【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年8月16日(2012.8.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボッシュプロセスでエッチング及び蒸着工程を実行してプラズマ光を生成する乾式エッチング装置において、
乾式エッチング装置内に配置された工程チャンバと、
前記工程チャンバの側壁に配置された光ウィンドウと、
前記光ウィンドウ周辺に配置された光集束部と、
前記光集束部に電気的に接続する光解析部と、
前記光解析部に電気的に接続する主コンピュータと、を含み、
前記光ウィンドウは前記プラズマ光を前記工程チャンバの外へ投射し、
前記光集束部は、前記エッチングまたは蒸着工程を実行する時点から初期区間までを経過した後に、前記プラズマ光を捕獲し、
前記光解析部は前記プラズマ光を前記主コンピュータが認識可能なバイナリデータからなる光イメージに変換すると共に、前記光イメージに算術的演算を複数回適用した光イメージを前記主コンピュータに提供し、
前記主コンピュータは前記光解析部の前記光イメージを受けてイメージ軌跡を生成してモニタ上に表示し、
前記算術的演算は移動平均法を用いることを含み、
前記移動平均法は前記エッチングまたは蒸着工程の工程時間を複数の時間間隔に細分し、前記複数の時間間隔のうちの１つの時間間隔における複数個の時刻に対応する前記プラズマ光の波長範囲の周波数の合計を求め、前記プラズマ光の前記周波数の合計を前記時刻の総数で割って、そして、前記複数の時間間隔のうち前記１つの時間間隔以外の他の時間間隔に対してこれを繰り返し実行することを特徴とする、乾式エッチング装置。
【請求項２】
前記光ウィンドウと前記光集束部との間に配置された光探針及び光選別器をさらに含み、
前記光選別器は前記光ウィンドウ周辺に位置して前記光ウィンドウと対向するように配置し、前記光探針の一端は前記光選別器と対向するように配置し、そして前記光探針の他端は前記光集束部に配置することを特徴とする請求項１に記載の乾式エッチング装置。
【請求項３】
前記光集束部は、光学フィルタ、モノクロメーターまたはＣＣＤを含むことを特徴とする請求項２に記載の乾式エッチング装置。
【請求項４】
前記光集束部は、０．１ｎｍないし１０ｎｍの解像度を有し、２００ｎｍないし１１００ｎｍの波長範囲の周波数を有する前記プラズマ光を捕獲することを特徴とする請求項３に記載の乾式エッチング装置。
【請求項５】
前記光選別器は複数個の開口部及び前記開口部を限定する光遮断膜を含み、
前記光探針は前記開口部のうち１つに対向するように配置され、前記開口部は光遮断膜の中心から所定半径を有する円上に配置し、前記光選別器は前記光ウィンドウ周辺において回転運動ができるように支持され、前記光選別器内に開口部の間を通る周期は前記エッチングまたは蒸着工程を実行する周期と同一であることを特徴とする請求項２に記載の乾式エッチング装置。
【請求項６】
前記光探針は、光ファイバを含むことを特徴とする請求項５に記載の乾式エッチング装置。
【請求項７】
前記光ウィンドウと前記光集束部との間に、そして、前記光集束部にそれぞれ配置された光探針及び信号線をさらに含み、
前記信号線は２つの電気ノード、前記電気ノードを接続及び短絡するスイッチを有し、前記光探針の一端は前記光ウィンドウを経て前記工程チャンバ内に配置され、そして、前記光探針の他端は前記光集束部に配置されることを特徴とする請求項１に記載の乾式エッチング装置。
【請求項８】
前記スイッチによって前記電気ノードが接続及び短絡する周期は、前記エッチング及び蒸着工程を実行する周期と同一であることを特徴とする請求項７に記載の乾式エッチング装置。
【請求項９】
前記スイッチによって前記電気ノードが接続及び短絡する周期は、前記蒸着及びエッチング工程を実行する周期と同一であることを特徴とする請求項７に記載の乾式エッチング装置。
【請求項１０】
前記光集束部は、光学フィルタ、モノクロメーターまたはＣＣＤを含むことを特徴とする請求項７に記載の乾式エッチング装置。
【請求項１１】
前記光集束部は、０．１ｎｍないし１０ｎｍの解像度を有し、２００ｎｍないし１１００ｎｍの波長範囲の周波数を有する前記プラズマ光を捕獲することを特徴とする請求項１０に記載の乾式エッチング装置。
【請求項１２】
前記光探針は、光ファイバを含むことを特徴とする請求項１１に記載の乾式エッチング装置。
【請求項１３】
前記光ウィンドウと前記光集束部との間に光探針をさらに含み、
前記乾式エッチング装置は運用プログラム内に少なくとも１つの基準値±許容誤差を有することを特徴とする請求項１に記載の乾式エッチング装置。
【請求項１４】
前記工程チャンバ内に配置された下部及び上部電極をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の乾式エッチング装置。
【請求項１５】
前記工程チャンバ内の下部電極及びその電極に対応するように前記工程チャンバ周辺に磁場形成部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の乾式エッチング装置。
【請求項１６】
ボッシュプロセスのエッチング及び蒸着工程間プラズマ光を利用してエッチング終了点をチェックする乾式エッチング終了点検出装置において、
光集束部と、
前記光集束部に電気的に接続される光解析部と、
前記光解析部に電気的に接続される主コンピュータと、を含み、
前記光集束部は、前記エッチングまたは蒸着工程を実行する時点から初期区間までを経過した後に、前記プラズマ光を捕獲し、
前記光解析部は前記プラズマ光を前記主コンピュータが認識可能なバイナリデータからなる光イメージに変換すると共に、前記光イメージに算術的演算を複数回適用した光イメージを前記主コンピュータに提供し、
前記主コンピュータは前記光解析部の前記光イメージを受けてイメージ軌跡を生成してモニタ上に表示し、
前記算術的演算は移動平均法を用いることを含み、
前記移動平均法は前記エッチングまたは蒸着工程の工程時間を複数の時間間隔に細分し、前記複数の時間間隔のうちの１つの時間間隔における複数個の時刻に対応する前記プラズマ光の波長範囲の周波数の合計を求め、前記プラズマ光の前記周波数の合計を前記時刻の総数で割って、そして、前記複数の時間間隔のうち前記１つの時間間隔以外の他の時間間隔に対してこれを繰り返し実行する乾式エッチング終了点検出装置。
【請求項１７】
光探針及び光選別器をさらに含み、
前記光選別器は前記ボッシュプロセスの工程時間の間に前記エッチングまたは蒸着工程の前記プラズマ光を選別的に捕獲するように配置し、前記光探針の一端は前記光選別器に隣接するように配置し、そして、前記光探針の他端は前記光集束部に配置することを特徴とする請求項１６に記載の乾式エッチング終了点検出装置。
【請求項１８】
前記光選別器は複数個の開口部及び前記開口部を限定する光遮断膜を含み、
前記光探針は前記開口部のうち１つに対向するように配置し、前記開口部は光遮断膜の中心から所定半径を有する円上に配置し、前記光選別器は前記光探針周辺で回転運動ができるように支持され、前記光選別器内に開口部の間を経る周期は前記エッチングまたは蒸着工程を実行する周期と同一であることを特徴とする請求項１７に記載の乾式エッチング終了点検出装置。
【請求項１９】
信号線及び光探針をさらに含み、
前記光探針の一端は前記ボッシュプロセスの工程時間の間に前記エッチング及び蒸着工程の前記プラズマ光を全体的に捕獲するように配置し、そして、前記光探針の他端は前記光集束部に配置し、前記信号線は２つの電気ノード、前記電気ノードを接続及び短絡するスイッチを有することを特徴とする請求項１６に記載の乾式エッチング終了点検出装置。
【請求項２０】
前記スイッチによって前記電気ノードが接続及び短絡する周期は、前記エッチング及び蒸着工程を実行する周期と同一であることを特徴とする請求項１９に記載の乾式エッチング終了点検出装置。
【請求項２１】
ボッシュプロセスを実行する乾式エッチング装置を利用して電気素子を形成する方法において、
基板を工程チャンバ内に投入する段階と、
前記基板上にエッチング及び蒸着工程を順次に繰り返し実行してプラズマ光を形成する段階と、
前記エッチングまたは蒸着工程のスタート時点から初期区間終了後に前記プラズマ光を選別的、また周期的に捕獲してバイナリデータからなる光イメージを形成する段階と、
前記光イメージに算術的演算を適用してイメージ軌跡を少なくとも１つ形成する段階と、
を含み、
前記イメージ軌跡を少なくとも１つ形成することは、
前記光解析部に電気的に接続される主コンピュータを形成する段階を含み、
前記光解析部は前記光イメージに算術的演算を複数回適用した光イメージを前記主コンピュータに提供し、
前記主コンピュータは前記光解析部の前記光イメージを受けてイメージ軌跡を生成してモニタ上に表示し、
前記算術的演算は移動平均法を用いることを含み、
前記移動平均法は前記エッチングまたは蒸着工程の工程時間を複数の時間間隔に細分し、前記複数の時間間隔のうちの１つの時間間隔における複数個の時刻に対応する前記プラズマ光の波長範囲の周波数の合計を求め、前記プラズマ光の前記周波数の合計を前記時刻の総数で割って、そして、前記複数の時間間隔のうち前記１つの時間間隔以外の他の時間間隔に対してこれを繰り返し実行する、電気素子を形成する方法。
【請求項２２】
前記時刻の総数は、前記所定時間のうち前記１つの時間に対して前記プラズマ光を繰り返し測定する時点の合計であることを特徴とする請求項２１に記載の電気素子を形成する方法。
【請求項２３】
前記プラズマ光を選別的そして周期的に捕獲することは、
前記工程チャンバの側壁に配置するように光ウィンドウを形成し、前記光ウィンドウは前記エッチング及び蒸着工程を実行する間に前記工程チャンバから前記プラズマ光を投射する段階と、
前記光ウィンドウ周辺に配置するように光集束部を形成する段階と、
前記光集束部と前記光ウィンドウとの間に光探針を形成する段階と、を含み、
前記乾式エッチング装置内の運用プログラムはそのプログラム内に少なくとも１つの基準値±許容誤差及び前記プラズマ光の波長範囲の周波数の大きさを比較及び判断して、前記ボッシュプロセスの工程時間に従って前記プラズマ光を分離することを特徴とする請求項２１に記載の電気素子を形成する方法。
【請求項２４】
前記光集束部は、光学フィルタ、モノクロメーターまたはＣＣＤを含んで形成することを特徴とする請求項２３に記載の電気素子を形成する方法。
【請求項２５】
前記プラズマ光は、０．１ｎｍないし１０ｎｍの解像度を有し、２００ｎｍないし１１００ｎｍの波長範囲の周波数を有することを特徴とする請求項２４に記載の電気素子を形成する方法。
【請求項２６】
前記プラズマ光を選別的そして周期的に捕獲することは、
前記工程チャンバの側壁に配置するように光ウィンドウを形成し、前記光ウィンドウは前記エッチング及び蒸着工程を実行する間に前記工程チャンバから前記プラズマ光を投射する段階と、
前記光ウィンドウ周辺に配置するように光集束部を形成する段階と、
前記光集束部と前記光ウィンドウとの間に光探針及び光選別器を形成する段階と、を含み、
前記光選別器は前記光ウィンドウ周辺で回転運動ができるように形成され、前記光選別器は複数個の開口部及び前記開口部を限定する光遮断膜を有するように形成され、前記開口部は前記光遮断膜の中心から所定半径を有する円上に形成され、前記光選別器の前記回転運動は前記ボッシュプロセスの工程時間に従って前記プラズマ光を分離し、前記光探針の一端は前記光選別器の前記開口部のうち１つに対向するように形成され、そして、前記光探針の他端は前記光集束部内に形成されることを特徴とする請求項２１に記載の電気素子を形成する方法。
【請求項２７】
前記光集束部は、光学フィルタ、モノクロメーターまたはＣＣＤを含んで形成することを特徴とする請求項２６に記載の電気素子を形成する方法。
【請求項２８】
前記プラズマ光は、０．１ｎｍないし１０ｎｍの解像度を有し、２００ｎｍないし１１００ｎｍの波長範囲の周波数を有することを特徴とする請求項２７に記載の電気素子を形成する方法。
【請求項２９】
前記プラズマ光を選別的そして周期的に捕獲することは、
前記工程チャンバの側壁に配置するように光ウィンドウを形成し、前記光ウィンドウは前記エッチング及び蒸着工程を実行する間に前記工程チャンバから前記プラズマ光を投射する段階と、
前記光ウィンドウ周辺に配置するように光集束部を形成する段階と、
前記光集束部と光ウィンドウとの間に、そして前記光集束部に光探針及び信号線をそれぞれ形成する段階と、を含み、
前記信号線は２つの電気ノード、前記電気ノードを接続及び短絡するスイッチを有するように形成され、前記電気ノードの接続及び短絡は前記ボッシュプロセスの工程時間に従って前記プラズマ光を分離し、前記光探針の一端は前記光ウィンドウを経て前記工程チャンバ内に形成され、そして、前記光探針の他端は前記光集束部に形成されることを特徴とする請求項２１に記載の電気素子を形成する方法。
【請求項３０】
前記スイッチによって前記電気ノードが接続及び短絡する周期は、前記エッチング及び蒸着工程を実行する周期と同一であることを特徴とする請求項２９に記載の電気素子を形成する方法。
【請求項３１】
前記スイッチによって前記電気ノードが接続及び短絡する周期は、前記蒸着及びエッチング工程を実行する周期と同一であることを特徴とする請求項２９に記載の電気素子を形成する方法。
【請求項３２】
前記光集束部は、光学フィルタ、モノクロメーターまたはＣＣＤを含んで形成することを特徴とする請求項２９に記載の電気素子を形成する方法。
【請求項３３】
前記プラズマ光は、０．１ｎｍないし１０ｎｍの解像度を有し、２００ｎｍないし１１００ｎｍの波長範囲の周波数を有することを特徴とする請求項３２に記載の電気素子を形成する方法。
【請求項３４】
前記光イメージを形成することは、
前記光集束部に電気的に接続される光解析部を形成する段階と、
前記光解析部を利用して前記プラズマ光を電気的なデータに変換することを含むことを特徴とする請求項２３、請求項２６または請求項２９のいずれか１項に記載の電気素子を形成する方法。
【請求項３５】
前記イメージ軌跡を少なくとも１つ形成することは、前記主コンピュータは前記バイナリデータをボッシュプロセスの工程時間に従ってモニタ上に表示することをさらに含むことを特徴とする請求項２１に記載の電気素子を形成する方法。
【請求項３６】
前記工程チャンバ内に下部及び上部電極を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２１に記載の電気素子を形成する方法。
【請求項３７】
前記工程チャンバ内の下部電極及びその電極に対応するように、前記工程チャンバ周辺に磁場形成部を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２１に記載の電気素子を形成する方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
しかしながら、前記乾式エッチング装置は、基板上にエッチング及び蒸着工程を実行する間、基板上の物質膜の中で選択された物質膜上においてエッチング終了点を探せない場合もある。なぜならば、乾式エッチング装置は工程チャンバ内の工程ガスにより生成したプラズマ光が基板のエッチング及び蒸着の情報を混じえて有する場合もあるからである。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】削除
【訂正の内容】
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】削除
【訂正の内容】
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
次に、前記光解析部３８は、光集束部３４と電気的に接続されて、その集束部３４からプラズマ光２３を受けて光イメージ（図示せず）を生成することができる。前記光イメージは、コンピュータが認識することのできるバイナリ(Binary)データで形成される。また、前記光解析部３８は、従来技術と異なる移動平均法を利用して光イメージからイメージ軌跡を生成することができる。本発明に係る前記移動平均法は、ボッシュプロセスのエッチング及び蒸着工程において、エッチング工程または蒸着工程の工程時間を複数の時間間隔に細分し、前記複数の時間間隔のうちの１つの時間間隔における複数個の時刻に対応するプラズマ光２３の周波数の合計を求めることを含む。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
また、前記移動平均法は、プラズマ光２３の周波数の合計を、複数個の時刻の総数で割って、前記複数の時間間隔のうち前記１つの時間間隔以外の他の時間間隔に対してこれを繰り返し実行することをさらに含む。前記移動平均法は、光解析部３８を介して一回以上実行させることができる。前記時刻の総数は、プラズマ光２３を小口間のそれぞれに繰り返し測定した時点( A point in time)の合計である。このとき、前記光イメージの波形は、プラズマ光２３の波形よりも屈曲が大きく形成される。これによって、前記光解析部３８は光イメージを主コンピュータ４０へ伝達することができる。