【事件の表示】
　平成１１年特許願第２５１２１７号「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　７月２８日出願公開、特開２０００−２０８７６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１１年９月６日（優先権主張平成１０年１１月１３日）の出願であって、平成１４年１月２２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年２月２８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年３月２９日付けで手続補正がなされたものである。
　　
２．平成１４年３月２９日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）について
　［補正却下の決定の結論］
　平成１４年３月２９日付けの手続補正を却下する。
　［理由］
（２−１）本件補正についての検討
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するとともに、発明の詳細な説明の段落【０００９】を補正するものであって、本件補正により、特許請求の範囲の請求項１ないし３（以下「補正後の請求項１」ないし「補正後の請求項３」という。）は、
　（補正後の請求項１）
　「半導体基板の上に絶縁膜を形成する工程と、
　前記絶縁膜の上に導電層を形成する工程と、
　前記導電層の上にストッパ層を形成する工程と、
　前記ストッパ層の上に有機反射防止膜を形成する工程と、
　前記有機反射防止膜の上に所定のパターンのレジスト層を形成する工程と、
　前記レジスト層をマスクとして、前記有機反射防止膜をエッチングする工程と、
　少なくとも前記有機反射防止膜をマスクとして、前記ストッパ層をエッチングする工程と、
　少なくとも前記ストッパ層をマスクとして、前記導電層をエッチングする工程と、を含み、
　前記ストッパ層は、前記有機反射防止膜をエッチングする工程において、前記有機反射防止膜のエッチング速度に比べて遅いエッチング速度を有する材質からなり、前記ストッパ層のエッチング速度に対する前記有機反射防止膜のエッチング速度の比は５以上であり、
　前記有機反射防止膜のエッチングは、エッチング圧力が１〜１０ｍＴｏｒｒであって、さらにイオン密度が１×１０11ｃｍ-3以上である高密度プラズマエッチングである、半導体装置の製造方法。」、
　（補正後の請求項２）　
　「半導体基板の上に絶縁膜を形成する工程と、
　前記絶縁膜の上に導電層を形成する工程と、
　前記導電層の上にストッパ層を形成する工程と、
　前記ストッパ層の上に有機反射防止膜を形成する工程と、
　前記有機反射防止膜の上に所定のパターンのレジスト層を形成する工程と、
　前記レジスト層をマスクとして、前記有機反射防止膜をエッチングする工程と、
　少なくとも前記有機反射防止膜をマスクとして、前記ストッパ層をエッチングする工程と、
　少なくとも前記ストッパ層をマスクとして、前記導電層をエッチングする工程と、を含み、
　前記ストッパ層は、前記有機反射防止膜をエッチングする工程において、前記有機反射防止膜のエッチング速度に比べて遅いエッチング速度を有する材質からなり、前記ストッパ層のエッチング速度に対する前記有機反射防止膜のエッチング速度の比は５以上であり、
　前記有機反射防止膜のエッチングは、エッチングガスとして少なくとも酸素系ガスおよび塩素系ガスを含み、エッチング圧力が１〜１０ｍＴｏｒｒであって、さらにイオン密度が１×１０11ｃｍ-3以上である高密度プラズマエッチングである、半導体装置の製造方法。」及び、
　（補正後の請求項３）
　「請求項１または２記載の半導体装置の製造方法において、
　前記有機反射防止膜をエッチングする工程におけるエッチングガスの酸素原子の数に対する塩素原子の数の比（塩素原子の数／酸素原子の数）は、０．５〜５である半導体装置の製造方法。」
　と補正された。
　
　上記補正は、平成１３年６月１８日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１ないし請求項１８（以下「補正前の請求項１」ないし「補正前の請求項１８」という。）に係る発明を補正するものであるところ、
（ａ）補正後の請求項１は、補正前の請求項１の、
「半導体基板の上に絶縁膜を形成する工程と、
　前記絶縁膜の上に導電層を形成する工程と、
　前記導電層の上にストッパ層を形成する工程と、
　前記ストッパ層の上に有機反射防止膜を形成する工程と、
　前記有機反射防止膜の上に所定のパターンのレジスト層を形成する工程と、
　前記レジスト層をマスクとして、前記有機反射防止膜をエッチングする工程と、
　少なくとも前記有機反射防止膜をマスクとして、前記ストッパ層をエッチングする工程と、
　少なくとも前記ストッパ層をマスクとして、前記導電層をエッチングする工程と、を含み、
　前記ストッパ層は、前記有機反射防止膜をエッチングする工程において、前記有機反射防止膜のエッチング速度に比べて遅いエッチング速度を有する材質からなり、前記ストッパ層のエッチング速度に対する前記有機反射防止膜のエッチング速度の比は５以上である半導体装置の製造方法。」において、
　「る半導体装置の製造方法。」を
　「り、前記有機反射防止膜のエッチングは、エッチング圧力が１〜１０ｍＴｏｒｒであって、さらにイオン密度が１×１０11ｃｍ-3以上である高密度プラズマエッチングである、半導体装置の製造方法。」と補正し、
（ｂ）補正後の請求項２は、補正前の請求項１において、
　「る半導体装置の製造方法。」を
　「り、前記有機反射防止膜のエッチングは、エッチングガスとして少なくとも酸素系ガスおよび塩素系ガスを含み、エッチング圧力が１〜１０ｍＴｏｒｒであって、さらにイオン密度が１×１０11ｃｍ-3以上である高密度プラズマエッチングである、半導体装置の製造方法。」と補正し、
（ｃ）補正後の請求項３は、補正後の請求項１または補正後の請求項２を引用して、
「請求項１または２記載の半導体装置の製造方法において、
　前記有機反射防止膜をエッチングする工程におけるエッチングガスの酸素原子の数に対する塩素原子の数の比（塩素原子の数／酸素原子の数）は、０．５〜５である半導体装置の製造方法。」とするものである。　
　
（２−２）補正の適否についての検討
（２−２−１）補正の目的についての検討　　
  （ａ）及び（ｂ）について検討する。
　（ａ）は、補正前の請求項１を引用する、補正前の請求項１３（「前記有機反射防止膜をエッチングする工程におけるエッチングの圧力は１〜１０ｍＴｏｒｒである」）及び、補正前の請求項１及び請求項１３を引用する、補正前の請求項１５（「前記高密度プラズマは、イオン密度が１×１０11ｃｍ-3 以上である」）に記載される限定構成により、補正前の請求項１に記載される「有機反射防止膜のエッチング工程」を技術的に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、
　（ｂ）は、補正前の請求項１を引用する、補正前の請求項７（「前記有機反射防止膜をエッチングする工程におけるエッチングガスは、少なくとも酸素系ガスおよび塩素系ガスを含む」）、補正前の請求項１及び請求項７を引用する、補正前の請求項１３（「前記有機反射防止膜をエッチングする工程におけるエッチングの圧力は１〜１０ｍＴｏｒｒである」）及び、補正前の請求項１，請求項７及び請求項１３を引用する、補正前の請求項１５（「前記高密度プラズマは、イオン密度が１×１０11ｃｍ-3 以上である」）に記載された限定構成により、補正前の請求項１に記載される「有機反射防止膜のエッチング工程」を技術的に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　次に、（ｃ）について検討する。
　補正後の請求項３は、補正後の請求項１または補正後の請求項２を引用しているところ、補正後の請求項１については、その「前記有機反射防止膜をエッチングする工程」において、「エッチングする工程」におけるエッチングガスについての条件を「エッチングガスの酸素原子の数に対する塩素原子の数の比（塩素原子の数／酸素原子の数）は、０．５〜５である 」と技術的に限定しているものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、補正後の請求項２については、そのエッチングガスとしての「酸素系ガス」と「塩素系ガス」の原子数の比を、「前記有機反射防止膜をエッチングする工程におけるエッチングガスの酸素原子の数に対する塩素原子の数の比（塩素原子の数／酸素原子の数）は、０．５〜５である」と技術的に限定しているから、限定的減縮を目的とするものに該当する。
　
　また、発明の詳細な説明の段落【０００９】の補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面の記載から自明の事項の範囲内におけるものであるから、特許法第１７条の２第３項の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内におけるものである。
　　
（２−２−２）独立特許要件についての検討
　次に、補正後の請求項１に係る発明（以下「補正後発明１」という。）が独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
（２−３）引用文献
（２−３−１）引用例１
　拒絶の理由に引用された、本願の優先日前の平成８年６月１１日付けで頒布された特開平８−１５３７０４号公報には、図１ないし図９、図１１ないし図１５とともに、以下のとおり記載されている。
「【００１８】この発明は上記問題点を解決するためになされたもので、反射防止膜として有機ＡＲＣ膜を用いた場合に、フォトレジストおよび有機ＡＲＣ膜に横方向のエッチングが発生しない新規なエッチング方法を用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。」（段落【００１８】）
「【００２１】
【実施例】
　実施例１．以下、本発明の実施例１を図面に基づいて説明する。図１ないし図８は、本発明の一実施例に従ったＤＲＡＭ等の半導体装置の製造プロセスを説明するための断面図である。図１ないし図８を参照して本実施例の半導体装置の配線部分のみをとりあげた製造プロセスを説明する。
【００２２】まず図１に示すように、シリコン基板１上にＬＯＣＯＳ酸化膜２および絶縁膜２ａを形成したのち、導電膜であるポリシリコン膜３をＣＶＤ法で形成する。・・・ここでポリシリコン膜３の膜厚は３００〜４０００Åである。
【００２３】次に図２に示すように、導電膜のポリシリコン膜３上に有機反射防止膜（有機ＡＲＣ膜）４を回転塗布により形成する。・・・なお、ＡＲＣ膜４の膜厚は、５００Å以上であるが必要膜厚は反射率および屈折率で変わる。
【００２４】次に第３図に示すようにホトレジスト５を塗布したのち、第４図に示すようにフォトマスク６、露光光（ｉ線やｋｒＦ線）７のフォトリソグラフィー工程を経て、図５のようにレジスト５ａをパターニングする。・・・
【００２５】次に図６に示すようにレジスト５ａをマスクとして有機膜ＡＲＣ４をＮ2 プラズマでエッチングする。以下に実施の詳細を図７を含み説明する。使用するエッチング装置およびその条件は以下のとおりである。
エッチング装置；ＲＦプラズマカソードカップリングタイプ
Ｎ2 流量　　　；１０〜５００ＳＣＣＭ
圧力　　　　　；０．０１〜０．６Ｔｏｒｒ
電力　　　　　；０．５〜２Ｗ／ｃｍ2 
基板ステージ温度；−１００〜＋１００℃
上記範囲のうち最適な条件は、
Ｎ2 流量；１００ＳＣＣＭ
圧力　　；０．０２Ｔｏｒｒ
電力　　；１Ｗ／ｃｍ2 
基板ステージ温度；０℃
である。なお説明に用いる断面図はエッチング装置およびその付帯設備の図示を省略している。図５の工程にひきつづきまず、装置内にＮ2 ガスを導入し、Ｎ2 プラズマにより有機ＡＲＣ膜４をエッチングする。・・・図７には有機ＡＲＣ膜４のエッチング過程が示されている。・・・したがって有機ＡＲＣ膜４およびマスク５ａは横方向にはエッチングは進行せず、その結果有機ＡＲＣ膜４、マスク５ａのパターンの細りは発生しない。
【００２６】有機ＡＲＣ膜４のエッチング完了後、マスク５ａ，有機ＡＲＣ４をマスクとして通常用いられている例えばＣｌ2 ガスプラズマにより導電膜のポリシリコン膜３にＲＩＥエッチングを行い次に従来から一般にアッシング工程として使用されているＯ2 ／Ｎ2 ＝９５０／５０ＳＣＣＭのＯ2 プラズマでフォトレジストのマスク５ａと有機ＡＲＣ膜４を灰化除去し、図８に示される下地段差を有するがエッチングによるパターン細りのない配線層３ａを形成することができる。
【００２７】実施例２．本願発明の第２の実施例を説明する。第１実施例で示した工程において、図６、図７のＮ2 ガスプラズマでのエッチングをＮ2 ／Ｏ2 ガスプラズマとする以外は同一工程である。・・・
【００２８】実施例３．本願発明の第３の実施例を説明する。第１実施例で示した工程のうち、図６、図７のＮ2 ガスをＣＯ2 ガスとする以外は同一工程である。本実施例のＣＯ2 ガスによるプラズマを生成して、エッチングする状態を図９で説明する。
エッチング装置；ＲＦプラズマアノードカップリングタイプ
ＣＯ2 ガス流量；１０〜５００ＳＣＣＭ
圧力　　　　　；０．０１〜０．６Ｔｏｒｒ
電力　　　　　；０．５〜２Ｗ／ｃｍ2 
基板ステージ温度；−１００〜５０℃
上記範囲のうち、最適条件は、
ＣＯ2 ガス流量　；１００ＳＣＣＭ
圧力　　　　　　；０．０２Ｔｏｒｒ
電力　　　　　　；１Ｗ／ｃｍ2 
基板ステージ温度；２０℃
である。上記条件において、ＣＯ2 ガスでプラズマを生成するとＯ，ＣＯが分解され、これらのうちＯは有機ＡＲＣ膜４に対して反応が進行するがその反応生成物は、ＣＯと再結合し有機ＡＲＣ膜４やレジストマスク５の側壁表面に再付着し、側壁保護膜７となる。その結果シース中で加速されるイオンは、有機ＡＲＣ膜４の垂直方向表面には入射されてエッチングが進行するが、有機ＡＲＣ膜４の側壁面は保護膜７によってイオンの当る量が少なくエッチングは進行しない。従って有機ＡＲＣ膜４を所望のレジストパターン通り細りなくエッチング加工が可能となる。」（段落【００２１】〜【００２８】）
「【００３０】本願発明の第５〜第８の実施例について説明する。第１〜第４の実施例では、導電膜上に有機ＡＲＣ膜を形成する例を示した。この第５〜第８の実施例では、第１の絶縁膜上に設けた導電膜上に第２の絶縁膜および有機ＡＲＣ膜を形成し、フォトレジストのパターニング後エッチング加工により導電膜を所望のパターンに形成する工程を提供する。
　図１１〜１５および図１６により第５の実施例を示す。
【００３１】まず図１１に示すように、シリコン基板１上にＬＯＣＯＳ酸化膜２および酸化膜２ａを形成後、ポリシリコン等の導電膜３を形成する。この工程は図１に示したものと同じである。次に図１２に示すように導電膜上にＴＥＯＳ等の絶縁膜８を形成する。次に図１３に示すように有機ＡＲＣ膜４を形成後図１４のフォトレジストパターン５ａを設ける。
【００３２】その後第１〜第４の実施例で説明したと同じエッチング方法と工程をとる。すなわち
（１）第５の実施例ではＮ2 ガスプラズマ
（２）第６の実施例ではＮ2 ＋Ｏ2 ガスプラズマ
（３）第７の実施例ではＣＯ2 ガスプラズマ・・・
を採用し第５〜第７の実施例では、フォトレジスト５ａをマスクとして、有機ＡＲＣ膜４をエッチング後、通常のＲＩＥエッチングにより絶縁膜８および導電膜３にエッチングを行う。・・・」（段落【００３０】〜【００３２】）
「【００３９】
【発明の効果】
　・・・
（３）第３、第７の発明では、側壁表面に付着した反応生成物が有機ＡＲＣの保護膜となり、横方向のエッチングを極めて少なく、有機ＡＲＣ膜のパターニングの細りは少ない。・・・」（段落【００３９】）
　
　これらの記載より、引用例１には、
　「シリコン基板１上に絶縁膜２ａを形成する工程と、
　前記絶縁膜２ａ上に導電膜であるポリシリコン膜３を形成する工程と、
　前記ポリシリコン膜３の上にＴＥＯＳ等の絶縁膜８を形成する工程と、
　前記絶縁膜８上に有機反射防止膜（有機ＡＲＣ膜）４を形成する工程と、
　前記有機反射防止膜４の上にフォトレジストパターン５ａを形成する工程と、
　前記フォトレジストパターン５ａをマスクにして前記有機反射防止膜４をエッチングする工程と、
　前記絶縁膜８と前記ポリシリコン膜３をエッチングする工程とを備え、
　前記有機反射防止膜のエッチングは、エッチング圧力を０．０１〜０．６Ｔｏｒｒで行う
　半導体装置の製造方法」
　が記載されている。
　
　（２−３−２）引用例２　　
　新たに引用する、本願の優先日前の平成９年５月２７日付けで頒布された特開平９−１３９３５８号公報には以下のとおり記載されている。
「【００２２】・・・これに対し、誘導結合プラズマエッチング装置、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ　Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズマエッチング装置あるいはヘリコン波プラズマエッチング装置等、高密度プラズマ発生源を有するエッチング装置は、プラズマ生成のための電力と、基板バイアス電力の値は独立に選択することができる。このため、弱い入射イオンエネルギではあるが、１０11〜１０12／ｃｍ3 オーダの高密度プラズマによりスループットの高い低ダメージエッチングが可能である。・・・」（段落【００２２】）
　
　（２−４）対比・判断
　補正後発明１と引用例１に記載された発明（以下「引用発明」という。）とを比較すると、
　
　引用発明の、「シリコン基板１」、「絶縁膜２ａ」、「ポリシリコン膜３」、「有機反射防止膜４」及び、「フォトレジストパターン５ａ」は、
　補正後発明１の、「半導体基板」、「絶縁膜」、「導電層」、「有機反射防止膜」及び、「所定パターンのレジスト層」にそれぞれ相当する。
　
　また、引用発明に関し、フォトレジストパターン５ａをマスクとして有機反射防止膜をエッチングする時に、Ｎ２ガスプラズマ、Ｎ２+Ｏ２ガスプラズマ又は、ＣＯ２ガスプラズマを用いることが記載されるとともに、前記絶縁膜８はＴＥＯＳ絶縁膜であって、上記のＮ２ガスプラズマ、Ｎ２+Ｏ２ガスプラズマ又は、ＣＯ２ガスプラズマによっては、ＴＥＯＳ絶縁膜がエッチングされないことは、当業者に明らかであり、引用発明においては、ＴＥＯＳ絶縁膜８は有機反射防止膜をエッチングする際のエッチング防止層であることは、当業者に明らかであるから、引用発明の「ＴＥＯＳ等の絶縁膜８」は、補正後発明１の「ストッパ層」に相当する。
  よって、両者は、
　「半導体基板の上に絶縁膜を形成する工程と、
　前記絶縁膜の上に導電層を形成する工程と、
　前記導電層の上にストッパ層を形成する工程と、
　前記ストッパ層の上に有機反射防止膜を形成する工程と、
　前記有機反射防止膜の上に所定のパターンのレジスト層を形成する工程と、
　前記レジスト層をマスクとして、前記有機反射防止膜をエッチングする工程と、
　を含む
　半導体装置の製造方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１
　補正後発明１では、「前記レジスト層をマスクとして、前記有機反射防止膜をエッチングする工程と、少なくとも前記有機反射防止膜をマスクとして、前記ストッパ層をエッチングする工程と、少なくとも前記ストッパ層をマスクとして、前記導電層をエッチングする工程」を備えているのに対して、
　引用発明では、「前記フォトレジストパターン５ａをマスクにして前記有機反射防止膜４をエッチングする工程と、前記絶縁膜８と前記ポリシリコン膜３をエッチングする工程」を備えている点。
　相違点２
　補正後発明１では、「前記ストッパ層は、前記有機反射防止膜をエッチングする工程において、前記有機反射防止膜のエッチング速度に比べて遅いエッチング速度を有する材質からなり、前記ストッパ層のエッチング速度に対する前記有機反射防止膜のエッチング速度の比は５以上であ」るのに対して、
　引用発明では、上記構成が記載されていない点。
　相違点３
　補正後発明１では、「前記有機反射防止膜のエッチングは、エッチング圧力が１〜１０ｍＴｏｒｒであ」るのに対して、
　引用発明では、「前記有機反射防止膜のエッチングは、エッチング圧力を０．０１〜０．６Ｔｏｒｒで行う」点。
　相違点４
　補正後発明１では、「前記有機反射防止膜のエッチング」での、「イオン密度が１×１０11ｃｍ-3以上である高密度プラズマエッチングである」のに対して、
　引用発明では、イオン密度が記載されていない点。
　
　上記相違点について以下で検討する。
　相違点１について
　両者において、「前記レジスト層をマスクとして、前記有機反射防止膜をエッチングする工程」を備える点については実質的に相違していない。
　また、引用例１の、第１４図と、第３２段落の「第５〜第７の実施例では、フォトレジスト５ａをマスクとして、有機ＡＲＣ膜４をエッチング後、通常のＲＩＥエッチングにより絶縁膜８および導電膜３にエッチングを行う。」と記載されるとともに、絶縁膜８を備えない実施例１においては、第７図、第９図と、第２５段落及び第２８段落の記載より、フォトレジストパターン５ａをマスクとして有機反射防止膜４をエッチングした後、パターニングされた有機反射防止膜４又は、フォトレジストパターン５ａとパターニングされた有機反射防止膜４との両者をマスクとして、ポリシリコン膜３をエッチングしているから、絶縁膜８を備えた実施例においては、有機反射防止膜４の下に形成されている絶縁膜８のエッチングにおいては、パターニングされた有機反射防止膜又は、フォトレジストパターン５ａとパターニングされた有機反射防止膜４との両者をマスクとしてエッチングしているものと、当業者であれば容易に推測できるとともに、引用発明においては、絶縁膜８のエッチング工程とポリシリコン膜３のエッチング工程が異なるエッチング工程であるか、同一エッチング工程により絶縁膜８とポリシリコン膜３とをエッチングするものであるかは明確には記載されていないが、半導体製造工程としてのエッチング工程においては、通常、相互に直接接触した異なる性質の２層の薄膜に対しそれぞれ異なるエッチング工程によりエッチングすること及び、絶縁膜８とポリシリコン膜３とにおいて薄膜の特性が非常に異なることをも考慮すると、絶縁膜８のエッチング工程とポリシリコン膜のエッチング工程とを異なるエッチング工程とすることは、当業者が必要に応じて適宜設定しえたものであるから、引用発明においても、少なくともパターニングされた有機反射防止膜４をマスクとして、補正後発明１のストッパ層に相当する、絶縁膜８をエッチングする工程を備えることは明らかであるとともに、ポリシリコン膜をエッチングする工程において、少なくとも絶縁膜８がエッチング時のマスクとなることは明らかであるから、引用発明においても、少なくとも絶縁膜８をマスクとしてポリシリコン膜３をエッチングする工程を備えていることは、当業者にとって明らかである。
　よって、相違点１については、実質的に相違しない。
　　
　相違点２について
　引用発明においては、フォトレジストパターン５ａをマスクとして有機反射防止膜をエッチングする際の、絶縁膜８と有機反射防止膜とのエッチング選択比について記載されていないところ、引用例１には、有機反射防止膜のエッチング時に、Ｎ２ガスプラズマ、Ｎ２+Ｏ２ガスプラズマ又は、ＣＯ２ガスプラズマを用いることが記載されており、前記絶縁膜８はＴＥＯＳ絶縁膜であって、上記のＮ２ガスプラズマ、Ｎ２+Ｏ２ガスプラズマ又は、ＣＯ２ガスプラズマにより、ＴＥＯＳ絶縁膜はエッチングされないことは、当業者に明らかであるから、引用発明においては、ＴＥＯＳ絶縁膜８と有機反射防止膜とのエッチング選択比が少なくとも５以上であることは、当業者に明らかである。
　よって、この点についても、実質的に相違しない。
　
　相違点３について
　有機反射防止膜のエッチングにおけるエッチング圧力は、１０ｍＴｏｒｒ（０．０１Ｔｏｒｒ）の１点において、補正後発明１と引用発明は一致するとともに、エッチング条件としては、エッチング圧力以外にも、エッチング時の基板温度、使用するエッチングガス等があり、エッチング圧力は他のエッチング条件によって、その最適な圧力は変動することは当業者に明らかであり、エッチング圧力以外の条件を変更することにより、最適なエッチング圧力が変動することは当業者が容易に予測できるものであることを考慮すると、少なくとも、エッチング圧力が１点においても、一致している、引用発明と補正後発明１とにおいて、この点については実質的に相違しておらず、仮に、相違点であったとしても、補正後発明１に記載される、エッチング圧力の範囲は、当業者が必要に応じて適宜設定できる程度のものである。
　
　相違点４について
　引用例２には、「誘導結合プラズマエッチング装置、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ　Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズマエッチング装置あるいはヘリコン波プラズマエッチング装置等、高密度プラズマ発生源を有するエッチング装置は、プラズマ生成のための電力と、基板バイアス電力の値は独立に選択することができる。このため、弱い入射イオンエネルギではあるが、１０11〜１０12／ｃｍ3 オーダの高密度プラズマによりスループットの高い低ダメージエッチングが可能である。」と記載されており、引用発明において、エッチング時のプラズマ密度を、補正後発明１の如く、「１×１０11ｃｍ-3以上」とすることは、当業者が何らの困難性もなくなしえたものである。
　
　したがって、補正後発明１は、引用例１及び２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許出願の際に独立して特許を受けることができないものである。
　
　（２−５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、その請求項２及び請求項３に係る発明については検討するまでもなく、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に適合しないものであり、特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１４年３月２９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし請求項１８に係る発明は、平成１３年６月１８日付けの手続補正書で補正された明細書及び図面に記載される特許請求の範囲の請求項１ないし請求項１８に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
  「半導体基板の上に絶縁膜を形成する工程と、
　前記絶縁膜の上に導電層を形成する工程と、
　前記導電層の上にストッパ層を形成する工程と、
　前記ストッパ層の上に有機反射防止膜を形成する工程と、
　前記有機反射防止膜の上に所定のパターンのレジスト層を形成する工程と、
　前記レジスト層をマスクとして、前記有機反射防止膜をエッチングする工程と、
　少なくとも前記有機反射防止膜をマスクとして、前記ストッパ層をエッチングする工程と、
　少なくとも前記ストッパ層をマスクとして、前記導電層をエッチングする工程と、を含み、
　前記ストッパ層は、前記有機反射防止膜をエッチングする工程において、前記有機反射防止膜のエッチング速度に比べて遅いエッチング速度を有する材質からなり、前記ストッパ層のエッチング速度に対する前記有機反射防止膜のエッチング速度の比は５以上である半導体装置の製造方法。」
　
４．引用例
　　原査定の拒絶の理由に引用された特開平８−１５３７０４号公報（以下「引用例１」という。）及び、その記載事項は前記「（２−３−１）」に記載したとおりである。
　　
５．対比・判断
　本願発明と引用例１に記載された発明（以下「引用発明」という。）とを比較すると、
　引用発明の、「シリコン基板１」、「絶縁膜２ａ」、「ポリシリコン膜３」、「有機反射防止膜４」及び、「フォトレジストパターン５ａ」は、
　本願発明の、「半導体基板」、「絶縁膜」、「導電層」、「有機反射防止膜」及び、「所定パターンのレジスト層」にそれぞれ相当する。
　
　また、引用発明に関し、フォトレジストパターン５ａをマスクとして有機反射防止膜をエッチングする時に、Ｎ２ガスプラズマ、Ｎ２+Ｏ２ガスプラズマ又は、ＣＯ２ガスプラズマを用いることが記載されるとともに、前記絶縁膜８はＴＥＯＳ絶縁膜であって、上記のＮ２ガスプラズマ、Ｎ２+Ｏ２ガスプラズマ又は、ＣＯ２ガスプラズマによっては、ＴＥＯＳ絶縁膜がエッチングされないことは、当業者に明らかであり、引用発明においては、ＴＥＯＳ絶縁膜８は有機反射防止膜をエッチングする際のエッチング防止層であること、当業者に明らかであるから、引用発明の「ＴＥＯＳ等の絶縁膜８」は、本願発明の「ストッパ層」に相当する。
　
  よって、両者は、
　「半導体基板の上に絶縁膜を形成する工程と、
　前記絶縁膜の上に導電層を形成する工程と、
　前記導電層の上にストッパ層を形成する工程と、
　前記ストッパ層の上に有機反射防止膜を形成する工程と、
　前記有機反射防止膜の上に所定のパターンのレジスト層を形成する工程と、
　前記レジスト層をマスクとして、前記有機反射防止膜をエッチングする工程と、
　を含む
　半導体装置の製造方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　相違点１
　本願発明では、「前記レジスト層をマスクとして、前記有機反射防止膜をエッチングする工程と、少なくとも前記有機反射防止膜をマスクとして、前記ストッパ層をエッチングする工程と、少なくとも前記ストッパ層をマスクとして、前記導電層をエッチングする工程」を備えているのに対して、
　引用発明では、「前記フォトレジストパターン５ａをマスクにして前記有機反射防止膜４をエッチングする工程と、前記絶縁膜８と前記ポリシリコン膜３をエッチングする工程」を備えている点。
　相違点２
　本願発明では、「前記ストッパ層は、前記有機反射防止膜をエッチングする工程において、前記有機反射防止膜のエッチング速度に比べて遅いエッチング速度を有する材質からなり、前記ストッパ層のエッチング速度に対する前記有機反射防止膜のエッチング速度の比は５以上であ」るのに対して、
　引用発明では、上記構成が記載されていない点。
　　
　上記相違点について以下で検討する。
　相違点１について
　両者において、「前記レジスト層をマスクとして、前記有機反射防止膜をエッチングする工程」を備える点については実質的に相違していない。
　また、引用例１の、第１４図と、第３２段落の「第５〜第７の実施例では、フォトレジスト５ａをマスクとして、有機ＡＲＣ膜４をエッチング後、通常のＲＩＥエッチングにより絶縁膜８および導電膜３にエッチングを行う。」と記載されるとともに、絶縁膜８を備えない実施例１においては、第７図、第９図と、第２５段落及び第２８段落の記載より、フォトレジストパターン５ａをマスクとして有機反射防止膜４をエッチングした後、パターニングされた有機反射防止膜４又は、フォトレジストパターン５ａとパターニングされた有機反射防止膜４との両者をマスクとして、ポリシリコン膜３をエッチングしているから、絶縁膜８を備えた実施例においては、有機反射防止膜４の下に形成されている絶縁膜８のエッチングにおいては、パターニングされた有機反射防止膜又は、フォトレジストパターン５ａとパターニングされた有機反射防止膜４との両者をマスクとしてエッチングしているものと、当業者であれば容易に推測できるとともに、引用発明においては、絶縁膜８のエッチング工程とポリシリコン膜３のエッチング工程が異なるエッチング工程であるか、同一エッチング工程により絶縁膜８とポリシリコン膜３とをエッチングするものであるかは明確には記載されていないが、半導体製造工程としてのエッチング工程においては、通常、相互に直接接触した異なる性質の２層の薄膜に対しそれぞれ異なるエッチング工程によりエッチングすること及び、絶縁膜８とポリシリコン膜３とにおいて薄膜の特性が非常に異なることをも考慮すると、絶縁膜８のエッチング工程とポリシリコン膜のエッチング工程とを異なるエッチング工程とすることは、当業者が必要に応じて適宜設定しえたものであるから、引用発明においても、少なくともパターニングされた有機反射防止膜４をマスクとして、本願発明のストッパ層に相当する、絶縁膜８をエッチングする工程を備えることは明らかであるとともに、ポリシリコン膜をエッチングする工程において、少なくとも絶縁膜８がエッチング時のマスクとなることは明らかであるから、引用発明においても、少なくとも絶縁膜８をマスクとしてポリシリコン膜３をエッチングする工程を備えていることは、当業者にとって明らかである。
　よって、相違点１については、実質的に相違しない。
　　　
　相違点２について
　引用発明においては、フォトレジストパターン５ａをマスクとして有機反射防止膜をエッチングする際の、絶縁膜８と有機反射防止膜とのエッチング選択比について記載されていないところ、引用例１には、有機反射防止膜のエッチング時に、Ｎ２ガスプラズマ、Ｎ２+Ｏ２ガスプラズマ又は、ＣＯ２ガスプラズマを用いることが記載されており、前記絶縁膜８はＴＥＯＳ絶縁膜であって、上記のＮ２ガスプラズマ、Ｎ２+Ｏ２ガスプラズマ又は、ＣＯ２ガスプラズマにより、ＴＥＯＳ絶縁膜はエッチングされないことは、当業者に明らかであるから、引用発明においては、ＴＥＯＳ絶縁膜８と有機反射防止膜とのエッチング選択比が少なくとも５以上であることは、当業者に明らかである。
　よって、この点についても、実質的に相違していない。
　　
　したがって、本願発明は、引用発明と実質的に同一であり、引用例１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし請求項１８に係る発明について検討するまでもなく、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。