Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月14日(2013.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
書込みキャッシュおよびソリッドステートドライブを備えるハイブリッドストレージデバイスにて書込み動作を受信するステップと、
前記ハイブリッドストレージデバイスのハイブリッドディスクコントローラーによって前記書込み動作に関連するデータのキャッシングポリシーを決定するステップと、
前記キャッシングポリシーに基づいて前記書込みキャッシュ内または前記ソリッドステートドライブ内に前記データを記憶するステップであり、前記書込みキャッシュは一つ以上の追加の書込み動作から記憶されたデータの少なくともいくらかを含むステップと、
移送ポリシーに基づいて前記書込みキャッシュから前記ソリッドステートドライブへ全ての記憶されたデータを移送するステップであり、
前記移送ポリシーは、前記書込みキャッシュからの全ての記憶されたデータの以前の移送から所定の量の時間が経過した場合に起動する時間切れトリガーに基づき、かつ、
前記移送ポリシーは、さらに、読出しペナルティが閾値を超えたときに起動する読出し閾値トリガーに基づく、
ステップと、
を備えることを特徴とする記憶方法。
【請求項２】
前記書込みキャッシュは、ハードディスクドライブを備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記キャッシングポリシーは、前記書込みキャッシュ内の前記データのフルキャッシングであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記キャッシングポリシーは、前記データの選択的キャッシングであり、
前記ソリッドステートドライブのメモリブロックの上書き率を判定するステップであって、前記メモリブロックが前記書込み動作に関連する前記データと関連付けられている、ステップと、
前記上書き率を閾値と比較するステップと、
前記上書き率が前記閾値よりも大きい場合には前記書込みキャッシュ内に前記データを記憶し、そうでない場合には前記ソリッドステートドライブ内に前記データを記憶するステップと
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記上書き率は、前記メモリブロックが受信する書込みの数に対する前記メモリブロックが受信する上書きの数の比率であることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記書込み動作は、ファイルシステムから前記ハイブリッドストレージデバイスにて受信されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記移送ポリシーは、さらに、移送サイズトリガーに基づくことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記方法は、
前記ハイブリッドストレージデバイスにて書込み動作を受信するステップと、
前記ハイブリッドストレージデバイスからの前記読出し動作のために要求されたデータを読出すステップをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ファイルシステムからのハイブリッドストレージデバイスによって複数の書込み動作を受信するステップであり、前記ハイブリッドストレージデバイスはログ構造化された書込みキャッシュとソリッドステートドライブを含むステップと、
前記ハイブリッドストレージデバイスのハイブリッドディスクコントローラーによって前記書込みキャッシュ内の前記書込み動作のうちの一つのデータをキャッシングポリシーに基づいて記憶するステップと、
前記ハイブリッドディスクコントローラーによって前記ソリッドステートドライブ内の別のデータを前記キャッシングポリシーに基づいて記憶するステップと、
前記ハイブリッドディスクコントローラーによって前記書込みキャッシュから前記ソリッドステートドライブへ全てのデータをキャッシングポリシーに基づいて移送するステップであり、
前記移送ポリシーは、前記書込みキャッシュからの全ての記憶されたデータの以前の移送から所定の量の時間が経過した場合に起動する時間切れトリガーに基づき、
前記移送ポリシーは、さらに、読出しペナルティが閾値を超えたときに起動する読出し閾値トリガーに基づき、かつ、
前記データの移送は前記時間切れトリガーまたは前記読出し閾値トリガーいずれかの起動に従って実行される、
ステップと、
を備えることを特徴とする記憶方法。
【請求項１０】
前記方法は、
上書き率を閾値と比較することにより、どの前記データを前記書込みキャッシュ内に記憶し、どの前記データを前記ソリッドステートドライブ内に記憶するかを判断するステップをさらに備えることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記移送ポリシーは、さらに、移行されるべき前記データのサイズがサイズ閾値を超えるときに起動する移送サイズトリガーに基づき、
前記データの移送は、さらに、前記移送サイズトリガーの起動に従って実行される、
ことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記方法は、
前記書込みキャッシュから前記ソリッドステートドライブへの前記データの移送の後で前記ハイブリッドストレージデバイスにて追加の書込み動作を受信するステップと、
前記キャッシングポリシーに基づいて前記書込みキャッシュ内の前記追加の書込み動作の追加データを記憶するステップと、
前記移送ポリシーに基づいて前記書込みキャッシュ内の前記記憶された追加データを前記ソリッドステートドライブへ移送するステップをさらに備えることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
書込みキャッシュと、
ソリッドステートドライブと、
書込み動作を受信し、前記書込み動作に関連するデータのキャッシングポリシーを決定し、前記キャッシングポリシーに基づいて前記書込みキャッシュ内または前記ソリッドステートドライブ内に前記データを記憶するようになされたハイブリッドディスクコントローラーであり、
前記書込みキャッシュは一つ以上の追加の書込み動作から記憶されたデータの少なくともいくらかを含み、
移送ポリシーに従って前記書込みキャッシュから前記ソリッドステートドライブへ全ての記憶されたデータを移送し、
前記移送ポリシーは、前記書込みキャッシュからの全ての記憶されたデータの以前の移送から所定の量の時間が経過した場合に起動する時間切れトリガーに基づき、かつ、
前記移送ポリシーは、さらに、読出しペナルティが閾値を超えたときに起動する読出し閾値トリガーに基づく、
ことを特徴とするストレージデバイス。
【請求項１４】
前記書込みキャッシュは、ログ構造化されたハードドライブを備えることを特徴とする請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記移送ポリシーは、さらに、移送サイズトリガーに基づくことを特徴とする請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記キャッシングポリシーは、前記書込みキャッシュ内の前記データのフルキャッシングか前記データの選択的キャッシングのうちの一つであり、
前記選択的キャッシングは、メモリーブロックが受信する書込みの数に対する前記メモリーブロックが受信する書込みの数の比率である上書き率に基づいていることを特徴とする請求項１３に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月12日(2014.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
例えば、飲料調製マシンは、使用のためにカプセルを収容し使用後にカプセルを排出するように構成される飲料調製部、液体貯蔵部、液体流通回路、加熱器、及びポンプのうちの１つ又は複数を含む原料処理装置と、飲料調製部から排出されるカプセルを座部に導く開口部を有する筺体と、容器であって、その座部に排出されるカプセルをその容器に満杯になるまで収集するための収納空間を形成する空洞部を有する容器とを備える。この容器は、カプセルを収集するために座部に挿入することが可能であり、収集済みのカプセルを出して空にするために座部から取り外されることが可能である。そのような原料処理装置の例は、国際公開第２００９／０７４５５０号及び国際公開第２００９／１３００９９号に開示されており、これらの開示内容は参照によって本明細書に組み込まれる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
飲料調製マシン１は、コーヒーなどの飲料を注出するために１つ又は複数の飲料原料を処理する装置４０を有する。飲料原料を処理する装置４０は、当分野で周知のように、ポンプ、加熱器及びコーヒー淹出部を伴う液体流通回路に接続される液体貯蔵部４２、好ましくは水貯蔵部を含む。コーヒー淹出部は、飲料調製マシン１の筺体３に枢動可能に取り付けられたハンドル４に接続されることができる。ハンドル４は、挽かれたコーヒーを含むカプセルを導入、抽出及び除去することができるように構成される。抽出後、ハンドル４の再作動後にカプセルは使用済みカプセル収集部に排出される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月26日(2013.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに距離aで平行に配置された２つの回転軸A1及びA2の周りを同一回転速度で同方向に回転しながら、少なくとも一点で互いに常に接触している、２つの立体K1及びK2を生成するための方法において、
前記立体K1の断面外形は、一定の、セグメント毎に常に微分可能な、凸状閉曲線p→によって、前記回転軸に対して垂直な平面E内に形成されており、前記立体K2の断面外形は、関係(1)にしたがって前記曲線p→から形成されており、
【数３０】
2013513177.tif 000001
前記曲線p→は、どの点においても、前記距離aより小さい又は等しい曲率半径ρを有しており、
常に微分可能なセグメント内で前記曲線p→のどの点に対しても、それぞれの点において前記曲線p→への接線に対して垂直であり且つ前記曲線p→のそれぞれの点に属する曲率円の中心の方向を向く、長さ１の規格化された法線ベクトルn→(p→)が存在しており、
a→は、前記回転軸A1と前記平面Eとの交点S1から前記回転軸A2と前記平面Eとの交点S2への方向を導くベクトルであり、前記長さaを有しており、
前記立体K1の前記断面外形における屈折の場合に、前記立体K2の前記断面外形が円の円弧を有しており、前記円弧の半径は軸方向距離aに対応しており、前記円弧の角度は、前記曲線p→の曲線セグメントへの法線が屈折点で一方が他方に隣接するところのその角度に対応している、ことを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記立体K1及びK2はネジ要素である、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の方法を実行するためのコンピュータシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月25日(2013.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者に関するトレーサ摂取測定を修正する方法において、
トレーサ摂取値ＴＵＶｍｅａｓが時間Ｔｍｅａｓと共にどのように変化するかを示すデータを含む前記患者に関する入力データを受信するステップと、
前記患者に関する前記トレーサ摂取測定に影響を与えるトレーサ影響データを前記入力データが含むかを決定するステップと、
前記トレーサ影響データに基づき、トレーサ摂取参照データを選択するステップと、
前記トレーサ摂取値ＴＵＶｍｅａｓと前記トレーサ摂取参照データとを比較するステップと、
前記比較に基づき、前記患者に関する前記トレーサ摂取測定の修正を適用するステップとを有する、方法。
【請求項２】
前記比較するステップが、測定時間値Ｔｍｅａｓが前記参照データに関する参照時間値Ｔｒｅｆとマッチするかを比較するステップを含み、
Ｔｍｅａｓ及びＴｒｅｆの間でマッチしない場合、前記修正を適用するステップは、
Ｔｍｅａｓでのトレーサ摂取値ＴＵＶｍｅａｓと、Ｔｍｅａｓでの対応する参照トレーサ摂取値ＴＵＶｒｅｆの比率を計算するステップ、又は
Ｔｍｅａｓでの前記トレーサ摂取値ＴＵＶｍｅａｓ及び対応する参照トレーサ摂取値ＴＵＶｒｅｆの間の差を計算するステップを用いて、実行され、
Ｔｒｅｆでの変換された値ＴＵＶｍｅａｓ−ｃｏｎｖへとＴＵＶｍｅａｓの値を変換するため、前記計算された比率又は前記計算された差が適用される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記参照時間Ｔｒｅｆが、前記関連付けられるトレーサ摂取値ＴＵＶｒｅｆが前記トレーサ摂取参照データに関して最大となる時間である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記比較するステップが、測定時間値Ｔｍｅａｓが前記患者に関する前のトレーサ摂取測定データからの以前の測定時間値Ｔｐｒｅｖとマッチするかを比較するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
Ｔｍｅａｓ及びＴｐｒｅｖの間でマッチしない場合、前記修正を適用するステップが、
Ｔｍｅａｓ又はＴｐｒｅｖでのトレーサ摂取値ＴＵＶｍｅａｓ及び対応する参照トレーサ摂取値ＴＵＶｒｅｆの比率を計算するステップ、又は
Ｔｍｅａｓ又はＴｐｒｅｖでの前記トレーサ摂取値ＴＵＶｍｅａｓ及び対応する参照トレーサ摂取値ＴＵＶｒｅｆの間の差を計算するステップを用いて、実行され、
前記計算された比率又は前記計算された差が、Ｔｐｒｅｖでの変換された値ＴＵＶｍｅａｓ−ｃｏｎｖへとＴＵＶｍｅａｓの値を変換するため、又は前記Ｔｍｅａｓでの変換された値ＴＵＶｐｒｅｖ−ｃｏｎｖへと前記Ｔｐｒｅｖでの前のトレーサ摂取値ＴＵＶｐｒｅｖを変換するために適用される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記トレーサ影響データが、
前記患者に処置される薬のタイプを示す医療データ、
前記患者の薬物を示すデータ、又は
前記患者に注入されるトレーサのタイプを示すデータを含み、
前記患者に関する前記トレーサ摂取測定に影響を与えるトレーサ影響データを前記入力データが含むかを決定するステップは、前記患者に関する前記受信入力データが、前記データの１つ又は複数を含むかを決定するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記トレーサ摂取参照データが、トレーサ摂取参照曲線である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記参照曲線が、正規化される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記トレーサ影響データに基づき、トレーサ摂取参照データを選択するステップが、前記患者に関する前記トレーサ摂取測定データに実質的にマッチする参照曲線を選択するステップを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記トレーサ影響データに基づき、トレーサ摂取参照データを選択するステップが、前記入力データに含まれる前記トレーサ影響データがある場合の動的な挙動を示す参照曲線を選択するステップを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
コンピュータで実行されるとき、請求項１に記載の方法ステップを処理ユニットに実行させるコンピュータプログラム。
【請求項１２】
トレーサ摂取における患者特有の変動に関するトレーサ摂取測定を修正する修正システムであって、
トレーサ摂取値ＴＵＶｍｅａｓが時間Ｔｍｅａｓと共にどのように変化するかを示すデータを含む前記患者に関する入力データを受信する手段と、
前記患者に関する前記トレーサ摂取測定に影響を与えるトレーサ影響データを前記入力データが含むかを決定するプロセッサと、
前記トレーサ影響データに基づき、トレーサ摂取参照データを選択するプロセッサと、
前記トレーサ摂取値ＴＵＶｍｅａｓと前記トレーサ摂取参照データとを比較するプロセッサと、
前記比較に基づき、前記患者に関する前記トレーサ摂取測定の修正を適用するプロセッサとを有する、修正システム。
【請求項１３】
前記患者に関する入力データ及び前記参照データを格納するストレージ手段を更に有する、請求項１２に記載の修正システム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月27日(2013.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレイ内の対応する画素を駆動する回路であって、
電源電圧を出力する可変電源電圧源と、
流れる電流に応じた輝度で発光する有機発光デバイスと、
第１端子が上記可変電源電圧源、第２端子が上記有機発光デバイスに接続されており、上記有機発光デバイスを通して流れる電流を決定するために電圧入力によって制御されるゲート入力を有するドライブトランジスタと、
を備え、上記可変電源電圧源によって出力される上記電源電圧は、
上記電圧入力が所定の閾値未満の所要輝度を示すとき、実質的に一定に維持され、
上記電圧入力が上記所定の閾値を超えた所要輝度を示すとき、低減される、回路。
【請求項２】
請求項１記載の回路であって、上記可変電源電圧源が、互いに異なる輝度に対応する四通り以上の値に亘り上記電源電圧を調整可能な電源である回路。
【請求項３】
請求項１記載の回路であって、
上記ドライブトランジスタのゲート・ソース間に接続された一対のバイアストランジスタであって、上記一対のバイアストランジスタの一方は、制御信号入力端に接続され、上記ドライブトランジスタをバイアスして、電圧降下およびクロストークを補償する、回路。
【請求項４】
可変電源電圧源と、
上記可変電源電圧源に接続された複数個の画素と、
各画素内に設けられた有機発光デバイスと、
第１端子が上記有機発光デバイス、第２端子が上記可変電源電圧源に接続されたドライブトランジスタであって、上記有機発光デバイスを通して流れる電流を決定するために電圧入力によって制御されるゲートを有するドライブトランジスタと、
上記ドライブトランジスタのゲートに接続されており、複数個ある画素それぞれの所要輝度を示す入力電圧を出力する複数個の電圧入力端と、
上記ドライブトランジスタそれぞれに供給される電源電圧の値を調節すべく上記可変電源電圧源に接続されている電源電圧コントローラであって、上記電源電圧コントローラは、
上記入力電圧が所定の閾値未満の所要輝度を示すとき、電源電圧を実質的に一定に維持し、
上記入力電圧が上記所定の閾値を超えた所要輝度を示すとき、上記電源電圧を低減するように構成された電源電圧コントローラと、を備える、有機発光デバイスディスプレイ。
【請求項５】
請求項４記載の能動マトリクス有機発光デバイスディスプレイであって、上記複数個の画素が画素ローを形成する能動マトリクス有機発光デバイスディスプレイ。
【請求項６】
請求項４記載の能動マトリクス有機発光デバイスディスプレイであって、上記複数個の画素が画素カラムを形成する能動マトリクス有機発光デバイスディスプレイ。
【請求項７】
請求項４記載の能動マトリクス有機発光デバイスディスプレイであって、上記電源電圧を四通り以上の値に亘り調節可能な能動マトリクス有機発光デバイスディスプレイ。
【請求項８】
ドライブトランジスタ及び可変輝度を有する有機発光デバイスを有する画素複数個を備えるＡＭＯＬＥＤディスプレイでのエネルギ節減方法であって、
可変電源電圧を上記ドライブトランジスタの第１端子に供給するステップと、
上記ドライブトランジスタのゲートに入力電圧を供給して上記有機発光デバイスを通して流れる電流を制御して、それによって上記有機発光デバイスの輝度を制御するステップと、
上記可変輝度が所定の閾値未満であるときに、電源電圧を実質的に一定に維持し、
上記可変輝度が上記所定の閾値を超えたときに、上記電源電圧を低減し、
上記ドライブトランジスタに対する上記電源電圧を、上記入力電圧に対応する上記輝度に基づいて低い値へと調節するステップであって、上記調節された電源電圧出力は、上記ドライブトランジスタを線形動作領域に向かってシフトする、ステップとを
を有するエネルギ節減方法。
【請求項９】
請求項８記載のエネルギ節減方法であって、上記ディスプレイに供給されるビデオデータに基づき上記所要輝度を制御するエネルギ節減方法。
【請求項１０】
ディスプレイ内の対応する画素を駆動する回路であって、
電源電圧を出力する可変電源電圧源と、
流れる電流に応じた輝度で発光する有機発光デバイスと、
第１端子が上記可変電源電圧源、第２端子が上記有機発光デバイスに接続されており、上記有機発光デバイスを通して流れる電流を決定するために電圧入力によって制御されるゲート入力を有するドライブトランジスタと、
を備え、上記可変電源電圧源によって出力される上記電源電圧は、
上記電圧入力によって上記ドライブトランジスタが飽和モードにあるとき、実質的に一定に維持され、
上記電圧入力によって上記ドライブトランジスタが線形領域にあるときに、低減される、回路。
【請求項１１】
可変電源電圧源と、
上記可変電源電圧源に接続された複数個の画素と、
各画素内に設けられた有機発光デバイスと、
第１端子が上記有機発光デバイス、第２端子が上記可変電源電圧源に接続されたドライブトランジスタであって、上記有機発光デバイスを通して流れる電流を決定するために電圧入力によって制御されるゲートを有するドライブトランジスタと、
上記ドライブトランジスタのゲートに接続されており、複数個ある画素それぞれの所要輝度を示す入力電圧を出力する複数個の電圧入力端と、
上記ドライブトランジスタそれぞれに供給される電源電圧の値を調節すべく上記可変電圧源に接続されている電源電圧コントローラであって、上記電源電圧コントローラは、
上記電圧入力によって上記ドライブトランジスタが飽和モードにあるときに、上記電源電圧を実質的に一定に維持し、
上記電圧入力によって上記ドライブトランジスタが線形領域にあるときに、上記電源電圧を低減する、
ように構成された電源電圧コントローラと、
を備える、有機発光デバイスディスプレイ。
【請求項１２】
可変輝度を有する有機発光デバイスに接続されたドライブトランジスタを有する画素複数個を備えるＡＭＯＬＥＤディスプレイでのエネルギ節減方法であって、
可変電源電圧を上記ドライブトランジスタの第１端子に供給するステップと、
上記ドライブトランジスタのゲートに入力電圧を供給して上記有機発光デバイスを通して流れる電流を制御して、それによって上記有機発光デバイスの輝度を制御するステップと、
上記入力電圧によって上記ドライブトランジスタが飽和モードにあるとき、実質的に一定な電源電圧を維持するステップと、
上記入力電圧によって上記ドライブトランジスタが線形領域にあるときに、上記電源電圧を低減するステップと、を有する、エネルギ節減方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月29日(2013.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生物学的増殖プレートスキャナー内の生物学的増殖プレートを照射するための照射装置であって、
第１の側と、前記第１の側と反対に位置する第２の側とを備える、プレート支持表面と、
前記プレート支持表面の第１の部分を照射するように配向された、第１の照射モジュールと、を備え、
前記第１の照射モジュールは、
内面を備える均質化空洞であって、前記内面が、拡散反射性であり、前記均質化空洞の前記内面が、前記均質化空洞の長さに沿って延在する長手方向軸線を備える、チューブを構成し、前記長手方向軸線が、前記プレート支持表面の前記第１の側と整合される、均質化空洞と、
前記均質化空洞に動作可能に接続された照射源であって、前記均質化空洞に光を放出する、照射源と、
前記均質化空洞に放出された前記光が通って前記均質化空洞から出る、前記均質化空洞内の抽出要素であって、前記抽出要素が、前記長手方向軸線と整合される長さを備え、前記照射源、前記均質化空洞の前記内面、及び前記抽出要素が、前記照射源によって前記均質化空洞に放出される前記光が、前記抽出要素を通って前記均質化空洞を出る前に、前記均質化空洞の前記内面から少なくとも１回反射するように配設される、抽出要素と、
前記均質化空洞に動作可能に接続され、前記抽出要素を通って前記均質化空洞を出る前記光が、前記集束要素を通過しなければならないように配設された、集束要素と、を備え、
前記抽出要素からの前記集束要素を通過する前記光が、６０度以下の選択される角度範囲α（アルファ）内で前記集束要素から出る、装置。
【請求項２】
前記装置が、前記プレート支持表面の第２の部分を照射するように配向された、第２の照射モジュールを更に備え、前記第２の照射モジュールが、
内面を備える均質化空洞であって、前記内面が、拡散反射性であり、前記均質化空洞の前記内面が、前記均質化空洞の長さに沿って延在する長手方向軸線を備える、チューブを構成し、前記長手方向軸線が、前記プレート支持表面の前記第２の側と整合される、均質化空洞と、
前記均質化空洞に動作可能に接続された照射源であって、前記均質化空洞に光を放出する、照射源と、
前記均質化空洞に放出された前記光が通って前記均質化空洞から出る、前記均質化空洞内の抽出要素であって、前記抽出要素が、前記長手方向軸線と整合される長さを備え、前記照射源、前記均質化空洞の前記内面、及び前記抽出要素が、前記照射源によって前記均質化空洞に放出される前記光が、前記抽出要素を通って前記均質化空洞を出る前に、前記均質化空洞の前記内面から少なくとも１回反射するように配設される、抽出要素と、
前記均質化空洞に動作可能に接続され、前記抽出要素を通って前記均質化空洞を出る前記光が、前記集束要素を通過しなければならないように配設された、集束要素と、を備え、前記抽出要素からの前記集束要素を通過する前記光が、６０度以下の選択された角度範囲α（アルファ）内で前記集束要素から出る、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
生物学的増殖プレートスキャナーのプレート支持表面を照射する方法であって、
増殖プレートを請求項２に記載の装置の前記プレート支持表面上に位置付ける工程と、
前記第１及び第２の照射モジュールを使用して、前記増殖プレートを照射する工程と、を含む、方法。
【請求項４】
画像化デバイスと、
前記画像化デバイスに動作可能に接続された、画像処理装置と、
請求項１又は２に記載の照射装置と、を備える、生物学的増殖プレートスキャナー。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月20日(2013.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各光源が予め定められた色範囲の光を放射する、ターゲットを照明するための複数の光源を有する発光装置であって、対象物が画像内の照明された領域に少なくとも部分的に重なるように、ターゲットの照明された領域と前記発光装置との間に配置されている所定形状を持つ前記対象物と、ターゲットの照明された領域とを有する少なくとも一つの画像を捕捉する画像捕捉モジュールであって、各捕捉画像の画像表現を作る画像センサを有する前記画像捕捉モジュールと、メモリモジュールと、前記対象物の所定形状を前記メモリモジュールに保存された少なくとも一つの形状と比較するように画像表現を処理し、前記所定形状が前記メモリモジュールに保存された形状と整合するという状況で、画像表現の前記対象物を縁どるターゲットの照明された領域の部分の色を決定するように画像表現を更に処理し、決定された色と前記発光装置により放射される光の予め定められた色特性の基準とに基づいて、少なくとも一つの設定が前記複数の光源に適用されるとき、前記発光装置により放射される光が予め定められた色特性の前記基準に準拠するように、互いに相対的に前記複数の光源の強度の前記少なくとも一つの設定を生成する処理モジュールとを有する、発光装置。
【請求項２】
前記処理モジュールは、決定された色が含まれる色範囲の光を放射するそれぞれの光源の強度が一定で、及び／又はゼロと異なるように保持するという制約の下で、互いに相対的に前記複数の光源の強度の前記少なくとも一つの設定を生成する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記処理モジュールは、前記少なくとも一つの設定が、前記複数の光源に適用されるとき、前記発光装置から放射される光が決定された色を呈する結果になるように前記少なくとも一つの設定を生成する、請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記予め定められた色特性が、前記発光装置の演色、放射された光の色の色度、及び放射された光の色の色温度の一つ以上を有する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
生成された少なくとも一つの設定を前記複数の光源に適用する制御モジュールを更に有する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
前記画像捕捉モジュールは、画像を前記画像センサに投影するのに適した光アセンブリを有する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
前記画像捕捉モジュールは、前記発光装置により放射される光のビームが前記画像センサに当たる光のビームと実質的に一致するように向けられている、請求項１又は６に記載の発光装置。
【請求項８】
各光源が予め定められた色範囲の光を放射する複数の光源を有する発光装置を動作させる方法であって、対象物が画像の照明された領域に少なくとも部分的に重なるように、ターゲットの照明された領域と前記発光装置との間に配置されている、所定形状を持つ対象物と、ターゲットの照明された領域とを有する少なくとも一つの画像を捕捉し、各捕捉画像の画像表現を作るステップと、前記対象物の所定形状を少なくとも一つの保存された形状と比較するステップと、前記所定形状が、保存された形状と整合するという状況で、画像表現の前記対象物を縁どるターゲットの照明された領域の部分の色を決定するように画像表現を処理するステップと、決定された色と前記発光装置により放射される光の予め定められた色特性の基準とに基づいて、少なくとも一つの設定が複数の光源に適用されるとき、前記発光装置により放射される光が予め定められた色特性の前記基準に準拠するように、互いに相対的に複数の光源の強度の前記少なくとも一つの設定を生成するステップと、生成された少なくとも一つの設定を前記複数の光源に適用するステップとを有する、方法。
【請求項９】
プロセッサユニットで実行されるとき、請求項８による方法を実施するコンピュータプログラムが保存されたコンピュータ可読の記憶媒体。
【請求項１０】
請求項１による発光装置を有する照明器具。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年11月27日(2013.11.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５９】
有利なことに、排出部に接する平面に対して実質的に垂直な長軸、すなわち、第一表面２３の対応部に対して実質的に垂直な長軸を有する穴が、蓋１４に開けられる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月27日(2013.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソリッド・ステート・ランプを駆動する電子的なドライバであって、
相切断された交流供給電圧を受け取る入力部と、
前記相切断された交流供給電圧から前記ランプの光出力の所望の調光レベルを規定している調光情報を得る処理手段と、
前記相切断された交流供給電圧から得られる前記所望の調光レベルに対応する調光レベルにおいて、調光モードのソリッド・ステート・ランプを駆動する駆動手段と、
を有し、
前記調光情報を得るために、前記処理手段は、前記ドライバの入力電流を検出するための電流センサを有する、電子的なドライバ。
【請求項２】
ランプ電流を生成する制御可能なランプ電流生成器と、
前記ランプ電流生成器に供給電圧を供給するエネルギバッファと、
調光要求信号を受け取るデータ入力を有すると共に、ランプ電流生成器を前記調光要求信号に従って調光されたランプ電流を生成するように制御するように設計されている制御装置と、
受け取られた前記相切断された交流供給電圧を、整流された相切断された交流供給電圧に変換する整流器と、
前記整流器の出力電荷電流を検知する電流センサと、
前記電流センサの出力信号を処理する及び前記制御装置のための調光要求信号を生成する信号処理器と、
を有し、
前記整流器は、前記相切断された交流供給電圧を受けるための入力端子と、前記出力電荷電流によって前記エネルギバッファを充電するために、整流された前記相切断された交流供給電圧を前記エネルギバッファに供給するための、前記エネルギバッファに結合された出力端子とを持つ、請求項１に記載の電子的なドライバ。
【請求項３】
前記電流センサは、１つのダイオード、又は前記整流器の出力端子に直列に配されている２つ以上のダイオードの直列配置を有する、請求項２に記載の電子的なドライバ。
【請求項４】
前記電流センサは、前記ダイオードと並列に配されている抵抗を更に有する、請求項３に記載の電子的なドライバ。
【請求項５】
前記信号処理器が、前記電流センサの出力信号の平均に比例した信号として前記調光要求信号を生成するように設計されている、請求項２に記載の電子的なドライバ。
【請求項６】
前記信号処理器が、
前記ドライバの１つの電圧バスに結合されているエミッタ端子を有し、第１の抵抗を介して前記ドライバの他の電圧バスに結合されているコレクタ端子を有し、分圧器を介して基準供給源に結合されているベース端子を有する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタの前記コレクタ端子に結合されている入力を有しており、前記信号処理器の信号出力に結合されている出力を有するローパスフィルタと、
前記分圧器のノードに結合されているコレクタ端子を有し、第２の抵抗を介して前記電子的なドライバの電圧バスに結合されているベース端子を有し、前記電流センサの出力に結合されているエミッタ端子を有する第２のトランジスタと、
を有する請求項５に記載の電子的なドライバ。
【請求項７】
前記エネルギバッファが少なくとも１つのコンデンサを有する、請求項２に記載の電子的なドライバ。
【請求項８】
少なくとも１つのソリッド・ステート・ランプと、前記少なくとも１つのソリッド・ステート・ランプを駆動する請求項１乃至７の何れか一項に記載の少なくとも１つの電子的なドライバとを有するランプユニット。
【請求項９】
少なくとも１つのソリッド・ステート・ランプを収容するアーマチャであって、前記少なくとも１つのソリッド・ステート・ランプを駆動する請求項１乃至７の何れか一項に記載の少なくとも１つの電子的なドライバを有するアーマチャ。
【請求項１０】
ソリッド・ステート・ランプを駆動するための方法であって、
相切断された交流供給電圧を受け取るとともに、前記相切断された交流供給電圧から入力電流を受け取るステップと、
前記相切断された交流供給電圧から前記ランプの光出力の所望の調光レベルを規定している調光情報を得るステップと、
前記相切断された交流供給電圧から得られる前記所望の調光レベルに対応する調光レベルにおいて、調光モードのソリッド・ステート・ランプを駆動するステップと、
を有し、
前記調光情報を得るために、前記入力電流が検出される、方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年6月30日(2014.6.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
差し込み接続のための電気コンタクト（１）であって、
コンタクトケーシング（４）を有しており、当該コンタクトケーシング（４）はランス主要部（６）を有しており、当該ランス主要部（６）は、対向コネクタのコンタクトチャンバ内に差し込まれている前記コンタクト（１）を引きとめるために、当該コンタクトケーシング（４）上方へ、挿入方向（５）に対向して外側へ張り出しており、内側へと撓み、
当該ランス主要部（６）はランス自由端部（８）を有しており、当該ランス自由端部（８）は、外側へ張り出している、前記ランス主要部のランス部分（７）と比べて、内側へ引き戻されており、前記挿入方向（５）に対向して延在しており、
当該ランス自由端部（８）の外側には、前記コンタクトケーシング（４）のケーシングストッパー（９）が設けられている電気コンタクトにおいて、
前記ランス自由端部（８）には内側の屈曲脚部（１０）が設けられており、当該内側の屈曲脚部（１０）は、外側へ張り出している前記ランス部分（７）から、前記電気コンタクト（１）の長手軸に対して直角に内側へ折り曲げられており、ここで外側へ張り出している前記ランス部分（７）から内側の屈曲脚部（１０）への移行部（１２）は所定の半径で丸められており、
前記ランス主要部（６）のランス固定端部（１３）が、相互に重なり且つ溶着されている、前記コンタクトケーシング（４）の２つの薄板層（１５）によって構成されている、
ことを特徴する電気コンタクト。
【請求項２】
前記ランス自由端部（８）は、前記ケーシングストッパー（９）に当接している、請求項１記載の電気コンタクト。
【請求項３】
前記ランス自由端部（８）には外側の屈曲脚部（１１）が設けられており、前記外側の屈曲脚部（１１）は、前記挿入方向（５）に対向して延在している、請求項１または２記載の電気コンタクト。
【請求項４】
前記ケーシングストッパー（９）は、前記コンタクトケーシング（４）の折り曲げられている折返しによって形成されており、当該折返しの自由端部は挿入方向（５）に延在している、請求項１から３までのいずれか１項記載の電気コンタクト。
【請求項５】
前記折返しの自由端部は、付加的にコンタクトケーシング（４）に固定されている、請求項４記載の電気コンタクト。
【請求項６】
前記ケーシングストッパー（９）は自身の固定端部で、外側へ折り曲げられているＵ字状の部分（１６）を有しており、当該部分（１６）は、前記対向コネクタのコンタクトチャンバ内に挿入されたコンタクト（１）のサブロック部分に対するストッパーとして構成されている、請求項１から５までのいずれか１項記載の電気コンタクト。
【請求項７】
前記対向コネクタのコンタクト面（２）を電気的に接触接続させるために、コンタクトプレート（１７）が設けられている、請求項１から６までのいずれか１項記載の電気コンタクト。
【請求項８】
前記コンタクトプレート（１７）は、前記ランス主要部（６）に対向する、コンタクトケーシング（４）のケーシング側で、前記対向コネクタのコンタクト面（２）を電気的に接触させるために前記コンタクトケーシング（４）から外側へ突出している、請求項７記載の電気コンタクト。
【請求項９】
前記コンタクトプレート（１７）は、１つまたは２つの端部で、前記コンタクトケーシング（４）に導電性に固定されている、請求項７または８記載の電気コンタクト。
【請求項１０】
プリント回路基板のコンタクト面の直接的な接触接続のための、請求項１記載の電気コンタクト。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
このランス自由端部８は直角を用いて、内側の屈曲脚部１０と外側の屈曲脚部１１とによって構成されている。この内側の屈曲脚部は、外側に張り出しているランス部分７から内側へ、すなわちコンタクト１の長手軸に対して直角に折り曲げられており、外側の屈曲脚部は挿入方向５に対向して延在している。移行部１２が、外側へ張り出しているランス部分７から、内側の屈曲脚部１０へ向かって丸められている。ランス主要部６のランス固定端部１３は、相互に重なっており、１４で相互に溶接されている、コンタクトケーシング４の２つの薄板層１５によって形成されている。すなわちランス主要部６は片側でコンタクトケーシング４と結合され、重ねられ、かつ溶接されている。角度を成しているランス自由端部８によって、ランス主要部６は再度、ここで支えられている。ケーシングストッパー９は、コンタクトケーシング４の折り曲げられている折返しによって形成されており、その自由端部は挿入方向５で挿入され、安定性を上げるためにコンタクトケーシング４に両側で溶着されている。この折返しに、外側の屈曲脚部１１で以てランス主要部６が当接している。ケーシングストッパー９は自身の自由端部に、Ｕ字状の、外側へ折り曲げられている部分１６を有しており、これは、対向コネクタのコンタクトチャンバ内に挿入されるコンタクトのサブロック部（図示されていない）に対するストッパーとして設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月3日(2013.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３０】
セルの試験：
この２０３２コインセル電子二重層キャパシタを、電流１０ｍＡで１．０Ｖと２．５Ｖの間を５回サイクル動作させることによって試験した。すべてのサイクル試験（１５分間の休止段階によって隔てられた１０ｍＡでの定電流充電、続いて１０ｍＡでの定電流放電）は、Ｍａｃｃｏｒ  ３２チャンネルサイクラー（４０００型）を用いて行った。サイクル数４回および５回に対する充電および放電キャパシタンスを表１６に示す。
【表１６】
2013513931.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３１】
以上、本発明を要約すると下記のとおりです。
１．第一の電極材料と、第二の電極材料と、第一の電極材料および第二の電極材料の間に、かつ第一の電極材料および第二の電極材料と接触して配置された多孔質セパレータとを含み、多孔質セパレータが、本質的に全芳香族ポリイミドからなる複数本のナノファイバーを含むナノウェブを含む、多層物品。
２．全芳香族ポリイミドが０．２以上の結晶化度指数を特徴とする、上記１に記載の多層物品。
３．全芳香族ポリイミドがＰＭＤＡ／ＯＤＡを含む、上記１または２に記載の多層物品。４．第一の電極材料、セパレータ、および第二の電極材料が、ラミネートの形態で相互に
接着接触している、上記１または２に記載の多層物品。
５．第一または第二の電極材料の少なくとも一方と接着接触している少なくとも１個の金属集電体をさらに含む、上記１または２に記載の多層物品。
６．第一の金属集電体を含む第一の層、
第一の電極材料を第一の金属集電体と接着接触した状態で含む第二の層、
多孔質セパレータを第一の電極材料と接着接触した状態で含む第三の層、
多孔質セパレータと接着接触している第二の電極材料を含む第四の層、および
第二の電極材料と接着接触している第二の金属集電体を含む第五の層、
をさらに含む、上記５に記載の多層物品。
７．第一の金属集電体が銅箔を含み、第一の電極材料が炭素を含み、全芳香族ポリイミドがＰＭＤＡ／ＯＤＡを含み、第二の電極材料が酸化リチウムコバルトを含み、かつ第二の金属集電体がアルミニウム箔を含む、上記６に記載の多層物品。
８．第一および第二の電極材料が同一材料である、上記１または２に記載の多層物品。
９．第一および第二の電極材料が異なる材料である、上記１または２に記載の多層物品。１０．第一および第二の電極材料が同一材料である、上記６に記載の多層物品。
１１．第一および第二の電極材料が異なる材料である、上記６に記載の多層物品。
１２．第一および第二の金属集電体がアルミニウム箔を含み、第一および第二の電極材料が炭素を含み、かつ全芳香族ポリイミドがＰＭＤＡ／ＯＤＡを含む、上記６に記載の多層物品。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の電極材料と、第二の電極材料と、第一の電極材料および第二の電極材料の間に、かつ第一の電極材料および第二の電極材料と接触して配置された多孔質セパレータとを含み、多孔質セパレータが、本質的に全芳香族ポリイミドからなる複数本のナノファイバーを含むナノウェブを含む、多層物品。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月21日(2013.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ウェハを第２ウェハに電気的に結合する方法であって、
結合物質を用いて前記第１ウェハを前記第２ウェハに結合して、結合されたウェハを形成すること、
前記第１ウェハと前記第２ウェハのスクライブ領域における結合物質とに開口を形成すること、
前記第１ウェハおよび前記第１ウェハにおける前記開口上に導電性層を形成して、前記導電性層が前記第２ウェハの導電性構造との電気的接続を形成して前記第１ウェハを前記第２ウェハに電気的に結合すること、
前記結合されたウェハを複数のダイに分離することを備え、
前記分離することは、前記第２ウェハの分離経路の物質を除去することを含み、
前記分離経路は、第１幅を有し、前記開口は第２幅を有し、
前記第１幅および前記第２幅は、分離されたダイの少なくとも１つの側壁に前記導電性層の少なくとも１つの部分を残して、前記第１ウェハと前記第２ウェハとの間の電気的結合を提供するように選択される、方法。
【請求項２】
前記第２ウェハが複数のパッドを含み、
前記第１ウェハにおいて前記開口を形成した後に、前記第１ウェハに第２開口を形成して前記複数のパッドの露出させることをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数のダイの各々が、前記第１ウェハの構造の表面および前記第２ウェハの構造の表面によって画定されるキャビティを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第２ウェハが複数の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記結合物質は非導電性のグラスフリットである、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月6日(2013.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応チャンバにおいてワークピースの表面からフォトレジストを除去する方法であって、
フォーミングガスまたは純粋な窒素ガスから生成されるプラズマにその上にフォトレジストを有する前記ワークピースを暴露する段階と、
前記プラズマに前記ワークピースを暴露する段階の後、少なくとも３０秒間にわたって非プラズマ環境に前記ワークピースを放置する段階と、
前記ワークピースを前記非プラズマ環境に放置する段階の後、酸素系または水素系のプラズマに前記ワークピースを暴露して、前記フォトレジストを除去する段階と
を備える方法。
【請求項２】
前記ワークピースは、少なくとも１００秒間にわたって放置されている請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ワークピースは少なくとも１５０秒間にわたって放置されている請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ワークピースは少なくとも２００秒間にわたって放置されている請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ワークピースは少なくとも２２０秒間にわたって放置されている請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記酸素系または水素系のプラズマは、フッ素種を含む請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記ワークピースの表面から除去する前記フォトレジストは、高ドーズ注入処理されたレジストを含む請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記フォーミングガスまたは前記純粋な窒素ガスから生成されるプラズマは、リモートに生成される請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記フォーミングガスまたは前記純粋な窒素ガスから形成されるプラズマに暴露された後において、保護膜が前記ワークピースの露出したシリコン部分に形成される請求項１から請求項８のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記保護膜は、ＳｉｘＮｙ膜である請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ワークピースを暴露する段階は、リソグラフィー処理の後に実行される請求項１から１０のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
ワークピースの表面からフォトレジストを除去する装置であって、
反応チャンバと、
一連の命令を実行するコントローラと
を備え、
前記反応チャンバは、
プラズマ源と、
前記プラズマ源の下流に位置しているシャワーヘッドと、
前記シャワーヘッドの下流に位置しており、支持しているワークピースの温度を制御する温度制御メカニズムおよびペデスタルを含むワークピース支持部と
を有し、
前記一連の命令は、
フォーミングガスまたは純粋な窒素ガスから前記プラズマ源内にプラズマを生成し、
フォーミングガスまたは純粋な窒素ガスから生成されるプラズマに前記ワークピースを暴露し、
前記フォーミングガスまたは前記純粋な窒素ガスから生成されるプラズマに前記ワークピースを暴露した後、少なくとも３０秒間にわたって非プラズマ環境に前記ワークピースを放置し、
前記ワークピースを放置した後、酸素系または水素系のプラズマに前記ワークピースを暴露して、前記フォトレジストを除去するための命令を含む装置。
【請求項１３】
前記コントローラが含む前記一連の命令は、少なくとも１００秒間にわたって前記ワークピースを放置するための命令を含む請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記コントローラが含む前記一連の命令は、少なくとも１００秒間にわたって前記ワークピースを放置するための命令を含む請求項１２に記載の装置。
【請求項１５】
前記コントローラが含む前記一連の命令は、少なくとも１５０秒間にわたって前記ワークピースを放置するための命令を含む請求項１２に記載の装置。
【請求項１６】
前記コントローラが含む前記一連の命令は、少なくとも２００秒間にわたって前記ワークピースを放置するための命令を含む請求項１２に記載の装置。
【請求項１７】
前記コントローラが含む前記一連の命令は、少なくとも２２０秒間にわたって前記ワークピースを放置するための命令を含む請求項１２に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月6日(2013.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチングプロセスの後に製造途中の集積回路の一部であるワークピース上の誘電体層から材料を除去する方法であって、
水素およびフッ素含有化合物を含むガスから第１のプラズマを形成する段階と、
前記ワークピースを前記第１のプラズマに暴露する段階と、
水素材料を含むガスから第２のプラズマを形成する段階と、
前記ワークピースを前記第２のプラズマに暴露する段階と
を備え、
前記ワークピースの温度は、約摂氏１６０度未満の温度に維持される方法。
【請求項２】
前記ワークピースの温度は、約摂氏１００度未満の温度に維持される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ワークピースの温度は、約摂氏９０度未満の温度に維持される請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のプラズマを形成するための前記ガスはさらに、弱酸化剤を含む請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記弱酸化剤は、二酸化炭素、一酸化炭素、亜酸化窒素、一酸化窒素、二酸化窒素および水のうち少なくとも１つを含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記弱酸化剤は、二酸化炭素である請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記フッ素含有化合物は、三フッ化窒素（ＮＦ３）、六フッ化硫黄（ＳＦ６）、ヘキサフルオロエタン（Ｃ２Ｆ６）、テトラフルオロメタン（ＣＦ４）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）、ジフルオロメタン（ＣＨ２Ｆ２）、オクトフルオロプロパン（Ｃ３Ｆ８）、オクトフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）、オクトフルオロ［１−］ブタン（Ｃ４Ｆ８）、オクトフルオロ［２−］ブタン（Ｃ４Ｆ８）、オクトフルオロイソブチレン（Ｃ４Ｆ８）、およびフッ素（Ｆ２）のうち少なくとも１つを含む請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記フッ素含有化合物は、三フッ化窒素である請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第２のプラズマは、実質的にフッ素を含まない請求項１から請求項８のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記ワークピースは、従来の酸素ベースのプラズマフォトレジストストリッピング処理が実行されていない請求項１から請求項９のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記誘電体層から除去される前記材料は、フォトレジストおよび／または前記エッチングプロセスに起因する残留物を含む請求項１から請求項１０のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
エッチングプロセスの後に製造途中の集積回路の一部であるワークピース上の誘電体層から材料を除去する方法であって、
水素、弱酸化剤およびフッ素含有化合物を含むガスから第１のプラズマを形成する段階と、
前記ワークピースを前記第１のプラズマに暴露して、前記ワークピースからエッチング関連の残留物を除去する段階と
を備え、
前記ワークピースの温度は、前記第１のプラズマに暴露されている間、約摂氏１６０度未満の温度に維持される方法。
【請求項１３】
前記ワークピースの温度は、前記第１のプラズマに暴露されている間、約摂氏１００度未満の温度に維持される請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ワークピースの温度は、前記第１のプラズマに暴露されている間、約摂氏９０度未満の温度に維持される請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
水素および弱酸化剤を含むガスから第２のプラズマを形成する段階と、
前記ワークピースを前記第２のプラズマに暴露する段階と
をさらに備える請求項１２から請求項１４のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記ワークピースの温度は、前記第２のプラズマに暴露されている間、約摂氏１６０度未満の温度に維持される請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記ワークピースの温度は、前記第２のプラズマに暴露されている間、約摂氏９０度未満の温度に維持される請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記第２のプラズマは、実質的にフッ素を含まない請求項１５から請求項１７のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記ワークピースの温度は、前記第１のプラズマに暴露されている間より、前記第２のプラズマに暴露されている間の方が高い請求項１５から請求項１８のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記ガスにおける前記フッ素含有化合物の体積比率は、１％以下である請求項１２から請求項１９のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
エッチングプロセスの後に製造途中の集積回路の一部であるワークピース上の誘電体層から材料を除去する方法であって、
水素を含むガスから第１のプラズマを形成する段階を備え、
前記ワークピースの温度は、約摂氏１６０度未満の温度に維持される方法。
【請求項２２】
前記ガスはさらに、弱酸化剤を含む請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記ガスはさらに、フッ素含有化合物を含む請求項２１または請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
ワークピースの表面から材料を除去する装置であって、
反応チャンバと、
一連の命令を実行するコントローラと
を備え、
前記反応チャンバは、
プラズマ源と、
前記プラズマ源の下流に位置しているシャワーヘッドと、
前記シャワーヘッドの下流に位置しているワークピース支持部と
を有しており、
前記ワークピース支持部は、前記ワークピース支持部上に支持されているワークピースの温度を制御する温度制御メカニズムおよびペデスタルを含み、
前記一連の命令は、
水素、弱酸化剤およびフッ素含有化合物を含むガスから第１のプラズマを形成するための命令と、
前記ワークピースを前記第１のプラズマに暴露するための命令と、
水素および弱酸化剤を含むガスから第２のプラズマを形成するための命令と、
前記ワークピースを前記第２のプラズマに暴露するための命令と
を含み、
前記第１のプラズマに暴露する段階、および、前記第２のプラズマに暴露する段階において、前記ワークピースの温度は、約摂氏１６０度未満の温度に維持される
装置。
【請求項２５】
集積回路を製造する方法であって、エッチングプロセスの後に製造途中の集積回路の一部であるワークピース上の誘電体層から材料を除去する請求項１から２３のいずれか一項に記載の方法を含む集積回路を製造する方法。