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【手続補正書】
【提出日】平成24年5月28日(2012.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３．０ｍｍ以上の最小厚さを有する、アイオノマー組成物を含む成形品であって；
前記アイオノマー組成物は、前駆体酸共重合体を部分的に中和することによって製造されるアイオノマーを含み、かつ
前記前駆体酸共重合体は、２〜１０個の炭素を有するα−オレフィン共重合単位と、前駆体酸共重合体の全重量に対して約１９．５〜約３０重量％の、３〜８個の炭素を有するα，β−エチレン型不飽和カルボン酸共重合単位を含み；
前記前駆体酸共重合体は、ＡＳＴＭ  Ｄ−１２３８による１９０℃、荷重２．１６ｋｇでの測定で、約３５０ｇ／１０分以下のメルトフローレート（ＭＦＲ）を有し；
前記前駆体酸共重合体の全カルボン酸含有量の約５％〜約９０％が中和され、
前記アイオノマーは、ＡＳＴＭ  Ｄ−１２３８による１９０℃、荷重２．１６ｋｇでの測定で、約２５ｇ／１０分以下のＭＦＲを有し；かつ
前記アイオノマー組成物を溶融し、この溶融したアイオノマー組成物を板状試験片に成形し、この溶融アイオノマー組成物を０．１℃／分以下の速度で（２２±３）℃以下の温度にまで冷却することによって作製される厚さ３．０ｍｍの板状試験片について、ＡＳＴＭ−１００３  ＡＳＴＭ  Ｄ１００３により測定されるアイオノマー組成物のヘーズが、０．７〜１３．５である成形品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
本発明の好ましい実施形態を記載し、上で具体的に例示してきたが、本発明がそのような実施形態に限定されることを意図するものではない。次の請求項に記載する本発明の範囲と精神から逸脱することなく、様々な修正を加えることができる。
次に、本発明の態様を示す。
1.  ３．０ｍｍ以上の最小厚さを有する、アイオノマー組成物を含む成形品であって；
前記アイオノマー組成物は、前駆体酸共重合体を部分的に中和することによって製造されるアイオノマーを含み、かつ
前記前駆体酸共重合体は、２〜１０個の炭素を有するα−オレフィン共重合単位と、前駆体酸共重合体の全重量に対して約１９．５〜約３０重量％の、３〜８個の炭素を有するα，β−エチレン型不飽和カルボン酸共重合単位を含み；
前記前駆体酸共重合体は、ＡＳＴＭ  Ｄ−１２３８による１９０℃、荷重２．１６ｋｇでの測定で、約３５０ｇ／１０分以下のメルトフローレート（ＭＦＲ）を有し；
前記前駆体酸共重合体の全カルボン酸含有量の約５％〜約９０％が中和され、
前記アイオノマーは、ＡＳＴＭ  Ｄ−１２３８による１９０℃、荷重２．１６ｋｇでの測定で、約２５ｇ／１０分以下のＭＦＲを有し；かつ
前記アイオノマー組成物を溶融し、この溶融したアイオノマー組成物を板状試験片に成形し、この溶融アイオノマー組成物を０．１℃／分以下の速度で（２２±３）℃以下の温度にまで冷却することによって作製される厚さ３．０ｍｍの板状試験片について、ＡＳＴＭ−１００３  ＡＳＴＭ  Ｄ１００３により測定されるアイオノマー組成物のヘーズが、０．７〜１３．５である成形品。
2.  前記アイオノマーが、ナトリウム、リチウム、マグネシウム、亜鉛、カルシウム、およびこれらの２種以上のイオンの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１種の金属陽イオンを含むか；または前記前駆体酸共重合体が、約２０〜約２５重量％の、３〜８個の炭素を有するα，β−エチレン型不飽和カルボン酸共重合単位を含むか；またはＡＳＴＭ  Ｄ−１２３８により１９０℃、荷重２．１６ｋｇで測定される前記前駆体酸共重合体のＭＦＲが約６０ｇ／１０分以下で、かつ前記アイオノマーのＭＦＲが約５ｇ／１０分以下であるか；または前記前駆体酸共重合体の全カルボン酸含有量の約２０％〜約５０％が中和される上記１に記載の成形品。
3.  前記前駆体酸共重合体の全カルボン酸含有量の約２０％〜約３５％が中和され、かつ前記金属イオンが実質的にナトリウム陽イオンからなる上記１または２に記載の成形品。
4.  実質的に前記アイオノマー組成物からなり、かつ最小厚さと最大厚さが約３〜約１００ｍｍの範囲である上記１〜３のいずれか一項に記載の成形品。
5.  多層構造の形態を有し、前記多層構造の少なくとも１層が前記アイオノマー組成物から実質的に構成される上記１〜４のいずれか一項に記載の成形品。
6.  シート、容器、蓋もしくは栓、トレー、医療機器または器具、ハンドル、ノブ、プッシュボタン、装飾用品、パネル、コンソールボックス、または靴の部品である上記１〜５のいずれか一項に記載の成形品。
7.  化粧品容器である上記１〜６のいずれか一項に記載の成形品。
8.  前記容器が、前記アイオノマー組成物から実質的に構成される少なくとも１層を含む多層構造を有する上記７に記載の成形品。
9.  前記アイオノマー組成物から実質的に構成される１層以上の層が、少なくとも約３ｍｍの最小厚さを有する上記８に記載の成形品。
10.  押出成形、ブロー成形、圧縮成形および射出成形からなる群より選択される方法によって製造される上記１〜９のいずれか一項に記載の成形品。
11.  コインジェクションモールド法およびオーバーモールド法からなる群より選択される方法によって製造される上記１〜１０のいずれか一項に記載の成形品。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月25日(2012.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料から生成される電子を検出するステップと、
前記検出された電子に基づいて第１画像を生成するステップと、
前記第１画像に基づく前記試料の一領域から散乱された第１の複数のイオンの存在量を検出するステップと、
前記試料から散乱される第２の複数のイオンを、該第２の複数のイオンのエネルギーに基づいて検出するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記第１の複数のイオンの検出された存在量に基づいて、前記試料の第２画像を生成するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の複数のイオンを検出する前記試料の領域は、前記第２画像に基づくことを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の複数のイオンが検出される前記試料の前記領域は、前記第１画像にも基づくことを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の複数のイオンは前記第１の複数のイオンの後に検出されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記電子は第１期間に検出され、前記第１の複数のイオンは、第１期間とは異なる第２期間に検出され、前記第２の複数のイオンは第３期間に検出され、
前記第２期間は前記第１期間よりも長く、前記第３期間は前記第２期間よりも長いことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記試料から散乱する前記第２の複数のイオンは、前記第２の複数のイオンの角度に基づいて検出されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
試料を収容するように構成されたハウジングと、
前記ハウジング内の荷電粒子源と、
前記試料にて生成された電子を検出するように構成された、前記ハウジング内のエバーハート−ソーンリー検出器と、
前記試料から散乱されたイオンの存在量を検出するように構成された、前記ハウジング内のマイクロチャンネルプレート検出器と、
前記イオンのエネルギーに基づいて前記試料から散乱されたイオンを検出するように構成された、前記ハウジング内のソリッドステート検出器と、
を備えるシステム。
【請求項９】
電子源をさらに備えることを特徴とする、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記ソリッドステート検出器は、
導電性層と、
不活性領域と、
検出領域と、
を有し、
前記不活性領域は、前記導電性層と前記検出領域との間に存在し、
前記導電性層の厚さは最大２５ｎｍであるか、又は、
前記導電性層はメッシュ又はグリッドとして構成される
ことを特徴とする、請求項８に記載のシステム。
【請求項１１】
前記導電性層の厚さは、少なくとも１ｎｍであることを特徴とする、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記不活性領域はドープされた半導体を含むことを特徴とする、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
前記不活性領域はドープされたシリコンを含み、前記検出領域はシリコンを含むことを特徴とする、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１４】
前記不活性領域の厚さは最大２５ｎｍであることを特徴とする、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１５】
荷電粒子および試料を相互作用させて電子を生成させるステップと、
第１期間に、前記電子を検出するステップと、
前記検出された電子に基づいて第１画像を生成するステップと、
前記電子を検出した後に、第２期間に、前記試料から散乱される第１の複数のイオンの存在量を検出するステップと、
前記散乱された第１の複数のイオンに基づいて第２画像を生成するステップと、
前記散乱された第１の複数のイオンを検出した後に、第３期間に、前記試料から散乱された第２の複数のイオンを、該第２の複数のイオンのエネルギーに基づいて検出するステップと、を含み、
前記第２期間は前記第１期間よりも長く、前記第３期間は前記第２期間よりも長いことを特徴とする、方法。
【請求項１６】
前記荷電粒子はイオンを含むことを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記荷電粒子はガス電界電離イオン源によって生成されたイオンを含むことを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記荷電粒子は電子を含むことを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１の複数のイオンが検出される前記試料の一領域は、前記第１画像に基づき、前記第２の複数のイオンが検出される前記試料の一領域は、前記第２画像に基づくことを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記第２の複数のイオンが検出される前記試料の前記領域は、前記第１画像にも基づくことを特徴とする、請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月28日(2012.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス電界電離型イオン源を用いて希ガスの同位体イオンビームを形成するステップ、および
前記イオンビーム中の前記希ガスの前記同位体イオンを用いて試料を精査又は改変するステップ、を含む方法であって、
前記同位体は、Ｈｅ−３、Ｎｅ−２０、Ｎｅ−２２、Ａｒ−３６、Ａｒ−３８、Ｋｒ−７８、Ｋｒ−８０、Ｋｒ−８２、Ｋｒ−８３、Ｘｅ−１２４、Ｘｅ−１２６、Ｘｅ−１２８、Ｘｅ−１２９、Ｘｅ−１３０、Ｘｅ−１３１、Ｘｅ−１３２、Ｘｅ−１３４、およびＸｅ−１３６からなる群から選択され、
前記同位体の前記イオンの量は該同位体の天然存在比よりも多い、方法。
【請求項２】
前記イオンの少なくとも０．０１％は、Ｈｅ−３、Ｎｅ−２０、Ｎｅ−２２、Ａｒ−３６、Ａｒ−３８、Ｋｒ−７８、Ｋｒ−８０、Ｋｒ−８２、Ｋｒ−８３、Ｘｅ−１２４、Ｘｅ−１２６、Ｘｅ−１２８、Ｘｅ−１２９、Ｘｅ−１３０、Ｘｅ−１３１、Ｘｅ−１３２、Ｘｅ−１３４、又はＸｅ−１３６イオンであることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記イオンの前記ビームは、希ガスの同位体を第１パーセンテージで含む第１のイオンビームであり、
界を用いて前記第１のイオンビームを改変し、前記希ガスの同位体を第２パーセンテージで含む第２のイオンビームを形成するステップ、を含み、
前記第１パーセンテージは前記第２パーセンテージとは異なり、
前記前記同位体は、Ｈｅ−３、Ｎｅ−２０、Ｎｅ−２２、Ａｒ−３６、Ａｒ−３８、Ｋｒ−７８、Ｋｒ−８０、Ｋｒ−８２、Ｋｒ−８３、Ｘｅ−１２４、Ｘｅ−１２６、Ｘｅ−１２８、Ｘｅ−１２９、Ｘｅ−１３０、Ｘｅ−１３１、Ｘｅ−１３２、Ｘｅ−１３４、およびＸｅ−１３６からなる群から選択されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２パーセンテージは前記第１パーセンテージよりも大きいことを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記界は、磁界、もしくは電界であり、または複数の界を含むことを特徴とする、請求項３又は４に記載の方法。
【請求項６】
前記同位体の前記イオンの量は、該同位体の天然存在比の少なくとも２倍であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記同位体の前記イオンの量は、該同位体の天然存在比の少なくとも１０倍であることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記同位体の前記イオンの量は、該同位体の天然存在比の少なくとも１０００倍であることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記Ｈｅイオンの９５％未満はＨｅ−３イオンであることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記イオンビームはＮｅイオンを少なくとも０．１％含み、該Ｎｅイオンの９０％未満はＮｅ−２０イオンであることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記イオンビームはＡｒイオンを少なくとも０．１％含み、該Ａｒイオンの９９．５％未満はＡｒ−４０イオンであることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記イオンビームはＫｒイオンを少なくとも０．１％含み、該Ｋｒイオンの５５％未満はＫｒ−８４イオンであることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記イオンビームはＸｅイオンを少なくとも０．１％含み、該Ｘｅイオンの２５％未満はＸｅ−１３２イオンであることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
イオン源にガスを作用させて前記イオンを生成するステップを含むことを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記試料は、半導体製品、生物学的試料、薬剤試料、凍結水、リード／ライトヘッド、金属試料類、および合金試料類を含む群から選択される試料を含む、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記イオンを前記試料に作用させて該試料から粒子を離脱させ、前記粒子を検出して該試料に関する情報を測定するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記イオンを用いてガスアシスト化学処理を行い前記試料を改変するステップを含むことを特徴とする、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記イオンは前記試料をスパッタすることを特徴とする、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記試料はマスクを備え、前記方法は前記マスクを修復することを特徴とする請求項１〜１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記試料は半導体製品を含み、前記方法は前記試料に対して材料を添加するステップ、又は前記試料から材料を除去するステップにより、回路を修復することを特徴とする、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月29日(2012.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の透明又は半透明導電層、
第２の透明又は半透明導電層、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に配置された透明又は半透明の介在層、及び、
基板、
の順序で配置された層を含み、
前記介在層が前記第１の導電層と前記第２の導電層との間の導電経路を含む、
透明又は半透明の導電フィルム。
【請求項２】
ディスプレイ装置であって、
第１の基板、
第１の電極、
ディスプレイ材料、
第２の電極、及び
第２の基板、
の順序で配置された層を含み、
前記第１及び第２の電極がそれぞれ、
第１の透明又は半透明導電層と、
第２の透明又は半透明導電層と、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に配置された透明又は半透明の介在層と、を含み、
前記介在層が前記第１の導電層と前記第２の導電層との間の導電経路を含む、
装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月8日(2012.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶ディスプレイパネルと、
前記液晶ディスプレイパネルに光を供給するように配置された指向性バックライトと、
前記液晶ディスプレイパネルと前記指向性バックライトとの間に設けられた両面プリズムフィルムとを含み、前記プリズムフィルムが、前記液晶ディスプレイパネルに隣接する複数の円筒形レンズを有する第１表面と、前記指向性バックライトに隣接する複数の非連続プリズムを有し、前記第１表面に対して反対側を向く第２表面とを含む、ステレオスコピック３Ｄ液晶ディスプレイモジュール。
【請求項２】
液晶ディスプレイパネルと、
前記液晶ディスプレイパネルに光を供給するように配置された指向性バックライトであって、前記指向性バックライトが、
第１側面、前記第１側面に対して反対側を向く第２側面、前記第１側面と前記第２側面との間に延びる第１表面、及び前記第１表面に対して反対側を向く第２表面を有する光ガイドであって、前記第１表面が実質的に光を方向転換し、前記第２表面が実質的に光を前記液晶ディスプレイパネルへと透過する、光ガイドと、
前記光ガイドの前記第１側面に沿って設けられる第１光源と、
前記光ガイドの前記第２側面に沿って設けられる第２光源とを含む、指向性バックライトと、
前記第１光源及び前記第２光源に電気的に接続されている同期駆動素子であって、前記第１光源又は前記第２光源のそれぞれを交互にオン又はオフに切り替えて前記第１側面と前記第２側面とを同期させる同期駆動素子と、
前記液晶ディスプレイパネルと前記指向性バックライトとの間に設けられた両面プリズムフィルムとを含み、前記プリズムフィルムが、前記液晶ディスプレイパネルに隣接する複数の円筒形レンズを有する第１表面と、前記指向性バックライトに隣接する複数の非連続プリズムを有し、前記第１表面に対して反対側を向く第２表面とを含む、ステレオスコピック３Ｄ液晶ディスプレイ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月1日(2012.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源（１）と画像形成回路（５，７）とが設けられており、
前記光源は、赤色光、緑色光および青色光を形成するための複数の層（３１−３３）が上下方向に配置されているＲＧＢ‐ＬＥＤとしての唯一のマルチカラーＬＥＤであり、
前記複数の層（３１−３３）の少なくとも一部はエピタキシャル成長によって堆積されておらず、少なくとも一部は成長基板から取り外された個別の発光ダイオードであり、
前記マルチカラーＬＥＤは唯一の発光面（３０）を有しており、該発光面を通って当該のプロジェクタの動作時に交互に赤色光、緑色光および青色光が出射され、
前記発光面（３０）は最大で２．５ｍｍ２の面積を有する
ことを特徴とするプロジェクタ。
【請求項２】
前記複数の層（３１−３３）のすべてが成長基板から取り外された個別の発光ダイオードである、請求項１記載のプロジェクタ。
【請求項３】
各層間に１つずつ、各層を機械的に接合する接合材料が配置されている、請求項１または２記載のプロジェクタ。
【請求項４】
前記接合材料はシリコーンまたはエポキシド樹脂である、請求項３記載のプロジェクタ。
【請求項５】
各層間に１つずつ、少なくとも１つの層の電気コンタクトの形成に用いられる透光性のコンタクト層が配置されている、請求項１から３までのいずれか１項記載のプロジェクタ。
【請求項６】
前記透光性のコンタクト層はＴＣＯから成る、請求項５記載のプロジェクタ。
【請求項７】
前記発光面（３０）は最大で１ｍｍ２の面積を有する、請求項１から６までのいずれか１項記載のプロジェクタ。
【請求項８】
当該のプロジェクタは動作時に画像を表示するスクリーン（６）を有している、請求項１から７までのいずれか１項記載のプロジェクタ。
【請求項９】
前記画像形成回路（５）はＬＣｏＳリフレクタである、請求項１から８までのいずれか１項記載のプロジェクタ。
【請求項１０】
前記画像形成回路（５）は旋回可能な鏡を備えたＤＬＰリフレクタである、請求項１から８までのいずれか１項記載のプロジェクタ。
【請求項１１】
前記画像形成回路（７）はＬＣＤ画像形成回路である、請求項１から８までのいずれか１項記載のプロジェクタ。
【請求項１２】
請求項１から１１までのいずれか１項に記載されたプロジェクタを備えていることを特徴とする携帯電話機。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月13日(2012.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ポリアミド、脂肪族ジカルボン酸もしくは芳香族ジカルボン酸と２〜１８個の炭素原子を有する脂肪族ジオールもしくはジオール混合物とのホモポリエステル及び／又はコポリエステル、ポリウレタン、ポリオレフィン、前記ポリマーから構成される構造単位を含むコポリマー、及びそれらの混合物から成る群から選択される、成分Ａとしての少なくとも１種の疎水性ポリマーと、
（ｂ）デンプン、セルロース、ポリビニルアルコール、タンパク質、ポリ（メタ）アクリルアミド、多糖及びそれらの混合物から成る群から選択される、成分Ｂとしての少なくとも１種の親水性ポリマーと、
（ｃ）成分Ｃとしての、成分Ａ及び／又はＢを架橋し、且つアルデヒド、ジアルデヒド、ジケトン、アルデヒドケトン、前記化合物の誘導体及びそれらの混合物から成る群から選択される少なくとも１種の化合物に由来する少なくとも１つの構造単位と
を含むポリマーブレンド。
【請求項２】
前記少なくとも１種の疎水性ポリマー（成分Ａ）が、脂肪族ジカルボン酸もしくは芳香族ジカルボン酸と２〜１８個の炭素原子を有する脂肪族ジオールもしくはジオール混合物との生分解性ホモポリエステル及び／又はコポリエステルである、請求項１に記載のポリマーブレンド。
【請求項３】
成分Ｃが、一般式（Ｉ）
【化１】
2011524923.tif 000001
［式中、
Ｒ1及びＲ2は、互いに独立して、水素、Ｃ1〜Ｃ8−アルキル、Ｃ2〜Ｃ8−アルケニル、Ｃ2〜Ｃ8−アルキニル、Ｃ6〜Ｃ22−アリール、Ｃ6〜Ｃ22−ヘテロアリール、Ｃ6〜Ｃ22−アルキルアリール又はＣ6〜Ｃ22−アルキルヘテロアリールであり、及び
ｎは、０〜１２である］のジアルデヒド、ジケトン、アルデヒドケトン又はそれらの混合物に由来する、請求項１又は２に記載のポリマーブレンド。
【請求項４】
成分Ｃが、ジアルデヒド、ジケトン、アルデヒドケトンの尿素誘導体若しくはジアルキル尿素誘導体又はそれらの混合物、又はグリオキサル樹脂若しくはメチルグリオキサル樹脂に由来する、請求項１から３までのいずれか１項に記載のポリマーブレンド。
【請求項５】
少なくとも１種の可塑剤を含む、請求項１から４までのいずれか１項に記載のポリマーブレンド。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか１項に記載のポリマーブレンドの製造方法において、
（Ａ）ポリアミド、脂肪族ジカルボン酸もしくは芳香族ジカルボン酸と、２〜１８個の炭素原子を有する脂肪族ジオールもしくはジオール混合物とのホモポリエステル及び／又はコポリエステル、ポリウレタン、ポリオレフィン、前記ポリマーから構成される構造単位を含むコポリマー、及びそれらの混合物から成る群から選択される、成分Ａとしての少なくとも１種の疎水性ポリマーと、デンプン、セルロース、ポリビニルアルコール、タンパク質、ポリ（メタ）アクリルアミド、多糖及びそれらの混合物から成る群から選択される、成分Ｂとしての少なくとも１種の親水性ポリマーとを混合してポリマーブレンドを得るステップと、
（Ｂ）ステップ（Ａ）において得られた前記ポリマーブレンドと成分Ｄとしてのアルデヒド、ジアルデヒド、ジケトン、アルデヒドケトン、前記化合物の誘導体及びそれらの混合物から成る群から選択される化合物とを混合し、そして反応させて、ポリマーブレンドを得るステップと
を含む前記方法。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか１項に記載のポリマーブレンドの製造方法において、
（Ｃ）デンプン、セルロース、ポリビニルアルコール、タンパク質、ポリ（メタ）アクリルアミド、多糖及びそれらの混合物から成る群から選択される、成分Ｂとしての少なくとも１種の親水性ポリマーとアルデヒド、ジアルデヒド、ジケトン、アルデヒドケトン、前記化合物の誘導体及びそれらの混合物から成る群から選択される化合物とを混合し、そして反応させて、変性ポリマーを得るステップと、
（Ｄ）ステップ（Ｃ）において得られた前記変性ポリマーとポリアミド、脂肪族ジカルボン酸もしくは芳香族ジカルボン酸と、２〜１８個の炭素原子を有する脂肪族ジオールもしくはジオール混合物とのホモポリエステル及び／又はコポリエステル、ポリウレタン、ポリオレフィン、前記ポリマーから構成される構造単位を含むコポリマー、及びそれらの混合物から成る群から選択される、少なくとも１種の疎水性ポリマーＡとを混合して、ポリマーブレンドを得るステップと
を含む前記方法。
【請求項８】
ステップ（Ｂ）もしくは（Ｄ）における混合が押出機において行われる、請求項６又は７に記載の方法。
【請求項９】
ステップ（Ｂ）もしくは（Ｄ）が８０〜２２０℃の温度で行われる、請求項６から８までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
請求項１から５までのいずれか１項に記載のポリマーブレンドを含む部材、シート又はフィルム。
【請求項１１】
請求項１から５までのいずれか１項に記載のポリマーブレンドを、部材、シート又はフィルムの製造のために使用する方法。
【請求項１２】
アルデヒド、ジアルデヒド、ジケトン、アルデヒドケトン、前記化合物の誘導体及びそれらの混合物から成る群から選択される少なくとも１種の化合物を、ポリアミド、脂肪族ジカルボン酸もしくは芳香族ジカルボン酸と、２〜１８個の炭素原子を有する脂肪族ジオールもしくはジオール混合物とのホモポリエステル及び／又はコポリエステル、ポリウレタン、ポリオレフィン、前記ポリマーから構成される構造単位を含むコポリマー、及びそれらの混合物から成る群から選択される、成分Ａとしての少なくとも１種の疎水性ポリマーと、デンプン、セルロース、ポリビニルアルコール、タンパク質、ポリ（メタ）アクリルアミド、多糖及びそれらの混合物から成る群から選択される、成分Ｂとしての少なくとも１種の親水性ポリマーとを含むポリマーブレンドの製造のために使用する方法であって、成分Ａ及び／又はＢが架橋されることを含む前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月6日(2012.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）容器中で８０〜１２０℃において、式Ｉ：
【化１】
2011524910.tif 000001
（式中、ＲはＣ1〜Ｃ20アルキルである）
のアルコキシジヒドロピラン化合物、水及び酸性触媒を含む反応混合物を反応させて、グルタルアルデヒド及び前記アルコキシジヒドロピラン化合物のアルコキシ基に対応するアルコールを形成せしめ；
（ｂ）前記反応混合物から、アルコール及び未反応アルコキシジヒドロピラン化合物を含む留出物を除去し（ここで前記除去は蒸留カラムを用いて実施する）；
（ｃ）前記留出物を、前記蒸留カラムの外部に配置された不均質触媒と接触させることによって、前記アルコキシジヒドロピラン化合物の少なくとも一部をそこで反応させ；そして
（ｄ）工程（ｃ）の留出物の少なくとも一部を前記蒸留カラムに戻す
ことを含んでなるグルタルアルデヒドの製造方法。
【請求項２】
前記蒸留カラムに、コンデンサー、コンデンサー受け器及び凝縮液還流流れラインを含む塔頂留出物還流系を装着し、且つ前記不均質触媒を前記塔頂留出物還流系中に配置する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記不均質触媒を凝縮液還流流れライン中に配置する請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記不均質触媒をコンデンサー受け器中に配置する請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記アルコキシジヒドロピラン化合物が２−メトキシ−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピランである請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記不均質触媒が酸官能化樹脂ビーズ、ゼオライト又はクレイである請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記不均質触媒が酸性イオン交換樹脂である請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
式ＩのＲがメチルである請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月25日(2012.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
液体供給材料から基材上に皮膜を製造するための溶射装置であって、
ｉ）軸方向注入溶射トーチであって、溶射トーチの中心軸の半径方向外側に配置されるとともにトーチ内の収束領域において収束する複数のプラズマ流からプラズマスプレーを発生させる軸方向注入溶射トーチと、
ｉｉ）前記収束領域における前記収束する複数のプラズマ流中への軸方向注入のために、液体供給材料の制御された流れを前記軸方向注入溶射トーチに前記溶射トーチの中心軸に沿って送達する液体供給材料送達手段とを含み、
ｉｉｉ）前記トーチは、前記収束領域の下流に、前記プラズマスプレーを通しかつ前記基材上に放出する中細ノズルを含むことを特徴とする溶射装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
液体供給材料から基材上に皮膜を製造する方法であって、
ｉ）ａ）軸方向注入溶射トーチであって、溶射トーチの中心軸の半径方向外側に配置されるとともにトーチ内の収束領域において収束する複数のプラズマ流からプラズマスプレーを発生させ、かつ、前記収束領域の下流に、プラズマスプレーを通しかつ放出する中細ノズルを含む軸方向注入溶射トーチと、ｂ）前記収束領域における前記複数のプラズマ流中への軸方向注入のために、前記軸方向注入溶射トーチへの液体供給材料の制御された流れを前記溶射トーチの中心軸に沿って送達する液体供給材料送達手段とを提供する工程と、
ｉｉ）液体供給材料の制御された流れを軸方向注入溶射トーチに送達することにより、前記基材上に、前記中細ノズルを通して前記基材上に放出されるコーティング粒子のプラズマスプレーを発生させる工程とを含む方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
液体供給材料から基材上に皮膜を製造するための溶射装置であって、
ｉ）軸方向注入溶射トーチであって、溶射トーチの中心軸の半径方向外側に配置されるとともにトーチ内の収束領域において収束する複数のプラズマ流からプラズマスプレーを発生させる軸方向注入溶射トーチと、
ｉｉ）前記収束領域における前記複数のプラズマ流中への軸方向注入のために、液体供給材料の制御された流れを前記軸方向注入溶射トーチに前記溶射トーチの中心軸に沿って送達する液体供給材料送達手段とを含み、
ｉｉｉ）前記トーチは、前記収束領域における前記複数のプラズマ流中への軸方向注入に先立って、液体供給材料送達を霧化する霧化注入器と、前記収束領域の下流に、前記プラズマスプレーを通しかつ前記基材上に放出する中細ノズルとを含むことを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月17日(2012.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
潜熱を再生的に貯蔵回収する熱エネルギー貯蔵材料（ＴＥＳＭ）システムであって、
ａ．壁表面を有する容器並びに
ｂ．前記壁表面と少なくとも部分的接触状態にあるＴＥＳＭで、そして
ｉ）硝酸塩イオン、亜硝酸塩イオン又は両方を含有する少なくとも１種の第一の金属化合物を含む、少なくとも１種の第一の金属含有材料；
ｉｉ）少なくとも１種の第二の金属化合物を含有する、少なくとも１種の第二の金属含有材料を含み、そして
ｉｉｉ）存在する場合には水濃度が、１０重量％よりも低い、任意的に水を含む
ことを含んでなり、
前記ＴＥＳＭが、１００℃〜２５０℃の液相線温度、ＴLを有し、
前記ＴＥＳＭが、少なくとも１ＭＪ／Ｌの３００℃から８０℃までの熱貯蔵密度を示し、
そうして、熱を発生するシステム内で使用する際に、熱の少なくとも一部がＴＥＳＭによって捕捉され、貯蔵され、続いて使用のために放出され、そして
ＴＥＳＭと接触状態にある壁表面の質量に於ける変化の絶対値が、不活性雰囲気内で３００℃でＴＥＳＭに４５日間露出した後に、壁表面の１ｍ2当たり１ｇよりも小さい熱エネルギー貯蔵材料（ＴＥＳＭ）システム。
【請求項２】
ＴＥＳＭが容器内に含有されており、前記容器がキャビティを有し、壁表面が金属酸化物を含む請求項１に記載のＴＥＳＭシステム。
【請求項３】
存在する場合、ＴＥＳＭ中の水素原子の濃度がＴＥＳＭ中の原子の合計濃度基準で、５モル％よりも少ない請求項１又は２に記載のＴＥＳＭシステム。
【請求項４】
前記ＴＥＳＭが、７０％よりも大きいＨC50／ＨC1の値（ここで、ＨC50は、示差走査熱量測定により、ＴL＋５０℃〜ＴL−１００℃の温度範囲に亘って５０℃／分の冷却速度で測定した急冷された結晶化熱として定義され、ＨC1が、示差走査熱量測定により、１℃／分の冷却速度で測定した徐冷された結晶化熱として定義される）を有する請求項１〜３のいずれか１項に記載のＴＥＳＭシステム。
【請求項５】
前記ＴＥＳＭが硝酸リチウム及び硝酸ナトリウムを含有する請求項１〜４に記載のＴＥＳＭシステム。
【請求項６】
前記ＴＥＳＭが、熱エネルギー貯蔵材料の合計モル数基準で、３５モル％〜６５モル％の濃度で、硝酸リチウムを含む請求項１〜５のいずれか１項に記載のＴＥＳＭシステム。
【請求項７】
前記ＴＥＳＭが、熱エネルギー貯蔵材料の合計モル数基準で、３５モル％〜６５モル％の濃度で、硝酸ナトリウムを含む請求項１〜６のいずれか１項に記載のＴＥＳＭシステム。
【請求項８】
前記ＴＥＳＭが硝酸塩イオン及び亜硝酸塩イオンを含む請求項１〜７のいずれか１項に記載のＴＥＳＭシステム。
【請求項９】
前記ＴＥＳＭが、任意的に、水を含み、存在する場合には、水濃度がＴＥＳＭの合計重量基準で２重量％よりも低い請求項１〜８のいずれか１項に記載のＴＥＳＭシステム。
【請求項１０】
前記ＴＥＳＭが核生成剤を含む請求項１〜９のいずれか１項に記載のＴＥＳＭシステム。
【請求項１１】
前記ＴＥＳＭが前記容器のキャビティの７０％又はそれ以上を充填する請求項２〜１０のいずれか１項に記載のＴＥＳＭシステム。
【請求項１２】
前記ＴＥＳＭが腐食防止剤を含む請求項１〜１１のいずれか１項に記載のＴＥＳＭシステム。
【請求項１３】
前記ＴＥＳＭが、ＴＥＳＭ中のカチオンの合計濃度基準で、４０モル％〜８０モル％の濃度で、リチウムカチオンを含む請求項１〜１２のいずれか１項に記載のＴＥＳＭシステム。
【請求項１４】
前記ＴＥＳＭが、存在する場合には、ＴＥＳＭの合計重量基準で２重量％よりも低い水濃度を有する請求項１〜１３のいずれか１項に記載のＴＥＳＭシステム。
【請求項１５】
前記ＴＥＳＭがＴmin−２５℃（ここでＴminはＴＥＳＭの任意のアニオン及びＴＥＳＭの任意のカチオンによって形成されることができる全ての二成分塩の最低溶融温度である）よりも低い液相線温度を有する請求項１〜１４のいずれか１項に記載のＴＥＳＭシステム。
【請求項１６】
硝酸リチウム及び硝酸ナトリウムの合計濃度が、前記ＴＥＳＭの合計重量基準で、９５重量％よりも高い請求項２〜１５のいずれか１項に記載のＴＥＳＭシステム。
【請求項１７】
前記ＴＥＳＭが共融組成を有する三成分材料である請求項２〜１６のいずれか１項に記載のＴＥＳＭシステム。
【請求項１８】
前記ＴＥＳＭを、実質的に水を含まない体積内にカプセル化することを含んでなる、請求項１〜１７のいずれか１項に記載のＴＥＳＭシステムの製造方法。
【請求項１９】
熱を貯蔵し、放出するための、請求項１〜１８のいずれか１項に記載のＴＥＳＭシステムの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月26日(2012.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）  結合剤（該結合剤はカソードまたはアノード電気めっき可能である）、および（Ｂ）  非加水分解または少なくとも部分的に加水分解されたポリビニルホルムアミドポリマーを含む、水性電気めっき被覆組成物。
【請求項２】
約２５質量ｐｐｍ〜約１０００質量ｐｐｍの非加水分解または少なくとも部分的に加水分解されたポリビニルホルムアミドポリマーを含む、請求項１に記載の水性電気めっき被覆組成物。
【請求項３】
約５０ｐｐｍ〜約１００ｐｐｍの非加水分解または少なくとも部分的に加水分解されたポリビニルホルムアミドポリマーを含む、請求項１に記載の水性電気めっき被覆組成物。
【請求項４】
ポリビニルホルムアミドポリマーが、全ホルムアミド基に基づいて約１０％〜約９０％加水分解されている、請求項１に記載の水性電気めっき被覆組成物。
【請求項５】
非加水分解または少なくとも部分的に加水分解されたポリビニルホルムアミドポリマーが、約８，０００〜約５００，０００ダルトンの質量平均分子量を有する、請求項１に記載の水性電気めっき被覆組成物。
【請求項６】
非加水分解または少なくとも部分的に加水分解されたポリビニルホルムアミドポリマーが、ビニルアミドまたはビニルアミンモノマー単位の他にモノマー単位を有する、請求項１に記載の水性電気めっき被覆組成物。
【請求項７】
結合剤が、カソードめっき可能である、請求項１に記載の水性電気めっき被覆組成物。
【請求項８】
結合剤が、カソードめっき可能なエポキシ樹脂を含む、請求項１に記載の水性電気めっき被覆組成物。
【請求項９】
結合剤が、さらにブロックトポリイソシアネートを含む、請求項８に記載の水性電気めっき被覆組成物。
【請求項１０】
結合剤が、カソードめっき可能な樹脂と、硬化条件下で該カソードめっき可能な樹脂と反応性のある架橋剤とを含み、且つさらに該架橋剤が硬化条件下で、非加水分解または少なくとも部分的に加水分解されたポリビニルホルムアミドポリマーと反応性がある、請求項１に記載の水性電気めっき被覆組成物。
【請求項１１】
電気伝導性基材の被覆方法であって、
（ａ）  電気伝導性基材を、請求項１に記載の水性電気めっき被覆組成物中に設置し、
（ｂ）  該電気伝導性基材を電極として接続し、且つ、水性電気めっき被覆組成物を介して電流を通して該電気伝導性基材上に被覆物層を堆積させること
を含む方法。
【請求項１２】
水性電気めっき被覆組成物が硬化性結合剤を含み、且つ、該方法がさらに該被覆物層の硬化を含む、請求項１１に記載の電気伝導性基材の被覆方法。
【請求項１３】
水性電気めっき被覆組成物が、約２５質量ｐｐｍ〜約５０質量ｐｐｍの非加水分解または少なくとも部分的に加水分解されたポリビニルホルムアミドポリマーを含む、請求項１２に記載の電気伝導性基材の被覆方法。
【請求項１４】
基材上に電気的に堆積された被覆物層を含み、該電気的に堆積された被覆物層は非加水分解または少なくとも部分的に加水分解されたポリビニルホルムアミドポリマーを含む、被覆された電気伝導性基材。
【請求項１５】
電気的に堆積された被覆物層が、さらに硬化結合剤を含む、請求項１４に記載の被覆された電気伝導性基材。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月18日(2012.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースと、このベース内に形成されたモジュールとを含む、流動導管の調査用デバイスであって、
前記モジュールが、
前記流動導管を装填するための装填入口を有する、前記流動導管用の主チャネルと、
前記流動導管の灌流のための少なくとも１つのチャネル及び表面灌流のための少なくとも１つのチャネルと連絡する前記主チャネル内の培養チャンバーと、
前記流動導管の長さに沿った少なくとも２つの固定位置に前記流動導管の固定を行なうための、前記主チャネルと連絡している少なくとも２つの固定ラインと
を含むことを特徴とするデバイス。
【請求項２】
前記ベース内に複数のモジュールが形成されている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記モジュールが直列に配置され、かつ前記モジュールが共通の主チャネルを共有する、請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記モジュールが並列に配置され、かつ前記モジュールが共通の培養チャンバーを共有する、請求項２に記載のデバイス。
【請求項５】
前記主チャネル内に溶解チャンバーをさらに含み、この溶解チャンバーが、前記培養チャンバーと直列であり、かつ前記培養チャンバーから前記流動導管の少なくとも一部を受け入れるように適応している、請求項１〜４のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項６】
前記少なくとも２つの固定ラインが、前記流動導管の可逆固定を可能にする、請求項１〜５のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項７】
前記主チャネルが、分析のため前記流動導管を抽出するための出口を有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項８】
前記デバイスが、経時的に放出される活性化合物を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項９】
光学分光法、オンチップ溶解及び質量分析と一体となった、蛍光強度及び蛍光寿命に基づいた画像処理を含めた明視野又は蛍光顕微鏡技術のような、分析機器と連動するように適応したインターフェースをさらに含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１０】
プロセッサー、記憶装置、又は温度制御装置の少なくとも１つをさらに含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１１】
流動導管を調査する方法であって、以下の工程、
請求項１〜１０のいずれか１項に記載のデバイスを準備する工程、
前記流動導管を前記主チャネル内に装填する工程、
前記主チャネル内に前記流動導管を固定する工程であって、前記流動導管の少なくとも一部は前記培養チャンバー内にある工程、
前記流動導管に生理溶液を灌流又は表面灌流させる工程、及び
前記流動導管を経時的にモニターする工程、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１２】
前記流動導管に前記培養チャンバーを介して生体因子を加える工程及び前記流動導管を応答についてモニターする工程をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
明視野又は蛍光顕微鏡技術、蛍光強度及び蛍光寿命に基づいた画像処理、光学分光法、オンチップ溶解及び質量分析から成る群より選択される技術を用いて前記流動導管を分析する工程をさらに含む、請求項１１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記流動導管を固定する工程が、前記固定ラインを介して、前記培養チャンバー内の圧力より低い圧力を加える工程をさらに含む、請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記流動導管が血管であり、外側平滑筋細胞層を機械的に破壊すること、レーザーアブレーション、及び血管形成因子の投与の少なくとも１つによって血管形成を刺激する工程をさらに含む、血管形成の調査のための、請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
粒子又は分子を含む流体を前記流動導管に灌流させる工程、並びに前記流動導管の壁又は壁との相互作用を介した前記粒子又は分子の輸送及び毒性を評価する工程をさらに含む、請求項１１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記流動導管が、脳導管、肺導管、内耳導管、脂質細管、改変血管、中空繊維、動脈、細動脈、静脈、細静脈、リンパ管、腸管、精管、卵巣管、胆管、気管支、細気管支、気管、尿管、尿道、膵管、及び腎尿細管から成る群より選択される、請求項１１〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
前記流動導管が、梗塞、虚血、炎症、硬化、免疫低下、腫瘍保有、及び転移性状態から成る群より選択される疾患状態を有する生体導管である、請求項１１〜１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
前記モニタリングをコンピューター・デバイスを用いて自動的に行なう、請求項１１〜１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
分析のため前記モニタリングデータを外部デバイスに送信する工程をさらに含む、請求項１１〜１９のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月26日(2012.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
製造及びモニタリングシステムで使用されるＲＦＩＤセンサの較正方法であって、
ＲＦＩＤセンサアンテナのインピーダンスを測定する段階と、
前記ＲＦＩＤセンサアンテナのインピーダンスの測定値を１以上のパラメータに関連づける段階と、
１以上の分析フィット係数を計算する段階と、
前記１以上の分析フィット係数を前記ＲＦＩＤセンサのメモリチップに記憶させる段階と
を含む方法。
【請求項２】
インピーダンスを測定する段階が複素インピーダンスの測定を含んでいて、複素インピーダンスの測定が、前記複素インピーダンスの実数部の大きさの周波数、前記複素インピーダンスの実数部の共振ピーク位置、前記複素インピーダンスの虚数部の共振周波数、前記複素インピーダンスの虚数部の反共振周波数、ゼロリアクタンス周波数、共振のＱ、ピーク幅、及び前記アンテナの前記複素インピーダンス応答のピーク対称性のうちの１つ以上を測定することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
インピーダンスを測定する段階が前記インピーダンスの位相角及び大きさを測定することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記関連づける段階が、前記１以上のパラメータの変化と相互に関連する前記インピーダンスの測定値の変化を識別することを含んでいて、前記パラメータが製造又はモニタリングシステム内の測定可能な変数である、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記１以上のパラメータの変化が、前記１以上のパラメータのディメンション、量又は容量に関連する、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記関連づける段階が、１以上の干渉要因の変化と相互に関連する前記インピーダンスの測定値の変化を識別することと、前記インピーダンスの測定値と、前記１以上の干渉要因がある状態で生じる前記１以上のパラメータの変化との間の応答関係を識別することとをさらに含む、請求項４記載の方法。
【請求項７】
前記干渉要因が、前記ＲＦＩＤセンサアンテナの前記インピーダンスの測定値と前記１以上のパラメータとの関連づけを困難にするか、遮断又は妨害する、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記メモリチップが１００ｋＨｚ〜１０ＧＨｚの範囲に割り当てられた無線周波数領域のうちの１つ以上に対して動作する、請求項１記載の方法。
【請求項９】
請求項１記載の方法で較正したＲＦＩＤセンサを動作させる方法であって、
１以上のパラメータにさらされている間にＲＦＩＤセンサのインピーダンスを測定する段階と、
前記記憶された１以上の分析フィット係数を使用して前記インピーダンスを前記１以上のパラメータの測定値に変換する段階と、
前記１以上のパラメータの前記測定値を表示デバイス又は制御デバイスに適宜送る段階と
をさらに含む方法。
【請求項１０】
対照測定システムを使用して前記１以上のパラメータの測定値を取得する段階と、
前記対照測定システムの使用による前記１以上のパラメータの前記測定値を、前記記憶された１以上の分析フィット係数を使用して前記インピーダンスを変換することに由来する前記測定値と比較する段階と、
前記比較された測定値に基づいて前記分析フィット係数を調整する段階と、
前記調整された分析フィット係数を前記ＲＦＩＤセンサの前記メモリチップに記憶させるする段階と
をさらに含む、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記対照測定システムが、既知の標準規格を使用して１以上のパラメータを測定することを含んでいて、前記既知の標準規格が、対照基準サンプル、製造較正器又は較正セットのうちの１つ以上を含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記ＲＦＩＤセンサの前記メモリチップにデジタル識別を記憶し、表示デバイス又は制御デバイスに前記記憶されたデータを適宜送ることをさらに含んでいて、前記デジタル識別が、前記ＲＦＩＤセンサに関連する部品の部品識別、アセンブリ、用途、補正係数、較正、製作履歴、保存期限、及び有効期限に関する情報のうちの１つ以上を含む、請求項１記載の方法。
【請求項１３】
ＲＦＩＤセンサを含む製造又はモニタリングシステムであって、前記ＲＦＩＤセンサが、
メモリチップと、
アンテナと
を備えており、
分析フィット係数が、前記ＲＦＩＤセンサの較正を可能にするために前記メモリチップに記憶される、製造又はモニタリングシステム。
【請求項１４】
前記ＲＦＩＤセンサが相補センサをさらに含んでいて、前記相補センサがパラメータの変化に対する測定された応答を供給するように構成され、前記測定された応答が、前記相補センサの抵抗の変化、前記相補センサのキャパシタンスの変化、前記相補センサのインダクタンスの変化、及びそれらの組合せからなる群から選択される、請求項１３記載のＲＦＩＤセンサ。
【請求項１５】
前記相補センサが、前記ＲＦＩＤセンサの前記アンテナ、前記メモリチップ又は前記アンテナ及び前記メモリチップの両方に接続される、請求項１４記載のＲＦＩＤセンサ。
【請求項１６】
前記ＲＦＩＤセンサの前記メモリチップに記憶されたデジタル識別をさらに含んでいて、前記デジタル識別が、前記ＲＦＩＤセンサに関連する前記部品の部品識別、アセンブリ、用途、補正係数、較正、製作履歴、保存期限、及び有効期限に関する情報のうちの１つ以上を含む、請求項１３記載のＲＦＩＤセンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月28日(2012.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クライアントビューセットの１つ以上の列１０８に対する列動作に基づいて、階層データセットを呼び出す呼出要素（１０２）と、
列変更動作に応答して、前記クライアントビューセットを更新する更新要素（１１２）とを含み、
前記クライアントビューセットに対する当該更新は、呼び出された前記階層データセットに関連付けられた列キーに基づいていること特徴とするコンピュータ実装データ処理システム（１００）。
【請求項２】
前記呼出要素は前記クライアントビューセットにおける列の親子供関係を管理し、前記列は前記列動作に関連していることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記呼出要素は、列キー及び親キーの順序付けられたマッピングによって定義された階層構造インデックスを作成し、前記インデックスは、前記クライアントビューセットの前記列動作に応答して、クライアントに送信されることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記列動作は、前記階層表示の列を折りたたまれた列に折りたたみ、折りたたまれた列を拡大して、１つ以上の新規列を前記階層表示に表示し、前記クライアントビューセットのスクローリングに基づいて、列を追加し又は削除する読取動作であることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記列動作は、前記クライアントビューセットにおける列の挿入、列の削除、列のインデント、又は、列のアウトデント編集動作であることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記呼出要素は、フィルタ処理、ソート、列の拡大、及び列の折りたたみに基づいて、前記列動作に関連する列に対して前記階層データセットを呼び出すことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記更新要素は、編集モードに関連付けられた列動作に基づいて、フィルタ処理されていない階層構造を更新することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記呼出要素は前記列変更動作に基づいて非同期に前記階層データセットを呼び出すことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
クライアントのクライアントビューセットにおける列動作に応答して、階層データセットの１ページを取得するサーバの呼出要素（１０２）と、
列変更動作に応じて前記クライアントビューセットを更新する前記サーバの更新要素（１１２）と、を含み、
前記１ページは、前記列変更動作に関連する列のみを含むことを特徴とするコンピュータ実装データ処理システム（２００）。
【請求項１０】
前記呼出要素は、前記クライアントビューセットにおける列の親子供関係を管理することを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記呼出要素は、列キー及び親キーの順序付けられたマッピングによって定義された階層構造インデックスを作成し、編集列動作に基づいて、前記インデックスを前記更新されたクライアントビューセットを有する前記クライアントに送信することを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
前記列動作は、読取動作であり、前記読取動作は、前記クライアントビューセットの列を折りたたまれた列に折りたたむこと、前記クライアントビューセットにおける１つ以上の新規列を表示するために列を拡大すること、又は、前記クライアントビューセットのスクローリングに基づいて列を追加しおよび削除することに関連付けられていることを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１３】
前記列動作は、前記クライアントビューセットにおける列の挿入、列の削除、列のインデント、又は列のアウトデントに関連付けられた編集動作であることを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１４】
クライアント列動作に基づいて、関連データがクライアントビューセットに表示されるように、クライアントからの要求をプロセッサにより受信するステップ（５００）と、
前記要求に応答して、前記関連データに対する階層データセットの１ページを前記プロセッサにより取得するステップ（５０２）と、
前記クライアントビューセットの更新のために、前記関連データを前記クライアントに前記プロセッサにより送信するステップ（５０４）と、を含むデータを処理するコンピュータ実装方法。
【請求項１５】
前記列動作に基づいて親子関係を前記プロセッサにより管理するステップをさらに含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記プロセッサにより、クライアントビューセットの列を折りたたまれた列に折りたたみ、折りたたまれた列を拡大して、１つ以上の子供列を前記クライアントビューセットに表示し、前記クライアントビューセットのスクローリングに基づいて列を表示し／隠す読取動作に応答して、前記階層データセットを呼び出すステップをさらに含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記クライアントビューセットにおける列の挿入、列の削除、列のインデント、又は列のアウトデントに関連付けられた編集動作に応じて、前記階層データセットの１ページを前記プロセッサにより取得するステップをさらに含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
フィルタ処理、ソート、若しくはグループ化のうちの１つ以上を適用して、前記関連データを前記プロセッサにより受信するステップをさらに含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
列の親子関係、列アウトラインレベル、子供列、及びインデント／アウトデント動作に関連した前記関連データを定義するフィルタ処理されていない階層構造を前記プロセッサにより作成するステップをさらに含む請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記階層データセットの前記ページは前記要求に基づいて非同期に前記プロセッサにより取得されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。