【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年3月18日(2014.3.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リアクタチャンバと、前記リアクタチャンバに曝されるプローブとを用いて、基板処理中にプラズマを自動的に特徴付けるための方法であって、
前記プローブを用いて、電流及び電圧に関するデータを少なくとも含むプロセスデータの集合を収集することと、
前記リアクタチャンバに高周波（ＲＦ）バーストを与える各一回の高周波（ＲＦ）充電後に、前記プロセスデータの集合について、前記プロセスデータの集合のなかの小集合を含み前記プラズマの特徴に関連する関連性範囲を特定することと、
傾き、電子温度、イオン飽和値、又は浮遊電圧電位の推定値であるシード値の集合を決定することと、
前記関連性範囲及び前記シード値の集合を用いて、前記プラズマが自動的に特徴付けされることを可能にする曲線適合を実施する、ことと、
を備え、
前記関連性範囲は、
（ｉ）前記プローブを用いて一回の高周波バースト中に取得されたプロセスデータの時間変化のうちの初期データ値から変曲点までの間のデータ値の集合、又は、
（ｉｉ）前記初期値と前記初期データ値から一定のパーセント低いデータ値であるパーセント減衰点までの間のデータ値の集合、
である、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記関連性範囲を特定することは、前記プロセスデータの集合の一次微分のピークを計算することを少なくとも含む、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記関連性範囲は、前記初期データ値と前記パーセント減衰点との間である、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記関連性範囲は、前記初期データ値と前記変曲点との間の範囲によって表わされ、
前記変曲点は、前記パーセント減衰点と第２の減衰点との間の前記電流値の一次微分の最小値を示す点であり、
前記第２の減衰点は、前記初期データ値と前記パーセント減衰点との間である、方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、
前記シード値の集合は、傾き、電子温度、イオン飽和値、及び浮遊電圧電位の推定値のうちの少なくとも１つを含む、方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、
前記シード値の集合を決定することは、前記初期データ値から前記第２の減衰点までの区間であるイオン飽和区間を決定することを含む、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、
前記傾きは、前記イオン飽和区間の線形回帰を実施することによって決定される、方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、
前記イオン飽和値は、前記イオン飽和区間内のデータ値を平均化することによって決定される、方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、
前記電子温度は、前記変曲点における収集されたデータの一次微分を求めることによって決定される、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
前記浮遊電圧電位は、第１のＲＦ充電後に初期浮遊電圧電位に最初に到達したデータ点から第２のＲＦ充電前のデータ点までの収集された電圧データを平均化することによって決定される、方法。
【請求項１１】
リアクタチャンバと、前記リアクタチャンバに曝されるプローブとを用いて、基板処理中にプラズマを自動的に特徴付けるように構成されたコンピュータ可読コードを盛り込まれたプログラム格納媒体であって、前記コンピュータ可読コードは、コンピュータに、
前記プローブを用いて、電流及び電圧に関するデータを少なくとも含むプロセスデータの集合を収集させるためのコードと、
前記リアクタチャンバに高周波（ＲＦ）バーストを与える各一回の高周波（ＲＦ）充電後に、前記プロセスデータの集合について、前記プロセスデータの集合のなかの小集合を含み前記プラズマの特徴に関連する関連性範囲を特定させるためのコードと、
傾き、電子温度、イオン飽和値、又は浮遊電圧電位の推定値であるシード値の集合を決定させるためのコードと、
前記関連性範囲及び前記シード値の集合を用いて、前記プラズマが自動的に特徴付けされることを可能にする曲線適合を実施させるためのコードと、
を含み、
前記関連性範囲は、
（ｉ）前記プローブを用いて一回の高周波バースト中に取得されたプロセスデータの時間変化のうちの初期データ値から変曲点までの間のデータ値の集合、又は、
（ｉｉ）前記初期値と前記初期データ値から一定のパーセント低いデータ値であるパーセント減衰点までの間のデータ値の集合、
である、プログラム格納媒体。
【請求項１２】
請求項１１に記載のプログラム格納媒体であって、
前記関連性範囲を特定するためのコードは、前記プロセスデータの集合の一次微分のピークを計算するためのコードを少なくとも含む、プログラム格納媒体。
【請求項１３】
請求項１１に記載のプログラム格納媒体であって、
前記関連性範囲は、前記初期データ値と前記パーセント減衰点との間である、プログラム格納媒体。
【請求項１４】
請求項１３に記載のプログラム格納媒体であって、
前記関連性範囲は、前記初期データ値と前記変曲点との間の範囲によって表わされ、
前記変曲点は、前記パーセント減衰点と第２の減衰点との間の前記電流値の一次微分の最小値を示す点であり、
前記第２の減衰点は、前記初期データ値と前記パーセント減衰点との間である、プログラム格納媒体。
【請求項１５】
請求項１４に記載のプログラム格納媒体であって、
前記シード値の集合は、傾き、電子温度、イオン飽和値、及び浮遊電圧電位の推定値のうちの少なくとも１つを含む、プログラム格納媒体。
【請求項１６】
請求項１５に記載のプログラム格納媒体であって、
前記シード値の集合を決定するためのコードは、前記初期データ値から前記第２の減衰点までの区間であるイオン飽和区間を決定するためのコードを含む、プログラム格納媒体。
【請求項１７】
請求項１６に記載のプログラム格納媒体であって、
前記傾きを決定するためのコードは、前記イオン飽和区間の線形回帰を実施するためのコードを含む、プログラム格納媒体。
【請求項１８】
請求項１７に記載のプログラム格納媒体であって、
前記イオン飽和値を決定するためのコードは、前記イオン飽和区間内のデータ値を平均化するためのコードを含む、プログラム格納媒体。
【請求項１９】
請求項１８に記載のプログラム格納媒体であって、
前記電子温度を決定するためのコードは、前記変曲点における収集されたデータの一次微分を求めるためのコードを含む、プログラム格納媒体。
【請求項２０】
請求項１９に記載のプログラム格納媒体であって、
前記浮遊電圧電位を決定するためのコードは、第１のＲＦ充電後に初期浮遊電圧電位に最初に到達したデータ点から第２のＲＦ充電前のデータ点までの収集された電圧データを平均化するためのコードを含む、プログラム格納媒体。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】プラズマを自動的に特徴付けるための方法、及び、その方法の少なくとも１つを実行するコンピュータ可読コードを格納するプログラム格納媒体
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
各ＲＦバースト中に収集されたデータに対して非線形適合を適用することによって、プラズマ１０６が特徴付けされてよい。換言すると、プラズマ１０６を特徴付けしえるパラメータ（例えば、イオン飽和、イオン飽和の傾き、電子温度、浮遊電圧電位など）が決定されてよい。プラズマ１０６は、収集されたデータによって特徴付けされてよいが、パラメータを計算するプロセスは、人による介在を必要とする単調な手作業のプロセスである。一例では、各ＲＦバースト後（即ち、ＲＦ充電がなされ、次いでオフにされたとき）に収集されたデータを、ソフトウェア解析プログラムに取り込んでよい。ソフトウェア解析プログラムは、プラズマを特徴付けしえるパラメータを決定するために、非線形適合を実施してよい。プラズマを特徴付けることによって、技術者は、基板の低水準処理を最小限に抑えるためにどのようにレシピを調整すればよいかを決定できると考えられる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
あいにく、各ＲＦバーストについてデータを解析する先行技術の方法は、完了までに数秒の、又は数分もの時間を必要する可能性がある。解析されるべきＲＦバーストは、幾百万まではいかなくても通常幾千はあるので、レシピのためにプラズマを特徴付けるには、計算のために合計で幾時間も費やされると考えられる。ゆえに、先行技術の方法は、プロセス制御目的で時宜に即した関連データを提供するのに効果的な方法ではない。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
本発明は、一実施形態において、基板処理中にプラズマを自動的に特徴付けるための方法に関する。方法は、プロセスデータの集合を収集することを含み、該プロセスデータの集合は、電流及び電圧に関するデータを少なくとも含む。方法は、また、プロセスデータの集合について関連性範囲を特定することも含み、該関連性範囲は、プロセスデータの集合のなかの小集合を含む。方法は、更に、シード値の集合を決定することを含む。方法は、尚も更に、関連性範囲及びシード値の集合を用いて曲線適合を実施することを含み、該曲線適合は、プラズマが自動的に特徴付けされることを可能にする。
（１）本発明の第１の形態は、リアクタチャンバと、前記リアクタチャンバに曝されるプローブとを用いて、基板処理中にプラズマを自動的に特徴付けるための方法であって、
前記プローブを用いて、電流及び電圧に関するデータを少なくとも含むプロセスデータの集合を収集することと、
前記リアクタチャンバに高周波（ＲＦ）バーストを与える各一回の高周波（ＲＦ）充電後に、前記プロセスデータの集合について、前記プロセスデータの集合のなかの小集合を含み前記プラズマの特徴に関連する関連性範囲を特定することと、
傾き、電子温度、イオン飽和値、又は浮遊電圧電位の推定値であるシード値の集合を決定することと、
前記関連性範囲及び前記シード値の集合を用いて、前記プラズマが自動的に特徴付けされることを可能にする曲線適合を実施する、ことと、
を備え、
前記関連性範囲は、
（ｉ）前記プローブを用いて一回の高周波バースト中に取得されたプロセスデータの時間変化のうちの初期データ値から変曲点までの間のデータ値の集合、又は、
（ｉｉ）前記初期値と前記初期データ値から一定のパーセント低いデータ値であるパーセント減衰点までの間のデータ値の集合、
である、方法である。
（２）本発明の第２の形態は、リアクタチャンバと、前記リアクタチャンバに曝されるプローブとを用いて、基板処理中にプラズマを自動的に特徴付けるように構成されたコンピュータ可読コードを盛り込まれたプログラム格納媒体であって、前記コンピュータ可読コードは、コンピュータに、
前記プローブを用いて、電流及び電圧に関するデータを少なくとも含むプロセスデータの集合を収集させるためのコードと、
前記リアクタチャンバに高周波（ＲＦ）バーストを与える各一回の高周波（ＲＦ）充電後に、前記プロセスデータの集合について、前記プロセスデータの集合のなかの小集合を含み前記プラズマの特徴に関連する関連性範囲を特定させるためのコードと、
傾き、電子温度、イオン飽和値、又は浮遊電圧電位の推定値であるシード値の集合を決定させるためのコードと、
前記関連性範囲及び前記シード値の集合を用いて、前記プラズマが自動的に特徴付けされることを可能にする曲線適合を実施させるためのコードと、
を含み、
前記関連性範囲は、
（ｉ）前記プローブを用いて一回の高周波バースト中に取得されたプロセスデータの時間変化のうちの初期データ値から変曲点までの間のデータ値の集合、又は、
（ｉｉ）前記初期値と前記初期データ値から一定のパーセント低いデータ値であるパーセント減衰点までの間のデータ値の集合、
である、プログラム格納媒体である。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
本発明は、以下の適用例としても実現可能である。
［適用例１］
基板処理中にプラズマを自動的に特徴付けるための方法であって、
電流及び電圧に関するデータを少なくとも含むプロセスデータの集合を収集することと、
各高周波（ＲＦ）充電後に前記プロセスデータの集合について、前記プロセスデータの集合のなかの小集合を含む関連性範囲を特定することと、
シード値の集合を決定することと、
前記関連性範囲及び前記シード値の集合を用いて、前記プラズマが自動的に特徴付けされることを可能にする曲線適合を実施する、ことと、
を備える方法。
［適用例２］
適用例１に記載の方法であって、
前記関連性範囲を特定することは、前記プロセスデータの集合の一次微分のピークを計算することを少なくとも含む、方法。
［適用例３］
適用例１に記載の方法であって、
前記関連性範囲を特定することは、初めのデータ値よりも低いレベルを表わすパーセント減衰点を決定することを少なくとも含み、
前記関連性範囲は、前記初めのデータ値と前記パーセント減衰点との間である、方法。
［適用例４］
適用例３に記載の方法であって、
前記関連性範囲を特定することは、更に、変曲点を特定することを含み、
前記関連性範囲は、前記初めのデータ値と前記変曲点との間の範囲によって表わされ、
前記変曲点は、前記パーセント減衰点と第２の減衰点との間の前記電流値の一次微分であり、
前記第２の減衰点は、前記初めのデータ値と前記パーセント減衰点との間である、方法。
［適用例５］
適用例４に記載の方法であって、
前記シード値の集合は、傾き、電子温度、イオン飽和値、及び浮遊電圧電位のうちの少なくとも１つを含む、方法。
［適用例６］
適用例５に記載の方法であって、
前記シード値の集合を決定することは、前記初めのデータ値から前記第２の減衰点までの区間であるイオン飽和区間を決定することを含む、方法。
［適用例７］
適用例６に記載の方法であって、
前記傾きは、前記イオン飽和区間の線形回帰を実施することによって決定される、方法。
［適用例８］
適用例７に記載の方法であって、
前記イオン飽和値は、前記イオン飽和区間内のデータ値を平均化することによって決定される、方法。
［適用例９］
適用例８に記載の方法であって、
前記電子温度は、前記変曲点における収集されたデータの一次微分を求めることによって決定される、方法。
［適用例１０］
適用例９に記載の方法であって、
前記浮遊電圧電位は、初期浮遊電圧電位点から第２のＲＦ充電前のデータ点までの収集された電圧データを平均化することによって決定される、方法。
［適用例１１］
基板処理中にプラズマを自動的に特徴付けるように構成されたコンピュータ可読コードを盛り込まれたプログラム格納媒体を備える製造品であって、
電流及び電圧に関するデータを少なくとも含むプロセスデータの集合を収集するためのコードと、
各高周波（ＲＦ）充電後に前記プロセスデータの集合について、前記プロセスデータの集合のなかの小集合を含む関連性範囲を特定するためのコードと、
シード値の集合を決定するためのコードと、
前記関連性範囲及び前記シード値の集合を用いて、前記プラズマが自動的に特徴付けされることを可能にする曲線適合を実施するためのコードと、
を含む、製造品。
［適用例１２］
適用例１１に記載の製造品であって、
前記関連性範囲を特定するためのコードは、前記プロセスデータの集合の一次微分のピークを計算するためのコードを少なくとも含む、製造品。
［適用例１３］
適用例１１に記載の製造品であって、
前記関連性範囲を特定するためのコードは、初めのデータ値よりも低いレベルを表わすパーセント減衰点を決定するためのコードを少なくとも含み、
前記関連性範囲は、前記初めのデータ値と前記パーセント減衰点との間である、製造品。
［適用例１４］
適用例１３に記載の製造品であって、
前記関連性範囲を特定するためのコードは、更に、変曲点を特定するためのコードを含み、
前記関連性範囲は、前記初めのデータ値と前記変曲点との間の範囲によって表わされ、
前記変曲点は、前記パーセント減衰点と第２の減衰点との間の前記電流値の一次微分であり、
前記第２の減衰点は、前記初めのデータ値と前記パーセント減衰点との間である、製造品。
［適用例１５］
適用例１４に記載の製造品であって、
前記シード値の集合は、傾き、電子温度、イオン飽和値、及び浮遊電圧電位のうちの少なくとも１つを含む、製造品。
［適用例１６］
適用例１５に記載の製造品であって、
前記シード値の集合を決定するためのコードは、前記初めのデータ値から前記第２の減衰点までの区間であるイオン飽和区間を決定するためのコードを含む、製造品。
［適用例１７］
適用例１６に記載の製造品であって、
前記傾きを決定するためのコードは、前記イオン飽和区間の線形回帰を実施するためのコードを含む、製造品。
［適用例１８］
適用例１７に記載の製造品であって、
前記イオン飽和値を決定するためのコードは、前記イオン飽和区間内のデータ値を平均化するためのコードを含む、製造品。
［適用例１９］
適用例１８に記載の製造品であって、
前記電子温度を決定するためのコードは、前記変曲点における収集されたデータの一次微分を求めるためのコードを含む、製造品。
［適用例２０］
適用例１９に記載の製造品であって、
前記浮遊電圧電位を決定するためのコードは、初期浮遊電圧電位点から第２のＲＦ充電前のデータ点までの収集された電圧データを平均化するためのコードを含む、製造品。
上記の概要は、本明細書において開示される発明の多くの実施形態の１つに関するに過ぎず、特許請求の範囲において定められる発明の範囲を限定することを意図しない。本発明のこれらの及びその他の特徴は、発明の詳細な説明において以下の図面との関連のもとで更に詳しく下記に説明される。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
【図４】発明の一実施形態における、基板処理中にプラズマを自動的に特徴付けるための全工程を説明した簡単なフローチャートを示している。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
上記のように、プラズマに関するデータを収集するためにＰＩＦプローブ法が用いられ、リアクタチャンバ環境内に位置決めされてよい。センサ（例えばＰＩＦプローブ）から収集されたデータは、リアクタチャンバ内のプラズマを特徴付けるために用いられてよい。また、センサは、図１に示されるように収集表面を用いるので、チャンバの表面に関するデータも決定されえる。先行技術では、ＰＳＤによって収集されたデータが、解析に利用可能な即座のデータ源を提供する。あいにく、収集されえるデータの甚大な量が、時宜に即したデータの解析を困難にしている。幾千の、又は幾百万ものデータ点が収集されえるので、プラズマを正確に特徴付けるために関連区間を測定する作業は、とりわけデータが大抵は手作業で解析されるゆえに、気の遠くなる作業になるであろう。結果的に、収集されたデータは、時宜に即したプラズマの特徴付けをプラズマ処理システムに提供するのに有用ではなかった。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
しかしながら、もし、プラズマの特徴付けに必要とされる関連のデータ点が、収集されえる幾千／幾百万のデータ点から特定されるならば、プラズマの特徴付けに必要とされる時間は、大幅に短縮されるであろう。発明の実施形態にしたがって、比較的短期間でプラズマを自動的に特徴付けるための方法が提供される。本明細書において説明される発明の実施形態は、プラズマを特徴付けるための解析を必要としえるデータ点を減らすために関連性範囲を特定するためのアルゴリズムを提供する。本明細書において論じられるように、関連性範囲は、各ＲＦバースト間に収集されえる幾千又は幾百万のデータ点のなかの、より小さいデータ点の集合を言う。発明の実施形態は、更に、プラズマを特徴付けるための値を計算する数学モデルに適用されえるシード値を推定することも提供する。関連性範囲に対して曲線適合を実施することによって、プラズマを特徴付けるために利用されえるパラメータが計算されえる。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
図４は、発明の一実施形態における、基板処理中にプラズマを自動的に特徴付けるための工程を説明した簡単なフローチャートを示している。基板処理中にＲＦ充電が提供された状況を考える。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
先行技術では、半導体基板処理中に収集される測定データを解析するために、数時間の時間が充てられることがある。ここで、発明の一態様では、発明者らは、プラズマの特徴付けのために各ＲＦバースト間における測定データを解析する必要はないことに気付いた。その代わりに、もし、データ集合の関連性範囲に対して曲線適合が適用されるならば、プラズマの特徴付けに利用されえるパラメータが決定されるであろう。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
次の工程４０４では、関連性範囲が決定される。上記のように、関連性範囲は、各ＲＦバースト間に収集されたデータ集合のなかの小集合を言う。先行技術では、データは手作業で解析されているので、収集されたデータの甚大な量は、関連性範囲の計算を困難な作業にする。多くの場合、関連性範囲は、視覚的に推定されえる。関連性範囲を特定するにあたっては、データ集合のなかの小集合から、存在しえるノイズが実質的に排除されてよい。一例では、複雑な基板処理中に、プローブ上にポリマが蓄積され、収集されたデータの一部を歪曲させることがある。例えば、影響を受けるデータの一部は、コンデンサが完全に放電された時点で収集されえるデータである傾向がある。関連性範囲を特定するにあたっては、ポリマの蓄積に関連したデータが、解析から取り除かれてよい。換言すると、関連性範囲の決定は、プラズマの特徴付けが不規則ノイズに見舞われることなく行われることを可能にしえる。一例として、関連性範囲がどのように決定されえるかに関しては、下記の図５の考察において論じられる。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
関連性範囲及びシード値によって、次の工程４０８では、非線形適合（例えば曲線適合）が実施されることによって、高価な高性能のコンピュータを必要とすることなく短期間でプラズマが特徴付けされることを可能にしてよい。先行技術と異なり、この方法は、処理のために数分、又は数時間もの時間を必要とする代わりに、一ＲＦバーストに起因する減衰区間からの結果がおよそ２０ミリ秒内に特徴付けされることを可能にする。リアルタイムに近い解析能力によって、この方法は、自動制御システムの一部として適用されて、プラズマ処理中に技術者に関連データを提供しえる。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
先行技術と異なり、プラズマを特徴付けるためにデータ集合全体が解析されるのではなく、その代わりに、関連性範囲が決定される。関連性範囲を決定するために、次の工程５０４では、先ず、パーセント減衰点が決定されてよい。本明細書において論じられるように、パーセント減衰点は、初めの値がその一定のパーセントまで減衰したところのデータ点を言う。一実施形態では、パーセント減衰点は、解析されるべきデータ区間の終わりを表わしてよい。一例において、ＲＦ源がオフに切り換えられたとき、電流値は、約０．８６ｍＡ／ｃｍ2である。値は、図６Ａのグラフ６００上のデータ点６０２によって表わされる。もしパーセント減衰点が、初めの値の１０パーセントに設定されるならば、パーセント減衰点は、データ点６０４にあり、約０．０８６ｍＡ／ｃｍ2である。換言すると、パーセント減衰点は、ＲＦ源がオフに切り換えられシステムが平衡状態に戻っていくときの電荷の値である初めの値の所定のパーセントをとることによって決定されてよい。一実施形態では、パーセントは、経験的に決定される。一実施形態では、データ区間の終わりを決定するためにパーセント減衰点を用いる代わりに、各ＲＦバーストについて収集されたデータの一次微分のピークが計算されてよい。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
イオン飽和区間が決定されたら、次の工程５０８では、傾き（ｓ）及びイオン飽和（ｉ0）が推定されてよい。上記のように、傾き（ｓ）及びイオン飽和（ｉ0）は、プラズマを特徴付けるパラメータを決定するために数学モデル（下記の式２）に適用されえる４つのシード値のうちの２つである。一例では、傾き（ｓ）は、線形回帰を実施することによって決定されてよい。別の実施形態では、アルゴリズムは、データ点６０２と６０６との間のデータ値の平均をとることによってイオン飽和（ｉ0）も決定してよい。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
関連性範囲が決定されシード値が計算されると、次の工程５１６では、図６Ｄのグラフ６８０を作成するために、電流値が電圧値に対してプロットされ曲線適合が適用されてよい。一例では、曲線適合を実施するために、レベンバーグ・マーカード（Levenberg-Marquardt）アルゴリズムが適用されてよい。曲線適合グラフを作成すること、及び下記の式２のような数学モデルにシード値を適用することによって、プラズマを特徴付けるために利用されえる４つのパラメータが決定されえる。
【数２】
2011526415.tif 000001
【表２】
2011526415.tif 000002
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
本発明の１つ又は複数の実施形態からわかるように、プラズマ処理中にプラズマを特徴付けるための自動化された方法が提供される。関連性範囲及びシード値の集合を決定することによって、一ＲＦバースト後に大抵収集される幾千又は幾百万のデータ点を処理する必要なくプラズマの特徴付けが生じえる。自動化されたこの方法は、手作業によるこれまでの単調なプロセスを、迅速に且つ効率良く実施されえる自動的な作業に転換する。データ解析を数分（又は数時間）から数ミリ秒に大幅に短縮されたことによって、プラズマ特徴付けは、製造プロセス後の代わりにプラズマ処理中に実施されえる。したがって、関連性データは、現時点のプラズマ環境を明らかにすることによって、レシピ及び／又はツールの調整を行うこと並びに廃棄を最小限に抑えることを可能にしえる。