【手続補正書】
【提出日】平成23年11月18日(2011.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅又は銅合金基材の表面上に貴金属を含む金属表面層をデポジットする工程；並びに
その上に金属表面層を有する銅又は銅合金基材を、(a)貴金属表面と相互作用し、かつ保護する少なくとも１つの官能基を含む第一有機分子であって、前記第一有機分子が、チオール（メルカプタン）、ジスルフィド、チオエーテル、チオアルデヒド、チオケトン及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれるもの (b)銅表面と相互作用し、かつ保護する少なくとも１つの官能基を含む第二有機分子であって、前記第二有機分子が、第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、窒素を含む芳香族複素環及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれるもの、及び(c)界面活性剤を含む水性組成物に暴露する工程
を含む、銅又は銅合金基材の表面の耐腐食性を向上させる方法。
【請求項２】
前記金属表面層が、浸漬置換めっき工程によってデポジットされ、かつ該金属表面層が銀、金又はこれらの組み合わせを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第一有機分子が、チオール（メルカプタン）である請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記第一有機分子が、次の一般構造式（I）を有するチオールである請求項１又は２に記載の方法；
【化１】
2011505492.tif 000001
（式中、Ｒ1は１と約２４との間の炭素原子を有するヒドロカルビル、又は約５と約１４との間の炭素原子を有するアリールのいずれか一方である。）。
【請求項５】
前記チオールが、エタンチオール、１−プロパンチオール、２−プロパンチオール、２−プロペン−１−チオール、１−ブタンチオール、２−ブタンチオール、２−メチル−１−プロパンチオール、２−メチル−２−プロパンチオール、２−メチル−１−ブタンチオール、１−ペンタンチオール、２，２−ジメチル−１−プロパンチオール、１−ヘキサンチオール、１，６−ヘキサンジチオール、１−ヘプタンチオール、２−エチルヘキサンチオール、１−オクタンチオール、１，８−オクタンジチオール、１−ノナンチオール、１，９−ノナンジチオール、１−デカンチオール、１−アダマンタンチオール、１，１１−ウンデカンジチオール、１−ウンデカンチオール、１−ドデカンチオール、ｔｅｒｔ−ドデシルメルカプタン、１−トリデカンチオール、１−テトラデカンチオール、１−ペンタデカンチオール、１−ヘキサデカンチオール、１−ヘプタデカンチオール、１−オクタデカンチオール、１−ノナデカンチオール及び１−イコサンチオール、並びにこれらの組み合わせからなる群より選ばれる請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記チオールが、ベンゼンチオール、２−メチルベンゼンチオール、３−メチルベンゼンチオール、４−メチルベンゼンチオール、２−エチルベンゼンチオール、３−エチルベンゼンチオール、４−エチルベンゼンチオール、２−プロピルベンゼンチオール、３−プロピルベンゼンチオール、４−プロピルベンゼンチオール、２−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンチオール、４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンチオール、４−ペンチルベンゼンチオール、４−ヘキシルベンゼンチオール、４−ヘプチルベンゼンチオール、４−オクチルベンゼンチオール、４−ノニルベンゼンチオール、４−デシルベンゼンチオール、ベンジルメルカプタン、２，４−キシレンチオール、フルフリルメルカプタン、１−ナフタレンチオール、２−ナフタレンチオール、４，４’−ジメルカプトビフェニル及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記第一有機分子が、次の構造式(II)を有するジスルフィドである請求項１又は２に記載の方法；
【化２】
2011505492.tif 000002
（式中、Ｒ1及びＲ2は各々独立して１と約２４との間の炭素原子を有するヒドロカルビル、又は約５と約１４との間の炭素原子を有するアリールのいずれか一方である）。
【請求項８】
前記ジスルフィドが、ジエチルジスルフィド、ジ−ｎ−プロピルジスルフィド、ジイソプロピルジスルフィド、ジアリルジスルフィド、ジ−ｎ−ブチルジスルフィド、ジ−ｓｅｃ−ブチルジスルフィド、ジイソブチルジスルフィド、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジスルフィド、ジ−ｎ−ペンチルジスルフィド、ジ−ネオペンチルジスルフィド、ジ−ｎ−ヘキシルジスルフィド、ジ−ｎ−ヘプチルジスルフィド、ジ−ｎ−オクチルジスルフィド、ジ−ｎ−ノニルジスルフィド、ジ−ｎ−デシルジスルフィド、ジ−ｎ−ドデシルジスルフィド、ジ−ｎ−トリデシルジスルフィド、ジ−ｎ−テトラデシルジスルフィド、ジ−ｎ−ペンタデシルジスルフィド、ジ−ｎ−ヘキサデシルジスルフィド、ジ−ｎ−ヘプタデシルジスルフィド、ジ−ｎ−オクタデシルジスルフィド、ジ−ｎ−デシルジスルフィド、ジウンデシルジスルフィド、ジドデシルジスルフィド、ジヘキサデシルジスルフィド、ジベンジルジスルフィド、ジチエニルジスルフィド、２−ナフチルジスルフィド及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第二有機分子が、第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記第二有機分子が、次の一般構造式(III)を有する第一級アミン、第二級アミン、又は第三級アミンである請求項９に記載の方法；
【化３】
2011505492.tif 000003
（式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は各々独立して水素又は１と約２４との間の炭素原子を有するヒドロカルビルであり、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3の少なくとも１つが１と約２４との間の炭素原子を有するヒドロカルビルである。）。
【請求項１１】
前記アミンが、アミノエタン、１−アミノプロパン、２−アミノプロパン、１−アミノブタン、２−アミノブタン、１−アミノ−２−メチルプロパン、２−アミノ−２−メチルプロパン、１−アミノペンタン、２−アミノペンタン、３−アミノペンタン、ネオ−ペンチルアミン、１−アミノヘキサン、１−アミノヘプタン、２−アミノヘプタン、１−アミノオクタン、２−アミノオクタン、１−アミノノナン、１−アミノデカン、１−アミノドデカン、１−アミノトリデカン、１−アミノテトラデカン、１−アミノペンタデカン、１−アミノヘキサデカン、１−アミノヘプタデカン、１−アミノオクタデカン及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記第二有機分子が、次の一般構造式(IV)を有するアゾールである請求項９に記載の方法；
【化４】
2011505492.tif 000004
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は炭素及び窒素を含む基から選ばれる原子であり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5の１と４との間の基は窒素であり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5の１と４との間の基は炭素であり、並びにＲ11、Ｒ22、Ｒ33、Ｒ44及びＲ55は各々独立して水素、炭素、硫黄、酸素及び窒素からなる群より選ばれる。）。
【請求項１３】
前記アゾールが、ピロール（１Ｈ−アゾール）、イミダゾール（１，３−ジアゾール）、ピラゾール（１，２−ジアゾール）、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、テトラゾール、イソインドール、インドール（１Ｈ−ベンゾ[ｂ]ピロール）、ベンズイミダゾール（１，３−ベンゾジアゾール）、インダゾール（１，２−ベンゾジアゾール）、１Ｈ−ベンゾトリアゾール、２Ｈ−ベンゾトリアゾール、イミダゾ[４，５−ｂ]ピリジン、プリン（７Ｈ−イミダゾ（４，５−ｄ）ピリミジン、ピラゾロ[３，４−ｄ]ピリミジン、トリアゾロ[４，５−ｄ]ピリミジン及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記アゾールが、２−（３，４−ジクロロベンジル）−ベンズイミダゾール、２−ブロモベンジルベンズイミダゾール、２−ブロモフェニルベンズイミダゾール、２−ブロモエチルフェニルベンズイミダゾール、２−クロロベンジルベンズイミダゾール、２−クロロフェニルベンズイミダゾール、２−クロロエチルフェニルベンズイミダゾール及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
(a)チオール（メルカプタン）、ジスルフィド、チオエーテル、チオアルデヒド、チオケトン及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれ、約１ｇ／Ｌと約１０ｇ／Ｌとの間の濃度であって、貴金属表面と相互作用し、かつ保護する第一有機分子、
(b)第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、窒素を含む芳香族複素環及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれ、約１ｇ／Ｌと約１０ｇ／Ｌとの間の濃度であって、銅表面と相互作用し、かつ保護する第二有機分子、並びに
(c)界面活性剤
を含む、銅又は銅合金基材の表面上に銀及び／又は金コーティングを有する銅又は銅合金基材の表面の耐腐食性を向上させるための組成物。
【請求項１６】
銅又は銅合金基材がその表面に貴金属からなる金属表面層を有する、銅又は銅合金基材の表面の耐腐食性を向上させる方法であって、その方法は、
金属表面層をその上に有する前記銅又は銅合金基材を請求項１５の水溶性組成物に曝露することからなる。
【請求項１７】
浸漬めっき銀コーティングをその上に有する銅基材が、さらに前記浸漬めっき銀コーティングの上に保護有機膜を備え、前記保護有機膜は（ａ）チオール（メルカプタン）、ジスルフィド、チオエーテル、チオアルデヒド、チオケトン及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる第一有機分子、および（ｂ）第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、窒素を含む芳香族複素環及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる第二有機分子からなる。
【請求項１８】
前記有機膜が請求項１〜１７の何れか１つの方法によって形成される、請求項１７に記載の銅基材。
【請求項１９】
貴金属層をその上に有する銅又は銅合金基材が、さらに前記貴金属層の上に保護有機膜を備え、前記保護有機膜は請求項１６に記載された方法によって形成される。
【請求項２０】
請求項１９に記載された銅又は銅合金基材において、銅基材はリードフレーム又はコネクターであり、前記貴金属層が金である。
【請求項２１】
基材がプリント回路基板の銅回路である請求項１７に記載された銅基材。