【手続補正書】
【提出日】平成15年4月2日(2003.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱した燐酸溶液を主剤とする薬液に弗化アンモンまたはバッファード弗酸を添加する手段と、弗素の添加量を制御して弗素濃度又はエッチングレートを調節するための弗素濃度の検出手段とを備えたことを特徴とする半導体窒化膜エッチング装置。
【請求項２】
薬液中の弗素濃度を２００ｐｐｍ以下に制御するようにしたことを特徴とする請求項１に記載の半導体窒化膜エッチング装置。
【請求項３】
燐酸溶液を主剤としフッ酸を含み硝酸を含まない薬液にシリコンまたはシリコン化合物を添加する手段を備えたことを特徴とする半導体窒化膜エッチング装置。
【請求項４】
燐酸溶液を主剤とする薬液にシリコンまたはシリコン化合物を添加する手段と、シリコン添加量を制御してシリコン濃度又はエッチングレートを調節するためのシリコン濃度の検出手段とを備えたことを特徴とするエッチング装置。
【請求項５】
加熱した燐酸溶液を主剤としフッ酸を含み硝酸を含まない薬液に、弗化アンモンまたはバッファード弗酸を添加する手段と、シリコンまたはシリコン化合物を添加する手段とを備えたことを特徴とする半導体窒化膜エッチング装置。
【請求項６】
薬液中に弗素添加量を制御して弗素濃度を調節するための弗素濃度の検出手段と、シリコン添加量を制御してシリコン濃度又はエッチングレートを調節するためのシリコン濃度の検出手段とを備えたことを特徴とする請求項５に記載の半導体窒化膜エッチング装置。
【請求項７】
薬液中の弗素の添加量を制御して薬液中のシリコン濃度をその薬液温度における飽和シリコン濃度の一定の割合に調節するために弗素を添加する手段を備えたことを特徴とする請求項６に記載の半導体窒化膜エッチング装置。
【請求項８】
燐酸溶液を主剤とする処理槽内の薬液を排出する手段と、処理槽内の薬液成分の調整をするために新たな燐酸溶液を注入する手段とを備えたことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体窒化膜エッチング装置。
【請求項９】
排出する燐酸薬液と注入する燐酸溶液とを熱交換する熱交換器を備えたことを特徴とする請求項８に記載の半導体窒化膜エッチング装置。
【請求項１０】
水を添加して薬液の比重を調整するために薬液の比重を測定する手段を備えたことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の半導体窒化膜エッチング装置。
【請求項１１】
燐酸溶液を主剤としシリコンを含む薬液を収容した複数の処理槽を備え、これらの処理槽の間で薬液を移送することにより前記処理槽に収容された薬液のシリコン濃度の調整をするようにしたことを特徴とする半導体窒化膜エッチング装置。
【請求項１２】
各処理槽内の薬液のシリコン濃度を計算しこれら処理槽の間の薬液の移送を制御する制御手段を備えたことを特徴とする請求項１１に記載の半導体窒化膜エッチング装置。
【請求項１３】
前記半導体基板がシリコン酸化膜とシリコン窒化膜とを有することを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の半導体窒化膜エッチング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明の半導体窒化膜エッチング装置は、加熱した燐酸溶液を主剤とする薬液に弗化アンモンまたはバッファード弗酸を添加する手段と、弗素の添加量を制御して弗素濃度又はエッチングレートを調節するための弗素濃度の検出手段とを備えたことを特徴とするものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、前記の装置において、薬液中の弗素濃度を２００ｐｐｍ以下に制御するようにしたことを特徴とするものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、この発明の半導体窒化膜エッチング装置は、燐酸溶液を主剤としフッ酸を含み硝酸を含まない薬液にシリコンまたはシリコン化合物を添加する手段を備えたことを特徴とするものである。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
次に、この発明の半導体窒化膜エッチング装置は、燐酸溶液を主剤とする薬液にシリコンまたはシリコン化合物を添加する手段と、シリコン添加量を制御してシリコン濃度又はエッチングレートを調節するためのシリコン濃度の検出手段とを備えたことを特徴とするものである。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、この発明の半導体窒化膜エッチング装置は、加熱した燐酸溶液を主剤としフッ酸を含み硝酸を含まない薬液に、弗化アンモンまたはバッファード弗酸を添加する手段と、シリコンまたはシリコン化合物を添加する手段とを備えたことを特徴とするものである。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、前記の装置において、薬液中に弗素添加量を制御して弗素濃度を調節するための弗素濃度の検出手段と、シリコン添加量を制御してシリコン濃度又はエッチングレートを調節するためのシリコン濃度の検出手段とを備えたことを特徴とするものである。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、前記の装置において、薬液中の弗素の添加量を制御して薬液中のシリコン濃度をその薬液温度における飽和シリコン濃度の一定の割合に調節するために弗素を添加する手段を備えたものである。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、前記の装置において、燐酸溶液を主剤とする処理槽内の薬液を排出する手段と、処理槽内の薬液成分の調整をするために新たな燐酸溶液を注入する手段とを備えたことを特徴とするものである。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、前記の装置において、排出する燐酸薬液と注入する燐酸溶液とを熱交換する熱交換器を備えたことを特徴とするものである。


【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、前記の装置において、水を添加して薬液の比重を調整するために薬液の比重を測定する手段を備えたことを特徴とするとするものである。


【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
次に、この発明の半導体窒化膜エッチング装置は、燐酸溶液を主剤としシリコンを含む薬液を収容した複数の処理槽を備え、これらの処理槽の間で薬液を移送することにより前記処理槽に収容された薬液のシリコン濃度の調整をするようにしたことを特徴とするものである。


【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、前記の装置において、各処理槽内の薬液のシリコン濃度を計算しこれら処理槽の間の薬液の移送を制御する制御手段を備えたことを特徴とするものである。


【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、前記のそれぞれの装置において、前記半導体基板がシリコン酸化膜とシリコン窒化膜とを有することを特徴とするとするものである。


【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】