Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月16日(2011.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料内の標的微生物の存在を検出する方法であって、
標的微生物を含有する疑いがある試料、表面フィルタ、及び培地を含む培養デバイスを提供する工程と、
前記表面フィルタ上に前記標的微生物を収集する工程と、
前記表面フィルタを前記培地と接触させる工程と、
前記培養デバイスを一定期間培養する工程と、
前記標的微生物の存在を検出する工程と、
を含む、方法。
【請求項２】
ガス産生微生物を検出するための方法であって、
ガス産生微生物を含有する疑いがある試料、表面フィルタ、及び発酵性栄養素を含む培地を含有する平坦フィルム培養デバイスを提供する工程と、
前記試料からのガス産生微生物を前記表面フィルタ上に収集する工程と、
前記表面フィルタを前記培地と接触させる工程と、
前記培地と接触している前記表面フィルタを一定期間培養する工程と、
ガス産生微生物の存在を検出する工程と、
を含む、方法。
【請求項３】
試料検出システムであって、
培養デバイス内の水和培地と接触する時に実質的に透明であるフィルタと、
培養デバイスと、
を含む、試料検出システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月13日(2011.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
能動音響素子と、
前記能動音響素子に取り付けられた受動層と、を有し、
前記受動層は、フォトレジスト材料の層と、前記フォトレジスト材料の層の中に埋込まれた複数の導電性の柱とを含む、超音波トランスデューサ。
【請求項２】
前記能動音響素子は、圧電素子を含む、請求項１に記載の超音波トランスデューサ。
【請求項３】
前記複数の導電性の柱は、前記能動音響素子の音響放射面に対して実質的に垂直に差し向けられる、請求項１に記載の超音波トランスデューサ。
【請求項４】
前記複数の導電性の柱は、金属柱を含む、請求項１に記載の超音波トランスデューサ。
【請求項５】
前記複数の導電性の柱のうちの少なくとも１つは、前記受動層の厚さを横切って延びる、請求項４に記載の超音波トランスデューサ。
【請求項６】
前記受動層は、前記能動音響素子からの超音波エネルギを音響的に結合する整合層を形成する、請求項１に記載の超音波トランスデューサ。
【請求項７】
更に、前記受動層の表面上に堆積させた電極を有し、前記電極は、前記複数の導電性の柱のうちの少なくとも１つを介して前記能動音響素子に電気的に結合される、請求項１に記載の超音波トランスデューサ。
【請求項８】
複数の能動音響素子と、
前記複数の能動音響素子に取付けられた受動層と、を有し、
前記受動層は、フォトレジスト材料の層と、前記フォトレジスト材料の層の中に埋込まれた複数の導電性の柱とを含む、超音波トランスデューサアレイ。
【請求項９】
前記能動音響素子は、圧電素子を含む、請求項８に記載の超音波トランスデューサアレイ。
【請求項１０】
前記複数の導電性の柱は、前記能動音響素子の音響放射面に対して実質的に垂直に差し向けられる、請求項８に記載の超音波トランスデューサアレイ。
【請求項１１】
前記複数の導電性の柱は、金属柱を含む、請求項８に記載の超音波トランスデューサアレイ。
【請求項１２】
前記複数の導電性の柱のうちの少なくとも１つは、前記受動層の厚さを横切って延びる、請求項８に記載の超音波トランスデューサアレイ。
【請求項１３】
前記受動層は、前記複数の能動音響素子の下における超音波エネルギの伝搬を減衰させるバッキング層を形成する、請求項８に記載の超音波トランスデューサアレイ。
【請求項１４】
更に、前記受動層の表面上に堆積させた複数の電極を有し、前記電極の各々は、前記導電性の柱のうちの少なくとも１つを介して前記複数の能動音響素子に電気的に結合される、請求項８に記載の超音波トランスデューサアレイ。
【請求項１５】
前記電極の各々は、前記複数の能動音響素子のうちの異なる１つに電気的に結合される、請求項１４に記載の超音波トランスデューサアレイ。
【請求項１６】
更に、前記複数の導電性の柱のうちの少なくとも１つを介して前記複数の能動音響素子のうちの少なくとも１つに電気的に結合されたＩＣチップを有する、請求項８に記載の超音波トランスデューサアレイ。
【請求項１７】
前記ＩＣチップは、前記受動層に結合され、前記受動層及び前記複数の能動音響素子は、前記ＩＣチップの上に配置される、請求項１６に記載の超音波トランスデューサアレイ。
【請求項１８】
前記ＩＣチップは、複数の電気接点を有し、前記電気接点の各々は、前記複数の導電性の柱のうちの少なくとも１つを介して、前記超音波トランスデューサアレイ内の前記複数の能動音響素子のうちの異なる１つに電気的に結合される、請求項１６に記載の超音波トランスデューサアレイ。
【請求項１９】
トランスデューサを製造する方法であって、
フォトレジスト層を能動音響素子の上にコーティングする工程と、
前記フォトレジスト層を、マスクを介して光に露出させ、パターンを前記マスクから前記フォトレジスト層に転写する工程と、
転写された前記パターンに基づいて前記フォトレジスト層の一部分を除去して、前記フォトレジスト層に複数の凹部を形成する工程と、
導電性材料を前記凹部に堆積させて、前記フォトレジスト層に埋込まれた導電性の柱を形成する工程と、を有する方法。
【請求項２０】
更に、前記導電性の柱を形成した後に前記フォトレジスト層を硬化させる工程を有する、請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月6日(2011.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
図１Ａ、１Ｂは、装着者の頭上に装着される一対のバンド１０８Ａ、１０８Ｂにより保持されて選手の耳を覆う一対のイヤホン１０１Ａ、１０１Ｂを備えるヘッドセット１００を示す。各イヤホン１０１Ａ、１０１Ｂは、パッド１０２Ａ、１０２Ｂを含み、パッドは耳を完全に囲むようにして包み込む。各イヤホン１０１Ａ、１０１Ｂは、シェル１０４Ａ、１０４Ｂへ機械的に連結されるフレーム１０６Ａ、１０６Ｂを含む。シェル１０４Ａ、１０４Ｂは、さらにパッド１０２Ａ、１０２Ｂへ機械的に連結されて、パッド１０２Ａ、１０２Ｂとシェル１０４Ａ、１０４Ｂとの間にあるアセンブリ部品を囲み、そして各イヤホン１０１Ａ、１０１Ｂの構造に剛性を与える。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月16日(2011.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＤＣ−ＤＣコンバータの回路を備える集積回路（１０）であって、
前記ＤＣ−ＤＣコンバータの前記回路は、
制御回路（１１）と、
前記集積回路（１０）の第１及び第２の端子（１０ａ，ｂ）間に結合されたスイッチングトランジスタ（１２，２０）と、を含み、
前記集積回路（１０）は、さらに、静電気放電保護回路を備え、
前記静電気放電保護回路は、
−  出力を有すると共に、前記第１及び第２の端子（１０ａ，ｂ）間に結合された入力を有する、ハイパスフィルタ回路（１６０，１６２）と、
−  前記ハイパスフィルタ回路（１６０，１６２）の前記出力に結合された制御電極と、主電流チャネルと、を有する検出トランジスタ（１６４）と、
−  前記第１及び第２の端子（１０ａ，ｂ）間の前記主電流チャネルに直列に結合されたチャージャブル回路（１７）と、
−  前記検出トランジスタ（１６４）の前記主電流チャネルと前記チャージャブル回路（１７）との間のノードに結合された論理入力と、前記制御回路（１１）の出力に結合された追加の論理入力と、を有する論理回路（１３）と、
を備え、
前記論理回路（１３）は、前記スイッチングトランジスタ（１２，２０）の制御電極に結合された出力を有し、
前記論理回路は、前記検出トランジスタ（１６４）が導電性になる時に前記スイッチングトランジスタ（１２，２０）を導電性にする論理機能を有し、
当該集積回路は、さらに、
−  前記集積回路の前記第２の端子（１０ｂ）と第３の端子（１０ｃ）との間に結合された主電流チャネルを有する、追加のスイッチングトランジスタ（１４，２２）を備え、前記スイッチングトランジスタ（１２，２０）と前記追加のスイッチングトランジスタ（１４，２２）とは、互いに逆の極性を有し、
−  前記ノードと、前記追加のスイッチングトランジスタ（１４，２２）の制御電極と、の間に結合された追加の論理回路（１５）を備え、前記追加の論理回路は、前記検出トランジスタ（１６４）が導電性になる時に前記追加のスイッチングトランジスタ（１４，２２）を導電性にする論理機能を有する集積回路。
【請求項２】
前記論理回路（１３）と、前記追加の論理回路（１５）とは、前記第１及び第３の端子（１０ａ，ｃ）に各々結合された電源入力を有する、請求項１に記載の集積回路。
【請求項３】
追加のスイッチングトランジスタ（２０ａ）を備え、
前記スイッチングトランジスタ（２０）と前記追加のスイッチングトランジスタ（２０ａ）とは、並列に結合された主電流チャネルを有し、
前記論理回路（１３）は、前記スイッチングトランジスタ（２０）と前記追加のスイッチングトランジスタ（２０ａ）とを、個々にスイッチオフするための入力を有し、
前記論理回路（１３）は、前記検出トランジスタ（１６４）が導電性になる時に、両方の前記スイッチングトランジスタ（２０）と前記追加のスイッチングトランジスタ（２０ａ）とを導電性にするように構成されている、
請求項１に記載の集積回路。
【請求項４】
前記ハイパスフィルタ回路（１６０，１６２）のカットオフ周波数は、少なくとも、前記ハイパスフィルタ回路（１６０，１６２）が、前記集積回路（１０）の通常動作において前記制御回路（１１）により生成された任意の信号に応答して生成された全ての信号を遮断するだけ、高い、請求項１に記載の集積回路。
【請求項５】
前記集積回路の前記第２の端子（１０ｂ）と、第３の端子（１０ｃ）と、の間に結合された主電流チャネルを有する追加のスイッチングトランジスタ（１４，２２）を備え、
前記第３の端子（１０ｃ）は、ＤＣ−ＤＣ変換動作用の前記集積回路の電源入力として機能し、
前記ハイパスフィルタ回路（１６０，１６２）と、チャージャブル回路（１７）及び前記検出トランジスタ（１６４）の前記主電流チャネルの前記直列の配置とは、各々、前記第１及び第３の端子（１０ａ，ｃ）間に直列に、且つ、前記第２の端子（１０ｂ）に前記追加のスイッチングトランジスタ（１４，２２）の前記主電流チャネルを介して、結合されている、
請求項４に記載の集積回路。
【請求項６】
前記論理回路（１３）は、前記スイッチングトランジスタ（１２，２０）の前記制御電極と、前記第２の端子（１０ｂ）に直接的に又は間接的に結合される電源ノードと、の間に結合された主電流チャネルを有する論理トランジスタを備え、
前記論理トランジスタは、前記検出トランジスタ（１６４）の前記主電流チャネルと、前記チャージャブル回路（１７）と、の間の前記ノードに結合された制御電極を有し、そのため、前記論理トランジスタの前記制御電極の電圧は、前記検出トランジスタ（１６４）の前記主電流チャネルと、チャージャブル回路（１７）と、の間の前記ノードの論理レベルの１対１の関数である、請求項１に記載の集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月13日(2011.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
三次元積層形状を構成するための方法であって、
スプールに組み付けられる異なる幅を有する複数の積層ストリップから第１の積層ストリップを選択するステップと、
前記第１の積層ストリップを積層デバイス上に積層するステップと、
前記第１の積層ストリップを第１の積層長さにカットするステップと、
第２の積層ストリップを前記スプールから選択するステップと、
前記第２の積層ストリップを前記積層デバイス上に積層するステップと、
第１の積層長さと異なる第２の積層長さで前記第２の積層ストリップをカットして、電気力学的デバイスの界磁極のための三次元積層形状を構成するステップと、
を備える、方法。
【請求項２】
前記第１の積層ストリップおよび前記第２の積層ストリップがパンチ加工された積層特徴部を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の積層ストリップおよび前記第２の積層ストリップが空隙面プロファイルを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の積層ストリップおよび前記第２の積層ストリップが、積層幅パラメータ、積層長さパラメータ、積層空隙面パラメータ、積層体積層高さパラメータ、および、積層溶接パターンパラメータのうちの少なくとも１つから選択される積層パラメータにしたがって処理される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の積層ストリップを前記第２の積層ストリップにレーザ溶接するステップを更に備える、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月25日(2011.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
位置２におけるＸ1がＭ、Ｉ又はＬであり、位置３９におけるＸ2がＳ又はＣである、アミノ酸配列ＥＸ1ＲＮＡＹＷＥＩＡ ＬＬＰＮＬＴＮＱＱＫ ＲＡＦＩＲＫＬＹＤＤ ＰＳＱＳＳＥＬＬＸ2Ｅ ＡＫＫＬＮＤＳＱ（配列番号１）を含むＨＥＲ２結合ポリペプチド。
【請求項２】
位置５におけるＸ1がＭ、Ｉ又はＬであり、位置４２におけるＸ2がＳ又はＣである、アミノ酸配列ＹＡＫＥＸ1ＲＮＡＹＷ ＥＩＡＬＬＰＮＬＴＮ ＱＱＫＲＡＦＩＲＫＬ ＹＤＤＰＳＱＳＳＥＬ ＬＸ2ＥＡＫＫＬＮＤＳ Ｑ（配列番号２）を含む、請求項１に記載のＨＥＲ２結合ポリペプチド。
【請求項３】
ＡＥＡＫＹＡＫＥＸ1Ｒ ＮＡＹＷＥＩＡＬＬＰ ＮＬＴＮＱＱＫＲＡＦ ＩＲＫＬＹＤＤＰＳＱ ＳＳＥＬＬＸ2ＥＡＫＫ ＬＮＤＳＱ（配列番号３）、及び
ＥＳＥＫＹＡＫＥＸ1Ｒ ＮＡＹＷＥＩＡＬＬＰ ＮＬＴＮＱＱＫＲＡＦ ＩＲＫＬＹＤＤＰＳＱ ＳＳＥＬＬＸ2ＥＡＫＫ ＬＮＤＳＱ（配列番号４）、
から選択され、ここでいずれも位置９におけるＸ1がＭ、Ｉ又はＬであり、位置４６におけるＸ2がＳ又はＣである、アミノ酸配列を含む、請求項１又は２に記載のＨＥＲ２結合ポリペプチド。
【請求項４】
ＡＥＡＫＹＡＫＥＭＲ ＮＡＹＷＥＩＡＬＬＰ ＮＬＴＮＱＱＫＲＡＦ ＩＲＫＬＹＤＤＰＳＱ ＳＳＥＬＬＳＥＡＫＫ ＬＮＤＳＱＡＰＫＶＤ Ｃ（配列番号５）、及び
ＥＳＥＫＹＡＫＥＭＲ ＮＡＹＷＥＩＡＬＬＰ ＮＬＴＮＱＱＫＲＡＦ ＩＲＫＬＹＤＤＰＳＱ ＳＳＥＬＬＳＥＡＫＫ ＬＮＤＳＱＡＰＫ（配列番号６）、
から選択されるアミノ酸配列を含む、請求項３に記載のＨＥＲ２結合ポリペプチド。
【請求項５】
そのＮ末端にカップリングしたメルカプトアセチルを更に含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載のＨＥＲ２結合ポリペプチドであって、Ｎ3Ｓキレート剤モチーフによって構成されるキレート環境が、メルカプトアセチルのＳＨ基と一緒になってＮ末端からの最初の３つの連続したペプチド結合の窒素原子によって与えられるＨＥＲ２結合ポリペプチド。
【請求項６】
配列中に既に存在するか、又は更なるアミノ酸残基として存在するか、又はＨＥＲ２結合に関与しない表面に露出したアミノ酸残基を置換することによって存在するいずれかのシステイン残基を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載のＨＥＲ２結合ポリペプチド。
【請求項７】
請求項６に記載のＨＥＲ２結合ポリペプチドであって、システイン残基が配列番号５のＣ末端に位置するものか又は更なるシステインが配列番号１〜４若しくは６〜７のいずれか１つのＣ末端に位置しており、ここでシステイン残基には、場合により１つ又はそれ以上の他のアミノ酸残基が続き、そしてここでＮ3Ｓキレート剤モチーフによって構成されるキレート環境が、システイン残基のＳＨ基と一緒になって、システインによって構成されるアミノ酸残基及び２つの先行するアミノ酸残基の広がりの中の３つの連続したペプチド結合の窒素原子によって与えられる、ＨＥＲ２結合ポリペプチド。
【請求項８】
チオール基を介して、ポリペプチドにカップリングしたポリアミノポリカルボキシラートのキレート剤によって与えられるキレート環境を含む、請求項６に記載のＨＥＲ２結合ポリペプチド。
【請求項９】
ポリアミノポリカルボキシラートのキレート剤が、１，４，７，１０−テトラアザシクロドデカン−１，４，７，１０−四酢酸又はその誘導体、及び、ジエチレントリアミンペンタ酢酸又はその誘導体、から選択される、請求項８に記載のＨＥＲ２結合ポリペプチド。
【請求項１０】
アミノ酸配列が配列番号５で表される、請求項９に記載のＨＥＲ２結合ポリペプチド。
【請求項１１】
ＨＥＲ２結合ポリペプチドと放射性核種との放射性キレートから成る放射性標識化ポリペプチドであって、該放射性キレートが、
・請求項５または７に記載のＨＥＲ２結合ポリペプチドと、99mＴｃである医用画像に適した放射性核種とのものか、又は、86Ｒｅ及び188Ｒｅから成るグループから選択される治療に適した放射性核種とのもの；
・請求項８〜１０のいずれか１項に記載のＨＥＲ２結合ポリペプチドと、61Ｃｕ、64Ｃｕ、66Ｇａ、67Ｇａ、68Ｇａ、110mＩｎ、111Ｉｎ、44Ｓｃ及び86Ｙから成るグループから選択される医用画像に適した放射性核種とのものか、又は225Ａｃ、212Ｂｉ、213Ｂｉ、67Ｃｕ、166Ｈｏ、177Ｌｕ、212Ｐｂ、149Ｐｍ、153Ｓｍ、227Ｔｈ及び90Ｙから成るグループから選択される治療に適した放射性核種とのもの、ここで、放射性核種は、キレート環境を介してＨＥＲ２結合ポリペプチドと錯体を形成する；及び
・請求項６に記載のＨＥＲ２結合ポリペプチドと、211Ａｔ、76Ｂｒ、18Ｆ及びヨウ素同位体から成るグループから選択される医用画像及び／又は治療に適した放射性核種が、リンカー分子を介して結合しているもの；
から選択される、上記放射性標識化ポリペプチド。
【請求項１２】
18Ｆとリンカー分子を介して結合している配列番号５で表されるアミノ酸配列を含む、請求項１１に記載の放射性標識化ポリペプチド。
【請求項１３】
放射性核種が診断に用いるための画像化に適する、請求項１１又は１２に記載の放射性標識化ポリペプチド。
【請求項１４】
請求項１３に記載の診断に用いるための放射性標識化ポリペプチドであって、診断が以下の工程：
・放射性核種が画像化に適する請求項１１又は１２に記載の放射性標識ポリペプチドを、哺乳類対象の体内に投与すること；及び
・放射性標識ポリペプチドの投与の１〜７２時間以内に、医用画像機器を使用して、対象の体の少なくとも１部分の１つ又はそれ以上の画像、ここで、該画像は体の内部の放射性核種の存在を指示する、を取得すること；
を含む、上記放射性標識化ポリペプチド。
【請求項１５】
治療に使用するための、放射性核種が治療に適する請求項１１に記載の放射性標識化ポリペプチド。
【請求項１６】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のＨＥＲ２結合ポリペプチドから成る少なくとも１つの第一の部分、及び、連鎖球菌のタンパク質Ｇのアルブミン結合ドメインから成る少なくとも１つのさらなる部分、を含む、融合ポリペプチド。
【請求項１７】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のＨＥＲ２結合ポリペプチドから成る少なくとも１つの第一の部分、及び、治療への適用のための少なくとも１つの部分、を含む、融合ポリペプチド。
【請求項１８】
請求項１〜４及び６のいずれか１項に記載のポリペプチドをコードする核酸。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月21日(2011.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ処理システムであって、
第１ウェイ及び第２ウェイを有するマルチウェイ・キャッシュを含むプロセッサであって、前記第２ウェイは、前記第１ウェイに対して冗長であるか、又は、前記第１ウェイに対して独立した、前記マルチウェイ・キャッシュのアソシエイティブウェイとして動作するように構成可能である前記プロセッサと、
前記プロセッサに接続されたメモリと
を備え、
前記プロセッサは、前記マルチウェイ・キャッシュにおけるリードアドレスのミスに応答して、前記メモリに前記リードアドレスを供給する、データ処理システム。
【請求項２】
前記第２ウェイは、前記プロセッサの動作中にエラー検出指示に応答して前記第１ウェイに対して冗長となるように動的に構成される、請求項１に記載のデータ処理システム。
【請求項３】
前記第２ウェイが前記第１ウェイに対して冗長となるように構成される場合に、前記マルチウェイ・キャッシュにおける前記リードアドレスのヒットに応答して、前記リードアドレスのインデックス部分によりアドレス指定されたデータが、前記第１ウェイ及び前記第２ウェイから供給されて互いに比較され、比較エラーが存在するかどうかが検出される、請求項１に記載のデータ処理システム。
【請求項４】
前記第２ウェイが前記第１ウェイに対して冗長に構成される場合、パリティ計算は、前記第１ウェイ及び前記第２ウェイの各々からの前記リードアドレスのインデックス部分によりアドレス指定された前記データに対して実行され、前記リードアドレスの前記インデックス部分によりアドレス指定された前記データ内に格納された対応するパリティビットを比較して、パリティエラーが存在するかどうかが検出される、請求項３に記載のデータ処理システム。
【請求項５】
前記第１ウェイは、第１タグアレイ及び第１データアレイを含み、前記第２ウェイは、第２タグアレイ及び第２データアレイを含み、前記第２ウェイが前記第１ウェイに対して冗長に構成される場合、前記第２タグアレイは、前記第１タグアレイに対して冗長であり、前記第２データアレイは、前記第１データアレイに対して冗長であり、
前記マルチウェイ・キャッシュにおける前記リードアドレスのヒットに応答して、前記リードアドレスの前記インデックス部分によりアドレス指定される前記データは、互いに比較される前記第１タグアレイ及び前記第２タグアレイからの前記インデックス部分によりアドレス指定されたタグ情報、および互いに比較される前記第１データアレイ及び前記第２データアレイの両方からのインデックス部分によりアドレス指定されるデータ情報を含む、請求項３に記載のデータ処理システム。
【請求項６】
データ処理システムであって、
第１ウェイ及び第２ウェイを有するマルチウェイ・キャッシュを含み、第１モード及び第２モードにて動作するように構成されるプロセッサであって、前記第１モードの動作において、前記第１ウェイ及び前記第２ウェイは、互いに独立して、前記マルチウェイ・キャッシュのアソシエイティブウェイとしてそれぞれ動作し、前記第２モードの動作において、前記第２ウェイは、前記マルチウェイ・キャッシュにおけるリードアドレスのヒットに応答して、前記リードアドレスのインデックス部分によりアドレス指定されるデータが前記第１ウェイおよび第２ウェイから供給されて互いに比較され、その比較に応答して比較エラーが存在するか否かを示す比較エラー信号を供給するように第１ウェイに対して冗長である、前記プロセッサを含み、前記プロセッサは、前記マルチウェイ・キャッシュにおける前記リードアドレスのミスに応答して、前記プロセッサに対する外部のメモリに前記リードアドレスを供給する、データ処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月16日(2011.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光ビームを受けるための入射面及び前記入射光ビームを伝送するための出射面を持つスポット生成器であって、前記入射面は入口側を規定し、前記出射面は出口側を規定し、当該スポット生成器は、第１の焦点面に生成される第１のサブアレイの光スポット及び第２の焦点面に生成される第２のサブアレイの光スポットを前記出口側に生成するために前記入射光ビームを変調し、第１の焦点面及び第２の焦点面は、出射光ビームの平均伝播方向に対して基本的に垂直であり、第１のサブアレイ及び第２のサブアレイの光スポットは、前記出射光ビームの平均伝播方向に基本的に垂直な平面上で、それぞれの位置の投射において、前記スポット生成器により前記出口側に生成される他の何れの光スポットとは異なり、前記基本的に垂直な平面上で、第１のサブアレイ及び第２のサブアレイの光スポットのそれぞれの位置の投射がインターレースされる、スポット生成器。
【請求項２】
前記入射面及び前記出射面は、スポット生成器の対向し合う側にある、請求項１に記載のスポット生成器。
【請求項３】
前記入射面及び出射面が同一である、請求項１に記載のスポット生成器。
【請求項４】
第１のサブアレイの光スポットを生成するための第１の区域と、第２のサブアレイの光スポットを生成するための第２の区域とを有する、請求項１に記載のスポット生成器。
【請求項５】
第１のサブアレイの光スポット及び第２のサブアレイの光スポットの両方を生成するための複数の同一のユニット・セルを有する、請求項１に記載のスポット生成器。
【請求項６】
前記スポット生成器により出口側に生成されるあらゆる光スポットは、前記出射光ビームの平均伝播方向に対して基本的に垂直な平面のその位置の投射において、前記スポット生成器により出口側に生成される何れの他の光スポットとも異なる、請求項１に記載のスポット生成器。
【請求項７】
複数の別々の光スポットの光スポットは、同一のスペクトルを持つ、請求項１に記載のスポット生成器。
【請求項８】
周期的なバイナリのフェーズ構造体を有する、請求項１に記載のスポット生成器。
【請求項９】
請求項１に記載のスポット生成器と、前記スポット生成器を介して照明されるべきサンプルを保持するためのサンプル・アセンブリと、前記スポット生成器の第１及び第２の焦点面から光を収集するために配される撮像光学系と、前記撮像光学系により収集された光を検出するために配されるピクセル化された光検出器とを有するマルチ・スポット走査顕微鏡。
【請求項１０】
−サンプルの前にスポット生成器を配置するステップと、
−前記サンプル内に複数の別々の光スポットを生成するために、光ビームを前記スポット生成器に向けるステップであって、前記複数の光スポットは、第１の焦点面内の第１のサブアレイの光スポット及び第２の焦点面内の第２のサブアレイの光スポットを有し、第１の焦点面及び第２の焦点面は前記スポット生成器を離れる光ビームの平均伝播方向に対して基本的に垂直であり、第１のサブアレイ及び第２のサブアレイの光スポットは前記スポット生成器を離れる光ビームの前記平均伝播方向に対して基本的に垂直な平面上で、それぞれの位置の投射において、前記スポット生成器により前記サンプル内に生成される他のあらゆる光スポットと異なり、前記基本的に垂直な平面上で、第１のサブアレイ及び第２のサブアレイの光スポットのそれぞれの位置の投射がインターレースされる当該ステップと、
−第１の光スポットから光を検出すると共に、第２の光スポットからの光を同時に検出するステップとを有する、顕微鏡サンプルのイメージを生成する方法。
【請求項１１】
前記サンプルの３次元画像を生成する追加ステップを更に有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記サンプルのフェーズ・コントラスト画像を生成する追加ステップを更に有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
電子的に合焦する追加ステップを更に有する、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月10日(2011.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造体を形成する方法であって、
ａ）透明な支持体を用意するステップと；
ｂ）少なくとも第１のカラーパターン（少なくとも第１のカラーパターンは透明な支持体の第１の側にある）と第２のカラーパターンを有するマルチカラーマスクを形成するステップと； 
ｃ）パターン化された機能性材料の少なくとも２つの層、パターン化された機能性材料の第１および第２の層を形成するステップと、
を含み、パターン化された機能性材料の層の各々が、
ｉ）マルチカラーマスクを形成した後、支持体の第１の側に可視光に対して感受性の光パターン化可能な材料の層をコーティングすること、
ii）光パターン化可能な材料の層を、マルチカラーマスクを通して可視光に露光して、マルチカラーマスクの第１のカラーパターンおよび第２のカラーパターンのうちの１つに対応する光パターンを形成すること、ここで、当該光パターンはコーティングされたときの第１の状態とは異なる露光された第２の状態にある光パターン化可能な材料から構成される、
iii）光パターン化可能な材料のコーティング前または後に機能性材料の層を堆積すること、および
iv）得られるパターン化された機能性材料が第１のカラーパターンおよび第２のカラーパターンのうちの前記１つに対応するように光パターンを使用して機能性材料の層をパターン化すること、
により形成され、第１のカラーパターンおよび第２のカラーパターンはそれぞれ、パターン化された機能性材料の第１の層およびパターン化された機能性材料の第２の層をパターン化するためにそれぞれ使用され、少なくとも第１のカラーパターン、透明な支持体、およびパターン化された機能性材料の少なくとも２つの層が当該構造体中に残る、構造体を形成する方法。
【請求項２】
第１のカラーパターン上に光パターン化可能な材料の層をコーティングするのに先立って、第１のカラーパターン上に透明層をコーティングするステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第２のカラーパターンが透明な支持体の第１の側の反対側にある、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
第２のカラーパターンが透明な支持体の第１の側にあり、かつ、第１のカラーパターンと同じ層または異なる層中にある、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
光パターン化可能な材料の層を露光するために使用される光がマルチカラーマスクの色のうちの１つと適合するスペクトルを有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
光パターン化可能な材料の層を露光するために使用される可視光が白色光を含み、光パターン化可能な層がマルチカラーマスクの色のうちの１つと適合するスペクトルを有する光に対してのみ感受性である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記マルチカラーマスクが、前記構造体とは別の基材上に予め形成された後に透明な支持体上に積層される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記マルチカラーマスクが前記透明な支持体上に直接印刷される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記光パターン化可能な層が、重合可能な化合物と当該重合可能な化合物の光重合のための開始剤システムを含み、当該開始剤システムは光開始剤として画像形成輻射線を吸収して特定の色波長範囲内だけで励起状態に達することのできる染料を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
さらなるステップにおいて、透明な支持体が、マルチカラーマスクの反対側で、紫外線により硬化可能な材料で被覆されており、当該材料は紫外線マスキング層を通して露光される、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
透明な支持体と、当該支持体上の少なくとも２つの着色パターンを有するマルチカラーマスクと、前記支持体の少なくとも１つの着色パターンと同じ側にあり、かつ、当該少なくとも１つの着色パターンと位置合わせされているパターン化された機能性材料の少なくとも２つの層とを含む物品。
【請求項１２】
前記物品がトランジスタを構成する、請求項１１に記載の物品。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月10日(2011.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
米国特許第７，１９９，９２４号は、広帯域幅レーザーのＳＢＣによって引き起こされる前記角分散を、２つの平行な回折格子を直列に使用して克服する方法を開示する。第１の回折格子がビームレットのアレイで角分散を起こすと、第２の回折格子上でビームレットが重なりあう結果となり、そこで角分散が取り除かれ、前期ビームレットは重なり合いながら順伝播する。しかし、この方法は確かに角分散を排除するが、それは、結合面で各ビームレットのスペクトル成分が横方向に分散するという代償がある。これは、ビームレットに"空間チャープ（ｓｐａｔｉａｌ  ｃｈｉｒｐ）"を与えることとして知られている。当該空間チャープは、通常は拡大中に起こり得るビームレット拡散の同時減少がない状態のまま、第二の回折格子上での前記ビームレットのスポットサイズを大きくする。それはすなわちＢＰＰの増加と見なされ、光線品質の損失に相当する。空間チャープ由来の光線品質の損失は、角分散によって起こり得る光線品質の損失と同等である。
高出力ファイバーレーザーの帯域幅を狭める試みが進められるなか、狭帯域出力（例えば、数ＧＨｚ）に関する前記先行技術は、１ｋＷ以下でしかない。従って、複数の広帯域幅レーザー出力を、構成要素であるそれぞれの光線と実質的に同じ光線品質を示すような単一の光線へと結合する、改良済みＳＢＣ技術とは、出力パワーが１ｋＷより高いファイバーレーザーを結合するか、若しくは、如何なる出力レベルの入力ファイバーレーザーアレイについて、狭スペクトル帯域幅の必要性の緩和をすることが必要である。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【特許文献１】  米国特許第７２３３４４２号明細書
【特許文献２】  米国特許出願公開第２００１／００３６００２号明細書
【特許文献３】  米国特許出願公開第２００５／０２３２１８２号明細書
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月21日(2011.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも部分的にデータ処理システムによって実現される方法であって、前記方法は、ユーザ・プロファイルを生成し、前記方法は、
ユーザに関連付けられた複数のディジタル画像レコードからの画像コンテンツの解析に基づいて１つ又は複数の傾向を識別する工程であって、各傾向が、複数のディジタル画像レコード間の共通性を表し、前記共通性は、イベント、場所、時間、及び無生物（人を除く）のうちの少なくとも１つに関係する工程と、
少なくとも前記傾向の解析に基づいて、複数のユーザ関心事を識別する工程と、
少なくとも前記ユーザ関心事に基づいて、前記ユーザに関連付けられたユーザ・プロファイルを生成する工程と、
前記ユーザ・プロファイルを、プロセッサ・アクセス可能なメモリ・システムに記憶する工程と
を含む方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法であって、少なくとも前記傾向の解析に基づいてユーザ選好を識別する工程を更に含み、前記ユーザ選好は、前記ユーザ関心事のうちの少なくとも２つを関係付け、前記ユーザ・プロファイルは、少なくとも前記ユーザ選好に基づいて更に生成又は更新される方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法であって、前記ユーザ関心事の少なくとも１つは、少なくとも、前記傾向のうちの少なくとも２つの解析に基づいて識別される方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月16日(2011.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
図４の実施形態では、１つの両面基板２９０が存在するが、両面基板の総数は、同じ数の光学素子に対して従来技術（図７）より１つ減っており、これにより、ウェハ上に光学素子を両面複製することに関する労力が削減される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
図６は、図５と類似の光学デバイスを示す。相違するのは、底部外側基板部分２３０’をＣＭＯＳその他の半導体ウェハの一部によって構成することである。この部分２３０’は、好ましくは撮像素子等の電気光学部品を担持する。本例ではＣＭＯＳウェハ等である底部基板２３０’は、ダイシングに先立ってスタックに取り付けられる。これにより、下部空洞部２６４内の光学素子２６８は、底部基板部分２３０’上の電気光学部品とともに、空洞部の側面壁（スペーサ手段）および隣接する基板部分２３０’，２９０’によって良好に保護される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月7日(2011.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の洗浄剤であって、前記高分子化合物は、ポリアクリルアミド（ＰＡＭ）、ポリアクリル酸（ＰＡＡ）（Ｃａｒｂｏｐｏｌ  ９４０（商標）およびＣａｒｂｏｐｏｌ  ９４１（商標）など）、ＰＡＭおよびＰＡＡのコポリマ、ポリ−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド）（ＰＤＭＡＡｍ）、ポリ−（Ｎ−イソプロピルアクリルアミド）（ＰＩＰＡＡｍ）、ポリメタクリル酸（ＰＭＡＡ）、ポリメタクリルアミド（ＰＭＡＡｍ）などのアクリルポリマ；ポリエチレンイミン（ＰＥＩ）、ポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）、ポリプロピレンオキシド（ＰＰＯ）などのポリイミンおよび酸化物；ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリエチレンスルホン酸（ＰＥＳＡ）、ポリビニルアミン（ＰＶＡｍ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、ポリ−４−ビニルピリジン（Ｐ４ＶＰ）などのビニルポリマ；メチルセルロース（ＭＣ）、エチルセルロース（ＥＣ）、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）、カルボキシメチルセルロース（ＣＭＣ）などのセルロース誘導体；アカシア、寒天およびアガロース、ヘパリン、グアーガム、キサンタンゴムなどの多糖類；アルブミン、コラーゲン、グルテンなどのタンパク質、からなる群より選択される洗浄剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の洗浄剤であって、前記分子量は、約０．１Ｍｇ／ｍｏｌから約１００Ｍｇ／ｍｏｌの間である洗浄剤。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の洗浄剤であって、前記洗浄剤中の前記ポリマの重量パーセントは、約０．００１％から約１０％の間である洗浄剤。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の洗浄剤であって、さらに、
前記洗浄溶液中の前記ポリマを分散または湿潤させるのを補助するために界面活性剤を含む洗浄剤。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の洗浄剤であって、前記洗浄剤は、液体、ゾル、または、ゲルの形態の流体である洗浄剤。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
図２Ｂは、パターニング済み基板への洗浄剤の適用に関連した３つの反応曲線を示す図である。曲線２０１’は、洗浄剤によってパターニング済み基板に与えられるエネルギに対する強度を示している。洗浄剤によって与えられる強度は、ＥP’で最大となる。曲線２０２’は、基板に適用されたエネルギに対する粒子除去速度を示す。粒子除去速度は、ＥR’付近で最大になる。洗浄剤によって与えられるエネルギがＥR’に達すると、洗浄剤が基板表面から粒子を除去する効率は最大になる。曲線２０３’は、洗浄剤によって基板表面に与えられるエネルギの関数として、洗浄剤によって引き起こされるデバイス構造の損傷量を示す。基板上のデバイス構造は、洗浄剤によって与えられるエネルギの分布の上限ＥN’よりも小さいＥS’以上で損傷を受ける。デバイス構造の損傷曲線２０３’は、洗浄剤がパターニング済み基板に与えるエネルギの分布２０１’の範囲内にあるため、パターニング済み基板上のデバイス構造は、洗浄剤によって損傷を受け、粒子（または、欠陥）を増やす。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
図４Ｄは、基板４２０上に洗浄剤を供給する洗浄ヘッド４２０’’の断面図である。洗浄剤は、洗浄剤供給ライン４６０につながる供給口を通して供給され、真空ライン４６５につながる真空口によって基板４２０の表面から除去される。洗浄剤は、洗浄ヘッド４２０’’および基板４２０の間にメニスカス４３０’を形成する。さらに、表面張力低下ガスの供給ライン４６７につながる表面張力低下ガスの供給口（図示せず）が設けられており、基板４２０の表面の表面張力を低減させるために用いられる。一実施形態において、表面張力低下ガスは、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）および窒素（Ｎ2）の混合物を含む。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
図４Ｅは、上側洗浄ヘッド（すなわち近接ヘッド）４１０、下側洗浄ヘッド（すなわち近接ヘッド）４１０’、および、支持構造４１９を含む洗浄剤供給アセンブリ４１８を備えた洗浄システム４００’の一実施形態を示す。上側洗浄ヘッド４１０は、下側洗浄ヘッド４１０’の鏡像にあたる。洗浄剤供給アセンブリ４１８は、制御部４１９によって制御される。基板４２０は、基板ホルダ４２４によって保持されており、上側及び下側洗浄ヘッド４１０、４１０’の間を、４６６の方向に通過する。上側および下側洗浄ヘッド４１０、４１０’を用いると、基板の前面および背面の両方が、同時に洗浄される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月25日(2011.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部に放熱するために基板を貫通するサーマルビアを有するセラミック基板であって、
前記セラミック基板が、前記サーマルビアの開口を２つ以上の区域に分割する補強構造を有し、前記補強構造の高さが前記サーマルビアの高さよりも小さい
前記セラミック基板。
【請求項２】
外部に放熱するために基板を貫通するサーマルビアを有するセラミック基板を製造するための方法であって、
（１）セラミック基板を提供するステップと、
（２）サンドブラストまたはレーザもしくは電子ビーム切断によって、前記セラミック基板に、補強構造を有するサーマルビアを形成するステップとを含み、前記補強構造が、前記サーマルビアの開口を２つ以上に分割し、前記補強構造の高さが前記サーマルビアの高さよりも小さい
前記方法。
【請求項３】
外部に放熱するために基板を貫通するサーマルビアを有するセラミック基板を製造するための方法であって、前記サーマルビアが補強構造を有し、
（１）サーマルビアの開口を２つ以上に分割する補強構造で形成されていないサーマルビアを有するセラミック未加工シート（ａ）と、サーマルビアの開口を２つ以上に分割する補強構造で形成されたセラミック未加工シート（ｂ）とを準備するステップと、
（２）前記セラミック未加工シートを一体に積層し、それにより、前記サーマルビアの開口を２つ以上に分割し、前記サーマルビアの高さよりも小さい高さの補強構造を有する積層未加工シートを形成するステップと、
（３）前記積層未加工シートを焼成するステップと
を含む前記方法。
【請求項４】
請求項１に記載のセラミック基板を備える電子コンポーネント。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
表に示されるように、本発明の補強構造を有するサーマルビアは、本発明の範囲外のサーマルビアよりもはるかに高い充填剤保持率を有していた。
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
１．外部に放熱するために基板を貫通するサーマルビアを有するセラミック基板であって、
前記セラミック基板が、前記サーマルビアの開口を２つ以上の区域に分割する補強構造を有し、前記補強構造の高さが前記サーマルビアの高さよりも小さい
前記セラミック基板。
２．前記補強構造の高さを「ａ」、前記サーマルビアの高さを「ｈ」とした場合に、ａ／ｈが０．１〜０．８であり、前記補強構造の上部面積を「ｂ」、前記サーマルビアの開口面積を「ｓ」とした場合に、ｂ／ｓが０．１０〜０．８０であり、前記サーマルビアの開口面積を「ｓ」、サーマルビアの側面積を「ｔ」とした場合に、ｔ／ｓが４．０以下である前記１に記載のセラミック基板。
３．前記セラミック基板が、アルミナ、窒化アルミニウム、酸化ジルコニア、およびガラスからなる群から選択される無機化合物から形成される前記１に記載のセラミック基板。
４．銀、パラジウム、金、白金、銅、アルミニウム、およびニッケルからなる群から選択される１つまたは複数の金属を含む材料が前記サーマルビアに充填される前記１に記載のセラミック基板。
５．良好な熱伝導性を有し、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ダイヤモンド、およびグラファイトからなる群から選択される材料も前記サーマルビアに充填される前記４に記載のセラミック基板。
６．外部に放熱するために基板を貫通するサーマルビアを有するセラミック基板を製造するための方法であって、
（１）セラミック基板を提供するステップと、
（２）サンドブラストまたはレーザもしくは電子ビーム切断によって、前記セラミック基板に、補強構造を有するサーマルビアを形成するステップとを含み、前記補強構造が、前記サーマルビアの開口を２つ以上に分割し、前記補強構造の高さが前記サーマルビアの高さよりも小さい
前記方法。
７．外部に放熱するために基板を貫通するサーマルビアを有するセラミック基板を製造するための方法であって、前記サーマルビアが補強構造を有し、
（１）サーマルビアの開口を２つ以上に分割する補強構造で形成されていないサーマルビアを有するセラミック未加工シート（ａ）と、サーマルビアの開口を２つ以上に分割する補強構造で形成されたセラミック未加工シート（ｂ）とを準備するステップと、
（２）前記セラミック未加工シートを一体に積層し、それにより、前記サーマルビアの開口を２つ以上に分割し、前記サーマルビアの高さよりも小さい高さの補強構造を有する積層未加工シートを形成するステップと、
（３）前記積層未加工シートを焼成するステップと
を含む前記方法。
８．前記１に記載のセラミック基板を備える電子コンポーネント。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月8日(2011.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの金属体（１５）と積層体（１７）とを備えているオプトエレクトロニクス部品（１０）であって、前記積層体（１７）が、基体（１１）の上に貼り付けられており、電磁放射を放出するように具体化されており、少なくとも１つの側面領域に絶縁部（１２）が形成されており、
前記少なくとも１つの金属体（１５）が、前記絶縁部（１２）の少なくとも一領域に形成されており、自身が前記基体（１１）に熱伝導的に接触しているように具体化されている、
オプトエレクトロニクス部品（１０）。
【請求項２】
前記絶縁部（１２）が、絶縁層として、または絶縁積層体として具体化されている、請求項１に記載のオプトエレクトロニクス部品（１０）。
【請求項３】
前記絶縁層または前記絶縁積層体が、パッシベーション層もしくは少なくとも１つの空気層、またはその両方を有する、請求項２に記載のオプトエレクトロニクス部品（１０）。
【請求項４】
前記金属体（１５）が、前記積層体（１７）の少なくとも３つの側面領域を囲む、
請求項１から請求項３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品（１０）。
【請求項５】
前記金属体（１５）が、前記積層体（１７）の４つの側面領域全てを囲む金属境界部として設計されている、請求項１から請求項４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品（１０）。
【請求項６】
前記少なくとも１つの金属体（１５）が前記積層体（１７）のためのカットアウトを有する金属マスク（４０）として具体化されている、請求項１から請求項５のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品（１０）。
【請求項７】
前記金属体（１５）が、リング形状の構造を有する、請求項１から請求項６のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品（１０）。
【請求項８】
前記基体（１１）が、セラミック体として、不動態化されたシリコンボディとして、または不動態化された金属体として、具体化されている、請求項１から請求項７のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品（１０）。
【請求項９】
前記基体（１１）とは反対側の前記積層体（１７）の表面、の少なくとも一領域に、電流分散構造（１４）が形成されている、請求項１から請求項８のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品（１０）。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの金属体（１５）が、前記電流分散構造（１４）と、前記オプトエレクトロニクス部品（１０）との電気接続を形成する電気接続領域（１６）とに、導電接触している、請求項９に記載のオプトエレクトロニクス部品（１０）。
【請求項１１】
少なくとも１種類の蛍光体を備えている変換層（２０ａ）であって、前記基体（１１）とは反対側の前記積層体（１７）の表面、の少なくとも一領域上に形成されており、かつ、前記少なくとも１つの金属体（１５）に熱伝導的に接触している、前記変換層、
を備えている、請求項１から請求項１０のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品（１０）。
【請求項１２】
少なくとも１種類の蛍光体を備えている変換セラミック（２０ｂ）であって、前記基体（１１）とは反対側の前記金属体（１５）の表面、の少なくとも一領域上に貼り付けられており、かつ、前記少なくとも１つの金属体（１５）に熱伝導的に接触している、前記変換セラミック、
を備えている、請求項１から請求項１１のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品（１０）。
【請求項１３】
前記金属体（１５）が、前記変換セラミック（２０ｂ）の支持キャリアとしての役割を果たす、請求項１２に記載のオプトエレクトロニクス部品（１０）。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの金属体（１５）が、構成成分Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉのうちの少なくとも１つを備えている、請求項１から請求項１３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品（１０）。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの金属体（１５）が、前記電磁放射を所定の放出方向に反射する反射器として具体化されている、請求項１から請求項１４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品（１０）。
【請求項１６】
前記少なくとも１つの金属体（１５）が電解法によって作製されている、請求項１から請求項１５のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月12日(2011.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能的要素として複数のレンズ（９ａ、９ｂ）を載置する少なくとも上側ウェハ（２）を、さらなる機能的要素（９ｃ）を備える少なくとも１つのさらなるウェハ（４）上に積層することによってウェハ積層体（８）を作製し、ウェハ積層体（８）を複数の一体化された光学装置（１０）に分離することによって一体化された光学装置（１０）を作製するための方法であって、上側およびさらなるウェハ（２、４）の対応する機能的要素は互いと整列されかつ複数の主光軸（１４）を規定し、各々の軸は１つの一体化された光学装置（１０）に対応し、
一体化された光学装置（１０）の一部として日除けプレートを設けるために、方法は、
・複数の貫通孔（６）を備える日除けプレート（１）を設けるステップを備え、貫通孔（６）は、上側ウェハ（２）上の機能的要素の配置に対応するように配置され、さらに
・上側ウェハ（２）上に日除けプレート（１）を積層するステップを備え、貫通孔（６）は前記主光軸（１４）と整列され、
貫通孔（６）の側面（７）は先細にされており、日除けプレート（１）の法線に対して２０−４０°の間の角度を有することを特徴とする、方法。
【請求項２】
ウェハ積層体（８）を個別の光学装置（１０）に分離する前に日除けプレート（１）上に透明なカバープレート（５）を積層するさらなるステップを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
一体化された光学装置（１０）の作製のためのウェハ積層体（８）であって、ウェハ積層体（８）は、機能的要素として複数のレンズ（９ａ、９ｂ）を載置する少なくとも上側ウェハ（２）と、さらなる機能的要素（９ｃ）を備える少なくとも１つのさらなるウェハ（４）とを備え、上側ウェハ（２）はさらなるウェハの上に積層され、上側およびさらなるウェハ（２、４）の対応する機能的要素は互いと整列されかつ複数の主光軸（１４）を規定し、
ウェハ積層体（８）は、複数の貫通孔（６）を備える日除けプレート（１）をさらに備え、日除けプレート（１）は上側ウェハ（２）上に積層され、貫通孔（６）は前記主光軸（１４）と整列され、
貫通孔（６）の側面（７）は先細にされており、日除けプレート（１）の法線に対して２０−４０°の間の角度を有することを特徴とする、ウェハ積層体（８）。
【請求項４】
日除けプレート（１）上に積層される透明なカバープレート（５）をさらに備える、請求項３に記載のウェハ積層体（８）。
【請求項５】
貫通孔（６）の側面（７）は、日除けプレート（１）の法線に対して２５−３５°の間の角度を有する、請求項３または４に記載のウェハ積層体（８）。
【請求項６】
日除けプレート（１）の厚みは０．１から１ｍｍの範囲にある、請求項３から５のうち１項に記載のウェハ積層体（８）。
【請求項７】
日除けプレート（１）は光学的に非透明の材料からなる、請求項３から６のうち１項に記載のウェハ積層体（８）。
【請求項８】
前記ウェハ積層体（８）を複数の一体化された光学装置（１０）にダイシングにより分離することによって請求項３から７のうち１項に記載のウェハ積層体から製造される一体化された光学装置（１０）。