【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年9月11日(2014.9.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
チューニング層は炭酸セシウムCs2CO3であってよい。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
製造工程１００は、図１Ａのフローチャート、および図１Ｂから図１Ｆの概略図に概ね示されている。オペレーション２００では、スプレー・フォトリソグラフィを使用して、基板７１０にＩＴＯ層７２０がパターニングされる。その結果を、図１Ｂを示す。次に、オペレーション３００では、チューニング層７３０を付加するために、スピンコーティングが使用される。チューニング層７３０を備えたパターン形成基板を、図１Ｃに示す。次に、オペレーション４００では、活性層７４０を付加するために、スピンコーティングが使用される。その結果を、図１Dに示す。オペレーション５００では、図１Ｅに示すように、陽極層７５０が、スプレー法を使用して基板に塗布される。このオペレーションは、必要に応じて、所望の厚さになるまで繰り返される。各層は、次の層が塗布される前に、乾燥させられる。最後に、所望数の層が付加されたら、装置は、オペレーション６００において焼鈍させられる。完成した逆型有機太陽電池を、図１Ｆに示す。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
パターニングは、スプレー・フォトリソグラフィを使用して完了する。従来のフォトリソグラフィと異なり、光学のマスクを必要とせず、また、スプレー・フォトリソグラフィを使用すると、パターンを現像する必要がない。スプレーパターニング工程２００を、図２のフローチャートに示す。オペレーション２１０では、基板が洗浄される。基板は、ガラス、プラスチックあるいは布を含む任意のタイプの基板であってよい。オペレーション２２０では、基板が平坦な磁石の上に置かれ、また、オペレーション２３０では、磁気シャドウマスクが、基板上に整列させられる。シャドウマスクは、任意の所望形状を含んでよい。次に、オペレーション２４０では、フォトレジストが、エアブラシを使用して基板に塗布される。先が細く、また圧力設定値が１０〜４０psiであるエアブラシが好ましい。次に、エッチングは、オペレーション２５０において、王水溶液中で完了する。このエッチングは、HCLを２０パーセント、HNO3を７パーセント含む９０℃から１３０℃の溶液中で完了する。次に、基板は、オペレーション２６０において洗浄され、かつ、オペレーション２７０において、グローブボックスに載置される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
チューニング層を付加するためのスピンコーティング工程３００を、図３のフローチャートに示す。オペレーション３１０では、炭酸セシウム(Cs2CO3)の層が、スピンコーティングを使用して、パターン形成基板に塗布される。このチューニング層は、或いは、酸化亜鉛(ZnO)、自己組織化分子、あるいは、ITOの仕事関数をチューニングするために当該技術分野において周知の任意のものであってもよい。基板は次に、オペレーション３２０において、ホットプレート上で焼鈍させられ、次にオペレーション３３０において、冷却させられる。ホットプレートの好適な温度は、１５０℃から１７０℃である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
Cs2CO3溶液層は、スピンコーティングを使用して、パターン形成基板に塗布された。最初に、Cs2CO3は、2mg/mlの比率で２−エトキシエタノール溶液に加えられ、1時間撹拌された。スピンコーティングは、６０００rpmで、００３（３３０rps）に設定された加速度を伴い、６０秒間で完了した。次に基板は、ホットプレート上において、１３０℃で２０分間乾燥させられ、更に冷却させられた。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
７１０    基板                ７２０    ＩＴＯ層
７３０    チューニング層      ７４０    活性層
７５０    陽極層
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明コンタクトを備えた有機ソーラーパネルの製造方法であって、
基板上にＩＴＯ層のパターンを形成することと、
前記基板上に、ＩＴＯの仕事関数をチューニングするチューニング層をスピンコーティングすることと、
前記基板上に活性層コーティングをスピンコーティングすることと、
前記基板に変性PEDOT溶液をスプレーコーティングすることによって前記透明コンタクトを形成することと、
前記基板を焼鈍させること
を含み、
前記基板を変性PEDOTでスプレーコーティングすることは繰り返され、かつ、変性PEDOTの各層は、次の層が塗布される前に乾燥され、
変性PEDOTの層は、該変性PEDOTの厚さが０．５μm以上１．２６μm以下になるまで付加される方法。
【請求項２】
前記基板はITOガラス基板である、請求項1の方法。
【請求項３】
前記基板はプラスチックである、請求項1の方法。
【請求項４】
前記基板は布である、請求項1の方法。
【請求項５】
前記チューニング層はCs2CO3である、請求項1の方法。
【請求項６】
前記活性層コーティングはP3HT/PCBMである、請求項1の方法。
【請求項７】
前記基板上にＩＴＯ層のパターンを形成することが、前記基板に磁気シャドウマスクとエアブラシを使用してフォトレジストを塗布することを含む請求項１の方法。
【請求項８】
前記フォトレジストを塗布する前に、前記基板をアセトンおよびイソプロパノールにより洗浄することを更に含む、請求項７の方法。
【請求項９】
前記フォトレジストの塗布に続き、前記基板をエッチングすることと、エッチングされた基板を洗浄することを更に含む、請求項の７方法。
【請求項１０】
HClを２０パーセント、HNO３を７パーセント含む９０℃から１３０℃の溶液を使用してエッチングは完了する、請求項９の方法。
【請求項１１】
前記エッチングされた基板を洗浄することは、
前記エッチングされた基板を超音波洗浄することと、
前記エッチングされた基板をオゾン洗浄することを含む、請求項９の方法。
【請求項１２】
超音波洗浄することは、更に、
５０℃のTCEで２０分間超音波洗浄することと、
５０℃のアセトンで２０分間超音波洗浄することと、
５０℃のイソプロパノールで２０分間超音波洗浄することを含む、請求項１１の方法。
【請求項１３】
前記チューニング層をスピンコーティングすることは、６０００rpmで、３３０rpsに設定された加速度を伴い、６０秒で完了する、請求項1の方法。
【請求項１４】
前記チューニング層の塗布に続き、前記基板をホットプレート上で、１３０℃で２０分間焼鈍させることを更に含む、請求項1の方法。
【請求項１５】
前記P3HT/PCBMは１０mg/ml〜２０ mg/mlの濃度である、請求項６の方法。
【請求項１６】
前記P3HT/PCBM溶液でスピンコーティングすることは、４００〜７００rpmで、６０秒間で完了する、請求項６の方法。
【請求項１７】
前記基板を、ペトリ皿の下で３０分間乾燥させることと、
前記活性層の塗布に続き、前記基板をホットプレート上で、１１０℃で１０分間乾燥させることを更に含む、請求項1の方法。
【請求項１８】
前記変性PEDOT溶液は、５〜８容量パーセントのDMSOを、PEDOT:PSS溶液の原液に加えることにより調合される、請求項1の方法。
【請求項１９】
スプレーコーティングは、１０〜３０psiの圧力設定値を有するエアブラシを使用して完了する、請求項1の方法。
【請求項２０】
スプレーコーティングは、前記基板が、９０℃から１００℃に加熱されたホットプレート上にある間に完了する、請求項1の方法。
【請求項２１】
スプレーコーティングに続き、前記装置を１２０℃で２０分間焼鈍させることを更に含む、請求項1の方法。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図３】
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