【手続補正書】
【提出日】平成15年11月5日(2003.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程からなる半導体集積回路装置の量産方法；
（ａ）ウエハプロセスを流れる各ウエハに対して、遷移金属含有膜の堆積処理を行う工程、
（ｂ）前記遷移金属含有膜が堆積された前記各ウエハに対して、そのデバイス面の外縁部または裏面の前記遷移金属含有膜を除去する工程、
（ｃ）前記遷移金属含有膜が除去された前記各ウエハに対して、下層工程群に属する複数枚のウエハと共用関係にあるリソグラフィ工程、検査工程または熱処理工程を実行する工程。
【請求項２】
請求項１記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記遷移金属含有膜の除去は、少なくとも前記各ウエハの前記裏面のほぼ全面について行われることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記遷移金属含有膜の除去は、少なくとも前記各ウエハの前記デバイス面の外縁部について行われることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記遷移金属含有膜の除去は、少なくとも前記各ウエハの前記裏面のほぼ全面および前記デバイス面の外縁部について行われることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記遷移金属は、白金族金属であることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記遷移金属は、ルテニウムであることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
【請求項７】
請求項１記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記遷移金属含有膜は、銅であることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
【請求項８】
請求項１記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記遷移金属含有膜は、ペロブスカイト型高誘電体または強誘電体からなるものであることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
【請求項９】
請求項８記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記ペロブスカイト型高誘電体または強誘電体は、ＢＳＴであることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記遷移金属含有膜は、タンタルであることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
【請求項１１】
請求項６記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記遷移金属含有膜の除去は、ハロゲン化オキソ酸を含む溶液を用いて行われることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記ハロゲン化オキソ酸は、オルト過ヨウ素酸であることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記溶液は、酸性水溶液であることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記溶液は、オルト過ヨウ素酸と硝酸を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記溶液におけるオルト過ヨウ素酸の濃度は、２０ｗｔ％から４０ｗｔ％であり、硝酸の濃度は、２０ｗｔ％から４０ｗｔ％であることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記溶液におけるオルト過ヨウ素酸の濃度は、２５ｗｔ％から３５ｗｔ％であり、硝酸の濃度は、２５ｗｔ％から３５ｗｔ％であることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
【請求項１７】
以下の工程からなる半導体集積回路装置の量産方法；
（ａ）ウエハプロセスを流れる第１の工程群に属する各ウエハに対して、ルテニウム含有膜の堆積処理を行う工程、
（ｂ）前記ルテニウム含有膜が堆積された前記各ウエハに対して、そのデバイス面の外縁部または裏面の前記ルテニウム含有膜を除去する工程、
（ｃ）前記ルテニウム含有膜が除去された前記各ウエハに対して、前記ウエハプロセスを流れる大量のウエハのうち、前記第１の工程群と比較して、下層工程群に属するウエハ群と共用関係にあるリソグラフィ工程、検査工程または熱処理工程を実行する工程。
【請求項１８】
請求項１７記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記下層工程群における各ウエハに対する最高熱処理温度は、前記第１の工程群における各ウエハに対する最高熱処理温度と比較して高いことを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
【請求項１９】
請求項１８記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記ルテニウム含有膜の除去は、ハロゲン化オキソ酸を含む溶液を用いて行われることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
【請求項２０】
請求項１９記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記ハロゲン化オキソ酸はオルト過ヨウ素酸であることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
【請求項２１】
請求項２０記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記溶液は酸性水溶液であることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
【請求項２２】
請求項２１記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記溶液はオルト過ヨウ素酸と硝酸を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
【請求項２３】
請求項２２記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記溶液におけるオルト過ヨウ素酸の濃度は２０ｗｔ％から４０ｗｔ％であり、硝酸の濃度は２０ｗｔ％から４０ｗｔ％であることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
【請求項２４】
請求項２３記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記溶液におけるオルト過ヨウ素酸の濃度は２５ｗｔ％から３５ｗｔ％であり、硝酸の濃度は２５ｗｔ％から３５ｗｔ％であることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
【請求項２５】
以下の工程からなる半導体集積回路装置の量産方法；
（ａ）ウエハプロセスを流れる第１の工程群に属する各ウエハに対して、有害遷移金属含有膜の堆積処理を行う工程、
（ｂ）前記有害遷移金属含有膜が堆積された前記各ウエハに対して、そのデバイス面の外縁部または裏面の前記有害遷移金属含有膜を除去する工程、
（ｃ）前記有害遷移金属含有膜が除去された前記各ウエハに対して、前記ウエハプロセスを流れる大量のウエハのうち、前記第１の工程群と比較して、下層工程群に属するウエハ群と共用関係にあるリソグラフィ工程、検査工程または熱処理工程を実行する工程。
【請求項２６】
請求項２５記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記有害遷移金属は白金族および銅族のみからなる群から選ばれたものであることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
【請求項２７】
以下の工程からなる半導体集積回路装置の量産方法；
（ａ）ウエハプロセスを流れる第１の工程群に属する各ウエハに対して、アルカリ土類金属含有膜の堆積処理を行う工程、
（ｂ）前記アルカリ土類金属含有膜が堆積された前記各ウエハに対して、そのデバイス面の外縁部または裏面の前記アルカリ土類金属含有膜を除去する工程、
（ｃ）前記アルカリ土類金属含有膜が除去された前記各ウエハに対して、前記ウエハプロセスを流れる大量のウエハのうち、前記第１の工程群と比較して、下層工程群に属するウエハ群と共用関係にあるリソグラフィ工程、検査工程または熱処理工程を実行する工程。
【請求項２８】
請求項２７記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記アルカリ土類金属含有膜はペロブスカイト型高誘電体または強誘電体からなるものであることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
【請求項２９】
以下の工程からなる半導体集積回路装置の量産方法；
（ａ）ウエハプロセスを流れる第１の工程群に属する各ウエハに対して、鉛含有膜の堆積処理を行う工程、
（ｂ）前記鉛含有膜が堆積された前記各ウエハに対して、そのデバイス面の外縁部または裏面の前記鉛含有膜を除去する工程、
（ｃ）前記鉛含有膜が除去された前記各ウエハに対して、前記ウエハプロセスを流れる大量のウエハのうち、前記第１の工程群と比較して、下層工程群に属するウエハ群と共用関係にあるリソグラフィ工程、検査工程または熱処理工程を実行する工程。
【請求項３０】
請求項２９記載の半導体集積回路装置の量産方法であって、前記鉛含有膜はペロブスカイト型高誘電体または強誘電体からなるものであることを特徴とする半導体集積回路装置の量産方法。
【請求項３１】
以下の工程からなる半導体集積回路装置の量産方法；
（ａ）ウエハプロセスを流れる各ウエハに対して、遷移金属含有膜の堆積処理を行う工程、
（ｂ）前記遷移金属含有膜が堆積された前記各ウエハに対して、そのデバイス面の外縁部または裏面の前記遷移金属含有膜を除去する工程、
（ｃ）前記遷移金属含有膜が除去された前記各ウエハをウエハプロセスで使われる共用装置へ搬送する工程、
（ｄ）前記共用装置から前記搬送された各ウエハを取り出す工程、
（ｅ）前記堆積処理を行う工程の前後の前記ウエハプロセスを行うために、さらにウエハを前記共用装置へ搬送する工程。