Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年4月16日(2012.4.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０７】
痙攣に関連する褥瘡を処置するためのボツリヌス毒素の使用
８７歳女性が脳梗塞で入院中にステージII仙骨部褥瘡潰瘍を発症する。卒中の結果、患者の下肢は痙攣しており、それが脚を拘縮させ、両踵に圧迫を生じていた。更なる潰瘍の発症を防ぐため、患者の痙攣を４００単位のＡ型ボツリヌス毒素で処置する。各脚に２００単位ずつ、各脚で４箇所に分けて筋肉内投与する。更に、ステージII潰瘍部分にも、５０単位のＡ型ボツリヌス毒素を皮下注射する（各踵で２箇所に分けて注射）。４週間後、患者の痙攣は明らかに軽減される。潰瘍は両方とも明らかに軽減された。患者は痛みのないことを報告した。６週間後、患者の痙攣はなお軽減されていた。明らかな褥瘡の徴候は見られなかった。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年12月22日(2011.12.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ＣＦ３Ｉを含む少なくとも１つのヨードカーボン（ｉｏｄｏｃａｒｂｏｎ）；および
（ｂ）少なくとも１つのジエンベース化合物；
を含み、
該ジエンベース化合物は、Ｃ３−Ｃ５ジエン又はＣ３−Ｃ５ジエンを伴う反応によって形成可能な化合物である、組成物。
【請求項２】
該少なくとも１つのヨードカーボンがＣＦ３Ｉからなる、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
該少なくとも１つのジエンベース化合物が少なくとも１つのイソプレンを含む、請求項１又は２記載の組成物。
【請求項４】
該少なくとも１つのジエンベース化合物が少なくともプロパジエンを含む、請求項１又は２記載の組成物。
【請求項５】
該少なくとも１つのジエンベース化合物が少なくとも１つのテルペンを含む、請求項１又は２記載の組成物。
【請求項６】
該テルペンがイソプレンである、請求項５記載の組成物。
【請求項７】
該テルペンがミルセンである、請求項５記載の組成物。
【請求項８】
該テルペンがファルネソールである、請求項５記載の組成物。
【請求項９】
該テルペンがゲラニオールである、請求項５記載の組成物。
【請求項１０】
該少なくとも１つのジエンベース化合物が組成物の０．０００１から３０重量％の量で組成物中に存在する、請求項１〜９のいずれかに記載の組成物。
【請求項１１】
少なくとも１つの非ヨードカーボン冷媒化合物をさらに含む、請求項１〜１０のいずれかに記載の組成物。
【請求項１２】
該少なくとも１つの非ヨードカーボン冷媒化合物が少なくとも１つのヒドロフルオロアルケンを含む、請求項１１記載の組成物。
【請求項１３】
該少なくとも１つのヒドロフルオロアルケンが少なくとも１つのヒドロフルオロプロペンを含む、請求項１２記載の組成物。
【請求項１４】
該少なくとも１つのヒドロフルオロプロペンが少なくとも１つのテトラフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２３４）を含む、請求項１３記載の組成物。
【請求項１５】
該少なくとも１つの非ヨードカーボン冷媒化合物が少なくとも１つのヒドロフルオロカーボンを含む、請求項１２記載の組成物。
【請求項１６】
地球温暖化係数が１００より大きくない、請求項１記載の組成物。
【請求項１７】
少なくとも１つの潤滑剤をさらに含む、請求項１〜１６のいずれかに記載の組成物。
【請求項１８】
該潤滑剤がナフテン鉱油、パラフィン鉱油、エステル油、ポリアルキレングリコール、ポリビニルエーテル、アルキルベンゼン、ポリαオレフィン、およびこれらの２以上の組み合わせからなる群より選択される、請求項１７記載の組成物。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれかに記載の組成物の熱伝達組成物としての使用。
【請求項２０】
請求項１記載の組成物と流体または物体を接触させることを含む、流体または物体へ、または該流体または物体から熱を伝達する方法。
【請求項２１】
１５０未満の地球温暖化係数（Ｇｌｏｂａｌ  Ｗａｒｍｉｎｇ  Ｐｏｔｅｎｔｉａｌ）（ＧＷＰ）を有する、請求項１５記載の組成物。
【請求項２２】
０．０５未満のオゾン層破壊係数（Ｏｚｏｎｅ  Ｄｅｐｌｅｔｉｎｇ  Ｐｏｔｅｎｔｉａｌ）（ＯＤＰ）を有する、請求項１５記載の組成物。
【請求項２３】
請求項１記載の組成物を含む発泡剤を含有するポリマー泡調合物を含むクローズドセルフォーム。
【請求項２４】
請求項１記載の組成物を含む泡前混合組成物。
【請求項２５】
ＣＦ３Ｉを含む少なくとも１つのヨードカーボンを含む組成物を安定化させる方法であって、該組成物をジエンベース化合物と接触させることを含み、該ジエンベース化合物は、Ｃ３−Ｃ５ジエン又はＣ３−Ｃ５ジエンを伴う反応によって形成可能な化合物である、前記方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９４】
Ａ． 熱伝達法
一般的に、好ましい熱伝達法は、本発明の組成物を提供すること、好ましくは組成物の相変化および／または顕熱伝達によって本組成物へ又は該組成物から伝達される熱を原因とすることを含む。例えば、本方法は、液体または製品から熱を吸収することによる冷却、好ましくは冷却される物体または流体付近で本冷媒組成物を蒸発させ本組成物を含む蒸気を発生させることにより、冷却を提供する。好ましくは、該方法は、通常はコンプレッサーまたは類似の装置で冷媒蒸気を圧縮し比較的高圧で本組成物の蒸気を発生させる工程をさらに含む。一般的に、蒸気を圧縮する工程は蒸気に熱を付加する結果となり、従って、比較的高圧な蒸気の温度を上昇させる原因となる。好ましくは、本方法は、比較的高い温度の高圧蒸気から蒸発および圧縮工程によって付加された熱の少なくとも一部分を除去することを含む。熱除去工程は、好ましくは高温高圧蒸気を凝縮することを含むが、一方で蒸気は比較的高圧状態内にあり、本発明の組成物を含む比較的高圧の液体を生じる。この比較的高圧な液体は、好ましくは、この後、圧力における見かけの等エンタルピー減少を起こして、比較的低温で低圧の液体を生ずる。そのような実施態様において、該液体は、冷却される物体または流体から伝達された熱によって蒸発する、温度が低下した該冷媒液体である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９５】
本発明のもう一つのプロセス実施態様では、本発明の組成物を加熱を発生させる方法に用いることができ、該方法は加熱される液体または物体の近くで組成物を含む冷媒を凝縮することを含む。以下に記載するような、そのような方法は、しばしば上記の冷凍循環の逆循環である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年12月16日(2011.12.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８３】
【表１】
2008524802.tif 000001
例１〜７
例１〜７は、二軸押出機で成分を混合することで製造した。ＰＰＥ及びブロックコポリマーは供給スロートで添加し、ＰＰは下流で添加した。ＢＰＡＤＰは、押出機の第二の半部において液体インゼクターで添加した。材料を溶融状態で濾過し、押出機の端部でペレット化し、ペレット化材料から曲げ弾性率、加熱たわみ温度及びメルトフローインデックス試験用の試験片を射出成形した。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年6月28日(2012.6.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
「ミクロエマルジョン」は一般に油、水、界面活性剤および共界面活性剤で構成されている1-5。ＨｏａｒおよびＳｃｈｕｌｍａｎ6が言葉「ミクロエマルジョン」を初めて紹介し、彼らは、通常の粗エマルジョンを中鎖のアルコールで漸増することで得られる透明な溶液であるとして定義した。そのようなミクロエマルジョン系では一般に短鎖から中鎖のアルコールが共界面活性剤であると見なされる。そのような系に界面活性剤と場合により共界面活性剤を存在させると界面張力が非常に低くなる。従って、ミクロエマルジョンは熱力学的に安定でありかつ自然発生的に生じ、平均液滴直径は１から１００μｍである7-9。「水中油ミクロエマルジョン」は、モルを基準にして水の濃度の方が油の濃度より高いミクロエマルジョンである。「脱パラフィン用ミクロエマルジョン」は、安定化界面活性剤が実質的な量で入っている水中油系を包含する特殊なサブセットである。脱パラフィン用ミクロエマルジョンの油成分はパラフィン溶媒であり、このことは、ミクロエマルジョンがパラフィンに埋め込まれている生物学的サンプルの中のパラフィンと接触すると前記パラフィンが前記油に溶解することを意味する。そのような油を本明細書では一般に非極性有機溶媒と呼ぶが、これらの用語を全体に渡って互換的に用いる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年1月23日(2012.1.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
本発明は、経口投与が可能で、親薬物より胃腸毒性特性が少なく、バイオアべイラビリティが良好な状態で、無傷な状態で腸管から肝門部の血脈を通過でき、低用量で親薬物の有効性を維持できるゲムシタビンの新規的なプロドラッグに関する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
２：１：１比のＮ−（２−プロピル−ペンタノイル）］−２’，２’−ジフルオロ−２’−デオキシ−シチジン／ｐ−トルエンスルホン酸／水のトルエンスルホン酸％を以下のように測定した。
理論値１７．８％ｐ−トルエンスルホン酸
結果値１９．１％ｐ−トルエンスルホン酸
ＨＰＬＣ：
カラム：Ｗａｔｅｒｓ  Ａｔｌａｎｔｉｓ  ｄＣ１８，  ３．０μｍ，  ４．６ｉ．ｄ．×１５０  ｍｍ
カラム温度：５０℃
ＵＶ波長：２４８ｎｍ
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年2月2日(2012.2.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
発明の要約
本発明は、
（ａ）パーソナルケア製品、および、家庭用ケア製品からなる群より選択される水性ベースの機能的な系、および、
（ｂ）非イオン性の疎水化修飾したセルロースエーテル（ＨＭＣＥ）［ここで、該セルロースエーテルは、下限４００，０００〜上限２，０００，０００の重量平均分子量（Ｍｗ）を有し、さらに、該セルロースエーテルを５重量％の界面活性剤溶液中で可溶とし、かつ水中または１重量％の界面活性剤溶液中では０．０５重量％未満の該セルロースエーテルを可溶とする、下限０．６重量％及び上限量の疎水性置換を有し、該セルロースエーテルは、機能的な系の基材にコンディショニングの利点を提供する］、および、
（ｃ）少なくとも１種の活性な機能的な系の活性成分、
を含むコンディショニング組成物を対象とする。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
また本発明は、パーソナルケアおよび家庭用ケア製品からなる群より選択される水性ベースの機能的な系をコンディショニングする方法も対象とし、本方法は、水性ベースの機能的な系に適合する十分な量の疎水化修飾したセルロースエーテルを添加し、混合することによって、機能的な系を増粘させることを含み、ここで、該疎水化修飾したセルロースエーテルは、非イオン性の疎水化修飾したセルロースエーテル（ＨＭＣＥ）であり、さらに、該セルロースエーテルは、下限４００，０００〜上限２，０００，０００の重量平均分子量（Ｍｗ）を有し、さらに、該セルロースエーテルを５重量％の界面活性剤溶液中で可溶とし、かつ水中または１重量％の界面活性剤溶液中では０．０５重量％未満の該セルロースエーテルを可溶とする、下限０．６重量％及び上限量の疎水性置換を有し、該セルロースエーテルは、機能的な系の基材にコンディショニングの利点を提供し、さらに、得られた機能的な系は、類似の増粘剤を本発明の組成の範囲を外れて用いた場合と比較して、それに匹敵するか、またはそれより優れたコンディショニング特性を有する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
疎水性成分は、一般的に、上記の疎水化修飾した多糖類を、５重量％の界面活性剤溶液中で可溶とし、かつ水中または１重量％の界面活性剤溶液中では０．０５重量％未満の上記の疎水化修飾した多糖類を可溶とする、下限約０．６重量％〜上限量の量で含まれる。３−アルコキシ−２−ヒドロキシプロピル基のアルキル基は、３〜３０個の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖アルキル基が可能である。典型的な修飾するためのラジカルは、プロピル−、ブチル−、ペンチル−、２−エチルヘキシル、オクチル、セチル、オクタデシル、メチルフェニル、および、ドコサポリエン酸グリシジルエーテルである。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年6月13日(2012.6.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次のステップを含む酸化改質顔料の調製方法：
ａ）改質顔料を含む改質顔料水性分散体を形成するステップであって、該改質顔料は少なくとも１つの有機基を結合したカーボンブラック顔料を含み、また該有機基は少なくとも１つのアリールカルボン酸基、アリールスルホン酸基、アルキルスルフェート基、アンモニウム基、ホスホン酸基、ホスフェート基、またはそれらの塩を含むことを特徴とするステップ、および
ｂ）該改質顔料水性分散体を少なくとも１つの酸化剤で処理し、酸化改質顔料を形成するステップ。
【請求項２】
酸化剤はオゾン、過酸化物、次亜ハロゲン酸塩、過硫酸塩または硝酸を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
酸化改質顔料に塩基を添加して、酸化改質顔料水性分散体を形成させるようにするステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
改質顔料水性分散体に塩基を添加するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
有機基は少なくとも１つのアリールカルボン酸基、アリールスルホン酸基、またはそれらの塩を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ａ）少なくとも１つの有機基を結合したカーボンブラック顔料を含む改質顔料であって、該有機基は少なくとも１つのアリールカルボン酸基、アリールスルホン酸基、アルキルスルフェート基、アンモニウム基、ホスホン酸基、ホスフェート基、またはそれらの塩を含むことを特徴とする改質顔料とｂ）酸化剤との反応生成物を含む酸化改質顔料。
【請求項７】
有機基は少なくとも１つのアリールカルボン酸基、アリールスルホン酸基、またはそれらの塩を含む、請求項６に記載の酸化改質顔料。
【請求項８】
ａ）少なくとも１つの有機基を結合したカーボンブラック顔料を含む改質顔料であって、該有機基は少なくとも１つのアリールカルボン酸基、アリールスルホン酸基、アルキルスルフェート基、アンモニウム基、ホスホン酸基、ホスフェート基、またはそれらの塩を含むことを特徴とする改質顔料とｂ）酸化剤との反応生成物を含む酸化改質顔料を含む水性インクジェットインク組成物。
【請求項９】
有機基は少なくとも１つのアリールカルボン酸基、アリールスルホン酸基、またはそれらの塩を含む、請求項８に記載の水性インクジェットインク組成物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
本発明の方法は、改質顔料水性分散体を少なくとも１つの酸化剤で処理して酸化改質顔料（すなわち酸化処理済みの改質顔料）を形成させるステップを含む。技術上周知の任意の酸化剤を使用してもよいが、酸化剤は改質顔料水性分散体の水性ビヒクルに対して少なくとも部分的に溶解性であるのが好ましい。好ましい酸化剤の例は酸素ガス、オゾン、過酸化物たとえば過酸化水素、過硫酸塩たとえば過硫酸ナトリウムおよびカリウム、次亜ハロゲン酸塩たとえば次亜塩素酸ナトリウム、酸化性酸たとえば硝酸などである。加えて、遷移金属含有酸化剤たとえば過マンガン酸塩、四酸化オスミウム、酸化クロム、または硝酸アンモニウムセリウムなどを使用してもよい。酸化剤はオゾンであるのが好ましい。また、酸化剤の混合体特に気相酸化剤たとえば酸素とオゾンの混合体を使用してもよい。他の酸化剤も技術上周知であり、当業者には入手可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月12日(2012.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理装置において、
複数の基板を載置する基板キャリアプレートを支持するために用いられるサセプタと、
１つ以上の処理ガスを前記複数の基板のそれぞれに均一に送出するように指向された複数のガス経路を有するガス分配装置と、
前記サセプタの前記複数の基板と反対側に位置し、前記複数の基板全体に亘って所望の温度分布を提供するために用いられる加熱源を含む基板処理装置。
【請求項２】
前記加熱源は複数のランプを含む請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記複数のランプは２つ以上の輻射熱ゾーンを含む請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記２つ以上の輻射熱ゾーンは内方ゾーン、中央ゾーン、および外方ゾーンを含み、各輻射熱ゾーンは同心円状のランプ列を形成し、前記外方ゾーンは前記中央ゾーンよりも前記サセプタに近く位置している請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記２つ以上の輻射熱ゾーンのそれぞれに連結され、前記複数の基板全体に亘って既定の温度プロファイルを維持するように前記２つ以上の輻射熱ゾーンの前記温度を調節するために形成されたコントローラに接続された１つ以上の高温計をさらに含む請求項３に記載の装置。
【請求項６】
前記１つ以上の高温計の周りに少なくとも部分的に不活性ガスを送出するように構成されたガス源をさらに含む請求項５に記載の装置。
【請求項７】
基板処理装置において、
複数の基板を上に載せて支持するために用いられるサセプタと、
１つ以上の処理ガスを前記複数の基板のそれぞれに均一に送出するように指向された複数のガス経路を有するガス分配装置と、
前記サセプタの前記複数の基板と反対側に位置し、前記複数の基板全体に亘って所望の温度分布を提供するために用いられる加熱源と、
前記サセプタの上方に設置された反射率モニタを含む基板処理装置。
【請求項８】
前記反射率モニタは前記複数の基板のうちの１つ以上に配置された膜の厚さ、粗さ、組成のうちの１つ以上を測定するために構成されている請求項７に記載の装置。
【請求項９】
基板処理装置において、
複数の基板を上に載せて支持するために用いられるサセプタと、
１つ以上の処理ガスを前記複数の基板のそれぞれに均一に送出するように指向された複数のガス経路を有するガス分配装置と、
前記サセプタの前記複数の基板と反対側に位置し、前記複数の基板全体に亘って所望の温度分布を提供するために用いられる加熱源と、
上方処理容積の周囲に設置された排気リングを含む基板処理装置。
【請求項１０】
前記排気リングは前記サセプタの前記加熱源と反対側に位置している請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記排気リングに連結された環状排気シリンダをさらに含む請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
前記環状排気シリンダは前記上部処理容積から前記１つ以上の処理ガスを均一に吸引するために貫通するように形成されている複数のスロットを有する請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
基板処理装置において、
複数の基板を上に載せて支持するために用いられるサセプタと、
１つ以上の処理ガスを前記複数の基板のそれぞれに均一に送出するように指向された複数のガス経路を有するガス分配装置と、
前記サセプタの前記複数の基板と反対側に位置し、前記複数の基板全体に亘って所望の温度分布を提供するために用いられる加熱源と、
前記ガス分配装置に連結され、前記複数の基板のうちの１つ以上の特性を測定するために構成される１つ以上の計測装置を含む基板処理装置。
【請求項１４】
前記加熱源は複数のランプを含む請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記複数のランプは複数の同心円状の輻射熱ゾーンを含む請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記１つ以上の計測装置は、前記輻射熱ゾーンのそれぞれに連結され、前記キャリアプレート全体に亘って既定の温度プロファイルを維持するように前記輻射熱ゾーンの温度を調節するために構成されたコントローラに接続されている１つ以上の高温計を含む請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記１つ以上の計測装置は前記サセプタの上方に設置された反射率モニタを含む請求項１３に記載の装置。
【請求項１８】
前記反射率モニタは前記複数の基板のうちの１つ以上に配置された膜の厚さ、粗さ、組成のうちの１つ以上を測定するために構成されている請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記基板キャリアプレートの周囲に形成された遮光体をさらに含む請求項１３に記載の装置。
【請求項２０】
基板処理装置において、
複数の基板を上に載せて支持するために用いられるサセプタと、
１つ以上の処理ガスを前記複数の基板のそれぞれに均一に送出するように指向された複数のガス経路を有するガス分配装置と、
前記サセプタの前記複数の基板と反対側に位置し、前記複数の基板全体に亘って所望の温度分布を提供するために用いられる加熱源と、
前記ガス分配装置に連結され、前記複数の基板のうちの１つ以上の特性を測定するために構成される１つ以上の計測装置と、
前記１つ以上の高温計の周りに少なくとも部分的に不活性ガスを送出するように構成されたガス源を含む基板処理装置。
【請求項２１】
前記１つ以上の計測装置は前記サセプタの上方に設置された反射率モニタを含む請求項２０に記載の基板処理装置。
【請求項２２】
前記１つ以上の計測装置は１つ以上の高温計を含む請求項２１に記載の基板処理装置。
【請求項２３】
前記加熱源は複数のランプを含む請求項２０に記載の基板処理装置。
【請求項２４】
前記基板キャリアプレートの周囲に形成された遮光体をさらに含む請求項２０に記載の基板処理装置。
【請求項２５】
１つ以上の基板を処理する方法において、
処理チャンバの処理容積内のサセプタ上に１つ以上の基板を有する基板キャリアを位置決めし、
前記１つ以上の基板上の１つ以上の膜を成膜するためにガス分配装置を介して前記処理容積内へ２つ以上の処理ガスを流し、
前記サセプタの下方に位置する加熱源を使用して前記基板キャリアを加熱し、
１つ以上の高温計を用いて前記処理容積内の温度を測定し、
前記測定温度に基づいて前記基板キャリア全体に亘る温度プロファイルを制御し、
不活性ガスを前記１つ以上の高温計の周りに少なくとも部分的に流すことを含む１つ以上の基板を処理する方法。
【請求項２６】
前記加熱源は複数の同心円状の熱ゾーンを形成するように配置されている複数のランプを含む請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
少なくとも１つの高温計が各熱ゾーンに連結されている請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記ガス分配装置と連結した計測装置を用いて前記１つ以上の基板の膜特性を測定することをさらに含む請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記１つ以上の膜特性は厚さ、粗さ、組成のうちの１つ以上を含む請求項２８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月11日(2012.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する方法であって、
前記基板の表面上に非晶質炭素層を堆積させること、
前記非晶質炭素層上に反射防止被覆層を堆積させること、
前記反射防止被覆層上に有機接着促進層を堆積させること、および、
前記有機接着促進層上にレジスト材料を堆積させること、
を含み、
前記反射防止被覆層が、シリコンリッチ酸化物、窒化珪素、酸窒化珪素、炭化珪素、酸炭化珪素、窒素ドープ炭化珪素、窒素ドープ酸炭化珪素、およびそれらの組合せからなる群から選択される1以上の誘電体反射防止材料を備える、方法。
【請求項２】
前記レジスト材料が化学増幅ポジ型フォトレジスト材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記反射防止被覆層が酸炭化珪素を含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記有機接着促進層が非晶質炭素材料を含む、請求項１ないし３の何れかに記載の方法。
【請求項５】
前記反射防止被覆層は、炭化珪素、シリコンリッチ酸化物、または酸炭化珪素、及びそれらの組み合わせからなる群から選択された、窒素を含まない材料の第１層と、窒化珪素、酸窒化珪素、水素化酸窒化珪素、窒素ドープ炭化珪素、窒素ドープ酸炭化珪素及びそれらの組み合わせからなる群から選択された、窒素含有材料の第２層との、２層を含む、請求項１ないし４の何れかに記載の方法。
【請求項６】
前記有機接着促進層を堆積させる前に、前記反射防止被覆層上に酸化物キャップ層を堆積させることをさらに含む、請求項１ないし５の何れかに記載の方法。
【請求項７】
前記有機接着促進層が、炭化水素前駆体のプラズマ化学気相成長によって堆積される、請求項１ないし６の何れかに記載の方法。
【請求項８】
前記レジスト材料を堆積させる前に、前記有機接着促進層をヘキサメチルジシラザンに曝すことをさらに含む、請求項１ないし７の何れかに記載の方法。
【請求項９】
前記有機接着促進層が、炭素−炭素単結合、炭素−炭素二重結合、またはそれらの組合せを有する、請求項１ないし８の何れかに記載の方法。
【請求項１０】
前記反射防止被覆層および前記有機接着促進層が、同じ処理チャンバまたは処理システム内でインサイチュで堆積される、請求項１ないし９の何れかに記載の方法。
【請求項１１】
前記レジスト材料を堆積させる前に、前記有機接着促進層をヘキサメチルジシラザンに曝すことをさらに含む、請求項６ないし１０の何れかに記載の方法。
【請求項１２】
誘電体基板と、
前記誘電体層上に堆積された非晶質炭素層と、
前記非晶質炭素層上に堆積された反射防止被覆層と、
前記反射防止被覆層上に堆積された有機接着促進層と、
前記有機接着促進層上に堆積されたレジスト材料と
を備える、半導体基板構造。
【請求項１３】
前記有機接着促進層と前記レジスト材料との間に形成されたヘキサメチルジシラザン材料をさらに備える、請求項１２に記載の半導体基板構造。
【請求項１４】
前記有機接着促進層が非晶質炭素材料を含む、請求項１２又は１３に記載の半導体基板構造。
【請求項１５】
前記反射防止被覆層と前記有機接着促進層との間に配設された酸化物キャップ層をさらに備える、請求項１２ないし１４の何れかに記載の半導体基板構造。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月7日(2012.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）アノードと、
（ｂ）カソードと、
（ｃ）前記アノードと前記カソードとの間に配置される少なくとも２つのエレクトロルミネッセンスユニットであって、各エレクトロルミネッセンスユニットが、少なくとも１つの正孔輸送層及び１つの有機発光層を含むエレクトロルミネッセンスユニットと、
（ｄ）隣接するエレクトロルミネッセンスユニットの間に配置される中間接続層であって、前記中間接続層がｎ−ドープ有機層及び電子受容層を含み、前記電子受容層がｎ−ドープ有機層よりも前記カソードに近接して配置され、前記ｎ−ドープ有機層がアルカリ金属及び有機アルカリ金属錯体を含み、且つ前記中間接続層が、前記アノードに近接する側に前記ｎ−ドープ層と接触する非ドープ層をさらに含む中間接続層と
を含むタンデム式ＯＬＥＤ装置。
【請求項２】
前記有機アルカリ金属錯体はフェナントロリン誘導体を含む請求項１に記載のタンデム式ＯＬＥＤ装置。
【請求項３】
前記アルカリ金属はリチウムである請求項２に記載のタンデム式ＯＬＥＤ装置。
【請求項４】
前記有機アルカリ金属錯体はリチウムを含む請求項３に記載のタンデム式ＯＬＥＤ装置。
【請求項５】
前記ｎ−ドープ有機層は非荷電フェナントロリン誘導体をさらに含む請求項４に記載のタンデム式ＯＬＥＤ装置。
【請求項６】
前記有機アルカリ金属錯体は、下記式：
【化１】
2011511414.tif 000001
による化合物を含む請求項１に記載のタンデム式ＯＬＥＤ装置。
【請求項７】
前記非ドープ層はアントラセン誘導体を含む請求項１に記載のタンデム式ＯＬＥＤ装置。
【請求項８】
前記非ドープ層は有機アルカリ金属錯体をさらに含む請求項７に記載のタンデム式ＯＬＥＤ装置。
【請求項９】
前記非ドープ層中の前記有機アルカリ金属錯体は、ヒドロキノリンの塩である請求項８に記載のタンデム式ＯＬＥＤ装置。
【請求項１０】
前記電子受容層はヘキサアザトリフェニレン誘導体を含む請求項１に記載のタンデム式ＯＬＥＤ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月30日(2012.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）酸化亜鉛負極と、
（ｂ）少なくとも酸化状態が３．０となるように酸化されたコバルトでコーティングされた水酸化ニッケルの粒子および添加コバルトおよび／または添加酸化コバルトを備えるペーストを備えるニッケル正極と、アルカリ電解質とを備える、ニッケル−亜鉛セル。
【請求項２】
前記酸化ニッケル正極は、更にコバルト粒子、ニッケル粒子、及びバインダー剤を備える、請求項１に記載のニッケル−亜鉛セル。 
【請求項３】
前記酸化されたコバルトの酸化状態が約３から３．５である、請求項１または２に記載のニッケル−亜鉛セル。
【請求項４】
高度に酸化されたコバルトの酸化状態が約３．２５である、請求項１から３のいずれかに記載のニッケル−亜鉛セル。
【請求項５】
前記酸化亜鉛負極の中のコバルト濃度が約５から約３０ｐｐｍである、請求項１に記載のニッケル−亜鉛セル。
【請求項６】
前記酸化亜鉛負極の中のコバルト濃度が約１０ｐｐｍ未満である、請求項１または５に記載のニッケル−亜鉛セル。
【請求項７】
前記酸化亜鉛負極の形成後のガス放出率が１ｍｌ／ｈｒ未満である、請求項１に記載のニッケル−亜鉛セル。
【請求項８】
満充電されたセルの６０℃の温度下で２８日間保存された後の残存容量が満容量の約３０％以上である、請求項１に記載のニッケル−亜鉛セル。
【請求項９】
バッテリ用のニッケル含有正極を製造する方法であって、
（ａ）アルカリ金属の水酸化物溶液、強酸化剤、及び水酸化ニッケルの粒子またはコバルトで覆われた水酸化ニッケルの粒子を混合する工程と、  
（ｂ）前記水酸化ニッケルの粒子または前記コバルトで覆われた水酸化ニッケルの粒子を 前記反応混合物から分離する工程と、
（ｃ）前記水酸化ニッケルの粒子または前記コバルトで覆われた水酸化ニッケルの粒子並びにコバルト金属および酸化コバルトの少なくとも一方を使用して活性化材料ペーストを準備する工程と、
（ｄ）前記ペーストをニッケル電極に加える工程と
を備える方法。
【請求項１０】
前記アルカリ金属の水酸化物溶液は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、及び水酸化リチウムから成るグループから選ばれる、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記強酸化剤は、アルカリ金属の過硫酸塩である、請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記強酸化剤は、過硫酸ナトリウムまたは過硫酸カリウムである、請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記混合する工程は、約２０℃から約１００℃の温度で実行される、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記混合する工程は、約０．１時間から約３時間の期間実行される、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月17日(2012.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図２に示すように、コネクタ１０は、プランジャー要素２４、回転要素３０およびスプリング３２等の弾性デバイスを更に有する。プランジャー要素２４はプランジャーリング２６を有し、プランジャーリング２６は、そのプランジャーリング２６から延びているプランジャーアーム２８を有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レセプタクルアセンブリに対する電気接続を提供するための、機械的嵌合サイクル制限を有する電気コネクタであって、
差し込み部、シェル、および内部に配置された内部ランプを有するプラグハウジング；
プラグハウジング内に配置されたコンタクト；
内部に配置された外部ランプを有する中間ピースであって、プラグハウジングに堅固に取り付けられている、中間ピース；ならびに
プランジャー要素、回転要素、および堅固に組み立てられた中間ピースおよびプラグハウジング内に配置されたスプリング；
を含み、嵌合サイクルの間の回転要素の更なる回転が禁止されて、それによって電気コネクタが操作不可能になるまで、電気コネクタをレセプタクルアセンブリに嵌め合わせるとき、およびレセプタクルアセンブリから取り外すときに、回転要素が所定の嵌合サイクル数の間、電気コネクタの内部で回転するように構成されている、電気コネクタ。
【請求項２】
電気コネクタをレセプタクルアセンブリに嵌め合わせるときに、回転要素が、プランジャーによって外部ランプに向かって押圧される、請求項１に記載の電気コネクタ。
【請求項３】
電気コネクタをレセプタクルアセンブリから取り外すときに、回転要素が、スプリングによって内部ランプに向かって押圧される、請求項１に記載の電気コネクタ。
【請求項４】
プランジャーを回転要素に向かって押圧することを禁止するために、電気コネクタをレセプタクルアセンブリに嵌め合わせる際に、回転要素の表面に配置された駆動突起に接触する停止面が内部ランプの中に配置され、その結果、所定の嵌合サイクル数の後に、電気コネクタをレセプタクルアセンブルに嵌め合わせることが禁止される、請求項１に記載の電気コネクタ。
【請求項５】
電気コネクタが行った嵌合サイクル数を表示する視覚的表示器を電気コネクタにおいて更に有する、請求項１に記載の電気コネクタ。
【請求項６】
嵌合サイクルの間に回転要素が電気コネクタの内部で回転するのを妨げるために、回転要素と係合するツールに対するアクセスを提供するように構成された穴をコネクタにおいて更に有する、請求項１に記載の電気コネクタ。
【請求項７】
張力緩和デバイスを更に有する、請求項１に記載の電気コネクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月26日(2012.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を含む基板ビア構造体であって、
前記基板は、
各ビアがランド内に配置された複数の積層されたビアと、
前記複数の積層されたビアの少なくとも一つを取り巻く少なくとも一つの抑制ディスクであって、前記基板ビア構造体の面内変形を抑制する、前記抑制ディスクとを含み、
前記抑制ディスクと前記ビアとの間に絶縁ギャップを含む、基板ビア構造体。
【請求項２】
前記抑制ディスクは、前記抑制ディスクが２つの樹脂層の間に配置されるように組み込まれる、請求項１に記載の構造体。
【請求項３】
前記抑制ディスクは銅である、請求項２に記載の構造体。
【請求項４】
前記抑制ディスクはほぼ円環状である、請求項３に記載の構造体。
【請求項５】
前記抑制ディスクは方形状である、請求項３に記載の構造体。
【請求項６】
前記抑制ディスクの形状は、設計パラメータと接続回路がかける抑制とに応じて変えられる、請求項２に記載の構造体。
【請求項７】
前記積層されたビアは銅ビアである、請求項１に記載の構造体。
【請求項８】
ビア積層の面内変形を抑制する方法であって、
基板中に、各ビアがランド内に配置されたビア積層を生成するステップと、
抑制ディスクを生成するステップと、
前記ビア積層の面内変形を抑制するため、前記ビアのランドを取り巻くように、前記抑制ディスクを組み込むステップとを含み、
前記組み込むステップは、前記抑制ディスクの内径と前記ビアのランドとの間に絶縁ギャップを生成するステップを含む、方法。
【請求項９】
前記組み込むステップは、２つの樹脂層の間に前記抑制ディスクを配置するステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記抑制ディスクを生成するステップは、前記抑制ディスクを銅で生成するステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記抑制ディスクを生成するステップは、円環状ディスクを生成するステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記抑制ディスクを生成するステップは、前記基板中の利用可能なスペースに適合するように、前記抑制ディスクの形状を調整するステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月24日(2012.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射源からの極紫外線（ＥＵＶ）又はＸ線放射により光のファーフィールド強度分布を形成するＥＵＶ及びＸ線に用いる集光光学系であって、
入れ子構造に配され、光源を介して延びる光軸を中心に対称に配された複数のミラーであって、各ミラーは、前記放射をそれぞれ反射させて前記ファーフィールド強度分布を形成する少なくとも第１及び第２反射面を有する、複数のミラーを備え、
前記第１及び第２反射面のうち一以上は、前記ファーフィールド強度分布の高い空間周波数変化を補償するような多項補正形状を有する、
集光光学系。
【請求項２】
前記ファーフィールド強度分布の変化はくぼみを含み、前記矯正形状は、前記くぼみを埋めるように形成されている、
請求項１に記載の集光光学系。
【請求項３】
前記第１及び第２反射面は双曲部と楕円部をそれぞれ含み、前記第１反射面は前記第２反射面よりも前記放射源に近い、
請求項１に記載の集光光学系。
【請求項４】
各ミラーは電鋳モノリシック部材を含む、
請求項１に記載の集光光学系。
【請求項５】
各ミラーは、一種類以上の温度管理装置を有する、
請求項１に記載の集光光学系。
【請求項６】
請求項１に記載の集光光学系、
前記集光光学系から集光される放射を受光する集光レンズ、及び
前記集光レンズからの集光された放射を受光する反射マスク、
を備える、ＥＵＶリソグラフィシステム。
【請求項７】
放射源からの極紫外線（ＥＵＶ）又はＸ線放射により光のファーフィールド強度分布を形成するＥＵＶ及びＸ線に用いる集光光学系であって、
入れ子構造に配され、光源を介して延びる光軸を中心に対称に配された複数のミラーであって、各ミラーは、前記放射をそれぞれ反射させる少なくとも第１及び第２反射面を有する、複数のミラーを備え、
一以上のミラーは、前記第１及び第２反射面により反射された放射を反射する第３反射面を含む、
集光光学系。
【請求項８】
前記第１反射面は、前記光源に最も近く、双曲形状を有し、
前記第２反射面は双曲形状を有し、
前記第３反射面は、前記光源から最も遠く、楕円形を有する、
請求項７に記載の集光光学系。
【請求項９】
前記第２双曲形状は、第１双曲形状と一つの共通の焦点を有し、前記楕円形とは一つの共通の焦点を有する、
請求項７に記載の集光光学系。
【請求項１０】
前記複数のミラーは、
二以上のミラーからなり第１及び第２反射面のみを有する第１セットと、
二以上のミラーからなり前記第１、第２及び第３反射面を有する第２セットと、
を備える、
請求項７に記載の集光光学系。
【請求項１１】
各ミラーは電鋳モノリシック部材である、
請求項７に記載の集光光学系。
【請求項１２】
各ミラーは、一種類以上の熱管理装置を有する、
請求項７に記載の集光光学系。
【請求項１３】
前記光学系は像焦点を有し、更に、像焦点に配される撮像装置を備える、
請求項７に記載の集光光学系。
【請求項１４】
請求項７に記載の集光光学系、
前記集光光学系から集光される放射を受光する集光レンズ、及び
前記集光レンズからの集光された放射を受光する反射マスク、
を備える、ＥＵＶリソグラフィシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月7日(2011.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
セルラ通信とジェネリックアクセスネットワーク（ＧＡＮ）通信の両方の機能を有し、動作のモードを有する移動局（１１０，２０６−１……２０６−ｍ）であって、
前記移動局は前記動作のモードで動作するときには、
同報専用の基地局（１０２，４００，６００）と同期し、
ＧＡＮ通信を可能にするアクセスポイント（１０４）について前記同報専用の基地局からの同報メッセージを、同報通信専用セル（１０６，３０６−１……３０６−ｐ）を運用する前記同報専用の基地局から受信するように構成され、
前記アクセスポイントのアクセス領域（１０８）と前記同報通信専用セルとは、前記移動局が同報する情報を受信可能であれば、前記アクセスポイントへのアクセス可能性に気付くようになるように実質的に同じ領域をカバーすることを特徴とする移動局。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月23日(2012.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＴＲＡＮ基地局によって実行される方法であって、
資源状態情報の要求を生成し、該要求は前記資源状態情報を含む更新メッセージを送信すべき周期を規定し、
前記生成された要求を近傍ＥＵＴＲＡＮ基地局に送信し、
前記規定の周期に従って、前記要求された資源状態情報に応答して前記近傍ＥＵＴＲＡＮ基地局から１つ又は複数の資源状態更新メッセージを受信し、及び
前記受信した１つ又は複数の資源状態更新メッセージに従って、負荷均衡化オペレーションを実行する、
ことを含む、方法。
【請求項２】
ＥＵＴＲＡＮ基地局によって実行される方法であって、
近傍ＥＵＴＲＡＮ基地局から資源状態情報の要求を受信し、前記要求は前記資源状態情報を含む更新メッセージを送信すべき周期を規定し、
前記基地局と関連する資源に関する１つ又は複数の負荷均衡化測定値を取得し、
前記１つ又は複数の負荷分散測定値を含む、１つ又は複数の資源状態更新メッセージを生成し、及び
前記規定の周期で、前記生成された１つ又は複数の資源状態更新メッセージを前記近傍ＥＵＴＲＡＮ基地局に送信する、
ことを含む、方法。
【請求項３】
ＥＵＴＲＡＮ基地局であって、
資源状態情報の要求を生成する手段であって、該要求は前記資源状態情報を含む更新メッセージを送信すべき周期を規定する、手段と、
前記生成された要求を近傍ＥＵＴＲＡＮ基地局に送信する手段と、
前記規定の周期に従って、前記要求された資源状態情報に応答して前記近傍ＥＵＴＲＡＮ基地局から１つ又は複数の資源状態更新メッセージを受信する手段と、
前記受信した１つ又は複数の資源状態更新メッセージに従って、負荷均衡化オペレーションを実行する手段と、
を備える、ＥＵＴＲＡＮ基地局。
【請求項４】
ＥＵＴＲＡＮ基地局であって、
近傍ＥＵＴＲＡＮ基地局から資源状態情報の要求を受信する手段であって、該要求は前記資源状態情報を含む更新メッセージを送信すべき周期を規定する、手段と、
前記基地局と関連する資源に関する１つ又は複数の負荷均衡化測定値を取得する手段と、
前記１つ又は複数の負荷均衡化測定値を含む、１つ又は複数の資源状態更新メッセージを生成する手段と、
前記規定の周期で、前記生成された１つ又は複数の資源状態更新メッセージを前記近傍ＥＵＴＲＡＮ基地局に送信する手段と、
を備える、ＥＵＴＲＡＮ基地局。
【請求項５】
資源状態情報の要求を生成する手段であって、該要求は前記資源状態情報を含む更新メッセージを送信すべき周期を規定する、手段と；前記生成された要求を近傍ＥＵＴＲＡＮ基地局に送信する手段と；前記規定の周期に従って、前記要求された資源状態情報に応答して前記近傍ＥＵＴＲＡＮ基地局から１つ又は複数の資源状態更新メッセージを受信する手段と；前記受信した１つ又は複数の資源状態更新メッセージに従って、負荷均衡化オペレーションを実行する手段と；を備える、ＥＵＴＲＡＮ基地局と、
前記ＥＵＴＲＡＮ基地局によって実行される前記負荷均衡化オペレーションに従って、前記ＥＵＴＲＡＮ基地局からハンドーバするように構成される移動端末と、
を有する通信システム。
【請求項６】
プログラマブルコンピュータデバイスに請求項１又は２に記載の方法を実行させるためのコンピュータ実施可能命令を含む、コンピュータ実施可能プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月26日(2012.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
材料をエッチングするための方法であって、前記エッチングは前記材料のマスクされていない露出された表面上のエッチングパターン部分であって、前記マスクされていない露出された表面の一部のみを覆って伸びるエッチングパターン部分に制限される方法において、前記方法は、
（ａ）前記材料のマスクされていない露出された表面の領域に伸びる表面層であって、前記エッチングパターン部分を少なくとも覆う表面層として前記材料をエッチングするために必要とされる少なくとも第一の成分を提供する工程と、
（ｂ）前記材料をエッチングするために必要とされる一つ以上の更なる成分からなる少なくとも一つの堆積組成物を提供する工程と、
（ｃ）前記エッチングパターン部分に対応するパターンにて、前記材料の前記マスクされていない露出された表面の前記領域上に前記少なくとも一つの堆積組成物を塗布する工程と、
を含み、それにより、前記材料をエッチングするために必要とされる第一の成分は、前記エッチングパターン部分のみにおいて前記材料をエッチングするエッチャントを形成すべく、前記材料をエッチングするために必要とされる一つ以上の更なる成分と反応する、方法。
【請求項２】
前記材料の前記マスクされていない露出された表面の前記領域を覆って伸びる前記第一の成分からなる層は、ゲル又は固体層である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記材料の前記マスクされていない露出された表面の前記領域を覆って伸びる前記第一の成分からなる層は、前記第一の成分を含有する溶液を塗布して、前記溶液の溶媒を蒸発させて、前記表面上に第一の成分を堆積させることによって、適用される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第一の成分を含有する溶液を塗布する方法は、フロー−オン法、スピン−オン法、吹きつけ塗装法、又は印刷法からなる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第一の成分を含有する溶液は、前記材料のエッチングを促進する、又は触媒する、添加物も含む、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記添加物は、前記材料のエッチング時には界面活性剤として作用する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記添加物は、前記表面層の臨界表面張力を低減する、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記第一の成分及び前記一つ以上の更なる成分の混合物によって作製されるエッチャントは、取り扱いを困難にする物理的特性を有し、かつ前記一つ以上の更なる成分は当該特性を示さないか、又は前記第一の成分及び前記一つ以上の更なる成分の混合物によって作製されるエッチャントより低い程度にて当該特性を示す、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記材料は、二酸化シリコン、窒化シリコン、炭化シリコン、ＴＣＯ、ガラス、有機樹脂、ポリマー、アルミニウム、銅、銀、金、スズ、及び鉛又はそれらの合金、シリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、シリコンーゲルマニウム、アルミニウム−ガリウム−ヒ素、セレン化インジウム、セレン化ガリウム、テルル化カドミウム又はセレン化銅インジウムガリウム（ＣＩＧＳ）からなる群から選択される、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記表面層はポリマー層を含む、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記表面層は水溶性である、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記表面層は、ポリアクリル酸、硫酸ポリスチレン、酸性のポリチオフェン誘導体、酸性のポリアニリン誘導体、又は水溶性のフェノール樹脂の一つを含む、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記堆積組成物はフッ化物イオン源を含む、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記フッ化物イオン源は、フッ化アンモニウム、テトラアルキルアンモニウムフッ化物、フッ化ナトリウム及びフッ化リチウムの一つ以上によって供給される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記材料はシリコン太陽電池デバイスの誘電体層を含み、前記誘電体層のエッチングは同誘電体層に開口を形成する、請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の方法は最終工程を含み、前記最終工程は：
エッチングの後に前記材料の前記マスクされていない露出された表面を洗浄して、前記予め定められたパターンの外側に残る第一の成分からなる層の部分と、不必要な加工生成物と、を除去することを含む、方法。
【請求項１７】
堆積組成物が滴下によって送達される、請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
堆積組成物の液滴が印刷装置を用いて適用される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
堆積組成物が連続した流体流として送達される、請求項１乃至１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記流体流は、電気流体力学印刷装置、連続的なインクジェット印刷装置又はエアロゾルジェット印刷装置のうちの一つである装置によって発生される、請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月18日(2011.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレイの背面照明のための照明装置（１）であって、該照明装置は、
−第１の波長域の電磁放射を発生させるのに適した少なくとも１つの半導体ボディ（３）と、
−前記半導体ボディ（３）の放射方向（８）において前記半導体ボディ（３）の放射前面（６）に後置された、前記第１の波長域の放射を前記第１の波長域とは異なる第２の波長域の放射に変換するのに適した第１の波長変換物質（３０）と、ただし、前記第１の波長域は青色スペクトル領域の放射を含んでおり、前記第２の波長域は緑色スペクトル領域の放射を含んでおり
−前記半導体ボディ（３）の放射方向（８）において前記半導体ボディ（３）の前記放射前面（６）に後置された、前記第１の波長域の放射を前記第１および第２の波長域とは異なる第３の波長域の放射に変換するのに適した第２の波長変換物質（３１）とを有しており、
−前記第３の波長域は赤色スペクトル領域からの放射を有しており、前記第２の波長変換物質（３１）はユーロピウムをドープした窒化ケイ素を有しており、
−前記第１の波長変換物質（３０）はユーロピウムをドープしたクロロシリケートを有しており、青色スペクトル領域からの放射を緑色スペクトル領域からの放射に変換する
ことを特徴とする照明装置（１）。
【請求項２】
前記第１および／または第２の波長変換物質（３１，３１）は、前記半導体ボディ（３）の前記放射前面（６）上に直に接触して配置された波長変換層（２９，３５）に含まれている、請求項１記載の照明装置（１）。
【請求項３】
前記波長変換層（２９，３５）の厚さは端値を含めて２０μｍから４０μｍの間である、請求項１または２記載の照明装置（１）。
【請求項４】
前記第１および／または第２の波長変換物質（２９，３５）はグラウト（３２）に含まれている、請求項１から３のいずれか１項記載の照明装置（１）。
【請求項５】
前記ユーロピウムをドープしたクロロシリケートは前記ユーロピウムをドープした窒化ケイ素に対して端値も含めて０．８から１．２の間の比を有している、請求項１から４のいずれか１項記載の照明装置（１）。
【請求項６】
前記ユーロピウムをドープしたクロロシリケートは前記ユーロピウムをドープした窒化ケイ素に対して端値も含めて０．９から１．１の間の比を有している、請求項１から５のいずれか１項記載の照明装置（１）。
【請求項７】
ＣＩＥ標準色度図の白色領域に色度座標を有する放射を放出し、当該放射の放射スペクトルが、赤色領域、緑色領域および青色領域を有する色フィルタの透過スペクトルに合わせられている、請求項１から６のいずれか１項記載の照明装置（１）。
【請求項８】
前記半導体ボディ（３）と前記第１の波長変換物質（３０）と前記第２の波長変換物質（３１）の上方に光学素子（２４）が配置されている、請求項１から７のいずれか１項記載の照明装置（１）。
【請求項９】
前記光学素子（２４）の放射出射面（２５）は凹曲した部分領域（２６）と光軸（２７）から離れたところで前記凹曲した部分領域（２６）を少なくとも部分的に包囲する凸曲した部分領域（２８）とを有しており、前記光学素子（２４）の光軸（２７）は前記凹曲した部分領域（２６）を貫通している、請求項１から８のいずれか１項記載の照明装置（１）。
【請求項１０】
色度座標に従ってグループ分けされた複数の半導体ボディ（３）を有している、請求項１から９のいずれか１項記載の照明装置（１）。
【請求項１１】
背面照明のために請求項１から１０のいずれか１項記載の照明装置（１）を有しているディスレプイ。
【請求項１２】
赤色領域、緑色領域および青色領域を有する色フィルタを有しており、前記照明装置（１）の放射スペクトルが前記色フィルタの透過スペクトルに適合させられている、請求項１１記載のディスプレイ。