【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年12月21日(2011.12.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
少なくとも二つの端子を有する超伝導誘導素子を製造する方法であって、該素子が、その素子の少なくとも一つの端子を包含した、ラインの少なくとも一つの部分を有し、該ラインの前記部分が、交互に積層された第一の超伝導フィルム（Ｃ１）と絶縁フィルム（Ｃ２）とから成るスタック（Ｅ）内で伝導層又は超伝導層を構成していることを特徴とする、超伝導素子の製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項５】
前記スタック（Ｅ）の蒸着前に、第二の伝導フィルムを基板（Ｓ）上に蒸着する前工程を含んでいることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項６】
交互に積層された超伝導フィルム（Ｃ１）と絶縁フィルム（Ｃ２）とにより成る前記スタック（Ｅ）を蒸着する工程と、
誘導素子が植え付けられる位置に前記スタック（Ｅ）だけが残るように前記スタック（Ｅ）をエッチングする工程を更に含んでいることを特徴とする、請求項３又は４に記載の方法。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項７】
誘導素子が植え付けられる位置に前記スタック（Ｅ）だけが残るように前記スタック（Ｅ）をエッチングする工程と、
前記第二の超伝導フィルムをエッチングする工程を更に含んでいることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項８】
前記スタック（Ｅ）と前記第二の超伝導フィルムとを同時にエッチングする工程と、
誘導素子が植え付けられる位置に前記スタック（Ｅ）だけが残るように前記スタック（Ｅ）をエッチングする工程を更に含んでいることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１０】
前記絶縁フィルム（Ｃ２）の少なくとも一つが、ＬａＡｌＯ３合成物から作られていることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法によって、少なくとも二つの端子を有する超伝導誘導素子を製造するシステムであって、該素子が、その素子の少なくとも一つの端子を包含した、ラインの少なくとも一つの部分を有し、そのラインの前記部分が、交互に積層された第一の超伝導フィルム（Ｃ１）と絶縁フィルム（Ｃ２）とから成るスタック（Ｅ）内で伝導層又は超伝導層を構成していることを特徴とする、超伝導素子の製造システム。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１２】
交互に積層された超伝導フィルムと絶縁フィルムとにより成るスタック（Ｅ）を蒸着するための手段と、
前記蒸着されたフィルムの全てを部分的にエッチングするための手段を有し、
これら手段が、誘導素子が植え付けられる場所に前記蒸着されたフィルムだけを残こすように配置されていることを特徴とする、請求項１１に記載のシステム。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１３】
第二の超伝導フィルムを基板（Ｓ）上に蒸着するための手段と、
前記第二の超伝導フィルム上に、交互に積層された超伝導フィルムと絶縁フィルムとにより成るスタック（Ｅ）を蒸着するための手段と、
前記蒸着されたフィルムの全てを部分的にエッチングするための手段を有し、
これら手段が、超伝導ラインが植え付けられる場所だけに前記第二の超伝導フィルムを残し且つ誘導素子が植え付けられる場所だけに前記スタックを残すよう配置されていることを特徴とする、請求項１１に記載のシステム。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１５】
前記アンテナが超伝導フィルムから作られていることを特徴とする、請求項１４に記載のアンテナ装置。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１９】
並列に配置された誘導素子と前記誘導素子のダウンストリームに直列に配置された容量性素子とを有する高域フィルタ装置であって、前記誘導素子が、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法によって作られた超伝導誘導素子であることを特徴とする高域フィルタ装置。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
この目的は、交互に積層された超伝導フィルムと絶縁フィルムとにより成るスタックを含む平方ミクロンの数百の階数（ｏｒｄｅｒ）の面積を有する、ラインの少なくとも一つの部分の形態の超伝導誘導素子を製造する方法によって達成される。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
ラインの少なくとも一つの部分は、素子の端子の一つを構成している少なくとも一つの部分を包含している。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
より詳しく説明すると、この方法は、少なくとも二つの端子を持った超伝導誘導素子の製造を可能にするものであり、この素子は、素子の少なくとも一つの端子を包含した少なくとも一つの、ラインの部分を含み、このラインの部分は、相互に積層された超伝導フィルムと絶縁フィルムとにより成る少なくとも一つのスタック内で伝導層又は超伝導層を構成している。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
第一の製造方法は次の工程を含んでいる。
１）交互に積層された第一の超伝導フィルムと絶縁フィルムとにより成るスタックを蒸着する工程と、
２）第二の超伝導フィルムを蒸着する工程と、
３）蒸着されたフィルムの全てを、例えば、スタックと第二の超伝導フィルムとを同時にエッチングするというような態様でエッチングする工程と、
４）誘導素子が植え付けられる場所にスタックだけが残るようにスタックを選択的にエッチングする工程。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
次のような工程を含む第二の製造方法も用いることができる。
１）交互に積層された第一の超伝導フィルムと絶縁フィルムとにより成るスタックを蒸着する工程と、
２）第二の超伝導フィルムを蒸着する工程と、
３）誘導素子が植え付けられる場所にスタックだけが残るようにスタックを選択的にエッチングする工程と、
４）回路の残りの部分をエッチングする工程。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
実施可能な第三の製造方法は、次の工程を含んでいる。
１）交互に積層された第一の超伝導フィルムと絶縁フィルムとにより成るスタックを蒸着する工程と、
２）第二の超伝導フィルムを蒸着する工程と、
３）第二の超伝導フィルムをエッチングする工程と、
４）誘導素子が植え付けられる場所にスタックだけが残るようにスタックを選択的にエッチングする工程。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
実施可能な第四の製造方法は、次の工程を含んでいる。
１）交互に積層された超伝導フィルムと絶縁フィルムとにより成るスタックを蒸着する工程と、
２）誘導素子が植え付けられる場所にスタックだけが残るようにスタックを選択的にエッチングする工程と、
３）そのように製造された誘導素子を超伝導コネクション又は非超伝導コネクションによって回路の残りの部分と接続する工程。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
本発明の別の側面によれば、交互に積層された超伝導フィルムと絶縁フィルムとにより成るスタックを含んだ、ラインの少なくとも一部分の形態の超伝導誘導素子を製造するためのシステムであって且つ本発明による上記製造方法を実施するためのシステムが提供される。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
本発明の特定の実施形態においては、この製造システムは、
超伝導フィルムを基板上に蒸着するための手段と、
超伝導フィルム上に、交互に積層された超伝導フィルムと絶縁フィルムとにより成るスタックを蒸着するための手段と、
蒸着されたフィルムの全てを部分的にエッチングするための手段を有し、
これらの手段が、誘導素子が植え付けられる場所に前記フィルムを残すように配置されている。
【誤訳訂正２１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
そのフィルタ装置は、例えば、並列に配置された誘導素子と、誘導素子のダウンストリームに直列に配置された容量性素子とを有する高域フィルタであってもよい。その誘導素子は、本発明による製造方法によって製造された超伝導誘導素子である。
【誤訳訂正２２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
図２ａ及び図２ｂに示した方法に相当する本発明による特定の方法においては、基板Ｓに蒸着され、エッチングされた第二の超伝導フィルム（図示せず）が、誘導スタックＥが上に置かれる超伝導ラインＬＳを構成していることを銘記すべきである。
【誤訳訂正２３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
本発明による超伝導誘導素子のサンプルの特徴を明らかにするために用いられる図４に示した測定装置は、電流を発生させる低周波発生器ＧＢＦを含んでいて、その発生させたれた電流Ｉ（ｔ）は、コンタクトＩ１，Ｉ２を介してレジスタＲとサンプルＥｃｈを通り経時的に変化する。レジスタＲの端子を横切る電位差は、差動増幅器Ａ１によって増幅され、オシロスコープＯｓｃの入力ＹＩに付加される。サンプルを通る電流Ｉ（ｔ）の強さを知ることは可能である。サンプルの端子を横切る電位差は、Ｖ１，Ｖ２において捕えられ、増幅器Ａｖによって増幅されてオシロスコープの入力Ｙｖに付加される。
【誤訳訂正２４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
高機能で簡単に集積させられるそのような誘導素子は、エレクトロニクスの最も一般的な応用、特に、例えば、高域，低域又は帯域の如き全てのタイプのフィルタ機能を発揮させるために一般的な態様で用いることも可能である。高集積及び／又は小型フィルタを製造することが可能である。
【誤訳訂正２５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
高域フィルタ及び低域フィルタに関して図９及び図１０に示されているように、出力電圧Ｖｏｕｔを得るために、インダクタンスＬを用いることによって入力電圧Ｖｉｎをフィルタすることができる。この例に示されているように、本発明による誘導素子を用いることにより、集積回路において、コンデンサとインダクタンスだけを有するフィルタを製造することが可能となり、そのフィルタはコンデンサとレジスタにて構成されたフィルタと比較して低散逸のものである。
【誤訳訂正２６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
【図１】基板上に蒸着された層Ｃ１，Ｃ２から成るスタックＥを示した図である。
【図２ａ】交互に配置された超伝導フィルムＣ１と絶縁フィルムＣ２とにより構成された誘導素子を含んだ超伝導ラインＬＳの平面図である。
【図２ｂ】交互に配置された超伝導フィルムＣ１と絶縁フィルムＣ２とにより構成された誘導素子Ｅを含んだ超伝導ラインの断面図である。
【図３ａ】テスト用に用いられたパンターンを示し且つ電流入力Ｉ１，Ｉ２の位置，ブリッジの端末を横切る電位差を測定するためのコンタクトＶ１，Ｖ２の位置及びブリッジの位置を示した図である。
【図３ｂ】図３ａのテストパターンを製造するのに用いられるフォトリソグラフィック・エッチングマスクを示した図である。
【図４】本発明による超伝導誘導素子の特徴を明らかにするために用いた測定装置のブロック図である。
【図５】サンプルに１０００Ｈｚの周波数で鋸波電流（点線で示した）が流れた時にコンタクトＶ１，Ｖ２の間で測定される電位差（実線で示した）を示した図である。
【図６】Ｉｍａｘ＝１０マイクロアンペアの同じ振幅であるが、異なった周波数の二つの鋸波電流がサンプルに流れた時にコンタクトＶ１，Ｖ２の間で測定される電位差を比較するための図である。
【図７】本発明による超伝導誘導素子を用いた遅延ラインを示した図である。
【図８】位相アンテナの原理を示した図である。
【図９】高域フィルタの原理を示した図である。
【図１０】低域フィルタの原理を示した図である。