Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月21日(2012.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイス情報を通信するためのシステムであって、
静的部分及び動的部分を含むユニークなシリアル番号を有する第１デバイス
を備え、
前記静的部分は、前記第１デバイスの識別情報を含み、
前記動的部分は、前記第１デバイスの状態情報を含み、
前記第１デバイスは、コンピュータネットワークを介して第１インターネットプロトコルアドレスで前記第１デバイスに関連する情報がアクセスされ得るようにする命令でエンコードされた第１小型サーバーコンピュータを含む、システム。
【請求項２】
前記シリアル番号の前記動的部分は、サービス部品が発注されるべきことを示す情報を含む、請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記サービス部品は自動的に発注される、請求項２記載のシステム。
【請求項４】
前記第１デバイスは水処理システムであり、前記サービス部品は前記水処理システムのフィルタである、請求項２記載のシステム。
【請求項５】
前記シリアル番号の前記動的部分は、前記第１デバイスがメンテナンスを必要とすることを示す情報を含む、請求項１記載のシステム。
【請求項６】
前記第１デバイスは、前記第１デバイスの状態情報を得るように構成された１つ又は複数のセンサーを含む、請求項１記載のシステム。
【請求項７】
前記第１デバイスの利用は、前記コンピュータネットワークを介して制限され得る、請求項１記載のシステム。
【請求項８】
前記第１デバイスは水処理システムであり、前記第１デバイスの前記状態は、水処理システム位置及び前記水処理システムのフィルタの残り寿命の量の少なくとも１つを示している、請求項１記載のシステム。
【請求項９】
前記第１デバイスは個人モニターであり、前記第１デバイスの前記状態は、前記個人モニターを身につけている個人のコンディションを示している、請求項１記載のシステム。
【請求項１０】
前記第１デバイスは車両であり、前記第１デバイスの前記状態は、車両位置、車両速度、車両走行距離、及び警告状態の少なくとも１つを示している、請求項１記載のシステム。
【請求項１１】
前記第１デバイスは家庭用娯楽システムであり、前記第１デバイスの前記状態は、現在の利用及び以前の利用の少なくとも１つを示している、請求項１記載のシステム。
【請求項１２】
前記第１デバイスはグローバルポジショニングシステム対応のブレスレットであり、前記第１デバイスの前記状態はブレスレット位置を示している、請求項１記載のシステム。
【請求項１３】
前記第１小型サーバー上でエンコードされた前記命令は、複数のタグを含むマークアップ言語で記述されており、各タグは前記第１デバイスの態様を表現する用語を含む、請求項１記載のシステム。
【請求項１４】
前記タグは、前記第１デバイスをより説明したタグがさらにインデントされるように、ネスト化されている、請求項１３記載のシステム。
【請求項１５】
前記コンピュータネットワークを介して第２インターネットプロトコルアドレスで第２デバイスに関連する情報がアクセスされ得るようにする命令でエンコードされた第２小型サーバーコンピュータを含む第２デバイスをさらに含み、
前記第１デバイスは、前記コンピュータネットワークを介して前記第２インターネットプロトコルアドレスから前記第２デバイスに関連する情報にアクセスするように構成されている、請求項１記載のシステム。
【請求項１６】
前記第１デバイスは、前記コンピュータネットワークを介して前記第２インターネットプロトコルアドレスからアクセスされる前記第２デバイスに関連する情報に基づいて、前記第１デバイスよりも新しいソフトウェアバージョンが前記第２デバイスにインストールされているか否かを判断するように構成されている、請求項１５記載のシステム。
【請求項１７】
前記第１デバイスは、前記第１デバイスに前記より新しいソフトウェアバージョンがダウンロードされるように要求するように構成されている、請求項１６記載のシステム。
【請求項１８】
前記第１デバイスは、前記第２デバイスから前記より新しいソフトウェアバージョンがダウンロートされるように要求するように構成されている、請求項１７記載のシステム。
【請求項１９】
前記第１デバイスは、前記コンピュータネットワークを介して前記第２インターネットプロトコルアドレスからアクセスされる前記第２デバイスに関連する情報に基づいて、前記第２デバイスに接続されるように構成されている、請求項１５記載のシステム。
【請求項２０】
前記第１デバイスは、前記第１デバイス及び前記第２デバイスが同じモデル又は同じ製造者を有する場合に、前記第２デバイスに接続されるように構成されている、請求項１９記載のシステム。
【請求項２１】
デバイス情報を通信するための方法であって、
コンピュータネットワークを介して第１インターネットプロトコルアドレスで第１デバイスに関連する情報がアクセスされ得るようにする命令でエンコードされた第１小型サーバーコンピュータを用いることを含み、
前記第１デバイスは、静的部分及び動的部分を含むユニークなシリアル番号を有し、
前記静的部分は、前記第１デバイスの識別情報を含み、
前記動的部分は、前記第１デバイスの状態情報を含む、方法。
【請求項２２】
サービス部品が発注されるべきことを前記シリアル番号の前記動的部分によって示すことをさらに含む、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
前記サービス部品を自動的に発注することをさらに含む、請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
前記第１デバイスは水処理システムであり、前記サービス部品は前記水処理システムのフィルタである、請求項２２記載の方法。
【請求項２５】
前記第１デバイスがメンテナンスを必要とすることを前記シリアル番号の前記動的部分によって示すことをさらに含む、請求項２１記載の方法。
【請求項２６】
前記第１デバイスに含まれる１つ又は複数のセンサーを用いて、前記第１デバイスの状態情報を得ることをさらに含む、請求項２１記載の方法。
【請求項２７】
前記コンピュータネットワークを介して前記第１デバイスの利用を制限することをさらに含む、請求項２１記載の方法。
【請求項２８】
前記第１デバイスは水処理システムであり、前記第１デバイスの前記状態は、水処理システム位置及び前記水処理システムのフィルタの残り寿命の量の少なくとも１つを示している、請求項２１記載の方法。
【請求項２９】
前記第１デバイスは個人モニターであり、前記第１デバイスの前記状態は、前記個人モニターを身につけている個人のコンディションを示している、請求項２１記載の方法。
【請求項３０】
前記コンピュータネットワークを介して第２インターネットプロトコルアドレスで第２デバイスに関連する情報がアクセスされ得るようにする命令でエンコードされた第２小型サーバーコンピュータを用いること、及び
前記コンピュータネットワークを介して前記第２インターネットプロトコルアドレスから前記第２デバイスに関連する情報にアクセスするように前記第１デバイスを用いること
をさらに含む、請求項２１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月13日(2012.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
各セグメントのインデックス・プロファイルは、α−プロファイル、ステップ・インデックス・プロファイル、または台形のプロファイルを含めた、先に定義したもののいずれかでありうる。本プロセスに特別なステップが挿入されない限り、屈折率プロファイルは、屈折率が急激に変化する点において丸みを帯びて曲線的になるであろう。曲線的になる原因は、ベースガラスの屈折率を変化させるのに使用するドーパント材料の拡散にある。よって、これらのインデックス・プロファイルは、特定の点において曲線的でありうる。例えば、正のΔ％を有するステップ・インデックス・プロファイルは、典型的には、上隅および下隅が曲線的になる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月20日(2012.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複合表示装置の画素素子を較正する方法であって、
時間画素の白色光の現在の輝度値を前記時間画素の白色光の基準輝度値と比較する段階を含み、前記時間画素が所与の掃引位置にある1つまたは複数の画素素子の組に対応し、さらに、
前記時間画素の白色光の現在の輝度値が、前記時間画素の白色光の前記基準輝度値より少なくとも規定量だけ大きい場合に、
前記画素素子の組の中の少なくとも1つの画素素子にそのスペクトルのシフトがあると結論付ける段階と、
前記少なくとも1つの画素素子のスペクトルのシフトを少なくとも一部は補償する段階とを含み、
前記時間画素の白色光の前記現在の輝度値および前記時間画素の白色光の前記基準輝度値のそれぞれが、前記画素素子の組を同時に駆動し、前記画素素子の組と関連付けられた1つまたは複数の光センサを使用することによって決定される、方法。
【請求項２】
前記画素素子の組の中の少なくとも1つの画素素子にそのスペクトルのシフトがあると結論付ける段階が、前記少なくとも1つの画素素子がオーバドライブされていると結論付ける段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記組に含まれる画素素子の少なくともサブセットのそれぞれについて、画素素子の現在の輝度値が前記画素素子の基準輝度値と異なる場合に、前記画素素子の前記現在の輝度値を前記画素素子と関連付けられた前記基準輝度値まで回復させる段階をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記時間画素の白色光の現在の輝度値を決定する段階をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記時間画素の白色光の前記基準輝度値が、前記複合表示装置の製造時または設置時に決定される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記画素素子の組が、1つまたは複数の赤、緑および青色の発光ダイオード(LED)を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記1つまたは複数の光センサが、1つまたは複数の広帯域光検出器を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記時間画素の白色光の前記現在の輝度値および前記時間画素の白色光の前記基準輝度値のそれぞれが、2つ以上の前記光センサの読取値を平均することによって決定される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも1つの画素素子の前記スペクトルのシフトを少なくとも一部は補償する段階が、前記時間画素の白色光の前記現在の輝度値を前記時間画素の白色光の前記基準輝度値まで回復させる段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記少なくとも1つの画素素子の前記スペクトルのシフトを少なくとも一部は補償する段階が、前記時間画素の白色光の現在の色度を、前記少なくとも1つの画素素子がシフトした方の特定の色への偏りを含まないように回復させる段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記少なくとも1つの画素素子の前記スペクトルのシフトを少なくとも一部は補償する段階が、前記少なくとも1つの画素素子の前記スペクトルがシフトした方の色の、1つまたは複数の画素素子の組をアンダードライブする段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記少なくとも1つの画素素子の前記スペクトルのシフトを少なくとも一部は補償する段階が、前記複合表示装置の色マップを再定義する段階を含み、前記色マップがソース画像からの色を前記複合表示装置の色空間にマップする、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記色マップを再定義する段階が、前記画素素子の組によって表示される、前記時間画素を含む時間画素の組の使用可能な色空間を、前記時間画素の組内の任意の時間画素で使用可能な最小色域に局部的に制限する段階を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記色マップを再定義する段階が、前記複合表示装置内の、前記時間画素を含むすべての時間画素の使用可能な色空間を、前記複合表示装置内の任意の時間画素で使用可能な最小色域に全体的に制限する段階を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記時間画素の白色光の前記現在の輝度値および前記時間画素の白色光の前記基準輝度値のそれぞれが、前記画素素子の組によって表示される前記時間画素を含む時間画素の組と関連付けられる、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
複合表示装置の画素素子を較正するシステムであって、
時間画素の白色光の現在の輝度値を前記時間画素の白色光の基準輝度値と比較するように構成されたプロセッサを備え、前記時間画素が、所与の掃引位置にある1つまたは複数の画素素子の組に対応し、
前記時間画素の白色光の前記現在の輝度値が、前記時間画素の白色光の前記基準輝度値より少なくとも規定量だけ大きい場合に、
前記画素素子の組内の少なくとも1つの画素素子にそのスペクトルのシフトがあると結論付け、
前記少なくとも1つの画素素子のスペクトルのシフトを少なくとも一部は補償し、さらに、
前記プロセッサに結合され、前記プロセッサに命令を与えるように構成されたメモリを備え、
前記時間画素の白色光の前記現在の輝度値および前記時間画素の白色光の前記基準輝度値のそれぞれが、前記画素素子の組を同時に駆動すること、および前記画素素子の組と関連付けられた1つまたは複数の光センサを使用することによって決定される、システム。
【請求項１７】
複合表示装置の画素素子を較正するコンピュータプログラム製品であって、コンピュータ可読記憶媒体内で実施され、
時間画素の白色光の現在の輝度値を前記時間画素の白色光の基準輝度値と比較するためのコンピュータ命令を含み、前記時間画素が、所与の掃引位置にある1つまたは複数の画素素子の組に対応し、さらに
前記時間画素の白色光の前記現在の輝度値が、前記時間画素の白色光の前記基準輝度値より少なくとも規定量だけ大きい場合に、
前記画素素子の組内の少なくとも1つの画素素子にそのスペクトルのシフトがあると結論付けるため、および
前記少なくとも1つの画素素子のスペクトルのシフトを少なくとも一部は補償するためのコンピュータ命令を含み、
前記時間画素の白色光の前記現在の輝度値および前記時間画素の白色光の前記基準輝度値のそれぞれが、前記画素素子の組を同時に駆動すること、および前記画素素子の組と関連付けられた1つまたは複数の光センサを使用することによって決定される、コンピュータプログラム製品。
【請求項１８】
前記少なくとも1つの画素素子の前記スペクトルのシフトを少なくとも一部は補償することが、前記時間画素の白色光の前記現在の輝度値を前記時間画素の白色光の前記基準輝度値まで回復させることを含む、請求項１７に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項１９】
前記少なくとも1つの画素素子の前記スペクトルのシフトを少なくとも一部は補償することが、前記少なくとも1つの画素素子の前記スペクトルがシフトした方の色の、1つまたは複数の画素素子の組をアンダードライブすることを含む、請求項１７に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項２０】
前記少なくとも1つの画素素子の前記スペクトルのシフトを少なくとも一部は補償する段階が、前記複合表示装置の色マップを再定義することを含み、前記色マップがソース画像からの色を前記複合表示装置の色空間にマップする、請求項１７に記載のコンピュータプログラム製品。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月12日(2012.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＮＡＮＤフラッシュメモリおよびメモリコントローラを組み込んだメモリシステムにおける方法であって、
前記メモリコントローラにより実行されるべきファームウェアを前記ＮＡＮＤフラッシュメモリに格納するステップと、
前記ファームウェアを、ファームウェアの実行に専用されるオーバーレイＲＡＭメモリの最大量より小さい様々なサイズのオーバーレイに論理的に順序付けるステップと、
選択されたオーバーレイに格納されている関数を呼び出すステップと、
前記オーバーレイＲＡＭメモリに前記選択されたオーバーレイを初めにロードするステップと、
前記選択されたオーバーレイがデータのために前記オーバーレイＲＡＭメモリ内のスペースの割当てを必要とするというインジケーションを保存するステップと、
前記選択されたオーバーレイのためのデータ割当て領域の外側の前記オーバーレイＲＡＭメモリの位置に前記選択されたオーバーレイをロードすることにより、前記オーバーレイＲＡＭメモリからの前記選択されたオーバーレイの自己エビクションを回避するために前記インジケーションを継続して利用するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、
前記インジケーションは、実行時に保存される方法。
【請求項３】
請求項１〜２のいずれか記載の方法において、
前記インジケーションは、オーバーレイオフセットテーブルに保存される方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか記載の方法において、
前記インジケーションは、前記ＮＡＮＤフラッシュメモリに保存される方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか記載の方法において、
前記インジケーションを継続して利用するステップは、前記選択されたオーバーレイが前記選択されたオーバーレイを初めにロードするステップの後に呼び出される各々の場合に、保存されたデータ割当ての必要性のインジケーションを参照することを含む方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか記載の方法において、
前記オーバーレイＲＡＭメモリ内で必要とされるスペースの割当てのサイズのインジケーションを保存するステップをさらに含む方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか記載の方法において、
前記インジケーションを継続して利用するステップは、前記選択されたオーバーレイが前記選択されたオーバーレイを初めにロードするステップの後に呼び出される各々の場合に、保存されたデータ割当ての必要性のインジケーションと、必要とされるスペースの割当てのサイズのインジケーションとを参照することを含む方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか記載の方法において、
前記インジケーションを継続して利用するステップは、前記オーバーレイＲＡＭメモリのデータ割当て領域を確保することと、前記選択されたオーバーレイを前記データ割当て領域より下にロードすることをさらに含む方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか記載の方法において、
前記データ割当て領域は、前記オーバーレイＲＡＭメモリの上側境界にある方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか記載の方法において、
前記データ割当て領域は、前記ファームウェアの任意の関数のための最大必要データ割当てと等しいかまたはそれより大きい方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか記載の方法において、
前記必要とされるスペースの割当てのサイズのインジケーションは、オーバーレイオフセットテーブルに保存される方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか記載の方法において、
前記必要とされるスペースの割当てのサイズのインジケーションは、前記ＮＡＮＤフラッシュメモリに保存される方法。
【請求項１３】
請求項１記載の方法において、
前記選択されたオーバーレイを１回目に前記オーバーレイＲＡＭメモリにロードし、前記選択されたオーバーレイがその１回目にロードされるときには前記オーバーレイＲＡＭメモリの上側境界にロードされ、
前記方法は、前記オーバーレイＲＡＭメモリにおけるメモリ割当てを必要とする関数を前記選択されたオーバーレイが呼び出すか否かを判定するステップをさらに含み、
前記インジケーションを継続して利用するステップは、１回目の後の各回において前記オーバーレイＲＡＭメモリの上側境界以外の領域に前記選択されたオーバーレイをロードすることを含む方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の方法において、
前記オーバーレイＲＡＭメモリにおけるメモリ割当てを必要とする関数を前記選択されたオーバーレイが呼び出すか否かを判定するステップは、書き込まれるべきデータのために割当てが必要とされるか否かを判定することを含む方法。
【請求項１５】
フラッシュメモリ記憶システムであって、
ＮＡＮＤフラッシュメモリと、
メモリコントローラと、
前記メモリコントローラにより実行されるべきファームウェアであって、前記ＮＡＮＤフラッシュメモリに格納され、様々なサイズのオーバーレイに分解されるファームウェアと、
前記ファームウェアを実行するための前記メモリコントローラ内のＲＡＭメモリと、を備え、
前記システムは、
選択されたオーバーレイに格納されている関数を呼び出し、
前記メモリコントローラ内のＲＡＭメモリに前記選択されたオーバーレイを初めにロードし、
前記選択されたオーバーレイがデータのために前記ＲＡＭメモリ内のスペースの割当てを必要とするというインジケーションを保存し、かつ
前記選択されたオーバーレイのためのデータ割当て領域の外側の前記ＲＡＭメモリの位置に前記選択されたオーバーレイをロードすることにより、前記選択されたオーバーレイの自己エビクションを回避するために前記インジケーションを継続して利用するように構成されるシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月16日(2012.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
供給電圧を提供する電源接続部と、
前の及び現在のパラレルデータシンボルセットを、それぞれの前の及び現在の時間間隔において受信するデータ接続部と、
前記前の及び現在のパラレルデータシンボルセットを受信する補償回路と
を備え、
前記補償回路は、前記現在の時間間隔において前記電源接続部から、前記前のパラレルデータシンボルセットから導出された補償電流を引き出す、システム。
【請求項２】
前記補償回路は、クロックノードを有するサンプラを介して前記データパスに結合され、クロック信号を受信し、
前記クロック信号は前記時間間隔を規定する、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記前のパラレルデータシンボルセットは、前記前の時間間隔において第１の供給電流を引き出し、
前記現在のパラレルデータシンボルセットは、前記現在の時間間隔において第２の供給電流を引き出し、
前記第１の電流と前記第２の電流の最大差は、前記第２の供給電流と前記補償電流の最大和より小さい、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記前の時間間隔は、前記現在の時間間隔と直接隣接している、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
トランスミッタをさらに備え、
前記トランスミッタは、複数のトランスミッタ入力パスと、前記データパスに結合された複数のトランスミッタ出力パスとを有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記補償回路は前記トランスミッタ入力パスに結合される、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
集積回路デバイスにおいてインスタンス化される、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記補償回路は、前記データシンボルの受信後に前記補償電流の印加のタイミングを調整する、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前のシンボルセット及び現在のシンボルセットを含む連続するパラレルシンボルセットを受信するステップであって、前記前の及び現在のシンボルセットがそれぞれ、電源から、前の及び現在の供給電流を引き出す、ステップと、
前記前の電流を補完する補償電流を導出するステップと、
前記現在の時間間隔において前記電源から前記補償電流を引き出すステップと
を含む、方法。
【請求項１０】
クロック信号は、前記時間間隔を規定する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記補償電流と前記現在の供給電流の最大和は、前記前の供給電流と前記現在の供給電流の最大差を上回る、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記前の時間間隔は、前記現在の時間間隔に直接隣接する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記パラレルシンボルセットは、データパスセットにおいて伝達され、
前記方法は、前記データパスにおいて第２の連続するパラレルデータシンボルセットを送信するステップをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
第２の連続するパラレルデータシンボルセットのそれぞれについて、前記電源から第２の補償電流を引き出すステップをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第２の補償電流は、前記第２の連続するパラレルデータシンボルセットの同時に起きる１つから導出される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
供給電圧を提供する供給と、
前記供給に結合され、連続するパラレルデータシンボルセットを連続する時間間隔において受信するデータパスであって、現在の時間間隔において現在の供給電流を引き出す現在のデータシンボルセット、及び、前の時間間隔において前の供給電流を引き出す前のデータシンボルセットを含む、データパスと、
前記現在の時間間隔において前記供給ノードから、前記前の供給電流を補完する補償電流を引き出す、補償回路と
を備える、システム。
【請求項１７】
前記前の供給電流と前記現在の供給電流の最大差は、前記補償電流と前記現在の供給電流の最大和より小さい、請求項１６に記載のシステム。
【請求項１８】
前記前の時間間隔は、前記現在の時間間隔に直接隣接する、請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
集積回路においてインスタンス化される、請求項１６に記載のシステム。
【請求項２０】
前記データパスにおいて第２の連続するパラレルデータシンボルセットを送信するトランスミッタをさらに備え、
前記補償回路は、前記第２の連続するパラレルデータシンボルセットについて第２の補償電流を導出し、前記供給から前記第２の補償電流を引き出す、請求項１６に記載のシステム。
【請求項２１】
集積回路の少なくとも一部を規定するデータ構造を記憶するコンピュータ可読媒体であって、
前記データ構造は、
供給電圧を提供する供給ノードを表す第１のデータと、
前記供給ノードに結合され、連続するパラレルデータシンボルセットを連続する時間間隔において受信するデータパスを表す第２のデータであって、前記データパスは、現在の時間間隔において現在の供給電流を引き出す現在のデータシンボルセット、及び、前の時間間隔において前の供給電流を引き出す前のデータシンボルセットを含む、第２のデータと、
前記データパスと前記供給ノードに結合された補償回路を表す第３のデータと
を備え、
前記補償回路は、前記現在の時間間隔において前記供給ノードから、前記前の供給電流を補完する補償電流を引き出す、コンピュータ可読媒体。
【請求項２２】
供給電圧を提供する電源と、
前の及び現在のパラレルデータシンボルセットを、それぞれの前の及び現在の時間間隔において受信するデータパスと、
前記前のパラレルデータシンボルセットから補償電流を導出し、前記現在の時間間隔において前記電源から前記補償電流を引き出す手段と
を備える、システム。
【請求項２３】
供給と、
連続するパラレルデータシンボルセットを伝達するパラレルバスであって、前記パラレルデータシンボルセットは、現在の時間間隔における現在のデータシンボルセット、及び、前の時間間隔における前のデータシンボルセットを含む、パラレルバスと、
前記パラレルバスに結合され、前記連続するパラレルシンボルセットをサンプリングし、連続する受信されたサンプルセットを提供するサンプラと、
前記供給に結合された電流引き出し機構と
を備え、
前記電流引き出し機構は、前記現在の時間間隔において前記供給から、前記前のシンボルセットと関連して導出された現在の補償電流を引き出す、システム。
【請求項２４】
集積回路デバイスにおいてインスタンス化される、請求項２３に記載のシステム。
【請求項２５】
前記電流引き出し機構は、前記現在の補償電流を前記受信されたサンプルの少なくとも１つから導出する、請求項２３に記載のシステム。
【請求項２６】
前記連続するパラレルデータシンボルセットのそれぞれは、前記供給からデータ電流を引き出し、
前記現在の時間間隔における前記補償電流は、前記前の時間間隔における前記データ電流を補完する、請求項２３に記載のシステム。
【請求項２７】
前記現在の時間間隔は、前記前の時間間隔に直接隣接する、請求項２３に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月12日(2012.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの光源と、
前記光源の出力を制御するコントローラと、
前記コントローラと無線で通信する光センサとを有し、
前記コントローラは、通常モードで動作可能であり、前記通常モードにおいて、前記コントローラは、光レベルが実質的に一定のままになるように前記光源を制御し、
前記コントローラは、変化モードで動作可能であり、前記変化モードにおいて、前記コントローラは、ターゲットレベルからのずれを減少させるように、光レベルが予め決められた変化率で徐々に変えられるように前記光源を制御し、
前記コントローラは、前記光センサから受信した入力信号に基づいて通常モードから変化モードに切り替えるように適合され、
前記光源は、前記コントローラの動作の少なくとも１つの特性を規定するデータを含むメモリを備え、
前記光センサは、メモリを調べ、信号を前記コントローラに伝送するか否かを決定するために、間欠的に、非ゼロ時間間隔により分割された測定時点で、光レベルを測定し、
前記光センサは、メモリ内の前記データから、信号の受信が前記コントローラが制御動作を変えることをもたらすものではないことが導出された場合に、前記信号を出力することを避けるように適合される、照明システム。
【請求項２】
前記センサは、前の送信後の予め決められた時間間隔の範囲内において、送信を避ける、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記センサは、前記ターゲットレベルよりも高い予め決められた上側境界を規定し、前記ターゲットレベルよりも低い予め決められた下側境界を規定する情報をもち、
前記センサは、第１のモードにおいて、測定された光レベルが前記上側境界と前記下側境界との間にある場合に送信を避ける、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記センサは、測定された光レベルが前記上側境界よりも高い場合には、信号を前記コントローラに送信し、前記ターゲットレベルよりも高いシフトターゲットレベル、前記シフトターゲットレベルよりも高いシフト上側境界、及び、前記シフトターゲットレベルよりも低いシフト下側境界を規定する情報をメモリから取得し、
前記コントローラは、測定信号の受信に応答して、前記光源の前記光出力を徐々に減少させるように設計され、
前記センサは、前記信号を前記コントローラに送信した後に、第２のモードで動作し、前記第２のモードにおいて、前記センサは、測定された光レベルが前記シフト上側境界と前記シフト下側境界との間にある場合に送信を避けるために、後の測定時点で、前記シフト上側境界及び前記シフト下側境界を徐々に減少させるように適合される、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記センサは、前記シフトターゲットレベルが元のターゲットレベルと等しくなったときに第２のモードから第１のモードに切り替えるように適合される、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記コントローラは、前記光源の前記光出力の変化率を含むメモリをもち、
前記センサは、メモリ内に、前記シフトターゲットレベル、前記シフト上側境界及び前記シフト下側境界の変化率を規定するデータをもち、
前記センサが第２のモードから第１のモードに切り替えられた後の第１の測定時点で、測定された光レベルが前記上側境界よりも高いか又は前記下側境界よりも低いことを前記センサが理解した場合に、
ａ）前記光センサは、信号を前記コントローラに送信し、前記第２のモードで動作するように切り替わり、
ｂ）前記コントローラは、メモリ内の前記変化率を適合させ、
ｃ）前記センサが、対応する態様でメモリ内の前記変化率を適合させる、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
外部光源の比較的近くに配置された１又はそれ以上のランプの第１のグループを有し、
前記外部光源からより離れて配置された１又はそれ以上のランプの第２のグループを有し、
前記コントローラは、第２の調光ファクタy(71)が常に第１の調光ファクタy(61)よりも高くなるか又は前記第１の調光ファクタy(61)と等しくなるように、ランプの前記第１のグループの前記第１の調光ファクタy(61)とランプの前記第２のグループの前記第２の調光ファクタy(71)とを日光のレベルの関数として制御し、
調光ファクタ＝ゼロはランプがオフであることを示し、調光ファクタ＝１００％はランプが完全にオンであることを示す、請求項１〜６のうちいずれか一項に記載のシステム。
【請求項８】
日光レベルLZがゼロと特定の第１の値L1との間にある場合には、前記コントローラは、y(61)＝y(71)＝１００％の第１のモードで動作し、
前記日光レベルLzが前記第１の値L1と特定の第３の値L3との間にある場合には、前記コントローラは、y(61)＝y(71)＝１００％×（L2−LZ）／（L2−L1）である第２のモードで動作し、L2は、前記第３の値L3よりも高い第２の値L2であり、
前記日光レベルLzが前記第３の値L3と前記第２の値L2との間にある場合には、前記コントローラは、y(61)＝１００％×（L2−LZ）／（L2−L1），y(71)＝y(61)＋B×（LZ−L3）／（L2−L3）である第３のモードで動作し、Bは予め決められた調光ファクタであり、
前記日光レベルLzが前記第２の値L2と第４の値L4との間にある場合には、前記コントローラは、y(61)＝δ，y(71)＝B×（L4−LZ）／（L4−L2）である第４のモードで動作し、
前記日光レベルが前記第４の値よりも高い場合には、前記コントローラは、y(61)＝y(71)＝δである第５のモードで動作する、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
δ＝０である、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
δは、最初はゼロよりも高い小さな値であり、前記コントローラは、予め決められた期間の間、前記第５のモードで動作した後に、δ＝０に設定する、請求項８に記載のシステム。
【請求項１１】
前記センサにより送信された信号は、測定された前記光レベルの値を示す測定信号である、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
前記センサにより送信された信号は、測定された前記光レベルの値が上側境界よりも高いか又は下側境界よりも低いかを示す信号である、請求項１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月12日(2012.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビーム放射装置であって、当該ビーム放射装置は、
・基板（１０）と
・当該基板（１０）上の少なくとも１つの有機機能層（１００）と
・当該少なくとも１つの有機機能層（１００）上の第２の電極（８０）を有しており、
ここで前記基板（１０）はプラスチック薄膜（１）と、拡散物を通さない金属フィルム（３）を含んでおり、当該金属フィルム（３）は前記プラスチック薄膜（１）と前記少なくとも１つの有機機能層（１００）との間に配置されており、第１の電極として構成されており、
前記基板（１０）にバリア層は設けられていない、
ことを特徴とするビーム放射装置。
【請求項２】
前記基板（１０）は柔軟である、請求項１記載のビーム放射装置。
【請求項３】
前記基板（１０）は、前記少なくとも１つの有機機能層（１００）および前記第２の電極（８０）よりも大きい横方向の拡がりを有している、請求項１または２記載のビーム放射装置。
【請求項４】
前記プラスチック薄膜（１）は当該金属フィルム（３）よりも拡散物を通す、請求項１から３までのいずれか１項記載のビーム放射装置。
【請求項５】
前記金属フィルム（３）は少なくとも２つの部分層を有している、請求項１から４までのいずれか１項記載のビーム放射装置。
【請求項６】
前記プラスチック薄膜（１）と前記金属フィルム（３）との間に、平坦化層（２）が配置されている、請求項１から５までのいずれか１項記載のビーム放射装置。
【請求項７】
前記第２の電極（８０）および前記基板（１０）の上に、ガラスカプセル封入部および／または薄膜カプセル封入部（４００、６００）が、前記少なくとも１つの有機機能層（１００）をカプセル封入するために配置されている、請求項１から６までのいずれか１項記載のビーム放射装置。
【請求項８】
前記ガラスカプセル封入部および／または薄膜カプセル封入部（４００、６００）と前記基板（１０）との間に、パターニングされた絶縁層（２００）が配置されている、
請求項７記載のビーム放射装置。
【請求項９】
請求項１から８までのいずれか１項記載の柔軟なビーム放射装置を製造する方法であって、当該方法は、
Ａ）基板（１０）を製造するためにプラスチック薄膜（１）および金属フィルム（３）を提供するステップと、
Ｂ）当該金属フィルム（３）を第１の電極として構成するステップと、
Ｃ）少なくとも１つの有機機能層（１００）と第２の電極（８０）を前記基板（１０）上に配置するステップを有している、
ことを特徴とする、柔軟なビーム放射装置を製造する方法。
【請求項１０】
前記ステップＡ）は、
Ａ１）プラスチック薄膜（１）を製造するステップと、
Ａ２）金属フィルム（３）を前記プラスチック薄膜（１）の上に配置するステップを含む、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記ステップＡ２）において、前記金属フィルム（３）に対する材料を前記プラスチック薄膜（１）上に蒸着する、またはスパッタリングする、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記ステップＡ１）と前記ステップＡ２）との間のステップＡ３）において、前記プラスチック薄膜（１）上に平坦化層（２）を配置する、請求項１０または１１記載の方法。
【請求項１３】
前記ステップＣ）に続くステップＤ）を有しており、ここで、前記ステップＣ）において提供された装置を、ガラスカプセル封入部および／または薄膜カプセル封入部（４００、６００）によってカプセル封入する、請求項１０から１２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
前記ステップＤ）は、
Ｄ１）パターニングされた絶縁層（２００）を、前記少なくとも１つの有機機能層（１００）によって覆われていない、前記基板（１０）の領域上に配置するステップと、
Ｄ２）前記ガラスカプセル封入部および／または薄膜カプセル封入部（４００、６００）を前記パターニングされた絶縁層（２００）および前記第２の電極（８０）の上に配置するステップを含む、請求項１３記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月20日(2012.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラッシュ・メモリ・デバイス（１００）をプログラミングするための方法であって、
所与の信号レベルに関して前記フラッシュ・メモリ・デバイスをプログラミングすることを備え、
前記所与の信号レベルは複数のプログラム値と対応し、
前記プログラミングするステップは、プログラミング段階と、複数の検証段階とを備え、
前記複数の検証段階の内の少なくとも２つは前記所与の信号レベルに関する異なるプログラム値であることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記検証段階は、前記フラッシュ・メモリ・デバイスから１つまたは複数の読み取り値を読み取るステップと、前記１つまたは複数の読み取り値を、前記プログラム値の１つに対応する少なくとも１つのしきい値と比較するステップとをさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記プログラム値のそれぞれは、複数のグループの１つに関連し、さらに前記グループのそれぞれは、或る信号レベルに対応する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記プログラム値のそれぞれは、複数のグループの１つに関連し、さらに前記グループの数は、前記フラッシュ・メモリ・デバイスにおける信号レベルの数に対応する請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記検証段階の所与の検証段階から１つまたは複数のセルを除外することを、前記所与の検証段階に関連するプログラム値が、前記除外される１つまたは複数のセルに適用されない場合、行うステップをさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記検証段階のさらなる検証段階から１つまたは複数のセルを除外することを、前記除外される１つまたは複数のセルが、前記検証段階の１つに合格した場合、行うステップをさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記複数のプログラム値は、セル間干渉、バック・パターン依存、プログラム妨害、読み取り妨害、およびさらなる雑音の１つまたは複数を事前補償するプログラム値を備える請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記複数のプログラム値は、妨害を補償する事前補償されたプログラム値に対応する請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記プログラム値の数は、信号レベルの数にＬＫを掛けた数に対応し、ただし、Ｌは、差分ΔＶｔ（ｌ）値の数であり、ΔＶｔ（ｌ）は、セルのＶｔ電圧の変化であり、さらにＫは、考慮されるアグレッサ・セルの数である請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
フラッシュ・メモリ・デバイスをプログラミングするためのシステムであって、
メモリと、
前記メモリに結合され、所与の信号レベルに関して前記フラッシュ・メモリ・デバイスをプログラミングするように動作する少なくとも１つのプロセッサとを備え、
前記所与の信号レベルは複数のプログラム値と対応し、
前記プログラミングするステップは、プログラミング段階と、複数の検証段階とを備え、
前記複数の検証段階の内の少なくとも２つは前記所与の信号レベルに関する異なるプログラム値であることを特徴とするシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月10日(2012.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【図１Ａ】４．５keVに等しいイオン注入エネルギーを有するポリシリコン
へのホウ素イオン注入のための、アニール前後のホウ素の二次イオン質量分析計（SIMS）の解析プロファイルを例示する図である。
【図１Ｂ】２０keVに等しいイオン注入エネルギーを有するポリシリコンへ
のホウ素イオン注入のための、アニール前後のホウ素及びフッ素の二次イオン質量分析計の解析プロファイルを例示する図である。
【図２】プラズマドーピング半導体用に用いることができるヨウ素及び臭素
化合物ガスの特性の表を示す図である。
【図３】ドーパントハロゲン及びドーパント水素の結合の結合エンタルピー
値の表を示す図である。
【図４】BI３P型ドーパントガス原料を用いて生成したイオンに対する、シ
ミュレートしたイオンのシリコンへの投影飛程の表を示す図である。
【図５】本発明によりプラズマドーピングを行うことができるプラズマドー
ピングシステムを例示する図である。
【図６】BI３ドーパントガス原料を用いて、０．５keVのイオン注入エネル
ギーに対してシミュレートした、シリコン基板内の深さの関数としてのホウ素の濃度のプラズマドーパントプロファイルを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2011529275.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月13日(2012.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマリアクタチャンバで使用されるＲＦバイアスワークピースサポートシステムであって、
ワークピースを支持するためのワークピースサポート面を有するパックと、
前記パックに埋設されたワークピース電極とを含み、前記ワークピース電極は、前記ワークピースサポート面の下にあり、及び概して前記ワークピースサポート面に平行にあり、
前記システムは、前記パックの下にあり、前記ワークピース電極と同軸である金属板を含むカソードと、
前記ワークピースサポート面の周辺エッジを囲み、前記カソードと同軸である環状プロセスキットカラーと、
前記プロセスキットカラーの下にあり、前記プロセスキットに接続された上端を有する外側円筒導体を含むプロセスキット電極要素と、
前記外側円筒導体と同軸であり、前記カソードに接続された上端を有する中間円筒導体を含むカソード給電要素と、
前記中間円筒導体と同軸である内側導体を含み、前記ワークピース電極に接続された上端を有するワークピース電極給電要素と、
前記ワークピース電極給電要素の前記底端に結合された第１静電チャック電圧供給源と、
ＲＦプラズマバイアス電源と、
可変リアクタンスを有するリアクタンス要素を含む可変ＲＦインピーダンス要素とを更に含み、前記可変ＲＦインピーダンス要素は、前記ＲＦプラズマ電源と、（ａ）前記カソード給電要素、（ｂ）前記プロセスキット電極要素のうちの１つとの間に結合され、
前記システムは、前記可変ＲＦインピーダンス要素の制御入力に接続されたシステムコントローラを更に含み、これによって、前記可変ＲＦインピーダンス要素の前記リアクタンス要素の前記可変リアクタンスを制御するシステム。
【請求項２】
前記金属板は、前記ワークピースサポート面の下にある中心部及び前記プロセスキットカラーの下にある外側部を含み、
前記プロセスキット電極要素は前記金属板の前記外側部を含み、前記金属板はＲＦ駆動カソードを含む請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記パック及び前記金属板を囲む環状絶縁体層を更に含み、
前記プロセスキット電極要素は、前記絶縁体層の中に配置され、前記環状絶縁体層を通って軸方向に延び、前記プロセスキット電極要素は、前記プロセスキットカラーの下にあり及び接触するキットサポート面を含む請求項１記載のシステム。
【請求項４】
前記パック内に埋設され、前記ワークピース電極から分離し、概して前記ワークピース電極と平行な平面プロセスキット電極を更に含み、前記埋設されたプロセスキット電極は、前記プロセスキットカラーの下にある環状外側部を含み、
前記プロセスキット電極要素は、前記埋設されたプロセスキット電極の前記環状外側部を含む請求項１記載のシステム。
【請求項５】
前記金属板は接地されている請求項４記載のシステム。
【請求項６】
前記可変ＲＦインピーダンス要素は、前記バイアスＲＦ電源と前記カソード給電要素の間に接続される請求項１記載のシステム。
【請求項７】
前記バイアスＲＦ電源と前記プロセスキット電極要素の間に接続された第２可変ＲＦインピーダンス要素を更に含み、前記システムコントローラは、前記第２可変ＲＦインピーダンス要素の制御入力に接続され、これによって、前記第２可変ＲＦインピーダンス要素のインピーダンスを制御する請求項６記載のシステム。
【請求項８】
入力端子及び接地端子を含むカソード接地可変インピーダンス要素を更に含み、前記入力端子は前記カソード給電要素に及び前記プロセスキット電極要素に結合され、前記接地端子はＲＦ接地電位に接続される請求項１記載のシステム。
【請求項９】
前記プロセスキット電極要素に結合した第２静電チャック電圧供給源を更に含み、
前記システムコントローラは、前記第１及び第２静電チャック電圧供給源に結合し、これによって、前記ワークピースサポート面の上でワークピースに及び前記プロセスキットカラーに印加されたクランピング力を別々に制御する請求項１記載のシステム。
【請求項１０】
前記パックは、前記ワークピースサポート面の下にある中心パック部及び前記プロセスキットカラーの下にある外側パック部を含み、前記外側パック部は、前記カラーの下にあるカラーサポート面を有し、
前記システムは、
前記金属板内に流体クーラント流路と、
前記カラーサポート面内にガスフローチャネルとを更に含む請求項２記載のシステム。
【請求項１１】
前記カラーの下にあるプロセスキットカラー静電チャック電極と、
前記ワークピース電極に結合した第１静電チャック電圧供給源と、
前記プロセスキットカラー静電チャック電極に結合した第２静電チャック電圧供給源とを更に含み、前記システムコントローラは、前記第１及び第２静電チャック電圧供給源の別々の出力電圧を制御するために接続されている請求項１０記載のシステム。
【請求項１２】
前記プロセスキット電極要素内に流体クーラント流路と、
前記キットサポート面内にガスフローチャネルとを更に含む請求項３記載のシステム。
【請求項１３】
前記プロセスキット電極要素に結合した第２静電チャック電圧供給源を更に含み、
前記システムコントローラは、前記第１及び第２静電チャック電圧供給源の夫々の出力電圧を別々に制御するために接続されている請求項１２記載のシステム。
【請求項１４】
前記ワークピース電極に結合した第１静電チャック電圧供給源と、
前記埋設されたプロセスキット電極に結合した第２静電チャック電圧供給源とを更に含み、
前記システムコントローラは、前記第１及び第２静電チャック電圧供給源の夫々の出力電圧を別々に制御するために接続されている請求項４記載のシステム。
【請求項１５】
前記パックは前記ワークピースサポート面の反対側に底面を含み、
前記システムは、
前記パックの対称軸に沿って前記パックの前記底面から軸方向に延び、前記金属板を通って、その底端で終了する細長い中心絶縁体を更に含み、
前記環状カソード給電導体は、前記金属板の底面から前記中心絶縁体と同軸に囲み及び延び、その底端で終了し、
前記ワークピース電極給電要素は、前記中心絶縁体を通って及び前記パックを通って延び、前記ワークピース電極給電導体は、前記第１静電チャック電圧供給源と前記ワークピース電極間の電流経路を提供するために、前記ワークピース電極に接続する上端及び前記中心絶縁体の底端を通って延びる底端とを有する請求項１記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月28日(2012.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）であって、
−  電磁放射を発生させる活性ゾーン（４）を備えている半導体積層体（２）と、
−  構造化された電流拡散層（６）であって、透明導電性酸化物を含んでおり、前記半導体積層体（２）の主領域（１２）上に配置されている、前記構造化された電流拡散層（６）と、
を備えており、
前記電流拡散層（６）が、前記主領域（１２）の少なくとも３０％、最大で６０％を覆っており、
ミラー（９）であって、前記電流拡散層（６）が前記半導体積層体（２）と前記ミラー（９）との間に配置されているミラー（９）と、
少なくとも１つの電気コンタクトウエブ（１０）であって、前記電流拡散層（６）が少なくとも１つのコンタクト位置（１１）において前記電気コンタクトウエブ（１０）に接続されている、電気コンタクトウエブ（１０）と、をさらに備え、
前記電気コンタクトウエブ（１０）が前記ミラー（９）の開口の中に延びている、
オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項２】
前記電流拡散層（６）が前記主領域（１２）の４０％〜５０％を覆っている、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項３】
発生する前記放射が、４００ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内の放出波長を有する、
請求項１または請求項２に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項４】
前記半導体積層体（２）がＡｌｎＧａｍＩｎ１−ｎ−ｍＮを含んでおり、０≦ｎ≦１、０≦ｍ≦１、ｎ＋ｍ≦１である、
請求項１から請求項３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項５】
前記電流拡散層（６）が、インジウムスズ酸化物、酸化インジウム亜鉛、または酸化亜鉛を含んでいる、
請求項１から請求項４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項６】
前記電流拡散層（６）が１０ｎｍ〜６０ｎｍの範囲内の厚さを有する、
請求項１から請求項５のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項７】
前記電流拡散層（６）が長方形格子の形状を有する、
請求項１から請求項６のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項８】
前記電流拡散層（６）が、少なくとも１つの格子点において、前記電気コンタクトウエブ（１１）に接続されている、
請求項１から請求項７のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項９】
前記電気コンタクトウエブ（１１）は、金属コンタクトウェブである、
請求項１から請求項８のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項１０】
前記ミラー（９）が誘電体層（７）を備えており、前記誘電体層（７）が前記電流拡散層（６）に隣接しており、前記誘電体層（７）に前記開口が設けられている、
請求項１から請求項９のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項１１】
前記ミラー（９）が、
前記電流拡散層（６）とは反対側の面において前記誘電体層（７）を覆っている連続的な金属層（８）、
を備えている、
請求項１０に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項１２】
キャリア基板（１３）を備えており、
前記電流拡散層（６）が前記半導体積層体（２）と前記キャリア基板（１３）との間に配置されている、
請求項１から請求項１１のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項１３】
前記電流拡散層（６）が前記電気コンタクトウエブ（１０）によって前記キャリア基板（１３）に電気的に接続されている、
請求項１２に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項１４】
前記半導体積層体（２）が、前記電流拡散層（６）の側においてｐ型導電性である、
請求項１から請求項１３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。