Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月31日(2003.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メイン基板に配備されたメイン制御装置と、払出基板に配備された払出制御装置とにより、少なくともパチンコ球の払出制御が設定されるパチンコ遊技機において、電源の遮断状態が発生したことに対応して前記払出制御装置のＲＡＭに記憶されているデータをバックアップする払出バックアップ手段を設け、前記払出バックアップ手段が、電圧低下検出回路と、データの書き込みが可能とされたＲＯＭとを有すると共に、電源の遮断状態発生時に、前記電圧低下検出回路の検出信号に応じて前記ＲＡＭに記憶されているデータを前記ＲＯＭに書き込むデータ保持制御手段と、電源投入時、前記ＲＯＭにデータが記憶されている場合に、前記データを前記ＲＡＭに書き込むデータ復帰制御手段とを備えたことを特徴とするパチンコ遊技機。
【請求項２】
前記払出バックアップ手段が、バックアップ用コンデンサを含み、電源の遮断状態発生時に、該バックアップ用コンデンサに蓄えられた電荷を前記払出制御装置に供給することを特徴とする請求項１に記載のパチンコ遊技機。
【請求項３】
メイン基板に配備されたメイン制御装置と、払出基板に配備された払出制御装置とにより、少なくともパチンコ球の払出制御が設定され、電源の遮断状態が発生したことに対応して前記払出制御装置のＲＡＭに記憶されているデータをバックアップする払出バックアップ手段を設けたパチンコ遊技機において、前記払出バックアップ手段は、電源の遮断状態発生した場合に電圧低下を検出して電圧降下信号を出力する電圧低下検出回路を備え、前記払出バックアップ手段によるバックアップ動作は、前記電圧低下検出回路の電圧降下信号に応じてなされることを特徴とするパチンコ遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、何らかの原因により電源の遮断状態が発生した場合、払出制御装置のＲＡＭに記憶されているデータをバックアップし、電源遮断直前のデータによる払出制御状態を維持することができ、電源の遮断状態発生後、払出制御装置に電源を再投入した場合に、電源遮断時のデータによる払出制御状態に確実に復帰させることができるパチンコ遊技機を提供することにある。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載のパチンコ遊技機は、メイン基板に配備されたメイン制御装置と、払出基板に配備された払出制御装置とにより、少なくともパチンコ球の払出制御が設定されるものであって、上記課題を解決するために、電源の遮断状態が発生したことに対応して前記払出制御装置のＲＡＭに記憶されているデータをバックアップする払出バックアップ手段を設け、前記払出バックアップ手段が、電圧低下検出回路と、データの書き込みが可能とされたＲＯＭとを有すると共に、電源の遮断状態発生時に、前記電圧低下検出回路の検出信号に応じて前記ＲＡＭに記憶されているデータを前記ＲＯＭに書き込むデータ保持制御手段と、電源投入時、前記ＲＯＭにデータが記憶されている場合に、前記データを前記ＲＡＭに書き込むデータ復帰制御手段とを備えたことを特徴とする。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項３に記載のパチンコ遊技機は、メイン基板に配備されたメイン制御装置と、払出基板に配備された払出制御装置とにより、少なくともパチンコ球の払出制御が設定され、電源の遮断状態が発生したことに対応して前記払出制御装置のＲＡＭに記憶されているデータをバックアップする払出バックアップ手段を設けたものであって、上記課題を解決するために、前記払出バックアップ手段は、電源の遮断状態発生した場合に電圧低下を検出して電圧降下信号を出力する電圧低下検出回路を備え、前記払出バックアップ手段によるバックアップ動作は、前記電圧低下検出回路の電圧降下信号に応じてなされることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
【発明の効果】
請求項１に記載の構成によれば、払出バックアップ手段が、電源の遮断状態が発生したことに対応して払出制御装置のＲＡＭに記憶されているデータをバックアップするので、何らかの原因により電源の遮断状態が発生した場合であっても、電源遮断発生直前のデータによる払出制御状態を維持することができ、電圧低下検出回路により電源の遮断状態発生を検出することができ、電圧低下検出回路の検出信号に応じてＲＡＭに記憶されているデータを書込み可能なＲＯＭに書き込むので、電源の遮断状態が発生した場合であっても、電源遮断発生直前のデータによる払出制御状態を確実にＲＯＭに保持することができ、電源の遮断状態発生後、払出制御装置に電源を再投入した場合に、書込み可能なＲＯＭに記憶されている全データを払出制御装置のＲＡＭに読み込むので、払出制御装置の制御状態を電源遮断時のデータによる払出制御状態に確実に復帰させることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
請求項３に記載の構成によれば、電源の遮断状態発生した場合に、電圧低下検出回路が電圧低下を検出して電圧降下信号を出力し、払出バックアップ手段によるバックアップ動作が、電圧低下検出回路の電圧降下信号に応じてなされるので、何らかの原因により電源の遮断状態が発生した場合、払出制御装置のＲＡＭに記憶されているデータをバックアップし、電源遮断直前のデータによる払出制御状態を維持することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月30日(2003.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技者の操作に応じて変化する遊技状況に基づき、所定の表示領域において識別情報を切換変更表示可能な可変表示装置を備えた遊技機であって、
前記識別情報の表示される表示領域を、複数に分断された分断片によって構成するとともに、該分断片の動作に基づいて前記識別情報が切換変更表示されるようにし、
前記分断片は、平板状をなすが如く表示され、前記分断片の奥側に、以後の遊技状態を示唆又は明示するための表示対象を表示可能とし、前記表示対象は、前記所定条件成立時にのみ表示されるものであり、前記分断片の動作中の所定期間に一時的に視認されうるものであることを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月21日(2004.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、
前記支持体の一表面に搭載され、集積回路と主要表面上に形成された複数のパッド電極とを有し、前記主要表面が四辺形となり、前記パッド電極が前記四辺形の４つの辺に沿って配設されてなる半導体チップと、
前記４つの辺に沿って前記半導体チップを取り囲むように前記支持体の前記一表面上に固定される複数のインナーリードと、
前記各パッド電極と前記各インナーリードの先端をそれぞれ電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、
前記半導体チップ、前記インナーリードおよび前記複数のボンディングワイヤを封止する封止体とを含む半導体装置であって、
隣接する前記パッド電極間のピッチが、前記半導体チップの前記主要表面の前記４つの辺によって定まる４つのコーナーに向かうに従って増大していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体チップの前記４つの各コーナーの近傍において、隣接する２つのインナーリードの先端の最大ピッチが、前記半導体チップを取り囲む前記インナーリードのそれぞれの先端ピッチに関して最小ピッチの２倍未満であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
（Ｌ）が隣接する前記インナーリードの先端における最大許容間隔であり、（Ｗ１）が隣接する前記インナーリードの最小間隔であり、（Ｗ２）が前記インナーリードの最小幅であるとき、（Ｌ）＜２×（Ｗ１）＋（Ｗ２）の関係が存在することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体チップが、熱硬化樹脂によって前記支持体に搭載されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記支持体が、その前記一表面上に形成された絶縁体を含むことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記インナーリードはその主要成分が銅である材料から形成されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項７】
支持体と、
前記支持体の一表面に搭載され、集積回路と主要表面上に形成された複数のパッド電極とを有し、前記主要表面が四辺形となり、前記パッド電極が前記四辺形の４つの辺に沿って配設されてなる半導体チップと、
前記４つの辺に沿って前記半導体チップを取り囲むように前記支持体の前記一表面上に固定される複数のインナーリードと、
前記各パッド電極と前記各インナーリードの先端をそれぞれ電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、
前記半導体チップと前記複数のボンディングワイヤを封止する樹脂体とを含む半導体装置であって、
前記半導体チップの前記主要表面の前記４つの辺によって定まる４つの各コーナーにおける隣接する第１のパッド電極間のピッチが、前記４つのコーナーよりも前記４つの各辺の比較的中央部の位置に配設された隣接する第２のパッド電極間のピッチよりも広いことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記半導体チップが、熱硬化樹脂によって前記支持体に搭載されていることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記支持体が、その前記一表面上に形成された絶縁体を含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記インナーリードが、前記支持体の前記絶縁体上に固定されていることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記インナーリードはその主要成分が銅である材料から形成されていることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項１２】
支持体と、
前記支持体の一表面に搭載され、集積回路と主要表面上に形成された複数のパッド電極とを有し、前記主要表面が四辺形となり、前記パッド電極が前記四辺形の４つの辺に沿って配設されてなる半導体チップと、
前記４つの辺に沿って前記半導体チップを取り囲むように前記支持体の前記一表面上に固定される複数のインナーリードと、
前記各パッド電極と前記各インナーリードの先端をそれぞれ電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、
前記半導体チップと前記複数のボンディングワイヤを封止する樹脂体とを含む半導体装置であって、
前記パッド電極が、前記半導体チップの前記主要表面の前記４つの辺によって定まる４つの各コーナーに配設された第１の隣接するパッド電極と、前記第１の隣接するパッド電極よりも前記４つのコーナーから離れている領域に配設された第２の隣接するパッド電極とを含み、
前記第１の隣接するパッド電極間のピッチが、前記第２の隣接するパッド電極間のピッチよりも広いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
前記半導体チップが、熱硬化樹脂によって前記支持体に搭載されていることを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記支持体が、その前記一表面上に形成された絶縁体を含むことを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記インナーリードが、前記支持体の前記絶縁体上に固定されていることを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記インナーリードはその主要成分が銅である材料から形成されていることを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月19日(2003.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に形成された結晶性珪素膜を活性層とした薄膜トランジスタを利用した半導体装置であって、
該結晶性珪素膜は、所定の方向に格子の連続性を有する結晶構造を有し、かつ前記所定の方向に直角または概略直角な方向には格子の連続性が損なわれた結晶構造を有し、
前記活性層において、ソース領域とドレイン領域とを結ぶ方向と前記所定の方向とは、所定の角度を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に形成された結晶性珪素膜を活性層とした薄膜トランジスタを利用した半導体装置であって、
該結晶性珪素膜は、所定の方向に格子の連続性を有する結晶構造を有し、かつ前記所定の方向に直角または概略直角な方向には格子の連続性が損なわれた結晶構造を有し、
前記活性層において、チャネル領域におけるキャリアの移動する方向と前記所定の方向とは、所定の角度を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記所定の角度が０°または概略０°であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、前記結晶性珪素膜中には、珪素の結晶化を助長する金属元素が添加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、前記珪素の結晶化を助長する金属元素として、ニッケル（Ｎｉ）が利用されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、前記結晶性珪素膜中に、ニッケル元素は１×１０14原子個／ｃｍ3 〜５×１０18原子個／ｃｍ3の濃度で含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項５において、前記結晶性珪素膜中に、ニッケル元素は１×１０16原子個／ｃｍ3〜５×１０17原子個／ｃｍ3の濃度で含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項４において、前記珪素の結晶化を助長する金属元素として、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種類のものが利用されることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項４において、前記結晶性珪素膜中の前記珪素の結晶化を助長する金属元素の濃度分布は、基板側から膜の表面に向って、又は膜の表面から基板に向って高くなっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項４において、前記結晶性珪素膜中の前記珪素の結晶化を助長する金属元素の濃度分布は、膜の表面及び基板側に向って高くなっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項４において、前記結晶性珪素膜中の前記珪素の結晶化を助長する金属元素及びハロゲン元素の濃度分布は、基板側から膜の表面に向って、又は膜の表面から基板側に向って高くなっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項４において、前記結晶性珪素膜中の前記珪素の結晶化を助長する金属元素及びハロゲン元素の濃度分布は、膜の表面及び基板側に向って高くなっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、前記結晶性珪素膜の膜厚は１０ｎｍ〜７５ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一に記載の半導体装置は、前記薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置を表示部に利用した半導体装置であって、携帯情報端末、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーションシステム、携帯電話、携帯型ビデオカメラ又は投写型表示装置のいずれかである。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一に記載の半導体装置は、前記薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置を表示部に利用した半導体装置であって、携帯情報端末、カーナビゲーションシステム、又は携帯電話のいずれかである。
【請求項１６】
絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を成膜し、
前記非晶質珪素膜に一部に珪素の結晶化を助長する金属元素を選択的に導入し、
加熱処理を施し前記金属元素が選択的に導入された領域から他の領域に向かって基板に平行な方向に結晶成長させて結晶性珪素膜を形成し、
ハロゲン元素を含有させた酸化性雰囲気中での８００℃〜１１００℃での加熱処理により、前記結晶性珪素膜の表面に熱酸化膜を形成し、
前記熱酸化膜を除去した後、前記結晶成長を行わせた方向にソース領域とドレイン領域とを結ぶ方向が一致するように、前記結晶性珪素膜をパターニングして、島状の領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を成膜し、
前記非晶質珪素膜に一部に珪素の結晶化を助長する金属元素を選択的に導入し、
加熱処理を施し前記金属元素が選択的に導入された領域から他の領域に向かって基板に平行な方向に結晶成長させて結晶性珪素膜を形成し、
ハロゲン元素を含有させた酸化性雰囲気中での８００℃〜１１００℃での加熱処理により、前記結晶性珪素膜の表面に熱酸化膜を形成し、
前記熱酸化膜を除去した後、前記結晶成長を行わせた方向にチャネル領域におけるキャリアの移動する方向が一致するように、前記結晶性珪素膜をパターニングして、島状の領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１６または請求項１７において、前記珪素の結晶化を助長する金属元素として、ニッケル（Ｎｉ）を利用することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１６または請求項１７において、前記珪素の結晶化を助長する金属元素として、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種類のものを利用することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月21日(2003.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に複数の薄膜トランジスタを有し、
前記複数の薄膜トランジスタの活性層は、多数の点から放射状に結晶成長した結晶性珪素膜を利用して構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に複数の薄膜トランジスタを有し、
前記複数の薄膜トランジスタの活性層は、特定の方向に結晶成長した幅が膜厚〜２００ｎｍの細長い多数の構造体よりなる結晶性珪素膜を利用して構成され、
前記特定の方向は、前記複数の薄膜トランジスタ各々において異なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記結晶性珪素膜の表面には熱酸化膜が形成されており、該熱酸化膜の膜厚は前記結晶性珪素膜の膜厚より厚いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記結晶性珪素膜中には、ニッケルが１×１０14原子個／ｃｍ3〜５×１０18原子個／ｃｍ3の濃度で含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記結晶性珪素膜中には、ニッケルが１×１０16原子個／ｃｍ3〜５×１０17原子個／ｃｍ3の濃度で含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記結晶性珪素膜中には、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種類の金属元素が含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記結晶性珪素膜中には、珪素の結晶化を助長する金属元素が含まれており、
該金属元素は前記結晶性珪素膜の表面および裏面に向かって含有濃度が高くなる濃度分布を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記結晶性珪素膜中には、珪素の結晶化を助長する金属元素が含まれており、
該金属元素は前記結晶性珪素膜の表面または裏面に向かって含有濃度が高くなる濃度分布を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記結晶性珪素膜中にはハロゲン元素が含まれており、該ハロゲン元素は、前記結晶性珪素膜の表面および裏面に向かって含有濃度が高くなる濃度分布を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記結晶性珪素膜中にはハロゲン元素が含まれており、該ハロゲン元素は、前記結晶性珪素膜の表面または裏面に向かって含有濃度が高くなる濃度分布を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記結晶性珪素膜の膜厚は１０ｎｍ〜７５ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項に記載の半導体装置は、前記薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置を利用した半導体装置であって、情報情報端末、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーションシステム、携帯電話、携帯型ビデオカメラ又は投射型表示装置のいずれかである。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項に記載の半導体装置は、前記薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置を利用した半導体装置であって、情報情報端末、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーションシステム、携帯電話、携帯型ビデオカメラ又は投射型表示装置のいずれかである。
【請求項１４】
絶縁表面上に非晶質珪素膜を成膜し、
前記非晶質珪素膜を珪素の結晶化を助長する金属元素の作用により結晶化させ結晶性珪素膜を形成し、
ハロゲン元素を含有させた酸化性雰囲気の中で８００℃〜１１００℃での加熱処理により前記結晶性珪素膜の表面に第１の熱酸化膜を形成し、
前記第１の熱酸化膜を除去し、
前記第１の熱酸化膜を除去した後、露出した結晶性珪素膜の表面に第２の熱酸化膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記珪素の結晶化を助長する金属元素は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種類であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月17日(2003.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
前記逆位相電流供給工程は、前記電力配電線に接続された変圧器を介して前記逆位相電流を供給することができる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
今、ｃ相の配電線４ｃに地絡故障が発生したとする。このとき、地絡事故検出装置１０では、計器用変流器７０から切り替えスイッチ４２を介して地絡電流Ｉｇのインピーダンス成分Ｉｇｚが検出される。そして、その検出されたインピーダンス成分Ｉｇｚと、地絡電流Ｉｇとの組み合わせにより、正弦波成分Ｉｇｓが算出される。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２６】
【数１】
Ｒｏの１次側換算値Ｒは、
2000092698.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５４】
第１の判定回路８１では、入力された電圧Ｖｏが基準値Ｖよりも大きいか否かを判定する。微地絡の場合にはＲｇが大きく、ほぼ完全地絡の場合にはＲｇ≒０となるため、電圧Ｖｏはこれらの値の変化に伴って変化し、基準値Ｖとの比較により判定される。ここでは、電圧Ｖｏが基準値Ｖよりも大きい（Ｖｏ＞Ｖ）場合に地絡があったものとみなして信号を第２の判定回路８２に出力する。


【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１９】
2000092698.tif 000002
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２３】
2000092698.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月11日(2003.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予約ジョブの受付を行うとともに、受け付けた予約ジョブを表示する操作パネルを有する画像形成装置において、
前記受け付けた予約ジョブのリストを表示する予約リスト画面を前記操作パネルに表示するとともに、
前記操作パネル上の前記予約リスト画面に予約ジョブの優先順位を変更する優先ボタンを設けて、
前記優先ボタンの操作により予約されたジョブの優先順位を変更するとともに、
優先順位が変更されたジョブの表示を前記予約リスト画面上で移動させて表示することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記の本発明の目的は
（１）予約ジョブの受付を行うとともに、受け付けた予約ジョブを表示する操作パネルを有する画像形成装置において、
前記受け付けた予約ジョブのリストを表示する予約リスト画面を前記操作パネルに表示するとともに、
前記操作パネル上の前記予約リスト画面に予約ジョブの優先順位を変更する優先ボタンを設けて、
前記優先ボタンの操作により予約されたジョブの優先順位を変更するとともに、
優先順位が変更されたジョブの表示を前記予約リスト画面上で移動させて表示することを特徴とする画像形成装置、
によって達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月5日(2003.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
最後に消去可を示す制御情報及びそこからリンクされたすべての制御情報を未使用状態に変更して、以前のデータ・ブロックを最利用可能にする。また、ここでの一連の制御情報の書き換えを、動作保証したトランザクションによって実行することによって、制御情報の整合性を保証する。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３１】
Ｆ−６．Ｓｅｒｖｉｃｅ  Ｄｅｓｃｒｉｐｔｉｏｎの追加
書き込み中に通信が途絶するような状況下でもデータの整合性を保証しながらＳｅｒｖｉｃｅ  Ｄｅｓｃｒｉｐｔｉｏｎの追加を行なうための処理手順ついて、図１４を参照しながら説明する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６８】
他方、更新するＴＯＣが９個以上ある場合には、１〜７番目までのＴＯＣのＴｙｐｅをＵｎｕｓｅｄにするとともに、８番目のＴＯＣのＴｙｐｅはＥｒａｓｉｎｇにする（ステップＳ１３）。これらのＴＯＣの書き換え動作は１回のトランザクション（Ｔ１１）だけで行なう。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７１】
そして、更新するＴＯＣがまだ９個以上残っている場合には、１〜７番目までのＴＯＣのＴｙｐｅをＵｎｕｓｅｄにするとともに、８番目のＴＯＣのＴｙｐｅはＥｒａｓｉｎｇにする（ステップＳ１３）。これらのＴＯＣの書き換え動作は１回のトランザクション（Ｔ１２）だけで行なう（同上）。
【手続補正書】
【提出日】平成15年4月14日(2003.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
顧客が、情報端末からインターネットウェブページを通じて食事店舖に直接、又は情報仲介センターを経由して食事店舖に食事注文する場合、
（１）中華料理のカテゴリーに属する特定食事店舖にアクセス（顧客）
（２）当該食事店舗の食事メニューが顧客の情報端末画面に表示（食事店舖又は情報仲介センター）
（３）食事メニューから複数の種類の料理品目の選定（顧客）
（４）選定した複数の種類の料理品目の個々の量は、当該食事店舖が提示した量の区分の中から選択（顧客）
（５）複数の種類の料理品目の選定と量の区分の選択が確定した各料理品目は、料理品目の種類の数以上の領域から構成され、各領域の境界が壁等により仕切られた１つの容器に盛り付け（食事店舗又は情報仲介センター）
少なくとも（１）〜（５）のプロセスにより顧客１人分の食事品目が確定する食事注文における中華料理食事品目設計方法。
【請求項２】
顧客が、情報端末からインターネットウェブページを通じて食事店舖に直接、又は情報仲介センターを経由して食事店舖に食事注文する場合
（１）中華料理のカテゴリーに属する特定食事店舖にアクセス（顧客）
（２）当該食事店舖の食事メニューが、顧客の情報端末画面に表示（食事店舖又は情報仲介センター）
（３）食事メニューから複数の種類の料理品目の選定（顧客）
（４）選定した複数の種類の料理品目の個々の量は、当該食事店舖が提示した量の区分の中から選択（顧客）
（５）複数の種類の料理品目の選定と量の区分の選択が確定した各料理品目は、１つの容器に１つの料理品目が盛り付けされ、それらの容器をさらに別の１つの容器に配置（食事店舖又は情報仲介センター）少なくとも（１）〜（５）のプロセスにより顧客１人分の食事品目が確定する食事注文における中華料理食事品目設計方法。
【請求項３】
請求項１及び請求項２において、顧客１人分の食事品目設計が完了すると、当該食事品目画像が、顧客の情報端末画面に表示される食事注文における中華料理食事品目設計方法。
【請求項４】
顧客が、情報端末からインターネットウェブページを通じて食事店舖に直接、又は情報仲介センターを経由して食事店舖に食事注文する場合、中華料理のカテゴリーに属する特定食事店舖にアクセスし、食事メニューから特定食事品目を決定するプロセスにおいて、特定食事品目設計の各段階（料理品目の種類の選定及び量の区分の選択）毎に、価格及びその段階までの価格の合計が、顧客の情報端末画面に表示される食事注文における中華料理食事品目設計方法。
【請求項５】
顧客が、情報端末からインターネットウェブページを通じて、食事店舖に直接，又は情報仲介センターを経由して、食事店舖に食事注文する場合、中華料理のカテゴリーに属する特定食事店舖にアクセスし、食事メニューから特定食事品目を決定するプロセスにおいて、特定食事品目設計の各段階（料理品目の種類の選定及び量の区分の選択）毎に、熱量、栄養素、作用、必要量等が、顧客の情報端末画面に表示される食事注文における中華料理食事品目設計方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項４は、顧客が、情報端末からインターネットウェブページを通じて食事店舖に直接、又は情報仲介センターを経由して食事店舖に食事注文する場合、中華料理のカテゴリーに属する特定食事店舗にアクセスし、食事メニューから特定食事品目を決定するプロセスにおいて、特定食事品目設計の各段階（料理品目の種類の選定及び量の区分の選択）毎に、価格及びその段階までの価格の合計が、顧客の情報端末画面に表示される食事注文における中華料理食事品目設計方法である。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図１４は、顧客の個人情報入力画面である。食事注文をキャンセルする場合は″キャンセルボタン″を選択する。図１３の注文票で宅配食事注文する場合、宅配に必要な個人情報（名前、住所、郵便番号、電話番号、Ｅメールアドレス等）を入力し、″注文ボタン″を選択すると、″Ｔ中華料理店″に注文票、食事品目画像及び顧客の個人情報データが送信され、当該食事店舖は、これらの情報に基づき、食事品目の調理を開始することになる。
又、顧客の個人情報データは、当該食事店舖の注文履歴ＤＢに登録される。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月28日(2003.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、前記公知技術が抱える課題を解決するためになされたものであって、その発明の目的は、組立てを簡単にした発光ダイオードを使用した薄型の表示器を提供することにある。
本発明の他の目的は、組立てを簡単にすると共にメンテナンスを容易にした発光ダイオードを使用した薄型の表示器を提供することにある。
本発明のまた他の目的は、発光ダイオードの光を効率よく表示プレートへ伝達するようにした発光ダイオードを使用した薄型の表示器を提供することにある。
更に他の目的は、発光ダイオードの交換を容易にした発光ダイオードを使用した薄型の表示器を提供することにある。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
更にまた他の目的は、バリエーションに富んだ表示を可能とした発光ダイオードを使用した薄型の表示器を提供することにある。
更にまた他の目的は、発光ダイオードに接続されたリード線を整然と配線できるようにした発光ダイオードを使用した薄型の表示器を提供することにある。
更にまた他の目的は、両面から表示可能とした発光ダイオードを使用した薄型の表示器を提供することにある。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この表示器は、前記中間パネルを構成する透光性を有する樹脂材料に無色透明又は色付きアクリル樹脂を使用し、前記表面パネルが前記中間パネル及び表示プレートの両方の表面を被覆することが望ましい。
また、前記一対のスリットは、前記開口の上下又は左右何れかの周縁辺と側壁とを結ぶほぼ平行線上又は該線上から若干上下又は左右にずれた線上にあって、該側壁から該開口縁又は該側壁から該開口縁に至る所定の長さを有し、且つ前記中間パネルの厚さに亘って形成し、また前記各開口には、隣接する開口の一部周縁辺に遮光部材がそれぞれ配設されることが望ましい。
更に、前記枠部材は、該枠部材表面が表面加工され、内部に発光ダイオード装着板及び配線が挿通されるダクトで形成し、前記ダクトは、ほぼ横U字状をなし対向する内周壁にそれぞれ溝が形成され、該溝に発光ダイオード装着板がスライド装着され、更に前記発光ダイオード装着板は、該表面上に１個乃至複数個の発光ダイオードを装着することが望ましい。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図８は、補強材を示し、同図（Ａ）は正面図、同図（B）は（Ａ）の右側面図である。補強材６０は、ほぼＬ字状をなし積層体３１に枠部材片５０ａ〜５０dが取付けられる際に、各枠部材片５０ａ〜５０dの接合部において、枠部材の裏面に装着され接合固定を確実にするものである。この補強材は、２つの細長短片６１ａ、６１ｃが一端で一体結合されほぼＬ字状をなし所定の厚さを有する板体６１からなり、金属乃至合成樹脂材料で形成される。この板体６１の細長短片６１ａ、６１ｃには、複数の取付ねじ穴６２ａ〜６２ｄが穿設される。


【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2003216076.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2003216076.tif 000002
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2003216076.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月22日(2003.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも感熱層およびシリコーンゴム層をこの順に積層してなる直描型水なし平版印刷版原版において、感熱層が光熱変換物質と以下の（１）〜（３）のいずれかからなる加熱により硬化する化合物を含有することを特徴とする直描型水なし平版印刷版原版。
（１）１分子中にエチレン性不飽和基を２個以上有する化合物及び加熱によりラジカルを発生する物質
（２）１分子中にエチレン性不飽和基を２個以上有する化合物、１分子中にチオール基を２個以上有する化合物及び加熱によりラジカルを発生する物質
（３）エポキシ化合物及びアミノ樹脂
【請求項２】
１分子中にエチレン性不飽和基を２個以上有する化合物が、水酸基を２個以上有することを特徴とする請求項１記載の直描型水なし平版印刷版原版。
【請求項３】
１分子中にエチレン性不飽和基を２個以上有する化合物の分子量が１５００以上であり、かつエチレン性不飽和基を４個以上有することを特徴とする請求項１または２記載の直描型水なし平版印刷版原版。
【請求項４】
光熱変換物質が、７００〜１１００ｎｍの波長域に吸収を有することを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の直描型水なし平版印刷版原版。
【請求項５】
感熱層が、バインダーポリマーを含有することを特徴とする請求項１〜４いずれか１項記載の直描型水なし平版印刷版原版。
【請求項６】
基板上に、少なくとも感熱層およびシリコーンゴム層がこの順に積層され、かつ感熱層が光熱変換物質と以下の（１）〜（３）のいずれかからなる加熱により硬化する化合物を含有する直描型水なし平版印刷版原版を、露光した後、現像時に未露光部のシリコーンゴム層のみを剥離することを特徴とする直描型水なし平版印刷版の製版方法。
（１）１分子中にエチレン性不飽和基を２個以上有する化合物及び加熱によりラジカルを発生する物質
（２）１分子中にエチレン性不飽和基を２個以上有する化合物、１分子中にチオール基を２個以上有する化合物及び加熱によりラジカルを発生する物質
（３）エポキシ化合物及びアミノ樹脂
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明において、感熱層に光熱変換物質と以下の（１）〜（３）のいずれかからなる加熱により硬化する化合物を含有することが重要である。
（１）１分子中にエチレン性不飽和基を２個以上有する化合物及び加熱によりラジカルを発生する物質
（２）１分子中にエチレン性不飽和基を２個以上有する化合物、１分子中にチオール基を２個以上有する化合物及び加熱によりラジカルを発生する物質
（３）エポキシ化合物及びアミノ樹脂
従来の直描型水なし平版印刷版原版は感熱層を構成する樹脂が架橋し硬化した状態にあるのに対し、本発明においては架橋硬化しておらず、化合物のままで存在している。このためレーザー露光すると、従来の直描型水なし平版印刷版原版は露光部の感熱層が破壊されるのに対し、本発明においては官能基が架橋し硬化するのみで、感熱層は破壊されず、官能基の架橋により感熱層とシリコーンゴム層との接着性がより強固となる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
本発明において感熱層は、少なくとも光熱変換物質と前記（１）〜（３）のいずれかからなる加熱により硬化する化合物を含有することが必要である。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
次に本発明において感熱層中に含まれる加熱により硬化する物質としては、
（１）１分子中にエチレン性不飽和基を２個以上有する化合物及び加熱によりラジカルを発生する物質の組み合わせ、
（２）１分子中にエチレン性不飽和基を２個以上有する化合物、１分子中にチオール基を２個以上有する化合物及び加熱によりラジカルを発生する物質の組み合わせ、
（３）エポキシ化合物、アミノ樹脂の組み合わせのいずれかを用いる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月4日(2003.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
旋回装置（４）上に取り付けた少なくとも一つの揺動マスト（３）と、車輌の各長手側方に設けた前方側及び後方側可動入れ子部材（１４−１７）を利用したフレーム支持構造（７０）とを備えた上部構造体（２）を有し、その固定側入れ子部材（２３−２６）がそれぞれ、少なくとも部分的に前記車輌の長手方向軸心に接する円弧状に配置され、且つ、前記車輌の輪郭の長手側方の一方から車輌の中央内側まで延び、更に前記車輌輪郭の同じ長手側方の他方に延びており、前記車輌の各長手側方の前記前方側及び後方側可動入れ子部材（１４，１５；１６，１７）の前記固定側入れ子部材（２３，２４；２５，２６）は、共通のキャリア（２７，２８）を備え、前記可動入れ子部材（１４，１５；１６，１７）が前記キャリア（２７，２８）の対応する両端（２９，３０；３１，３２）から延びている車輌であって、
前記固定側入れ子部材（２３，２４；２５，２６）は、前記共通のキャリア（２７，２８）内に相前後するように配置されていることを特徴とする車輌。
【請求項２】
前記可動及び固定側入れ子部材（１４−１６；２３−２６）は、その共通のキャリア（２７，２８）と同一形状である請求項１に記載の車輌。
【請求項３】
前記車輌の両側方にある固定側入れ子部材（２３−２６）のキャリア（２７，２８）どうしは、同一形状である請求項１又は２に記載の車輌。
【請求項４】
前記固定側入れ子部材（２３−２６）の円弧は、一つの半径に沿って湾曲するキャリア（２７，２８）内に延び、前記車輌の二つの長手側方のそれぞれの両方のキャリアの曲率半径は互いに等しい請求項１から３のいずれか１項に記載の車輌。
【請求項５】
前記車輌の少なくとも一方の側方の前記可動入れ子部材（１４，１５；１６，１７）どうしは異なる湾曲を有し、前記キャリア（２７，２８）は各入れ子部材に対応する湾曲を有する請求項１に記載の車輌。
【請求項６】
一つのキャリア（２７，２８）に配設された前記二つの固定側入れ子部材（２３−２６）の少なくとも一方は、直線状に延びている請求項１から５のいずれか１項に記載の車輌。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の請求項１による車輌は、
旋回装置上に取り付けた少なくとも一つの揺動マストと、車輌の各長手側方に設けた前方側及び後方側可動入れ子部材を利用したフレーム支持構造とを備えた上部構造体を有し、その固定側入れ子部材がそれぞれ、少なくとも部分的に前記車輌の長手方向軸心に接する円弧状に配置され、且つ、前記車輌の輪郭の長手側方の一方から車輌の中央内側まで延び、更に前記車輌輪郭の同じ長手側方の他方に延びており、前記車輌の各長手側方の前記前方側及び後方側可動入れ子部材の前記固定側入れ子部材は、共通のキャリアを備え、前記可動入れ子部材が前記キャリアの対応する両端から延びている車輌であって、
前記固定側入れ子部材は、前記共通のキャリア内に相前後するように配置されていることを特徴構成としている。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月15日(2003.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性樹脂に表面粗面化材を添加してなる未延伸フィルムを、同時二軸延伸することにより得られた二軸延伸フィルムにおいて、該フィルムの中心線平均表面粗さＲａ（ｍμｍ）と、添加した平均粒子径ｄ（ｍμｍ）とが、Ｒａ≦ｄ／１２なる関係を満足することを特徴とする二軸延伸フィルム。
【請求項２】
該熱可塑性樹脂からなる二軸延伸延伸フィルムの表面平均粗さＲａが２０（ｍμｍ）以下であることを特徴とする請求項１に記載の二軸延伸フィルム。
【請求項３】
該熱可塑性樹脂からなる二軸延伸延伸フィルムの少なくとも一方向のＦ５値が１４ｋｇ／ｍｍ2以上であることを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載の二軸延伸フィルム。
【請求項４】
同時二軸延伸を行うテンターのクリップが、リニアモータ方式により駆動されているテンターにより延伸されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の二軸延伸フィルム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、熱可塑性樹脂に表面粗面化材を添加してなる未延伸フィルムを、同時二軸延伸することにより得られた二軸延伸フィルムにおいて、該フィルムの表面平均粗さＲａ（ｍμｍ）と、添加した平均粒子径ｄ（ｍμｍ）とが、Ｒａ≦ｄ／１２なる関係を満足した二軸延伸フィルムを提供するものである。さらに該二軸延伸延伸フィルムの表面平均粗さＲａが２０（ｍμｍ）以下であり、また該二軸延伸延伸フィルムの少なくとも一方向のＦ５値が１４ｋｇ／ｍｍ2以上であるフィルムを提供するものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明における二軸配向したフィルムとは、長手方向および幅方向に延伸し、二軸方向に分子配向を与えたフィルムを言う。延伸方式としては、長手方向と幅方向とを同時に延伸する同時二軸延伸方式であることが必要である。同時二軸延伸とは、フィルムの長手方向、幅方向の二軸方向に同時に配向を与えるための延伸を言い、同時二軸テンターを用いて、フィルムの両端をクリップで把持しながら搬送して、長手方向および幅方向に延伸する。もちろん長手方向と幅方向との延伸が時間的に同時に延伸されている部分があれば良いのであって、したがって幅方向または長手方向に単独に先に延伸した後に、長手方向と幅方向とを同時に延伸する方法や、さらに同時二軸延伸後に幅方向または長手方向に単独にさらに延伸する方法なども含まれるのであり、本発明の場合、特に同時二軸延伸後に再延伸する方法が好ましい。この様な延伸方向や延伸倍率を自由に変更できるような同時二軸延伸機としては、同時二軸テンターのクリップが、リニアモータ方式により個別に駆動されている方式を用いるのが良い。従来までの同時二軸延伸方式は、スクリューの溝にクリップを乗せてクリップ間隔を広げていくスクリュー方式、パンタグラフを用いてクリップ間隔を広げていくパンタグラフ方式が用いられていた。しかし、製膜速度が遅いこと、延伸倍率などの条件変更が困難であることなどの問題点があったが、リニアモーターの原理を用いて、各クリップを独自に制御して、クリップ間隔を調整するリニアー駆動テンターを用いると、製膜速度が、従来の逐次二軸延伸方式と変わらないところまで高めることが可能になり、さらに任意の延伸方式を取入れることが出来るようになる。例えば、長手方向に配向の強いフィルムを製膜するためには、長手方向に多段階に延伸したり、同時二軸延伸後にさらに長手方向に延伸することも出来、さらに二軸延伸後に、熱処理工程で長手方向および／または幅方向に寸法を戻すリラックス処理が可能なために、寸法安定性の良いフィルムや、幅方向に物性のムラのない（ボーイングのない）フィルムにすることが出来る。すなわち、各クリップを個別に制御可能なクリップのリニアー駆動テンターを用いることで各種優れたフィルムを生産性良く製膜することが可能となる。この様な自由な延伸形式が取れるには、フィルム端部厚みを中央部よりも２〜３倍程度厚くしたり、端部の分子量を中央部よりも高くしておくなどの特殊な端部を有したフィルムにするなどのことが有効である。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月12日(2003.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また反対に溶解性が低く、且つ会合度の低い有機溶剤を希釈溶剤として適用すると導電性材料２の充填比率を変えることなく最も低い抵抗値を得ることが可能となるものである。希釈溶剤に対する樹脂バインダの溶解性はＳＰ（Solubility Parameter）値により推定できＳＰ値が近いと溶解性がよく、会合度の程度は分子量に対する希釈溶剤の有機溶剤粘度で推定できる。このＳＰ値とは、溶解度パラメータを意味するものであり、各物質の分子の凝集エネルギー密度を示しており、特定温度における蒸発熱から蒸発に伴う膨張による仕事量を差し引いたものである。また会合度とは、同一分子間に水素結合、電荷移動結合、疎水結合などのような比較的弱い結合力が働き、２分子あるいはそれ以上の分子が結合して、比較的規則性の良い集合体を形成する度合いを意味することである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月16日(2004.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基台と、この金属基台の主面に半田を介して固定されたサブマウントと、このサブマウントの主面に半田を介して固定された半導体レーザ・チップとを有する半導体レーザ装置において、上記金属基台表面にＡｕメッキが施され、該金属基台と上記サブマウントを固定する上記半田がＩｎを含み、上記金属基台の上記Ａｕメッキ層と上記サブマウントとの上記半田を介した接合時に形成される化合物ＡｕＩｎが、Ａｕの重量組成比が５０％を越えないものであることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
金属基台と、この金属基台の主面に半田を介して固定されたサブマウントと、このサブマウントの主面に半田を介して固定された半導体レーザ・チップとを有する半導体レーザ装置において、上記金属基台表面にＡｕメッキが施され、該金属基台と上記サブマウントを固定する上記半田がＳｎを含み、上記金属基台の上記Ａｕメッキ層と上記サブマウントとの上記半田を介した接合時に形成される化合物ＡｕＳｎが、Ａｕの重量組成比が２０％を越えないものであることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項３】
金属基台のサブマウントと接合する面に凹部を設け、該凹部内の半田を介して上記金属基台と上記サブマウントを接合したことを特徴とする請求項１または２記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
金属基台のサブマウントと接合する面の該サブマウント周辺位置に、半田を囲むように突起を設け、該半田を介して上記金属基台と上記サブマウントを接合したことを特徴とする請求項１または２記載の半導体レーザ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
この発明に係わる請求項１記載の半導体レーザ装置は、金属基台と、この金属基台の主面に半田を介して固定されたサブマウントと、このサブマウントの主面に半田を介して固定された半導体レーザ・チップとを有する半導体レーザ装置において、上記金属基台表面にＡｕメッキが施され、該金属基台と上記サブマウントを固定する上記半田がＩｎを含み、上記金属基台の上記Ａｕメッキ層と上記サブマウントとの上記半田を介した接合時に形成される化合物ＡｕＩｎが、Ａｕの重量組成比が５０％を越えないものである。
またこの発明に係わる請求項２記載の半導体レーザ装置は、上記金属基台表面にＡｕメッキが施され、該金属基台と上記サブマウントを固定する上記半田がＳｎを含み、上記金属基台の上記Ａｕメッキ層と上記サブマウントとの上記半田を介した接合時に形成される化合物ＡｕＳｎが、Ａｕの重量組成比が２０％を越えないものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
またこの発明に係わる請求項３記載の半導体レーザ装置は、金属基台のサブマウントと接合する面に凹部を設け、該凹部内の半田を介して上記金属基台と上記サブマウントを接合したものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
またこの発明に係わる請求項４記載の半導体レーザ装置は、金属基台のサブマウントと接合する面の該サブマウント周辺位置に、半田を囲むように突起を設け、該半田を介して上記金属基台と上記サブマウントを接合したものである。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
図２（ｂ）は、Ｉｎ、ＩｎＰｂ等Ｉｎを含む半田１３を用いた場合に形成される化合物ＡｕＩｎについて示した場合で、１７はＩｎの重量組成比と融点との関係を示すグラフ、１８は脆弱な性質を有する化合物が形成され易い領域を示す。図に示すように、Ｉｎが約５０％以下の重量組成比の領域１８で、形成される化合物ＡｕＩｎは脆弱となり易く、Ｉｎが約５０％以上（Ａｕが約５０％以下）の重量組成比の領域１９で、脆弱な性質を有するものは形成され難く、しかも低融点で軟度の高い良質の化合物ＡｕＩｎとなる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【発明の効果】
以上のように、この発明の請求項１記載の半導体レーザ装置は、金属基台と、この金属基台の主面に半田を介して固定されたサブマウントと、このサブマウントの主面に半田を介して固定された半導体レーザ・チップとを有する装置構成であって、上記金属基台表面にＡｕメッキが施され、該金属基台と上記サブマウントを固定する上記半田がＩｎを含み、上記金属基台の上記Ａｕメッキ層と上記サブマウントとの上記半田を介した接合時に形成される化合物ＡｕＩｎが、Ａｕの重量組成比が５０％を越えないものであるため、金属基台のＡｕメッキ層とサブマウントとの半田を介した接合部の接合強度が向上し、信頼性が向上する。
またこの発明の請求項２記載の半導体レーザ装置は、上記金属基台表面にＡｕメッキが施され、該金属基台と上記サブマウントを固定する上記半田がＳｎを含み、上記金属基台の上記Ａｕメッキ層と上記サブマウントとの上記半田を介した接合時に形成される化合物ＡｕＳｎが、Ａｕの重量組成比が２０％を越えないものであるため、金属基台のＡｕメッキ層とサブマウントとの半田を介した接合部の接合強度が向上し、信頼性が向上する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
またこの発明の請求項３記載の半導体レーザ装置は、金属基台のサブマウントと接合する面に凹部を設け、該凹部内の半田を介して上記金属基台と上記サブマウントを接合したため、半田の厚みを所定量確保することができて、半田接合時に形成される化合物ＡｕＩｎあるいはＡｕＳｎが、該ＡｕＩｎはＡｕの重量組成比が５０％を越えないように、該ＡｕＳｎはＡｕの重量組成比が２０％を越えないようにすることができ、金属基台のＡｕメッキ層とサブマウントとの半田を介した接合部の接合強度が向上し、信頼性が向上する。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
またこの発明に係わる請求項４記載の半導体レーザ装置は、金属基台のサブマウントと接合する面の該サブマウント周辺位置に、半田を囲むように突起を設け、該半田を介して上記金属基台と上記サブマウントを接合したため、半田の厚みを所定量確保することができて、半田接合時に形成される化合物ＡｕＩｎあるいはＡｕＳｎが、該ＡｕＩｎはＡｕの重量組成比が５０％を越えないように、該ＡｕＳｎはＡｕの重量組成比が２０％を越えないようにすることができ、金属基台のＡｕメッキ層とサブマウントとの半田を介した接合部の接合強度が向上し、信頼性が向上する。