Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年7月30日(2012.7.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質セラミック物品を製造する方法において、
（ａ）基礎バッチ成分、反応性結合剤成分、および水性ビヒクルを含むセラミック押出バッチを配合する工程であって、
前記基礎バッチ成分が、加熱することにより反応して耐火性セラミック相を生成する、酸化物、複合酸化物、金属化合物およびそれらの混合物からなる群より選択される無機成分を含み、
前記反応性結合剤成分が、
セルロースエーテル一時的結合剤と、
(i)炭水化物細孔形成剤、(ii)反応性高電荷密度直鎖ポリマー結合剤、および(iii) メラニン架橋剤、ポリシクロアミド架橋剤、および炭水化物細孔形成剤を架橋させるのに効果的な化学架橋剤からなる群から選択される化学架橋剤、からなる群より選択される少なくとも２種類の活性結合剤成分とを含む、
セラミック押出バッチを配合する工程；
（ｂ）前記押出バッチを可塑化してセラミックプリフォームに成形する工程；
（ｃ）前記セラミックプリフォームを加熱して、前記反応性結合剤成分の各成分のうちで架橋反応を開始させ、前記プリフォームから水を除去して、乾燥セラミックプリフォームを提供する工程；および
（ｄ）前記乾燥セラミックプリフォームを焼成して、前記一時的結合剤、前記反応性結合剤成分、および前記炭水化物細孔形成剤が除去されている多孔質セラミック物品を形成する工程；
を有してなることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記活性結合剤成分がコロイド状アルミナをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記反応性結合剤成分が、少なくとも１種類のセルロースエーテル一時的結合剤、表面荷電アルミナコロイド、少なくとも１種類の炭水化物細孔形成剤、および少なくとも１種類の反応性高電荷密度直鎖ポリマー結合剤を含むことを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記基礎バッチ成分が、前記水性ビヒクルを除いて、前記押出バッチの８３〜９３質量％を構成し、焼成の際にコージエライトの主結晶相を生成する比率で、カオリン粘土、タルク、およびアルミナの各成分を含み、
前記反応性結合剤成分が、前記水性ビヒクルを除いた前記バッチの質量パーセントで表して、６〜１３％の炭水化物細孔形成剤、０．５〜４％のコロイド状アルミナ懸濁液、０．１０〜０．３０％の反応性高電荷密度直鎖ポリマー結合剤、および０〜２％の化学架橋剤を含むことを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項５】
前記基礎バッチ成分が、前記水性ビヒクルを除いて、前記押出バッチの８６〜８９質量％を構成し、
前記反応性結合剤成分が、８〜１０％のデンプン炭水化物細孔形成剤、２〜３％のコロイド状アルミナ懸濁液、０．２〜０．３％のイオネン反応性ポリマー結合剤、および０．１〜０．５％の化学架橋剤を含むことを特徴とする請求項４記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
図１は、本発明によるバッチ中に存在するであろう様々な成分のうちで生じ得る相互作用のいくつかを示している。それゆえ、図１の矢印により示されるように、架橋が、(i)イオネンなどの反応性高電荷密度直鎖ポリマー結合剤とコロイド状アルミナとの間で、イオネンなどの反応性高電荷密度直鎖ポリマー結合剤と細孔形成剤（例えば、デンプン）との間で、イオネンなどの反応性高電荷密度直鎖ポリマー結合剤と界面活性剤との間で、およびイオネンなどの反応性高電荷密度直鎖ポリマー結合剤と環状アミドなどの架橋剤との間で；(ii)架橋剤と界面活性剤との間で；および(iii)架橋剤とデンプン細孔形成剤との間で、および架橋剤とセルロースエーテル一時的結合剤との間で；生じ得る。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年8月24日(2012.8.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を処理する方法であって、
酸窒化シリコン膜を形成するステップと；
１ミリトール〜１００ミリトールの酸化ガス分圧を与える酸化ガス及び窒素ガスの存在下で該酸窒化シリコン膜をアニールする第一アニールステップと；
０．５トール〜３．０トールの酸素分圧を与える流量の酸素ガスで該酸窒化シリコン膜をアニールする第二アニールステップと；
を含む、前記方法。
【請求項２】
酸窒化シリコン膜を形成するステップが、プラズマ窒化物形成によって行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該第一アニールステップが、７００℃以上で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
該第一アニールステップが、１０００℃〜１１００℃で行われる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
該第一アニールステップが、１秒〜１２０秒間行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
該第一アニールステップが、１００ミリトール〜８００トールのチャンバ圧で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
該酸化ガスが、酸素、亜酸化窒素、一酸化窒素、及びオゾンより選ばれるガスである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
該酸化ガスが、酸素である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
該第一アニールステップが、該酸窒化シリコン膜を還元ガスでアニールする工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
該還元ガスが、水素である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
該第一アニールステップが、該酸窒化シリコン膜を不活性ガスでアニールする工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
該第二アニールステップが、９００℃〜１１００℃で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
該第二アニールステップが、１０ミリトール〜１００トールの圧力で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
該第二アニールステップが、１秒〜１２０秒間行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
チャンバ内に配置され且つ酸窒化シリコン膜を有する半導体基板をアニールする方法であって、
酸化ガス及び窒素ガスを含み、１〜１００ミリトールの酸化ガス分圧を与えるガス流を１０００℃〜１１００℃のチャンバ温度で該チャンバに流すステップであって、該酸化ガスが、酸素、亜酸化窒素、一酸化窒素及びオゾンより選ばれるガスである、第一フローステップと；
０.５トール〜３.０トールの酸素分圧を与える流量の酸素ガスを該チャンバに流す、第二フローステップと；
を含み、
前記第一フローステップが、前記第二フローステップより高い温度と高いチャンバ圧で行われ、
前記第一フローステップが、１００ミリトール〜８００トールのチャンバ圧で行われる、方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
[0018]アニールプロセスの第二ステップ２０６は、約１０ミリトール〜約１００トールの減圧で約９００℃〜約１１００℃で行われる。第二アニールステップ２０６は、約１〜約１２０秒間行われる。第二ステップ２０６を制御して、酸窒化シリコンＥＯＴの増加を０.１〜約２オングストロームにする。酸素ガス或いは他の酸化ガスを、ＲＴＰチャンバに導入してもよい。酸化ガスとしては、酸素、亜酸化窒素、一酸化窒素、及びオゾンが挙げられる。好適な第二アニールステップ２０６において、酸素は、約１５秒間、酸素分圧が約０.５トール〜３.０トールになる流量でチャンバへ流される。一例として、約１ｓｌｍの流量を用いて、この範囲内の酸素分圧を得ることができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
[0020]図３は、本発明の実施形態のプロセスを含む、種々のプロセス条件で形成された膜の有効な酸化物厚さの関数として飽和駆動電流のプロットを示す図である。白い丸は、１０００℃において０.５トールの酸素で１５秒間を行った一ステップのアニールを示し（窒素はアニールステップのそれぞれの残部である）、黒い丸は、１０００℃において窒素で１５秒間行った第一アニールステップと０.５トールの酸素で１５秒間の第二アニールステップを示す。黒い三角は、１０００℃において窒素で４５秒間行った第一アニールステップと０.５トールの酸素で１５秒間の第二アニールステップを示し、黒い四角は、９５０℃において窒素で４５秒間行った第一アニールステップと０.５トールの酸素で１５秒間の第二アニールステップを示す。これらの結果によれば、本発明の実施形態の二ステッププロセスは、一ステップアニールプロセスより良好である。酸素と窒素の双方が二ステップアニールプロセスの第一アニールステップにおいて用いることが好ましい。しかしながら、このことは好適実施形態であり、他の実施形態も本発明の範囲内であり得ることは理解される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
[0021]本発明の実施形態の種々のプロセス条件で形成された膜について温度の関数として酸素の分圧を実測した。第一アニールステップにおいて酸素とともに形成されたデバイスは、１０００℃、１０５０℃、１１００℃での第一アニールステップにおいて酸素なしに形成されたデバイスよりも許容し得るものが多かった。これらの結果は、より高い温度で実施される第一アニールステップで酸素を添加することにより、このようなアニールステップで酸素を添加しないのに比べて、より欠陥のないデバイスになることを示している。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年5月22日(2012.5.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
前記グラフトポリマーは約０．０１乃至約１０、より好ましくは１乃至約１０、及びより好ましくは約１乃至約５、より好ましくは約１乃至約４、より好ましくは約１乃至約３のＭＦＲ比（開始ポリマー主鎖のＭＦＲ（１．２ｋｇ＠１９０℃）に対するグラフトポリマーのＭＦＲ（１．２ｋｇ＠１９０℃））を有する。より高い比は鎖切断のレベルが高いポリマーを示しているのに対して、本発明のポリマーは低いＭＦＲを有している。このことは、グラフト工程の間のＭｗ変化が低いことを示している。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５８】
グラフト化されていないポリマー主鎖及びグラフト化ポリマーのＭＦＲ（１．２ｋｇ＠１９０℃）は１９０℃、１．２ｋｇにおける改変ＡＳＴＭ−Ｄ１２３８（Ａ）に従って測定された。このＡＳＴＭ−Ｄ１２３８（Ａ）法は以下のように改変されている。バレル中のポリマーの調製をＡＳＴＭ−Ｄ１２３８（Ａ）では７分であるところを４分で行った。本出願で言及されるＡＳＴＭ−Ｄ１２３８は、この段落で述べたＡＳＴＭ−Ｄ１２３８（Ａ）の変法を意味する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年10月31日(2012.10.31)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック構造体を乾燥する方法において、
マイクロ波発生源からマイクロ波輻射を提供する工程、
中間部及び少なくとも１つの端部を有するセラミックハニカム構造体を提供する工程、
前記セラミックハニカム構造体を前記マイクロ波輻射にさらす工程、及び
前記セラミックハニカム構造体の前記中間部で吸収されるマイクロ波輻射が前記セラミックハニカム構造体の前記少なくとも１つの端部で吸収されるマイクロ波輻射より１０％から４０％多い範囲内にあるように、前記セラミックハニカム構造体の前記少なくとも１つの端部を、前記マイクロ波輻射を直接受けないように遮蔽する工程、
を有してなる方法。
【請求項２】
前記遮蔽する工程が、前記マイクロ波発生源と前記セラミック構造体の間に配置された少なくとも１つのシールド部材であって、前記セラミックハニカム構造体の一部分に重なり、よって前記セラミックハニカム構造体の前記一部分を、前記マイクロ波輻射を直接受けないように遮蔽するシールド部材を提供する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記遮蔽する工程が、前記セラミックハニカム構造体の垂直上方に前記少なくとも１つのシールド部材を配置する工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも１つのシールド部材を提供する工程が、前記セラミックハニカム構造体の第１の端部に重なるように前記少なくとも１つのシールド部材を配置する工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記遮蔽する工程が、前記セラミックハニカム構造体の全長の０％から３０％の範囲に重なるように、前記少なくとも１つのシールド部材を配置する工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記遮蔽する工程が、前記セラミックハニカム構造体から前記マイクロ波輻射の波長の１.５倍以下の距離に前記少なくとも１つのシールド部材を配置する工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
図示される例において、マイクロ波筐体３２は底壁３４，上壁３６及び一対の側壁３８を有する。マイクロ波発生源３０は上壁３６から下方に延び、マイクロ波筐体３２内の中央に配置される。図示される例においては、複数のセラミック構造体１０がマイクロ波筐体３２の内部４０に置かれ、それぞれが対応する支持トレイ４２によって支持される。本発明の方法はバッチタイプ処理または連続移動タイプ処理のいずれによっても達成され得ること、及び筐体３２は単一の構造体１０または複数の構造体を収めるように構成され得ることに注意されたい。さらに、乾燥プロセスを実施する際に、構造体は横置きまたは縦置きにすることができる。一対の平板シールド部材４４がマイクロ波筐体３２の内部４０のマイクロ波発生源３０と構造体１０の端部１３，１６との間でセラミック構造体１０の垂直上方に配置され、構造体１０の中間部１７によって吸収される輻射が端部１３，１６で吸収される輻射以上になるように、セラミック構造体１０の端部１３，１６をマイクロ波輻射を直接受けないように遮蔽する。構造体１０の中間部によって吸収される輻射の量は端部１３，１６によって吸収される輻射より０％から６０％多い範囲内にあることが好ましく、１０％から４０％多い範囲内にあることがさらに好ましい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
上述したように、セラミック構造体１０の端部１３,１６の遮蔽によりセラミック構造体１０内のより一様なパワー分布が得られ、この結果、セラミック構造体１０のより一様な乾燥が得られる。図７に最善に示されるように、従来のマイクロ波乾燥中、すなわち遮蔽が与えられていない乾燥中にマイクロ波輻射にさらされた構造体によって吸収されるパワーの積分散逸値は、構造体の中間部よりも構造体の端部でかなり大きいパワー吸収があることを示している。同様に、図８は構造体の側壁１５の近くで吸収されるパワーも構造体の中心近くで吸収されるパワーよりかなり大きいことを示す。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年4月25日(2012.4.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
特に、ポリシリコン断片を清浄化するための清浄化浴は、化合物の弗化水素酸、塩酸および過酸化水素を含有する酸化性清浄化溶液での少なくとも１つの段階での前清浄化、硝酸および弗化水素酸を含有する清浄化溶液での他の段階での主要清浄化、および酸化性清浄化溶液での他の段階によるポリシリコン断片の親水性化を含む。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
例１ｂ：ジーメンス反応器からのポリシリコンロッドを、破砕用シャーレを備えたロール型破砕機により、低合金工具鋼（元素Ｃｒ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｐ、Ｓ、Ｎ、ＣｅおよびＢの５質量％未満の全合金含量）から一辺が約８０ｍｍの断片に細断した。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年8月22日(2012.8.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１０】
薬学的に利用可能な無機酸は塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、硫酸、リン酸またはそれらの混合物であり、薬学的に利用可能な有機酸はタルタル酸、酢酸、マレイン酸、フマル酸、安息香酸、琥珀酸、乳酸、クエン酸、グルコン酸、メタンスルフォン酸、フェニルスルフォン酸、ｐ−トルエンスルフォン酸またはそれらの混合物であることを特徴とする請求項８記載の化合物。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年8月24日(2012.8.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
仮撚りを与えるためにフィラメントを負荷する場合には、その際、フィラメントに付与された変形はほぼ弾性的、部分弾性的又は塑性的な変形領域における引張り及び圧縮負荷に関連する。この場合には一方では捲縮のためにフィラメントにおける十分な形状変化が保証され、他方では製造プロセス全体に亙って確実な糸案内が保証されなければならない。本発明は、溶融紡糸と仮撚りテクスチャード加工とに際して、プロセス安定性と捲縮との間に、フィラメントの伸びに基づく最適化があるという驚くべき認識に基づいている。したがって本発明によればフィラメント束は仮撚りテクスチャード加工の前にできるだけ高くドラフトされる。このためにはフィラメントを引出す場合の紡糸速度とフィラメントをドラフトするための処理速度とは、フィラメントが仮撚りテクスチャード加工の前に２０％から８０％までの領域の残留伸びを有するように調節される。この場合にはポリマタイプに応じて前記領域のわずかな下回り又はわずかな上回りが可能である。特にポリプロピレンから成るフィラメントのためには仮撚りテクスチャード加工前のフィラメントの３０％と６０％との間の残留伸びの領域において最適化が得られた。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
糸ガイドに関して捲縮と生産安定性との間に十分な状態を方法全体に対して得るためにはドラフトゴデットユニット１１によって調節可能である処理速度は、ＶＢ＝６００から１５００ｍ／ｍｉｎまでの値領域に調節される。この場合に重要なことは、仮撚りゾーンにて案内されたフィラメント束が２０％と８０％との間の残留伸びを有し、ひいてはフィラメントにおける所望の形状付与並びに固定による捲縮安定性が達成されることである。フィラメントの高い残留伸び値は、それが捲縮の低い安定性をもたらすことが示されている。残留伸びが２０％を下回ると、フィラメントの不足する変形性がもたらされ、減じられた捲縮が発生した。その限りにおいて、フィラメントを引出す場合の紡糸速度とフィラメントをドラフトするための処理速度とは、仮撚りテクスチャード加工前のフィラメントが２０％から８０％までの領域の残留伸びを有するように互いに調節される必要がある。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
したがって例えば、ポリプロピレンをベースとしたポリマを用いた紡糸実験過程では１０−５０、有利には１０−３５の値領域において溶融インデックス（ＭＦＩ）を維持する必要のあることが確認された。したがってポリプロピレンをベースとした着色されたポリマ溶融物は、前述の溶融インデックス領域にて糸番手１６７のために、単個フィラメントが６４ある場合に、２８％から３８％までの領域の伸びで最適化が達成される。冷却区間の長さはその際、８００ｍｍである。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
捲縮された合成糸を製造するための方法であって、粘性のポリマ溶融物が多数のフィラメントに押出され、フィラメントが冷却区間の内部での硬化のあとで１つのフィラメント束に纏められ、紡糸速度で引出され、フィラメント束が処理速度に加速され、次いで仮撚りテクスチャード加工によって捲縮され、捲縮された糸をボビンに巻上げる方式のものにおいて、フィラメントを引出す場合の紡糸速度とフィラメントをドラフトするための処理速度とを、フィラメントが仮撚りテクスチャード加工前に２０％から８０％までの間の領域における残留伸びを有するように互いに調節されていることを特徴とする、捲縮された合成糸を製造する方法。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
仮撚りテクスチャード加工の間、均一でかつ強い捲縮をフィラメント束の内部の個々のフィラメントに得るためには、フィラメント束が仮撚りテクスチャード加工のために１つの摩擦装置の複数の摩擦円板によって与えられた仮撚りを有している方法の変化実施例が特に適している。この場合、摩擦円板の周速度はフィラメント束の処理速度よりも係数１．６から２．４だけ大きい。これによって摩擦円板装置の上流側に配置された仮撚りゾーンに固定されることのできる安定した仮撚り柱が紡糸プロセス内部に達成される。固定のためにはフィラメント束は有利にはガラス温度の上側の温度に加熱され、次いで直接＜１００℃の温度に冷却される。これによってきわめて安定した捲縮が達成される。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
捲縮付与と捲縮安定性とのためには、回転する円板を有する摩擦装置を使用した場合に最良の結果が達成されることが判明した。この場合には摩擦円板の周速度は、できるだけ安定した仮撚り柱、ひいては捲縮を固定する間の安定した糸道を得るために、処理速度よりも所定の係数だけ大きく調節される必要がある。摩擦円板の周速度の領域は、市販の摩擦円板を使用した場合にはセラミックから成る場合でも、ポリウレタンから成る場合でも、係数１．６から２．４をもって処理速度ＶＢの上側に調節されることができる。テクスチャードゴデットユニット１６によって決定されたテクスチャード加工速度ＶＴはこの場合、処理速度ＶＢとほぼ同等に選択される。この場合、仮撚りテクスチャード加工装置の内部で所定の糸膨張力状態を調節しかつ維持するためにはドラフトゴデットユニット１１とテクスチャードゴデットユニット１６との間にわずかな速度差が調節されることができる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項７】
仮撚りテクスチャード加工のためにフィラメント束が摩擦装置の複数の摩擦円板によって与えられた仮撚りを得え、その際、摩擦円板の周速度が係数１．６から２．４だけ、フィラメント束の処理速度よりも大きい、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年9月11日(2012.9.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、
Ａｌ  １．２〜＜２．０％
Ｓｉ  １．２〜＜１．８％
Ｃ  ０．００１〜０．１％
Ｓ  ０．００１〜０．１％
Ｃｒ  ０．０３〜０．１％
Ｍｎ  ０．０３〜０．１％
Ｃｕ  最大０．１％
Ｆｅ  ０．０２〜０．２％
Ｍｇ  ０．００５〜０．０６％
Ｐｂ  最大０．００５％
Ｙ  ０．０５〜０．１５％及びＨｆ  ０．０５〜０．１０％又は
Ｙ  ０．０５〜０．１５％及びＬａ  ０．０５〜０．１０％又は
Ｙ  ０．０５〜０．１５％及びＨｆ  ０．０５〜０．１０％及びＬａ  ０．０５〜０．１０％（質量％で）を含有し、
残分が、Ｎｉ及び製造に条件付けられた不純物
からなるニッケルベース合金。
【請求項２】
Ａｌ  １．２〜＜２．０％
Ｓｉ  １．２〜＜１．８％
Ｃ  ０．００１〜０．０５％
Ｓ  ０．００１〜０．０５％
Ｃｒ  ０．０３〜０．１％
Ｍｎ  ０．０３〜０．１％
Ｃｕ  最大０．１％
Ｆｅ  ０．０２〜０．２％
Ｍｇ  ０．００５〜０．０６％
Ｐｂ  最大０．００５％
Ｙ  ０．１０〜０．１５％及びＨｆ  ０．０５〜０．１０％（質量％で）
Ｎｉ残分及び製造に条件付けられた不純物
を含有する請求項１記載のニッケルベース合金。
【請求項３】
Ａｌ  １．２〜＜２．０％
Ｓｉ  １．２〜＜１．８％
Ｃ  ０．００１〜０．０５％
Ｓ  ０．００１〜０．０５％
Ｃｒ  ０．０３〜０．１％
Ｍｎ  ０．０３〜０．１％
Ｃｕ  最大０．１％
Ｆｅ  ０．０２〜０．２％
Ｍｇ  ０．００５〜０．０６％
Ｐｂ  最大０．００５％
Ｙ  ０．１０〜０．１５％及びＬａ  ０．０５〜０．１０％（質量％で）
Ｎｉ残分及び製造に条件付けられた不純物
を含有する請求項１記載のニッケルベース合金。
【請求項４】
Ａｌ  １．２〜＜２．０
Ｓｉ  １．２〜＜１．８％
Ｃ  ０．００１〜０．０５％
Ｓ  ０．００１〜０．０５％
Ｃｒ  ０．０３〜０．１％
Ｍｎ  ０．０３〜０．１％
Ｃｕ  最大０．１％
Ｆｅ  ０．０２〜０．２％
Ｍｇ  ０．００５〜０．０６％
Ｐｂ  最大０．００５％
Ｙ  ０．１０〜０．１５％及びＨｆ  ０．０５〜０．１０％及びＬａ  ０．０５〜０．１０％
（質量％で）を含有する請求項１記載のニッケルベース合金。
【請求項５】
Ａｌ  １．２〜１．５％
Ｓｉ  １．２〜１．５％
の含量（質量％で）を有する、請求項１から４までのいずれか１項記載のニッケルベース合金。
【請求項６】
Ｍｇ  ０．００８〜０．０５％
の含量（質量％で）を有する、請求項１から５までのいずれか１項記載のニッケルベース合金。
【請求項７】
Ｙ＋Ｈｆ  ０．１１〜０．１８％
の含量（質量％で）を有する、請求項１から６までのいずれか１項記載のニッケルベース合金。
【請求項８】
Ｙ＋Ｌａ  ０．１１〜０．１８％
の含量（質量％で）を有する、請求項１から６までのいずれか１項記載のニッケルベース合金。
【請求項９】
Ｙ＋Ｈｆ＋Ｌａ  ０．１８〜０．２２％
の含量（質量％で）を有する、請求項１から６までのいずれか１項記載のニッケルベース合金。
【請求項１０】
Ｙ＋Ｍｇ  ０．１１〜０．１３％
の含量（質量％で）を有する、請求項１から９までのいずれか１項記載のニッケルベース合金。
【請求項１１】
さらに、Ｔｉを含有する、請求項１から１０までのいずれか１項記載のニッケルベース合金。
【請求項１２】
内燃機関の着火要素のための電極材料としての請求項１から１１までのいずれか１項記載のニッケルベース合金の使用。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
発明による主題の目的は、スパークエロージョン−及び酸化抵抗性の向上により、同時に良好な成形性及び溶接性で、製造される部材の使用期間の向上をもたらすニッケルベース合金を提供することである。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
この目的は、質量％で、
【表１】
2009544855.tif 000001
を含有するニッケルベース合金により達成される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
【表２】
2009544855.tif 000002
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
【表３】
2009544855.tif 000003
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
【表５】
2009544855.tif 000004
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年4月19日(2012.4.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
掃除用電気器具に用いられ、複数のフィルタ部分と、リムとを有するフィルタ組立体であって、前記フィルタ部分が前記リムによって包囲され、前記リムによって互いに隣り合って保持されている、フィルタ組立体において、前記リムは、前記フィルタ組立体が収納された電気器具の一部に密着できるよう変形可能であり、前記リムは、前記掃除用電気器具内における前記フィルタ組立体の不正確な配向を阻止する、前記リムから外方に延びる突出部を含み、前記複数のフィルタ部分は、不織材料から作られた第１のフィルタ部分と、前記第１のフィルタ部分の下流側に位置する第２のフィルタ部分と、前記第１のフィルタ部分の上流側に位置する第３のフィルタ部分とを有し、前記第２のフィルタ部分および第３のフィルタ部分は、目の荒い織物又はメッシュ材料から作られている、フィルタ組立体。
【請求項２】
前記変形可能なリムは、柔軟性及び可撓性がある、請求項１記載のフィルタ組立体。
【請求項３】
前記変形可能なリムは、ポリウレタン材料から成る、請求項１又は２に記載のフィルタ組立体。
【請求項４】
前記フィルタ部分のうちの少なくとも１つは、前記変形可能なリムに結合されている、請求項１〜３のうちいずれか一に記載のフィルタ組立体。
【請求項５】
前記フィルタ組立体は、洗浄可能である、請求項１〜４のうちいずれか一に記載のフィルタ組立体。
【請求項６】
前記変形可能なリムは、クリーニング作業中、前記フィルタ組立体がユーザによって扱い可能であると共に押しつぶし可能であるように構成されている、請求項１〜５のうちいずれか一に記載のフィルタ組立体。
【請求項７】
前記変形可能なリムは、前記フィルタ組立体を電気器具内に位置決めしている作業中、前記フィルタ組立体がユーザによって扱い可能であると共に撓み可能であるように構成されている、請求項１〜６のうちいずれか一に記載のフィルタ組立体。
【請求項８】
空気流経路と、前記空気流経路中に設けられた少なくとも１つのフィルタ組立体とを有する真空掃除機において、前記少なくとも１つのフィルタ組立体は、請求項１〜７のうちいずれか一に記載のフィルタ組立体である、真空掃除機。
【請求項９】
前記フィルタ組立体を収容するようになったハウジングを有し、使用にあたり、前記変形可能なリムは、変形して前記ハウジングに当接し、そして前記フィルタ組立体を前記ハウジングと協働して密封するよう構成されている、請求項８記載の真空掃除機。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
好ましくは、フィルタ組立体は、第１のフィルタ部分の下流側に設けられていて、静電濾過材から成る第２のフィルタ部分を更に有し、第１のフィルタ部分と第２のフィルタ部分は、変形可能なリムによって互いにすぐ隣り合わせに保持されている。好ましくは静電フィルタは、第１のフィルタ部分に面する第２のフィルタ部分の側面上に配置される。不織又はフォーム材料の第１のフィルタ部分から逃げ出たほこり又は汚れは、静電フィルタによって捕捉される。これは、フィルタ組立体が真空掃除機のモータ前置フィルタを形成する場合に特に重要である。もしそうならないでフィルタ組立体から放出された汚れやほこりは、モータに入ってこれを損傷させるのが阻止される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
リム１１２は、円筒形外壁１２４を備えた環状リング１２０を有している。リム１１２は、ポリウレタンで作られている。リム１１２は、第２のフィルタ部分１６に隣接して位置する下縁部１４０及び第３のフィルタ部分１８に隣接して位置する上縁部１４２を有している。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５７】
フィルタ部分は、リム３１２によって画定されている。リム３１２は、円筒形外壁２１を備えた環状リング３２０を有している。リム３１２は、ポリウレタン材料で作られている。リム３１２は、第２のフィルタ部分１６に隣接して位置する下縁部３４０及び第３のフィルタ部分１８に隣接して位置する上縁部３４２を有している。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年4月19日(2012.4.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のフィルタ部分を有する掃除用電気器具用フィルタ組立体であって、前記フィルタ部分は、前記フィルタ部分の縁部に沿ってぐるりと変形可能なリムによって画定されると共に互いに隣接して保持されており、
前記複数のフィルタ部分は、第１のフィルタ部分と第２のフィルタ部分と第３のフィルタ部分を有し、前記第２のフィルタ部分は、前記第１のフィルタ部分の下流側に設けられていて、静電濾過材から成り、前記第３のフィルタ部分は、前記第１のフィルタ部分の上流側に設けられていて、メッシュ材料から成り、
前記変形可能なリムは、前記フィルタ組立体のクリーニング中、前記フィルタ組立体がユーザによって扱い可能であると共に押しつぶし可能であるように柔軟性且つ可撓性を有する、
フィルタ組立体。
【請求項２】
前記複数のフィルタ部分は、不織又はフォーム濾過材で作られた第１のフィルタ部分を有する、請求項１記載のフィルタ組立体。
【請求項３】
前記第２のフィルタ部分は、目の荒い織物又はメッシュ材料で作られている、請求項１又は２記載のフィルタ組立体。
【請求項４】
前記第１のフィルタ部分と前記第３のフィルタ部分は、前記変形可能なリムによって互いにすぐ隣り合わせに保持されている、請求項１〜３のうちいずれか一に記載のフィルタ組立体。
【請求項５】
前記変形可能なリムは、ポリウレタン材料から成る、請求項１〜４のうちいずれか一に記載のフィルタ組立体。
【請求項６】
前記フィルタ部分のうちの少なくとも１つは、前記変形可能なリムに結合されている、請求項１〜５のうちいずれか一に記載のフィルタ組立体。
【請求項７】
前記フィルタ組立体は、洗浄可能である、請求項１〜６のうちいずれか一に記載のフィルタ組立体。
【請求項８】
前記フィルタ組立体の表面にはタブが取り付けられており、前記タブは、前記フィルタ組立体の取扱い及び洗浄を容易にするよう配置されている、請求項１〜７のうちいずれか一に記載のフィルタ組立体。
【請求項９】
前記タブは、前記第１のフィルタ部分から見て遠くに位置する前記第３のフィルタ部分の表面に取り付けられ、前記タブは、前記変形可能なリムのところで前記第３のフィルタ部分に固定されている、請求項８記載のフィルタ組立体。
【請求項１０】
前記変形可能なリムは、電気器具ハウジング内における前記フィルタ組立体の不正確な配向を阻止するようになった位置決め手段を有するよう構成されている、請求項１〜９のうちいずれか一に記載のフィルタ組立体。
【請求項１１】
前記位置決め手段は、前記リムに設けられていて、前記リムから外方に延びる突出部を含む、請求項１０記載のフィルタ組立体。
【請求項１２】
空気流経路と、前記空気流経路中に設けられた少なくとも１つのフィルタ組立体とを有する真空掃除機において、前記少なくとも１つのフィルタ組立体は、請求項１〜１１のうちいずれか一に記載のフィルタ組立体である、真空掃除機。
【請求項１３】
前記フィルタ組立体を収容するようになったハウジングを有し、使用にあたり、前記変形可能なリムは、前記ハウジングに圧接して前記フィルタ組立体を前記ハウジングと協働して密封するよう構成されている、請求項１２記載の真空掃除機。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
好ましくは、フィルタ組立体は、第１のフィルタ部分の下流側に設けられていて、静電濾過材から成る第２のフィルタ部分を更に有し、第１のフィルタ部分と第２のフィルタ部分は、変形可能なリムによって互いにすぐ隣り合わせに保持されている。好ましくは静電フィルタは、第１のフィルタ部分に面する第２のフィルタ部分の側面上に配置される。不織又はフォーム材料の第１のフィルタ部分から逃げ出たほこり又は汚れは、静電フィルタによって捕捉される。これは、フィルタ組立体が真空掃除機のモータ前置フィルタを形成する場合に特に重要である。もしそうならないでフィルタ組立体から放出された汚れやほこりは、モータに入ってこれを損傷させるのが阻止される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
リム１１２は、円筒形外壁１２４を備えた環状リング１２０を有している。リム１１２は、ポリウレタンで作られている。リム１１２は、第２のフィルタ部分１６に隣接して位置する下縁部１４０及び第３のフィルタ部分１８に隣接して位置する上縁部１４２を有している。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５７】
フィルタ部分は、リム３１２によって画定されている。リム３１２は、円筒形外壁２１を備えた環状リング３２０を有している。リム３１２は、ポリウレタン材料で作られている。リム３１２は、第２のフィルタ部分１６に隣接して位置する下縁部３４０及び第３のフィルタ部分１８に隣接して位置する上縁部３４２を有している。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月2日(2012.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタルコンテンツを得るための装置であって、
記憶機器と、
セルラネットワークと通信するように操作可能である第１の無線トランシーバと、
無線ゲートウェイと通信するように操作可能である第２の無線トランシーバと、
プロセッサと、を備え、
前記プロセッサは、
外部メモリからダウンロードするのに利用可能なデジタルコンテンツのリストを記憶する外部データベースと前記セルラネットワークを介して通信し、デジタルコンテンツを求めて前記外部データベースを検索して、前記装置にダウンロードするために、前記第１の無線トランシーバを使用し、
前記外部メモリと前記無線ゲートウェイを介して通信して、検索によって識別されたデジタルコンテンツをダウンロードするために、前記第２の無線トランシーバを使用し、
前記記憶機器にダウンロードしたデジタルコンテンツを記憶し、かつ
前記ダウンロードしたデジタルコンテンツを再生するように操作可能である装置。
【請求項２】
請求項１記載の装置において、
前記プロセッサは、検索によって識別されたデジタルコンテンツをダウンロードするために、前記第１の無線トランシーバを使用するのか、それとも前記第２の無線トランシーバを使用するのかをコストに基づいて判断するようにさらに操作可能である装置。
【請求項３】
請求項１記載の装置において、
前記プロセッサは、検索によって識別されたデジタルコンテンツをダウンロードするために、前記第１の無線トランシーバを使用するのか、それとも前記第２の無線トランシーバを使用するのかを待ち時間、コンテンション、配信速度、帯域幅のうちの少なくとも１つに基づいて判断するようにさらに操作可能である装置。
【請求項４】
請求項１記載の装置において、
前記プロセッサは、前記第１の無線トランシーバと前記第２の無線トランシーバとを同時に使用するようにさらに操作可能である装置。
【請求項５】
請求項１記載の装置において、
前記プロセッサは、前記第１の無線トランシーバを使用するのか、それとも前記第２の無線トランシーバを使用するのかを自動的に判断するようにさらに操作可能である装置。
【請求項６】
請求項１記載の装置において、
前記プロセッサは、前記第１の無線トランシーバを使用するのか、それとも前記第２の無線トランシーバを使用するのかをユーザのプログラム可能な属性に基づいて判断するようにさらに操作可能である装置。
【請求項７】
請求項１記載の装置において、
前記セルラネットワークは、ＧＳＭネットワーク、ＣＤＭＡネットワーク、ＴＤＭＡネットワーク、ＥＤＧＥネットワーク、ＥｖＤＯネットワーク、２Ｇセルラネットワーク、２−１／２Ｇセルラネットワーク、３Ｇセルラネットワーク、４Ｇセルラネットワークのうちの１つを備える装置。
【請求項８】
請求項１記載の装置において、
前記装置は、デジタル音声／映像プレーヤを有する電話を備える装置。
【請求項９】
請求項１記載の装置において、
前記プロセッサは、企業目標および達成目標に基づく接続のために前記第１の無線トランシーバまたは前記第２の無線トランシーバを選択するようにさらに操作可能である装置。
【請求項１０】
請求項１記載の装置において、
前記第１の無線トランシーバは無線チップを備え、前記第２の無線トランシーバはＷｉＦｉトランシーバを備える装置。
【請求項１１】
ユーザ制御の装置がデジタルコンテンツを得るための方法であって、
前記ユーザ制御の装置で、
外部メモリからダウンロードするのに利用可能なデジタルコンテンツのリストを記憶する外部データベースと電話ネットワークを介して通信し、デジタルコンテンツを求めて前記外部データベースを検索して、前記ユーザ制御の装置にダウンロードし、
前記外部メモリと無線ネットワークを介して通信して、検索によって識別されたデジタルコンテンツを前記外部メモリから受信し、かつ
前記受信したデジタルコンテンツを再生することを行うステップを含み、
前記ユーザ制御の装置は、前記電話ネットワークと通信するように操作可能である第１の無線トランシーバと、前記無線ネットワークと通信するように操作可能である第２の無線トランシーバとを備える方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の方法において、
前記電話ネットワークは、セルラネットワークを備える方法。
【請求項１３】
請求項１１記載の方法において、
前記電話ネットワークは、ＰＯＴＳネットワークを備える方法。
【請求項１４】
請求項１１記載の方法において、
前記デジタルコンテンツは、前記ユーザ制御の装置上に表示可能なメッセージデータを含む方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の方法において、
ポップアップ画面に前記メッセージデータを表示するステップをさらに含む方法。
【請求項１６】
請求項１４記載の方法において、
ボックスに前記メッセージデータを表示するステップをさらに含む方法。
【請求項１７】
請求項１４記載の方法において、
前記メッセージデータは、請求メッセージ、ＴＯＳメッセージ、コンテンツに関するメッセージのうちの１つを含む方法。
【請求項１８】
請求項１４記載の方法において、
前記メッセージデータは、音声メッセージ、映像、画像、テキスト、テキスト音声メッセージのうちの少なくとも１つを含む方法。
【請求項１９】
請求項１１記載の方法において、
デジタルコンテンツを求めて前記外部データベースを検索して、前記ユーザ制御の装置にダウンロードするために、対話型音声応答システムを使用するステップをさらに含む方法。
【請求項２０】
請求項１１記載の方法において、
前記第１の無線トランシーバは無線チップを備え、前記第２の無線トランシーバはＷｉＦｉトランシーバを備える方法。
【請求項２１】
請求項１１記載の方法において、
前記ユーザ制御の装置にデジタルコンテンツを記憶するステップをさらに含む方法。
【請求項２２】
請求項１１記載の方法において、
前記デジタルコンテンツは、前記外部メモリから前記ユーザ制御の装置にストリーム配信される方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年6月5日(2012.6.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンカーを有し、該アンカーは、
壁を備え、該壁は、
ねじ山を備えた外面と、
内面とを備え、前記アンカーは、
第一端部と、
第二端部とを更に備え、
前記アンカーの第一端部は、前記アンカーを骨内に固定するように構成されたドライバに合わされるように形状決めされており、
第一端部と、第二端部と、外壁とを備えたプラグを更に有する手術器具において、アンカーおよびプラグは、結び目のない縫合糸をアンカーするように構成された結び目のない縫合糸アンカーを形成し、かつ縫合糸の引っ張りおよび引っ張り直しを可能にし、
前記アンカーは、該アンカーの第一端部から該アンカーの第二端部へテーパしており、
前記アンカーの第一端部は、前記アンカーの第二端部よりも大きい径を有することを特徴とする手術器具。
【請求項２】
プラグの外壁およびアンカーの内壁の各々は、ねじのような態様で互いに係合してアンカー内に結び目のない縫合糸を解放可能に固定するように構成されていることを特徴とする請求項１記載の手術器具。
【請求項３】
前記プラグの第一端部は、前記プラグの第二端部よりも大きい径を有することを特徴とする請求項１記載の手術器具。
【請求項４】
前記アンカーの壁によって構成された内部空間は、第一端部と、該第一端部の遠位側にある第二端部とを有し、前記内部空間の第一端部は、前記内部空間の第二端部よりも大きい径を有することを特徴とする請求項１記載の手術器具。
【請求項５】
前記プラグの第一端部は、前記プラグの第二端部よりも大きい径を有することを特徴とする請求項４記載の手術器具。
【請求項６】
前記アンカーの壁によって構成された内部空間は、円錐形であり、前記プラグも円錐形であり、前記プラグは、前記アンカー内に入れ子式に配置されるように構成されていることを特徴とする請求項１記載の手術器具。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
第一態様では、（ａ）アンカーを有し、該アンカーは、（ｉ）壁を備え、該壁は、（１）ねじ山を備えた外面と、（２）内面とを有し、（ｉｉｉ）第一端部と、（ｉｖ）第二端部とを更に備え、（ｂ）第一端部と、第二端部と、外壁とを備えたプラグを更に有する手術器具において、アンカーおよびプラグは、縫合糸をアンカーできる縫合糸アンカーを形成することを特徴とする手術器具が提供される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
一実施形態では、プラグの外壁は、摩擦嵌めによりアンカーの内面と係合できるねじ山を有している。他の実施形態では、内面はねじ山を有している。他の実施形態では、プラグの外壁およびアンカーの内壁の各々は、ねじのような態様で互いに係合してアンカー内にプラグを固定できる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
図３−図８を参照すると、アンカー３１０は、外面３１１、内面３１２、第一端部３１３、および第二端部３１４を備えた壁を有し、内面３１２にはプラグ３２０を固定するねじ山を設けてもよいし、設けなくてもよい。内面３１２にねじ山が設けられていてもいなくても、プラグ３２０と、縫合糸アンカー３００内にプラグ３２０を固定する内面３１２とは、摩擦嵌めで嵌合される。或る場合には、第一端部３１３の直径は第二端部３１４の直径より大きいのに対し、他の実施形態では、第一端部３１３の直径と第二端部３１４の直径とは等しい。プラグ３２０はねじ山３２５を備えた外壁３２１を有し、これにより、縫合糸（単一または複数）３３０がアンカー３１０内に垂らされて、プラグ３２０がアンカー３１０内に挿入されると、プラグ３２０は、該プラグ３２０と壁３１１の内面３１２との間の摩擦嵌めを介して縫合糸（単一または複数）３３０を固定する。図５−図８には、上腕骨５１０内に固定された縫合糸アンカー３００および該縫合糸アンカー３００内にアンカーされた縫合糸５３０が示されている。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
１００  縫合糸挿通器
１４０  縫合糸ループ
３００  縫合糸アンカー
３１０  アンカー
３２０  プラグ
３２５  ねじ山
３３０、５３０  縫合糸
５１０  トンネル
５２０  上腕骨
９００  カニューレ
９１０、９２０  チャンバ
９３０  空気通路
９４０  弁
９５０  第一ドーナツ
９６０  第二ドーナツ
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年5月15日(2012.5.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
Ｈｅｉｊｅｎその他に発行された米国特許第５，８６３，４３５号および第６，１８３，６４２号では、少なくとも１つの反応器でアンモニアが豊富な排水を生物学的に処理することについて記載し、ここでは、排水が、スラッジを定着させず、硝化および脱窒細菌の懸濁状態での自然選択により獲得された団体で前記反応器を通過し、酸素を供給する第１段階では、亜硝酸が豊富な排水を形成し、このように獲得した亜硝酸が豊富な排水を、酸素を供給しない第２段階では、アンモニアの豊富な排水と硝化細菌との接触時間がせいぜい約２日間、媒質のｐＨが６．０と８．５の間に制御されるような方法で、無機性または有機性の電子供与体が存在する状態で脱窒し、成長によって形成された硝化および脱窒細菌の余剰、および脱窒により形成された溶出物が抽出される。また、硝化および脱窒細菌の成長率は、供給された処理すべき排水の反応器内での対流時間によって都合良く制御される。無機性の電子供与体は、水素ガス、硫化物、亜硫酸塩および鉄（ＩＩＩ）イオンで構成されたグループから選択され、有機性の前記電子供与体は、ブドウ糖および有機酸、アルデヒドおよび１個から１８個の炭素原子を有するアルコールで構成されたグループから選択される。しかし、このようなシステムは、洗い流し、有毒物質の導入に基づいて故障することがあり、システムが適切に機能する前に遅延時間がある。また、メタノールなどの有機溶剤は液体であり、液体として導入することができるが、可燃性かつ有毒であり、多くの排水システムのオペレータには好まれていない。ブドウ糖およびデキストロースなどの低炭水化物は、無毒であるが、固体であり、水処理システムに導入するために特殊な固体送出方法を必要とし、したがって産業では一般的に使用されない。低炭水化物の水性溶液を使用してよいが、このような溶液は早期生物分解を実行され、一般的に硝化および脱窒細菌にとって有害である抗菌物質を導入する必要がある。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
例えば、硝化および脱窒の場合、メタノールおよび他の有機溶剤を電子供与体または炭素源として使用する。しかし、このような溶剤は可燃性かつ有毒であり、その大規模使用は、特別な保存などの取扱いの困難を引き起こす。また、多くの細菌によるメタノールの代謝率は、システムによっては遅すぎ、その結果、滞在時間が延長し、処理の生産性が低下する。したがって、メタノールおよび他の炭素源の制限を克服する炭素源に対する要求がある。本発明は、純粋なメタノールおよび他の溶剤より毒性が低く、不燃性であり、炭素源にとって必要な場合に、沈降せずに他の微量栄養素を添加することができ、使用および保存中に微生物および他の微生物による早期分解がなく、脱窒細菌の存在下で硝酸を窒素に還元する能力を有する代替電子供与体または炭素源および組成も含む。このような代替炭素源には、グルコース、果糖、デキストロース、麦芽糖、ショ糖、他の糖類、マルトデキシトリン（ＣＡＳ＃９０５０−３６−６）、コーンシロップ固体（ＣＡＳ＃６８１３１−３７−３）、デンプン、およびセルロース誘導体、例えばヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルセルロースなどの炭水化物、および他の炭素含有化合物があるが、これに制限されない。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
液体炭素源は、固体または液体炭素源を水中で溶解させ、細菌の早期成長を防止する細菌安定剤と、必要に応じて微量栄養素を添加して作成する。有用な組成の一例は、１００ｍｌの水中に溶解した約７．６％の単糖、６．９％の二糖、７．０％の三糖、６．８％の四糖、および７１．７％の四糖以上の糖類を含む約１００ｇの炭水化物混合物である。また、前述した微生物の早期成長を防止する安定剤、さらには炭素含有率を上げ、微生物の成長をさらに安定させる他の炭素源を添加してもよい。その例には、メタノール、エタノール、エチレングリコールおよびグリセロールがあり、これは可燃性および可溶性を妥協することなく、必要に応じて約３％から４０％またはそれ以上添加することができる。さらに、ミネラル、ビタミン、他の炭水化物およびアミノ酸などの微量栄養素も、必要に応じて沈降せずに水性炭素混合物に添加することができる。単糖および多糖の組成および濃度は、炭素または電子供与体源の粘度および濃度の要件に応じて変更してよい。使用できる単糖は、グルコース、ガラクトース、および果糖である。使用できる二糖はショ糖、乳糖および麦芽糖である。単糖および二糖は、粘度が低い炭素溶液を提供し、オリゴ糖および多糖を使用すると、同じ炭素濃度で粘度が高くなる。場合によっては、可溶性の炭素または電子供与体源を使用すると都合が良いが、微生物または酵素によって漸進的に溶解または分解し、制御された放出率で材料を放出する部分可溶性炭素または電子供与体を使用すると有用である。一例は、可溶性オリゴ糖、多糖、さらにはスターチなどの不溶性多糖、または好気性および嫌気性ゾーンに制御した状態で放出するよう処方された単糖および多糖を使用することである。