Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月27日(2012.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空間的に分配されたシーケンシャルにスイッチ可能なＸ線源のアレイを有するＸ線スキャナシステムであって、前記Ｘ線源は所与のスイッチング周波数でプログラム可能なスイッチングシーケンスによりアドレスされ、各Ｘ線源は、焦点スポットの位置でアノードに衝突する入力電子ビームの方向に垂直な面に対して鋭角に傾斜した平面的なＸ線放射表面を持つ前記アノードと、固定基準位置に対して前記アノードの少なくとも一つの並進及び／又は回転変位の動きを実施するための少なくとも一つの集積されたアクチュエータユニットとを有する、Ｘ線スキャナシステム。
【請求項２】
前記少なくとも一つの集積されたアクチュエータユニットは、電場が印加されるとき、機械的ストレス又は歪みを生成するピエゾクリスタルアクチュエータにより与えられる、請求項１に記載のＸ線スキャナシステム。
【請求項３】
通常の動作温度と前記焦点スポット位置での前記アノードの温度との偏差に依存して前記少なくとも一つの集積されたアクチュエータユニットにより実施される前記アノードの並進及び／又は回転変位の動きのサイズ、方向、速度及び／又は加速度を制御するためのアクチュエータ制御ユニットを有する、請求項１又は２に記載のＸ線スキャナシステム。
【請求項４】
前記アクチュエータ制御ユニットは、前記Ｘ線スキャナシステムにより実行される画像取得手順が、ぼやけ又は時間的エリアジング偽信号なしに対象の画像ボリュームの正確な３Ｄ再構成を可能にする２Ｄ投影画像のセットを生じるように、前記Ｘ線源をシーケンシャルにスイッチングするためスイッチング周波数に依存して、前記少なくとも一つの集積されたアクチュエータユニットにより実施される前記アノードの並進及び／又は回転変位の動きのサイズ、方向、速度及び／又は加速度を制御する、請求項３に記載のＸ線スキャナシステム。
【請求項５】
各Ｘ線源は、前記Ｘ線源のアノードのＸ線放射表面上の焦点スポットの位置に電子ビームを焦点合わせするための少なくとも一つの焦点ユニットと、前記少なくとも一つの固定の電子ビーム放射カソードに対する前記アノードの並進及び／又は回転変位からの結果的な焦点スポットサイズの偏差が補償されるように、前記アノードの焦点スポットの焦点合わせを調整するための焦点制御ユニットとを有する、請求項１乃至４の何れか一項に記載のＸ線スキャナシステム。
【請求項６】
前記アノードの並進変位の動きが、前記アノードの傾斜角の方向に直線的な変位線に沿って動く、請求項１乃至５の何れか一項に記載のＸ線スキャナシステム。
【請求項７】
前記アクチュエータ制御ユニットは、前記アノードにより放射されるＸ線ビームが同じＸ線ビーム方向を導き、よって、前記アノードの傾斜角及び前記変位の動きに関係なく同じ視野を導くように、前記少なくとも一つの集積されたアクチュエータユニットを制御する、請求項３又は４に記載のＸ線スキャナシステム。
【請求項８】
前記アノードの並進及び／又は回転変位の動きのサイズが前記焦点スポットサイズの範囲内又は前記焦点スポットサイズより大きい、請求項１乃至７の何れか一項に記載のＸ線スキャナシステム。
【請求項９】
前記空間的に分配されたＸ線源が、カーボンナノチューブの形式で電界放出カソードを使用して多くの個別にアドレス可能なＸ線マイクロ源により与えられる、請求項１乃至８の何れか一項に記載のＸ線スキャナシステム。
【請求項１０】
前記少なくとも一つの固定の電子ビーム放射カソードがカーボンナノチューブ技術で実現される、請求項１乃至９の何れか一項に記載のＸ線スキャナシステム。
【請求項１１】
本質的にディスク形状の回転アノードを具備する回転アノードタイプの少なくとも一つのＸ線源を有するＸ線スキャナシステムであって、前記少なくとも一つのＸ線源の前記回転アノードが、焦点スポットの位置で前記回転アノードに衝突する入力電子ビームの方向に垂直な面に対して鋭角に傾斜した平面的なＸ線放射表面を持ち、固定の取付プレートに対して前記少なくとも一つのＸ線源の回転アノードの少なくとも一つの並進変位の動きを実施するための少なくとも一つの集積されたアクチュエータユニットと、通常の動作温度と前記焦点スポット位置での前記アノードの温度との偏差に依存して前記少なくとも一つの集積されたアクチュエータユニットにより実施される前記回転アノードの並進変位の動きのサイズ、方向、速度及び／又は加速度を制御するためのアクチュエータ制御ユニットと、前記回転アノードの並進変位の動きの方向と反対の方向に前記電子ビームを偏向する電場及び／又は磁場を生成するための少なくとも一つの偏向手段と、前記固定の取付プレートに対して前記回転アノードの前記並進変位からの結果的な前記焦点スポット位置の偏差が補償されるように、電場及び／又は磁場の強さを調整するための偏向制御ユニットとを有する、Ｘ線スキャナシステム。
【請求項１２】
前記少なくとも一つの集積されたアクチュエータユニットは、電場が印加されるとき機械的ストレス又は歪みを生成するピエゾクリスタルアクチュエータ又は電気的モータにより与えられる、請求項１１に記載のＸ線スキャナシステム。
【請求項１３】
前記アノードの並進変位の動きが、前記アノードの傾斜角の方向に直線的な変位線に沿って動く、請求項１１又は１２に記載のＸ線スキャナシステム。
【請求項１４】
本質的にディスク形状の回転アノードを持つ各Ｘ線源を具備する回転アノードタイプの２つ以上のＸ線源を有するＸ線スキャナシステムであって、これら回転アノードの各々が、焦点スポットの位置でそれぞれの前記回転アノードに衝突する入力電子ビームの方向に垂直な面に対して鋭角に傾斜した平面的なＸ線放射表面を持ち、固定の取付プレートに対して各Ｘ線源を動かすことにより少なくとも一つの並進変位の動きを実施するための少なくとも一つの集積されたアクチュエータユニットと、
互いに対して前記２つ以上のＸ線源の位置での少なくとも一つの並進変位の動きを実施するための少なくとも一つの他の集積されたアクチュエータユニットと、前記回転アノードの並進変位の動きの方向と反対の方向に前記電子ビームを偏向する電場及び／又は磁場を生成するための少なくとも一つの偏向手段と、
前記Ｘ線源の回転アノードから放射されるＸ線放射により放射されたＸ線検出器に対するそれぞれのＸ線源の焦点スポット位置の偏差が補償されるように電場及び／又は磁場の強さを調整するための偏向制御ユニットとを有し、前記偏差は、前記固定の取付プレートに対する前記回転アノードの並進変位からである、Ｘ線スキャナシステム。
【請求項１５】
通常の動作温度と前記焦点スポット位置での前記回転アノードの温度との偏差に依存して前記少なくとも一つの集積されたアクチュエータユニットにより実施されるそれぞれの回転アノードの並進変位の動きのサイズ、方向、速度及び／又は加速度を制御するためのアクチュエータ制御ユニットを有する、請求項１４に記載のＸ線スキャナシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月14日(2012.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
図３において、「活性化処理」と示されたデータは実施例４に関連し、「未処理」と示されたデータは比較例３に関連する。図４において、「活性化処理」と示されたデータは実施例４に関連し、「未処理」と示されたデータは比較例３に関連する。本発明の実施態様の一部を以下の項目１−６に列記する。
［１］
次の工程を含む膜電極接合体の活性化処理方法
アルコール水溶液を準備する工程
前記アルコール水溶液に膜電極接合体を接触させる工程
前記アルコール水溶液に接触させた該接合体を洗浄する工程。
［２］
前記アルコール水溶液に膜電極接合体を接触させる工程において、前記アルコール水溶液濃度が、水１００質量部に対し、アルコール１ないし１００質量部であり、該水溶液の温度が、１０℃ないし沸騰温度の範囲にある項目１記載の膜電極接合体の活性化処理方法。
［３］
前記アルコール水溶液は、メタノール水溶液である項目１又は２記載の膜電極接合体の活性化処理方法。
［４］
前記膜電極接合体は、炭素水素系材料からなるイオン伝導層を有する項目１ないし３のいずれか１項に記載の膜電極接合体の活性化処理方法。
［５］
項目１ないし４のいずれか１項に記載の活性化処理方法により処理した膜電極接合体。
［６］
項目５に記載の膜電極接合体を用いた固体高分子型燃料電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の工程を含む膜電極接合体の活性化処理方法
アルコール水溶液を準備する工程
前記アルコール水溶液に膜電極接合体を接触させる工程
前記アルコール水溶液に接触させた該接合体を洗浄する工程。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月14日(2012.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明用固定具であって、
固定具ハウジングと、
前記ハウジング内に配置された光源と、
前記ハウジングに取り付けられて前記光源に電気的に接続された２ピンコネクタと、
を備え、前記２ピンコネクタに含まれるがピンが、該ピンの間に介在する回転軸の周りを前記ハウジングに対して回転する、
ことを特徴とする照明用固定具。
【請求項２】
２ピンキャップと付勢要素とをさらに備え、前記ピンは、前記キャップから前記回転軸に平行な方向に延び、前記付勢要素は、前記２ピンキャップを前記回転軸に平行な方向に前記固定具ハウジングから離すように強制する、
ことを特徴とする請求項１に記載の照明用固定具。
【請求項３】
前記横方向スロット内に収容された少なくとも１つのスプリングクリップをさらに備え、前記延長部は、前記スプリングクリップと協働する戻り止めを含む、
ことを特徴とする請求項２に記載の照明用固定具。
【請求項４】
照明器具であって、
照明器具ハウジングと、
前記ハウジングに配置された光源と、
前記ハウジングに取り付けられて前記光源に電気的に接続された第１の２ピンコネクタと、
前記ハウジングに取り付けられて前記光源から電気的に絶縁された第２の２ピンコネクタと、
を備えることを特徴とする照明器具。
【請求項５】
前記２ピンコネクタの各々に含まれるピンが、該ピンの間に介在する回転軸の周りをハウジングに対して回転する、
ことを特徴とする請求項４に記載の照明器具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
特定の実施形態に関連して２ピンコネクタについて説明した。以上の説明を読んで理解した者には、修正及び改変が思い浮かぶであろう。本発明は、本明細書で開示した実施形態のみに限定されるものではない。むしろ、本発明は添付の特許請求の範囲及びこの同等物により定義される。
本発明は、以下のような態様とすることもできる。
（１）ピンは、ハウジングに対して回転軸を横切る方向に動くことができる。
（２）ハウジングに接続されたエンドキャップをさらに備え、該エンドキャップは、２ピンコネクタを収容する少なくとも１つの横方向スロットを含む。
（３）光源は、各々が同じ方向を向く複数の発光ダイオードである。
（４）ハウジングに取り付けられた追加の２ピンコネクタをさらに備え、該追加の２ピンコネクタに含まれるピンが、該ピンの間に介在する回転軸の周りをハウジングに対して回転する。
（５）追加の２ピンコネクタは、電源に電気的に接続されない。
（６）照明器具のための２ピンコネクタであって、関連する照明器具ハウジングに取り付けられるように構成された基部と、ピンと、を備え、ピンは、各ピンから間隔をあけて存在する回転軸の周りを基部に対して回転する。
（７）２ピンコネクタ本体をさらに備え、ピンは、２ピンコネクタ本体から回転軸に平行な方向に延び、２ピンコネクタは、基部に接続するとともに該基部に対して回転する。
（８）スプリングをさらに備え、２ピンコネクタ本体は、キャップ及びカラーを含み、ピンは、キャップから延び、基部は、開口部を含み、カラーは、基部内の開口部に収容され、スプリングは、カラー及びキャップを付勢してキャップを基部から離すように強制する。
（９）２ピンコネクタ本体は、２ピンコネクタ本体の基部に対する回転を容易にするための関連するツールに係合する平坦部又はスロットを備える。
（１０）基部は、戻り止めを有する一体形成された延長部を含む。
（１１）ピンが、電気的に絶縁されるとともに、関連する照明器具に電力を供給するためのワイヤに接続されない。
（１２）２ピンコネクタの各々に含まれるピンが、ハウジングに対して平行移動する。
（１３）照明用固定具であって、固定具ハウジングと、ハウジング内に配置された光源と、ハウジングに取り付けられて光源に電気的に接続された２ピンコネクタと、を備え、２ピンコネクタは、軸に平行な第１の方向に延びるピンを含み、該ピンは、ハウジングに対して軸と直交する方向に平行移動する。
（１４）ピンは、軸の周りをハウジングに対して回転する。
（１５）ハウジングに取り付けられた追加の２ピンコネクタをさらに備え、該追加の２ピンコネクタは、光源から電気的に絶縁される。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月14日(2012.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体（５）と、半導体層列を含む半導体本体（２）と、第１のコンタクト（３５）と、第２のコンタクト（３６）とを有する、放射を放出する半導体チップ（１）において、
・前記半導体層列は、放射を生成するために設けられた活性領域（２０）を有し、該活性領域（２０）は第１の半導体層（２１）と第２の半導体層（２２）との間に配置されており、
・前記支持体（５）は、前記半導体本体（２）に対向する主面（５１）を有し、
・前記半導体本体（２）の半導体層列の成長に使用される成長基板は除去されており、前記支持体（５）が該半導体本体を機械的に安定化し、
・前記第１の半導体層（２１）は、前記支持体（５）の主面（５１）に対向する前記活性領域（２０）の側に配置されており、前記第１のコンタクト（３５）によって電気的にコンタクトできるように設けられており、
・前記第２の半導体層（２２）は、前記第２のコンタクト（３６）によって電気的にコンタクトできるように設けられており、
・前記第１のコンタクト（３５）と前記第２のコンタクト（３６）との間において前記支持体（３５）を貫通する電流路に保護ダイオード（４）が形成されている
ことを特徴とする、発光半導体チップ。
【請求項２】
前記保護ダイオード（４）は、前記第１のコンタクト（３５）と前記支持体（５）との間に形成されたショットキーダイオードである、請求項１記載の発光半導体チップ。
【請求項３】
前記保護ダイオード（４）は、前記主面（５１）によって形成された金属‐半導体接合部によって形成されている、請求項１または２記載の発光半導体チップ。
【請求項４】
前記半導体本体（２）は前記支持体（５）に素材結合されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の発光半導体チップ。
【請求項５】
前記第１のコンタクト（３５）は前記支持体（５）の主面（５１）に配置されている、請求項１から４までのいずれか１項記載の発光半導体チップ。
【請求項６】
前記第１のコンタクト（３５）と前記第２のコンタクト（３６）とは、前記支持体（５）の相互に対向する面に配置されている、請求項１から５までのいずれか１項記載の発光半導体チップ。
【請求項７】
前記半導体本体（２）と前記支持体（５）との間に第１の接続層（３１）が配置されており、
前記第１の半導体層（２１）は前記第１の接続層（３１）に導電接続されている、請求項１から６までのいずれか１項記載の発光半導体チップ。
【請求項８】
前記第１の接続層（３１）は注入層（３１０）と接合層（３１１）とを有し、
前記注入層（３１０）は前記半導体本体（２）に接し、前記接合層（３１１）は前記支持体（５）に接する、請求項７記載の発光半導体チップ。
【請求項９】
前記保護ダイオード（４）は前記接合層（３１１）によって形成されている、請求項８記載の発光半導体チップ。
【請求項１０】
前記半導体本体（２）は、前記活性領域（２０）を貫通する少なくとも１つの溝穴（２５）を有し、
前記溝穴（２５）は、前記第２の半導体層（２２）の電気的コンタクトを行うように設けられている、請求項１から９までのいずれか１項記載の発光半導体チップ。
【請求項１１】
前記第２の半導体層（２２）は、前記溝穴（２５）を通って延在する第２の接続層（３２）に導電接続されている、請求項１０記載の発光半導体チップ。
【請求項１２】
前記第２の接続層（３２）は局所的に、前記第１の接続層（３１）と前記支持体（５）との間に形成されている、請求項７から９までのいずれか１項を引用する請求項１１記載の発光半導体チップ。
【請求項１３】
当該発光半導体チップ（１）を上から見た場合、前記保護ダイオード（４）は前記第１のコンタクト（３５）と重なる、請求項１から１２までのいずれか１項記載の発光半導体チップ。
【請求項１４】
前記支持体（５）は半導体材料を含有する、請求項１から１３までのいずれか１項記載の半導体チップ。
【請求項１５】
前記半導体本体（２）と前記支持体（５）との間に第１の接続層（３１）が配置されており、前記第１の半導体層（２１）と該第１の接続層（３１）とが導電接続されており、 前記半導体本体（２）は、前記第２の半導体層（２２）の電気的コンタクトのために前記活性領域（２０）を貫通するように設けられた少なくとも１つの溝穴（２５）を有し、
前記第２の接続層（３２）が前記溝穴（２５）を貫通して、前記第２の半導体層（２２）と該第２の接続層（３２）とが導電接続されており、
前記第２の接続層（３２）は局所的に、前記第１の接続層（３１）と前記支持体（５）との間に形成されている、請求項１から１４までのいずれか１項記載の半導体チップ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月27日(2012.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その場光学監視システムを使用して少なくとも１つの現在のスペクトルを得るステップであって、前記現在のスペクトルが、研磨を受けている最外層および少なくとも１つの下位層を有する基板から反射される光のスペクトルであるステップと、
前記現在のスペクトルを複数の異なる基準スペクトルと比較するステップであって、前記複数の基準スペクトルが、同じ厚さを有する最外層および異なる厚さを有する下位層を有する基板から反射される光のスペクトルを表しているステップと、
前記比較するステップに基づき、研磨を受けている前記最外層を有する前記基板について、研磨終点に達したかどうかを決定するステップと
を含むコンピュータで実施される方法。
【請求項２】
前記研磨終点に達したかどうかを決定するステップが、前記現在のスペクトルと前記基準スペクトルとの差を計算するステップを包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記研磨終点に達したかどうかを決定するステップが、前記差の少なくとも１つがしきい値に達したかどうかを決定するステップを包含する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記差の前記少なくとも１つが前記差のうちの最小差である、又は、前記差の中央値である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記研磨終点に達したかどうかを決定するステップが、前記差の少なくとも１つがしきい値に達したときに終点検出アルゴリズムを起動するステップを包含する、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記研磨終点に達したかどうかを決定するステップが、各々がプラテンの回転について計算される前記差の最小を表す複数の点を包含する差トレースを生成するステップを包含する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記終点検出アルゴリズムが、前記差トレースが最低値に達したかどうかを決定するステップを包含する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記差トレースが最低値に達したかどうかを決定するステップが、前記差トレースの勾配を計算するステップを包含する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記終点検出アルゴリズムは、前記差トレースが、前記最低値を上回るしきい値まで上昇したかどうかを決定するステップを包含する、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
複数の現在のスペクトルを異なる時間に得るステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記複数の現在のスペクトルが、前記基板を横断する前記その場光学監視システムの複数の掃引に基づく一連の現在のスペクトルを包含する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記複数の現在のスペクトルが、前記基板を横断する前記その場光学監視システムの１回の同一の掃引に基づく複数の現在のスペクトルを包含する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記複数の現在のスペクトルと前記複数の基準スペクトルとの複数の差を生成するために、前記同一の掃引に基づく前記複数の現在のスペクトルを前記複数の基準スペクトルと比較するステップをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記複数の差の最小を決定するステップおよび前記複数の差の前記最小を使用して研磨終点に達したかどうかを決定するステップをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
その場光学監視システムを使用して少なくとも１つの現在のスペクトルを得るステップであって、前記現在のスペクトルが、研磨を受けている最外層および少なくとも１つの下位層を有する基板から反射される光のスペクトルであるステップと、
前記現在のスペクトルを複数の異なる基準スペクトルと比較するステップであって、前記複数の基準スペクトルが、同じ厚さを有する最外層および異なる厚さを有する下位層を有する基板から反射される光のスペクトルを表しているステップと、
前記比較するステップに基づいて、研磨を受けている前記最外層を有する前記基板について、研磨終点に達したかどうかを決定するステップと
を含む動作を、データ処理装置に行わせるように動作可能な、有形プログラムキャリア上にエンコードされるコンピュータプログラム製品。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月13日(2012.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学薬品を洗濯機に供給するための化学薬品供給システムであって、
前記化学薬品供給システムが、
マシンインターフェースと、
ポンプインターフェースと、
前記マシンインターフェース及び前記ポンプインターフェースに機能的に結合されているマイクロ制御装置であって、前記マシンインターフェースから受信した信号に応答して、基本動作モードに従って前記ポンプインターフェースに化学薬品を供給させる前記基本動作モードを有している前記マイクロ制御装置と、
拡張モジュールインターフェースを有していると共に、前記拡張モジュールインターフェースを介して前記マイクロ制御装置と通信する少なくとも１つの拡張モジュールと、
を備えている前記化学薬品供給システムにおいて、
少なくとも１つの前記拡張モジュールが、前記化学薬品供給システムの基本動作を超えて、前記化学薬品供給システムの能力を拡張することを特徴とする化学薬品供給システム。
【請求項２】
前記拡張モジュールインターフェースが、前記基本動作モードとは異なる動作モードに従って、前記マシンインターフェースから受信した信号に応答して前記マイクロ制御装置に化学薬品を供給させる前記マイクロ制御装置に、化学薬品を供給するためのプログラムファイルを書き込むことによって、前記基本動作を超えて前記化学薬品供給システムの能力を拡張することを特徴とする請求項１に記載の化学薬品供給システム。
【請求項３】
前記拡張モジュールインターフェースが、前記マイクロ制御装置から化学薬品を供給するためのプログラムファイルを読み込むことによって、前記化学薬品供給システムの前記基本動作を超えて、前記化学薬品供給システムの能力を拡張することを特徴とする請求項１に記載の化学薬品供給システム。
【請求項４】
前記マイクロ制御装置が、少なくとも１つのＵＳＢポートを備えており、
少なくとも１つの前記ＵＳＢポートが、少なくとも１つの前記拡張モジュールと前記マイクロ制御装置との通信のために利用されることを特徴とする請求項１に記載の化学薬品供給システム。
【請求項５】
前記拡張モジュールインターフェースが、データストレージ装置であることを特徴とする請求項４に記載の化学薬品供給システム。
【請求項６】
前記ＵＳＢポートが、化学薬品を供給するためのプログラムファイルを読み書きするために利用されることを特徴とする請求項４に記載の化学薬品供給システム。
【請求項７】
前記化学薬品を供給するためのプログラムファイルが、前記化学薬品供給システムを自動的に構成するために利用されることを特徴とする請求項６に記載の化学薬品供給システム。
【請求項８】
前記ＵＳＢポートが、化学薬品供給の活動記録を書き込むために利用されることを特徴とする請求項４に記載の化学薬品供給システム。
【請求項９】
前記化学薬品供給システムが、前記マイクロ制御装置と通信するコンピュータを備えており、
データが、前記コンピュータと前記マイクロ制御装置との間において転送されることを特徴とする請求項１に記載の化学薬品供給システム。
【請求項１０】
前記データが、化学薬品を供給するためのプログラム、化学薬品供給の活動記録、及びこれらの組み合わせから選定されることを特徴とする請求項９に記載の化学薬品供給システム。
【請求項１１】
前記コンピュータが、前記コンピュータにおいて実行されるアプリケーションソフトウェアを含んでおり、
前記アプリケーションソフトウェアが、前記化学薬品供給システムを自動的に構成するためのデータを生成するように設計されていることを特徴とする請求項９に記載の化学薬品供給システム。
【請求項１２】
前記拡張モジュールが、前記マシンインターフェース、前記ポンプインターフェース、機械装置、付加的な拡張モジュール、コンピュータ、又はコンピュータネットワークとの無線接続を確立することを特徴とする請求項１に記載の化学薬品供給システム。
【請求項１３】
化学薬品を洗濯機に供給するための化学薬品供給システムを調整するための方法であって、
マイクロ制御装置のマシンインターフェースから動作状態を表わす信号を受信するステップと、
前記マシンインターフェースから受信した信号に応答して、前記マイクロ制御装置内の１つ以上の化学薬品の供給に関するファイルによって規定される基本動作モードに従って化学薬品を前記洗濯機に供給させる制御信号を、前記マイクロ制御装置からポンプインターフェースに送信するステップと、
前記マイクロ制御装置と拡張モジュールインターフェースを有している拡張モジュールとの通信を確立するステップと、
少なくとも１つの前記拡張モジュールを利用することによって、前記基本動作モードを超えて、化学薬品供給システムの能力を拡張するステップと、
を備えていることを特徴とする方法。
【請求項１４】
少なくとも１つのＵＳＢポートを利用することによって、前記マイクロ制御装置と前記拡張モジュールとの通信を確立するステップを備えていることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ＵＳＢポートを利用することによって、前記マイクロ制御装置から化学薬品を供給するためのプログラムファイルを読み込むステップを備えていることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ＵＳＢポートを利用することによって、化学薬品を供給するためのプログラムファイルを前記マイクロ制御装置に書き込むステップを備えていることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記化学薬品を供給するためのプログラムファイルを利用することによって、化学薬品の供給に関するファイルを自動的に構成するステップを備えていることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記マシンインターフェース、前記ポンプインターフェース、機械装置、付加的な拡張モジュール、コンピュータ、又はコンピュータネットワークに対する拡張モジュールを利用することによって、無線通信を確立するステップを備えていることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
前記化学薬品供給システムが、
化学薬品用容器と、
前記洗濯機と、
を備えており、
前記ポンプインターフェースが、前記洗濯機を前記化学薬品用容器内の化学薬品に流体的に結合しており、前記マイクロ制御装置からの信号に応答して、所望の量の化学薬品を前記洗濯機に供給させることを特徴とする請求項１に記載の化学薬品供給システム。
【請求項２０】
前記マシンインターフェースが、前記洗濯機からの信号を受信するために前記洗濯機に機能的に結合しており、前記洗濯機からの信号に応答して、前記洗濯機の動作状態を示す信号を前記マイクロ制御装置に送信することを特徴とする請求項１９に記載の化学薬品供給システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月20日(2011.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の第１態様は、集積回路ユニットの複数の基板を切断するシステムであって、１つの基板を受け取るトレイをそれぞれ複数備え、かつ、基板を受け取る搭載ステーションと基板を切断する切断ステーションとの間を選択的に移動可能である複数のテーブルと、テーブルの各トレイ上へ基板を配置する基板配置装置であって、基板を把持して各トレイへ運搬するフレーム運搬機を備える基板配置装置とを備え、基板配置装置は、連続して基板をテーブル上に配置し、テーブルは、基板を受け取った後に連続して切断ステーションへ移動し、その後次の基板を配置するために各搭載ステーションへ戻るシステムを提供する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の第２態様は、集積回路ユニットの複数の基板を切断する方法であって、選択的に移動可能なテーブルを少なくとも２つ提供する工程と、基板を把持して各トレイへ運搬するフレーム運搬機を備える基板配置装置を用いて、１つの基板を受け取るトレイを複数備えたテーブルのうち、第１のテーブルに、複数の基板のうちの一部を搭載する工程と、第１のテーブルを切断ステーションへ移動させる工程と、基板を切断する工程と、基板配置装置を用いて、第２のテーブルに複数の基板のうちのさらなる一部を搭載する工程と、第１のテーブルから切断された基板を移動させる工程と、第１のテーブルを第１の搭載ステーションへ移動させる工程と、第２のテーブルを切断ステーションへ移動させる工程と、第２のテーブル上の基板を切断する工程と、第２のテーブルから切断された基板を除去する工程と、第２のテーブルを第２の搭載ステーションへ移動させる工程とを備える方法を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路ユニットの複数の基板を切断するシステムであって、
１つの基板を受け取るトレイをそれぞれ複数備え、かつ、基板を受け取る搭載ステーシ
ョンと基板を切断する切断ステーションとの間を選択的に移動可能である複数のテーブル
と、
テーブルの各トレイ上へ基板を配置する基板配置装置であって、基板を把持して各トレイへ運搬するフレーム運搬機を備える基板配置装置とを備え、
基板配置装置は、連続して基板をテーブル上に配置し、テーブルは、基板を受け取った
後に連続して切断ステーションへ移動して、その後次の基板を配置するために各搭載ステ
ーションへ戻るシステム。
【請求項２】
テーブル上に配置された基板を検査するアラインメント検査ステーションを備え、
アラインメント検査ステーションは、各搭載ステーションおよび切断ステーションの間
に設けられる、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
各搭載ステーションは共通の直線型レールに沿って設けられ、テーブルもその直線型レ
ールに沿って選択的に移動する、請求項１又は２に記載のシステム。
【請求項４】
各テーブルは、共通の直線型レールと切断ステーションとの間を直交するレールに沿って選択的に移動可能である、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
アラインメント検査ステーションは、第２の直線型レールに沿って移動可能な撮像装置
を備え、撮像装置は、テーブルが各搭載ステーションにあるときに基板を検査する、請求
項２から４のいずれか１つに記載のシステム。
【請求項６】
切断ステーションにあるテーブルから単体化された集積回路ユニットを除去するユニッ
ト除去装置を備える、請求項１から５のいずれか１つに記載のシステム。
【請求項７】
ユニット除去装置と接触しているユニットを検査するユニット検査ステーションを備え
る、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
集積回路ユニットの複数の基板を切断する方法であって、
選択的に移動可能なテーブルを少なくとも２つ提供する工程と、
基板を把持して各トレイへ運搬するフレーム運搬機を備える基板配置装置を用いて、１つの基板を受け取るトレイを複数備えたテーブルのうち、第１のテーブルに、複数の基板のうちの一部を搭載する工程と、
第１のテーブルを切断ステーションへ移動させる工程と、
基板を切断する工程と、
基板配置装置を用いて、第２のテーブルに複数の基板のうちのさらなる一部を搭載する工程と、
第１のテーブルから切断された基板を移動させる工程と、
第１のテーブルを第１の搭載ステーションへ移動させる工程と、
第２のテーブルを切断ステーションへ移動させる工程と、
第２のテーブル上の基板を切断する工程と、
第２のテーブルから切断された基板を除去する工程と、
第２のテーブルを第２の搭載ステーションへ移動させる工程とを備える方法。
【請求項９】
続くテーブルに対して一連の工程を繰り返す工程を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
各切断工程後の各テーブルから切断された基板をユニット除去装置により除去する工程
を含む、請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１１】
各テーブルに配置された各基板を各切断工程前に検査する工程を含む、請求項８から１
０のいずれか１つに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月9日(2012.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明システムであって、
ｍ個のそれぞれの長手方向に光をガイドすることができるｍ個の光ガイドであって、前記ｍ個の光ガイドそれぞれが、コア及び２つの光学的に平滑な面を含み、前記光学的に平滑な面が、ｍ個のそれぞれの前記長手方向に対して実質的に垂直に揃えられている、ｍ個の光ガイドと、
ｎ個の空洞であって、前記ｎ個の空洞のそれぞれが開口部と、前記開口部に相対する反射−透過性表面とを含み、前記空洞が２つの光学的に前記平滑な面に隣接している、ｎ個の空洞と、
前記ｎ個の空洞にそれぞれ隣接して配置され、前記ｎ個の空洞の前記開口部を閉塞させるｎ個のカバーであって、前記ｎ個のカバーはそれぞれ、前記ｎ個の空洞のそれぞれの前記反射−透過性表面に光学的に導通しているｎ個の光源を含み、前記ｎ個の光源から放射された光の大半が前記ｎ個の空洞のそれぞれの前記反射−透過性表面によって反射されて前記ｍ個の光ガイドに注入され、前記ｎ個の光源から放射された光の小部分が、前記ｎ個の空洞のそれぞれの前記反射−透過性表面を透過し、前記照明システムから放射される、ｎ個のカバーと、を含み、
ここにおいてｍ及びｎは１以上の独立な整数である、
照明システム。
【請求項２】
光注入カプラであって、
第一、第二、及び第三の開口部を有する、光学的に透過性のハウジングと、
前記第一、第二、及び第三の開口部の間に延在する導管であって、前記第一及び第二の開口部それぞれが互いの間に空洞を維持しながら少なくとも１つの光ガイドの少なくとも２つの末端部分に嵌合するよう適合され、前記少なくとも２つの末端部分が少なくとも第一及び第二のそれぞれの長手方向に光をガイドすることができ、前記導管が、前記空洞に隣接し前記第三の開口部に相対する反射−透過性表面を有し、それぞれの前記少なくとも２つの末端が、それぞれの長手方向に対し実質的に垂直に揃えられている光学的に平滑な面を有する、導管と、
光源を含むカバーであって、前記カバーが前記ハウジングに固定され、前記ハウジングの前記第三開口部に隣接して配置され、前記第三開口部を閉塞させ、前記光源が反射−透過性表面に光学的に導通し、ここにおいて前記光源から放射された光の大半が前記反射−透過性表面によって反射され、前記少なくとも第一及び第二末端部分に注入され、並びに前記光源から放射された光の小部分が前記反射−透過性表面を透過し、光学的に透過性の前記ハウジングを透過する、カバーと、を含む、
光注入カプラ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月16日(2012.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面上に凹部を有する電池ケースであって、該凹部は平坦であり、該凹部の少なくとも3つの側面はリッジ部分で該主表面の残余部と境をなしており、ここで、a)概ね平坦な表面の全表面積に対する凹部のパーセント表面積：b)電池ケースの幅に対する凹部の深さの割合が約5：1から約45：1の間の範囲内にあって、ここで、該凹部、該リッジ部分および該主表面の残余部がゲージ圧上昇下で協働することにより、該リッジ部分と該主表面の残余部の境界によって画定される水平面の位置が変わる、電池ケース。
【請求項２】
該凹部の少なくとも一部分が、ゲージ圧上昇下でゲージ圧上昇前の水平面の位置を超える点まで撓み、該リッジ部分と該凹部の境界は、該リッジ部分と該主表面(plane)の残余部の境界によって画定される水平面に対して、少なくとも2kg/cm2のゲージ圧まで凹んだままである、請求項１記載の電池ケース。
【請求項３】
該凹部の少なくとも一部分が、ゲージ圧上昇下でゲージ圧上昇中の水平面の位置を超える点まで撓み、該リッジ部分と該凹部の境界が、該リッジ部分と該主表面の残余部の境界によって画定される水平面に対して、少なくとも4kg/cm2のゲージ圧まで凹んだままである、請求項１記載の電池ケース。
【請求項４】
該凹部が実質的に最初の形状および上昇レベルからゲージ圧が戻ったときの水平面に対する位置に戻るような材料で構成されている、請求項３記載の電池ケース。
【請求項５】
ゲージ圧上昇前の水平面の位置が上昇レベルからゲージ圧が戻ったときの水平面の位置と実質的に同じになるような材料で構成されている、請求項１記載の電池ケース。
【請求項６】
アルミニウム、ニッケル、銅、鋼、ニッケルめっきされた鉄およびステンレス鋼からなる群より選択される少なくとも1種類の材料で構成されている、請求項５記載の電池ケース。
【請求項７】
柱状の電池ケースである、請求項６記載の電池ケース。
【請求項８】
柱状の電池ケースが長円形の柱状の電池セルケースである、請求項７記載の電池ケース。
【請求項９】
柱状の電池ケースが36mm×65mm×18mmの寸法を有する、請求項８記載の電池セルケース。
【請求項１０】
ケースがアルミニウムで構成されており、アルミニウムが陽極酸化されている、請求項８記載の電池セルケース。
【請求項１１】
凹部が主表面の約10%〜約90%を占め、主表面がおおむねセルケースの平坦な部分である、請求項１０記載の電池セルケース。
【請求項１２】
凹部の最も凹んだ点が、約0kg/cm2のゲージ圧において、該リッジ部分と該主表面の残余部の境界によって規定される水平面から約0.2mm〜約0.6mm の範囲で凹んでいる、請求項１１記載の電池セルケース。
【請求項１３】
凹部が約500mm2〜約700mm2の範囲の表面積を有する、請求項１２記載の電池ケース。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月30日(2012.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブル基板アセンブリの製造方法であって、
１８０℃よりも低いガラス転移温度および２２０℃よりも高い分解温度を有する粘弾性ポリマーを含む接着層を用いて、剛性支持体にフレキシブル基板を取り付ける工程を含む方法。
【請求項２】
前記取り付ける工程は、
前記剛性支持体の表面に前記接着層を堆積させる工程と、
前記接着層が前記剛性支持体と前記フレキシブル基板の間に存在するように、前記剛性支持体と前記フレキシブル基板とを結合する工程と、
を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記接着層は、約１０〜約１０００ｐｐｍ／℃の範囲の熱膨張率を有し、約２７ｍＰａリットル／秒（２×１０-4トルリットル／秒）未満の割合で脱気される請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記接着層は、ポリイミド、ポリアクリル、アクリル、ウレタン、エポキシ、フェノール、ビスマレイミド、シリコーンまたはシロキサンを含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記接着層は、ｎ−アクリル酸ブチル、ポリシロキサン、ポリシリコーンまたはポリイミドを含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記剛性支持体は、半導体ウェーハ、アルミナ、ガラス、または熱膨張率がフレキシブル基板に適合した材料を含む請求項１−５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記フレキシブル基板は、プラスチック基板または金属基板である請求項１−６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記フレキシブル基板と剛性キャリヤを接続する前に、
前記接着層上に絶縁層または金属層を直接形成する工程と、
前記絶縁層または前記金属層上に両面接着テープを直接配置する工程と
をさらに含む請求項１−７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記フレキシブル基板上にディスプレイアーキテクチャを形成する工程と、
前記フレキシブル基板の表面上に、１または複数の薄膜トランジスタ、有機発光ダイオード、無機発光ダイオード、電極アレイ、電界効果トランジスタ、パッシブ構造およびそれらの組み合わせを形成する工程と、
をさらに含む請求項１−８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
フレキシブル基板、剛性支持体、および接着層を備えたアセンブリであって、
前記フレキシブル基板は、該フレキシブル基板と剛性支持体の間において、接着層を用いて前記剛性支持体に取り付けられており、前記接着剤が、１８０℃よりも低いガラス転移温度および２２０℃よりも高い分解温度を有する粘弾性ポリマーの接着剤を含む、アセンブリ。
【請求項１１】
前記接着剤は、約１０〜約１０００ｐｐｍ／℃の範囲の熱膨張率を有し、約２７ｍＰａリットル／秒（２×１０-4トルリットル／秒）未満の割合で脱気される請求項１０に記載のアセンブリ。
【請求項１２】
前記接着層は、ポリイミド、ポリアクリル、アクリル、ウレタン、エポキシ、フェノール、ビスマレイミド、シリコーン、またはシロキサンを含む請求項１１に記載のアセンブリ。
【請求項１３】
前記接着層は、ｎ−アクリル酸ブチル、ポリシロキサン、ポリシリコーン、またはポリイミドを含む請求項１２に記載のアセンブリ。
【請求項１４】
前記剛性支持体は、半導体ウェーハ、アルミナ、ガラス、または熱膨張率がフレキシブル基板に適合した材料を含む請求項１０−１３のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項１５】
前記接着層上に直接形成された絶縁層または金属層と、
前記絶縁層または前記金属層上に直接形成された両面接着テープとをさらに備え、
前記フレキシブル基板が両面接着テープに接触している請求項１０−１４のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項１６】
フレキシブルディスプレイの処理方法であって、
フレキシブルディスプレイを提供する工程と、
請求項１−２８のいずれか一項に記載の剛性基板に、前記フレキシブルディスプレイを取り付ける工程であって、前記フレキシブルディスプレイが前記フレキシブル基板である、前記工程と、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月2日(2012.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
紫外線を用いて、レジストを使用しないでハードマスク薄膜をパターニングする方法であって、
被着チャンバ内で酸化ケイ素を含むハードマスク層を基板上に被着させることと、
ハードマスク層を、高温で一定の時間に亘ってアニールすることと、
紫外線で露光されたハードマスクの部分が、ハードマスク層上に露光部分のパターンを形成する、ハードマスク層の一部を、直接、紫外線で露光することと、
基板上のハードマスク層の露光部分を残し、ハードマスク層の未露光部分を除去するウェットエッチングを用いて、ハードマスク層をパターニングすることと、
を含む方法。
【請求項２】
アニールが、スチームアニール、熱アニール、誘導結合プラズマアニール、容量結合プラズマアニール、紫外線アニール、電子ビームアニール、酸性蒸気触媒アニール、塩基性蒸気触媒アニール、及びマイクロ波アニールからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ハードマスク層をパターニングした後で、ハードマスク層の残っている部分をアニールすることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
アニールが、不活性ガスを含む雰囲気中で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
アニールが、Ｎ２、Ａｒ、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、ＮＨ３、Ｎ２／Ｈ２、及びＮ２Ｏからなる群から選択されるガスを含む雰囲気中で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
パターニング後にハードマスク薄膜にプラズマ処理を施すことをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
プラズマが、容量結合プラズマ及び誘導結合プラズマからなる群から選択される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
プラズマ処理が、Ｎ２、Ａｒ、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、ＮＨ３、Ｎ２／Ｈ２、及びＮ２Ｏからなる群から選択されるガスを含む雰囲気で行われる、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
紫外線が３４８ｎｍ以下の波長を有する光を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ウェットエッチングが、ＨＦ及びＮＨ４ＯＨからなる群から選択されるエッチング液を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
ハードマスク層が、スピンコーティング、化学蒸着、原子層堆積、及び物理気相成長からなる群から選択されるプロセスを用いて被着される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
基板が、シリコン基板、ＩＩＩ−Ｖ化合物基板、シリコン／ゲルマニウム基板、シリコンオンインシュレータ基板、ディスプレイ基板、液晶ディスプレイ基板、プラズマディスプレイ基板、エレクトロルミネッセンスランプ基板、及び発光ダイオード基板からなる群から選択される基板を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
ハードマスク層が、炭素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
ハードマスク層が、窒素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
紫外線を用いて、レジストを使用しないでハードマスク薄膜をパターニングする方法であって、
被着チャンバ内で酸化ケイ素を含むハードマスク層を基板上に被着させることと、
ハードマスク層を、高温で一定の時間に亘って第一アニールプロセスに曝すことと、
紫外線で露光されたハードマスクの部分が、ハードマスク層上に露光部分のパターンを形成する、ハードマスク層の一部を、直接、紫外線で露光することと、
基板上のハードマスク層の露光部分を残し、ハードマスク層の未露光部分を除去するウェットエッチングを用いて、ハードマスク層をパターニングすることと、
基板上に残っているハードマスク層の露光部分を第２アニールプロセスに曝すことと、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月5日(2012.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１表面および前記第１表面の反対側に配置された第２表面を有するチャックと、
第１端および第２端のそれぞれを有し、かつ前記チャックの前記第２表面に対して垂直の縦軸を有する細長要素のアレイであって、それによって前記第１端は前記チャックの前記第２表面に接触し、前記第２端はステージに接触する、細長要素のアレイとを含み、
前記細長要素のアレイを用いることによって、前記ステージと前記チャックとの間の応力の移動は実質的に均一になり、結果的に前記応力による前記チャックの変形中における前記チャックの前記第１表面に対する前記物体のずれを最小化する、システム。
【請求項２】
前記ステージは、前記応力を引き起こすように加速される、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記物体と、前記チャックと、前記ステージとの間の相対的な温度差が前記応力を生成するように構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
少なくとも前記ステージの加速、及び前記物体と、前記チャックと、前記ステージとの間の相対的な温度差のいずれか１つが前記応力を生成する、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
別の物体が前記チャックの前記第１表面上に支持されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記アレイの前記細長要素は、前記応力を均一に分配するように均等に構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記細長要素のアレイは、前記ステージと一体化され、かつ前記チャックに結合されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記細長要素のアレイは、前記チャックと一体化され、かつ前記ステージに結合されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記システムは、
前記細長要素のアレイが通り抜けるように、前記チャックと前記ステージとの間に配置された中間膜層をさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記チャックおよび前記ステージのうちの少なくとも１つは、冷却チャネルを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
放射ビームを生成する照明システムと、
前記放射ビームをパターン付けするパターニングデバイスと、
基板上に前記パターン付けされた放射ビームを投影する投影システムとをさらに含み、
前記パターニングデバイスまたは前記基板は前記物体となるように構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
縦軸、第１端および第２端のそれぞれを有する細長要素のアレイをチャックとステージとの間で結合することであって、それによって前記縦軸は前記チャックおよび前記ステージに対して垂直であり、前記第１端は前記チャックの前記第２表面に接触し、前記第２端は前記ステージに接触し、応力状態下において、前記ステージと前記チャックとの間の前記応力の移動は実質的に均一である、ことと、
前記チャックの第１表面上で物体を支持することであって、前記第１表面は前記第２表面の反対側である、ことと、
前記チャックおよび前記ステージに前記応力状態を受けさせることと、
測定された変形を前記チャックの前記第１表面に対する前記物体のずれと相互に関連させるために前記応力状態下における前記チャックの変形を測定することとを
含む、方法。
【請求項１３】
放射ビームを生成する照明システムと、
前記放射ビームをパターン付けするパターニングデバイスと、
前記パターン付けされた放射ビームを基板上に投影する投影システムと、
サポート構造であって、
第１表面および前記第１表面の反対側に配置された第２表面を有するチャックと、
第１端および第２端のそれぞれを有し、かつ前記チャックの前記第２表面に対して垂直の縦軸を有する細長要素のアレイであって、それによって前記第１端は前記チャックの前記第２表面に接触し、前記第２端はステージに接触する、細長要素のアレイとを含み、
前記細長要素のアレイを用いることによって、前記ステージと前記チャックとの間の応力の移動は実質的に均一になり、結果的に前記応力による前記チャックの変形中における前記チャックの前記第１表面に対する物体のずれを最小化する、サポート構造とを含み、
前記パターニングデバイスまたは基板は前記物体になるように構成されている、リソグラフィ装置。
【請求項１４】
物体を支持するシステムであって、
前記物体を支持する第１表面を有するチャックと、
１つ以上の移動方向または回転方向において前記チャックを支持するステージと、
他の移動方向または回転方向に対して少なくとも１つの移動方向または回転方向において相対的に低い剛性を有する前記チャックと前記ステージとの間の中間層であって、結果的に前記ステージと前記チャックとの間の応力による前記チャックの変形中における前記チャックの前記第１表面に対する前記物体のずれを最小化する、中間層と
を含む、システム。
【請求項１５】
第１表面および前記第１表面の反対側に配置された第２表面を有し、物体を保持するチャックと、
第１端および第２端のそれぞれを有し、かつ前記チャックの前記第２表面に対して垂直の縦軸を有する細長要素のアレイであって、前記細長要素のアレイが前記チャックとステージとの間に応力を均一に分配するように前記チャックを前記ステージに堅く結合することによってチャックをステージから離すために第１端はチャックの第２表面に接触し、第２端はステージに接触する、細長要素のアレイと
を含み、
前記細長要素のアレイを用いることによって、前記チャックの前記第１表面に対する前記物体のずれは、前記ステージが加速されたときの応力による前記チャックの変形中において最小化される、
システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2011520245.tif 000001