【事件の表示】
　平成　４年特許願第２４９７１９号「半導体レーザ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　６年　４月１５日出願公開、特開平　６−１０４５２５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成４年９月１８日の出願であって、平成１２年１１月２２日付の拒絶理由通知に対し、平成１３年２月５日付で意見書及び手続補正書が提出されたが、同年８月１日付で拒絶査定がなされ、これに対し同年９月１３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１０月１５日に手続補正がなされたものであって、その請求項に係る発明は、上記手続補正がなされた明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１〜４に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のものである。
　
「【請求項１】　半導体基板上において、少なくとも、活性層と、該活性層を挟んで位置する第1のクラッド層、及び第2のクラッド層と、該活性層と該第2のクラッド層との間に位置する光ガイド層とを備えた光ガイド層付き半導体レーザ装置において、
　第１のクラッド層と活性層との間、光ガイド層と第２クラッド層との間、の少なくとも一方に、隣接するクラッド層より低屈折率の他のクラッド層を挿入してなるものであり、
　該他のクラッド層は、AlGaAs系材料からなって、そのAl組成比が0.6〜0.85であることを特徴とする半導体レーザ装置。」
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭５６−４０２９４号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに以下の記載がある。
「図示のようにGaAlAsはGaAsに比して屈折率が大きく（「小さく」の誤記：審決注）、かつ、禁制帯幅が広い。」（ １頁右下欄１８〜１９行）
「この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、しきい値電流を低く保持しつつ、光ビームの放射角の狭いレーザ装置を提供することを目的としている。
　第３図(a)はこの発明の一実施例の要部のみを示す模式断面図、第３図(b)および(c)はこの実施例のｘ方向の屈折率分布およびエネルギー分布をそれぞれ示す図である。この実施例では、Al濃度の高いｎ形GaAlAs層(1)およびｐ形GaAlAs(3)がｐ形GaAs層(2)を挟み、これらの３層を両側からAl濃度の低いｎ形GaAlAs層(4)とｐ形GaAlAs層(5)で挟んだ構成をしている。ここで、Al濃度の高いｎ形GaAlAs層(1)およびｐ形GaAlAs層(3)の厚さを薄くすると、光の閉じ込めはゆるやかになり、強度分布のすそがｎ形GaAlAs層(4)およびｐ形GaAlAs層(5)の領域に長く尾をひくことになり、このために光ビームの放射角は小さくなる。一方、キャリアのｎ形GaAs層(2)への閉じ込めはｎ形GaAlAs層(1)およびｐ形GaAlAs層(3)によるエネルギー障壁が充分高いのでほぼ完全となる。このようにして無効電流成分はなくなり、低しきい値電流が得られる。」（２頁左下欄６〜同頁右下欄７行）
「以上詳述したように、この発明では第１の伝導形を有し活性領域を構成する第１の半導体層をともに第１の半導体層より屈折率が小さく禁制帯幅が広い第２伝導形の第２の半導体層と第１伝導形の第３の半導体層とで挟み、更にこれを屈折率がともに第１半導体層より小さくそれぞれ第２および第３の半導体層よりは大きく、禁制帯幅がともに第１の半導体層より広くそれぞれ第２および第３の半導体層より狭い第２伝導形の第４の半導体層と第１伝導形の第５の半導体とで、第４の半導体層が第２の半導体層側にあるようにして挟むように構成したので、キャリアは第１の半導体層に閉じ込められ、しきい値電流を小さく保持でき、しかも、光の閉じ込めはゆるやかになるので光ビームの放射角は小さくなり、集光や他の光回路への結合も容易になる。」（３頁左上欄１０〜同頁右上欄５行）
　これらの記載及び第３図によれば、引用例には、
　「活性領域を構成する第１の半導体層と、該活性層を挟んで位置する第４の半導体層、及び第５の半導体層とを備えた半導体レーザ装置において、前記第４の半導体層と前記活性領域との間、及び前記第５の半導体層と前記活性領域との間に、隣接する前記第４、５の半導体層より低屈折率の第２、３の半導体層を各々挿入してなるものであり、前記第２、３の半導体層は、Al濃度の高いAlGaAs系材料からなる半導体レーザ装置」
　との発明（以下、「引用例発明」という。）が開示されているものと認められる。
　
３．対比・判断
　そこで、本願発明と引用例発明とを比較すると、引用例発明の「活性領域を構成する第１の半導体層」が本願発明の「活性層」に相当し、以下同様に「第４の半導体層」が「第１のクラッド層」、「第５の半導体層」が「第２のクラッド層」、「第２、３の半導体層」が「他のクラッド層」に相当する。またダブルヘテロ構造を有する半導体レーザ装置において、半導体基板上に活性層やクラッド層等の半導体層を形成することは技術常識に過ぎず（例えば原査定の拒絶理由で引用された特開平３−１１２１８６号公報（第１図「10半導体基板」等参照）、引用例発明においても第１〜５の半導体層は半導体基板上に形成されていると推認することができる。したがって、両者は、
　「半導体基板上において、活性層と、該活性層を挟んで位置する第1のクラッド層、及び第2のクラッド層とを備えた半導体レーザ装置において、
　第１のクラッド層と活性層との間、及び第２クラッド層と活性層との間に、隣接するクラッド層より低屈折率の他のクラッド層を挿入してなるものであり、
　該他のクラッド層は、AlGaAs系材料からなっている半導体レーザ装置」である点で一致し、次の点で相違する。
　
[相違点１]                            
　本願発明は、活性層と第２のクラッド層との間に位置する光ガイド層を備えており、光ガイド層と第２クラッド層との間に低屈折率の他のクラッド層を挿入しているのに対し、引用例発明には光ガイド層がない点。
[相違点２]
　本願発明は、AlGaAs系材料からなる前記他のクラッド層のAl組成比が0.6〜0.85であるのに対し、引用例発明はAl濃度の高いAlGaAs系材料を用いることが開示されているが、0.6〜0.85に含まれるAl組成比に関する開示がない点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
[相違点１]
　引用例には、第２図とともに以下の記載がある。
「第２図(a)はこのビーム放射角を小さくするための先行技術になる半導体レーザ装置の要部のみを示す模式断面図で、ｐ形GaAs層(2)の両側にAl濃度の低いｎ形GaAlAs層(4)およびｐ形GaAlAs層(5)をそれぞれ配置し、これら３層をさらに、Al濃度の高いｎ形GaAlAs層(1)およびｐ形GaAlAs層(2)（(3)の誤記：審決注）で挟んだ構造である。第２図(b)はこの装置のx方向の屈折率の分布図、第２図(c)は同じくx方向のエネルギー図である。
　このような構造にすると、注入電子の再結合はｐ形GaAs層(2)で起こるが、この層(2)と両側のｎ形GaAlAs層(4)およびｐ形GaAlAs層(5)との屈折率の差が第１図(b)に示すように小さいので、これら３層(4),(2)および(5)中に光が閉じ込められる。従つて、しきい値を低く保ちながら、光ビームの放射角を狭くすることが可能と考えられた。ところが、この構造では注入電子を閉じ込めるエネルギー障壁が第２図(c)から明らかなように低く、障壁を越えて注入電子が拡散し、ｐ形GaAlAs層(5)で再結合を起こし、この成分が無視できなくなる。・・この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、しきい値電流を低く保持しつつ、光ビームの放射角の狭いレーザ装置を提供することを目的としている。」（２頁右上欄２〜同頁左下欄９行）
　ここにおいて、前記「注入電子の再結合はｐ形GaAs層(2)で起こるが、この層(2)と両側のｎ形GaAlAs層(4)およびｐ形GaAlAs層(5)との屈折率の差が第１図(b)に示すように小さいので、これら３層(4),(2)および(5)中に光が閉じ込められる。」なる記載からみて、活性層であるｐ形GaAs層(2)と、クラッド層であるｎ形GaAlAs層(1)およびｐ形GaAlAs層(3)の間に、各々位置するｎ形GaAlAs層(4)およびｐ形GaAlAs層(5)は、光を閉じ込める光ガイド層に相当することは明らかである。したがって、前記引用例の記載により、引用例には光ガイド層付き半導体レーザ装置において注入電子を閉じ込めるエネルギー障壁が低いことによるしきい値電流増加の問題が開示されているのであり、かかる光ガイド層付き半導体レーザ装置も引用例発明に適用されるべきことは、前記「この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、しきい値電流を低く保持しつつ、光ビームの放射角の狭いレーザ装置を提供することを目的としている。」なる記載からも明らかである。その適用に当たり、Al濃度の高いAlGaAs系材料からなるクラッド層（引用例第３図(1)(3)に相当）を、光閉じ込め機能を有する第２図(4),(2)および(5)を挟むように形成しエネルギー障壁を充分高くすればよいことは容易に相当しうる事項に過ぎない。そして、かかる高Al濃度のクラッド層により光閉じ込めがゆるやかになり放射角が小さくなるという引用例発明の効果はこの場合にも奏されることは充分予測しうる事項である。このように、相違点１にかかる構成は、引用例において先行技術としてあげられている光ガイド層付き半導体レーザ装置を引用例発明に適用することにより容易に想到される事項に過ぎない。
　
[相違点２]
　引用例発明において、ｎ形GaAlAs層(1)およびｐ形GaAlAs層(3)のAlを高濃度にするのは、禁制帯幅を広げエネルギー障壁を充分高くするためであって、Al濃度を高めればそれだけエネルギー障壁が高くなりキャリア閉じ込めの効果も高まることが期待されること、濃度の上限に関しては引用例に何ら記載がないことを踏まえれば、高濃度のAlの組成比は１近傍に至る範囲で当業者の適宜設計しうる事項であって、その際0.6〜0.85の範囲に含まれる組成比を採用することもまた当業者の適宜設計しうる事項である。そしてかかる組成比のAlを含むAlGaAs系材料をクラッド層として用いることも従来周知であるから（例えば、特開昭６０−１４５６８７号公報（２頁左上欄下から２〜１行及び同頁右上欄４〜６行目参照）、特開平４−１１９６８１号公報（第２クラッド層6に関する記載参照））、かかる範囲内のAl組成比を採用すること自体に何ら困難性もない。なお、引用例第１表に層(1)(3)のAl濃度として0.3としたものが記載されているが、これは一例にすぎず、活性層のAl濃度（この例では0）にも依存すること、0.3以上の組成比を採用することは何ら妨げられないこと等から、前記判断を左右するものではない。
　
　また、本願発明の奏する効果も引用例及び周知技術から予測される程度のものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。