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【手続補正書】
【提出日】平成26年5月8日(2014.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大容量の試料の非破壊式元素分析方法であって、
試料に速い中性子をパルス形態で照射し、
試料から放出されるガンマ線を測定し、
試料内に含まれる一つの元素の量を、背景放射信号を除去した後の、その元素が計数率対エネルギーのグラフに生じさせる光電ピークの面積から求める、
方法において、
試料の場所に関する中性子フラックスを計測するために、組成が既知である、試料の部分領域から放出されるガンマ線を求め、その部分領域として、試料の金属製の被覆部を選定し、試料を軸の周りに回転させて、その回転角に応じたガンマ線を測定することを特徴とする方法。
【請求項２】
当該の回転角に対するガンマ線の依存度から、試料内の元素の回転軸に対して相対的な半径方向の分布を求めることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
当該の元素の有効光電ピークを計測するために、その元素から構成される遮蔽された点光源として試料を近似することを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
当該の試料の近似のために、試料内の元素の回転軸に対して相対的な半径方向の予め決定された分布を用いることを特徴とする請求項１から３までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項５】
試料内に含まれるガンマ線を遮蔽する構造を仮定して、当該の光電ピーク面積を計算し、その仮定の有効性の尺度として、前記の面積と測定結果から得られた面積との比較結果を求めることを特徴とする請求項１から４までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項６】
当該の計算した光電ピーク面積と測定結果から得られた光電ピーク面積との間の偏差のχ二乗テストによって、当該の仮定の有効性を求めることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
試料内に含まれるガンマ線を遮蔽する構造の作用に関するパラメータ設定式に基づき、当該の光電ピーク面積を計算し、そのパラメータを変化させることによって、特に、χ二乗法に基づき、前記の面積と測定結果から得られた面積との偏差を最小化することを特徴とする請求項１から６までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項８】
当該のガンマ線を遮蔽する構造のパラメータの限定又は決定のために、事前に実施した定性的な元素分析からの知見を用いることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
当該の仮定又はパラメータ設定式において、試料内の調査すべき元素の異なるガンマ線によって生じる、光電ピーク面積の期待される比率を考慮することを特徴とする請求項５から８までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項１０】
試料を回転させて、試料内に局所的に集まっている元素の位置に関する仮定に基づき、試料から放出されるガンマ線の角度依存度を計算することと、
前記の仮定の有効性の尺度として、前記の角度依存度と測定結果から得られた角度依存度との比較結果を求めることと、
を特徴とする請求項１から９までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項１１】
計算した角度依存度と測定結果から得られた角度依存度との間の偏差のχ二乗テストによって、当該の仮定の有効性を求めることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
試料内の局所的に集まっている元素の位置に関するパラメータ設定式に基づき、当該の試料から放出されるガンマ線の角度依存度を計算して、そのパラメータを変化させることによって、特に、χ二乗法に基づき、前記の角度依存度と測定結果から得られた角度依存度との偏差を最小化することを特徴とする請求項１から１１までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項１３】
元素から成る球体が試料内の元素が局所的に集まっている位置に収容されており、その放出されるガンマ線の測定した角度依存度を表すと仮定した場合の球体の直径を計算して、
その球体の直径と、質量が既知である、元素から成る基準球体の直径との比較結果から、試料内の局所的に集まっている元素の総質量ｍを求める、
ことを特徴とする請求項１０から１２までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項１４】
当該の基準球体として、その球体が試料内の元素が局所的に集まっている位置に収容されており、その測定したガンマ線の角度依存度がそこに存在する所定の幾何学的形状の元素から成る円柱と同じ角度依存度を示すと仮定した球体を選定することを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
中性子パルスから、そのパルスの中性子の少なくとも５０％が１００ｅＶ〜１ＫｅＶのエネルギーに減衰する時間間隔後に、当該のガンマ線を測定することと、
中性子パルスから、そのパルスの中性子の少なくとも５０％が１ｅＶのエネルギーに減衰する時間間隔後に、当該のガンマ線を測定することと、
の中の一つ以上を特徴とする請求項１から１４までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項１６】
１０ＭｅＶ以上のエネルギーの中性子を試料に照射することと、
試料を通過する中性子の少なくとも一部を試料内で反射させることと、
の中の一つ以上を特徴とする請求項１から１５までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項１７】
請求項１から１６までのいずれか一つに記載の方法を実施するための装置であって、
調査すべき試料を収容する試料空間と、試料に照射するためのパルス式中性子源と、試料から放出されるガンマ線の検出器とを備えた装置において、
この試料空間が、中性子を反射する材料によって取り囲まれており、その材料が、試料によって吸収されなかった中性子を試料空間内に反射でき、パルス形態の中性子源が、中性子を反射する材料内に配置されていることと、
本装置が試料のための回転テーブルを備えていることと、
検出器から見て高々０．６ステラジアンの立体角内に試料が入るように、当該の検出器が試料空間に対して相対的に配置されていることと、
を特徴とする装置。
【請求項１８】
当該の中性子を反射する材料がグラファイトであることと、
当該の検出器が、６Ｌｉから成る中性子遮蔽体を備えていることと、
当該の検出器が、試料から放出されるガンマ線のための主検出器と、主検出器を少なくとも部分的に取り囲む副検出器と、主検出器と副検出器の競合防止回路手段とを備えていることと、
の中の一つ以上を特徴とする請求項１７に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月9日(2014.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む、多重イムノアッセイにおいて試薬の反応性を制御する方法：
（a）多重イムノアッセイにおいて高反応性を有し、該多重イムノアッセイのための最大使用可能シグナルを上回るアッセイシグナルをもたらす試薬を同定する、工程；
（b）該高反応性試薬を組成物中で中性物質と組み合わせる工程；
（c）該高反応性試薬および該中性物質を基質にカップリングさせるのに適した条件下で該組成物を該基質に適用する工程；ならびに
（d）該中性物質と共に該基質にコカップリングした該高反応性試薬のアッセイシグナルが該多重イムノアッセイのための使用可能なシグナル範囲内であることを確認する工程。
【請求項２】
前記多重イムノアッセイにおいて高反応性を有する二つまたはそれよりも多い試薬の前記反応性を制御する工程を含む、請求項1記載の方法。
【請求項３】
前記アッセイシグナルが化学発光シグナルまたは蛍光シグナルである、請求項1記載の方法。
【請求項４】
前記高反応性試薬が抗体または抗原である、請求項1記載の方法。
【請求項５】
前記中性物質が関連性のない種の抗体または血清アルブミンである、請求項1記載の方法。
【請求項６】
前記基質が粒子またはウェル表面である、請求項1記載の方法。
【請求項７】
前記粒子がミクロスフェアである、請求項6記載の方法。
【請求項８】
前記組成物中の高反応性試薬対中性物質の比率が約1：120から6：1である、請求項1記載の方法。
【請求項９】
前記高反応性試薬および前記中性物質が共有結合により前記基質にカップリングする、請求項1記載の方法。
【請求項１０】
以下の工程を含む、イムノアッセイのための基質を調製するための方法：
（a）試薬および中性物質を含む組成物を得る工程；ならびに
（b）該試薬および該中性物質を基質にカップリングさせるのに適した条件下で該組成物を該基質に適用する工程。
【請求項１１】
前記試薬が抗体または抗原である、請求項10記載の方法。
【請求項１２】
前記中性物質が関連性のない種の抗体または血清アルブミンである、請求項10記載の方法。
【請求項１３】
前記基質が粒子またはウェル表面である、請求項10記載の方法。
【請求項１４】
前記粒子がミクロスフェアである、請求項13記載の方法。
【請求項１５】
前記組成物中の試薬対中性物質の比率が約1：120から6：1である、請求項10記載の方法。
【請求項１６】
前記試薬および前記中性物質が共有結合により前記基質にカップリングする、請求項10記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
[本発明1001]
以下の工程を含む、イムノアッセイのための基質を調製するための方法：
（a）試薬および中性物質を含む組成物を得る工程；ならびに
（b）該試薬および該中性物質を基質にカップリングさせるのに適した条件下で該組成物を該基質に適用する工程。
[本発明1002]
前記試薬が抗体または抗原である、本発明1001の方法。
[本発明1003]
前記中性物質が関連性のない種の抗体または血清アルブミンである、本発明1001の方法。
[本発明1004]
前記基質が粒子またはウェル表面である、本発明1001の方法。
[本発明1005]
前記粒子がミクロスフェアである、本発明1004の方法。
[本発明1006]
前記組成物中の試薬対中性物質の比率が約1：120から6：1である、本発明1001の方法。
[本発明1007]
前記試薬および前記中性物質が共有結合により前記基質にカップリングする、本発明1001の方法。
[本発明1008]
共有結合により表面にカップリングした試薬および中性物質を有する、ミクロスフェア。
[本発明1009]
前記試薬が抗体または抗原である、本発明1008のミクロスフェア。
[本発明1010]
前記中性物質が関連性のない種の抗体または血清アルブミンである、本発明1008のミクロスフェア。
[本発明1011]
前記試薬対中性物質の比率が約1：120から6：1である、本発明1008のミクロスフェア。
[本発明1012]
磁気的に反応性である、本発明1008のミクロスフェア。
[本発明1013]
一つまたは複数の蛍光色素を含む、本発明1008のミクロスフェア。
[本発明1014]
共有結合によりウェルの表面にカップリングした試薬および中性物質を有するウェルを含む、プレート。
[本発明1015]
前記試薬が抗体または抗原である、本発明1014のウェル。
[本発明1016]
前記中性物質が関連性のない種の抗体または血清アルブミンである、本発明1014のウェル。
[本発明1017]
前記試薬対中性物質の比率が約1:120から6：1である、本発明1014のウェル。
[本発明1018]
以下の工程を含む、多重イムノアッセイにおいて試薬の反応性を制御する方法：
（a）多重イムノアッセイにおいて高反応性を有し、該多重イムノアッセイのための最大使用可能シグナルを上回るアッセイシグナルをもたらす試薬を同定する、工程；
（b）該高反応性試薬を組成物中で中性物質と組み合わせる工程；
（c）該高反応性試薬および該中性物質を基質にカップリングさせるのに適した条件下で該組成物を該基質に適用する工程；ならびに
（d）該中性物質と共に該基質にコカップリングした該高反応性試薬のアッセイシグナルが該多重イムノアッセイのための使用可能なシグナル範囲内であることを確認する工程。
[本発明1019]
前記多重イムノアッセイにおいて高反応性を有する二つまたはそれよりも多い試薬の前記反応性を制御する工程を含む、本発明1018の方法。
[本発明1020]
前記アッセイシグナルが化学発光シグナルまたは蛍光シグナルである、本発明1018の方法。
[本発明1021]
前記高反応性試薬が抗体または抗原である、本発明1018の方法。
[本発明1022]
前記中性物質が関連性のない種の抗体または血清アルブミンである、本発明1018の方法。
[本発明1023]
前記基質が粒子またはウェル表面である、本発明1018の方法。
[本発明1024]
前記粒子がミクロスフェアである、本発明1023の方法。
[本発明1025]
前記組成物中の高反応性試薬対中性物質の比率が約1：120から6：1である、本発明1018の方法。
[本発明1026]
前記高反応性試薬および前記中性物質が共有結合により前記基質にカップリングする、本発明1018の方法。
本発明のその他の目的、特徴および利点は、次の詳細な説明から明らかとなる。しかし、当業者には詳細な説明から本発明の精神および範囲内の様々な変更および修正が明白となることから、本発明の具体的態様を示している詳細な説明および具体的な実施例は、例証としてのみ示されるものであることが理解されるべきである。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月27日(2014.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのアミノ基を含む少なくとも１つの分子の共有結合固定化の方法であって、
ａ．−ＳＨ基を含む表面を準備するステップと、
ｂ．少なくとも１つの貴金属イオンの存在下で酸化還元反応により−ＳＨ基を含む表面を酸化するステップと
ｃ．前記表面を少なくとも１つのアミノ基を含む少なくとも１つの分子と接触させて、前記表面への前記少なくとも１つの分子の共有結合を得るステップと
の順次的なステップを含み、前記少なくとも１つのアミノ基が前記共有結合を得るステップに関与する上記方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの貴金属イオンがＡｕ及びＰｔからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記酸化還元反応が前記表面上の少なくとも１つの官能基を生じさせ、前記少なくとも１つの官能基がチオール、ジスルフィド、チオスルフィネート基及びチオスルホネート基からなる群から選択される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記表面上の前記官能基が前記貴金属イオンと反応する、請求項１から３までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
酸化還元反応を用いて前記表面を酸化するステップの前に−ＳＨ基の少なくとも一部を互いに反応させる、請求項１から４までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
酸化還元反応を用いて前記表面を酸化するステップの前に本質的にすべての−ＳＨ基を互いに反応させる、請求項１から４までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記少なくとも１つのアミノ基を含む少なくとも１つの分子が、炭素原子を含む分子、アミノ酸、ペプチド、タンパク質、抗体及びアプタマーからなる群から選択される、請求項１から６までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記少なくとも１つのアミノ基を含む少なくとも１つの分子が、タンパク質及び抗体からなる群から選択される少なくとも１つの分子である、請求項１から７までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記酸化還元反応を水溶液中で実施する、請求項１から８までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記酸化還元反応を溶媒の混合液中で実施する、請求項１から９までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記表面を前記少なくとも１つのアミノ基を含む少なくとも１つの分子と接触させるステップを水溶液中で実施する、請求項１から１０までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記表面を前記少なくとも１つのアミノ基を含む少なくとも１つの分子と接触させるステップを溶媒の混合液中で実施する、請求項１から１１までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
１５℃〜３００℃の温度で実施される、請求項１から１２までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記酸化還元反応が電気酸化を含み、前記電気酸化が０．５〜３Ｖの電位を用いて実施される、請求項１から１３までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記酸化還元反応が電気酸化を含み、前記電気酸化が１秒から１０分までの期間中に実施される、請求項１から１４までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記表面と前記少なくとも１つのアミノ基を含む少なくとも１つの分子との接触が１０分から１０時間までの期間中に実施される、請求項１から１５までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記表面上の官能基を得るために前記表面を誘導体化に供し、前記官能基が−ＳＨ基及び−ＳＳ−基からなる群から選択される、請求項１から１６までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
少なくとも１つのアミノ基を含む少なくとも１つの分子と後に共有結合するために、−ＳＨ基を含む表面上で貴金属イオンの存在下に酸化還元反応を実施して、アミノ基と反応性で共有結合を形成し得る硫黄-金属イオンコンプレックス又はクラスターを形成する、−ＳＨ基を含む表面を修飾する方法。
【請求項１９】
貴金属イオンの存在下での酸化還元反応により生成される表面結合チオスルフィネート及び表面結合チオスルホネートの少なくとも１つと、アミノ基とを共有結合させる、少なくとも１つのアミノ基を含む分子を固定化する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月30日(2014.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水塊の波の水力を使って、水塊の波に対してチューニングされるプラットフォームからエネルギーを生成するシステムであって、
曲面を有するプラットフォームであって、前記波の波自然周波数に対して調整可能な第１の自然周波数を有する第１の可動マスを形成するプラットフォームと、
第２の可動マスを保持する振り子であって、前記第２の可動マスは、前記第１の自然周波数及び前記波自然周波数に対して調整可能な第２の自然周波数を有するとともに、前記プラットフォームに保持される連結点、及び端点を有し、前記端点及び前記第２の可動マスは、曲面を定義する曲線軌道に沿って移動可能である、振り子と、
前記マスが互いに及び前記水塊に対して移動する時に前記マスの少なくとも一つの前記自然周波数のチューニングを調整するためのアクティブチューニングシステムと、
磁場装置とコイル装置とを有する一対の相補的エネルギー抽出装置を備えるエネルギー抽出システムであって、前記コイル装置に対する前記磁場装置の移動が前記コイル装置での電流の流れを生成する前記エネルギー抽出システムと、
を有し、
前記磁場装置は前記曲面の一方によって保持され、
前記コイル装置は前記曲面の他方によって保持される
ことを特徴とする、エネルギーを生成するシステム。
【請求項２】
前記プラットフォームの前記曲面は、前記相補的エネルギー抽出装置の一方を保持する少なくとも一つのトラックを含み、
前記振り子の前記端点は、少なくとも一つのレールに沿って移動する少なくとも一つのガイドを有し、前記少なくとも一つのガイドは前記相補的エネルギー抽出装置の他方を保持する、
ことを特徴とする請求項１に記載のエネルギーを生成するシステム。
【請求項３】
前記プラットフォームは船体と釣り合いマスとを有し、前記釣り合いマスは前記船体に対して位置調整可能であることを特徴とする請求項１に記載のエネルギーを生成するシステム。
【請求項４】
浮遊する前記プラットフォームが前記水塊の一部を変位させる部分を有し、
前記第２の可動マスと前記第１の可動マスとが重さを有し、アルキメデスの原理が、増加した変位によって前記第２の可動マスの重さが増えることを許容することで、電気密度とエネルギーとが増える、
ことを特徴とする請求項１に記載のエネルギーを生成するシステム。
【請求項５】
前記アクティブチューニングシステムは、前記マスが互いに及び前記水塊に対して移動する時に、前記第１の可動マスの前記第１の自然周波数のチューニングを調整するために、前記プラットフォーム内に複数のバラストタンク、及び、前記タンク間でバラストを移動させるメカニズムを有することを特徴とする請求項１に記載のエネルギーを生成するシステム。
【請求項６】
前記振り子の連結点は磁気軸受けであることを特徴とする請求項１に記載のエネルギーを生成するシステム。
【請求項７】
水塊の波の水力を使って、水塊の波に対してチューニングされるプラットフォームからエネルギーを生成する方法であって、
曲面を有するプラットフォームであって、前記波の波自然周波数に対して調整可能な第１の自然周波数を有する第１の可動マスを形成するプラットフォームを移動させるために波の水力を利用するステップと、
振り子が、前記第１の自然周波数及び前記波自然周波数に対して調整可能な第２の自然周波数を有する第２の可動マスを保持することと、曲面を定義する曲線軌道に沿って移動するために、前記プラットフォームによって保持される連結点、及び端点を有することと、を許容するステップと、
前記マスが互いに及び前記水塊に対して移動する時に前記マスの少なくとも一つの自然周波数のチューニングを調整するステップと、
磁場装置とコイル装置とを有する一対の相補的エネルギー抽出装置を用いてエネルギーを抽出するステップであって、前記コイル装置に対する前記磁場装置の移動が前記コイル装置での電流の流れを生成する、ステップと、
前記磁場装置を前記曲面の一方によって保持するステップと、
前記コイル装置を前記曲面の他方によって保持するステップと、
を有することを特徴とする、エネルギーを生成する方法。
【請求項８】
前記第１の可動マスの前記第１の自然周波数に対する、前記第２の可動マスの前記第２の自然周波数をチューニングするステップと、
生成されるエネルギーを増やし、前記生成されたエネルギーを制御するために、前記波の前記波自然周波数に対する前記第１の可動マスの前記第１の自然周波数をチューニングするステップと、
を有することを特徴とする請求項７に記載のエネルギーを生成する方法。
【請求項９】
浮遊する前記プラットフォームによって水の一部を変位させるステップと、
前記第２の可動マスと前記第１の可動マスとが重さを有し、アルキメデスの原理が、増加した変位によって前記第２の可動マスの重さが増えることを許容することで、電気密度とエネルギーとが増えるステップと、
を有することを特徴とする請求項７に記載のエネルギーを生成する方法。
【請求項１０】
前記プラットフォームの曲面は前記相補的エネルギー抽出装置の一方を有する少なくとも一つのレールであり、
前記振り子は前記レールをはめ込む取り付け装置を有し、前記取り付け装置は曲面を有し、前記取り付け装置は前記相補的エネルギー抽出装置の他方を有する、
ことを特徴とする請求項７に記載のエネルギーを生成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月27日(2014.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水の中の波の水力を使って、水の中の波に対してチューニングされる装置からエネルギーを生成するシステムであって、
前記波に対して移動可能な前記装置であって、前記波の水が前記装置に水力を働かせる前記装置と、
生成されたエネルギーを増やすために、前記波の波自然周波数に対して前記装置の自然周波数をチューニングするメカニズムと、
を有することを特徴とするエネルギー生成システム。
【請求項２】
前記装置の運動エネルギーを他のエネルギー形態へ変換するメカニズムをさらに有することを特徴とする請求項１に記載のエネルギー生成システム。
【請求項３】
前記波が前記装置に直接力を働かせることを特徴とする請求項１に記載のエネルギー生成システム。
【請求項４】
前記装置は、少なくとも一つの自然周波数可調装置を有する浮遊プラットフォームであることを特徴とする請求項３に記載のエネルギー生成システム。
【請求項５】
前記少なくとも一つの可調装置は、前記浮遊プラットフォームの下に位置し、前記浮遊プラットフォームに対して位置調整可能な釣り合いマスを含むことを特徴とする請求項４に記載のエネルギー生成システム。
【請求項６】
前記プラットフォームおよび複数のコンポーネントが第１の可動マスを形成し、前記システムは第２の可動マスを保持する振り子をさらに有し、前記第１の可動マスが前記波の波自然周波数に対して調整可能な第１の自然周波数を有し、前記第２の可動マスが前記第１の自然周波数および前記波自然周波数に対して調整可能な第２の自然周波数を有し、前記システムは、前記マスが互いにおよび水の塊に対して移動する時に、前記マスの少なくとも一つのチューニングを調整するために、アクティブチューニングシステムをさらに有することを特徴とする請求項４に記載のエネルギー生成システム。
【請求項７】
前記波は、前記装置に力を間接的に働かせることを特徴とする請求項１に記載のエネルギー生成システム。
【請求項８】
前記装置は、浮遊プラットフォームに旋回可能に搭載されるマスであることを特徴とする請求項７に記載のエネルギー生成システム。
【請求項９】
前記装置の自然周波数をチューニングする制御システムをさらに有することを特徴とする請求項１に記載のエネルギー生成システム。
【請求項１０】
前記制御システムで制御されるチューニングは、互いに及び前記波の自然周波数対する前記可動マスをチューニングして、生成されたエネルギーを増やすことと、エネルギー抽出を制御することとの両方を含むことを特徴とする請求項９に記載のエネルギー生成システム。
【請求項１１】
前記マスが互いおよび水の塊に対して移動するにつれて前記マスの少なくとも一つの自然周波数のチューニングを調整するためのアクティブチューニングシステムをさらに有することを特徴とする請求項１０に記載のエネルギー生成システム。
【請求項１２】
波を有する水の上に位置する装置からエネルギーを生成する方法であって、
前記水の波によって水力を働かせることで前記装置の移動を生成するステップと、
生成されたエネルギーを増やし、前記生成されたエネルギーを制御するために、前記波の波自然周波数に対する前記装置の自然周波数をチューニングするステップと、
を有することを特徴とする方法。
【請求項１３】
前記装置の運動エネルギーを他のエネルギー形態へ変換することをさらに有することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記波が前記装置に力を間接的に働かせることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記装置は、浮遊プラットフォームに旋回可能に搭載されたマスであることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記装置の浮遊プラットフォームによって前記水の一部を変位させるステップと、
前記装置は第２の可動マスと第１の可動マスとを有し、前記マスのそれぞれは重さを有し、前記第２の可動マスの重さが増えるにつれ、前記水の塊の変位が増加し、電気密度と前記生成されたエネルギーとが増えるステップと、
を有することを特徴とする請求項１４に記載のエネルギー生成方法。
【請求項１７】
前記自然周波数のチューニングを支援する制御システムをさらに有することを特徴とする請求項１６に記載のエネルギー生成方法。
【請求項１８】
前記プラットフォームおよび複数のコンポーネントが、前記第１の可動マスと、前記第２の可動マスを保持する振り子とを形成し、前記第１の可動マスが前記波の波自然周波数に対して調整可能な第１の自然周波数を有し、前記第２の可動マスが前記第１の自然周波数および前記波自然周波数に対して調整可能な第２の自然周波数を有することを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記マスが互いおよび水の塊に対して移動するにつれ、前記マスの少なくとも一つの前記自然周波数のチューニングの調整が、アクティブ自然周波数チューニングシステムによりなされることを特徴とする請求項１８に記載のエネルギー生成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月4日(2014.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を備える製品であって、
前記表面が、表面ｘ軸および表面ｙ軸を定める縁を備え、
前記表面が、格子ｘ軸および格子ｙ軸を定めるように構成された格子に従って配置されたマークを備える符号化パターンをさらに設けられた製品において、
前記格子ｘ軸が前記表面ｘ軸に対してある角度だけオフセットされた製品。
【請求項２】
前記格子は、仮想的な格子線を備えるものである請求項１に記載の製品。
【請求項３】
前記符号化パターンは、目に見えるものである請求項１又は２に記載の製品。
【請求項４】
前記格子ｘ軸が前記表面ｘ軸に対して約１０°ないし１５°、２５°ないし３５°、またはおよそ４５°の角度だけオフセットされた請求項１〜３のいずれか１項に記載の製品。
【請求項５】
前記マークが、１００μｍより小さな直径を有するドットである請求項１〜４のいずれか１項に記載の製品。
【請求項６】
前記マークが、６０μｍないし８０μｍの範囲の直径を有するドットである請求項１〜４のいずれか１項に記載の製品。
【請求項７】
前記マークが、１０μｍより大きな直径を有するドットである請求項１〜６のいずれか１項に記載の製品。
【請求項８】
前記マークが、１０μｍないし４０μｍの範囲の直径を有するドットである請求項１〜４のいずれか１項に記載の製品。
【請求項９】
前記マークが、縦と横の長さが異なる形状を有するドットである請求項１〜８のいずれか１項に記載の製品。
【請求項１０】
可視放射に対して透明な材料で形成された請求項１〜９のいずれか１項に記載の製品。
【請求項１１】
前記マークが赤外反射材料によって形成された請求項１〜１０のいずれか１項に記載の製品。
【請求項１２】
前記符号化パターンが、互いに交差して格子交差点を形成する仮想的な格子線を備え、少なくともいくつかの前記マークが、情報を符号化するために前記格子交差点からずらされた請求項２〜１１のいずれか１項に記載の製品。
【請求項１３】
前記格子交差点からの前記マークのずれの大きさが５０μｍより小さい請求項１２に記載の製品。
【請求項１４】
前記格子交差点からの前記マークのずれの大きさが１０μｍないし３０μｍの範囲にある請求項１２に記載の製品。
【請求項１５】
前記符号化パターンが、前記格子ｘ軸および前記格子ｙ軸に沿った座標として表される位置を符号化するように構成された請求項１〜１４のいずれか１項に記載の製品。
【請求項１６】
画素のアレイを備える第１の表面であって、アレイｘ軸およびアレイｙ軸を定めるように前記アレイ中の前記画素が整列させられた第１の表面と、
前記第１の表面上に重なる第２の表面であって、格子ｘ軸および格子ｙ軸を定めるように構成された格子に従って配置されたマークを備える符号化パターンを設けられた第２の表面と
を備えるディスプレイであって、
前記格子ｘ軸が前記アレイｘ軸に対してある角度だけオフセットされるように、前記格子ｘ軸が前記アレイｘ軸上に重なるディスプレイ。
【請求項１７】
前記格子は、仮想的な格子線を備えるものである請求項１６に記載のディスプレイ。
【請求項１８】
前記符号化パターンは、目に見えるものである請求項１６又は１７に記載のディスプレイ。
【請求項１９】
前記マークが、縦と横の長さが異なる形状を有し、長い方が前記アレイｘ軸とそろえて配置されている請求項１６〜１８のいずれか１項に記載のディスプレイ。
【請求項２０】
モアレ干渉を生じさせることなく前記符号化パターンの格子寸法と前記画素のアレイの画素ピッチとの関係に自由度が許容されるように、前記格子ｘ軸が前記表面ｘ軸に対してある角度だけオフセットされた請求項１６〜１９のいずれか１項に記載のディスプレイ。
【請求項２１】
前記第２の表面が、前記ディスプレイに着脱可能に取り付けられる製品上に構成されるものである請求項１６〜２０のいずれか１項に記載のディスプレイ。
【請求項２２】
前記ディスプレイに取り付けられ、前記第１の表面の前面に前記第２の表面を装着するために前記製品を受けるように構成された保持部をさらに備え、前記格子ｘ軸が前記アレイｘ軸に対してある角度だけオフセットされるように、前記保持部が前記第１の表面に関する前記第２の表面の装着を制御するように構成された請求項２１に記載のディスプレイ。
【請求項２３】
処理装置における方法であって、
前記処理装置が、ユーザ対話のためにディスプレイと接続され、
前記ディスプレイが、画素のアレイを備える第１の表面であって、アレイｘ軸およびアレイｙ軸を定めるように前記アレイ中の前記画素が整列させられた第１の表面と、前記第１の表面上に重なる第２の表面であって、格子ｘ軸および格子ｙ軸を定めるように構成された格子に従って配置されたマークを備える位置符号化パターンを設けられた第２の表面とを備えるディスプレイであって、前記格子ｘ軸が前記アレイｘ軸に対してある角度だけオフセットされるように、前記格子ｘ軸が前記アレイｘ軸上に重なるディスプレイであり、
前記方法が、
前記処理装置によって決定されたディスプレイ座標で前記ディスプレイ上に少なくとも２つの較正マークを示すように前記ディスプレイを制御し、
前記表示された少なくとも２つの較正マークに対応して前記位置符号化パターンにおける位置を表す格子座標を受け取り、
前記受け取った格子座標と前記少なくとも２つの較正マークの前記既知のディスプレイ座標とに基づいて、格子座標を対応するディスプレイ座標と関係づける変換関数を決定し、
前記ディスプレイ上のユーザ入力を表す後続の格子座標を受け取り、
前記決定された変換関数を用いて前記後続の格子座標を対応するディスプレイ座標に変換し、
前記ディスプレイ座標とのユーザ対話と関連づけられた動作を実行する
ことを含む方法。
【請求項２４】
前記ディスプレイ座標とのユーザ対話と関連づけられた動作の前記実行が、前記処理装置で実行される動作中のアプリケーションに前記ディスプレイ座標を送ることを含む請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
動作の前記実行が、動作中のアプリケーションが前記ディスプレイ座標を前記ディスプレイのその位置におけるマウス対話として解釈することをさらに含む請求項２４に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
例えば、製品３０はコンピュータモニタ用にしてもよい。１９インチの画面寸法および１２８０×１０２４画素の解像度を有するコンピュータモニタは、０．２０８ｍｍの画素ピッチを有する。このコンピュータ画面で０．３００ｍｍの格子寸法を有する製品３０を用いる場合、目に見えるモアレ干渉を回避するために、格子ｘ軸がアレイｘ軸に対して１０°ないし３５°の範囲の角度だけオフセットされてよい。別の製品３０はテレビ画面用であってよい。４２インチの画面寸法および１９２０×１０８０画素の解像度を有するテレビ画面は、０．３４２ｍｍの画素ピッチを有する。この例では、このテレビ画面で０．３００ｍｍの格子寸法を有する製品３０を用いる場合、目に見えるモアレ干渉を回避するために、格子ｘ軸がアレイｘ軸に対して３０°ないし４０°の範囲の角度だけオフセットされてよい。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月21日(2014.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス部品であって、
放射を生成するのに適している活性層（４）を有するエピタキシャル積層体（２）を備えた半導体ボディ（１）と、半導体材料からなり、はんだ層（７）によって前記半導体ボディ（１）に接続されているキャリア基板（６）と、を備えており、
−  前記キャリア基板（６）が、第１の貫通接続部（９ａ）および第２の貫通接続部（９ｂ）を備えており、前記貫通接続部（９ａ，９ｂ）それぞれが、前記半導体ボディ（１）の側の前記キャリア基板（６）の第１の主面（１１）から、前記半導体ボディ（１）とは反対側の前記キャリア基板（６）の第２の主面（１２）まで延在しており、
−  前記エピタキシャル積層体（２）が、ｐ型ドープ半導体領域（３）およびｎ型ドープ半導体領域（５）を備えており、前記第１の貫通接続部（９ａ）が前記はんだ層（７）の第１のサブ領域（７ａ）を介して前記ｐ型ドープ半導体領域（３）に導電的に接続されており、前記第２の貫通接続部（９ｂ）が前記はんだ層の第２のサブ領域（７ｂ）を介して前記ｎ型ドープ半導体領域（５）に導電的に接続されており、
−  前記キャリア基板（６）が、前記第１の主面（１１）に沿って延在している表面ドーピングゾーン（１４）を備えており、
−  前記表面ドーピングゾーン（１４）が、ｐ型ドーパントを含んでいるｐ導電型領域（１４ａ）を備えており、
−  前記表面ドーピングゾーン（１４）がｎ導電型領域（１４ｂ）を備えており、前記ｎ導電型領域（１４ｂ）が、前記ｐ導電型領域（１４ａ）に隣接しており、かつｎ型ドーパントおよびｐ型ドーパントを含んでおり、したがって、前記ｐ導電型領域（１４ａ）と前記ｎ導電型領域（１４ｂ）との間にｐｎ接合部（１６）が形成されており、
−  前記ｎ導電型領域（１４ｂ）が、前記はんだ層（７）の前記第１のサブ領域（７ａ）に電気的に接続されており、前記ｐ導電型領域（１４ａ）が、前記はんだ層（７）の前記第２のサブ領域（７ｂ）に電気的に接続されており、したがって、前記表面ドーピングゾーン（１４）における前記ｐｎ接合部（１６）が、前記半導体ボディ（１）のための保護ダイオードを形成しており、
前記ｎ導電型領域（１４ｂ）が、前記第１の貫通接続部（９ａ）の周囲にリングとして配置されている、
オプトエレクトロニクス部品。
【請求項２】
前記表面ドーピングゾーン（１４）が、前記貫通接続部（９ａ，９ｂ）を除いて前記キャリア基板（６）の前記第１の主面（１１）全体に沿って延在している、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項３】
前記ｎ導電型領域（１４ｂ）が、５μｍ〜２０μｍの幅を有する、
請求項１または請求項２に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項４】
前記キャリア基板（６）がシリコン基板またはゲルマニウム基板である、
請求項１から請求項３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項５】
前記キャリア基板（６）が、１００μｍ〜１５０μｍの範囲内（両端値を含む）の厚さを有する、
請求項１から請求項４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項６】
前記表面ドーピングゾーン（１４）が、０．５μｍ〜４μｍの深さを有する、
請求項１から請求項５のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項７】
前記表面ドーピングゾーン（１４）が、１０１８ｃｍ−３より高い自由電荷キャリアの濃度を有する、
請求項１から請求項６のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項８】
前記キャリア基板（６）が、前記表面ドーピングゾーン（１４）の外側において、１０１６ｃｍ−３未満の自由電荷キャリアの濃度を有する、
請求項１から請求項７のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項９】
前記キャリア基板（６）が、前記表面ドーピングゾーン（１４）の外側において、２００Ωｃｍより高い比抵抗を有する、
請求項１から請求項８のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１０】
前記キャリア基板（６）が、被覆されていない横側面を備えている、
請求項１から請求項９のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１１】
前記ｐ導電型領域（１４ａ）がｐ＋導電型領域（１４ｃ）を含んでおり、前記ｐ＋導電型領域（１４ｃ）が、残りの前記ｐ導電型領域（１４ａ）よりも高いｐ型ドーパント濃度を有する、
請求項１から請求項１０のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１２】
前記はんだ層（７）の前記第２のサブ領域（７ｂ）が、前記ｐ＋導電型領域（１４ｃ）において前記ｐ導電型領域（１４ａ）に接続されている、
請求項１１に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１３】
前記ｐ＋導電型領域（１４ｃ）が、前記第１の貫通接続部（９ａ）の周囲にリングとして配置されている、
請求項１１または請求項１２に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１４】
前記環状のｎ導電型領域（１４ｂ）と前記環状のｐ＋導電型領域（１４ｃ）との間に、前記ｐ導電型領域（１４ａ）の一部が配置されている、
請求項１３に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月29日(2014.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のエレクトロルミネッセント積層と、前記エレクトロルミネッセント積層を封入する覆蓋とを含む、有機エレクトロルミネッセントデバイスであって、前記覆蓋は、前記エレクトロルミネッセント積層および少なくとも１つの固定要素と電気的に接触する少なくとも１つの電気フィードスルーを含み、前記少なくとも１つの固定要素は、前記覆蓋の背面の曲げが減少されるように前記覆蓋への筐体の固定時に加えられる力が、前記覆蓋の側壁を介して前記基板に伝達されることにより、当該力が最小限となって、前記有機エレクトロルミネッセントデバイスを前記筐体に固定する、有機エレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項２】
前記固定要素は、バイオネットコネクタのオスまたはメス部であるか、または、プレート、フラップ、ラッチ若しくはフックを含む要素の群のうちの少なくとも１つの要素であることを特徴とする、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項３】
前記固定要素は、前記覆蓋の背面に取り付けられるか、または、前記覆蓋のシール部に取り付けられることを特徴とする、請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項４】
前記固定手段は、発光方向に垂直な方向において前記基板を越えることを特徴とする、請求項１乃至３の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項５】
少なくとも前記覆蓋の前記固定要素は、磁性材料で作られることを特徴とする、請求項１乃至４の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項６】
前記固定要素のうち少なくとも１つ、それ以外の前記覆蓋の少なくとも一部、およびシール材料は、導電性材料で作られ、前記覆蓋は基本的に導電性材料で作られることが好適であることを特徴とする、請求項１乃至５の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項７】
前記覆蓋と前記基板との間の容積は、前記エレクトロルミネッセント積層と前記覆蓋との間に優れた熱伝導率を与える不活性流体またはゲルで充填され、前記流体またはゲルは、フッ素化された流体またはシリコーンゲルであることが好適であり、シルガード（登録商標）３−６６３６シリコーン誘電体ゲルまたはダウ・コーニング社のフルオロゲルＱ３−６６７９誘電体ゲルであることがより好適であることを特徴とする、請求項５または６に記載の有機エレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項８】
前記少なくとも１つのフィードスルーは、前記覆蓋の外側に延在するピンとして、または、外側から電気接点と接触するのに適した接点領域として構成されることを特徴とする、請求項１乃至７の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項９】
請求項１に記載の少なくとも１つの有機エレクトロルミネッセントデバイスと、少なくとも１つの筐体とを含み、前記筐体は、前記有機エレクトロルミネッセントデバイスに電気接点を与え、且つ、前記有機エレクトロルミネッセントデバイスを前記筐体に前記固定手段を介して固定するように前記固定手段に対して適応された１以上の受容要素を含む、発光ユニット。
【請求項１０】
前記１以上の受容要素と前記少なくとも１つの固定要素とは、バイオネットコネクタを形成するか、または、前記１以上の受容要素は、プレート、フラップ、ラッチ若しくはフックを含む要素の群のうちの少なくとも１つの要素として構成された、前記有機エレクトロルミネッセントデバイスの前記少なくとも１つの固定要素を固定することを特徴とする、請求項９に記載の発光ユニット。
【請求項１１】
前記筐体は少なくとも１つの磁石を含み、前記１以上の受容要素の少なくとも一部は、前記有機エレクトロルミネッセントデバイスの前記覆蓋を固定するために、磁石として配置されることが好適であり、少なくとも前記覆蓋の前記固定要素は、磁性材料で作られることを特徴とする、請求項９または１０に記載の発光ユニット。
【請求項１２】
前記磁石のうちの少なくとも１つは、前記覆蓋への電気接点を与えることを特徴とする、請求項１１に記載の発光ユニット。
【請求項１３】
前記１以上の受容要素の少なくとも１つは、前記少なくとも１つの固定要素を介して前記有機エレクトロルミネッセントデバイスへの電気接点を与えるために、導電性材料で作られることを特徴とする、請求項９乃至１１の何れか一項に記載の発光ユニット。
【請求項１４】
前記筐体は、導電性材料で作られた少なくとも１つのピンを含み、前記ピンは、前記覆蓋および／または前記覆蓋内の少なくとも１つの電気絶縁されたフィードスルーと電気的に接触して、前記有機エレクトロルミネッセント積層のアノードおよび／またはカソードに電気接点を与えるようバネ荷重されることが好適であることを特徴とする、請求項９乃至１２の何れか一項に記載の発光ユニット。
【請求項１５】
前記筐体は、前記有機エレクトロルミネッセントデバイスの前記覆蓋の少なくとも一部と接触するヒートシンク構造体を含み、前記ヒートシンク構造体は、覆蓋と筐体との間の間隙を少なくとも部分的に充填するヒートペーストであることが好適であり、前記ヒートペーストは、電気フィードスルーおよび／または電気接点の領域外に配置されることがより好適であることを特徴とする、請求項９乃至１４の何れか一項に記載の発光ユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月3日(2014.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
癌または腫瘍疾患の予防、治療または改善における使用のための、
(i)ビタミンA、レチノイン酸、全トランスレチノイン酸、13-cis-レチノイン酸、レチニルパルミテート、レチノール、レチナール、酢酸レチニル、アリトレチノイン、β-カロテン、α-カロテン、γ-カロテン、β-クリプトキサンチンおよびプロビタミンＡから選ばれるビタミンA、その反応生成物、代謝物または前駆体；および
(ii)水性抽出液、エタノール抽出液および無水エタノール抽出液から選ばれるカモミールの植物抽出液；
を含む組成物であって、
成分(i)および(ii)が、有効成分のみを表す組成物。
【請求項２】
植物抽出液が、カモミールの揮発油である請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
カモミールが、Matricaria recutitaである請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
植物抽出液が、Matricaria recutita L.の管状花から製造されるカモミール抽出液である請求項１〜３のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項５】
管状花が、Matricaria recutita L.の花序からの管状花である請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
組成物が、50mg〜1500mggのMatricaria recutita L.の管状花からのカモミール抽出液、および／または3mg〜90mgの請求項１に記載のビタミンAの反応生成物、代謝物または前駆体のいずれかを含む請求項１〜５のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項７】
組成物が、50mg〜1000mgのMatricaria recutita L.の管状花からのカモミール抽出液、および／または3mg〜90mgの請求項１に記載のビタミンAの反応生成物、代謝物または前駆体のいずれかを含む請求項１〜５のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項８】
組成物の製造前の植物抽出液が、クロスポビドン(架橋ポビドン)と硫酸ナトリウムに接触させることよって精製されている請求項１〜７のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項９】
癌または腫瘍疾患が、神経原性、間葉または上皮起源の固形腫瘍とその転移癌、結腸癌、黒色腫、腎癌、リンパ腫、急性骨髄性白血病(AML)、急性リンパ性白血病(ALL)、慢性骨髄性白血病(CML)、慢性リンパ性白血病(CLL)、消化管腫瘍、肺癌、神経膠腫、甲状腺腫瘍、乳癌、前立腺癌、肝癌；パピローマウイルス誘発癌(子宮頸癌など)、腺癌、ヘルペスウイルス誘発腫瘍(バーキットリンパ腫、EBV誘発B細胞リンパ腫など)、B型肝炎誘発腫瘍(肝細胞癌)、HTLV-1およびHTLV-2誘発リンパ腫、聴神経腫/聴神経鞘腫、子宮頸がん、肺癌、咽頭癌、肛門癌、神経膠芽腫、リンパ腫、直腸癌、星状細胞腫、脳腫瘍、胃癌、網膜芽細胞腫、基底細胞腫、脳転移癌、髄芽腫、膣癌、膵臓癌、精巣癌、黒色腫、甲状腺癌、膀胱癌、ホジキン症候群、髄膜腫、シュネーベルガー疾患、気管支癌、下垂体腫瘍、菌状息肉腫、食道癌、乳癌、カルチノイド、神経鞘腫棘細胞癌、バーキットリンパ腫、喉頭癌、腎癌、胸腺腫、コーパス癌、骨癌、骨肉腫、非ホジキンリンパ腫、尿道癌、CUP症候群、頭部/頚部腫瘍、乏突起膠腫、外陰部癌、腸癌、結腸癌、食道癌、いぼ類、小腸の腫瘍、頭蓋咽頭腫、卵巣癌、軟組織腫瘍/肉腫、卵巣癌、肝臓癌、膵臓癌、子宮頸癌、子宮体癌、肝転移癌、陰茎癌、舌癌、胆嚢癌、白血病、形質細胞腫、子宮癌、蓋腫瘍、前立腺癌などの様々なウイルス誘発腫瘍、特に神経原性、間葉または上皮起源の固形腫瘍とその転移癌から選ばれる請求項１〜８のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項１０】
癌または腫瘍疾患が、神経原性、間葉または上皮起源の固形腫瘍とその転移癌から選ばれる請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
癌または腫瘍疾患の予防、治療または改善における使用のための、
(i)ビタミンA、レチノイン酸、全トランスレチノイン酸、13-cis-レチノイン酸、レチニルパルミテート、レチノール、レチナール、酢酸レチニル、アリトレチノイン、β-カロテン、α-カロテン、γ-カロテン、β-クリプトキサンチンおよびプロビタミンＡから選ばれるビタミンA、その反応生成物、代謝物または前駆体；および
(ii)水性抽出液、エタノール抽出液および無水エタノール抽出液から選ばれるカモミールの植物抽出液；
を含む医薬組成物であって、
成分(i)および(ii)が、有効成分のみを表す医薬組成物。
【請求項１２】
医薬組成物が、50mg〜1500mggのMatricaria recutita L.の管状花からのカモミール抽出液、および／または3mg〜90mgの請求項１１に記載のビタミンAの反応生成物、代謝物または前駆体のいずれかを含む請求項１１に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
医薬組成物が、50mg〜1000mgのMatricaria recutita L.の管状花からのカモミール抽出液、および／または3mg〜90mgの請求項１１に記載のビタミンAの反応生成物、代謝物または前駆体のいずれかを含む請求項１１に記載の組成物。
【請求項１４】
医薬組成物がさらに、ジメチルスルホキシド(DMSO)および／またはジエチレングリコールモノエチルエーテルなどの浸透促進剤を含む請求項１１〜１３のいずれか一つに記載の医薬組成物。
【請求項１５】
医薬組成物が、気道を介して、経口投与で、注射で、非経口注入で、経口的、経直腸的、局所的もしくは非経口的に投与される請求項１１〜１４のいずれか一つに記載の医薬組成物。
【請求項１６】
医薬組成物が、従来の癌療法の前、同時および／または後に投与される請求項１１〜１５のいずれか一つに記載の医薬組成物。