Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月19日(2014.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の厚さを有する基材の表面上に細繊維を堆積させるステップであって、前記細繊維の平均直径は１マイクロメートル未満である、基材の表面上に細繊維を堆積させるステップと；
前記細繊維を担持する前記基材を前記第１の厚さを超える第２の厚さまで拡張させるステップとを備える；
フィルタ媒体を製造する方法。
【請求項２】
低融点ポリマー構成要素及び高融点ポリマー構成要素を有する複数構成要素繊維を圧縮して前記第１の厚さを有する前記基材を形成するステップを更に備える、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記細繊維を堆積させるステップは、前記細繊維を電界紡糸するステップと、前記基材の表面上へ前記細繊維を直接堆積させるステップとを有し、前記細繊維の一部は前記基材の表面近傍の前記複数構成要素繊維の一部に取り付けられるように構成された、
請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記細繊維を電界紡糸するステップは、前記基材の表面上に前記細繊維を堆積させて約０．０１２ｇ／ｍ２乃至０．０２５ｇ／ｍ２の細繊維カバレッジを得るステップを有する、
請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記拡張させるステップは、前記フィルタ媒体を加熱するステップを有し、前記フィルタ媒体を加熱するステップは、前記基材の前記複数構成要素繊維が弛緩及び再配向され、それにより前記第２の厚さまで前記基材を拡張させ、前記複数構成要素繊維の波状の表面を形成するように構成され、前記細繊維が前記細繊維を担持する前記複数構成要素繊維と共に移動するにつれて前記細繊維は引き伸ばされ、前記細繊維が前記波状の表面の複数構成要素繊維と共に３次元マトリクスに組み込まれるように構成された、
請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記加熱するステップは、前記低融点ポリマー構成要素の略溶融温度まで前記フィルタ媒体を加熱するステップを有し、前記低融点ポリマー構成要素の略溶融温度まで前記フィルタ媒体を加熱するステップは、前記低融点ポリマー構成要素が溶融又は軟化し、前記細繊維の一部が前記溶融又は軟化した低融点ポリマー構成要素中に埋め込まれるように構成された、
請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記拡張後に、前記第２の厚さが前記第１の厚さの少なくとも１．５倍の厚さとなるように構成された、
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
フィルタ層を積層するステップであって、前記細繊維が前記基材と前記フィルタ層との間に挟まれるように積層する、フィルタ層を積層するステップを更に備え、前記基材、前記細繊維及び前記フィルタ層を有する前記フィルタ媒体が加熱されて前記基材及び前記フィルタ層が拡張し、前記細繊維が引き伸ばされるように構成された、
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記細繊維の各層が複数の前記基材の間又は前記基材とフィルタ層との間に挟まれるように、前記細繊維及び前記フィルタ層を担持する前記基材の多重層を積層するステップを更に備え、前記積層された多重層は加熱されて前記複数の基材及び前記フィルタ層が拡張し、前記細繊維が引き伸ばされて前記複数の基材の波状の表面内に組み込まれるように構成された、
請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
１マイクロメートル未満の平均繊維直径を有する細繊維を担持する平均繊維直径が１マイクロメートルを超える繊維で形成された基材を備え、前記基材は波状の表面を有し、前記細繊維は前記波状の表面の前記基材を形成する繊維と共に３次元マトリクスに組み込まれるように構成された、
フィルタ媒体。
【請求項１１】
前記基材は複数構成要素繊維を有する拡張されたスクリムであり、前記基材を形成する複数構成要素繊維の前記波状の表面は、平坦な表面及び前記拡張されたスクリムよりも薄い厚さを有する初期状態である非拡張状態の前記スクリムから前記拡張されたスクリムへの前記拡張により形成された、
請求項１０に記載のフィルタ媒体。
【請求項１２】
前記複数構成要素繊維は第１の構成要素及び第２の構成要素を含み、前記第１の構成要素は前記第２の構成要素よりも高い溶融温度を有し、前記細繊維は前記第２の構成要素を介して前記波状の表面を有する前記複数構成要素繊維に取り付けられた、
請求項１１に記載のフィルタ媒体。
【請求項１３】
前記スクリムは前記初期状態である非拡張状態の表面位置又はその近傍に前記細繊維を担持し、前記複数構成要素繊維は前記拡張されたスクリム内で再配向されて前記複数構成要素繊維が前記細繊維を担持すると共に引き伸ばし、前記細繊維が前記非拡張状態の前記表面位置を越えて前記拡張されたスクリム内のより深くまで組み込まれて設けられた、
請求項１１記載のフィルタ媒体。
【請求項１４】
前記拡張されたスクリムを備えるフィルタ媒体は、前記初期状態である非拡張状態のスクリムを備えるフィルタ媒体よりも高いダスト保持容量を有し、かつ圧力損失の増大が緩やかである、
請求項１３に記載のフィルタ媒体。
【請求項１５】
スクリムを更に備え、前記細繊維は前記基材と前記スクリムとの間に積層された、
請求項１０乃至請求項１４のいずれか１項に記載のフィルタ媒体。
【請求項１６】
前記フィルタ媒体は前記細繊維を担持する複数の前記基材の層を備え、スクリムを更に備え、前記細繊維の各層は前記複数の基材の層の間又は前記基材と前記スクリムとの間に挟まれて設けられた、
請求項１０乃至請求項１５のいずれか１項に記載のフィルタ媒体。
【請求項１７】
前記基材の各層は複数構成要素繊維を有する複数構成要素スクリムで形成され、前記複数構成要素繊維は高融点構成要素及び低融点構成要素を含み；前記細繊維は電界紡糸ポリマーナノ繊維から形成され；前記電界紡糸ポリマーナノ繊維及び前記高融点構成要素は前記低融点構成要素よりも高い溶融温度を有し；前記複数構成要素スクリムは加熱により非拡張状態から拡張し；前記低融点構成要素は前記加熱の間に溶融又は軟化して前記細繊維と結合し；前記複数構成要素スクリムが前記拡張するにつれて前記細繊維が引き伸ばされて設けられた、
請求項１６に記載のフィルタ媒体。
【請求項１８】
前記基材は、約１乃至４０マイクロメートルの平均繊維直径及び約１６．９５３ｇ／ｍ２乃至１４，０８５ｇ／ｍ２（約０．５乃至１５オンス／平方ヤード）の坪量を有する複数構成要素繊維スクリムで形成され；前記細繊維は、約０．０１乃至０．５マイクロメートルの平均繊維直径を有し；前記細繊維の層の各々は、約０．０１２ｇ／ｍ２乃至０．０２５ｇ／ｍ２の細繊維カバレッジを有し；前記フィルタ媒体は、約２．８３２ｍ３／分乃至５．６６３ｍ３／分（約１００乃至２００ＣＦＭ）のフレーザ透過性、及び水柱圧約３８．１ｍｍ（約１．５インチ）の最終的な圧力損失で約４００ｍｇ／１００ｃｍ２乃至６００ｍｇ／１００ｃｍ２のＭＦＰダスト保持重量を有する、
請求項１０乃至請求項１７のいずれか１項に記載のフィルタ媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月25日(2014.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サンプリングバッグを形成するように継ぎ目で共に接合される２つの柔軟壁部であって、前記２つの柔軟壁部それぞれは、基本的にステンレス鋼からなる金属合金のシートを含む２つの柔軟壁部と、
前記サンプリングバッグの容積内へのアクセスを提供する入口部と、
を含むことを特徴とするサンプリングバッグ。
【請求項２】
前記金属合金は、ＳＳＴ３０４、ＳＳＴ３０４Ｌ、ＳＳＴ３０９、ＳＳＴ３０９Ｌ、ＳＳＴ３１６、ＳＳＴ３１６Ｌ、ＳＳＴ３２１、ＳＳＴ３２１Ｌ、及び低炭素ステンレス鋼、を含む群から選択されることを特徴とする請求項１に記載のサンプリングバッグ。
【請求項３】
前記金属合金のシートは、前記柔軟壁部の最も内側の層であることを特徴とする請求項１に記載のサンプリングバッグ。
【請求項４】
前記金属合金のシートは、１０μｍ〜１００μｍの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項１に記載のサンプリングバッグ。
【請求項５】
前記２つの柔軟壁部の少なくとも１つは、少なくとも２つの層を含むことを特徴とする請求項１に記載のサンプリングバッグ。
【請求項６】
前記入口部に弁を含むことを特徴とする請求項１に記載のサンプリングバッグ。
【請求項７】
前記柔軟壁部それぞれの外側表面に取り付けられた格納可能なハンドルを備えたパネルを含むことを特徴とする請求項１に記載のサンプリングバッグ。
【請求項８】
前記柔軟壁部は、外側表面上にプラスチック材料が積層されることを特徴とする請求項１に記載のサンプリングバッグ。
【請求項９】
前記金属合金のシートは、前記柔軟壁部の中間層であることを特徴とする請求項１に記載のサンプリングバッグ。
【請求項１０】
前記金属合金のシートは、前記柔軟壁部の外面層であることを特徴とする請求項１に記載のサンプリングバッグ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月18日(2013.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主に吸音特性を有する少なくとも１つの吸音領域と、
音響質量ばね特性を有する少なくとも１つの遮音領域と、
を備える遮音トリム部品であって、
前記吸音領域は、少なくとも１つの多孔質繊維層を備え、
前記遮音領域は、少なくとも１つの質量層と、デカップリング層と、を備え、
前記質量層は、不浸透性バリア層と、前記吸音領域と同一であり、少なくとも９６×ＡＷ×ｔの動的ヤング率（Ｐａ）に調節された多孔質繊維層と、を有し、
ＡＷは前記繊維層の面積質量（ｇ／ｍ2）、ｔは前記質繊維層の厚さ（ｍｍ）であり、
前記薄い不浸透性バリア層は、少なくとも、前記多孔質繊維層と、前記デカップリング層と、の間に配置され、
全層はともに積層され、
前記吸音領域の多孔質繊維層の厚さは前記遮音領域の多孔質繊維層の厚さより大きい、
ことを特徴とする遮音トリム部品。
【請求項２】
前記吸音領域および／または前記遮音領域は、複数の領域であり、
同じ種類の領域の厚さは、別の領域間で異なる、
請求項１に記載の遮音トリム部品。
【請求項３】
前記多孔質繊維層の前記面積質量ＡＷが、５００ｇ／ｍ2から２０００ｇ／ｍ2である、
請求項１に記載の遮音トリム部品。
【請求項４】
前記多孔質繊維層の前記厚さｔが、１ｍｍから１０ｍｍである、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の遮音トリム部品。
【請求項５】
前記吸音領域の前記多孔質繊維層の前記厚さｔが、４ｍｍから２５ｍｍである、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の遮音トリム部品。
【請求項６】
前記多孔質繊維層の上部に、追加の吸音層を少なくとも部分的にさらに備える、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の遮音トリム部品。
【請求項７】
前記多孔質繊維層の上部に、追加のスクリムを少なくとも部分的にさらに備える、
請求項１〜６のいずれか１項に記載の遮音トリム部品。
【請求項８】
装飾層、カーペット層、房状のカーペットあるいは不織布のカーペットを、少なくとも部分的にさらに備える、
請求項１〜７のいずれか１項に記載の遮音トリム部品。
【請求項９】
吸音領域、遮音領域、あるいは追加の吸音特性を有する遮音領域を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の遮音トリム部品を、乗用車およびトラックのような車両内にて、内部ダッシュ、床仕上げ材、ホイールライナーのような自動車用のトリム部品として使用する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月17日(2014.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
円周上に分布された多数の平面状の硬質材料刃インサート（２０；１２０）を備える正面フライスであって、上記硬質材料刃インサート（２０；１２０）は、ピッチ円上に来るように刃支持部（１６；１１６）のポケット（１８；１１８）に収容され、上記フライスの処理面（２６；ＥＮ）に対して９０°よりも小さい取り付け角（κｒ）で取り付けられた主要刃先（２４；１２４）を有しており、以下の、
上記取り付け角（κｒ）は、１０〜３０°、好ましくは１５〜２５°、最も好ましくは１８〜２２°の範囲であり、
上記主要刃先（２４；１２４）は、軽度に凸状に構成されており、
上記主要刃先（２４；１２４）は、０．５〜１．５ｍｍの範囲の値を有する小さい移行半径（Ｒ３０；Ｒ１３０）を介して、サブ刃先（３２；１３２）に移行し、
上記主要刃先（２４；１２４）の軸方向すくい角（γａ）は、２０〜３０°、好ましくは２３〜２７°の範囲である、という特徴の組み合わせを特徴とする、正面フライス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の正面フライスの、最大４０００ｍ／分の削り速度のための使用。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年3月3日(2014.3.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
超砥粒加工物を研削する方法であって、
結合研削材物品を超砥粒加工物と接触させて配置するステップを有し、前記結合研削材物品は、結合材料内に含有された砥粒を含む本体を含み、前記超砥粒加工物は、少なくとも約５ＧＰａの平均ビッカース硬度を有するとともに、
センタレス研削作業の場合に、約３５０Ｊ／ｍｍ３以下の平均比研削エネルギ（ＳＧＥ）により、少なくとも約８ｍｍ３／秒の平均材料除去（ＭＲＲ）速度で、前記超砥粒加工物から材料を除去するステップを有する方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２】
超砥粒加工物を研削する方法であって、
結合研削材物品を超砥粒加工物と接触させて配置するステップを有し、前記結合研削材物品は、有機材料および金属材料を含む複合結合材料内に含有された砥粒を含む本体を含み、前記複合結合材料は、有機材料（ＯＭ）の金属材料（ＭＭ）に対する比率（ＯＭ／ＭＭ）が約０．２５以下であるとともに、
前記結合研削材物品を前記超砥粒加工物に対して回転させ、前記超砥粒加工物から材料を除去するステップを有する方法。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項３】
超砥粒加工物を研削する方法であって、
結合研削材物品を超砥粒加工物と接触させて配置するステップを有し、前記結合研削材物品は、有機材料および金属材料を含む複合結合材料内に含有された砥粒を含む本体を含むとともに、
前記結合研削材物品を前記超砥粒加工物に対して回転させて、前記超砥粒加工物から材料を除去するステップを有し、材料を除去する前記ステップ時に、最低基準動力が、約１４０Ｗ／ｍｍ以下である方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月27日(2014.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バインダー内に保持されるセラミックの成形された研磨粒子を含む、結合した研磨剤であって、前記セラミックの成形された研磨粒子の各々が、多角形基部と、多角形上部と、前記基部及び前記上部を接続する複数の側部と、によってそれぞれ画定され、隣接する側部が、５０マイクロメートル未満の平均曲率半径を有する各側縁部と合流し、前記結合した研磨剤が結合した研磨ホイールを含む、結合した研磨剤。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月3日(2014.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペルオキシゲン溶液の処理方法であって、以下のステップ：
ａ）過酸及び過酸化水素を含む最初のペルオキシゲン溶液を集め、ここで前記最初のペルオキシゲン溶液が、食品及び飲料プラント、ヘルスケア施設、キッチン、レストラン、クリーニング店又は廃水処理プラントにおける汚染除去プロセス、漂白プロセス又は酸化プロセスから集められ；
ｂ）前記最初のペルオキシゲン溶液に単離された酵素を添加し；その後、
ｃ）前記最初のペルオキシゲン溶液に還元剤を添加し、ここで、前記還元剤によって分解される前記過酸及び過酸化水素の１部あたり、０．１〜５部の前記過酸化水素が前記酵素によって分解され；そして
ｄ）前記酵素及び還元剤の添加の結果として、処理済みペルオキシゲン溶液を形成する、
を含む、前記方法。
【請求項２】
前記過酸が、以下の：過酢酸、過オクタン酸及びそれらの混合物から成る群から選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記酵素が、以下の：カタラーゼ、ペルオキシダーゼ及びそれらの混合物から成る群から選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記還元剤が、以下の、重亜硫酸塩、メタ重亜硫酸塩、チオ硫酸塩、亜硫酸塩、二酸化イオウ、チャコール、活性炭、アスコルビン酸、エリソルビン酸、金属触媒、ＵＶ光、及びそれらの混合物からなる群から選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記最初のペルオキシゲン溶液のｐＨが、約１〜約１０である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記最初のペルオキシゲン溶液の温度が、約１℃〜約７０℃である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記最初のペルオキシゲン溶液中の前記ペルオキシゲン化合物の濃度が、約１ppm〜約５００００ppmである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記処理済みペルオキシゲン溶液が、廃水処理プロセスを用いてさらに処理される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記処理済みペルオキシゲン溶液が、施設において再使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記処理済みペルオキシゲン溶液を、水環境中へ排出するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月21日(2014.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ソーラーモジュールのための接続デバイスに関する。このデバイスは、ハウジングと、ソーラーモジュールの接触エレメントと接触するためハウジング内に設けられている接触手段を有している。更に、本発明は、そのような接続デバイスを有したソーラーモジュールに関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明により、ソーラーモジュールのための接続デバイスが供される。接続デバイスは、ハウジングおよびソーラーモジュールの接触エレメントと接触するためのハウジング内に取り付けられている接触手段を有している。接続デバイスは、接触手段へ電気的に接続させることなくハウジングに取り付けられ、プラグ・ソケットのコネクタとプラグ（又はプラグ接続又は接続；ｐｌｕｇ）することができるブラインド嵌合コネクタ(又はブラインド接合コネクタ；ｂｌｉｎｄ  ｍａｔｉｎｇ  ｃｏｎｎｅｃｔｏｒ)により見分けられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
基部２２１と取付けナット２２２との間に、硬い材料（例えば、プラスチック材料）から成る外側の取付けリング部２４６とエラスチック材料（例えば、ゴム材料）から成る内側の取付けリング部２４５とから構成される取付けリングが、更に設けられる。接触ピン２３０が基部２２１にラッチされる際、ケーブル３００のほぼ端にあるケーブル・シース３２０の部分は、取付けリング又は内側の取付けリング部２４５により囲まれる。取付けナット２２２は、取付けリング部２４６が（厚みのある）端部にある面取り部２５８を内側に有する。（更に、）基部２２１上の取付けナット２２２をねじ込むことにより、この位置でケーブル３００のケーブル・シース３２０をクランプし、それによって、ケーブル・シース３２０を固定する取付けリング、すなわち取付けリング部２４５が内側により押される。これにより、ケーブル３００の固定又は引き抜きだけではなく、同時にこの位置でピンプラグ２２０の（後側の）シーリングを行うことができる。取付けナット２２２をねじ込み易くするために、取付けナット２２２は、その一端に（図１０に示すように）例えば六角形状の作動部２４３を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月14日(2014.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードチップ（１）であって、電磁放射（１１）を生成するのに適している活性層（３）を有する半導体積層体（２）を備えており、
前記発光ダイオードチップ（１）は、表側に放射出口領域（４）を有し、
前記発光ダイオードチップ（１）は、前記放射出口領域（４）とは反対の裏側の少なくとも一部分に、銀を含んでいるミラー層（５）を有し、
前記ミラー層（５）の腐食を低減する、もしくは、前記ミラー層（５）の接着を改善する、またはその両方である機能層（６）が、前記ミラー層（５）の上に配置されており、
前記機能層（６）を形成している材料が、前記ミラー層（５）全体にも分布しており、前記機能層（６）の前記材料が、前記ミラー層（５）の中で濃度勾配を有し、
前記ミラー層（５）内における前記機能層（６）の前記材料の濃度は、前記機能層（６）から前記半導体積層体（２）に向かう方向に減少していき、
前記ミラー層（５）は、前記半導体積層体（２）に直接隣接している、
前記機能層（６）は、１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内の厚さを有する、
発光ダイオードチップ。
【請求項２】
前記機能層（６）は白金を含む、
請求項１に記載の発光ダイオードチップ。
【請求項３】
前記機能層（６）は、ニッケル、クロム、パラジウム、ロジウム、または透明導電性酸化物を含む、
請求項１に記載の発光ダイオードチップ。
【請求項４】
前記ミラー層（５）は、反射性のコンタクト積層体（１０）の一部分であり、
前記コンタクト積層体（１０）は、前記半導体積層体（２）に続く少なくとも以下の層、すなわち、
銀を含んでいる前記ミラー層（５）と、
前記ミラー層（５）の腐食を低減する、もしくは前記ミラー層（５）の接着を改善する、またはその両方である前記機能層（６）と、
拡散障壁層（７）と、
第１の電気接続層（９）と、
を、この記載順に有する、
請求項１から請求項３のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。
【請求項５】
前記第１の電気接続層（９）は金を含む、
請求項４に記載の発光ダイオードチップ。
【請求項６】
前記拡散障壁層（７）は、チタン、クロム、ニッケル、パラジウム、窒化チタン、または窒化チタンタングステンを含む、
請求項４または請求項５に記載の発光ダイオードチップ。
【請求項７】
前記拡散障壁層（７）と前記第１の電気接続層（９）との間に接着層（８）が配置される、
請求項４から請求項６のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。
【請求項８】
前記接着層（８）は、白金、チタン、またはクロムを含む、
請求項７に記載の発光ダイオードチップ。
【請求項９】
前記発光ダイオードチップ（１）は、第１の電気接続層（９）および第２の電気接続層（１５）を有し、
前記第１の電気接続層（９）および前記第２の電気接続層（１５）は、前記半導体積層体（２）の前記裏側にあり、パッシベーション層（１３）によって互いに電気的に絶縁されており、
前記第２の電気接続層（１５）の部分領域は、前記半導体積層体（２）の前記裏側から、前記活性層（３）の少なくとも１つの開口孔（２１ａ，２１ｂ）を通り、前記表側に向かう方向に延びており、
前記第２の電気接続層（１５）は、銀を含み、第２のミラー層として機能し、
前記第２の電気接続層（１５）の腐食を低減する、もしくは前記第２の電気接続層（１５）の接着を改善する、またはその両方である第２の機能層（１６）は、前記第２の電気接続層（１５）の上に配置されており、前記第２の機能層（１６）を形成している材料が、前記第２の電気接続層（１５）にも含まれている、
請求項１から請求項８のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。
【請求項１０】
前記第２の電気接続層（１５）は、少なくとも部分的に積層体（１２）の一部であり、
前記積層体（１２）は、少なくとも以下の層、すなわち、
前記パッシベーション層（１３）と、
前記第２の電気接続層（１５）と、
前記第２の機能層（１６）と、
拡散障壁層（１７）と、
はんだ層（１８）と、
を、この記載順に含んでいる、
請求項９に記載の発光ダイオードチップ。
【請求項１１】
前記発光ダイオードチップ（１）は、前記放射出口領域（４）とは反対側の面において、前記はんだ層（１８）によってキャリア（１９）に結合されている、
請求項１０に記載の発光ダイオードチップ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月19日(2014.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
一次反射体と熱的に連通する一次半導体光源を有し、前記一次反射体は、動作の間に前記一次半導体光源により生成される熱を前記一次半導体光源から離れる方に伝達し、前記一次半導体光源は、前記一次反射体に搭載され、前記一次反射体は、反射的、透明及び／又は半透明である、電球。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年9月11日(2014.9.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
出力１４は、抵抗で示され且つ増幅器の負荷を形成するラウドスピーカ１６に接続される。増幅器の入力１２は、基準がグランドであり且つ図１において発生器１７で示される音声再生システムで生成された制御電圧を受信できる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
トランジスタ１８及び２０それぞれのゲートは、非反転入力が増幅器の入力１２に直接接続されるオペアンプ２６及び２８をそれぞれ含む制御フォロワ回路２２及び２４の出力に接続される。フィードバックループ３０及び３２は、増幅器の出力１４と、オペアンプ２６及び２８の反転入力との間にそれぞれ接続される。これらのループは抵抗値が等しい抵抗３４および３６を含む。この抵抗は、比較的低い値が選択され、好適には１ＭΩより小さく、例えば３３０Ωに等しい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
補償信号導入手段４２及び４４は、オペアンプ２６及び２８のフィードバックループ３０及び３２の中に組み込まれる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
図示される実施形態において、補償信号導入手段４２及び４４は、ダイオード３８及び４０とそれぞれ同一のダイオード４６及び４８を含み、ダイオード４６及び４８は、ダイオード３８及び４０と設定条件、とりわけ端子ストレス条件が同一になるように配置される。このダイオード４６及び４８は、対応するダイオード３８及び４０の方向と同一の方向でトランジスタ１８及び２０それぞれのソースに接続される。他端は、反対方向であり、好適には１００ｍＡより低く、例えば１０ｍＡの低強度の定電流を、関連するダイオード４６及び４８に流す電流源５０及び５２に接続される。したがって、ダイオード４６のアノードは、ダイオード３８のアノードに接続され、ダイオード４６のカソードは、電流源５０に接続され、ダイオード４８のカソードは、ダイオード４０のカソードに接続され、ダイオード４８のアノードは、電流源５２に接続される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
結合抵抗５４及び５６は、ダイオード４６のカソード及びダイオード４８のアノードを、オペアンプ２６及び２８のフィードバックループ３０及び３２にそれぞれ接続する。これらの抵抗は、ダイオード４６及び４８の端子の電圧をフィードバックループ３０及び３２に注入できる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
図示しない他の形態では、ダイオード４６及び４８並びに電流源５０及び５２は、ダイオード４６及び４８の場所に配置される電圧源に置換され、ダイオード３８及び４０は、抵抗５４及び５６と同様に元の位置のままである。この場合、トランジスタ１８及び２０を介して流れる電流は、この値に到達することなしに、ゼロに収束する。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力（１２）及び出力（１４）を含む「Ａ級プッシュプル」型の増幅器であって、
２つの電源（Ｖ+及びＶ-）間に反対に直列に搭載され、前記増幅器の前記出力（１４）が双方の間に接続される２つの増幅トランジスタ（１８、２０）を含む主増幅ブランチと、
増幅される信号をそれぞれ入力として受信するように前記入力（１２）に接続される増幅トランジスタ（１８、２０）それぞれの制御回路（２２、２４）と、
を有する増幅器において、
前記主増幅ブランチは、トランジスタ（１８、２０）それぞれと前記出力（１４）との間に、非線形の応答を有するユニット（３８、４０）と、トランジスタ（１８、２０）それぞれの前記制御回路（２２、２４）の入力において、前記非線形応答を有するユニット（３８、４０）に最小電流の流れを与えることが可能な非線形補償信号導入手段（３０、３２）とを含むことを特徴とする増幅器。
【請求項２】
前記非線形応答を有するユニット（３８、４０）はダイオードである請求項１に記載の増幅器。
【請求項３】
前記非線形応答を有するユニット（３８、４０）はＭＯＳ型トランジスタである請求項１に記載の増幅器。
【請求項４】
前記非線形補償信号導入手段（３０、３２）は、
前記非線形ユニット（３８、４０）と同一の第２非線形ユニット（４６、４８）であって、前記非線形ユニット（３８、４０）の対応する端子と、前記第２非線形ユニット（４６、４８）に電流を与える電流源（５０、５２）との間に接続される第２非線形ユニット（４６、４８）と、
前記第２非線形ユニット（４６、４８）の他の端子に接続される電圧測定ブランチ（５４、５６）であって、前記非線形補償信号を提供するために前記制御回路（２２、２４）に接続される電圧測定ブランチ（５４、５６）と、を含む請求項１〜３の何れか一項に記載の増幅器。
【請求項５】
前記非線形補償信号導入手段は、
増幅トランジスタ（１８、２０）それぞれと前記非線形応答を有するユニット（３８、４０）との間に端子が接続される電圧源と、
前記電圧源の他の端子を前記トランジスタの前記制御回路（２２、２４）に接続する電圧測定ブランチ（５４、５６）と、を含む請求項１〜３の何れか一項に記載の増幅器。
【請求項６】
前記電流出力（１４）を制御回路（２２、２４）それぞれの入力に接続する線形フィードバックループ（３４、３６）を含む請求項１〜５の何れか一項に記載の増幅器。
【請求項７】
前記電圧測定ブランチ（５４、５６）と前記線形フィードバックループ（３４、３６）とは、前記制御回路（２２、２４）の入力において互いに接続される請求項４又は５を引用する請求項６に記載の増幅器。
【請求項８】
前記電圧測定ループの抵抗（５４、５６）の値は、前記線形フィードバックループの抵抗（３４、３６）の値よりも少なくとも１００倍大きい請求項７に記載の増幅器。
【請求項９】
前記制御回路（２２、２４）のそれぞれは、非反転入力が前記増幅器の前記入力（１２）に接続され、反転入力が前記非線形補償信号導入手段（３０、３２）に接続されるオペアンプ（２６、２８）を含む請求項１〜８の何れか一項に記載の増幅器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月11日(2014.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性の材料から複数の縦長で互いに平行で部分的に分離され区分された導電性の連続する閉ループに形成されたアクティブなインタラクティブ静電界帯電電極の形態の少なくとも１つの帯電電極を具えるインタラクティブ静電界高エネルギー蓄積交流ブロッキングコンデンサであって、
前記複数の縦長で互いに平行で部分的に分離され区分された導電性の連続する閉ループのうちの１つのループに、これを電源に接続する手段として少なくとも１つのコネクタが設けられており、
アクティブなインタラクティブ静電界帯電電極の形態の帯電電極には、該アクティブなインタラクティブ静電界帯電電極に容量的に結合された少なくとも１つの負電極が設けられ、該少なくとも１つの負電極には、電気回路に接続するための手段として少なくとも１つのコネクタが設けられており、
前記複数の縦長で互いに平行で部分的に分離され区分された導電性の連続する閉ループの区分が互いに電気的に接続されており、アクティブなインタラクティブ静電界帯電電極は電源に接続された際に帯電されるようになっており、
帯電電流を互いに反対方向に流し、前記複数の縦長で互いに平行で部分的に分離され区分された導電性の連続する閉ループの区分に反対方向の静電界を生ぜしめ、アクティブなインタラクティブ静電界帯電電極の形態の帯電電極が帯電されると、前記複数の縦長で互いに平行で部分的に分離され区分された導電性の連続する閉ループの区分における反対方向の静電界が互いに作用しあって互いに打ち消しあい、静電界の集中を回避し、静電界を、アクティブなインタラクティブ静電界帯電電極の形態の帯電電極を囲んで且つ誘電体材料内で均一に分布させ、反対方向の静電界の各々が分離用の誘電体材料を介して前記負電極内に誘起されないようにし、充電電圧の増大を可能にし、これによりエネルギー蓄積容量を高めるとともに交流電流を遮断するようになっている
インタラクティブ静電界高エネルギー蓄積交流ブロッキングコンデンサ。
【請求項２】
導電性の材料から複数の縦長で互いに平行で分離され区分された導電性の連続する閉ループに形成されたパッシブなインタラクティブ静電界帯電電極の形態の少なくとも１つの帯電電極を具えるインタラクティブ静電界高エネルギー蓄積交流ブロッキングコンデンサであって、
前記複数の縦長で互いに平行で分離され区分された導電性の連続する閉ループのうちの１つのループに、これを電源に接続する手段として少なくとも１つのコネクタが設けられており、
パッシブなインタラクティブ静電界帯電電極には、該パッシブなインタラクティブ静電界帯電電極に容量的に結合された少なくとも１つの負電極が設けられ、該少なくとも１つの負電極には、電気回路に接続するための手段として少なくとも１つのコネクタが設けられており、
前記複数の縦長で互いに平行で分離され区分された導電性の連続する閉ループの区分が互いに電気的に分離されており、帯電電流が電気接続された連続する閉ループの区分に流れると、発生静電界が電気接続されていない連続する閉ループの区分内に誘起され、前記複数の縦長で互いに平行で部分的に分離され区分された導電性の連続する閉ループの区分内に反対方向の静電界を発生させ、パッシブなインタラクティブ静電界帯電電極が帯電されると、前記複数の縦長で互いに平行で分離され区分された導電性の連続する閉ループにおける反対方向の静電界が互いに作用しあって互いに打ち消しあい、静電界の集中を回避し、静電界が、パッシブなインタラクティブ静電界帯電電極を囲んで且つ誘電体材料内で均一に分布されるようにし、反対方向の静電界の各々が分離用の誘電体材料を介して前記負電極内に誘起されないようにし、充電電圧の増大を可能にし、これによりエネルギー蓄積容量を高めるとともに交流電流を遮断するようにする
インタラクティブ静電界高エネルギー蓄積交流ブロッキングコンデンサ。
【請求項３】
導電性の連続する閉ループから形成されたエッジ折り畳みインタラクティブ静電界帯電電極の形態の少なくとも１つの帯電電極を具えるインタラクティブ静電界高エネルギー蓄積交流ブロッキングコンデンサであって、
前記導電性の連続する閉ループの長手方向に沿うエッジが互いに対向するように折り畳まれており、前記エッジ折り畳みインタラクティブ静電界帯電電極には、該エッジ折り畳みインタラクティブ静電界帯電電極を電源に接続する手段として少なくとも１つのコネクタが設けられており、
エッジ折り畳みインタラクティブ静電界帯電電極の形態の前記帯電電極には、誘電体材料により該エッジ折り畳みインタラクティブ静電界帯電電極に容量的に結合された少なくとも１つの負電極が設けられ、該負電極には、電気回路に接続するための手段として少なくとも１つのコネクタが設けられており、
前記帯電電極が帯電されると、前記導電性の連続する閉ループの折り畳まれたエッジにおける集中静電界が互いに反対方向となり、互いに作用しあい、互いに打ち消しあい、静電界の集中を回避し、静電界が、前記帯電電極を囲み且つ容量的に結合を行う前記誘電体材料内で均一に分布されるようにし、反対方向の静電界の各々が、容量的に結合を行う前記誘電体材料を介して前記負電極内に誘起されないようにし、充電電圧の増大を可能にし、これによりエネルギー蓄積容量を高めるとともに交流電流を遮断するようにする
インタラクティブ静電界高エネルギー蓄積交流ブロッキングコンデンサ。
【請求項４】
請求項１に記載のインタラクティブ静電界高エネルギー蓄積交流ブロッキングコンデンサにおいて、
少なくとも１つの電極は、反対方向に電流が流れ、および該反対方向に流れる電流が反対方向の静電界を発生させ、および該電極が反対方向に流れる電流によって互いに作用し合う反対方向の静電界を発生させる手段である
インタラクティブ静電界高エネルギー蓄積交流ブロッキングコンデンサ。
【請求項５】
請求項２に記載のインタラクティブ静電界高エネルギー蓄積交流ブロッキングコンデンサにおいて、
少なくとも一つの電極は、該電極の一部からの電流が、反対方向の静電界を発生する該電極の他の部分に静電界を発生させるように構成されており、および該電極が、該電極の一部からの反対方向の静電界と他の部分からの反対方向の静電界と作用し合う手段である
インタラクティブ静電界高エネルギー蓄積交流ブロッキングコンデンサ。
【請求項６】
請求項３に記載のインタラクティブ静電界高エネルギー蓄積交流ブロッキングコンデンサにおいて、
前記導電性の連続する閉ループの長手方向に沿って互いに対向するように折り畳まれた前記エッジは、反対方向の集中静電界が互いに作用するとともに互いに打ち消しあい、これにより交流電流を遮断するようにする手段である
インタラクティブ静電界高エネルギー蓄積交流ブロッキングコンデンサ。
【請求項７】
請求項１〜３の何れか一項に記載のインタラクティブ静電界高エネルギー蓄積交流ブロッキングコンデンサにおいて、
前記負電極は、そのエッジが前記帯電電極のエッジから離間され、前記帯電電極上の如何なる残留電荷の集中にも対する全ての経路が排除され、高充電電圧時における誘電体の絶縁破壊を回避するように構成されている
インタラクティブ静電界高エネルギー蓄積交流ブロッキングコンデンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月10日(2014.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスであって、
基板上に形成されるゲート層と、
前記ゲート層上に形成される誘電体層と、
前記誘電体層上に形成されるメモリ層と、
前記メモリ層上に形成されるソース層であって、前記ソース層は電気的浸透性であってパーフォレーションを有するソース層と、
前記ソース層上に形成される半導体チャネル層であって、前記半導体チャネル層は前記ソース層及び前記メモリ層と接触し、前記ソース層及び前記半導体チャネル層はゲート電圧チューナブル電荷注入バリアを形成する半導体チャネル層と、
前記半導体チャネル層上に形成されるドレイン層と
を含む半導体デバイス。
【請求項２】
前記メモリ層は電荷蓄積層である、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記電荷蓄積層は、前記ソース層と前記電荷蓄積層との間の電荷交換が、ゲート電圧が臨界しきいゲート電圧を超えるときにのみ生じるように構成される、請求項２に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記半導体デバイスは、プログラム可能なしきい電圧を有する、ヒステリシスなしのトランジスタとして動作する、請求項３に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
誘電体材料に完全に取り囲まれるフローティングゲートをさらに含む、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記ソース層は複数カーボンナノチューブのネットワークである、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記ソース層はグラフェンを含む、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記ソース層は、金属又は半導体の複数ナノワイヤのネットワークである、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記半導体チャネル層の伝導バンド縁端又は最低被占軌道準位が、前記ソース層の仕事関数の−１．５ｅＶから＋１．５ｅＶの範囲内にある、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
前記ドレイン層は少なくとも一つのカーボンナノチューブを含む、請求項１に記載の半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月28日(2014.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光起電力構造であって、
各々が導電性ナノケーブルと、前記ナノケーブルの上方に光起電力（ＰＶ）層とを有する光起電力ナノ構造のアレイを備え、
前記ＰＶ層のうちの少なくとも１つの平均粒径が約１００ｎｍ未満であり、前記光起電力層の各々の堆積厚さが５００ｎｍ以下である、光起電力構造。
【請求項２】
前記光起電力ナノ構造のアレイは、前記光起電力ナノ構造のアレイに関与する光子当たり２つ以上の電子を生成するように構成される、請求項１に記載の光起電力構造。
【請求項３】
前記光起電力ナノ構造のアレイは、ブラシの構成で配置される、請求項１に記載の光起電力構造。
【請求項４】
前記ＰＶ層のうちの少なくとも１つは、ＩＩ−ＶＩ  ｐ型またはｎ型材料およびＩＩＩ−Ｖ  ｐ型またはｎ型材料からなる群から選択される材料を含み、前記ＰＶ層のうちの少なくとも１つは、ＣｄＴｅ、硫化カドミウム、ヒ化ガリウム、セレン化銅インジウムガリウムおよびシリコンからなる群から選択される材料を含む、請求項１に記載の光起電力構造。
【請求項５】
前記ナノケーブルは金属製であり、前記ＰＶ層のうちの少なくとも１つはアモルファスシリコンを含み、前記ナノケーブルはニッケルを含み、前記ＰＶ層のうちの少なくとも１つはアモルファスシリコンを含む、請求項１に記載の光起電力構造。
【請求項６】
前記光起電力構造は可撓性の構造であり、前記ナノケーブルの端部同士は、過剰めっき材料によって結合される、請求項１に記載の光起電力構造。
【請求項７】
ナノ構造を形成する方法であって、
基体の上方にバックプレーン接点を形成するステップと、
ビアを含むマスクを前記バック接点の上方に形成するステップと、
前記ビアに沿って延びるナノケーブルのアレイを形成するステップと、
前記マスクを除去するステップと、
前記ナノケーブルの上方に光起電力（ＰＶ）層を追加するステップとを備え、
各ＰＶ層の堆積厚さが約５００ｎｍ未満であり、
前記ＰＶ層のうちの少なくとも１つの平均粒径が約１００ｎｍ未満である、方法。
【請求項８】
光起電力ナノ構造のアレイは、ブラシの構成で配置される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
上にＰＶ層を有する前記ナノケーブルのアレイは、光起電力ナノ構造のアレイに関与する光子当たり２つ以上の電子を生成することができる、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＰＶ層の上方に上部導電層を形成するステップをさらに備え、前記ＰＶ層の上方に上部導電層を形成するステップは、その導電性を増大させるために層を導電性材料でドーピングするステップを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記ＰＶ層のうちの少なくとも１つは、ＩＩ−ＶＩ  ｐ型またはｎ型材料およびＩＩＩ−Ｖ  ｐ型またはｎ型材料からなる群から選択される材料を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記ＰＶ層のうちの少なくとも１つは、ＣｄＴｅ、硫化カドミウム、ヒ化ガリウム、セレン化銅インジウムガリウムおよびシリコンからなる群から選択される材料を含み、前記ＰＶ層のうちの少なくとも１つは、ＩＩ−ＶＩ  ｐ型またはｎ型材料およびＩＩＩ−Ｖ  ｐ型またはｎ型材料からなる群から選択される材料を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
ナノケーブルのアレイを形成するステップは、前記ビアに前記導電性ナノケーブルのアレイを形成するためにめっきするステップを備え、
前記めっきは、前記ビアからのめっき材料の過剰充填物が前記マスク上に成長するまで行なわれ、前記過剰充填物は成長して、前記ナノケーブルを相互接続する可撓性の層を形成する、請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の光起電力構造を設けるステップと、
前記アレイの観察可能な電力出力を増大させるためにその基体の平面において前記光起電力ナノ構造のアレイを回転させるステップと、
前記アレイの観察可能な電力出力をさらに増大させるために光源の位置に対する前記アレイの提示角度を調整するステップとを備える、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光起電力構造およびその形成方法
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月13日(2014.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端末が参照信号を受信する方法であって、
第１のチャネル測定参照信号の構成を示す第1の構成情報を受信するステップと、
前記第１のチャネル測定参照信号の構成に基づいて、前記第１のチャネル測定参照信号を受信するステップと、
前記第１のチャネル測定参照信号に基づいて、チャネル測定を行うステップと、
を有し、
前記第１のチャネル測定参照信号の構成は前記端末に特定される、参照信号受信方法。
【請求項２】
前記第１の構成情報は、前記第１のチャネル測定参照信号に関連したアンテナ数を含む、請求項１に記載の参照信号受信方法。
【請求項３】
前記第１のチャネル測定参照信号は、１以上のアンテナを含むアンテナグループと関連する、請求項２に記載の参照信号受信方法。
【請求項４】
前記第１のチャネル測定参照信号は、前記アンテナグループに割当てられたパイロットパターンを用いて受信される、請求項３に記載の参照信号受信方法。
【請求項５】
第２のチャネル測定参照信号の構成を示す第２の構成情報を受信するステップを更に有し、該第２の構成情報はチャネル干渉に関連する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の参照信号受信方法。
【請求項６】
基地局が参照信号を送信する方法であって、
第１のチャネル測定参照信号の構成を示す第1の構成情報を送信するステップと、
前記第１のチャネル測定参照信号の構成に基づいて、前記第１のチャネル測定参照信号を端末に送信するステップと、
前記第１のチャネル測定参照信号に基づくチャネル測定に従い、フィードバック情報を受信するステップと、
を有し、
前記第１のチャネル測定参照信号の構成は前記端末に特定される、参照信号送信方法。
【請求項７】
前記第１の構成情報は、前記第１のチャネル測定参照信号に関連したアンテナ数を含む、請求項６に記載の参照信号送信方法。
【請求項８】
前記第１のチャネル測定参照信号は、１以上のアンテナを含むアンテナグループと関連する、請求項７に記載の参照信号送信方法。
【請求項９】
前記第１のチャネル測定参照信号は、前記アンテナグループに割当てられたパイロットパターンを用いて送信される、請求項８に記載の参照信号送信方法。
【請求項１０】
第２のチャネル測定参照信号の構成を示す第２の構成情報を送信するステップを更に有し、該第２の構成情報はチャネル干渉に関連する、請求項６〜９のいずれか一項に記載の参照信号送信方法。
【請求項１１】
第１のチャネル測定参照信号の構成を示す第1の構成情報を受信する受信モジュールと、
前記受信モジュールを制御するプロセッサと、
を有し、
前記プロセッサは、前記第１のチャネル測定参照信号の構成に基づいて、前記第１のチャネル測定参照信号を受信するために前記受信モジュールを制御するよう構成され、及び前記第１のチャネル測定参照信号に基づいて、チャネル測定を行うよう構成され、
前記第１のチャネル測定参照信号の構成は端末に特定される、端末。
【請求項１２】
前記第１の構成情報は、前記第１のチャネル測定参照信号に関連したアンテナ数を含む、請求項１１に記載の端末。
【請求項１３】
前記第１のチャネル測定参照信号は、１以上のアンテナを含むアンテナグループと関連する、請求項１２に記載の端末。
【請求項１４】
前記プロセッサは、前記アンテナグループに割当てられたパイロットパターンに基づいて、前記第１のチャネル測定参照信号を受信するため前記受信モジュールを制御するよう構成される、請求項１３に記載の端末。
【請求項１５】
前記受信モジュールは、第２のチャネル測定参照信号の構成を示す第２の構成情報を更に受信し、該第２の構成情報はチャネル干渉に関連する、請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の端末。
【請求項１６】
送信モジュールと、
前記送信モジュールを制御するプロセッサと、
を有し、
前記プロセッサは、第１のチャネル測定参照信号の構成を示す第１の構成情報を送信するために前記送信モジュールを制御するよう構成され、及び前記第１のチャネル測定参照信号の構成に基づいて、前記第１のチャネル測定参照信号を端末に送信するために前記送信モジュールを制御するよう構成され、
前記第１のチャネル測定参照信号の構成は前記端末に特定される、基地局。
【請求項１７】
前記第１の構成情報は、前記第１のチャネル測定参照信号に関連したアンテナ数を含む、請求項１６に記載の基地局。
【請求項１８】
前記第１のチャネル測定参照信号は、１以上のアンテナを含むアンテナグループと関連する、請求項１７に記載の基地局。
【請求項１９】
前記プロセッサは、前記アンテナグループに割当てられたパイロットパターンに基づいて、前記第１のチャネル測定参照信号を送信するために前記送信モジュールを制御するよう構成される、請求項１８に記載の基地局。
【請求項２０】
前記プロセッサは、第２のチャネル測定参照信号の構成を示す第２の構成情報を送信するために前記送信モジュールを更に制御するよう構成され、該第２の構成情報はチャネル干渉に関連する、請求項１６〜１９のいずれか一項に記載の基地局。