Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月27日(2003.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
グラフィック、文字等を画面表示するディスプレイ部と、情報を入力する操作部とを備えた携帯型情報処理装置であって、
上記ディスプレイ部が設けられた上パネルと、
上記操作部が設けられた下パネルと、
少なくとも一部が球面形状に構成された電子カメラと、
上記上パネルの一部に設けられ、上記電子カメラの球面と接触して回動可能に上記電子カメラを保持する曲面支持部を有した取付凹部とからなること
を特徴とする携帯型情報処理装置。
【請求項２】
上記電子カメラは、少なくともレンズと、撮像素子と、上記撮像素子から得られる画像データを出力するケーブルとからなること
を特徴とする請求項１に記載の携帯型情報処理装置。
【請求項３】
上記電子カメラは更に、上記取付凹部に設けられたコネクタと接続されるコネクタを上記ケーブルの一端に有し、
上記電子カメラを着脱自在に取り付けられるようにしたこと
を特徴とする請求項２に記載の携帯型情報処理装置。
【請求項４】
上記取付凹部には更に、上記曲面支持部と共に上記電子カメラを弾性的に保持するストッパが設けられていること
を特徴とする請求項３に記載の携帯型情報処理装置。
【請求項５】
上記電子カメラは、少なくともレンズ、撮像素子を備えたカメラ本体と、該カメラ本体に軸を介して連結した球体とで構成し、
上記取付凹部には、上記曲面支持部が上記球体を回動可能に支持すること
を特徴とする請求項１に記載の携帯型情報処理装置。
【請求項６】
上記電子カメラは、少なくともレンズ、受光素子を備えた略球形状のカメラ本体で構成し、
上記取付凹部には、上記曲面支持部が上記カメラ本体の曲面を回動可能に支持すること
を特徴とする請求項１に記載の携帯型情報処理装置。
【請求項７】
グラフィック、文字等を画面表示するディスプレイ部と、情報を入力する操作部とを備えた携帯型情報処理装置であって、
上記ディスプレイ部が設けられた上パネルと、
上記操作部が設けられた下パネルと、
レンズ、撮像素子を含む電子カメラと、
上記上パネルの一部に設けられ、上記電子カメラを保持する支持部を有した取付凹部と、
からなることを特徴とする携帯型情報処理装置。
【請求項８】
上記取付凹部は上記上パネルの上方中央位置の一部をＵ字状に切欠いた構造であることを特徴とする請求項７に記載の携帯型情報処理装置。
【請求項９】
上記電子カメラは上記取付凹部の上記支持部により回動自在に支持された構造であることを特徴とする請求項７に記載の携帯型情報処理装置。
【請求項１０】
携帯型情報処理装置に設けられた取付凹部に着脱自在に取り付けられる電子カメラであって、レンズと、撮像素子と、上記レンズ及び撮像素子を収納し、上記情報処理装置の取付凹部に設けられた曲面支持部と接触することにより、回動可能に保持される球状筺体と、上記撮像素子から得られる画像データをケーブルを介して出力するコネクタとからなることを特徴とする電子カメラ。
【請求項１１】
上記撮像素子はＣＣＤであることを特徴とする請求項１０に記載の電子カメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明によるグラフィック、文字等を画面表示するディスプレイ部と、情報を入力する操作部とを備えた携帯型情報処理装置は、グラフィック、文字等を画面表示するディスプレイ部と、情報を入力する操作部とを備えた携帯型情報処理装置であって、上記ディスプレイ部が設けられた上パネルと、上記操作部が設けられた下パネルと、レンズ、撮像素子を含む電子カメラと、上記上パネルの一部に設けられ、上記電子カメラを保持する支持部を有した取付凹部と、からなることを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
支持部材１７は、即ち、曲面支持部であり、図２に示すように、ＣＣＤカメラ１８の回動球２５の曲面と同一の曲面を有したカップ状の支持曲面１７ｂを有している。この支持部材１７は回動球２５の少なくとも２つの支持曲面１７ｂを有し、これらの支持曲面１７ｂによって挟持するようにして回動自在に支持する。従って、支持曲面１７ｂは回動球２５を回動可能に支持することができるのである。尚、支持曲面１７ｂの数はこれに限定されない。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
カメラ本体部１９には略球形状に形成した内部にはＣＣＤ２１及び図示していない回路基板等が設けられている。カメラ本体部１９を回動させることにより、ＣＣＤ２１は、レンズ２０を介して所定範囲の撮像を行うことができる。撮像された画像データはケーブル２２を介して、パーソナルコンピュータ１０に取り込まれ、様々なアプリケーションを実行するために処理される。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
回動軸２４は、一端にカメラ本体部１９が連結して固定され、他端に回動球２５が連結して設けられている。また回動球２５は、カメラ本体部１９より小さな球状筐体に形成されている。この回動球２５は、パソコン１０の筺体の一部に設けた支持部材１７（図２参照）により回動自在に支持された構造となっている。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
支持部材１７Ａは、図５、図６及び図７に示すように、カメラ本体部１９Ａの両側面の球面１８ｂと同じ曲面の凹面である曲面支持部、即ち、支持曲面１７ｃを有し、カメラ本体部１９Ａを回動自在に保持できるように構成されている。このような構成により支持されたＣＣＤカメラ１８Ａは、撮像範囲を自由な方向に変更できるものである。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
レンズ部２０Ｂは、カメラ本体部１９Ｂに筒状に一体形成され、図１２に示すように、このレンズ部２０Ｂにはレンズ２３Ｂが設けられ、画像は、レンズ２３Ｂを介してＣＣＤ２１Ｂ（図１０参照）に結像する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月8日(2004.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記（Ｃ）界面活性剤が、非イオン性界面活性剤である請求項５〜８のいずれかに記載の重合開始方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月13日(2003.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン交換樹脂とバインダとを含むイオン交換体層の２種が複層化された不均質イオン交換膜であって、上記２種のイオン交換体層は、イオン交換樹脂の含有率が異なるものであり、イオン交換樹脂の含有率が大きい方のイオン交換体層Ａの厚さに対する、イオン交換樹脂の含有率が小さいイオン交換体層Ｂの厚さの比が１／１〜１／５０であり、かつ、イオン交換体層Ａにおけるイオン交換樹脂の含有率に対する、イオン交換体層Ｂにおけるイオン交換樹脂の含有率の比が０．９５以下であることを特徴とする不均質イオン交換膜。
【請求項２】
１枚のイオン交換体層Ｂを２枚のイオン交換体層Ａの間に配して複層化した請求項１に記載の不均質イオン交換膜。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、イオン交換樹脂とバインダとを含むイオン交換体層の２種が複層化された不均質イオン交換膜であって、上記２種のイオン交換体層は、イオン交換樹脂の含有率が異なるものであり、イオン交換樹脂の含有率が大きい方のイオン交換体層Ａの厚さに対する、イオン交換樹脂の含有率が小さいイオン交換体層Ｂの厚さの比が１／１〜１／５０であり、かつ、イオン交換体層Ａにおけるイオン交換樹脂の含有率に対する、イオン交換体層Ｂにおけるイオン交換樹脂の含有率の比が０．９５以下であることを特徴とする不均質イオン交換膜を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月11日(2003.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スフィンゴモナス属に属する菌をアセトンで洗浄後、アルコールまたはアルコール／水混合物で抽出する工程を含むことを特徴とする皮膚外用剤の製造方法。
【請求項２】
抽出溶媒がメタノールであることを特徴とする請求項１の製造方法。
【請求項３】
抽出溶媒がプロパノール／水混合物またはブタノール／水混合物であることを特徴とする請求項１の製造方法。
【請求項４】
抽出溶媒がプロパノール／水混合物であって、混合物中のプロパノールが７５重量％以下であることを特徴とする請求項３の製造方法。
【請求項５】
抽出溶媒がブタノール／水混合物であって、混合物中のブタノールが９５重量％以下であることを特徴とする請求項３の製造方法。
【請求項６】
抽出溶媒がブタノール／水混合物であって、混合物中のブタノールが８０〜９５重量％以下であることを特徴とする請求項３の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月8日(2003.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩを有する化合物から選ばれる少なくとも１つ、またはその塩を含んでなる工業用殺菌剤。
【化１】
1998330205.tif 000001
上式中、
Ｒ１：低級アルキル基、シクロアルキル基、フェニル基、またはこれらのハロゲン化物
Ｒ２：水素原子、アミノ基、またはメチル基
Ｒ３：ピペラジル基、ピペリジル基、ピロリジニル、メチルピペラジル基、ジメチルピペラジル基、アミノピペラジル基、メチルピペリジル基、ジメチルピペリジル基、アミノピペリジル基、メチルピロリジル基、ジメチルピロリジル基、アミノピロリジル基、またはハロゲン原子
Ｒ４：低級アルキル基、または水素原子
Ｘ１、Ｘ２：水素原子、またはハロゲン原子であり、Ｘ１とＸ２は同じでも異なってもよい
Ｙ：酸素原子、または硫黄原子
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上式中、Ｒ１〜Ｒ４、Ｘ１〜Ｘ２、およびＹは、次の通りである。
Ｒ１：低級アルキル基、シクロアルキル基、フェニル基、またはこれらのハロゲン化物
Ｒ２：水素原子、アミノ基、またはメチル基
Ｒ３：ピペラジル基、ピペリジル基、ピロリジニル、メチルピペラジル基、ジメチルピペラジル基、アミノピペラジル基、メチルピペリジル基、ジメチルピペリジル基、アミノピペリジル基、メチルピロリジル基、ジメチルピロリジル基、アミノピロリジル基、またはハロゲン原子
Ｒ４：低級アルキル基、または水素原子
Ｘ１、Ｘ２：水素原子、またはハロゲン原子であり、Ｘ１とＸ２は同じでも異なってもよい
Ｙ：酸素原子、または硫黄原子
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明において、上記一般式を有する化合物は、その塩であってもよい。
この塩とは、上記一般式を有する化合物に、塩酸、硫酸、燐酸、臭化水素酸や塩素酸などのハロゲン酸類などの無機酸；酢酸、蓚酸、グルコン酸、安息香酸などのカルボン酸類、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸などのスルホン酸類、乳酸、酒石酸、クエン酸などのオキシ酸類などの有機酸を付加したもの、あるいはナトリウムやカリウムなどのアルカリ金属塩としたもの、ジエタノールアミン、ジエチレントリアミン、イソプロピルアミン、モルホリンなどのアミン塩としたもの、その他各種形態の化合物としたものを言う。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月16日(2003.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（以下ＤＭＩと略記する）の製造法に関するものである。
ＤＭＩは極性非プロトン溶媒として極めて有用な物質である。特にポリアミド類、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリスチレン、ポリウレタン、フェノール樹脂などの高分子化合物に優れた溶媒であり、無機塩類の多くのものと錯塩を形成して溶解し、多くの有機反応の溶媒としても用いられる有用な物質である。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
第二工程の反応温度は、１５０〜３００℃、好ましくは１６０〜２８０℃、さらに好ましくは１７０〜２７０℃である。この温度より低いとＤＭＩの生成速度が遅く、この温度より高いと、副生物が増加するため好ましくない。自生圧で反応を行う。反応圧力は、反応条件により異なるが、通常、１０〜１２０Kg/cm2の範囲である。反応時間は、０．１〜１００時間、好ましくは０．５〜５０時間、さらに好ましくは１〜２０時間である。
本発明では、無溶媒でも実施できるが溶媒を使用しても良い。溶媒を使用する場合には、通常水を用いるが、反応に対して不活性な溶媒であれば使用可能である。溶媒の使用量は反応液全体に対する重量％として１〜８０％、好ましくは２〜７０％である。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【実施例】
以下、実施例により本発明の方法を具体的に説明する。
実施例１
内容積１００ｍＬのオートクレーフに水２０ｇ、モノメチルアミン（以下ＭＡと略記する）２０ｇ（０．６４ｍｏｌ）および二酸化炭素１５ｇ（０．３４ｍｏｌ）を導入した。次いで、反応温度５０℃でエチレンオキサイド（以下ＥＯと略記する）１０ｇ（０．２３ｍｏｌ）を０．５ｇ／分の速度で反応器に供給した後、さらに同温度で１時間熟成を行った。次いで、反応器を２１０℃に昇温し同温度で３時間反応を行った。この間、圧力は３０Kg/cm2であった。反応終了後、室温まで冷却し、ガス成分を留去した後反応器から液状成分６１．１ｇを得た。この液をガスクロマトグラフィーで分析したところ、ＥＯ転化率１００％であり、ＥＯ基準の収率は、ＤＭＩ １０．１％、Ｎ−メチルアミノエタノール（以下ＭＡＥと略記する） ２３．８％であった。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月16日(2003.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エンジンの前面から延びる四本のエキゾーストパイプを二本の前部集合管によって一旦二本づつに集合させ、さらにこれらの前部集合管を一本の後部集合管により一本に集合させたエンジン排気装置を備える自動二輪車において、上記左右の前部集合管３１Ｒ，３１Ｌのうち、一方の前部集合管３１Ｌに排気ガスセンサ３３を取り付けたことを特徴とする自動二輪車の排気ガスセンサ取付構造。
【請求項２】
上記エンジン１６は車体１の車幅方向に延びるクランクシャフト２５を備え、その一端にフライホイールマグネト装置２６が設けられ、他端にクラッチ装置２８が設けられると共に、上記排気ガスセンサ３３を取り付ける前部集合管３１Ｌを上記車体１の中心を挟んで上記クラッチ装置２８とは反対側に配置し、さらに上記排気ガスセンサ３３を平面視で上記エンジン１６下部に設けられるオイルパン３０の平面形状に干渉しない位置に配置した請求項１記載の自動二輪車の排気ガスセンサ取付構造。
【請求項３】
上記排気ガスセンサ３３を側面視で上記フライホイールマグネト装置２６を覆うマグネトカバー２７の後方に配置し、さらに上記排気ガスセンサ３３を上記車体１がバンク時に形成するバンク角の延長線３４とほぼ平行に配置した請求項２記載の自動二輪車の排気ガスセンサ取付構造。
【請求項４】
並列に設けられた多気筒エンジンの一の気筒に接続されるエキゾーストパイプと、この一の気筒に隣接する気筒に接続されるエキゾーストパイプとを集合させた後、再び分割して車体後部に左右のマフラに接続される排気装置を備えた自動二輪車において、上記排気装置２２を上記多気筒エンジン１６の下部に設けられたオイルパン３０の下部側方を通るように配設すると共に、上記二つのエキゾーストパイプ２３ｃ，２３ｄの、集合部３１Ｌの下流側近傍且つ上記オイルパンの３０下部から遠い側となる位置に排気センサ３３を車体外側方に向けて設けたことを特徴とする自動二輪車の排気ガスセンサ取付構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
さらに、上述した課題を解決するために、請求項３に記載したように、上記排気ガスセンサを側面視で上記フライホイールマグネト装置を覆うマグネトカバーの後方に配置し、さらに上記排気ガスセンサを上記車体がバンク時に形成するバンク角の延長線とほぼ平行に配置したものである。
そして、上述した課題を解決するために、請求項４に記載したように、並列に設けられた多気筒エンジンの一の気筒に接続されるエキゾーストパイプと、この一の気筒に隣接する気筒に接続されるエキゾーストパイプとを集合させた後、再び分割して車体後部に左右のマフラに接続される排気装置を備えた自動二輪車において、上記排気装置を上記多気筒エンジンの下部に設けられたオイルパンの下部側方を通るように配設すると共に、上記二つのエキゾーストパイプの、集合部の下流側近傍且つ上記オイルパンの下部から遠い側となる位置に排気センサを車体外側方に向けて設けたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月10日(2003.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、パルプ製のものを合紙ウエブとして用いると、帯電装置で帯電させても十分な吸着力を得ることができないので、カッタで切断された際に、金属ウエブから合紙ウエブが剥がれてしまうという欠点がある。
この原因は、合紙ウエブの含水率にあり、例えば、合紙ウエブロールの外周部は、運搬場所や保管場所の水分を吸収し含水率が上昇するので、通常の帯電電圧（−６ｋＶ〜−１１ｋＶ）では金属ウエブと合紙ウエブとが吸着しない。なお、帯電電圧を−１１ｋＶ超に設定すると、スパークが発生するので、帯電電圧を上げることはできない。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月14日(2003.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タイヤの主として表側を包囲する表側カバー２と、タイヤの主として裏側を包囲し広狭に直径が変化する開口部４を有するリング形状の裏側カバー３とにより構成し、前記開口部４の内周部に締付弾性部材５を装着したものにおいて、前記締付弾性部材５は、所定長さの紐部材１０の一端８と他端９と重合するその余のリング状の複数の中間部分１１とを重合させ、該重合部分を締結部材１２により締結して、各中間部分１１の紐部材１０は夫々独立したリング状に形成したタイヤカバーの締付弾性部材。
【請求項２】
タイヤの主として表側を包囲する表側カバー２の周縁に、タイヤの主として裏側を包囲し広狭に直径が変化する開口部４を有するリング形状の裏側カバー３の反開口部４側周縁を接続し、前記開口部４の内周の挿入筒部６に挿入開口部７から一端８と他端９を有する紐部材１０の前記一端８と他端９のいずれか一方を複数周回挿通し、前記紐部材１０の一端８と他端９とその余のリング状の複数の中間部分１１とを重合させ、該重合部分を締結部材１２により締結するタイヤカバーの締付弾性部材の装着方法。
【請求項３】
タイヤの主として表側を包囲する表側カバー２と、タイヤの主として裏側を包囲し広狭に直径が変化する開口部４を有するリング形状の裏側カバー３とにより構成し、前記開口部４の内周部には締付弾性部材５を装着したものにおいて、前記締付弾性部材５は、前記開口部４の内周と略同じ長さであって一端８と他端９の両端部を有しかつ一端８と他端９の間は複数層形状に形成し、前記一端８と前記他端９とを結縛して、各締付弾性部材５は夫々独立したリング状に形成したタイヤカバーの締付弾性部材。
【請求項４】
タイヤの主として表側を包囲する表側カバー２の周縁に、タイヤの主として裏側を包囲し広狭に直径が変化する開口部４を有するリング形状の裏側カバー３の反開口部４側周縁を接続し、次に、一本の紐部材１０を予め複数回折って複数層形状であって前記開口部４の内周と略同じ長さの締付弾性部材５にし、この一本状態の締付弾性部材５の一端８と他端９を夫々係止部材１４により夫々係止し、次に、この締付弾性部材５の一端８または他端９を開口部４の挿入筒部６内に挿入開口部７より挿入し、次に、前記一端８と前記他端９とを結縛したタイヤカバーの締付弾性部材の装着方法。
【請求項５】
請求項４において、前記締付弾性部材５の一端８と他端９は、結縛後、結縛部１５よりはみ出た部分を係止部材１４により締付弾性部材５の本体に夫々係止したタイヤカバーの締付弾性部材の装着方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月13日(2003.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(ａ)(a1)分子量７０〜７００のアクリルモノマー１０〜９０重量％及び(a2)分子量１００〜２,０００のエポキシ化合物９０〜１０重量％からなるモノマー成分と、
(ｂ)該アクリルモノマー１００重量部に対して０.１〜５重量部の光重合開始剤と、
(ｃ)該エポキシ化合物１００重量部に対して、エポキシ基と熱反応する硬化剤１〜９０重量部とを、
含んでなる分散媒；
(ｄ)該分散媒１００重量部に対して、該分散媒中に分散された無機粒子１０〜９００重量部；及び
(ｅ)該無機粒子１００重量部に対して、該分散媒及び該無機粒子の双方と反応しうる官能基を有する無機粒子の表面改質剤５〜５０重量部；
を含んでなる光及び熱硬化性組成物。
【請求項２】
前記表面改質剤が、式
【化１】
1998147745.tif 000001
［式中、Ｒは、それぞれ独立して、炭素数１〜１８のアルキル基、フェニル基、炭素数７〜１２の置換フェニル基、炭素数６〜１０のグリシジル基、炭素数３〜１８の(メタ)アクリル基、及び炭素数３〜１０のアミノ基からなる群から選択される基であり、ｘ及びｙは、ｘ＋ｙ＝４を満足する整数である。］
で示される有機珪素化合物である、請求項１記載の光及び熱硬化性組成物。
【請求項３】
前記アクリルモノマーが、エポキシ基または硬化剤と熱反応可能な官能基を分子内に更に有するアクリルモノマーを、１〜３０重量％の量で含有する、請求項１記載の光及び熱硬化性組成物。
【請求項４】
前記エポキシ基または硬化剤と熱反応可能な官能基を分子内に更に有するアクリルモノマー以外のアクリルモノマーが、芳香環、複素環、及び脂環式炭化水素基から選ばれる環状基を分子内に更に有する請求項３記載の光及び熱硬化性組成物。
【請求項５】
前記アクリルモノマーが、水酸基を分子内に更に有するアクリルモノマーを、２０〜９０重量％の量で含有する、請求項１記載の光及び熱硬化性組成物。
【請求項６】
前記アクリルモノマーが、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミドを２０〜１００重量％の量で含有する請求項１記載の光及び熱硬化性組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月25日(2003.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
（１２）Ｒ1が、Ｃ1−Ｃ4アルキル基であり、
Ｒ2が、水素原子またはＣ1−Ｃ3アルキル基であり、
Ｒ3が、水素原子、Ｃ1−Ｃ4脂肪族アシル基、置換基を有さないベンゾイル若しくはナフトイル基またはＣ2−Ｃ4アルコキシカルボニル基であり、
Ｒ4が、Ｃ1−Ｃ4アルキル基であり、
Ｒ5が、水素原子またはＣ1−Ｃ3アルキル基である化合物、
（１３）Ｒ1が、Ｃ1−Ｃ4アルキル基であり、
Ｒ2が、水素原子またはＣ1−Ｃ3アルキル基であり、
Ｒ3が、水素原子、アセチル基、ベンゾイル基またはエトキシカルボニル基であり、
Ｒ4が、Ｃ1−Ｃ4アルキル基であり、
Ｒ5が、水素原子またはＣ1−Ｃ3アルキル基である化合物、
（１４）Ｒ1が、メチル基であり、
Ｒ2が、水素原子またはメチル基であり、
Ｒ3が、水素原子、アセチル基またはエトキシカルボニル基であり、
Ｒ4が、メチルまたはｔ−ブチル基であり、
Ｒ5が、水素原子またはメチル基である化合物。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月20日(2003.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
システインプロテアーゼ阻害化合物を含む血管新生抑制剤。
【請求項２】
システインプロテアーゼ阻害化合物が、カルパイン阻害化合物である請求項１記載の血管新生抑制剤。
【請求項３】
カルパイン阻害化合物が、カルパスタチンおよびカルパスタチンペプチドから選択される１種以上の化合物である請求項２記載の血管新生抑制剤。
【請求項４】
カルパスタチンペプチドが、下記一般式
−Ｇｌｙ−Ａ−Ｔｙｒ−Ａｒｇ−
（式中、Ａは  −Ｌｙｓ−Ａｒｇ−Ｇｌｕ−Ｖａｌ−Ｔｈｒ−Ｉｌｅ−Ｐｒｏ−Ｐｒｏ−Ｌｙｓ−、−Ｌｙｓ−Ａｒｇ−Ｇｌｕ−Ｖａｌ−Ｔｈｒ−Ｌｅｕ−Ｐｒｏ−Ｐｒｏ−Ｌｙｓ−  、−Ｇｌｕ−Ａｓｐ−Ａｓｐ−Ｇｌｕ−Ｔｈｒ−Ｉｌｅ−Ｐｒｏ−Ｓｅｒ−Ｇｌｕ−  、−Ｇｌｕ−Ａｓｐ−Ａｓｐ−Ｇｌｕ−Ｔｈｒ−Ｖａｌ−Ｐｒｏ−Ｐｒｏ−Ｇｌｕ−  、−Ｇｌｕ−Ａｓｐ−Ａｓｐ−Ｇｌｕ−Ｔｈｒ−Ｖａｌ−Ｐｒｏ−Ａｌａ−Ｇｌｕ−  、−Ｇｌｕ−Ｌｙｓ−Ｇｌｕ−Ｇｌｕ−Ｔｈｒ−Ｉｌｅ−Ｐｒｏ−Ｐｒｏ−Ａｓｐ−  または  −Ｇｌｕ−Ａｒｇ−Ａｓｐ−Ａｓｐ−Ｔｈｒ−Ｉｌｅ−Ｐｒｏ−Ｐｒｏ−Ｇｌｕ−を示す。）のアミノ酸配列を有するペプチドから選択される１種以上の化合物である請求項３記載の血管新生抑制剤。
【請求項５】
カルパスタチンペプチドが次のアミノ酸配列を有する請求項４記載の血管新生抑制剤。
Ａｓｐ−Ｐｒｏ−Ｍｅｔ−Ｓｅｒ−Ｓｅｒ−Ｔｈｒ−Ｔｙｒ−Ｉｌｅ−Ｇｌｕ−Ｇｌｕ−Ｌｅｕ−Ｇｌｙ−Ｌｙｓ−Ａｒｇ−Ｇｌｕ−Ｖａｌ−Ｔｈｒ−Ｉｌｅ−Ｐｒｏ−Ｐｒｏ−Ｌｙｓ−Ｔｙｒ−Ａｒｇ−Ｇｌｕ−Ｌｅｕ−Ｌｅｕ−Ａｌａ
【請求項６】
カルパイン阻害化合物が、カルパインのカルモデュリンと相同性の高いＣａ２＋結合部位を阻害する物質から選択される１種以上の化合物である請求項２記載の血管新生抑制剤。
【請求項７】
カルパインのカルモデュリンと相同性の高いＣａ２＋結合部位を阻害する物質が、カルモデュリン拮抗化合物から選択される１種以上の化合物である請求項６記載の血管新生抑制剤。
【請求項８】
システインプロテアーゼ阻害化合物が、エポキシコハク酸ペプチド化合物、ペプチドアルデヒド化合物、ペプチドハロメタン化合物、ペプチドジアゾメタン化合物、ペプチドハロヒドラジド化合物、ペプチドジスルフィド化合物、ペプチドケトアミド化合物およびイソクマリン化合物から選択される１種以上の化合物である請求項１記載の血管新生抑制剤。
【請求項９】
システインプロテアーゼ阻害化合物が、エポキシコハク酸ペプチド化合物である請求項８記載の血管新生抑制剤。
【請求項１０】
システインプロテアーゼ阻害化合物が、ペプチドアルデヒド化合物である請求項８記載の血管新生抑制剤。
【請求項１１】
ペプチドアルデヒド化合物が、ロイペプチンである請求項１０記載の血管新生抑制剤。
【請求項１２】
ペプチドアルデヒド化合物が、式（ＶＩ）：
【化１】
1998147566.tif 000001
（式中、Ｒ１１はハロゲン原子、炭素数１〜５のアルキル基、トリフルオロメチル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、ヒドロキシル基、炭素数２〜５のアシルオキシ基、カルボキシル基または炭素数２〜５のアシル基で置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール基を示し、Ｒ１２とＲ１３は同一または異なって、水素、炭素数１〜４のアルキル基を示すか、または連結して炭素数３〜７の環を形成してもよく、Ｒ１４はアリール基、シクロアルキル基または芳香族複素環で置換されていてもよい直鎖状、分枝状または環状の炭素数１〜６のアルキル基を示す）で表わされる化合物またはその塩である請求項１０記載の血管新生抑制剤。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月5日(2003.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応ガス導入部と基板保持体を備えた反応容器を有し、前記基板保持体の上に配置された基板に対して前記反応ガス導入部から反応ガスを導入し、前記基板に薄膜を堆積する薄膜形成装置において、前記反応ガス導入部の周囲にガスの流れを作るガス導入部を設けたことを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項２】
前記ガス導入部は、前記反応容器の上壁に等間隔に形成された複数のガス導入孔と、前記ガス導入孔につながり前記上壁の内面側に形成された通路と、この通路を覆う多孔板とから成り、外部に設けたガス供給機構から前記ガス導入孔に前記ガスが供給されることを特徴とする請求項１記載の薄膜形成装置。
【請求項３】
前記反応容器の下壁に対称の位置に複数の排気口が設けられ、前記ガス導入部によって生成される前記ガスの流れは前記排気口に向かって生じることを特徴とする請求項１または２記載の薄膜形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段および作用】
第１の本発明（請求項１に対応）に係る薄膜形成装置は、反応ガス導入部と基板保持体を備えた反応容器を有し、基板保持体の上に配置された基板に対して反応ガス導入部から反応ガスを導入し、基板に薄膜を堆積する薄膜形成装置であり、上記目的を達成するために、さらに、反応ガス導入部の周囲に、当該周囲のいわゆるデッドスペースにパージガス等のガスの流れを作るためのガス導入部を設けるように構成した。このようなガスの流れを、反応ガス導入部の周囲のデッドスペースに作ると、デッドスペースに滞留しやすい反応ガス等も併せて押し流され、これにより、反応ガスの循環流がなくなり、滞留の発生を防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月23日(2003.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハに形成されたアモルファスシリコンの導電性膜にふっ酸処理を施して自然酸化膜を除去する工程と、
上記ふっ酸処理の後に、過酸化水素水処理、酸化剤のフラッシング処理、クレーンルール中での放置、又は、水洗のいずれかの方法により、上記導電性膜に厚さ０．５Å以上２０Å以下の極薄酸化膜を形成する工程と、
上記極薄酸化膜の上にシラン系ガスを用いて核付け用膜を形成する工程と、
上記核付け用膜が形成された上記ウェーハをアニール処理して上記導電成膜の表面を粗面化させる工程と
を有する粗面化導電性膜の形成方法を含むことを特徴とする半導体装置の製法方法。
【請求項２】
半導体ウェーハに形成されたアモルファスシリコンの導電性膜をエッチングする工程と、
上記エッチングされたアモルファスシリコンの導電性膜上に酸化膜を２０Åより厚く形成する工程と、
上記半導体ウェーハをふっ酸処理して上記酸化膜を０．５Å以上２０Å以下の厚みの極薄酸化膜として残す工程と、
上記極薄酸化膜の上にシラン系ガスを用いて核付け用膜を形成する工程と、
上記核付け用膜が形成された上記ウェーハをアニール処理して上記導電成膜の表面を粗面化させる工程と
を有する粗面化導電性膜の形成方法を含むことを特徴とする半導体装置の製法方法。
【請求項３】
上記酸化膜を酸素アッシングにより形成することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製法方法。
【請求項４】
上記酸化膜を酸化剤のフラッシング処理により形成することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製法方法。
【請求項５】
上記酸化剤のフラッシング処理を、ふっ酸処理に続いて連続して酸素雰囲気中でプラズマ放電処理を行うことにより行うことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製法方法。
【請求項６】
上記酸化剤のフラッシング処理を、エッチング工程完了後に酸素雰囲気中でプラズマ放電処理を行うことにより行うことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製法方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明の半導体装置の製法方法は、半導体ウェーハに形成されたアモルファスシリコンの導電性膜にふっ酸処理を施して自然酸化膜を除去する工程と、上記ふっ酸処理の後に、過酸化水素水処理、酸化剤のフラッシング処理、クレーンルール中での放置、又は、水洗のいずれかの方法により、上記導電性膜に厚さ０．５Å以上２０Å以下の極薄酸化膜を形成する工程と、上記極薄酸化膜の上にシラン系ガスを用いて核付け用膜を形成する工程と、上記核付け用膜が形成された上記ウェーハをアニール処理して上記導電成膜の表面を粗面化させる工程とを有する粗面化導電性膜の形成方法を含むことを特徴とするものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、この発明の半導体装置の製法方法は、半導体ウェーハに形成されたアモルファスシリコンの導電性膜をエッチングする工程と、上記エッチングされたアモルファスシリコンの導電性膜上に酸化膜を２０Åより厚く形成する工程と、上記半導体ウェーハをふっ酸処理して上記酸化膜を０．５Å以上２０Å以下の厚みの極薄酸化膜として残す工程と、上記極薄酸化膜の上にシラン系ガスを用いて核付け用膜を形成する工程と、上記核付け用膜が形成された上記ウェーハをアニール処理して上記導電成膜の表面を粗面化させる工程とを有する粗面化導電性膜の形成方法を含むことを特徴とするものである。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、この発明の半導体装置の製法方法は、上記酸化膜を酸素アッシングにより形成することを特徴とするものである。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、この発明の半導体装置の製法方法は、上記酸化膜を酸化剤のフラッシング処理により形成することを特徴とするものである。
また、この発明の半導体装置の製法方法は、上記酸化剤のフラッシング処理を、ふっ酸処理に続いて連続して酸素雰囲気中でプラズマ放電処理を行うことにより行うことを特徴とするものである。
また、この発明の半導体装置の製法方法は、上記酸化剤のフラッシング処理を、エッチング工程完了後に酸素雰囲気中でプラズマ放電処理を行うことにより行うことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月25日(2003.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記工程(ｈ)は、
(ｈ−１)少なくとも前記レジストマスクに覆われない前記第２の酸化膜の厚みを異方性ドライエッチング法により薄くする工程と、
(ｈ−２)厚みが薄くなった前記第２の酸化膜およびその下部の厚みが薄くなった前記第１の酸化膜をウエットエッチング法により除去する工程と、を備える請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明に係る請求項６記載の半導体装置の製造方法は、前記工程(ｈ)が、少なくとも前記レジストマスクに覆われない前記第２の酸化膜の厚みを異方性ドライエッチング法により薄くする工程(ｈ−１)と、厚みが薄くなった前記第２の酸化膜およびその下部の厚みが薄くなった前記第１の酸化膜をウエットエッチング法により除去する工程(ｈ−２)とを備えている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
また、米国特許5262344号公報および5021853号公報においては、シリサイドプロテクション膜およびサイドウォール酸化膜を共通のシリコン酸化膜から形成する構成が示されているが、ソース・ドレイン注入は上記シリコン酸化膜を形成する前にゲート電極をマスクとしてイオン注入法により形成している。従って、基板表面への注入によるダメージを防止することはできない。また、ゲート電極をマスクとしてソース・ドレイン領域を形成しており、低ドープドレイン領域は形成されておらず、本願発明の構成とは異なっている。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
次に、図１０に示すようにドライエッチングによりシリコン酸化膜１５を所定の厚さになるまで除去する。この場合、シリコン酸化膜１５はＳＯＩ層３上で２００オングストローム程度の厚さとなるようにする。この工程により、ゲート電極６Ａおよびゲート酸化膜５Ａの両側面にはサイドウォール酸化膜２１Ａが形成され、ゲート電極６およびゲート酸化膜５の両側面にはサイドウォール酸化膜２１が形成されることになる。なお、ゲート電極６および６Ａの上面にはシリコン酸化膜１５が２００オングストロームの厚さで残ることになる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
次に、図１１に示す工程において、全面的にシリコン酸化膜１６（第２のシリコン酸化膜）を形成し、プロテクション領域ＰＲにおけるシリコン酸化膜１６の所定部分に選択的にレジストマスクＲ２を形成する。なお、シリコン酸化膜１６の厚さは、例えば１０００オングストローム程度とする。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
すなわち、ドライエッチングによりシリコン酸化膜１５を所定の厚さになるまで除去した後に、薄くなったシリコン酸化膜１５を貫通するようにソース・ドレイン注入を行っても良い。この場合、ゲート電極６Ａおよびゲート酸化膜５Ａの両側面にはサイドウォール酸化膜２１Ａが形成され、ゲート電極６およびゲート酸化膜５の両側面にはサイドウォール酸化膜２１が形成されているので、サイドウォール酸化膜２１および２１Ａの下部にはＮ型不純物が追加注入されることはなく、低ドープドレイン領域４が残されることになる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月29日(2004.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型電極が設けられたｐ型窒化ガリウム層若しくはｎ型電極が設けられたｎ型窒化ガリウム層、前記ｐ型若しくはｎ型電極に導電性接着剤で接着された導電性基板、および前記ｐ型若しくはｎ型窒化ガリウム層上にあったｐ型若しくはｎ型電極が設けられている面とは反対面の上に成長した発光層を含む窒化ガリウム系半導体層からなる積層とで構成されていることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
導電性基板が鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）合金または銅−タングステン（Ｃｕ−Ｗ）合金であることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項３】
導電性接着剤が金−スズ（Ａｕ−Ｓｎ）半田または鉛−スズ（Ｐｂ−Ｓｎ）半田であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
成長用基板の上に成長した発光層を含む窒化ガリウム系半導体層からなる積層の表面に設けた電極面と、導電性基板とを、導電性接着剤を用いて接着した後に、前記成長用基板を除去して製造することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
成長用基板がガリウム砒素（ＧａＡｓ）、インジウム燐（ＩｎＰ）、インジウム砒素（ＩｎＡｓ）若しくはガリウム燐（ＧａＰ）であることを特徴とする請求項４記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】
成長用基板がガリウム砒素（ＧａＡｓ）、インジウム燐（ＩｎＰ）、インジウム砒素（ＩｎＡｓ）若しくはガリウム燐（ＧａＰ）からなる立方晶（１１１）基板であって、窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体層が六方晶であることを特徴とする請求項４又は請求項５記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項７】
成長基板がガリウム砒素からなる立方晶（１１１）Ａ基板であることを特徴とする請求項４〜６のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項８】
成長用基板をアンモニア系エッチャントを用いたウエットエッチングにより除去することを特徴とする請求項４〜７のいずれか１項に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項９】
発光層を含む窒化ガリウム系半導体層からなる積層と、
該積層の表面に設けた電極と、
前記電極に導電性接着剤で接着された導電性基板と
を備える半導体発光素子。
【請求項１０】
導電性基板が鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）合金または銅−タングステン（Ｃｕ−Ｗ）合金であることを特徴とする請求項９記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
導電性接着剤が金−スズ（Ａｕ−Ｓｎ）半田または鉛−スズ（Ｐｂ−Ｓｎ）半田であることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、前記成長用基板が立方晶（111）基板であり、前記GaN系半導体層が六方晶である。特に成長用基板がGaAs（111）Ａであり、GaN系半導体層が六方晶である。成長用基板をアンモニア系エッチャントによってウェットエッチングすることにより除去する。
本発明による半導体発光素子は、発光層を含む窒化ガリウム系半導体層からなる積層と、該積層の表面に設けた電極と、前記電極に導電性接着剤で接着された導電性基板とを備える。また、好適には、導電性基板が鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）合金または銅−タングステン（Ｃｕ−Ｗ）合金である。さらに、好適には、導電性接着剤が金−スズ（Ａｕ−Ｓｎ）半田または鉛−スズ（Ｐｂ−Ｓｎ）半田である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月13日(2004.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに平行である第１主面、第２主面を有する基板と、
前記第１主面上に形成された第１半導体分布ブラッグ反射型ミラー層と、
前記第１半導体分布ブラッグ反射型ミラー層上に形成された半導体発光層と、
前記半導体発光層上に形成された第２半導体分布ブラッグ反射型ミラー層と、
前記第２半導体分布ブラッグ反射型ミラー層中心部に設けられた、前記半導体発光層からの光取り出し部と、
前記光取り出し部の周囲に設けられた第１電極と、
前記第１半導体分布ブラッグ反射型ミラー層、半導体発光層、及び第２半導体分布ブラッグ反射型ミラー層を介して前記第１電極に通電するように前記第２主面に形成された第２電極と、
前記第１電極周辺部の前記第１半導体分布ブラッグ反射型ミラー層、半導体発光層、及び第２半導体分布ブラッグ反射型ミラー層が部分的に除去され、前記半導体発光層、及び第２半導体分布ブラッグ反射型ミラー層の各層を貫通し、且つ第１半導体分布ブラッグ反射型ミラー層に達するように形成された第１の溝の内壁に形成された反射部とを有し、
前記反射部が、前記第１の溝内に出射した前記半導体発光層からの光の一部を反射するように構成されていることを特徴とする垂直共振器型発光ダイオード。
【請求項２】
互いに平行である第１主面、第２主面を有する基板と、
前記第１主面上に形成された第１半導体分布ブラッグ反射型ミラー層と、
前記第１半導体分布ブラッグ反射型ミラー層上に形成された半導体発光層と、
前記半導体発光層上に形成された第２半導体分布ブラッグ反射型ミラー層と、
前記第２半導体分布ブラッグ反射型ミラー層中心部に設けられた、前記半導体発光層からの光取り出し部と、
前記光取り出し部の周囲に設けられた第１電極と、
前記第１半導体分布ブラッグ反射型ミラー層、半導体発光層、及び第２半導体分布ブラッグ反射型ミラー層を介して前記第１電極に通電するように前記第２主面に形成された第２電極と、
前記第１電極周辺部の前記第１半導体分布ブラッグ反射型ミラー層、半導体発光層、及び第２半導体分布ブラッグ反射型ミラー層が部分的に除去され、前記半導体発光層、及び第２半導体分布ブラッグ反射型ミラー層の各層を貫通し、第１半導体分布ブラッグ反射型ミラー層に達するように形成された第１の溝の内壁に形成され、かつ前記第１の溝内に出
射した前記半導体発光層からの光の一部を反射するように構成される反射部と、
少なくとも前記光取り出し部の下に位置する部分を除く前記第１半導体分布ブラッグ反射型ミラー層及び第２半導体分布ブラッグ反射型ミラー層の一部で構成され、前記第１の溝まで到達するよう構成された高抵抗領域と
を有することを特徴とする垂直共振器型発光ダイオード。
【請求項３】
前記第１半導体分布ブラッグ反射型ミラー層、及び第２半導体分布ブラッグ反射型ミラー層は、Ａｌ組成の高い半導体層を有し、前記高抵抗領域は前記第１の溝から選択的に横方向に酸化されていることを特徴とする請求項２に記載の垂直共振器型発光ダイオード。
【請求項４】
前記反射部は前記半導体発光層からの光に対し凹なる表面で構成されていることを特徴とする請求項１、２に記載の垂直共振器型発光ダイオード。
【請求項５】
前記溝は、断面が略Ｕ字状であることを特徴とする請求項４に記載の垂直共振器型発光ダイオード。
【請求項６】
前記溝は、前記第１電極の周辺部において、略リング状に形成されていることを特徴とする請求項１、２に記載の垂直共振器型発光ダイオード。
【請求項７】
前記反射部は、前記溝の内壁上に設けられた反射膜を有し、前記反射部が、前記溝内に出射した前記半導体発光層からの光を反射するように構成されていることを特徴とする請求項１、２に記載の垂直共振器型発光ダイオード。
【請求項８】
前記半導体発光層は、発光波長が６２０〜６９０nmであり、Ｉｎ1-x（Ｇａ1-yＡｌy）xＰ系の材料からなる活性層を有することを特徴とする請求項１、２に記載の垂直共振器型発光ダイオード。
【請求項９】
請求項１記載の垂直共振器型発光ダイオードと、その垂直共振器型発光ダイオードの光取り出し部及び溝からの光を入射させる光ファイバーと有することを特徴とする光送信モジュール。
【請求項１０】
前記溝は略リング状に形成されており、前記光ファイバーの受光端の直径は前記溝の直径よりも大きいことを特徴とする請求項９に記載の光送信モジュール。
【請求項１１】
前記溝に形成された反射部は、前記半導体発光層からの光に対し凹なる表面で構成されていることを特徴とする請求項９に記載の光送信モジュール。
【請求項１２】
前記反射部は、前記溝の内壁上に設けられた反射膜を有し、前記反射部が、前記溝内に出射した前記半導体発光層からの光を反射するように構成されていることを特徴とする請求項９に記載の光送信モジュール。
【請求項１３】
前記半導体発光層は、発光波長が６２０〜６９０nmであり、Ｉｎ1-x（Ｇａ1-yＡｌy）xＰ系の材料からなる活性層を有することを特徴とする請求項９に記載の光送信モジュール。
【請求項１４】
前記第１電極周辺部の前記第１半導体分布ブラッグ反射型ミラー層、半導体発光層、及び第２半導体分布ブラッグ反射型ミラー層が部分的に除去され、前記半導体発光層、及び第２半導体分布ブラッグ反射型ミラー層の各層を貫通し、第１半導体分布ブラッグ反射型ミラー層に達するように形成された第１の溝の内壁に形成され、かつ前記第１の溝内に出射した前記半導体発光層からの光の一部を反射するように構成される反射部と、少なくとも前記光取り出し部の下に位置する部分を除く前記第１半導体分布ブラッグ反射型ミラー層及び第２半導体分布ブラッグ反射型ミラー層の一部で構成され、第１の溝まで到達するよう構成された高抵抗領域をさらに具備することを特徴とする請求項９に記載の光送信モジュール。
【請求項１５】
前記第１半導体分布ブラッグ反射型ミラー層、及び第２半導体分布ブラッグ反射型ミラー層は、Ａｌ組成の高い半導体層を有し、前記高抵抗領域は前記第１の溝から選択的に横方向に酸化されていることを特徴とする請求項１４に記載の光送信モジュール。
【請求項１６】
前記第２半導体分布ブラッグ反射型ミラー層上において前記第１の溝の外側に形成され、前記第１の電極と導体を介して接続されているボンディングパッドをさらに具備することを特徴とする請求項１、２に記載の垂直共振器型発光ダイオード。
【請求項１７】
前記ボンディングパッドと前記導体とは、前記第１の溝と貫通している第２の溝に囲まれていることを特徴とする請求項１６に記載の垂直共振器型発光ダイオード。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月4日(2003.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉛を含む材料でメッキされた電極を有する第１の電子部品を、鉛を含まないハンダを介して配線基板の一方の面に接合し、第２の電子部品を、他方の面からフローハンダ付けを行い前記配線基板に接合することを含み、
前記フローハンダ付けを行う工程以降に、前記第１の電子部品及び前記配線基板の間の接合部を加熱して、前記接合部を溶融させるハンダ付け方法。
【請求項２】
請求項１に記載のハンダ付け方法により、前記配線基板に、前記第１及び第２の電子部品を実装する電子回路モジュールの製造方法。
【請求項３】
鉛を含む材料でメッキされた電極を有する第１の電子部品が、鉛を含まないハンダを介して一方の面に接合されてなる配線基板の、他方の面から、第２の電子部品を接合するフローハンダ付け装置を含み、
前記フローハンダ付け装置には、前記配線基板の前記一方の面側に配置され、前記第１の電子部品及び前記配線基板の間の接合部を溶融させるヒータが設けられてなるハンダ付け装置。
【請求項４】
請求項３記載のハンダ付け装置において、
前記フローハンダ付け装置は、前記配線基板の前記他方の面側に配置されたハンダ供給部を有し、
前記ヒータは、前記ハンダ供給部の上方に配置されてなるハンダ付け装置。
【請求項５】
請求項３記載のハンダ付け装置において、
前記フローハンダ付け装置は、前記配線基板の前記他方の面側に配置されたハンダ供給部を有し、
前記ヒータは、前記配線基板の搬送方向において、前記ハンダ供給部よりも下流側に配置されてなるハンダ付け装置。
【請求項６】
請求項３記載のハンダ付け装置において、
前記フローハンダ付け装置は、前記配線基板の前記他方の面側に配置されたハンダ供給部を有し、
前記ヒータは、前記配線基板の搬送方向において、前記ハンダ供給部からそれよりも下流側にかけて配置されてなるハンダ付け装置。
【請求項７】
請求項３から請求項６のいずれかに記載のハンダ付け装置において、
複数の前記ヒータを有し、
少なくとも１つの前記ヒータは、遠赤外線加熱器であるハンダ付け装置。
【請求項８】
請求項３から請求項７のいずれかに記載のハンダ付け装置において、
ファンをさらに含むハンダ付け装置。
【請求項９】
請求項３から請求項８のいずれかに記載のハンダ付け装置において、
前記第１の電子部品を、前記配線基板の一方の面に接合するリフローハンダ付け装置をさらに含むハンダ付け装置。
【請求項１０】
請求項３から請求項９のいずれかに記載のハンダ付け装置において、
前記フローハンダ付けを行う前に、予め前記接合部を加熱する第２のヒータをさらに含むハンダ付け装置。
【請求項１１】
請求項３から請求項１０のいずれかに記載のハンダ付け装置において、
少なくとも前記フローハンダ付け装置の部分は、チャンバーを有するハンダ付け装置。
【請求項１２】
請求項３から請求項１１のいずれかに記載のハンダ付け装置を含み、前記配線基板に、前記第１及び第２の電子部品を実装する電子回路モジュールの製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月4日(2003.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板を多層構造にした多層基板に直流回路と高周波回路とを形成してなる高周波基板構造であって、
前記直流回路形成部分は前記多層基板の一方の面に設けられた外層及び前記多層基板内に設けられた内層に配線パターンを形成する構造とし、前記高周波回路形成部分は前記外層のみに配線パターンを形成する構造としたことを特徴とする高周波基板構造。
【請求項２】
前記直流回路形成部分の外層と前記高周波回路形成部分の外層を同一層としたことを特徴とする請求項１記載の高周波基板構造。
【請求項３】
前記基板の一方の外層側をグランド層とし、他方の外層側を前記直流回路形成部分及び前記高周波回路形成部分の各外層として用いることを特徴とする請求項１記載の高周波基板構造。
【請求項４】
前記高周波回路は、前記基板の外層に形成されたストリップラインを備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の高周波基板構造。
【請求項５】
前記高周波回路における前記基板の両方の外層を、スルーホールで接続したことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の高周波基板構造。
【請求項６】
前記直流回路における前記基板の各層の間をスルーホールで接続したことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の高周波基板構造。
【請求項７】
前記高周波回路の両側に前記直流回路を設けたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の高周波基板構造。
【請求項８】
前記直流回路の両側に前記高周波回路を設けたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の高周波基板構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明に係わる高周波基板構造は、複数の基板を多層構造にした多層基板に直流回路と高周波回路とを形成してなる高周波基板構造であって、前記直流回路形成部分は前記多層基板の一方の面に設けられた外層及び前記多層基板内に設けられた内層に配線パターンを形成する構造とし、前記高周波回路形成部分は前記外層のみに配線パターンを形成する構造としたことを特徴とする。
また本発明に係わる高周波基板構造では、前記高周波回路に、前記基板の外層に形成されたストリップラインを備えることを特徴とする。