【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年5月7日(2012.5.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
そのため、本発明の一つの態様は、新規なエッチング耐性熱硬化性下層組成物を対象とし、該組成物は、
（ａ）構造式（Ｉ）の少なくとも一つの繰り返し単位と、構造式（ＩＩ）の少なくとも一つの繰り返し単位と、任意に構造式（ＩＩＩ）の少なくとも一つの繰り返し単位と、を備え、但し、構造式（Ｉ）、構造式（ＩＩ）及び構造式（ＩＩＩ）のいずれも酸感応性基を含まず、該構造式（Ｉ）、該構造式（ＩＩ）及び該構造式（ＩＩＩ）が、
【化１】
2010519594.tif 000001
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ１０直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ１０直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、Ｃ６〜Ｃ１０アリール基、ハロゲン原子又は極性基を表し；Ｗは単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は未置換Ｃ１〜Ｃ１０直鎖又は分枝鎖アルキレン基、置換又は未置換Ｃ４〜Ｃ１２シクロアルキレン又は脂環式基、−（ＣＨ２）ｐＯ−、−（ＣＨ２）ｐＯ（ＣＨ２）ｑ−、−（ＣＨ２）ｐＯ（Ｒ５Ｏ）ｒ−、−（ＣＨ２）ｐＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−（ＣＨ２）ｐＣ（＝Ｏ）Ｏ（ＣＨ２）ｑ−、−（ＣＨ２）ｐＣ（＝Ｏ）Ｏ（Ｒ５Ｏ）ｒ−、−（ＣＨ２）ｐＯＣ（＝Ｏ）Ｏ（ＣＨ２）ｐ−、−（ＣＨ２）ｐＮＲ６Ｃ（＝Ｏ）−であり、式中、Ｒ５はＣ２〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環式アルキレン基、或いは部分的又は完全にハロゲン化されたＣ２〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基であり；Ｒ６は水素原子、Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、或いは部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基であり；ｐは０〜４の整数値であり；ｑ及びｒは独立して、１〜４の整数値であり；ＡｒはＣ６〜Ｃ２０アリーレン基又はＢ−Ｌ−Ｅ基であり、式中、ＢはＣ６〜Ｃ１４アリーレン基であり、ＥはＣ６〜Ｃ１４アリール基であり、及びＬは単結合、Ｃ１〜Ｃ４直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基、部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ４直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基、−Ｓ−、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（Ｒ７Ｒ８）−、−Ｃ（＝ＣＲ９Ｒ１０）−又は−ＣＲ９＝ＣＲ１０−であり得、式中、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０は独立して、水素原子、ハロゲン、シアノ基、Ｃ１〜Ｃ１０直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、或いは部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ１０直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基であり；Ｒ４基は独立して、Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基又はハロゲン原子であり；ｎは１〜５の整数値であり；ｏは０〜６の整数値であり；Ｘ及びＹは独立して、−ＣＨ２−基、−Ｏ−又は−Ｓ−であり、及びｍは０〜３の整数値であり；Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ１０直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ１０直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、ハロゲン原子又は−ＯＲ１５、−Ｒ１６ＯＲ１５、及び−（ＣＨ２）ｔＯＣ（Ｏ）Ｒ１７からなる群から選択される極性基であり、但しＲ１１〜Ｒ１４のうち少なくとも一つが−ＯＲ１５、−Ｒ１６ＯＲ１５、及び−（ＣＨ２）ｔＯＣ（Ｏ）Ｒ１７からなる群から選択される極性基であり；Ｒ１５は水素原子又は直鎖、分枝鎖又は環状Ｃ１〜Ｃ６アルキル基であり、Ｒ１６は置換又は未置換Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基、或いは部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基であり、Ｒ１７は水素原子、直鎖、分枝鎖又は環状Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、又はＣ７〜Ｃ１５脂環式基であり；ｔは０〜４の整数値であり；ｓは０〜３の整数値であり；Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３及びＲ２４は独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ１０直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ１０直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、ヒドロキシ基（ヒドロキシル基）を含有しないＣ６〜Ｃ１０アリール基、ハロゲン原子又は−（ＣＨ２）ｖＣ（Ｏ）Ｒ２５、−（ＣＨ２）ｖＣ（Ｏ）ＯＲ２５、−（ＣＨ２）ｖＣ（Ｏ）（ＯＲ２６）ｘＯＲ２５及び−Ｏ（Ｒ２６Ｏ）ｘＲ２５からなる群から選択される極性基であり、式中、ｖは０〜５の整数値であり；ｘは１〜５の整数値であり；Ｒ２５は水素原子、置換又は未置換Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、或いは部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基を表し；Ｒ２６は置換又は未置換Ｃ２〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基、或いは部分的又は完全にハロゲン化されたＣ２〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基であり、ｕは０〜３の整数値である）で表される、少なくとも一つのシクロオレフィンポリマーと、
（ｂ）少なくとも一つのアミノ又はフェノール架橋剤と、
（ｃ）少なくとも一つの熱酸発生剤（ＴＡＧ）と、
（ｄ）少なくとも一つの溶媒と、
（ｅ）任意に、少なくとも一つの界面活性剤と、
を含む。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
本発明はさらに、基板上でのパターン形成のためのプロセスに関し、該プロセスは次の処理工程を備える。
（ａ）基板を準備する工程と、
（ｂ）前記基板に、本発明の熱硬化性下層組成物を塗布する、第１の塗布工程と、
（ｃ）前記下層組成物を硬化して下層膜を調製する工程と、
（ｄ）前記下層膜全面に感放射線性レジストを塗布し、２層レジスト積層体を形成する、第２の塗布工程と、
（ｅ）前記感放射線性レジストを焼成する工程と、
（ｆ）前記２層レジスト積層体を露光する工程と、
（ｇ）前記２層レジスト積層体の感放射線性レジストの一部を現像し、下にある前記下層膜の一部を露出させる工程と、
（ｈ）前記２層レジスト積層体をすすぐ工程と、
（ｉ）前記露出された下層膜を酸素プラズマ中でエッチングして、２層レリーフ像を形成する工程。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
熱硬化性ポリマー組成物は、シクロオレフィンポリマー、アミノ又はフェノール架橋剤、熱酸発生剤（ＴＡＧ）、及び溶媒を含む。その組成物が膜として導入され、そして加熱されると、熱酸発生剤は、架橋剤との架橋反応の触媒として働く酸を生成する。充分な架橋後、下層膜はレジスト塗布溶媒に不溶であるだろう。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
熱酸発生剤がこの下層組成物には好ましいが、遊離酸が使用されてもよい。しかしながら、ポリマーが溶液中で長時間にわたって架橋する場合、遊離酸は下層組成物の寿命を短縮し得る。反対に熱酸発生剤は、下層膜が加熱された時にのみ活性化される。下層組成物は、シクロオレフィンポリマーと、ＴＡＧ非存在下での加熱でシクロオレフィンポリマーを架橋することができる架橋剤とを含んでもよいが、熱酸発生剤の添加が、架橋効率を向上させるためには好ましい。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
一つの実施形態において、本発明は、新規エッチング耐性熱硬化性下層組成物を対象とし、該組成物は、
（ａ）構造式（Ｉ）の少なくとも一つの繰り返し単位と、構造式（ＩＩ）の少なくとも一つの繰り返し単位と、任意に構造式（ＩＩＩ）の少なくとも一つの繰り返し単位と、から構成されるが、構造式（Ｉ）、構造式（ＩＩ）及び構造式（ＩＩＩ）のいずれも酸感応性基を含まず、該構造式（Ｉ）、該構造式（ＩＩ）及び該構造式（ＩＩＩ）が、
【化２】
2010519594.tif 000002
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ１０直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ１０直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、Ｃ６〜Ｃ１０アリール基、ハロゲン原子又は極性基を表し；Ｗは単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は未置換Ｃ１〜Ｃ１０直鎖又は分枝鎖アルキレン基、置換又は未置換Ｃ４〜Ｃ１２シクロアルキレン又は脂環式基、−（ＣＨ２）ｐＯ−、−（ＣＨ２）ｐＯ（ＣＨ２）ｑ−、−（ＣＨ２）ｐＯ（Ｒ５Ｏ）ｒ−、−（ＣＨ２）ｐＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−（ＣＨ２）ｐＣ（＝Ｏ）Ｏ（ＣＨ２）ｑ−、−（ＣＨ２）ｐＣ（＝Ｏ）Ｏ（Ｒ５Ｏ）ｒ−、−（ＣＨ２）ｐＯＣ（＝Ｏ）Ｏ（ＣＨ２）ｐ−、−（ＣＨ２）ｐＮＲ６Ｃ（＝Ｏ）−であり、式中、Ｒ５はＣ２〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環式アルキレン基、或いは部分的又は完全にハロゲン化されたＣ２〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基であり；Ｒ６は水素原子、Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、或いは部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基であり；ｐは０〜約４の整数値であり；ｑ及びｒは独立して約１〜約４の整数値であり；ＡｒはＣ６〜Ｃ２０アリーレン基又はＢ−Ｌ−Ｅ基であり、式中、ＢはＣ６〜Ｃ１４アリーレン基であり、ＥはＣ６〜Ｃ１４アリール基であり、Ｌは単結合、Ｃ１〜Ｃ４直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基、部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ４直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基、−Ｓ−、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（Ｒ７Ｒ８）−、−Ｃ（＝ＣＲ９Ｒ１０）−又は−ＣＲ９＝ＣＲ１０−であり得、式中、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０は独立して、水素原子、ハロゲン、シアノ基、Ｃ１〜Ｃ１０直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、或いは部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ１０直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基であり；Ｒ４基は独立して、Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基又はハロゲン原子であり；ｎは約１〜約５の整数値であり；ｏは０〜約６の整数値であり；Ｘ及びＹは独立して、−ＣＨ２−基、−Ｏ−又は−Ｓ−であり、ｍは０〜約３の整数値であり；Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ１０直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ１０直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、ハロゲン原子又は−ＯＲ１５、Ｒ１６ＯＲ１５、及び−（ＣＨ２）ｔＯＣ（Ｏ）Ｒ１７からなる群から選択される極性基であり、但しＲ１１〜Ｒ１４のうち少なくとも一つが−ＯＲ１５、−Ｒ１６ＯＲ１５、及び−（ＣＨ２）ｔＯＣ（Ｏ）Ｒ１７からなる群から選択される極性基であり；Ｒ１５は水素原子又は直鎖、分枝鎖又は環状Ｃ１〜Ｃ６アルキル基であり、Ｒ１６は置換又は未置換Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基、或いは部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基であり、Ｒ１７は水素原子、直鎖、分枝鎖又は環状Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、又はＣ７〜Ｃ１５脂環式基であり；ｔは０〜約４の整数値であり；ｓは０〜約３の整数値であり；Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３及びＲ２４は独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ１０直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ１０直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、ヒドロキシ基を含まないＣ６〜Ｃ１０アリール基、ハロゲン原子又は−（ＣＨ２）ｖＣ（Ｏ）Ｒ２５、−（ＣＨ２）ｖＣ（Ｏ）ＯＲ２５、−（ＣＨ２）ｖＣ（Ｏ）（ＯＲ２６）ＸＯＲ２５及び−Ｏ（Ｒ２６Ｏ）ｘＲ２５からなる群から選択される極性基であり；式中、ｖは０〜約５の整数値であり；ｘは約１〜約５の整数値であり；Ｒ２５は水素原子、置換又は未置換Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、或いは部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基を表し；Ｒ２６は置換又は未置換Ｃ２〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基、或いは部分的又は完全にハロゲン化されたＣ２〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基であり、ｕは０〜約３の整数値である）で表される、少なくとも一つのシクロオレフィンポリマーと、
（ｂ）少なくとも一つのアミノ又はフェノール架橋剤と、
（ｃ）少なくとも一つの熱酸発生剤（ＴＡＧ）と、
（ｄ）少なくとも一つの溶媒と、
（ｅ）任意に、少なくとも一つの界面活性剤と、
を含む。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
ポリマーは構造式（Ｉ）によって表される繰り返し単位を含む。
【化３】
2010519594.tif 000003
但し、構造式（Ｉ）は酸感応性基を含まず、式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ１０直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ１０直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、Ｃ６〜Ｃ１０アリール基、ハロゲン原子又は極性基を表し；Ｗは単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は未置換Ｃ１〜Ｃ１０直鎖又は分枝鎖アルキレン基、置換又は未置換Ｃ４〜Ｃ１２シクロアルキレン又は脂環式基、−（ＣＨ２）ｐＯ−、−（ＣＨ２）ｐＯ（ＣＨ２）ｑ−、−（ＣＨ２）ｐＯ（Ｒ５Ｏ）ｒ−、−（ＣＨ２）ｐＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−（ＣＨ２）ｐＣ（＝Ｏ）Ｏ（ＣＨ２）ｑ−、−（ＣＨ２）ｐＣ（＝Ｏ）Ｏ（Ｒ５Ｏ）ｒ−、−（ＣＨ２）ｐＯＣ（＝Ｏ）Ｏ（ＣＨ２）ｐ−、−（ＣＨ２）ｐＮＲ６Ｃ（＝Ｏ）−であり、式中、Ｒ５はＣ２〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基、或いは部分的又は完全にハロゲン化されたＣ２〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基であり；Ｒ６は水素原子、Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、或いは部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基であり；ｐは０〜約４の整数値であり；ｑ及びｒは独立して、約１〜約４の整数値であり；ＡｒはＣ６〜Ｃ２０アリーレン基又はＢ−Ｌ−Ｅ基であり、式中、ＢはＣ６〜Ｃ１４アリーレン基であり、ＥはＣ６〜Ｃ１４アリール基であり、及びＬは単結合、Ｃ１〜Ｃ４直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基、部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ４直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基、−Ｓ−、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（Ｒ７Ｒ８）−、−Ｃ（＝ＣＲ９Ｒ１０）−又は−ＣＲ９＝ＣＲ１０−であり得、式中、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０は独立して、水素原子、ハロゲン、シアノ基、Ｃ１〜Ｃ１０直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、或いは部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ１０直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基であり；Ｒ４基は独立して、Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基又はハロゲン原子であり；ｎは約１〜約５の整数値であり；ｏは０〜約６の整数値であり；Ｘ及びＹは、独立して、−ＣＨ２−基、−Ｏ−、−Ｓ−であり、ｍは０〜約３の整数値である。メチレンは好ましいＸ及びＹの架橋基である。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
Ａｒ（ＯＨ）ｎ（Ｒ４）ｏの適切な例は、以下を含むが、これに限定されるものではない。
【化４】
2010519594.tif 000004
式中、波線はＡｒ（ＯＨ）ｎ（Ｒ４）ｏとＷ又はポリマー骨格との結合を示す。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６８】
本発明のシクロオレフィンポリマーは、さらに構造式（ＩＩ）によって表される他のシクロオレフィン繰り返し単位を含む。
【化２１】
2010519594.tif 000005
但し、構造式（ＩＩ）は酸感応性基を含まず、式中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ１０直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ１０直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、ハロゲン原子又は−ＯＲ１５、−Ｒ１６ＯＲ１５、及び−（ＣＨ２）ｔＯＣ（Ｏ）Ｒ１７からなる群から選択される極性基を表すが、Ｒ１１〜Ｒ１４のうち少なくとも一つは、−ＯＲ１５、−Ｒ１６ＯＲ１５、及び−（ＣＨ２）ｔＯＣ（Ｏ）Ｒ１７からなる群から選択される極性基である。Ｒ１５は水素原子又は直鎖、分枝鎖又は環状Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｒ１６は置換又は未置換Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基、或いは部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基、Ｒ１７は水素原子、直鎖、分枝鎖又は環状Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、又はＣ７〜Ｃ１５脂環式基であり；ｔは０〜約４の整数値であり；ｓは０〜約３の整数値であり、Ｘ及びＹは、構造式（Ｉ）で定義されたものと同義である。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０８】
下層組成物はさらに、一つ又は複数のアミノ又はフェノール架橋剤を含む。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１０】
本発明の下層組成物はさらに、一つ又は複数の熱酸発生剤（ＴＡＧ）を含む。本発明において有用なＴＡＧは、イオン性又は非イオン性ＴＡＧのいずれかに分類され得る、潜在性酸触媒である。例えば、有機酸のスルホン酸エステルは非イオン性ＴＡＧの分類に属する。ＴＡＧとして有用な非イオン性スルホン酸誘導体の例は、シクロヘキシルトシレート、２−ニトロベンジルトシレート、２−ニトロベンジルメチルスルホネート、２，６−ジニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、４−ジニトロベンジル−ｐ−トルエンスルホネート、１，２，３−トリス（メタンスルホニルオキシ）ベンゼン、１，２，３−トリス（メタンスルホニルオキシ）ベンゼン、１，２，３−トリス（エタンスルホニルオキシ）ベンゼン、１，２，３−トリス（プロパンスルホニルオキシ）ベンゼン、１，２，３−トリス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ベンゼン、１，２，３−トリス（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ベンゼン、４−ニトロベンジル９，１０−ジメトキシアントラセン−２−スルホネートなどを含むが、これに限定されるものではない。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトリソグラフィ２層塗布基板を形成する、多層リソグラフィプロセスにおいて使用するためのエッチング耐性熱硬化性下層組成物であって、該組成物が、
（ａ）構造式（Ｉ）の少なくとも一つの繰り返し単位と、構造式（ＩＩ）の少なくとも一つの繰り返し単位と、任意に構造式（ＩＩＩ）の少なくとも一つの繰り返し単位と、を備える、但し、構造式（Ｉ）、構造式（ＩＩ）及び構造式（ＩＩＩ）のいずれも酸感応性基を含まず、該構造式（Ｉ）、該構造式（ＩＩ）及び該構造式（ＩＩＩ）が、
【化１】
2010519594.tif 000006
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ１０直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ１０直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、Ｃ６〜Ｃ１０アリール基、ハロゲン原子及び極性基からなる群から選択され；Ｗは単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は未置換Ｃ１〜Ｃ１０直鎖又は分枝鎖アルキレン基、置換又は未置換Ｃ４〜Ｃ１２シクロアルキレン又は脂環式基、−（ＣＨ２）ｐＯ−、−（ＣＨ２）ｐＯ（ＣＨ２）ｑ−、−（ＣＨ２）ｐＯ（Ｒ５Ｏ）ｒ−、−（ＣＨ２）ｐＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−（ＣＨ２）ｐＣ（＝Ｏ）Ｏ（ＣＨ２）ｑ−、−（ＣＨ２）ｐＣ（＝Ｏ）Ｏ（Ｒ５Ｏ）ｒ−、−（ＣＨ２）ｐＯＣ（＝Ｏ）Ｏ（ＣＨ２）ｐ−、及び−（ＣＨ２）ｐＮＲ６Ｃ（＝Ｏ）−からなる群から選択され、式中、Ｒ５はＣ２〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環式アルキレン基、及び部分的又は完全にハロゲン化されたＣ２〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基からなる群から選択され；Ｒ６は水素原子、Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、及び部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基からなる群から選択され；ｐは０〜４の整数値であり；ｑ及びｒは独立して、１〜４の整数値であり；ＡｒはＣ６〜Ｃ２０アリーレン基及びＢ−Ｌ−Ｅ基からなる群から選択され、式中、ＢはＣ６〜Ｃ１４アリーレン基であり、ＥはＣ６〜Ｃ１４アリール基であり、Ｌは単結合、Ｃ１〜Ｃ４直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基、部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ４直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基、−Ｓ−、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（Ｒ７Ｒ８）−、−Ｃ（＝ＣＲ９Ｒ１０）−、及び−ＣＲ９＝ＣＲ１０−からなる群から選択され、式中、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０は独立して、水素原子、ハロゲン、シアノ基、Ｃ１〜Ｃ１０直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、及び部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ１０直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基からなる群から選択され；Ｒ４基は独立して、Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、及びハロゲン原子からなる群から選択され；ｎは１〜５の整数値であり；ｏは０〜６の整数値であり；Ｘ及びＹは独立して、−ＣＨ２−基、−Ｏ−及び−Ｓ−からなる群から選択され；ｍは０〜３の整数値であり；Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ１０直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ１０直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、ハロゲン原子、並びに−ＯＲ１５、−Ｒ１６ＯＲ１５、及び−（ＣＨ２）ｔＯＣ（Ｏ）Ｒ１７から構成される群から選択される極性基からなる群から選択される、但し、Ｒ１１〜Ｒ１４のうち少なくとも一つが、−ＯＲ１５、−Ｒ１６ＯＲ１５、及び−（ＣＨ２）ｔＯＣ（Ｏ）Ｒ１７からなる群から選択される極性基であり；Ｒ１５は水素原子及び直鎖、分枝鎖又は環状Ｃ１〜Ｃ６アルキル基からなる群から選択され、Ｒ１６は置換又は未置換Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基、及び部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基からなる群から選択され、Ｒ１７は水素原子、直鎖、分枝鎖又は環状Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、及びＣ７〜Ｃ１５脂環式基からなる群から選択され；ｔは０〜４の整数値であり；ｓは０〜３の整数値であり；Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３及びＲ２４は独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ１０直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ１０直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、ヒドロキシ基を包含しないＣ６〜Ｃ１０アリール基、ハロゲン原子、並びに−（ＣＨ２）ｖＣ（Ｏ）Ｒ２５、−（ＣＨ２）ｖＣ（Ｏ）ＯＲ２５、−（ＣＨ２）ｖＣ（Ｏ）（ＯＲ２６）ｘＯＲ２５及び−Ｏ（Ｒ２６Ｏ）ｘＲ２５から構成される群から選択される極性基からなる群から選択され；式中、ｖは０〜５の整数値であり；ｘは１〜５の整数値であり；Ｒ２５は水素原子、置換又は未置換Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、及び部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基からなる群から選択され；Ｒ２６は置換又は未置換Ｃ２〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基、及び部分的又は完全にハロゲン化されたＣ２〜Ｃ６直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基からなる群から選択され、ｕは０〜３の整数値である）で表される、少なくとも一つのシクロオレフィンポリマーと、
（ｂ）アミノ及びフェノール架橋剤からなる群から選択される、少なくとも一つの架橋剤と、
（ｃ）少なくとも一つの熱酸発生剤（ＴＡＧ）と、
（ｄ）少なくとも一つの溶媒と、
（ｅ）任意に、少なくとも一つの界面活性剤と、
を含む、エッチング耐性熱硬化性下層組成物。
【請求項２】
前記構造式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）中、
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、独立して、水素原子、ハロゲン原子及びエチル基からなる群から選択され；Ｗは、単結合、及びＣ１〜Ｃ４直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基からなる群から選択され、Ａｒは、Ｃ６〜Ｃ１０アリーレン基であり；Ｒ４は独立して、水素原子、メチル、三級ブチル及びフッ素化Ｃ１〜Ｃ２アルキル基からなる群から選択され；Ａｒは、フェニル及びナフチルからなる群から選択され、Ａｒがフェニルである場合、ｎは１〜３の整数値であり、ｏは０〜４の整数値であり、但しｎとｏとの合計は５以下であり、及びＡｒがナフチルの場合、ｎは１〜５の整数値であり、ｏは０〜６の整数値であり、但しｎとｏとの合計は７以下であり；Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ２直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、部分的又は完全にハロゲン化されたＣ１〜Ｃ２直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、ハロゲン原子、並びに−ＯＲ１５、Ｒ１６ＯＲ１５、及び−（ＣＨ２）ｔＯＣ（Ｏ）Ｒ１７から構成される群から選択される極性基からなる群から選択される、但し、Ｒ１１〜Ｒ１４のうち少なくとも一つが、−ＯＲ１５、−Ｒ１６ＯＲ１５、及び−（ＣＨ２）ｔＯＣ（Ｏ）Ｒ１７からなる群から選択される極性基であり；Ｒ１５は、水素原子、メチル及びエチル基からなる群から選択され；Ｒ１６は、置換又は未置換Ｃ１〜Ｃ４直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基からなる群から選択され；Ｒ１７は、水素原子、及び直鎖、分枝鎖又は環状Ｃ１〜Ｃ３アルキル基からなる群から選択され；ｔは０〜２の整数値であり；ｓは０〜３の整数値であり；Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３及びＲ２４は独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ２直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、Ｃ１〜Ｃ２ハロゲン化直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、ハロゲン原子、並びに−（ＣＨ２）ｖＣ（Ｏ）Ｒ２５、−（ＣＨ２）ｖＣ（Ｏ）ＯＲ２５、−（ＣＨ２）ｖＣ（Ｏ）（ＯＲ２６）ｘＯＲ２５及び−Ｏ（Ｒ２６Ｏ）ｘＲ２５から構成される群から選択される極性基からなる群から選択され；式中、ｖは０又は１の整数値であり；ｘは整数値１であり；Ｒ２５は水素原子、及びＣ１〜Ｃ４直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基からなる群から選択され；Ｒ２６は置換又は未置換Ｃ２〜Ｃ４直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基からなる群から選択される、
ことを特徴とする請求項１に記載のエッチング耐性熱硬化性下層組成物。
【請求項３】
前記構造式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）中、
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、水素原子であり；Ｗは、単結合及びメチレンからなる群から選択され；Ｒ４は、水素原子であり；Ａｒは、フェニル及びナフチルからなる群から選択され、Ａｒがフェニルの場合、ｎは整数値１であり、ｏは整数値０であり、及びＡｒがナフチルの場合、ｎは整数値１であり、ｏは整数値０であり；ｍは０であり；Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は独立して、水素原子、メチル基、並びに−ＯＲ１５、−Ｒ１６ＯＲ１５、及び−（ＣＨ２）ｔＯＣ（Ｏ）Ｒ１７から構成される群から選択される極性基からなる群から選択される、但し、Ｒ１１〜Ｒ１４のうち少なくとも一つは、−ＯＲ１５、−Ｒ１６ＯＲ１５、及び−（ＣＨ２）ｔＯＣ（Ｏ）Ｒ１７からなる群から選択される極性基であり；式中、Ｒ１５は水素原子であり；Ｒ１６はメチレン又はエチレン基からなる群から選択され；Ｒ１７はメチル基であり；ｔは０又は１の整数値であり；Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３及びＲ２４は独立して、水素原子、メチル基、並びに−（ＣＨ２）ｖＣ（Ｏ）Ｒ２５、−（ＣＨ２）ｖＣ（Ｏ）ＯＲ２５、−（ＣＨ２）ｖＣ（Ｏ）（ＯＲ２６）ｘＯＲ２５及び−Ｏ（Ｒ２６Ｏ）ｘＲ２５から構成される群から選択される極性基からなる群から選択され；式中、ｖは０又は１の整数値であり；ｘは整数値１であり；Ｒ２５は水素原子であり；Ｒ２６はエチレン及びイソプロピレンからなる群から選択される、
ことを特徴とする請求項１に記載のエッチング耐性熱硬化性下層組成物。
【請求項４】
前記構造式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）中、
Ａｒ（ＯＨ）ｎ（Ｒ４）ｏが、
【化２】
2010519594.tif 000007
（式中、波線は、Ａｒ（ＯＨ）ｎ（Ｒ４）ｏとＷ又はポリマー骨格との間の結合を示す）
からなる群から選択される、
ことを特徴とする請求項１に記載のエッチング耐性熱硬化性下層組成物。
【請求項５】
前記構造式（Ｉ）の繰り返し単位が４’−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２−イルフェノールであり；前記構造式（ＩＩ）の繰り返し単位が、５−ノルボルネン−２−メタノール、５−ノルボルネン−２−メチルアセテート、テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカ−３−エン−８−イルアセテート、テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカ−３−エン−８−オールからなる群から選択されるモノマー単位であり；前記構造式（ＩＩＩ）の繰り返し単位が、テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカ−８エン、２’−ヒドロキシエチル５−ノルボルネン−２−カルボキシレート、及び２’−（５−ノルボルネン−２−メトキシ）エタノールからなる群から選択されるモノマー単位である、
ことを特徴とする請求項１に記載のエッチング耐性熱硬化性下層組成物。
【請求項６】
前記シクロオレフィンポリマーが、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２−イルフェノール及び、テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカ−３−エン−８オールからなる繰り返し単位のポリマーである、
ことを特徴とする請求項１に記載のエッチング耐性熱硬化性下層組成物。
【請求項７】
基板と、該基板上に塗布された請求項１に記載の下層組成物の熱硬化膜と、該熱硬化下層組成物全面に塗布された感放射線性化学増幅型レジストと、を含む、フォトリソグラフィ２層塗布基板。
【請求項８】
基板と、該基板上に塗布された請求項２に記載の下層組成物の熱硬化膜と、該熱硬化下層組成物全面に塗布された感放射線性化学増幅型レジストと、を含む、フォトリソグラフィ２層塗布基板。
【請求項９】
基板と、該基板上に塗布された請求項３に記載の下層組成物の熱硬化膜と、該熱硬化下層組成物全面に塗布された感放射線性化学増幅型レジストと、を含む、フォトリソグラフィ２層塗布基板。
【請求項１０】
基板と、該基板上に塗布された請求項４に記載の下層組成物の熱硬化膜と、該熱硬化下層組成物全面に塗布された感放射線性化学増幅型レジストと、を含む、フォトリソグラフィ２層塗布基板。
【請求項１１】
基板と、該基板上に塗布された請求項５に記載の下層組成物の熱硬化膜と、該熱硬化下層組成物全面に塗布された感放射線性化学増幅型レジストと、を含む、フォトリソグラフィ２層塗布基板。
【請求項１２】
基板と、該基板上に塗布された請求項６に記載の下層組成物の熱硬化膜と、該熱硬化下層組成物全面に塗布された感放射線性化学増幅型レジストと、を含む、フォトリソグラフィ２層塗布基板。
【請求項１３】
基板上にパターンを形成するためのプロセスであって、次の処理工程、
（ａ）基板を準備する工程と、
（ｂ）前記基板に請求項１に記載の熱硬化性下層組成物を塗布する、第１の塗布工程と、
（ｃ）前記下層組成物を熱で硬化して、下層膜を形成する工程と、
（ｄ）前記下層膜全面に感放射線性レジストを塗布して、２層レジスト積層体を形成する、第２の塗布工程と、
（ｅ）前記感放射線性レジストを焼成する工程と、
（ｆ）前記２層レジスト積層体を露光する工程と、
（ｇ）前記２層レジスト積層体の前記感放射線性レジストの一部を現像し、下にある前記下層膜の一部を露出する工程と、
（ｈ）前記２層レジスト積層体をすすぐ工程と、
（ｉ）前記露出された下層膜を酸素プラズマ中でエッチングして、２層レリーフ像を形成する工程と、
を備えるプロセス。
【請求項１４】
基板上にパターンを形成するためのプロセスであって、次の処理工程、
（ａ）基板を準備する工程と、
（ｂ）前記基板に請求項２に記載の熱硬化性下層組成物を塗布する、第１の塗布工程と、
（ｃ）前記下層組成物を熱で硬化して、下層膜を形成する工程と、
（ｄ）前記下層膜全面に感放射線性レジストを塗布して、２層レジスト積層体を形成する、第２の塗布工程と、
（ｅ）前記感放射線性レジストを焼成する工程と、
（ｆ）前記２層レジスト積層体を露光する工程と、
（ｇ）前記２層レジスト積層体の前記感放射線性レジストの一部を現像し、下にある前記下層膜の一部を露出する工程と、
（ｈ）前記２層レジスト積層体をすすぐ工程と、
（ｉ）前記露出された下層膜を酸素プラズマ中でエッチングして、２層レリーフ像を形成する工程と、
を備えるプロセス。
【請求項１５】
基板上にパターンを形成するためのプロセスであって、次の処理工程、
（ａ）基板を準備する工程と、
（ｂ）前記基板に請求項３に記載の熱硬化性下層組成物を塗布する、第１の塗布工程と、
（ｃ）前記下層組成物を熱で硬化して、下層膜を形成する工程と、
（ｄ）前記下層膜全面に感放射線性レジストを塗布して、２層レジスト積層体を形成する、第２の塗布工程と、
（ｅ）前記感放射線性レジストを焼成する工程と、
（ｆ）前記２層レジスト積層体を露光する工程と、
（ｇ）前記２層レジスト積層体の前記感放射線性レジストの一部を現像し、下にある前記下層膜の一部を露出する工程と、
（ｈ）前記２層レジスト積層体をすすぐ工程と、
（ｉ）前記露出された下層膜を酸素プラズマ中でエッチングして、２層レリーフ像を形成する工程と、
を備えるプロセス。
【請求項１６】
基板上にパターンを形成するためのプロセスであって、次の処理工程、
（ａ）基板を準備する工程と、
（ｂ）前記基板に請求項４に記載の熱硬化性下層組成物を塗布する、第１の塗布工程と、
（ｃ）前記下層組成物を熱で硬化して、下層膜を形成する工程と、
（ｄ）前記下層膜全面に感放射線性レジストを塗布して、２層レジスト積層体を形成する、第２の塗布工程と、
（ｅ）前記感放射線性レジストを焼成する工程と、
（ｆ）前記２層レジスト積層体を露光する工程と、
（ｇ）前記２層レジスト積層体の前記感放射線性レジストの一部を現像し、下にある前記下層膜の一部を露出する工程と、
（ｈ）前記２層レジスト積層体をすすぐ工程と、
（ｉ）前記露出された下層膜を酸素プラズマ中でエッチングして、２層レリーフ像を形成する工程と、
を備えるプロセス。
【請求項１７】
基板上にパターンを形成するためのプロセスであって、次の処理工程、
（ａ）基板を準備する工程と、
（ｂ）前記基板に請求項５に記載の熱硬化性下層組成物を塗布する、第１の塗布工程と、
（ｃ）前記下層組成物を熱で硬化して、下層膜を形成する工程と、
（ｄ）前記下層膜全面に感放射線性レジストを塗布して、２層レジスト積層体を形成する、第２の塗布工程と、
（ｅ）前記感放射線性レジストを焼成する工程と、
（ｆ）前記２層レジスト積層体を露光する工程と、
（ｇ）前記２層レジスト積層体の前記感放射線性レジストの一部を現像し、下にある前記下層膜の一部を露出する工程と、
（ｈ）前記２層レジスト積層体をすすぐ工程と、
（ｉ）前記露出された下層膜を酸素プラズマ中でエッチングして、２層レリーフ像を形成する工程と、
を備えるプロセス。
【請求項１８】
基板上にパターンを形成するためのプロセスであって、次の処理工程、
（ａ）基板を準備する工程と、
（ｂ）前記基板に請求項６に記載の熱硬化性下層組成物を塗布する、第１の塗布工程と、
（ｃ）前記下層組成物を熱で硬化して、下層膜を形成する工程と、
（ｄ）前記下層膜全面に感放射線性レジストを塗布して、２層レジスト積層体を形成する、第２の塗布工程と、
（ｅ）前記感放射線性レジストを焼成する工程と、
（ｆ）前記２層レジスト積層体を露光する工程と、
（ｇ）前記２層レジスト積層体の前記感放射線性レジストの一部を現像し、下にある前記下層膜の一部を露出する工程と、
（ｈ）前記２層レジスト積層体をすすぐ工程と、
（ｉ）前記露出された下層膜を酸素プラズマ中でエッチングして、２層レリーフ像を形成する工程と、
を備えるプロセス。