【事件の表示】
　平成６年特許願第７９３８４号「プラズマエッチング方法」拒絶査定不服審判事件〔平成７年１０月１３日出願公開、特開平７−２６３４２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．出願の経緯の概要、及び本願発明
　本願は平成６年３月２５日の出願であって、その請求項１〜４に係る発明（以下、「本願発明１」〜「本願発明４」という。）は、当審で平成１６年６月２８日に提出された手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載されたとおりの、次のものである。
「【請求項１】一面を素子部形成面とし該表面に絶縁膜を有する半導体基板の他の面を被エッチング面として、高周波が印加される高周波印加電極と接地電位に固定される接地電極とを用いて反応ガスに高周波電力を印加することによりプラズマを発生させて凹部または開口部を形成するプラズマエッチング方法において、上記基板を上記絶縁膜が下側に位置するようにして前記接地電極上に配し、上記基板の周辺には、その一端が上記基板の被エッチング面側の表面に接触するとともに、他端が上記接地電極に接触することにより接地電位となしてある導電性部材を配して、上記基板表面に発生する電荷が上記導電性部材に移動するようにしてエッチングを行なうことを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項２】上記基板が被エッチング面上面に金属よりなるエッチングマスクを有し、上記導電性部材を上記エッチングマスクに接触させたことを特徴とする請求項１記載のプラズマエッチング方法。
【請求項３】上記導電性部材の上面に、上記基板の主成分を主たる構成成分とする材料よりなる保護部材を配したことを特徴とする請求項１記載のプラズマエッチング方法。
【請求項４】上記導電性部材を上記基板の外径よりやや大きい内径を有する環状に形成して上記基板の周囲を取り囲むように配するとともに、上記導電性部材の内周壁上端部を内方に突出せしめて上記基板表面に接触させたことを特徴とする請求項１記載のプラズマエッチング方法。」
　　
II．当審の拒絶理由
　これに対して、当審において平成１６年４月２０日付けで通知した拒絶の理由の概要は、本願の請求項１〜４に係る発明は、その出願前国内において頒布された刊行物である特開平２−１３７３１９号公報（引用例１）、特開平３−２２４２２号公報（引用例２）、特開平４−１５１８２６号公報（引用例３）、及び特開平２−２４６１１３号公報（引用例４）に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有するものが容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　　
III．証拠の記載事実
　上記引用例には、以下の記載がある。
（１）引用例１（特開平２−１３７３１９号公報）
(1-1)「圧力センサなどの半導体機能部品を対象に、デバイス面に半導体層、半田バンプを形成した基板に対し、該基板の裏面側に金属膜を被着した上で所定位置に放電加工法により基板、金属膜を貫通した下穴を開け、さらに前記金属膜をマスクとしてプラズマエッチング法により下穴の内面をドライエッチングして仕上げ加工する穴開け方法において、前記のドライエッチング工程で上面に半田バンプ埋め込み溝を形成した板状のドライエッチング用治具を用意し、かつデバイス面を下向きにして半田バンプが前記溝内へ没入するように放電加工済の基板を治具に載置した上で、基板を治具と一緒にドライエッチング装置の電極ステージ上に装荷してドライエッチングを行うことを特徴とする半導体機能部品の穴開け加工方法。」（特許請求の範囲）
(1-2)「圧力センサとして半導体のピエゾ抵抗効果を利用した半導体ストレンゲージが知られている。かかる圧力センサ素子は、シリコンなどの単結晶基板（シリコンウエハ）に対し、ＩＣの半導体製造プロセスと同様なプロセスで基板のデバイス面側に所定のゲージパターンの半導体層を拡散形成し、さらに外部接続端子となる半田バンプを形成したものである。また、かかる圧力センサについては、ストレンに対する検出感度を高めるために、基板に貫通穴を開けるようにしている。」（第１頁右下欄第５〜１４行）
(1-3)「第５図は穴開け加工前の製造段階における素子の断面図を示すものであり、ウエハ１のデバイス面側に形成された半導体層３、半田バンプ４の表面を覆ってレジスト６が塗布され、さらにウエハ１の裏面側にはマスク用の金属膜７が蒸着法などで被着形成されている。」（第２頁右上欄第２〜６行）
(1-4)「次に第６図に示すドライエッチング装置８に放電加工済のウエハ１を装荷し、先に放電加工で穿孔された下穴をドライエッチングして仕上げ加工する。 なお、第６図においては８１はチャンバ、８２は上部電極、８３は下部電極ステージ、８４は高周波電源である。」（第２頁右上欄第１０〜１５行）
(1-5)「シリコンウエハ１はデバイス面を下向きにして下部電極ステージ８３の上に載置し、この状態で電極間に高周波電圧を印加し、かつチャンバ８１を真空排気しながら例えば六弗化硫黄と酸素との混合ガスの反応ガスを導入することにより、電極間に生成したプラズマでドライエッチングが行われる。」（第２頁右上欄第１５行〜左下欄第２行）
(1-６)第６図及び第１図（第４頁）において、反応ガスをチャンバ(81)内に供給すると共に、上部電極を高周波電源(84)と接続し、下部電極を接地したプラズマドライエッチング装置、及び基板(1)のシリコンウエハ面を上向きに配置して下部電極に載置することが図示されている。
　　
（２）引用例２（特開平３−２２４２２号公報）
(2-1)「プラズマエッチング装置において、半導体ウエハを保持するウエハ押えのプラズマにさらされる部分を絶縁膜、プラズマにさらされない内部を導電材の構造とすることを特徴とするプラズマエッチング装置。」（特許請求の範囲）
(2-2)「この発明はガスプラズマによる半導体ウエハ加工に用いるプラズマ装置に関するものである。」（第１頁左下欄第１２〜１３行）
(2-3)「第３図は従来のプラズマエッチング装置のエッチング室の構成を示す断面図である。・・・・ウエハ押え(2a)は通常異常放電防止や金属汚染防止のために、石英、アルミナ、高耐熱性高分子樹脂（例えばテフロン）等が用いられている。これらの材料は電気的に絶縁性が高いため、電荷逃がしの経路として利用することができない。」（第１頁右下欄第５〜１０行）
(2-4)「従来のプラズマエッチング装置は以上のように構成されているので、エッチング中、プラズマにより発生する電荷粒子の入射を半導体ウエハが受け、この入射荷電粒子により半導体ウエハがチャージアップの状態となり酸化膜等の静電破壊やプラズマポテンシャルの変動の不具合を生じる問題点があった。」（第１頁右下欄第１２〜１８行）
(2-5)「この発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、静電破壊やプラズマポテンシャルの変動を防止することが出来る装置を得ることを目的としている。」（第１頁右下欄第１９行〜第２頁左上欄第２行）
(2-6)「この発明によるプラズマエッチング装置は、半導体ウエハのチャージアップの原因となる荷電粒子の入射による荷電を逃がす経路をウエハ押えを利用することで半導体ウエハのチャージアップ現象及びプラズマポテンシャル変動を防止する。」（第２頁左上欄第４〜８行）
(2-7)「この発明によるプラズマエッチング装置は、ウエハ押えを通じて半導体のウエハのチャージを放電するので、酸化膜等の静電破壊やプラズマポテンシャルの変動を防止する。」（第２頁左上欄第１０〜１３行）
(2-8)「図において（２ｂ）はウエハ押え、（８）は絶縁膜、（９）は例えば、ＳｉＣ、Ａｌ、ＴｉＮ、Ｓｉ等による導電材である。」（第２頁左上欄第１７〜１９行）
(2-9)「絶縁膜（８）は第２図の従来例に示されているウエハ押え（２ａ）と同じ材料が好ましい。」（第２頁左上欄第２０行〜右上欄第１行）
(2-10)「導電材（９）は第２図の従来例に示すごとくウエハ押え（２ｂ）の先端にて半導体ウエハ（１）と接触している。その為半導体ウエハ（１）に入ってくる荷電粒子の電荷は導電材（９）を通して下部電極（４）へ流出する。そして半導体ウエハ（１）上に生じる上記不具合は発生が防止される。」（第２頁右上欄第１〜６行）
(2-11)「第１図はこの発明の一実施例によるウエハ押えを示す上面図、第２図は第１図に示すＡ・Ａにおける断面図、第３図は従来のプラズマエッチング装置のエッチング室の構成を示す断面図である。」（第２頁右上欄第１８行〜左下欄第１行）
　　
（３）引用例３（特開平４−１５１８２６号公報）
 (3-1)「１．反応室内にシリコンを表面とする部品を備えたことを特徴とする酸化膜ドライエッチング装置。
２．反応室内の部品の表面はポリシリコンまたはアモルファスシリコンによりコーティングされた部品であることを特徴とする請求項１記載の酸化膜ドライエッチング装置。
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
４．反応室内の被エッチング物支持部品にシリコンを表面とする部品を備えたことを特徴とする請求項１に記載の酸化膜ドライエッチング装置。」（特許請求の範囲：請求項１、２、４）
(3-2)「本発明はウエハのエッチングを行う酸化膜ドライエッチング装置に関するものである。」（第１頁右下欄第５〜６行）
(3-3)「反応室１の部品がプラズマに晒されるため、反応室１の部品の材質が例えばステンレスである場合には、これがエッチングされて反応室１の内部で重金属汚染が発生する問題を有していた。また反応室１のウエハ押え２等の部品が石英である場合には、この部品の表面がエッチングされて消耗が激しく、かつその表面が荒れることにより不要パーティクルの発生源となり、頻繁な部品交換が必要になるなどの問題点を有していた。」（第２頁右上欄第１６行〜左下欄第５行）
(3-4)「反応室内を構成する部品のプラズマに晒される部分がシリコンとなると、ほとんどこの部品がエッチングされないため前記部品の消耗が少なくなり、またその表面が荒れないため不要なパーティクルの発生を少なくすることができる。」（第２頁左下欄第１６行〜右下欄第１行）
(3-5)「第１図において、・・・７はウエハ押さえ２の表面にコーティングされたシリコンなどの保護層」（第２頁右下欄第９〜１１行）
(3-6)「この実施例においてウエハ押え２として石英の成形部品を用いたが他の材質を用いてもよい。」（第３頁右上欄第５〜７行）
　　
（４）引用例４（特開平２−２４６１１３号公報）
(4-1)「・・・高周波電力を印加する機構を有するドライエッチング装置において、被エッチング膜が形成された基板を押さえるリングは、少なくとも一部、前記被エッチング膜と同質の材料からなることを特徴とするドライエッチング装置。」（特許請求の範囲）
(4-2)「被エッチング膜と同質のリングを用いれば、プラズマ中のイオンによりリングの材料がスパッタされても、リングの材料自体がプラズマ中のラジカルと反応して反応生成物を作ったり、たとえ基板表面に付着してもエッチングされて排気されてしまうので、リングの材料が基板に付着することがほとんどない。」（第２頁右上欄第４〜１０行）
(4-3)「本実施例は被エッチング膜として、シリコン酸化膜、基板の押えリングとして石英製のリングを用いたが、被エッチング膜と同質の材料からなる押えリングを用いれば同様の効果が得られる。また、石英製リングの代わりに、アルミナ製のリングに石英をコーティングしたものを使用しても同様な効果が得られる。」（第２頁右下欄第３〜９行）
　　
IV．対比・判断
(IV-1)本願発明１について
　本願発明１と、引用例１に記載されたものとを対比すると、引用例１には、圧力センサなどの半導体機能部品を対象に、デバイス面に半導体層、半田バンプを形成した基板に対し、該基板の裏面側に金属膜を被着した上で所定位置に放電加工法により基板、金属膜を貫通した下穴を開け、さらに前記金属膜をマスクとしてプラズマエッチング法により下穴の内面をドライエッチングして仕上げ加工する穴開け方法（摘記1-1）が記載され、併せて、半導体素子について、ウエハのデバイス面側に形成された半導体層、半田バンプの表面を覆ってレジストが塗布され、さらにウエハの裏面側にはマスク用の金属膜が蒸着法などで被着形成されていること（摘記1-3）、反応ガスをチャンバ内に供給すると共に、上部電極を高周波電源と接続し、下部電極を接地したプラズマドライドライエッチング装置に、放電加工済のウエハを装荷すること（摘記1-4、1-6）、及び、シリコンウエハはデバイス面を下向きにして下部電極ステージ上に載置し、この状態で電極間に高周波電圧を印加し、六弗化硫黄と酸素との混合ガス等の反応ガスを導入することにより、電極間に生成したプラズマでドライエッチングを行うこと（摘記1-5、1-6）が記載されている。そして、引用例１に記載された上記レジストは、本願発明１における絶縁膜に相当する。
　してみれば、本願発明１は、引用例１に記載されたものと、“一面を素子部形成面とし該表面に絶縁膜を有する半導体基板の他の面を被エッチング面として、高周波が印加される高周波印加電極と接地電位に固定される接地電極とを用いて反応ガスに高周波電力を印加することによりプラズマを発生させて行うプラズマエッチング方法において、上記基板を上記絶縁膜が下側に位置するようにして前記接地電極上に配して、エッチングを行なうことを特徴とするプラズマエッチング方法”の点で一致し、そして、
（イ）プラズマエッチングについて、本願発明１では「凹部または開口部を形成する」ものとしているのに対して、引用例１に記載のものでは、予め形成した下穴の内面を仕上げ加工するものである点、及び、
（ロ）本願発明１では、「基板の周辺には、その一端が上記基板の被エッチング面側の表面に接触するとともに、他端が上記接地電極に接触することにより接地電位となしてある導電性部材を配して、上記基板表面に発生する電荷が上記導電性部材に移動するように」してあるのに対して、引用例１には、そのような導電性部材に係る記載がない点、
の各点で、本願発明１は、引用例１に記載されたものと相違している。
　　
　そこで、これらの相違点について、以下検討する。
相違点（ロ）について
　引用例２には、プラズマエッチング装置において、プラズマにさらされない内部を導電材としたウエハ押え（摘記2-1）が記載されるとともに、従来のウエハ押えは絶縁性の高い材料が用いられていたため、電荷逃がしの経路として利用することができず、エッチング中に半導体ウエハがチャージアップの状態となり、静電破壊やプラズマポテンシャルの変動を生じる問題があったこと（摘記2-3、2-4）、引用例２の発明は、半導体ウエハのチャージアップの原因となる荷電粒子の入射による荷電を逃がす経路をウエハ押えを利用して、半導体のウエハのチャージを放電し、チャージアップ現象、静電破壊、及びプラズマポテンシャル変動等を防止するものであること（摘記2-6、2-7）、そのために、ウエハと接触するウエハ押え内面を導電材とし（摘記2-8）、当該導電材はウエハ押えの先端にて半導体ウエハと接触し、半導体ウエハに入ってくる荷電粒子の電荷を導電材を通して下部電極へ流出させること（摘記2-10）が記載されている。そして、そのウエハ押えは、第１〜３図、特に第１図に図示された環状構造をみれば、ウエハの周辺に配されるものと言え、そしてその上端はウエハの被エッチング面側の表面に接触していることが認められ（摘記2-8参照）、また、その他端は電荷を下部電極へ流出させるものである（摘記2-10）。
　上記引用例２の記載においては、その発明の具体的な説明は、下部電極に高周波電源を接続したタイプ（陰極結合方式）のプラズマエッチング装置を用いてなされており、上部電極に高周波電源を接続したタイプ（陽極結合方式）のプラズマエッチング装置の場合については、具体的な記載は見当たらない。しかし、引用例２に記載された導電性のウエハ押えは、プラズマにより発生するチャージアップの原因となる電荷を逃がすという点からみて、上記特定の陰極結合方式のプラズマエッチング装置のみを対象としたものとはいえず、同じくプラズマを利用する陽極結合方式のプラズマエッチング装置に対しても同様に適用し得るものであることは、当業者が容易に想到できることである。そしてなおかつ、陰極結合方式のプラズマエッチング装置と同様に、陽極結合方式のプラズマエッチング装置においても、上記チャージアップが発生することは、本願出願当時既に周知の事項である。（要すれば、特開平１−２９３６１８号公報の［従来の技術］の欄、及び第２頁左上欄第３〜１１行「従来の・・・問題点があった。」を参照。）
　してみれば、引用例２に記載された、チャージアップの原因となる荷電を逃がす導電性のウエハ押えを、引用例１に記載された陽極結合方式のプラズマエッチングに対して適用することに格別の困難性があるとはいえず、そして、その場合に、導電性のウエハ押えは、その他端が下部電極（摘記2-10）である接地電極に接触することにより接地電位となること、及び、基板表面に発生する電荷は当該導電性のウエハ押えに移動することは明らかである。
　以上のとおりであるから、上記相違点（ロ）の構成とした点に、格別の困難性があるとすることはできない。
　　
相違点（イ）について
　引用例１には、プラズマエッチング方法について、発生させたプラズマで「凹部または開口部を形成する」との直接的な記載は見当たらない。しかし、引用例１の記載において、下穴は半導体基板内に形成されており、そしてプラズマエッチングはその下穴の基板面に対してなされて、当該基板面がエッチングされている。一方、陽極結合方式又は陰極結合方式の如何に拘わらず、プラズマエッチングにより半導体基板をエッチングし、半導体基板に凹部または開口部を形成することは、本願明細書（段落【0002】の【従来の技術】）、及び同個所に例示された特開平２−２７５６２６号公報にも説明されるとおり、本願出願時周知の事項である。
　してみれば、引用例１に記載されたプラズマエッチングにおいて、プラズマエッチングを、半導体基板の凹部または開口部の形成に適用することに格別の困難性があるとすることはできない。
　以上のとおりであるから、上記相違点（イ）のとおり「凹部または開口部を形成する」とした点に、格別の困難性があるとすることはできない。
　以上のとおり、上記各相違点とした事項については、いずれも当業者にとって格別に困難なこととはいえず、したがって、本願発明１は、引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明である。
　　
(IV-2)本願発明２について
　本願発明２は、本願発明１について、さらに「上記基板が被エッチング面上面に金属よりなるエッチングマスクを有し、上記導電性部材を上記エッチングマスクに接触させた」とのとおり、エッチングマスクに係る点を付加したものである。
　これについて検討すると、引用例１には、ウエハの裏面側には「マスク用の金属膜」（摘記1-3）を被着形成することが記載されており、してみれば、上記のエッチングマスクに係る点に格別の困難性があるとすることはできない。したがって本願発明２は、引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明である。
 　　
(IV-3)本願発明３について
　本願発明３は、本願発明１について、さらに「上記導電性部材の上面に、上記基板の主成分を主たる構成成分とする材料よりなる保護部材を配した」とのとおり、保護部材に係る構成を付加したものである。
　これについて検討すると、引用例３には、ウエハ押さえの表面にシリコンなどの保護層を設けること（摘記3-1、3-4、3-5）が記載され、また、引用例４には、押さえリングの少なくとも一部が被エッチング膜と同質の材料からなることが記載され（摘記4-1）、併せて、上記の材料部分をコーティングにより形成すること（摘記4-3）が記載されている。してみれば、上記保護部材に係る構成の点に格別の困難性があるとすることはできず、したがって本願発明３は、引用例１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明である。
　　
(IV-4)本願発明４について
　本願発明４は、本願発明１について、さらに「上記導電性部材を上記基板の外径よりやや大きい内径を有する環状に形成して上記基板の周囲を取り囲むように配するとともに、上記導電性部材の内周壁上端部を内方に突出せしめて上記基板表面に接触させた」とのとおり、導電部材について特定したものである。
　これについて検討すると、引用例２には、ウエハ押え（２ｂ）について、基板の外径よりやや大きい内径を有する環状であること、基板の周囲を取り囲むように配すること、及び内周壁上端部を内方に突出せしめて基板表面に接触させたこと（摘記2-10、2-11、第１〜３図）が開示されている。してみれば、上記のように導電部材について特定した点に格別の困難性があるとすることはできず、したがって本願発明４は、引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明である。
　　
Ｖ．むすび
　以上のとおり、本願発明１〜４は、引用例１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であり、よって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　したがって、本願は当審で通知した上記拒絶の理由により拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。