(57)【要約】【課題】微細配線が可能で、配線の付着強度に優れたフッ素樹脂基板、配線基板、フッ素樹脂基板の製造方法、及び配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】プリント基板１は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）製のフッ素樹脂基板３の表面に、金属膜からなる配線パターン５が形成されたものである。特に、フッ素樹脂基板３の表面は、シェーパ加工によって多数の凹凸（加工パターン）７が垂直に交差する形状に形成され、基板表面全体にほぼ均一に凹凸が形成されている。シェーパ加工が施されたフッ素樹脂基板３の表面粗さＲａは、０．３５〜０．８μｍの範囲であり、加工パターン７の溝深さは１．５〜３．０μｍの範囲であり、加工ピッチ間隔は５５〜８５μｍの範囲である。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ素樹脂基板の表面に多数の凹凸を有し、該凹凸による表面粗さＲａが、０．３５〜０．８μｍであることを特徴とするフッ素樹脂基板。
【請求項２】
前記表面粗さＲａが、０．４５〜０．６５μｍであることを特徴とする請求項１に記載のフッ素樹脂基板。
【請求項３】
前記凹凸の溝深さが、１．５〜３．０μｍであることを特徴とする請求項１又は２に記載のフッ素樹脂基板。
【請求項４】
前記凹凸は、機械的加工による凹凸であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のフッ素樹脂基板。
【請求項５】
前記機械的加工の加工ピッチ間隔が、５５〜８５μｍであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のフッ素樹脂基板。
【請求項６】
前記機械的加工による加工パターン形状が、並列形状又は交差形状であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のフッ素樹脂基板。
【請求項７】
前記フッ素樹脂は、ポリテトラフルオロエチレンであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のフッ素樹脂基板。
【請求項８】
前記請求項１〜７のいずれかに記載のフッ素樹脂基板を用いた配線基板であって、
前記フッ素樹脂基板の凹凸が形成された表面に、該表面に密着した金属膜からなる配線パターンを備えたことを用いた配線基板。
【請求項９】
前記金属膜が、銅からなることを特徴とする請求項８に記載の配線基板。
【請求項１０】
前記金属膜は、銅を最下層とする積層構造を有することを特徴とする請求項８に記載の配線基板。
【請求項１１】
前記金属膜は、下層より、銅、ニッケル、金の積層構造を有することを特徴とする請求項１０に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
フッ素樹脂基板の表面を、表面粗さＲａ：０．３５〜０．８μｍに加工することを特徴とするフッ素樹脂基板の製造方法。
【請求項１３】
前記フッ素樹脂基板の表面を前記表面粗さＲａに加工した後に、
前記表面粗さＲａを有するフッ素樹脂基板の表面からフッ素を離脱させる工程と、
前記フッ素を離脱させたフッ素樹脂基板の表面に酸素ガスを用いたプラズマ処理を行う工程と、
を備えたことを特徴とする請求項１２に記載のフッ素樹脂基板の製造方法。
【請求項１４】
前記フッ素樹脂基板の表面の加工方法として、機械的加工を用いることを特徴とする請求項１２又は１３に記載のフッ素樹脂基板の製造方法。
【請求項１５】
フッ素樹脂基板の表面に、機械的加工によって凹凸を形成する工程と、
前記凹凸を形成したフッ素樹脂基板の表面からフッ素を離脱させる工程と、
前記フッ素を離脱させたフッ素樹脂基板の表面に酸素ガスを用いたプラズマ処理を行う工程と、
を備えたことを特徴とするフッ素樹脂基板の製造方法。
【請求項１６】
前記フッ素樹脂基板の表面を、前記機械的加工によって、表面粗さＲａ：０．３５〜０．８μｍに加工することを特徴とする請求項１５に記載のフッ素樹脂基板の製造方法。
【請求項１７】
前記フッ素樹脂基板の表面を、表面粗さＲａ：０．４５〜０．６５μｍに加工することを特徴とする請求項１２〜１６のいずれかに記載のフッ素樹脂基板の製造方法。
【請求項１８】
前記フッ素樹脂基板の表面を、溝深さ１．５〜３．０μｍに加工することを特徴とする請求項１２〜１７のいずれかに記載のフッ素樹脂基板の製造方法。
【請求項１９】
前記フッ素樹脂基板の表面の機械的加工を実施する場合に、加工ピッチ間隔を５５〜８５μｍとすることを特徴とする請求項１２〜１８のいずれかに記載のフッ素樹脂基板の製造方法。
【請求項２０】
前記フッ素樹脂基板の表面を、シェーパ加工することを特徴とする請求項１２〜１９のいずれかに記載のフッ素樹脂基板の製造方法。
【請求項２１】
前記フッ素樹脂基板の表面の機械的加工を実施する場合に、加工パターン形状を並列形状又は交差形状とすることを特徴とする請求項１２〜２０のいずれかに記載のフッ素樹脂基板の製造方法。
【請求項２２】
前記フッ素樹脂基板の表面の機械的加工を実施する場合に、複数のカッターを同時に用いることを特徴とする請求項１２〜２１のいずれかに記載のフッ素樹脂基板の製造方法。
【請求項２３】
前記フッ素樹脂は、ポリテトラフルオロエチレンであることを特徴とする請求項１２〜２２のいずれかに記載のフッ素樹脂基板の製造方法。
【請求項２４】
前記請求項１２〜２３のいずれかに記載のフッ素樹脂基板の製造方法を用いた配線基板の製造方法であって、
前記加工を施されたフッ素樹脂基板の表面に、金属膜による配線パターンを形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２５】
前記金属膜を、めっき法により形成することを特徴とする請求項２４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項２６】
前記金属膜を、蒸着法又はスパッタ法により形成することを特徴とする請求項２４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項２７】
前記金属膜を、めっき法と蒸着法又はスパッタ法とを共に用いて形成することを特徴とする請求項２４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項２８】
前記配線パターンを、エッチングにより形成することを特徴とする請求項２４〜２７のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項２９】
前記配線パターンを、選択めっき法により形成することを特徴とする請求項２４〜２７のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項３０】
前記配線パターンを、エッチング及び選択めっきにより形成することを特徴とする請求項２４〜２７のいずれかに配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばプリント基板に用いられる、フッ素樹脂基板、配線基板、フッ素樹脂基板の製造方法、及び配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、図１３（ａ）に示す様に、例えば高周波素子用プリント基板として、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）からなる樹脂層Ｐ１を銅箔Ｐ２で挟んで熱圧着したＰＴＦＥ基板Ｐ３が用いられている。
【０００３】
また、図１３（ｂ）に示す様に、前記基板Ｐ３には、通常、銅箔Ｐ２間を導通させるスルーホールＰ４が設けられており、そのスルーホールＰ４及び銅箔Ｐ２の表面には銅めっき膜Ｐ５が形成されている。
そして、上述した基板Ｐ３の表面では、ドライフィルムＰ６を配置して、銅めっき膜Ｐ５及び銅箔Ｐ２をエッチングして配線が形成されるが、特に厚みのある銅箔Ｐ２の線幅や膜厚を、周知の等方性ウエットエッチングにより制御することは困難であった。
【０００４】
つまり、図１３（ｃ）に示す様に、等方性ウエットエッチングでは、エッチング加工しない部分はドライフィルムＰ６で覆うが、銅箔Ｐ２にはかなりの厚みがあるので、本来エッチング加工しない部分もエッチングされてしまい、そのため、形成される配線（ライン：Ｌ）や配線間の空間（スペース：Ｓ）の線幅は、１００μｍ程度が限界であった。
【０００５】
ところが、近年では、基板の小型化を図るために、一層の微細配線を形成したいという要求があり、そのため、Ｌ＆Ｓ部では、５０μｍ以下の線幅が要求されている。
この対策として、金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液と酸素プラズマを組み合わせて膜形成を行い、ウエットエッチング制御が容易な薄膜化により、微細配線を可能にする技術が提案されている（特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】
特開平６−２８３６１５号公報  （第２頁、図１）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記特許文献１の技術では、熱圧着方式による銅膜の配線に比べて、付着強度が低いという問題があった。
具体的には、配線パターンの付着強度（図１４（ａ）の方法で測定した引張強度）が、図１４（ｂ）に示す様に、平均約１２Ｎ／ｍｍ２であり、市販レベルより低いという問題があった。尚、このサンプルは、ＰＴＦＥ基板の全面に無電解めっき膜を設けたものである。
【０００８】
また、付着強度のばらつきは、例えば５％以下と少ないことが望ましいが、前記特許文献１の技術では、前記図１４（ｂ）に示す様に、付着強度のばらつきが、約２２％と大きいという問題があった。
つまり、微細配線の形成と十分な付着強度を両立させることは容易ではなく、一層の改善が求められている。
【０００９】
本発明は、前記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、微細配線が可能で、配線の付着強度に優れたフッ素樹脂基板、配線基板、フッ素樹脂基板の製造方法、及び配線基板の製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
本発明は、本発明者らの研究により、図１に示す様に、フッ素樹脂基板の表面粗さと基板表面に形成された配線パターンの付着強度との間に、所定の関係があること、即ち所定の表面粗さの範囲内で付着強度が向上することを見し、その知見に基づいてなされたものである。
【００１１】
（１）請求項１の発明は、フッ素樹脂基板の表面に多数の凹凸を有し、該凹凸による表面粗さＲａが、０．３５〜０．８μｍであることを特徴とするフッ素樹脂基板を要旨とする。
本発明では、フッ素樹脂基板の表面粗さＲａが、０．３５〜０．８μｍであるので、フッ素樹脂基板の表面に薄膜の配線パターンを形成した場合には、後述する実験例（図８参照）から明らかな様に、配線パターンの付着強度が高いという効果がある。また、付着強度のばらつきも少ないという利点もある。
【００１２】
よって、本発明では、（薄膜化による）微細配線の形成と十分な付着強度の実現が共に可能であるという顕著な効果を奏する。
ここで、表面粗さＲａとは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４にて規定される算術平均粗さである（以下同様）。
【００１３】
（２）請求項２の発明は、前記表面粗さＲａが、０．４５〜０．６５μｍであることを特徴とする請求項１に記載のフッ素樹脂基板を要旨とする。
本発明は、表面粗さＲａのより好ましい範囲を示したものであり、この範囲内であれば、後述する実験例（図８参照）から明らかな様に、一層付着強度が高く好適である。
【００１４】
（３）請求項３の発明は、前記凹凸の溝深さが、１．５〜３．０μｍであることを特徴とする請求項１又は２に記載のフッ素樹脂基板を要旨とする。
本発明では、フッ素樹脂基板の表面の凹凸の溝深さが、１．５〜３．０μｍであるので、フッ素樹脂基板の表面に薄膜の配線パターンを形成した場合には、後述する実験例（図１０参照）から明らかな様に、配線パターンの付着強度が高いという顕著な効果がある。
【００１５】
ここで、溝深さとは、凹凸の頂点から底部までの距離のことであり、ここでは、２５〜３０個の凹凸の溝深さの平均を、本発明の溝深さとした（以下同様）。
（４）請求項４の発明は、前記凹凸は、機械的加工による凹凸であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のフッ素樹脂基板を要旨とする。
【００１６】
本発明では、フッ素樹脂基板の凹凸は機械的加工により形成されたものであるので、凹凸の表面粗さ等は精度良く設定されている。
ここで、機械的加工としては、例えばシェーパ加工、ブラスト加工、研削加工、研磨加工、研削加工、プレス加工等を採用できる。また、機械的加工以外の手法としては、レーザ、ドライエッチング等の手法を採用できる（以下同様）。
【００１７】
（５）請求項５の発明は、前記機械的加工の加工ピッチ間隔が、５５〜８５μｍであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のフッ素樹脂基板を要旨とする。
本発明では、機械的加工の加工ピッチ間隔が、５５〜８５μｍであるので、フッ素樹脂基板の表面に薄膜の配線パターンを形成した場合には、後述する実験例（図９参照）から明らかな様に、配線パターンの付着強度が高いという顕著な効果がある。
【００１８】
（６）請求項６の発明は、前記機械的加工による加工パターン形状が、並列形状又は交差形状であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のフッ素樹脂基板を要旨とする。
本発明は、機械的加工による加工パターン形状を例示したものであり、並列形状の場合は加工が容易であり、交差形状の場合は配線パターンの付着強度が高いという利点がある。
【００１９】
（７）請求項７の発明は、前記フッ素樹脂は、ポリテトラフルオロエチレンであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のフッ素樹脂基板を要旨とする。
ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）は、疎水性を有し化学的に安定であり、低誘電率で高周波特性に優れ、例えば配線基板のベースとなる樹脂材料として好適である。
【００２０】
（８）請求項８の発明は、前記請求項１〜７のいずれかに記載のフッ素樹脂基板を用いた配線基板であって、前記フッ素樹脂基板の凹凸が形成された表面に、該表面に密着した金属膜からなる配線パターンを備えたことを用いた配線基板を要旨とする。
【００２１】
本発明は、上述した表面形状を有するフッ素樹脂基板の表面に配線パターンが形成されているので、薄膜化された配線パターンであっても、その付着強度が高いという利点がある。
よって、（薄膜化による）微細配線の形成と十分な付着強度の実現が、共に可能である。
【００２２】
（９）請求項９の発明は、前記金属膜が、銅からなることを特徴とする請求項８に記載の配線基板を要旨とする。
本発明は、金属膜の構成を例示したものである。
（１０）請求項１０の発明は、前記金属膜は、銅を最下層とする積層構造を有することを特徴とする請求項８に記載の配線基板を要旨とする。
【００２３】
本発明は、金属膜の構成を例示したものである。
（１１）請求項１１の発明は、前記金属膜は、下層より、銅、ニッケル、金の積層構造を有することを特徴とする請求項１０に記載の配線基板の製造方法を要旨とする。
【００２４】
本発明は、金属膜の構成を例示したものである。
（１２）請求項１２の発明は、フッ素樹脂基板の表面を、表面粗さＲａ：０．３５〜０．８μｍに加工することを特徴とするフッ素樹脂基板の製造方法を要旨とする。
【００２５】
本発明では、フッ素樹脂基板の表面を、表面粗さＲａ：０．３５〜０．８μｍに加工するので、そのフッ素樹脂基板の表面に薄膜の配線パターンを形成した場合には、後述する実験例（図８参照）から明らかな様に、配線パターンの付着強度が高いという顕著な効果がある。また、付着強度のばらつきも少ない。
【００２６】
よって、（薄膜化による）微細配線の形成と十分な付着強度の実現が、共に可能である。
（１３）請求項１３の発明は、前記フッ素樹脂基板を前記表面粗さＲａに加工した後に、前記表面粗さＲａを有するフッ素樹脂基板の表面からフッ素を離脱させる工程と、前記フッ素を離脱させたフッ素樹脂基板の表面に酸素ガスを用いたプラズマ処理を行う工程と、を備えたことを特徴とする請求項１２に記載のフッ素樹脂基板の製造方法を要旨とする。
【００２７】
本発明では、前記表面粗さＲａに仕上げたフッ素樹脂基板の表面からフッ素を離脱させるので、表面の親水性が向上する。また、その後、フッ素樹脂基板の表面に酸素ガスを用いたプラズマ処理を行うので、表面に残留したフッ素を除去し、酸素と（基板中の）炭素を結合させてＣＯ基を加えることにより、一層親水性が向上する。
【００２８】
これにより、その後のめっき工程等により、フッ素樹脂基板上に付着強度に優れた配線パターンを容易に形成することができる。
（１４）請求項１４の発明は、前記フッ素樹脂基板の表面の加工方法として、機械的加工を用いることを特徴とする請求項１２又は１３に記載のフッ素樹脂基板の製造方法を要旨とする。
【００２９】
本発明では、フッ素樹脂基板の表面に対して機械的加工を行うので、表面粗さ等の表面形状を精度良く設定できる。
（１５）請求項１５の発明は、フッ素樹脂基板の表面に、機械的加工によって凹凸を形成する工程と、前記凹凸を形成したフッ素樹脂基板の表面からフッ素を離脱させる工程と、前記フッ素を離脱させたフッ素樹脂基板の表面に酸素ガスを用いたプラズマ処理を行う工程と、を備えたことを特徴とするフッ素樹脂基板の製造方法を要旨とする。
【００３０】
本発明では、機械的加工を行ったフッ素樹脂基板の表面からフッ素を離脱させるので、表面の親水性が向上する。また、その後、フッ素樹脂基板の表面に酸素ガスを用いたプラズマ処理を行うので、上述した様に、一層親水性が向上する。
これにより、その後のめっき工程等により、フッ素樹脂基板上に付着強度に優れた配線パターンを容易に形成することができる。
【００３１】
（１６）請求項１６の発明は、前記フッ素樹脂基板の表面を、前記機械的加工によって、表面粗さＲａ：０．３５〜０．８μｍに加工することを特徴とする請求項１５に記載のフッ素樹脂基板の製造方法。
本発明では、フッ素樹脂基板の表面粗さＲａを、０．３５〜０．８μｍに加工するので、上述した様に、配線パターンの付着強度が高いという顕著な効果がある。また、付着強度のばらつきも少ない。よって、微細配線の形成と十分な付着強度の実現が共に可能である。
【００３２】
（１７）請求項１７の発明は、前記フッ素樹脂基板の表面を、表面粗さＲａ：０．４５〜０．６５μｍに加工することを特徴とする請求項１２〜１６のいずれかに記載のフッ素樹脂基板の製造方法を要旨とする。
本発明は、表面粗さＲａのより好ましい範囲を示したものであり、この範囲内であれば、一層付着強度が高く好適である。
【００３３】
（１８）請求項１８の発明は、前記フッ素樹脂基板の表面を、溝深さ１．５〜３．０μｍに加工することを特徴とする請求項１２〜１７のいずれかに記載のフッ素樹脂基板の製造方法を要旨とする。
本発明では、フッ素樹脂基板の表面の凹凸の溝深さを、１．５〜３．０μｍとするので、上述した様に、配線パターンの付着強度が高いという顕著な効果がある。
【００３４】
（１９）請求項１９の発明は、前記フッ素樹脂基板の表面の機械的加工を実施する場合に、加工ピッチ間隔を５５〜８５μｍとすることを特徴とする請求項１２〜１８のいずれかに記載のフッ素樹脂基板の製造方法を要旨とする。
本発明では、機械的加工の加工ピッチ間隔を、５５〜８５μｍとするので、上述した様に、配線パターンの付着強度が高いという顕著な効果がある。
【００３５】
（２０）請求項２０の発明は、前記フッ素樹脂基板の表面を、シェーパ加工することを特徴とする請求項１２〜１９のいずれかに記載のフッ素樹脂基板の製造方法を要旨とする。
本発明は、機械的加工を例示したものである。このシェーパ加工とは、刃物を使った加工方法で、加工物又は刃物（例えばダイアモンドカッタ−）を前後に動かして加工する方法である。
【００３６】
（２１）請求項２１の発明は、前記フッ素樹脂基板の表面の機械的加工を実施する場合に、加工パターン形状を並列形状又は交差形状とすることを特徴とする請求項１２〜２０のいずれかに記載のフッ素樹脂基板の製造方法を要旨とする。
本発明は、機械的加工による加工パターン形状を例示したものであり、並列形状の場合は加工が容易であり、交差形状の場合は配線パターンの付着強度が高いという利点がある。
【００３７】
（２２）請求項２２の発明は、前記フッ素樹脂基板の表面の機械的加工を実施する場合に、複数のカッターを同時に用いることを特徴とする請求項１２〜２１のいずれかに記載のフッ素樹脂基板の製造方法を要旨とする。
本発明は、機械的加工方法を例示したものであり、複数のカッターを例えば並列に配置して同方向に移動させることにより、同じ形状の複数の溝を容易に形成することができ、作業効率が高いという利点がある。
【００３８】
（２３）請求項２３の発明は、前記フッ素樹脂は、ポリテトラフルオロエチレンであることを特徴とする請求項１２〜２２のいずれかに記載のフッ素樹脂基板の製造方法を要旨とする。
本発明は、フッ素樹脂を例示したものである。
【００３９】
（２４）請求項２４の発明は、前記請求項１２〜２３のいずれかに記載のフッ素樹脂基板の製造方法を用いた配線基板の製造方法であって、前記加工を施されたフッ素樹脂基板の表面に、金属膜による配線パターンを形成することを特徴とする配線基板の製造方法を要旨とする。
【００４０】
本発明では、上述した方法で表面加工がなされたフッ素樹脂基板の表面に、金属膜により配線パターンを形成するので、例えば銅箔を用いないでめっき等により薄膜の金属膜を形成した場合でも、配線パターンの付着強度が高く、付着強度のばらつきも少ない。
【００４１】
よって、（薄膜化による）微細配線の形成と十分な付着強度の実現が、共に可能であるという顕著な効果を奏する。
（２５）請求項２５の発明は、前記金属膜を、めっき法により形成することを特徴とする請求項２４に記載の配線基板の製造方法を要旨とする。
【００４２】
本発明は、金属膜の形成方法を例示したものであり、めっき法により、薄膜の金属膜を容易に形成することができる。
尚、めっき法としては、電解めっき法や無電解めっき法を採用することができる。
【００４３】
（２６）請求項２６の発明は、前記金属膜を、蒸着法又はスパッタ法により形成することを特徴とする請求項２４に記載の配線基板の製造方法を要旨とする。
本発明は、金属膜の形成方法を例示したものであり、蒸着法やスパッタ法により、薄膜の金属膜を容易に形成することができる。
【００４４】
（２７）請求項２７の発明は、前記金属膜を、めっき法と蒸着法又はスパッタ法とを共に用いて形成することを特徴とする請求項２４に記載の配線基板の製造方法を要旨とする。
本発明は、金属膜の形成方法を例示したものであり、めっき法、蒸着法、スパッタ法により、薄膜の金属膜を容易に形成することができる。
【００４５】
（２８）請求項２８の発明は、前記配線パターンを、エッチングにより形成することを特徴とする請求項２４〜２７のいずれかに記載の配線基板の製造方法を要旨とする。
本発明は、配線パターンの形成方法を例示したものであり、フッ素樹脂基板表面に形成した金属膜の不要部分をエッチングにより除去することにより、所望の形状の配線パターンを得ることができる。
【００４６】
（２９）請求項２９の発明は、前記配線パターンを、選択めっき法により形成することを特徴とする請求項２４〜２７のいずれかに記載の配線基板の製造方法を要旨とする。
本発明は、配線パターンの形成方法を例示したものであり、フッ素樹脂基板表面に所望の箇所に、選択的にめっきを施すことにより、所望の形状の配線パターンを得ることができる。
【００４７】
（３０）請求項３０の発明は、前記配線パターンを、エッチング及び選択めっきにより形成することを特徴とする請求項２４〜２７のいずれかに配線基板の製造方法を要旨とする。
本発明は、配線パターンの形成方法を例示したものである。
【００４８】
尚、前記各請求項の発明において、配線パターンの厚みとしては、例えば１０μｍ以下の薄膜のものが挙げられる。
【００４９】
【発明の実施の形態】
次に、本発明のフッ素樹脂基板、配線基板、フッ素樹脂基板の製造方法、及び配線基板の製造方法の実施の形態の例（実施例）について、図面に基づいて説明する。
【００５０】
ここでは、配線基板として、プリント基板（例えば高周波素子用プリント基板）を例に挙げて説明する。
（実施例１）
ａ）まず、本実施例のプリント基板について説明する。
【００５１】
図２（ａ）に断面を示す様に、本実施例のプリント基板１は、テフロン（登録商標）製、即ちポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）からなるフッ素樹脂基板３の表面に、金属膜からなる配線パターン５が形成されたものである。
特に本実施例では、図２（ｂ）にフッ素樹脂基板表面を拡大して示す様に、フッ素樹脂基板３の表面（少なくとも配線パターン５が形成される表面）は、シェーパ加工によって、多数の溝が垂直に交差する形状に形成されている。これにより、基板表面全体に、ほぼ均一に凹凸（加工パターン）７が形成されている。
【００５２】
前記シェーパ加工が施されたフッ素樹脂基板３の表面粗さＲａは、０．３５〜０．８μｍの範囲（好ましくは０．４５〜０．６５μｍ）であり、加工パターン７の溝深さは１．５〜３．０μｍの範囲であり、加工ピッチ間隔は５５〜８５μｍの範囲（例えば８０μｍ）である。
【００５３】
また、前記配線パターン５は、図３にその断面を拡大して模式的に示す様に、膜厚が９．３μｍの薄膜であり、最下層より、無電解Ｃｕめっき及び電解Ｃｕめっきにより形成された膜厚６μｍのＣｕ層９、無電解Ｎｉめっきにより形成された膜厚３μｍのＮｉ層１１、無電解Ａｕめっきにより形成された膜厚０．３μｍのＡｕ層１３の積層構造を有している。尚、Ｃｕ層９は、無電解Ｃｕめっきにより形成された膜厚１μｍの無電解Ｃｕ層１５と、電解Ｃｕめっきにより形成された膜厚５μｍの電解Ｃｕ層１７とからなる。
【００５４】
ｂ）次に、本実施例のプリント基板１の製造方法を、フッ素樹脂基板３の製造方法（特に表面処理方法）とともに、図４及び図５の製造工程の説明図等に基づいて説明する。
（１）  まず、図４に示す様に、ＰＴＦＥ製のフッ素樹脂基板３の表面に対して、シェーパ加工を施す。具体的には、図６に示す様に、ダイアモンド製の半円状のカッター１９を備えたバイト２１を用い、フッ素樹脂基板３の表面に、ピッチ間隔：例えば８０μｍ、溝深さ：例えば２．５μｍの多数の溝を、直交するように形成する。これにより、フッ素樹脂基板３の表面粗さＲａを、例えば０．５μｍとなるように調製し、金属膜の接触面積を増加させる。
【００５５】
尚、図７に示す様に、理論上の表面粗さＲｘは、カッター１９の半径：Ｒ、ピッチ間隔：Ａとすると、下記式（１）により算出することができる。
Ｒｘ＝Ａ２／（８・Ｒ）    ・・・（１）
（２）  次に、フッ素樹脂基板３の表面の洗浄を行う。具体的には、一般的な酸・アルカリ洗浄及び有機洗浄、或いは純水による超音波洗浄を行う。
【００５６】
（３）  次に、フッ素樹脂基板３の表面に対してナトリウム処理を行う。具体的には、金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液（例えば潤工社製のテトラエッチ液）で、基板表面のＦ元素を取り除き、ＯＨ基を導入することで、親水性を高める処理を行う。
【００５７】
（４）  次に、フッ素樹脂基板３の表面に対して酸素プラズマ処理を行う。具体的には、供給するＯ２ガスをプラズマ状態として、基板表面に残留しているＦ元素を飛ばし、Ｏ２ガスとフッ素樹脂基板３のＣ元素を結合させてＣＯ基を加え、更に親水性を高める。
【００５８】
ここで使用する装置は、ＵＬＶＡＣ  ＵＮＡ−２０００であり、処理条件は、出力：８００Ｗ、温度：５０℃、Ｏ２ガス供給量：４０００ｓｃｃｍ、Ｎ２／Ｈ２ガス供給量：２４０ｓｃｃｍ、処理時間：５ｓｅｃである。
（５）  次に、フッ素樹脂基板３の表面に無電解Ｃｕめっきを行い、膜厚約１μｍの無電解Ｃｕ層１５を形成する。
【００５９】
（６）  次に、配線パターン５の形成のために選択的にめっきを行うために、配線パターン５となる部分以外に、非導電性のレジスト２３を用いてパターンニングを行う。
（７）  次に、図５に示す様に、電解Ｃｕめっきを行って、無電解Ｃｕ層１５の表面に、膜厚約５μｍの電解Ｃｕ層１７を形成する。これにより、Ｃｕ層９が形成される。
【００６０】
（８）  次に、有機洗浄により、レジスト２３を除去する。
（９）  次に、電解Ｃｕ層１９と無電解Ｃｕ層１７とのエッチング選択比から、電解Ｃｕ層１９をマスクとして、無電解Ｃｕ層１７のエッチングを行う。尚、エッチングは、希硫酸を用いて、常温で行う。
【００６１】
（１０）次に、無電解Ｎｉめっきを施して、Ｃｕ層９の表面全体に、膜厚約３μｍのＮｉ層１１を形成する。尚、蒸着やスパッタにより、Ｎｉ層１１を形成してもよい。
（１１）次に、無電解Ａｕめっきを施して、Ｎｉ層１１の表面全体に、膜厚約０．３μｍのＡｕ層１３を形成する。尚、蒸着やスパッタにより、Ａｕ層１３を形成してもよい。
【００６２】
つまり、上述した（１）〜（１１）の処理により、フッ素樹脂基板３の表面上に配線パターン５を形成したプリント基板１を製造する。
ｃ）次に、本実施例による効果について説明する。
本実施例では、フッ素樹脂基板３の表面粗さＲａが０．３５〜０．８μｍ、凹凸の溝深さが１．５〜３．０μｍであり、また、シェーパ加工のピッチ間隔が５５〜８５μｍ、そのパターン形状が交差形状であるので、基板表面に均一に適度な形状の凹凸が多数形成されている。よって、フッ素樹脂基板３の表面に薄膜の配線パターン５を形成しても、配線パターン７の付着強度が高く、付着強度のばらつきも少ない。つまり、（薄膜化による）微細配線の形成と十分な付着強度の実現が共に可能である。
【００６３】
また、本実施例では、上述した表面処理は、機械的加工であるシェーパ加工によりなされているので、表面粗さ等を容易に精度良く設定することができる。
更に、本実施例では、前記表面粗さＲａに仕上げたフッ素樹脂基板３の表面からフッ素を離脱させるので、表面の親水性が向上し、更に、フッ素樹脂基板３の表面に酸素ガスを用いたプラズマ処理を行うので、一層親水性が向上する。これにより、その後のめっき工程等により、フッ素樹脂基板３上に付着強度に優れた配線パターン７を容易に形成することができる。
【００６４】
ｄ）次に、本実施例のプリント基板の効果を確認するために行った実験例について説明する。
▲１▼（実験例１）
厚み（１ｍｍ）×縦（１００ｍｍ）×横（１００ｍｍ）の寸法のフッ素樹脂基板の表面に対して、前記実施例１と同様な加工方法にて、シェーパ加工を行って、表面粗さＲａの異なる各フッ素樹脂基板を作成した。
【００６５】
次に、各フッ素樹脂基板の表面の全面に、前記実施例１の方法後に、金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液と酸素プラズマを組み合わせ、金属膜（配線パターン）として、厚み１μｍの無電解Ｃｕ膜のみを形成して、実験に供する試料を作成した。
【００６６】
そして、各試料に対して、前記図１４（ａ）に示す様に、フッ素樹脂基板をバッキングプレートに接合するとともに、金属膜の表面にスダッドピンを接合し、そのスダッドピンを引き上げる様にして、付着強度の試験を行った。
その結果を、図８に示すが、同図は、無電解Ｃｕ膜がフッ素樹脂基板から剥離した際の各試料の強度を示したものである。
【００６７】
同図から明らかな様に、本発明の試料は、フッ素樹脂基板の表面粗さＲａが０．３５〜０．８μｍであるので、付着強度が市販レベルの１４Ｎ／ｍｍ２より高く好適である。また、表面粗さＲａが０．４５〜０．６５μｍ（ＢＥＳＴ領域）の場合には、付着強度が１６Ｎ／ｍｍ２より高く、一層好適である。
【００６８】
それに対して、フッ素樹脂基板の表面粗さＲａが０．３５〜０．８μｍの範囲外の比較例の試料は、付着強度が１２Ｎ／ｍｍ２以下であり、好ましくない。
尚、表面粗さＲａの測定は、フォームタリサーフ測定器を用いて、下記測定条件にて行った。
【００６９】
＜フォームタリサーフ測定条件＞
・評価モード    ：粗さフィルタ
・データ長さ    ：１０．４ｍｍ
・カットオフ長さ：０．８ｍｍ
・フィルタタイプ：カウシアン
・スケール係数  ：１０μｍ
▲２▼（実験例２）
前記実験例１と同様なフッ素樹脂基板の表面に対して、ピッチ間隔を変更して同様なシェーパ加工を行って、表面粗さＲａが０．５μｍの各フッ素樹脂基板を作成した。次に、各フッ素樹脂基板の表面の全面に、同様に厚み１μｍの無電解Ｃｕ膜のみを形成して、実験に供する試料を作成した。
【００７０】
そして、各試料に対して、同様に付着強度の試験を行った。
その結果を、図９に示す。同図から明らかな様に、加工ピッチ間隔（幅）が５５〜８５μｍの試料は、付着強度が市販レベルの１４Ｎ／ｍｍ２より高く、好適である。
【００７１】
それに対して、前記ピッチ間隔の範囲外の試料は、付着強度が１４Ｎ／ｍｍ２より低く、好ましくない。
▲３▼（実験例３）
前記実験例１と同様なフッ素樹脂基板の表面に対して、ピッチ間隔は８０μｍと一定にし、溝深さを変更して同様なシェーパ加工を行って、各フッ素樹脂基板を作成した。次に、各フッ素樹脂基板の表面の全面に、同様に厚み１μｍの無電解Ｃｕ膜のみを形成して、実験に供する試料を作成した。
【００７２】
そして、各試料に対して、同様に付着強度の試験を行った。
その結果を、図１０に示す。同図から明らかな様に、溝深さが１．５〜３μｍの試料は、付着強度が市販レベルの１４Ｎ／ｍｍ２より高く、好適である。
それに対して、前記溝深さの範囲外の試料は、付着強度が１４Ｎ／ｍｍ２より低く、好ましくない。
（実施例２）
次に、実施例２について説明するが、前記実施例１と同様な内容の説明は省略する。
【００７３】
図１１に示す様に、本実施例では、先端にカッター２５を備えたバイト２７を、支持体２９に複数を並列に配置し、同図の矢印で示す同じ方向に移動させて、シェーパ加工を行い、フッ素樹脂基板３１の表面に、並列の溝（従って凹凸の加工パターン）３３を形成する。
【００７４】
ここで、フッ素樹脂基板３１の表面処理を行う前（加工前）と行った後（加工後）の表面の状態を測定した結果を、図１２に示すが、加工前では、表面の凹凸が不揃いであるが、加工後では、ほぼ同じ凹凸の溝が並んでいることが分かる。
尚、この測定は、表面粗さ装置（フォームタリサーフ）を用いて、測定開始点から所定距離離れた所定間隔における表面の凹凸を測定したものである。
【００７５】
そして、この様な表面処理を行ったフッ素樹脂基板３１の表面に、前記実施例１と同様にして配線パターンを形成してプリント基板を製造する。
本実施例においても、前記実施例１と同様な効果を奏する。
尚、本発明は前記実施例になんら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
【００７６】
例えば、前記金属膜は、銅のみから構成されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基板の表面粗さと付着強度との関係を示すグラフである。
【図２】（ａ）は実施例１のプリント基板を破断して示す断面図、（ｂ）はフッ素樹脂基板の表面を拡大して示す斜視図である。
【図３】実施例１のプリント基板の配線パターンを破断して拡大して模式的に示す説明図である。
【図４】実施例１のプリント基板の製造方法の一部を示す説明図である。
【図５】実施例１のプリント基板の製造方法の一部を示す説明図である。
【図６】実施例１のフッ素樹脂基板の表面処理方法を示す説明図である。
【図７】カッターにより形成される理論的な表面粗さＲｘを示す説明図である。
【図８】実験例１の表面粗さＲａと付着強度との関係を示すグラフである。
【図９】実験例２の加工ピッチ間隔と付着強度との関係を示すグラフである。
【図１０】実験例３の溝深さと付着強度との関係を示すグラフである。
【図１１】実施例２のフッ素樹脂基板の表面処理方法を示す説明図である。
【図１２】（ａ）は表面処理前の表面の状態を示すグラフ、（ｂ）は表面処理後の表面の状態を示すグラフである。
【図１３】従来技術を示し、（ａ）は銅箔を備えた基板を示す断面図、（ｂ）はスルーホール等を備えた基板の断面図、（ｃ）はエッチング状態を示す基板の断面図である。
【図１４】従来技術を示し、（ａ）は付着強度の実験方法を示す説明図、（ｂ）は表面粗さと付着強度の実験結果を示すグラフである。
【符号の説明】
１…プリント基板
３、３１…フッ素樹脂基板
５…配線パターン（金属膜）
７…加工パターン（凹凸）
９…Ｃｕ層
１１…Ｎｉ層
１３…Ａｕ層
１５…無電解Ｃｕ層
１７…電解Ｃｕ層
１９、２５…カッター
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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