【手続補正書】
【提出日】平成15年9月26日(2003.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセルの記憶保持のために定期的にリフレッシュを必要とする半導体記憶装置であって、
全てのメモリセルをリフレッシュする第１のリフレッシュモードと、
少なくとも一部のメモリセルをリフレッシュする第２のリフレッシュモードとを備えることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体記憶装置において、該半導体記憶装置は、
前記第２のリフレッシュモードでリフレッシュの対象となるメモリセルのアドレス情報を格納するリフレッシュアドレスレジスタを備えることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体記憶装置において、該半導体記憶装置は、
リフレッシュアドレスを発生するリフレッシュアドレスカウンタと、
前記リフレッシュアドレスおよび前記リフレッシュアドレスレジスタに格納された情報を比較する比較器とを備え、
前記第１のリフレッシュモードにおいては、前記リフレッシュアドレスカウンタが発生する各リフレッシュアドレスに対してリフレッシュを行い、
前記第２のリフレッシュモードにおいては、前記比較器の比較結果に従ってリフレッシュを行うことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項４】
請求項２に記載の半導体記憶装置において、該半導体記憶装置は、
リフレッシュアドレスを発生するリフレッシュアドレスカウンタを備え、
前記第１および第２のリフレッシュモードにおいては、前記リフレッシュカウンタが発生する各リフレッシュアドレスに対してリフレッシュを行い、
前記第２のリフレッシュモードにおいては、前記リフレッシュアドレスレジスタに格納された情報に従って前記リフレッシュアドレスカウンタのカウント範囲を制限することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項５】
請求項２に記載の半導体記憶装置において、前記半導体記憶装置は、
第１のリフレッシュアドレスをカウントするリフレッシュアドレスカウンタと、
該リフレッシュアドレスカウンタの出力の少なくとも一部、および、前記リフレッシュアドレスレジスタに格納された情報から第２のリフレッシュアドレスを生成するリフレッシュアドレス生成器とを備え、
前記第１のリフレッシュモードにおいては、前記第１のリフレッシュアドレスに対してリフレッシュを行い、
前記第２のリフレッシュモードにおいては、前記第２のリフレッシュアドレスに対してリフレッシュを行うことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項６】
データを保持するためにメモリセルのリフレッシュを行う半導体記憶装置において、
前記メモリセルを全てリフレッシュするための第１のリフレッシュ動作モードと、
前記メモリセルの少なくとも一部をリフレッシュするための第２のリフレッシュ動作モードとを備え、
該第２のリフレッシュ動作モードにおいてリフレッシュされるメモリセルを指定するアドレス情報を保持するリフレッシュアドレスレジスタを含むモードレジスタを有し、
前記第２のリフレッシュ動作モードは、前記半導体記憶装置のパワーダウン状態においてセルフリフレッシュ動作を実行するためのモードであることを特徴とする半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の形態によれば、メモリセルの記憶保持のために定期的にリフレッシュを必要とする半導体記憶装置であって、全てのメモリセルをリフレッシュする第１のリフレッシュモードと、少なくとも一部のメモリセルをリフレッシュする第２のリフレッシュモードとを備えることを特徴とする半導体記憶装置が提供される。
本発明の第２の形態によれば、データを保持するためにメモリセルのリフレッシュを行う半導体記憶装置において、前記メモリセルを全てリフレッシュするための第１のリフレッシュ動作モードと、前記メモリセルの少なくとも一部をリフレッシュするための第２のリフレッシュ動作モードとを備え、該第２のリフレッシュ動作モードにおいてリフレッシュされるメモリセルを指定するアドレス情報を保持するリフレッシュアドレスレジスタを含むモードレジスタを有し、前記第２のリフレッシュ動作モードは、前記半導体記憶装置のパワーダウン状態においてセルフリフレッシュ動作を実行するためのモードであることを特徴とする半導体記憶装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の第１の形態の半導体記憶装置によれば、少なくとも一部のメモリセルをリフレッシュする第２のリフレッシュモードが設けられているため、必要な領域だけをリフレッシュしてリフレッシュ動作の消費電力を低減することができる。
上述した本発明に係る半導体記憶装置において、リフレッシュアドレスレジスタをモードレジスタの一部として設け、リフレッシュアドレスレジスタとモードレジスタを同じレジスタとして構成することができる。また、リフレッシュアドレスレジスタに格納される情報は、第２のリフレッシュモードにおいてリフレッシュの対象となるアドレス範囲の最小値、最大値、或いは、最小値および最大値の両方としてもよい。さらに、リフレッシュアドレスレジスタに格納される情報は、第２のリフレッシュモードにおいてリフレッシュの対象となるメモリセルを全てリフレッシュするためのリフレッシュ動作の回数、リフレッシュアドレスカウンタの初期値、或いは、リフレッシュの対象となるメモリセルを全てリフレッシュするためのリフレッシュ動作の回数およびリフレッシュアドレスカウンタの初期値の両方としてもよい。なお、リフレッシュアドレスカウンタの初期値は、リフレッシュの対象となるアドレスの範囲の最小値または最大値としてもよい。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
リフレッシュアドレスカウンタ７は、リフレッシュ制御信号ＲＥＦ２が１回入力するとアドレスを１つカウントアップするカウンタとして構成され、リフレッシュ制御信号ＲＥＦ２が入る毎にリフレッシュアドレスＡＤＲ１を自動的に発生する。また、リフレッシュ制御信号ＲＥＦ２はＡＮＤゲート１３にも供給され、比較器１２の出力ＣＭＰとの論理積を取ってＲＡＳ系制御回路８およびセレクタ１０にリフレッシュ制御信号ＲＥＦ１を供給するようになっている。ここで、比較器１２の出力ＣＭＰは、セルフリフレッシュ時以外は、低レベル『Ｌ』に固定される。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、パワーダウン状態の場合、アクティブ状態において外部からセルフリフレッシュコマンド（ＳＥＬＦ  ＲＥＦＲＥＳＨ）が供給されると、コマンドデコーダ２がセルフリフレッシュコマンド信号ＳＲ１を発生してデバイスはパワーダウン状態となり、リフレッシュ制御回路４は、制御信号ＳＲ２により発振器（ＯＳＣ）５を起動させ、発振器５が発生するクロック信号に基づいて、リフレッシュアドレスカウンタ７およびＡＮＤゲート１３に供給されるリフレッシュ制御信号ＲＥＦ２を周期的に発生させる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本第２実施例では、セルフリフレッシュモードに入ると、まず、セルフリフレッシュ制御信号（パルス信号）ＳＲ３が出力（１発発生）され、ＯＲゲート１２１を介してセット信号ＳＥＴがリフレッシュアドレスカウンタ７ａに入力され、リフレッシュアドレスレジスタ６１ａに保持されたリフレッシュアドレスの最小値（６１１：Ａｍ）がリフレッシュアドレスカウンタ７ａに初期値としてセットされる。次いで、セルフリフレッシュが開始され、アドレスＡｍから順次リフレッシュ動作が行われる。そして、リフレッシュアドレスカウンタ７ａの出力であるリフレッシュアドレスＡＤＲ１がリフレッシュアドレスレジスタ６１ａに保持されたリフレッシュアドレスの最大値（６１２：Ａｎ）に達すると、比較器１２ａが出力信号（パルス信号）ＣＭＰを出力（１発発生）する。この信号ＣＭＰは、ＯＲゲート１２１を介してセット信号ＳＥＴとしてリフレッシュアドレスカウンタ７ａに入力され、該リフレッシュアドレスカウンタ７ａに初期値（Ａｍ）が再設定され、以後同様の動作を繰り返す。これにより、リフレッシュアドレスカウンタ７ａは、リフレッシュアドレスレジスタ６１ａに設定されたアドレス範囲（Ａｍ〜Ａｎ）内だけで動作することになる。