【事件の表示】
　平成　６年特許願第１５００１６号「光半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　１月１９日出願公開、特開平　８−　１８１５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成６年６月３０日に出願された特許出願であって、平成１３年６月２０日付の拒絶理由通知に対し、同年８月２３日付で意見書及び手続補正書が提出されたが、平成１４年４月９日付で拒絶査定がなされた。これに対し、同年５月１６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年６月１７日付で手続補正書が提出されたものである。
　
２．平成１４年６月１７日付の手続補正についての補正却下の決定
[結論]
　平成１４年６月１７日付の手続補正についての補正を却下する。
[理由]
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項３は以下のように補正された。
「【請求項３】　半導体基板上に第１のクラッド層、活性層及び第２のクラッド層を有する発光部を構成すべき積層膜を形成する工程と、
　前記積層膜を、ドライエッチングによりパターニングして発光部を形成する工程と、
　前記発光部の後方の前記半導体基板上に選択成長によりｐｎ接合による光出力モニタ用の受光部を形成する工程を有することを特徴とする光半導体装置の製造方法。」
　前記補正後の特許請求の範囲の請求項３は、補正前の特許請求の範囲の請求項４に対応し、当該補正前の請求項４において、「拡散又は選択成長により」としていたのを、「選択成長により」に限定するものであって、特許法（平成５年法）第１７条の２第３項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項３に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下に検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平５−７５２１４号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の記載がある。
　「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光ファイバ通信や、光情報処理などに用いられる集積化された光半導体装置に関する。」
　「【０００２】
【従来の技術】・・この半導体レーザの動作制御や監視を目的として、半導体レーザの送信方向と逆の位置にフォトダイオードを設置する事が知られている。」
　「【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、同一の半導体基板上に、ｉ導電型半導体層（以下、ｉ層という。ｉ層は、アンド−プ成長により得られる）を含む電流ブロッキング層および活性層を有する半導体レーザと、この電流ブロッキング層と同一構造を有する多層膜を有する受光素子を形成したことを特徴としている。・・前記電流ブロッキング層と前記受光素子とはいずれもｎ−ｐ−ｉ−ｎ、ｎ−ｉ−ｐ−ｎ、ｎ−ｉ−ｐおよびｎ−ｉ−ｎから選ばれた導電型構造を有する。」
　「【０００８】つぎに、その製造方法について述べる。半導体基板にｎ−ＩｎＰ基板６を用意し、その全面にｉ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層８、ｐ−ＩｎＰクラッド層９、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１０を順次成長して多層膜を形成する。その後、この多層膜の表面にＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 などの絶縁膜（図示せず）を形成し、エッチング処理を行って半導体レ−ザ部分のみを絶縁膜で被覆する。・・その後化学エッチング法を用いて基板６をエッチングすると、前記電流ブロッキング層部分とフォトトランジスタ部分の多層膜は、取り除かれ、半導体レ−ザ部分にのみ多層膜は、ストライプ状に残される。・・このストライプの両側とレ−ザ光が出射する方向とは反対の側のフォトトランジスタ部分に順次、ｐ−ＩｎＰ層１４、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層１３、ｎ−ＩｎＰ層１２、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１１を成長させる。前記絶縁膜が被覆されている部分には、半導体層は成長しない。・・ついで、電流ブロッキング層とフォトトランジスタの間を分離するように、その境界をＲＩＥなどのドライエッチングによって空隙１７を形成する。」
　「【００１０】・・半導体レーザとフォトトランジスタの素子分離は、ＲＩＥなどのドライエッチング法などにより形成した空隙１７により行う。・・　前述の実施例においては、ＩｎＰ半導体基板を用い、ｉ層にＩｎＧａＡｓＰ系の半導体を利用しているが、本発明は、これに限定されるものではなく、例えば、ＧａＡｓ半導体基板を用いることもでき、そのときに使われるｉ層は、ＧａＡｌＡｓもしくはＩｎＧａＡｌＰまたはＧａＡｌＰ系等の半導体がある。」
　「【００１５】つぎに、図７および図８を参照して第６の実施例を説明する。各図とも半導体レーザの構造は、第１の実施例（図１）と同じである。図７の受光素子部分は、構造が異なり、ｎ−ｉ−ｐ導電型構造を有している。この部分の半導体の多層膜は、下から順にｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層１３、ｐ−ＩｎＰ層１４、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１１からなり、コンタクト層には電極１６が形成されている。」
　これらの記載によれば、引用例１には、
　「半導体基板上に活性層及びクラッド層を有する多層膜を形成する工程と、半導体レ−ザ部分のみを絶縁膜で被覆して化学エッチング法により前記半導体基板をエッチングして前記半導体レーザ部分の多層膜のみ残す工程と、レ−ザ光が出射する方向とは反対の側の前記半導体基板上にｉ層、ｐ層を成長させ、ｎ−ｉ−ｐ導電型構造による動作制御用の受光素子部分を形成する光半導体装置の製造方法」
　との発明（以下、「引用例１発明」という。）が開示されているものと認められる。
　
（３）対比・判断
　そこで、本願補正発明と引用例１発明とを比較すると、引用例１発明の「半導体レーザ部分」が本願補正発明の「発光部」に相当し、以下同様に「多層膜」が「積層膜」に、「動作制御用」が「モニタ用」に相当する。また引用例１発明の「半導体レ−ザ部分のみを絶縁膜で被覆して化学エッチング法により前記半導体基板をエッチングして前記半導体レーザ部分の多層膜のみ残す」ことは「化学エッチング法によりパターニングして半導体レーザ部分を形成する」ことであり、引用例１発明の「レ−ザ光が出射する方向とは反対の側」とは「半導体レーザ部分の後方」に他ならない。さらに引用例１発明における受光素子部分を成長させる際、絶縁膜が被覆されている半導体レーザ部分では成長しない点で、受光素子部分は選択成長により形成されていることは明らかである（この点は請求人も審判請求書の「請求の理由」において認めているところである（「引用例１では、化学エッチングにより積層膜をパターニングした後、半導体基板上に選択成長させ・・」なる記載参照）。なお、請求人は、引用例１では受光部を選択成長した後に発光部と受光部を分離する溝を形成するのに対し、本願補正発明ではレーザ端面の即近傍から選択成長により受光部を形成する点の相違を主張しているが、本願補正発明にはそもそも受光部の選択成長後の工程についての記載はないから、かかる主張は採用し得ない（本願明細書中において発光部と受光部が互いに分離したまま受光部を選択成長させる手段が具体的に記載されているとも認められない。）。）。したがって両者は、
　「半導体基板上に、活性層及びクラッド層を有する発光部を構成すべき積層膜を形成する工程と、
　前記積層膜を、エッチングによりパターニングして発光部を形成する工程と、
　前記発光部の後方の前記半導体基板上に選択成長により光出力モニタ用の受光部を形成する工程を有する光半導体装置の製造方法」である点で一致し、次の点で相違する。
　
[相違点１]
　本願補正発明は、「半導体基板上に第１のクラッド層、活性層及び第２のクラッド層を有する発光部を構成すべき積層膜を形成」しているのに対し、引用例１発明は半導体基板上に活性層及びクラッド層（本願補正発明の第２のクラッド層に相当）を形成して発光部を構成する積層膜を形成しているが、本願補正発明における第１のクラッド層に相当する層を形成することに関する記載がない点。
[相違点２]
　本願補正発明は、「ドライエッチングによりパターニングして発光部を形成する」のに対し、引用例１発明は、「化学エッチング法によりパターニングして発光部を形成する」点。
[相違点３]
　本願補正発明は、受光部が「ｐｎ接合」によるとされているのに対し、引用例１発明は「ｎ−ｉ−ｐ導電型構造」によるとされ一見相違する点。
　そこで上記相違点について検討する。
[相違点１]
　 引用例１発明において、半導体基板の導電型は、受光素子の導電型構造の構成要素をなしていることから（例えば「受光素子とはいずれもｎ−ｐ−ｉ−ｎ、ｎ−ｉ−ｐ−ｎ、ｎ−ｉ−ｐおよびｎ−ｉ−ｎから選ばれた導電型構造を有する」（【０００５】）なる記載において「ｎ−」とあるのは半導体基板の導電型である。）、半導体レーザ部分においても半導体基板の導電型が半導体レーザ部分の導電型構造の構成に寄与していることは明らかである。また、このような導電型構造に寄与する部分（即ちクラッド層）を別途半導体基板上に形成してなる構成は、周知事項に過ぎないことから（例えば原査定で引用された特開昭６３−８４０８８号公報（第１図1,3a,4a,5a）、特開平５−２２６７６３号公報（図２11,12,13,14）、及び特開昭６２−１０９３８３号公報（第１図1,2,3,4）、その他特開昭６４−８４６８７号公報（第１図1,2,3,4）参照）、引用例１発明において半導体レーザ部分の積層構造を第１クラッド層、活性層及び第２クラッド層より形成することは当業者の適宜設計し得る事項である。
[相違点２]
　原査定で認定したように半導体層をエッチングする手段としてドライエッチングも化学エッチングもともにごくありふれた手段であるから（本願明細書【００４０】においても、両手法が等価値的に併記されている。）、化学エッチングを採用するか、ドライエッチングを採用するかは当業者の適宜選択し得る事項に過ぎない。
[相違点３]
　 一般にフォトダイオードにおいてPIN接合を用いたものも、PN接合形として分類されることは周知であり（例えば、中村哲郎・内丸清、「固体発光素子とその応用」、産報出版株式会社、１９７７年９月３０日、５版、ｐ．１９５参照。その他、特開昭６４−８４６８７号公報において引用例１記載のものと同一の積層構造（即ちアンドープInGaAsP活性層とｐ型InPクラッド層）をｐ−ｎ接合と称している（第２頁左下欄第１７−１８行目等参照）。本願明細書においても、【００５２】中において「半導体レーザ素子ＬＤの後方のｎ型ＧａＡｓ基板２１上に、結晶成長でｎ型ＧａＡｓ層３７及びｐ型ＧａＡｓ層３８を形成し、ｐｎ接合を形成してなる光出力モニタ用のフォトダイオードＰＤ1 を形成する。」なる記載に続けて、「この場合、ｎ型ＧａＡｓ層３７はｎ型ＧａＡｓ基板２１の不純物濃度よりも低濃度とされる。なお、層３７はｉ型ＧａＡｓ層とすることも可能である。」としてｉ型層もとり得ることが記載されている。）、引用例１発明の「ｎ−ｉ−ｐ導電型構造」もｐｎ接合によるものととらえられるから、実質的な差異ではない。
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用例１発明及び前記周知技術から当業者が予測できる範囲内のものである。
　したがって、本願補正発明は、引用例１発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法（平成５年法）第１７条の２第４項で準用する同法第１２６条第３項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１４年６月１７日付の手続補正は前記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１３年８月２３日付手続補正書における特許請求の範囲の請求項１〜９に記載されたとおりのものであると認められるところ、その請求項４に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のものである。
　「半導体基板上に第１のクラッド層、活性層及び第２のクラッド層を有する発光部を構成すべき積層膜を形成する工程と、
　前記積層膜を、ドライエッチングによりパターニングして発光部を形成する工程と、
　前記発光部の後方の前記半導体基板上に拡散又は選択成長によりｐｎ接合による光出力モニタ用の受光部を形成する工程を有することを特徴とする光半導体装置の製造方法。」
　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１及びその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明において「選択成長」とあったのに対し、「拡散又は選択成長」と「拡散」を択一的に付加したものである。
　そうすると、本願発明において択一的構成要素の内の一方を選択したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（３）」に記載したとおり、引用例１発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用例１発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。