【手続補正書】
【提出日】平成24年7月10日(2012.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電圧を印加したときに第１のピーク波長を有する光を放出するように構成された半導体発光素子（ＬＥＤ）と、
前記ＬＥＤによって放出された光を受け取り、前記受け取った光の少なくとも一部分を前記第１のピーク波長より長い波長を有する光に変換するように構成された前記ＬＥＤ上の第１および第２の蛍光体含有領域と、
前記第１の蛍光体含有領域と前記第２の蛍光体含有領域との間の光散乱層であって、蛍光変換素子を含まずに光散乱粒子を含む光散乱層と、
を含み、
前記ＬＥＤによって放出された光線が前記第２の蛍光体含有領域を通過する前に前記第１の蛍光体含有領域を通過するように、前記第１の蛍光体含有領域が前記第２の蛍光体含有領域と前記ＬＥＤとの間にあり、
前記第１の蛍光体含有領域が前記ＬＥＤによって放出された光を第２のピーク波長を有する光に変換するように構成され、前記第２の蛍光体含有領域が前記ＬＥＤによって放出された光を前記第２のピーク波長より短い第３のピーク波長を有する光に変換するように構成される、半導体デバイス。
【請求項２】
前記第２の蛍光体含有領域上であって、前記第１の蛍光体含有領域から遠い第３の蛍光体含有領域をさらに含み、前記第３の蛍光体含有領域が、前記ＬＥＤによって放出された光を前記第２のピーク波長より短く、前記第３のピーク波長より短い第４のピーク波長を有する光に変換するように構成される、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記第１のピーク波長がＵＶ波長を含み、前記第１の蛍光体が赤色蛍光体を含み、前記第２の蛍光体が緑色／黄色蛍光体を含み、前記第３の蛍光体が青色蛍光体を含む、請求項２記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記第１の蛍光体含有領域が第１の励起領域を有する第１の蛍光体を含み、前記第２の蛍光体含有領域が第２の励起領域を有する第２の蛍光体を含み、前記第１のピーク波長は前記第１および第２の励起領域内にあり、前記第２のピーク波長は前記第２の励起領域外にある、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記第２の蛍光体含有領域の発光スペクトラムは少なくとも部分的に前記第１励起領域内にある、請求項４記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記第１のピーク波長は青色波長又はＵＶ波長を含み、前記第１の蛍光体は赤色蛍光体を含み、前記第２の蛍光体は緑色／黄色蛍光体を含む、請求項４記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記中間層がトランスフレクティブ層を含む、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記第１のピーク波長が４００〜５００ｎｍであり、前記第２のピーク波長が５８０〜６７０ｎｍであり、前記第３のピーク波長が５００〜５８０ｎｍである、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記第１の蛍光体含有領域とは反対側の前記第２の蛍光体含有領域の表面が、光抽出用にテクスチャ付けされる、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
前記第１の蛍光体含有領域が前記ＬＥＤ構造上に複数の個別蛍光体含有領域を含み、前記第２の蛍光体含有領域が前記ＬＥＤから遠い前記複数の個別蛍光体含有領域上に前記ＬＥＤ構造を横切って延びる蛍光体含有マトリックス材料の層を含む、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項１１】
前記蛍光体含有領域が、前記ＬＥＤ構造上の蛍光体含有マトリックス材料のアイランドを含む、請求項１０記載の半導体デバイス。
【請求項１２】
前記蛍光体含有領域が前記ＬＥＤ構造内のくぼみを含む、請求項１０記載の半導体デバイス。
【請求項１３】
電圧を印加したときに第１のピーク波長を有する光を放出するように構成された半導体発光素子（ＬＥＤ）と、
前記ＬＥＤによって放出された光を受け取り、前記受け取った光の少なくとも一部分を前記第１のピーク波長より長い波長を有する光に変換するように構成された前記ＬＥＤ上の複数の第１および第２の蛍光体含有領域と、
を含み、
前記第１および第２の蛍光体含有領域が前記ＬＥＤ構造の表面上に個別蛍光体含有領域を含み、
前記第１の蛍光体含有領域が、前記ＬＥＤによって放出された光を第２のピーク波長を有する光に変換するように構成され、前記第２の蛍光体含有領域が、前記ＬＥＤによって放出された光を前記第２のピーク波長より短い第３のピーク波長を有する光に変換するように構成され、
前記第１および第２の個別蛍光体含有領域が、前記ＬＥＤ構造の前記表面上に相互に間隔を開けて配置される、半導体デバイス。
【請求項１４】
前記間隔を開けて配置した第１および第２の個別蛍光体含有領域のうちの隣接する領域間に中間材料をさらに含む、請求項１３記載の半導体デバイス。
【請求項１５】
前記中間材料が前記第１の個別蛍光体含有領域より低い屈折率を有する、請求項１４記載の半導体デバイス。
【請求項１６】
前記中間材料が前記第２の個別蛍光体含有領域より高い屈折率を有する、請求項１５記載の半導体デバイス。
【請求項１７】
前記第１の個別蛍光体含有領域が緑色／黄色蛍光体を含み、前記第２の個別蛍光体含有領域が赤色蛍光体を含む、請求項１６記載の半導体デバイス。
【請求項１８】
光を放出するように構成された活性領域と、前記放出光を伝導するように構成されたウィンドウ層とを含む半導体デバイスを形成する方法であって、
電流に応答して第１のピーク波長を有する光を放出するように構成されたＬＥＤ構造の表面上に第１の複数の個別蛍光体含有領域を形成するステップと、
前記ＬＥＤ構造の前記表面上に第２の複数の個別蛍光体含有領域を形成するステップと、
前記第１および第２の個別蛍光体含有領域を含む前記ＬＥＤ構造上にオーバレイヤを形成するステップであって、前記オーバレイヤが、前記第１および第２の個別蛍光体含有領域内の蛍光体とは異なる蛍光体を含むステップと、
を含み、
前記第１の個別蛍光体含有領域が前記ＬＥＤによって放出された光を第２のピーク波長を有する光に変換するように構成され、前記オーバレイヤが前記ＬＥＤによって放出された光を前記第２のピーク波長より短い第３のピーク波長を有する光に変換するように構成され、前記第２の個別蛍光体含有領域が前記ＬＥＤによって放出された光を第４のピーク波長を有する光に変換するように構成される、方法。
【請求項１９】
前記個別蛍光体含有領域が第１の励起領域を有する第１の蛍光体を含み、前記オーバレイヤが第２の励起領域を有する第２の蛍光体を含み、前記第１のピーク波長が前記第１および第２の励起領域内にあり、前記第２のピーク波長が前記第１の励起領域の外側にある、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
前記第２の蛍光体の発光スペクトルが、少なくとも部分的に前記第１の励起領域内にある、請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
前記半導体デバイスからの光抽出を増加するように前記オーバレイヤにテクスチャ付けするステップをさらに含む、請求項１８記載の方法。
【請求項２２】
前記複数の個別蛍光体含有領域を形成するステップが、半導体ウェハ上に予備成形されたシリコーン層を添付するステップであって、前記予備成形されたシリコーン層がそこに複数のくぼみを含むステップと、前記くぼみ内に前記個別領域を形成するステップとを含む、請求項１８記載の方法。
【請求項２３】
前記複数の個別蛍光体含有領域を形成するステップが、
前記ＬＥＤ構造上にマトリックス材料の層を付着させるステップと、
前記マトリックス材料の一部分を選択的に硬化するステップと、
前記マトリックス材料の未硬化部分を除去して前記ＬＥＤ構造上にマトリックス材料のアイランドを形成するステップと、
を含む、請求項１８記載の方法。
【請求項２４】
前記マトリックス材料を選択的に硬化するステップが、
前記マトリックス材料の付着層上にマスク層を形成するステップと、
前記マスク層にパターン形成して前記マトリックス材料の一部分を露出するステップと、
前記マトリックス材料の前記露出部分を硬化するステップと、
を含む、請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
前記マトリックス材料を選択的に硬化するステップが、リッジを有する加熱プレートを前記マトリックス材料に近づけ、それにより、前記加熱リッジに隣接する前記マトリックス材料の選択部分を硬化させるステップを含む、請求項２３記載の方法。
【請求項２６】
前記ＬＥＤ構造上に金属接点を形成するステップ
をさらに含み、
前記マトリックス材料の層を付着させるステップが、前記ＬＥＤ構造および前記金属接点上に前記マトリックス材料の層を付着させるステップを含み、
前記マスク層が、前記金属接点の少なくとも一部分を覆う、請求項２４記載の方法。
【請求項２７】
前記マトリックス材料のアイランドを含む前記ＬＥＤ構造上に第２のマトリックス材料を付着させるステップと、
前記第２のマトリックス材料上に第２のマスクを形成するステップと、
前記第２のマスクにパターン形成して、前記マトリックス材料のアイランドが形成されている前記ＬＥＤ構造の一部分以外の前記基板の少なくとも一部分を露出するステップと、
前記第２のマトリックス材料の前記露出部分を硬化するのに十分な波長を有する放射で前記第２のマトリックス材料の前記露出部分を照らすステップと、
前記第２のマトリックス材料の未露出部分を除去して前記ＬＥＤ構造上にマトリックス材料の第２のアイランドを形成するステップと、
をさらに含む、請求項２３記載の方法。
【請求項２８】
前記マトリックス材料のアイランドを含む前記ＬＥＤ構造上にオーバレイヤを形成するステップ
をさらに含む、請求項２３記載の方法。
【請求項２９】
前記オーバレイヤが、前記第１のアイランドを形成する前に前記ＬＥＤ構造上に形成される、請求項２８記載の方法。
【請求項３０】
前記オーバレイヤが、前記第１のアイランドを形成した後に前記ＬＥＤ構造上に形成される、請求項２８記載の方法。
【請求項３１】
前記ＬＥＤ構造が、複数のダイシング・ストリートを含む半導体ウェハをさらに含み、前記マスク層が、少なくとも前記半導体ウェハ上の前記複数のダイシング・ストリートの上に形成される、請求項２４記載の方法。