Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月2日(2012.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイヤフラムアクチュエータに用いられるバネ組立体であって、
ダイヤフラム板およびアクチュエータ棒に作用可能に結合された第一のバネと、
前記アクチュエータ棒に作用可能に結合され、前記第一のバネと直列に作用するように構成された第二のバネと、
前記第一のバネと前記第二のバネとの間に配設され、前記第二のバネと一緒に移動するように構成されたバネ座と
を備えてなる、バネ組立体。
【請求項２】
前記第一のバネおよび前記第二のバネがそれぞれ異なるバネ定数を有してなる、請求項１に記載のバネ組立体。
【請求項３】
前記第一のバネおよび前記第二のバネは、前記アクチュエータ棒の第一の移動距離の間、前記第一のバネにより生成される力が変化するものの、前記第二のバネにより生成される力が、実質的に一定であり、前記第一のバネにより生成される力に対抗するように構成されてなる、請求項２に記載のバネ組立体。
【請求項４】
前記第一のバネおよび前記第二のバネは、前記第一の距離に加えて前記アクチュエータ棒の第二の移動距離の間、前記第二のバネにより生成される力が変化するものの、前記ダイヤフラム板に加えられる総合力が、前記第二のバネにより生成される力と前記第一のバネにより生成される力との合計に基づくように構成されてなる、請求項３に記載のバネ組立体。
【請求項５】
前記移動可能なバネ座の移動の範囲を制限するための機械的な停止部をさらに備えてなる、請求項４に記載のバネ組立体。
【請求項６】
前記第二のバネが予負荷を加えるように構成されてなる、請求項５に記載のバネ組立体。
【請求項７】
前記第一のバネおよび前記第二のバネの各々が圧縮バネから構成されてなる、請求項６に記載のバネ組立体。
【請求項８】
前記アクチュエータ棒と作用可能に係合し、前記第一のバネおよび前記第二のバネと直列に作用するように構成された第三のバネと、前記第二のバネと前記第三のバネとの間に配設され、前記第三のバネと一緒に移動するように構成された第二のバネ座とをさらに備えてなる、請求項７に記載のバネ組立体
【請求項９】
前記アクチュエータ棒の第一の移動距離の間、前記第一のバネおよび前記第二のバネが第一の有効バネ定数を呈し、前記アクチュエータ棒の第二の移動距離の間、前記第一のバネおよび前記第二のバネが第二の有効バネ定数を呈するよう、前記第一のバネおよび前記第二のバネが直列に作用するように構成されてなる、請求項１に記載のバネ組立体。
【請求項１０】
バネ組立体であって、
移動可能なバネ座に作用可能に結合された第一のバネと、
前記移動可能なバネ座に作用可能に結合され、前記第一のバネと直列に作用するように構成された第二のバネと
を備え、
前記第一のバネおよび前記第二のバネは、前記移動可能なバネ座の第一の移動距離の間、前記第一のバネにより生成される力が変化するものの、前記第二のバネにより生成される力が、実質的に一定であり、前記第一のバネにより生成される力に対抗するように構成されてなるバネ組立体。
【請求項１１】
前記第一のバネおよび前記第二のバネがそれぞれ異なるバネ定数を有してなる、請求項１０に記載のバネ組立体。
【請求項１２】
前記第一のバネおよび前記第二のバネは、前記第一の移動距離に加えて第二の移動距離の間、前記第二のバネにより生成される力が変化するように構成されてなる、請求項１１に記載のバネ組立体。
【請求項１３】
前記移動可能なバネ座が前記第一のバネと前記第二のバネとの間にある、請求項１２に記載のバネ組立体。
【請求項１４】
前記移動可能なバネ座の移動の範囲を制限するための機械的な停止部をさらに備えてなる、請求項１３に記載のバネ組立体。
【請求項１５】
ダイヤフラムアクチュエータであって、
ダイヤフラム板およびアクチュエータ棒に作用可能に結合された第一のバネと、
前記アクチュエータ棒に作用可能に結合された第二のバネと、
前記第一のバネと前記第二のバネとの間に配設された移動可能なバネ座と
を備え、
前記第一のバネおよび前記第二のバネは、前記アクチュエータ棒の第一の移動距離の間、前記第一のバネにより生成される力が変化するものの、前記第二のバネにより生成される力が、実質的に一定であり、前記第一のバネにより生成される力に対抗するように構成されてなるダイヤフラムアクチュエータ。
【請求項１６】
前記アクチュエータ棒の第一の移動距離の間、前記第一のバネおよび前記第二のバネが第一の有効バネ定数を呈し、前記アクチュエータ棒の第二の移動距離の間、前記第一のバネおよび前記第二のバネが第二の有効バネ定数を呈するように、前記第一のバネおよび前記第二のバネが直列に作用するように構成されてなる、請求項１５に記載のダイヤフラムアクチュエータ。
【請求項１７】
第一の有効バネ定数が第二の有効バネ定数よりも小さい、請求項１６に記載のダイヤフラムアクチュエータ。
【請求項１８】
前記第一のバネおよび前記第二のバネが圧縮バネから構成されてなる、請求項１７に記載のダイヤフラムアクチュエータ。
【請求項１９】
前記移動可能なバネ座の動作の範囲を制限するための機械的な停止部をさらに備えてなる、請求項１８に記載のダイヤフラムアクチュエータ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月7日(2011.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バインダーポリマーを含む第１ドメイン；ならびに
該第１ドメインと直接接触し、
ａ）メルカプト置換有機物質およびそれらのダイマー類、トリマー類、オリゴマー類、またはポリマー類；
ｂ）チオ置換有機物質およびそれらのダイマー類、トリマー類、オリゴマー類、またはポリマー類；
ｃ）有機ホスホン酸のダイマー、トリマー、オリゴマー、もしくはポリマー、またはそれらの塩もしくはエステル；
ｄ）ａ）、ｂ）、またはｃ）のいずれかの組み合わせ；
ｅ）メルカプト置換有機物質および固有導電性ポリマーの塩；
ｆ）チオ置換有機物質および固有導電性ポリマーの塩；ならびに
ｈ）ａ）〜ｆ）のいずれかの組み合わせ；
からなる群から選択される腐食応答剤を含む第２ドメイン；
を含む、腐食を受けやすい金属の表面のための耐腐食性コーティング。
【請求項２】
第１ドメインが実質的に腐食応答剤を含まない、請求項１に記載のコーティング。
【請求項３】
第２ドメインが腐食応答剤を臨界顔料体積濃度より高い量で含有する、請求項１または２に記載のコーティング。
【請求項４】
金属表面と耐腐食性コーティングとの間に位置するクロム化成被覆をさらに有する、請求項１〜３の何れか１項に記載のコーティング。
【請求項５】
金属表面と耐腐食性コーティングとの間に位置するポリ［ビス（２，５−（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラアルキル）アミン）−１，４−フェニレンビニレン］（ＢＡＭＰＰＶ）の層をさらに有する、請求項１〜３の何れか１項に記載のコーティング。
【請求項６】
第１ドメインおよび第２ドメインが隣接する層である、請求項１〜５の何れか１項に記載のコーティング。
【請求項７】
第１ドメインおよび第２ドメインが、第１ドメインおよび第２ドメインのそれぞれの多数の別個であるが接触しているかまたは重なり合っている領域を含む単一の層を一緒に形成している、請求項１〜５の何れか１項に記載のコーティング。
【請求項８】
第１ドメインおよび第２ドメインが隣接する層であり、第１ドメイン層がクロム化成被覆と直接接触しており、クロム化成被覆を第１ドメイン層を覆う第２ドメイン層から隔てている、請求項４に記載のコーティング。
【請求項９】
コーティングが第１ドメイン層と第２ドメイン層との追加の順序を少なくとも１つ含み、第１ドメインの最上層をさらに有する、請求項８に記載のコーティング。
【請求項１０】
第１ドメインおよび第２ドメインが第１ドメインおよび第２ドメインのそれぞれの多数の別個であるが接触しているかまたは重なり合っている領域を含む単一の層を一緒に形成しており、コーティングがバリヤー層によりクロム化成被覆から分離され、隔てられている、請求項４に記載のコーティング。
【請求項１１】
腐食応答剤がポリ（２，５−ジメルカプト−１，３，４−チアジアゾール）（ポリＤＭｃＴ）を含む、請求項１〜１０の何れか１項に記載のコーティング。
【請求項１２】
腐食応答剤がポリアニリンおよび２，５−ジメルカプト−１，３，４−チアジアゾールの塩（ＰＡＮｉＤＭｃＴ）を含む、請求項１〜１０の何れか１項に記載のコーティング。
【請求項１３】
硬化してバインダーポリマーを含む第１ドメインを形成する配合物；ならびに
ａ）メルカプト置換有機物質およびそれらのダイマー類、トリマー類、オリゴマー類、またはポリマー類；
ｂ）チオ置換有機物質およびそれらのダイマー類、トリマー類、オリゴマー類、またはポリマー類；
ｃ）有機ホスホン酸のダイマー、トリマー、オリゴマー、もしくはポリマー、またはそれらの塩もしくはエステル；
ｄ）ａ）、ｂ）、またはｃ）のいずれかの組み合わせ；
ｅ）メルカプト置換有機物質および固有導電性ポリマーの塩；
ｆ）チオ置換有機物質および固有導電性ポリマーの塩；ならびに
ｈ）ａ）〜ｆ）のいずれかの組み合わせ；
からなる群から選択される腐食応答剤を含み、硬化して第２ドメインを形成する配合物；
を金属に塗布することを含み、
ここで、硬化してバインダーポリマーを含む第１ドメインを形成する該液体配合物の塗布および硬化して第２ドメインを形成する該液体配合物の塗布は、順次または同時である、
金属の表面を腐食から保護する方法。
【請求項１４】
金属が鉄、鋼鉄およびアルミニウムから選択される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
金属が銅を含有するアルミニウム合金である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
塗布工程が耐腐食性コーティングの塗布の前にクロム化成被覆を金属表面に直接塗布することを含む、請求項１３〜１５の何れか１項に記載の方法。
【請求項１７】
塗布工程が耐腐食性コーティングの塗布の前にポリ［ビス（２，５−（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラアルキル）アミン）−１，４−フェニレンビニレン］（ＢＡＭＰＰＶ）の層を金属表面に直接塗布することを含む、請求項１３〜１５の何れか１項に記載の方法。
【請求項１８】
塗布工程が、硬化して第１ドメイン層を形成する液体配合物を金属表面に塗布し、次いで硬化して第２ドメイン層を形成する液体配合物を該第１ドメイン層に塗布することを含む、請求項１３〜１５の何れか１項に記載の方法。
【請求項１９】
硬化して第１ドメイン層を形成する液体配合物を第２ドメイン層に塗布し、次いで硬化して第２ドメイン層を形成する液体配合物を該第１ドメイン層に塗布するという少なくとも１つの順序と、硬化して一番上の第１ドメイン層を形成する液体配合物を最後の第２ドメイン層に塗布することとをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
２個のノズルからのスプレーパターンが金属表面で重なり合って、第１ドメインおよび第２ドメインのそれぞれの多数の別個であるが接触しているかまたは重なり合っている領域を含む単一の層コーティングを形成するように向けられた別々の各ノズルから、硬化して第１ドメインを形成する液体配合物および硬化して第２ドメインを形成する液体配合物を金属表面上にスプレーすることによりコーティングが塗布される、請求項１３〜１９の何れか１項に記載の方法。
【請求項２１】
塗布工程が約０．０１５ｍｍ〜０．０２５ｍｍの間の厚さを有するコーティングの形成をもたらす、請求項１３〜２０の何れか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月2日(2012.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
万力、クランプまたは同種の保持装置のためのアクセサリ（１）であって、好ましくは１対で使用され、保持装置と共に少なくとも１つの物体の一時的な一時的な取り付けに使用され、該アクセサリ（１）は少なくとも１つの溝（３）および少なくとも１つの取り付け装置（４）を備えたボディ（２）を有し、該溝（３）は少なくとも１つのアーチ形状の接触面（５）を有しているアクセサリ。
【請求項２】
該溝（３）の長さは少なくとも２ミリメートルであり、該溝はアーチ形状の少なくとも１の接触面（５）および１つの接触面（６）を有する、請求項１記載のアクセサリ。
【請求項３】
該アーチ形状は例えばシリンダーのセグメントの外側の曲線で作られる、請求項１または２記載のアクセサリ。
【請求項４】
該アーチ形状は楕円形状から作られる、請求項１から３のいずれか１項記載のアクセサリ。
【請求項５】
該溝（３）はくぼみ（７）を備えている、請求項１から４のいずれか１項記載のアクセサリ。
【請求項６】
該くぼみ（７）は本質的に丸い形状である、請求項４記載のアクセサリ。
【請求項７】
該取り付け装置（４）は少なくとも１つの磁性体ボディを有する、請求項１から６のいずれか１項記載のアクセサリ。
【請求項８】
該アクセサリは比較的より大きな物体を保持するために意図される少なくとも１つの第一の溝（３）、およびより小さな物体を保持するための第二の溝（１０）を備えている、請求項１から７のいずれか１項記載のアクセサリ。
【請求項９】
該アクセサリは、少なくとも１つのリムによって柔軟とされる、請求項１から８のいずれか１項記載のアクセサリ。
【請求項１０】
該接触面５は本質的に点９のまわりに環状に広がる（丸い）ものである、請求項１から９のいずれか１項記載のアクセサリ。
【請求項１１】
該アーチ形状の接触面５および６は、点９で互いに収束する、請求項１から１０のいずれか１項記載のアクセサリ。
【請求項１２】
該アーチ形状の接触面５および６は、くぼみ７を介して、点９で互いに収束する、請求項１から１１のいずれか１項記載のアクセサリ。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年9月28日(2012.9.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内燃機関のハウジングに回転自在に軸支されたカムシャフトと、前記カムシャフト上に回転方向に固定され軸方向に移動可能に導かれる少なくとも１つのカムキャリヤと、前記カムキャリヤを回転可能に軸支する軸受とを備えた内燃機関の動弁装置において、
軸受（２６）は内燃機関のハウジングに関してカムシャフト（２）の軸方向に移動可能であり、
軸受（２６）はカムキャリヤ（３，４）とともに移動可能であること
を特徴とする動弁装置。
【請求項２】
装置（１９）によってカムキャリヤ（３，４）および軸受（２６）を軸方向に移動することを特徴とする請求項１に記載の動弁装置。
【請求項３】
軸受（２６）は滑り軸受であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の動弁装置。
【請求項４】
軸受（２６）は転がり軸受であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の動弁装置。
【請求項５】
軸受（２６）はカムキャリヤ（３，４）の対向する２つの境界面の間に挿入され、境界面の間隔は軸受（２６）の幅に一致することを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の動弁装置。
【請求項６】
カムキャリヤ（３，４）には複数のカム（１３，１４，１５）および／またはカムプロフィールを有する少なくとも１つのカム群またはカムプロフィール群（５，６）が含まれ、かつ軸受（２６）は少なくとも２つの分離した移動位置に停止可能であり、移動位置の間隔はカム（１３，１４，１５）および／またはカムプロフィールの中心間隔に一致することを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の動弁装置。
【請求項７】
少なくとも１つのカム群またはカムプロフィール群（５，６）には３つの異なったカム（１３，１４，１５）および／またはカムプロフィールが含まれ、かつ軸受（２６）は３つの分離した移動位置に停止可能であり、移動位置の間隔はカム（１３，１４，１５）および／またはカムプロフィールの中心間隔に一致することを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の動弁装置。
【請求項８】
カムキャリヤ（３，４）には両カム群または両カムプロフィール群（５，６）が含まれ、かつ軸受（２６）は両カム群または両カムプロフィール群（５，６）に隣接することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の動弁装置。
【請求項９】
軸受（２６）は少なくともカムキャリヤ（３，４）の移動の間はカム群またはカムプロフィール群（５，６）軸方向境界面に対向する軸受端面のうちの一つが軸方向境界面に密着することを特徴とする請求項８に記載の動弁装置。
【請求項１０】
軸受（２６）の対向する軸受端面の直径はカム（１３，１４，１５）および／またはカムプロフィールの基礎円の直径よりも小さいことを特徴とする請求項９に記載の動弁装置。
【請求項１１】
軸受（２６）には、内燃機関のハウジングに回転方向に固定で取り付けられカムシャフト（２）の軸方向には移動可能な軸受ブッシュ（２９）が含まれることを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の動弁装置。
【請求項１２】
軸受ブッシュ（２９）の内周面はカムシャフト（２）と同軸であり、軸受ブッシュ（２９）の外周面はカムシャフト（２）と同軸でないことを特徴とする請求項１１に記載の動弁装置。
【請求項１３】
少なくとも２つの潤滑剤通路（３３，３４，３５）が軸受ブッシュ（２９）を貫通し、軸受ブッシュ（２９）の内周面および外周面に通じることを特徴とする請求項１２に記載の動弁装置。
【請求項１４】
軸受ブッシュ（２９）の外周面における潤滑剤通路（３３，３４，３５）の注入口の間隔はカム（１３，１４，１５）および／またはカムプロフィールの中心間隔に一致することを特徴とする請求項１３に記載の動弁装置。
【請求項１５】
軸受（２６）用の軸方向案内（２７，２８，３０）が内燃機関のハウジングに取り付けられることを特徴とする請求項１ないし請求項１４のいずれか１項に記載の動弁装置。
【請求項１６】
カムキャリヤ（３，４）は軸受（２６）に作用するデテント機構によって、間隔がカム（１３，１４，１５）および／またはカムプロフィールの中心間隔に一致する分離した移動位置に停止可能であることを特徴とする請求項１ないし請求項１５のいずれか１項に記載の動弁装置。
【請求項１７】
カムキャリヤ（３，４）は内燃機関またはカムシャフト（２）のハウジング内において対向する最も外側の移動位置においてデテント機構（３７）により制限されることを特徴とする請求項１６に記載の動弁装置。
【請求項１８】
デテント機構（３７）は潤滑剤通路（３３，３４、３５）の注入口の角度間隔で配置されることを特徴とする請求項１６または請求項１７に記載の動弁装置。
【請求項１９】
請求項１ないし請求項１８のいずれか１項に記載された少なくとも１つの動弁装置を備えることを特徴とする内燃機関。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】全図
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図１】
2010520394.tif 000001
【図２】
2010520394.tif 000002
【図３】
2010520394.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月25日(2011.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直列につながれた複数のセルを持つバッテリスタックを監視する監視モジュールを含む装置であって、監視モジュールは： 
バッテリスタックのセルの少なくとも部分集合である対応するセルのセル電圧をサンプリングするサンプリング回路； 
セルの部分集合に相当するセルからサンプリングされたセル電圧を受け取りそのサンプリングされたセル電圧を表す少なくとも一つの読み出し信号を提供する読み出し回路； 
制御信号に応じて、同時サンプリング命令をサンプリング回路に提供しサンプリング回路に連続読み取り命令を提供するモジュール制御ユニットを含むものである、前記装置。
【請求項２】
各サンプリング回路がスイッチドキャパシタサンプリング回路を含む、請求項１に記載の装置。 
【請求項３】
読み出し回路が隣接する監視モジュールからの読み出し信号を受け取るように構成される、請求項１に記載の装置。 
【請求項４】
読み出し回路が監視モジュール電圧の範囲内のアナログ読み出し信号として読み出し信号を提供するように構成される、請求項１に記載の装置。 
【請求項５】
モジュール制御ユニットが監視モジュール電圧の範囲内でディジタル制御信号の形で制御信号を受け取る、請求項１に記載の装置。 
【請求項６】
監視モジュールがバッテリスタック内のセルの部分集合によって電源供給される、請求項１に記載の装置。 
【請求項７】
監視モジュールが隣接する監視モジュールに制御信号を供給するように構成される、請求項１に記載の装置。 
【請求項８】
読み出し回路が隣接する監視モジュールまたはシステム制御ユニットに読み出し信号を供給するように構成される、請求項１に記載の装置。 
【請求項９】
セルの部分集合内のセルバランスを監視および制御するセルバランス回路をさらに含む、請求項１に記載の装置。 
【請求項１０】
温度センサーを監視し温度を表す読み出し信号を提供するする回路をさらに含む、請求項１に記載の装置。 
【請求項１１】
監視モジュールが制御信号に応じて少なくとも一つの制御機能を果たすように構成される、請求項１に記載の装置。 
【請求項１２】
監視モジュールが休止期間中に低電力モードで動作するように構成される、請求項１に記載の装置。 
【請求項１３】
監視モジュールが正常な機能を検証する一つ以上の診断動作を果たすように構成される、請求項１に記載の装置。 
【請求項１４】
請求項１に記載の装置であって： 
バッテリスタック内のセルの各部分集合を監視し、一つ以上の制御信号に応じてセルの各部分集合のセル電圧を測定し、そのセル電圧を表す少なくとも一つ以上の読み取り信号を提供する監視モジュールであって、セルの各部分集合の電圧が各監視モジュールに参照されるようにスタックに電気的につながれ、制御信号および読み取り信号はスタックの監視モジュールを通してつながれる、監視モジュールを含む監視モジュールに制御信号を提供し、監視モジュールから読み取り信号を受け取るシステム制御ユニットをさらに含む、前記装置。 
【請求項１５】
読み出し信号がサンプリングされたセル電圧を表す差動電流読み出し信号から成る、請求項１４に記載の装置。 
【請求項１６】
読み出し信号がサンプリングされたセル電圧を表すアナログ読み出し信号から成る、請求項１４に記載の装置。 
【請求項１７】
直列につながれた複数のセルを持つバッテリスタックを監視する方法であって： 
バッテリスタック内のセルの各部分集合を監視する１つまたは２つ以上の監視モジュールを提供すること； 
セルの各部分集合の電圧を各監視モジュールに参照させること； 
制御信号および読み出し信号を監視モジュールを通して直列につなぐこと； 
を含む、前記方法。 
【請求項１８】
制御信号およびリード信号を監視モジュールを通して直列につなぐことが、バッテリスタックの各セルの監視される電圧を示す差動電流読み出し信号を供給することを含む、請求項１７に記載の方法。 
【請求項１９】
制御信号および読み出し信号を監視モジュールを通して直列につなぐことが、バッテリスタック各セルの監視された電圧を表すアナログ読み出し信号を供給することを含む、請求項１７に記載の方法。 
【請求項２０】
バッテリスタック内のセルのセルバランスを制御することをさらに含む、請求項１７に記載の方法。 
【請求項２１】
制御信号に応じて一つ以上の制御機能を果たすことをさらに含む、請求項１７に記載の方法。 
【請求項２２】
休止期間中に監視モジュールを低電圧モードで動作させることをさらに含む、請求項１７に記載の方法。 
【請求項２３】
請求項１７〜２２のいずれか１項に記載の方法であって： 
バッテリスタック内のセルの各部分集合を監視させるために一つ以上の監視モジュールを提供すること； 
一つ以上の監視モジュールと共にバッテリスタック内のセルのセル電圧を同時にサンプリングすること； 
バッテリスタック内のセルのサンプリングされたセル電圧を連続して読み出し、サンプリングされたセル電圧を表す少なくとも一つの読み出し信号を提供すること； 
を含む、前記方法。 
【請求項２４】
セル電圧を同時にサンプリングすることが、スイッチドキャパシタサンプリング回路を用いてセル電圧をサンプリングすることを含む、請求項２３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月7日(2011.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その後の試験のために、生検の部位における組織、細胞、又は薬物及び治療活性物質を含む検体をｉｎ  ｖｉｖｏで濃縮するための生検装置であって、該装置及び該装置の一部は好ましくは元素周期表の第１０族又は第１１族からの金又は金属で電気めっきされる、生検装置。
【請求項２】
前記装置又は該装置の一部が、蒸発法を用いて、元素周期表の第１０族又は第１１族からの金属で修飾される、請求項１に記載の生検装置。
【請求項３】
前記装置又は該装置の一部が、セラミック法を用いて、元素周期表の第１０族又は第１１族からの金属で修飾される、請求項１に記載の生検装置。
【請求項４】
前記装置又は該装置の一部が、セメンテーション法を用いて、元素周期表の第１０族又は第１１族からの金属で修飾される、請求項１に記載の生検装置。
【請求項５】
前記表面が陽極酸化を用いてさらに修飾される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の生検装置。
【請求項６】
前記装置又は該装置の一部がナノ技術を用いて処理されないか、又はナノ技法によって得られるナノ構造を特徴としない、請求項１〜５のいずれか一項に記載の生検装置。
【請求項７】
その後の培養又は試験のために、少なくとも生検の部位における幹細胞及び薬物及び治療活性物質をｉｎ  ｖｉｖｏで濃縮するための生検装置であって、該装置又は該装置の一部がコラーゲンパッドで修飾される、生検装置。
【請求項８】
０．０１ｍｍ〜１０ｍｍ、又は０．１ｍｍ〜２ｍｍ、又は０．２５ｍｍ〜０．８ｍｍの範囲の直径を有するシリンダ又は管のような外形を有する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の生検装置。
【請求項９】
前記装置の長さが０．５ｍｍ〜３００ｍｍ、又は１０ｍｍ〜１００ｍｍ、又は２５ｍｍ〜８０ｍｍであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の生検装置。
【請求項１０】
前記生検装置の寸法又はコア材料がスプリングワイヤ、可撓性プラスチックロッド、カテーテル及び／又はステントであることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の生検装置。
【請求項１１】
前記表面が陽極酸化を用いてさらに修飾される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の生検装置。
【請求項１２】
抗体、その一部、或いは生検の部位における対象の組織、細胞又は検体に対し高い結合親和力を有する他の配列から成る群から選択される特異的リガンドで修飾される、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の生検装置。
【請求項１３】
インプリント法を用いてさらに修飾されて標的に対して対応する結合構造として働く表面を有する、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の生検装置。
【請求項１４】
規定の期間、動物又はヒトの体内に配置されることができ、ｉｎ  ｖｉｖｏでの配置場所が固形組織、又は腹膜もしくは子宮もしくは胃腸管のような体腔、又は動脈もしくは静脈もしくは尿管もしくはリンパ管もしくは総胆管もしくは膵管もしくは脊柱管のような管腔である、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の生検装置。
【請求項１５】
ｉｎ  ｖｉｖｏでの期間が対象物質の濃度及び前記リガンドと該対象物質との間の結合親和力によって決まる、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の生検装置。
【請求項１６】
磁性があり、磁性粒子を吸着することができる、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の生検装置。
【請求項１７】
ｉｎ  ｖｉｖｏでの期間が、対象物質の濃度及び前記コラーゲンパッドと前記対象物質との間の結合親和力によって決まる、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の生検装置。
【請求項１８】
ｉｎ  ｖｉｖｏでの期間が、対象物質の濃度及び前記装置の先端のインプリント構造と前記対象物質との間の結合親和性によって決まる、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の生検装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年5月21日(2012.5.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
従来技術の上述した欠点に対処するために、本発明は光導波路型変調器を提供する。一実施形態では、この光導波路型変調器は、半導体平面光導波路コアと、このコアの両側に隣接して配置され、このコアの両端間に電圧を印加することができるドープ半導体接続パスとを含み、この光導波路コアおよび接続パスは、連続したＰＮ半導体接合部を有する構造を形成する。別の実施形態では、この光導波路型変調器は、少なくとも１つのＰＮ半導体接合部がその中に配置された突条部分を有する半導体光導波路コアを含む。この光導波路型変調器はまた、突条部分の横に隣接して配置され、突条部分に電圧を印加することができる１つまたは複数のドープ半導体接続パスも含む。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
別の態様では、本発明は半導体平面光導波路の動作方法を提供する。この方法は、導波路の半導体光導波路コア中に光信号を送り込むステップを含む。この方法はまた、コアに沿って光信号が伝播している間、連続したＰＮ半導体接合部付近のキャリア密度が変調されるように、コアの幅または高さの両端間に印加される電圧を変調するステップであって、各ＰＮ半導体接合部の一部分がコア中に配置されるステップも含む。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
図示の実施形態では、半導体光導波路コア２０５は、図示の通り光導波路コア２０５の両側に隣接して配置された連続したＰＮ半導体接合部２０６、２０７を含む。一般に、この連続したＰＮ半導体接合部は、使用される特定の極性または電荷濃度にとって有利とみなされるかどうかに応じて、光導波路コア２０５中の中心寄りに配置することができ、あるいは光導波路コア２０５中に非対称に配置することさえもできる。連続したＰＮ半導体接合部２０６、２０７は、印加された電気的変調信号に対応する電界によってアクティブ化される領域をもたらすように構成されている。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
次に図２Ｂに移ると、図２Ａの光導波路型変調器２００に使用することができる、全体として２４０で示される電気的等価物の図が示されている。電気的等価物２４０は、第１および第２の端子２５０ａ、２５０ｂを有する、接続された第１および第２の連続した半導体ダイオード２４５ａ、２４５ｂを含む。第１および第２の連続した半導体ダイオード２４５ａ、２４５ｂは、光導波路型変調器２００のドーパントに対応して向きが定められる。図示の通り、第１の端子２５０ａと第２の２５０ｂの間に電気信号発生器２５５を接続することができる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
次に図３Ａに移ると、本発明の諸原理に従って構築された、全体として３００で示される半導体光導波路型変調器の一代替実施形態の断面図が示されている。この断面図は、図１に示す光導波路型変調器１００の中心を貫いた切断面を表す。光導波路型変調器３００は半導体光導波路コア３０５を含み、このコア３０５は突条領域を有するとともに、交互にドープされた領域３０６、３０７、３０８を含み、これらの領域は半導体光導波路コア３０５内で連続したＰＮ接合部３１１、３１２を形成する。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
光導波路型変調器３４０は、図示の通り、連続したＰＮ半導体接合部３４６、３４７を使用しており、このＰＮ半導体接合部３４６は、第１の半導体スラブＡと半導体光導波路コア３４５の側部との間に含まれる。第１の電極３６０を含む第１の高ドープ半導体接続パス３５０が、ＰＮ半導体接合部３４６に結合されている。ＰＮ半導体接合部３４７は、第２の半導体スラブＢと半導体光導波路コア３４５の頂部部分との間に含まれる。第２の電極３６５を含む第２の高ドープ半導体接続パス３５５が、ＰＮ半導体接合部３４７に結合されている。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
一実施形態では、半導体光導波路コアは、例えば図２Ａに示すように電界によってアクティブ化される領域をもたらす、光導波路コアの両側に隣接して配置された連続したＰＮ半導体接合部を含む。この連続したＰＮ半導体接合部は、半導体光導波路コア中にＰ型ドーパントを含み、この光導波路コアは、バイアス電圧が０の状態において、光導波路コアの少なくとも一部分内に、１立方センチメートル当たり１×１０１５〜８×１０１７電荷の範囲内の電荷キャリア濃度をもたらすことができる。この濃度は、適用されるデバイスの幾何形状および予想される駆動電圧によって変わる。それに対応して、光コアへの接続パスにＮ型ドーパントが使用され、これらの接続パスは電気的変調信号を搬送することができる。これらの接続パスでは、バイアス電圧が０の状態において、平均電荷キャリア濃度を１立方センチメートル当たり少なくとも１×１０１９電荷とすることができる。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
あるいは、連続したＰＮ半導体接合部は、光導波路コア中にＮ型ドーパントを含み、電気的変調信号に対する電流を光コアに／光コアから運ぶ接続パス中にＰ型ドーパントを含むこともできる。これらの諸実施形態では、電荷キャリア濃度は、正孔濃度と電子濃度が置き換えられること以外は、同様の値および分布を有することができる。さらに、いくつかの諸実施形態では、連続したＰＮ半導体接合部の少なくとも１つは、ＰＮ半導体接合部領域において真性半導体層、または絶縁層すなわち非ドープのＳｉ層またはシリカガラス層を含むこともできる。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
次いで、電界によってアクティブ化される領域が、ステップ６２０で電気的変調信号に対応して変調される。一実施形態では、連続したＰＮ半導体接合部同士が協働して、光信号中で電気的変調信号の周波数２倍化をもたらす。電気的変調信号が連続したＰＮ半導体接合部のそれぞれ１つに交互に逆バイアスをかけたとき、この状態が生じる。交流の電気的変調信号の印加中に連続したＰＮ半導体接合部の１つに連続的に逆バイアスがかけられている状態にあるときには、光信号における電気的変調信号の周波数２倍化は得られない。この実施形態において、電界によってアクティブ化される領域を変調する間、単一のＰＮ半導体接合部が連続的な逆バイアス状態を維持しているときも同様である。方法６００はステップ６２５で終了する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月24日(2012.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
2θ = 5.4、7.4、7.7、8.1、8.6、8.9、10.2、12.5、13.8、17.1、17.8、18.2、18.5、19.4、19.9、20.8、22.4、23.2、24.2および25.6°にX線粉体回折ピークを有する式1の化合物の結晶形態(D1)またはその水和物：
【化１】
2010520273.tif 000001
。
【請求項２】
結晶形態D1が、2θ = 6.8、10.8、14.8、16.2、21.8、25.1、26.1、27.2、27.8、28.5および30.4°に強度の弱いX線粉体回折ピークをさらに有する、請求項1に記載の結晶形態D1 またはその水和物。
【請求項３】
結晶形態D1が、約179.6、169.1、162.5、140.0、138.0、133.8、131.9、129.6、126.0、119.2、114.7、73.6、71.2、69.9、48.0、45.5、43.2、29.0、28.6、24.2および22.2 ppmに固相13C NMRシグナルを示す、請求項1に記載の結晶形態D1またはその水和物。
【請求項４】
2θ = 5.6、8.5、10.9、11.4、14.3、14.9、18.2、18.7、19.0、19.7、22.4および22.9°にX線粉体回折ピークを有する、式1の化合物の結晶形態(D2)またはその水和物：
【化２】
2010520273.tif 000002
。
【請求項５】
結晶形態D2が、9.0および11.8°(w)に強度の弱いX線粉体回折ピークをさらに有する、請求項4に記載の結晶形態D2 またはその水和物。
【請求項６】
結晶形態D2が、約183.3、170.3、164.0 (幅広)、138.1 (幅広)、136.0、131.7、125.7、121.8、120.2、73.0 (幅広)、44.3 (幅広)、29.1および24.6 ppmに固相13C NMRシグナルを示す、請求項4に記載の結晶形態D2 またはその水和物。
【請求項７】
式1の化合物の天然形態をアルコール/テトラヒドロフラン/水の混合物に懸濁し、懸濁液を0〜60℃の温度で攪拌することを含んでなる、請求項1に記載の新規な結晶形態D1の製造方法：
【化３】
2010520273.tif 000003
。
【請求項８】
アルコール、テトラヒドロフランおよび水を1 : 1 : 8の容量比で混合する、請求項7に記載の方法。
【請求項９】
式1の化合物の天然形態をアルコール/塩化メチレン/水の混合物に懸濁し、懸濁液を0 - 40℃の温度で攪拌することを含んでなる、請求項4に記載の新規な結晶形態D2の製造方法：
【化４】
2010520273.tif 000004
。
【請求項１０】
アルコール、塩化メチレンおよび水を10 : 3 : 30の容量比で混合する、請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記アルコールがC1-C6低級アルコールである、請求項7〜10のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記アルコールがメタノールである、請求項11に記載の方法。
【請求項１３】
請求項1〜6のいずれか一項に記載の結晶形態D1もしくはD2またはその水和物を活性成分として含んでなる、低密度リポタンパク質(LDL)のレベルを減少させるための医薬組成物。
【請求項１４】
低密度リポタンパク質(LDL)のレベルを減少させるための、請求項13に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月26日(2011.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動物性製品の衛生化方法であって：
動物の体の外層に、少なくとも１種の微生物を標的とするファージを適用すること；および、
該外層を動物の体の残りの部分から取ること、
を含む、上記方法。
【請求項２】
前記適用が、前記ファージを含む乾燥組成物及び前記ファージを含む液体組成物のうちの少なくとも１つを該外層に適用することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記適用が、該外層にコーティングを実質的に浸透させることを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記適用が、加圧下で前記ファージを該外層に適用することを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記適用が、該外層を動物の体の残りの部分から取る前に、又は該外層を動物の体の残りの部分から取った後に、前記ファージを動物の該外層に適用することを含む、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記適用が、該外層を動物の体の残りの部分から取る間に、前記ファージを動物の該外層に適用することを含む、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記適用が、該外層の外表面および内表面に前記ファージを適用することを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記適用が、動物の体の残りの部分に前記ファージを適用することをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
該外層を洗浄することまたは衛生化することを含む、請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記洗浄または衛生化が前記適用の前に行われるか、又は前記洗浄または衛生化が前記適用と同時に実行される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記洗浄または衛生化が、少なくとも１種の微生物が増殖するための少なくとも１つのリザーバーを該外層から除去することを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記適用が、該外層を保存する工程の一部として実行される、請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記適用が、該外層を保存する工程の少なくとも１つの条件に対して耐性を有するように選択されたファージを適用することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記適用が、溶菌性ファージ及び溶原性ファージのうちの少なくとも１つを適用することを含む、請求項１〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれかに記載の方法により製造された動物の体の外層。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月17日(2011.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
【化１】
2011500819.tif 000001
の化合物、または該化合物の溶媒和物、水和物、互変異性体、もしくは製薬上許容できる塩類。
【請求項２】
請求項１に記載の化合物と、製薬上許容できる担体と、を含む医薬組成物。
【請求項３】
有効成分として請求項１に記載の化合物を含むことを特徴とする、被験体の適切な細胞内でアデノシンＡ２ａ受容体に拮抗することにより寛解する疾患を有する被験体を治療するための製薬学的製剤。
【請求項４】
有効成分として請求項１に記載の化合物を含むことを特徴とする、被験体の適切な細胞内でアデノシンＡ２ａ受容体に拮抗することにより寛解する疾患を予防するための製薬学的製剤。
【請求項５】
治療的に有効な用量の請求項１に記載の化合物を被験体に投与するための、請求項３に記載の製剤。
【請求項６】
予防的に有効な用量の請求項１に記載の化合物を被験体に投与するための、請求項４に記載の製剤。
【請求項７】
疾患が、神経変性疾患又は運動性疾患である、請求項３に記載の製剤。
【請求項８】
疾患が、パーキンソン病、ハンチントン病、多系統萎縮症、大脳皮質基底核変性症、アルツハイマー病、及び老年性認知症からなる群から選択される、請求項３に記載の製剤。
【請求項９】
疾患が、神経変性疾患又は運動性疾患である、請求項４に記載の製剤。
【請求項１０】
疾患が、パーキンソン病、ハンチントン病、多系統萎縮症、大脳皮質基底核変性症、アルツハイマー病、及び老年性認知症からなる群から選択される、請求項４に記載の製剤。
【請求項１１】
疾患が、パーキンソン病である、請求項３に記載の製剤。
【請求項１２】
疾患が、嗜癖である、請求項３に記載の製剤。
【請求項１３】
疾患が、ＡＤＨＤである、請求項３に記載の製剤。
【請求項１４】
疾患が、鬱病である、請求項３に記載の製剤。
【請求項１５】
疾患が、不安症である、請求項３に記載の製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月15日(2011.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第５，３９６，９１９号明細書
【特許文献２】GB2146656 A
【特許文献３】DE4037669 A1
【特許文献４】特開２００６−１３２５８４号公報
【特許文献５】US 345482 A
【特許文献６】WO 01/51591 A1
【特許文献７】SU 959632 A3
【特許文献８】EA 001294 B1
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月17日(2011.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細胞におけるｍｉＲ−９２発現に影響を与える方法であって、
細胞を準備する工程、及び
ｍｉＲ−９２に対するアンチセンス分子を該細胞に導入することにより、血管形成又は血管修復を促進するよう、該細胞におけるｍｉＲ−９２発現を減少させる工程、又は
発現可能なｍｉＲ−９２配列を含む構築物を該細胞に導入することにより、腫瘍血管新生を阻害するよう、該細胞におけるｍｉＲ−９２発現を増加させる工程を含む、方法。
【請求項２】
準備される細胞が後生動物又は哺乳動物に由来する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
準備される細胞が血管細胞、造血細胞、心筋細胞、炎症細胞、神経細胞、前駆細胞、又は幹細胞（ヒト胚性幹細胞を除く）である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
アンチセンス分子が、配列番号１〜配列番号５のいずれか１つによるＲＮＡ分子、又は配列番号６、配列番号８、又は配列番号１１による配列を有するＲＮＡ分子とハイブリダイズする分子である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
アンチセンス分子が、配列番号１〜配列番号５のいずれか１つによる配列に相補的な配列を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
アンチセンス分子が最大で３０ヌクレオチド長、又は１５〜２２ヌクレオチド長である、請求項１〜５に記載の方法。
【請求項７】
発現可能なｍｉＲ−９２配列が、配列番号１〜配列番号５による配列を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
ｍｉＲ−９２に対するアンチセンス分子を有効成分とし、該アンチセンス分子を細胞に導入することにより、ｍｉＲ−９２の発現を減少させることを特徴とする、虚血、病的血管新生、アテローム性動脈硬化症、アテローム性動脈硬化症に起因する二次疾患、及び加齢関連疾患から成る群から選択される疾患又は状態の治療剤。
【請求項９】
発現可能なｍｉＲ−９２配列を含む構築物を有効成分とし、該構築物を細胞に導入することにより、ｍｉＲ−９２発現を増加させることを特徴とする、過剰の血管新生、望ましくない血管新生、腫瘍、及び慢性炎症から成る群から選択される疾患又は状態の治療剤。
【請求項１０】
血管置換材料を作製するための請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法の使用。
【請求項１１】
ｍｉＲ−９２に対するアンチセンス分子の形態である、細胞におけるｍｉＲ−９２の活性又は発現を減少させる薬剤、又は
ｍｉＲ−９２を発現する構築物の形態である、細胞におけるｍｉＲ−９２発現を増加させる薬剤を含む、医薬組成物。
【請求項１２】
構築物が配列番号１〜配列番号５のいずれか１つによる発現可能な配列を含む、請求項１１に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
ｍｉＲ−９２に対するアンチセンス分子が、配列番号６、配列番号８、又は配列番号１１による配列を含む、請求項１１に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
配列番号１〜配列番号５のいずれか１つによる配列を有する分子とハイブリダイズする配列を含むアンチセンス分子であって、最大で３０ヌクレオチド長、又は１５〜２２ヌクレオチド長であるアンチセンス分子、又は配列番号６、配列番号８、若しくは配列番号１１による配列を有するアンチセンス分子である、アンチセンス分子。
【請求項１５】
細胞におけるｍｉＲ−９２活性又はｍｉＲ−９２発現を減少させるための請求項１４に記載の分子を有効成分とする薬剤。
【請求項１６】
ｍｉＲ−９２を有効成分とする血管形成及び血管修復の促進剤、又は腫瘍血管新生の阻害剤。
【請求項１７】
虚血、病的血管新生、アテローム性動脈硬化症、アテローム性動脈硬化症に起因する二次疾患、及び加齢関連疾患を治療する医薬組成物を作製するためのｍｉＲ−９２の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月19日(2011.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリエチレングリコールまたは修飾ポリエチレングリコールであって、該ポリエチレングリコールの平均分子量が300〜2000である、ポリエチレングリコールまたは修飾ポリエチレングリコール；
0.1〜0.5Mの塩；
モノアシルグリセロールであるホスト脂質；
ステロールである脂質添加物であって、該ステロールが該ホスト脂質中に5〜20％w／wの濃度で存在する、脂質添加物；
pH 4.5〜8.0を有する緩衝剤；および
1〜100mg／mlの膜タンパク質
を含む、膜タンパク質の脂質立方相（lipidic cubic phase）結晶化用の組成物。
【請求項２】
塩が硫酸塩、クエン酸塩、マロン酸塩、酒石酸塩、酢酸塩およびギ酸塩からなる群より選択される、請求項1記載の組成物。
【請求項３】
塩が0.1〜0.2Mの濃度で存在する、請求項2記載の組成物。
【請求項４】
緩衝剤が0.05〜0.5Mの濃度で存在する、請求項1記載の組成物。
【請求項５】
1〜10％v／vの濃度で存在するアルコールをさらに含む、請求項1記載の組成物。
【請求項６】
アルコールが5〜7％v／vの濃度で存在する、請求項5記載の組成物。
【請求項７】
アルコールがジオールまたはトリオールである、請求項5記載の組成物。
【請求項８】
ホスト脂質がモノパルミトレイン、モノバクセニン（monovaccenin）およびモノオレインからなる群より選択される、請求項1記載の組成物。
【請求項９】
組成物中の結晶化しようとするタンパク質が40〜60mg／mLの濃度で存在する、請求項1記載の組成物。
【請求項１０】
膜タンパク質がG-タンパク質共役受容体である、請求項1記載の組成物。
【請求項１１】
膜タンパク質がβ2ARタンパク質を含む、請求項1記載の組成物。
【請求項１２】
カラゾロール、チモロール、アルプレノロールおよびクレンブテロールからなる群より選択されるリガンドをさらに含む、請求項11記載の組成物。
【請求項１３】
脂質添加物をホスト脂質と混合して脂質混合物を形成させる段階であって、該ホスト脂質がモノアシルグリセロールであり、該脂質添加物がステロールであり、かつ該脂質添加物が該ホスト脂質中で5〜20％w／wである、段階；
該脂質混合物を膜タンパク質溶液と組み合わせてタンパク質-脂質混合物を形成させる段階であって、該膜タンパク質が該タンパク質-脂質混合物中に1〜100mg／mlの濃度で存在する、段階；ならびに
該タンパク質-脂質混合物を沈殿剤溶液で覆う段階であって、該沈殿剤溶液がポリエチレングリコールまたは修飾ポリエチレングリコールを含み、該ポリエチレングリコールが、300〜2000の平均分子量；0.1〜0.5Mの塩；および緩衝剤を有し、該緩衝剤がpH 4.5〜8.0を有する、段階
を含む、膜タンパク質の結晶を生成させる方法。
【請求項１４】
脂質立方相組成物を調製する段階であって、該組成物が、Gタンパク質共役受容体（GPCR）タンパク質；ポリエチレングリコールまたは修飾ポリエチレングリコールであって、該ポリエチレングリコールが300〜2000の平均分子量を有する、ポリエチレングリコールまたは修飾ポリエチレングリコール；0.1〜0.5Mの塩；モノアシルグリセロールであるホスト脂質；ステロールである脂質添加物であって、該ステロールが該ホスト脂質中に5〜20％w／wの濃度で存在する、脂質添加物；およびpH 4.5〜8.0である緩衝剤を含む、段階；
該組成物を第1のX線ビームに曝露させて、該第1のX線ビームの方向または強度の変化を決定する段階；
該組成物を第2のビームに曝露させて、該第2のX線ビームの方向または強度の変化を決定する段階；
該GPCR結晶が該組成物中に存在する区域を同定する段階；および
該同定された区域を少なくとも第3のX線ビームに曝露させる段階
を含む、脂質立方相組成物中に存在するGPCRの結晶のスクリーニングの方法。
【請求項１５】
脂質立方相組成物を第1のX線ビームに曝露させて、該第1のX線ビームの方向または強度の変化を決定する段階であって、該組成物が、Gタンパク質共役受容体（GPCR）タンパク質；ポリエチレングリコールまたは修飾ポリエチレングリコールであって、該ポリエチレングリコールが300〜2000の平均分子量を有する、ポリエチレングリコールまたは修飾ポリエチレングリコール；0.1〜0.5Mの塩；モノアシルグリセロールであるホスト脂質；ステロールである脂質添加物であって、該ステロールが該ホスト脂質中に5〜20％w／wの濃度で存在する、脂質添加物；およびpH 4.5〜8.0である緩衝剤を含む、段階；
該脂質立方相組成物を第2のビームに曝露させて、該第2のX線ビームの方向または強度の変化を決定する段階；
該GPCR結晶が該脂質立方相組成物中に存在する区域を同定する段階；および
該同定された区域を少なくとも第3のX線ビームに曝露させる段階
を含む、脂質立方相組成物中に存在するGPCRの結晶のスクリーニングの方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月28日(2011.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無孔質シェルを有する多孔質コア・シェルポリマー粒子を製造する方法であって、
溶解されたポリマーを含有する第１有機溶媒を準備する工程；
エマルジョンを形成するために、安定剤を含有する水相中に該有機溶媒を分散する工程；
該エマルジョンを第２有機溶媒に添加する工程、該第２有機溶媒は、水及び該第１有機溶媒と混和性であり、そして該ポリマーに対しては非溶媒であり；そして
コア・シェルポリマー粒子を形成するために、該エマルジョンから第１及び第２有機溶媒を蒸発させる工程、
を含んで成る方法。