【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年5月10日(2012.5.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置を製造するための方法であって、
第一の側面、第二の側面、集積回路および前記集積回路と電気的に接続した前記第一の側面上の基板接点と、を有する半導体基板を提供し、
前記第二の側面から前記基板接点の内部表面へ基板開口部を形成し、
前記基板開口部の幅よりも小さい直径を有するワイヤをワイヤボンディングする、先端の幅が前記基板開口部の幅よりも狭いボンディング用細管を提供し、
前記ボンディング用細管を使用して、前記第二の側面から前記基板接点の内部表面に前記ワイヤをワイヤボンディングすることで形成される前記ワイヤを前記内部表面に接続する接続部により、前記基板開口部の内部表面に接続された前記ワイヤである導電性相互接続体を形成し、
前記ボンディング用細管を使用して、前記ワイヤを切断し、
前記接続部、および前記導電性相互接続体と、を固定して保護するようにカプセル化する誘電体カプセル材を、前記第二の側面上と前記基板開口部内に形成することからなる方法。
【請求項２】
さらに前記導電性相互接続体を形成する前に前記第二の側面から前記半導体基板を薄化することからなる請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ワイヤと前記基板開口部との間のスペースに前記誘電体カプセル材を完全に満たす請求項１記載の方法。
【請求項４】
半導体装置を製造する方法であって、
集積回路、第一の側面、第二の側面、前記集積回路と電気的に接続された内部表面を有
する前記第一の側面上の第一の接点および前記第二の側面上の第二の接点と、を有する半導体基板を提供し、
前記半導体基板に、前記第二の側面から前記第一の接点の前記内部表面へワイヤボンディングすることができる幅を有する基板開口部を形成し、
前記第二の側面から、前記基板開口部の幅よりも小さい直径を有するワイヤをワイヤボンディングすることで形成される、前記ワイヤを前記内部表面に接続する第一の接続部と、前記ワイヤを前記第二の接点にワイヤボンディングすることで形成される、前記ワイヤを前記第二の接点に接続する第二の接続部とにより、前記基板開口部の内部表面と前記第二の接点とに接続された前記ワイヤである導電性相互接続体を形成し、
前記第一接続部および前記導電性相互接続体と、を固定して保護するようにカプセル化する誘電体カプセル材を、前記第二の側面上と前記基板開口部内に形成することからなる方法。
【請求項５】
さらに前記第二の側面上において前記第二の接点と電気的に接続する端部接点を形成する請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記ワイヤと前記誘電体カプセル材は同じ平面を有する請求項４記載の方法。
【請求項７】
前記半導体装置は、画像センサ半導体ダイからなる請求項４記載の方法。
【請求項８】
半導体装置を製造する方法であって、
ワイヤをワイヤボンディングするように構成されたボンディング用細管を提供し、
回路側面、裏面、集積回路および内部表面を備える前記集積回路と電気的に接続した前記回路側面上の基板接点と、を有する半導体基板を提供し、
前記半導体基板内に、前記裏面から前記基板接点の内部表面に前記ボンディング用細管を近接してワイヤボンディングすることができる幅を有する基板開口部を形成し、
前記ボンディング用細管を使用して、前記基板開口部の幅よりも小さい直径を持つワイヤを前記基板接点の内部表面にワイヤボンディングすることで形成される前記ワイヤを前記内部表面に接続する第一の接続部により、前記基板開口部の内部表面に接続された前記ワイヤである導電性相互接続体を形成し、
前記第一の接続部、および前記導電性相互接続体と、を固定して保護するようにカプセル化する誘電体カプセル材を、前記裏面上と前記基板開口部内に形成し、
前記ボンディング用細管を使用して、前記ワイヤと前記裏面の裏面接点とをワイヤボンディングした第二の接続部を形成することからなる方法。
【請求項９】
前記基板開口部を形成する際、前記裏面から前記半導体基板をエッチングし、一方前記回路側面を保護し、そして前記基板接点上でエッチングの終了点となることからなる請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記ワイヤと前記誘電体カプセル材は同じ平面を有する請求項８記載の方法。
【請求項１１】
前記ボンディング用細管の先端の幅は６５μｍであり、前記基板開口部の幅は６５μｍより広いことを特徴とする前記請求項８記載の方法。
【請求項１２】
さらに、前記ワイヤと電気的につながるように、前記裏面上に導電体を形成することと、前記導電体と電気的につながるように前記裏面上に端部接点を形成することからなる請求項８記載の方法。
【請求項１３】
さらに、前記導電性相互接続体を形成する際、前記内部表面上にボンディング可能な金属層を形成することからなる請求項８記載の方法。
【請求項１４】
前記半導体基板を提供する際、複数の半導体基板を含む半導体ウェハを提供することからなる請求項８記載の方法。
【請求項１５】
支持基板上のメッキされた基板開口部と前記ワイヤとの間に前記第二の接続部を形成することによって前記半導体基板を前記支持基板に取着することからなる請求項８記載の方法。
【請求項１６】
積層された半導体装置を形成する方法であって、
集積回路、第一の側面、第二の側面、前記第一の側面上の内部表面を有する前記集積回路と電気的に接続した接点および前記第一の側面から前記第二の側面へ広がる基板開口部と、を有する第一の半導体装置を提供し、
前記基板開口部の幅よりも小さい直径を有するワイヤをワイヤボンディングする、先端の幅が前記基板開口部の幅よりも小さいボンディング用細管を提供し、
前記ボンディング用細管を使用して、前記第二の側面から前記基板接点の内部表面に前記ワイヤをワイヤボンディングすることで形成される前記ワイヤを前記内部表面に接続する第一の接続部により、前記基板開口部の内部表面に接続された前記ワイヤである導電性相互接続体を形成し、
前記ボンディング用細管を使用して、前記ワイヤを切断し、
前記第一の接続部、および前記導電性相互接続体と、を固定して保護するようにカプセル化する誘電体カプセル材を、前記第二の側面上と前記基板開口部内に形成し、
前記導電性相互接続体と第二の半導体装置上の第二の接点との間に、ワイヤボンディングにより第二の接続部を形成することによって前記第二の半導体装置を前記第一の半導体装置にボンディングし、
前記第一の半導体装置と前記第二の半導体装置の間にアンダーフィル層を形成することからなる方法。
【請求項１７】
前記第二の半導体装置は前記ワイヤを受け入れるように構成されたメッキされた基板開口部を含む請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記第一の半導体装置は半導体ダイからなりそして前記第二の半導体装置は支持基板からなる請求項１６記載の方法。
【請求項１９】
前記第一の半導体装置と前記第二の半導体装置は半導体ダイからなる請求項１６記載の方法。
【請求項２０】
前記ボンディング用細管の先端の幅は６５μｍであり、前記基板開口部の幅は６５μｍより広いことを特徴とする前記請求項１６記載の方法。
【請求項２１】
前記第一の半導体装置及び前記第二の半導体装置は薄型半導体ダイからなる請求項１６記載の方法。
【請求項２２】
前記第一の半導体装置は画像センサ半導体装置からなる請求項１６記載の方法。
【請求項２３】
前記第一の半導体装置は画像センサ半導体装置からなり前記第二の半導体装置は半導体ダイからなる請求項１６記載の方法。
【請求項２４】
積層された半導体装置を形成する方法であって、
第一の側面、第二の側面、内部表面を有する前記第一の側面上の第一の基板接点、前記第一の基板接点と電気的につながった集積回路および前記第二の側面上の第二の基板接点
と、を有する薄化された半導体基板と、
前記半導体基板に、前記第二の側面から前記第一の基板接点の内部表面へ、前記第一の基板接点の内部表面に前記ボンディング用細管を用いてワイヤボンディングすることができる幅を有する基板開口部を形成し、
前記基板開口部の幅よりも小さい直径を有するワイヤと、前記ワイヤと前記第一の基板接点の前記内部表面との間でワイヤボンディングされた第一の接続部と、前記ワイヤと前記第二の基板接点との間でワイヤボンディングされた第二の接続部とからなる前記第二の基板接点上の導電性相互接続体と、
前記第一の接続部および前記導電性相互接続体と、を前記半導体基板から電気的に絶縁させ、固定して保護するようにカプセル化する誘電体層と、
からなる半導体装置。
【請求項２５】
前記誘電体層及び前記ワイヤはそれぞれ平面を有する請求項２４記載の半導体装置。
【請求項２６】
前記誘電体層及び前記ワイヤは同じ平面を有する請求項２４記載の半導体装置。
【請求項２７】
さらに前記導電性相互接続体と電気的につながった前記第二の側面上の端部接点からなる請求項２４記載の半導体装置。
【請求項２８】
積層された半導体装置を形成する方法であって、
第一の側面と、第二の側面と、集積回路と、前記集積回路と電気的に接続され内部表面を有する前記第一の側面上の基板接点および前記第二の側面から前記基板接点の内部表面へ、ワイヤボンディングするためのボンディング用細管の先端が近接できる幅を有する基板開口部と、を有する薄化された半導体基板で構成される第一の基板と、
前記基板接点の前記内部表面上のワイヤボンディングされた接続部と、前記基板開口部の幅よりも小さい直径を有する前記ワイヤからなる前記第一の基板上の導電性相互接続体と、
ワイヤボンディング接続部および前記導電性相互接続体と、を固定して保護するように前記基板開口部をカプセル化する誘電体材料と、
前記導電性相互接続体へボンディングされた接点を有する前記第一の基板に取着された第二の基板と、
前記第一の基板と前記第二の基板の間の誘電体アンダーフィル層と、
からなる半導体装置。
【請求項２９】
前記第二の基板は前記導電性相互接続体にボンディングされた前記導電性相互接続体と同一の第二の導電性相互接続からなる請求項２８記載の半導体装置。
【請求項３０】
前記第一の基板は画像センサ半導体装置からなる請求項２８記載の半導体装置。
【請求項３１】
前記基板開口部は前記導電性相互接続体を形成するために前記基板接点へのアクセスを提供するように構成された請求項２８記載の半導体装置。
【請求項３２】
前記第二の基板は前記基板接点と電気的につながった端部接点からなる請求項２８記載の半導体装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
図１Ｅに示すように、基板開口部３０（図１Ｅ参照）は、ボンディング用細管３４（図１Ｅ参照）が基板接点１８（図1Ｅ参照）の内部表面３２にアクセス可能なサイズにする
。例えば、ボンディング用細管３４（図参１Ｅ照）の先端の幅が６５μｍならば、基板開口部３０の幅は６５μｍより広い。または、１８  基板開口部３０の幅は、基板接点１８（図１Ｅ参照）の内部表面３２にボンディングが可能であれば、ボンディング用細管３４(図１Ｅ参照)より狭くすることができる。例えば、内部表面３２上に追加層を用いると、基板開口部３０から突き出たボンディング表面を得ることができる。他の例として、ボンディング用細管３４  (図１Ｅ参照)は、基板開口部３０の幅より狭く、基板開口部３０の深さより大きい直径のボンディング可能フリーエアボール（ｆｒｅｅ  ａｉｒ  ｂａｌｌ）が形成できるように構成することができる。この場合、ウェットエッチングによるボンディング用細管３４（図１Ｄ参照）の形成の代わりに、レーザ工作処理を使用することができる。レーザ工作処理は、汚染物質やごみを取り除くウェットエッチングステップを含むこともできる。さらに、レーザ工作処理は、特に小型の基板開口部３０Ａ（図２Ｅ参照）の形成に適合する。レーザ工作処理を実行するのに適切なレーザシステムの一つに、アイルランド、タブリン所在のＸＳＩＬ社製で、機種番号ＸＩＳＥ２００のシステムがある。