(57)【要約】【課題】光出力が高く、かつ信頼性の高い光半導体素子を提供する。【解決手段】発光波長に対して透光性を有する透明基板２１の上面にｐｎ接合を有する発光層２２を形成し、透明基板２１の上面２５および下面２６に上面電極２３および下面電極２４をそれぞれ形成している。そして、透明基板２１の４つの側面のうち、対向する１対の側面２７，２８を、下面から上面に向かって、末広がりの傾斜面に形成し、他の１対の側面２９，３０を、上面から下面に向かって、末広がりの傾斜面に形成している。【選択図】　図１
2004103672.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光波長に対して透光性を有する透明基板と、
前記透明基板に形成されたｐｎ接合を有する発光層と、
前記発光層に電気的に接続を取るための電極と、
を具備し、
前記透明基板の側面が、透明基板の一方の主面から他方の主面に向かって、末広がりの傾斜面である第１の側面と、
前記他方の主面から一方の主面に向かって、末広がりの傾斜面である第２の側面とを有することを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記透明基板は相対向する４つの側面を有し、相対向する２つの側面が前記第１の側面からなり、他の相対向する２つの側面が前記第２の側面からなることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記一方の主面と前記第１の側面との間、または、前記他方の主面と前記第２の側面との間の、少なくともどちらか一方に、垂直な側面を備えたことを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記透明基板の鉛直方向と前記第１の側面および前記第２の側面との角度が、２０乃至４０度であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記第１の側面および前記第２の側面の、少なくとも１つの側面に、粗面化された領域を備えたことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記粗面化された領域の凹凸の谷と山の高さの差が、０．１乃至５μｍの間にあることを特徴とする請求項５記載の半導体発光素子。
【請求項７】
発光波長に対して透光性を有し、且つ４以上の複数の側面を有する透明基板と、
前記透明基板の一方の主面に接続された第１の電極と、
前記透明基板の他方の主面に接続された第２の電極と、
前記主面間の透明基板に設けられたｐｎ接合を有する発光層と、
を具備し、
前記複数の側面のうちの２以上の側面が、一方の主面から他方の主面に向かって、末広がりの傾斜面である第１の側面を有し、
前記複数の側面のうちの残りの２以上の側面が、他方の主面から一方の主面に向かって、末広がりの傾斜面である第２の側面を有し、
且つ、前記第１の側面および前記第２の側面が、線対称に設けられていることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項８】
前記第１の側面および前記第２の側面は、同数であることを特徴とする請求項７記載の半導体発光素子。
【請求項９】
前記透明基板の鉛直方向と前記第１の側面および前記第２の側面との角度が、２０乃至４０度であることを特徴とする請求項８記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
発光波長に対して透光性を有する透明基板と、
前記透明基板に形成されたｐｎ接合を有する発光層と、
前記発光層に電気的に接続を取るための電極と、
を有する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子の電極に一端部が電気的に接続されたリードフレームと、
前記リードフレームの他端部を除いて、その一端部および前記半導体発光素子を封止する透明樹脂と、
を具備し、
前記透明基板の側面が、透明基板の一方の主面から他方の主面に向かって、末広がりの傾斜面である第１の側面と、
前記他方の主面から一方の主面に向かって、末広がりの傾斜面である第２の側面とを
有することを特徴とする半導体発光装置。
【請求項１１】
前記透明基板は相対向する４つの側面を有し、相対向する２つの側面が前記第１の側面からなり、他の相対向する２つの側面が前記第２の側面からなることを特徴とする請求項１０記載の半導体発光装置。
【請求項１２】
前記一方の主面と前記第１の側面との間、または、前記他方の主面と前記第２の側面との間の、少なくともどちらか一方に、垂直な側面を備えたことを特徴とする請求項１０記載の半導体発光装置。
【請求項１３】
前記透明基板の鉛直方向と前記第１の側面および前記第２の側面との角度が、２０乃至４０度であることを特徴とする請求項１０乃至請求項１２のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項１４】
前記第１の側面および前記第２の側面の、少なくとも１つの側面に、粗面化された領域を備えたことを特徴とする請求項１０乃至請求項１３のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項１５】
前記粗面化された領域の凹凸の谷と山の高さの差が、０．１乃至５μｍの間にあることを特徴とする請求項１４記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、透明基板を使用した半導体発光素子および半導体発光装置に係り、特に光出力を高めるのに好適な構造を備えた半導体発光素子および半導体発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体発光素子、なかでも発光ダイオード（ＬＥＤ）は、フルカラーディスプレイ、交通・信号機器、車載用途などに幅広く用いられているが、この用途においては、特に光出力の高いものが要求されている。
【０００３】
この種の従来の代表的なＬＥＤの構造について図８を用いて説明する。図８に示すように、断面形状がほぼ矩形状で、発光波長に対して透光性を有する透明基板１の上面にｐｎ接合を有する発光層２が形成されており、発光層２と電気的に接続を取るために、その上面側には上面電極３が、下面側には下面電極４が設けられている。
【０００４】
上述のように構成されたＬＥＤでは、ｐｎ接合から放出された光のうち、図中の実線で示した、入射角が臨界角以下の光線はＬＥＤ外部に取り出されるが、図中の点線で示した、臨界角以上の光線は全反射され、ＬＥＤ内部で多重反射を繰り返しながら、やがて発光層２や透明基板１に吸収されて消滅してしまう。
【０００５】
このため、ＬＥＤのサイズが大きくなるほど、光を取り出すのが極めて困難になり、高い光出力のものが得られないという問題がある。
【０００６】
この問題を解決するＬＥＤの一例が、特開平１０−３４１０３５号公報に開示されている。このＬＥＤは、上面側が長辺、下面側が短辺で、下面側から上面側に向けて末広がりとなるような、斜角をなす連続側部表面を備えた逆四角錘台形構造になっている。
【０００７】
また、別の例が、特開平３−３５５６８号公報に開示されている。このＬＥＤでは、下面に垂直な複数の側面を持ち、この側面と下面に平行な上面との間に、下面側に向かって末広がりとなるような、垂直な側面と同数の複数の傾斜面を備えたほぼ四角錘台形構造になっている。
【０００８】
しかしながら、上述の特許公開公報に開示されたＬＥＤでは、断面が矩形状のＬＥＤより光出力を向上させることはできるが、下記のような問題点があった。
【０００９】
すなわち、末広がりの側面を有する台形構造のＬＥＤをエポキシ等の樹脂でモールドした場合、ＬＥＤに応力が不均一にかかる。例えば、ＬＥＤの上面側へ向かって、末広がりの場合には、ＬＥＤには樹脂から上向きの力が加わり、逆にＬＥＤの下面側へ向かって、末広がりの場合には、下向きの力が加わる。
【００１０】
このようなＬＥＤに加わる不均一な応力による歪は、ＬＥＤの長期信頼性を著しく損なうだけでなく、過度な応力により、ＬＥＤがマウント面から剥離したり、ＬＥＤにクラックが生じる、などの致命的な欠陥をもたらす恐れがある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した断面が矩形状のＬＥＤにおいては、高い光出力が得られない、一方、特許公開公報に開示されたＬＥＤでは、信頼性に問題がある。すなわち、従来のＬＥＤにおいては、光出力と信頼性を同時に満足することは、困難であった。
【００１２】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので、光出力が高く、かつ信頼性の高い半導体発光素子および半導体発光装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の半導体発光素子では、発光波長に対して透光性を有する透明基板と、前記透明基板に形成されたｐｎ接合を有する発光層と、前記発光層に電気的に接続を取るための電極とを具備し、前記透明基板の側面が透明基板の一方の主面から他方の主面に向かって、末広がりの傾斜面である第１の側面と、前記他方の主面から一方の主面に向かって、末広がりの傾斜面である第２の側面とを有することを特徴とする。
【００１４】
また、上記目的を達成するために、本発明の半導体発光素子では、発光波長に対して透光性を有し、且つ４以上の複数の側面を有する透明基板と、前記透明基板の一方の主面に接続された第１の電極と、前記透明基板の他方の主面に接続された第２の電極と、前記主面間の透明基板に設けられたｐｎ接合を有する発光層とを具備し、前記複数の側面のうちの２以上の側面が、一方の主面から他方の主面に向かって、末広がりの傾斜面である第１の側面を有し、前記複数の側面のうちの残りの２以上の側面が、他方の主面から一方の主面に向かって、末広がりの傾斜面である第２の側面を有し、且つ、第１及び第２の側面が、線対称に設けられていることを特徴とする。
【００１５】
さらに、上記目的を達成するために、本発明の半導体発光装置では、発光波長に対して透光性を有する透明基板と、前記透明基板に形成されたｐｎ接合を有する発光層と、前記発光層に電気的に接続を取るための電極とを有する半導体発光素子と、前記半導体発光素子の電極に一端部が電気的に接続されたリードフレームと、前記リードフレームの他端部を除いて、その一端部および前記半導体発光素子を封止する透明樹脂とを具備し、前記透明基板の側面が、透明基板の一方の主面から他方の主面に向かって、末広がりの傾斜面である第１の側面と、前記他方の主面から一方の主面に向かって、末広がりの傾斜面である第２の側面とを
有することを特徴とする。
【００１６】
本発明によれば、側面を傾斜面に形成しているので、光出力が高く、また第１の側面と第２の側面とを互に逆向きの斜面に形成して透明樹脂の応力を互に打ち消すようにしているので、信頼性の高い半導体発光素子および半導体発光装置が得られる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１８】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明による半導体発光素子の第１の実施の形態を示す図で、図１（ａ）は、半導体発光素子の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断し、矢印方向に眺めた断面図、図１（ｃ）は、図１（ｂ）のＢ−Ｂ線に沿って切断し、矢印方向に眺めた断面図である。
【００１９】
本実施の形態の半導体発光素子（ＬＥＤ）では、発光波長に対して透光性を有する透明基板２１は、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＳｉＣ、または、Ａｌ２Ｏ３、などからなり、この透明基板２１には、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｌＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、または、ＩｎＧａＡｌＮ、などからなるｐｎ接合を有する発光層２２が設けられている。以下、発光層２２も含めて透明基板２１と称する。
【００２０】
さらに、透明基板２１の上面（一方の主面）２５および下面（他方の主面）２６には、ワイヤ・ボンディング接続のための上面電極（第１の電極）２３およびリードフレームに取り付けるための下面電極（第２の電極）２４が、それぞれ設けられている。
【００２１】
また、本実施の形態のＬＥＤにおいては、透明基板２１の４つの側面のうち、対向する１対の第１の側面２７，２８は、図１（ｃ）に示すように、透明基板２１の下面２６から上面２５に向かって、末広がりの台形状をなす傾斜面に形成され、他の１対の第２の側面２９，３０は、図１（ｂ）に示すように、上面２５から下面２６に向かって、末広がりの台形状をなす傾斜面に形成されている。つまり、第１および第２の側面は、上面２５の中心線に対して線対称の関係に設けられている。
【００２２】
すなわち、透明基板２１の上面２５は、第１の側面２７、２８の台形の長辺と、第２の側面２９、３０の台形の短辺を４辺とする長方形をなし、下面２６は、第１の側面２７、２８の台形の短辺と、第２の側面２９、３０の台形の長辺を４辺とする長方形をなしている。つまり、透明基板２１の上面２５と下面２６は、９０度ねじった関係でもって対面している。
【００２３】
そして、透明基板２１の上面２５と第２の側面２９、３０の間には、垂直な側面３１、３２が設けられている。
【００２４】
第１の側面２７、２８および第２の側面２９、３０と透明基板２１の鉛直方向とのなす角度は、モールドする透明樹脂（図示せず）の屈折率を考慮して定める。
【００２５】
例えば、透明基板２１がＧａＰで、エポキシ樹脂からなる透明樹脂でモールドする場合は、赤色に対する屈折率がそれぞれ、３．３および１．５であることから、約２７度（臨界角度）近辺を選択するのが良く、一般的に２０乃至４０度程度の範囲が適当である。
【００２６】
上述のように構成されたＬＥＤでは、図１（ｃ）中の実線で示した、入射角が臨界角以下の光線だけでなく、図中の点線で示した、臨界角以上の光線も、素子の外部に取り出すことができる。
【００２７】
図２は、図１に示すＬＥＤを用いた半導体発光装置の断面図である。
【００２８】
図に示すように、上面電極２３が発光観測面側になるように、透明基板２１がリードフレーム３３ａの一端部に形成された反射カップ３４の中に載置され、下部電極２４が導電性ペースト（図示せず）を介してリードフレーム３３ａに固着されている。そして、上面電極２３と別のリードフレーム３３ｂの一端部とをＡｕ線３５にて接続した後、リードフレーム３３ａ、３３ｂの他端部およびＬＥＤ部分を透明樹脂３６にてレンズ状にモールドすることにより、半導体発光装置３７が得られる。
【００２９】
次に、上記ＬＥＤを製造する方法について、図３を参照して説明する。図３は、ＬＥＤを多数形成して成るウェーハを、カッティングする工程を説明するための断面図で、図３（ａ）は、ウェーハの裏面からダイシングする工程の断面図、図３（ｂ）は、ウェーハの表面からダイシングする工程の断面図である。
【００３０】
まず、ＬＥＤを形成したウェーハ４１を下面を上向きにして、ダイシングシート（図示せず）に貼付け、ウェーハ下面４２から断面がＶ字型をしたダイシングブレード４３により、所定のピッチで一方向へダイシングする。
【００３１】
この際、ウェーハ４１を完全にカッティングせず、切り残し部分をＬＥＤの上面２５と第２の側面２９、３０との間の垂直な側面３１、３２として残している。これは、ウェーハ４１をダイシングシートから取り外す時に、短冊状にバラバラになるのを防ぐためである。
【００３２】
次に、ウェーハ４１を反転して上面を上向きにして、再度ダイシングシートに貼付ける。ウェーハ下面４２のダイシング溝と直行する方向にウェーハ上面４４から所定のピッチでダイシングし、ウェーハ４１をカッティングする。
【００３３】
ここで、最終的にＬＥＤに分離できるならば、完全にカッティングしなくても良い場合もあり、切り残し部分は、垂直な側面３１、３２と同様に、素子の下面２６と第１の側面２７、２８との間の垂直な側面として残される。
【００３４】
図４は、上述のようにしてカッティングされ、Ｖ字状溝の並びを持つウェーハ４１の一部分を示す平面図である。
【００３５】
その後、ウェーハ４１をブレーキングして、個々のＬＥＤに分離した後、ダイシング面の加工損傷を、エッチングして除去し、図１に示すようなＬＥＤを得る。
【００３６】
この加工損傷除去のエッチングは、ウェーハ下面４２のダイシングが終了した時点にも、実施することが望ましく、加工損傷歪によりウェーハ４１が反り、不用意に割れるのを防止できる利点がある。
【００３７】
上述のブレードのダイヤモンド砥粒サイズや、ブレードの回転数、ウェーハの送り速度などのダイシング条件は、用いる半導体材料により、それぞれ適切なものを選択すれば良く、ここでは特に限定しない。また、ダイシングの順序もとくに限定されるものではなく、ウェーハ上面４４から始めても良い。加工損傷除去のエッチング条件等についても、同様である。
【００３８】
以上説明したように、本発明の第１の実施の形態のＬＥＤおよび半導体発光装置によれば、全側面を傾斜面としているので、入射角が臨界角以下の光線だけでなく、臨界角以上の光線も外部に取り出すことができ、高い光出力が得られる。また、第１および第２の側面を互いに逆向きの斜面とし、かつ線対称に設けているので、第１の側面と第２の側面に加わる透明樹脂の応力は、互いに打ち消し合うため、透明樹脂応力が低減され、信頼性の向上を図ることができる。
【００３９】
（実施例）
次に、ＧａＰ基板にＩｎＧａＡｌＰ発光層を備えた、ＬＥＤおよびこのＬＥＤを用いた半導体発光装置を製造する場合の具体例について説明する。
【００４０】
１５０μｍ厚のウェーハ４１を用いて、先端角度６０度のＶ字型ブレード４３により、３００μｍピッチでウェーハ下面４２から１２０μｍの深さまでカッティングした後、ウェーハ４１を上下面を反転して９０度回転させ、ウェーハ表面４４から３００μｍピッチでカッティングした。
【００４１】
次に、カッティングされたウェーハ４１をブレーキングして、ＬＥＤに分離した後、塩酸と過酸化水素水の混合液でダイシング面の加工損傷をエッチングして除去した。これにより、側面の傾斜角度３０度、表面サイズ２９０μｍ×１５０μｍ、裏面サイズ２９０μｍ×１２０μｍ、高さ１５０μｍのＬＥＤを得た。
【００４２】
図５は、このようにして得られたＬＥＤの外観を示すＳＥＭ写真である。但し、ＬＥＤの形状を示すためのものであり、ここでは電極等は設けていない。
【００４３】
次に、このＬＥＤを、上面電極２３が発光観測面側になるように、リードフレーム３３ａの一端部に金型一体加工で形成された反射カップ３４の中に、導電性ペーストにて取り付け、上面電極２３とリードフレーム３３ｂの一端部にＡｕ線３５を超音波接合した後、リードフレーム３３ａ、３３ｂの一端部およびＬＥＤ部分をエポキシからなる透明樹脂３６にてレンズ状にモールドすることにより、砲弾型の半導体発光装置３７を得た。
【００４４】
その後、光出力と信頼性を測定した。ＬＥＤの光出力は、従来の断面が矩形状のＬＥＤに比べて１．６倍以上の高い値を示した。−４０℃、５０ｍＡの加速条件での信頼性は、１万時間後の光出力の残存率が９２％と、従来の断面が矩形状の素子の残存率９５％と比べても遜色がなかった。その際、ＬＥＤのリードフレーム３３からの剥離や、クラック等の致命的な欠陥の発生も見られなかった。
【００４５】
さらに、側面の傾斜角度が２０乃至４０度の範囲内であれば、ほぼ同様の結果を得たが、この範囲を逸脱するにつれて光出力は低下するので、２０乃至４０度が適当であり、好ましい。
【００４６】
また、上記半導体発光装置は、砲弾型のランプの場合を示したが、これに限定されるものではなく、表面実装型やアレイ型の半導体発光装置としても構わない。
【００４７】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態に係わる、ＬＥＤは、その外観形状については、第１の実施の形態に係わる図１と同様であり、図面およびその詳しい説明は省略する。
【００４８】
この第２の実施の形態のＬＥＤが、第１の実施の形態のＬＥＤと異なる点は、第１の側面２７、２８と、第２の側面２９、３０を、側面の全領域にわたって粗面化したことにある。
【００４９】
この粗面化の方法、条件は、さまざまなものが利用でき、使用する半導体材料により、それぞれ適切なものを選択すれば良く、ここでは特に限定しない。例えば、ＧａＰ系では塩酸、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ系では硝酸による結晶の異方性エッチングを施すことができる。また、半導体材料に依存しない機械的な方法、例えば、サンドブラスト、イオン衝撃などによることもできる。
【００５０】
以上説明したように、第２の実施の形態のＬＥＤおよびこのＬＥＤを用いた半導体発光装置によれば、粗面の凹凸により、光の全反射が抑えられ、光の取り出し効率が増大する。その結果、第１の実施の形態のＬＥＤおよび半導体発光装置より、さらに高い光出力が得られる。
【００５１】
（実施例）
次に、ＧａＰ基板を用いたＬＥＤの傾斜した側面を粗面化する場合の具体例について詳細に説明する。
【００５２】
ＧａＰ基板では、塩酸エッチングを用いるのがコストの点でも有利である。この場合、発光層２２が、ＩｎＧａＡｌＰのように塩酸エッチングに耐性のない材料では、あらかじめレジスト等で保護しておく必要がある。ＧａＰ、ＧａＡｓＰのようにエッチングに耐性のある材料であれば、とくに保護を必要としない。
【００５３】
第１の実施の形態によるＬＥＤをシートに取り付け、塩酸の温度とエッチング時間を変えて種々のエッチングを施し、４つの傾斜した側面が共に粗面化されていることを確認した。図６は、粗面化された領域の凹凸を示すＳＥＭ写真である。
【００５４】
この一連のＬＥＤを樹脂モールドして光出力を測定したところ、断面が矩形状のＬＥＤに比べて、２倍以上の高い光出力が得られた。４つの傾斜した側面を粗面化したことにより、光出力が、さらに５０％増したことが分かる。
【００５５】
ここで、粗面化された領域の凹凸の谷と山の高さの差が、０．１乃至５μｍ程度の範囲にあれば、上記効果を得ることができる。この範囲を逸脱するにつれて光出力は低下するので、０．１乃至５μｍ程度の範囲が適当であり、好ましい。
【００５６】
これは、光は凹凸面で乱反射され、素子からの光の取り出し効率が増大するが、凡そ、光の波長の数分の１以下の凹凸面では、鏡面と変わらなくなり、光の波長の数倍以上の凹凸面では、光が乱反射しずらくなるからである。これから、エッチング条件としては、凡そ７０℃で１０分程度が適当であった。
【００５７】
同時に試験した、従来の断面が矩形状のＬＥＤでは、垂直な側面は粗面化されなかった。また、逆四角錐台形状のＬＥＤでは、対向する２側面のみが粗面化された。
【００５８】
この違いは、以下のように説明される。加熱した塩酸でエッチングした場合、最も粗面化の進む面は［１１１］Ｐ面であり、［１１１］Ｇａ面および、（１００）面や（１１０）面、もしくはこれらと等価な面は粗面化しない。
【００５９】
図７は、本発明のＬＥＤの形状と結晶方位の関係を示す模式図である。図に示すように、第１の実施の形態によるＬＥＤでは、（１００）面、もしくはそれから若干傾いた面方位のウェーハを用い、傾斜した側面を［１１１］Ｐ面である４つの等価な結晶面、すなわち、（−１−１−１）、（１１―１）、（１−１１）、（−１１１）面、もしくはそれから若干傾いた面で構成しているので、全面が粗面化される。
【００６０】
一方、上述の逆四角錐台形状のＬＥＤでは、４つの傾斜した側面のうち、［１１１］Ｐ面である（１１―１）、（１−１１）に近い面は粗面化されるが、［１１１］Ｇａ面である（１１１）、（１−１−１）に近い面は粗面化されなかった。
【００６１】
本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではない。すなわち、上述の第１の実施の形態では、４つの側面を有するＬＥＤで説明したが、４つ以上で偶数の側面を有するＬＥＤにも適用できる。この場合にも、傾斜面をもつ第１および第２の側面は、線対称に、しかも同数設ければよい。
【００６２】
また、上述の第１の実施の形態では、透明基板２１の上に発光層２２が設けられ、４つの側面２７、２８、２９、３０を有するＬＥＤについて、Ｖ字型のダイシングブレード４３で加工する方法を示したが、ＬＥＤの形状および加工方法は、これに限定されるものではない。
【００６３】
例えば、発光層２２の位置は、透明基板２１の上面または下面、あるいはその間のいずれかにあっても良い。さらに、透明基板２１の厚さや、ブレードの先端角度、ダイシングピッチ、切り残し量を種々設定することにより、種々の大きさ、形状のＬＥＤを実現することができることは言うまでもない。
【００６４】
また、第２の実施の形態では、４つの側面２７、２８、２９、３０を粗面化する場合を示したが、部分的な粗面でも特に差し支えない。
【００６５】
ここでは、ＧａＰ基板を例に説明したが、その他の半導体材料を用いたＬＥＤにも、同様に適用できることは言うまでもない。
【００６６】
例えば、用いる半導体材料の種類や面方位によっては、さらに多数の側面を備えても良いし、メサエッチング、ヘキ開、斜め研磨、ミリング、ワイヤーソーなどの技術を組み合わせて加工しても良い。
【００６７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体発光素子および半導体発光装置によれば、高光出力と高信頼性を同時に達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係わる半導体発光素子を示す図で、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図、図１（ｃ）は、図１（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係わる半導体発光装置を示す断面図。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係わる半導体発光素子の製造工程におけるウェーハのダイシング工程図。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係わる半導体素子の製造工程におけるダイシングしたウェーハの一部を示す平面図。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係わる半導体発光素子の外観を示すＳＥＭ写真。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係わる半導体発光素子における粗面化した領域の凸凹を示すＳＥＭ写真。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係わる半導体発光素子における傾斜した側面の結晶方位を示す図。
【図８】従来の半導体発光素子を示す断面図。
【符号の説明】
１、２１　透明基板
２、２２　発光層
３、２３　上面電極
４、２４　下面電極
２５　透明基板の上面
２６　透明基板の下面
２７、２８　第１の側面
２９、３０　第２の側面
３１、３２　垂直な側面
３３ａ、３３ｂ　リードフレーム
３４　反射カップ
３５　金線
３６　透明樹脂
３７　半導体発光装置
４１　半導体発光素子を形成したウェーハ
４２　ウェーハ下面
４３　ダイシングブレード
４４　ウェーハ上面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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