(57)【要約】【課題】従来、フルアディティブ法、およびセミアディティブ法が有していた、メッキにより成長する金属層等の導電層の形状の制御が困難で、断面形状や線幅を一定に保ちにくい欠点を解消することを課題とする。【解決手段】パターン基板１の凹部２に樹脂を充填し、凹部以外の樹脂をスキージ等により除去した上で、基板５に転写して、凸部６の集まりからなる凸部パターンを形成し、形成された凸部６を利用して、導電性パターンを形成することにより課題を解決することができた。基板５上に予め金属薄膜層７を設けたものを用いてもよい。【選択図】　図１
2004103969.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、凸部パターンの形成、および前記基板の全面への導電性薄膜層による被覆とを順不同に行なった後、形成された前記凸部パターンを利用して、前記凸部パターン上、もしくは前記凸部パターン以外の部分に、導電性パターンを生成させることからなり、前記凸部パターンの形成を、凹部を有するパターン基板の前記凹部に樹脂を充填させ、充填後、前記パターン基板を、その前記樹脂の充填された側を前記基板上に密着させ、密着後、両者を剥離することにより、前記パターン基板の前記凹部に充填された樹脂を前記基板上に転移させることにより行なうことを特徴とする導電性パターン基板の製造方法。
【請求項２】
前記パターン基板の前記凹部に前記樹脂を充填させることを、前記樹脂の前記パターン基板への適用、および適用後の前記パターン基板の前記凹部以外の部分に付着した樹脂の除去により行なうことを特徴とする請求項１記載の導電性パターン基板の製造方法。
【請求項３】
前記導電性パターンを生成させた後、前記導電性パターンを利用して、金属メッキパターンを生成させることを特徴とする請求項１または請求項２記載の導電性パターン基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板の表面に所望のパターン状の凸部からなる凸部パターンを形成し、その凸部パターンを利用することにより、凸部上、もしくは凸部の間に選択的に導電性パターンを生成させることが可能な導電性パターン基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
基板の表面に導電性パターンを形成する方法として、金属層を設けた上にレジストパターンを形成し、エッチングして行なうサブトラクティブ法があるが、金属層の大半を除去するのが普通であり、金属の回収やエッチング廃液の処理等の問題がある。
【０００３】
これに対し、基板の表面にメッキレジストパターンを設けた上から、無電解メッキで金属パターンを設けるフルアディティブ法や、基板の表面に、無電解メッキで金属層を設けた上にメッキレジストパターンを設け、露出部分に電解メッキで金属パターンを設けるセミアディティブ法もある。フルアディティブ法、およびセミアディティブ法においては、必要な箇所にのみ金属層を設けることが可能であり、サブトラクティブ法の欠点は解消されるものの、メッキにより成長する金属層の形状の制御が困難で、断面形状や線幅を一定に保ちにくい欠点がある。
【０００４】
あるいは、透明な基体に導電性インクでパターンを印刷し、パターンの膜厚より厚いネガ型フォトレジスト層で被覆し、透明な基体の裏側から露光し、現像して、パターン上のフォトレジスト層を除去した後、電解メッキによりパターン上に金属パターンを形成させる方法がある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−２６５０８７号公報（請求項１）
【０００６】
けれども、最初のパターンは印刷により形成されるので、寸法精度および位置精度を高度に確保することが困難である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明においては、従来、フルアディティブ法、およびセミアディティブ法が有していた、メッキにより成長する金属層等の導電層の形状の制御が困難で、断面形状や線幅を一定に保ちにくい欠点を解消することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決する手段】
これらの課題は、従来の方法におけるメッキレジストパターンの形成や導電性インクのパターンの形成に変え、凹部を有するパターン基板を用いて、基板上に凸部パターンを形成すること、しかも、単なる賦型によると、凸部以外に凹部の部分も形成されるので、基板上に凸部のみを設けることが難しいが、パターン基板の凹部にのみ樹脂を充填して、基板に転写することにより、凸部のみを基板上に形成することにより、上記の課題を解決することができた。
【０００９】
第１の発明は、基板上に、凸部パターンの形成、および前記基板の全面への導電性薄膜層による被覆とを順不同に行なった後、形成された前記凸部パターンを利用して、前記凸部パターン上、もしくは前記凸部パターン以外の部分に、導電性パターンを生成させることからなり、前記凸部パターンの形成を、凹部を有するパターン基板の前記凹部に樹脂を充填させ、充填後、前記パターン基板を、その前記樹脂の充填された側を前記基板上に密着させ、密着後、両者を剥離することにより、前記パターン基板の前記凹部に充填された樹脂を前記基板上に転移させることにより行なうことを特徴とする導電性パターン基板の製造方法に関するものである。
【００１０】
第２の発明は、第１の発明において、前記パターン基板の前記凹部に前記樹脂を充填させることを、前記樹脂の前記パターン基板への適用、および適用後の前記パターン基板の前記凹部以外の部分に付着した樹脂の除去により行なうことを特徴とする導電性パターン基板の製造方法に関するものである。
【００１１】
第３の発明は、第１または第２の発明において、前記導電性パターンを生成させた後、前記導電性パターンを利用して、金属メッキパターンを生成させることを特徴とする導電性パターン基板の製造方法に関するものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
まず、本発明の導電性パターンの製造方法の特徴的部分である、基板上への凸部パターンの形成について、図１を引用しながら説明する。
【００１３】
準備するべきものとして、パターン基板１がある。図１（ａ）に示すように、パターン基板１は、基板の一方の表面に凹部２をパターン状に有する構造からなる。凹部２の断面形状は、図１（ａ）に示すように、長方形の一部をなす形状でもよく、あるいは、凹部の入口付近の方が底部にくらべて大きく、底に近づくほど断面積が小さくなる形状であってもよい。後者の断面形状を有する方が、凹部２に充填された樹脂の転移の点で幾分有利である。凹部２の幅（図中、水平方向の寸法）は、１０ｎｍ〜１μｍであることが好ましい。凹部２の深さも、直径と同様、１０ｎｍ〜１μｍであることが好ましい。
【００１４】
やはり、準備すべきものとして、樹脂３とスキージ４がある。また、適宜な塗布手段も必要である。このうち、樹脂３は、上記したパターン基板１の凹部２に充填され、基板２に転写されて、エッチング等のレジストとなり得るものであるので、それらの工程で与えられる条件に耐え得るものであることが好ましい。
【００１５】
樹脂（言い換えれば、充填用樹脂組成物である。）３の具体例としては、レジストを構成するものとして使用される感光性樹脂組成物、より広い概念では、電離放射線硬化性樹脂組成物が好ましいが、熱硬化性樹脂組成物、もしくは熱可塑性樹脂組成物も使用することができる。通常は紫外線の照射により硬化して現像可能となるネガ型のレジスト材料、より広い概念で言えば、紫外線の照射により硬化して現像可能となるネガ型の感光性樹脂組成物である。これらは塗布に適した、ただしパターン基板１の凹部２に充填された後、容易には流れ出さない程度の粘度になるよう調整されていることが好ましい。
【００１６】
樹脂３は、適宜な手段により、パターン基板１の凹部２を有する側の面に適用される。適用する際の手段としては、かけ流し、カーテンコート、ロールコート、ホイーラーもしくはスピンナーによるコート、スプレイコート、もしくは、はけ塗り等の公知の手段である。薄層クロマトグラフィーにおいて、塗布および塗膜の厚み制御を行なうアプリケーターも使用できる。
【００１７】
適用された樹脂３は、適用後、もしくは適用とほぼ同時に、凹部２への充填が行なわれる。通常は、樹脂を適用することにより、凹部２への充填が行なわれるが、充填を確実に行なうためと、凹部２以外の部分に残存する余分の樹脂３を除去するため、図１（ｂ）に示すように、スキージ４等を用いて、基板１の一方の端から他端に向かって、樹脂を掻き取ることが好ましい。ここで、スキージ４としては、金属、プラスチック、もしくはゴム製のものが使用可能である。
【００１８】
上記のスキージ４の他、丸棒、金属製のドクターブレード（厚みの薄い刃である。）、もしくは回転するローラ等を用いて、凹部２を有する面をこすることにより、残存する余分の樹脂を除去してもよい。
【００１９】
こうして、凹部２に樹脂が充填されたパターン基板１を用い、図１（ｃ）に示すように、パターン基板１の樹脂３が充填された凹部２側を基板５側に向け、パターン基板１と基板５とを密着させ、その後、剥離することにより、凹部２に充填されていた樹脂３を基板５に転写させ（図１（ｄ））、基板５上に樹脂３で構成された凸部６の集まりからなる凸部パターンを形成する。凸部６の形状は、パターン基板１の凹部２の逆型形状である。樹脂３が紫外線の照射により硬化して現像可能となるものである場合には、上記の密着後、紫外線を照射して樹脂３を硬化させ、その後、剥離する。樹脂３が熱硬化性であるときは、密着させたまま放置するか、もしくは加温して硬化する間、密着したまま放置する。なお、必要に応じて、パターン基板１と基板５とをより密着させる目的で、平板プレス、もしくはローラプレスによって加圧してもよく、加熱を伴なってもよい。
【００２０】
基板５は、最終的な導電性パターン基板、例えば回路基板等の土台となるものであり、この分野で通常使用される種々の素材からなるものを使用することができる。具体的な素材としては、ガラス板、シリコンウェハー、もしくは石英板等の無機基材か、次に列挙するような有機基材を挙げることができる。回路基板の用途によっては透明であることが好ましいこともあるが、不透明であっても差し支えないこともある。
【００２１】
基板５を構成し得る有機基材としては、ポリアミド、ポリアセタール、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、もしくはシンジオタクティック・ポリスチレン等、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマー、フッ素樹脂、もしくはポリエーテルニトリル等、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリシクロヘキセン、もしくはポリノルボルネン系樹脂等、または、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリアリレート、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、もしくは熱可塑性ポリイミド等からなるものを挙げることができるが、一般的なプラスチックからなるものも使用可能である。特に基板５が有機基材である場合、厚みが５μｍ〜３００μｍ程度の薄いフレキシブルなフィルム状のものを使用すると、得られる導電性パターンを有する基板をフレキシブルなものとすることができるので、好ましい。
【００２２】
パターン基板１は、図１（ａ）に示したように、平坦な基板に直接に凹部２が形成されたものであってもよく、あるいは、平坦な基板に凸部が形成されたことにより、凸部の間に凹部２が形成されたもの（図示せず、）であってもよい。
【００２３】
パターン基板１の土台をなす基板自体の素材としては、上記した導電性パターン基板の基板５の場合と原則的に同じものを使用し得る。パターン基板１の基板も、透明、もしくは不透明のいずれであってもよいが、導電性パターン基板の基板５が不透明であって、使用する樹脂３が紫外線の照射により硬化して現像可能となるものである場合には、パターン基板１の基板が透明、即ち、少なくとも紫外線透過性であることが好ましい。
【００２４】
上記の素材を用いてパターン基板１を構成する際の凹部２の形成の方法は、基板に直接に凹部２が形成されたものとするには、所望の凸部を有する型板等を用い、基板に賦型する方法か、基板の製造を兼ねて賦型する方法により行なえばよい。また、基板に基板とは別の凸部を積層して、積層された凸部の間に凹部２が形成されたものとするには、レジストもしくは感光性樹脂を全面に積層し、パターン状に露光し、現像することにより形成すればよい。
【００２５】
樹脂３としては、具体的には、例えば、不飽和ポリエステル、メラミン、エポキシ、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエーテル（メタ）アクリレート、ポリオール（メタ）アクリレート、メラミン（メタ）アクリレート、もしくはトリアジン系アクリレート等などの硬化性樹脂を単独もしくは混合したものである。これら硬化性樹脂組成物には、必要に応じて、硬化剤、光重合開始剤等を加えてあってよく、熱硬化性樹脂組成物、もしくは紫外線硬化性等の電離放射線硬化性樹脂組成物の硬化性樹脂組成物として使用することができる。硬化性樹脂組成物は塗布に適した粘度を有することが好ましく、溶剤もしくはモノマーを配合して粘度を調整するとよい。通常は、樹脂３としては、紫外線の照射により硬化し得る、いわゆる感光性樹脂（紫外線硬化性樹脂組成物である。）と呼ばれているものを用いるとよい。
【００２６】
なお、以上の説明においては、基板５としては、凸部６を設ける側には、予め何も設けないものを使用することを想定したが、基板５としては、予め、回路等の要素となり得るものが設けられたものや、基板５の表面に段差を形成したものであってもよい。あるいは、基板５は、凸部６を設ける側に金属薄膜層７等の導電性層が一面に積層されたものであってもよく、この場合、図１（ａ）〜図１（ｄ）を引用して説明した工程を経ることにより、例えば、図１（ｄ）に示すように、基板５に金属薄膜層７が積層され、金属薄膜層７上に、樹脂３で構成された凸部６の集まりからなる凸部パターンを形成することができる。
【００２７】
図１（ｄ）もしくは図１（ｅ）に示すような、基板５上に凸部パターンを形成したものから、もしくは、金属薄膜層７が積層された基板５の金属薄膜層７上に凸部パターンを形成したもの等から出発して、次に例示するような種々の方法により、導電性パターン基板を製造することができる。
【００２８】
導電性パターンを製造する方法例の１は、図２（ａ）（図１（ｄ）と同じである。）に示すような基板５上に凸部６の集まりからなる凸部パターンを形成したものの凸部パターンが形成された側の全面に金属薄膜層７を形成し、形成後、金属薄膜層７の表面を研摩することにより、凸部６上の金属薄膜層７を選択的に除去して、凸部５どうしの間に金属薄膜層を残留させることにより、導電性パターンを形成するものである。金属薄膜層７の形成は、蒸着もしくはスパッタリングを適用して、凸部６の頂面、および凸部６どうしの間に行なうことが好ましい。
【００２９】
金属薄膜層７を構成する素材は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｍｏ、もしくはＴａ等の導電性の高いものが好ましいが、中でも導電性の高いＣｕが好ましく、あるいは、金もしくは銀等であってもよい。金属薄膜層７は、同じ金属からなる単一の層で構成されていてもよいが、互いに異なる金属からなる二層以上の層で構成されていてもよい。一例として、樹脂等に対して密着性のよいＣｒの薄膜を形成してから、Ｃｕの薄膜を形成する等である。これらの金属から構成される金属薄膜層７の厚みは、１０ｎｍ〜１０μｍが好ましく、より好ましくは１０ｎｍ〜１μｍ程度である。
【００３０】
金属薄膜層７の表面を研摩するには、化学的研摩法、もしくは機械的研摩法、またはそれらを併用したメカノケミカルポリッシング（ＭＣＰ、ケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）とも言われる。）によって行うことができる。化学的研摩法は、布、不織布、もしくはポリウレタン樹脂等の発泡体からなる研摩部材に、研摩剤として、エッチング性の液体を供給して行うものであり、機械的研摩法は、布、不織布、もしくはポリウレタン樹脂等の発泡体を研摩部材とし、コロイダルシリカもしくは酸化セリウムの微粉末を研摩剤として含浸させて用いるか、またはコロイダルシリカもしくは酸化セリウムを分散させた分散液を供給して行なうものである。いずれも、研摩の対象物である、基板５上に凸部６および金属薄膜層７が順に積層された積層体を回転させつつ、その表面の金属薄膜層７、特に凸部６上の金属薄膜層７に研摩部材を接触させ、必要に応じて研摩剤を供給しながら行なう。
【００３１】
研摩は、少なくとも、凸部６上の金属薄膜層７のみを除去すれば足りるが、金属薄膜層７に加えて、凸部６の上部の一部も研摩して除去した方が金属薄膜層７の除去を確実に行うことができる。さらに、研摩は、凸部６どうしの間に形成されている金属薄膜層７の表面と、凸部６がその高さの大半を研摩されて高さが低くなった凸部６’（図２（ｃ）中、「研摩された凸部」と表示する。）の表面（頂面）とが、ほぼ同じ高さになるまで行ってもよく（図示せず。）、このように凸部６上の金属薄膜層７、および必要に応じ、凸部６も含めて研摩することにより、凸部６どうしの間に形成された金属薄膜層７からなる金属薄膜層パターン７’を有する導電性パターン基板１１を得ることができる。
【００３２】
導電性パターンを製造する方法例の２は、図１（ｄ）に示すような基板５上に凸部６の集まりからなる凸部パターンを形成したものの凸部パターンが形成された側の全面に金属薄膜層（Ａ）７を形成し（図３（ａ））、形成後、金属薄膜層（Ａ）７上の生じた凹凸をならすようにレジスト８を設け、レジスト８をパターン状に露光し（図３（ｂ））、露光後、現像することにより、凸部６どうしの間のレジスト８を除去するか、もしくは凸部６上のレジスト８を除去し、いずれにせよ、レジスト８を除去した部分に露出する金属薄膜層（Ａ）７を利用して、別の金属薄膜層（Ｂ）１０からなる金属メッキパターンを生成させるものである。
【００３３】
方法例の２における金属薄膜層（Ａ）７の形成の際の方法、および使用する素材は、上記の方法例１におけるものと同様である。
【００３４】
金属薄膜層（Ａ）７上の凹凸をならすように一面にレジスト８を積層する。凹凸をならすためには、レジスト８の厚みを、凸部６の高さ（凸部と凸部のない部分との高さの差である。）よりも厚くなるようにすればよい。従って、レジスト８の厚みは、１０ｎｍ〜２０μｍ程度であることが好ましい。
【００３５】
レジストとしては、ポジ型レジストである、例えば、光分解可溶型のキノンジアジド系感光性樹脂等を主成分とするもの、または、ネガ型レジストである、例えば、光分解架橋型のアジド系感光性樹脂、光分解不溶型のジアゾ系感光性樹脂、光二量化型のシンナメート系感光性樹脂、光重合型の不飽和ポリエステル系感光性樹脂、光重合型のアクリレート樹脂、もしくはカチオン重合系樹脂等を成分とするものが挙げられる。これらの感光性樹脂に加えて、光重合開始剤、および増感色素等を必要に応じて配合した感光性樹脂組成物を、レジストとして使用することができる。
【００３６】
積層されたレジスト８に、先のパターン基板１の凹部２Ｃと同じ平面形状の遮光性パターンを有するマスク９を介し、遮光性パターンが凸部６上に配置されるよう位置合わせして露光する。露光は、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、カーボンアーク、キセノンアーク、もしくはメタルハライドランプ等の光源を用いて、０．１〜１０，０００ｍＪ／ｃｍ２　、好ましくは、１０〜１，０００ｍＪ／ｃｍ２　の紫外線照射により行う。なお、マスク９としては、先のパターン基板１の凹部２Ｃと同じ平面形状の遮光性パターンを有するものに換えて、そのパターンとはネガポジの関係にある遮光性パターンを有するものを使用することも可能である。
【００３７】
レジスト８がポジ型感光性樹脂を主成分とするときは、露光部が可溶化するので、露光後、現像することにより、凸部６上以外の部分における可溶化したレジスト８が、現像液により溶解除去され、従って、金属薄膜層１０が積層された凸部６の頂面上のレジスト８が残り、凸部６どうしの間における金属薄膜層８上のレジスト８が除去されてレジストパターン８’が形成され、レジストパターン層８’のない部分に金属薄膜層８が露出する。
【００３８】
露出した、凸部６どうしの間の金属薄膜層７に対し、電解メッキにより金属のメッキを施して、金属薄膜層１０を形成する。区別のため、先に形成した方を金属薄膜層Ａ（符号；７）と、また、後に形成する方を金属薄膜層Ｂ（符号；１０）と称することとする。
【００３９】
金属薄膜層Ｂを構成するのに用いる金属は、金属薄膜層７を構成する素材として挙げたものと、原則的には同じであるが、金属薄膜層Ｂとしては、導電性の高いＣｕが好ましく、あるいは、金もしくは銀等であってもよい。金属薄膜層Ｂの厚みは、線幅や要求される導電性の程度にもよるが、１００ｎｍ〜２０μｍが好ましく、より好ましくは１μｍ〜１０μｍ程度である。
【００４０】
図３（ｄ）に示すように、凸部６どうしの間の金属薄膜層７に金属のメッキを施して金属薄膜層１０からなる金属メッキパターンを形成したときは、凸部６の頂面上の金属薄膜層７と、その上の可溶化してないレジスト８’が残存しているので、これらが不要な場合、それぞれの層をエッチングし得る異なるエッチング液を変えて逐次エッチングするか、もしくは両方の層を除去可能なエッチング液を用いてエッチングして、除去してもよい（図３（ｅ））。
【００４１】
また、レジスト８がネガ型感光性樹脂を主成分とするときは、露光部が不溶化するので、露光後、現像することにより、凸部６どうしの間の不溶化していないレジスト８が、現像液により溶解除去されて、レジストパターン８”が形成され、凸部６上に形成されていた金属薄膜層７が露出する（図４（ａ））。
【００４２】
露出した、凸部６上の金属薄膜層８に対し、同様に電解メッキにより金属のメッキを施して、金属薄膜層１０を形成する（図４（ｂ））。やはり、先に形成した方を金属薄膜層Ａ（符号；７）と、また、後に形成する方を金属薄膜層Ｂ（符号；１０）と称することとする。
【００４３】
図４（ｂ）に示すように、凸部６上の金属薄膜層７上に金属のメッキを施して金属薄膜層１０を形成したときは、凸部６どうしの間に、金属薄膜層７と、その上のレジストパターン８”とが積層されているので、これらが不要な場合、両者を除去するには、まず、レジストパターン８”が積層されている側から、露光を行って、レジストパターン８”を可溶化させ、その後、可溶化したレジストパターン８”、およびその下層の金属薄膜層７を、それぞれの層をエッチングし得る異なるエッチング液を変えて逐次エッチングするか、もしくは両方の層を除去可能なエッチング液を用いてエッチングして、除去してもよい（図４（ｃ））。
【００４４】
導電性パターンを製造する方法例の３は、図１（ｅ）に示すような基板５上に金属薄膜層７を介して凸部６の集まりからなる凸部パターンを形成したもの（図５（ａ）に示すものと同じ。）を用いて行ない、凸部パターンをレジストとしてエッチングし（図５（ｂ））、その後、必要に応じ、凸部６を除去するものである（図５（ｃ））。この方法例３の方法は比較的単純に見えるが、パターン基板の凹部に充填された樹脂を転写して凸部６を形成しているので、凸部６どうしの間の金属薄膜層７上は、何も覆われてないために、エッチングを円滑に行なうことができるし、レジストとなる凸部パターンは、凹部を有するパターン基板の凹部形状によって決まるので、その断面形状や線幅が一定に保たれ、精度の高い導電性パターンを得ることができる。
【００４５】
【実施例】
（実施例１）
ガラス基板上に、厚みが２００ｎｍのＣｒの薄膜層を、フォトエッチング法によりパターンに応じて除去し、線幅；５００ｎｍおよびピッチ；１μｍの細線が並んだＣｒパターンを作成して、凹凸形成用のパターン基板とした。このパターン基板のＣｒパターン側の一端に、未硬化の透明な液状紫外線硬化性樹脂組成物をかけ流し、シリコーンゴムで被覆した金属製ブレードを用いて、他端に向けて紫外線硬化性樹脂組成物を移動させつつ、Ｃｒパターンの無い部分に充填すると共に、Ｃｒ薄膜層上の紫外線硬化性樹脂組成物を除去した。
【００４６】
上記のようにして紫外線硬化性樹脂組成物を適用したパターン基板の、紫外線硬化性樹脂組成物を適用した側に、厚みが１００μｍのポリカーボネートフィルムを密着させ、ポリカーボネートフィルムより、波長が２９０ｎｍの紫外線を、２５０ｍＷ／ｃｍ２の露光量になるよう照射した後、パターン基板を剥離した。剥離後、ポリカーボネートフィルムのパターン基板と密着した側を、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて観察したところ、ポリカーボネートフィルム上に高さが２００ｎｍの樹脂の硬化物の細線からなる細線パターンが形成されていた。
【００４７】
細線パターンが形成されたポリカーボネートフィルム上の細線パターン上に、スパッタリング法により、Ｃｕの薄膜を厚みが１００ｎｍになるよう形成した。さらに、Ｃｕ薄膜上に、ポジ型感光性樹脂組成物（東京応化工業（株）製、品名；「ＰＭＥＲ　Ｐ−ＬＡ９００」）をスピンナーにより塗布し、塗布後、温度；８０℃で３０分間加熱して、厚みが８μｍの上面が平坦なポジ型感光性樹脂組成物の膜を形成した。
【００４８】
このポジ型感光性樹脂組成物の膜上に、先の細線パターンを形成したときのパターン基板を、ポリカーボネートフィルムとの位置関係が、細線パターンを形成したときと同じになるように重ねて、密着させ、パターン基板のガラス基板側より紫外線露光した。露光後、現像液（東京応化工業（株）製、品名；「ＰＭＥＲＤｅｖ　Ｐ−７Ｇ」）を用いて現像し、露光部である、先に形成された細線上のポジ型感光性樹脂組成物の可溶化部を除去し、凸部上のＣｕの薄膜を露出させ、この薄膜を利用して、硫酸銅メッキ浴を用いた電解メッキを行ない、凸部上に厚みが３μｍのＣｕメッキ層を形成した。
【００４９】
その後、Ｃｕメッキ層の形成された側に紫外線を露光して、凹部に残留しているポジ型感光性樹脂組成物の膜を可溶化させ、現像液（東京応化工業（株）製、品名；「ＰＭＥＲ　Ｄｅｖ　Ｐ−７Ｇ」）を用いて、凹部の可溶化したポジ型感光性樹脂組成物の膜を除去した後、さらに、過硫酸ナトリウム水溶液（過硫酸ナトリウム；２０ｇおよびＨＣｌ；１０ｍｌを１０００ｃｍ３中に含む）中で３分間、および過マンガン酸カリウム水溶液（過マンガン酸カリウム；５０ｇおよびＮａＯＨ；３０ｇを１０００ｃｍ３中に含む）で４分間、それぞれ浸漬して、凹部の底面のＣｕ薄膜を除去し、導電性パターン基板を得た。
【００５０】
【発明の効果】
請求項１の発明によれば、凸部パターンの形成を、凹部を有するパターン基板を用いて行なうので、凸部パターンの断面形状や線幅を一定にすることが容易であり、しかも、凸部以外の部分には何も形成されないために、レジストとして使用したり、その高さを利用して研摩法を利用することができ、得られる製品の精度を高くすることが可能な導電性パターン基板の製造方法を提供することができる。
【００５１】
請求項２の発明によれば、請求項１の発明の効果に加え、パターン基板の凹部以外に付着した樹脂を除去するために、より信頼性の高い凸部パターンを形成でき、従って、得られる製品の精度をより高くすることが可能な導電性パターン基板の製造方法を提供することができる。
【００５２】
請求項３の発明によれば、請求項１または請求項２の発明の効果に加え、得られた導電性パターンを利用して、より導電性の高い金属メッキパターンの形成が可能な導電性パターン基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】凸部パターンの形成工程を示す図である。
【図２】研摩法を用いて、導電性パターン基板を製造する方法を示す図である。
【図３】レジストを用いて導電性パターン基板を製造する方法を示す図である。
【図４】レジストを用いて導電性パターン基板を製造する別の方法を示す図である。
【図５】レジストを用いて導電性パターン基板を製造するさらに別の方法を示す図である。
【符号の説明】
１　　パターン基板
２　　凹部
３　　樹脂
４　　スキージ
５　　基板
６　　凸部
７　　金属薄膜層Ａ
８　　レジスト
９　　マスク
１０　　金属薄膜層Ｂ
１１　　導電性パターン基板
【図１】
2004103969.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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