【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年2月29日(2012.2.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶性アルミノケイ酸塩を含有する成形体の切削硬さを上昇させる方法において、この成形体が珪素および／またはジルコニウムの酸化物から選択された結合剤を含有し、この成形体を水蒸気からなるガスを用いて１００〜６００℃の温度および０．１〜１０バールの絶対圧力で少なくとも２０時間に亘って処理し、この成形体を水蒸気を用いての処理前に１００〜６００℃の温度でか焼することを特徴とする、結晶性のアルミノケイ酸塩を含有する成形体の切削硬さを上昇させる方法。
【請求項２】
成形体が珪素の酸化物から選択される結合剤を含有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
成形体を少なくとも５０時間に亘って処理する、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
成形体を連続的に毎時成形体１ｇ当たり水蒸気０．０５〜５ｇ（ｇ水蒸気／（ｇ成形体・ｈ））のWHSV（weight hourly space velocity質量時間空間速度）で処理する、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
成形体を連続的に毎時成形体１ｇ当たり水蒸気０．１〜１ｇ（ｇ水蒸気／（ｇ成形体・ｈ））のWHSV（weight hourly space velocity質量時間空間速度）で処理する、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
成形体を２００〜４５０℃の温度および０．１〜２バールの絶対圧力で処理する、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
成形体を水蒸気での処理の際に固定して配置する（固定床）、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
結晶性アルミノケイ酸塩は成形体中で１０超：１のＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3モル比を有する、請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
結晶性アルミノケイ酸塩は成形体中で５０超：１のＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3モル比を有する、請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
結晶性アルミノケイ酸塩は、成形体中で少なくとも部分的にＨ+および／またはＮＨ4+形で存在する、請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
結晶性アルミノケイ酸塩は、成形体中でペンタシル型で存在する、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
エチレンジアミン（EDA）および／またはピペラジン（PIP）を結晶性アルミノケイ酸塩触媒の存在で反応させることによってトリエチレンジアミン（TEDA）を製造する方法において、触媒として先に切削硬さが上昇された成形体を使用し、この成形体が珪素および／またはジルコニウムの酸化物から選択された結合剤を含有し、この成形体を水蒸気からなるガスを用いて１００〜６００℃の温度および０．１〜１０バールの絶対圧力で少なくとも２０時間に亘って処理し、この成形体を水蒸気を用いての処理前に１００〜６００℃の温度でか焼することを特徴とする、結晶性のアルミノケイ酸塩を含有する成形体の切削硬さを上昇させる方法により切削硬さが上昇されたものであることを特徴とする、トリエチレンジアミン（TEDA）を製造する方法。
【請求項１３】
成形体が珪素の酸化物から選択される結合剤を含有する、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
成形体を少なくとも５０時間に亘って処理する、請求項１２又は１３記載の方法。
【請求項１５】
成形体を連続的に毎時成形体１ｇ当たり水蒸気０．０５〜５ｇ（ｇ水蒸気／（ｇ成形体・ｈ））のWHSV（weight hourly space velocity質量時間空間速度）で処理する、請求項１２から１４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
成形体を連続的に毎時成形体１ｇ当たり水蒸気０．１〜１ｇ（ｇ水蒸気／（ｇ成形体・ｈ））のWHSV（weight hourly space velocity質量時間空間速度）で処理する、請求項１２から１４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
成形体を２００〜４５０℃の温度および０．１〜２バールの絶対圧力で処理する、請求項１２から１６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
成形体を水蒸気での処理の際に固定して配置する（固定床）、請求項１２から１７までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
結晶性アルミノケイ酸塩は成形体中で１０超：１のＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3モル比を有する、請求項１２から１８までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
結晶性アルミノケイ酸塩は成形体中で５０超：１のＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3モル比を有する、請求項１２から１８までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
結晶性アルミノケイ酸塩は、成形体中で少なくとも部分的にＨ+および／またはＮＨ4+形で存在する、請求項１２から２０までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
結晶性アルミノケイ酸塩は、成形体中でペンタシル型で存在する、請求項１２から２１までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】
反応を連続的に気相中で実施する、請求項１２から２２までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項２４】
ＥＤＡとモノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ＰＩＰ、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、トリ（２−アミノエチル）アミン、モルホリン、Ｎ−（２−アミノエチル）エタノールアミン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ，Ｎ′−ビス（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ，Ｎ′−ビス（２−ヒドロキシエチル）ピペラジンおよびＮ−（２−アミノエチル）−Ｎ′−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジンの群からの１つ以上のアミン化合物とを反応させる、請求項１２から２３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項２５】
ＥＤＡとＥＤＡに対して７〜２５０質量％のピペラジン（PIP）とを反応させる、請求項１２から２４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項２６】
ＥＤＡとそれぞれＥＤＡに対して８〜２５０質量％のＰＩＰおよび２３〜３００質量％の水とを反応させる、請求項１２から２５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項２７】
ＴＥＤＡへの反応のための反応温度が３１０〜３９０℃である、請求項１２から２６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項２８】
ＴＥＤＡへの反応の際の絶対圧力が０．１〜１０バールである、請求項１２から２７までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項２９】
エチレンジアミン（EDA）および／またはピペラジン（PIP）を反応させることによってトリエチレンジアミン（TEDA）を製造するための方法における触媒としての、先に請求項１から１１までのいずれか１項に記載の方法で切削硬さが上昇された、結晶性アルミノケイ酸塩を含有する成形体の使用。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
好ましくは、成形体は、水蒸気での処理の際に、例えば管状反応器中に固定して配置されている（固定床）。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
好ましくは、結晶性アルミノケイ酸塩は、成形体中で１０超：１、特に有利に５０超：１、殊に１００超：１、殊に有利に２００超：１、全く特に有利に４００超：１のＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３モル比を有する。ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３モル比の上限は、それぞれ一般に２４００：１、殊に２０００：１、特に１２００：１である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７１】
係数は、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３のモル比である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７３
【訂正方法】削除
【訂正の内容】
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７４
【訂正方法】削除
【訂正の内容】
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７５】
次の第２表は、３５０℃で水蒸気での処理後の触媒Ｃ（Ｈ−ＺＳＭ−５、係数１０００、結合剤としてのＳｉＯ２２０質量％、ストランド化）の機械的性質に関連する試験結果を示す［WHSV＝０．３ｇ水蒸気／（ｇ触媒ｈ）］。２５９時間（ｈ）後に１６Ｎから２６Ｎへの触媒成形体の切削硬さの明らかな増加が判明する。４５２時間後、２８Ｎの切削硬さが達成される。TEDA合成［U(EDA)、U(PIP)およびS(TEDA)］の場合の前記触媒の性能は、測定精度（＋／−１％）の範囲内の出発値と比較して不変のままである。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７６】
【表２】
2006527150.tif 000001
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７８】
【表３】
2006527150.tif 000002
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８０】
【表４】
2006527150.tif 000003