(57)【要約】【課題】ランド・アンド・グルーブ方式で磁壁移動再生が可能な光磁気記録媒体を、深溝化および狭トラックピッチ化するとともに、性能差異の小さい高密度記録および再生を可能にする。【解決手段】磁壁移動層６３ａと、スイッチング層６３ｂと、記録保持層６３ｃとからなる磁性層６３を有する光磁気ディスク７に、平面的に環状または螺旋状のランド２１およびグルーブ２２が設けられている。ランド２１とグルーブ２２はいずれも記録再生領域として使用され、ランド２１とグルーブ２２の間に存在する側壁２３とその近傍がアニール処理されて、物性が変質させられている。ランド２１の幅は、グルーブ２２の幅に比較して、側壁２３の幅の０．５倍から４倍の広さだけ広くなっており、かつ、ランド２１の幅のグルーブ２２の幅に対する比が１．０５〜１．２０である。また、グルーブ２２の周期は１．０〜１．２ミクロンである。【選択図】　　　図１
2004139707.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁壁移動層と、スイッチング層と、記録保持層とが積層された構成の磁性層を有し、記録用光ビームが照射されるとともに印加磁界が変調されると前記磁性層の記録再生領域に情報が記録され、前記記録再生領域に再生用光ビームが照射されると前記磁壁移動層に転写されている記録マークの磁壁が移動し、前記再生用光ビームの反射光が有する偏光面の変化を検出することによって前記情報が再生される磁壁移動型の光磁気記録媒体であって、
前記記録再生領域を構成しているランドとグルーブの間に存在する側壁およびその近傍がアニール処理されており、
前記ランドの幅は、前記グルーブの幅に比較して、前記側壁の幅の０．５倍から４倍の広さだけ広くなっていることを特徴とする光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、磁性薄膜（磁性層）に情報を記録する光磁気記録媒体に関し、特に、記録した情報を磁壁移動再生方式により再生する光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光磁気記録媒体における、書き換え可能な高密度記録方式として、半導体レーザの熱エネルギーを用いて磁性薄膜（磁性層）に磁区（記録マーク）を書き込むことで情報を記録し、光磁気効果を用いて情報を読み出すものがある。近年、この方式を用いた光磁気記録媒体の記録密度をさらに高めて大容量の記録媒体を実現しようとする要求が高まっている。このような光磁気記録媒体である光ディスクの線記録密度は、再生光学系のレーザ波長と対物レンズの開口数に大きく依存する。しかし、再生光学系のレーザ波長や対物レンズの開口数の改善には限界がある。そのため、記録媒体の構成や読み取り方法を工夫することで記録密度を改善する技術が開発されている。
【０００３】
例えば、特開平０６−２９０４９６号公報（第１の従来例）に開示されている技術がある。それによれば、磁気的に結合された磁壁移動層と記録保持層とを有する多層膜構造の磁性層において、情報は記録保持層に記録される。そして、情報再生時には、光ビームの照射による温度勾配を利用して、記録保持層に記録した情報を変化させることなく、磁壁移動層に転写されている記録マークの磁壁を移動させる。そして、光ビームスポットの一部の領域が同一の磁化状態になるように磁壁移動層を磁化させて、光ビーム反射光の偏光面の変化を検出することにより、光の回折限界以下であっても記録マークを再生できる。この方法によれば、光の回折限界以下の記録マークの再生が可能であり、記録密度および転送速度が大幅に向上した光磁気記録媒体及びその再生方法が実現可能である。
【０００４】
なお、この光磁気記録媒体では、光ビームの照射による温度勾配を利用して磁壁移動層における記録マークの磁壁の移動を起こり易くするために、情報記録再生領域であるトラック（ランド）を挟む、隣接する両方のグルーブに、高出力のレーザ光を照射してグルーブ部分の記録保持層を変質させる高温アニール処理が施されている。このアニール処理により、記録マークを形成する磁壁が閉じた磁区にならない、すなわち、トラック間を磁気的に分断するという効果を得ることができる。このアニール処理により良好な再生信号を得ることができる。
【０００５】
また、最近では、高密度化のために、ランドのみならずグルーブをもトラックとして、すなわち情報記録再生領域として使用可能な光磁気ディスクに関する研究が盛んである。これは、一般にランド・アンド・グルーブ方式と言われ、光磁気ディスクのトラックに対して垂直な方向に高密度化が可能となると考えられている。
【０００６】
例えば、特開平１１−１９５２５２号公報（第２の従来例）に記載されている発明では、基板におけるランドとグルーブとの境界にあたる斜面状の側壁（特開平１１−１９５２５２号公報ではランド部の傾斜面と表されている）の表面粗さをコントロールすることにより、深溝のランド・アンド・グルーブ方式用の光磁気記録媒体を実現している。この方法により、実験によればトラックピッチ０．６μｍの深溝（グルーブの深さが約１００ｎｍ）のランド・アンド・グルーブ記録媒体を用いて、線記録密度が０．１１μｍ／ｂｉｔの記録および再生が確認されている。
【０００７】
【特許文献１】
特開平０６−２９０４９６号公報
【特許文献２】
特開平１１−１９５２５２号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
前記した第１の従来例においてグルーブを高温アニール処理する方法では、このグルーブが記録再生領域として利用できず、狭トラックピッチ化を図ることが難しいという問題があった。
【０００９】
また、第２の従来例のようなランド・アンド・グルーブ方式において、磁壁移動型の記録再生方法を行おうとすると、段差等によってトラック間を磁気的に確実に分断するために、グルーブを１００ｎｍ程度以上に比較的深く形成する必要がある。そのため、入射光の近接場的振る舞い、すなわち任意の境界における境界近傍（波長と比較して十分小さい領域）での電磁波の振る舞いによって、ランドをトレースしている時に形成される温度分布と、深いグルーブをトレースしている時に形成される温度分布とが大きく異なる。特に、ランドに記録する際には、深いグルーブをトレースする時に比べて相対的に大きな光強度が必要となり、ランド記録を最適な条件に行うと、グルーブにクロスライトしてしまうという問題が生じる。これに対し、グルーブを浅く形成すると、トラック間を効果的に磁気的分断することが難しいという問題があった。
【００１０】
そこで、本発明の目的は、ランド・アンド・グルーブ方式で磁壁移動再生が可能で、狭トラックピッチのランドおよびグルーブ間で性能差異の小さい磁壁移動型の光磁気記録媒体を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の特徴は、磁壁移動層と、スイッチング層と、記録保持層とが積層された構成の磁性層を有し、記録用光ビームが照射されるとともに印加磁界が変調されると磁性層の記録再生領域に情報が記録され、記録再生領域に再生用光ビームが照射されると磁壁移動層に転写されている記録マークの磁壁が移動し、再生用光ビームの反射光が有する偏光面の変化を検出することによって情報が再生される磁壁移動型の光磁気記録媒体において、記録再生領域を構成しているランドとグルーブの間に存在する側壁およびその近傍がアニール処理されており、ランドの幅は、グルーブの幅に比較して、側壁の幅の０．５倍から４倍の広さだけ広くなっているところにある。
【００１２】
このような構成を採用することによって、隣り合う記録再生領域が磁気的に分断されており、ランド・アンド・グルーブ記録に対応可能な、比較的浅溝で狭トラックピッチの、より高密度な情報記録が可能な光磁気媒体を提供することが可能である。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して具体的に説明する。なお，以下に例示する実施形態は本発明に関する最良の実施形態の一例ではあるものの、本発明はこれらの実施形態により限定されるものではない。
【００１４】
［光磁気記録媒体］
まず、本実施形態の光磁気記録媒体（光磁気ディスク）７について図１を参照して説明する。この光磁気ディスク７は、基板６１に、下地層６２、磁性層６３、上地層６４、保護層６５が順次積層された構成であり、磁性層６３は、磁壁移動層６３ａと、スイッチング層６３ｂと、記録保持層６３ｃからなる３層構造である。そして、この光磁気ディスク７は、平面的に見て同心円状または螺旋状の側壁２３を挟んで、凸状部であるランド２１と凹溝状部であるグルーブ２２が交互に配置された構成である。この側壁２３は、図１には模式的に示すアニール用ビーム（メインビーム）３１が照射されて高温アニール処理を施され、物性が変質させられたものであり、ランド２１とグルーブ２２の大部分は、アニール処理の影響を受けておらず、記録再生領域として使用可能である。
【００１５】
具体的には、グルーブ２２の深さは６０ｎｍ、側壁２３の傾斜角は４５°であり、ランド２１の幅（半値幅）は０．５８ミクロン、グルーブ２２の幅（半値幅）は０．５０ミクロンである。ランド２１の幅（半値幅）とグルーブ２２の幅（半値幅）の比は、１．１６：１程度である。そして、アニール処理の影響を受けた部分を除くトラック（記録再生領域）の幅は０．４４ミクロン程度であり、ランド２１においてもグルーブ２２においてもほぼ同じである。すなわち、この光磁気ディスク７は、トラックの幅が０．４４ミクロンでトラックのピッチが０．５４ミクロンである狭トラックピッチの磁壁移動型光磁気記録媒体である。なお、トラックの幅が０．４０ミクロン程度では、１−７ＲＬＬ変調の０．０８μｍ／ｂｉｔでビットエラーレートが１ｘ１０−４以下の記録再生が可能であることが実験的に確認されており、トラックの幅が０．４４ミクロンでもそれに準ずる性能が得られる。
【００１６】
以上のように、本実施形態によると、グルーブ２２の深さが６０ｎｍと従来に比べて浅く、狭トラックピッチで、アニール処理され物性が変質させられた側壁２３によってトラック間が磁気的に分断されており、ランド・アンド・グルーブ方式で磁壁移動型再生が可能な光磁気ディスク７が得られる。
【００１７】
なお、本発明の光磁気ディスク７の寸法は前記した例に限定されないが、グルーブ２２の深さは１０ｎｍ〜８０ｎｍ程度で側壁２３の傾斜角は１５°〜７５°程度、より好ましくはグルーブ２２の深さは２０ｎｍ〜６０ｎｍで側壁２３の傾斜角は３０°〜６０°程度に形成される。その理由については、後述する光磁気記録媒体の製造方法の説明の中で説明する。
【００１８】
［光磁気記録媒体の製造方法］
次に、以上説明したような光磁気ディスク７を製造するための、本発明の光磁気記録媒体製造方法について、詳細に説明する。
【００１９】
まず、図１に示すように、基板６１に、下地層６２と、磁壁移動層６３ａとスイッチング層６３ｂと記録保持層６３ｃの３層構造からなる磁性層６３と、上地層６４と、保護層６５を順次積層し、平面的に見て同心円状または螺旋状の側壁２３を挟んで、凸状部であるランド２１と凹溝状部であるグルーブ２２が交互に配置された構成になるように形成しておく。このような形成方法については、ここでは詳述しないが、従来の公知の方法などで行うことができる。そして、この側壁２３に対して高温アニール処理を施す。なお、前段の形成工程における、ランド２１とグルーブ２２と側壁２３の寸法などの詳細な設計方法については後述する。
【００２０】
前記した側壁２３に対するアニール処理について具体的に説明する。図２には、本実施形態において用いられるアニール処理装置の概略図を示している。このアニール処理装置は、アニール光源である半導体レーザ１と、この半導体レーザ１の光軸上に一列に並んでいる、グレーティング２、偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）３、コリメータ４、１／４波長板５、対物レンズ６、およびディスク保持手段（図示せず）と、対物レンズ６を保持するレンズ保持手段１０と、ＰＢＳ３により反射された光の光軸上に並んでいるセンサーレンズ８およびセンサー９と、センサー９の出力を受けてそれを解析するトラッキングエラー生成回路１１と、トラッキングエラー生成回路１１の出力を受けてレンズ保持手段１０を駆動するアクチュエータードライブ回路１２とを有している。トラッキングエラー回路１１は、極性切り替え回路とトラッキングエラー検出回路を含んでいる。
【００２１】
このアニール処理装置において、半導体レーザ１から出力した光束を、グレーティング２で、回折を受けない光束と±１次回折光である２つの光束とに分け、ＰＢＳ３を透過させ、コリメータ４により略平行光束とし、λ／４板５および対物レンズ６を介して、図３に示すように、光磁気ディスク７上にメインビーム３１と２つのサブビーム３２，３３として集光させる。そして、光磁気ディスク７で反射された３つのビーム３１，３２，３３は、ＰＢＳ３で反射させ、センサーレンズ８を介してセンサー９に集光させる。
【００２２】
図３に示すように、前記したように対物レンズ６で集光されたビームのうち、メインビーム３１は光磁気ディスク７の側壁２３に、サブビーム３２，３３のうちの一方（図の例ではサブビーム３２）はランド２１に、他方（図の例ではサブビーム３３）はグルーブ２３に、それぞれ中心付近へ集光されている。これによって、高強度の微小スポット（メインビーム３１）で側壁２３およびその近傍をアニール処理する。ただし、メインビーム３１とサブビーム３２の強度比は１：０．１〜０．２程度に設定されているので、ランド２１とグルーブ２２は、サブビーム３２，３３が照射されても強度が弱いためアニール処理されない。
【００２３】
このように高強度の微小スポット（メインビーム３１）を得るためには、半導体レーザ１の波長を４００ｎｍ〜４１０ｎｍとし、対物レンズ６としては開口数（ＮＡ）が０．８０〜０．９０程度のものが用いられる。本実施形態においては、半導体レーザ１の波長を４１０ｎｍとし、対物レンズ６はＮＡが０．８５のものを採用した。そして、光磁気ディスク７の回転速度が２〜３ｍ／ｓの時のメインビーム３１の強度について５ｍＷ〜７ｍＷの間の最適値を求め、メインビーム３１の強度がその最適値となるように半導体レーザ１を設定している。なお、本実施形態においては、対物レンズ６のＮＡが高い（０．８５）ので、基板６１を通して光を磁性層６３に入射すると、基板６１の機械的な変動によりスポット品位が大きく変動するおそれがあるので、それを避けるために、基板６１と反対側から光を入射するように構成している。
【００２４】
ところで、本実施形態の光磁気ディスク７は、ビーム波長が６６０ｎｍで対物レンズのＮＡが０．６０という条件における記録再生を行うためのものである。この場合、前記したような、波長が４１０ｎｍで対物レンズのＮＡが０．８５であるビームスポットでは、通常のプッシュプル信号は得られない可能性が大きい。そこで、プッシュプル信号を得るために、図３に示すようにサブビーム３２，３３を太くしている。すなわち、図４に示すようなグレーティング２を用いて、サブビーム３２，３３が、波長が４１０ｎｍで対物レンズのＮＡが０．５５〜０．６０程度である場合に相当するようなスポットになるようにしている。図４に点線で示されている円２４は、対物レンズ６の入射瞳に相当するグレーティング２上の光束径を示している。グレーティング２の格子はそれよりも小さい領域２’に形成され、結果として、回折される光束は対物レンズ６の入射瞳地点で入射瞳よりも細い光束となり、ＮＡの低い対物レンズ６で絞られたメインビーム３１を光磁気ディスク７上に集光する。この場合、非回折光束は中心部の強度が低下するので、メインビーム３１は、いわゆる光超解像の効果も期待できる。なお、グルーブ２２の形状によって、波長が４１０ｎｍで対物レンズのＮＡが０．８５であるスポットでもプッシュプル信号が得られるようであれば、通常行われている方法と同様に、点線の円（入射瞳）２４よりも大きな領域に、グレーティング２の格子を設ければよい。
【００２５】
一方、光磁気ディスク７で反射された３つのビーム３１，３２，３３は、図２に示すように、ＰＢＳ３で再度反射され、センサーレンズ８を介してセンサー９に集光させられる。トラッキングエラー生成回路１１において、トラッキングエラー検出回路がセンサー９より得られる出力信号からトラッキングエラーを検出し、側壁２３の１周分のアニール処理が終わったことを検知すると、隣接する側壁２３ではトラッキングエラーの傾きが反対となるのに応じて、極性切り替え回路がトラッキングエラーの極性を切り替える。アクチュエータードライブ回路１２は、このトラッキングエラー生成回路１１からの情報に基づいて、隣の側壁２３をアニール処理するように対物レンズ保持手段１０を移動させ、いわゆるトラッキングサーボをかける。
【００２６】
このトラッキングエラー生成およびトラッキングサーボについて、以下に詳細に説明する。まず、メインビーム３１を側壁２３上にトラッキングするためのトラッキングエラーを生成する方法について、図５を参照して説明する。センサー９は、３群の分割センサー４１，４２，４３からなり、各分割センサー４１，４２，４３上には、光磁気ディスク７上の３つのビーム３１，３２，３３に対応して、スポット５１，５２，５３が集光されている。分割センサー４１からは、（Ａ＋Ｃ）−（Ｂ＋Ｄ）に基づき、フォーカスエラー信号が得られる。他方、分割センサー４２、４３からは、それぞれ、ＴＥ１＝Ｆ−Ｅ、ＴＥ２＝Ｈ−Ｇに基づいたプッシュプルトラッキングエラー信号が得られる。ここで、サブビーム３２と３３、すなわちスポット５２と５３に対して、周知のディファレンシャルプッシュプル法を適用する。すると、ＤＣオフセット分の抑圧されたトラッキングエラー信号が得られる。
【００２７】
このトラッキングエラー信号に基づいて、側壁２３のアニール処理時に、安定したトラッキングサーボが可能になる。そして、必要に応じてオフセットして、上述したように、隣の側壁２３へ移動する場合は、トラッキングエラー信号の極性を切り替えてトラッキングサーボをかけるようにしている。
【００２８】
ここで、トラッキングサーボに関して述べる。図６にランド２１およびグルーブ２２と、上述したトラッキングエラー信号の関係を示している。図６に示すように、側壁２３から隣接する側壁２３’へ移動する場合は、デトラックのためのオフセット量δはそのままで極性を切り替えている。こうすることにより、常にグルーブ２２側へのデトラックを保つことができる。このオフセットは、ランド２１とグルーブ２２の幅が等しい場合には、原理上不要である。しかし、ランド２１とグルーブ２２の幅が異なる場合、側壁２３の中心がランド２１の中心とグルーブ２２の中心との間の中間点ではないので、側壁２３の中心にトラッキングさせるためには、若干オフセットする必要がある。本実施形態においては、後述するようにランド２１の幅の方がグルーブ２２の幅よりも広いので、グルーブ２２側への若干のデトラックを保つことが必要である。
【００２９】
次に、側壁２３のアニール処理について、ベクトル解析に基づく光スポットプロファイルおよび薄膜の光吸収量の解析、さらに、その結果を用いた熱拡散方程式に基づく温度分布解析による検討結果を、図７〜１０に示される模式図をモデルとして説明する。
【００３０】
図７および図８には、線速２．０ｍ／ｓで、アニール用スポット５１（メインビーム３１）を側壁２３の中心に照射した場合の光吸収分布を示している。これらのグラフの横軸であるラジアル方向の位置は、側壁２３の中心を基準（０）として表している。この実施形態では、グルーブ２２の深さは６０ｎｍで、側壁２３の傾斜角は４５°である。図７は、ラジアル方向（ディスク半径方向）の断面における光吸収分布（発熱分布）を示している。図８は、平面的な光吸収分布（発熱分布）の強度等高線を示している。図８において、トラック方向はスポット移動方向であり、照射されているスポットの位置を基準（０）として表している。図７，８より、光吸収はランドエッジ（ランド２１の端部）付近にピークを有していることが分かる。すなわち、光吸収分布は、光の入射方向から見て凸状のランド２１の端部近傍に集中している。これは、近接場光学分野で知られている、微小構造における電界の局在を意味している。
【００３１】
図９および図１０に、その時の温度分布について示している。図９は、ラジアル方向（ディスク半径方向）の断面における温度分布を示している。図１０は、平面的な温度分布の強度等高線を示している。温度のピークは、光吸収分布を反映して、やはりランドエッジ付近にあり、２次元的な見方をしても、温度の高い領域がランドエッジ付近に広がっている。従って、側壁２３からランド２１に至る領域から順番にアニール温度に到達していくことがわかる。
【００３２】
以上のように、光吸収分布がランドエッジ付近にピークを有し、結果として、温度の高い領域がランドエッジ付近に広がるので、アニール処理時に多少スポットがデトラックしても、その影響は小さいことが分かる。
【００３３】
ところで、本実施形態においては、グルーブ２２と側壁２３の境界部が、ちょうどアニール温度のしきい値となるように、アニール照射光強度を調整設定する。すなわち、図９において、側壁２３の中心から側壁２３の幅の半分ｗだけグルーブ２２側にずらした位置（側壁２３のグルーブ２２側の端部）での温度Ｔｗが、アニール温度のしきい値となるように設定されている。これによって、側壁２３の中心からグルーブ２２側では側壁２３の幅の半分ｗの領域だけ、すなわち側壁２３の端部までがアニールされる。しかし、側壁２３の中心からランド２１側では、図９，１０の温度分布から明らかなように、グルーブ２２側に比べて高温の領域が広くなっているため、グルーブ２２側のアニール領域（側壁２３の幅の半分ｗの領域）よりも広い幅Ｌａだけアニールされる。すなわち、ランド２１の側壁２３に近接する部分もアニールされる。
【００３４】
このことから考えると、前記したように側壁２３の中心を集光中心として側壁２３およびその近傍をアニール処理して、アニール処理後のランド２１におけるトラック（記録再生領域）の幅と、グルーブ２２におけるトラック（記録再生領域）の幅がほぼ等しくなるようにするためには、ランド２１の幅を広めにしておく必要がある。望ましくは、ランド２１の幅を、グルーブ２２の幅よりも（Ｌａ−ｗ）の値だけ広くしておくと良い。このようにして、無駄にトラックピッチを広げることなく、トラックの幅を均一化して磁壁移動再生信号品位を揃えることができる。なお、本実施形態では基板６１と反対側から光を照射している。
【００３５】
なお、本実施形態の光磁気ディスク７は、ランド・アンド・グルーブ方式の記録再生を行うものであり、そのグルーブ２２の深さは１０ｎｍ〜８０ｎｍ程度、側壁２３の傾斜角は１５°〜７５°程度が適当である。グルーブ２２の深さが１０ｎｍ程度以下、または１００ｎｍ前後程度の場合には、可視光ビームを照射した場合のプッシュプル信号の変調度が低すぎて、正常なトラッキングエラー信号生成が行えない。また、グルーブ２２の深さが１００ｎｍよりも深い場合には、側壁２３の傾斜角が、基板６１の成形が容易にできる程度の範囲内であれば、側壁２３の幅が広くなってしまう。側壁２３の幅が広くなりすぎると、そのぶんだけ、側壁２３のアニール処理後にランド２１とグルーブ２２のトラック（ランド・アンド・グルーブ方式における記録再生領域）の幅が狭くなるため、良好な磁壁移動型記録再生ができなくなる。一方、側壁２３の傾斜角が１５°以下であると側壁２３の幅が広くなり過ぎて前記した不都合が生じる可能性が大きく、７５°以上であると基板６１の成形が難しくなってしまうという問題が生じる。結局、グルーブ２２の深さは１０ｎｍ〜８０ｎｍ程度、側壁２３の傾斜角は１５°〜７５°程度が適当であって、グルーブ２２の深さが２０ｎｍ〜６０ｎｍ、側壁２３の傾斜角が３０°〜６０°程度であるとより良好であると言える。
【００３６】
このように、グルーブ２２の深さが１０ｎｍ〜８０ｎｍ、側壁２３の傾斜角が１５°〜７５°である光磁気ディスク７について、実際に解析を行った。その解析結果のうち、グルーブ２２の深さが２０ｎｍ、４０ｎｍ、６０ｎｍで、側壁２３の傾斜角が３０°、４５°、６０°の場合について、（Ｌａ−ｗ）値、すなわち、ランド２１とグルーブ２２のアニール処理される領域の幅の差を、表１に示している。また、その時の側壁２３の幅（２ｗ）を表２に示している。
【００３７】
【表１】
2004139707.tif 000003
この表１および表２から、（Ｌａ−ｗ）値と側壁２３の幅２ｗの比は０．７〜３．８程度となる。すなわち、本発明のように、ランド・アンド・グルーブ方式による記録を行う光磁気記録媒体では、基板６１と反対側から光を照射して側壁２３およびその近傍をアニール処理する場合には、グルーブ２２の深さが２０ｎｍ〜６０ｎｍで側壁２３の傾斜角が３０°〜６０°程度であれば、ランド２１の幅を、グルーブ２２の幅と比較して、側壁２３の幅の０．７〜３．８倍程度広くすると、アニール処理後のランド２１におけるトラック（記録再生領域）の幅とグルーブ２２におけるトラック（記録再生領域）の幅がほぼ等しくなり、無駄にトラックピッチを広げることなく、磁壁移動再生信号の品位を揃えることができる。なお、グルーブ２２の深さが１０ｎｍ〜８０ｎｍ程度で側壁２３の傾斜角が１５°〜７５°程度であれば、ランド２１の幅を、グルーブ２２の幅と比較して、側壁２３の幅の０．５〜４倍程度広くすると良い。
【００３８】
前記した通り、本実施形態の光磁気ディスク７は、ビーム波長が６６０ｎｍで対物レンズのＮＡが０．６０という条件における記録再生を行うためのものである。ランド・アンド・グルーブ方式の記録を行う上に、さらにトラックピッチを狭くすることが望む場合には、グルーブ２２のピッチを１．０〜１．２ミクロン程度にするのが適当である。これより狭いピッチでは、磁気的分断ができたとしても、クロストークなど隣接するトラックからの影響が大きな問題となるからである。このようにグルーブ２２のピッチを１．０〜１．２ミクロンにした場合、グルーブ２２の深さが２０ｎｍ〜６０ｎｍ程度で側壁２３の傾斜角が３０°〜６０°程度であれば、ランド２１の幅（半値幅）：グルーブ２２の幅（半値幅）は１．０７〜１．１７：１程度である。また、グルーブ２２の深さが１０ｎｍ〜８０ｎｍ程度で側壁２３の傾斜角が１５°〜７５°程度であれば、ランド２１の幅（半値幅）：グルーブ２２の幅（半値幅）は１．０５〜１．２０：１程度である。
【００３９】
以上の説明は、本実施形態における光学系に関するアニール条件、すなわち、アニール用の光ビームの波長が４１０ｎｍで対物レンズ６のＮＡが０．８５であるという条件を前提としているが、図７〜１０に示すように、光吸収分布が、光入射方向から見て凸状のランド２１のエッジ部近傍に集中していることに基づく設計であるので、光学系に関するアニール条件が、本実施形態で採用した前記アニール条件から大きく離れていない限り、状況に大きな違いは生じなく、実質的に同様な設計で良好な光磁気ディスク７が得られる。
【００４０】
こうして、図１に示したのと同様な本実施形態の光磁気ディスク７が得られる。この光磁気ディスク７には、図１１に示すように、ランド２１のエッジ部を中心として、主に面内磁化膜となっている、磁性が変質させられた領域（磁性変質領域）２４が存在している。そして、一例として、グルーブの深さが６０ｎｍで側壁２３の傾斜角が４５°に形成しているので、（Ｌａ−ｗ）が約０．０８ミクロンでｗが０．０６ミクロンであり、グルーブ２２のピッチを１．０８ミクロンとして、ランド２１の幅（半値幅）を０．５８ミクロン、グルーブ２２の幅（半値幅）を０．５０ミクロンとした。これによって、アニール処理後のトラック（記録再生領域）の幅が０．４４ミクロン程度となって、ランド２１とグルーブ２２とでほぼ同じ幅になる。また、ランド２１の幅（半値幅）とグルーブ２２の幅（半値幅）の比は１．１６：１程度である。こうして、トラック幅が０．４４ミクロンでトラックピッチが０．５４ミクロンの、グルーブ２２が比較的浅くトラックピッチが狭い磁壁移動型光磁気記録媒体が得られた。
【００４１】
［第１の実施態様］
磁壁移動層と、スイッチング層と、記録保持層とが積層された構成の磁性層を有し、記録用光ビームが照射されるとともに印加磁界が変調されると前記磁性層の記録再生領域に情報が記録され、前記記録再生領域に再生用光ビームが照射されると前記磁壁移動層に転写されている記録マークの磁壁が移動し、前記再生用光ビームの反射光が有する偏光面の変化を検出することによって前記情報が再生される磁壁移動型の光磁気記録媒体であって、
前記記録再生領域を構成しているランドとグルーブの間に存在する側壁およびその近傍がアニール処理されており、
前記ランドの幅は、前記グルーブの幅に比較して、前記側壁の幅の０．５倍から４倍の広さだけ広くなっていることを特徴とする光磁気記録媒体。
【００４２】
［第２の実施態様］
磁壁移動層と、スイッチング層と、記録保持層とが積層された構成の磁性層を有し、記録用光ビームが照射されるとともに印加磁界が変調されると前記磁性層の記録再生領域に情報が記録され、前記記録再生領域に再生用光ビームが照射されると前記磁壁移動層に転写されている記録マークの磁壁が移動し、前記再生用光ビームの反射光が有する偏光面の変化を検出することによって前記情報が再生される磁壁移動型の光磁気記録媒体であって、
前記記録再生領域を構成しているランドとグルーブの間に存在する側壁およびその近傍がアニール処理されており、
前記グルーブの周期が１．０〜１．２ミクロンで、かつ、前記ランドの幅の、前記グルーブの幅に対する比が、１．０５〜１．２０であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【００４３】
［第３の実施態様］
前記側壁およびその近傍は、アニール用光ビームが照射されることによって物性が変質させられている、第１または第２の実施態様に記載の光磁気記録媒体。
【００４４】
［第４の実施態様］
磁壁移動層と、スイッチング層と、記録保持層とが積層された構成の磁性層を有し、記録用光ビームが照射されるとともに印加磁界が変調されると前記磁性層の記録再生領域に情報が記録され、前記記録再生領域に再生用光ビームが照射されると前記磁壁移動層に転写されている記録マークの磁壁が移動し、前記再生用光ビームの反射光が有する偏光面の変化を検出することによって前記情報が再生される磁壁移動型の光磁気記録媒体の製造方法であって、
前記記録再生領域を構成しているランドとグルーブの間に存在する側壁およびその近傍に、アニール用光ビームを照射して物性を変質させる工程を含み、
前記ランドおよび前記グルーブを、前記ランドの幅が前記グルーブの幅に比較して前記側壁の幅の０．５倍から４倍の広さだけ広くなるように形成することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
【００４５】
［第５の実施態様］
磁壁移動層と、スイッチング層と、記録保持層とが積層された構成の磁性層を有し、記録用光ビームが照射されるとともに印加磁界が変調されると前記磁性層の記録再生領域に情報が記録され、前記記録再生領域に再生用光ビームが照射されると前記磁壁移動層に転写されている記録マークの磁壁が移動し、前記再生用光ビームの反射光が有する偏光面の変化を検出することによって前記情報が再生される磁壁移動型の光磁気記録媒体の製造方法であって、
前記記録再生領域を構成しているランドとグルーブの間に存在する側壁およびその近傍に、アニール用光ビームを照射して物性を変質させる工程を含み、
前記ランドおよび前記グルーブを、前記グルーブの周期が１．０〜１．２ミクロンで、かつ、前記ランドの幅の前記グルーブの幅に対する比が１．０５〜１．２０になるように形成することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
【００４６】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によると、ランド・アンド・グルーブ方式を採用し、かつ磁壁移動型記録再生を行う光磁気記録媒体において、ランドとグルーブの間に位置する側壁をアニール処理して物性を変質させることによって、比較的浅いグルーブであっても、互いに隣接するランドとグルーブの記録再生領域を効果的に磁気的に分断して、良好な高密度記録および再生ができる。しかも、ランドの幅を、グルーブの幅よりも所定量だけ広くすることによって、ランドとグルーブの記録再生領域をほぼ同幅にして再生信号を均一化して高品位にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光磁気ディスクの要部を示す模式的断面図である。
【図２】本発明の光磁気ディスクの製造方法に用いられるアニール処理装置の模式図である。
【図３】本発明の光磁気ディスクの製造方法における光磁気ディスク上への光照射工程を示す模式的平面図である。
【図４】図２に示すアニール処理装置のグレーティングの構造を示す説明図である。
【図５】図２に示すアニール処理装置のトラッキングエラー生成回路の概略を示すブロック図である。
【図６】本発明の光磁気ディスクの製造方法におけるトラッキングエラーを示す説明図である。
【図７】本発明の光磁気ディスクの製造方法における光磁気ディスク上への光照射工程中のラジアル方向の発熱分布を示す図である。
【図８】本発明の光磁気ディスクの製造方法における光磁気ディスク上への光照射工程中の強度等高線を示す図である。
【図９】本発明の光磁気ディスクの製造方法における光磁気ディスク上への光照射工程中のラジアル方向の温度分布を示す図である。
【図１０】本発明の光磁気ディスクの製造方法における光磁気ディスク上への光照射工程中の等温線を示す図である。
【図１１】本発明の光磁気ディスクの要部を示す模式的平面図である。
【符号の説明】
１　　　　半導体レーザ
２　　　　グレーティング
３　　　　偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）
４　　　　コリメータ
５　　　　１／４波長板
６　　　　対物レンズ
７　　　　光磁気記録媒体（光磁気ディスク）
８　　　　センサーレンズ
９　　　　センサー
１０　　　レンズ保持手段
１１　　　トラッキングエラー生成回路
１２　　　アクチュエータードライブ回路
２１　　　ランド
２２　　　グルーブ
２３　　　側壁
２４　　　磁性変質領域
３１　　　アニール用ビーム（メインビーム）
３２，３３　　　サブビーム
６１　　　基板
６２　　　下地層
６３　　　磁性層
６３ａ　　磁壁移動層
６３ｂ　　スイッチング層
６３ｃ　　記録保持層
６４　　　上地層
６５　　　保護層
δ　　　　オフセット量
ｗ　　　　側壁幅の１／２
Ｔｗ　　　アニール温度しきい値
Ｌａ　　　Ｔｗに対応するランド側のアニール領域の幅
【図１】
2004139707.tif 000004
【図２】
2004139707.tif 000005
【図３】
2004139707.tif 000006
【図４】
2004139707.tif 000007
【図５】
2004139707.tif 000008
【図６】
2004139707.tif 000009
【図７】
2004139707.tif 000010
【図８】
2004139707.tif 000011
【図９】
2004139707.tif 000012
【図１０】
2004139707.tif 000013
【図１１】
2004139707.tif 000014