【手続補正書】
【提出日】平成16年1月16日(2004.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面と、前記主面の反対側の裏面と、前記主面の複数の装置領域と、前記装置領域のそれぞれの上に形成された複数の電極とを有するフレキシブル配線基板を準備する工程と、
主面と、前記主面の反対側の裏面と、前記主面上に形成された複数の電極とをそれぞれが有する複数の半導体チップを準備する工程と、
前記複数の装置領域に前記複数の半導体チップをそれぞれ搭載する工程と、
前記複数の半導体チップの電極と、対応する装置領域上の電極とを導電体を介して電気的に接続する工程と、
一括封止法によって形成された封止部によって、前記複数の半導体チップと、前記複数の装置領域を封止する工程と、
前記フレキシブル配線基板と、前記封止部とを、それぞれの装置領域の間で、切断用のブレードによって切断する工程とを有しており、
前記切断工程において、前記切断用のブレードの回転軸が前記フレキシブル配線基板の裏面上に配置されており、前記フレキシブル配線基板と前記封止部を供給し、前記切断用のブレードの回転方向と同じ方向に前記切断用のブレードを移動させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップを搭載する工程において、前記半導体チップの裏面を対応する装置領域に対面させ、かつフレキシブル配線基板の電極が、対応する半導体チップの周囲に位置するように前記半導体チップを配置し、
前記接続する工程において、前記複数の半導体チップの電極と、前記フレキシブル配線基板の複数の電極とを、ワイヤボンディング法によって複数のワイヤを介して接続し、
前記封止する工程において、前記複数のワイヤと前記フレキシブル配線基板の複数の電極が接続する部分を、前記封止部によって封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、前記切断工程において、前記切断用のブレードの回転軸が前記フレキシブル配線基板の裏面上に配置されており、前記フレキシブル配線基板と前記封止部を供給し、前記切断用のブレードの回転方向と同じ方向に前記切断用のブレードを移動させることで、前記装置領域の外周の全てを切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、前記フレキシブル配線基板は、ポリイミドフィルムからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３記載の半導体装置の製造方法において、前記フレキシブル配線基板は、ポリイミドフィルムからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
主面と、前記主面の反対側の裏面と、ダイシングラインで規定された前記主面の複数の領域と、前記複数の領域のそれぞれの上に形成された複数の電極とを有する配線基板を準備する工程と、
主面と、前記主面の反対側の裏面と、前記主面上に形成された複数の電極とをそれぞれが有する複数の半導体チップを準備する工程と、
前記複数の領域に前記複数の半導体チップをそれぞれ搭載する工程と、
前記複数の半導体チップの電極と、対応する領域上の電極とを導電体を介して電気的に接続する工程と、
トランスファーモールドによって形成された封止部によって、前記複数の半導体チップと、前記複数の領域を封止する工程と、
前記配線基板と前記封止部とを、前記ダイシングラインに沿って、切断用のブレードによって切断し、それぞれが前記複数の半導体チップのうちの一つと、前記配線基板の一部と、前記封止部の一部を持つ複数の半導体パッケージに分割する工程とを有しており、
前記切断工程において、前記切断用のブレードの回転軸が前記配線基板の裏面上に配置されており、かつ切断方向において、前記切断用のブレードのエッジが、前記配線基板の裏面から主面に向かって切り込むように切断を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板はフレキシブル配線基板であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６乃至７記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板は、前記封止する工程において、前記封止部の硬化収縮に追従して変形可能な物であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６乃至８記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板は、ポリイミドからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項６乃至９記載の半導体装置の製造方法において、前記切断工程において、前記配線基板の複数の領域の外周全周に沿って、前記切断用のブレードの回転軸が前記配線基板の裏面上に配置されており、かつ、切断方向において、前記切断用のブレードのエッジが、前記配線基板の裏面から主面に向かって切り込むように切断を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項６乃至１０記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板は、その裏面上に複数の電極を有しており、前記配線基板の裏面上の複数の電極は、前記配線基板の複数の領域上に形成された複数の電極と電気的に接続しており、
前記封止する工程と、前記切断する工程との間に、前記配線基板の裏面上の複数の電極の上に、それぞれ半田ボールを形成する工程を更に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項６乃至１１記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板は、前記ダイシングライン上に、前記配線基板の複数の電極と電気的に接続する給電配線を有し、前記切断する工程において、前記給電配線を切断して、前記複数の電極同士を電気的に分離することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法において、前記切断する工程の後に、半導体装置を検査する工程を更に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
主面と、前記主面の反対側の裏面と、ダイシングラインで規定された前記主面の複数の領域と、前記複数の領域のそれぞれの上に形成された複数の電極とを有する配線基板を準備する工程と、
主面と、前記主面の反対側の裏面と、前記主面上に形成された複数の電極とをそれぞれが有する複数の半導体チップを準備する工程と、
前記複数の領域に前記複数の半導体チップをそれぞれ搭載する工程と、
前記複数の半導体チップの電極と、対応する領域上の電極とを導電体を介して電気的に接続する工程と、
トランスファーモールドによって形成された封止部によって、前記複数の半導体チップと、前記複数の領域を封止する工程と、
前記配線基板と前記封止部とを、前記ダイシングラインに沿って、切断用のブレードによって切断し、それぞれが前記複数の半導体チップのうちの一つと、前記配線基板の一部と、前記封止部の一部を持つ複数の半導体パッケージに分割する工程とを有しており、
前記切断工程において、前記切断用のブレードの回転軸が前記配線基板の裏面上に配置されており、かつ、前記切断用のブレードによる切断が進行する側において、前記切断用のブレードのエッジが、前記配線基板の裏面から主面に向かって切り込むように切断を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板はフレキシブル配線基板であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１４乃至１５記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板は、前記封止する工程において、前記封止部の硬化収縮に追従して変形可能な物であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１４乃至１６記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板は、ポリイミドからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１４乃至１７記載の半導体装置の製造方法において、前記切断工程において、前記配線基板の複数の領域の外周全周に沿って、前記切断用のブレードの回転軸が前記配線基板の裏面上に配置されており、かつ、切断方向において、前記切断用のブレードのエッジが、前記配線基板の裏面から主面に向かって切り込むように切断を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１４乃至１８記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板は、その裏面上に複数の電極を有しており、前記配線基板の裏面上の複数の電極は、前記配線基板の複数の領域上に形成された複数の電極と電気的に接続しており、
前記封止する工程と、前記切断する工程との間に、前記配線基板の裏面上の複数の電極の上に、それぞれ半田ボールを形成する工程を更に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１４乃至１９記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板は、前記ダイシングライン上に、前記配線基板の複数の電極と電気的に接続する給電配線を有し、前記切断する工程において、前記給電配線を切断して、前記複数の電極同士を電気的に分離することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項２０記載の半導体装置の製造方法において、前記切断する工程の後に、半導体装置を検査する工程を更に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
主面と、前記主面の反対側の裏面と、ダイシングラインで規定された前記主面の領域と、前記領域の上に形成された複数の電極とを有する配線基板を準備する工程と、
主面と、前記主面の反対側の裏面と、前記主面上に形成された複数の電極とを有する半導体チップを準備する工程と、
前記領域に前記半導体チップをそれぞれ搭載する工程と、
前記半導体チップの電極と、前記領域上の電極とを導電体を介して電気的に接続する工程と、
トランスファーモールドによって形成された封止部によって、前記半導体チップと、前記領域を封止する工程と、
前記配線基板と前記封止部とを、前記ダイシングラインに沿って、切断用のブレードによって切断し、前記半導体チップと、前記配線基板の一部と、前記封止部の一部を持つ半導体パッケージにする工程とを有しており、
前記切断工程において、前記切断用のブレードの回転軸が前記配線基板の裏面上に配置されており、かつ、前記切断用のブレードのエッジの、前記配線基板の裏面から主面に向
かって切り込む側によって、切断を進行させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
請求項２２記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板はフレキシブル配線基板であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
請求項２２乃至２３記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板は、前記封止する工程において、前記封止部の硬化収縮に追従して変形可能な物であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
請求項２２乃至２４記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板は、ポリイミドからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
請求項２２乃至２５記載の半導体装置の製造方法において、前記切断工程において、前記配線基板の領域の外周全周に沿って、前記切断用のブレードの回転軸が前記配線基板の裏面上に配置されており、かつ、切断方向において、前記切断用のブレードのエッジが、前記配線基板の裏面から主面に向かって切り込むように切断を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２７】
請求項２２乃至２６記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板は、その裏面上に複数の電極を有しており、前記配線基板の裏面上の複数の電極は、前記配線基板の領域上に形成された複数の電極と電気的に接続しており、
前記封止する工程と、前記切断する工程との間に、前記配線基板の裏面上の複数の電極の上に、それぞれ半田ボールを形成する工程を更に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２８】
請求項２２乃至２７記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板は、前記ダイシングライン上に、前記配線基板の複数の電極と電気的に接続する給電配線を有し、前記切断する工程において、前記給電配線を切断して、前記複数の電極同士を電気的に分離することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２９】
請求項２８記載の半導体装置の製造方法において、前記切断する工程の後に、半導体装置を検査する工程を更に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３０】
主面と、前記主面の反対側の裏面と、ダイシングラインで規定された前記主面の複数の領域と、前記複数の領域のそれぞれの上に形成された複数の電極とを有する配線基板を準備する工程と、
主面と、前記主面の反対側の裏面と、前記主面上に形成された複数の電極とをそれぞれが有する複数の半導体チップを準備する工程と、
前記複数の領域に前記複数の半導体チップをそれぞれ搭載する工程と、
前記複数の半導体チップの電極と、対応する領域上の電極とを導電体を介して電気的に接続する工程と、
トランスファーモールドによって形成された封止部によって、前記複数の半導体チップと、前記複数の領域を封止する工程と、
前記配線基板と前記封止部とを、前記ダイシングラインに沿って、切断用のブレードによって切断し、それぞれが前記複数の半導体チップのうちの一つと、前記配線基板の一部と、前記封止部の一部を持つ複数の半導体パッケージに分割する工程とを有しており、
前記切断工程において、前記切断は、前記切断用のブレードが前記配線基板を封止部側に押し付けるように回転、進入、進行するように行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３１】
請求項３０記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板はフレキシブル配線基板であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３２】
請求項３０乃至３１記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板は、前記封止する工程において、前記封止部の硬化収縮に追従して変形可能な物であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３３】
請求項３０乃至３２記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板は、ポリイミドからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３４】
請求項３０乃至３３記載の半導体装置の製造方法において、前記切断工程は、前記配線基板の複数の領域の外周全周に沿って、前記切断用のブレードが、前記配線基板を封止部
側に押し付けるように回転、進入、進行させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３５】
請求項３０乃至３４記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板は、その裏面上に複数の電極を有しており、前記配線基板の裏面上の複数の電極は、前記配線基板の複数の領域上に形成された複数の電極と電気的に接続しており、
前記封止する工程と、前記切断する工程との間に、前記配線基板の裏面上の複数の電極の上に、それぞれ半田ボールを形成する工程を更に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３６】
請求項３０乃至３５記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板は、前記ダイシングライン上に、前記配線基板の複数の電極と電気的に接続する給電配線を有し、前記切断する工程において、前記給電配線を切断して、前記複数の電極同士を電気的に分離することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３７】
請求項３６記載の半導体装置の製造方法において、前記切断する工程の後に、半導体装置を検査する工程を更に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の目的は、モールド樹脂−基板間剥離を防止して、品質の向上を図る半導体装置の製造方法を提供することにある。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、主面と、前記主面の反対側の裏面と、前記主面の複数の装置領域と、前記装置領域のそれぞれの上に形成された複数の電極とを有するフレキシブル配線基板を準備する工程と、主面と、前記主面の反対側の裏面と、前記主面上に形成された複数の電極とをそれぞれが有する複数の半導体チップを準備する工程と、前記複数の装置領域に前記複数の半導体チップをそれぞれ搭載する工程と、前記複数の半導体チップの電極と、対応する装置領域上の電極とを導電体を介して電気的に接続する工程と、一括封止法によって形成された封止部によって、前記複数の半導体チップと、前記複数の装置領域を封止する工程と、前記フレキシブル配線基板と、前記封止部とを、それぞれの装置領域の間で、切断用のブレードによって切断する工程とを有しており、前記切断工程において、前記切断用のブレードの回転軸が前記フレキシブル配線基板の裏面上に配置されており、前記フレキシブル配線基板と前記封止部を供給し、前記切断用のブレードの回転方向と同じ方向に前記切断用のブレードを移動させるものである。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
したがって、ダイシング時の封止部と配線基板との剥離、すなわちモールド樹脂−配線基板間剥離を防止することができ、その結果、半導体装置の品質の向上を図ることができる。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、主面と、前記主面の反対側の裏面と、ダイシングラインで規定された前記主面の複数の領域と、前記複数の領域のそれぞれの上に形成された複数の電極とを有する配線基板を準備する工程と、主面と、前記主面の反対側の裏面と、前記主面上に形成された複数の電極とをそれぞれが有する複数の半導体チップを準備する工程と、前記複数の領域に前記複数の半導体チップをそれぞれ搭載する工程と、前記複数の半導体チップの電極と、対応する領域上の電極とを導電体を介して電気的に接続する工程と、トランスファーモールドによって形成された封止部によって、前記複数の半導体チップと、前記複数の領域を封止する工程と、前記配線基板と前記封止部とを、前記ダイシングラインに沿って、切断用のブレードによって切断し、それぞれが前記複数の半導体チップのうちの一つと、前記配線基板の一部と、前記封止部の一部を持つ複数の半導体パッケージに分割する工程とを有しており、前記切断工程において、前記切断用のブレードの回転軸が前記配線基板の裏面上に配置されており、かつ切断方向において、前記切断用のブレードのエッジが、前記配線基板の裏面から主面に向かって切り込むように切断を行うものである。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
さらに、本発明の半導体装置の製造方法は、主面と、前記主面の反対側の裏面と、ダイシングラインで規定された前記主面の複数の領域と、前記複数の領域のそれぞれの上に形成された複数の電極とを有する配線基板を準備する工程と、主面と、前記主面の反対側の裏面と、前記主面上に形成された複数の電極とをそれぞれが有する複数の半導体チップを準備する工程と、前記複数の領域に前記複数の半導体チップをそれぞれ搭載する工程と、前記複数の半導体チップの電極と、対応する領域上の電極とを導電体を介して電気的に接続する工程と、トランスファーモールドによって形成された封止部によって、前記複数の半導体チップと、前記複数の領域を封止する工程と、前記配線基板と前記封止部とを、前記ダイシングラインに沿って、切断用のブレードによって切断し、それぞれが前記複数の半導体チップのうちの一つと、前記配線基板の一部と、前記封止部の一部を持つ複数の半導体パッケージに分割する工程とを有しており、前記切断工程において、前記切断用のブレードの回転軸が前記配線基板の裏面上に配置されており、かつ、前記切断用のブレードによる切断が進行する側において、前記切断用のブレードのエッジが、前記配線基板の裏面から主面に向かって切り込むように切断を行うものである。


【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、主面と、前記主面の反対側の裏面と、ダイシングラインで規定された前記主面の領域と、前記領域の上に形成された複数の電極とを有する配線基板を準備する工程と、主面と、前記主面の反対側の裏面と、前記主面上に形成された複数の電極とを有する半導体チップを準備する工程と、前記領域に前記半導体チップをそれぞれ搭載する工程と、前記半導体チップの電極と、前記領域上の電極とを導電体を介して電気的に接続する工程と、トランスファーモールドによって形成された封止部によって、前記半導体チップと、前記領域を封止する工程と、前記配線基板と前記封止部とを、前記ダイシングラインに沿って、切断用のブレードによって切断し、前記半導体チップと、前記配線基板の一部と、前記封止部の一部を持つ半導体パッケージにする工程とを有しており、前記切断工程において、前記切断用のブレードの回転軸が前記配線基板の裏面上に配置されており、かつ、前記切断用のブレードのエッジの、前記配線基板の裏面から主面に向かって切り込む側によって、切断を進行させるものである。


【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
さらに、本発明の半導体装置の製造方法は、主面と、前記主面の反対側の裏面と、ダイシングラインで規定された前記主面の複数の領域と、前記複数の領域のそれぞれの上に形成された複数の電極とを有する配線基板を準備する工程と、主面と、前記主面の反対側の裏面と、前記主面上に形成された複数の電極とをそれぞれが有する複数の半導体チップを準備する工程と、前記複数の領域に前記複数の半導体チップをそれぞれ搭載する工程と、前記複数の半導体チップの電極と、対応する領域上の電極とを導電体を介して電気的に接続する工程と、トランスファーモールドによって形成された封止部によって、前記複数の半導体チップと、前記複数の領域を封止する工程と、前記配線基板と前記封止部とを、前記ダイシングラインに沿って、切断用のブレードによって切断し、それぞれが前記複数の半導体チップのうちの一つと、前記配線基板の一部と、前記封止部の一部を持つ複数の半導体パッケージに分割する工程とを有しており、前記切断工程において、前記切断は、前記切断用のブレードが前記配線基板を封止部側に押し付けるように回転、進入、進行するように行われるものである。


【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】