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　平成　５年特許願第１６４０２１号「窒素−３族元素化合物半導体発光素子の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年１２月２２日出願公開、特開平　６−３５０１３７］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成５年６月８日に出願したものであって、その請求項１に係る発明は、平成１５年１０月１７日付け手続補正書によって補正された明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「ｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｎ層と、ｐ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｐ層とを有する窒素−３族元素化合物半導体発光素子の製造方法において、
　マグネシウム（Ｍｇ）を添加した窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなる層を形成し、
　ウエハの全面に面状に広がったパルス電子ビームを照射して当該マグネシウム（Ｍｇ）を添加した層をｐ型化してｐ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｐ層を形成することを特徴とする窒素−３族元素化合物発光素子の製造方法。」（以下、「本願発明」という。）
　
２．刊行物の記載
　当審における平成１５年８月２１日付け拒絶理由に引用された、この出願前公知の刊行物である特開平４−１６３９７０号公報（以下、「引用例」という。）には、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法に関して、次のことが記載されている。
「（３）ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｎ層上に、ｐ型不純物のドーピングされた窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｉ層を形成し、そのｉ層に電子線を照射することによりｐ導電型を示すｐ層を形成し、・・・窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）の製造方法。」（１頁右下欄１６行〜２頁左上欄１０行）、
「尚、ｐ層のドーピング元素は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）である。」（３頁左上欄６〜７行）、
「次に、この構造の発光ダイオード１０の製造方法について説明する。・・・次に、サファイヤ基板１の温度を１１５０℃に保持し、・・・ＧａＮから成る低キャリア濃度ｎ層４を形成した。次に、・・・ＣＰ２Ｍｇを・・・供給して、・・・ＧａＮから成るｉ層５を形成した。この状態では、ｉ層５は絶縁体である。次に、反射電子線回折装置を用いて、このｉ層５に一様に電子線を照射した。電子線の照射条件は、加速電圧１０ＫＶ、試料電流１μＡ、ビームの移動速度０．２ｍｍ／ｓｅｃ、ビーム径６０μｍφ、真空度２．１×１０−５Ｔｏｒｒである。この電子線の照射により、ｉ層５は・・・ｐ導電型半導体となった。」（３頁右上欄１８行〜４頁左上欄２行）
　
　当審における拒絶理由において、周知例１として引用した特開平４−８０３７６号公報には、次のことが記載されている。
「連続する電子ビームを使用するときは、ビーム径が小さいため、大面積を一括処理するのには不向きであり、スキャン処理のための機構を設けなければならない。そのためどうしても低速処理とならざるを得ない。」（１頁右下欄４〜８行）、
「パルス電子ビームは
大きな面積の面状ビームが発生可能
　同じく周知例２である特開平４−８０３７７号公報には、被照射物の表面に面状のパルス電子ビームを照射して所要の表面処理を行うことが記載されている。
　
３．対比
　本願発明と上記引用例に記載のもの（以下、「引用発明」という。）とを対比する。
（１）引用例の「ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｎ層」が、本願発明の「ｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｎ層」に相当することは明らかである。
（２）引用例の「ＣＰ２Ｍｇを供給して得られたＧａＮから成るｉ層５」が、本願発明の「マグネシウム（Ｍｇ）を添加した窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなる層」に相当することは明らかである。
（３）引用例には「ｉ層に電子線を照射することによりｐ導電型を示すｐ層を形成し」と記載されており、該「ｉ層」はマグネシウム（Ｍｇ）をドープしたものであるから、引用例は、本願発明の「電子ビームを照射して当該マグネシウム（Ｍｇ）を添加した層をｐ型化してｐ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｐ層を形成する」との技術的事項を有するものである。
　そして、引用例の記載から、両者が、「窒素−３族元素化合物発光素子の製造方法」である点で一致することも明らかである。
（４）引用例の電子線照射は、その照射条件からみて、小さいビーム径（６０μｍφ）でスキャン処理するものであるから、ウエハの全面に面状に広がったものでもパルス電子ビームでもない。
　よって、両者は、
「ｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｎ層と、ｐ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｐ層とを有する窒素−３族元素化合物半導体発光素子の製造方法において、
　マグネシウム（Ｍｇ）を添加した窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなる層を形成し、
　電子ビームを照射して当該マグネシウム（Ｍｇ）を添加した層をｐ型化してｐ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｐ層を形成する窒素−３族元素化合物発光素子の製造方法」である点で一致し、下記の点で相違する。
　
（相違点）
　本願発明は、「ウエハの全面に面状に広がったパルス」電子ビームを照射するのに対して、引用発明は、電子ビームをスキャン処理するものではあるが、ウエハの全面に面状に広がったものでもパルス電子ビームでもない点。
　
４．判断
　上記相違点に付き検討する。
　当審における拒絶理由において引用した周知例１，２から、被照射物の表面処理にパルス電子ビームを使用することは周知のことにすぎないことが理解でき、また引用発明のような発光素子を製造する場合に、大量生産、高速処理は極めて一般的な課題であるから、電子ビームを照射する引用発明において、高速処理が可能となるように、周知技術である面状のパルス電子ビームの処理技術を採用しかつウエハの全面に広がるようにして、上記相違点の事項とすることは、当業者が任意に設計し得る事項である。
　そして、本願発明によってもたらされる、「製造時間が極めて短縮され、効率の良い多量生産が可能になる。」という、本願明細書【０００７】に記載された効果は、引用例および周知技術から予測できることであり、格別のものとは言えない。
　
　なお、請求人は、周知例１，２に記載された技術は、合金化あるいは被照射物の表面の硬度などの特性を改善するものであり、本願発明のｐ型化とは目的が異なり、また、本願発明は「ウエハ全体から、合格率の高い窒素−３族化合物半導体発光素子が得られる」ような面状のパルス電子ビームの照射条件を実験的に見出したことで始めてなされたものである、旨主張する。
　しかし、本願発明は、面状のパルス電子ビームの照射条件を何ら規定していないから、「照射条件を実験的に見出した」との上記請求人の主張は、基本的に本願発明の構成に基づかない主張である。
　また、目的が異なるとの点は、引用例１及び周知例とも被照射物の表面の特性を改善する点で共通するものであるから、阻害要因とはならない。さらに、パルス電子ビームあるいは該パルス電子ビームを発生する機器を適用するに際して、被照射物に応じた照射条件を実験的に見出すことは、当業者が当然行うべきことであり、またその照射条件にしても、被照射物の材料、高速処理の速度及び照射面積などの相違によって適宜設計し得る程度のものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明および従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。