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【手続補正書】
【提出日】平成26年8月20日(2014.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非導電性材料層と、該非導電性材料層から離れて配置された電極面を有し、第１電極面部分と第２電極面部分を規定する、実質的に連続している電極とを含む多層構造体を用意すること、および該第１電極面部分が該第２電極面部分に対向するように軸に沿って該多層構造体を折り畳むこと、を含む方法。
【請求項２】
前記非導電性材料層と前記電極が接触している請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記非導電性材料層と前記電極が、それらの間に少なくとも１つの中間材料を含む請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記の多層構造体を用意することが、互いに隣接するように前記非導電性材料層と前記電極とを配置して多層構造体を形成することを含む請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記電極がアノードである請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記電極がカソードである請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記の互いに隣接するように前記非導電性材料層と前記電極とを配置することが、前記非導電性材料層を前記電極の上に形成することを含む請求項４記載の方法。
【請求項８】
露出された電極面の第１部分が、露出された電極面の第２部分と接触している請求項１記載の方法。
【請求項９】
露出された電極面の第１部分が、露出された電極面の第２部分と離間している請求項１記載の方法。
【請求項１０】
露出された被覆面の少なくとも一部に隣接して第２電極を配置することをさらに含み、第１電極が第１の極性を有し、第２電極が、第１の極性とは反対の第２の極性を有する請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記電極が基材の上に形成されている請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記基材が導電性である請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
第１電極および/または第２電極の活性面に垂直な成分を含む異方的な力を加えることをさらに含む請求項１０記載の方法。
【請求項１４】
第１電極と第２電極との間に少なくとも約１ボルトの電圧を加えた時に、第１電極と第２電極との間の電気抵抗が少なくとも約１００Ωである請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記の異方的な力が、少なくとも約４．９Ｎ／ｃｍ２の圧力を与える請求項１３記載の方法。
【請求項１６】
多層構造体であって、該構造体のバルクの切断部が、
第１の極性を有する第１電極層部分、
第１の極性と反対の第２の極性を有する第２電極層部分、
第１の極性を有する第３電極層部分、
第１電極層部分と第２電極層部分との間の第１非導電性材料層部分、および
第２電極層部分と第３電極層部分との間の第２非導電性材料層部分を含み、
非導電性材料からなる第３部分により、第１非導電性材料層部分と第２非導電性材料層部分とが直接接続され、第１電極層部分と第２電極層部分との間の平均距離および／または第２電極層部分と第３電極層部分との間の平均距離が約１００ミクロン未満である、該多層構造体。
【請求項１７】
第１の極性を有する第１電極部分、
第１の極性とは反対の第２の極性を有する第２電極部分、
第１の極性を有する第３電極部分、および
第１電極部分と第２電極部分との間の第１部分と、第２電極部分と第３電極部分との間の第２部分と、第１部分および第２部分と直接接触する第３部分とを含み、実質的に連続な、非導電性材料層を含み、
第１電極層部分と第２電極層部分との間の平均距離および／または第２電極層部分と第３電極層部分との間の平均距離が約１００ミクロン未満である、電気化学電池。
【請求項１８】
以下のものを含む電気化学電池：
第１基材面部分と、該第１基材面部分とは対向しない第２基材面部分とを有する基材；
第１基材面部分と隣接する第１部分と、第２基材面部分と隣接する第２部分とを有する第１電極；
第１電極の第１部分に対向する第１面部分と、第２電極の第１面部分とは対向しない第２面部分とを有する第２電極；および
第１電極の第１部分と第２電極の第１面部分との間の第１の部分、第１電極の第２面部分に隣接する第２の部分、および第１部分と第２部分に直接接触する第３の部分を有し、実質的に連続な非導電性材料層。
【請求項１９】
記載された順番で配置された以下の層部分を含むとともに、同じまたは異なる材料から成り記載された層の間に介在するいくつかの他の層を必要に応じて含む多層構造体を有する電気化学電池であって、第２電極層部分と第３電極層部分は、単一で、実質的に連続な電極の一部分であり、第１の極性を有する電極部分は、第２電極層部分と第３電極層部分の間に介在するように配置されていない、該電気化学電池：
第１の極性を有する第１電極層部分；
第２の極性を有する第２電極層部分；
第２の極性を有する第３電極層部分；および
第１の極性を有する第４電極層部分。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月6日(2014.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機エレクトロルミネセント素子を供給するための方法であって、
隣接する第１の電極間を互いに電気的に絶縁するために、隣接する前記第１の電極間に第１の幅を有する第１のギャップを空けて離した前記第１の電極のパターンで覆われた基板を供給するステップと、
有機発光積層体を、前記第１の電極のパターンの上に、連続層として配するステップと、
第２の電極を、前記有機発光積層体の上に、連続層として配するステップと、
前記第１の電極の覆われていないコンタクト領域を与えるために、前記第１のギャップの上に前記第１の幅よりも大きい第２の幅を有する第２のギャップを与えるべく、前記第１の電極間の前記第１のギャップの上の前記第２の電極及び前記有機発光積層体を除去するステップと、
前記第１の電極の上に第１の電気的接続を配するとともに、前記第２の電極の上に第２の電気的接続を配するステップと、
前記基板にシールされた、導電性パスを有する、カバー蓋が、前記エレクトロルミネセント積層体と前記カバー蓋の内側との間にギャップを与えるように、前記エレクトロルミネセント積層体を封入するステップと、
前記第１及び第２の電気的接続を前記カバー蓋の内側に配置された前記導電性パスに接続することによって、前記複数のエレクトロルミネセント積層体の前記直列接続を与える、前記直列接続に関連する少なくとも１つのエレクトロルミネセント積層体の前記第１の電極と前記直列接続に関連する他のエレクトロルミネセント積層体の前記第２の電極との間に導電性ブリッジを確立するステップと、を有する、方法。
【請求項２】
前記除去するステップが、プラズマエッチングによって行なわれる、ことを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記除去するステップが、レーザ切断によって行なわれる、ことを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記除去するステップが、接着テープを介した機械的な除去によって行なわれる、ことを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記方法が、
所望のアプリケーションに応じた順序で前記エレクトロルミネセント積層体を直列接続するパターンで、前記カバー蓋に前記導電性パスを与えるステップを更に有する、ことを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記第１又は第２の電極の少なくとも１つに駆動電圧を与えるために、前記第１又は第２の電極の少なくとも１つの上に導電性材料を配することにより前記カバー蓋に含まれる、少なくとも１つの電気的フィードスルーに、前記第１又は第２の電極の少なくとも１つを接続するステップを更に有する、ことを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月25日(2014.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ストラップと、
前記ストラップの両端を固定するためのバックルであって、
前記ストラップの自由端のための入口通路を形成している変形可能なリテイナーであって、
リテイナータブと、
前記リテイナータブに隣接している開口部と、
前記開口部と前記入口通路との間に配置されている一対の変形不可能なストラップサポートであって、前記変形可能なリテイナーの対応する部分を互いに向かって屈曲させることによって形成されている変形不可能な前記ストラップサポートと、
を含んでいる前記変形可能なリテイナーと、
前記ストラップの前記自由端のための出口通路を形成しているブリッジと、
を備えている前記バックルにおいて、
前記ストラップの前記自由端が、前記入口通路及び前記出口通路を連続的に貫通した状態で対象物の周囲に配設可能とされ、
前記ストラップの前記自由端が、変形不可能な前記ストラップサポートと前記開口部との間において前記ブリッジを覆うように屈曲された場合に、変形不可能な前記ストラップサポートによって、前記変形可能なリテイナーが変形されたときに前記ストラップの前記自由端が丸く屈曲されるように、前記ブリッジと変形不可能な前記ストラップサポートと前記開口部とが配置されていることを特徴とするファスナー。
【請求項２】
前記変形可能なリテイナーが、回転軸線を中心として回転するように変形可能とされることを特徴とする請求項１に記載のファスナー。
【請求項３】
前記リテイナータブが、前記変形可能なリテイナーの遠位端に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のファスナー。
【請求項４】
前記ストラップサポートが、前記変形可能なリテイナーの前記回転軸線に対して平行とされる軸線に沿って配置されていることを特徴とする請求項２に記載のファスナー。
【請求項５】
前記ストラップサポートそれぞれが、回転可能な状態で反対の向きに形成されていることを特徴とする請求項１に記載のファスナー。
【請求項６】
前記ストラップサポートそれぞれが、前記変形可能なリテイナーの前記回転軸線に対して直交する回転軸線を中心として回転可能に形成されていることを特徴とする請求項２に記載のファスナー。
【請求項７】
前記ブリッジが、複数の歯を含んでいることを特徴とする請求項１に記載のファスナー。
【請求項８】
前記歯が、前記出口通路に対して挿し込まれていることを特徴とする請求項７に記載のファスナー。
【請求項９】
前記バックルが、金属製であることを特徴とする請求項１に記載のファスナー。
【請求項１０】
前記バックルが、ステンレス鋼製であることを特徴とする請求項１に記載のファスナー。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月4日(2014.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池のエミッタ領域を製造する方法であって、
炉内で基板の表面にトンネル酸化物層を形成する工程と、
前記炉から前記基板を取り出すことなく、
前記トンネル酸化物層上にアモルファス層を形成する工程と、
Ｎ型ドーパントを含む第１の領域及びＰ型ドーパントを含む第２の領域を設けるべく、前記アモルファス層をドーピングする工程と、
その後に、Ｎ型ドープ領域とＰ型ドープ領域とを有する多結晶層を設けるべく、前記アモルファス層を加熱する工程と
を備える方法。
【請求項２】
前記基板はシリコンを含み、前記トンネル酸化物層は二酸化シリコンを含み、前記アモルファス層はシリコンを含み、前記Ｎ型ドーパントはリンを含み、前記Ｐ型ドーパントがホウ素を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記トンネル酸化物層を形成する工程は、前記基板を前記炉内で約９００℃の温度で加熱する工程を有する請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記基板を前記炉内で約９００℃の温度で加熱する工程は、約１．５ナノメートルの厚さを有する前記トンネル酸化物層を設けるべく、約５００ｍＴｏｒｒ（０．０６７ｋＰａ）の圧力の酸素の雰囲気中で約３分間加熱する工程をさらに含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記トンネル酸化物層を形成する工程は、前記基板を前記炉内で６００℃未満の温度で加熱する工程を含む請求項１又は２に記載の方法。
【請求項６】
前記基板を前記炉内で６００℃未満の温度で加熱する工程は、約１．５ナノメートルの厚さを有する前記トンネル酸化物層を設けるべく、約３００Ｔｏｒｒ（３９．９ｋＰａ）の圧力の酸素の雰囲気中で約５６５℃の温度で約６０分間加熱する工程をさらに含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記アモルファス層を形成する工程は、前記炉内で前記アモルファス層を５７５℃未満の温度で堆積させる工程を含む請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記炉内で前記アモルファス層を５７５℃未満の温度で堆積させる工程は、約２００〜３００ナノメートルの範囲の厚さを有する前記アモルファス層を設けるべく、約３５０ｍＴｏｒｒ（０．０４７ｋＰａ）の圧力のシラン（ＳｉＨ４）の雰囲気中で、約５６５℃の温度で加熱する工程をさらに含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記トンネル酸化物層及び前記アモルファス層の両方は、約５６５℃の温度で形成され、前記多結晶層を設けるべく前記アモルファス層を加熱する工程は、約９８０℃の温度で加熱する工程を含む請求項１又は２に記載の方法。
【請求項１０】
太陽電池の基板上に複数の層を形成する方法であって、
ウェハキャリアが背中合わせに配置された２枚のウェハを収容する１以上のウェハ収容スロットを有し、複数のウェハとともに前記ウェハキャリアを炉内に搬入する工程と、
前記炉内で、前記複数のウェハのぞれぞれの全ての面にトンネル酸化物層を形成する工程と、
前記炉から前記複数のウェハを取り出すことなく、前記トンネル酸化物層上にアモルファス層を形成する工程と
を備え、
前記アモルファス層は、背中合わせに配置されたウェハ間の接触部分以外の前記トンネル酸化物層の全ての部分に形成される方法。
【請求項１１】
前記背中合わせに配置されたウェハについて、それぞれのウェハの裏面に前記アモルファス層のリングパターンが形成される、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記アモルファス層を形成する工程の後に、前記ウェハそれぞれの前記裏面に、酸化剤を含む洗浄液を塗布する工程と、
その後に、前記ウェハそれぞれの前記裏面に、水酸化物を含むテクスチャ加工溶液を塗布する工程とを更に備える請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記酸化剤は、オゾン及び過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）からなる一群から選択され、
前記水酸化物は、水酸化カリウム（ＫＯＨ）及び水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）からなる一群から選択される請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記複数のウェハはそれぞれシリコンを含み、前記トンネル酸化物層は二酸化シリコンを含み、前記アモルファス層はシリコンを含む請求項１０から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記トンネル酸化物層を形成する工程は、前記複数のウェハのそれぞれを前記炉内で約９００℃の温度で加熱する工程を有する請求項１０から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記複数のウェハのそれぞれを前記炉内で約９００℃の温度で加熱する工程は、約１．５ナノメートルの厚さを有する前記トンネル酸化物層を設けるべく、約５００ｍＴｏｒｒ（０．０６７ｋＰａ）の圧力の酸素の雰囲気中で約３分間加熱する工程を含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記トンネル酸化物層を形成する工程は、前記複数のウェハのそれぞれを前記炉内で６００℃未満の温度で加熱する工程を含む、請求項１０から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記複数のウェハのそれぞれを前記炉内で６００℃未満の温度で加熱する工程は、約１．５ナノメートルの厚さを有する前記トンネル酸化物層を設けるべく、約３００Ｔｏｒｒ（３９．９ｋＰａ）の圧力の酸素の雰囲気中で約５６５℃の温度で約６０分間加熱する工程をさらに含む請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記アモルファス層を形成する工程は、前記炉内で前記アモルファス層を５７５℃未満の温度で堆積させる工程を含む請求項１０から１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記炉内で前記アモルファス層を５７５℃未満の温度で堆積させる工程は、約２００〜３００ナノメートルの範囲の厚さを有するアモルファス層を設けるべく、約３５０ｍＴｏｒｒ（０．０４７ｋＰａ）の圧力のシラン（ＳｉＨ４）の雰囲気中で、約５６５℃の温度で加熱する工程をさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
シリコンウェハの全ての表面に堆積された二酸化シリコンを含むトンネル酸化物層と、
前記トンネル酸化物層上に堆積された多結晶層であって、前記多結晶層のリングパターンを含む前記シリコンウェハの裏面以外の前記トンネル酸化物層の全ての部分に堆積された多結晶層と
を備える太陽電池基板。
【請求項２２】
シリコンウェハの全ての表面に堆積された二酸化シリコンを含むトンネル酸化物層と、
前記トンネル酸化物層上に堆積されたアモルファス層であって、前記アモルファス層のリングパターンを含む前記シリコンウェハの裏面以外の前記トンネル酸化物層の全ての部分に堆積されたアモルファス層と
を備える太陽電池基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】太陽電池のエミッタ領域を製造する方法及び太陽電池基板
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月31日(2014.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自動車電子機器に使用される小型安全スイッチ（１）であって、
絶縁材料によるハウジング基部（３）およびこれに取り付けることができるかまたは取り付けられているハウジングカバー（４）から形成されるハウジング（２）と、
長手方向（２０）において互いに平行に前記ハウジング基部（３）に組み込まれ、基部側において前記ハウジング基部（３）から引き出されている、２つの細長い平坦な接点アーム（５，６）と、
前記ハウジング内で、前記第１接点アーム（５）に取り付けられた固定接点（８）および前記第２接点アーム（６）に取り付けられた、可動接点（９）を有するバイメタルスナップディスク（７）と、
当該ＰＴＣ抵抗器によって熱が発生する結果、前記バイメタルスナップディスク（７）がトリガ時に開位置を維持するように、電気的に組み込まれているＰＴＣ抵抗器（２９）と、
を備え、
前記ＰＴＣ抵抗器（２９）が、圧縮ばね（２８）によって前記バイメタルスナップディスク（７）と直接接触させられ、該圧縮ばね（２８）が、前記長手方向（２０）において前記固定接点（８）よりも下の方で前記第１接点アーム（５）に支持されていることを特徴とする、小型安全スイッチ。
【請求項２】
前記圧縮ばね（２８）が円錐コイルばねであり、該円錐コイルばねの基部側ばね端部（２８ａ）が前記接点アーム（５）と接触し、前記円錐コイルばねの頂点側ばね端部（２８ｂ）が前記ＰＴＣ抵抗器（２９）と接触することを特徴とする請求項１に記載の小型安全スイッチ。
【請求項３】
前記圧縮ばね（２８）の直径（Ｄｂ，Ｄｓ）が、前記基部側ばね端部（２８ａ）において４ｍｍであり、前記頂点側ばね端部（２８ｂ）において２ｍｍであることを特徴とする請求項２に記載の小型安全スイッチ。
【請求項４】
前記ＰＣＴ抵抗器（２９）がディスク状であって、そのディスク径が、前記圧縮ばね（２８）の前記基部側ばね端部（２８ａ）における前記直径（Ｄｂ）に対応することを特徴とする請求項２または請求項３に記載の小型安全スイッチ。
【請求項５】
前記ＰＴＣ抵抗器（２９）のディスク径が（４．２±０．１）ｍｍであり、前記ＰＴＣ抵抗器（２９）のディスク厚さが（１．０５±０．０６）ｍｍであることを特徴とする請求項４に記載の小型安全スイッチ。
【請求項６】
前記圧縮ばね（２８）の前記頂点側ばね端部（２８ｂ）が、前記ディスク状のＰＴＣ抵抗器（２９）の中心部分で接触することを特徴とする請求項４または請求項５に記載の小型安全スイッチ。
【請求項７】
前記固定接点（８）を保持する前記第１接点アーム（５）が、該接点アーム（５）に対して横方向（２１）に伸びるハウジング横材（２５）のポケット状基部輪郭部（２７）を通して導かれ、
前記圧縮ばね（２８）は、前記ＰＴＣ抵抗器（２９）とは反対側の前記ばね端部（２８ａ）が前記基部輪郭部（２７）内に挿入され、これにより少なくとも横方向に支持されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の小型安全スイッチ。
【請求項８】
前記バイメタルスナップディスク（７）が、前記第２接点アーム（６）に固定箇所（１０，１１）において取り付けられ、
前記ＰＴＣ抵抗器（２９）が、前記長手方向（２０）において、前記固定箇所（１０，１１）と前記可動接点または前記固定接点（８，９）との間に配置されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の小型安全スイッチ。
【請求項９】
前記ＰＴＣ抵抗器（２９）が、前記バイメタルスナップディスク（７）の中央で該バイメタルスナップディスク（７）と接触することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の小型安全スイッチ。
【請求項１０】
前記ＰＴＣ抵抗器（２９）が、前記圧縮ばね（２８）を介して前記第１接点アーム（５）と、前記バイメタルスナップディスク（７）を介して前記第２接点アーム（６）と電気的に接触することにより、トリガ時に前記ＰＴＣ抵抗器（２９）に電流が流れ、当該ＰＴＣ抵抗器が発熱することを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の小型安全スイッチ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月30日(2014.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
舌に移植するための細長いインプラントからなる気道疾患を治療するためのインプラントにおいて、前記インプラントは、第１及び第２の端部分を有する延長部材と、予め選択された圧力が加えられたときに前記第１の端部分を前記第２の端部分から解放する中間解放エレメントとを含む、ことを特徴とするインプラント。
【請求項２】
予め選択された圧力は、１kPaと２０kPaの間にある、ことを特徴とする請求項１に記載のインプラント。
【請求項３】
予め選択された圧力は、５kPaと２０kPaの間にある、ことを特徴とする請求項１に記載のインプラント。
【請求項４】
予め選択された圧力は、１kPaと２０kPaの間にある、ことを特徴とする請求項１に記載のインプラント。
【請求項５】
前記解放エレメントは、前記第１の端部分と前記第２の端部分の連結を解く、ことを特徴とする請求項１に記載のインプラント。
【請求項６】
前記解放エレメントは、延長部材の長さを変える、ことを特徴とする請求項１に記載のインプラント。
【請求項７】
舌に移植するための細長いインプラントからなる気道疾患を治療するためのインプラントにおいて、前記インプラントは、組織に取り付けられる第１及び第２の端部分と、内側部分とを有し、前記内側部分は、患者の舌の通常の生理的機能中に２０kPa以下の圧力を加えるように構成されている弾性材料からなる、ことを特徴とするインプラント。
【請求項８】
前記弾性材料は、１０kPa以下の圧力を加えるように構成されている、ことを特徴とする請求項７に記載のインプラント。
【請求項９】
前記弾性材料は、５kPa以下の圧力を加えるように構成されている、ことを特徴とする請求項７に記載のインプラント。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月23日(2014.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細胞の切除又は死滅を目的として腫瘍細胞遊走を促進するための埋め込み型システムであって、
表面を有する少なくとも１つの支持体であって、前記表面は、生体内で前記支持体の当該表面に沿って腫瘍細胞遊走を方向付けるためのキューを提供するように形成され、複数の配列ナノファイバーを含む少なくとも１つの支持体と、
前記少なくとも１つの支持体を介して遊走させた腫瘍細胞に接触するための少なくとも１つの細胞傷害性物質と、を含む、埋め込み型システム。
【請求項２】
前記複数の配列ナノファイバーが、チューブ状構造物又はナノファイバーフィルムを形成する、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記複数の配列ナノファイバーが、チューブ状構造物内に配置されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記チューブ状構造物が、ポリカプロラクトン、ポリウレタン、又はこれらの組合せから形成される環状チューブを含む、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記少なくとも１つの細胞傷害性物質が、前記複数の配列ナノファイバーの少なくとも一部にテザリング又は結合されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記少なくとも１つの細胞傷害性物質が、ポリマーシンク材料にテザリング又は結合されており、前記ポリマーシンク材料は任意に、細胞不透過性のパウチに少なくとも部分的に含まれている、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記細胞傷害性物質が、シクロパミン、ホノキオール、フレグレレート、ドキソルビシン、又はこれらの組合せを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記少なくとも１つの支持体の全部又は一部が、一方向腫瘍細胞遊走を促進するための１つ以上の生化学的キューを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記複数のナノファイバーが、細胞外マトリックスタンパク質、増殖因子、サイトカイン、ペプチド、及びこれらの組合せからなる群から選択されるコーティングを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記コーティングが、
前記複数の配列ナノファイバーの長さに沿って均一に配置されている、又は、
前記複数の配列ナノファイバーの第１端から、前記複数の配列ナノファイバーの第２端まで、前記複数の配列ナノファイバーの長さに沿って、濃度勾配を呈して配置され、前記第２端は第１端から遠位にある、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記濃度勾配を呈して配置された前記コーティングが、
腫瘍細胞の一方向遊走を促進するのに有効である、又は、
非腫瘍細胞の二方向遊走を促進するのに有効である、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記ナノファイバーが、合成ポリマーである、請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記複数の配列ナノファイバーがナノファイバーフィルムを形成し、前記ナノファイバーフィルムが、ミエリン又は基底膜タンパク質のコーティングを含む、請求項９〜１２のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１４】
前記複数のナノファイバーが、５ミクロン〜２０ミクロンの厚さを有するナノファイバーフィルムの形態である、請求項１に記載のシステム。
【請求項１５】
前記複数の配列ナノファイバーが、６００ｎｍ〜８００ｎｍの直径を有する合成ポリマーファイバーであり、前記ファイバーの長さに沿った濃度勾配を有する細胞外マトリックスタンパク質でコーティングされている、請求項１〜１４のいずれか一項に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月5日(2014.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの出口を有するチャンバと、
前記チャンバ内に所定の閾値以下の正圧を発生させるように構成および配置された圧力発生デバイスであって、前記正圧が、生体物質が前記チャンバ内に存在する場合はその生体物質を前記出口を通して排出するのに十分であり、前記所定の閾値が、前記出口から排出され対象の植え込み箇所に至った後の、組織植え込み片としての生体物質の生存能力が、それを超える圧力のときは比較的低くなるような圧力である、圧力発生デバイスと
を備える装置。
【請求項２】
前記正圧が、前記出口から排出される前記生体物質の速度が最大約２６５ｃｍ／秒になるように維持される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記正圧が、前記出口から排出される前記生体物質の流速が３ｍｌ／秒未満になるように維持される、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記所定の閾値が４気圧である、請求項１または２に記載の装置。
【請求項５】
前記出口が前記チャンバの遠位端に配置されており、
前記チャンバが近位端に開口部を備え、
前記圧力発生デバイスがプランジャ機構であり、前記プランジャ機構は、前記チャンバ内で前記プランジャ機構が前記遠位端に向かって変位すると前記正圧が発生するように前記開口部中を通り前記チャンバ内に移動可能に配設されるように構成および配置されたプランジャ機構である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
前記プランジャ機構が、前記プランジャ機構のロッドを前記遠位端に向かって押し下げることによって前記チャンバ内に発生する最大圧力を前記所定の閾値に制限するように構成および配置された力軽減型のクラッチ機構を備え、前記力軽減型のクラッチ機構が、ロッドをピストンに機械的につなげる摩擦界面を有する、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記生体物質を前記出口から排出しながら前記チャンバ内の正圧を前記所定の閾値以下にする速度で前記プランジャ機構を前記遠位端に向かって変位させるように構成および配置されたプランジャ変位デバイスをさらに備える、請求項５に記載の装置。
【請求項８】
前記プランジャ機構を前記遠位端に向かって変位させるように前記プランジャ変位デバイスを作動させる制御信号を生成するように構成および配置されたコントローラと、前記チャンバに流体連結されており前記コントローラの入力端子に接続された電気出力端子を有する圧力センサとをさらに備え、前記圧力センサは、感知した前記チャンバの圧力を示す電気信号を前記コントローラに供給し、前記コントローラは、前記感知した圧力に基づいて制御信号を前記プランジャ変位デバイスに送信する、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記圧力発生デバイスが、前記生体物質を前記チャンバ中に移送し前記生体物質を前記出口を通して排出するように構成および配置されたポンプである、請求項１〜８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
正圧を発生させるように前記ポンプを作動させる制御信号を生成するように構成および配置されたコントローラと、前記チャンバに流体連結されており前記コントローラの入力端子に連結された電気出力端子を有する圧力センサとをさらに備え、前記圧力センサは、感知された前記チャンバ内の圧力を示す電気信号を前記コントローラに供給し、前記コントローラは、前記感知された圧力に基づいて制御信号を前記ポンプに送信する、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記出力が、１４、１５、１６、１７、または１８ゲージのカニューレと流体連結される、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１２】
前記チャンバが、前記生体物質を１ｍｌから１Ｌ収容するように構成および配置される、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１３】
前記生体物質が前記チャンバ内に存在する、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】
前記生体物質が、脂肪組織、または、アディポサイト、脂質生成細胞、間葉細胞、もしくは幹細胞などの、脂肪組織の成分を含む、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか一項に記載の装置を得ることと、
前記生体物質を前記装置のチャンバに装入することと、
前記圧力発生デバイスにより前記チャンバ内に前記所定の閾値以下の正圧を発生させて前記生体物質を前記出口を通して排出することと
を含む、方法。
【請求項１６】
少なくとも１つの入口および少なくとも１つの出口を有するチャンバと、
生体物質を前記少なくとも１つの入口を通して前記チャンバに移送し、また処理済みの生体物質を前記チャンバの外に前記少なくとも１つの出口を通して排出するように構成および配置された圧力発生デバイスと、
前記チャンバ内の少なくとも１つの保持マトリックスであって、前記生体物質がチャンバ内に存在するときは前記生体物質に接触して、前記生体物質の画分が前記保持マトリックス内に保持されるように構成および配置された保持マトリックスと
を備える装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の装置を得ることと、
前記生体物質を得ることと、
前記装置の圧力発生デバイスにより、前記少なくとも１つの入口を通して前記チャンバ中に前記生体物質を移送し、また前記処理済みの生体物質を前記チャンバから前記少なくとも１つの出口を通して外に排出することと
を含む、方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法に従って前記処理済みの生体物質を得ることであって、前記処理済みの生体物質が脂肪組織を含む、ことと、
前記処理済みの生体物質を対象に移植することと
を含む、方法。
【請求項１９】
移植のための生体物質を処置する装置であって、
少なくとも１つの開放端を有するチャンバと、
複数の端部部品であって、少なくとも１つの端部部品が、前記少なくとも１つの開放端に着脱可能に固定されるように構成されている、複数の端部部品と、
を備え、
前記チャンバが、前記生体物質を保持するように構成され、
前記複数の端部部品が、フィルタ、前記生体物質を前記チャンバに導入するように構成された機構、プランジャ機構、針機構、または吸収材料もしくは吸着材料を備える、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月5日(2014.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
眼を処置するための治療用デバイスであって、該デバイスが以下：
移植および使用の間、実質的に固定された容積を有するリザーバ、ここでデバイスは、デバイスが眼に移植された場合に、強膜を通して硝子体液へ伸長する；
リザーバ内に配置され、第１の治療剤を保持するように構成された第１のチャンバ―、該第１のチャンバーは、第１の複数の連結するチャネルを有する第１のチャンバーの遠位端領域に配置された第１の強固な多孔構造を有する；および
リザーバ内に配置され、第２の治療剤を保持するように構成された第２のチャンバ―、該第２のチャンバーは、第２の複数の連結するチャネルを有する第２のチャンバーの遠位端領域に配置された第２の強固な多孔構造を有する；
を含み、
第１のチャンバーおよび第２のチャンバーの少なくとも１つは再充填可能であり、第１のチャンバーは第１の容積を有し、第１の強固な多孔構造は、デバイスが眼に移植された場合に、治療的量の第１の治療剤を、デバイスから硝子体液へ第１の長期間にわたり放出するために、第１の放出速度指標および第１の多孔度を有し、
（ａ）第１のチャンバーおよび第２のチャンバーが平行して配置されているか、ここで第１のチャンバーは、リザーバの近位端領域から遠位端領域に伸長している障壁によって第２のチャンバーから分離されている、または
（ｂ）第１のチャンバーおよび第２のチャンバーが連続して配置され、第１のチャンバーが、第１の強固な多孔構造によって第２のチャンバーから分離されている、
前記治療用デバイス。
【請求項２】
第１のチャンバーおよび第２のチャンバーが平行して配置され、デバイスがさらに以下：
第１の治療剤を第１のチャンバーへ送達するために第１のチャンバーに連結するように構成された第１のインジェクター；および
第２の治療剤を第２のチャンバーへ送達するために第２のチャンバーに連結するように構成された第２のインジェクター
を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
第２のチャンバーが、第２の容積を有し、第２の強固な多孔構造は、デバイスが眼に移植された場合に、治療的量の第２の治療剤を、デバイスから硝子体液へ第２の長期間にわたり放出するために、第２の放出速度指標を有する、請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】
第１のチャンバーおよび第２のチャンバーが連続して配置され、デバイスが、さらに、第１のチャンバーに連結された、および第１の治療剤を第１のチャンバーへ送達するように構成された第１のインジェクターを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
第２のチャンバー内の第２の治療剤が固体である、請求項４に記載のデバイス。
【請求項６】
第２のチャンバーが、第２の容積を有し、第２の強固な多孔構造は、固体の第２の治療剤および第１の治療剤を放出するために、第２の放出速度指標および第２の多孔度を有する、請求項５に記載のデバイス。
【請求項７】
第１の放出速度指標および第１の多孔度が、第２の放出速度指標および第２の多孔度よりもそれぞれ小さく、第１の治療剤の放出速度が第１の多孔構造の第１の多孔度および第１の放出速度指標に基づいて決定され、第２の治療剤の放出速度が第２の多孔構造の第２の多孔度および第２の放出速度指標に基づいて決定される、請求項６に記載のデバイス。
【請求項８】
第１の治療剤が、連続的に、第１の多孔構造を通して放出され、その後第２の多孔構造を通して放出される、請求項７に記載のデバイス。
【請求項９】
第２のチャンバーが、第１の治療剤の第１のチャンバーへの複数回の注入に対して、第２のチャンバー中に固体が残るように、十分量の固体の第２の治療剤を含む、請求項５に記載のデバイス。
【請求項１０】
デバイスが眼中に移植された場合に、固体の第２の治療剤が、第２のチャンバー中に少なくとも約１年間にわたり残る、請求項９に記載のデバイス。
【請求項１１】
第１の治療剤が抗腫瘍剤を含み、第２の治療剤が抗炎症剤を含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１２】
デバイスが眼に移植されている間に、第１のチャンバーおよび第２のチャンバーの少なくとも１つが再充填可能である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月26日(2014.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構成装置を備える複数の無給電アンテナ素子と，前記構成装置に接続され直流電圧を供給するように配置された電圧源と，前記構成装置に印加される直流電圧を調整するように動作する制御部とを含み，各無給電アンテナ素子は，前記各無給電アンテナ素子に印加される前記電圧に基づいて反射器または導波器として再構成することができるスマートアンテナにおいて，
前記スマートアンテナは，平面が相互に角度的に間隔をおいて配置された第１，第２および第３の逆Ｆアンテナ（ＩＦＡ）素子を含む指向性アンテナとして再構成可能な励振素子を備える
スマートアンテナ。
【請求項２】
各構成装置は，バラクタと，ピンダイオードを備える前記励振素子とを含む，請求項１に記載のスマートアンテナ。
【請求項３】
前記バラクタは，各無給電アンテナ素子の反射位相を調整することができる，請求項１または２に記載のスマートアンテナ。
【請求項４】
各無給電アンテナ素子はＩＦＡ無給電アンテナ素子である，請求項１〜３のいずれか一項に記載のスマートアンテナ。
【請求項５】
前記スマートアンテナは，０．４λの半径を有し，ここで，λは前記スマートアンテナが動作するように構成された波長である，請求項１〜４のいずれか一項に記載のスマートアンテナ。
【請求項６】
前記アンテナ素子は角度的に１２０度ずつ相互に間隔をおいて配置されている，請求項１〜５のいずれか一項に記載のスマートアンテナ。
【請求項７】
前記アンテナ素子は共通の中央に位置する同軸ケーブルに接続されている，請求項１〜６のいずれか一項に記載のスマートアンテナ。
【請求項８】
前記励振素子の周囲に配置され，バラクタを装荷した１２個のＩＦＡ無給電素子を含む，請求項１〜７のいずれか一項に記載のスマートアンテナ。
【請求項９】
前記励振素子は，無給電素子の少なくとも１つの環状アレイによって囲まれている，請求項１〜８のいずれか一項に記載のスマートアンテナ。
【請求項１０】
前記励振素子は，無給電素子の少なくとも第１の環状アレイおよび第２の環状アレイによって囲まれている，請求項９に記載のスマートアンテナ。
【請求項１１】
無給電素子の前記第１の環状アレイおよび前記第２の環状アレイは，それぞれ，実質的に２５ｍｍおよび５０ｍｍの半径のところにある，請求項１０に記載のスマートアンテナ。
【請求項１２】
各環状アレイは円周方向に対称である，請求項１０または１１に記載のスマートアンテナ。
【請求項１３】
各環状アレイは，６個または１２個または他の３の偶数倍個のアンテナ素子を含む，請求項１２に記載のスマートアンテナ。
【請求項１４】
１次放射パターンの生成では，１個の無給電素子が各環状アレイにおいて導波器として構成される，請求項９〜１３のいずれか一項に記載のスマートアンテナ。
【請求項１５】
前記導波器は，逆バイアス制御電圧によって励振される前記無給電素子である，請求項１４に記載のスマートアンテナ。
【請求項１６】
他のすべての無給電素子が反射器として構成される，請求項１４または１５に記載のスマートアンテナ。
【請求項１７】
２次放射パターンでは，２個の無給電素子が各環状アレイにおいて導波器として構成され，他のすべての無給電素子が反射器として構成される，請求項９〜１６のいずれか一項に記載のスマートアンテナ。
【請求項１８】
前記励振素子は，９０°と２７０°，３０°と２１０°，および１５０°と３３０°の方向に向けることのできるビームを生成するように動作する再構成可能なアンテナである，請求項１〜１７のいずれか一項に記載のスマートアンテナ。
【請求項１９】
実質的に２．４５ＧＨｚ〜２．５５ＧＨｚまでの周波数帯域において動作する，請求項１〜１８のいずれか一項に記載のスマートアンテナ。
【請求項２０】
請求項１〜１９のいずれか一項に記載のスマートアンテナの動作方法であって，
各無給電アンテナ素子が反射器または導波器のどちらかとして構成されるように，前記構成装置に供給される前記直流電圧を調整する工程を含む，動作方法。
【請求項２１】
各構成装置はバラクタを含むものであり，
前記各無給電アンテナ素子の反射位相を調整するために，一又は複数のバラクタによって提供されるキャパシタンスを変更する工程をさらに含む，請求項２０に記載の動作方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月19日(2014.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板に向く面を有するインターポーザを、前記第１の基板に接続するステップであって、前記第１の基板は、前記第１の基板を貫通する第１の開口部を含むステップと、
第１の半導体チップを、前記インターポーザの前記面に接続するステップと、
前記第１の開口部の外側まで側方に延在しない熱管理デバイスを、前記第１の開口部を経由して前記第１の半導体チップと熱接触するように配置するステップと、を含む、
製造方法。
【請求項２】
前記熱管理デバイスは、ヒートスプレッダ、ベーパチャンバおよび熱電冷却器のうち１つを備える、請求項１の製造方法。
【請求項３】
前記第１の半導体チップおよび前記熱管理デバイスのうち少なくとも１つは、前記第１の開口部に少なくとも部分的に配置されている、請求項１の製造方法。
【請求項４】
複数の半導体チップを前記インターポーザの前記面に接続するステップを含む、請求項１の製造方法。
【請求項５】
前記第１の基板は回路基板を備え、前記製造方法は、前記第１の回路基板を第２の回路基板に接続するステップを含む、請求項１の製造方法。
【請求項６】
前記第２の回路基板は第２の開口部を備え、前記熱管理デバイスは、前記第２の開口部に少なくとも部分的に配置されている、請求項５の製造方法。
【請求項７】
前記熱管理デバイスは、前記第２の回路基板に接続されている、請求項６の製造方法。
【請求項８】
熱管理デバイスを、半導体チップデバイスの第１の半導体チップと熱接触するように配置するステップを含む製造方法であって、
前記半導体チップデバイスは、第１の基板と、前記第１の基板に接続されたインターポーザであって、前記第１の基板に向く面を有するインターポーザとを含み、前記第１の半導体チップは前記面に接続されており、前記第１の基板は、前記第１の基板を貫通する第１の開口部を含み、前記熱接触は、前記第１の開口部を経由し、前記熱管理デバイスは、前記第１の開口部の外側まで側方に延在しない、製造方法。
【請求項９】
前記熱管理デバイスは、ヒートスプレッダ、ベーパチャンバおよび熱電冷却器のうち１つを備える、請求項８の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の半導体チップおよび前記熱管理デバイスのうち少なくとも１つは、前記第１の開口部に少なくとも部分的に配置されている、請求項８の製造方法。
【請求項１１】
前記半導体チップデバイスは、前記インターポーザの前記面に接続された複数の半導体チップを備える、請求項８の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の基板は回路基板を備え、前記製造方法は、前記第１の回路基板を第２の回路基板に接続するステップを含む、請求項８の製造方法。
【請求項１３】
前記第２の回路基板は第２の開口部を備え、前記熱管理デバイスは、前記第２の開口部に少なくとも部分的に配置されている、請求項１２の製造方法。
【請求項１４】
前記熱管理デバイスは、前記第２の回路基板に接続されている、請求項１３の製造方法。
【請求項１５】
第１の基板であって、前記第１の基板を貫通する第１の開口部を含む第１の基板と、
前記第１の基板に接続されたインターポーザであって、前記第１の基板に向く面を有するインターポーザと、
前記面に接続された第１の半導体チップと、
前記第１の開口部を経由して前記第１の半導体チップと熱接触する熱管理デバイスであって、前記第１の開口部の外側まで側方に延在しない熱管理デバイスと、を備える、
半導体チップデバイス。
【請求項１６】
前記熱管理デバイスは、ヒートスプレッダ、ベーパチャンバおよび熱電冷却器のうち１つを備える、請求項１５の半導体チップデバイス。
【請求項１７】
前記第１の半導体チップおよび前記熱管理デバイスのうち少なくとも１つは、前記第１の開口部に少なくとも部分的に配置されている、請求項１５の半導体チップデバイス。
【請求項１８】
前記第１の半導体チップおよび前記熱管理デバイスの両方は、前記第１の開口部に少なくとも部分的に配置されている、請求項１５の半導体チップデバイス。
【請求項１９】
前記インターポーザの前記面に接続された複数の半導体チップを備える、請求項１５の半導体チップデバイス。
【請求項２０】
前記第１の基板は、第２の回路基板に接続された回路基板を備える、請求項１５の半導体チップデバイス。
【請求項２１】
前記第２の回路基板は第２の開口部を備え、前記熱管理デバイスは、前記第２の開口部に少なくとも部分的に配置されている、請求項２０の半導体チップデバイス。
【請求項２２】
前記熱管理デバイスは前記第２の回路基板に接続されている、請求項２１の半導体チップデバイス。
【請求項２３】
第１の基板であって、それぞれ前記第１の基板を貫通する第１の開口部および第２の開口部を含む第１の基板と、
前記第１の基板に接続されたインターポーザであって、前記第１の基板に向く面を有するインターポーザと、
それぞれ前記面に接続された第１の半導体チップおよび第２の半導体チップと、
前記第１の開口部を経由して前記第１の半導体チップと熱接触し、前記第２の開口部を経由して前記第２の半導体チップと熱接触する熱管理デバイスと、を備える、
半導体チップデバイス。
【請求項２４】
第１の基板に向く面を有するインターポーザを、前記第１の基板に接続するステップであって、前記第１の基板は、それぞれ前記第１の基板を貫通する第１の開口部および第２の開口部を含むステップと、
第１の半導体チップおよび第２の半導体チップを、前記インターポーザの前記面に接続するステップと、
熱管理デバイスを、前記第１の開口部を経由して前記第１の半導体チップと熱接触し、前記第２の開口部を経由して前記第２の半導体チップと熱接触するように配置するステップと、を含む、
製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月30日(2014.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
実施例１の化合物、ＸＲＰＤ
ＸＲＰＤパターンを、Ｏｐｔｉｘロングファインフォーカスソースを用いて生成されたＣｕＫａ放射（λ＝１．５４０５９Å（電圧：４５ｋＶおよびアンペア：４０ｍＡ））を備えたＰＡＮａｌｙｔｉｃａｌ  Ｘ’Ｐｅｒｔ（商標）Ｐｒｏ  ＭＰＤ  ＰＷ３０４０  Ｐｒｏ回折計を使用して収集する。標本を３ミクロン厚フィルムの間に入れ、透過幾何学で分析し、１秒当たり１回転で回転させ、配向統計を最適化する。分析の前に、シリコン標本（ＮＩＳＴ標準参照材料６４０ｃ）を分析して、シリコン１１１ピークの位置を検証する。１つのパナリティカルパターンを、この材料について分析し、好ましい配向および粒子統計効果を、単一の結晶解析からの模擬ＸＲＰＤパターンとの比較によって評価する。楕円形漸変多層膜鏡（ｅｌｌｉｐｔｉｃａｌｌｙ  ｇｒａｄｅｄ  ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ  ｍｉｒｒｏｒ）を用いて、標本を通し、検出器上に、ソースのＣｕ  Ｋａ  Ｘ線をフォーカスする。回折パターンを標本から２４０ｍｍに位置されたスキャン位置高感度検出器（Ｘ’Ｃｅｌｅｒａｔｏｒ）を用いて収集する。データを、１．０１から３９．９９度（２θ）から収集する。ここで、ステップサイズは０．０１７度  ２θであり、スキャンスピードは１．２度／分であり、０．５度の発散スリットであり、０．２５度の分散スリットである。ビームストップを用いて、空中分散により生成されたバックグラウンドを最小化する。ソーラースリットを、入射ビームおよび回折ビームに対して用いて、軸方向の発散を最小化する。観察されたピークを表１に示す。５％の強度閾値を用いる。