【手続補正書】
【提出日】平成24年3月30日(2012.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通する窒化物エピタキシャル層と、
前記共通する窒化物エピタキシャル層上に第１の少なくとも１つのイオン注入されたｎタイプの領域を含む、前記共通する窒化物エピタキシャル層に設けられた第１タイプの窒化物デバイスとを備え、前記第１の少なくとも１つのイオン注入されたｎタイプの領域は、前記共通する窒化物エピタキシャル層のドーピング濃度よりも高い第１のドーピング濃度を有し、
前記共通する窒化物エピタキシャル層上に第２の少なくとも１つのイオン注入されたｎタイプの領域を含む、前記第１のタイプの窒化物デバイスと異なる第２のタイプの窒化物デバイスを備え、前記第２の少なくとも１つのイオン注入されたｎタイプの領域は、前記少なくとも１つのイオン注入されたｎタイプの第１の領域と異なり、前記共通する窒化物エピタキシャル層のドーピング濃度よりも高い第２のドーピング濃度を有し、
前記第１の少なくとも１つのイオン注入されたｎタイプの領域に設けられ、前記第１のタイプの窒化物デバイスの第１の電子デバイスを構成する複数の第１の電気コンタクトと、
前記第１の少なくとも１つのイオン注入されたｎタイプの領域に設けられ、前記第２のタイプの窒化物デバイスの第２の電子デバイスを構成する複数の第２の電気コンタクトとを備え、
前記第２の少なくとも１つのイオン注入されたｎタイプ領域は、高導電性のｎタイプ領域を備え、前記第２の複数の電気コンタクトは、前記高導電性のｎタイプ領域上に設けられたソースコンタクトと、ドレインコンタクトと、前記ソースコンタクトと前記ドレインコンタクトとの間のゲートコンタクトとを備える、モノリシック電子デバイス。
【請求項２】
前記第１の少なくとも１つのイオン注入されたｎタイプの領域は、前記第１の電子デバイスのためのソース領域およびドレイン領域を備え、前記第１の複数の電気コンタクトは、前記ソース領域のソースコンタクトと、前記ドレイン領域上のドレインコンタクトと、前記ソースコンタクトと前記ドレインコンタクトとの間のゲートコンタクトとを備える、請求項１に記載のモノリシック電子デバイス。
【請求項３】
前記共通する窒化物エピタキシャル構造は、
窒化物チャンネル層と、
前記窒化物チャンネル層の上に設けられた窒化物バリア層とを備え、前記窒化物バリア層は、前記窒化物チャンネル層よりも高いバンドギャップを有し、
前記窒化物バリア層と前記窒化物チャンネルとは、前記窒化物チャンネル層と前記窒化物バリア層との間の境界部に二次元電子ガスを協働して誘導する、請求項２に記載のモノリシック電子デバイス。
【請求項４】
前記バリア層上の高バンドギャップ層と、前記高バンドギャップ層上の窒化シリコン層とを更に含む、請求項３に記載のモノリシック電子デバイス。
【請求項５】
前記高導電性のｎタイプの領域は、前記高バンドギャップ層内にｎタイプのＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）のイオン注入された領域を備え、前記第２の電子デバイスは約１×１０１６ｃｍ−３未満のドーピング濃度を有する高導電性のｎタイプの領域上に、ｎタイプのＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）の層を備える、請求項４に記載のモノリシック電子デバイス。
【請求項６】
前記第２電子デバイスのゲートコンタクトとドレインコンタクトとは、アノードを形成するように電気的に結合されている、請求項５に記載のモノリシックデバイス。
【請求項７】
前記高導電性のｎタイプの領域は約５.０×１０１８〜約６.０×１０１８ｃｍ−３のドーピング濃度および約０.１〜約１.０μｍの深さを有する、請求項１に記載のモノリシックデバイス。
【請求項８】
前記第１の電子デバイスは、高電子移動度トランジスタを備える、請求項１に記載のモノリシック電子デバイス。
【請求項９】
前記第２の電子デバイスは、表面音響波デバイスを備える、請求項８に記載のモノリシック電子デバイス。
【請求項１０】
前記第２の電子デバイスは、ダイオードを備える、請求項８に記載のモノリシック電子デバイス。
【請求項１１】
前記第２の電子デバイスは、電界効果トランジスタを備える、請求項８に記載のモノリシック電子デバイス。
【請求項１２】
前記第２の電子デバイスは、ＭＩＳＨＦＥＴを備える、請求項８に記載のモノリシック電子デバイス。
【請求項１３】
窒化物チャンネル層と、
前記窒化物チャンネル層の上に設けられ、前記窒化物チャンネル層よりも高いバンドギャップを有する窒化物バリア層とを備え、
前記窒化物バリア層と前記窒化物チャンネル層とは、前記窒化物チャンネル層と前記窒化物バリア層との間の境界部に二次元電子ガスを協働して誘導し、
更にソース領域およびドレイン領域をそれぞれ構成する前記バリア層上に設けられた第１および第２のｎタイプのイオン注入された領域と、
前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に設けられ、第１トランジスタデバイスを構成する第１ゲート電極と、
前記バリア層上に設けられ、イオン注入された高導電性のｎタイプ領域を構成する第３のｎタイプのイオン注入された領域と、
前記イオン注入された高導電性のｎタイプ領域上に設けられ、第２のトランジスタデバイスを構成する第２ゲート電極とを備える、窒化物エピタキシャル構造を含むモノリシック電子デバイス。
【請求項１４】
共通する窒化物エピタキシャル層を形成するステップと、
前記共通する窒化物エピタキシャル層上に第１の少なくとも１つのイオン注入されたｎタイプの領域を含む、前記共通する窒化物エピタキシャル層に設けられた第１タイプの窒化物デバイスを形成するステップとを備え、前記第１の少なくとも１つのイオン注入されたｎタイプの領域は、前記共通する窒化物エピタキシャル層のドーピング濃度よりも高い第１のドーピング濃度を有し、
前記共通する窒化物エピタキシャル層上に第２の少なくとも１つのイオン注入されたｎタイプの領域を含む、前記第１のタイプの窒化物デバイスと異なる第２のタイプの窒化物デバイスを形成するステップとを備え、前記第２の少なくとも１つのイオン注入されたｎタイプの領域は、前記少なくとも１つのイオン注入されたｎタイプの第１の領域と異なり、前記共通する窒化物エピタキシャル層のドーピング濃度よりも高い第２のドーピング濃度を有し、
前記第１の少なくとも１つのイオン注入されたｎタイプの領域に設けられ、前記第１のタイプの窒化物デバイスの第１の電子デバイスを構成する複数の第１の電気コンタクトを形成するステップと、
前記第１の少なくとも１つのイオン注入されたｎタイプの領域に設けられ、前記第２のタイプの窒化物デバイスの第２の電子デバイスを構成する複数の第２の電気コンタクトを形成するステップとを備え、
前記第２の少なくとも１つのイオン注入されたｎタイプの領域を形成するステップは、高導電性のｎタイプの領域にイオンを注入することを含み、前記第２の複数の電気接点を形成するステップは、前記高導電性ｎタイプの領域上でソースコンタクト、ドレインコンタクトおよび前記ソースコンタクトと前記ドレインコンタクトの間のゲートコンタクトを形成することを含む、モノリシック電子デバイスを形成する方法。
【請求項１５】
前記第１の少なくとも１つのイオン注入されたｎタイプ領域を形成するステップは、前記第１電子デバイスのためのソース領域およびドレイン領域にイオンを注入するステップを備え、前記第１の複数の電気コンタクトを形成するステップは、前記ソース領域上のソースコンタクト、前記ドレイン領域上のドレインコンタクトおよび前記ソースコンタクトと前記ドレインコンタクトとの間のゲートコンタクトを形成することを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記高導電性のｎタイプの領域を形成するステップは、約５.０×１０１８〜約６.０×１０１８ｃｍ−３のドーピング濃度および約０.１〜約１.０μｍの深さを有する高導電性のｎタイプの領域を形成することを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記第２の電子デバイスのゲートコンタクトおよびドレインコンタクトを形成するステップは、前記ゲートコンタクトと前記ドレインコンタクトとが電気的に結合されてアノードを形成するようにゲートコンタクトおよびドレインコンタクトを形成することを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記共通する窒化物エピタキシャル構造を形成するステップは、
窒化物チャンネル層を形成するステップと、
前記窒化物チャンネル層の上に設けられた窒化物バリア層を形成するステップとを備え、前記窒化物バリア層は、前記窒化物チャンネル層よりも高いバンドギャップを有し、前記窒化物バリア層と前記窒化物チャンネルとは、前記窒化物チャンネル層と前記窒化物バリア層との間の境界部に二次元電子ガスを協働して誘導する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記バリア層上に高バンドギャップ層と、前記高バンドギャップ層上の窒化シリコン層とを形成するステップを更に含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記高導電性のｎタイプの領域を形成するステップは、前記高バンドギャップ層内にｎタイプのＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）の領域にイオン注入するステップを備え、約１×１０１６ｃｍ−３未満のドーピング濃度を有する高導電性のｎタイプの領域上に、ｎタイプのＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）の層を形成するステップを備える、請求項１９に記載の方法。