【手続補正書】
【提出日】平成24年7月20日(2012.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つの層を含み、第１のコンデンサ極板となる第１導体構造体を半導体チップ上に形成することと、
前記第１導体構造体上に不動態化構造体を形成することと、
前記不動態化構造体上に、前記第１導体構造体に重なって第２のコンデンサ極板となるアンダーバンプメタル構造体を形成することと、
前記アンダーバンプメタル構造体を構造上保護するためのポリマー層をアンダーバンプメタル構造体に対して配置することとを含む、キャパシタ製造方法。
【請求項２】
前記第１導体構造体を形成することは、再配線相互接続層を形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記不動態化層を形成することは、複数の絶縁層の積層体を形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記アンダーバンプメタル構造体上に第２導体構造体を形成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第２導体構造体を形成することは、半田バンプを形成することを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記半導体チップが電源レール及び接地レールを備え、該方法が、前記第１導体構造体と前記不動態化構造体と前記アンダーバンプメタル構造体との組み合わせを、前記電源レールと接地レールとの間に接続することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記半導体チップを回路基板に連結することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記回路基板を演算装置に実装することをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１導体構造体と不動態化構造体とアンダーバンプメタル構造体とを具体化するためのインストラクションが記憶されたコンピュータ可読媒体の当該インストラクションを用いて、第１導体構造体と不動態化構造体とアンダーバンプメタル構造体とを製作することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１導体構造体内の前記層は、共通に接続される複数の導線による第１の導線群を含んでおり、前記アンダーバンプメタル構造体は、第１の導線群の少なくとも一部分に重なるものである、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記半導体チップの上方かつ不動態化構造体の下方に、第３のコンデンサ極板となる第２導体構造体を形成することと、第２導体構造体の少なくとも一部分に重なって第４のコンデンサ極板となる第２のアンダーバンプメタル構造体を形成することとにより、別のキャパシタを製造することを、さらに含み、
前記第２導体構造体は、共通に接続される複数の導線による第２の導線群を含み、その中の少なくとも一本の導線が前記第１の導線群の導線の間に入れ子状に配置されている、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
第１のコンデンサ極板となる第１導体構造体を有する再配線層を半導体チップ上に形成することと、
前記再配線層上に不動態化構造体を形成することと、
前記不動態化構造体上に、複数のアンダーバンプメタル構造体を有するアンダーバンプメタル層を形成することとを含み、
前記複数のアンダーバンプメタル構造体の中の少なくとも１つを第１導体構造体に少なくとも部分的に重ねて第２のコンデンサ電極とすることにより第１のキャパシタを形成し、アンダーバンプメタル構造体を構造上保護するためのポリマー層をアンダーバンプメタル構造体に対して配置する、キャパシタ製造方法。
【請求項１３】
前記第１導体構造体を接地レールまたは電源レールに接続することをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記不動態化層を形成することは、複数の絶縁層の積層体を形成することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記複数のアンダーバンプメタル構造体の少なくとも幾つかの上に導体構造体を形成することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記導体構造体を形成することは、半田バンプを形成することを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記半導体チップが電源レール及び接地レールを備え、該方法が、前記第１導体構造体と前記不動態化構造体と前記少なくとも１つのアンダーバンプメタル構造体との組合わせを、前記電源レールと接地レールとの間に接続することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記半導体チップを回路基板に連結することをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
前記回路基板を演算装置に実装することをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１導体構造体と不動態化構造体とアンダーバンプメタル構造体とを具体化するためのインストラクションが記憶されたコンピュータ可読媒体の当該インストラクションを用いて、第１導体構造体と不動態化構造体とアンダーバンプメタル構造体とを製作することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項２１】
前記再配置層の第１導体構造体は、共通に接続される複数の導線による第１の導線群を有する層を含んでおり、前記アンダーバンプメタル構造体は、第１の導線群の少なくとも一部分に重なるものである、請求項１２に記載の方法。
【請求項２２】
第３のコンデンサ極板となる第２導体構造体を有する前記再配置層を形成することと、
第２導体構造体の少なくとも一部分に重なって第４のコンデンサ極板となる第２のアンダーバンプメタル構造体を有する前記アンダーバンプメタル層を形成することとを含み、
前記第２導体構造体は、共通に接続された複数の導線による第２の導線群を含み、その中の少なくとも一本の導線が前記第１の導線群の導線の間に入れ子状に配置されている、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
第１のコンデンサ極板となる第１導体構造体を有する半導体チップと、
前記第１導体構造体上の不動態化構造体と、
前記不動態化構造体上にあって、前記第１導体構造体とオーミック接合することなく前記第１導体構造体の少なくとも一部分に重なることにより第２のコンデンサ電極となってキャパシタを形成するアンダーバンプメタル構造体と、
前記アンダーバンプメタル構造体上にあって、アンダーバンプメタル構造体を構造上保護するポリマー層とを、備える装置。
【請求項２４】
前記第１導体構造体は再配線相互接続層を含む、請求項２３に記載の装置。
【請求項２５】
前記不動態化層は複数の絶縁層の積層体を含む、請求項２３に記載の装置。
【請求項２６】
前記アンダーバンプメタル構造体上の第２導体構造体をさらに含む、請求項２３に記載の装置。
【請求項２７】
前記第２導体構造体が半田バンプを含む、請求項２６に記載の装置。
【請求項２８】
前記半導体チップが電源レール及び接地レールを備え、前記第１導体構造体と前記不動態化構造体と前記アンダーバンプメタル構造体との組合わせが、前記電源レールと接地レールとの間に電気接続されている、請求項２３に記載の装置。
【請求項２９】
前記半導体チップに連結された回路基板を含む、請求項２３に記載の装置。
【請求項３０】
前記回路基板に連結された演算装置を含む、請求項２９に記載の装置。
【請求項３１】
第１導体構造体は、共通に接続された複数の導線による第１の導線群を有する層を含み、この第１の導線群の少なくとも一部分に前記アンダーバンプメタル構造体が重なっている、請求項２３に記載の装置。
【請求項３２】
前記半導体チップの上方かつ不動態化構造体の下方に位置して第３のコンデンサ極板となる第２導体構造体と、不動態化構造体の上方において第２導体構造体の少なくとも一部分に重なって第４のコンデンサ極板となる第２のアンダーバンプメタル構造体とを備え、
第２導体構造体は、共通に接続される複数の導線による第２の導線群を含み、この第２の導線群中の少なくとも一本の導線が前記第１の導線群の導線の間に入れ子状に配置されている、請求項３１に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一局面に従い、半導体チップ上に第１のコンデンサ極板となる第１導体構造体を形成することと、第１導体構造体上に不動態化構造体を形成することと、不動態化構造体上に、第１導体構造体に重なって第２のコンデンサ極板となるアンダーバンプメタル構造体を形成することとを含むキャパシタ製造方法を提供する。また、アンダーバンプメタル構造体に対し、当該構造体を構造上保護するためのポリマー層を設ける。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の別の局面に従い、半導体チップ上に再配線層を形成することを含む製造方法を提供する。再配線層は第１のコンデンサ極板となる第１導体構造体を有する。再配線層上には不動態化構造体が形成される。不動態化構造体上にはアンダーバンプメタル層が形成される。アンダーバンプメタル層は複数のアンダーバンプメタル構造体を有し、それらの中の少なくとも１つを第１導体構造体に少なくとも部分的に重ねて第２のコンデンサ極板とすることにより、第１のキャパシタを形成する。さらに、アンダーバンプメタル構造体に対し、当該構造体を構造上保護するためのポリマー層を設ける。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の別の局面に従い、第１のコンデンサ極板となる第１導体構造体を有する半導体チップを備える装置を提供する。第１導体構造体上に不動態化構造体があり、不動態化構造体上にアンダーバンプメタル構造体がある。アンダーバンプメタル構造体は、第１導体構造体とオーミック接合することなく第１導体構造体の少なくとも一部分に重なることにより第２のコンデンサ電極となって、キャパシタを形成する。アンダーバンプメタル構造体上には、当該構造体を構造上保護するポリマー層が設けられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【図３Ａ】図２に示す半導体チップの一部分のうち、不動態化構造体より上の分解絵図である。
【図３Ｂ】図２に示す半導体チップの一部分のうち、再配置層より下の分解絵図である。