【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年9月12日(2012.9.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードに代表される、基板（１；２１）上に複数の層を積層してなる発光装置であって、
上記複数の層は、互いが電気的に接続しているアノード接触部（２；２８）およびカソード接触部（２２；８）、ならびに、上記アノード接触部（２；２８）と上記カソード接触部（２２；８）との間に配置されている発光層群（１０；２０）を備えており、
上記発光層群（１０；２０）は、ポリマー材料からなるポリマー層（４；２４）と、真空中で気化することによって蒸着可能な有機物質の分子であって、真空蒸着された小さな分子を含む低分子層（７；２７）と、を備えており、
上記低分子層（７；２７）に含まれる上記小さな分子は、
上記低分子層（７）が上記カソード接触部（８）に隣接して配置されている場合には、Ｆｃ／Ｆｃ+（フェロセン／フェロセニウム酸化還元カップル）に対して最大−１．５Ｖの酸化還元電位を有するドナー分子であり、
上記低分子層（２７）が上記アノード接触部（２８）に隣接して配置されている場合には、Ｆｃ／Ｆｃ+（フェロセン／フェロセニウム酸化還元カップル）に対して最小−０．３Ｖの酸化還元電位を有するアクセプター分子である、発光装置。
【請求項２】
上記発光層群は、上記有機物質と異なる、真空中で気化することによって蒸着可能な有機物質の分子であって、真空蒸着された小さな分子を含むさらなる低分子層を備えており、
上記さらなる低分子層に含まれる上記小さな分子は、
上記さらなる低分子層が上記アノード接触部に隣接して配置され、上記低分子層が上記カソード接触部に隣接して配置されている場合には、Ｆｃ／Ｆｃ+（フェロセン／フェロセニウム酸化還元カップル）に対して最小−０．３Ｖの酸化還元電位を有する上記アクセプター分子であり、
上記さらなる低分子層が上記カソード接触部に隣接して配置され、上記低分子層が上記アノード接触部に隣接して配置されている場合には、Ｆｃ／Ｆｃ+（フェロセン／フェロセニウム酸化還元カップル）に対して最大−１．５Ｖの酸化還元電位を有する上記ドナー分子である、
ことを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
上記ドナー分子は、Ｆｃ／Ｆｃ+（フェロセン／フェロセニウム酸化還元カップル）に対して最大−２．０Ｖの酸化還元電位を有している、
ことを特徴とする、請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
上記アクセプター分子は、Ｆｃ／Ｆｃ+（フェロセン／フェロセニウム酸化還元カップル）に対して最小０Ｖの酸化還元電位を有している、
ことを特徴とする、請求項１から３までの何れか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
上記ドナー分子および／または上記アクセプター分子は、１００ｇ／ｍｏｌ〜２０００ｇ／ｍｏｌのモル質量を有している、
ことを特徴とする、請求項１から４までの何れか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
上記ドナー分子の少なくとも一部は、Ｗ２（Ｘｐｐ）４分子（テトラキス(1,2,3,3a,4,5,6,6a,7,8-デカヒドロ-1,9,9b-トリアザフェナレニル)二タングステン（II）である、
ことを特徴とする、請求項１から５までの何れか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
上記アクセプター分子の少なくとも一部は、Ｃｌ４ＤＣＮＱＩ分子（N.N'-ディシアノ-2,3,5,6-テトラクロロ-1,4-キノンジイミン）である、
ことを特徴とする、請求項１から６までの何れか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
上記低分子層および／または上記さらなる低分子層は、０．５ｎｍ〜２０ｎｍの層厚を有している、
ことを特徴とする、請求項１から７までの何れか１項に記載の発光装置。
【請求項９】
上記ポリマー層（４；２４）は、発光層および電荷担体輸送層である、
ことを特徴とする、請求項１から８までの何れか１項に記載の発光装置。
【請求項１０】
上記ポリマー層（４；２４）は、２０ｎｍ〜５００ｎｍの層厚を有している、
ことを特徴とする、請求項１から９までの何れか１項に記載の発光装置。
【請求項１１】
上記ポリマー層（４；２４）は、ポリフルオレン、ポリフェニレンビニレン、ポリスピロ、ポリチオフェン、およびポリパラフェニレンからなる群より選択されたポリマー材料からなる、
ことを特徴とする、請求項１から１０までの何れか１項に記載の発光装置。
【請求項１２】
上記低分子層（７）が上記カソード接触部（８）に隣接して配置されている場合には、上記アノード接触部（２）および上記ポリマー層（４）の間にポリマーホール注入層（３）が配置されている、
ことを特徴とする、請求項１から１１までの何れか１項に記載の発光装置。
【請求項１３】
上記ポリマーホール注入層（３）は、２０ｎｍ〜５００ｎｍの間の層厚を有している、
ことを特徴とする、請求項１２に記載の発光装置。
【請求項１４】
上記低分子層（７）が上記カソード接触部（８）に隣接して配置されている場合には、上記低分子層（７）および上記ポリマー層（４）の間に低分子有機電子輸送層（６）が配置されている、
ことを特徴とする、請求項１から１３までの何れか１項に記載の発光装置。
【請求項１５】
上記低分子有機電子輸送層（６）は、低分子供与型有機物質によって電気的にドープされた有機マトリックス材料を備えている、
ことを特徴とする、請求項１４に記載の発光装置。
【請求項１６】
上記低分子有機電子輸送層（６）は、１：１０００〜１：２の範囲のドーピング濃度（ドナー材料分子：マトリックス材料分子）を有している、
ことを特徴とする、請求項１５に記載の発光装置。
【請求項１７】
上記低分子供与型有機物質は、１００ｇ／ｍｏｌ〜２０００ｇ／ｍｏｌのモル質量を有している、
ことを特徴とする、請求項１５または１６に記載の発光装置。
【請求項１８】
上記低分子有機電子輸送層（６）は、１０ｎｍ〜５００ｎｍの層厚を有している、
ことを特徴とする、請求項１４から１７までの何れか１項に記載の発光装置。
【請求項１９】
上記低分子供与型有機物質はＷ２（Ｘｐｐ）４である、
ことを特徴とする、請求項１５から１８までの何れか１項に記載の発光装置。
【請求項２０】
上記低分子層（７）が上記カソード接触部（８）に隣接して配置されている場合には、上記低分子層（７）および上記ポリマー層（４）の間に低分子有機ブロック層（５）が配置されている、
ことを特徴とする、請求項１から１９までの何れか１項に記載の発光装置。
【請求項２１】
上記低分子有機ブロック層（５）は、２ｎｍ〜５０ｎｍの層厚を有している、
ことを特徴とする、請求項２０に記載の発光装置。
【請求項２２】
上記低分子層（２７）が上記アノード接触部（２８）に隣接して配置されている場合には、上記カソード接触部（２２）および上記ポリマー層（２４）の間にポリマー電子注入層（２３）が配置されている、
ことを特徴とする、請求項１から２１までの何れか１項に記載の発光装置。
【請求項２３】
上記ポリマー電子注入層（２３）は、２０ｎｍ〜５００ｎｍの層厚を有している、
ことを特徴とする、請求項２２に記載の発光装置。
【請求項２４】
上記低分子層（２７）が上記アノード接触部（２８）に隣接して配置されている場合には、上記低分子層（２７）および上記ポリマー層（２４）の間に低分子有機ホール輸送層（２６）が配置されている、
ことを特徴とする、請求項１から２３までの何れか１項に記載の発光装置。
【請求項２５】
上記低分子有機ホール輸送層（２６）は、低分子受容型有機物質によって電気的にドープされた有機マトリックス材料を備えている、
ことを特徴とする、請求項２４に記載の発光装置。
【請求項２６】
上記低分子有機ホール輸送層（２６）は、１：１０００〜１：２の範囲のドーピング濃度（受容体材料分子：マトリックス材料分子）を有している、
ことを特徴とする、請求項２５に記載の発光装置。
【請求項２７】
上記低分子受容型有機物質は、１００ｇ／ｍｏｌ〜２０００ｇ／ｍｏｌのモル質量を有している、
ことを特徴とする、請求項２５または２６に記載の発光装置。
【請求項２８】
上記低分子有機ホール輸送層（２６）は、１０ｎｍ〜５００ｎｍの層厚を有している、
ことを特徴とする、請求項２４から２７までの何れか１項に記載の発光装置。
【請求項２９】
上記低分子受容型有機物質はＣｌ４ＤＣＮＱＩである、
ことを特徴とする、請求項２５から２８までの何れか１項に記載の発光装置。
【請求項３０】
上記低分子層（２７）が上記アノード接触部（２８）に隣接して配置されている場合には、上記低分子層（２７）および上記ポリマー層（２４）の間にさらなる低分子有機ブロック層（２５）が配置されている、
ことを特徴とする、請求項１から２９までの何れか１項に記載の発光装置。
【請求項３１】
上記さらなる低分子有機ブロック層（２５）は、２ｎｍ〜５０ｎｍの層厚を有している、
ことを特徴とする、請求項３０に記載の発光装置。
【請求項３２】
上記複数の層は、上記発光層群において発生した光が上記基板から離れる方向に放射される頂上放射を引き起こす反転構造、上記発光層群において発生した光が上記基板を貫通して放射される下部放射を引き起こす反転構造、上記発光層群において発生した光が上記基板から離れる方向に放射される頂上放射を引き起こす非反転構造、および、上記発光層群において発生した光が上記基板を貫通して放射される下部放射を引き起こす非反転構造のいずれかの構造を有している、
ことを特徴とする、請求項１から３１までの何れか１項に記載の発光装置。
【請求項３３】
上記複数の層を積層する上記基板（１；２１）は透明である、
ことを特徴とする、請求項１から３２までの何れか１項に記載の発光装置。
【請求項３４】
上記アノード接触部（２；２８）または上記カソード接触部（２２；８）を用いて形成されている下部接触部および上部接触部は、１種類以上の金属、金属化合物および縮退半導体材料もしくは金属合金からなる、
ことを特徴とする、請求項１から３３までの何れか１項に記載の発光装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
本発明では、発光ダイオードに代表される、基板上に複数の層を積層してなる発光装置について説明する。上記複数の層は、電気的に接触するアノード接触部およびカソード接触部、ならびに、上記アノード接触部と上記カソード接触部との間に配置されている発光層群を備えている。上記発光層群は、ポリマー材料からなるポリマー層と、有機物質の分子であって、真空蒸着された小さな分子を含む低分子層と、を備えている。上記有機物質は、真空中で気化することによって蒸着可能であり、上記低分子層に含まれる上記小さな分子は、
上記低分子層が上記カソード接触部に隣接して配置されている場合には、Ｆｃ／Ｆｃ+（フェロセン／フェロセニウム酸化還元カップル）に対して最大約−１．５Ｖの酸化還元電位を有しているドナー分子であり、
上記低分子層が上記アノード接触部に隣接して配置されている場合には、Ｆｃ／Ｆｃ+（フェロセン／フェロセニウム酸化還元カップル）に対して最小約−０．３Ｖの酸化還元電位を有しているアクセプター分子である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
本発明のさらなる改良によれば、発光層群は、真空中で気化することによって蒸着可能な、有機物質とは異なる有機物質の分子であって、真空蒸着されている小さな分子を含むさらなる低分子層を備えている。また、上記さらなる低分子層に含まれる上記小さな分子は、
上記さらなる低分子層が上記アノード接触部に隣接して配置され、かつ上記低分子層が上記カソード接触部隣接して配置されている場合には、Ｆｃ／Ｆｃ+（フェロセン／フェロセニウム酸化還元カップル）に対して最小約−０．３Ｖの酸化還元電位を有するアクセプター分子であり、
上記さらなる低分子層が上記カソード接触部に隣接して配置され、かつ上記低分子層が上記アノード接触部に隣接して配置されている場合には、Ｆｃ／Ｆｃ+（フェロセン／フェロセニウム酸化還元カップル）に対して最大約−１．５Ｖの酸化還元電位を有するドナー分子である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
本発明の好ましい実施形態では、上記ドナー分子がＦｃ／Ｆｃ+（フェロセン／フェロセニウム酸化還元カップル）に対して最大約−２．０Ｖ、好ましくは最大約−２．２Ｖの酸化還元電位を有する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
本発明の好ましいさらなる改良によれば、上記アクセプター分子がＦｃ／Ｆｃ+（フェロセン／フェロセニウム酸化還元カップル）に対して最小約０Ｖ、好ましくは最小約０．２４Ｖの酸化還元電位を有する。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５５】
本発明のさらなる改良では、上記複数の層は、上記発光層群において発生した光が上記基板から離れる方向に放射される頂上放射を引き起こす反転構造、上記発光層群において発生した光が上記基板を貫通して放射される下部放射を引き起こす反転構造、上記発光層群において発生した光が上記基板とは逆方向に放射される頂上放射を引き起こす非反転構造、および、上記発光層群において発生した光が上記基板を貫通して放射される下部放射を引き起こす非反転構造のいずれかの構造を有している。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６７】
図１に示すように、低分子電子輸送層６上には、真空蒸着された小さな有機ドナー分子を備えた低分子層７が配置されている。ドナー分子は、Ｆｃ／Ｆｃ+（フェロセン／フェロセニウム酸化還元カップル）に対して−１．５Ｖの酸化還元電位を有している。他の実施形態では、酸化還元電位は、最大約−２．０Ｖまたは最大−２．２Ｖを有している。この酸化還元電位は、約３．３ｅＶ、約２．８ｅＶ、および２．６ｅＶより小さいドナー分子の最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）に対応する。ドナー分子のＨＯＭＯは、酸化還元電位のシクロボルタンメトリー測定によって決定される。意図的な実施形態において、もし、有機ドナー分子が低分子層７の形成中に前駆体から生成されるのであれば、ＨＯＭＯについての詳細は、この方法において最終的に生成されるドナー分子に起因する。ドナー分子の所定の性質に基づけば、ドナー分子（正電荷）は、カソード接触部８（図１参照）における反応および／または隣接する低分子電子輸送層６の有機分子の反応に起因してイオン化される。この方法により形成された空間電荷は、カソード接触部８から低分子電子輸送層６に電荷担体を注入することをサポートする。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６９】
発光装置１００の他の実施形態（不図示）において、例えばポリマーホール注入層３、低分子電子側ブロック層５、および／または低分子電子輸送層６といった発光層群１０における１つまたはいくつかの層は省かれてもよい。発光装置１００は、発光層群１０において生じさせた特別な光を、別の方法を用いて基板１から離れる方向に放射することもできる。この場合、アノード接触部２では発生させた光を反射し、カソード接触部８は透明である。さらなる実施形態では、カソード接触部８だけでなくアノード接触部２も透明であるため、（半）透明の発光装置が形成される。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８３】
図２に示すように、低分子ホール輸送層２６上には、有機物質のアクセプター分子からなる低分子有機層２７が配置されている。アクセプター分子は、Ｆｃ／Ｆｃ+（フェロセン／フェロセニウム酸化還元カップル）に対して、少なくとも約−０．３Ｖの酸化還元電位を有している。他の実施形態においては、酸化還元電位は、少なくとも約０Ｖであり、少なくとも約０．３Ｖであることが好ましい。この分子特性は、少なくとも４．５ｅＶ、好ましくは少なくとも約４．８ｅＶ、およびより好ましくは少なくとも５．１ｅＶのアクセプター分子の最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）に対応する。アクセプター分子のモル質量は、約１００ｇ／ｍｏｌ〜約２０００ｇ／ｍｏｌであり、約２００ｇ／ｍｏｌ〜約１０００ｇ／ｍｏｌの間であることが好ましい。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８６】
図２に示す実施形態の発光装置は、発光層群２０において発生させた光を基板２１から離れる方向に放射するようにも構成される。この実施形態では、カソード接触部２２において光を反射し、アノード接触部２８は例えば縮退半導体材料を使用することにより透明とする。また、アノード接触部２８だけでなく、カソード接触部２２も透明としてもよい。