【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年11月28日(2011.11.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単位面積当たり有利な出力を有し、小型で順方向電圧が低い発光ダイオードであって、
少なくとも１つの発光アクティブ層を備え、
前記発光ダイオードは、
１０００００平方ミクロン以下の面積を有するダイと、
発光アクティブ層との電気的接続を提供する銀ベースのミラー層と、
該ミラー層を取り囲みかつ前記発光アクティブ層まで延在する部分を有するバリア層であって、シルバが発光ダイオードの他の部分と反応することを防止するバリア層と、
４．０ボルト未満の順方向電圧と、
２０ミリアンペアの駆動電流において２４〜３０ミリワットの放射束と、
３９５〜５４０ナノメートルの間の主波長と
を有していることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２】
請求項１記載の発光ダイオードであって、主波長が４５０〜４８０ナノメートルの間であることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項３】
請求項１記載の発光ダイオードであって、主波長が４５５〜４６５ナノメートルの間であることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項４】
請求項１記載の発光ダイオードであって、２０ミリアンペアの駆動電流において、少なくとも２７ミリワットの放射束を有することを特徴とする発光ダイオード。
【請求項５】
請求項１記載の発光ダイオードであって、前記ダイオードの対向するそれぞれの垂直面上にオーミック・コンタクトを備えていることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項６】
請求項１記載の発光ダイオードであって、少なくとも１つの導電性炭化珪素層を備えていることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項７】
請求項１記載の発光ダイオードであって、ＩＩＩ族窒化物で形成された少なくとも１つのアクティブ層を備えていることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項８】
請求項７記載の発光ダイオードにおいて、前記アクティブ層は、窒化ガリウム、窒化インディウム・ガリウム、窒化アルミニウム・ガリウム、及び窒化アルミニウム・インディウム・ガリウムから成る群から選択されていることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項９】
請求項１記載の発光ダイオードであって、５ｍｍパッケージに収容されていることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項１０】
請求項１記載の発光ダイオードにおいて、３．５ボルト未満の順方向電圧で動作することを特徴とする発光ダイオード。
【請求項１１】
請求項１記載の発光ダイオードを含むことを特徴とする画素。
【請求項１２】
請求項１１記載の画素を含むことを特徴とするディスプレイ。
【請求項１３】
請求項１記載の発光ダイオードであって、
１００，０００μ２未満の面積を有するダイと、
前記ダイを封入する５ｍｍパッケージと、
４２０〜４６５ｎｍの間の波長及び２０ミリアンペアの駆動電流において、４５％よりも大きな外部量子効率と
を備えていることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項１４】
請求項１３記載の発光ダイオードにおいて、前記パッケージは、少なくともダイ・カップを含み、前記アクティブ層は、前記ダイ・カップに隣接し、前記基板は前記ダイ・カップから離れて向かい合っていることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項１５】
請求項１４記載の発光ダイオードにおいて、４２０〜４６０ｎｍの間の波長において、外部量子効率が５０％よりも大きいことを特徴とする発光ダイオード。
【請求項１６】
請求項１５記載の発光ダイオードにおいて、４００〜４８０ｎｍの間の波長における外部量子効率が４０％よりも大きいことを特徴とする発光ダイオード。
【請求項１７】
請求項１記載の発光ダイオードであって、
５ｍｍ（Ｔ１-3/4）ポリマ・パッケージと、
前記パッケージ内にあり、面積が１００，０００平方ミクロン未満のダイと
を備えていることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項１８】
請求項１７記載の発光ダイオードであって、主波長が４５０〜４８０ナノメートルの間であることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項１９】
請求項１７記載の発光ダイオードであって、主波長が４５５〜４６５ナノメートルであることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２０】
請求項１７記載の発光ダイオードであって、２０ミリアンペアの駆動電流において、少なくとも２７ミリワットの放射束を有することを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２１】
請求項１７記載の発光ダイオードにおいて、フリップ・チップ配向を有することを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２２】
単位面積当たり有利な出力を有し、小型で順方向電圧が小さい発光ダイオードであって、
少なくとも１つの１つの発光アクティブ層を備え、
前記発光ダイオードは、
発光アクティブ層との電気的接続を提供する銀ベースのミラー層と、
該ミラー層を取り囲みかつ前記発光アクティブ層まで延在する部分を有するバリア層であって、銀が発光ダイオードの他の部分と反応することを防止するバリア層と、
３９５〜５４０ｎｍ間の主波長、４．０ボルト未満の順方向電圧、及び２０ミリアンペアの駆動電流において、１平方ミリメートル当たり２７０ミリワットの単位面積放射束
を有していることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２３】
請求項２２記載の発光ダイオードであって、導電性基板と、ＩＩＩ族窒化物アクティブ層とを備えていることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２４】
請求項２３記載の発光ダイオードにおいて、前記基板が炭化珪素から成ることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２５】
請求項２４記載の発光ダイオードにおいて、前記アクティブ層は、窒化ガリウム、窒化インディウム・ガリウム、窒化アルミニウム・ガリウム、及び窒化アルミニウム・インディウム・ガリウムから成る群から選択されていることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２６】
請求項２２記載の発光ダイオードであって、
導電性炭化珪素基板と、
前記炭化珪素基板上にあり、該基板と共にダイを規定する、ｐ型及びｎ型それぞれのＩＩＩ族窒化物層と、
前記炭化珪素基板及び前記ＩＩＩ族窒化物層に対して垂直に配向されているオーミック・コンタクトと、
４５５〜４６５ｎｍの間の主波長と、
前記基板、前記ＩＩＩ族窒化物層、及び前記オーミック・コンタクトの一部を封入するポリマ・パッケージと、
を備えていることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２７】
請求項２６記載の発光ダイオードにおいて、前記パッケージが５ｍｍパッケージであることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２８】
請求項２６記載の発光ダイオードにおいて、前記炭化珪素基板が、炭化珪素の３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ、及び１５Ｒポリタイプから成る群から選択されたポリタイプを有することを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２９】
請求項２６記載の発光ダイオードにおいて、４．０ボルト未満の順方向電圧で動作することを特徴とする発光ダイオード。
【請求項３０】
請求項２７記載の発光ダイオードにおいて、３．５ボルト未満の順方向電圧で動作することを特徴とする発光ダイオード。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
更に詳しく説明すると、図１は、本発明の性能特性を有し、全体的に２０で示す発光ダイオードの断面図である。ダイオード２０は、透明炭化珪素基板２１を含み、好ましくは、単結晶であり、３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ、及び１５Ｒポリタイプの炭化珪素から選択したポリタイプを有し、本発明に関しては４Ｈが好ましいことが多い。図１はダイオード２０を「フリップ・チップ」配向（即ち、アクティブ相を基板の下側にして用いるように実装されている）で図示しているので、基板２１が、ダイオード２０の底部ではなく最上部にある。この配向では、ＳｉＣ基板はＬＥＤの主要放出面となる。勿論、発光ダイオードは、最終使用において、多数の異なる位置及び配向で配置できることは言うまでもない。したがって、ダイオード２０の要素に関して、用語「最上部」及び「底部」は、相対的であり、構造的な意味で全体的にデバイスの配向を示すものとする。このような用語の使用は、当技術分野では慣習となっており、周知であり、更に明細書における文脈からも明白である。