Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月6日(2014.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ：
【化１】
2013542261.tif 000001
［式中：
Ｘは−Ｃ（Ｒ８）＝または−Ｎ＝から選択され、ここに、Ｒ８は水素、ＦまたはＣＮであり；
Ｒ１は：Ｃ１−４アルキル、シクロプロピルメチル、シクロブチルメチルおよび［１−（トリフルオロメチル）シクロプロピル］メチルよりなる群から選択され（ここで、各々は、Ｆおよびヒドロキシよりなる群から独立して選択される原子価によって許容される１以上の置換基で置換されていてもよい）；
Ｒ２は水素およびメチルから選択され；
Ｒ２が水素である場合、
Ｒ３は水素、ＦまたはＣｌから選択され；
Ｒ４は水素、ＦまたはＣｌから選択され；
Ｒ５は水素であり；
Ｒ６は水素またはＦから選択され；および
Ｒ７は水素、ＦまたはＣｌから選択され；
但し、Ｒ３がＦであるのでなければ（その場合、Ｒ４、Ｒ６およびＲ７は全て水素であってよく）、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６およびＲ７の少なくとも２つはＦまたはＣｌでなければならず；およびＲ４がＣｌであれば、Ｒ７はＣｌではなく；
Ｒ２がメチルである場合、
Ｒ３は水素、メチル、Ｆ、Ｃｌ、またはＢｒから選択され；
Ｒ４は水素、メチル、ＦまたはＣｌから選択され；
Ｒ５は水素またはＦから選択され；
Ｒ６は水素またはＦから選択され；および
Ｒ７は水素、メチル、ＦまたはＣｌから選択され；
但し、Ｒ５がＦであれば、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６およびＲ７の少なくとも３つはＦでなければならず；およびＲ４がメチルまたはＣｌであれば、Ｒ７はメチルまたはＣｌではない。］
の化合物、またはその医薬上許容される塩。
【請求項２】
Ｘが−Ｎ＝である請求項１に記載の化合物、またはその医薬上許容される塩。
【請求項３】
Ｘが−ＣＨ＝である請求項１に記載の化合物、またはその医薬上許容される塩。
【請求項４】
Ｘが−Ｃ（ＣＮ）＝である請求項１に記載の化合物、またはその医薬上許容される塩。
【請求項５】
Ｒ１が１から３のＦまたはヒドロキシ、または双方で置換されていてもよいＣ１−４アルキルである請求項１に記載の化合物、またはその医薬上許容される塩。
【請求項６】
Ｒ１がイソプロピル、２，２，２−トリフルオロエチルおよび２−メチルプロピルよりなる群から選択される請求項５に記載の化合物、またはその医薬上許容される塩。
【請求項７】
Ｒ１が２，２，２−トリフルオロエチルである請求項６に記載の化合物、またはその医薬上許容される塩。
【請求項８】
Ｒ２が水素である請求項１に記載の化合物、またはその医薬上許容される塩。
【請求項９】
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６およびＲ７の少なくとも２つがＦまたはＣｌである（但し、Ｒ４がＣｌの場合、Ｒ７はＣｌではない）、請求項８に記載の化合物、またはその医薬上許容される塩。
【請求項１０】
Ｒ３がＦであって、Ｒ４、Ｒ６およびＲ７が水素である請求項８に記載の化合物、またはその医薬上許容される塩。
【請求項１１】
Ｒ２がメチルである請求項１に記載の化合物、またはその医薬上許容される塩。
【請求項１２】
Ｒ５がＦであって、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６およびＲ７の少なくとも３つがＦである請求項１１に記載の化合物、またはその医薬上許容される塩。
【請求項１３】
Ｒ５が水素であって、Ｒ４がメチルまたはＣｌの場合、Ｒ７はメチルまたはＣｌではない、請求項１１に記載の化合物、またはその医薬上許容される塩。
【請求項１４】
Ｒ３が水素、ＦまたはＣｌから選択され；Ｒ４が水素、ＦまたはＣｌであり；Ｒ５が水素であり；Ｒ６が水素またはＦから選択され；およびＲ７が水素、ＦまたはＣｌから選択され；但し、Ｒ４がＣｌの場合、Ｒ７はＣｌではない、請求項１１に記載の化合物、またはその医薬上許容される塩。
【請求項１５】
以下の：
【化２】
2013542261.tif 000002
表３
【化３】
2013542261.tif 000003
【表１】
2013542261.tif 000004
表４
【化４】
2013542261.tif 000005
【表２】
2013542261.tif 000006
表５
【化５】
2013542261.tif 000007
【表３】
2013542261.tif 000008
表６
【化６】
2013542261.tif 000009
【表４】
2013542261.tif 000010
から選択される請求項１に記載の化合物、またはその医薬上許容される塩。
【請求項１６】
以下の構造を有する、請求項１に記載の化合物、またはその医薬上許容される塩。
【化７】
2013542261.tif 000011
【請求項１７】
不活性な担体および請求項１に記載の化合物、またはその医薬上許容される塩を含む医薬組成物。
【請求項１８】
治療を必要とする患者において頭痛を治療するための、治療上有効量の請求項１に記載の化合物、またはその医薬上許容される塩を含む医薬組成物。
【請求項１９】
該頭痛が片頭痛である請求項１８に記載の医薬組成物。
【請求項２０】
頭痛の治療用の医薬の製造のための、請求項１から１１いずれかに記載の化合物、またはその医薬上許容される塩、および医薬上許容される担体の使用。
【請求項２１】
該頭痛が片頭痛である請求項２０に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月10日(2014.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
葉酸受容体発現癌の治療のための医薬の製造における、式：
【化１】
2013542264.tif 000001
の化合物またはその医薬的に許容される塩の使用であって；
該医薬は血管新生阻害、微小管アセンブリー阻害、ＤＮＡ架橋結合、トポイソメラーゼ阻害、ＤＮＡインターカレーション、ＤＮＡ合成阻害、およびチロシンキナーゼ阻害からなる群から選択される作用様式を有する１個以上のさらなる化学療法薬と共に投与され；および
該化合物またはその医薬的に許容される塩および該さらなる化学療法薬は、投与前に無菌の容器またはパッケージ中にある、使用。
【請求項２】
該さらなる化学療法薬がシスプラチン、カルボプラチン、トポテカン、イリノテカン、ベバシズマブ、エルロチニブ、ラパチニブ、およびペメトレキセドからなる群から選択される、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
該さらなる化学療法薬が、カルボプラチンおよびベバシズマブからなる群から選択される、請求項１または２に記載の使用。
【請求項４】
該さらなる化学療法薬がカルボプラチンである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の使用。
【請求項５】
該さらなる化学療法薬がベバシズマブである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の使用。
【請求項６】
該式：
【化２】
2013542264.tif 000002
の化合物またはその医薬的に許容される塩および該化学療法薬が治療上有効な量で投与される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の使用。
【請求項７】
該式：
【化３】
2013542264.tif 000003
の化合物またはその医薬的に許容される塩および該さらなる化学療法薬が、重量パーセントに基づいて少なくとも９０％の純度を有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の使用。
【請求項８】
該式：
【化４】
2013542264.tif 000004
の化合物またはその医薬的に許容される塩が再構成凍結乾燥物の形態である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の使用。
【請求項９】
式：
【化５】
2013542264.tif 000005
の化合物またはその医薬的に許容される塩、ならびに血管新生阻害、微小管アセンブリー阻害、ＤＮＡ架橋結合、トポイソメラーゼ阻害、ＤＮＡインターカレーション、ＤＮＡ合成阻害、およびチロシンキナーゼ阻害からなる群から選択される作用様式を有する１個以上のさらなる化学療法薬を含むキットであって、
該化合物またはその医薬的に許容される塩および該１個以上の化学療法薬が葉酸受容体発現癌の治療に治療上有効な量である、キット。
【請求項１０】
該さらなる化学療法薬がシスプラチン、カルボプラチン、トポテカン、イリノテカン、ベバシズマブ、エルロチニブ、ラパチニブ、およびペメトレキセドからなる群から選択される請求項９に記載のキット。
【請求項１１】
該さらなる化学療法薬がカルボプラチンおよびベバシズマブからなる群から選択される、請求項９または１０に記載のキット。
【請求項１２】
該さらなる化学療法薬がカルボプラチンである、請求項９〜１１のいずれか１項に記載のキット。
【請求項１３】
該さらなる化学療法薬がベバシズマブである、請求項９〜１１のいずれか１項に記載のキット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３４】
実施例
凍結乾燥サイクル
上記の3％マンニトールを含むpH6.2 クエン酸緩衝 EC145溶液(2 mL／5 mLバイアル)を用いた以下の凍結乾燥サイクルによって、良好なケーク状である凍結乾燥されたEC145製剤が得られる（それは、水中で容易に再構成し、高いAPI純度(＞95％)を保持する）。
バイアルを、アルゴンでスパージし、2 mLのEC145製剤を充填し、半分入れた位置においてsplit skirt 凍結乾燥ストッパーで栓をする。トレーを満たして栓をしたらすぐに、それを5℃にて凍結乾燥機に設置する。
1.  凍結乾燥機棚を5℃まで予め冷却する。
2.  満たしたトレーを予め冷却した棚にロードする。
3.  ロードが完了したら凍結乾燥サイクルを開始する。
4.  棚温度を5℃にて30-60分間保持する。
別法として、棚を-50℃〜5℃まで予め冷却することで、満たされたトレーを予め冷却する時間を減らすことができる;工程4は必要ない場合もある。
5.  棚温度を-50℃まで迅速に勾配させる。
6.  該棚温度を-50℃にて60〜360分間保持する。
7.  50〜150 mTorrまでチャンバー圧を下げる。
8.  該棚温度を-50℃にて180〜1740分間保持する。
9.  該棚温度を73分間にわたって-37℃まで勾配させる(0.20℃/分)。
10.  該棚温度を-37℃にて60〜720分間保持する。
11.  該棚温度を150分間にわたって-20℃まで勾配させる(0.11℃/分)。
12.  該棚温度を-20℃にて60〜360分間保持する。
13.  棚温度を60〜360分かけて20℃〜30℃まで勾配させる。
14.  棚温度を20℃〜30℃にて60〜600分間保持する。
15.  チャンバーを、アルゴンまたは窒素を用いて12.5 psia(870 mbar)まで充填し戻す。
16.  棚を畳崩す(バイアルを完全に栓で塞ぐ)。
17.  濾過空気を用いて大気圧まで充填し戻す。
18.  凍結乾燥機から取り出す。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月23日(2014.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バイオマスから合成ガスを生成する方法であって、
（ａ）前記バイオマスを酸化して７５０℃よりも高くない温度まで加熱する量の酸素と、前記バイオマスとをガス化域を備えた第１の槽において接触させる工程、
（ｂ）少なくとも１つの可燃性物質と、酸素とを酸化域を備えた第２の槽において接触させて前記可燃物を酸化して、少なくとも１１００℃まで加熱された熱ガスを提供する工程、
（ｃ）工程（ｂ）において生成した前記熱ガスを、前記第２の槽から第１の槽へと送って前記熱ガスと前記酸化されたバイオマスとを接触させて、少なくとも９００℃まで加熱して少なくとも１つの可燃物を含む原料合成ガスを生成する工程、
（ｄ）工程（ｃ）において生成した前記原料合成ガスから、前記可燃物を分離して精製合成ガスを提供する工程、
（ｅ）工程（ｄ）において分離した前記可燃物を前記第２の槽へ送る工程、及び
（ｆ）工程（ｄ）において提供された精製合成ガスを回収する工程
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記バイオマスは、均質なバイオマスに富んだ物質であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記バイオマスは、非均質なバイオマスに富んだ物質であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記バイオマスは、異なった成分から成るバイオマスに富んだ物質であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記バイオマスは、都市バイオマスであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
工程（ａ）において、前記バイオマスは、６００℃〜７５０℃の温度に加熱されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
工程（ａ）において、前記バイオマスは、７００℃〜７５０℃の温度に加熱されることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
工程（ｂ）において、少なくとも１つの可燃性物質が、１１００℃〜１８５０℃の温度に加熱されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
工程（ｂ）において、少なくとも１つの可燃性物質が、１５００℃〜１８５０℃の温度に加熱されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
工程（ｃ）において、前記酸化されたバイオマスは、９００℃〜１２００℃の温度に加熱されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
工程（ｃ）において、前記酸化されたバイオマスは、１０００℃〜１１００℃の温度に加熱されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
それぞれの工程（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）及び（ｅ）からの前記少なくとも１つの可燃性物質は、メタン、エチレン、プロピレン、プロパン、メタノール、エタノール、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸、ジメチルエステル、タール、チャコール及びこれらの混合物から成る群から選択されたものであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの可燃性物質は、メタンであることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの可燃性物質は、チャコールであることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの可燃性物質は、メタン及びチャコールを含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
バイオマスから合成ガスを生成する方法であって、
（ａ）前記バイオマスを酸化して７５０℃よりも高くない温度まで加熱する量の酸素と、前記バイオマスとをガス化域において接触させる工程、
（ｂ）メタン、エチレン、プロピレン、プロパン、メタノール、エタノール、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸及びジメチルエステルから選択される少なくとも１つの可燃性物質と、酸素とを酸化域において接触させて前記可燃物を酸化して、少なくとも１１００℃まで加熱された熱ガスを提供する工程、
（ｃ）工程（ａ）において生成した酸化されたバイオマスを、工程（ｂ）において生成した前記熱ガスとを接触させて、少なくとも９００℃まで加熱して、メタン、エチレン、プロピレン、プロパン、メタノール、エタノール、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸及びジメチルエステルから選択される少なくとも１つの可燃物を含む原料合成ガスを生成する工程、
（ｄ）工程（ｃ）において生成した前記原料合成ガスから、前記可燃物を分離して精製合成ガスを提供する工程、
（ｅ）工程（ｄ）において分離した前記可燃物を前記工程（ｂ）の前記酸化域へ送る工程、及び
（ｆ）工程（ｄ）において提供された精製合成ガスを回収する工程を含むことを特徴とする方法。
【請求項１７】
前記バイオマスは、均質なバイオマスに富んだ物質であることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記バイオマスは、非均質なバイオマスに富んだ物質であることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記バイオマスは、異なった成分から成るバイオマスに富んだ物質であることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記バイオマスは、都市バイオマスであることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
工程（ａ）において、前記バイオマスは、６００℃〜７５０℃の温度に加熱されることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項２２】
工程（ａ）において、前記バイオマスは、７００℃〜７５０℃の温度に加熱されることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
工程（ｂ）において、少なくとも１つの可燃性物質が、１１００℃〜１８５０℃の温度に加熱されることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項２４】
工程（ｂ）において、少なくとも１つの可燃性物質が、１５００℃〜１８５０℃の温度に加熱されることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
工程（ｃ）において、前記酸化されたバイオマスは、９００℃〜１２００℃の温度に加熱されることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項２６】
工程（ｃ）において、前記酸化されたバイオマスは、１０００℃〜１１００℃の温度に加熱されることを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記少なくとも１つの可燃性物質は、メタンであることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月28日(2014.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の構造：
【化１３】
2013542225.tif 000001
を有する（＋）−（４Ｓ，５Ｒ）−３，４−ジヒドロキシ−２−（３−メチルブタノイル）−５−（３−メチルブチル）−４−（４−メチルペンタノイル）シクロペンタ−２−エン−１−オンのカリウム塩又はその結晶。
【請求項２】
前記結晶が、単斜晶系空間群Ｐ２１２１２、及び単位セル寸法  ａ＝２３．３１１０（９）Å（オングストローム）、α＝９０°、ｂ＝２８．９０５２（１２）Å（オングストローム）、β＝９０°、ｃ＝１３．６８４５（５）Å（オングストローム）及びγ＝９０°を有する、請求項１に記載のカリウム塩。
【請求項３】
前記結晶が、以下の表：
【表２】
2013542225.tif 000002
2013542225.tif 000003

2013542225.tif 000004
に定められる３次元原子座標（×１０４）及び等価等方性変位パラメータ（Å（オングストローム）２×１０３）を有する、請求項１に記載のカリウム塩。
【請求項４】
請求項１に記載のカリウム塩又はその結晶の鏡像異性的に純粋な組成物。
【請求項５】
前記鏡像異性的純度は、９６％以上、９７％以上、９８％以上、９９％以上、及び９９．５％以上からなる群から選択される、請求項４に記載の鏡像異性的に純粋な組成物。
【請求項６】
請求項４に記載の鏡像異性的に純粋な組成物及び医薬的に許容可能なキャリアを含む医薬製剤。
【請求項７】
以下の構造：
【化１２】
2013542225.tif 000005
を有する（＋）−（４Ｓ，５Ｒ）−３，４−ジヒドロキシ−２−（３−メチルブタノイル）−５−（３−メチルブチル）−４−（４−メチルペンタノイル）シクロペンタ−２−エン−１−オン又はその塩もしくは結晶の治療的有効量を有する、糖尿病を治療するための医薬製剤。
【請求項８】
以下の構造：
【化１２】
2013542225.tif 000006
を有する（＋）−（４Ｓ，５Ｒ）−３，４−ジヒドロキシ−２−（３−メチルブタノイル）−５−（３−メチルブチル）−４−（４−メチルペンタノイル）シクロペンタ−２−エン−１−オン又はその塩もしくは結晶の治療的有効量を有する、ＰＰＡＲγ変調に応じる症状を治療するための医薬製剤。
【請求項９】
以下の構造：
【化１２】
2013542225.tif 000007
を有する（＋）−（４Ｓ，５Ｒ）−３，４−ジヒドロキシ−２−（３−メチルブタノイル）−５−（３−メチルブチル）−４−（４−メチルペンタノイル）シクロペンタ−２−エン−１−オン又はその塩もしくは結晶の治療的有効量を有する、代謝障害を治療するための医薬製剤。
【請求項１０】
以下の構造：
【化１２】
2013542225.tif 000008
を有する（＋）−（４Ｓ，５Ｒ）−３，４−ジヒドロキシ−２−（３−メチルブタノイル）−５−（３−メチルブチル）−４−（４−メチルペンタノイル）シクロペンタ−２−エン−１−オン又はその塩もしくは結晶の治療的有効量を有する、ＧＰＲ１２０変調に応じる症状を治療するための医薬製剤。
【請求項１１】
前記塩は、カリウム、アルミニウム、カルシウム、銅、グアニジニウム、鉄、リチウム、マグネシウム、ナトリウム、亜鉛、シンコニジン、シンコニン及びジエタノールアミン塩からなる群から選択される、請求項７乃至１０のいずれか一項に記載の医薬製剤。
【請求項１２】
（＋）−（４Ｓ，５Ｒ）−３，４−ジヒドロキシ−２−（３−メチルブタノイル）−５−（３−メチルブチル）−４−（４−メチルペンタノイル）シクロペンタ−２−エン−１−オン又はその塩もしくは結晶は、鏡像異性的に純粋な組成物として投与される、請求項７乃至１１のいずれか一項に記載の医薬製剤。
【請求項１３】
前記鏡像異性的に純粋な組成物は、医薬的に許容可能なキャリアをさらに有する医薬調剤の一部として投与される、請求項１２に記載の医薬製剤。
【請求項１４】
前記鏡像異性的純度は、９６％以上、９７％以上、９８％以上、９９％以上、及び９９．５％以上からなる群から選択される、請求項１２に記載の医薬製剤。
【請求項１５】
前記ＰＰＡＲγ変調に応じる症状は、糖尿病及び肥満からなる群から選択される、請求項８に記載の医薬製剤。
【請求項１６】
前記代謝障害が糖尿病である、請求項９に記載の医薬製剤。
【請求項１７】
（＋）−（４Ｓ，５Ｒ）−３，４−ジヒドロキシ−２−（３−メチルブタノイル）−５−（３−メチルブチル）−４−（４−メチルペンタノイル）シクロペンタ−２−エン−１−オン又はその塩もしくは結晶の投与が、グルコース及び／又は脂質レベルの減少をもたらす、請求項９に記載の医薬製剤。
【請求項１８】
結晶性（＋）−（４Ｓ，５Ｒ）−３，４−ジヒドロキシ−２−（３−メチルブタノイル）−５−（３−メチルブチル）−４−（４−メチルペンタノイル）シクロペンタ−２−エン−１−オンカリウム（１：１）塩。
【請求項１９】
結晶性（−）−（４Ｓ、５Ｒ）−３、４−ジヒドロキシ−２−（３−メチルブタノイル）−５−（３−メチルブチル）−４−（４−メチルペンタノイル）シクロペンタ−２−エン−１−オンカリウム（１：１）塩。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月24日(2014.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
血清型ＤＥＮ−１、ＤＥＮ−２、ＤＥＮ−３およびＤＥＮ−４の有効量の精製デングウイルスエンベロープ（「Ｅ」）タンパク質、薬学的に許容可能な賦形剤ならびに有効量のアジュバントを含む免疫原性組成物であって、Ｅタンパク質は、各々、そのＮ末端のアミノ酸残基１から出発して野生型Ｅの長さの約８０％を構成し、ＤＥＮ−４Ｅタンパク質は二量体であり、ならびに該組成物はヒト被験者における中和抗体の産生を誘導する、前記免疫原性組成物。
【請求項２】
Ｅタンパク質が昆虫宿主細胞中で組換え的に産生されかつ発現される請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
Ｅタンパク質がＤｒｏｓｏｐｈｉｌａ  ｍｅｌａｎｏｇａｓｔｅｒ  Ｓｃｈｎｅｉｄｅｒ２（Ｓ２）宿主細胞中で組換え的に産生されかつ発現される請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
アジュバントがアルミニウム塩アジュバントである前記請求項のいずれかに記載の組成物。
【請求項５】
アジュバントがＩＳＣＯＭ型アジュバントである前記請求項のいずれかに記載の組成物。
【請求項６】
アジュバントがＩＳＣＯＭＡＴＲＩＸである請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
ＤＥＮ４タンパク質の量がＤＥＮ１、ＤＥＮ２およびＤＥＮ３タンパク質の個々の量の約１．５ないし約３倍である請求項５に記載の組成物。
【請求項８】
ＤＥＮ４タンパク質の量がＤＥＮ１、ＤＥＮ２およびＤＥＮ３タンパク質の個々の量の約２倍である請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
血清型ＤＥＮ−１、ＤＥＮ−２、ＤＥＮ−３およびＤＥＮ−４の有効量の精製デングウイルスエンベロープ（「Ｅ」）タンパク質単量体、薬学的に許容可能な賦形剤および有効量のアジュバントを含む免疫原性組成物であって、Ｅタンパク質は、宿主細胞において組換え的に発現されるとき、前記Ｅタンパク質が増殖培地中に分泌可能であるように、各々、そのＮ末端のアミノ酸残基１から出発して野生型Ｅの長さの約８０％を構成し、ＤＥＮ４Ｅタンパク質の量はＤＥＮ１、ＤＥＮ２およびＤＥＮ３Ｅタンパク質の個々の量の約１．５ないし約３倍であり、ならびに該組成物はヒト被験者における中和抗体の産生を誘導する、前記免疫原性組成物。
【請求項１０】
ＤＥＮ４Ｅタンパク質の量がＤＥＮ１、ＤＥＮ２、ＤＥＮ３Ｅタンパク質の個々の量の約２倍である請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
ＤＥＮのＥタンパク質の量が：（ａ）ＤＥＮ１−８０Ｅ約３μｇ、ＤＥＮ２−８０Ｅ約３μｇ、ＤＥＮ３−８０Ｅ約３μｇおよびＤＥＮ４−８０Ｅ約６μｇ；（ｂ）ＤＥＮ１−８０Ｅ約１０μｇ、ＤＥＮ２−８０Ｅ約１０μｇ、ＤＥＮ３−８０Ｅ約１０μｇおよびＤＥＮ４−８０Ｅ約２０μｇ；（ｃ）ＤＥＮ１−８０Ｅ約５０μｇ、ＤＥＮ２−８０Ｅ約５０μｇ、ＤＥＮ３−８０Ｅ約５０μｇおよびＤＥＮ４−８０Ｅ約１００μｇ；（ｄ）ＤＥＮ１−８０Ｅ約３μｇ、ＤＥＮ２−８０Ｅ約３μｇ、ＤＥＮ３−８０Ｅ約３μｇおよびＤＥＮ４−８０ＥＺｉｐ約６μｇ；（ｅ）ＤＥＮ１−８０Ｅ約１０μｇ、ＤＥＮ２−８０Ｅ約１０μｇ、ＤＥＮ３−８０Ｅ約１０μｇおよびＤＥＮ４−８０ＥＺｉｐ約２０μｇ；ならびに（ｆ）ＤＥＮ１−８０Ｅ約５０μｇ、ＤＥＮ２−８０Ｅ約５０μｇ、ＤＥＮ３−８０Ｅ約５０μｇおよびＤＥＮ４−８０ＥＺｉｐ約１００μｇ、から成る群から選択される
請求項１０に記載の組成物。
【請求項１２】
ヒト患者における防御免疫応答を増強するための組成物であって、前記請求項のいずれかに記載の治療的有効量の免疫原性組成物を含む、該組成物。
【請求項１３】
デング熱（ｄｅｎｇｕｅ  ｄｉｓｅａｓｅ）からの防御を提供するための、請求項１〜１１のいずれかに記載の組成物。
【請求項１４】
ヒト患者において防御免疫応答を増強するためのワクチン組成物であって、精製デングウイルスエンベロープ（「Ｅ」）タンパク質および薬学的に許容可能な賦形剤（ここでＥタンパク質は、そのＮ末端のアミノ酸残基１から出発して野生型Ｅの長さの約８０％を構成する）、および有効量のアジュバントを含み、ワクチンがヒト被験者における中和抗体の産生を誘導する前記ワクチン組成物。
【請求項１５】
免疫原性組成物が血清型ＤＥＮ１、ＤＥＮ２、ＤＥＮ３およびＤＥＮ４のデングウイルスＥタンパク質を含み、ここでＤＥＮ４タンパク質が二量体である、請求項１４に記載のワクチン組成物。
【請求項１６】
組成物中のＤＥＮ４タンパク質の量がＤＥＮ１、ＤＥＮ２およびＤＥＮ３タンパク質の個々の量の約２倍である請求項１４または請求項１５に記載のワクチン組成物。
【請求項１７】
組成物が筋肉内、皮下または皮内投与経路により投与される請求項１３〜１６のいずれかに記載のワクチン組成物。
【請求項１８】
血清型ＤＥＮ−１、ＤＥＮ−２、ＤＥＮ−３およびＤＥＮ−４の有効量の精製デングウイルスエンベロープ（「Ｅ」）タンパク質、薬学的に許容可能な賦形剤および有効量のアジュバントを含み、Ｅタンパク質は、各々、そのＮ末端のアミノ酸残基１から出発して野生型Ｅの長さの約８０％を構成し、ならびにＤＥＮ−４Ｅタンパク質は二量体である、デング熱（ｄｅｎｇｕｅ  ｄｉｓｅａｓｅ）の防御または治療用の免疫原性組成物。
【請求項１９】
免疫不全患者に投与することが予定される請求項１６に記載の組成物。
【請求項２０】
デング感染またはデング熱（ｄｅｎｇｕｅ  ｄｉｓｅａｓｅ）の治療または防御用の医薬品製造のための請求項１〜１１のいずれかに記載の組成物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月12日(2014.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセッサと、前記プロセッサに結合される結合回路とを含む、電力ライン通信（ＰＬＣ）デバイスであって、
前記結合回路が、
送信パスであって、
第１の増幅器と、
前記第１の増幅器に結合される第１のキャパシタと、
前記第１のキャパシタに結合される第１の変圧器と、
前記第１の変圧器に結合される複数のラインインタフェース結合回路であって、前記複数のラインインタフェース結合回路の各々が電力回路の異なるフェーズに接続されるように構成される、前記複数のラインインタフェース結合回路と、
を含む、前記送信パスと、
受信パスであって、
複数のキャパシタであって、前記複数のキャパシタの各々が前記複数のラインインタフェース回路の対応する１つに結合される、前記複数のキャパシタと、
前記複数のキャパシタに結合されるフィルタネットワークであって、第２の変圧器を含む、前記フィルタネットワークと、
前記フィルタネットワークに結合される第２の増幅器と、
を含む、前記受信パスと、
を含む、ＰＬＣデバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のＰＬＣデバイスであって、
前記プロセッサが、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、システムオンチップ（ＳｏＣ）回路、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、マイクロプロセッサ、又はマイクロコントローラを含む、ＰＬＣデバイス。
【請求項３】
請求項１に記載のＰＬＣデバイスであって、
前記複数のラインインタフェース結合回路の各々がハイパスフィルタとして構成される、ＰＬＣデバイス。
【請求項４】
請求項１に記載のＰＬＣデバイスであって、
前記複数のキャパシタが、前記複数のラインインタフェース結合回路を介して受信される信号を線形に組合せるように構成される、ＰＬＣデバイス。
【請求項５】
請求項１に記載のＰＬＣデバイスであって、
前記第１の増幅器が、送信動作の間は低インピーダンスモードで、受信動作の間は高インピーダンスモードで、動作するように構成される、ＰＬＣデバイス。
【請求項６】
請求項１に記載のＰＬＣデバイスであって、
前記フィルタネットワークがバンドパスフィルタとして構成される、ＰＬＣデバイス。
【請求項７】
請求項６に記載のＰＬＣデバイスであって、
前記バンドパスフィルタが、選択された動作周波数に対応する周波数帯を選択するように動的に調整可能であるように構成される、ＰＬＣデバイス。
【請求項８】
請求項１に記載のＰＬＣデバイスであって、
複数の高電圧スイッチを更に含み、
前記複数の高電圧スイッチの各々が、前記第１の変圧器と前記複数のラインインタフェース結合回路の対応する１つとの間に結合される、ＰＬＣデバイス。
【請求項９】
送信器と受信器とを含む回路であって、
前記送信器が、
第１の増幅器と、
前記第１の増幅器に結合される第１のキャパシタと、
前記第１のキャパシタに結合される第１の変圧器と、
前記第１の変圧器に結合される複数のラインインタフェース結合回路であって、前記複数のラインインタフェース結合回路の各々が、電力回路の異なるフェーズに接続可能である、前記複数のラインインタフェース結合回路と、
を含み、
前記受信器が、
複数のキャパシタであって、前記複数のキャパシタの各々が、前記複数のラインインタフェース回路の対応する１つに結合される、前記複数のキャパシタと、
前記複数のキャパシタに結合されるフィルタネットワークと、
前記フィルタネットワークに結合される第２の増幅器と、
を含む、回路。
【請求項１０】
請求項９に記載の回路であって、
前記複数のラインインタフェース結合回路の各々が、ハイパスフィルタを含む、回路。
【請求項１１】
請求項９に記載の回路であって、
前記複数のキャパシタが、前記複数のラインインタフェース結合回路を介して受信される信号を線形に組合せるように構成される、回路。
【請求項１２】
請求項９に記載の回路であって、
前記第１の増幅器が、送信動作の間は低インピーダンスモードで、受信動作の間は高インピーダンスモードで動作するように構成される、回路。
【請求項１３】
請求項９に記載の回路であって、
前記フィルタネットワークがバンドパスフィルタを含む、回路。
【請求項１４】
請求項９に記載の回路であって、
複数の高電圧スイッチを更に含み、
前記複数の高電圧スイッチの各々が、前記第１の変圧器と、前記複数のラインインタフェース結合回路の対応する１つとの間に結合される、回路。
【請求項１５】
第１の増幅器と、
前記第１の増幅器に結合される第１のキャパシタと、
前記第１のキャパシタに結合される第１の変圧器と、
複数の高電圧スイッチであって、前記複数の高電圧スイッチの各々が前記第１の変圧器に結合される、前記複数の高電圧スイッチと、
複数のラインインタフェース結合回路であって、前記複数のラインインタフェース結合回路の各々が、前記複数の高電圧スイッチの対応する１つに結合され、前記複数のラインインタフェース結合回路の各々が、電力回路の異なるフェーズに結合可能であり、前記複数のラインインタフェース結合回路の各々がハイパスフィルタを含む、前記複数のラインインタフェース結合回路と、
を含む、回路。
【請求項１６】
請求項１５に記載の回路であって、
前記複数の高電圧スイッチが、前記回路が送信モードで動作するように構成されるという指示に応答して、前記複数の高電圧スイッチの少なくとも１つが開になるように構成される、回路。
【請求項１７】
請求項１５に記載の回路であって、
複数のキャパシタであって、前記複数のキャパシタの各々が、前記複数のラインインタフェース回路の対応する１つに結合される、前記複数のキャパシタと、
前記複数のキャパシタに結合されるフィルタネットワークと、
前記フィルタネットワークに結合される第２の増幅器と、
を更に含む、回路。
【請求項１８】
請求項１７に記載の回路であって、
前記複数の高電圧スイッチが、前記回路が受信モードで動作するように構成されるという指示に応答して、前記複数の高電圧スイッチの１つのみが閉にされるように構成される、回路。
【請求項１９】
請求項１７に記載の回路であって、
前記フィルタネットワークがバンドパスフィルタを含む、回路。
【請求項２０】
請求項１９に記載の回路であって、
前記バンドパスフィルタが、前記回路が複数の異なる受信モードの１つで動作するように構成されるという指示に応答して、選択される周波数に対応する周波数帯を選択するように動的に調整可能である、回路。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月27日(2014.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの出力部を通じてオーディオ出力が提供可能なオーディオ再生デバイスであって、
ユーザの第１の耳に嵌め込むことができる、オーディオ伝達のための左出力部と、
該左出力部に直接結合される、入力オーディオ信号をオーディオ出力に変換するためのトランスデューサと、
前記トランスデューサからのオーディオ伝達のために前記左出力部に結合される音響チューブであって、該音響チューブの第１端部が前記左出力部に結合される、音響チューブと、
前記ユーザの第２の耳に嵌め込むことができる、オーディオ伝達のための右出力部であって、前記音響チューブの第２端部が結合されている、右出力部と、
を備えており、
前記オーディオ出力が前記トランスデューサから前記音響チューブを通じて前記右出力部に伝達され、前記右出力部が当該オーディオ再生デバイスから取り外し可能であることを特徴とする、オーディオ再生デバイス。
【請求項２】
請求項１記載のオーディオ再生デバイスであって、更に、前記トランスデューサに結合されて入力オーディオ信号を受信するワイヤレス受信機を備える、オーディオ再生デバイス。
【請求項３】
請求項２記載のオーディオ再生デバイスであって、前記入力オーディオ信号が、物理接続またはワイヤレス接続のいずれかを介して前記トランスデューサによって受信される、オーディオ再生デバイス。
【請求項４】
前記ワイヤレス受信機が、赤外線、ＲＦおよびＢｌｕｅｔｏｏｔｈで構成される群から選択されるワイヤレス技術を採用する、請求項２記載のーディオ再生デバイス。
【請求項５】
前記トランスデューサに結合される電源を更に備え、該電源が前記トランスデューサを駆動するためのものである、請求項１記載のオーディオ再生デバイス。
【請求項６】
請求項１記載のオーディオ再生デバイスにおいて、前記音響チューブを異なるものにすることは、前記右出力部に伝達された前記オーディオ出力に影響を及ぼし、前記オーディオ出力が位相または減衰のいずれかによって影響を及ぼされる、オーディオ再生デバイス。
【請求項７】
前記音響チューブを異なるものにすることが、前記音響チューブの長さまたは材料のいずれかを変えることによって実行される、請求項６記載のオーディオ再生デバイス。
【請求項８】
前記音響チューブの第１端部が、前記左出力部から取り外し可能であり、且つ、前記音響チューブの第２端部が前記右出力部から取り外し可能である、請求項１記載のオーディオ再生デバイス。
【請求項９】
前記音響チューブの第２端部が前記右出力部に固定される、請求項１記載のオーディオ再生デバイス。
【請求項１０】
請求項１記載のオーディオ再生デバイスにおいて、前記左出力部および前記右出力部の両方によって、包囲音をユーザの第１の耳および第２の耳のそれぞれに入れることができる、オーディオ再生デバイス。
【請求項１１】
少なくとも１つの出力部を通じてオーディオ出力を供給可能なオーディオ再生デバイスを使用する方法であって、
オーディオ出力を発生するために、入力オーディオ信号を変換するトランスデューサにおいて入力オーディオ信号を受信するステップと、
前記オーディオ出力を発生するために前記トランスデューサを駆動するステップであって、前記トランスデューサが左出力部に結合され、該左出力部がユーザの第１の耳に嵌め込むことができる、ステップと、
音響チューブの第１端部を前記左出力部に結合するステップであって、前記音響チューブの第２端部が右出力部に結合され、該右出力部が前記ユーザの第２の耳に嵌め込むことができ、前記音響チューブが前記トランスデューサからのオーディオ伝達のためのものである、ステップと、
を含み、
前記オーディオ出力が、前記トランスデューサから前記音響チューブを通じて前記右出力部に伝達され、前記右出力部が前記オーディオ再生デバイスから取り外し可能であることを特徴とする、方法。
【請求項１２】
前記入力オーディオ信号が物理接続またはワイヤレス接続のいずれかを介して前記トランスデューサにおいて受信される、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記ワイヤレス接続が、赤外線、ＲＦおよびＢｌｕｅｔｏｏｔｈで構成される群から選択されるワイヤレス技術を採用する、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記音響チューブを異なるものにするステップは、前記右出力部に伝達された前記オーディオ出力に影響を及ぼし、前記オーディオ出力が位相または減衰のいずれかによって影響を及ぼされる、請求項１１記載の方法。
【請求項１５】
前記音響チューブを異なるものにするステップが、前記音響チューブの長さまたは材料のいずれかを変えることによって実行される、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記左出力部および前記右出力部の両方によって、包囲音を前記ユーザの第１の耳および第２の耳のそれぞれに入れることを可能にする、請求項１１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月14日(2014.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パルス幅変調ファンの回転速度を調整する調整回路であって、
前記ファンのタコ信号の周期期間を決定する測定装置、
決定された周期期間及び所望値に基づき、前記ファンを駆動するための調整値を得るデジタル調整レジスタ、
前記ファンを駆動するためのデューティレシオを調整するデジタル制御レジスタであって、前記デジタル制御レジスタは、前記デジタル調整レジスタより小さいレジスタ幅を有する、デジタル制御レジスタ、
前記デジタル調整レジスタの所定数の上位ビットを評価することにより、前記デジタル制御レジスタを更新するよう設定される制御手段、
を有する調整回路。
【請求項２】
前記デジタル制御レジスタは、ｍビットのレジスタ幅を有し、前記デジタル調整レジスタは、ｎビットのレジスタ幅を有し、前記制御手段は、前記デジタル調整レジスタの内容をビット単位でｎ−ｍビットだけシフトすることにより、前記デジタル制御レジスタを更新するよう設定される、請求項１に記載の調整回路。
【請求項３】
前記測定装置は、デジタルカウンタを有し、前記デジタルカウンタのカウンタ読み取り値は、発振器からのクロック信号毎に所定値だけ変更され、前記タコ信号の周期期間は、第１のタコパルスを受信するときの第１のカウンタ読み取り値と第２のタコパルスを受信するときの第２のカウンタ読み取り値との間の差に基づき決定される、請求項１又は２に記載の調整回路。
【請求項４】
前記デジタルカウンタは連続的に増大し、前記第１のカウンタ読み取り値は、前記第１のタコパルスを受信するとバッファされ、現在のカウンタ読み取り値と前記のバッファされた第１のカウンタ読み取り値との間の差は、前記第２のタコパルスを受信すると決定される、請求項３に記載の調整回路。
【請求項５】
前記デジタルカウンタは連続的に増大し、前記デジタルカウンタは、前記第１のタコパルスを受信すると中立値にリセットされ、前記現在のカウンタ読み取り値は、前記第２のタコパルスを受信すると決定される、請求項３に記載の調整回路。
【請求項６】
前記第１のタコパルスと前記第２のタコパルスとの間の前記デジタルカウンタのオーバフローの回数を格納するオーバフローレジスタを特徴とし、前記測定装置は、前記周期期間を決定するときに前記オーバフローレジスタに格納されたオーバフロー回数を考慮するよう設定される、請求項３乃至５のいずれか一項に記載の調整回路。
【請求項７】
前記オーバフローレジスタを監視する監視手段を特徴とし、前記測定装置は、所定のオーバフロー回数に達すると、前記第２のタコパルスの受信とは独立して周期期間を決定し、処理のために前記周期期間を前記デジタル調整レジスタへ出力するよう設定される、請求項６に記載の調整回路。
【請求項８】
前記測定装置により供給され前記タコ信号の決定された周期期間に対応するデジタルの実際の値と所望値との間の差を決定する減算手段を特徴とし、前記制御手段は、前記調整レジスタの内容を正しい符号で前記減算手段により決定された差によって補正するよう設定される、請求項１に記載の調整回路。
【請求項９】
パルス幅変調ファンの回転速度を調整する方法であって、
前記ファンのタコ信号の周期期間を決定するステップ、
前記の決定された周期期間と所望値とに基づき前記ファンを駆動するための調整値を更新するステップであって、前記調整値は、上位部分と下位部分とを有し、少なくとも１つの前記下位部分は更新毎に更新される、ステップ、
前記の決定された調整値の前記上位部分に基づき、前記ファンを駆動するためのデューティレシオを決定するステップ、
を有する方法。
【請求項１０】
前記調整値を更新するステップは、
前記の決定された周期期間に基づき、デジタルの実際の値を検出するステップ、
前記デジタルの実際の値とデジタル値として予め定められた前記所望値との間の差を決定するステップ、
デジタル値として与えられた前記調整値を正しい符号で前記決定された差により補正するステップ、
を有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記デューティレシオを決定するステップは、
前記デジタル調整値の所定数の上位ビットをデジタル制御値として格納するステップ、を有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記周期期間を決定するステップ、前記調整値を更新するステップ、及び前記デューティレシオを決定するステップは、少なくとも前記ファンのファンホイールの１回転当たり１回及び／又は前記タコ信号のタコパルス当たり１回実行される、請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月30日(2014.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造であって、
非導電性の上面を有する半導体ボディと、
前記非導電性の上面に接し、第１のメインコアセグメントと第２のメインコアセグメントと第３のメインコアセグメントと第１の端部コアセグメントと第２の端部コアセグメントとを有する強磁性コアであって、前記第２のメインコアセグメントが、前記第１及び第３のメインコアセグメントの間に、前記第１及び第３のメインコアセグメントから離間して置かれており、前記第１、第２及び第３のメインコアセグメントの各々が第１の端部と離間された第２の端部とを有しており、前記第２のメインコアセグメントの前記第１の端部が、前記第１のメインコアセグメントの前記第２の端部よりも前記第１のメインコアセグメントの前記第１の端部に近く、且つ、前記第３のメインコアセグメントの前記第２の端部よりも前記第３のメインコアセグメントの前記第１の端部に近く、置かれており、前記第１の端部コアセグメントが前記第１のメインコアセグメントの前記第１の端部と前記第２のメインコアセグメントの前記第１の端部とに接しており、前記第２の端部コアセグメントが前記第２のメインコアセグメントの前記第２の端部と前記第３のメインコアセグメントの前記第２の端部とに接している、前記強磁性コアと、
単一平面内に実質的に置かれており、第１のメインワイヤセグメントを有する、導電性ワイヤであって、前記第１のメインワイヤセグメントが、前記第１のメインコアセグメントの一部の上方、前記第２のメインコアセグメントの一部の下方、前記第３のメインコアセグメントの一部の上方に、置かれている、前記導電性ワイヤと、
前記非導電性の上面と前記強磁性コアと前記導電性ワイヤとに接し、前記導電性ワイヤを囲んで前記導電性ワイヤを前記強磁性コアから隔離する、非導電性領域と、
を含む、半導体構造。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体構造であって、
前記第２の端部コアセグメントが前記第１のメインコアセグメントの前記第２の端部から離間されている、半導体構造。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体構造であって、
前記第１の端部コアセグメントが前記第３のメインコアセグメントの前記第１の端部から離間されている、半導体構造。
【請求項４】
請求項２に記載の半導体構造であって、
前記第１のメインコアセグメントと前記第２のメインコアセグメントと前記第３のメインコアセグメントとが実質的に平行である、半導体構造。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体構造であって、
前記第１の端部コアセグメントが前記第１及び第２のメインコアセグメントに対して実質的に垂直に置かれる、半導体構造。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体構造であって、
前記第２の端部コアセグメントが前記第２及び第３のメインコアセグメントに対して実質的に垂直に置かれる、半導体構造。
【請求項７】
請求項２に記載の半導体構造であって、
前記第１、第２及び第３のメインコアセグメントの各々が、前記非導電性の上面に接する複数の下方セクションと、前記非導電性の上面の上に前記非導電性の上面から離間して置かれる複数の上方セクションと、前記複数の下方セクションと前記複数の上方セクションとに接続される複数の接続セクションとを含む、半導体構造。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体構造であって、
前記複数の下方セクションの各々が第１の平面内に置かれ、前記複数の上方セクションの各々が前記第１の平面に実質的に平行な第２の平面内に置かれる、半導体構造。
【請求項９】
請求項７に記載の半導体構造であって、
前記導電性ワイヤが第２のメインワイヤセグメントと端部ワイヤセグメントとを有し、前記第２のメインワイヤセグメントが前記第１のメインワイヤセグメントから離間して置かれており、前記第１及び第２のメインワイヤセグメントの各々が第１の端部と離間された第２の端部とを有し、前記第２のメインワイヤセグメントの前記第１の端部が、前記第１のメインワイヤセグメントの前記第２の端部よりも前記第１のメインワイヤセグメントの前記第１の端部に近く置かれており、前記端部ワイヤセグメントが前記第１のメインワイヤセグメントの前記第１の端部と前記第２のメインワイヤセグメントの前記第１の端部とに接しており、前記第２のメインワイヤセグメントが、前記第１のメインコアセグメントの一部の下方、前記第２のメインコアセグメントの一部の上方、前記第３のメインコアセグメントの一部の下方に置かれる、半導体構造。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体構造であって、
前記第１のメインワイヤセグメントと前記第２のメインワイヤセグメントとが実質的に平行である、半導体構造。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月12日(2014.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶の液滴によって形成され、
前記液滴は、外部光によって励起されたときにレーザー光を放出する活性レーザー媒体を含み、
前記液滴は、光学的に異なる同心層（１）を形成し、前記レーザー光の反射器として動作し、
前記液滴の屈折率は、前記液滴の放射方向に変調される、液晶のレーザー装置。
【請求項２】
前記液滴内の液晶が重合される請求項１に記載のレーザー装置。
【請求項３】
前記液滴は球形であり、直径が数ナノメートルから１００マイクロメートルの間である、請求項１又は２に記載のレーザー装置。
【請求項４】
前記液滴は、前記活性媒体の放出領域で選択的に反射するキラル液晶（１）からなる請求項１〜３のいずれかに記載のレーザー装置。
【請求項５】
前記キラル液晶（１）は、ネマティック液晶とキラル不純物又は他のキラル液晶相の混合物であるコレステリック液晶であり、前記キラル液晶相は好ましくは、ブルー相、強誘電相、反強誘電スメクティック相、任意の強誘電スメクティック相、軟物質についてのその他のキラル相、又は例えば弓状分子等の非キラル分子からなるその他のキラル相である、請求項４に記載のレーザー装置。
【請求項６】
前記レーザー活性媒体は、有機蛍光色素、希土類イオンもしくはその他のイオン、量子ドット、その他の蛍光媒体である、請求項４又は５に記載のレーザー装置。
【請求項７】
前記液晶のらせん構造は、前記液滴の表面（３）から中心（４）に向かう放射方向に延びる、請求項４〜６のいずれかに記載のレーザー装置。
【請求項８】
前記液滴の１つは、放射方向に進むレーザー光のための選択ミラーとして機能し、球形ブラッグミラーを形成する同心コレステリック層（１）を有する請求項１〜７のいずれかに記載のレーザー装置。
【請求項９】
気体、液体、固体その他の種類の液晶、又は真空であってもよい透明な外部媒体（２）に前記液滴は配置され、
前記外部媒体は、前記液滴（３）の内部と外部の間の境界に、前記液滴の表面に平行に前記液晶分子が並ぶように選択される、請求項１〜８のいずれかに記載のレーザー装置。
【請求項１０】
液晶及び前記外部媒体を機械的に混合することにより、又は液晶液滴が分布している支持媒体の温度変化、重合又は光重合中に発生する相分離処理によって、前記液滴が形成される請求項９に記載のレーザー装置。
【請求項１１】
前記液滴の中心に球形の物体（７）又は他の形状の物体が配置され、
前記物体は、気体、液体、前記液滴の前記液晶と反応しない液晶、又は固体から形成される、請求項１〜１０のいずれかに記載のレーザー装置。
【請求項１２】
円筒型誘電体として形成された光導波路（９）が、前記液滴を中央に向かって放射状に貫通し、前記導波路（９）は前記液滴からのレーザー光を取り込む、請求項１〜１１のいずれかに記載のレーザー装置。
【請求項１３】
前記導波路（９）は、前記液滴全体を貫通する請求項１２に記載のレーザー装置。
【請求項１４】
前記導波路（９）は、前記レーザー活性媒体を形成するレーザー活性物質からなる物体（７）を含む、請求項１３のレーザー装置。
【請求項１５】
前記球形の物体（７）又は他の形状の物体は、前記レーザー活性媒体を含む請求項１１に記載のレーザー装置。
【請求項１６】
前記レーザー活性媒体は、前記液晶に分散している請求項１〜１３のいずれかに記載のレーザー装置。
【請求項１７】
前記レーザーは、前記レーザー活性媒体の吸収領域に存在する強い外部光（５）によって励起され、
前記外部光は、１つ又はそれ以上の方向から、前記透明な外部媒体（２）又は前記導波路（９）を通って、前記液滴に到達する、
請求項１〜１６のいずれかに記載の前記レーザー装置の操作方法。
【請求項１８】
前記レーザー装置によって放出される前記レーザー光の波長は、温度又は外部の電磁場を変更することにより変更される、請求項１７に記載の操作方法。
【請求項１９】
並進対称、回転対称、角度調節可能な疑似対称、又は並進対称でも回転対称でもない、１次元、２次元、又は３次元ネットワークに、請求項１〜１６のいずれかに記載の前記レーザー装置を多く並べた、複数のレーザー装置を含むレーザー装置システム。
【請求項２０】
液晶及び外部媒体を機械的に混合することにより、又は液晶液滴が分布している支持媒体の温度変化、重合又は光重合中に発生する相分離処理によって、前記液滴を形成する請求項１〜１６のいずれかに記載の液晶のレーザー装置の製造方法。