【事件の表示】
　平成　９年特許願第３４２９１７号「薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　７月　２日出願公開、特開平１１−１７５９１６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年１２月１２日の出願であって、平成１５年２月１４日付け拒絶理由通知に対して、平成１５年４月１８日に意見書及び補正書が提出されたが、平成１５年６月２４日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成１５年７月３１日に拒絶査定不服の審判が請求されるとともに、平成１５年９月１日に手続補正書が提出されたものである。
　
２．平成１５年９月１日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
〔補正却下の決定の結論〕
　平成１５年９月１日付けの手続補正（以下、「本件手続補正」という。）を却下する。
　
〔理　由〕
（１）手続補正の概要
　本件手続補正は、明細書についてするもので、特許請求の範囲の請求項１及び９については、本件手続補正前に、
「【請求項１】　凹部を有する基体と、
　この基体の表面に形成され、エアベアリング面において磁気記録媒体に対向する磁極部分およびこの磁極部分から凹部内面に亘って延在する部分を有する第１の磁性層と、
　磁気記録媒体と対向し、記録トラックの幅を規定する幅を有するポールチップを構成する磁極部分を有し、この磁極部分の端面が前記第１の磁性層の磁極部分の端面と共にエアベアリング面を構成する第２の磁性層と、
　この第２の磁性層に、前記第１の磁性層側とは反対側で接触し、エアベアリング面から離れた後方位置において第１の磁性層と磁気的に連結された第３の磁性層と、
　前記エアベアリング面において磁気記録媒体に対する書込用の磁束を発生させるように第１の磁性層と第２および第３の磁性層との間に絶縁層を介して配設された部分を有する薄膜コイルと、
　少なくとも前記エアベアリング面において第１の磁性層の磁極部分と第２の磁性層の磁極部分との間に介挿された非磁性材料よりなるギャップ層と、
　前記第１、第２および第３の磁性層、ギャップ層、絶縁層および薄膜コイルを支持する基体とを具える薄膜磁気ヘッドであって、
　前記第２の磁性層を磁極部分よりも後方の領域まで延在させると共に少なくともこの延在させた部分を前記第３の磁性層と接触させ、
　前記薄膜コイルを、その絶縁層が前記第１の磁性層の磁極部分の表面と同一の平坦面となるように前記凹部内に埋設して形成し、
　前記ギャップ層を、これら第１の磁性層の磁極部分および絶縁層の平坦面上に平坦に形成し、
　この平坦なギャップ層の上に、前記第２の磁性層を平坦に形成し、
　前記第１の磁性層の磁極部分を、前記の平坦な第２の磁性層の磁極部分をマスクとするエッチングにより形成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。」
「【請求項９】　薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
　基体の表面に凹部を形成する工程と、
　この凹部の表面を含めた基体表面に第１の絶縁層を形成する工程と、
　少なくとも一部に前記第１の絶縁層を有する基体の表面に第１の磁性層を形成する工程と、
　前記凹部内に第２の絶縁層によって絶縁分離された薄膜コイルを形成する工程と、
　前記第１の磁性層の凹部以外の基体表面に形成された部分および第２の絶縁層の表面を同一の平坦面とした後、この平坦面上に非磁性材料層を平坦に形成する工程と、
　この平坦な非磁性材料層の上に、所定のパターンを有する磁極部分およびそれよりも後方の領域に亘って延在する部分を有する第２の磁性層を平坦に形成する工程と、
　この平坦な第２の磁性層の磁極部分をマスクとするエッチングを施して前記非磁性材料層および第１の磁性層を選択的に除去してギャップ層および第１の磁性層の磁極部分を形成する工程と、
　前記平坦な第２の磁性層の、少なくとも磁極部分から後方に延在する部分と接触するとともに前記第１の磁性層と、前記エアベアリング面から離れた後方位置において接触する第３の磁性層を形成する工程と、
　前記基体、第１および第２の磁性層の磁極部分およびこれらによって挟まれたギャップ層を、前記基体に形成された凹部の端縁を位置の基準として研磨して磁気記録媒体と対向するエアベアリング面を形成する工程と
を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。」
とあったところを、
　
「【請求項１】　凹部を有する基体と、
　この基体の表面に形成され、エアベアリング面において磁気記録媒体に対向する磁極部分およびこの磁極部分から凹部内面に亘って延在する部分を有する第１の磁性層と、
　磁気記録媒体と対向し、記録トラックの幅を規定する幅を有するポールチップを構成する磁極部分を有し、この磁極部分の端面が前記第１の磁性層の磁極部分の端面と共にエアベアリング面を構成する第２の磁性層と、
　この第２の磁性層に、前記第１の磁性層側とは反対側で接触し、エアベアリング面から離れた後方位置において第１の磁性層と磁気的に連結された第３の磁性層と、
　前記エアベアリング面において磁気記録媒体に対する書込用の磁束を発生させるように第１の磁性層と第２および第３の磁性層との間に絶縁層を介して配設された部分を有する薄膜コイルと、
　少なくとも前記エアベアリング面において第１の磁性層の磁極部分と第２の磁性層の磁極部分との間に介挿された非磁性材料よりなるギャップ層と、
　前記第１、第２および第３の磁性層、ギャップ層、絶縁層および薄膜コイルを支持する基体とを具える薄膜磁気ヘッドであって、
　前記第２の磁性層を磁極部分よりも後方の領域まで延在させると共に少なくともこの延在させた部分を前記第３の磁性層と接触させ、
　前記薄膜コイルを前記凹部内に埋設して形成し、その上に、表面が前記第１の磁性層の磁極部分の表面と同一の平坦面となるように形成された無機絶縁層を、前記凹部の開口を覆うように設け、
　前記ギャップ層を、これら第１の磁性層の磁極部分および無機絶縁層の平坦面上に平坦に形成し、
　この平坦なギャップ層の上に、前記第２の磁性層を平坦に形成し、
　前記第１の磁性層の磁極部分を、前記の平坦な第２の磁性層の磁極部分をマスクとするエッチングにより形成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。」
「【請求項９】　薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
　基体の表面に凹部を形成する工程と、
　この凹部の表面を含めた基体表面に第１の絶縁層を形成する工程と、
　少なくとも一部に前記第１の絶縁層を有する基体の表面に第１の磁性層を形成する工程と、
　前記凹部内に第２の絶縁層によって絶縁分離された薄膜コイルを形成する工程と、
　無機絶縁層を表面全体に形成する工程と、
　この無機絶縁層を研磨して、前記第１の磁性層の凹部以外の基体表面に形成された部分および無機絶縁層の表面を同一の平坦面として、無機絶縁層によって前記凹部の開口を塞ぐ工程と、
　この平坦面上に非磁性材料層を平坦に形成する工程と、
　この平坦な非磁性材料層の上に、所定のパターンを有する磁極部分およびそれよりも後方の領域に亘って延在する部分を有する第２の磁性層を平坦に形成する工程と、
　この平坦な第２の磁性層の磁極部分をマスクとするエッチングを施して前記非磁性材料層および第１の磁性層を選択的に除去してギャップ層および第１の磁性層の磁極部分を形成する工程と、
　前記平坦な第２の磁性層の、少なくとも磁極部分から後方に延在する部分と接触するとともに前記第１の磁性層と、前記エアベアリング面から離れた後方位置において接触する第３の磁性層を形成する工程と、
　前記基体、第１および第２の磁性層の磁極部分およびこれらによって挟まれたギャップ層を、前記基体に形成された凹部の端縁を位置の基準として研磨して磁気記録媒体と対向するエアベアリング面を形成する工程と
を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。」
と補正しようとするものである。
　
　本件手続補正の内容を検討すると、請求項１については、薄膜コイルの形成に関し、補正前に「薄膜コイルを、その絶縁層が前記第１の磁性層の磁極部分の表面と同一の平坦面となるように前記凹部内に埋設して形成し」とあったところを、「薄膜コイルを前記凹部内に形成し」とした上で、「その上に、表面が前記第１の磁性層の磁極部分の表面と同一の平坦面となるように形成された無機絶縁層を、前記凹部の開口を覆うように設け」とし、また、補正前に「絶縁層の平坦面上」とあったところを、「無機絶縁層の平坦面上」としようとするものである。
　ここにおいて、補正前の「絶縁層」は、「絶縁層を介して配設された部分を有する薄膜コイル」との記載から、薄膜コイルに介在して、薄膜コイルとともに表面が磁極部分と同一の表面となるように凹部に埋設されるものと解される。これに対し、本件手続補正後の「無機絶縁層」は、「薄膜コイルを前記凹部内に埋設して形成し、その上に、表面が前記第１の磁性層の磁極部分の表面と同一の平坦面となるように形成」されるものであって、一方で前記「絶縁層」に関する記載は依然として残されているのであるから、本件手続補正前の「絶縁層」とは別に設けられるものであって、単に「絶縁層」を「無機絶縁層」と限定してさらに当該無機絶縁層に限定を加えたものであると解することができない。すなわち、請求項１についての補正は、新たに「無機絶縁層」を発明特定事項として導入し、当該新たに導入された「無機絶縁層」に技術的限定を加えたものであって、補正前の発明特定事項に限定を加えたものではないから、特許法第１７条の２第４項の第２号に該当するものとすることができない。また、請求項の削除、誤記の訂正、及び明瞭でない記載の釈明のいずれにも当たらないことは明らかである。
　
　また、請求項９については、概略、
「前記第１の磁性層の凹部以外の基体表面に形成された部分および第２の絶縁層の表面を同一の平坦面とした後、この平坦面上に非磁性材料層を平坦に形成する工程」を、
「無機絶縁層を表面全体に形成する工程と、
　この無機絶縁層を研磨して、前記第１の磁性層の凹部以外の基体表面に形成された部分および無機絶縁層の表面を同一の平坦面として、無機絶縁層によって前記凹部の開口を塞ぐ工程と、
　この平坦面上に非磁性材料層を平坦に形成する工程」
としようとするもので、「無機絶縁層を表面全体に形成する工程」、「この無機絶縁層を研磨して」、「無機絶縁層によって前記凹部の開口を塞ぐ工程」は、いずれも、補正前には対応する工程の記載がないもので、新たな工程を付け加えたものであって、補正前の発明特定事項に限定を加えたものではないから、特許法第１７条の２第４項の第２号に該当するものとすることができない。また、請求項の削除、誤記の訂正、及び明瞭でない記載の釈明のいずれにも当たらないことは明らかである。
　
　したがって、本件手続補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反してされたものであるから、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
　以上のとおり、本件手続補正は、本来、その目的が不適法なものとして却下されるべきものであるが、仮に、審判請求人が本件手続補正について「要件の追加」であると主張している点を、特許法第１７条の２第４項第２号に該当するものと認めたとして、本件手続補正により減縮された本件手続補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）否かについて以下に検討する。
　
（２）引用例
１）第１引用例
　原審において引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平８−３３９５０８号公報（以下、「第１引用例」という）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
（ａ）
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ならびこの薄膜磁気ヘッドを用いた磁気記憶装置に関し、特にコンピュータ用磁気記憶装置に用いる薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関するものである。」
（ｂ）
図４を参照して、従来例として
「【０００５】図４を参照すると、従来の薄膜磁気ヘッドは、アルミナ下地層１１１に接してパーマロイ膜からなる下部磁気コア３１と、パーマロイより高い飽和磁束密度を有する磁性膜からなる下部磁気コア先端部３２とがあり、これらの上に非磁性体である磁気ギャップ５、および導体コイル層９，１０が配置される。磁気ギャップ５は、上部磁気コア先端部３３と下部磁気コア先端部３２との間に０．１〜１．０μｍ程度の磁気的な隙間を形成ることにより、書き込み時には記録磁界を発生し、読み出し時には媒体からの信号磁束を磁気コアに導入する。
【０００６】次に、導体コイル層９，１０は、周知のパターンめっき法で形成され、材料としてはＣｕが用いられる。絶縁層６，７，８は、ベーキングしたフォトレジストのパターンで形成された高分子膜である。そして、導体コイル層９，１０は、絶縁層６，７，８で囲まれる。絶縁層８の上には高飽和磁束密度磁性膜からなる上部磁気コア先端部３３とパーマロイからなる上部磁気コア３４とが配置され、下部磁気コア３１と下部磁気コア先端部３２とともに、導体コイル層９，１０と鎖交する磁気回路を形成する。このようにして構成された薄膜磁気ヘッド素子はアルミナの保護膜１２で覆われる。」
（ｃ）
「【００１９】　図１は、本発明の第１の実施例を示す断面図である。図１を参照すると、第１の実施例は、成膜後４００〜６００℃で熱処理されたＦｅ−Ｔａ−Ｎ膜からなる高飽和磁束密度の下部磁気コア１が、アルミナ下地層１１に接して設けられている。この下部磁気コア１の膜厚は２〜４μｍである。また、下部磁気コア１に接して磁気ギャップ層５が設けられており、さらに、下部磁気コア１と磁気ギャップ層５との間には非磁性スペーサ４が設けられている。
【００２０】　非磁性スペーサ４は、磁気ヘッド浮上面２０からスロート長さ２１の距離だけ離れた箇所から５〜２５μｍ程度の長さで奥に延びている。この非磁性スペーサ４はスパッタ成膜したアルミナを用いる。この非磁性スペーサ４の膜厚は１〜４μｍであり、下部磁気コア１と上部磁気コア先端部２との間隔を広げ、その間の磁束の漏洩を減らすことにより磁束効率を高めている。」
（ｄ）
「【００２２】　上部磁気コア先端部２は、磁気ヘッド浮上面２０からスロート長さ２１部分を経由して非磁性スペーサ４の上まで延びている。この上部磁気コア先端部２は、成膜後４００〜６００℃で熱処理された高飽和磁束密度のＦｅ−Ｔａ−Ｎ膜をパターニングしたものであり、その膜厚は２〜４μｍである。」
（ｅ）
「【００２４】　次に、上部磁気コア先端部２と最上部の絶縁層８とに接して上部磁気コア３が置かれる。上部磁気コア先端部２と上部磁気コア３とが接する面は、周知のパターンめっき技術で形成されたパーマロイ膜パターンである。このパーマロイ膜パターンは３００℃以下の磁界中熱処理により十分安定な高透磁率特性（比透磁率＞２０００）を示す。また、上部磁気コア３の膜厚は３〜６μｍであり、上部磁気コア先端部２より厚くなっている。
【００２５】　パーマロイ膜の飽和磁束密度（０．８〜１．０Ｔ）は、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ膜よりも小さいが、この膜厚を厚くすることにより上部磁気コア３における磁気飽和を避けることができる。また、上部磁気コア先端部２と上部磁気コア３との接続部における信号磁束の漏洩をなくするため、接続部の長さは上部磁気コア先端部２および上部磁気コア３の膜厚よりも大きくする必要がある。」
　なお、図１には、接続部も上部磁気コア先端部同様、磁気ヘッド浮上面２０からスロート長さ２１部分を経由して非磁性スペーサ４の上まで延びていることが示されている。
（ｆ）
図２に示された第２の実施例について
「【００３２】図２を参照すると、第２の実施例では、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ膜で形成された上部磁気コア１０３の端部３０は、磁気ヘッド浮上面２０より５〜１５μｍ程度奥に存在する。この構成では、磁気ヘッド浮上面２０に飽和磁束密度の低いパーマロイ膜が露出しないので、書き込み時の磁界勾配が、第１の実施例の場合に比べて鋭くなる。したがって、より高密度記録に適した薄膜磁気ヘッドが得られる。」
　なお、図２を参照すると、上部磁気コア先端部２と上部磁気コア３との接続部は、上部磁気コア先端部が非磁性スペーサの上まで延びた位置にあることが示されている。
（ｇ）
図３に示された第３の実施例について
「【００３６】また、第３の実施例では、アルミナ下地層１１０に深さ１〜４μｍの凹部４０が設けられている。この凹部４０の端部におけるテーパ角θは、６０゜以下であるとが好ましい。また、下部磁気コア１０１は、この凹部４０を跨ぐ形で形成されることにより、それ自体が凹部を有しており、テーパ角θが６０゜以上になると下部磁気コア１０１の軟磁気特性の劣化が顕著になる。
【００３７】非磁性スペーサ１０４は、下部磁気コア１０１の凹部を埋める形にアルミナ膜で形成される。そして、丁度下部磁気コア１０１の凹部だけを埋めるような非磁性スペーサ１０４を形成するためには、凹部４０の深さよりも若干厚いアルミナ膜をスパッタ成膜した後で表面を平坦化する。この表面の平坦化には、周知の錫（Ｓｎ）系定盤と砥粒とを用いたラッピング（研磨）技術、もしくは高分子膜を用いたエッチバック技術等を用いることにより、磁気ギャップ層１０５の表面をほぼ平坦にすることができる。
【００３８】なお、第３の実施例においては、上部磁気コア先端部１０２のＦｅ−Ｔａ−Ｎ膜をスパッタ成膜する際に、バックギャップ部での下部磁気コア１０１と上部磁気コア３の接続部５０も同時にＦｅ−Ｔａ−Ｎでスパッタ成膜を行う。これにより、上部磁気コア３の段差を減らして、上部磁気コア３のパターン内組成変動等による磁気特性の劣化を防いでいる。」
　ここにおいて、平坦にされた磁気ギャップ層の上にスパッタ成膜された上部磁気コア先端部１０２が平坦なものとなるのは当然のことにすぎないが、図３も参照すると、上部磁気コア先端部１０２は、平坦に形成された磁気ギャップ層の上に当該磁気ギャップ層同様平坦に形成されている。また、上部磁気コア先端部１０２と上部磁気コア３との接続部は、先に掲げた図１及び図２の例と同様、上部磁気コア先端部１０２が非磁性スペーサ１０４の上まで延びた位置にあることが示されている。
　
　上記記載事項及び図面（特に第３図）の記載を総合勘案すると、上記第１引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という）が記載されている。
「深さ１〜４μｍの凹部４０が設けられているアルミナ下地層１１０と、
　磁気ヘッド浮上面からこの凹部４０を跨ぐ形で形成されることにより、アルミナ下地層１１０に接して設けられている下部磁気コア１０１と、
　下部磁気コア１０１に接して磁気ヘッド浮上面から設けられた、非磁性体からなる磁気ギャップ層１０５と、
　下部磁気コア１０１と磁気ギャップ層１０５との間に、丁度下部磁気コア１０１の凹部だけを埋める形に表面を平坦化されたアルミナ膜で形成された非磁性スペーサ１０４を設けて磁気ギャップ層１０５の表面をほぼ平坦にし、
　磁気ヘッド浮上面において下部磁気コア１０１との間に形成された磁気ギャップから書き込み時には記録磁界を発生し、読み出し時には媒体からの信号磁束を磁気コアに導入するものであって、磁気ギャップ層１０５の上に平坦に形成され、磁気ヘッド浮上面２０からスロート長さ２１部分を経由して非磁性スペーサ１０４の上まで延びている上部磁気コア先端部１０２と、
　上部磁気コア先端部１０２と上記非磁性スペーサ１０４の上まで延びている部分を含んで接続され、バックギャップ部で接続部５０を介して下部磁気コア１０１と接続している上部磁気コア３と、
　上部磁気コア３、上部磁気コア先端部１０２及び下部磁気コア１０１により形成される磁気回路に磁界を発生し、絶縁層６，７，８で囲まれた導体コイル層９，１０と
　を有する薄膜磁気ヘッド。」
　
２）第２引用例
　同じく原審で引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平１−９６８１４号（以下、「第２引用例」という）には、以下の事項が記載されている。
（ｈ）
「磁気ディスク、ＶＴＲなどの磁気記録に係り、特に高密度記録に好適な薄膜磁気ヘッドに関する。」（１頁左下欄第１４行〜第１６行）
（ｉ）
「あらかじめ凹部を有する基板上に記録ヘッドを形成する」（２頁左上欄第７行〜第８行）
（ｊ）
「はじめに、基板１に深さ８μｍの溝を形成する。・・・続いて下部磁極２を形成する強磁性合金・・・を約３μｍ被着し、・・・次に、・・・高分子樹脂などの絶縁層４と、ＡｌやＣｕなどからなるコイル３とを、順次積層し、上記凹部にコイル３と絶縁層４を充填する。・・・また高分子樹脂の塗布およびエッチバック法を用いて、平坦化を行った。次に、ギャップ部を形成する絶縁層４’としてＡｌ２Ｏ３を０．５μｍ被着した後、・・・上部磁極５を形成する。」（２頁右上欄第２行〜第１８行）
　
３）第３引用例　
　同じく原審で引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平５−４６９４３号（以下、「第３引用例」という）には、以下の事項が記載されている。
（ｋ）
「【００１１】
【実施例】図１は本発明に係る面内記録再生用の薄膜磁気ヘッドの要部における断面図である。図において、１はAl2O3.TiC 等のセラミックで構成された基体、２は書き込み素子となる誘導型の薄膜磁気変換素子、３は読み出し素子となる磁気抵抗効果素子、４は磁気抵抗効果素子３に対する磁気シールドを行なう上部シールドである。基体１は、通常、スライダである。
【００１２】誘導型磁気変換素子２は、磁性膜２１、２３及びコイル膜２４１、２４２を有し、スパッタリング等による薄膜形成工程、フォトリソグラフィによる高精度パターン形成工程、熱処理工程等を経て基体１の上に形成されている。」
（ｌ）
「【００１６】更に、基体１はアルティック（Al2O3.TiC ）部１１の表面にAl2O3 またはSiO2等でなる絶縁膜１２を設け、この絶縁膜１２に凹部１３を形成してある。凹部１３はイオンミーリング等の手段によって形成できる。薄膜磁気変換素子２は大部分が凹部１３内に配置されている。このため、薄膜磁気変換素子２を凹部１３内に配置した後に平坦な表面を容易に得ることができ、薄膜磁気変換素子２上での磁気抵抗効果素子３及び上部磁気シールド４の積層化の容易な薄膜磁気ヘッドを提供できる。
【００１７】実施例において、薄膜磁気変換素子２は、磁性膜２１と、磁性膜２１と共に磁気回路を構成するコイル膜２４１、２４２と、コイル膜２４１、２４２を支持する絶縁膜２５１〜２５３とを有し、少なくともコイル膜２４１、２４２及び絶縁膜２５１〜２５３は凹部１３内に配置された構成となっている。磁性膜２１はＮｉ−Ｆｅ等の磁性材料で形成され、スパッタリング等の手段によって凹部１３の底面上に設けられている。絶縁膜２５１〜２５３はノボラック樹脂等の有機絶縁樹脂で形成され、絶縁膜２５１は磁性膜２１上に設けられている。コイル膜２４１、２４２はＣｕ等の導体材料で形成され、コイル膜２４１は絶縁膜２５１上に設けられている。コイル膜２４１の上にはコイル膜２４１及び２４２を絶縁する絶縁膜２５２が設けられている。絶縁膜２５２の上にコイル膜２４２が設けられ、コイル膜２４２の上に絶縁膜２５３が設けられている。図示はコイル膜２４１、２４２の二層構造となっているが、コイル膜は一層でも三層以上でもよい。コイル膜を多層化した場合にも薄膜磁気変換素子２の突出が防止され、磁気抵抗効果素子３及び上部磁気シールド４の積層化の容易な薄膜磁気ヘッドを提供できる。
【００１８】更に、磁性膜は下部磁性膜２１と、上部磁性膜２３とを含んで構成されている。下部磁性膜２１は凹部１３の底面上に設けられている。上部磁性膜２３は絶縁膜２５３の上に設けられている。下部磁性膜２１び上部磁性膜２３は、先端部が変換ギャップを構成するポール部２１１、２３１となっていて、後方側２１２、２３２が磁気回路を完成するように結合されている。ポール部２１１、２３１はギャップ膜２２によって隔てられている。コイル膜２４１、２４２は結合部２１２、２３２の回りに渦巻き状に設けられている。コイル膜２４１、２４２は結合子２４３によって接続されている。
【００１９】上部磁性膜２３は絶縁膜２５３上に平坦化して形成できるので、磁気抵抗効果素子３及び上部シールド４の積層が容易になると共に、上部シールド４の磁気抵抗効果素子３に対する磁気シールドの一方として利用することができる。
【００２０】図２は別の実施例に係る面内記録再生用の薄膜磁気ヘッドの要部における断面図である。図において、図１と同一参照符号は同一性ある構成部分を示している。本実施例の特徴は、アルティック部１１に直接に凹部１３を設けたことである。凹部１３の表面に絶縁膜１２を形成する以外は図１に示した実施例と同一であるので、同一の作用及び効果が得られる。」
　
４）第４引用例
　同じく原審で引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平７−２６２５１９号公報（以下、「第４引用例」という）には、以下の事項が記載されている。
（ｍ）
「【００３３】図３および図４は、さまざまな詳細を示すために部分切断図
の形にした、書込みヘッドのより完全な実施例を示す図である。図３では、カバー層である底磁性層１１２の一部が取り除かれ、第２絶縁層Ｉ2および第３絶縁層Ｉ3が取り除かれ、コイル状導体７０の一部が省略されている。コイル状導体７０は、頂極片Ｐ２と底極片Ｐ１の間でバック・ギャップＢＧの周囲に延びる。コイル状導体７０の一端は、符号７３でリード線７２に接続され、この導体の他端（図示せず）は、リード線７４に接続される。リード線７２および７４を介してコイル状導体７０に信号電流が送られる時、コイル状導体７０は、頂極片Ｐ２と底極片Ｐ１に磁束を誘導する。これが、ＡＢＳの磁極端を前後に横切る磁束を誘導する。」
（ｎ）
「【００３６】　本発明の第２の発見は、２つの部分からなる。第１に、頂極片Ｐ２の磁極端構造が、底極片Ｐ１の磁極端構造にペデスタルをイオン・ビーム・ミリングするためのマスクとして利用される。第２に、イオン・ビームが、単一の角度付きビームまたは１対の角度付きビームのいずれかで、頂磁極端構造の側壁に対してある角度に向けられる。角度付きビームの対が好ましく、これは、順番にまたは同時にのいずれかで向けることができる。どの実施例の機器も、頂磁極端構造に追加の厚さを堆積する。この追加の厚さは、底磁極端構造にペデスタルを形成するためのイオン・ビーム・ミリングによって減らされる」
（ｏ）
「【００４２】図２９ないし図３３は、本発明の図７および図８の実施例の磁極端構造を作るための処理ステップを示す図である。これらのステップは、図３０に示されるように２つの磁極端要素ＰＴ２ａおよびＰＴ２ｂをもたらすために頂極片Ｐ２が２層を用いて構成される点を除いて、図２４ないし図２８に関して説明したステップと同一である。イオン・ビーム・ミリングの後に、図３３に示されるように、ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂが形成され、頂磁極端構造に、磁極端要素ＰＴ２ａおよびＰＴ２ｂが含まれる。上で述べたように、磁極端要素ＰＴ２ｂは、磁極端要素ＰＴ２ａと異なる材料とすることができる。図３４は、イオン・ビーム・ミリングの前に第２シールド層Ｓ２の上に磁性層が置かれる場合の追加の実施例を示す図である。この場合、底磁極端構造に、２つのペデスタル磁極端要素すなわち、ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂおよびＰＴ１ｃが含まれるはずである。やはり、ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｃは、ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂと異なる材料とすることができる。磁極端要素ＰＴ２ｂおよびペデスタル磁極端層ＰＴ１ｃは、窒化第２鉄などの高飽和モーメントの材料（４πｍs）から構成でき、ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂおよび磁極端要素ＰＴ２ａの材料は、パーマロイなどの低飽和モーメントの材料とすることができる。高飽和材料を用いると、ギャップ層Ｇに最も近い磁極端を通じて大量の磁束を飽和せずに通せるようになる。」
　
５）第５引用例
　同じく原審で引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平７−２２５９１７号公報（以下、「第５引用例」という）には、以下の事項が記載されている。
（ｐ）
「【００２６】
　図５に示す書込みヘッド５２は、エア・ベアリング面（ＡＢＳ）とゼロ・スロート・レベル間に位置する磁極端領域７５と、ゼロ・スロート・レベルから後方の後部ギャップまで延びて後部ギャップを含む後部領域とを有する。下部磁極層Ｐ１と上部磁極層Ｐ２を有するヨークが備わっている。下部磁極は下部磁性体の薄膜層８０、上部磁極は上部磁性体の薄膜層８１を含む。下部磁極層Ｐ１と上部磁極層Ｐ２はまたそれぞれ、後部領域に位置する後部層域を含み、両磁極層の後部層域は後部ギャップ領域（ＢＧ）で磁気的に接続されている。下部磁極層Ｐ１は、ＡＢＳとゼロ・スロート・レベル間の磁極端領域７５に位置する磁極端構造体を有する。この磁極端構造体は、下部磁極端素子ＰＴ１ａと上部磁極端素子ＰＴ１ｂを有する。上部磁極層Ｐ２は、ＡＢＳとゼロ・スロート・レベル間の磁極端領域７５に位置する磁極端構造体を有する。この磁極端構造体は、上部磁極端素子ＰＴ２ａと下部磁極端素子ＰＴ２ｂを有する。上部磁極端素子ＰＴ２ａは上部磁極層Ｐ２の磁性体の薄膜層８１の前部であり、下部磁極端素子ＰＴ２ｂは独立した磁性体の薄膜層８２である。
【００２７】
　図５において下部磁極端素子ＰＴ１ａと上部磁極端素子ＰＴ１ｂはそれぞれ、独立した磁性体の薄膜層８３と８４である。磁性体の薄膜層８３は、後で形成プロセスが説明される下部磁極層Ｐ１の磁性体の薄膜層８０の前方拡張部であり、磁性体の薄膜層８３の上に独立した層である磁性体の薄膜層８４が付着される。
【００２８】
　本発明の他の実施例５２ａが図６で示される。図５の実施例との唯一の差は、下部磁極層Ｐ１の磁極端構造体が単一の層８５であることである。単一の層８５は、後で詳細に述べられるプロセスによって形成される下部磁極層Ｐ１の磁性体の薄膜層８０の前方拡張部である。下部磁極層Ｐ１が唯一単一の層である場合、複数の製作ステップが省略される。しかしながら、図５で示すように上部磁極端素子ＰＴ１ｂが独立した磁性体の薄膜層８４である場合、下部磁極端素子ＰＴ１ａと上部磁極端素子ＰＴ１ｂは異なる材料で製作されるのが望ましい。前記両方の実施例において下部磁極層Ｐ１はＭＲ読取りヘッドの第２のシールド層７４（図３参照）を含む。この配置により組合わせＭＲヘッドが与えられる。組合わせヘッドは読取りヘッドと書込みヘッドの間隔を縮小し、製作ステップ数を減じる利点がある。」
（ｑ）
図６に示された実施例の製作ステップとして、
「【００４４】
　図１３及び図１４で示すようにレジスト層１２２はフォトレジスト・マスクとなり、２つのフォトレジスト層１２４と１２６を作る。これらの層はその上部膜面と下部膜面との間でよく画定されたサイドを持つ。前部のフォトレジスト層１２４は、書込みヘッドの磁極端が位置する磁極端領域を覆う。フォトレジスト層１２４（図１４）の幅は、書込みヘッドのトラック幅に求められた幅である。本発明では０．７μｍのトラック幅が好適である。図１３で示すように前部のフォトレジスト層１２４の後部サイドは、磁極端のゼロ・スロート・レベルに一致する。フォトレジスト層１２６は後部ギャップ領域ＢＧを覆う。
【００４５】
　次に、イオン・ビーム・ミリングが下記の層に対して行われる。１）上部磁極層Ｐ２の下部磁性体の薄膜層８２、２）磁極端ギャップ層Ｇ、３）図１５で示される下部磁極層Ｐ１の磁性体の薄膜層８０。フォトレジスト層の保護のためにこのイオン・ビーム・ミリングは、磁性体の薄膜層８２の前面部、磁極端ギャップ層Ｇ及び磁性体の薄膜層８０を残し、下部磁極端素子ＰＴ２ｂ、磁極端ギャップ層Ｇ及び上部磁極端素子ＰＴ１ｂを形成する。図１６で示すようにイオン・ビーム・ミリング後、フォトレジスト層は除去される。
【００４６】
　イオン・ビーム・ミリングは、上部磁極層Ｐ２の下部磁性体の薄膜層８２の後面部及び下部磁極層Ｐ１の磁性体の薄膜層８０の後面部を残し、後部ギャップ領域ＢＧの一部を形成する。図１６で示すようにイオン・ビーム・ミリングは、ゼロ・スロート・レベルと後部ギャップの間の上部磁極層Ｐ２の下部磁性体の薄膜層８２の後面部、磁極端ギャップ層Ｇ及び下部磁極層Ｐ１の磁性体の薄膜層８０を除去してウェルを形成する。図１６で示すようにイオン・ビーム・ミリングはまた下部磁極端素子ＰＴ２ｂ、磁極端ギャップ層Ｇ及び上部磁極端素子ＰＴ１ｂのそれぞれの後壁を形成する。下部磁極端素子ＰＴ２ｂ、磁極端ギャップ層Ｇ及び上部磁極端素子ＰＴ１ｂのそれぞれの後壁は、共通プレーンに隣接して置かれ、ゼロ・スロート・レベルで磁極端の後壁１２２を形成する。
【００４７】
　図１７で示すようにイオン・ビーム・ミリングはまた、上部磁極端素子ＰＴ１ｂ、下部磁極端素子ＰＴ２ｂ及び磁極端ギャップ層Ｇの第１の側壁及び第２の側壁を形成し、それぞれの第１の側壁は第１の共通プレーン９６に置かれ、並びにそれぞれの第２の側壁は第２の共通プレーン９８に置かれる。第１の共通プレーン９６と第２の共通プレーン９８の間は、間隔ｗだけ互いに平行して離隔し、書込みヘッドのトラック幅を画定する。本発明におけるトラック幅は、０．７μｍなどの１μｍ以下である。この狭いトラック幅は、前部の薄いフォトレジスト層１２４とイオン・ビーム・ミリングによって得ることができる。後部ギャップ領域ＢＧが図１８で示されており、上部磁極層Ｐ２の下部磁性体の薄膜層８２は、下部磁極層Ｐ１の磁性体の薄膜層８０と磁気的接続を生み出す。
【００４８】
　上部磁極端素子ＰＴ１ｂ、下部磁極端素子ＰＴ２ｂ及び磁極端ギャップ層Ｇの良好な画定を得るために好ましい層除去プロセスは、イオン・ビーム・ミリングによって得られることが理解されたに違いない。しかしながら、満足な画定は何れのドライ・エッチング・プロセスによっても得られる。ドライ・エッチングは、イオン・ビーム・ミリングと同様なリアクティブ・イオン・ビーム・エッチングを含む。」
　
　さらに、以下の第１〜第３周知例を周知事項を示す例として提示する。
６）第１周知例
　本願出願前に頒布された刊行物である特開昭６３−５５７１１号公報（以下、「第１周知例」という）には、以下の事項が記載されている。
（ｒ）
特許請求の範囲（１頁左下欄）に、
「記録媒体に対向する先端部では、予め所望コア幅より大きな幅を持つ下部磁極用磁性層（３ａ）を基板（２）上に形成し、
　次いでこのギャップ層（４）、コイル層、絶縁層を積層後、所望コア幅（ＣＷ）に一致し、所定の上部磁極厚と下部磁極厚との和以上に上部磁極用磁性層（７ａ）を形成し、
　そして該上部磁極用磁性層（７ａ）をイオンミリング用マスクに加工し、上部および下部磁極（７）（３）の先端部を等しい幅及び上部磁極用磁性層を所定の厚さに形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。」
（ｓ）
「即ち、本発明の薄膜磁気ヘッドの磁極形成法では、所望コア幅ＣＷの幅を持つ上部磁極用の磁性層７ａ自身を、第１図（ａ）のようにイオンミリングマスクに用い、下部磁極用の磁性層３ａをエッチングするため、第１図（ｂ）のように上下の位置ずれがなく、所望のコア幅となる磁極７，３は形成できる。」
（２頁左下欄第３行〜第９行）
　
７）第２周知例
　本願出願前に頒布された刊行物である特開平３−１００９０９号公報（以下、「第２周知例」という）には、以下の事項が記載されている。
（ｔ）
薄膜磁気ヘッドの製造方法について、
「本発明は、上部磁性層をエッチングマスクとして下部磁性層をアルゴンイオン等のエネルギービームでエッチングするものである。なお、上部磁性層はエッチングによって減少する量だけ予め厚くしておく。」
（３頁右上欄第１５行〜第１９行）
（ｕ）
「最終のエッチング工程は、アルゴンイオン等のエネルギービームにより上部磁性層７をマスクとして上部磁性層７におおわれていない磁気ギャップ層４および下部磁性層３をエッチングする（第１図（ｃ））。この際、マスクとなる上部磁性層７もともにエッチングされる。上部磁性層７が、厚さｔ２になったところでエッチングを終了する（第１図（ｄ））と、薄膜磁気ヘッド２のトラック部の形成が終了する。」
（３頁左下欄第１６行〜同頁右下欄第４行）
　
８）第３周知例
　本願出願前に頒布された刊行物である特開平６−２９０４２３号公報（以下、「第３周知例」という）には、以下の事項が記載されている。
（ｖ）
「【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成するために、ポールピース部を形成する上部磁性層と下部磁性層をイオンビームでエッチングするイオンビームエッチングにおいて、前記上部磁性層側から前記イオンビームを照射するとともに、前記イオンビームの入射角を前記下部磁性層材の最大エッチングレートとなる入射角とは異なる角度に設定し、前記角度により前記上部磁性層と前記下部磁性層をイオンビームエッチングするようにしたものである。」
（ｗ）図１を参照して、
「【００２２】（中略）図において、Ｐはポールピース部で、図４に示した（ｊ）工程までの工程により上部磁性層１６、ギャップ層１０、下部磁性層９で形成され、図１（ａ）に示したように、下部磁性層９の長さは上部磁性層１６の長さより長くなっている。
【００２３】上記構成において、ポールピース部Ｐにフォトレジストによるマスキングを施さずに、（ｂ）に示したように、上部磁性層１６側からイオンビームＢを照射する。このイオンビームの照射角は、下部磁性層９の最大エッチングレートとなる照射角とは異なる角度、たとえば、ポールピース部Ｐの面に垂直な角度に設定されている。」
（ｘ）
「【００２６】このようにしてポールピース部Ｐのトリミングが行われると、上部磁性層１６は下部磁性層９上をマスキングすることになるのでトリミングされた下部磁性層９のエッジ部９ｂの長さＬ1 は上部磁性層１６の長さＬ2 と同じ長さになり、所定の長さに形成された上部磁性層１６の長さを精度よく下部磁性層９の長さに転写することができる。」
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを比較する。
　引用発明における「磁気ヘッド浮上面」は、本願補正発明における「エアベアリング面」に相当する。
　引用発明における「アルミナ下地層１１０」は、凹部が設けられており、その上に薄膜磁気ヘッドが形成されていくものであるから、本願補正発明における「基体」に相当する。
　引用発明における「下部磁気コア１０１」は、アルミナ下地層に接して設けられ、凹部を跨ぐ形で形成され、磁気ヘッド浮上面においては磁気ギャップ層、上部磁気コア先端部とともに磁気ギャップを形成するものであるから、本願補正発明における「第１の磁性層」に相当する。
　引用発明における「上部磁気コア先端部１０２」は、下部磁気コア１０１との間に形成された磁気ギャップから書き込み時には記録磁界を発生し、読み出し時には媒体からの信号磁束を磁気コアに導入するものであるから、磁極部分を有し磁気浮上面を構成している点に限り、本願補正発明における「第２の磁性層」に相当する。また、前記上部磁気コア先端部１０２が、「磁気ギャップ層１０５の上に平坦に形成され」ている点は、本願補正発明において「この平坦なギャップ層の上に、前記第２の磁性層を平坦に形成し」たことに相当し、「磁気ヘッド浮上面２０からスロート長さ２１部分を経由して非磁性スペーサ１０４の上まで延びている」点、及び上部磁気コア３と「上記非磁性スペーサ１０４の上まで延びている部分で接続され」ている点は、本願補正発明において「前記第２の磁性層を磁極部分よりも後方の領域まで延在させると共に少なくともこの延在させた部分を前記第３の磁性層と接触させ」たことに相当する。
　引用発明における「上部磁気コア３」は、本願補正発明における「第３の磁性層」に相当する。
　引用発明における「絶縁層６，７，８」及び「導体コイル層９，１０」は、それぞれ本願補正発明における「絶縁層」及び「薄膜コイル」に相当する。
　引用発明における「非磁性スペーサ１０４」は、「丁度下部磁気コア１０１の凹部だけを埋める形に表面を平坦化されたアルミナ膜で形成され」、「磁気ギャップ層１０５の表面をほぼ平坦に」している点において、本願補正発明において、「表面が前記第１の磁性層の磁極部分の表面と同一の平坦面となるように形成され」たこと、及び「前記凹部の開口を覆うように設け」たこと、及び磁気ギャップ層が下部磁気コアとともに形成される平坦面上に平坦に形成されることに限り、本願補正発明の「無機絶縁層」に相当する。
　引用発明における「薄膜磁気ヘッド」は、下部磁気コア、上部磁気コア先端部、上部磁気コア、磁気ギャップ層、絶縁層及び薄膜コイルを設けたアルミナ下地層を備えるものであるから、本願補正発明の「第１、第２および第３の磁性層、ギャップ層、絶縁層および薄膜コイルを支持する基体とを具える薄膜磁気ヘッド」に相当する。
　
　すると、本願補正発明と引用発明とは次の点で一致する。
　一致点
「凹部を有する基体と、
　この基体の表面に形成され、エアベアリング面において磁気記録媒体に対向する磁極部分およびこの磁極部分から凹部内面に亘って延在する部分を有する第１の磁性層と、
　磁気記録媒体と対向し、磁極部分を有し、この磁極部分の端面が前記第１の磁性層の磁極部分の端面と共にエアベアリング面を構成する第２の磁性層と、
　この第２の磁性層に、前記第１の磁性層側とは反対側で接触し、エアベアリング面から離れた後方位置において第１の磁性層と磁気的に連結された第３の磁性層と、
　前記エアベアリング面において磁気記録媒体に対する書込用の磁束を発生させるように第１の磁性層と第２および第３の磁性層との間に絶縁層を介して配設された部分を有する薄膜コイルと、
　少なくとも前記エアベアリング面において第１の磁性層の磁極部分と第２の磁性層の磁極部分との間に介挿された非磁性材料よりなるギャップ層と、
　前記第１、第２および第３の磁性層、ギャップ層、絶縁層および薄膜コイルを支持する基体とを具える薄膜磁気ヘッドであって、
　前記第２の磁性層を磁極部分よりも後方の領域まで延在させると共に少なくともこの延在させた部分を前記第３の磁性層と接触させ、
　表面が前記第１の磁性層の磁極部分の表面と同一の平坦面となるように形成された無機絶縁層を、前記凹部の開口を覆うように設け、
　前記ギャップ層を、これら第１の磁性層の磁極部分および無機絶縁層の平坦面上に平坦に形成し、
　この平坦なギャップ層の上に、前記第２の磁性層を平坦に形成した薄膜磁気ヘッド。」
　
　一方、本願補正発明と引用発明とは次の点で相違する。
（相違点１）
　本願補正発明では、薄膜コイルを基体凹部内に埋設して形成し、その上に無機絶縁層が設けられているのに対し、引用発明では、基体の上に積層するように形成されている点
（相違点２）
　本願補正発明では、第２磁性層の磁極部分が「記録トラックの幅を規定する幅を有するポールチップを構成する」とされているのに対し、引用発明では記録トラック幅については特に言及していない点。
　
　また、「前記第１の磁性層の磁極部分を、前記の平坦な第２の磁性層の磁極部分をマスクとするエッチングにより形成した」ことについては、薄膜ヘッドの製造方法について規定したものであり、そのような製造方法を採用することで薄膜ヘッド自体について何らかの技術事項が特定される場合や、製造方法以外に薄膜ヘッド自体についての技術事項を特定することができない場合を除き、本来薄膜ヘッドについての発明である本願補正発明と、引用発明との相違点として考慮する必要のないものである。
　しかしながら、仮に、このような製造方法について特定された部分も考慮すると、さらに次の点が相違点となる。
（相違点３）
　本願補正発明では、「前記第１の磁性層の磁極部分を、前記の平坦な第２の磁性層の磁極部分をマスクとするエッチングにより形成」するとしているのに対し、引用発明では、そのような点について特に言及されていない点。
　
（４）判断
（相違点１について）
　薄膜コイルを基体凹部内に埋設して形成することは、第２引用例及び第３引用例に示されるように薄膜ヘッドとしては周知の構造にすぎない。ましてや引用発明においても、基体に凹部を形成する構造を備えているのであるから、引用発明におけるコイルの配置に代えて、第２引用例または第３引用例の構造を採用して、薄膜コイルを基体凹部内に埋設して形成することは当業者が容易に想到しうることである。
　また、第２引用例において、「凹部にコイル３と絶縁層４を充填する。・・・また高分子樹脂の塗布およびエッチバック法を用いて、平坦化を行った。」とあること、及び第３引用例において、「上部磁性膜２３は絶縁膜２５３上に平坦化して形成できる」としていることから、凹部に絶縁層とともにコイルを形成した後は、凹部だけを埋めるように平坦なものとすることも併せて記載されているから、周知の薄膜コイルを基体凹部内に埋設して形成する構造を採用するに際して、元々引用発明において「丁度下部磁気コア１０１の凹部だけを埋める形にアルミナ膜で形成された非磁性スペーサ１０４を形成」している構造をそのまま採用して、基体凹部に埋設した薄膜コイルの上に凹部だけを埋めるに際して、アルミナを使用することに何ら阻害要因のないものである。
　したがって、引用発明に第２及び第３引用例に記載された薄膜ヘッドの構造を採用することで、相違点１について本願発明のようにすることは当業者が容易に想到しうるものである。
　
（相違点２及び３について）
　第４引用例及び第５引用例には、少なくとも本願補正発明の第１の磁性層の磁極部分に相当するＰＴ１ａ、ＰＴ１ｂ、及び本願補正発明の第２の磁性層の磁極部分に相当するＰＴ２ｂをエッチングにより形成することが記載されている。特に、第５引用例には、下部磁極層となる薄膜層８０と上部磁極層Ｐ２の下部磁性体隣る８２とをエッチングして、ポールチップに相当することが明らかな上・下部磁極端素子ＰＴ１ｂ、ＰＴ２ｂを形成して、上部磁極ＰＴ２ａを後から積層する工程が記載されている（特に図１３〜１７，図２５〜２８）。上部磁極端素子ＰＴ２ｂが、記録トラック幅を規定する幅を有するものとなることは当然である。したがって、相違点２については、単にこれ引用例に示された周知の構造を規定したにすぎないから、本願補正発明のようにすることは当業者が容易に想到しうるものである。
　これら引用例においては、エッチングに際してフォトレジストをマスクとして用いているが、マスクを用いずに、乃至は上部磁極をマスクとして下部磁極とともにエッチングすることで、所定のトラック幅を有する磁極部分を形成することは、第６引用例から第８引用例に示すように、薄膜磁気ヘッドの製造における周知事項にすぎない。
　したがって、引用発明に記載された薄膜ヘッドの下部磁気コア及び上部磁気コア先端部を、記録トラックの幅を規定する幅を有するポールチップとして製造するに当たり、上記周知事項を踏まえて第４引用例及び第５引用例に記載された製造の工程を適用することで、相違点３について本願補正発明のようにすることは、当業者が容易に想到しうるものである。
　
　以上の検討を総合すると、本願補正発明は、原審で引用された第１引用例から第５引用例に記載された発明、及び第１乃至第３周知例に示す周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
（５）補正却下についてのむすび
　以上のとおり、仮に本件手続補正を、特許法第１７条の２第４項第２号に該当するものとして認めたとしても、本件手続補正後の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、その余の請求項について検討するまでもなく、本件手続補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１５年９月１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１乃至１４に係る発明は、平成１５年４月１８日付けで補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至１４に記載されたとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という）は、上記「２．〔理由〕（１）」に本件手続補正前の請求項１として掲げたとおりのものである。
　
（２）引用例
　これに対し、原査定において引用された第１乃至第５引用例、及び周知事項を示す例として示す第１乃至第３周知例、並びにそれらの記載事項は、上記「２．〔理由〕（２）」に記載したとおりである。
　
（３）対比
　本願発明と引用発明とを比較する。
　上記「２．〔理由〕（３）」に記載した対比を、引用発明の「非磁性スペーサ」に関する部分を除き、援用する。
　加えて、引用発明において「下部磁気コア１０１と磁気ギャップ層１０５との間に、丁度下部磁気コア１０１の凹部だけを埋める形に表面を平坦化されたアルミナ膜で形成された非磁性スペーサ１０４を設けて磁気ギャップ層１０５の表面をほぼ平坦にし」た点は、本願発明において「前記ギャップ層を」「平坦面上に平坦に形成し」たことに相当する。
　すると、本願発明と引用発明とは次の点で一致する。
＜一致点＞
「凹部を有する基体と、
　この基体の表面に形成され、エアベアリング面において磁気記録媒体に対向する磁極部分およびこの磁極部分から凹部内面に亘って延在する部分を有する第１の磁性層と、
　磁気記録媒体と対向し、磁極部分を有し、この磁極部分の端面が前記第１の磁性層の磁極部分の端面と共にエアベアリング面を構成する第２の磁性層と、
　この第２の磁性層に、前記第１の磁性層側とは反対側で接触し、エアベアリング面から離れた後方位置において第１の磁性層と磁気的に連結された第３の磁性層と、
　前記エアベアリング面において磁気記録媒体に対する書込用の磁束を発生させるように第１の磁性層と第２および第３の磁性層との間に絶縁層を介して配設された部分を有する薄膜コイルと、
　少なくとも前記エアベアリング面において第１の磁性層の磁極部分と第２の磁性層の磁極部分との間に介挿された非磁性材料よりなるギャップ層と、
　前記第１、第２および第３の磁性層、ギャップ層、絶縁層および薄膜コイルを支持する基体とを具える薄膜磁気ヘッドであって、
　前記第２の磁性層を磁極部分よりも後方の領域まで延在させると共に少なくともこの延在させた部分を前記第３の磁性層と接触させ、
　前記ギャップ層を、平坦面上に平坦に形成し、
　この平坦なギャップ層の上に、前記第２の磁性層を平坦に形成した薄膜磁気ヘッド。」
　
　一方、本願発明と引用発明とは次の点で相違する。
（相違点１−ａ）
　本願発明では、「前記薄膜コイルを、その絶縁層が前記第１の磁性層の磁極部分の表面と同一の平坦面となるように前記凹部内に埋設して形成し、」としているのに対し、引用発明ではそのようになっていない点。
（相違点１−ｂ）
　本願発明では、ギャップ層を「これら第１の磁性層の磁極部分および絶縁層の」平坦面上に平坦に形成するのに対し、引用発明では、本願発明における第１の磁性層の磁極部分に相当する下部磁気コアの磁極部分と非磁性スペーサの平坦面上に平坦に形成されるものである点。
　
（相違点２）及び（相違点３）
　上記「２．〔理由〕（３）」であげた（相違点２）及び（相違点３）と同じである。
　なお、相違点３は、本願補正発明の場合と同様、「前記第１の磁性層の磁極部分を、前記の平坦な第２の磁性層の磁極部分をマスクとするエッチングにより形成した」ことについては、薄膜ヘッドの製造方法について規定したものであり、そのような製造方法を採用することで薄膜ヘッド自体について何らかの技術事項が特定される場合や、製造方法以外に薄膜ヘッド自体についての技術事項を特定することができない場合を除き、本来薄膜ヘッドについての発明である本願補正発明と、引用発明との相違点として考慮する必要のないものであるが、仮に、このような製造方法について特定された部分も考慮した場合の相違点である。
　
（４）判断
（相違点１−ａ）及び（相違点１−ｂ）について
　薄膜コイルを基体凹部内に埋設して形成することは、第２引用例及び第３引用例に示されるように薄膜ヘッドとしては周知の構造にすぎない。ましてや引用発明においては、基体に凹部を形成する構造を備えているのであるから、引用発明におけるコイルの配置に代えて、第２引用例または第３引用例の構造を採用して、薄膜コイルを基体凹部内に埋設して形成することは当業者が容易に想到しうることである。
　また、ギャップ層を「これら第１の磁性層の磁極部分および絶縁層の」平坦面上に平坦に形成することについては、第２引用例において、さらに「凹部にコイル３と絶縁層４を充填する。・・・また高分子樹脂の塗布およびエッチバック法を用いて、平坦化を行った。次に、ギャップ部を形成する絶縁層４’としてＡｌ２Ｏ３を０．５μｍ被着した」とあり、後に続く工程であるギャップ層の形成のために当該ギャップ層が形成される面を平坦化しておくことが記載されているから、凹部に絶縁層を介してコイルを形成する際には、当該絶縁層を第１の磁性層の磁極部分の表面と同一の平坦面となるようにして、その平坦面にギャップ層を形成することは当業者が容易に想到しうるものである。
　なお、付言すると、元々第１引用例においても、明らかに絶縁層であるアルミナの非磁性スペーサについて、「非磁性スペーサ１０４は、下部磁気コア１０１の凹部を埋める形にアルミナ膜で形成される。そして、丁度下部磁気コア１０１の凹部だけを埋めるような非磁性スペーサ１０４を形成するためには、凹部４０の深さよりも若干厚いアルミナ膜をスパッタ成膜した後で表面を平坦化する。この表面の平坦化には、周知の錫（Ｓｎ）系定盤と砥粒とを用いたラッピング（研磨）技術、もしくは高分子膜を用いたエッチバック技術等を用いることにより、磁気ギャップ層１０５の表面をほぼ平坦にすることができる。」としており、本願発明の前記絶縁層が薄膜コイルに介在して配置されるものである点を除いて記載されているのであるから、基体凹部に薄膜コイルを形成する際にも同様の構造とすることは当業者が当然想到することにすぎないものである。
　
（相違点２）及び（相違点３）について
　（相違点２）及び（相違点３）は、本願補正発明の場合と同じであるから、判断については、上記「２．〔理由〕（４）」の、（相違点２及び３について）に記載した判断を援用する。
　
　以上の検討を総合すると、本願発明は、第１乃至第５引用例に記載された発明及び周知事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって結論のとおり決定する。