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【手続補正書】
【提出日】平成23年11月22日(2011.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマー混合物の押出成形により得られる、発泡成形体の補強ストリップであって、
前記補強ストリップの総重量に対して０．１〜３５重量％であるポリ乳酸と、
前記補強ストリップの総重量に対して６５〜９９．９重量％であるポリスチレン、発泡性ポリスチレンまたはこれらの組み合わせと
を含み、
前記ポリスチレンは６０℃を超えるガラス転移温度を有する
ことを特徴とする、補強ストリップ。
【請求項２】
ポリスチレンのガラス転移温度が９５℃を超えることを特徴とする、請求項１に記載の補強ストリップ。
【請求項３】
ポリビニルアレーン、二酢酸セルロース、またはこれらの組み合わせをさらに含むことを特徴とする、請求項１または２のいずれか一項に記載の補強ストリップ。
【請求項４】
ポリ乳酸が、前記ポリマー混合物中において前記補強ストリップの総重量に対して２から２５重量％の量で存在することを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の補強ストリップ。
【請求項５】
ポリ乳酸が、前記補強ストリップの総重量に対して５から２０重量％の量で存在することを特徴とする、請求項４に記載の補強ストリップ。
【請求項６】
０．２から２．０ｍｍの厚さを有するストリップであることを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の補強ストリップ。
【請求項７】
ストリップの幅が１から１０ｃｍであることを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載の補強ストリップ。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の補強ストリップを作成するためのポリマー混合物を供給し、続いて、得られたポリマー混合物を押出成形して請求項１から７のいずれか一項に記載の補強ストリップを得ることを含む、押出成形体の製造方法。
【請求項９】
前記ポリマー混合物が、粒子の形態で調製されることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
請求項１から７のいずれか一項に記載の補強ストリップのための出発物質の製造方法であって、
ｉ）ポリ乳酸と、ポリスチレン、発泡性ポリスチレン、もしくはこれらの組み合わせとを含んだポリマー混合物を、押出機に供給するステップ、
ｉｉ）ｉ）で供給した混合物の押出成形を行うステップ、ならびに
ｉｉｉ）ステップｉｉ）で得た材料を粒子にして出発物質を得るステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１から７のいずれか一項に記載の補強ストリップのための出発物質の製造方法であって：
ａ）ポリ乳酸粒子と、ポリスチレン、発泡性ポリスチレン、もしくはこれらの組み合わせの粒子と、発泡剤とを、押出機に供給するステップ、
ｂ）ａ）で供給した混合物の押出成形を行うステップ、ならびに
ｃ）ステップｂ）で得た材料をポリマー混合物の粒子にして出発物質を得るステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項１２】
発泡成形体の補強ストリップを作成するための、ポリマー混合物の使用であって、
前記ポリマー混合物が、
０．１〜３５重量％のポリ乳酸と、
６５〜９９．９重量％のポリスチレン、発泡性ポリスチレンまたはこれらの組み合わせであって６０℃を超えるガラス転移温度を有するものと
を含む
ことを特徴とする、使用。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月25日(2011.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２−プロピルヘプチル２−プロピルヘプタノエート、メチル２−プロピルヘプタノエート、ノナデシル２−プロピルヘプタノエートおよび２−ヘキシルデシル２−プロピルヘプタノエートを除く、一般式（Ｉ）のエステル：
【化１】
2010526111.tif 000001
［式中、Ｒは１〜３６個の炭素原子を有するアルキル基であり、Ｒは３個までのＯＨ基により置換されていてもよい。］
【請求項２】
Ｒが６〜１２個の炭素原子を有するアルキル基である請求項１に記載のエステル。
【請求項３】
ｎ−ヘキシル２−プロピルヘプタノエート、ｎ−ヘプチル２−プロピルヘプタノエート、ｎ−オクチル２−プロピルヘプタノエート、ｎ−ノニル２−プロピルヘプタノエート、ｎ−デシル２−プロピルヘプタノエート、ｎ−ウンデシル２−プロピルヘプタノエート、ｎ−ドデシル２−プロピルヘプタノエートからなる群から選択される、請求項１または２に記載のエステル。
【請求項４】
２−プロピルヘプチル２−プロピルヘプタノエートを除く、一般式（Ｉ）のエステル：
【化２】
2010526111.tif 000002
［式中、Ｒは１〜３６個の炭素原子を有するアルキル基であり、Ｒは３個までのＯＨ基により置換されていてもよい］
の、化粧品および／または医薬品における使用。
【請求項５】
ボディー洗浄および／またはボディーケアのために使用される日用ワイプおよび衛生用ワイプの湿潤または含浸あるいは被覆のための、請求項４に記載の使用。
【請求項６】
２−プロピルヘプタン酸および対応するアルコールを含有する混合物を反応させる、請求項１〜３のいずれかに記載のエステルの製造方法。
【請求項７】
（ａ）２−プロピルヘプチル２−プロピルヘプタノエートを除く、少なくとも１つの一般式（Ｉ）のエステル：
【化３】
2010526111.tif 000003
［式中、Ｒは１〜３６個の炭素原子を有するアルキル基であり、Ｒは３個までのＯＨ基により置換されていてもよい］
（ｂ）少なくとも１つの乳化剤（ｂ−１）および／または界面活性剤（ｂ−２）および／またはワックス成分（ｂ−３）および／またはポリマー（ｂ−４）および／または他の油体（ｂ−５）、
を含んで成る化粧品および／または医薬品組成物。
【請求項８】
０．１〜８０重量％、特に０．１〜７０重量％、好ましくは０．１〜６０重量％、特に０．１〜５０重量％、好ましくは０．１〜４０重量％の少なくとも１つの（ａ）のエステルを含んで成る、請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
エステル（ａ）として、ｎ−ヘキシル２−プロピルヘプタノエート、ｎ−ヘプチル２−プロピルヘプタノエート、ｎ−オクチル２−プロピルヘプタノエート、ｎ−ノニル２−プロピルヘプタノエート、ｎ−デシル２−プロピルヘプタノエート、ｎ−ウンデシル２−プロピルヘプタノエート、ｎ−ドデシル２−プロピルヘプタノエートまたはそれらの任意の所望の混合物を含んで成る、請求項７または８に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月17日(2012.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
図１１には、個々の構成部品、すなわちボススリーブ６４（図８）、被覆外殻部材６２および支持フレーム６３（図１０）、周回リング６０（図７）、ならびに駆動歯車６１（図９）を互いに組み合わせたものの軸方向断面が示されている。全ての構成部品が互いに緊密に嵌合し溶接されている。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月5日(2012.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外管（４）、モノリス基体（６）及びマット材料（１２）を備え、前記マット材料が前記モノリス基体を囲む関係に配置された触媒コンバータ（２）を製造する方法であって、
１セットの圧縮特性を設定するために、前記モノリス基体及び前記マット材料の組合体を計測する工程と、
前記管内で前記モノリス基体及び前記マット材料の前記組合体を圧縮するために、前記管を圧縮する工程と、
を備える方法において、
所定の最大ゲージ力又はゲージ圧力に対して、前記モノリス基体及び前記マット材料の前記組合体を計測し、前記モノリス基体及び前記マット材料の前記組合体の偏位を測定する工程と、
上記と同じ偏位に対して、前記モノリス基体及び前記マット材料の前記組合体を再計測する工程と、
前記再計測時の前記圧力又は力の状態の変化を測定する工程と、
最初の偏位及び前記の変化した状態に少なくとも部分的に基づき、前記モノリス基体及び前記マット材料の前記組合体の新たな総偏位量を計算する工程と、
その後、前記モノリス基体及び前記マット材料の前記組合体を前記管内に挿入し、前記管内において、前記モノリス基体に接する前記マット材料を前記新たな総偏位量まで圧縮する工程と、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
直径を有する管（４）と、モノリス基体（６）及びマット材料（１２）を含む組合体とを備える触媒コンバータ（２）を製造する方法であって、
代表的組合体を特徴付ける１セットのデータを取得するために、少なくとも１つのモノリス基体を取り囲む少なくとも１つの代表的マット材料を含む複数の前記代表的組合体を圧縮する工程と、
前記組合体を特徴付ける第１のセットのデータを取得するために、前記組合体を計測する工程と、
を備える方法において、
前記組合体を特徴付ける第２のセットのデータを取得するために、前記組合体を再計測する工程と、
前記組合体を前記管に挿入する工程と、
前記代表的組合体を特徴付ける前記１セットのデータに基づき曲線を設定する工程と、
前記曲線並びに前記組合体を特徴付ける前記第１及び第２のセットのデータに基づき、前記管のサイズ決定を行う工程と、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項３】
前記代表的組合体を特徴付ける前記１セットのデータに基づき、曲線を構築する工程を更に備えることを特徴とする請求項２記載の触媒コンバータ製造方法。
【請求項４】
偏位に基づき、力／圧力曲線を含む前記マット材料の前記特性を表わす曲線を設定する工程と、
前記曲線及び前記１セットの圧縮特性に基づき、前記組合体にターゲットの力／圧力を及ぼすのに必要な、前記外管のターゲット偏位を決定する工程と、
前記変化した状態を補償するのに必要なオフセット偏位を計算する工程と、
前記外管の直径が、前記ターゲット偏位と前記オフセットとの合計と略等しい新たな総偏位と略等しい量だけ偏位されるよう、前記外管の直径のサイズ決定を行う工程と、
を備えることを特徴とする請求項１または３記載の触媒コンバータ製造方法。
【請求項５】
前記所定の最大ゲージ圧力の値が、所望の圧力の約３０％〜９９％の範囲内であることを特徴とする請求項１記載の触媒コンバータ製造方法。
【請求項６】
前記所定の最大ゲージ圧力の値が、所望の圧力の約３０％〜８０％の範囲内であることを特徴とする請求項１記載の触媒コンバータ製造方法。
【請求項７】
前記組合体に及ぼされる圧力の変化を測定する前記工程が、略安定した圧力値が達成されるまで、前記組合体に及ぼされる前記圧力を監視する工程を更に備えることを特徴とする請求項１記載の触媒コンバータ製造方法。
【請求項８】
略安定した圧力値が達成されるまで、前記組合体に及ぼされる前記圧力を監視する前記工程が、有限サイズのマトリクスに、該マトリクスが一杯になるまで圧力値を投入し、最も新しい値が最も古い値と略等しくなるまで、最も新しい値で最も古い値を置き換える工程を更に備えることを特徴とする請求項７記載の触媒コンバータ製造方法。
【請求項９】
前記組合体に及ぼされる圧力の変化を測定する前記工程が、前記再圧縮する工程のほぼ１５秒後に行われることを特徴とする請求項７または８記載の触媒コンバータ製造方法。
【請求項１０】
前記オフセット偏位の決定に線形回帰または二次回帰が用いられることを特徴とする請求項４記載の触媒コンバータ製造方法。
【請求項１１】
前記再計測工程において圧力の変化が測定され、該圧力の変化が、所定の最大圧力値と再計測時に前記組合体に及ぼされた前記測定された圧力との差にほぼ等しく、前記オフセットが、前記圧力の変化を、前記曲線上の前記所定の最大圧力値の点で測定された傾斜で割ることによって決定され得ることを特徴とする請求項４または１０記載の触媒コンバータ製造方法。
【請求項１２】
前記オフセットが、式ｙ＝３０．５８１ｅ０．９５５６ｘ（式中、ｘは変位でありｙは圧力である）の導関数から決定されることを特徴とする請求項１１記載の触媒コンバータ製造方法。
【請求項１３】
前記曲線を設定する工程が、第１のセットの力データを取得するために、或る部材を取り囲む代表的マット材料の少なくとも一部を圧縮する工程を含むことを特徴とする請求項４または１０〜１２のいずれか１項記載の触媒コンバータ製造方法。
【請求項１４】
前記圧縮する工程が、少なくとも１つの接触パッドを前記マット材料内へと所定の変位量だけ前進させ、所定の時間の経過後に圧力値を収集し、前記少なくとも１つの接触パッドを前記マット材料内へと前記所定の変位量だけ前進させ、前記所定の時間の経過後に第２の圧力値を収集することを含む
ことを特徴とする請求項１３記載の触媒コンバータ製造方法。
【請求項１５】
前記圧縮する工程が、厚さまたは重量が異なる複数のマット材料を測定する工程を含むことを特徴とする請求項１４記載の触媒コンバータ製造方法。
【請求項１６】
前記複数のマット材料からの圧力値が、前記曲線をプロットするために用いられることを特徴とする請求項１５記載の触媒コンバータ製造方法。
【請求項１７】
第２のセットの力データを取得するために、前記代表的組合体の少なくとも第２の部分を圧縮する工程
を更に備えることを特徴とする請求項２記載の触媒コンバータ製造方法。
【請求項１８】
前記サイズを決定する工程が、前記外管を収縮または拡大させることを含むことを特徴とする請求項４記載の触媒コンバータ製造方法。
【請求項１９】
前記曲線が傾斜を有し、前記組合体を特徴付ける前記第１のセットのデータが第１の圧力値を含み、前記組合体を特徴付ける前記第２のセットのデータが第２の圧力値を含み、前記第１の圧力値と前記第２の圧力値との差が圧力差を表わし、該圧力差を前記傾斜で割った値が、前記管のサイズを決定する際に用いられるオフセットを表わすことを特徴とする請求項２〜４または１０〜１８記載の触媒コンバータ製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月4日(2011.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの脱着プロセスにおける圧力の低減のための吸着剤の使用であって、固体収着ヒートポンプにおける中間圧力の低減のための、ヒートポンプ／冷凍機を含む固体収着ヒートポンプにおける液化器の代わりとしての吸着剤の使用。
【請求項２】
中間圧力の低減が少なくとも２つの段階を介してもたらされ、第１段階において事前に吸着されていた冷媒が第１段階で脱着し、このようにして形成した水／水蒸気を含むガス状の冷媒が別の吸着剤における吸着のために第２段階に移ることを特徴とする、請求項１に記載の吸着剤の使用。
【請求項３】
前記第１段階の脱着能力を向上させるための、ヒートポンプ／冷凍機での蒸気圧の低減における、請求項１又は２に記載の吸着剤の使用。
【請求項４】
冷凍装置／ヒートポンプを含む固体収着ヒートポンプにおける冷凍の方法であって、吸着剤を液化器の代わりに使用することを特徴とする、冷凍の方法。
【請求項５】
液化器としての前記吸着剤とは別に、少なくとも１つのさらなる液化器を付加的に使用することを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記冷凍装置が少なくとも２つの吸着ユニット及び脱着ユニットを有することを特徴とする、請求項４又は５に記載の方法。
【請求項７】
前記固体収着ヒートポンプが、１つ又は複数の蒸気バリア又は１つの蒸気弁により該固体収着ヒートポンプの残りの部分から遮断することができるような形態で、付加的に貯蔵ユニットを有することを特徴とする、請求項４〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
少なくとも２つの異なる吸着剤を使用することを特徴とする、請求項４〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記第１段階における前記吸着剤の脱着を、前記第２段階における吸着により実現することを特徴とする、請求項４〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
吸着段階が脱着と液化との間に接続されることを特徴とする、請求項４〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記方法が、前記第１段階の脱着圧の低減と、前記第２段階の凝縮圧／脱着圧からのこの圧力の分割をもたらす、請求項４〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記方法が、吸着冷凍機において少なくとも２つの異なる相対蒸気圧の低減をもたらす、請求項４〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
同じ吸着剤を両方の段階において使用することを特徴とする、請求項４〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
中間圧力の低減における、請求項４〜１３のいずれか一項に記載の方法の使用。
【請求項１５】
圧力の低減であって、第１段階の脱着の圧力の低減のための、固体収着ヒートポンプにおける脱着プロセスのための蒸気シンクとしての、請求項１〜３のいずれか一項に記載の吸着剤の使用。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年1月31日(2012.1.31)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２】
請求項１に記載のパルスシーケンスに従って、読取方向において、少なくとも２つの相次ぐ勾配Ｇ（ｒ）が交互に反転された符号で印加されることを特徴とする請求項１に記載のパルスシーケンス。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
縦緩和定数Ｔ１の決定のための本発明による方法の実施の際に、試料、例えば、試験されるべき患者の頭蓋が使用され、試料には核磁気共鳴断層撮影装置のコイルが導入される。試料は、均一で、基本静磁場Ｂ０の中心に位置する。立体的分解能は、時間的に可変の磁場（勾配）によって行われる。磁場はデカルト座標系に構造的に制約されて配設されている。データ取得のために、高周波励起磁場を投入することが必要である。励起周波数は、一方では基本静磁場に、他方では試験されるべき試料の核の種類（特性）に依存する。断層選択的ではない（又は体積選択的な）１８０°−パルス又は選択的に９０°ーパルスで行われる励起の後に、１８０°−パルスについて行われー両者は断層選択的でなく又は両者は体積選択的であるーが行われ、データは、２つの互いに相違する経過で取得される。１８０°−パルスの後に、横断磁化Ｍｘｙがゼロにされねばならない（例えば、スポイラー傾斜磁場による）。両場合に、データ取得のために、Ｈｆ−パルス（α）が印加され、ｋ−スペースの符号化された少なくとも１つのエコーの発生のための勾配列と組み合わされる。この測定パターン｛Ｈｆ−パルス（α）及び勾配列｝については、次の取得モジュールで述べる。測定終了後にｋ−スペースは完全に走査される。Ｈｆ−パルス（α）は、選択された断層若しくは断層厚さの励起に使用されかつこの目的のために当業者は通常の方法で公知のパルス形を想定し得る。これらは、例えば、ガウスーパルス又はジンク（Ｓｉｎｃ．）パルスである。両可能性に対するパルス列は、図２（ａ）及び（ｂ）から把握され得る。図２（ａ）及び（ｂ）に表された［］（括弧）は、断層若しくは時間ー点上の括弧内にある順序（取得モジュール）の使用を図式化している。その際図２（ｂ）は、各Ｈｆ−パルス（α）に従って３つのｋ−スペースラインが測定される取得パターンに関する。図２（ａ）は、Ｈｆ−パルス（α）当たり一つのｋ−スペースラインに対する取得ケースについて記載する。これらのＨｆ−パルス（α）と平行に、断層選択勾配Ｇｚ（Ｇｓ）に対する関連断層の決定が行われる。これに続いて、断層選択勾配による反転された符号のボクセル磁化のリフェージングが行われる。リフェージングの間、勾配Ｇｘ（Ｇｒ）が投入され、勾配はボクセル磁気をディフェージング（Ｄｅｐｈａｓｉｅｒｅｎ）させ、かつそれによってｋ−スペースにおける符号化を実施する。同時に、ボクセル磁化をディフェージングさせかつ再びｋ−スペースの符号化を実施するために、勾配Ｇｙ（Ｇｐ）が投入される。ｘ方向におけるディフェージングは、後に投入される反転された符号のＧｘ−勾配によって補償される。このリフェージングのために作用する勾配Ｇｘに対して同時に、データ取得が行われる。勾配の下方の面は、勾配エコーが取得窓の中央に現れる｛図２（ａ）｝ように、決定される。しかし、他の取得パターン、例えば、非対称の勾配エコーも可能である。それによってｋ−スペースのラインも測定される。上記のステップは、断層若しくは時点が測定される頻度で繰り返される。こうして反転パルス（１８０°−パルス）若しくは９０°ー及び反転パルスの組み合わせが改めて適用される。工程は繰り返され、しかし、全ての断層に対するその都度最も近いｋ−スペースラインが測定される。繰り返しの数は、位相符号化工程の数から得られる。図１は、縦磁化の緩和曲線及びこの際本発明により取得されるデータブロックを示す。データブロックー時点ーの内方に、ｎー断層に対するｋ−スペースラインが測定される。測定は、ｋースペースが全ての断層若しくは時点に対して完全に走査された時に終了する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年2月29日(2012.2.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
下記の諸ステップからなる、建物または閉空間内における空気の品質改善方法。
前記閉空間内部から空気を取り込むこと、
前記の取り込んだ空気を多少の粒子を除去するために1又はそれ以上の濾過装置を通すこと、
前記の濾過された空気を、窒素および／または二酸化炭素および／または一酸化炭素を吸収する材料を含むモレキュラーシーブ（８）に向け、前記の濾過された空気をしばらくの間、当モレキュラーシーブ中にとどめ置き、前記吸収する材料は、二酸化炭素および／または一酸化炭素の結合を破壊することができ、前記破壊から生じた炭素を含有又は閉じ込めることができること、
酸素含有量のより多い空気を前記モレキュラーシーブ（８）から取り出して、前記閉空間の流出口（１０）に供給すること、
前記モレキュラーシーブ内に保留された空気を排出し、前記モレキュラーシーブから少量の窒素およびその他の気体を除去するために、前記モレキュラーシーブ（８）をすすぐこと又はフラッシュすることであって、前記吸収する材料は、前記吸収する材料が二酸化炭素および／または一酸化炭素の結合を破壊することで生じた炭素を含有又は閉じ込めることができる、
と共に、下記の特徴を有する、
前記炭素の除去から生じた窒素およびその他の気体の一部が、前記モレキュラーシーブ（８）からフラッシュされ、前記閉空間に還流し、そこで、前記閉空間内での前記空気と、前記酸素含有量のより多い空気と自然に混合される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２】
前記モレキュラーシーブ（８）が、アルミニウシリケートを含む請求項１に記載の建物または閉空間内における空気の品質改善方法。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項５】
前記方法は、第１のモレキュラーシーブ（８）が作用し、前記濾過された空気が充填され、第２のモレキュラーシーブ（１４）が作用し、一定時間だけ前記濾過された空気を保持し、第３のモレキュラーシーブ（１５）がフラッシュされるような３つのモレキュラーシーブの使用を含む請求項４に記載の建物または閉空間内における空気の品質改善方法。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項８】
下記の諸点を備える建物または閉空間内における空気の品質改善装置。
前記閉空間内から空気を取り込むための流入口（４）、
前記の取り込まれた空気から少量の粒子を除去するための１つ以上の濾過装置、
窒素および／または二酸化炭素および／または一酸化炭素を吸収する材料を含むモレキュラーシーブ（８）は、前記の濾過された空気を受取り、前記の濾過された空気をしばらくの間、前記吸収する材料と接触した状態に維持し、前記吸収する材料は、二酸化炭素および／または一酸化炭素の結合を破壊することができ、前記破壊から生じた炭素を含有又は閉じ込めることができる、
利用可能な酸素含有量が多く、汚染物質の少ない空気を取り込み、前記閉空間に還流するための前記モレキュラーシーブ（８）の流出口（１０）、
および、さらに、
前記モレキュラーシーブ内に保留された空気を排出し、前記モレキュラーシーブから少量の窒素およびその他の気体を除去するために前記モレキュラーシーブ（８）をすすぎ、またはフラッシュする手段であって、前記手段は、前記閉空間への排出出口と接続されている。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
しかし、空気調和を施した室に関する最大の問題は、疑いもなく人工的な室環境の単調性と、非生理学的物質の増大であるが、そればかりでなく、そこに働く人々の生理学的放出物の増大でもある。人は、ほぼ２０００の化学的に定義された物質を皮膚を通して発散することが知られている。皮膚からの蒸発量は、正常な室温で正常な肉体活動を行う間に一日約１〜１．５リットルに達する。これらの諸物質は、有効な排気システムによって絶え間なく除去されなければならない。しかし、間仕切りのないオフィスにおいて、たとえば、これらの放射の高度に濃縮されて存在するものと仮定すべきである。これらの物質は、鼻内部の或る受容レセプタにより検出されて、無意識に処理される。エストロゲン、テストステロン、いわゆるフェロモンのような物質がこれらの中に存在するので、攻撃、「繩張り制」性的示威等のような行動が制御されない態様で隠蔽されるか、公然と表に出ることが容易に想像できる。室内の誰一人としてこれを意識することなく、オフィス内のムードがきわめて意味ありげにこれによって規定される。しかし、今度は逆に、規律、濃度、創造力、意思決定力のような認識能力がこれに苦しむ。空気調和機の課題は、したがって、このスペクトルを記録して、更に「よりクリーン空気」を創り出すことでなければならない。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
より良好な処理すなわち閉鎖空間内において空気を変換しようとする努力において、本発明は空気のための弱毒化装置としてゼオライト（沸石）の使用を目指す。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
典型的には、代表的に、モレキュラーシーブは、その次に、窒素および／または二酸化炭素を吸収または改質する材料と接触して保たれる空気の量で飽和される。モレキュラーシーブを通過して進んだ酸素含有量の多い空気は、建物または閉鎖空間全体に亘って分配するために、導出口９、または場合によっては、導出口１０を通って引き出されることができる。モレキュラーシーブは、次いで、生成物による濃縮窒素のいくらかを導出口１１を通って放出するために、逆のフラッシュが施される。この好ましい具体例に示されるように、別の消音機１２が、騒音を低下させるために導出口に設けられても良く、材料は次いで、別の導出口１３を再度建物環境に還流されるか、外部に排出される。材料が建物に排出されると、建物が不純物で再度飽和されるように見えるけれども、この場合はそうではない。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
建物は、モレキュラーシーブ内のゼオライトの好ましい使用という特有な機能のために、不純物で再度満たされることはない。ゼオライトは、酸素を放出して炭素分子を保持するためにこれらの化合物の結合を破壊するだけでなく、ケージのような構造物内で不純物を捕捉することができる。この空気の窓（air light）の作用は、例えば不純物を除去するばかりでなく、（酸素を放出するためにこれらの化合物の結合を破壊することによって、）閉空間に還流させられるように、これらの不純物の一部を増加した（有効な）酸素濃度に変更する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年11月29日(2011.11.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８３】
（実施例３）
ブチルラクトイルシアノアクリラートモノマーを、臭化ドミフェンにより、ポリプロピレンメッシュ上においてその場で重合を開始し、それよってポリマーを形成し、かつ39℃で燐酸緩衝液中に置いた。サンプルを洗浄し、乾燥し、かつ秤量し、該ポリマーの分解結果を下記の表に示した。ここでMnはサンプルの数平均分子量である。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８５】
ブチルラクトイルシアノアクリラートモノマーを、アゾビスイソブチロニトリルにより、ポリプロピレンメッシュ上においてその場で重合を開始し、それよってポリマーを形成し、39℃で燐酸緩衝液中に置いた。サンプルを洗浄し、乾燥し、かつ秤量し、該ポリマーの分解結果を下記の表に示した。ここでMnはサンプルの数平均分子量である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９１】
インビトロ分解試験のサンプルを、各々のモノマー組成物を大量に重合開始し、かつ、それを予め秤量した約0.19mmの厚さを有するポリプロピレンメッシュ上に送ることによって調製し、そして約10mm x 35mmの面積に切断した。メッシュを、超高分子量ポリエチレンの２つの表面の間に挟み、0.203mmの厚さのステンレス鋼製のくさびによってそれを分離した。硬化した後にサンプルを鋳型より除去し、過剰量の重合化した材料を切り取った。切り取った材料の一部を用いて、各サンプルの出発分子量を測定するのに使用した。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月25日(2012.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
マルチメディアコンテンツの生成オペレーション及び配布オペレーションは、通常、ビデオ符号化を含む。ビデオ符号化プロセスは、通常、データ及び計算量が非常に多い。その結果、ビデオ符号化プロセスは、非常に多くの時間を要する可能性がある。たとえば、ソフトウェアエンコーダが高品質高品位映画を符号化するには、数十時間を要する場合がある。ビデオ符号化プロセスの品質及び速度は、マルチメディアコンテンツの生成及び配布のパイプラインが成功するための重要なファクタであるので、高品質ビデオコンテンツを符号化することができる速度を増加させるためのシステム及び技法が有用となる。
【特許文献１】米国特許第６１０１２７６号公報
【特許文献２】米国特許第６２５２９０５号公報
【特許文献３】特表第２００４−５０４７８０号公報（国際公開第ＷＯ０２／０７４４６号）
【特許文献４】米国特許第５９９０９５８号公報
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年12月7日(2011.12.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極表面上に多孔性無機物粒子及びバインダー高分子を含む有機／無機複合多孔性コーティング層が形成された電極であって、
前記多孔性無機物粒子が、電解液の溶媒に溶媒化したリチウムイオン(Ｌｉ＋)が通過可能なサイズの気孔が存在するものであり、
前記多孔性無機物粒子が、分散媒に無機物の前駆体及び前記無機物の溶融温度より低い温度で熱分解される熱分解性化合物が分散された無機物の前駆体分散液を液滴化した後、熱分解及び結晶化して気孔構造が形成されることを特徴とする、電極。
【請求項２】
前記多孔性無機物粒子の気孔サイズが、平均直径が２ｎｍ以上であることを特徴とする、請求項１に記載の電極。
【請求項３】
前記多孔性無機物粒子の気孔サイズが、平均直径が５０ｎｍ〜１μｍであることを特徴とする、請求項１に記載の電極。
【請求項４】
前記多孔性無機物粒子内の気孔が、互いに連結している状態で存在することを特徴とする、請求項１に記載の電極。
【請求項５】
前記多孔性無機物粒子の気孔率が、３０〜９５％であることを特徴とする、請求項１に記載の電極。
【請求項６】
前記多孔性無機物粒子の密度が１〜４ｇ／ｃｃであり、表面積が１０〜５０ｍ２／ｇであることを特徴とする、請求項１に記載の電極。
【請求項７】
前記有機／無機複合多孔性コーティング層が、集電体上に電極活物質粒子が気孔構造を形成しながら結着された電極の表面上に、多孔性無機物粒子とバインダー高分子との混合物をコートして形成されたコーティング層であり、バインダー高分子により多孔性無機物粒子間が連結及び固定され、多孔性無機物粒子間の空いた空間により気孔構造が形成されることを特徴とする、請求項１に記載の電極。
【請求項８】
前記有機／無機複合多孔性コーティング層が、正極及び負極の直接接触を遮断しながら、リチウムイオン(Ｌｉ＋)を通過させる分離膜の機能を行うことを 特徴とする、請求項１に記載の電極。
【請求項９】
前記多孔性無機物粒子が、(ａ)誘電率の定数が５以上である無機物粒子と、及び、(ｂ)リチウムイオン伝達能を有する無機物粒子からなる群より選ばれた１種以上であることを特徴とする、請求項１に記載の電極。
【請求項１０】
前記多孔性無機物粒子のサイズが、０．０１〜１０μｍであることを特徴とする、請求項１に記載の電極。
【請求項１１】
前記バインダー高分子が、溶解度指数が１５〜４５ＭＰａ１／２であることを特徴とする、請求項１に記載の電極。
【請求項１２】
前記多孔性無機物粒子：バインダー高分子の造成比が、１０：９０〜９９：１重量比であることを特徴とする、請求項１に記載の電極。
【請求項１３】
前記有機／無機複合多孔性コーティング層の厚さが、１〜１００μｍであることを特徴とする、請求項１に記載の電極。
【請求項１４】
正極、負極及び電解質を含む電気化学素子であって、
前記正極、前記負極又は両電極が、請求項１〜１３の何れか一項に記載の電極であることを特徴とする、電気化学素子。
【請求項１５】
前記電気化学素子が、微細気孔分離膜をさらに含むことを特徴とする、請求項１４に記載の電気化学素子。
【請求項１６】
前記電気化学素子が、リチウム二次電池であることを特徴とする、請求項１４に記載の電気化学素子。
【請求項１７】
請求項１〜１４の何れか一項に記載の有機／無機複合多孔性コーティング層が形成された電極の製造方法であって、
(ａ)分散媒に無機物の前駆体及び熱分解性化合物が分散された無機物の前駆体分散液を液滴化した後、熱分解及び結晶化して多孔性無機物粒子を製造する段階と、
(ｂ)前記多孔性無機物粒子をバインダー高分子が溶解された高分子溶液に添加及び混合する段階と、及び、
(ｃ)既製造された電極上に前記段階(ｂ)の混合物をコーティング及び乾燥する段階とを含んでなる、製造方法。
【請求項１８】
前記熱分解性化合物が、無機物の溶融温度より低い温度で熱分解される高分子又は発泡剤であることを特徴とする、請求項１７に記載の製造方法。
【請求項１９】
前記段階(ａ)における熱分解温度が、無機物の溶融温度より低く、熱分解性化合物の分解温度より高いことを特徴とする、請求項１７に記載の製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
無機物の前駆体としては、当業界で周知の通常の無機物成分を１つ以上含むものであれば、特別な制限はない。例えば、アルミナを製造する場合は、硝酸アルミニウム、塩酸アルミニウム、酢酸アルミニウム、硫酸アルミニウムなどのアルミニウムを含有する塩が用いられ、また、安定した分散相を有することができるヒュームドアルミナのようなナノアルミナは、同じく前駆体物質として用いられる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７１】
［実施例１〜３］
＜実施例１＞
１−１ アルミナ多孔性無機物粒子の製造
アルミナの前駆体化合物として硝酸アルミニウムを溶媒である蒸留水に０.２Ｍとなるように溶解した。硝酸アルミニウムが蒸留水に完全に溶解された後、既製の１００ｎｍの直径を有するポリスチレンビーズを、製造されるアルミナに対する重量比が３重量部となるように添加した後、十分に攪拌した。このとき、使用されたポリスチレンビーズのＳＥＭ写真は図８に示すようである。このように製造された前駆体溶液を噴霧熱分解装置に投入して、多孔性アルミナ無機物粒子を製造した。なお、製造された多孔性アルミナ粒子のＳＥＭ写真は図２及び図８に示すようである。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年9月24日(2012.9.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
電極表面上に吸熱性無機物粒子及びバインダー高分子を含む有機／無機複合多孔性コーティング層が形成された電極であって、
前記吸熱性無機物粒子が、アンチモン含有化合物、金属水酸化物、グアニジノ系化合物、ホウ素含有化合物及びスズ酸亜鉛からなる群より選ばれた１種以上であることを特徴とする、電極。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項３】
前記アンチモン含有化合物が、三酸化アンチモン(Ｓｂ２Ｏ３)、四酸化アンチモン(Ｓｂ２Ｏ４)及び五酸化アンチモン(Ｓｂ２Ｏ５)より選ばれたものであり；
前記金属水酸化物が、水酸化アルミニウム(Ａｌ(ＯＨ)３)及び水酸化マグネシウム(Ｍｇ(ＯＨ)２)より選ばれたものであり；
前記グアニジノ系化合物が、窒酸グアニジン、スルファミン酸グアニジノ、燐酸グアニジン及び燐酸グアニル尿素からなる群より選ばれたものであり；
前記ホウ素含有化合物が、Ｈ３ＢＯ３又はＨＢＯ2であり；
前記スズ酸亜鉛化合物が、Ｚｎ2ＳｎＯ4、ＺｎＳｎＯ３及びＺｎＳｎ(ＯＨ)6より選ばれたものであることを特徴とする、請求項１に記載の電極。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１０】
前記吸熱性無機物粒子が、アンチモン含有化合物、金属水酸化物、グアニジノ系化合物、ホウ素含有化合物及びスズ酸亜鉛からなる群より選ばれた１種以上であることを特徴とする、請求項９に記載の分離膜。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
本発明は、電極表面上に吸熱性無機物粒子及びバインダー高分子を含む有機／無機複合多孔性コーティング層が形成された電極であって、前記吸熱性無機物粒子は、アンチモン含有化合物、金属水酸化物、グアニジノ(guanidine)系化合物、ホウ素含有化合物及びスズ酸亜鉛からなる群より選ばれた１種以上であることを特徴とする電極、前記電極を含む電気化学素子、好ましくはリチウム二次電池を提供する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
吸熱性無機物粒子の非制限的な例としては、アンチモン含有化合物、金属水酸化物、グアニジノ(guanidine)系化合物、ホウ素含有化合物、スズ酸亜鉛又はこれらの混合物などが挙げられる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
アンチモン含有化合物の非制限的な例としては、三酸化アンチモン(Ｓｂ２Ｏ３)、四酸化アンチモン(Ｓｂ２Ｏ４)、五酸化アンチモン(Ｓｂ２Ｏ５)又はこれらの混合物などが挙げられる。金属水酸化物の非制限的な例としては、水酸化アルミニウム(Ａｌ(ＯＨ)３)、水酸化マグネシウム(Ｍｇ(ＯＨ)２)又はこれらの混合物などが挙げられる。グアニジノ系化合物の非制限的な例としては、窒酸 グアニジン(guanidine nitrate)、スルファミン酸グアニジノ(guanidine sulfaminate)、燐酸グアニジン(guanidine phosphate)、燐酸グアニル尿素(guanyl urea phosphate)又はこれらの混合物などが挙げられる。ホウ素含有化合物の非制限的な例としては、Ｈ３ＢＯ３、ＨＢＯ2又はこれらの混合物などが挙げられる。スズ酸亜鉛化合物の非制限的な例としては、Ｚｎ2ＳｎＯ4 ＺｎＳｎＯ３(zinc stannate、ZS)、ＺｎＳｎ(ＯＨ)6(zinc hydroxyl stannate、ZHS)又はこれらの混合物などが挙げられる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
前述したスズ酸亜鉛系化合物は、約２００℃付近で吸熱反応により分解される。スズ酸亜鉛化合物が吸熱反応を進行する場合、電池内部の非正常的な熱を吸収するため、電池の連鎖的な発熱反応を抑制できる。また、スズ酸亜鉛系化合物により生成される生成物は、難燃特性に優れるため、素子内部で発生する熱暴走がこれ以上発火や爆発に進行できないように燃焼反応を抑制できる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年12月21日(2011.12.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
更に、独国特許出願公開第２２５５４０号明細書から、爆発物点火手段を備えた電気スイッチ用の駆動装置が公知である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年9月5日(2012.9.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザーアブレーションにより塗装された表面を含むプラスチック製品の製造方法であって、塗装される均一な表面領域は、少なくとも０．２ｄｍ2を含み、前記塗装は超短パルスレーザー蒸着により行われ、パルスのレーザー光は、前記レーザー光を反射する少なくとも一つのミラーを有する回転する光学的なスキャナでスキャンされ、ターゲットの表面の前記レーザー光のスキャン速度は、１０ｍ／ｓより高いことを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記均一な表面領域は、少なくとも０．５ｄｍ2を含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記均一な表面領域は、少なくとも１．０ｄｍ2を含む請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記レーザー蒸着で用いられる前記パルスの周波数は、少なくとも１ＭＨｚである請求項１から３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記レーザーアブレーションは、真空の１０-1から１０-12気圧以下で実行される請求項１から４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項６】
前記レーザーアブレーションは、真空の１０-1から１０-4気圧以下で実行される請求項５記載の製造方法。
【請求項７】
塗装する前記均一な表面領域と、ターゲット材料との間の距離は、２５ｃｍ以下である請求項１から６のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項８】
前記ターゲット材料のアブレーションされた表面は、傷のない塗装を実現するために繰り返してアブレーション可能な請求項１から７のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項９】
前記均一な表面領域になされた塗装の表面粗さの平均は、原子間力顕微鏡（ＡＴＭ）で１μｍ2の領域からスキャンされ、１００ｎｍ未満である請求項１に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記均一な表面領域になされた塗装の光の伝送は、８８％以上である請求項１に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記均一な表面領域になされた前記塗装は、含まれるピンホールが１ｍｍ2あたり１未満である請求項１に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記均一な表面領域は、該均一な表面領域の最初の５０％に、直径が１０００ｎｍを超える粒子を含まない方法で塗装される請求項１に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記プラスチック製品の前記均一な表面領域は、金属、金属酸化物、窒素酸化物、金属炭化物又はこれらの混合物で塗装される請求項１に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記プラスチック製品の前記均一な表面領域は、７０％以上のｓｐ3結合で炭素原子を９０％含む炭素材料で塗装される請求項１に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記プラスチック製品の前記均一な表面領域は、炭素、窒素及び／又はホウ素を異なる比率で含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記プラスチック製品の前記均一な表面領域は、有機ポリマー材料で塗装される請求項１に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記プラスチック製品の前記均一な表面領域は、非有機的材料で塗装される請求項１に記載の製造方法。
【請求項１８】
前記プラスチック製品の前記均一な表面領域は、複数の層の塗料で塗装される請求項１から１７に記載の製造方法。
【請求項１９】
前記塗装の厚さは、２０ｎｍから２０μｍの間である１から１８に記載の製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
産業的な適用では、レーザー処理の高い効率化を達成することが重要である。低温剥離（コールドアブレーション）では、低温剥離の現象を促進するために、レーザーパルスの密度が所定の閾値を越えていなければならない。この閾値は、ターゲットの素材による。高い処理効率と、産業上の生産率を達成するために、パルスの繰り返し率は高く、たとえば１ＭＨｚ、好ましくは２ＭＨｚを声、さらに好ましくは５ＭＨｚを超える。最初に述べたように、ターゲットの表面の同じ場所には、複数のパルスを方向付けないほうが効率的である。なぜなら、方向付けると、ターゲット材料において粒子の蒸着で堆積する効果があり、品質の悪いプラズマになりやすく、品質の悪い塗装や薄膜、ターゲット材料の望まない腐食、ターゲット材料の加熱の可能性等につながるからである。したがって、高い効率での処理を達成するためには、レーザー光の早いスキャンスピードを備えることが必要である。本発明によれば、効率的なプロセスを達成するために、ターゲットの表面の光の速さは、概ね１０ｍ／ｓより高く、好ましくは５０ｍ／ｓより高く、さらに好ましくは１００ｍ／ｓ以上より高く、２０００ｍ／ｓのスピードでさえある。しかしながら、共振するミラー光学的なスキャナでは、慣性モーメントがミラーの十分な角速度を達成することを妨げる。このため、ターゲットの表面で得られたレーザー光はたったの数ｍ／ｓであり、図１はそのような共振するミラー、ガルバノスキャナと呼ばれるものの例を示している。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０２】
本発明の例１
図２８ａは、ピコセコンドの範囲のパルスレーザーを用い、回転するスキャナでアブレーションしたターゲット材料を実例で示す。回転の速度は、公知のガルバノスキャナに関連する問題を避け、ターゲット材料が、隣接するパルスとわずかに重なるアブレーションを実現した速度である。図２８ｂは、アブレーションされた材料の一部を拡大して示したものであり、ｘ軸にもｙ軸にも材料が滑らかで制御されたアブレーションされていることが実例で示されている。そしてこのように、高品質の、粒子のないプラズマ、さらに高品質の薄膜及び塗装が生成される。図２８ｃは、一つ又はわずかなパルスによって達成される単一のアブレーションされたスポットのｘ及びｙ方向の寸法を示す。本発明は、アブレーションされたスポットの幅は常にアブレーションされたスポットの領域の深さよりも、はるかに大きく材料のアブレーションを達成する。理論的には、ありえる粒子は（もし生成されたとしたら）スポットの深さの最大の寸法を有し得る。回転するスキャナはよい品質の製造、よい生産率で粒子のないプラズマを同時に大きなスキャニング幅で、達成し、特に塗装されるための大きく均一な面積を備える基材にとって有益である。さらに、図２８ａ、２８ｂ及び２８ｃは、はっきりと今日の技術とは反対に、すでにアブレーションされたターゲット材料は、さらに新しい高品質のプラズマの生成でアブレーションされることを明らかに実例で示しており、塗装／薄膜形成のコストを徹底的に低減できる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年11月9日(2011.11.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント回路の基板と、少なくとも１つの第１タイプのコンポーネントと、１つの第２タイプのコンポーネントとを備える電子モジュールの製造方法であって、
−半田を前記基板上に配置し、
−前記第１タイプのコンポーネントを所定の位置に置き、
−前記第１タイプのコンポーネントを半田付けするように、その基板全体を加熱して半田を溶解させ、
−前記第２タイプのコンポーネントの導線が半田を介して基板に支持されるように、前記第２タイプのコンポーネントを所定の位置へ置き、
−前記第２タイプのコンポーネントを半田付けするように、半田を局所的に加熱して溶解させる、
ことを含む方法において、
前記第２タイプのコンポーネントの半田付けは、前記第２タイプのコンポーネントの各導線を加熱するために、２つの電極を前記コンポーネントの各導線上に接触させることによって、かつ、前記電極の間に電流を流すことによって行われることを特徴とする、電子モジュールの製造方法。
【請求項２】
前記第１タイプのコンポーネントの半田付けは、前記基板を、リフローオーブンを通過させることによって行われる、請求項１に記載の電子モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記第２タイプのコンポーネントにおける半田付けを、以下のパラメータ、すなわち
−前記電極のための電流強度曲線と、前記第２タイプのコンポーネントの前記導線上の前記電極の機械的圧力とを含む半田付けプロフィール、
−前記電極の幾何学的配列、並びに
−前記コンポーネントにおける前記導線上の前記電極の間隔および位置決め、
の１つまたはそれ以上を修正することによって実行する請求項1に記載の電子モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記第２タイプのコンポーネントを半田付けするために用いられる半田を、同時に第１タイプのコンポーネントを半田付けするために用いられる半田として、前記基板の回路上に置く、請求項１に記載の電子モジュールの製造方法。
【請求項５】
前記半田は、半田ペーストである請求項4に記載の電子モジュールの製造方法。
【請求項６】
前記第２タイプのコンポーネントを所定の位置に置く前に、前記半田を、前記第２タイプのコンポーネントの前記導線上に付着させる、請求項１に記載の電子モジュールの製造方法。
【請求項７】
前記第２タイプのコンポーネントは、前記第１タイプのコンポーネントの上にある、請求項１に記載の電子モジュールの製造方法。
【請求項８】
プリント回路の基板と、少なくとも１つの第１タイプのコンポーネントと、１つの第２タイプのコンポーネントとを備える電子モジュールを生産するための生産ラインにおいて、
前記生産ラインは、
前記第１タイプのコンポーネントを所定の位置へ置くための配設装置と、
前記第１タイプのコンポーネントと前記回路の間に置かれた半田を溶解させるための全体加熱装置と、
前記第２タイプのコンポーネントを所定の位置へ置くための配設装置と、
前記第２タイプのコンポーネントと前記回路の間に置かれている半田を溶解するための局所加熱装置
とを備え、
前記局所加熱装置は、
前記第２タイプのコンポーネントの各導線に接触されるようになっている複数対の電極と、
前記第２タイプのコンポーネントの各導線を加熱するために、前記両電極の間に電流を流すべく、前記電極に接続されている電源
とを備えることを特徴とする電子モジュールの生産ライン。
【請求項９】
前記全体加熱装置は、リフローオーブンを備えている、請求項８に記載の電子モジュールの生産ライン。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
半田の品質に影響を及ぼすことは可能であり、また、半田付けの輪郭(および、特に時間の関数としての電流強度曲線、コンポーネントの導線上の電極の機械的圧力)と、電極の幾何学的配列(特に、よりよい熱の抜き取りを許容するように)と、部品に加えられた力(電極と部品の間の接触を維持するように、かつ、スパークの形成を防止するように)と、導線上の電極の間隔並びに位置付け(特に、導線を通る電流の通路を修正する)とを修正することによって、半田付けの質を、半田付けされる材料やコンポーネントに適合させることは可能である。