【手続補正書】
【提出日】平成23年12月7日(2011.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉのキラルイミンを式ＩＩのアミンに
【化１】
2011507814.tif 000001
［式中、
Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ3−Ｃ6−シクロアルキル、Ｃ2−Ｃ6−アルケニル、Ｃ2−Ｃ6−アルキニル、Ｃ2−Ｃ6−ハロアルケニル、Ｃ2−Ｃ6−ハロアルキニル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル、Ｃ3−Ｃ6−アルケニルオキシカルボニル、Ｃ3−Ｃ6−アルキニルオキシカルボニル、アミノカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルキルアミノカルボニル、Ｃ3−Ｃ6−アルケニルアミノカルボニル、Ｃ3−Ｃ6−アルキニルアミノカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルキルスルホニルアミノカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、Ｎ−（Ｃ3−Ｃ6−アルケニル）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、Ｎ−（Ｃ3−Ｃ6−アルキニル）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、Ｎ−（Ｃ3−Ｃ6−アルケニル）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ）アミノカルボニル、Ｎ−（Ｃ3−Ｃ6−アルキニル）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ）アミノカルボニル、（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノチオカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノチオカルボニル、またはＣ1−Ｃ6−アルキルカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルキル
（ここで、前記アルキル基、シクロアルキル基およびアルコキシ基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／または以下の基（すなわち、シアノ、ヒドロキシル、Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ3−Ｃ6−シクロアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルチオ、アミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルカルボニルアミノ、ヒドロキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシカルボニル、アミノカルボニル、Ｃ1−Ｃ4−アルキルアミノカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノカルボニル、またはＣ1−Ｃ4−アルキルカルボニルオキシ）の内の１〜３個を担持してもよい）、
アリール、アリール−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリール−Ｃ2−Ｃ4−アルケニル、アリール−Ｃ2−Ｃ4−アルキニル、アリール−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、アリール−Ｃ2−Ｃ4−ハロアルケニル、アリール−Ｃ3−Ｃ4−ハロアルキニル、アリール−Ｃ1−Ｃ4−ヒドロキシアルキル、アリールカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリール−Ｃ1−Ｃ4−アルキルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールカルボニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールオキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールアミノ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールチオ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールスルフィニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールスルホニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−アルケニル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−アルキニル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−ハロアルケニル、ヘテロシクリル−Ｃ3−Ｃ4−ハロアルキニル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−ヒドロキシアルキル、ヘテロシクリルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル−カルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルカルボニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルオキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルアミノ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルチオ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルスルフィニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルスルホニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル
（ここで、前記基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、ニトロ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、ヒドロキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルキル、ヒドロキシル、Ｃ1−Ｃ6−ヒドロキシアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、ヒドロキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル、アミノカルボニル、（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、ヒドロキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、アミノ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルスルホニルアミノ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキルスルホニルアミノ、（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニルアミノ、アリール、およびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）の群の内の１〜３個の基を担持してもよい）
であり
（但し、Ｒ1基およびＲ2基は互いに異なる）；
Ｒ3はＣ1−Ｃ6−アルキルであり；
Ｒ4は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、ニトロ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、ヒドロキシル、Ｃ1−Ｃ6−ヒドロキシアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、ヒドロキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノ、アリール、およびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）の群の内の１〜３個の基を担持してもよいアリールであり；
ならびに
＊はＳまたはＲ立体配置を表し、および
＊＊はＳおよび／またはＲ立体配置を表す］、
式Ｉのイミンを水素および不均一銅含有触媒の存在下で転化し、
前記不均一銅含有触媒が、触媒の全質量に対して、
銅を０．１〜９５質量％；
ニッケル、コバルトおよび亜鉛の群から選択される少なくとも１種の金属を０．１〜８５質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜１５質量％
（但し、質量％の合計は１００％を超えない）
含むことにより、ジアステレオ選択的に転化する方法。
【請求項２】
前記銅含有触媒が担体物質を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記不均一銅含有触媒が、担体物質として、炭素、あるいは酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、アルミノ珪酸塩、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、酸化マグネシウムまたはこれらの混合物からなる群から選択される多孔質金属酸化物を含む、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記銅含有触媒が非担持触媒である、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記反応が溶媒の存在下または物質内で行われる、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記反応が標準圧力から２００バールまでで行われる、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記反応が室温から反応混合物の還流温度までで行われる、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
Ｒ3がＣ1−Ｃ4−アルキルであり、
Ｒ4は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、ニトロ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、アリール、およびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）の群の内の１〜３個の基を担持してもよいアリールである、
請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
Ｒ1、Ｒ2がそれぞれ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ3−Ｃ6−シクロアルキル、Ｃ2−Ｃ6−アルケニル、Ｃ2−Ｃ6−アルキニル、Ｃ2−Ｃ6−ハロアルケニル、Ｃ2−Ｃ6−ハロアルキニル、またはＣ1−Ｃ6−アルキルカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルキル
（ここで、前記アルキル基、シクロアルキル基およびアルコキシ基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／または以下の基（すなわち、シアノ、ヒドロキシル、Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ3−Ｃ6−シクロアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルチオ、アミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノ）の内の１〜３個を担持してもよい）、
アリール、アリール−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリール−Ｃ2−Ｃ4−アルケニル、アリール−Ｃ2−Ｃ4−アルキニル、アリール−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、アリール−Ｃ2−Ｃ4−ハロアルケニル、アリール−Ｃ3−Ｃ4−ハロアルキニル、アリール−Ｃ1−Ｃ4−ヒドロキシアルキル、アリールカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリール−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、カルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールアミノ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールチオ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールスルフィニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールスルホニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、
ヘテロシクリル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−アルケニル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−アルキニル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−ハロアルケニル、ヘテロシクリル−Ｃ3−Ｃ4−ハロアルキニル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−ヒドロキシアルキル、ヘテロシクリルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−アルキルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルアミノ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルチオ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルスルフィニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルスルホニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル
（ここで、前記基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、ニトロ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、ヒドロキシル、Ｃ1−Ｃ6−ヒドロキシアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、アミノ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルスルホニルアミノ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキルスルホニルアミノ、アリール、およびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）の群の内の１〜３個の基を担持してもよい）
である、請求項１から８までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
式ＩＩのアミンを製造する方法であって、次の工程
ａ）式ＩＩＩのケトンを式ＩＶのアミンと
【化２】
2011507814.tif 000002
反応させ、式Ｉ
【化３】
2011507814.tif 000003
のイミンを生じ、
上記式中、
Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ3−Ｃ6−シクロアルキル、Ｃ2−Ｃ6−アルケニル、Ｃ2−Ｃ6−アルキニル、Ｃ2−Ｃ6−ハロアルケニル、Ｃ2−Ｃ6−ハロアルキニル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル、Ｃ3−Ｃ6−アルケニルオキシカルボニル、Ｃ3−Ｃ6−アルキニルオキシカルボニル、アミノカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルキルアミノカルボニル、Ｃ3−Ｃ6−アルケニルアミノカルボニル、Ｃ3−Ｃ6−アルキニルアミノカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルキルスルホニルアミノカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、Ｎ−（Ｃ3−Ｃ6−アルケニル）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、Ｎ−（Ｃ3−Ｃ6−アルキニル）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、Ｎ−（Ｃ3−Ｃ6−アルケニル）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ）アミノカルボニル、Ｎ−（Ｃ3−Ｃ6−アルキニル）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ）アミノカルボニル、（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノチオカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノチオカルボニル、またはＣ1−Ｃ6−アルキルカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルキル
（ここで、前記アルキル基、シクロアルキル基およびアルコキシ基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／または以下の基（すなわち、シアノ、ヒドロキシル、Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ3−Ｃ6−シクロアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルチオ、アミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルカルボニルアミノ、ヒドロキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシカルボニル、アミノカルボニル、Ｃ1−Ｃ4−アルキルアミノカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノカルボニル、またはＣ1−Ｃ4−アルキルカルボニルオキシ）の内の１〜３個を担持してもよい）、
アリール、アリール−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリール−Ｃ2−Ｃ4−アルケニル、アリール−Ｃ2−Ｃ4−アルキニル、アリール−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、アリール−Ｃ2−Ｃ4−ハロアルケニル、アリール−Ｃ3−Ｃ4−ハロアルキニル、アリール−Ｃ1−Ｃ4−ヒドロキシアルキル、アリールカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリール−Ｃ1−Ｃ4−アルキルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールカルボニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールオキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールアミノ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールチオ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールスルフィニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールスルホニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−アルケニル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−アルキニル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−ハロアルケニル、ヘテロシクリル−Ｃ3−Ｃ4−ハロアルキニル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−ヒドロキシアルキル、ヘテロシクリルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル−カルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルカルボニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルオキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルアミノ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルチオ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルスルフィニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルスルホニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル
（ここで、前記基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、ニトロ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、ヒドロキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルキル、ヒドロキシル、Ｃ1−Ｃ6−ヒドロキシアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、ヒドロキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル、アミノカルボニル、（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、ヒドロキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、アミノ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルスルホニルアミノ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキルスルホニルアミノ、（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニルアミノ、アリール、およびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）の群の内の１〜３個の基を担持してもよい）
であり
（但し、Ｒ1基およびＲ2基は互いに異なる）；
Ｒ3はＣ1−Ｃ6−アルキルであり；
Ｒ4は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、ニトロ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、ヒドロキシル、Ｃ1−Ｃ6−ヒドロキシアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、ヒドロキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノ、アリール、およびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）の群の内の１〜３個の基を担持してもよいアリールであり；
ならびに
＊はＳまたはＲ立体配置を表し、および
＊＊はＳおよび／またはＲ立体配置を表し、
および次に
ｂ）工程ａ）から得られた式Ｉのイミンを水素および不均質な銅含有触媒と反応させ、
前記不均一銅含有触媒が、触媒の全質量に対して、
銅を０．１〜９５質量％；
ニッケル、コバルトおよび亜鉛の群から選択される少なくとも１種の金属を０．１〜８５質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜１５質量％
（但し、質量％の合計は１００％を超えない）
含むことによって、式ＩＩのアミンを製造する方法。
【請求項１１】
式Ｉのイミンが、酸、あるいは酸化アルミニウム、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、酸化ケイ素および粘土鉱物ならびにこれらの混合物からなる群から選択される不均一触媒の存在下で製造される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
式ＶＩＩＩ
【化４】
2011507814.tif 000004
［式中、
Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ3−Ｃ6−シクロアルキル、Ｃ2−Ｃ6−アルケニル、Ｃ2−Ｃ6−アルキニル、Ｃ2−Ｃ6−ハロアルケニル、Ｃ2−Ｃ6−ハロアルキニル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル、Ｃ3−Ｃ6−アルケニルオキシカルボニル、Ｃ3−Ｃ6−アルキニルオキシカルボニル、アミノカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルキルアミノカルボニル、Ｃ3−Ｃ6−アルケニルアミノカルボニル、Ｃ3−Ｃ6−アルキニルアミノカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルキルスルホニルアミノカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、Ｎ−（Ｃ3−Ｃ6−アルケニル）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、Ｎ−（Ｃ3−Ｃ6−アルキニル）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、Ｎ−（Ｃ3−Ｃ6−アルケニル）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ）アミノカルボニル、Ｎ−（Ｃ3−Ｃ6−アルキニル）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ）アミノカルボニル、（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノチオカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノチオカルボニル、またはＣ1−Ｃ6−アルキルカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルキル
（ここで、前記アルキル基、シクロアルキル基およびアルコキシ基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／または以下の基（すなわち、シアノ、ヒドロキシル、Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ3−Ｃ6−シクロアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルチオ、アミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルカルボニルアミノ、ヒドロキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシカルボニル、アミノカルボニル、Ｃ1−Ｃ4−アルキルアミノカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノカルボニル、またはＣ1−Ｃ4−アルキルカルボニルオキシ）の内の１〜３個を担持してもよい）、
アリール、アリール−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリール−Ｃ2−Ｃ4−アルケニル、アリール−Ｃ2−Ｃ4−アルキニル、アリール−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、アリール−Ｃ2−Ｃ4−ハロアルケニル、アリール−Ｃ3−Ｃ4−ハロアルキニル、アリール−Ｃ1−Ｃ4−ヒドロキシアルキル、アリールカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリール−Ｃ1−Ｃ4−アルキルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールカルボニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールオキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールアミノ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールチオ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールスルフィニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールスルホニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−アルケニル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−アルキニル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−ハロアルケニル、ヘテロシクリル−Ｃ3−Ｃ4−ハロアルキニル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−ヒドロキシアルキル、ヘテロシクリルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル−カルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルカルボニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルオキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルアミノ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルチオ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルスルフィニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルスルホニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル
（ここで、前記基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、ニトロ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、ヒドロキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルキル、ヒドロキシル、Ｃ1−Ｃ6−ヒドロキシアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、ヒドロキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル、アミノカルボニル、（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、ヒドロキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、アミノ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルスルホニルアミノ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキルスルホニルアミノ、（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニルアミノ、アリール、およびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）の群の内の１〜３個の基を担持してもよい）
であり
（但し、Ｒ1基およびＲ2基は互いに異なる）］
のキラルアミンを製造する方法であって、次の工程
ａ）式ＩＩＩのケトンを式ＩＶのアミンと反応させ、式Ｉに記載のアミンを製造し、
この場合
Ｒ3はＣ1−Ｃ6−アルキルであり；
Ｒ4は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、ニトロ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、ヒドロキシル、Ｃ1−Ｃ6−ヒドロキシアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、ヒドロキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノ、アリール、およびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）の群の内の１〜３個の基を担持してもよいアリールであり；
ｂ）工程ａ）から得られた式Ｉのイミンを水素および不均質な銅含有触媒と反応させ、
前記不均一銅含有触媒が、触媒の全質量に対して、
銅を０．１〜９５質量％；
ニッケル、コバルトおよび亜鉛の群から選択される少なくとも１種の金属を０．１〜８５質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜１５質量％
（但し、質量％の合計は１００％を超えない）
含み；
ｃ）その後に工程ｂ）から得られた式ＩＩのアミンが、水素化分解により開裂されることを特徴とする、式ＶＩＩＩのキラルアミンを製造する方法。
【請求項１３】
前記水素化分解が、白金族金属元素の群から選択される不均一触媒の存在下で、水素により行われる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記水素化分解が、金属水素化物、または金属水素化物の混合物により行われる、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記または前提となる方法段階が、連続的、半連続的または非連続的に行われる、請求項１から１４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
キラルイミンをジアステレオ選択的に転化するための、請求項１〜１５に記載の不均一銅含有触媒の使用であって、前記キラルイミンの親アミンが水素を有するキラルであり、前記キラルイミンの親ケトンが水素を有するプロキラルである、使用。