Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月16日(2012.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィック投影システムであって、
光源、
該光源から光を受け取って自身の像平面においてレチクルを照明するための照明器、
前記レチクルの画像をサブストレート上に投影するための投影レンズ、ならびに
前記レチクルを照明する光の局部的角度的再配分を行なって前記サブストレートにおけるテレセントリシティに関する目標仕様に一致させるために、前記照明器の前記像平面にまたは該像平面と共役関係にある平面に近接して配置されたテレセントリシティ補正素子、
を備えてなることを特徴とするリソグラフィック投影システム。
【請求項２】
前記テレセントリシティ補正素子が、前記レチクルのほぼ近傍にまたは該レチクルと共役関係にある位置のほぼ近傍に配置されてなることを特徴とする請求項１記載の投影システム。
【請求項３】
前記テレセントリシティ補正素子が、前記光の局部的角度的再配分を行なうための局部的勾配変化を有する補正用表面を備え、前記局部的勾配変化率が、前記サブストレートに亘る放射照度の均一性をコントロールするために調整されることを特徴とする請求項１記載の投影システム。
【請求項４】
１個の照明器および１個の投影レンズを備えたマイクロリソグラフィック投影システムに関するテレセントリシティおよび放射照度の均一性の目標を達成する方法であって、
前記投影レンズの像平面におけるテレセントリシティおよび放射照度の均一性に関する目標を規定するステップ、ならびに
該テレセントリシティおよび放射照度の均一性に関する目標に近付けるために、前記照明器、前記投影レンズ、および前記照明器の像平面または該像平面と共役関係にある平面に近接して配置されたテレセントリシティ補正素子の構造を最適化するステップ、
を含み、
前記テレセントリシティ補正素子の最適化が、前記テレセントリシティに関する目標に近付けるために、前記テレセントリシティ補正素子における局部的変化をコントロールし、かつ前記放射照度の均一性に関する目標に近付けるために、前記テレセントリシティ補正素子における局部的変化の変化率をコントロールすることを含むことを特徴とする前記方法。
【請求項５】
１個の照明器および１個の投影レンズを備えたマイクロリソグラフィック投影システムにおける実験的に測定された誤差を補正す補償する方法であって、
前記投影レンズの像平面におけるテレセントリシティ誤差を確認するステップ、
前記照明器の像平面における改訂されたテレセントリシティ目標を設定して、前記確認されたテレセントリシティ誤差を補償するステップ、および
前記改訂されたテレセントリシティ目標を満足させるために、前記照明器の像平面または該像平面と共役関係にある平面に近接して配置されたテレセントリシティ補正素子内に変化を組み込むステップ、
を含むことを特徴とする前記方法。
【請求項６】
前記投影レンズの像平面における放射照度の均一性誤差を確認するステップ、
前記照明器の像平面における改訂された放射照度の均一性目標を設定して、前記確認された放射照度の均一性誤差を補正するステップ、および
前記改訂された放射照度の均一性目標を満足させるために、前記テレセントリシティ補正素子内に変化を組み込むステップ、
を含むことを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記テレセントリシティ補正素子が補正用表面を備え、かつ前記変化を組み込むステップが、（ａ）前記改訂されたテレセントリシティ目標の近付けるために、前記補正用表面における局部的勾配変化をコントロールし、かつ（ｂ）前記改訂された放射照度の均一性目標に近付けるために、前記補正用表面における局部的勾配変化の変化率をコントロールすることを含むことを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】
リソグラフィック投影システムであって、
光源、
該光源から光を受け取って自身の像平面においてレチクルを照明するための照明器、
前記レチクルの画像をサブストレート上に投影するための投影レンズ、
前記サブストレートにおけるテレセントリシティに関する目標仕様に近付けるために、前記レチクルを照明する光の局部的角度的再配分を行なうための第１の補正用表面、
前記レチクルにおける放射照度の均一性に関する目標仕様に近付けるために、前記レチクルを照明する光の局部的空間的再配分を行なうための第２の補正用表面、
を備え、
前記第１の補正用表面は、前記照明器の像平面にまたは該像平面と共役関係にある平面に近接して配置され、
前記第２の補正用表面は、前記照明器の像平面にまたは該像平面と共役関係にある平面から離れて配置され、
てなることを特徴とするリソラフィック投影システム。
【請求項９】
前記第１の補正用表面は、光の局部的角度的再配分を行なうための局部的勾配変化を備え、前記第２の補正用表面は、光の局部的空間的再配分を行なうための局部的勾配変化率を備え、かつ前記第１の補正用光学素子は、前記サブストレートにおけるテレセントリシティに関する目標仕様に一致させるために、前記第２の補正用表面によってなされた光の局部的空間的再配分を補償することを特徴とする請求項８記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月21日(2012.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性記憶装置を動作させる方法であって、
１組の不揮発性記憶素子（１５００、１５１０）の中にあり、１組のワードライン（６００）の中の選択されたワードライン（ＷＬ３）に接続されている少なくとも１つの選択された不揮発性記憶素子からのデータの読み出しを要求する読み出しコマンド（７００）を受信するステップと、
前記読み出しコマンドに応じて、前記１組のワードラインの中の別のワードライン（ＷＬ５）を選定するステップ（７１０）と、
前記別のワードラインに接続されている不揮発性記憶素子に対して検出動作を実施するステップ（７１５）と、
前記検出動作に基づいて、少なくとも１つの読み出し比較レベルを決定するステップ（７２５）と、
前記少なくとも１つの読み出し比較レベルを用いて前記少なくとも１つの選択された不揮発性記憶素子を読み出すステップ（７３０）、
を備える方法。
【請求項２】
前記検出動作は、閾値電圧分布を取得し、
前記少なくとも１つの読み出し比較レベルは、前記閾値電圧分布の中の凹み部分を特定することによって決定される、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記別のワードラインを前記１組のワードラインから無作為に選定するステップをさらに備える請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記１組のワードラインの中の少なくとも１つの指定されたワードライン（ＷＬ４）を除外して、前記別のワードラインを前記１組のワードラインから無作為に選定するステップをさらに備える請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
前記別のワードラインが、前記選択されたワードラインに隣接しない請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記検出動作に基づいて、前記別のワードラインに接続されている前記不揮発性記憶素子に対して複数の読み出し比較レベルを決定するステップと、
前記複数の読み出し比較レベルを用いて前記少なくとも１つの選択された不揮発性記憶素子を読み出すステップ、
をさらに備える請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記少なくとも１つの読み出し比較レベルは、データ状態の第１のペアの隣接する状態を互いに区別する第１の読み出し比較レベル（９３０）を備え、
前記方法が、
前記第１の読み出し比較レベルに基づいて、かつ、データ状態の第２のペアの隣接する状態を互いに区別する検出動作を実施せずに、データ状態の前記第２のペアの隣接する状態を互いに区別する第２の読み出し比較レベル（９３５）を決定するステップをさらに備える、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
不揮発性記憶システムであって、
少なくとも１つの選択された不揮発性記憶素子を含む１組の不揮発性記憶素子（１５００、１５１０）と、
前記少なくとも１つの選択された不揮発性記憶素子が接続されている選択されたワードライン（ＷＬ３）を含んでおり、前記１組の不揮発性記憶素子に接続されている１組のワードライン（６００）と、
前記１組のワードラインと通信する少なくとも１つの制御回路（１２１０、１２５０）、
を有しており、
前記少なくとも１つの制御回路が、
（ａ）前記選択されたワードラインに接続されている前記少なくとも１つの選択された不揮発性記憶素子からのデータの読み出しを要求する読み出しコマンドを受信し（７００）、
（ｂ）前記読み出しコマンドに応じて、前記１組のワードラインの中の別のワードライン（ＷＬ５）を選定し（７１０）、前記別のワードラインに接続されている不揮発性記憶素子に対して検出動作を実施し（７１５）、前記検出動作に基づいて少なくとも１つの読み出し比較レベルを決定し（７２５）、
（ｃ）前記少なくとも１つの読み出し比較レベルを用いて前記少なくとも１つの選択された不揮発性記憶素子を読み出す（７３０）、
不揮発性記憶システム。
【請求項９】
前記検出動作は、閾値電圧分布を取得し、
前記少なくとも１つの読み出し比較レベルは前記閾値電圧分布の中の凹み部分を特定することによって決定される、
請求項８に記載の不揮発性記憶システム。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの制御回路が、前記１組のワードラインの中の少なくとも１つの指定されたワードライン（ＷＬ４）を除外して、前記別のワードラインを前記１組のワードラインから無作為に選択する、請求項８または９に記載の不揮発性記憶システム。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの制御回路が、前記別のワードラインを前記１組のワードラインから無作為に選択する、請求項８または９に記載の不揮発性記憶システム。
【請求項１２】
前記別のワードラインが、前記選択されたワードラインに隣接しない、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の不揮発性記憶システム。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの制御回路が、
前記検出動作に基づいて、前記別のワードラインに接続されている前記不揮発性記憶素子に対して複数の読み出し比較レベルを決定し、
前記複数の読み出し比較レベルを用いて、前記少なくとも１つの選択された不揮発性記憶素子を読み出す、
請求項８〜１２のいずれか一項に記載の不揮発性記憶システム。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの読み出し比較レベルは、データ状態の第１のペアの隣接する状態を互いに区別する第１の読み出し比較レベル（９３０）を備え、
前記少なくとも１つの制御回路が、
前記第１の読み出し比較レベルに基づいて、かつ、データ状態の第２のペアの隣接する状態を互いに区別する検出動作を実施せずに、データ状態の前記第２のペアの隣接する状態を互いに区別する第２の読み出し比較レベル（９３５）を決定する、
請求項８〜１３のいずれか一項に記載の不揮発性記憶システム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月20日(2012.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の列に配置された第１、第２及び第３のバッテリセルと、
前記第１の列に対向する第２の列に配置された第４、第５及び第６のバッテリセルと、
前記第１及び第２のバッテリセルに電気的に接続する第１のバッテリストラップと、
前記第２及び第３のバッテリセルに電気的に接続する第２のバッテリストラップと、
前記第１及び第５のバッテリセルに電気的に接続する第３のバッテリストラップと、
前記第４及び第５のバッテリセルに電気的に接続する第４のバッテリストラップと、
前記第３及び第６のバッテリセルに電気的に接続する第５のバッテリストラップと、を備え
前記バッテリストラップは、前記第１及び第２の列のバッテリセルに電気的に接続されることを特徴とするバッテリ。
【請求項２】
前記バッテリが、正面、裏面、及び２つの端面を有しており、各端面は、二つのセルの幅に略等しく、前記正面及び前記裏面は、３つのセル幅に略等しく、第１の端子が前記バッテリの第１の隅部に近接配置され、第２の端子が前記バッテリの第２の隅部に近接配置され、前記第１の隅部と第２の隅部が、共に、前記バッテリの同一片側に近接配置される、請求項１に記載のバッテリ。
【請求項３】
前記バッテリストラップは、キャストオンストラップである、請求項１に記載のバッテリ。
【請求項４】
前記バッテリストラップは、キャストオンストラップである、請求項２に記載のバッテリ。
【請求項５】
バッテリセルの前記第１の列及びバッテリセルの第２の列は、分断線の何れかの端に配置されかつ僅か２つのバッテリストラップは当該分断線を横断することを特徴とする請求項１に記載のバッテリ。
【請求項６】
バッテリセルの前記第１の列及びバッテリセルの第２の列は、分断線の何れかの端に配置されかつ前記第３及び第４のバッテリストラップは当該分断線を横断することを特徴とする請求項１に記載のバッテリ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月13日(2012.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶媒と、その内部に分散された複数の金属ナノ粒子とを含む、金属ペーストであって、前記金属ペーストの硬化によって約５×１０−４Ω・ｃｍ以下の抵抗率を有する金属導体が得られるように配合される、金属ペースト。
【請求項２】
前記金属ナノ粒子が銅を含む、請求項１に記載の金属ペースト。
【請求項３】
前記硬化が熱焼結を含む、請求項１に記載の金属ペースト。
【請求項４】
前記硬化が、水素および窒素を含むフォーミングガス中での熱焼結を含む、請求項３に記載の金属ペースト。
【請求項５】
前記硬化が光焼結を含む、請求項１に記載の金属ペースト。
【請求項６】
前記硬化が、周囲温度の空気中での光焼結を含む、請求項５に記載の金属ペースト。
【請求項７】
前記光焼結に先行して前記金属ペーストの熱焼結が行われる、請求項５に記載の金属ペースト。
【請求項８】
前記金属ペーストの熱焼結が、フォーミングガス中で実施される、請求項７に記載の金属ペースト。
【請求項９】
前記硬化が約３５０℃以下の温度で生ずる、請求項１に記載の金属ペースト。
【請求項１０】
ポリマー基板上で硬化される、請求項１に記載の金属ペースト。
【請求項１１】
前記金属ナノ粒子が、約５０ｎｍから約２００ｎｍの平均直径を有する、請求項１に記載の金属ペースト。
【請求項１２】
約５×１０−４Ω・ｃｍ以下の抵抗率を有する金属導体が得られるように金属ペーストを硬化するステップを含む、金属導体を作製する方法。
【請求項１３】
前記金属ペーストが銅ナノ粒子を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記硬化するステップが、フォーミングガス中での熱焼結を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記フォーミングガスが、水素および窒素を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記硬化するステップが光焼結を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記硬化するステップが、周囲温度の空気中での光焼結を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記光焼結の前に、前記金属ペーストを熱焼結するステップをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記光焼結の前に、フォーミングガス中で前記金属ペーストを熱焼結するステップをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記硬化するステップが、約３５０℃以下の温度で引き起こされる、請求項１２に記載の方法。
【請求項２１】
硬化した金属ペーストまたはインクを含む金属導体によって相互接続された、第１および第２の電気構成要素を含む、電気アセンブリであって、前記金属導体は、約５×１０−４Ω・ｃｍ以下の抵抗率を有する電気アセンブリ。
【請求項２２】
前記金属ペーストまたはインクが銅ナノ粒子を含む、請求項２１に記載の電気アセンブリ。
【請求項２３】
前記硬化した金属ペーストまたはインクが、熱焼結した金属ペーストまたはインクを含む、請求項２１に記載の電気アセンブリ。
【請求項２４】
前記硬化した金属ペーストまたはインクが、光焼結した金属ペーストまたはインクを含む、請求項２１に記載の電気アセンブリ。
【請求項２５】
前記金属導体が、約２×１０−５Ω・ｃｍ以下の抵抗率を有する、請求項２１に記載の電気アセンブリ。
【請求項２６】
前記金属導体が、前記第１および第２の電気構成要素と直接接触する、請求項２１に記載の電気アセンブリ。
【請求項２７】
前記金属導体が、熱焼結または光焼結された金属ペーストで充填されたビアを通して前記第１および第２の電気構成要素に接続される、請求項２１に記載の電気アセンブリ。
【請求項２８】
金属ナノ粒子を含む金属組成物の液滴を基板上に堆積するステップと；
前記液滴に金属線の一部を挿入するステップと；
前記金属組成物を焼結するステップと；
固化した金属組成物に前記線を固定するステップと
を含む、線を導体に固定する方法。
【請求項２９】
前記金属組成物を焼結した後に、前記金属線の一部を前記金属組成物に挿入する、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記金属ナノ粒子が銅を含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３１】
前記焼結するステップが、フォーミングガス中での熱焼結を含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３２】
前記フォーミングガスが水素および窒素を含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記焼結が光焼結を含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３４】
前記焼結が、周囲温度の空気中での光焼結を含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３５】
前記光焼結の前に、前記金属組成物を熱焼結するステップをさらに含む、請求項３３に記載の方法。
【請求項３６】
金属組成物は、光焼結に適切な光学的に透明なビヒクル中に、金属ナノ粒子を含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３７】
前記焼結するステップが、約３５０℃以下の温度で引き起こされる、請求項２８に記載の方法。
【請求項３８】
金属ペーストは、光焼結に適切な光学的に透明なビヒクル中に、金属ナノ粒子を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項３９】
光焼結するステップを含み、光焼結するステップの前に金属ペーストを熱焼結するステップをさらに含み、ペーストは光焼結に適切な光学的に透明なビヒクル中に金属ナノ粒子を含み、ナノ粉末はペーストの３０重量％から７０重量％の量、または５０重量％から８０重量％の間の量である方法によって導体を形成するための金属ペーストの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月10日(2012.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メガネによって支えられるレンズの幾何学構造及び光学的品質を維持するためのメガネであって、
着用者の頭によって運ばれるように適応されるフレームであって、前記レンズの周の少なくとも一部分に沿って伸びるフレームと、
前記フレームに対して保持ポジションと開ポジションとの間で枢動することができるように前記フレームに枢動可能に装着されるサポート部材であって、前記レンズの前記周の少なくとも一部分を捕えて前記レンズを前記着用者の視野の経路内に取り付けるために前記保持ポジションへ可動であるサポート部材と、
係合ポジションと離脱ポジションとの間で可動である固定部材であって、前記サポート部材を前記保持ポジションに固定して前記サポート部材を前記フレームに固定するために係合ポジションにある固定部材と、
を備えるメガネ。
【請求項２】
請求項１に記載のメガネであって、
前記サポート部材は、少なくとも第１の自由端を定め、前記サポート部材は、その前記第１の自由端において前記フレームに枢動可能に装着される、メガネ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のメガネであって、
前記サポート部材は、前記フレームの第１の端に枢動可能に装着され、前記サポート部材は、前記レンズを前記着用者の視野の経路内に位置決めするために前記フレーム及び前記サポート部材が前記レンズの前記周を少なくとも部分的に取り囲むように前記フレームの第２の端に対して固定することができる自由端を有する、メガネ。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載のメガネであって、
前記サポート部材及び前記フレームは、中に前記レンズを受けるための溝を定める、メガネ。
【請求項５】
請求項４に記載のメガネであって、
前記溝は、前記サポート部材が前記保持ポジションへ動いたときに、前記フレーム及び前記サポート部材の内周に沿って形成され、前記溝は、相対するバンクと、前記相対するバンクの中間に配されるベッドとを定め、前記ベッドは、浮遊プロファイルを定め、前記
相対するバンクの各自は、それぞれの保持プロファイルを定め、前記ベッドの前記浮遊プロファイルは、対応する前記レンズのプロファイルを超え、対応する前記レンズのプロファイルは、前記レンズが前記溝内をその溝から離脱することなく動くことを許容されるように、前記溝の前記バンクの前記保持プロファイル未満である、メガネ。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載のメガネであって、
前記固定部材は、前記フレームの第２の端に枢動可能に装着されるラッチ部材であり、前記ラッチ部材は、前記サポート部材の自由端を前記フレームの前記第２の端に対して固定するために前記サポート部材の前記自由端に係合するように構成される、メガネ。
【請求項７】
請求項６に記載のメガネであって、
前記ラッチ部材は、前記フレームの前記第２の端と一体的に形成される、メガネ。
【請求項８】
請求項１から３のいずれか一項に記載のメガネであって、
前記固定部材は、それによって前記メガネを支えるために前記着用者の鼻に支えられるように構成されるノーズピース要素であり、前記ノーズピース要素は、前記フレームの第２の端に枢動可能に装着され、前記ノーズピース要素は、前記サポート部材の自由端を前記フレームの前記第２の端に対して固定するために前記サポート部材の自由端に係合するように構成される、メガネ。
【請求項９】
請求項１に記載のメガネであって、
前記固定部材は、前記メガネと一体的に形成される、メガネ。
【請求項１０】
請求項１に記載のメガネであって、
前記固定部材は、前記フレームに枢動可能に装着されるラッチ部材である、メガネ。
【請求項１１】
請求項１０に記載のメガネであって、
前記固定部材は、前記フレームの内側部分に配される、メガネ。
【請求項１２】
請求項１０から１１のいずれか一項に記載のメガネであって、
前記ラッチ部材は、内外方向に枢動する、メガネ。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか一項に記載のメガネであって、
前記メガネは、デュアルレンズと１対のサポート部材とを備え、前記メガネの前記サポート部材は、前記フレームと一体的に形成される、メガネ。
【請求項１４】
請求項１に記載のメガネであって、
前記フレーム及び前記サポート部材は、中にレンズを受けることができる剛性の囲いを定め、前記剛性の囲いは、前記レンズに変形力を作用させることなく前記レンズを保持するように構成される、メガネ。
【請求項１５】
レンズの成形時の幾何学構造を維持するためのメガネフレームであって、
前記レンズを少なくとも部分的に受けるように構成されるレンズ取り付け領域と、
フレーム部分と、
サポート部材であって、開ポジションにあるときに前記レンズ取り付け領域へのアクセスを提供するために及び閉ポジションにあるときに前記レンズを前記レンズ取り付け領域内において横方向に保持するために、前記フレーム部分に対して可動であるサポート部材と、
前記サポート部材を前記フレームに対して前記閉ポジションに固定するために、係合ポジションへ可動である固定部材と、
を備え、前記閉ポジションにおいて、前記第１のフレーム部分及び前記サポート部材は、前記レンズに変形力を作用させることなく前記レンズを前記レンズ取り付け領域内において固定する、メガネフレーム。
【請求項１６】
請求項１５に記載のメガネフレームであって、更に、
公差緩衝システムを備え、前記公差緩衝システムは、前記フレームに取り付けられたレンズが前記フレームに対して光学的に望ましいポジションに方向付けられることを保証するために前記レンズ取り付け領域内において選択的に配置するための複数のレンズバンパを有する、メガネフレーム。
【請求項１７】
請求項１５又は１６に記載のフレームであって、
前記固定部材は、それによって前記メガネを支えるために前記着用者の鼻に支えられるように構成されるノーズピース要素であり、前記ノーズピース要素は、前記フレームの第２の端に枢動可能に装着され、前記ノーズピース要素は、前記サポート部材の自由端を前記フレームの前記第２の端に対して固定するために前記サポート部材の自由端に係合するように構成される、フレーム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月28日(2012.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ生成装置、及び、前記プラズマ生成装置に液体スズを供給するように適合される前記プラズマ生成装置と液体連通をしている供給貯蔵部を有する少なくとも１つのスズ供給システム、を含む極紫外線放射生成装置であって、前記スズ供給システムは、スズの供給に関して少なくとも１つの供給手段を含み、前記供給手段は、少なくとも１つの共有結合性無機固体材料で少なくとも部分的に被膜されている、極紫外線放射生成装置。
【請求項２】
請求項１に記載の極紫外線放射生成装置であって、前記少なくとも１つの共有結合性無機固体材料は、酸化物、窒化物、ホウ化物、リン化物、炭化物、硫化物、ケイ酸化物、及び／又は、これらの混合物、の群から選択される固体材料を含む、極紫外線放射生成装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の極紫外線放射生成装置であって、前記共有結合性無機固体材料は、1000℃以上の融点を有する少なくとも１つの材料を含む、極紫外線放射生成装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の極紫外線放射生成装置であって、前記共有結合性無機固体材料は、2g/cm3以上及び8g/cm3以下の密度を有する少なくとも１つの材料を含む、極紫外線放射生成装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の極紫外線放射生成装置であって、前記共有結合性無機固体材料は、Mg、Al、Si、K、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au又はこれらの混合物の、酸化物、窒化物、ホウ化物、リン化物、炭化物、硫化物、ケイ酸化物、を含む群から選択される少なくとも１つの固体材料を含む、極紫外線放射生成装置。
【請求項６】
プラズマ生成装置、及び、前記プラズマ生成装置に液体スズを供給するように適合される前記プラズマ生成装置と液体連通をしている供給貯蔵部を有する少なくとも１つのスズ供給システム、を含む極紫外線放射生成装置であって、前記スズ供給システムは、スズの供給に関して少なくとも１つの供給手段を含み、前記供給手段は、IVb、Vb、VIb,及び／又はVIIIb金属又はこれらの混合物を含む群から選択される少なくとも１つの金属で少なくとも部分的に被膜されている、極紫外線放射生成装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の極紫外線放射生成装置であって、前記金属被膜の厚さは、100nm以上及び100μm以下である、極紫外線放射生成装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の極紫外線放射生成装置であって、前記金属被膜の厚さは、1nm以上及び1μm以下である、極紫外線放射生成装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の極紫外線放射生成装置を含むシステムであって、以下の応用例：
−半導体リソグラフィ、
−計測、
−顕微鏡
−核分裂、
−融合、
−半田付け、
のうちの１つ又は複数において使用される、システム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月26日(2012.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
心筋運動を診断する超音波診断撮像システムにおいて、
心臓内に超音波を送信し、これに応答してエコーを受信するプローブと、
前記エコーに応答して、心臓サイクルの少なくとも一部にわたり心筋の画像のシーケンスを生成する画像プロセッサと、
前記画像のシーケンスに応答して、前記心筋の複数のセグメントの運動を決定する心筋運動分析器と、
前記セグメントの運動に応答して、前記心臓サイクル中の所定のレベルに対する心筋運動への前記セグメントの参加の相対的な時間のインジケータを生成するリクルートメントプロセッサと、
前記リクルートメントプロセッサに結合され、前記インジケータを表示するディスプレイと、
を有する超音波診断撮像システム。
【請求項２】
前記所定のレベルが、最小リクルートメント基準又はリクルートメントマイルストーンレベルの少なくとも一方である、請求項１に記載の超音波診断撮像システム。
【請求項３】
前記インジケータが、心臓収縮における前記心筋のセグメントのリクルートメントの相対的な時間を示すグラフィカルリクルートメントインジケータである、請求項１に記載の超音波診断撮像システム。
【請求項４】
前記インジケータが、生体構造に基づく前記心筋のセグメントのリクルートメントの相対的な時間を示すパラメトリック表示である、請求項１に記載の超音波診断撮像システム。
【請求項５】
前記セグメントが、前記心筋の超音波画像の画素に対応する、請求項４に記載の超音波診断撮像システム。
【請求項６】
前記運動分析器が、歪値を生成する、請求項１に記載の超音波診断撮像システム。
【請求項７】
前記運動分析器が、歪率値を生成する、請求項１に記載の超音波診断撮像システム。
【請求項８】
前記運動分析器が、組織変位の値を生成する、請求項１に記載の超音波診断撮像システム。
【請求項９】
前記歪値が、初期長さに対する長さの変化として計算される、請求項６に記載の超音波診断撮像システム。
【請求項１０】
前記歪値が、半径方向の歪値を有する、請求項６に記載の超音波診断撮像システム。
【請求項１１】
前記歪値が、円周方向の歪値を有する、請求項６に記載の超音波診断撮像システム。
【請求項１２】
前記歪値が、長手方向の歪値を有する、請求項６に記載の超音波診断撮像システム。
【請求項１３】
前記運動分析器が、スペックルトラッキングにより前記心筋の運動を追跡する、請求項１に記載の超音波診断撮像システム。
【請求項１４】
前記運動分析器が、境界検出により前記心筋の運動を追跡する、請求項１に記載の超音波診断撮像システム。
【請求項１５】
前記リクルートメントプロセッサが、前記心筋の異なるセグメントに対して心臓収縮中の歪値のプロットを生成する、請求項６に記載の超音波診断撮像システム。
【請求項１６】
前記リクルートメントプロセッサが、前記歪値プロットに応答して、前記心臓収縮に対するリクルートメント曲線を生成する、請求項１５に記載の超音波診断撮像システム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月28日(2012.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プッシュ受信側エージェントにおいて、該プッシュ受信側エージェントとプッシュ送信側エージェントとの間での能力送達およびリソース交渉のためのセッション初期化プロトコル（ＳＩＰ）メッセージを生成することと、
Ｃｏｎｔａｃｔヘッダを該ＳＩＰメッセージに含めることであって、該Ｃｏｎｔａｃｔヘッダは、該プッシュ受信側エージェントによってサポートされるプッシュリソースの値を含むプッシュリソース識別子機能タグを含む、ことと
Ａｌｌｏｗヘッダを該ＳＩＰメッセージに含めることであって、該Ａｌｌｏｗヘッダは、該プッシュ受信側エージェントによってサポートされるＳＩＰ方法を含む、ことと、
該ＳＩＰメッセージを送信することと
を包含する、方法。
【請求項２】
前記ＳＩＰメッセージは、ＳＩＰ  ＯＰＴＩＯＮＳ要求である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記Ｃｏｎｔａｃｔヘッダは、前記プッシュ受信側エージェントを識別するＵｎｉｆｏｒｍ  ｒｅｓｏｕｒｃｅ  ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｒ（ＵＲＩ）をさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ＵＲＩは、Ｇｌｏｂａｌｌｙ  Ｒｏｕｔａｂｌｅ  Ｕｓｅｒ  Ａｇｅｎｔ（ＵＡ）ＵＲＩ（ＧＲＵＵ）を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記プッシュ受信側エージェントによってサポートされる前記ＳＩＰ方法は、ＩＮＶＩＴＥ、ＡＣＫ、ＣＡＮＣＥＬ、ＯＰＴＩＯＮＳ、ＢＹＥ、ＭＥＳＳＡＧＥのうちの少なくとも１つを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記ＳＩＰ  ＯＰＴＩＯＮＳ要求にユーザエージェントヘッダを含めることをさらに包含し、該ユーザエージェントヘッダは、前記プッシュ受信側エージェントのモデル、供給元、バージョンのうちの少なくとも１つをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記ＳＩＰメッセージにＣｏｎｔｅｎｔ−ｔｙｐｅヘッダを含めることをさらに包含し、該Ｃｏｎｔｅｎｔ−Ｔｙｐｅヘッダは、ＭＩＭＥ型としての“ｍｅｓｓａｇｅ／ｅｘｔｅｒｎａｌ−ｂｏｄｙ”、ＡＣＣＥＳＳ＿ＴＹＰＥパラメータとしての“ＵＲＬ”、有効期限パラメータ、前記ＵＡのプロファイルを特定する文書を指し示すＨＴＴＰ  ＵＲＬを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ＳＩＰメッセージに本文を含めることをさらに包含し、該本文は、Ｃｏｎｔｅｎｔ−Ｄｉｓｐｏｓｉｔｉｏｎとして“ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ”を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ＳＩＰメッセージを送信することに対して、ＳＩＰ  ２００  ＯＫ応答を受信することをさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のうちのいずれか１項に記載の方法を実行するように構成されたプッシュ受信側エージェント。
【請求項１１】
プッシュ送信側エージェントにおいて、該プッシュ送信側エージェントとプッシュ受信側エージェントとの間での能力送達およびリソース交渉のためのＳＩＰ  ＯＰＴＩＯＮＳ要求を受信することと、
該プッシュ送信側エージェントにおいて、ＳＩＰメッセージを生成することと、
Ｃｏｎｔａｃｔヘッダを該ＳＩＰメッセージに含めることであって、該Ｃｏｎｔａｃｔヘッダは、該プッシュ受信側エージェントによってサポートされるプッシュリソースの値を含むプッシュリソース識別子機能タグを含み、該プッシュ受信側エージェントは、該ＳＩＰ  ＯＰＴＩＯＮＳ要求において指定された、ことと、
Ａｌｌｏｗヘッダを該ＳＩＰメッセージに含めることであって、該Ａｌｌｏｗヘッダは、該プッシュ送信側エージェントがサポートするＳＩＰ方法を含む、ことと、
該ＳＩＰメッセージを送信することと
を包含する、方法。
【請求項１２】
前記ＳＩＰメッセージは、ＳＩＰ  ２００  ＯＫ応答である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
Ａｃｃｅｐｔヘッダを前記ＳＩＰメッセージに含めることをさらに包含し、該Ａｃｃｅｐｔヘッダは、前記プッシュ送信側エージェントによってサポートされるＭＩＭＥ型を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記プッシュ送信側エージェントによってサポートされる前記ＭＩＭＥ型は、“ｍｅｓｓａｇｅ／ｅｘｔｅｒｎａｌ−ｂｏｄｙ”である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１１〜１４のうちのいずれか１項に記載の方法を実行するように構成されたプッシュ送信側エージェント。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月20日(2012.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６９】
本明細書中の上記に記載されている構造モチーフCを例示する、1型サイトカインから誘導されるペプチドの更なる例は、制限されないが、以下を含む：
【化６３】
2011527560.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月25日(2012.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＨｅｙＬ遺伝子発現のレベルを、Ｎｏｔｃｈ受容体活性化を阻害する薬剤での処置に感受性のヒトもしくはマウスのがん組織を同定するための指標とする方法であって、該方法は、
（ａ）該がん組織に由来するサンプル中のＨｅｙＬ遺伝子発現のレベルを測定する工程；および
（ｂ）該ＨｅｙＬ遺伝子発現のレベルを、標準値に対して比較する工程、
を包含し、ここで該サンプル中のＨｅｙＬ遺伝子発現のみの上昇したレベルは、該がん組織が該薬剤での処置に感受性であることの指標となる、方法。
【請求項２】
前記がん組織が、固形腫瘍である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記腫瘍が、乳房腫瘍、肺腫瘍、腎臓腫瘍、結腸直腸腫瘍、および膵臓腫瘍からなる群より選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記がん組織が、血液および骨髄からなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ＨｅｙＬ遺伝子発現の上昇したレベルが、適切なコントロールサンプル中のＨｅｙＬ遺伝子発現のレベルと比較して、少なくとも２倍である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ＨｅｙＬ遺伝子発現のレベルが、ｍＲＮＡを検出することによって測定される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ｍＲＮＡ検出が、マイクロアレイによるものである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ｍＲＮＡ検出が、定量的ＰＣＲによるものである、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記ＨｅｙＬ遺伝子発現のレベルが、ＨｅｙＬポリペプチド検出によって測定される、請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
Ｎｏｔｃｈ受容体活性化を阻害する薬剤での処置に感受性のヒトもしくはマウスのがん組織を同定するためのシステムであって、該システムは、該がん組織に由来するサンプル中のＨｅｙＬ遺伝子発現のレベルを測定するための手段を備え、
該ＨｅｙＬ遺伝子発現のレベルが、標準値に対して比較され、該サンプル中のＨｅｙＬ遺伝子発現のみの上昇したレベルは、該がん組織が該薬剤での処置に感受性であることを示す、システム。
【請求項１１】
前記がん組織が、固形腫瘍である、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記腫瘍が、乳房腫瘍、肺腫瘍、腎臓腫瘍、結腸直腸腫瘍、および膵臓腫瘍からなる群より選択される、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記がん組織が、血液および骨髄からなる群より選択される、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１４】
前記ＨｅｙＬ遺伝子発現の上昇したレベルが、適切なコントロールサンプル中のＨｅｙＬ遺伝子発現のレベルと比較して、少なくとも２倍である、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１５】
前記ＨｅｙＬ遺伝子発現のレベルが、ｍＲＮＡを検出することによって測定される、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１６】
前記ｍＲＮＡ検出が、マイクロアレイによるものである、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記ｍＲＮＡ検出が、定量的ＰＣＲによるものである、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１８】
前記ＨｅｙＬ遺伝子発現のレベルが、ＨｅｙＬポリペプチド検出によって測定される、請求項１４に記載のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
Ｎｏｔｃｈ受容体活性化を阻害する薬剤での処置に対して感受性であるがん組織としては、乳房腫瘍、肺腫瘍、腎臓腫瘍、結腸直腸腫瘍、および膵臓腫瘍のような固形腫瘍が挙げられる。Ｎｏｔｃｈ受容体活性化を阻害する薬剤での処置に対して感受性のがん組織としてはまた、体液（例えば、血液および骨髄）が挙げられ得る。
本発明は、例えば以下の項目を提供する。
（項目１）
Ｎｏｔｃｈ受容体活性化を阻害する薬剤での処置に感受性のヒトもしくはマウスのがん組織を同定するための方法であって、該方法は、
（ａ）該がん組織に由来するサンプル中のＨｅｙＬ遺伝子発現のレベルを測定する工程；および
（ｂ）該ＨｅｙＬ遺伝子発現のレベルを、標準値に対して比較し、それによって、ＨｅｙＬ遺伝子発現のみに基づいて、Ｎｏｔｃｈ受容体活性化を阻害する薬剤での処置に対して感受性のがん組織を同定する工程であって、ここで該サンプル中のＨｅｙＬ遺伝子発現の上昇したレベルは、該がん組織が該薬剤での処置に感受性であることを示す、工程、
を包含する、方法。
（項目２）
前記がん組織が、固形腫瘍である、項目１に記載の方法。
（項目３）
前記腫瘍が、乳房腫瘍、肺腫瘍、腎臓腫瘍、結腸直腸腫瘍、および膵臓腫瘍からなる群より選択される、項目２に記載の方法。
（項目４）
前記がん組織が、血液および骨髄からなる群より選択される、項目１に記載の方法。
（項目５）
前記ＨｅｙＬ遺伝子発現の上昇したレベルが、適切なコントロールサンプル中のＨｅｙＬ遺伝子発現のレベルと比較して、少なくとも２倍である、項目１に記載の方法。
（項目６）
前記ＨｅｙＬ遺伝子発現のレベルが、ｍＲＮＡを検出することによって測定される、項目１に記載の方法。
（項目７）
前記ｍＲＮＡ検出が、マイクロアレイによるものである、項目６に記載の方法。
（項目８）
前記ｍＲＮＡ検出が、定量的ＰＣＲによるものである、項目６に記載の方法。
（項目９）
前記ＨｅｙＬ遺伝子発現のレベルが、ＨｅｙＬポリペプチド検出によって測定される、項目５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月6日(2012.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気体透過性の培養装置において、
アクセスポートと、
側壁、上壁、および底壁と、
複数のスキャホールドであって、１つのスキャホールドが別のスキャホールドの上方に置かれ、細胞コンパートメントを形成する空間によって各々分離されている、複数のスキャホールドと、
細胞コンパートメントにアクセスポートを接続するマニホールドと、
１つ以上の気体コンパートメントであって、雰囲気気体に連通している開口部を有し、気体透過性の材料から構成された１つ以上の壁を有し、該１つ以上の壁はスキャホールドではない、気体コンパートメントと、を備え、
気体コンパートメントの気体透過性の材料から構成された前記１つ以上の壁は、スキャホールドに対しほぼ垂直に配向されている、装置。
【請求項２】
スキャホールドはスキャホールド開口部を有し、気体コンパートメントはスキャホールド開口部を貫通している、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
各細胞コンパートメントに前記気体透過性の材料の１つの壁が存在している、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
側壁の少なくとも一部は気体透過性の材料から構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
側壁は気体透過性の材料から構成されていない、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
気体コンパートメントへの開口部が１つ存在し、底面、上面、または側面上に配置されている、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
気体コンパートメントへの開口部は２つの対向する壁上に配置されており、気体コンパートメントは気体透過性の前記装置全体を通じる開口部である、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
気体コンパートメントへの開口部の形状はほぼ矩形である、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
スキャホールドはポリスチレン材料を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
気体コンパートメントの前記１つ以上の壁の気体透過性の材料はシリコーンである、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記シリコーンの厚みは０．５６ミリメートル（約０．０２２インチ）以下である、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
２つのアクセスポートが前記装置の対向する端部上に配置されている、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
気体コンパートメント開口部は矩形であり、気体コンパートメントへの開口部の最も長い側面は、近傍にアクセスポートが存在する対向する端部に対し、ほぼ垂直である、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
気体コンパートメント支持構造を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
最も上のスキャホールドの上方の空間は、他のスキャホールド間のいずれの空間よりも大きい、請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
間隙がスキャホールドと壁、スキャホールドに隣接している気体コンパートメントの側壁、前記１つの壁またはその両方との間に存在している、請求項１に記載の装置。
【請求項１７】
気体コンパートメントへの開口部の幅は２．５４ミリメートル（０．１インチ）以上である、請求項１に記載の装置。
【請求項１８】
いずれかのスキャホールドの上面上の最も遠い位置から気体透過性の材料までの距離は、他のすべてのスキャホールドの上面上の最も遠い位置から気体透過性の材料までの距離を超えない、請求項１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月27日(2012.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生細胞に形質移入するためのＲＣＡ産物の生産方法であって、
二本鎖ＤＮＡ（ｄｓＤＮＡ）、一本鎖ＤＮＡ（ｓｓＤＮＡ）及びＲＮＡからなる群から選択される１種以上の環状核酸鋳型を、１種以上のオリゴヌクレオチドプライマーであってその少なくとも一部分が上記環状核酸鋳型の一部分と相補的であるオリゴヌクレオチドプライマーと混合し、
上記オリゴヌクレオチドプライマーを上記環状核酸鋳型にアニールさせ、
アニールしたプライマーと鋳型に、１種以上のポリメラーゼと所定量のデオキシリボヌクレオチド三リン酸（ｄＮＴＰ）を添加し、
上記環状核酸鋳型をＲＣＡで複製してＲＣＡ産物を得て、
ＲＣＡ産物を形質移入媒体に直接移す
ことを含む方法。
【請求項２】
前記ＤＮＡポリメラーゼが３’−５’エキソヌクレアーゼ活性又は鎖置換活性を示し、好ましくはバクテリオファージφ２９  ＤＮＡポリメラーゼ、Ｔｔｓ  ＤＮＡポリメラーゼ、ファージＭ２  ＤＮＡポリメラーゼ、ＤＮＡポリメラーゼＩのクレノウ断片、Ｔ５  ＤＮＡポリメラーゼ、ＰＲＤ１  ＤＮＡポリメラーゼ、Ｔ４  ＤＮＡポリメラーゼホロ酵素、Ｔ７  ＤＮＡポリメラーゼ及びＢｓｔ  ＤＮＡポリメラーゼからなる群から選択される、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ＤＮＡポリメラーゼが３’−５’エキソヌクレアーゼ活性を示さない、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記ＤＮＡポリメラーゼが、Ｔａｑポリメラーゼ、Ｔｆｌポリメラーゼ、Ｔｔｈポリメラーゼ、真核生物ＤＮＡポリメラーゼα、及び３’−５’エキソヌクレアーゼ活性がなくなるように改質されたＤＮＡポリメラーゼからなる群から選択される、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記ｄＮＴＰの少なくとも一部分が、ホスホチオエート化ヌクレオチド、ロックド核酸（ＬＮＡ）、ｄＵＴＰ、ｄＩＴＰ、ｒＮＴＰ、５−メチルｄＣＴＰ、２−アミノ−ｄＡＴＰ、２−チオ−ｄＴＴＰ、４’−チオ−ｄＴＴＰ、４’−チオ−ｄＣＴＰ及びデアザ−ｄＧＴＰからなる群から選択される修飾ヌクレオチドである、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記環状核酸鋳型が、１以上のプロモーター配列と１以上のターゲット配列と１以上の終結配列とを含んでおり、前記プロモーター配列及び終結配列が好ましくは真核生物の配列であり、前記ターゲット配列が、宿主生物で免疫応答を誘発することのできる発現産物をコードする、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記ターゲット配列が、表面抗原のようなタンパク質、メッセンジャーＲＮＡ（ｍＲＮＡ）配列、非コードＲＮＡ配列、マイクロＲＮＡ（ｍｉＲＮＡ）配列、低分子干渉ＲＮＡ（ｓｉＲＮＡ）配列及びモノクローナル抗体（ｍＡｂ）鎖の少なくともいずれかをコードする、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記ターゲット配列が、細菌、ウイルス、真菌、寄生生物又は非寄生生物のうちの１種以上に由来する、請求項６又は請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記環状ＤＮＡ鋳型が、各々宿主生物で免疫応答を誘発することのできる異なる発現産物をコードする２種以上のターゲット配列を含む、請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
生物で免疫応答を誘発する方法であって、
１以上のプロモーター配列と１以上のターゲット配列と１以上の終結配列とを含む二本鎖ＤＮＡ（ｄｓＤＮＡ）、一本鎖ＤＮＡ（ｓｓＤＮＡ）及びＲＮＡからなる群から選択される環状核酸鋳型であって、上記１以上のターゲット配列が細菌、ウイルス、真菌、寄生生物又は非寄生生物のうちの１種以上に由来し、かつ生物で免疫応答を誘発することのできる発現産物をコードしている、環状核酸鋳型から、ＲＣＡ産物を調製する段階と、
有効量の上記ＲＣＡ産物を未処理の形態で上記生物に投与する段階と
を含む方法。
【請求項１１】
前記ＲＣＡ産物の少なくとも一部分が、ホスホチオエート化ヌクレオチド、ロックド核酸（ＬＮＡ）、ｄＵＴＰ、ｄＩＴＰ、ｒＮＴＰ、５−メチルｄＣＴＰ、２−アミノ−ｄＡＴＰ、２−チオ−ｄＴＴＰ、４’−チオ−ｄＴＴＰ、４’−チオ−ｄＣＴＰ及びデアザ−ｄＧＴＰからなる群から選択される修飾ヌクレオチドを含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記ターゲット配列が、細菌、ウイルス、真菌、寄生生物又は非寄生生物の表面抗原をコードする、請求項１０又は請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記環状核酸鋳型が、各々宿主生物で免疫応答を誘発することのできる異なる発現産物をコードする２種以上のターゲット配列を含む、請求項１０乃至請求項１２のいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
細胞の形質移入方法であって、
ホスホチオエート化ヌクレオチド、ロックド核酸（ＬＮＡ）、ｄＵＴＰ、ｄＩＴＰ、ｒＮＴＰ、５−メチルｄＣＴＰ、２−アミノ−ｄＡＴＰ、２−チオ−ｄＴＴＰ、４’−チオ−ｄＴＴＰ、４’−チオ−ｄＣＴＰ及びデアザ−ｄＧＴＰからなる群から選択される修飾ヌクレオチドを含む未処理ＲＣＡ産物を得る段階と、
未処理ＲＣＡ産物を１以上の細胞に形質移入する段階と
を含む方法。
【請求項１５】
生物への投与に適した１種以上の未処理ＲＣＡ産物を含むワクチンであって、前記ＲＣＡ産物が、二本鎖ＤＮＡ（ｄｓＤＮＡ）、一本鎖ＤＮＡ（ｓｓＤＮＡ）及びＲＮＡからなる群から選択される１以上の核酸鋳型から少なくとも部分的に生産される、ワクチン。
【請求項１６】
前記未処理ＲＣＡ産物が、ホスホチオエート化ヌクレオチド、ロックド核酸（ＬＮＡ）、ｄＵＴＰ、ｄＩＴＰ、ｒＮＴＰ、５−メチルｄＣＴＰ、２−アミノ−ｄＡＴＰ、２−チオ−ｄＴＴＰ、４’−チオ−ｄＴＴＰ、４’−チオ−ｄＣＴＰ及びデアザ−ｄＧＴＰからなる群から選択される修飾ヌクレオチドを含む、請求項１５記載のワクチン。
【請求項１７】
前記未処理ＲＣＡ産物が、生物で免疫応答を誘発することのできる発現産物をコードする１種以上のターゲット配列を含む、請求項１５記載のワクチン。
【請求項１８】
生細胞の形質移入に適した１種以上の未処理ＲＣＡ産物を含む形質移入製品であって、前記ＲＣＡ産物が、二本鎖ＤＮＡ（ｄｓＤＮＡ）、一本鎖ＤＮＡ（ｓｓＤＮＡ）及びＲＮＡからなる群から選択される１以上の核酸鋳型から少なくとも部分的に生産され、前記未処理ＲＣＡ産物が、ホスホチオエート化ヌクレオチド、ロックド核酸（ＬＮＡ）、ｄＵＴＰ、ｄＩＴＰ、ｒＮＴＰ、５−メチルｄＣＴＰ、２−アミノ−ｄＡＴＰ、２−チオ−ｄＴＴＰ、４’−チオ−ｄＴＴＰ、４’−チオ−ｄＣＴＰ及びデアザ−ｄＧＴＰからなる群から選択される修飾ヌクレオチドを適宜含む、形質移入製品。