【事件の表示】
　平成　８年特許願第２８１９６４号「光受信用前置増幅器」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　５月１５日出願公開、特開平１０−１２６１６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
  第１．手続の経緯
　本願は、平成８年１０月２４日の出願であって、平成１３年１０月４日付けで審判請求がなされ、特許法第１７条の２第１項第３号の規定により、平成１３年１１月５日付けで手続補正がなされたものである。　
　
　第２．平成１３年１１月５日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　
　［補正却下の決定の結論］
　平成１３年１１月５日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
　１．本件補正は、補正前特許請求の範囲の請求項の記載を、　　
　「【請求項１】反転増幅回路と、該反転増幅回路に並列に接続された帰還抵抗とを有する光受信用前置増幅器において、ソースが上記反転増幅回路の入力端子に接続され、ゲートが上記反転増幅回路の出力端子に接続され、ドレインが電源端子に接続されたトランジスタを具備することを特徴とする光受信用前置増幅器。
　【請求項２】反転増幅回路と、該反転増幅回路に並列に接続された帰還抵抗とを有する光受信用前置増幅器において、一端が上記反転増幅回路の入力端子に接続された電流電圧変換手段と、ソースが該電流電圧変換手段のもう一端に接続され、ゲートが上記反転増幅回路の出力端子に接続され、ドレインが電源端子に接続されたトランジスタとを具備することを特徴とする光受信用前置増幅器。
　【請求項３】電流電圧変換手段が抵抗であることを特徴とする請求項２記載の光受信用前置増幅器。
　【請求項４】電流電圧変換手段がドレインとゲートが接続されたトランジスタの縦続接続により構成されることを特徴とする請求項２記載の光受信用前置増幅器。
　【請求項５】電流電圧変換手段が抵抗及びドレインとゲートが接続されたトランジスタの縦続接続により構成されることを特徴とする請求項２記載の光受信用前置増幅器。
　【請求項６】反転増幅回路と、該反転増幅回路に並列に接続された帰還抵抗とを有する光受信用前置増幅器において、出力端子が上記反転増幅回路の入力端子に接続されたカレントミラー回路と、ソースが上記反転増幅回路の入力端子に接続され、ゲートが上記反転増幅回路の出力端子に接続され、ドレインが上記カレントミラー回路の入力端子に接続されたトランジスタとを具備することを特徴とする光受信用前置増幅器。
　【請求項７】トランジスタがＭＯＳ電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項１、２または６のいずれかに記載の光受信用前置増幅器。」
　と補正することを含むものである、
　該補正は、補正前特許請求の範囲の請求項３、４、５について、
　「【請求項３】　請求項２記載の光受信用前置増幅器において、電流電圧変換手段が抵抗であることを特徴とする光受信用前置増幅器。
　【請求項４】請求項２記載の光受信用前置増幅器において、電流電圧変換手段がドレインとゲートが接続されたトランジスタの縦続接続により構成されることを特徴とする光受信用前置増幅器。
　【請求項５】請求項２記載の光受信用前置増幅器において、電流電圧変換手段が抵抗及びドレインとゲートが接続されたトランジスタの縦続接続により構成されることを特徴とする光受信用前置増幅器。」を、
　「【請求項３】電流電圧変換手段が抵抗であることを特徴とする請求項２記載の光受信用前置増幅器。
　【請求項４】電流電圧変換手段がドレインとゲートが接続されたトランジスタの縦続接続により構成されることを特徴とする請求項２記載の光受信用前置増幅器。
　【請求項５】電流電圧変換手段が抵抗及びドレインとゲートが接続されたトランジスタの縦続接続により構成されることを特徴とする請求項２記載の光受信用前置増幅器。」と補正することを含むものであるが、係る補正事項は、請求項の削除でもなく、特許請求の範囲の減縮でもないし、また、誤記の訂正でもなく、また、拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてする明りょうでない記載の釈明でもないものであり、前記手続補正は、特許法第１７条の２第４項第１号〜第４号に規定する事項を目的とするものとは認められず、特許法第１７条の２第４項の規定に適合しない、
　
　２．以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項に違反するので、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下する。
　
　第３．本願発明について
　
　１．本願発明
　平成１３年１１月５日付けの手続補正は前記第２．の記載のとおり却下されたので、
　平成１３年３月２９日付け手続補正で補正された明細書および図面の記載からみて、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】　反転増幅回路と、該反転増幅回路に並列に接続された帰還抵抗とを有する光受信用前置増幅器において、ソースが上記反転増幅回路の入力端子に接続され、ゲートが上記反転増幅回路の出力端子に接続され、ドレインが電源端子に接続されたトランジスタを具備することを特徴とする光受信用前置増幅器。」
　なお、平成１３年３月２９日付け手続補正で補正された明細書の特許請求の範囲請求項１の「上記反転増幅器」なる記載は、該記載より上に「反転増幅器」の記載がなく、「上記反転増幅回路」の誤記であることが明らかであるので、前記のごとく、本願発明を認定した。
　
　　
　２．引用例
　（１）　原審拒絶理由において引用された特開平３−９７３０４号公報（以下、「引用例１」という。）には、下記ア．〜ウ．の事項が記載されている。
　ア．「［産業上の利用分野］
　本発明は光通信用前置増幅装置として用いられる増幅装置に関するものである。
　［従来の技術］
　従来、光通信においては第５図に示すようにフォトダイオード１で光信号を受信し、これによって得られる電圧信号を電圧増幅度（−Ａ）の増幅器２に導き増幅して出力端子３から信号電圧Ｖｏｕｔを得ている。ここで、電圧増幅度にマイナスの符号が付くのは、入力信号と出力信号の極性が反転していることを意味する。増幅器２は帰還抵抗Ｒｆが外付けあるいは集積化されたトランスインピーダンス型と称されるもので、例えば、電子情報通信学会技術報告（１９８６年ＯＱＥ８６−６８　ｐ．５１−ｐ．５６）に示され、第６図に図示の回路と等価なものである。」（１頁左下欄２行〜１７行）、
　
　イ．「そこで本発明は、過大入力時の飽和特性が改善され、大きな入力光電流が到来したときにも歪みの小さい出力信号を得ることができ、光通信に用いた場合には送信側の出力の大小、送受間の減衰度の大小など様々な外的条件の変化を、光減衰器等を用いることなく吸収しうる増幅装置を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
　本発明に係る増幅装置は、トランスインピーダンス型増幅器と、このトランスインピーダンス型増幅器の入力電流を装置外へ分流させる分流路に設けられ、この分流路を開閉するゲート回路と、このゲート回路の開閉制御を行うゲート制御手段とを備えたことを特徴とする。ここで、ゲート制御手段は、トランスインピーダンス型増幅器の入力信号が所定値を基準として大小することに対応してゲート回路を開状態、閉状態にするレベルまでトランスインピーダンス型増幅器の出力信号のレベルをシフトさせるレベルシフト回路を含み、このレベルシフト回路の出力信号に基づき開閉制御する。
［作用］
　本発明に係る増幅装置は、以上の通りに構成されるので、レベルシフト回路が、トランスインピーダンス型増幅器の入力信号が所定値を越えるようになるとゲート回路を開状態とするまで、上記増幅器の出力信号のレベルシフトを行う。この場合、トランスインピーダンス型増幅器の入力信号が増加するとその出力信号はダイナミックに減少する関係にあるから、出力信号をレベルシフトした結果は入力信号に追従しており、適宜なときにゲート回路が開状態とされ分流路が形成されるように働くので、過度の入力状態を回避することが出来る。
」（２頁左下欄３行〜右下欄１６行）、
　
　ウ．「第１図は本発明の一実施例に係る増幅装置の構成図を示す。この実施例では、トランスインピーダンス型増幅器２の入力端子にゲート回路を構成するＦＥＴＱ５のドレインを接続し、このソースに電圧Ｖｓｓを与える電源を接続して分流路を構成し、このゲート回路をゲート制御手段１００から出力される制御信号で開閉する。ゲート制御手段１００にはレベルシフト／バッファ回路１０１が設けられており、これはトランスインピーダンス型増幅器２の出力信号Ｖｏｕｔをレベルシフトするレベルシフト回路として機能する。レベルシフト／バッファ回路１０１はＦＥＴＱ５のゲート与える信号がトランスインピーダンス型増幅器２の入力信号が所定値を基準として大小することに対応して、ＦＥＴＱ５を導通／非導通とできるまで、レベルシフトする。レベルシフト／バッファ回路１０１の出力信号は反転回路１０２へ与えられて、位相の反転が行われる。この反転はＦＥＴＱ５のゲートへ制御信号を与えて導通状態とするため、入力光信号ｉＰＤの増加に伴い減少する上記出力信号Ｖｏｕｔの極性を反転させるためのものである。従って、ゲート回路の性格が所定値以下の制御信号で開状態となるものであれば、不要な構成である。反転回路１０２の出力信号はそのまま制御信号としてＦＥＴＱ５のゲートへ与えられる。
　上記の構成では、トランスインピーダンス型増幅器２へ到来する入力光電流ｉＰＤが増大すると、これに応じてその出力電圧Ｖｏｕｔは低下する。この出力電圧Ｖｏｕｔはレベルシフト／バッファ回路１０１により前述の通りのレベルにまでシフトされ、かつ、反転回路１０２の入力レベルにまでレベルシフトされる。そして、反転回路１０２により反転された信号は位相反転の結果、入力光電流ｉＰＤの増大に伴って増大することとなる。しかも、レベルシフトの結果、必要なレベルまでのシフトがなされて、トランスインピーダンス型増幅器２へ所定値を越える入力があるとＦＥＴＱ５が導通状態とされるようになっている。逆に言えば、ＦＥＴＱ５のスレッショルド電圧を適当な値に選択しておくことにより、フォダイオード１に入射する光のパワーが所定値を越えたときにＦＥＴＱ５が導通状態となり、入力光電流ｉＰＤの一部が分流する分流路が形成されることになる。これによって、増幅器２に対し過度の入力が生じるときに当該分流路へ入力光電流ｉＰＤの一部ｉＰが流れ、増幅器２の飽和度を抑えることができる。」（３頁左上欄２行〜左下欄７行）。
　
　前記記載事項の「ＦＥＴ」の記載が電界効果トランジスタ（Ｆｉｅｌｄ　Ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を示していることは当業者に自明の事項である。
　
　前記記載事項、図面の記載並びに技術常識からみて、
　引用例１には、
　「反転増幅器２と、該反転増幅器に並列に接続された帰還抵抗Ｒｆとを有する光通信用前置増幅装置において、ドレインが上記反転増幅器の入力端子に接続され、ゲートが、レベルシフト回路、反転回路からなるゲート制御手段１０を介して、上記反転増幅器の出力端子に接続され、ソースが電圧Ｖｓｓを与える端子に接続された分流用電界効果トランジスタを具備する光受信用前置増幅器。」、
を構成とする発明（以下、「引用例１に記載された発明」という。）が記載されている。
　
　ａ．また、前記ウ．には「レベルシフト／バッファ回路１０１の出力信号は反転回路１０２へ与えられて、位相の反転が行われる。この反転はＦＥＴＱ５のゲートへ制御信号を与えて導通状態とするため、入力光信号ｉＰＤの増加に伴い減少する上記出力信号Ｖｏｕｔの極性を反転させるためのものである。従って、ゲート回路の性格が所定値以下の制御信号で開状態となるものであれば、不要な構成である。」（引用例１、３頁左上欄１７行〜右上欄５行）と記載され、係る記載の「ゲート回路」が「分流用電界効果トランジスタ」であることは自明のことであるから、
　引用例１には、「分流用電界効果トランジスタに所定値以下の制御信号で開状態となるものを用いた場合、反転回路が、必要ない。」ことが記載されている。
　
　ｂ．また、前記ウ．には「しかも、レベルシフトの結果、必要なレベルまでのシフトがなされて、トランスインピーダンス型増幅器２へ所定値を越える入力があるとＦＥＴＱ５が導通状態とされるようになっている。逆に言えば、ＦＥＴＱ５のスレッショルド電圧を適当な値に選択しておくことにより、フォダイオード１に入射する光のパワーが所定値を越えたときにＦＥＴＱ５が導通状態となり、入力光電流ｉＰＤの一部が分流する分流路が形成されることになる。」（引用例１、３頁右上欄１５行〜左下欄４行）と記載され、係る記載の「ＦＥＴＱ５」が「分流用電界効果トランジスタ」であるから、
　引用例１には、「分流用電界効果トランジスタのスレショルド電圧を適当な値に選択しておくことにより、フォトダイオードに入射する光のパワーが所定値を越えたとき分流用電界効果トランジスタを導通状態にできる。」ことが記載されている。
　
　（２）例えば、周知例１として示す、特開昭６１−１６１００８号公報には、
　下記エ．〜ク．の事項が記載されている。
　エ．「本願発明はトランスインピーダンス増幅器、より詳細には光ガイド　システム用の光受信機に使用されるトランスインピーダンス増幅器に関する。」（２頁左上欄２行〜５行）、
　オ．「第１図に示される光受信機前置回路１０は高性能光ダイオード１２を持つが、この光ダイオード１２の片側は正の電圧供給節点Ｖ＋に接続され、反対側はＦＥＴ増幅器１６の反転入力ポート１４に接続される」（２頁右下欄１４行〜１８行）、
　カ．「回路１０の動作において、光ダイオード１２は入射光信号に応答して信号光電流を導電する。この光電流はトランスインピーダンス増幅器ステージの入力１４に加えられるが、このトランスインピーダンス増幅器ステージは増幅器１６及び帰還抵抗体２１から構成される。トランスインピーダンス増幅器ステージはこの信号電流を増幅器１６の出力２４の所の信号電圧に変換する。増幅器１６の出力２４の所の電圧の交流成分が所定のいき値電圧レベルを越えると、コントローラ３０は分流ＦＥＴ２６のゲートの所の電圧を上昇させることによって分流ＦＥＴ２６を導電させる。
　この信号電流の過剰の交流成分は分流ＦＥＴ２６及びコンデンサ２８通じて大地に分流される。」（３頁左上欄１４行〜右上欄９行）、
　キ．「増幅器１６に加えられる入力１４の直流電圧が正規の動作バイアス電圧を越えると、増幅器１６の出力電圧は落ち、これによって分流ＦＥＴ２６のソースの所の電圧が落ちる。すると、分流ＦＥＴ２６によって増幅器１６の入力節点からより多くの直流電流が引かれ、これによって入力節点１４の電圧が正しいレベルに戻される。」（３頁左上欄１８行〜右下欄５行）、
　ク．「当業者にとっては、分流用ＦＥＴはＮ−チャンネルデバイスでもＰ−チャンネルデバイスでもよく、又エンハンスメント形のデバイスでもディプリーション形のデバイスでもよいことが理解できよう。又、当業者にとってはこのようなデバイスを使用するために回路１０を変更する方法についても明白であろう。」（３頁右下欄１９行〜４頁左上欄５行）。
  
　前記記載事項において、前記記載事項の「ＦＥＴ」が、電界効果トランジスタであることは、当業者に自明の事項である。また、「増幅器１６」が反転増幅器であることは自明である。
　
　前記記載事項、図面の記載並びに技術常識からみて、
　周知例１には、「光受信機前置回路において、反転増幅器の入力から所定の電流成分を分流するための、分流用トランジスタにＰ形電界効果トランジスタ使用すること」が記載されており、
　周知例１の記載事項の「光受信機前置回路」「反転増幅器」、は「光受信用前置増幅器」「反転増幅回路」であり、
　「光受信機前置回路において、反転増幅回路の入力から所定の電流成分を分流するための、分流用トランジスタにＰ形電界効果トランジスタを使用すること」は、例えば、周知例１にみられるように本願出願前周知の事項（以下、「周知事項１」という。）である。　　
　
　（３）例えば、周知例２として示す、原審拒絶理由において引用された特開平５−２９９９９９号公報には、下記ケ．の事項が記載されている。
　ケ．「【実施例】以下、本発明の好適な実施例について図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の基本的構成となる第１の実施例を示し、同図において図６と同一若しくは同等のものには同一の符号を付してある。そして、信号処理部（１１）は、演算増幅器（ＯＰ１）の両電源端子が正電源端子（＋Ｖｃｃ）および負電源端子（−Ｖｃｃ）にそれぞれ接続された両電源方式に構成されており、演算増幅器（ＯＰ１）は非反転入力端子（＋）が接地されていることにより反転入力端子（−）も非反転入力端子（＋）と同様に接地したのと等価になっている。つまり仮想接地されており、この仮想接地点（Ａ）に受光素子（ＰＤ）が接続されている。また、演算増幅器（ＯＰ１）の出力端子がＡＣ結合用コンデンサ（Ｃ１）を介して信号出力端子（Ｖｏ）に導出されているとともに、演算増幅器（ＯＰ１）の出力端子に、低周波成分に対し積分動作を行う時定数に設定された積分回路（Ｉ）が接続されており、この積分回路（Ｉ）の抵抗（Ｒ２）とコンデンサ（Ｃ２）の接続点が、インピーダンス可変素子（Ｑ３）として用いられているＰＮＰ形トランジスタのベースに接続されており、エミッタが抵抗（Ｒ５）を介して仮想接地点（Ａ）に接続されている。
【００１３】次に前記実施例の作用について説明する。外乱光が極めて弱いことにより受光素子（ＰＤ）が高周波の変調信号光のみを受光している場合、受光素子（ＰＤ）により光電変換された変調信号電流が抵抗（Ｒ４）により電圧に変換されて出力される。この出力電圧は高周波の変調信号光に対応した波形であってその変化する時間は積分回路（Ｉ）の時定数に比較して極めて短いので、積分動作は行われずにコンデンサ（Ｃ２）の端子電圧が一定に保持され、出力電圧は変調信号光を光電変換した波形に維持され、後段回路において変調信号光の受光を正確に判別する。
【００１４】一方、強い外乱光が受光素子（ＰＤ）に入射して受光素子（ＰＤ）から変調信号電流に外乱光による直流分を含む低周波の電流が重畳された電流が出力されると、この電流を演算増幅器（ＯＰ１）および抵抗（Ｒ４）により変換された出力電圧が低下しようとするが、低周波の電流分に相当する電圧のみが積分回路（Ｉ）で積分される。即ち、積分回路（Ｉ）のコンデンサ（Ｃ２）が放電を開始して該コンデンサ（Ｃ２）の端子電圧つまりインピーダンス変換素子（Ｑ３）としてのトランジスタのベース電圧が低下する。ここで、、インピーダンス変換素子（Ｑ３）は低下しようとする出力電圧に応じて導通度が大きくなり、即ちインピーダンスが低下して受光素子（ＰＤ）の出力電流の一部である低周波の電流分が抵抗（Ｒ５）およびインピーダンス可変素子（Ｑ３）を介して流れる。このように低周波の電流分がインピーダンス可変素子（Ｑ３）を通じバイパスされて確実に除去されるので、強い外乱光の入射の有無に拘わらず高周波の変調信号電流のみが電圧に変換されて出力されるとともに、良好な周波数応答性を得られる。」（３頁４欄１行〜４頁５欄１行）が記載されており、
　
　前記記載事項、図面の記載並びに技術常識からみて、
　前記周知例２には、「演算増幅器と該演算増幅器に並列に接続された抵抗Ｒ４と有する回路においてＰＮＰ形トランジスタのエミッタが上記演算増幅器の入力端子に接続され、該トランジスタのベースが積分回路を介して上記演算増幅器の出力端子に接続され、該トランジスタのコレクタが電源端子に接続され、前記入力端子の電圧と出力端子の電圧に基づいて、上記演算増幅器の入力端子から所定の電流成分を分流するための、分流用ＰＮＰトランジスタのエッミタ、コレクタ間の導通度を制御すること」が記載され、
　前記周知例２の記載事項の「演算増幅器」、「抵抗Ｒ４」は、各々、「反転増幅回路」、「帰還抵抗」であり、また、周知例２の記載事項の「積分回路」は、「所定の回路」であるから、
　「反転増幅回路と該反転増幅回路に並列に接続された帰還抵抗と有する回路においてトランジスタのエミッタが上記反転増幅回路の入力端子に接続され、該トランジスタのベースが所定の回路を介して上記反転増幅回路の出力端子に接続され、該トランジスタのコレクタが電源端子に接続され、入力端子の電圧と出力端子の電圧に基づいて、上記反転増幅回路の入力端子から所定の電流成分を分流するための、分流用トランジスタのエッミタ、コレクタ間の導通度を制御すること」は、例えば、周知例２にみられるように、本願出願前周知の事項（以下、「周知事項２」という。）である。
　　
　３．対比・判断
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比すると、
　
　ａ．引用例１に記載された発明の「反転増幅器２」「光通信用前置増幅装置」は、各々、本願発明の「反転増幅回路」、「光受信用前置増幅器」に相当する。
　ｂ．引用例１に記載された発明の「分流用電界効果トランジシタＦＥＴＱ５」は、「トランジスタ」である。
　ｃ．引用例１に記載された発明の「電圧Ｖｓｓを与える端子」は、「電源端子」である。
　
　ｄ．本願発明の「ソースが上記反転増幅回路の入力端子に接続され」、「ドレインが電源端子に接続され」と引用例１に記載された発明の「ドレインが上記反転増幅器の入力端子に接続され」、「ソースが電圧Ｖｓｓを与える端子に接続され」とは、「ソース」、「ドレイン」を「ソース電極」、「ドレイン電極」としても実質的にかわることがなく、「ソース電極」、「ソース電極」は、トランジスタの主電極であるから、前記ｃ．を考慮して、「トランジスタの主電極の一方が、上記反転増幅回路の入力端子に接続され」、「トランジスタの主電極の他方が電源端子に接続され」で一致する。
　
　ｅ．本願発明の「ゲートが上記反転増幅器の出力端子に接続され」と引用例１に記載された発明の「ゲートが、上記反転増幅器の出力端子に接続されレベルシフト回路、反転回路からなるゲート制御手段１０を介して、上記反転増幅器の出力端子に接続され」とは、本願発明の「ゲートが上記反転増幅器の出力端子に接続され」が、「ゲートが、線路を介して、上記反転増幅器の出力端子に接続される」ものと解されるので、「ゲートが、所定のものを介して、上記反転増幅器の出力端子に接続され」で一致する。
　
　そうしてみると、本願発明と引用例１に記載された発明とは、
　「反転増幅回路と、該反転増幅回路に並列に接続された帰還抵抗とを有する光受信用前置増幅器において、トランジスタの主電極の一方が上記反転増幅回路の入力端子に接続され、ゲートが、所定のものを介して、上記反転増幅器の出力端子に接続され、トランジスタの主電極の他方が電源端子に接続されたトランジスタを具備する光受信用前置増幅器。」、
である点において一致し、
　
　（１）ゲートの上記反転増幅器の出力端子への接続の仕方が、本願発明では、ゲートが、線路を介して、上記反転増幅器の出力端子に接続され、「ゲートが上記反転増幅器の出力端子に接続され」るのに対し、引用例１に記載された発明では、「ゲートが、レベルシフト回路、反転回路からなるゲート制御手段１０を介して、上記反転増幅器の出力端子に接続され」る点、　
　（２）「トランジスタの主電極の一方」、「トランジスタの主電極の他方」が、各々、本願発明では、「ソース」、「ドレイン」であるのに対し、引用例１に記載された発明では、「ドレイン」、「ソース」である点、
　で相違する。
　　　　　　　　　　　　　　　　
　相違点（１）、（２）について、
　前記２．（１）ａ．において示したように、引用例１には、「分流用電界効果トランジスタに所定値以下の制御信号で開状態となるものを用いる」（以下、「引用例１の記載事項１」という。）ことが記載され、Ｐ形電界効果トランジスタ（例えば、Ｐ形ＭＯＳ電界効果トランジスタ）ではゲート制御信号の電圧が所定値以下でオン状態（導通状態）となることが技術常識であるから、引用例１の記載事項１には、分流用電界効果トランジスタとしてＰ形電界効果トランジスタを用いることが記載されている。また、「光受信機前置回路において、反転増幅回路の入力から所定の電流成分を分流するための分流用トランジスタにＰ形電界効果トランジスタを使用すること」は、前記２．（２）において周知事項１として示したように、本願出願前周知の事項であるから、引用例１に記載された発明において、分流用の電界効果トランジスタとして、Ｐ形電界効果トランジスタを用いることは当業者が容易に成し得たことであり、
　そして、引用例１に記載された発明において、分流用の電界効果トランジスタとして、Ｐ形電界効果トランジスタを用いるにあたって、
　前記２．（１）ａ．に示したように、引用例１には、「分流用電界効果トランジスタに所定値以下の制御信号で開状態となるものを用いた場合、反転回路が、必要ない。」（以下、「引用例１の記載事項２」という。）ことが記載され、該記載の「分流用電界効果トランジスタに所定値以下の制御信号で開状態となるものを用いた場合」が、前記技術常識からみて「Ｐ形電界効果トランジスタを用い場合」であることは自明のことであるから、引用例１の記載事項２には、「分流用電界効果トランジスタとしてＰ形電界効果トランジスタを用いた場合、分流用電界効果トランジスタのゲートと反転増幅器（反転増幅回路）の出力端子の接続に、反転回路が必要ない」ことが示されており、また、前記２．（１）ｂ．に示したように、引用例１には、「分流用電界効果トランジスタのスレショルド電圧を適当な値に選択しておくことにより、フォトダイオードに入射する光のパワーが所定値を越えたとき分流用電界効果トランジスタを導通状態にできる。」（以下、「引用例１の記載事項３」という。）ことが記載され、「分流用電界効果トランジスタのスレショルド電圧を適当な値に選択する。」ことが示されているのであるから、
　分流用の電界効果トランジスタのゲートを、レベルシフト回路、反転回路からなるゲート制御手段１０を介することなく、線路を介して、上記反転増幅器の出力端子に接続するようにすること、即ち、「ゲートが上記反転増幅器の出力端子に接続される」ように構成することは、当業者に成し得たことである（相違点（１））、
　そして、トランジスタの接続方法として「反転増幅回路と該反転増幅回路に並列に接続された帰還抵抗と有する回路において、トランジスタのエミッタが上記反転増幅回路の入力端子に接続され、該トランジスタのベースが所定の回路を介して上記反転増幅回路の出力端子に接続され、該トランジスタのコレクタが電源端子に接続され、入力端子の電圧と出力端子の電圧に基づいて、上記反転増幅回路の入力端子から所定の電流成分を分流するための、分流用トランジスタのエミッタ、コレクタ間の導通度を制御すること」は、前記２．（３）に、周知事項２として示したように本願出願前周知の事項であり、しかも、トランジスタのエミッタ、コレクタ、ベースが、機能上、電界効果トランジスタのソース、ドレイン、ゲートに対応することは当業者の技術常識ともいえ、引用例１に記載された発明に、これら技術を適用するのを阻害する要因は見あたらないから、引用例１に記載された発明において、これら技術を適用し、分流用Ｐ形電界効果トランジスタのソースが上記反転増幅回路の入力端子に接続され、該トランジスタのコレクタが電源端子に接続されるようにすること、即ち、「トランジスタの主電極の一方」、「トランジスタの主電極の他方」について、各々、「ソース」、「ドレイン」とすることは当業者が容易に成し得たことである（相違点（２））。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　そして、本願発明の効果も、引用例１に記載された発明、引用例１の記載事項及び周知事項から当業者が予想できる範囲のものである。
　
　４． むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、前記引用例１に記載された発明、引用例１の記載事項及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　よって、結論のとおり審決する。