【手続補正書】
【提出日】平成24年7月27日(2012.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タングステンを構造中に含む空隙ケギンタイプのヘテロポリアニオンのニッケル塩によって構成され、式：
Ｎｉｘ＋ｙ／２ＡＷ１１−ｙＯ３９−５／２ｙ，ｚＨ２Ｏ
（式中、Ｎｉは、ニッケルであり；
Ａは、リン、ケイ素およびホウ素から選択され；
Ｗは、タングステンであり；
Ｏは、酸素であり；
ｙ＝０または２であり；
Ａがリンであるならばｘ＝３．５であり；
Ａがケイ素であるならばｘ＝４であり；
Ａがホウ素であるならばｘ＝４．５であり；
その他の場合にはｘ＝ｍ／２＋２であり；
ｚは０〜３６の範囲の数であり、ｍはＡがリンであるならば３に等しく、ｍはＡがケイ素であるならば４に等しく、ｍはＡがホウ素であるならば５に等しい）
を有するヘテロポリ化合物であって、
前記ヘテロポリ化合物は、その構造中にタングステン原子の代わりにニッケル原子を有しておらず、前記ニッケル原子は、前記化合物の構造中のカウンターイオンの位置に置かれている、ヘテロポリ化合物。
【請求項２】
前記ヘテロポリ化合物は、以下の式：
ＮｉｘＡＷ１１Ｏ３９，ｚＨ２Ｏ（I）
（式中、Ｎｉは、ニッケルであり；
Ａは、リン、ケイ素およびホウ素から選択され；
Ｗは、タングステンであり；
Ｏは、酸素であり；
ｘは、Ａがリンであるならば３．５に等しく、Ａがケイ素であるならば４に等しく、また
はＡがホウ素であるならば４．５に等しい数であり；
ｚが０〜３６の範囲の数である）
を有する、請求項１に記載のヘテロポリ化合物。
【請求項３】
前記ヘテロポリ化合物は、式：Ｎｉ４ＳｉＷ１１Ｏ３９を有する化合物である、請求項２に記載のヘテロポリ化合物。
【請求項４】
前記ヘテロポリ化合物は、以下の式：
Ｎｉｘ＋１ＡＷ９Ｏ３４，ｚＨ２Ｏ（II）
（式中、Ｎｉは、ニッケルであり；
Ａは、リン、ケイ素およびホウ素から選択され；
Ｗは、タングステンであり；
Ｏは、酸素であり；
ｘは、Ａがリンであるならば３．５に等しく、Ａがケイ素であるならば４に等しく、またはＡがホウ素であるならば４．５に等しい数であり；
ｚは０〜３６の範囲の数である）
を有する、請求項１に記載のヘテロポリ化合物。
【請求項５】
前記ヘテロポリ化合物は、式：Ｎｉ５ＳｉＷ９Ｏ３４を有する化合物である、請求項４に記載のヘテロポリ化合物。
【請求項６】
請求項１〜５のうちの１つに記載の前記ヘテロポリ化合物と、必要に応じて少なくとも１種の酸性細孔性鉱物マトリクスとを含む触媒。
【請求項７】
前記触媒は、バルク触媒の形態である、請求項６に記載の触媒。
【請求項８】
前記触媒は、担持型触媒であり、担体は、シリカ−アルミナ、アルミノケイ酸塩、結晶性その他の、メソ構造化その他の、ドーピングされたアルミナ、および非ゼオライト結晶性モレキュラーシーブのカテゴリーによって形成された群から選択される少なくとも１種の酸性細孔性鉱物マトリクスによって形成される、請求項６に記載の触媒。
【請求項９】
請求項１〜５のうちの１つに記載のタングステンを構造中に含む空隙ケギンタイプのヘテロポリアニオンのニッケル塩によって構成される、前記ヘテロポリ化合物の調製方法であって、
１）  式：
Ｂａｘ＋ｙ／２ＡＷ１１−ｙＯ３９−５／２ｙ，ｚＨ２Ｏ（I’）
（式中、Ｂａは、バリウムであり、Ａは、リン、ケイ素およびホウ素から選択され、Ｗは、タングステンであり、Ｏは酸素であり、ｙ＝０または２であり、ｘは、Ａがリンであるならば３．５、Ａがケイ素であるならば４、Ａがホウ素であるならば４．５に等しい数であり、残りの場合にはｘ＝ｍ／２＋２であり、ｚは、０〜３０の範囲の数である）
を有するタングステンを含有するケギンヘテロポリアニオンを合成する工程であって、ヘテロポリタングステン酸ＨｍＡＷ１２Ｏ４０（式中、Ａは、リン、ケイ素およびホウ素から選択され、Ｈは、水素であり、Ｗは、タングステンであり、Ｏは、酸素であり、ｍは、Ａがリンであるならば３に等しく、ｍは、Ａがケイ素であるならば４に等しく、ｍは、Ａがホウ素であるならば５に等しい）に、（ｘ＋ｙ／２）当量の水酸化バリウム（Ｂａ（ＯＨ）２）を加えたものを式：
【化１】
2012500174.tif 000001
に従って反応させることにより、式Ｂａｘ＋ｙ／２ＡＷ１１−ｙＯ３９−５／２ｙ，ｚＨ
２Ｏ（I’）を有する化合物を形成する、工程と、
２）  工程１）に由来するタングステンを含有するケギンヘテロポリアニオンから、式：Ｎｉｘ＋ｙ／２ＡＷ１１−ｙＯ３９−５／２ｙ，ｚＨ２Ｏ（I）を有するタングステンを含有するケギンヘテロポリアニオンのニッケル塩を、陽イオン交換樹脂上でのイオン交換によりＢａ２＋カチオンをＮｉ２＋カチオンで置換することにより形成する工程であって、前記陽イオン交換樹脂は、予め、Ｎｉ２＋イオンで交換されている、工程と
を含む、方法。
【請求項１０】
工程１）で調製されるタングステンを含有するケギンヘテロポリアニオンは、式ＢａｘＡＷ１１Ｏ３９，ｚＨ２Ｏを有するヘテロポリアニオンであり、タングステンを含有するヘテロポリアニオンのニッケル塩は、式ＮｉｘＡＷ１１Ｏ３９，ｚＨ２Ｏを有する化合物である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
工程１）で調製されるタングステンを含有するケギンヘテロポリアニオンは、式Ｂａｘ＋１ＡＷ９Ｏ３４，ｚＨ２Ｏを有するヘテロポリアニオンであり、タングステンを含有する該ヘテロポリアニオンのニッケル塩は、式Ｎｉｘ＋１ＡＷ９Ｏ３４，ｚＨ２Ｏを有する化合物である、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
水素化分解、水素化転化および／または水素化処理方法における、前記ヘテロポリ化合物を含む請求項６〜８のうちの１つに記載の触媒の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
水素化分解方法において用いられる水素化分解触媒は全て、二機能性であり、これは、酸機能と水素化脱水素機能とを組み合わせている。酸機能は、一般的には１５０〜８００ｍ２／ｇの範囲でありかつ表面上の酸性度を有する表面積を有する担体、例えば、ハロゲン化アルミナ（特に、フッ素化または塩素化アルミナ）、ホウ素およびアルミニウムの酸化物の組合せ、無定形メソ細孔アルミノケイ酸塩およびゼオライトによって供給される。水素化脱水素機能は、周期律表の第VIB族からの１種以上の金属、または周期律表の第VIB族からの少なくとも１種の金属と第VIII族金属からの少なくとも１種の金属との組合せのいずれかによって供給される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
ヘテロポリアニオンの重要性は既に従来技術において言及されている。例えば、特許文献１は、第VIII族からの金属のヘテロポリ酸塩、例えば、リンモリブデン酸またはケイモリブデン酸のコバルト塩またはニッケル塩の有益な使用に言及する。当該特許では、ヘテロポリ酸は常に、リンまたはケイ素を含み、後者の元素は、構造の中心の原子である。前記化合物は、制限された（第VIII族元素／第VI族元素）の原子比をもたらすという不利な点を有する。例えば、リンモリブデン酸のコバルト塩についての式のＣｏ／Ｍｏ比は０．１２５である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
（ワンススルー法）
最初の事例において「ワンススルー」と呼ばれる水素化分解は、一般に、供給原料の激しい水素化脱窒および脱硫を行うことを目的とした激しい水素化精製を含み、その後に、適正な水素化分解触媒に送られ、特に、前記触媒がゼオライトを含む場合である。供給原料の激しい水素化精製は、供給原料のより軽質のフラクションへの制限された転化のみを引き起こし、これは、依然として不十分であり、したがって、より活性な水素化分解触媒上で完了されなければならない。しかし、２つの触媒タイプの間に分離は含まれないことが留意されるべきである。反応器出口からの全ての流出物は、適切な水素化分解触媒上に注入され、生じた生成物は、後で分離されるだけである。このバージョンの水素化分解であるワンススルー水素化分解は、未転化フラクションが供給原料のより激しい転化のために反応器に再循環させられるバリエーションを有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
第２の反応帯域を出る流出物は、「最終」分離と称される分離（例えば、常圧蒸留と場合によってはこれに続く、真空蒸留による）を経て、ガスが分離される。少なくとも１つの残留液体フラクションが得られ、このものは、本質的に、一般的には３４０℃超の沸点を有する生成物を含有し、少なくとも一部が、本発明の方法の第２反応帯域の上流に、好ましくは、アルミナ−シリカをベースとする水素化分解触媒の上流に再循環させられ得るが、その目的は、中間留分を生じさせることである。