Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年1月21日(2014.1.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
構造的に有利な設計では、第一エミッタが、特に、ＵＶ帯で光を放出する発光ダイオードの形態をとることを提供する。また、第二エミッタが、特に、可視蛍光を送達するためにパルス状第一エミッタを用いて光学的に励起する蛍光物質の形態をとるなら、有利である。発光ダイオードは、高輝度を有し、およびそれゆえ、強力に束ねられた光ビームを形成するために効果的に使用できる。蛍光物質との組み合わせにより、さまざまな場所に配置される多数のそれぞれのＬＥＤの必要を排除することができ、そしてそれは、精巧なプロセスにより均質な光を形成するために束ねられるのみでよい。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
光度測定ユニット１６は、多波長光源２２および２チャンネル検出器２４を含む。光源２２の第一パルス化エミッタ２６は、パルス化した変調光２８を放出するために操作され、一方で第二蛍光エミッタ３０は、蛍光３２を放出するために第一エミッタ２６の光により励起され、そしてそれは、より長い波長を有する。第一エミッタ２６は、ＵＶ帯について光を産生するための発光ダイオードとしてこの目的のために構成され、および第二エミッタは、可視波長帯について光を放出するための発光ダイオードを適用する蛍光層として構成される。この態様では、エミッタ２６，２８の両方は、単一コンポーネントとして動力を供給でき、および試験要素１４の測定表面３４に集合的に向かって方向づけられる。集光レンズ３６および／または光ファイバは、２のエミッタの共有した光伝送経路で可能な限り最小な測定スポットに光を収束するために提供できる
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源（２２）および検出器（２４）を含む光度測定ユニット（１６）、並びに分析物の光学的検出のため光源（２２）および検出器（２４）の間のビーム経路（１８）に配置され得る、サンプル、特に体液が適用できる分析用試験要素（１４）を有し、前記光源（２２）が、パルス化された変調光（２８）を放出するための第一波長帯で発動できる第一エミッタ（２６）と蛍光物質の形態をとりそして第二波長帯で蛍光（３２）を放出するためにパルス化された第一エミッタ（２６）により励起される第二エミッタ（３０）を含み、ここで両エミッタが、試験要素（１４）の測定表面（３４）の方へ共同して方向付けられることを特徴とする、特に血中グルコース測定のための測定装置。
【請求項２】
前記変調光（２８）が、パルス持続期間を有しおよび前記蛍光（３２）が、蛍光寿命サイクルで減衰し、および蛍光寿命サイクルが、パルス持続期間より複数回大きいことを特徴とする、請求項１に記載の測定装置。
【請求項３】
前記第一エミッタ（２６）が、特にＵＶ領域について、発光ダイオードの発光の形式であることを特徴とする、請求項１または２に記載の測定装置。
【請求項４】
前記第二エミッタ（３０）が、可視蛍光（３２）を放出するために光学的に励起され得ることを特徴とする、請求項１‐３のいずれか一項に記載の測定装置。
【請求項５】
前記第二エミッタ（３０）が、前記第一エミッタ（２６）の放出表面に蛍光性の層として適用されることを特徴とする、請求項１‐４のいずれか一項に記載の測定装置。
【請求項６】
前記検出器（２４）が、変調光および蛍光（２８、３２）の集合的検出のための受光器（４０）を含むことを特徴とする、請求項１‐５のいずれか一項に記載の測定装置。
【請求項７】
前記検出器（２４）が、測定値の波長選択的測定のための２のアンプチャンネル（４２，４４）を含むことを特徴とする、請求項１‐６のいずれか一項に記載の測定装置。
【請求項８】
前記検出器（２４）が、前記変調光（２８）により発生する変調光シグナルコンポーネントを検出するための前記変調光（２８）のパルス周波数で調節できるロックインアンプ（４６）を含むことを特徴とする、請求項１‐７のいずれか一項に記載の測定装置。
【請求項９】
前記検出器（２４）が、特に前記変調光（２８）および蛍光（３２）により発生する複合シグナルを検出するためのインテグレータ（４８）として機能するアンプを含むことを特徴とする、請求項１‐８のいずれか一項に記載の測定装置。
【請求項１０】
前記検出器（２４）が、特に前記複合シグナルから前記変調光シグナルコンポーネントを減算するために前記変調光および／または前記蛍光の前記シグナルコンポーネントを測定するためのシグナルプロセッサ（５０）を含むことを特徴とする、請求項１‐９のいずれか一項に記載の測定装置。
【請求項１１】
前記測定ユニット（１６）が、携帯式装置（１２）中に統合され、および前記試験要素（１４）が、前記携帯式装置（１２）で一回使用のための使い捨てとして設計されることを特徴とする、請求項１‐１０のいずれか一項に記載の測定装置。
【請求項１２】
前記試験要素（１４）が、光学ユニット（３６）、特にレンズまたは光ファイバにより前記光源（２２）と結合でき、および前記光学的結合が、前記波長帯の一つで分離シグナル評価により監視できることを特徴とする、請求項１‐１１のいずれか一項に記載の測定装置。
【請求項１３】
サンプル、特に体液が、使い捨て要素として使用され得る試験要素（１４）に適用され、および前記試験要素（１４）が、光源（２２）および検出器（２４）を含む光度測定ユニット（１６）により光学的にスキャンされ、前記光源（２２）の第一エミッタ（２６）が、パルス化された変調光（２８）を放出するために第一波長帯で発動し、および蛍光物質により形成された第二エミッタ（３０）が、変調光（２８）上に重なる蛍光（３２）を放出するためにパルス化した第一エミッタ（２６）により第二波長帯で励起され、ここで両エミッタが試験要素（１４）の測定表面（３４）の方に共同して方向付けられることを特徴とする、特に血中グルコースを測定するための測定方法。
【請求項１４】
前記変調光（２８）に関するシグナルコンポーネントが、時間分解シグナル検出によって、好ましくはロックインアンプ（４６）によって検出されることを特徴とする、請求項１３に記載の測定方法。
【請求項１５】
一の波長帯で、サンプル中の分析物についての測定値が検出され、および他の波長帯で、コントロール値が、前記測定ユニット（１６）について前記試験装置（１４）の光学的結合のために検出されることを特徴とする、請求項１３または１４に記載の測定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月15日(2014.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム（ＭＥＭＳ）デバイスであって、
厚みと第１の表面と反対側の第２の表面とを有する本体と、
前記本体の前記厚みを通る開口であって、前記第１の表面から前記第２の表面まで延びる、前記開口と、
前記本体の前記第１の表面に埋め込まれる金属リードと、
前記本体に固定され、前記第１の表面で前記開口を少なくとも部分的に横切って延びる金属フォイルと、
前記第１の表面上の前記リードにフリップ実装される集積回路チップであって、前記金属フォイルを少なくとも部分的に横切って拡がり、ギャップにより前記金属フォイルから隔てられている、前記集積回路チップと、
を含む、デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のデバイスであって、
前記金属フォイルが、前記第１の表面上に固定される可動懸架ビームの構造を有し、前記可動懸架ビームが、前記固定部から離れたプレートへ延び、前記プレートを前記第１の表面に対して垂直に移動させるように動作可能である、デバイス。
【請求項３】
請求項２に記載のデバイスであって、
前記プレートに取り付けられる追加のマスを更に含む、デバイス。
【請求項４】
請求項１に記載のデバイスであって、
前記金属リードが第１組及び第２組を含み、前記第１組の前記リードが前記金属フォイルと前記集積回路チップとの間の電気的相互接続を可能にし、前記第２組の前記リードが外部部品への半田コンタクトを可能にする、デバイス。
【請求項５】
請求項４に記載のデバイスであって、
前記第１組の前記リードが前記金属フォイルと共に第１の平面に配置され、前記第２組の前記リードが前記第１の平面からオフセットされた第２の平面に配置される、デバイス。
【請求項６】
請求項５に記載のデバイスであって、
前記金属リードが前記第１の平面に配置される第３組を更に含み、前記第３組が前記開口を囲む金属シールリングとして構成される、デバイス。
【請求項７】
請求項１に記載のデバイスであって、
前記集積回路チップ上の金属プレートを更に含み、前記プレートが前記第１の表面に対面して前記金属フォイルと共にキャパシタを形成する、デバイス。
【請求項８】
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム（ＭＥＭＳ）デバイスであって、
第１の表面を有し、複数のリードとセグメントとを定義するリードフレームと、
前記リードと前記セグメントの周辺部分とで含む前記リードフレームの第１の表面の上に堆積される重合体化合物であって、前記重合体化合物を介する開口の底部で封止されていない前記セグメントの他の部分で前記第１の表面を残し、前記封止されていない部分が前記ＭＥＭＳデバイスの可動部品を定義する、前記重合体化合物と、
前記リードで前記リードフレームの第２の表面に接続される第１のチップ表面上の電子回路を有する半導体チップであって、前記第１のチップ表面が前記可動部品を横切って拡がり、ギャップにより前記可動部品から離されている、前記半導体チップと、
を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項９】
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム（ＭＥＭＳ）デバイスを製造する方法であって、
第１の表面を有し、複数のリードとセグメントを定義するリードフレームを提供することと、
前記リードと前記セグメントの周辺部分とで含む前記リードフレームの第１の表面の上に重合体化合物を堆積することであって、前記重合体化合物を貫通する開口の底部で封止されていない前記セグメントの他の部分で前記第１の表面を残し、前記封止されていない部分が前記ＭＥＭＳデバイスの可動部品を定義する、前記堆積することと、
第１のチップ表面上に電子回路を有する半導体チップを前記リードで前記リードフレームの第２の表面に接続することであって、前記第１のチップ表面が前記可動部品を横切って拡がり、ギャップにより前記可動部品から離れている、前記接続することと、
を含む、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
前記リードフレームがパターン形成された金属シートの形態に提供される、方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、
前記重合体化合物の堆積の後に前記封止されていない部分で前記セグメントの厚みを薄くすることを更に含む、方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、
前記リードが第１及び第２のリードを含み、前記半導体チップが前記第１のリードで接続されており、前記はんだボールが外部部品との接続のために前記第２のリードに取り付けられている、方法。
【請求項１３】
請求項９に記載の方法であって、
前記重合体化合物の堆積の後に前記封止されていない部分で前記セグメントの厚みを薄くすることを更に含む、方法。
【請求項１４】
請求項９に記載の方法であって、
前記リードフレームを提供することが、キャリア上に金属層を堆積することと、前記リードと前記セグメントとを定義するために前記金属層をパターン形成することとを含み、
前記方法が、前記重合体化合物の堆積の後で前記半導体チップの接続の前に前記パターン形成された金属層から前記キャリアを除去することを更に含む、方法。
【請求項１５】
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム（ＭＥＭＳ）デバイスを製造するための方法であって、
第１の表面と第２の表面とを有し、複数のリードとセグメントとを定義するリードフレームを提供することと、
前記第２のリードフレームの表面を或る厚みの重合体化合物内に封止することであって、前記厚みを貫通する開口で封止されていない前記セグメントに前記第２のリードフレームの表面の一部を残す、前記封止することと、
前記ＭＥＭＳデバイスの可動部品として適切なフォイルを定義するために前記封止されていない部分の前記位置で前記セグメントを薄くすることと、
第１のチップ表面上に電子回路を有する半導体チップを前記第１のリードフレームの表面で前記リードに接続することであって、前記電子回路を備える前記第１のチップ表面が前記フォイルに面して拡がり、前記フォイルからギャップにより隔てられる、前記接続することと、
を含む、方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、
前記第１のリードフレームの表面上に半田可能な冶金構造を形成することを更に含む、方法。
【請求項１７】
請求項１５に記載の方法であって、
前記リードフレームが予め形成された平坦金属部品として提供される、方法。
【請求項１８】
請求項１５に記載の方法であって、
第１の面内に前記セグメントと前記リードの第１のものとを、前記第１の面からオフセットした第２の面内に前記リードの第２のものを提供するように前記リードフレームを構成することを更に含む、方法。
【請求項１９】
請求項１５に記載の方法であって、
前記堆積された重合体化合物をポリメライゼーションにより硬化することを更に含む、方法。
【請求項２０】
請求項１５に記載の方法であって、
前記チップの前記回路が金属プレートを含み、前記チップを接続することが前記金属プレートを前記リードフレーム・セグメントに調整することを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月26日(2013.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凝固性のガス成分をプロセスガス流から除去する方法であって、前記方法は、
（ａ）凝固性ガス成分を含むプロセスガス流を接触温度及び接触圧力で低温液体に接触させて前記低温液体及び前記プロセスガス流中の前記凝固性ガス成分の少なくとも一部分を凝固させることにより生じた固体を含む液‐固スラリを形成するステップを有し、
前記接触により、前記低温液体との前記接触によって凝固しなかった前記プロセスガス流の一部分を含む処理済みガス流が更に生じ、
前記低温液体は、前記プロセスガス流中の前記凝固性ガス成分が固相に移行する温度状態にあり、
前記低温液体は、前記凝固性ガス成分とは異なる組成を有し、
前記プロセスガス流は、前記接触温度及び前記接触圧力では気相のままである少なくとも１種類のガス成分を含み、
（ｂ）前記スラリから前記固体の少なくとも一部分を除去するステップを有する、方法。
【請求項２】
前記凝固性ガス成分は、二酸化炭素、硫化水素、二酸化硫黄又は硫化カルボニルから成る群から選択される、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記プロセスガス流は、水の凍結点よりも高い温度における水飽和率に等しい濃度の水を含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記方法は、前記接触に先立って前記プロセスガス流から前記水の少なくとも一部分を除去するステップを有する、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記プロセスガス流は、燃焼プロセスからの排気流を含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記低温液体は、前記接触圧力及び接触温度において１０ｍｏｌ／％未満の凝固性ガス成分溶解度を有する、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記低温液体は、前記プロセスガス流とは異なる組成を有する、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記低温液体は、２０℃の温度及び１気圧の圧力状態では液体であり、更に、前記低温液体は、−１００℃未満の凍結点を有する、請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記低温液体は、イソアルカン、イソアルケン、アルコール又はこれらの組み合わせを含む、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記低温液体は、２種類又は３種類以上の成分の混合物を含む、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記接触圧力は、１００ｐｓｉａ未満であり、更に、前記接触温度は、−８０℃未満である、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記接触は、前記プロセスガス流を前記低温液体に吹き付けるステップ、または、前記プロセスガス流を前記低温液体中で泡立たせるステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項１３】
前記方法は、異なる接触温度で前記低温液体との前記接触を繰り返すステップを有する、請求項１記載の方法。
【請求項１４】
前記低温液体は第１の低温液体であり、前記方法は、更に、前記第１の低温液体とは異なる組成、及び、選択的に異なる接触温度を有する第２の低温液体との前記接触を繰り返すステップを有する、請求項１記載の方法。
【請求項１５】
前記除去は、前記スラリを前記固体の少なくとも一部分がもはや固相ではない温度まで加熱するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項１６】
前記除去に先立って、前記方法は、前記スラリを前記接触圧力よりも高い温度まで加圧するステップを有し、前記加圧は、前記固体を密閉容器内で加熱することにより達成される、請求項１記載の方法。
【請求項１７】
前記除去により、前記固体が除去された結果としての液体流が生じ、前記方法は、前記処理済みガス流の少なくとも一部分との熱交換により、前記結果としての液体を再利用して前記低温液体の少なくとも一部分を形成するステップを有する、請求項１記載の方法。
【請求項１８】
前記接触ステップは、向流方式、または、２つ又は３つ以上の段で実施される、請求項１記載の方法。
【請求項１９】
低温液体との直接的接触によって凝固性のガス成分をプロセスガス流から除去するシステムであって、
低温液体温度を有する低温液体を含む低温液体供給源を有し、
凍結点を有する凝固性ガス成分及び前記凝固性ガス成分の前記凍結点よりも低い凍結点を有する少なくとも１つの他のガス成分を含むガスを含有したプロセスガスを含むプロセスガス源を有し、
前記低温液体供給源からの低温液体を含む低温ガス流、前記プロセスガス源からのプロセスガスを含むプロセスガス流を受け入れて前記低温液体を接触温度及び接触圧力で前記プロセスガスに直接接触させて液‐固スラリ及び処理済みガス流を生じさせる接触組立体を有し、前記スラリは、前記低温液体及び前記凝固性ガス成分から生じた固体を含み、更に、前記処理済みガス流は、前記少なくとも１つの他のガス成分を含み、
前記固体を前記スラリから除去して前記プロセスガス流から除去された前記凝固性ガス成分を含む除去流を生じさせるようになった分離組立体を有する、システム。
【請求項２０】
前記接触組立体は、複数個の接触組立体を有し、前記低温液体供給源は、第１の低温液体供給源であり、前記低温液体流は、第１の低温液体流であり、前記低温液体は、第１の低温液体であり、更に、前記システムは、第２の低温液体を含む第２の低温液体流を送り出してこれを前記プロセスガス流に直接接触させるようになった第２の低温液体供給源を有する、請求項１９記載のシステム。
【請求項２１】
前記第１の低温液体及び前記第２の低温液体は、互いに異なる組成及び互いに異なる温度のうちの少なくとも一方を有する、請求項２０記載のシステム。
【請求項２２】
前記分離組立体は、前記スラリを前記凝固性ガス成分の前記凍結点よりも高い温度まで加熱するようになった熱源を含む、請求項１９記載のシステム。
【請求項２３】
前記システムは、前記接触組立体からの前記スラリを含むスラリ流を受け入れて前記スラリ流を濃縮スラリ流及び結果としての低温液体流に分離するようになった固‐液分離器を有し、前記濃縮スラリ流は、前記スラリ流よりも高い濃度の前記固体を含み、更に、前記結果としての低温液体流は、前記スラリ流中に存在する前記低温液体の全てを含んでいない、請求項１９記載のシステム。
【請求項２４】
前記凝固性ガス成分は、水ではない、請求項１９記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月17日(2014.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カーボン・ナノチューブ浸出繊維材料であって、
繊維材料と、
前記繊維材料に浸出されたカーボン・ナノチューブ層と、
を含み、
前記浸出カーボン・ナノチューブは、前記繊維材料の長手軸に実質的に平行に配列され、
前記実質的に平行に配列された浸出カーボン・ナノチューブの少なくとも一部は、相互に、前記繊維材料に又はその両方に架橋結合されるカーボン・ナノチューブ浸出繊維材料。
【請求項２】
架橋結合は、共有結合又はπ‐スタッキング相互作用を含む請求項１に記載のカーボン・ナノチューブ浸出繊維材料。
【請求項３】
架橋ポリマーは、前記実質的に平行に配列された浸出カーボン・ナノチューブと前記π‐スタッキング相互作用を形成する請求項２に記載のカーボン・ナノチューブ浸出繊維材料。
【請求項４】
前記実質的に平行に配列された浸出カーボン・ナノチューブ層の上に成長した追加のカーボン・ナノチューブを、さらに含み、
前記追加のカーボン・ナノチューブは、前記繊維材料の長手軸に実質的に平行に配列される請求項１に記載のカーボン・ナノチューブ浸出繊維材料。
【請求項５】
前記追加のカーボン・ナノチューブの少なくとも一部は、前記実質的に平行に配列された浸出カーボン・ナノチューブの少なくとも一部に、相互に又はその両方に架橋結合される請求項４に記載のカーボン・ナノチューブ浸出繊維材料。
【請求項６】
マトリックス材料と、
繊維材料と前記繊維材料に浸出されたカーボン・ナノチューブ層を含むカーボン・ナノチューブ浸出繊維材料と、
を含み、
前記浸出カーボン・ナノチューブは、前記繊維材料の長手軸に実質的に平行に配列され、
前記実質的に平行に配列された浸出カーボン・ナノチューブの少なくとも一部は、相互に前記繊維材料に又はその両方に架橋結合される複合材料。
【請求項７】
架橋結合は、共有結合又はπ‐スタッキング相互作用を含む請求項６に記載の複合材料。
【請求項８】
架橋ポリマーは、前記実質的に平行に配列された浸出カーボン・ナノチューブと前記π‐スタッキング相互作用を形成する請求項７に記載の複合材料。
【請求項９】
前記架橋ポリマーは、前記マトリックス材料にも架橋結合される請求項８に記載の複合材料。
【請求項１０】
繊維材料と、該繊維材料に浸出されて前記繊維材料の表面に実質的に垂直に配列されたカーボン・ナノチューブとを含むカーボン・ナノチューブ浸出繊維材料を提供することと、
前記繊維材料の長手軸に実質的に平行に配列された浸出カーボン・ナノチューブ層を形成するように、前記実質的に垂直に配列された浸出カーボン・ナノチューブを再配向することと、
を含む方法。
【請求項１１】
前記実質的に垂直に配列された浸出カーボン・ナノチューブの少なくとも一部を、相互に、前記繊維材料に又はその両方に架橋結合することを、さらに含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
架橋結合は、共有結合又はπ‐スタッキング相互作用を含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
架橋ポリマーは、前記実質的に垂直に配列された浸出カーボン・ナノチューブと前記π‐スタッキング相互作用を形成する請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記カーボン・ナノチューブ浸出繊維材料をマトリックス材料内に配置することを、さらに含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
再配向は、機械的プロセス又は化学的プロセスを含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記実質的に平行に配列された浸出カーボン・ナノチューブ層の上に触媒ナノ粒子を付着させることと、
前記実質的に平行に配列された浸出カーボン・ナノチューブ層の上に追加のカーボン・ナノチューブを成長させることと、
前記繊維材料の長手軸に実質的に平行に配列されるように前記追加のカーボン・ナノチューブを配向することと、
をさらに含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
前記追加のカーボン・ナノチューブの少なくとも一部を、前記実質的に平行に配列された浸出カーボン・ナノチューブの少なくとも一部に、相互に又はその両方に架橋結合することを、さらに含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
連続繊維材料を提供することと、
電界又は磁界の存在下で、前記連続繊維材料上にカーボン・ナノチューブ層を成長させることと、
を含み、
カーボン・ナノチューブ浸出繊維材料を形成するように、前記カーボン・ナノチューブを前記連続繊維材料に浸出させ、
前記浸出カーボン・ナノチューブが前記繊維材料の長手軸に実質的に平行に配列されるように、前記電界又は前記磁界の方向を合わせる方法。
【請求項１９】
前記実質的に平行に配列された浸出カーボン・ナノチューブの少なくとも一部を、相互に、前記繊維材料に又はその両方に架橋結合することを、さらに含む請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
繊維材料と、該繊維材料に浸出されて前記繊維材料の表面に実質的に垂直に配列されたカーボン・ナノチューブとを含むカーボン・ナノチューブ浸出繊維材料を提供することと、
架橋結合して実質的に垂直に配列された浸出カーボン・ナノチューブを形成するために、前記カーボン・ナノチューブ浸出繊維材料に架橋ポリマーを添加することと、
を含み、
前記架橋ポリマーは、前記架橋結合して実質的に垂直に配列された浸出カーボン・ナノチューブとπ‐スタッキング相互作用を形成し、さらに、
前記繊維材料の長手軸に実質的に平行に配列された架橋浸出カーボン・ナノチューブ層を形成するように、前記架橋結合して実質的に垂直に配列された浸出カーボン・ナノチューブを再配向することを含む方法。
【請求項２１】
連続カーボン・ナノチューブ成長プロセスであって、
連続繊維材料を提供することと、
連続カーボン・ナノチューブ成長プロセスで前記連続繊維材料上にカーボン・ナノチューブを成長させることと、
を含み、
前記カーボン・ナノチューブがカーボン・ナノチューブ浸出繊維材料を形成するように、前記繊維材料に浸出され、さらに、
前記浸出カーボン・ナノチューブの少なくとも一部を、相互に、前記繊維材料に又はその両方に架橋結合することを含み、
架橋結合は、架橋結合した浸出カーボン・ナノチューブを形成するように、前記浸出カーボン・ナノチューブとπ‐スタッキング相互作用を形成する架橋ポリマーで前記浸出カーボン・ナノチューブを処理することを含み、さらに、
前記連続繊維材料の長手軸に実質的に平行に配列された架橋浸出カーボン・ナノチューブ層を形成するように、機械的プロセス又は化学的プロセスによって前記架橋浸出カーボン・ナノチューブを配向することを含む連続カーボン・ナノチューブ成長プロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月12日(2013.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チタン−ＭＷＷゼオライトの製造方法であって、当該方法は：
（ａ）チタン化合物、珪素源、硼素源、ＭＷＷ−構造規定剤、および水から形成されるゲルを、３５〜７５℃の範囲の温度で８〜３０時間の期間にわたって加熱し、予備結晶化ゲルを形成すること；および
（ｂ）得られた予備結晶化ゲルを、１６０℃〜１９０℃の範囲の温度で５日間以上の期間にわたって加熱し、チタン−ＭＷＷゼオライトを形成すること
を含む、前記チタン−ＭＷＷゼオライトの製造方法。
【請求項２】
チタン化合物を、チタンハライド、チタンアルコキシド、およびその混合物からなる群から選択する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
チタンアルコキシドを、チタンテトラエトキシド、チタンテトライソプロポキシド、チタンテトラブトキシドおよびその混合物からなる群から選択する請求項２に記載の方法。
【請求項４】
珪素源を、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、シリコンアルコキシドおよびその混合物からなる群から選択する請求項１に記載の方法。
【請求項５】
シリコンアルコキシドを、テトラエチルオルトシリケート、テトラメチルオルトシリケートおよびその混合物からなる群から選択する請求項４に記載の方法。
【請求項６】
硼素源を、硼酸、ボロンハイドライド、ボロンヒドリド、硼酸エステル類、硼酸金属塩およびその混合物からなる群から選択する請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ＭＷＷ−構造規定剤がピペリジンまたはヘキサメチレンイミンである請求項１に記載の方法。
【請求項８】
予備結晶化ゲルを、１２０℃〜１５５℃の範囲の温度で８〜３０時間にわたって加熱してから、１６０℃〜１９０℃の範囲の温度で加熱する請求項１に記載の方法。
【請求項９】
予備結晶化ゲルを、１６０℃〜１９０℃の範囲の温度で５〜８日間にわたって加熱する請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
チタン−ＭＷＷゼオライト存在下でオレフィンと過酸化水素とを反応させることを含む方法であって、ここで、チタン−ＭＷＷゼオライトを：
（ａ）チタン化合物、珪素源、硼素源、ＭＷＷ−構造規定剤、および水から形成されるゲルを、３５〜７５℃の範囲の温度で８〜３０時間の期間にわたって加熱し、予備結晶化ゲルを形成すること； 
（ｂ）得られた予備結晶化ゲルを、１６０℃〜１９０℃の範囲の温度で５日間以上の期間にわたって加熱し、チタン−ＭＷＷゼオライトを形成すること；および
（ｃ）チタン−ＭＷＷゼオライトと酸とを接触させること
により生成する、前記方法。
【請求項１１】
チタン化合物を、チタンハライド、チタンアルコキシド、およびその混合物からなる群から選択し；珪素源を、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、シリコンアルコキシドおよびその混合物からなる群から選択し；硼素源を、硼酸、ボロンハイドライド、ボロンヒドリド、硼酸エステル類、硼酸金属塩およびその混合物からなる群から選択し；そしてＭＷＷ−構造規定剤がピペリジンまたはヘキサメチレンイミンである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
酸を硝酸および硫酸からなる群から選択する請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
予備結晶化ゲルを、１２０℃〜１５５℃の範囲の温度で８〜３０時間にわたって加熱してから、１６０℃〜１９０℃の範囲の温度で加熱する請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
オレフィンと過酸化水素との反応を、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、水およびその混合物からなる群より選択される溶媒中で行う、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
過酸化水素を、貴金属触媒の存在下で水素および酸素のその場での反応により形成する、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月31日(2014.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ．コア粒子であって、
１．金属亜塩素酸塩、及び
２．固体酸
を含むコア粒子、並びに
Ｂ．前記コア粒子の少なくとも１部に配置され且つポリビニルアルコールとポリアルキレングリコールとのコポリマーを含む保護層
を含み、
前記ポリアルキレングリコールが任意にポリエチレングリコールとして更に規定される、カプセル化二酸化塩素発生剤。
【請求項２】
前記保護層が、前記ポリビニルアルコールと前記ポリエチレングリコールとの前記コポリマーから本質的になる、請求項１に記載のカプセル化二酸化塩素発生剤。
【請求項３】
前記保護層が遊離ポリビニルアルコールを更に含む、請求項１又は２に記載のカプセル化二酸化塩素発生剤。
【請求項４】
前記保護層が、８５〜２１０マイクロメートルの厚さを有し且つ前記保護層が、前記コア粒子１００質量部当たり１〜１５質量部の量で存在するか又は前記コア粒子１００質量部当たり３〜５質量部の量で存在する、請求項１から３までのいずれか１項に記載のカプセル化二酸化塩素発生剤。
【請求項５】
２０℃〜２７℃の温度及び３０〜４０パーセントの相対湿度にて約４８時間空気に曝す間、空気１００万質量部当たり１質量部未満の二酸化塩素を生成するか；又は
２５℃〜７０℃の温度及び約１００パーセントの相対湿度にて約１時間空気に曝す間、空気１００万質量部当たり１質量部未満の二酸化塩素を生成するか；又は
約３８℃の温度及び約２５パーセントの相対湿度にて約５５０分間空気に曝す間、空気１００万質量部当たり０．０１質量部未満の二酸化塩素を生成する、請求項１から４までのいずれか１項に記載のカプセル化二酸化塩素発生剤。
【請求項６】
約２５℃の温度で少なくとも９０分の水への溶解時間を有する、請求項１から５までのいずれか１項に記載のカプセル化二酸化塩素発生剤。
【請求項７】
金属亜塩素酸塩及び固体酸を含むコア粒子、並びに前記コア粒子の少なくとも１部に配置された保護層を含むカプセル化二酸化塩素発生剤の形成方法であって、
Ａ．金属亜塩素酸塩及び固体酸を含むコア粒子を形成する工程、及び
Ｂ．ポリビニルアルコールとポリアルキレングリコールとのコポリマーを含む保護層をコア粒子に配置する工程
を含む、前記形成方法。
【請求項８】
コポリマーを水に溶解して溶液を形成する工程を更に含み、その際、保護層をコア粒子に配置する工程がコア粒子上に溶液を噴霧する工程として更に規定され、且つ該噴霧工程が任意にパンコーティングとして更に規定される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
二酸化塩素を用いる環境の浄化方法において、
Ａ．カプセル化二酸化塩素発生剤であって、
１．金属亜塩素酸塩及び固体酸源を含むコア粒子、及び
２．コア粒子の少なくとも１部に配置され且つポリビニルアルコールとポリアルキレングリコールとのコポリマーを含む保護層
を含むカプセル化二酸化塩素発生剤を提供する工程、並びに
Ｂ．カプセル化二酸化塩素発生剤から二酸化塩素を生成して環境を浄化する工程
を含む、前記浄化方法。
【請求項１０】
環境が水として更に規定され、二酸化塩素の生成工程が、カプセル化二酸化塩素発生剤を水に曝してインサイチュで二酸化塩素を生成する工程として更に規定されるか又は、
二酸化塩素の生成工程が、基材表面から離れて二酸化塩素を生成する工程として更に規定され、且つ前記方法が基材表面に二酸化塩素を適用する工程を更に含む、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月29日(2014.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
触媒活性物質及び炭素含有担体を含む触媒の製造方法であって、
以下の工程：
（ａ）金属塩溶液に炭素含有担体を含浸させる工程、
（ｂ）金属塩溶液が含浸した炭素含有担体を、不活性雰囲気中で１２００℃の温度に加熱して金属炭化物層を形成する工程、
（ｃ）金属炭化物層を備えた炭素含有担体に触媒活性物質を施す工程
を含む方法。
【請求項２】
炭素含有担体を含浸させる金属塩溶液が化学量論量で添加される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記金属塩溶液の金属が、タングステン、モリブデン、又はこれらの金属の少なくとも１種を含む混合物若しくは合金である請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記金属塩溶液が、タングステン酸塩溶液である請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
工程（ｂ）における加熱が、不活性雰囲気中で実施される請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
触媒活性金属が、白金属の金属であるか、或いは白金属の少なくとも１種の金属を含有する合金である請求項１〜５の何れかに記載の方法。
【請求項７】
白金族の少なくとも１種の金属を含む合金が、ＰｔＮｉ、ＰｔＦｅ、ＰｔＶ、ＰｔＣｒ、ＰｔＴｉ、ＰｔＣｕ、ＰｔＰｄ、ＰｔＲｕ、ＰｄＮｉ、ＰｄＦｅ、ＰｄＣｒ、ＰｄＴｉ、ＰｄＣｕ及びＰｄＲｕからなる群から選択される請求項６に記載の方法。
【請求項８】
白金族の金属が、白金又はパラジウムである請求項６に記載の方法。
【請求項９】
触媒活性物質を、還元析出により、又はＨ２／Ｎ２ガス混合物中での分解及び還元により、金属炭化物層を備える炭素含有担体に施す請求項１〜８に記載の方法。
【請求項１０】
炭素含有担体が２５０ｍ２／ｇ以下のＢＥＴ表面積を有する請求項１〜９の何れかに記載の方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０の何れかに記載の方法により製造された触媒であって、
炭素含有担体と触媒活性物質を含有し、
該炭素含有担体は、金属炭化物層を有し、
前記触媒活性物質は、該金属炭化物層を備える炭素含有担体に施されていることを特徴とする触媒。
【請求項１２】
炭素含有担体が、２５０ｍ２／ｇ以下のＢＥＴ表面積を有する請求項１１に記載の触媒。
【請求項１３】
触媒活性物質が白金属の金属であるか、又は白金属の少なくとも１種の金属を含有する合金である請求項１１又は１２に記載の触媒。
【請求項１４】
白金族の少なくとも１種の金属を含む合金が、ＰｔＮｉ、ＰｔＦｅ、ＰｔＶ、ＰｔＣｒ、ＰｔＴｉ、ＰｔＣｕ、ＰｔＰｄ、ＰｔＲｕ、ＰｄＮｉ、ＰｄＦｅ、ＰｄＣｒ、ＰｄＴｉ、ＰｄＣｕ及びＰｄＲｕからなる群から選択される請求項１３に記載の触媒。
【請求項１５】
金属炭化物層の金属が、タングステン及び／又はモリブデンを含む請求項１１〜１４の何れかに記載の触媒。
【請求項１６】
燃料電池の電極として使用するための、請求項１１〜１５の何れかに記載の触媒。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月28日(2013.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表ＩＩに記載されたウェット・ドライ／凍結・融解サイクルを２５回行った後の、厚み膨張の平均値が５％以下である、アセチル化木材成分を含む複合木材製品。
【表１】
2013518743.tif 000001
【請求項２】
表ＩＩに記載されたウェット・ドライ／凍結・融解サイクルを２５回行った後、弾性係数が平均値で少なくとも９０％保持されている、アセチル化木材成分を含む複合木材製品。
【表２】
2013518743.tif 000002
【請求項３】
表ＩＩに記載されたウェット・ドライ／凍結・融解サイクルを２５回行った後、曲げ強度が平均値で少なくとも９０％保持されている、アセチル化木材成分を含む複合木材製品。
【表３】
2013518743.tif 000003
【請求項４】
常温で４８時間水中に浸漬した後、破断係数が少なくとも７０％保持されている、アセチル化木材成分を含む複合木材製品。
【請求項５】
請求項１〜４に記載された製品物性の２つ以上を有する、アセチル化木材成分を含む複合木材製品。
【請求項６】
ジ−フェニルメタンジイソシアナート・ポリマー接着剤を含んでなる、請求項１〜５のいずれか一項に記載のアセチル化木材成分を含む複合木材製品。
【請求項７】
アセチル化木材成分を含む複合木材製品の製造のためのジ−フェニルメタンジイソシアナート・ポリマー接着剤の使用。
【請求項８】
（ａ）３０〜１９０℃、常圧〜１５ｂａｒｇの条件で、木材成分を無水酢酸で最大８０分間処理するステージと、
（ｂ）次いで、１〜５ｂａｒｇの条件で、前記木材成分を、無水酢酸と又は無水酢酸及び酢酸の混合物と混合されうる不活性ガスで、５〜３００分間、１５０〜１９０℃に加熱するステージとを含む、木材成分の２段階アセチル化方法。
【請求項９】
前記木材成分はスプルース又はパインを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記木材成分は、アセチル化前に含水量２〜１０％（重量）まで乾燥される、請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ステージ（ａ）の前に、前記木材成分に真空を印加して内在ガスを除去する、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記ステージ（ａ）において、温度は６０〜１３０℃、圧力は８〜１２ｂａｒｇ、時間は５〜２０分間である、請求項８〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記ステージ（ｂ）において、温度は１３０〜１４５℃、圧力は１〜３ｂａｒｇ、時間は２〜４時間である、請求項８〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記ステージ（ｂ）の圧力は１〜２ｂａｒｇである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記不活性ガスは窒素である、請求項８〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記窒素は無水酢酸及び酢酸で完全に飽和される、請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月4日(2014.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１の押出成形可能なポリマー組成物及び第２の押出成形可能なポリマー組成物を共押出成形するためのダイであって、
第１のダイ部分における第１のダイ空洞と、
第２のダイ部分における第２のダイ空洞と、
前記第１のダイ空洞の少なくとも一部分と、前記第２のダイ空洞の少なくとも一部分との間に介在する配分プレートと、を備え、
前記配分プレートは、
前記第１のダイ空洞の境界を形成する第１の側部と、
前記第１の側部と対向し、前記第２のダイ空洞の境界を形成する第２の側部と、
分配エッジと、
複数の第１の押出成形チャネルと、
複数の第２の押出成形チャネルと、を有し、
前記複数の第１の押出成形チャネルは、前記第１のダイ空洞における入口開口部から、前記分配エッジ上の出口開口部まで延在し、
前記複数の第２の押出成形チャネルは、前記第２のダイ空洞における入口開口部から、前記分配エッジ上の出口開口部まで延在し、
前記複数の第１の押出成形チャネルの前記出口開口部、及び前記複数の第２の押出成形チャネルの前記出口開口部は、前記分配エッジに沿って交互に配置されており、
前記第１の押出成形チャネルの各々は、互いに対向する２つの側壁と、該２つの側壁を互いに接続する接合面と、を含み、
前記第１の押出成形チャネルのうちの少なくともいくつかの前記接合面は、前記配分プレートの前記第１の側部に実質平行である、ダイ。
【請求項２】
前記第１の押出成形チャネルの各々は、後壁をさらに含み、
前記後壁は、
前記出口開口部に対向して配置され、前記互いに対向する２つの側壁を接続し、且つ、
前記配分プレートの前記第１の側部に実質垂直である、請求項１に記載のダイ。
【請求項３】
押出成形物品を作製する方法であって、
請求項１または２に記載のダイを用意する工程と、
第１のポリマー組成物を前記第１のダイ空洞に供給する工程と、
前記第１のポリマー組成物とは異なる第２のポリマー組成物を、前記第２のダイ空洞に供給する工程と、
前記第１のポリマー組成物を、前記複数の第１の押出成形チャネルを通して押出し、前記第２のポリマー組成物を、前記複数の第２の押出成形チャネルを通して押出して、前記第１のポリマー組成物と前記第２のポリマー組成物とが幅方向に交互配置された領域を有するフローストリームを形成する工程と、
前記フローストリームを長手方向に前記ダイから押出して、前記第１のポリマー組成物からなる複数の長手方向の第１の縞と、該第１の縞と交互配置された、前記第２のポリマー組成物からなる複数の長手方向の第２の縞と、を有する前記押出成形物品を形成する工程と、を備え、
前記長手方向の第１の縞の少なくともいくつかは、互いに実質平行に対向する側部を、前記長手方向に垂直な平面に含む断面形状を有する、方法。
【請求項４】
互いに対向する複数の主面を備える押出成形フィルムであって、
非弾性ポリマーを含む第１のポリマー組成物からなる複数の長手方向の第１の縞と、
エラストマー性ポリマー及び非弾性ポリマーの混合体を含む第２のポリマー組成物からなる複数の長手方向の第２の縞と、を交互に備え、
前記複数の長手方向の第１の縞、及び前記複数の長手方向の第２の縞の双方は、前記互いに対向する複数の主面の少なくとも１つの上に突起を有し、
前記複数の長手方向の第１の縞の前記突起は、前記複数の長手方向の第２の縞の前記突起と、実質同じ高さである、押出成形フィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月3日(2014.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−ポリエチレンテレフタレート材料のメルトを生成するステップ、
−プロセス流体への水中ペレット化の手段によってメルトからペレットを生成するステップ、
−プロセス流体における水中ペレット化の部位からペレットを除去するステップ、
−プロセス流体中のペレットを結晶化するステップ、
−プロセス流体中のペレットを抽出するステップ、
−プロセス流体からペレットを分離するステップ
によってポリエチレンテレフタレートペレットを生成するための方法において、
結晶化ステップにおいて、ペレットの内部が非結晶のままとなるようにペレットの表面だけが結晶化され、プロセス流体の温度が、ポリエチレンテレフタレート材料の配合に依存して、ペレットのポリエチレンテレフタレート材料の事前に実験的に決定される最大結晶化速度が達せられる値に調整され、結晶化ステップの後に、ペレットの表面の不透明性が、達成された結晶化度の測度として、およびペレットの表面での達成された結晶化深度の測度として決定されることを特徴とする方法。
【請求項２】
ペレットの表面の不透明性が屈折によって光学的に決定されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ペレットの表面の不透明度が変化する場合、プロセス流体の温度および／または結晶化ステップの持続期間が結晶化ステップにおいて適宜変えられることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
結晶化ステップにおいて、プロセス流体の温度が１８０℃±１０℃の範囲であることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
結晶化ステップにおいて、プロセス流体中のペレットの保持時間が０．５分から１０分の範囲であることを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記保持時間が１分から５分の範囲であることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ペレットの表面の結晶化深度がペレットの半径の最大１０％までであるように、結晶化ステップが実行されることを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
水中ペレット化、ペレットの除去および結晶化ステップに関して、プロセス流体が周囲圧力を超える増加した圧力であることを特徴とする、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記増加した圧力が１バール以上であることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記増加した圧力が３バール以上であることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記増加した圧力が４バール以上であることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記増加した圧力が１０バール以上であることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
結晶化ステップの後に、ペレットが、それらが使用される時まで、最大結晶化速度の温度を下回る温度に維持されることを特徴とする、請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
プロセス流体が、水、周囲空気または窒素の未完全な群から選択される流体であることを特徴とする、請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月23日(2014.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空アーク再融解装置の坩堝に合金ライナーを配置することと、
坩堝内で合金電極を前記合金ライナーへと真空アーク再融解することにより、内側インゴットコアに対して冶金接合された外側レイヤを備える合金インゴットを形成することと、
を含む、合金インゴットを形成するためのプロセス。
【請求項２】
前記合金ライナーは、前記合金電極を含む前記合金よりも、延性がより高い合金からなる、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記合金電極は、ニッケル基合金、鉄基合金、ニッケル鉄基合金、およびコバルト基合金からなる群より選択される合金からなる、請求項１に記載のプロセス。
【請求項４】
前記合金電極は、Ａｌｌｏｙ７１８、Ａｌｌｏｙ７２０、Ｒｅｎｅ４１（商標）、Ｒｅｎｅ８８（商標）合金、およびＷａｓｐａｌｏｙ（登録商標）合金からなる群より選択される合金からなる、請求項１に記載のプロセス。
【請求項５】
前記合金ライナーはニッケル基合金からなる、請求項１に記載のプロセス。
【請求項６】
前記合金インゴットを熱間加工することをさらに含み、前記熱間加工することは、前記外側レイヤに対して力を印加することを含み、前記力は前記合金インゴットを塑性変形させる、請求項１に記載のプロセス。
【請求項７】
前記合金インゴットを熱間加工することは、前記合金インゴットを据込および引抜鍛造することを含む、請求項６に記載のプロセス。
【請求項８】
前記合金インゴットを熱間加工した後、前記合金インゴットから前記外側レイヤの少なくとも１部分を除去することをさらに含む、請求項６に記載のプロセス。
【請求項９】
前記プロセスは、ニッケル基超合金インゴットから形成された鍛造ニッケル基超合金製品の歩留まりを改善する、請求項６に記載のプロセス。
【請求項１０】
前記プロセスは、鋳造ニッケル基超合金インゴットから鍛錬されたニッケル基超合金ビレットを生産する、請求項６に記載のプロセス。
【請求項１１】
真空誘導融解操作を用いて、前記合金電極を提供することをさらに含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１２】
真空誘導融解−エレクトロスラグ精錬操作を用いて、前記合金電極を提供することをさらに含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１３】
請求項１に記載の前記プロセスにより形成される、合金インゴット。
【請求項１４】
合金インゴットに力を印加することにより、前記合金インゴットを塑性変形させることを含み、
前記インゴットは、内側インゴットコアに対して冶金接合された外側レイヤを備え、
前記外側レイヤは、前記内側インゴットコアを含む前記合金よりも、より延性が高い合金からなり、前記外側レイヤは、前記合金インゴットの表面亀裂の発生を低減させる、
合金インゴットを処理するための方法。
【請求項１５】
前記合金インゴットが変形された後、前記合金インゴットから前記外側レイヤの少なくとも１部分を除去することをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記内側インゴットコアは、ニッケル基合金、鉄基合金、ニッケル鉄基合金、およびコバルト基合金からなる群より選択される合金をからなる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記内側インゴットコアは、Ａｌｌｏｙ７１８、Ａｌｌｏｙ７２０、Ｒｅｎｅ４１（商標）合金、Ｒｅｎｅ８８（商標）合金、およびＷａｓｐａｌｏｙ（登録商標）合金からなる群より選択される合金からなる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記内側インゴットコアはニッケル基超合金からなり、前記外側領域はニッケル基合金からなる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記合金インゴットに対して力を印加することは、前記合金インゴットを据込および引抜鍛造することを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記方法は、ニッケル基超合金インゴットから形成された鍛造ニッケル基超合金製品の歩留まりを改善する、請求項１４に記載の方法。
【請求項２１】
前記方法は、鋳造ニッケル基超合金インゴットから鍛錬されたニッケル基超合金ビレットを生産する、請求項１４に記載の方法。
【請求項２２】
請求項１４に記載の前記方法により合金インゴットから形成された熱間加工された物品。
【請求項２３】
外側レイヤが外周レイヤである、請求項１５に記載の方法。
【請求項２４】
ニッケル基合金を真空誘導融解して合金電極を形成すること、
前記合金電極をエレクトロスラグ精錬して精錬された合金電極を形成すること、及び
前記精錬された合金電極を、真空アーク再融解装置の坩堝内に配置された合金ライナー内へと真空アーク再融解して、それにより内側インゴットコアに冶金接合された外側レイヤを備える合金インゴットを形成すること
を含み、
前記外側レイヤが、内側インゴットコアを構成するニッケル基合金よりも延性がより高いニッケル基合金を含む、
プロセス。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年1月23日(2014.1.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
好ましくは、エネルギー吸収エレメントは、サポートエレメントの凹み中に配置され、特に好ましくはサポートエレメントに形状嵌めで接続されている。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
好ましくは、格納コンパートメントが、エネルギー吸収エレメント中に位置している。好ましくは、くぼみの１つが格納コンパートメントとして提供され、それは特に好ましくはカバーによって覆われている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
図２には、発明に従った車両インテリア取り付け部１０が、更なる切断ラインに沿った断面図で示されており、そこでは被覆および／または固着エレメント１１と、サポートエレメント２０と、吸収エレメント３０が順次示されている。図２に従った見え方では、（断面図で示された）反射性ベスト４０がまた、車両インテリア取り付け部中に一体化された格納コンパートメント中に収納されている物体の例として描かれている。被覆および／または固着エレメント１１では、格納コンパートメントへのアクセスを提供するために、対応するオプションで被覆可能な開口部が設けられている。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サポートエレメント（２０）とエネルギー吸収エレメント（３０）とを含み、サポートエレメント（２０）とエネルギー吸収エレメント（３０）が１つのピースの平面状材料から作られてサポートエレメントおよびエネルギー吸収エレメントの形状をなすように形成され、切り分けられるか又は打ち抜かれるかされることによりサポートエレメントとエネルギー吸収エレメントとが互いに分離されることを特徴とする、車両インテリア取り付け部（１０）。
【請求項２】
エネルギー吸収エレメント（３０）が、連続する複数の平面部分（１−４）から構成される１つのピースで提供されることを特徴とする、請求項１に記載の車両インテリア取り付け部（１０）。
【請求項３】
エネルギー吸収エレメントが、少なくとも部分的に異なる深さの複数のくぼみ（１−４）を含むことを特徴とする、請求項２に記載の車両インテリア取り付け部（１０）。
【請求項４】
くぼみの断面形状が異なることを特徴とする、請求項２または３に記載の車両インテリア取り付け部（１０）。
【請求項５】
エネルギー吸収エレメント（３０）が、サポートエレメントの凹み（２２）中に位置することを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の車両インテリア取り付け部（１０）。
【請求項６】
エネルギー吸収エレメント（３０）が、サポートエレメント（２０）に形状嵌めで接続されていることを特徴とする、請求項１から５のいずれかに記載の車両インテリア取り付け部（１０）。
【請求項７】
装飾的材料（２５）が、サポートエレメント（２０）上に設けられていることを特徴とする、請求項１から６のいずれかに記載の車両インテリア取り付け部（１０）。
【請求項８】
格納コンパートメントが、エネルギー吸収エレメント（３０）中に位置していることを特徴とする、請求項１から７のいずれかに記載の車両インテリア取り付け部（１０）。
【請求項９】
サポートエレメント（２０）とエネルギー吸収エレメント（３０）が、１つの方法ステップで一体的に成形され、
サポートエレメント（２０）とエネルギー吸収エレメント（３０）が、後で互いに分離されることを特徴とする、請求項１から８のいずれかに記載の車両インテリア取り付け部を製作するための方法。