【手続補正書】
【提出日】平成24年11月1日(2012.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電子デバイスであって、該光電子デバイスは、少なくとも、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、および窒素（Ｎ）を含有する１つ以上の発光層を備え、該発光層は、無極性または半極性層であり、かつ、３６０ｎｍ以下の波長のピーク放射を有する光を放射する、光電子デバイス。
【請求項２】
無極性または半極性ＧａＮ基板に密接に格子整合される、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、および０≦ｙ＋ｚ≦１である、１つ以上のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層をさらに備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、および０≦ｙ＋ｚ≦１である、前記密接に格子整合したＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層は、ｎ型伝導性のためにシリコン（Ｓｉ）でドープされている、請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記発光活性層上に、ｐ型伝導性のためにＭｇでドープされる、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、および０≦ｙ＋ｚ≦１である、１つ以上のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層をさらに備える、請求項３に記載のデバイス。
【請求項５】
前記発光活性層、前記密接に格子整合したＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層、および前記ｐ型ドープＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層は、１つ以上のヘテロ構造を形成する、請求項４に記載のデバイス。
【請求項６】
０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、および０≦ｙ＋ｚ≦１である、前記ｐ型ドープＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層は、マグネシウムでドープされるｐ型クラッド層である、請求項４に記載のデバイス。
【請求項７】
０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、および０≦ｙ＋ｚ≦１である、前記密接に格子整合したＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層は、シリコンＳｉでドープされるｎ型クラッド層である、請求項２に記載のデバイス。
【請求項８】
前記デバイスは、発光ダイオードまたはレーザダイオードである、請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
前記発光層は、１０％から３０％の範囲のインジウム組成を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記発光活性層は、１つ以上の量子井戸ヘテロ構造を形成する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記デバイスは発光デバイスであり、該発光デバイスは、
（ａ）無極性または半極性ＧａＮ基板上の、ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮに基づくｎ型クラッド層と、
（ｂ）該ｎ型クラッド層上の、ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮに基づく単一量子井戸または多重量子井戸を備える、前記発光層と、
（ｃ）該量子井戸上の、１つ以上のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮに基づく電子阻止層と、
（ｄ）該電子阻止層上の、ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮに基づくｐ型クラッド層と
をさらに備え、
（ｅ）該ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、および（ｄ）は、無極性または半極性であり、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、および０≦ｙ＋ｚ≦１である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記デバイスは、２８０ｎｍから３６０ｎｍの範囲のピーク放射波長を有する発光デバイスである、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１３】
（ａ）第１の導電型を有する、第１の（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ層と、
（ｂ）第２の導電型を有する、第２の（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ層と、
（ｃ）第１の（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ量子井戸障壁層の無極性または半極性面上にエピタキシャルに成長させられる、（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ量子井戸層と、該（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ量子井戸層の無極性または半極性面上にエピタキシャルに成長させられる、第２の（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ量子井戸障壁層とを備える、（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ量子井戸構造と
を備え、
（１）該量子井戸構造は、該（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ量子井戸構造が、該第１の（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ層と該第２の（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ層との間にあるように、該第１の（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ層の無極性または半極性面上にエピタキシャルに成長させられ、
（２）該量子井戸は、３６０ｎｍ未満のピーク波長を有するエレクトロルミネセンスを放射する、厚さおよび（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ組成を有する、
光電子デバイス。
【請求項１４】
（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ層上にエピタキシャルに成長させられる、（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ量子井戸構造をさらに備え、（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ層は、ＧａＮ上にエピタキシャルに成長させられ、かつ該ＧａＮに密接に格子整合される（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ層の転位密度を有する、請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記転位密度は、１０６ｃｍ−２未満であり、前記（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ層は、横方向エピタキシャル過成長を含まない、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記デバイスは、発光デバイスであり、
（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ層の無極性または半極性面上にエピタキシャルに成長させられる（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ量子井戸構造と、
十分に低い該（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ層の転位密度と
をさらに備え、該無極性または半極性面および該転位密度は、１５％よりも大きい該発光デバイスの内部量子効率、および１％よりも大きい該発光デバイスの外部量子効率を達成する、請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１７】
深紫外線発光デバイスを製造する方法であって、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、および０≦ｙ＋ｚ≦１である、１つ以上のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層を成長させるステップを含み、該ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層は、無極性または半極性であり、該ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層のうちの少なくとも１つは、少なくともＡｌ、Ｉｎ、およびＮを含有し、かつ、３６０ｎｍ以下の波長のピーク放射を有する光を放射する発光層である、方法。
【請求項１８】
ＡｌｘＩｎ１−ｘＮおよびＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層が、無極性または半極性ＧａＮ基板に密接に格子整合されるように、該ＡｌｘＩｎ１−ｘＮおよびＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層のうちの１つ以上を、該無極性または半極性ＧａＮ基板上にエピタキシャルに成長させるステップをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
１０％から３０％の範囲のインジウム組成を伴う、前記発光活性層を成長させるステップさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
第１のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層が、前記ＧａＮ基板に密接に格子整合されるように、該ＧａＮ基板の無極性または半極性面上に、第１の導電型を有する第１のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層として、ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層のうちの１つをエピタキシャルに成長させるステップと、
該第１のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層の無極性または半極性面上に、第１のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ量子井戸障壁層として、ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層のうちの１つを、エピタキシャルに成長させるステップと、
該第１のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ量子井戸障壁層の無極性または半極性面上に、かつ３６０ｎｍ未満のピーク波長を有するエレクトロルミネセンスを放射する厚さおよび（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ組成に、ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ量子井戸層として、ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層のうちの１つをエピタキシャルに成長させるステップと、
該ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ量子井戸層の無極性または半極性面上に、第２のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ量子井戸障壁層として、ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層のうちの１つをエピタキシャルに成長させるステップであって、それによって、該第１のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ量子井戸障壁層と、該第２のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ量子井戸障壁層との間に、該ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ量子井戸層を備える量子井戸構造を形成する、ステップと、
第２の導電型を有する第２のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層として、該量子井戸構造上に、ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層のうちの１つをエピタキシャルに成長させるステップであって、前記発光活性層は、該量子井戸層を備える、ステップと
をさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記発光層は、無極性または半極性窒化ガリウム（ＧａＮ）基板上に成長させられる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項２２】
光を吸収する（１）前記ＧａＮ基板、および（２）前記デバイスにおけるｐ型ＧａＮ層のうちの１つ以上が、前記デバイスから少なくとも部分的に除去される、請求項２１に記載のデバイス。
【請求項２３】
前記１つ以上のＡｌｘＩｎ１−ｘＮ層またはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層が、無極性または半極性窒化ガリウム（ＧａＮ）基板上に成長させられる、請求項１７に記載の方法。
【請求項２４】
光を吸収する（１）前記ＧａＮ基板、および（２）前記デバイスにおけるｐ型ＧａＮ層のうちの１つ以上が、前記デバイスから少なくとも部分的に除去される、請求項２３に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
例えば、方法は、第１のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層が、ＧａＮ基板に密接に格子整合されるように、ＧａＮ基板の無極性または半極性面上に、第１の導電型を有する第１のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層として、ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層のうちの１つをエピタキシャルに成長させるステップと、第１のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層の無極性または半極性面上に、第１のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ量子井戸障壁層として、ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層のうちの１つをエピタキシャルに成長させるステップと、第１のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ量子井戸障壁層の無極性または半極性面上に、かつ３６０ｎｍ未満のピーク波長を有するエレクトロルミネセンスを放射する厚さおよび（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ組成に、ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ量子井戸層として、ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層のうちの１つをエピタキシャルに成長させるステップと、ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ量子井戸層の無極性または半極性面上に、第２のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ量子井戸障壁層として、ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層のうちの１つをエピタキシャルに成長させるステップであって、それによって、第１のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ量子井戸障壁層と、第２のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ量子井戸障壁層との間に、ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ量子井戸層を備える量子井戸構造を形成する、ステップと、第２の導電型を有する第２のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層として、量子井戸構造上に、ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層のうちの１つをエピタキシャルに成長させるステップとを含み得る。
本発明は、例えば、以下を提供する。
（項目１）
光電子デバイスであって、該光電子デバイスは、無極性または半極性ＧａＮ基板上に成長させられる、少なくとも、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、および窒素（Ｎ）を含有する１つ以上の発光層を備え、該発光層は、無極性または半極性層である、光電子デバイス。
（項目２）
上記無極性または半極性ＧａＮ基板に密接に格子整合される、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、および０≦ｙ＋ｚ≦１である、１つ以上のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層をさらに備える、項目１に記載のデバイス。
（項目３）
０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、および０≦ｙ＋ｚ≦１である、上記密接に格子整合したＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層は、ｎ型伝導性のためにシリコン（Ｓｉ）でドープされている、項目２に記載のデバイス。
（項目４）
上記発光活性層上に、ｐ型伝導性のためにＭｇでドープされる、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、および０≦ｙ＋ｚ≦１である、１つ以上のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層をさらに備える、項目３に記載のデバイス。
（項目５）
上記発光活性層、上記密接に格子整合したＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層、および上記ｐ型ドープＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層は、１つ以上のヘテロ構造を形成する、項目４に記載のデバイス。
（項目６）
０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、および０≦ｙ＋ｚ≦１である、上記ｐ型ドープＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層は、マグネシウムでドープされるｐ型クラッド層である、項目４に記載のデバイス。
（項目７）
０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、および０≦ｙ＋ｚ≦１である、上記格子整合したＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層は、シリコンＳｉでドープされるｎ型クラッド層である、項目２に記載のデバイス。
（項目８）
上記デバイスは、発光ダイオードまたはレーザダイオードである、項目１に記載のデバイス。
（項目９）
上記発光層は、１０％から３０％の範囲のインジウム組成を有する、項目１に記載のデバイス。
（項目１０）
上記発光活性層は、１つ以上の量子井戸ヘテロ構造を形成する、項目１に記載のデバイス。
（項目１１）
上記デバイスは発光デバイスであり、該発光デバイスは、
（ａ）上記無極性または半極性ＧａＮ基板上の、ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮに基づくｎ型クラッド層と、
（ｂ）該ｎ型クラッド層上の、ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮに基づく単一量子井戸または多重量子井戸を備える、上記発光層と、
（ｃ）該量子井戸上の、１つ以上のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮに基づく電子阻止層と、
（ｄ）該電子阻止層上の、ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮに基づくｐ型クラッド層と
をさらに備え、
（ｅ）該ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、および（ｄ）は、無極性または半極性であり、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、および０≦ｙ＋ｚ≦１である、項目１に記載のデバイス。
（項目１２）
上記デバイスは、２８０ｎｍから３６０ｎｍの範囲のピーク放射波長を有する発光デバイスである、項目１に記載のデバイス。
（項目１３）
（ａ）第１の導電型を有する、第１の（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ層と、
（ｂ）第２の導電型を有する、第２の（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ層と、
（ｃ）第１の（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ量子井戸障壁層の無極性または半極性面上にエピタキシャルに成長させられる、（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ量子井戸層と、該（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ量子井戸層の無極性または半極性面上にエピタキシャルに成長させられる、第２の（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ量子井戸障壁層とを備える、（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ量子井戸構造と
を備え、
（１）該量子井戸構造は、該（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ量子井戸構造が、該第１の（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ層と該第２の（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ層との間にあるように、該第１の（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ層の無極性または半極性面上にエピタキシャルに成長させられ、
（２）該量子井戸は、３６０ｎｍ未満のピーク波長を有するエレクトロルミネセンスを放射する、厚さおよび（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ組成を有する、
光電子デバイス。
（項目１４）
（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ層上にエピタキシャルに成長させられる、（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ量子井戸構造をさらに備え、（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ層は、ＧａＮ上にエピタキシャルに成長させられ、かつ該ＧａＮに密接に格子整合される（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ層の転位密度を有する、項目１３に記載のデバイス。
（項目１５）
上記転位密度は、１０６ｃｍ−２未満であり、上記（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ層は、横方向エピタキシャル過成長を含まない、項目１４に記載のデバイス。
（項目１６）
上記デバイスは、発光デバイスであり、
（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ層の無極性または半極性面上にエピタキシャルに成長させられる（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ量子井戸構造と、
十分に低い該（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ層の転位密度と
をさらに備え、該無極性または半極性面および該転位密度は、１５％よりも大きい該発光デバイスの内部量子効率、および１％よりも大きい該発光デバイスの外部量子効率を達成する、項目１３に記載のデバイス。
（項目１７）
深紫外線発光デバイスを製造する方法であって、無極性または半極性ＧａＮ基板上に、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、および０≦ｙ＋ｚ≦１である、１つ以上のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層を成長させるステップを含み、該ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層は、無極性または半極性であり、該ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層のうちの少なくとも１つは、少なくともＡｌ、Ｉｎ、およびＮを含有する発光層である、方法。
（項目１８）
ＡｌｘＩｎ１−ｘＮおよびＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層が、無極性または半極性ＧａＮ基板に密接に格子整合されるように、該ＡｌｘＩｎ１−ｘＮおよびＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層のうちの１つ以上を、該無極性または半極性ＧａＮ基板上にエピタキシャルに成長させるステップをさらに含む、項目１７に記載の方法。
（項目１９）
１０％から３０％の範囲のインジウム組成を伴う、上記発光活性層を成長させるステップさらに含む、項目１７に記載の方法。
（項目２０）
第１のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層が、上記ＧａＮ基板に密接に格子整合されるように、該ＧａＮ基板の無極性または半極性面上に、第１の導電型を有する第１のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層として、ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層のうちの１つをエピタキシャルに成長させるステップと、
該第１のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層の無極性または半極性面上に、第１のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ量子井戸障壁層として、ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層のうちの１つを、エピタキシャルに成長させるステップと、
該第１のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ量子井戸障壁層の無極性または半極性面上に、かつ３６０ｎｍ未満のピーク波長を有するエレクトロルミネセンスを放射する厚さおよび（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ組成に、ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ量子井戸層として、ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層のうちの１つをエピタキシャルに成長させるステップと、
該ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ量子井戸層の無極性または半極性面上に、第２のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ量子井戸障壁層として、ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層のうちの１つをエピタキシャルに成長させるステップであって、それによって、該第１のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ量子井戸障壁層と、該第２のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ量子井戸障壁層との間に、該ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ量子井戸層を備える量子井戸構造を形成する、ステップと、
第２の導電型を有する第２のＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層として、該量子井戸構造上に、ＡｌｘＩｎ１−ｘＮまたはＡｌｙＩｎｚＧａ１−ｙ−ｚＮ層のうちの１つをエピタキシャルに成長させるステップであって、上記発光活性層は、該量子井戸層を備える、ステップと
をさらに含む、項目１７に記載の方法。