(57)【要約】【課題】レーザ装置が備えるレーザ光源の温度変化によって、レーザ光源の発光量およびレーザ装置が出力する信号が変化しないレーザ装置を提供する。【解決手段】レーザ装置１が温度検出手段４を備えることによって、レーザ光源２の温度を検出する。温度検出手段４によって検出された検出温度に従って、制御手段７がレーザ駆動電流供給回路体５および再生処理手段６を制御し、レーザ光源２の発光量を一定にし、レーザ装置１が備える受光素子８から再生処理手段６への信号に、受光素子８の温度変化による影響を与えないようにする。温度検出手段４が温度を検出するにあたっては温度検出素子を、たとえば抵抗素子として達成してもよいし、ダイオードとして達成してもよいし、トランジスタとして達成してもよい。【選択図】　　　図１
2004103954.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光記録媒体に記録される情報の再生および光記録媒体への情報の記録のうち少なくともいずれか一方をするためのレーザ光を発生するレーザ光源と、
レーザ光源の温度を検出するための温度検出手段と、
温度検出手段によって検出される検出温度に基づいて、レーザ光源を制御する制御手段とを含むことを特徴とするレーザ装置。
【請求項２】
レーザ光源から発生されるレーザ光は、光記録媒体に記録される情報の再生をするためのレーザ光であって、
光記録媒体に記録される情報の再生をするために、光記録媒体からの反射光を受光するための受光素子をさらに含み、
温度検出手段は、予め定める温度特性を有する温度検出素子を有し、
少なくとも温度検出素子と受光素子とが一体の集積回路体に設けられることを特徴とする請求項１記載のレーザ装置。
【請求項３】
レーザ光源から発生されるレーザ光は、光記録媒体に記録される情報の再生をするためのレーザ光であって、
光記録媒体に記録される情報の再生をするために、光記録媒体からの反射光を受光するための受光素子をさらに含み、
制御手段は、温度検出手段によって検出される検出温度に基づいて、受光素子によって受光される反射光を用いて情報を再生する再生処理手段を制御することを特徴とする請求項１記載のレーザ装置。
【請求項４】
温度検出素子は、抵抗素子であることを特徴とする請求項２または請求項３記載のレーザ装置。
【請求項５】
温度検出素子は抵抗素子であり、抵抗素子の一方の端子は、集積回路体内で一定の電位が与えられることを特徴とする請求項２または請求項３記載のレーザ装置。
【請求項６】
温度検出素子は、ダイオードであることを特徴とする請求項２または請求項３記載のレーザ装置。
【請求項７】
温度検出素子はダイオードであり、ダイオードの一方の端子は、集積回路体内で一定の電位が与えられることを特徴とする請求項２または請求項３記載のレーザ装置。
【請求項８】
温度検出手段は、温度特性が相互に異なる２つの抵抗素子を有し、各抵抗素子は、相互に異なる電位が与えられる部位間に直列に接続されることを特徴とする請求項２または請求項３記載のレーザ装置。
【請求項９】
温度検出手段は、情報の再生用の前記受光素子とは異なる受光素子と抵抗素子とを有し、これら受光素子と抵抗素子とは、相互に異なる電位が与えられる部位間に直列に接続されることを特徴とする請求項２または請求項３記載のレーザ装置。
【請求項１０】
温度検出手段は、
接地電位が与えられる接地部位および正の定電位が与えられる定電位部位間に、直列に接続され、相互に同一の温度特性を有する第１〜第３抵抗素子と、
最も定電位部位寄りの第１抵抗素子および中央の第２抵抗素子間の部位にベースが接続され、定電位部位にコレクタが接続されるＮＰＮ形の第１トランジスタと、
第２抵抗素子および最も接地部位寄りの第３抵抗素子間の部位にベースが接続されるＮＰＮ形の第２トランジスタと、
定電位部位および第２トランジスタのコレクタ間に接続され、第１〜第３抵抗素子と同一の温度特性を有する第４抵抗素子と、
第１および第２トランジスタのエミッタにコレクタが共通に接続され、エミッタが接地部位に接続されるＮＰＮ形の第３トランジスタと、
第３トランジスタのベースに、ベースおよびコレクタが接続され、エミッタが接地部位に接続されるＮＰＮ形の第４トランジスタと、
定電位部位および第４トランジスタのコレクタ間に接続され、第１〜第４抵抗素子と同一の温度特性を有する第５抵抗素子とを有することを特徴とする請求項２または請求項３記載のレーザ装置。
【請求項１１】
少なくとも光記録媒体に記録される情報の再生をするためのレーザ光を発生するレーザ光源と、光記録媒体に記録される情報の再生をするために、光記録媒体からの反射光を受光するための受光素子と、レーザ光源の温度を検出するための温度検出手段と、温度検出手段によって検出される検出温度に基づいて、レーザ光源を制御する光源制御および受光素子によって受光される反射光を用いて情報を再生する再生処理手段を制御する再生制御の少なくともいずれか一方をする制御手段とを含むレーザ装置のための集積回路体であって、
前記受光素子と温度検出手段とが一体に設けられることを特徴とする集積回路体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体に記録される情報の再生および光記録媒体への情報の記録のうち少なくともいずれか一方をするためのレーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１１は従来の技術のレーザ装置５０の主要構成を示すブロック図である。レーザ装置５０は、光記録媒体に記録される情報の再生および光記録媒体への情報の記録うち少なくともいずれか一方をする装置である。レーザ装置５０はレーザ駆動電流供給回路体５１に電気的に接続される。またレーザ装置５０は情報再生装置５２に電気的に接続される。レーザ装置５０は、レーザ光源５３および光集積回路体５４を含んで構成される。光集積回路体５４は、受光素子５５および増幅回路体５６を含んで構成される。
【０００３】
レーザ駆動電流供給回路体５１はレーザ光源５３へレーザ光５７を発するための電流を供給する。レーザ光源５３は、レーザ駆動電流供給回路体５１から供給される電流に応じた発光量を有すレーザ光５７を光記録媒体へ発し、光記録媒体に記録される情報の再生または光記録媒体への情報の記録をする。光記録媒体に記録される情報を再生する場合、レーザ光５７が光記録媒体で反射し、その反射光を受光素子５５が受光する。受光素子５５は反射光の情報に応じた電気信号を増幅回路体５６へ送る。増幅回路体５６は受光素子５５からの電気信号を増幅し、情報再生装置５２へ送る。情報再生装置５２は、光記録媒体に記録される情報を再生する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来の技術のレーザ装置５０では、レーザ光源５３の発光量は、レーザ駆動電流供給回路体５１からレーザ光源へ供給される電流によって制御される。レーザ光源の連続発光およびレーザ光源５３の発光量の変化などによって、レーザ光源５３の温度は変化する。レーザ光源５３の温度が変化すると、レーザ光源５３の発光量が変化する。レーザ光源５３の発光量が変化した場合、発光量が一定である場合より、光記録媒体に記録される情報の再生および光記録媒体への情報の記録の精度が低下し、情報の欠落などが発生するおそれがある。
【０００５】
また、従来の技術のレーザ装置５０はレーザ光源５３の温度の変化により、レーザ装置５０の光集積回路体５４の温度が変化する。光集積回路体５４の温度が変化した場合、温度の変化がない場合より、情報再生装置５２へ送る電気信号が変化し再生する情報の欠落などが発生するおそれがある。
【０００６】
したがって本発明の目的は、レーザ光源の温度が変化しても、一定の精度で情報を再生することができるとともに、情報を記録することができるレーザ装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、光記録媒体に記録される情報の再生および光記録媒体への情報の記録のうち少なくともいずれか一方をするためのレーザ光を発生するレーザ光源と、
レーザ光源の温度を検出するための温度検出手段と、
温度検出手段によって検出される検出温度に基づいて、レーザ光源を制御する制御手段とを含むことを特徴とするレーザ装置である。
【０００８】
本発明に従えば、レーザ光源は、光記録媒体に記録される情報の再生および光記録媒体への情報の記録うち少なくともいずれか一方をするためのレーザ光を発生することができる。このレーザ光源の温度が温度検出手段によって検出され、検出された検出温度に基づいて、制御手段によってレーザ光源が制御され、発光量を一定にすることができる。
【０００９】
また本発明は、レーザ光源から発生されるレーザ光は、光記録媒体に記録される情報の再生をするためのレーザ光であって、
光記録媒体に記録される情報の再生をするために、光記録媒体からの反射光を受光するための受光素子をさらに含み、
温度検出手段は、予め定める温度特性を有する温度検出素子を有し、
少なくとも温度検出素子と受光素子とが一体の集積回路体に設けられることを特徴とする。
【００１０】
本発明に従えば、受光素子は光記録媒体に記録される情報を再生するために用いられ、レーザ光源が光記録媒体へレーザ光を入射し、入射されたレーザ光である入射光が光記録媒体にて反射し、反射したレーザ光である反射光を受光素子が受光する。温度検出手段は予め定める温度特性を有する温度検出素子を有し、レーザ装置は少なくとも温度検出素子と受光素子とが一体の集積回路体に設けられる。このように一体の集積回路体に設けられるので、レーザ装置を構成する部品の数を減らすことができる。このため、レーザ装置をより小形にすることができる。
【００１１】
また本発明は、レーザ光源から発生されるレーザ光は、光記録媒体に記録される情報の再生をするためのレーザ光であって、
光記録媒体に記録される情報の再生をするために、光記録媒体からの反射光を受光するための受光素子をさらに含み、
制御手段は、温度検出手段によって検出される検出温度に基づいて、受光素子によって受光される反射光を用いて情報を再生する再生処理手段を制御することを特徴とする。
【００１２】
本発明に従えば、レーザ光源は光記録媒体へレーザ光を入射し、入射されたレーザ光である入射光は光記録媒体にて反射し、反射したレーザ光である反射光を受光素子が受光する。温度検出手段がレーザ光源の温度を検出し、検出された検出温度に基づいて、受光素子が受光した反射光によって情報を再生する再生処理手段を制御手段が制御する。これによって、レーザ光源の温度の変化による影響を再生処理手段へ与えないようにすることができる。
【００１３】
また本発明は、温度検出素子は、抵抗素子であることを特徴とする。
本発明に従えば、温度検出素子は抵抗素子であり、抵抗素子の温度の変化にともなって抵抗素子の電気抵抗値が変化する温度特性を抵抗素子は有すので、電気抵抗値を求めることによって、温度検出手段は温度を検出することができる。温度検出手段は簡単な構成であるので、温度検出手段を小形にすることができる。
【００１４】
また本発明は、温度検出素子は抵抗素子であり、抵抗素子の一方の端子は、集積回路体内で一定の電位が与えられることを特徴とする。
【００１５】
本発明に従えば、温度検出素子は抵抗素子であり、集積回路体内で抵抗素子の一方の端子に一定の電位が与えられている。他方の端子に一方の電位と異なる電位が与えられることによって、端子間に電位差が発生する。集積回路体の外部から他方の端子に電位を与えることによって、集積回路体の外部と接続する接続端子の数を少なくすることができる。抵抗素子の温度の変化にともなって抵抗素子の電気抵抗値が変化する温度特性を抵抗素子は有すので、電気抵抗値を求めることによって、温度を検出することができる。
【００１６】
また本発明は、温度検出素子は、ダイオードであることを特徴とする。
本発明に従えば、温度検出素子はダイオードであり、ダイオードの温度の変化にともなってダイオードの電圧値が変化する温度特性をダイオードは有すので、電圧値を求めることによって、温度検出手段は温度を検出することができる。温度検出手段は簡単な構成であるので、温度検出手段を小形にすることができる。
【００１７】
また本発明は、温度検出素子はダイオードであり、ダイオードの一方の端子は、集積回路体内で一定の電位が与えられることを特徴とする。
【００１８】
本発明に従えば、温度検出素子はダイオードであり、集積回路体内でダイオードの一方の端子に一定の電位が与えられている。集積回路体の外部から他方の端子に電位を与えることによって、集積回路体の外部と接続する接続端子の数を少なくすることができる。ダイオードの温度の変化にともなってダイオードの電圧値が変化する温度特性をダイオードは有すので、ダイオードに一定の電流を与えることによって、ダイオードの電圧値を求め、温度検出手段は温度を検出することができる。
【００１９】
また本発明は、温度検出手段は、温度特性が相互に異なる２つの抵抗素子を有し、各抵抗素子は、相互に異なる電位が与えられる部位間に直列に接続されることを特徴とする。
【００２０】
本発明に従えば、温度検出素子は２つの抵抗素子であり、集積回路体内で相互に異なる電位が与えられる部位間に、２つの抵抗素子が直列に接続される。集積回路体内に電位差を有すことによって、集積回路体外のレーザ装置の構成要素を少なくすることができる。抵抗素子の温度の変化にともなって抵抗素子の電気抵抗値が変化する温度特性を２つの抵抗素子は有し、２つの抵抗素子の温度特性は相互に異なる。２つの抵抗素子の少なくともいずれか一方の電圧値を求めることによって、温度検出手段は温度を検出することができる。
【００２１】
また本発明は、温度検出手段は、情報の再生用の前記受光素子とは異なる受光素子と抵抗素子とを有し、これら受光素子と抵抗素子とは、相互に異なる電位が与えられる部位間に直列に接続されることを特徴とする。
【００２２】
本発明に従えば、温度検出素子は受光素子と抵抗素子とであり、集積回路体内で相互に異なる電位が与えられる部位間に、受光素子と抵抗素子とが直列に接続される。集積回路体内に電位差を有すことによって、集積回路体外のレーザ装置の構成要素を少なくすることができる。受光素子は、情報の再生用の受光素子とは異なる受光素子である。抵抗素子の温度の変化にともなって抵抗素子の電気抵抗値が変化する温度特性を抵抗素子は有し、受光素子の温度の変化にともなって受光素子の電圧値が変化する温度特性を受光素子は有す。これによって、抵抗素子の電圧値を求めることによって温度を検出することができる。
【００２３】
また本発明は、温度検出手段は、
接地電位が与えられる接地部位および正の定電位が与えられる定電位部位間に、直列に接続され、相互に同一の温度特性を有する第１〜第３抵抗素子と、
最も定電位部位寄りの第１抵抗素子および中央の第２抵抗素子間の部位にベースが接続され、定電位部位にコレクタが接続されるＮＰＮ形の第１トランジスタと、
第２抵抗素子および最も接地部位寄りの第３抵抗素子間の部位にベースが接続されるＮＰＮ形の第２トランジスタと、
定電位部位および第２トランジスタのコレクタ間に接続され、第１〜第３抵抗素子と同一の温度特性を有する第４抵抗素子と、
第１および第２トランジスタのエミッタにコレクタが共通に接続され、エミッタが接地部位に接続されるＮＰＮ形の第３トランジスタと、
第３トランジスタのベースに、ベースおよびコレクタが接続され、エミッタが接地部位に接続されるＮＰＮ形の第４トランジスタと、
定電位部位および第４トランジスタのコレクタ間に接続され、第１〜第４抵抗素子と同一の温度特性を有する第５抵抗素子とを有することを特徴とする。
【００２４】
本発明に従えば、温度検出手段は、第１〜第５抵抗素子と第１〜第４トランジスタとを含んで構成される集積回路体を有す。第１〜第５抵抗素子は温度の変化にともなって電気抵抗値が変化する温度特性を有し、第１〜第５抵抗素子の温度特性は相互に同一である。第１〜第４トランジスタはすべてＮＰＮ形である。第２トランジスタのコレクタ電流値が、温度の変化にともなって変化する。温度検出手段は、第４抵抗素子および第２トランジスタ間の部位と接地部位間の電圧値を求めることによって、温度を検出することができる。第２トランジスタのコレクタ電流値は、トランジスタの特性によって温度の変化にともなって変化するので、温度をより正確に検出することができる。
【００２５】
また本発明は、少なくとも光記録媒体に記録される情報の再生をするためのレーザ光を発生するレーザ光源と、光記録媒体に記録される情報の再生をするために、光記録媒体からの反射光を受光するための受光素子と、レーザ光源の温度を検出するための温度検出手段と、温度検出手段によって検出される検出温度に基づいて、レーザ光源を制御する光源制御および受光素子によって受光される反射光を用いて情報を再生する再生処理手段を制御する再生制御の少なくともいずれか一方をする制御手段とを含むレーザ装置のための集積回路体であって、
前記受光素子と温度検出手段とが一体に設けられることを特徴とする集積回路体である。
【００２６】
本発明に従えば、集積回路体は受光素子と温度検出手段とが一体に設けられ、前記集積回路体はレーザ装置に用いられる。集積回路体が受光素子と温度検出手段とを一体に有すことによって、レーザ装置を構成する部品の数を減少させることができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の実施の一形態であるレーザ装置１の主要構成を示すブロック図である。レーザ装置１はレーザ駆動電流供給回路体５、再生処理手段６および制御手段７に電気的に接続される。レーザ装置１はレーザ光源２と光集積回路体３とを含んで構成される。
【００２８】
レーザ駆動電流供給回路体５は、レーザ光源２へ電流を供給する電気回路体である。レーザ光源２は、たとえば半導体レーザ素子などを用いたレーザ光源２であって、レーザ駆動電流供給回路体５から供給される電流に応じた発光量を有すレーザ光１０を光記録媒体へ発し、光記録媒体に記録される情報の再生および光記録媒体への情報の記録のうち少なくともいずれか一方をする。光記録媒体は、光を用いて情報の記録および記録される情報の再生のうち少なくともいずれか一方をする記録媒体であり、たとえばコンパクトディスク（Ｃｏｍｐａｃｔ　Ｄｉｓｋ略称：ＣＤ）およびエムオー（Ｍａｇｎｅｔ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｄｉｓｋ略称：ＭＯ）などである。
【００２９】
光集積回路体３は、温度検出手段４と受光素子８と増幅回路体９とを含んで構成される集積回路体である。温度検出手段４はレーザ光源２の温度を検出し、検出した検出温度に基づく信号を制御手段７へ与える。また温度検出手段４は、予め定める温度特性を有する温度検出素子を有す。受光素子８は、光記録媒体に記録される情報を再生するために、光記録媒体からの反射光を受光して、反射光を電気信号に変換して増幅回路体９へ与える。増幅回路体９は、受光素子８から与えられる電気信号を増幅して、再生処理手段６へ与える。
【００３０】
制御手段７は、温度検出手段４から検出温度に基づく信号が与えられ、レーザ駆動電流供給回路体５および再生処理手段６を検出温度に基づいて制御する。再生処理手段６は、増幅回路体９から与えられた電気信号に基づいて映像および音声など光記録媒体に記録される情報を再生する。
【００３１】
制御手段７は、検出温度に基づいてレーザ光源２の発光量が一定になるようにレーザ光源２を制御する。制御手段７は具体的には、次式に基づいてレーザ光源２の制御を行う。レーザ光源２の温度をレーザ光源温度Ｔとし、レーザ光源２の温度がレーザ光源温度Ｔのときのレーザ光源２の発光量をレーザ光源発光量Ｐ（Ｔ）とし、レーザ光源２へ供給される電流を供給電流ＩＦとし、レーザ光源２の温度が摂氏２５度のときの供給電流ＩＦをレーザ光源発光量Ｐ（Ｔ）に変換する定数を変換定数βとし、摂氏２５度からの温度変化を温度変化値ΔＴとし、βの温度係数を温度係数αとすると次式の関係がある。
Ｐ（Ｔ）＝（β＋α×ΔＴ）×ＩＦ　　　　　　　　　　　　…（１）
【００３２】
式（１）から、αとβは定数であるので、供給電流ＩＦが一定で温度変化値ΔＴの値が変化したとき、温度変化値ΔＴの変化にともなってレーザ光源発光量Ｐ（Ｔ）が変化する。したがって、供給電流ＩＦの値を変化させて、レーザ光源発光量Ｐ（Ｔ）を一定にする。温度検出手段４が、レーザ光源２の温度変化値ΔＴを検出することによって、α×ΔＴ×ＩＦの値を求めることができる。制御手段７は、前記値に基づく電流値を供給電流ＩＦから減らすことを指示する信号をレーザ駆動電流供給回路体５へ与える。式（１）は次式となる。
Ｐ（Ｔ）＝（β＋α×ΔＴ）×ＩＦ−α×ΔＴ×ＩＦ　　　　…（２）
【００３３】
式（２）を計算すると次式が導出される。
Ｐ（Ｔ）＝β×ＩＦ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（３）
式（３）からレーザ光源発光量Ｐ（Ｔ）は、温度変化値ΔＴによる影響を受けないで、レーザ光源発光量Ｐ（Ｔ）は供給電流ＩＦの変化にともなって変化し、供給電流ＩＦが一定であれば、レーザ光源発光量Ｐ（Ｔ）も一定となる。
【００３４】
また制御手段７は、増幅回路体９が再生処理手段６に与える電気信号を、検出温度に基づいて温度による影響を受けないように制御する。光集積回路体３は、レーザ装置１にレーザ光源２と一体に設けられているので、レーザ光源２の温度と同一の温度を、光集積回路体３の受光素子８と増幅回路体９は有す。
【００３５】
制御手段７は具体的には次式に基づいて、再生処理手段６を制御する。レーザ光源２の温度がレーザ光源温度Ｔのときの増幅回路体９が再生処理手段６に与える電気信号の電圧値を電圧値ＶＡ（Ｔ）とし、ＶＡの温度係数を温度係数Ｖαとし、摂氏２５度のときの電圧値ＶＡ（Ｔ）の値をＶＡ（２５）とすると次式の関係がある。
ＶＡ（Ｔ）＝（１＋Ｖα×ΔＴ）×ＶＡ（２５）　　　　　　…（４）
【００３６】
式（４）から、温度係数ＶαおよびＶＡ（２５）は定数であるので、温度変化値ΔＴの値の変化にともなって、電圧値ＶＡ（Ｔ）が変化するので、電圧値ＶＡ（Ｔ）を一定にするために、Ｖα×ΔＴ×ＶＡ（２５）の値を求める。温度検出手段４がレーザ光源２の温度変化値ΔＴを検出することによって、前記値を求めることができる。制御手段７は、前記値を式（４）の右辺から減算することを指示する信号を再生処理手段６へ与える。したがって式（４）から次式となる。
ＶＡ（Ｔ）＝（１＋Ｖα×ΔＴ）×
ＶＡ（２５）−Ｖα×ΔＴ×ＶＡ（２５）　　…（５）
【００３７】
式（５）を計算すると次式となる。
ＶＡ（Ｔ）＝ＶＡ（２５）　　　　　　　　　　　　　　　　…（６）
【００３８】
式（６）から電圧値ＶＡ（Ｔ）は、温度変化値ΔＴによる影響を受けないで、電圧値ＶＡ（Ｔ）は一定の値である電圧値ＶＡ（２５）となる。
【００３９】
レーザ光源２は、光記録媒体に記録される情報の再生および光記録媒体への情報の記録うち少なくともいずれか一方をするためのレーザ光を発生することができる。このレーザ光源２の温度が温度検出手段４によって検出され、検出された検出温度に基づいて、制御手段７によってレーザ光源２が制御され、レーザ光源２の発光量を一定にすることができる。したがって光記録媒体に記録される情報の再生および光記録媒体への情報の記録の精度を、発光量が一定でない場合より、高くすることができる。
【００４０】
レーザ光源２は光記録媒体へレーザ光１０を入射し、入射されたレーザ光１０である入射光は光記録媒体にて反射し、反射したレーザ光１０である反射光を受光素子８が受光する。温度検出手段４がレーザ光源２の温度を検出し、検出された検出温度に基づいて、受光素子８が受光した反射光によって情報を再生する再生処理手段６を制御手段７が制御する。これによって、レーザ光源２の温度の変化による影響を再生処理手段６へ与えないようにすることができる。したがって、再生処理手段６は、情報をより高い精度で再生することができる。
【００４１】
温度検出手段４は予め定める温度特性を有する温度検出素子を有し、レーザ装置１は少なくとも温度検出素子と受光素子とが一体の集積回路体に設けられることによって、レーザ装置１を構成する部品の数を減らすことができる。このため、レーザ装置１をより小形にすることができる。またレーザ装置１を製造する場合、部品の数が少ない方が部品の数が多い方より、製造工程を少なくすることができるので、より少ない製造工程でレーザ装置１を製造することができ、製造コストを少なくすることができる。
【００４２】
図２は、本発明の実施の他の形態であって、温度検出手段４に用いることができる電気回路図である。本実施の形態の温度検出手段４は、図１のレーザ装置１の温度検出手段４に用いることができるので、レーザ装置１の実施の形態における対応する構成に同一の参照符号を付し、異なる構成についてだけ説明し、同様の構成については説明を省略する。
【００４３】
温度検出手段４は第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６と第１トランジスタ１７〜第４トランジスタ２０とバッファ回路体２１とを含んで構成される集積回路体を有す。第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６は温度の変化にともなって電気抵抗値が変化する温度特性を有し、第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６の温度特性は相互に同一である。第１トランジスタ１７〜第４トランジスタ２０はすべてＮＰＮ形トランジスタである。ＮＰＮ形トランジスタは、二つのＮ形半導体が同一のＰ形半導体に電気的に接続され、二つのＮ形半導体がＰ形半導体を介して互いに電気的に接続されるトランジスタである。Ｎ形半導体は、真性半導体に第５価の物質、たとえばりん（Ｐ）およびアンチモン（Ｓｂ）など、を混入した半導体である。Ｐ形半導体は、真性半導体に第３価の物質、たとえばガリウム（Ｇａ）およびインジウム（Ｉｎ）など、を混入した半導体である。
【００４４】
第１抵抗素子１２〜第３抵抗素子１４は、接地電位が与えられる接地部位４２および正の定電位が与えられる定電位部位４３間に、直列に接続される。接地部位４２は、面積が十分大きい導電体に接続されており、たとえばレーザ装置１の筐体に接続され接地電位が与えられる。第１トランジスタ１７は、最も定電位寄りの第１抵抗素子１２および中央の第２抵抗素子１３間の部位である第３接続部位３５に第１トランジスタ１７のベース１７ｂが接続され、定電位部位４３に第１トランジスタ１７のコレクタ１７ａが接続される。第２トランジスタ１８は、第２抵抗素子１３および最も接地部位４２寄りの第３抵抗素子１４間の部位である第４接続部位３６に第２トランジスタ１８のベース１８ｂが接続される。第４抵抗素子１５は、定電位部位４３および第２トランジスタ１８のコレクタ１８ａ間に接続される。第３トランジスタ１９は、第１トランジスタ１７のエミッタ１７ｃおよび第２トランジスタ１８のエミッタ１８ｃに第３トランジスタ１９のコレクタ１９ａが共通に接続され、第３トランジスタ１９のエミッタ１９ｃが接地部位４２に接続される。第４トランジスタ２０は、第３トランジスタ１９のベース１９ｂに、第４トランジスタ２０のベース２０ｂおよびコレクタ２０ａが接続され、第４トランジスタ２０のエミッタ２０ｃが接地部位４２に接続される。第５抵抗素子１６は、定電位部位４３および第４トランジスタ２０のコレクタ２０ａ間に接続される。
【００４５】
バッファ回路体２１は、第２トランジスタ１８のコレクタ１８ａおよび第４抵抗素子１５間の部位である第５接続部位３７にバッファ回路体２１の入力端子が接続される。電圧計２２は、光集積回路体３の外部に備えられ、光集積回路体３の外部にある外部接地部位４４およびバッファ回路体２１の出力端子４５間の電圧値を計測する。バッファ回路体２１は、利得が約１のコレクタ接地増幅回路体である。バッファ回路体２１を接続することによって出力インピーダンスが小さくなり、バッファ回路体２１の出力電圧が大きくなる。第３抵抗素子１４、第４トランジスタ２０のエミッタ２０ｃおよび第３トランジスタ１９のエミッタ１９ｃは、接地部位４２に接続される。第１抵抗素子１２、第４抵抗素子１５、第５抵抗素子１６および第１トランジスタ１７のコレクタ１７ａは、定電位部位４３に接続される。
【００４６】
温度検出手段４は、レーザ装置１にレーザ光源２と一体に設けられることによって、レーザ光源２の温度と同一の温度を温度検出手段４を構成する各素子は有す。温度検出手段４は第２トランジスタ１８の温度特性に基づいて、バッファ回路体２１の出力端子４５および外部接地部位４４間の電圧値を求めることで、レーザ光源２の温度を検出する。
【００４７】
第２抵抗素子１３の両端子間の電圧値、つまり第１トランジスタ１７のベース１７ｂと第２トランジスタ１８のベース１８ｂとの間の電圧値を差電圧値ΔＶの２倍の値とし、第１トランジスタ１７のベース１７ｂとエミッタ１７ｃとの間の電圧値を第１ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ１とし、第２トランジスタ１８のベース１８ｂとエミッタ１８ｃとの間の電圧値を第２ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ２とする。第１ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ１と第２ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ２との平均値を平均電圧値ＶＢＥ０とする。差電圧値ΔＶ、第１ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ１、第２ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ２および平均電圧値ＶＢＥ０は次式の関係がある。
ＶＢＥ１＝ＶＢＥ０＋ΔＶ　　　　　　　　　　　　　　　　…（７）
ＶＢＥ２＝ＶＢＥ０−ΔＶ　　　　　　　　　　　　　　　　…（８）
【００４８】
第１トランジスタ１７のコレクタ１７ａの電流値を第１コレクタ電流値ＩＣ１とし、第２トランジスタ１８のコレクタ１８ａの電流値を第２コレクタ電流値ＩＣ２とし、トランジスタの飽和電流値を飽和電流値ＩＳとし、熱電圧値を熱電圧値ＶＴとし、第１コレクタ電流値ＩＣ１と第２コレクタ電流値ＩＣ２との平均値を平均コレクタ電流値ＩＣ０とすると、式（７）および式（８）から次式の関係がある。ここでｅｘｐ（　）は、自然対数を底とする指数関数である。
ＩＣ０＝ＩＳ×ｅｘｐ（ＶＢＥ０／ＶＴ）　　　　　　　　　…（９）
ＩＣ１＝ＩＳ×ｅｘｐ（ＶＢＥ１／ＶＴ）
＝ＩＳ×ｅｘｐ（ＶＢＥ０／ＶＴ）×ｅｘｐ（ΔＶ／ＶＴ）
＝ＩＣ０×ｅｘｐ（ΔＶ／ＶＴ）　　　　　　　　　　…（１０）
ＩＣ２＝ＩＳ×ｅｘｐ（ＶＢＥ２／ＶＴ）
＝ＩＳ×ｅｘｐ（ＶＢＥ０／ＶＴ）×ｅｘｐ（−ΔＶ／ＶＴ）
＝ＩＣ０×ｅｘｐ（−ΔＶ／ＶＴ）　　　　　　　　　…（１１）
【００４９】
正の定電位の値を定電位ＶＣＣとし、バッファ回路体２１の出力端子４５および外部接地部位４４間の電圧値を出力電圧値ＶＯとし、第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６の各電気抵抗値をそれぞれ第１抵抗Ｒ１〜第５抵抗Ｒ５とし、第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６の両端子間の各電圧値をそれぞれ第１抵抗電圧値ＶＲ１〜第５抵抗電圧値ＶＲ５とすると、式（１１）から次式の関係がある。
ＶＯ＝ＶＣＣ−Ｒ４×ＩＣ２
＝ＶＣＣ−Ｒ４×ＩＣ０×ｅｘｐ（−ΔＶ／ＶＴ）　　　…（１２）
【００５０】
平均コレクタ電流値ＩＣ０は、第３トランジスタ１９のコレクタ１９ａの電流値から求められる。第３トランジスタ１９および第４トランジスタ２０はカレントミラー回路を形成しているので、第３トランジスタのコレクタ１９ａの電流値が求められる。
【００５１】
カレントミラー回路は、同一のトランジスタのコレクタとベースとが接続されたトランジスタ、本実施の形態では第４トランジスタ２０、のベースと他のトランジスタ、本実施の形態では第３トランジスタ１９、のベースとが接続されて形成される。
【００５２】
第４トランジスタ２０のコレクタ２０ａとベース２０ｂとが接続された接続導通線のコレクタ寄りの接続部位を第１接続部位４０とし、ベース寄りの接続部位を第２接続部位４１とする。第５抵抗素子１６および第１接続部４０との間のコレクタ電流の値を第４コレクタ電流値ＩＣ４とする。第１接続部４０と第４トランジスタ２０のコレクタとの間の電流の値を第４コレクタ接続電流値ＩＣ４０とする。第１接続部４０および第２接続部４１間の電流の値を第４コレクタベース電流値ＩＣＢとする。次式の関係がある。
ＩＣ４＝ＩＣ４０＋ＩＣＢ　　　　　　　　　　　　　　　　…（１３）
【００５３】
第４トランジスタ２０のエミッタ電流の値を第４エミッタ電流値ＩＥ４とし、第４トランジスタ２０のベース電流の値を第４ベース電流値ＩＢ４とする。次式の関係がある。
ＩＥ４＝ＩＣ４０＋ＩＢ４　　　　　　　　　　　　　　　　…（１４）
【００５４】
第３トランジスタ１９のベース電流の値を第３ベース電流値ＩＢ３とする。次式の関係がある。
ＩＣＢ＝ＩＢ３＋ＩＢ４　　　　　　　　　　　　　　　　　…（１５）
【００５５】
したがって、式（１３）に式（１４）および式（１５）を代入すると次式となる。
ＩＣ４＝ＩＢ３＋ＩＥ４　　　　　　　　　　　　　　　　　…（１６）
【００５６】
また、第３トランジスタ１９のエミッタ電流の値を第３エミッタ電流値ＩＥ３とし、コレクタ電流の値を第３コレクタ電流値ＩＣ３とすると、次式の関係がある。
ＩＥ３＝ＩＣ３＋ＩＢ３　　　　　　　　　　　　　　　　　…（１７）
【００５７】
第３トランジスタ１９のベース１９ｂとエミッタ１９ｃとの間の電圧値を第３ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ３とし、第４トランジスタ２０のベース２０ｂとエミッタ２０ｃとの間の電圧値を第４ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ４とする。第３ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ３と第４ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ４とは、ともに一端が接地部位４２で他端が共通な部位間の電圧値であるので、第３ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ３と第４ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ４とは互いに等しい。したがって次式で表せる。
ＶＢＥ３＝ＶＢＥ４　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（１８）
【００５８】
式（１８）から第３エミッタ電流値ＩＥ３と第４エミッタ電流値ＩＥ４の値は互いに等しいので、次式の関係がある。
ＩＥ３＝ＩＥ４　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（１９）
【００５９】
したがって、式（１７）および式（１９）から、次式となる。
ＩＥ４＝ＩＣ３＋ＩＢ３　　　　　　　　　　　　　　　　　…（２０）
【００６０】
したがって、式（１６）および式（２０）から、次式となる。
ＩＣ４＝ＩＣ３＋２×ＩＢ３　　　　　　　　　　　　　　　…（２１）
【００６１】
トランジスタの特性によって、コレクタ電流値は、ベース電流値の１００〜５００倍であるので、第４コレクタ電流値ＩＣ４と、第３コレクタ電流値ＩＣ３とはほぼ等しい。したがって次式となる。
ＩＣ４＝ＩＣ３　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（２２）
【００６２】
第４コレクタ電流値ＩＣ４はオームの法則から次式で表せる。
ＩＣ４＝ＶＲ５／Ｒ５　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（２３）
【００６３】
式（２２）および式（２３）から次式となる。
ＩＣ３＝ＶＲ５／Ｒ５　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（２４）
【００６４】
式（２４）から平均コレクタ電流値ＩＣ０を求めることができる。
ＩＣ０＝ＩＣ３／２
＝（ＶＲ５／Ｒ５）／２
＝２×ＶＲ５／Ｒ５　　　　　　　　　　　　　　　　…（２５）
【００６５】
式（２５）の両辺に第４抵抗Ｒ４を掛けると次式となる。
Ｒ４×ＩＣ０＝２×ＶＲ５×Ｒ４／Ｒ５　　　　　　　　　　…（２６）
【００６６】
第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６の温度特性を表す値である各温度係数をそれぞれ第１温度係数ＲＴ１〜第５温度係数ＲＴ５とする。レーザ光源２がレーザ光源温度ＴのときのＲ４×ＩＣ０の値を（Ｒ４×ＩＣ０）（Ｔ）とする。次式の関係がある。
（Ｒ４×ＩＣ０）（Ｔ）＝２×ＶＲ５×（（１＋ＲＴ４×ΔＴ）×Ｒ４（２５））／（（１＋ＲＴ５×ΔＴ）×Ｒ５（２５））…（２７）
【００６７】
第４抵抗素子１５および第５抵抗素子１６の温度特性は相互に同一なので、第４温度係数ＲＴ４および第５温度係数ＲＴ５の値は相互に同一である。したがって式（２７）は次式となる。
（Ｒ４×ＩＣ０）（Ｔ）＝２×ＶＲ５×Ｒ４（２５）／Ｒ５（２５）…（２８）
【００６８】
式（２８）から（Ｒ４×ＩＣ０）（Ｔ）の値はレーザ光源温度Ｔに依存しない。また２×ΔＶ（Ｔ）の値は次式で表せる。
２×ΔＶ（Ｔ）＝ＶＣＣ×（（１＋ＲＴ２×ΔＴ）×Ｒ２（２５））／（（１＋ＲＴ１×ΔＴ）×Ｒ１（２５）＋（１＋ＲＴ２×ΔＴ）×Ｒ２（２５）＋（１＋ＲＴ３×ΔＴ）×Ｒ３（２５））　　　…（２９）
【００６９】
第１抵抗素子１２〜第３抵抗素子１４の温度特性は相互に同一なので、第１温度係数ＲＴ１〜第３温度係数ＲＴ３の値は相互に同一である。したがって式（２９）は次式となる。
２×ΔＶ（Ｔ）＝ＶＣＣ×Ｒ２（２５）／（Ｒ１（２５）＋Ｒ２（２５）＋Ｒ３（２５））…（３０）
式（３０）から２×ΔＶ（Ｔ）の値はレーザ光源温度Ｔに依存しない。
【００７０】
レーザ光源温度Ｔのときの出力電圧値ＶＯの値をＶＯ（Ｔ）とする。熱電圧値ＶＴの温度特性を表す値である温度係数を熱電圧温度係数ＶＴＴとする。次式の関係がある。
ＶＯ（Ｔ）＝ＶＣＣ−Ｒ４×ＩＣ２
＝ＶＣＣ−Ｒ４×ＩＣ０×ｅｘｐ（−ΔＶ／（（１＋ＶＴＴ×ΔＴ）×ＶＴ））…（３１）
【００７１】
式（３１）からＶＯ（Ｔ）の値が熱電圧値ＶＴの温度特性に依存する。ボルツマン定数をｋ、絶対温度ＴＡおよび電子の電化量をｑとする。次式の関係がある。
ＶＴ＝ｋ×ＴＡ／ｑ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（３２）
【００７２】
式（２８）、式（３０）および式（３２）を式（３１）に代入することによって、ＶＯ（Ｔ）から温度変化値ΔＴおよび絶対温度ＴＡを求め、レーザ光源温度Ｔを検出する。
【００７３】
温度検出手段４は、第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６と第１トランジスタ１７〜第４トランジスタ２０とを含んで構成される集積回路体を有す。第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６は温度の変化にともなって電気抵抗値が変化する温度特性を有し、第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６の温度特性は相互に同一である。第１トランジスタ１７〜第４トランジスタ２０はすべてＮＰＮ形トランジスタである。第２トランジスタ１８のコレクタ電流値が、温度の変化にともなって変化する。温度検出手段４は、第５接続部位３７と外部接地部位４４間の電圧値を求めることによって、温度を検出することができる。第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６の温度特性が、相互に同一であることによって、前記電圧値は、第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６の温度の変化による影響を受けない。第２トランジスタ１８のコレクタ電流値は、トランジスタの特性によって温度の変化にともなって変化する。したがって、前記電圧値は、温度検出手段４を構成する素子の影響を受けないので、温度検出手段４は温度をより正確に検出することができる。
【００７４】
図３は、本発明の実施のさらに他の形態であって、温度検出手段４に用いることができる電気回路図である。本実施の形態の温度検出手段４は、前述した図１のレーザ装置１の温度検出手段４に用いることができ、また図２の温度検出手段４と類似しているので、図１および図２に対応する構成には同一の参照符号を付し、異なる構成についてだけ説明し、同様の構成については説明を省略する。
【００７５】
温度検出手段４は温度特性が相互に異なる２つの抵抗素子、本実施の形態では第６抵抗素子２３と第７抵抗素子２４とを有す。第６抵抗素子２３および第７抵抗素子２４は、相互に異なる電位を有す第１電位４６および第２電位４７が与えられる部位間に直列に接続される。第６抵抗素子２３および第７抵抗素子２４の間の部位である第６接続部位３８と、光集積回路体３の外部で接地電位が与えられる外部接地部位４４との間の電圧値を出力電圧値ＶＯ３とし、出力電圧値ＶＯ３を電圧計２２によって求めることで、温度検出手段４は温度を検出する。
【００７６】
第６抵抗素子２３の電気抵抗値を第６抵抗Ｒ６とし、第７抵抗素子２４の電気抵抗値を第７抵抗Ｒ７とする。温度が摂氏２５度での第６抵抗Ｒ６および第７抵抗Ｒ７の値をそれぞれＲ６（２５）およびＲ７（２５）とする。第６抵抗素子２３の温度係数を第６温度係数ＲＴ６とし、第７抵抗素子２４の温度係数を第７温度係数ＲＴ７とする。第６抵抗素子２３寄りの定電位を第１定電位値Ｖ６とし、第７抵抗素子２４寄りの定電位を第２定電位値Ｖ７とする。レーザ光源２の温度をレーザ光源温度Ｔとし、温度Ｔの摂氏２５度からの温度変化を温度変化値ΔＴとする。レーザ光源温度Ｔでの出力電圧値ＶＯ３をＶＯ３（Ｔ）とする。ＶＯ３（Ｔ）は次式で表せる。
ＶＯ３（Ｔ）＝Ｖ７＋（（１＋ＲＴ７×ΔＴ）×Ｒ７（２５））／（（（１＋ＲＴ６×ΔＴ）×Ｒ６（２５））＋（（１＋ＲＴ７×ΔＴ）×Ｒ７（２５）））×（Ｖ６−Ｖ７）…（３３）
【００７７】
式（３３）によって、ＶＯ３（Ｔ）から温度変化値ΔＴを求め、レーザ光源温度Ｔを検出する。
【００７８】
温度検出素子は第６抵抗素子２３と第７抵抗素子２４とであり、集積回路体内で相互に異なる電位が与えられる部位間に、第６抵抗素子２３と第７抵抗素子２４とが直列に接続される。集積回路体内に電位差を有すことによって、集積回路体外のレーザ装置１の構成要素を少なくすることができる。抵抗素子の温度の変化にともなって抵抗素子の電気抵抗値が変化する温度特性を第６抵抗素子２３と第７抵抗素子２４とは有し、第６抵抗素子２３と第７抵抗素子２４との温度特性は相互に異なる。第６抵抗素子２３と第７抵抗素子２４との少なくともいずれか一方の電圧値を求めることによって、温度検出手段４は温度を検出することができる。またレーザ装置１を製造する場合、構成要素の数が少ない方が構成要素の数が多い方より、製造工程を少なくすることができるので、製造時間が短くなりかつ製造コストを少なくすることができる。
【００７９】
図４は、本発明の実施のさらに他の形態であって、温度検出手段４に用いることができる電気回路図である。本実施の形態の温度検出手段４は、前述した図１のレーザ装置１の温度検出手段４に用いることができ、また図２の温度検出手段４と類似しているので、図１および図２に対応する構成には同一の参照符号を付し、異なる構成についてだけ説明し、同様の構成については説明を省略する。
【００８０】
温度検出手段４は、情報の再生用の受光素子とは異なる第１受光素子２５、たとえばフォトダイオードと第８抵抗素子２６とを有す。これら第１受光素子２５と第８抵抗素子２６とは、相互に異なる電位を有す第１電位４６および第２電位４７が与えられる部位間に直列に接続される。電圧計２２は、第１受光素子２５および第８抵抗素子２６の間の部位である第７接続部位３９と、光集積回路体３の外部において接地電位が与えられる外部接地部位４４との間の電圧値を計測する。第１受光素子２５は光を受光することによって、受光した光の光度に応じた電流を流す。
【００８１】
第１受光素子２５および第８抵抗素子２６の間の部位と、光集積回路体３の外部において接地電位が与えられる外部接地部位４４との間の電圧値を出力電圧値ＶＯ４とし、出力電圧値ＶＯ４を求めることで、温度検出手段４は温度を検出する。
【００８２】
第１受光素子２５の受光した光を電流に変換する効率を変換効率Ａとし、第１受光素子２５の温度が摂氏２５度のときの変換効率ＡをＡ（２５）とし、変換効率Ａの温度係数を変換温度係数ＡＴとする。第１受光素子２５の受光した光の光度を光度Ｐとする。第８抵抗素子２６の電気抵抗値を第８抵抗Ｒ８とし、第８抵抗素子２６の温度が摂氏２５度のときの電気抵抗値をＲ８（２５）とし、第８抵抗素子２６の温度係数を第８温度係数ＲＴ８とする。第１受光素子２５寄りの第１定電位４６を第１定電位値ＶＰ、第８抵抗素子２６寄りの第２定電位４７を第２定電位値Ｖ８とする。レーザ光源２の温度をレーザ光源温度Ｔとし、レーザ光源温度Ｔの摂氏２５度からの温度変化を温度変化値ΔＴとする。レーザ光源温度Ｔでの出力電圧値ＶＯ４をＶＯ４（Ｔ）とする。ＶＯ４（Ｔ）は次式で表せる。
ＶＯ４（Ｔ）＝Ｐ×（１＋ＡＴ×ΔＴ）×Ａ（２５）×（１＋ＲＴ８×ΔＴ）×Ｒ８（２５）＋Ｖ８　　　…（３４）
【００８３】
式（３４）によって、ＶＯ４（Ｔ）から温度変化値ΔＴを求め、レーザ光源温度Ｔを検出する。
【００８４】
温度検出素子は第１受光素子２５と第８抵抗素子２６とであり、集積回路体内で相互に異なる電位が与えられる部位間に、第１受光素子２５と第８抵抗素子２６とが直列に接続される。集積回路体内に電位差を有すことによって、集積回路体外のレーザ装置１の構成要素を少なくすることができる。第１受光素子２５は、情報の再生用の受光素子とは異なる受光素子である。抵抗素子の温度の変化にともなって抵抗素子の電気抵抗値が変化する温度特性を第８抵抗素子２６は有し、受光素子の温度の変化にともなって受光素子の電圧値が変化する温度特性を第１受光素子２５は有す。これによって、第８抵抗素子２６の電圧値を求めることによって温度を検出することができる。レーザ装置１を製造する場合、構成要素の数が少ない方が構成要素の数が多い方より、製造工程を少なくすることができるので、製造時間が短くなりかつ製造コストを少なくすることができる。また温度検出手段４は第１受光素子２５を有すので、第１受光素子２５がレーザ光１０を受光した場合、第１受光素子２５の電気抵抗値が変化し、温度検出手段４は温度を検出する。したがって、レーザ光源２がレーザ光１０を発生した場合のみ温度検出手段４は温度を検出し、レーザ光源２がレーザ光１０を発生していない場合は温度検出手段４は温度を検出しないので、温度検出手段４のスイッチング態様を、いわば自動的に切替えることができ、温度検出手段４に用いられる電気量を少なくすることができることによって、温度検出手段４の稼働コストを少なくすることができる。
【００８５】
図５は、本発明の実施のさらに他の形態であって、温度検出手段４に用いることができる電気回路図である。本実施の形態の温度検出手段４は、前述した図１のレーザ装置１の温度検出手段４に用いることができ、また図２の温度検出手段４と類似しているので、図１および図２に対応する構成には同一の参照符号を付し、異なる構成についてだけ説明し、同様の構成については説明を省略する。
【００８６】
温度検出素子は、第９抵抗素子２７であり、第９抵抗素子２７での両端子間に、出力接続部位４５を介して、光集積回路体３の外部から定電圧源２８によって電圧が印可される。電流計２９は、第９抵抗素子２７を流れる電流値を計測する。電流値を出力電流値ＩＯ５とし、出力電流値ＩＯ５を求めることで、温度検出手段４は温度を検出する。
【００８７】
第９抵抗素子２７の電気抵抗値を第９抵抗Ｒ９とし、第９抵抗素子２７の温度が摂氏２５度のときの電気抵抗値をＲ９（２５）とし、第９抵抗素子２７の温度係数を第９温度係数ＲＴ９とする。定電圧源２８によって印可される電圧の電圧値を定電圧値Ｖ９とする。レーザ光源２の温度をレーザ光源温度Ｔとし、レーザ光源温度Ｔの摂氏２５度からの温度変化を温度変化値ΔＴとする。レーザ光源温度Ｔでの出力電流値ＩＯ５をＩＯ５（Ｔ）とする。ＩＯ５（Ｔ）は次式で表せる。
ＩＯ５（Ｔ）＝Ｖ９／（（１＋ＲＴ９×ΔＴ）×Ｒ９（２５））…（３５）
【００８８】
式（３５）によって、ＩＯ５（Ｔ）から温度変化値ΔＴを求め、レーザ光源温度Ｔを検出する。
【００８９】
温度検出素子は第９抵抗素子２７であり、抵抗素子の温度の変化にともなって抵抗素子の電気抵抗値が変化する温度特性を第９抵抗素子２７は有すので、電気抵抗値を求めることによって、温度検出手段４は温度を検出することができる。温度検出手段４は簡単な構成であるので、温度検出手段４を小形にすることができる。したがってレーザ装置をより小形にすることができる。
【００９０】
図６は、本発明の実施のさらに他の形態であって、温度検出手段４に用いることができる電気回路図である。本実施の形態の温度検出手段４は、前述した図１のレーザ装置１の温度検出手段４に用いることができ、また図２および図５の温度検出手段４と類似しているので、図１、図２および図５に対応する構成には同一の参照符号を付し、異なる構成についてだけ説明し、同様の構成については説明を省略する。
【００９１】
温度検出素子は、第１０抵抗素子３０であり、第１０抵抗素子３０に、光集積回路体３の外部から、出力接続部位４５を介して、定電流源３１によって電流が流される。電圧計２２は、第１０抵抗素子３０の両端子間の電圧値を計測する。電圧値を出力電圧値ＶＯ６とし、出力電圧値ＶＯ６を求めることで、温度検出手段４は温度を検出する。
【００９２】
第１０抵抗素子３０の電気抵抗値を第１０抵抗Ｒ１０とし、第１０抵抗素子３０の温度が摂氏２５度のときの電気抵抗値をＲ１０（２５）とし、第１０抵抗素子３０の温度係数を第１０温度係数ＲＴ１０とする。定電流源３１によって流される電流の電流値を定電流値Ｉ１０とする。レーザ光源２の温度をレーザ光源温度Ｔとし、レーザ光源温度Ｔの摂氏２５度からの温度変化を温度変化値ΔＴとする。レーザ光源温度Ｔでの出力電圧値ＶＯ６をＶＯ６（Ｔ）とする。電圧値ＶＯ６（Ｔ）は次式で表せる。
ＶＯ６（Ｔ）＝Ｉ１０×（１＋ＲＴ１０×ΔＴ）×Ｒ１０（２５）…（３６）
【００９３】
式（３６）によって、ＶＯ６（Ｔ）から温度変化値ΔＴを求め、レーザ光源温度Ｔを検出する。
【００９４】
温度検出素子は第１０抵抗素子３０であり、抵抗素子の温度の変化にともなって抵抗素子の電気抵抗値が変化する温度特性を第１０抵抗素子３０は有すので、電気抵抗値を求めることによって、温度検出手段４は温度を検出することができる。温度検出手段４は簡単な構成であるので、温度検出手段４を小形にすることができる。したがってレーザ装置をより小形にすることができる。
【００９５】
図７は、本発明の実施のさらに他の形態であって、温度検出手段４に用いることができる電気回路図である。本実施の形態の温度検出手段４は、前述した図１のレーザ装置１の温度検出手段４に用いることができ、また図２および図５の温度検出手段４と類似しているので、図１、図２および図５に対応する構成には同一の参照符号を付し、異なる構成についてだけ説明し、同様の構成については説明を省略する。
【００９６】
温度検出素子は、第１１抵抗素子３２であり、第１１抵抗素子３２の一方の端子は光集積回路体３の内部の接地電位が与えられる接地部位４２に接続され、他端は、出力接続部位４５を介して、光集積回路体３の外部の定電圧源２８に接続される。定電圧源２８の一端は第１１抵抗素子３２に接続され、他端は外部接地部位４４に接続される。電流計２９は第１１抵抗素子３２を流れる電流値を計測する。電流値を出力電流値ＩＯ７とし、出力電流値ＩＯ７を求めることで、温度検出手段４は温度を検出する。
【００９７】
第１１抵抗素子３２の電気抵抗値を第１１抵抗Ｒ１１とし、第１１抵抗素子３２の温度が摂氏２５度のときの電気抵抗値をＲ１１（２５）とし、第１１抵抗素子３２の温度係数を第１１温度係数ＲＴ１１とする。定電圧源２８によって印可される電圧の電圧値を定電圧値Ｖ１１とする。レーザ光源２の温度をレーザ光源温度Ｔとし、レーザ光源温度Ｔの摂氏２５度からの温度変化を温度変化値ΔＴとする。レーザ光源温度Ｔでの出力電流値ＩＯ７をＩＯ７（Ｔ）とする。ＩＯ７（Ｔ）は次式で表せる。
ＩＯ７（Ｔ）＝Ｖ１１／（（１＋ＲＴ１１×ΔＴ）×Ｒ１１（２５））　…（３７）
【００９８】
式（３７）によって、ＩＯ７（Ｔ）から温度変化値ΔＴを求め、レーザ光源温度Ｔを検出する。
【００９９】
温度検出素子は第１０抵抗素子３０であり、集積回路体の内部において第１０抵抗素子３０の一方の端子に一定の電位が与えられている。他方の端子に一方の電位と異なる電位が与えられることによって、端子間に電位差が発生する。集積回路体の外部から他方の端子に電位を与えることによって、集積回路体の外部と接続する出力接続部位４５の数を少なくすることができる。抵抗素子の温度の変化にともなって抵抗素子の電気抵抗値が変化する温度特性を第１０抵抗素子３０は有すので、電気抵抗値を求めることによって、温度を検出することができる。また出力接続部位４５の数を少なくすることによって、温度検出手段４の製造コストを少なくすることができる。
【０１００】
図８は、本発明の実施のさらに他の形態であって、温度検出手段４に用いることができる電気回路図である。本実施の形態の温度検出手段４は、前述した図１のレーザ装置１の温度検出手段４に用いることができ、また図６の温度検出手段４と類似しているので、図１および図６に対応する構成には同一の参照符号を付し、異なる構成についてだけ説明し、同様の構成については説明を省略する。
【０１０１】
温度検出素子は、第１ダイオード３３であり、第１ダイオード３３の順方向に、光集積回路体３の外部から、出力接続部位４５を介して、定電流源３１によって電流が流される。電圧計２２は、第１ダイオード３３の両端子間の電圧値を計測する。電圧値を出力電圧値ＶＯ８とし、出力電圧値ＶＯ８を求めることで、温度検出手段４は温度を検出する。
【０１０２】
第１ダイオード３３の電圧値の第１ダイオード電圧値ＤＶ１とし、温度が摂氏２５度のときの電圧値をＤＶ１（２５）とし、第１ダイオード電圧値ＤＶ１の温度係数を第１ダイオード温度係数ＤＴ１とする。レーザ光源２の温度をレーザ光源温度Ｔとし、レーザ光源温度Ｔの摂氏２５度からの温度変化を温度変化値ΔＴとする。温度変化値Ｔでの出力電圧値ＶＯ８をＶＯ８（Ｔ）とする。ＶＯ８（Ｔ）は次式で表せる。
ＶＯ８（Ｔ）＝（１＋ＤＴ１×ΔＴ）×ＤＶ１（２５）　　　…（３８）
【０１０３】
式（３８）によって、ＶＯ８（Ｔ）から温度変化値ΔＴを求め、レーザ光源温度Ｔを検出する。
【０１０４】
温度検出素子は第１ダイオード３３であり、ダイオードの温度の変化にともなってダイオードの電圧値が変化する温度特性を第１ダイオード３３は有すので、電圧値を求めることによって、温度検出手段４は温度を検出することができる。温度検出手段４は簡単な構成であるので、温度検出手段４を小形にすることができる。したがって、レーザ装置１をより小形にすることができる。
【０１０５】
図９は、本発明の実施のさらに他の形態であって、温度検出手段４に用いることができる電気回路図である。本実施の形態の温度検出手段４は、前述した図１のレーザ装置１の温度検出手段４に用いることができ、また図７および図８の温度検出手段４と類似しているので、図１、図７および図８に対応する構成には同一の参照符号を付し、異なる構成についてだけ説明し、同様の構成については説明を省略する。
【０１０６】
温度検出素子は、第２ダイオード３４であり、第２ダイオード３４の一方の端子は光集積回路体３の内部において接地電位が与えられる接地部位４２に接続され、他端は光集積回路体３の外部に設けられる定電流源３１に、出力端子３８を介して接続される。定電流源３１の一端は第２ダイオード３４に接続され、他端は外部接地部位４４に接続される。第２ダイオード３４の順方向に、光集積回路体３の外部から定電流源３１によって電流が流される。電圧計２２は、第２ダイオード３４の両端子間の電圧値を計測する。電圧値を出力電圧値ＶＯ９とし、出力電圧値ＶＯ９を求めることで、温度検出手段４は温度を検出する。
【０１０７】
第２ダイオード３４の電圧値を第２ダイオード電圧値ＤＶ２とし、温度が摂氏２５度のときの電圧値をＤＶ２（２５）とし、第２ダイオード電圧値ＤＶ２の温度係数を第２ダイオード温度係数ＤＴ２とする。レーザ光源２の温度をレーザ光源温度Ｔとし、レーザ光源温度Ｔの摂氏２５度からの温度変化を温度変化値ΔＴとする。レーザ光源温度Ｔでの出力電圧値ＶＯ９をＶＯ９（Ｔ）とする。ＶＯ９（Ｔ）は次式で表せる。
ＶＯ９（Ｔ）＝（１＋ＤＴ２×ΔＴ）×ＤＶ２（２５）　　　…（３９）
【０１０８】
式（３９）によって、ＶＯ９（Ｔ）から温度変化値ΔＴを求め、レーザ光源温度Ｔを検出する。
【０１０９】
温度検出素子は第２ダイオード３４であり、集積回路体の内部において第２ダイオード３４の一方の端子に一定の電位が与えられている。集積回路体の外部から他方の端子に電位を与えることによって、集積回路体の外部と接続する出力接続部位４５の数を少なくすることができる。ダイオードの温度の変化にともなってダイオードの電圧値が変化する温度特性を第２ダイオード３４は有すので、第２ダイオード３４に一定の電流を与えることによって、第２ダイオード３４の電圧値を求め、温度検出手段は温度を検出することができる。また温度検出手段４を小さくすることができる。また出力接続部位４５の数を少なくすることによって、温度検出手段４の製造コストを少なくすることができる。
【０１１０】
図１０は本発明の実施のさらに他の形態のレーザ装置１１の主要構成を示すブロック図である。本実施の形態のレーザ装置１１は前述した図１の実施の形態のレーザ装置１と類似しており、本実施の形態の構成には、図１の実施の形態における対応する構成に同一の参照符号を付し、異なる構成についてだけ説明し、同様の構成については説明を省略する。
【０１１１】
本実施の形態におけるレーザ装置１１は、前述の図１の実施の形態のレーザ装置１に対して、光集積回路体３の構成が異なる。光集積回路体３は、受光素子８および増幅回路体９を含んで構成され、光集積回路体３は温度検出手段４を含まない。温度検出手段４は光集積回路体３の外部であって、レーザ装置１１の内部に配置される。レーザ装置１１も前述の図１のレーザ装置１と同様の効果を得ることができる。
【０１１２】
本発明の実施の形態のレーザ装置１は受光素子８を含んで構成されたが、レーザ装置１が光記録媒体へ情報を記録のみをする場合は、受光素子８を含まなくても本発明は実現できる。
【０１１３】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、検出温度に基づいて制御手段によってレーザ光源が制御され、レーザ光源の発光量を一定にすることができる。したがって光記録媒体に記録される情報の再生および光記録媒体への情報の記録の精度を、発光量が一定でない場合より、高くすることができる。
【０１１４】
また本発明によれば、温度検出素子と受光素子とが、一体の集積回路体に設けられることによって、レーザ装置を構成する部品の数を減らすことができる。したがって、レーザ装置をより小形にすることができる。またレーザ装置を製造する場合、部品の数が少ない方が部品の数が多い方より、製造工程を少なくすることができるので、より少ない製造工程でレーザ装置を製造することができ、製造コストを少なくすることができる。
【０１１５】
また本発明によれば、温度検出手段がレーザ光源の温度を検出し、検出された検出温度に基づいて、再生処理手段を制御手段が制御し、レーザ光原の温度の変化による再生処理手段への影響を与えないようにすることができる。したがって、再生処理手段は、情報をより高い精度で再生することができる。
【０１１６】
また本発明によれば、温度検出素子は抵抗素子であり、温度検出手段は簡単な構成であるので、温度検出手段を小形にすることができる。したがって、レーザ装置をより小形にすることができる。
【０１１７】
また本発明によれば、集積回路体の外部から他方の端子に電位を与えることによって、集積回路体の外部と接続する接続端子の数を少なくすることができる。したがって温度検出手段を小さくすることができる。また接続端子の数を少なくすることによって、温度検出手段の製造コストを少なくすることができる。
【０１１８】
また本発明によれば、温度検出素子はダイオードであり、温度検出手段は簡単な構成であるので、温度検出手段を小形にすることができる。したがって、レーザ装置をより小形にすることができる。
【０１１９】
また本発明によれば、集積回路体の外部から他方の端子に電位を与えることによって、集積回路体の外部と接続する接続端子の数を少なくすることができる。したがって温度検出手段を小さくすることができる。また接続端子の数を少なくすることによって、温度検出手段の製造コストを少なくすることができる。
【０１２０】
また本発明によれば、集積回路体内に電位差を有すことによって、集積回路体外のレーザ装置の構成要素を少なくすることができる。レーザ装置を製造する場合、構成要素の数が少ない方が構成要素の数が多い方より、製造工程を少なくすることができるので、製造時間が短くなりかつ製造コストを少なくすることができる。
【０１２１】
また本発明によれば、集積回路体内に電位差を有すことによって、集積回路体外のレーザ装置の構成要素を少なくすることができる。レーザ装置を製造する場合、構成要素の数が少ない方が構成要素の数が多い方より、製造工程を少なくすることができるので、製造時間が短くなりかつ製造コストを少なくすることができる。また温度検出手段は受光素子を有すので、受光素子がレーザ光を受光した場合、受光素子の電気抵抗値が変化し、温度検出手段は温度を検出する。したがって、レーザ光源がレーザ光を発生した場合のみ温度検出手段は温度を検出し、レーザ光源がレーザ光を発生していない場合は温度検出手段は温度を検出しないので、温度検出手段のスイッチング態様を、いわば自動的に切替えることができ、温度検出手段に用いられる電気量を少なくすることができることによって、温度検出手段の稼働コストを少なくすることができる。
【０１２２】
また本発明によれば、温度検出手段は、第４抵抗素子および第２トランジスタ間の部位と接地部位間の電圧値を求めることによって、温度を検出することができる。第１〜第５抵抗素子の温度特性が、相互に同一であることによって、前記電圧値は、第１〜第５抵抗素子の温度の変化による影響を受けない。第２トランジスタのコレクタ電流値は、トランジスタの特性によって温度の変化にともなって変化する。したがって、前記電圧値は、温度検出手段を構成する素子の影響を受けないので、温度検出手段は温度をより正確に検出することができる。
【０１２３】
また本発明によれば、集積回路体が受光素子と温度検出手段とを一体に有すことによって、レーザ装置を構成する部品の数を減少させることができる。したがって、レーザ装置をより小形にすることが可能である。またレーザ装置を製造する場合、部品の数が少ない方が部品の数が多い方より、製造工程を少なくすることができるので、製造コストを少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態であるレーザ装置１の主要構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の一形態であるレーザ装置１の温度検出手段４を示す電気回路図である。
【図３】本発明の実施の一形態であるレーザ装置１の温度検出手段４を示す電気回路図である。
【図４】本発明の実施の一形態であるレーザ装置１の温度検出手段４を示す電気回路図である。
【図５】本発明の実施の一形態であるレーザ装置１の温度検出手段４を示す電気回路図である。
【図６】本発明の実施の一形態であるレーザ装置１の温度検出手段４を示す電気回路図である。
【図７】本発明の実施の一形態であるレーザ装置１の温度検出手段４を示す電気回路図である。
【図８】本発明の実施の一形態であるレーザ装置１の温度検出手段４を示す電気回路図である。
【図９】本発明の実施の一形態であるレーザ装置１の温度検出手段４を示す電気回路図である。
【図１０】本発明の実施の一形態であるレーザ装置１１の主要構成を示すブロック図である。
【図１１】従来のレーザ装置５０の主要構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
１，１１　レーザ装置
２　レーザ光源
３　光集積回路体
４　温度検出手段
５　レーザ駆動電流供給回路
６　再生処理手段
７　制御手段
８　受光素子
９　増幅回路体
１０　レーザ光
２２　電圧計
２８　定電圧源
２９　電流計
３１　定電流源
【図１】
2004103954.tif 000003
【図２】
2004103954.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004103954.tif 000009
【図８】
2004103954.tif 000010
【図９】
2004103954.tif 000011
【図１０】
2004103954.tif 000012
【図１１】
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