Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月6日(2013.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々のヒドロキシル当量が１７００〜２２００でありかつ少なくとも７０％の第一級ヒドロキシル基を含む、エチレンオキシドでキャップされたポリプロピレンオキシドの混合物であって、前記エチレンオキシドでキャップされたポリプロピレンオキシドの５〜８０質量％は公称で二官能価であり、前記エチレンオキシドでキャップされたポリプロピレンオキシドの１〜５質量％は公称官能価が６〜８であり、そして前記エチレンオキシドでキャップされたポリプロピレンオキシドの１０〜９４．５質量％は公称で三官能価である、混合物。
【請求項２】
二官能価のエチレンオキシドでキャップされたポリプロピレンオキシドはエチレンオキシドでキャップされたポリプロピレンオキシドの合計質量の５〜１５質量％を構成する、請求項１に記載の混合物。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の混合物をポリイソシアネートとブレンドすること、及び、得られたブレンドを、該ブレンドが弾力性のある可とう性ポリウレタンフォームを形成するように硬化するのに十分な条件に付すことを含む、ポリウレタンの調製方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の混合物を、ポリイソシアネートと、エチレンオキシドでキャップされたポリプロピレンオキシド１００質量部当たり４〜７質量部の水の存在下にブレンドすること、及び、得られたブレンドを、該ブレンドが弾力性のある可とう性ポリウレタンフォームを形成するように硬化するのに十分な条件に付すことを含む、弾力性のある可とう性ポリウレタンフォームの調製方法。
【請求項５】
前記弾力性のある可とう性ポリウレタンフォームは密度が３６〜４２ｋｇ／ｍ３である、請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月11日(2013.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸官能性（メタ）アクリレートコポリマー及び以下の式の（メタ）アクリロイルアジリジン架橋剤を含む、架橋性組成物であって、
【化１】
2013515819.tif 000001
式中、
Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立して−Ｏ−又は−ＮＨ−であり、
Ｒ２は、（ヘテロ）ヒドロカルビル基であり、
Ｒ４は、−Ｈ又はＣＨ３であり、
ｙは、０又は１であり、
各Ｒ３は、独立して−Ｈ又はＣ１〜Ｃ４アルキル基である、架橋性組成物。
【請求項２】
Ｒ２が、−ＣＨ２−ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−である、請求項１に記載の架橋性組成物。
【請求項３】
Ｒ２が、アルキレン基である、請求項１に記載の架橋性組成物。
【請求項４】
Ｒ２が、ポリ（アルキレンオキシ）基である、請求項１に記載の架橋性組成物。
【請求項５】
前記酸官能性（メタ）アクリレートコポリマーが、１００重量部の総モノマーを基準として
ｉ．８５〜９９．５重量部の非第三級アルコールの（メタ）アクリル酸エステルと、
ｉｉ．０．５〜１５重量部の酸官能性エチレン性不飽和モノマーと、
ｉｉｉ．０〜１０重量部の非酸官能性エチレン性不飽和極性モノマーと、
ｉｖ．０〜５部のビニルモノマーと、
ｖ．０〜５部の多官能性（メタ）アクリレートと、を含む、請求項１に記載の架橋性組成物。
【請求項６】
１００部のコポリマーに対して０．００５〜５．０重量部の（メタ）アクリロイルアジリジン架橋剤を含む、請求項１に記載の架橋性組成物。
【請求項７】
前記コポリマーが、０．５〜５重量部のアクリル酸と１〜５重量部の非酸官能性エチレン性不飽和モノマーとを含む、請求項５に記載の架橋性組成物。
【請求項８】
ビニルエステル、スチレン、置換スチレン、ビニルハロゲン化物、プロピオン酸ビニル、及びこれらの混合物から選択される、１〜５部のビニルモノマーを含む、請求項５に記載の架橋性組成物。
【請求項９】
前記非第三級アルコールの（メタ）アクリル酸エステルの前記非第三級アルコールが、２−オクタノール又はジヒドロシトロネロールから選択される、請求項５に記載の架橋性組成物。
【請求項１０】
ａ）
ｉ．８５〜９９．５重量部の非第三級アルコールの（メタ）アクリル酸エステルと、
ｉｉ．０．５〜１５重量部の酸官能性モノマーと、
ｉｉｉ．０〜１０重量部の非酸官能性エチレン性不飽和極性モノマーと、
ｉｖ．０〜５部のビニルモノマーと、を含む、第１の構成成分である溶質コポリマーと、
ｂ）少なくとも１つのフリーラジカル重合性溶媒モノマーを含む第２の構成成分と、
ｃ）０．００５〜５．０重量部の前記（メタ）アクリロイルアジリジン架橋剤と、を含む、シロップポリマー組成物を含む、請求項５に記載の架橋性組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月16日(2014.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不織布であって、
外面を有する複数の繊維と、
前記複数の繊維の前記外面上のコーティングとを有し、
前記コーティングは、アミノ官能化シラン、ジアルデヒド、及びシリカナノ粒子の架橋反応生成物であり、（ｉ）前記ジアルデヒドの前記アミノ官能化シランに対する重量部の比率は少なくとも２：１であり、（ｉｉ）前記ナノ粒子は、５００ナノメートル未満の平均粒径を有し、（ｉｉｉ）前記ジアルデヒドの前記シリカナノ粒子に対する重量の比率は少なくとも２：１であり、かつ（ｉｖ）前記コーティング組成物は、０．５グラム毎平方メートル以上、６毎平方メートル以下の坪量を有することを特徴とする不織布。
【請求項２】
請求項１に記載の不織布であって、
前記粒子が、約２５０ナノメートル未満の平均粒径を有することを特徴とする不織布。
【請求項３】
請求項１に記載の不織布であって、
前記粒子が、約１５０ナノメートル未満の平均粒径を有することを特徴とする不織布。
【請求項４】
請求項１に記載の不織布であって、
前記不織布が、スパンボンド層とメルトブローン層とを含む積層体であることを特徴とする不織布。
【請求項５】
請求項１に記載の不織布であって、
前記複数の繊維の外面が、コロナ処理が施された不織ウェブを含むことを特徴とする不織布。
【請求項６】
請求項１に記載の不織布であって、
前記ジアルデヒドがグルタルアルデヒドであることを特徴とする不織布。
【請求項７】
請求項１に記載の不織布であって、
前記不織布の平均突刺抵抗を少なくとも約２５％増加させたことを特徴とする不織布。
【請求項８】
請求項１に記載の不織布であって、
前記繊維の可視外面の少なくとも５０％が、前記コーティング組成物で被覆されることを特徴とする不織布。
【請求項９】
請求項１に記載の不織布であって、
前記シランが、テトラエトキシシラン、アミノプロピルトリエトキシシラン及びヘキサメチルジシラザンよりなる群より選択されることを特徴とする不織布。
【請求項１０】
請求項１に記載の不織布であって、
前記シランが、ヘキサメチルジシラザンであることを特徴とする不織布。
【請求項１１】
請求項９に記載の不織布であって、
前記ジアルデヒドがグルタルアルデヒドであることを特徴とする不織布。
【請求項１２】
請求項９に記載の不織布であって、
前記不織布の平均突刺抵抗を少なくとも約２５％増加させたことを特徴とする不織布。
【請求項１３】
請求項９に記載の不織布であって、
前記コーティング組成物が、前記複数の被覆された繊維の可視外面の少なくとも約５０％を覆うことを特徴とする不織布。
【請求項１４】
請求項１２に記載の不織布であって、
被覆された繊維を有する前記不織布が、メルトブローンウェブ、スパンボンドウェブ、及びカードウェブからなる群より選択されることを特徴とする不織布。
【請求項１５】
請求項７に記載の不織布であって、
前記不織布が、スパンボンド・メルトブローン・スパンボンド積層体であることを特徴とする不織布。
【請求項１６】
請求項７に記載の不織布であって、
前記複数の被覆された繊維の可視外面の少なくとも約７５％が、前記コーティング組成物で被覆されることを特徴とする不織布。
【請求項１７】
請求項１に記載の不織布であって、
前記アミノ官能化シランが、ＮＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３；ヘキサメチルジシラザン；３−アミノプロピルトリエトキシシラン；ビス［（３−トリエトキシシリル）プロピル］アミン；３−アミノプロピルトリメトキシシラン；３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン；３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン；アミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン；アミノエチルアミノプロピルトリエトキシシラン；アミノエチルアミノプロピルメチルジメトキシシラン；アミノエチルアミノプロピルメチルジエトキシシラン；アミノエチルアミノメチルトリエトキシシラン；アミノエチルアミノメチルメチルジエトキシシラン；ジエチレントリアミノプロピルトリメトキシシラン；ジエチレントリアミノプロピルトリエトキシシラン；ジエチレントリアミノプロピルメチルジメトキシシラン；ジエチレントリアミノプロピルメチルジエトキシシラン；ジエチレントリアミノメチルメチルジエトキシシラン；（ｎ−フェニルアミノ）メチルトリメトキシシラン；（ｎ−フェニルアミノ）メチルトリエトキシシラン；（ｎ−フェニルアミノ）メチルメチルジメトキシシラン；（ｎ−フェニルアミノ）メチルメチルジエトキシシラン；３−（ｎ−フェニルアミノ）プロピルトリメトキシシラン；３−（ｎ−フェニルアミノ）プロピルトリエトキシシラン；３−（ｎ−フェニルアミノ）プロピルメチルジメトキシシラン；３−（ｎ−フェニルアミノ）プロピルメチルジエトキシシラン；
ジエチルアミノメチルトリエトキシシラン；ジエチルアミノメチルジエトキシシラン；ジエチルアミノメチルトリメトキシシラン；ジエチルアミノプロピルトリメトキシシラン；ジエチルアミノプロピルメチルジメトキシシラン；ジエチルアミノプロピルメチルジエトキシシラン；及びｎ−（ｎ−ブチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシランよりなる群から選択されることを特徴とする不織布。
【請求項１８】
請求項３に記載の不織布であって、
前記ジアルデヒドが、アルキル及び芳香族ジアルデヒドよりなる群より選択されることを特徴とする不織布。
【請求項１９】
請求項１に記載の不織布を含む保護衣類。
【請求項２０】
請求項１に記載の不織布を含む滅菌ラップ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月12日(2013.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
本開示の様々な修正及び変更は、本開示の範囲及び原理から逸脱することなく当業者には明白であり、また、本発明は、上記で説明した例示的な実施形態に不当に限定して理解すべきではない。
本開示は以下も含む。
［１］  ａ）ポリウレタンポリマーと、
ｂ）前記ポリウレタンポリマー中に分散され、かつ前記ポリウレタンポリマーに共有結合されている表面修飾シリカナノ粒子と、を含むポリウレタンナノコンポジット。
［２］  １２重量％を越えるシリカ含有率を有する、上記［１］に記載のポリウレタンナノコンポジット。
［３］  １８重量％を越えるシリカ含有率を有する、上記［１］に記載のポリウレタンナノコンポジット。
［４］  ３０重量％を越えるシリカ含有率を有する、上記［１］に記載のポリウレタンナノコンポジット。
［５］  前記シリカナノ粒子が、シラン官能基とポリオールセグメントとを含む表面修飾化合物に由来する結合を介して、前記ポリウレタンポリマーに共有結合されている、上記［１］に記載のポリウレタンナノコンポジット。
［６］  前記ポリオールセグメントが少なくとも５００の分子量を有する、上記［５］に記載のポリウレタンナノコンポジット。
［７］  上記［１］に記載のポリウレタンナノコンポジットを含むフィルム。
［８］  上記［１］に記載のポリウレタンナノコンポジット及び感圧性接着剤を含むテープ。
［９］  ａ）第１のポリオールと、
ｂ）前記第１のポリオール中に分散されている表面修飾シリカナノ粒子であって、シラン官能基及びヒドロキシ官能基を含む表面修飾化合物との反応により表面修飾されている表面修飾シリカナノ粒子と、を含む、ポリウレタンナノコンポジット用の前駆体。
［１０］  １８重量％を越えるシリカ含有率を有する、上記［９］に記載のポリウレタンナノコンポジット用の前駆体。
［１１］  ３０重量％を越えるシリカ含有率を有する、上記［９］に記載のポリウレタンナノコンポジット用の前駆体。
［１２］  ５０重量％を越えるシリカ含有率を有する、上記［９］に記載のポリウレタンナノコンポジット用の前駆体。
［１３］  前記シリカナノ粒子が、シラン官能基と第２のポリオール由来のポリオールセグメントとを含む表面修飾化合物との反応により表面修飾されている、上記［９］に記載のポリウレタンナノコンポジット用の前駆体。
［１４］  前記ポリオールセグメントが少なくとも５００の分子量を有する、上記［１３］に記載のポリウレタンナノコンポジット用の前駆体。
［１５］  少なくとも１種の第２のポリオールが、少なくとも１種の第１のポリオールと同一である、上記［１３］に記載のポリウレタンナノコンポジット用の前駆体。
［１６］  前記第２のポリオールが前記第１のポリオールと本質的に同一のポリオールである、上記［１３］に記載のポリウレタンナノコンポジット用の前駆体。
［１７］  ａ）上記［９］に記載のポリウレタンナノコンポジット用の前駆体を、イソシアネートポリウレタン前駆体と混合して、反応性混合物を作製する工程と、
ｂ）前記反応性混合物を基材に塗布する工程と、
ｃ）前記反応性混合物を硬化させる工程と、を含む方法。
［１８］  前記表面修飾シリカナノ粒子が、５〜５００ナノメートル（ｎｍ）の数平均粒径を有する、上記［１］に記載のポリウレタンナノコンポジット。
［１９］  前記表面修飾シリカナノ粒子が多峰性粒径分布を有する、上記［１］に記載のポリウレタンナノコンポジット。
［２０］  前記表面修飾シリカナノ粒子が、５〜５００ナノメートル（ｎｍ）の数平均粒径を有する、上記［９］に記載のポリウレタンナノコンポジット用の前駆体。
［２１］  前記表面修飾シリカナノ粒子が多峰性粒径分布を有する、上記［９］に記載のポリウレタンナノコンポジット用の前駆体。
［２２］  前記表面修飾シリカナノ粒子が、シラン官能基を含み、かつ３５０未満の分子量を有する第２の表面修飾化合物との反応により表面修飾されている、上記［５］に記載のポリウレタンナノコンポジット。
［２３］  前記第２の表面修飾化合物がポリオールセグメントを含まない、上記［２２］に記載のポリウレタンナノコンポジット。
［２４］  前記表面修飾シリカナノ粒子が、シラン官能基を含み、かつ３５０未満の分子量を有する第２の表面修飾化合物との反応により表面修飾されている、上記［１３］に記載のポリウレタンナノコンポジット用の前駆体。
［２５］  前記第２の表面修飾化合物がポリオールセグメントを含まない、上記［２４］に記載のポリウレタンナノコンポジット。
［２６］  前記ポリウレタンが、放射線誘導架橋が可能なアクリレート構成成分を含む、上記［１］に記載のポリウレタンナノコンポジット。
［２７］  前記ポリウレタンが、放射線誘導架橋が可能なアクリレート構成成分を含む、上記［９］に記載のポリウレタンナノコンポジット用の前駆体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）ポリウレタンポリマーと、
ｂ）前記ポリウレタンポリマー中に分散され、かつ前記ポリウレタンポリマーに共有結合されている表面修飾シリカナノ粒子と、を含む、１２重量％を越えるシリカ含有率を有するポリウレタンナノコンポジット。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月25日(2013.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
この共重合体（０．１ｇ）を１，１，２，２−テトラクロロエタンに溶解させることにより１．１重量％溶液を得た。この溶液をポリメチルペンテン製ペトリ皿に注ぎ、窒素パージした乾燥チャンバ内の水平な乾燥台に載置した。乾燥したフィルムは皿から自然に剥がれた。フィルムを窒素パージした６０℃の真空オーブン内でさらに乾燥させた。フィルムは強度が高く、屈曲性を有し、強靱で、折り畳むことも可能であった。
フィルムの動的粘弾性測定からは、貯蔵弾性率が２５℃で４１１２ＭＰａと高く、高温でもこれを十分に維持しており、２００℃で１３９６ＭＰａおよび２２０℃で約１０００ＭＰａという値を示した。タンデルタプロットからピークが２４０℃にある高いＴｇが確認された。Ｔｇが１４９〜２１７℃と報告されている（Ｗａｎｇ  ａｎｄ  Ｑｕｉｒｋ，Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ  １９９５，２８（１０），ｐ．３４９５）ポリ（２，５−ベンゾフェノン）と比較すると、この共重合体のフィルムはＴｇがより高く、かつ１４０〜２２０℃の温度ではるかに高に貯蔵弾性率を維持している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
以上、本発明を要約すると下記のとおりである。
１．式（Ｉ）：
【化２０】
2013515844.tif 000001
（式中、Ｔは、嵩高い芳香族基である）の繰り返し単位を含むポリマー。
２．数平均分子量が少なくとも約５，０００である、上記１に記載のポリマー。
３．Ｔがフェニルである、上記１に記載のポリマー。
４．式（ＩＩ）：
【化２１】
2013515844.tif 000002
（式中、Ｔ’は、嵩高い芳香族基である）の繰り返し単位をさらに含む、上記１に記載のポリマー。
５．数平均分子量が少なくとも約５，０００である、上記４に記載のポリマー。
６．Ｔ’がフェニルである、上記４に記載のポリマー。
７．式（ＩＡ）：
【化２２】
2013515844.tif 000003
（式中、Ｔは、嵩高い芳香族基であり、Ｘは、ＢｒまたはＣｌである）の化合物。
８．Ｔがフェニルである、上記７に記載の化合物。
９．ＸがＣｌである、上記７に記載の化合物。
１０．式（ＩＡ）：
【化２３】
2013515844.tif 000004
（式中、Ｔは、嵩高い芳香族基であり、Ｘは、独立に、ＢｒまたはＣｌである）のモノマーを重合させることを含む、ポリマーの製造方法。
１１．Ｔがフェニルである、上記１０に記載の方法。
１２．ＸがＣｌである、上記１０に記載の方法。
１３．ポリマーの数平均分子量が少なくとも約５，０００である、上記１０に記載の方法。
１４．式（ＩＡ）のモノマーおよび式（ＩＩＡ）：
【化２４】
2013515844.tif 000005
（式中、Ｔ’は、嵩高い芳香族基であり、Ｘ’は、独立に、ＢｒまたはＣｌである）のモノマーを重合させることを含む、上記１０に記載の方法。
１５．ＴおよびＴ’がフェニルである、上記１０に記載の方法。
１６．ＸおよびＸ’がＣｌである、上記１０に記載の方法。
１７．ポリマーの数平均分子量が少なくとも約５，０００である、上記１４に記載の方法。
１８．重合が、錯体の形態にある０価の遷移金属および中性配位子の存在下に為される、上記１０に記載の方法。
１９．０価の遷移金属がパラジウムまたはニッケルである、上記１８に記載の方法。
２０．０価の遷移金属がビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）であり、中性配位子が、２，２’−ビピリジンである、上記１８に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）：
【化１】
2013515844.tif 000006
（式中、Ｔは、嵩高い芳香族基である）の繰り返し単位を含むポリマー。
【請求項２】
式（II）：
【化２】
2013515844.tif 000007
（式中、Ｔ’は、嵩高い芳香族基である）の繰り返し単位をさらに含む、請求項１に記載のポリマー。
【請求項３】
式（ＩＡ）：
【化３】
2013515844.tif 000008
（式中、Ｔは、嵩高い芳香族基であり、Ｘは、ＢｒまたはＣｌである）の化合物。
【請求項４】
式（ＩＡ）：
【化４】
2013515844.tif 000009
（式中、Ｔは、嵩高い芳香族基であり、Ｘは、独立に、ＢｒまたはＣｌである）のモノマーを重合させることを含む、ポリマーの製造方法。
【請求項５】
式（ＩＡ）のモノマーおよび式（IIＡ）：
【化５】
2013515844.tif 000010
（式中、Ｔ’は、嵩高い芳香族基であり、Ｘ’は、独立に、ＢｒまたはＣｌである）のモノマーを重合させることを含む、請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月6日(2013.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
【図６】本発明の一実施形態に従って、基板の表面を処理する方法を示す図。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
理解を深めるために、本発明について、ある程度詳しく説明したが、添付の特許請求の範囲内でいくらかの変更と変形を行ってもよいことは明らかである。したがって、この実施形態は、例示的なものであって、限定的なものではないとみなされ、本発明は、本明細書に示した詳細に限定されず、添付の特許請求の範囲および等価物の範囲内で変形されてよい。例えば本発明は、以下の適用例としても実施可能である。
［適用例１］
ウエハ表面上に供給するための溶液であって、前記ウエハ表面は金属キャッピング層を備え、前記溶液は、前記ウエハ表面から前記金属キャッピング層の腐食生成物をリンスしつつ前記金属キャッピング層の腐食を低減させる効果があり、前記溶液は、
前記ウエハ表面の湿潤を改善し、前記キャッピング層のさらなる腐食を抑制するよう構成された界面活性剤を含み、
前記溶液は、前記ウエハ表面上への前記供給の際に約３未満のｐＨに維持される溶液。
［適用例２］
適用例１に記載の溶液であって、前記界面活性剤は、前記金属キャッピング層上に自己組織化単分子膜を形成する溶液。
［適用例３］
適用例１に記載の溶液であって、前記界面活性剤は、両性界面活性剤である溶液。
［適用例４］
適用例３に記載の溶液であって、前記溶液中の前記界面活性剤の濃度は、約１０ｐｐｍから２０００ｐｐｍの範囲にある溶液。
［適用例５］
適用例３に記載の溶液であって、前記溶液中の前記界面活性剤の濃度は、約３００ｐｐｍから７００ｐｐｍの範囲にある溶液。
［適用例６］
適用例１に記載の溶液であって、さらに、前記ウエハ表面から前記溶液中に溶解した腐食生成物と結合するよう構成された錯化剤を含む溶液。
［適用例７］
適用例６に記載の溶液であって、前記錯化剤は、前記腐食生成物の再堆積を防止する溶液。
［適用例８］
適用例６に記載の溶液であって、前記錯化剤は、シュウ酸二水和物である溶液。
［適用例９］
適用例８に記載の溶液であって、前記錯化剤の濃度は、およそ０．０５ｇ／Ｌから２０ｇ／Ｌの範囲にある溶液。
［適用例１０］
適用例８に記載の溶液であって、前記錯化剤の濃度は、約１ｇ／Ｌである溶液。
［適用例１１］
適用例１に記載の溶液であって、さらに、前記ウエハ表面上への前記供給の際に前記溶液の前記ｐＨを約３未満に下げるよう構成されたｐＨ調整剤を含む溶液。
［適用例１２］
適用例１１に記載の溶液であって、前記ｐＨ調整剤は、次亜リン酸である溶液。
［適用例１３］
適用例１１に記載の溶液であって、前記ｐＨ調整剤の濃度は、およそ０．０１ｇ／Ｌから２０ｇ／Ｌの範囲にある溶液。
［適用例１４］
適用例１１に記載の溶液であって、前記ｐＨ調整剤の濃度は、約８ｍｌ／Ｌ  ５０ｗ／ｗ％である溶液。
［適用例１５］
適用例１に記載の溶液であって、前記界面活性剤は両性界面活性剤であり、前記溶液は、さらに、
前記ウエハ表面から前記溶液中に溶解した腐食生成物と結合するよう構成され、ヒドロキシエチルジホスホン酸、シュウ酸二水和物、フィチン酸、および、ピロリン酸からなる群より選択された錯化剤と、
前記ウエハ表面上への前記供給の際に前記溶液の前記ｐＨを約３未満に下げるよう構成され、次亜リン酸、メタンスルホン酸、硫酸、トリフリン酸、および、トリフルオロ酢酸からなる群より選択されたｐＨ調整剤と
を含む溶液。
［適用例１６］
適用例１に記載の溶液であって、前記溶液は、前記堆積溶液と交差汚染した場合に、前記金属キャッピング層を生成するために再循環されて用いられる堆積溶液の機能を大きく阻害しない溶液。
［適用例１７］
適用例１に記載の溶液であって、前記ウエハ表面は、誘電材料の領域を含み、前記誘電材料の前記領域は、前記溶液の供給の前に前記領域上に形成された前記キャッピング層の前記腐食生成物を有する溶液。
［適用例１８］
適用例１７に記載の溶液であって、前記誘電材料は、約３．０以下のＫ値を有する溶液。
［適用例１９］
適用例１に記載の溶液であって、前記金属キャッピング層は、コバルトまたはコバルト合金からなる溶液。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月13日(2013.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エンジンシリンダと、該シリンダ内で移動する双端ピストンを備えた単一ピストン部材とを有するフリーピストンエンジンであって、
（ａ）前記ピストン部材は前記シリンダを２つの別個のチェンバに仕切り、これらチェンバの各々には１以上の吸気手段から圧縮可能な作動流体が供給され、
（ｂ）前記ピストンは、該ピストンが一方のチェンバ内に保持された流体を圧縮する間に前記作動流体が他方のチェンバ内に補給されるように、各行程の間において前記吸気手段上を及び該吸気手段を越えて移動し、
（ｃ）前記ピストンの長さが該ピストンの直径の少なくとも５倍となるように、該ピストンが延伸しており、
（ｄ）前記シリンダが該シリンダの直径の少なくとも１０倍の長さを有する、
フリーピストンエンジン。
【請求項２】
前記吸気手段が前記シリンダに沿う中間位置に配置される請求項１に記載のフリーピストンエンジン。
【請求項３】
前記吸気手段が空気吸気手段と燃料噴射手段とを有する請求項１又は請求項２に記載のフリーピストンエンジン。
【請求項４】
前記空気吸気手段が滑りポート弁とソレノイドポペット弁とを有する請求項１ないし３の何れか一項に記載のフリーピストンエンジン。
【請求項５】
前記燃料噴射手段が前記滑りポート弁の閉鎖の直前に燃料を噴射する請求項４に記載のフリーピストンエンジン。
【請求項６】
前記チェンバの各々の内部に火花を生成する火花点火手段を更に有する請求項１ないし５の何れか一項に記載のフリーピストンエンジン。
【請求項７】
前記チェンバの各々に設けられた排気手段を更に有する請求項１ないし６の何れか一項に記載のフリーピストンエンジン。
【請求項８】
前記エンジンシリンダは、約１５：１の圧縮比及び該圧縮比の２倍より大きな膨張比が得られるように寸法決めされたボアを有する、
請求項１ないし７の何れか一項に記載のフリーピストンエンジン。
【請求項９】
請求項１ないし８の何れか一項に記載のフリーピストンエンジンを有する車両。
【請求項１０】
請求項１ないし８の何れか一項に記載のエンジンを有すると共に、該エンジンの前記シリンダに沿って配置された複数のコイルを更に有し、前記シリンダ内における前記ピストンの運動が前記コイル内に磁束を誘起する電力発生機。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月25日(2013.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容積移送式ドライポンプであって、
複数個のポンプ輸送機構体を含む複数個の真空ポンプ輸送段を有し、前記ポンプ輸送機構体は、前記ポンプ輸送段を通して流体を高真空段のところのポンプ入口から低真空段のところのポンプ出口まで連続してポンプ輸送するために１本又は２本以上の駆動シャフトによって駆動され、
前記駆動シャフトを回転運動可能に支持する軸受組立体を収容した潤滑チャンバを有し、前記駆動シャフトは、前記潤滑チャンバのヘッドプレートの開口部を通って前記高真空段から前記潤滑チャンバまで延び、
段間パージポートを有し、ガスが前記段間パージポートを通って前記高真空段の下流側の段間場所のところで前記ポンプに流入することができ、そしてガスは前記段間パージポートの下流側に位置した各真空ポンプ輸送段しか流通することができず、
前記潤滑チャンバに設けられた潤滑チャンバパージポートを有し、パージガスがパージガス源から前記潤滑チャンバパージポートを通って流れることができ、
前記段間パージポートは、前記潤滑チャンバ内のパージガスの圧力を制御し、それにより、使用中、前記ヘッドプレートの前記開口部を介する前記高真空段から前記潤滑チャンバへのポンプ輸送ガスの流通に抵抗するよう前記潤滑チャンバに連結されている、ポンプ。
【請求項２】
前記段間ポートの配置場所は、使用中、前記潤滑チャンバ内のパージガスの圧力が一般に、前記高真空段内のポンプ輸送ガスの圧力よりも高いよう選択され、それにより、前記潤滑チャンバと前記高真空段との間に正の圧力差が生じる、請求項１記載のポンプ。
【請求項３】
前記段間パージポートのところの圧力は、前記高真空段内の圧力の変化が前記潤滑チャンバ内のパージガスの圧力に対応の〔受動的な〕変化を生じさせるよう前記高真空段内の各輸送ガスの圧力に応答する、請求項１又は２記載のポンプ。
【請求項４】
前記高真空段内のポンプ輸送ガスの圧力の増加は、前記高真空段内へのポンプ輸送ガスの流量の増加中、前記潤滑チャンバ内のチャージガスの圧力を増大させて前記ヘッドプレートの前記開口部を介する前記高真空段から前記潤滑チャンバへのポンプ輸送ガスの流通に抵抗するよう前記潤滑チャンバ内のパージガスの圧力の増加を生じさせる、請求項３記載のポンプ。
【請求項５】
前記潤滑チャンバパージポートは、パージガスが前記ヘッドプレートの前記開口部内に設けられたシャフトシール中に流れることができるよう前記ヘッドプレートに設けられている、請求項１〜４のうちいずれか一に記載のポンプ。
【請求項６】
前記潤滑チャンバパージポートは、パージガスが前記潤滑チャンバ内に流れる際の圧力が前記段間パージポートのところの圧力によって制御されるよう１本又は２本以上の導管によって前記段間パージポートに連結されている、請求項１〜５のうちいずれか一に記載のポンプ。
【請求項７】
前記導管は、前記潤滑チャンバへのガス流のコンダクタンスを減少させる絞り部を有する、請求項６記載のポンプ。
【請求項８】
前記導管は、前記段間ポートから前記潤滑チャンバへのポンプ輸送ガスの流通に抵抗する一方向弁を有する、請求項６又は７記載のポンプ。
【請求項９】
前記潤滑チャンバは、パージガスが前記潤滑チャンバから前記段間ポートに流れることができるよう導管によって前記段間パージポートに連結された第２のパージポートを有する、請求項１〜５のうちいずれか一に記載のポンプ。
【請求項１０】
前記導管は、前記潤滑チャンバから前記段間パージポートへのガス流のコンダクタンスを減少させる絞り部を有する、請求項９記載のポンプ。
【請求項１１】
パージシステムであって、請求項１〜１０のうちいずれか一に記載の容積移送式ドライポンプと、第１の導管によって前記潤滑チャンバパージポートに連結されたパージガス源とを有し、使用中、前記段間パージポートのところのポンプ輸送ガスの存在により、前記源から受け取ったパージガスの圧力が制御され、その結果、前記ヘッドプレートの前記開口部を介する前記高真空段から前記潤滑チャンバへのポンプ輸送ガスの流通量が減少するようになっている、パージシステム。
【請求項１２】
前記パージガス源は、前記潤滑チャンバ内のパージガスの圧力が前記段間ポートのところのポンプ輸送ガスの圧力に応答するよう第２の導管によって前記第１の導管に連結されている、請求項１１記載のパージシステム。
【請求項１３】
第２の導管が前記段間ポートを前記潤滑チャンバに設けられた第２のパージポートに連結し、その結果、パージガスが前記潤滑チャンバから前記段間ポートに流れることができるようになっている、請求項１１記載のパージシステム。
【請求項１４】
容積移送式ドライポンプをパージする方法であって、前記ポンプは、
複数個のポンプ輸送機構体を含む複数個の真空ポンプ輸送段を有し、前記ポンプ輸送機構体は、前記ポンプ輸送段を通して流体を高真空段から低真空段まで連続してポンプ輸送するために１本又は２本以上の駆動シャフトによって駆動され、
前記駆動シャフトを回転運動可能に支持する軸受組立体を収容した潤滑チャンバを有し、前記駆動シャフトは、前記潤滑チャンバのヘッドプレートの開口部を通って前記高真空段から前記潤滑チャンバまで延び、
前記方法は、
パージガスをパージガス源から前記潤滑チャンバに運ぶステップと、
前記潤滑チャンバを前記高真空段の下流側に設けられていて、使用中、高真空段よりも高い圧力状態にある段間ポートに連結することによって前記潤滑チャンバ内の圧力を制御し、前記潤滑チャンバ内の圧力が前記ヘッドプレートの前記開口部を介する前記高真空段から前記潤滑チャンバへのポンプ輸送ガスの流通に抵抗するようにするステップとを有する、方法。
【請求項１５】
前記潤滑チャンバ内のパージガスの圧力を制御して該圧力が、前記高真空段内の圧力変化にもかかわらず、前記高真空段内のポンプ輸送ガスの圧力よりもほぼ高いようにするステップを有する、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記段間ポートのところのポンプ輸送ガスの圧力が前記高真空段内のポンプ輸送ガスの圧力に応答し、前記潤滑チャンバ内のパージガスの圧力が前記段間ポートのところのポンプ輸送ガスの圧力に応答し、その結果、前記高真空段の圧力変化が前記潤滑チャンバ内の圧力の変化を生じさせるようになっている、請求項１５記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月9日(2013.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液状樹脂注入用途のための調製物であって、
少なくとも１種のベース樹脂；
キャリヤー樹脂中のあらかじめ決められた範囲内のある量の粒子；及び
熱可塑性材料
を含んでなり、ここでベース樹脂、粒子及び熱可塑性材料は一緒になって改質樹脂系を形成し、熱可塑性材料は改質樹脂系合計重量の７％より少ない正味重量で存在し、改質樹脂は１８０℃より低い温度において５ポアズより低い平均粘度を有し、熱可塑性材料相は硬化された状態でベース樹脂から分離している、
調製物。
【請求項２】
さらにアニリンに基づくアミン化合物硬化剤を含んでなる請求項１の調製物。
【請求項３】
ベース樹脂がエポキシ、ビスマレイミド、シアナートエステルの１つ又はそれらの組み合わせである請求項１の調製物。
【請求項４】
ベース樹脂が少なくとも１つのジ−及びトリ−エポキシ及び少なくとも１つのテトラ−エポキシを含むエポキシの組み合わせを含んでなる請求項３の調製物。
【請求項５】
粒子が官能基化コア−シェルゴム粒子又は中空粒子の１つである請求項１の調製物。
【請求項６】
粒子が非官能基化コア−シェルゴム粒子又は中空粒子の１つである請求項１の調製物。
【請求項７】
官能基化コア−シェルゴム粒子がポリブタジエン−スチレン、ポリブタジエンの１つ又はそれらの組み合わせであるコア材料ならびにシリカ、アクリル及びポリ（メチルメタクリレート）を含むアクリル基を含有するアクリル酸誘導体の重合モノマーの１つあるいはそれらの組み合わせであるシェル材料を含む請求項５の調製物。
【請求項８】
非官能基化コア−シェルゴム粒子がポリブタジエン−スチレン、ポリブタジエンの１つ又はそれらの組み合わせであるコア材料ならびにシリカ、アクリル及びポリ（メチルメタクリレート）を含むアクリル基を含有するアクリル酸誘導体の重合モノマーの１つあるいはそれらの組み合わせであるシェル材料を含む請求項６の調製物。
【請求項９】
硬化された状態で、粒子が改質樹脂系全体に実質的に均一に分散している請求項１の調製物。
【請求項１０】
熱可塑性材料が、フェノキシに基づくポリマー、ポリ（エーテルスルホン）ポリマー、ポリ（エーテルエーテルスルホン）、ポリ（メチルメタクリレート）ポリマー、カルボキシル末端ブタジエンアクリロニトリルポリマー、それらのコポリマーの１つ又はそれらの組み合わせを含む請求項１の調製物。
【請求項１１】
液状樹脂注入用途のための調製物であって、  
少なくとも１つのエポキシを含んでなるベース樹脂；
硬化剤；
熱可塑性材料；及び
コア−シェル粒子を含み、コア−シェル粒子の量は熱可塑性材料の粒子に対する比が１対０．５６である量であり、
ここでベース樹脂、硬化剤、熱可塑性材料及び粒子は、一緒になって改質樹脂系を形成し、改質樹脂は、１８０℃より低い温度において５ポアズより低い平均粘度を有し、熱可塑性材料の量は改質樹脂系の合計重量の７％より低い正味重量であり、
硬化された、又はガラス化した状態において、熱可塑性材料がベース樹脂から凝集ドメインに分離し、各凝集ドメインは島様形態を有し、形態は、硬化サイクル中の（ｉ）温度上昇から保持の比較的後期の段階の間に、あるいは（ｉｉ）上昇から保持までが完了した後に発生する、
調製物。
【請求項１２】
予備成形物を調製し；
予備成形物を金型内に置き；
金型を１８０℃より低い温度に加熱し；そして
液状樹脂を射出する
ことを含んでなり、
ここで、樹脂は改質樹脂系であり、改質樹脂系は
（ｉ）少なくとも１種のベース樹脂；
（ｉｉ）硬化剤；
（ｉｉｉ）キャリヤー樹脂中のあらかじめ決められた範囲内のある量の粒子；ならびに
（ｉｖ）改質樹脂系の合計重量の７％より低い正味重量の熱可塑性材料
の組み合わせを含んでなり、
改質樹脂系は１８０℃より低い温度において５ポアズより低い平均粘度を有する、
製造方法。
【請求項１３】
さらに金型の温度を分当たり最高で１０℃の速度で１８０℃に上昇させることを含んでなる請求項１２の製造方法。
【請求項１４】
金型が１８０℃に達したら、温度を３０分〜１５０分間保持する請求項１９の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月16日(2013.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ｉ）（ａ）少なくとも１種のジビニルアレーンと、（ｂ）少なくとも１種のペルオキシカルボキシミド酸エポキシ化剤と、（ｃ）少なくとも１種の溶剤と、（ｄ）少なくとも１種の塩基性化合物と、（ｅ）少なくとも１種のフリーラジカル重合抑制剤との混合物を、ジビニルアレーンジオキシド生成物を生成する条件下で反応させるに際し、該ペルオキシカルボキシミド酸の、該ジビニルアレーンのエチレン系二重結合に対するモル比を２．０未満とし、かつ、該ジビニルアレーンジオキシド生成物の％収率が該ジビニルアレーンを基準として５０％を超えるように、当該ジビニルアレーン反応体の不所望生成物への重合を該重合抑制剤によって防止することを特徴とする、ジビニルアレーンジオキシドの調製方法。
【請求項２】
前記フリーラジカル重合抑制剤を、反応の進行にわたって間欠的に又は連続的に反応混合物に添加する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
ジビニルアレーンモノオキシドの％収率がジビニルアレーンを基準として５０％未満である、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記ペルオキシカルボキシミド酸は、（ｉ）当該反応混合物とは別途に生成させた予備生成ペルオキシカルボキシミド酸、（ｉｉ）当該反応混合物中に現場で生成したペルオキシカルボキシミド酸、又は（ｉｉｉ）（ｉ）及び（ｉｉ）の組み合わせを含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
当該反応混合物に（ｉ）水性過酸化水素と（ｉｉ）ニトリルとを添加することにより、当該反応混合物中に現場でペルオキシカルボキシミド酸を生成させる、請求項１記載の方法。
【請求項６】
当該反応混合物のｐＨを７〜１２の範囲内に維持するために十分に、前記少なくとも１種の塩基性化合物を反応期間中に連続的に又は間欠的に当該反応混合物に添加するか、又は、前記少なくとも１種の塩基性化合物を反応初期に一度にすべて添加する、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記ジビニルアレーンはジビニルベンゼンを含み、そして生成したジビニルアレーンジオキシドはジビニルベンゼンジオキシドを含む、請求項１記載の方法。
【請求項８】
当該反応混合物は酸素含有ガスを含む、請求項１記載の方法。
【請求項９】
（ＩＩ）ジビニルアレーンジオキシド生成物を工程（Ｉ）からの反応流出物の他の成分から分離／回収する工程、及び
（ＩＩＩ）該ジビニルアレーンジオキシド生成物を精製する工程
を含む、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
工程（ＩＩＩ）は８０％を超える純度のジビニルアレーンジオキシド生成物を得るための蒸留工程を含み、そして工程（ＩＩＩ）はジビニルアレーンモノオキシド、アルキルビニルアレーンモノオキシド又はそれらの混合物を精製することを含む、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
当該精製工程は、ジビニルアレーンモノオキシド又はアルキルビニルアレーンモノオキシドを、５０％を超える純度で提供する蒸留プロセスを含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
（ＩＶ）工程（ＩＩ）において存在するアミド副生成物をニトリルへと転化させる工程、及び
（Ｖ）工程（ＩＶ）のニトリルを反応工程（Ｉ）へリサイクルする工程
を含む、請求項９記載の方法。
【請求項１３】
工程（ＩＩ）が抽出／水洗浄工程又は溶剤除去工程を含む、請求項９記載の方法。
【請求項１４】
工程（ＩＩ）が、（ｉ）該反応流出物を水で希釈し、（ｉｉ）（ｉ）の希釈された反応流出物を抽出溶剤で抽出し、（ｉｉｉ）（ｉｉ）の有機抽出物を水洗浄して、残留アセトアミド、残留過酸化水素及び残留塩基性化合物の１種以上を除去し、（ｉｖ）工程（ｉｉｉ）の水洗浄された有機抽出物を蒸留して、抽出溶剤を除去し、そして（ｖ）ジビニルアレーンジオキシド生成物を回収する工程を含む、請求項９記載の方法。
【請求項１５】
工程（ＩＩ）が、当該反応溶剤及び過剰のニトリルを反応後に回収し、そして回収された反応溶剤及びニトリルをリサイクルすることを含む、請求項９記載の方法。
【請求項１６】
工程（ＩＩ）が、該反応流出物からの当該反応溶剤及び過剰のニトリルを蒸留することで、該ジビニルアレーンジオキシド生成物を含む濃縮物を形成させ、さらに該濃縮物を２相に分離させてから相分離する工程を含む、請求項９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月11日(2013.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）：
Ｒｆ−Ｌ−ＣＨ２−Ａｒ−ＣＨ２−Ｙ−Ｑ
（Ｉ）
のアリーレン含有化合物であって、式中、
Ａｒは、フェニレン又はジフェニレンであり、
Ｒｆは、３〜６個の炭素原子を有するペルフルオロアルキル又は式：ＣｘＦ２ｘ＋１（ＯＣｙＦ２ｙ）ａＯＣｐＦ２ｐ−で表わされ、式中、ｘは１〜４、ｙは１〜４、ｐは１〜４、及びａは０〜２０である基であり、
Ｌは、−Ｏ−、−ＳＯ２−、−ＣＨ２−Ｏ−、−Ｃ２Ｈ４−Ｏ−、−Ｃ２Ｈ４−Ｓ−、及び
−ＳＯ２−Ｎ（Ｒ１）−から選択され、
Ｒ１はＣ１〜Ｃ４のアルキルであり、
Ｙ及びＱは次のように選択される、
Ｙが−Ｏ−、−Ｓ−、又は−ＮＨ−から選択される場合、Ｑは次のものから選択される、
−Ｈ、
−ＣｎＨ２ｎ−ＯＨ、
−Ｃ（Ｏ）−ＣｂＨ２ｂ＋１、
−Ｃ（Ｏ）−ＣｎＨ２ｎ−ＯＨ、
−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−ＣｎＨ２ｎ−ＯＨ、
−Ｃ（Ｏ）−Ｃ（Ｒ２）＝ＣＨ２、
−ＣｎＨ２ｎ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ（Ｒ２）＝ＣＨ２、
−Ｃ（Ｏ）−ＣｎＨ２ｎ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ（Ｒ２）＝ＣＨ２、
−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−ＣｎＨ２ｎ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ（Ｒ２）＝ＣＨ２、
−ＣｍＨ２ｍ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−ＣｎＨ２ｎ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ（Ｒ２）＝ＣＨ２、
−Ｃ（Ｏ）−ＣｍＨ２ｍ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−ＣｎＨ２ｎ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ（Ｒ２）＝ＣＨ２、及び
−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＲ４）３、
あるいは、Ｙが−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、又は−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−から選択される場合、Ｑは次のものから選択される、
−Ｈ、
−ＣｎＨ２ｎ−ＯＨ、
−ＣｎＨ２ｎ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ（Ｒ２）＝ＣＨ２、及び
−ＣｍＨ２ｍ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−ＣｎＨ２ｎ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ（Ｒ２）＝ＣＨ２、
あるいは、Ｙ−Ｑは次のものから選択される、
−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ３）２、及び
−Ｎ３、
Ｒ２は−Ｈ又は−ＣＨ３であり、
Ｒ３は−Ｈ、−ＣＨ３、又は−Ｃ２Ｈ５であり、
Ｒ４はＣ１〜Ｃ４のアルキル又は−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ３であり、
ｂは１〜２０の整数であり、
ｍは２〜１８の整数であり、並びに
ｎは２〜１８の整数である、アリーレン含有化合物。
【請求項２】
Ｙ及びＱは次のように選択される、
Ｙが−Ｏ−、−Ｓ−、又は−ＮＨ−から選択される場合、Ｑは次のものから選択される、
−ＣｎＨ２ｎ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ（Ｒ２）＝ＣＨ２、
−Ｃ（Ｏ）−ＣｎＨ２ｎ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ（Ｒ２）＝ＣＨ２、
−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−ＣｎＨ２ｎ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ（Ｒ２）＝ＣＨ２、
−ＣｍＨ２ｍ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−ＣｎＨ２ｎ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ（Ｒ２）＝ＣＨ２、及び
−Ｃ（Ｏ）−ＣｍＨ２ｍ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−ＣｎＨ２ｎ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ（Ｒ２）＝ＣＨ２、
あるいは、Ｙが−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、又は−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−から選択される場合、Ｑは次のものから選択される、
−ＣｎＨ２ｎ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ（Ｒ２）＝ＣＨ２、及び
−ＣｍＨ２ｍ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−ＣｎＨ２ｎ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ（Ｒ２）＝ＣＨ２、
Ｒ２は−Ｈ又は−ＣＨ３であり、
ｍは２〜１８の整数であり、並びに
ｎは２〜１８の整数である、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
請求項２に記載の（メタ）アクリレート官能化されたアリーレン含有化合物から調製されるポリマー。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月11日(2013.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノルマル（Ｎ）およびイソ（Ｉ）アルデヒドをＮ：Ｉ比で製造するための複数反応ゾーンのヒドロホルミル化プロセスを制御する方法であって、該方法が、オレフィン性不飽和化合物を、一酸化炭素、水素、ならびに、（Ａ）遷移金属、（Ｂ）オルガノポリホスファイトリガンド（ｏｂｐｌ）および（Ｃ）オルガノモノホスファイトリガンドを含む触媒と接触させることを含み、該接触を、第１および１つ以上の後続の反応ゾーン内で、各ゾーン内の金属濃度およびｏｂｐｌ：金属比を含むヒドロホルミル化条件で行い、該方法が、生成物分離ゾーンから触媒を回収およびリサイクルする該生成物分離ゾーンを更に含み、該方法が、第１の反応ゾーン内の遷移金属濃度を以下の方法：
１．第１の反応ゾーンと１つ以上の後続の反応ゾーンとの間の生成物分離ゾーンからの触媒リサイクル物を区分すること；または
２．いずれのオルガノビスホスファイトリガンドも伴わずに、遷移金属前駆体もしくは金属−オルガノモノホスファイト化合物のいずれかとして遷移金属を添加することによりｏｂｐｌ：金属比を低減させること；または
３．反応系から別個の容器内に遷移金属触媒の２０％以下を除去することによって第１の反応ゾーン内の遷移金属濃度を低減させること；または
４．選択肢（３）において除去した遷移金属触媒を第１の反応ゾーンに戻すこと；
の１つ以上によって変化させることを含む、方法。
【請求項２】
貯蔵ゾーン内に遷移金属を除去することによって第１の反応ゾーン内の遷移金属濃度を低減させる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
新しい遷移金属を第１の反応ゾーンに添加すること、および／または遷移金属を貯蔵ゾーンから第１の反応ゾーンに移し戻すことによって第１の反応ゾーン内の遷移金属濃度を増大させる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ノルマル（Ｎ）およびイソ（Ｉ）アルデヒドをＮ：Ｉ比で製造するための複数反応ゾーンのヒドロホルミル化プロセスを制御する方法であって、該方法が、オレフィン性不飽和化合物を、一酸化炭素、水素、ならびに、（Ａ）遷移金属、（Ｂ）オルガノポリホスホルアミダイトおよび（Ｃ）オルガノモノホスファイトリガンドを含む触媒と接触させることを含み、該接触を、第１および１つ以上の後続の反応ゾーン内で、オルガノモノホスファイトリガンド対遷移金属のモル比２超：１を含むヒドロホルミル化条件で行い、該方法が、（１）ヒドロホルミル化生成物のＮ：Ｉ比を測定すること、および（２）オルガノポリホスホルアミダイトリガンドの濃度を調整して生成物Ｎ：Ｉを上昇または低下させることを含む、方法。
【請求項５】
遷移金属がロジウムであり、オルガノポリホスホルアミダイトがオルガノビスホスホルアミダイトであり、そしてオレフィン性不飽和化合物がプロピレンまたはブテンである、請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月12日(2013.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アミノ酸配列：
Ｈｉｓ−（Ｄ−Ｓｅｒ）−Ｇｌｎ−Ｇｌｙ−Ｔｈｒ−Ｐｈｅ−Ｔｈｒ−Ｓｅｒ−Ａｓｐ−（１−Ｎａｌ）−Ｓｅｒ−Ｌｙｓ−Ｔｙｒ−Ｌｅｕ−Ａｓｐ−Ｇｌｕ−Ｌｙｓ−Ａｌａ−Ａｌａ−Ｇｌｎ−Ｇｌｕ−Ｐｈｅ−Ｖａｌ−Ｇｌｎ−Ｔｒｐ−Ｌｅｕ−Ｌｅｕ−Ａｓｎ−（Ａｉｂ）−Ａｌａ−Ａｒｇ−Ａｓｎ−Ａｒｇ−Ａｓｎ−Ａｓｎ−Ｉｌｅ−Ａｌａ−  Ｘａａ３８−Ｘａａ３９（配列番号：５）
（配列中、Ｘａａ３８はＣｙｓ、Ｃｙｓ−ＰＥＧ、または存在せず；Ｘａａ３９はＣｙｓ、Ｃｙｓ−ＰＥＧ、または存在せず、配列中、Ｃ末端アミノ酸は任意にアミド化される）
を含む、オキシントモジュリンペプチドアナログ。
【請求項２】
アミノ酸配列：
Ｈｉｓ−（Ｄ−Ｓｅｒ）−Ｇｌｎ−Ｇｌｙ−Ｔｈｒ−Ｐｈｅ−Ｔｈｒ−Ｓｅｒ−Ａｓｐ−（１−Ｎａｌ）−Ｓｅｒ−Ｌｙｓ−Ｔｙｒ−Ｌｅｕ−Ａｓｐ−Ｇｌｕ−Ｌｙｓ−Ａｌａ−Ａｌａ−Ｇｌｎ−Ｇｌｕ−Ｐｈｅ−Ｖａｌ−Ｇｌｎ−Ｔｒｐ−Ｌｅｕ−Ｌｅｕ−Ａｓｎ−（Ａｉｂ）−Ａｌａ−Ａｒｇ−Ａｓｎ−Ａｒｇ−Ａｓｎ−Ａｓｎ−Ｉｌｅ−Ａｌａ−Ｃｙｓ−Ｃｙｓ（配列番号：２）
（配列中、位置３８のＣｙｓ残基は任意にＰＥＧ化され、配列中、位置３９のＣｙｓ残基は任意にＰＥＧ化され、位置３９のＣｙｓのカルボキシル基は任意にアミド化される）を含む、請求項１に記載のオキシントモジュリンペプチドアナログ。
【請求項３】
前記アナログが、位置３８または位置３９のいずれかのＣｙｓ残基のチオールで約４０ｋＤａのＰＥＧ分子によりＰＥＧ化される、請求項２に記載のオキシントモジュリンペプチドアナログ。
【請求項４】
前記アナログが、位置３８および３９の両方のＣｙｓ残基のチオールで各々の場合において約２０ｋＤａのＰＥＧ分子によりＰＥＧ化され、アミノ酸配列：
Ｈｉｓ−（Ｄ−Ｓｅｒ）−Ｇｌｎ−Ｇｌｙ−Ｔｈｒ−Ｐｈｅ−Ｔｈｒ−Ｓｅｒ−Ａｓｐ−（１−Ｎａｌ）−Ｓｅｒ−Ｌｙｓ−Ｔｙｒ−Ｌｅｕ−Ａｓｐ−Ｇｌｕ−Ｌｙｓ−Ａｌａ−Ａｌａ−Ｇｌｎ−Ｇｌｕ−Ｐｈｅ−Ｖａｌ−Ｇｌｎ−Ｔｒｐ−Ｌｅｕ−Ｌｅｕ−Ａｓｎ−（Ａｉｂ）−Ａｌａ−Ａｒｇ−Ａｓｎ−Ａｒｇ−Ａｓｎ−Ａｓｎ−Ｉｌｅ−Ａｌａ−Ｃｙｓ（ＰＥＧ２０ｋ）−Ｃｙｓ（ＰＥＧ２０ｋ）（配列番号：３）
（配列中、位置３９のＣｙｓ残基のカルボキシル基は任意にアミド化される）
を含む、請求項１または２のいずれか一項に記載のオキシントモジュリンペプチドアナログ。
【請求項５】
前記ＰＥＧ分子が直鎖状である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のオキシントモジュリンペプチドアナログ。
【請求項６】
前記位置３９のＣｙｓ残基のカルボキシル基がアミド化される、請求項１〜５のいずれか一項に記載のオキシントモジュリンペプチドアナログ。
【請求項７】
前記位置３９のＣｙｓ残基が存在せず、前記位置３８のＣｙｓ残基が約４０ｋＤａのＰＥＧ分子によりＰＥＧ化され、任意にアミド化される、請求項１に記載のオキシントモジュリンペプチドアナログ。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載のオキシントモジュリンペプチドアナログ、および薬学的に許容される担体、希釈剤または賦形剤を含む、医薬組成物。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか一項に記載のオキシントモジュリンペプチドアナログを、薬学的に許容される担体、希釈剤または賦形剤、および任意に他の治療的成分と共に含む、医薬組成物。
【請求項１０】
医薬品の製造のための、請求項１〜７のいずれか一項に記載のオキシントモジュリンペプチドアナログの使用。
【請求項１１】
インスリン非依存型糖尿病の治療用医薬の製造のための、請求項１〜７のいずれか一項に記載のオキシントモジュリンペプチドアナログの使用。
【請求項１２】
肥満の治療用医薬の製造のための、請求項１〜７のいずれか一項に記載のオキシントモジュリンペプチドアナログの使用。
【請求項１３】
インスリン非依存型糖尿病または肥満の治療用医薬の製造のための、請求項１〜７のいずれか一項に記載のオキシントモジュリンペプチドアナログの使用。