【事件の表示】
　平成　７年特許願第２６１４７７号「３−５族化合物半導体の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　４月２２日出願公開、特開平　９−１０７１２４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成７年１０月９日の特許出願であって、原審において、平成１２年１２月２５日付で拒絶理由が通知され、これに対し、平成１３年３月９日に手続補正がなされたところ、平成１４年２月８日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月２０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに手続補正がなされたものであって、その請求項に係る発明は、上記手続補正がなされた明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のものである。
　　
「【請求項１】　有機金属気相成長法による積層構造を有する３−５族化合物半導体の製造方法において、該積層構造として、一般式Ｉｎｘ Ｇａｙ Ａｌｚ Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１）で表される発光層を、該発光層よりバンドギャップの大きなそれぞれ同一又は異なる一般式Ｉｎｕ Ｇａｖ Ａｌｗ Ｎ（ただし、ｕ＋ｖ＋ｗ＝１、０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１）で表される２つの層により挟んで配置し、かつ該発光層を、０．００１気圧以上０．５気圧以下の圧力下で５Å以上５００Å以下の膜厚に成長せしめる（但し、０．１気圧下で２００Åの発光層を成長せしめる場合を除く）ことを特徴とする発光素子用３−５族化合物半導体の製造方法。」
　　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された、特開平６−３２６４１６号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、
「【００１０】
　本発明の目的は、高品質のＧａｘ Ａｌｙ Ｉｎ１−ｘ−ｙ Ｎを成長することにより、高性能の化合物半導体素子を提供することにある。」、
「【００２０】
・・・このようなエピ層を用いてダブルヘテロ接合型の発光素子を作成する場合、・・・クラッド層は発光層にキャリアを閉じこめる役目もはたしており、窒化物系ではヘテロ界面での障壁高さが低いため、発光層に電子と正孔を更に効率よく閉じこめるためには少なくとも１μｍの膜厚が必要である。これに対し、３Ｃ−ＳｉＣ基板の（１１１）面上にＧａＮからなる素子を作成することにより、キャリアの閉じこめに十分なクラッド層厚を実現することが可能である。ＧａＮとＡｌ，Ｉｎとの混晶も、ＧａＮと同様の窒化物系の材料であり、熱膨張係数はほとんど変わらないので、同様に厚い膜厚の高品質の層の成長が可能である。」、
「【００４２】
　図４は、本発明の一実施例に係る半導体レーザの概略構成図である。３Ｃ−ＳｉＣ基板１上に、１μｍの厚さのＧａＮバッファ層（アンドープ）２、１μｍの厚さのｐ−ＧａＡｌＩｎＮからなるクラッド層３（Ｍｇドープ、１×１０１６〜１×１０１９ｃｍ−３たとえば１×１０１７ｃｍ−３）、
０．１μｍ
「【００４５】
　次に、図４に示す半導体レーザを製造するために採用される結晶成長方法について説明する。図５は、図４に示す半導体レーザを製造するために使用した成長装置を示す概略構成図である。図５に示す成長装置において、反応管１１内にはガス導入口１２から原料混合ガスが導入される。そして、反応管１１内のガスはガス排気口１３から排気される。反応管１１内には、カーボン製のサセプタ１４が配置されており、試料基板１５はこのサセプタ１４上に載置される。また、サセプタ１４は高周波コイル１６により誘導加熱される。
【００４６】
　まず、（１１１）面の出たＳｉＣ基板を試料基板１５としてサセプタ１４上に載置する。ガス導入管１２から高純度水素を毎分１リットルの流量で導入し、反応管１１内の大気を置換する。次いで、ガス排気口１３をロータリーポンプに接続して、反応管１１内を排気して減圧にし、内部の圧力を
２０−３００ｔｏｒｒ
【００４７】
　次いで、基板温度を４５０−９００℃に設定した後、Ｎ原料としてのＮＨ３ガスとともに、有機金属Ａｌ化合物、有機金属Ｇａ化合物、及び有機金属Ｉｎ化合物を導入し、結晶成長を行なう。・・・」、
「【００４９】
　具体的には、図４に示す半導体レーザの製造には、原料としてＮＨ３を１×１０−３ｍｏｌ／ｍｉｎ、Ｇａ（Ｃ２Ｈ５）３を１×１０−５ｍｏｌ／ｍｉｎ、Ｉｎ（ＣＨ３）３を１×１０−６ｍｏｌ／ｍｉｎ、Ａｌ（ＣＨ３）３ を１×１０−６ｍｏｌ／ｍｉｎの流量で導入して成長を行った。基板温度は７００℃、圧力は
７５ｔｏｒｒ
【００５０】
　このようにして得られた半導体レーザウエハをへき開して共振器長３００μｍのレーザ素子を構成したところ、液体窒素温度でパルス幅１００μｓｅｃのパルス動作で青色光レーザ発振が確認された。
【００５１】
　本実施例においては、バッファ層としてＧａＮを用いたが、ｐ型ＧａＡｌＮ、又はｐ型ＧａＡｌＩｎＮを成長させてもよい。」
との記載が認められ、
　また、上記記載事項のうち、下線を付した厚みをÅに換算すると、
０．１μｍ
２０−３００ｔｏｒｒ
７５ｔｏｒｒ
これらの記載によれば、引用例１には、
「有機金属気相成長法による積層構造を有する３−５族化合物半導体の製造方法において、該積層構造として、アンドープＧａＡｌＩｎＮからなる発光層を、該発光層よりバンドギャップの大きな、ｐ−ＧａＡｌＩｎＮからなるクラッド層と、ｎ−ＧａＡｌＩｎＮからなるクラッド層の２つの層により挟んで配置し、かつ該発光層を、０．００２６〜０．３９４８気圧の圧力下で１０００Åの膜厚に成長せしめることを特徴とする発光素子用３−５族化合物半導体の製造方法。」
との発明（以下、「引用例１発明」という。）が開示されていると認めることができる。
　　
３．対比
　そこで、本願発明と引用例１発明とを比較すると、引用例１発明の「アンドープＧａＡｌＩｎＮからなる発光層」は、本願発明の「一般式Ｉｎｘ Ｇａｙ Ａｌｚ Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１）で表される発光層」に相当し、以下同様に、「ｐ−ＧａＡｌＩｎＮからなるクラッド層と、ｎ−ＧａＡｌＩｎＮからなるクラッド層の２つの層」は、「それぞれ同一又は異なる一般式Ｉｎｕ Ｇａｖ Ａｌｗ Ｎ（ただし、ｕ＋ｖ＋ｗ＝１、０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１）で表される２つの層」に相当するから、
両者は、
「有機金属気相成長法による積層構造を有する３−５族化合物半導体の製造方法において、該積層構造として、一般式Ｉｎｘ Ｇａｙ Ａｌｚ Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１）で表される発光層を、該発光層よりバンドギャップの大きなそれぞれ同一又は異なる一般式Ｉｎｕ Ｇａｖ Ａｌｗ Ｎ（ただし、ｕ＋ｖ＋ｗ＝１、０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１）で表される２つの層により挟んで配置し、かつ該発光層を、０．００２６気圧以上０．３９４８気圧以下の圧力下で成長せしめることを特徴とする発光素子用３−５族化合物半導体の製造方法。」
である点で一致し、次の点で相違している。
　
［相違点］本願発明は、発光層の膜厚を「５Å以上５００Å以下の膜厚に成長せしめる（但し、０．１気圧下で２００Åの発光層を成長せしめる場合を除く）」のに対して、引用例１発明の発光層の膜厚は１０００Åであって、本願発明とは異なる点。
　　
４．判断
　有機金属気相成長法により、ＩｎＧａＮ層などの発光層の膜厚を１０Å〜５０００Å程度に成長せしめることは従来周知の技術事項である（例えば、特開平６−２０９１２０号公報、特開平６−２６８２５９号公報、特開平６−２６０６８２号公報等参照）。
　また、本願明細書の記載を参酌しても、発光層の膜厚を「５Å以上５００Å以下」に調整する製造方法自体に特段の技術的特徴ないしは困難性があるとは、首肯し得ないから、上記相違点は、引用例１発明に基づき、上記周知技術を参酌することにより、当業者が容易に想到し得た事項にすぎない。
　　
　そして、本願発明の作用効果も、引用例１に記載された発明及び上記周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。