【手続補正書】
【提出日】平成15年12月17日(2003.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に活性素子を形成する工程と、
前記基板上に、前記活性素子を覆うように層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上に強誘電体膜または高誘電体膜を形成する工程と、
前記強誘電体膜または高誘電体膜を、酸素雰囲気中の熱処理により結晶化する工程と、
前記結晶化する工程の後、前記層間絶縁膜中にコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホールを埋める導体プラグを形成する工程と
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
さらに、前記層間絶縁膜と前記強誘電体膜または高誘電体膜との間に下部電極層を堆積する工程と、前記強誘電体膜または高誘電体膜上に上部電極層を堆積する工程と、前記下部電極層、前記強誘電体膜または高誘電体膜および前記上部電極層をパターニングしてキャパシタを形成する工程とを含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
基板上に拡散領域を含む活性素子を形成する工程と、
前記基板上に、前記活性素子を覆うように層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上に下部電極を形成する工程と、
前記下部電極上に強誘電体膜または高誘電体膜を形成する工程と、
前記強誘電体膜または高誘電体膜上に上部電極を形成する工程と、
前記強誘電体膜または高誘電体膜を、酸素雰囲気中の熱処理により結晶化する工程と、
前記層間絶縁膜をエッチングして、前記拡散領域に達するコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホールを埋める導体プラグを形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記導体プラグを形成する工程は、金属のめっきにより形成することを特徴とする請求項１〜３のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
さらに、前記キャパシタを覆うように別の層間絶縁膜を形成する工程と、前記別の層間絶縁膜中に開口部を形成する工程と、前記開口部を導体のめっきにより埋める工程とを含むことを特徴とする請求項１〜４のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記開口部を導体のめっきにより埋める工程は、前記別の層間絶縁膜上に、前記開口部を覆うように、前記開口部の形状に対応した形状の電極膜を形成する工程と、前記電極膜上に導体層をめっきにより、前記開口部を埋めるように形成する工程と、前記電極膜上の導体層を、研磨により除去する工程とを含み、前記研磨は前記電極膜が研磨ストッパとなるような条件で実行されることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
さらに前記層間絶縁膜を研磨により平坦化する工程を含むことを特徴とする請求項１〜４のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
強誘電体膜または高誘電体膜を含む半導体装置の製造方法において、
基板上に強誘電体膜または高誘電体膜を形成する工程と、
前記強誘電体膜または高誘電体膜を、酸化雰囲気中において熱処理し、結晶化する工程と、
前記結晶化工程の後、前記強誘電体膜または高誘電体膜を覆うように、前記基板上に層間絶縁膜を堆積する工程と、
前記層間絶縁膜中に開口部を形成する工程と、
前記開口部を埋めるように、導体層を金属のめっきにより形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
基板と、
前記基板上に形成された活性素子と、
前記基板上に形成された強誘電体膜または高誘電体膜と、
前記基板上に、前記強誘電体膜または高誘電体膜を覆うように形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜中に形成された開口部と、
前記開口部を埋めるＣｕパターンとを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
基板と、
前記基板上に形成された活性素子と、
前記活性素子を覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された、強誘電体膜または高誘電体膜を含むキャパシタと、
前記層間絶縁膜上に、前記キャパシタを覆うように形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜中に、その下の前記層間絶縁膜を貫通して形成され、前記活性素子の一部を露出する開口部と、
前記開口部を、その下端から上端まで埋める導体プラグとよりなる半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の課題を、
請求項１に記載したように、
基板上に活性素子を形成する工程と、
前記基板上に、前記活性素子を覆うように層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上に強誘電体膜または高誘電体膜を形成する工程と、
前記強誘電体膜または高誘電体膜を、酸素雰囲気中の熱処理により結晶化する工程と、
前記結晶化する工程の後、前記層間絶縁膜中にコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホールを埋める導体プラグを形成する工程と
を含む半導体装置の製造方法により、または
請求項２に記載したように、
さらに、前記層間絶縁膜と前記強誘電体膜または高誘電体膜との間に下部電極層を堆積する工程と、前記強誘電体膜または高誘電体膜上に上部電極層を堆積する工程と、前記下部電極層、前記強誘電体膜または高誘電体膜および前記上部電極層をパターニングしてキャパシタを形成する工程とを含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法により、または
請求項３に記載したように、
基板上に拡散領域を含む活性素子を形成する工程と、
前記基板上に、前記活性素子を覆うように層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上に下部電極を形成する工程と、
前記下部電極上に強誘電体膜または高誘電体膜を形成する工程と、
前記強誘電体膜または高誘電体膜上に上部電極を形成する工程と、
前記強誘電体膜または高誘電体膜を、酸素雰囲気中の熱処理により結晶化する工程と、
前記層間絶縁膜をエッチングして、前記拡散領域に達するコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホールを埋める導体プラグを形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法により、または
請求項４に記載したように、
前記導体プラグを形成する工程は、金属のめっきにより形成することを特徴とする請求項１〜３のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法により、または
請求項５に記載したように、
さらに、前記キャパシタを覆うように別の層間絶縁膜を形成する工程と、前記別の層間絶縁膜中に開口部を形成する工程と、前記開口部を導体のめっきにより埋める工程とを含むことを特徴とする請求項１〜４のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法により、または
請求項６に記載したように、
前記開口部を導体のめっきにより埋める工程は、前記別の層間絶縁膜上に、前記開口部を覆うように、前記開口部の形状に対応した形状の電極膜を形成する工程と、前記電極膜上に導体層をめっきにより、前記開口部を埋めるように形成する工程と、前記電極膜上の導体層を、研磨により除去する工程とを含み、前記研磨は前記電極膜が研磨ストッパとなるような条件で実行されることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法により、または
請求項７に記載したように、
さらに前記層間絶縁膜を研磨により平坦化する工程を含むことを特徴とする請求項１〜４のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法により、または
請求項８に記載したように、
強誘電体膜または高誘電体膜を含む半導体装置の製造方法において、
基板上に強誘電体膜または高誘電体膜を形成する工程と、
前記強誘電体膜または高誘電体膜を、酸化雰囲気中において熱処理し、結晶化する工程と、
前記結晶化工程の後、前記強誘電体膜または高誘電体膜を覆うように、前記基板上に層間絶縁膜を堆積する工程と、
前記層間絶縁膜中に開口部を形成する工程と、
前記開口部を埋めるように、導体層を金属のめっきにより形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法により、または
請求項９に記載したように、
基板と、
前記基板上に形成された活性素子と、
前記基板上に形成された強誘電体膜または高誘電体膜と、
前記基板上に、前記強誘電体膜または高誘電体膜を覆うように形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜中に形成された開口部と、
前記開口部を埋めるＣｕパターンとを含むことを特徴とする半導体装置により、または
請求項１０に記載したように、
基板と、
前記基板上に形成された活性素子と、
前記活性素子を覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された、強誘電体膜または高誘電体膜を含むキャパシタと、
前記層間絶縁膜上に、前記キャパシタを覆うように形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜中に、その下の前記層間絶縁膜を貫通して形成され、前記活性素子の一部を露出する開口部と、
前記開口部を、その下端から上端まで埋める導体プラグとよりなる半導体装置により、解決する。