Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月16日(2003.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】文書検索装置、記録媒体および文書検索方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つ以上の検索語が論理演算子によって結合されて形成された検索式が入力され、前記検索式に対応する文書を検索する文書検索装置において、
前記検索式に含まれている各検索語を複数の文字列に分割した後、論理積演算子により結合し、部分検索式を生成する部分検索式生成手段と、
前記部分検索式のそれぞれについて、処理順序を最適化する処理順序最適化手段と、
前記処理順序最適化手段によって最適化された検索式に従って、検索対象となる文書が記録されている記録装置から該当する文書を検索する検索手段と、
前記検索手段がある文字列まで処理した検索候補数と、所定の個数だけ前の文字列まで処理した検索候補数との差分に応じて前記検索手段を制御して次の部分検索式の検索処理に移行させる検索制御手段と、
を有することを特徴とする文書検索装置。
【請求項２】
前記部分検索式生成手段は、各検索語の先頭から１文字ずつずらしながら連続する２文字を順次切り出して得られた文字列を、論理積演算子によって結合することにより、前記部分検索式を生成することを特徴とする請求項１記載の文書検索装置。
【請求項３】
前記記録装置は、文書の先頭から１文字ずつずらしながら連続する２文字を順次切り出して得られた文字列とその文書を特定するための情報とを関連付けて記録していることを特徴とする請求項１記載の文書検索装置。
【請求項４】
少なくとも１つ以上の検索語が論理演算子によって結合されて形成された検索式が入力され、前記検索式に対応する文書をコンピュータに検索させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み込み可能な記録媒体において、
前記検索式に含まれている各検索語を複数の文字列に分割した後、論理積演算子により結合し、部分検索式を生成する部分検索式生成手段、
前記部分検索式のそれぞれについて、処理順序を最適化する処理順序最適化手段、
前記処理順序最適化手段によって最適化された検索式に従って、検索対象となる文書が記録されている記録装置から該当する文書を検索する検索手段、
前記検索手段が所定の部分検索式の所定の文字列を検索対象として得られた検索候補の数と、それよりも所定の個数だけ前の文字列を検索対象として得られた検索候補の数の差分が所定の値よりも小さい場合には、前記検索手段を制御して次の部分検索式の検索処理に移行させる検索制御手段、
としてコンピュータを機能させることを特徴とするプログラムを記録したコンピュータ読み込み可能な記録媒体。
【請求項５】
少なくとも１つ以上の検索語が論理演算子によって結合されて形成された検索式が入力され、前記検索式に対応する文書を検索する文書検索方法において、
前記検索式に含まれている各検索語を複数の文字列に分割した後、論理積演算子により結合し、部分検索式を生成し、
前記部分検索式のそれぞれについて、処理順序を最適化し、
最適化された検索式に従って、検索対象となる文書が記録されている記録装置から該当する文書を検索し、
検索処理によりある文字列まで処理した検索候補数と、所定の個数だけ前の文字列まで処理した検索候補数との差分に応じて、次の部分検索式の検索処理に移行させる、
ことを特徴とする文書検索方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、文書検索装置、記録媒体および文書検索方法に関し、特に、少なくとも１つ以上の検索語が論理演算子によって結合されて形成された検索式が入力され、その検索式に対応する文書を検索する文書検索装置、記録媒体および文書検索方法に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は以上のような点に鑑みてなされたものであり、２文字列を利用して検索する場合であって、特に長い検索語を処理する場合に、処理時間を短縮することができる文書検索装置、記録媒体および文書検索方法を提供することを目的とする。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
ここで、部分検索式生成手段は、検索式に含まれている各検索語を複数の文字列に分割した後、論理積演算子により結合し、部分検索式を生成する。処理順序最適化手段は、部分検索式のそれぞれについて、処理順序を最適化する。検索手段は、処理順序最適化手段によって最適化された検索式に従って、検索対象となる文書が記録されている記録装置から該当する文書を検索する。検索制御手段は、検索手段がある文字列まで処理した検索候補数と、所定の個数だけ前の文字列まで処理した検索候補数との差分に応じて検索手段を制御して、次の部分検索式の検索処理に移行させる。
また、上記課題を解決するために、少なくとも１つ以上の検索語が論理演算子によって結合されて形成された検索式が入力され、前記検索式に対応する文書を検索する文書検索方法において、前記検索式に含まれている各検索語を複数の文字列に分割した後、論理積演算子により結合し、部分検索式を生成し、前記部分検索式のそれぞれについて、処理順序を最適化し、最適化された検索式に従って、検索対象となる文書が記録されている記録装置から該当する文書を検索し、検索処理によりある文字列まで処理した検索候補数と、所定の個数だけ前の文字列まで処理した検索候補数との差分に応じて、次の部分検索式の検索処理に移行させる、ことを特徴とする文書検索方法が提供される。
このような文書検索方法により、検索式に含まれている各検索語が複数の文字列に分割され、その後、論理積演算子により結合され、部分検索式が生成される。次に、部分検索式のそれぞれについて、処理順序が最適化され、最適化された検索式に従って、検索対象となる文書が記録されている記録装置から該当する文書が検索される。そして、検索処理によりある文字列まで処理した検索候補数と、所定の個数だけ前の文字列まで処理した検索候補数との差分に応じて、次の部分検索式の検索処理へ移行される。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月14日(2003.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光ディスク再生装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＬＶ方式で記録された光ディスクをＣＡＶ方式で再生する光ディスク再生装置において、
光ピックアップから読み出されたＲＦ信号の利得を制御するイコライザと、
前記イコライザのカットオフ周波数を制御するカットオフ制御信号発生回路と、
光ディスクの再生位置を検出する再生位置検出手段と、
所定の再生位置において前記カットオフ制御信号発生回路からの制御信号を変化させて前記イコライザの利得特性のカットオフ周波数を制御するイコライザの特性制御回路と、を備えた光ディスク再生装置。
【請求項２】
請求項１記載の光ディスク再生装置において、データの誤り率検出手段を設け、前記誤り率検出手段からの出力によって、誤り率があらかじめ定められた値を越えたときに前記カットオフ制御信号発生回路からの制御信号を変化させて、前記イコライザのカットオフ周波数を切替えることを特徴とする光ディスク再生装置。
【請求項３】
請求項１記載の光ディスク再生装置において、データのジッタ量検出手段を設け、前記ジッタ量検出手段からの出力によって、ジッタ量があらかじめ定められた値を越えたときに前記カットオフ制御信号発生回路からの制御信号を変化させて、前記イコライザのカットオフ周波数を切替えることを特徴とする光ディスク再生装置。
【請求項４】
ＣＬＶ方式で記録された光ディスクをＣＡＶ方式で再生する光ディスク再生装置において、
光ピックアップから読み出されたＲＦ信号の周波数帯域及びカットオフ周波数での利得を制御するイコライザと、
前記イコライザのブースト量を制御するブースト量制御信号発生回路と、
前記イコライザのカットオフ周波数を制御するカットオフ制御信号発生回路と、
前記ブースト量制御信号発生回路からの制御信号によって前記イコライザの利得のブースト量を制御し、前記カットオフ周波数制御信号によって、イコライザの利得をブーストする周波数を制御するイコライザの特性制御回路と、
前記光ディスクに記録された情報からセクタ番号情報を検出するセクタ番号検出回路と、を備え、
所定のセクタ番号情報に応じたカットオフ周波数制御信号によって、イコライザのカットオフ周波数及び利得をブーストする周波数を制御する光ディスク再生装置。
【請求項５】
請求項４記載のイコライザの特性制御回路を備えた光ディスク再生装置において、前記カットオフ制御信号発生回路は、誤りを検出する誤り検出回路を有し、前記特性制御回路は、前記誤り検出回路が所定の誤り率よりも高い誤り率を検出したときに前記イコライザのカットオフ周波数及び利得をブーストする周波数を制御する光ディスク再生装置。
【請求項６】
請求項４記載の光ディスク再生装置において、前記カットオフ制御信号発生回路は、ジッタ量を検出するジッタ量検出回路を有し、前記特性制御回路は、前記ジッタ量検出回路が所定のジッタ量より多いジッタを検出したときに前記イコライザのカットオフ周波数を制御する光ディスク再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月17日(2003.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プログラムの実行環境についての登録情報を記憶する実行環境データベースに基づきプログラムの実行を制御するオペレーティングシステムにおけるプログラム実行環境修復方式であって、
プログラムの起動が指示されたときに最初に実行される当該プログラムのスタートアップ部に、
前記実行環境データベースから当該プログラムの実行環境についての登録情報を取得する登録情報取得処理と、
前記オペレーティングシステムから、当該プログラム起動時の実際の実行環境の情報を取得する起動時情報取得処理と、
前記登録情報取得処理で取得された前記登録情報と前記起動時情報取得処理で取得された前記実際の実行環境の情報とが整合しない場合に、前記実行環境データベースに記憶された当該プログラムの実行環境についての登録情報を前記実際の実行環境の情報に整合するよう更新する更新処理と、
をコンピュータに実行させるための命令を記述し、
前記プログラムを起動することにより前記実行環境データベースにおける当該プログラムの実行環境についての登録情報を修復するプログラム実行環境修復方式。
【請求項２】
請求項１記載のプログラム実行環境修復方式であって、
プログラムについての前記実行環境の情報は、当該プログラムの格納位置についての情報であることを特徴とする方式。
【請求項３】
少なくともプログラムの実行ファイルの格納位置情報とそのプログラムに関連づけられたデータファイルを特定するための情報とについての登録情報を記憶する実行環境データベースに基づき、ユーザがデータファイルの処理を指示したときにそのデータファイルに関連づけられたプログラムを起動するオペレーティングシステムにおけるプログラムの実行環境修復方式であって、  プログラムの起動が指示されたときに最初に実行される当該プログラムのスタートアップ部に、
前記実行環境データベースから、当該プログラムの実行ファイルの格納位置情報についての登録情報を取得する登録情報取得処理と、
前記オペレーティングシステムから、当該プログラム起動時における当該プログラムの実行ファイルの実際の格納位置の情報を取得する起動時情報取得処理と、
前記登録情報取得処理で取得された前記登録情報と前記起動情報取得処理で取得された前記実際の格納位置の情報とが整合しない場合に、前記実行環境データベースに記憶された当該プログラムの格納位置の登録情報を前記実際の格納位置の情報に整合するよう更新する更新処理と、
をコンピュータに実行させるための命令を記述し、
前記プログラムを起動することにより前記実行環境データベースに記憶された当該プログラムの格納位置の登録情報を修復するプログラム実行環境修復方式。
【請求項４】
各プログラムの実行環境情報を登録した実行環境データベースに基づき各プログラムの実行を制御するオペレーティングシステムの管理下で実行することができるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、
前記プログラムの起動が指示されたときに最初に実行される当該プログラムのスタートアップ部が、
前記実行環境データベースから当該プログラムの実行環境についての登録情報を取得する登録情報取得処理と、
前記オペレーティングシステムから、当該プログラム起動時の実際の実行環境の情報を取得する起動時情報取得処理と、
前記登録情報取得処理で取得された前記登録情報と前記起動時情報取得処理で取得された前記実際の実行環境の情報とが整合しない場合に、前記実行環境データベースに記憶された当該プログラムの実行環境についての登録情報を前記実際の実行環境の情報に整合するよう更新する更新処理と、
をコンピュータに実行させるための命令を含むことを特徴とする記録媒体。
【請求項５】
少なくともプログラムの実行ファイルの格納位置情報とそのプログラムに関連づけられたデータファイルを特定するための情報とについての登録情報を記憶する実行環境データベースに基づき、ユーザがデータファイルの処理を指示したときにそのデータファイルに関連づけられたプログラムを起動するオペレーティングシステムの管理下で実行することができるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、
前記プログラムの起動が指示されたときに最初に実行される当該プログラムのスタートアップ部が、
前記実行環境データベースから、当該プログラムの実行ファイルの格納位置情報についての登録情報を取得する登録情報取得処理と、
前記オペレーティングシステムから、当該プログラム起動時における当該プログラムの実行ファイルの実際の格納位置の情報を取得する起動時情報取得処理と、
前記登録情報取得処理で取得された前記登録情報と前記起動情報取得処理で取得された前記実際の格納位置の情報とが整合しない場合に、前記実行環境データベースに記憶された当該プログラムの格納位置の登録情報を前記実際の格納位置の情報に整合するよう更新する更新処理と、
をコンピュータに実行させるための命令を含むことを特徴とする記録媒体。
【請求項６】
プログラムの実行環境についての登録情報を記憶する実行環境データベースに基づきプログラムの実行を制御するオペレーティングシステムにおけるプログラム実行環境修復方法であって、
プログラムの起動時に当該プログラムのスタートアップ部を実行することにより、
前記実行環境データベースから当該プログラムの実行環境についての登録情報を取得する登録情報取得処理ステップと、
前記オペレーティングシステムから、当該プログラム起動時の実際の実行環境の情報を取得する起動時情報取得処理ステップと、
前記登録情報取得処理で取得された前記登録情報と前記起動時情報取得処理で取得された前記実際の実行環境の情報とが整合しない場合に、前記実行環境データベースに記憶された当該プログラムの実行環境についての登録情報を前記実際の実行環境の情報に整合するよう更新する更新処理ステップと、
を実行することを特徴とするプログラム実行環境修復方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月19日(2003.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変数に関する情報と変数の内容もしくは用途の関係を定めた変数分類規則表を記憶する変数分類規則表記憶手段と，
プログラムで変数に適用される演算の種類もしくは変数に関する情報を収集する変数情報収集手段と，
前記変数情報収集手段で収集した情報について前記変数分類規則表記憶手段に記憶された変数分類規則表を参照し，プログラムで使用されている変数の内容もしくは用途を推定して分類する変数分類手段と，
を備えることを特徴とするプログラムの変数分類装置。
【請求項２】
前記変数分類手段は，前記変数情報収集手段で収集した情報に基づいて変数の間のデータの授受の関係を解析し，データの授受の関係に基づいて変数の内容もしくは用途の推定を限定する
ことを特徴とする請求項１に記載のプログラムの変数分類装置。
【請求項３】
前記変数分類手段は，前記変数分類規則表記憶手段に記憶された種類の異なる変数分類規則表により推定された変数内容もしくは用途についての複数の推定結果に基づいて変数の内容もしくは用途を限定する
ことを特徴とする請求項１に記載のプログラムの変数分類装置。
【請求項４】
コンピュータを，
プログラムで変数に適用される演算の種類もしくは変数に関する情報を収集する変数情報収集手段と，
前記変数情報収集ステップで収集した情報について，変数に関する情報と変数の内容もしくは用途の関係を定めた変数分類規則表を参照し，プログラムで使用されている変数の内容もしくは用途を推定して分類する変数分類手段
として動作させる変数分類プログラムを格納したことを特徴とする記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月10日(2003.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面状に展開した複数の中空糸膜の少なくとも一方の端部が開口状態を保ったまま、固定用樹脂でハウジングに液密に固定されてなる中空糸膜モジュールであって、該中空糸膜が、該ハウジングに設けられたスリットを貫通した状態で、かつその開口部が該固定用樹脂に接触することなく固定されてなる中空糸膜モジュール。
【請求項２】
前記ハウジングが、前記固定用樹脂を保持する堰を有する請求項１に記載の中空糸膜モジュール。
【請求項３】
前記中空糸膜が編地である請求項１又は２に記載の中空糸膜モジュール。
【請求項４】
直径が５〜３０ｍｍ、長さが３０〜２０００ｍｍである２つのハウジング間に、有効中空糸膜長が２００ｍｍ〜１０００ｍｍとなるよう、中空糸膜の両端部をそれぞれ固定したことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の中空糸膜モジュール。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の中空糸膜モジュールの複数個を、その内部に濾液を導く導水管を有するマニホールドに接続固定したことを特徴とする中空糸膜モジュールユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明の中空糸膜モジュールは、平面状に展開した複数の中空糸膜の少なくとも一方の端部が開口状態を保ったまま、固定用樹脂でハウジングに液密に固定されてなる中空糸膜モジュールであって、該中空糸膜が、該ハウジングに設けられたスリットを貫通した状態で、かつその開口部が該固定用樹脂に接触することなく固定されてなる中空糸膜モジュールである。
また、本発明の中空糸膜モジュールユニットは、前述した中空糸膜モジュールの複数個を、その内部に濾液を導く導水管を有するマニホールドに接続固定したことを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【発明の効果】
本発明の中空糸膜モジュールは、平面状に展開した複数の中空糸膜の少なくとも一方の端部が開口状態を保ったまま、固定用樹脂でハウジングに液密に固定されてなる中空糸膜モジュールであって、該中空糸膜が、該ハウジングに設けられたスリットを貫通した状態で、かつその開口部が該固定用樹脂に接触することなく固定されているので、ハウジングを細く設計することができ、その耐圧性を向上させることができるとともに、中空糸膜モジュールユニットを作成する場合に、中空糸膜モジュールの集積率の高いユニットとすることができる。また、中空糸膜として編み織物とした中空糸膜を用いると、中空糸膜モジュールへの加工を簡易に行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月30日(2003.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】中空繊維シート状物の製造方法及びこれを用いた中空糸膜モジュールの製造方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
熱可塑性樹脂からなる中空繊維が実質的に互いに平行に配されてなるシート状中空繊維を連続的に移送し、このシート状中空繊維の端部のいずれか一方もしくは両方に、この端部より１０ｃｍ以内の範囲に、薄膜状溶融熱可塑性樹脂を該シート状中空繊維の両面から供給して熱可塑性樹脂接合部を形成し、中空繊維シート状物とすることを特徴とする中空繊維シート状物の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記薄膜状溶融熱可塑性樹脂のメルトフローレートが２０〜１５０である請求項1に記載の中空繊維シート状物の製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記シート状中空繊維織物に接触する際の前記薄膜状溶融熱可塑性樹脂の温度が、中空繊維材料の融点以上である請求項1又は2に記載の中空繊維シート状物の製造方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記シート状中空繊維織物に前記薄膜状溶融熱可塑性樹脂を供給する際に、下記の式Ｉで表される関係を満足することを特徴とする請求項1〜３いずれか一項に記載の中空繊維シート状物の製造方法。
Ｗ１・Ｃ１（Ｔ−Ｔ１）≧Ｗ２・Ｃ２（Ｔ２−Ｔ）      ・・・（Ｉ）
ここで、前記式Ｉ中の符号は以下のものを表している。
Ｃ１：中空繊維材料の材料比熱
Ｔ  ：中空繊維材料の融点
Ｗ１：中空繊維の単位重量
Ｃ２：薄膜状溶融熱可塑性樹脂の材料比熱
Ｗ２：薄膜状溶融熱可塑性樹脂の単位重量
Ｔ１：薄膜状溶融熱可塑性樹脂と中空繊維とが接触するときの中空繊維の温度
Ｔ２：薄膜状溶融熱可塑性樹脂と中空繊維とが接触するときの薄膜状溶融熱可塑性樹脂の温度
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の製造方法で得られた中空繊維シート状物を、その熱可塑性樹脂接合部が、カートリッジ筺体内のポッティング部を貫通するように収め、熱可塑性樹脂からなる溶融固定用樹脂をこのポッティング部内に封入、固定化させた後、前記中空繊維シート状物を構成する中空繊維に対して垂直に、かつ前記熱可塑性樹脂接合部に交わるように中空繊維シート状物のポッティング部貫通端を切断し、前記中空繊維を開口させることを特徴とする中空糸膜モジュールの製造方法。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の要旨は、熱可塑性樹脂からなる中空繊維が実質的に互いに平行に配されてなるシート状中空繊維を連続的に移送し、このシート状中空繊維の端部のいずれか一方もしくは両方に、この端部より１０ｃｍ以内の範囲に、薄膜状溶融熱可塑性樹脂を該シート状中空繊維の両面から供給して熱可塑性樹脂接合部を形成し、中空繊維シート状物とすることを特徴とする中空繊維シート状物の製造方法である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記中空繊維シート状物は以下のような方法で製造することができる。
すなわち、シート状中空繊維織物を連続的に移送し、このシート状中空繊維織物の端部の一方または両方に、この端部より１０ｃｍ以内の範囲に、薄膜状溶融熱可塑性樹脂（以下、薄膜状溶融樹脂と略記する）を供給する。そして、このシート状中空繊維織物端部を接合し、熱可塑性樹脂接合部（以下、樹脂接合部と略記する）を形成して中空繊維シート状物とする。
このとき、前記薄膜状溶融樹脂のメルトフローレートは２０〜１５０であると好ましい。
また、前記シート状中空繊維織物に接触する際の薄膜状溶融樹脂の温度を中空繊維材料の融点以上とすると、これらの接着状態が良好となり好ましい。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
ついで、前記駆動ロール２によって引き出されたシート状中空繊維織物１のフィラメント（縦糸）ｂに平行な両端部は、ボトムロール７上で二列の前記薄膜状溶融樹脂６の上に、それぞれ重ね合わされる。
さらにこの駆動ロール２の下流側に配された二系列の樹脂定量供給機３’、樹脂送液管４’、吐出ダイ５’から、前記薄膜状溶融樹脂６と同様にして二列の薄膜状溶融樹脂６’が送り出され、前記ボトムロール７上のシート状中空繊維織物１を介して、前記二列の薄膜状溶融樹脂６とそれぞれ重ね合わされる。
これら薄膜状溶融樹脂６、６’を両方供給することによって、シート状中空繊維織物１の両面がこれら薄膜状溶融樹脂６、６’によって覆われるとともに、中空繊維ａ相互の間に樹脂がより密に充填され、中空繊維シート状物や中空糸膜モジュールの強度が向上する。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月7日(2003.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
Tofler とWoodings ( O. B. Tofler and T. L. Woodings, Med. J. Aust., Vol.2, 479-481, 1981. )は、ビール摂取量別に調査対象集団をグループ分けして13年間の追跡調査を実施し、ビール摂取量と痛風発症頻度との間に正の相関があることを指摘した  。このように疫学研究上では現在、ビールはアルコール飲料の中で高尿酸血症や痛風の罹患リスクの最も高い酒類とみなされている。しかるに、ビールを含め、食品中のプリン体を減少させるような技術は開発されていない。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
例えば、DEAE sephacel カラムクロマトグラフィー、硫安沈澱、Phenyl-Sepharose CL-4B、Sephacryl S-200HR 、Mono Q HR 5/5 クロマトグラフィーなどを用いて、プリンヌクレオシダーゼを精製することができる。精製したプリンヌクレオシダーゼからは公知の方法により、N 末端アミノ酸配列、あるいは部分アミノ酸配列などを決定することができる。また、上記出発微生物からの染色体ＤＮＡの単離、ジェノミックライブラリーの作成、スクリーニングは公知の方法によって行うことが出来る。そのような方法は、例えばSambrookらのMolecular Cloning 第2 版（Cold Spring Harbor．1989）に記載されている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
そしてアガロースゲルよりそのＤＮＡ断片を切り出して回収し、ｐＵＣ等のクローニング用プラスミドに組み込み、大腸菌等の宿主を形質転換する。このようなクローンの中から、やはり上述のようにプリンヌクレオシダーゼの部分アミノ酸配列に対応する合成ＤＮＡプローブを用いてスクリーニングすることより目的のプリンヌクレオシダーゼをコードするＤＮＡ断片を含む陽性クローンを得ることが出来る。これらのクローンの挿入されたＤＮＡを適当な制限酵素で消化して得られるＤＮＡ断片を、適当なベクター、例えばpUC18あるいはpUC19 にサブクローニングして、その挿入ＤＮＡ断片の塩基配列をダイデオキジシークエンス法等によって決定することが出来る。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
Sephacryl S-200 HRカラム  クロマトグラフィー  活性画分（7.5ml ）を5 ｌのバッファーに対して、12時間透析したのち、バッファーにて平衡化したMonoQ HR5/5 カラム（0.5 x 5 cm, 1 ml）に供した。吸着した蛋白質を0 から0.5MのNaClの塩濃度勾配にて溶出し、活性画分を回収した。得られた精製酵素はSDS-ポリアクリルアミドゲル電気泳動にて単一なバンドとして検出された。表２にアデノシンを基質として測定した精製表を示す。なお、精製表において無細胞抽出液よりもDEAE-Sephacel カラム  クロマトグラフィー後の方が総活性が高くなっており、無細胞抽出液中にヌクレオシダーゼ活性を阻害する物質が含まれている可能性を示唆している。ゲル濾過クロマトグラフィー（TSK-G 3000SW) より分子量172,000 、SDS-ポリアクリルアミドゲル電気泳動よりサブユニット43,000のホモテトラマーであることが確認された。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
実施例１２．プリンヌクレオシダーゼの部分アミノ酸配列の決定
還元カルボキシメチル化プリンヌクレオシダーゼ48 nmole（2.0mg ）を100 μl の0.01Ｍトリス／塩酸緩衝液pH9.0 に懸濁した。ここにリシルエンドペプチダーゼのl ％溶液(0.1Ｍトリス／塩酸緩衝液pH9.0 中）2 μl を添加し、35℃で6 時問インキュベートした。液体中の白濁物は酵素添加後ただちに消え、溶液は透明になった。反応後、反応液を凍結。乾燥することにより反応を停止した。凍結乾燥後、残査を70％蟻酸に溶解しHPLCに供した。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
ハイブリダイゼーション溶液を取り除いた後、メンブレンフィルターを洗浄用緩衝液〔2 ×SSC 、0 ．l ％SDS （W ／V ）〕中48℃で15分間の洗浄を4 回行なった。このメンブレンフィルターを乾燥した後、X 線フィルムと増感紙を用いて‐80℃でオートラジオグラフィーを行なった。その結果、EcoRI 断片を挿入したものとHindIII 断片を挿入したものから各々数個の陽性クローンが得られた。
これらの陽性クローン（E1，E2，E3：EcoRI 断片を挿入、H1，H2，H3：HindIII 断片を挿入）からプラスミドＤＮＡを調製しEcoRI,HindIII,EcoRV などの制限酵素で消化して0.8 ％のアガロースゲルにて電気泳動を行ったところ、E1，E2及びE3とH1，H2及びH3はそれぞれ同じ制限酵素パターンを示した。また、そのアガロースゲルからナイロンメンブレンにＤＮＡをトランスファーしてサザンハイブリダイゼーションを行ったところ、E1，E2及びE3とH1，H2及びH3はそれぞれ同じ断片にハイブリダイズした。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月8日(2003.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定空間に静磁場、傾斜磁場、高周波磁場をそれぞれ発生する各磁場発生手段と、前記測定空間に被検体を配置する被検体配置手段と、前記被検体から発生した磁気共鳴信号を検出する信号検出手段と、前記磁気共鳴信号を処理して前記被検体の任意部位の画像データを表示する画像処理手段とを備えた磁気共鳴イメージング装置において、
前記被検体および／又は前記信号検出手段を前記被検体配置手段に固定するための固定手段を備え、前記固定手段は結合手段を介して結合される、少なくとも２つの部材からなり、前記結合手段は２つの部材の任意の一方を固定的に、他方を位置可変に支持し、前記他方の部材に作用する力の略２倍の締結力を付与することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】
前記固定手段を前記被検体配置手段に対し移動可能に支持する支持手段を備えたことを特徴とする請求項１記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】
前記固定手段を前記被検体配置手段の所望の位置に係止する係止手段を備えたことを特徴とする請求項１又は２記載の磁気共鳴イメージング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
尚、図１２及び図１３では省略されているが、これら従来の固定ベルトは面ファスナーやシートベルトタイプの結合部材或いは締結部材が備えられ、これら結合部材等で被検者を固定するように構成されている。この場合、被検者の動きを十分に抑制するためには、被検者をかなり強い力で支持固定する必要があるが、これら従来の結合部材等で締付けただけでは被検体を十分に支持固定することができない。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明のＭＲＩ装置は上記課題を解決するために、測定空間に静磁場、傾斜磁場、高周波磁場をそれぞれ発生する各磁場発生手段と、測定空間に被検体を配置する被検体配置手段と、被検体から発生した磁気共鳴信号を検出する信号検出手段と、磁気共鳴信号を処理して被検体の任意部位の画像データを表示する画像処理手段とを備えているＭＲＩ装置において、被検体および／又は信号検出手段を被検体配置手段に固定するための固定手段を備え、この固定手段は結合手段を介して結合される、少なくとも２つの部材からなり、結合手段は２つの部材の任意の一方を固定的に、他方を位置可変に支持し、他方の部材に作用する力の略２倍の締結力を付与するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
このような結合手段を備えることにより、結合した固定手段の全体的な形状を固定する対象物に合せて調整でき、且つ作用する力を増すことなく固定手段の固定する力を増加させることができるので、比較的小さな力で容易且つ確実に対象物を固定できる。
本発明のＭＲＩ装置は、好適には固定手段は被検体配置手段から脱着可能であり、固定する対象に応じて最適な形状及び数の固定手段を被検体配置手段に取付け可能に構成される。これにより複数且つ任意形状の固定手段を簡単に取付けることができる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明のＭＲＩ装置は、固定手段を被検体配置手段に対し移動可能に支持する支持手段と、固定手段を被検体配置手段の所望の位置に係止する係止手段とを備えることが好ましい。これにより、固定手段を被検体配置手段の所望の位置に移動させて且つ係止することができるので、測定時等に被検体が動いたりして固定手段に何等かの力が加わっても、その加わる力の方向に関らず、固定手段が連動して移動するということがなく、確実に固定できる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月21日(2003.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、
基板に接して絶縁膜と、
前記絶縁膜上に接して、前記薄膜トランジスタの活性層となる半導体膜とを有し、
前記絶縁膜は、膜中のＳｉの濃度に対するＮの濃度比が前記半導体膜側の界面に向かって連続的に減少する酸窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、
基板に接して絶縁膜と、
前記絶縁膜上に接して、前記薄膜トランジスタの活性層となる半導体膜とを有し、
前記絶縁膜は、膜中のＳｉの濃度に対するＯの濃度比が前記半導体膜側の界面に向かって連続的に増加する酸窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、
基板に接して絶縁膜と、
前記絶縁膜に接して、前記薄膜トランジスタの活性層となる半導体膜とを有し、
前記絶縁膜は、膜中のＳｉの濃度に対するＮの濃度比が前記半導体膜側の界面に向かって連続的に減少し、且つＳｉの濃度に対するＯの濃度比が前記半導体膜側の界面に向かって連続的に増加する酸窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、
基板に接して絶縁膜と、
前記絶縁膜上に接して、前記薄膜トランジスタの活性層となる半導体膜とを有し、
前記絶縁膜は、膜中のＳｉの濃度に対するＮの濃度比が０．３以上１．６以下の範囲内において、前記半導体膜側の界面に向かって連続的に減少している酸窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、
基板に接して絶縁膜の積層膜と、
前記絶縁膜上に接して、前記薄膜トランジスタの活性層となる半導体膜とを有し、
前記絶縁膜は、膜中のＳｉの濃度に対するＯの濃度比０．１以上１．７以下の範囲内において、前記半導体膜側の界面に向かって連続的に増加している酸窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、
基板に接して絶縁膜と、
前記絶縁膜に接して、前記薄膜トランジスタの活性層となる半導体膜とを有し、
前記絶縁膜は、酸窒化シリコン膜であり、膜中のＳｉの濃度に対するＮの濃度比が０．３以上１．６以下の範囲内において、前記半導体膜側の界面に向かって連続的に減少し、且つＳｉの濃度に対するＯの濃度比が０．１以上１．７以下の範囲内において、前記半導体膜側の界面に向かって連続的に増加していることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、
基板に接して酸窒化シリコン膜の積層膜と、
前記積層膜に接して、前記薄膜トランジスタの活性層となる半導体膜とを有し、
前記酸窒化シリコン膜の積層膜は、膜中のＳｉの濃度に対するＮの濃度比が０．３以上１．６以下の範囲内において、前記半導体膜側の界面に向かって連続的に減少している膜を一層含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、
基板に接して酸窒化シリコン膜の積層膜と、
前記積層膜上に接して、前記薄膜トランジスタの活性層となる半導体膜とを有し、
前記酸窒化シリコン膜の積層膜は、膜中のＳｉの濃度に対するＯの濃度比が０．１以上１．７以下の範囲内において、前記半導体膜側の界面に向かって連続的に増加している膜を一層含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記半導体装置は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、または携帯情報端末であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
基板上に、ＣＶＤ法を用いて、複数の原料ガスの流量比を連続的に変化させることにより、膜中のＳｉの濃度に対するＮの濃度比が前記基板側の界面から離れるにしたがって減少している酸窒化シリコン膜を成膜し、
前記酸窒化シリコン膜上に薄膜トランジスタの活性層となる半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
基板上に、ＣＶＤ法を用いて、複数の原料ガスの流量比を連続的に変化させることにより、膜中のＳｉの濃度に対するＯの濃度比が前記基板側の界面から離れるにしたがって増加している酸窒化シリコン膜を成膜し、
前記酸窒化シリコン膜上に薄膜トランジスタの活性層となる半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
基板上に、ＣＶＤ法を用いて、複数の原料ガスの流量比を連続的に変化させることにより、膜中のＳｉの濃度に対するＮの濃度比が０．３以上１．６以下の範囲内で前記基板側の界面から離れるにしたがって減少している酸窒化シリコン膜を成膜し、
前記酸窒化シリコン膜上に薄膜トランジスタの活性層となる半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
基板上に、ＣＶＤ法を用いて、複数の原料ガスの流量比を連続的に変化させることにより、膜中のＳｉの濃度に対するＯの濃度比が０．１以上１．７以下の範囲内で前記基板側の界面から離れるにしたがって増加している酸窒化シリコン膜を成膜し、
前記酸窒化シリコン膜上に薄膜トランジスタの活性層となる半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
基板上に、ＣＶＤ法を用いて、ＲＦ出力を連続的に変化させることにより、膜中のＳｉの濃度に対するＮの濃度比が前記基板側の界面から離れるにしたがって減少している酸窒化シリコン膜を成膜し、
前記酸窒化シリコン膜上に薄膜トランジスタの活性層となる半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
基板上に、ＣＶＤ法を用いて、ＲＦ出力を連続的に変化させることにより、膜中のＳｉの濃度に対するＯの濃度比が前記基板側の界面から離れるにしたがって増加している酸窒化シリコン膜を成膜し、
前記酸窒化シリコン膜上に薄膜トランジスタの活性層となる半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
基板上に、ＣＶＤ法を用いて、ＲＦ出力を連続的に変化させることにより、膜中のＳｉの濃度に対するＮの濃度比が０．３以上１．６以下の範囲内で前記基板側の界面から離れるにしたがって減少している酸窒化シリコン膜を成膜し、
前記酸窒化シリコン膜上に薄膜トランジスタの活性層となる半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
基板上に、ＣＶＤ法を用いて、ＲＦ出力を連続的に変化させることにより、膜中のＳｉの濃度に対するＯの濃度比が０．１以上１．７以下の範囲内で前記基板側の界面から離れるにしたがって増加している酸窒化シリコン膜を成膜し、
前記酸窒化シリコン膜上に薄膜トランジスタの活性層となる半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月4日(2003.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）  ３個以上の往復遅延値を受信するステップと、
前記各往復遅延値は、３個以上の基地局の内の１つの基地局から移動局にダウンリンク信号を送信し、このダウンリンク信号に応答して移動局から前記１つの基地局へアップリンク信号を送信することに対応しており、
（ｂ）  １つあるいは複数の遅延に対する各往復遅延値を信号の伝搬時間に対応しない遅延に調整するステップと、
（ｃ）  前記３個以上の往復遅延値に基づいて三角測量アルゴリズムを用いて前記移動局の位置を決定するステップとを含み、
前記１つあるいは複数の遅延は、ダウンリンクパス上のセルグループ遅延と、ダウンリンクパス上の移動局グループ遅延と、アップリンクパス上の移動局グループ遅延と、アップリンクパス上のセルグループ遅延とを含むことを特徴とする、複数の基地局を有するワイヤレスネットワークにおいて移動局の位置を特定する方法。
【請求項２】
前記１つあるいは複数の遅延は、特定の数のシンボルと特定の整合値を加えた値に対応する伝搬オフセット遅延と、
移動局の処理遅延とをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ワイヤレスネットワークは、ＴＤＭＡネットワークであり、
前記（ａ）のステップは、
（１）  第１基地局から移動局に第１ダウンリンク信号を送信するステップと、
（２）  前記第１ダウンリンク信号に対応して、前記移動局が第１基地局に送信した第１アップリンク信号を受信するステップと、
（３）  前記第１ダウンリンク信号と第１アップリンク信号の伝送に対応する第１の往復遅延値を計算するステップと、
（４）  第２基地局から移動局に第２ダウンリンク信号を送信するステップと、
（５）  前記第２アップリンク信号に対応して、移動局が第２基地局に送信した第２アップリンク信号を受信するステップと、
（６）  前記第２ダウンリンク信号と第２アップリンク信号の伝送に対応する第２往復遅延値を計算するステップと、
（７）  第３基地局から移動局に第３ダウンリンク信号を送信するステップと、
（８）  前記第３アップ信号に応答して移動局が第３基地局に送信した第３アップリンク信号を受信するステップと、
（９）  第３ダウンリンク信号と第３アップリンク信号の伝送に対応する第３往復遅延値を計算するステップとを含み、
前記ステップ（４）の前に、移動局の制御が第１基地局から第２基地局に転送され、
前記ステップ（７）の前に、移動局の制御が第２基地局から第３基地局に転送され、
前記第１基地局は、ワイヤレスネットワークのマスター交換センター（ＭＳＣ）からハンドオフ用に利用可能な少なくとも２つの近隣の基地局のリストを受領し、かつ前記第１基地局が前記リストから第２基地局と第３基地局とを選択し、
制御が第１基地局から第２基地局に転送されると、前記第１基地局は第２基地局に対し移動局の制御を第３基地局にステップ（６）の後に転送することを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記（ｃ）のステップは、ワイヤレスネットワークのマスター交換センター（ＭＳＣ）で行われることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記ワイヤレスネットワークはＴＤＭＡネットワークであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記（ｃ）のステップは、前記基地局のうちの１つで行われることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記（ｃ）のステップは、移動局で行われることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記第１基地局は、ワイヤレスネットワークのマスター交換センター（ＭＳＣ）からハンドオフ用に利用可能な少なくとも２つの近隣の基地局のリストを受領し、かつ前記第１基地局が前記リストから第２基地局と第３基地局とを選択し、
前記第１基地局は、第２基地局に対してハンドオフを開始しかつ第２基地局へ、第３基地局に対する移動局をハンドオフするよう指示し、
前記第２基地局は第３基地局に対してハンドオフを開始することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項９】
複数の基地局を有するワイヤレスネットワークのノードにおいて、
前記ノードは、ワイヤレスネットワーク内の移動局の位置を、
（ａ）  ３個以上の往復遅延値を受信するステップと、
前記各往復遅延値は、３個以上の基地局の内の１つの基地局から移動局にダウンリンク信号を送信し、このダウンリンク信号に応答して移動局から前記１つの基地局へアップリンク信号を送信することに対応しており、
（ｂ）  各往復遅延値を信号の伝搬時間に対応しない遅延に調整するステップと、
（ｃ）  前記３個以上の往復遅延値に基づいて三角測量アルゴリズムを用いて前記移動局の位置を決定するステップとを行うことにより特定しており、
前記１つあるいは複数の遅延は、ダウンリンクパス上のセルグループ遅延と、ダウンリンクパス上の移動局グループ遅延と、アップリンクパス上の移動局グループ遅延と、アップリンクパス上のセルグループ遅延とを含むことを特徴とするノード。
【請求項１０】
前記１つあるいは複数の遅延は、
特定の数のシンボルと特定の整合値との和に対応する伝送オフセット遅延と、
移動局の処理遅延とをさらに含むことを特徴とする請求項９記載のノード。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月22日(2003.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状の圧電材料の両面に金属膜による電極を形成しこの電極に駆動電流を印加することで所定の振動を行う圧電振動片の周波数を調整する方法であって、
前記圧電振動片の一方の面の最表面には、他方の面の金属膜よりもエッチングレートが低い金属により金属膜が設けられており、
前記他方の面の金属膜をエッチングすることにより粗調を行い、
前記一方の面の金属膜をエッチングすることにより微調を行うようにした
ことを特徴とする圧電振動片の周波数調整方法。
【請求項２】
前記他方の面には、金または銀による金属膜が設けられ、前記一方の面には、クロムまたはニッケルにより金属膜が設けられている請求項１に記載の圧電振動片の周波数調整方法。
【請求項３】
前記エッチングは、アルゴン（Ａｒ）イオンによるプラズマエッチングにより行われる請求項１または２のいずれかに記載の圧電振動片の周波数調整方法。
【請求項４】
板状の圧電材料の両面に金属膜による電極を形成し、この電極に駆動電流を印加することで、所定の振動を行う圧電振動片と、
この圧電振動片を収容するパッケージと
を有しており、
前記圧電振動片の一方の面の最表面には、他方の面の金属膜よりもエッチングレートが低い金属により金属膜が設けられている
ことをを特徴とする圧電振動子。
【請求項５】
圧電振動片を真空チャンバー内で一方向に送る手段と、
この搬送される圧電振動片の電極膜でなる粗調面に対向して、イオン化された粒子を照射する粗調用の照射手段と、
この粗調用の照射手段の後段に配置されており、前記圧電振動片の粗調面とは反対の面にて、前記電極膜を構成する金属よりもエッチングレートの低い金属により形成された金属膜でなる微調面に対向して、イオン化された粒子を照射する微調用の照射手段と
を備えることを特徴とする圧電振動片の加工装置。
【請求項６】
前記微調用の照射手段は、前記粗調用の照射手段と反対向きに配置されている請求項５に記載の圧電振動片の加工装置。
【請求項７】
前記粗調用の照射手段よりも後段において、前記圧電振動片を反転する手段を有し、
前記微調用の照射手段は、前記粗調用の照射手段と同じ向きに配置されている請求項５に記載の圧電振動片の加工装置。
【請求項８】
前記粗調用の照射手段及び微調用の照射手段が、イオン化されたアルゴン（Ａｒ）ガスを照射する構成とした請求項５ないし７のいずれかに記載の圧電振動片の加工装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、請求項１記載の発明にあっては、板状の圧電材料の両面に金属膜による電極を形成しこの電極に駆動電流を印加することで所定の振動を行う圧電振動片の周波数を調整する方法であって、前記圧電振動片の一方の面の最表面には、他方の面の金属膜よりもエッチングレートが低い金属により金属膜が設けられており、前記他方の面の金属膜をエッチングすることにより粗調を行い、前記一方の面の金属膜をエッチングすることにより微調を行うようにした、圧電振動片の周波数調整方法により、達成される。