Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月2日(2012.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
滑りエレメント３はハウジング１のスロット２中に配置されている。図１において、滑りエレメント３は、ハウジング１の前方部に位置するスロット２の見える部分に滑りエレメント３の小さい部分だけを見ることができるように、出発位置に配置されている。ボタンエレメント４を第二の位置から第一の位置へ引いた後、次いで、ボタンエレメントを第一の位置から第二の位置へと遠位方向に動かすのに応じて、滑りエレメント３が遠位方向に移動する。言い換えれば、ボタングリップ４４をハウジング１内に押し込むことによって、滑りエレメント３が矢印で示された方向に進む。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４４】
この配置が折り曲げられる場合、ヒンジ止めセクション２３３は平面ユニット２３１とレバー２３２の間にサンドイッチされる。レバー２３２が、第二のヒンジ２３５から第一のヒンジ２３４への方向である軸方向内に引かれるとき、ヒンジ止めセクション２３３は、平面ユニット２３１に対して第一の方向に（例えば、時計回りに）回転し、そしてレバー２３２は、ヒンジ止めセクション２３３に対して第一の方向とは反対の第二の方向に（例えば、反時計回りに）回転する。この回転のために、ヒンジ止めセクション２３３は回転し、そしてレバー２３２は平面ユニット２３１から離れて持ち上げられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６６】
外部カバー６１０は、外部カバー６１０の下方に位置する作動レバー６５０と連結される。一つの実施態様において、作動レバー６５０は外部カバー６１０中の折り曲げ又はラッチ中に係合される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７９】
１  ハウジング
２  スロット
１３  ハウジングカバー
３  滑りエレメント
４  ボタンエレメント
４４  ボタングリップ
５  方向指示窓
６  ハブエレメント
７  状態表示
８、９  窓
１０  ハウジング部材
１１  ハウジングの底部材
１２  ハウジング壁セクション
１３、１４  ハウジングカバー
１５  ハウジングアーム
３１、３２、３３、３９  ラチェット歯
２１、２２、２３  カット
２４、２５、２６、２７  フラップ
２９  接着剤ラップ
４０  ボタン部材
６１  ハブエレメントの底部
６２  ハブエレメントの上部
４１  ボタンエレメントの部分
４２  ボタンセクションの中間部
４３  ロックエレメント
４５  伸ばされたラチェットアーム
４７  コーナー
５１、５２、８１、８２、９１  マーク
７１  投与量目盛
７７  状態窓
７８  フラップ中の窓
８１  スライダー
８２  ハウジング
８３  第一の情報領域
８４  第二の情報領域
８５  ハンドル
８６、８６Ａ、８６Ｂ  窓
９１  回転しているホイール
９１Ａ  ホイールのセグメント
９２、９３、９４  情報領域
９５、９６、９７  テキスト領域
９８  矢印
１００  フラップ
１０１、１０２、１０３  ハウジングの層
１１０  折り曲げ線
１２２  内壁
１２３  停止部コーナー
２０１、２０２  カード上部、底部カード
２１１、２１２  上部、底部エレメント
２０５、２１５、２１６、２１７  ヒンジ
２３１  平面ユニット
２３２  レバー
２３３  ヒンジ止めセクション
２３４、２３５  ヒンジ
２４１、２４２、２４３  三角形のセクション
２４４  ストライプ
２５１、２５２、２５３、２５４  ヒンジ
３０１、３０２  歯を有するラック
４００  中央領域
４０１、４０２、４０３  フラップ
４０４  ループフラプ
４０５  固定タグ
４０６  切り抜き
４４１  ボタングリップの底部
４４２  ボタングリップの中間部
４４３  ボタングリップの上部
５０１、５０２、５０３、５０４、５１０、５２０  テキスト領域
６００  ハウジング
６１０  外部カバー
６３０  窓
６３５  投与量カウンターホイール
６４０、６６０  伝言窓
６５０  作動レバー
６６５  ホイール
６７０  マウスピース
８２１  上部エッジ
８２２  底部エッジ
８２３、８２４  側部エッジ
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月16日(2012.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶手段を備えるストレージ・デバイスに接続する接続手段を含むゲートウェイ・デバイスであって、
ストレージ・デバイスが前記接続手段に接続されたことを検出する検出器と、
前記ゲートウェイ・デバイスに接続されたストレージ・デバイスを選択するセレクタであって、前記選択されたストレージ・デバイスがデフォルトのストレージ・セクションとなる、前記セレクタと、
前記選択されたストレージ・デバイスをマーキングして、前記ゲートウェイ・デバイスに接続されたストレージ・デバイスが前記選択されたストレージ・デバイスであるかどうかを前記ゲートウェイ・デバイスが識別できるようにするマーキング手段と、
デフォルトのストレージ・セクションが選択された際に、前記デフォルトのストレージ・セクションの前記記憶手段を複数のディレクトリにパーティションで区切る構成設定手段と、
前記複数のディレクトリに対するアクセス権を定義するセキュリティ保全手段と、
を含むことを特徴とする、前記ゲートウェイ・デバイス。
【請求項２】
前記構成設定手段は、前記ゲートウェイ・デバイス上で動作する少なくとも１つのアプリケーションのためのディレクトリを作成し、前記ディレクトリは、前記少なくとも１つのアプリケーションによって使用されるデータを記憶することを特徴とする、請求項１に記載のゲートウェイ・デバイス。
【請求項３】
前記ゲートウェイ・デバイスに対するアクセス権を有するエンド・ユーザのリストを取得する識別手段を含み、前記構成設定手段は、前記エンド・ユーザの各々のためのディレクトリを作成することを特徴とする、請求項１または２に記載のゲートウェイ・デバイス。
【請求項４】
前記セキュリティ保全手段は、前記エンド・ユーザの各々のために前記複数のディレクトリに対するアクセス権を定義する、請求項１〜３のいずれか１項に記載のゲートウェイ・デバイス。
【請求項５】
前記マーキング手段は、前記デフォルトの記憶手段に対するマーキング・ファイルの作成および送信を行うことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項にゲートウェイ・デバイス。
【請求項６】
構成設定手段は、前記記憶手段の一部分をパーティションで区切ることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載のゲートウェイ・デバイス。
【請求項７】
前記マーキング手段は、前記マークに対するタイムスタンプを示し、前記マークの寿命を示すように構成される、請求項１〜６のいずれか１項に記載のゲートウェイ・デバイス。
【請求項８】
前記接続手段は、少なくとも１つのＵＳＢ、イーサネット（登録商標）、または、無線ＬＡＮインタフェースを含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載のゲートウェイ・デバイス。
【請求項９】
デフォルトのストレージ・セクションの選択および構成設定を行う方法であって、
ゲートウェイ・デバイスにおいて、
前記ゲートウェイ・デバイスに接続された少なくとも１つのストレージ・デバイスを検出するステップであって、前記少なくとも１つのストレージ・デバイスが記憶手段を含む、前記少なくとも１つのストレージ・デバイスを検出するステップと、
前記少なくとも１つのストレージ・デバイスのうち、１つのストレージ・デバイスを選択するステップであって、前記選択されたストレージ・デバイスがデフォルトのストレージ・セクションとなる、前記ストレージ・デバイスを選択するステップと、
前記選択されたストレージ・デバイスをマーキングして、前記ゲートウェイ・デバイスに接続されたストレージ・デバイスが前記選択されたストレージ・デバイスであるかどうかを前記ゲートウェイ・デバイスが識別できるようにするステップと、
前記デフォルトのストレージ・セクションの記憶手段を複数のディレクトリにパーティションで区切るステップであって、前記複数のディレクトリに対するアクセス権を用いる、前記パーティションで区切るステップと、
を含む、前記方法。
【請求項１０】
コンピュータ上で前記プログラムが実行されると、請求項９に係る方法の各ステップを実行するプログラム・コード・インストラクションを含むことを特徴とする、コンピュータ・プログラム・プロダクト。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月10日(2012.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両が動くことによって回転するロータと、
キャリパ、及びキャリパに取り付けられたブレーキパッドと、
シュラウド内に配置されたフィルタを備え、
前記ロータが、内面周辺部と、外面周辺部と、外径周辺部を有し、
前記シュラウドが、一対の対向する側壁と、対向するシュラウド端部開口部と、シュラウド内部を有し、
前記シュラウドが、前記ロータの近傍に配置されて、前記内面周辺部及び前記外面周辺部の少なくとも一方の少なくとも約７０％を覆い、前記シュラウドが半径方向内側のフィルタと半径方向外側のフィルタを収容するディスクブレーキ組立体であって、
前記車両が動く際、前記ロータの回転が、ブレーキダストを前記半径方向内側フィルタ及び前記半径方向外側フィルタ内に移動させる
ことを特徴とするディスクブレーキ組立体。
【請求項２】
前記ディスクブレーキ組立体が、シュラウド内にそれぞれ配置された一対のフィルタを備え、各シュラウドは、一対の対向する側壁と、対向するシュラウド端部開口部と、シュラウド内部を有し、
各シュラウドが、前記ロータの近傍で、前記ロータの両側に配置され、前記２つのシュラウドが前記内面周辺部及び前記外面周辺部の両方の少なくとも７０％を覆う
請求項１に記載のディスクブレーキ組立体。
【請求項３】
前記ロータが、空気を前記シュラウドに強制的に通す排他的な駆動力である
請求項１または２に記載のディスクブレーキ組立体。
【請求項４】
前記シュラウドが、前記外径周辺部の少なくとも約７０％を覆い、前記シュラウド側壁の一方が、前記開口部に連通して配置されるダクトを有する開口部を画定し、前記シュラウドから流出する空気を前記ブレーキパッドに向ける
請求項１ないし３のいずれかに記載のディスクブレーキ組立体。
【請求項５】
前記シュラウドが、前記フィルタの両側に配置された一対のプレナムを画定する
請求項１ないし４のいずれかに記載のディスクブレーキ組立体。
【請求項６】
前記シュラウド側壁の一方が開口部を画定し、前記開口部の上方にインペラが配置されて、空気を強制的に前記シュラウド内部から引き出す
請求項１ないし５のいずれかに記載のディスクブレーキ組立体。
【請求項７】
ブレーキパッドファンが、前記ブレーキパッドの近傍に、かつ前記シュラウド端部開口部の少なくとも１つの近傍に配置されて、空気を前記ブレーキパッドに強制的に通すと共に、空気を前記シュラウド内部に強制的に通す
請求項１ないし６のいずれかに記載のディスクブレーキ組立体。
【請求項８】
前記シュラウドが、前記ロータの外半径の近傍に配置された少なくとも一対のリップを有する
請求項１ないし７のいずれかに記載のディスクブレーキ組立体。
【請求項９】
前記リップが、前記ロータによって生成された空気流を前記シュラウド内部に向ける
請求項８に記載のディスクブレーキ組立体。
【請求項１０】
前記空気流が、熱及び廃棄物粒子を前記ブレーキパッドから運び去る
請求項９に記載のディスクブレーキ組立体。
【請求項１１】
前記リップが、前記ロータによって生成された空気流の一部を前記シュラウド内部から外に向ける
請求項８ないし１０のいずれかに記載のディスクブレーキ組立体。
【請求項１２】
前記リップが、空気流を前記シュラウドから出る方向へ向け、前記廃棄物の少なくとも一部を前記シュラウド内部に戻し保持する
請求項８ないし１１のいずれかに記載のディスクブレーキ組立体。
【請求項１３】
前記組立体が、前記キャリパ及び前記ブレーキパッドを覆う形態に設計可能である
請求項１ないし１２のいずれかに記載のディスクブレーキ組立体。
【請求項１４】
前記フィルタが、取り換え可能、交換可能、または、清掃可能である
請求項１ないし１３のいずれかに記載のディスクブレーキ組立体。
【請求項１５】
前記シュラウドが、前記ロータの外径周辺部を囲む
請求項１ないし１４のいずれかに記載のディスクブレーキ組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月12日(2012.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
工業的機器（Ｍ）を通じて循環している潤滑剤の質の変化を連続的または不連続的に監視するための装置であって、
−  潤滑剤分配組立体（２）であって、当該潤滑剤分配組立体（２）の本体（５）上に定置された少なくとも１つの潤滑剤配管モジュール（６）を備える型式の潤滑剤分配組立体（２）と、
−  前記配管モジュール（６）に対して連結された、潤滑剤の少なくとも１つの物理化学的特性または１つの固有の特性を決定するための測定手段の形式の、少なくとも１つの機能的構成要素（８）であって、当該機能的構成要素がマイクロセンサまたはマイクロアナライザであり、前記特性が、温度、圧力、粘度、ＢＮ（塩基価）、金属粒子含有量、含水量から選択される、機能的構成要素（８）と、
−  前記機能的構成要素（８）によって生成された信号を測定するための、少なくとも１つの測定システム（１０）と、
−  工業的機器（Ｍ）または潤滑剤のそれぞれ少なくとも１つの機能的パラメータまたは組成パラメータを検査するための、少なくとも１つの自動制御システム（１２）と
を備えているか、あるいは本質的にこれらから成る装置。
【請求項２】
前記潤滑剤分配組立体（２）はフィルタ（７）を備えている、ことを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記マイクロアナライザは、ＭＥＭｓ（微小電気機械システム）である、ことを特徴とする請求項１または２記載の装置。
【請求項４】
前記マイクロアナライザは、ＮＥＭｓ（ナノ電気機械システム）である、ことを特徴とする請求項１または２記載の装置。
【請求項５】
前記マイクロセンサまたは前記マイクロアナライザが、潤滑剤中に含まれる未溶解鉄粒子の量の測定を可能とする、ことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
特定のマイクロアナライザまたは特定のマイクロセンサが、測定されるそれぞれの物理化学的特性または固有の特性と関連している、ことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
前記潤滑剤分配組立体は、エンジンの下流側に位置した配管上に定置されている、ことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記潤滑剤分配組立体（２）への潤滑剤供給部が、工業的機器（Ｍ）の加圧箇所（Ａ）である、ことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
２つの同様の装置が、工業的機器（Ｍ）の上流側と下流側とに定置されている、ことを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
単独または混合物での潤滑剤の循環を伴う工業的機器を検査するための方法であって、前記検査は、前記循環している潤滑剤の少なくとも１つの物理化学的特性または固有の特性を連続的または不連続的に監視することによって行われ、当該方法において、前記特性は、温度、圧力、粘度、ＢＮ（塩基価）、金属粒子含有量、含水量から選択され、
−  請求項１から９のいずれか一項に記載の装置内へと潤滑剤が連続的または不連続的に導入され、
−  分配組立体の本体上に定置される配管モジュールに対して連結された分析手段によって、前記潤滑剤の少なくも１つの物理化学的特性および／または固有の特性が測定され、前記分析手段はマイクロセンサまたはマイクロアナライザであり、そして、
−  測定された１つないし複数の値を次に信号の形態で返すことができるように、それらの値が電算化手段によって処理され、それらの信号の形態は、測定された特性の性質および応答に従って工業的機器および／または潤滑剤の機能的パラメータをそれぞれ制御するのに適した信号の形態である、方法。
【請求項１１】
抜き取られた潤滑剤が、分析後に工業的機器の潤滑回路内へと連続的に再注入される、ことを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの物理化学的特性または固有の特性の連続的な監視は、中速から高速の４ストローク船舶用エンジンの潤滑油、および低速２ストローク・エンジンのシステム油に対して行われる、ことを特徴とする請求項１０または１１記載の方法。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの物理化学的特性または固有の特性の不連続的な監視は、低速２ストローク船舶用エンジンのシリンダ油に対して行われる、ことを特徴とする請求項１０または１１記載の方法。
【請求項１４】
工業的機器（Ｍ）の機能的パラメータは、エンジンの出力である、ことを特徴とする請求項１０から１３のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月21日(2012.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記結合ウェブ（１７）は前記ロッカーピン開口（５）の上側の切欠きの領域及び前記上側の移行領域（１３）において、前記ロッカーピン開口（５）の第１及び第２の曲率半径部と、前記ロッカーピン開口（５）寄りの前記開口（６）の側面との間に幅Ｂ１を有しており、前記結合ウェブ（１７）は前記下側の切欠きの領域及び前記下側の移行領域（１４）において、前記ロッカーピン開口（５）の第１及び第２の曲率半径部と、前記ロッカーピン開口（５）寄りの前記開口の側面との間に幅Ｂ２を有しており、比率Ｂ１／Ｂ２が約０．８〜約１．２の範囲の値、特に０．９の値を有していることを特徴とする、請求項６記載の歯付きチェーン。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月11日(2012.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シーンの階層化深さモデルを提供する方法であって、前記深さモデルのレイヤは、一次観察方向からの前記シーンの一次ビューのための一次ビュー情報、及び、前記シーンの他のビューをレンダリングするために用いられる前記一次ビュー情報に関連する遮蔽情報を有し、
前記一次ビュー情報は、前記一次観察方向に対して深さ方向に最も近い前記モデルのレイヤ・セグメントを有し、
前記遮蔽情報は、前記モデルの更なるレイヤ・セグメントを有し、前記遮蔽情報は、遮蔽情報が提供される深さ遷移に隣接する安全領域を有し、前記安全領域は、前記一次ビュー情報の対応するセグメントを有し、前記安全領域は、それぞれの深さ遷移の前記一次観察方向に対して深さ方向に最も遠い側に配置される、方法。
【請求項２】
前記一次ビュー情報及び前記遮蔽情報は、各々、画像情報及び深さ情報の両方を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記階層化深さモデルは、
前記一次ビュー情報を符号化する最上レイヤ、及び
前記遮蔽情報を符号化する遮蔽レイヤ、
からなる２レイヤモデルである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記遮蔽レイヤは、利用可能な他の情報が存在しないときはいつでも、前記最上レイヤの対応するセグメントを有する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記遮蔽情報のサイズが、
前記一次ビューの観察角からの最大偏差及び深さ情報に基づく幅、
深さ遷移の一方の側の予め定められた幅、並びに
深さ遷移の一方の側の予め定められた幅及び他方の側の更なる予め定められた幅、
のうちの１つに基づく、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記安全領域のサイズが、
予め定められた最大スケーリング係数、及び
遮蔽情報コーデックの粒度、
のうちの１つに基づく、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記階層化深さモデルが、前記一次ビュー情報のための透明度情報をさらに有し、
深さ遷移に隣接する前記安全領域の透明度値が実質的に透明であり、前記安全領域の他方の端における前記安全領域の透明度値が実質的に不透明である、請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記安全領域の前記透明度値は、
−  前記深さ遷移に隣接する実質的に透明から、前記安全領域の他方の端における実質的に不透明までの勾配、
−  前記深さ遷移に隣接する予め定められた数の連続する実質的に透明なピクセル、
−  前記深さ遷移に隣接する予め定められた数の連続する実質的に透明なピクセル、及び、前記安全領域の他方の端における更なる予め定められた数の連続する実質的に不透明なピクセル、
−  前記深さ遷移に隣接する予め定められた数の連続する実質的に透明なピクセル、及び、連続する完全に透明なピクセルに隣接する実質的に透明から実質的に不透明までの勾配、
−  前記深さ遷移に隣接する予め定められた数の連続する実質的に透明なピクセル、及び、連続する完全に透明なピクセルに隣接する実質的に透明から、更なる予め定められた数の連続する実質的に不透明なピクセルがその後に続く実質的に不透明までの勾配、並びに
−  前記深さ遷移に隣接する予め定められた数の連続する実質的に透明なピクセル、及び、連続する完全に透明なピクセルに隣接する実質的に透明から実質的に不透明までの急な遷移であって、当該遷移はビデオ・コーデックのブロック境界に位置合わせされ、当該遷移の後に、更なる予め定められた数の連続する実質的に不透明なピクセルが続く遷移、
のうちの１つからなる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記一次ビュー情報において、第１の閾値幅未満の幅を持つ深さホールを含む領域に深さホール保護領域が設けられ、当該深さホール保護領域において、
前記一次ビュー深さ情報が、前記深さホールの両方の高い端の深さ値に基づき、
隣接する深さジャンプ間の前記透明度値が、実質的に透明に設定される、
請求項７又は請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記一次ビュー情報において、第２の閾値幅未満の幅を持つ深さスパイクを含む領域に深さスパイク保護領域が設けられ、当該深さスパイク保護領域において、
前記一次ビュー深さ情報は、前記深さスパイク保護領域内の前記深さスパイクの最上部の深さ値に設定され、
前記深さスパイクの外側の前記深さスパイク保護領域中の透明度値は、実質的に透明に設定される、請求項７から請求項９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
シーンの三次元モデルを処理する方法であって、
シーンの三次元モデルを取得し、
請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の方法に従って、前記シーンの階層化深さモデルを提供し、
前記シーンの前記三次元モデルを処理する、方法。
【請求項１２】
シーンの階層化深さモデルを提供する装置であって、前記深さモデルのレイヤは、一次観察方向からの前記シーンの一次ビューのための一次ビュー情報、及び、前記シーンの他のビューのレンダリングに用いられる前記一次ビュー情報に関連する遮蔽情報を有し、当該装置は、
深さに関して前記一次ビューの視点に最も近い前記モデルのレイヤ・セグメントを有する前記一次ビュー情報、及び
前記モデルの更なるレイヤ・セグメントを有する前記遮蔽情報、
を提供し、
前記遮蔽情報は、遮蔽情報が提供される深さ遷移に隣接する安全領域を有し、
前記安全領域は、前記一次ビュー情報の対応するセグメントを有し、
前記安全領域は、それぞれの深さ遷移の前記一次観察方向に対して深さ方向に最も遠い側に配置される、装置。
【請求項１３】
シーンの三次元モデルを処理する装置であって、
シーンの三次元モデルを受信する受信手段、
前記シーンの前記三次元モデルに基づいて階層化深さモデルを提供する、請求項１２に記載のシーンの階層化深さモデルを提供する装置、
前記階層化深さモデルを処理する処理手段、
を有する装置。
【請求項１４】
請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の方法を実行するためのプログラム命令を有するコンピュータ・プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月21日(2012.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサ電極に結合されて感知領域における物体を検出する、入力デバイス用の処理システムであって、
前記感知領域における第２の物体に対する第１の物体の位置の変化を示す第１の測定値を決定し、
前記感知領域における前記第２の物体に対する前記第１の物体の位置の前記変化に応答してパラメータに対する第１の調節を指示し、前記パラメータに対する前記第１の調節の量が、前記第１の測定値に基づき、
前記感知領域における前記第２の物体に対する前記第１の物体の位置の前記変化後に起きる移行事象を検出し、
前記感知領域に対する前記第１の物体の運動を示す第２の測定値を決定し、前記第１の物体の前記運動が、前記検出された移行事象後に行なわれ、
前記第１の物体の前記運動と、前記感知領域における前記第２の物体に対する前記第１の物体の位置の前記変化の開始と前記感知領域における前記第１の物体の前記運動の開始との間に、前記感知領域における前記第１の物体及び前記第２の物体のうちの少なくとも一方が継続的に存在することと、に応答して、前記パラメータに対する第２の調節を指示し、前記パラメータに対する前記第２の調節の量が、前記第２の測定値に基づくように構成される、処理システム。
【請求項２】
センサ電極に結合されて感知領域における物体を検出する、入力デバイス用の処理システムであって、
前記感知領域における第２の物体に対する第１の物体の位置を示す角度の変化を検出し、前記第１の物体及び前記第２の物体が、前記感知領域に同時に存在し、
前記第２の物体に対する前記第１の物体の前記位置を示す前記角度の前記変化を示す第１の測定値を決定し、
前記角度の前記変化に応答して第１の調節を指示し、該第１の調整の量は、前記第１の測定値に基づき、
前記角度の前記変化の検出後に調節モードに進んで前記パラメータの継続した調節を達成し、
前記角度の前記変化の検出後に前記感知領域における前記第１の物体の運動を検出し、
前記感知領域に対する前記第１の物体の前記運動を示す測定値を決定し、
前記感知領域における前記第１の物体の前記運動の検出に応答して前記パラメータに対する継続した調節を指示し、前記パラメータに対する前記調節の量が、前記測定値に基づくように構成される、処理システム。
【請求項３】
センサ電極に結合されて感知領域における物体を検出する、入力デバイス用の処理システムであって、
前記感知領域に対する第１の物体及び第２の物体の位置の変化を検出し、前記第１の物体及び前記第２の物体が、前記感知領域に同時に存在し、
前記感知領域に対する前記第１の物体及び前記第２の物体の位置の前記検出された変化を示す第１の測定値を決定し、
前記感知領域における前記第２の物体に対する前記第１の物体の位置の前記検出された変化に応答して前記パラメータに対する第１の調節を指示し、前記パラメータに対する前記第１の調節の量が、前記第１の測定値に基づき、
前記感知領域に対する前記第１の物体及び前記第２の物体の位置の前記検出された変化後の移行事象を検出し、
前記検出された移行事象後の前記感知領域における前記第１の物体の運動を検出し、
前記感知領域に対する前記第１の物体の前記検出された運動を示す第２の測定値を決定し、
前記第１の物体の前記検出された運動と、前記感知領域に対する前記第１の物体及び前記第２の物体の位置の前記変化の開始と前記感知領域における前記第１の物体の前記運動の開始との間に、前記感知領域における前記第１の物体及び前記第２の物体のうちの少なくとも一方が継続的に存在することと、に応答して、前記パラメータに対する第２の調節を指示し、前記パラメータに対する前記第２の調節の量が、前記第２の測定値に基づくように構成された、入力デバイス用の処理システム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年11月2日(2012.11.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
発明の概要
本願発明の一部は、2S,4Rエナンチオマーが、血漿中の活性な糖質コルチコイドの濃度を減少させる際に、ラセミケトコナゾールまたは2R,4Sエナンチオマー(ラセミ体中の他のエナンチオマー)よりも、単位重量あたりでより有効であるという知見、および2S,4Rエナンチオマーは、ラセミケトコナゾールがもたらすような薬物蓄積をもたらさない(または、有意に低い程度にしか蓄積させない)という知見から生じる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年6月6日(2012.6.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
天然の肺表面活性剤（ＰＳ）（肺サーファクタント）は、肺で天然に生成され、酸素を吸収する肺の能力に不可欠なタンパク質／脂質組成物である。それらは、肺の肺胞表面全体および肺胞につながる終末誘導気道を覆う。表面活性剤（サーファクタント）は、肺胞内に通常存在する液の表面張力を継続的に改変することにより呼吸を容易にする。十分な表面活性剤が存在しないと、あるいは表面活性剤（サーファクタント）が劣化すると、肺胞はつぶれやすくなり、肺は、十分な酸素を吸収しなくなる。終末誘導気道の表面張力を低下させることにより、表面活性剤（サーファクタント）は、開放度を維持する、すなわち、気道を開いた状態に保つ。開放度の喪失は、気道の開放度障害の喪失および肺機能不全をもたらす。ヒト表面活性剤（ヒトサーファクタント）は、主に、主要なものがジパルミトイルホスファチジル−コリン（ＤＰＰＣ）であるリン脂質、ならびに４種の表面活性剤ポリペプチド、Ａ、Ｂ、ＣおよびＤ（サーファクタントポリペプチド、Ａ、Ｂ、ＣおよびＤ）を含み、表面活性剤タンパク質Ｂ（ＳＰ−Ｂ）（サーファクタントプロテインＢ）は、呼吸機能に対して最も重要である。天然および合成肺表面活性剤（天然および合成肺サーファクタント）は、通常、出生間もない未熟児における呼吸困難症候群を処置するために使用される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
気管支肺異形成症（ＢＰＤまたはＢＤ）（慢性肺疾患（ＣＬＤ）とも称される）は、通常、未熟児の呼吸困難症候群（ＲＤＳ）および他の合併症から生き残った未熟児に典型的に生じる、時として、生命を脅かす肺疾患である。出生前のステロイドおよび出生後の外因性肺表面活性剤（外来性肺サーファクタント）のほぼ全面的な導入で、多数の潜在的に危険のある低出生時体重の乳児が、現在、未熟児の急性肺疾患から生き残り、慢性肺疾患を発症するのみである。合成および動物由来の表面活性剤（サーファクタント）の広範な使用の前には、ＢＰＤは、歴史的に、気道損傷および線維症を特徴としていた。表面活性剤補充療法（サーファクタント補充療法）の出現以来、乳児は、従来の報告に記載されているより気道および線維症への関わりが少なくなったようであるが、肺胞形成および血管新生の異常を有している。病状の性質の変化によって、新生児生理学者は「新たなＢＰＤ」と呼ぶようになった。ＢＰＤは、出生時またはそのすぐ後に呼吸支援を必要とする満期産児にも発生しうる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
本発明の一態様は、呼吸困難症候群（「ＲＤＳ」）に対して肺表面活性剤（肺サーファクタント）で処置された乳児におけるＢＰＤの治療または予防方法を提供する。肺表面活性剤（肺サーファクタント）での呼吸困難症候群に対する処置に続いて、ＢＰＤを治療または予防するのに有効な量および時間で、乳児に肺表面活性剤（肺サーファクタント）を投与する。典型的には、ＢＰＤに対する肺表面活性剤（肺サーファクタント）の投与は、肺表面活性剤（肺サーファクタント）での呼吸困難症候群に対する処置の後に、例えば、ＲＤＳに対する処置の完了に続いて、その次の投与間隔で、乳児の生後３日目に、あるいはＲＤＳに対する処置が完了した時にはいつでも、開始される。特定の実施態様においては、肺表面活性剤（肺サーファクタント）の投与は、乳児の月経後年齢（「ＰＭＡ」）で少なくとも３６週目まで継続されるか、あるいは乳児の出生後年齢で少なくとも２８日目まで継続される。特定の実施態様においては、肺表面活性剤（肺サーファクタント）の投与は、乳児の生後少なくとも１４日目または１８日目まで継続される。特定の実施態様においては、処置は、乳児の生後３日目から１０日目のいずれかの時、例えば、乳児の生後１４日目もしくは１８日目またはそれ以降に開始される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年12月5日(2011.12.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性化ステージで、還元可能な酸化コバルトを含有する粒状の還元前の硝酸コバルトベース担持フィッシャー・トロプシュ合成触媒前駆体を、還元ガスとしての水素で処理して、酸化コバルトをある期間にわたってコバルトに還元し、アンモニアおよび水が形成されること、なお該還元は、優勢的にＣｏＯがＣｏに還元される時間を包含する；
水を含む未反応水素を活性化ステージから回収し、未反応水素を処理して、その露点を低下させ、回収した未反応水素の少なくとも一部をリサイクル水素として活性化ステージに戻すこと；および
活性化ステージのアンモニア濃度を、少なくとも優勢的にＣｏＯがＣｏに還元される時間中、２５０体積ｐｐｍ（「ｖｐｐｍ」）未満に維持すること
を含む担持フィッシャー・トロプシュ触媒の製造方法。
【請求項２】
活性化ステージのアンモニア濃度を、少なくとも優勢的にＣｏＯがＣｏに還元される時間中、７０ｖｐｐｍ未満に維持する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
活性化ステージのアンモニア濃度を、少なくとも優勢的にＣｏＯがＣｏに還元される時間中、４５ｖｐｐｍ未満で維持する請求項２に記載の方法。
【請求項４】
活性化ステージから回収される未反応水素からＮＨ３を除去して、活性化ステージのアンモニア濃度を、少なくとも優勢的にＣｏＯがＣｏに還元される時間中、２５０ｖｐｐｍ未満に維持する請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
未反応水素中に存在する水およびいくらかのＮＨ３を、共通のプロセス工程または単位操作で、未反応水素から同時に除去する請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
還元可能な酸化コバルトを含有する粒状の還元前の硝酸コバルトベース担持フィッシャー・トロプシュ合成触媒前駆体を、請求項１〜５のいずれかに記載の方法に従い活性化または還元することで得られた触媒と、水素（Ｈ２）および一酸化炭素（ＣＯ）を含む合成ガスとを、１８０℃〜２５０℃の間の高温および１０ｂａｒ〜４０ｂａｒの間の高圧で接触させる水素と一酸化炭素とのスラリー相フィッシャー・トロプシュ反応によって、ワックスを含む炭化水素を得ることを含む、フィッシャー・トロプシュワックス製品の合成方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
未反応水素を処理し、その露点を低下させることには、未反応水素から水を除去し、そうして水の分圧を低いレベルで維持することが含まれ、それによって触媒活性が促進される。未反応水素からの水の除去は、未反応水素を冷却し、水の少なくとも一部を凝縮し、水性凝縮液を除去することを含み得る。未反応水素からの水の除去はまた、未反応水素を水の吸着剤または乾燥剤と接触させることを含み得る。適切な水の吸着剤は、当業者によく知られており、文献から容易に特定される。いくらかのＮＨ３も、水の吸着剤に吸収され得る。従って、未反応水素中に存在する水およびいくらかのＮＨ３を、共通のプロセス工程または単位操作で、未反応水素から同時に除去することが推奨される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年3月22日(2012.3.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７７】
[0085]Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、およびＸ６は各々独立して、水素、ハロゲン、置換されたまたは置換されていないＣ１−８アルキル、置換されたまたは置換されていないＣ２−８アルケニル、置換されたまたは置換されていないＣ２−８アルキニル、−ＣＮ、−ＮＯ２、−Ｃ（Ｏ）Ｒ１８、−ＣＯ２Ｒ１８、−Ｃ（Ｏ）ＮＲ１８Ｒ１９、−ＯＲ１８、−ＯＣ（Ｏ）Ｒ１９、−ＯＣ（Ｏ）ＮＲ１８Ｒ１９、−ＮＲ１８Ｃ（Ｏ）Ｒ１９、−ＮＲ１８Ｃ（Ｏ）ＮＲ１９Ｒ２０、−ＮＲ１８Ｒ１９、−ＮＲ１８ＣＯ２Ｒ１９、−ＮＲ１８Ｓ（Ｏ）２Ｒ１９、−ＳＲ１８、−Ｓ（Ｏ）Ｒ１８、−Ｓ（Ｏ）２Ｒ１８、−Ｓ（Ｏ）２ＮＲ１８Ｒ１９、置換されたまたは置換されていないＣ６−１０アリール、置換されたまたは置換されていない５から１０員ヘテロアリール、置換されたまたは置換されていない３から１０員ヘテロシクリルから成る群より選択され；
Ｒ１８、Ｒ１９、およびＲ２０は各々独立して、水素、置換されたまたは置換されていないＣ１−８アルキル、置換されたまたは置換されていないＣ２−８アルケニル、置換されたまたは置換されていないＣ２−８アルキニル、置換されたまたは置換されていないＣ６−１０アリール、置換されたまたは置換されていない５から１０員ヘテロアリール、および置換されたまたは置換されていない３から１０員ヘテロシクリルから成る群より選択され；
Ｒ１８およびＲ１９、Ｒ１９およびＲ２０、またはＲ１８およびＲ２０はそれらの結合する原子と共に、置換されたまたは置換されていない５、６、または７員環を形成してもよい;
[0086]Ｙ８、Ｙ９およびＹ１０は各々独立して、水素、ハロゲン、−ＣＮ、−ＮＯ２、−ＯＲ２１、−ＣＯ２Ｒ２１、−ＯＣ（Ｏ）Ｒ２１、−ＯＣ（Ｏ）ＮＲ２１Ｒ２２、−Ｃ（Ｏ）ＮＲ２１Ｒ２２、−Ｃ（Ｏ）Ｒ２１、−ＳＲ２１、−Ｓ（Ｏ）Ｒ２１、−Ｓ（Ｏ）２Ｒ２１、ＮＲ２１Ｒ２２、−ＮＲ２１Ｃ（Ｏ）Ｒ２２、−ＮＲ２１Ｃ（Ｏ）２Ｒ２２、−ＮＲ２１Ｓ（Ｏ）２Ｒ２２、−ＮＲ２１Ｃ（Ｏ）ＮＲ２２Ｒ２３、置換されたまたは置換されていないＣ１−８アルキル、および置換されたまたは置換されていない３から１０員ヘテロシクリルから成る群より選択され；
Ｒ２１、Ｒ２２、およびＲ２３は各々独立して、水素、置換されたまたは置換されていないＣ１−８アルキル、置換されたまたは置換されていないＣ２−８アルケニル、置換されたまたは置換されていないＣ２−８アルキニル、置換されたまたは置換されていないＣ６−１０アリール、置換されたまたは置換されていない５から１０員ヘテロアリール、および置換されたまたは置換されていない３から１０員ヘテロシクリルから成る群より選択され；
Ｒ２１およびＲ２２、Ｒ２２およびＲ２３、またはＲ２１およびＲ２２はそれらの結合する原子と共に、置換されたまたは置換されていない５、６、または７員環を形成してもよい。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年6月13日(2012.6.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
一方、本発明に係る窒化物半導体発光素子は、ｎ−／ｐ−／ｎ−接合構造の発光素子を形成するが、第２電極接触層として使われるｎ−ＩｎＧａＮ層２１５上に形成される第２電極物質は、ｎ−ＩｎＧａＮ層２１５のドーピング相、またはエネルギーバンドギャップ差により決定される。ところが、ｎ−ＩｎＧａＮ層２１５は、前述したように電流注入効果（current spreading effect）を増加させるために、インジウム含量を線形的に変化させてエネルギーバンドギャップを制御したスーパーグレーディング（super grading）構造であるので、第２電極物質は透過性酸化物と透過性抵抗性金属が使われることができる。その具体的な例としてはＩＴＯ、ＩＺＯ（Ｉｎ−ＺｎＯ）、ＧＺＯ（Ｇａ−ＺｎＯ）、ＡＺＯ（Ａｌ−ＺｎＯ）、ＡＧＺＯ（Ａｌ−Ｇａ ＺｎＯ）、ＩＧＺＯ（Ｉｎ−Ｇａ ＺｎＯ）、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＲｕＯｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ／ＩＴＯなどのような物質が使われることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月25日(2011.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結合した対イオンを有する架橋高分子電解質ポリマービーズを含む組成物であって、ただし、結合した対イオンがナトリウムと水素とからなる場合、結合したナトリウム対イオンが、結合した対イオン全体の60%未満であり、一方、結合した水素イオンが、結合した対イオン全体の40%を超える、組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月25日(2011.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱防御をする安定器回路であって、前記安定器は、
結合変圧器のコアに巻回された一次及び二次巻線を有するインバータ回路と、
前記結合変圧器のコアに巻回された三次巻線を有する制御回路とを備え、
前記結合変圧器のコアは、キュリー温度が前記安定器回路のハウジングの最高温度閾値レベルにほぼ等しいフェライト材料からなる安定器回路。
【請求項２】
前記フェライト材料のキュリー温度は約８５℃から約９５℃の範囲である、請求項１又は２に記載の安定器。
【請求項３】
前記フェライトコアの透磁率は、前記フェライトコアの温度が前記フェライトコアのキュリー温度に近付くと低下する、請求項１に記載の安定器。
【請求項４】
前記フェライトコアの透磁率が低下すると、前記一次、二次及び三次巻線内のインダクタンスが低下する、請求項３に記載の安定器。
【請求項５】
前記一次、二次及び三次巻線内のインダクタンスが低下すると、前記安定器回路の動作周波数が上昇する、請求項４に記載の安定器。
【請求項６】
前記安定器回路の動作周波数が上昇すると、前記安定器回路内で散逸する電力が低減する、請求項５に記載の安定器。
【請求項７】
前記フェライトコアの温度が前記キュリー温度に近付くと、前記フェライトコアの透磁率が約１０ｋＨ／ｍ〜１２ｋＨ／ｍから約１ｋＨ／ｍまで低下する、請求項３に記載の安定器。
【請求項８】
前記フェライトコアの透磁率が約１Ｈ／ｍに低下すると、前記一次、二次及び三次巻線内のインダクタンスが約１ｍＨから約５０μＨまで低下する、請求項７に記載の安定器。
【請求項９】
前記一次、二次及び三次巻線内のインダクタンスが約５０μＨに低下すると、前記安定器の動作周波数が約７０ｋＨｚから約１３０ｋＨｚに上昇する、請求項８に記載の安定器。
【請求項１０】
前記安定器回路への電力が低減すると、上昇した動作周波数により前記安定器回路に結合された複数のランプは消えずに減光する、請求項９に記載の安定器。
【請求項１１】
ノード＋Ｂへの入力の高周波により、前記制御回路内のコンデンサは約８Ｖまで充電され、この時点で前記安定器への電力は低減される、請求項１０に記載の安定器。
【請求項１２】
熱防御するために入力電力をフォールドバックする安定器回路であって、前記安定器は、
キュリー温度が約８５℃から約９５℃の範囲のフェライトコアに巻回された一次、二次及び三次巻線を有する変圧器と、
前記一次及び二次巻線を含むインバータ回路と、
前記三次巻線を含む制御回路とを備え、
前記フェライトコアの透磁率及び前記一次、二次及び三次巻線内のインダクタンスは、前記安定器の温度が前記フェライトコアのキュリー温度に近づくと低下し、
前記インバータ回路の動作周波数は、前期一次及び二次巻線内のインダクタンスの低下に応じて約２倍になり、
前記インバータ回路への電力は、前記制御回路によって受信された信号の動作周波数の上昇に応じて低減する安定器回路。
【請求項１３】
前記フェライトコアの透磁率は初期値の約１／１０，０００に低減される、請求項１２に記載の安定器。
【請求項１４】
前記一次、二次及び三次巻線のインダクタンスは初期値の約１／２０に低減する、請求項１２又は１３に記載の安定器。
【請求項１５】
熱防御をする安定器であって、前記安定器は、
キュリー温度が約９０℃であるフェライトコアに巻回された一次、二次及び三次巻線を有する結合変圧器と、
前記一次及び二次巻線を含むインバータ回路と、
前記三次巻線を含む制御回路とを備え、
前記安定器の温度が９０℃に近付くと、前記フェライトコアの透磁率は約１０，０００Ｈ／ｍから約１Ｈ／ｍに低下し、
前記一次、二次及び三次巻線内のインダクタンスは、透磁率の低下に応じて約１ｍＨから約５０μＨに低下し、
前記インバータ回路の動作周波数は、前記一次及び二次巻線内のインダクタンスの低下に応じて、約７０ｋＨｚから約１３０ｋＨｚに上昇し、
前記インバータ回路から約１３０ｋＨｚの信号が前記制御回路で受信され、コンデンサを閾値電圧レベルまで充電し、
前記コンデンサが閾値電圧レベルに達すると、前記インバータ回路への電力が低減する安定器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月25日(2011.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランプの衝撃リスク（ＲＯＳ）防護システムであって、前記システムは、
接地と安定器のアースの間に電圧がある時に充電されるコンデンサを有するＲＯＳセンサ回路と、
１つ又は複数のランプと前記安定器のアースとに接続された安定器回路と、
前記安定器回路と前記ＲＯＳ回路とに結合された制御回路とを備え、
前記コンデンサが所定の閾値電圧レベルを超える電圧まで充電されると、前記接地と前記安定器のアースの間の電圧が低下するシステム。
【請求項２】
前記所定の閾値電圧レベルが約７Ｖから約９Ｖの範囲である、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記所定の閾値電圧レベルが約８Ｖである、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記コンデンサの電圧が前記所定の閾値を超えると、前記制御回路内の三次巻線から電流を分路する、前記制御回路内のゲートを更に含む、請求項２に記載のシステム。
【請求項５】
前記三次巻線は、前記制御回路を前記安定器回路に結合する結合変圧器のフェライトコアに巻回される、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記安定器回路は、前記結合変圧器に巻回された一次及び二次巻線を更に備える、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記三次巻線のインピーダンスは、前記ゲートによって電流が前記巻線から分路されると低減する、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記安定器回路はインバータ回路を更に備え、前記三次巻線の前記低減したインピーダンスが前記一次及び二次巻線に反映されると、前記インバータ回路の動作周波数が増加する、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
人体への衝撃リスクを低減する安定器回路であって、前記安定器回路は、
フェライトコアに巻回された一次及び二次インダクタ巻線を有するインバータ回路と、
前記インバータ回路と少なくとも１つのランプとに結合された共振回路と、
前記インバータ回路と前記共振回路とに配線接続される制御回路であって、該制御回路を前記インバータ回路に誘導結合するために前記フェライトコアに巻回された三次巻線を含む制御回路と、
前記安定器の前記共振回路上のアースと接地の間に電圧がある時に充電されるコンデンサを有する、前記制御回路に配線接続されたＲＯＳセンサ回路とを備える安定器回路。
【請求項１０】
それを超えると前記安定器内の電圧が人体と接触しても安全なレベルにフォールドバックされる所定の閾値電圧レベルを更に含む、請求項９に記載の安定器。
【請求項１１】
前記コンデンサが所定の閾値レベルを超えると、前記制御回路内のゲートが前記三次巻線への電流レベルを低減するようにさせる、請求項１０に記載の安定器。
【請求項１２】
前記三次巻線への前記低減された電流によって、前記一次及び二次巻線に反映されるインピーダンスが低減される、請求項１１に記載の安定器。
【請求項１３】
前記共振回路の動作周波数は、前記一次及び二次巻線に反映されるインピーダンスの低減に応じて上昇する、請求項１２に記載の安定器。
【請求項１４】
動作周波数が上昇すると、前記安定器のアースと前記接地の間の電圧が人体に接触しても安全なレベルまで低下する、請求項１３に記載の安定器。
【請求項１５】
衝撃リスク防護回路であって、
ランプ安定器の制御回路に接続された陰極と、第１の抵抗器と第１のコンデンサとに接続された陽極とを有する第１のダイオードと、
前記第１のダイオード、前記第１のコンデンサ及び前記第１の抵抗器の陽極に接続された陰極と、第２のコンデンサに接続された陽極とを有する第２のダイオードと、
第２のダイオードと第２のコンデンサの陽極に接続された陰極と、前記第１のコンデンサと前記第１の抵抗器とアースとに接続された陽極とを有する第３のダイオードと、
前記第２のコンデンサと接地とに結合された第２の抵抗器とを備え、
前記第１の抵抗器、前記第１のコンデンサ及び前記第３のダイオードは互いに並列に接続される衝撃リスク防護回路。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年7月23日(2012.7.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１窒化物層と、前記第１窒化物層上に所定間隔で離隔されている絶縁層と、前記絶縁層の間に形成された真空と、前記第１窒化物層および前記絶縁層上に形成された第２窒化物層と、を含む第１導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層の上の活性層と、
前記活性層の上の第２導電型半導体層と、
前記第１窒化物層上に形成された第１電極と、
前記第２導電型半導体層上に形成された第２電極と、を含み、
前記第２窒化物層の一部は、前記所定間隔で離隔された絶縁層の間に配置され、
前記第１および第２窒化物層は、第１導電型半導体を含むことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記絶縁層はランダムなサイズ及び不規則な間隔の突起形態を含み、
前記真空は前記絶縁層の一部突起の間に形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記絶縁層はＭｇＮ層を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記絶縁層はｎ型ドーパントとｐ型ドーパントがドーピングされた窒化物半導体を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記第１窒化物層および前記第２窒化物層は、ｎ型半導体層を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記第１窒化物層の下の基板と、
前記基板と前記第１窒化物層との間のバッファ層と、
前記バッファ層と前記第１窒化物層との間のアンドープド半導体層と、を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記第２窒化物層の転位密度は前記第１窒化物層の転位密度より低いことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体発光素子。
【請求項８】
第１窒化物層と、前記第１窒化物層上に所定間隔で離隔されている絶縁層と、前記絶縁層の間に形成された真空と、前記第１窒化物層および前記絶縁層上に形成された第２窒化物層と、を含む第１導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層の下の第１電極と、
前記第２窒化物層の上の活性層と、
前記活性層の上の第２導電型半導体層と、
前記第２導電型半導体層上の反射電極層と、
前記反射電極層上の導電性支持基板と、を含み、
前記第２窒化物層の一部は、前記所定間隔で離隔された絶縁層の間に配置され、
前記第１および第２窒化物層は、第１導電型半導体を含むことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項９】
前記真空は、前記所定間隔で離隔された絶縁層の間にそれぞれ配置されることを特徴とする請求項８に記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
前記第２窒化物層と前記活性層との間の第３窒化物層を含み、
前記第１乃至前記第３窒化物層はｎ型半導体層を含むことを特徴とする請求項８又は９に記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
前記絶縁層は前記第１窒化物層に印加される電圧をブロッキングし、前記第２窒化物層は前記真空のトンネリングを通じて前記第１窒化物層の電圧の伝達を受けることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれかに記載の半導体発光素子。
【請求項１２】
前記絶縁層は突起形態のＭｇＮ層を含み、
前記ＭｇＮ層の突起は０．０００１〜１μｍの厚さ及び１０Å〜３μｍのピッチを含むことを特徴とする請求項８乃至１１のいずれかに記載の半導体発光素子。
【請求項１３】
第１窒化物層を形成するステップと、前記第１窒化物層上に所定間隔で離隔された絶縁層を形成するステップと、前記絶縁層の間に真空を有する第２窒化物層を、前記第１窒化物層および前記絶縁層上に形成するステップと、を含む第１導電型半導体層を形成するステップと、
前記第１導電型半導体層の上に活性層を形成するステップと、
前記活性層の上に第２導電型半導体層を形成するステップと、
前記第１窒化物層に第１電極層を形成するステップと、
前記第２導電型半導体層上に第２電極層を形成するステップと、を含み、
前記第２窒化物層の一部は、前記所定間隔で離隔された絶縁層の間に配置され、
前記第１および第２窒化物層は、第１導電型半導体を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項１４】
前記第１導電型半導体層を形成するステップは、
前記第２窒化物層の上に第３窒化物層を形成するステップを含み、
前記第１乃至第３窒化物層は、ｎ型半導体層を含み、
前記絶縁層は、ＭｇＮ層を含むことを特徴とする請求項１３に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１５】
前記絶縁層は、ｐ型ドーパントとｎ型ドーパントがドーピングされた窒化物半導体で形成されることを特徴とする請求項１３に記載の半導体発光素子の製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
本発明によれば、第１導電型半導体層での絶縁層及び空洞により転位密度を減少させることができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
上記第２窒化物層１４４は、上記絶縁層１４２及び上記空洞１４３が上記第１窒化物層１４１に存在する電位を遮断する役目をすることによって、上記第２窒化物層１４４の転位密度は上記第１窒化物層１４１の転位密度より減少できる。上記第２窒化物層１４４で電位密度の減少はＥＳＤ耐性が改善される効果がある。