(57)【要約】【課題】可撓性基板にＩＣチップを実装する際のＩＣチップの膨張に起因する不具合を確実に防止可能なＩＣチップの接続方法、ＩＣチップの接続構造、熱圧着装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供すること。【解決手段】ステージ２１０によって加熱された可撓性基板９０に対してＩＣチップ５０を実装するため、ＩＣチップ５０が熱膨張してバンプ電極５１のピッチが広がっていても、可撓性基板９０もステージ２１０で加熱されて膨張し、端子９１のピッチが広がっている。それ故、可撓性基板９０、およびＩＣチップ５０の双方において熱膨張した後の端子９１のピッチとバンプ電極５１のピッチとを一致させておけば、端子９１とバンプ電極５１とを確実に接続することができる。【選択図】　　　図５
2004096046.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フリップチップタイプのＩＣチップの多数のバンプ電極を、可撓性基板のフィルム状の樹脂基材上に配列された多数の端子に直接あるいは導電材を介して熱圧着するＩＣチップの実装方法において、
前記可撓性基板を載置するステージ上を加熱し、該ステージ上で加熱された前記可撓性基板の前記端子に対して、ヘッドにより前記ＩＣチップを押圧および加熱して前記端子に前記バンプ電極を圧着することを特徴とするＩＣチップの実装方法。
【請求項２】
請求項１において、前記ステージによる前記可撓性基板に対する加熱温度を、当該ステージにより加熱された前記可撓性基板の前記端子のピッチと、前記ヘッドにより加熱された前記ＩＣチップの前記バンプ電極のピッチと略一致する温度に設定することを特徴とするＩＣチップの実装方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記ステージ上の前記可撓性基板の温度を直接あるいは間接的に監視し、前記可撓性基板の温度が所定の温度になったときに前記ヘッドにより前記ＩＣチップを前記可撓性基板に熱圧着することを特徴とするＩＣチップの実装方法。
【請求項４】
フリップチップタイプのＩＣチップの多数のバンプ電極が、可撓性基板のフィルム状の樹脂基材上に配列された多数の端子に直接あるいは導電材を介して熱圧着されたＩＣチップの実装構造において、
前記可撓性基板には、前記端子の間に位置する部分の前記樹脂基材に皺あるいは弛みが形成されていることを特徴とする基板の接続構造。
【請求項５】
フリップチップタイプのＩＣチップの多数のバンプ電極を、可撓性基板のフィルム状の樹脂基材上に配列された多数の端子に直接あるいは導電材を介して熱圧着するための熱圧着装置において、
前記可撓性基板が載置されるステージと、該ステージの上方位置に配置されたヘッドと、該ヘッドを前記ステージに向けて駆動するヘッド駆動手段と、前記ヘッドを加熱するヘッド加熱手段と、前記ステージを加熱するステージ加熱手段とを有することを特徴とする熱圧着装置。
【請求項６】
請求項５において、前記ステージ上の前記可撓性基板の温度を直接あるいは間接的に監視する温度監視手段を有し、
該温度監視手段による監視結果において前記可撓性基板の温度が所定の温度になったときに前記ヘッドにより前記ＩＣチップを前記可撓性基板に熱圧着することを特徴とする熱圧着装置。
【請求項７】
請求項１に規定する接続方法を用いた電気光学装置の製造方法であって、画素毎に駆動される電気光学物質を保持する前記剛性基板に対して前記可撓性基板を接続することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に規定する製造方法で製造したことを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項４に規定する接続構造を用いた電気光学装置あって、画素毎に駆動される電気光学物質を保持する前記剛性基板に対して前記可撓性基板が接続されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項８または９に規定する電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、可撓性基板に対するＩＣチップの接続方法、可撓性基板に対するＩＣチップの実装構造、熱圧着装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
各種の電気光学装置のうち、液晶装置では、石英基板やガラス基板などの剛性基板の間に電気光学物質としての液晶が保持されており、剛性基板には、電気光学物質を画素毎に駆動するための駆動電極が形成されている。これらの駆動電極に信号を供給するにあたっては、フリップチップタイプの駆動用ＩＣがＣＯＦ実装された可撓性基板を剛性基板に接続した構成が採用されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このようなＣＯＦ実装を行う際には、従来、図１２（Ａ）に示すように、可撓性基板９０が載置されるステージ２１０と、ステージ２１０の上方位置に配置されたヘッド２２０と、このヘッド２２０内に内蔵されたヘッド加熱用ヒータ２２１と、ヘッド２２０の動きを矢印で模式的に示したヘッド駆動装置２２２とを備えた熱圧着装置が用いられる。ここで、可撓性基板２０では、フィルム状の樹脂基材９４の上面に多数の端子９１が形成されている一方、ＩＣチップ５０の下面では、端子９１と等しいピッチでバンプ電極５１が形成されている。
【０００４】
この熱圧着装置において、可撓性基板９０にＩＣチップ５０を、例えば、異方性導電材を用いて接続するには、まず、図１２（Ｂ）に示すように、ステージ１０上に可撓性基板９０を載置した後、端子９１が形成されている領域に異方性導電材８０を塗布し、あるいはシート状の異方性導電材８０を被せる。一方、ヘッド２２０は、ＩＣチップ５０を真空保持しており、この状態で、図１２（Ｃ）に示すように、ヘッド２２０が下方に駆動される。その結果、ヘッド２２０は、ＩＣチップ５０を可撓性基板９０に向けて押圧する状態となる。ここで、ヘッド加熱用ヒータ２２１は、常にＯＮ状態になっているので、ヘッド２２０でＩＣチップ５０を可撓性基板９０に向けて押圧した際、異方性導電材８０が加熱されその樹脂成分が溶融する。また、異方性導電材８０に含まれていた導電粒子は、可撓性基板９０の端子９１とＩＣチップ５０のバンプ電極５１との間で押し潰された状態になって端子９１とバンプ電極５１とが電気的に接続する。そして、ヘッド２２０が離れて異方性導電材８０が冷えると、それに含まれている樹脂成分が固化し、図１２（Ｄ）に示すように、剛性基板２０と可撓性基板９０とが接続される。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−３２０３０号公報（第７頁、図１−図２）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ヘッド２２０に保持されているＩＣチップ５０は、ヘッド２２０からの熱を受けて、図１２（Ｂ）、（Ｃ）に矢印Ｗで示す方向に膨張するため、設計段階では正確だったはずのバンプ電極５１のピッチが可撓性基板９０の端子９１のピッチよりも大きくなってしまう。その結果、可撓性基板９０にＩＣチップ５０を実装した状態で接続部分に大きな応力が残り、信頼性が低下するなどという問題点がある。
【０００７】
特に、電気光学装置では、マトリクス状に配置された多数の画素を駆動する必要があるため、バンプ電極５１の数が多いため、ＩＣチップ５０の端部にいけばいくほど、ＩＣチップ５０の膨張が累積された状態となりやすい。それ故、可撓性基板９０にＩＣチップ５０を実装する際の問題点は、電気光学装置の場合、特に顕著である。
【０００８】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、可撓性基板にＩＣチップを実装する際のＩＣチップの膨張に起因する不具合を確実に防止することのできるＩＣチップの接続方法、ＩＣチップの接続構造、熱圧着装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明では、フリップチップタイプのＩＣチップの多数のバンプ電極を、可撓性基板のフィルム状の樹脂基材上に配列された多数の端子に直接あるいは導電材を介して熱圧着するＩＣチップの実装方法において、前記可撓性基板を載置するステージ上を加熱し、該ステージ上で加熱された前記可撓性基板の前記端子に対して、ヘッドにより前記ＩＣチップを押圧および加熱して前記端子に前記バンプ電極を圧着することを特徴とする。
【００１０】
ここで、前記ステージによる前記可撓性基板に対する加熱温度について、当該ステージにより加熱された前記可撓性基板の前記端子のピッチと、前記ヘッドにより加熱された前記ＩＣチップの前記バンプ電極のピッチと略一致する温度に設定しておく。
【００１１】
このような実装方法に使用するための熱圧着装置では、前記可撓性基板が載置されるステージと、該ステージの上方位置に配置されたヘッドと、該ヘッドを前記ステージに向けて駆動するヘッド駆動手段と、前記ヘッドを加熱するヘッド加熱手段と、前記ステージを加熱するステージ加熱手段とを有することを特徴とする。
【００１２】
本発明では、ヘッドによりＩＣチップを押圧および加熱して可撓性基板の端子にＩＣチップのバンプ電極を圧着する際、ＩＣチップが熱膨張してバンプ電極のピッチが広がっていても、可撓性基板もステージで加熱されて膨張し、端子のピッチが広がっている。従って、可撓性基板、およびＩＣチップの双方において熱膨張した後の端子のピッチとバンプ電極のピッチとを一致させておけば、端子とバンプ電極との接続部分に大きな応力が残るなどといった不具合の発生を防止することができる。
【００１３】
ここで、熱圧着が終了してＩＣチップ、および可撓性基板の樹脂基材が冷えた状態において、ＩＣチップと樹脂基材の膨張量の差は、それらが冷却により元のサイズに戻ることにより吸収される。
【００１４】
また、熱圧着が終了してＩＣチップ、および可撓性基板の樹脂基材が冷えた状態においても、ＩＣチップと樹脂基材の膨張量の差が、それらが冷却により元のサイズに戻ることにより吸収されなくても、このような膨張量の差は、可撓性基板において、前記端子の間に位置する部分で前記樹脂基材の皺あるいは弛みとして吸収されるので支障がない。
【００１５】
本発明において、前記ステージ上の前記可撓性基板の温度を直接あるいは間接的に監視し、前記可撓性基板の温度が所定の温度になったときに前記ヘッドにより前記ＩＣチップを前記可撓性基板に熱圧着することが好ましい。このような方法を実施する場合には、熱圧着装置に対して、前記ステージ上の前記可撓性基板の温度を直接あるいは間接的に監視する温度監視手段を設け、該温度監視手段による監視結果において前記可撓性基板の温度が所定の温度になったときに前記ヘッドにより前記ＩＣチップを前記可撓性基板に熱圧着すればよい。ここで、温度の監視は、可撓性基板の温度を直接、監視する方法の他、可撓性基板に塗布あるいは被せた異方性導電材を用いて熱圧着する場合には、この異方性導電材の温度を可撓性基板の温度として監視してもよい。
【００１６】
本発明に係る接続方法、および接続構造は、画素毎に駆動される電気光学物質を保持する前記剛性基板に対して前記可撓性基板が接続された電気光学装置に用いられる。
【００１７】
本発明に係る電気光学装置は、例えば、携帯電話機、モバイルコンピュータなどの電子機器に搭載される。
【００１８】
【発明の実施の形態】
図面を参照して、本発明に係る剛性基板と可撓性基板との接続構造をパッシブマトリクス型電気光学装置に適用した例を中心に説明する。
【００１９】
［電気光学装置の構成］
図１および図２はそれぞれ、本発明を適用した電気光学装置の斜視図、および分解斜視図である。図３は、本発明を適用した電気光学装置を図１のＩ−Ｉ′線で切断したときのＩ′側の端部の断面図である。なお、図１、図２などで、電極パターンおよび端子などを模式的に示してあるだけであり、実際の電気光学装置では、より多数の電極パターンや端子が形成されている。
【００２０】
図１および図２において、本形態の電気光学装置１は、携帯電話機などの電子機器に搭載されているパッシブマトリクスタイプの液晶表示装置である。この電気光学装置１に用いたパネル１′において、所定の間隙を介してシール材３０によって貼り合わされた矩形の無アルカリガラス、耐熱ガラス、石英ガラスなどの一対の剛性基板１０、２０間には、シール材３０によって液晶封入領域３５が区画されているとともに、この液晶封入領域３５内に電気光学物質としての液晶３６が封入されている。
【００２１】
ここで、シール材３０は、基板間に液晶３６を注入するための注入口３２として一部が途切れているが、この注入口３２は、基板間に液晶３６を注入した後、塗布、硬化された封止材３１で塞がれている。
【００２２】
ここに示す電気光学装置１は透過型の例であり、第２の剛性基板２０の外側表面に偏光板６１が貼られ、第１の剛性基板１０の外側表面には偏光板６２が貼られている。また、第２の剛性基板２０の外側にはバックライト装置９が配置されている。
【００２３】
第１の剛性基板１０には、図３に示すように、第１の電極パターン１５と、第２の剛性基板２０の第２の電極パターン２５との交点に相当する領域に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂが形成され、これらのカラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの表面側に絶縁性の平坦化膜１３、第１の電極パターン１５および配向膜１２がこの順に形成されている。また、各カラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの境界部分には、各カラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの下層側に遮光膜１６が形成されている。これに対して、第２の剛性基板２０には、第２の電極パターン２５、オーバーコート膜２３、および配向膜２２がこの順に形成されている。
【００２４】
本形態の電気光学装置１において、第１の電極パターン１０および第２の電極パターン２５はいずれも、ＩＴＯ膜（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）に代表される透明導電膜によって形成されている。なお、第２の電極パターン２５の下に絶縁膜を介してパターニングされたアルミニウム等の膜を薄く形成すれば、半透過・半反射型の電気光学装置を構成できる。さらに、偏向板６１に半透過反射板をラミネートすることでも半透過・半反射型の電気光学装置１を構成できる。さらにまた、第２の電極パターン２５の下に反射性の膜を配置すれば、反射型の電気光学装置を構成でき、この場合には、第２の剛性基板２０の裏面側からバックライト装置９を省略すればよい。
【００２５】
再び図１および図２において、本形態の電気光学装置１では、外部からの信号入力および基板間の導通のいずれを行うにも、第１の剛性基板１０および第２の剛性基板２０の同一方向に位置する各基板辺１０１、２０１付近に形成されている端子形成領域１０２、２０２が用いられる。従って、第２の剛性基板２０としては、第１の剛性基板１０よりも大きな基板が用いられ、第１の剛性基板１０と第２の剛性基板２０とを貼り合わせたときに第１の剛性基板１０の基板辺１０１から第２の剛性基板２０が張り出す部分２０５を利用して、フリップチップタイプのＩＣチップ５０（駆動用ＩＣ）がＣＯＦ実装された可撓性基板９０の接続などが行われる。
【００２６】
第１の剛性基板１０において、端子形成領域１０２は、第１の剛性基板１０の基板辺１０１の中央部分に沿って形成され、この端子形成領域１０２では、基板辺１０１に沿って複数の基板間導通用端子１９が所定の間隔をもって並んでいる。また、第１の剛性基板１０では、基板間導通用端子１９から対向する基板辺１０２に向かって複数列の液晶駆動用の第１の電極パターン１５が両側に斜めに延びた後、液晶封入領域３５内で基板辺１０１、１０２に直交する方向に延びている。
【００２７】
第２の剛性基板２０において、端子形成領域２０２も基板辺２０１に沿って形成され、端子形成領域２０２には、その中央領域で基板辺２０１に沿って所定の間隔をもって並ぶ複数の外部入力用端子２６、およびこれらの外部入力用端子２６が形成されている領域の両側２箇所で基板辺２０１に沿って所定の間隔をもって並ぶ複数の外部入力用端子２７が形成されている。
【００２８】
ここで、外部入力用端子２６からは、第１の剛性基板１０と第２の剛性基板２０とを貼り合わせたときに基板間導通用端子１９と重なる複数の基板間導通用端子２９が基板辺２０２に向かって直線的に延びている。
【００２９】
これに対して、外部入力用端子２７からは、第１の剛性基板１０と第２の剛性基板２０とを貼り合わせたときに第１の電極パターン１５の形成領域の両側に相当する領域を回り込むように複数列の液晶駆動用の第２の電極パターン２５が形成され、これらの第２の電極パターン２５は、液晶封入領域３５内において第１の電極パターン１５と交差するように延びている。
【００３０】
従って、第１の剛性基板１０と第２の剛性基板２０とをシール材３０を介して貼り合わせる際に、シール材３０にギャップ材および導通材を配合しておくとともに、シール材３０を基板間導通用端子１９、２９が重なる領域にも形成しておくと、導電材は、第１の剛性基板１０と第２の剛性基板２０との間で押し潰された状態で基板間導通用端子１９、２９を導通させる。
【００３１】
また、第２の剛性基板２０の端子形成領域２０２の基板辺２０１側の端部に対して可撓性基板９０を異方性導電材などを用いて実装した後、この可撓性基板９０を介して第２の剛性基板２０の外部入力用端子２６、２７に信号入力すると、第２の剛性基板２０に形成されている第２の電極パターン２５には外部入力用端子２７を介して走査信号を直接、印加することができる。また、第１の剛性基板１０に形成されている第１の電極パターン１５には、外部入力用端子２６、基板間導通用端子２９、導通材および基板間導通用端子１９を介して画像データを信号入力することができる。よって、これらの画像データおよび走査信号によって、各画素において第１の電極パターン１５と第２の電極パターン２５との間に位置する液晶の配向状態を制御することができるので、所定の画像を表示することができる。
【００３２】
［ＩＣチップ５０の実装構造および実装方法］
図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、本発明を適用したＩＣチップ（駆動用ＩＣ）の実装構造および実装方法を説明するために、ＩＣチップに形成されているバンプ電極を模式的に示す説明図、可撓性基板においてＩＣチップが実装されるＩＣ実装領域の説明図、およびこのＩＣ実装領域にＩＣチップを実装した状態を示す断面図である。図５（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明に係る電気光学装置を製造する際に、可撓性基板にＩＣチップを実装する方法を示す説明図である。図６（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図５に示す方法で可撓性基板にＩＣチップを実装した後の状態を説明するために、可撓性基板の裏面を模式的に示す説明図、および可撓性基板へのＩＣチップの実装部分を拡大して模式的に示す断面図である。図７（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図５に示す方法で可撓性基板にＩＣチップを実装した後の別の状態を説明するために、可撓性基板の裏面を模式的に示す説明図、および可撓性基板へのＩＣチップの実装部分を拡大して模式的に示す断面図である。
【００３３】
本形態の電気光学装置１を製造するにあたっては、ＩＣチップ５０を可撓性基板９０に実装した後、この可撓性基板９０を剛性基板２０に接続する。このため、図４（Ａ）に示すように、ＩＣチップ５０には多数のバンプ電極５１が所定のピッチで形成されている一方、図４（Ｂ）に示すように、可撓性基板９０のＩＣ実装領域９５には、フィルム状のポリイミドなどの樹脂基材９４上に多数の端子９１が所定のピッチで形成されており、本形態では、図４（Ｃ）に示すように、導電粒子を含む異方性導電材８０によってＩＣチップ５０を可撓性基板９０に実装する。
【００３４】
ここで、端子９１、およびバンプ電極５１のピッチは、常温で一致しているか相違しているかにかかわらず、図５を参照して以下に説明するように、可撓性基板９０、およびＩＣチップ５０が各々、所定の温度に加熱されて熱膨張した後の状態において端子９１のピッチとバンプ電極５１のピッチとが一致するように設計されている。
【００３５】
本形態では、可撓性基板９０にＩＣチップ５０を実装するにあたって、図５（Ａ）に示すように、可撓性基板９０が載置されるステージ２１０と、ステージ２１０の上方位置に配置されたヘッド２２０と、このヘッド２２０内に内蔵されたヘッド用ヒータ２２１（ヘッド加熱手段）と、ヘッド２２０の動きを矢印で模式的に示したヘッド駆動装置２２２とを備えた熱圧着装置２００が用いられる。
【００３６】
また、本形態の熱圧着装置２００は、ステージ２１０に対するステージ加熱用ヒータ２１１（ステージ加熱手段）を備えている。さらに、熱圧着装置２００は、ステージ２１０上に載置した可撓性基板９０の温度を監視するための温度センサ２４０を備えている。
【００３７】
この熱圧着装置２００において、可撓性基板９０にＩＣチップ５０を、例えば、異方性導電材を用いて接続するには、まず、図５（Ｂ）に示すように、ステージ１０上に可撓性基板９０を載置した後、端子９１が形成されている領域に異方性導電材８０を塗布し、あるいはシート状の異方性導電材８０を被せる。一方、ヘッド２２０は、ＩＣチップ５０を真空保持している。
【００３８】
ここで、ヘッド用ヒータ２２１、およびステージ加熱用ヒータ２１１は、いずれのＯＮ状態にあるため、ＩＣチップ５０は約３１０℃に加熱され、可撓性基板９０は約７０℃にまで加熱された状態となる。
【００３９】
この状態で、温度センサ２４０は、異方性導電材８０の温度を計測し、この計測結果において、異方性導電材８０の温度が所定の温度に達したとき、可撓性基板９０も所定の温度に到達したとして、図５（Ｃ）に示すように、ヘッド２２０が下方に駆動される。その結果、ヘッド２２０は、ＩＣチップ５０を可撓性基板９０に向けて押圧する。また、ヘッド２２０でＩＣチップ５０を可撓性基板９０に向けて押圧した際、異方性導電材８０が加熱されその樹脂成分が溶融する。また、異方性導電材８０に含まれていた導電粒子は、可撓性基板９０の端子９１とＩＣチップ５０のバンプ電極５１との間で押し潰された状態になって端子９１とバンプ電極５１とが電気的に接続する。
【００４０】
そして、ヘッド２２０が離れて異方性導電材８０が冷えると、それに含まれている樹脂成分が固化し、図５（Ｄ）に示すように、剛性基板２０と可撓性基板９０とが接続される。
【００４１】
このように、本形態では、ヘッド２２０によりＩＣチップ５０を押圧および加熱して可撓性基板９０の端子９１にＩＣチップ５０のバンプ電極５１を圧着する際、ＩＣチップ５０が熱膨張してバンプ電極５１のピッチが広がっていても、可撓性基板９０もステージ２１０で加熱されて膨張し、端子９１のピッチが広がっている。従って、可撓性基板９０、およびＩＣチップ５０の双方において熱膨張した後の端子９１のピッチとバンプ電極５１のピッチとを一致させておけば、端子９１とバンプ電極５１とを確実に接続することができ、端子９１とバンプ電極５１との接続部分に大きな応力が残るなどといった不具合の発生を防止することができる。
【００４２】
ここで、熱圧着が終了してＩＣチップ５０、および可撓性基板９０の樹脂基材９４が冷えた状態において、ＩＣチップ５０と樹脂基材９４の膨張量の差は、それらが冷却により元のサイズに戻ることにより吸収される。
【００４３】
但し、熱圧着が終了して、ＩＣチップ５０、および可撓性基板９０の樹脂基材９４が冷えても樹脂基材９４の形状が完全に戻らないような場合でも、このような膨張分は、例えば、図６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、可撓性基板９０において、端子９１の間に位置する部分で樹脂基材９４の皺９４１として吸収される。あるいは、樹脂基材９４の膨張分は、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、可撓性基板９０において、端子９１の間に位置する部分で樹脂基材９４の弛み９４２として吸収される。
【００４４】
［その他の実施の形態］
なお、上記実施の形態では、異方性導電材を介して熱圧着する例を説明したが、端子とバンプ電極とを熱圧着して合金接合する場合に本発明を適用してもよい。
【００４５】
［本発明を適用可能な電気光学装置の構成］
上記形態はいずれも、パッシブマトリクス型の液晶装置からなる電気光学装置に本発明を適用したが、図８ないし図１０を参照して以下に説明するいずれの電気光学装置においても、電気光学物質を保持する剛性基板に可撓性基板を接続して信号の入力が行われるので、本発明を適用することができる。
【００４６】
図８は、画素スイッチング素子として非線形素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。図９は、画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。図１０は、電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置のブロック図である。
【００４７】
図８に示すように、画素スイッチング素子として非線形素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置１ａでは、複数の配線としての走査線５１ａが行方向に形成され、複数のデータ線５２ａが列方向に形成されている。走査線５１ａとデータ線５２ａとの各交差点に対応する位置には画素５３ａが形成され、この画素５３ａでは、液晶層５４ａと、画素スイッチング用のＴＦＤ素子５６ａ（非線形素子）とが直列に接続されている。各走査線５１ａは走査線駆動回路５７ａによって駆動され、各データ線５２ａはデータ線駆動回路５８ａによって駆動される。
【００４８】
このように構成した電気光学装置１ａにおいて、走査線駆動回路５７ａおよびデータ線駆動回路５８ａを備えた駆動用ＩＣ（ＩＣチップ）を可撓性基板上に実装する場合に本発明を適用してもよい。
【００４９】
図９に示すように、画素スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置１ｂでは、マトリクス状に形成された複数の画素の各々に、画素端子９ｂ、および画素端子９ｂを制御するための画素スイッチング用のＴＦＴ３０ｂが形成されており、画素信号を供給するデータ線６ｂが当該ＴＦＴ３０ｂのソースに電気的に接続されている。データ線６ｂに書き込む画素信号は、データ線駆動回路２ｂから供給される。また、ＴＦＴ３０ｂのゲートには走査線３１ｂが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３１ｂにパルス的に走査信号が走査線駆動回路３ｂから供給される。画素端子９ｂは、ＴＦＴ３０ｂのドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０ｂを一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線６ｂから供給される画素信号を各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素端子９ｂを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号は、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００５０】
ここで、保持された画素信号がリークするのを防ぐことを目的に、画素端子９ｂと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０ｂ（キャパシタ）を付加することがある。この蓄積容量７０ｂによって、画素端子９ｂの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる電気光学装置が実現できる。なお、蓄積容量７０ｂを形成する方法としては、容量を形成するための配線である容量線３２ｂとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線３１ｂとの間に形成する場合もいずれであってもよい。
【００５１】
このように構成した電気光学装置１ｂにおいて、走査線駆動回路３ｂおよびデータ線駆動回路２ｂを備えた駆動用ＩＣ（ＩＣチップ）を可撓性基板上に実装する場合に本発明を適用してもよい。
【００５２】
図１０に示すように、電荷注入型有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置は、有機半導体膜に駆動電流が流れることによって発光するＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、またはＬＥＤ（発光ダイオード）素子などの発光素子をＴＦＴで駆動制御するアクティブマトリクス型の表示装置であり、このタイプの表示装置に用いられる発光素子はいずれも自己発光するため、バックライトを必要とせず、また、視野角依存性が少ないなどの利点がある。
【００５３】
ここに示す電気光学装置１ｐでは、複数の走査線３ｐと、この走査線３ｐの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線６ｐと、これらのデータ線６ｐに並列する複数の共通給電線２３ｐと、データ線６ｐと走査線３ｐとの交差点に対応する画素１５ｐとが構成されている。データ線６ｐに対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１０１ｐが構成されている。走査線３ｐに対しては、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査線駆動回路１０４ｐが構成されている。
【００５４】
また、画素１５ｐの各々には、走査線３ｐを介して走査信号がゲート電極に供給される第１のＴＦＴ３１ｐと、この第１のＴＦＴ３１ｐを介してデータ線６ｐから供給される画像信号を保持する保持容量３３ｐと、この保持容量３３ｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第２のＴＦＴ３２ｐと、第２のＴＦＴ３２ｐを介して共通給電線２３ｐに電気的に接続したときに共通給電線２３ｐから駆動電流が流れ込む発光素子４０ｐとが構成されている。
【００５５】
ここで、発光素子４０ｐは、画素電極の上層側には、正孔注入層、有機エレクトロルミネッセンス材料層としての有機半導体膜、リチウム含有アルミニウム、カルシウムなどの金属膜からなる対向電極が積層された構成になっており、対向電極２０ｐは、データ線６ｐなどを跨いで複数の画素１５ｐにわたって形成されている。
【００５６】
このように構成した電気光学装置１ｐにおいて、走査線駆動回路１０４ｐおよびデータ線駆動回路１０１ｐを備えた駆動用ＩＣ（ＩＣチップ）を可撓性基板上に実装する場合に本発明を適用してもよい。
【００５７】
また、上述した実施形態以外にも、電気光学装置として、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管、液晶シャッター等を用いた小型テレビ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。
【００５８】
［電子機器への適用］
次に、本発明を適用した電気光学装置を備えた電子機器の一例を、図１１を参照して説明する。
【００５９】
図１１は、上記の電気光学装置と同様に構成された電気光学装置１を備えた電子機器の構成を示すブロック図である。
【００６０】
図１１において、電子機器は、表示情報出力源１０００、表示情報処理回路１００２、駆動回路１００４、電気光学装置１、クロック発生回路１００８、および電源回路１０１０を含んで構成される。表示情報出力源１０００は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄａｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）、光ディスクなどのメモリ、テレビ信号の画信号を同調して出力する同調回路などを含んで構成され、クロック発生回路１００８からのクロックに基づいて、所定フォーマットの画像信号を処理して表示情報処理回路１００２に出力する。この表示情報出力回路１００２は、たとえば増幅・極性反転回路、相展開回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、あるいはクランプ回路等の周知の各種処理回路を含んで構成され、クロック信号に基づいて入力された表示情報からデジタル信号を順次生成し、クロック信号ＣＬＫとともに駆動回路１００４に出力する。駆動回路１００４は、電気光学装置１を駆動する。電源回路１０１０は、上述の各回路に所定の電源を供給する。
【００６１】
このような構成の電子機器としては、投射型液晶表示装置（液晶プロジェクタ）、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）、およびエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、あるいは携帯電話、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどを挙げることができる。
【００６２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、ヘッドによりＩＣチップを押圧および加熱して可撓性基板の端子にＩＣチップのバンプ電極を圧着する際、ＩＣチップが熱膨張してバンプ電極のピッチが広がっていても、可撓性基板もステージで加熱されて膨張し、端子のピッチが広がっている。従って、可撓性基板、およびＩＣチップの双方において熱膨張した後の端子のピッチとバンプ電極のピッチとを一致させておけば、端子とバンプ電極との接続部分に大きな応力が残るなどといった不具合の発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した電気光学装置の斜視図である。
【図２】本発明を適用した電気光学装置の分解斜視図である。
【図３】本発明を適用した電気光学装置を図１のＩ−Ｉ′線で切断したときのＩ′側の端部の断面図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、本発明を適用したＩＣチップの実装構造および実装方法を説明するために、ＩＣチップに形成されているバンプ電極を模式的に示す説明図、可撓性基板においてＩＣチップが実装されるＩＣ実装領域の説明図、およびこのＩＣ実装領域にＩＣチップを実装した状態を示す断面図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の電気光学装置を製造する際に、可撓性基板にＩＣチップを実装する方法を示す説明図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図５に示す方法でＩＣチップを実装した後の状態を説明するために、可撓性基板の裏面を模式的に示す説明図、および可撓性基板へのＩＣチップの実装部分を模式的に示す断面図である。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図５に示す方法でＩＣチップを実装した後の別の状態を説明するために、可撓性基板の裏面を模式的に示す説明図、および可撓性基板へのＩＣチップの実装部分を模式的に示す断面図である。
【図８】画素スイッチング素子として非線形素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。
【図９】画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。
【図１０】電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型表示装置のブロック図である。
【図１１】電気光学装置を備えた電子機器の構成を示すブロック図である。
【図１２】（Ａ）〜（Ｄ）は、可撓性基板にＩＣチップを実装する従来の方法を示す説明図である。
【符号の説明】
１　電気光学装置
１０　第１の剛性基板
１５　第１の電極パターン
２０　　第２の剛性基板
２５　第２の電極パターン
５０　ＩＣチップ
５１　バンプ電極
８０　異方性導電材
９０　可撓性基板
９１　端子
９４　樹脂基材
９５　ＩＣ実装領域
２００　熱圧着装置
２１０　ステージ
２１１　ステージ加熱用ヒータ
２２０　ヘッド
２２１　ヘッド加熱用ヒータ
２２２　ヘッド駆動装置
２４０　温度センサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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