複数のエッジからフォーカス信号を生成する方法であって、
前記複数のエッジの中の各エッジは、前記フォーカス信号に幅を寄与し、
前記方法は、
異なる重みを前記複数のエッジに割り当てるステップ
を備え、
第１のエッジは、第2のエッジの重みよりも大きい重みを受け取り、
前記第１のエッジの幅は前記第2のエッジの幅よりも大きい、
前記第１と第2のエッジの両方は同じ方向に配向される
ことを特徴とする方法。
【請求項４】
前記複数のエッジの幅の間にの加重平均を取るステップ
をさらに備える
ことを特徴とする請求項3に記載の方法。
【請求項５】
画像のシャープネスの度合いを示すために前記画像の複数のエッジからフォーカス信号を生成する方法であって、
前記複数のエッジの中の各エッジは、前記フォーカス信号に幅を寄与し、
前記フォーカス信号は、前記幅の異なる値に対応する複数の区間を有するヒストグラムから生成され、
前記各エッジは、前記各エッジの幅に基づいて前記複数の区間から選択された区間の度数中に数えれ、
前記方法は、
それぞれ第１の区間の度数と第2の区間の度数に大きい重みと小さい重みを掛けるステップ
を備え、
前記第１と第2の区間中には、それぞれ大きい幅と小さい幅があって、
前記第１と第2の区間は、前記複数の区間の中にある
ことを特徴とする方法。
【請求項６】
画像のシャープネスの度合いを示すために前記画像の複数のエッジからフォーカス信号を生成する方法であって、
前記複数のエッジの中の各エッジは、前記フォーカス信号に幅を寄与し、ピーク勾配を有し、
前記方法は、
エッジ上の画像信号の平均値に比例するしきい値よりも低い前記エッジの前記ピーク勾配を有する前記エッジを差別するステップ
を備える
ことを特徴とする方法。
【請求項７】
前記ステップは、前記フォーカス信号にの前記エッジからの寄与を許さない
ことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記勾配は、１次のエッジ検出演算によって生成される
ことを特徴とする前記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記１次のエッジ検出演算は、Sobelエッジ検出演算である
ことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実時間で運動プロファイルを生成するシステムであって、
運動を第１フェーズおよび第２フェーズに分割するように構成されたプロセッサを備え、前記第１フェーズが、前記運動を定速セグメントに向けて指令することを含み、前記第２フェーズが、運動が進行中首尾よく最終状態に到達するために必要となる加加速度値を計算することを含む、システム。
【請求項２】
前記プロセッサが、
前記第２フェーズが目標位置に到達するために制御を行わなければならない時点を計算し、前記第２フェーズが制御を行わなければならない前記時点が、前記第１フェーズの開始後、いつでも生じ得、
前記運動を既知の初期位置と前記目標位置との間で実行する指令信号を送信するようにさらに構成される、請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記プロセッサが、サンプル期間にわたって、処理を前記第１フェーズ計算および前記第２フェーズ計算に分割するようにさらに構成される、請求項１記載のシステム。
【請求項４】
前記プロセッサが、プログラミングされた制限値を超えずに前記運動プロファイルを生成するようにさらに構成され、前記運動プロファイルが、前記目標位置に到達する最短時間経路を示し、首尾よく最終状態を満たすために必要となる前記加加速度値が、サンプル期間で実施される、請求項２記載のシステム。
【請求項５】
前記プロセッサが、前記運動を完了させるために必要となる離散時間セグメントの数を決定するようにさらに構成され、前記運動プロファイルが、前記初期位置と目標位置との間で複数の離散時間セグメントを含む、請求項２記載のシステム。
【請求項６】
前記第２フェーズが、前記複数の離散時間セグメントのうちの１つと同時に開始する、請求項５記載のシステム。
【請求項７】
前記プロセッサが、入力指令値に正しい符号を付与するようにさらに構成され、加加速度、速度、加速度、および減速度に関する入力指令値が、絶対値としてユーザが指定した値である、請求項１記載のシステム。
【請求項８】
前記プロセッサが、
少なくとも１つのユーザが指定した新たな運動指令値を受信すると、進行中の前記運動を中断し、前記少なくとも１つの新たな運動指令値が、前記プログラミングされた制限値に反することがなく、
前記少なくとも１つの新たな指令値を実施して前記運動を続けるようにさらに構成される、請求項４記載のシステム。
【請求項９】
前記プロセッサが、
少なくとも１つのユーザが指定した新たな運動指令値を受信すると、警告を発し、前記少なくとも１つの新たな運動指令値が、前記プログラミングされた制限値に反し、
現時点での指令値を用いて前記運動を続けるようにさらに構成される、請求項４記載のシステム。
【請求項１０】
前記プロセッサが、
現時点でのサンプル期間について、首尾よく最終状態に到達するために必要となる加加速度値を計算し、
次のサンプル期間について、首尾よく最終状態に到達するために必要となる加加速度値を計算し、
前記現時点でのサンプル期間について必要となる前記計算済み加加速度値および前記次のサンプル期間について必要となる前記計算済み加加速度値を、指令加加速度値と比較するようにさらに構成される、請求項１記載のシステム。
【請求項１１】
前記プロセッサが、前記指令加加速度値が、前記現時点でのサンプル期間について必要となる前記計算済み加加速度値と、前記次のサンプル期間に関する前記計算済み加加速度値との間にあるとき、前記現時点でのサンプル期間について必要となる前記計算済み加加速度値を実施して、前記運動の前記第２フェーズを開始するようにさらに構成される、請求項９記載のシステム。
【請求項１２】
前記現時点でのサンプル期間について必要となる前記計算済み加加速度値が、前記現時点のサンプル期間時に実施される、請求項１１記載のシステム。
【請求項１３】
実時間で運動プロファイル生成するシステムであって、
前記運動プロファイルに基づいて指令信号を送信し、
運動を第１フェーズおよび第２フェーズに分割し、
前記第２フェーズが目標位置に到達するために制御を行わなければならない時点を計算するように構成されたプロセッサと、
前記指令信号を受信するように構成された少なくとも１つの入出力モジュールと、
前記運動が制御される装置とを備える、システム。
【請求項１４】
前記プロセッサが、
運動が進行中、首尾よく目標位置に到達するために必要となる加加速度値を計算し、前記第２フェーズが制御を行わなければならない時点で、前記計算済み加加速度値を実施するようにさらに構成され、
前記第２フェーズが制御を行わなければならない前記時点が、サンプル期間で生じ、
前記第２フェーズが制御を行わなければならない前記時点が、前記第１フェーズの開始後、いつでも生じ得る、請求項１３記載のシステム。
【請求項１５】
実時間で運動プロファイルを生成する方法であって、運動を第１フェーズおよび第２フェーズに分割することを含み、前記第１フェーズが、前記運動を定速セグメントに向けて指令することを含み、前記第２フェーズが、運動が進行中、首尾よく最終状態に到達するために必要となる加加速度値を計算することを含む、方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年2月10日(2012.2.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項９】
CreateProcessAとCreateProcessWとWinExecとの三つのＡＰＩ関数のうちの少なくとも一つを傍受することにより、前記プロセス作成動作を傍受することを特徴とする請求項１記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
ｉ、ＡＰＩ関数CreateProcessA又はCreateProcessWを利用する。
この２つの関数は、何れもkernel32.dllから導出され、常用のプロセス作成方式に用いられる。
ｉｉ、ＡＰＩ関数ShellExecuteA又はShellExecuteWを利用する。
関数ShellExecuteは、最終的にCreateProcess関数を呼び出すので、その操作は、CreateProcess関数と同じであると見なされ、特別な処理を行う必要がない。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
ｉｉｉ、ＡＰＩ関数execvp/execveを利用する。
この複数の関数も、最終的にCreateProcess関数を呼び出すので、特別な処理を行う必要がない。
ｉｖ、ＡＰＩ関数WinExecを利用する。
当該関数は、kernel32.dllから導出される。当該関数は比較的に特別なものであり、CreateProcessだけでなく、ZwCreateProcessさえも呼び出してプロセスを作成することはない。従ってこの場合は、この関数を単独に傍受する必要がある。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
上述の分析から明らかに分かるように、プロセス作成を傍受するためには三つのＡＰＩ関数、即ちCreateProcessA、CreateProcessW及びWinExecだけを単独に処理すればよい。
ここで、これらのＡＰＩ関数を傍受して処理するためには、異なるＡＰＩ関数のパラメータの各々の特性を一時的に無視し、それらの共通の性質だけを調べる。この調査によって、どの方式でもプロセスを起動する場合に完全なコメントラインを提供する必要があり、これは、それらの共通の性質であることが分かる。また、このコマンドラインには、必ず起動されるファイルの情報、例えばファイル名、パスなどを含む。よって、起動されるファイルの情報の取得は、コマンドラインを分析することにより実現することができる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
上述の分析に基づき、本発明の実施例に係る傍受モジュール３０は、図３に示すように傍受及び処理操作を実行する。
図３に示すように、傍受モジュール３０におけるプロセス作成傍受モジュールは、まず、CreateProcessAとCreateProcessWとWinExecとの三つのＡＰＩ関数のうちの一つ又は複数を傍受することにより、あるブラウザプロセスPaが新しいプロセスPbを作成する動作を傍受する（ステップＳ３１０）。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
この場合、前記スクリプト翻訳プログラムは、コマンドラインスクリプト翻訳プログラムとウインドウスクリプト翻訳プログラムの少なくとも一つを含むこともできる。
また、CreateProcessAとCreateProcessWとWinExecとの三つのＡＰＩ関数のうちの少なくとも一つを傍受することにより、前記プロセス作成動作を傍受することもできる。
また、前記ファイルキャッシュに記憶された前記ファイルの情報を、前記ファイルのファイル名のチェックとすることもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月20日(2012.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ個（ｎは整数）の主オーディオオブジェクトと副オーディオオブジェクトがダウンミックスされたダウンミックス信号および前記ダウンミックスによるｎ個の残余信号（ｒｅｓｉｄｕａｌ  ｓｉｇｎａｌ）を含むビットストリームを受信するステップであって、前記ｎ個の残余信号は、前記ｎ個の主オーディオオブジェクトのそれぞれに対応する、ステップと、
前記残余信号を利用して前記ダウンミックス信号から前記主オーディオオブジェクトと前記副オーディオオブジェクトを復元するステップと
を含み、
前記復元するステップは、
前記ｎ個の残余信号のうち、ｍ番目（ｍはｎ以下の整数）の残余信号と、まだ復元されていない主オーディオオブジェクトと副オーディオオブジェクトがダウンミックスされたダウンミックス信号を用いて前記ｎ個の主オーディオオブジェクトのうち、前記ｍ番目の残余信号に対応するｍ番目の主オーディオオブジェクトを復元し、前記ｍ番目の主オーディオオブジェクトが復元された後のダウンミックス信号を出力する第１ステップと、
前記ｎ個の主オーディオオブジェクトの全ておよび前記副オーディオオブジェクトを復元するまで、前記ｎ個の残余信号のうち、ｍ＋１番目の残余信号と、前記第１ステップにより出力されたダウンミックス信号とを用いて前記ｎ個の主オーディオオブジェクトのうち、前記ｍ＋１番目の残余信号に対応するｍ＋１番目の主オーディオオブジェクトを復元し、前記ｍ＋１番目の主オーディオオブジェクトが復元された後のダウンミックス信号を出力する過程を順次繰り返す第２ステップと
を含むことを特徴とするマルチオブジェクトオーディオ復号化方法。
【請求項２】
前記ｎは２であることを特徴とする請求項１に記載のマルチオブジェクトオーディオ復号化方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月24日(2011.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１の型板を用いて第１の模様を前記基材に形成する工程と、
（ｂ）第１の予備形成された熱硬化性シートを前記基材上に配置する工程と、
（ｃ）前記第１の模様に合致する形で前記シートが前記基材に接着するのに十分な温度まで、原位置で前記シートを加熱する工程と、
（ｄ）熱可塑性物質をより精密に該第１の模様に合致させるために、第２の型板を用いて前記熱可塑性物質を打刻する工程とを含む、熱可塑性コーティングをアスファルト基材に施与する方法。
【請求項２】
前記第１の型板および前記第２の型板は、前記第１の模様を画定する複数の細長い要素から形成され、前記第２の型板内の前記細長い要素は、前記第１の型板内の該細長い要素よりもわずかに直径が小さい、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の型板内の前記細長い要素の直径は、約６．３５ミリメートル（１／４インチ）であり、前記第１の型板内の前記細長い要素の直径は、約９．５ミリメートル（３／８インチ）である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記熱可塑性材料は、３．７５〜６．２５ミリメートル（１５０〜２５０ミル）の間の厚さで前記アスファルト表面上にコーティングされる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記熱可塑性材料は、４．３８〜５．６３ミリメートル（１７５〜２２５ミル）の間の厚さで前記アスファルト表面上にコーティングされる、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記打刻する工程の前に粒子結合破砕物を前記熱可塑性物質に施与する工程をさらに含み、前記打刻する工程は、前記結合破砕物を前記熱可塑性物質内に浸透させる、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記粒子結合破砕物は砂である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
砂は３ミリメートル（１２０ミル）を超える骨材サイズを有する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記加熱する工程の後、且つ前記第２の型板を用いて前記熱可塑性物質を前記打刻する工程の前に、前記熱可塑性物質を部分的に冷却させる工程を含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月11日(2011.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直列ダンパにおいて、直列ダンパが、以下の構成部材：すなわち、
１つのフランジと１つのカバープレートとを備えた第１のダンパを有しており；
第１および第２のカバープレートと１つのフランジとを備えた第２のダンパを有しており、第１のダンパのフランジとカバープレートとが、回動に関して摩擦接続的に係合しており、第２のダンパのフランジが、第１および第２のカバープレートに摩擦係合なしに自由に回動させられるようになっていることを特徴とする、直列ダンパ。
【請求項２】
直列ダンパが、可撓性のエレメントを有しており、該可撓性のエレメントが、第１のダンパのフランジとカバープレートとの摩擦係合を形成するために調整されている、請求項１記載の直列ダンパ。
【請求項３】
可撓性のエレメントが、第１のダンパのカバープレートに摩擦接続的に係合していて、トルクコンバータのタービンハブ内に摩擦接続的に係合するために調整されている、請求項２記載の直列ダンパ。
【請求項４】
可撓性のエレメントが、第１のダンパのフランジに相対回動不能に結合されている、請求項２記載の直列ダンパ。
【請求項５】
第１のダンパのフランジとカバープレートとの間の摩擦接続的な係合が、第１のダンパのねじりの間に形成されるようになっている、請求項３記載の直列ダンパ。
【請求項６】
第１のダンパのカバープレートが、少なくとも１つのスリットを有しており、第１のダンパに対するフランジが、少なくとも１つの延長部を有しており、該延長部が、少なくとも１つのスリット内に少なくとも部分的に配置されており、第１のダンパのカバープレートと、少なくとも１つのスリット内の少なくとも１つの延長部との間に遊びが存在している、請求項１記載の直列ダンパ。
【請求項７】
第１のダンパのフランジが、第２のダンパに対する第２のカバープレートを有している、請求項１記載の直列ダンパ。
【請求項８】
直列ダンパが、環状のエレメントを有しており、該環状のエレメントが、第１のダンパのフランジに相対回動不能に結合されており、可撓性のエレメントが、環状のエレメントを第１のダンパのカバープレートに向かって押圧している、請求項２記載の直列ダンパ。
【請求項９】
可撓性のエレメントが、第１のダンパのカバープレートに相対回動不能に結合されている、請求項８記載の直列ダンパ。
【請求項１０】
第１のダンパのフランジが、第２のダンパのカバープレートを有している、請求項８記載の直列ダンパ。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年4月19日(2012.4.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
すなわち、本発明は、インタクーラを吸気管内に取り付けるとともに、水冷式の熱交換器を備える構成としたことを特徴としている。これにより、吸気装置におけるコンプレッサの下流側に比較的小さな流量が生じることになり、部分負荷時においてウェイストゲートバルブあるいはウェイストゲートフラップが開弁されている場合でも、内燃機関の迅速な応答が可能である。そのため、部分負荷時にウェイストゲートバルブを開弁することによって燃料消費率を低減しても、応答特性を犠牲にすることがない。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
しかして、吸気装置１６には、コンプレッサ２０をバイパスし、かつ、バイパスバルブ３２を備えたバイパス通路３０が設けられている。また、この吸気装置１６には更にスロットルバルブ３４及び吸気管３６が設けられており、この吸気管３６内には、水冷式の熱交換器を備えたインタクーラが取り付けられている。この水冷式の熱交換器は内燃機関の冷却水回路３８に接続されており、この冷却水回路３８は、ポンプ４０及びラジエタ４２を備える構成となっている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
全負荷運転でない部分負荷運転時におけるウェイストゲートバルブ２４の開弁による加速の利点を、適当な燃料消費率（燃費）についての利点に置き換えるために、本発明においては、インタクーラが、吸気管３６内に取り付けられているとともに水冷式の熱交換器を備える構成とされている。これにより、ターボチャージャのコンプレッサの出口と内燃機関の燃焼室の間にわずかな空気量しか存在しないため、部分負荷時に開弁されているウェイストゲートバルブ２４が応答特性について目立った低下を生じさせることがない。そのため、本発明においては、「電気式のアクチュエータ」と「吸気管内に取り付けられた水冷式のインタクーラ」を組み合わせて用いている。そして、上記２つのものをこのように組み合わせることによって、初めて電気式のアクチュエータの利点を実際に転用することができる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
吸気管３６内に取り付けられたインタクーラに基づく非常にわずかな圧縮空気量によって、ウェイストゲートバルブの開弁時における部分負荷の下においても動特性を犠牲にすることなく、動作点に応じた圧力とは無関係なウェイストゲートバルブ２４の制御が可能であるという電気式のアクチュエータの利点が初めて得られる。なお、この電気式のアクチュエータにおいては、従来の空圧式のアクチュエータに比して大幅に低い圧力レベルとなっている一方、燃料消費率は従来の空圧式アクチュエータに比して１〜２％ほど低くなっている。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
一方、電気式のアクチュエータを用いる主な目的が燃料消費率の低減にあることから、ウェイストゲートバルブ２４が比較的低い部分負荷において既に開弁されていれば、電気式のアクチュエータ２６と吸気管３６内に取り付けられたインタクーラを組み合わせて用いることで動特性を損なうことなく燃料消費率を低減することができるため、動特性及び燃料消費率を改善することが可能である。これにより、ウェイストゲートバルブ２４をエンジンの基準や熱力学的な基準のみに基づいて調整することが可能である。そして、このようなことから図２の特性曲線が得られる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
この図２に示された電気式アクチュエータ２６の動作により、電気式制御の利点が最大に生かされることになる。また、この図２に示す特性曲線の実施は、吸気管３６内に取り付けられたインタクーラの使用が前提となっている。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
吸気装置（１６）における吸気管（３６）と、
排気装置（１２）と、
ターボチャージャ（１４）と
を備えて成り、
前記吸気管（３６）を内燃機関のシリンダヘッドにおける吸気通路に対して開口させ、
前記ターボチャージャ（１４）が、前記排気装置（１２）に設けられたタービン（１８）と、該タービン（１８）により駆動されつつ前記吸気装置（１６）に設けられたコンプレッサ（２０）とを備え、
前記タービン（１８）が、当該タービン（１８）の羽根車を通過する排気ガスをバイパスするためのウェイストゲート（２２）を備え、
該ウェイストゲート（２２）に、当該ウェイストゲート（２２）を開閉するためのウェイストゲートバルブ（２４）を設け、
該ウェイストゲートバルブ（２４）を操作するための電気式のアクチュエータ（２６）を設け、
前記吸気装置（１６）における前記コンプレッサ（２０）の下流側にインタクーラを設け、
前記インタクーラを、前記吸気管（３６）内に取り付けるとともに水冷式の熱交換器を備える構成とした
ことを特徴とする特に原動機付き車両である内燃機関。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月25日(2012.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
介入の有効性を決定する治験を容易にする方法であって、該方法は、
グラフィカル・ユーザ・インターフェースをクライアントコンピュータ上に提供することであって、該グラフィカル・ユーザ・インターフェースは、１人以上の患者が、その疾患、症状に関する情報を入力可能である、ことと、
該患者の各々が、疾患を治療するための介入を採用する前に、該クライアントコンピュータ上の該グラフィカル・ユーザ・インターフェースを介して、該１人以上の患者から情報を収集することと、
該１人以上の患者によって採用された該介入に関する情報を該グラフィカル・ユーザ・インターフェースから、サーバコンピュータ上で収集することと、
該患者の部分集合が、該疾患を治療するための介入を採用後、該複数の患者から経験した症状に関する情報を該サーバコンピュータ上で収集することと、
該疾患の治療における該介在の有効性を該サーバコンピュータ上で決定することと
を含む、方法。
【請求項２】
前記介入の有効性を１人以上の対照患者からのデータと該サーバコンピュータ上で比較することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記介入の有効性を決定することは、事前介入情報を事後介入情報と比較することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
現在の介入に関連する少なくとも１つの副作用を経験する患者のための可能性のある個人介入の識別の方法であって、該方法は、
サーバコンピュータと通信可能に結合されるデータベースを提供することであって、該データベースは該データベース内の各患者の１つ以上の属性を含む、複数の患者のための患者情報を含む、ことと、
グラフィカル・ユーザ・インターフェースをクライアントコンピュータ上に提供することであって、該グラフィカル・ユーザ・インターフェースは、該患者の１つ以上の属性を指定する要求を患者が作成することを可能にし、該患者の１つ以上の属性は、
該患者に現在影響を及ぼしている１つ以上の疾患と、
該患者によって現在採用されている１つ以上の介入と、
該患者によって現在経験されている１つ以上の副作用と
を含む、ことと、
該指定された介入のうちの少なくとも１つを採用したときに、該指定された副作用のうちの少なくとも１つを以前に経験した他の患者の集合について、患者情報の該データベースを検索することと、
該指定された介入のうちの少なくとも１つを採用したときに、該指定された副作用のうちの少なくとも１つを以前に経験した他の患者の集合内の他の患者のそれぞれによって最近採用された代替介入を識別することと、
該１つ以上の指定された介入を採用したときに、該１つ以上の指定された副作用を経験した他の患者の集合によって最近最も一般的に採用された１つ以上の代替介入を返すことと
を含む、方法。
【請求項５】
前記１つ以上の属性は、年齢、人種、民族性、性別、身長、体重、肥満度指数（ＢＭＩ）、体容積指数（ＢＶＩ）、遺伝子型、表現型、疾患、疾患重症度、疾患進行速度、機能的能力の測定値、生活の質、介入、および治療薬から成る群から選択される少なくとも１つを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記他の患者に関連するデータの多変量パターン合致検索を行なうことをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記１つ以上の代替介入は、該１つ以上の代替介入を最近採用した他の患者の割合に基づいて順位付けされる、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記１つ以上の代替介入は、該１つ以上の代替介入を使用する平均継続時間に基づいて順位付けされる、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
前記患者情報は、状態モデル内に格納される、請求項４に記載の方法。
【請求項１０】
各介入は前記状態モデル内に異なる状態として格納される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記１つ以上の疾患はうつ病を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項１２】
前記１つ以上の介入は抗うつ剤を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記１つ以上の代替介入は、最も一般的に採用されたものから、最も採用されなかったものまで順位付けされる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記患者のうちの１人以上から、前記介入の有効性を決定する治験を開始する要求を受信し配布することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月22日(2011.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
全体表面領域又は選択部分のいずれかである、基板の表面領域上に薄膜材料を堆積することにより、ｎ型亜鉛−酸化物系薄膜半導体を製造する方法であって、堆積が、実質的に大気圧で又は大気圧を上回る圧力で実施される原子層堆積法によって行われ、堆積中の基板の温度は３００℃を下回り、そして該原子層堆積法は、順番に、少なくとも、堆積中にモル流量を有する亜鉛含有化合物を含有する第１反応ガス材料と、不活性パージガスと、第２反応ガス材料とを含む一連のガス流を、細長い実質的に平行なチャネルに沿って、該基板から離隔した複数の出力開口を通るように方向付けする工程、そして、該基板の該表面領域上のいかなる点も、該第１、第２及び第３ガス材料のシーケンスを受けるように、該複数の出力開口に対して所定の方向に該基板を移動し、これにより、該シーケンスが原子層堆積によって該基板の該表面領域上に薄膜を生成する工程を含み、
揮発性インジウム含有化合物が、該第１反応性ガス材料又は補足ガス材料中に、該インジウム含有化合物が該亜鉛含有化合物のモル流量の２０パーセントを上回るレベルのモル流量を有するように導入される、
ｎ型亜鉛−酸化物系薄膜半導体を製造する方法。
【請求項２】
該亜鉛−酸化物系薄膜半導体が薄膜トランジスタ内で使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該亜鉛−酸化物系薄膜半導体の結晶化度が、Ｘ線回折によって測定して８５％未満である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
該揮発性インジウム含有化合物が、トリアルキルインジウム化合物又はシクロペンタジエニルインジウム（Ｉ）であり、該アルキルの炭素原子数が１〜４である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
該亜鉛−酸化物系薄膜半導体内の亜鉛とインジウムとの重量比が、０．０５〜０．７である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
該第２反応ガス材料、不活性パージガス、又は補足ガス材料の追加のガス流中に揮発性アクセプタ・ドーパント前駆体が導入される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
該揮発性アクセプタ・ドーパント前駆体が、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、又はこれらの混合物から成る群から選択された元素を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
該揮発性アクセプタ・ドーパント前駆体が、ＮＯ、ＮＯ2、又はアンモニアである、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
該亜鉛−酸化物系薄膜半導体が、薄膜トランジスタのチャネル層として働く、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
該亜鉛−酸化物系薄膜半導体が、薄膜トランジスタの１つ又は２つ以上の導電性電極として働く、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
該堆積装置が、該第１反応ガス材料及び該第２反応ガス材料のための実質的に平行な細長い出力開口の間に排気チャネルをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
薄膜堆積のために基板表面に供給されるガス材料のうちの１種又は２種以上の材料の流れが、該基板表面から該堆積装置の堆積出力面を分離する力の少なくとも一部を提供する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
該基板又は該基板のための支持体が、移動しているウェブを含む、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
該原子層堆積方法が、順に、
（Ａ）  入口セクション
（Ｂ）（ｉ）  少なくとも、それぞれ該第１ガス材料、第２ガス材料、及び不活性パージガスを含む、それぞれ複数のガス材料のための複数の源；
（ｉｉ）該複数のガス材料を、薄膜堆積を受ける基板に供給するための少なくとも１つの供給ヘッドであって、
（ａ）該第１ガス材料、第２ガス材料、及び不活性パージガスをそれぞれ受容するための少なくとも第１、第２、及び第３流入ポートを含む複数の流入ポート；及び
（ｂ）該基板から所定の距離だけ離され、該第１ガス材料、第２ガス材料、及び不活性パージガスのそれぞれのための実質的に平行な複数の細長出力開口を含む堆積出力面
を含み、該堆積出力面内の該細長出力開口から該第１反応ガス材料、第２反応ガス材料、及び不活性パージガスを同時に供給するように構成されている、該供給ヘッド、
を含む被覆セクション；
（Ｃ）  出口セクション；
（Ｄ）  該被覆セクションを一方向で通過するように基板を動かすための手段；並びに
（Ｅ）  薄膜堆積中、該供給ヘッドの堆積出力面と該基板の表面との間に実質的に均一な距離を維持する手段
を連続して含む堆積システム内で実施され、
該被覆セクション内の該供給ヘッドが、薄膜堆積のための基板表面に、該基板表面から該供給ヘッドの該堆積出力面を分離する力の少なくとも一部も提供する、ガス材料のうちの１種又は２種以上の材料の流れを提供するように構成されており、
任意選択的に、該入口セクション及び／又は該出口セクションがそれぞれ、該堆積システム内の通過の少なくとも一部の時間中に、該基板表面に非反応ガスのガス流を提供するように構成された複数の非堆積出力開口を有する非堆積出力面を含む、
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
該方法が、それぞれが前記ｎ型亜鉛−酸化物系薄膜半導体を含む、電子デバイス内の複数の薄膜トランジスタを形成するために用いられ、該第１反応ガス材料が、有機亜鉛前駆体化合物を含み、そして、該第２反応ガス材料が、反応性酸素含有ガス材料を含む、請求項１４に記載の方法。