【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年4月18日(2012.4.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性構造体を含む構造物を形成した状態で、後に個々に分離することが予定されている、ＭＥＭＳ−構造部分を製造するための複式構造要素であって、
複式構造要素が、平面状の基礎部分と同様に平面状に形成された上部構造部分とを、相互に結合した状態で有し、前記複式構造要素は、前記構造物１個当たり、少なくとも１個の第１の空間部分（５）及び第２の空間部分（６）を含み、第１の空間部分（５）と第２の空間部分（６）は、相互に及び外側周囲に対して密閉されており、そして少なくとも、第１の空間部分（５）内には、回転速度センサー、加速度センサー、アクチュエーター、共振器、ディスプレー、デジタルマイクロ反射鏡、輻射熱計、及び／又はＲＦスイッチが設けられている複式構造要素において、
両空間部分の第１の空間部分（５）はゲッター材料（８）を有し、及びこのゲッター材料に起因して、第２の空間部分（６）とは異なる内圧及び／又は異なるガス組成物を有することを特徴とする複式構造要素。
【請求項２】
平面状基礎部分及び／または平面状に形成された上部構造部分が、シリコンウエハーであることを特徴とする請求項１に記載の複式構造要素。
【請求項３】
前記平面状の基礎部分の上部表面が、現存する活性構造体を除いて平坦であり、及び平面状に形成された上部構造部分は、内側が堀部分又はくぼみ部分を有していることを特徴とする請求項１又は２の何れか１項に記載の複式構造要素。
【請求項４】
両空間部分の第２の空間部分は、ゲッター材料を有していないことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の複式構造要素。
【請求項５】
両空間部分の第２の空間部分は、第２のゲッター材料を含み、第２のゲッター材料のガス吸収特性は、第１の空間部分内のゲッター材料のガス吸収特性とは異なることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の複式構造要素。
【請求項６】
両空間部分の第２の空間部分は、第１の空間部分内に含まれるゲッター材料と同一のゲッター材料を含み、しかし、空間部分の体積に対してゲッター材料の量が少なく、ないし表面積が小さいことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の複数構造部。
【請求項７】
前記ゲッター材料が、少なくとも部分的に構造化されていることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の複式構造要素。
【請求項８】
平面状の基礎部分と、同様に平面状に形成された上部構造部分とが、密閉されたボンド枠によって、相互に結合されていることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の複式構造要素。
【請求項９】
活性構造体を含む構造物を形成した状態で、後に個々に分離することが予定されている複式構造要素に適用するための平面状の基礎部分又は平面状に形成された上部構造部分であって、
基礎部分−又は上部構造部分が、第１の堀部分又はくぼみ部分を有し、及び第２の堀部分又はくぼみ部分を有し、及び
各部分は、前記基礎部分又は前記上部構造部分を、対応する要素と結合させ、前記複式構造要素を形成する際に、相互に密閉した空間部分を形成するように構成され、
少なくとも、それぞれの第１の堀部分又はくぼみ部分には、回転速度センサー、加速度センサー、アクチュエーター、共振器、ディスプレー、デジタルマイクロ反射鏡、輻射熱計、及び／又はＲＦスイッチが設けられており、そして、
第１の堀部分又はくぼみ部分に、第１のゲッター材料が存在し、しかし、第２の堀部分又はくぼみ部分にはゲッター材料が存在しないか、又は第２の堀部分又はくぼみ部分に第２のゲッター材料が存在し、第２のゲッター材料のガス吸収特性が第１のゲッター材料のガス吸収特性とは異なることを特徴とする平面状の基礎部分又は平面状に形成された上部構造部分。
【請求項１０】
第１の領域及び第２の領域のくぼみ部分又は堀部分が、金でできているボンド枠によって完全に囲まれていることを特徴とする請求項９に記載の基礎部分又は上部構造部分。
【請求項１１】
分離した状態の基礎部分及び上部構造部分を有し、マイクロシステム技術に使用可能な構造物であって、
前記基礎部分及び上部構造部分は相互に結合され、これらは少なくとも第１及び第２の空間部分を含み、そして第１及び第２の空間部分は相互に及び外周に対して密閉されており、そして少なくとも、第１の空間部分（５）内には、回転速度センサー、加速度センサー、アクチュエーター、共振器、ディスプレー、デジタルマイクロ反射鏡、輻射熱計、及び／又はＲＦスイッチが設けられている構造物において、
両空間部分の第１の空間部分には、ゲッター材料が設けられ、そしてこのゲッター材料に起因して、第１の空間部分は、第２の空間部分ものとは異なる内圧／及び又は異なるガス組成物を有することを特徴とする構造物。
【請求項１２】
基礎部分及び／又は頂層構造がシリコンで製造されていることを特徴とする請求項１１に記載の構造物。
【請求項１３】
平面状の基礎部分の上部表面が、現存する活性構造体を除いて平坦であり、及び上部構造部分は、内部が堀部分又はくぼみ部分を有していることを特徴とする請求項１１又は１２の何れかに記載の構造物。
【請求項１４】
両空間部分の第２の空間部分には、ゲッター材料が含まれていないことを特徴とする請求項１１〜１３の何れか１項に記載の構造物。
【請求項１５】
両空間部分の第２の空間部分は、ゲッター材料を含み、そのガス吸収特性は、第１の空間部分のゲッター材料のガス吸収特性とは異なることを特徴とする請求項１１〜１３の何れか１項に記載の構造物。
【請求項１６】
両空間部分の第２の空間部分は、第１の空間部分が含むゲッター材料と同一のゲッター材料を含んでおり、しかし、空間部分の体積に対してゲッター材料の量が少なく、ないし表面積が小さいことを特徴とする請求項１１〜１３の何れか１項に記載の構造物。
【請求項１７】
前記ゲッター材料が、少なくとも部分的に構造化されていることを特徴とする請求項１１〜１６の何れか１項に記載の構造物。
【請求項１８】
基礎部分と上部構造部分とが、密閉されたボンド枠によって、相互に結合されていることを特徴とする請求項１１〜１７の何れか１項に記載の構造物。
【請求項１９】
第１の堀部分又はくぼみ部分及び第２の堀部分又はくぼみ部分を有する、マイクロシステム技術に使用可能な構造部分に使用するための、分離した状態の基礎部分又は上部構造部分であって、
第２の堀部分又はくぼみ部分には第２のゲッター材料が存在し、第２のゲッター材料のガス吸収特性は、第１の堀部分又はくぼみ部分に存在する第１のゲッター材料のガス吸収特性とは異なることを特徴とする基礎部分又は上部構造物。
【請求項２０】
第１と第２のくぼみ部分又は堀部分が、金でできているボンド枠によって完全に囲まれていることを特徴とする請求項１９に記載の個別基礎部分又は上部構造物。
【請求項２１】
請求項１〜８の何れか１項に記載の複式構造要素又は請求項１１〜１８の何れか１項に記載の構造物を製造する方法であって、以下の工程、
（ａ）第１の空間部分の領域に第１のゲッター材料が施された平面状の基礎部分／個別基礎部分又は、第１の空間部分の領域に第１のゲッター材料が施され、平面状に形成された上部構造部分を用意する工程、
（ｂ）平面状の基礎部分／個別基礎部分又は上部構造部分を、対応する上部−対応部又は基礎部分−対応部にそろえる工程、
（ｃ）平面状の基礎部分／個別基礎部分及び平面状に形成された上部構造部分から成る組合せを加工室に導入する工程、
（ｄ）加工室を処理用ガスで満たす工程、
を含み、工程（ｄ）での処理用ガスは種類Ａのガスと種類Ｂのガスを含むか又はこれらから成り、種類Ａのガスは、第１のゲッター材料が吸収することが可能であり、及び種類Ｂのガスは、ゲッター材料が吸収することができないか、又は実質的に僅かの量しか吸収できず、及び種類Ａのガスは分圧ＰAを有し、及び種類Ｂのガスは分圧ＰBを有し、そして分圧ＰBは、０であることが可能であり、及び更に以下の工程、
（ｅ）上部構造部分と基礎部分とを接触させ、及び適切な結合技術の補助下にこれら両方の部分を結合させる工程、
（ｆ）種類Ａのガスの分子を吸収するように、第１のゲッター材料を活性化させる工程、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２２】
請求項１１〜１８の何れか１項に記載の構造物を製造するための、請求項２１に記載の方法であって、
工程（ａ）で、平面状の基礎部分と同様に平面状に形成された上部構造部分が、複式構造要素を形成するために組み込まれ、そして工程（ｅ）が終了した後、平面状の基礎部分／上部構造部分からなる組合せを、複数の前記構造物に分離することが行われることを特徴とする方法。
【請求項２３】
両方のウエハーの接合が、ゲッター材料の活性化が行われる工程で行われることを特徴とする請求項２１又は２２の何れかに記載の方法。
【請求項２４】
平面状の基礎部分と平面状に形成された上部構造部分とからなる組合せが、共融結合技術の補助下に行なわれることを特徴とする請求項２１〜２３の何れか１項に記載の方法。
【請求項２５】
前記接触の前に、平面状に形成された上部構造部分又は平面状の基礎部分に、金製の枠が後の接合のために供給されることを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
工程（ｄ）で導入される種類Ｂのガスの分圧ＰBが０であることを特徴とする請求項２１〜２５の何れか１項に記載の方法。
【請求項２７】
工程（ｄ）で導入される種類Ａと種類Ｂのガスの分圧比が１：９９〜９９：１の範囲であることを特徴とする請求項２１〜２６の何れか１項に記載の方法。
【請求項２８】
種類Ａのガスが、ガスＨ2、Ｏ2、ＣＯ2、メタン及びＮ2、又は任意にこれらの混合物から選ばれ、及び／又は、
種類Ｂのガスが、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン及びキセノン又は任意にこれらの混合物から選ばれることを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記構造物の第２の空間部分がゲッター材料を有しないことを特徴とする請求項２７〜２８の何れか１項に記載の方法。
【請求項３０】
第２の空間部分が第２のゲッター材料を有し、この第２のゲッター材料は、少なくとも種類ＡとＢのガスに対するガス吸収特性が、第１のゲッター材料のガス吸収特性とは異なることを特徴とする請求項２７又は２８に記載の方法。
【請求項３１】
第２の空間部分が、第１の空間部分のゲッター材料と同一のゲッター材料を有し、
施されるゲッター材料の量又は面積は、ゲッター材料の活性の後、第１の空間部分内の分圧ＰA及びＰBと異なる分圧ＰA及びＰBが、第２の空間部分内に形成される量又は面積であることを特徴とする請求項２７又は２８に記載の方法。
【請求項３２】
空間部分を３個以上有し、第３の空間部分は、ゲッター材料を有しない構造部分を製造するための請求項２１〜２５及び２７〜３１の何れか１項に記載の方法。
【請求項３３】
空間部分を３個以上有し、第３の空間部分が、請求項３１に記載の第２のゲッター材料又は第３のゲッター材料を有し、この第３のゲッター材料は、少なくとも種類ＡとＢのガスに対するガス吸収特性が、第１のゲッター材料と第２のゲッター材料が有するガス吸収特性とは異なることを特徴とする請求項２１〜２５及び請求項２７〜３１の何れか１項に記載の方法。
【請求項３４】
処理用ガスが、追加的に種類Ｃの更なるガスを有し、この種類Ｃのガスは、第２又は第３のゲッター材料に吸収されないか又は実質的に僅かな量でしか吸収されず、種類Ａのガスは、分圧ＰAを有し、種類Ｂのガスは、分圧ＰBを有し、種類Ｃのガスは分圧ＰCを有することを特徴とする請求項３３に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
以下に、図４Ａ）〜４Ｃ）を使用して、複数又は多数のセンサーを有するウエハーの製造と、この後のＭＥＭＳ構造物への個別分離について例示して説明する。センサーの代わりに、マイクロシステム技術に利用される任意の活性構造体、例えば、アクチュエーター、共振器、ディスプレー、デジタルマイクロ反射鏡、輻射熱計、ＲＦスイッチ、及び他のものが存在可能なことは明確である。同様に、センサーとして、任意のセンサー、例えば、回転速度センサー（共振センサー、ギブロスコープ）、加速度センサー、絶対圧力センサー、又はこれらに類似するものを設けることができる。複式構造要素の製造と後の個々の分離の代わりに、個々の構造要素としての構造要素が直接的に製造され得ることは、特に明確である。そして、最後に、（シリコン−）ウエハーの代わりに、任意に（ＭＥＭＳ−構造部分の製造に適した）他の基礎部分及び上部材料（上部構造部分）ないし構造体が使用され得ることが、再度指摘される。