(57)【要約】【課題】　コンタクト形成領域を有する半導体基板上にエッチング阻止膜と層間絶縁膜を順次形成する方法を提供する。【解決手段】　ポリシリコン膜１１２及び反射防止膜１１４を順次形成する。反射防止膜１１４上に第１マスクパターンを介在させ、反射防止膜１１４をエッチングして、第２マスクパターンを形成する。第２マスクパターンの側壁にポリマを付着させ、第３マスクパターンを形成する。第３マスクパターンをエッチングマスクにして、エッチング阻止膜が底面に露出するようにポリシリコン膜１１２及び層間絶縁膜１１０をエッチングする。ポリシリコン膜１１２上に反射防止膜１１４を残しながら、露出したエッチング阻止膜をエッチングして、コンタクトホールを形成する。コンタクトホール内に導電物質を埋めてコンタクトを形成する。ポリマの付着によって微細なサイズのコンタクトを形成することができる。【選択図】　　　　　　図１１
2004096105.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　ｉ）コンタクト形成領域を有する半導体基板上に層間絶縁膜を形成する段階と、
　ｉｉ）前記層間絶縁膜上にポリシリコン膜及び反射防止膜を順次形成する段階と、
　ｉｉｉ）前記反射防止膜上に、前記コンタクト形成領域の上部に該当する部位がオープンする第１マスクパターンを形成する段階と、
　ｉｖ）前記第１マスクパターン底面に露出した反射防止膜をエッチングすることによって、ポリシリコン膜が露出する第２マスクパターンを形成する段階と、
　ｖ）前記第２マスクパターンの側壁にポリマを付着させ、前記第１マスクパターンに比べてオープンする部位が減少した第３マスクパターンを形成する段階と、
　ｖｉ）前記第３マスクパターンをエッチングマスクとして、前記ポリシリコン膜及び層間絶縁膜をエッチングすることによって、前記コンタクト形成領域の上部面が露出するコンタクトホールを形成する段階と、
　ｖｉｉ）前記コンタクトホール内に導電物質を埋める段階とを実施することを特徴とする半導体装置のコンタクト形成方法。
【請求項２】
　前記ｉ）段階で、前記層間絶縁膜を形成する前に、前記コンタクト形成領域を有する基板上にエッチング阻止膜を形成する段階をさらに実施することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のコンタクト形成方法。
【請求項３】
　前記エッチング阻止膜はシリコン窒化膜を含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置のコンタクト形成方法。
【請求項４】
　前記エッチング阻止膜をエッチングした後にも、前記ポリシリコン膜上に前記反射防止膜が残るように、前記反射防止膜は前記エッチング阻止膜より厚く形成することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置のコンタクト形成方法。
【請求項５】
　前記ｖｉ）段階でポリシリコン膜及び層間絶縁膜をエッチングした後に、
　前記第２マスクパターンを除去する段階と、
　前記反射防止膜の一部及びエッチング阻止膜全てを同時にエッチングする段階をさらに実施してコンタクトホールを形成することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置のコンタクト形成方法。
【請求項６】
　前記ｖｉ）段階でポリシリコン膜及び層間絶縁膜をエッチングした後に、
　前記第２マスクパターンを除去する段階と、
　前記ポリシリコン膜及び前記反射防止膜を残しながら、前記反射防止膜の一部をエッチングする段階をさらに実施することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のコンタクト形成方法。
【請求項７】
　前記反射防止膜はシリコンオキシ窒化膜を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のコンタクト形成方法。
【請求項８】
　前記反射防止膜は３０〜１５００Åの厚さで形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のコンタクト形成方法。
【請求項９】
　前記第１マスクパターンはフォトレジスト物質で形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のコンタクト形成方法。
【請求項１０】
　前記ｉｉ）段階のポリシリコン膜は１００〜２０００Åの厚さで形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のコンタクト形成方法。
【請求項１１】
　前記ｖ）段階は前記第２マスクパターンを含む基板にＣＨｘＦｙガスまたはＣＨｘＦｙガスを含む混合ガスを供給して実施することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のコンタクト形成方法。
【請求項１２】
　前記ＣＨｘＦｙガスはＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ及びＣＨＦ３より成る群から選ばれた少なくとも一種のガスを含むことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置のコンタクト形成方法。
【請求項１３】
　前記ＣＨｘＦｙガスと混合されるガスはＨｅＯ２及びＣｌ２よりなる群から選ばれた少なくとも一種のガスを含むことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置のコンタクト形成方法。
【請求項１４】
　前記ｖｉｉ）段階は、
　前記コンタクトホール及び層間絶縁膜の表面に均一に障壁金属層を形成する段階と、
　前記障壁金属層上に前記コンタクトホールを埋める金属層を形成する段階と、
　前記ポリシリコン膜の上部面が露出するように、前記金属層及び障壁金属層を研磨する段階と、
　前記ポリシリコン膜をドライエッチングする段階とを実施することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のコンタクト形成方法。
【請求項１５】
　前記金属層は前記ポリシリコン膜に比べて１０倍以上速い速度で研磨されるように研磨工程を実施することを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置のコンタクト形成方法。
【請求項１６】
　前記ポリシリコン膜は前記金属層に比べて５倍以上速い速度でエッチングされるようにエッチング工程を実施することを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置のコンタクト形成方法。
【請求項１７】
　前記ポリシリコン膜はＣｌ２及びＨＢｒよりなる群から選ばれた少なくとも一種を含むガスを使用してエッチングすることを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置のコンタクト形成方法。
【請求項１８】
　前記障壁金属層はチタン膜と、窒化チタン膜と、タンタル膜、窒化タンタル膜及びこれらの複合膜よりなる群から選択されたいずれか一つの膜であることを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置のコンタクト形成方法。
【請求項１９】
　前記ｖｉｉ）段階は、
　前記コンタクトホール及び層間絶縁膜の表面に均一に障壁金属層を形成する段階と、
　前記障壁金属層上に前記コンタクトホールを埋める金属層を形成する段階と、
　前記金属層、障壁金属層及びポリシリコン膜を各々の膜がエッチングされる速度が実質的に同一であるようにして、前記金属層、障壁金属層及びポリシリコン膜をエッチングする段階とを実施することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のコンタクト形成方法。
【請求項２０】
　前記ｖｉ）段階を実施した後に、前記層間絶縁膜上に形成されている膜を除去する段階をさらに実施することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のコンタクト形成方法。
【請求項２１】
　前記膜を除去する工程は２００ｍＴｏｒｒ以上の圧力下で実施することを特徴とする請求項２０に記載の半導体装置のコンタクト形成方法。
【請求項２２】
　前記コンタクト形成領域は金属シリサイド膜、シリコン膜及び金属膜よりなる群から選択された膜で形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のコンタクト形成方法。
【請求項２３】
　ｉ）コンタクト形成領域を有する半導体基板上にエッチング阻止膜と層間絶縁膜を順次形成する段階と、
　ｉｉ）前記層間絶縁膜上にポリシリコン膜及び反射防止膜を順次形成する段階と、
　ｉｉｉ）前記反射防止膜上に、前記コンタクト形成領域の上部に該当する部位がオープンする第１マスクパターンを形成する段階と、
　ｉｖ）前記第１マスクパターン底面の反射防止膜をエッチングすることによって、底面にポリシリコン膜が露出する第２マスクパターンを形成する段階と、
　ｖ）前記第２マスクパターンの側壁にポリマを付着させ、前記第１マスクパターンに比べてオープンする部位が減少した第３マスクパターンを形成する段階と、
　ｖｉ）前記第３マスクパターンをエッチングマスクとして、前記エッチング阻止膜が底面に露出するようにポリシリコン膜及び層間絶縁膜をエッチングする段階と、
　ｖｉｉ）前記ポリシリコン膜上に反射防止膜を残しながら、前記露出したエッチング阻止膜をエッチングすることによって、前記コンタクト形成領域の上部面が露出するコンタクトホールを形成する段階と、
　ｖｉｉｉ）前記コンタクトホール内に導電物質を埋める段階とを実施することを特徴とする半導体装置のコンタクト形成方法。
【請求項２４】
　前記ｖｉｉｉ）段階は、
　前記コンタクトホール及び層間絶縁膜の表面に均一に障壁金属層を形成する段階と、
　前記障壁金属層上に前記コンタクトホールを埋める金属層を形成する段階と、
　前記ポリシリコン膜の上部面が露出するように、前記金属層及び障壁金属層を研磨する段階と、
　前記ポリシリコン膜をドライエッチングする段階とを実施することを特徴とする請求項２３に記載の半導体装置のコンタクト形成方法。
【請求項２５】
　前記ｖｉｉｉ）段階は、
　前記コンタクトホール及び層間絶縁膜の表面に均一に障壁金属層を形成する段階と、
　前記障壁金属層上に前記コンタクトホールを埋める金属層を形成する段階と、
　前記金属層、障壁金属層及びポリシリコン膜を各々の膜がエッチングされる速度が実質的に同一であるようにして、前記金属層、障壁金属層及びポリシリコン膜をエッチングする段階とを実施することを特徴とする請求項２３に記載の半導体装置のコンタクト形成方法。
【請求項２６】
　ｉ）コンタクト形成領域を有する半導体基板上に層間絶縁膜を形成する段階と、
　ｉｉ）前記層間絶縁膜上にポリシリコン膜及び反射防止膜を順次形成する段階と、
　ｉｉｉ）前記反射防止膜上に、前記コンタクト形成領域の上部に該当する部位がオープンする第１マスクパターンを形成する段階と、
　ｉｖ）前記第１マスクパターンにより露出する反射防止膜をエッチングすることによって、底面にポリシリコン膜が露出する第２マスクパターンを形成する段階と、
　ｖ）前記構造物の側壁にポリマを付着させ、前記第１マスクパターンに比べてオープンする部位が減少した第３マスクパターンを形成する段階と、
　ｖｉ）前記第３マスクパターンをエッチングマスクとして、前記ポリシリコン膜及び層間絶縁膜をエッチングすることによって、前記コンタクト形成領域の上部面が露出するコンタクトホールを形成する段階と、
　ｖｉｉ）前記層間絶縁膜上に残っている膜を除去する段階と、
　ｖｉｉｉ）前記コンタクトホール内に導電物質を埋める段階とを実施することを特徴とする半導体装置のコンタクト形成方法。
【請求項２７】
　前記ｉ）段階で、前記層間絶縁膜を形成する前に、前記コンタクト形成領域を有する基板上にエッチング阻止膜を形成する段階をさらに実施することを特徴とする請求項２６に記載の半導体装置のコンタクト形成方法。
【請求項２８】
　前記ｖｉｉ）段階の除去工程は２００ｍＴｏｒｒ以上の圧力下でドライエッチングにより実施することを特徴とする請求項２６に記載の半導体装置のコンタクト形成方法。
【請求項２９】
　前記ｖｉｉｉ）段階は、
　前記コンタクトホール及び層間絶縁膜の表面に均一に障壁金属層を形成する段階と、
　前記障壁金属層上に前記コンタクトホールを埋める金属層を形成する段階と、
　前記層間絶縁膜の上部面が露出するように、前記金属層及び障壁金属層を研磨する段階を実施することを特徴とする請求項２６に記載の半導体装置のコンタクト形成方法。
【請求項３０】
　前記障壁金属層はチタン膜と、窒化チタン膜と、タンタル膜、窒化タンタル膜及びこれらの複合膜よりなる群から選択されたいずれか一つの膜であることを特徴とする請求項２６に記載の半導体装置のコンタクト形成方法。
【請求項３１】
　前記ｖｉｉｉ）段階は、
　前記コンタクトホール及び層間絶縁膜の表面に均一に障壁金属層を形成する段階と、
　前記障壁金属層上に前記コンタクトホールを埋める金属層を形成する段階と、
　前記金属層、障壁金属層を各々の膜がエッチングされる速度が実質的に同一であるようにして、前記金属層、障壁金属層及びポリシリコン膜をエッチングする段階とを実施することを特徴とする請求項２６に記載の半導体装置のコンタクト形成方法。
【請求項３２】
　前記コンタクト形成領域は金属シリサイド膜、シリコン膜及び金属膜よりなる群から選択された膜で形成されてなることを特徴とする請求項２６に記載の半導体装置のコンタクト形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は半導体装置の製造においてコンタクトを形成する方法に関し、より詳細には、微細なサイズのコンタクトを形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　急速に発展している情報化社会において、大量の情報を速く処理するために高集積化してなる半導体装置が要求されている。従って、半導体装置をなす各セルを高度に集積化させるために、半導体素子の配線は立体的な形態であり、多層構造で形成されている。前記のように配線を多層に形成するためには、層間配線を電気的に連結させるためのコンタクトを必要とする。
【０００３】
　図１〜図５は半導体装置の製造であって従来のコンタクト形成方法を説明するための断面図である。
【０００４】
　図１に示すように、コンタクト形成領域１０ａを有する半導体基板１０上に１００〜２０００Åの厚さを有するエッチング阻止膜１２を形成する。続いて、エッチング阻止膜１２上に層間絶縁膜１４を形成する。コンタクト形成領域１０ａは、例えば、トランジスターのゲート電極上部面、ソース及びドレーンなどを含むことができる。また、コンタクト形成領域１０ａはコンタクトプラグの表面でありうる。
【０００５】
　図２に示すように、層間絶縁膜１４上に、後に実施するフォトリソグラフィ工程時、下部膜による光の乱反射を防止する反射防止膜１６を形成する。続いて、反射防止膜１６上に前記コンタクト形成領域の上部をオープンさせるフォトレジストパターン１８を形成する。
【０００６】
　図３に示すように、フォトレジストパターン１８をマスクとしてエッチング阻止膜１２が低部に露出するように、反射防止膜１６及び層間絶縁膜１４を順次エッチングする。
【０００７】
　図４に示すように、フォトレジストパターン１８を通常のフォトレジストストリップ工程を実施して除去する。続いて、エッチング阻止膜１２をエッチングしてコンタクト形成領域を露出させるコンタクトホール２０を形成する。エッチング阻止膜１２をエッチングすると、反射防止膜１６が同時に除去される。
【０００８】
　図５に示すように、コンタクトホール２０内に導電物質を埋めてコンタクト２２を形成する。
【０００９】
　前記過程によって形成されるコンタクトのサイズは、フォトレジストパターンを形成する露光工程により決定される。しかし、露光工程を実施して微細なフォトレジストパターンを具現するには限界がある。特に、最近の半導体装置は１００ｎｍ以下のサイズを有するコンタクト形成技術を必要とし、これは最近の露光技術でも具現することが困難なことが実情である。
【００１０】
　従来方法により形成されるフォトレジストパターンよりさらに小さいサイズを有するコンタクトを形成するために、図２でフォトレジストパターンを形成した後に、フォトレジストパターンの側壁にフォトレジストが流れるようにする別途のフォトレジストフロー工程を実施することもある。しかし、フォトレジストのフローする程度が基板の各領域別に均一でないため、基板全面で均一なサイズのコンタクトが形成されないという短所がある。具体的には、コンタクトとコンタクト間の間隔が稠密である領域では、コンタクトとコンタクト間の間隔が広い領域に比べてフォトレジストが速く流れるので、コンタクトとコンタクト間の間隔が稠密である領域に形成されるコンタクトのサイズが相対的に小さい。
【００１１】
　微細なコンタクトを形成しようとするその他の方法として、コンタクトホールの形成時に、コンタクトホールの底面部がコンタクトホールの入口部分に比べて小さなサイズになるように傾斜エッチングする方法がある。しかし、傾斜エッチング工程は同一な膜をエッチングしてもサイズが大きいコンタクトを形成する場合には、エッチング速度が相当遅くなる特徴がある。それゆえ、同一エッチング工程によって形成しなければならないコンタクトホールのサイズが各領域別に同一でない場合には、サイズが大きなコンタクトホールが小さくエッチングされ、ノットオープン（ｎｏｔ−ｏｐｅｎ）不良が発生したり、またはサイズが小さいコンタクトホールが過度エッチングされる不良が発生したりすることになる。
【００１２】
　このような問題点を改善するための一例として、［特許文献１］には、ポリシリコンパターン及びフォトレジストパターンが積層されたマスクパターンを形成し、マスクパターンにポリマを形成しながら絶縁膜をエッチングして、コンタクトホールを形成する方法が開示されている。しかし、この方法は、コンタクトホールの側面に付着するポリマの厚さを調節することが相当困難である。それゆえ、所望サイズを有するコンタクトホールを形成することが困難である。
【特許文献１】米国特許第５，７１９，０８９号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
　本発明の目的は、微細なサイズのコンタクトを形成する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
　上述した目的を達成するための本発明によるコンタクト形成方法は、コンタクト形成領域を有する半導体基板上に層間絶縁膜を形成する段階と、前記層間絶縁膜上にポリシリコン膜及び反射防止膜を順次形成する段階と、前記反射防止膜上に、前記コンタクト形成領域の上部に該当する部位がオープンする第１マスクパターンを形成する段階と、前記第１マスクパターン底面に露出した反射防止膜をエッチングすることによって、ポリシリコン膜が露出する第２マスクパターンを形成する段階と、前記第２マスクパターンの側壁にポリマを付着させ、前記第１マスクパターンに比べてオープンする部位が減少した第３マスクパターンを形成する段階と、前記第３マスクパターンをエッチングマスクとして、前記ポリシリコン膜及び層間絶縁膜をエッチングすることによって、前記コンタクト形成領域の上部面が露出するコンタクトホールを形成する段階と、前記コンタクトホール内に導電物質を埋める段階とを実施することからなる。
【００１５】
　上述した他の目的を達成するための本発明によるコンタクト形成方法は、コンタクト形成領域を有する半導体基板上にエッチング阻止膜と層間絶縁膜を順次形成する段階と、前記層間絶縁膜上にポリシリコン膜及び反射防止膜を順次形成する段階と、前記反射防止膜上に、前記コンタクト形成領域の上部に該当する部位がオープンする第１マスクパターンを形成する段階と、前記第１マスクパターンにより露出する反射防止膜をエッチングすることによって、底面にポリシリコン膜が露出する第２マスクパターンを形成する段階と、前記構造物の側壁にポリマを付着させ、前記第１マスクパターンに比べてオープンする部位が減少した第３マスクパターンを形成する段階と、前記第３マスクパターンをエッチングマスクとして、前記エッチング阻止膜が底面に露出するようにポリシリコン膜及び層間絶縁膜をエッチングする段階と、前記ポリシリコン膜上に反射防止膜を残しながら、前記露出したエッチング阻止膜をエッチングすることによって、前記コンタクト形成領域の上部面が露出するコンタクトホールを形成する段階と、前記コンタクトホール内に導電物質を埋める段階とを実施することからなる。
【００１６】
　また、上述した他の目的を達成するための本発明によるコンタクト形成方法は、コンタクト形成領域を有する半導体基板上に層間絶縁膜を形成する段階と、前記層間絶縁膜上にポリシリコン膜及び反射防止膜を順次形成する段階と、前記反射防止膜上に、前記コンタクト形成領域の上部に該当する部位がオープンする第１マスクパターンを形成する段階と、前記第１マスクパターン底面に露出する反射防止膜をエッチングすることによって、ポリシリコン膜が露出する第２マスクパターンを形成する段階と、前記第２マスクパターンの側壁にポリマを付着させ、前記第１マスクパターンに比べてオープンする部位が減少した第３マスクパターンを形成する段階と、前記第３マスクパターンをエッチングマスクとして、前記ポリシリコン膜及び層間絶縁膜をエッチングすることによって、前記コンタクト形成領域の上部面が露出するコンタクトホールを形成する段階と、前記層間絶縁膜上に残っている膜を除去する段階と、前記コンタクトホール内に導電物質を埋める段階とを実施することからなる。
【００１７】
　前記の方法によると、第２マスクパターンの側壁にポリマを付着させ、ポリマが付着した第３マスクパターンをエッチングマスクとしてコンタクトホールを形成する。それゆえ、従来の露光工程により形成することができるコンタクトサイズに比べて、さらに小さいサイズのコンタクトホールを形成することができる。また、ポリマが付着される量を調節して所望サイズを有するコンタクトホールを形成することができる。
【発明の効果】
【００１８】
　本発明によると、従来の露光技術により形成することができる最小限のコンタクトサイズよりさらに小さいサイズのコンタクトを形成することができる。コンタクトサイズが減少しながら、コンタクトミスアラインマージンが増加することになり、工程不良を減少させることができる。即ち、コンタクトサイズが小さいほどコンタクト形成領域とコンタクトの底面が正確に接触する可能性は増加し、また、隣接するコンタクトとブリッジが発生する可能性は減少する。
【００１９】
　また、コンタクト形成工程中にポリシリコン膜と金属物質が反応して生ずる反応膜が殆ど形成されない。従って、反応膜により発生される工程不良を最少化することができる。
【００２０】
　また、フォトレジストパターンのオープンサイズが局部的に均一でなくても、均一なサイズを有するコンタクトホールを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
　以下、図面を参照して本発明の望ましい一実施形態をより詳細に説明する。
【実施例１】
【００２２】
　図６〜図１６は本発明の第１実施形態による半導体装置のコンタクト形成方法を説明するための断面図である。
【００２３】
　図６に示すように、コンタクト形成領域を有する半導体基板１００上に１００〜２０００Åの厚さを有するエッチング阻止膜１０８を形成する。エッチング阻止膜１０８は、コンタクト形成領域と後に形成される層間絶縁膜のエッチング選択比により形成しないこともある。続いて、エッチング阻止膜１０８上に層間絶縁膜１１０を形成する。コンタクト形成領域は金属シリサイド膜、シリコン膜または金属膜で形成され得る。半導体装置でコンタクト形成領域１０６は、例えば、トランジスターのゲート電極上部面、ソース及びドレーンなどを含むことができる。また、コンタクト形成領域はコンタクトプラグの表面でありうる。本実施形態では、コンタクト形成領域がトランジスターのゲート電極の上部面である場合を、例を挙げて詳細に説明する。
【００２４】
　基板上に熱酸化工程により酸化膜を形成する。酸化膜上にゲート膜として、例えば、不純物がドーピングされたポリシリコン膜及び金属シリサイド膜を順次蒸着する。金属シリサイド膜は、例えば、タングステンシリサイド（ＷＳｉｘ）、タンタルシリサイド（ＴａＳｉ２）、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ２）またはコバルトシリサイド（ＣｏＳｉｘ）である。続いて、金属シリサイド膜上にシリコンナイトライド（ＳｉＮ）のような窒化物を低圧化学気相蒸着（ＬＰＣＶＤ）方法により約８００Åの厚さに蒸着して反射防止層（ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ　ｌａｙｅｒ）（図示せず）を形成する。反射防止層は後続するフォトリソグラフィ工程時に下部基板から光が反射することを防止する役割をし、フォトレジストパターンの形成を容易にする。反射防止層上にフォトレジストパターン（図示せず）を形成した後、フォトレジストパターンをエッチングマスクに利用して反射防止層をゲートパターンにパターニングする。続いて、フォトレジストパターンを除去した後、パターニングされた反射防止層をエッチングマスクに利用して金属シリサイド膜、ポリシリコン膜及び酸化膜を順次ドライエッチングする。従って、半導体基板１００上にゲート酸化膜１０２、ポリシリコンパターン１０４及び金属シリサイドパターン１０６が蒸着したゲート電極１０７を形成する。上述したエッチング工程時に反射防止層が殆ど除去される。
【００２５】
　続いて、ゲート電極１０７が形成されている半導体基板１００全面に１００〜２０００Åの厚さを有するエッチング阻止膜（ｅｔｃｈ　ｓｔｏｐ　ｌａｙｅｒ）１０８を形成する。エッチング阻止膜１０８は後工程で形成される層間絶縁膜１１０とエッチング選択比が高い膜で形成し、層間絶縁膜１１０の所定部位をエッチングするとき、エッチング阻止膜１０８でエッチングが止まるようにする。具体的には、エッチング阻止膜１０８はシリコン窒化物（ＳｉＮ）で形成することができる。
【００２６】
　続いて、エッチング阻止膜１０８上にゲート電極１０７が埋められるように層間絶縁膜１１０を形成する。層間絶縁膜１１０はシリコン酸化物で形成することができる。
【００２７】
　図７に示すように、層間絶縁膜１１０上にポリシリコン膜１１２を形成する。ポリシリコン膜１１２は後続するポリマ付着工程で、所望厚さのポリマが付着する間ポリシリコン膜１１２の下部膜を保護する役割をする。それゆえ、所望厚さのポリマが付着する間はポリシリコン膜１１２が完全に消耗しないような厚さに形成しなければならない。具体的には、ポリシリコン膜１１２は１００〜２０００Å厚さで形成する。万一、ポリシリコン膜１１２が１００Å未満の厚さで形成されると、ポリマ付着工程中にポリシリコン膜１１２が完全に消耗される可能性がある。また、ポリシリコン膜１１２が２０００Åを超える厚さで形成されると、後にポリシリコン膜１１２除去工程などが困難となり、工程時間の増加などの問題点が発生する。
【００２８】
　図８に示すように、ポリシリコン膜１１２上に、後に実施するフォトリソグラフィ工程時に下部膜による光の乱反射を防止するための反射防止膜１１４を形成する。反射防止膜１１４は、前記工程によって形成されるエッチング阻止膜１０８より厚く形成する。反射防止膜１１４は３０〜２０００Å厚さで形成されることが望ましい。また、反射防止膜１１４は、エッチング阻止膜１０８に比べて、少なくとも３０Å以上厚く形成することが望ましい。反射防止膜１１４は、例えば、シリコンオキシ窒化物（ＳｉＯＮ）を蒸着させて形成することができる。
【００２９】
　図９に示すように、反射防止膜１１４上に、ゲート電極の上部に該当する部位をオープンさせるフォトレジストパターン１１６を形成する。具体的には、反射防止膜１１４上にフォトレジストをコーティングする。フォトレジスト膜でゲート電極１０７の上部に該当する部位を露光し、現像してフォトレジストパターン１１６を形成する。前記過程で形成されるフォトレジストパターン１１６は、ゲート電極１０７の上部に該当する部位がオープン領域（Ａ）になる。ここで、フォトレジストパターン１１６のオープン領域のサイズは、ゲート電極の幅に比べてさらに広く形成することも可能である。
【００３０】
　図１０に示すように、フォトレジストパターン１１６をエッチングマスクとし、反射防止膜１１４ａの所定部位をエッチングすることによって、底面にポリシリコン膜１１２が露出する予備エッチングマスクパターン１１８を形成する。予備エッチングマスクパターン１１８は、反射防止膜１１４ａ及びフォトレジストパターン１１６が積層された形態を有する。
【００３１】
　図１１に示すように、予備エッチングマスクパターン１１８の側壁にポリマ１２０を付着させ、フォトレジストパターン１１６のオープン領域（Ａ）に比べてオープン領域（Ｂ）が減少したエッチングマスクパターン１２２を形成する。
【００３２】
　ポリマ付着工程は、予備エッチングマスクパターン１１８が形成されている基板上にＣＨｘＦｙ系ガスまたはＣＨｘＦｙ系ガスを含む混合ガスを供給して実施する。ＣＨｘＦｙ系ガスは、例えば、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ及びＣＨＦ３よりなる群から選ばれた少なくとも一種のガスを含む。また、ＣＨｘＦｙ系ガスと混合させるガスはＨｅＯ２及びＣｌ２よりなる群から選ばれた少なくとも一種のガスを含む。前記ガスを使用して工程を実施すると、露出したポリシリコン膜１１２は殆どエッチングされずに、予備エッチングマスクパターン１１８の側壁のみポリマが付着する。万一、ポリマ付着工程を実施するとき、露出したポリシリコン膜１１２及び下部の層間絶縁膜１１０が同時にエッチングされると、予備エッチングマスクパターン１１８の側壁に所望厚さのポリマを付着させることが相当困難である。しかし、ポリマ付着工程によりポリシリコン膜１１２が殆どエッチングされないため、工程時間を十分に調節することができるので、所望厚さのポリマを付着させることができる。
【００３３】
　前記工程により形成されるエッチングマスクパターン１２２は、ポリマが付着する厚さによりオープン領域（Ｂ）のサイズが減少する。即ち、前記方法によると、フォトリソグラフィ工程により形成されるフォトレジストパターン１１６の最小限のオープン領域（Ａ）に比べて、オープン領域のサイズがさらに減少したエッチングマスクパターンを形成することができる。
【００３４】
　図１２に示すように、エッチングマスクパターン１２２をマスクとし、エッチング阻止膜１０８が露出するようにポリシリコン膜１１２ａ及び層間絶縁膜１１０を順次エッチングして、予備コンタクトホール１２４を形成する。予備コンタクトホール１２４は、図９で形成したフォトレジストパターン１１６のオープン領域（Ａ）に比べて、サイズが小さく形成される。
【００３５】
　図１３に示すように、予備エッチングマスクパターン１１８の側壁に付着しているポリマ及びフォトレジストパターン１１６を除去する。除去工程は通常のアッシング工程（ａｓｈｉｎｇ　ｐｒｏｃｅｓｓ）によって実施できる。
【００３６】
　前記除去工程は、予備コンタクトホール１２４を形成する段階を実施した直後に実施せずに、その後実施することも可能である。しかし、前記過程を、予備コンタクトホール１２４を形成する段階の直後に実施しなければ、その後行われる工程で予備コンタクトホール１２４底面に露出したエッチング阻止膜１０８が正常にエッチングされない問題が発生する。その理由を簡単に説明すると、予備コンタクトホール１２４を形成する工程でエッチング阻止膜１０８の上部面にもポリマ（図示せず）が付着する。エッチング阻止膜１０８の上部面に付着しているポリマは、エッチング阻止膜１０８をエッチングする工程を実施しても、十分にエッチングされない。それゆえ、コンタクトノットオープン不良またはコンタクト抵抗が増加する不良が発生することになる。
【００３７】
　図１４に示すように、ポリシリコン膜１１２ａ上に反射防止膜１１４ｂを残しながら、露出したエッチング阻止膜１０８ａをエッチングして、ゲート電極１０７の上部面が露出するコンタクトホール１２５を形成する。
【００３８】
　エッチング阻止膜１０８ａをエッチングすると、反射防止膜１１４ｂも同時にエッチングされる。しかし、反射防止膜１１４ｂはエッチング阻止膜１０８ａに比べて１００Å以上厚く形成されているため、エッチング阻止膜１０８ａを完全にエッチングしてもポリシリコン膜１１２ａ上には反射防止膜１１４ｂが残っている。残っている反射防止膜１１４ｂは３０〜１５００Å程度の厚さを有することが望ましい。反射防止膜１１４ｂを３０Å未満に残す場合、局部的に反射防止膜１１４ｂが全て除去される部位が生じ易い。また、反射防止膜１１４ｂが１５００Åを超えて残る場合、後続工程で反射防止膜１１４ｂを除去することが困難になる。
【００３９】
　万一、図６で説明した工程で、エッチング阻止膜１０８ａを形成しない場合にはエッチング阻止膜１０８ａのエッチング工程を実施しないこともある。また、エッチング阻止膜１０８ａをエッチング工程の代わりに、ポリシリコン膜１１２ａ上に反射防止膜１１４ｂを残しながら、反射防止膜１１４ｂの一部をエッチングして、反射防止膜１１４ｂの厚さを薄くする工程を実施することもできる。
【００４０】
　図１５に示すように、コンタクトホール１２５、ポリシリコン膜１１２ａ及び反射防止膜１１４ｂの表面に、均一に障壁金属層１２６を形成する。障壁金属層１２６は、後続工程によりコンタクトホール１２５内に埋められる導電物質が層間絶縁膜１１０ａ内部に拡散することを防止するために形成する膜である。障壁金属層１２６は、例えば、チタン層、窒化チタン層、タンタル層、窒化タンタル層またはこれらの物質層のうちから少なくとも２個を積層させることからなる複合層で形成することができる。
【００４１】
　しかし、障壁金属層１２６に使用される物質は、ポリシリコン膜１１２ａと相当速く反応してポリシリコン膜１１２ａの上部に局部的に金属シリサイド物質で形成される反応膜を形成させる。反応膜はドライエッチング工程では十分にエッチングされないため、パーティクルソースになり、工程不良の原因になる。しかし、ポリシリコン膜１１２ａ上部には反射防止膜１１４ｂが残っているため、障壁金属層１２６を形成するときポリシリコン膜１１２ａが表面上に殆ど露出しない。それゆえ、不良を誘発する反応膜が形成されない。
【００４２】
　続いて、障壁金属層１２６上にコンタクトホール１２５を埋めるように金属層１２８を形成する。金属層１２８は、例えば、タングステン、アルミニウム、銅物質で形成することができる。
【００４３】
　図１６に示すように、金属層１２８、障壁金属層１２６及び反射防止膜１１４ｂを順次研磨して、ポリシリコン膜１１２ａを表面に露出させる。ここで、金属層１２８はポリシリコン膜１１２ａに比べて１０倍以上速い速度で研磨されるように研磨工程を実施する。研磨工程によってポリシリコン膜１１２ａは殆ど研磨されないため、ポリシリコン膜１１２が露出する部位まで研磨を実施できる。
【００４４】
　続いて、露出したポリシリコン膜１１２ａをドライエッチングしてゲート電極１０７と電気的に連結するコンタクト１３０を形成する。ポリシリコン膜１１２ａをエッチングする工程を実施するとき、コンタクト部位には金属層１２８が露出している。それゆえ、ポリシリコン膜１１２ａは金属層１２８に比べて５倍以上速い速度でエッチングすることにより、ポリシリコン膜１１２ａを完全にエッチングしながら、金属層１２８は過度にエッチングされないようにする。具体的には、ポリシリコン膜１１２ａはＣｌ２及びＨＢｒよりなる群から選ばれた少なくとも一種を含むガスを使用してエッチングする。
【００４５】
　上述した方法の外にも、金属層１２８、障壁金属層１２６、反射防止膜１１４ｂ及びポリシリコン膜１１２ａのエッチング速度をほぼ同一であるようにエッチング条件を合わせて、膜をドライエッチングすることによってゲート電極と電気的に連結するコンタクト１３０を形成することができる。
【実施例２】
【００４６】
　図１７〜図２５は本発明の第２実施形態による半導体装置のコンタクト形成方法を説明するための断面図である。
【００４７】
　図１７に示すように、コンタクト形成領域を有する半導体基板２００上に１００〜２０００Åの厚さを有するエッチング阻止膜２０８を形成する。エッチング阻止膜２０８は、コンタクト形成領域と後に形成される層間絶縁膜のエッチング選択比により形成しないこともある。続いて、エッチング阻止膜２０８上に層間絶縁膜２１０を形成する。コンタクト形成領域は、金属シリサイド膜または金属膜で形成され得る。半導体装置でコンタクト形成領域は、例えば、トランジスターのゲート電極上部面、ソース及びドレーンなどを含むことができる。また、コンタクト形成領域はコンタクトプラグの表面でありうる。本実施形態では、コンタクト形成領域が金属シリサイドパターンの上部面である場合を、例を挙げて詳細に説明する。
【００４８】
　半導体基板２００上に、不純物がドーピングされたポリシリコン膜２０２及び金属シリサイド膜２０４を順次形成する。金属シリサイド膜２０４は、例えば、タングステンシリサイド（ＷＳｉｘ）、タンタルシリサイド（ＴａＳｉ２）、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ２）またはコバルトシリサイド（ＣｏＳｉｘ）を含む。
【００４９】
　続いて、金属シリサイド膜２０４上に反射防止層（ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ　ｌａｙｅｒ）及びフォトレジストパターン（図示せず）を形成した後、フォトレジストパターンをエッチングマスクに利用して反射防止層をエッチングする。続いて、フォトレジストパターンを除去した後、パターニングされた反射防止層をエッチングマスクに利用して金属シリサイド膜２０４、ポリシリコン膜２０２を順次ドライエッチングして導電性パターン２０５を形成する。上述したエッチング工程時に反射防止層は殆ど除去される。
【００５０】
　続いて、導電性パターン２０５を埋めるように絶縁膜２０６を形成し、絶縁膜２０６を研磨して、導電性パターン２０５の上部層である金属シリサイド膜２０４を露出させる。露出している金属シリサイド膜２０４の表面がコンタクト形成領域になる。
【００５１】
　コンタクト形成領域が形成されている半導体基板２００上に、１００〜２０００Åの厚さを有するエッチング阻止膜２０８を形成する。続いて、エッチング阻止膜２０８上に層間絶縁膜２１０を形成する。層間絶縁膜２１０はシリコン酸化物で形成することができる。
【００５２】
　図１８に示すように、層間絶縁膜２１０上にポリシリコン膜２１２を形成する。ポリシリコン膜２１２は後続するポリマ付着工程で、所望厚さのポリマが付着する間、ポリシリコン膜２１２の下部膜を保護する役割をする。ポリシリコン膜２１２は１００〜２０００Åの厚さで形成する。
【００５３】
　図１９に示すように、ポリシリコン膜２１２上に、後に実施するフォトリソグラフィ工程時に下部膜による光の乱反射を防止するための反射防止膜２１４を形成する。反射防止膜２１４は、例えば、ＳｉＯＮを蒸着させて形成することができる。反射防止膜２１４の厚さは制限されず、ただ、光の乱反射を効果的に防止できる厚さであれば可能である。
【００５４】
　図２０に示すように、反射防止膜２１４上に、金属シリサイドパターンの上部に該当する部位がオープンするフォトレジストパターン２１６を形成する。
【００５５】
　図２１に示すように、フォトレジストパターン２１６をエッチングマスクとし、反射防止膜２１４ａの所定部位をエッチングすることによって、底面にポリシリコン膜２１２が露出する予備エッチングマスクパターン２１８を形成する。予備エッチングマスクパターン２１８は、反射防止膜パターン２１４ａ及びフォトレジストパターン２１６が積層された形態を有する。
【００５６】
　図２２に示すように、予備エッチングマスクパターン２１８の側壁にポリマ２２０を付着させ、フォトレジストパターン２１６のオープン領域に比べてオープン領域が減少したエッチングマスクパターン２２２を形成する。
【００５７】
　ポリマ付着工程は、予備エッチングマスクパターン２１８が形成されている基板上に、ＣＨｘＦｙ系ガスまたはＣＨｘＦｙ系ガスを含む混合ガスを供給して実施する。ＣＨｘＦｙ系ガスは、例えば、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ及びＣＨＦ３よりなる群から選ばれた少なくとも一種のガスを含む。また、ＣＨｘＦｙ系ガスと混合されるガスはＨｅＯ２及びＣｌ２よりなる群から選ばれた少なくとも一種のガスを含む。前記ガスを使用して工程を実施すると、露出したポリシリコン膜２１２は殆どエッチングされずに、予備エッチングマスクパターン２１８の側壁のみポリマが付着する。それゆえ、ポリマ付着工程時間を調節して、所望厚さのポリマ２２０を付着させることができる。
【００５８】
　図２３に示すように、エッチングマスクパターン２２２をマスクとし、エッチング阻止膜２０８が露出するようにポリシリコン膜２１２ａ及び層間絶縁膜２１０ａを順次エッチングして、予備コンタクトホール２２４を形成する。予備コンタクトホール２２４は、図２０で形成したフォトレジストパターン２１６のオープン領域に比べて、サイズが小さく形成される。
【００５９】
　図２４に示すように、予備エッチングマスクパターン２１８の側壁に付着しているポリマ及びフォトレジストパターン２１６を除去する。除去工程は通常のアッシング工程（ａｓｈｉｎｇ　ｐｒｏｃｅｓｓ）によって実施できる。
【００６０】
　図２５に示すように、ポリシリコン膜２１２ａ上に反射防止膜２１４ｂと予備コンタクトホール２２４底面に露出したエッチング阻止膜２０８を同時にエッチングして、金属シリサイド膜２０４の上部面が露出するコンタクトホール２２６を形成する。ここで、露出したエッチング阻止膜２０８は全てエッチングしなければならないが、反射防止膜２１４ａは前記工程を実施した後に一定厚さを残すこともでき、全て除去することもできる。図２５では、反射防止膜２１４ａが全て除去されている。
【００６１】
　図２６に示すように、層間絶縁膜２１０ａ上に形成されている膜を全て除去して表面に層間絶縁膜２１０ａを露出させる。前記エッチング工程を実施した後に反射防止膜２１４ａが残っていると、反射防止膜２１４ａ及びポリシリコン膜２１２ａを順次ドライエッチングする。また、前記エッチング工程を実施した後に反射防止膜２１４ａが残っていないと、露出したポリシリコン膜２１２ａをドライエッチングする。
【００６２】
　しかし、ポリシリコン膜２１２ａをエッチングするとき、コンタクトホール２２６の底面に露出している金属シリサイド膜２０４も一部エッチングされながら損傷する。それゆえ、ポリシリコン膜２１２ａをエッチングする間、金属シリサイド膜２０４が殆どエッチングされないようにする。一般に、エッチング工程を実施すると、パターンが稠密である領域に比べてパターンが稠密でない領域でエッチング速度が速くなるローディング効果（ｌｏａｄｉｎｇ　ｅｆｆｅｃｔ）が発生する。このようなローディング効果を極大化させて、層間絶縁膜２１０ａ上に形成されているポリシリコン膜２１２ａがコンタクトホール２２６の底面に露出する金属シリサイド膜２０４に比べてエッチング速度が速くなるようにできる。具体的には、エッチング工程は２００ｍＴｏｒｒ以上の高圧力下で実施してローディング効果を大きくすることができる。これにより、金属シリサイド膜２０４の損傷を最少化することができる。
【００６３】
　実施形態２では、ポリシリコン膜２１２ａをエッチングするとき、コンタクトホール２２６の底面にコンタクト形成領域が露出しているため、コンタクト形成領域をポリシリコン物質で形成することは望ましくない。
【００６４】
　図２７に示すように、コンタクトホール２２６及び層間絶縁膜２１０ａの表面に、均一に障壁金属層２２８を形成する。障壁金属層２２８は、後続工程によってコンタクトホール内に埋められる導電物質が層間絶縁膜２１０ａ内部に拡散することを防止するために形成される膜である。障壁金属層２２８は、例えば、チタン層、窒化チタン層、タンタル層、窒化タンタル層またはこれら物質層のうちの少なくとも２個が積層されることからなる複合層で形成することができる。障壁金属層２２８を形成する工程以前にポリシリコン膜２１２ａを全て除去した。これにより、障壁金属層２２８を形成する間、障壁金属層２２８に使用される物質とポリシリコン膜２１２ａ間に反応膜が全く生成しない。
【００６５】
　続いて、障壁金属層２２８上にコンタクトホール２２６を埋めるように金属層２３０を形成する。金属層２３０は、例えば、タングステン、アルミニウム、銅物質として形成することができる。
【００６６】
　図２８に示すように、層間絶縁膜２１０ａが表面に露出するように、金属層２３０、障壁金属層２２８を順次除去して、コンタクトホール２２６内には金属層２３０、障壁金属層２２８が埋められ、コンタクトホール２２６間には層間絶縁膜２１０ａが形成されるコンタクト２３２を形成する。
【００６７】
　金属層２３０、障壁金属層２２８を順次除去する工程は、化学機械的研磨工程によって実施できる。または、金属層２３０及び障壁金属層２２８のエッチング速度がほぼ同一なエッチング条件に合わせて、膜をドライエッチングすることができる。
【００６８】
　前記実施形態１及び２を通じて説明した工程によって、コンタクトは露光工程により形成されるフォトレジストパターンのオープン領域のサイズよりさらに小さいサイズで形成することができる。従って、露光技術により形成することができる最小限のコンタクトサイズよりさらに小さいサイズのコンタクトを形成することができる。コンタクトサイズが減少しながら、コンタクトミスアラインマージンが増加することになって、工程不良を減少させることができる。即ち、コンタクトサイズが小さいほどコンタクト形成領域とコンタクトの底面が正確に接触する可能性が増加し、また、隣接するコンタクトとブリッジが発生する可能性は減少する。
【００６９】
　また、コンタクト形成工程中にポリシリコン膜と金属物質が反応して生ずる反応膜は殆ど形成されない。
【００７０】
　（フォトレジストパターンサイズ別ポリマ付着厚さ実験）
　図２９は多様なサイズのオープン領域を有するフォトレジストパターンであってフォトレジストパターンの側壁に付着したポリマの厚さを測定した結果を示すグラフである。図２９において、ポリマの厚さは、約１００〜２３０ｎｍサイズのフォトレジストパターンに各々ポリマを付着させた後に測定したものである。図２９において、符号４００はポリマ付着工程を３０秒間実施した後、付着したポリマの厚さを測定したものであり、符号４０２はポリマ付着工程を６０秒間実施した後、ポリマの厚さを測定したものである。
【００７１】
　図２９に示すように、ポリマ付着工程時間が増加すると、ポリマの厚さが増加する。また、同一時間の間はポリマ付着工程を実施しても、フォトレジストパターンのオープン領域のサイズが増加するほどポリマが付着する厚さが増加する。ポリマが付着する厚さが増加するほど形成されるコンタクトホールのサイズが減少する。
【００７２】
　前記結果は、ポリマ付着工程を実施する以前に形成されるフォトレジストパターンのオープンサイズが局部的に均一でなくても、ポリマ付着工程を実施して完成されるエッチングマスクパターンは均一に形成することができることを示す。即ち、オープン領域の位置、下部パターンの形状などによりフォトレジストパターンのオープンサイズが相対的に大きくなった部位には、ポリマが相対的に厚く付着するため、最終的に完成されるエッチングマスクパターンは均一になり、これにより均一なサイズのコンタクトホールを形成することができる。
【００７３】
　以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
　本発明の半導体装置のコンタクト形成方法は、半導体装置の製造に活用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】半導体装置の製造で従来のコンタクト形成方法の一段階を説明するための断面図である。
【図２】半導体装置の製造で従来のコンタクト形成方法の一段階を説明するための断面図である。
【図３】半導体装置の製造で従来のコンタクト形成方法の一段階を説明するための断面図である。
【図４】半導体装置の製造で従来のコンタクト形成方法の一段階を説明するための断面図である。
【図５】半導体装置の製造で従来のコンタクト形成方法の一段階を説明するための断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態による半導体装置のコンタクト形成方法の一段階を説明するための断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態による半導体装置のコンタクト形成方法の一段階を説明するための断面図である。
【図８】本発明の第１実施形態による半導体装置のコンタクト形成方法の一段階を説明するための断面図である。
【図９】本発明の第１実施形態による半導体装置のコンタクト形成方法の一段階を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の第１実施形態による半導体装置のコンタクト形成方法の一段階を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の第１実施形態による半導体装置のコンタクト形成方法の一段階を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の第１実施形態による半導体装置のコンタクト形成方法の一段階を説明するための断面図である。
【図１３】本発明の第１実施形態による半導体装置のコンタクト形成方法の一段階を説明するための断面図である。
【図１４】本発明の第１実施形態による半導体装置のコンタクト形成方法の一段階を説明するための断面図である。
【図１５】本発明の第１実施形態による半導体装置のコンタクト形成方法の一段階を説明するための断面図である。
【図１６】本発明の第１実施形態による半導体装置のコンタクト形成方法の一段階を説明するための断面図である。
【図１７】本発明の第２実施形態による半導体装置のコンタクト形成方法の一段階を説明するための断面図である。
【図１８】本発明の第２実施形態による半導体装置のコンタクト形成方法の一段階を説明するための断面図である。
【図１９】本発明の第２実施形態による半導体装置のコンタクト形成方法の一段階を説明するための断面図である。
【図２０】本発明の第２実施形態による半導体装置のコンタクト形成方法の一段階を説明するための断面図である。
【図２１】本発明の第２実施形態による半導体装置のコンタクト形成方法の一段階を説明するための断面図である。
【図２２】本発明の第２実施形態による半導体装置のコンタクト形成方法の一段階を説明するための断面図である。
【図２３】本発明の第２実施形態による半導体装置のコンタクト形成方法の一段階を説明するための断面図である。
【図２４】本発明の第２実施形態による半導体装置のコンタクト形成方法の一段階を説明するための断面図である。
【図２５】本発明の第２実施形態による半導体装置のコンタクト形成方法の一段階を説明するための断面図である。
【図２６】本発明の第２実施形態による半導体装置のコンタクト形成方法の一段階を説明するための断面図である。
【図２７】本発明の第２実施形態による半導体装置のコンタクト形成方法の一段階を説明するための断面図である。
【図２８】本発明の第２実施形態による半導体装置のコンタクト形成方法の一段階を説明するための断面図である。
【図２９】多様なサイズのフォトレジストパターンに付着されるポリマの厚さを測定したグラフである。
【符号の説明】
【００７６】
　　１００　　半導体基板
　　１０８　　エッチング阻止膜
　　１１０　　層間絶縁膜
　　１１２　　ポリシリコン膜
　　１１４　　反射防止膜
　　１１６　　フォトレジストパターン
　　１１８　　予備エッチングマスクパターン
　　１２０　　ポリマ
　　１２２　　エッチングマスクパターン
　　１２５　　コンタクトホール
　　１２６　　障壁金属層
　　１２８　　金属層
　　１３０　　コンタクト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2004096105.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2004096105.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
2004096105.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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