【事件の表示】
　平成１１年特許願第２４０１９０号「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　３月２１日出願公開、特開２０００−　８２８２１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、特許法第４１条に基づく優先権主張を伴う平成７年８月４日（優先日平成７年７月３日）に出願された特願平７−１９９９８０号の一部を、平成１１年８月２６日に新たな特許出願としたものであって、平成１３年８月３１日付けで拒絶査定がなされ、平成１３年１０月１８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１１月７日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１３年１１月７日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１３年１１月７日付けの手続補正を却下する。
　［理由］　
（１）本件補正の内容
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１ないし請求項８は、以下のとおり請求項１ないし請求項４と補正された。
　「基板上にＳｉＯ2又はＳｉＮの少なくとも一方のみからなる絶縁膜を形成する工程と、
　この絶縁膜の上に非晶質シリコン膜を形成する工程と、
　この非晶質シリコン膜をレーザーアニールして多結晶シリコン膜を形成する工程と、
　前記多結晶シリコン膜に、不純物領域を形成する工程と、
　前記不純物領域を、ランプを熱源として急速加熱することにより活性化する工程とを含み、
　前記非晶質シリコン膜をレーザーアニールして多結晶シリコン膜を形成する工程は、シート状に加工されたレーザービームを前記非晶質シリコン膜に照射することにより行い、
　前記ランプを熱源として急速加熱することにより不純物領域を活性化する工程は、ＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）法を用いて急速加熱することにより行うとともに、シート状のアニール光を発するランプ光源を用い、かつ、前記ランプとして、キセノンアークランプを用いることを特徴とした、半導体装置の製造方法。」（以下、「補正発明１」という。）
　「前記絶縁膜の厚みを１０００Å〜６０００Åの範囲に設定したことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。」（以下、「補正発明２」という。）
　「前記ＲＴＡを複数回に分けて行うことを特徴とした請求項１に記載の半導体装置の製造方法。」（以下、「補正発明３」という。）
　「前記複数回のＲＴＡの温度を、段階的に上昇させることを特徴とした請求項３に記載の半導体装置の製造方法。」（以下、「補正発明４」という。）
　
　上記補正は、平成１２年１０月１６日付けで補正された特許請求の範囲請求項１（以下、「補正前請求項１」という。）に記載された
「基板上にＡｌ元素を含まない絶縁膜のみを形成する工程と、
　この絶縁膜の上に非晶質シリコン膜を形成する工程と、
　この非晶質シリコン膜をレーザーアニールして多結晶シリコン膜を形成する工程と、
　前記多結晶シリコン膜に、不純物領域を形成する工程と、
　前記不純物領域を、ランプを熱源として急速加熱することにより活性化する工程と、
を含むことを特徴とした半導体装置の製造方法。」
を補正するものであるところ、
　補正前請求項１の、
（１）「基板上にＡｌ元素を含まない絶縁膜のみを形成する工程」と、
（２）「と、を含むことを特徴とした」とについて、それぞれ、
（１’）「基板上にＳｉＯ2又はＳｉＮの少なくとも一方のみからなる絶縁膜を形成する工程」と、
（２’）「とを含み、　
　前記非晶質シリコン膜をレーザーアニールして多結晶シリコン膜を形成する工程は、シート状に加工されたレーザービームを前記非晶質シリコン膜に照射することにより行い、
　前記ランプを熱源として急速加熱することにより不純物領域を活性化する工程は、ＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）法を用いて急速加熱することにより行うとともに、シート状のアニール光を発するランプ光源を用い、かつ、前記ランプとして、キセノンアークランプを用いることを特徴とした、」と補正するとともに、平成１２年１０月１６日付けで補正された特許請求の範囲の請求項３ないし請求項６を削除し、その請求項７及び８（以下、「補正前請求項７」及び「補正前請求項８」という。）に記載された
  「【請求項７】前記ＲＴＡを複数回に分けて行うことを特徴とした請求項４に記載の半導体装置の製造方法。」（補正前請求項７）
　「【請求項８】前記複数回のＲＴＡの温度を、段階的に上昇させることを特徴とした請求項７に記載の半導体装置の製造方法。」（補正前請求項８）について、それぞれ、
  「【請求項３】前記ＲＴＡを複数回に分けて行うことを特徴とした請求項１に記載の半導体装置の製造方法。」及び、
　「【請求項４】前記複数回のＲＴＡの温度を、段階的に上昇させることを特徴とした請求項３に記載の半導体装置の製造方法。」と補正するものである。
　
（２）本件補正についての検討
（２−１）新規事項の有無及び補正の目的の適否について
　本件補正は、特許請求の範囲について、請求項１ないし請求項４と補正し、発明の詳細な説明の段落（００２０）、（００２２）ないし（００２７）を補正するものである。
　
　請求項１に係る発明の補正は、特許を受けようとする発明を特定するために必要と認める事項である「Ａｌ元素を含まない絶縁膜のみ」について、「ＳｉＯ2又はＳｉＮの少なくとも一方のみからなる絶縁膜」と技術的に限定するものであって、また、特許を受けようとする発明を特定するために必要と認める事項である「この非晶質シリコン膜をレーザーアニールして多結晶シリコン膜を形成する工程」について、「前記非晶質シリコン膜をレーザーアニールして多結晶シリコン膜を形成する工程は、シート状に加工されたレーザービームを前記非晶質シリコン膜に照射することにより行い」なる技術的限定を付加し、特許を受けようとする発明を特定するために必要と認める事項である「前記不純物領域を、ランプを熱源として急速加熱することにより活性化する工程」について、「前記ランプを熱源として急速加熱することにより不純物領域を活性化する工程は、ＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）法を用いて急速加熱することにより行うとともに、シート状のアニール光を発するランプ光源を用い、かつ、前記ランプとして、キセノンアークランプを用いる」なる技術的限定を付加したものであって、かつ、これらの技術的事項は特許法第１７条の２第３項の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内におけるものであって、同法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、請求項３ないし請求項６の削除は特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、補正前請求項７と補正前請求項８については、請求項の削除に伴い請求項の番号を変更するとともに、引用する請求項の番号を変更するものであるから、特許法第１７条の２第４項第４号の明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、かつ、特許法第１７条の２第３項の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内におけるものでもある。
　さらに、発明の詳細な説明の上記段落の補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面の記載から自明の事項の範囲内におけるものであるから、特許法第１７条の２第３項の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内におけるものである。
　　
　（２−２）独立特許要件について
　本件補正後のその請求項１ないし４に係る発明は、本件補正後の特許請求の範囲に記載された事項により特定される、「２．（１）本件補正の内容」に記載したとおりのものである。　
  
（２−３）刊行物に記載された発明
　刊行物１：特開平６−２６７９８２号公報
　前審の拒絶の理由に引用された刊行物１には、図１とともに、以下の事項が記載されている。　
 「半導体上に絶縁被膜を介して陽極酸化可能な材料によって構成された配線を形成する第１の工程と、
　前記配線表面を陽極酸化する第２の工程と、
　陽極酸化後に前記配線部、もしくは、前記配線部により画定された部位を実質的なマスクとして、自己整合的に半導体中に不純物を導入する第３の工程と、
　不純物領域と活性領域の境界またはその近傍が光照射に対して実質的に透明な状態として、上面よりレーザーもしくはそれと同等な強光を照射することによって、不純物の導入された領域の結晶性を改善せしめる第４の工程とを有することを特徴とするＭＩＳ型半導体装置の作製方法。」（特許請求の範囲請求項１）
「【００１０】
　【問題を解決するための手段】本発明は、レーザーもしくはフラッシュランプ等の強力な光源より発せられる光エネルギーを上面より不純物領域に照射してこれを活性化せしめる際に、不純物領域のみでなくそれに隣接する活性領域の一部、特に不純物領域と活性領域の境界部分にも光エネルギーを照射するものであり、かかる目的を遂行するために不純物導入の前もしくは後に、ゲイト電極部を構成する材料の一部を除去することによって、該境界部を照射される光に対して実質的に透明な状態とすることを特徴とする。」（第１０段落）
「【００１４】さらに、本発明において用いられる光エネルギーの源泉（ソース）としては、ＫｒＦレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＸｅＣｌレーザー（３０８ｎｍ）、ＡｒＦレーザー（１９３ｎｍ）、ＸｅＦレーザー（３５３ｎｍ）等のエキシマーレーザーや、Ｎｄ：ＹＡＧレーザー（１０６４ｎｍ）およびその第２、第３、第４高調波、炭酸ガスレーザー、アルゴンイオンレーザー、銅蒸気レーザー等のコヒーレント光源、およびキセノンフラッシュランプ、クリプトンアークランプ、ハロゲンランプ等の非コヒーレント光源が適している。」（第１４段落）
「【００１７】
　【実施例】
　〔実施例１〕　図１に本実施例を示す。本実施例は絶縁基板上に薄膜トランジスタを形成するものである。基板１０１は、ガラス基板で、例えば、コーニング７０５９等の無アルカリガラス基板や石英基板等を使用できる。コストを考慮して、ここではコーニング７０５９基板を用いた。これに下地の酸化膜として酸化珪素膜１０２を堆積した。酸化珪素膜の堆積方法は、例えば、スパッタ法や化学的気相成長法（ＣＶＤ法）を使用できる。ここでは、ＴＥＯＳ（テトラ・エトキシ・シラン）と酸素を材料ガスとして用いて、プラズマＣＶＤ法によって成膜をおこなった。基板温度は２００〜４００℃とした。この下地酸化珪素膜の厚さは、５００〜２０００Åとした。
 【００１８】次いで、アモルファスシリコン膜を堆積し、これを島状にパターニングした。アモルファスシリコン膜の堆積方法としてはプラズマＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法が用いられる。ここでは、モノシラン（ＳｉＨ4 ）を材料ガスとして、プラズマＣＶＤ法によってアモルファスシリコン膜を堆積した。このアモルファスシリコン膜の厚さは２００〜７００Åとした。そして、これにレーザー光（ＫｒＦレーザー、波長２４８ｎｍ、パルス幅２０ｎｓｅｃ）を照射した。レーザー照射前には基板を真空中で０．１〜３時間、３００〜５５０℃に加熱して、アモルファスシリコン膜に含有されている水素を放出させた。レーザーのエネルギー密度は２５０〜４５０ｍＪ／ｃｍ2 とした。また、レーザー照射時には、基板を２５０〜５５０℃に加熱した。この結果、アモルファスシリコン膜は結晶化し、結晶性シリコン膜となった。 【００１９】次いで、ゲイト絶縁膜として機能する酸化珪素膜１０４を厚さ８００〜１２００Å形成した。ここではその作製方法は下地酸化珪素膜１０２と同じ方法を採用した。さらに、陽極酸化可能な材料、例えば、アルミニウム、タンタル、チタン等の金属、シリコン等の半導体、窒化タンタル、窒化チタン等の導電性金属窒化物を用いてゲイト電極１０５を形成した。ここではタンタルを使用し、その厚さは２０００〜１００００Åとした。（図１（Ａ））
 【００２０】その後、ゲイト電極を陽極酸化し、その表面に厚さ１５００〜２５００Åの陽極酸化物（第１の陽極酸化物）１０６を形成した。陽極酸化は、１〜５％のクエン酸のエチレングリコール溶液中に基板を浸し、全てのゲイト配線を統合して、これを正極とし、一方、白金を負極として、印加する電圧を１〜５Ｖ／分で昇圧することによっておこなった。さらに、プラズマドーピング法によって、ボロン（Ｂ）もしくは燐（Ｐ）のイオンを照射して不純物領域１０７を形成した。イオンの加速エネルギーはゲイト絶縁膜１０４の厚さによって変更されるが、典型的にはゲイト絶縁膜が１０００Åの場合には、ボロンでは５０〜６５ｋｅＶ、燐では６０〜８０ｋｅＶが適していた。また、ドーズ量は２×１０14ｃｍ-2〜６×１０15ｃｍ-2が適していたが、ドーズ量が低いほど信頼性の高い素子が得られることが明らかになった。このように陽極酸化物が存在する状態で不純物の導入をおこなった結果、ゲイト電極（タンタル）と不純物領域はオフセットの状態となった。なお、図で示した不純物領域の範囲は名目的なもので、実際にはイオンの散乱等によって回り込みがあることはいうまでもない。（図１（Ｂ））
 【００２１】さて、不純物ドーピングが終了した後、第１の陽極酸化物１０６のみをエッチングした。エッチングは、四フッ化炭素（ＣＦ4 ）と酸素のプラズマ雰囲気中でおこなった。四フッ化炭素（ＣＦ4 ）と酸素の比率（流量比）は、ＣＦ4 ／Ｏ2 ＝３〜１０とした。このような条件ではタンタルの陽極酸化物である五酸化二タンタルはエッチングされるが、酸化珪素はエッチングされない。このようにして、ゲイト配線１０５およびゲイト絶縁膜である酸化珪素膜１０４をエッチングすることなく、陽極酸化物１０６のみをエッチングすることができた。その結果、図１（Ｃ）に示すように不純物領域１０７とそれにはさまれた活性領域の境界（ｘと指示）が現れた。そして、このような状態でレーザー照射によって不純物領域の活性化をおこなった。レーザーはＫｒＦエキシマーレーザー（波長２４８ｎｍ、パルス幅２０ｎｓｅｃ）を使用し、レーザーのエネルギー密度は２５０〜４５０ｍＪ／ｃｍ2 とした。また、レーザー照射時には、基板を２５０〜５５０℃に加熱すると、より効果的に活性化できた。典型的には、燐がドープされたものでドーズ量が１×１０15ｃｍ-2、基板温度２５０℃、レーザーエネルギー３００ｍＪ／ｃｍ2 で５００〜１０００Ω／□のシート抵抗が得られた。」
（第１７段落〜第２１段落）
　
　よって、引用文献１には、
　「基板上に酸化珪素膜を堆積する工程と、
　前記酸化珪素膜上にアモルファスシリコン膜を堆積する工程と、
　前記アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射して、結晶性シリコン膜とする工程と、
　前記結晶性シリコン膜に不純物を導入して不純物領域を形成する工程と、
　前記不純物領域にレーザー照射することにより不純物領域の活性化を行なう工程を備えたＭＩＳ型半導体装置の作製方法。」
が記載されている。
　
　刊行物２：特開平２−１９４６２６号公報
　第１図から第３図とともに、以下の記載がなされている。
　「半導体薄膜のうちのソース・ドレイン領域とすべき部分に不純物を導入し熱処理を行う薄膜トランジスタの製造方法において、
　短波長アークランプの光線を照射することによって前記熱処理を行う様にした薄膜トランジスタの製造方法。」（特許請求の範囲請求項１）
　「本実施例は、ソース・ドレイン領域１５、１６形成用の不純物をイオン注入した後の熱処理を、キセノンアークランプ（キセノンガスを封入した水冷式の紫外線カットフィルタ付アークランプ）の光線を照射することによって行うことを除いて、既述の従来例と実質的に同様の工程を有している。・・・３秒程度以下の短時間で１２００℃程度の高温の熱処理を行うことができる。
　この様に短時間で熱処理を行うことができるので、本実施例によって製造した薄膜トランジスタでは、第２図に示す様に、ソース・ドレイン領域１５、１６とすべき部分へイオン注入した不純物のゲート電極１４下への再分布が少ない。」（第２頁右下欄第１行〜第２０行）
　
  刊行物３：特開平３−２８６５１８号公報
　第２図とともに、以下の事項が記載されている。
　「基板上に半導体薄膜を堆積し、この半導体薄膜に高出力エネルギービームを連続的に照射し、上記薄膜の結晶粒径拡大若しくは単結晶化をはかる半導体薄膜結晶層の製造方法において、上記ビームの形状を板状に変形して、ビームを走査すると同時に半導体薄膜にビームを照射することを特徴とする半導体薄膜結晶層の製造方法。」（特許請求の範囲請求項１）
　
　刊行物４：特開平６−２６０５０２号公報
　図２，図３及び図１８とともに以下の事項が記載されている。
　「【００１４】まず、図１８（ｂ）のようにガラス基板ＧＬＳ上に減圧化学気相成長法で非晶質シリコン薄膜ＳＬＲを形成し、図１８（ｃ）のように１回目のＫｒＦエキシマレーザＦＬＳを２７０ｍＪｃｍ-2の強度で、図１７の方法で照射して多結晶シリコンＦＰＬを形成し、次に図１８（ｄ）に示すように２回目のＫｒＦエキシマレーザＳＬＳを４５０ｍＪｃｍ-2の強度で照射して１回目に形成した多結晶シリコン薄膜ＦＰＬよりも大きな粒径の多結晶シリコン薄膜ＳＰＬになる。」（第１４段落）
「【００１８】
【課題を解決するための手段】１枚の基板上に、表示領域の素子を駆動する駆動回路を内蔵するアクティブマトリクス基板を複数個製造する工程において、基板上にシリコン薄膜を形成する工程と、シリコン薄膜のパターニング前、あるいはパターニング後にエネルギービームの照射領域と非照射領域の境界が駆動回路と表示領域に掛からないように、一枚の基板上の個々のアクティブマトリクス基板の駆動回路と表示領域の全領域、あるいは表示領域、駆動回路形成領域の各領域を一括してエネルギービ−ムを照射することによりシリコン薄膜を結晶化する工程を含むことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。」（第１８段落）
「【００２３】モノシランガスを反応ガスに用いた減圧化学気相成長法の基板温度５５０℃でシリコン薄膜ＳＬＲが形成された場合には、１８０ｍＪｃｍ-2から２７０ｍＪｃｍ-2の強度で真空中あるいは不活性ガス雰囲気、大気中でＸｅＣｌエキシマレーザＬＳＲを照射すればよく、この結果、シリコン薄膜ＳＬＲは、粒径が２００ｎｍ〜５００ｎｍの結晶で構成された多結晶シリコン薄膜になる。シリコン薄膜の結晶化に用いるレーザはＸｅＣｌエキシマレーザばかりでなく、ＡｒＦ、ＫｒＦ、Ｆ2エキシマレーザやＹＡＧレーザでもよい。凸レンズや凹レンズや蒲鉾型のレンズの組み合わせによる光学系にレーザビームを透過することにより、このエキシマレーザビームは強度９５％以上のエネルギー均一性が±５％以下である領域が１８．５ｍｍある空間的なエネルギー分布を持つ。」（第２３段落）
「【００２６】図２に示すように、信号側駆動回路ＸＣＲと走査側駆動回路ＹＣＲと表示領域ＤＳＳで構成されたアクティブマトリクス基板を図２（ａ）に示すように、基板をセットしてあるステージを走査しながら順次アニールし、図２（ｂ）に示すように基板上の全てのアクティブマトリクス基板形成領域のシリコン層を多結晶シリコン層にする。
【００２７】図３は、アクティブマトリクス基板にエキシマレーザビームを照射する斜視図を示している。エキシマレーザビームＬＳＢの照射領域ＲＬＲの中に、アクティブマトリクス基板の信号側駆動回路ＸＤＲと走査側駆動回路ＹＤＲと表示領域ＤＳＳが入っている。エキシマレーザビームＬＳＢの境界は、個々のアクティブマトリクス基板の切断線ＤＣＬにある。」（第２６及び２７段落）
　
　刊行物５：特開平６−９７１０２号公報
　図１とともに以下の事項が記載されている。
　「【０００２】
【従来の技術】一般に、アモルファスシリコン膜を再結晶化させる一つの手段としてレーザアニールがある。これによると、チャネル層となるＳｉ膜を非晶質状態でガラス基板上に堆積した後、レーザ光を照射してこのＳｉ膜を多結晶に改質することで、電子の移動度を高くすることができる。」（第２段落）
「【０００４】エキシマレーザでアニールする場合、通常、およそ０.２Ｊ／cm2の強度でレーザ光を照射する必要がある。これに対して、一般に市販されている放電励起のエキシマレーザでは、通常数Ｊ程度までのレーザ出力が得られるため、パルス光１発の照射で、最大数cm角の部分をアニールできる。そのため、数十cm四方の大きさであるＳｉ基板の全面をアニールするためには、パルスごとに照射位置を変えて、複数発レーザ光を照射する必要があった。」（第４段落）
「【００１３】本発明の目的は以上に説明した問題を解決することにあり、エキシマレーザを用いずに、数十cm四方の大きさのＳｉ基板の全面に対して、レーザ光を１パルス照射するだけで良質なアニールができる方法を提供し、さらに均一な強度分布を有するレーザ光を効率良く発生できる色素レーザを提供することにある。」（第１３段落）　
　
（２−４）対比・判断
　補正発明１と刊行物１に記載された発明（以下、「引用発明」という。）とを対比する。
　引用発明の、「酸化珪素膜」、「アモルファスシリコン膜」及び、「ＭＩＳ型半導体装置」はそれぞれ、
　補正発明１の、「ＳｉＯ２からなる絶縁膜」、「非晶質シリコン膜」及び、「半導体装置」に対応する。
　また、引用発明の酸化珪素膜、アモルファスシリコン膜等の薄膜を「堆積する」工程と、補正発明１の絶縁膜、非晶質シリコン膜等の薄膜を「形成する」工程は実質的に同一であることは当業者に明らかである。
　さらに、引用発明の、前記「シリコン膜に不純物を導入して不純物領域を形成する工程」は、補正発明１の前記「シリコン膜に、不純物領域を形成する工程」に相当する。　
　よって、両者は、
　「基板上にＳｉＯ2又はＳｉＮの少なくとも一方のみからなる絶縁膜を形成する工程と、
　この絶縁膜の上に非晶質シリコン膜を形成する工程と、
　この非晶質シリコン膜をレーザーアニールしてシリコン膜を形成する工程と、
　前記シリコン膜に、不純物領域を形成する工程と、
　前記不純物領域を活性化する工程とを含むことを特徴とした、半導体装置の製造方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１
　補正発明１においては、「この非晶質シリコン膜をレーザーアニールして多結晶シリコン膜を形成する工程」を備えるのに対して、
　引用発明においては、「前記アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射して、結晶性シリコン膜とする工程」を備えた点。　
　相違点２
　補正発明１においては、「前記不純物領域を、ランプを熱源として急速加熱することにより活性化する工程とを含」むのに対して、
　引用発明においては、「前記不純物領域にレーザー照射することにより不純物領域の活性化を行なう工程を備え」た点。
　相違点３
  補正発明１においては、「前記非晶質シリコン膜をレーザーアニールして多結晶シリコン膜を形成する工程は、シート状に加工されたレーザービームを前記非晶質シリコン膜に照射することにより行」うのに対して、
　引用発明では、「前記アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射して、結晶性シリコン膜とする工程」を備えた点。
　相違点４
　補正発明１においては、「前記ランプを熱源として急速加熱することにより不純物領域を活性化する工程は、ＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）法を用いて急速加熱することにより行うとともに、シート状のアニール光を発するランプ光源を用い、かつ、前記ランプとして、キセノンアークランプを用い」ているのに対して、
　引用発明では、上記の点が記載されていない点。
　
　以下、各相違点について検討する。
　相違点１について
　引用発明の「アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射して、結晶性シリコン膜とする」ことは、実質的にアニール処理することであって、アモルファスシリコン膜をアニール処理することにより形成した結晶性シリコン膜に多結晶性シリコン膜が含まれることは明らかであって、また、補正発明１の「多結晶シリコン膜」が「結晶性」のシリコン膜であることは明らかであるから、「結晶性」のシリコン膜の中で「多結晶シリコン膜」を選択することにより、補正発明１の如く、「この非晶質シリコン膜をレーザーアニールして多結晶シリコン膜を形成する」ことは当業者が容易になしえたものである。
　
　相違点２について
　刊行物１にも、「本発明は、レーザーもしくはフラッシュランプ等の強力な光源より発せられる光エネルギーを上面より不純物領域に照射してこれを活性化せしめ」ること（第１０段落参照）、「本発明において用いられる光エネルギーの源泉（ソース）としては、・・・キセノンフラッシュランプ、クリプトンアークランプ、ハロゲンランプ等の非コヒーレント光源が適している。」（第１４段落参照）と記載されており、また、ランプ光源により加熱する場合に、急速加熱を行うことは周知の技術的事項であるから、不純物領域の活性化のために、レーザー照射に代えて、ランプ光源を用いて、補正発明１の如く、「ランプを熱源として急速加熱することにより活性化する」ことは、当業者が何ら困難性無くなしえたものである。
　
　相違点３について
　平面上の広がりを持ったレーザビーム（形状が板状のレーザビーム、平面ビーム等）の板状のレーザビームを非晶質シリコン膜に照射して結晶化シリコン膜とすることは従来周知の技術であるから（必要とあらば、刊行物３の特開平３−２８６５１８号公報（特に、「基板上に半導体薄膜を堆積し、この半導体薄膜に高出力エネルギービームを連続的に照射し、上記薄膜の結晶粒径拡大・・・をはかる半導体薄膜結晶層の製造方法において、上記ビームの形状を板状に変形して、ビームを走査すると同時に半導体薄膜にビームを照射することを特徴とする半導体薄膜結晶層の製造方法。」（特許請求の範囲請求項１）参照）、刊行物４の特開平６−２６０５０２号公報（特に、「このエキシマレーザビームは強度９５％以上のエネルギー均一性が±５％以下である領域が１８．５ｍｍある空間的なエネルギー分布を持つ。」（第２３段落）参照）、及び、刊行物５の特開平６−９７１０２号公報（特に、「放電励起のエキシマレーザでは、通常数Ｊ程度までのレーザ出力が得られるため、パルス光１発の照射で、最大数cm角の部分をアニールできる。」（第４段落）、「エキシマレーザを用いずに、数十cm四方の大きさのＳｉ基板の全面に対して、レーザ光を１パルス照射するだけで良質なアニールができる方法を提供すること」（第１３段落）参照）を参照されたい。）、アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射することによりアニールして結晶性（多結晶）シリコン膜とする工程において、レーザ光として、従来周知の板状（シート状）のレーザ光（ビーム）を用いることは当業者が容易になしえたものである。
　
　相違点４について
　刊行物２には、「半導体薄膜のうちのソース・ドレイン領域とすべき部分に不純物を導入し熱処理を行う薄膜トランジスタの製造方法において、短波長アークランプの光線を照射することによって前記熱処理を行う」こと（特許請求の範囲請求項１参照）、「本実施例は、ソース・ドレイン領域１５、１６形成用の不純物をイオン注入した後の熱処理をキセノンアークランプ（キセノンガスを封入した水冷式の紫外線カットフィルタ付アークランプ）の光線を照射することによって行うこと」（第２頁右下欄第１〜５行参照）、「３秒程度以下の短時間で１２００℃程度の高温の熱処理を行うことができる。　この様に短時間で熱処理を行うことができる」こと（第２頁右下欄第１４行〜第１６行参照）が記載されており、さらに、アークランプによる照射光がシート状であることは当業者に明らかであるから、引用発明の「前記不純物領域にレーザー照射することにより不純物領域の活性化を行なう工程」において、レーザー照射に代えて、刊行物２に記載される如き、キセノンアークランプの光線を照射することにより短時間で熱処理を行う際に、従来周知のシート状のアークランプの光を用いることにより、本願発明の如く、「ＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）法を用いて急速加熱することにより行うとともに、シート状のアニール光を発するランプ光源を用い、かつ、前記ランプとして、キセノンアークランプを用い」ることは、当業者が、何ら困難性無くなしえたものである。
　
　よって、補正発明１は、上記刊行物１ないし刊行物５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　（３）むすび
　したがって、補正発明１は特許出願の際独立して特許を受けることができるものではない。よって、補正発明２ないし補正発明４について検討するまでもなく、適法でない補正を含む本件補正は特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に適合しないものであり、本件補正は特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１３年１１月７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし請求項８に係る発明（以下、「本願発明１」ないし「本願発明８」という。）は、平成１２年１０月１６日付け手続補正書により、明細書の、発明の名称、第１段落、第１９段落ないし第３１段落とともに補正された、特許請求の範囲の請求項１ないし請求項８に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
　
   「【請求項１】  基板上にＡｌ元素を含まない絶縁膜のみを形成する工程と、
　この絶縁膜の上に非晶質シリコン膜を形成する工程と、
　この非晶質シリコン膜をレーザーアニールして多結晶シリコン膜を形成する工程と、
　前記多結晶シリコン膜に、不純物領域を形成する工程と、
　前記不純物領域を、ランプを熱源として急速加熱することにより活性化する工程と、
を含むことを特徴とした半導体装置の製造方法。
　【請求項２】  前記絶縁膜の厚みを１０００Å〜６０００Åの範囲に設定したことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
　【請求項３】  前記非晶質シリコン膜をレーザーアニールして多結晶シリコン膜を形成する工程は、シート状に加工されたレーザービームを前記非晶質シリコン膜に照射することにより行うことを特徴とした請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
　【請求項４】  前記ランプを熱源として急速加熱する工程は、ＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）法を用いて急速加熱する工程であることを特徴とした請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
　【請求項５】  前記ランプを熱源として急速加熱する工程は、シート状のアニール光を発するランプ光源を用いることを特徴とした請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
　【請求項６】  前記ランプとして、キセノンアークランプを用いることを特徴とした請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
　【請求項７】  前記ＲＴＡを複数回に分けて行うことを特徴とした請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
　【請求項８】  前記複数回のＲＴＡの温度を、段階的に上昇させることを特徴とした請求項７に記載の半導体装置の製造方法。」
　
　基板上に形成する絶縁膜については、第２０段落において、特許請求の範囲請求項１に対応して、
「【００２０】
　【課題を解決するための手段】請求項１の半導体装置の製造方法は、基板上にＡｌ元素を含まない絶縁膜のみを形成する工程と、この絶縁膜の上に非晶質シリコン膜を形成する工程
と、この非晶質シリコン膜をレーザーアニールして多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記多結晶シリコン膜に、不純物領域を形成する工程と、前記不純物領域を、ランプを熱源として急速加熱することにより活性化する工程と、を含むことをその要旨とする。」と補正されている。
　
４．本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「当初明細書等」という。）に記載された事項について
　基板上に形成する「絶縁膜」について、当初明細書等には、以下のとおり記載されている。
　「【請求項１】  基板上に絶縁膜を形成する工程と、
　この絶縁膜の上に非晶質シリコン膜を形成する工程と、
　この非晶質シリコン膜をレーザーアニールして多結晶シリコン膜を形成する工程と、
　前記多結晶シリコン膜に、不純物領域を形成する工程と、
　前記不純物領域をＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）法を用いて急速加熱することにより活性化する工程と、
を含むことを特徴とした半導体装置の製造方法。
　　【請求項２】  基板上に絶縁膜を形成する工程と、
　この絶縁膜の上に非晶質シリコン膜を形成する工程と、
　この非晶質シリコン膜をレーザーアニールして多結晶シリコン膜を形成する工程と、
　前記多結晶シリコン膜に、不純物領域を形成する工程と、
　前記不純物領域を、ランプを熱源として急速加熱することにより活性化する工程と、
を含むことを特徴とした半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲請求項１及び２）
　「【００２０】
　【課題を解決するための手段】本発明の第１の局面による半導体装置の製造方法は、基板上に絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜の上に非晶質シリコン膜を形成する工程と、この非晶質シリコン膜をレーザーアニールして多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記多結晶シリコン膜に、不純物領域を形成する工程と、前記不純物領域をＲＴＡ法を用いて急速加熱することにより活性化する工程と、を含むことをその要旨とする。」（第２０段落）
「【００２３】
　本発明の第２の局面による半導体装置の製造方法は、基板上に絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜の上に非晶質シリコン膜を形成する工程と、この非晶質シリコン膜をレーザーアニールして多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記多結晶シリコン膜に、不純物領域を形成する工程と、前記不純物領域を、ランプを熱源として急速加熱することにより活性化する工程と、を含むことをその要旨とする。」（第２３段落）
「【００２５】
　また、基板と非晶質シリコン膜との間には、絶縁膜を形成しているので、非晶質シリコン膜の結晶化や不純物の活性化の熱処理の際に、基板中の不純物が非晶質シリコン膜又は多結晶シリコン膜中に拡散することを防止する。」（第２５段落）
「【００３３】工程１（図１参照）：石英ガラスや無アルカリガラスなどの基板１上に、ＳｉＯ2やＳｉＮなどの絶縁性薄膜１ａをＣＶＤ法やスパッタ法などにより形成する。具体的には、基板１としてコーニング社製７０５９を使用し、その表面上に常圧又は減圧ＣＶＤ法により、形成温度３５０℃で、膜厚３０００〜５０００ÅのＳｉＯ2膜を形成する。
　【００３４】このＳｉＯ2膜の膜厚は、後工程の熱処理やビーム照射などで基板１中の不純物がこのＳｉＯ2膜を通過して上層へ拡散しない程度の厚みが必要で、１０００〜６０００Åの範囲が適切で、２０００〜６０００Åにしたときに拡散防止効果が良好で、その中でも３０００〜５０００Åの場合がもっとも適している。
　【００３５】また、絶縁性薄膜１ａとしてＳｉＮを用いた場合の膜厚としては、１０００〜５０００Åの範囲が適切で、２０００〜５０００Åにしたときに拡散防止効果が良好で、その中でも２０００〜３０００Åの場合がもっとも適している。」（第３３段落〜第３５段落）
　　
　以上の記載より、当初明細書等には、基板上に形成する「絶縁膜」として、ＳｉＯ２及びＳｉＮのみが記載されているものと認める。
　
５．新規事項についての検討
　平成１２年１０月１６日付けの手続補正書により補正された、特許請求の範囲の請求項１及び第２０段落には、「基板上にＡｌ元素を含まない絶縁膜のみを形成する工程」が記載されており、その請求項１に係る発明は、「基板上にＡｌ元素を含まない絶縁膜のみを形成する工程」を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法となった。
　一方、当初明細書等には、上記４．で検討したとおり、基板上に形成する「絶縁膜」としては、ＳｉＯ２及びＳｉＮのみが記載されている。
　ここで、平成１２年１０月１６日付けで補正された請求の範囲に記載される「Ａｌ元素を含まない絶縁膜」には、「ＳｉＯ２及びＳｉＮ」以外の「Ａｌ元素を含まない絶縁膜」も含まれるが、「ＳｉＯ２及びＳｉＮ」以外の「Ａｌ元素を含まない絶縁膜」は当初明細書等に何ら記載が無くまた、当初明細書等の記載から自明の事項とも認められないから、「基板上にＡｌ元素を含まない絶縁膜のみを形成する工程」を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法は、特許法第１７条の２第３項の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内におけるものでない。
　
　よって、平成１２年１０月１６日付けでした手続補正は、願書に最初に添付の明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、本願は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしておらず、特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないから、特許を受けることができず、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。