【手続補正書】
【提出日】平成26年6月16日(2014.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路であって、
第１の導電型を有する半導体基板と、
第１の拡張ドレイン金属酸化物半導体（ＭＯＳ）トランジスタと、
を含み、
前記第１の拡張ドレインＭＯＳトランジスタが、
第１のソース／チャネルアクティブエリアと、
前記第１のソース／チャネルアクティブエリアとは反対側に配置される、第１のドレインコンタクトアクティブエリアと、
前記第１のソース／チャネルアクティブエリアにおける前記基板内の第１のボディ領域であって、前記第１の導電型を有する、前記第１のボディ領域と、
前記ボディ領域内の第１のチャネル領域であって、前記第１のソース／チャネルアクティブエリア内の前記基板の上面に配置される、前記第１のチャネル領域と、
前記第１のチャネル領域の上の前記基板上に配置される第１のゲート誘電体層と、
前記第１のゲート誘電体層上に配置される第１のゲートと、
前記第１のドレインコンタクトアクティブエリアとは反対側で前記第１のゲート近傍の前記第１のソース／チャネルアクティブエリア内に配置される第１のソース領域であって、前記第１の導電型とは逆の第２の導電型を有する、前記第１のソース領域と、
前記基板内に配置される第１のドレインドリフト領域と、
を含み、
前記第１のドレインドリフト領域が前記第２の導電型を有し、
前記第１のドレインドリフト領域が、前記第１のドレインコンタクトアクティブエリアから前記第１のソース／チャネルアクティブエリアへ延び、
前記第１のドレインドリフト領域が前記第１のチャネル領域に接し、更に、
前記第１のドレインドリフト領域が、前記第１のソース／チャネルアクティブエリア内に第１の複数の横方向ドーピングストリエーション（ｓｔｒｉａｔｉｏｎ）を含み、前記第１のドレインコンタクトアクティブエリアへの距離の一部延び、前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーションが前記基板の前記上面に平行であり、前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーションが前記第２の導電型を有し、そのため、前記第１のソース／チャネルアクティブエリアにおける前記第１のドレインドリフト領域の平均ドーピング濃度が、前記第１のドレインコンタクトアクティブエリアにおける前記第１のドレインドリフト領域の平均ドーピング濃度より少なくとも２５パーセント低くなる、ようになっている、集積回路。
【請求項２】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記第１のドレインドリフト領域が、前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーション間で連続的であり、
前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーションが、前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーション間の前記第１のドレインドリフト領域の領域より少なくとも１５パーセント高いドーピング濃度を有する、集積回路。
【請求項３】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーションが、前記第１の導電型を有する前記基板の領域によって横方向に分離され、
前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーションの隣接インスタンス間の前記基板の領域の各インスタンスの横方向累積ドーピング濃度が、１×１０１２ｃｍ−２〜５×１０１２ｃｍ−２であり、前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーションの隣接インスタンス間の前記基板の領域の前記横方向累積ドーピング濃度が、前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーションの１つのインスタンスの横方向エッジから、前記基板の領域を通って、前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーションの隣接インスタンスの横方向エッジへの水平線に沿った、総合ドーピング濃度であり、前記水平線が、前記基板の前記上面に平行であり、前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーションの前記横方向エッジに垂直である、集積回路。
【請求項４】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーションが、前記第１のソース／チャネルアクティブエリアと、前記第１のドレインコンタクトアクティブエリアにより近い端部とにおいて実質的に等しい幅を有する、集積回路。
【請求項５】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーションが、前記第１のドレインコンタクトアクティブエリアにより近い端部において、前記第１のソース／チャネルアクティブエリアより幅が広くなるように、前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーションがテーパ状になっている、集積回路。
【請求項６】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーションの第１のインスタンスの第１の幅が、前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーションの第２のインスタンスの第２の幅より少なくとも２５パーセント大きい、集積回路。
【請求項７】
請求項１に記載の集積回路であって、
第２の拡張ドレインＭＯＳトランジスタを更に含み、前記第２の拡張ドレインＭＯＳトランジスタが、
第２のソース／チャネルアクティブエリアと、
前記第２のソース／チャネルアクティブエリアとは反対側に配置される、第２のドレインコンタクトアクティブエリアと、
前記第２のソース／チャネルアクティブエリアにおける前記基板内の第２のボディ領域であって、前記第１の導電型を有する、前記第２のボディ領域と、
前記第２のボディ領域内の第２のチャネル領域であって、前記第２のソース／チャネルアクティブエリア内の前記基板の前記上面に配置される、前記第２のチャネル領域と、
前記第２のチャネル領域の上の前記基板上に配置される第２のゲート誘電体層と、
前記第２のゲート誘電体層上に配置される第２のゲートと、
前記第２のドレインコンタクトアクティブエリアとは反対側で前記第２のゲート近傍の前記第２のソース／チャネルアクティブエリア内に配置される第２のソース領域であって、前記第２の導電型を有する、前記第２のソース領域と、
前記基板内に配置される第２のドレインドリフト領域と、
を含み、
前記第２のドレインドリフト領域が前記第２の導電型を有し、
前記第２のドレインドリフト領域が、前記第２のドレインコンタクトアクティブエリアから前記第２のソース／チャネルアクティブエリアへ延び、
前記第２のドレインドリフト領域が前記第２のチャネル領域に接し、
前記第２のドレインドリフト領域には、横方向ドーピングストリエーションがない、ようになっている、集積回路。
【請求項８】
請求項１に記載の集積回路であって、
第２の拡張ドレインＭＯＳトランジスタを更に含み、前記第２の拡張ドレインＭＯＳトランジスタが、
第２のソース／チャネルアクティブエリアと、
前記第２のソース／チャネルアクティブエリアとは反対側に配置される第２のドレインコンタクトアクティブエリアと、
前記第２のソース／チャネルアクティブエリアにおける前記基板内の第２のボディ領域であって、前記第１の導電型を有する、前記第２のボディ領域と、
前記第２のボディ領域内の第２のチャネル領域であって、前記第２のソース／チャネルアクティブエリア内の前記基板の前記上面に配置される、前記第２のチャネル領域と、
前記第２のチャネル領域の上の前記基板上に配置される第２のゲート誘電体層と、
前記第２のゲート誘電体層上に配置される第２のゲートと、
前記フィールド酸化物とは反対側で前記第２のゲート近傍の前記第２のソース／チャネルアクティブエリア内に配置される第２のソース領域であって、前記第２の導電型を有する、前記第２のソース領域と、
前記基板内に配置される第２のドレインドリフト領域と、
を含み、
前記第２のドレインドリフト領域が前記第２の導電型を有し、
前記第２のドレインドリフト領域が、前記第２のドレインコンタクトアクティブエリアから前記第２のソース／チャネルアクティブエリアへ延び、
前記第２のドレインドリフト領域が前記第２のチャネル領域に接し、
前記第２のドレインドリフト領域が、前記第２のソース／チャネルアクティブエリア内に第２の複数の横方向ドーピングストリエーションを含み、前記第２のドレインコンタクトアクティブエリアへの距離の一部延び、前記第２の複数の横方向ドーピングストリエーションが前記基板の前記上面に平行であり、前記第２の複数の横方向ドーピングストリエーションが前記第２の導電型を有し、前記第２の複数の横方向ドーピングストリエーションが前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーションより狭く、そのため、前記第２のソース／チャネルアクティブエリアにおける前記第２のドレインドリフト領域のドーパントの平均濃度と前記第２のドレインコンタクトアクティブエリアにおける前記第２のドレインドリフト領域のドーパントの平均濃度との比が、前記第１のソース／チャネルアクティブエリアにおける前記第１のドレインドリフト領域のドーパントの平均濃度と前記第１のドレインコンタクトアクティブエリアにおける前記第１のドレインドリフト領域のドーパントの平均濃度との比より少なくとも２５パーセント小さくなる、ようになっている、
【請求項９】
請求項１に記載の集積回路であって、
第２の拡張ドレインＭＯＳトランジスタを更に含み、前記第２の拡張ドレインＭＯＳトランジスタが、
第２のソース／チャネルアクティブエリアと、
前記第２のソース／チャネルアクティブエリアとは反対側に配置される第２のドレインコンタクトアクティブエリアと、
前記第２のソース／チャネルアクティブエリアにおける前記基板内の第２のボディ領域であって、前記第１の導電型を有する、前記第２のボディ領域と、
前記第２のボディ領域内の第２のチャネル領域であって、前記第２のソース／チャネルアクティブエリア内の前記基板の前記上面に配置される、前記第２のチャネル領域と、
前記第２のチャネル領域の上の前記基板上に配置される第２のゲート誘電体層と、
前記第２のゲート誘電体層上に配置される第２のゲートと、
前記第２のドレインコンタクトアクティブエリアとは反対側で前記第２のゲート近傍の前記第２のソース／チャネルアクティブエリア内に配置される第２のソース領域であって、前記第２の導電型を有する、前記第２のソース領域と、
前記基板内に配置される第２のドレインドリフト領域と、
を含み、
前記第２のドレインドリフト領域が前記第２の導電型を有し、
前記第２のドレインドリフト領域が、前記第２のドレインコンタクトアクティブエリアから前記第２のソース／チャネルアクティブエリアへ延び、
前記第２のドレインドリフト領域が前記第２のチャネル領域に接し、
前記第２のドレインドリフト領域が、前記第２のソース／チャネルアクティブエリア内に第２の複数の横方向ドーピングストリエーションを含み、前記第２のドレインコンタクトアクティブエリアへの距離の一部延び、前記第２の複数の横方向ドーピングストリエーションが前記基板の前記上面に平行であり、前記第２の複数の横方向ドーピングストリエーションが前記第２の導電型を有し、そのため、前記第２のソース／チャネルアクティブエリアにおける前記第２のドレインドリフト領域の平均ドーピング濃度が、前記第２のドレインコンタクトアクティブエリアにおける前記第２のドレインドリフト領域の平均ドーピング濃度より少なくとも２５パーセント低くなるようになっており、前記第２の複数の横方向ドーピングストリエーションが、前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーションより長い距離延び、そのため、前記第２の拡張ドレインＭＯＳトランジスタのためのＢＶＤＳＳ値対ＢＶＤＩＩ値の比が、前記第１の拡張ドレインＭＯＳトランジスタのためのＢＶＤＳＳ値対ＢＶＤＩＩ値の比より少なくとも２５パーセント大きくなる、ようになっている、集積回路。
【請求項１０】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記第１の導電型がｐ型であり、前記第２の導電型がｎ型である、集積回路。
【請求項１１】
集積回路を形成するプロセスであって、
第１の導電型を有する半導体基板を提供するステップと、
第１の拡張ドレイン金属酸化物半導体（ＭＯＳ）トランジスタを形成するステップと、
を含み、
前記第１の拡張ドレインＭＯＳトランジスタを形成するステップが、
前記基板内に配置される前記第２の導電型の第１のドレインドリフト領域を形成するステップであって、
ドリフト領域注入マスクが、前記第１の拡張ドレインＭＯＳトランジスタのドレインドリフト領域をドーピングするためにイオン注入されるエリア内の前記基板を露出させるように、前記基板の上に前記ドリフト領域注入マスクを形成するステップであって、前記露出されたエリアが、前記第１の拡張ドレインＭＯＳトランジスタの第１のドレインコンタクトアクティブエリアのために画定されたエリアから、前記第１のドレインコンタクトアクティブエリアとは反対側に配置される前記第１の拡張ドレインＭＯＳトランジスタの第１のソース／チャネルアクティブエリアのために画定されたエリアへ延び、前記第１のソース／チャネルアクティブエリアが前記基板の上面にチャネル領域を含み、前記ドリフト領域注入マスクが第１の複数のマスクフィンガーを含み、前記第１の複数のマスクフィンガーが、前記第１のソース／チャネルアクティブエリアにおける前記基板の上に配置され、前記第１の複数のマスクフィンガーが前記第１のドレインコンタクトアクティブエリアまで延びないよう、前記第１のドレインコンタクトアクティブエリアへの距離の一部延びる、前記基板上にドリフト領域注入マスクを形成するステップと、
前記基板内にドリフト注入層を形成するように、前記ドリフト領域注入マスクの前記露出されたエリアを介して、前記第１の導電型とは逆の第２の導電型のドーパントをイオン注入する、イオン注入動作を実行するステップであって、そのため、前記第１の複数のマスクフィンガーによって前記第１の複数のマスクフィンガーの直下の前記基板から前記ドーパントがブロックされるようにする、前記イオン注入動作を実行するステップと、
前記第２の導電型の前記第１のドレインドリフト領域を形成するように、前記ドリフト注入層内の前記注入されたドーパントを拡散させ、電気的に活性化させるアニールプロセスを前記集積回路に実行するステップであって、前記第１のドレインドリフト領域が、前記第１のドレインコンタクトアクティブエリアから、前記チャネル領域に接する前記第１のソース／チャネルアクティブエリアへ延び、前記第１のドレインドリフト領域が第１の複数の横方向ドーピングストリエーションを含み、前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーションが、前記第１の複数のマスクフィンガーの長さによって定めされる長さだけ前記第１のドレインコンタクトアクティブエリアへの距離の一部延び、そのため、前記第１のソース／チャネルアクティブエリアにおける前記第１のドレインドリフト領域の平均ドーピング濃度が、前記第１のドレインコンタクトアクティブエリアにおける前記第１のドレインドリフト領域の平均ドーピング濃度より少なくとも２５パーセント低くなるようにする、前記アニールプロセスを前記集積回路に実行するステップと、
を含むプロセスによる、前記第１のドレインドリフト領域を形成するステップと、
前記第１のソース／チャネルアクティブエリアにおける前記基板内に、前記第１の導電型を有するボディ領域を形成するステップと、
前記チャネル領域の上の前記基板上にゲート誘電体層を形成するステップと、
前記ゲート誘電体層上にゲートを形成するステップと、
前記第１のドレインコンタクトアクティブエリアとは反対側で前記ゲート近傍の前記第１のソース／チャネルアクティブエリア内に配置されるソース領域を形成するステップであって、前記ソース領域が前記第２の導電型を有する、前記ソース領域を形成するステップと、
を含むプロセスによるものである、プロセス。
【請求項１２】
請求項１１に記載のプロセスであって、
前記第１のドレインドリフト領域が、前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーション間で連続的であり、
前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーションが、前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーション間の前記第１のドレインドリフト領域の領域より少なくとも１５パーセント高いドーピング濃度を有する、プロセス。
【請求項１３】
請求項１１に記載のプロセスであって、
前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーションが、前記第１の導電型を有する前記基板の領域によって横方向に分離され、
前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーションの隣接インスタンス間の前記基板の領域の各インスタンスの横方向累積ドーピング濃度が、１×１０１２ｃｍ−２〜５×１０１２ｃｍ−２であり、前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーションの隣接インスタンス間の前記基板の領域の前記横方向累積ドーピング濃度が、前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーションの１つのインスタンスの横方向エッジから、前記基板の領域を通り、前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーションの隣接インスタンスの横方向エッジへの水平線に沿った、総合ドーピング濃度であり、前記水平線が、前記基板の前記上面に平行であり、前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーションの前記横方向エッジに垂直である、プロセス。
【請求項１４】
請求項１１に記載のプロセスであって、
前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーションが、前記第１のソース／チャネルアクティブエリアと、前記第１のドレインコンタクトアクティブエリアにより近い端部とにおいて、実質的に等しい幅を有する、プロセス。
【請求項１５】
請求項１１に記載のプロセスであって、
前記第１の複数のマスクフィンガーがテーパ状であり、
前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーションが、前記第１のドレインコンタクトアクティブエリアに近い端部において、前記第１のソース／チャネルアクティブエリアより幅が広くなるように、前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーションがテーパ状である、プロセス。
【請求項１６】
請求項１１に記載のプロセスであって、
前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーションの第１のインスタンスの第１の幅が、前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーションの第２のインスタンスの第２の幅より少なくとも２５パーセント広い、プロセス。
【請求項１７】
請求項１１に記載のプロセスであって、
第２の拡張ドレインＭＯＳトランジスタを形成するステップを更に含み、
前記第２の拡張ドレインＭＯＳトランジスタを形成するステップが、
前記基板内に配置される第２のドレインドリフト領域を形成するステップであって、
前記ドリフト領域注入マスクが、前記第２の拡張ドレインＭＯＳトランジスタの第２のドレインドリフト領域をドーピングするためにイオン注入される第２のエリア内の前記基板を露出させるように、前記ドリフト領域注入マスクを形成するステップであって、前記第２の露出されたエリアが、前記第２の拡張ドレインＭＯＳトランジスタの第２のドレインコンタクトアクティブエリアのために画定されたエリアから、前記第２のドレインコンタクトアクティブエリアとは反対側に配置される前記第２の拡張ドレインＭＯＳトランジスタの第２のソース／チャネルアクティブエリアのために画定されたエリアへ延び、前記第２のソース／チャネルアクティブエリアが前記基板の上面に第２のチャネル領域を含み、前記ドリフト領域注入マスクには、イオン注入される前記第２のエリア内にマスクフィンガーがない、前記ドリフト領域注入マスクを形成するステップと、
前記基板内に第２のドリフト注入層を形成するように、前記第２の導電型の前記ドーパントが、前記ドリフト領域注入マスクの前記第２の露出されたエリアを介してイオン注入されるように前記イオン注入動作を実行するステップと、
前記第２の導電型の前記第２のドレインドリフト領域を形成するように、前記第２のドリフト注入層内の前記注入されたドーパントが、拡散し、電気的に活性化されるように前記アニールプロセスを実行するステップであって、前記第２のドレインドリフト領域が、前記第２のドレインコンタクトアクティブエリアから前記第２のソース／チャネルアクティブエリアへ延び、前記第２のチャネル領域に接し、前記第２のドレインドリフト領域には横方向ドーピングストリエーションがない、前記アニールプロセスを実行するステップと、
を含むプロセスによる、前記第２のドレインドリフト領域を形成するステップと、
前記第２のソース／チャネルアクティブエリアにおける前記基板内に、前記第１の導電型を有する第２のボディ領域を形成するステップと、
前記第２のチャネル領域の上の前記基板上に第２のゲート誘電体層を形成するステップと、
前記第２のゲート誘電体層上に第２のゲートを形成するステップと、
前記第２のドレインコンタクトアクティブエリアとは反対側で前記第２のゲート近傍の前記第２のソース／チャネルアクティブエリア内に配置される第２のソース領域を形成するステップであって、前記第２のソース領域が前記第２の導電型を有する、前記ステップと、
を含むプロセスによるものである、プロセス。
【請求項１８】
請求項１１に記載のプロセスであって、
第２の拡張ドレインＭＯＳトランジスタを形成するステップを更に含み、前記第２の拡張ドレインＭＯＳトランジスタを形成するステップが、
前記基板内に配置される第２のドレインドリフト領域を形成するステップであって、
前記ドリフト領域注入マスクが、前記第２の拡張ドレインＭＯＳトランジスタの第２のドレインドリフト領域をドーピングするためにイオン注入される第２のエリア内の前記基板を露出させるように、前記ドリフト領域注入マスクを形成するステップであって、前記第２の露出されたエリアが、前記第２の拡張ドレインＭＯＳトランジスタの第２のドレインコンタクトアクティブエリアのために画定されたエリアから、前記第２のドレインコンタクトアクティブエリアとは反対側に配置される前記第２の拡張ドレインＭＯＳトランジスタの第２のソース／チャネルアクティブエリアのために画定されたエリアへ延び、前記第２のソース／チャネルアクティブエリアが、前記基板の上面に第２のチャネル領域を含み、前記ドリフト領域注入マスクが第２の複数のマスクフィンガーを含み、前記第２の複数のマスクフィンガーが、前記第２のチャネル領域と前記第２のドレインコンタクトアクティブエリアとの間の前記基板の上に配置され、前記第２の複数のマスクフィンガーが前記第２のドレインコンタクトアクティブエリアまで延びないように、前記第２のドレインコンタクトアクティブエリアへの距離の一部延び、前記第２の複数のマスクフィンガーの前記マスクフィンガーが、前記第１の複数のマスクフィンガーの前記マスクフィンガーより幅が広くなるようになっている、前記ドリフト領域注入マスクを形成するステップと、
前記基板内に第２のドリフト注入層を形成するように、前記ドリフト領域注入マスクの前記第２の露出されたエリアを介して前記第２の導電型の前記ドーパントがイオン注入されるように、前記イオン注入動作を実行するステップであって、そのため、前記ドーパントが、前記第２の複数のマスクフィンガーによって前記第２の複数のマスクフィンガー直下の前記基板からブロックされるようにする、前記イオン注入動作を実行するステップと、
前記第２の導電型の前記第２のドレインドリフト領域を形成するため、前記第２のドリフト注入層内の前記注入されたドーパントが拡散し、電気的に活性化されるように、前記アニールプロセスを実行するステップであって、前記第２のドレインドリフト領域が、前記第２のドレインコンタクトアクティブエリアから前記第２のソース／チャネルアクティブエリアへ延び、前記第２のチャネル領域に接し、前記第２のドレインドリフト領域が第２の複数の横方向ドーピングストリエーションを含み、前記第２の複数の横方向ドーピングストリエーションが、前記第２の複数のマスクフィンガーの長さによって決定される長さだけ前記第２のドレインコンタクトアクティブエリアへの距離の一部延び、そのため、前記第２のソース／チャネルアクティブエリアにおける前記第２のドレインドリフト領域の平均ドーピング濃度が、前記第２のドレインコンタクトアクティブエリアにおける前記第２のドレインドリフト領域の平均ドーピング濃度より少なくとも２５パーセント低くなるようになっており、前記第２の複数の横方向ドーピングストリエーションの前記横方向ドーピングストリエーションが、前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーションの前記横方向ドーピングストリエーションより幅が狭く、そのため、前記第２のソース／チャネルアクティブエリアにおける前記第２のドレインドリフト領域のドーパントの平均濃度と前記第２のドレインコンタクトアクティブエリアにおける前記第２のドレインドリフト領域のドーパントの平均濃度との比が、前記第１のソース／チャネルアクティブエリアにおける前記第１のドレインドリフト領域のドーパントの平均濃度と前記第１のドレインコンタクトアクティブエリアにおける前記第１のドレインドリフト領域のドーパントの平均濃度との比より少なくとも２５パーセント小さくなるようになっている、前記アニールプロセスを実行するステップと、
を含むプロセスによる、前記第２のドレインドリフト領域を形成するステップと、
前記第２のソース／チャネルアクティブエリアにおける前記基板に、前記第１の導電型を有する第２のボディ領域を形成するステップと、
前記第２のチャネル領域の上の前記基板上に第２のゲート誘電体層を形成するステップと、
前記第２のゲート誘電体層上に第２のゲートを形成するステップと、
前記第２のドレインコンタクトアクティブエリアとは反対側で前記第２のゲート近傍の前記第２のソース／チャネルアクティブエリアに配置される、前記第２の導電型を有する第２のソース領域を形成するステップと、
を含むプロセスによるものである、プロセス。
【請求項１９】
請求項１１に記載のプロセスであって、
第２の拡張ドレインＭＯＳトランジスタを形成するステップを更に含み、前記第２の拡張ドレインＭＯＳトランジスタを形成するステップが、
前記基板内に配置される第２のドレインドリフト領域を形成するステップであって、
前記ドリフト領域注入マスクが、前記第２の拡張ドレインＭＯＳトランジスタの第２のドレインドリフト領域をドーピングするためにイオン注入される第２のエリアの前記基板を露出させるように、前記ドリフト領域注入マスクを形成するステップであって、前記第２の露出されたエリアが、前記第２の拡張ドレインＭＯＳトランジスタの第２のドレインコンタクトアクティブエリアのために画定されたエリアから、前記第２のドレインコンタクトアクティブエリアとは反対側に配置される前記第２の拡張ドレインＭＯＳトランジスタの第２のソース／チャネルアクティブエリアのために画定されたエリアへ延び、前記第２のソース／チャネルアクティブエリアが前記基板の上面に第２のチャネル領域を含み、前記ドリフト領域注入マスクが第２の複数のマスクフィンガーを含み、前記第２の複数のマスクフィンガーが、前記第２のチャネル領域と前記第２のドレインコンタクトアクティブエリアとの間の前記基板の上に配置され、前記第２の複数のマスクフィンガーが前記第２のドレインコンタクトアクティブエリアまで延びないよう、前記第２のドレインコンタクトアクティブエリアへの距離の一部延び、前記第２の複数のマスクフィンガーの前記マスクフィンガーが、前記第１の複数のマスクフィンガーが前記第１のドレインコンタクトアクティブエリアへ向けて延びるより長い距離、前記第２のドレインコンタクトアクティブエリアに向かって延びる、前記ドリフト領域注入マスクを形成するステップと、
前記基板内に第２のドリフト注入層を形成するように、前記第２の導電型の前記ドーパントが、前記ドリフト領域注入マスクの前記第２の露出されたエリアを介してイオン注入される、前記イオン注入動作を実行するステップであって、そのため、前記第２の複数のマスクフィンガーによって、前記第２の複数のマスクフィンガーの直下の前記基板から前記ドーパントがブロックされるようにする、前記イオン注入動作を実行するステップと、
前記第２の導電型の前記第２のドレインドリフト領域を形成するため、前記第２のドリフト注入層内の前記注入されたドーパントが拡散し、電気的に活性化されるように、前記アニールプロセスを実行するステップであって、前記第２のドレインドリフト領域が、前記第２のドレインコンタクトアクティブエリアから前記第２のソース／チャネルアクティブエリアへ延び、前記第２のドレインドリフト領域が第２の複数の横方向ドーピングストリエーションを含み、前記第２の複数の横方向ドーピングストリエーションが、前記第２の複数のマスクフィンガーの長さによって決定される長さだけ前記第２のドレインコンタクトアクティブエリアへの距離の一部延び、そのため、前記第２のソース／チャネルアクティブエリアにおける前記第２のドレインドリフト領域の平均ドーピング濃度が、前記第２のドレインコンタクトアクティブエリアにおける前記第２のドレインドリフト領域の平均ドーピング濃度より少なくとも２５パーセント低くなるようにし、前記第２の複数の横方向ドーピングストリエーションの前記横方向ドーピングストリエーションが、前記第１のドレインドリフト領域の前記第１の複数の横方向ドーピングストリエーションが前記第１のドレインコンタクトアクティブエリアへ向かって延びるより長い距離、前記第２のドレインコンタクトアクティブエリアへ向かって延び、そのため、前記第２の拡張ドレインＭＯＳトランジスタのためのＢＶＤＳＳ値対ＢＶＤＩＩ値の比が、前記第１の拡張ドレインＭＯＳトランジスタのためのＢＶＤＳＳ値対ＢＶＤＩＩ値の比より少なくとも２５パーセント大きくなるようにする、前記アニールプロセスを実行するステップと、
を含むプロセスによる、前記第２のドレインドリフト領域を形成するステップと、
前記第２のソース／チャネルアクティブエリアにおける前記基板内に、前記第１の導電型を有する第２のボディ領域を形成するステップと、
前記第２のチャネル領域の上の前記基板上に第２のゲート誘電体層を形成するステップと、
前記第２のゲート誘電体層上に第２のゲートを形成するステップと、
前記第２のドレインコンタクトアクティブエリアとは反対側で前記第２のゲート近傍の前記第２のソース／チャネルアクティブエリアに配置され、前記第２の導電型を有する第２のソース領域を形成するステップと、
を含むプロセスによるものである、プロセス。
【請求項２０】
請求項１１に記載のプロセスであって、
前記第１の導電型がｐ型であり、前記第２の導電型がｎ型である、プロセス。