【手続補正書】
【提出日】平成15年10月31日(2003.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
前記情報記録媒体における記録層が少なくとも第１および第２の磁性層からなり、該第１の磁性層は、周囲温度近傍において該第２の磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度の大きな垂直磁化膜からなり、第２の磁性層は垂直磁化膜であり、第１の磁性層および第２の磁性層は磁気的に結合している情報記録媒体であって、少なくとも該第１の磁性層が、請求項１ないし１１のいずれかに記載の製造方法により作成されたことを特徴とする情報記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
また、このような光検出方式の場合、記録や再生時に光を所定の場所に導くためにトラッキングとフォーカスという機構が採用されている。その仕組みを構成する要素として通常媒体上に案内溝と呼ばれる溝が形成されている。この溝は通常記録には使われない。しかし、近年高密度化するために特開平６-３４９０７３に開示されているように、この溝（グルーブと呼ぶ）にも記録をすること（ランド／グルーブ記録方式と呼ぶ）が提案されている。
この場合、グルーブの底面はランド表面および基板表面に対して平行な平面である。溝は情報トラックが形成されている側から見て凹となっている部分をいう。さらに高密度化を図るために、トラックピッチを小さくして狭トラックを図ることが考えられるが、その際、隣接するトラックのデータを破壊しないための工夫として、特開平９-１６１３２１に開示されているように、ランド部と溝部の段差すなわち溝探さを深くすることが提案されている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
［実施例１］
グルーブのピッチを１.２μｍ、深さを０.２μｍとし、グルーブ間のランドとグルーブの底面部とに、それぞれ０.５μｍの幅の基板表面に平行な平面を有するフラット部を設け、このランドとグルーブとの間の傾斜部の基板表面に対する傾斜角度が約６３度になるように成形した基板を作製した。この基板上に後述するスパッタリング工程により記録層を成膜した。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
一般的にスパッタによる成膜速度は非等方的であり基板の傾きに依存する。予備試験の結果、基板表面に対して約６３度に傾斜している傾斜部においては、フラット部の約５５％の膜厚になることが確認された。すなわち、上記の成膜により、傾斜部には約２７.５μｍの記録膜が付着していることになる。
そこで次に、基板側に３００Ｗの電力を投入して逆スパッタし、記録膜のエッチングを行った。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
一般的に逆スパッタによる成膜速度は概ね等方的であり基板の傾きにあまり依存しない。予備試験の結果、基板表面に対して約６３度に傾斜している傾斜部におけるエッチング速度は、フラット部におけるエッチング速度と測定上の有意差が見られず、共に３ｎｍ／ｍｉｎ程度であった。
そこで、上記のエッチングを１０分間行って、傾斜部の記録膜を除去し、フラット部には約２０μｍの記録膜を残存させた。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
記録バイアス磁界を３００Ｏｅとし、記録パワーを変えて、（１-７）ＲＬＬランダムデータをマークエッジ記録した。レーザーの駆動波形は、入力信号に対して立ち上がりを１Ｔ遅らせて、ｎＴの幅の信号に対して（ｎ-１）Ｔの幅のレーザーパルスを照射するようにした。クロック周波数は２５ＭＨｚとし、最短マーク長が０.７５μｍになるようにした。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
次に、クロスイレーズ／ライトに対する効果を調べた。まずランド上にマーク長０.７５μｍの繰り返しパターンを記録して初期のキャリアレベルを測定し、次いで隣接するグルーブ上にトラッキングサーボをかけてＤＣレーザーを照射した後、ランド上にトラッキングを戻して再びキャリアレベルを測定した。
このときのキャリアレベルの初期レベルからの変化の、隣接グルーブ上で照射したＤＣレーザーパワーに対する依存性を図３に示す。実施例１のサンプルは、比較例１のサンプルと比較して、クロスイレーズ／ライト耐性が大幅に向上していることがわかる。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
［実施例２］
グルーブのピッチを１.１μｍとし、傾斜部の基板表面に対する傾斜角度を約７６度とした他は実施例１と同様の基板を用いた。ＴbＦeＣo層成膜時のＡrガス圧を０.１Ｐａ、ターゲットへの投入パワーを１５００Ｗとし、膜厚が２０ｎｍとなるように成膜した後、エッチングを行わずに、ＳiＮ層およびＡl層を引き続き成膜した他は実施例１と同様にしてサンプルを作製した。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
このようにして作製した各サンプルを、レーザー波長６８０ｎｍ・対物レンズＮＡ０.５５の光学ヘッドを持つドライブ装置にセットし、７.５Ｈｚの一定周期で回転させ、半径３１.８ｍｍの位置で記録特性の測定を行なった。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
摺動型の磁気ヘッドにより、磁界を７.５ＭＨｚで変調しながら、記録用のＤＣレーザーを照射して、マーク長０.１μｍの繰り返しパターンを磁界変調記録した。


【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
変調周波数を変えて、マーク長０.１μｍから０.０５μｍまでの繰り返しパターンを磁界変調記録した。この結果、実施例５のサンプルは、マーク長０.０５μｍまで記録パターンが確認できたが、比較例２のサンプルでは、０.０８μｍ以下のマーク長では磁区がシュリンクしてしまい、記録パターンがほとんど確認できなかった。


【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
上述の効果は、第１磁性層に関わる再生時の効果であるが、さらに本発明には第３の磁性層の記録トラック上の前後の磁壁を分離させることにより、以下に述べるように、微小磁区の保存性を向上させる効果もある。変調周波数を変えて、マーク長０.１μｍから０.０１μｍ置きに０.０５μｍまでの繰り返しパターンを磁界変調記録した。
この結果、実施例６のサンプルは、マーク長０.０５μｍまで記録パターンが確認できたが、比較例３のサンプルでは、０.０８μｍ以下のマーク長で磁区がシュリンクしてしまい、記録パターンが確認できなかった。
なお、ジッターマージンの大きさや所定のジッターマージンの得られる記録パワーマージン、およびクロスライト／クロスイレース、クロストークについて、実施例６のサンプルは比較例３のサンプルに対して十分な効果があることが認められた。


【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
これらのサンプルをレーザー波長６８０ｎｍ、対物レンズＮＡ０.５５の光学ヘッドを持つドライブ装置にセットし、５.０Ｈｚの一定周期で回転させ、ランド上にトラッキングサーボをかけ、半径３０ｍｍの位置で記録特性の測定を行った。記録バイアス磁界を３００Ｏｅとし、記録パワーを変えて、（１-７）ＲＬＬランダムデータをマークエッジ記録した。レーザーの駆動波形は、入力信号に対して立ち上がりを１Ｔ遅らせて、ｎＴの幅の信号に対して（ｎ-１）Ｔの幅のレーザーパルスを照射するようにした。クロック周波数は２５ＭＨｚとし、最短マーク長が０.７５μｍになるようにした。
このランダム信号を再生パワー１.５ｍＷで再生し、得られたアナログ信号波形をＤＣレベルでスライスして２値化して、立ち上がりエッジのインターバルを測定した。そして、すべてのデータパターンに対する１０5サンプルでの相対ジッター分布を導出し、ジッターマージンの記録パワー依存性を各サンプルについて比較した。


【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例における情報記録媒体を示す概略断面図。
【図２】ジッタマージンの記録パワー依存性を示すグラフ図。
【図３】ランド上におけるキャリアレベルの変化の、隣接するグルーブ上で照射したＤＣレーザーパワーに対する依存性を示すグラフ図。
【図４】Ｃ／Ｎの記録パワー依存性を示すグラフ図。
【図５】本発明の製法を示す模式図。
【図６】本発明の製法により作製されたランドとグルーブを有する情報記録媒体における膜の付き方を示す模式断面図。
【図７】本発明の実施例に用いたイオンビームスパッタ法を示す模式図。
【図８】本発明の実施例に用いた電子放出源を具備したマグネトロンスパッタ法を示す模式図。
【図９】本発明の実施例に用いたコリメータを具備したマグネトロンスパッタ法を示す模式図。
【図１０】本発明の実施例に用いたイオン化金属プラズマバイアススパッタ法を示す模式図。
【図１１】本発明の実施例に用いた、ホローカソードマグネトロンスパッタ法を示す模式図。
【図１２】本発明の実施例に用いたシートプラズマスパッタ法を示す模式図。
【図１３】従来のマグネトロンスパッタ法におけるスパッタ粒子の飛び方を示す模式図。
【図１４】従来のマグネトロンスパッタ法により作製されたランドとグルーブを有する情報記録媒体における膜の付き方を示す模式断面図。