【事件の表示】
　平成１１年特許願第２９４７１８号「荷電粒子線描画装置および荷電粒子線描画方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　４月２７日出願公開、特開２００１−１１８７７１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成１１年１０月１８日の出願であって、平成１５年１月８日付けで拒絶査定がなされ、同年２月１７日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、当審において平成１６年４月１２日付けで最後の拒絶理由通知がなされ、同年６月１日付で手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明について
　本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願第１発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「荷電粒子源より放出された荷電粒子を第１のマスクを介して１または複数の、セルアレイパターン領域の中心部パターン描画用の部分一括露光用マスクが形成された第２のマスクの一つの部分一括露光用マスク上に照射し、該一つの部分一括露光用マスクのパターンを試料上に描画する一括部分露光方式の荷電粒子線描画装置において、前記第１のマスクには前記部分一括露光用マスクの全領域を照射することができる主開口と、横方向の幅が前記主開口の横方向の幅と同一で縦方向の幅が前記主開口の縦方向の幅の整数分の１の第１種の補助開口と、縦方向の幅が前記主開口の縦方向の幅と同一で横方向の幅が前記主開口の横方向の幅の整数分の１の第２種の補助開口と、横方向の幅が前記主開口の横方向の幅の整数分の１で縦方向の幅が前記主開口の縦方向の幅の整数分の１の第３種の補助開口と、が形成されており、前記荷電粒子源より放出された荷電粒子が前記第１のマスクの何れかの開口上に照射されるように構成され、前記第１のマスクの主開口と前記第２のマスクの前記一つの部分一括露光用マスクとを用いて試料上の前記セルアレイパターン領域の中心部領域が露光され、前記第１のマスクの主開口と前記第２のマスクの前記一つの部分一括露光用マスクとの組合せの露光により余剰となる余剰パターン領域は前記第１のマスクの前記補助開口と前記第２のマスクの前記一つの部分一括露光用マスクを用いて露光されることを特徴とする荷電粒子線描画装置。」
　
（１）当審の拒絶の理由に引用した引用例
　引用例１　特開平１０−２５６１３５号公報
　引用例２　特開平８−１５３６５８号公報
　
（１）．１　引用例１の記載内容
　引用例１の【００３６】〜【００４６】段落には、「【００３６】次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。図４は本発明になる集積回路パターンデータ処理方法の第２の実施の形態のフローチャートを示す。同図中、図１と同一部分は同一符号を付し、その説明を省略する。また、図５は本発明の第２の実施の形態における部分一括露光に用いる第１の繰り返し単位を繰り返しパターン領域へアレイ状に展開した図、図６は本発明の第２の実施の形態における部分一括露光に用いる、第１の繰り返し単位とそれよりも面積の小さな第２の繰り返し単位を繰り返しパターン領域へアレイ状に展開した図、図７は本発明の第２の実施の形態における部分一括露光に用いる、第１の繰り返し単位とそれよりも面積の小さな第２の繰り返し単位及び第３の繰り返し単位を繰り返しパターン領域へアレイ状に展開した図を示す。
【００３７】本発明の第２の実施の形態について説明するに、第１の実施の形態と同様にして最小繰り返し単位パターンデータ１６と最小繰り返し単位アレイデータ１７とから、最小繰り返し単位の倍数繰り返し単位の抽出が行われた後（ステップ１８）、図４のステップ３１に進んで最小繰り返し単位を横方向及び縦方向に複数個配列した倍数繰り返し単位の候補群を求める。すなわち、繰り返しパターン領域１０１は横方向の配列数Ｎ１（図２（ａ）に示した例ではＮ１＝１６）の倍数をｎ３、縦方向の配列数Ｍ１（図２（ａ）に示した例ではＭ１＝３２）の倍数をｍ３とすると、（横方向の倍数、縦方向の倍数）＝（ｎ３、ｍ３）となる組み合わせによって、それぞれの配列方向の倍数の最小繰り返し単位がアレイ配列された倍数繰り返し単位の候補群を求める。
【００３８】ここで、上記の倍数は、部分一括露光に用いられる、現在のマスクの許容サイズである５μｍ×５μｍ程度の範囲内に、１．６μｍ×０．８μｍのサイズの最小繰り返し単位１０２が横方向、縦方向に幾つ入るかの数で、図２の例では、横方向の倍数ｎ３は１，２，３であり、縦方向の倍数ｍ３は１，２，３，４，５，６である。
【００３９】次に、上記の候補群の中から任意の一つの倍数繰り返し単位候補を選択し（ステップ３２）、それが部分一括マスクを形成できる許容サイズ以下の面積であるかどうか判定する（ステップ３３）。選択した倍数繰り返し単位候補の面積が許容サイズより大であるときは、それを候補群から削除し（ステップ３４）、再びステップステップ３１により倍数繰り返し単位の候補群を求める。
選択した倍数繰り返し単位候補の面積が許容サイズ以下であるときは、候補群の最大サイズかどうか判定し（ステップ３５）、最大サイズでなければ再びステップ３１により倍数繰り返し単位の候補群を求め、最大サイズであれば選択された最大繰り返し単位を部分一括露光領域へ割付ける（ステップ３６）。
【００４０】部分一括マスクを形成できる許容サイズ以下の面積であり、かつ、繰り返し単位の面積が最大となるのは、図５（ａ）に示すｎ３＝３，ｍ３＝６の組み合わせであり、この組み合わせによって得られる倍数繰り返し単位を最大繰り返し単位１０６として、図５（ａ）及び図６（ａ）に示すように繰り返しパターン領域１０１へ割付ける。なお、図５（ｂ）は許容サイズ１０５と最大繰り返し単位１０６との関係と最大繰り返し単位１０６内の設計パターンを示す。
【００４１】上記の割付けは、最大繰り返し単位１０６を繰り返しパターン１０１にアレイ展開することで行われ、図５（ａ）及び図６（ａ）の例では５個×５個の最大繰り返し単位１０６が配列される。次に、繰り返しパターン領域１０１に上記の最大繰り返し単位１０６の割付けができない領域があるかどうか判定される（ステップ３７）。図５（ａ）及び図６（ａ）の例では、最大繰り返し単位１０６では配列できない余り領域１０７が存在する。
【００４２】次に、この余り領域１０７のデータを作成し（ステップ３８）、最大繰り返し単位１０６より倍数の少ない適当な中間繰り返し単位データ候補を選択し（ステップ３９）、選択された中間繰り返し単位の余り領域１０７への割付けを行い（ステップ４０）、割付けることができない余り領域があるかどうか判定する（ステップ４１）。割付けることができない余り領域があるときには、余り領域が無くなるまでステップ３８〜４１の処理を繰り返す。このようにして、図６（ａ）に示すように、図５（ａ）に示した余り領域１０７に対して、前記最小繰り返し単位１０２を縦方向に２個接続したサイズの中間繰り返し単位１０８が３１個配列される。
【００４３】以上のことから、繰り返しパターン領域１０１は、図６（ａ）に示すように、最大繰り返し単位１０６と中間繰り返し単位１０８の２種類の単位を展開することによって構成される。なお、図６（ｂ）は中間繰り返し単位１０８と許容サイズ１０５との関係と、中間繰り返し単位１０８内の設計パターンを示す。
【００４４】一方、前記ステップ３７での判定結果に関係なく、選択された最大繰り返し単位のパターンデータが形成されると共に（ステップ４２）、最大繰り返し単位アレイデータが形成される（ステップ４３）。続いて、形成された最大繰り返し単位パターンデータに基づいて、最大繰り返し単位部分一括マスクデータが作成され（ステップ４４）、更にこの部分一括マスクデータに基づいて最大繰り返し単位部分一括マスクが製造される（ステップ４５）。
【００４５】同様に、前記ステップ４１での判定結果に関係なく、選択された中間繰り返し単位のパターンデータが形成されると共に（ステップ４６）、中間繰り返し単位アレイデータが形成される（ステップ４７）。続いて、形成された中間繰り返し単位パターンデータに基づいて、中間繰り返し単位部分一括マスクデータが作成され（ステップ４８）、更にこの部分一括マスクデータに基づいて中間繰り返し単位部分一括マスクが製造される（ステップ４９）。
【００４６】最後に、製造された上記の最大繰り返し単位部分一括マスク及び中間繰り返し単位部分一括マスクがそれぞれ設置された電子ビーム露光装置において、可変矩形露光データ１３、ステップ４３、４７でそれぞれ作成された最大繰り返し単位アレイデータ及び中間繰り返し単位アレイデータに従い、上記の最大繰り返し単位部分一括マスク及び中間繰り返し単位部分一括マスクを通して試料上に電子ビーム露光する（ステップ５０）。その後公知の現像工程などを経て、半導体基板上に集積回路パターンが形成される。」と記載されている。
　
　引用例１には、部分一括マスクにおいて、最大繰り返し単位では配列できない余り領域が存在する（【００４１】段落）ことから、中間繰り返し単位の余り領域への割付を行い（【００４２】段落）、製造された上記の最大繰り返し単位部分一括マスク及び中間繰り返し単位部分一括マスクがそれぞれ設置された電子ビーム露光装置において、作成された最大繰り返し単位アレイデータ及び中間繰り返し単位アレイデータに従い、上記の最大繰り返し単位部分一括マスク及び中間繰り返し単位部分一括マスクを通して試料上に電子ビーム露光する（【００４６】段落）ことが記載されている。
　
（１）．２　引用例２の記載内容
　引用例２には、【０００８】段落に、「本発明の目的は、描画データに対して、総ショット数を最小とし、描画処理速度を向上することが可能な電子線描画方法及び装置を実現することである」と記載され、【０００９】段落には、「【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達成するため、次のように構成される。電子線発生手段から発生される電子線の断面形状を、成形開口を有する第１の成形絞りにより成形し、この成形した電子線を、複数の図形開口を有する第２の成形絞りの任意の開口を通過させ、この通過した電子線を、入力される描画データに基づいて、試料面に照射して描画する電子線描画方法において、第１の成形絞りの成形開口を複数の開口寸法に設定し、入力された描画データに対して繰り返しパターンの数を、複数の開口寸法のそれぞれについて検索し、描画するに必要な描画ショット数及び描画時間を、それぞれの開口寸法毎に算出し、算出した描画時間のうちの最小描画時間となる第１成形絞りの開口寸法を選択し、選択した第１成形絞りの寸法の開口と、この開口寸法に対応する第２成形絞りの図形開口とを用いて、電子線により試料面上に描画する。」と記載されている。
　また、【００３３】段落には、「図４は、図２の例における第１矩形成形絞り２の一例であり、図５は、図２の例における第２成形絞り６の一例である。図４において、第１成形絞り２には、転写可能な最大開口の一辺の寸法をＤとすると、このＤを整数ｎで分割した寸法Ｄ／ｎを一辺とする複数の矩形開口群２０が形成されている。」と記載されている。
　さらに、【００３６】段落には、「以上のように、本発明の一実施例である電子線描画方法及び装置によれば、描画データに対して、第１矩形開口の複数の寸法について、繰り返しパターンを検索し、総ショット数が最小となる第１矩形開口及びこれに対応する第２矩形開口が選択される。そして、この選択された第１矩形開口及び第２矩形開口を用いて、描画パターンが描画される。したがって、描画処理速度を向上することが可能な電子線描画方法及び装置を実現することができる。」と記載されている。
　
（２）対比
　引用例１記載の「電子」、「単位アレイ」、「電子ビーム露光」、「最大繰り返し単位部分一括マスク」及び「最大繰り返し単位では配列できない余り領域」は本願第１発明の、「荷電粒子」、「セルアレイ」、「荷電粒子線描画」、「部分一括露光用マスク」及び「余剰パターン領域」に相当し、引用例１記載の発明においても電子ビームを放出する線源を当然有しているから、本願第１発明と引用例１記載の発明は、
「荷電粒子源より放出された荷電粒子を１または複数の、セルアレイパターン領域のパターン描画用の部分一括露光用マスクが形成されたマスクの部分一括露光用マスク上に照射し、部分一括露光用マスクのパターンを試料上に描画する一括部分露光方式の荷電粒子線描画装置において、部分一括露光用マスクを用いて試料上の前記セルアレイパターン領域が露光され、余剰となる余剰パターン領域は露光用マスクを用いて露光されることを特徴とする荷電粒子線描画装置。」である点で一致する。
　しかるに、本願第１発明は、セルアレイパターン領域の中心部パターン描画用であるのに対し、引用例１記載の発明では、中心部パターン描画用である旨の記載がない点で相違（以下、「相違点１」という。）する。
　また、本願第１発明は、部分一括露光用マスクの全領域を照射することができる主開口と、補助開口とが形成された第１のマスクを有し、第１のマスクの主開口と第２のマスクの一つの部分一括露光用マスクとを用いて試料上のセルアレイパターン領域の中心部領域が露光され、余剰となる余剰パターン領域は第１のマスクの補助開口と第２のマスクの一つの部分一括露光用マスクを用いて露光するのに対し、引用例１記載の発明では、最大繰り返し単位部分一括マスクを用いて露光し、余剰パターン領域は、中間繰り返し単位部分一括マスクにより試料を露光する点において相違（以下、「相違点２」という。）する。
　また、本願第１発明は、横方向の幅が前記主開口の横方向の幅と同一で縦方向の幅が前記主開口の縦方向の幅の整数分の１の第１種の補助開口と、縦方向の幅が前記主開口の縦方向の幅と同一で横方向の幅が前記主開口の横方向の幅の整数分の１の第２種の補助開口と、横方向の幅が前記主開口の横方向の幅の整数分の１で縦方向の幅が前記主開口の縦方向の幅の整数分の１の第３種の補助開口を有するのに対し、引用例１記載の発明では、この点の記載がない点において相違（以下、「相違点３」という。）する。
　相違点１について検討すると、セルアレイパターン領域の中心部パターン描画用であるか否かは、単なる設計上の選択事項にすぎないから、相違点１については、当業者が容易に想到できた事項にすぎない。
　相違点２について検討すると、第１のマスク及び第２のマスクを用い、第１のマスクに主開口及び補助開口を設け、第２のマスクへの露光領域を設定することは、引用例２に示すように公知手段にすぎず、第１のマスク及び第２のマスクを用い、第１のマスクに主開口及び補助開口を設け、余剰となるパターンを補助開口及び第２のマスクを用いて露光することは、当業者が容易に想到できたことであるから、相違点２については、当業者が容易に想到できた事項にすぎない。
　相違点３について検討すると、引用例１記載の発明においても、余剰パターン領域を露光するマスクを用いるものであり、余剰パターン領域を露光するマスクをどのように選択するかは単なる設計事項にすぎないから、横方向の幅が前記主開口の横方向の幅と同一で縦方向の幅が前記主開口の縦方向の幅の整数分の１の第１種の補助開口と、縦方向の幅が前記主開口の縦方向の幅と同一で横方向の幅が前記主開口の横方向の幅の整数分の１の第２種の補助開口と、横方向の幅が前記主開口の横方向の幅の整数分の１で縦方向の幅が前記主開口の縦方向の幅の整数分の１の第３種の補助開口を設けることに何ら困難性は認められない。
　さらに、上記相違点に基づく効果についても当業者が予測し得た程度のものにすぎない。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願第１発明は、引用例１の発明及び引用例２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
よって、結論のとおり審決する。