【手続補正書】
【提出日】平成26年3月5日(2014.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７１】
[0140]ここまでの時点で、本明細書に示す種々の合成式の記載、並びにこれも示した種々の重合実施例によって、新しいポリカーボネートポリマー及びかかる新しく開発されたポリカーボネートポリマーを含む犠牲組成物が示されたことが認識される。更に、与えられている種々のＴＧＡ実施例によって、本発明によるポリカーボネートポリマーは、有効な熱酸発生剤又は光酸発生剤を加えることによって、非常により低い温度において分解させることができることが示された。したがって、本発明によるポリマー組成物の幾つかの態様を製造することができ、且つこれを用いて、容易に分解及び／又は解重合して残渣を少ししか残留させないか又は全く残留させないポリマー膜を形成することができ、かかる膜は、構造、空隙を形成するため、及び解離可能か又は一時的な結合を形成するのに有用であることを理解すべきである。
本願は以下の発明を包含する。
［項目１］  式Ａ、Ｂ、又はＣ：
【化２６】
2013535562.tif 000001
（かかる式によって表されるそれぞれのモノマーに関して、ｎは、独立して０、１、又は２であり；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は、独立して水素又はヒドロカルビル基から選択され；Ｒ５及びＲ６は、独立して−（ＣＨ２）ｐ−ＯＨ（ここで、ｐは、０、１、２、又は３である）から選択され；Ｘ及びＸ’のそれぞれは、独立して、−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−、及び−Ｏ−から選択され、ここで、それぞれのＸ’は、存在する場合にはＸの配向と同じか又は反対に配向している）；
のいずれかによって表される少なくとも１種類の多環式２，３−ジオールモノマーから誘導される繰り返し単位を含むポリカーボネートポリマー；及び
光酸発生剤、熱酸発生剤、及びこれらの組合せから選択される酸発生剤；
を含む犠牲ポリマー組成物。
［項目２］  Ｒ５及びＲ６がそれぞれ−ＣＨ２ＯＨである、項目１に記載の犠牲ポリマー組成物。
［項目３］  少なくとも１種類のモノマーが式Ａによって表される、項目２に記載の犠牲ポリマー組成物。
［項目４］  Ｒ５及びＲ６がそれぞれ−ＣＨ２ＯＨである、項目３に記載の犠牲ポリマー組成物。
［項目５］  少なくとも１種類のモノマーが式Ｂ又はＣによって表される、項目２に記載の犠牲ポリマー組成物。
［項目６］  Ｒ５及びＲ６がそれぞれ−ＣＨ２ＯＨである、項目５に記載の犠牲ポリマー組成物。
［項目７］  Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４の少なくとも１つがヒドロカルビル基から選択される、項目６に記載の犠牲ポリマー組成物。
［項目８］  ヒドロカルビル基が、独立して、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びアラルキルから選択され、他のものがそれぞれ水素である、項目７に記載の犠牲ポリマー組成物。
［項目９］  式のそれぞれに関して、ｎが０であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４の１つが、ヒドロカルビル基であって、Ｘに対してエキソ配向している、項目８に記載の犠牲ポリマー組成物。
［項目１０］  ポリカーボネートポリマーの繰り返し単位が、更なる式Ｄ、Ｅ、及びＦ：
【化２７】
2013535562.tif 000002
（かかる更なる式によって表されるそれぞれのモノマーに関して、ｍは、０、１、又は２であり；それぞれのＺ及びＺ’は、独立して、−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−、及び−Ｏ−から選択され；Ｚ＊は−ＣＨ−であり；Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、及びＲ１０は、それぞれの場合において独立して、水素及びヒドロカルビル基から選択され；Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ−（ＣＨ２）ｐ−ＯＨ（ここで、Ｒ１１及びＲ１２に関して、ｐは、独立して０、１、２、又は３から選択される）であり；それぞれのＺ’は、存在する場合にはそれぞれＺ又はＺ＊の配向と同じか又は反対に配向している）
によって表される少なくとも１種類の多環式ジオールモノマーから更に誘導される、項目１に記載の犠牲ポリマー組成物。
［項目１１］  ポリカーボネートポリマーの繰り返し単位が、更なる式Ｇ：
【化２８】
2013535562.tif 000003
（式中、Ｚは、−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−、及び−Ｏ−から選択され；Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ−（ＣＨ２）ｐ−ＯＨ（ここで、ｐは、独立して０、１、２、又は３から選択される）
によって表される少なくとも１種類の多環式ジオールモノマーから更に誘導される、項目１０に記載の犠牲ポリマー組成物。
［項目１２］  ヒドロカルビルが、独立して、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びアラルキルから選択され、Ｚ又はＺ＊に対してエキソ配向している、項目１１に記載の犠牲ポリマー組成物。
［項目１３］  ポリカーボネートポリマーの繰り返し単位が、式Ｉ〜ＸＩＩ：
【化２９】
2013535562.tif 000004
（式中、Ｒ１３は独立してＣ１〜Ｃ６アルキルから選択される）
によって表されるジオールモノマーから選択される少なくとも１種類の更なるジオールモノマーから更に誘導される、項目１に記載の犠牲ポリマー組成物。
［項目１４］  光酸発生剤が、ハロニウム塩、スルホニウム塩、及びこれらの組合せから選択される、項目１に記載の犠牲ポリマー組成物。
［項目１５］  光酸発生剤が、（４−メチルフェニル）［４−（１−メチルエチル）フェニル］ヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート；ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフレート；ジ（４−ｔｅｒｔ−ブチル）フェニルヨードニウムビス（ペルフルオロメタンスルホニル）イミド；ジ（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリス（ペルフルオロメタンスルホニル）メチド；トリス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート；トリス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）スルホニウムヘキサフルオロホスフェート；トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート；トリフェニルスルホニウムビス（ペルフルオロメタンスルホニル）イミド；トリフェニルスルホニウムトリス（ペルフルオロメタンスルホニル）メチド；（２−（４−メトキシナフタレン−１−イル）−２−オキソエチル）ジメチルスルホニウム；ビス［２−（４−メトキシフェニル）−２−オキソエチル］メチルスルホニウム；トリス（２−オキソ−２−フェニルエチル）スルホニウム；［２−オキソ−２−（２−フェナントレニル）エチル］ジメチルスルホニウム；及びこれらの組合せ；から選択される、項目１４に記載の犠牲ポリマー組成物。
［項目１６］  熱酸発生剤が、アンモニウム、ピリジニウム、ハロニウム、及びスルホニウムから選択されるカチオン、並びに弱配位アニオン；Ｎ−スルホキシイミド；及びこれらの組合せ；を含む熱酸発生剤から選択される、項目１に記載の犠牲ポリマー組成物。
［項目１７］  弱配位アニオンが、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（ＦＡＢＡ）、テトラキス（３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル）ボレート、トリフルオロメタンスルホネート（ＣＦ３ＳＯ３−）、ペルフルオロブチルスルホネート（Ｃ４Ｆ９ＳＯ３−）、ペルフルオロオクチルスルホネート（Ｃ８Ｆ１７ＳＯ３−）、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミドアニオン（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、４，４，５，５，６，６−ヘキサフルオロジヒドロ−４Ｈ−１，３，２−ジチアジン−１，１，３，３−テトラオキシド、及びトリス（トリフルオロメチルスルホニル）メチドから選択される、項目１６に記載の犠牲ポリマー組成物。
［項目１８］  式Ａ、Ｂ、又はＣ：
【化３０】
2013535562.tif 000005
（かかる式によって表されるそれぞれのモノマーに関して、ｎは、独立して０、１、又は２であり；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は、独立して水素又はヒドロカルビル基から選択され；Ｒ５及びＲ６は、独立して−（ＣＨ２）ｐ−ＯＨ（ここで、ｐは、０、１、２、又は３である）から選択され；Ｘ及びＸ’のそれぞれは、独立して、−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−、及び−Ｏ−から選択され、ここで、それぞれのＸ’は、存在する場合にはＸの配向と同じか又は反対に配向している）；
のいずれかによって表される少なくとも１種類の多環式２，３−ジオールモノマーから誘導されるポリカーボネートポリマー。
［項目１９］  Ｒ５及びＲ６がそれぞれ−ＣＨ２ＯＨである、項目１８に記載のポリカーボネートポリマー。
［項目２０］  少なくとも１種類のモノマーが、式Ａ、Ｂによって表されるモノマー、及びこれらの組合せから選択される、項目１９に記載のポリカーボネートポリマー。
［項目２１］  式のそれぞれに関して、ｎが０であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４の１つが、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びアラルキルから選択され、Ｘに対してエキソ配向している、項目２０に記載のポリカーボネートポリマー。
［項目２２］  基材の表面上に、項目１に記載の犠牲ポリマー組成物を含む三次元構造を形成し；
三次元構造の上にオーバーコート層を施し；
酸発生剤を活性化して、それによってポリカーボネートポリマーを少なくとも部分的に解重合し；そして
解重合したポリカーボネートポリマーを昇温温度において分解して、それによってオーバーコート層と基材との間に挟まれた三次元空間を形成する；
ことを含む構造の形成方法。
［項目２３］  第１の基材の第１の表面の上に重なっており、及び／又は第２の基材の第２の表面の上に重なっている項目１に記載の犠牲ポリマー組成物の層を形成し；
犠牲ポリマー組成物の層がその間に挟まれるように第１の基材及び第２の基材を配向し；そして
第１及び第２の基材に有効な温度及び有効な圧力を加えて、犠牲ポリマー組成物の層によって犠牲ポリマー組成物の層を介して第１の基材が第２の基材に結合するようにする；
ことを含む、第１の基材及び第２の基材を一時的に結合させる方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ａ１、Ｂ１、又はＣ１：
【化１】
2013535562.tif 000006
（式中、Ｒ４は、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びアラルキルから選択される）
のいずれかによって表される少なくとも１種類の多環式２，３−ジオールモノマーから誘導される繰り返し単位を含むポリカーボネートポリマー；及び
光酸発生剤、熱酸発生剤、及びこれらの組合せから選択される酸発生剤；
を含む犠牲ポリマー組成物。
【請求項２】
少なくとも１種類のモノマーが式Ａ１によって表される、請求項１に記載の犠牲ポリマー組成物。
【請求項３】
式Ａ１によって表されるモノマーが：
シス−エキソ−２，３−ノルボルナンジメタノール；及び
５−エキソ−フェニル−シス−エキソ−２，３−ノルボルナンジメタノール；
から成る群より選択される、請求項２に記載の犠牲ポリマー組成物。
【請求項４】
少なくとも１種類のモノマーが式Ｂ１によって表される、請求項１に記載の犠牲ポリマー組成物。
【請求項５】
式Ｂ１によって表されるモノマーが：
シス−エンド−２，３−ノルボルナンジメタノール；及び
５−エキソ−フェニル−シス−エンド−２，３−ノルボルナンジメタノール；
から成る群より選択される、請求項４に記載の犠牲ポリマー組成物。
【請求項６】
少なくとも１種類のモノマーが式Ｃ１によって表される、請求項１に記載の犠牲ポリマー組成物。
【請求項７】
式Ｃ１によって表されるモノマーが、トランス−２，３−ノルボルナンジメタノールである、請求項６に記載の犠牲ポリマー組成物。
【請求項８】
ポリカーボネートポリマーの繰り返し単位が、更なる式Ｄ１、Ｄ１’、Ｅ１、Ｅ１’、Ｆ１、及びＦ１’：
【化２】
2013535562.tif 000007
（式中、Ｒ７及びＲ１０は、それぞれの場合において独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びアラルキルから選択される）
によって表される少なくとも１種類の多環式ジオールモノマーから更に誘導される、請求項１に記載の犠牲ポリマー組成物。
【請求項９】
ポリカーボネートポリマーの繰り返し単位が、式Ｉ〜ＸＩＩ：
【化３】
2013535562.tif 000008
（式中、Ｒ１３は独立してＣ１〜Ｃ６アルキルから選択される）
によって表されるジオールモノマーから選択される少なくとも１種類の更なるジオールモノマー単位から更に誘導される、請求項１に記載の犠牲ポリマー組成物。
【請求項１０】
少なくとも１種類の更なるジオールモノマー単位が、式ＩＩＩ、Ｖ、ＶＩ、及びＸＩＩ：
【化４】
2013535562.tif 000009
によって表されるジオールモノマーから選択される、請求項９に記載の犠牲ポリマー組成物。
【請求項１１】
ポリカーボネートポリマーの繰り返し単位が：
シス−エキソ−２，３−ノルボルナンジメタノール；
５−エキソ−フェニル−シス−エキソ−２，３−ノルボルナンジメタノール；
シス−エンド−２，３−ノルボルナンジメタノール；
５−エキソ−フェニル−シス−エンド−２，３−ノルボルナンジメタノール；
トランス−２，３−ノルボルナンジメタノール；及び
スピロ［ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，５’−［１，３］ジオキサン］−２’−オン；
から成る群より選択される１種類以上のモノマーから誘導される、請求項１に記載の犠牲ポリマー組成物。
【請求項１２】
ポリカーボネートポリマーの繰り返し単位が：
１，３−シクロヘキサンジオール；及び
イソソルビド；
から成る群より選択される１種類以上のモノマーから更に誘導される、請求項１０に記載の犠牲ポリマー組成物。
【請求項１３】
光酸発生剤が、ハロニウム塩、スルホニウム塩、及びこれらの組合せから選択される、請求項１に記載の犠牲ポリマー組成物。
【請求項１４】
光酸発生剤が：
（４−メチルフェニル）［４−（１−メチルエチル）フェニル］ヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート；
ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフレート；
ジ（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムビス（ペルフルオロメタンスルホニル）イミド；
ジ（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリス（ペルフルオロメタンスルホニル）メチド；
トリス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート；
トリス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）スルホニウムヘキサフルオロホスフェート；
トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート；
トリフェニルスルホニウムビス（ペルフルオロメタンスルホニル）イミド；
トリフェニルスルホニウムトリス（ペルフルオロメタンスルホニル）メチド；
（２−（４−メトキシナフタレン−１−イル）−２−オキソエチル）ジメチルスルホニウム；
ビス［２−（４−メトキシフェニル）−２−オキソエチル］メチルスルホニウム；
トリス（２−オキソ−２−フェニルエチル）スルホニウム；
［２−オキソ−２−（２−フェナントレニル）エチル］ジメチルスルホニウム；及び
これらの組合せ；
から選択される、請求項１に記載の犠牲ポリマー組成物。
【請求項１５】
光酸発生剤が：
トリス［４−［（４−アセチルフェニル）チオ］フェニル］スルホニウムトリス（（トリフルオロメチル）スルホニル）メタニド；及び
（４−メチルフェニル）［４−（１−メチルエチル）フェニル］ヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート；
から選択される、請求項１に記載の犠牲ポリマー組成物。
【請求項１６】
熱酸発生剤が：アンモニウム、ピリジニウム、ハロニウム、及びスルホニウムから選択されるカチオン、並びに弱配位アニオン；Ｎ−スルホキシイミド；及びこれらの組合せ；を含む熱酸発生剤から選択される、請求項１に記載の犠牲ポリマー組成物。
【請求項１７】
弱配位アニオンが；
テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（ＦＡＢＡ）；
テトラキス（３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル）ボレート；
トリフルオロメタンスルホネート（ＣＦ３ＳＯ３−）；
ペルフルオロブチルスルホネート（Ｃ４Ｆ９ＳＯ３−）；
ペルフルオロオクチルスルホネート（Ｃ８Ｆ１７ＳＯ３−）；
ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミドアニオン（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−；
４，４，５，５，６，６−ヘキサフルオロジヒドロ−４Ｈ−１，３，２−ジチアジン−１，１，３，３−テトラオキシド；及び
トリス（トリフルオロメチルスルホニル）メチド；
から選択される、請求項１６に記載の犠牲ポリマー組成物。
【請求項１８】
式Ａ１：
【化５】
2013535562.tif 000010
（式中、Ｒ４は水素又はフェニルである）
の少なくとも１種類の多環式２，３−ジオールモノマーから誘導される繰り返し単位を含むポリカーボネートポリマー；及び
トリス［４−［（４−アセチルフェニル）チオ］フェニル］スルホニウムトリス（（トリフルオロメチル）スルホニル）メタニドである光酸発生剤から選択される酸発生剤；
を含む犠牲ポリマー組成物。
【請求項１９】
式Ｂ１：
【化６】
2013535562.tif 000011
（式中、Ｒ４は水素又はフェニルである）
の少なくとも１種類の多環式２，３−ジオールモノマーから誘導される繰り返し単位を含むポリカーボネートポリマー；及び
トリス［４−［（４−アセチルフェニル）チオ］フェニル］スルホニウムトリス（（トリフルオロメチル）スルホニル）メタニドである光酸発生剤から選択される酸発生剤；
を含む犠牲ポリマー組成物。
【請求項２０】
式Ｃ１：
【化７】
2013535562.tif 000012
（式中、Ｒ４は水素又はフェニルである）
の少なくとも１種類の多環式２，３−ジオールモノマーから誘導される繰り返し単位を含むポリカーボネートポリマー；及び
トリス［４−［（４−アセチルフェニル）チオ］フェニル］スルホニウムトリス（（トリフルオロメチル）スルホニル）メタニドである光酸発生剤から選択される酸発生剤；
を含む犠牲ポリマー組成物。
【請求項２１】
基材の表面上に、請求項１に記載の犠牲ポリマー組成物を含む三次元構造を形成し；
三次元構造の上にオーバーコート層を施し；
酸発生剤を活性化して、それによってポリカーボネートポリマーを少なくとも部分的に解重合し；そして
解重合したポリカーボネートポリマーを昇温温度において分解して、それによってオーバーコート層と基材との間に挟まれた三次元空間を形成する；
ことを含む、構造の形成方法。
【請求項２２】
ポリカーボネートポリマーが、式Ａ１によって表される少なくとも１種類のモノマーを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
式Ａ１によって表されるモノマーが：
シス−エキソ−２，３−ノルボルナンジメタノール；及び
５−エキソ−フェニル−シス−エキソ−２，３−ノルボルナンジメタノール；
から成る群より選択される、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
ポリカーボネートポリマーが、式Ｂ１によって表される少なくとも１種類のモノマーを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
式Ｂ１によって表されるモノマーが：
シス−エンド−２，３−ノルボルナンジメタノール；及び
５−エキソ−フェニル−シス−エンド−２，３−ノルボルナンジメタノール；
から成る群より選択される、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
ポリカーボネートポリマーが、式Ｃ１によって表される少なくとも１種類のモノマーを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２７】
式Ｃ１によって表されるモノマーが、トランス−２，３−ノルボルナンジメタノールである、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
ポリカーボネートポリマーが、式Ｄ１、Ｄ１’、Ｅ１、Ｅ１’、Ｆ１、及びＦ１’：
【化８】
2013535562.tif 000013
（式中、Ｒ７及びＲ１０は、それぞれの場合において独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びアラルキルから選択される）
によって表される少なくとも１種類の多環式ジオールモノマーから誘導される繰り返し単位を更に含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２９】
ポリカーボネートポリマーが、式Ｉ〜ＸＩＩ：
【化９】
2013535562.tif 000014
（式中、Ｒ１３は独立してＣ１〜Ｃ６アルキルから選択される）
によって表されるジオールモノマーから選択される少なくとも１種類の更なるジオールモノマー単位から誘導される繰り返し単位を更に含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項３０】
ポリカーボネートポリマーが、式ＩＩＩ、Ｖ、ＶＩ、及びＸＩＩ：
【化１０】
2013535562.tif 000015
によって表されるジオールモノマーから選択される少なくとも１種類の更なるジオールモノマー単位から誘導される繰り返し単位を更に含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項３１】
ポリカーボネートポリマーの繰り返し単位が：
１，３−シクロヘキサンジオール；及び
イソソルビド；
から成る群より選択される１種類以上のモノマーから誘導される、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
ポリカーボネートポリマーの繰り返し単位が：
シス−エキソ−２，３−ノルボルナンジメタノール；
５−エキソ−フェニル−シス−エキソ−２，３−ノルボルナンジメタノール；
シス−エンド−２，３−ノルボルナンジメタノール；
５−エキソ−フェニル−シス−エンド−２，３−ノルボルナンジメタノール；
トランス−２，３−ノルボルナンジメタノール；及び
スピロ［ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，５’−［１，３］ジオキサン］−２’−オン；
から成る群より選択される１種類以上のモノマーから誘導される、請求項２１に記載の方法。
【請求項３３】
光酸発生剤が、ハロニウム塩、スルホニウム塩、及びこれらの組合せから選択される、請求項２１に記載の方法。
【請求項３４】
光酸発生剤が：
（４−メチルフェニル）［４−（１−メチルエチル）フェニル］ヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート；
ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフレート；
ジ（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムビス（ペルフルオロメタンスルホニル）イミド；
ジ（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリス（ペルフルオロメタンスルホニル）メチド；
トリス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート；
トリス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）スルホニウムヘキサフルオロホスフェート；
トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート；
トリフェニルスルホニウムビス（ペルフルオロメタンスルホニル）イミド；
トリフェニルスルホニウムトリス（ペルフルオロメタンスルホニル）メチド；
（２−（４−メトキシナフタレン−１−イル）−２−オキソエチル）ジメチルスルホニウム；
ビス［２−（４−メトキシフェニル）−２−オキソエチル］メチルスルホニウム；
トリス（２−オキソ−２−フェニルエチル）スルホニウム；
［２−オキソ−２−（２−フェナントレニル）エチル］ジメチルスルホニウム；及び
これらの組合せ；
から選択される、請求項２１に記載の方法。
【請求項３５】
光酸発生剤が：
トリス［４−［（４−アセチルフェニル）チオ］フェニル］スルホニウムトリス（（トリフルオロメチル）スルホニル）メタニド；及び
（４−メチルフェニル）［４−（１−メチルエチル）フェニル］ヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート；
から選択される、請求項２１に記載の方法。
【請求項３６】
熱酸発生剤が：アンモニウム、ピリジニウム、ハロニウム、及びスルホニウムから選択されるカチオン、並びに弱配位アニオン；Ｎ−スルホキシイミド；及びこれらの組合せ；を含む熱酸発生剤から選択される、請求項２１に記載の方法。
【請求項３７】
弱配位アニオンが：
テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（ＦＡＢＡ）；
テトラキス（３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル）ボレート；
トリフルオロメタンスルホネート（ＣＦ３ＳＯ３−）；
ペルフルオロブチルスルホネート（Ｃ４Ｆ９ＳＯ３−）；
ペルフルオロオクチルスルホネート（Ｃ８Ｆ１７ＳＯ３−）；
ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミドアニオン（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−；
４，４，５，５，６，６−ヘキサフルオロジヒドロ−４Ｈ−１，３，２−ジチアジン−１，１，３，３−テトラオキシド；及び
トリス（トリフルオロメチルスルホニル）メチド；
から選択される、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
式Ａ１、Ｂ１、又はＣ１：
【化１１】
2013535562.tif 000016
（式中、Ｒ４は、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びアラルキルから選択される）
のいずれかによって表される少なくとも１種類の多環式２，３−ジオールモノマーから誘導されるポリカーボネートポリマー。
【請求項３９】
Ｒ４が水素又はフェニルである、請求項３８に記載のポリカーボネートポリマー。
【請求項４０】
第１の基材の第１の表面に重なっており、及び/又は第２の基材の第２の表面に重なっている請求項１に記載の犠牲ポリマー組成物の層を形成し;
犠牲ポリマー組成物の層がその間に挟まれるように第１の基材及び第２の基材を配向し;そして
第１及び第２の基材に有効な温度及び有効な圧力を加えて、犠牲ポリマー組成物の層によって犠牲ポリマー組成物の層を介して第１の基材が第２の基材に結合するようにする；
ことを含む、第１の基材及び第２の基材を一時的に結合させる方法。