【事件の表示】
　平成　６年特許願第２８６０４９号「３族窒化物半導体発光素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　５月１７日出願公開、特開平　８−１２５２２３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成６年１０月２５日の特許出願であって、原審において、平成１４年４月２日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月１６日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものであって、その請求項に係る発明は、明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１，２に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のものである。
　　
「【請求項１】　サファイア基板と、３族窒化物半導体(ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む) から成る複数の層で構成された発光部とを有する発光素子において、前記サファイア基板上に、温度３００℃〜８００℃において、非晶質のＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＋Ｙ≠１が厚さ１００Å〜５００Åに形成されたバッファ層を有し、前記バッファ層上に前記発光部の各層を形成したことを特徴とする３族窒化物半導体発光素子。」
　　
２．引用例等
　原査定の拒絶の理由に引用された、特開平６−１５１９６２号公報（以下、「引用例１」という。）には、
（ア）「【請求項１】　サファイア基板と、窒素−３属元素化合物半導体(ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む) から成る複数の層で構成された発光部とを有する発光素子において、前記サファイア基板上に、温度４００℃〜８００℃において、非晶質のＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ≠０が厚さ１００Å〜５００Åに形成されたバッファ層を有し、前記バッファ層上に前記発光部の各層を形成したことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」、
（イ）「【００２１】  尚、ＡｌＸＧａ１−ＸＮのバッファ層の結晶構造は、無定形構造の中に、多結晶又は微結晶が混在した状態であると思われる。このような結晶状態の時に、その層の上に成長するＧａＮ層の結晶性が良くなると思われる。」との記載が認められる。
　そして、これらの記載によれば、引用例１には、上記（ア）なる発明（以下、「引用例１発明」という。）が開示されていると認めることができる。
　　
　また、サファイア基板上にＡｌＧａＩｎＮ単結晶をエピタキシャル成長するにあたり、両者の間に、ＡｌＧａＩｎＮのバッファ層（ないしは高配向性層）を介在させるようにした点は、周知技術である。
　例えば、
（ウ）
特開平６−４３５０９号公報
「【００１５】（１）
サファイア基板
【００１６】（２）１１５０℃の水素中で５分間基板表面をクリーニングする。
【００１７】（３）
バッファ層として
【００１８】（４）水素中１１００℃でアニールし、ＧａＮ層を単結晶にする。
【００１９】（５）成長温度８００℃、Ｖ／ＩＩＩ比１２０００でＩＮＧｓＡｌＮ単結晶層を成長した。成長膜厚は３．６ μｍである。このときのＩＩＩ族のキャリアガスには、窒素ガスを用いた。供給するＩＩＩ族原料の割合を制御することにより、結晶組成を自由に決めることができる。
【００２０】ここでは、バッファ層としてＧａＮを用いたが、
ＩｎＧｓＡｌＮ自体でバッファ層を形成することは可能である。
　　
（エ）
特開平６−１５２０７２号公報
「【００２０】さらに、本発明においては、
基板上に直接あるいはバッファ層や高配向性の窒化物系半導体層を形成し
「【００４２】（実施例１）
　アンモニアガスを用いたガスソースＭＢＥ法により、
サファイア基板上に高配向性ＧａＩｎＡｌＮ／ＧａＩｎＡｌＮ／ＧａＩｎＮ／ＧａＩｎＡｌＮダブルヘテロ構造からなる半導体レーザを作製した
【００４３】　ＩＩＩ族用の蒸発用ルツボには、それぞれＧａ金属を入れ１０００℃に、Ｉｎ金属を入れ９００℃に、Ａｌ金属を入れ１１００℃に加熱した。ガスの導入には内部にアルミナファイバを充填したクラッキングガスセルを使用し、４００℃に加熱して、ガスを直接に基板に吹き付けるようにして５ｃｃ／ｍｉｎの速度で供給した。また、
基板１としては
サファイア
を用いた。
【００４４】　まず、基板１を９００℃で３０分間加熱し、次いで
６５０℃の温度に保持し成膜を行う。
膜厚５０００オングストロームの高配向性Ｇａ
０．１１
Ｉｎ
０．６０
Ａｌ
０．２９
Ｎ層２を形成
　　
（オ）
特開平６−１６４０５５号公報
「【００２１】　量子井戸構造からなる活性層をクラッド層で挟んだサンドイッチ構造は、基板の上に直接にクラッド層を形成し、次いで活性層およびクラッド層を順次形成することにより作製することができる。また、
基板上にバッファ層や高配向性の窒化物系半導体層を形成し
「【００４４】（実施例１）
　アンモニアガスを用いたガスソースＭＢＥ法により、
サファイア基板上に高配向性ＧａＩｎＡｌＮ／ＧａＩｎＡｌＮ／量子井戸構造／ＧａＩｎＡｌＮ構造からなる半導体レーザを作製した
【００４５】　ＩＩＩ族用の蒸発用ルツボには、それぞれＧａ金属を入れ１０００℃に、Ｉｎ金属を入れ９００℃に、Ａｌ金属を入れ１１００℃に加熱した。ガスの導入には内部にアルミナファイバを充填したクラッキングガスセルを使用し、４００℃に加熱して、ガスを直接に基板に吹き付けるようにして５ｃｃ／ｍｉｎの速度で供給した。また、
基板１としては
サファイア
を用いた。
【００４６】　まず、基板１を９００℃で３０分間加熱し、次いで
６５０℃の温度に保持し成膜を行う。
膜厚５０００オングストロームの高配向性Ｇａ
０．１１
Ｉｎ
０．６０
Ａｌ
０．２９
Ｎ層２を形成
　　
３．対比
　そこで、本願発明と引用例１発明とを比較すると、引用例１発明のバッファ層形成温度「４００℃〜８００℃」は、本願発明の同形成温度の「３００℃〜８００℃」と重複するから、
両者は、
「サファイア基板と、３族窒化物半導体(ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む) から成る複数の層で構成された発光部とを有する発光素子において、前記サファイア基板上に、温度４００℃〜８００℃において、厚さ１００Å〜５００Åに形成されたバッファ層を有し、前記バッファ層上に前記発光部の各層を形成したことを特徴とする３族窒化物半導体発光素子。」
である点で一致し、次の点で相違している。
　　
［相違点］本願発明のバッファ層は、「非晶質のＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＋Ｙ≠１」であるのに対して、引用例１発明のバッファ層は、「非晶質のＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ≠０」であって、Ｉｎを含まない点。
　　
４．判断
　サファイア基板上にＡｌＧａＩｎＮ単結晶をエピタキシャル成長するにあたり、両者の間に、ＡｌＧａＩｎＮのバッファ層（ないしは高配向性層）を介在させるようにした点は、周知技術（上記２．（ウ）〜（オ）参照）である。
　そして上記周知技術に照らせば、引用例１発明において、ＡｌＧａＮバッファ層に、さらにＩｎを添加して、ＡｌＧａＩｎＮバッファ層とすることに特段の阻害要因があるとはいえないから、本願発明は、引用例１発明及び上記周知技術に基づき当業者が容易に想到することができたものである。
　　
　そして、本願発明の作用効果も、引用例１に記載された発明及び上記周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。