【手続補正書】
【提出日】平成15年10月3日(2003.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）メモリ領域とロジック領域とに対応するパターンが形成された単位チップ領域を複数有する半導体集積回路ウエハのデバイス面に第１の不純物をイオン注入により導入する工程、
（ｂ）前記ウエハのチップ形成部よりもサイズが大きい板状物であって、前記ウエハの前記デバイス面に比較して、その第１および第２の主面が光学的に均一な遮光板の前記第２の主面に、前記第１の不純物が導入された前記ウエハの前記デバイス面が近接対向するように配置する工程、
（ｃ）前記ウエハの前記デバイス面が前記遮光板の前記第２の主面に近接対向した状態で、前記遮光板の前記第１の主面に対してランプにより光を照射することによって、前記遮光板を加熱する工程、
（ｄ）加熱された前記遮光板の前記第２の主面からの輻射光により前記ウエハを加熱することによって、前記ウエハに対してアニール処理を施す工程、
を有し、
前記遮光板の換算厚さは、前記ウエハの厚さ以下であり、
前記遮光板の前記第２の主面と前記ウエハの前記デバイス面との間隔は、前記ウエハの厚さの２０倍以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２】
（ａ）メモリ領域とロジック領域とに対応するパターンが形成された単位チップ領域を複数有する半導体集積回路ウエハのデバイス面に第１の不純物をイオン注入により導入する工程、
（ｂ）前記ウエハのチップ形成部よりもサイズが大きい板状物であって、前記ウエハの前記デバイス面に比較して、その第１および第２の主面が光学的に均一な遮光板の前記第２の主面に、前記第１の不純物が導入された前記ウエハの前記デバイス面が近接対向するように配置する工程、
（ｃ）前記ウエハの前記デバイス面が前記遮光板の前記第２の主面に近接対向した状態で、前記遮光板の前記第１の主面に対してランプにより光を照射することによって、前記遮光板を加熱する工程、
（ｄ）加熱された前記遮光板の前記第２の主面からの輻射光により前記ウエハを加熱することによって、前記ウエハに対してアニール処理を施す工程、
を有し、
前記遮光板の換算厚さは、前記ウエハの厚さ以下であり、
前記遮光板の前記第２の主面と前記ウエハの前記デバイス面との間隔は、前記ウエハの厚さの１０倍以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３】
（ａ）メモリ領域とロジック領域とに対応するパターンが形成された単位チップ領域を複数有する半導体集積回路ウエハのデバイス面に第１の不純物をイオン注入により導入する工程、
（ｂ）前記ウエハのチップ形成部よりもサイズが大きい板状物であって、前記ウエハの前記デバイス面に比較して、その第１および第２の主面が光学的に均一な遮光板の前記第２の主面に、前記第１の不純物が導入された前記ウエハの前記デバイス面が近接対向するように配置する工程、
（ｃ）前記ウエハの前記デバイス面が前記遮光板の前記第２の主面に近接対向した状態で、前記遮光板の前記第１の主面に対してランプにより光を照射することによって、前記遮光板を加熱する工程、
（ｄ）加熱された前記遮光板の前記第２の主面からの輻射光により前記ウエハを加熱することによって、前記ウエハに対してアニール処理を施す工程、
を有し、
前記遮光板の換算厚さは、前記ウエハの厚さ以下であり、
前記遮光板の前記第２の主面と前記ウエハの前記デバイス面との間隔は、前記ウエハの厚さの５倍以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記単位チップ領域における混載比は１５％以上であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記単位チップ領域の混載比は２０％以上であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
請求項３記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記単位チップ領域の混載比は２５％以上であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項７】
（ａ）パターンが形成された単位チップ領域を複数有する半導体集積回路ウエハのデバイス面に第１の不純物をイオン注入により導入する工程、
（ｂ）前記ウエハのチップ形成部よりもサイズが大きく、そのＳｉＣ熱容量換算厚さが前記ウエハの厚さ以下である板状物であって、前記ウエハの前記デバイス面に比較して、その第１および第２の主面が光学的に均一な遮光板の前記第２の主面に、前記第１の不純物が導入された前記ウエハの前記デバイス面が近接対向するように配置する工程、
（ｃ）前記ウエハの前記デバイス面が前記遮光板の前記第２の主面に近接対向した状態で、前記遮光板の前記第１の主面に対してランプにより光を照射することによって、前記遮光板を加熱する工程、
（ｄ）加熱された前記遮光板の前記第２の主面からの輻射光により前記ウエハを加熱することによって、前記ウエハに対してアニール処理を施す工程、
を有し、
前記遮光板の前記第２の主面と前記ウエハの前記デバイス面との間隔は、前記ウエハの厚さの２０倍以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項８】
（ａ）パターンが形成された単位チップ領域を複数有する半導体集積回路ウエハのデバイス面に第１の不純物をイオン注入により導入する工程、
（ｂ）前記ウエハのチップ形成部よりもサイズが大きく、そのＳｉＣ熱容量換算厚さが前記ウエハの厚さ以下である板状物であって、前記ウエハの前記デバイス面に比較して、その第１および第２の主面が光学的に均一な遮光板の前記第２の主面に、前記第１の不純物が導入された前記ウエハの前記デバイス面が近接対向するように配置する工程、
（ｃ）前記ウエハの前記デバイス面が前記遮光板の前記第２の主面に近接対向した状態で、前記遮光板の前記第１の主面に対してランプにより光を照射することによって、前記遮光板を加熱する工程、
（ｄ）加熱された前記遮光板の前記第２の主面からの輻射光により前記ウエハを加熱することによって、前記ウエハに対してアニール処理を施す工程、
を有し、
前記遮光板の前記第２の主面と前記ウエハの前記デバイス面との間隔は、前記ウエハの厚さの１０倍以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項９】
（ａ）パターンが形成された単位チップ領域を複数有する半導体集積回路ウエハのデバイス面に第１の不純物をイオン注入により導入する工程、
（ｂ）前記ウエハのチップ形成部よりもサイズが大きく、そのＳｉＣ熱容量換算厚さが前記ウエハの厚さ以下である板状物であって、前記ウエハの前記デバイス面に比較して、その第１および第２の主面が光学的に均一な遮光板の前記第２の主面に、前記第１の不純物が導入された前記ウエハの前記デバイス面が近接対向するように配置する工程、
（ｃ）前記ウエハの前記デバイス面が前記遮光板の前記第２の主面に近接対向した状態で、前記遮光板の前記第１の主面に対してランプにより光を照射することによって、前記遮光板を加熱する工程、
（ｄ）加熱された前記遮光板の前記第２の主面からの輻射光により前記ウエハを加熱することによって、前記ウエハに対してアニール処理を施す工程、
を有し、
前記遮光板の前記第２の主面と前記ウエハの前記デバイス面との間隔は、前記ウエハの厚さの５倍以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記単位チップ領域の混載比は１５％以上であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記単位チップ領域の混載比は２０％以上であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記単位チップ領域の混載比は２５％以上であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１３】
（ａ）パターンが形成された単位チップ領域を複数有する半導体集積回路ウエハのデバイス面上に、高誘電体膜または強誘電体膜を形成する工程、
（ｂ）前記ウエハのチップ形成部よりもサイズが大きい板状物であって、前記ウエハの前記デバイス面に比較して、その第１および第２の主面が光学的に均一な遮光板の前記第２の主面に、前記高誘電体膜または強誘電体膜が形成された前記ウエハの前記デバイス面が近接対向するように配置する工程、
（ｃ）前記ウエハの前記デバイス面が前記遮光板の前記第２の主面に近接対向した状態で、前記遮光板の前記第１の主面に対してランプにより光を照射することによって、前記遮光板を加熱する工程、
（ｄ）加熱された前記遮光板の前記第２の主面からの輻射光により前記ウエハを加熱することによって、前記ウエハ上の前記高誘電体膜または強誘電体膜に対してアニール処理を施す工程、
を有し、
前記遮光板の換算厚さは、前記ウエハの厚さ以下であり、
前記遮光板の前記第２の主面と前記ウエハの前記デバイス面との間隔は、前記ウエハの厚さの２０倍以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１４】
（ａ）パターンが形成された単位チップ領域を複数有する半導体集積回路ウエハのデバイス面上に、高誘電体膜または強誘電体膜を形成する工程、
（ｂ）前記ウエハのチップ形成部よりもサイズが大きい板状物であって、前記ウエハの前記デバイス面に比較して、その第１および第２の主面が光学的に均一な遮光板の前記第２の主面に、前記高誘電体膜または強誘電体膜が形成された前記ウエハの前記デバイス面が近接対向するように配置する工程、
（ｃ）前記ウエハの前記デバイス面が前記遮光板の前記第２の主面に近接対向した状態で、前記遮光板の前記第１の主面に対してランプにより光を照射することによって、前記遮光板を加熱する工程、
（ｄ）加熱された前記遮光板の前記第２の主面からの輻射光により前記ウエハを加熱することによって、前記ウエハ上の前記高誘電体膜または強誘電体膜に対してアニール処理を施す工程、
を有し、
前記遮光板の換算厚さは、前記ウエハの厚さ以下であり、
前記遮光板の前記第２の主面と前記ウエハの前記デバイス面との間隔は、前記ウエハの厚さの１０倍以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１５】
（ａ）パターンが形成された単位チップ領域を複数有する半導体集積回路ウエハのデバイス面上に、高誘電体膜または強誘電体膜を形成する工程、
（ｂ）前記ウエハのチップ形成部よりもサイズが大きい板状物であって、前記ウエハの前記デバイス面に比較して、その第１および第２の主面が光学的に均一な遮光板の前記第２の主面に、前記高誘電体膜または強誘電体膜が形成された前記ウエハの前記デバイス面が近接対向するように配置する工程、
（ｃ）前記ウエハの前記デバイス面が前記遮光板の前記第２の主面に近接対向した状態で、前記遮光板の前記第１の主面に対してランプにより光を照射することによって、前記遮光板を加熱する工程、
（ｄ）加熱された前記遮光板の前記第２の主面からの輻射光により前記ウエハを加熱することによって、前記ウエハ上の前記高誘電体膜または強誘電体膜に対してアニール処理を施す工程、
を有し、
前記遮光板の換算厚さは、前記ウエハの厚さ以下であり、
前記遮光板の前記第２の主面と前記ウエハの前記デバイス面との間隔は、前記ウエハの厚さの５倍以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１６】
（ａ）パターンが形成された単位チップ領域を複数有する半導体集積回路ウエハのデバイス面上に、銅を主成分とするメタル層を形成する工程、
（ｂ）前記ウエハのチップ形成部よりもサイズが大きい板状物であって、前記ウエハの前記デバイス面に比較して、その第１および第２の主面が光学的に均一な遮光板の前記第２の主面に、前記メタル層が形成された前記ウエハの前記デバイス面が近接対向するように配置する工程、
（ｃ）前記ウエハの前記デバイス面が前記遮光板の前記第２の主面に近接対向した状態で、前記遮光板の前記第１の主面に対してランプにより光を照射することによって、前記遮光板を加熱する工程、
（ｄ）加熱された前記遮光板の前記第２の主面からの輻射光により前記ウエハを加熱することによって、前記ウエハ上の前記メタル層に対してアニール処理を施す工程、
を有し、
前記遮光板の換算厚さは、前記ウエハの厚さ以下であり、
前記遮光板の前記第２の主面と前記ウエハの前記デバイス面との間隔は、前記ウエハの厚さの２０倍以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１７】
（ａ）パターンが形成された単位チップ領域を複数有する半導体集積回路ウエハのデバイス面上に、銅を主成分とするメタル層を形成する工程、
（ｂ）前記ウエハのチップ形成部よりもサイズが大きい板状物であって、前記ウエハの前記デバイス面に比較して、その第１および第２の主面が光学的に均一な遮光板の前記第２の主面に、前記メタル層が形成された前記ウエハの前記デバイス面が近接対向するように配置する工程、
（ｃ）前記ウエハの前記デバイス面が前記遮光板の前記第２の主面に近接対向した状態で、前記遮光板の前記第１の主面に対してランプにより光を照射することによって、前記遮光板を加熱する工程、
（ｄ）加熱された前記遮光板の前記第２の主面からの輻射光により前記ウエハを加熱することによって、前記ウエハ上の前記メタル層に対してアニール処理を施す工程、
を有し、
前記遮光板の換算厚さは、前記ウエハの厚さ以下であり、
前記遮光板の前記第２の主面と前記ウエハの前記デバイス面との間隔は、前記ウエハの厚さの１０倍以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１８】
（ａ）パターンが形成された単位チップ領域を複数有する半導体集積回路ウエハのデバイス面上に、銅を主成分とするメタル層を形成する工程、
（ｂ）前記ウエハのチップ形成部よりもサイズが大きい板状物であって、前記ウエハの前記デバイス面に比較して、その第１および第２の主面が光学的に均一な遮光板の前記第２の主面に、前記メタル層が形成された前記ウエハの前記デバイス面が近接対向するように配置する工程、
（ｃ）前記ウエハの前記デバイス面が前記遮光板の前記第２の主面に近接対向した状態で、前記遮光板の前記第１の主面に対してランプにより光を照射することによって、前記遮光板を加熱する工程、
（ｄ）加熱された前記遮光板の前記第２の主面からの輻射光により前記ウエハを加熱することによって、前記ウエハ上の前記メタル層に対してアニール処理を施す工程、
を有し、
前記遮光板の換算厚さは、前記ウエハの厚さ以下であり、
前記遮光板の前記第２の主面と前記ウエハの前記デバイス面との間隔は、前記ウエハの厚さの５倍以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１８記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｂ）〜（ｄ）においては、前記ウエハの前記デバイス面の周辺部に、前記メタル層が形成されていない領域があることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。