Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月22日(2004.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
熱可塑性樹脂（Ａ）が炭素数３６のジカルボン酸を必須構成成分として含有するポリアミド樹脂（ａ）であって、かつアミン価が１以上３未満のポリアミド樹脂（ａ’）であることを特徴とする請求項１または２記載のＴＡＢ用接着剤付きテープ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、種々の方法で改良された接着剤も、それぞれ少しずつ効果をあげてきているが、配線幅の減少にともなうより過酷な要請に応えるには十分ではなかった。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明における熱可塑性樹脂（Ａ）は、接着剤層に可撓性を与えるものであれば特に限定されないが、その具体例としては、ポリエチレン、ポリエステル、ＳＢＲ、ＮＢＲ、ポリアミド樹脂、ＳＥＢＳ等が挙げられる。中でも、低吸水で絶縁性の優れる炭素数が３６であるジカルボン酸（いわゆるダイマー酸）を構成成分として含有するポリアミド樹脂（ａ）が好ましい。ダイマー酸を構成成分として含有するポリアミド樹脂（ａ）は、常法によるダイマー酸とジアミンの重縮合により得られるが、この際にダイマー酸以外のアジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸等のジカルボン酸を共重合成分として含有してもよく、ジアミンはエチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ピペラジン等公知のものが使用でき、吸水性、溶解性の点から２種類以上の混合でもよい。さらには、エポキシ樹脂（Ｂ）との相溶性を向上し良好な接着性を得る目的で、重縮合の際に、当量比でジアミン成分を過剰に配合し、ポリアミド末端に未反応アミンを残したポリアミド樹脂（ａ’）が好ましい。アミン価の好ましい範囲は１以上３未満であり、アミン価１未満では接着性向上効果は発現しにくく、３以上では接着剤自体の保存性が低下する。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月27日(2003.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクに形成されたパターンの一部を感光基板上に投射した状態で、前記マスクと前記感光基板とを同期して走査することによって、前記マスクのパターンを前記感光基板上に逐次転写露光する走査型露光方法において、前記マスク及び前記感光基板の加速完了後から前記マスクのパターンの前記感光基板への転写を開始するまでの同期整定時間を、前記感光基板の感度、及び前記マスクのパターンの線幅の少なくとも一方のデータに応じて切り換えるようにしたことを特徴とする走査型露光方法。
【請求項２】
マスクに形成されたパターンの一部を感光基板上に投射した状態で、前記マスクと前記感光基板とを同期して走査することによって、前記マスクのパターンを前記感光基板上に逐次転写露光する走査型露光方法において、前記マスク及び前記感光基板の加速を行って前記マスクのパターンの前記感光基板への転写を開始する際の前記マスクと前記感光基板との同期誤差の許容値を、前記感光基板の感度、及び前記マスクのパターンの線幅の少なくとも一方のデータに応じて切り換えるようにしたことを特徴とする走査型露光方法。
【請求項３】
転写用のパターンが形成されたマスクを走査するマスクステージと、該マスクステージに同期して感光基板を走査する基板ステージと、を備え、前記マスクのパターンの一部を前記感光基板上に投射した状態で、前記マスクステージ及び前記基板ステージを介して前記マスクと前記感光基板とを同期して走査することによって、前記マスクのパターンを前記感光基板上に逐次転写露光する走査型露光装置において、
前記マスク及び前記感光基板の加速を行ってから前記マスクのパターンの前記感光基板への転写を開始する際の転写開始条件を、複数の感光基板の感度、及び複数のマスクのパターンの線幅の少なくとも一方のデータに応じて複数個記憶する記憶手段と、
露光対象の感光基板の感度、及び転写対象のマスクのパターンの線幅の少なくとも一方のデータに応じて前記記憶手段から読み出した転写開始条件に基づいて、前記転写対象のマスクのパターンの前記露光対象の感光基板への転写開始のタイミングを設定する制御手段と、を有することを特徴とする走査型露光装置。
【請求項４】
前記感光基板の感度が閾値よりも高い場合、又は前記マスクのパターンの線幅が閾値よりも広い場合には、それぞれが前記各閾値よりも低いか又は狭い場合に比して前記同期整定時間を短く設定することを特徴とする請求項１に記載の走査型露光方法。
【請求項５】
前記感光基板の感度が閾値よりも高い場合、又は前記マスクのパターンの線幅が閾値よりも広い場合には、それぞれが前記各閾値よりも低いか又は狭い場合に比して前記同期誤差の許容値を広く設定することを特徴とする請求項２に記載の走査型露光方法。
【請求項６】
前記感度に関する前記閾値は、ノン・クリティカルレイヤで使用されるフォトレジストの必要露光量であり、
前記パターンの線幅に関する閾値は、前記ノン・クリティカルレイヤで前記感光基板上に転写されるパターンの最小線幅であることを特徴とする請求項４又は５に記載の走査型露光方法。
【請求項７】
マスクに形成されたパターンの一部を感光基板上に投射した状態で、前記マスクと前記感光基板とを同期して走査することによって、前記マスクのパターンを前記感光基板上に逐次転写露光する走査型露光装置において、
前記マスク及び前記感光基板の加速完了後から前記マスクのパターンの前記感光基板への転写を開始するまでの同期整定時間を、前記感光基板の感度、及び前記マスクのパターンの線幅の少なくとも一方のデータに応じて切り換えることを特徴とする走査型露光装置。
【請求項８】
マスクに形成されたパターンの一部を感光基板上に投射した状態で、前記マスクと前記感光基板とを同期して走査することによって、前記マスクのパターンを前記感光基板上に逐次転写露光する走査型露光装置において、
前記マスク及び前記感光基板の加速を行って前記マスクのパターンの前記感光基板への転写を開始する際の前記マスクと前記感光基板との同期誤差の許容値を、前記感光基板の感度、及び前記マスクのパターンの線幅の少なくとも一方のデータに応じて切り換えることを特徴とする走査型露光装置。
【請求項９】
前記感光基板の感度が閾値よりも高い場合、又は前記マスクのパターンの線幅が閾値よりも広い場合には、それぞれが前記各閾値よりも低いか又は狭い場合に比して前記同期整定時間を短く設定することを特徴とする請求項７に記載の走査型露光装置。
【請求項１０】
前記感光基板の感度が閾値よりも高い場合、又は前記マスクのパターンの線幅が閾値よりも広い場合には、それぞれが前記各閾値よりも低いか又は狭い場合に比して前記同期誤差の許容値を広く設定することを特徴とする請求項８に記載の走査型露光装置。
【請求項１１】
前記感度に関する前記閾値は、ノン・クリティカルレイヤで使用されるフォトレジストの必要露光量であり、
前記パターンの線幅に関する閾値は、前記ノン・クリティカルレイヤで前記感光基板上に転写されるパターンの最小線幅であることを特徴とする請求項９又は１０に記載の走査型露光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
斯かる本発明によれば、レイヤに応じてその転写開始条件を切り換えることによって、上記の第１又は第２の走査型露光方法が使用できる。
また、本発明による上記の第１の走査型露光方法に対応する走査型露光装置は、マスクに形成されたパターンの一部を感光基板上に投射した状態で、そのマスクとその感光基板とを同期して走査することによって、そのマスクのパターンをその感光基板上に逐次転写露光する走査型露光装置において、そのマスク及びその感光基板の加速完了後からそのマスクのパターンのその感光基板への転写を開始するまでの同期整定時間を、その感光基板の感度、及びそのマスクのパターンの線幅の少なくとも一方のデータに応じて切り換えるものである。
また、本発明による上記の第２の走査型露光方法に対応する走査型露光装置は、マスクに形成されたパターンの一部を感光基板上に投射した状態で、そのマスクとその感光基板とを同期して走査することによって、そのマスクのパターンをその感光基板上に逐次転写露光する走査型露光装置において、そのマスク及びその感光基板の加速を行ってそのマスクのパターンのその感光基板への転写を開始する際のそのマスクとその感光基板との同期誤差の許容値を、その感光基板の感度、及びそのマスクのパターンの線幅の少なくとも一方のデータに応じて切り換えるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月2日(2003.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置およびその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基体上に形成された半導体薄膜でなる活性層を有する半導体装置であって、
前記半導体薄膜はレーザー光または該レーザー光と同等にエネルギーを持つ強光の照射により結晶性を改善されたモノドメイン領域を有し、
前記モノドメイン領域は前記基体と概略平行な柱状または針状結晶が複数集合して形成され、
前記活性層は前記モノドメイン領域のみで構成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記活性層は、凹凸の高低差が３ｎｍ以内の酸化珪素膜表面に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
シリコン基板上に集積化されたＩＣの上方に形成された半導体薄膜でなる活性層を有する半導体装置であって、
前記半導体薄膜はレーザー光または該レーザー光と同等にエネルギーを持つ強光の照射により結晶性を改善されたモノドメイン領域を有し、
前記モノドメイン領域は前記基体と概略平行な柱状または針状結晶が複数集合して形成され、
前記モノドメイン領域のみで構成される前記活性層には実質的に結晶粒界が存在しないことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項において、前記活性層の膜厚は１５〜４５ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項において、前記活性層の水素濃度は１×１０15〜１×１０21atoms/cm3であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
半導体薄膜でなる活性層を有する半導体装置を作製するにあたって、
絶縁表面を有する基体上に減圧熱ＣＶＤ法により非晶質珪素膜を成膜し、
前記非晶質珪素膜上に酸化珪素膜でなるマスクを形成し、
前記マスクを介して前記非晶質珪素膜に対して結晶化を助長する金属元素を選択的に保持せしめ、
加熱処理により前記非晶質珪素膜の少なくとも一部を結晶性珪素膜に変成せしめ、
前記マスクを除去し、
前記結晶性珪素膜に対してレーザー光または該レーザー光と同等のエネルギー持つ強光を照射して、前記結晶性珪素膜をモノドメイン領域に変成せしめ、
前記モノドメイン領域のみを用いて活性層を構成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
シリコン基板上に集積化されたＩＣの上方に形成された半導体薄膜でなる活性層を有する半導体装置を作製するにあたって、
前記ＩＣ上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に減圧熱ＣＶＤ法により非晶質珪素膜を成膜し、
前記非晶質珪素膜上に酸化珪素膜でなるマスクを形成し、
前記マスクを介して前記非晶質珪素膜に対して結晶化を助長する金属元素を選択的に保持せしめ、
加熱処理により前記非晶質珪素膜の少なくとも一部を結晶性珪素膜に変成せしめ、
前記マスクを除去し、
前記結晶性珪素膜に対してレーザー光または該レーザー光と同等のエネルギー持つ強光を照射して、前記結晶性珪素膜をモノドメイン領域に変成せしめ、
前記モノドメイン領域のみを用いて活性層を構成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
半導体薄膜でなる活性層を有する半導体装置を作製するにあたって、
絶縁表面を有する基体上に減圧熱ＣＶＤ法により非晶質珪素膜を成膜し、
前記非晶質珪素膜上に酸化珪素膜でなるマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記非晶質珪素膜に対して結晶化を助長する金属元素を選択的に保持せしめ、
加熱処理により前記非晶質珪素膜の少なくとも一部を結晶性珪素膜に変成せしめ、
前記マスクを除去し、
前記結晶性珪素膜に対してレーザー光または該レーザー光と同等のエネルギー持つ強光を照射して前記結晶性珪素膜をモノドメイン領域に変成せしめ、
前記モノドメイン領域のみを用いて活性層を形成し、
前記活性層を覆って珪素を主成分とする絶縁膜を気相法により成膜し、
ハロゲン元素を含む雰囲気における加熱処理により前記活性層と前記珪素を主成分とする絶縁膜との界面に熱酸化膜を形成し、
窒素雰囲気において、前記熱酸化膜、前記珪素を主成分とする絶縁膜及び活性層を加熱処理することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項６または請求項８において、基体の表面には、凹凸の高低差が３ｎｍ以内の酸化珪素膜が形成され、前記酸化珪素膜表面に接して、前記非晶質珪素膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項６または請求項８において、基体として表面に人工石英ターゲットを用いたスパッタ法により成膜された酸化珪素膜を有した石英基板もしくは表面に熱酸化膜を形成したシリコン基板を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項６乃至１０のいずれか１項において、結晶化を助長する金属元素として、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種類のものが用いられることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項６乃至請求項１１のいずれか１項に記載の作製方法により作製される半導体装置は、液晶表示装置、ＥＬ表示装置又はＥＣ表示装置の表示装置である。
【請求項１３】
請求項１２に記載の表示装置を用いたことを特徴とするモバイルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーションシステム、携帯電話、ビデオカメラ、フロントプロジェクション、リアプロジェクション、又はパーソナルコンピュータ。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月2日(2003.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体薄膜の作製方法ならびに半導体装置およびその作製方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基体上に非晶質珪素膜を成膜し、
前記非晶質珪素膜上に選択的に酸化珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜に対して結晶化を助長する金属元素を保持させ、
第１の加熱処理により前記非晶質珪素膜の少なくとも一部を結晶性珪素膜に変成させ、
前記酸化珪素膜を除去し、
ハロゲン元素を含む雰囲気中において第２の加熱処理を行うことにより前記結晶性珪素膜上にハロゲン元素を含有した熱酸化膜を形成すると同時に前記結晶性珪素膜をモノドメイン領域に変成させ、
前記熱酸化膜を除去することを特徴とする半導体薄膜の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記結晶性珪素膜は前記基体と概略平行な柱状または針状の結晶が複数集合して形成されることを特徴とする半導体薄膜の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記基体として、表面に人工石英ターゲットを用いたスパッタ法により成膜された酸化珪素膜を有する石英基板、または表面に熱酸化膜を形成したシリコン基板を用いることを特徴とする半導体薄膜の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記基体の表面は、凹凸の高さが３ｎｍ以内、凹凸の幅が１０ｎｍ以上であることを特徴とする半導体薄膜の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記結晶化を助長する金属元素としてＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種類のものが用いられることを特徴とする半導体薄膜の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記ハロゲン元素を含む雰囲気はＯ2雰囲気中にＨＣｌ、ＨＦ、ＨＢｒ、Ｃｌ2、ＮＦ3、Ｆ2、Ｂｒ2から選ばれた一種または複数種類のガスが添加されたものであることを特徴とする半導体薄膜の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記第１の加熱処理は５００〜７００℃の温度範囲で行われ、前記第２の加熱処理は７００℃〜１１００℃の温度範囲で行われることを特徴とする半導体薄膜の作製方法。
【請求項８】
シリコン基板上に集積化されたＩＣの上方に形成された半導体薄膜でなる活性層を有する半導体装置であって、
前記半導体薄膜は前記基板と概略平行な柱状または針状の結晶が複数集合して形成されるモノドメイン領域を有し、
前記モノドメイン領域のみで構成される活性層には実質的に結晶粒界が存在しないことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記活性層の内部には水素およびハロゲン元素が５原子％以下の濃度で含まれ、
前記ハロゲン元素は塩素、臭素、弗素から選ばれた元素であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の半導体装置は、アクティブマトリクス型液晶表示装置を利用した半導体装置であって、携帯情報端末、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーションシステム、携帯電話、パーソナルコンピュータ、ビデオカメラ又はプロジェクションのいずれかである。
【請求項１１】
請求項８または９に記載の半導体装置は、アクティブマトリクス型ＥＬ表示装置を利用した半導体装置であって、携帯情報端末、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーションシステム、携帯電話、パーソナルコンピュータ、ビデオカメラ又はプロジェクションのいずれかである。
【請求項１２】
半導体薄膜でなる活性層を有する半導体装置の作製方法であって、
絶縁表面を有する基体上に非晶質珪素膜を成膜し、
前記非晶質珪素膜上に選択的に酸化珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜に対して結晶化を助長する金属元素を保持させ、
第１の加熱処理により前記非晶質珪素膜の少なくとも一部を結晶性珪素膜に変成させ、
前記酸化珪素膜を除去し、
ハロゲン元素を含む雰囲気中において第２の加熱処理を行うことにより前記非晶質珪素膜および前記結晶性珪素膜上にハロゲン元素を含有した熱酸化膜を形成すると同時に前記結晶性珪素膜をモノドメイン領域に変成させ、
前記熱酸化膜を除去し、
前記モノドメイン領域のみを用いて前記活性層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記第１の加熱処理は５００〜７００℃の温度範囲で行われ、前記第２の加熱処理は７００℃〜１１００℃の温度範囲で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
半導体薄膜でなる活性層を有する半導体装置の作製方法であって、
絶縁表面を有する基体上に非晶質珪素膜を成膜し、
前記非晶質珪素膜上に選択的に酸化珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜に対して結晶化を助長する金属元素を保持させ、
加熱処理により前記非晶質珪素膜の少なくとも一部を結晶性珪素膜に変成させ、
前記酸化珪素膜を除去し、
前記結晶性珪素膜のみを用いて活性層を形成し、
前記活性層を覆って珪素を主成分とする絶縁膜を気相法により成膜し、
ハロゲン元素を含む雰囲気における加熱処理により前記活性層と前記珪素を主成分とする絶縁膜との界面に熱酸化膜を形成すると共に前記活性層中から前記結晶化を助長する金属元素をゲッタリングすると同時に前記活性層をモノドメイン領域に変成させ、
窒素雰囲気中における加熱処理により前記熱酸化膜を含めた前記珪素を主成分とする絶縁膜の膜質を改善することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１２乃至項１４のいずれか一項において、
前記結晶性珪素膜は前記基体と概略平行な柱状または針状の結晶が複数集合して形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１２乃至１５のいずれか一項において、
前記基体として表面に人工石英ターゲットを用いたスパッタ法により成膜された酸化珪素膜を有した石英基板または表面に熱酸化膜を形成したシリコン基板を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１２乃至１６のいずれか一項において、
前記基体の表面は、凹凸の高さが３ｎｍ以内、凹凸の幅が１０ｎｍ以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１２乃至１７のいずれか一項において、
前記結晶化を助長する金属元素としてＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種類のものが用いられることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１２乃至１８のいずれか一項において、
前記ハロゲン元素を含む雰囲気はＯ2雰囲気中にＨＣｌ、ＨＦ、ＨＢｒ、Ｃｌ2、ＮＦ3、Ｆ2、Ｂｒ2から選ばれた一種または複数種類のガスが添加されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月28日(2003.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
インターネットサーバ（２０２）の団体登録機能（１０２）は、企業の代表者からの同意を確認すると、実際の団体情報登録画面をインターネット（２０３）を経由してインターネット端末（２０１）へ送信する。図５が送信される団体情報登録画面の例である。当該事例では、会員登録要求を行った法人等の審査または識別または連絡に必要な団体情報として、法人名、本社所在地、業種、資本金等の団体情報入力欄（５０１）、登録ボタン（５０２）、取消ボタン（５０３）が配置されている。なお、入力する団体情報としては、他に、設立、売上金、従業員数、主要取引先取引銀行、決済手段、に関する情報を加えても良い。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
インターネットサーバ（２０２）の団体登録機能（１０２）は、代表者からの団体情報として必要事項が記載されていることを確認すると、団体ＩＤと仮パスワードを採番の上、仮の団体情報として仮団体情報（１０４）に新規登録する。必要事項には従業員等の情報は含まれなくても良いが、少なくとも申し込んだ法人を特定するために必要な情報(法人名、本社所在地)が有ればよい。団体情報に対応して採番された団体ＩＤと仮パスワードは、同時に、メールまたは郵送にて申し込んだ企業の代表者へ通知される。通知の目的は、実際に代表者が実在し、本人自身が利用申請行為を行ったことを確認することである。また、サービスの利用に関する契約書も郵送にて送付する。電子署名がなされた電子化契約書を送信してもよい。団体情報登録機能（１０２）が契約書生成機能を含んでいる場合、登録された団体情報を元に登録された情報を埋め込んだ契約書を生成し、団体ＩＤ等の通知時に同封する場合がある。もしくは当該団体ＩＤだけがアクセスできる専用の契約書ページを生成し、一定期間の間アクセスできるようにし、ダウンロードさせる場合もある。これらの作業と並行して、団体登録機能（１０２）は審査連携機能を起動し、入力された団体情報を元に法人等の審査を行う。最終的にインターネットサーバ（２０２）は、インターネット（２０３）を経由してインターネット端末（２０１）へサービスを申し込むためのトップページ（図３）を送信する。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月31日(2003.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記第２のシールド層が前記内側層と前記外側層とを有している場合、
前記第２のシールド層を形成するステップは、
スパッタリング法により、前記内側層を形成するステップと、
スパッタリング法により、前記内側層の上に、前記外側層の一部をなすシード層を形成するステップと、
前記シード層を電極として用い、めっき法により、前記外側層の残りの部分を形成するステップと
を含むことを特徴とする請求項８または請求項９に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図６に示したように、第１シールド層１２および第２シールド層１５は、それぞれ第１ギャップ膜１３および第２ギャップ膜１４を介して、ＭＲ膜２０を挟み込んでいる。第１シールド層１２は、第１ギャップ膜１３に近い側から、内側層１２Ｂおよび外側層１２Ａを有しており、内側層１２Ｂは外側層１２Ａよりも高い硬度を有している。一方、第２シールド層１５は、第２ギャップ膜１４に近い側から、内側層１５Ｂおよび外側層１５Ａを有しており、内側層１５Ｂは外側層１５Ａよりも高い硬度を有している。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
特に、第１シールド層１２の内側層１２Ｂの厚さＳ１と第１ギャップ膜１３の厚さＧ１との和が４０ｎｍ以上となるようにし、第２シールド層１５の内側層１５Ｂの厚さＳ２と第２ギャップ膜１４の厚さＧ２との和が４０ｎｍ以上となるようにしたので、外側層１２Ａおよび外側層１５Ａが変形した場合でも、これらがＭＲ膜２０に接触しにくくなる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
リード層３３Ａ，３３Ｂを形成したのち、ＭＲ膜２０，磁区制御膜３０Ａ，３０Ｂおよびリード層３３Ａ，３３Ｂを覆うように、スパッタリング法により、Ａｌ2 Ｏ3 を用いて厚さ１０ｎｍの第２ギャップ膜１４を形成した。次いで、この第２ギャップ膜１４の上に、スパッタリング法により、Ｆｅ84Ｚｒ8 Ｎ8 を用いて第２シールド層１５の内側層１５Ｂを成膜した。この内側層１５Ｂの厚さは、５ｎｍから５０ｎｍまで５ｎｍおきに変化させた。続いて、この内側層１５Ｂの上に、スパッタリング法により、Ｎｉ80Ｆｅ20を用いて、外側層１５Ａのうち厚さ３０ｎｍの部分を形成した。次いで、この外側層１５Ａにおける厚さ３０ｎｍの部分を電極膜として利用して、めっき法により、Ｎｉ80Ｆｅ20を用いて厚さ２μｍの外側層１５Ａを形成した。平成１５年６月２７日付で名称変更届を提出しております。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月25日(2003.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、図３に示す一対の光源１０、１０間には、透明で角棒状のライトガイドパイプ１２が３つの面からなるそれぞれの内部壁１１ａに密着するように配設されている。
前記ライトガイドパイプ１２は、材質が透明のアクリルからなり、光源１０の光の色や輝度のバラツキを均等化させると共に、点光源の光を線光源に変換したり、あるいは、導光板８に入射する線光源の照明光を均等化させることができる。
そのために、ライトガイドパイプ１２に入射された光源１０の光は、鏡面状の内部壁１１ａで反射され、この反射光がライトガイドパイプ１２内で減衰することなく、導光板８の一端部８ａから本体部８ｂ内に入射することができるようになっている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月28日(2004.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バーコード読取部と、文字認識部と、格納部とを有する帳票読み取り装置における帳票読取方法であって、
上記バーコード読取部で、帳票上に設けられ、該帳票の記載内容を表すバーコードを該帳票の画像から読み取って該記載内容を検出する第１のステップと、
上記文字認識部で、該帳票に記入された訂正の箇所を検出して訂正後の記載内容を認識する第２のステップと、
上記第１のステップで検出された記載内容に上記第２のステップで認識された記載内容を反映させて上記読み取られたバーコードに対応させて上記格納部に格納する第３のステップとを有する帳票読み取り方法。
【請求項２】
請求項１記載の帳票読み取り方法であって、上記格納部には、上記帳票の訂正前の記載内容が保持されており、上記第３のステップは、上記訂正前の記載内容のうち上記訂正後の記載内容に対応する箇所を上記認識された訂正後の記載内容で置換して格納することを特徴とする帳票読み取り方法。
【請求項３】
請求項１記載の帳票読み取り方法であって、上記第２のステップは、該帳票画像から訂正線を検出し、当該訂正線の近隣に存在する文字列の外接矩形を変更情報が記載された文字列として抽出するとともに、変更情報に対応した項目を抽出することを特徴とする帳票読み取り方法。
【請求項４】
請求項１記載の帳票読み取り方法であって、帳票の種類ごとに具備されるフォーマット情報より２次元バーコードの暗号化の種類を特定して、当該帳票上の２次元バーコードを復号化することを特徴とする帳票読み取り方法。
【請求項５】
バーコード読取部と、文字認識部と、格納部とを有する帳票読み取り装置であって、
上記バーコード読取部は、帳票上に設けられ、該帳票の第１の記載内容を表すバーコードを該帳票の画像から読み取って該第１の記載内容を検出し、
上記文字認識部は、該帳票に記入された訂正の箇所を検出して訂正後の記載内容である第２の記載内容を認識し、
上記検出された第１の記載内容に上記認識された第２の記載内容を反映させて上記読み取られたバーコードに対応させて上記格納部に格納することを特徴とする帳票読み取り装置。
【請求項６】
請求項５記載の帳票読取装置であって、上記格納部には、上記帳票の訂正前の記載内容が保持されており、上記訂正前の記載内容のうち上記訂正後の記載内容に対応する箇所を上記認識された訂正後の記載内容で置換して格納することを特徴とする帳票読み取り装置。
【請求項７】
請求項５記載の帳票読取装置であって、上記文字認識部は、該帳票画像から訂正線を検出し、当該訂正線の近隣に存在する文字列の外接矩形を変更情報が記載された文字列として抽出するとともに、変更情報に対応した項目を抽出することを特徴とする帳票読み取り装置。
【請求項８】
請求項５記載の帳票読取装置であって、上記バーコード読取部は、帳票の種類ごとに具備されるフォーマット情報より２次元バーコードの暗号化の種類を特定して、当該帳票上の２次元バーコードを復号化することを特徴とする帳票読み取り装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月18日(2003.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセルに記憶されたデータを読み出すデータ読み出し回路であって、
供給された電荷を蓄積する電荷蓄積手段と、
前記データに応じて前記メモリセルに蓄積された電荷を前記電荷蓄積手段へ転送する電荷転送手段と、
前記電荷蓄積手段に蓄積された電荷により生ずる電圧を増幅して、前記メモリセルに記憶されていたデータを読み出す増幅手段とを備えたことを特徴とするデータ読み出し回路。
【請求項２】
ビット線と、前記ビット線に接続されたメモリセルとを含むデータ記憶装置であって、
供給された電荷を蓄積する電荷蓄積手段と、
記憶されるデータに応じて前記メモリセルに蓄積され、前記データの読み出し時に前記ビット線へ出力された電荷を前記電荷蓄積手段へ転送する電荷転送手段と、
前記電荷蓄積手段に蓄積された電荷により生ずる電圧を増幅して、前記メモリセルに記憶されていたデータを読み出す増幅手段とを備えたことを特徴とするデータ記憶装置。
【請求項３】
前記メモリセルは、
プレート電圧が供給されるプレート線と、
前記ビット線と前記プレート線との間に接続された強誘電体コンデンサとを含む請求項２に記載のデータ記憶装置。
【請求項４】
前記電荷転送手段は、前記プレート電圧が変動した場合においても前記ビット線の電位が変動しないよう前記電荷を転送する請求項３に記載のデータ記憶装置。
【請求項５】
前記電荷転送手段は、前記電荷蓄積手段へ負の電圧を充電することにより前記電荷を転送する請求項２に記載のデータ記憶装置。
【請求項６】
前記電荷蓄積手段に転送された前記電荷により生ずる電圧をレベルシフトして前記増幅手段へ供給する電圧シフト手段をさらに備えた請求項２に記載のデータ記憶装置。
【請求項７】
メモリセルに記憶されたデータを読み出すデータ読み出し方法であって、
前記データに応じて前記メモリセルに蓄積された電荷を電荷蓄積手段へ転送する転送ステップと、
前記電荷蓄積手段に蓄積された電荷により生ずる電圧を増幅して、前記メモリセルに記憶されていたデータを読み出す増幅ステップとを有することを特徴とするデータ読み出し方法。
【請求項８】
前記メモリセルは、
プレート電圧が供給されるプレート線と、
前記ビット線と前記プレート線との間に接続された強誘電体コンデンサとを含む請求項７に記載のデータ読み出し方法。
【請求項９】
前記転送ステップでは、前記プレート電圧が変動した場合においても前記ビット線の電位が変動しないよう前記電荷を転送する請求項８に記載のデータ読み出し方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【課題を解決するための手段】
上記の目的は、メモリセルに記憶されたデータを読み出す場合において、データに応じてメモリセルに蓄積された電荷を電荷蓄積手段へ転送し、電荷蓄積手段に蓄積された電荷により生ずる電圧を増幅することによりメモリセルに記憶されていたデータを読み出すことによって達成される。このような手段によれば、メモリセルに蓄積された電荷を確実に読み出すことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月18日(2003.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
ホスファゼニウム化合物が、化学式（１）（化１）
【化１】
1999106500.tif 000001
で表されるホスファゼニウムカチオンと無機アニオンとの塩、又は、化学式（２）（化２）
【化２】
1999106500.tif 000002
で表されるホスファゼニウム化合物である、請求項１に記載のポリオキシアルキレンポリオール。
（化学式（１）及び（２）の中で、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、全てが同時には０とならない０〜３の整数である。Ｒは同種又は異種の炭素数１〜１０個の炭化水素基であり、同一窒素原子上の２個のＲが結合して環構造を形成する場合もあり、化学式（１）でｒは１〜３の整数であってホスファゼニウムカチオンの数を表し、Ｔr-は価数ｒの無機アニオンを示し、化学式（２）のＱ- はヒドロキシアニオン、アルコキシアニオン、アリールオキシアニオン又はカルボキシアニオンを示す）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
化学式（１）（化３）
【化３】
1999106500.tif 000003
で表されるホスファゼニウムカチオンと無機アニオンとの塩、及び活性水素化合物のアルカリ金属又はアルカリ土類金属の塩の存在下、又は、化学式（２）（化４）
【化４】
1999106500.tif 000004
（化学式（１）及び（２）の中で、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、全てが同時には０とならない０〜３の整数である。Ｒは同種又は異種の炭素数１〜１０個の炭化水素基であり、同一窒素原子上の２個のＲが結合して環構造を形成する場合もあり、化学式（１）でｒは１〜３の整数であってホスファゼニウムカチオンの数を表し、Ｔr-は価数ｒの無機アニオンを示し、化学式（２）のＱ- はヒドロキシアニオン、アルコキシアニオン、アリールオキシアニオン又はカルボキシアニオンを示す）
で表されるホスファゼニウム化合物と活性水素化合物の存在下、活性水素化合物１モルに対して化学式（１）又は化学式（２）で表されるホスファゼニウム化合物を１×１０-4〜５×１０-1モルの範囲で調製し、反応温度が１５〜１３０℃、最大反応圧力が８８２ｋＰａ（９ｋｇｆ／ｃｍ2 ）である条件下で、アルキレンオキサイドを付加重合して粗製ポリオキシアルキレンポリオールを製造し、次いで、下記ｅ〜ｈのいずれか一つの方法：
ｅ．粗製ポリオキシアルキレンポリオール１００重量部に対して、水を１〜４０重量部加えた後、粗製ポリオキシアルキレンポリオール中のホスファゼニウム化合物１モルに対して無機酸又は有機酸を０．５〜８モル添加し、５０〜１３０℃でホスファゼニウム化合物を中和し、その後、粗製ポリオキシアルキレンポリオール１００重量部に対して吸着剤を０．００５〜２．５重量部添加し、減圧処理により水を留去し、ろ過操作によりホスファゼニウム塩及び吸着剤を除去する方法、
ｆ．粗製ポリオキシアルキレンポリオール１００重量部に対して、ポリオキシアルキレンポリオールに不活性な有機溶剤及び水の混合物を１〜４０重量部加えた後、粗製ポリオキシアルキレンポリオール中のホスファゼニウム化合物１モルに対して無機酸又は有機酸を０．５〜８モル添加し、５０〜１３０℃でホスファゼニウム化合物を中和し、その後、粗製ポリオキシアルキレンポリオール１００重量部に対して吸着剤を０．００５〜２．５重量部添加し、減圧処理により水及び有機溶剤を留去し、ろ過操作によりホスファゼニウム塩及び吸着剤を除去する方法、
ｇ．粗製ポリオキシアルキレンポリオール１００重量部に水単独、又は、水とポリオキシアルキレンポリオールに不活性な有機溶剤との混合物を１〜２００重量部添加して分液し、水洗後、減圧処理により水及び有機溶剤を留去する方法、
ｈ．粗製ポリオキシアルキレンポリオール１００重量部に水を２０〜２００重量部加え１５〜１００℃でイオン交換樹脂と接触させた後、減圧処理により脱水を行う方法、
により、粗製ポリオキシアルキレンポリオールに含まれるホスファゼニウム化合物の除去操作を行うことを特徴とするポリオキシアルキレンポリオールの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
第１発明における上記ホスファゼニウム化合物として、化学式（１）（化５）で表されるホスファゼニウムカチオンと無機アニオンとの塩、又は、化学式（２）（化６）で表されるホスファゼニウム化合物を用いることが好ましい。
化学式（１）
【化５】
1999106500.tif 000005
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
化学式（２）
【化６】
1999106500.tif 000006
但し、ここで、化学式（１）及び（２）の中で、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、全てが同時には０とならない０〜３の整数である。Ｒは同種又は異種の炭素数１〜１０個の炭化水素基であり、同一窒素原子上の２個のＲが結合して環構造を形成する場合もある。化学式（１）でｒは１〜３の整数であってホスファゼニウムカチオンの数を表し、Ｔr-は価数ｒの無機アニオンを示す。化学式（２）のＱ- はヒドロキシアニオン、アルコキシアニオン、アリールオキシアニオン又はカルボキシアニオンを示す。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月26日(2003.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続的に連結された少なくとも２基以上の反応槽から成る連続重合装置を用いて、スチレン系単量体および溶剤より成る重合原液に対して、分子量調整剤と必要により有機過酸化物を使用して、塊状重合法又は溶液重合法でスチレン系樹脂を製造する方法であって、重合後にスチレン系樹脂を分離し、未反応単量体、溶剤、分子量調整剤並びに重合反応副生成物とを含む混合液を回収して再利用するに際して、回収混合液の６０％ないし９９％を蒸留回収して得られた留分を第一重合槽に戻し、残りの蒸留残の０〜４０％を第一重合槽に、６０〜１００％を第二重合槽以降の重合槽に戻すことを特徴とするスチレン系樹脂の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち、連続的に連結された少なくとも２基以上の反応槽から成る連続重合装置を用いて、スチレン系単量体および溶剤より成る重合原液に対して、分子量調整剤と必要により有機過酸化物を使用して、塊状重合法又は溶液重合法でスチレン系樹脂を製造する方法であって、重合後にスチレン系樹脂を分離し、未反応単量体、溶剤、分子量調整剤並びに重合反応副生成物とを含む混合液を回収して再利用するに際して、回収混合液の６０％ないし９９％を蒸留回収して得られた留分を第一重合槽に戻し、残りの蒸留残の０〜４０％を第一重合槽に、６０〜１００％を第二槽以降の重合槽に戻すことを特徴とするスチレン系樹脂の製造方法は重合回収液、特に蒸留残を再利用する方法として上記目的が達成されることを見出して本発明を完成した。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
蒸留残は蒸留塔より取り出され、第一反応槽に０〜４０％、第二反応槽に６０〜１００％の割合で供給される。このような製造方法により重合に影響をあたえず、特に物性にもっと影響を与える第一反応槽を従来とかわらず容易にコントロールしながら、重合回収液を再利用することができる。図１に本発明における重合法の概略工程図を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月8日(2003.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応器と蒸留塔を備えた反応蒸留塔を用いて、アルキレングリコールとホルムアルデヒドを触媒の存在下に反応させ環状ホルマールを製造する方法において、アルキレングリコールを反応蒸留塔の蒸留塔から反応器に連続的に供給するとともに、ホルムアルデヒドを反応蒸留塔の反応器に連続的に供給して、両成分を反応せしめることを特徴とする環状ホルマールの連続製造方法。
【請求項２】
前記蒸留塔に供給されたアルキレングリコールを、該反応器からの未反応ホルムアルデヒドと向流接触させてホルムアルデヒドを吸収ないしは反応させながら反応器１に導入し、ホルムアルデヒドと反応せしめることを特徴とする請求項１に記載の環状ホルマールの連続製造方法。
【請求項３】
前記反応器中のアルキレングリコール成分とホルムアルデヒド成分のモル比を１以上に保ち、かつ、該蒸留塔と該反応器に連続的に供給されるアルキレングリコールとホルムアルデヒドの量を実質的に等モルとすることを特徴とする請求項１または２に記載の環状ホルマールの連続製造方法。
【請求項４】
アルキレングリコールが、エチレングリコール、ジエチレングリコール、および１，４−ブタンジオールの群から選択された少なくとも１種であることを特徴とする請求項１、２または３に記載の環状ホルマールの連続製造方法。
【請求項５】
前記蒸留塔の蒸留段数が２以上である反応蒸留塔を使用することを特徴とする請求項１、２、３または４に記載の環状ホルマールの連続製造方法。
【請求項６】
該反応蒸留塔の蒸留塔として、棚段塔及び／又は充填塔を使用することを特徴とする請求項１、２、３、４または５に記載の環状ホルマールの連続製造方法。
【請求項７】
反応器と蒸留塔を備えた反応蒸留塔を用いて、アルキレングリコールとホルムアルデヒドを触媒の存在下に反応させ環状ホルマールを製造する方法において、
（１）アルキレングリコールを反応蒸留塔の蒸留塔から反応器に連続的に供給するとともに、ホルムアルデヒドを反応蒸留塔の反応器に連続的に供給して、両成分を反応せしめ、該反応蒸留塔の塔頂部から水と環状ホルマールを含む反応蒸留液を連続的に得る工程、
（２）上記工程（１）で得られた水と環状ホルマールを含有する反応蒸留液を、第２の蒸留塔に連続的に供給して、環状ホルマールと水の共沸混合物を連続的に得る工程、
（３）上記工程（２）で得られた環状ホルマールと水の共沸混合物を共沸蒸留塔に供給するとともに、さらに水との共沸点が環状ホルマールの沸点以下である炭化水素化合物を該共沸蒸留塔に供給して、連続的に蒸留し、該共沸蒸留塔の塔頂部から炭化水素と水の共沸混合物を得、塔底部から水が除去された環状ホルマールを連続的に得る工程、
の各工程からなることを特徴とする環状ホルマールの連続製造方法。
【請求項８】
前記工程（１）において、該反応器中のアルキレングリコール成分とホルムアルデヒド成分のモル比を１以上に保ち、かつ、該蒸留塔と該反応器に連続的に供給されるアルキレングリコールとホルムアルデヒドの量を実質的に等モルとすることを特徴とする請求項７に記載の環状ホルマールの連続製造方法。
【請求項９】
前記アルキレングリコールが、エチレングリコール、ジエチレングリコール、および１，４−ブタンジオールの群から選択された少なくとも１種であることを特徴とする請求項７または８に記載の環状ホルマールの連続製造方法。
【請求項１０】
前記工程（３）において、該炭化水素化合物がシクロペンタン、シクロヘキセンおよびベンゼンの群から選択された少なくとも１種であることを特徴とする請求項７、８または９に記載の環状ホルマールの連続製造方法。
【請求項１１】
前記工程（３）において、環状ホルマールと水の共沸混合物を共沸蒸留塔の還流部または上段部に供給することを特徴とする請求項７、８、９または１０に記載の環状ホルマールの連続製造方法。
【請求項１２】
前記工程（３）において、共沸蒸留塔からの留出水の全量を系外に排出するのではなく少なくとも１部を、該共沸蒸留塔に還流させることを特徴とする請求項７、８、９、１０または１１に記載の環状ホルマールの連続製造方法。
【請求項１３】
蒸留によって、水を含有する環状ホルマールから水を除去する精製方法において、水を含有する環状ホルマールに、水との共沸点が環状ホルマールの沸点以下である炭化水素化合物を添加して連続的に蒸留することを特徴とする環状ホルマールの連続精製方法。
【請求項１４】
前記環状ホルマールが、エチレングリコールホルマール、ジエチレングリコールホルマールおよび１，４−ブタンジオールホルマールの群から選択された少なくとも１種であることを特徴とする請求項１３に記載の環状ホルマールの連続精製方法。
【請求項１５】
前記炭化水素化合物が、シクロペンタン、シクロヘキセンおよびベンゼンの群から選ばれた少なくとも１種であることを特徴とする請求項１３または１４に記載の環状ホルマールの連続精製方法。
【請求項１６】
水を含有する環状ホルマールを、蒸留塔の還流部または上段部に供給することを特徴とする請求項１３、１４または１５に記載の環状ホルマールの連続精製方法。
【請求項１７】
前記蒸留塔の留出水の全量を系外に排出するのではなく少なくとも１部を該蒸留塔に還流させることを特徴とする請求項１３、１４、１５または１６に記載の環状ホルマールの連続的精製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明の環状ホルマールの連続製造方法は、上記反応蒸留塔を用いて、アルキレングリコールとホルムアルデヒドを触媒の存在下に反応させて環状ホルマールを製造する方法において、
（１）アルキレングリコールを反応蒸留塔の蒸留塔から反応器連続的に供給するとともに、ホルムアルデヒドを反応蒸留塔の反応器に連続的に供給して、両成分を反応せしめ、該蒸留塔の塔頂部から水と環状ホルマールを含む反応蒸留液を連続的に得る工程、
（２）上記工程（１）で得られた水と環状ホルマールを含む反応蒸留液を、第２の蒸留塔に連続的に供給して、環状ホルマールと水の共沸混合物を連続的に得る工程、
（３）上記工程（２）で得られた環状ホルマールと水の共沸混合物を共沸蒸留塔に供給するとともに、さらに水との共沸点が環状ホルマールの沸点以下である炭化水素化合物を共沸蒸留塔に供給して、連続的に蒸留し、共沸蒸留塔の塔頂部から炭化水素と水との共沸混合物を得、塔底部から水が除去された精製環状ホルマールを連続的に得る工程、
の各工程からなることを特徴とする製造方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月26日(2003.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】グリース補給確認装置及び当該グリース確認装置を備えた軸受装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸受へのグリース補給を確認するグリース補給確認装置であって、補給されるグリースが流れる配管内に可動に備えられた可動体と、該可動体の変位に基づいてグリースが補給されているか否かを検出する検出手段とを有することを特徴とするグリース補給確認装置。
【請求項２】
前記可動体は、前記配管内に設けられた弾性支持部材によって支持されていることを特徴とする請求項１に記載のグリース補給確認装置。
【請求項３】
前記可動体は配管内に支持された金属製物体であり、前記検出手段は渦電流式変位センサであることを特徴とする請求項１に記載のグリース補給確認装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載のグリース補給確認装置を備えたことを特徴とする軸受装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば工作機械主軸に用いられ、高速回転性や長寿命化が求められる軸受に適用されるグリース補給確認装置及び当該グリース補給確認装置を備えた軸受装置に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
長期連続運転する工作機械主軸（スピンドル）の軸受においては、グリースの補給の状態を長期にわたって目視により監視するのは、人件費等のコストがかさむため、実用の面では困難であった。また、現実的には、一日のうち数回程度しか目視による確認を行うことができないため、補給装置のグリース補給停止等の異常を早期に発見できなかった。よって、ｄｍＮ１５０万を超える高速回転下において、軸受が焼き付きを起こし、スピンドルが故障することが依然として課題とされていた。
本発明は、上記事情を鑑みてなされたもので、その目的は、軸受のグリース補給が確実に行われていることをほぼ常時監視可能で、グリース補給の異常を素早く検知できるグリース補給確認装置及び当該グリース補給確認装置を備えた軸受装置を提供することにある。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記の構成において、可動体を、配管内に設けられたばね等の弾性支持部材によって支持されるようにしてもよい。こうすれば、グリースの流れが止まった際には、弾性支持部材の弾性反発力などによって可動体の位置が例えば、初期位置に戻される。こうして、グリース補給の異常を素早く察知することができる。
また、可動体を配管内に支持された金属体とし、検出手段を渦電流式変位センサとしてもよい。こうすれば、グリース中にある可動体の位置を正確に把握できる。
そして、上記のいずれかの構成のグリース補給確認装置を軸受装置に備えることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳しく説明する。
図１は、一実施形態のグリース補給確認装置１０を用いた軸受装置であるグリース補給機構１００を示している。グリース補給機構１００は、図示しないスピンドルを支承する軸受部１と、グリースが貯留されるグリースタンク２と、グリースタンク２から供給管３を介してグリースを軸受部１へ送り出すポンプＰと、ポンプＰを駆動させるモータＭと、軸受部１とポンプＰとの間の供給管３に設けられて軸受部１へのグリース補給を確認するグリース補給確認装置１０とを有している。グリース補給確認装置１０には、異常判定回路４が接続され、さらに異常判定回路４には出力部５が接続されている異常判定回路４及び出力部５も、グリース補給確認装置１０の一部とみなすこともできる。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、軸受のグリース補給が確実に行われていることをほぼ常時監視可能で、グリース補給の異常を素早く検知できるグリース補給確認装置及び当該グリース補給確認装置を備えた軸受装置を提供できる。