Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月3日(2012.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静止状態の間葉系幹細胞集団から目的の細胞型集団への分化を誘導する方法であって、（ａ）剛性が１５０〜７５０Ｐａの範囲にあるゲル又はゲルマトリックスを含む装置の存在下で、前記間葉系幹細胞集団を静止状態かつ持続した生物活性で維持することと、（ｂ）前記間葉系幹細胞集団を誘導培地の存在下で培養し、これにより前記間葉系幹細胞集団から目的の細胞型集団への分化を誘導することを含む、方法。
【請求項２】
前記目的の細胞型集団が、脂肪細胞集団又は骨芽細胞集団である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
（ａ）前記ゲル又は前記ゲルマトリックスが血清をさらに含み、及び／又は
（ｂ）前記間葉系幹細胞集団をゲル又はゲルマトリックス中で維持する前記工程の前に、組織培養装置にて前記間葉系幹細胞集団を培養する工程を実施し、及び／又は
（ｃ）生体試料からの前記間葉系幹細胞集団の単離、精製、又は富化の直後に、前記維持工程を実施する、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記誘導培地が、脂肪細胞誘導培地である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
（ａ）前記ゲル又は前記ゲルマトリックスが、アクリルアミド及びビスアクリルアミドを含み、及び／又は
（ｂ）前記ゲル又は前記ゲルマトリックスが、２次元又は３次元であり、及び／又は
（ｃ）前記ゲル又は前記ゲルマトリックスが、接着タンパク質をさらに含み、及び／又は
（ｄ）前記間葉系幹細胞集団が、成人間葉系幹細胞集団であり、及び／又は
（ｅ）前記間葉系幹細胞集団が、ヒト間葉系幹細胞集団である、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
（ａ）前記ゲルまたは前記ゲルマトリックス中のゲルが、約７５０：１〜６：１のアクリルアミド：ビスアクリルアミド混合比を有し、及び／又は
（ｂ）前記ゲルまたは前記ゲルマトリックス中のゲルが、３〜７．５％のアクリルアミド総濃度を有し、及び／又は
（ｃ）前記接着分子が、コラーゲン、フィブロネクチン又はこれらの組み合わせである、
請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ゲル化剤とアクリルアミド−ビスアクリルアミド混合物とを含むゲルを含むゲルマトリックスであって、前記ゲルは、コラーゲン及びフィブロネクチンでコーティングされ、かつ１５０〜７５０Ｐａの範囲である、ゲルマトリックス。
【請求項８】
前記（ａ）における前記ゲルまたは前記ゲルマトリックス中のゲルが、約１００：１〜３０：１のアクリルアミド：ビスアクリルアミド混合比を有する、請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月6日(2011.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気共鳴映像法（ＭＲＩ）または磁気共鳴スペクトロスコピー（ＭＲＳ）での使用に適した磁気共鳴（ＭＲ）剤を過分極化する方法であって、
ａ．ＭＲＩまたはＭＲＳの使用に適したＭＲ剤と、２０℃で１×１０-10秒未満の電子スピン緩和時間を有した常磁性金属イオンである少なくとも１種類の緩和剤とを含んだ溶液を準備する工程と、
ｂ．５Ｋ未満の温度及び少なくとも１Ｔの磁場に前記溶液を曝す工程とを備え、
前記溶液へのマイクロ波の照射は、同時に行わないことを特徴とする、磁気共鳴（ＭＲ）剤の過分極方法。
【請求項２】
前記緩和剤はランタノイドイオンであることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ランタノイドイオンは、プラセオジムイオン、サマリウムイオン、ユウロピウムイオン、ジスプロシウムイオン、エルビウムイオン、及びホルミウムイオンからなるグループから選択されることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記緩和剤はキレート化合物であることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記キレート化合物は、ジエチレントリアミン５酢酸（ＤＴＰＡ）であることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記溶液は、０．１Ｋ未満の温度に曝されることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記溶液は、少なくとも５Ｔの磁場に曝されることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記ＭＲＩまたは前記ＭＲＳでの使用に適した前記ＭＲ剤の過分極化レベルは、少なくとも１０％であることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
磁気共鳴映像法（ＭＲＩ）または磁気共鳴スペクトロスコピー（ＭＲＳ）での使用に適した磁気共鳴（ＭＲ）剤を過分極化する方法であって、
ａ．ＭＲＩまたはＭＲＳでの使用に適したＭＲ剤と、２０℃で１×１０-13秒未満の電子スピン緩和時間を有した常磁性金属イオンである少なくとも１種類の緩和剤とを含んだ混合物を準備する工程と、
ｂ．５Ｋ未満の温度及び少なくとも１Ｔの磁場に前記混合物を曝す工程とを備え、
前記混合物へのマクロ波の照射は、同時に行わないことを特徴とする、磁気共鳴（ＭＲ）剤の過分極方法。
【請求項１０】
磁気共鳴映像法（ＭＲＩ）または磁気共鳴スペクトロスコピー（ＭＲＳ）での使用に適した磁気共鳴（ＭＲ）剤を過分極化する方法であって、
ａ．ＭＲＩまたはＭＲＳでの使用に適したＭＲ剤と、常磁性金属イオンである少なくとも１種類の緩和剤とを含んだ溶液を準備する工程と、
ｂ．５Ｋ未満の温度及び少なくとも１Ｔの磁場に前記溶液を曝す工程とを備え、
前記溶液へのマイクロ波の照射は、同時に行わないことを特徴とする、磁気共鳴（ＭＲ）剤の過分極方法。
【請求項１１】
磁気共鳴映像法（ＭＲＩ）または磁気共鳴スペクトロスコピー（ＭＲＳ）の方法であって、
請求項１乃至１０のいずれかに記載の方法に従って過分極化された磁気共鳴剤を使用して実行されることを特徴とする、過分極方法。
【請求項１２】
前記ＭＲＩまたは前記ＭＲＳでの使用に適する前記磁気共鳴剤は、前記ＭＲＩまたは前記ＭＲＳ処理の間、前記緩和剤と混合された状態に保持されることを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記磁気共鳴映像法または前記磁気共鳴スペクトロスコピーでの使用に適し、請求項１乃至１０のいずれかに記載の方法に従って過分極化されたことを特徴とする磁気共鳴剤。
【請求項１４】
２０℃で１×１０-10秒未満の電子スピン緩和時間を有する常磁性金属イオンである少なくとも１種類の緩和剤と、
前記緩和剤を請求項１乃至１１のいずれかに記載の方法で使用するための説明書と
を備えることを特徴とするキット。
【請求項１５】
前記磁気共鳴映像法または前記磁気共鳴スペクトロスコピーでの使用に適する磁気共鳴剤と、
２０℃で１×１０-10秒未満の電子スピン緩和時間を有した常磁性金属イオンである少なくとも１種類の緩和剤と、
前記磁気共鳴剤と前記緩和剤とを請求項１乃至１１のいずれかに記載の方法で使用するための説明書と
を備えることを特徴とするキット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は磁気共鳴映像法（ＭＲＩ）または磁気共鳴スペクトロスコピー（ＭＲＳ）における使用に好適な磁気共鳴（ＭＲ）剤を過分極化する方法を提供するものであり、本発明の方法は、
ａ）ＭＲＩまたはＭＲＳの使用に適したＭＲ剤と、２０℃で１×１０-10秒未満の電子スピン緩和時間を有する常磁性金属イオンである少なくとも１種類の緩和剤とを含んだ溶液を準備する工程と、
ｂ）５Ｋ未満の温度及び少なくとも１Ｔの磁場に上記溶液を曝す工程とを備え、
上記溶液へのマイクロ波の照射は、同時に行わないことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月24日(2011.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者へ刺激パルスを供給するのと並行してテレメトリを可能にするための埋込み可能な刺激デバイスにおいて実現可能な方法であって、
一連の連続する刺激サイクルを発生するステップを含み、上記刺激サイクルは刺激パルス及びパルス間隔期間からなり、
少なくとも１つの上記刺激サイクルの後に定期的にテレメトリウィンドウを発生することにより、複数のテレメトリウィンドウを発生するステップを更に含み、上記テレメトリウィンドウ中に上記埋込み可能な刺激デバイスは外部デバイスと通信することができるようになり、
上記テレメトリウィンドウは上記連続する刺激サイクルの間に挿入され、上記テレメトリウィンドウは上記連続する刺激サイクルの１つのパルス間隔期間の少なくとも一部分に重なる、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
上記テレメトリウィンドウは、上記外部デバイスからのハンドシェーキングメッセージを聴取するための聴取ウィンドウを備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記パルス間隔期間の上記テレメトリウィンドウと重なる前記少なくとも一部分は、電流経路デカップリングキャパシタが放電する部分からなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
上記埋込み可能な刺激デバイスは、単一のコイルを有する超小型刺激器からなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
上記パルス間隔期間の上記テレメトリウィンドウと重なる前記少なくとも一部分は、コンプライアンス電圧発生回路が上記コイルへアクセスする部分を含まないことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
上記刺激パルスは、上記埋込み可能な刺激デバイス上の少なくとも１つの電極へ供給されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
各テレメトリウィンドウは、複数の上記刺激サイクルの後に発生することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
患者へ刺激パルスを供給するのと並行してテレメトリを可能にするための埋込み可能な刺激デバイスにおいて実現可能な方法であって、上記埋込み可能な刺激デバイスは、１つのコイル、患者の組織へ刺激パルスを供給するための少なくとも１つの電極、外部デバイスと通信するためのテレメトリ回路、上記少なくとも１つの電極における電圧を発生するためのコンプライアンス電圧発生回路、及び上記少なくとも１つの電極の電流経路内の少なくとも１つのデカップリングキャパシタを含み、上記方法は、
上記電極への刺激パルスのシーケンスを、パルス間隔期間を介在させて発生するステップを含み、上記パルス間隔期間は、上記コイルが上記コンプライアンス電圧発生回路によってアクセスされている第１の部分と、上記デカップリングキャパシタが放電している第２の部分と、を備え、
少なくとも１つの上記刺激パルスの後に定期的にテレメトリウィンドウを発生することにより、複数のテレメトリウィンドウを発生するステップを更に含み、上記テレメトリウィンドウ中に上記埋込み可能な刺激デバイスは外部デバイスと通信することができ、上記テレメトリウィンドウ中に上記コイルはテレメトリ回路によってアクセスされており、
上記テレメトリウィンドウは、上記連続する刺激パルスの間で、上記連続する刺激パルスの間のパルス間隔期間の上記第２の部分の少なくとも一部中に挿入されるが、上記連続する刺激パルスの間の上記パルス間隔期間の上記第１の部分中には挿入されない
ことを特徴とする方法。
【請求項９】
上記テレメトリウィンドウは、上記外部デバイスからのハンドシェーキングメッセージを聴取するための聴取ウィンドウを備えることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
上記コイルは、上記埋込み可能な刺激デバイス内の唯一のコイルであることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
上記第１及び第２の部分は重なっていることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
上記少なくとも１つの電極は、上記埋込み可能な刺激デバイスのハウジング上に設けられ、または上記ハウジングによって担持されていることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
上記デカップリングキャパシタは、上記キャパシタの各側を上記患者の組織を通して電池電圧に結合することによって放電されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
上記コンプライアンス電圧発生回路は、上記少なくとも１つの電極における第１の電圧を上記電池電圧から発生することを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
各テレメトリウィンドウは、複数の上記刺激パルスの後に発生することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１６】
埋込み可能な刺激デバイスであって、
１つのコイルと、
患者の組織へ刺激パルスを供給するための少なくとも１つの電極と、
外部デバイスと通信するためのテレメトリ回路と、
電池電圧から上記少なくとも１つの電極における第１の電圧を発生するためのコンプライアンス電圧発生回路と、
調停ロジックと、
を含み、
上記調停ロジックは、刺激パルス及びパルス間隔期間を有する刺激サイクルの少なくとも一部分中に、上記テレメトリ回路が外部デバイスと通信できるようにするために、上記コイルへアクセスすることを容認し、上記調停ロジックは、上記刺激サイクルのパルス間隔期間の上記少なくとも一部分の間に、上記テレメトリ回路を動作可能にするが、上記刺激サイクルのパルス間隔期間中の上記コンプライアンス電圧発生回路が上記コイルへアクセスしている部分中には、上記テレメトリ回路を動作可能にしない、
ことを特徴とする埋込み可能な刺激デバイス。
【請求項１７】
上記テレメトリ回路は、上記外部デバイスからのハンドシェーキングメッセージを聴取するために、上記コイルへのアクセスを容認されることを特徴とする請求項１６に記載のデバイス。
【請求項１８】
上記デバイスは、超小型刺激器からなることを特徴とする請求項１６に記載のデバイス。
【請求項１９】
上記少なくとも１つの電極は、上記埋込み可能な刺激デバイスのハウジング上に設けられている、または上記ハウジングによって担持されていることを特徴とする請求項１６に記載のデバイス。
【請求項２０】
上記調停ロジックは、上記埋込み可能な刺激デバイス内のマイクロコントローラの一部であることを特徴とする請求項１６に記載のデバイス。
【請求項２１】
上記少なくとも１つの電極の電流経路内に少なくとも１つのデカップリングキャパシタを更に含み、上記調停ロジックは、上記パルス間隔期間中の少なくとも上記デカップリングキャパシタが放電している部分の期間に、上記テレメトリ回路を動作可能にすることを特徴とする請求項１６に記載のデバイス。
【請求項２２】
上記デカップリングキャパシタは、上記キャパシタの各側を上記患者の組織を通して電池電圧に結合することによって放電されることを特徴とする請求項２１に記載のデバイス。
【請求項２３】
上記コイルは単一のコイルであることを特徴とする請求項１６に記載の埋込み可能な刺激デバイス。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年7月20日(2012.7.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５８】
オープン化されたフィールドバス２のシステムへの接続に対して、ゲートウェイ２０は中央部材である。ゲートウェイから、バス加入者Ｎ１〜Ｎｘはエネルギー供給され、制御され、監視され、接続されている全てのバス加入者の制御データおよび状態データが上位のフィールドバス２へ伝送される。これは第１に自身の電子回路のための電圧供給部１４に接続され、第２に、バス加入者を給電する電圧供給部１６が接続されている。電圧供給のこのような構成によって、バス加入者への補助電圧１６（例えばリレーコイルへの電圧）がバス機能（例えば緊急停止システム）に関係せずにスイッチオフされる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年8月20日(2012.8.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
基地局側のＡＭＣモジュールが上り受信信号対雑音比に基づいて端末の変調符号化方式を決定するステップ（１）と、
基地局側の電力制御モジュールが上り受信信号対雑音比と、ステップ（１）で決定された変調符号化方式とに基づいて、端末の搬送波発射電力の調整値を決定するステップ（２）と、
ステップ（２）で決定された搬送波発射電力の調整値、端末から報告された端末の搬送波発射電力及び端末の最大総発射電力に基づいて、当該搬送波発射電力で端末に割当可能な最大搬送波数を決定するステップ（３）と、
スケジューリングモジュールがサービス要件、ステップ（１）で決定された変調符号化方式及びステップ（３）で決定された最大搬送波数に基づいて、上りの時間−周波数チャネルリソースを端末に割り当てるステップ（４）と、
変調符号化方式、搬送波発射電力の調整値、時間−周波数チャネルリソースの割当情報を下りリンクを介して端末に送信するステップ（５）と、
端末が、ステップ（５）で送信された情報に基づいて、電力と変調符号化方式の調整およびデータ送信を行うステップ（６）と、
を含むことを特徴とするＯＦＤＭＡシステムにおける端末の電力スペクトル密度を制御できないことを解決する方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
ＯＦＤＭＡシステムにおいて、時間領域に複数のＯＦＤＭ符号が区分され、周波数領域に複数のサブチャネルが区分されており、各サブチャネルは、一群のサブキャリアの集合である。通常、一つのサブチャネルと、一つ又は幾つかの符号とが交差してなる時間・周波数領域は、タイムスロット（ｓｌｏｔ）と称され、ＯＦＤＭＡシステムの最小の割当単位である。これにより、論理的には、ＯＦＤＭＡフレームの物理層リソースを、タイムスロット−サブチャネルからなる二次元長方形テーブルで表すことができる。図１に示すように、１格子は１タイムスロットであり、端末に割り当てる物理層リソースについて、タイムスロット単位のリソースブロックであり、一般的には長方形ブロックに類似した（例えばＩＥＥＥ  ８０２．１６）二次元の時間−周波数構造である。サービス要件や、チャネル状況によるＡＭＣ（Ａｄａｐｔｉｖｅ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ  ａｎｄ  Ｃｏｄｉｎｇ，適応変調符号化）で決められた変調符号化方式によって、異なる時刻で、それに割り当てるリソースブロックをスケジューリングすると、大きな差別が生じる。つまり、端末に割り当てる搬送波数は、毎回のスケジューリングの後に大きな違いが生じる可能性がある。その結果、端末が異なる時刻で同時に持っている搬送波数は大いに変動する恐れがある。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
本発明に係るＯＦＤＭＡシステムにおける端末の電力スペクトル密度を制御できないことを解決する方法は、
基地局側のＡＭＣモジュールが上り受信信号対雑音比に基づいて端末の変調符号化方式を決定するステップ（１）と、
基地局側の電力制御モジュールが上り受信信号対雑音比と、ステップ（１）で決定された変調符号化方式とに基づいて、端末の搬送波発射電力の調整値を決定するステップ（２）と、
ステップ（２）で決定された搬送波発射電力の調整値、端末から報告された端末の搬送波発射電力及び端末の最大総発射電力に基づいて、当該搬送波発射電力で端末に割当可能な最大搬送波数を決定するステップ（３）と、
スケジューリングモジュールがサービス要件、ステップ（１）で決定された変調符号化方式及びステップ（３）で決定された最大搬送波数に基づいて、上りの時間−周波数チャネルリソースを端末に割り当てるステップ（４）と、
変調符号化方式、搬送波発射電力の調整値、時間−周波数チャネルリソースの割当情報を下りリンクを介して端末に送信するステップ（５）と、
端末が、ステップ（５）で送信された情報に基づいて、電力と変調符号化方式の調整およびデータ送信を行うステップ（６）とを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月23日(2011.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポンプアセンブリ（１２）のハウジング（１４）であり、流入流路（２８）を画定する入口部分（２４）を含むハウジング（１４）と、
前記ハウジング（１４）内に配置される羽根車（３４）と、
を含む製品であって、
前記流入流路（２８）が、前記羽根車（３４）に通じており、かつ、流体の流れを前記羽根車（３４）の回転軸（３８）に対してほぼ垂直に向ける、製品。
【請求項２】
前記入口部分（２４）が前記流入流路（２８）を画定する円形断面を有する、請求項１に記載の製品。
【請求項３】
前記羽根車（３４）が、前記羽根車（３４）の周囲に配備される複数の羽根（４４）を含み、この羽根（４４）は、前記羽根車（３４）に対して軸方向に向けられる面（４８）をそれぞれ含む、請求項１に記載の製品。
【請求項４】
前記流入流路（２８）が、流体の流れを、概して、前記流入流路（２８）に隣接する羽根（４４）の面（４８）に向ける、請求項３に記載の製品。
【請求項５】
前記流入流路（２８）から流入する流体の流れの中心（Ｂ）が、概して、前記流入流路（２８）に隣接する羽根（４４）の面（４８）の中心に向けられる、請求項３に記載の製品。
【請求項６】
前記流入流路（２８）から流入する流体の流れの中心（Ｂ）が、前記羽根車（３４）によって規定される周囲（４０）に対してほぼ接線方向に向けられる、請求項１に記載の製品。
【請求項７】
前記流体の流れの中心（Ｂ）が、前記羽根車（３４）によって画定される半径方向の平面（４２）に平行である、請求項６に記載の製品。
【請求項８】
前記流入流路（２８）から流入する流体の流れの中心（Ｂ）が、前記回転軸（３８）に対してほぼ垂直に向けられ、かつ、前記回転軸（３８）と交差する、請求項１に記載の製品。
【請求項９】
前記流入流路（２８）から流入する流体の流れの中心（Ｂ）が、前記羽根車（３４）によって画定される半径方向の平面（４２）に平行である、請求項１に記載の製品。
【請求項１０】
流入流路（２８）を画定する入口部分（２４）を形成するハウジング（１４）と、
少なくとも部分的に前記ハウジング（１４）によって担持される電気モータ（１６）と、
前記ハウジング（１４）内に配置されかつ前記電気モータ（１６）によって駆動される羽根車（３４）であり、複数の羽根（４４）を含む羽根車（３４）と、
を含むポンプアセンブリ（１２）であって、
前記流入流路（２８）から流入する流体の流れの中心（Ｂ）が、前記羽根車（３４）によって画定される半径方向の平面（４２）にほぼ平行に向けられるポンプアセンブリ（１２）、
を含む製品。
【請求項１１】
前記流体の流れの中心（Ｂ）が、前記羽根車（３４）によって画定される周囲（４０）に対してほぼ接線方向に向けられる、請求項１０に記載の製品。
【請求項１２】
前記複数の羽根（４４）が、それぞれ、前記羽根車（３４）に対して軸方向に向けられる面（４８）を有し、かつ、前記流体の流れの中心（Ｂ）が、概して、前記流入流路（２８）に隣接する面（４８）の中心に向けられる、請求項１０に記載の製品。
【請求項１３】
前記流体の流れの中心（Ｂ）が前記羽根車（３４）の回転軸（３８）に垂直である、請求項１０に記載の製品。
【請求項１４】
前記流体の流れの中心（Ｂ）が前記回転軸（３８）と交差する、請求項１３に記載の製品。
【請求項１５】
前記ハウジング（１４）が出口部分（２６）をさらに含み、この出口部分（２６）は前記羽根車（３４）の回転軸（３８）に垂直である、請求項１３に記載の製品。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月16日(2012.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ｓ）−２−｛［（２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ，５Ｒ）−５−（２，４−ジオキソ−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピリミジン−１−イル）−４−フルオロ−３−ヒドロキシ−４−メチル−テトラヒドロ−フラン−２−イルメトキシ］−フェノキシ−ホスホリルアミノ｝−プロピオン酸イソプロピルエステル又はその立体異性体。
【請求項２】
請求項１に記載の化合物又はその立体異性体及び薬学的に許容可能な媒体を含む組成物。
【請求項３】
請求項１に記載の化合物又はその立体異性体の有効量及び薬学的に許容可能な媒体を含むＣ型肝炎ウイルス感染の治療のための組成物。
【請求項４】
ウイルスがＣ型肝炎ウイルス、ウエストナイルウイルス、黄熱病ウイルス、デングウイルス、ライノウイルス、ポリオウイルス、Ａ型肝炎ウイルス、ウシウイルス性下痢症ウイルス、及び日本脳炎ウイルスから選択される、請求項１に記載の化合物又はその立体異性体の有効量を含むウイルス感染の治療のための医薬。
【請求項５】
請求項１に記載の化合物又はその立体異性体の有効量を含むＣ型肝炎ウイルス感染の治療のための医薬。
【請求項６】
請求項１に記載の化合物又はその立体異性体の調製方法であって、
前記方法が化合物４’’をヌクレオシドアナログ５’と反応させることを含み、
2010532747.tif 000001
ここで、Ｘ’は脱離基である方法。
【請求項７】
化合物４’’をヌクレオシドアナログ５’と反応させることを含む方法によって得られる請求項１に記載の化合物又はその立体異性体を含む製品であって、
2010532747.tif 000002
ここで、Ｘ’は脱離基である製品。
【請求項８】
（Ｓ）−イソプロピル  ２−（（（Ｓ）−（（（２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ，５Ｒ）−５−（２，４−ジオキソ−３，４−ジヒドロピリミジン−１（２Ｈ）−イル）−４−フルオロ−３−ヒドロキシ−４−メチルテトラヒドロフラン−２−イル）メトキシ）（フェノキシ）ホスホリル）アミノ）プロパノアート。
【請求項９】
請求項８に記載の化合物及び薬学的に許容可能な媒体を含む組成物。
【請求項１０】
請求項８に記載の化合物の有効量及び薬学的に許容可能な媒体を含むＣ型肝炎ウイルス感染の治療のための組成物。
【請求項１１】
ウイルスがＣ型肝炎ウイルス、ウエストナイルウイルス、黄熱病ウイルス、デングウイルス、ライノウイルス、ポリオウイルス、Ａ型肝炎ウイルス、ウシウイルス性下痢症ウイルス、及び日本脳炎ウイルスから選択される、請求項８に記載の化合物の有効量を含むウイルス感染の治療のための医薬。
【請求項１２】
請求項８に記載の化合物の有効量を含むＣ型肝炎ウイルス感染の治療のための医薬。
【請求項１３】
請求項８に記載の化合物の調製方法であって、
前記方法が化合物４’’をヌクレオシドアナログ５’と反応させることを含み、
2010532747.tif 000003
ここで、Ｘ’は脱離基である方法。
【請求項１４】
化合物４’’をヌクレオシドアナログ５’と反応させることを含む方法によって得られる請求項８に記載の化合物を含む製品であって、
2010532747.tif 000004
ここで、Ｘ’は脱離基である製品。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月21日(2012.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不安の治療又は効果的な予防のための、NMDA受容体とPSD95との特異的結合を阻害する薬剤を含む医薬組成物。
【請求項２】
前記薬剤は、[E/D/N/Q]-[S/T]-[D/E/Q/N]-[V/L](配列番号:1)を含むC末端アミノ酸配列又はESDV(配列番号:2)、ESEV(配列番号:3)、ETDV(配列番号:4)、ETEV(配列番号:5)、DTDV(配列番号:6)、DTEV(配列番号:7)からなるグループから選択されるC末端アミノ酸配列を有する活性ペプチドを含む、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
前記薬剤は、KLSSIETDV(配列番号:8)又はKLSSIESDV(配列番号:10)を含むアミノ酸配列を有する活性ペプチドを含む、請求項１又は２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記薬剤は、YGRKKRRQRRRKLSSIETDV(配列番号:9)を含むか、又はからなるアミノ酸を有するキメラペプチドである、請求項１から３のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項５】
前記薬剤は、YGRKKRRQRRRKLSSIESDV(配列番号:11)を含むか、又はからなるアミノ酸配列を有するキメラペプチドである、請求項１から３のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項６】
患者の不安の治療又は効果的な予防のための医薬組成物であって、
(a) 前記患者は、拮抗薬での治療を必要とする不安以外の疾患を患っていないか、
(b) 前記患者は、興奮毒性で媒介される不安以外の疾患を患っていないか、
(c) 前記患者は、脳卒中を患っていないか、
又は
(d) 前記患者は、興奮毒性で媒介される疾患を患っていない、請求項１から５のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項７】
患者の不安の治療又は効果的な予防のための医薬組成物であって、
(a) 前記薬剤は、不安を促進するイベントの経験を持つ患者に対応して投与されるか、
(b) 前記患者は、急性不安のエピソードを有するか、
(c) 前記患者は、パニック障害を経験しているか、
(d) 前記患者は、恐怖症を患っており、そして恐怖症にさらされているか又はさらされようとしているか、
(e) 前記患者は、社会不安障害を患っており、そして前記障害を誘起するであろう社会状況にさらされているか又はさらされようとしているか、
(f) 前記患者は、強迫性障害を患っており、そして前記障害の症状を示しているか、
又は、
(g) 前記患者は、心動悸、吐き気、胸の痛み、息切れおよび/または緊張型頭痛といった、不安の身体的感覚があるか、
(h) 前記患者は、心的外傷後ストレス症候群を患っているか、
又は、
(i) 前記患者は、分離不安を患っている、請求項１から６のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項８】
患者の不安の治療又は効果的な予防のための医薬組成物であって、
(a) 前記薬剤は、将来のイベントについて不安を経験する前記患者に対応して投与されるか、
又は、
(b) 前記効果的な治療方法は、前記患者において不安の診断に対応して施される、請求項１から７のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項９】
患者の不安の治療又は効果的な予防のための医薬組成物であって、
不安の治療又は効果的な予防に効果がある二番目の治療方法は、
(a) 第二の薬剤を投与することか、
又は、
(b) 会話治療を与えることを含む、いずれかの形で前記患者に施される、請求項１から８のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項１０】
患者の不安の治療又は効果的な予防のための医薬組成物であって、
前記患者は、ヒトである、請求項１から９のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項１１】
前記医薬組成物は、静脈内又は皮下注射によって投与される、請求項１から１０のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項１２】
患者の不安の治療又は効果的な予防のための医薬組成物であって、
不安の症状及び/又は徴候の治療効果を評価するために、前記患者をモニタリングする、請求項１から１１のいずれかに記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月4日(2012.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面の第１の領域（２１）に、特に、前記基板の縁部に沿って、前記基板の残りの第２の領域（２５）の表面（２３）に対して突出する段差状の残留物（１９）を有する基板の再利用方法であって、前記第１の領域（２１）が、前記基板の残りの第２の領域（２５）の表面（２３）の平面に対応する平面内にあり、及び／又は、前記基板の前記縁部に向かって面取りされた、改質ゾーン（２７）、特に、イオン注入ゾーンを備え、
前記第１の領域（２１）において材料の除去が実行され、前記材料の除去後、前記第１の領域（２１）にある前記基板の表面（３１）が、少なくとも部分的に、特に、全体的に、前記材料の除去前の前記改質ゾーン（２７）の高さより低い位置にあり、
前記材料の除去が、前記第１の領域（２１）においてのみ実行される、基板の再利用方法。
【請求項２】
前記材料の除去後、前記第１の領域（２１）にある前記基板の表面（３１）が、前記材料の除去前の前記改質ゾーン（２７）の高さより、少なくとも１μｍ、好ましくは、少なくとも２μｍ、特に、５μｍ、更に、特に、１０μｍだけ低い位置にあるように、前記材料の除去が実行される、請求項１に記載の基板の再利用方法。
【請求項３】
前記基板の前記第１の領域（２１）が、第２の改質ゾーン（３７）、特に、第２のイオン注入ゾーンを備え、前記基板の前記第１の領域（２１）から再度材料を除去するステップを備え、再度の前記材料の除去後、前記第１の領域（２１）にある前記基板の表面（３９）が、再度の前記材料の除去前の前記第２の改質ゾーン（３７）の高さより低い位置になるように、再度の前記材料の除去が実行される、請求項１又は２に記載の方法がすでに施された基板の再利用方法。
【請求項４】
前記第１の領域（２１）にある前記基板の表面（３９）が、再度の前記材料の除去前の前記第２の改質ゾーン（３７）の高さより、少なくとも１μｍ、好ましくは、少なくとも２μｍ、特に、５μｍだけ低い位置になるように、再度の前記材料の除去が実行される、請求項３に記載の基板の再利用方法。
【請求項５】
前記第２の改質ゾーン（３７）が、前記基板の前記第１の領域（２１）を越えて前記基板の前記第２の領域（２５）中まで横方向に延伸することで、前記基板の第３の領域（３３）を形成し、前記基板の前記第３の領域の表面が、再度の前記材料の除去前の少なくとも前記第１の領域（２１）にある前記第２の改質ゾーンの高さより、少なくとも１μｍ、好ましくは、少なくとも２μｍ、特に、５μｍ、更に、特に、１０μｍだけ低い位置にあるように、再度の前記材料の除去が実行される、請求項３又は４に記載の基板の再利用方法。
【請求項６】
前記第３の領域（３３）が、前記第２の領域（２５）中へ、少なくとも１００μｍ、特に、少なくとも１５０μｍだけ延伸する、請求項５に記載の基板の再利用方法。
【請求項７】
再度の前記材料の除去後、前記第１の領域（２１）の表面の高さと前記第３の領域（２１、３３）の表面の高さとが同一の高さにあるように、再度の前記材料の除去が実行される、請求項３〜６のいずれか一項に記載の基板の再利用方法。
【請求項８】
請求項５〜７のいずれか一項に記載の方法が少なくとも一回繰り返され、各再利用ラン後、前記第２の改質ゾーン（３７）が、更に前記基板の前記第２の領域（２５）中へ横方向に延伸する、基板の再利用方法。
【請求項９】
前記材料の除去が、研削によって、及び／又は、ドライエッチング又はウェットエッチング、及び／又は研磨、特に、前記縁部の研磨によって実行される、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板の再利用方法。
【請求項１０】
前記ドライエッチング又は前記ウェットエッチングが、前記第２の領域（２５）の表面の上方に又は表面上に、マスク（６３）及び／又は、好ましくは、前記第２の領域（２５）の中心から前記縁部へ半径方向に流れる保護流体（７１）を供給する工程を含む、請求項９に記載の基板の再利用方法。
【請求項１１】
前記段差状の残留物（１９）を有する側面と反対の側面（６７）上にエッチング溶液（６１）が供給され、特に、毛管により、前記第１の領域（２１）に誘導される、請求項９又は１０に記載の基板の再利用方法。
【請求項１２】
前記基板が、Ｓｉウェーハ、ＳｉＧｅウェーハ、Ｇｅウェーハ、ＧａＡｓウェーハ、歪みシリコンウェーハ、又はＩＩＩ−Ｖ族半導体ウェーハである、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の基板の再利用方法。
【請求項１３】
前記基板が、Ｓｉウェーハ、バッファ層、特に、勾配ＳｉＧｅバッファ層、及びＳｉＧｅ層を備える、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の基板の再利用方法。
【請求項１４】
少なくとも突出する前記段差状の残留物（１９）に、歪みＳｉ層を更に備える、請求項１３に記載の基板の再利用方法。
【請求項１５】
前記第１の領域（２１）の前記材料の除去のステップの後、好ましくは、研磨によって、前記表面の全体を処理するステップを更に含む、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の基板の再利用方法。
【請求項１６】
積層化ウェーハの作製方法であって、
ａ）ドナー基板（１）として請求項１〜１５のいずれか一項に従って再利用された前記基板を使用するステップと、
ｂ）前記ドナー基板（１）内に所定の分割エリア（７）を形成するステップと、
ｃ）前記ドナー基板（１）をハンドル基板（３）に、特に、接合によって取り付けるステップと、
ｄ）前記ドナー基板（１）から前記ハンドル基板（３）へ層（１１）を転写させて前記積層化ウェーハ（１３）を形成するために、前記所定の分割エリア（７）で前記ドナー基板（１）を分離するステップと、
を備える、積層化ウェーハの作製方法。
【請求項１７】
各再利用ラン中に層が転写されると共に、請求項５〜１２のいずれか一項に従って再利用された同一の基板を毎回使用して、ステップａ）〜ｄ）が少なくとも一回繰り返される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記積層化ウェーハ（１３）が、歪みシリコン・オン・インシュレータ、又はＳｉｘＧｅ１−ｘ・オン・インシュレータであり、前記ドナー基板（１）が、歪みシリコン層及び／又はＳｉｘＧｅ１−ｘ層を備え、ここでｘが０％〜１００％である、請求項１６又は１７に記載の積層化ウェーハの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月10日(2012.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）のダイに埋め込まれた複数の並列プロセッサを備えていて、
前記複数の並列プロセッサは、外部メモリコントローラおよび外部プロセッサと通信し、
前記並列プロセッサの各々は、スレッドレベルの並列処理のために最適化された命令セットを処理するように動作可能であり、前記プロセッサの各々は、単一のスレッドを処理するように動作可能であり、複数のスレッドが、共有メモリまたは１つ以上の共有変数を通してデータを共有することを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記ダイは、ＤＲＡＭピン配列を有するパッケージに入れられていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記並列プロセッサは、デュアルインラインメモリモジュール上に搭載されていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記システムは、前記プロセッサがＤＲＡＭモードレジスタを通してイネーブルにされる時以外は、ＤＲＡＭとして動作することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記外部プロセッサは、関連する永久記憶装置から前記ＤＲＡＭにデータおよび命令を転送するように動作可能であることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記永久記憶装置は、フラッシュメモリであることを特徴とする請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記外部プロセッサは、前記並列プロセッサと外部装置との間の入出力インターフェースを提供するように動作可能であることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
メモリモードレジスタに割り当てられる１以上のビットは、前記並列プロセッサのうちの１つ以上をイネーブルまたはディスエーブルにするように動作可能であることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
少なくとも一つの前記並列プロセッサがマスタプロセッサとみなされ、他の前記並列プロセッサはスレーブプロセッサとみなされることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
各プロセッサは、クロック速度を有していて、前記マスタプロセッサ以外の各プロセッサは、性能または電力消費を最適化するように調整された前記プロセッサのクロック速度を有するように動作可能であることを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
各プロセッサは、マスタプロセッサまたはスレーブプロセッサとみなされるように動作可能であることを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
前記マスタプロセッサは、いくつかのスレーブプロセッサによる処理を要求し、前記いくつかのスレーブプロセッサからの出力を待ち、かつ前記出力を結合することを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１３】
前記マスタプロセッサは、前記出力が前記いくつかのプロセッサの各々から受信されるとき、前記いくつかのプロセッサからの出力を結合することを特徴とする請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
停止されるべき前記並列プロセッサのうちの１つ以上をイネーブルにすることによって、低電力消費が提供されることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１５】
前記並列プロセッサの各々は、プログラムカウンタを伴っていて、前記並列プロセッサが伴っているプログラムカウンタに全て１を書き込むことによって停止されるように動作可能であることを特徴とする請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
複数のプロセッサは、モノリシックメモリデバイスのために設計された半導体製造プロセスを用いて前記チップ上に配置されるコンピュータメモリと共に前記チップ上に製造されることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１７】
半導体製造プロセスは、４層未満のメタル相互接続を用いることを特徴とする請求項１６に記載のシステム。
【請求項１８】
半導体製造プロセスは、３層未満のメタル相互接続を用いることを特徴とする請求項１７に記載のシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年12月27日(2011.12.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸を反応混合物から補助塩基を用いて分離するための方法において、
酸が、塩酸であり、それは、リン酸化、シリル化もしくはアシル化（但しホスゲン化を除く）の反応過程で遊離され、前記リン酸化により、ホスフィナイト、ホスホナイト又はホスファイトが製造され、
補助塩基が、１−メチルイミダゾールであり、該補助塩基が
ｂ）前記酸と塩を形成し、該塩は、有用生成物が液状の塩の分離の間に顕著に分解されない温度で液状であり、かつ
ｃ）補助塩基の塩が有用生成物又は適当な溶剤中の有用生成物の溶液と２つの不混和性の液相を形成することを特徴とする方法。
【請求項２】
補助塩基が付加的に
ｄ）同時に求核性触媒として機能する、
請求項１記載の方法。
【請求項３】
補助塩基の塩が１６０℃未満の融点を有する、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
補助塩基の塩が３５より大きいＥＴ（３０）値を有する、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２３９】
反応混合ポンプ中に連続的に以下の供給流を混合した：
１）組成物：１８８．９ｇの１−メチルイミダゾール、２４９．１ｇの２，２′，４，４′−テトラメチル−ｏ−ビフェノール及び８０７．４ｇのトルエンからなる混合物及び
２）組成物：６６４．７ｇ（２−ｔ−ブチルフェノキシ）−ｐ−フルオロフェニルクロロホスフィン及び２８４．９ｇのトルエンからなる混合物
液流１）を１７８１ｍｌ／時間で、液流２）を１１８９ｍｌ／時間で計量供給した。混合チャンバの容量は３．３ｍｌであった。該システムを２分間、平衡にもたらした。引き続き排出物を平衡化させるために２７５分にわたって収集した。反応混合ポンプの排出物における反応媒体の温度は６９．８℃であった。該排出物は２つの液相からなり、これらを容器中に収集し、引き続き分離した。２７５分で７９９．６ｇの上相及び９８．９ｇの下相を収集した。該上相は反応生成物のトルエン溶液であり、下相は１−メチルイミダゾールの塩酸塩であり、これは７５℃より高い温度でイオン性液体として生じる。単離された有用生成物の収量は３０２．９ｇ（理論値の９３．４％）であった。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２６４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２６４】
実施例３３  ｎ−ブタノールのベンゾイル化
５．５５ｇ（７５．０ミリモル）の１−ブタノール及び６．７６ｇ（８２．５ミリモル）の１−メチルイミダゾールの溶液に１１．９ｇ（８２．５ミリモル）のベンゾイルクロリドを撹拌下に１０℃で滴加した。該反応混合物を３０分間再び撹拌し、引き続き７５℃に加熱した。その間に生じる懸濁液は液状の２相混合物に変化した。上相の分離によって、９．９０ｇ（理論値：１３．３ｇ）の安息香酸−２−ブチルエステルが無色の油状物として９９％の純度（ＧＣ）で得られた。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月17日(2011.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影により得られた１個又は複数個のディジタル画像をそれぞれ含む画像レコードの集まりである画像レコード群について、コンピュータを利用しその画像レコード群の代表画像を求める方法であって、
それらの画像レコードを時空間情報に基づき複数のグループに分類する分類ステップと、
その画像レコードが階層構造上で比較的上位の有特徴クラスタに係る一種類又は複数種類の所定の突出特徴のうちいずれかを有している場合は当該比較的上位の有特徴クラスタに、また当該比較的上位の有特徴クラスタに係る突出特徴は有していないが階層構造上でより下位の有特徴クラスタに係る一種類又は複数種類の所定の突出特徴のうちいずれかを有している場合は当該より下位の有特徴クラスタに、そしてそれら複数個の有特徴クラスタに係る都合複数種類の突出特徴をいずれも有していない場合は残り物クラスタに、という要領で、各グループの画像レコードを、その突出特徴に基づき、有特徴クラスタ複数個及び残り物クラスタからなり階層構造を形成する一群のクラスタに振り分ける振分ステップと、
グループ毎に、そのグループに存するクラスタのなかで最上位階層のクラスタを以てそのグループの最上位クラスタと認定する認定ステップと、
そのグループの最上位クラスタが有特徴クラスタである場合はその最上位クラスタに係る突出特徴に基づき、またそのグループの最上位クラスタが残り物クラスタである場合は上記突出特徴のいずれとも無関係に、各グループの代表画像をそのグループを構成する画像レコードのなかから選定する選定ステップと、
を有する方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法であって、上記分類ステップが、画像レコードをイベント別に仕分け、その結果を更にそのイベントのサブイベント別に仕分ける仕訳ステップを含み、それによってサブイベント別のグループを形成する方法。
【請求項３】
撮影により得られた１個又は複数個のディジタル画像をそれぞれ含む画像レコードの集まりである画像レコード群について、その代表画像を求めるコンピュータプログラムを、コンピュータ可読記録媒体上に記録した製造物であって、そのコンピュータプログラムを実行することにより、
それらの画像レコードを時空間情報に基づき複数のグループに分類する分類ステップと、
その画像レコードが階層構造上で比較的上位の有特徴クラスタに係る一次突出特徴を有している場合は当該比較的上位の有特徴クラスタに、また当該比較的上位の有特徴クラスタに係る一次突出特徴は有していないが階層構造上でより下位の有特徴クラスタに係る一次突出特徴を有している場合は当該より下位の有特徴クラスタに、そしてそれら複数個の有特徴クラスタに係る突出特徴をいずれも有していない場合は残り物クラスタに、という要領で、各グループの画像レコードを、都合複数種類あり有特徴クラスタ毎に異なる所定の一次突出特徴に基づき、有特徴クラスタ複数個及び残り物クラスタからなり階層構造を形成する一群のクラスタに振り分ける振分ステップと、
グループ毎に、そのグループに存するクラスタのなかで最上位階層のクラスタを以てそのグループの最上位クラスタと認定する認定ステップと、
そのグループの最上位クラスタが有特徴クラスタである場合はその最上位クラスタに係る一次突出特徴に基づき、またそのグループの最上位クラスタが残り物クラスタである場合は上記突出特徴のいずれとも無関係に、各グループの代表画像をそのグループを構成する画像レコードのなかから選定する選定ステップと、
が実行される製造物。
【請求項４】
１個又は複数個のディジタル画像をそれぞれ含む画像レコードの集まりである画像レコード群に索引を付するシステムであって、
それらの画像レコードを時空間情報に基づき複数のグループに分類する手段と、
その画像レコードが階層構造上で比較的上位の有特徴クラスタに係る一次突出特徴を有している場合は当該比較的上位の有特徴クラスタに、また当該比較的上位の有特徴クラスタに係る一次突出特徴は有していないが階層構造上でより下位の有特徴クラスタに係る一次突出特徴のうちいずれかを有している場合は当該より下位の有特徴クラスタに、そしてそれら複数個の有特徴クラスタに係る突出特徴をいずれも有していない場合は残り物クラスタに、という要領で、各グループの画像レコードを、都合複数種類あり有特徴クラスタ毎に異なる所定の一次突出特徴に基づき、有特徴クラスタ複数個及び残り物クラスタからなり階層構造を形成する一群のクラスタに振り分ける手段と、
グループ毎に、そのグループに存するクラスタのなかで最上位階層のクラスタを以てそのグループの最上位クラスタと認定する手段と、
そのグループの最上位クラスタが有特徴クラスタである場合はその最上位クラスタに係る一次突出特徴に基づき、またそのグループの最上位クラスタが残り物クラスタである場合は上記突出特徴のいずれとも無関係に、各グループの代表画像をそのグループを構成する画像レコードのなかから選定する手段と、
各イベント及びサブイベントの索引としてその代表画像を表示するディスプレイと、
を備えるシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月28日(2011.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体イメージセンサであって、
基板中のフォトダイオードの光吸収領域と、
前記基板上であって且つ前記光吸収領域に横方向に隣接する誘電体バリアと、
前記誘電体バリア上のコンタクトと、を備え、
前記誘電体バリアが、前記コンタクトを前記基板から絶縁することを特徴とする半導体イメージセンサ。
【請求項２】
前記コンタクトが、前記基板に平行な方向への延長部を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体イメージセンサ。
【請求項３】
前記延長部が、前記基板中の他の一つのフォトダイオードの他の一つの光吸収領域へ光線が通過できるギャップの幅を減少することを特徴とする請求項２に記載の半導体イメージセンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月9日(2011.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
膨張時にガスの流入を可能にする入口ポートを有する膨張性薄膜と、前記膨張性薄膜に取り付けられた照明装置（５２）と、を備え、前記照明装置は突起（５８）を有しており、これによって、前記風船の外側から前記突起に外嵌されるクリップまたはＯリング（５９）によって前記照明装置が前記風船の内側で前記膨張性薄膜に取り付けられる、パーティ風船（１０）において、
前記照明装置（５２）は少なくとも１つのバッテリ（５４）によって電力が供給され、かつ絶縁材料の帯片（５３）が設けられており、前記帯片（５３）は、前記１つまたは複数のバッテリ（５４）と前記照明装置との間に当初配置され、前記帯片（５３）は、前記照明装置（５２）を点灯して前記風船を発光させるために、前記少なくとも１つのバッテリ（５４）と前記照明装置との間に延在している状態から引き出すことができ、
前記絶縁材料の帯片（５３）は、前記入口を通って拡大幅の外端領域（５７）まで延び、かつ前記拡大外端領域（５７）から間隔を隔てた第２の拡大幅の領域（６７）を有し、前記第２の領域（６７）の幅は、前記第２の領域が前記風船の前記入口ポートの内側にとどまる傾向にあるように選択されており、大きな力によって前記帯片を前記風船の外方に引っ張らない限り、前記風船薄膜のリム（１２）が前記それぞれの拡大幅領域（５７，６７）間にとどまっていることを特徴とするパーティ風船。
【請求項２】
前記絶縁材料の帯片（５３）の前記外端領域（５７）が、矢ヘッド状の拡大部の形をしていることを特徴とする請求項１に記載のパーティ風船。
【請求項３】
前記絶縁材料の帯片（５３）の前記第２の拡大幅の領域（６７）がほぼ円形であることを特徴とする請求項１または２に記載のパーティ風船。
【請求項４】
前記突起（５８）が略部分球状のビードまたは平坦なボタンの形をしていることを特徴とする先行する請求項のうちのいずれか１項に記載のパーティ風船。略部分球
【請求項５】
前記照明装置（５２）が発光ダイオード（ＬＥＤ）であることを特徴とする先行する請求項のうちのいずれか１項に記載のパーティ風船。