Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月24日(2012.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
向上したフロントコンタクト型太陽電池およびその製造方法を開示してきた。本発明の特定の実施形態を記載したが、これら実施形態はあくまで例示を目的としたものであり限定は意図していないことを理解されたい。本開示を読めば当業者であれば、さらなる多くの実施形態について想到するであろう。
［項目９］
通常動作時に太陽光線を集めるべく太陽側を向いた前面と、前記前面に対向する後面とを備える太陽電池を製造する方法であって、
前記太陽電池の前記後面のＮ型シリコン基板の後面側表面の上に第１の材料層を形成するステップと、
前記第１の材料層の上に、Ｐ型ドーパントを含む第１のドーパント源層を形成するステップと、
前記太陽電池の前記前面の前記Ｎ型シリコン基板の前面側表面の上に第２の材料層を形成するステップと、
前記第２の材料層の上に、Ｎ型ドーパントを含む第２のドーパント源層を形成するステップと、
前記第１のドーパント源層からＰ型ドーパントを前記第１の材料層へと拡散して、前記シリコン基板との間の後面接合を形成するステップと、
前記第２のドーパント源層からＮ型ドーパントを前記第２の材料層へと拡散するステップと
を備える方法。
［項目１０］
前記第１のドーパント源層および前記第２のドーパント源層からドーパントを拡散する前に、前記第１のドーパント源層の上に第１のキャップ層を形成し、前記第２のドーパント源層の上に第２のキャップ層を形成するステップをさらに備える項目９に記載の方法。
［項目１１］
前記第１のドーパント源層は、ホウケイ酸塩ガラスを含む項目９に記載の方法。
［項目１２］
前記第２のドーパント源層は、リンガラスを含む項目９に記載の方法。
［項目１３］
前記第１の材料層および前記第２の材料層はポリシリコンを含む項目９に記載の方法。
［項目１４］
前記Ｎ型シリコン基板の前記前面側表面をテクスチャ加工するステップと、
前記Ｎ型シリコン基板の前記テクスチャ加工された前面側表面の上に反射保護層を形成するステップとをさらに備える項目９に記載の方法。
［項目１５］
前記反射保護層は窒化珪素を含む項目１４に記載の方法。
［項目１６］
前記第１のドーパント源層から前記Ｐ型ドーパントを前記第１の材料層へと拡散するステップ、および、前記第２のドーパント源層から前記Ｎ型ドーパントを前記第２の材料層へと拡散するステップは、インサイチュに行われる項目９に記載の方法。
［項目１７］
通常動作時に太陽光線を集めるべく太陽側を向いた前面と、前記前面に対向する後面とを備える太陽電池であって、
Ｎ型シリコン基板と、
前記太陽電池の前記前面の前記Ｎ型シリコン基板のテクスチャ加工された表面と、
前記Ｎ型シリコン基板の前記テクスチャ加工された表面の上の反射保護層と、
前記Ｎ型シリコン基板との間で後面接合を形成するＰ型ポリシリコン層と、
前記太陽電池の前記前面の上のＮ型ポリシリコン層と、
前記太陽電池の前記前面から前記Ｎ型ポリシリコン層に電気的な接続を行う負極の金属コンタクトと、
前記太陽電池の前記後面から前記Ｐ型ポリシリコン層に電気的な接続を行う正極の金属コンタクトと
を備える太陽電池。
［項目１８］
前記反射保護層は窒化珪素の層を含む項目１７に記載の太陽電池。
［項目１９］
前記Ｐ型ポリシリコン層の上の第１の誘電体キャップ層と、前記Ｎ型ポリシリコン層の上の第２の誘電体キャップ層とをさらに備える項目１７に記載の太陽電池。
［項目２０］
前記正極の金属コンタクトは、前記Ｐ型ポリシリコン層の上に形成された誘電体層との間で赤外線反射層を形成する金属を含む項目１７に記載の太陽電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通常動作時に太陽光線を集めるべく太陽側を向いた前面と、前記前面に対向する後面とを備える太陽電池であって、
シリコン基板と、
前記基板の後面側表面の上に形成され、前記基板との間で後面接合を形成する第１のドープトポリシリコン層と、
前記基板の前面側表面の上に形成され、前記基板に電気的な接続を行う第２のドープトポリシリコン層と、
前記第１のドープトポリシリコン層と前記基板の前記後面側表面との間の第１の誘電体層と、
前記第２のドープトポリシリコン層と前記基板の前記前面側表面との間の第２の誘電体層と、
前記太陽電池の前記後面の前記第１のドープトポリシリコン層に電気的な接続を行う第１の金属コンタクトと、
前記太陽電池の前記前面の前記第２のドープトポリシリコン層に電気的な接続を行う第２の金属コンタクトと
を備え、
前記第１の金属コンタクトおよび前記第２の金属コンタクトは、前記太陽電池から外部の電気回路へ給電することができるよう構成される太陽電池。
【請求項２】
前記太陽電池のシリコン基板上にテクスチャ加工された前面側表面をさらに備える請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記太陽電池の前記シリコン基板上の前記テクスチャ加工された前面側表面の上に反射保護層をさらに備える請求項２に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記反射保護層は窒化珪素を含む請求項３に記載の太陽電池。
【請求項５】
前記基板はＮ型シリコン基板を含み、前記第１のドープトポリシリコン層はＰ型ドープトポリシリコンを含み、前記第２のドープトポリシリコン層はＮ型ドープトポリシリコンを含む請求項１から４の何れか１項に記載の太陽電池。
【請求項６】
前記Ｐ型ポリシリコン層の上の第１の誘電体キャップ層と、前記Ｎ型ポリシリコン層の上の第２の誘電体キャップ層とをさらに備える請求項５に記載の太陽電池。
【請求項７】
前記太陽電池の前記前面から前記Ｎ型ポリシリコン層に電気的な接続を行う負極の金属コンタクトと、
前記太陽電池の前記後面から前記Ｐ型ポリシリコン層に電気的な接続を行う正極の金属コンタクトとをさらに備える請求項５または６に記載の太陽電池。
【請求項８】
前記正極の金属コンタクトは、前記Ｐ型ポリシリコン層の上に形成された誘電体層との間で赤外線反射層を形成する金属を含む請求項７に記載の太陽電池。
【請求項９】
前記第１の金属コンタクトは、前記第１の誘電体層の上に形成されたアルミニウムを含み、前記第１の誘電体層は二酸化珪素を含む請求項１から８の何れか１項に記載の太陽電池。
【請求項１０】
前記第１の誘電体層は、１０および５０オングストロームの間の厚みに形成された二酸化珪素を含む請求項１から９の何れか１項に記載の太陽電池。
【請求項１１】
前記第１の金属コンタクトの上に形成された第３の金属コンタクトをさらに備える請求項１から１０の何れか１項に記載の太陽電池。
【請求項１２】
前記第１のドープトポリシリコン層の上に形成された酸化物層をさらに備え、
前記第１の金属コンタクトは、前記太陽電池の前記後面の酸化物層とともに赤外線反射層を形成する請求項１から１１の何れか１項に記載の太陽電池。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月28日(2012.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラッシュ・メモリ（１６０）をプログラミングするための方法であって、
１つまたは複数の事前定義されたレベルでプログラミングされる前記フラッシュ・メモリにおけるセルの数が、より少なくなるように前記フラッシュ・メモリをプログラミングするための１つまたは複数のレベルを選択する処理を備え、
前記１つまたは複数の事前定義されたレベルは、１つまたは複数の事前定義された基準に違反する１つまたは複数のレベルを備え、
前記１つまたは複数の事前定義された基準は、前記プログラミングされたセルによってもたらされる妨害の量に基づくことを特徴とする方法。
【請求項２】
フラッシュ・メモリを読み取るための方法であって、
１つまたは複数の事前定義された基準に違反する値で読み取られる前記フラッシュ・メモリにおけるセルの数が、より少なくなるように前記フラッシュ・メモリにおけるセルに１つまたは複数のレベルを割り当てる変調復号を実行する処理であって、前記１つまたは複数の事前定義された基準が前記プログラミングされたセルによってもたらされる妨害の量の１つまたは複数に基づく処理を備えることを特徴とする方法。
【請求項３】
前記選択は、変調符号化を実行する変調符号器（８１０）によって実行される請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記１つまたは複数の事前定義された基準は、プログラミングされたセルの電圧シフト、プログラミングされたセルによって格納される電圧、プログラミングされたセルを流れる電流の変化の量、およびプログラミングされたセルを流れる電流の量の１つまたは複数に基づく請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
逆ＥＣＣ構成において前記変調符号化の後にパリティ符号化（８３０）を実行するステップをさらに備える請求項３に記載の方法。
【請求項６】
直接ＥＣＣ構成において前記変調符号化に先立ってパリティ符号化を実行するステップをさらに備える請求項３に記載の方法。
【請求項７】
プリコードが、変調復号器の出力における誤り伝播を減らすために、パリティ符号化の後に続いて適用される請求項２または３に記載の方法。
【請求項８】
第１の事前定義された２進値は、第２の事前定義された２進値より多くの妨害を生じさせ、さらに前記変調を実行する処理は、前記第１の事前定義された２進値でプログラミングされる前記フラッシュ・メモリにおけるセルの数が、より少なくなるように前記フラッシュ・メモリをプログラミングするための１つまたは複数のレベルを選択する請求項２または３に記載の方法。
【請求項９】
フラッシュ・メモリをプログラミングするためのシステムであって、
１つまたは複数の事前定義された基準に違反する値でプログラミングされる前記フラッシュ・メモリにおけるセルの数が、より少なくなるように前記フラッシュ・メモリをプログラミングするための１つまたは複数のレベルを選択する変調符号器を備え、前記１つまたは複数の事前定義されたレベルは、１つまたは複数の事前定義された基準に違反する１つまたは複数のレベルを備え、前記１つまたは複数の事前定義された基準は、前記プログラミングされたセルによってもたらされる妨害の量に基づくことを特徴とするシステム。
【請求項１０】
フラッシュ・メモリを読み取るためのシステムであって、
１つまたは複数の事前定義された基準に違反する値で読み取られる前記フラッシュ・メモリにおけるセルの数が、より少なくなるように前記フラッシュ・メモリにおけるセルに１つまたは複数のレベルを割り当てる変調復号器（１０８０）を備え、前記１つまたは複数の事前定義された基準が前記プログラミングされたセルによってもたらされる妨害の量の１つまたは複数に基づくことを特徴とするシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月6日(2012.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
携帯用電話システムにおいて
音声通信ネットワークに連結し、音声呼出およびデータ呼出を処理する音声通信処理部を備えるネットワークデータ処理機と
前記ネットワークデータ処理機と通信可能であり、一つ以上のアプリケーションを処理するアプリケーション処理部を備えるアプリケーションデータ処理機を含み、
前記ネットワークデータ処理機は、
前記アプリケーションデータ処理機との通信を処理する第１無線通信処理部、
前記音声通信処理部で前記音声通信ネットワークに送信されたデータ信号と第１無線通信処理部で前記アプリケーションデータ処理機に送信されたデータ信号とを混合するミキサー部、
前記ミキサー部から受信する信号を増幅する電力増幅部、
前記電力増幅部の送信電力を制御する中央制御部、および
前記電力増幅部から出力された信号を無線で送信するアンテナ部を含み、
前記中央制御部は、前記音声通信処理部で要求する送信電力と前記第１無線通信処理部で要求する送信電力とを比較判断して、２つのうちより大きく要請する電力に前記ミキサー部からの信号を増幅するように前記電力増幅部を制御することを特徴とする携帯用電話システム。
【請求項２】
請求項１において、
前記ネットワークデータ処理機とアプリケーションデータ処理機は、互いにデータを同期化するように通信可能であり、
前記同期化は、前記ネットワークデータ処理機と前記アプリケーションデータ処理機が連結されるとき、および前記ネットワークデータ処理機や前記アプリケーションデータ処理機で同期化項目および同期化項目のデータのうち少なくとも一つが追加または修正されるときのうち、少なくとも一つの時点で実行されることを特徴とする携帯用電話システム。
【請求項３】
請求項１において、
前記ネットワークデータ処理機と前記アプリケーションデータ処理機は、両処理機間の通信連結の可否に関係なく、独立的にそれぞれ音声呼出とデータ呼出機能およびアプリケーション機能を処理することを特徴とする携帯用電話システム。
【請求項４】
請求項１において、さらに、
前記アプリケーションデータ処理機は、
ユーザとのインターフェースを処理する入出力部、
音声通信ネットワークと通信するか、もしくは無線LANと通信するかを判断する無線通信判断部、
前記ネットワークデータ処理機との通信を処理する第２無線通信処理部、
前記無線LANとの通信を処理する無線LAN通信処理手段を備え、
前記無線通信判断部は、第２無線通信処理部によって音声呼出もしくはデータ呼出が受信された場合、前記音声通信ネットワークで通信するように判断することを特徴とする携帯用電話システム。
【請求項５】
請求項２において、
前記同期化項目は、連絡先、SMS/MMS、メッセンジャー、壁紙、着信/発信音、アラーム、および通話履歴のうち、少なくとも一つを含むことを特徴とする携帯用電話システム。
【請求項６】
請求項２または請求項３において、
前記アプリケーションデータ処理機はユーザとのインターフェースを処理する入出力部さらに備え、
前記音声通信処理部から音声呼出およびデータ呼出を受信すると、前記アプリケーションデータ処理機は前記ネットワークデータ処理機から受信情報の少なくとも一部を受信し、受信した少なくとも一部の受信情報と関連された、すでに保存している同期化されたデータを前記入出力部を介して表示することを特徴とする携帯用電話システム。
【請求項７】
請求項４において、
前記無線通信判断部は前記入出力部からユーザの選択を受信すると、前記ユーザの選択によって通信するネットワークを決定することを特徴とする携帯用電話システム。
【請求項８】
請求項４において、
前記音声通信処理部から音声呼出およびデータ呼出を受信すると、受信された情報は第１無線通信処理部および第２無線通信処理部を介して前記アプリケーションデータ処理機に送信され、前記入出力部を介して表示することを特徴とする携帯用電話システム。
【請求項９】
携帯用電話装置において、
音声通信ネットワークに連結し、音声呼出およびデータ呼出を処理する音声通信処理部と
外部アプリケーション処理装置との近距離通信を処理する無線通信処理部、
前記音声通信処理部で前記音声通信ネットワークに送信されたデータ信号と前記無線通信処理部で前記外部アプリケーション処理装置に送信されたデータ信号とを混合するミキサー部、
前記ミキサー部から受信する信号を増幅する電力増幅部、
前記電力増幅部の送信電力を制御する中央制御部、
前記電力増幅部から出力された信号を無線で送信するアンテナ部を含み、
前記中央制御部は、前記音声通信処理部で要求する送信電力と前記無線通信処理部で要求する送信電力とを比較判断して、２つのうちより大きく要請する電力に前記ミキサー部からの信号を増幅するように前記電力増幅部を制御することを特徴とする携帯用電話装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月22日(2012.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子サービス・ガイド（ＥＳＧ）方法であって、
物理的なチャンネル上で利用可能な複数のサービスのためのＥＳＧデータを受信装置で受信するステップであって、前記ＥＳＧデータが前記複数のサービスの各々のためのサービス取得データを含む、前記ステップと、
前記ＥＳＧデータを保存するステップと、
前記複数のサービスのうちの少なくとも１つに関連するアクティビティのために前記物理的なチャンネルを監視するステップであって、前記物理的なチャンネル上で前記サービスに関連するアクティビティが検出された場合にサービスがアクティブなサービスであると判定される、前記ステップと、
アクティブなサービスのための前記保存されたサービス取得データを使用して、前記受信装置のユーザに該アクティブなサービスを提供し、アクティビティが検出されないサービスのために保存されたＥＳＧデータを削除するステップを含み、
アクティビティのために前記物理的なチャンネルを監視する前記ステップは、電源のオンとチャンネル変更のイベントのうちの少なくとも一方の後に実行される、前記方法。
【請求項２】
前記ＥＳＧデータは、サービス識別データを含み、アクティビティのために前記物理的なチャンネルを監視する前記ステップは、前記複数のサービスのうちの少なくとも１つのサービス識別データのための物理的なチャンネルを調べるステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記サービス識別データは、インターネット・プロトコル（ＩＰ）・アドレス、ポート番号、およびパケット識別子（ＰＩＤ）のうちの少なくとも１つを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
サービス識別データのための前記物理的なチャンネルを調べるステップは、パケット・ヘッダを分析するステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１つのサービスのための前記ＥＳＧデータは、前記ＥＳＧデータの有効時間枠を示すデータを含み、前記少なくとも１つのサービスのためのアクティビティは、前記有効時間枠内であるかどうかが監視される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
電子サービス・ガイド（ＥＳＧ）受信装置であって、
物理的なチャンネル上で利用可能な複数のサービスのための、前記物理的なチャンネル上のデータを受信する受信機であって、前記データがＥＳＧデータを含み、前記ＥＳＧデータが前記複数のサービスの各々のためのサービス取得データを含む、前記受信機と、
前記ＥＳＧデータを保存するデータ・ストレージと、
前記複数のサービスのうちの少なくとも１つに関連するアクティビティのために前記物理的なチャンネル上で受信されたデータを監視するプロセッサであって、前記物理的なチャンネル上で前記サービスに関連するアクティビティが検出された場合にサービスがアクティブなサービスであると判定し、アクティビティが検出されないサービスについては、ＥＳＧデータを前記データ・ストレージから削除し、電源のオンとチャンネル変更のイベントのうちの少なくとも一方の後に前記アクティビティの前記物理的なチャンネル上で受信された前記データを監視する、前記プロセッサと、
ユーザ・インタフェースと、を備え、前記プロセッサは、アクティブなサービスのための前記保存されたサービス取得データを使用して、前記アクティブなサービスを前記ユーザ・インタフェースを介してユーザに提供する、前記装置。
【請求項７】
前記ＥＳＧデータは、サービ識別データを含み、前記プロセッサは、前記複数のサービスのうちの少なくとも１つのサービス識別データのための物理的なチャンネルを調べることによって、前記物理的なチャンネル上で受信される前記データを監視する、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記サービス識別データは、インターネット・プロトコル（ＩＰ）・アドレス、ポート番号、およびパケット識別子（ＰＩＤ）のうちの少なくとも１つを含む、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記プロセッサは、パケット・ヘッダを分析することによってサービス識別データのための前記物理的なチャンネルを調べる、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
少なくとも１つのサービスのための前記ＥＳＧデータは、前記ＥＳＧデータの有効時間枠を示すデータを含み、前記プロセッサは、前記少なくとも１つのサービスに関連するアクティビティのための前記物理的なチャンネル上で受信された前記データが有効時間枠内であるかどうかを監視する、請求項６に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月25日(2012.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
命令を収容したコンピューター読み取り可能記憶媒体であって、パーソナル・メディア・プレーヤー内に配置された１つ以上のプロセッサーによって前記命令が実行されると、ワイヤレス・ネットワークを記述する情報を前記パーソナル・メディア・プレーヤーからアクセサリー・デバイスに送る方法を実行し、この方法が、
１つ以上のワイヤレス・ネットワーク接続可能デバイスによる前記ワイヤレス・ネットワークの発見を可能にし、前記ワイヤレス・ネットワークへの安全なアクセスを可能にするために、前記ワイヤレス・ネットワークにおけるアクセス・ポイントによって使用可能な前記情報を取り込むステップと、
前記パーソナル・メディア・プレーヤーと前記アクセサリー・デバイスとの間の物理的結合によって、前記情報を前記アクセサリー・デバイスに送るステップであって、送られる前記情報が、前記ワイヤレス・ネットワークに加入するために前記アクセサリー・デバイスによって使用可能である、ステップと、
前記パーソナル・メディア・プレーヤーにおいて、前記アクセサリー・デバイスを一意に特定するアクセサリー・デバイスＩＤを受信するステップであって、前記アクセサリー・デバイスＩＤが、前記ワイヤレス・ネットワークを介して前記アクセサリー・デバイスを特定し接続するために前記パーソナル・メディア・プレーヤーによって使用可能であり、前記アクセサリー・デバイスＩＤが、物理的結合後に前記アクセサリー・デバイスから前記パーソナル・メディア・プレーヤーに自動的に送られる、ステップと、
を含む、コンピューター読み取り可能記憶媒体。
【請求項２】
請求項１記載のコンピューター読み取り可能記憶媒体において、前記情報が、ワイヤレス・ネットワークＩＤ、ネットワーク・キー、または証明書のうち少なくとも１つを含む、コンピューター読み取り可能記憶媒体。
【請求項３】
請求項２記載のコンピューター読み取り可能記憶媒体において、前記ネットワーク・キーが、ＷＥＰ、ＷＰＡ、またはＷＰＡ２のうち１つに準拠する、コンピューター読み取り可能記憶媒体。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載のコンピューター読み取り可能記憶媒体において、前記方法が、前記ワイヤレス・ネットワークを通じて前記パーソナル・メディア・プレーヤーから前記アクセサリー・デバイスにデーターを送るステップを含む、コンピューター読み取り可能記憶媒体。
【請求項５】
請求項４記載のコンピューター読み取り可能記憶媒体において、前記送るステップは、前記アクセサリー・デバイスによる遠隔でのレンダリングのために、前記パーソナル・メディア・プレーに格納されたオーディオ・コンテンツをストリーミングするステップを含む、コンピューター読み取り可能記憶媒体。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載のコンピューター読み取り可能記憶媒体において、前記アクセサリー・デバイスが、着脱自在に結合可能な構成で前記パーソナル・メディア・プレーヤーを受ける、一体化ドッキング・クレードルを含むスピーカー・システムであり、前記ドッキング・クレードルおよびパーソナル・メディア・プレーヤーが、結合されたときに、前記情報を送ることができる信号経路を形成する、コンピューター読み取り可能記憶媒体。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載のコンピューター読み取り可能記憶媒体において、前記方法が、前記情報を前記パーソナル・メディア・プレーヤーから前記アクセサリー・デバイスに送ることに同意するようにユーザーに促すステップを含む、コンピューター読み取り可能記憶媒体。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載のコンピューター読み取り可能記憶媒体において、前記物理的結合が、前記パーソナル・メディア・プレーヤーと前記アクセサリー・デバイスとの間におけるドッキング・プロセスを含む、コンピューター読み取り可能記憶媒体。
【請求項９】
パーソナル・メディア・プレーヤーを着脱自在に受けるための一体化ドッキング・クレードルを有するスピーカー・システムであって、
前記ドッキング・クレードルに配置され、前記パーソナル・メディア・プレーヤーにあるドッキング・コネクターと嵌合するように係合するデバイス・コネクターであって、両コネクターが嵌合するように係合すると、それらの間に信号経路が形成され、前記パーソナル・メディア・プレーヤーを前記ドッキング・クレードルとドッキングさせると両コネクターが嵌合するように係合する、デバイス・コネクターと、
前記デバイス・コネクターに動作的に結合され、前記パーソナル・メディア・プレーヤーにあるアクセサリー・インターフェースから前記信号経路を通じてデーターを受けるデバイス・インターフェースであって、前記データーが、ワイヤレス・ネットワークのＩＤと、このワイヤレス・ネットワークの安全を確保するために用いられるキーとを少なくとも含む、デバイス・インターフェースと、
前記パーソナル・メディア・プレーヤーをドッキングした後に前記データーを自動的に受け、前記データーを用いて前記ワイヤレス・ネットワークにあるアクセス・ポイントと通信するように動作するワイヤレス送受信モジュールと、
オーディオ変換器と、ディジタル信号処理または増幅のうち少なくとも１つを含むスピーカー・システム機能と、
ドッキングした前記パーソナル・メディア・プレーヤーにアクセサリー・デバイスＩＤを送る手段であって、前記アクセサリー・デバイスＩＤが、前記スピーカー・システムからアンドッキングされたときに、前記ワイヤレス・ネットワークを介して前記スピーカー・デバイスを特定し接続するために前記パーソナル・メディア・プレーヤーによって使用可能であり、前記アクセサリー・デバイスＩＤが、前記パーソナル・メディア・プレーヤーがドッキングした後に、前記スピーカー・デバイスからドッキングした前記パーソナル・メディア・プレーヤーに自動的に送られる、送る手段と、
を含む、スピーカー・システム。
【請求項１０】
請求項９記載のスピーカー・システムにおいて、前記ワイヤレス送受信モジュールが、更に、前記スピーカー・システム機能によってレンダリングするために、オーディオ・コンテンツを前記パーソナル・メディア・プレーヤーから受信するように構成された、スピーカー・システム。
【請求項１１】
請求項９または１０記載のスピーカー・システムであって、ステレオ音響信号をレンダリングするように構成された、スピーカー・システム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月21日(2012.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(a) 細胞試料はヒトまたは動物の体から予め単離して得たものであり、該細胞試料が末梢血単核細胞、細胞系統、血小板からなる群から選択した細胞を含むステップと、
(b) 前記細胞を刺激してサイトカイン分泌阻害剤の存在下でサイトカインを作製するステップと、
(c) 前記刺激細胞を固定剤の添加によって固定するステップと、
(d) 前記固定した刺激細胞を凍結乾燥によって保存するステップとを備える細胞参照材料を製造する方法。
【請求項２】
(i) 混合細胞集団はヒトまたは動物の体から予め単離して得たものであり、該混合細胞集団が末梢血単核細胞と血小板からなる群から選択した複数の細胞タイプを含むステップと、
(ii) 前記混合細胞集団を分画して、各画分内に細胞タイプの明確な集団を有する複数の画分を作製するステップと、
(iii) 前記一つ以上の画分内の細胞をサイトカイン分泌阻害剤の存在下で刺激してサイトカインを作製するステップと、
(iv) 前記各画分内の細胞を固定剤の添加によって固定するステップと、
(v) 前記複数の画分を再結合して特異的に刺激した細胞の混合物を作製するステップと、
(vi) 前記特異的に刺激した細胞の混合物を凍結乾燥または凍結貯蔵によって保存するステップとを備える細胞参照材料を製造する方法。
【請求項３】
前記細胞試料または前記細胞集団は哺乳類の体から単離されたものである請求項１または２のいずれかに記載の方法。
【請求項４】
前記細胞試料または前記細胞集団は人体から単離されたものである請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記細胞を分裂促進因子の添加によって刺激する前記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記分裂促進因子がPMA（ホルボール-12-ミリステート-13-アセテート）を含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記分裂促進因子がイオノマイシンを含む請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記分裂促進因子がPMA（ホルボール-12-ミリステート-13-アセテート）およびイオノマイシンの混合物を含む請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記サイトカイン分泌阻害剤がBrefeldin Aを含む前記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記固定剤がパラホルムアルデヒドを含む前記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記固定剤がパラホルムアルデヒドおよび塩化クロムの混合物を含む請求項10に記載の方法。
【請求項１２】
前記細胞の固定後で細胞の保存前に残留固定剤を除去するステップを更に備える前記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記細胞の保存前に前記固定細胞を高張性状況に暴露するステップを更に備える前記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記細胞の保存前に凍結保護物質を前記固定細胞に添加するステップを更に備える前記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
複数の細胞試料を複数の個体から予め単離して得るステップと、
前記各細胞試料に対し請求項１に従属するあらゆる前記請求項の方法を行うステップとを備え、
前記細胞の保存前に前記複数の試料に由来した固定細胞同士を混合するステップを更に含む細胞参照材料を製造する方法。
【請求項１６】
複数の混合細胞集団を複数の個体から予め単離して得るステップと、
前記各混合細胞集団に対し請求項２に従属するあらゆる前記請求項の方法を行うステップとを備え、
前記細胞の保存前に前記複数の混合細胞集団に由来した固定細胞同士を混合するステップを更に含む細胞参照材料を製造する方法。
【請求項１７】
刺激ステップ（b）または(iii)を省略し、および、保存ステップ（ｄ）または（ｖｉ）を省略した前記請求項のいずれかに記載の方法ステップにより未刺激の固定細胞を調製するステップと、
前記未刺激の固定細胞を、保存ステップ（ｄ）または（ｖｉ）を省略した前記請求項のいずれかに記載の方法ステップに従って調製する刺激した固定細胞と混合するステップと、
前記混合細胞を凍結乾燥または凍結貯蔵によって保存するステップとを備える細胞参照材料を製造する方法。
【請求項１８】
(i) 混合細胞集団をヒトまたは動物の体から予め単離して得、該混合細胞集団が末梢血単核細胞と血小板からなる群から選択した複数の細胞タイプを含むステップと、
(ii) 前記混合細胞集団を分画して、画分中に単一細胞タイプを主に有する画分を作製するステップと、
(iii) 前記画分内の細胞を標識付けするステップと、
(iv) 前記画分内の標識付け細胞を固定剤の添加により固定するステップと、
(v) 前記標識付け細胞を凍結乾燥によって保存するステップとを備える細胞参照材料を製造する方法。
【請求項１９】
(a) 増殖能力を有する哺乳動物細胞をヒトまたは動物の体から予め単離して得るステップと、
(b) 前記細胞を細胞増殖中に娘細胞間で分割されるラベルで標識付けするステップと、
(c) 前記標識付け細胞を増殖のため刺激するステップと、
(d) 前記細胞を増殖可能にするステップと、
(d) 前記増殖細胞を固定剤の添加によって固定するステップと、
(e) 生成した細胞を凍結乾燥または凍結貯蔵により保存するステップとを備える細胞参照材料を製造する方法。
【請求項２０】
前記細胞は哺乳類の体から単離したものである請求項19に記載の方法。
【請求項２１】
前記細胞は人体から単離したものである請求項20に記載の方法。
【請求項２２】
前記細胞を分裂促進因子の添加によって刺激する請求項18〜21のいずれかに記載の方法。
【請求項２３】
前記分裂促進因子がPMA（ホルボール-12-ミリステート-13-アセテート）を含む請求項22に記載の方法。
【請求項２４】
前記分裂促進因子がイオノマイシンを含む請求項22に記載の方法。
【請求項２５】
前記分裂促進因子がPMA（ホルボール-12-ミリステート-13-アセテート）およびイオノマイシンの混合物を含む請求項22に記載の方法。
【請求項２６】
前記固定剤がパラホルムアルデヒドを含む請求項19〜25のいずれかに記載の方法。
【請求項２７】
前記固定剤がパラホルムアルデヒドおよび塩化クロムの混合物を含む請求項26に記載の方法。
【請求項２８】
前記細胞の固定後で前記細胞の保存前に残留固定剤を除去するステップを更に備える請求項19〜27のいずれかに記載の方法。
【請求項２９】
前記細胞の保存前に前記固定細胞を高張性状況に暴露するステップを更に備える請求項19〜28のいずれかに記載の方法。
【請求項３０】
前記細胞の保存前に凍結保護物質を前記固定細胞に添加するステップを更に備える請求項19〜29のいずれかに記載の方法。
【請求項３１】
前記細胞を蛍光ラベルで標識付けする請求項19〜30のいずれかに記載の方法。
【請求項３２】
前記蛍光ラベルがCFSE（カルボキシフルオレシンスクシンイミジルエステル）を含む請求項31に記載の方法。
【請求項３３】
本明細書に実質的に記載されている細胞参照材料を製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月3日(2012.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
経腔器官内で穿孔することによって外科手術を行うための外科用内視鏡であって、
少なくとも３つの通路（２０，３０）を有する、
外科用内視鏡において、
通路のうちの少なくとも１つの遠位端部（１２）に、機能的な付属品を有する移動可能なプラットフォーム（５０，７０）が、遠位方向から近位方向に、交換可能に取り付けられた、
外科用内視鏡。
【請求項２】
経腔器官内で穿孔することによって外科手術を行うための外科用内視鏡であって、
少なくとも１つの特殊な作用通路（３０）が、他の通路（２０）よりも大きな直径を有する、
請求項１に記載の外科用内視鏡。
【請求項３】
経腔器官内で穿孔することによって外科手術を行うための外科用内視鏡であって、
特殊な作用通路（３０）が、水平方向平面で前後移動及び角度移動を行うことを可能にする可動水平方向プラットフォーム（５０）に開口する、
請求項２に記載の外科用内視鏡。
【請求項４】
経腔器官内で穿孔することによって外科手術を行うための外科用内視鏡であって、
前記特殊な作用通路（３０）が、１．２ｍｍ〜３．８ｍｍの範囲の直径を有する、
請求項２に記載の外科用内視鏡。
【請求項５】
経腔器官内で穿孔することによって外科手術を行うための外科用内視鏡であって、
前記可動水平方向プラットフォーム（５０）の移動が、ロッカアーム（８）によって命令される、
請求項３に記載の外科用内視鏡。
【請求項６】
経腔器官内で穿孔することによって外科手術を行うための外科用内視鏡であって、
前記可動水平方向プラットフォーム（５０）を、特殊な機能を有する水平方向プラットフォームに交換することのできる、
請求項５に記載の外科用内視鏡。
【請求項７】
経腔器官内で穿孔することによって外科手術を行うための外科用内視鏡であって、
より小さな直径を有する作用通路（２０）のうちの１つが、鉛直方向平面で角度移動を行うことを可能にする可動鉛直方向プラットフォーム（７０）に開口する、
請求項２に記載の外科用内視鏡。
【請求項８】
経腔器官内で穿孔することによって外科手術を行うための外科用内視鏡であって、
前記可動鉛直方向プラットフォーム（７０）が、レバー（１１）によって命令される、
請求項７に記載の外科用内視鏡。
【請求項９】
経腔器官内で穿孔することによって外科手術を行うための外科用内視鏡であって、
前記可動鉛直方向プラットフォーム（７０）を、切断し、縫合し、拘引し、切開し、止血及び砕石術を行うための特殊な機能を有する鉛直方向プラットフォームに交換することのできる、
請求項８に記載の外科用内視鏡。
【請求項１０】
経腔器官内で穿孔することによって外科手術を行うための外科用内視鏡であって、
全体の一組の消毒を容易にするように、
前記可動水平方向プラットフォーム（５０）及び可動鉛直方向プラットフォーム（７０）が、
遠位端部（１２）で命令ケーブル（９）から分離されることができ、
近位端部で取り外される、
請求項９に記載の外科用内視鏡。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月5日(2012.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）赤血球凝集素亜型Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ４、Ｈ５、Ｈ６、Ｈ７、Ｈ８、Ｈ９、Ｈ１０、Ｈ１１、Ｈ１２、Ｈ１３、Ｈ１４、Ｈ１５、またはＨ１６からなる群から選択される赤血球凝集素ドメインと；
ｂ）ＧＣＮ４−ｐＩＩペプチド、トウモロコシγ−ゼインのプロリンリッチドメイン（ＰＲＤ）、及びバクテリオファージＴ４フィブリチンからなる群から選択されるオリゴマー化ドメインであって、該オリゴマー化ドメインがα−ヘリックスで終わらないようにＣ末端部にアミノ酸残基が加えられているオリゴマー化ドメインと；
ｃ）プロテインジスルフィドイソメラーゼ（ＰＤＩ）シグナルペプチドと
を含む組換え赤血球凝集素（ｒＨＡ）であって、キメラ可溶性ホモ三量体として産生される、前記ｒＨＡ。
【請求項２】
前記加えられたアミノ酸残基が、Ｓｅｒ−Ａｌａ−Ａｌａである、請求項１に記載のｒＨＡ。
【請求項３】
小胞体（ＥＲ）保留シグナルをさらに含む、請求項１または２に記載のｒＨＡ。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載のｒＨＡをコードするヌクレオチド配列。
【請求項５】
ａ）赤血球凝集素亜型Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ４、Ｈ５、Ｈ６、Ｈ７、Ｈ８、Ｈ９、Ｈ１０、Ｈ１１、Ｈ１２、Ｈ１３、Ｈ１４、Ｈ１５、またはＨ１６からなる群から選択される赤血球凝集素ドメインをコードするヌクレオチド配列と；
ｂ）ＧＣＮ４−ｐＩＩペプチド、トウモロコシγ−ゼインのプロリンリッチドメイン（ＰＲＤ）、及びバクテリオファージＴ４フィブリチンからなる群から選択されるオリゴマー化ドメインであって、該オリゴマー化ドメインがα−ヘリックスで終わらないようにＣ末端部にアミノ酸残基が加えられているオリゴマー化ドメインをコードするヌクレオチド配列と；
ｃ）プロテインジスルフィドイソメラーゼ（ＰＤＩ）シグナルペプチドをコードするヌクレオチド配列と
を含む核酸であって、ホモ三量体を形成する可溶性ｒＨＡをコードする、前記核酸。
【請求項６】
前記加えられるアミノ酸残基が、Ｓｅｒ−Ａｌａ−Ａｌａである、請求項５に記載の核酸。
【請求項７】
小胞体（ＥＲ）保留シグナルをコードするヌクレオチド配列をさらに含む、請求項５または６に記載の核酸。
【請求項８】
請求項４乃至７のいずれか一項に記載の核酸を含むベクター。
【請求項９】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載のｒＨＡを発現する宿主細胞。
【請求項１０】
請求項４乃至７のいずれか一項に記載の核酸により形質転換された宿主細胞。
【請求項１１】
請求項８に記載のベクターにより形質転換された宿主細胞。
【請求項１２】
組換え赤血球凝集素（ｒＨＡ）を産生する方法であって、請求項５に記載の核酸を含む宿主細胞を提供すること、及び前記宿主細胞においてｒＨＡを発現することを含む、前記方法。
【請求項１３】
植物内で組換え赤血球凝集素（ｒＨＡ）を発現する方法であって、請求項８に記載のベクターを、植物に導入すること、およびｒＨＡを発現することを含む、前記方法。
【請求項１４】
前記導入工程（工程ａ）において、前記核酸が一過性様式で前記植物中に導入される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記導入工程（工程ａ）において、前記核酸が安定的に前記植物中に導入される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
植物中で組換え赤血球凝集素（ｒＨＡ）を産生する方法であって、
ａ）核酸配列を前記植物またはその一部に導入する工程であって、前記核酸配列が、請求項５に記載の核酸に作動可能に連結された制御領域を含む、前記工程と；
ｂ）トランスジェニック植物を増殖させて、それによってｒＨＡを産生する工程と
を含む、前記方法。
【請求項１７】
前記導入工程（工程ａ）において、前記核酸が一過性様式で前記植物中に導入される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記導入工程（工程ａ）において、前記核酸が安定的に前記植物中に導入される、請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月19日(2012.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハのための支持体を含むウェハボートであって、
上記支持体は、上記ウェハを支持するためのサポート表面であって実質的にスムースで平坦な表面を規定するサポート表面と、該サポート表面の下に離間して形成されそれによりウェハの下に離間して形成された窪んだ表面と、
上記窪んだ表面から延びる複数の弓状ホールと、を有するプレートを備え、
上記サポート表面は、ウェハの汚染を防止するため、ホールを有さず、
上記複数の弓状ホールは、上記半導体ウェハの高温処理プロセスの間半導体ウェハにおけるスリップを抑制する、支持体を含むウェハボート。
【請求項２】
半導体ウェハと組み合わされる請求項１記載の、支持体を含むウェハボート。
【請求項３】
上記プレートは、Ｃ状に形成された請求項１記載の、支持体を含むウェハボート。
【請求項４】
上記プレートは、下面を有し、上記弓状のホールは、上記窪んだ表面から上記下面まで延びている請求項１記載の、支持体を含むウェハボート。
【請求項５】
半導体ウェハとともに用いられる、支持体を含むウェハボートであって、上記プレートの面積は、ウェハの面積の５０％未満である請求項１記載の、支持体を含むウェハボート。
【請求項６】
上記プレートの面積は、ウェハの面積の４０％未満である請求項５記載の、支持体を含むウェハボート。
【請求項７】
上記プレートは、炭化ケイ素、窒化ケイ素及びケイ素から選択された少なくとも一種からなる請求項１記載の、支持体を含むウェハボート。
【請求項８】
上記サポート表面は、上記窪んだ表面により分離された２つの台形状部を含む請求項１記載の、支持体を含むウェハボート。
【請求項９】
上記窪んだ表面がグルーブにより規定されている、請求項８記載の、支持体を含むウェハボート。
【請求項１０】
半導体ウェハのための支持体を含むウェハボートであって、
上記支持体は、上記ウェハを支持するためのサポート表面であって実質的にスムースで平坦な表面を規定するサポート表面と、上記サポート表面の下側に離間して形成されそれにより上記ウェハの下側に離間して形成された窪んだ表面と、
上記窪んだ表面から延びる複数のホールと、を有するプレートを備え、
上記サポート表面は、上記ウェハの汚染を防止するため、ホールを有さず、
上記プレートの面積は、半導体ウェハの面積の５０％未満である、支持体を含むウェハボート。
【請求項１１】
上記複数のホールは、弓状である請求項１０記載の、支持体を含むウェハボート。
【請求項１２】
上記プレートは、下面を有し、上記弓状のホールは、上記窪んだ表面から上記下面まで延びている請求項１０記載の、支持体を含むウェハボート。
【請求項１３】
上記サポート表面は、上記窪んだ表面により分離された２つの台形状部を含む請求項１０記載の、支持体を含むウェハボート。
【請求項１４】
上記窪んだ表面は、グルーブにより規定されている請求項１３記載の、支持体を含むウェハボート。
【請求項１５】
半導体ウェハのための支持体を含むウェハボートであって、
上記支持体は、上記ウェハを支持するためのサポート表面であって実質的にスムースで平坦な表面を規定するサポート表面と、該サポート表面の下に離間して形成されそれによりウェハの下に離間して形成された窪んだ表面と、
上記窪んだ表面から延びる複数の第１ホールおよび複数の第２ホールと、を有するプレートを備え、
上記サポート表面は、上記ウェハの汚染を防止するため、ホールを有さず、
上記複数の第１ホールは、上記プレートの中央から第１の距離離れて配置され、上記複数の第２ホールは、上記プレートの中央から第２の距離離れて配置され、上記第１の距離は、上記第２の距離より大きい、支持体を含むウェハボート。
【請求項１６】
上記複数の第１ホールは、弓状であり、上記複数の第２ホールは、弓状である、請求項１５記載の、支持体を含むウェハボート。
【請求項１７】
上記プレートは、下面を有し、上記複数の第１ホールおよび上記複数の第２ホールは、上記窪んだ表面から上記下面まで延びる請求項１５記載の、支持体を含むウェハボート。
【請求項１８】
上記サポート表面は、上記窪んだ表面により分離された２つの台形状部を含む請求項１５記載の、支持体を含むウェハボート。
【請求項１９】
上記窪んだ表面は、グルーブにより規定されている、請求項１８記載の、支持体を含むウェハボート。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月25日(2012.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン形成された基板を形成するための方法であって、
１つ以上の凹状形成部を有する構造化表面領域を有する基板を与える工程と、
第１の液体を前記構造化表面領域の少なくとも一部分の上に配置する工程と、
前記第１の液体を第２の液体と接触させる工程と、
前記第２の液体によって前記構造化表面領域の少なくとも一部分から前記第１の液体を排除して前記第１の液体を前記１つ以上の凹状形成部の少なくとも一部分に選択的に配置する工程と、
を含み、
前記第１の液体が、金属、金属前駆物質、無電解メッキ触媒、無電解メッキ触媒前駆物質、マスク材料、又はこれらの組み合わせを含む、方法。
【請求項２】
パターン形成された基板を形成するための方法であって、
１つ以上の凹状形成部と前記１つ以上の凹状形成部と相補的な表面領域とを有し、基板上に配置された金属層を含む金属化構造化表面領域を有する基板を与える工程と、
第１の液体を前記金属化構造化表面領域の少なくとも一部分の上に配置する工程と、
前記第１の液体を第２の液体と接触させる工程と、
前記第２の液体によって前記金属化構造化表面領域の少なくとも一部分から前記第１の液体を排除して前記第１の液体を前記１つ以上の凹状形成部の少なくとも一部分に選択的に配置する工程と、
前記１つ以上の凹状形成部と相補的な前記表面領域から前記金属層の少なくとも一部分を前記第２の液体中に選択的に溶解する工程と、
を含む方法。
【請求項３】
パターン形成された基板を形成するための方法であって、
１つ以上の凹状形成部を有する構造化表面領域を有する基板を与える工程と、
第１の液体を前記構造化表面領域の少なくとも一部分の上に配置する工程と、
前記第１の液体を第２の液体と接触させる工程と、
前記第２の液体によって前記構造化表面領域の少なくとも一部分から前記第１の液体を排除して前記第１の液体を前記１つ以上の凹状形成部の少なくとも一部分に選択的に配置する工程と、
を含み、
前記第１の液体が前記１つ以上の凹状形成部の少なくとも一部分に選択的に配置された後に前記第１の液体が固体に変換される、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月4日(2012.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス成分の総重量を基準として２０〜６０重量％のＳｉＯ2、１０〜６０重量％のアルカリ土類金属酸化物、５〜３０重量％のＺｎＯ、０．５〜７重量％のＺｒＯ2、０．１〜１０重量％のＢ2Ｏ3、および０〜１４重量％のＡｌ2Ｏ3を含有するガラス成分を含む、金属基材上に形成された絶縁層。
【請求項２】
前記基材の熱膨張係数（ＴＣＥ）が７〜１３ｐｐｍ／Ｋであり、前記絶縁層のＴＣＥが８．２〜９．４ｐｐｍ／Ｋである、請求項１に記載の絶縁層。
【請求項３】
前記ガラス成分が、ガラス成分の総重量を基準として、０〜５重量％のＭｇＯ、０〜８重量％のＣａＯ、５〜２０重量％のＳｒＯ、および１５〜４５重量％のＢａＯを含有する、請求項１に記載の絶縁層。
【請求項４】
ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＺｎＯ、ＡｌＮおよびＢＮからなる群から選択される１つ以上の無機充填剤をさらに含む、請求項１に記載の絶縁層。
【請求項５】
ガラスフリット、有機バインダーおよび溶剤を含むガラスペーストであって、前記ガラスフリットがガラスフリットの総重量を基準として２０〜６０重量％のＳｉＯ2、１０〜６０重量％のアルカリ土類金属酸化物、５〜３０重量％のＺｎＯ、０．５〜７重量％のＺｒＯ2、０．１〜１０重量％のＢ2Ｏ3、および０〜１４重量％のＡｌ2Ｏ3を含有するガラスペーストを金属基材上へ塗布する工程と、
前記ガラスペーストを乾燥させる工程と、
前記乾燥ガラスペーストを７００〜９００℃で焼成する工程と
を含む、絶縁層の製造方法。
【請求項６】
前記基材の熱膨張係数（ＴＣＥ）が７〜１３ｐｐｍ／Ｋであり、形成された絶縁層のＴＣＥが８．２〜９．４ｐｐｍ／Ｋである、請求項５に記載の絶縁層の製造方法。
【請求項７】
前記ガラス成分が、ガラス成分の総重量を基準として、０〜５重量％のＭｇＯ、０〜８重量％のＣａＯ、５〜２０重量％のＳｒＯ、および１５〜４５重量％のＢａＯを含有する、請求項５に記載の絶縁層の製造方法。
【請求項８】
前記ガラスペーストが、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＺｎＯ、ＡｌＮおよびＢＮからなる群から選択される１つ以上の無機充填剤をさらに含む、請求項５に記載の絶縁層の製造方法。
【請求項９】
前記ペーストが１００〜４００℃の温度範囲で乾燥され、前記ペーストが７００〜９５０℃の温度範囲で焼成される、請求項５に記載の絶縁層の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
図５Ａおよび図５Ｂは、Ｘ線回折分析に基づく、結晶相の成長を示す表である。セルシアン（ＢａＡｌ2Ｓｉ2Ｏ8）の形成が比較例１および２で観察された。比較例１では、セルシアン形成は焼成の３０分内に観察されたが、比較例２では、セルシアン形成は焼成の３００分内に観察された。一方、セルシアン形成は実施例１〜６では全く観察されなかった。ここでＳｒＳｉＯ3とＢａＳｒＳｉ2Ｏ6とＢａ2ＣａＺｎＳｉ6Ｏ17との形成が実施例２〜５では１５０分後に観察された。これは、ＳｒＳｉＯ3、ＢａＳｒＳｉ2Ｏ6およびＢａ2ＣａＺｎＳｉ6Ｏ17の形成へのＢ2Ｏ3の影響を裏付けた。
本出願は、特許請求の範囲に記載の発明を含め、以下の発明を包含する。
（１）  ガラス成分の総重量を基準として０．１〜１０重量％のＢ2Ｏ3を含有するガラス成分を含む、金属またはセラミック基材上に形成された絶縁層。
（２）  前記基材の熱膨張係数（ＴＣＥ）が７〜１３ｐｐｍ／Ｋであり、前記絶縁層のＴＣＥが８．２〜９．４ｐｐｍ／Ｋである、（１）に記載の絶縁層。
（３）  前記ガラス成分が、ガラス成分の総重量を基準として、２０〜６０重量％のＳｉＯ2、１０〜６０重量％のアルカリ土類金属酸化物、５〜３０重量％のＺｎＯ、０．５〜７重量％のＺｒＯ2、０．１〜１０重量％のＢ2Ｏ3、および０〜１４重量％のＡｌ2Ｏ3を含有する、（１）に記載の絶縁層。
（４）  ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＺｎＯ、ＡｌＮおよびＢＮからなる群から選択される１つ以上の無機充填剤をさらに含む、（１）に記載の絶縁層。
（５）  ガラスフリット、有機バインダーおよび溶剤を含むガラスペーストであって、前記ガラスフリットがガラスフリットの総重量を基準として０．１〜１０重量％のＢ2Ｏ3を含有するガラスペーストを金属またはセラミック基材上へ塗布する工程と、
前記ガラスペーストを乾燥させる工程と、
前記乾燥ガラスペーストを焼成する工程と
を含む、絶縁層の製造方法。
（６）  前記基材の熱膨張係数（ＴＣＥ）が７〜１３ｐｐｍ／Ｋであり、形成された絶縁層のＴＣＥが８．２〜９．４ｐｐｍ／Ｋである、（５）に記載の絶縁層の製造方法。
（７）  前記ガラスフリットが、ガラスフリットの総重量を基準として、２０〜６０重量％のＳｉＯ2、１０〜６０重量％のアルカリ土類金属酸化物、５〜３０重量％のＺｎＯ、０．５〜７重量％のＺｒＯ2、０．１〜１０重量％のＢ2Ｏ3、および０〜１４重量％のＡｌ2Ｏ3を含有する、（５）に記載の絶縁層の製造方法。
（８）  前記ガラスペーストが、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＺｎＯ、ＡｌＮおよびＢＮからなる群から選択される１つ以上の無機充填剤をさらに含む、（５）に記載の絶縁層の製造方法。
（９）  前記ペーストが１００〜４００℃の温度範囲で乾燥され、前記ペーストが７００〜９５０℃の温度範囲で焼成される、（５）に記載の絶縁層の製造方法。