Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月19日(2004.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクに形成されたパターンの像を基板上に投影する投影光学系の結像特性を補正する結像特性補正方法であって；
前記マスク上に形成された１つのマークパターンを含む領域を照明光により照明して当該マークパターンの前記投影光学系を介した投影像を光電検出するとともに、該投影像の検出中に、その検出中のマークパターン位置と次のマークパターン位置とを含む制限された領域が照明され且つその領域以外は遮光されるように照明領域を設定する第１工程と；
前記第１工程を少なくとも１回経た後に、前記第１工程で検出された投影像のデータから前記投影光学系の結像特性を計算する第２工程と；
前記第２工程における計算結果に基づいて前記投影光学系の結像特性を補正する第３工程とを含む結像特性補正方法。
【請求項２】
照明光によりパターンが形成されたマスクを照明し、前記パターンの像を投影光学系を介して感応基板上に投影露光する投影露光装置であって、
前記マスク上の照明領域を規定する照明領域規定手段を有し、この照明領域規定手段で規定された前記マスク上の照明領域を照明光により照明する照明手段と；
前記感応基板が載置される基板ステージと；
前記マスクと前記基板ステージを所定方向に相対移動させる相対移動手段と；
前記相対移動中に前記マスク上に形成されたマークパターンの前記投影光学系による投影像を光電検出する光電検出手段と；
前記光電検出手段による前記マスク上の１つのマークパターンの検出中に、その検出中のマークパターン位置と次のマークパターン位置とを含む制限された領域が照明され且つその領域以外は遮光されるように、前記照明領域規定手段を制御して照明領域を変更する制御手段と；
前記光電検出手段により検出された投影像のデータから前記投影光学系の結像特性を計算する計算手段と；
前記計算手段の計算結果に基づいて前記投影光学系の結像特性を補正する結像特性補正手段と：
を有する投影露光装置。
【請求項３】
前記照明領域規定手段は、前記照明光の光軸に対し垂直な面内で前記照明領域を回転させる回転機能をも備えていることを特徴とする請求項２に記載の投影露光装置。
【請求項４】
前記光電検出手段により検出される投影像のデータは、前記マークパターンの空間像の積分データであり、
前記計算手段が、前記積分データを前記相対走査方向に対して微分することを特徴とする請求項２に記載の投影露光装置。
【請求項５】
前記計算手段が、倍率、ディストーション、コマ、球面、フォーカス、アス、像面湾曲の中で少なくとも一つを計算するとともに、
前記結像特性補正手段は、前記計算手段で計算された結像特性を補正することを特徴とする請求項２に記載の投影露光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、マスク（Ｒ）に形成されたパターンの像を基板（Ｗ）上に投影する投影光学系（ＰＬ）の結像特性を補正する結像特性補正方法であって、前記マスク（Ｒ）上に形成された１つのマークパターンを含む領域を照明光により照明して当該マークパターンの前記投影光学系（ＰＬ）を介した投影像を光電検出するとともに、該投影像の検出中に、その検出中のマークパターン位置と次のマークパターン位置とを含む制限された領域が照明され且つその領域以外は遮光されるように照明領域を設定する第１工程と；前記第１工程を少なくとも１回経た後に、前記第１工程で検出された投影像のデータから前記投影光学系（ＰＬ）の結像特性を計算する第２工程と；前記第２工程における計算結果に基づいて前記投影光学系（ＰＬ）の結像特性を補正する第３工程とを含む。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項２に記載の発明は、照明光によりパターンが形成されたマスク（Ｒ）を照明し、前記パターンの像を投影光学系（ＰＬ）を介して感応基板（Ｗ）上に投影露光する投影露光装置であって、前記マスク（Ｒ）上の照明領域を規定する照明領域規定手段（２０）を有し、この照明領域規定手段で規定された前記マスク上の照明領域を照明光により照明する照明手段（１１）と；前記感応基板（Ｗ）が載置される基板ステージ（５０）と；前記マスク（Ｒ）と前記基板ステージ（５０）を所定方向に相対移動させる相対移動手段（５４、５８）と；前記相対移動中に前記マスク（Ｒ）上に形成されたマークパターンの前記投影光学系（ＰＬ）による投影像を光電検出する光電検出手段（１００）と；前記光電検出手段（１００）による前記マスク上の１つのマークパターンの検出中に、その検出中のマークパターン位置と次のマークパターン位置とを含む制限された領域が照明され且つその領域以外は遮光されるように、前記照明領域規定手段（２０）を制御して照明領域を変更する制御手段（２６）と；前記光電検出手段（１００）により検出された投影像のデータから前記投影光学系の結像特性を計算する計算手段（２６）と；前記計算手段の計算結果に基づいて前記投影光学系の結像特性を補正する結像特性補正手段（４４ａ〜４４ｃ、４９、４８）と：を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月17日(2003.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
上記不純物導入領域をアモルファス化するように上記金属元素をイオン注入することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
上記金属膜を構成する金属元素が、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、または、Ｐｔのいずれかであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この様な微小領域におけるコンタクト抵抗値の増大は、素子特性を不安定とさせ、素子の性能を十分に発揮することができなくなるため、半導体装置の微細化の障害となっている。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
（２）また、本発明は、上記（１）において、不純物導入領域３，４をアモルファス化するように金属元素をイオン注入することを特徴とする。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
なお、不純物導入領域３，４をアモルファス化する金属元素の注入量としては、１０12〜１０15ｃｍ-2の範囲が好適であり、１０12ｃｍ-2以下ではアモルファス化の状態が不十分で金属元素をイオン注入する工程を加えるメリットが少なく、且つ、１０15ｃｍ-2以上では固溶限界となり、これ以上注入する意味がなくなる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（３）また、本発明は、上記（１）または（２）において、金属膜８を構成する金属元素が、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、または、Ｐｔのいずれかであることを特徴とする。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
この様な金属化合物層９，１０を形成するための金属としては、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、または、Ｐｔのいずれかが低抵抗化のために好適であり、特に、Ｔｉ及びＣｏが好適である。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月9日(2003.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
次に、前記セラミックからなる絶縁板の非電極層面を第１の接着剤層を介して金属基盤に接着する。該接着剤層は、前記したものが好ましく使用され、セラミックからなる絶縁板の熱を金属基盤に逃がしやすくするため薄くすることが好ましい。この時、絶縁板および金属基盤は厚さ方向に貫通孔を有し、導電性部材が該セラミックからなる絶縁板に埋没した電極と該金属基盤間に該貫通孔を介して電圧を印加できるよう加工することが好ましい。
次にセラミックからなる絶縁板の電極層面と絶縁性フィルムとを第２の接着剤層を介して接着する。
熱硬化性接着剤を使用した場合は、必要に応じて適切な加熱、半硬化させる処理および硬化処理を行う。
上記のようにして本発明の静電チャック装置を作製することができる。
吸着面の絶縁性フィルムが疲労した場合、疲労した絶縁性フィルムおよび第２の接着剤層を剥がし、新しい積層体シートを接着する。上記工程で、疲労した絶縁性フィルムは簡便に交換できる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
以下、本発明を実施例に基づいてより詳細に説明する。
【実施例】
実施例１
厚さ２ｍｍのアルミナセラミック絶縁板（東芝セラミックス社製商品名：ＡＬ−１６）の一面を所定のパターンに基づいて深さ０．１ｍｍに研削加工した。次に下記組成の銀ペーストを作成し、絶縁板の研削部に塗布、加熱して電極層を硬化させた後、電極層面を研磨して平滑にした。なお、下記配合における部は重量部である。
銀粉（徳力化学研究所製商品名：シルベストＴＣＧ−７）            ７９部
エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ社製商品名：エピコート１００１）  ６部
ブタジエン−アクリロニトリル共重合体                              ２部
（宇部興産社製商品名：ハイカーＡＴＢＮ１３００×１６）
ジシアンジアミド（和光純薬社製）                                  １部
エチルセロソルブ                                                １２部
次いで、該絶縁板の非電極面に下記組成の接着剤を乾燥後の厚さが２０μｍになるよう塗布を行い、１５０℃で５分間乾燥し、金属基盤と貼り合わせた。この時、該金属基盤および該絶縁板は厚さ方向に貫通孔を開け、該金属基盤はその貫通孔内に導電性部材を通して、電極層と該金属基盤間に電圧を印加できるようにした。
アクリロニトリル−ブタジエンゴム                              １００部
（日本ゼオン社製商品名：ニッポール１００１）
エポキシ樹脂                                                    ５０部
（油化シェルエポキシ社製商品名：エピコートＹＬ−９７９）
クレゾール型フェノール樹脂                                      ５０部
（昭和高分子社製商品名：ＣＫＭ２４００）
ジシアンジアミド（和光純薬社製）                                  ５部
メチルエチルケトン                                            ５００部
次いで、厚さ５０μｍの絶縁性ポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製商品名：カプトン）の一面に該接着剤を乾燥後の厚さが２０μｍになるよう塗布を行い、１５０℃で５分間乾燥して第２の接着剤層を形成した後、アルミナセラミック絶縁板の電極層面と貼り合わせ、８０℃〜１５０℃のステップキュアー処理を５時間行って接着し、本発明による直径８インチの静電チャック面を有する静電チャック装置を作製した。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月5日(2003.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】放送システムにおける情報データ表示システム


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放送データと共に情報データが送られてくる放送システムにおいて受信した多量の情報データを、情報内容によって選別してメモリに記憶し、前記メモリに記憶した情報データの一部を表示器に表示することによって、関連する情報データを行き先として示す情報データ表示システムにおいて、
前記行き先として示された情報データの取得状況を検索する手段と、
当該検索した取得状況を前記表示部に掲示する手段と
を具備することを特徴とする情報データ表示システム。
【請求項２】
前記取得状況の検索手段は、取得状況を段階的に判別する請求項１記載の情報データ表示システム。
【請求項３】
前記取得状況を掲示する手段が、色により取得状況を識別して掲示する請求項１記載の情報データ表示システム。
【請求項４】
放送データと共に送られてくる情報データを取得してタイトル表示及び選択されたタイトルに関連する情報ページを表示可能な情報データ表示システムにおいて、
前記タイトルに関連する情報ページの取得状況を識別可能に該タイトルを表示する表示手段を有することを特徴とする情報データ表示システム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、放送データと共に情報データが送られてくる放送システムにおいて受信した多量の情報データを、情報内容によって選別して記憶し、メモリに記憶した情報データの一部を表示器により表示するシステムに関するもので、例えば、ＤＡＲＣ方式ＦＭ多重放送における情報データの表示システムに関するものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、受信した多量の情報データを情報内容によって選別して記憶し、記憶された情報データの一部を表示器により表示する放送システムにおいて、行き先情報データの取得状況を表示できる表示システムを提供することを目的とするものである。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するためになされたものである。本発明においては、放送データと共に情報データが送られてくる放送システムにおいて受信した多量の情報データを、情報内容によって選別してメモリに記憶し、メモリに記憶した情報データの一部を表示器に表示することによって、関連する情報データの行き先が示される場合、その行き先の情報データの取得状況を検索し、取得状況を表示部に掲示する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月16日(2004.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素マトリクス回路、ドライバー回路およびロジック回路とを同一基板上に配置して構成される半導体装置において、
前記画素マトリクス回路、ドライバー回路およびロジック回路は、結晶シリコン膜を活性層とし、かつ、サブスレッショルド係数が６０〜１００ｍＶ／ｄｅｃａｄｅである複数のＴＦＴを含み、
それぞれの前記回路に含まれる前記複数のＴＦＴのチャネル形成領域は、回路が要求する特性に応じて異なる成長距離を有する横成長領域からなり、
前記ロジック回路またはドライバー回路を構成するＴＦＴのチャネル形成領域となる横成長領域の成長距離は、前記画素マトリクス回路を構成するＴＦＴのチャネル形成領域となる横成長領域の成長距離よりも短いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記活性層のチャネル形成領域は真性な領域であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記活性層中にはシリコン膜の結晶化を助長する触媒元素としてＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種の元素が含まれ、該触媒元素の濃度は１×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記複数のＴＦＴを構成する活性層とゲイト絶縁膜との界面にはＣｌ、Ｆ、Ｂｒから選ばれた一種または複数種の元素が高濃度に存在することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記複数のＴＦＴのうち、必要とする駆動周波数が０．１ＧＨｚ以上の回路を構成するＴＦＴのチャネル長は０．２５〜０．７μｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
絶縁表面を有する基板上に非晶質シリコン膜を形成し、
前記非晶質シリコン膜に対して選択的に非晶質シリコン膜の結晶化を助長する触媒元素を添加し、
加熱処理により前記触媒元素の複数の添加領域を起点として前記非晶質シリコン膜を結晶化させ、結晶シリコン膜でなる横成長領域を複数箇所形成し、
少なくともチャネル形成領域が前記横成長領域から構成される活性層を複数箇所形成し、
前記活性層上にゲイト絶縁膜を形成し、
ハロゲン元素及び酸素を含む雰囲気中で加熱処理し、前記活性層中の前記触媒元素の除去と前記活性層の熱酸化とを行う半導体装置の作製方法において、
前記触媒元素はイオン注入法またはプラズマドーピング法により、少なくとも１ヶ所の前記添加領域は他の前記添加領域とは異なる濃度で添加されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁表面を有する基板上に非晶質シリコン膜を形成し、
前記非晶質シリコン膜に対して選択的に非晶質シリコン膜の結晶化を助長する触媒元素を添加し、
加熱処理により前記触媒元素の複数の添加領域を起点として前記非晶質シリコン膜を結晶化させ、
結晶シリコン膜でなる横成長領域を複数箇所形成し、
複数の前記横成長領域の端部及び複数の前記添加領域を除去するようにパターニングを行い、チャネル形成領域が前記横成長領域から構成される活性層を複数箇所形成し、
前記活性層上にゲイト絶縁膜を形成し、
ハロゲン元素及び酸素を含む雰囲気中で加熱処理し、前記活性層中の前記触媒元素の除去と前記活性層の熱酸化とを行う半導体装置の作製方法において、
前記触媒元素はイオン注入法またはプラズマドーピング法により、少なくとも１ヶ所の前記添加領域は他の前記添加領域とは異なる濃度で添加されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、
前記触媒元素の添加領域の短辺の長さは０．０１〜１μｍであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一において、
前記触媒元素としてＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種の元素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一において、
ハロゲン元素を含む雰囲気中にはＨＣｌ、ＨＦ、ＮＦ3、ＨＢｒ、Ｃｌ2、ＣｌＦ3、ＢＣｌ3、Ｆ2、Ｂｒ2のハロゲンを含む化合物から選ばれた一種または複数種が存在していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月15日(2004.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】受信装置及び受信方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のＰＮ符号により拡散された第１の信号と第２のＰＮ符号により拡散された第２の信号とが互いに直交する搬送波で変調されて送られてくるスペクトラム拡散信号を受信し、上記受信信号を直交検波し、上記直交検波出力に複素共役を乗算して上記第１及び第２の信号の逆拡散出力を得るようにした受信装置において、
受信信号を直交検波して得られた第１の検波信号と第２の検波信号とを選択して、上記第１の信号の復調出力を得るための第１の経路に出力する第１の選択手段と、
上記受信信号を直交検波して得られた第２の検波信号と第１の検波信号とを選択して、上記第２の信号の復調出力を得るための上記第２の経路に出力する第２の選択手段と、
第１のＰＮ符号を発生する第１のＰＮ符号発生手段と、
第２のＰＮ符号を発生する第２のＰＮ符号発生手段と、
上記第１の経路において上記第１の選択手段の出力と上記第２のＰＮ符号発生手段の出力との排他的論理和をとる第１のＥＸ−ＯＲゲートと、
上記第２の経路において上記第２の選択手段の出力と上記第１のＰＮ符号発生手段の出力との排他的論理和をとる第２のＥＸ−ＯＲゲートと、
上記第１のＰＮ符号発生手段からの第１のＰＮ符号と上記第２のＰＮ信号発生手段からの第２のＰＮ符号とが等しいかどうかに応じて上記第１及び第２の選択手段を切り替えるスイッチ制御手段とを備え、
上記第１のＥＸ−ＯＲゲート及び上記第２のＥＸ−ＯＲゲートの出力から上記第１及び第２の信号の逆拡散出力を得るようにした受信装置。
【請求項２】
上記受信信号を直交検波して得られる第１の検波信号及び第２の検波信号を正負対称なディジタル信号でディジタル化するようにした請求項１記載の受信装置。
【請求項３】
上記受信信号を直交検波して得られる第１の検波信号及び第２の検波信号を２の補数でディジタル化し、上記２の補数のディジタル信号を正負対称なディジタル信号として扱うようにした請求項１記載の受信装置。
【請求項４】
更に、２の補数のディジタル信号を正負対称なディジタル信号として扱った場合の補正回路を設けるようにした請求項３記載の受信装置。
【請求項５】
第１のＰＮ符号により拡散された第１の信号と第２のＰＮ符号により拡散された第２の信号とが互いに直交する搬送波で変調されて送られてくるスペクトラム拡散信号を受信し、上記受信信号を直交検波し、上記直交検波出力に複素共役を乗算して上記第１及び第２の信号の逆拡散出力を得るようにした受信方法において、
受信信号を直交検波して得られた第１の検波信号と第２の検波信号とを選択して、上記第１の信号の復調出力を得るための第１の経路に出力すると共に、
上記受信信号を直交検波して得られた第２の検波信号と第１の検波信号とを選択して、上記第２の信号の復調出力を得るための第２の経路に出力し、
上記第１の経路において上記選択された上記第１の検波信号又は上記第２の検波信号と、上記第２のＰＮ符号との排他的論理和をとり、
上記第２の経路において上記選択された上記第２の検波信号又は上記第１の検波信号と、上記第１のＰＮ符号との排他的論理和をとり、
上記第１のＰＮ符号と上記第２のＰＮ符号とが等しいかどうかに応じて、上記第１の経路に上記第１の検波信号と第２の検波信号のどちらを出力するかを決定すると共に、上記第２の経路に上記第２の検波信号と第１の検波信号のどちらを出力するかを決定し、
上記第１のＥＸ−ＯＲゲート及び上記第２のＥＸ−ＯＲゲートの出力から上記第１及び第２の信号の逆拡散出力を得るようにした受信方法。
【請求項６】
上記受信信号を直交検波して得られる第１の検波信号及び第２の検波信号を正負対称なディジタル信号でディジタル化するようにした請求項５記載の受信方法。
【請求項７】
上記受信信号を直交検波して得られる第１の検波信号及び第２の検波信号を２の補数でディジタル化し、上記２の補数のディジタル信号を正負対称なディジタル信号として扱うようにした請求項５記載の受信方法。
【請求項８】
更に、２の補数のディジタル信号を正負対称なディジタル信号として扱った場合の補正回路を設けるようにした請求項５記載の受信方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ＣＤＭＡ（Code Division Multiple Accesss）方式のセルラ電話システムに用いて好適な受信装置及び受信方法に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
したがって、この発明の目的は、信号に複素共役を乗じて、逆拡散を行えると共に、回路規模の縮小を図れるようにした受信装置及び受信方法を提供することにある。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月19日(2004.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数台の部品実装機の各部品供給部における部品配列決定方法であって、
実装速度の高速から低速の順番、または、部品の大きさが小から大の順番に並ぶように部品配列表を作成し、
前記部品配列表の部品の順番を変えることなく、前記部品配列表に対して上流の部品実装機から割り付け、
部品実装機間の境界を、部品実装機ごとの実装時間が最も近くなるように設定することを特徴とする部品実装機の部品供給部における部品配列決定方法。
【請求項２】
部品実装機間の境界を、前後に移動調整し、部品実装機ごとの実装時間が最も近くなるように設定することを特徴とする請求項１記載の部品実装機の部品供給部における部品配列決定方法。
【請求項３】
部品実装機間の境界の設定において、
各部品実装機ごとの実装時間が予め算出した１台当たりの平均実装時間の近傍値になるように、部品実装機間の境界線を仮設定し、
前記部品実装機間の境界線を前後に移動調整し、各部品実装機ごとの実装時間のバランスが予め設定した特定範囲内に収まるか、または、各部品実装機ごとの実装時間のバランスが最も取れている境界線に決定することを特徴とする請求項１記載の部品実装機の部品供給部における部品配列決定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するため、複数台の部品実装機の各部品供給部における部品配列決定方法であって、
実装速度の高速から低速の順番、または、部品の大きさが小から大の順番に並ぶように部品配列表を作成し、
前記部品配列表の部品の順番を変えることなく、上流の部品実装機から割り付け、
部品実装機間の境界を、部品実装機ごとの実装時間が最も近くなるように設定することを特徴とするものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この発明によれば、各部品実装機の実装時間のバランスが取れ、生産効率を上げることも図れ、かつ、同一形状の部品を連続で固めて部品供給部に配置でき、オペレータの部品供給部における配置の誤りを防ぐことができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図１から図２を用いて説明する。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図１において、１は生産に使用する部品配列表を作成するブロックで、部品形状の大きさが小から大の順番に並ぶようにするか、または、実装速度が高速から低速の順番に並ぶようにソートする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月15日(2004.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層と不純物導入した層との間に格子不整合を有する層を設けることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
上記格子不整合を有する層が圧縮歪み層であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
上記格子不整合を有する層が引っ張り歪み層であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
上記格子不整合を有する層が、圧縮歪み層と引っ張り歪み層との積層構造であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項５】
上記不純物導入した層が、導入不純物として亜鉛を用いる層であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項６】
ＡｌＧａＩｎＰ系材料により構成されたことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項７】
基板と、
上記基板上に形成された第１のクラッド層と、
上記第１のクラッド層上に形成された活性層と、
上記活性層上に形成されたノンドープの第２のクラッド層と、
上記第２のクラッド層上に形成された格子不整合層と、
上記格子不整合層上に形成されたドープされた第３のクラッド層とを有する
ことを特徴とする発光素子。
【請求項８】
上記格子不整合層と上記ドープされた第３のクラッド層の間に、ノンドープクラッド層を有することを特徴とする請求項７に記載の発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また本発明は、上記発光素子において、ＡｌＧａＩｎＰ系材料により構成された構成とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
以下、図面を参照して本発明の発光素子の具体的な実施例を説明する。
図１は、本発明の発光素子の実施例、本例ではＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザに適用した例の断面図を示す。
この半導体レーザ１は、いわゆるＳＣＨ（Separate Confinement Heterostructure）構造を有するもので、光導波を行う層を活性層と別に設けている。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
この第１のガイド層４の上に、例えばＧａＩｎＰからなるｗｅｌｌ層５と、例えばＡｌＧａＩｎＰからなるバリア層６とを交互に積層し量子井戸活性層１５が形成されている。
これの上には、例えばＡｌＧａＩｎＰからなる第２のガイド層７が形成され、その上に例えばＡｌＧａＩｎＰからなるアンドープのクラッド層８が形成され、その上の格子不整合を有する拡散防止層９を挟んで、またアンドープのクラッド層８が形成されている。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
そして、本例においては、格子不整合を有する拡散防止層９は、図２に活性層近傍のエネルギーバンド図を示すように、圧縮歪み層９ａと引っ張り歪み層９ｂとを交互に積層した構造により構成する。
これにより、第２導電型のクラッド層１０にドープされた亜鉛が、この拡散防止層９により拡散が抑制される。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
従って、格子間の亜鉛の活性層１５への拡散を抑制することができるので、活性層１５の劣化を抑制して寿命を長くすることができ、半導体レーザ１の信頼性を高めることができる。
これにより、亜鉛の活性層１５への拡散にとらわれず、亜鉛のドーピングプロファイルの自由度を広げることができる。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
そして、これの上に例えば５ｎｍ程度の厚さのＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ等からなるｗｅｌｌ層５と例えば６ｎｍ程度の厚さの例えば（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．５Ｉｎ０．５Ｐ等からなるバリア層６を交互に積層形成し、例えば３つの量子井戸構造を形成した活性層１５を構成する。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
続いて、拡散防止層９の上にも厚さ２００ｎｍ程度の（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐ等からなるアンドープのクラッド層８を形成した後、例えば６００ｎｍ程度の厚さの例えば亜鉛をドープした（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐ等からなる第２導電型のクラッド層１０を形成し、例えば３００ｎｍの厚さの例えば亜鉛をドープしたＧａＡｓ等からなるコンタクト層１１を順次積層形成する。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１  半導体レーザ、２  半導体基板、３  第１導電型のクラッド層、４  第１導電型のガイド層、５  ｗｅｌｌ層、６  バリア層、７  第２のガイド層、８  アンドープのクラッド層、９  拡散防止層、９ａ  歪み層、９ｂ  歪み層、１０  第２導電型のクラッド層、１１  コンタクト層、１２  電流狭窄層、１３  第１導電型の電極、１４  第２導電型の電極、２１  ドーピング層、２２  格子整合層、２３  圧縮歪み層、２４  引っ張り歪み層、１５，２５  活性層
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
1998209573.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月27日(2003.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型窒化物半導体上にV族置換型窒化物半導体の中間層を形成し、該中間層上に金属電極を形成したｐ型窒化物半導体装置。
【請求項２】
前記中間層を構成する半導体材料がGaNPAsSb混晶とGaNP混晶、 GaNAs混晶、GaNSb混晶とからなる群から選ばれることを特徴とする請求項１に記載のｐ型窒化物半導体装置。
【請求項３】
前記中間層にII族不純物を高い濃度で添加したことを特徴とする請求項１あるいは請求項２に記載のｐ型窒化物半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載のｐ型窒化物半導体装置を製造するための方法であって、前記V族置換型窒化物半導体の中間層を；V族元素を含むガラスからV族元素を熱拡散して形成するか、V族元素を含む雰囲気からV族元素を熱拡散して形成するか、V族元素を溶解したIII族金属融液からV族元素を熱拡散して形成するか、V族元素のイオンを前記ｐ型窒化物半導体にイオン打ち込みして形成するか、結晶成長によって形成するか、のいずれかの方法で形成することを特徴とするｐ型窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３に記載のｐ型窒化物半導体装置を製造するための方法であって、前記II族不純物はこれをV族置換型窒化物半導体の中間層に；II族元素を含むガラスからII族不純物を熱拡散するか、II族元素を含む雰囲気からII族不純物を熱拡散するか、II族元素を溶解したIII族金属融液からII族不純物を熱拡散するか、II族元素をイオン打ち込みするか、II族元素を含む金属多層膜またはII族元素を含む合金からII族不純物を熱拡散するか、結晶成長によって含有させるか、のいずれかの方法で添加することを特徴とするｐ型窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載のｐ型窒化物半導体装置を製造するための方法であって、前記V族置換型窒化物半導体の中間層をV族元素を含むガラスからV族元素を熱拡散して形成し、前記II族不純物はこれをV族置換型窒化物半導体の中間層にII族元素を含むガラスから熱拡散して添加することを特徴とするｐ型窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載のｐ型窒化物半導体装置を製造するための方法であって、前記V族置換型窒化物半導体の中間層をV族元素を含む雰囲気からV族元素を熱拡散して形成し、前記II族不純物はこれをV族置換型窒化物半導体の中間層にII族元素を含む雰囲気から熱拡散して添加することを特徴とするｐ型窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載のｐ型窒化物半導体装置を製造するための方法であって、前記V族置換型窒化物半導体の中間層をV族元素を溶解したIII族金属融液からV族元素を熱拡散して形成し、前記II族不純物はこれをV族置換型窒化物半導体の中間層にII族元素を溶解したIII族金属融液から熱拡散して添加することを特徴とするｐ型窒化物半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月17日(2003.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
従って、印刷用に使用するインタフェース０（４０４）の中には、エンドポイントが２つ（エンドポイント１、２（４０５、４０６））だけ定義されている。エンドポイント１、２（４０５、４０６）の属性は、エンドポイントディスクリプタで表現され、エンドポイントディスクリプタには、そのエンドポイントのエンドポイント番号、通信方向、転送タイプ、最大パケットサイズなどが含まれている。エンドポイント１（４０５）は、主に制御データ受信や印刷データ受信のために使用される。エンドポイント２（４０６）は、主に受信した印刷データの印刷状況を送信するために使用される。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
さらに、記録部１１５が印刷状況を示すデータを送信する準備が整っていない場合も同様である。記録部１１５になにかしらの致命的なエラーが発生し、記録部１１５が印刷状況を示すデータを送信する準備が整っていない場合は、ＵＳＢファンクション制御部１１３には外部処理装置２００に対して、印刷状況を示すデータを送信する準備が整っていない状態が設定されている。例えば、記録部１１５は、ステップＳ５０２における記録部１１５の初期化時に、記録部１１５内部に致命的なエラーを検出した場合、記録部１１５は印刷状況を示すデータを送信することができない状態をＵＳＢファンクション制御部１５６に設定する。ステップＳ５０３においてその状態をＵＳＢホスト制御部１１４経由で検出したＣＰＵ１０１は、ステップＳ５０４においてＵＳＢファンクション制御部１１３に対し、印刷状況を示すデータを送信する準備が整っていない状態を設定する。この制御により、外部処理装置２００から印刷状況を示すデータの転送要求が来た場合でも、印刷状況を示すデータを送信する準備が整っていない状態を外部処理装置２００に返すことにより外部処理装置２００は記録部が印刷状況を示すデータを送信する準備が整っていないことを知ることができるので、処理の動作不具合を回避することが可能になる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
まず、ステップ７０１において開始処理を行う。ここで、ＣＰＵ１０１は、記録部１１５の初期化処理とともに、何のためのローカル印刷が行われるかという詳細情報（例えば、コピー画像印刷中、受信したＦＡＸの印刷中、レポート印刷中、カートリッジ交換中等）を、図５で示すEndpoint１（４０５）の制御、印刷データ受信用に用いられる論理チャネルへ送信する。ここで、Endpoint１（４０５）の代わりにEndpoint０（４０３）を使用するように構成してもよい。この詳細情報は、記録部１１５内のＲＡＭ１５３に記憶され、後述するステップＳ７０４及びステップＳ８０３において印刷状況の通知要求があった時に、エラー情報等の他の記録部１１５の印刷状況の情報とともに外部処理装置２００に通知される。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月23日(2003.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なった動作モードの間で切換可能な、位置測定装置として構成された測定値変換器（１；２１；３１）と、複数の信号伝送導線（３，４；２３，２４；３３，３４）を介してこの測定値変換器（１；２１；３１）と接続された処理ユニット（２；２２；３２）との間でデータを伝送するための装置において、その際、
少なくとも一つの第一の信号伝送導線（４；２４；３４）上において、この測定値変換器（１；２１；３１）から処理ユニット（２；２２；３２）へのデータの伝送が行われ、ならびに、
この第一の信号伝送導線（４；２４；３４）上におけるデータのシリアル伝送の同期を取るために、少なくとも一つの第二の信号伝送導線（３；２３；３３）上において、処理ユニット（２；２２；３２）から測定値変換器（１；２１；３１）の方向へのクロック信号の伝送が行われ、ならびに、
さらに、この第二の信号伝送線（３；２３；３３）上における信号を監視する比較ユニット（７；２７；３７）を有し、このユニットが、この監視している信号伝送導線（３；２３；３３）上で検出した信号にもとづき、異なった動作モードの間の切換を可能とし、その際この切換が、この検出した信号と予め設定した基準信号との比較にもとづき行われる装置。
【請求項２】
測定値変換器（１；２１）が、少なくとも二つの異なった動作モードの間で選択的に動作可能であり、これらの動作モードが、
測定値変換器（１；２１）から処理ユニット（２；２２）への測定データの伝送が行われる少なくとも一つの測定モード、および、
測定値変換器（１；２１）の記憶ユニット（６，２６）の書込および読取を可能とする少なくとも一つのプログラムモードである請求項１に記載の装置。
【請求項３】
測定値変換器（１；２１）に組み込まれた記憶ユニット（６，２６）が、複数の独立した記憶領域（６.1，６.2，６.3；２６.1，２６.2，２６.3）を有し、これらの領域が、それぞれ異なったパラメータの範疇に対応して割り当てられており、プログラムモードにおいて、規定のとおりに書込および読取可能である請求項２に記載の装置。
【請求項４】
比較ユニット（７；２７）と接続された切替手段（８.1，８.2；２８）を備え、この切換手段が、実行された比較結果に応じて起動されて、測定値変換器（１；２１）の記憶ユニット（６，２６）の書込および／または読取、あるいは処理ユニット（２；２２）への測定データの伝送が行なわれる請求項２に記載の装置。
【請求項５】
プログラムモードにおける、記憶ユニット（６）への書込のための測定値変換器（１）の方向へのデータの伝送が、単一方向で動作する第二の信号伝送導線（３）を介して行われる請求項２に記載の装置。
【請求項６】
第一の信号伝送導線（２４）が、両方向で動作する信号伝送導線（２４）として構成され、プログラムモードにおける、記憶ユニット（２６）への書込のための測定値変換器（２１）の方向へのデータの伝送が、この信号伝送導線を介して行われる請求項２に記載の装置。
【請求項７】
測定値変換器が、アナログ信号をデジタル出力信号に変換する信号処理ユニット（３６）を有するとともに、異なった測定モードの間の切換を可能にする切換手段（３８）を備え、一方の測定モードにおいては、このアナログ信号を後続する処理ユニット（３２）へ伝送するものと規定し、他方の測定モードにおいては、信号処理ユニット（３６）により生成したデジタル出力信号を後続する処理ユニットへ伝送するものと規定する請求項１に記載の装置。
【請求項８】
比較ユニット（７；２７；３７）が、少なくとも一つの信号伝送導線（３；２３；３３）上に出力される信号周波数の検出と、予め設定した基準信号との比較が可能であるように構成される請求項１に記載の装置。
【請求項９】
二つの規定した動作モードの間の切換が、唯一つの基準信号を用いて行われる請求項１〜８までのいずれか一つに記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月18日(2003.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボールトに動作的に結合されるホストプロセッサを含む処理システム内のボールトデータを確実にバックアップする方法であって、
所定の組のボールトデータを上記ボールト内に格納する段階と、
上記ボールト内において、上記所定の組のボールトデータに暗号で署名する段階と、
上記暗号で署名されたボールトデータを上記ホストプロセッサへ送る段階と、
上記暗号で署名されたボールトデータを上記ホストプロセッサのデータファイル内に格納する段階と、
を備えていることを特徴とする方法。
【請求項２】
上記諸段階は、上記ボールトが取引を完了させた時に遂行される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記データファイル内の上記暗号で署名されたボールトデータの各格納に索引を付け、ボールト取引の履歴ログを作成する段階、
を更に備えている請求項２に記載の方法。
【請求項４】
取引証明システムであって、
格納手段を含むホストプロセッサと、
上記ホストプロセッサに動作的に結合され、ディジタルトークン生成手段及び取引勘定手段を含むボールト手段と、
上記ホストプロセッサに動作的に結合されているプリンタと、
上記ホストプロセッサ内にあって、上記トークン生成手段によって要求される所定の情報を含む少なくとも１つのディジタルトークン要求を発行する手段と、  上記ホストプロセッサ内にあって、上記ディジタルトークン要求を上記ボールト手段へ送って上記トークン生成手段が生成したディジタルトークンを上記ボールト手段から受けるために、上記ボールト手段と機密保護された通信を行う手段と、
上記ホストプロセッサ内にあって、上記ディジタルトークン及び上記所定の情報を含む上記ディジタルトークンに対応する取引記録を上記格納手段内に収集する手段と、
上記ホストプロセッサに動作的に結合され、上記ディジタルトークンから証印ビットマップを生成する手段と、
を備えていることを特徴とする取引証明システム。
【請求項５】
上記取引記録は、上記格納手段内へ収集される前に暗号化される請求項４に記載の取引証明システム。
【請求項６】
上記ボールト手段内に格納されている情報のバックアップとして、上記取引記録の複数の連続する記録が上記格納手段内に格納される請求項４に記載の取引証明システム。
【請求項７】
上記ホストプロセッサは、普通のプロセッサ、メモリ、及び格納手段を含むパーソナルコンピュータ（ＰＣ）であり、上記プリンタは、上記ＰＣに動作的に結合されている機密保護されていない非専用プリンタである請求項４に記載の取引証明システム。
【請求項８】
上記ボールト手段は、上記ＰＣに着脱可能に結合される携帯用ボールトカードからなり、上記ＰＣは、上記ボールトカードを上記ＰＣに着脱可能に結合する手段を含んでいる請求項５に記載の取引証明システム。
【請求項９】
上記格納手段は、上記ＰＣのハードドライブである請求項８に記載の取引証明システム。
【請求項１０】
ボールトディジタルを回復する方法であって、
ホストプロセッサ内のデータファイルから暗号で署名されたボールトデータを読み出す段階と、
上記暗号で署名されたボールトデータの署名を検査する段階と、
上記署名が認証された時に上記暗号で署名されたボールトデータから上記ボールトデータを回復する段階と、
を備えていることを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記所定の組のボールトデータは減額レジスタを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記所定の組のボールトデータは増額レジスタを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記所定の組のボールトデータは郵便物カウントを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記暗号で署名する段階は、前記ボールト内に格納されているキーで行う、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記格納する段階は、前記ホストプロセッサのハードドライブに格納する、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
さらに、前記データファイル内で、暗号で署名されたボールトデータの各格納に索引付けをして少なくとも最新のボールト取引の記録を作成する段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
所定の組のボールトデータを格納する手段と、
前記所定の組のボールトデータに暗号で署名する手段と、
前記暗号で署名されたボールトデータをボールトから送信する段階と、
を含むことを特徴とする取引証明システムボールト装置。
【請求項１８】
さらに、ボールト装置をホストシステムに接続する手段を備え、前記送信する手段は、暗号で署名されたボールトデータをホストシステムに送信する、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記所定の組のボールトデータは減額レジスタを含んでいる、請求項１７に記載の装置。
【請求項２０】
前記所定の組のボールトデータは増額レジスタを含んでいる、請求項１７に記載の装置。
【請求項２１】
前記所定の組のボールトデータは郵便物カウントを含んでいる、請求項１７に記載の装置。
【請求項２２】
前記暗号で署名する手段は、ボールト装置内に格納されているキーで署名する、請求項１７に記載の装置。
【請求項２３】
取引証明システムにおいて使用するホストプロセッサであって、
当該ホストプロセッサに接続されたボールト手段と、
暗号で署名された所定の組のボールトデータが格納されている格納手段と、
を有することを特徴とするホストプロセッサ。
【請求項２４】
前記暗号で署名された所定の組のボールトデータは、減額レジスタ、増額レジスタ、及び郵便物カウントを含んでいる、請求項２３に記載のホストプロセッサ。
【請求項２５】
前記所定の情報は、前記トークン生成手段が必要とする情報を含んでいる、請求項４に記載の取引証明システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、進歩した郵便料金支払いシステムに関し、より詳しくは事前に計算された郵便料金支払い情報を有する進歩した郵便支払いシステムに関する。
関連出願
本発明は、米国特許出願（代理人ドケット E-415、E-416（特開平０９−３１９９０７号公報）、E-417 、E-418 、E-419（特開平０９−３１１９６２号公報）、E-4121（特開平１０−２７２７２号公報）、E-444（特開平１０−２７２７２号公報）、E-452 、E-463 、及び E-466）に関連している。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月19日(2003.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メータシステムにおいてディジタルトークンを再発行する方法であって、
郵便料金額および郵便物カウントを含む所定の郵便情報を用いてディジタルトークンを計算し、
郵便資金を郵便料金額だけ借方に記入し、
証印を生成する際に用いられるディジタルトークンを発行し、
該ディジタルトークンおよび所定の郵便情報を取引記録の一部として記憶し、
前記ディジタルトークンから生成された証印が郵便物上へうまく印刷されなかったとき、該郵便物に該証印を再生成するために、該取引ファイルにおける該取引記録からディジタルトークンを再発行する、ステップを有する方法。
【請求項２】
ディジタルトークンを再発行する前記ステップが、前記郵便物カウントに基づいていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記取引記録に含まれる郵便物カウントに従って、ディジタルトークンに対応する取引記録を見つけるステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
取引記録が、ＰＣメータのハードドライブ上に記憶されていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記取引記録が、メータユニットに記憶されていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
所定の時間またはカウントに対して、取引記録ファイルに複数の取引記録を維持することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
メータシステムにおいてディジタルトークンを再発行する方法であって、
郵便物カウント、及び少なくとも１つのディジタルトークンに対するリクエストを含んだ所定の郵便情報を、ホストプロセッサから、該ホストプロセッサに作動的に接続された金庫に送り、
該所定の郵便情報を用いて、トークンに関するリクエストに応答して、金庫内で少なくとも１つのディジタルトークンを計算し、
郵便資金を金庫内で借方に記入し、
該ディジタルトークンをホストプロセッサに発行し、
後続の証印の生成および印刷のために、該ディジタルトークンおよび該所定の郵便情報をホストプロセッサにおける取引記録として記憶し、
該ホストプロセッサにおいて、該ディジタルトークンおよび該所定の郵便情報のグラフィックスイメージを含んだ証印のビットマップイメージを生成し、後続の印刷のために該ホストプロセッサにおいて該証印を記憶し、
前記生成されたビットマップイメージがうまく印刷されなかったときに、該ホストプロセッサにおいて前記取引記録からディジタルトークンを再発行するステップを有する方法。
【請求項８】
メータシステムにおいてディジタルトークンを再発行する方法であって、
ディジタルトークンに対するリクエストに応答して、郵便物カウントを含む所定の郵便情報を使用して少なくとも１つのディジタルトークンをメータリングユニットにおいて計算し、
前記メータユニット中で郵便資金を借方に記入し、
前記ディジタルトークンを発行し、
後続の証印の生成および印刷のために前記ディジタルトークン及び前記所定の郵便情報をメータユニット中に取引記録として記憶し、
前記ディジタルトークン及び前記所定の郵便情報のグラフィックスイメージを含む証印のビットマップイメージを生成し、後続の印刷のために当該証印を記憶し、
前記生成されたビットマップイメージがうまく印刷されなかったときは、前記取引記録から前記ディジタルトークンを再発行するステップを有する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
ＤＬＬ４０は、以下のソフトウェアサブモジュールを含む。セキュリティのある通信サブモジュール８０が、ＰＣ１２と金庫２０の間の通信を制御する。取引捕獲サブモジュール８２が、ＰＣ１２内に取引記録を記憶する。セキュリティのある証印イメージ生成および記憶サブモジュール８４が、証印ビットマップイメージを生成し、後続の印刷に対するイメージを記憶する。アプリケーションインタフェースサブモジュール８６が、非メータ処理アプリケーションプログラムにインタフェースし、非メータ処理アプリケーションプログラムによる証印に対するリクエストに応答して、ディジタルトークンに対するリクエストを発行する。ＰＣメータシステム１０のより詳細な説明が、本願と同時に出願された米国特許出願（アトーニードケットNo.E-421（日本国特許出願  特願平８−３５９６４７に対応））に開示されている。