(57)【要約】【課題】特定の有機物を選択的に除去できるようにする。【解決手段】オゾンガスと水蒸気とを含む圧力が５〜２０ｋＰａの雰囲気に被処理部材を晒して表面の有機物を除去する。【選択図】      図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
オゾンガスと水蒸気とを含む圧力が５〜３０ｋＰａの雰囲気に被処理部材を晒して表面の有機物を除去することを特徴とする有機物除去方法。
【請求項２】
請求項１に記載の有機物除去方法において、前記被処理部材を５０〜９０℃に加熱することを特徴とする有機物除去方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の有機物除去方法において、前記オゾンガスは、オゾンの濃度が８０〜２５０ｇ／Ｎｍ３であることを特徴とする有機物除去方法。
【請求項４】
オゾンの濃度が５０ｐｐｍ以上のオゾン水に被処理部材の表面を接触させて有機物を除去することを特徴とする有機物除去方法。
【請求項５】
請求項４に記載の有機物除去方法において、前記オゾン水は、５０〜９０℃に加熱することを特徴とする有機物除去方法。
【請求項６】
請求項４または５に記載の有機物除去方法において、前記オゾン水は、前記被処理部材の表面に流すことを特徴とする有機物処理方法。
【請求項７】
被処理部材の表面に向けてオゾン水を吐出するオゾン水供給手段と、このオゾン水供給手段が吐出したオゾン水を加熱する加熱手段とを有することを特徴とする有機物除去装置。
【請求項８】
請求項７に記載の有機物除去装置において、前記加熱手段は、吐出されたオゾン水に水蒸気を吹き付ける水蒸気ノズルを有していることを特徴とする有機物除去装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機物除去方法に係り、特に有機材料の上に形成したフォトレジストなどの有機物を除去するのに好適な有機物除去方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造プロセス、液晶表示パネルの製造プロセスなど、電子デバイスの製造プロセスにおいては、トランジスタなどの素子の形成や配線パターンの形成など、微細なパターンを形成する工程が存在する。このような微細なパターンは、フォトリソグラフィー法を利用したいわゆるフォトエッチング技術によって形成している。このフォトエッチング技術は、半導体基板やガラス基板などの基板の表面にスパッタリングや蒸着、ＣＶＤなどによって、パターンを形成するための薄膜を堆積する。その後、薄膜の表面に有機物（樹脂）からなるフォトレジストを塗布し、乾燥させてレジスト膜を形成する。次に、レジスト膜を露光、現像し、薄膜の残したい部分（パターンにする部分）の上にだけレジスト膜を残す。そして、レジスト膜をマスクとして薄膜をエッチングして不要な部分を除去する。その後、マスクとしたレジスト膜を除去することにより、薄膜からなる所定のパターンを得ることができる。
【０００３】
従来、レジスト膜の除去は、有機剥離液を用いたり、真空中における酸素プラズマによるアッシングによって行なってきた。しかし、有機剥離液は、人体に有害な有機溶媒を含んでおり、廃液の処理が容易でないばかりか、高価である。一方、酸素プラズマによるアッシングは、真空装置や放電制御装置など、高価な装置を必要とする。しかも、均一の放電を得ることが困難で、レジスト膜の除去が均一に行われなかったり、剥離した異物が再付着するなどの問題がある。このため、近年は、オゾンを利用してレジスト膜を除去する方法が開発されている。
【０００４】
そして、本願出願人は、処理室に基板を配置して紫外線を照射するとともに、処理室にオゾンガスと水蒸気とを導入してレジスト膜を除去する方法を提案した（特許文献１）。この方法によれば、レジスト膜の除去速度を高められるばかりでなく、イオン注入工程によって変質した硬いレジスト膜をも容易に除去することができる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１８３７９号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記特許文献１に記載されているレジスト膜の除去方法は、紫外線を照射するため、液晶表示パネルの製造プロセスなどに使用できない場合がある。例えば、液晶表示パネルの中には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などの素子の上部に形成する層間絶縁膜を有機材料であるアクリル樹脂などによって形成し、その上に配線パターンを形成したものがある。このような液晶表示パネルは、アクリル樹脂層の上にレジスト膜を設けてアクリル樹脂層をエッチングし、素子と配線パターンとを電気的に接続するスルーホールを形成する。
【０００７】
ところで、アクリル樹脂などの有機材料は、周知のように紫外線の照射を受けると容易に劣化してしまう。したがって、特許文献１に記載のレジスト膜を除去する方法は、紫外線を照射しつつレジスト膜を除去するようになっているため、レジスト膜の下方に有機材料が存在する場合には適用することができない。また、レジスト膜は、有機物である樹脂からなっており、通常にオゾンと水蒸気とを供給してレジスト膜を除去したのでは、下に存在する有機材料にもダメージを与えることになる。このため、有機材料に対する大きな選択性をもってレジスト膜を除去できる方法の開発が強く望まれていた。
本発明は、前記従来技術の欠点を解消するためになされたもので、特定の有機物を選択的に除去できるようにすることを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明に係る有機物除去方法は、オゾンガスと水蒸気とを含む圧力が５〜３０ｋＰａの雰囲気に被処理部材を晒して表面の有機物を除去することを特徴としている。このようになっている本発明は、有機物質にダメージを与える紫外線を被処理部材に照射しないため、被処理部材が表面の有機物の下に有機材料を有していたとしても、有機材料がダメージを受けることがない。そして、オゾンガスと水蒸気とを含むガス（処理ガス）の圧力を５〜３０ｋＰａにすることにより、例えばレジスト膜の下にアクリル樹脂層などの有機材料が存在し、その一部が露出していたとしても、有機材料にダメージを与えることなくレジスト膜を除去することができる。
【０００９】
処理ガスの圧力が５ｋＰａより小さいと、被処理部材に接触する水蒸気粒子の量が少なくなるとともに、水蒸気に溶け込むオゾンガスの量が少なくなり、製造プロセスにおける実用的な除去速度を得ることが難しい。また、処理ガスの圧力が３０ｋＰａより大きいと、水蒸気へのオゾンガスの溶け込み量が必要以上に多くなって反応性が強くなり、露出した有機材料にダメージを与えるおそれがある。したがって、処理ガスの圧力は、５〜３０ｋＰａ、望ましくは５〜２０ｋＰａにする。
【００１０】
被処理部材は、５０〜９０℃、より望ましくは６０〜８５℃に加熱するとよい。被処理部材を加熱することにより、オゾンガスが水蒸気に溶け込んで生成される活性なＯＨラジカルなどと有機物との反応速度を高めることができる。そして、被処理部材の温度が５０℃より低いと充分な有機物の除去速度が得られない。また、被処理部材の温度が９０℃を超えると、反応が強くなりすぎ、露出した有機材料にダメージを与えるおそれがある。
【００１１】
オゾンガスは、オゾンの濃度を標準状態で８０〜２５０ｇ／ｍ３（８０〜２５０ｇ／Ｎｍ３）、望ましくは１００〜２３０ｇ／Ｎｍ３にする。オゾンの濃度が８０ｇ／Ｎｍ３より小さいと、水蒸気へのオゾンの溶け込み量が少なくなり、有機物の除去速度が遅くなる。また、オゾンの濃度を２５０ｇ／Ｎｍ３より大きくしても、除去速度をあまり大きくすることができない。したがって、オゾンの使用効率を考慮すると、オゾンの濃度は、２３０ｇ／Ｎｍ３以下が望ましい。なお、本発明においてオゾンガスとは、上記の濃度のオゾンを含んだガスの意味に使用している。
【００１２】
また、本発明は、オゾンの濃度が５０ｐｐｍ以上のオゾン水に被処理部材の表面を接触させて有機物を除去することを特徴としている。このようになっている本発明は、有機材料にダメージを与えることなくレジスト膜などの有機物を速やかに除去することができる。オゾン水は、５０〜９０℃、望ましくは６０〜８５℃に加熱する。オゾン水の温度が５０℃より低いと、有機物との反応速度が遅く、製造プロセスにおいて実用できるような除去速度が得られない。また、オゾン水の温度が９０℃より高いと、オゾン水の反応性が強く、露出した有機物にダメージを与えるおそれがある。
【００１３】
オゾン水は、前記被処理部材の表面に流すようにする。これにより、常に新鮮なオゾン水を被処理物に供給することができ、有機物の除去を迅速に行なうことが可能となる。オゾン水は、回転している被処理部材に滴下して流すようにしてもよいし、傾斜または立てた被処理部材にオゾン水を吐出してもよい。また、被処理部材をオゾン水に浸漬して有機物を除去してもよい。すなわち、常に新鮮なオゾン水を被処理物に供給することができ、オゾン水を加熱する手段を有する形態であれば、被処理部材をオゾン水に浸漬処理することで、上記処理と同様の効果を得ることが可能である。
【００１４】
そして、本発明に係る有機物除去装置は、被処理部材の表面に向けてオゾン水を吐出するオゾン水供給手段と、このオゾン水供給手段が吐出したオゾン水を加熱する加熱手段とを有することを特徴としている。このようになっている本発明は、被処理部材に向けて吐出したオゾン水を加熱するようにしているため、水に溶け込んでいるオゾンがガスとして分離するのを防止することができ、オゾンの利用効率が向上して有機物の除去速度を高めることができる。加熱手段は、吐出されたオゾン水に水蒸気を吹き付ける水蒸気ノズルを有するようにできる。これにより、水蒸気がオゾン水に溶け込み、オゾン水を速やかに加熱することができる。なお、加熱手段は、赤外線ヒータやレーザ照射装置などであってもよい。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明に係る有機物除去方法の好ましい実施の形態を、添付図面に従って詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施の形態に係る有機物除去方法を実施するための、有機物除去装置の一例を模式的に示した説明図である。図１において、有機物除去装置１０は、表面に有機物を有する被処理部材１２を配置する処理室１４を有する。処理室１４は、気密に密閉可能な耐圧容器によって形成してある。この処理室１４は、被処理部材１２を例えば立てた状態で保持可能なラック１６を配置できるようになっている。また、処理室１４の下部には、温度調節手段１８が設けてあり、処理室１４の内部を所定の温度に保持することにより、被処理部材１２を所定の温度に加熱できるようにしてある。この温度調節手段１８は、ヒータやホットプレートのような加熱手段であってもよいし、例えばペルチエ効果を利用して加熱、冷却できるものであってもよい。
【００１６】
有機物除去装置１０は、水蒸気供給装置２０とオゾンガス供給装置２２とを備えている。水蒸気供給装置２０は、水蒸気供給管２４を介して処理室１４に接続されており、処理室１４に水蒸気を供給する。また、オゾンガス供給装置２２は、処理室１４にオゾンガスを供給するためのもので、オゾン供給管２６を介して処理室１４に接続してある。
【００１７】
さらに、処理室１４には、ガス供給管２８を介してガス供給装置３０が接続してある。このガス供給装置３０は、被処理部材１２の表面に存在するレジスト膜などの有機物を、その下に存在する物質に影響を与えずに除去できるように、圧縮空気または窒素などの不活性ガスを処理室１４に供給し、処理室１４の内部に残存するオゾンガスや水蒸気を圧縮空気または不活性ガスで置換する。また、ガス供給装置３０は、図示しないヒータなどを備えており、加熱した圧縮空気または不活性ガスを供給できるようにしてある。そして、ガス供給管２８の先端側には、複数の分岐管３２が設けてあって、処理室１４内を迅速に圧縮空気または不活性ガスによって置換できるようにしてある。また、処理室１４の下部には、排気管３４を介して水分を捕集するミストトラップ装置３６とオゾンガス分解装置３８とがこの順に接続してある。
【００１８】
この有機物処理装置１０によって好適に処理される被処理部材１２は、例えば図２に示したようなものである。この図２に示した被処理部材１２は、ガラスなどの基板４０の上にＴＦＴなどの素子４２が形成されており、その上に有機材料であるアクリル樹脂層４４が設けてある。アクリル樹脂層４４は、例えば層間絶縁膜を構成し、上面に電極や配線（図示せず）が形成される。そして、アクリル樹脂層４４の上面には、フォトレジストからなるレジスト膜（有機物）４６が設けられている。このレジスト膜４６は、アクリル樹脂層４４の上面に設けられる電極または配線と素子とを電気的に接続するスルーホール４８を形成するためのものである。そして、図２においては、レジスト膜４６が露光、現像されているとともに、アクリル樹脂層４４がエッチングされ、スルーホール４８の形成が終了した状態を示している。
【００１９】
このような被処理部材１２の表面に設けてあるレジスト膜（有機物）４６を、有機物除去装置１０によって除去する場合、次のようにして行なわれる。まず、被処理部材１２をラック１６に保持させた状態で処理室１４の内部に搬入し、処理室１４の搬出入口（図示せず）を閉じる。次に、ガス供給装置３０によってガス供給管２８を介して５０〜１５０℃に加熱した圧縮空気または不活性ガス（例えば、窒素ガス）を処理室１４へ供給しながら、排気管３４を介して処理室１４内を排気し、処理室１４の内部を圧縮空気または不活性ガス雰囲気によって置換する。同時に、温度調節手段１８を作動させ、処理室１４内の温度を５０〜９０℃の所定温度に保持する。これにより、被処理部材１２もほぼこの所定温度に加熱、保持される。
【００２０】
被処理部材１２の温度が所定温度で安定したならば、ガス供給装置３０による圧縮空気または不活性ガスの供給を停止するとともに、オゾンガス供給装置２２からオゾン供給管２６を介して処理室１４内に、オゾン濃度が８０〜２５０ｇ／Ｎｃｍ３のオゾンガスを供給しながら、排気管３４を介して処理室１４の内部をオゾンガスによって置換する。その後、水蒸気供給装置２０から水蒸気供給管２４を介して処理室１４内に、例えば温度１２０℃の水蒸気を供給する。処理室１４に導入されたオゾンガスと水蒸気とを含む処理ガスによって有機物層の除去を開始するとともに、処理開始から所定時間、処理室１４の内部の圧力を５〜３０ｋＰａに維持する。
【００２１】
実施形態における処理室１４へのオゾンガスと水蒸気との供給量は、処理室１４内におけるオゾンガスの量が例えば１Ｌである場合、水蒸気の量は１〜２Ｌである。これにより、オゾンガス中のオゾンの一部が水蒸気の粒子に溶け込み、極めて活性なＯＨラジカルが生ずる。そして、この活性なラジカルを含んだ水蒸気の粒子がレジスト膜４６と接触し、ＯＨラジカルがレジスト膜４６と反応し、レジスト膜４６を分解して除去する。一方、レジスト膜４６の下に存在するアクリル樹脂層４４は、スルーホール４８を介してのサイドエッチングなどのダメージを受けることがない。したがって、アクリル樹脂層４４に対してレジスト膜４６を選択的に除去することができる。
【００２２】
そして、所定時間の処理が終了したならば、ガス供給装置３０によって処理室１４内を圧縮空気または不活性ガスによって置換する。この圧縮空気または不活性ガスは、加熱しない冷たいガスであってよい。これにより、処理室１４内の残存しているオゾンガス、水蒸気が排気管３４を介して処理室１４から除去され、レジスト膜４６が除去されて露出したアクリル樹脂層４４のダメージを確実に防止することができる。
【００２３】
レジスト膜４６を除去するための処理時間は、レジスト膜４６の厚さによって異なる。また、処理時間は、処理室１４内の圧力、オゾンガスのオゾン濃度、オゾンガスおよび水蒸気の供給量、被処理部材１２の温度、処理室１４に供給するオゾンガスと水蒸気との割合などによって異なる。レジスト膜４６の膜厚が１〜４μｍの場合、通常、１８０〜６００秒程度の処理で除去することができる。
【００２４】
なお、処理室１４内の圧力が５ｋＰａより小さいと、被処理部材１２に接触する水蒸気粒子の量が少なくなるとともに、水蒸気に溶け込むオゾンガスの量が少なくなり、製造プロセスにおいて実用とされるレジスト膜４６の除去速度を得ることが困難となる。また、処理室１４内の圧力が３０ｋＰａより高くなると、水蒸気へのオゾンガスの溶け込み量が必要以上に多くなって反応性が強くなり、スルーホール４８を介したアクリル樹脂層４４のサイドエッチングなどのダメージを生ずるおそれがある。したがって、処理室１４内の圧力は、５〜３０ｋＰａ、望ましくは５〜２０ｋＰａに保持する。
【００２５】
そして、被処理部材１２の温度が５０℃より低い場合、レジスト膜４６の分解反応が遅く、製造プロセスにおける実用的なレジストの除去速度を得ることが困難である。また、水蒸気が結露しやすくなり、均一にレジスト膜４６を除去することが困難となるおそれがある。一方、被処理部材１２の温度が９０℃より高いと、反応が強くなりすぎ、露出したアクリル樹脂層４４にダメージを与えるおそれがある。したがって、被処理部材１２の温度は、５０〜９０℃、より望ましくは６０〜８５℃に保持する。
【００２６】
オゾンガスのオゾンの濃度は、８０ｇ／Ｎｍ３より小さいと、水蒸気に溶け込むオゾンの量が少なくなり、レジスト膜４６の充分な除去速度が得られない。また、オゾンの濃度が２３０ｇ／Ｎｍ３以上では、レジスト膜４６の除去速度のオゾン濃度依存性があまり見られない。したがって、オゾン濃度は８０〜２５０ｇ／Ｎｍ３が望ましく、１００〜２３０ｇ／Ｎｍ３がより望ましい。そして、処理室１４内の水蒸気の量がオゾンガスの量より少なくなると、すなわち処理室１４内に存在する（オゾンガス／水蒸気）の体積比が１より大きくなると、被処理部材１２に接触する水蒸気の量が少なくなり、レジスト膜４６の除去速度が遅くなる。また、（オゾンガス／水蒸気）の体積比が１／２より小さくなると、水蒸気が被処理部材１２の表面に結露しやすくなり、レジスト膜４６の均一な除去が困難となる。そして、水蒸気の結露を避けるために被処理部材１２の温度を高くすると、アクリル樹脂層４４にダメージを与えるおそれがある。
【００２７】
なお、前記実施形態においては、有機材料がアクリル樹脂である場合について説明したが、有機材料は、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂などであってもよい。また、被処理部材は、基材が半導体基板やガラス基板などであってよい。
【００２８】
図３は、第２実施形態に係る有機物除去方法を実施する装置の説明図である。この有機物除去装置５０は、被処理部材１２を配置する処理テーブル５２を有する。処理テーブル５２は、下部がモータ５４に接続してあって、矢印５６のように回転できるようになっている。また、処理テーブル５２の上方には、オゾン水供給ノズル５８が配設してある。オゾン水供給ノズル５８は、流量調整弁６０を設けたオゾン水供給管６２を介してオゾン水供給装置６４に接続してあり、オゾン水供給装置６４からのオゾン水６６を被処理部材１２の表面に供給できるようにしてある。
【００２９】
オゾン水供給ノズル５８の先端部側方には、水蒸気ノズル７０が近接配置してある。この水蒸気ノズル７０は、水蒸気供給管７２を介して水蒸気供給装置７４に接続してある。水蒸気供給管７２には、制御弁７６が設けてあって、水蒸気ノズル７０から吐出する水蒸気７８の量を制御できるようにしてある。水蒸気ノズル７０は、オゾン水供給ノズル５８が吐出（滴下）したオゾン水６６に温度が１２０℃程度の水蒸気７８を吹き付け、オゾン水６６を適宜の温度に加熱する。すなわち、水蒸気ノズル７０、水蒸気供給管７２、水蒸気供給装置７４は、オゾン水６６を加熱する加熱手段を構成している。
【００３０】
なお、オゾン水供給装置６４は、内部が大気圧より高い圧力にして水へのオゾンの溶け込み量を増大させ、オゾン水６６中のオゾン濃度が５０ｐｐｍ以上（実施形態の場合、１００ｐｐｍ）にしてある。このため、オゾン水供給ノズル５８は、被処理部材１２の近くに配置することが望ましく、被処理部材１２との距離を１０ｃｍ以下、望ましくは数ｃｍ以下にし、オゾンがガスとして分離するのを防止するとよい。
【００３１】
このようになっている第２実施形態の有機物除去装置５０は、被処理部材１２を処理テーブル５２に配置し、モータ５４を駆動して被処理部材１２を矢印５６のように処理テーブル５２とともに回転させる。そして、流量調整弁６０を開いてオゾン水６６をオゾン水供給装置６４からオゾン水供給ノズル５８に送り、被処理部材１２に向けて滴下する。また、制御弁７６を開いて水蒸気供給装置７４から例えば温度が１２０℃の水蒸気７８を水蒸気ノズル７０に供給する。水蒸気ノズル７０は、オゾン水供給ノズル５８から吐出されたオゾン水６６に水蒸気７８を吹き付け、オゾン水６６を加熱する。オゾン水６６は、オゾン水供給ノズル５８からの吐出量、水蒸気ノズル７０による水蒸気７８の吹き付け量、水蒸気温度などを調節して５０〜９０℃に加熱する。
【００３２】
加熱されたオゾン水６６は、回転している被処理部材１２の表面に滴下し、被処理部材１２の表面に沿って流れる。このとき、オゾン水６６に含まれている活性なＯＨラジカルなどが被処理部材１２の表面に存在するレジスト膜などの有機物と反応し、有機物を分解して除去する。そして、実施形態においては、オゾン水供給ノズル５８から吐出されたオゾン水６６を、水蒸気７８によって所定の温度に加熱しているため、オゾンがガスとしてオゾン水６６から分離するのを防ぐことができる。水蒸気７８がオゾン水６６に容易に溶け込むため、オゾン水６６を迅速に加熱することができる。
【００３３】
なお、オゾン水６６の温度が５０℃より低いと、有機物との反応速度が小さく、液晶表示パネルの製造プロセスなどにおける実用的なレジスト膜の除去速度を得ることが困難となる。また、オゾン水６６の温度が９０℃を超えるとオゾン水６６の反応性が強くなり、レジスト膜の下方に存在するアクリル樹脂層などの有機材料にダメージを与えるおそれがある。したがって、オゾン水６６の温度は、５０〜９０℃、望ましくは６０〜８５℃にする。そして、オゾン水供給ノズル５８は、被処理部材１２の回転半径方向、周方向の適宜の位置に複数配置することができる。また、処理テーブル５２にヒータなどの加熱手段を設けて被処理部材１２を５０〜９０℃に加熱するようにしてもよい。これにより、レジスト膜の下に存在する有機材料にダメージを与えずに、レジスト膜（有機物）の除去速度を一層高めることができる。また、前記実施形態においては、被処理部材１２を回転させる場合について説明したが、傾斜または立てた被処理部材１２に向けてオゾン水６６を吐出するようにしてもよい。さらに、加熱手段は、赤外線ヒータやレーザ照射装置などであってもよい。また、被処理部材１２をオゾン水に浸漬してレジスト膜などの有機物を除去してもよい。すなわち、常に新鮮なオゾン水を被処理部材１２に供給することができ、オゾン水を加熱する手段を有する形態であれば、被処理部材１２をオゾン水に浸漬処理することで、上記処理と同様の効果を得ることが可能である。
【００３４】
【実施例】
《実施例１》
図４に示したような被処理部材１００を作成した。すなわち、被処理部材１００は、大きさ４０ｍｍ×５０ｍｍのガラス基板１０２の表面にアクリル樹脂層１０４を形成し、その上にフォトレジストを塗布して厚さ１μｍのｉ線ポジレジストからなるレジスト膜１０６を形成した。使用したフォトレジストは、東京応化工業株式会社製のＯＦＰＲ８００ＬＢである。
【００３５】
この被処理部材１００を、図１に示した処理室１４の内部に配置し、ガス供給装置３０から１００℃に加熱した窒素ガスを処理室１４内に供給し、被処理部材１００を加熱した。そして、処理室１４の内部に、水蒸気供給装置２０から水蒸気を供給するとともに、オゾンガス供給装置２２からオゾンガスを供給してレジスト膜１０６の除去試験を行なった。
【００３６】
なお、レジスト膜１０６の除去試験は、被処理部材１００の温度を５５℃、８０℃、１２０℃に変えて保持するとともに、処理室１４内の圧力を２０ｋＰａ、４０ｋＰａ、７０ｋＰａに変化させた。また、オゾンガスの濃度は２３０ｇ／Ｎｍ３であり、処理室１４へのオゾンガスの供給量は８Ｌ／分である。そして、処理室１４に供給した水蒸気は、温度が１２０℃であって、供給量をオゾンガスと同程度にした。また、処理時間は３００秒である。そして、３００秒の処理が終了したときに、処理室１４を加熱していない窒素ガスによって置換した。その後、被処理部材１００を純水によって洗浄して乾燥させたのち、顕微鏡によってレジスト膜１０６の除去状態を観察した。実験結果を図５に示す。
【００３７】
図５に示したように、被処理部材１００の温度が５５℃、処理室１４内の圧力が２０ｋＰａの場合、アクリル樹脂層１０４にサイドエッチングなどのダメージを与えることなく、レジスト膜１０６を良好に除去することができた。また、被処理部材１００の温度が８０℃で、処理室１４内の圧力が２０ｋＰａの場合、および被処理部材１００の温度が５５℃、または８０℃であって、処理室１４内の圧力が４０ｋＰａの場合は、若干レジストの残渣が見られた。そして、被処理部材１００の温度が１２０℃の場合、および処理室１４内の圧力が７０ｋＰａの場合は、いずれもアクリル樹脂層１０４にダメージが生じた。
【００３８】
《実施例２》
図４に示した被処理部材１００を図３に示した処理テーブル５２に配置し、被処理部材１００を回転させるとともに、オゾン水供給ノズル５８からオゾン濃度が１００ｐｐｍのオゾン水６６を滴下させた。また、水蒸気ノズル７０から滴下するオゾン水６６に温度が１２０℃の水蒸気７８を吹き付け、オゾン水６６を加熱した。そして、オゾン水６６の温度（処理温度）を５０℃、８０℃、９０℃としたときの、処理時間とレジスト膜１０６の除去状態との関係を求めた。所定の時間処理した被処理部材１００は、純水によって洗浄したのち、乾燥し、顕微鏡によってレジスト膜１０６の除去状態を観察した。その結果を図６に示す。
【００３９】
図６に示したように、オゾン水６６の温度が５０℃の場合、処理時間が１２０秒ではレジストの残渣が見られたが、処理時間を１８０秒にすると、アクリル樹脂層１０４にダメージを与えることなく、レジスト膜１０６を良好に除去することができた。また、オゾン水６６の温度が８０℃の場合、処理時間が３０秒および６０秒ではレジストの残渣を生ずる。しかし、処理時間が１２０秒および１８０秒にすると、レジスト膜１０６を良好に除去することができる。そして、オゾン水６６の温度が９０℃の場合、処理時間が３０秒〜１８０秒のいずれにおいてもレジストの残渣が見られた。
【００４０】
なお、オゾン水６６の温度が５０℃、８０℃、９０℃のいずれの場合であっても、処理時間を２４０秒にすると、アクリル樹脂層１０４にダメージが認められた。また、オゾン水６６の温度が５０℃の場合、処理時間が６０秒以下ではレジスト膜１０６をほとんど除去することができなかった。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態を実施する有機物除去装置の説明図である。
【図２】被処理部材の一例の説明図である。
【図３】第２実施形態を実施する有機物除去装置の説明図である。
【図４】実験用に作成した被処理部材の説明図である。
【図５】第１実施例の結果を示す図である。
【図６】第２実施例の結果を示す図である。
【符号の説明】
１０、５０………有機物除去装置、１２、１００………非処理部材、１４………処理室、２０、７４………水蒸気供給装置、２２………オゾンガス供給装置、３０………ガス供給装置、４４、１０４………有機材料（アクリル樹脂層）、４６、１０６………有機物（レジスト膜）、５８………オゾン水供給ノズル、６４………オゾン水供給装置、６６………オゾン水、７０、７２、７４………加熱手段（水蒸気ノズル、水蒸気供給管、水蒸気供給装置）、７８………水蒸気。
【図１】
2004356486.tif 000003
【図２】
2004356486.tif 000004
【図３】
2004356486.tif 000005
【図４】
2004356486.tif 000006
【図５】
2004356486.tif 000007
【図６】
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