【手続補正書】
【提出日】平成26年8月25日(2014.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスにおいて半導体層と接触しているゲート絶縁層であって、ポリシクロオレフィンポリマー、またはポリシクロオレフィンポリマーを含むポリマー組成物を含む、前記ゲート絶縁層。
【請求項２】
ポリシクロオレフィンポリマーがノルボルネン系ポリマーである、請求項１に記載のゲート絶縁層。
【請求項３】
ポリシクロオレフィンポリマーが、ペンダント架橋性基を有する第１タイプの繰り返し単位を含む、請求項１または２に記載のゲート絶縁層。
【請求項４】
ペンダント架橋性基が潜在性架橋性基である、請求項３に記載のゲート絶縁層。
【請求項５】
ペンダント架橋性基が、マレイミド、３−モノアルキルマレイミド、３，４−ジアルキルマレイミド、エポキシ、ビニル、アセチル、インデニル、シンナマート、もしくはクマリン基であるか、または、ペンダント架橋性基が、置換または非置換のマレイミド部分、エポキシド部分、ビニル部分、シンナマート部分もしくはクマリン部分を含む、請求項３または４に記載のゲート絶縁層。
【請求項６】
ペンダント架橋性基を有する第１タイプの繰り返し単位が、以下のモノマー：
【化１】
2013541191.tif 000001
式中、ｎは１〜８の整数であり、Ｑ１およびＱ２は各々互いに独立して−Ｈまたは−ＣＨ３であり、およびＲ’は−Ｈまたは−ＯＣＨ３である、
の任意の１つに由来する、請求項３〜５のいずれか一項に記載のゲート絶縁層。
【請求項７】
ポリシクロオレフィンポリマーが、第１タイプの繰り返し単位とは異なる第２タイプの繰り返し単位を含む、請求項３〜６のいずれか一項に記載のゲート絶縁層。
【請求項８】
ポリシクロオレフィンポリマーが、式Ｉ：
【化２】
2013541191.tif 000002
式中、Ｚは−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−、または−Ｏ−から選択され、ｍは０〜５の整数であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４の各々は独立してＨ、Ｃ１〜Ｃ２５ヒドロカルビル、Ｃ１〜Ｃ２５ハロヒドロカルビル、またはＣ１〜Ｃ２５ペルハロカルビル基から選択される、
で表される１または２以上のタイプの繰り返し単位を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載のゲート絶縁層。
【請求項９】
ポリシクロオレフィンポリマーが、式Ｉで表される１または２以上のタイプの繰り返し単位および式ＩＩで表される１または２以上のタイプの繰り返し単位：
【化３】
2013541191.tif 000003
式中、Ｚは−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−、または−Ｏ−から選択され、ｍは０〜５の整数であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ならびにＲ４およびＲ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８の各々は独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ２５ヒドロカルビル、Ｃ１〜Ｃ２５ハロヒドロカルビル、またはＣ１〜Ｃ２５ペルハロカルビル基から選択され、および式中、式Ｉの繰り返し単位は式ＩＩの繰り返し単位とは異なる、
を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載のゲート絶縁層。
【請求項１０】
請求項８または９に記載のゲート絶縁層であって、式Ｉおよび式ＩＩの繰り返し単位が、互いに独立して、以下の部分式：
【化４】
2013541191.tif 000004
【化５】
2013541191.tif 000005
【化６】
2013541191.tif 000006
【化７】
2013541191.tif 000007
【化８】
2013541191.tif 000008
【化９】
2013541191.tif 000009
【化１０】
2013541191.tif 000010
式中、「Ｍｅ」はメチルを意味し、「Ｅｔ」はエチルを意味し、「ＯＭｅ−ｐ」はパラメトキシを意味し、「Ｐｈ」および「Ｃ６Ｈ５」はフェニルを意味し、「Ｃ６Ｈ４」はフェニレンを意味し、「Ｃ６Ｆ５」はペンタフルオロフェニルを意味し、「ＯＡｃ」はアセテートを意味し、「ＰＦＡｃ」は−ＯＣ（Ｏ）−Ｃ７Ｆ１５を意味し、およびメチレン架橋基を有する上記の部分式のそれぞれに対し、該メチレン架橋は、共有結合または−（ＣＨ２）ｐ−を含み、およびｐは１〜６の整数である、
からなる群から選択されるノルボルネン系モノマーにより形成される、前記ゲート絶縁層。
【請求項１１】
ポリマー組成物が、第１ポリシクロオレフィンポリマーと第２ポリシクロオレフィンポリマーのブレンドを含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のゲート絶縁層。
【請求項１２】
第１ポリシクロオレフィンポリマーが式Ｉで表される１または２以上のタイプの繰り返し単位を含み、および第２ポリシクロオレフィンポリマーが式ＩＩで表される１または２以上のタイプの繰り返し単位を含み：
【化１１】
2013541191.tif 000011
式中、Ｚは−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−、または−Ｏ−から選択され、ｍは０〜５の整数であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４ならびにＲ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８の各々は独立してＨ、Ｃ１〜Ｃ２５ヒドロカルビル、Ｃ１〜Ｃ２５ハロヒドロカルビル、またはＣ１〜Ｃ２５ペルハロカルビル基から選択され、および式中、式Ｉの繰り返し単位は式ＩＩの繰り返し単位とは異なる、
請求項１１に記載のゲート絶縁層。
【請求項１３】
ポリマーまたはポリマー組成物が、溶媒、架橋剤、任意の反応性溶媒、安定剤、ＵＶ増感剤および熱増感剤の１または２以上をさらに含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のゲート絶縁層。
【請求項１４】
ポリマーまたはポリマー組成物が、架橋性基を有する１または２以上の繰り返し単位を含み、ゲート絶縁層がさらに、表面活性官能基と、前記ポリマーまたはポリマー組成物の繰り返し単位の前記架橋性基と架橋可能な架橋性官能基とを含む化合物である接着促進剤を含む、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のゲート絶縁層。
【請求項１５】
接着促進剤が、式ＩＩＩ：
Ｇ−Ａ’−Ｐ          ＩＩＩ
式中、Ｇは表面活性基であり、Ａ’は単結合またはスペーサー基、結合基または架橋基であり、およびＰは架橋性基である、
で表される化合物である、請求項１４に記載のゲート絶縁層。
【請求項１６】
接着促進剤の表面活性基が、式ＳｉＲ１２Ｒ１３Ｒ１４で表されるシラン基、または式−ＮＨ−ＳｉＲ１２Ｒ１３Ｒ１４で表されるシラザン基であり、式中Ｒ１２、Ｒ１３、およびＲ１４は各々独立して、ハロゲン、シラザン、Ｃ１〜Ｃ１２−アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキルアミノ、置換されていてもよいＣ５〜Ｃ２０−アリールオキシ、および置換されていてもよいＣ２〜Ｃ２０−ヘテロアリールオキシから選択され、および式中、Ｒ１２、Ｒ１３、およびＲ１４の１つまたは２つはまた、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル、置換されていてもよいＣ５〜Ｃ２０−アリールまたは置換されていてもよいＣ２〜Ｃ２２−ヘテロアリールを表してもよい、請求項１４または１５に記載のゲート絶縁層。
【請求項１７】
接着促進剤の架橋性基が、マレイミド、３−モノアルキル−マレイミド、３，４−ジアルキルマレイミド、エポキシ、ビニル、アセチル、インデニル、シンナマート、もしくはクマリン基から選択されるか、または、架橋性基が、置換または非置換のマレイミド部分、エポキシド部分、ビニル部分、シンナマート部分もしくはクマリン部分を含む、請求項１４〜１６のいずれか一項に記載のゲート絶縁層。
【請求項１８】
接着促進剤が、以下の構造：
【化１２】
2013541191.tif 000012
式中、ＳｉＲ１２Ｒ１３Ｒ１４は請求項１６に定義される通りであり、Ａ’は請求項１５に定義される通りであり、ならびにＲ１０およびＲ１１は各々独立して、ＨまたはＣ１〜Ｃ６アルキル基である、
を有する化合物である、請求項１４〜１７のいずれか一項に記載のゲート絶縁層。
【請求項１９】
ポリマーまたはポリマー組成物が、架橋性基を有する１または２以上の繰り返し単位を含み、ゲート絶縁層が、前記ポリマーまたはポリマー組成物の繰り返し単位の前記架橋性基と架橋可能な２または３以上の架橋性官能基を含む化合物である架橋剤を含む、請求項１〜１８のいずれか一項に記載のゲート絶縁層。
【請求項２０】
架橋剤が、式ＩＶ１またはＩＶ２：
Ｐ−Ｘ−Ｐ                    ＩＶ１
Ｈ４−ｍＣ（Ａ”−Ｐ）ｍ          ＩＶ２
式中、ＸはＡ”−Ｘ’−Ａ”であり、Ｘ’はＯ、Ｓ、ＮＨ、または単結合であり、Ａ”は単結合またはスペーサー基、結合基または架橋基であり、Ｐは請求項１５の意味を有し、およびｍは２、３または４である、
の化合物である、請求項１９に記載のゲート絶縁層。
【請求項２１】
架橋剤の架橋性基が、マレイミド、３−モノアルキル−マレイミド、３，４−ジアルキルマレイミド、エポキシ、ビニル、アセチル、インデニル、シンナマート、もしくはクマリン基から選択されるか、または、架橋性基が、置換または非置換のマレイミド部分、エポキシド部分、ビニル部分、シンナマート部分もしくはクマリン部分を含む、請求項１９または２０に記載のゲート絶縁層。
【請求項２２】
架橋剤が、以下の式：
【化１３】
2013541191.tif 000013
式中、Ｒ１０およびＲ１１は互いに独立して、ＨまたはＣ１〜Ｃ６アルキル基であり、Ａ”は請求項２０の意味を有する、
で表される化合物である、請求項１９〜２１のいずれか一項に記載のゲート絶縁層。
【請求項２３】
式中、Ａ”が、（ＣＺ２）ｎ、（ＣＨ２）ｎ−（ＣＨ＝ＣＨ）ｐ−（ＣＨ２）ｎ、（ＣＨ２）ｎ−Ｏ、（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−（ＣＨ２）ｎ、（ＣＨ２）ｎ−Ｃ６Ｑ１０−（ＣＨ２）ｎ、およびＣ（Ｏ）−Ｏから選択され、この式中、ｎは独立して０〜１２の整数であり、ｐは１〜６の整数であり、Ｚは独立してＨまたはＦであり、Ｃ６Ｑ１０は、Ｑで置換されているシクロヘキシルであり、Ｑは独立して、Ｈ、Ｆ、ＣＨ３、ＣＦ３またはＯＣＨ３である、請求項２２に記載のゲート絶縁層。
【請求項２４】
ポリマー組成物が、有機半導体層に対して直交溶解性特性を有する溶媒をさらに含む、請求項１〜２３のいずれか一項に記載のゲート絶縁層。
【請求項２５】
ポリマーが、架橋性基を有する１または２以上の繰り返し単位を含み、および請求項１４〜１８のいずれか一項に定義された接着促進剤をさらに含む、ポリシクロオレフィンポリマーまたはポリシクロオレフィンポリマーを含むポリマー組成物。
【請求項２６】
ポリマーが、架橋性基を有する１または２以上の繰り返し単位を含み、および請求項１９〜２３のいずれか一項に定義された架橋剤をさらに含む、ポリシクロオレフィンポリマーまたはポリシクロオレフィンポリマーを含むポリマー組成物。
【請求項２７】
ポリシクロオレフィンポリマーが請求項３〜６のいずれか一項に定義されたものである、請求項２５または２６に記載のポリマーまたはポリマー組成物。
【請求項２８】
溶媒、架橋性ノルボルネン系ポリマーならびに、１または２以上の架橋剤、ＵＶ増感剤および接着促進剤を含む、請求項１〜２４のいずれか一項に記載のゲート絶縁層または請求項２５〜２７のいずれか一項に記載のポリマー組成物。
【請求項２９】
ノルボルネン系ポリマーが、ＤＭＭＩＭｅＮＢ、ＤＭＭＩＥｔＮＢ、ＤＭＭＩＰｒＮＢまたはＤＭＭＩＢｕＮＢから選択されるノルボルネン系モノマーに由来する繰り返し単位を含む、請求項２８に記載のゲート絶縁層またはポリマー組成物。
【請求項３０】
ＵＶ増感剤がＣＰＴＸであり、かつ溶媒がＭＡＫ、シクロヘキサノンまたはシクロペンタノンである、請求項２８または２９に記載のゲート絶縁層またはポリマー組成物。
【請求項３１】
架橋剤が、ＤＭＭＩ−ブチル−ＤＭＭＩ、ＤＭＭＩ−ペンチル−ＤＭＭＩまたはＤＭＭＩ−ヘキシル−ＤＭＭＩである、請求項２８〜３０のいずれか一項に記載のゲート絶縁層またはポリマー組成物。
【請求項３２】
接着促進剤が、ＤＭＭＩ−プロピル−Ｓｉ（ＯＥｔ）３、ＤＭＭＩ−ブチル−Ｓｉ（ＯＥｔ）３、ＤＭＭＩ−ブチル−Ｓｉ（ＯＭｅ）３またはＤＭＭＩ−ヘキシル−Ｓｉ（ＯＭｅ）３である、請求項２８〜３１のいずれか一項に記載のゲート絶縁層またはポリマー組成物。
【請求項３３】
ＢｕＮＢ、ＨｅｘＮＢ、ＯｃｔＮＢ，ＤｅｃＮＢ、ＮＢＣ４Ｆ９、およびＰＰＶＥＮＢから選択されるノルボルネン系モノマーに由来する繰り返し単位を含むポリシクロオレフィンポリマーを含む、請求項１〜２４および２８〜３２のいずれか一項に記載のゲート絶縁層または請求項２５〜３２のいずれか一項に記載のポリマー組成物。
【請求項３４】
ＥＯＮＢ、ＭＧＥＮＢ、ＤＭＭＩＭｅＮＢ、ＤＭＭＩＥｔＮＢ、ＤＭＭＩＰｒＮＢ、ＤＭＭＩＢｕＮＢおよびＤＭＭＩＨｘＮＢから選択されるノルボルネン系モノマーに由来する架橋性繰り返し単位を含むポリシクロオレフィンポリマーを含む、請求項１〜２４および２８〜３３のいずれか一項に記載のゲート絶縁層または請求項２５〜３３のいずれか一項に記載のポリマー組成物。
【請求項３５】
ＢｕＮＢ、ＨｅｘＮＢ、ＯｃｔＮＢ，ＤｅｃＮＢから選択されるノルボルネン系モノマーに由来する繰り返し単位、および、ＥＯＮＢ、ＭＧＥＮＢ、ＤＭＭＩＭｅＮＢ、ＤＭＭＩＥｔＮＢ、ＤＭＭＩＰｒＮＢ、ＤＭＭＩＢｕＮＢおよびＤＭＭＩＨｘＮＢから選択されるノルボルネン系モノマーに由来する繰り返し単位を含む、ポリシクロオレフィンポリマーを含む、請求項１〜２４および２８〜３４のいずれか一項に記載のゲート絶縁層または請求項２５〜３４のいずれか一項に記載のポリマー組成物。
【請求項３６】
電子デバイスにおいて半導体層と接触しているゲート絶縁層を形成するための、請求項１〜３５のいずれか一項に定義されたポリシクロオレフィンポリマーまたはポリシクロオレフィンポリマーを含むポリマー組成物の使用。
【請求項３７】
有機半導体層と接触しているゲート絶縁層を含む電子デバイスであって、前記ゲート絶縁層が、請求項１〜３５のいずれか一項に定義されたポリマーまたはポリマー組成物から形成される、前記電子デバイス。
【請求項３８】
有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、集積回路（ＩＣ）または無線自動識別（ＲＦＩＤ）タグである、請求項３７に記載の電子デバイス。
【請求項３９】
トップゲートまたはボトムゲートＯＦＥＴである、請求項３７または３８に記載の電子デバイス。
【請求項４０】
請求項３９に記載のボトムゲートＯＦＥＴの製造方法であって、以下のステップ：ａ）基板（１）上にゲート電極（５）を堆積すること、ｂ）ゲート電極（５）および基板（１）の上に、請求項１〜３５のいずれか一項に定義されたポリシクロオレフィンポリマーを含むか、またはポリシクロオレフィンポリマーを含むポリマー組成物を含む、誘電材料の層を堆積して、ゲート絶縁層（４）を形成すること、ｃ）ゲート絶縁層（４）の上に、有機半導体材料の層（３）を堆積すること、ｄ）有機半導体層（３）の少なくとも一部の上に、ソースおよびドレイン電極（２）を堆積すること、ｅ）ソースおよびドレイン電極（２）および有機半導体層（３）の上に、任意に別の層（６）、例えば、絶縁層および／または保護層および／または安定化層および／または接着層を堆積すること、を含む、前記方法。
【請求項４１】
請求項３９に記載のトップゲートＯＦＥＴの製造方法であって、以下のステップ：ａ）基板（１）上にソースおよびドレイン電極（２）を堆積すること、ｂ）基板（１）およびソースおよびドレイン電極（２）の上に、有機半導体材料の層（３）を堆積すること、ｃ）ＯＳＣ層（３）の上に、請求項１〜３５のいずれか一項に定義されたポリシクロオレフィンポリマーを含むか、またはポリシクロオレフィンポリマーを含むポリマー組成物を含む、誘電材料の層を堆積して、ゲート絶縁層（４）を形成すること、ｄ）ゲート絶縁層（４）の少なくとも一部の上に、ゲート電極（５）を堆積すること、ｅ）ゲート電極（５）およびゲート絶縁層（４）の上に、任意に別の層（６）、例えば、絶縁層および／または保護層および／または安定化層および／または接着層を堆積すること、を含む、前記方法。