Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月26日(2003.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも電話回線に選択信号の送出と送話信号の送信と受話信号の受信を行う電話回線インタフェース部と、
パケット化あるいはセル化された音声信号をＬＡＮに送信および受信するＬＡＮインタフェース部と、
音声通話のために利用する通信回線として電話回線あるいはＬＡＮのいずれかを選択制御する電話回線／ＬＡＮ選択制御部と、
前記電話回線／ＬＡＮ選択制御部によって選択された通信回線に送話信号を送出する送話手段と、
前記電話回線／ＬＡＮ選択制御部によって選択された通信回線からの受話信号を受信する受話手段と、
から構成されることを特徴とする電話システム。
【請求項２】
前記電話回線／ＬＡＮ選択制御部が、
電話回線を利用することをユーザが明示的に入力する電話回線選択手段と、
ＬＡＮを利用することをユーザが明示的に入力するＬＡＮ選択手段と、
前記電話回線選択手段または前記ＬＡＮ選択手段によって入力された情報に従って前記電話回線またはＬＡＮのいずれかを選択するように制御する電話回線／ＬＡＮ選択入力部から構成されることを特徴とする請求項１記載の電話システム。
【請求項３】
前記電話回線／ＬＡＮ選択制御部が、
ユーザの指定を要せず電話回線またはＬＡＮのいずれかを自動的に予め設定された選択条件に従って選択する電話回線／ＬＡＮ自動選択部から構成されることを特徴とする請求項１記載の電話システム。
【請求項４】
前記電話回線／ＬＡＮ選択制御部が、
電話回線に空きがあるか否か、あるいは、ＬＡＮのトラフィックは混雑しているか否か、あるいは、通話相手は内線か市内か市外が外国か、あるいは、通話相手は重要なユーザか否か、あるいは、これらの条件の１つまたは複数を選択条件として有することを特徴とする請求項１記載の電話システム。
【請求項５】
少なくとも電話回線に選択信号の送出と送話信号の送信と受話信号の受信を行う電話回線インタフェース部と、パケット化あるいはセル化された音声信号をＬＡＮに送信および受信するＬＡＮインタフェース部とを備えた電話システムの制御方法であって、
音声通話のために利用する通信回線として電話回線あるいはＬＡＮのいずれかを選択制御し、選択された通信回線に送話信号を送出するとともに選択された通信回線からの受話信号を受信することを特徴とする電話システムの制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月8日(2003.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データを入力する入力手段と、
前記入力手段で入力される画像データを記憶する記憶手段と、
前記入力手段で入力した画像データに関する複数のＵＲＬを含む電子メールを送信するメール送信手段と、
前記メール送信手段で送信した電子メールの送信先からの前記ＵＲＬに基づく指示を認識する認識手段と、
前記認識手段で認識した指示内容に基づき前記記憶手段に記憶した画像データを前記ＵＲＬに応じた電子メール以外の方法により送信する送信手段とを有することを特徴とするデータ通信装置。
【請求項２】
前記記憶手段は前記入力手段で入力される画像データを少なくとも２つの画像品質の画像データとしてそれぞれ記憶し、
前記送信手段は前記記憶手段に記憶されている画像データのうち高品質な画像データをメールサーバを介さずに送信することを特徴とする請求項１に記載のデータ通信装置。
【請求項３】
前記メール送信手段で送信するデータには前記記憶手段に記憶されている概略確認用画像データの所在を示す情報が含まれることを特徴とする請求項１または２に記載のデータ通信装置。
【請求項４】
前記入力手段は同一原稿の画像を繰り返し読み取ることにより画像品質の異なる画像データを入力することを特徴とする請求項２または３に記載のデータ通信装置。
【請求項５】
更に、前記入力手段で入力した画像データの画像品質を変換する変換手段を有し、
前記記憶手段は前記変換手段で変換された画像データを入力することを特徴とする請求項２または３に記載のデータ通信装置。
【請求項６】
更に、前記認識手段で認識した指示内容に基づき前記記憶手段に記憶されている画像データを削除する手段を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のデータ通信装置。
【請求項７】
更に、前記認識手段で認識した指示内容に基づき前記記憶手段に記憶されている画像データを印刷させる手段を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のデータ通信装置。
【請求項８】
更に、前記認識手段で認識した指示内容に基づき前記記憶手段に記憶されている画像データを他の装置に転送させる手段を有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のデータ通信装置。
【請求項９】
前記メール送信手段は更に前記認識手段で認識した指示内容を電子メールで所定の宛先へ送信することを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載のデータ通信装置。
【請求項１０】
画像データを入力する入力工程と、
前記入力工程で入力される画像データをメモリに記憶する記憶工程と、
前記入力工程で入力した画像データに関する複数のＵＲＬを含む電子メールを送信する送信工程と、
前記メール送信工程で送信した電子メールの送信先からの前記ＵＲＬに基づく指示を認識する認識工程と、
前記認識工程で認識した指示内容に基づき前記記憶工程でメモリに記憶した画像データを前記ＵＲＬに応じた電子メール以外の方法により送信する送信工程とを有することを特徴とするデータ通信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
即ち、画像データを入力する入力手段と、前記入力手段で入力される画像データを記憶する記憶手段と、前記入力手段で入力した画像データに関する複数のＵＲＬを含む電子メールを送信する送信手段と、前記メール送信手段で送信した電子メールの送信先からの前記ＵＲＬに基づく指示を認識する認識手段と、前記認識手段で認識した指示内容に基づき前記記憶手段に記憶した画像データを前記ＵＲＬに応じた電子メール以外の方法により送信する送信手段とを有する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月29日(2003.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性材料からなるランド部の形成された基板が複数枚積層された積層体と、
上記積層体の部品実装面から下層側に位置する基板のランド部に亘って形成された穴部と、
上記穴部の底部から内周面に亘って設けられた導電性材料層とからなる穴状の電子部品接合部を備えたことを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】
導電性材料からなるランド部の形成された基板が複数枚積層された積層体と、
上記積層体の部品実装面から下層側に位置する基板のランド部に亘って形成された穴部と、
上記穴部の底部から内周面に亘って設けられた導電性材料層とからなる穴状の電子部品接合部を備えたプリント配線板に対して電子部品を実装する部品実装方法において、
上記積層体の基板に形成されている上記電子部品に導電性の接合材を塗布した後に、導電性の接合材を熱により融解することにより、基板に形成されているランド部と電子部品とを接合して実装することを特徴とする部品実装方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決する本発明にかかるプリント基板は、導電性材料からなるランド部の形成された基板が複数枚積層された積層体と、積層体の部品実装面から下層側に位置する基板のランド部に亘って形成された穴部と、穴部の底部から内周面に亘って設けられた導電性材料層とからなる穴状の電子部品接合部を備えたことを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
このようなプリント配線板は、積層体の部品実装面から各基板に形成されているランド部に亘って穴部が形成され、この穴部の底部から内周面に亘って導電性材料層が設けられているので、実装される電子部品の電極と各基板に形成されているランド部とを導電性の接合材で直接接続することが可能である。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明にかかる部品実装方法は、導電性材料からなるランド部の形成された基板が複数枚積層された積層体と、積層体の部品実装面から下層側に位置する基板のランド部に亘って形成された穴部と、穴部の底部から内周面に亘って設けられた導電性材料層とからなる穴状の電子部品接合部を備えたプリント配線板に対して電子部品を実装する部品実装方法において、積層体の基板に形成されている電子部品に導電性の接合材を塗布した後に、導電性の接合材を熱により融解することにより、基板に形成されているランド部と電子部品とを接合して実装することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月2日(2004.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（２×２）チャンネルを有するトンネル構造を備えた式β−Ｆｅ１−ＸＭｅＸＯＯＨＣｌＺ(Ｍｅ：Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂ)及び（０≦Ｘ≦１、０≦Ｚ）であることを特徴とするリチウム電池用正極活物質。
【請求項２】
前記構造が正方晶系構造又は単斜晶系構造のいずれか一方をとりうることを特徴とする請求項１記載のリチウム電池用正極活物質。
【請求項３】
前記正方晶系相の格子パラメータがａ＝１０．５４±０．１Å、c=３．０３±０．２Åであることを特徴とする請求項１記載のリチウム電池用正極活物質。
【請求項４】
前記単斜晶系相の格子パラメータがa=１０．０６±０．２Å、ｂ＝３．０３±０．２Å及びｃ＝１０．５１±０．２Å並びにβ＝９０．２２±２°であることを特徴とする請求項１記載のリチウム電池用正極活物質。
【請求項５】
請求項１記載の正極活物質を備えたリチウム二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
リチウム電池用正極活物質において、第一の発明は、（２×２）チャンネルを有するトンネル構造を備えた式β−Ｆｅ１−ＸＭｅＸＯＯＨＣｌＺ（Ｍｅ：Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂ）及び（０≦Ｘ≦１、０≦Ｚ）であることを 特徴とするものであり、第二の発明は、前記構造が正方晶系構造又は単斜晶系構造のいずれか一方をとりうることを特徴とするものであり、第三の発明は、前記正方晶系相の格子パラメータがａ＝１０．５４±０．２Å、ｃ＝３．０３±０．２Åであることを特徴とするものであり、第四の発明は、前記単斜晶系相の格子パラメータがａ＝１０．６０±０．２、ｂ＝３．０３±０．２Å及びｃ＝１０．５１±０．２Å並びにβ＝９０．２２±２°であることを特徴とするものであり、第五の発明は、第一の発明の正極活物質を備えたリチウム二次電池することである。また、本発明において、第一の発明の正極活物質、電解質及びアノード材料（Ｌｉ、Ｌｉ合金、Ｌｉ X ＳｎＯ 2 、すべての種類の炭素材料）を備えた電池とすることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月20日(2003.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多値データで表現された基本画像を擬似階調表現する二値画像に変換し、前記二値画像を繰り返して記録媒体に記録する画像処理装置であって、
前記基本画像を表現する各画素の値を順次、所定の閾値との比較し、該比較結果に従って２値化する２値化手段と、
前記２値化によって発生する誤差を所定サイズの誤差拡散マトリクスを適用して、注目画素の周辺画素に分配する分配手段と、
前記分配手段によって分配される誤差の内、前記基本画像の外にはみ出す誤差を、前記２値化手段による２値化処理が未処理の領域に取り込む取込手段とを備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記取込手段は、前記基本画像の一端で発生した前記はみ出し誤差を、該一端の反対側の端部における２値化処理が未処理の領域に取り込むことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記基本画像の一部の画像からなる補助画像を前記基本画像に隣接させて結合画像を形成する結合手段をさらに有し、
前記結合画像に対して前記２値化手段による２値化、前記分配手段による誤差の分配、及び、前記取込手段による前記誤差の取り込みを行なうことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記取り込み後、前記補助画像の内、前記基本画像と接するラインを含む第１の領域の画像データ値と、前記第１の領域に対応する前記基本画像中の第２の領域の画像データ値とを比較し、該比較結果をもとに前記第１及び第２の領域の画像データ値を補正する補正手段をさらに有することを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記補正手段による補正では、前記第１の領域の画像データ値と第２の領域の画像データ値とが同じである場合、該値をそのまま擬似階調値として使用し、前記第１の領域の画像データ値と第２の領域の画像データ値が異なる場合は、前記画像データが表わす注目画素の周辺画素のデータ値をもとに補正した値を擬似階調値とすることを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記補正手段は、
前記周辺画素の値を加重平均する加重平均手段と、
前記加重平均手段によって加重平均された値と、前記注目画素の多値データとを比較し、該比較結果に従って補正値を生成する補正値生成手段とを有することを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記二値画像を繰り返して記録媒体に記録する記録手段をさらに有することを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記記録手段は、前記２値画像を前記記録媒体上に水平方向及び垂直方向に単純に繰り返して記録し、
前記付加手段は、前記水平方向と平行な方向にある前記基本画像の一辺に前記補助画像を隣接させ、
前記取り込み手段は、前記水平方向に前記誤差の取り込みを行なうことを特徴とする請求項７に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記記録手段は、前記２値画像を前記記録媒体上に垂直方向に前記２値画像の１／２のサイズだけずらして記録し、
前記付加手段は、前記垂直方向とは垂直な方向にある前記基本画像の一辺に前記補助画像を隣接させ、
前記取り込み手段は、前記補助画像が隣接した方向に前記誤差の取り込みを行なうことを特徴とする請求項７に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記基本画像を入力する入力手段と、
前記入力手段によって読み込まれた入力情報からＲＧＢ成分のカラー多値画像を生成する生成手段とをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
多値データで表現された基本画像を擬似階調表現する二値画像に変換し、前記二値画像を繰り返して記録媒体に記録する画像処理方法であって、
前記基本画像を表現する各画素の値を順次、所定の閾値との比較し、該比較結果に従って２値化する２値化工程と、
前記２値化によって発生する誤差を所定サイズの誤差拡散マトリクスを適用して、注目画素の周辺画素に分配する分配工程と、
前記分配工程において分配される誤差の内、前記基本画像の外にはみ出す誤差を、前記２値化工程における２値化処理が未処理の領域に取り込む取込工程とを備えることを特徴とする画像処理方法。
【請求項１２】
前記取込工程は、前記基本画像の端部で発生した前記はみ出し誤差を、該端部の逆側の端部の２値化処理が未処理の領域に取り込むことを特徴とする請求項１１に記載の画像処理方法。
【請求項１３】
前記基本画像の一部の画像からなる補助画像を前記基本画像に隣接させて結合画像を形成する結合工程とをさらに有し、
前記結合画像に対して前記２値化工程における２値化、前記分配工程における誤差の分配、及び、前記取込工程による前記誤差の取り込みを行なうことを特徴とする請求項１１に記載の画像処理方法。
【請求項１４】
前記取り込み後、前記補助画像の内、前記基本画像と接するラインを含む第１の領域の画像データ値と、前記第１の領域に対応する前記基本画像中の第２の領域の画像データ値とを比較し、該比較結果をもとに前記第１及び第２の領域の画像データ値を補正する補正工程とをさらに有することを特徴とする請求項１３に記載の画像処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月1日(2003.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
逆に、右側において白矢印で示されるように記憶単位＃Ｎ＋Ｋ−１へとデータが順次に入力され、かつ記憶単位＃０へと向かう方向へと記憶単位の間をシフトして転送される。このとき記憶単位＃０へと転送されたデータは、右側において黒矢印で示されるように読み出される。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３２】
表４乃至表６ではmodule bifilo1が、表７ではmodule RAM256が、表８では module RAM256Cが、それぞれ記載されている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２１】
1998233699.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月4日(2003.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＯＳトランジスタにおけるソースからボディへの順方向バイアス状態を防止する方法であって、該方法は、
トランジスタのゲートに電圧を印加して前記トランジスタをＯＮ状態にし、該トランジスタのソース、ドレイン間に電流が流れるのを可能にするステップと、
前記トランジスタのボディを前記ＯＮ状態の間、前記トランジスタのソースに接続するステップと、
前記トランジスタのゲートに電圧を印加して前記トランジスタをＯＦＦ状態にし、該トランジスタのソース、ドレイン間に電流が流れない状態にするステップと、
前記ＯＦＦ状態の間、前記トランジスタのボディを前記トランジスタのソース電圧と異なる電圧に切換えるステップであって、前記異なる電圧は、前記トランジスタのソースに接続された前記トランジスタのボディが該トランジスタをソースからボディへの順方向バイアス状態にする状態を保っている時、前記トランジスタをソースからボディへの逆バイアス状態にするように作用する電圧である、前記切換えるステップとを含む。
【請求項２】
前記トランジスタを前記ＯＦＦ状態にするために前記トランジスタのゲートに印加された前記電圧は、前記異なる電圧と同じ電圧である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記トランジスタはＰＭＯＳトランジスタであって、そのソースが第１の基準電圧に接続され、そのドレインが負荷を介してアースに接続されており、前記ＯＦＦ状態において、前記ドレインが前記第１の基準電圧より大きい第２の基準電圧に切換えられる請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記異なる電圧が前記第２の基準電圧と同じである請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記トランジスタを前記ＯＦＦ状態にするために前記トランジスタのゲートに印加された前記電圧が前記第２の基準電圧と同じである請求項４に記載の方法。
【請求項６】
複数のＭＯＳトランジスタが並列にそれぞれが対応する複数の基準電圧に接続されている回路において、ＭＯＳトランジスタにおけるソースからボディへの順方向バイアス状態を防止する方法であって、該方法は、
前記複数のトランジスタの１つである第１のトランジスタのゲートに電圧を印加して前記第１のトランジスタをＯＮ状態にし、前記第１のトランジスタのソース、ドレイン間に電流が流れるのを可能にし、前記複数の基準電圧の１つである第１の基準電圧を負荷に印加するステップと、
前記第１のトランジスタのボディを前記ＯＮ状態の間、前記第１のトランジスタのソースに接続するステップと、
前記第１のトランジスタのゲートに電圧を印加して前記第１のトランジスタをＯＦＦ状態にし、前記第１のトランジスタのソース、ドレイン間に電流が流れない状態にするステップと、
前記複数のトランジスタの１つである第２のトランジスタのゲートに電圧を印加して前記第２のトランジスタをＯＮ状態にし、前記第２のトランジスタのソース、ドレイン間に電流が流れるのを可能にし、前記複数の基準電圧の１つである第２の基準電圧を前記第１のトランジスタの前記負荷と前記ドレインに印加するステップと、
前記第２のトランジスタがＯＮ状態の間、前記第１のトランジスタのボディを前記第１の基準電圧と異なる電圧に切換えるステップであって、前記異なる電圧は、前記第１のトランジスタのソースに接続された前記第１のトランジスタのボディが前記第１のトランジスタをソースからボディへの順方向バイアス状態にする状態を保っている時、前記第１のトランジスタを逆バイアス状態にするように作用する電圧である、前記切換えるステップとを含む。
【請求項７】
電圧レベルをシフトする回路であって、該回路は、
個々の異なる基準電圧源を容量性負荷に選択的に接続する主スイッチとして作用する並列に接続された複数のＭＯＳトランジスタと、
各主スイッチのボディを、その主スイッチがＯＮ状態の時はその主スイッチのソースに接続し、その主スイッチがＯＦＦ状態の時は前記複数の基準電圧源の中の最も高い電圧源に接続する複数の補助スイッチとを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月29日(2004.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導光体のエッジに反射板付の発光体を配置した面光源装置において、前記発光体と前記エッジとの間に、偏光状態を揃える機能を有する光学部材を配置したことを特徴とする面光源装置。
【請求項２】
前記偏光状態を揃える機能を有する光学部材を、コレステリック・フィルムとλ／４板とで構成することを特徴とする請求項１記載の面光源装置。
【請求項３】
前記偏光状態を揃える機能を有する光学部材を、λ／４板と、自然光のうち所定方向の直線偏光を反射すると共に、該所定方向と直交する偏光を透過する性質を有する光学的媒体とで構成することを特徴とする請求項１記載の面光源装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、導光体のエッジに反射板付の発光体を配置した面光源装置において、前記発光体と前記エッジとの間に、偏光状態を揃える機能を有する光学部材を配置したことを特徴とし、前記偏光状態を揃える機能を有する光学部材を、コレステリック・フィルムとλ／４板とで構成し、または、前記偏光状態を揃える機能を有する光学部材を、λ／４板と、自然光のうち所定方向の直線偏光を反射すると共に、該所定方向と直交する偏光を透過する性質を有する光学的媒体とで構成することを特徴とするものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明では、（ａ）発光体から出た光が、偏光状態を揃える機能を有する光学部材により無駄なく導光体に導入されるから、発光効率の改善が図られる。例えば、偏光状態を揃える機能を有する光学部材を、コレステリック・フィルム（または光学的媒体）とλ／４板とで構成したとき、コレステリック・フィルム（または光学的媒体）で反射された光は、発光体の反射板で反射され、この反射光は逆回り円偏光（または所定方向と直交する偏光）になるため、コレステリック・フィルム（または光学的媒体）を支障なく透過する。したがって、発光体から出た光が無駄なくλ／４板で直線偏光に変換され、導光体に導入されるから、発光効率の改善が図られる。また、（ｂ）導光体の上には余計な積層体がないため、全体の厚みが抑えられ、薄型設計に貢献する。さらに、（ｃ）偏光状態を揃える機能を有する光学部材（コレステリック・フィルム（または光学的媒体）及びλ／４板）の大きさが導光体のエッジ面のサイズで済むから、大幅なコストダウンが図られる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【発明の効果】
本発明によれば、発光効率を改善できるうえ、全体の厚みを抑えて薄型設計に貢献でき、しかも、偏光状態を揃える機能を有する光学部材（コレステリック・フィルム（または光学的媒体）及びλ／４板）の所要サイズを小さくして大幅なコストダウンを図ることができる。したがって、液晶ディスプレイのバックライト・システム、特に、ポータブル型の液晶ディスプレイ応用機器に適用して有益な技術を提供できる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月9日(2003.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光磁気記憶媒体から再生された差動信号の正弦波からなるＶＦＯ領域の直流オフセットを除去するオフセット除去回路であって、
上記差動信号から差動信号の立ち上がり、立ち下がりに応じた矩形データ信号を生成する比較回路と、
上記矩形データ信号に同期して上記ＶＦＯ領域の処理時にのみ活性化されるゲート信号をラッチし、当該矩形データ信号に同期して当該ゲート信号を順次にシフトするシフトレジスタと、
上記シフトレジスタでラッチされた第１のゲート信号を受けて上記比較回路から出力された矩形データ信号のレベルに応じた鋸波信号を生成するチャージポンプ回路と、
上記シフトレジスタの第１のゲート信号より後段にシフトされた第２のゲート信号を受けて上記チャージポンプ回路の出力信号に対するホールド動作を行うサンプル・ホールド回路と、
上記サンプル・ホールド回路の出力信号を上記再生された差動信号に加算する加算回路と
を有するオフセット除去回路。
【請求項２】
上記シフトレジスタは、データ入力端子にゲート信号が供給され、クロック入力端子に上記比較回路による矩形データ信号が供給され、データ出力端子から上記第１のゲート信号を出力する第１のＤ型フリップフロップと、
データ入力端子に上記第１のフリップフロップのデータ出力端子からの出力信号が供給され、クロック入力端子に上記比較回路による矩形データ信号の逆相の信号が供給され、データ出力端子から上記第２のゲート信号を出力する第２のＤ型フリップフロップと
を有する請求項１記載のオフセット除去回路。
【請求項３】
正弦波信号の差動信号の直流オフセットを除去するオフセット除去回路であって、
上記差動信号を入力して上記差動信号の立ち上がりと立ち下りに応じた矩形データ信号を生成する比較回路と、
上記比較回路から出力される上記矩形データ信号に同期してゲート信号をラッチし、上記矩形データ信号に応じて上記ゲート信号を順次にシフトして第１のゲート信号と当該第１のゲート信号よりも遅延した第２のゲート信号を出力するシフトレジスタと、
上記第１のゲート信号を入力して上記矩形データ信号のレベルに応じた鋸波信号を生成するチャージポンプ回路と、
上記第２のゲート信号を入力して上記チャージポンプ回路から出力される上記鋸波信号をサンプル・ホールドするサンプル・ホールド回路と、
上記サンプル・ホールド回路の出力信号と上記差動信号とを加算する加算回路と、
を有するオフセット除去回路。
【請求項４】
上記シフトレジスタは、
データ入力端子に上記ゲート信号が入力され、クロック入力端子に上記矩形データ信号が入力され、データ出力端子から上記第１のゲート信号を出力する第１のＤ型フリップフロップと、
データ入力端子に上記第１のゲート信号が入力され、クロック入力端子に上記矩形データ信号と逆相の信号が入力され、データ出力端子から上記第２のゲート信号を出力する第２のＤ型フリップフロップと、
を有する請求項３に記載のオフセット除去回路。
【請求項５】
上記第１のゲート信号の入力によって上記チャージポンプ回路の電流が半分に削減される請求項１、２、３又は４に記載のオフセット除去回路。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月25日(2003.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本願発明者は、上述のような課題に対して研究を重ねた結果、特開平７−６５３１６において、上述した積層型磁気へッドにおいて、磁気コアを形成する金属磁性層を端部で相互に静磁的に結合させることにより、ヘッド効率の向上、特に高周波領域において大幅に向上させることができることを提案している。また、本願発明者は、特開平８−１１５５０６において、ガード材の組成を、ＣａＯを１５ｍｏｌ％〜４５ｍｏｌ％、ＴｉＯ2を４０ｍｏｌ％〜８０ｍｏｌ％、ＮｉＯを５ｍｏｌ％〜３０ｍｏｌ％とすることにより、磁気テープに対するガード材の摩耗量と、磁気コアである金属磁性層の摩耗量とのバランスを向上させ、偏摩耗を少なくするとともに磁気ヘッドとしての寿命を向上させることができることを提案している。そして、本願発明者は、このような積層型磁気ヘッドについて、更に研究を重ねた結果、上述した積層型磁気ヘッドでは、ＭＩＧ型磁気ヘッド及びフェライトヘッドと比較して、耐摩耗性がヘッド形状、特に媒体摺動面の当り幅方向の曲率半径Ｒyに大きく依存することを見いだした。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
ここで、図４に示した摩耗特性Ａによれば、媒体摺動面１ａの当り幅方向Ｃの曲率半径Ｒyを約１．０ｍｍ以下とした磁気ヘッドにおいては、Ｒyが小さくなるほど摩耗量が大きくなっている。しかし、摩耗量は、媒体摺動面１ａの当り幅方向Ｃの曲率半径Ｒyを約１．０ｍｍ以上とした磁気ヘッドにおいて、約０．２μｍ程度となり小さくなっている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
また、この磁気ヘッドでは、ガード材４としてＣａＯを約３９ｍｏｌ％、ＴｉＯ2を約４８ｍｏｌ％とし、残りをＮｉＯとした組成の非磁性材料について述べたが、ＣａＯを１５ｍｏｌ％〜４５ｍｏｌ％，ＴｉＯ2を４０ｍｏｌ％〜８０ｍｏｌ％，ＮｉＯを５ｍｏｌ％〜３０ｍｏｌ％とした非磁性材料であっても良い。更に、ガード材４としては、磁性層５とほぼ同等の熱膨張係数を有する非磁性材料であれば、上述した耐摩耗性等の効果を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月26日(2003.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を処理する処理室と、
前記被処理基板を搬送する搬送ロボットと、
異物モニタ又は膜厚モニタとを備え、
前記処理室にて処理された後の被処理基板を前記搬送ロボットにて前記異物モニタ又は膜厚モニタまで搬送し、前記異物モニタ又は膜厚モニタにより前記被処理物基板上の異物の数又は前記被処理物基板上に形成された膜の厚さを測定することを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月26日(2003.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体製造装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を収容する真空容器と、
前記被処理基板を加熱する所要数のランプと、
前記ランプからの赤外線を前記被処理基板に向けて反射させる反射板と、
前記反射板に設けられた所要数の孔とを備え、
冷却用気体を前記孔から前記ランプが設けられている空間へ流入させたことを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月27日(2004.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜の一部を除去し、
前記非晶質珪素膜が除去された領域に、珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質珪素膜を加熱することにより、前記金属元素が導入された領域から、前記基板に対して平行な方向に結晶成長を行わせ、
前記金属元素は、前記金属元素を含む溶液を前記非晶質珪素膜に塗布することにより導入され、
前記金属元素は、前記非晶質珪素膜の表面における前記溶液に対する撥水性を利用して選択的に接して保持されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜の一部を除去し、
前記非晶質珪素膜が除去された領域に、珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質珪素膜を加熱することにより、前記金属元素が導入された領域から、前記基板に対して平行な方向に結晶成長を行わせ、
前記金属元素は、前記金属元素を含む溶液を前記非晶質珪素膜に塗布することにより導入され、
前記金属元素は、前記非晶質珪素膜の表面における前記溶液に対する疎水性を利用して選択的に接して保持され、
前記金属元素の導入量は、前記非晶質珪素膜が除去された領域の形状によって制御されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記結晶成長により得られた結晶性珪素膜をパターニングして活性層を形成し、
前記活性層にゲイト絶縁膜及びゲイト電極を形成し、
前記活性層に不純物を導入して、ソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項のいずれか１項において、
前記金属元素が導入された領域からの結晶成長が行われる際に、前記非晶質珪素膜の結晶成長が行われる領域の表面は露呈していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜の一部に選択的に酸化珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜及び酸化珪素膜に、珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質珪素膜を加熱することにより、前記非晶質珪素膜を結晶化し、
前記酸化珪素膜が選択的に形成された領域の前記結晶性珪素膜をパターニングして、第１の活性層を形成し、
前記酸化珪素膜が形成されなかった領域の前記結晶性珪素膜をパターニングして、第２の結成層を形成し、
前記第１及び第２の活性層それぞれに、ゲイト絶縁膜及びゲイト電極を形成し、
前記第１の活性層に不純物を導入してＰ型薄膜トランジスタを形成し、
前記第２の活性層に不純物を導入してＮ型薄膜トランジスタを形成し、
前記金属元素は、前記金属元素を含む溶液を前記非晶質珪素膜に塗布することにより導入され、
前記酸化珪素膜が選択的に形成された領域において、前記金属元素は、前記酸化珪素膜が形成されなかった領域よりもより多く保持され、
前記Ｐ型薄膜トランジスタの第１の活性層は、前記Ｎ型薄膜トランジスタの第２の活性層よりも結晶性が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記基板と非晶質珪素膜の間には、酸化珪素膜が形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記金属元素は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種類の元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項において、
前記非晶質珪素膜の代わりに珪素化合物でなる非晶質膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記珪素化合物は、ＳｉxＧｅ1-x（０＜ｘ＜１）で示される材料であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
本実施例においてもオフセットゲイト領域は形成されているが、その寸法が小さいのでその存在による寄与が小さく、また図面が煩雑になるので図中には記載していない。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
〔実施例２〕
本実施例は、非晶質珪素膜の表面の疎水性を選択的に制御することのより、結晶性の異なるＴＦＴを選択的に作製する例を示す。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
そして、それに対応して、得られる結晶性も異なるものとなる。こうして高い結晶性を有する領域６０６と、それに比較して結晶性が低い領域６０７とを得る。（図６（Ｃ））
【手続補正書】
【提出日】平成15年5月29日(2003.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液体収納容器


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略偏平直方体を成す合成樹脂製の液体収納部の底部に口部が形成され、該口部に前記液体収納部の内部と外部とを連通させるための接続部が構成される液体収納容器において、
前記口部は、前記液体収納部の相対向する最大面積面にそれ自身の長手方向稜線を介してつながる底面の、長手方向一端側の短手方向稜線寄りに片寄った位置に形成され、前記口部の開口部の形状は、前記底面の長手方向に長く、かつ該底面の長手方向中央寄りの短手方向幅が前記長手方向一端側の稜線寄りの短手方向幅より大きいことを特徴とする液体収納容器。
【請求項２】
前記口部は前記液体収納部の唯一の開口部であることを特徴とする請求項１に記載の液体収納容器。
【請求項３】
前記液体収納部は合成樹脂のブロー成形により形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の液体収納容器。
【請求項４】
前記口部に液体導出用接続部と大気連通用接続部の２つの接続部が構成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の液体収納容器。
【請求項５】
前記２つの接続部は前記液体収納部の底面短手方向のほぼ中心位置で底面長手方向に並べて構成されることを特徴とする請求項４に記載の液体収納容器。
【請求項６】
前記液体導出用接続部が前記大気連通用接続部より前記長手方向一端側の短手方向稜線寄りの位置に設けられることを特徴とする請求項４又は５に記載の液体収納容器。
【請求項７】
前記口部は前記液体収納部の底面から前記液体収容部の外部に向かって突出する首部と、該首部の先端から前記底面にほぼ平行な外方に張り出すフランジ部とを有することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の液体収納容器。
【請求項８】
前記液体収納部の内部と外部とを連通させるための接続部は、接続口を有する複数の積層部材を前記口部の端面に積層固定する構造であることを特徴とする請求項１〜７に記載の液体収納容器。
【請求項９】
前記液体収納部の内部と外部とを連通させるための接続部は、接続口を有する複数の積層部材を前記口部の端面に積層固定するとともに、該積層部材の間に接続針が挿通される弾性部材を保持する構造であることを特徴とする請求項１〜８に記載の液体収納容器。
【請求項１０】
前記複数の積層部材は超音波溶着により順次積層固定されることを特徴とする請求項８又は９に記載の液体収納容器。
【請求項１１】
前記複数の積層部材は順次に積層方向厚さが減少することを特徴とする請求項１０に記載の液体収納容器。
【請求項１２】
前記口部に固定される前記積層部材に、該口部の内面の変形を防止するために前記液体収納部の内部に向かって延び出した筒状部が設けられていることを特徴とする請求項８〜１１のいずれかに記載の液体収納容器。
【請求項１３】
前記接続針は先端部に開口する針孔を有する中空針であることを特徴とする請求項９〜１２のいずれかに記載の液体収納容器。
【請求項１４】
前記液体収納部の底部に、前記液体収納部の内部と外部とを連通させるための接続部を保護するためのボトムカバーを着脱可能に装着することを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の液体収納容器。
【請求項１５】
前記ボトムカバーの内面に、前記液体収納部との位置ずれを防止するために前記口部の外面と係合する凹部が形成されていることを特徴とする請求項１４に記載の液体収納容器。
【請求項１６】
液体又は容器の種類を機械的に識別するとともに誤装着を防止するための容器ＩＤ部を、前記ボトムカバーに有することを特徴とする請求項１〜１５のいずれかに記載の液体収納容器。
【請求項１７】
前記ボトムカバーの内部に、液体収納部内のインクの量や種類などの情報を保持可能な電気的、磁気的、光学的もしくはその組合せによる記憶媒体が収容保持されていることを特徴とする請求項１４〜１６のいずれかに記載の液体収納容器。
【請求項１８】
記録手段から被記録材へインクを吐出して記録を行うインクジェット記録装置に着脱可能に装着されることを特徴とする請求項１〜１７のいずれかに記載の液体収納容器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、インクジェット記録装置などで用いられるインクタンク等として使用するのに好適な液体収納容器に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月31日(2003.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、発熱部を形成する発熱抵抗体と、該発熱抵抗体に電気的に接続する電極配線と、前記発熱抵抗体と前記電極配線との上に絶縁保護層を介して設けられた耐キャビテーション膜とを有するインクジェットヘッド用基体において、
前記耐キャビテーション膜が、二層以上の異なる材料で形成されていることを特徴とするインクジェットヘッド用基体。
【請求項２】
基板上に、発熱部を形成する発熱抵抗体と、該発熱抵抗体に電気的に接続する電極配線と、前記発熱抵抗体と前記電極配線との上に絶縁保護層を介して設けられた耐キャビテーション膜とを有するインクジェットヘッド用基体において、
前記耐キャビテーション膜が少なくとも二層の膜で形成され、インクと接する上層の膜が下層の膜より耐インク腐食性が低い膜であることを特徴とするインクジェットヘッド用基体。
【請求項３】
基板上に、発熱部を形成する発熱抵抗体と、該発熱抵抗体に電気的に接続する電極配線と、前記発熱抵抗体と前記電極配線との上に絶縁保護層を介して設けられた耐キャビテーション膜とを有するインクジェットヘッド用基体において、
前記耐キャビテーション膜が少なくとも二層の膜で形成され、インクと接する上層の膜がＴａ膜もしくはＴａＡｌ膜であり、下層の膜はＴａを含むアモルファス合金であることを特徴とするインクジェットヘッド用基体。
【請求項４】
基板上に、発熱部を形成する発熱抵抗体と、該発熱抵抗体に電気的に接続する電極配線と、前記発熱抵抗体と前記電極配線との上に絶縁保護層を介して設けられた耐キャビテーション膜とを有するインクジェットヘッド用基体において、
前記耐キャビテーション膜が少なくとも二層の膜で形成され、インクと接する上層の膜がＴａ膜もしくはＴａＡｌ膜であり、下層の膜はＴａを含むアモルファス合金膜であり、
前記アモルファス合金膜は、Ｔａ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒからなる組成を持つことを特徴とするインクジェットヘッド用基体。
【請求項５】
前記アモルファス合金膜は組成式（Ｉ）：
ＴａαＦｅβＮｉγＣｒδ  ・・・（Ｉ）
（但し、１０原子%≦α≦３０原子%、且つ、α＋β＜８０原子%、且つ、α＜β、且つ、δ＞γ、且つ、α＋β＋γ＋δ＝１００原子%である。）で表されるものであることを特徴とする請求項４に記載のインクジェットヘッド用基体。
【請求項６】
基板上に、発熱部を形成する発熱抵抗体と、該発熱抵抗体に電気的に接続する電極配線と、前記発熱抵抗体と前記電極配線との上に絶縁保護層を介して設けられた耐キャビテーション膜とを有するインクジェットヘッド用基体において、
前記耐キャビテーション膜が、Ｔａ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒからなる組成の第１層と、この第１層の上に形成された正方格子の結晶構造からなるＴａの第２層とを有することを特徴とするインクジェットヘッド用基体。
【請求項７】
前記第１層は組成式（Ｉ）：
ＴａαＦｅβＮｉγＣｒδ  ・・・（Ｉ）
（但し、１０原子%≦α≦３０原子%、且つ、α＋β＜８０原子%、且つ、α＜β、且つ、δ＞γ、且つ、α＋β＋γ＋δ＝１００原子%である。）で表されるものであることを特徴とする請求項６に記載のインクジェットヘッド用基体。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載のインクジェットヘッド用基体上の発熱部は複数設けられ、インク滴を吐出する吐出口に連通する液路が各発熱部に対応して設けられたインクジェットヘッド。
【請求項９】
前記各液路内に、前記発熱部の熱エネルギーによって液体中に発生する気泡の成長に伴い変位する自由端を有する可動部材が配置された請求項８に記載のインクジェットヘッド。
【請求項１０】
基板上に、発熱部を形成する発熱抵抗体と、該発熱抵抗体に電気的に接続する電極配線と、前記発熱抵抗体と前記電極配線との上に絶縁保護層を介して設けられた耐キャビテーション膜とを有するインクジェットヘッド用基体の上に、インク滴を吐出する吐出口に連通する液路を発熱部に対応して複数形成するインクジェットヘッドの製造方法において、
前記耐キャビテーション膜を形成するため、Ｔａ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒからなる組成の層の上に、純度９９％以上の金属Ｔａのターゲットを用いてスパッタリングすることによって正方格子の結晶構造を持つＴａを形成することを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記Ｔａ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒからなる組成の層は組成式（Ｉ）：
ＴａαＦｅβＮｉγＣｒδ  ・・・（Ｉ）
（但し、１０原子%≦α≦３０原子%、且つ、α＋β＜８０原子%、且つ、α＜β、且つ、δ＞γ、且つ、α＋β＋γ＋δ＝１００原子%である。）で表されるものであることを特徴とする請求項１０に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記液路の形成後、予備的なインク吐出動作を行うことにより、前記ＴａαＦｅβＮｉγＣｒδ層の少なくともＴａ、Ｃｒを含む非晶質体不動層にＴａを実質的にドーピングすることを特徴とする請求項１１に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の製造方法で製造されたインクジェットヘッドの使用方法であって、
前記ＴａαＦｅβＮｉγＣｒδ層の少なくともＴａ、Ｃｒを含む非晶質体不動層にＴａが実質的にドーピングされた層を、インクに対して最初の表面もしくは、後で露出する層として使用することを特徴とするインクジェットヘッドの使用方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載の製造方法で製造されたインクジェットヘッドの使用方法であって、
前記ＴａαＦｅβＮｉγＣｒδ層の少なくともＴａ、Ｃｒを含む非晶質体表面層にＴａが付加された層を、インクに対して最初の表面もしくは、後で露出する層として使用することを特徴とするインクジェットヘッドの使用方法。
【請求項１５】
耐キャビテーション膜が初期は２層で、上層のＴａが部分的に除去されつつ吐出を行う段階と、該Ｔａが有効発泡領域のみで除去されて吐出を行う段階とを行えることを特徴とする請求項１３または１４に記載のインクジェットヘッドの使用方法。
【請求項１６】
請求項８、９、１５のいずれか１項に記載のインクジェットヘッドを搭載するキャリッジを有し、該キャリッジを記録情報に応じて移動しながらインクジェットヘッドよりインク滴を吐出して記録媒体に記録を行うインクジェット記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また本発明は、上記のいずれかに記載のインクジェットヘッド用基体上に、インク滴を吐出する吐出口に連通する液路が発熱部に対応して設けられたインクジェットヘッドも含む。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月6日(2003.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の図柄を可変表示する可変表示手段と、
前記図柄の可変表示とは別の表示を行う別表示手段と、
前記図柄の可変表示の開始から停止までのゲーム毎に当選役を決定する当選役決定手段と、
所定の遊技操作に応じて前記図柄の可変表示を開始させ、前記当選役決定手段での決定結果と遊技者の停止操作とに基づいて前記図柄の可変表示を停止制御する可変表示制御手段と、
前記図柄の可変表示終了後に遊技操作を無効とするか否かの決定及び無効とする場合の無効化期間の決定を行う無効化決定手段と、
該無効化決定手段で遊技操作を無効とする決定をしたとき、無効化処理を行う無効化処理手段と、
前記無効化期間中の前記別表示手段での表示内容を前記当選役決定手段での決定結果に基づき決定する別表示決定手段と、
前記図柄の可変表示が停止したときの図柄表示態様が所定の態様であるとき、前記遊技操作を無効とする決定を解除して遊技操作を有効とする無効化解除手段と、
該無効化解除手段で前記遊技操作を無効とする決定を解除しなかったときは、前記無効化期間中、前記別表示決定手段での決定に基づき前記別表示手段での表示を制御する別表示制御手段と
を備えたことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
複数の図柄を可変表示する可変表示手段と、
前記図柄の可変表示とは別の表示を行う別表示手段と、
該可変表示手段の可変表示開始から停止までのゲーム毎に当選役を決定する当選役決定手段と、
所定の遊技操作に応じて前記図柄の可変表示を開始させ、前記当選役決定手段での決定結果と遊技者の停止操作とに基づいて前記図柄の可変表示を停止制御する可変表示制御手段と、
前記図柄の可変表示終了後に遊技操作を無効とするか否かの決定及び無効とする場合の無効化期間の決定を行う無効化決定手段と、
該無効化決定手段で遊技操作を無効とする決定をしたとき、無効化処理を行う無効化処理手段と、
前記無効化期間中の前記別表示手段での表示内容を前記当選役決定手段での決定結果に基づき決定する別表示決定手段と、
前記停止操作が所定の停止動作で、且つ前記図柄の可変表示が停止したときの図柄表示態様が所定の態様であるとき、前記遊技操作を無効とする決定を解除して遊技操作を有効とする無効化解除手段と、
該無効化解除手段で前記遊技操作を無効とする決定を解除しなかったときは、前記無効化期間中、前記別表示決定手段での決定に基づき前記別表示手段での表示を制御する別表示制御手段と
を備えたことを特徴とする遊技機。
【請求項３】
複数の図柄を可変表示する可変表示手段と、
前記図柄の可変表示とは別の表示を行う別表示手段と、
該可変表示手段の可変表示開始から停止までのゲーム毎に当選役を決定する当選役決定手段と、
所定の遊技操作に応じて前記図柄の可変表示を開始させ、前記当選役決定手段での決定結果と遊技者の停止操作とに基づいて、前記図柄の可変表示が停止したときの図柄表示態様と、
前記図柄の可変表示を停止操作時の位置からどれだけ移動させて停止させるかを表わす滑りコマ数とを決定し、該決定に基づき前記図柄の可変表示を停止制御する可変表示制御手段と、
前記図柄の可変表示終了後に遊技操作を無効とするか否かの決定と共に、その無効とする期間である無効化期間を決定する無効化決定手段と、
該無効化決定手段で遊技操作を無効とする決定をしたとき、無効化処理を行う無効化処理手段と、
前記無効化期間中の前記別表示手段での表示内容を前記当選役決定手段での決定結果に基づき決定する別表示決定手段と、
前記可変表示制御手段で決定された図柄表示態様が所定の態様で、且つ前記滑りコマ数が所定数であるとき、前記遊技操作を無効とする決定を解除して遊技操作を有効とする無効化解除手段と、
該無効化解除手段で前記遊技操作を無効とする決定を解除しなかったときは、前記無効化期間中、前記別表示決定手段での決定に基づき前記別表示手段での表示を制御する別表示制御手段と
を備えたことを特徴とする遊技機。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか記載の遊技機において、前記所定の態様は、前記当選役決定手段での決定結果が遊技者にとって容易に認識可能な停止態様であることを特徴とする遊技機。