Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月24日(2011.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微生物病原体による感染症を、抗微生物免疫応答を調節することによって処置するための組成物であって、該組成物は、抗微生物ポリペプチド（ＡＭＰ）を含み、該ＡＭＰがＩＬ−２２である、組成物。
【請求項２】
微生物病原体による感染症に応答して、腸上皮バリアの完全性を保護することによって、腸上皮細胞による創傷治癒を誘発するための組成物であって、該組成物は、抗微生物ポリペプチド（ＡＭＰ）を含み、該ＡＭＰがＩＬ−２２である、組成物。
【請求項３】
微生物病原体による感染症を、抗微生物免疫応答を調節することによって処置するための組成物であって、該組成物は、抗微生物ポリペプチド（ＡＭＰ）またはその調節因子を含み、該ＡＭＰが、ＩＬ−６、ＩＬ−１８、ＩＬ−２３、ＲＥＧ  Ｉα、ＲＥＧ  Ｉβ、ＨＩＰ／ＰＡＰ、ＲＥＧ  ＩＩＩ、ＲＥＧ  ＩＶ、Ｒｅｇ関連配列（ＲＳ）およびＬＴからなる群より選択される、組成物。
【請求項４】
微生物病原体に感染した対象の細胞中の抗微生物ポリペプチド（ＡＭＰ）の活性を調節するための組成物であって、該組成物は、ＡＭＰを含み、該ＡＭＰがＩＬ−２２である、組成物。
【請求項５】
微生物病原体に感染した対象の細胞中の抗微生物ポリペプチド（ＡＭＰ）の活性を調節するための組成物であって、該組成物は、ＡＭＰを含み、該ＡＭＰが、ＩＬ−６、ＩＬ−１８、ＩＬ−２３、ＲＥＧ  Ｉα、ＲＥＧ  Ｉβ、ＨＩＰ／ＰＡＰ、ＲＥＧ  ＩＩＩ、ＲＥＧ  ＩＶ、Ｒｅｇ関連配列（ＲＳ）およびＬＴからなる群より選択される、組成物。
【請求項６】
微生物病原体による感染症を、抗微生物免疫応答を調節することによって処置するための組成物であって、該組成物は、抗微生物ポリペプチド（ＡＭＰ）調節因子を含み、該ＡＭＰ調節因子がＩＬ−２２アゴニストである、組成物。
【請求項７】
前記感染症が微生物障害である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項８】
前記微生物障害が炎症性腸疾患（ＩＢＤ）である、請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
前記微生物障害がクローン病または潰瘍性大腸炎（ＵＣ）である、請求項７に記載の組成物。
【請求項１０】
前記微生物病原体が細菌である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１１】
前記細菌がグラム陰性である、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１２】
前記細菌がグラム陽性である、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１３】
前記細菌が腸管接着性または微絨毛消滅性（Ａ／Ｅ）細菌である、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１４】
前記腸管接着性または微絨毛消滅性（Ａ／Ｅ）細菌が腸出血性大腸菌（ＥＨＥＣ）および腸病原性大腸菌（ＥＰＥＣ）である、請求項１３に記載の組成物。
【請求項１５】
前記腸病原性大腸菌（ＥＨＥＣ）が大腸菌Ｏ１５７：Ｈ７または大腸菌Ｏ５５：Ｈ７である、請求項１４に記載の組成物。
【請求項１６】
前記ＲＥＧ  ＩＩＩがＲｅｇ  ＩＩＩβおよび／またはＲｅｇ  ＩＩＩγである、請求項３または５に記載の組成物。
【請求項１７】
前記微生物病原体がウイルスである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１８】
前記アゴニストが前記ＩＬ−２２の発現および／または活性を上昇させる、請求項６に記載の組成物。
【請求項１９】
前記アゴニストがポリペプチドまたは核酸分子である、請求項６に記載の組成物。
【請求項２０】
前記アゴニストが融合ポリペプチドである、請求項６に記載の組成物。
【請求項２１】
前記アゴニストがＦｃ融合ポリペプチドである、請求項１８に記載の組成物。
【請求項２２】
前記アゴニストが抗体またはその生物活性断片である、請求項６に記載の組成物。
【請求項２３】
前記アゴニストがモノクローナル抗体である、請求項６に記載の組成物。
【請求項２４】
前記アゴニストがヒト化抗体である、請求項６に記載の組成物。
【請求項２５】
前記ＩＬ−２２のアミノ酸配列が配列番号８として示される配列を含む、請求項１〜２および４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項２６】
前記ＡＭＰのアミノ酸配列が、配列番号２、配列番号４、配列番号６、配列番号１０、配列番号１２、配列番号１４、配列番号１６、配列番号１８、配列番号２０、配列番号２２、配列番号２４、配列番号２６、配列番号５０、および配列番号５２から成るアミノ酸配列の群より選択される配列を含む、請求項３または５に記載の組成物。
【請求項２７】
前記ＩＬ−２２をコードする核酸配列が配列番号７として示される配列である、請求項１〜２および４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項２８】
前記ＡＭＰをコードする核酸配列が、配列番号１、配列番号３、配列番号５、配列番号９、配列番号１１、配列番号１３、配列番号１５、配列番号１７、配列番号１９、配列番号２１、配列番号２３、配列番号２５、配列番号４９、および配列番号５１から成る核酸配列の群より選択される配列を含む、請求項３または５に記載の組成物。
【請求項２９】
前記腸上皮の完全性が、前記微生物感染による全身への蔓延を防止する、請求項２に記載の組成物。
【請求項３０】
ＩＬ−２２の有効量が、抗微生物レクチンの発現を増加させる、請求項２に記載の組成物。
【請求項３１】
前記抗微生物レクチンが、Ｒｅｇ  ＩＩＩβおよび／またはＲｅｇ  ＩＩＩγである、請求項３０に記載の組成物。
【請求項３２】
微生物病原体による感染症を処置するためのキットであって、該キットは、微生物障害の処置のための医薬組成物を含み、該医薬組成物が抗微生物ポリペプチド（ＡＭＰ）またはＡＭＰ調節因子を含み、該ＡＭＰがＩＬ−２２である、キット。
【請求項３３】
微生物病原体による感染症を処置するためのキットであって、該キットは、微生物障害の処置のための１つ以上の医薬組成物を含み、該医薬組成物がそれぞれ異なる抗微生物ポリペプチド（ＡＭＰ）またはその調節因子を含み、該ＡＭＰが、ＩＬ−６、ＩＬ−１８、ＩＬ−２３、ＲＥＧ  Ｉα、ＲＥＧ  Ｉβ、ＨＩＰ／ＰＡＰ、ＲＥＧ  ＩＩＩ、ＲＥＧ  ＩＶ、Ｒｅｇ関連配列（ＲＳ）、およびＬＴからなる群より選択される、キット。
【請求項３４】
微生物病原体による感染症に応答して、腸上皮細胞による創傷治癒を誘発するためのキットであって、該キットは、創傷治癒を誘発するための医薬組成物を含み、該医薬組成物が、抗微生物ポリペプチド（ＡＭＰ）を含み、該ＡＭＰがＩＬ−２２である、キット。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月10日(2011.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体の治療活性物質を含み、実質上賦形剤を含まない、固体の埋め込み可能な単位剤形であって、治療活性物質が、抗癌剤、ステロイド、抗生物質、抗体分子、抗炎症物質及び抗瘢痕形成物質よりなる群から選ばれる、製剤。
【請求項２】
疾患の局所的予防又は治療に使用するための、及び／又は、
眼内、眼周囲への若しくは眼内への埋め込みに使用するための、及び／又は、
滅菌されている、請求項１に記載の剤形。
【請求項３】
活性物質が実質上水不溶性である、請求項１又は２に記載の剤形。
【請求項４】
活性物質がマトリックスメタロプロテイナーゼインヒビターである、請求項１〜３の何れか１項に記載の剤形。
【請求項５】
マトリックスメタロプロテイナーゼインヒビターが、マトリックスメタロプロテイナーゼの活性部位において亜鉛と可逆的に結合するヒドロキサム酸誘導体である、及び／又は、マトリックスメタロプロテイナーゼインヒビターが、右側結合体である、及び／又は、マトリックスメタロプロテイナーゼインヒビターが、イロマスタット、バチマスタット、マリマスタット、プリノマスタット、タノマスタット、トロケード（シペマスタット）、ＡＧ３３４０、ＣＧｓ２２７０２３Ａ、ＢＡＹ１２−９５６６、ＢＭＳ−２７５２９１、及びそれらの任意の機能的誘導体よりなる群から選ばれる、請求項４に記載の剤形。
【請求項６】
抗癌剤が５−フルオロウラシルであり、ステロイドがトリアムシノロン及びデキサメタゾンから選ばれ、抗炎症物質がナプロキセンである、請求項１又は２に記載の剤形。
【請求項７】
治療に使用するための、請求項１〜６の何れか１項に記載の剤形。
【請求項８】
眼への、眼周囲への、又は眼内への埋め込みにより使用される、請求項７項に記載の剤形。
【請求項９】
組織瘢痕形成を防止又は低減させるための、及び／又は、緑内障濾過手術後に埋め込まれる、及び／又は、結膜下腔に埋め込まれる、請求項４に記載の剤形。
【請求項１０】
瘢痕形成が眼、眼周囲又は眼内である、請求項９に記載の剤形。
【請求項１１】
疾患の局所的予防又は治療のための埋め込み用薬剤の製造における、請求項１〜６の何れか１項に記載の剤形の使用。
【請求項１２】
組織瘢痕形成の局所的予防又は治療のための埋め込み用薬剤の製造における、請求項４又は５に記載の剤形の使用。
【請求項１３】
圧縮により製造される、請求項１〜６の何れか１項に記載の剤形。
【請求項１４】
錠剤である、請求項１３に記載の剤形。
【請求項１５】
０．１ｍｍ３〜１．５ｃｍ３の体積を有する、及び／又は、５ｍｍ以下の最大寸法を有する、及び／又は、１０ｍｇ以下の重量を有する、請求項１〜６、１３及び１４の何れか１項に記載の剤形。
【請求項１６】
１又は２以上の更なる活性物質を含む、請求項１〜６及び１３〜１５の何れか１項に記載の剤形。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月16日(2011.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）少なくとも３重量％の以下の一般式で表されるスルホネート化合物
2011503167.tif 000001
（式中、Ｒ１はＣ８−２２アルキル基を表し；Ｒ２はＣ１−４アルキル基を表し；Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は各々独立して水素原子又はＣ１−４アルキル基を表し；及びＭ＋はカチオンを表す）と、
（ｂ）少なくとも３重量％の両性界面活性剤又は双性界面活性剤と、  
（ｃ）少なくとも１０重量％の水と、
（ｄ）組成物中に懸濁する粒子又は液滴の形態の、少なくとも０．５重量％の追加成分と、
（ｅ）２〜２５重量％分量の電解質とを含む、ずり流動化水性パーソナルケア組成物。
【請求項２】
Ｒ２がメチル基を示す、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
Ｒ３、Ｒ４及びＲ５が各々水素原子を表す、請求項１又は２に記載の組成物。
【請求項４】
成分（ａ）が３０重量％以下の分量で存在する、請求項１〜３のいずれかに記載の組成物。
【請求項５】
成分（ｂ）が３０重量％以下の分量で存在する、請求項１〜４のいずれかに記載の組成物。
【請求項６】
成分（ｃ）が組成物総重量に対して２０〜９５％分量で存在する、請求項１〜５のいずれかに記載の組成物。
【請求項７】
成分（ｄ）が０．５〜５０重量％分量で存在する、請求項１〜６のいずれかに記載の組成物。
【請求項８】
追加成分（ｄ）が効果剤である、請求項１〜７のいずれかに記載の組成物。
【請求項９】
効果剤を組成物中の溶液としてさらに含む、請求項１〜８のいずれかに記載の組成物。
【請求項１０】
以下から選択される製品として製剤される、請求項１〜９のいずれかに記載の組成物。
バスジェル又はシャワージェル、ハンドウォッシュ用組成物、洗顔用組成物、シェービング前、シェービング中又はシェービング後の製品、皮膚軟化剤、ヘアジェル、医薬用皮膚治療製品、シャンプー、ヘアコンディショナー、デンタル製品
【請求項１１】
懸濁液中にスフェルライトを含むラメラ相構造を示す、請求項１〜１０のいずれかに記載の組成物。
【請求項１２】
水性環境で安定なパーソナルケア製品の製剤化における請求項１〜１１のいずれかに記載の組成物の使用。
【請求項１３】
そのＲ２〜Ｒ５が各々水素原子である対応化合物と比較して、水性環境の安定性が改善されたパーソナルケア製品の製剤化における、請求項１〜１１のいずれかに記載の組成物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月10日(2011.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセス流中のバルク型の（全体の）微生物学的水分活性をモニタリング及び制御する方法であって、
ａ．機構をプロセス流に連結するステップであって、前記機構が、複数の開口を含むフローセルであって、少なくとも１の開口が前記プロセス流から引き込まれる流体用のフローセル入口であり、少なくとも１の開口が前記フローセルを出る流体用のフローセル出口であるフローセルと、前記開口のうちの１つに取付けられるＤＯプローブと、選択的に前記開口のうちの１つに取付けられるＯＲＰプローブと、選択的に前記開口のうちの１つに取付けられる洗浄装置と、選択的に前記フローセル入口に取り付けられる第１の導管と、選択的に前記フローセル出口に取り付けられる第２の導管と、選択的に前記フローセルに付随するバルブとを含むステップと、
ｂ．前記プロセス流から前記フローセル内に流体を引き込むステップと、
ｃ．流体が前記フローセル内に引き込まれるのを可能にすべく、前記機構のバルブを開けるステップと、
ｄ．前記ＤＯプローブで前記プロセス流のＤＯ濃度を少なくとも１回測定するステップであって、各測定前に前記ＤＯプローブの表面が洗浄されるステップと、
ｅ．流体が前記フローセルに引き込まれるのを防ぐべく、前記機構のバルブを閉じるステップと、
ｆ．前記ＤＯプローブで前記機構内部の流体のＤＯ濃度を少なくとも１回測定するステップであって、各測定前に前記ＤＯプローブの表面が洗浄されるステップと、
ｇ．ステップ（ｄ）とステップ（ｆ）との間のΔＤＯの読取り値を計算するステップと、
ｈ．ステップ（ｇ）中の少なくとも前記ΔＤＯの値を、前記プロセス流中のバルク型の（全体の）微生物学的活性と相関づけるステップと、
ｉ．１又はそれ以上の酸化性の殺生物剤を含む有効量の処理剤を前記プロセス流に、及び／又は、１又はそれ以上の非酸化性の殺生物剤を含む有効量の処理剤と、選択的に、ｎ−水素化合物、酸化性の殺生物剤、及び選択的に緩衝剤を含む混合物とを前記プロセス流に添加することによって、前記微生物学的活性量を制御するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月8日(2011.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素回路を形成する方法であって、
ａ）  第１の面を有する透明支持体を用意する工程；
ｂ）  少なくとも４つの異なる色パターンを有する多色マスクを形成する工程；そして
ｃ）  第１導体、誘電体、半導体、及び第２導体を含む少なくとも４つのパターン化された機能材料層を有する画素回路の集積化された電子構成部品を形成する工程
を含み、
各パターン化された機能材料層は、該多色マスクの前記少なくとも４つの異なる色パターンに対応し、
各パターン化された機能材料層は：
ｉ）  該多色マスクを形成した後、該透明支持体の第１の面に、可視光に対して感光するフォトパターン化可能材料から成る層を被覆する工程；
ｉｉ）  該フォトパターン化可能材料層を、該多色マスクを通して可視光に暴露することにより、該多色マスクの前記色パターンのうちの１つの色パターンに対応するフォトパターンを形成する工程、該フォトパターンは、被覆されたままの第１状態とは異なる露光された第２状態のフォトパターン化可能材料から成り；
ｉｉｉ）  該フォトパターン化可能材料を被覆する前又は後に、機能材料層を堆積する工程；そして
ｉｖ）  結果として生じるパターン化された機能材料が前記１つの色パターンに対応するように、該フォトパターンを使用して該機能材料をパターン化する工程
によって形成され；
該多色マスクは：
ｉ）  該第１導体に対応する第１色パターンであって、該第１色パターンの色部分が、該第１導体パターンのネガコピーを含む第１色パターンと、
ｉｉ）  該誘電体に対応する第２色パターンであって、該第２色パターンの色部分が、該誘電体パターンのポジコピーを含む第２色パターンと、
ｉｉｉ）  該半導体に対応する第３色パターンであって、該第３色パターンの色部分が、該半導体パターンのポジコピーを含む第３色パターンと、
ｉｖ）  該第２導体に対応する第４色パターンであって、該第４色パターンの色部分が、該第２導体パターンのポジ又はネガコピーを含む第４色パターンと、
を含む、
画素回路を形成する方法。
【請求項２】
該色パターンのうちの２つが、同じ吸収スペクトル領域と、異なる光学濃度とを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該多色マスクの少なくとも１つの色パターンが、該透明支持体の該第１の面に存在する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記多色マスクが、前記透明基板上にマスターカラー画像の写真複製によって形成された多色層を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記多色マスクが、別個の基板上に予め形成された後で、前記透明支持体上に積層される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記多色マスクが、前記透明支持体上に直接に印刷される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
該画素回路の集積化された電子構成部品が、少なくとも１つの薄膜トランジスタを含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
ａ）  透明基板；
ｂ）  該透明基板上に形成された少なくとも２つの色パターンを有する多色マスク；及び
ｃ）  該透明基板上に形成された画素アレイであって、各画素が、画素電極と、ソース・ドレイン・ユニット、半導体、及びゲートを有する少なくとも１つの薄膜トランジスタとを有し、該ソース・ドレイン・ユニット、半導体、及びゲートのうちの少なくとも２つが、多色マスクの２つの異なる色パターンと垂直にアライニングされている、画素アレイ
を含む、電子ディスプレイ。
【請求項９】
該多色マスクが、該透明基板と該画素アレイとの間にある、請求項８に記載の電子ディスプレイ。
【請求項１０】
該電子ディスプレイが、多色ディスプレイ、フルカラーディスプレイ、モノクロ・ディスプレイ、又はアクティブ・バックライト・ディスプレイである、請求項８又は９に記載の電子ディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月17日(2012.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御信号に応答してフレーム期間において蓄積回路に輝度値を蓄積する制御回路と、
前記蓄積回路に応答してＬＥＤの電流を制御して前記輝度値により決定される輝度レベルで発光させる駆動回路と、
前記蓄積回路に接続され前記フレーム期間において前記蓄積回路に蓄積される前記輝度値の減少を制御する輝度値減少回路と、
前記輝度値減少回路に接続され減少制御信号に応答して前記輝度値減少回路が前記輝度値を減少させる速度を制御する減少制御回路と、を具備し、
前記減少制御回路はトランジスタであり、
前記蓄積回路は前記輝度値を表す電荷を蓄積するコンデンサを含み、
前記輝度値減少回路は前記コンデンサに並列に接続された抵抗を含み、
前記の減少制御トランジスタは前記抵抗に直列に接続されて前記減少制御信号に応答して前記抵抗に流れる電流を制御する、
ことを特徴とするＬＥＤ表示画素を制御するためのアクティブマトリクス回路。
【請求項２】
前記制御回路または駆動回路は基板上に形成されたトランジスタを含む、請求項１記載のアクティブマトリクス回路。
【請求項３】
前記蓄積回路は前記輝度値を表す電荷を蓄積するコンデンサを含む、請求項１記載のアクティブマトリクス回路。
【請求項４】
前記輝度値減少回路は前記コンデンサに蓄積される前記電荷を時間とともに減少させる請求項３記載のアクティブマトリクス回路。
【請求項５】
前記輝度値減少回路は前記コンデンサに並列に接続された抵抗を含む、請求項４記載のアクティブマトリクス回路。
【請求項６】
前記輝度値減少回路は前記コンデンサに並列に接続されたトランジスタを含み、制御信号に応答して前記コンデンサの前記電荷が時間とともに減少する速度を制御する、請求項４記載のアクティブマトリクス回路。
【請求項７】
前記制御信号は前記制御回路を制御する選択信号を含み、前記減少制御信号は前記選択信号の反転信号を含む、請求項１記載のアクティブマトリクス回路。
【請求項８】
前記減少制御回路はインバータを含む、請求項７記載のアクティブマトリクス回路。
【請求項９】
前記インバータはトランジスタを含む、請求項８記載のアクティブマトリクス回路。
【請求項１０】
前記の制御された減少は、前記輝度値が前記蓄積回路に蓄積された後、実質的な遅延なく始まる、請求項１記載のアクティブマトリクス回路。
【請求項１１】
前記輝度値は、前記輝度値が前記蓄積回路に蓄積された後、連続的に減少する、請求項１記載のアクティブマトリクス回路。
【請求項１２】
制御信号に応答してフレーム期間において蓄積回路に輝度値を蓄積する制御回路と、
前記蓄積回路に応答してＬＥＤの電流を制御して前記輝度値により決定される輝度レベルで発光させる駆動回路と、
前記蓄積回路に接続され前記フレーム期間において前記蓄積回路に蓄積される前記輝度値の減少を制御する輝度値減少回路と、を具備し、
前記輝度値は、前記輝度値が前記蓄積回路に蓄積された後、前記フレーム期間よりも短い第１の期間において一定値に保たれ、前記第１の期間の終わりに減少する、
ことを特徴とするＬＥＤ表示画素を制御するためのアクティブマトリクス回路。
【請求項１３】
基板上に形成された複数の発光画素であって、各画素は電流に応答して発光する発光ダイオード（ＬＥＤ）と該ＬＥＤに電流を提供する画素駆動回路とを含む複数の発光画素を具備し、各画素駆動回路はさらに、
制御信号に応答して蓄積回路に輝度値を蓄積する制御回路と、
前記蓄積回路に応答してＬＥＤの電流を制御して前記輝度値により決定される輝度レベルで発光させる駆動回路と、
前記蓄積回路に接続され前記蓄積回路に蓄積される前記輝度値を時間とともに減少させる輝度値減少回路と、
前記輝度値減少回路に接続され減少制御信号に応答して前記輝度値減少回路が前記輝度値を減少させる速度を制御する減少制御回路と、を具備し、
前記減少制御回路はトランジスタであり、
前記蓄積回路は前記輝度値を表す電荷を蓄積するコンデンサを含み、
前記輝度値減少回路は前記コンデンサに並列に接続された抵抗を含み、
前記の減少制御トランジスタは前記抵抗に直列に接続されて前記減少制御信号に応答して前記抵抗に流れる電流を制御する、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
前記ＬＥＤは有機発光ダイオードを含む、請求項１３記載の表示装置。
【請求項１５】
前記ＬＥＤは無機発光ダイオードを含む、請求項１３記載の表示装置。
【請求項１６】
前記無機ＬＥＤは多結晶半導体マトリクスにおける量子ドットを含む、請求項１３記載の表示装置。
【請求項１７】
フレーム期間内で表示装置の輝度を減少させる方法であって、
ＬＥＤ画素制御信号を使用して輝度値を蓄積回路に蓄積してＬＥＤの電流を制御して前記輝度値により決定される輝度レベルで発光させ、
前記蓄積回路に接続された輝度値減少回路を使用することによって、フレーム期間内で前記輝度値の減少を制御して、前記蓄積回路に蓄積される前記輝度値を減少させ、
前記輝度値は、前記輝度値が蓄積された後、前記フレーム期間よりも短い第１の期間において一定値に保たれ、前記第１の期間の終わりに減少される、
ことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月20日(2012.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エアロゾル分析物を分析するためのＭＡＬＤＩマススペクトロメトリー方法であって、
アルコールを、１５〜１００℃の温度範囲において少なくとも部分的に飽和した蒸気圧を実現する濃度で適用すること、
式（Ｉ）
2011503605.tif 000001
に従う２−メルカプト−４，５−ジアルキルヘテロアレーン又はその互変異性型を含むＭＡＬＤＩマススペクトロメトリーの為のマトリックス物質を昇華させること、
ここで、ＸはＮ、Ｓ又はＯであり、且つＲ１及びＲ２は水素、メチル、メトキシ、エトキシ及びプロポキシから独立に選ばれ、又はＲ１及びＲ２は一緒になって、置換されていてもよく、１以上のヘテロ原子を含んでもよい芳香族環構造を形成する、
該エアロゾル分析物を気相中で該マトリックス物質と接触させること、
該分析物の少なくとも一部をイオン化すること；そして
該イオン化した成分をマススペクトロメーター、例えば飛行時間マススペクトロメーターを用いて分離すること
を含む上記方法。
【請求項２】
Ｒ１及びＲ２が同じである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
Ｒ１及びＲ２がメチル基である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
ＸがＳである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
該アルコールが、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、イソブタノール及びｔｅｒｔ−ブタノールからなる群から選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
該アルコールが、多価アルコール、例えばジオール又はトリオール、である請求項１に記載の方法。
【請求項７】
該アルコールがハロゲン化されている、例えば塩素化又はフッ素化されている、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
該アルコールの少なくとも１つのα炭素原子が、少なくとも１つのハロゲン原子により置換されている、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
該アルコールが完全にハロゲン化されている、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
該少なくとも１つのエアロゾルが、透過電子顕微鏡法により測定されたときに、少なくとも０．１μｍ、好ましくは０．３〜２０μｍ、より好ましくは０．５〜１５μｍの平均粒子サイズを有する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
該分析物が、生物学的物質、好ましくは微生物及び／又はタンパク質を含む、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
該分析物が、該マトリックス物質と接触させられる前に、粒子サイズ選抜に付されている、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
生物学的物質の分類の為の方法であって、
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法を用いて、種々の生物学的物質のＭＡＬＤＩマススペクトルを得ること；
得られたＭＡＬＤＩ  ＭＳスペクトルを、ＭＡＬＤＩ  ＭＳスペクトルのライブラリーと比較すること；そして、
該比較に基づき、該生物学的物質を分類すること
を含む、上記方法。
【請求項１４】
分析物を分析するためのＭＡＬＤＩマススペクトロメトリー方法であって、
アルコールを、１５〜１００℃の温度範囲において少なくとも部分的に飽和した蒸気圧を実現する濃度で適用すること、
２−メルカプト−４，５−ジメチルチアゾールを含むマトリックス物質を、該アルコールの存在下において昇華させること、
該分析物を該マトリックス物質と接触させること；
該分析物の少なくとも一部をイオン化すること；そして
飛行時間検出器を用いて該イオン化成分を分離すること
を含む、上記方法。
【請求項１５】
２−メルカプト−４，５−ジメチルチアゾールを、ＭＡＬＤＩマススペクトロメトリーの為のマトリックス物質として使用する方法であって、２−メルカプト−４，５−ジメチルチアゾールがアルコールの存在下において昇華される、前記方法。
【請求項１６】
アルコールの存在下において昇華された式（Ｉ）
2011503605.tif 000002
に従う２−メルカプト−４，５−ジアルキルヘテロアレーン又はその互変異性型を含むマトリックス組成物を、ＭＡＬＤＩマススペクトロメトリーの為の気相マトリックスコーティング方法において使用する方法、
ここで、ＸはＮ、Ｓ又はＯであり、且つＲ１及びＲ２は水素、メチル、メトキシ、エトキシ及びプロポキシから独立に選ばれ、又はＲ１及びＲ２は一緒になって、置換されていてもよく、１以上のヘテロ原子を含んでもよい芳香族環構造を形成する。
【請求項１７】
該アルコールが、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、イソブタノール及びｔｅｒｔ−ブタノールからなる群から選ばれる、請求項１５又は１６に記載の方法。
【請求項１８】
該アルコールがハロゲン化アルコールである、請求項１６に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
従って、本発明は、分析物を分析する為のリアルタイムエアロゾルＭＡＬＤＩ  ＭＳ方法であって、
アルコールを、１５〜１００℃の温度範囲において少なくとも部分的に飽和した蒸気圧を実現する濃度で適用すること、
上記で記載されたとおりのマトリックス物質を昇華させること、
該エアロゾル分析物を気相中で該マトリックス物質と接触させること、；
該分析物の少なくとも一部をイオン化すること；そして
該イオン化した成分を、ＭＳ検出器、例えば飛行時間検出器を用いて分離すること
を含む上記方法に向けられる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月18日(2011.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクセス速度の異なる複数のメモリブロックを含む階層メモリ環境又は分散メモリ環境であるコンピュータ実行可能コンポーネントと、
前記複数のメモリブロックの使用に関するカウントの近似を用いてメモリ位置を再配置する最適化システムであるコンピュータ実行可能コンポーネントと、
を備えている、コンピュータで実装されるシステム。
【請求項２】
請求項１記載のコンピュータで実装されるシステムであって、カウントの近似の使用を追跡するメモリ管理コンポーネントを更に備えている、コンピュータで実装されるシステム。
【請求項３】
請求項１記載のコンピュータで実装されるシステムであって、カウントの近似に関する決定を容易にするアクセスビットを更に備えている、コンピュータで実装されるシステム。
【請求項４】
請求項３記載のコンピュータで実装されるシステムにおいて、前記最適化システムはしきい値と比較される統計的使用カウントと関連付けられている、コンピュータで実装されるシステム。
【請求項５】
請求項４記載のコンピュータで実装されるシステムにおいて、前記しきい値はメモリアクセスに基づいて適応的に調節可能である、コンピュータで実装されるシステム。
【請求項６】
請求項１記載のコンピュータで実装されるシステムであって、増分（インクリメント）又はリセットを介してメモリアクセスを追跡するヒューリスティックカウンタを更に備える請求項１に記載のコンピュータで実装されるシステム。
【請求項７】
請求項６記載のコンピュータで実装されるシステムにおいて、前記ヒューリスティックカウンタはフレキシブルランダム化カウンタ（ＦＲＣ）である、コンピュータで実装されるシステム。
【請求項８】
請求項４記載のコンピュータで実装されるシステムであって、１組のしきい値を促進する人工知能コンポーネントを更に備えている、コンピュータで実装されるシステム。
【請求項９】
請求項７記載のコンピュータで実装されるシステムにおいて、前記ＦＲＣは動的である、コンピュータで実装されるシステム。
【請求項１０】
複数のメモリブロックの使用のためのカウントの近似を含む統計的使用カウントを介して、階層メモリ構成におけるメモリ使用を近似するコンピュータ実行可能なステップと、
前記統計的使用カウントに基づいて階層メモリの位置を再配置するコンピュータ実行可能なステップと、
を含む、コンピュータで実装される方法。
【請求項１１】
請求項１０記載のコンピュータで実装される方法であって、前記階層メモリ構成の中のメモリブロックへのアクセス時に乱数を生成するステップを更に含む、コンピュータで実装される方法。
【請求項１２】
請求項１１記載のコンピュータで実装される方法であって、前記乱数と所定のしきい値とを比較するステップを更に含む、コンピュータで実装される方法。
【請求項１３】
請求項１１記載のコンピュータで実装される方法であって、前記乱数が前記所定のしきい値を超えるときにアクセスビットのステータスを１に変更するステップを更に含む、コンピュータで実装される方法。
【請求項１４】
請求項１１記載のコンピュータで実装される方法であって、アクセスビットを０にセットするステップを更に含む、コンピュータで実装される方法。
【請求項１５】
請求項１４記載のコンピュータで実装される方法であって、前記しきい値を適応的に調節するステップを更に含む、コンピュータで実装される方法。
【請求項１６】
請求項１４記載のコンピュータで実装される方法であって、前記アクセスビットを更新するステップを更に含む、コンピュータで実装される方法。
【請求項１７】
請求項１６記載のコンピュータで実装される方法であって、前記階層メモリ構成に関連する様々な処理装置の活動を監視するステップを更に含む、コンピュータで実装される方法。
【請求項１８】
請求項１７記載のコンピュータで実装される方法であって、メモリアクセス時にカウンタをインクリメントするステップを更に含む、コンピュータで実装される方法。
【請求項１９】
請求項１８記載のコンピュータで実装される方法であって、ヒューリスティックに基づいて前記所定のしきい値に設定すべき値を推論するステップを更に含む、コンピュータで実装される方法。
【請求項２０】
複数のメモリブロックの使用のためのカウントの近似を含む統計的使用カウントを介してメモリ位置の使用を近似するコンピュータ実行可能なステップと、
前記統計的使用位置に基づいてメモリ動作を最適化するコンピュータ実行可能なステップと、
を含む、コンピュータで実装される方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月10日(2011.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも
−ポンプ圧力を準備するための、圧力供給接続部Ｐと、
−還流接続部Ｒと、
−区分されたロード検出接続部ＬＳと、
−２つの制御接続部Ｐ’AとＰ’Bと、
−ユーティリティ接続部圧を準備するための２つのユーティリティ接続部Ａ、Ｂと、
を有する、流体接続配置（１０）を備えた油圧弁装置であって、
前記油圧弁装置が、更に、接続配置（１０）の個々の接続を少なくとも部分的に駆動するための可動制御手段（１８）を有し、前記制御手段（１８）の前段に圧力バランサ（１４）が接続されており、前記圧力バランサ（１４）が、逆止弁（５６）を有し、
圧力バランサ（１４）によって、還流接続部Ｒへの流体を案内する接続をすることができ、
圧力バランサ（１４）が、逆止弁（５６）と共に作動して、圧力供給接続部Ｐに関する少なくとも圧力バランサ（１４）の制御プロセスにおいて、前記逆止弁（５６）が、開放位置で保持され、制御接続部Ｐ’A、Ｐ’Bから還流する流体が、圧力バランサ（１４）によって制御され、還流接続部Ｒへ流出するようにされることを特徴とする、
油圧弁装置。
【請求項２】
前記逆止弁（５６）の逆止機能が、制御接続部Ｐ’A又はＰ’Bに作用することを特徴とする、請求項１に記載の弁装置。
【請求項３】
前記逆止弁（５６）の弁体（５８）が、弁ばね（６０）に対して支持され、前記弁ばねが、弁体（５８）を、圧力バランサ（１４）の制御ピストン（６２）上に保持し、前記圧力バランサ（１４）の制御ピストン（６２）が、前記逆止弁（５６）とは反対側の端部で、制御ばね（６４）に支持されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の弁装置。
【請求項４】
前記弁体（５８）が前記圧力バランサ（１４）の前記制御ピストン（６２）に当接している場合に、前記弁ばね（６０）と前記制御ばね（６４）とが前記制御ピストン（６２）に、互いに逆の方向に作用することを特徴とする、請求項３に記載の弁装置。
【請求項５】
前記制御ピストン（６２）が、個別の機能グループ（６６、６８、７９、７２）に分割された貫通開口部を有し、前記貫通開口部が、それぞれ、圧力供給接続部Ｐ（７６）と、還流接続部Ｒ（７２）と、２つの制御接続部Ｐ’A（６６）とＰ’B（６８）と、に対応づけられていることを特徴とする、請求項３又は４に記載の弁装置。
【請求項６】
前記制御ばね（６４）の、前記弁体（５８）とは反対側の端部が、圧力バランサハウジングの一部（７４）に支持されていることを特徴とする、請求項３から５のいずれか１項に記載の弁装置。
【請求項７】
前記弁体（５８）が、前記制御ピストン（６２）の内部の方向を向いた端面に、凹部（８０）を有しており、前記凹部（８０）が、好ましくは内側が円錐の形状の凹部であることを特徴とする、請求項３から６のいずれか１項に記載の弁装置。
【請求項８】
前記圧力バランサ（１４）の圧力のない状態において、前記制御ばね（６４）が、前記制御ピストン（６２）を、前記弁ばね（６０）の作動に抗して、前記圧力バランサハウジングのストッパ（９４）へ当接させることを特徴とする、請求項３から７のいずれか１項に記載の弁装置。
【請求項９】
前記制御ばね（６４）が、前記圧力バランサハウジングのばね室（１６）内で案内されており、前記ばね室（１６）の中へ、区分されたロード検出接続部（ＬＳ）が連通していることを特徴とする、請求項１から８のいずれか１項に記載の弁装置。
【請求項１０】
前記逆止弁（５６）の前記弁体（５８）の最大ストロークが、弁を閉じる方向において、制限手段（８２）によって制限されていることを特徴とする、請求項３から９のいずれか１項に記載の弁装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月8日(2011.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
挿入縁部と該挿入縁部に回動可能に接続された少なくとも１つのロックタブとを備えるピンに接続された基部を備えるポップイン式機械的ファスナーにおいて、前記ロックタブは、挿入表面と、翼軸に対して第１の角度を形成する第１の傾斜状止め部と前記翼軸に対して第２の角度を形成する第２の傾斜状止め部とを有するロック表面と、を有する翼部を備え、前記翼軸は、前記基部に対して垂直である挿入軸に対して垂直であり、前記第１の角度は少なくとも５度であり、前記第２の角度は前記第１の角度より少なくとも５度大きい、ポップイン式機械的ファスナー。
【請求項２】
前記翼部が、前記挿入表面を前記ロック表面に接続する肩部と、前記ロック表面から前記基部の方向に延びる末端ステムを更に備える、請求項１に記載のポップイン式機械的ファスナー。
【請求項３】
前記第１の角度が、少なくとも１５度であり、かつ４０度以下であり、前記第２の角度が、少なくとも２５度であり、かつ６５度以下である、請求項１又は２に記載のポップイン式機械的ファスナー。
【請求項４】
前記ロック表面が、前記第１の傾斜状止め部と前記第２の傾斜状止め部との間に段を更に備える、請求項１又は２に記載のポップイン式機械的ファスナー。
【請求項５】
挿入縁部と該挿入縁部に回動可能に接続された少なくとも１つのロックタブとを備えるピンに接続された基部を備えるポップイン式機械的ファスナーにおいて、前記ロックタブは、挿入表面と前記基部に対して凹面の弓状止め部を有するロック表面とを有する翼部を備える、ポップイン式機械的ファスナー。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月11日(2011.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】流量制御装置および流量制御装置を組み立てるための方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流量制御装置であって、
入口、出口、および前記入口から前記出口へと延在する流体流路を画定する本体と、
前記弁本体内に配置され、かつ前記流体流路がこれを通過するオリフィスを画定する弁座リングと、
前記弁座リングを係合して前記流体流路を通過する流量を制御するように構成される絞り要素と、
前記弁本体に連結され、かつ、前記弁座リングの表面と前記弁本体の対応する表面との間に密閉が形成されて、前記弁座リングを越えて前記弁座リングのオリフィスの外側への流動を防止するように、前記弁座リングを前記弁本体内の適所に保持するように前記弁座リングと係合するリテーナと、を備える、流量制御装置。
【請求項２】
前記リテーナは、前記弁座リングの周囲に配置されるように構成され、前記リテーナは、複数のこれを貫通した穴を有する内向きに延在するリングと、前記穴のうちの対応する１つを通って各々配置され、かつ前記弁座リングの表面を前記弁本体の前記対応する表面に押し付けて係合させて密閉を形成するように前記弁座リングを係合する複数のボルトとを備える、請求項１に記載の流量制御装置。
【請求項３】
前記弁本体は、螺刻された内面を備え、前記リテーナは、前記リテーナが前記弁本体に捻合されて前記弁座リングを前記弁本体内に保持するように、前記弁本体の前記螺刻された内面と噛合する螺刻された外面を備える、請求項１に記載の流量制御装置。
【請求項４】
前記弁座リングは、前記オリフィスを画定する内面を有する空洞状の円筒と、外向きに延在する環状のフランジとを備え、前記リテーナは、複数のこれを貫通する穴を有する内向きに延在するリングを有する空洞状の円筒を備え、
前記内向きに延在するリングは、前記弁座リングが前記弁本体内に配置され、かつ前記リテーナが前記弁本体により係合される場合、前記環状のフランジの近隣に配置され、
前記穴のうちの対応する１つを通って複数のボルトが各々配置され、
前記複数のボルトは、前記弁座リングの前記表面を前記弁本体の前記対応する表面に押し付けて係合させて前記密閉を形成するように前記環状のフランジの表面を係合する、請求項１に記載の流量制御装置。
【請求項５】
前記弁本体の前記内面は、環状の肩部を画定し、前記環状のフランジは、前記弁本体の前記環状の肩部と前記リテーナの前記内向きに延在するリングとの間に配置される、請求項４に記載の流量制御装置。
【請求項６】
前記密閉を形成するように前記弁座リングの前記表面と前記弁本体の前記対応する表面との間に配置されるガスケットを備える、請求項１に記載の流量制御装置。
【請求項７】
前記リテーナは、複数の外向きに延在するタブを備え、前記弁本体は、前記リテーナの前記タブを受容し、かつ前記タブが配置される対応するＬ形状の陥凹部のリップの下に配置されるように前記リテーナが回転される場合、前記リテーナの軸方向の移動に対して前記リテーナを前記弁本体内に保持するように構成される複数の前記Ｌ形状の陥凹部を備える、請求項１に記載の流量制御装置。
【請求項８】
入口、出口、および前記入口から前記出口へ延在する流体流路を画定する本体と、オリフィスを画定する弁座リングと、前記弁座リングを係合して前記オリフィスを通過する流体の流動を防止するように構成される絞り要素と、弁座リングリテーナとを有する流量制御装置を組み立てるための方法であって、
前記弁座リングを前記流体流路に沿って前記弁本体のボアに挿入するステップと、
前記リテーナを前記弁本体に挿入し、前記弁座リングの近傍の前記リテーナの連結機構を用いて前記リテーナを前記弁本体に接合するステップと、
前記弁座リングを前記リテーナの係合機構に係合し、かつ前記弁座リングの表面と前記弁本体の対応する表面との間に密閉を形成して、弁座リングを越えて前記弁座リングのオリフィスの外側への流動を防止するステップと、を含む、流量制御装置を組み立てるための方法。
【請求項９】
前記弁本体は、螺刻された内面を備え、前記リテーナの前記連結機構は、前記弁本体の前記螺刻された内面と噛合するように構成される螺刻された外面を備え、前記リテーナを前記弁本体に接合するステップは、前記螺刻された外面を前記螺刻された内面に噛合して、前記弁本体に前記リテーナを捻合するステップを含む、請求項８に記載の流量制御装置を組み立てるための方法。
【請求項１０】
前記リテーナの前記係合機構は、複数のこれを貫通した穴を有する内向きに延在するリングと、前記穴のうちの対応する１つを通って各々配置される複数のボルトを備え、
前記リテーナを前記弁座リングの周囲に配置するステップと、
前記ボルトを前記弁座リングに捻合して係合し、前記弁座リングの前記表面を、前記弁本体の前記対応する面に押し付けて係合させて、前記密閉を形成するステップと、を含む、請求項８に記載の流量制御装置を組み立てるための方法。
【請求項１１】
前記弁座リングは、前記オリフィスを画定する内面を有する空洞状の円筒と、外向きに延在する環状のフランジとを備え、前記リテーナは、複数のこれを貫通する穴を有する内向きに延在するリングを有する空洞状の円筒と、前記穴のうちの対応する１つを通って各々配置される複数のボルトとを備え、前記弁座リングの前記環状のフランジに近隣に配置される前記リテーナの前記内向きに延在するリングを備える前記弁座リングの周辺に前記リテーナを配置するステップと、前記ボルトを前記弁座リングの前記環状のフランジに捻合して係合し、前記弁座リングの前記環状のフランジの表面を前記弁本体の前記対応する表面に押し付けて係合させて、前記密閉を形成するステップと、を含む、請求項８に記載の流量制御装置を組み立てるための方法。
【請求項１２】
前記弁本体の前記内面は、環状の肩部を画定し、前記環状のフランジは、前記弁本体の前記環状の肩部と前記リテーナの前記内向きに延在するリングとの間に配置される、請求項１１に記載の流量制御装置を組み立てるための方法。
【請求項１３】
前記リテーナの前記連結機構は、複数の外向きに延在するタブを備え、前記弁本体は、前記リテーナの前記タブを受容するように構成される複数のＬ形状の陥凹部を備え、前記リテーナを接合するステップは、
前記リテーナの前記タブを前記弁本体の前記対応するＬ形状の陥凹部に挿入するステップと、
前記タブが配置される前記対応するＬ形状の陥凹部のリップの下に前記タブが配置されるように前記リテーナを回転するステップと、を含む、請求項８に記載の流量制御装置を組み立てるための方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年10月23日(2012.10.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁弁用の弁カートリッジであって、
カプセルが設けられており、該カプセル内で可動にガイドされたマグネットアーマチュアが設けられており、弁インサート（１５）が設けられており、該弁インサート（１５）は、第１の端部で、カプセルに挿入されており、弁体（１１）が設けられており、該弁体（１１）は、弁インサート（１５）の第２の端部（１５．１）に圧入されていて、かつ主弁座（８）を備えており、発生した磁力により運動させられるマグネットアーマチュアは、弁インサート（１５）内でガイドされる押圧ロッドを運動させるようになっており、該押圧ロッドは、シールエレメント（１２．２）を有する閉鎖エレメント（１２．１）を備えており、シールエレメント（１２．２）は、シール機能を及ぼすために密に弁体（１１）の主弁座（８）に進入するようになっている、電磁弁用の弁カートリッジにおいて、
弁インサート（１５）は、弁主軸（１．１）方向に少なくとも弁インサート（１５）の第２の端部（１５．１）の領域に延在するスリット付のスリーブとして形成されており、該弁インサート（１５）の第２の端部（１５．１）にカラー（１６，２６，３６，４６，５６）が一体的に成形されており、カラー（１６，２６，３６，４６，５６）により、弁インサート（１５）の外径および構造強さが増加するようになっていることを特徴とする、電磁弁用の弁カートリッジ。
【請求項２】
弁下部（１４）が、軸方向に弁インサート（１５）に当接し、かつ支持されている、請求項１記載の弁カートリッジ。
【請求項３】
弁インサート（１５）の第２端部（１５．１）に、弁体（１１）のための挿入縁（２９）が、丸みとして形成されている、請求項１または２記載の弁カートリッジ。
【請求項４】
弁インサート（１５）の、一体的に成形されたカラー（２６，３６）は、結合手段（２１，２２，３４，３５）を備えており、該結合手段（２１，２２，３４，３５）により、スリット付のスリーブとして形成された弁インサート（１５）の両側が、一体的に成形されたカラー（２６，３６）の部分で相互に結合されるようになっている、請求項１から３までのいずれか１項記載の弁カートリッジ。
【請求項５】
結合手段は、スリット（２６．１）の片側で、突起（２１）として形成されていて、かつスリット（２６．１）の別の片側で、突起（２１）を収容するための対応する凹部（２２）として形成されている、請求項４記載の弁カートリッジ。
【請求項６】
スリット（３６．１）の両側が、相互に重畳する結合手段として形成されており、上側（３５）が、係止突起および係止凹所を備えており、該係止突起および係止凹所は、下側（３４）の、対応する係止突起および対応する係止凹所と協働するようになっている、請求項４記載の弁カートリッジ。
【請求項７】
一体的に成形されたカラー（１６，２６，３６，４６，５６）の外側輪郭が、円形または波形に形成されている、請求項１から６までのいずれか１項記載の弁カートリッジ。
【請求項８】
一体的に成形されたカラー（５６）は、平面から突出する形状を有して形成されており、平面図でみて、自由な幾何学形状を有する環状に延びる波形のカラー（５６）が形成されるようになっている、請求項１から７までのいずれか１項記載の弁カートリッジ。
【請求項９】
カラー（２６，３６）における結合手段（２１，２２，３４，３５）の一体的な成形および／またはカラー（４６，５６）の形状付与が、弁インサート（１５）に弁体（１１）を圧入するまえ、または圧入する間に行われるようになっている、請求項４から８までのいずれか１項記載の弁カートリッジ。
【請求項１０】
請求項１から９までのいずれか１項記載の弁カートリッジを備えた電磁弁。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年10月31日(2012.10.31)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
タイプ１パイロット信号が検出された場合、ＭＳは、受信されたパイロット信号が時空間エンコードされるか異なるように配置され、時空間コーディングが活性化されると仮定する。さらに、タイプ１パイロット信号が検出されたがタイプ０パイロット信号が検出されない場合、ＭＳは時空間コーディングを利用して復号化する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
また、タイプ０パイロット信号が検出されたがタイプ１パイロット信号が検出されない場合、ＭＳは正規復号器を利用して復号化する(例えば、時空間コーディングがない)。タイプ０及びタイプ１パイロット信号が検出された場合、デフォルト復号器を使用することができる。デフォルト復号器はプリセットできる。しかし、タイプ０及びタイプ１パイロット信号が全部検出されない場合には、時空間復号器を使用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月22日(2012.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の樹状細胞を生成する方法であって、
多孔質膜の上面（top）上で内皮細胞を培養すること（該膜は、ウェルの下部チャンバの上方に吊るされ、且つウェルの下部チャンバと分離可能であるウェルの上部チャンバに収容される）、
末梢血単核細胞（ＰＢＭＣ）を、前記多孔質膜上の前記内皮細胞へ適用すること、
前記ＰＢＭＣの適用の少なくとも約４８時間後に、前記多孔質膜及び前記内皮細胞を収容している前記ウェルの前記上部チャンバを除去すること、並びに
前記ウェルの前記下部チャンバから樹状細胞を単離すること、
を含む多数の樹状細胞を生成する方法。
【請求項２】
前記多孔質膜はポリカーボネート膜である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記内皮細胞はヒト臍帯静脈内皮細胞（ＨＵＶＥＣ）である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記内皮細胞は、形質転換された内皮細胞系である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記樹状細胞は、温培地で前記ウェルを洗浄することにより前記下部チャンバから単離される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
Ｔｒａｎｓｗｅｌｌ（登録商標）デバイスは、前記ウェルの前記上部チャンバ、前記ポリカーボネート膜及び前記ウェルの前記下部チャンバを提供するのに使用される、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記樹状細胞はＣＤ１４陽性である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記多孔質膜は、およそ５μｍの孔を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記ウェルの前記下部チャンバから前記樹状細胞を単離する前に、作用物質が添加される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記作用物質は、ワクチン、アジュバント、免疫療法候補物、免疫調節物質、化粧品、薬物、生物学的製剤(biologic)、炎症誘発剤及び化合物から成る群から選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記内皮細胞は、前記ＰＢＭＣを添加する前にコンフルエントになるまで培養される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記内皮細胞は、前記ＰＢＭＣを添加する前に、多層細胞成長が達成されるまで培養される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ウェルの前記下部チャンバは、細胞外マトリックス（ＥＣＭ）材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記ＥＣＭ材料は、ゼラチン、コラーゲン、合成ＥＣＭ材料、ＰＬＧＡ、ＰＧＡ、天然ＥＣＭ材料、キトサン、プロトサン及びそれらの混合物から成る群から選択される材料を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ウェルの前記下部チャンバは、線維芽細胞をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記ウェルの前記下部チャンバは、他の支持細胞をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記ウェルの前記下部チャンバは、間質細胞をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記内皮細胞は、ＥＣＭ材料へ付着される、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記ＥＣＭ材料は、ゼラチン、コラーゲン、合成ＥＣＭ材料、ＰＬＧＡ、ＰＧＡ、天然ＥＣＭ材料、キトサン、プロトサン及びそれらの混合物から成る群から選択される材料を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記多孔質膜は、多孔性を増大させるようにレーザー微細加工される(laser-micromachined)、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記内皮細胞はまた、前記多孔質膜の下面（bottom）上で培養される、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記内皮細胞はまた、ＥＣＭ材料の存在下で前記多孔質膜の下面上で培養される、請求項１に記載の方法。