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【手続補正書】
【提出日】平成24年10月4日(2012.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャビティを有する物品を製造する方法であって、
コアを備える型が物品材料で充填され、該物品材料は前記コアの周りで硬化されて前記物品を形成し、前記コアは前記凝固した物品から除去され、
前記コアは、イットリア正方晶ジルコニア多結晶体材料（Ｙ−ＴＺＰ）又は部分安定化ジルコニア（ＰＳＺ）から成り、前記硬化段階の後、前記コアは蒸気環境に晒され、然る後、前記コアは前記物品から除去されることを特徴とする、
方法。
【請求項２】
前記コアは、少なくとも１００℃、好ましくは、少なくとも２００℃で前記蒸気環境に晒されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記コアは、少なくとも１時間に亘って、好ましくは、少なくとも３時間に亘って前記蒸気環境に晒されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記型は溶融金属材料で充填されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記型は金属粉末で充填され、該金属粉末は、静水圧プレス成形プロセスによって前記コアについて硬化されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
鋳造又は静水圧プレス成形において使用されるコアを作製する方法であって、イットリア正方晶ジルコニア多結晶体材料（Ｙ−ＴＺＰ）又は部分安定化ジルコニア（ＰＳＺ）が前記コアのための材料として使用される、方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年1月17日(2012.1.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  タングステン金属粉末及び／又はモリブデン金属粉末又は炭化タングステン及び／又は炭化モリブデンを、アルカリ金属化合物の存在下での酸化タングステン粉末及び／又は酸化モリブデン粉末の還元処理及び場合により浸炭処理によって製造するための方法において、少なくとも２つのアルカリ金属化合物を、中間形成されうる混合アルカリ金属−タングステン酸塩もしくは混合アルカリ金属−モリブデン酸塩（（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）２ＷＯｚ，（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）２ＭｏＯｚ）が５５０℃未満の融点を有するような比で使用する、タングステン金属粉末及び／又はモリブデン金属粉末又は炭化タングステン及び／又は炭化モリブデンの製造方法。
【請求項２】  アルカリ金属化合物を、酸化タングステン及び／又は酸化モリブデンに対して全体で０．２〜１．５モル％の量で使用する、請求項１記載の方法。
【請求項３】  アルカリ金属化合物がＮａのＬｉに対するモル比０．９〜１．２６を有し、その際、更にカリウム化合物が存在する場合に該化合物は４０モル％までのＮａ及び／又はＬｉを代替する、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】  アルカリ金属化合物を混合塩として使用する、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】  アルカリ金属化合物として酸化物、水酸化物、炭酸塩及び／又はタングステン酸塩もしくはモリブデン酸塩を使用する、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】  酸化タングステン粉末としてＷＯ３を、もしくは酸化モリブデン粉末としてＭｏＯ３を使用する、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】  酸化タングステン粉末としてＷＯ２を、もしくは酸化モリブデン粉末としてＭｏＯ２を使用する、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】  水素含有雰囲気及び／又は一酸化炭素含有雰囲気及び／又は炭化水素含有雰囲気で還元処理を実施する、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】  平均粒度＞５０μｍＦＳＳＳで、最大１００μｍの大きさを有する単結晶の炭化タングステン粉末。
【請求項１０】  焼結された硬質合金又は溶浸された工具の製造のための、請求項９記載の炭化タングステン粉末の使用。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
それに応じて本発明の対象は、少なくとも２つのアルカリ金属化合物を、中間形成される混合アルカリ金属−タングステン酸塩もしくは混合アルカリ金属−モリブデン酸塩（（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）２ＷＯｚ）が５５０℃未満の融点を有する、アルカリ金属化合物の存在におけるタングステン粉末の還元及び浸炭処理によるタングステン金属粉末及び／又はモリブデン金属粉末又は炭化タングステン及び／又は炭化モリブデンの製造方法である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
有利にはナトリウム化合物及びリチウム化合物からなる混合アルカリ金属化合物はナトリウムのリチウムに対するモル比０．９〜１．２６で使用される。特に有利には、ナトリウム化合物、リチウム化合物及びカリウム化合物を含有し、その際、カリウム化合物を前記のモル比のナトリウム及び／又はリチウムと４０モル％、更に有利には１０〜３０モル％の全カリウム含量まで交換する混合アルカリ金属化合物が特に有利である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月10日(2012.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外傷性脳損傷（ＴＢＩ）後の二次的なニューロンの損傷及び炎症を予防又は改善するための方法であって、ニューレグリン（ＮＲＧ）、ＮＲＧの変異体、又は、ＮＲＧ若しくはＮＲＧの変異体をコードする発現ベクター、を含む有効量の医薬組成物を、かかる治療を必要とする哺乳動物に投与する工程、を含む上記方法。
【請求項２】
前記医薬組成物が、ＮＲＧ１又はＮＲＧ１の変異体１を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＮＲＧ１又はＮＲＧ１の変異体１が、０．０５〜５０００μｇ／ｋｇ体重の範囲の用量で血管内に投与される、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記ＮＲＧ１又はＮＲＧ１の変異体１が、０．５〜１０００μｇ／ｋｇ体重の範囲の用量で血管内に投与される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記医薬組成物が、ＮＲＧ１β又はＮＲＧ１βの変異体を含む、請求項２〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記医薬組成物が、ＮＲＧ１α又はＮＲＧ１αの変異体を含む、請求項２〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記医薬組成物が、血管内注入により投与される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記医薬組成物が、動脈注射により投与される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記医薬組成物が、外傷後２４時間以内に投与される、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
（１）ニューレグリン（ＮＲＧ）又はＮＲＧの変異体；及び
（２）ＮＲＧ又はＮＲＧの変異体をコードする発現ベクター、
を含む有効量の医薬組成物を、前記対象に投与する工程を含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
急性ＣＮＳ損傷を治療するための方法であって、ニューレグリン（ＮＲＧ）、ＮＲＧの変異体、又は、ＮＲＧ若しくはＮＲＧの変異体をインビボ発現し得る発現ベクター、を含む有効量の医薬組成物を、かかる治療を必要とする対象に投与する工程を含む、上記方法。
【請求項１２】
前記医薬組成物が、ＮＲＧ１又はＮＲＧ１の変異体を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ＮＲＧ１又はＮＲＧ１の変異体が、０．０５〜５０００μｇ／ｋｇ体重の範囲の用量で血管内に投与される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ＮＲＧ１又はＮＲＧ１の変異体が、０．５〜１０００μｇ／ｋｇ体重の範囲の用量で血管内に投与される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記医薬組成物が、ＮＲＧ１β又はＮＲＧ１βの変異体を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記医薬組成物が、血管内注入により投与される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記医薬組成物が、動脈注射により投与される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記医薬組成物が、動脈注射により投与される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記医薬組成物が、ＮＲＧ及びＮＲＧをコードする発現ベクターを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項２０】
外傷性脳損傷（ＴＢＩ）後の二次的なニューロンの損傷及び炎症を予防又は改善するためのキットであって、以下：
（１）ＮＲＧ、ＮＲＧの変異体、又は、ＮＲＧ若しくはＮＲＧの変異体をコードする発現ベクター；及び
（２）ＮＲＧ、ＮＲＧの変異体、又は、ＮＲＧ若しくはＮＲＧの変異体をコードする発現ベクターを使用するための説明書、
を含む、上記キット。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月25日(2012.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水性殺虫農薬として製剤化された組成物であり、（Ａ）該製剤化組成物の総重量に対して１重量％以上の量の、中性ｐＨかつ２５℃における水溶性が最大１００μｇ／リットルの１つ以上の固体有効成分、（Ｂ）親水−親油バランス（ＨＬＢ）が１０〜１８の１つ以上の非イオン性海面活性化合物；１つ以上の通常の製剤助剤、及び水；を含み、有効成分（Ａ）が水中に懸濁又は分散しており、そして界面活性化合物（Ｂ）の有効成分（Ａ）に対する重量比率が、１．５〜１５．０であり、界面活性化合物（Ｂ）の最小量が、該製剤化組成物の総重量に対して６重量％以上であり、当該界面活性剤（Ｂ）が、ポリオキシアルキレン−ソルビタンエステル、ヒマシ油アルコキシレート、アルコールアルコキシレート、酸エトキシレート、脂肪モノエタノールアミドベースエトキシレート、並びにエチレンオキシド及びプロピレンオキシドブロックのブロックポリマーである、前記製剤化組成物。
【請求項２】
前記（Ｂ）の（Ａ）に対する比率が、１．６〜１０．０、好ましくは１．７〜７．０である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記少なくとも１つの有効成分（Ａ）の量が、前記製剤化組成物の総重量に対して、１．２〜１５、好ましくは１．５〜１０、特に１．７〜９重量％である、請求項１又は２に記載の組成物。
【請求項４】
前記１つ以上の有効成分（Ａ）の量が、６〜１０、好ましくは７〜９重量％の範囲内であり、（Ｂ）の（Ａ）に対する比率が、１．５〜３．０、好ましくは１．７〜２．５の範囲内である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項５】
前記１つ以上の有効成分（Ａ）の量が、２〜５、好ましくは２．５〜４．５重量％の範囲内であり、（Ｂ）の（Ａ）に対する比率が、４．０〜８．０、好ましくは５．０〜６．５の範囲内である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項６】
前記１つ以上の有効成分（Ａ）の量が、１．０〜３．０、好ましくは１．５〜２．５重量％の範囲内であり、（Ｂ）の（Ａ）に対する比率が、２．５〜７．０、好ましくは４．０〜５．５の範囲内である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項７】
前記１つ以上の有効成分（Ａ）の量が、１．０〜３．５、好ましくは１．５〜３．０重量％の範囲内であり、（Ｂ）の（Ａ）に対する比率が、２．０〜６．０、好ましくは３．０〜４．５の範囲内である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項８】
前記１つ以上の有効成分（Ａ）の量が、２〜５、好ましくは２．５〜４．５重量％の範囲内であり、（Ｂ）の（Ａ）に対する比率が、４．０〜７．０、好ましくは４．５〜５．５の範囲内である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項９】
前記有効成分（Ａ）が、１つ以上のアバメクチン（ａｂａｍｅｃｔｉｎ）、アクリナツリン（ａｃｒｉｎａｔｈｒｉｎ）、アルファ−シペルメツリン（ａｌｐｈａ−ｃｙｐｅｒｍｅｔｈｒｉｎ）、アセキノシル（ａｃｅｑｕｉｎｏｃｙｌ）、アミトラズ（ａｍｉｔｒａｚ）、ベノミル（ｂｅｎｏｍｙｌ）、ベータ−シフルツリン（ｂｅｔａ−ｃｙｆｌｕｔｈｒｉｎ）、ビフェンツリン（ｂｉｆｅｎｔｈｒｉｎ）、ビオレスメツリン（ｂｉｏｒｅｓｍｅｔｈｒｉｎ）、ビストリフルロン（ｂｉｓｔｒｉｆｌｕｒｏｎ）、ブロモプロピレート（ｂｒｏｍｏｐｒｏｐｙｌａｔｅ）、クロルエトキシフォス（ｃｈｌｏｒｅｔｈｏｘｙｆｏｓ）、クロルフルアズロン（ｃｈｌｏｒｆｌｕａｚｕｒｏｎ）、クロフェンテジン（ｃｌｏｆｅｎｔｅｚｉｎｅ）、シフルツリン（ｃｙｆｌｕｔｈｒｉｎ）、シハロツリン（ｃｙｈａｌｏｔｈｒｉｎ）、シペルメツリン（ｃｙｐｅｒｍｅｔｈｒｉｎ）、シフェノツリン（ｃｙｐｈｅｎｏｔｈｒｉｎ）、ドデモルフ（ｄｏｄｅｍｏｒｐｈ）、エスフェンヴァレレート（ｅｓｆｅｎｖａｌｅｒａｔｅ）、エトフェンプロックス（ｅｔｏｆｅｎｐｒｏｘ）、フェンヴァレレート（ｆｅｎｖａｌｅｒａｔｅ）、フルシクロキシウロン（ｆｌｕｃｙｃｌｏｘｕｒｏｎ）、フルフェノキシウロン（ｆｌｕｆｅｎｏｘｕｒｏｎ）、ヒドラメチルノン（ｈｙｄｒａｍｅｔｈｙｌｎｏｎ）、ラムダ−シハロツリン（ｌａｍｂｄａ−ｃｙｈａｌｏｔｈｒｉｎ）、ルフェンウロン（ｌｕｆｅｎｕｒｏｎ）、メカルバム（ｍｅｃａｒｂａｍ）、ノヴァルウロン（ｎｏｖａｌｕｒｏｎ）、ペルメツリン（ｐｅｒｍｅｔｈｒｉｎ）、フェノツリン（ｐｈｅｎｏｔｈｒｉｎ）、シラフルオフェン（ｓｉｌａｆｌｕｏｆｅｎ）、タウ−フルヴァリネート（ｔａｕ−ｆｌｕｖａｌｉｎａｔｅ）、ＺＸＩ  ８９０１（３−（４−ブロモフェノキシ）−ａ−シアノベンジル２−［４−（ジフルオロメトキシ）フェニル］−３−メチルブタノエート）、及びフルベンジアミド  （３−ヨード−Ｎ’−（２−メシル−１，１−ジメチルエチル）−Ｎ−｛４−［１，２，２，２−テトラフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチル］−ｏ−トリル｝フタルアミド）である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１０】
前記界面活性化合物のＨＬＢが、１１〜１７、好ましくは１２〜１７、特に１４〜１７である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１１】
前記界面活性化合物（Ｂ）が、ＨＬＢが１２〜１８、好ましくは１４〜１６のソルビタンエステルエトキシレートである、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１２】
前記界面活性化合物（Ｂ）が、ＨＬＢが１０〜１４、好ましくは１１〜１３のａ−ヒマシ油エトキシレートである、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１３】
前記界面活性化合物（Ｂ）が、ＨＬＢが１１〜１５、好ましくは１２〜１４の脂肪酸エトキシレートである、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１４】
前記界面活性化合物（Ｂ）が、ＨＬＢが１０〜１３、好ましくは１０．５〜１２のアルコールエトキシレートである、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１５】
更に、請求項１に記載の１つ以上の通常の製剤助剤として、１つ以上の他の界面活性剤（Ｃ）を含み、それぞれの量が、前記製剤化組成物の総重量に対して３重量％以下である、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１６】
前記有効成分（Ａ）の粒子サイズが、ＩＳＯ  １３３２０−１で定義されるｘ５０が０．１μｍ〜０．９μｍの範囲内であり、そしてＩＳＯ  １３３２０−１で定義されるｘ９５が０．７μｍ〜１．５μｍの範囲内である、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１７】
後日生長する植物育苗材料、植物の部分及び／又は植物の器官の病原性ダメージ又は害虫ダメージを防除又は予防する方法であり、該植物育苗材料、植物の部分及び／若しくは植物の器官、又はそれらの周囲の領域に、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の製剤化組成物に由来する組成物を施用することを含む、前記方法。
【請求項１８】
植物、植物の部分、植物の器官、植物育苗材料への直接適用に適したタンクミックス組成物であり、（Ｉ）請求項１〜１６のいずれか１項に記載の水性殺虫農薬として製剤化された組成物、及び溶媒、例えば水、及び任意で（ＩＩ）１つ以上のアジュバント、及び任意で（ＩＩＩ）１つ以上の他の殺虫製剤化組成物を含む、前記タンクミックス組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月17日(2012.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理材料（１０）を電解処理または湿式化学処理するためのアセンブリ内を通って輸送される、平面的な被処理材料（１０）を処理するための方法であって、
前記アセンブリの処理ステーションの内部で被処理材料（１０）を覆うように処理液（２１）に供する工程であって、前記処理液（２１）は前記処理ステーションの処理領域の動作時液位（２５３）まで充満させる、前記被処理材料（１０）を覆うように処理液（２１）に供する工程を備え、
前記処理ステーション内において、ロール表面（４，１４；１０４，１０６；２２８，２２９；２５８，２５９）を有するロール（２，３；５１，５２，５３，５５，５７，５９；８４，８５；１０２，１０３；１３２−１３５；２３１，２３２；２６１，２６２；３０２，３１２）は、前記ロール表面（４，１４；１０４，１０６；２２８，２２９；２５８，２５９）が前記被処理材料（１０）の有用領域（１１）からは少なくとも離間し、前記有用領域（１１）が前記被処理材料（１０）の端縁領域（１２）の間に連続的に延伸することによって、前記ロール表面（４，１４；１０４，１０６；２２８，２２９；２５８，２５９）と前記被処理材料（１０）の有用領域の間にギャップ（８，１８）が残され、前記ロール表面（４，１４；１０４，１０６；２２８，２２９；２５８，２５９）は少なくとも一部が前記動作時液位（２５３）まで充満する前記処理液（２１）内に配備され、かつ前記ギャップ（８，１８）にて前記ロール表面（４，１４；１０４，１０６；２２８，２２９；２５８，２５９）と前記被処理材料（１０）の表面との間に相対速度うが生じるようにロール（２，３；５１，５２，５３，５５，５７，５９；８４，８５；１０２，１０３；１３２−１３５；２３１，２３２；２６１，２６２；３０２，３１２）を回転自在に駆動する、方法。
【請求項２】
前記ロール（２，３；５１，５２，５３，５５，５７，５９；８４，８５；１０２，１０３；１３２−１３５；２３１，２３２；２６１，２６２；３０２，３１２）は、前記ロール表面の周面速度（ｖ１、ｖ２）が前記被処理材料（１０）の輸送速度（ｖＴ）とは異なり、好適には前記輸送速度（ｖＴ）よりも大きい、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
除去装置（２３５；２６５）によって前記処理液が前記ロール（２３１；２６１；３０２）から除去される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記除去装置（２３５；２６５）は、前記ロール（２３１；２６１；３０２）から一定量の前記処理液を除去するために調節可能である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ロール（２３１；２６１；３０２；３１２）は前記処理ステーションの処理部材として設けられる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記処理液（２１）は、前記ロール（２６１；３０２）の対向する側面と前記輸送方向で接触し、前記処理ステーションの前記動作時液位（２５３）に達し、または、前記ロール（２６２；３１２）が前記処理ステーションの前記動作時液位（２５３）よりも完全に下方に配置される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記処理ステーションにおいて、前記被処理材料（１０）の有用領域（１１）とさらなるロール表面（１４）の間にさらなるギャップが残されるように、前記さらなるロール表面（１４）を有するさらなるロール（３；５２，５５，５９；８５；１０３；１３３，１３５；２３２；２６２）を配置し、前記ロール（２；５１，５３，５７；８４；１０２；１３２，１３４；２３１；２６１）と前記さらなるロール（３；５２，５５，５９；８５；１０３；１３３，１３５；２３２；２６２）は前記被処理材料（１０）の輸送面の対向する両側に配置される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
被処理材料（１０）の電解処理または湿式化学処理のためのアセンブリで用いられる平面状の被処理材料（１０）の処理ステーションにおいて、前記処理ステーションは動作時に前記被処理材料（１０）を処理液（２１）で覆うように設計され、前記処理液（２１）は前記処理ステーションの処理領域の動作時液位（２５３）まで充満させ、かつ、
ロール表面（４，１４；１０４，１０６；２２８，２２９；２５８，２５９）を有するロール（２，３；５１，５２，５３，５５，５７，５９；８４，８５；１０２，１０３；１３２−１３５；２３１，２３２；２６１，２６２；３０２，３１２）であって、前記ロール表面（４，１４；１０４，１０６；２２８，２２９；２５８，２５９）が前記被処理材料（１０）の有用領域（１１）からは少なくとも離間し、前記有用領域（１１）が前記被処理材料（１０）の端縁領域（１２）の間に連続的に延伸することによって、前記ロール表面（４，１４；１０４，１０６；２２８，２２９；２５８，２５９）と前記被処理材料（１０）の有用領域（１１）の間にギャップ（８，１８）が残され、前記ロール表面（４，１４；１０４，１０６；２２８，２２９；２５８，２５９）は少なくとも一部が前記動作時液位（２５３）まで充満する前記処理液（２１）内に配備されている、ロール（２，３；５１，５２，５３，５５，５７，５９；８４，８５；１０２，１０３；１３２−１３５；２３１，２３２；２６１，２６２；３０２，３１２）と、
前記ロール（２，３；５１，５２，５３，５５，５７，５９；８４，８５；１０２，１０３；１３２−１３５；２３１，２３２；２６１，２６２；３０２，３１２）を、前記ロール表面（４，１４；１０４，１０６；２２８，２２９；２５８，２５９）と前記被処理材料（１０）の表面の間に相対速度が生じるように回転自在に駆動すべく設計されている駆動装置（２３８；２４８；２６８；２７８；２８８；２９８；３０８；３１８；３２８）とを備える、処理ステーション。
【請求項９】
前記被処理材料（１０）の有用領域（１１）とさらなるロール表面（１４）の間にさらなるギャップが残されるように、前記さらなるロール表面（１４）を有するさらなるロール（３；５２，５５，５９；８５；１０３；１３３，１３５；２３２；２６２）をさらに備え、前記ロール（２；５１，５３，５７；８４；１０２；１３２，１３４；２３１；２６１）と前記さらなるロール（３；５２，５５，５９；８５；１０３；１３３，１３５；２３２；２６２）は前記被処理材料（１０）の輸送面の対向する両側に配置される、請求項８に記載の処理ステーション。
【請求項１０】
請求項１〜１３に記載の方法を実施するために設計されている、請求項８または９に記載の処理ステーション。
【請求項１１】
平面状の被処理材料（１０）を処理するためのアセンブリにおいて、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の処理ステーション（２２１；２４１；２５１；２７１；２８１；２９１；３０１；３１１）を備える、アセンブリ。
【請求項１２】
回路基板を製造するために請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法によって被処理材料（１０）の処理を行う、回路基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月18日(2011.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボリュームに対して行われた変更を追跡するコンピュータにより実施される方法であって、
前記ボリュームの第１のスナップショットを識別するステップと、
前記第１のスナップショットが作成されたウィンドウを識別するステップであって、前記ウィンドウは、前記第１のスナップショット前に発生したことが分かっている第１の時点で始まり、前記第１のスナップショット後に発生したことが分かっている第２の時点で終わるステップと、
前記ウィンドウ内に発生した前記ボリュームへの少なくとも１つの変更を識別するステップと、
前記ウィンドウ内に発生した少なくとも１つの変更を前記第１のスナップショットおよび前記第１のスナップショット後に作成された第２のスナップショットの両方に関連付けるステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記ボリュームへの前記少なくとも１つの変更を識別するステップは、前記ウィンドウ内に変更された前記ボリュームの各ブロックを識別するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のスナップショットに先行する前のスナップショット前に発生したことが分かっている時点を識別するステップと、
前記前のスナップショット前に発生したことが分かっている時点と前記第２の時点との間で変更された前記ボリュームの各ブロックを識別するステップと、
前記前のスナップショット前に発生したことが分かっている時点と前記第２の時点との間で変更された前記ボリュームの各ブロックへの参照を、前記第１のスナップショットに関連付けられた第１のリストに追加するステップと
をさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記前のスナップショットを使用して、前記ボリュームの完全バックアップを作成するステップと、
前記第１のリストおよび前記第１のスナップショットのうちの少なくとも一方を使用して、前記ボリュームの第１の増分バックアップを作成するステップと
をさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第２のスナップショット後に発生したことが分かっている第３の時点を識別するステップと、
前記第１の時点と前記第３の時点との間で変更された前記ボリュームの各ブロックを識別するステップと、
前記第１の時点と前記第３の時点との間で変更された前記ボリュームの各ブロックへの参照を、前記第２のスナップショットに関連付けられた第２のリストに追加するステップと
をさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記ウィンドウ内に発生した少なくとも１つの変更を前記第１のスナップショットおよび前記第２のスナップショットの両方に関連付けるステップは、前記ウィンドウ内に変更された前記ボリュームの各ブロックへの参照を前記第１のリストおよび前記第２のリストの両方に追加するステップを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のリストを作成するステップと、
前記第２のリストを作成するステップと
をさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記第１のリストおよび前記第１のスナップショットのうちの少なくとも一方を使用して、前記ボリュームの第１の増分バックアップを作成するステップと、
前記第２のリストおよび前記第２のスナップショットのうちの少なくとも一方を使用して、前記ボリュームの第２の増分バックアップを作成するステップと
をさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記第１のスナップショットは、
ソフトウェアスナップショットと、
ハードウェアスナップショットと
を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ネットワーク化された環境内でボリュームへの変更を追跡するシステムであって、
少なくとも１つのボリュームを備える少なくとも１つのクライアントと、
前記クライアントと通信するサーバと、
前記サーバ上の変更追跡手段と
を備え、前記変更追跡手段は、
前記ボリュームの第１のスナップショットが作成されたウィンドウを識別するステップであって、前記ウィンドウは、前記第１のスナップショット前に発生したことが分かっている第１の時点で始まり、前記第１のスナップショット後に発生したことが分かっている第２の時点で終わるステップと、
前記ウィンドウ内に発生した前記ボリュームへの少なくとも１つの変更を識別するステップと、
前記ウィンドウ内に発生した少なくとも１つの変更を、前記スナップショットおよび前記第１のスナップショット後に作成された第２のスナップショットの両方に関連付けるステップと
を行うように構成される、システム。
【請求項１１】
前記変更追跡手段は、
前記第１のスナップショットに先行する前のスナップショット前に発生したことが分かっている時点を識別するステップと、
前記前のスナップショット前に発生したことが分かっている時点と前記第２の時点との間で変更された前記ボリュームの各ブロックを識別するステップと、
前記基本スナップショット前に発生したことが分かっている時点と前記第２の時点との間で変更された前記ボリュームの各ブロックへの参照を、前記第１のスナップショットに関連付けられた第１のリストに追加するステップと
を行うようにさらに構成される、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
バックアップ作成手段をさらに備え、前記バックアップ作成手段は、
前記前のスナップショットを使用して、前記ボリュームの完全バックアップを作成するステップと、
前記第１のリストおよび前記第１のスナップショットのうちの少なくとも一方を使用して、前記ボリュームの第１の増分バックアップを作成するステップと
を行うように構成される、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記変更追跡手段は、
前記第２のスナップショット後に発生したことが分かっている第３の時点を識別するステップと、
前記第１の時点と前記第３の時点との間で変更された前記ボリュームの各ブロックを識別するステップと、
前記第１の時点と前記第３の時点との間で変更された前記ボリュームの各ブロックへの参照を、前記第２のスナップショットに関連付けられた第２のリストに追加するステップと
を行うようにさらに構成される、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記変更追跡手段は、前記ウィンドウ内に変更された前記ボリュームの各ブロックへの参照を前記第１のリストおよび前記第２のリストに追加することにより、前記ウィンドウ内に発生した前記少なくとも１つの変更を、前記第１のスナップショットおよび前記第２のスナップショットの両方に関連付ける、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
バックアップ作成手段をさらに備え、前記バックアップ作成手段は、
前記第１のリストおよび前記第１のスナップショットのうちの少なくとも一方を使用して、前記ボリュームの第１の増分バックアップを作成するステップと、
前記第２のリストおよび前記第２のスナップショットのうちの少なくとも一方を使用して、前記ボリュームの第２の増分バックアップを作成するステップと
を行うように構成される、請求項１３に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月2日(2012.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アロプリノールまたはその薬学的に許容される塩を有効成分として含む、フルオロピリミジン化学療法によって誘発される手足症候群（ＰＰＥ）の治療または予防用医薬。
【請求項２】
皮膚への局所投与用である、請求項１に記載の医薬。
【請求項３】
手および足への局所投与用である、請求項１に記載の医薬
【請求項４】
クリームの形態である、請求項２または３に記載の医薬。
【請求項５】
手足症候群が５−フルオロウラシル化学療法によって誘発される、請求項１〜４のいずれかに記載の医薬。
【請求項６】
手足症候群がカペシタビン化学療法によって誘発される、請求項１〜４のいずれかに記載の医薬。
【請求項７】
皮膚への局所投与用医薬組成物であって、全組成物の１〜１０重量％のアロプリノールまたはその薬学的に許容される塩を含み、ただし、メチルスルホニルメタンおよびセトマクロゴールとの組み合わせを含まない、医薬組成物。
【請求項８】
さらにピリドキシンを含む、請求項７に記載の医薬組成物。
【請求項９】
クリームの形態の形態である、請求項７または８に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
親水性クリームの形態である、請求項７または８に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
組成物の１〜８重量％のアロプリノールまたはその薬学的に許容される塩を含む、請求項７〜１０のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項１２】
組成物の１〜５重量％のアロプリノールまたはその薬学的に許容される塩を含む、請求項７〜１０のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項１３】
組成物の２〜４重量％のアロプリノールまたはその薬学的に許容される塩を含む、請求項７〜１０のいずれかに記載の医薬組成物。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年9月18日(2012.9.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
この目的は、少なくとも１つの電子スイッチと、時間の経過に伴う電流の変化が比較的小さいように、非導電状態から導電状態に、あるいはその逆に電子スイッチを切り替える１つの制御回路と、を備える回路配置によって本発明にしたがって達成される。この方法で、電源に使用されるリチウムイオン電池の比較的高い寄生インダクタンスは過剰に高い逆電圧を発生する可能性がないので、例えば、制御回路として使用されるマイクロコントローラは電池によって電流を直接供給されてもよく、すなわち、電池電圧を平滑にするためのコンデンサを持つことは必要でない。この回路配置は好適には、駆動装置として振動電気モータまたはリニアモータを有し、またリチウムイオン電池で動作する電気歯ブラシまたは電気かみそりのために意図されており；これは回路技術に関する低い複雑さを特徴としている。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
こうして、電子スイッチの非活性化と任意選択的活性化は、次の方法にしたがって行われる：第１の工程で制御回路はこの制御回路の制御端子を切り替え、「低」から「高インピーダンス」に電子スイッチを制御するために入力（「高インピーダンス」）として、または出力（「低」または「高」）として切り替えられること（３値状態（トライステート））が可能であり、また第２の工程においてのみ制御回路は「高い」に切り替える、および／または制御回路は、第１の工程で「高い」から「高いインピーダンス」に切り替え、次に第２の工程のみにより「低い」に切り替える。第１の工程と第２の工程との間の時間間隔は、少なくとも１つの抵抗器と１つのコンデンサとを含む、電子スイッチの配線の適当なサイズ決めによって電子回路のＭｉｌｌｅｒキャパシタンスに合うように調整され、そして好適には一定の値に設定され、それによってこの配線は、上記のブリッジ回路の場合に抵抗器Ｒｐ、Ｒｇ、Ｒ１、Ｒ２と第１のコンデンサＣ１と第２のコンデンサＣ２とによって形成される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年7月23日(2012.7.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
おしゃぶり（１）であって、
シールド（３）および吸着部（２）が設けられており、該吸着部（２）は、前記シールド（３）に隣接するシャフト（４）を備えており、該シャフト（４）に、前記シールド（３）とは反対側の端部区分（８）で、吸着エレメント（５）が接続されており、該吸着エレメント（５）として膨らんだ吸着体（１２）が設けられており、該吸着体（１２）は、中空室（１０）を形成するために、閉じたボディ構造を有して形成されており、前記吸着部（２）の輪郭は、前記シャフト（４）から出発してこん棒形状を有している形式のものにおいて、
前記シャフト（４）は、第１の横断面軸線の方向における第１の大きな延びと、第２の横断面軸線の方向における第２の短い延びとによって規定されたプレート状に形成されていて、該プレート状の前記シャフト（４）は、閉じたボディ構造を有する前記吸着体（１２）の中空室（１０）から前記シールド（３）の外面に通じる１つの通気路（１３’）を除いて、口蓋もしくは歯の接触する領域において１つのボディから成り、かつ横断面で中実に形成されていて、前記１つのボディから成るシャフトの壁厚が、シャフトの第１の横断面軸線の方向において、前記シャフトの第２の横断面軸線の方向における前記シャフトの壁厚よりも大きいことを特徴とする、おしゃぶり。
【請求項２】
前記シャフト（４）に、多数のマッサージエレメントもしくはクリーニングエレメント（６）が設けられている、請求項１記載のおしゃぶり。
【請求項３】
前記マッサージエレメントもしくはクリーニングエレメント（６）は、プレート状の前記シャフト（４）に対して垂直に配置されている、請求項２記載のおしゃぶり。
【請求項４】
前記マッサージエレメントもしくはクリーニングエレメント（６）として、節状の突出物（７）が設けられている、請求項２または３記載のおしゃぶり。
【請求項５】
前記マッサージエレメントもしくはクリーニングエレメント（６）として、歯状の突出物（７’）が設けられている、請求項２または３記載のおしゃぶり。
【請求項６】
前記吸着体（９，１２）の縦軸線が、前記シャフト（４）の縦軸線に対して３０°〜６０°の角度（α）で傾斜して配置されている、請求項１から５までのいずれか１項記載のおしゃぶり。
【請求項７】
前記シャフト（４，４’）の壁厚が、０．８ｍｍ〜３ｍｍの値を有している、請求項１から６までのいずれか１項記載のおしゃぶり。
【請求項８】
前記シャフト（４）は、縦延伸方向に対して横向きに延びる少なくとも１つの材料薄肉部（４’’）を備えている、請求項１から７までのいずれか１項記載のおしゃぶり。
【請求項９】
前記吸着部（２）は、シリコーン、ラテックスまたは熱可塑性エラストマから形成されている、請求項１から８までのいずれか１項記載のおしゃぶり。
【請求項１０】
前記シールド（３）は、熱可塑性材料から形成されている、請求項１から９までのいずれか１項記載のおしゃぶり。
【請求項１１】
前記シールド（３）および前記吸着部（２）は、２成分または多成分射出成形部品として一体的に形成されている、請求項１から１０までのいずれか１項記載のおしゃぶり。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
乳児もしくは幼児による吸着力の作用に関して、大体において閉じたボディ構造を有する膨らんだもしくは豆状の吸着体の圧力補償を実現するために、閉じたボディ構造を有する吸着体の、突出する露出した端部区分に、スリット状の開口が設けられている。選択的に、有利には閉じたボディ構造を有する吸着体の中空室からシャフトを介してシールドの外側に通じる通気路が設けられている場合には、閉じたボディ構造を有する吸着体の圧力補償も得られる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年7月19日(2012.7.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生理反応を取得する方法であって、可変的な刺激間間隔で複数の刺激を被験者に示すステップと、
前記被験者の刺激反応から電気生理学的信号を検出するステップと、
前記刺激間間隔により振幅と潜時が修正される回復信号を前記刺激に基づき生成するステップと、
前記回復信号を使用して前記電気生理学的信号から生理反応信号を回復するステップと
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法であって、前記刺激が循環的に提示されることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項1記載の方法であって、前記複数の刺激として、１０００以上の聴覚刺激が前記
被験者の耳に提示されることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法であって、前記刺激が聴覚刺激であって、前記生理反応が聴性脳幹反応（ＡＢＲ）であることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項４記載の方法であって、前記刺激が聴覚刺激であって、前記聴覚刺激がブロードバンドクリック、トーンバースト、ノイズバースト、チャープ刺激のいずれかであることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１記載の方法であって、前記複数の刺激がＭ系列であって前記Ｍ系列の長さが前記電気生理学的信号の期待値よりも長いことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１記載の方法であって、くし形フィルタを適用された前記刺激に基づき前記回復信号を生成することを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１記載の方法であって、前記回復信号を生成するステップが単極回復シーケンスを生成することを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１記載の方法であって、前記回復信号を生成するステップが双極回復シーケンスを生成することを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１記載の方法であって、前記回復信号を生成するステップはさらに、既知の生理反応による統制群との機能的関係を参照して振幅と潜時を決定するステップを含んでいることを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１記載の方法であって、前記生理反応信号を判断するステップはさらに、人工産物により汚染された信号を取り除くために前記人工産物を検出するステップを含んでいることを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１記載の方法であって、前記生理反応信号を判断するステップはさらに、信号のアンサンブル平均を算出するステップを含んでいることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の方法であって、さらに、前記生理反応を取得するための前記回復信号とアンサンブル平均との相互相関をさせるステップを含んでいることを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１記載の方法であって、該方法が同時に前記被験者の両耳に適用されることを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の方法であって、前記複数の刺激がＭ系列であって前記Ｍ系列の長さが前記電気生理学的信号の長さの期待値の２倍以上であることを特徴とする方法
【請求項１６】
請求項１記載の方法であって、前記被験者が人間の新生児であることを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１記載の方法であって、自動聴性脳幹反応（Ａ−ＡＢＲ）装置を使用して実施されることを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項１記載の方法であって、前記複数の刺激が視覚刺激であることを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１８記載の方法であって、前記電気生理学的信号が網膜電図として検出されることを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項１記載の方法であって、前記複数の刺激が触覚刺激であることを特徴とする方法。
【請求項２１】
請求項２０記載の方法であって、前記電気生理学的信号が反射の誘発筋電図として検出されることを特徴とする方法。
【請求項２２】
請求項１記載の方法であって、さらに線形システムからもたらされたようにみえる前記電気生理学的信号が検出されるように前記刺激間間隔を調整するステップを含むことを特徴とする方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８０】
ＥｘＬａｔｅは、｛７．８４１；７．８９４；７．８９４；７．８９４；７．６４７；７．７６３；７．８９４；７．８４１｝
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８１】
ＥｘＡｍｐは、｛０．９０９；０．６９９；０．６９９；０．６９９；０．９９２；０．９７３；０．６９９；０．９０９｝
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０３】
本発明の他の実施形態によれば、線形システムからもたらされたようにみえる反応を生成するために刺激シーケンスのＩＳＩを変化させることができ、そのため、従来の再構成アルゴリズムの性能を向上させることができる。しかし、従来のＭＬＳ回復シーケンスではあるが、上記の振幅修正を加えた回復シーケンスを用いることにより、再構成アルゴリズムの性能はさらに改善できる。したがって、以下の数式８で算出されるオフセットによって刺激シーケンス内の刺激インデックスを調整することにより、刺激生成を修正することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月18日(2012.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コーティングプログラムが決定したようにアプリケータから電子回路基板に任意のコーティング材料を塗布する方法であって、
前記回路基板のための前記コーティングプログラムを取得するステップと、
前記コーティングプログラムから動作シーケンスを取得するステップと、
前記動作シーケンスを示す制御信号をモーションコントローラに通信するステップと、
前記モーションコントローラからの制御信号に基づいて指令信号を、前記アプリケータを前記回路基板上の所望の位置に移動するロボットに送るステップと、
前記コーティングプログラムが指示したように前記アプリケータから前記回路基板の所望の部品及び領域のそれぞれに一定量の任意のコーティング材料を供給すべく前記アプリケータの供給弁を開閉するステップと、
前記任意のコーティング材料を供給すると共に、前記回路基板に対して前記アプリケータを移動するステップと、
前記回路基板に塗布された前記任意のコーティング材料の総供給量を決定すべく前記回路基板の前記所望の部品及び領域のそれぞれに塗布された前記任意のコーティング材料の量を総計するステップと、
前記回路基板に塗布された前記任意のコーティング材料の前記総供給量を前記コーティングプログラムが特定した前記任意のコーティング材料の所望の供給量と比較するステップと、
を具備することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記回路基板に塗布された前記任意のコーティング材料の前記総供給量と前記コーティングプログラムが特定した前記任意のコーティング材料の所望の供給量との比較に基づいて後続する回路基板に塗布される前記任意のコーティング材料の前記総供給量を変更するステップを更に具備することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記任意のコーティング材料の前記総供給量を変更するステップは、
前記任意のコーティング材料の前記アプリケータへの流れを調整器で調整するステップを更に具備することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記任意のコーティング材料の前記総供給量を変更するステップは、
前記総供給量を変更するための内部制御ウィンドウを実装するステップと、
前記コーティングプログラムが特定した前記任意のコーティング材料の前記総供給量と前記所望の供給量との間の差が前記内部制御ウィンドウの内部にある場合、何のアクションも起こさないステップと、
を更に具備することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記任意のコーティング材料の前記総供給量を変更するステップは、
前記任意のコーティング材料を別の基板上に供給する場合、誤差信号に基づいて前記任意のコーティング材料の温度を調節するステップを更に具備することを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記任意のコーティング材料の前記総供給量を変更するステップは、
前記任意のコーティング材料を別の基板上に供給する場合、前記アプリケータが前記基板に対して動く速度を調節するステップを更に具備することを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記任意のコーティング材料の前記総供給量を変更するステップは、
前記総供給量を変更するための外部制御ウィンドウを実装するステップと、
前記コーティングプログラムが特定した前記任意のコーティング材料の前記総供給量と前記所望の供給量との間の差が前記外部制御ウィンドウの外部にある場合、アラームを発するステップと、を更に具備することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項８】
前記任意のコーティング材料の前記総供給量を変更するステップは、
前記総供給量を変更するための前記外部制御ウィンドウを実装するステップと、
前記コーティングプログラムが特定した前記任意のコーティング材料の前記総供給量と前記所望の供給量との間の差が前記外部制御ウィンドウの外部にある場合、前記アプリケータへの液体材料の流れを停止するステップと、を更に具備することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項９】
前記任意のコーティング材料の前記総供給量を変更するステップは、
前記任意のコーティング材料を別の基板上に供給する場合、誤差信号に基づいて前記任意のコーティング材料の温度を調節するステップを更に具備することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項１０】
前記任意のコーティング材料の前記総供給量を変更するステップは、
前記任意のコーティング材料を別の基板上に供給する場合、前記アプリケータが前記基板に対して動く速度を調節するステップを更に具備することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項１１】
前記任意のコーティング材料の前記総供給量を決定するステップは、
前記アプリケータへ流れる前記任意のコーティング材料の量を示す容積信号を生成するステップと、
前記容積信号に基づいて前記総供給量を求めるステップと、を更に具備することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記総供給量を求めかつ前記コーティングプログラムが特定した前記任意のコーティング材料の前記総供給量と前記所望の供給量との間の差を求めるべく該総供給量を前記望ましい供給量と比較するコントローラに前記容積信号を通信するステップと、
前記後続する基板上の前記任意のコーティング材料の前記総供給量を変更するための調整器に制御信号を通信するステップと、
を更に具備することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月8日(2012.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、
前記基板上に適用された光活性半絶縁炭化ケイ素（ＳｉＣ）層であって、前記ＳｉＣ層がその中に形成されたホウ素関連Ｄ−センター欠損を有するＳｉＣ層、および
電磁放射線が前記ＳｉＣ層の表面に入ることを可能とする光透過層を含む集積回路（ＩＣ）デバイス。
【請求項２】
前記基板がＮ型伝導性基板、又は、Ｐ型伝導性基板である、請求項１に記載のＩＣデバイス。
【請求項３】
電磁放射線デバイスであって、前記電磁放射線デバイスが電磁放射線を前記ＳｉＣ層の前記表面に向けるよう構成された電磁放射線デバイスをさらに含む、請求項１又は２に記載のＩＣデバイス。
【請求項４】
前記電磁放射線デバイスに接続されたコントローラーであって、前記コントローラーが前記電磁放射線デバイスを駆動するために構成されたコントローラーをさらに含む、請求項３に記載のＩＣデバイス。
【請求項５】
前記電磁放射線デバイスが前記ＳｉＣ層において光伝導性を促進する第１の波長および前記ＳｉＣ層において光伝導性をクエンチングする第２の波長を少なくとも有する電磁放射線を発生する、請求項３又は４に記載のＩＣデバイス。
【請求項６】
前記ＩＣデバイスが、 
(a) 光制御バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）、又は
(b) 光制御接合トランジスタ電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）、又は、
(c) 光制御金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、又は、
(d)光制御サイリスタ、
として構成される、請求項１〜５のいずれか一項に記載のＩＣデバイス。
【請求項７】
基板、
前記基板上に蒸着されたドリフト層、
前記ドリフト層上に蒸着されたチャンネル層、
前記基板上に適用された光活性半絶縁炭化ケイ素（ＳｉＣ）層であって、前記ＳｉＣ層がその中に形成されたホウ素関連Ｄ−センター欠損を有するＳｉＣ層、および
電磁放射線が前記ＳｉＣ層の表面に入ることを可能とする光透過層を含むＩＣデバイス。
【請求項８】
前記基板がＮ型伝導性基板、又は、Ｐ型伝導性基板である、請求項７に記載のＩＣデバイス。
【請求項９】
電磁放射線デバイスであって、前記電磁放射線デバイスが電磁放射線を前記ＳｉＣ層の前記表面に向けるよう構成された電磁放射線デバイスをさらに含む、請求項７に記載のＩＣデバイス。
【請求項１０】
前記電磁放射線デバイスに接続されたコントローラーであって、前記コントローラーが前記電磁放射線デバイスを駆動するために構成されたコントローラーをさらに含む、請求項９に記載のＩＣデバイス。
【請求項１１】
前記電磁放射線デバイスが前記ＳｉＣ層において光伝導性を促進する第１の波長および前記ＳｉＣ層において光伝導性をクエンチングする第２の波長を少なくとも有する電磁放射線を発生する、請求項９に記載のＩＣデバイス。
【請求項１２】
前記ＩＣデバイスが、
(a) 光制御バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）、又は
(b) 光制御接合トランジスタ電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）、又は、
(c) 光制御金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、又は、
(d)光制御サイリスタ、
として構成される、請求項７に記載のＩＣデバイス。
【請求項１３】
基板上に光活性半絶縁ＳｉＣ層を形成すること、およびＩＣデバイスが形成されるよう、前記光活性半絶縁ＳｉＣ層上にさらなる層を形成することを含む、ＩＣデバイスを形成するための方法。
【請求項１４】
前記ＳｉＣ層内にホウ素関連Ｄ−センター欠損が形成されるよう、前記光活性半絶縁ＳｉＣ層をホウ素でドーピングすることにより前記光活性半絶縁ＳｉＣ層を形成する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
形成される前記光活性ＩＣデバイスが、
(a) 光制御バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）、又は
(b) 光制御接合トランジスタ電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）、又は、
(c) 光制御金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、又は、
(d)光制御サイリスタ、
である、請求項１３に記載の方法。