【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年6月30日(2014.6.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス化システムであって、
ガス流入口およびガス流出口を備えるガス接触側と、液体流入口および液体流出口を備える液体接触側と、多孔質要素と、を有する膜接触器であって、供給ガスは、前記ガス流入口を介して第１の圧力下で前記膜接触器の前記ガス接触側に方向付けられ、供給液は、前記液体流入口を介して前記膜接触器の前記液体接触側に方向付けられる、膜接触器と；
前記膜接触器の前記ガス流入口に流体的に接続されて、前記供給ガスのガス流量を制御するガス流量制御器と；
前記膜接触器の前記液体流出口に接続された電気伝導度センサと；
前記膜接触器の前記ガス流出口に接続された圧力センサと；
前記膜接触器の前記液体接触側に流体的に接続されて、前記供給液の液体流量を制御する液体流量制御器と；
前記膜接触器の前記ガス流出口に流体的に接続されて、前記膜接触器の前記ガス接触側の前記第１の圧力を第２の圧力まで低減する減圧デバイスであって、前記多孔質要素は、前記供給液が、前記膜接触器の前記ガス接触側に進入することを防止し、前記多孔質要素は、所定の量の前記供給ガスが前記供給液を通過し、前記供給液に溶解することを可能にして、ガス化液体を生成する、減圧デバイスと；
１つ以上の制御器と；
を備え、
該１つ以上の制御器は、
前記ガス流量制御器、前記液体流量制御器、前記減圧デバイス、前記電気伝導度センサ、前記圧力センサ、またはそれらの組み合わせから、１つ以上の入力信号を受信すること、
前記１つ以上の入力信号を、対応する、前記１つ以上の制御器のうちの少なくとも1つの制御器によってアクセス可能なルックアップテーブルに格納された設定値と比較すること、
前記ガス化液体に対する設定値電気伝導度を決定すること、
前記第１の圧力、前記供給ガスの前記ガス流量、前記供給液の前記液体流量、またはそれらの組み合わせを変更して、前記ガス化液体の電気伝導度を前記設定値電気伝導度の範囲内に維持するように、１つ以上の出力信号を生成すること、及び
前記膜接触器の前記液体流出口から、前記供給液の電気伝導度より高い電気伝導度を有するとともに、無気泡または実質的に無気泡であるガス化液体を除去すること、
ができる、ガス化システム。
【請求項２】
前記多孔質要素は、約３５ｐｓｉ以上のバブルポイントを有し、
前記１つ以上の制御器は約４０ｋＰａ以下の分圧を維持することができることを特徴とする請求項１に記載のガス化システム。
【請求項３】
前記範囲は、前記設定値電気伝導度の約１５％、１０％、５％、または３％以内である、請求項１に記載のガス化システム。
【請求項４】
前記減圧デバイスと前記膜接触器との間に配置される真空隔離弁を伴う、凝縮液トラップをさらに備える、請求項１に記載のガス化システム。
【請求項５】
前記供給ガスは二酸化炭素を含み、
質量流量制御器を介して前記二酸化炭素を前記膜接触器に提供するために前記質量流量制御器に流体的に接続されるガス源と、
前記ガス源と前記質量流量制御器との間に配置される二酸化炭素制御弁と、
前記質量流量制御器に連結される少なくとも１つの制御器と、
前記少なくとも１つの制御器と前記膜接触器との間に配置される窒素制御弁と、
前記膜接触器に流体的に接続される窒素源と、
をさらに備え、前記窒素制御弁が開放しているときは常に、前記二酸化炭素制御弁が閉鎖している、請求項１に記載のガス化システム。
【請求項６】
ガス化方法であって、
接触器の多孔質要素のガス接触側のガス流入口にガスを流入させるステップと、
前記接触器の前記多孔質要素の液体接触側の液体流入口に液体を流入させるステップであって、前記液体は、前記多孔質要素および前記接触器の筐体によって前記ガスから分離されるステップと、
前記接触器の前記多孔質要素の前記ガス接触側に減圧を印加するステップと、
前記減圧において、前記接触器のガス流出口から前記ガスを除去するステップと、
所定の量の前記ガスが前記多孔質要素を通過して、前記接触器の前記多孔質要素の前記液体接触側の前記液体に溶解することを可能にするステップであって、制御器において
ガス流量制御器、液体流量制御器、減圧デバイス、電気伝導度センサもしくは濃度モニタ、圧力センサ、またはそれらの組み合わせから、１つ以上の入力信号を受信するステップ；
前記１つ以上の入力信号を、対応する、前記１つ以上の制御器のうちの少なくとも1つの制御器によってアクセス可能なルックアップテーブルに格納された設定値と比較するステップ；
前記ガス化液体に対する設定値電気伝導度を決定するステップ；及び
前記第１の圧力、前記供給ガスの前記ガス流量、前記供給液の前記液体流量、またはそれらの組み合わせを変更して、前記ガス化液体の電気伝導度を前記設定値電気伝導度の範囲内に維持するように、１つ以上の出力信号を生成するステップ；
が行われるステップと、
前記液体よりも高い電気伝導度を有し、無気泡または実質的に無気泡であるガス化液体を、前記接触器の液体流出口から除去するステップと、
を含む、方法。
【請求項７】
前記ガス化液体の前記電導度を標的範囲内に維持するため、前記接触器から凝縮液を除去するため、またはそれらの組み合わせのために、前記減圧、ガス流量、液体流量、またはそれらの組み合わせを調節することをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記接触器の前記多孔質要素の前記ガス接触側の前記ガス流入口への前記ガスの流入を停止するために第１の弁を閉鎖するステップと、
前記接触器の前記多孔質要素の前記ガス接触側に中性ガスを進入させるために、第２の弁を開放するステップと、
をさらに含み、
前記第２の弁を開放するステップが、流量変化時に、または流量変化とほぼ同時に、前記第２の弁を開放するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ガス化液体中の前記ガスの量は、約５０００万分の１（ｐｐｍ）以下、約５００ｐｐｍ以下、約５０ｐｐｍ以下、または約５ｐｐｍ以下である、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記電気伝導度は、約１０マイクロジーメンス以下または約５マイクロジーメンス以下である、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
前記減圧は、約４０ｐｓｉ以下、または約１５ｐｓｉ以下、または約２ｐｓｉ以下である、請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
ガス化システムであって、
ガス接触側と、液体接触側と、多孔質要素と、を有する接触器と、
前記接触器に供給ガスを提供するために前記接触器に流体的に接続されるガス源と、
前記接触器に供給液を提供するために前記接触器に流体的に接続される液体源と、
前記供給ガスのガス流量を制御するために前記ガス源および前記接触器に流体的に接続されるガス流量制御器と、
前記供給液の液体流量を制御するために前記液体源および前記接触器に流体的に接続される液体流量制御器と、
前記接触器の前記ガス接触側に流体的に接続される真空源であって、前記真空源は、所定の量の前記供給ガスが前記接触器の前記多孔質要素を通過して、前記液体接触側の前記供給液に溶解する速度を増加させることにより、前記供給液の電気伝導度よりも高い電気伝導度を有する、無気泡または実質的に無気泡であるガス化液体を形成する、真空源と、
１つ以上の制御器と、
を備え、
該１つ以上の制御器は、
ガス流量制御器、液体流量制御器、減圧デバイス、電気伝導度センサ、圧力センサ、またはそれらの組み合わせから、１つ以上の入力信号を受信すること、
前記１つ以上の入力信号を、対応する設定値と比較すること、
前記ガス化液体に対する設定値電気伝導度を決定すること、
前記第１の圧力、前記供給ガスの前記ガス流量、前記供給液の前記液体流量、またはそれらの組み合わせを変更して、前記ガス化液体の電気伝導度を前記設定値電気伝導度の範囲内に維持するための、１つ以上の出力信号を生成すること、及び
前記膜接触器の前記液体流出口から、前記供給液の電気伝導度より高い電気伝導度を有するとともに無気泡または実質的に無気泡であるガス化液体を除去すること、
ができる、ガス化システム。
【請求項１３】
前記ガス化液体中の前記ガス量を設定値の約±２０％以下に維持するために、前記ガス流量制御器、前記液体流量制御器、および前記真空源と通信可能に連結される、少なくとも１つの論理制御器をさらに備える、請求項１２に記載のガス化システム。
【請求項１４】
ガス化システムであって、
ガス流入口およびガス流出口を伴うガス接触側と、液体流入口および液体流出口を伴う液体接触側と、多孔質要素と、を有する、膜接触器であって、供給ガスが、前記ガス流入口を介して、第１の圧力下で前記膜接触器の前記ガス接触側に方向付けられ、供給液が、前記液体流入口を介して、前記膜接触器の前記液体接触側に方向付けられる、膜接触器と、
前記膜接触器の前記ガス接触側の前記第１の圧力を第２の圧力まで低減するために、前記膜接触器の前記ガス流出口に流体的に接続される減圧デバイスであって、前記多孔質要素は、前記供給液が、前記膜接触器の前記ガス接触側に進入することを防止し、前記多孔質要素は、所定の量の前記供給ガスが前記供給液を通過して前記供給液に溶解することを可能にして、ガス化液体を生成する、減圧デバイスと、
１つ以上の制御器であって、
ガス流量制御器、液体流量制御器、減圧デバイス、電気伝導度センサ、圧力センサ、またはそれらの組み合わせから、１つ以上の入力信号を受信すること；
前記１つ以上の入力信号を対応する設定値と比較すること；
前記ガス化液体の設定値電気伝導度を決定すること； 
前記第１の圧力、前記供給ガスの前記ガス流量、前記供給液の前記液体流量、またはそれらの組み合わせを変更するために、１つ以上の出力信号を生成することであって、それにより、前記ガス化液体の電気伝導度を前記設定値電気伝導度の範囲内に維持すること；及び
前記膜接触器の前記液体流出口から、前記供給液の電気伝導度より高い電気伝導度を有するとともに無気泡または実質的に無気泡であるガス化液体を除去すること、
ができる、１つ以上の制御器と、
を備える、システム。
【請求項１５】
前記供給ガスのガス流量を制御するために、前記膜接触器の前記ガス流入口に流体的に接続されるガス流量制御器をさらに備える、請求項１４に記載のガス化システム。
【請求項１６】
前記供給液の液体流量を制御するために、前記膜接触器の前記液体接触側に流体的に接続される液体流量制御器をさらに含む、請求項１４に記載のガス化システム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
一部の実施形態において、自動ＤＩ水ガス化システムは、０．５μＳ／ｃｍもの低い電気伝導度を有するガス化ＤＩ水を混合することなく生成および維持するために、水中に微量のＣＯ２を直接注入することができる。マイクロジーメンス（μＳ）は、ジーメンスの１００万分の１である。脱イオン水のコンダクタンスは非常に低いため、マイクロジーメンス／ｃｍ（またはマイクロモー／ｃｍ）で測定される。一部の実施形態において、自動ＤＩ水ガス化システムは、１０〜４０μＳ／ｃｍという、より高いコンダクタンスでガス化ＤＩ水を生成および維持することができる。一部の実施形態において、流量に応じて、単一の自動ＤＩ水ガス化システムが種々の電気伝導度レベルでガス化ＤＩ水を生成および維持することができる。一部の実施形態において、単一の自動ＤＩ水ガス化システムは、約０．５μＳ／ｃｍから約６５μＳ／ｃｍまで電気伝導度レベルを制御することができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
一部の実施形態において、中空糸等の多孔質の接触要素から凝縮液を除去することは、標的電気伝導度、水流量、ガス流量等を含むシステム条件に応じて実装ごとに異なっていてもよい。ＤＩ水ガス化システムの一部の実施形態において、膜に基づく接触器内の凝縮液を排除するために減圧が印加され得る。一部の実施形態において、流出口の真空または真空源は、６μＳ／ｃｍを例示的な標的電気伝導度として、膜に基づく接触器の下流に配置される。一部の実施形態において、流出口の真空はまた、広範囲の圧力範囲にわたって変化してもよく、それらはすべて大気圧未満であるか、または１４．７ポンド／平方インチ（ｐｓｉ）未満であり得る。一部の実施形態において、流出口の真空は排除され得る。例えば、電気伝導度の高いシステムは、真空源を必要としなくてもよい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
一部の実施形態において、減圧は、多孔質要素から凝縮液を除去するのに十分であり得る。自動ＤＩ水ガス化システムのいくつかの実施形態は、４０μＳ／ｃｍを例示的な高い標的電気伝導度として、ＣＯ２排出量を制御することができる。一部の実施形態において、流出口の真空を有する単一の自動ＤＩ水ガス化システムは、真空を使用する時と、ＣＯ２排気を使用する時とを制御するソフトウェアを介して、低い（１０μＳ／ｃｍ未満）および高い（１０μＳ／ｃｍ以上）標的電気伝導度レベルを達成することができる。一部の実施形態において、１０μＳ／ｃｍを下回る標的伝導度のために真空が印加され得る。一部の実施形態において、真空レベルは、異なる電気伝導度レベルのために調節される。例えば、真空レベルは、１μＳ／ｃｍに達するように増加されてもよく、また、１０μＳ／ｃｍに達するように減少され得る。一部の実施形態において、２０μＳ／ｃｍを上回る標的電気伝導度のためには、システムはいずれの真空も印加しなくてよい。そのような場合には、ＣＯ２排気のみが使用され得る。一部の実施形態において、１０μＳ／ｃｍと２０μＳ／ｃｍとの間の標的電気伝導度に対して、水の流量に応じて真空が使用され得る。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
自動ＤＩ水ガス化システムのいくつかの実施形態は、二酸化炭素が停止され、窒素パフ（急激な短時間でのＮ２の吹き付け）が開始される周期的なメンテナンスサイクルを用いて、いずれの凝縮液も除去することができる。ここでは、Ｎ２は混合または希釈のために使用されるのではない。いくつかの電気伝導度の高い用途には、ＣＯ２の流量は、多孔質要素を乾燥した状態に保つほど十分に高くてもよく、必要な場合は、ＣＯ２を停止してＮ２パフを用い得る。いくつかの場合において、Ｎ２パフの時間の長さは制御されるが、Ｎ２パフにおいて使用されるＮ２の量は制御されない。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
本開示の実施形態は、以下の詳細な説明を参照して、添付の図面とともに熟読されることによって、最もよく理解されるであろう。
【図１】図１は、自動ガス化システムの一実施形態の概略図である。
【図２】図２は、手動制御によるガス化システムの一実施形態の概略図である。
【図３】図３は、膜接触器、減圧源、低流量ガス用の質量流量制御器、および選択的な凝縮液トラップを備える、ガス化システムの一実施形態の概略図である。
【図４】図４は、膜接触器、減圧源、低流量ガス用の質量流量制御器、および選択的な電気伝導度センサを備える、ガス化システムの一実施形態の概略図である。
【図５Ａ】図５Ａおよび５Ｂは、真空圧または減圧（図５Ａ）を用いない場合、および真空圧または減圧（図５Ｂ）を用いた場合の、液体中のガスの定常濃度までの時間を実施例として示すプロット図である。
【図５Ｂ】図５Ａおよび５Ｂは、真空圧または減圧（図５Ａ）を用いない場合、および真空圧または減圧（図５Ｂ）を用いた場合の、液体中のガスの定常濃度までの時間を実施例として示すプロット図である。
【図６】図６は、膜接触器、圧力調節器、質量流量制御器、プログラム論理制御器（ＰＬＣ）モジュール、および電気伝導度センサを備える、ガス化システムの一実施形態の概略図である。
【図７Ａ】図７Ａ、７Ｂおよび７Ｃは、液体流量、時間、ガス化液体の電気伝導度（自動制御ループを用いる）の間の関係を実施例として示すプロット図である。
【図７Ｂ】図７Ａ、７Ｂおよび７Ｃは、液体流量、時間、ガス化液体の電気伝導度（自動制御ループを用いる）の間の関係を実施例として示すプロット図である。
【図７Ｃ】図７Ａ、７Ｂおよび７Ｃは、液体流量、時間、ガス化液体の電気伝導度（自動制御ループを用いる）の間の関係を実施例として示すプロット図である。
【図８】図８は、膜接触器の一実施形態の概略図である。
【図９】図９は、種々の電気伝導度の設定値を維持する際の、ガス消費量と液体流量との間の例示的な関係を示すプロット図である。
【図１０】図１０〜１２Ｂは、電気伝導度の設定値を維持する間に流量が変化した場合の電気伝導度と時間との間の例示的な関係を示すプロット図である。
【図１１】図１０〜１２Ｂは、電気伝導度の設定値を維持する間に流量が変化した場合の電気伝導度と時間との間の例示的な関係を示すプロット図である。
【図１２Ａ】図１０〜１２Ｂは、電気伝導度の設定値を維持する間に流量が変化した場合の電気伝導度と時間との間の例示的な関係を示すプロット図である。
【図１２Ｂ】図１０〜１２Ｂは、電気伝導度の設定値を維持する間に流量が変化した場合の電気伝導度と時間との間の例示的な関係を示すプロット図である。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
圧力変換器（図３〜４および６を参照）は、接触器と真空源との間の、接触器のガス流出口に配置され得る。圧力変換器は、真空源の一部であり得る。真空源は、減圧を変更するため、排ガスおよび凝縮液１６２を通気させるため、またはそれらの組み合わせのために、システム制御器に入力を提供することができ、またシステム制御器から出力を受信することができる。図１に示すように、水に溶解したＣＯ２の量は、ＣＯ２の分圧を調節することにより制御することができる。選択的に、液体中に送り込まれるガスの濃度を測定するために、センサが接触器の液体流出口に接続され得る。水の電気伝導度は、水中のＣＯ２濃度に直接比例し、水中のＣＯ２濃度の指標として使用することができる。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
【表１】
2011520609.tif 000001
図３は、ガス源３１０、液体源３２０、低流量ガス用の質量流量制御器３４０、膜接触器３６０、電気伝導度センサ３７２、真空源３８０、および選択的な凝縮液トラップ３６４を備えるガス化システム３００の一実施形態の概略図である。システム３００は、安定した水の電気伝導度を維持するために、選択的な閉ループ制御をさらに備えることができる。真空源３８０は、接触器３６０内の凝縮液を排除するために減圧（すなわち、大気圧未満）で一定の真空掃引を提供すること、およびガス３１２を液体３２２中に送り込むための低い分圧を提供することが可能である。ガス３１２が第１の圧力で接触器３６０に供給される場合は、真空源３８０は、第１の圧力よりも低い第２の圧力を接触器３６０に供給することができ、接触器３６０を介して、減圧でガス３１２を液体３２２中に送り込ませる。一部の実施形態において、接触器３６０は、ミネソタ州チャスカのＥｎｔｅｇｒｉｓ，Ｉｎｃ．より入手可能なｐＨａｓｏｒ（登録商標）接触器である。膜接触器の追加の実施例は、米国特許第６，８０５，７３１号に開示され、参照により本明細書に組み込まれる。一部の実施形態において、接触器３６０は多孔質要素を備えることができる。一部の実施形態において、多孔質要素は、ガス透過性の中空糸を備えることができる。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
図３に示す選択的な凝縮液トラップ３６４は、真空源３８０によって生成されるかまたは引き起こされる真空圧もしくは減圧に影響を及ぼすことなく、排ガスおよび凝縮液３６２を除去するための選択的な自動廃水機能を有する種々の弁３０４、３０６、３０８を備える。例えば、弁３０４、３０６は、真空隔離弁であり得、弁３０８は、凝縮液トラップ３６４から排ガスおよび凝縮液３６２を放出するための廃水弁であり得る。図３はまた、例示目的で、真空ゲージ３９６、液体圧力ゲージ３９４、および電気伝導度センサ３７２を含む選択的な構成要素を表している。電気伝導度センサ３７２は、ガス化液体３２６中のガス３１２の濃度を測定するために接触器３６０の液体流出口に接続され得る。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
一部の実施形態において、電気伝導度センサ３７２からの出力は、ガス化液体３２６中のガス３１２の濃度を設定値濃度または標的濃度と比較する際に使用され得る。例えば、システム制御器は、電気伝導度センサ３７２によって測定した場合に、ガス化液体３２６中のガス３１２の量に比例する出力信号を（有線、無線、光等を介して）受信するように適合され得る。種々の実施形態において、制御器は、センサ出力を設定値濃度と比較することができ、また、ガス化液体３２６中のガス３１２の濃度を標的レベルで維持するように、接触器内へのガスの流量を変更するための出力信号、接触器内への液体の流量を変更するための出力信号、接触器のガス流出口における圧力を変更するための出力信号、またはそれらの組み合わせを出力することができる。一部の実施形態において、標的レベルは、設定値濃度であり得るか、またはそれに近くてもよい。一部の実施形態において、標的レベルは、設定値濃度の範囲内であり得る。そのような範囲の実施例は、これらに限定されないが、１５％、１０％、５％、および３％を含む。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
システム４００は、膜接触器４６０の液体流出口からのガス化液体中のガス４１２の濃度を分析するための、選択的な分析器４７６に接続され得る、選択的な電気伝導度センサ４７２をさらに備えることができる。一実施形態において、電気伝導度センサ４７２はＨｏｎｅｙｗｅｌｌ３９０５電気伝導度セルであり得、分析器４７６はＨｏｎｅｙｗｅｌｌ  ＵＤＡ分析器であり得る。図４に示す実施例において、ガス化液体は配水管に方向付けられる。ロータメータは、ガス化液体の流量を測定するために、電気伝導度センサ４７２と配水管の間に配置され得る。他の実施形態において、ガス化液体は、分注点またはガス化システム４００の下流のシステムに方向付けられ得る。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５７】
図６は、ガス源６１０、液体源６２０、プログラム論理制御器（ＰＬＣ）モジュール６３０、質量流量制御器６４０、および膜接触器６６０を備えるＤＩ水ガス化システム６００の一実施形態の概略図である。システム６００中の圧力は、圧力調節器６９４、６９６、および弁６０２を介して調整され得る。圧力調節器６９６は、真空源に、または減圧を提供することが可能なデバイスに接続され得る。接触器６６０は、上述したように膜に基づく接触器であり得る。特定の実施例として、ガス源６１０は二酸化炭素を供給することができ、液体源６２０は水を供給することができる。この実施例において、水および二酸化炭素は、ある実施形態において、Ｅｎｔｅｇｒｉｓ，Ｉｎｃ．より入手可能なｐＨａｓｏｒ（登録商標）ＩＩ膜接触器等の中空糸接触器である膜接触器６６０内で混合される。一部の実施形態において、ＰＬＣモジュール６３０は、電気伝導度センサ６７２および質量流量制御器６４０に接続される。図６の実施例において、質量流量制御器６４０は、二酸化炭素等のガスを膜接触器６６０の流入口に供給することができる。膜接触器６６０のガス側にある流出口は、圧力調節器および／または減圧源６９６との接続のためのポートを有する。図６に示すように、膜接触器６６０の液体接触側は、液体源６２０への流入口で接続される。例示的な液体は、家庭用脱イオン水である。一部の実施形態において、流量制御器６７４は、膜接触器６６０を通って流れる液体を制御するために電気伝導度センサ６７２に接続され得る。一部の実施形態において、流量制御器６７４は、廃水管または分注システム等の下流システムに接続され得る。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５８】
一部の実施形態において、プログラム論理制御器モジュールまたは１つ以上の他の好適な制御器は、電気伝導度センサから出力信号を受信することができ、設定値量のガスを液体に供給するようにガス質量流量制御器（ＭＦＣ）に出力信号を提供する。一部の実施形態において、大きな流量変化が検出されたとき、または液体流量が変化する前の時点で（フィードフォワード制御または能動的制御）、プログラム論理制御器モジュールまたは１つ以上の他の好適な制御器が、膜接触器内のガスの分圧を変更して、液体中のガスの量の変動を設定値の±２０パーセント未満に維持するように、ガスの分圧を制御する１つ以上のデバイスに１つ以上の信号を送信することができる。図６において、破線は例示的な制御ループを表す。例えば、電気伝導度センサ６７２は、液体中のガスの量を測定して、対応する信号をＰＬＣモジュール６３０に送信することができる。ＰＬＣモジュール６３０は、電気伝導度センサ６７２からのセンサ信号を分析して、特定レベルの電気伝導度を維持するために適切な量の調節が必要であり得ると判断することができる。ＰＬＣモジュール６３０は、接触器内の分圧および／または二酸化炭素ガスの流量を調節するように、１つ以上の調節信号を生成して質量流量制御器６４０、圧力調節器６９６等に送信することができる。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５９】
液体流量の大きな変化は、液体流量の変化が、液体中のガスの設定値量の約１５％以上、いくつかの場合において５０％以上の最初の変動をもたらす変化であり、いくつかの場合において液体流量の大きな変化は、定常流量の１０パーセントを上回る。液体流量の大きな変化およびそれに対応して電気伝導度に及ぼす影響の実施例を図７Ａに示す。図７Ａに示されるように、液体組成物についてセンサによって測定された場合の液体中のガスの量の安定性は、約±２パーセント以下（０〜７５秒）であり、液体に溶解されたまたは送り込まれるガスの非限定的な設定値濃度は、６．２マイクロジーメンスである。この実施例において、ＰＩＤ閉ループ制御および接触器内のガスの分圧を変更するための信号の組み合わせを用いずに、最初の液体流量を１０ｌｐｍから２０ｌｐｍに倍増することによってもたらされる液体流量の大きな変化は、液体中のガスの設定値量から約５０％の変動をもたらし得る。図７Ａに示す実施例は後に詳述する。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６４】
一部の実施形態において、液体中のガスの量は、液体の電気伝導度によって測定することができる。一部の実施形態において、溶液（液体および溶解ガスまたは反応ガス）の電気伝導度は、５マイクロジーメンス（μＳ）以下であり得る。一部の実施形態において、溶液の電気伝導度は２μＳ以下であり得る。当業者は、毎分２リットルと毎分２０リットルの間の液体流量で、１５％未満の濃度の変動を有する液体中の低レベルのガスを作製することは困難であり得ると認識することができる。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８２】
（実施例２）
下の表２は、真空を用いずに、単一のｐＨａｓｏｒ（登録商標）ＩＩ接触器を使用して、水温２４．５℃で約１μＳ／ｃｍの電気伝導度を有するガス化水を作製するために混合される必要がある大量のＣＯ２ガスおよびＮ２希釈ガスを示す。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８３】
【表２】
2011520609.tif 000002
（実施例３）
一部の実施形態において、抵抗率の低い水は、低流量の二酸化炭素ガスおよび接触器のガス流出口の減圧を用いて生成することができる。下の表３は、減圧を用いて、またＣＯ２流を制御するためにロータメータを使用して、ガス化液体の電気伝導性において５％以下の変動の安定性を維持することができるシステム４００の一実施形態を示す。より具体的には、−２８インチｍｍＨｇ（６ｋＰａ）でＣＯ２／真空を使用すると、システム４００の一実施形態は、毎分２リットルから１２リットルまで（ＬＰＭ）の水流範囲で５％以下の変動率、実際には３％以下の変動率で１μＳ／ｃｍという安定した電気伝導度を達成することができる。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８４】
【表３】
2011520609.tif 000003
（実施例４）
この実施例は、質量流量制御器を用いて接触器に供給される低流量のガスを示す。低流量のガスは、種々の液体流量を用いる一部の実施形態において、ガスを液体中に送り込み、電気伝導度で測定した場合に液体中のガス濃度の変動が低い状態で、液体中の濃度が低いガスを形成するために使用することができる。この実施例はまた、いくつかの実施形態は異なる温度で動作することができることを示している。二酸化炭素のガス流量は、０．８ｓｃｃｍから１２．１ｓｃｃｍに変化した。これらの温度では、水の電気伝導度によって測定した場合に、水に溶解した二酸化炭素の濃度の安定性は２％以内で変化し得る。この実施例において、水の流量は１．８９リットル毎分（ｌｐｍ）から９．４リットル毎分の範囲であり、もたらされる水の電気伝導度は１．０１μＳ／ｃｍから１．１１μＳ／ｃｍまでの範囲である。１．８９ｌｐｍの流量で１μＳ／ｃｍの電気伝導度を達成するためにこの実施例で使用される二酸化炭素ガスの量は、約０．８ｓｃｃｍであり、それは、２ｌｐｍの水の流量で約１μＳ／ｃｍの抵抗率の水を達成するために比較実施例２で使用される約１８ｓｃｃｍの二酸化炭素および３３ｌｐｍの窒素のほぼ１０分の１である。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８５】
下の表４および５は、異なる温度で動作するｐＨａｓｏｒ（登録商標）ＩＩ膜接触器、Ｔｙｐｌａｎ質量流量制御器（ＦＣ−２９０２ｍ−４Ｖ）、およびＨｏｎｅｙｗｅｌｌ  ４９０５シリーズの電気伝導度プローブを備えるガス化システムの実施形態を示している。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８６】
【表４】
2011520609.tif 000004
【誤訳訂正２１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８７】
【表５】
2011520609.tif 000005
（実施例５）
この実施例は、図６および７Ａ〜Ｃを参照して、水の流量、時間、およびガス化ＤＩ水の電気伝導度の間の関係を示す。上述したように、液体流量に変化が起きると、例示された液体中に送り込まれるガスの濃度または量に変動が起こり得る。この変動は、液体中のガスの量におけるアンダーシュートスパイクまたはオーバーシュートスパイクとして特徴付けることができる。上述したように、本明細書で開示される実施形態は、ＰＩＤ制御を介して、またはＰＩＤおよび条件付き信号の組み合わせを介して、そのようなスパイクを最小に抑えることができる。この実施例の実施形態の概略図を図６に示す。この実施例では、二酸化炭素の流量は、約０．１と０．５標準リットル毎分（ｓｌｐｍ）との間であり、接触器の流出口の圧力は約−１５水銀インチ、水の流量は１ｓｌｐｍまたは１０ｓｌｐｍのいずれかの段階的な変化において１０ｓｌｐｍと２０ｓｌｐｍとの間で変化する。流入口の水は、温度２３．４℃および圧力２５０〜３６０ｋＰａで１７．５メガオーム−センチメートルであった。
【誤訳訂正２２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８８】
図７Ａは、図６に示すシステム６００の一実施形態を使用した二酸化炭素質量流量制御器のＰＩＤ制御を用いた水の定常状態の電気伝導度（０秒〜７５秒）および初期の液体流量１０ｌｐｍで約６．２μＳ／ｃｍの設定値（±２％）を維持するために水中に送り込まれる二酸化炭素の量に対する時間に伴う水の流量を示している。固定ＣＯ２ガス流量で水の流量が１０ｌｐｍから２０ｌｐｍに変化すると、水の電気伝導度が低下する。電気伝導度は約３．２μＳ／ｃｍまでスパイクまたはアンダーシュートする。ＣＯ２流のＰＩＤ制御は、水混合物を徐々に６．２μＳ／ｃｍの設定値まで戻す。液体流量が１０ｌｐｍまで変化すると、水の電気伝導度が約９．２μＳ／ｃｍまでオーバーシュートまたはスパイクする。ＣＯ２流のＰＩＤ制御は、水とＣＯ２の混合物を徐々に約６．２μＳ／ｃｍセットのポイントまで戻す。ＰＩＤ制御単独では、電気伝導度の設定値からのスパイク、すなわちアンダーシュートまたはオーバーシュートは、設定値の±３μＳであるか、または約±５０％であった。
【誤訳訂正２３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９１】
図６を参照すると、この特定の実施例を実装する実施形態は、膜接触器６６０と窒素源６８０の間に配置されるＮ２ガス制御弁６１６を含むことができる。Ｎ２ガス源６８０は、Ｎ２ガス制御弁６１６を介して膜接触器６６０にＮ２ガスを供給する。制御弁６１６は、ＰＬＣモジュール６３０によって制御される。一部の実施形態において、Ｎ２ガス制御弁６１６が開いているとき、ＣＯ２ガス制御弁６１４は閉じているため、ＣＯ２およびＮ２ガスはいかなるときも混合しない。つまり、Ｎ２は混合または希釈のために使用されない。一部の実施形態において、システム６００上で実行されるソフトウェアは、メンテナンスおよびオーバーシュート補償中に、ＣＯ２ガス制御弁６１４を閉じて、Ｎ２ガス制御弁６１６を開くことができる。例えば、いくつかの実施形態は、いずれの凝縮液も除去するために、ＣＯ２ガスが停止され、Ｎ２パフが開始される周期的なメンテナンスサイクルを用いることができる。いくつかの電気伝導度の高い用途では、ＣＯ２の流量は、多孔質要素を乾燥した状態に保つほど十分に高くてもよく、必要な場合は、ＣＯ２を停止してＮ２パフを用いてもよい。いくつかの場合において、Ｎ２パフの時間の長さおよび／または圧力は制御されるが、Ｎ２パフにおいて使用されるＮ２の正確な量は必ずしも制御されない。例えば、Ｎ２ガス制御弁６１６は、メンテナンスサイクルのために１１ｐｓｉで約２秒開くことができ、オーバーシュート補償のために２０ｐｓｉで約０．２秒開くことができる。この実施例では、ＣＯ２の流量は、水温２５度および約２ｌｐｍから２０ｌｐｍまでの水の流量では、２０ｐｓｉで約０．０１ｌｐｍから１ｌｐｍまでと変化することができる。
【誤訳訂正２４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９３】
約２００秒から３５０秒の時間の間に１０ｓｌｐｍから２０ｓｌｐｍという液体の段階的な流量変化については、予測される液体の流量変化の前にガス質量流量制御器に信号を用いてガスの分圧を変更することおよびＰＩＤ制御を組み合わせて、液体中に送り込まれるガスの量の変動を設定値の約１７パーセント以下で最小に抑えることができ、それは、５．２μＳのアンダーシュートおよび７．２μＳのオーバーシュートならびに６．２μＳの定常状態に基づいて、約±１μＳである。フィードフォワード制御の別の実施例として、予想される液体の流量変化の約２秒前に信号が送信され得る。特定のシナリオにおいて、液体流量が２５０秒から３００秒の間に２０ｓｌｐｍから１０ｓｌｐｍに減少すると、オーバーシュートを最小に抑え、約６．２μＳの設定値を達成するために、流量の変化時またはそれとほぼ同じ時に低圧のＮ２ガスが注入され得る。この場合も同様に、液体の流量変化による電気伝導度のスパイクの予想される影響（複数可）に先制的に対応するかまたはそれを補償するためにＮ２が使用される。迅速かつ最小の変動で液体中のガスの濃度または量を変更する能力は、単一ウエハまたはバッチウエハの半導体洗浄プロセスにおいて使用することができる。
【誤訳訂正２５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９４】
図７Ｃは、ＰＩＤ制御のみを使用して、液体中に送り込まれるガスの濃度の変動を、どのように約±１μＳ以下または設定値の約±２０パーセント以下に最小に抑えることができるかを例示している。これは、図７Ｃにおいて、約６．２μＳの初期設定値をもたらす水に送り込まれるＣＯ２の量について示されている。この場合、水の流量は、３０秒ごとに１ｓｌｐｍずつ段階的に変更される。図７Ｃに示すように、約７５秒から１７５秒の間に、１０ｓｌｐｍから１１ｓｌｐｍ、１２ｓｌｐｍになり、次いで段階的に１０ｓｌｐｍに戻る水の流量変化には、電気伝導度セルからの出力に基づいてガス流量を変更するようにＰＩＤ制御が動作可能であり、液体中に送り込まれるガスの量の変動を設定値の約１２パーセント以下で最小に抑え、それは、５．５μＳのアンダーシュートおよび６．７μＳのオーバーシュートならびに６μＳの定常状態に基づいて、約±０．７μＳ以下である。
【誤訳訂正２６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９６】
当業者には認識され得るように、水中でのＣＯ２の溶解は、単なる物理的プロセスではない。ＣＯ２が水に溶解すると、炭酸（Ｈ２ＣＯ３）を形成することにより水の酸性度を増加させる。その結果、酸の溶解が、より自由に移動するイオンを溶液中で生成し、水をより電気伝導性にする。この関係を次の式１に示す。
【誤訳訂正２７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９８】
システム１００、２００、３００、４００、および６００の種々の実施形態は、制御された一貫性のある様式でＤＩ水に少量のＣＯ２を注入することが可能な自動インラインＣＯ２ガス化システムを実装するように適合され得る。一部の実施形態において、ＣＯ２−ＤＩ水ガス化システムは、ペルフルオロアルコキシ（ＰＦＡ）中空糸膜に基づく接触器を備えることができ、超低度の電気伝導度を達成および維持するために、希釈せずにＤＩ水中に直接ＣＯ２を注入する新規方法を採用ことができる。そのようなＣＯ２−ＤＩ水ガス化システムの実施形態は、以下の特性／利点を含むことができる。
【誤訳訂正２８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９９】
−自動電気伝導度制御
−迅速な応答および円滑な制御を伴う最適化された制御ループ
−いずれの不活性ガスまたは流体混合も使用しない直接的なＣＯ２注入
−広範囲の電気伝導度
−低所有コストのための最小のガス／流体廃棄物およびシステムメンテナンス
−省スペースおよび信頼性のためのコンパクトおよび効率的な設計
ＣＯ２−ＤＩ水ガス化システムは、最小のシステムのダウンタイムで、応答性のよいシームレスなプロセスを可能にするように動作可能なソフトウェアおよびハードウェアコンポーネントを備えることができる。ＣＯ２−ＤＩ水ガス化システムの特定の実施形態の多様性およびロバスト性を実証する容量および制御データを、次に図８〜１２Ｂを参照して説明する。
【誤訳訂正２９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０１】
図８に示すように、疎水性の膜は、ガスが液体中に自由に拡散できるようにし、液体が部材を通ってガスに入るのを防止する。特定の実施例として、逆流構造において、ＣＯ２は中空糸の内部（接触器の管腔側）をスイープし、ＤＩ水が中空糸の外（接触器のシェル側）に流出する。疎水性の膜は、ＣＯ２が水中に自由に拡散できるようにするが、水が膜を通ってガス側に入るのを防止し、それにより無気泡のガス化ＤＩ水を生成する。水に溶解したＣＯ２の量は、ＣＯ２の分圧を調節することにより制御することができる。水の電気伝導度は、水中のＣＯ２濃度に直接比例する。したがって、ほとんどの用途において、水の電気伝導度を水中のＣＯ２濃度の指標として使用することができる。
【誤訳訂正３０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０３】
Ｐ＝Ｈｘ                                                        ［式２］
Ｐ＝ガス分圧
Ｈ＝ヘンリーの法則の係数、温度の関数
ｘ＝平衡状態にある水中の溶解ガスの濃度
よって、ＣＯ２−ＤＩ水ガス化プロセスにおいて、水に溶解したＣＯ２の量を変更および維持するために、システムは、膜接触器内部のＣＯ２の圧力を調節および制御する必要がある。特定の清浄用途は、１０μＳ／ｃｍ以下という超低度の電気伝導度を必要とするため、システムは、低いＣＯ２の圧力を制御して、希薄なＣＯ２−ＤＩ水混合物を形成することができるべきである。上述したように、従来の方法は、Ｎ２等の中性ガスでＣＯ２を希釈することを伴う。中性ガスは、希釈剤としての役割を果たすだけでなく、少量のＣＯ２をＤＩ水に迅速に分散させる担体ガスとしての役割も果たす。表６に例示するように、電気伝導度がどのくらい低いかによって、著しく大量の希釈ガスが必要となり得る。Ｎ２でＣＯ２を希釈する従来方法では、１μＳ／ｃｍの電気伝導度を達成するためには１：１６００のＣＯ２：Ｎ２流量比が維持される必要がある。
【誤訳訂正３１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０４】
【表６】
2011520609.tif 000006
【誤訳訂正３２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０５】
図９は、直接注入法の実施形態にしたがって種々の電気伝導度の設定値を維持する際の、ガス消費量と水の流量との間の例示的な関係を示すプロット図である。より具体的には、図９は、室温または２５℃で、Ｅｎｔｅｇｒｉｓ製の全ＰＦＡ膜接触器を使用して、電気伝導度の設定値が６μＳ／ｃｍ、２０μＳ／ｃｍ、および４０μＳ／ｃｍの場合のＣＯ２消費量対ＤＩ水流量を示している。また、直接注入法は、迅速かつ均一に少量のＣＯ２を接触器内部に分布することが可能であり、迅速な応答時間をもたらす。
【誤訳訂正３３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０６】
異なるプロセスは、異なるＣＯ２の水中濃度を必要とし得るため、ＣＯ２−ＤＩ水ガス化システムの種々の実施形態は、種々の水流量のために幅広い電気伝導度をもたらすことができるべきである。下の表７は、単一の膜接触器を備えるＣＯ２−ＤＩ水ガス化システムの実施形態が、４０ｐｓｉまでのＣＯ２圧力下で、２５℃、１ＬＰＭおよび２０ＬＰＭの水流量で達成することができる最小電気伝導度および最大電気伝導度を示している。
【誤訳訂正３４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０７】
【表７】
2011520609.tif 000007
上述した独自の直接注入法を使用することにより、混合することなく、０．５μＳ／ｃｍもの低い電気伝導度を維持するために、少量のＣＯ２を直接水中に注入することができる。高濃度のＣＯ２を必要とする用途には、システムは、１ＬＰＭの水流量に対して６５μＳ／ｃｍ、２０ＬＰＭの水流に対して３０μＳ／ｃｍもの高い電気伝導度を生成することができる。接触効率が滞留時間によって制限されるようになるため、水の流量が増加すると、到達可能な最大電気伝導度は所与のＣＯ２圧力で減少する。複数の膜接触器を使用することでＤＩ水の流量が高い用途においてより高い電気伝導度を達成することができ、効率的に滞留時間を増加させる。
【誤訳訂正３５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０８】
産業が単一ウエハ処理および複数チャンバクラスタツールの構成へと移行するにつれて、スループットを維持するために分注サイクルが短縮され、増大するツール設計の複雑性および機能に対応するためにプロセスレシピはより複雑になる。結果として、高度な洗浄ステップが、広範囲の水流量および迅速な流量変化を要求する。さらに、非破壊的かつ安定したプロセスを確保するために、炭酸水の濃度（電気伝導度）が密接に制御および維持される。プロセスの複雑性と厳重なプロセス制御が相まって、システム電気伝導度の制御に一連の課題を課すこととなる。したがって、ＣＯ２−ＤＩ水ガス化システムの種々の実施形態は、緩やかな変化の間にプロセスを安定させることができるだけでなく、急激な流量変化の間にも変動を最小に抑えて迅速な回復を提供することができる、最適化された制御ループを実装することができる。一部の実施形態において、ＣＯ２−ＤＩ水ガス化システムは、図１０〜１２Ｂに例示するような緩やかおよび急激な水の流量変化を含む種々の流量変化スキームに対応することが可能な、ＰＩＤに基づく電気伝導度制御ループを備えることができる。
【誤訳訂正３６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０９】
（急激な水の流量変化）
図１０に示すように、直接注入法を実装するＣＯ２−ＤＩ水ガス化システムの実施形態は、水温２５℃で、水の流量が８〜１２ＬＰＭの間で３０秒ごとに１ＬＰＭ変化する場合、電気伝導度を標的電気伝導度である６μＳ／ｃｍの＋／−５％以内の十分な維持を達成することができる。
【誤訳訂正３７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１０】
図１１は、各ランの間のウエハ搬送時間が１５秒である、２回連続した例示的なウエハのランを示している。各ランは、水温２４℃、４０μＳ／ｃｍの電気伝導度設定値で、２ＬＰＭと１６ＬＰＭの間で３０秒ごとに２ＬＰＭの水の流量変化を含む。ウエハを搬送する１５秒の間は、水の流量が停止し、ＣＯ２流が途切れる。各ランの間、制御ループは、電気伝導度を設定値の５％以内に維持することが可能である。次のランが始まると、電気伝導度レベルは数秒の内に設定値まで回復する。ウエハ搬送の間のアイドリングを含めた２回のランを通して、電気伝導度レベルは、決して設定値の＋／−１０％を超えない。
【誤訳訂正３８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１１】
（急激な水の流量変化）
マルチチャンバプロセスにおいて、急激な水の流量変化は珍しいものではない。水の流量変化の規模によって、許容できる応答および安定性をもたらすためには、従来のＰＩＤ制御アルゴリズムが十分ではないことがある。例えば、水の流量が減少すると、下流のセンサは水の電気伝導度における任意の変化を検知するのに長い時間が掛かる。単純なＰＩＤ制御器は、一時的な遅延に対応するようには設計されていない。したがって、本明細書で開示されるＣＯ２−ＤＩ水ガス化システムの種々の実施形態は、水の流量が激減した場合に電気伝導度のオーバーシュートを最小に抑えるための追加の制御最適化を実装することができる。具体的には、流量がより大きく低下したときに電気伝導度の変動を最小に抑えるために、電気伝導度オーバーシュート補償特性が実装され得る。アンダーシュートは水の流量が増加した時に起こり得るものであり、その場合、検知の遅れは問題ではない可能性があるため、そのような補償特性はアンダーシュートをオフセットには必要ない。図１２Ａおよび図１２Ｂは、補償を用いた場合および用いない場合のオーバーシュートの量を比較したものである。オーバーシュート補償が使用されない場合、流量が１６ＬＰＭから２ＬＰＭに減少すると、電気伝導度の設定値からのオーバーシュートに２０％の変動が観察される（図１２Ａ）。オーバーシュート補償を使用した場合（図１２Ｂ）、同じ水の流量の減少で、オーバーシュートにわずか１０％の変動が生じたのみであった。