【手続補正書】
【提出日】平成25年12月26日(2013.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光フィルタであって、
少なくとも１つの基板と、
第１の複数の交互の第１および第２の材料層、ならびに第２の複数の交互の第１および第２の材料層であって、前記第１および第２の複数の前記第１および第２の材料層の各々は、それぞれ異なる屈折率を有する、材料層と、を備え、
前記第１の複数の交互の第１および第２の材料層は、前記第１の複数の交互の第１および第２の材料層に入射する電磁放射の第１の方向に対する第１の角度で第１の法線ベクトルを有する第１の表面を呈し、第１の波長で前記第１の角度の関数として可同調カットオンエッジを呈するように構成され、
前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層は、前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層に入射する前記電磁放射の第２の方向に対する第２の角度で第２の法線ベクトルを有する第２の表面を呈し、第２の波長で前記第２の角度の関数として可同調カットオフエッジを呈するように構成され、
前記第１の複数の交互の第１および第２の材料層に入射する前記電磁放射の場合、前記第１の複数の交互の第１および第２の材料層は、全て前記第１の角度の関数として、前記第１の波長で第１の偏光分離を呈し、第１のＳ阻止帯域の波長で第１のＳ阻止帯域エッジを呈し、
前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層に入射する前記電磁放射の場合、前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層は、全て前記第２の角度の関数として、前記第２の波長で第２の偏光分離を呈し、第２のＳ阻止帯域の波長で第２のＳ阻止帯域エッジを呈し、
約０度〜約４０度の値の任意の第１の角度の場合、前記第１の偏光分離は、前記第１の角度の関数として前記第１の波長の約１パーセントを超えず、
約０度〜約４０度の値の任意の第２の角度の場合、前記第２の偏光分離は、前記第２の角度の関数として前記第２の波長の約１パーセントを超えず、
前記第１の角度の前記値および前記第２の角度の前記値は、前記第２のＳ阻止帯域の波長がほぼ前記第１の波長以下になり、前記第１の波長が前記第２の波長未満になり、前記第２の波長未満がほぼ前記第１のＳ阻止帯域の波長以下になるような値である、光フィルタ。
【請求項２】
前記基板は、第１の基板表面と、第２の基板表面とを有し、
前記第１の複数の交互の第１および第２の材料は、前記第１の基板表面に被着され、前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層は、前記第２の基板表面に被着される、請求項１に記載の光フィルタ。
【請求項３】
前記少なくとも１つの基板を回転させるように構成されるガルボスキャナをさらに備える、請求項２に記載の光フィルタ。
【請求項４】
前記基板は、第１の基板表面と、第２の基板表面とを有し、
前記第１の複数の交互の第１および第２の材料層が前記第１の基板表面に被着された前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層に被着される、第１の構成、ならびに前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層が前記第１の基板表面に被着された前記第１の複数の交互の第１および第２の材料層に被着される、第２の構成のうちの１つから選択される構成に従って、前記第１の複数の交互の第１および第２の材料層ならびに前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層が前記基板に被着される、請求項１に記載の光フィルタ。
【請求項５】
前記少なくとも１つの基板を回転させるように構成されるガルボスキャナをさらに備える、請求項４に記載の光フィルタ。
【請求項６】
前記第２の基板表面に被着された反射防止コーティングをさらに備える、請求項４に記載の光フィルタ。
【請求項７】
広範囲遮断フィルタをさらに備える、請求項１に記載の光フィルタ。
【請求項８】
広範囲遮断フィルタをさらに備える、請求項４に記載の光フィルタ。
【請求項９】
第２の基板をさらに備え、
前記第１の複数の交互の第１および第２の材料は、前記少なくとも１つの基板に被着され、前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層は、前記第２の基板に被着される、請求項１に記載の光フィルタ。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの基板を回転させるように構成される第１のガルボスキャナと、
前記第２の基板を回転させるように構成される第２のガルボスキャナと、をさらに備える、請求項９に記載の光フィルタ。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの基板は、前記第１の表面に平行な第１の軸の周囲を回転するように構成され、前記第２の基板は、前記第２の表面に平行な第２の軸の周囲を回転するように構成される、請求項９に記載の光フィルタ。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの基板の回転は、前記少なくとも１つの基板に入射する前記電磁放射に第１の横方向シフトを導入するように構成され、前記第２の基板の回転は、前記第２の基板に入射する前記電磁放射に第２の横方向シフトを導入するように構成される、請求項１１に記載の光フィルタ。
【請求項１３】
前記第１の横方向シフトおよび前記第２の横方向シフトは、ほぼ等しく、かつ反対方向である、請求項１２に記載の光フィルタ。
【請求項１４】
約４０度〜約６０度の値の任意の第１の角度の場合、前記第１の偏光分離は、さらに、前記第１の角度の関数として前記第１の波長の約１％を超えない、請求項１に記載の光フィルタ。
【請求項１５】
約４０度〜約６０度の値の任意の第２の角度の場合、前記第２の偏光分離は、さらに、前記第２の角度の関数として前記第２の波長の約１パーセントを超えない、請求項１に記載の光フィルタ。
【請求項１６】
約４０度〜約６０度の値の任意の第２の角度の場合、前記第２の偏光分離は、さらに、前記第２の角度の関数として前記第２の波長の約１パーセントを超えない、請求項１４に記載の光フィルタ。
【請求項１７】
光フィルタを作製する方法であって、
第１の複数の交互の第１および第２の材料層を第１の基板表面に被着するステップと、
第２の複数の交互の第１および第２の材料層を第２の基板表面に被着するステップと、を含み、
前記第１および第２の複数の前記第１および第２の材料層の各々は、それぞれ異なる屈折率を有し、
前記第１の基板表面に被着された前記第１の複数の交互の第１および第２の材料層は、前記第１の複数の交互の第１および第２の材料層に入射する電磁放射の第１の方向に対する第１の角度で第１の法線ベクトルを有する第１の表面を呈し、第１の波長で前記第１の角度の関数として可同調カットオンエッジを呈するように構成され、
前記第２の基板表面に被着された前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層は、前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層に入射する前記電磁放射の第２の方向に対する第２の角度で第２の法線ベクトルを有する第２の表面を呈し、第２の波長で前記第２の角度の関数として可同調カットオフエッジを呈するように構成され、
前記第１の複数の交互の第１および第２の材料層に入射する前記電磁放射の場合、前記第１の基板表面に被着された前記第１の複数の交互の第１および第２の材料層は、全て前記第１の角度の関数として、前記第１の波長で第１の偏光分離を呈し、第１のＳ阻止帯域の波長で第１のＳ阻止帯域エッジを呈するように構成され、
前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層に入射する前記電磁放射の場合、前記第２の基板表面に被着された前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層は、全て前記第２の角度の関数として、前記第２の波長で第２の偏光分離を呈し、第２のＳ阻止帯域の波長で第２のＳ阻止帯域エッジを呈するように構成され、
約０度〜約４０度の値の任意の第１の角度の場合、前記第１の偏光分離は、前記第１の角度の関数として前記第１の波長の約１パーセントを超えず、
約０度〜約４０度の値の任意の第２の角度の場合、前記第２の偏光分離は、前記第２の角度の関数として前記第２の波長の約１パーセントを超えず、
前記第１の角度の前記値および前記第２の角度の前記値は、前記第２のＳ阻止帯域の波長がほぼ前記第１の波長以下になり、前記第１の波長が前記第２の波長未満になり、前記第２の波長未満がほぼ前記第１のＳ阻止帯域の波長以下になるような値であり、
前記第１の角度の前記値によって決定される第１の波長と、前記第２の角度の前記値によって決定される第２の波長との分離は、通過帯域領域の電磁放射が少なくとも約８０％透過されるような通過帯域領域である、
方法。
【請求項１８】
第１の側面および第２の側面を有する少なくとも１つの基板を導入することをさらに含み、
前記少なくとも１つの基板は、前記第１の側面上に前記第１の基板表面を呈し、前記第２の側面上に前記第２の基板表面を呈する、請求項１７に記載の光フィルタを作製する方法。
【請求項１９】
第１の側面および第２の側面を有する少なくとも１つの基板を導入することをさらに含み、
前記少なくとも１つの基板は、前記第１の側面上に前記第１の基板表面を呈し、
前記第１の基板表面が、前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層であり、前記第２の基板表面が、前記第１の側面である、第１の構成、ならびに前記第１の基板表面が、前記第１の側面であり、前記第２の基板表面が、前記第１の複数の交互の第１および第２の材料層である、第２の構成のうちの１つから選択される構成に従って、前記第１の複数の交互の第１および第２の材料層が前記第１の基板表面に被着され、前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層が前記第２の基板表面に被着される、請求項１７に記載の光フィルタを作製する方法。
【請求項２０】
前記第２の側面に反射防止コーティングを被着することをさらに含む、請求項１９に記載の光フィルタを作製する方法。
【請求項２１】
広範囲遮断フィルタを導入することをさらに含む、請求項１７に記載の光フィルタを作製する方法。
【請求項２２】
広範囲遮断フィルタを導入することをさらに含む、請求項１９に記載の光フィルタを作製する方法。
【請求項２３】
第１の側面を有する少なくとも１つの基板を導入することと、
第２の側面を有する第２の基板を導入することと、をさらに含み、
前記第１の基板表面は、前記第１の側面であり、前記第２の基板表面は、前記第２の側面である、請求項１７に記載の光フィルタを作製する方法。
【請求項２４】
前記少なくとも１つの基板は、前記第１の表面に平行な第１の軸の周囲を回転するように構成され、前記第２の基板は、前記第２の表面に平行な軸の周囲を回転するように構成される、請求項２３に記載の光フィルタを作製する方法。
【請求項２５】
前記少なくとも１つの基板の回転は、前記少なくとも１つの基板に入射する前記電磁放射に第１の横方向シフトを導入するように構成され、前記第２の基板の回転は、前記第２の基板に入射する前記電磁放射に第２の横方向シフトを導入するように構成される、請求項２４に記載の光フィルタを作製する方法。
【請求項２６】
前記第１の横方向シフトおよび前記第２の横方向シフトは、ほぼ等しく、かつ反対方向である、請求項２５に記載の光フィルタを作製する方法。
【請求項２７】
約４０度〜約６０度の値の任意の第１の角度の場合、前記第１の偏光分離は、さらに、前記第１の角度の関数として前記第１の波長の約１％を超えない、請求項１７に記載の光フィルタを作製する方法。
【請求項２８】
約４０度〜約６０度の値の任意の第２の角度の場合、前記第２の偏光分離は、さらに、前記第２の角度の関数として前記第２の波長の約１パーセントを超えない、請求項１７に記載の光フィルタを作製する方法。
【請求項２９】
約４０度〜約６０度の値の任意の第２の角度の場合、前記第２の偏光分離は、さらに、前記第２の角度の関数として前記第２の波長の約１パーセントを超えない、請求項２７に記載の光フィルタを作製する方法。
【請求項３０】
光フィルタであって、
少なくとも１つの基板と、
第１の複数の交互の第１および第２の材料層、ならびに第２の複数の交互の第１および第２の材料層であって、前記第１および第２の複数の前記第１および第２の材料層の各々は、それぞれ異なる屈折率を有る、材料層と、を備え、
前記第１の複数の交互の第１および第２の材料層は、前記第１の複数の交互の第１および第２の材料層に入射する電磁放射の第１の方向に対する第１の角度で第１の法線ベクトルを有する第１の表面を呈し、第１の波長で前記第１の角度の関数として可同調カットオンエッジを呈するように構成され、
前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層は、前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層に入射する前記電磁放射の第２の方向に対する第２の角度で第２の法線ベクトルを有する第２の表面を呈し、第２の波長で前記第２の角度の関数として可同調カットオフエッジを呈するように構成され、
前記第１の複数の交互の第１および第２の材料層に入射する前記電磁放射の場合、前記第１の複数の交互の第１および第２の材料層は、全て前記第１の角度の関数として、前記第１の波長で第１の偏光分離を呈し、第１のＳ阻止帯域の波長で第１のＳ阻止帯域エッジを呈し、
前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層に入射する前記電磁放射の場合、前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層は、全て前記第２の角度の関数として、前記第２の波長で第２の偏光分離を呈し、第２のＳ阻止帯域の波長で第２のＳ阻止帯域エッジを呈し、
前記第１の角度の第１の値および前記第２の角度の第１の値は、前記第２のＳ阻止帯域の波長がほぼ前記第１の波長以下になり、前記第１の波長が前記第２の波長未満になり、前記第２の波長未満がほぼ前記第１のＳ阻止帯域の波長以下になるような値であり、前記第１の角度の前記第１の値によって決定される前記第１の波長と、前記第２の角度の前記第１の値によって決定される前記第２の波長との分離は、第１の通過帯域領域の電磁放射が少なくとも約８０％透過され、前記第１の角度の前記第１の値によって決定される前記第１の波長と、前記第２の角度の前記第１の値によって決定される前記第２の波長との差が、第１の通過帯域幅であるような第１の通過帯域領域であり、
前記第１の角度の第２の値および前記第２の角度の第２の値は、前記第２のＳ阻止帯域の波長がほぼ前記第１の波長以下になり、前記第１の波長が前記第２の波長未満になり、前記第２の波長未満がほぼ前記第１のＳ阻止帯域の波長以下になるような値であり、前記第１の角度の前記第２の値によって決定される前記第１の波長と、前記第２の角度の前記第２の値によって決定される前記第２の波長との分離は、第２の通過帯域領域の電磁放射が少なくとも約８０％透過され、前記第１の角度の前記第２の値によって決定される前記第１の波長と、前記第２の角度の前記第２の値によって決定される前記第２の波長との差が、第２の通過帯域幅であるような第２の通過帯域領域であり、
前記第１の角度の前記第１の値と前記第１の角度の前記第２の値との間の値の任意の第１の角度の場合、前記第１の偏光分離は、前記第１の角度の関数として前記第１の波長の約１パーセントを超えず、
前記第２の角度の前記第１の値と前記第２の角度の前記第２の値との間の値の任意の第２の角度の場合、前記第２の偏光分離は、前記第２の角度の関数として前記第２の波長の約１パーセントを超えず、
前記第１の角度の前記第２の値によって決定される前記第１の波長は、前記第１の角度の前記第１の値によって決定される前記第１の波長の少なくとも約６パーセント以内であり、前記第２の角度の前記第２の値によって決定される前記第２の波長は、前記第２の角度の前記第１の値によって決定される前記第２の波長の少なくとも約６パーセント以内である、光フィルタ。
【請求項３１】
前記第１の通過帯域幅は、前記第２の通過帯域幅とほぼ等しい、請求項３０に記載の光フィルタ。
【請求項３２】
前記基板は、第１の基板表面および第２の基板表面、を有し、
前記第１の複数の交互の第１および第２の材料は、前記第１の基板表面に被着され、前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層は、前記第２の基板表面に被着される、請求項３０に記載の光フィルタ。
【請求項３３】
前記基板は、第１の基板表面および第２の基板表面を有し、
前記第１の複数の交互の第１および第２の材料層が前記第１の基板表面に被着された前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層に被着される、第１の構成、ならびに前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層が前記第１の基板表面に被着された前記第１の複数の交互の第１および第２の材料層に被着される、第２の構成のうちの１つから選択される構成に従って、前記第１の複数の交互の第１および第２の材料層ならびに前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層が前記基板に被着される、請求項３０に記載の光フィルタ。
【請求項３４】
前記第２の基板表面に被着された反射防止コーティングをさらに備える、請求項３３に記載の光フィルタ。
【請求項３５】
広範囲遮断フィルタをさらに備える、請求項３０に記載の光フィルタ。
【請求項３６】
広範囲遮断フィルタをさらに備える、請求項３３に記載の光フィルタ。
【請求項３７】
第２の基板をさらに備え、
前記第１の複数の交互の第１および第２の材料は、前記少なくとも１つの基板に被着され、前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層は、前記第２の基板に被着される、請求項３０に記載の光フィルタ。
【請求項３８】
前記少なくとも１つの基板は、前記第１の表面に平行な第１の軸の周囲を回転するように構成され、前記第２の基板は、前記第２の表面に平行な軸の周囲を回転するように構成される、請求項３７に記載の光フィルタ。
【請求項３９】
前記少なくとも１つの基板の回転は、前記少なくとも１つの基板に入射する前記電磁放射に第１の横方向シフトを導入するように構成され、前記第２の基板の回転は、前記第２の基板に入射する前記電磁放射に第２の横方向シフトを導入するように構成される、請求項３８に記載の光フィルタ。
【請求項４０】
前記第１の横方向シフトおよび前記第２の横方向シフトは、ほぼ等しく、かつ反対方向である、請求項３９に記載の光フィルタ。
【請求項４１】
前記第１の角度の前記第２の値によって決定される前記第１の波長は、前記第１の角度の前記第１の値によって決定される前記第１の波長の少なくとも約１２パーセント以内であり、前記第２の角度の前記第２の値によって決定される前記第２の波長は、前記第２の角度の前記第１の値によって決定される前記第２の波長の少なくとも約１２パーセント以内である、請求項３０に記載の光フィルタ。
【請求項４２】
空気の屈折率よりも高い屈折率を有する入射媒体をさらに備え、
前記第１の複数の交互の第１および第２の材料ならびに前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層は、前記入射媒体に埋め込まれる、請求項３０に記載の光フィルタ。
【請求項４３】
前記入射媒体は、第１の埋め込み材料と、第２の埋め込み材料と、屈折率整合油とを含み、
前記第１の埋め込み材料は、第１の入射面と、第２の入射面と、前記屈折率整合油を収容する実質的に円筒状の空洞とともに構成され、
前記第２の埋め込み材料は、実質的に円筒状であり、前記第１の埋め込み材料の前記屈折率整合油を収容する前記実質的に円筒状の空洞内に回転可能に配置されるように構成され、
前記第１の埋め込み材料と、前記第２の埋め込み材料と、前記屈折率整合油とは全て、実質的に等しい屈折率を呈し、
前記第１の複数の交互の第１および第２の材料層ならびに前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層は、前記第２の埋め込み材料に埋め込まれるように構成される、請求項４２に記載の光フィルタ。
【請求項４４】
前記第１の入射面と前記第２の入射面とは、実質的に平行であり、前記電磁放射の第１の方向に対する第３の角度で第３の法線ベクトルを呈するように構成され、前記第３の角度は実質的にゼロである、請求項４３に記載の光フィルタ。
【請求項４５】
前記第１の入射面に被着された第１の反射防止コーティングと、前記第２の入射面に被着された第２の反射防止コーティングと、をさらに備える、請求項４４に記載の光フィルタ。
【請求項４６】
前記第１の埋め込み材料および前記第２の埋め込み材料は、ガラスを含む、請求項４５に記載の光フィルタ。
【請求項４７】
前記第２の埋め込み材料を回転させるように構成される少なくとも１つのガルボスキャナをさらに備える、請求項４６に記載の光フィルタ。
【請求項４８】
前記第１の複数の交互の第１および第２の材料層ならびに前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層は、前記第２の埋め込み材料の直径を実質的に横断して被着されるように構成される、請求項４６に記載の光フィルタ。
【請求項４９】
前記入射媒体は、第１の埋め込み材料と、第２の埋め込み材料と、第３の埋め込み材料と、屈折率整合油とを含み、
前記第１の埋め込み材料は、第１の入射面と、第２の入射面と、前記屈折率整合油を収容する第１の実質的に円筒状の空洞と、前記屈折率整合油を収容する第２の実質的に円筒状の空洞とともに構成され、
前記第２の埋め込み材料は、実質的に円筒状であり、前記第１の埋め込み材料の前記屈折率整合油を収容する前記第１の実質的に円筒状の空洞内に回転可能に配置されるように構成され、
前記第３の埋め込み材料は、実質的に円筒状であり、前記第１の埋め込み材料の前記屈折率整合油を収容する前記第２の実質的に円筒状の空洞内に回転可能に配置されるように構成され、
前記第１の埋め込み材料と、前記第２の埋め込み材料と、前記第３の埋め込み材料と、前記屈折率整合油とは全て、実質的に等しい屈折率を呈し、
前記複数の交互の第１および第２の材料層は、前記第２の埋め込み材料に埋め込まれるように構成され、前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層は、前記第３の埋め込み材料に埋め込まれるように構成される、請求項４２に記載の光フィルタ。
【請求項５０】
空気の屈折率よりも高い屈折率を有する入射媒体をさらに備え、
前記第１の複数の交互の第１および第２の材料ならびに前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層は、前記入射媒体に埋め込まれる、請求項３８に記載の光フィルタ。
【請求項５１】
前記入射媒体は、第１の埋め込み材料と、第２の埋め込み材料と、第３の埋め込み材料と、屈折率整合油とを含み、
前記第１の埋め込み材料は、第１の入射面と、第２の入射面と、前記屈折率整合油を収容する第１の実質的に円筒状の空洞と、前記屈折率整合油を収容する第２の実質的に円筒状の空洞とともに構成され、
前記第２の埋め込み材料は、実質的に円筒状であり、前記第１の埋め込み材料の前記屈折率整合油を収容する前記第１の実質的に円筒状の空洞内に回転可能に配置されるように構成され、
前記第３の埋め込み材料は、実質的に円筒状であり、前記第１の埋め込み材料の前記屈折率整合油を収容する前記第２の実質的に円筒状の空洞内に回転可能に配置されるように構成され、
前記第１の埋め込み材料と、前記第２の埋め込み材料と、前記第３の埋め込み材料と、前記屈折率整合油とは全て、実質的に等しい屈折率を呈し、
前記第１の複数の交互の第１および第２の材料層は、前記第２の埋め込み材料に埋め込まれるように構成され、前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層は、前記第３の埋め込み材料に埋め込まれるように構成される、請求項５０に記載の光フィルタ。
【請求項５２】
請求項３０に記載の第１の光フィルタと、
請求項３０に記載の第２の光フィルタと、を備え、
前記第１の光フィルタの前記第１の角度の前記第２の値によって決定される前記第１の波長が、前記第２の光フィルタの前記第２の角度の前記第１の値によって決定される前記第２の波長とほぼ同じになるように、前記第１の光フィルタの前記第２の通過帯域幅は、前記第２の光フィルタの前記第１の通過帯域幅と重複するように構成される、光学システム。
【請求項５３】
請求項３２に記載の第１の光フィルタと、
請求項３２に記載の第２の光フィルタと、を備え、
前記第１の光フィルタの前記第１の角度の前記第２の値によって決定される前記第１の波長が、前記第２の光フィルタの前記第２の角度の前記第１の値によって決定される前記第２の波長とほぼ同じになるように、前記第１の光フィルタの前記第２の通過帯域幅は、前記第２の光フィルタの前記第１の通過帯域幅と重複するように構成される、光学システム。
【請求項５４】
光フィルタであって、
少なくとも１つの基板と、
第１の複数の交互の第１および第２の材料層、ならびに第２の複数の交互の第１および第２の材料層であって、前記第１および第２の複数の前記第１および第２の材料層の各々は、それぞれ異なる屈折率を有する、材料層と、を備え、
前記第１の複数の交互の第１および第２の材料層は、前記第１の複数の交互の第１および第２の材料層に入射する電磁放射の第１の方向に対する第１の角度で第１の法線ベクトルを有する第１の表面を呈し、第１の波長で前記第１の角度の関数として可同調カットオンエッジを呈するように構成され、
前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層は、前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層に入射する前記電磁放射の第２の方向に対する第２の角度で第２の法線ベクトルを有する第２の表面を呈し、第２の波長で前記第２の角度の関数として可同調カットオフエッジを呈するように構成され、
前記第１の複数の交互の第１および第２の材料層に入射する前記電磁放射の場合、前記第１の複数の交互の第１および第２の材料層は、全て前記第１の角度の関数として、前記第１の波長で第１の偏光分離を呈し、第１のＳ阻止帯域の波長で第１のＳ阻止帯域エッジを呈し、
前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層に入射する前記電磁放射の場合、前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層は、全て前記第２の角度の関数として、前記第２の波長で第２の偏光分離を呈し、第２のＳ阻止帯域の波長で第２のＳ阻止帯域エッジを呈し、
約０度〜約４０度の値の任意の第１の角度の場合、前記第１の偏光分離は、前記第１の角度の関数として前記第１の波長の約１パーセントを超えず、
約０度〜約４０度の値の任意の第２の角度の場合、前記第２の偏光分離は、前記第２の角度の関数として前記第２の波長の約１パーセントを超えず、
前記第１の角度の値および前記第２の角度の値は、前記第２のＳ阻止帯域の波長がほぼ前記第１の波長以下になり、前記第１の波長が前記第２の波長未満になり、前記第２の波長未満がほぼ前記第１のＳ阻止帯域の波長以下になるような値であり、
前記第１の角度の前記値によって決定される第１の波長と、前記第２の角度の前記値によって決定される第２の波長との分離は、通過帯域領域の電磁放射が少なくとも約８０％透過されるような通過帯域領域である、
光フィルタ。
【請求項５５】
光フィルタを作製する方法であって、
第１の複数の交互の第１および第２の材料層を第１の基板表面に被着するステップと、
第２の複数の交互の第１および第２の材料層を第２の基板表面に被着するステップと、を含み、
前記第１および第２の複数の前記第１および第２の材料層の各々は、それぞれ異なる屈折率を有し、
前記第１の基板表面に被着された前記第１の複数の交互の第１および第２の材料層は、前記第１の複数の交互の第１および第２の材料層に入射する電磁放射の第１の方向に対する第１の角度で第１の法線ベクトルを有する第１の表面を呈し、第１の波長で前記第１の角度の関数として可同調カットオンエッジを呈するように構成され、
前記第２の基板表面に被着された前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層は、前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層に入射する前記電磁放射の第２の方向に対する第２の角度で第２の法線ベクトルを有する第２の表面を呈し、第２の波長で前記第２の角度の関数として可同調カットオフエッジを呈するように構成され、
前記第１の複数の交互の第１および第２の材料層に入射する前記電磁放射の場合、前記第１の基板表面に被着された前記第１の複数の交互の第１および第２の材料層は、全て前記第１の角度の関数として、前記第１の波長で第１の偏光分離を呈し、第１のＳ阻止帯域の波長で第１のＳ阻止帯域エッジを呈するように構成され、
前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層に入射する前記電磁放射の場合、前記第２の基板表面に被着された前記第２の複数の交互の第１および第２の材料層は、全て前記第２の角度の関数として、前記第２の波長で第２の偏光分離を呈し、第２のＳ阻止帯域の波長で第２のＳ阻止帯域エッジを呈するように構成され、
約０度〜約４０度の値の任意の第１の角度の場合、前記第１の偏光分離は、前記第１の角度の関数として前記第１の波長の約１パーセントを超えず、
約０度〜約４０度の値の任意の第２の角度の場合、前記第２の偏光分離は、前記第２の角度の関数として前記第２の波長の約１パーセントを超えず、
前記第１の角度の値および前記第２の角度の値は、前記第２のＳ阻止帯域の波長がほぼ前記第１の波長以下になり、前記第１の波長が前記第２の波長未満になり、前記第２の波長未満がほぼ前記第１のＳ阻止帯域の波長以下になるような値であり、
前記第１の角度の前記値によって決定される第１の波長と、前記第２の角度の前記値によって決定される第２の波長との分離は、通過帯域領域の電磁放射が少なくとも約８０％透過されるような通過帯域領域である、
方法。