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　平成　７年特許願第３０３３８９号「大サイズ基板用露光装置および露光方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　９年　５月１６日出願公開、特開平　９−１２７７０２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成７年１０月３０日に出願された特願平７−３０３３８９号であって、平成１４年４月２２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し平成１４年５月２９日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同年６月２６日付けで手続補正がなされた。
　
２．平成１４年６月２６日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１４年６月２６日付けの手続補正を却下する。
［理由］
　　特許法第１７条の２第４項違反
　
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項４は、平成１４年３月１５日付け手続補正書の請求項４の、「請求項３において、原版が電子ビーム露光装置にて描画作製されたものであることを特徴とする大サイズ基板露光方法。」から「請求項３において、原版（マスク）は単位のパターンを複数配列して面付けしたもので、転写する露光に際し、前記複数の面付け全部の一括露光の他に、１回以上、マスキングアパーチャにて、原版の露光する領域を所望のパターン数に制限して、前記転写する露光を行なうものであることを特徴とする大サイズ基板露光方法。」と補正された。
　この補正は、「原版が電子ビーム露光装置にて描画作製されたものである」という原板の製造方法を限定したものから、「転写する露光に際し、前記複数の面付け全部の一括露光の他に、１回以上、マスキングアパーチャにて、原版の露光する領域を所望のパターン数に制限して、前記転写する露光を行なうものである」という転写露光の際の原板の用い方を限定したものへと補正したものである。
　このような補正は、請求項の削除、減縮、誤記の訂正、不明りょう記載の釈明のいずれでもなく、特許法第１７条の２第４項の各号で掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当せず、同法第１７条の２第４項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１４年６月２６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１４年３月１５日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　「基板を感光材面を上にして保持して、Ｘ、Ｙ、Ｚ軸方向及びθ方向に微動制御でき、且つ、少なくともＸ、Ｙ方向の１方向に所定の距離だけステップ移動できるステージと、基板上側に原版をマスク面を下にして保持する原版保持部と、原版の裏面から基板側へ露光光を照射するための光源部とを有し、原版の絵柄を等倍にて、露光する位置をずらして複数回、露光転写するための露光装置であって、ステージ上の基板と、原版との位置合せを自動で行う自動アライメント機構と、原版の絵柄領域を遮蔽することにより露光領域を制御する露光領域制御機構と、該基板と原版とのギヤップを制御するギヤップ制御機構とを備え、基板と原版と近接させ、間隔を所定のギヤップに保ちながら露光を行う近接露光にて、基板を所定のピッチでステップ移動させ、複数の位置にて原版を介して基板への露光を行い、原版の絵柄を転写露光するものであり、且つ、原版は、転写に際してのたわみが許容範囲内となるサイズで、基板は、転写に際して原版のたわみが許容範囲を超えるマスクサイズに相当する大サイズ基板であり、原版の絵柄領域よりも広い範囲に複数回露光して原版の絵柄よりも大サイズの絵柄を設けるものであることを特徴とする大サイズ基板用露光装置。」
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された米国特許第４，６６９，８６８号明細書（以下、引用例１という。）には、以下の点が記載されている。
ア．ＩＣ、あるいは、ダイレクト又はアクティブマトリクス方式の液晶ディスプレイのような集積電子素子の製造において、フォトリソグラフィ技術は一般的に使われる。（特許明細書第１欄６〜９行）
　
イ．プロキシミティ露光は、いつでも適度な解像度を与えるとは限らない。露光光源が十分に平行光化されていると仮定すると、最大ギャップは典型的には２０〜５０μｍであることが経験的に知られ、露光形状は５μｍ幅またはそれ以上である。これは特に、基板やマスクの平面度を適切に制御することが難しい大面積への応用において問題となりうる。（特許明細書第１欄５４〜６２行）
　
ウ．本発明は、フォトレジストのような放射線感光性材料のフィルムを露光し、基板に放射線のパターンを焼き付けるための改善された装置を提供する。そして、その放射線は、露光される放射線感光性材料のフィルムの領域よりかなり小さい領域を持つパターン化されたマスクを介して投影される。装置は、放射線源と、放射線の通路内で、上面に放射線感光性材料を有する基板を、支持する基板支持手段とを含む。マスク保持手段は、放射線源とフィルムの中間で、マスクパターンをフィルムに近接焦点合わせするためにきわめてフィルムに近接した位置で、マスクを支持する。装置はさらに、フィルム領域の露光を可能とするため基板に対しマスクを徐々に移動するステッピング手段を含む。本発明はさらに、フォトレジストのような放射線感光性材料の、フィルムを露光し、放射線パターンを基板に焼き付ける方法を提供する。それには、放射線感光性材料のフィルムの領域よりかなり小さい領域を持つパターン化されたマスクが利用される。（明細書第２欄２４〜４６行）
　
エ．放射線源１８は、上部テーブル１８上に載置され、高圧水銀アーク光源が内部に配置された第１ハウジング２８を含む。（明細書第３欄３２〜３４行）
　
オ．基板ホルダー２０は、基板移動部材２２の上に置かれる。基板移動部材２２は、第１ステージ３６と第２ステージ３８とを含む。ステージ３６と３８は、好ましくはローラベアリングあるいは空気ベアリングスライドで構成され、相互に垂直な第１、第２の方向で、基板ホルダー２０にリニアな動きを与える。（明細書第３欄５１〜５７行）
　
カ．基板ホルダー２０は、また、好ましくは基板をプラスマイナス１度回転するための内部機構を含む。（明細書第４欄８〜１０行）
　
キ．このように、基板４２上のフォトレジスト表面全面に露光するために、ステップアンドリピートプロセスでマスク４４の下の基板移動部材２２によって、徐々にまたは段階的に基板４２が動かされ、フォトレジスト領域の完全露光を行う。（明細書第４欄４２〜４７行）
　
ク．横部材５４のより大きな柔軟性は、マスク４４と基板４２を覆うフォトレジストフィルムとの間のプロキシミティギャップを調整するため、垂直動作をマスクホルダー（「基板ホルダー」は誤記と認める。）２４に伝えるのに利用される。垂直動作は、横部材５２と５４との間に矢印６０で示されるように力を適用することにより、マスクホルダー２４と、そしてマスク４４に伝えられる。横部材間に力を出すためにリニアアクチュエータ６２が備えられている。（明細書第５欄３〜１２行）
　
ケ．複数のエアーゲージは、マスクの周辺に配置されるので、プロキシミティギャップはマスクに隣接するいくつかの点で測定される。これらの測定の平均値は、基板厚みの不安定性によるフォーカスの損失を最小限にするために、ギャップの調整に使われる。（明細書第６欄２４〜３１行）
　
コ．マスク参照マークと基板アライメントマークが組み合わされた像が、電子カメラにより検知される。その後、自動デジタル画像処理装置がマスク参照マークと基板アライメントマークを直接一致させるのに用いられる。（明細書第７欄２０〜２５行）
　
サ．２×２インチまたはそれ以上のマスク露光領域を利用すると、投影ステッパーにおける０．８×０．８インチの露光領域と比較して、より少ないステップでより広い領域が露光できる。例えば、６インチ×１０インチの露光領域に対して、従来のプロジェクション露光とステップアンドリピート技術を利用した場合の約１０４ステップに比較して、本発明によればわずか１５ステップが必要とされる。（明細書第８欄５９〜末行）
　
　上記の各記載事項、及び図面も参照すれば、引用例１には、「上面に放射線感光性材料を有する基板４２を保持し、基板をプラスマイナス１度回転するための内部機構を含む基板ホルダー２０と、相互に垂直な第１、第２の方向で基板ホルダー２０にリニアな動きを伝える、第１ステージ３６と第２ステージ３８とを含む基板移動部材２２と、基板４２上側にマスク４４を保持するマスクホルダー２４と、マスク４４の基板４２と反対側から基板側へ放射線を照射するための放射線源１８を有し、マスクのパターンを近接焦点合わせして、基板４２上の放射線感光性材料表面全面に露光するために、ステップアンドリピートプロセスでマスク４４の下の基板移動部材２２によって、徐々にまたは段階的に基板４２が動かされる近接露光装置であって、マスク参照マークと基板アライメントマークを直接一致させる自動デジタル画像処理装置と、横部材５２，５４間に力を出すためにリニアアクチュエータ６２を備え、マスク４４と基板４２を覆う放射線感光性材料との間のプロキシミティギャップを調整するための機構とを備え、マスク４４と基板４２とを近接させ、複数のエアーゲージによって、ギャップを測定し、調整しながら、露光する近接露光にて、基板４２を所定のピッチでステップ移動させ、複数の位置で、マスク４４を介して基板４２に露光を行い、マスク４４のパターンを近接投影露光するものであり、且つ、基板４２は近接投影露光に際してマスク露光領域よりも、広い範囲に複数回露光してマスクのパターンよりも大サイズのパターンを焼き付けるものである基板用露光装置」が記載されている。
　
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６０−１０７８３３号公報（以下、引用例２という。）には、以下の点が記載されている。
タ．実施例は、露光々学系１に加えてマスキングブレード７とその開閉機構（図示せず）を具備するマスキングブレード結像光学系２と（第４図、第５図参照）ランプハウス１８、ウエハ１５上へ転写されるべきパターンを有する原画１３、原画１３を縮小投影する縮小レンズ１４とウエハ１５、ウエハ１５を露光位置に搬送して縮小レンズ１４の焦点位置へ位置決めするＸＹＺステージ１６、これらの各要素が取り付く基準となる装置のベース１７より成るマスキングブレード結像光学系２は露光々学系１に組み入れることなく独立して設けてあり、両光学系の断続は２枚の平面鏡１９，２２を図示しない駆動源によって出し入れすることで行なうようになっている。（公報第２頁右上欄１０行〜左下欄３行）
　
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された特開平１−９１４１９号公報（以下、引用例３という。）には、以下の点が記載されている。
チ．［従来の技術の説明］半導体露光装置ではマスク上の不要な部分を焼き付けないようマスキング機構をそなえているものがある。この種のマスキング機構は、ステップアンドリピート露光を行なう縮小投影露光装置、いわゆるステッパには、備えられている場合が多い。（公報第１頁右下欄１３〜末行）
　
ツ．ステッパの場合、図の様な構成において、照明光学系の中にマスクの焦点面ａと光学的に共役な面を設け、この位置にマスキング機構を備えている。図中ｃがマスク面ａと共役となる面で、１がマスキング機構を示す。このようにマスク面と共役な面で、遮光板を駆動することにより、露光光の照射サイズを任意に選択し、露光範囲を制限することが可能となる。（公報第２頁左上欄７〜１４行）
　
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された特開平４−３２６５０７号公報（以下、引用例４という。）には、以下の点が記載されている。
テ．【０００３】
　従って、マスク上のパターンをウエハ全面に露光するためには、ウエハをマスクに対し、縮小投影光学系光軸に直交する面内でＸ、Ｙ方向にステップさせるとともに、各露光位置でＺ方向に駆動してウエハ面の焦点合わせを行いながら露光を繰り返す必要がある。これは、ステップアンドリピート方式と呼ばれる。
ト．【００１２】
　操作パネル１４のジョイスティックは複数の機能を有し、例えばマスクステージ２およびウエハステージ５のＸ、Ｙ、θ方向の移動、アライメントスコープ６ａのＸ、Ｙ方向の移動、フォーカシングのためのＺ方向の移動およびズーム動作を行わせることができる。これらの機能は、予めシーケンスの特定箇所でその箇所の動作に関連する機能が自動的に選択されるようにプログラムに設定される。具体的には、スタート待ちの状態ではマスクステージ２およびアライメントスコープ６ａの駆動が可能になり、プリアライメント後やオートアライメント後にはウエハステージ５の駆動が可能になり、それぞれ対応する機能が自動的に選択される。
　【００１３】
　図２において、ウエハステージ５によりウエハ４を露光位置に移動し、焦点検出器２３により焦点ずれを検出し、焦点合わせ制御装置２４によりウエハステージ５上のＺステージ２５を駆動する。これによりウエハ４の焦点合わせが行われる。２２は照明系２１から出た露光光の露光領域をマスクパターンに応じて遮光させるマスキングブレードである。
　
（３）対比
　そこで、本願発明と引用発明とを比較すると、引用発明の「基板４２」、「放射線感光性材料」、「プラスマイナス１度回転」、「相互に垂直な第１、第２の方向」、「基板ホルダー２０と基板移動部材２２」、「マスク４４」、「マスクホルダー２４」、「放射線源１８」、「ステップアンドリピートプロセスでマスク４４の下の基板移動部材２２によって、徐々にまたは段階的に基板４２が動かされる近接露光装置」、「プロキシミティギャップを調整するための機構」、「マスク４４と基板４２とを近接させ」、「ギャップを測定し、調整しながら」、「露光する近接露光」、「基板４２を所定のピッチでステップ移動させ、複数の位置で、マスク４４を介して基板４２に露光を行い、マスク４４のパターンを近接投影露光する」、「マスク露光領域よりも、広い範囲に複数回露光してマスクのパターンよりも大サイズのパターンを焼き付ける」は、本願発明の「基板」、「感光材」、「θ方向」、「Ｘ、Ｙ軸方向」、「ステージ」、「原版」、「原版保持部」、「光源部」、「露光する位置をずらして複数回、露光転写するための露光装置」、「ギヤップ制御機構」、「基板と原版と近接させ」、「間隔を所定のギヤップに保ちながら」、「露光を行う近接露光」、「基板を所定のピッチでステップ移動させ、複数の位置にて原版を介して基板への露光を行い、原版の絵柄を転写露光する」、「原版の絵柄領域よりも広い範囲に複数回露光して原版の絵柄よりも大サイズの絵柄を設ける」に相当する。
　
　そして、引用発明においても、基板の放射線感光性材料を上にして保持することは自明である。
　
　また、引用発明においても、ステップアンドリピートプロセスで集積電子素子の製造に用いられることから、ステージが微動制御できることは自明である。
　また、引用発明においても、基板に対して、マスクのパターンを近接焦点合わせしているので、パターンを等倍で露光転写していることは、自明である。
　
　したがって、本願補正発明と引用発明とは、「基板を感光材面を上にして保持して、Ｘ、Ｙ軸方向及びθ方向に微動制御でき、且つ、少なくともＸ、Ｙ方向の１方向に所定の距離だけステップ移動できるステージと、基板上側に原版を保持する原版保持部と、原版の面から基板側へ露光光を照射するための光源部とを有し、原版の絵柄を等倍にて、露光する位置をずらして複数回、露光転写するための露光装置であって、該基板と原版とのギヤップを制御するギヤップ制御機構とを備え、基板と原版と近接させ、間隔を所定のギヤップに保ちながら露光を行う近接露光にて、基板を所定のピッチでステップ移動させ、複数の位置にて原版を介して基板への露光を行い、原版の絵柄を転写露光するものであり、且つ、原版の絵柄領域よりも広い範囲に複数回露光して原版の絵柄よりも大サイズの絵柄を設けるものであることを特徴とする基板用露光装置。」の点で一致し、以下の点で相違している。
　
相違点１
　本願発明は、ステージがＺ方向に移動できるのに対して、引用発明は、その点の記載がない点。
　
相違点２
　本願発明は、原版のマスク面を下にして保持し、裏面から露光光を照射しているのに対して、引用発明は、その点の記載がない点。
　
相違点３
　本願発明は、自動アライメント機構を有しているのに対して、引用発明は、その点の記載がない点。
　
相違点４
　本願発明は、原版の絵柄領域を遮蔽することにより露光領域を制御する露光領域制御機構を有しているのに対して、引用発明は、その点の記載がない点。
　
相違点５
　本願発明は、転写に際して原版のたわみが許容範囲を超えるマスクサイズに相当する大サイズ基板であり、それに用いる原版は、転写に際してのたわみが許容範囲内となるサイズである点を限定しているのに対して、引用発明は、その点の記載がない点。
　
（４）判断
相違点１について
　本願発明のテーブルのＺ方向移動は、原版と基板とのギャップ調整のために行われるものであり、引用発明では、マスクと基板との間隔の調整、即ち、Ｚ方向移動をマスクホルダー側で行っており、いずれの側に移動機構を配置するかは、当業者が必要に応じてなし得る設計事項である。
　
相違点２について
　原版のマスク面を下にして保持し、裏面から露光光を照射することは、従来周知（例えば、特開平６−３４７９９８号公報、特開平５−１７５１０４号公報（図１６）、実願平２−８５９２６号（実開平４−４４１３７号公報）のマイクロフィルム（第４図）、特開平２−２５１８５１号公報（第１図〜第３図）参照）であり、引用発明においても、原版をそのように保持することは、当業者にとって容易である。
　
相違点３について
　引用発明においても、マスク参照マークと基板アライメントマークを直接一致させる自動デジタル画像処理装置を有しており、さらにこの種の装置において、アライメント機構を有していることは自明であるので、それを自動アライメント機構とすることは、当業者にとって容易である。
　
相違点４について
　原版の絵柄領域を遮蔽することにより露光領域を制御することは、従来周知（例えば、引用例２、引用例３、引用例４、特開平３−１９１３４９号公報（［課題を解決するための手段］の欄、及び第２図〜第４図）参照）であり、引用発明においても、露光領域制御機構を備えることは、当業者にとって容易である。
　
相違点５について
　基板やマスクが大面積のものになると、平面度を適切に保つことが難しくなるので、プロキシミティ露光において、問題となることが、上記記載事項イ．に示されている。また、引用例１以外にも、マスクが大サイズになると自重でたわみ正しい露光ができないことが示されている（例えば、特開平７−２１９２１２号公報、特開平７−５０２３９号公報、特開平５−２９１１１２号公報参照）。
　一方、上記記載事項サ．にも示されるように、基板に対して、原版のサイズができるだけ大きい方が、露光回数が少なくてすむことも当業者にとって自明なことである。
　このような認識のある当業者にとって、基板の大きさが、原版のたわみが許容範囲を超えるマスクサイズに相当する大サイズな基板である場合に、原版の大きさを転写に際してのたわみが許容範囲内となるサイズであるようにすることは、格別の創意工夫を必要とすることではなく、容易になし得ることである。
　
　また、本願発明の効果も引用例１の記載、及び従来周知の技術事項から予測される程度のものにすぎない。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１、及び従来周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。