【手続補正書】
【提出日】平成24年2月13日(2012.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光起電性の導電性フィーチャを形成するプロセスであって、
シリコン層上に配置された保護層を含む基板を提供するステップと、
塩を含む表面改質材料を前記保護層の少なくとも一部の上に堆積させるステップと、
前記基板の少なくとも一部の上に、金属ナノ粒子を含む組成物を堆積させるステップであって、前記塩は前記金属ナノ粒子を凝集させるステップと、
前記シリコン層と電気接触する光起電性の導電性フィーチャの少なくとも一部を前記組成物が形成するように、前記組成物を加熱するステップであって、前記組成物のうち少なくとも１つまたは前記表面改質材料が前記保護層の一領域をエッチングするステップと、
を含む、プロセス。
【請求項２】
前記組成物は、前記表面改質材料のうち少なくとも一部の上に堆積される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記金属ナノ粒子は１０ナノメートルから３００ナノメートルの体積平均粒径を有する、請求項１に記載のプロセス。
【請求項４】
前記組成物は前記金属前駆体をさらに含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項５】
前記金属ナノ粒子は１０ナノメートルから１００ナノメートルの体積平均粒径を有する、請求項１に記載のプロセス。
【請求項６】
前記表面改質材料は複数の塩を含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項７】
前記塩はフッ化物を含む有機塩を含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項８】
前記塩はカチオン性ポリマー含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項９】
前記塩は前記保護層をエッチングする、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１０】
前記塩はリン酸塩、硝酸塩、硫酸塩、またはカルボキシレートを含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１１】
前記表面改質材料は前記保護層をエッチングする、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１２】
前記組成物は前記保護層をエッチングする、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１３】
前記表面改質材料は前記組成物の拡散を防止する、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１４】
前記加熱するステップが、前記組成物の少なくとも1つまたは前記表面改質材料が前記保護層の前記領域のエッチングを引き起こす、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１５】
前記金属は、銀、銅、金、パラジウム、白金、ニッケル、コバルト、亜鉛、モリブデン、タングステン、ルテニウム、チタン、およびその合金からなる群から選択される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１６】
前記金属ナノ粒子は連続的なまたは非連続的なキャップまたはコーティングを自身の上に含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１７】
前記キャップまたはコーティングは、有機物のキャップまたはコーティングを含む、請求項１６に記載のプロセス。
【請求項１８】
前記キャップまたはコーティングはポリマーを含む、請求項１６に記載のプロセス。
【請求項１９】
前記キャップまたはコーティングは、真性導電性のポリマー、スルホン化パーフルオロハイドロカーボンポリマー、ポリスチレン、ポリスチレン／メタクリレート、ナトリウムビス（２−エチルヘキシル）スルホサクシネート、テトラ−ｎ−オクチル−臭化アンモニウムまたはアルカンチオレートを含む、請求項１６に記載のプロセス。
【請求項２０】
前記キャップまたはコーティングは、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）を含む、請求項１６に記載のプロセス。
【請求項２１】
前記キャップまたはコーティングはセラミック材料を含む、請求項１６に記載のプロセス。
【請求項２２】
前記セラミック材料は複数の金属酸化物の混合物を含む、請求項２１に記載のプロセス。
【請求項２３】
前記セラミック材料は、シリコン、亜鉛、ジルコニウム、アルミニウム、チタン、ルテニウム、スズ、セリウム、鉛、ストロンチウム、ナトリウム、カルシウム、ビスマス、ホウ素、リチウム、およびリンのうち少なくとも１つの酸化物を含む、請求項２１に記載のプロセス。
【請求項２４】
前記金属は銀を含み、前記セラミック材料はガラスを含む、請求項２１に記載のプロセス。
【請求項２５】
前記表面改質材料はセラミック粒子をさらに含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項２６】
前記セラミック粒子は複数の金属酸化物の混合物を含む、請求項２５に記載のプロセス。
【請求項２７】
前記セラミック粒子は、シリコン、亜鉛、ジルコニウム、アルミニウム、チタン、ルテニウム、スズ、セリウム、鉛、ストロンチウム、ナトリウム、カルシウム、ビスマス、ホウ素、リチウムまたはリンのうち少なくとも１つの酸化物を含む、請求項２５に記載のプロセス。
【請求項２８】
前記組成物はセラミック粒子をさらに含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項２９】
前記セラミック粒子は複数の金属酸化物の混合物を含む、請求項２８に記載のプロセス。
【請求項３０】
前記セラミック粒子は、シリコン、亜鉛、ジルコニウム、アルミニウム、チタン、ルテニウム、スズ、セリウム、鉛、ストロンチウム、ナトリウム、カルシウム、ビスマス、ホウ素、リチウムまたはリンのうち少なくとも１つの酸化物を含む、請求項２８に記載のプロセス。
【請求項３１】
前記表面改質材料は、前記保護層をエッチングしてエッチングされた領域を形成し、前記組成物が前記エッチングされた領域に堆積する、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３２】
前記保護層のエッチングに有効な条件下で前記表面改質材料を加熱するステップをさらに含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３３】
前記表面改質材料を加熱するステップが、前記組成物の堆積より前に行われる、請求項３２に記載のプロセス。
【請求項３４】
前記表面改質材料を加熱するステップが、前記組成物の堆積と同時に行われる、請求項３２に記載のプロセス。
【請求項３５】
前記加熱するステップが、前記組成物を１０００℃以下に加熱するステップを含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３６】
前記光起電性の導電性フィーチャは、１組のフィンガーライン、および前記フィンガーラインに対して実質的に直角に堆積されたバスバーを含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３７】
前記平行フィンガーラインの幅は２００μｍ未満である、請求項３６に記載のプロセス。
【請求項３８】
前記平行フィンガーラインの幅は１００μｍ未満である、請求項３６に記載のプロセス。
【請求項３９】
前記光起電性の導電性フィーチャの厚さは０．５μｍよりも大きい請求項１に記載のプロセス。
【請求項４０】
前記光起電性の導電性フィーチャの厚さは１μｍよりも大きい請求項１に記載のプロセス。
【請求項４１】
前記光起電性の導電性フィーチャの厚さは５μｍよりも大きい請求項１に記載のプロセス。
【請求項４２】
前記組成物は、リソグラフィー印刷、グラビア印刷、フレキソ印刷、光パターニング印刷、ドロップオンデマンド印刷、シリンジ印刷およびエアロゾル噴射からなる群から選択された方法により堆積される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項４３】
前記組成物はスクリーン印刷により堆積される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項４４】
前記組成物は直接描画印刷により堆積される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項４５】
前記組成物はインクジェット印刷により堆積される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項４６】
光起電性の導電性フィーチャを形成するプロセスであって、
シリコン層上に配置された保護層を含む基板を提供するステップと、
塩を含む表面改質材料を前記保護層の少なくとも一部の上に堆積させるステップと、
前記基板の少なくとも一部の上に、金属ナノ粒子および金属前駆体を含む組成物を堆積させるステップであって、前記塩は前記金属ナノ粒子を凝集させ、前記金属前駆体の金属を金属へ析出させるステップと、
前記シリコン層と電気接触する光起電性の導電性フィーチャの少なくとも一部を前記組成物が形成するように前記組成物を加熱するステップであって、前記組成物のうち少なくとも１つまたは前記表面改質材料が前記保護層の一領域をエッチングするステップと、
を含む、プロセス。
【請求項４７】
前記金属前駆体はアニオンを含み、前記アニオンは前記保護層をエッチングする、請求項４６に記載のプロセス。