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【手続補正書】
【提出日】平成24年10月10日(2012.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロバイオティクス、バニロイド受容体１アゴニスト、アンギオテンシン変換酵素阻害剤、基本味物質、三叉神経刺激物質、芳香物質、唾液分泌剤、増粘剤又は空気を含ませた組成物及びこれらの組み合わせからなる群から選択される成分を含む嚥下障害治療製品。
【請求項２】
プロバイオティクス、バニロイド受容体１アゴニスト、アンギオテンシン変換酵素阻害剤、基本味物質、三叉神経刺激物質、芳香物質、唾液分泌剤、増粘剤又は空気を含ませた組成物及びこれらの組み合わせからなる群から選択される成分を含む、肺炎、脱水症、栄養不良、並びに健康状態の悪循環、感染症及び肺の誤嚥などの関連する障害を回避するための製品。
【請求項３】
演算器上で実行されるときに嚥下障害に関する以下の診断方法を実行するコンピュータプログラム製品であって、診断方法が、
ａ）嚥下障害症状について患者をスクリーニングするステップと、
ｂ）嚥下障害を診断するステップと、
ｃ）患者の嚥下障害症状が閾値を超える場合に請求項１に記載の適切な嚥下障害治療製品を選択するステップと、
ｄ）嚥下障害治療製品についての患者への調製指示を与えるステップと
を含むコンピュータプログラム製品。
【請求項４】
スクリーニングするステップが、患者に、嚥下障害スクリーニング質問票の質問に回答してもらうサブステップと、患者の回答に基づいて質問票をスコアリングするサブステップとを含む、請求項３に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項５】
診断するステップが、
患者に、世話人の報告により特定される嚥下障害の変動、観察される変動及び自己報告による変動に関する過去の情報を含む質問票の質問に回答してもらうサブステップと、
患者の回答に基づいて質問票についてスコアを決定するサブステップと、
患者が閾値スコアを超える場合、嚥下障害を特定及び分類するサブステップと
を含む、請求項３に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項６】
適切な嚥下障害治療を選択するステップが、
ｉ）軟口蓋及び／又は硬口蓋に対して患者の舌から加えられる力を測定するサブステップ、
ｉｉ）患者の気道及び喉頭蓋が完全に閉じているかどうかを判定するサブステップ、
ｉｉｉ）患者の気道及び喉頭蓋のタイミングが正しいかどうかを判定するサブステップ、
ｉｖ）患者に対してコーンフレーク試験を実施するサブステップ、
ｖ）患者の気管のｐＨを２４時間モニタリングするサブステップ、
ｖｉ）患者に対して超音波検査を実施して、異常な口腔咽頭の運動機能を検出するサブステップ、
ｖｉｉ）配備用調製ツールを利用するサブステップ、及び
ｖｉｉｉ）患者に対して口腔の健康状態の評価を実施するサブステップ
の少なくとも１つに基づいて患者を診断及び分類するステップに基づく、請求項３に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項７】
嚥下障害治療製品が、
ｉ）患者の免疫を強化する又は回復させる組成物、
ｉｉ）患者の嚥下反射を誘発する、強化する又は回復させる組成物、
ｉｉｉ）患者の口腔粘膜を強化する又は回復させる組成物、
ｉｖ）患者の認知機能を支援する組成物、
ｖ）患者の認知力低下を予防する組成物、
ｖｉ）飲食物塊の口腔咽頭及び食道の安全な通過を向上させる組成物、
ｖｉｉ）食道逆流を減少させる組成物
の少なくとも１つを含む、請求項３に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項８】
患者への調製指示が、嚥下障害治療の仕様に従って食事の変更に従うステップを含む、請求項３に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項９】
嚥下障害治療製品が、患者の嚥下障害に基づく理学療法レジメンであり、
好ましくは、理学療法レジメンが、
ｉ）摂食時及び摂食後の特定の姿勢の位置調整を実施するステップ、及び
ｉｉ）リハビリテーション訓練を実施するステップ
の少なくとも１つを含み、
又は、好ましくは、理学療法レジメンが、同化的栄養レジメンと組み合わせられる、請求項３に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項１０】
嚥下障害患者に治療を提供するためのキットであって、
嚥下障害について患者をスクリーニングするスクリーニングツールと、
患者の嚥下障害症状が閾値を超える場合に嚥下障害と分類する診断検査と、
患者の嚥下障害に基づいた嚥下障害治療コースの提案と、
嚥下障害治療を実行するための指示と
を含むキット。
【請求項１１】
嚥下障害治療が、
ｉ）患者の免疫を強化する又は回復させる組成物、
ｉｉ）患者の嚥下反射を誘発する、強化する又は回復させる組成物、
ｉｉｉ）患者の口腔粘膜を強化する又は回復させる組成物、
ｉｖ）患者の認知機能を支援する組成物、
ｖ）患者の認知力低下を予防する組成物、
ｖｉ）飲食物塊の口腔咽頭及び食道の安全な通過を向上させる組成物、
ｖｉｉ）食道逆流を減少させる組成物
の少なくとも１つを含む、請求項１０に記載のキット。
【請求項１２】
嚥下障害治療が、患者の嚥下障害に基づく患者の理学療法レジメンであり、
好ましくは、理学療法レジメンが、
ｉ）摂食時及び摂食後の特定の姿勢の位置調整を実施するステップ、及び
ｉｉ）リハビリテーション訓練を実施するステップ
の少なくとも１つを含む、請求項１０に記載のキット。
【請求項１３】
理学療法レジメンが、同化的栄養レジメンと組み合わせられる、請求項１０に記載のキット。
【請求項１４】
請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の嚥下障害治療用キット。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月11日(2012.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デンタルフロスが糸巻きの形状で収容され、ボックス形のボディを備え、切断刃と、閉鎖ボディと、該デンタルフロスパッケージを掛けて陳列するための開口（３ｃ）が設けられている付属ボディ（３、２３）とをさらに備えるタイプのデンタルフロスパッケージであって、
前記付属ボディは、前記ボックス形のボディ又は前記閉鎖ボディと一体的に得られるが、弱化線（６）に沿って分離可能であり、
前記ボックス形のボディ（１、１１、２１、１１０）及び前記閉鎖ボディ（２、１２、２２、１２０）もまた、一体的に得られると共に、細い折り目（５）に沿って接合されており、
前記ボックス形のボディ（１、１１、２１、１１０）は、前記糸巻き（４）を囲む壁によって、前記閉鎖ボディ（２、１２、２２、１２０）と嵌合されていることを特徴とする、デンタルフロスパッケージ。
【請求項２】
前記細い折り目（５）を中心として１８０度倒される前記閉鎖ボディ（２、１２、２２、１２０）は、前記ボックス形のボディ（１）と結合されて、前記デンタルフロスの前記糸巻き（４）を囲むハウジングを形成することを特徴とする、請求項１に記載のデンタルフロスパッケージ。
【請求項３】
前記ボックス形のボディ（１、２１）及び前記閉鎖ボディ（２、２２）は実質的に平坦プレート（１ａ、２ａ）からなり、該平坦プレート（１ａ、２ａ）からは、互いに嵌合して前記ハウジングを形成する傾向にあるリブ及び外周壁（１ｂ、２ｂ）が垂直方向に突出している、請求項２に記載のデンタルフロスパッケージ。
【請求項４】
前記閉鎖ボディ（２、１２、２２、１２０）はカップ形である、請求項３に記載のデンタルフロスパッケージ。
【請求項５】
前記リブ（１ｂ）は、前記ボックス形のボディ（１）から隆起しており、前記デンタルフロスの出口用のスリット（１ｄ）を有し、前記外周壁（２ａ）は、前記閉鎖ボディ（２）から隆起しており、前記スリット（１ｄ）の端とは反対の該外周壁（２ａ）の端に、切断刃（２ｈ）用の固定部（２ｃ）を有する、請求項３に記載のデンタルフロスパッケージ。
【請求項６】
前記ボックス形のボディの前記平坦プレート（１ａ）には、前記出口スリット（１ｄ）と前記切断刃（２ｈ）とをつなぐ線が延びる位置に近接して切欠部（１ｇ）が形成されている、請求項５に記載のデンタルフロスパッケージ。
【請求項７】
前記パッケージの側壁の、前記出口スリット（１ｄ）と前記切断刃（２ｈ）とをつなぐ線によって影響を受ける領域には、ループ又はリセスが設けられている、請求項５に記載のデンタルフロスパッケージ。
【請求項８】
前記付属ボディ（２３）には、閉鎖シート（２５）によって閉鎖することができる、糸巻きを保管するためのハウジング（２４）が設けられている、請求項１に記載のデンタルフロスパッケージ。
【請求項９】
前記ボックス形のボディ（１、２１）、前記閉鎖ボディ（２、２２）、及び前記付属ボディ（３、２３）は、すべて一体的に得られる、請求項１に記載のデンタルフロスパッケージ。
【請求項１０】
前記ボックス形のボディ（１、１１、２１、１１０）と前記閉鎖ボディ（２、１２、２２、１２０）との間には、互いに係合するキャッチ（１１１）及びリセス（１２１）が設けられている、請求項１に記載のデンタルフロスパッケージ。
【請求項１１】
デンタルフロスが糸巻きの形態で収容されることができ、成形によって得られるボックス形のボディを備え、切断刃と閉鎖ボディとをさらに備えるタイプのデンタルフロスパッケージであって、
前記ボックス形のボディ（１、１１、２１、１１０）及び前記閉鎖ボディ（２、１２、２２、１２０）は、一体的に得られると共に、細い折り目（５）に沿って接合されており、該デンタルフロスパッケージを掛けて陳列するための開口（３ｃ）を有する付属ボディ（３、２３）がさらに設けられており、
前記ボックス形のボディ（１、１１、２１、１１０）は、前記糸巻き（４）を囲む壁によって、前記閉鎖ボディ（２、１２、２２、１２０）と嵌合されていることを特徴とする、デンタルフロスパッケージ。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年12月1日(2011.12.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７８】
ステップＳ１０６Ａでは、受信機は暗号化されていないデータを受信し、処理が終了する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年2月15日(2012.2.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
射出成形プロセスが終了したときに、制御装置５はステップ２０３において次の位置を定める。
基本始端位置Ｇ１としての閉位置Ｌ４１、
基本終端位置Ｇ２としての開位置Ｌ４２、
第１の基本中間位置Ｇ３，第２の基本中間位置Ｇ４としての中間位置Ｌ４３，Ｌ４４、
付加始端位置Ｚ１としての待機位置Ｌ２１、
最終の付加終端位置Ｚ２としての最終の取出し位置Ｌ２２、
最初の付加終端位置Ｚ３としての位置Ｌ２３。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月9日(2012.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
概して、従来のスリムロッドと同等の電気的特性を有する比較的大きい表面積のフィラメントを製造して、スリムロッド用に設計されてスリムロッドと共に利用されるリアクタに適合させる本発明は、実質的に同様のリアクタ設計の利用を可能にしつつ特定の高コストの構成要素における効果的なコスト削減を実現することで、既存のリアクタを更新するコストと、新しいリアクタの資本コストとの両方のコスト削減に寄与すると共に、歩留まりの向上と単位当たりコストの低減に寄与する。
本発明は、以下の形態として実現可能である。
［形態１］
ポリシリコンのバルク生産のためのＣＶＤリアクタであって、
フィラメント支持部を有するよう構成されたベースプレートシステムと、
前記ベースプレートシステムに取り付けられて蒸着チャンバを形成するエンクロージャと、
前記チャンバ内で前記フィラメント支持部に配置された少なくとも１つのシリコンフィラメントと、
前記フィラメントを加熱するために、前記ベースプレートシステムの電気フィードスルーを介して前記フィラメントの両端に接続可能な電流源と、
シリコン含有ガス源に接続可能な前記ベースプレートシステムのガス流入口と、
前記チャンバからガスを放出できる前記ベースプレートシステムのガス流出口と、
を備え、
前記フィラメントは、少なくとも２０ｍｍの外径を有するチューブ状の断面を備え、前記外径に対するチューブの壁厚の比率は、１／４以下である、ＣＶＤリアクタ。
［形態２］
形態１に記載のＣＶＤリアクタであって、前記フィラメントの開始直径は、２０ないし１００ｍｍの範囲であり、前記フィラメントの前記壁厚は、１ないし６ｍｍの範囲である、ＣＶＤリアクタ。
［形態３］
形態１に記載のＣＶＤリアクタであって、前記フィラメントはチューブ状であり、前記フィラメントの開始直径は、４０ないし８０ｍｍの範囲であり、前記フィラメントの前記壁厚は、１．７５ないし６ｍｍの範囲である、ＣＶＤリアクタ。
［形態４］
形態１に記載のＣＶＤリアクタであって、前記フィラメントは、チューブ状であり、約５０ｍｍの開始直径と、約２ｍｍの開始壁厚とを有する、ＣＶＤリアクタ。
［形態５］
形態１に記載のＣＶＤリアクタであって、前記フィラメントは、長方形の断面を有する平坦な架橋部分を備える、ＣＶＤリアクタ。
［形態６］
形態１に記載のＣＶＤリアクタであって、前記フィラメントは、中実の円形断面を有する架橋部分を備える、ＣＶＤリアクタ。
［形態７］
形態１に記載のＣＶＤリアクタであって、前記フィラメント支持部はグラファイトを含む、ＣＶＤリアクタ。
［形態８］
形態１に記載のＣＶＤリアクタであって、前記フィラメントは、周期表の３属および５属のいずれかに属する少なくとも１つの元素をドープされている、ＣＶＤリアクタ。
［形態９］
形態８に記載のＣＶＤリアクタであって、前記元素はホウ素を含む、ＣＶＤリアクタ。
［形態１０］
形態８に記載のＣＶＤリアクタであって、前記元素はリンを含む、ＣＶＤリアクタ。
［形態１１］
ポリシリコンのバルク生産のためのＣＶＤリアクタであって、
フィラメント支持部を有するよう構成されたベースプレートシステムと、
前記ベースプレートシステムに取り付けられて蒸着チャンバを形成するエンクロージャと、
前記チャンバ内で前記フィラメント支持部に配置された少なくとも１つのシリコンフィラメントと、
前記フィラメントを加熱するために、前記ベースプレートシステムの電気フィードスルーを介して前記フィラメントの両端に接続可能な電流源と、
シリコン含有ガス源に接続可能な前記ベースプレートシステムのガス流入口と、
前記チャンバからガスを放出できる前記ベースプレートシステムのガス流出口と、
を備え、
前記フィラメントはチューブ状であり、前記フィラメントの開始直径は、少なくとも２０ｍｍであり、前記外径に対するチューブの壁厚の比率は、１／４以下である、ＣＶＤリアクタ。
［形態１２］
形態１１に記載のＣＶＤリアクタであって、前記フィラメントは、周期表の３属および５属のいずれかに属する少なくとも１つの元素をドープされている、ＣＶＤリアクタ。
［形態１３］
形態１２に記載のＣＶＤリアクタであって、前記元素はホウ素を含む、ＣＶＤリアクタ。
［形態１４］
ポリシリコン生産のために、大表面積のフィラメントを製造してＣＶＤリアクタで利用する方法であって、
シリコン溶融プール内のシリコンを加熱して溶融状態にする工程と、
型を用いてＥＦＧ法により前記溶融状態の前記シリコンでシリコン構造を成長させる工程であって、前記シリコン構造は、少なくとも２０ｍｍの外径を有するチューブ状の断面を備え、前記外径に対する壁厚の比率が１．４以下である、工程と、
前記シリコン構造の少なくとも一部を、前記ＣＶＤリアクタ内の２つの電極の間にフィラメントとして配置する工程と、
前記フィラメントを電流で加熱する工程と、
前記リアクタ内でシリコン含有ガスを用いてＣＶＤ処理を実行する工程と、
を備える、方法。
［形態１５］
形態１４に記載のフィラメントを製造および利用する方法であって、前記少なくとも一部は、Ｕ字形フィラメントに組み立てられた３つの部分の前記シリコン構造を含む、方法。
［形態１６］
形態１４に記載のフィラメントを製造および利用する方法であって、前記型は、数個取りの型を含む、方法。
［形態１７］
形態１４に記載のフィラメントを製造および利用する方法であって、
前記シリコン構造に、周期表の３属および５属のいずれかに属する少なくとも１つの元素をドープする工程を備える、方法。
［形態１８］
形態１４に記載のフィラメントを製造および利用する方法であって、前記型はグラファイトを含む、方法。
［形態１９］
形態１４に記載のフィラメントを製造および利用する方法であって、前記型は石英を含む、方法。
［形態２０］
ポリシリコンの生産方法であって、
シリコン含有ガスとＣＶＤリアクタとを用いる工程と、
前記ＣＶＤリアクタ内に、４０ないし６０ｍｍの範囲の外径と１．７５ないし６ｍｍの範囲の壁厚とを有するチューブ状シリコンフィラメントを配置する工程と、
ＣＶＤ処理を実行する工程と、
を備え、
前記チューブ状シリコンフィラメントが電流で加熱されて、前記チューブ状シリコンフィラメント上にシリコンが蒸着される、方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年5月17日(2012.5.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コーミング機械の旋回するアンダトング（８）に支承された供給ローラ（１０）の駆動装置であって、コーミング機械の長さを通して延在する、アンダトング（８）の支承軸（７）のわきに定置に支承された駆動軸（１５）を有し、該駆動軸（１５）の駆動力が、２つのリンク部材から成るリンク伝動装置（１８）の少なくとも１つのリンク部材（２４，２５）を介して、コームの動きに際して位置を変える各供給ローラ（１０）に伝達されることができることを特徴とする、コーミング機械の供給ローラの駆動装置。
【請求項２】
駆動軸（１５）がコーミング機械のトング装置（１）の近傍に配置されている、請求項１記載のコーミング機械の供給ローラの駆動装置。
【請求項３】
駆動軸（１５）の駆動モータ（１６）が、同軸的に駆動軸（１５）の上に配置されている、請求項１記載のコーミング機械の供給ローラの駆動装置。
【請求項４】
１つのリンク部材（２４，２５）がフレキシブルな、形状接続的に作用する引っ張り部材（１９，２２）を有している、請求項１記載のコーミング機械の供給ローラの駆動装置。
【請求項５】
１つのリンク部材（２４，２５）が歯付きベルト（１９，２２）を有している、請求項４記載のコーミング機械の供給ローラの駆動装置。
【請求項６】
１つのリンク部材（２４，２５）が歯車コンビネーション（２６／２７，２７／２８，２９／２３）を有している、請求項１記載のコーミング機械の供給ローラの駆動装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
本発明の課題は、すべてのコーミング部位の供給ローラを駆動する駆動軸を定置にかつトング装置の支承軸から離して配置し、それでもその駆動力をコームの動きに際して移動する供給ローラに伝達することである。供給ローラは各コームの動きに際して停止と回転運動との間で切り替わるので、供給ローラの低質量も重要な意味を持つ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月13日(2011.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信システムの端末機におけるページングメッセージ復調方法であって、
物理階層制御チャネルによって伝送されるページングメッセージ発生を表す所定の識別子を検出するステップと、
前記物理階層制御チャネルに含まれる前記ページングメッセージを含むページングチャネルに対する無線資源割当情報を検出するステップと、
前記無線資源割当情報に対応する前記ページングチャネルに含まれる前記ページングメッセージを復調するステップと、
を含むことを特徴とするページングメッセージ復調方法。
【請求項２】
前記識別子が、スケジューリング識別子のうち、一部を予約割当して使用することを特徴とする請求項１に記載のページングメッセージ復調方法。
【請求項３】
前記端末機が、低電力消耗のためのＤＲＸ（Ｄｉｓｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  Ｒｅｃｅｐｔｉｏｎ）動作を行うことを特徴とする請求項１に記載のページングメッセージ復調方法。
【請求項４】
前記端末機が、ＤＲＸ周期に応じて前記識別子の存在の有無をモニタリングすることを特徴とする請求項１に記載のページングメッセージ復調方法。
【請求項５】
前記ページングチャネルに対する無線資源が、前記ページングメッセージの生成の有無によってフレキシブルに割り当てられることを特徴とする請求項１に記載のページングメッセージ復調方法。
【請求項６】
前記識別子が、前記ページングメッセージの生成の有無によって存在するか、存在しないことを特徴とする請求項１に記載のページングメッセージ復調方法。
【請求項７】
前記識別子が、前記ページングメッセージの存在の有無を表すことを特徴とする請求項１に記載のページングメッセージ復調方法。
【請求項８】
前記スケジューリング識別子が、ＲＮＴＩ（Ｒａｄｉｏ  Ｎｅｔｗｏｒｋ  Ｔｅｍｐｏｒａｒｙ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｒｓ）であることを特徴とする請求項２に記載のページングメッセージ復調方法。
【請求項９】
無線通信システムの基地局におけるページングメッセージ伝送方法であって、
ページングメッセージを生成するステップと、
前記ページングメッセージをページングチャネルに割当てるステップと、
前記ページングメッセージの発生を表す所定の識別子と、前記ページングメッセージを端末機に伝送するステップとを含み、
前記所定の識別子が、物理階層制御チャネルによって伝送され、前記物理階層制御チャネルが、前記ページングメッセージを含む前記ページングチャネルに対する無線資源割当情報を含むことを特徴とするページングメッセージ伝送方法。
【請求項１０】
前記識別子が、スケジューリング識別子のうち、一部を予約割当して使用することを特徴とする請求項９に記載のページングメッセージ伝送方法。
【請求項１１】
前記端末機が、低電力消耗のためのＤＲＸ（Ｄｉｓｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  Ｒｅｃｅｐｔｉｏｎ）動作を行うことを特徴とする請求項９に記載のページングメッセージ伝送方法。
【請求項１２】
前記端末機が、ＤＲＸ周期に応じて前記識別子の存在の有無をモニタリングすることを特徴とする請求項９に記載のページングメッセージ伝送方法。
【請求項１３】
前記ページングチャネルに対する無線資源が、前記ページングメッセージの生成の有無によってフレキシブルに割り当てられることを特徴とする請求項９に記載のページングメッセージ伝送方法。
【請求項１４】
前記識別子が、前記ページングメッセージの生成の有無によって存在するか、存在しないことを特徴とする請求項９に記載のページングメッセージ伝送方法。
【請求項１５】
前記識別子が、前記ページングメッセージの存在の有無を表すことを特徴とする請求項９に記載のページングメッセージ伝送方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月8日(2012.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型ＳｉＣ半導体基板層上のｎ型ＳｉＣ半導体材料の層上のｐ型ＳｉＣ半導体材料の層を選択的エッチングしてデバイスの中央部の下層のｎ型ＳｉＣ半導体材料を露出し、
且つ
前記のｐ型半導体材料の層および前記のｎ型ＳｉＣ半導体材料の層を選択的エッチングして前記デバイスの周辺部の下層のｎ型ＳｉＣ半導体基板層を露出し、
これにより、前記ｎ型半導体材料の上面の周辺部上のｐ型ＳｉＣ半導体材料の連続突出領域によって囲まれた前記ｎ型ＳｉＣ半導体材料の前記上面の中央部上に側壁および上面およびｐ型ＳｉＣ半導体材料の１つあるいはそれ以上の離散突出領域を有する前記基板層上のｎ型ＳｉＣ半導体材料の突出領域を含むメサ構造を形成し、
前記デバイスを熱酸化してｐ型ＳｉＣ半導体材料の未エッチング面上および前記のｎ型半導体材料の突出領域の前記側壁および前記の露出した半導体基板材料を含む前記デバイスのエッチング面上に酸化膜層を形成し、
前記酸化膜層上に絶縁材料の１つあるいはそれ以上の層を形成してもよく、
前記酸化膜層および前記離散ｐ型領域上および前記連続突出領域上のいずれかの絶縁材料の層を選択的エッチングして下層のｐ型ＳｉＣ半導体材料を露出し、
前記酸化膜層および前記の露出したｎ型ＳｉＣ半導体材料上のいずれかの絶縁材料の層を選択的エッチングして前記デバイスの前記中央部の下層のｎ型ＳｉＣ半導体材料を露出し、
前記離散ｐ型領域の露出したｐ型ＳｉＣ半導体材料上および前記のｐ型半導体材料の連続突出領域の露出したｐ型ＳｉＣ半導体材料上にオーミックコンタクトを形成し、
前記オーミックコンタクト上および前記の露出したｎ型ＳｉＣ半導体材料上にショットキー金属を蒸着することを含む前記半導体デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記ショットキー金属上に金属層を形成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ｎ型半導体材料層の反対側の前記半導体基板層上にオーミックコンタクトを蒸着することをさらに含み、好ましくは、前記半導体基板層上の前記オーミックコンタクト上に金属層を形成することをさらに含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記ｎ型ＳｉＣ基板層が＞１×１０１８ｃｍ−３のドーピング濃度を有する、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記ｎ型ＳｉＣ基板層が５×１０１４〜１×１０１７ｃｍ−３のドーピング濃度を有する、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記のｐ型ＳｉＣ半導体材料の１つあるいはそれ以上の離散突出領域および前記のｐ型ＳｉＣ半導体材料の連続突出領域がそれぞれ５×１０１４〜１×１０１７ｃｍ−３のドーピング濃度を有する、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記ｎ型ＳｉＣ半導体層が０．７５μｍ〜１００μｍの厚さを有する、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記のｐ型ＳｉＣ半導体材料の１つあるいはそれ以上の離散突出領域および前記のｐ型ＳｉＣ半導体材料の連続突出領域がそれぞれ０．２〜５μｍの厚さを有する、請求項１ないし７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記オーミックコンタクトがニッケルを含む、請求項１ないし８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記ｐ型ＳｉＣ半導体材料がアルミニウムでドーピングされる、請求項１ないし９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記ｎ型ＳｉＣ半導体材料が窒素でドーピングされる、請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
請求項１又は３に記載の方法で製造される半導体デバイス。
【請求項１３】
ｎ型ＳｉＣ半導体材料の離散突出領域が上面および側壁を有し且つｎ型ＳｉＣ半導体基板層が前記側壁を超えて拡張する、前記ｎ型ＳｉＣ半導体基板層上の前記のｎ型ＳｉＣ半導体材料の離散突出領域、
前記ｎ型ＳｉＣ半導体材料の前記上面の中央部上のｐ型ＳｉＣ半導体材料の１つあるいはそれ以上の離散突出領域、
前記ｎ型ＳｉＣ半導体材料の前記上面の周辺部上にあって且つ前記のｐ型ＳｉＣ半導体材料の１つあるいはそれ以上の離散突出領域を取り囲むｐ型ＳｉＣ半導体材料の連続突出領域であって、前記のｐ型ＳｉＣ半導体材料の連続突出領域が周辺部周縁を有する領域、
前記のｐ型ＳｉＣの１つあるいはそれ以上の離散突出領域および前記のｐ型ＳｉＣ半導体材料の連続突出領域上のオーミックコンタクト、
前記のｎ型ＳｉＣ半導体材料の離散領域の前記周辺部を超えて拡張する前記の半導体基板層上および前記ｎ型領域の前記側壁上および前記のｐ型ＳｉＣ半導体材料の連続突出領域の前記周辺部周縁上の絶縁材料の１つあるいはそれ以上の層、および
前記のｐ型ＳｉＣの１つあるいはそれ以上の離散突出領域上の前記オーミックコンタクト、前記のｐ型ＳｉＣ半導体材料の連続突出領域上の前記オーミックコンタクト、および前記のｎ型ＳｉＣ半導体材料の領域上にあって且つこれとコンタクトする第１の金属層を含む半導体デバイス。
【請求項１４】
前記ｎ型半導体材料の層の反対側の前記半導体基板層上にオーミックコンタクトをさらに含み、好ましくは、前記ｎ型半導体材料の層の反対側の前記半導体基板層上の前記オーミックコンタクトとコンタクトする第２の金属層をさらに含む、請求項１３に記載の半導体デバイス。
【請求項１５】
前記の絶縁材料の１つあるいはそれ以上の層が前記ＳｉＣ半導体基板層上の酸化膜層を含む、請求項１３に記載の半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月16日(2011.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ本体と、
前記チャンバ本体内に配置された基板支持体と、
プロセスチャンバ上に配置され、且つ前記基板支持体上に配置された基板をアニーリングするのに十分な熱放射を誘導するように動作可能な、放射加熱アセンブリと、
前記放射加熱アセンブリと前記基板支持体との間でプロセスチャンバ内に位置決めされた誘電体バリア放電ランプアセンブリであって、前記誘電体バリア放電ランプアセンブリが、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に位置決めされた誘電体バリアと、前記誘電体バリアと前記第２の電極との間に画定された放電空間とをさらに備える誘電体バリア放電ランプアセンブリと、
を備えるプロセスチャンバ。
【請求項２】
前記第１の電極が、熱放射を提供するように構成された放射加熱アセンブリである、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記誘電体バリアが、石英窓と、ガラス基板と、セラミック材料またはポリマー層をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記誘電体バリア放電ランプアセンブリに対向して配置された透明窓をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記誘電体バリア放電ランプアセンブリが、前記誘電体バリアと前記第２の電極との間に配置された透明窓をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記放射加熱アセンブリが、前記チャンバ本体内に形成された透明窓の上に位置決めされたハロゲンランプアセンブリをさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記放電空間内に収容された放電ガスをさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記放電ガスが、酸素ガス（Ｏ２）、キセノンガス（Ｘｅ）、クリプトンガス（Ｋｒ）、アルゴンガス（Ａｒ）、ネオンガス（Ｎｅ）およびヘリウムガス（Ｈｅ）を含む群より選択される、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記放電ガスが、ハロゲンガス、Ｈ２Ｏガス、Ｎ２Ｏガス、Ｎ２ガスおよびＮＨ３ガスを含む群より選択される追加的なガスをさらに備える、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記第１の電極および第２の電極が、アレイ状に構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記電極が、冷却流体を流すように適合された中空流路を有する、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記チャンバ本体が、冷却流体を受け容れるように構成された、空間と前記誘電体バリア放電ランプアセンブリとの境界をつけるチャンバ蓋をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記チャンバの内部容積に供給されるプロセスガスをさらに備える、請求項７に記載の装置。
【請求項１４】
前記プロセスガスが透明窓によって前記放電ガスから分離されており、前記プロセスガスは酸素ガス（Ｏ２）、キセノンガス（Ｘｅ）、クリプトンガス（Ｋｒ）、アルゴンガス（Ａｒ）、ネオンガス（Ｎｅ）、ヘリウムガス（Ｈｅ）、ハロゲンガス、Ｈ２Ｏガス、Ｎ２Ｏガス、Ｎ２ガスおよびＮＨ３ガスを含む群より選択される、請求項１３に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月2日(2012.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホストシステム上でターゲットシステムをエミュレーションするための方法であって、
ターゲットシステムプロセッサのレジスタセットの使用に関する統計を決定するステップと、
前記統計にもとづいて、前記レジスタセットの内、１以上の最も多く使われるレジスタを含む第１レジスタサブセットを決めるステップと、
前記第１レジスタサブセットをホストシステムプロセッサの第１レジスタグループにダイレクトマッピングするステップと、
前記レジスタセットの第２レジスタサブセットを前記ホストシステムプロセッサの第２レジスタグループに動的にマッピングするステップと、
前記第１および第２レジスタグループを用いて前記ホストシステムプロセッサ上で前記ターゲットシステムプロセッサをエミュレートするステップとを含み、
前記ターゲットシステムプロセッサのレジスタセットのレジスタのいくつかは、前記ホストシステムプロセッサの第１および第２レジスタグループのレジスタよりもサイズが大きく、
前記第１レジスタサブセットをダイレクトマッピングするステップまたは第２レジスタサブセットを動的にマッピングするステップは、ターゲットシステムレジスタの下位フィールドを第１ホストシステムレジスタにマッピングし、前記ターゲットシステムレジスタの上位フィールドを第２ホストシステムレジスタにマッピングするステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記ターゲットシステムをエミュレートするステップは、ターゲットシステムプロセッサ用のインストラクションをトランスレートするステップを含む請求項１の方法。
【請求項３】
前記ターゲットシステムプロセッサのレジスタセットのレジスタは１２８ビットレジスタを含み、前記ホストシステムプロセッサの第１および第２レジスタグループのレジスタは６４ビットレジスタを含む請求項１の方法。
【請求項４】
前記ホストシステムプロセッサはセルプロセッサのパワー・プロセッサ・エレメントである請求項１の方法。
【請求項５】
第１および／または第２グループの１以上のレジスタは、前記パワー・プロセッサ・エレメントのＶＭＸユニットのレジスタである請求項４の方法。
【請求項６】
前記ホストプロセッサで中間結果を生成する演算を実行するステップと、前記中間結果を前記第２レジスタグループの１以上のレジスタに格納するステップとをさらに含む請求項１の方法。
【請求項７】
前記ターゲットシステムプロセッサはエモーション・エンジンである請求項１の方法。
【請求項８】
前記エモーション・エンジン用のインストラクションを前記ホストシステムプロセッサで読み取り可能なマシンコードにトランスレートすることにより、前記ホストシステムプロセッサで前記エモーション・エンジンをエミュレートするステップをさらに含む請求項７の方法。
【請求項９】
ターゲットシステムのインストラクションのブロッキングの可能性を減らすために、第２サブセットレジスタの動的マッピングをローテーションするステップをさらに含む請求項１の方法。
【請求項１０】
前記ターゲットシステムは１以上のさらなるプロセッサを含み、当該方法は、前記１以上のさらなるプロセッサ用のインストラクションをインタープリトし、インタープリトされたインストラクションを前記ホストシステムプロセッサまたは前記ホストシステムプロセッサに接続された１以上のコプロセッサ上で実行することにより、前記１以上のさらなるプロセッサをエミュレートするステップをさらに含む請求項８の方法。
【請求項１１】
第１サブセットレジスタのダイレクトマッピングおよび／または第２サブセットレジスタの動的マッピングを動的に再構成するステップをさらに含む請求項１の方法。
【請求項１２】
ターゲットシステムをエミュレーションするためのホストシステムであって、
１以上のホストシステムプロセッサと、
前記１以上のホストシステムプロセッサに接続されたメモリと、
前記メモリに具体化されたプロセッサで実行可能なインストラクションセットとを含み、
当該プロセッサで実行可能なインストラクションは、ホストシステム上でターゲットシステムをエミュレーションするための方法を実装するためのインストラクションを含み、
当該方法は、
ターゲットシステムプロセッサのレジスタセットの使用に関する統計を決定するステップと、
前記統計にもとづいて、前記レジスタセットの内、１以上の最も多く使われるレジスタを含む第１レジスタサブセットを決めるステップと、
前記第１レジスタサブセットをホストシステムプロセッサの第１レジスタグループにダイレクトマッピングするステップと、
前記レジスタセットの第２レジスタサブセットを前記ホストシステムプロセッサの第２レジスタグループに動的にマッピングするステップとを含み、
前記ターゲットシステムプロセッサのレジスタセットのレジスタのいくつかは、前記ホストシステムプロセッサの第１および第２レジスタグループのレジスタよりもサイズが大きく、
前記第１レジスタサブセットをダイレクトマッピングするステップまたは第２レジスタサブセットを動的にマッピングするステップは、ターゲットシステムレジスタの下位フィールドを第１ホストシステムレジスタにマッピングし、前記ターゲットシステムレジスタの上位フィールドを第２ホストシステムレジスタにマッピングするステップを含むことを特徴とするホストシステム。
【請求項１３】
前記１以上のホストシステムプロセッサはパワー・プロセッサ・エレメントを含む請求項１２のシステム。
【請求項１４】
前記１以上のホストシステムプロセッサは、前記パワー・プロセッサ・エレメントに接続された１以上のシナジスティック・プロセッサ・エレメントをさらに含む請求項１３のシステム。
【請求項１５】
第１および／または第２グループの１以上のレジスタは、前記パワー・プロセッサ・エレメントのＶＭＸユニットのレジスタである請求項１３のシステム。
【請求項１６】
前記ターゲットシステムプロセッサのレジスタセットのレジスタは、前記ホストシステムプロセッサの第１および第２レジスタグループのレジスタよりもサイズが大きい請求項１２のシステム。
【請求項１７】
前記ターゲットシステムプロセッサのレジスタセットのレジスタは１２８ビットレジスタであり、前記ホストシステムプロセッサの第１および第２レジスタグループのレジスタは６４ビットレジスタである請求項１６のシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年10月2日(2012.10.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
提案する第１ミラーと第２ミラーとの間に配置された利得構造体を有する少なくとも１つの半導体レーザーを備え、前記第１ミラーおよび前記第２ミラーは、前記半導体レーザーのレーザーキャビティを形成し、更に前記半導体レーザーの基本放射線をアップ変換するためのアップ変換レーザーを備える。本発明に係わるアップ変換レーザーシステムは、前記半導体レーザーの前記レーザーキャビティ内に前記アップ変換レーザーが配置されていることを特徴とする。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ミラーと第２ミラーとの間に配置された利得構造体を有する少なくとも１つの半導体レーザーを備え、前記第１ミラーおよび前記第２ミラーは、前記半導体レーザーのレーザーキャビティを形成し、更に前記半導体レーザーの基本放射線をアップ変換するためのアップ変換レーザーを備えるアップ変換レーザーシステムにおいて、
前記半導体レーザーの前記レーザーキャビティ内に前記アップ変換レーザーが配置され、
前記アップ変換レーザーは、２つのミラーの間に設けられたアップ変換ソリッドステート媒体を備え、前記ミラーのうちの一方のミラーは、アップ変換された放射線をかなり反射でき、他方のミラーは、アップ変換された放射線を部分的に透過でき、
前記アップ変換レーザーには導波体もファイバーも使用されていない、
ことを特徴とする、アップ変換レーザーシステム。
【請求項２】
前記アップ変換レーザーのうちの前記ミラーのうちの一方は、前記半導体レーザーのうちの第２ミラーであることを特徴とする、請求項１に記載のアップ変換レーザーシステム。
【請求項３】
前記アップ変換レーザーのうちの前記ミラーは、前記アップ変換ソリッドステート媒体上の誘電コーティングから形成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載のアップ変換レーザーシステム。
【請求項４】
前記半導体レーザーは、前記アップ変換ソリッドステート媒体内で基本放射線のビームウェストを発生する光学系を備えることを特徴とする、請求項１または２に記載のアップ変換レーザーシステム。
【請求項５】
前記半導体レーザーは、ＶＥＣＳＥＬコンフィギュレーションで構成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載のアップ変換レーザーシステム。
【請求項６】
前記第１ミラーは、前記利得構造体上にＤＢＲ構造体として形成されていることを特徴とする、請求項５に記載のアップ変換レーザーシステム。
【請求項７】
前記半導体レーザーは、ＩＲ（赤外）放射線を発生するようになっていることを特徴とする、請求項１または２に記載のアップ変換レーザーシステム。
【請求項８】
前記アップ変換ソリッドステート媒体は、Ｅｒ：ＺＢＬＡＮから製造されていることを特徴とする、請求項１または２に記載のアップ変換レーザーシステム。
【請求項９】
前記半導体レーザーのうちの数個は、レーザー源のアレイを形成するように配置されていることを特徴とする、請求項１または２に記載のアップ変換レーザーシステム。
【請求項１０】
投射システムまたは光ファイバー照明ユニット内に設けられていることを特徴する、請求項１〜９のうちのいずれか１項に記載のアップ変換レーザーシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月19日(2012.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動通信システムの基地局でランダムアクセスに対する応答情報を伝送する方法であって、
端末機から受信されたランダムアクセスに対する応答情報を生成するステップと、
前記ランダムアクセスに対する応答情報をダウンリンク共有無線資源に割当てるステップと、
前記ランダムアクセスに対する応答情報が伝送されることを表す識別子と前記ランダムアクセスに対する応答情報とを前記端末機に伝送するステップ（ここで、前記ランダムアクセスに対する応答情報は、前記識別子にアドレッシングされる）と、
を含むことを特徴とするランダムアクセス応答情報伝送方法。
【請求項２】
前記ランダムアクセスに対する応答情報が、タイミング調整情報、前記端末機から受信されたランダムアクセスに使用された任意接続プリアンブルの識別子、アップリンク伝送時に使用される無線資源ブロックの割当情報、アップリンク伝送時に使用される電力レベルに対する情報のうち、１つ以上を含むことを特徴とする請求項１に記載のランダムアクセス応答情報伝送方法。
【請求項３】
前記識別子が、ダウンリンクスケジューリング情報を伝送するチャネルを介して伝送されるものであることを特徴とする請求項１に記載のランダムアクセス応答情報伝送方法。
【請求項４】
前記識別子が、前記移動通信システムで使用されるスケジューリング識別子のうち、予約割当てされたものであることを特徴とする請求項１に記載のランダムアクセス応答情報伝送方法。
【請求項５】
１つ以上の端末機のランダムアクセスに対する応答情報が、１つのメッセージに含まれて、前記１つ以上の端末機に伝送されることを特徴とする請求項１に記載のランダムアクセス応答情報伝送方法。
【請求項６】
前記ランダムアクセスに対する応答情報に含まれた、アップリンク伝送時に使用される無線資源ブロックの割当情報を利用するアップリンク伝送を前記端末機から受信するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のランダムアクセス応答情報伝送方法。
【請求項７】
前記アップリンク伝送を受信するステップが、前記端末機の情報を受信するものであることを特徴とする請求項６に記載のランダムアクセス応答情報伝送方法。
【請求項８】
前記ランダムアクセスに対する応答情報が、前記ダウンリンク共有無線資源に可変的に割当てられることを特徴とする請求項１に記載のランダムアクセス応答情報伝送方法。
【請求項９】
前記ダウンリンク共有無線資源に対する割当情報が、ダウンリンクスケジューリング情報を伝送するチャネルを介して伝送されることを特徴とする請求項８に記載のランダムアクセス応答情報伝送方法。
【請求項１０】
前記ランダムアクセスに対する応答情報が、前記ダウンリンク共有無線資源に固定的に割当てられることを特徴とする請求項１に記載のランダムアクセス応答情報伝送方法。
【請求項１１】
移動通信システムの端末機でランダムアクセスに対する応答情報を受信する方法であって、
ダウンリンクスケジューリング情報を伝送するチャネルを検索して、前記ランダムアクセスに対する応答情報が伝送されることを表す識別子を検出するステップと、
前記識別子にアドレッシングされた前記ランダムアクセスに対する応答情報を受信するステップとを含み、
前記ランダムアクセスに対する応答情報が、ダウンリンク共有無線資源に割当てられるものであることを特徴とするランダムアクセス応答情報受信方法。
【請求項１２】
前記ランダムアクセスに対する応答情報が、タイミング調整情報、前記ランダムアクセスのために使用された任意接続プリアンブルの識別子、アップリンク伝送時に使用される無線資源ブロックの割当情報、アップリンク伝送時に使用される電力レベルに対する情報のうち、１つ以上を含むことを特徴とする請求項１１に記載のランダムアクセス応答情報受信方法。
【請求項１３】
前記識別子が、前記移動通信システムで使用されるスケジューリング識別子のうち、予約割当てされたものであることを特徴とする請求項１１に記載のランダムアクセス応答情報受信方法。
【請求項１４】
１つ以上の端末機のランダムアクセスに対する応答情報が１つのメッセージに含まれて、前記１つ以上の端末機に伝送されるものであることを特徴とする請求項１１に記載のランダムアクセス応答情報受信方法。
【請求項１５】
前記ランダムアクセスに対する応答情報に含まれた、アップリンク伝送時に使用される無線資源ブロックの割当情報を利用してアップリンク伝送を行うステップをさらに含むことを特徴とするランダムアクセス応答情報受信方法。
【請求項１６】
前記アップリンク伝送を行うステップが、前記端末機の情報を伝送するものであることを特徴とする請求項１５に記載のランダムアクセス応答情報受信方法。
【請求項１７】
前記ランダムアクセスに対する応答情報が、前記ダウンリンク共有無線資源に可変的に割当てられるものであることを特徴とする請求項１１に記載のランダムアクセス応答情報受信方法。
【請求項１８】
前記ダウンリンク共有無線資源に対する割当情報が、ダウンリンクスケジューリング情報を伝送するチャネルを介して受信されるものであることを特徴とする請求項１７に記載のランダムアクセス応答情報受信方法。
【請求項１９】
前記ランダムアクセスに対する応答情報が、前記ダウンリンク共有無線資源に固定的に割当てられるものであることを特徴とする請求項１１に記載のランダムアクセス応答情報受信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月9日(2011.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１５ヌクレオチドにわたって互いに相補的である２本の別個のＲＮＡ鎖を含み、ここで各鎖は４９ヌクレオチド以下であり、そしてここで少なくとも１つの鎖の３’末端は３’炭素での修飾を含み、そしてここで該修飾は式Ｉ：
【化１】
2009535045.tif 000001
［式Ｉ］
（式中、
ＸはＯであり、
Ｒ１はＯＨであり、
Ｒ２は式Ｙ−Ｚであり、ここでＹはＯであり、そしてＺはアルキル（該アルキルは、６個または１２個のＣ原子を含む）、アルキル−アリール−アリール−アルキル（該アルキルは、それぞれ１個のＣ原子を含む）、または
2009535045.tif 000002
であり、ここでアルキルおよびアルキル−アリール−アリール−アルキルは、ＯＨにより置換されている）
である、低分子干渉リボ核酸（ｓｉＲＮＡ）。
【請求項２】
該修飾が
【化２】
2009535045.tif 000003
である、請求項１に記載のｓｉＲＮＡ。
【請求項３】
該修飾が
【化３】
2009535045.tif 000004
である、請求項１に記載のｓｉＲＮＡ。
【請求項４】
該修飾が
【化４】
2009535045.tif 000005
である、請求項１に記載のｓｉＲＮＡ。
【請求項５】
該修飾が
【化５】
2009535045.tif 000006
である、請求項１に記載のｓｉＲＮＡ。
【請求項６】
少なくとも１５ヌクレオチドにわたって互いに相補的である２本の別個のＲＮＡ鎖を含み、ここで各鎖は４９ヌクレオチド以下であり、そしてここで各鎖の３’末端は３’炭素での修飾を含み、そしてここで該修飾は式Ｉ：
【化１】
2009535045.tif 000007
［式Ｉ］
（式中、
ＸはＯであり、
Ｒ１はＯＨであり、
Ｒ２は式Ｙ−Ｚであり、ここでＹはＯであり、そしてＺはアルキル（該アルキルは、６個または１２個のＣ原子を含む）、アルキル−アリール−アリール−アルキル（該アルキルは、それぞれ１個のＣ原子を含む）、または
2009535045.tif 000008
であり、ここでアルキルおよびアルキル−アリール−アリール−アルキルは、ＯＨにより置換されている）
であり、該修飾は同じであるか、または異なっている、低分子干渉リボ核酸（ｓｉＲＮＡ）。
【請求項７】
該各鎖の３’末端で最初に塩基対形成している２個のヌクレオチドが修飾されている、請求項１に記載のｓｉＲＮＡ。
【請求項８】
該各鎖の３’末端で最初に塩基対形成している２個のヌクレオチドが２’−メトキシエチルリボヌクレオチド残基である、請求項１に記載のｓｉＲＮＡ。
【請求項９】
該２本の鎖が少なくとも１９ヌクレオチドにわたって互いに相補的である、請求項１に記載のｓｉＲＮＡ。
【請求項１０】
各鎖が１９ヌクレオチドである、請求項９に記載のｓｉＲＮＡ。
【請求項１１】
ｓｉＲＮＡの両方の末端がブラント末端である、請求項１に記載のｓｉＲＮＡ。
【請求項１２】
各鎖が１９ヌクレオチドである、請求項１に記載のｓｉＲＮＡ。
【請求項１３】
該２本の鎖が１９ヌクレオチドにわたって互いに完全に相補的であり、ｓｉＲＮＡがブラント末端である、請求項１に記載のｓｉＲＮＡ。
【請求項１４】
少なくとも１つのさらなるヌクレオチドが修飾されている、請求項７に記載のｓｉＲＮＡ。
【請求項１５】
標準的な胃酸アッセイにおいて、同一ヌクレオチド配列を有する未修飾ｓｉＲＮＡよりも大きな安定性を有する、請求項１に記載のｓｉＲＮＡ。
【請求項１６】
標準的な胃酸アッセイにおいて、３０分暴露後に５０％以上である安定性を有する、請求項１に記載のｓｉＲＮＡ。
【請求項１７】
標準的な血清アッセイにおいて、同一ヌクレオチド配列を有する未修飾ｓｉＲＮＡよりも大きな安定性を有する、請求項１に記載のｓｉＲＮＡ。
【請求項１８】
標準的な血清アッセイにおいて、３０分暴露後に５０％以上である安定性を有する、請求項１に記載のｓｉＲＮＡ。
【請求項１９】
標準的な腸洗浄アッセイにおいて、同一ヌクレオチド配列を有する未修飾ｓｉＲＮＡよりも大きな安定性を有する、請求項１に記載のｓｉＲＮＡ。
【請求項２０】
同一ヌクレオチド配列の未修飾ｓｉＲＮＡと比較してバイオアベイラビリティーが強化されている、請求項１に記載のｓｉＲＮＡ。
【請求項２１】
請求項１に記載のｓｉＲＮＡおよび薬学的に許容される担体を含む医薬組成物。
【請求項２２】
医薬として使用するための、請求項１に記載のｓｉＲＮＡ。
【請求項２３】
該各鎖の３’末端で最初に塩基対形成している２個のヌクレオチドが修飾されており、各修飾されたヌクレオチドは、アミド結合であるヌクレオシド内結合を有する、請求項１に記載のｓｉＲＮＡ。
【請求項２４】
非経口的に投与される医薬として使用するための、請求項１に記載のｓｉＲＮＡ。
【請求項２５】
該各鎖の３’末端で最初に塩基対形成している２個のヌクレオチドが修飾されており、各修飾されたヌクレオチドは、ホスホロチオエート、ホスホロジチオエート、ホスホロアミダート、ボラノホスホノエートおよびアミド結合の中から選択される修飾されたヌクレオシド内結合を有するヌクレオチドの中から選択される、請求項１に記載のｓｉＲＮＡ。
【請求項２６】
ｓｉＲＮＡの１個の末端がブラント末端である、請求項１に記載のｓｉＲＮＡ。
【請求項２７】
５’末端または３’末端の少なくとも一つに１から６ヌクレオチドオーバーハングを含む、請求項１に記載のｓｉＲＮＡ。
【請求項２８】
経口的、局所的、非経口的、吸入もしくはスプレーにより、または直腸、経皮、皮下、血管内、静脈内、筋肉内、腹腔内もしくはくも膜下腔内、または注入技術的に投与される医薬として使用するための、請求項１に記載のｓｉＲＮＡ。