【事件の表示】
　平成　５年特許願第３０３２５８号「耐摩耗性保護膜、それを用いたサーマルヘッド及びその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年　８月１６日出願公開、特開平　６−２２７０１５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本願発明の認定
　本願は、平成４年１１月１２日（以下「本件優先日」という。）に出願した特願平４−３２６２０２号に基づく優先権を主張して平成５年１１月１０日に出願されたものであって、その請求項５に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１４年６月１７日付け手続補正で補正された明細書及び図面からみて、特許請求の範囲【請求項５】に記載のとおりの次のものと認める。
「発熱層とその両側に設けられた一対の電極と該発熱層上に設けられた耐摩耗性保護膜とを有するサーマルヘッドの製造方法であって、
　発熱層とその両側に設けられた一対の電極を有する印字部を準備する工程と、
　該印字部上に耐摩耗性保護膜をスパッタリング法で形成する工程を有し、
　前記耐摩耗性保護膜を形成する工程において、前記耐摩耗性保護膜の一部の層を、無バイアス下又は弱バイアス下に成膜し、他の一部の層を強バイアス下に成膜することを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。」
　
第２　当審の判断
　審判請求についての当審の判断を述べるに先立ち、本願発明について新たに拒絶理由を通知することなく審決することの妥当性について検討する。
　本願発明は上記のとおり「サーマルヘッドの製造方法」に係る発明であるが、サーマルヘッドの製造方法に係る発明は、平成１３年１２月１４日付け拒絶理由通知時の明細書（平成１２年１１月９日付け手続補正で補正された明細書）及び平成１４年４月１０日付け拒絶査定時の明細書（平成１４年２月２５日付け手続補正で補正された明細書）の特許請求の範囲には記載されておらず、平成１４年６月１７日付け手続補正で追加された発明である。
　しかしながら、本願発明の「サーマルヘッドの製造方法」の特徴的部分が「耐摩耗性保護膜を形成する工程」にあることは明らかであり、拒絶理由通知時の明細書の特許請求の範囲【請求項５】は「基板またはその上に施した畜熱層の上に発熱層と一対の電極を設けたサーマルヘッドに、耐摩耗性保護膜をスパッタリング法により形成する方法において、前記耐摩耗性保護膜の一部を、強バイアス下に形成し、他の一部を無バイアス又は弱バイアス下に製膜することを特徴とする、サーマルヘッド用耐摩耗性保護膜の製造方法。」となっており、この発明に対しては特許法２９条２項を適用した拒絶理由が通知されている。そして、本願発明と拒絶理由通知時の【請求項５】に係る発明を比較したとき、「耐摩耗性保護膜を形成する工程」において差がないことは明らかである。そうであれば、本願発明に対しても、平成１３年１２月１４日付け拒絶理由通知によって、特許法２９条２項を適用した拒絶理由が通知されているとして扱うのが妥当である。
　
１．引用刊行物の記載事項
　平成１３年１２月１４日付け拒絶理由に引用した特開平２−１９４６２８号公報（以下「引用例」という。）には、以下のア〜コの記載が図示とともにある。
　ア．「たとえば、半導体集積回路装置の製造においては、配線構造や多層配線構造の各層を隔てる絶縁膜などを形成するなどの目的で、・・・プラズマ中のイオンを目的の物質からなるターゲットに入射させる際に当該ターゲットから飛散する目的の物質を対象物に被着させるスパッタなどの方法によって・・・目的の物質からなる薄膜を形成することが行われている。」（２頁左上欄６〜１４行）
　イ．「スパッタなどにおいては、形成される薄膜の下地の段差部に対する被着性、すなわちステップカバレージを向上させる処理条件として、プラズマ化されるガスの圧を高くすることが知られているが、・・・耐クラック性や絶縁耐圧などの膜質は悪化する。」（２頁左上欄１５行〜右上欄１行）
　ウ．「耐クラック性や絶縁耐圧などの膜質を向上させる処理条件としては、プラズマと薄膜形成される基板との間に印加されるバイアス電圧を高く設定することが知られているが、逆にステップカバレージが悪化したり、・・・形成される薄膜に吸蔵されるガス量や、基板に形成されている素子構造の損傷などが大きくなるという問題がある。」（２頁右上欄２〜１０行）
　エ．「第４図は、・・・薄膜形成装置の構成の一例を示すブロック図である。・・・処理室２１の内部には、ウェハ２ａが載置され電極を兼ねる試料台２２が設けられている。この試料台２２に対向する位置には、ウェハ２ａに形成すべき薄膜と同一の物質からなるターゲット２３が配置されており」（４頁右下欄１０行〜５頁左上欄１行）
　オ．「ターゲット２３を取り囲む位置には、アノード２５が配置されており、・・・スパッタ電源２６から所定のスパッタ電圧が印加される構造となっている。」（５頁左上欄５〜１０行）
　カ．「試料台２２には、バイアス電源３２が接続されており、当該試料台２３に所望の値のバイアス電圧が印加可能にされている。」（５頁右上欄７〜９行）
　キ．「バイアス電圧によって・・・スパッタガス２９のイオンなどが、試料台２２に載置されたウェハ２ａに入射して、ウェハ２ａの表面に堆積したスパッタ原子の移動を促して、当該ウェハ２ａに形成される第２層配線構造２０５を平坦化する作用をなす。」（５頁右下欄１９行〜６頁左上欄５行）
　ク．「スパッタガス２９（プラズマ２９ａ）の圧を、薄膜形成の初期には比較的高い値に設定し、処理の進行とともに次第に減少させるような制御を行う。同時に、・・・バイアス電源３２から試料台２２に印加されるバイアス電圧の値を、処理開始時には比較的低くし、処理の進行とともに漸増するように制御する。」（６頁左上欄１０〜１８行）
　ケ．「処理の初期に形成された当該絶縁膜２０４に接する下部領域２０５ａでは、・・・スパッタガス２９の圧が比較的高いため、堆積速度が大きくなるとともに、バイアス電圧によって加速されてウェハ２ａに入射するイオンの衝撃が少なく、・・・損傷（ダメージ）が小さくできるとともに、・・・ステップカバレージが良好となり、一方、処理の後半で形成される上部領域２０４ｂでは、・・・スパッタガス２９の圧が比較的低く、しかもバイアス電圧によって加速されてウェハ２ａに入射するイオンの衝撃エネルギーが大きくなるため、緻密な膜質になり、結合強度が大きくなり、耐腐蝕性や電気伝導性などが良好になる。」（６頁左上欄２０行〜右上欄１６行）
　コ．「薄膜を形成する対象物として半導体集積回路装置の製造プロセスにおけるウェハなどに限らず、他の用途のものであってもよい。」（６頁左下欄１４〜１６行）
　
２．引用例記載の発明の認定
　引用例の記載コによれば、引用例記載の薄膜形成方法の用途は半導体製造回路装置の製造プロセスには限られない。そして、この薄膜形成方法は、薄膜形成工程を含む製造工程の一部として用いられるものであるから、引用例からは、引用例記載の薄膜形成工程を含むなんらかの物品の製造方法の発明（以下「引用例発明」という。）も把握することができ、それは次のようなものである。
「対象物にスパッタリング法で薄膜を形成する薄膜形成工程を有し、
　前記薄膜形成工程は、スパッタリング初期においては、スパッタガスの圧を比較的高く、かつバイアス電圧の値を比較的低く制御し、スパッタリング後半においては、スパッタガスの圧を比較的低く、かつバイアス電圧の値を比較的高く制御する、
物品の製造方法。」
　
３．本願発明と引用例発明との一致点及び相違点の認定
　引用例発明の「薄膜」と本願発明の「耐摩耗性保護膜」とは、スパッタリング法で形成される膜である点で一致し、引用例発明における薄膜形成工程は、スパッタリング初期ではバイアス電圧の値を比較的低く、かつスパッタリング後半ではバイアス電圧の値を比較的高く制御するのであるから、本願発明の「一部の層を、無バイアス下又は弱バイアス下に成膜し、他の一部の層を強バイアス下に成膜する」ことと一致する。
　また、本願発明の「サーマルヘッド」は、その製造工程にスパッタリング法による膜形成を有するから、引用例発明の「物品」の１つである。
　したがって、本願発明と引用例発明とは、「膜をスパッタリング法で形成する工程を有し、前記膜を形成する工程において、前記膜の一部の層を、無バイアス下又は弱バイアス下に成膜し、他の一部の層を強バイアス下に成膜することを特徴とする物品の製造方法。」である点で一致し、次の点で相違する。
〈相違点〉本願発明の「物品」は「発熱層とその両側に設けられた一対の電極と該発熱層上に設けられた耐摩耗性保護膜とを有するサーマルヘッド」であって（そのため、「膜」は「耐摩耗性保護膜」に限定されている。）、膜形成工程に先立って「発熱層とその両側に設けられた一対の電極を有する印字部を準備する工程」を有する（その結果、膜形成の対象が「印字部」となる。）のに対し、引用例発明の「物品」がサーマルヘッドであるとはいえないし、膜形成工程に先立っての「発熱層とその両側に設けられた一対の電極を有する印字部を準備する工程」を有するともいえず、さらに膜が「耐摩耗性保護膜」であるとも、膜を形成する「対象部」が「印字部」であるともいえない点。
　
４．相違点についての判断及び本願発明の進歩性の判断
　本件優先日当時、サーマルヘッドの製造方法として、発熱体層上に一対の電極を形成し、その上にスパッタリング法により耐摩耗性保護膜を形成する工程を有する製造方法は、本願明細書の段落【０００３】〜段落【０００５】に記載されているように周知である。そのことは、拒絶理由に引用した特開昭５７−１８５１７４号公報や段落【０００５】に記載の特開昭６３−１３５２６１号公報にも記載があるとおりである。
　ところで、この周知技術においては、基板上に形成した発熱体層上に一対の電極を形成するものであり（例えば、前掲各公報の図面を参照。）、本願の【図１】及び【図２】でもこの構成が採用されており（これら図中符番３で示されるものが発熱体層であり、符番５で示されるものが電極である。）、逆に本願明細書（図面を含む）には、これ以外の発熱体層と電極の配置構成は示されていない。したがって、本願発明の「発熱層とその両側に設けられた一対の電極」における「発熱層」とは、発熱体層（本願図面の符番３）のうち一対の電極に挟まれた部分を意味すると解するのが妥当である。実際に発熱するのはこの部分であることを考慮すれば、この解釈はなお一層妥当である。
　したがって、上記周知技術における発熱体層上に一対の電極を形成する工程は、本願発明の「発熱層とその両側に設けられた一対の電極を有する印字部を準備する工程」であるし、上記周知技術において耐摩耗性保護膜は印字部に形成されるものである。
　そして、上記周知技術においては、発熱体層上に一対の電極を形成する関係上、耐摩耗性保護膜は、電極の存在による段差のある下地に形成しなければならなくなり、引用例発明同様「形成される薄膜の下地の段差部に対する被着性、すなわちステップカバレージを向上させる」（引用例の記載イ）必要があることは明らかといえる。
　すなわち、引用例発明の課題は、上記周知技術においてもそのまま当てはまるものであり、引用例発明における薄膜形成工程は、この課題を解決すべくなされた技術であり、さらに引用例発明が「サーマルヘッド製造方法」を除外すると解すべき理由もない。
　そうであれば、引用例発明の「物品」を「サーマルヘッド」とし、「薄膜形成工程」を「耐摩耗性保護膜を形成する工程」とした上で、相違点に係る本願発明の構成をなすことは、単に引用例発明の用途を、上記周知技術に基づいて限定した程度のことであり、当業者にとって想到容易といわざるを得ない。
　
　なお請求人は、「引用文献２（審決注，引用例）の技術ではガス圧とバイアス電圧の調整が同時に実施される必要がある点で本発明とは異なる。本発明ではバイアス電圧を調整すれば足りガス圧を変更する必要はない。さらにバイアス電圧印加の効果も全く異なる。」（平成１４年７月３１日付けでなされた審判請求書の手続補正書（方式））と主張しているが、膜形成工程におけるバイアス電圧の印加態様だけを採りあげるならば、本願発明と引用例発明には何ら相違がなく、それゆえバイアス電圧印加の効果も異ならない。請求人は、本願発明がガス圧を変更しないものに限られると主張するのかもしれないが、請求項５にはそのような限定はない。また、引用例の記載キによれば、バイアス電圧を高くした場合には、表面に堆積したスパッタ原子の移動を促し、スパッタリングされた膜が平坦化されるのであるが、これらのことが原因となって、バイアス電圧を高くしたスパッタリングがステップカバレージ改善に寄与することは周知である（前掲特開昭６３−１３５２６１号公報及び特開昭６１−１５３２７５号公報参照。）。また、そもそもスパッタリングにおいて、強バイアス下でのスパッタリングが内部応力の増大及び下地への損傷といった問題があり、そのため初期には無バイアス又は弱バイアスとし、適宜の膜形成がされた後に強バイアスとすることが有用であることは、引用例だけでなく、前掲特開昭６１−１５３２７５号、特開昭６１−９５７０号公報及び特開平３−１８０４６７号公報にも記載があることから、本件優先日当時には周知といえる。このことを踏まえて引用例の記載をみるならば、当業者であれば、バイアス電圧印加の効果が本願発明と引用例発明とで大きく異ならないものと理解するであろう。仮にバイアス電圧印加の効果が異なるとしても、引用例に記載された作用効果をサーマルヘッドの製造方法において達成すべく、相違点に係る本願発明の構成を採用することが容易であることに変わりはない。
　
　以上のとおり、相違点に係る本願発明の構成をなすことは当業者にとって想到容易であり、同構成による格別の作用効果を認めることもできない。
　したがって、本願発明は引用例発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　
第３　むすび
　本願発明が特許を受けることができない以上、本願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶を免れない。
　よって、結論のとおり審決する。