【手続補正書】
【提出日】平成24年5月29日(2012.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０１】
本出願では、以下の態様が提供される。
１．  組成物であって、ａ）溶媒混合物であって、ｉ）前記溶媒混合物の重量に対して、１〜２０重量パーセントの範囲の量で存在する、６〜１６個の炭素原子を有するアルカンと、ｉｉ）式（Ｉ）
【化９】
2011525044.tif 000001
で表わされ、式中、Ｒａはアルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、ヘテロアルコキシ、又は５〜６員の縮合環であり、各Ｒｂは独立に、アルキル、アルコキシ、又はハロから選択され、ｎは０〜５の範囲の整数であり、該溶媒混合物の重量に対して、８０〜９９重量パーセントの範囲の量で存在する芳香族化合物を含む、溶媒混合物、及び、ｂ）前記組成物の合計重量に対して、０．１重量パーセント以上の量で前記溶媒混合物に溶解している有機半導体材料と、を含む、組成物。
２．  Ｒａが１〜１０個の炭素原子を有するアルコキシ基である、態様１に記載の組成物。
３．  式（Ｉ）の前記芳香族化合物が、アニソール、２−メチルアニソール、３−メチルアニソール、４−メチルアニソール、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール、２，５−ジメチルアニソール、２，６−ジメチルアニソール、３，４−ジメチルアニソール、３，５−ジメチルアニソール、２−クロロアニソール、３−クロロアニソール、４−クロロアニソール、１，２−ジメトキシベンゼン、又はこれらの混合物を含む、態様１又は２に記載の組成物。
４．  式（Ｉ）の前記芳香族化合物が、アニソール、３，５−ジメチルアニソール、又はこれらの混合物を含む、態様１〜３のいずれか一項に記載の組成物。
５．  Ｒａが１〜１０個の炭素原子を有するアルキルである、態様１に記載の組成物。
６．  式（Ｉ）の前記芳香族化合物が、ｎ−ブチルベンゼン、ｓｅｃ−ブチルベンゼン、ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、イソブチルベンゼン、イソプロピルトルエン、ｎ−プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン（クメン）、メシチレン、テトラヒドロナフタレン、又はこれらの混合物を含む、態様１〜５のいずれか一項に記載の組成物。
７．  式（Ｉ）の前記芳香族化合物が、ｎ−ブチルベンゼン、アニソール、３，５−ジメチルアニソール、又はこれらの混合物を含む、態様１に記載の組成物。
８．  前記アルカンが９〜１３個の炭素原子を有する、態様１〜７のいずれか一項に記載の組成物。
９．  前記アルカンがデカン、ウンデカン、ドデカン、又はこれらの混合物を含む、態様１〜８のいずれか一項に記載の組成物。
１０．  前記溶媒混合物が、式（Ｉ）の芳香族化合物を８８〜９９重量パーセント、及びアルカンを１〜１２重量パーセント含む、態様１〜９のいずれか一項に記載の組成物。
１１．  組成物であって、ａ）溶媒混合物であって、ｉ）前記溶媒混合物の重量に対して、１〜２０重量パーセントの範囲の量で存在する、６〜１６個の炭素原子を有するアルカンと、ｉｉ）式（Ｉ）
【化１０】
2011525044.tif 000002
で表わされ、式中、Ｒａはアルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、ヘテロアルコキシ、又は５〜６員の縮合環であり、各Ｒｂは独立に、アルキル、アルコキシ、又はハロから選択され、ｎは０〜５の範囲の整数であり、前記溶媒混合物の重量に対して、８０〜９９重量パーセントの範囲の量で存在する芳香族化合物、を含む溶媒混合物、及び、ｂ）前記組成物の合計重量に対して、０．１重量パーセント以上の量で、前記溶媒混合物に溶解している式（ＩＩ）の有機半導体材料であって、
【化１１】
2011525044.tif 000003
式中、各Ｒｃは独立に、未置換若しくは置換アルキル、未置換若しくは置換ヘテロアルキル、未置換若しくは置換アルケニル、未置換若しくは置換アリール、未置換若しくは置換ヘテロアリール、フェロセニル、又は式−Ｓｉ（Ｒｄ）３のシリル基から選択され、各Ｒｄは独立に、水素、未置換若しくは置換アルキル、未置換若しくは置換ヘテロアルキル、未置換若しくは置換アルケニル、未置換若しくは置換アルキニル、未置換若しくは置換アリール、未置換若しくは置換ヘテロアリール、又はアセチルから選択され、各Ｘは独立に、水素、ハロ、アルキル、アルコキシ、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、シアノ、又はヘテロアリールから選択され、置換アルキル又は置換ヘテロアルキルは、少なくとも１つのアリール基、ヘテロアリール基、ハロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、又はカルボキシル基で置換され、置換アルケニル又は置換アルキニルは、少なくとも１つのアルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、又はカルボキシル基で置換され、かつ、置換アリール又は置換ヘテロアリールは、少なくとも１つのアルキル基、アルコキシ基、ヘテロアルキル基、アルコキシ基、ハロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、−ＳｅＨ、又はカルボキシル基で置換されている、有機半導体材料と、を含む、組成物。
１２．  Ｒｃが式−Ｓｉ（Ｒｄ）３のシリル基である、態様１１に記載の組成物。
１３．  前記有機半導体が、式（ＩＶ）〜（Ｘ）の化合物
【化１２】
2011525044.tif 000004
【化１３】
2011525044.tif 000005
から選択される、態様１１又は１２に記載の組成物。
１４．  式（Ｉ）の前記芳香族化合物がアニソール、３，５−ジメチルアニソール、ｎ−ブチルベンゼン、又はこれらの混合物を含み、前記アルカンがデカン、ウンデカン、ドデカン、又はこれらの混合物を含む、態様１１〜１３のいずれか一項に記載の組成物。
１５．  前記溶媒混合物が、式（Ｉ）の芳香族化合物を８８〜９９重量パーセント、及びアルカンを１〜１２重量パーセント含む、態様１１〜１４のいずれか一項に記載の組成物。
１６．  半導体デバイスの製造方法であって、組成物を提供する工程であって、
ａ）溶媒混合物であって、ｉ）前記溶媒混合物の重量に対して、１〜２０重量パーセントの範囲の量で存在する、６〜１６個の炭素原子を有するアルカンと、ｉｉ）式（Ｉ）
【化１４】
2011525044.tif 000006
で表わされ、式中、Ｒａはアルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、ヘテロアルコキシ、又は５〜６員の縮合環であり、各Ｒｂは独立に、アルキル、アルコキシ、又はハロから選択され、ｎは０〜５の範囲の整数であり、前記溶媒混合物の重量に対して、８０〜９９重量パーセントの範囲の量で存在する芳香族化合物と、を含む、溶媒混合物と、ｂ）前記組成物の合計重量に対し、０．１重量パーセント以上の量で前記溶媒混合物に溶解している、有機半導体材料と、を含む、組成物を提供する工程と、導電性材料に隣接して、又は誘電性材料に隣接して、前記組成物を堆積させて、堆積層を形成する工程と、前記溶媒混合物の少なくとも８０重量パーセントを前記堆積層から除去して半導体層を形成する工程と、を含む、方法。
１７．  前記有機半導体が式（ＩＩ）
【化１５】
2011525044.tif 000007
のものであり、式中、各Ｒｃは独立に、未置換若しくは置換アルキル、未置換若しくは置換ヘテロアルキル、未置換若しくは置換アルケニル、未置換若しくは置換アリール、未置換若しくは置換ヘテロアリール、フェロセニル、又は式−Ｓｉ（Ｒｄ）３のシリル基から選択され、各Ｒｄは独立に、水素、未置換若しくは置換アルキル、未置換若しくは置換ヘテロアルキル、未置換若しくは置換アルケニル、未置換若しくは置換アルキニル、未置換若しくは置換アリール、未置換若しくは置換ヘテロアリール、又はアセチルから選択され、各Ｘは独立に、水素、ハロ、アルキル、アルコキシ、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、シアノ、又はヘテロアルキルから選択され、置換アルキル又は置換ヘテロアルキルは、少なくとも１つのアリール基、ヘテロアリール基、ハロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、又はカルボキシル基で置換され、置換アルケニル又は置換アルキニルは、少なくとも１つのアルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、又はカルボキシル基で置換され、かつ、置換アリール又は置換ヘテロアリールは、少なくとも１つのアルキル基、ヘテロアルキル基、アルコキシ基、ハロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、−ＳｅＨ、又はカルボキシル基で置換されている、態様１６に記載の方法。
１８．  Ｒｃが式−Ｓｉ（Ｒｄ）３のシリル基である、態様１７に記載の方法。
１９．  式（Ｉ）の前記芳香族化合物がアニソール、３，５−ジメチルアニソール、ｎ−ブチルベンゼン、又はこれらの混合物を含み、前記アルカンがデカン、ウンデカン、ドデカン、又はこれらの混合物を含む、態様１６〜１８のいずれか一項に記載の方法。
２０．  前記溶媒混合物が、式（Ｉ）の芳香族化合物を８８〜９９重量パーセント、及びアルカンを１〜１２重量パーセント含む、態様１６〜１９のいずれか一項に記載の方法。
２１．  前記溶媒混合物が、アニソールとデカン、３，５−ジメチルアニソールとドデカン、又はｎ−ブチルベンゼンとウンデカンを含む、態様１６〜２０のいずれか一項に記載の方法。
本発明の範囲及び趣旨から逸脱しない本発明の様々な変更や改変は、当業者には明らかとなるであろう。本発明は、本明細書で述べる例示的な実施形態及び実施例によって不当に限定されるものではないこと、また、こうした実施例及び実施形態は、本明細書において以下に記述する特許請求の範囲によってのみ限定されると意図する本発明の範囲に関する例示のためにのみ提示されることを理解すべきである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成物であって、
ａ）溶媒混合物であって
ｉ）前記溶媒混合物の重量に対して、１〜２０重量パーセントの範囲の量で存在する、６〜１６個の炭素原子を有するアルカンと、
ｉｉ）式（Ｉ）
【化１】
2011525044.tif 000008
で表わされ、式中、
Ｒａはアルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、ヘテロアルコキシ、又は５〜６員の縮合環であり、
各Ｒｂは独立に、アルキル、アルコキシ、又はハロから選択され、
ｎは０〜５の範囲の整数であり、前記溶媒混合物の重量に対して、８０〜９９重量パーセントの範囲の量で存在する芳香族化合物、を含む溶媒混合物、及び、
ｂ）前記組成物の合計重量に対して、０．１重量パーセント以上の量で、前記溶媒混合物に溶解している式（ＩＩ）の有機半導体材料であって、
【化２】
2011525044.tif 000009
式中、
各Ｒｃは独立に、未置換若しくは置換アルキル、未置換若しくは置換ヘテロアルキル、未置換若しくは置換アルケニル、未置換若しくは置換アリール、未置換若しくは置換ヘテロアリール、フェロセニル、又は式−Ｓｉ（Ｒｄ）３のシリル基から選択され、
各Ｒｄは独立に、水素、未置換若しくは置換アルキル、未置換若しくは置換ヘテロアルキル、未置換若しくは置換アルケニル、未置換若しくは置換アルキニル、未置換若しくは置換アリール、未置換若しくは置換ヘテロアリール、又はアセチルから選択され、
各Ｘは独立に、水素、ハロ、アルキル、アルコキシ、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、シアノ、又はヘテロアリールから選択され、
置換アルキル又は置換ヘテロアルキルは、少なくとも１つのアリール基、ヘテロアリール基、ハロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、又はカルボキシル基で置換され、
置換アルケニル又は置換アルキニルは、少なくとも１つのアルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、又はカルボキシル基で置換され、かつ、
置換アリール又は置換ヘテロアリールは、少なくとも１つのアルキル基、アルコキシ基、ヘテロアルキル基、アルコキシ基、ハロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、−ＳｅＨ、又はカルボキシル基で置換されている、有機半導体材料と、
を含む、組成物。