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【手続補正書】
【提出日】平成24年5月11日(2012.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱回収蒸気発生装置中の触媒区域に最適な温度範囲を維持する方法であって、
ガスタービンの排気流の第一部分を第一熱交換機の経路中に入れること、
前記排気流の一つ以上の第二部分を分岐させ、前記第一熱交換機を回避させ、その際、前記第一熱交換機の後で、前記第二部分を前記第一部分と組み合わせること、及び
前記組み合わされた第一部分及び第二部分を触媒区域と接触させることを含んでなり、
前記触媒区域が、
一個以上の還元剤注入点と、
一種以上のSCR触媒と、
前記一種以上のSCR触媒の上流に、又は前記一個以上の還元剤注入点の下流に、配置された一種以上のＣＯ触媒とを備えてなる、方法。
【請求項２】
前記触媒区域が、約７１５°Ｆ〜約８１５°Ｆの温度を有してなり、
前記第二部分の温度が前記組み合わされた第一部分及び第二部分の温度以上のものである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記組み合わされた第一部分及び第二部分を、前記触媒区域の下流に配置された第二熱交換機と接触させることをさらに含んでなる、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
熱回収蒸気発生装置中の触媒区域に最適な温度範囲を維持する方法であって、
ガスタービンの排気流の第一部分を第一熱交換機の経路中に入れること、
前記排気流の一つ以上の第二部分を分岐させ、前記第一熱交換機を回避させ、かつ、前記第二部分を一個以上の過熱器と接触させることを回避させ、その際、前記第一熱交換機の後で、前記第二部分を前記第一部分と組み合わせること、及び
前記組み合わされた第一部分及び第二部分を触媒区域と接触させることを含んでなり、
前記触媒区域が、
一個以上の還元剤注入点と、
一種以上のSCR触媒とを備えてなる、方法。
【請求項５】
前記触媒区域が、約７１５°Ｆ〜約８１５°Ｆの温度を有してなり、
前記第二部分の温度が前記組み合わされた第一部分及び第二部分の温度以上のものである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第一熱交換機の前で前記ガスタービンの排気流の第一部分の温度が、約８２５°Ｆ〜約１１００°Ｆである、請求項４又は５に記載の方法。
【請求項７】
前記組み合わされた第一部分及び第二部分を、前記触媒区域の下流に配置された第二熱交換機と接触させることをさらに含んでなる、請求項４〜６の何れか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記触媒区域が、前記一種以上のSCR触媒の上流に配置された、一種以上のＣＯ触媒をさらに備えてなる、請求項４〜７の何れか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月6日(2011.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分散媒と、該分散媒中に分散する研磨剤とを備える、塗装表面処理組成物であって、前記研磨剤が、１２〜５５μｍの平均粒径、及び５．５〜６のモース硬度を有する、塗装表面処理組成物。
【請求項２】
レオロジー剤を更に備える、請求項１に記載の塗装表面処理組成物。
【請求項３】
前記レオロジー剤が、アニオン性疎水性修飾アクリル系膨張増粘剤である、請求項１に記載の塗装表面処理組成物。
【請求項４】
前記分散媒が、水油分散乳濁液である、請求項１に記載の塗装表面処理組成物。
【請求項５】
前記研磨剤の量が、前記組成物の総重量の３５〜５０％である、請求項１に記載の塗装表面処理組成物。
【請求項６】
前記研磨剤が、パイロルータイトである、請求項１に記載の塗装表面処理組成物。
【請求項７】
前記研磨剤の粒径分布Ｄ９０が、３０〜１１０μｍである、請求項１に記載の塗装表面処理組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月29日(2012.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）Ｔｉ、Ｍｇ、ハロゲンを含み、少なくとも０．３ｃｍ３／ｇの、水銀法によって測定される１μｍ以下の半径を有する孔による多孔度（ＰＦ）を有する固体触媒成分；（Ｂ）アルミニウムアルキル化合物；及び（Ｃ）ハロゲンが第２級炭素原子に結合しているモノハロゲン化炭化水素；を含む、オレフィンを重合するための気相プロセス用の触媒系。
【請求項２】
化合物（Ｃ）が、塩化プロピル、塩化ｉ−プロピル、塩化ブチル、塩化ｓ−ブチル、塩化ｔ−ブチル、２−クロロブタン、塩化シクロペンチル、塩化シクロヘキシル、１，２−ジクロロエタン、１，６−ジクロロヘキサン、臭化プロピル、臭化ｉ−プロピル、臭化ブチル、臭化ｓ−ブチル、臭化ｔ−ブチル、臭化ｉ−ブチル、臭化ｉ−ペンチル、及び臭化ｔ−ペンチルからなる群から選択される、請求項１に記載の触媒系。
【請求項３】
触媒成分（Ａ）が水銀法によって測定して０．４０ｃｍ３／ｇより高い多孔度ＰＦを有する、請求項１又は２に記載の触媒系。
【請求項４】
化合物（Ｃ）を、３より高い（Ｂ）／（Ｃ）のモル比を有するような量で用いる、請求項１〜３のいずれかに記載の触媒系。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の触媒系の存在下で行う、エチレンの気相（共）重合方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月20日(2011.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キナーゼおよび/またはホスファターゼ活性の検出のための装置であって、
ラマン散乱を増強するフィーチャを含むラマン活性表面を備え、
前記表面に、少なくとも1つのキナーゼおよび/またはホスファターゼ基質分子が結合されている、装置。
【請求項２】
前記表面に、複数のキナーゼおよび/またはホスファターゼ基質分子が結合されている、請求項1に記載の装置。
【請求項３】
前記キナーゼまたはホスファターゼ基質分子は、小分子、脂質、ペプチド、リン酸化小分子、リン酸化脂質、リン酸化ペプチド、ヌクレオチド、糖、多糖、ポリマー、脂質、リン酸化ヌクレオチド、リン酸化糖、リン酸化多糖、リン酸化ポリマー、およびリン酸化脂質からなる群から選択される、請求項1または2に記載の装置。
【請求項４】
前記キナーゼまたはホスファターゼ基質は、セリンキナーゼ、トレオニンキナーゼ、ヒスチジンキナーゼ、およびチロシンキナーゼからなる群から選択されるキナーゼのペプチド基質である、請求項1から3のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記複数のキナーゼまたはホスファターゼ基質分子は、少なくとも5個の異なるペプチド、少なくとも10個の異なるペプチド、または少なくとも100個の異なるペプチドを含む、請求項2または4に記載の装置。
【請求項６】
前記ペプチドの長さは、約5個から約50個のアミノ酸の範囲である、請求項5に記載の装置。
【請求項７】
前記ペプチドは、各種類のペプチドからのシグナルが他の種類のペプチドからのシグナルと区別されるように局在する、請求項5に記載の装置。
【請求項８】
ラマン散乱を増強する前記フィーチャは、ナノスケールピラミッド、ナノスケールドット、ナノスケールファイバー、ナノチューブ、ナノホーン、ナノホール、ナノボウタイ、ナノボウル、ナノクレセント、およびナノバーガーからなる群から選択される非常に多数のナノスケールフィーチャを含む、請求項2に記載の装置。
【請求項９】
ラマン散乱を増強する前記フィーチャは、金属、貴金属、貴金属合金、貴金属複合材料、カーボン系材料、ポリマー、水晶材料、液晶材料、金属酸化物材料、塩結晶、および半導体材料からなる群から選択される材料を含む、請求項2に記載の装置。
【請求項１０】
ラマン散乱を増強する前記フィーチャは、金、金合金、銀、銀合金、銅、銅合金、プラチナ、プラチナ合金、CdSe半導体、CdS半導体、ZnS被覆CdSe、磁気コロイド材料、ZnS、ZnO、TiO2、AgI、AgBr、HgI2、PbS、PbSe、ZnTe、CdTe、In2S3、In2Se3、Cd3P2、Cd3As2、InAs、およびGaAsからなる群から選択される材料を含む、請求項2に記載の装置。
【請求項１１】
ラマン散乱を増強する前記フィーチャは、金および/または銀を含む、請求項2に記載の装置。
【請求項１２】
前記フィーチャの中心間の距離は、約25nmから約0.5μmまたは約75nmから約150nmの範囲であり、ラマン散乱を増強する前記フィーチャは、約10nmから約200nmまたは約25nmから約150nmの範囲の大きさである、請求項2に記載の装置。
【請求項１３】
前記ラマン活性表面は、微小流体室を含むか、または前記微小流体室内に配設される、請求項1に記載の装置。
【請求項１４】
前記ラマン活性表面は、金ナノピラミッドを備え、
前記キナーゼ基質分子は、複数のプロテインキナーゼおよび/またはホスファターゼ基質を含み、
前記ラマン活性表面は、微小流体室を含むか、または前記微小流体室内に配設される、請求項1に記載の装置。
【請求項１５】
1つまたは複数の試料中のキナーゼおよび/またはホスファターゼ活性の検出のためのシステムの構成要素であり、前記システムは更に、前記装置の1つまたは複数の領域からの表面増強ラマンスペクトルを測定するために配設されたラマン検出プローブを備える、請求項1から14のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１６】
前記ラマン検出プローブは、レーザー光伝送ファイバー、対物レンズ、ロングパス光学フィルタ、およびラマン散乱光収集ファイバーを備えている、請求項15に記載の装置。
【請求項１７】
試料中のキナーゼおよび/またはホスファターゼ活性の検出および/または定量の方法であって、
前記試料を、キナーゼおよび/またはホスファターゼ基質配列を含む分子に接触させるステップと、
前記ペプチドのラマン散乱スペクトルの変化を検出することによって前記分子のリン酸化または脱リン酸化を検出するステップとを含む、方法。
【請求項１８】
前記接触および検出が、請求項1から16のいずれか一項に記載の装置を使用して実施される、請求項17に記載の方法。
【請求項１９】
キナーゼおよび/またはホスファターゼ活性のモジュレーターについて試料をスクリーニングするステップと、
請求項1から16のいずれか一項に記載の装置を1つまたは複数の試験試薬を含む試験試料に接触させるステップと、
SERS測定を行って、前記キナーゼおよび/またはホスファターゼ基質がリン酸化または脱リン酸化されたときのラマン散乱スペクトルにおける変化を検出するステップであって、前記ラマンスペクトルの変化の抑制が、試験試薬がキナーゼまたはホスファターゼ活性の阻害剤であることを示唆する、ステップとを更に含む、請求項17または18に記載の方法。
【請求項２０】
キナーゼおよび/またはホスファターゼ活性の検出のための表面を製造する方法であって、
キナーゼおよび/またはホスファターゼ基質分子のアレイを第1の表面上に堆積するステップと、
前記キナーゼおよび/またはホスファターゼ基質分子のアレイを、ラマン散乱を増強する複数のフィーチャを含むSERS表面に接触させるステップであって、前記接触は、前記キナーゼおよび/またはホスファターゼ基質分子が前記第1の表面から前記SERS表面に移動して、キナーゼおよび/またはホスファターゼ活性の検出のための表面が形成される条件で行われる、ステップとを含む、方法。
【請求項２１】
ナノピラミッド表面を製造する方法であって、
フォトリソグラフィー可能な表面を用意するステップと、
前記表面に第1のプラズマを接触させてナノスケール酸化物アイランドアレイを形成するステップと、
前記表面をエッチングしてナノピラーアレイを形成するステップと、
前記ナノピラーアレイを構成する前記ナノピラー上の前記酸化物層を除去するステップと、
前記ナノピラーアレイをエッチングしてナノピラミッドアレイを形成するステップとを含む、方法。
【請求項２２】
平均して約100nm未満の特徴的な寸法、および約500nm未満の平均内部フィーチャ間隔を有する、複数のナノピラミッドが設けられた表面を備える、ナノピラミッドアレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月28日(2012.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体の運動を追跡する装置であって、上記装置は、
送信機及び受信機をそれぞれ備え、複数のチャネルを間に定義する複数のトランスデューサと、
上記チャネルのうちの部分集合を選択して上記運動を計算する処理手段とを備えた装置。
【請求項２】
上記送信機から送信され、上記物体によって反射され、上記受信機まで伝搬する信号の伝搬時間を測定する手段を備えた請求項１記載の装置。
【請求項３】
あるチャネルが上記物体と干渉する反射物との間に予め決められた区別をもたらすか否かを決定するように構成された請求項１又は２記載の装置。
【請求項４】
上記チャネルのうちの少なくとも一部のインパルス応答を計算するように構成され、上記物体に対応する所定のチャネルのインパルス応答の一部をそのチャネルのインパルス応答の残りの部分から区別可能な程度に基づいて、チャネルを選択するように構成された手段を備えた請求項１〜３のうちのいずれか１つに記載の装置。
【請求項５】
上記装置は、あるチャネルの送信機から物体を経由して当該チャネルの受信機に至る信号の合計伝搬時間が所定の点集合に往復する等価な合計伝搬時間より短い場合、当該チャネルを選択するように構成され、
上記点集合は、上記物体から所定の最小間隔よりも離れているが、上記装置の最近接点から上記物体までの距離と少なくとも同じ距離だけ上記装置の最近接点から離れている、上記予め決められたゾーン内におけるすべての点を含む請求項１〜４のうちのいずれか１つに記載の装置。
【請求項６】
各組の送信機及び受信機のチャネルからインパルス応答を計算するように構成され、どの１つ以上のインパルス応答がユーザの手の目標部分に対応するインパルス応答と上記手の残りの部分に対応するインパルス応答との間で最良の分離をもたらすかという基準に基づいて、上記ユーザの手の目標部分の位置を決定するためにどのチャネルを用いるのかを決定するように構成された手段を備えた請求項１〜５のうちのいずれか１つに記載の装置。
【請求項７】
送信機及び受信機のチャネルからのインパルス応答の２つのピーク又は信号先頭部を、ユーザの手の対象部分及び他の部分にそれぞれ関連付けるように構成され、上記関連付けが行われたとき、このペアを、上記目標部分が妨げられない視界を有するものとして選択するように構成された手段を備えた請求項１〜６のうちのいずれか１つに記載の装置。
【請求項８】
予め決められたチャネル数の送信機及び受信機のチャネルが追跡対象の物体のクリアな視界を有することをユーザにフィードバックする手段を備えた請求項１〜７のうちのいずれか１つに記載の装置。
【請求項９】
あるチャネルの受信機からの信号が、手の目標部分又は他の物体を手の残りの部分又は他の潜在的に妨害となる反射物から区別する予め決められた基準を満たしているとき、当該チャネルは追跡対象の物体のクリアな視界を有していると決定される請求項８記載の装置。
【請求項１０】
手の部分又は他の物体の運動を追跡可能な予め決められたゾーンは、ディスプレイ画面の領域の少なくとも一部を含む請求項１〜９のうちのいずれか１つに記載の装置。
【請求項１１】
上記装置は、周縁部の周りに配置された少なくとも４つのトランスデューサを有する制御面を備え、
上記トランスデューサは、少なくとも１つの送信機と少なくとも１つの受信機とを備え、これにより少なくとも３組の送信機及び受信機のペアを定義し、
上記トランスデューサは、各組のペアの送信機及び受信機の間の離隔距離が、上記制御面の最短の辺の長さの少なくとも４分の１になるように配置された請求項１〜１０のうちのいずれか１つに記載の装置。
【請求項１２】
上記トランスデューサのすべてが上記制御面の同じ辺に沿って設けられることはなく、
同じタイプの少なくとも２つのトランスデューサは、同じ辺に設けられるとき、上記制御面の最短の辺の長さの少なくとも１０％に等しい長さだけ離隔される請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
上記装置は、制御面と複数組の送信機及び受信機のペアとを備え、上記複数組の送信機及び受信機のペアは、各ペアのうちの送信機が当該ペアの受信機に対して上記面をはさんで設けられるように配置された請求項１〜１２のうちのいずれか１つに記載の装置。
【請求項１４】
少なくとも１つの超音波送信機及び少なくとも１つの超音波受信機を備え、超音波を用いて上記物体の運動を追跡するように構成された請求項１〜１３のうちのいずれか１つに記載の装置。
【請求項１５】
物体の運動を追跡する方法であって、上記方法は、
送信機及び受信機をそれぞれ備え、複数のチャネルを間に定義する複数のトランスデューサを用いることと、
上記チャネルのうちの部分集合を選択して上記運動を計算することとを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月1日(2012.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
雌の哺乳類被験体における受胎後経過時間の長さの定量的推定値を計算するのに適合したアッセイ又はアッセイデバイスと共に使用するためのアッセイ結果読取装置であって、
ａ）受胎後１４日目に対応する第１の格納された分析物閾値と、
ｂ）受胎後２１日目に対応する第２の格納された分析物閾値と、
ｃ）前記被験体から採取した尿試料中のｈＣＧレベルに対応する分析物シグナル値を計測するのに適合した計測手段であって、前記分析物シグナル値を前記第１および第２の格納された分析物閾値と比較し、それにより前記比較に基づき受胎後経過時間の長さの定量的推定値を提供する、前記計測手段と、
ｃ）受胎後経過時間を表示するのに適合した表示手段と、
を含む、アッセイ結果読取装置。
【請求項２】
雌の哺乳類被験体における受胎後に経過した時間の長さの定量的推定値を提供するのに適合したアッセイデバイスであって、
ａ）請求項１に記載のアッセイ結果読取装置と、
ｂ）被験体からの尿試料中のｈＣＧレベルに依存するシグナル値を提供するための１つ又は複数のアッセイと、
を含む、アッセイデバイス。
【請求項３】
雌の哺乳類被験体における受胎後経過時間の長さの定量的推定値を決定するための方法であって、
ａ）ｈＣＧを含んでいる疑いのある被験体から採取した尿試料をアッセイ又はアッセイデバイスに付加するステップと、
ｂ）分析物計測シグナルであって、その値がｈＣＧレベルに依存するシグナルを、前記アッセイ又はアッセイデバイスにより計測するステップと、
ｃ）前記シグナル計測値を第１の分析物閾値と比較するステップであって、前記分析物閾値が受胎後１４日目に対応する、ステップと、
ｄ）前記シグナル計測値を第２の分析物閾値と比較するステップであって、前記分析物閾値が受胎後２１日目に対応する、ステップと、
ｅ）ステップｃ）及びｄ）の比較に基づき受胎後経過時間の長さの定量的推定値を提供するステップと、
を含む、方法。
【請求項４】
請求項１に記載のアッセイ読取装置及び／又は請求項２に記載のアッセイデバイス、及び／又は請求項３に記載の方法における、受胎後１４日目に対応する第１の分析物閾値及び受胎後２１日目に対応する第２の分析物閾値の提供におけるデータセットの使用であって、前記データセットが、妊娠中の雌の哺乳類被験体コホート由来の尿試料から受胎後経過時間の関数として計測されたｈＣＧレベルを含む、データセットの使用。
【請求項５】
前記哺乳類被験体がヒトである、請求項１〜４のいずれか一項それぞれに記載のアッセイ読取装置、デバイス、方法又はデータセットの使用。
【請求項６】
受胎後経過時間がＬＨサージ日に対して規定される、それぞれ請求項１〜５のいずれか一項に記載のアッセイ読取装置、デバイス、方法又はデータセットの使用。
【請求項７】
前記第１の分析物閾値及び第２の分析物閾値が、受胎後経過時間の関数として計測された尿ｈＣＧレベルを含む第１のデータセットと、アッセイ又はアッセイデバイスについて尿ｈＣＧレベルの関数として計測されたシグナルレベルを含む第２のデータセットとを分析することによって得ることができる、それぞれ請求項１〜６のいずれか一項に記載のアッセイ読取装置、デバイス又は方法。
【請求項８】
１つ又は複数の受胎後時間に対応する１つ又は複数のさらなる格納された分析物閾値をさらに含む、請求項１、２及び５〜７のいずれか一項に記載のアッセイ読取装置又はデバイス。
【請求項９】
最小妊娠閾値（ＰＤＴｍｉｎ）を含み、前記最小妊娠閾値未満の分析物計測シグナルが「妊娠していない」ことを示し、前記最小妊娠閾値より高い分析物計測シグナルが「妊娠している」ことを示す、請求項１若しくは２、又は請求項１若しくは２の従属項としての５〜８のいずれか一項に記載のアッセイ読取装置又はデバイス。
【請求項１０】
前記受胎後経過時間が週数の範囲として提供される、請求項１〜３及び５〜９のいずれか一項それぞれに記載のアッセイ読取装置、デバイス又は方法。
【請求項１１】
前記第１の分析物閾値未満だが前記最小妊娠閾値より高い分析物シグナル値が妊娠１〜２週を示し、前記第２の閾値より高い分析物シグナル値が妊娠３週より後を示し、前記第１の閾値以上だが前記第２の閾値以下の分析物シグナル値が妊娠２〜３週を示す、請求項９又は１０に記載のアッセイ読取装置、デバイス又は方法。
【請求項１２】
低濃度範囲のｈＣＧを計測するための検出ゾーンを有する第１のアッセイ流路と、高濃度範囲のｈＣＧを計測するための検出ゾーンを有する第２のアッセイ流路とを含む請求項２又は５〜１１のいずれか一項に記載のアッセイデバイスであって、前記デバイスは好ましくは、第１のアッセイ検出ゾーンから上流に提供されたｈＣＧに関する移動可能な標識された結合試薬及びｈＣＧに関する移動可能な第２の結合試薬、並びに第２のアッセイ検出ゾーンから上流に提供されたｈＣＧに関する標識された結合試薬を含み、さらに各流路が好ましくは単一の検出ゾーンを含む、前記アッセイデバイス。
【請求項１３】
共有参照ゾーン及び／又は共有対照ゾーンを含む、請求項１２に記載のアッセイデバイス。
【請求項１４】
双方の検出ゾーンからの光を検出する単一の光検出器と、前記共有参照ゾーン、前記共有対照ゾーン及び前記２つの検出ゾーンをそれぞれ照明する４つの光源とを含む、請求項１３に記載のアッセイデバイス。
【請求項１５】
前記参照ゾーンが検出ゾーンの下流に提供される、請求項１３又は１４に記載のアッセイデバイス。
【請求項１６】
一方又は双方のアッセイ流路がラテラルフロー多孔質担体を含み、前記担体が好ましくはニトロセルロースを含む、請求項１２〜１５のいずれか一項に記載のアッセイデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月10日(2012.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
９８Ｍｏ含有化学化合物に中性子を衝突させ、９９Ｍｏの反跳を起こさせ、続いてその結果得られた９９Ｍｏを分離することを特徴とする、高比放射能の無担体９９Ｍｏの製造プロセス。
【請求項２】
前記化合物に含まれる前記得られた９９Ｍｏは、ａ）前記生成された９９Ｍｏしか溶解しない液体に移されるか、またはｂ）前記化合物の溶解度が高い第１の液体に移され、その液体は前記化合物が溶解しない第２の液体と混合され、「遊離した」９９Ｍｏ核は前記第２の液体相に移され、除去されることを特徴とする、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記９８Ｍｏ含有化学化合物はモリブデン（Ｏ）ヘキサカルボニル［（Ｍｏ（ＣＯ）６］またはモリブデン（ＶＩ）ジオキソ−ジオキシナート［Ｃ４Ｈ３（Ｏ）−ＮＣ５Ｈ３）］２−ＭｏＯ２であることを特徴とする、請求項１または２に記載のプロセス。
【請求項４】
前記第１の液体はジクロロメタンであることを特徴とする、請求項１〜３に記載のプロセス。
【請求項５】
前記第２の液体は、５０ｍＭの酢酸アンモニウム緩衝液で調製された様々なｐＨ（２〜１２）の水相であることを特徴とする、請求項１〜３に記載のプロセス。
【請求項６】
溶解しない９８Ｍｏ含有化合物が、１）前記生成された９９Ｍｏしか溶解しない前記液体を含むか、または２）前記化合物が確実に溶解する前記液体、および前記９９Ｍｏしか溶解しない前記液体を共に含む照射容器に移され、前記容器は、連続振盪されながら、外部中性子ビームで中性子に照射され、反跳した９９Ｍｏは一方の液体相からもう一方の液体相にオンラインで移行することを特徴とする、請求項１および３〜５に記載のプロセス。
【請求項７】
前記９８Ｍｏ含有化学化合物は請求項３に定義されるような化合物であることを特徴とする、請求項６に記載のプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月16日(2012.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査型プローブ顕微鏡とともに使用する検出システムであって、
基部端および自由端(base and free ends)を有しかつ前記自由端は鋭利な先端(sharp tip)を支持するカンチレバーを備えたプローブを照明するビームを生成する光源と、
前記プローブから反射された光を集光する集光手段(collecting means)とを備え、
前記ビームは、
前記プローブ先端(tip)近傍(vicinity)の前記プローブの上部表面を照明し、前記反射された光は、前記プローブの前記上部表面のたわみ(deflection)の指示(indication)がそこから取得される(obtained)第１の成分(component)と、
基準点に対する前記プローブの前記上部表面の位置(position)に関する情報を第２の成分から抽出するように構成された高さ検出システムに送出される第２の成分、の２つの成分を含む、システム。
【請求項２】
前記高さ検出システムが、反射光の前記第２の成分と高さ参照ビームとの経路差を検出するように構成された干渉計を備える、請求項１に記載の検出システム。
【請求項３】
前記干渉計(interferometer)が、一対(a pair)の直交位相(phase quadrature)インターフェログラム(interferograms)を生成する手段を含み、当該インターフェログラムを生成する手段の例として、位相シフトされた(shifted)インターフェログラムを生成する被覆を持つビームスプリッタが含まれる、
請求項２に記載の検出システム。
【請求項４】
各インターフェログラムで検出された干渉縞(fringes)の数に応じた出力を生成するように構成された干渉縞計数装置を含み、
前記干渉縞計数装置が、好ましくは干渉縞再分割(subdividing)装置を含む、請求項３に記載の検出システム。
【請求項５】
前記第１の成分は前記干渉計にも送出され、前記干渉計が、反射光の前記第１の成分と、自由端から離れた前記カンチレバー上の位置によって長さが定義される光路(optical path)に沿って伝播する(propagates along)たわみ参照ビーム(deflection reference beam)との光路差を検出し、それにより前記カンチレバーのたわみについての情報を提供するようにさらに構成される、請求項２から４のいずれか一項に記載の検出システム。
【請求項６】
前記第１の成分がたわみ検出器に送出され、前記たわみ検出器が、前記プローブの前記上部表面のたわみの指示を提供するように構成される、請求項２から４のいずれかに記載の検出システム。
【請求項７】
前記たわみ検出器は第２の干渉計であり、前記第２の干渉計が、反射光の前記第１の成分と、自由端から離れた前記カンチレバー上の位置によって長さが定義される光路に沿って伝播するたわみ参照ビームとの光路差を検出するように構成されるか、又は、
前記たわみ検出器は位置検出器であり、当該位置検出器は、例えば分割(split)フォトダイオードを含み、前記分割フォトダイオードは、反射光の前記第１の成分が、前記プローブの前記上部表面の向きの角度によって決まる相対的強度で、前記ダイオードの２つの部分に入射するように配向される、
請求項６に記載の検出システム。
【請求項８】
自由端から離れた前記カンチレバー上の位置が、カンチレバー基部端である、
請求項５から７のいずれかに記載の検出システム。
【請求項９】
前記反射光を前記第１および第２の成分に分割するように構成されたビームスプリッタを含む、前記請求項のいずれかに記載の検出システム。
【請求項１０】
前記プローブが、前記カンチレバーの前記自由端の近傍に取り付けられた先端を備え、前記カンチレバーは基部端で支持され、前記ビームで照明される前記プローブの前記上部表面は、前記先端の上方(above the tip)にある、及び／又は、
前記プローブが、前記プローブの先端を移動させるように動作可能なアクチュエータを含む、前記請求項のいずれかに記載の検出システム。
【請求項１１】
試料とプローブの間の相互作用に従って試料を画像化する走査型プローブ顕微鏡であって、前記プローブと前記試料の表面との間に相対的な運動を提供するように構成された駆動手段と、請求項１から１０のいずれか一項に記載のプローブ検出システムとを備える走査型プローブ顕微鏡。
【請求項１２】
前記駆動手段は、前記試料表面に実質的に平行な面で前記プローブと前記試料表面との間に相対的な運動を提供するように構成されたＸＹ走査装置と、前記試料表面に直交する方向の相対的な運動を提供するように構成されたＺ方向駆動体とを備え、
前記プローブ検出システムから取得される前記プローブの前記上部表面のたわみの指示が、前記Ｚ方向駆動体を内蔵したフィードバックシステムに付加され、前記Ｚ方向駆動体は、前記プローブの上部表面のたわみ（deflection）の指示(indication)を設定レベル(a set level)に戻すように構成される、
請求項１１に記載の走査型プローブ顕微鏡。
【請求項１３】
前記Ｚ方向駆動体が、前記プローブの前記基部を移動するように構成された基部駆動体を含み、オプションとして、更に、前記プローブと一体のアクチュエータを含み、
前記アクチュエータは、前記プローブの前記先端を移動させるように動作可能である、
請求項１２に記載の走査型プローブ顕微鏡。
【請求項１４】
前記フィードバックシステムが、前記ＸＹ走査装置が画像画素間で前記プローブを移動するのに要する所要時間より長い所要時間で動作し、
前記ＸＹ走査装置が、好ましくは、前記プローブまたは試料と支持体を、プローブまたは試料と支持体の共振周波数または共振周波数の近傍で振動させるように構成された共振器を備える、
請求項１２、または、１３に記載の走査型プローブ顕微鏡。
【請求項１５】
走査型プローブ顕微鏡を使用してデータを収集する方法であって、
（ａ）基部端および自由端を有し、前記自由端が鋭利な先端を支持するカンチレバーを備えるプローブを、試料表面の近傍に移動するステップ、
（ｂ）前記プローブの上部表面上の前記先端の真上の点に光ビームを誘導するステップ、
（ｃ）前記プローブの前記上部表面から反射された光を集光および分析しながら、前記試料表面上で前記プローブを走査するステップを含み、前記集光された光の第１の成分の分析によって得られるフィードバック信号に応答して前記プローブの基部を垂直方向に駆動するようにＺ方向駆動体が動作し、前記集光された光の第１の成分から、前記プローブの前記上部表面のたわみの指示が得られ、集光された光の第２の成分は、第２の成分と高さ参照ビームとの間の経路差を検出するように構成され、基準レベル上方の前記プローブ先端の高さを示す画像を形成するように構成された干渉計に送出される、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月6日(2012.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流を検知する電子回路であって、
対向する第１および第２の主面を有する回路基板と、
前記回路基板上に配置された回路配線を含む、前記電流を搬送する電流導体と、
前記電流導体をまたぐような位置で前記回路基板上に配置され前記回路基板に電気的に結合された集積回路とを備え、前記集積回路が、前記電流に伴う磁界を検知する磁気抵抗素子を含み、
前記電流導体は前記回路基板の第２の面上に配置され、前記集積回路は前記電流導体に近い位置で前記回路基板の第１の面上に配置されている、
電子回路。
【請求項２】
前記磁気抵抗素子は、前記回路基板の前記対向する第１および第２の主面に対して概ね平行な最大応答軸を有する、請求項１に記載の電子回路。
【請求項３】
前記磁気抵抗素子は巨大磁気抵抗素子である、請求項２に記載の電子回路。
【請求項４】
前記磁気抵抗素子は、磁気トンネル接合（ＭＪＴ）素子またはトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）素子である、請求項２に記載の電子回路。
【請求項５】
前記集積回路は、少なくとも１つの増幅器を支持する第１の基板と、前記磁気抵抗素子を支持する第２の基板とを備える、請求項１に記載の電子回路。
【請求項６】
前記第２の基板は、フリップチップ構成で前記第１の基板と相対して配置される、請求項５に記載の電子回路。
【請求項７】
前記第１および第２の基板が第３の基板によって支持される、請求項５に記載の電子回路。
【請求項８】
前記第１および第２の基板が第３の基板によって支持され、前記第１の基板または前記第２の基板の少なくとも一方は、フリップチップ構成で前記第３の基板と相対して配置される、請求項５に記載の電子回路。
【請求項９】
前記集積回路は、少なくとも１つの増幅器を支持し前記磁気抵抗素子も支持する面を有する基板を含む、請求項１に記載の電子回路。
【請求項１０】
電流を検知する電子回路であって、
対向する第１および第２の主面を有する回路基板と、
前記回路回路基板上に配置された配線を含む、前記電流を搬送する電流導体と、
前記回路基板上に配置され前記回路基板に電気的に結合された集積回路とを備え、前記集積回路は、前記電流に伴う磁界を検知するホール効果素子を含み、前記電流導体は前記回路基板の前記第２の面上に配置され、前記集積回路が前記電流導体に近い前記回路基板上の位置で、前記回路基板の前記第１の面上に配置される、電子回路。
【請求項１１】
前記ホール効果素子は、前記回路基板の前記対向する第１および第２の主面に対して概ね垂直な最大応答軸を有する、請求項１０に記載の電子回路。
【請求項１２】
前記集積回路は、少なくとも１つの増幅器を支持する第１の基板と、前記ホール効果素子を支持する第２の基板とを備える、請求項１０に記載の電子回路。
【請求項１３】
前記第２の基板は、フリップチップ構成で前記第１の基板と相対して配置される、請求項１２に記載の電子回路。
【請求項１４】
前記第１および第２の基板が第３の基板によって支持される、請求項１２に記載の電子回路。
【請求項１５】
前記第１および第２の基板は第３の基板によって支持され、前記第１の基板または前記第２の基板の少なくとも一方は、フリップチップ構成で前記第３の基板と相対して配置される、請求項１２に記載の電子回路。
【請求項１６】
前記集積回路は、少なくとも１つの増幅器を支持し前記ホール効果素子も支持する面を有する基板を含む、請求項１０に記載の電子回路。
【請求項１７】
電流を検知する電子回路であって、
対向する第１および第２の主面を有する回路基板と、
前記回路基板上に配置された回路配線を含む、前記電流を搬送する電流導体と、
前記電流導体をまたぐような位置で前記回路基板上に配置され前記回路基板に電気的に結合された集積回路とを備え、前記集積回路は前記電流に伴う磁界を検知する磁気抵抗素子を含み、少なくとも１つの増幅器を支持する第１の基板と、前記磁気抵抗素子を支持する第２の基板とを備え、前記第２の基板は、フリップチップ構成で前記第１の基板と相対して配置される、
電子回路。
【請求項１８】
電流を検知する電子回路であって、
対向する第１および第２の主面を有する回路基板と、
前記回路基板上に配置された回路配線を含む、前記電流を搬送する電流導体と、
前記電流導体をまたぐような位置で前記回路基板上に配置され前記回路基板に電気的に結合された集積回路とを備え、前記集積回路は前記電流に伴う磁界を検知する磁気抵抗素子を含み、少なくとも１つの増幅器を支持する第１の基板と、前記磁気抵抗素子を支持する第２の基板とを備え、前記第１および第２の基板は第３の基板によって支持され、前記第１の基板または前記第２の基板の少なくともひとつは、フリップチップ構成で前記第３の基板と相対して配置される、
電子回路。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月2日(2012.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
衛星測位システムからの信号を、第１のトリガー信号のタイミングと前記第１のトリガー信号の１つまたは複数のパラメータとによる処理方法を使用して処理するステップを含む方法であって、
前記第１のトリガー信号に応答して、衛星放送の１ブロックのデータ・サンプルを記録するステップと、前記ブロックを後の処理のために記憶するステップとを含み、前記記録するステップの少なくとも１つのパラメータは、前記第１のトリガー信号の１つまたは複数のパラメータに依存する、ステップと
前記第１のトリガー信号に応答して格納されていた、衛星放送の１ブロックのデータ・サンプルを、前記第１のトリガー信号の前記１つまたは複数のパラメータによる処理方法を使用して、処理することにより、少なくとも位置情報を導出する、ステップと、
のうちの少なくとも１つを備え、
前記第１のトリガー信号の前記１つまたは複数のパラメータは、距離測定あるいは速度測定と、コンパス方位と、高度測定と、歩数と、車輪回転数と、のうちの少なくとも１つを含む方法。
【請求項２】
前記第１のトリガー信号に応答して格納されていた、衛星放送の１ブロックのデータ・サンプルを、前記１つまたは複数のパラメータによる処理方法を使用して、処理することにより、少なくとも位置情報を導出する、ステップを備え、
前記ブロックを処理するステップの前に、
前記ブロックを、前記ブロックが記録されたポータブル機器から受け取るステップと、  前記第１のトリガー信号の前記１つまたは複数のパラメータを受け取るステップと
を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記記録されたブロックを、第２のトリガー信号の１つまたは複数のパラメータを使用して処理するステップをさらに含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記記録されたブロックを前記処理するステップは、前記第１のトリガー信号の前記パラメータを使用して前記位置情報の前記導出を単純化するステップを含む請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも位置情報を導出するために、前記記録された数ブロックのデータ・サンプルをプロセッサに提供するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記記録するステップの前記少なくとも１つのパラメータは、記録されるデータ・サンプルの数である請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のトリガー信号の前記１つまたは複数のパラメータは、前記トリガーの発信元装置を識別する情報および前記トリガーの前記発信元装置のパラメータの少なくとも１つをさらに含む請求項１ないし６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記発信元装置はカメラであり、前記発信元装置の前記パラメータは、フラッシュをたいたか否かを識別する情報、開口量、焦点距離値、ズーム値、光レベル値、露出時間、被写体距離、配向を識別する情報、およびシーンタイプを識別する情報の少なくとも１つを含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記発信元装置は、モーションセンサー、加速度センサー、および配向センサーの少なくとも１つを含む請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１のトリガー信号のパラメータを記録するステップと、
前記記録されたパラメータを前記プロセッサに提供するステップと
をさらに含む請求項５または６に記載の方法。
【請求項１１】
前記記録された数ブロックのデータ・サンプルを、請求項２から４のいずれか一項に記載の方法を使用して処理するステップをさらに含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
コンピュータで実行されるとき、請求項１から１１のいずれかに記載のステップの全てを実行するようになされたコンピュータプログラムコード手段を含むコンピュータプログラム。
【請求項１３】
コンピュータ可読媒体で実施された請求項１２に記載のコンピュータプログラム。
【請求項１４】
衛星測位システムからの信号を処理するための機器であって、第１のトリガー信号のタイミングおよび前記第１のトリガー信号の１つまたは複数のパラメータによる処理方法を使用して前記信号を処理するようになされた処理手段を含む機器であって、
前記第１のトリガー信号に応答して格納されていた、衛星放送の１ブロックのデータ・サンプルを、前記１つまたは複数のパラメータによる処理方法を使用して、処理することにより、少なくとも位置情報を導出する、プロセッサと、
前記第１のトリガー信号に応答して衛星放送の１ブロックのデータ・サンプルを記録し、前記ブロックを後の処理のために記憶する、前記記録の少なくとも１つのパラメータは、前記第１のトリガー信号の１つまたは複数のパラメータに依存する、記録手段と、
のうちの少なくとも１つを備え、
前記第１のトリガー信号の前記１つまたは複数のパラメータは、距離測定あるいは速度測定と、コンパス方位と、高度測定と、歩数と、車輪回転数と、のうちの少なくとも１つを含む機器。
【請求項１５】
前記第１のトリガー信号に応答して格納されていた、衛星放送の１ブロックのデータ・サンプルを、前記１つまたは複数のパラメータによる処理方法を使用して、処理することにより、少なくとも位置情報を導出する、プロセッサを備え、
さらに、
前記１ブロックのデータ・サンプルを前記１ブロックのデータ・サンプルが記録されたポータブル機器から受け取るようになされた第１の受け取り手段と、
前記第１のトリガー信号の前記１つまたは複数のパラメータを受け取るようになされた第２の受け取り手段と
をさらに含む請求項１４に記載の機器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月22日(2011.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
領域の各点に対して画素及び高さを記憶するために領域のステレオ記録を使用して領域における三次元物体の仮想画像を表示するための方法において、異なる立体角の少なくとも三つの異なるステレオ記録からのステレオ記録が領域をカバーするために使用されること、各々の異なる立体角に対して画素点ごとの位置、テクスチャ及び高さについてのデータを含む少なくとも一つのデータベースが確立されること、及び仮想画像を表示するためのデータが、仮想画像が表示される任意の方向に依存して異なるデータベースから画素点レベルで組み合わされることを特徴とする方法。
【請求項２】
立体角に対して仮想画像を表示するためのデータが、二つ以上のステレオ記録に接続されたデータベースから組み合わされることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
仮想画像を表示するためのデータが、仮想画像が表示される方向に対する角度に最も近いステレオ記録に接続されたデータベースから選択されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
三つの異なるステレオ記録が、各々に実質的に１２０度の方位角をカバーするように互いに実質的に１２０度分離された基面において立体角投射を持って使用されること、及びデータが、表示される仮想画像の基面における方向の投射が示す方位角をカバーするデータベースから取り出されることを特徴とする請求項１又は３に記載の方法。
【請求項５】
異なるステレオ記録が、基面に対して垂直な垂線から約３０度で記録されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
四つの異なるステレオ記録が、各々に実質的に９０度の方位角をカバーするように互いに実質的に９０度分離された基面において立体角投射を持って使用されること、及びデータが、表示される仮想画像の基面における方向の投射が示す方位角をカバーするデータベースから取り出されることを特徴とする請求項１又は３に記載の方法。
【請求項７】
異なるステレオ記録が、基面に対して垂直な垂線から約４５度で記録されることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
基面に対して実質的に垂直な追加のステレオ記録が、円形立体角をカバーするために使用され、そのデータベースから基面に対して垂直又はほぼ垂直に表示される仮想画像の方向に対してデータが取り出されることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
二つ以上のデータベースからのデータが、異なるステレオ記録間の遷移の近くで補間されることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
高さが角度高さとして表示されることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
記録角度についての情報が、テクスチャ及び高さ情報に加えてデータベースに記録されることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
異なるデータベースからの情報が、距離、面積及び容積のような物体の寸法を計算するために使用されることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月16日(2012.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分散を補償する光学システムにおいて、前記システムが、
異なる波長を空間的に分離することにより一次分散を補償する光学部品の対と、
高次分散を実質的に補償するように位相板の対応する位置における高さを設計することにより各波長に対する位相変化が調節される当該位相板の形をとる高次分散補償装置と、
を有し、
前記高次分散補償装置が、少なくとも、
前記光学部品の対の光学特性、及び
前記高次分散補償装置と前記光学部品の対との間の相対的な位置、
を考慮に入れることにより前記光学部品の対と協働する、
光学システム。
【請求項２】
位置の関数としての前記高さが、前記板の少なくとも一部において、実質的に連続関数である、請求項１に記載の光学システム。
【請求項３】
前記装置が、実質的に平らな後面、及び前記板の少なくとも一部において、ステップ状の高さを持つ前面を持つ、請求項１に記載の光学システム。
【請求項４】
位置の関数としての前記高さが、前記板の少なくとも一部において、単調増加関数である、請求項３に記載の光学システム。
【請求項５】
前記装置が、実質的に同一の部品の対と協働する、請求項１に記載の光学システム。
【請求項６】
前記装置にわたる位置ｘの関数としての位相変化Δφと、前記装置にわたる位置の関数としての前記高さｈ(ｘ)との間の関係が、
Δφ(ｘ)＝ｈ(ｘ)Ｆ(λ、Ｏ＿Ｐａ、ＲＰ、Ｏ＿Ｐｒｏｐ)
の形で与えられることができ、
ここで、関数Ｆが、
λ：波長
Ｏ＿Ｐａ：光学経路
ＲＰ：前記板及び前記光学部品の対の相対的な位置
Ｏ＿Ｐｒｏｐ：前記光学部品の対の光学特性
に依存する、請求項５に記載の光学システム。
【請求項７】
前記光学部品の対が、プリズムの対であり、前記光学部品の対の光学特性Ｏ＿Ｐｒｏｐが、前記プリズムの屈折率ｎ及び前記プリズムの頂角を有する、請求項６に記載の光学システム。
【請求項８】
前記光学部品の対が、回折格子の対であり、前記光学部品の対の光学特性Ｏ＿Ｐｒｏｐが、前記回折格子の回折係数ｋを有する、請求項６に記載の光学システム。
【請求項９】
前記装置が、実質的にポリマ、好ましくはＰＭＭＡ、ＰＣ、ＣＯＣ又は一種のガラスで製造される、請求項１に記載の光学システム。
【請求項１０】
前記装置が、透明基板上のＵＶ硬化性樹脂で製造される、請求項１に記載の光学システム。
【請求項１１】
前記高さの分布が、各光学部品に対する距離及び入射角を有する前記高次分散補償装置と前記光学部品の対との間の相対的な位置に依存する、請求項１に記載の光学システム。
【請求項１２】
前記光学部品の対が、実質的に同一のプリズムの対であり、前記プリズムの対の光学特性が、前記プリズムの屈折率ｎ及び前記屈折率の波長依存部分を有する、請求項１に記載の光学システム。
【請求項１３】
前記システムが、非線形光学現象を使用する光学撮像システム、例えば多光子撮像システム又は第二高調波発生撮像システムにおいて使用される、請求項１に記載の分散を補償する光学システム。
【請求項１４】
分散を補償する方法において、
異なる波長を空間的に分離することにより一次分散を補償する光学的部品の対を備えるステップと、
高次分散を実質的に補償するように位相板の対応する位置における高さを設計することにより各波長に対する位相変化が調節される当該位相板の形をとる高次分散補償装置を備えるステップと、
を有し、
前記方法が、少なくとも、
前記光学部品の対の光学特性、及び
前記高次分散補償装置と前記光学部品の対との間の相対的な位置、
を考慮に入れることにより前記光学部品の対と協働するように前記高次分散補償装置を適合するステップを有する、
方法。
【請求項１５】
高次分散補償装置において、前記装置が、異なる波長を空間的に分離することにより位置分散を補償する光学部品の対と協働し、前記補償装置は、高次分散を実質的に補償するように位相板の対応する位置における高さを設計することにより各波長に対する位相変化が調節される当該位相板の形をとる、
装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月14日(2012.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレームと、
光学フィルムと、
エラストマーフィルムであって、当該エラストマーフィルム内の張力が前記光学フィルムを懸架するように前記フレームと前記光学フィルムとに取り付けられたエラストマーフィルムと、を含む懸架された光学フィルム組立品。
【請求項２】
前記エラストマーフィルムが、
第１取り付け領域と、
第２取り付け領域と、
前記第１取り付け領域と前記第２取り付け領域との間の自由領域と、を含み、
前記第１取り付け領域が前記フレームに取り付けられ、前記第２取り付け領域が前記光学フィルムの周囲に近接して取り付けられ、及び、前記自由領域が引っ張り状態にある、請求項１に記載の懸架された光学フィルム組立品。
【請求項３】
上部及び該上部に隣接した第１周辺部を含むフレームと、
前記上部に近接して配置された第２周辺部を含む光学フィルムと、
エラストマーフィルムであって、第１縁部に隣接した第１取り付け領域と、第２縁部に隣接した第２取り付け領域と、前記第１取り付け領域と前記第２取り付け領域との間の自由領域と、を含むエラストマーフィルムと、を含む懸架された光学フィルム組立品であって、
前記第１取り付け領域が前記第１周辺部に近接して前記フレームに取り付けられ、前記第２取り付け領域が前記第２周辺部に近接して前記光学フィルムに取り付けられ、及び、前記自由領域が引っ張り状態にある、懸架された光学フィルム組立品。
【請求項４】
フレームであって、上部及び該上部に隣接した第１周辺部と、底部及び該底部に隣接した第２周辺部と、前記第１及び第２周辺部を接続する側面と、を含む、フレームと、
前記上部に近接して配置された第３周辺部を含む第１光学フィルムと、
前記底部に近接して配置された第４周辺部を含む第２光学フィルムと、
第１及び第２エラストマーフィルムであって、それぞれが、第１縁部に隣接した第１取り付け領域と、第２縁部に隣接した第２取り付け領域と、前記第１取り付け領域と前記第２取り付け領域との間の自由領域と、を含む、第１及び第２エラストマーフィルムと、を含む懸架された光学フィルムキャビティであって、
前記第１エラストマーフィルムの前記第１取り付け領域は、前記第１周辺部に近接して前記フレームに取り付けられ、前記第２取り付け領域は、前記第３周辺部に近接して前記第１光学フィルムに取り付けられ、及び、前記自由領域は引っ張り状態にあり、
前記第２エラストマーフィルムの前記第１取り付け領域は、前記第２周辺部に近接して前記フレームに取り付けられ、前記第２取り付け領域は、前記第４周辺部に近接して前記第２光学フィルムに取り付けられ、及び、前記自由領域は引っ張り状態にある、懸架された光学フィルムキャビティ。