【手続補正書】
【提出日】平成24年9月14日(2012.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を洗浄するための水性の酸性洗浄組成物であって、該組成物は、以下の処方物：
（ａ）約６８．４５％〜約９８．９５％の水；
（ｂ）約０．３重量％〜約８重量％の少なくとも１種のアルカノールアミンもしくはアミノフェノール；
（ｃ）約０．１％〜約２％の少なくとも１種の金属キレート化剤；
（ｄ）約０．０５％〜約１．６％の少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約０．１％〜約５％のフッ化水素；および
（ｆ）必要に応じて、０％より多く約１５％までの少なくとも１種の、エチレンオキシド鎖もしくはエチレンオキシド／エチレングリコール鎖を含む非イオン性界面活性剤；
を含み、ここでパーセンテージは、該処方物の総重量に基づく重量パーセントであり、該組成物は、約４〜約５．５のｐＨを有する、組成物。
【請求項２】
以下の処方物：
（ａ）約６９．４６％〜約８９．５％の水；
（ｂ）約３％〜約８重量％の少なくとも１種のアルカノールアミンもしくはアミノフェノール；
（ｃ）約１％〜約２％の少なくとも１種の金属キレート化剤；
（ｄ）約０．５％〜約１．６％の少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約１％〜約５％のフッ化水素；および
（ｆ）必要に応じて、約５％〜約１５％の少なくとも１種の、エチレンオキシド鎖もしくはエチレンオキシド／エチレングリコール鎖を含む非イオン性界面活性剤
を含む、請求項１に記載の水性の酸性洗浄組成物。
【請求項３】
以下の処方物：
（ａ）約９６．８６％〜約９８．９５％の水；
（ｂ）約０．３％〜約０．８重量％の少なくとも１種のアルカノールアミンもしくはアミノフェノール；
（ｃ）約０．１％〜約０．２％の少なくとも１種の金属キレート化剤；
（ｄ）約０．０５％〜約０．１６％の少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約０．１％〜約０．５％のフッ化水素；および
（ｆ）必要に応じて、０％より多く約１．５％までの少なくとも１種の、エチレンオキシド鎖もしくはエチレンオキシド／エチレングリコール鎖を含む非イオン性界面活性剤
を含む、請求項１に記載の水性の酸性洗浄組成物。
【請求項４】
前記洗浄組成物は、前記処方物中の他の成分の総重量に基づいて、約０．５重量％〜約２０重量％の量で、該処方物中に還元剤をさらに含む、請求項３に記載の水性の酸性洗浄組成物。
【請求項５】
前記処方物は、水、モノエタノールアミン、１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸、テトラメチルアンモニウムフルオリド、ＨＦおよび以下の式の界面活性剤：
【化２】
2012505293.tif 000001
を含む、請求項１または２に記載の水性の酸性洗浄組成物。
【請求項６】
前記処方物は、水、モノエタノールアミン、１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸、テトラメチルアンモニウムフルオリド、ＨＦ、および以下の式のＳｕｒｆｙｎｏｌＴＭ  ４６５界面活性剤：
【化４】
2012505293.tif 000002
を含む、請求項３に記載の水性の酸性洗浄組成物。
【請求項７】
前記処方物は、アスコルビン酸を含む還元剤をさらに含む、請求項３に記載の水性の酸性洗浄組成物。
【請求項８】
前記処方物は、以下：
（ａ）約７８％の水；
（ｂ）約３．８５％のモノエタノールアミン；
（ｃ）約１．８７％の１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸；
（ｄ）約０．７７％のテトラメチルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約１．２％のＨＦ；および
（ｆ）約１４．３％の、以下の式のＳｕｒｆｙｎｏｌＴＭ  ４６５界面活性剤：
【化５】
2012505293.tif 000003
を含む、請求項５に記載の水性の酸性洗浄組成物。
【請求項９】
前記処方物は、以下：
（ａ）約９８％の水；
（ｂ）約０．３５％のモノエタノールアミン；
（ｃ）約０．１７％の１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸；
（ｄ）約０．０７％のテトラメチルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約０．１１％のＨＦ；および
（ｆ）約１．３％の、以下の式のＳｕｒｆｙｎｏｌＴＭ  ４６５界面活性剤：
【化６】
2012505293.tif 000004
を含む、請求項６に記載の水性の酸性洗浄組成物。
【請求項１０】
前記処方物は、該処方物の他の成分の総重量に基づいて、約０．５重量％〜約２０重量％の量でアスコルビン酸をさらに含む、請求項９に記載の水性の酸性洗浄組成物。
【請求項１１】
前記処方物は、該処方物の他の成分の総重量に基づいて、約１重量％〜約１０重量％の量でアスコルビン酸をさらに含む、請求項１０に記載の水性の酸性洗浄組成物。
【請求項１２】
前記処方物は、該処方物の他の成分の総重量に基づいて、約２重量％〜約６重量％の量でアスコルビン酸をさらに含む、請求項１１に記載の水性の酸性洗浄組成物。
【請求項１３】
フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から銅エッチ残渣を洗浄するためのプロセスであって、ここで該プロセスは、
（ａ）シリコン基材のＮ＋拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程、および
（ｂ）該フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、請求項１、５、６または９に記載の洗浄組成物に曝す工程、
を包含する、プロセス。
【請求項１４】
フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から銅エッチ残渣を洗浄するためのプロセスであって、ここで該プロセスは、
（ａ）シリコン基材のＮ＋拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程、および
（ｂ）該フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、請求項３に記載の洗浄組成物に曝す工程、
を包含する、プロセス。
【請求項１５】
ＣｏＷＰ金属キャップを有するフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から銅エッチ残渣を洗浄するためのプロセスであって、ここで該プロセスは、
（ａ）シリコン基材のＮ＋拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有しかつＣｏＷＰ金属キャップを有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程
（ｂ）該フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、請求項４、７または１０に記載の洗浄組成物に曝す工程、
を包含する、プロセス。
【請求項１６】
約１０重量部の水を、以下：
（ａ）約６９．４６％〜約８９．５％の水；
（ｂ）約３％〜約８重量％の少なくとも１種のアルカノールアミンもしくはアミノフェノール；
（ｃ）約１％〜約２％の少なくとも１種の金属キレート化剤；
（ｄ）約０．５％〜約１．６％の少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約１％〜約５％のフッ化水素；および
（ｆ）約５％〜約１５％の、エチレンオキシド鎖もしくはエチレンオキシド／エチレングリコール鎖を含む少なくとも１種の非イオン性界面活性剤、
を含む１重量部の処方物に添加する工程を包含する、請求項３に記載の組成物を形成するための方法であって、ここでパーセンテージは、該処方物の総重量に基づく重量によるものである、方法。
【請求項１７】
請求項４に記載の組成物を形成するための方法であって、該方法は、
（１）約１０重量部の水を、以下：
（ａ）約６９．４６％〜約８９．５％の水；
（ｂ）約３％〜約８重量％の少なくとも１種のアルカノールアミンもしくはアミノフェノール；
（ｃ）約１％〜約２％の少なくとも１種の金属キレート化剤；
（ｄ）約０．５％〜約１．６％の少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約１％〜約５％のフッ化水素；および
（ｆ）約５％〜約１５％の、エチレンオキシド鎖もしくはエチレンオキシド／エチレングリコール鎖を含む少なくとも１種の非イオン性界面活性剤、
を含む１重量部の処方物に添加する工程であって、ここでパーセンテージは、該処方物の総重量に基づく重量によるものである、工程、ならびに
（２）該得られた混合物に、該得られた混合物中の他の成分の総重量に基づいて約０．５％〜約２０重量％の量の還元剤を添加する工程、
を包含する、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
（発明の要旨）
本発明によれば、Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物からの酸化銅エッチ除去のための非常に水性の酸性洗浄組成物が提供され、ここでその組成物は、上記Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物上の銅再沈着を防止するかもしくは実質的に除去する。本発明はまた、銅エッチ残渣を、フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から洗浄するためのプロセスを提供し、ここで上記プロセスは、（１）シリコン基材のＮ＋拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程、（２）上記フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を洗浄するために、洗浄に効果的な時間および温度にわたって、上記フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、本発明の洗浄組成物に曝す工程を包含する。本発明のさらなる局面において、金属キャップ形成層を有するＣｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物からの酸化銅エッチ除去のための非常に水性の酸性洗浄組成物が提供され、ここでその組成物は、上記洗浄工程の間に上記Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物上の銅再沈着を防止するかもしくは実質的に除去するだけでなく、このような金属キャップ形成層が上記超小型電子部品用構造物に存在する場合に、上記洗浄プロセスの間に上記金属キャップ形成層（例えば、ＣｏＷＰ金属キャップ形成層）のエッチングをも防止するかもしくは実質的に除去する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記洗浄組成物は、いかなる顕著な銅電着も上記構造体上で生じさせずに、エッチ後残渣を上記構造物から効率的に洗浄するために任意の適切な時間にわたってかつ任意の適切な温度で、上記エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物に曝されるか、もしくはこれに接触した状態にされる。
本発明は、例えば、以下を提供する：
（項目１）
Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を洗浄するための水性の酸性洗浄組成物であって、該組成物は、以下の処方物：
（ａ）約６８．４５％〜約９８．９５％の水；
（ｂ）約０．３重量％〜約８重量％の少なくとも１種のアルカノールアミンもしくはアミノフェノール；
（ｃ）約０．１％〜約２％の少なくとも１種の金属キレート化剤；
（ｄ）約０．０５％〜約１．６％の少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウムフルオリド；
（e）約０．１％〜約５％のフッ化水素；および
（ｆ）必要に応じて、０％より多く約１５％までの少なくとも１種の、エチレンオキシド鎖もしくはエチレンオキシド／エチレングリコール鎖を含む非イオン性界面活性剤；
を含み、ここでパーセンテージは、該処方物の総重量に基づく重量パーセントであり、該組成物は、約４〜約５．５のｐＨを有する、組成物。
（項目２）
以下の処方物：
（ａ）約６９．４６％〜約８９．５％の水；
（ｂ）約３％〜約８重量％の少なくとも１種のアルカノールアミンもしくはアミノフェノール；
（ｃ）約１％〜約２％の少なくとも１種の金属キレート化剤；
（ｄ）約０．５％〜約１．６％の少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約１％〜約５％のフッ化水素；および
（ｆ）必要に応じて、約５％〜約１５％の少なくとも１種の、エチレンオキシド鎖もしくはエチレンオキシド／エチレングリコール鎖を含む非イオン性界面活性剤
を含む、項目１に記載の水性の酸性洗浄組成物。
（項目３）
以下の処方物：
（ａ）約９６．８６％〜約９８．９５％の水；
（ｂ）約０．３％〜約０．８重量％の少なくとも１種のアルカノールアミンもしくはアミノフェノール；
（ｃ）約０．１％〜約０．２％の少なくとも１種の金属キレート化剤；
（ｄ）約０．０５％〜約０．１６％の少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約０．１％〜約０．５％のフッ化水素；および
（ｆ）必要に応じて、０％より多く約１．５％までの少なくとも１種の、エチレンオキシド鎖もしくはエチレンオキシド／エチレングリコール鎖を含む非イオン性界面活性剤
を含む、項目１に記載の水性の酸性洗浄組成物。
（項目４）
前記洗浄組成物は、前記処方物中の他の成分の総重量に基づいて、約０．５重量％〜約２０重量％の量で、該処方物中に還元剤をさらに含む、項目３に記載の水性の酸性洗浄組成物。
（項目５）
前記処方物は、水、モノエタノールアミン、１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸、テトラメチルアンモニウムフルオリド、ＨＦおよび以下の式の界面活性剤：
【化２】
2012505293.tif 000005
を含む、項目１に記載の水性の酸性洗浄組成物。
（項目６）
前記処方物は、水、モノエタノールアミン、１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸、テトラメチルアンモニウムフルオリド、ＨＦおよび以下の式の界面活性剤：
【化３】
2012505293.tif 000006
を含む、項目２に記載の水性の酸性洗浄組成物。
（項目７）
前記処方物は、水、モノエタノールアミン、１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸、テトラメチルアンモニウムフルオリド、ＨＦ、および以下の式のＳｕｒｆｙｎｏｌＴＭ  ４６５界面活性剤：
【化４】
2012505293.tif 000007
を含む、項目３に記載の水性の酸性洗浄組成物。
（項目８）
前記処方物中の還元剤は、アスコルビン酸を含む、項目３に記載の水性の酸性洗浄組成物。
（項目９）
前記処方物は、以下：
（ａ）約７８％の水；
（ｂ）約３．８５％のモノエタノールアミン；
（ｃ）約１．８７％の１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸；
（ｄ）約０．７７％のテトラメチルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約１．２％のＨＦ；および
（ｆ）約１４．３％の、以下の式のＳｕｒｆｙｎｏｌＴＭ  ４６５界面活性剤：
【化５】
2012505293.tif 000008
を含む、項目５に記載の水性の酸性洗浄組成物。
（項目１０）
前記処方物は、以下：
（ａ）約９８％の水；
（ｂ）約０．３５％のモノエタノールアミン；
（ｃ）約０．１７％の１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸；
（ｄ）約０．０７％のテトラメチルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約０．１１％のＨＦ；および
（ｆ）約１．３％の、以下の式のＳｕｒｆｙｎｏｌＴＭ  ４６５界面活性剤：
【化６】
2012505293.tif 000009
を含む、項目７に記載の水性の酸性洗浄組成物。
（項目１１）
前記処方物は、該処方物の他の成分の総重量に基づいて、約重量％の量でアスコルビン酸をさらに含む、項目１０に記載の水性の酸性洗浄組成物。
（項目１２）
フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から銅エッチ残渣を洗浄するためのプロセスであって、ここで該プロセスは、
（ａ）シリコン基材のＮ＋拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程、および
（ｂ）該フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、項目１に記載の洗浄組成物に曝す工程、
を包含する、プロセス。
（項目１３）
フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から銅エッチ残渣を洗浄するためのプロセスであって、ここで該プロセスは、
（ａ）シリコン基材のＮ＋拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程、および
（ｂ）該フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、項目３に記載の洗浄組成物に曝す工程、
を包含する、プロセス。
（項目１４）
ＣｏＷＰ金属キャップを有するフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から銅エッチ残渣を洗浄するためのプロセスであって、ここで該プロセスは、
（ａ）シリコン基材のＮ＋拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有し、かつＣｏＷＰ金属キャップを有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程
（ｂ）該フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、項目４に記載の洗浄組成物に曝す工程、
を包含する、プロセス。
（項目１５）
フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から銅エッチ残渣を洗浄するためのプロセスであって、ここで該プロセスは、
（ａ）シリコン基材のＮ＋拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程、
（ｂ）該フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、項目５に記載の洗浄組成物に曝す工程、
を包含する、プロセス。
（項目１６）
フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から銅エッチ残渣を洗浄するためのプロセスであって、ここで該プロセスは、
（ａ）シリコン基材のＮ＋拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程、
（ｂ）該フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、項目７に記載の洗浄組成物に曝す工程、
を包含する、プロセス。
（項目１７）
銅エッチ残渣を、ＣｏＷＰ金属キャップを有するフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から洗浄するためのプロセスであって、ここで該プロセスは、
（ａ）シリコン基材のＮ＋拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有し、かつＣｏＷＰ金属キャップを有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程、
（ｂ）該フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、項目８に記載の洗浄組成物に曝す工程、
を包含する、プロセス。
（項目１８）
銅エッチ残渣を、フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から洗浄するためのプロセスであって、ここで該プロセスは、
（ａ）シリコン基材のＮ＋拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程、
（ｂ）該フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、項目１０に記載の洗浄組成物に曝す工程、
を包含する、プロセス。
（項目１９）
銅エッチ残渣を、ＣｏＷＰ金属キャップを有するフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から洗浄するプロセスであって、ここで該プロセスは、
（ａ）シリコン基材のＮ＋拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有し、かつＣｏＷＰ金属キャップを有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程、および
（ｂ）該フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、項目１１に記載の洗浄組成物に曝す工程、
を包含する、プロセス。
（項目２０）
約１０重量部の水を、以下：
（ａ）約６９．４６％〜約８９．５％の水；
（ｂ）約３％〜約８重量％の少なくとも１種のアルカノールアミンもしくはアミノフェノール；
（ｃ）約１％〜約２％の少なくとも１種の金属キレート化剤；
（ｄ）約０．５％〜約１．６％の少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約１％〜約５％のフッ化水素；および
（ｆ）約５％〜約１５％の、エチレンオキシド鎖もしくはエチレンオキシド／エチレングリコール鎖を含む少なくとも１種の非イオン性界面活性剤、
を含む１重量部の処方物に添加する工程を包含する、項目３に記載の組成物を形成するための方法であって、ここでパーセンテージは、該処方物の総重量に基づく重量によるものである、方法。
（項目２１）
項目４に記載の組成物を形成するための方法であって、該方法は、
（１）約１０重量部の水を、以下：
（ａ）約６９．４６％〜約８９．５％の水；
（ｂ）約３％〜約８重量％の少なくとも１種のアルカノールアミンもしくはアミノフェノール；
（ｃ）約１％〜約２％の少なくとも１種の金属キレート化剤；
（ｄ）約０．５％〜約１．６％の少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約１％〜約５％のフッ化水素；および
（ｆ）約５％〜約１５％の、エチレンオキシド鎖もしくはエチレンオキシド／エチレングリコール鎖を含む少なくとも１種の非イオン性界面活性剤、
を含む１重量部の処方物に添加する工程であって、ここでパーセンテージは、該処方物の総重量に基づく重量によるものである、工程、ならびに
（２）該得られた混合物に、該得られた混合物中の他の成分の総重量に基づいて約０．５％〜約２０重量％の量の還元剤を添加する工程、
を包含する、方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（本発明の詳細かつ好ましい実施形態）
本発明の非常に水性の酸性洗浄組成物は、Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物上の顕著な銅再沈着なしで、上記Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物からの酸化銅エッチ残渣除去のためのものである。本発明に従って、銅エッチ残渣を、フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から洗浄するためのプロセスは、（１）シリコン基材のＮ＋拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有し、および必要に応じて、金属キャップ形成を有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程、ならびに（２）上記フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、上記フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を洗浄するのに有効な時間および温度にわたって、本発明の洗浄組成物に曝すかもしくは接触させる工程を包含するプロセスである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
上記直ぐに使用できる処方物は、銅エッチ残渣を、フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から洗浄するために使用され得、ここで上記プロセスは、シリコン基材のＮ＋拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程であって、ここで上記基材は、必要に応じて、金属キャップ形成層（好ましくは、ＣｏＷＰ）を有する、工程、および上記フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、上記フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を洗浄するために有効な時間および温度にわたって、本発明の洗浄組成物に曝すかもしくは接触させる工程を包含する。