Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月30日(2014.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３以上のシロキサンユニットを有すると共に、少なくとも１つの有機部分Ｒ１を有するポリオルガノシロキサンをゴムの過酸化加硫の添加物として使用すること、但し、
−Ｒ１は１以上の炭素−炭素多重結合を有すると共に、少なくとも４つの炭素原子を有し、及び
−ポリオルガノシロキサンにおいて炭素原子５〜５０の鎖長を有する１以上の炭化水素部の存在が除外されること、
ポリオルガノシロキサンの使用量は、ゴム（混合物）１００質量部に対して０．１ｐｈｒ〜１０ｐｈｒであること、
を特徴とするポリオルガノシロキサンの使用方法。
【請求項２】
前記炭素−炭素多重結合は二重結合であることを特徴とする請求項１に記載の使用方法。
【請求項３】
前記有機部分Ｒ１は１価の基であることを特徴とする請求項１又は２に記載の使用方法。
【請求項４】
前記Ｒ１基は、下図の（ｘ）、（ｙ）又は（ｚ）であることを特徴とする請求項３に記載の使用方法。
2013518955.tif 000001
【請求項５】
ポリオルガノシロキサンは以下の構造ユニットＩを有し；
［Ｒ１ｘＲａＳｉＯ［４−（ｘ＋ａ）］／２］          （Ｉ）、
ここで、ｘは、１、２又は３であり、
ａは、０、１又は２であり、
Ｒは、１価の有機基であり、
Ｒは、メチル基、エチル基、プロピル基及びフェニル基のうちから選択されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の使用方法。
【請求項６】
ポリオルガノシロキサンは以下の構造を有し：
［ＩＤ］ｍ［ＩＭ］ｎ［ＩＩＤ］ｏ［ＩＩＩＭ］（２-ｎ）、
ここで、
（i）ｍは、０〜４０の範囲であり、
ｎは、０、１又は２であり、
ただし、（ｍ＋ｎ）の合計は少なくとも１であり、
（ｍ＋ｎ）の合計は２０以下であり、
（ii）ｏは０〜１０００の範囲内にあり、
（iii）（ｍ＋ｏ＋２）の合計は少なくとも３であり、
（iv）［ＩＤ］は、Ｒが１価の有機基である二官能性構造ユニット［Ｒ１ＲＳｉＯ２／２］であり、
（v）［ＩＭ］は、Ｒが１価の有機基である単官能性構造ユニット［Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ１／２］であり、
（vi）［ＩＩＤ］は、Ｒ′基（複数）が同一又は異なり、それぞれ有機基である二官能性構造ユニット［Ｒ′２ＳｉＯ２／２］であり、及び
（vii）［ＩＩＩＭ］は、Ｒ″基（複数）が同一又は異なり、それぞれヒドロキシル基及び直鎖、有枝又は環状有機基から選ばれる単官能性構造ユニット［Ｒ″３ＳｉＯ１／２］であること
を特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の使用方法。
【請求項７】
ｍは２であることを特徴とする請求項６に記載の使用方法。
【請求項８】
ｎは１又は２であることを特徴とする請求項６又は７に記載の使用方法。
【請求項９】
前記添加物は、ローラーシステムもしくは内部ミキサとの解離性能を改善するため、ムーニー粘度を低下させるため、加硫化ゴム混合物の係数もしくは引っ張り強度を高めるため、圧縮永久ひずみを低下させるため、破断点伸び率を低下させるため、及び／又は引き裂き伝播抵抗を低下させるために使用されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の使用方法。
【請求項１０】
前記ゴムは、ＮＲ、ＢＲ、ＮＢＲ、ＨＮＢＲ、ＥＰＭ、ＥＰＤＭ、ＣＲ、ＰＥ、ＣＭ、ＣＳＭ、ＧＥＣＯ、ＦＫＭ、ＦＦＫＭ、ＴＦＥ／Ｐ、ＡＣＭ、ＡＥＭ、ＥＶＡ、ＥＶＭ、ＶＭＱ、ＰＭＱ、ＰＶＭＱ、ＦＶＭＱ、及びＴＰＥから選択されることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の使用方法。
【請求項１１】
（i）１以上の過酸化架橋可能なゴム、
（ii）１以上の過酸化加硫剤、及び
（iii）１以上のポリオルガノシロキサン
を含有する加硫混合物を過酸化加硫し、
ポリオルガノシロキサンが、３以上のシロキサンユニットを有し、
ポリオルガノシロキサンが、少なくとも１つの有機部分Ｒ１を有し、
Ｒ１が１以上の炭素−炭素多重結合を有すると共に、少なくとも４つの炭素原子を有し、
炭素原子５〜５０の鎖長を有する１以上の炭化水素部の存在が除外され、
使用量が、ゴム（混合物）１００質量部に対して０．１ｐｈｒ〜１０ｐｈｒであることを特徴とするゴムを加硫する方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法によって製造可能な又は製造された加硫ゴム。
【請求項１３】
３以上のシロキサンユニットを有すると共に、少なくとも１つの有機部分Ｒ１を有するポリオルガノシロキサンを含有し、
前記有機部分Ｒ１は１以上の炭素−炭素多重結合を有すると共に、少なくとも４つの炭素原子を有し、
ポリオルガノシロキサンにおいて炭素原子５〜５０の鎖長を有する１以上の炭化水素部の存在が除外され、
ポリオルガノシロキサンは、ゴムの過酸化加硫の添加物として使用され、
ポリオルガノシロキサンの使用量は、ゴム（混合物）１００質量部に対して０．１ｐｈｒ〜１０ｐｈｒである、
ことを特徴とするポリオルガノシロキサンのゴム用加硫化剤。
【請求項１４】
ａ）１以上のゴム、及び
ｂ）１以上のポリオルガノシロキサン、
を含有し、
ポリオルガノシロキサンは、３以上のシロキサンユニットを有し、
ポリオルガノシロキサンは、少なくとも１つの有機部分Ｒ１を有し、
前記有機部分Ｒ１は１以上の炭素−炭素多重結合を有すると共に、少なくとも４つの炭素原子を有し、
ポリオルガノシロキサンにおいて炭素原子５〜５０の鎖長を有する１以上の炭化水素部の存在が除外され、
ポリオルガノシロキサンは、ゴムの過酸化加硫の添加物として使用され、
ポリオルガノシロキサンの使用量は、ゴム（混合物）１００質量部に対して０．１ｐｈｒ〜１０ｐｈｒであることを特徴とするマスターバッチ。
【請求項１５】
ａ）１以上の固体担体材料、及び
ｂ）１以上のポリオルガノシロキサン、
を含有し、
ポリオルガノシロキサンは、３以上のシロキサンユニットを有し、
ポリオルガノシロキサンは、少なくとも１つの有機部分Ｒ１を有し、
前記有機部分Ｒ１は１以上の炭素−炭素多重結合を有すると共に、少なくとも４つの炭素原子を有し、
ポリオルガノシロキサンにおいて炭素原子５〜５０の鎖長を有する１以上の炭化水素部の存在が除外され、
ポリオルガノシロキサンは、ゴムの過酸化加硫の添加物として使用され、
ポリオルガノシロキサンの使用量は、ゴム（混合物）１００質量部に対して０．１ｐｈｒ〜１０ｐｈｒであることを特徴とする混合物（ブレンド）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月28日(2014.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ）  小板状パーライト（パーライト）と、
Ｂ）  効果顔料
とを含む顔料組成物。
【請求項２】
効果顔料が、（ａ）誘電体材料および／または金属層で被覆された小板状基材、金属効果顔料、および小板状の有機顔料から選択される、請求項１に記載の顔料組成物。
【請求項３】
小板状基材が、天然マイカ、合成マイカ、ＳｉＯ2薄片、Ａｌ2Ｏ3薄片、ＴｉＯ2薄片、Ｆｅ2Ｏ3薄片、ＢｉＯＣｌ、ガラス薄片および金属薄片から選択される、請求項２に記載の顔料組成物。
【請求項４】
小板状基材が、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、Ｆｅ3Ｏ4、Ｃｒ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＳｎＯ2から選択される金属酸化物、または前記金属酸化物の混合物の１つまたはそれより多くの層で被覆されている、請求項３に記載の顔料組成物。
【請求項５】
効果顔料が、アルミニウム顔料、（金属）酸化物で被覆されたアルミニウムに基づく顔料、小板状の銅フタロシアニン、小板状の１，９−ジクロロキナクリドン、または小板状の１，９−ジクロロアントラキノンである、請求項２に記載の顔料組成物。
【請求項６】
小板状基材が、高屈折率および低屈折率の少なくとも３層の交互の層で被覆されている、請求項３に記載の顔料組成物。
【請求項７】
効果顔料が以下の層構造：
【表１】
2013518953.tif 000001
を有し、前記ＴＲＡＳＵＢは、天然または合成マイカ、他の層状シリケート、ガラス、Ａｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2からなる群から選択される低屈折率を有する透明基材である、請求項１に記載の顔料組成物。
【請求項８】
パーライトは、１５０μｍ未満且つ５μｍより大きい中央粒径を有する、請求項１から７までのいずれか１項に記載の顔料組成物。
【請求項９】
小板状基材が、１０〜３００μｍ、より好ましくは１０〜１５０μｍの中央粒径を有する、請求項１から７までのいずれか１項に記載の顔料組成物。
【請求項１０】
効果顔料の中央粒径がｘμｍであって、且つ、添加されるパーライトの中央粒径がｘμｍ±２５％である、請求項９に記載の顔料組成物。
【請求項１１】
中央粒径１２〜３０μｍを有する、マイカに基づく顔料と、中央粒径１２〜３０μｍを有するパーライトとを組み合わせる、請求項１から７までのいずれか１項に記載の顔料組成物。
【請求項１２】
塗料、インクジェット印刷における、テキスタイルの染色のための、被覆物、印刷インク、プラスチック、化粧品、セラミックスおよびガラス用上薬を顔料着色するための、請求項１から７までのいずれか１項に記載の顔料組成物の使用。
【請求項１３】
請求項１から７までのいずれか１項に記載の顔料組成物を用いて顔料着色された塗料、印刷インク、プラスチック、化粧品、セラミックスおよびガラス。
【請求項１４】
効果顔料と小板状パーライトとを混ぜ合わせることを含む、請求項１から７までのいずれか１項に記載の顔料組成物の製造方法。
【請求項１５】
物品表面にきらめく外見を付与する方法であって、きらめくコーティング膜を前記表面上に形成することを含み、該きらめくコーティング膜が請求項１から７までのいずれか１項に記載の顔料組成物を含む、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月27日(2014.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
本発明は更に、感光性ポリマー組成物における書込モノマーとしての、式（Ｉ）で示される化合物の使用を提供する。
本発明の好ましい態様は、以下を包含する。
〔１〕マトリックスポリマー、書込モノマーおよび光開始剤を含んでなる感光性ポリマー組成物であって、マトリックスポリマーが、イソシアネート成分ａ）と、一分子当たり平均して少なくとも１．５個のイソシアネート反応性基を有するイソシアネート反応性成分ｂ）との反応によって得ることができるポリウレタンであり、書込モノマーが、式（Ｉ）：
［化１］
2013518952.tif 000001
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６基の少なくとも１つは、Ｘを介して芳香族環に結合した式（ＩＩ）：
［化２］
2013518952.tif 000002
（式（ＩＩ）中、Ａは、場合により酸素または窒素を含有してよい直鎖または分岐ヒドロカルビル鎖であり、Ｒ７は、水素またはメチルである）
で示される基であり、それ以外のＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６基は、それぞれ独立して、水素または有機基である］
で示される芳香族化合物を含んでなることを特徴とする組成物。
〔２〕Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６基の２つまたは３つが、Ｘを介して芳香族環に結合した式（ＩＩ）で示される基であることを特徴とする、上記〔１〕に記載の感光性ポリマー組成物。
〔３〕式（ＩＩ）で示される基が２つ存在するとき、それらは芳香族環のメタ位またはパラ位に結合しており、式（ＩＩ）で示される基が３つ存在するとき、それらはメタ位にそれぞれ結合していることを特徴とする、上記〔２〕に記載の感光性ポリマー組成物。
〔４〕有機基が放射線硬化性基を有することを特徴とする、上記〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載の感光性ポリマー組成物。
〔５〕放射線硬化性基が、アクリレート基またはメタクリレート基であることを特徴とする、上記〔４〕に記載の感光性ポリマー組成物。
〔６〕Ａが、-CH2-CH2-、-CH2-CH2-CH2-、-CH2-CH(CH3)-CH2-または-CH2-CH2-CH2-CH2-であることを特徴とする、上記〔１〕〜〔５〕のいずれかに記載の感光性ポリマー組成物。
〔７〕光開始剤が、アニオン染料、カチオン染料または非荷電染料、および共開始剤を含んでなることを特徴とする、上記〔１〕〜〔６〕のいずれかに記載の感光性ポリマー組成物。
〔８〕可塑剤としてウレタンを更に含んでなることを特徴とする、上記〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載の感光性ポリマー組成物であって、特に、ウレタンが少なくとも１個のフッ素原子で置換されていてよい組成物。
〔９〕ウレタンが、一般式（ＩＩＩ）：
［化３］
2013518952.tif 000003
［式中、ｎは１以上８以下であり、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０は、それぞれ独立して、水素、未置換のまたは場合によりヘテロ原子で置換された、直鎖、分岐、環式または複素環式の有機基であり、好ましくは、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０基の少なくとも１つは、少なくとも１個のフッ素原子で置換されており、より好ましくは、Ｒ８は、少なくとも１個のフッ素原子を有する有機基である］
で示されることを特徴とする、上記〔８〕に記載の感光性ポリマー組成物。
〔１０〕書込モノマーが、特に単官能性アクリレートまたは多官能性アクリレートであってよい、別の単官能性書込モノマーまたは多官能性書込モノマーを更に含んでなることを特徴とする、上記〔１〕〜〔９〕のいずれかに記載の感光性ポリマー組成物。
〔１１〕アクリレートが、一般式（ＩＶ）：
［化４］
2013518952.tif 000004
［式中、ｍは１以上４以下であり、Ｒ１１、Ｒ１２は、それぞれ独立して、水素、未置換のまたは場合によりヘテロ原子で置換された、直鎖、分岐、環式または複素環式の有機基である］
で示されることを特徴とする、上記〔１０〕に記載の感光性ポリマー組成物。
〔１２〕ホログラフィック媒体を製造するため、特にインラインホログラム、オフアクシスホログラム、全開口トランスファーホログラム、白色光透過型ホログラム、デニシュークホログラム、オフアクシス反射型ホログラム、エッジリットホログラムおよびホログラム立体画像を製造するための、上記〔１〕〜〔１１〕のいずれかに記載の感光性ポリマー組成物の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリックスポリマー、書込モノマーおよび光開始剤を含んでなる感光性ポリマー組成物であって、マトリックスポリマーが、イソシアネート成分ａ）と、一分子当たり平均して少なくとも１．５個のイソシアネート反応性基を有するイソシアネート反応性成分ｂ）との反応によって得ることができるポリウレタンであり、書込モノマーが、式（Ｉ）：
【化１】
2013518952.tif 000005
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６基の少なくとも１つは、Ｘを介して芳香族環に結合した式（ＩＩ）：
【化２】
2013518952.tif 000006
（式（ＩＩ）中、Ａは、場合により酸素または窒素を含有してよい直鎖または分岐ヒドロカルビル鎖であり、Ｒ７は、水素またはメチルである）
で示される基であり、それ以外のＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６基は、それぞれ独立して、水素または有機基である］
で示される芳香族化合物を含んでなることを特徴とする組成物。
【請求項２】
ホログラフィック媒体を製造するため、特にインラインホログラム、オフアクシスホログラム、全開口トランスファーホログラム、白色光透過型ホログラム、デニシュークホログラム、オフアクシス反射型ホログラム、エッジリットホログラムおよびホログラム立体画像を製造するための、請求項１に記載の感光性ポリマー組成物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月21日(2013.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビデオ処理の方法であって、
受信したビデオ信号からビデオのパッチを抽出するステップと、
前記パッチをグループにクラスタ化するステップであって、
各データポイントとクラスタ中心との間の距離が最小であるクラスタを見つけ、
前記最小距離を閾値と比較し、前記閾値より大きければ前記データポイントを拒絶し、前記閾値より大きくなければ前記データポイントを前記クラスタに割り当て、
すべてのデータポイントが割り当てられた後、前記クラスタに割り当てられたデータポイントの平均を再計算して、各クラスタの更新された中心を決定することにより前記クラスタ化を行うステップと、
元のビデオをダウンサイズするステップと、
前記グループの代表的パッチをパッチフレームにパッケージングするステップと、
前記ダウンサイズした元のビデオを、前記パッチフレームと共に、デコーダに送信するステップとを有する、方法。
【請求項２】
前記パッチフレームのデータを、前記受信したビデオ信号に連結するステップをさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記連結するステップは、通常フレームのデータを前記パッチフレームのデータに組み入れることにより行う、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
抽出するステップを前記ビデオの特徴に基づき行う、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記パッチフレームはブロックに分割することによりダウンサイズされる、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記パッチフレームはスタガリングサンプリングを用いることによりダウンサイズされる、
請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記パッチフレームにおけるパッチの位置を、空間的及び時間的に平滑化するように、最適化する、請求項２に記載の方法。
【請求項８】
ビデオ処理装置であって、
受信したビデオ信号からビデオのパッチを抽出して、前記パッチをグループにクラスタ化する手段であって、
各データポイントとクラスタ中心との間の距離が最小であるクラスタを見つけ、
前記最小距離を閾値と比較し、前記閾値より大きければ前記データポイントを拒絶し、前記閾値より大きくなければ前記データポイントを前記クラスタに割り当て、
すべてのデータポイントが割り当てられた後、前記クラスタに割り当てられたデータポイントの平均を再計算して、各クラスタの更新された中心を決定することにより前記クラスタ化を行う手段と、
前記受信したビデオ信号のサイズを小さくするダウンサイズ器と、
前記グループの代表的パッチをパッチフレームにパッケージングする回路と、
前記パッチフレームとダウンサイズされたビデオ信号とをデコーダに送信する回路とを有する、装置。
【請求項９】
ビデオ信号処理の方法であって、
パッチフレームからビデオのパッチを抽出するステップと、
抽出したパッチからパッチライブラリを生成するステップであって、前記抽出されたパッチに、対応するパッチの高周波の詳細のレベルを示すフラグを付加するステップを有し、前記フラグはサイズが小さいパッチをアップサンプリングして補間し、前記サイズ変更したパッチとそれに対応する元のパッチとの間の距離を所定閾値と比較することにより生成される、ステップと、
ビデオの通常フレームのサイズを大きくするステップと、
サイズを大きくした通常ビデオフレームの低解像度のビデオ部分を、前記低解像度部分をキーワードとして用いて前記パッチライブラリからサーチしたパッチで置き換えるステップと、
その結果得られたビデオに後処理を行うステップと、を有する方法。
【請求項１０】
抽出はブロックベースで行われる、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
パッチライブラリを生成するステップは、さらに、前記抽出されたパッチのサイズを小さくするステップを有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記置き換えるステップにおけるサーチは、バイナリツリーサーチを用いて行われる、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記置き換えるステップで前記フラグを用いて、パッチを前記パッチライブラリのものと置き換えるか決定する、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記置き換えるステップは、コスト関数の最小化に基づく、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記コスト関数は空間的及び時間的な平滑性に基づく、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
ビデオ処理装置であって、
パッチフレームからビデオのパッチを抽出し、抽出したパッチからパッチライブラリを生成する手段であって、前記抽出されたパッチに、対応するパッチの高周波の詳細のレベルを示すフラグを付加し、前記フラグはサイズが小さいパッチをアップサンプリングして補間し、前記サイズ変更したパッチとそれに対応する元のパッチとの間の距離を所定閾値と比較することにより生成される、手段と、
通常のビデオフレームのサイズを大きくするリサイズ回路と、
通常のビデオフレームの低解像のビデオ部分をキーワードとして用いて、前記パッチライブラリをサーチするパッチサーチ回路と、
サイズを大きくした通常ビデオフレームの低解像度のビデオ部分を、前記パッチライブラリからサーチしたパッチで置き換えるパッチ置き換え回路と、
前記パッチ置き換え回路からのビデオに後処理を行うポストプロセッサとを有する、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月16日(2014.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エピタキシャルな裏面を有する感光性のシリコン基板（３０）であって、波長依存の干渉縞振幅を含む透過強度を有しているシリコン基板（３０）と、前記シリコン基板（３０）の裏面の頂部に耐火金属酸化物またはフッ化物誘電体の層状連続体を含む反射防止構造（４０）とを備える裏面照射型固体撮像センサにおいて、
前記反射防止構造（４０）は、ピーク干渉縞振幅の波長で前記シリコン基板（３０）の裏面から反射される光の量を最小にするように設計されていることを特徴とする裏面照射型固体撮像センサ。
【請求項２】
請求項１記載の裏面照射型固体撮像センサにおいて、
前記センサは、ＣＭＯＳセンサおよびＣＣＤセンサからなる群より選択されることを特徴とする裏面照射型固体撮像センサ。
【請求項３】
請求項２記載の裏面照射型固体撮像センサにおいて、
感光性のシリコン基板（３０）は、１０〜３００μｍの範囲の厚さを有することを特徴とする裏面照射型固体撮像センサ。
【請求項４】
請求項１記載の裏面照射型固体撮像センサにおいて、
前記耐火金属酸化物およびフッ化物誘電体もしくはそれらうちの一方の層状連続体は、ＨｆＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＬａＦ３、ＡｌＦ３およびＤｙＦ３からなる群に含まれることを特徴とする裏面照射型固体撮像センサ。
【請求項５】
請求項１記載の裏面照射型固体撮像センサにおいて、
前記耐火金属酸化物またはフッ化物誘電体の層状連続体は、個々の層厚さが２〜３００ｎｍであるか、或いは、前記耐火金属酸化物およびフッ化物誘電体もしくはそれらのうちの一方の層状連続体は、反射率が前記ピーク干渉縞振幅を中心とする波長に対し１％以下でかつ４００〜１１００ｎｍの範囲の波長に対し１１％未満となるように追加されて連続体の厚さが決定されることを特徴とする裏面照射型固体撮像センサ。
【請求項６】
請求項１記載の裏面照射型固体撮像センサは、更に、
テトラフェニルブタジエン（ＴＰＢ）またはナフタルイミド（Ｌｕｍｏｇｅｎ（登録商標））からなる群の波長シフト発光体膜を備えることを特徴とする裏面照射型固体撮像センサ。
【請求項７】
請求項６記載の裏面照射型固体撮像センサにおいて、
前記波長シフト発光体は、３００−５００ｎｍの層厚さを有することを特徴とする裏面照射型固体撮像センサ。
【請求項８】
請求項１記載の裏面照射型固体撮像センサにおいて、
前記センサは、ＥＭ−ＣＣＤであることを特徴とする裏面照射型固体撮像センサ。
【請求項９】
請求項８記載の裏面照射型固体撮像センサにおいて、
感光性のシリコン基板（３０）は、８〜５０μｍの範囲の厚さを有し、
前記裏面は、既存絶縁誘電体層を有するか、或いは
前記裏面は、前記撮像センサの感光領域の頂部において誘電絶縁層の副領域を覆うように配置されたアルミニウム被覆マスクを有していることを特徴とする裏面照射型固体撮像センサ。
【請求項１０】
ＣＣＤ、ＣＭＯＳまたはＥＭ−ＣＣＤからなる群の撮像センサを提供するステップであって、前記撮像センサは、感光性のシリコン基板（３０）を有し、前記シリコン基板（３０）は、波長依存の干渉縞振幅を含む透過強度を有しているステップと、
前記撮像センサに、シリコン基板（３０）のエピタキシャルな裏面を提供するステップと、
前記シリコン基板（３０）の裏面の頂部に、耐火金属酸化物およびフッ化物誘電体もしくはそれらのうち一方の層状連続体を含む反射防止構造（４０）を形成するステップとを備える裏面照射型固体撮像センサの製造方法において、
前記反射防止構造（４０）は、ピーク干渉縞振幅の波長で前記シリコン基板（３０）の裏面から反射される光の量を最小にするように設計されていることを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の方法は、更に、
前記層状連続体の頂部にテトラフェニルブタジエン（ＴＰＢ）またはナフタルイミド（Ｌｕｍｏｇｅｎ（登録商標））からなる群の波長シフト発光体膜を形成するステップを備える方法。
【請求項１２】
請求項１０記載の方法において、
前記耐火金属酸化物およびフッ化物誘電体もしくはそれらのうちの一方の層状連続体は、ＨｆＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＬａＦ３、ＡｌＦ３およびＤｙＦ３からなる群に含まれることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１０記載の方法において、
前記裏面は、既存絶縁誘電体層を有するか、或いは、
前記耐火金属酸化物およびフッ化物誘電体もしくはそれらのうちの一方の層状連続体は、ＨｆＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＬａＦ３、ＡｌＦ３およびＤｙＦ３からなる群に含まれ、
前記耐火金属酸化物およびフッ化物誘電体もしくはそれらのうちの一方の層状連続体は、２〜３００ｎｍの個々の層厚さを有するか、或いは、
前記耐火金属酸化物およびフッ化物誘電体もしくはそれらのうちの一方の層状連続体は、反射率がピーク干渉縞振幅を中心とする波長に対し１％以下でかつ４００〜１１００ｎｍの範囲の波長に対し１１％未満となるように追加されて連続体の厚さが決定されることを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１０記載の方法は、更に、
前記撮像センサの感光領域の頂部において誘電絶縁層の副領域を覆うようにアルミニウム被覆マスクを配置するステップを備える方法。
【請求項１５】
請求項１１記載の方法において、
前記波長シフト発光体は、３００−５００ｎｍの層厚さを有することを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【特許文献１】米国特許第５，２７１，６１４号明細書
【特許文献２】米国特許第６，０２５，５８５号明細書
【特許文献３】米国特許第７，１９６，３１４号明細書
【特許文献４】米国特許第７，７５０，２８０号明細書
【特許文献５】米国特許出願公開第２００７／２１０３９５Ａ１
【特許文献６】国際公開公報ＷＯ０１／０３２０５Ａ１
【特許文献７】国際公開公報ＷＯ０１／８２３８１Ａ１
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は、裏面照射型撮像センサ及びその製造方法を改良することを目的とする。本発明の目的は、独立請求項に記載の特徴を含む撮像センサ及び方法により解決される。本発明の好ましい実施形態は、従属請求項により定義される。
本発明の実施形態は、ＵＶ−ＮＩＲスペクトルに亘り高い素子ＱＥを保持しながらＮＩＲスペクトルに亘るエタロニングを最小にするように、固体撮像センサの感光領域の頂部に物理蒸着法により成膜される層状の誘電性耐火金属酸化物および金属フッ化物もしくはそれらのうちの一方の反射防止構造を採用する固体撮像センサを提供することによって、前述したニーズに対応するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月6日(2014.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１列に位置決めされ、それぞれが光電子デバイスを囲み、かつ少なくとも１つの隣接パッケージと重なる複数のパッケージを含む配列であって、
各パッケージが、電気活性エリアを画定するエッジシールゾーンを含み、
前記エッジシールゾーンの少なくとも一部分が透明であり、
各列における第１のパッケージの前記電気活性エリアには、隣接するパッケージの前記エッジシールゾーンの前記透明部分が重なり、
各列における前記第１のパッケージ以外の各パッケージの前記エッジシールゾーンの前記透明部分が、隣接するパッケージの前記電気活性エリアに重なり、
各パッケージの前記エッジシールゾーンの一部分が不透明であり、
前記列における各パッケージの前記電気活性エリアが、隣接するパッケージの前記エッジシールゾーンの前記不透明部分に重なり、
前記エッジシールゾーンの前記不透明部分が、前記光電子デバイスのアノードおよびカソードを複数の端子を介して外部電源に接続するように構成されている導電性層を含み、
前記カソードおよび前記アノードが、前記エッジシールゾーンの不透明部分を通って延びる、
配列。
【請求項２】
少なくとも１列に位置決めされ、それぞれが光電子デバイスを囲み、かつ少なくとも１つの隣接パッケージと重なる複数のパッケージを含む配列であって、
各パッケージが、電気活性エリアを画定するエッジシールゾーンを含み、
前記エッジシールゾーンの少なくとも一部分が透明であり、
各列における第１のパッケージの前記電気活性エリアには、隣接するパッケージの前記エッジシールゾーンの前記透明部分が重なり、
各列における前記第１のパッケージ以外の各パッケージの前記エッジシールゾーンの前記透明部分が、隣接するパッケージの前記電気活性エリアに重なり、
各パッケージの前記エッジシールゾーンの一部分が不透明であり、
前記列における各パッケージの前記電気活性エリアが、隣接するパッケージの前記エッジシールゾーンの前記不透明部分に重なり、
前記エッジシールゾーンの前記不透明部分が、前記光電子デバイスのアノードおよびカソードを複数の端子を介して外部電源に接続するように構成されている導電性層を含み、
前記導電性層が、前記アノード上に直接配置されている、
配列。
【請求項３】
前記複数のパッケージのそれぞれが、単一のピクセルを含む、請求項１または２に記載の配列。
【請求項４】
前記複数のパッケージが、連続する光放出エリアを形成するように構成されている、請求項１または２に記載の配列。
【請求項５】
各パッケージの前記エッジシールゾーンの前記不透明部分のエッジが、線状に位置合わせされている、請求項１または２に記載の配列。
【請求項６】
前記エッジが、線状バスに沿って配置され、それに接続されるように構成されている、請求項５に記載の配列。
【請求項７】
各パッケージの前記エッジシールゾーンの前記不透明部分のエッジが、平行に位置合わせされている、請求項１または２に記載の配列。
【請求項８】
前記複数のパッケージが、少なくとも２列に配列され、
第１の列における各パッケージの前記エッジシールゾーンの前記透明部分が、前記第１の隣接するパッケージの前記電気活性エリアと、第２の列における隣接するパッケージの前記電気活性エリアとに重なる、
請求項１または２に記載の配列。
【請求項９】
前記第１の列における各パッケージの前記電気活性エリアが、前記第２の列における隣接するパッケージの前記エッジシールゾーンの前記不透明部分に重なる、請求項８に記載の配列。
【請求項１０】
前記導電性層が、前記アノード上に直接配置されている、請求項１に記載の配列。
【請求項１１】
前記エッジシールゾーンの前記不透明部分における前記アノードと前記導電性層との間に配置され、前記アノードを前記カソードから電気的に絶縁するように構成されている電気的絶縁層をさらに含む、請求項１または２に記載の配列。
【請求項１２】
各光電子デバイスがＯＬＥＤである、請求項１または２に記載の配列。
【請求項１３】
前記カソードおよび前記アノードが、前記エッジシールゾーンの不透明部分を通って延びる、請求項２に記載の配列。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月24日(2014.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
第１の暗いゾーンおよび第２の暗いゾーンは、同じ機能（鏡であるか、透明であるか、半透明であるか、または装飾されている。）を有していてもよく、とくに同一の手段を備えていてもよいし、異なる機能を有していてもよい。
−  一方は鏡であってもよく、他方は、透明である、および／または半透明である、および／または装飾されていてもよい。または、
−  一方は透明であってもよく、他方は、半透明である、および／または装飾されていてもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
第１および第２の主面（１１，１２）を備え、無機もしくは有機ガラスで作製された第１の平らなガラス要素（１）、および
第３の面（１３）と呼ばれ、前記第１の面と対向して配置された主面と第４の面（１４）と呼ばれる別の主面とを備え、無機もしくは有機ガラスで作製された第２の平らなガラス要素（１’）を含む発光多重ガラスユニット（１００，２００，３００，３１０，４００，５００，６００，７００）であって、
前記第１および第２のガラス要素は相互に間隔を開けてしっかりと固定され、
前記ガラスユニットは、
とくに真空に引かれているかまたはガスで充填されている、少なくとも前記第１および第３の面の間に設けられた内部空間（２０）、
上記第１および第２のガラス要素を分離し、前記ガラスユニットの外周に設けられたスペーサ（２）、および
前記内部空間の中に配置され、１つもしくは２つ以上の取付部（３０）に搭載された発光ダイオードの少なくとも１つのグループをさらに含み、
前記グループの前記ダイオード（３）は、前記第１の面（１１）と実質的に平行である所与の主要発光方向をそれぞれ有し、
前記ガラスユニットは、
前記ダイオードのグループ（５）によって発光された光を反射し、前記内部空間の中に前記ガラスユニットと固定された部分を含む反射器（５）、および
第１のガラス要素と関連する第１の発光ゾーンをさらに含み、
前記光は、ダイオードの前記グループから生じ、
第１の構成では、
前記反射器（５）の前記部分は、前記第１の面に対して傾斜角度をなす中央反射領域（５０）を有し、
この反射領域は、第１の位置で反射することができ、
前記反射器（５）の前記部分は、所望により側方反射領域（５３，５１’，５３’）を備え、
前記ダイオードのグループのいわゆる中央光線は、前記主要発光方向を含み、前記ダイオードの前記グループによって発光された全光束の少なくとも３０％を形成し、
これらの中央光線は、前記第１の発光ゾーンで反射され、
前記第１の発光ゾーンは、光を散乱させるための第１の手段（１１’）を備え、
前記第１の手段は前記中央光線を受光し、
または第２の構成では、
前記反射器（５）の前記部分は、二重像中央反射領域（５０，５１，５２）を有するビームスプリッタを形成し、
前記二重像中央反射領域は、
前記第１の中央光線を受光する、前記光を散乱させるための第１の手段（１１’）を、備えた前記第１の発光ゾーンで、ダイオードの前記グループからの第１の中央光線を反射できる、前記第１の面に対して傾斜角度をなす第１の中央領域（５１）、および
前記第２の中央光線を受光する、光を散乱させるための第２の手段（１３’）を、備えた、前記第２のガラス要素と関連する前記第２の発光ゾーンで、ダイオードの前記グループからの第２の中央光線を反射できる、前記第３の面に対して傾斜角度をなす第２の中央領域（５２）からなり、
前記第１および第２の中央領域は、実質的に隣接しており、
前記第１および第２の中央光線は、主要発光方向を含み、前記グループの前記ダイオードからの全光束の少なくとも３０％を形成することを特徴とする発光多重ガラスユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月9日(2013.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シングルフォトンカウンティングピクセル検出回路であって、前記検出回路は、
ａ）感光性材料層と、
ｂ）前記感光性材料層に配置されたＮ×Ｍ個の光検出ダイオードのアレイであって、前記光検出ダイオードの各々は、ダイオード出力インタフェースを有するアレイと、
ｃ）Ｎ×Ｍ個の読出ユニットセルのアレイであって、１つの読出ユニットセルは１つの光検出ダイオード用であるアレイと、
を具え、
ｄ）前記読出ユニットセルは、
ｄ１）前記ダイオード出力インタフェースに接続された入力インタフェースと、高利得電圧増幅手段と、前記高利得電圧増幅手段の出力に接続されたピクセルカウンタと、を具え、
ｄ２）前記ピクセルカウンタは、第１の数のニブルカウンタに分割され、各ニブルカウンタは、個別の数のビットを有し、各ビット用にベーシックカウンタセルが設けられ、前記ベーシックカウンタセルは、カウンティングエレメントと、スイッチと、一時記憶素子と、出力段と、を具え、前記ベーシックカウンタセルはカスケード接続されており、
ｅ）前記検出回路はサイドシフトレジスタをさらに具え、前記サイドシフトレジスタは、前記ニブルカウンタをロー方向に所定数の選択されたニブルローで読み出し、前記選択されたニブルローの一時記憶素子に記憶されたデータは、並列バス上で電流として送信され、並列バスレシーバによってデジタルレベルに変換される、
ことを特徴とするシングルフォトンカウンティングピクセル検出回路。
【請求項２】
前記一時記憶素子は、キャパシタアレイとして実装され、
前記キャパシタアレイは、前記ピクセルカウンタの上部に物理的に配置されている、
請求項１に記載のシングルフォトンカウンティングピクセル検出回路。
【請求項３】
所定数のピクセルのカラムは、スーパーカラムを形成するためにグループ化され、
各スーパーカラムは互いに独立しているので、読み出しは、結果として生じたスーパーカラムの数で並列に実行される、
請求項１または２に記載のシングルフォトンカウンティングピクセル検出回路。
【請求項４】
前記バスレシーバの出力は、スーパーカラムごとに、受信するラッチ内に記憶され、スーパーカラムの読出速度に比べて速い速度でシリアル化される、
請求項１〜３のいずれか１項に記載のシングルフォトンカウンティングピクセル検出回路。
【請求項５】
前記読出ユニットセルの前記アレイは、Ｐ型トランジスタおよびＮ型トランジスタを、他のトランジスタと共有されていない別個の基板上に設けるトリプルウェル設計で構成されている、
請求項１〜４のいずれか１項に記載のシングルフォトンカウンティングピクセル検出回路。
【請求項６】
３つの基板領域は、４つの別個のパワードメインに対応し、
電荷増幅トランジスタおよび入出力ドライバは、２つの完全に別個の基板領域およびパワードメインに配置されている、
請求項５に記載のシングルフォトンカウンティングピクセル検出回路。
【請求項７】
アナログピクセル領域を横切るデジタル信号線はシールドされ、
前記デジタル信号線に対応するドライバはスターブされる、
請求項１〜６のいずれか１項に記載のシングルフォトンカウンティングピクセル検出回路。
【請求項８】
ＬＶＤＳ信号は、マスタークロック用に用いられる、
請求項１〜７のいずれか１項に記載のシングルフォトンカウンティングピクセル検出回路。
【請求項９】
ピクセルカウンタのリセット信号、ストア信号およびエクスポーズ信号を含むグローバル信号は、クロストークを回避するように生成され、
前記ピクセルカウンタのリセット信号、ストア信号およびエクスポーズ信号は、汎用信号として生成され、
前記リセット信号は、カラムベース上で分配され、所定数のローの後更新され、
前記ストア信号は、全ビットの内容を前記ぞれぞれの一時記憶素子にコピーするための追加の消費電力を発生させ、前記スイッチを流れる最大電流を制限するために前記スイッチにバイアスをかけ、
前記エクスポーズ信号は、比較器の次のＡＮＤゲートでのスイッチング中にＶＤＤからグラウンドに流れる短絡回路電流による高いピーク電流を発生させ、
前記検出回路の周辺に設けた回路は、結果として生ずるイネーブル信号から、前記読出ユニットセルのＰ側とＮ側を異なるタイムウィンドウで駆動する２フェーズ信号を生成する、
請求項１〜８のいずれか１項に記載のシングルフォトンカウンティングピクセル検出回路。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年12月3日(2013.12.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
その後、論理ユニット４３２は、ＢＴ信号のＲＳＳＩが、選択された組のスレショルド中のＢＴスレショルドより大きいか確認することにより、ＢＴ信号の信号品質を判断する（ステップＳ７０４）。つまり、選択された組のスレショルドが図８Ａに示される一組のスレショルドである場合、論理ユニット４３２はＢＴ信号のＲＳＳＩとＴ１を比較し、選択された組のスレショルドが図８Ｂに示される一組のスレショルドの場合、論理ユニット４３２は、ＢＴ信号のＲＳＳＩとＴ１’を比較する。ステップＳ７０４の条件を満たす場合には、論理ユニット４３２は、ＷＬＡＮ信号のＲＳＳＩが、選択された組のスレショルド中の第一ＷＬＡＮスレショルドより大きいかを確認することにより、ＷＬＡＮ信号の信号品質を判断する（ステップＳ７０５）。つまり、選択された組のスレショルドが、図８Ａに示される一組のスレショルドである場合、論理ユニット４３２は、ＷＬＡＮ信号のＲＳＳＩとＴ２を比較する。選択された組のスレショルドが、図８Ｂに示される一組のスレショルドである場合、論理ユニット４３２は、ＷＬＡＮ信号のＲＳＳＩとＴ２’を比較する。ＷＬＡＮ信号のＲＳＳＩが、選択された組のスレショルド中の第一ＷＬＡＮスレショルドより大きい場合、論理ユニット４３２は、直通経路と結合経路を、それぞれ、ＢＴモジュール４２０とＷＬＡＮモジュール４１０に割り当てる（ステップＳ７０６）。そうでなければ、論理ユニット４３２は、直通経路と結合経路を、ＷＬＡＮモジュール４１０とＢＴモジュール４２０にそれぞれ割り当てる（ステップＳ７０７）。ステップＳ７０４の条件を満たさない場合には、論理ユニット４３２は、ＷＬＡＮ信号のＲＳＳＩが選択された組のスレショルド中の第２ＷＬＡＮスレショルドより大きいか確認することにより、ＷＬＡＮ信号の信号品質を判断する（ステップＳ７０８）。つまり、選択された組のスレショルドが、図８Ａに示される一組のスレショルドである場合、論理ユニット４３２は、ＷＬＡＮ信号のＲＳＳＩとＴ３を比較し、選択された組のスレショルドが、図８Ｂに示される一組のスレショルドである場合、論理ユニット４３２は、ＷＬＡＮ信号のＲＳＳＩとＴ３’を比較する。ＷＬＡＮ信号のＲＳＳＩが、選択された組のスレショルド中の第２ＷＬＡＮスレショルドより大きい場合、論理ユニット４３２は、直通経路と結合経路を、それぞれ、ＢＴモジュール４２０とＷＬＡＮモジュール４１０に割り当てる（ステップＳ７０９）。そうでなければ、論理ユニット４３２は、更に、ＷＬＡＮモジュール４１０とＢＴモジュール４２０間の調整により、直通経路と結合経路を、ＢＴモジュール４２０とＷＬＡＮモジュール４１０にそれぞれ割り当てる（ステップＳ７１０）。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図７】
2013518485.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月24日(2014.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともパネルの表面を洗浄するための自己洗浄式デバイスを含んでなる、ソーラーパネルなどのパネルであって、該洗浄デバイスが、電子手段によって発生したパルス状の静電ＤＣ場を印加するように設定された、少なくとも導電性コーティング（１，６）を含んでなる、上記パネル。
【請求項２】
少なくとも高透明非導電性樹脂（２）の層を含む、請求項１に記載のパネル。
【請求項３】
複合材料（４）から作られたバック・シートを含む、請求項１又は２に記載のパネル。
【請求項４】
熱放散のために金属から作られた、又は高剛性と軽量の裏打ちのために他の材料から作られた、ハニカム裏打ち（７）を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載のパネル。
【請求項５】
高反射性の放物面又は半円筒型の鏡又は集光器（９）を含む、請求項１又は２に記載のパネル。
【請求項６】
ガラス表面を備えたサーマルソーラーパネルを含む、請求項１又は２に記載のパネル。
【請求項７】
風よけ、窓、又はファサード（１１）のために使用されるガラス板を含む、請求項１又は２に記載のパネル。
【請求項８】
洗浄デバイスをモニタリングし、運転するための検知器を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載のパネル。
【請求項９】
検知器が、自動運転のための、光度、温度、湿度、及び他のものを含む、請求項８に記載のパネル。
【請求項１０】
断熱のための、非常に高真空下で気密に密閉された上部ガラス表面を備えたチャンバ（１２）を含み、ソーラー・セル（３）が最下層上に位置している、請求項１に記載のパネル。
【請求項１１】
付加的な超音波を発生させるための付加的圧電素子（１３）を含む、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のパネル。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の少なくとも１つのパネルを含んでなる装置。
【請求項１３】
パルス状の静電ＤＣ場を使用する洗浄デバイスを用いた、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のパネル又は請求項１２に記載の装置を洗浄するための方法。
【請求項１４】
湿気と混ざった砂とチリを除去するための表面上に超音波を作り出す圧電素子を用いた、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のパネル又は請求項１２に記載の装置の付加的な洗浄をするための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月22日(2014.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法であって、
半導体装置内に緩和された層を形成することと、
前記緩和された層の上に引張り応力を有する引張り層を形成することと、
前記緩和された層の上に圧縮応力を有する圧縮層を形成することと、
を含み、
前記圧縮層が、前記緩和された層と引張り層と圧縮層との自発的な分極とおおよそ等しいかそれよりも大きい圧電性の分極を有する、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記緩和された層が窒化ガリウムを含み、
前記引張り層が窒化アルミニウムガリウムを含み、
前記圧縮層が窒化アルミニウムインジウムガリウムを含む、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、
窒化アルミニウムインジウムガリウムが０．２０と０．２５の間のインジウムのモル比率を有する、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記圧縮層の前記圧電性の分極が前記圧縮層の自発的な分極と反対方向である、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記圧縮層を形成することが前記引張り層の上に前記圧縮層を形成することを含む、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記引張り層を形成することが前記圧縮層の隣に前記引張り層を形成することを含む、方法。
【請求項７】
方法であって、
半導体装置内に緩和された層を形成することと、
前記緩和された層の上に引張り応力を有する引張り層を形成することと、
前記緩和された層の上に圧縮応力を有する圧縮層を形成することであって、前記圧縮層が、前記緩和された層と引張り層と圧縮層との自発的な分極とおおよそ等しいかそれよりも大きい圧電性の分極を有する、前記形成することと、
少なくとも前記引張り層内にソースおよびドレイン領域を形成することと、
前記圧縮層の上にゲートを形成することと、
を含む、方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、
前記緩和された層が窒化ガリウムを含み、
前記引張り層が窒化アルミニウムガリウムを含み、
前記圧縮層が窒化アルミニウムインジウムガリウムを含む、方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、
窒化アルミニウムインジウムガリウムが０．２０と０．２５の間のインジウムのモル比率を有する、方法。
【請求項１０】
請求項７に記載の方法であって、
前記圧縮層を形成することが前記引張り層上に前記圧縮層を形成することを含む、方法。
【請求項１１】
請求項７に記載の方法であって、
前記引張り層を形成することが前記圧縮層の隣に前記引張り層を形成することを含む、方法。
【請求項１２】
方法であって、
基板の上にバッファ層を形成することと、
前記バッファ層の上に窒化ガリウムを含む緩和された層を形成することと、
前記緩和された層の上に窒化アルミニウムガリウムを含む引張り層を形成することであって、前記引張り層が引張り応力を有する、前記形成することと、
前記緩和された層の上に窒化アルミニウムインジウムガリウムを含む圧縮層を形成することであって、前記圧縮層が圧縮応力を有し、前記窒化アルミニウムインジウムガリウムが０．２０と０．２５の間のインジウムのモル比率を有する、前記形成することと、
少なくとも前記引張り層内にソース及びドレイン領域を形成することと、
前記圧縮層の上にゲートを形成することと、
を含む、方法。
【請求項１３】
半導体基板の上の緩和された層と、
前記緩和された層の上の引張り応力を有する引張り層と、
前記緩和された層の上の圧縮応力を有する圧縮層と、
を含み、
前記圧縮層が、前記緩和された層と引張り層と圧縮層との自発的な分極とおおよそ等しいかそれよりも大きい圧電性の分極を有する、装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の装置であって、
前記緩和された層が窒化ガリウムを含み、
前記引張り層が窒化アルミニウムガリウムを含み、
前記圧縮層が窒化アルミニウムインジウムガリウムを含む、装置。
【請求項１５】
請求項１３に記載の装置であって、
前記圧縮層の前記圧電性の分極が前記圧縮層の自発的な分極と反対方向である、装置。
【請求項１６】
請求項１３に記載の装置であって、
前記圧縮層が前記引張り層の上にある、装置。
【請求項１７】
請求項１３に記載の装置であって、
前記引張り層が前記圧縮層の隣である、装置。
【請求項１８】
請求項１３に記載の装置であって、
少なくとも前記引張り層内のソースおよびドレイン領域と、
前記圧縮層の上のゲートと、
を更に含む、装置。
【請求項１９】
請求項１３に記載の装置であって、
前記基板の上のバッファ層を更に含み、
前記緩和された層が前記バッファ層の上にある、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月26日(2013.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の固化重合性材料を除去する方法であって、
（ａ）基板の少なくとも一部の上にパターンの特徴と残留層を有するパターン化層を形成するステップと、
（ｂ）真空紫外（ＶＵＶ）放射線源を提供するステップと、
（ｃ）前記残留層を有する前記基板の少なくとも一部が前記真空紫外（ＶＵＶ）放射線源と位置合わせされるように前記基板を位置決めするステップと、
（ｄ）前記基板の少なくとも一部と前記真空紫外（ＶＵＶ）放射線源との間に酸素が２１％未満のガス組成物を提供するステップと、
（ｅ）前記ガス組成物の存在下で、前記基板を前記真空紫外（ＶＵＶ）放射線で照射し、パターンの特徴の質を保つ間前記基板の一部から前記残留層を除去するステップと、を含む方法。
【請求項２】
前記真空紫外（ＶＵＶ）放射線源が、露出アパーチャを有するチャンバ内に密閉され、前記基板の位置決めステップが、前記基板部分を前記露出アパーチャと位置合わせして位置決めするステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ガス組成物を前記チャンバに提供するステップを更に含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記真空紫外（ＶＵＶ）放射線が１４０〜１９０ｎｍの波長で提供される、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記真空紫外（ＶＵＶ）放射線が、ピーク強度が約１７２ｎｍでスペクトルバンド幅が約１５ｎｍＦＷＨＭで提供される、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記提供されるガス組成物が１０％未満の酸素を含有する、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記提供されるガス組成物が５％未満の酸素を含有する、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記提供されるガス組成物は２％未満の酸素の窒素濃縮環境を含む、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
ハードマスク層又は基板上にパターンを転写する方法であって、
（ａ）前記ハードマスク上に形成される前記パターンの基板上にハードマスクを形成するステップと、
（ｂ）バッチ処理ステップを用いて前記パターンを前記ハードマスクに転写し、前記ハードマスクの一部分を除去するステップと、を含む請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記バッチ処理ステップがフッ化水素酸を用いる、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記パターン化層を除去するステップを更に含む、請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
バッチ処理ステップを用いて前記パターンを前記基板に転写し、前記基板の一部を除去するステップを更に含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記バッチ処理ステップが、前記基板を選択的にエッチングする、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板がケイ素であり、前記ハードマスクが酸化ケイ素であり、前記バッチ処理ステップにおいて水酸化カリウムが使用される、請求項１３に記載の方法。