【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年2月27日(2014.2.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】回転可能なターゲットを備えたマイクロ波を援用したＰＶＤ
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
【図１】同軸マイクロ波源を回転可能なターゲットの外側にもつ回転可能なターゲットを備えたマイクロ波を援用したスパッタリング成膜の概略図である。
【図２】同軸マイクロ波源を回転可能なターゲットの外側にもつ回転可能なターゲットを備えたマイクロ波を援用したスパッタリング成膜のツイン・コンフィギュレーションの概略図である。
【図３】２つの回転可能なターゲットとそれぞれのターゲットの内側にマグネトロンをもつ回転可能なターゲットを備えたマイクロ波を援用したマグネトロンスパッタリング成膜の１つの構成の概略図である。
【図４】２つの回転可能なターゲットとそれぞれのターゲットの内側に２つのマグネトロンをもつ回転可能なターゲットを備えたマイクロ波を援用したマグネトロンスパッタリング成膜の代替概略図である。
【図５】ターゲットの外側にマイクロ波源とターゲットの内側に２つのマグネトロンをもつ回転可能なターゲットを備えたマイクロ波を援用したスパッタリング成膜の１つの構成を示す図である。
【図６】マイクロ波源とマグネトロンがターゲットの外側に配置されている、回転可能なターゲットを備えたマイクロ波を援用した同軸マグネトロンスパッタリング成膜の別の概略図である。
【図７】回転可能なターゲットを備えたマイクロ波を援用したＰＶＤ成膜システムの概略の例を示す図である。
【図８】基板上に膜を形成する概略成膜ステップを示すフローチャートである。
【図９Ａ】４つの同軸マイクロ波線源を含む平面プラズマ源の概略図である。
【図９Ｂ】８つの平行同軸マイクロ波プラズマ源を含む平面マイクロ波源の光学イメージを示す図である。
【図１０】連続マイクロ波電力と比較してパルスマイクロ波電力の使用時に改善されたプラズマ効率を示すグラフである。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
２. 回転可能なターゲットを備えたマイクロ波を援用したスパッタリング成膜の例
図１は回転可能なターゲットを備えたマイクロ波を援用したスパッタリング成膜システム１００の概略をターゲットと共に示している。円筒管形状のターゲット１０６は、しばしばとても高価なターゲット材料のより高い使用収率を提供するためにターゲットの中心周りに回転できる。アンテナ１１０は同軸マイクロ波プラズマ線源であり、中心軸１１８上のターゲット１０６の外側に位置している。ターゲット１０６の上方で中心軸１１８上に位置するガス供給口１１２は、スパッタリング剤として振舞う、例えばアルゴン、ヘリウム、キセノン、そしてこれらの混合物のような不活性ガスの連続的な流れを提供する。ガス供給口１１２はターゲット１０６と基板１０２（図示されず）の間に配置されてもよい。プラズマ１０４はターゲット１０６の外側表面近傍に形成される。ターゲット材料の膜がターゲット１０６の下方に位置する基板１０２上に形成されてもよい。基板１０２上に膜を形成するためのイオンを引き付けるために基板１０２はバイアスを掛けてもよい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
再び図１〜６を参照すると、ターゲット１０６、２０６、３０６、４０６、５０６、６０６は、例えば酸化シリコン、酸化アルミニウム、又は酸化チタンのような誘電体材料でできている。ターゲットには自由電子を加速するためにＡＣ、ＲＦ、又はパルス電力を印加してもよい。
４．回転可能なターゲットを備えたマイクロ波を援用したスパッタリング成膜の例
図７は回転可能なターゲットを備えたマイクロ波を援用したスパッタリング成膜システム７００の概略断面図を示している。このシステムは本発明の実施形態を実施するために使用されてもよい。システム７００は真空チャンバ７４８と、２つの回転可能なターゲット７１６と、２つのターゲット７１６間に位置する同軸マイクロ波アンテナ７１０と、マグネトロン７１４と、基板支持部材７２４と、真空ポンプシステム７２６と、コントローラ７２８と、ガス供給システム７４０と、チャンバ壁及び基板支持部材７２４の側面をスパッタリング成膜から保護するためのシールド７５４を含んでいる。以下の参考文献、つまり米国特許第６，６２０，２９６Ｂ２号、米国特許出願公開第２００７／００４５１０３Ａ１号、米国特許出願公開第ＵＳ２００３／０２０９４２２Ａ１号を、アプライドマテリアルズ社他によって使用される物理気相成長（ＰＶＤ）マグネトロンスパッタリングシステムの例としてここに引用する。上述の各特許の全内容は、全目的のために参照として本明細書に組み込まれる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
６．同軸マイクロ波源及び構成の例
図９Ａは、４つの同軸マイクロ波線源９１０と、基板９０４と、同軸電力提供装置９０８と、インピーダンスマッチングされた矩形導波管９０６を含む平面同軸マイクロ波源９０２を含む概略システムを示している。同軸マイクロ波線源は、外側導体層を導電プラズマの使用を通して取り替えることによって同軸ケーブルから形成してもよい。同軸マイクロ波線源に沿ったマイクロ波の伝播は、電磁波エネルギーをプラズマ加熱へ変換することによって大きく減衰する。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
例えば石英又はアルミナのような耐熱性が高く誘電損失の低い誘電体材料でできた管は、導波管と真空チャンバの間のインターフェイスとして振舞う。誘電体層と導波管の間において、導波管を冷却するのを助けるために、例えば空気又は窒素のようなガスを用いることで大気圧が維持される。マイクロ波は誘電体材料を通してリークし、処理チャンバ内でプラズマ放電を点火させることが可能である。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
回転可能なターゲットを備えたマイクロ波を援用したスパッタリング成膜システムであって、前記システムは、
処理チャンバと、
前記処理チャンバ内部に配置される回転可能なターゲットと、
前記回転可能なターゲットと電気的に連通し、前記回転可能なターゲットに電圧を印加するために適用される電源と、
前記回転可能なターゲットの外側に配置され、前記回転可能なターゲットの長手寸法に平行に延在するマイクロ波を放射するための同軸マイクロ波アンテナであって、前記マイクロ波はパルス化されており、前記同軸マイクロ波アンテナは、内側中心導線とそれを取り巻く誘電体スペーサーとを含み、外側導体層を含まない同軸マイクロ波アンテナと、
ガスを前記処理チャンバ内へ供給するために構成されたガスシステムと、
前記基板を把持するために前記処理チャンバ内に構成された基板支持部材とを含むシステム。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２】
前記回転可能なターゲットは、誘電体材料、金属、又は半導体を含む請求項１記載の回転可能なターゲットを備えたマイクロ波を援用したスパッタリング成膜システム。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項３】
前記電源は、ＤＣ、ＡＣ、ＲＦ又はパルス電源のうち少なくとも１つを含む請求項１記載の回転可能なターゲットを備えたマイクロ波を援用したスパッタリング成膜システム。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項４】
前記回転可能なターゲットは、前記同軸マイクロ波アンテナの周りに対称に配置された複数の回転可能なターゲットを含む請求項１記載の回転可能なターゲットを備えたマイクロ波を援用したスパッタリング成膜システム。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項５】
前記回転可能なターゲットは、前記回転可能なターゲットの中心軸の周りに対称な断面を有している請求項１記載の回転可能なターゲットを備えたマイクロ波を援用したスパッタリング成膜システム。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項６】
前記断面は、円形又は環状である請求項５記載の回転可能なターゲットを備えたマイクロ波を援用したスパッタリング成膜システム。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項７】
前記マイクロ波は、横電磁波（ＴＥＭ）モードである請求項１記載の回転可能なターゲットを備えたマイクロ波を援用したスパッタリング成膜システム。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項８】
前記回転可能なターゲットの近傍にマグネトロンが配置されている前記請求項１記載の回転可能なターゲットを備えたマイクロ波を援用したスパッタリング成膜システム。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項９】
前記回転可能なターゲットは少なくとも２つのターゲットを含み、前記マグネトロンは前記ターゲットの近傍に少なくとも２つのマグネトロンを含み、前記２つの前記ターゲットは前記同軸マイクロ波アンテナの周りに対称に配置されている請求項８記載の回転可能なターゲットを備えたマイクロ波を援用したスパッタリング成膜システム。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１０】
前記回転可能なターゲットは、誘電体材料、金属、又は半導体を含む請求項８記載の回転可能なターゲットを備えたマイクロ波を援用したスパッタリング成膜システム。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１１】
前記回転可能なターゲットは、前記回転可能なターゲットの中心軸の周りに対称な断面を有している請求項８記載の回転可能なターゲットを備えたマイクロ波を援用したスパッタリング成膜システム。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１２】
前記断面は、円形又は環状である請求項８記載の回転可能なターゲットを備えたマイクロ波を援用したスパッタリング成膜システム。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１３】
ターゲットが回転可能なマイクロ波を援用したスパッタリング成膜方法であって、前記方法は、
処理チャンバ内でターゲットを回転させ、
ＤＣ、ＡＣ、ＲＦ又はパルス電源のうちの少なくとも１つを前記ターゲットに印加させ、
前記ターゲットの外側に配置され、前記回転可能なターゲットの長手寸法に平行に延在する同軸マイクロ波アンテナであって、内側中心導線とそれを取り巻く誘電体スペーサーとを含み、外側導体層を含まない同軸マイクロ波アンテナからマイクロ波を発生させ、
前記発生させたマイクロ波の電力を変調させ、
前記処理チャンバ内へガスを流し、
前記発生させたマイクロ波によって前記ガスからプラズマを形成し、
前記プラズマから基板上に膜を形成することを含む方法。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１８】
前記回転可能なターゲットは、前記回転可能なターゲットの中心軸の周りに対称な断面を有している請求項１３記載の方法。