【手続補正書】
【提出日】平成26年6月24日(2014.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明の範囲から逸脱することなく上述の構成に種々の変更を行うことができるので、上述の説明に含まれる全ての事項および添付の図面において示される全ての事項は例示を目的とするものであり、限定を意味するものではないと解されることが意図される。
本願発明は以下の態様を含む。
（態様１）
チャンバーにおいて、シリコン・オン・インシュレータウエハ上で不導体化プロセスを実施する方法であって、以下の工程：
接合ウエハ対をチャンバー内で劈開してシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ウエハを形成する工程であって、ＳＯＩウエハは劈開面を有する、工程；
ＳＯＩウエハの劈開面を、ガス状のオゾンに劈開面を曝すことによりインサイチュで不導体化する工程であって、劈開面をガス状のオゾンに曝すことにより、劈開面に酸化物の薄層が生じる、工程；および
シリコン・オン・インシュレータウエハをチャンバーから取り出す工程
を含む、方法。
（態様２）
接合ウエハ対を劈開した後に、チャンバー内にオゾンを導入し、劈開工程と不導体化工程との間に中間の工程が実施されない、態様１に記載の方法。
（態様３）
シリコン・オン・インシュレータ構造体の劈開面に形成された酸化物の薄層が形成されて、汚染物質が劈開面と反応するのを防止する、態様１に記載の方法。
（態様４）
シリコン・オン・インシュレータウエハの劈開面をインサイチュで不導体化する工程が、接合ウエハ対が劈開されてシリコン・オン・インシュレータウエハが形成されるチャンバーにおいて劈開面を不導体化することを含む、態様１に記載の方法。
（態様５）
接合ウエハがその後劈開されるチャンバーと同じチャンバー内で、接合ウエハ対を形成することを更に含む、態様４に記載の方法。
（態様６）
接合ウエハ対を劈開してシリコン・オン・インシュレータウエハを形成するチャンバーにおいて、シリコン・オン・インシュレータウエハ上で不導体化プロセスを実施する方法であって、以下の工程：
接合ウエハ対をチャンバー内で劈開してシリコン・オン・インシュレータウエハを形成する工程であって、接合ウエハ対を劈開することにより、シリコン・オン・インシュレータウエハに劈開面が形成される、工程；
シリコン・オン・インシュレータウエハの劈開面上で不導体化プロセスをインサイチュで実施して、劈開面に酸化物の薄層を形成する工程；および
シリコン・オン・インシュレータウエハをチャンバーから取り出す工程
を含む、方法。
（態様７）
不導体化プロセスを実施する工程が、シリコン・オン・インシュレータウエハの劈開面を紫外光に曝し、それにより、劈開面に酸化物の薄層が形成される、態様６に記載の方法。
（態様８）
接合ウエハ対が、１以上の不導体化物質を含むチャンバー内で、不導体化環境において劈開される、態様７に記載の方法。
（態様９）
不導体化プロセスを実施する工程が、シリコン・オン・インシュレータウエハの劈開面をコロナ放電に曝すことを含む、態様６に記載の方法。
（態様１０）
シリコン・オン・インシュレータウエハの劈開面をコロナ放電に曝すことにより、劈開面に酸化物の薄層が形成される、態様９に記載の方法。
（態様１１）
不導体化プロセスを実施する工程が、シリコン・オン・インシュレータウエハの劈開面を湿性化学酸化物に曝すことを含む、態様６に記載の方法。
（態様１２）
シリコン・オン・インシュレータウエハの劈開面を湿性化学酸化物に曝すことにより、劈開面に酸化物の薄層が形成される、態様１１に記載の方法。
（態様１３）
湿性化学酸化物がオゾン水である、態様１１に記載の方法。
（態様１４）
湿性化学酸化物が過酸化水素を含む、態様１１に記載の方法。
（態様１５）
シリコン・オン・インシュレータウエハの劈開面をインサイチュで不導体化する工程が、接合ウエハ対が劈開されるチャンバーにおいて劈開面が不導体化されることを含む、態様６に記載の方法。
（態様１６）
層状シリコン構造体が形成される第１のチャンバーに隣接する第２のチャンバーにおいて、層状シリコン構造体上で不導体化プロセスを実施する方法であって、以下の工程：
第１のチャンバーにおいて層状シリコン構造体を形成する工程であって、層状構造体は表面を有する、工程；
層状シリコン構造体を、チャンバー外の雰囲気に層状シリコン構造体を曝すことなく第１のチャンバーから第２のチャンバーへと移動させる、工程；
層状シリコン構造体の表面上で不導体化プロセスを実施する工程；および
層状シリコン構造体を第２のチャンバーから取り出す工程
を含む、方法。
（態様１７）
移動させる工程が、層状シリコン構造体をトロリーで移動させることを含む、態様１６に記載の方法。
（態様１８）
第１のチャンバーおよび第２のチャンバーが不活性雰囲気を含む、態様１７に記載の方法。
（態様１９）
不導体化プロセスを実施する工程が、ガス状のオゾン、紫外光、コロナ放電、湿性化学酸化物、オゾン水、酸化グロー放電プラズマプロセスおよび過酸化水素の少なくとも１つに層状シリコン構造体の表面を曝すことを含む、態様１６に記載の方法。
（態様２０）
不導体化プロセスを実施する工程が、層状シリコン構造体の表面に酸化物の薄層をもたらすことを含む、態様１９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接合ウエハ対を劈開してシリコン・オン・インシュレータウエハを形成するチャンバーにおいて、シリコン・オン・インシュレータウエハ上で不導体化プロセスを実施する方法であって、以下の工程：
接合ウエハ対をチャンバー内で劈開してシリコン・オン・インシュレータウエハを形成する工程であって、接合ウエハ対を劈開することにより、シリコン・オン・インシュレータウエハに劈開面が形成される、工程；
シリコン・オン・インシュレータウエハの劈開面をインサイチュで不導体化して、劈開面に酸化物の薄層を形成する工程であって、シリコン・オン・インシュレータウエハの劈開面をインサイチュで不導体化することは、接合ウエハ対が劈開されるチャンバーにおいて劈開面を不導体化することを含む、工程；および
シリコン・オン・インシュレータウエハをチャンバーから取り出す工程
を含む、方法。
【請求項２】
シリコン・オン・インシュレータウエハの劈開面を不導体化する工程が、シリコン・オン・インシュレータウエハの劈開面を紫外光に曝し、それにより、劈開面に酸化物の薄層が形成されることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
シリコン・オン・インシュレータウエハの劈開面を不導体化する工程が、シリコン・オン・インシュレータウエハの劈開面をコロナ放電に曝し、それにより、劈開面に酸化物の薄層が形成されることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
シリコン・オン・インシュレータウエハの劈開面を不導体化する工程が、シリコン・オン・インシュレータウエハの劈開面を湿性化学酸化物に曝し、それにより、劈開面に酸化物の薄層が形成されることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
湿性化学酸化物がオゾン水および過酸化水素の一方を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
シリコン・オン・インシュレータウエハの劈開面を不導体化する工程が、シリコン・オン・インシュレータウエハの劈開面をガス状のオゾンに曝すことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
接合ウエハ対を劈開した後に、チャンバー内にオゾンを導入し、劈開工程と不導体化工程との間に中間の工程が実施されない、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
シリコン・オン・インシュレータウエハの劈開面を不導体化する工程が、シリコン・オン・インシュレータウエハの劈開面を酸化グロー放電プラズマプロセスに曝すことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
接合ウエハ対が、１以上の不導体化物質を含むチャンバー内で、不導体化環境において劈開される、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
接合ウエハがその後劈開されるチャンバーと同じチャンバー内で、接合ウエハ対を形成することを更に含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。