【事件の表示】
　平成　５年特許願第　８９７４６号「積層型半導体セラミック素子」拒絶査定不服審判事件〔平成　６年１０月２８日出願公開、特開平　６−３０２４０３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯・本願発明
　本願は、平成５年４月１６日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものと認める。
 「半導体セラミック層と電極とを交互に積層してなる正の抵抗温度特性を有する積層型半導体セラミック素子において、該半導体セラミック素子の空隙率を３〜１５体積％としたことを特徴とする積層型半導体セラミック素子。」
　
２．引用例
　原審における拒絶理由において引用された特開平５−４７５０８号公報（以下、「引用例１」という。）は、積層型半導体磁器及びその製造方法に関するもので、図１、図２と共に以下の点が記載されている。
「【請求項１】　複数の内部電極を正の抵抗温度特性を有する半導体磁器層に介在させて積層してなる焼結体と、上記内部電極の一端面に電気的に接続されるように形成された外部電極とを備える積層型半導体磁器において、上記内部電極がニッケル，又はニッケル合金からなることを特徴とする積層型半導体磁器。
【請求項２】　正の抵抗温度特性を有する半導体磁器用セラミックグリーンシートとニッケル，又はニッケル合金からなる内部電極用ペーストとを交互に積層して積層体を形成した後、該積層体を還元性雰囲気中で一体焼成して焼結体を形成し、しかる後該焼結体を再酸化処理することを特徴とする積層型半導体磁器の製造方法。
【０００６】
【作用】請求項１に係る積層型半導体磁器によれば、内部電極にニッケル，あるいはニッケル合金を採用したので、従来の貴金属に比べて材料をコストを低減できるとともに、半導体磁器層とのオーミック性接触が得られることから抵抗値を低くできる。また、請求項２の発明に係る製造方法では、セラミックグリーンシートと内部電極用ペーストとを積層してなる積層体を一体焼成したので、従来の半導体磁器層を一旦焼成した後内部電極を形成する場合の割れやクラックを回避でき、半導体磁器層の厚さを薄くして積層数を増やすことができる。（以下、省略。）
【０００７】
【実施例】以下、図示した実施例にもとづいて本発明を説明する。図１及び図２は本発明の一実施例による積層型半導体磁器及びその製造方法を説明するための図である。まず、請求項１の発明の一実施例による積層型半導体磁器について説明する。図において、１は本実施例の積層型半導体磁器である。この半導体磁器１は、チタン酸バリウムを主成分とする半導体磁器用セラミックグリーンシート２と内部電極用ペースト３とを交互に積層するとともに、これの上面，下面にダミー用セラミックグリーンシート６を重ねて積層体を形成し、該積層体を一体焼結して焼結体４を形成して構成されている。上記焼結体４の左, 右端面４ａ，４ｂには上記内部電極３の一端面３ａが交互に露出しており、他の端面は積層体の内側に位置して焼結体４内に埋設されている。また、上記焼結体４の左, 右端面４ａ，４ｂには外部電極が被覆形成されており、該外部電極５は上記内部電極３の一端面３ａに電気的に接続されている。
【０００８】そして、上記内部電極用ペースト３はニッケル粉末，又はニッケル合金粉末からなる。また、上記焼結体４は、これの積層体を還元性雰囲気中にて高温焼成し、この後空気中にて再酸化処理を施すことによって形成されたものである。」
　即ち、上記引用例１には「半導体磁器層と内部電極とを交互に積層してなる正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器。」が記載されている。
　
　同様に引用された特開平４−１１５５０２号公報（以下、「引用例２」という。）は、半導体磁器の製造方法に関するもので、表と共に以下の点が記載されている。
「正の抵抗温度係数を有するＢａＴiＯ３系半導体磁器の製造方法において、空隙率が１０〜２５体積％のＢａＴiＯ３系の焼成体を還元処理した後、前記焼成体を再酸化することを特徴とする、半導体磁器の製造方法。」（特許請求の範囲）
「（発明が解決しようとする課題）
　しかしながら、従来のように焼成体を酸化性雰囲気中でエージングする方法では、焼成体の表面部分では酸化が進行するものの、その内部では酸化が進行しにくい。そのため、作製した半導体磁器の表面部と内部とで抵抗値が異なるという問題があった。したがって、実用上必要とされる抵抗温度係数が得られるまで焼成体を酸化すると、室温における比抵抗が高くなってしまう。
　それゆえに、この発明の主たる目的は、高い抵抗温度係数を有しつつ、室温における比抵抗の低いＢａＴiＯ３系半導体磁器を製造することができる、半導体磁器の製造方法を提供することである。
（課題を解決するための手段）
　この発明は、正の抵抗温度係数を有するＢａＴiＯ３系半導体磁器の製造方法において、空隙率が１０〜２５体積％のＢａＴiＯ３系の焼成体を還元処理した後、焼成体を再酸化することを特徴とする、半導体磁器の製造方法である。
　（作用）
　還元された多孔質のＢａＴiＯ３系焼成体を再酸化処理することで、焼成体内部まで容易に再酸化され、しかも、均−に酸化された半導体磁器が得られる。
　（発明の効果）
　この発明によれば、高い抵抗温度係数を有しつつ、室温における比抵抗の低いＢａＴiＯ３系半導体磁器を製造することができる。
　そのため、この発明の方法で作製した半導体磁器を用いれば、室温において小型で抵抗値の低い素子を得ることができる。」（第１頁右下欄第３行〜第２頁左上欄第１４行）
「（実施例）
　まず、出発原料となる、ＢａＣＯ３,　ＴｉＯ２，ＳｒＣＯ３，Ｙ２Ｏ３，Ｍｎ２Ｏ４およびＳｉＯ２を準備した。そして、これらの出発原料を次の組成になるように調合した。・・・（中略）・・・
　その後、この仮焼物に酢酸ビニル系のバインダを５重量％混合して、直径が１７mm、厚さが３mmの円板形状の成形体を作製した。この場合、混合時に、バインダとともに平均粒径が１０μｍのポリスチレン粒子を０〜１０重量 ％混合することにより、後に得られる焼成体の空隙率を制御した。
　さらに、この成形体を大気中において、１３６０℃で１時間焼成して、多孔質のＢａＴiＯ３系半導体磁器を得た。その後、このＢａＴiＯ３系半導体磁器に対して、水素窒素混合ガス中（水素１０％）において、１１００℃で２時間還元処理を施した。さらに、還元処理を施したＢａＴiＯ３系半導体磁器に対して、大気中で１０時間再酸化処理を施し、半導体磁器を得た。なお、再酸化温度は、８００〜Ｉ３００℃の範囲で変化させて、実用上必要とされる抵抗温度係数１０ ％／℃を有する半導体磁器とした。」（第２頁左上欄第１８行〜左下欄第６行）
「別表の試料番号２〜４から明らかなように、空隙率が１０体積％の焼成体を還元再酸化することにより、室温における比抵抗が１０Ωｃm以下の半導体磁器が得られる。そのため、この半導体磁器を用いれば、室温において抵抗値の低い素子を得ることができる。
　ただし、試料番号１に示すように、空隙率が１０体積％より小さいものでは、室温における比抵抗が高くなってしまう。
　さらに、試料番号５に示すように、空隙率が２５体積％を超えると抗折強度が急激に低下し、後工程での破壊などが発生し易くなる。」（第２頁左下欄第１８行〜右下欄第９行）
　
３．対比
　次に、本願発明と上記引用例１に記載の発明とを対比すると、上記引用例１記載の発明の「半導体磁器層」、「内部電極」、「積層型半導体磁器」は、それぞれ本願発明の「半導体セラミック層」、「電極」、「積層型半導体セラミック素子」に相当する。
　従って、本願発明と引用例１記載の発明とは
「半導体セラミック層と電極とを交互に積層してなる正の抵抗温度特性を有する積層型半導体セラミック素子。」の点で一致し、
 　相違点：本願発明では「積層型半導体セラミック素子の空隙率を３〜１５体積％としている」のに対して、引用例１記載の発明には、このような記載がない点において、両者は相違する。
　
４．検討
 　そこで、上記相違点について検討すると、引用例２には、従来のＢａＴiＯ３系を用いた半導体磁器の製造方法においては、焼成体を酸化性雰囲気中で酸化する場合、焼成体の表面部分では酸化が進行するものの、その内部では酸化が進行しにくい。そのため、作製した半導体磁器の表面部と内部とで抵抗値が異なってしまい、実用上必要とされる抵抗温度係数が得られるまで焼成体を酸化すると、室温における比抵抗が高くなってしまうという問題があること、そして、この問題を解決するために、室温における比抵抗値及び抗折強度とを最適または好適になるように、焼成体の空隙率を１０〜２５体積％の範囲に調整して、焼成体内部まで容易に再酸化し、しかも均一に酸化できるようにして、高い抵抗温度係数を有しつつ、室温における比抵抗の低いＢａＴiＯ３系半導体磁器を得ることが述べられている。
　そして、引用例２に記載の半導体磁器は単板型のもので積層型のものではないが、引用例１と同じＢａＴiＯ３系半導体磁器であるから、引用例２の技術を引用例１に記載の発明に組み合わせることに格別の阻害要因は認められない。
　また、本願発明の積層型半導体セラミック素子は半導体セラミック層間に（内部）電極を介在しており、引用例２の（内部）電極を有していない単板型の半導体磁器とは構造が相違し、また、半導体セラミック層の厚さ等も相違するから、最適または好適な空隙率の調整範囲は、引用例２の単板型のものと本願発明の積層型のものとでは一般に相違することは容易に推測しうることである。　
　したがって、焼成体の再酸化処理時の酸化むらを抑制するために、引用例１に記載の発明の積層型半導体セラミック素子の空隙率を３〜１５体積％の範囲に調整することは、引用例２の記載を考慮して、当業者が実験等により適宜決定しうるものであり、格別の困難性は認められない。
　なお、請求人は、審判請求書の請求理由において「本願発明は積層型半導体セラミック素子において、空隙率を３〜１５体積％とした場合に初めて、再酸化処理時の酸化むらを抑制すると同時に、酸化による内部電極とセラミック層とのオーミック性を保つことができることを見出したのです。引用文献１及び引用文献２にはセラミック素子の空隙率が３〜１５体積％にすることについて示唆がなく、卑金属粉末を内部電極に用いた場合の酸化むらとオーミック接触との関係について全く示唆がないため、引用文献１及び引用文献２を組み合わせたとしても、本願発明の構造及び課題を想到しえません。」（第５頁第５〜１１行）と主張しているが、主張している効果は、（内部）電極として酸化されやすいニッケル等の特定の金属を用いた場合に生ずる効果であり、この主張は本願発明である請求項１の記載に基づかないものであるから採用できない。
　
５．むすび
　本願発明は、上記引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることできたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。