【事件の表示】
　平成　８年特許願第　２１４４９号「半導体レーザ素子」拒絶査定に対する審判事件［平成　９年　８月１５日出願公開、特開平　９−２１４０５８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年２月７日に出願された特許出願であって、原審において、平成１３年４月９日付で拒絶理由が通知され、これに対し、同年６月１２日に手続補正がなされたところ、平成１４年１月３１日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月１１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、手続補正がなされたものである。
　　
２．平成１４年３月１１日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１４年３月１１日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項３は、
「【請求項３】少なくとも第１導電型の第１クラッド層、活性層および第２導電型の第２クラッド層及びエッチングストップ層がこの順に積層されて設けられ、該エッチングストップ層上に電流狭窄用のストライプ状リッジ部を形成する第２導電型の第３クラッド層が設けられ、該活性層の一部領域として、または、少なくとも該第１クラッド層および第２クラッド層のいずれか一方の内部もしくは第２クラッド層と第３クラッド層との間に、該活性層から出射されるレーザ光を吸収する可飽和吸収領域が設けられ、該ストライプ状リッジ部の両側面を埋め込んで第１導電型の電流ブロック層が設けられ、該電流ブロック層は該レーザ光を吸収する層と吸収しない層とからなり、かつ該レーザ光を吸収しない層が、該ストライプ状リッジ部の両側面上およびエッチングストップ層上に設けられており、前記第１クラッド層、第２クラッド層および第３クラッド層のうち、ｐ型クラッド層のｐ型不純物濃度が１×１０１８ｃｍ−３以上である半導体レーザ素子。」
と補正された。
　上記補正は、請求項３に記載した発明を特定するために必要な事項について限定をするものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の上記請求項３に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平５−１６７１７７号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面（図１、図２）とともに、
ａ．「【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　本発明は半導体レーザ素子に関し、特に自励発振型の半導体レーザ素子に関する。」
ｂ．「【００２４】
　次に、この半導体レーザ素子の動作を説明する。電極金属１２ａ、１２ｂを通して注入された電流は電流狭窄層６のないストライプ状の部分９を通って活性層３に入る。その際、電流狭窄層６と活性層３との間にあるｐ型（Ｇａ０．４Ａｌ０．６）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッド層４の電気抵抗が高いため、注入された電流のほとんどは広がらずに活性層３まで到達する。即ち、電流の広がり幅はほぼストライプ９の幅に等しい。
【００２５】
　一方、レーザ光は最も光密度の高い活性層３と
光を吸収してレーザ光をストライプ部分９に閉じ込める電流狭窄層６
【００２６】
　これに対して、
ストライプ部９から離れたところでは電流が存在しないため光の供給はなく、レーザ光が吸収され、いわゆる過飽和吸収体になっている。
ｃ．「【００２８】
（実施例２）
　図２は本発明半導体レーザ素子の実施例２を示す。・・・まず、ＭＯＣＶＤ成長装置内で、ｎ型ＧａＡｓ基板２１上にｎ型ＧａＡｓバッファー層２２、ｎ型Ｇａ０．４Ａｌ０．６Ａｓクラッド層２３、ノンドープＧａ０．６Ａｌ０．４Ａｓ第１ガイド層２４、ノンドープＧａ０．８８Ａｌ０．１２Ａｓ活性層２５、ノンドープＧａ０．６Ａｌ０．４Ａｓ第２ガイド層２６、ｐ型（Ｇａ０．４Ａｌ０．６）０．５Ｉｎ０．５Ｐ第１クラッド層（高抵抗層）２７、ｐ型Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐエッチストップ層２８、ｐ型Ｇａ０．４Ａｌ０．６Ａｓ第２クラッド層２９、ＧａＡｓ酸化防止層３０を順次成長した後、このウェハーをＭＯＣＶＤ成長装置から取り出す。
【００２９】
　続いて、・・・酸化防止層３０、ｐ型第２クラッド層２９を続けてエッチングし、リッジ状のストライプ４０を形成する。・・・
【００３０】
　そして、このウェハーに、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層３１を成長する。」
ｄ．「【００３５】
　また、上記実施例では活性層を光ガイド層を有する、いわゆるＳＣＨ型として説明したが、単一の層で構成されるＤＨ型・・・でもよい。」
との記載が認められる。
　なお、上記ｂ．の下線を付した構成は、実施例１に関する記載事項であって、上記ｃ．に記載された実施例２にはこの点の明示はないが、実施例２の目的、構造、作用、効果などからみて、実施例２が同様の構成を有することは明らかである。
　また、上記ｄ．には活性層の上下に設けられた光ガイド層を持たないものでもよい旨が記載されているから、上記ｃ．に記載された実施例２においても光ガイド層２４，２５を省略できることは明らかである。
　したがって、これらａ．〜ｄ．の記載によれば、引用例１には、
「ｎ型Ｇａ０．４Ａｌ０．６Ａｓクラッド層２３、ノンドープＧａ０．８８Ａｌ０．１２Ａｓ活性層２５、ｐ型（Ｇａ０．４Ａｌ０．６）０．５Ｉｎ０．５Ｐ第１クラッド層２７、ｐ型Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐエッチストップ層２８がこの順に積層されて設けられ、上記エッチストップ層２８上に、リッジ状のストライプ４０を形成するｐ型Ｇａ０．４Ａｌ０．６Ａｓ第２クラッド層２９が設けられ、上記ノンドープＧａ０．８８Ａｌ０．１２Ａｓ活性層２５のストライプ部から離れたところは過飽和吸収体になっており、上記リッジ状のストライプ４０の両側面を埋め込んでｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層３１が設けられ、このｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層３１はレーザ光を吸収するする層である半導体レーザ素子。」
との発明（以下「引用例１発明」という。）が開示されていると認めることができる。
　
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された特開平６−４５６８３号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面（図１）とともに、
ｅ．「【０００１】
【産業上の利用分野】
　この発明は、光ディスク等に用いられる半導体レーザ素子に関する。」
ｆ．「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
　・・・光ディスク等に用いられる半導体レーザは低雑音であることが強く要求される。ここで、半導体レーザ素子の低雑音特性は自励発振を生じさせることによって得られるが、自励発振を生じさせるためには、一般に、活性層などの可飽和吸収体となる領域がある程度大きく存在する必要がある。すなわち、活性層を可飽和吸収体として自励発振に利用するためには、電流が注入される領域(利得領域)よりも、活性層が吸収体となる領域に光を広く分布させる必要がある。・・・」
ｇ．「【０００５】
【課題を解決するための手段および作用】
　上記目的を達成するために、この発明は、基板上に、所定の組成からなる下部クラッド層、活性層および上部クラッド層を順に設け、上記上部クラッド層の上部にストライプ状のリッジを形成するとともに、このリッジの両側に電流狭窄層を設けて、上記活性層のうち上記リッジの下に相当する部分がレーザ発振するようにした半導体レーザ素子において、上記リッジの側面と上記電流狭窄層との間に、上記上部クラッド層よりも大きい屈折率を有する半導体層と上記上部クラッド層よりも小さい屈折率を有する半導体層とを複数積層してなり、上記上部クラッド層と略等しい平均屈折率を有する多層成長層を設けたことを特徴としている。」
ｈ．「【０００７】
　【作用】
　この発明では、リッジの側面と電流狭窄層との間に、例えばＡlｘＧa１−ｘＡs層とＡlｙＧa１−yＡs層(０≦x＜y≦１)とを複数積層してなる多層成長層を成長する。この多層成長層において、ＡlｙＧa１−yＡs層の厚さをキャリアのトンネリングが生じない程度(例えばＡｌＡｓ層(y＝１)の場合で、１００Å程度)にすると、多数のヘテロバリアによってキャリアの移動が妨げられる。・・・したがって、
リッジの両側に設けた上記多層成長層を通してのキャリアの拡がりはなく、利得領域は・・・従来例と同等の領域になると考えられる。
ｊ．「【０００８】
　・・・したがって、
上記多層成長層を構成する各層を適当なＡlＡs混晶比および厚さに設定することによって、上記リッジの側面に、平均屈折率がリッジ内の上部クラッド層と略等しく、したがって、光吸収を生じない領域を設定することができる。
　したがって、この発明の半導体レーザ素子では、光を上記リッジの外(両側)に広げることができ、利得領域よりも光の分布幅を広げることができる。この結果、自励発振が生じて低雑音特性が実現される。」
との記載が認められる。
　また、図１を参酌すれば、上記多層成長層１８は、上記リッジの両側面のみならずｐ型クラッド層１５の上部をも覆っていることが見て取れる。
　そして、上記ｈ．ｊ．の特に下線を付した部分、及び段落【０００９】の記載によれば、上記多層成長層は、キャリアの広がりがなく、また、レーザ光を吸収しない領域であり、また上記電流狭窄層はレーザ光を吸収する層であることが明らかである。
　したがって、これらｅ．〜ｊ．の記載によれば、引用例２には、
「所定の組成からなる下部クラッド層、活性層および上部クラッド層を順に設け、上記上部クラッド層の上部にストライプ状のリッジを形成するとともに、このリッジの両側にレーザ光を吸収する電流狭窄層を設けて、上記活性層のうち上記リッジの下に相当する部分がレーザ発振するようにした半導体レーザ素子において、上記リッジの側面及び上記上部クラッド層と上記電流狭窄層との間に、キャリアの広がりがなく、また、レーザ光を吸収しない領域である多層成長層を設けた半導体レーザ素子。」
が開示されていると認めることができる。
　　
（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用例１発明とを比較すると、
　本願補正発明の「第１導電型の第１クラッド層」、「活性層」、「第２導電型の第２クラッド層」及び「エッチングストップ層」は、各々引用例１発明の「ｎ型Ｇａ０．４Ａｌ０．６Ａｓクラッド層２３」、「ノンドープＧａ０．８８Ａｌ０．１２Ａｓ活性層２５」、「ｐ型（Ｇａ０．４Ａｌ０．６）０．５Ｉｎ０．５Ｐ第１クラッド層２７」及び「ｐ型Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐエッチストップ層２８」に相当し、以下同様に「電流狭窄用のストライプ状リッジ部を形成する第２導電型の第３クラッド層」は、「リッジ状のストライプ４０を形成するｐ型Ｇａ０．４Ａｌ０．６Ａｓ第２クラッド層２９」に、「活性層の一部領域として、該活性層から出射されるレーザ光を吸収する可飽和吸収領域が設けられ」は、「ノンドープＧａ０．８８Ａｌ０．１２Ａｓ活性層２５のストライプ部から離れたところは過飽和吸収体になっており」に相当し、
　また、本願補正発明の「第１導電型の電流ブロック層」は、引用例１発明の「ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層３１」に対応することは明らかであるから、
　両者は、
「少なくとも第１導電型の第１クラッド層、活性層および第２導電型の第２クラッド層及びエッチングストップ層がこの順に積層されて設けられ、該エッチングストップ層上に電流狭窄用のストライプ状リッジ部を形成する第２導電型の第３クラッド層が設けられ、　該活性層の一部領域として、該活性層から出射されるレーザ光を吸収する可飽和吸収領域が設けられ、該ストライプ状リッジ部の両側面を埋め込んで第１導電型の電流ブロック層が設けられた半導体レーザ素子。」
の点で一致し、以下の点で相違している。
　　
［相違点１］本願補正発明の第１導電型の電流ブロック層は、「レーザ光を吸収する層と吸収しない層とからなり、かつ該レーザ光を吸収しない層が、該ストライプ状リッジ部の両側面上およびエッチングストップ層上に設けられて」いるのに対して、引用例１発明の電流ブロック層は、「レーザ光を吸収する単層の第１導電型の電流ブロック層」であって、本願補正発明のような「ストライプ状リッジ部の両側面上およびエッチングストップ層上に設けられレーザ光を吸収しない層」を有さない点。
［相違点２］本願補正発明のｐ型クラッド層は、「ｐ型不純物濃度が１×１０１８ｃｍ−３以上」であるのに対して、引用例１発明には、ｐ型クラッド層のｐ型不純物濃度が明示されていない点。
　　　
（４）判断
［相違点１］について
　上記引用例２（上記２．（２）参照）には、「ストライプ状のリッジを形成するとともに、この
リッジの両側にレーザ光を吸収する電流狭窄層を設けて
上記リッジの側面及び上記上部クラッド層と上記電流狭窄層との間に、キャリアの広がりがなく、また、光を吸収しない領域である多層成長層を設けた
　そして、引用例１発明、及び上記引用例２に記載されたものは、何れも光ディスク等に用いられる電流ブロック層を備えた半導体レーザ素子に関し、活性層を可飽和吸収体として自励発振に利用するために、電流が注入される領域(利得領域)よりも、活性層が吸収体となる領域に光を広く分布させることを技術的課題とするものであるから、引用例１発明に上記引用例２に記載された電流ブロック層の構成を適用するについて十分な動機があったというべきである。したがって上記相違点１は、引用例１発明及び上記引用例２に記載されたものに基づき、容易に想到することができたものである。
［相違点２］について
　良好な高温特性を得るためにｐ型クラッド層のｐ型不純物濃度を十分に高くすることは、従来から周知の技術事項（例えば、
特開平６−２６８３１８号公報
特開平７−２６３７９１号公報
特開平７−２５４７５３号公報
特開平７−２４５４４７号公報
　してみると、本願補正発明においてｐ型クラッド層のｐ型不純物濃度を１×１０１８ｃｍ−３以上とする点は、技術水準に照らして当業者が適宜設計し得る程度の事項にすぎない。　　
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用例１，２に記載された発明及び上記周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　したがって、本願補正発明は、引用例１，２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　　
３．本願発明について
　平成１４年３月１１日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項３に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１３年６月１２日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項３に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「【請求項３】少なくとも第１導電型の第１クラッド層、活性層および第２導電型の第２クラッド層、及びエッチングストップ層がこの順に積層されて設けられ、該エッチングストップ層上に電流狭窄用のストライプ状リッジ部を形成する第２導電型の第３クラッド層が設けられ、該活性層の一部領域として、または、少なくとも該第１クラッド層および第２クラッド層のいずれか一方の内部もしくは第２クラッド層と第３クラッド層との間に、該活性層から出射されるレーザ光を吸収する可飽和吸収領域が設けられ、該ストライプ状リッジ部の両側面を埋め込んで第１導電型の電流ブロック層が設けられ、該電流ブロック層は該レーザ光を吸収する層と吸収しない層とからなり、かつ該レーザ光を吸収しない層が、該ストライプ状リッジ部の両側面上およびエッチングストップ層上に設けられている半導体レーザ素子。」
　　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１，２及びその記載事項は、上記「２．（２）」に記載したとおりである。
　　
（２）対比・判断
　本願発明は、上記２．で検討した本願補正発明から「ｐ型クラッド層」の限定事項である「ｐ型不純物濃度が１×１０１８ｃｍ−３以上である」との構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「２．（４）」に記載したとおり、引用例１，２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１，２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１，２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。