Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月10日(2003.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学式[１]に示されるユニットを有することを特徴とするポリヒドロキシアルカノエート。
【化１】
2002327050.tif 000001
【請求項２】
化学式[１]に示されるユニット以外のユニットが、化学式[２]及び化学式[12]に示されるユニットの少なくとも一つを含む請求項１に記載のポリヒドロキシアルカノエート。
【化２】
2002327050.tif 000002
【請求項３】
前記ポリヒドロキシアルカノエートのモノマーユニットは、すべてＲ体であることを特徴とする請求項１または２に記載のポリヒドロキシアルカノエート。
【請求項４】
化学式[３]で示される化合物を含む培地中で微生物を培養することにより、化学式[１]に示されるユニットを有するポリヒドロアルカノエートを得る工程と、
培地中で培養した前記微生物から前記ポリヒドロキシアルカノエートを回収する工程を有することを特徴とするポリヒドロキシアルカノエートの製造方法。
【化３】
2002327050.tif 000003
【化４】
2002327050.tif 000004
【請求項５】
前記培地は、ペプチド類、有機酸、アミノ酸、糖類のうち少なくとも１種類を含む請求項４に記載のポリヒドロキシアルカノエートの製造方法。
【請求項６】
前記微生物がシュードモナス(Ｐseudoｍonas)属に属する微生物である請求項４または５に記載のポリヒドロキシアルカノエートの製造方法。
【請求項７】
前記微生物がシュードモナス・チコリアイ ＹＮ２株(Ｐseudoｍonas cichorii ＹＮ２；ＦＥＲＭ ＢＰ-7375)、シュードモナス・チコリアイ Ｈ45株(Ｐseudoｍonas cichorii Ｈ45；ＦＥＲＭ ＢＰ-7374)、及び、シュードモナス・ジェッセニイ Ｐ161株(Ｐseudoｍonas jessenii Ｐ161、ＦＥＲＭ ＢＰ-7376)から選ばれた何れか１つ以上の株である請求項６に記載のポリヒドロキシアルカノエートの製造方法。
【請求項８】
化学式[11]で示されるω-(２-チエニルスルファニル)アルカン酸。
【化６】
2002327050.tif 000005
(kは４から11の整数)
【請求項９】
化学式[４]で示される５-(２-チエニルスルファニル)吉草酸。
【化７】
2002327050.tif 000006
【請求項１０】
化学式[５]で示されるk=５である６-(２-チエニルスルファニル)ヘキサン酸。
【化８】
2002327050.tif 000007
【請求項１１】
化学式[11]で示されるω-(２-チエニルスルファニル)アルカン酸の製造方法であって、
ブロモアルカン酸、ブロモアルカン酸エステル誘導体、ブロモアルカノール、ジブロモアルカンおよびラクトンのいずれかと、チオフェン-２-チオールとを反応させる工程を有することを特徴とするω-(２-チエニルスルファニル)アルカン酸の製造方法。
【化９】
2002327050.tif 000008
(kは４から11の整数)
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月10日(2003.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリヒドロキシアルカノエート型のポリエステルであって、
下記化学式（１）：
【化１】
2002327048.tif 000001
（式中、ｎは、０〜７の範囲から任意に選ばれる１つ以上の整数である）
で示される３−ヒドロキシ−ω−（４−ビニルフェニル）アルカン酸ユニットを分子中に含み、その含有比率の総和は、１ユニット％以上であることを特徴とするポリエステル。
【請求項２】
化学式（１）で示される３−ヒドロキシ−ω−（４−ビニルフェニル）アルカン酸ユニット以外に、下記化学式（２）：
【化２】
2002327048.tif 000002
（式中、ｍは、０〜８の範囲から任意に選ばれる１つ以上の整数である）
で示される３−ヒドロキシ−アルカン酸ユニットを含むことを特徴とする請求項１に記載のポリエステル。
【請求項３】
下記化学式（４）：
【化４】
2002327048.tif 000003
（式中、ｐは、０〜７の範囲から任意に選ばれる１つ以上の整数である）
で示されるω−（４−ビニルフェニル）アルカン酸を含む培地中において、
化学式（４）で示されるω−（４−ビニルフェニル）アルカン酸から化学式（１）：
【化５】
2002327048.tif 000004
（式中、ｎは、０〜７の範囲から任意に選ばれる１つ以上の整数である）
で示される３−ヒドロキシ−ω−（４−ビニルフェニル）アルカン酸ユニットを分子中に含むポリエステルを生産する能力を有する微生物を培養する工程と、
前記微生物が産生する前記化学式（１）で示される３−ヒドロキシ−ω−（４−ビニルフェニル）アルカン酸ユニットを含むポリエステルを前記微生物から回収する工程とを有する
ことを特徴とするポリエステルの製造方法。
【請求項４】
前記微生物として、シュードモナス（Ｐｓｅｕｄｏｍｏｎａｓ）属に属する微生物を用いる
ことを特徴とする請求項３に記載のポリエステルの製造方法。
【請求項５】
前記微生物として、シュードモナス チコリアイ ＹＮ２株（Ｐｓｅｕｄｏｍｏｎａｓ ｃｉｃｈｏｒｉｉ ＹＮ２；ＦＥＲＭ ＢＰ−７３７５）、シュードモナス チコリアイ Ｈ４５株（Ｐｓｅｕｄｏｍｏｎａｓ ｃｉｃｈｏｒｉｉ Ｈ４５、ＦＥＲＭ ＢＰ−７３７４）、シュードモナス・ジェッセニイ  Ｐ１６１株（Ｐｓｅｕｄｏｍｏｎａｓ ｊｅｓｓｅｎｉｉ Ｐ１６１;ＦＥＲＭ ＢＰ−７３７６）、シュードモナス プチダ  Ｐ９１株（Ｐｓｅｕｄｏｍｏｎａｓ ｐｕｔｉｄａ Ｐ９１;ＦＥＲＭ ＢＰ−７３７３）のいずれが１つ以上の株を用いる
ことを特徴とする請求項４に記載のポリエステルの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月9日(2004.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の表面内に配設された、素子領域を分離する素子分離絶縁膜と、
前記素子領域の前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して配設されたゲート電極と、
前記ゲート電極の下の領域を挟むように前記半導体基板の表面内に形成された１対のソース／ドレイン領域と、
前記ソース／ドレイン領域の表面上に配設され、且つ前記素子分離絶縁膜上まで延在し、且つ前記半導体基板の表面より上方に位置する上面を有する、シリサイド膜と、
前記素子分離絶縁膜上と前記シリサイド膜上とに配設された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜を貫通素子して前記シリサイド膜に達し、且つ一端及び他端が前記シリサイド膜上及び前記分離絶縁膜上にそれぞれ位置し、且つ底部で且つ前記素子分離絶縁膜の上部において一端が前記シリサイド膜の端部と接する溝部を有する、コンタクトホールと、
前記コンタクトホールの内部に配設された配線層と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記溝部は、前記コンタクトホールの他端と共通の端部を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ソース／ドレイン領域のそれぞれの端部が前記素子分離絶縁膜と接することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体基板の表面内に、素子領域を分離する素子分離絶縁膜を形成する工程と、
前記素子領域の前記半導体基板の表面内に、１対のソース／ドレイン領域を形成する工程と、
前記ソース／ドレイン領域の相互間の前記半導体基板上に、ゲート絶縁膜及びゲート電極を具備するゲート構造を形成する工程と、
前記ソース／ドレイン領域上から前記素子分離絶縁膜上まで延在するようにシリサイド膜を形成する工程と、
前記素子分離絶縁膜上と前記シリサイド膜上とに層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜を選択的にエッチングすることにより、底面が前記シリサイド膜に達し且つ一端及び他端が前記シリサイド膜上及び前記素子分離絶縁膜上にそれぞれ位置するコンタクトホールを形成するとともに、前記素子分離絶縁膜の上部において一端が前記シリサイド膜の端部と接する溝部を形成する工程と、
前記コンタクトホールを導電膜で埋め込む工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記シリサイド膜を形成する工程は、
前記ソース／ドレイン領域上に、前記ゲート構造の端部から前記素子分離絶縁膜上まで延在するようにシリコン膜を形成する工程と、
前記シリコン膜の一部をシリサイド化する工程と、
を具備することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月9日(2003.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報管理装置、画像形成装置、情報提供方法及び情報を提供するためのプログラム


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の制御部から構成される装置本体に関する情報を示すデータを、要求に応じて、外部装置に提供する情報管理装置であって、
要求されたデータが、装置本体に依存するものであるか否かを判定する判定手段と、
要求されたデータが装置本体に依存する場合、複数の制御部のうちのいずれに依存するかを判定する制御部判定手段と、
要求されたデータが装置本体に依存する場合、前記制御部判定手段により判定された制御部から、要求されたデータを取得し、要求されたデータが装置本体に依存しない場合、前記情報管理装置内の格納部から、要求されたデータを取得する取得手段とを有することを特徴とする情報管理装置。
【請求項２】
前記取得手段は、要求されたデータが装置本体に依存する場合、前記制御部判定手段により判定された制御部に、データの要求を送信して、データを取得することを特徴とする請求項１に記載の情報管理装置。
【請求項３】
前記判定手段は、要求されたデータを識別する識別情報に基づいて、要求されたデータが装置本体に依存するものであるか否かを判定することを特徴とする請求項１或いは２に記載の情報管理装置。
【請求項４】
前記識別情報は、データを示すＵＲＬであることを特徴とする請求項３に記載の情報管理装置。
【請求項５】
前記装置本体に依存するデータを識別する識別情報を保持する保持手段を有し、
前記判定手段は、前記保持手段により保持された識別情報に基づいて、要求されたデータが装置本体に依存するものであるか否かを判定することを特徴とする請求項１或いは２に記載の情報管理装置。
【請求項６】
前記装置本体に依存しないデータを識別する識別情報を保持する保持手段を有し、
前記判定手段は、前記保持手段により保持された識別情報に基づいて、要求されたデータが装置本体に依存するものであるか否かを判定することを特徴とする請求項１或いは２に記載の情報管理装置。
【請求項７】
前記装置本体に関する情報を示すデータを、ＨＴＴＰを用いて提供する提供手段を有し、
前記装置本体に関する情報を示すデータは、ＨＴＭＬで記述されたデータ、または画像データであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の情報管理装置。
【請求項８】
装置本体に関する情報は、装置本体に装着される給紙装置に関する情報、または装置本体に装着される排紙装置に関する情報、または装置本体に装着されるオプション装置に関する情報、装置本体の給紙或いは排紙に関する情報であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の情報管理装置。
【請求項９】
装置本体に関する情報を示すデータは、前記外部装置のブラウザによって表示処理されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の情報管理装置。
【請求項１０】
前記情報管理装置は、印刷装置に接続可能なネットワークボードであることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の情報管理装置。
【請求項１１】
複数の制御部と、ネットワークとの間の通信を制御する通信制御部とから構成される画像形成装置であって、
装置本体に関する情報を示すデータを、要求に応じて、外部装置に提供する提供手段と、
要求されたデータが、装置本体に依存するものであるか否かを判定する判定手段と、
要求されたデータが装置本体に依存する場合、複数の制御部のうちのいずれに依存するかを判定する制御部判定手段と、
要求されたデータが装置本体に依存する場合、前記制御部判定手段により判定された制御部から、要求されたデータを取得し、要求されたデータが装置本体に依存しない場合、前記通信制御部から、要求されたデータを取得する取得手段とを有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項１２】
複数の制御部から構成される装置本体に関する情報を提供する情報提供方法であって、
外部装置から要求された、装置本体に関する情報を示すデータが、装置本体に依存するものであるか否かを判定し、
要求されたデータが装置本体に依存する場合、複数の制御部のうちのいずれに依存するかを判定し、
要求されたデータが装置本体に依存する場合、判定された制御部から、要求されたデータを取得し、要求されたデータが装置本体に依存しない場合、装置本体に接続される通信制御部から、要求されたデータを取得し、
取得されたデータを外部装置に提供することを特徴とする情報提供方法。
【請求項１３】
複数の制御部から構成される装置本体に関する情報を提供するためのプログラムであって、
外部装置から要求された、装置本体に関する情報を示すデータが、装置本体に依存するものであるか否かを判定する判定ステップと、
要求されたデータが装置本体に依存する場合、複数の制御部のうちのいずれに依存するかを判定する制御部判定ステップと、
要求されたデータが装置本体に依存する場合、前記制御部判定ステップにより判定された制御部から、要求されたデータを取得し、要求されたデータが装置本体に依存しない場合、前記情報管理装置内から、要求されたデータを取得する取得ステップと、
前記取得ステップにより取得されたデータを、外部装置に提供する提供ステップとをコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月25日(2003.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方が透明な一対の基板と、該一対の基板間に挾持された液晶層と、前記一対の基板の一方の基板に複数の行配線と該複数の行配線に交差して配置された複数の列配線と、複数の共通配線を有し、前記複数の行配線と複数の列配線の交差部付近に第１のアクティブ素子を有し、該第１のアクティブ素子を通じてマトリクス状に配置された画素に画像データに応じた電圧を書込む液晶表示装置において、
前記画素内に第２のアクティブ素子，第１の画素電極、及び第２の画素電極を設け、前記第１のアクティブ素子の一端子を前記第１の画素電極に、他の端子を列配線に接続し、前記第２のアクティブ素子の一端子を前記第２の画素電極に、他の端子を前記共通配線または前記画素電極の書込みに関与しない行配線に接続するとともに、液晶への電圧書込み期間には前記第１および第２のアクティブ素子を導通状態とし、保持期間においては前記第１および第２のアクティブ素子を高抵抗状態とするとともに、画素に隣接する列配線のそれぞれについて、前記列配線と前記第１の画素電極間の容量と、前記列配線と前記第２の画素電極間の容量を等しくしたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
少なくとも一方が透明な一対の基板と、該一対の基板間に挾持された液晶層と、前記一対の基板の一方の基板に複数の行配線と該複数の行配線に交差して配置された複数の列配線と、複数の共通配線を有し、前記複数の行配線と複数の列配線の交差部付近に第１のアクティブ素子を有し、該第１のアクティブ素子を通じてマトリクス状に配置された画素に画像データに応じた電圧を書込む液晶表示装置において、
前記画素内に第２のアクティブ素子，第１の画素電極、及び第２の画素電極を設け、前記第１のアクティブ素子の一端子を前記第１の画素電極に、他の端子を列配線に接続し、前記第２のアクティブ素子の一端子を前記第２の画素電極に、他の端子を前記共通配線に接続するとともに、液晶への電圧書込み期間には前記第１および第２のアクティブ素子を導通状態とし、保持期間においては該第１および第２のアクティブ素子を高抵抗状態とするとともに、前記画素の列方向の中央付近に前記第１の画素電極と前記第２の画素電極による絶縁膜を介した重畳部を設けるとともに、該重畳部を中心として、前記第１の画素電極と前記第２の画素電極を列方向に線対称の関係をなす形状に形成したことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項２の液晶表示装置において、
前記第１の画素電極と前記第２の画素電極による重畳部に保持容量を形成したことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の液晶表示装置において、
前記共通配線を前記行配線にほぼ平行に配置すると共にこの共通配線の一部に突起状のシールド電極を設け、該シールド電極が該列配線を挟むか、前記列配線と前記第１および第２の画素電極との間に位置するか、あるいは、覆うように配置したことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１から３にいずれか一項に記載の液晶表示装置において、
前記共通配線は、メッシュ状に配置していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１から３いずれか一項に記載の液晶表示装置において、
前記共通配線を前記列配線に平行に配置したことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
少なくとも一方が透明な一対の基板と、該一対の基板間に挾持された液晶層と、前記一対の基板の一方の基板に複数の行配線と複数の列配線を配置し、該複数の行配線と複数の列配線の交差部に対応して画素を配置した液晶表示装置において、
該画素内に第１の画素電極と第２の画素電極を設け、該画素内に第１のアクティブ素子を配置し、その出力端子を該第１の画素電極と画素に隣接する一方の列配線に接続し、該画素内に第２のアクティブ素子を配置し、その出力を該第２の画素電極と隣接する他方の列配線に接続するとともに、液晶への電圧書込み期間には該第１および第２のアクティブ素子を導通状態とし、保持期間においては該第１および第２のアクティブ素子を高抵抗状態し、隣接する列配線の差電圧を液晶に印加することにより画像を表示するとともに、
画素に隣接する列配線のそれぞれについて、該列配線と第１の画素電極間の容量と、該列配線と第２の画素電極間の容量を等しくしたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
少なくとも一方が透明な一対の基板と、該一対の基板間に挾持された液晶層と、前記一対の基板の一方の基板に複数の行配線と複数の列配線を配置し、該複数の行配線と複数の列配線の交差部に対応して画素を配置した液晶表示装置において、
該画素内に第１の画素電極と第２の画素電極を設け、該画素内に第１のアクティブ素子を配置し、その出力端子を該第１の画素電極と画素に隣接する一方の列配線に接続し、該画素内に第２のアクティブ素子を配置し、その出力を該第２の画素電極と隣接する他方の列配線に接続するとともに、液晶への電圧書込み期間には該第１および第２のアクティブ素子を導通状態とし、保持期間においては該第１および第２のアクティブ素子を高抵抗状態し、隣接する列配線の差電圧を液晶に印加することにより画像を表示するとともに、該画素の列方向の中央付近に該第１の画素電極と該第２の画素電極による絶縁膜を介した重畳部を設けるとともに、該重畳部を中心として、該第１の画素電極と該第２の画素電極を列方向に線対称の関係をなす形状に形成したことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項８の液晶表示装置において、
前記第１の画素電極と前記第２の画素電極による重畳部に保持容量を形成したことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項８の液晶表示装置において、
１行を構成する画素を複数の画素群に分割し、１行に対し、この分割数に等しい行配線をもうけ、各行配線がそれぞれ所定の画素群の書込みを制御することを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月3日(2003.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
この合成樹脂をも含有させる場合、本発明のフレネルレンズ用活性エネルギー線硬化型樹脂組成物の合計１００重量部に、通常１〜３０重量部含有させるのが好ましい。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレートもしくはＮ，Ｎ−ジエチルアミノプロピル（メタ）アクリレート等のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノアルキル（メタ）アクリレート、Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニルカプロラクトン、アクリロイルモルホリン；
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月15日(2003.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
原料には五酸化ニオブ粉末（平均粒径３．５μｍ）を５００ｇ挿入し、還元金属３には、マグネシウム（宇部興産社製、塊状、純度９９．９７％以上）を酸化物粉末に対して１．０モル当量使用した。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月22日(2004.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記温度差付与手段は、絶縁膜と配線が露出する基板の表面に光を照射して前記配線の表面と前記絶縁膜の表面に温度差を設ける光照射装置を有することを特徴とする請求項５記載の無電解めっき装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項５に記載の発明は、基板を着脱自在に保持して該基板の表面を無電解めっき液に接触させる基板保持部と、前記基板保持部で保持し前記無電解めっき液に接触させる基板の表面の無電解めっき反応界面に温度差を設ける温度差付与手段とを有することを特徴とする無電解めっき装置である。
請求項６に記載の発明は、前記温度差付与手段は、色調差を付与した基板の表面に光を照射する光照射装置を有することを特徴とする請求項５記載の無電解めっき装置である。
請求項７に記載の発明は、前記温度差付与手段は、絶縁膜と配線が露出する基板の表面に光を照射して前記配線の表面と前記絶縁膜の表面に温度差を設ける光照射装置を有することを特徴とする請求項５記載の無電解めっき装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月22日(2004.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
弾性の有るホットメルトが使用されている請求項１記載の間仕切り用パネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
従来、例えば、キッチン、トイレ、オフィス等の間仕切り構造は床に固定した幅木とこれに間仕切りパネルを組み立てたものが採用されていた。これらの間仕切りのなかでもトイレ、キッチン等の水廻りの場所に使用されるものでは清掃時に水を使用するために幅木と間仕切り用パネルの防水性が求められる。ところで間仕切り用パネルには化粧合板、化粧ボード等の木質のパネルも広く使用されおり、このような木質のパネルにおいてはパネルの端面を防水構造とする必要があつた。防水構造とするための一方法として間仕切り用パネルの端面にシリコーンシーリング材を塗布したのち、幅木の溝に間仕切り用パネルを差し込んで組み立てる方法が採用されていた。この方法では防水性が得られるものの、シリコーンシーリング材が硬化して幅木と間仕切り用パネルが一体に接合してしまうため、部屋の模様替え或いは移設等の際に間仕切り用パネルと幅木とを分離することができなかった。このため止むを得ずに既存の間仕切りを壊し、新規に新しい間仕切り部材を調達して施工する必要があり、部材の購入や施工などにムダが発生していた。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
床（６）上に間仕切りを施工するには、該幅木（８）をビス孔（８ｂ）からビス（７）を床（６）に打ち込み、幅木（８）を固定するとともに、幅木（８）の溝Ｕ溝（８ａ）にホットメルト（５）の塗布された該パネル（１）の下端部を差し込み、間仕切り用パネル（１）同志を略Ｈ状のジョイナー（９）を介して、幅木（８）上に連接して組み付けられる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
ベースポリマーとしては、エチレン・酢酸ビニル共重合体、酢酸ビニル・アクリル酸エステル共重合体、スチレン系ブロックポリマー、具体的にはスチレン−イソプレン−スチレン系ブロックポリマー、スチレン−ブタジエン−スチレン系ブロックポリマー、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン系ブロックポリマー、スチレン−エチレン−プロピレン−スチレン系ブロックポリマー等がある。これらのなかでもイソプレン、ブタジエン等のゴム弾性を与える成分を含むペースポリマーが使用されるとホットメルトに適度の弾性が得られ、ホットメルトの弾性を利用して、パネルの上部を押さえることによりホットメルトの塗布厚みのむらを吸収させたり、パネルの高さ調整を簡単に実施できるメリットが得られる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【発明の効果】
本発明になる間仕切りパネルは下端面に防水性のホットメルトが塗布されているため、トイレ、キッチン等の水を使用した清掃が行われる水廻りの場所に使用されても安心して利用できる。  しかも、従来、このようなパネルの防水にシリコーンシーリング材を塗布していた場合には幅木と間仕切りパネルが一体に接合してしまうため、移設、改修等の際に分解して再組立が実質できなかったが、本発明になる間仕切り構造ではホットメルトが接続面から分離できる状態に組み立てられているため、取り外して移設したり、改修したりすることが簡単に実施できる。更に弾性のあるホットメルトが使用されていれば、ホットメルトの弾性を利用してホットメルトの塗布厚みの不均一性やパネルの高さ調整等を容易に行えるため、間仕切りの組立施工を容易に実施できる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月29日(2004.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部部材と連結される第１軸と、
該第１軸と同心の円周上に配置され、該第１軸と連動して回転する複数の振り分け軸と、
該複数の振り分け軸上にそれぞれ設けられた偏心体と、
該偏心体に嵌合されることにより、前記第１軸に対して偏心回転可能とされた外歯歯車と、
前記第１軸と同心に組み込まれ、前記外歯歯車が該第１軸に対して偏心回転しながら内接噛合する内歯歯車と、
前記複数の振り分け軸と連結された第２軸と、
を備えた内接噛合遊星歯車構造において、
前記第１軸に設けられた太陽ローラと、
前記複数の振り分け軸のそれぞれに設けられ、該太陽ローラと各々外接する複数の遊星ローラと、
前記太陽ローラの直径と遊星ローラの直径の２倍との和よりやや小さい内径を有し、前記遊星ローラが内接するようにして組み込まれた与圧リングと、
を備えたことを特徴とする内接噛合遊星歯車構造。
【請求項２】
請求項１において、
前記与圧リングが、各遊星ローラの外側で自由に回転可能とされている
ことを特徴とする内接噛合遊星歯車構造。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記遊星ローラが、前記複数の各振り分け軸に、スプラインを介して設けられている
ことを特徴とする内接噛合遊星歯車構造。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月26日(2003.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ターボ分子ポンプ及び同ターボ分子ポンプを有する真空容器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロータ室と、同ロータ室内に設けられた静翼と、前記ロータ室内に回転可能に支持されたロータシャフト及び動翼を有するロータと、前記ロータシャフトを高速回転させる前記ロータ室内に設けられたモータとを備えてなり、同モータにより前記ロータシャフトを介して前記動翼を高速回転させることで真空容器内のガス分子を吸気側から排気側へ排気するターボ分子ポンプにおいて、前記ロータ室内に設けられ前記動翼の温度を検出する手段と、検出された前記動翼の温度が設定値を越えた場合に前記ロータの停止及び警報発生の少くともいづれか一方を行う手段を備えてなることを特徴とするターボ分子ポンプ。
【請求項２】
前記動翼の温度を検出する手段が変位センサを有し、同変位センサにより前記動翼の温度膨張を検出し、検出された変位量から前記動翼の温度を演算するように構成してなる請求項１記載のターボ分子ポンプ。
【請求項３】
ロータ室と、同ロータ室内に設けられた静翼と、前記ロータ室内に回転可能に支持されたロータシャフト及び動翼を有するロータと、前記ロータシャフトを高速回転させる前記ロータ室内に設けられたモータとを備えてなり、同モータにより前記ロータシャフトを介して前記動翼を高速回転させることで真空容器内のガス分子を吸気側から排気側へ排気するターボ分子ポンプを有する真空容器において、前記ロータ室内に設けられ前記動翼の温度を検出する手段と、検出された前記動翼の温度が設定値を越えた場合に前記ロータの停止及び警報発生の少くともいづれか一方を行う手段を備えたターボ分子ポンプを有することを特徴とする真空容器。
【請求項４】
前記動翼の温度を検出する手段が変位センサを有し、同変位センサにより前記動翼の温度膨張を検出し、検出された変位量から前記動翼の温度を演算するように構成してなる請求項３記載の真空容器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明はいかなるガス条件（ガス種，流量，温度等）、環境条件（環境温度，冷却条件）においても動翼の温度を的確に計測し、許容動翼温度以上になれば動翼のクリープ破壊を防止するようターボ分子ポンプの運転を停止できる保護機能をもつターボ分子ポンプ及び同ターボ分子ポンプを有する真空容器を提供することを課題としている。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明によるターボ分子ポンプでは、動翼の温度を検出する手段をロータ室内に設けることにより、動翼の温度が上昇して材料強度的に危険な状態になったことを的確に検出し、モータを減速モードへ切り替え運転を停止させたり警報を発生させることとしたので、いかなるガス条件（ガス種，流量，温度等）、環境条件（環境温度，冷却条件）に対しても動翼のクリープ破壊を事前に防止できる。また、本発明によれば、前記した特徴をもつターボ分子ポンプを有する真空容器が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
【発明の効果】
本発明は、ターボ分子ポンプにおいて、動翼の温度を検出する機構をロータ室内に設け、動翼の温度が上昇することにより材料強度的に危険な状態になることを的確に検出し、ロータを駆動回転するモータを減速モードへ切り替え運転を停止させたり警報を発生させることとしたので、いかなるガス条件（ガス種，流量，温度等）、環境条件（環境温度，冷却条件）に対しても動翼のクリープ破壊を事前に防止でき、ターボ分子ポンプの破壊に対する安全に関する信頼性が向上する効果を奏した。
また、本発明によれば、前記した効果をもつターボ分子ポンプを有する真空容器が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月29日(2003.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器内に正極、負極、および非水電解液が充填されてなるリチウム二次電池であって、該非水電解液が、非水溶媒とリチウム塩とを含む非水電解液であって、さらに下記一般式（１）：
2003017117.tif 000001
［Ｒ11は、総炭素数６乃至２４の置換もしくは無置換のアリール基を表わし；
Ｒ12は、総炭素数１乃至２４の置換もしくは無置換のアルキル基、総炭素数２乃至２４の置換もしくは無置換のアルケニル基、総炭素数２乃至２４の置換もしくは無置換のアルキニル基、総炭素数７乃至２４の置換もしくは無置換のアラルキル基、総炭素数６乃至２４の置換もしくは無置換のアリール基、あるいは総炭素数３乃至２４の置換もしくは無置換の複素環残基を表わす；そして
Ｒ13は、水素原子、総炭素数１乃至２４の置換もしくは無置換のアルキル基、総炭素数２乃至２４の置換もしくは無置換のアルケニル基、総炭素数２乃至２４の置換もしくは無置換のアルキニル基、総炭素数７乃至２４の置換もしくは無置換のアラルキル基、あるいは総炭素数３乃至２４の置換もしくは無置換の複素環残基を表わす、
但し、Ｒ11とＲ12またはＲ12とＲ13とは互いに結合して環を形成している］
で表わされる化合物を非水電解液１ｋｇあたり１ｇ以上、５０ｇ以下の量にて含有し、かつ該容器にヒューズ、バイメタル、およびＰＴＣ素子からなる群より選ばれる少なくとも一種の過電流防止素子が備えられていることを特徴とするリチウム二次電池。
【請求項２】
一般式（１）のＲ12が、総炭素数１乃至２４の置換もしくは無置換のアルキル基、総炭素数２乃至２４の置換もしくは無置換のアルケニル基、あるいは総炭素数２乃至２４の置換もしくは無置換のアルキニル基である、請求項１に記載のリチウム二次電池。
【請求項３】
一般式（１）のＲ12が、総炭素数１乃至２４の置換もしくは無置換のアルキル基であって、Ｒ13が、水素原子、総炭素数１乃至２４の置換もしくは無置換のアルキル基である、請求項２に記載のリチウム二次電池。
【請求項４】
一般式（１）の化合物が下記化合物のうちのいずれかである請求項１に記載のリチウム二次電池：
１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン、
９，１０−ジヒドロアントラセン、
インダン、
インデン、
９，１０−ジヒドロフェナントレン、
アセナフテン、
シクロヘキシルベンゼン、
１，２−ジヒドロナフタレン、
ドデカヒドロトリフェニレン、
１−フェニル−３，４−ジヒドロナフタレン、
フルオレン。
【請求項５】
該非水溶媒が、環状カーボネートと非環状カーボネートとの混合物である請求項１乃至４のうちのいずれかの項に記載のリチウム二次電池。
【請求項６】
一般式（１）の化合物が、非水電解液１ｋｇあたり１ｇ以上、２０ｇ以下の量にて含有されている請求項１乃至５のうちのいずれかの項に記載のリチウム二次電池。
【請求項７】
ヒューズ、バイメタル、およびＰＴＣ素子からなる群より選ばれる少なくとも一種の過電流防止素子を備えた容器内に、正極、負極、および非水電解液を充填して、リチウム二次電池を製造するために用いる、非水溶媒とリチウム塩とを含む非水電解液であって、該非水電解液がさらに下記一般式（１）：
2003017117.tif 000002
［Ｒ11は、総炭素数６乃至２４の置換もしくは無置換のアリール基を表わし；
Ｒ12は、総炭素数１乃至２４の置換もしくは無置換のアルキル基、総炭素数２乃至２４の置換もしくは無置換のアルケニル基、総炭素数２乃至２４の置換もしくは無置換のアルキニル基、総炭素数７乃至２４の置換もしくは無置換のアラルキル基、総炭素数６乃至２４の置換もしくは無置換のアリール基、あるいは総炭素数３乃至２４の置換もしくは無置換の複素環残基を表わす；そして
Ｒ13は、水素原子、総炭素数１乃至２４の置換もしくは無置換のアルキル基、総炭素数２乃至２４の置換もしくは無置換のアルケニル基、総炭素数２乃至２４の置換もしくは無置換のアルキニル基、総炭素数７乃至２４の置換もしくは無置換のアラルキル基、あるいは総炭素数３乃至２４の置換もしくは無置換の複素環残基を表わす、
但し、Ｒ11とＲ12またはＲ12とＲ13とは互いに結合して環を形成している］
で表わされる化合物を含有することを特徴とする非水電解液。
【請求項８】
一般式（１）の化合物が下記化合物のうちのいずれかである請求項７に記載の非水電解液：
１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン、
９，１０−ジヒドロアントラセン、
インダン、
インデン、
９，１０−ジヒドロフェナントレン、
アセナフテン、
シクロヘキシルベンゼン、
１，２−ジヒドロナフタレン、
ドデカヒドロトリフェニレン、
１−フェニル−３，４−ジヒドロナフタレン、
フルオレン。
【請求項９】
非水溶媒が、環状カーボネートと非環状カーボネートとの混合物である請求項７に記載の非水電解液。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月3日(2003.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の製造方法では、このようにして銅配線パターンを形成した後、該銅配線パターンの各配線が電気的に接続しないように前記第一下地膜及び第二下地膜を除去するが、これら膜の除去方法は特に限定されず、銅配線パターンの上面にレジスト１４０ｂを用いて保護膜１５０ｂを形成した｛工程（７）〜（８）｝後、過硫酸ナトリウム水溶液、弗硝酸水溶液等を用いてエッチングを行ない｛工程（９）｝、さらにレジスト剥離により保護膜１５０ｂを除去する｛工程（１０）｝ことにより好適に行なうことができる。なお、本発明の製造方法においては、第二下地層と銅配線パターンとの間の密着強度をより高くするために表面に銅配線パターンが形成された基体を２００〜６００℃、特に２５０〜４５０℃で非酸化性雰囲気下に熱処理するのが好適である。該熱処理は銅配線パターン形成後であればいつ行なってもよいが、上記エッチング処理時にメッキ銅膜が剥離したりするのが防止できるという観点から、前記第一下地膜及び第二下地膜を除去する前に行なうのが好適である。なお、ここで非酸化性雰囲気下とは、酸素を含有しない雰囲気下の意であり、具体的には、真空下、又は窒素等の不活性ガス、水素等の還元性ガス、或いはこれらの混合ガスの中を意味する。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月8日(2003.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工基板を準備する工程と、
前記基板の表面を、加工液を供給しながら砥粒を含む砥石に押しつけて相対運動させることにより加工する工程とを有する加工方法であって、
前記砥石は、前記基板表面の材料よりも硬い物質の含有量が１０ｐｐｍ以下であり、前記砥粒は、短径に対する長径の比が３以上のものを含み、前記砥粒のかさ密度は、１ｇ／ｃｍ3以下であり、前記砥石の平均気孔径は、０．２μｍ以下であることを特徴とする加工方法。
【請求項２】
前記加工液は純水であることを特徴とする請求項１記載の加工方法。
【請求項３】
前記加工液は酸性であることを特徴とする請求項１記載の加工方法。
【請求項４】
前記加工液はアルカリ性であることを特徴とする請求項１記載の加工方法。
【請求項５】
前記基板を前記砥石に押しつける力は、２００−５００ｇ／ｃｍ2の範囲であることを特徴とする請求項１記載の加工方法。
【請求項６】
前記相対運動は回転であり、回転数は２０−１００ｒｐｍの範囲であることを特徴とする請求項１記載の加工方法。
【請求項７】
前記砥粒おける、短径に対する長径の比が３以上のものの割合は１０ｗｔ％以上であることを特徴とする請求項１記載の加工方法。
【請求項８】
前記砥石中に含まれる最大気孔径は０．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の加工方法。
【請求項９】
前記砥石中に含まれる０．５μｍ以上の気孔径を有する気孔の割合は１０ｖｏｌ％以下であることを特徴とする請求項８記載の加工方法。
【請求項１０】
薄膜が形成された半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板を、加工液を供給しながら酸化セリウム砥粒を含む砥石に押しつけて相対運動させることにより、前記薄膜の表面を加工する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記砥石は、ランタンの含有量が１０ｐｐｍ以下であり、かつ前記砥粒は、短径に対する長径の比が３以上であり、前記砥粒のかさ密度は、１ｇ／ｃｍ3以下であり、前記砥石の平均気孔径は０．２μｍ以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記砥石中に含まれる最大気孔径は０．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記砥石中に含まれる０．５μｍ以上の気孔径を有する気孔の割合は１０ｖｏｌ％以下であることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
絶縁膜が形成された半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板を、加工液を供給しながら酸化セリウム砥粒を含む砥石に押しつけて相対運動させることにより前記絶縁膜を加工する工程と、その後前記半導体基板を洗浄及び乾燥する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記砥石は、ランタンの含有量が１０ｐｐｍ以下であり、かつ前記砥粒は、短径に対する長径の比が３以上であり、前記砥粒のかさ密度は、１ｇ／ｃｍ3以下であり、前記砥石の平均気孔径は０．２μｍ以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記絶縁膜はシリコン酸化膜であることを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記砥粒の平均粒径は０．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記砥粒の最大粒径は１μｍ以下であることを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記砥石は、砥粒の結合材として樹脂を含むことを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記加工は、前記砥石表面のコンディショニングの後に行うことを特徴とする請求項１９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記絶縁膜を加工する工程は、前記砥石表面にブラシをかける処理を含むことを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記絶縁膜を加工する工程は、前記砥石表面に超音波を印加する処理を含むことを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
前記半導体基板表面には凹凸が形成されていることを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
金属膜が形成された半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板を、加工液を供給しながらシリコンカーバイト、アルミナ或いはチタニアの砥粒を含む砥石に押しつけて相対運動させることにより前記金属膜を加工する工程と、その後前記半導体基板を洗浄及び乾燥する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記砥石は、前記金属膜の材料よりも硬い物質の含有量が１０ｐｐｍ以下であり、かつ前記砥粒は、短径に対する長径の比が３以上であり、前記砥粒のかさ密度は１ｇ／ｃｍ3以下であり、前記砥石の平均気孔径は０．２μｍ以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
前記加工液は酸性であることを特徴とする請求項２２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
前記金属膜はアルミニウム、銅或いはタングステンからなることを特徴とする請求項２２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
前記加工は、前記砥石表面のコンディショニングの後に行うことを特徴とする請求項２２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
前記半導体基板表面には凹凸が形成されていることを特徴とする請求項２２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２７】
絶縁膜が形成された半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板を、加工液を供給しながらマンガン酸化物砥粒を含む砥石に押しつけて相対運動させることにより前記絶縁膜を加工する工程と、その後前記半導体基板を洗浄及び乾燥する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記砥石は、前記絶縁膜の材料よりも硬い物質の含有量が１０ｐｐｍ以下であり、かつ前記砥粒は、短径に対する長径の比が３以上であり、前記砥粒のかさ密度は１ｇ／ｃｍ3以下であり、前記砥石の平均気孔径は０．２μｍ以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月20日(2003.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２本の光ビームで１つの画素を記録する多重露光方式により、感材に画像を記録する画像記録装置であって、
光ビームを発生するための複数の発光素子を備えた露光ヘッドと、
上記露光ヘッドからの光ビームの照射位置に対して感材を相対的に移動させる移動手段と、
上記露光ヘッドからの光ビームが感材上に形成する複数個のビームスポットが感材の相対的な移動方向とほぼ直交する方向に１列に並び、かつ互いに隣接するビームスポット間で部分的に重なり合うように、各発光素子の発光タイミングを制御するタイミング制御手段とを含むことを特徴とする画像記録装置。
【請求項２】
１つの画素を記録するビームスポットの数に応じて、画素の形状がほぼ正方形となるように上記複数の発光素子の点灯時間を調整する発光時間調整手段をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の画像記録装置。
【請求項３】
上記露光ヘッドに備えられた複数の発光素子は、互いに隣接する発光素子間で所定間隔ずつ離れて直線状に配列されており、
上記露光ヘッドは、上記複数の発光素子の配列方向が副走査方向に対して所定角度で傾斜するように配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の画像記録装置。
【請求項４】
複数のビームスポットの照射により感材上に露光を行って、その感材に画像を記録する画像記録装置であって、
複数のビームスポットを、互いに直交する行方向および列方向に並べて行列状に配置され、かつ、各々が重なり合わない状態に形成可能な露光ヘッドと、
この露光ヘッドを固定して取り付けるためのヘッドホルダと、
上記露光ヘッドが取り付けられたヘッドホルダと感材とを相対的に移動させて、複数のビームスポットにより感材を露光走査するための移動手段と
を含み、
感材上に行列状に形成されるビームスポットの列方向が上記移動手段による上記ヘッドホルダと感材との相対的な移動方向に対して所定角度傾斜するように、上記露光ヘッドが上記ヘッドホルダに対して傾斜した状態に取り付けられていて、上記移動手段によって上記ヘッドホルダと感材とを相対的に移動させたときに、複数のビームスポットがそれぞれ隣接するビームスポットとの間で部分的に重なった状態で感材上に形成されることを特徴とする画像記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上述のような背景の下でなされたものであり、画素のサイズを変更することができる多重露光方式の画像記録装置を提供することを目的とする。
また、この発明の他の目的は、従来から比較的安価に提供されている露光ヘッドを用いて多重露光を行える画像記録装置を提供することである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この構成の場合、副走査方向に対する複数の発光素子の配列方向の傾きを調整することによっても、１つの画素のサイズを変更することができる。つまり、副走査方向に対する発光素子の配列方向の傾きを調整して、感材上に形成されるビームスポットの重なり部分を大きくすることにより、画素のサイズを小さくすることができる。また、副走査方向に対する発光素子の配列方向の傾きを調整して、感材上に形成されるビームスポットの重なり部分を小さくすることにより、画素のサイズを大きくすることができる。
請求項４記載の発明は、複数のビームスポットの照射により感材上に露光を行って、その感材に画像を記録する画像記録装置であって、複数のビームスポットを、互いに直交する行方向および列方向に並べて行列状に配置され、かつ、各々が重なり合わない状態に形成可能な露光ヘッドと、この露光ヘッドを固定して取り付けるためのヘッドホルダと、上記露光ヘッドが取り付けられたヘッドホルダと感材とを相対的に移動させて、複数のビームスポットにより感材を露光走査するための移動手段とを含み、感材上に行列状に形成されるビームスポットの列方向が上記移動手段による上記ヘッドホルダと感材との相対的な移動方向に対して所定角度傾斜するように、上記露光ヘッドが上記ヘッドホルダに対して傾斜した状態に取り付けられていて、上記移動手段によって上記ヘッドホルダと感材とを相対的に移動させたときに、複数のビームスポットがそれぞれ隣接するビームスポットとの間で部分的に重なった状態で感材上に形成されることを特徴とする画像記録装置である。
この構成によれば、複数のビームスポットを行列状に並んだ状態に形成可能な従来から比較的安価に提供されている露光ヘッドを用いて、多重露光方式かつマルチビーム露光方式の画像記録を達成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月26日(2003.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性樹脂からなるフィルムであって、該フィルムのＤＳＣ測定において少なくとも２個以上のガラス転移温度を有し、融点のピークが実質的に１個であることを特徴とする感熱孔版印刷用熱可塑性樹脂フィルム。
【請求項２】
熱可塑性樹脂がポリエステルであることを特徴とする請求項１に記載の感熱孔版印刷用熱可塑性樹脂フィルム。
【請求項３】
融点が１５０〜２４０℃であることを特徴とする請求項１または２に記載の感熱孔版印刷用熱可塑性樹脂フィルム。
【請求項４】
少なくとも一つのガラス転移温度が７０℃以上であることを特徴とする請求項１〜３に記載の感熱孔版印刷用熱可塑性樹脂フィルム。
【請求項５】
少なくとも一つのガラス転移温度が５０℃以下であることを特徴とする請求項１〜４に記載の感熱孔版印刷用熱可塑性樹脂フィルム。
【請求項６】
熱可塑性樹脂フィルムの結晶融解エネルギーが２０〜５５Ｊ／ｇであることを特徴とする請求項１〜５に記載の感熱孔版印刷用熱可塑性樹脂フィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成15年5月20日(2003.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
また、本出願人は先に、軟化点７０〜１２０℃のワックスを主成分とする剥離層と、無色の熱可塑性バインダー樹脂中に無機顔料又は軟化点１００℃以上の樹脂粉末を含有させた層と、インク層を持つ３層構成の熱転写記録媒体（特開平３−１７８４８８号公報）を、更に、熱溶融性インクと該インクに対して離型性を持つ樹脂マトリックスより成る熱溶融性インク層を持つ熱転写記録媒体（特開平４−１８９１８９号公報）を提案した。
更にまた、本出願人は、転写画像の定着性や耐摩耗性向上を目的に研究を進め、インク層のバインダーとして、特定の酢酸ビニル含有量、メルトフローレートをもつエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂を提案した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、前記諸問題を解決した、耐摩耗性の転写画像を与えると共に画像解像度や熱感度が高く、作製も容易な熱転写記録媒体を提供することを目的とする。