Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月30日(2012.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微生物を単離および同定するための容器であって、
前記容器は、
（a）広い内径を有する上部、
（b）狭い内径を有する下部、
（c）前記上部および下部を連結する、中間の先細部分、および
（d）前記容器の底面、上部および／または１以上の側面上の光学窓であって、近赤外、可視、および／または、紫外光スペクトルの少なくとも一部を透過する光学窓、
を備える、微生物を単離および同定するための容器。
【請求項２】
前記容器は、微生物のペレットを作製するのに十分なサンプルを保持するために十分な体積を有する請求項１に記載の容器。
【請求項３】
前記下部は、容器全体の高さの半分未満である、請求項１に記載の容器。
【請求項４】
前記容器は、当該容器を封止するように、閉鎖具を備え、又は閉鎖具を受けるようにねじ山を有する、請求項１に記載の容器。
【請求項５】
前記光学窓は、クォーツ、石英ガラス、サファイヤ、アクリル、メタクリル酸エステル、環状オレフィン共重合体、シクロオレフィンポリマーまたはそれらのあらゆる組合せから成る、請求項１に記載の容器。
【請求項６】
前記容器は、内部に密度溶液及び選択的な溶解溶液を含む、請求項１に記載の容器。
【請求項７】
使い捨ての分離装置であって、
(a)縦軸を持つ本体を有する円柱状容器であって、前記本体は、第１端部および第２端部を有する前記縦軸方向に細長い内部キャピラリ管を画定し、前記キャピラリ管の前記第１端部に連結された貯蔵器を更に画定する、円柱状容器を形成し、
(b)前記キャピラリ管の前記第２端部付近の前記本体は、光学的に透明な物質からなり、
(c)前記貯蔵器への接近を可能にして、液体サンプルの供給を可能にする前記貯蔵器のカバー
を備える、分離装置。
【請求項８】
前記装置は、貯蔵器の中に含まれる密度クッション及び該密度クッション上部に重ねられる溶解溶液を更に備える、請求項７の分離装置。
【請求項９】
前記貯蔵器は、0.5〜15mlの液体容量を有する、請求項７に記載の分離装置。
【請求項１０】
前記装置は、本体に固定される末端部であって、前記キャピラリ管の前記第２端部を閉鎖し、光学的に透明な物質からなる末端部を更に有する、請求項７に記載の分離装置。
【請求項１１】
前記装置は、前記貯蔵器および前記キャピラリ管の間にある先細部を更に備える、請求項７に記載の分離装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月11日(2012.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
SEQ ID NO:1の少なくとも17個の連続するヌクレオチドを含有する単離された核酸であって、該核酸は表２に示す変異から成る群から選択される変異を含み、該核酸は5000ヌクレオチド長未満である、上記核酸。
【請求項２】
該核酸はJAK2核酸中のSEQ ID NO:1のヌクレオチド2271-2358に対応するヌクレオチド配列
の欠失を含む、請求項１記載の単離された核酸。
【請求項３】
該核酸は表２に示す少なくとも１つの変異を更に含有する、請求項１または２に記載の単離された核酸。
【請求項４】
該核酸は検出可能な標識で標識されている、請求項１から３のいずれかに記載の単離された核酸。
【請求項５】
SEQ ID NO:2の少なくとも10個の連続するアミノ酸を含むポリペプチドであって、該ポリペプチドは表２に示す変異から成る群から選択される変異を含み、該ポリペプチドは1100アミノ酸未満である、上記ポリペプチド。
【請求項６】
該ポリペプチドはJAK2蛋白質中のSEQ ID NO:2のS593-N622に対応するアミノ酸の欠失を含む、請求項５記載のポリペプチド。
【請求項７】
該ポリペプチドは表２に示す少なくとも１つの変異を更に含有する、請求項５または６に記載のポリペプチド。
【請求項８】
該ポリペプチドは検出可能な標識で標識されている、請求項５から７のいずれかに記載のポリペプチド。
【請求項９】
個体における造血疾患を診断する方法であって、
ａ）該個体由来のサンプルを提供し、ここで、該サンプルはJAK2核酸を含有しており；
ｂ）個体由来の核酸を含有するサンプルをJAK2核酸中の１つまたはそれ以上の変異の存在または不在について評価し、ここで、該１つまたはそれ以上の変異は表２の変異から成る群から選択され；そして
ｃ）該JAK2核酸が該変異を少なくとも１つ含有する場合に、該個体が造血疾患を有すると同定する、
ことを含む、上記方法。
【請求項１０】
該核酸はJAK2核酸中のSEQ ID NO:1のヌクレオチド2271-2358に対応するヌクレオチド配列
の欠失を含む、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
JAK2核酸はRNAである、請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
該サンプルは、血液、血清、および血漿から成る群から選択される、請求項９から１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
該JAK2核酸は表２に示す少なくとも１つの変異を更に含有する、請求項９から１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
該造血疾患は骨髄増殖性疾患である、請求項９から１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
該骨髄増殖性疾患は、真性赤血球増加症、本態性血小板血症、特発性骨髄線維症、および分類不能型骨髄増殖性疾患から成る群から選択される、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
該評価段階は、JAK2核酸を増幅し、そして増幅された核酸をJAK2核酸を特異的に検出することができる検出オリゴヌクレオチドとハイブリダイゼーション条件下でハイブリダイズさせることを含む、請求項９から１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
該評価段階はJAK2核酸の増幅および増幅された核酸の直接シーケンシング分析の実施を含む、請求項９から１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
造血疾患を有すると診断された個体の予後を判定する方法であって、
（ａ）JAK2核酸サンプル中の１つまたはそれ以上の変異の存在または不在を確認し、ここで、該１つまたはそれ以上の変異は表２の変異から成る群から選択され；そして
（ｂ）JAK2核酸サンプル中に１つまたはそれ以上の変異が存在する場合に、該個体が予後不良であると同定する、
ことを含む上記方法。
【請求項１９】
該核酸はJAK2核酸中のSEQ ID NO:1のヌクレオチド2271-2358に対応するヌクレオチド配列
の欠失を含む、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
個体における造血疾患を診断する方法であって、
（ａ）個体由来のサンプルをJAK2ポリペプチド中の１つまたはそれ以上の変異の存在または不在について評価すし、ここで、該１つまたはそれ以上の変異は表２の変異から成る群から選択され；そして
（ｂ）JAK2ポリペプチド中に該変異が少なくとも１つ存在する場合に、該個体が造血疾患を有すると同定する、
ことを含む上記方法。
【請求項２１】
該サンプルは、血液、血清、および血漿から成る群から選択される、請求項１８から２０のいずれかに記載の方法。
【請求項２２】
該JAK2ポリペプチドは表２に示す少なくとも１つの変異を更に含有する、請求項１８から２１のいずれかに記載の方法。
【請求項２３】
該造血疾患は骨髄増殖性疾患である、請求項１８から２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２４】
該骨髄増殖性疾患は、真性赤血球増加症、本態性血小板血症、特発性骨髄線維症、および分類不能型骨髄増殖性疾患から成る群から選択される、請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
該評価段階は、変異型JAK2ポリペプチドに特異的に結合する抗体を使用することを含む、請求項１８から２４のいずれかに記載の方法。
【請求項２６】
造血疾患を有すると診断された個体の予後を判定する方法であって、
（ａ）JAK2ポリペプチド・サンプル中の１つまたはそれ以上の変異の存在または不在を確認し、ここで、該１つまたはそれ以上の変異は表２の変異から成る群から選択され；そして
（ｂ）JAK2ポリペプチド中に１つまたはそれ以上の変異が存在する場合に、該個体が予後不良であると同定する、
ことを含む上記方法。
【請求項２７】
該ポリペプチドはJAK2蛋白質中のSEQ ID NO:2のS593-N622に対応するアミノ酸の欠失を含む、請求項２６記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月11日(2012.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの反復ドメインを含むリコンビナント結合タンパク質であって、該反復ドメインは、１０−７M以下のＫｄでＶＥＧＦ−Ａｘｘｘに結合しそしてＶＥＧＦＲ−２へのＶＥＧＦｘｘｘの結合を阻害する、リコンビナント結合タンパク質。
【請求項２】
前記反復ドメインが１０nM以下のＩＣ５０値でＨＵＶＥＣスフェロイドの新芽形成を阻害する、請求項１に記載の結合タンパク質。
【請求項３】
前記反復ドメインとＶＥＧＦ−Ａｘｘｘｂとの相互作用についてのＫｄが、該反復ドメインと対応するＶＥＧＦ−Ａｘｘｘとの相互作用についてのＫｄに比較して少なくとも１０倍高い、請求項１に記載の結合タンパク質。
【請求項４】
前記反復ドメインがアンキリン反復ドメインである、請求項１に記載の結合タンパク質。
【請求項５】
前記アンキリン反復ドメインが、アンキリン反復配列モチーフ
1D23GWTPLHL4ADLG5LEIVEVLLK6GADVN7（配列番号４）
（式中、
１は、Ｋ、ＴおよびＹからなる群より選ばれるアミノ酸残基を表し；
２は、アミノ酸残基ＮまたはＭを表し、
３は、アミノ酸残基ＴまたはＦを表し、
４は、アミノ酸残基ＳまたはＡを表し、
５は、アミノ酸残基ＨまたはＲを表し、
６は、Ａ、Ｙ、ＨおよびＮからなる群より選ばれるアミノ酸残基を表し、
７は、アミノ酸残基ＡまたはＴを表す）
を有する反復モジュールを含む、請求項４に記載の結合タンパク質。
【請求項６】
前記アンキリン反復ドメインが、アンキリン反復配列モチーフ
1D23G4TPLHLAA56GH7EIVEVLLK8GADVNA（配列番号５）
（式中、
１は、Ａ、Ｎ、Ｒ、Ｖ、Ｙ、Ｅ、Ｈ、Ｉ、Ｋ、Ｌ、Ｑ、ＳおよびＴからなる群より選ばれるアミノ酸残基を表し；
２は、Ｓ、Ａ、Ｎ、Ｒ、Ｄ、Ｆ、Ｌ、Ｐ、ＴおよびＹからなる群より選ばれるアミノ酸残基を表し；
３は、Ｔ、Ｖ、Ｓ、Ａ、ＬおよびＦからなる群より選ばれるアミノ酸残基を表し；
４は、Ｗ、ＦおよびＨからなる群より選ばれるアミノ酸残基を表し；
５は、Ｐ、Ｉ、Ａ、Ｌ、Ｓ、Ｔ、ＶおよびＹからなる群より選ばれるアミノ酸残基を表し；
６は、Ｗ、Ｆ、Ｉ、Ｌ、ＴおよびＶからなる群より選ばれるアミノ酸残基を表し；
７は、アミノ酸残基ＬまたはＰを表し；そして
８は、Ａ、Ｈ、ＮおよびＹからなる群より選ばれるアミノ酸残基を表す）
を有する反復モジュールを含む、請求項４に記載の結合タンパク質。
【請求項７】
前記アンキリン反復ドメインが、アンキリン反復配列モチーフ
1D23GWTPLHLAA45GHLEIVEVLLK6GADVNA（配列番号７）
（式中、
１は、Ｋ、Ｍ、Ｎ、ＲおよびＶからなる群より選ばれるアミノ酸残基を表し；
２は、Ｙ、Ｈ、ＭおよびＶからなる群より選ばれるアミノ酸残基を表し；
３は、Ｆ、Ｌ、ＭおよびＶからなる群より選ばれるアミノ酸残基を表し；
４は、Ｒ、Ｈ、Ｖ、Ａ、ＫおよびＮからなる群より選ばれるアミノ酸残基を表し；
５は、Ｆ、Ｄ、Ｈ、Ｔ、Ｙ、ＭおよびＫからなる群より選ばれるアミノ酸残基を表し；そして
６は、Ａ、Ｈ、ＮおよびＹからなる群より選ばれるアミノ酸残基を表す）
を有する反復モジュールを含む、請求項４に記載の結合タンパク質。
【請求項８】
前記アンキリン反復ドメインが、アンキリン反復配列モチーフ
1DFK2DTPLHLAA34GH5EIVEVLLK6GADVNA（配列番号１０）
（式中、
１は、Ｌ、ＳおよびＴからなる群より選ばれるアミノ酸残基を表し；
２は、Ｇ、ＳおよびＣからなる群より選ばれるアミノ酸残基を表し；
３は、アミノ酸残基ＳまたはＡを表し；
４は、Ｑ、Ｓ、ＭおよびＮからなる群より選ばれるアミノ酸残基を表し；
５は、Ｌ、ＭおよびＱからなる群より選ばれるアミノ酸残基を表し；そして
６は、Ａ、Ｈ、Ｎ、ＹおよびＤからなる群より選ばれるアミノ酸残基を表す）
を有する反復モジュールを含む、請求項４に記載の結合タンパク質。
【請求項９】
前記アンキリン反復ドメインが、アンキリン反復配列モチーフ
1D23G4TPL5LAA67GHLEIVEVLLK8GADVNA（配列番号１２）
（式中、
１は、Ｋ、Ｓ、Ｉ、Ｎ、ＴおよびＶからなる群より選ばれるアミノ酸残基を表し；
２は、Ｋ、Ｎ、Ｗ、Ａ、Ｈ、Ｍ、ＱおよびＳからなる群より選ばれるアミノ酸残基を表し；
３は、Ｆ、Ｑ、Ｌ、ＨおよびＶからなる群より選ばれるアミノ酸残基を表し；
４は、アミノ酸残基ＦまたはＴを表し；
５は、アミノ酸残基ＱまたはＨを表し；
６は、アミノ酸残基ＹまたはＳを表し；
７は、Ｎ、Ｈ、ＹおよびＭからなる群より選ばれるアミノ酸残基を表し；そして
８は、Ａ、Ｈ、ＮおよびＹからなる群より選ばれるアミノ酸残基を表す）
を有する反復モジュールを含む、請求項４に記載の結合タンパク質。
【請求項１０】
前記アンキリン反復ドメインが配列番号６のアンキリン反復配列モチーフを有する反復モジュールを含み、該反復モジュールは前に配列番号５のアンキリン反復配列モチーフを有する反復モジュールが配置されている、請求項４に記載の結合タンパク質。
【請求項１１】
前記アンキリン反復ドメインが配列番号３のアンキリン反復配列モチーフを有する反復モジュールを含み、該反復モジュールは前に配列番号２のアンキリン反復配列モチーフを有する反復モジュールが配置されており、および／または後に配列番号４のアンキリン反復配列モチーフを有する反復ドメインが続く、請求項４に記載の結合タンパク質。
【請求項１２】
前記反復ドメインが、配列番号１６、２２、２３、２９、３０、３３、３４、３６、３９および４０からなる群より選ばれるアンキリン反復ドメインと、ＶＥＧＦ−Ａｘｘｘへの結合について競合する、請求項４に記載の結合タンパク質。
【請求項１３】
前記アンキリン反復ドメインが配列番号１４〜４０からなる群より選ばれる、請求項４に記載の結合タンパク質。
【請求項１４】
前記アンキリン反復ドメインが、配列番号１４〜４０からなる群より選ばれる１つのアンキリン反復ドメインと少なくとも７５％のアミノ酸配列同一性を有するアミノ酸配列を含む、請求項４に記載の結合タンパク質。
【請求項１５】
前記反復ドメインの反復モジュールのアミノ酸残基の１つ以上が、反復単位のアライメントにおける対応する位置に見出されるアミノ酸残基により交換されている、請求項４に記載の結合タンパク質。
【請求項１６】
非タンパク質性ポリマー部分を更に含む、請求項１〜１５のいずれか１つに記載の結合タンパク質。
【請求項１７】
請求項１〜１５のいずれか１つに記載の結合タンパク質をコードする核酸。
【請求項１８】
請求項１〜１６のいずれか１つの結合タンパク質または請求項１７に記載の核酸および場合により薬学的に許容されうる担体および／または希釈剤を含む、薬学的組成物。
【請求項１９】
眼障害の処置のための請求項１８に記載の薬学的組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月23日(2012.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リボ核酸分解活性がなく、抗血管形成活性を有する単離されたヒト短縮型ＲＮＡＳＥＴ２。
【請求項２】
配列番号１のＮ末端のアミノ酸残基１〜アミノ酸残基３２に対応するアミノ酸配列が欠落している、請求項１に記載のヒト短縮型Ｔ２ＲＮａｓｅ。
【請求項３】
配列番号２と少なくとも９５％同一であるアミノ酸配列を含む、請求項２に記載のヒト短縮型ＲＮＡＳＥＴ２。
【請求項４】
配列番号２または配列番号１４に示されるアミノ酸配列を含む、請求項２に記載のヒト短縮型ＲＮＡＳＥＴ２。
【請求項５】
配列番号１のＮ末端のアミノ酸残基１〜アミノ酸残基４９に対応するアミノ酸配列が欠落している、請求項１に記載のヒト短縮型ＲＮＡＳＥＴ２。
【請求項６】
配列番号１のＮ末端のアミノ酸残基１〜アミノ酸残基５２に対応するアミノ酸配列が欠落している、請求項１に記載のヒト短縮型ＲＮＡＳＥＴ２。
【請求項７】
配列番号３または配列番号１５と少なくとも９５％同一であるアミノ酸配列を含む、請求項６に記載のヒト短縮型ＲＮＡＳＥＴ２。
【請求項８】
配列番号３または配列番号１５に示されるアミノ酸配列を含む、請求項６に記載のヒト短縮型ＲＮＡＳＥＴ２。
【請求項９】
配列番号１のＮ末端のアミノ酸残基１〜アミノ酸残基６９に対応するアミノ酸配列が欠落している、請求項１に記載のヒト短縮型ＲＮＡＳＥＴ２。
【請求項１０】
配列番号１のＮ末端のアミノ酸残基２５、アミノ酸残基３２またはアミノ酸残基５２に対応するアミノ酸座標の少なくとも１つにおけるシステイン残基が欠落している、請求項１に記載のヒト短縮型ＲＮＡＳＥＴ２。
【請求項１１】
配列番号１のＮ末端のアミノ酸残基２５およびアミノ酸残基３２に対応するアミノ酸座標におけるシステイン残基が欠落している、請求項１０に記載のヒト短縮型ＲＮＡＳＥＴ２。
【請求項１２】
配列番号１のＮ末端のアミノ酸残基２５、アミノ酸残基３２およびアミノ酸残基５２に対応するアミノ酸座標におけるシステイン残基が欠落している、請求項１０に記載のヒト短縮型ＲＮＡＳＥＴ２。
【請求項１３】
認識実体ペプチド配列をさらに含む、請求項１〜１２のいずれかに記載のヒト組換え短縮型ＲＮＡＳＥＴ２。
【請求項１４】
前記認識実体ペプチド配列はＨｉｓタグである、請求項１３に記載のヒト組換え短縮型ＲＮＡＳＥＴ２。
【請求項１５】
アクチン結合活性を有する、請求項１〜１４のいずれかに記載のヒト短縮型ＲＮＡＳＥＴ２。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれかに記載のヒト短縮型ＲＮＡＳＥＴ２の精製された調製物。
【請求項１７】
請求項１〜１５のいずれかに記載のヒト短縮型ＲＮＡＳＥＴ２と、医薬的に許容されるキャリアとを含む医薬組成物。
【請求項１８】
請求項１〜１５のいずれかに記載の短縮型ヒトＲＮＡＳＥＴ２をコードする単離されたポリヌクレオチド。
【請求項１９】
配列番号４または配列番号５に示される核酸配列を含む、請求項１８に記載の単離されたポリヌクレオチド。
【請求項２０】
請求項１８又は１９に記載の単離されたポリヌクレオチドを含む、発現可能な核酸構築物。
【請求項２１】
細菌における核酸構築物の発現は、１リットルの細菌培養物あたり少なくとも５０ｍｇのヒト短縮型ＲＮＡＳＥＴ２を産生させる、請求項２０に記載の核酸構築物。
【請求項２２】
請求項２０又は２１に記載の核酸構築物により形質転換された細胞。
【請求項２３】
前記細胞はＥ．ｃｏｌｉ細菌細胞である、請求項２２に記載の細胞。
【請求項２４】
請求項２３に記載の細胞を複数含み、かつ、１リットルの培養物あたり少なくとも５０ｍｇの短縮型ヒトＲＮＡＳＥＴ２を発現する細菌培養物。
【請求項２５】
請求項１〜１５のいずれかに記載の短縮型ヒトＲＮＡＳＥＴ２の、血管形成をその必要性のある対象において阻害するための医薬品を製造するための使用。
【請求項２６】
前記血管形成を阻害することは、腫瘍の血管形成を阻害することである、請求項２５に記載の使用。
【請求項２７】
前記腫瘍は良性腫瘍または悪性腫瘍である、請求項２６に記載の使用。
【請求項２８】
前記腫瘍は原発性腫瘍である、請求項２６に記載の使用。
【請求項２９】
前記腫瘍は転移腫瘍である、請求項２６に記載の使用。
【請求項３０】
配列番号２、配列番号３、配列番号１４または配列番号１５のいずれかに示されるアミノ酸配列を有するヒト短縮型ＲＮＡＳＥＴ２ポリペプチドを認識する抗体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月15日(2012.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
前記２次能動スイッチ（Ｓ２、Ｓ４、Ｓ６）は、前記１次能動スイッチ（Ｓ１、Ｓ３、Ｓ５）の前記切断時間（ＴＯＦＦ）より短いまたは等しい持続時間を有する相補供給時間（ＴＯＮ−Ｃ）の間に供給されることを特徴とする、請求項１５に従う、コンプレッサ用の可変速電気モータを駆動するための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月25日(2012.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【図１】図１は、樹立したiPS細胞クローンT4F-1の形態を示す写真である。左図はコロニー形成時、右図は3継代目のコロニー像を示す。
【図２】図２は、樹立したヒトiPS細胞クローンについてGenomic-PCR解析を行った結果を示す写真である。図中「T4F-1」はOct3/4, Nanogの2遺伝子のみがゲノムに挿入されたクローンであり、「T4F-2」はOct3/4, Sox2, Nanog, Lin28の4遺伝子がゲノムに挿入されたクローンである。また図中、「Y4F」はOct3/4, Sox2, Klf4, c-Mycの4遺伝子導入で樹立したクローンを、「Y3F」はOct3/4, Sox2, Klf4の3遺伝子導入で樹立したクローンをそれぞれ示す。「HDF」は導入に用いた成人皮膚由来線維芽細胞を、「H2O」は陰性コントロールとしての溶媒(水)を示す。
【図３】図３は、樹立したヒトiPS細胞クローンが、ES細胞特異的なマーカー遺伝子（Oct3/4, Nanog, Lin28, PH34, Dnmt3b及びNodal）を発現していることを示すRT-PCRの写真である。図中、「T4F-1」、「T4F-2」は樹立した各クローンを、また「201B6 P19」、「201B7 P37」は、いずれもTakahashi, K.ら, Cell, 131:861-872 (2007)に記載されたOct3/4,Sox2,Klf4,Nanogを用いて樹立されたiPS細胞クローンを示す（P19又は P37は継代数である。）。「ES」はES細胞を、「AHDF」は導入に用いた成人皮膚由来線維芽細胞を、「H2O」は陰性コントロールを示す。
【図４】図４は、2遺伝子（Oct3/4, Nanog）のゲノム中への挿入により樹立したヒトiPS細胞クローン(T4F-1)をScidマウスの精巣内に注射して得られたテラトーマの組織染色像（ヘマトキシリン・エオシン染色）である。左から、神経管組織、軟骨組織、腸管様上皮構造の組織像を示す。
【図５】図５は、2遺伝子(Oct3/4, Nanog)の導入により樹立したiPS細胞クローンON-1及びON-5の形態を示す写真である。左図はコロニー形成時、右図は3継代目のコロニー像を示す。
【図６】図６は、樹立したヒトiPS細胞クローンが、ES細胞特異的なマーカー遺伝子（Oct3/4, Nanog, Lin28, PH34及びDnmt3b）を発現していることを示すRT-PCRの写真である。図中、「ON-1〜ON-6」は2遺伝子導入で樹立した各クローンを、また「201B7 P19」は、Takahashi, K.ら, Cell, 131:861-872 (2007)に記載されたOct3/4,Sox2,Klf4,Nanogを用いて樹立されたiPS細胞クローンを示す（P19は継代数である。）。「AHDF」は導入に用いた成人皮膚由来線維芽細胞を、「H2O」は陰性コントロールを示す。
【図７】図７は、ヒト成人皮膚由来線維芽細胞への、4遺伝子(Oct3/4, Nanog, Lin28, c-Myc)、3遺伝子(Oct3/4, Nanog, Lin28)の導入により樹立されたiPS細胞クローンONLM(図7A)及びONL(図7B)、ヒト新生児包皮由来線維芽細胞への、2遺伝子(Oct3/4, Nanog)の導入により樹立されたiPS細胞クローンON(図7C)の各形態を示す写真である。左図はいずれもコロニー形成時、右図及び中央図は1又は10継代目のコロニー像を示す。
【図８】図８は、ヒト歯髄幹細胞DP31への2遺伝子(Oct3/4, Nanog)の導入により樹立されたiPS細胞クローンの形態を示す写真である。左図はコロニー形成時、右図は２継代目のコロニー像を示す。
【図９】図９は、樹立したヒトiPS細胞クローンについてGenomic-PCR解析を行った結果を示す写真である。レーン左から以下の細胞の結果を示す：・ONL：Oct3/4, Nanog, Lin28の3遺伝子を成人皮膚由来線維芽細胞に導入して樹立したiPS細胞クローン、・AHDF-ON: Oct3/4, Nanogの2遺伝子を成人皮膚由来線維芽細胞に導入して樹立したiPS細胞クローン、・NHDF-ON: Oct3/4, Nanogの2遺伝子をヒト新生児包皮由来線維芽細胞に導入して樹立したiPS細胞クローン、・201B6：Takahashi, K.ら, Cell, 131:861-872 (2007)に記載されたOct3/4,Sox2,Klf4,Nanogを用いて樹立されたiPS細胞クローン、・AHDF: ヒト成人皮膚由来線維芽細胞、・NHDF: ヒト新生児包皮由来線維芽細胞。
【図１０】図10は、樹立したヒトiPS細胞クローンについてGenomic-PCR解析を行った結果を示す写真である。レーン左から以下の細胞の結果を示す：・OSKMNL: Oct3/4, Sox2, Klf4, c-Myc, Nanog, Lin28の6遺伝子を成人皮膚由来線維芽細胞に導入して樹立したiPS細胞クローン、・Dp31 ON：Oct3/4, Nanogの2遺伝子をヒト歯髄幹細胞Dp31に導入して樹立したiPS細胞クローン、・Dp31:ヒト歯髄幹細胞、・H2O:陰性コントロール（水）。
【図１１】図11は、Oct3/4, Nanogの2遺伝子を成人皮膚由来線維芽細胞に導入して樹立したヒトiPS細胞クローンをScidマウスの精巣内に注射して得られたテラトーマの組織染色像（ヘマトキシリン・エオシン染色）である。左から、神経組織、腺上皮組織、軟骨組織の組織像を示す。
【図１２】図12は、Oct3/4, Nanogの2遺伝子を成人皮膚由来線維芽細胞に導入して樹立したヒトiPS細胞クローンが、幹細胞マーカーを発現することを示した免疫染色の写真である。
【図１３】図13は、Oct3/4, Nanogの2遺伝子を成人皮膚由来線維芽細胞に導入して樹立したヒトiPS細胞クローンが三胚葉系への分化能を有することを、βIII-チューブリン(tubulin)(図中Tubrin)、α-フェトプロテイン(fetoprotein)(図中AFP)、ビメンチン(Vimentin)、平滑筋アクチン(smooth muscle actin)(図中SMA)およびデスミン(Desmin)に対する各抗体を用いた染色により確認した結果を示す写真である。Cy3-Negaおよび488-Negaは陰性コントロールである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月18日(2012.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの硬化性樹脂と、透過電子顕微鏡により測定して５０〜５００ｎｍの主要粒径を有する表面修飾ナノ粒子と、透過電子顕微鏡により測定して１０〜５００ｎｍの平均寸法を有するゴムナノドメインと、を含み、前記表面修飾ナノ粒子が実質的に球状のシリカコアの表面に結合した有機表面処理剤を含む硬化性組成物。
【請求項２】
前記表面修飾ナノ粒子が、１００〜２５０ナノメートルの平均粒径を有する、請求項１に記載の硬化性組成物。
【請求項３】
前記ゴムナノドメインが、コア−シェルゴムナノ粒子を含む、請求項１又は２に記載の硬化性組成物。
【請求項４】
前記ゴムナノドメインが、自己集合性ブロックコポリマーを含み、任意に該自己集合性ブロックコポリマーが、三元ブロックコポリマーを含む、請求項１又は２に記載の硬化性組成物。
【請求項５】
前記硬化性組成物が、硬化性樹脂、表面修飾ナノ粒子、及びコアシェルゴムナノ粒子の総重量に基づき、２０重量％〜５０重量％の表面修飾ナノ粒子を含む、請求項３に記載の硬化性組成物。
【請求項６】
前記硬化性組成物が、硬化性樹脂、表面修飾ナノ粒子、及びゴムナノドメインの総重量に基づき、０．５重量％〜１０重量％のゴムナノドメインを含む、請求項５に記載の硬化性組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月30日(2012.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
ＬＡＳ１０は、動作ベース１２を含み、動作ベース１２の上では、ベルト状の移送装置トラック１４が、サンプル容器装填／回収装置１６から、２つの自動遠心分離機２４Ａ、２４Ｂのうちの１つに、個別のサンプル管容器２０を搬送する。サンプル容器装填／回収装置１６は、サンプル容器運搬装置２２の中で、優先順位の高いＳＴＡＴに活性のある入力レーンのほかに、１つより多い複数管ラック１８を有する。遠心分離された後、サンプル管容器２０は、そこから、フタ付きサンプル容器２０からフタを自動的に取り外すための自動管フタ外し装置３０へ移送され、そこから、本来のサンプル管容器２０をサンプル管装填／回収ロボット装置１６に戻す前に、１以上の分析機３２、３８、および４２へ移送される。３つ以上の分析機３２、３８、４２が移送装置トラック１４によって連結されてもよいことが理解されるべきである；簡潔さの目的のために、３つのみが示されている。遠くにある分析機４２は、ＬＡＳ１０に直接つながっていなくとも、例えば独立したロボットシステムによって、ＬＡＳ１０によって供給されることがある。サンプル取り扱いＬＡＳ１０は、各サンプル管運搬装置２２の上または内に置かれたしるしを同定する手段によって、サンプル管容器２０の場所を検出するための数々のセンサ１９を有する。従来のバーコードリーダが、このような追跡動作において採用されてもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
遠心分離機２４Ａおよび２４Ｂ、および、各分析機３８、４２、および３２は、一般的に、さまざまな装填機構２６Ａ、２６Ｂ、２８Ａ、２８Ｂ、４０、および４４、または、トラック１４をそれぞれ備えており、それらは、それぞれ、トラック１４からサンプル管運搬装置２２を取り外すためのものである。また、それらは、遠心分離機２４Ａ、２４Ｂへ、およびそこから、分析機３８、４２、３２へ、およびそこから、またはその中へ、およびその外へ、サンプル管運搬装置２２を動かすためのものである。サンプル管容器２０は、このようなプロセスのために、サンプル管運搬装置２２から交互に取り外されてもよい。典型的には、装填／回収装置１６は、従来からロボットクランプハンドが設けられる少なくとも２つのＸ−Ｙ−Ｚロボットアーム２１を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月16日(2012.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
それぞれのＲが、独立して、式（ＩＩＩ）のフェニル基である請求項１１に記載の方法。
2011525211.tif 000001
（ここで、Ｑｎの各Ｑは、独立して、水素原子、ハロゲン原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、１〜２４の炭素原子を有するヒドロカルビル基、１〜２４の炭素原子を有するアルコキシ基、１〜２４の炭素原子を有するアリールオキシ基、又は、１〜２４の炭素原子を有する置換されたアリール基であり、前記ヒドロカルビル基、前記アルコキシ基、前記アリールオキシ基、又は前記置換されたアリール基は、１又はそれ以上のケイ素原子、又は、アルコキシ基、又はそれらが組み合わされたものを含み、ｎ＝０〜５である。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
前記ケイ酸塩が、モンモリロナイト、バイデライト、ノントロナイト、サポナイト、ヘクトライト、ステベンサイト、バーミキュライト、マイカ、イライト、セリサイト、グロコナイト、アタパルジャイト、セピオライト、タエニオライト、パリゴルスカイト、ベントナイト、パイロフィライト、タルク、クロライト、及びカオリナイトからなる群より選ばれたものである請求項１３に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】
それぞれのＲが、独立して、式（ＩＩＩ）のフェニル基である請求項１９に記載の方法。
2011525211.tif 000002
（ここで、Ｑｎの各Ｑは、独立して、水素原子、ハロゲン原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、１〜２４の炭素原子を有するヒドロカルビル基、１〜２４の炭素原子を有するアルコキシ基、１〜２４の炭素原子を有するアリールオキシ基、又は、１〜２４の炭素原子を有する置換されたアリール基であり、前記ヒドロカルビル基、前記アルコキシ基、前記アリールオキシ基、又は前記置換されたアリール基は、１又はそれ以上のケイ素原子、又は、アルコキシ基、又はそれらが組み合わされたものを含み、ｎ＝０〜５である。）
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２２】
前記ケイ酸塩が、モンモリロナイト、バイデライト、ノントロナイト、サポナイト、ヘクトライト、ステベンサイト、バーミキュライト、マイカ、イライト、セリサイト、グロコナイト、アタパルジャイト、セピオライト、タエニオライト、パリゴルスカイト、ベントナイト、パイロフィライト、タルク、クロライト、及びカオリナイトからなる群より選ばれたものである請求項２１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月2日(2012.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路設計における使用のためのライブラリの最適化のための方法であって、
初期回路ネットリストを提供するステップと、
１つまたはより多くの既存セルの組を提供するステップと、
前記１つまたはより多くの既存セルの組に加えて、１つまたはより多くの追加的に許容可能なセルの組を提供するステップと、
少なくとも１つのコンピュータプロセッサを用いて、最初から存在するセルの組、および、許容可能セルの追加的な組を考慮して実行コストを低減するセルを検索するために、前記初期回路ネットリストを解析するステップとを備え、
前記解析するステップは、前記最初から存在するセルの組および前記許容可能セルの追加的な組を考慮しながら、前記回路を再マッピングするステップを含み、
前記方法は、
潜在的に設計コストを低減する、前記既存セルのサブセットおよび前記許容可能セルのサブセットを含む、１つまたはより多くの新しいセルライブラリ仕様および記述を出力するステップと、
新しい再マッピングされたネットリストを出力するステップとを備え、
前記許容可能機能の追加的な組は、組合せ論理機能を実現するために、両方のトランジスタ平面における直列のスイッチの数についての正確な下限内のスイッチの最大許容数によって非明示的に定義される、方法。
【請求項２】
前記初期回路ネットリストは、複数のセルまたはブール方程式の表現の少なくとも１つによって提供される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記許容可能セルの追加的な組は、
追加的に利用可能な機能またはセルを列挙する、少なくとも１つの明示的な組を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記許容可能セルの追加的な組は、
追加的に利用可能なセルを列挙する明示的な組を含み、
追加的な許容可能な論理関数の各々は異なる実行例を有し得る、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記許容可能セルの追加的な組は、
いくつかのパラメータを通して非明示的に定義された機能またはセルの組を含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記許容可能セルの追加的な組は、
許容される最大の入力数によって非明示的に定義された機能またはセルの組を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記許容可能セルの追加的な組は、
直列または並列結合された、直列および並列のスイッチの最大数によって非明示的に定義された機能またはセルの組を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記許容可能セルの追加的な組は、
前記関数のバイナリデシジョンダイアグラム（ＢＤＤ）実行例における直列のアークの最大数によって非明示的に定義されたセルの組を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記許容可能セルの追加的な組は、
一般的なトランジスタ実行例における直列のスイッチの最大許容数によって非明示的に定義される機能またはセルの組を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記１つまたはより多くの既存セルの組は、空の組を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記１つまたはより多くの既存セルの組は、許容されない組を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記１つまたはより多くの追加的に許容可能なセルの組は、非明示的に記述された組を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記１つまたはより多くの追加的に許容可能なセルの組は、前記非明示的に記述された組を含むとともに、さらに明示的な記述も含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
回路設計における使用のために、非一時的なコンピュータ読込可能媒体を用いて統合されるライブラリを最適化するためのコンピュータプログラム製品であって、
前記コンピュータ読込可能媒体は、少なくとも１つのプロセッサで実行可能なコードを含み、
前記コンピュータプログラム製品は、
初期回路ネットリストを提供するためのコンピュータ読込可能コードと、
１つまたはより多くの組の既存セルを提供するためのコンピュータ読込可能コードと、
前記１つまたはより多くの既存セルの組に加えて、１つまたはより多くの組の追加的な許容可能セルの組を提供するためのコンピュータ読込可能コードと、
最初から存在するセルの組、および、許容可能セルの追加的な組を考慮して実行コストを低減するセルを検索するように、前記初期回路ネットリストを解析するためのコンピュータ読込可能コードと、
潜在的に設計コストを低減する、前記既存セルのサブセットおよび前記許容可能セルのサブセットを含む、１つまたはより多くの新しいセルライブラリ仕様および記述を出力するためのコンピュータ読込可能コードとを備え、
前記許容可能機能の追加的な組は、組合せ論理機能を実現するために、両方のトランジスタ平面における直列のスイッチの数についての正確な下限内のスイッチの最大許容数によって非明示的に定義される、コンピュータプログラム製品。
【請求項１５】
前記最初から存在するセルの組および前記許容可能セルの追加的な組を考慮しながら、前記回路を再マッピングするためのコンピュータ読込可能コードを備える、請求項１４に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項１６】
新しい再マッピングされたネットリストを出力するためのコンピュータ読込可能コードを備える、請求項１５に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項１７】
前記許容可能セルの追加的な組は、
追加的に利用可能な機能またはセルを列挙する、少なくとも１つの明示的な組を含む、請求項１６に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項１８】
前記許容可能セルの追加的な組は、
追加的に利用可能なセルを列挙する明示的な組を含み、
追加的に許容可能な論理関数の各々は異なる実行例を有し得る、請求項１６に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項１９】
前記１つまたはより多くの追加的に許容可能なセルの組は、多くの入力によって記述される、請求項１４に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項２０】
前記１つまたはより多くの追加的に許容可能なセルの組は、直列−並列の実行例における、多くの直列および並列のトランジスタによって記述される、請求項１４に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項２１】
前記１つまたはより多くの追加的に許容可能なセルの組は、バイナリデシジョンダイアグラム（ＢＤＤ）の高さによって記述される、請求項１４に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項２２】
前記１つまたはより多くの追加的に許容可能なセルの組は、一般的なスイッチ実行例において達成可能な最小長さのトランジスタチェーンによって記述される、請求項１４に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項２３】
前記１つまたはより多くの既存セルの組は、空の組を含む、請求項１４に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項２４】
前記１つまたはより多くの既存セルの組の少なくとも一部分は、「使用不可」と示されるようにマーキングされる、請求項１４に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項２５】
前記初期回路ネットリストは、レジスタ転送レベル（ＲＴＬ）記述から取得される、請求項１４に記載のコンピュータプログラム製品。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月27日(2012.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体エレメント（１）を有する光電スイッチにおいて、
前記半導体エレメント（１）は、
・支持体（２）と、
・該支持体（２）の上面（２１）に設けられ電磁放射を検出する少なくとも１つの検出半導体チップ（４）と、
・該支持体（２）の上面（２１）に設けられ電磁放射を送出する少なくとも２つの送出半導体チップ（３）と、
・該支持体（２）の上面（２１）に設けられ、該検出半導体チップ（４）によって受信される電磁放射および／または該送出半導体チップ（３）によって放出される電磁放射の角度領域を制限する、少なくとも１つの方向選択素子（５）
とを有し、
前記検出半導体チップ（４）によって受信される電磁放射の主放射軸（Ｖ）は、前記送出半導体チップ（３）によって放出される電磁放射の主放射軸（Ｕ）に対して傾斜しており、
前記方向選択素子は、前記検出半導体チップによって検出される電磁放射を透過しない材料から成るバリア（５）によって形成されていることを特徴とする、光電スイッチ。
【請求項２】
前記主放射軸（Ｕ，Ｖ）は相互に、１５°以上４５°以下の角度で傾斜する、請求項１記載の光電スイッチ。
【請求項３】
・前記バリア（５）は、前記検出半導体チップ（４）から離隔されており、
・前記バリア（５）は次のように成形されている、すなわち、該バリア（５）および前記検出半導体チップ（４）が前記支持体（２）の上面（２１）に垂直に平行投影された場合に、該バリア（５）の投影面と該検出半導体チップ（４）の投影面とが少なくとも部分的に重なり合うように成形されている、請求項１または２記載の光電スイッチ。
【請求項４】
前記バリア（５）は、前記送出半導体チップ（３）と前記検出半導体チップ（４）との間に設けられている、請求項１から３までのいずれか１項記載の光電スイッチ。
【請求項５】
前記バリア（５）は接着材によって前記支持体（２）の上面（２１）に取り付けられている、請求項１から４までのいずれか１項記載の光電スイッチ。
【請求項６】
前記支持体（２）の上面（２１）に配置される前記検出半導体チップ（４）は少なくとも２つである、請求項１から５までのいずれか１項記載の光電スイッチ。
【請求項７】
前記検出半導体チップ（４）の主放射軸（Ｖ）の方向は相互に平行である、請求項１から６までのいずれか１項記載の光電スイッチ。
【請求項８】
前記送出半導体チップ（３）は、振幅変調された放射パルスまたは振幅変調されない放射パルスを時分割多重方式で送出する、請求項１から７までのいずれか１項記載の光電スイッチ。
【請求項９】
前記バリア（５）はＬ字形および／またはアーチ形および／または斜行するように成形されている、請求項１から８までのいずれか１項記載の光電スイッチ。
【請求項１０】
前記半導体チップ（３，４）のうち少なくとも１つの上方で行われる電磁放射の導波を改善するための少なくとも１つの光学的素子（７）が、該半導体チップ（３，４）の放射経路に配置される、請求項１から９までのいずれか１項記載の光電スイッチ。
【請求項１１】
前記検出半導体チップ（４）は、特殊用途集積回路であるか、またはフォトトランジスタであるか、またはフォトダイオードであるか、またはフォトレジスタである、請求項１から１０までのいずれか１項記載の光電スイッチ。
【請求項１２】
前記送出半導体チップ（３）はレーザダイオードであるか、またはＬＥＤである、請求項１から１１までのいずれか１項記載の光電スイッチ。
【請求項１３】
前記送出半導体チップ（３）は、相互に異なる波長を有する電磁放射を送出する、請求項１から１２までのいずれか１項記載の光電スイッチ。
【請求項１４】
請求項１から１３までのいずれか１項記載の光電スイッチによってオブジェクトを検出する方法であって、
前記検出半導体チップ（４）において検出された電磁放射の強度を、後置接続された評価ユニットにおいて評価し、
前記電磁放射の強度の大きさに基づいて、前記オブジェクトと前記半導体エレメント（１）との間の間隔を推定する方法において、
・前記半導体エレメント（１）において、前記検出半導体チップ（４）を少なくとも２つ使用して電磁放射の検出を行い、
・前記評価ユニットにおいて、前記少なくとも２つの検出半導体チップ（４）の強度を評価し、
・検出された前記電磁放射の強度に基づき、前記送出半導体チップ（３）に対する前記オブジェクトの相対位置を求める
ことを特徴とする方法。
【請求項１５】
別の送出半導体チップ（３）および／または別の検出半導体チップ（４）を使用して、前記オブジェクトを検出する分解能を上昇させ、
前記半導体チップ（３，４）の放射経路において光学的素子（７）を使用して、オブジェクトを検出する感度を上昇させる、請求項１４記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月7日(2012.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素のアレイを有する放射線検出器において、各画素が、入射放射線を電気信号に変換する半導体材料の変換層を有し、各画素が、前記入射放射線により生成される光子の少なくとも一部を吸収するバリア材料で少なくとも部分的に充填されるトレンチにより囲まれる、放射線検出器。
【請求項２】
前記トレンチ内の前記バリア材料の充填率が、前記検出器を横切るにつれてプログラム可能に変化する、請求項１に記載の放射線検出器。
【請求項３】
各画素が、サブ画素のアレイを有し、各サブ画素が、前記トレンチにより囲まれる、請求項１に記載の放射線検出器。
【請求項４】
各画素が、サブ画素のアレイを有し、隣接したサブ画素のクラスタが、前記トレンチにより囲まれる、請求項１に記載の放射線検出器。
【請求項５】
前記バリア材料が、３５ｋｅＶより上でＫ蛍光を示さない材料を有する、請求項１に記載の放射線検出器。
【請求項６】
前記バリア材料が、モリブデン、銀又はタングステンを有する、請求項１に記載の放射線検出器。
【請求項７】
前記バリア材料が、中位の原子番号Ｚを持つ材料である、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の放射線検出器。
【請求項８】
前記トレンチが、２０μｍないし６００μｍの範囲の前記変換層の深度を持つ、請求項１に記載の放射線検出器。
【請求項９】
放射線検出器を製造する方法において、
半導体材料の基板を備えるステップと、
前記基板にトレンチを設けるステップと、
絶縁層で前記トレンチの表面を覆うステップと、
前記基板上に画素のアレイを設けるステップであって、各画素が前記トレンチにより囲まれる当該画素のアレイを設けるステップと、
入射放射線により生成される光子の少なくとも一部を吸収するバリア材料で前記トレンチを少なくとも部分的に充填するステップと、
を有する方法。
【請求項１０】
前記トレンチを少なくとも部分的に充填するステップが、ディスペンサ装置により前記トレンチの内側に前記バリア材料を選択的に配置するステップを有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記トレンチを少なくとも部分的に充填するステップが、前記トレンチの少なくとも部分的に充填されるべき部分に対する開口を規定するマスキング層を使用するステップを有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の放射線検出器を有するＸ線検出器。
【請求項１３】
請求項１に記載のＸ線放射線検出器を有する撮像システム、特にＸ線、ＣＴ、ＰＥＴ、ＳＰＥＣＴ又は核医学撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月25日(2012.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１粒子をサンプルに作用させて、複数の第２粒子を前記サンプルから放出させるステップと、
磁場の大きさおよび／又は磁場の方向を、前記複数の第１粒子の粒子源と前記サンプルとの間の距離、前記サンプルと前記第２粒子の検出に用いる検出器との間の距離、前記第２粒子の検出に用いる前記検出器と前記サンプルから前記第２粒子が放出される前記サンプル上の位置との間の距離、前記第２粒子のエネルギー、前記サンプルから前記第２粒子が放出される前記サンプル上の位置の形状、及び、前記検出器に印加される電圧を含むグループから選択された少なくとも一つのパラメータに基づいて選択するステップと、
前記複数の第２粒子の軌道を修正するために、前記複数の第２粒子を前記磁場にさらすステップと、
前記複数の第２粒子を前記磁場にさらすステップの後に、前記複数の第２粒子を検出するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
複数の第１粒子をサンプルに作用させて、複数の第２粒子を前記サンプルから放出させるステップと、
磁場の大きさおよび／又は磁場の方向を、前記複数の第１粒子の粒子源と前記サンプルとの間の距離、前記サンプルと前記第２粒子の検出に用いる検出器との間の距離、前記第２粒子の検出に用いる前記検出器と前記サンプルから前記第２粒子が放出される前記サンプル上の位置との間の距離、前記第２粒子のエネルギー、前記サンプルから前記第２粒子が放出される前記サンプル上の位置の形状、及び、前記検出器に印加される電圧を含むグループから選択された少なくとも一つのパラメータに基づいて選択するステップと、
前記複数の第２粒子の軌道を修正するために、前記複数の第２粒子を前記磁場にさらすステップと、を含み、
前記第１粒子の軌道は、前記磁場によって実質的に変更されないことを特徴とする、方法。
【請求項３】
複数の第１粒子をサンプルに作用させて、複数の第２粒子を前記サンプルから放出させるステップと、
磁場の大きさおよび／又は磁場の方向を、前記複数の第１粒子の粒子源と前記サンプルとの間の距離、前記サンプルと前記第２粒子の検出に用いる検出器との間の距離、前記第２粒子の検出に用いる前記検出器と前記サンプルから前記第２粒子が放出される前記サンプル上の位置との間の距離、前記第２粒子のエネルギー、前記サンプルから前記第２粒子が放出される前記サンプル上の位置の形状、及び、前記検出器に印加される電圧を含むグループから選択された少なくとも一つのパラメータに基づいて選択するステップと、
前記複数の第２粒子の軌道を修正するために、前記複数の第２粒子を前記磁場にさらすステップと、を含み、
前記第１粒子が前記第２粒子を前記サンプルから放出させる効率は、前記磁場によって実質的に変更されないことを特徴とする、方法。
【請求項４】
前記第１粒子はイオンであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記複数の第１粒子は、ビームを形成することを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記複数の第１粒子の前記ビームは、ガスフィールドイオン源によって生成されることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ガスフィールドイオン源は、イオンカラムを含み、前記複数の第２粒子の少なくとも一部が、検出される前に前記イオンカラムの少なくとも一部を通過するように構成されることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記複数の第２粒子を前記磁場にさらすステップは、前記磁場を使用しない場合の前記複数の第２粒子の検出効率よりも、前記複数の第２粒子の検出効率を改善することを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記複数の第２粒子の少なくとも一部は、前記サンプルの形状が穴状である前記サンプルの位置から放出されることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２粒子は電子であることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記第２粒子は二次電子であることを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
サンプルから放出される複数の二次電子に磁場を作用させるステップと、
前記磁場の大きさおよび／又は磁場の方向を、前記複数の第１粒子の粒子源と前記サンプルとの間の距離、前記サンプルと前記第２粒子の検出に用いる検出器との間の距離、前記第２粒子の検出に用いる前記検出器と前記サンプルから前記第２粒子が放出される前記サンプル上の位置との間の距離、前記第２粒子のエネルギー、前記サンプルから前記第２粒子が放出される前記サンプル上の位置の形状、及び、前記検出器に印加される電圧を含むグループから選択された少なくとも一つのパラメータに基づいて選択するステップと、を含み
前記第２粒子を前記サンプルから放出させる粒子の軌道は、前記磁場によって実質的に変更されないことを特徴とする、方法。
【請求項１３】
サンプルから放出される複数の二次電子に磁場を作用させるステップと、
前記磁場の大きさおよび／又は磁場の方向を、前記複数の第１粒子の粒子源と前記サンプルとの間の距離、前記サンプルと前記第２粒子の検出に用いる検出器との間の距離、前記第２粒子の検出に用いる前記検出器と前記サンプルから前記第２粒子が放出される前記サンプル上の位置との間の距離、前記第２粒子のエネルギー、前記サンプルから前記第２粒子が放出される前記サンプル上の位置の形状、及び、前記検出器に印加される電圧を含むグループから選択された少なくとも一つのパラメータに基づいて選択するステップと、を含み、
前記サンプルから前記二次電子を放出させる粒子の効率は、前記磁場によっては実質的に変更されないことを特徴とする、方法。
【請求項１４】
前記複数の第２粒子の前記修正された軌道は、少なくとも部分的には前記ガスフィールドイオンシステムのイオンカラムを通過することを特徴とする、請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記電子を第２磁場にさらして、前記電子を前記イオンカラムに導くことを特徴とする、請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記磁場の大きさは少なくとも０．００５テスラであることを特徴とする、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の方法。