(57)【要約】【課題】発光特性及び安定性の優れた有機電界発光素子を提供する。【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される化合物を用いることを特徴とする有機電界発光素子。一般式（Ｉ）2004075673.tif 000038（式中、Ａｒ１は下記一般式（ＩＩ）で表される（ｍ＋ｎ）価の複素環基、ｍおよびｎは１または２の数、Ａｒ２およびＡｒ３は５または６員環の単環または縮合環からなる芳香族炭化水素環基または複素環基を、Ｒ１およびＲ２は水素原子、アルキル基等を、Ｒ３およびＲ４は水素原子、アルキル基等を表す。一般式（ＩＩ）2004075673.tif 000039環Ａと環Ｚは炭素原子２個を共有して縮合した環を表し、環Ｚは芳香族炭化水素環または複素環を表し、環Ａは５員環の複素環を表す。）【選択図】　　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で表される化合物
【化１】
2004075673.tif 000032
〔（式中、Ａｒ１は一般式（ＩＩ）で表される（ｍ＋ｎ）価の複素環基であり、ｍおよびｎは各々独立に１または２である。
Ａｒ２およびＡｒ３は各々独立に、５または６員環の、単環または２〜６縮合環からなる、芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表し、これらは置換基を有していてもよい。
Ｒ１およびＲ２は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換基を有していてもよいエステル基、置換基を有していてもよい非芳香族炭化水素環基、または置換基を有していてもよい非芳香族複素環基を表す。
Ｒ３およびＲ４は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアミノ基、ニトロ基、シアノ基、または置換基を有していてもよいエステル基を表す。）
【化２】
2004075673.tif 000033
（式（ＩＩ）中、環Ａと環Ｚは炭素原子を２個共有して縮合した環を表し、−ＣＲ１＝ＣＲ３−Ａｒ２基および−ＣＲ２＝ＣＲ４−Ａｒ３基は、各々環Ａおよび環Ｚのいずれに結合していてもよい。
環Ｚは置換基を有していてもよい、５または６員環の、単環または２〜６縮合環からなる芳香族炭化水素環または複素環を表す。環Ａは置換基を有していてもよい５員環の複素環を表す。）〕
【請求項２】
一般式（Ｉ）において、Ａｒ１とＡｒ２及びＡｒ１とＡｒ３が何れもトランス配置である、請求項１記載の化合物。
【請求項３】
一般式（Ｉ）において、Ｒ１〜Ｒ４がいずれも水素原子である、請求項１または２記載の化合物。
【請求項４】
一般式（ＩＩ）が下記一般式（ＩＩａ）〜（ＩＩｄ）のいずれかで表される、請求項１から３の何れか一項に記載の化合物。
【化３】
2004075673.tif 000034
〔式（ＩＩａ）中、環Ｚは（ｍ＋ｎ）価の基であって、置換基を有していてもよい５または６員環の、単環または２〜６縮合環からなる、芳香族炭化水素環または複素環であり、ＹはＯ、Ｓ、Ｓｅ又はＮ−Ｒ５を示す。但し、Ｒ５は水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、あるいは置換基を有していてもよい５または６員環の、単環または２〜６縮合環からなる、芳香族炭化水素環基または複素環基を表す。〕
【化４】
2004075673.tif 000035
〔式（ＩＩｂ）中、環Ｚは一般式（ＩＩａ）におけると同義、Ｒ６は一般式（ＩＩａ）におけるＲ５　と同義であり、ＸはＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ｎ−Ｒ７（但し、Ｒ７は一般式（ＩＩａ）におけるＲ５と同義である。）又は−ＣＲ８Ｒ９−（但し、Ｒ８およびＲ９は各々独立に、一般式（ＩＩａ）におけるＲ５と同義である。）を示す。〕
【化５】
2004075673.tif 000036
〔式（ＩＩｃ）中、環Ｚ及びＹは一般式（ＩＩａ）におけると同義であり、Ｒ１０およびＲ１１は各々独立に、一般式（ＩＩａ）におけるＲ５と同義である。〕
【化６】
2004075673.tif 000037
〔式（ＩＩｄ）中、環Ｚ’は｛（ｍ＋ｎ）−２｝価の基であって、置換基を有していてもよい５または６員環の、単環または２〜６縮合環からなる芳香族炭化水素環または複素環であり、Ｙは一般式（ＩＩａ）におけると同義である。〕
【請求項５】
一般式（Ｉ）においてｍ＋ｎ＝２である、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項６】
一般式（Ｉ）において、環Ｚが５または６員環の単環である、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項７】
一対の電極間に、主として有機物からなる層を有する有機電界発光素子であって、該有機物層のうち少なくとも一層が、前記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する、有機電界発光素子。
【請求項８】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物を含む層が発光層である、請求項７記載の有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機電界発光素子（以下、電界発光を「ＥＬ」と略記する場合がある。）の構成材料として有用な化合物、及びこの化合物を材料として使用し優れた発光効率を有する有機ＥＬ素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、蛍光性色素としては種々の構造および発光色の色素が知られているが、高輝度で発光し、更に堅牢性、溶解性などの優れた化合物は未だ多くない。
そうした中、置換ビフェニル又はターフェニル型骨格をもつ化合物が有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）の発光色素として用いられる事は広く知られている。例えば、下記構造式（ＩＩＩａ）で示される化合物を用いて緑色発光が得られることは知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【化７】
2004075673.tif 000002
また、下記構造式（ＩＩＩｂ）および（ＩＩＩｃ）で表される化合物を、有機電界発光素子の発光層に使用することが知られている（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
【化８】
2004075673.tif 000003
【０００５】
【化９】
2004075673.tif 000004
【０００６】
【特許文献１】
特開平５−２２２３６０号公報
【特許文献２】
特開２００１−９７９４９号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記化合物（ＩＩＩａ）および（ＩＩＩｂ）に代表されるビフェニルまたはターフェニル型骨格を有する化合物はピロロピリジン環やベンゾチアジアゾール環に直接フェニル環が置換されており、フェニル環の水素原子とベンゾチアジアゾール環の水素原子の立体障害により分子の平面性が損なわれ、蛍光波長の短波長化が起こるため、黄色〜赤色等より長波長の発光を示す色素に関しては、更に改善が必要であった。
また前記化合物（ＩＩＩｃ）は、エチレン性不飽和二重結合を介して隣接するベンゼン環の間に結合が生じて、化合物が容易に分解する傾向があり、化合物の安定性に欠けるため好ましくない。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、例えば上記化合物におけるベンゾチアジアゾール環に、不飽和二重結合基を介して芳香族炭化水素環または複素環を結合させることにより、上記問題を解決できることを見いだし、本発明に至った。
すなわち、本発明の概要は以下の通りである。
〔１〕下記一般式（Ｉ）で表される化合物
【０００９】
【化１０】
2004075673.tif 000005
〔（式中、Ａｒ１は一般式（ＩＩ）で表される（ｍ＋ｎ）価の複素環基であり、ｍおよびｎは各々独立に１または２である。
【００１０】
Ａｒ２およびＡｒ３は各々独立に、５または６員環の、単環または２〜６縮合環からなる、芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表し、これらは置換基を有していてもよい。
Ｒ１およびＲ２は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換基を有していてもよいエステル基、置換基を有していてもよい非芳香族炭化水素環基、または置換基を有していてもよい非芳香族複素環基を表す。
【００１１】
Ｒ３およびＲ４は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアミノ基、ニトロ基、シアノ基、または置換基を有していてもよいエステル基を表す。）
【００１２】
【化１１】
2004075673.tif 000006
（式（ＩＩ）中、環Ａと環Ｚは炭素原子を２個共有して縮合した環を表し、−ＣＲ１＝ＣＲ３−Ａｒ２基および−ＣＲ２＝ＣＲ４−Ａｒ３基は、各々環Ａおよび環Ｚのいずれに結合していてもよい。
【００１３】
環Ｚは置換基を有していてもよい、５または６員環の、単環又は２〜６縮合環からなる、芳香族炭化水素環または複素環を表す。環Ａは置換基を有していてもよい５員環の複素環を表す。）〕〔２〕一般式（Ｉ）においてＡｒ１とＡｒ２及びＡｒ１とＡｒ３が何れもトランス配置である、前記〔１〕項に記載の化合物。〔３〕一般式（Ｉ）において、Ｒ１〜Ｒ４がいずれも水素原子である、前記〔１〕項または〔２〕項に記載の化合物。
〔４〕一般式（ＩＩ）が下記一般式（ＩＩａ）〜（ＩＩｄ）のいずれかで表される、前記〔１〕項から〔３〕項の何れか一項に記載の化合物。
【００１４】
【化１２】
2004075673.tif 000007
〔式（ＩＩａ）中、環Ｚは（ｍ＋ｎ）価の基であって、置換基を有していてもよい５または６員環の、単環または２〜６縮合環からなる、芳香族炭化水素環または複素環であり、ＹはＯ、Ｓ、Ｓｅ又はＮ−Ｒ５を示す。但し、Ｒ５は水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、あるいは置換基を有していてもよい５または６員環の、単環または２〜６縮合環からなる、芳香族炭化水素環基または複素環基を表す。〕
【００１５】
【化１３】
2004075673.tif 000008
〔式（ＩＩｂ）中、環Ｚは一般式（ＩＩａ）におけると同義、Ｒ６は一般式（ＩＩａ）におけるＲ５　と同義であり、ＸはＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ｎ−Ｒ７（但し、Ｒ７は一般式（ＩＩａ）におけるＲ５と同義である。）又は−ＣＲ８Ｒ９−（但し、Ｒ８およびＲ９は各々独立に、一般式（ＩＩａ）におけるＲ５と同義である。）を示す。〕
【００１６】
【化１４】
2004075673.tif 000009
〔式（ＩＩｃ）中、環Ｚ及びＹは一般式（ＩＩａ）におけると同義であり、Ｒ１０およびＲ１１は各々独立に、一般式（ＩＩａ）におけるＲ５と同義である。〕
【００１７】
【化１５】
2004075673.tif 000010
〔式（ＩＩｄ）中、環Ｚ’は｛（ｍ＋ｎ）−２｝価の基であって、置換基を有していてもよい５または６員環の、単環または２〜６縮合環からなる芳香族炭化水素環または複素環であり、Ｙは一般式（ＩＩａ）におけると同義である。〕〔５〕　一般式（Ｉ）においてｍ＋ｎ＝２である、前記〔１〕項ないし〔４〕項の何れか一項に記載の化合物。
〔６〕　一般式（Ｉ）において、環Ｚが５または６員環の単環である、前記〔１〕項ないし〔５〕項の何れか一項に記載の化合物。
〔７〕　一対の電極間に、主として有機物からなる層を有する有機電界発光素子であって、該有機物層のうち少なくとも一層が、前記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する、有機電界発光素子。
〔８〕　前記一般式（Ｉ）で表される化合物を含む層が発光層である、前記〔７〕項に記載の有機電界発光素子。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の化合物は前記一般式（Ｉ）で示される化合物であって、Ａｒ１とＡｒ２及びＡｒ１とＡｒ３との間に不飽和二重結合を有している化合物であることが特徴である。
一般式（Ｉ）において、Ａｒ１は一般式（ＩＩ）で表される互いに２つの炭素原子を共有する２つの環状構造からなる（ｍ＋ｎ）価の複素環基である。
【００１９】
【化１６】
2004075673.tif 000011
式（ＩＩ）中、環Ａと環Ｚは炭素原子を２個共有して縮合した環を表し、−ＣＲ１＝ＣＲ３−Ａｒ２基および−ＣＲ２＝ＣＲ４−Ａｒ３基は、各々環Ａおよび環Ｚのいずれに結合していてもよい。
【００２０】
環Ｚは置換基を有していてもよい５または６員環の、単環または２〜６縮合環からなる芳香族炭化水素環または複素環を表す。環Ａは置換基を有していてもよい５員環の複素環を表す。
環Ｚが複素環である場合、芳香族環であっても、非芳香族環であってもよい。好ましくは芳香族環である。環Ｚに含有されるヘテロ原子としては特に制限はないが、通常Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｎ、Ｐ、Ｓｉなどの各原子が挙げられる。これらのヘテロ原子は環Ｚ中に１個含まれていてもよく、２個以上含まれていてもよい。２個以上含まれる場合は同じ原子であっても異なる原子であってもよい。
【００２１】
一般式（ＩＩ）中の環Ａは環Ｚと共有する２つの炭素原子とともに、置換基を有していてもよい複素環を表し、複素環を構成するヘテロ原子としては前記環Ｚに含有されるヘテロ原子と同様である。
次に、一般式（Ｉ）のＡｒ１について、さらに好ましい実施態様について説明する。その好ましい実施態様としてのＡｒ１は、一般式（ＩＩａ）〜（ＩＩｄ）のいずれかで表される、互いに２つの炭素原子を共有する２つの環状構造からなる（ｍ＋ｎ）価の複素環基である。
一般式（ＩＩａ）は次のように表される。
【００２２】
【化１７】
2004075673.tif 000012
そして、この一般式（ＩＩａ）中の環Ｚは、（ｍ＋ｎ）価の基であって、置換基を有してもよい５または６員環の、単環または２〜６縮合環からなる、芳香族炭化水素環または複素環を表す。
【００２３】
環Ｚの具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、フルオレン環、ピリジン環、チオフェン環、ピロール環、フラン環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾピロール環、イミダゾール環、キノリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、チアゾール環、ジベンゾチオフェン環等が挙げられる。
【００２４】
また、ＹはＯ、Ｓ、Ｓｅ又はＮ−Ｒ５を示す。但し、Ｒ５は水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよい５または６員環の、単環または２〜６縮合環からなる、芳香族炭化水素環基または複素環基を表す。
アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、ドデシル基、ステアリル基、などの炭素数１〜２０程度の直鎖または分岐のアルキル基が挙げられる。
【００２５】
シクロアルキル基としては、シクロペンタン基、シクロヘキサン基、ジメチルシクロヘキサン基などの炭素数３〜７程度の基が挙げられる。
５または６員環の、単環または２〜６縮合環からなる、芳香族炭化水素環基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基などが挙げられる。
５または６員環の、単環または２〜６縮合環からなる複素環基としては、ピロ−ル基、ピラゾ−ル基、イミダゾ−ル基、トリアゾ−ル基、ピリジン基、ピラジン基、インド−ル基、キノリン基、イソキノリン基、キノキサリン基、カルバゾ−ル基、チアジアゾ−ル基、トリアゾ−ル基、ベンゾオキサゾ−ル基、ベンゾチアゾ−ル基、ベンゾトリアゾ−ル基、ベンゾイミダゾ−ル基、ジベンゾチオフェン基、フェノチアジン基、ピロリジン基、ジオキサン基、モルフォリン基など一価の複素環基が挙げられる。
Ｒ５におけるアルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素環基および複素環基が有しうる置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１〜９のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１０のアルキニル基、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、ピレニル基、チエニル基、アルコキシ基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、エステル基、および−ＳｉＲａＲｂＲｃ基（但しＲａ、ＲｂおよびＲｃは各々独立に、水素原子または炭素数１〜２のアルキル基を表す）等が挙げられる。
好ましい実施態様としてのＡｒ１である一般式（ＩＩｂ）は次式で表される。
【００２６】
【化１８】
2004075673.tif 000013
この式（ＩＩｂ）中、環Ｚは一般式（ＩＩａ）の環Ｚと、Ｒ６は一般式（ＩＩａ）のＲ５と同義であり、ＸはＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ｎ−Ｒ７又は−ＣＲ８Ｒ９−である。ここで、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９は各々独立に、いずれも一般式（ＩＩａ）のＲ５と同義である。
次いでＡｒ１の好ましい実施態様である一般式（ＩＩｃ）は次の通りである。
【００２７】
【化１９】
2004075673.tif 000014
この式（ＩＩｃ）中、環Ｚは一般式（ＩＩａ）の環Ｚと、Ｙは一般式（ＩＩａ）のＹと同義であり、Ｒ１０およびＲ１１は各々独立に、一般式（ＩＩａ）のＲ５と同義である。
さらに、Ａｒ１の好ましい実施態様である一般式（ＩＩｄ）は次の通りである。
【００２８】
【化２０】
2004075673.tif 000015
そして一般式（ＩＩｄ）中、環Ｚ’は｛（ｍ＋ｎ）−２｝価の基であって、置換基を有していてもよい５または６員環の、単環または２〜６縮合環からなる芳香族炭化水素環または複素環であり、Ｙは一般式（ＩＩａ）のＹと同義である。
【００２９】
一般式（ＩＩｄ）は、複素５員環が２つの結合手を有しており、一般式（ＩＩｄ）の結合手の総数は（ｍ＋ｎ）価である。
式（ＩＩ）において、好ましくはｍ＋ｎ＝２である。また、環Ａまたは環Ｚのうちいずれか一方が、すべての結合手を有していることが好ましい。
上記Ａｒ１の代表例としては、つぎのものが挙げられる。
【００３０】
【化２１】
2004075673.tif 000016
【００３１】
【化２２】
2004075673.tif 000017
次に、一般式（Ｉ）中のＡｒ２及びＡｒ３について説明する。一般式（Ｉ）中のＡｒ２およびＡｒ３は各々独立に、５または６員環の、単環または２〜６縮合環からなる、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、これらは置換基を有していてもよい。
【００３２】
ここで芳香族炭化水素環基としては、フェニル基，ナフチル基，アントラニル基，フェナンスリル基，ピレニル基などが挙げられるが、これらの中でも、フェニル基，２−ナフチル基が不飽和二重結合の置換基Ｒ３又はＲ４と、芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基であるＡｒ２またはＡｒ３との立体障害が減少するために好ましい。
【００３３】
一方、芳香族複素環基の例としては、フラン、チオフェン、ピロール、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、１−ベンゾチオフェン、２−ベンゾチオフェン、インドール、イソインドール、インドリジン、カルバゾール、キサンテン、ピリジン、キノリン、イソキノリン、フェナンスリジン、アクリジン、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、イソチアゾール、フラザン、イミダゾール、ピラゾール、ベンゾイミダゾール、１，８−ナフチリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジンなど由来の一価の複素環基が挙げられる。このＡｒ２及びＡｒ３は、たがいに同一であってもよく、異なっていてもよい。
【００３４】
そして、これらＡｒ１〜Ａｒ３　が有していてもよい置換基（但し、Ａｒ１が前記式（ＩＩａ）ないし（ＩＩｄ）のいずれかで表される場合、Ａｒ１についてはＲ５〜Ｒ１１以外に有していてもよい置換基）としては、炭素数１〜９のアルキル基、炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環基、炭素数１〜９のアルコキシ基、炭素数６〜２０のアリールオキシ基、炭素数７〜１８のアラルキルオキシ基、炭素数６〜２０のアリール基で置換されたアミノ基、ニトロ基、シアノ基、炭素数２〜７のエステル基、ハロゲン原子または水酸基などである。
【００３５】
ここで、炭素数１〜９のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基などが挙げられる。
炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環基としては、フェニル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ピレニル基などが挙げられる。
【００３６】
炭素数１〜９のアルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基などが挙げられる。
炭素数６〜２０のアリールオキシ基の例としては、フェノキシ基、ナフチルオキシ基、２−チエニルオキシ基、２−フリルオキシ基などが挙げられる。
【００３７】
炭素数７〜１８のアラルキルオキシ基の例としては、ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基、ナフチルメトキシ基などが挙げられる。
炭素数６〜２０のアリール基で置換されたアミノ基の例としては、ジフェニルアミノ基、ジナフチルアミノ基、ナフチルフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジ（２−チエニル）アミノ基、ジ（２−フリル）アミノ基、フェニル（２−チエニル）アミノ基などが挙げられる。
【００３８】
炭素数２〜７のエステル基の例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基などが挙げられる。
ハロゲン原子の例としては、フッ素原子，塩素原子，臭素原子などが挙げられる。
【００３９】
また、Ａｒ２およびＡｒ３における隣接する置換基同士が結合して、環状構造をなしてもよい。例えばフェノキサチン、フェノキサジン、フェノチアジンなどは、Ａｒ２またはＡｒ３であるベンゼン環に対し、該ベンゼン環が有する置換基同士が結合して形成された
【００４０】
【化２３】
2004075673.tif 000018
等の環構造が、縮合してなる構造である。
次に、一般式（Ｉ）中のＲ１およびＲ２について説明する。
【００４１】
一般式（Ｉ）中のＲ１およびＲ２として具体的には、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜９のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜９のアルコキシ基、アミノ基、置換基を有していてもよい炭素数６〜２０のアリール基で置換されたアミノ基又は置換基を有していてもよい炭素数１〜９のアルキル基で置換されたアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換基を有していてもよい炭素数２〜７のエステル基、置換基を有していてもよい炭素数５〜２０の非芳香族炭化水素環基、置換基を有していてもよい５または６員環の単環または２〜３縮合環である非芳香族複素環基などである。これらの中でも水素原子もしくはアルコキシ基が、不飽和二重結合の置換基であるＲ１又はＲ２と、Ａｒ１との立体障害が減少するために好ましい。
【００４２】
前述のＲ１およびＲ２のうち、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリールアミノ基およびエステル基の具体例としては、Ａｒ１ないしＡｒ３が有しうる置換基として挙げたものと同様の基が挙げられる。
また、炭素数１〜９のアルキル基で置換されたアミノ基の例としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジ（ｎ−プロピル）アミノ基、ジ（ｎ−ペンチル）アミノ基、ジ（１−メチル−１−ブチル）アミノ基、ジ（ｎ−ノニル）アミノ基、メチルエチルアミノ基、メチル−ｎ−プロピルアミノ基、メチルイソプロピルアミノ基等が挙げられる。
非芳香族炭化水素環基の例としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、アダマンチル基、シクロペンテン−１−イル基、シクロペンテン−３−イル基等が挙げられる。
非芳香族複素環基の例としては、ピロリジニル基、ピロリニル基、イミダゾリニル基、ピペリジル基、モルフォリル基、キヌクリジニル基等が挙げられる。
【００４３】
このＲ１およびＲ２は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
一般式（Ｉ）中のＲ３およびＲ４として具体的には、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜９のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜９のアルコキシ基、アミノ基、置換基を有していてもよい炭素数６〜２０のアリール基で置換されたアミノ基又は置換基を有していてもよい炭素数１〜９のアルキル基で置換されたアミノ基、ニトロ基、シアノ基、炭素数２〜７のエステル基などであり、これらの中でも水素原子もしくはアルコキシ基が、不飽和二重結合の置換基であるＲ３又はＲ４と、芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基であるＡｒ２又はＡｒ３との立体障害が減少するために好ましい。
これらの具体例は上記のＲ１およびＲ２と同様である。
【００４４】
このＲ３およびＲ４は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
上記Ｒ１〜Ｒ４として挙げた、アルキル基、アルコキシ基、アリールアミノ基、アルキルアミノ基、エステル基、非芳香族炭化水素基および非芳香属複素環基が有しうる置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１〜９のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１０のアルキニル基、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、ピレニル基、チエニル基、アルコキシ基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、エステル基、および−ＳｉＲａＲｂＲｃ基（但しＲａ、ＲｂおよびＲｃは各々独立に、水素原子または炭素数１〜２のアルキル基を表す）等が挙げられる。
前記一般式（Ｉ）で表わされる有機化合物としては、例えば下記の化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００４５】
【化２４】
2004075673.tif 000019
【００４６】
【化２５】
2004075673.tif 000020
本発明の一般式（Ｉ）で表される化合物の製造方法としては特に制限はなく、様々な方法を用いることができるが、例えば以下に示す方法により、所望の化合物を効率よく製造することができる。
一般式（Ｉ）において、Ａｒ２＝Ａｒ３、ｍ＝ｎ＝１及びＲ１＝Ｒ２＝Ｒ３＝Ｒ４＝Ｈの場合の例について説明すると、一般式（Ｖ）
【００４７】
【化２６】
2004075673.tif 000021
（式中、Ａｒ１は前記式（Ｉ）におけると同義である。）で表されるハロゲン化合物を一般式（ＶＩ）
【００４８】
【化２７】
2004075673.tif 000022
（式中、Ａｒ２は前記式（Ｉ）におけると同義である。）で表される芳香族炭化水素環を有するアルケニル基とカップリングさせることにより、一般式（ＶＩＩ）
【００４９】
【化２８】
2004075673.tif 000023
（式中、Ａｒ１〜Ａｒ３は前記式（Ｉ）におけると同義である。）で表される化合物が効率よく得られる。
このようにして得られた化合物は、高輝度で発光し、更に堅牢性、溶解性などに優れており、色素としても有用である。
【００５０】
次に、本発明の有機電界発光素子について説明する。
本発明の有機電界発光素子において、前記一般式（Ｉ）で表される化合物は、対向する陽極と陰極（一対の電極）の間に存在する有機物層に含まれる。かかる有機物層としては特に限定されないが、後述する如く、発光層、正孔輸送層や電子輸送層等が挙げられる。中でも、上述のように、一般式（Ｉ）で表される化合物の色素としての有用性から、発光層に含まれていることが好ましい。
【００５１】
本発明における有機電界発光素子の層構成としては例えば、下記構造が挙げられる。
基板／陽極／発光層／陰極
基板／陽極／陽極バッファ層／発光層／陰極
基板／陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
基板／陽極／陽極バッファ層／正孔輸送層／発光層／陰極
基板／陽極／発光層／電子輸送層／陰極
基板／陽極／陽極バッファ層／発光層／電子輸送層／陰極
基板／陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
基板／陽極／陽極バッファ層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
基板／陽極／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
基板／陽極／陽極バッファ層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
基板／陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
基板／陽極／陽極バッファ層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
これら有機電界発光素子構造中の各有機層は、単層または２層以上の積層構造であっても良い。また基板が陰極側にある反転構造であっても良い。以降の説明は、該化合物を発光層に含む場合を例に行う。
【００５２】
なお本発明における「有機物層」とは、実質的に有機物からなる層であって、本発明の性能を損わない範囲で無機物を含んでいても良い。
以下に、図面を参照して本発明の有機電界発光素子の構成を詳細に説明する。図１は本発明の有機電界発光素子の、基本的な実施形態を示す模式的な断面図であり、１は基板、２は陽極、４は正孔輸送層、５は発光層、７は電子輸送層、８は陰極を各々表わす。基板１は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板またはフィルムが好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリヤ性が低すぎると、基板を通過する外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板のどちらか片側もしくは両側に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
【００５３】
基板１上には陽極２が設けられるが、陽極２は正孔輸送層４への正孔注入の役割を果たすものである。この陽極は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び／又はスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、或は、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などにより構成される。陽極２の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末などの場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散し、基板１上に塗布することにより陽極２を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は電解重合により直接基板１上に薄膜を形成したり、基板１上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成することもできる（Ａｐｐｌ．　Ｐｈｙｓ．　Ｌｅｔｔ．，　６０　巻，　２７１１頁，　１９９２年）。陽極２は異なる２種以上の物質を積層して形成することも可能である。陽極２の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常、６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが望ましく、この場合、厚みの下限は通常５ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ程度であり、上限は通常１０００ｎｍ、好ましくは５００ｎｍ程度である。不透明でよい場合は陽極２は基板１の厚みと同程度でもよい。また更に、上記の陽極２の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
【００５４】
図１に示す構成の素子において、陽極２の上には正孔輸送層４が設けられる。正孔輸送層４に用いられる正孔輸送性材料としては、陽極からの正孔注入効率が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができることが必要である。そのためには、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、しかも正孔移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが要求される。上記の一般的要求以外に、車載表示用の応用を考えた場合、素子にはさらに耐熱性が要求される。従って、Ｔｇとして７０℃以上の値を有する材料が望ましい。
【００５５】
このような正孔輸送材料としては、例えば、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−　トリルアミノフェニル）シクロヘキサン等の３級芳香族アミンユニットを連結した芳香族ジアミン化合物（特開昭５９−１９４３９３号公報）、４，４’−　ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−　フェニルアミノ］ビフェニルで代表される２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族アミン（特開平５−２３４６８１号公報）、トリフェニルベンゼンの誘導体でスターバースト構造を有する芳香族トリアミン（米国特許第４，９２３，７７４　号明細書）、Ｎ，Ｎ’−　ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）ビフェニル−４，４’−ジアミン等の芳香族ジアミン（米国特許第４，７６４，６２５　号明細書）、α，　α，　α’，α’−テトラメチル−　α，　α’−ビス（４−ジ−ｐ−　トリルアミノフェニル）−ｐ−　キシレン（特開平３−２６９０８４号公報）、分子全体として立体的に非対称なトリフェニルアミン誘導体（特開平４−１２９２７１号公報）、ピレニル基に芳香族ジアミノ基が複数個置換した化合物（特開平４−１７５３９５号公報）、エチレン基で３級芳香族アミンユニットを連結した芳香族ジアミン（特開平４−２６４１８９号公報）、スチリル構造を有する芳香族ジアミン（特開平４−２９０８５１号公報）、チオフェン基で芳香族３級アミンユニットを連結したもの（特開平４−３０４４６６号公報）、スターバースト型芳香族トリアミン（特開平４−３０８６８８号公報）、ベンジルフェニル化合物（特開平４−３６４１５３号公報）、フルオレン基で３級アミンを連結したもの（特開平５−２５４７３　号公報）、トリアミン化合物（特開平５−２３９４５５号公報）、ビスジピリジルアミノビフェニル（特開平５−３２０６３４号公報）、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリフェニルアミン誘導体（特開平６−１９７２号公報）、フェノキサジン構造を有する芳香族ジアミン（特開平７−１３８５６２号公報）、ジアミノフェニルフェナントリジン誘導体（特開平７−２５２４７４号公報）、ヒドラゾン化合物（特開平２−３１１５９１号公報）、シラザン化合物（米国特許第４，９５０，９５０　号明細書）、シラナミン誘導体（特開平６−４９０７９　号公報）、ホスファミン誘導体（特開平６−２５６５９　号公報）、キナクリドン化合物等が挙げられる。これらの化合物は、単独で用いてもよいし、必要に応じて、各々、混合して用いてもよい。
【００５６】
上記の化合物以外に、正孔輸送層４の材料として、ポリビニルカルバゾールやポリシラン（Ａｐｐｌ．　Ｐｈｙｓ．　Ｌｅｔｔ．　，５９巻，２７６０頁，１９９１年）、ポリフォスファゼン（特開平５−３１０９４９号公報）、ポリアミド（特開平５−３１０９４９号公報）、ポリビニルトリフェニルアミン（特開平７−５３９５３　号公報）、トリフェニルアミン骨格を有する高分子（特開平４−１３３０６５号公報）、トリフェニルアミン単位をメチレン基等で連結した高分子（Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ　Ｍｅｔａｌｓ，５５−５７　巻，４１６３頁，１９９３年）、芳香族アミンを含有するポリメタクリレート（Ｊ．　Ｐｏｌｙｍ．　Ｓｃｉ．，　Ｐｏｌｙｍ．　Ｃｈｅｍ．Ｅｄ．　，２１巻，９６９　頁，１９８３年）等の高分子材料が挙げられる。
【００５７】
上記の正孔輸送材料を塗布法或は真空蒸着法により前記陽極２上に積層することにより正孔輸送層４を形成する。塗布法の場合は、正孔輸送材料を１種又は２種以上と、必要により正孔のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤とを添加し、溶解して塗布溶液を調製し、スプレー法、印刷法、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法などの通常のコーティング法や、インクジェット法などにより陽極２上に塗布し、乾燥して正孔輸送層４を形成する。バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔移動度を低下させるので、少ない方が望ましく、通常、５０重量％以下が好ましい。または、フィルム、基板、ロール等の媒体に、前述の薄膜形成方法によってあらかじめ薄膜を形成しておき、媒体上の薄膜を熱転写または圧力転写することにより薄膜形成することも出来る。
【００５８】
真空蒸着法の場合には、正孔輸送材料を真空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度にまで排気した後、ルツボを加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、ルツボと向き合って置かれた基板１上の陽極２上に正孔輸送層４を形成させる。正孔輸送層４の膜厚の下限は通常１０ｎｍ、好ましくは３０ｎｍ程度であり、上限は通常３００ｎｍ、好ましくは１００ｎｍ程度である。この様に薄い膜を一様に形成するためには、一般に真空蒸着法がよく用いられる。
【００５９】
図１に示す素子において、正孔輸送層４の上には発光層５が設けられる。発光層５は、好ましくは前記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有するが、実質的に該化合物のみからなる層であってもよいし、前述の正孔輸送層４または後述の電子輸送層７の材料として挙げた各種電荷輸送性材料、或いは公知の電荷輸送性材料から選択した材料をホスト材料とし、このホスト材料に対して、前記一般式（Ｉ）で表される化合物をドープすることにより形成された層であってもよい。好ましくは、前記一般式（Ｉ）で表される化合物を、ホスト材料に対してドープすることにより形成された層である。
【００６０】
ホスト材料としては、正孔輸送層４または電子輸送層７の材料と同一の材料を使用しても良く、両層のいずれとも異なる材料を使用しても良い。また、発光層５中のホスト材料は１種類でもよいが、複数種併用しても良い。さらに、該ホスト材料は、低分子材料・高分子材料のいずれであってもよく、両者を併用してもよい。
なお、高分子材料を使用する場合は、例えば正孔輸送層４材料の例として挙げたような正孔輸送性の高分子材料と、さらに電子輸送性化合物を含有しても良い。
【００６１】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物は、発光層５中に１種類のみ含まれていてもよく、複数種含まれていてもよい。
また、本発明の性能を損なわない限り、他の蛍光色素などを併用しても良い。併用しても良い他の蛍光色素としては、例えば、ペリレン系化合物誘導体、ピレン系化合物誘導体、アントラセン系化合物誘導体、クマリン系化合物誘導体、キナクリドン系化合物誘導体、ナフタル酸系化合物誘導体等が挙げられる。
【００６２】
なお、本発明の化合物は、特開２０００−１６４３６２号公報に記載されている如く、他のドーパントの発光を助ける励起エネルギー移動用のドーパントとして用いることもできる。
前記一般式（Ｉ）で表される化合物がドープされる領域は、発光層５の、層全体であってもその一部分であってもよく、各層の膜厚方向において均一にドープされても、膜厚方向において濃度分布があっても構わない。なお、前記一般式（Ｉ）で表される化合物のドープされる量は、ホスト材料に対して１０−３重量％以上が好ましく、０．１重量％以上であればなお好ましい。また２０重量％以下が好ましく、１０重量％以下であればより好ましい。
【００６３】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物の発光層へのドープは、前述した正孔輸送層４の形成方法と同様に、塗布法あるいは真空蒸着法等にて行われる該層形成時に行われる。
塗布法の場合は、例えばホスト材料と、前記一般式（Ｉ）で表される化合物、さらに必要により、電子のトラップや発光の消光剤とならないバインダー樹脂や、レベリング剤等の塗布性改良剤などの添加剤を添加し溶解した塗布溶液を調製し、スプレー法、印刷法、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法などの通常のコーティング法や、インクジェット法等により正孔輸送層４上に塗布し、乾燥して発光層５を薄膜形成することができる。
【００６４】
また、前記一般式（Ｉ）で表される化合物と、前記正孔輸送性高分子材料と、電子輸送材料を１種または２種以上と、必要により電子のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤とを添加し、溶解して塗布溶液を調製し、同様に発光層を形成することもできる。
バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔／電子移動度を低下させるので、少ない方が望ましく、５０重量％以下が好ましい。または、フィルム、基板、ロール等の媒体に、前述の薄膜形成方法によってあらかじめ薄膜を形成しておき、媒体上の薄膜を熱転写または圧力転写することにより薄膜形成することも出来る。
【００６５】
真空蒸着法の場合には、例えば、ホスト材料となる電子輸送性材料を真空容器内に設置されたルツボに入れ、前記一般式（Ｉ）で表される化合物を別のルツボに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度にまで排気した後、各々のルツボを同時に加熱して蒸発させ、ルツボと向き合って置かれた基板上に層を形成する。また、他の方法として、上記の材料を予め所定比で混合したものを同一のルツボを用いて蒸発させてもよい。正孔輸送性材料にドープする場合も、同様に行う。
【００６６】
これらの層形成方法のうち、通常は真空蒸着法が用いられる。
発光層５の膜厚は、下限は１ｎｍ、好ましくは５ｎｍであり、上限は３００ｎｍ、好ましくは１００ｎｍである。
発光層５上には、電子輸送層７が形成される。電子輸送層７に用いられる電子輸送性材料としては、陰極８からの電子注入効率が高く、かつ、注入された電子を正孔輸送層４の方向に効率よく輸送することができる化合物であることが必要である。そのためには、電子親和力が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性に優れトラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくい材料であることが要求される。
【００６７】
このような条件を満たす材料としては、テトラフェニルブタジエンなどの芳香族化合物（特開昭５７−５１７８１号公報）、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−　ヒドロキシベンゾ［ｈ］　キノリンの金属錯体（特開平６−３２２３６２号公報）、混合配位子アルミニウムキレート錯体（特開平５−１９８３７７号公報、特開平５−１９８３７８号公報、特開平５−２１４３３２号公報、特開平６−１７２７５１号公報）、シクロペンタジエン誘導体（特開平２−２８９６７５号公報）、ペリノン誘導体（特開平２−２８９６７６号公報）、オキサジアゾール誘導体（特開平２−２１６７９１号公報）、ビススチリルベンゼン誘導体（特開平１−２４５０８７号公報、同２−２２２４８４号公報）、ペリレン誘導体（特開平２−１８９８９０号公報、同３−７９１号公報）、クマリン化合物（特開平２−１９１６９４号公報、同３−　７９２号公報）、希土類錯体（特開平１−２５６５８４号公報）、ジスチリルピラジン誘導体（特開平２−２５２７９３号公報）、ｐ−フェニレン化合物（特開平３−３３１８３号公報）、チアジアゾロピリジン誘導体（特開平３−　３７２９２号公報）、ピロロピリジン誘導体（特開平３−３７２９３号公報）、ナフチリジン誘導体（特開平３−２０３９８２号公報）、シロール誘導体（日本化学会第７０春季年会，２Ｄ１　０２及び２Ｄ１　０３，１９９６年）などが挙げられる。
【００６８】
電子輸送層７の膜厚は、下限は、通常１０ｎｍ、好ましくは３０ｎｍであり、上限は、通常２００ｎｍ、好ましくは１００ｎｍである。電子輸送層も正孔輸送層と同様の方法で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用いられる。
陰極８は、電子輸送層７に電子を注入する役割を果たす。陰極８として用いられる材料は、前記陽極２に使用される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金が用いられる。陰極７の膜厚は通常、陽極２と同様である。低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、この上にさらに、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層することは素子の安定性を増すため好ましい。この目的のために、アルミニウム、銀、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。
【００６９】
図１の構成の素子では、正孔輸送層４は陽極２から正孔を受けとる（正孔注入）機能と、受けとった正孔を発光層５の方へ運ぶ（正孔輸送）機能を果たしており、電子輸送層７は、陰極８から電子を受け取る（電子注入）機能、陰極８から受け取った電子を発光層５へ運ぶ（電子輸送）機能、及び発光層５から陰極８に正孔が到達するのを阻止する（正孔阻止）機能をも果たしている。しかし本発明の素子の、更なる発光特性や駆動安定性の向上のために、例えば図２に示す様に、電子輸送層７と発光層５の間に正孔阻止層６を設けたり、図２および図３に示す様に陽極２と正孔輸送層４の間に陽極バッファ層３を設けるなど、機能毎に層を分ける構造、すなわち機能分離型の素子にすることも可能である。
【００７０】
図２に示すように、電子輸送層７と発光層５の間に正孔阻止層６を設けることにより、正孔が発光層内で再結合することなく陰極に到達することによる、発光効率の低下が抑制され、素子の発光効率をさらに向上させることが可能である。この正孔阻止層６に用いられる材料には、電子の輸送能力が大きく、正孔の輸送能力が小さいことが要求される。この様な材料としては、シラノールアルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯体（特開平１１−４０３６７号公報）、トリス（５，７−ジクロル−８−ヒドロキシキノリノ）アルミニウム（特開平２−１９５６８３号公報）、シラシクロペンタジエン（特開平９−８７６１６号公報）、１，２，４−トリアゾール誘導体（特開平７−４１７５９号公報）等が挙げられる。正孔阻止層６の膜厚は、下限は、通常５ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ、上限は、通常２００ｎｍ、好ましくは１００ｎｍである。
【００７１】
さらに、陽極２と正孔輸送層４のコンタクトを向上させるために、図２または図３に示す様に、陽極バッファ層３を設けることが考えられる。陽極バッファ層に用いられる材料に要求される条件としては、陽極とのコンタクトがよく均一な薄膜が形成でき、熱的に安定、すなわち、融点及びガラス転移温度が高く、融点としては　３００℃以上、ガラス転移温度としては　１００℃以上が好ましい。さらに、イオン化ポテンシャルが低く陽極からの正孔注入が容易なこと、正孔移動度が大きいことが挙げられる。
【００７２】
この目的のために、これまでに銅フタロシアニン等のフタロシアニン化合物（特開昭６３−２９５６９５号公報）、ポリアニリン（Ａｐｐｌ．　Ｐｈｙｓ．　Ｌｅｔｔ．，　６４巻、１２４５頁，１９９４年）、ポリチオフェン（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，　９巻、１２５頁、１９９８年）等の有機化合物や、スパッタ・カーボン膜（Ｓｙｎｔｈ．　Ｍｅｔ．，　９１巻、７３頁、１９９７年）や、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、モリブデン酸化物等の金属酸化物（Ｊ．Ｐｈｙｓ．　Ｄ，　２９巻、２７５０頁、１９９６年）が報告されている。
【００７３】
また、正孔注入・輸送性の低分子有機化合物と電子受容性化合物を含有する層（特開平１１−２５１０６７号公報、特開２０００−１５９２２１号公報等に記載）や、芳香族アミノ基等を有する非共役系高分子化合物に、必要に応じて電子受容性化合物をドープしてなる層（特開平１１−１３５２６２号公報、特開平１１−２８３７５０号公報、特開２０００−３６３９０号公報、特開２０００−１５０１６８号公報、特開２００１−２２３０８４号公報、ＷＯ９７／３３１９３号公報など）またはポリチオフェン等の導電性ポリマーを含む層（特開平１０−９２５８４号公報）なども挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００７４】
陽極バッファ層３も、正孔輸送層４などと同様にして薄膜形成可能であるが、無機物の場合には、さらに、スパッタ法や抵抗加熱蒸着法（真空蒸着法）、電子ビーム蒸着法、プラズマＣＶＤ法が用いられる。
高分子化合物を用いる場合は、例えば、前記高分子化合物や電子受容性化合物、さらに必要により、正孔のトラップとならない、バインダー樹脂やレベリング剤等の塗布性改良剤などの添加剤を添加し溶解した塗布溶液を調製し、スプレー法、印刷法、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法などの通常のコーティング法や、インクジェット法等により陽極２上に塗布し、乾燥することにより陽極バッファー層３を薄膜形成することができる。バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は該層中の含有量が多いと正孔／電子移動度を低下させる虞があるので、少ない方が望ましく、５０重量％以下が好ましい。
【００７５】
また、フィルム、支持基板、ロール等の媒体に、前述の薄膜形成方法によってあらかじめ薄膜を形成しておき、媒体上の薄膜を、陽極２上に熱転写または圧力転写することにより、薄膜形成することも出来る。
以上の様にして形成される陽極バッファー層３の、膜厚の下限は通常５ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ程度であり、上限は通常１０００ｎｍ、好ましくは５００ｎｍ程度である。
【００７６】
図１〜図３は、本発明で採用される素子構造の一例を示すものであって、本発明は何ら図示のものに限定されるものではない。例えば、図１とは逆の構造、すなわち、基板上に陰極８、電子輸送層７、発光層５、正孔輸送層４、陽極２の順に積層することも可能であり、既述したように少なくとも一方が透明性の高い２枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子を設けることも可能である。同様に、図２および図３に示した前記各層構成とは逆の構造に積層することも可能である。さらに、本発明の性能を損なわない範囲で、上述した各層の間に任意の層を有していてもよい。
【００７７】
本発明は、有機電界発光素子が、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用することができる。
【００７８】
【実施例】
次に、本発明を実施例及び比較例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
実施例１（化合物Ｉ−１の合成）
窒素雰囲気下、酢酸パラジウム（５６ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）及びｏ−トリルホスフィン（１５１ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）をトリエチルアミン（８ｍＬ）に溶解させた後、ジブロモベンゾチアジアゾ−ル（８８２ｍｇ、３ｍｍｏｌ）、スチレン（１０６０ｍｇ、１０．２ｍｍｏｌ）を加えて８時間還流した。反応生成物を１０％塩酸中に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水で洗い硫酸マグネシウムで乾燥後減圧下に溶媒を留去した。残差をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、橙色固体（５１２ｍｇ、収率５０％）を得た。
【００７９】
この化合物に関するＮＭＲスペクトルの測定結果は以下の通りである。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３（δ＝　ｐｐｍ））：　７．３２（ｄ，　２Ｈ，　Ｊ　＝　７．０　Ｈｚ），　７．３８−７．４３（４Ｈ，　ｍ），　７．６２−７．７０（８Ｈ，　ｍ），　８．００（ｄ，　２Ｈ，　Ｊ　＝　１６．１　Ｈｚ）
実施例２（化合物Ｉ−２の合成）
窒素雰囲気下、酢酸パラジウム（５６ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）、ｏ−トリルホスフィン（１５１ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）をトリエチルアミン（８ｍＬ）に溶解させた後、ジブロモベンゾチアジアゾ−ル（８８２ｍｇ、３ｍｍｏｌ）、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルスチレン（１６３０ｍｇ、１０．２ｍｍｏｌ）を加えて４時間還流した。反応生成物を１０％塩酸中に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水で洗い硫酸マグネシウムで乾燥後減圧下に溶媒を留去した。残差をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、橙色固体（３１４ｍｇ、収率２３％）を得た。
【００８０】
この化合物に関するＮＭＲスペクトルの測定結果は以下の通りである。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３（δ＝　ｐｐｍ））：　１．３６（ｓ，　１８Ｈ），　７．４３（ｄ，　４Ｈ，　Ｊ　＝　８．６　Ｈｚ），　７．６０（ｄ，　４Ｈ，　Ｊ　＝　８．６　Ｈｚ），　７．６２（ｄ，　２Ｈ，　Ｊ　＝　１６．５　Ｈｚ），　７．６８（ｓ，　２Ｈ），　７．９７（ｄ，　２Ｈ，　Ｊ　＝　１６．５　Ｈｚ）
【００８１】
実施例３
図２に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を　１２０ｎｍ堆積したもの（ジオマテック社製；電子ビーム成膜品；シート抵抗１５Ω／□）を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて　２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極を形成した。パターン形成したＩＴＯ基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行って、真空蒸着装置内に設置した。上記装置の粗排気を油回転ポンプにより行った後、装置内の真空度が２　×　１０−６　Ｔｏｒｒ（約２．７　×　１０−４　Ｐａ）以下になるまで液体窒素トラップを備えた油拡散ポンプを用いて排気した。
陽極バッファー層３の材料として、下記に示す構造式で表される銅フタロシアニン
【００８２】
【化２９】
2004075673.tif 000024
をモリプデンポートを用いて、蒸着速度０．１６ｎｍ／秒、真空度１．３×１０−６Ｔｏｒｒ（約１．７×１０−４Ｐａ）で、１０ｎｍの膜厚で陽極２の上に成膜した。上記装置内に配置されたセラミックルツボに入れた、下記構造式（Ｈ１）で表される芳香族アミン化合物を、
【００８３】
【化３０】
2004075673.tif 000025
ルツボの周囲のＴａ線ヒーターで加熱して真空容器内で蒸発させた。ルツボの温度は２４０　〜　２６０　℃の範囲で、蒸発時の真空度は１．８　×　１０−６　Ｔｏｒｒ（約２．４　×　１０−４　Ｐａ）、蒸着速度は０．１　〜　０．２　ｎｍ　／秒であった。このようにして、膜厚６０ｎｍの正孔輸送層４を蒸着した。引続き、発光層５の材料として、以下の構造式（Ｅ１）に示すアルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯体
【００８４】
【化３１】
2004075673.tif 000026
及びドープする化合物として下記化合物（Ｄ１）（例示化合物Ｉ−１）
【００８５】
【化３２】
2004075673.tif 000027
を、各々、別々のルツボを用いて、同時に加熱して蒸着を行った。この時の各ルツボの温度は、アルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯体に対しては　２８０　〜　２９０　℃の範囲、化合物（Ｄ１）に対しては１５３℃で制御した。蒸着時の真空度は１．３　×　１０−６　Ｔｏｒｒ（約１．７　×　１０−４　Ｐａ）、アルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯体の蒸着速度は０．１５　〜　０．１９　ｎｍ／秒であった。結果として、膜厚３０ｎｍで化合物（Ｄ１）が錯体（Ｅ１）に対して１．０重量％ドープされた発光層５が得られた。さらに、化合物（Ｄ１）の加熱を停止し、アルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯体のみを　２８０　〜　２９０　℃の範囲で温度制御し、膜厚４５ｎｍの電子輸送層６を蒸着した。このときの真空度は１．３　×　１０−６　Ｔｏｒｒ（約１．７　×　１０−４　Ｐａ）、蒸着速度は０．１５　〜　０．２０　ｎｍ／秒であった。
【００８６】
ここで、電子輸送層６までの蒸着を行った素子を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして　２ｍｍ幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極のＩＴＯストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して有機層と同様にして装置内の真空度が２　×　１０−６　Ｔｏｒｒ（約２．７　×　１０−４　Ｐａ）以下になるまで排気した。陰極として、まずフッ化リチウム（ＬｉＦ）をモリブデンボートを用いて、蒸着速度０．０８　ｎｍ／秒、真空度３．０×１０−６Ｔｏｒｒ（約４．０×１０−４Ｐａ）で、０．５　ｎｍの膜厚で電子輸送層の上に成膜した。次に、アルミニウムを同様にモリブデンボートを用いて加熱し、蒸着速度０．５　ｎｍ／秒、真空度６．０×１０−６Ｔｏｒｒ（約８×１０−４Ｐａ）で、８０　ｎｍの膜厚でフッ化リチウムの上に成膜した。
【００８７】
以上の様にして、２ｍｍ　×２ｍｍ　のサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素子の発光特性を表−１及び表−２に示す。表−１において、発光輝度は２５０ｍＡ／ｃｍ２　の電流密度での値、発光効率は　１００ｃｄ／ｍ２での値、輝度／電流は輝度−電流密度特性の傾きを、駆動電圧は　１００ｃｄ／ｍ２での値を各々示す。また、安定性評価として、作製した素子に大気中２５℃で電流密度が２５０ｍＡ／ｃｍ２　となる定電流を３０秒間通電し、通電前後での素子の発光輝度を測定した。測定結果を表−３に示す。表−３において、通電による輝度低下の割合は、通電終了時の発光輝度を通電開始時の発光輝度で除した値を百分率で示したものである。この素子は、黄色の一様な発光を示し、連続通電による発光輝度の低下がほとんど無い安定した発光特性をもたらすことが示された。
【００８８】
実施例４
ドープする化合物として化合物（Ｄ１）の代わりに、下記化合物（Ｄ２）（例示化合物Ｉ−２）を用いた以外は実施例３と同様にして有機電界発光素子を作成した。この素子の発光特性を表−１及び表−２に、安定性評価結果を表−３に示す。この素子は、高い効率で黄色の一様な発光を示し、連続通電による発光輝度の低下がほとんど無い安定した発光特性をもたらすことが示された。
【００８９】
【化３３】
2004075673.tif 000028
【００９０】
【表１】
2004075673.tif 000029
【００９１】
【表２】
2004075673.tif 000030
【００９２】
【表３】
2004075673.tif 000031
【００９３】
【発明の効果】
以上記述した通り、本発明によれば、特定の複素環基に不飽和二重結合基を介して芳香族炭化水素環または複素環を直接結合させることにより、分子の平面性を損なわずに、蛍光波長の短波長化を防ぎ、より長波長の発光を示す色素を得ることが出来、これらの化合物を含有させることにより、発光特性および安定性が向上した有機電界発光素子を得ることが出来る。従って、本発明による有機電界発光素子はフルカラー表示可能なフラットパネル・ディスプレイ（例えばＯＡコンピュータ用や壁掛けテレビ）、発光スペクトルが可視長波長領域にわたる面発光体としての特徴を生かした光源（例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源、計器類の表示光源）、その他表示板、標識灯への応用が考えられ、その技術的価値は大きいものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】有機電界発光素子の実施の形態の一例を示した模式断面図である。
【図２】有機電界発光素子の実施の形態の別の例を示した模式断面図である。
【図３】有機電界発光素子の実施の形態の別の例を示した模式断面図である。
【符号の説明】
１　　基板
２　　　　陽極
３　　　　陽極バッファ層
４　　　　正孔輸送層
５　　　　発光層
６　　　　正孔阻止層
７　　　　電子輸送層
８　　陰極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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