【手続補正書】
【提出日】平成25年12月6日(2013.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノ活性材料をナノ支持部にピンニングするためのインターフェースであって、該インターフェースは、該ナノ支持部の表面上の該ナノ活性材料の動きを制限するように構成された化合物を含み、該化合物は、該ナノ活性材料と該ナノ支持部の該表面との反応によって形成される、インターフェース。
【請求項２】
前記ナノ活性材料は、白金を含む、請求項１に記載のインターフェース。
【請求項３】
前記ナノ支持部は、アルミナである、請求項１に記載のインターフェース。
【請求項４】
前記ナノ支持部は、部分的に還元されたアルミナ表面を含む、請求項１に記載のインターフェース。
【請求項５】
前記化合物は、白金アルミナ金属化合物または白金銅金属間化合物である、請求項１に記載のインターフェース。
【請求項６】
高温凝縮技術を用いることによってナノ活性材料をナノ支持部に付着させるピンニング方法であって、該方法は、
ａ．該ナノ活性材料と該ナノ支持部とを集めることと、
ｂ．該ナノ支持部の表面上の金属特性を増加させることと、
ｃ．各ナノ活性材料とナノ支持部との間にインターフェースを形成することと
を包含し、該インターフェースは、該ナノ支持部の該表面上の該ナノ活性材料の動きを制限するように構成されている、ピンニング方法。
【請求項７】
前記高温凝縮技術は、Ｅ−Ｂｅａｍ、マイクロ波、ＲＦまたはＤＣプラズマである、請求項６に記載のピンニング方法。
【請求項８】
前記集めることは、
ａ．ある量の触媒材料とある量のキャリア材料とをチャンバの中に装填することと、
ｂ．該量の触媒材料と該量のキャリア材料とを蒸発させることによって、前記ナノ活性材料と前記ナノ支持部とを生成することと
を含む、請求項６に記載のピンニング方法。
【請求項９】
前記蒸発させることは、
ａ．作動気体を前記チャンバの中に供給することと、
ｂ．該作動気体にエネルギーを送達することと
を含む、請求項８に記載のピンニング方法。
【請求項１０】
前記集めることは、ある量の銅を前記チャンバの中に装填することをさらに含む、請求項８に記載のピンニング方法。
【請求項１１】
複数のナノ活性材料の各々は、白金を含む、請求項６に記載のピンニング方法。
【請求項１２】
複数のナノ支持部の各々は、アルミナである、請求項６に記載のピンニング方法。
【請求項１３】
複数のナノ支持部の各々は、部分的に還元されたアルミナ表面を含む、請求項６に記載のピンニング方法。
【請求項１４】
前記インターフェースは、白金アルミナ金属化合物または白金銅金属間化合物を含む、請求項１３に記載のピンニング方法。
【請求項１５】
ナノ活性材料をナノ支持部に付着させる方法であって、該方法は、該ナノ活性材料とナノ支持部材料との間に層を形成するために高温凝縮技術を用いることを包含する、方法。
【請求項１６】
前記高温凝縮技術は、Ｅ−Ｂｅａｍ、マイクロ波、ＲＦまたはＤＣプラズマである、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記高温凝縮技術を用いることは、
ａ．触媒材料とキャリア材料とをチャンバの中に装填することと、
ｂ．該触媒材料と該キャリア材料とを蒸発させて、前記ナノ活性材料と前記ナノ支持部とを生成することと
を包含する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記高温凝縮技術を用いることは、前記チャンバの中に銅を装填することをさらに包含する、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記層は、前記ナノ支持部の表面上の前記ナノ活性材料の動きを制限するように構成されている、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記層は、白金アルミナ金属化合物を含むか、または白金銅金属間化合物を含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
高温凝縮技術を用いることによって触媒材料を支持材料に付着させるピンニング方法であって、該方法は、
プラズマで該触媒材料および該支持材料を蒸発させることと、
該蒸発された材料を沈殿ナノ粒子へと急冷させることと
を包含し、
該蒸発および急冷は、アルゴンおよびＨ２から生成されるプラズマを用いる還元状態において行われる、方法。
【請求項２２】
前記触媒材料と支持材料との間に、プラズマで生成されたナノ粒子上のインターフェースが形成され、該インターフェースは、該支持材料の表面上の該触媒材料の動きを制限するように構成されている、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記触媒材料は、白金を含む、請求項２１または２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記支持材料は、アルミナを含む、請求項２１、２２または２３に記載の方法。
【請求項２５】
請求項２１〜２４のうちのいずれか一項に記載の方法によって生成された触媒材料および支持材料を含むナノ粒子。
【請求項２６】
請求項２１〜２４のうちのいずれか一項に記載の方法によって生成された触媒材料と支持材料との間のインターフェース。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
さらに別の局面において、ナノ活性材料をナノ支持部に付着させる方法は、ナノ活性材料とナノ支持部材料との間に層を形成するために高温凝縮技術を用いる。高温凝縮技術は、ｅＢｅａｍ、マイクロ波、ＲＦまたはＤＣプラズマである。いくつかの実施形態において、触媒材料とキャリア材料とを含む出発材料は、チャンバの中に装填され、蒸発させられて、ナノ活性材料とナノ支持部とを生成する。他の実施形態において、銅もまた、チャンバの中に装填され、蒸発させられる。典型的には、ナノ活性材料とナノ支持部材料との間の層は、ナノ支持部の表面上をナノ活性材料が動くことを制限するように構成される。いくつかの実施形態において、層は、白金アルミナ金属化合物を含む。あるいは、層は、白金銅金属間化合物を含む。
本願明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
（項目１）
ナノ活性材料をナノ支持部にピンニングするためのインターフェースであって、該ナノ支持部の表面上を該ナノ活性材料が動くことを制限するように構成される化合物を含み、該化合物は、該ナノ活性材料と該ナノ支持部の該表面との反応によって形成される、インターフェース。
（項目２）
前記ナノ活性材料が白金である、項目１に記載のインターフェース。
（項目３）
前記ナノ支持部がアルミナである、項目１に記載のインターフェース。
（項目４）
前記ナノ支持部が部分的に還元されたアルミナ表面である、項目１に記載のインターフェース。
（項目５）
前記化合物は、白金アルミナ金属化合物または白金銅金属間化合物である、項目１に記載のインターフェース。
（項目６）
高温凝縮技術を用いることによってナノ活性材料をナノ支持部に付着させるピンニング方法であって、該方法は、
ａ．該ナノ活性材料と該ナノ支持部とを集めることと、
ｂ．該ナノ支持部の表面上の金属特性を増加させることと、
ｃ．各ナノ活性材料とナノ支持部との間にインターフェースを形成することと
を包含し、該インターフェースは、該ナノ支持部の該表面上の該ナノ活性材料の動きを制限するように構成されている、ピンニング方法。
（項目７）
前記高温凝縮技術は、ｅＢｅａｍ、マイクロ波、ＲＦまたはＤＣプラズマである、項目６に記載のピンニング方法。
（項目８）
前記集めることは、
ａ．ある量の触媒材料とある量のキャリア材料とをチャンバの中に装填することと、
ｂ．該量の触媒材料と該量のキャリア材料とを蒸発させることによって、前記ナノ活性材料と前記ナノ支持部とを生成することと
を含む、項目６に記載のピンニング方法。
（項目９）
前記蒸発させることは、
ａ．作動気体を前記チャンバの中に供給することと、
ｂ．該作動気体にエネルギーを送達することと
を含む、項目８に記載のピンニング方法。
（項目１０）
前記集めることは、ある量の銅を前記チャンバの中に装填することをさらに含む、項目８に記載のピンニング方法。
（項目１１）
前記複数のナノ活性材料の各々が白金である、項目６に記載のピンニング方法。
（項目１２）
前記複数のナノ支持部の各々がアルミナである、項目６に記載のピンニング方法。
（項目１３）
前記複数のナノ支持部の各々が部分的に還元されたアルミナ表面を含む、項目６に記載のピンニング方法。
（項目１４）
前記インターフェースは、白金アルミナ金属化合物または白金銅金属間化合物を含む、項目１３に記載のピンニング方法。
（項目１５）
ナノ活性材料をナノ支持部に付着させる方法であって、該方法は、該ナノ活性材料とナノ支持部材料との間に層を形成するために高温凝縮技術を用いることを包含する、方法。
（項目１６）
前記高温凝縮技術は、ｅＢｅａｍ、マイクロ波、ＲＦまたはＤＣプラズマである、項目１５に記載の方法。
（項目１７）
前記用いることは、
ａ．触媒材料とキャリア材料とをチャンバの中に装填することと、
ｂ．該触媒材料と該キャリア材料とを蒸発させて、前記ナノ活性材料と前記ナノ支持部とを生成することと
を包含する、項目１５に記載の方法。
（項目１８）
前記用いることは、前記チャンバの中に銅を装填することをさらに包含する、項目１７に記載の方法。
（項目１９）
前記層は、前記ナノ支持部の表面上の前記ナノ活性材料の動きを制限するように構成されている、項目１５に記載の方法。
（項目２０）
前記層は、白金アルミナ金属化合物を含むか、または白金銅金属間化合物を含む、項目１９に記載の方法。