【手続補正書】
【提出日】平成24年5月24日(2012.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスを作成する方法であって、
下位層上に第１のフォトレジスト層を形成するステップと、
前記第１のフォトレジスト層を第１のフォトレジストパターンとなるようにパターニングするステップであって、前記第１のフォトレジストパターンは、前記下位層上に位置する複数の相隔たる第１のフォトレジストフィーチャをなすステップと、
複数の第１の相隔たるフィーチャを形成するため、前記第１のフォトレジストパターンをマスクとして使用して前記下位層をエッチングするステップと、
前記第１のフォトレジストパターンを除去するステップと、
複数の第１の相隔たるフィーチャ上に第２のフォトレジスト層を形成するステップと、
前記第２のフォトレジスト層を第２のフォトレジストパターンとなるようにパターニングするステップであって、前記第２のフォトレジストパターンは、複数の第１の相隔たるフィーチャの端部を覆う複数の第２のフォトレジストフィーチャをなし、また複数の第２のフォトレジストフィーチャは、３つの第２のフォトレジストフィーチャが第１の相隔たる各フィーチャの３つの端部を覆う正三角形を形成するように、複数の第１の相隔たるフィーチャ上に配置されるステップと、
複数の第１の相隔たるフィーチャの複数の相隔たる端部が残るように、前記第２のフォトレジストパターンをマスクとして使用して複数の第１の相隔たるフィーチャの露出部分をエッチングするステップと、
前記第２のフォトレジストパターンを除去するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、
前記下位層は、デバイス層上に位置する少なくとも１つのマスキング層をなし、
複数の第１の相隔たるフィーチャは、複数の相隔たるマスキングフィーチャをなし、
複数の相隔たる端部は、複数の相隔たるエッジマスキングフィーチャをなし、
各エッジマスキングフィーチャは、それぞれのマスキングフィーチャより小さいサイズを有する方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法において、
複数の柱状デバイスを形成するため、複数のエッジマスキングフィーチャをマスクとして使用して前記デバイス層をエッチングするステップをさらに含む方法。
【請求項４】
請求項３記載の方法において、
複数の柱状デバイスは複数の不揮発性メモリセルをなし、各セルは柱状ダイオードステアリング素子と抵抗切り替え素子とを備える方法。
【請求項５】
請求項３記載の方法において、
前記少なくとも１つのマスキング層は、前記デバイス層上に位置するハードマスク層と、前記ハードマスク層上に位置するアモルファスカーボンパターニング膜と、前記アモルファスカーボンパターニング膜上に位置する反射防止層と、前記反射防止層上に位置するキャップ層とを備える方法。
【請求項６】
請求項１記載の方法において、
隣接する第１のフォトレジストフィーチャ間の距離を減少させるため、前記下位層をエッチングするステップに先立ち、前記第１のフォトレジストフィーチャのサイズを増加させるステップと、
隣接する第２のフォトレジストフィーチャ間の距離を減少させるため、複数の第１の相隔たるフィーチャの露出部分をエッチングするステップに先立ち、前記第２のフォトレジストフィーチャのサイズを増加させるステップと、
をさらに含む方法。
【請求項７】
請求項６記載の方法において、
前記第１および第２のフォトレジストフィーチャのサイズを増加させるステップは、リフロー工程かＲＥＬＡＣＳ工程により前記第１および第２のフォトレジストフィーチャのサイズを増加させることを含む方法。
【請求項８】
請求項６記載の方法において、
隣接する第１のフォトレジストフィーチャ間の距離は、約２Ｆから約１Ｆまで減少され、
隣接する第２のフォトレジストフィーチャ間の距離は、約２Ｆから約１Ｆまで減少される方法。
【請求項９】
請求項６記載の方法において、
前記第２のフォトレジストフィーチャのサイズを増加させるステップは、複数の第１の相隔たるフィーチャの端部にわたって前記第２のフォトレジストフィーチャを延在させる方法。
【請求項１０】
請求項１記載の方法において、
前記第２のフォトレジスト層を形成するステップは、複数の第１の相隔たるフィーチャ上に前記第２のフォトレジスト層を形成することと、隣接する第１の相隔たるフィーチャ間の間隙を前記第２のフォトレジスト層により充填することとを含む方法。
【請求項１１】
請求項１記載の方法において、
複数の第１の相隔たるフィーチャの上と、複数の第１の相隔たるフィーチャ間の間隙とに充填材を形成するステップと、
複数の第１の相隔たるフィーチャの上面を露出するため、前記充填材を平坦化するステップと、
前記第２のフォトレジストパターンを除去するステップの後に、前記充填材を選択的に除去するステップと、
をさらに含む方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の方法において、
前記第２のフォトレジスト層を形成するステップは、複数の第１の相隔たるフィーチャの上と、前記充填材の上とに、前記第２のフォトレジスト層を形成することを含み、
前記第２のフォトレジスト層をパターニングするステップは、複数の第１の相隔たるフィーチャの端部を覆いかつ前記充填材の少なくとも一部分を覆う、複数の第２のフォトレジストフィーチャを形成することを含む方法。
【請求項１３】
請求項１記載の方法において、
第１の相隔たる各フィーチャの幅は、隣接する第１の相隔たるフィーチャ間の間隔より大きい方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の方法において、
第１の相隔たる各フィーチャの幅は約３Ｆであり、隣接する第１の相隔たるフィーチャ間の間隔は約１Ｆである方法。
【請求項１５】
請求項１記載の方法において、
複数の第１の相隔たる各フィーチャは、円形の形状を有し、
複数の第１の相隔たるフィーチャは、六角形状に配置され、ここで第１の相隔たる各フィーチャは等距離をおく６つの最寄の隣接する第１の相隔たるフィーチャによって取り囲まれ、
複数の相隔たる端部は、複数の第１の相隔たるフィーチャの不規則な楕円形端部をなす方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の方法において、
複数の第１の相隔たる各フィーチャは、約３Ｆの直径を有し、
隣接する第１の相隔たるフィーチャの中心間距離は、約４Ｆであり、
隣接する第１の相隔たるフィーチャは、約１Ｆの距離だけ離隔され、
不規則な楕円形の各端部の小径は、約０．７Ｆである方法。
【請求項１７】
請求項１５記載の方法において、
前記下位層の下に複数のワード線を形成するステップと、
不規則な楕円断面形状を有する複数の柱状デバイスを形成するため、複数のエッジフィーチャをマスクとして使用して前記下位層をエッチングするステップと、
複数の柱状デバイス上に複数のビット線を形成するステップと、
をさらに含む方法。
【請求項１８】
請求項１７記載の方法において、
複数のワード線は、第１の方向に延在し、
複数のビット線は、第２の方向に延在し、
第１の方向は、第２の方向から約６０度異なり、
複数のワード線は、第１のワード線セットと第２のワード線セットからなり、
第１の各ワード線は、２つの第２のワード線間に位置し、
第１の各ワード線は、第２の各ワード線の２倍の柱状デバイスと電気的に接触する方法。
【請求項１９】
請求項１記載の方法において、
前記第１のフォトレジスト層は、第１のポジティブフォトレジスト層をなし、
前記第２のフォトレジスト層は、第２のポジティブフォトレジスト層をなす方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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