【手続補正書】
【提出日】平成25年12月10日(2013.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スタックされた電子的部品を形成する方法であって、
第１のディボンデング温度を有する第１の接着性材料を用いて、シリコン貫通ビア（ＴＳＶ）ダイを含むＴＳＶウエハの上側に第１のキャリアウエハを搭載することと、
薄くされたＴＳＶウエハを形成するため、前記ＴＳＶウエハの下側から前記ＴＳＶウエハを薄くすることであって、前記薄くすることが、露出されたＴＳＶティップを形成するため、前記ＴＳＶウエハ上に埋め込まれたＴＳＶティップを露出させることを含む、前記薄くすることと、
第２の接着性材料を用いて前記下側に第２のキャリアウエハを搭載することであって、前記第２の接着性材料が前記第１のディボンデング温度に比較して高い第２のディボンデング温度を有する、前記搭載することと、
前記薄くされたＴＳＶウエハから前記第１のキャリアウエハを取り除くため、前記薄くされたＴＳＶウエハを前記第１のディボンデング温度を超える温度まで加熱することと、
電子的部品を含むスタックされたＴＳＶウエハを形成するため、前記薄くされたＴＳＶウエハの前記上側の前記ＴＳＶダイ上に少なくとも第２のＩＣダイを結合することと、
を含む、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記第２のＩＣダイが、少なくとも１つの個片化されたＩＣダイと、ダイ−ＴＳＶウエハスタックを含む電子的部品を含む前記スタックされたＴＳＶウエハとを含む、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記第２のＩＣダイが、ウエハと、ウエハ−ＴＳＶウエハスタックを含む電子的部品を含む前記スタックされたＴＳＶウエハとを含む、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記第１の接着性材料と前記第２の接着性材料との両方が熱可塑性物質を含む、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記露出されたＴＳＶティップが、前記薄くされたＴＳＶウエハの下側から少なくとも５マイクロメートル突出する、突出するＴＳＶティップである、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記第２のＩＣダイと前記ＴＳＶウエハの前記上側との間に硬化可能な誘電体フィルム（ＣＤＦ）を提供することを更に含み、
単一の処理工程で、電子的部品を含む前記スタックされたＴＳＶウエハを形成するため、前記第２のＩＣダイを前記結合することが、前記ＣＤＦからのアンダーフィルと、前記第２のＩＣダイを結合するための接合とを形成する、圧縮成形を提供する熱プレスプロセスを含む、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
電子的部品を含む前記スタックされたＴＳＶウエハを前記形成することが、前記第２のＩＣダイを前記結合した後、アンダーフィル材料又は非導電性のペースト（ＮＣＰ）でアンダーフィルすることを更に含む、方法。
【請求項８】
請求項６に記載の方法であって、
前記第２のＩＣダイを前記結合することが、フリップチップ結合を含む、方法。
【請求項９】
請求項６に記載の方法であって、
前記第２のＩＣダイが複数のＴＳＶを含み、前記第２のＩＣダイを前記結合することが、前記第２のＩＣダイのフェイスアップ結合を含む、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、
電子的部品を含む前記スタックされたＴＳＶウエハから前記第２のキャリアウエハを取り除くことと、
複数の個片化されたスタックされたＩＣダイを形成するため、電子的部品を含む前記スタックされたＴＳＶウエハをソーイングすることと、
を更に含む、方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、
前記複数の個片化されたスタックされたＩＣダイの少なくとも１つを、その上にランドパッドを有するパッケージ基板に結合することと、
アンダーフィル材料又は非導電性のペースト（ＮＣＰ）でキャピラリアンダーフィルすることと、
を更に含む、方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の方法であって、
前記露出されたＴＳＶティップが、前記薄くされたＴＳＶウエハの前記下側から少なくとも５マイクロメートル突出する、突出するＴＳＶティップであり、
前記方法が、
前記ソーイングする前に前記突出するＴＳＶティップ上に硬化可能な誘電体フィルム（ＣＤＦ）を提供することと、
前記複数の個片化されたスタックされたＩＣダイの少なくとも１つを、その上にランドパッドを有するパッケージ基板上に置くことと、
単一の処理工程で、前記ＣＤＦからのアンダーフィルと、前記個片化されたスタックされたＩＣダイの前記突出するＴＳＶティップを前記パッケージ基板の前記ランドパッドへ結合するための接合とを形成する、圧縮成形を提供する熱プレスプロセスを含む、結合することと、
を更に含む、方法。
【請求項１３】
請求項１０に記載の方法であって、
前記第２のＩＣダイを結合することが、フリップチップ結合を含む、方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の方法であって、
前記第２のＩＣダイを前記結合することの後に、前記第２のＩＣダイを覆うため、モールド材料をオーバーモールドすることを含む、モールド層を形成することと、
電子的部品を含む前記スタックされたＴＳＶウエハから前記第２のキャリアウエハを取り除くことと、
複数の個片化されたスタックされたＩＣダイを形成するため、電子的部品を含む前記スタックされたＴＳＶウエハをソーイングすることと、
を更に含む、方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、
前記複数の個片化されたスタックされたＩＣダイの少なくとも１つを、その上にランドパッドを有するパッケージ基板に結合することと、
その後、アンダーフィル材料又は非導電性のペースト（ＮＣＰ）でキャピラリアンダーフィルすることと、
を更に含む、方法。
【請求項１６】
請求項１４に記載の方法であって、
前記露出されたＴＳＶティップが、前記薄くされたＴＳＶウエハの前記下側から少なくとも５マイクロメートル突出する、突出するＴＳＶティップであり、
前記方法が、
前記ウエハをソーイングする前に前記突出するＴＳＶティップ上に硬化可能な誘電体フィルム（ＣＤＦ）を提供することと、
前記複数の個片化されたスタックされたＩＣダイの少なくとも１つを、その上にランドパッドを有するパッケージ基板を置くことと、
単一の処理工程で、前記ＣＤＦからのアンダーフィルと、前記突出するＴＳＶティップをパッケージ基板の前記ランドパッドに結合するための接合とを形成する、圧縮成形を提供する熱プレスプロセスを含む、第２の結合することと、
を更に含む、方法。
【請求項１７】
前記請求項１４に記載の方法であって、
前記第２のＩＣダイを結合することが、フリップチップ結合を含む、方法。
【請求項１８】
スタックされた電子的部品を形成する方法であって、
第１のデボンディング温度を有する第１の接着性材料を用いて、第１のキャリアウエハを貫通基板ビア（ＴＳＶ）ダイを含むＴＳＶウエハの頂面に搭載することと、
薄くされたＴＳＶウエハを形成するために、前記ＴＳＶウエハの底面から前記ＴＳＶウエハを薄くすることであって、前記薄くすることが、露出されたＴＳＶティップを形成するために、前記ＴＳＶウエハ上の埋め込まれたＴＳＶティップを露出させることを含む、前記薄くすることと、
第２の接着性材料を用いて、第２のキャリアウエハを前記底面に搭載することであって、前記第２の接着性材料が前記第１のデボンディング温度に比較して高い第２のデボンディング温度を有する、前記搭載することと、
前記第１のキャリアウエハを前記薄くされたＴＳＶウエハから取り外すために、前記薄くされたＴＳＶウエハを前記第１のデボンディング温度より高い温度に熱することと、
ダイーウエハスタックを形成するために、前記薄くされたＴＳＶウエハの前記頂面上の前記ＴＳＶダイ上に少なくとも１つの個片化された第２のＩＣダイをフリップチップ結合することと、
を含む、方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、
前記ダイーウエハスタックから前記第２のキャリアウエハを取り外すことと、
複数の個片化されたスタックされたＩＣダイを形成するために、前記ダイーウエハスタックをソーイングすることと、
を更に含む、方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法であって、
前記露出されたＴＳＶティップが、前記薄くされたＴＳＶウエハの前記底面から少なくとも５μｍ突出する、突出ＴＳＶティップであり、
前記方法が、
前記ソーイングする前に、前記突出ＴＳＶティップ上に硬化可能な誘電体フィルム（ＣＤＦ）を提供することと、
その上にランドパッドを有するパッケージ基板上に前記複数の個片化されたスタックされたＩＣダイの少なくとも１つを載置することと、
１つのプロセスステップで、前記ＣＤＦからのアンダーフィルと、前記個片化されたスタックされたＩＣダイの前記突出ＴＳＶティップを前記パッケージ基板の前記ランドパッドに結合するための接合とを形成する、圧縮モールドを提供する、熱プレスプロセスを含む、結合することと、
を更に含む、方法。