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【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年6月10日(2014.6.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非水無電解銅めっき溶液であって、
無水銅塩成分と、
無水コバルト塩成分と、
非水錯化剤と、
非水溶媒と、を含有し、
前記溶液は、非水であり、反応性の金属の表面に適用された際の酸化を防ぐために水を含まず、
前記コバルト塩成分は、前記錯化剤で錯形成され、前記反応性の金属の表面に適用された際に、前記銅塩成分を還元して還元銅を析出させる、溶液。
【請求項２】
請求項１に記載の溶液であって、
前記無水銅塩成分が、塩化銅、酢酸銅、硝酸銅および硫酸銅からなる群から選択される、溶液。
【請求項３】
請求項１または２に記載の溶液であって、
前記無水コバルト塩成分が、塩化コバルト、酢酸コバルト、硝酸コバルトおよび硫酸コバルトからなる群から選択される、溶液。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の溶液であって、
前記非水溶媒が極性溶媒である、溶液。
【請求項５】
請求項１から３のいずれかに記載の溶液であって、
前記非水溶媒が非極性溶媒である、溶液。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の溶液であって、
非水錯化剤が、エチレンジアミンまたはプロピレンジアミンのいずれか１つである、溶液。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の溶液であって、さらに、
ハロゲン化物源を含む、溶液。
【請求項８】
請求項１から６のいずれかに記載の溶液であって、
前記ハロゲン化物源は、臭化カリウムである、溶液。
【請求項９】
非水無電解銅めっき溶液であって、
無水銅塩成分と、
無水コバルト塩成分と、
ポリアミン錯化剤と、
ハロゲン化物源と、
非水溶媒と、を含有し、
前記溶液は、非水であり、反応性の金属の表面に適用された際の酸化を防ぐために水を含まず、
前記コバルト塩成分は、前記錯化剤で錯形成され、前記反応性の金属の表面に適用された際に、前記銅塩成分を還元して還元銅を析出させる、溶液。
【請求項１０】
請求項９に記載の溶液であって、
前記ポリアミン錯化剤が非水である、溶液。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の溶液であって、
前記ポリアミン錯化剤が、ジアミン化合物、トリアミン化合物および芳香族ポリアミン化合物からなる群から選択される、溶液。
【請求項１２】
請求項９から１１のいずれかに記載の溶液であって、
前記ハロゲン化物源が臭化カリウムである、溶液。
【請求項１３】
請求項９から１２のいずれかに記載の溶液であって、
前記無水銅塩成分の濃度は、約０．０１モルから前記無水銅塩に対する溶解限度までの範囲である、溶液。
【請求項１４】
請求項９から１３のいずれかに記載の溶液であって、
前記無水コバルト塩成分の濃度は、約０．０１モルから前記無水コバルト塩に対する溶解限度までの範囲である、溶液。
【請求項１５】
請求項９から１４のいずれかに記載の溶液であって、
前記ポリアミン錯化剤の濃度は、前記無水銅塩成分の濃度および前記無水コバルト塩成分の濃度の合計と少なくとも同じである、溶液。
【請求項１６】
請求項９から１５のいずれかに記載の溶液であって、
前記非水溶媒が極性溶媒である、溶液。
【請求項１７】
請求項９から１５のいずれかに記載の溶液であって、
前記非水溶媒が非極性溶媒である、溶液。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
別の実施例において、コバルト(II)塩は、コバルト(II)イオンにポリアミン電子供与分子を結合させた錯塩である。コバルト(II)錯塩の例としては、エチレンジアミンコバルト(II)硫酸塩、ビス（エチレンジアミン）コバルト(II)硫酸塩、ジエチレントリアミンコバルト(II)硝酸塩、ビス（ジエチレントリアミン）コバルト(II)硝酸塩およびこれらの混合物が挙げられる。銅めっき溶液に実質的に可溶であり、ポリアミン系錯化剤により錯形成され、酸性環境下で銅(II)塩が還元されて、ウエハ表面上に還元銅を析出させる塩であれば、いかなるコバルト(II)単塩を銅めっき溶液に用いてもよい。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年2月27日(2014.2.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
拡大印刷台と、上記拡大印刷台の上に位置する露光ヘッドとを備える、立体投影イメージングのために回折格子および感光性材料を取り付けるための装置であって、
上記拡大印刷台は、チャンバ構造をしており、該拡大印刷台の上面に設けられた複数の吸引孔と、該拡大印刷台の側面に設けられ、排気装置に接続された少なくとも１つの排気ポートとを有していると共に、
さらに、上記拡大印刷台の上記上面に接続された圧縮手段を備えていることを特徴とする、立体投影イメージングのために回折格子および感光性材料を取り付けるための装置。
【請求項２】
上記複数の吸引孔は、均一に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の、立体投影イメージングのために回折格子および感光性材料を取り付けるための装置。
【請求項３】
上記圧縮手段は、上記上面の二辺に取り付けられ、少なくともスプリング装置を介して上記上面と接続している少なくとも２つの圧縮部材を有していることを特徴とする請求項１に記載の、立体投影イメージングのために回折格子および感光性材料を取り付けるための装置。
【請求項４】
上記スプリング装置は、電気制御スイッチあるいは空気制御スイッチであることを特徴とする請求項３に記載の、立体投影イメージングのために回折格子および感光性材料を取り付けるための装置。
【請求項５】
上記圧縮部材は、圧縮棒あるいは圧縮ブロックであることを特徴とする請求項３に記載の、立体投影イメージングのために回折格子および感光性材料を取り付けるための装置。
【請求項６】
上記露光ヘッドの下に位置し、上記回折格子および上記感光性材料を上から下へと圧縮する補助圧縮手段をさらに有していることを特徴とする請求項１に記載の、立体投影イメージングのために回折格子および感光性材料を取り付けるための装置。
【請求項７】
上記補助圧縮手段は、フレームに直交して該フレームに取り付けられた空気ペンであることを特徴とする請求項６に記載の、立体投影イメージングのために回折格子および感光性材料を取り付けるための装置。
【請求項８】
上記フレームは、求められる投影感光性領域のサイズに適合したサイズを有していることを特徴とする請求項７に記載の、立体投影イメージングのために回折格子および感光性材料を取り付けるための装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
上記圧縮手段は、上記上面の二辺に取り付けられ、少なくともスプリング装置を介して上記上面と接続している少なくとも２つの圧縮部材を有していることが好ましい。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年10月1日(2014.10.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６７】
そして、混合ポリマー生成物は、高せん断装置（ＩＫＡモデルＤＲ２０００／２０）に入る前に２１８℃まで加熱されることで融解されて空気及び蒸気と混合される供給原料として使用される。蒸気は実施例１における約５％の割合で、空気は７ｋｇ／ｃｍ２で供給される。高せん断装置を通る流速は７．８ＭＴ／時である。高せん断装置からの流出物は２１８℃に加熱され、そして揮発性成分を除去するために５８０ｍｍＨｇでフラッシュ蒸発装置を通る。高せん断装置の後に位置する保持タンクは、粘度が低下し続ける約５分の保持時間を有する。必要に応じて、高せん断装置を通過した後に、ポリマーは更なる粘度低下のために高い温度及び／又は圧力で保持されても良い。得られるポリマーは表５に示される以下の性質を有する。
【表５】
2012512316.tif 000001
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年6月20日(2014.6.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
反応器のブロックが終了したときに、反応器は冷却される。冷却工程の最終温度は、所望のさらなる動作に依存する。一般に、反応器は、周囲温度から２００℃の間の温度に冷却される。反応器がこの即時再開を目的として冷却される場合、反応器は、一般に１００から１９０℃、特に１６０から１８０℃の値の範囲の温度に冷却される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィッシャー・トロプシュ触媒を含む固定床反応器へ供給物を提供する工程であって、この反応器が、反応温度および圧力にある工程、および反応器から排出液を取り出す工程を含むフィッシャー・トロプシュ法における高速停止を行う方法であって、高速停止が、反応器への供給物の提供をブロックし、同時に反応器からの排出液の取り出しをブロックすることによって行われることを特徴とし、反応器のブロックが終了したときに、反応器は周囲温度から２００℃の間の温度に冷却される、方法。
【請求項２】
高速停止の間、供給物はもはや反応器に供給されず、ＣＯもＨ２も含まない供給物ストリームでさえも提供されないことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
冷却速度が毎時１０から１００℃の範囲であることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
反応器が、１６０から２００℃の範囲の温度に冷却されることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
反応器が、１００から１９０℃の範囲の温度に冷却されることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
反応器が、１６０から１８０℃の値に冷却されることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
固定床反応器に提供される供給物が、ＣＯおよびＨ２を含むことを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
反応器が、冷却中、または冷却後に減圧されることを特徴とする、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
反応器が、長さと直径との比が少なくとも５０：１である反応器管であることを特徴とする、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
反応器管が、熱伝導媒体によって少なくとも部分的に囲まれる複数の反応器管を含む多管式反応器中の管であることを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
触媒が、最大１．６ｍｍの有効直径を有する粒子状触媒である、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
触媒が、最大１．５ｍｍの有効直径を有する粒子状触媒である、請求項１１に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年6月4日(2014.6.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
詳細な説明
本発明は、粒状フレーバー送達系に関する。粒状フレーバー送達系は、デンプン担体、好ましくは固体デンプン担体と、第一風味剤及び可塑剤のブレンドとを含み、前記ブレンドは前記デンプン担体に封入されている。本明細書で使用されるとき、用語「封入されている」は、ブレンドがデンプン担体の内部構造の内部に吸収されていること又は閉じ込められていることを意味する。粒状フレーバー送達系は、好ましくは実質的に乾燥している。より好ましくは、例えば取扱いを改善する易流動性粉末として挙動することができるような乾燥粒状フレーバー送達系である。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７６】
適用温度プロフィール：
−  −８０℃まで急冷する
−  恒温で３分間
−  １分間に５℃で８０℃まで加熱する
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年8月18日(2014.8.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークにおいて通信するための方法であって、前記ネットワークは、複数のセカンダリ局と通信するために、第１セル専用の第１アンテナアレイを持つ第１プライマリ局及び第２セル専用の第２アンテナアレイを持つ第２プライマリ局をそれぞれが含む第１セル及び第２セルを少なくとも有し、当該方法は、
（ａ）前記第１及び第２プライマリ局から少なくとも１つの第１セカンダリ局への協調ビーム成形送信を提供するステップ、
を有し、ステップ（ａ）は、
（ａ１）前記第１セカンダリ局が、前記第１及び第２プライマリ局の少なくとも１つに少なくとも１つのチャネル行列を通知するステップ、
（ａ２）前記第１及び第２プライマリ局が、前記第１アンテナアレイ及び前記第２アンテナアレイの両方にわたって同じプリコーディング・ベクトルを適用するステップ、
を含み、前記プリコーディング・ベクトルは、前記第１セルのための第１ベクトル及び前記第２セルのための第２ベクトルを有し、前記プリコーディング・ベクトルは、前記少なくとも１つのチャネル行列に基づく、方法。
【請求項２】
前記第１ベクトル及び前記第２ベクトルは、前記第１セル専用の第１コードブック及び前記第２セル専用の第２コードブックからそれぞれ選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ステップ（ａ１）が、第１ベクトルと第２ベクトルとの間の位相関係を通知することを含む、請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】
プリコードされたリファレンス・シンボルによってセカンダリ局に位相基準が通知される、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記第１セカンダリ局が、前記第１セル及び前記第２セルから、又は前記第１セル若しくは前記第２セルからの各々の空間ストリームのために、チャネル品質情報を通知する、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記チャネル品質情報が、少なくとも１つの別の好ましいプリコーディング・ベクトルをさらに有し、前記第１プライマリ局及び前記第２プライマリ局又は前記第１プライマリ局若しくは前記第２プライマリ局が、前記好ましいプリコーディング・ベクトル又は干渉測定に応じた別のベクトルを選択する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記チャネル品質情報がチャネル状態を表す、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記チャネル品質情報が好ましい送信ランクを含む、請求項５から請求項７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも１つのチャネル行列が、
前記セカンダリ局によってコードブックから選択される好ましいプリコーディング・ベクトル、
前記第１及び第２プライマリ局のうちの１つとセカンダリ局との間の送信チャネルの量子化された表現、
のうちの１つを含む、請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記好ましいプリコーディング・ベクトルが、
最高の受信データ速度を与えるプリコーディング・ベクトル、及び
最高の受信SNRを与えるプリコーディング・ベクトル、
のうちの１つを示すように選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
ネットワークの第１セル専用の第１アンテナアレイを持つ第１プライマリ局であって、前記ネットワークはさらに、第２セル専用の第２アンテナアレイを持つ第２プライマリ局を含む第２セルを少なくとも有し、当該第１プライマリ局は、複数のセカンダリ局と通信するための手段を有し、前記第１プライマリ局はさらに、前記第１及び第２プライマリ局から少なくとも１つの第１セカンダリ局への協調ビーム成形送信を提供するために前記第２プライマリ局と協力するための手段、少なくとも１つのチャネル行列の通知を前記第１セカンダリ局から受信するための受信手段、及び、前記第１アンテナアレイにわたってプリコーディング・ベクトルを適用するための制御手段を有し、前記プリコーディング・ベクトルは、前記第１セルのための第１ベクトル及び前記第２セルのための第２ベクトルを有し、前記第２プライマリ局の前記第２アンテナアレイにも適用され、前記プリコーディング・ベクトルは、前記少なくとも１つのチャネル行列に基づく、第１プライマリ局。
【請求項１２】
ネットワークにおいて通信するための手段を有するセカンダリ局であって、前記ネットワークは、前記セカンダリ局と通信するために、第１セル専用の第１アンテナアレイを持つ請求項１１に記載の第１プライマリ局及び第２セル専用の第２アンテナアレイを持つ請求項１１に記載の第２プライマリ局をそれぞれ含む第１セル及び第２セルを少なくとも有し、前記セカンダリ局は、前記第１及び第２プライマリ局から少なくとも１つの第１セカンダリ局への協調ビーム成形送信を受信し、前記第１及び第２プライマリ局のうちの少なくとも１つに少なくとも１つのチャネル行列を通知するための手段を有し、前記チャネル行列は、前記第１セル専用のコードブック及び/又は前記第２セル専用のコードブックに基づく、セカンダリ局。
【請求項１３】
第１セル専用の請求項１１に記載の第１プライマリ局、及び、第２セル専用の請求項１１に記載の第２プライマリ局を少なくとも有するネットワークであって、前記第１プライマリ局及び第２プライマリ局は、請求項１２に記載のセカンダリ局に向けられる協調ビーム成形送信を提供するために協力するための手段を有する、ネットワーク。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
LTEのようなシステムの第１の実施の形態において、図1に示されるように、協調ビーム成形がダウンリンクにおいて２つのセル間で実施されることができる。プリコーディングは、両方のセルに属しているアンテナのセットにわたって同じプリコーディング・ベクトルを適用することによって各々の空間ストリームに対して実行されることが想定される。このプリコーディング・ベクトルは、１セットの予め定められたコードブック(第１セル101及び第２セル102の各々に対して１つのコードブック)から選択される各々のセルのためのベクトルで構成される。プリコーディングは、各々のセルのためのプリコーディング・ベクトルを示すことによって、空間ストリームに対して通知される。セカンダリ局401又は402のような個々のユーザは、それぞれ１つ以上の空間ストリーム301又は302を受信することができる。ネットワークが適切なプリコーディング・ベクトルを選択するために、移動端末は、チャネルの状態に関するフィードバックを提供する。フィードバックは、各々のストリーム及び各々のセルのための好ましいプリコーディング・ベクトルに対する１セットのインデックスの形式をとることができる。これらのベクトルは、可能な総送信レートを最大化するように選択される。移動端末のコードブックは、ネットワーク中のそれらと同一である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年1月6日(2014.1.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
埋設層の側面からのアクティブ領域の接触接続は次のことを可能にする。すなわち、ホールセンサ素子の少なくとも１つのコンタクト端子を下方コンタクト面の箇所に設けることを可能にする。すなわち、埋設層の基板内に埋設された場所に基づいて、主要表面と間隔が空けられている箇所に設けられる。このコンタクト端子によって、動作電流が印加され、ホール電圧が検出される。第１の下方コンタクト面が動作電流の印加のために接続されているのか否か、または／およびホール電圧を検出するために接続されているのか否かに応じて、このようにして、動作電流の流れ方向ないしはホール電圧の検出方向が方向成分とともに主要表面に対して垂直に、第１の下方コンタクト面と別のコンタクト端子との間に延在することが実現される。ここでこの別のコンタクト端子は例えば、半導体領域の容易にアクセス可能な主要表面に設けられている。動作電流の流れ方向および／またはホール電圧の検出方向の垂直な方向成分は結果として次のことを可能にする。すなわち、形成されている２つの測定面が、基板の主要表面に対して傾斜してまたは直角に延在し、ホールセンサ素子が主要表面に対して平行な磁界に対して感度を有することを可能にする。従って本願発明のホールセンサ素子は、主要表面の位置に依存しないで測定面を配向することを可能にする。従って、線形に依存しない複数の法線ベクトルを備えた２つまたは３つの測定面を適切に設定すると、磁界の二次元ないしは三次元の測定のための使用が可能になる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
上述の方法では、図４Ａ−４Ｃに示された第４の埋設層１１４および属する部材１４４、１７４、１８４は必要ではない。従ってこの方法は、変更されたホールセンサ素子によっても実現可能である。ここではこれらの部材は省かれている。他方で図７に示された方法を次のように変更することができる。すなわち、図４Ａ−Ｃおよび図６に示されたホールセンサ素子１００に関して付加的にまたは択一的に、別の測定面において測定が実行されるように変更することができる。これは例えば、第３の接続線１６３および第４の接続線１６４ないしは第４の接続線１６４および第１の接続線１６１によって形成されている、主要表面１０２に対して傾斜された測定面での測定、さらには第１の接続線１６１および第３の接続線ないしは第２の接続線１６２および第４の接続線１６４によって形成されている、主要表面１０２に対して垂直な測定面での測定である。磁界を多次元で測定するために有利には、線形の、依存していない複数の法線ベクトルを備えた３つの測定面が選択される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年7月24日(2014.7.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
更に、本発明の方法は、アルキルアリールカルボン酸アミド、例えばアルキルフェニルカルボン酸アミドの製造に特に適している。この際、本発明方法に従い、カルボン酸基を有するアリール基が追加的に少なくとも一つのアルキル基またはアルキレン基を有する芳香族カルボン酸（Ｉ）を、アミノ基を有する有機酸（ＩＩ）と反応させる。この際、該方法は、アリール基が炭素原子数１〜２０、特に１〜１２、例えば１〜４のアルキル基を少なくとも一つ有するアルキル安息香酸アミドの製造に特に有利である。
更に、本発明の方法は、アリール基Ｒ１が、一つまたはそれ以上の、例えば二つまたは三つのヒドロキシル基及び／またはヒドロキシアルキル基を有する芳香族カルボン酸アミドの製造に特に適している。この際、相当するカルボン酸（Ｉ）と、特に多くても当モル量の式（ＩＩ）のアミノ基を有する有機酸との反応において、カルボキシル基のアミド化が選択的に起こり、フェノール性ＯＨ基のアミノリシスは起こらない。
本発明の方法に従いアミド化するために好適なカルボン酸（Ｉ）は、例えばギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、ペンタン酸、イソペンタン酸、ピバリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、２，２−ジメチルアクリル酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、ケイ皮酸及びメトキシケイ皮酸、コハク酸、ブタンテトラカルボン酸、フェニル酢酸、（２−ブロモフェニル）酢酸、（メトキシフェニル）酢酸、（ジメトキシフェニル）酢酸、２−フェニルプロピオン酸、３−フェニルプロピオン酸、３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸、４−ヒドロキシフェノキシ酢酸、ヘキサン酸、シクロヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、ネオノナン酸、デカン酸、ネオデカン酸、ウンデカン酸、ネオウンデカン酸、ドデカン酸、トリデカン酸、イソトリデカン酸、テトラデカン酸、１２−メチルトリデカン酸、ペンタデカン酸、１３−メチルテトラデカン酸、１２−メチルテトラデカン酸、ヘキサデカン酸、１４−メチルペンタデカン酸、ヘプタデカン酸、１５−メチルヘキサデカン酸、１４−メチルヘキサデカン酸、オクタデカン酸、イソオクタデカン酸、イコサン酸、ドコサン酸及びテトラコサン酸、ミリストレイン酸、パルミトレイン酸、ヘキサデカジエン酸、デルタ−９−ｃｉｓ−ヘプタデセン酸、オレイン酸、ペトロセリン酸、バクセン酸、リノール酸、リノレン酸、ガドレイン酸、ゴンド酸、イコサジエン酸、アラキドン酸、セトレイン酸、エルカ酸、ドコサジエン酸及びテトラコセン酸、ドデセニルコハク酸及びオクタデセニルコハク酸、及び不飽和脂肪酸から製造可能なダイマー脂肪酸、並びにこれらの混合物である。更に、天然油脂から、例えば綿実油、ココナッツ油、ピーナッツ油、サフラワー油、マイズ油、パーム核油、ナタネ油、オリーブ油、カラシ油、ダイズ油、ヒマワリ油並びに獣脂油、骨油、及び魚油から得られるカルボン酸混合物も適している。本発明の方法のためのカルボン酸またはカルボン酸混合物としては、トール油脂肪酸並びに樹脂酸及びナフテン酸も同様に適している。本発明方法に従うアミド化に適した更に別のカルボン酸（Ｉ）は、例えば安息香酸、フタル酸、イソフタル酸；  ナフタレンカルボン酸、ピリジンカルボン酸及びナフタレンジカルボン酸の各種異性体、トリメリット酸、トリメシン酸、ピロメリット酸及びメリト酸；  メトキシ安息香酸、ヒドロキシ安息香酸、ヒドロキシメチル安息香酸、ヒドロキシメトキシ安息香酸、ヒドロキシジメトキシ安息香酸、ヒドロキシイソフタル酸、ヒドロキシナフタレンカルボン酸、ヒドロキシピリジンカルボン酸、ヒドロキシメチルピリジンカルボン酸、及びヒドロキシキノリンカルボン酸の各種異性体；  並びにｏ−トルイル酸、ｍ−トルイル酸、ｐ−トルイル酸、ｏ−エチル安息香酸、ｍ−エチル安息香酸、ｐ−エチル安息香酸、ｏ−プロピル安息香酸、ｍ−プロピル安息香酸、ｐ−プロピル安息香酸及び３，４−ジメチル安息香酸である。様々なアリール−及び／またはアルキルアリールカルボン酸の混合物も同様に適している。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１５】
式Ｉのカルボン酸が、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、ペンタン酸、イソペンタン酸、ピバリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、２，２−ジメチルアクリル酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、ケイ皮酸、メトキシケイ皮酸、コハク酸、ブタンテトラカルボン酸、フェニル酢酸、（２−ブロモフェニル）酢酸、（メトキシフェニル）酢酸、（ジメトキシフェニル）酢酸、２−フェニルプロピオン酸、３−フェニルプロピオン酸、３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸、４−ヒドロキシフェノキシ酢酸、ヘキサン酸、シクロヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、ネオノナン酸、デカン酸、ネオデカン酸、ウンデカン酸、ネオウンデカン酸、ドデカン酸、トリデカン酸、テトラデカン酸、１２−メチルトリデカン酸、ペンタデカン酸、１３−メチルテトラデカン酸、１２−メチルテトラデカン酸、ヘキサデカン酸、１４−メチルペンタデカン酸、ヘプタデカン酸、１５−メチルヘキサデカン酸、１４−メチルヘキサデカン酸、オクタデカン酸、イソオクタデカン酸、イコサン酸、ドコサン酸、テトラコサン酸、ミリストレイン酸、パルミトレイン酸、ヘキサデカジエン酸、デルタ−９−ｃｉｓ−ヘプタデセン酸、オレイン酸、ペトロセリン酸、バクセン酸、リノール酸、リノレン酸、ガドレイン酸、ゴンド酸、イコサジエン酸、アラキドン酸、セトレイン酸、エルカ酸、ドコサジエン酸及びテトラコセン酸、ドデセニルコハク酸、オクタデセニルコハク酸；  綿実油、ココナッツ油、ピーナッツ油、サフラワー油、マイズ油、パーム核油、ナタネ油、オリーブ油、カラシ油、ダイズ油、ヒマワリ油、獣油、骨油、及び魚油から得られるカルボン酸混合物、トール油脂肪酸、樹脂酸及びナフテン酸、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸；  ナフタレンカルボン酸、ピリジンカルボン酸及びナフタレンジカルボン酸の各種異性体；  トリメリット酸、トリメシン酸、ピロメリット酸及びメリト酸；  メトキシ安息香酸、ヒドロキシ安息香酸、ヒドロキシメチル安息香酸、ヒドロキシメトキシ安息香酸、ヒドロキシジメトキシ安息香酸、ヒドロキシイソフタル酸、ヒドロキシナフタレンカルボン酸、ヒドロキシピリジンカルボン酸、ヒドロキシメチルピリジンカルボン酸、ヒドロキシキノリンカルボン酸の各種異性体；  ｏ−トルイル酸、ｍ−トルイル酸、ｐ−トルイル酸、ｏ−エチル安息香酸、ｍ−エチル安息香酸、ｐ−エチル安息香酸、ｏ−プロピル安息香酸、ｍ−プロピル安息香酸、ｐ−プロピル安息香酸及び３，４−ジメチル安息香酸から選択される、請求項１〜９の一つまたはそれ以上の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年9月19日(2014.9.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１３７】
【表１８】
2012531471.tif 000001
実施例１のエステル混合物を、実施例２、３または４のエステル混合物に置き換えることによって、それぞれの対応する組成物が得られた。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年6月9日(2014.6.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
障害電流の送電を制限する装置であって、前記装置は、
接地電位から電気的に絶縁されるように接地から電気的に減結合された金属筐体、
少なくとも一つが一つ以上の電流搬送線に電気的に接続された第１及び第２の端子、及び
前記金属筐体内に収容され且つ前記第１及び第２の端子に電気的に接続された第１の超伝導回路を、
備える装置。
【請求項２】
前記金属筐体は前記第１及び第２の端子から電気的に絶縁されている、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記第１の端子に第１の電圧が存在し、前記第２の端子に第２の電圧が存在し、前記金属筐体は前記第１及び第２の電圧の間の電圧にある、請求項２記載の装置。
【請求項４】
前記金属筐体は前記第１及び第２の端子の一つに電気的に接続されている、請求項１記載の装置。
【請求項５】
前記金属筐体と前記接地との間に配置され、前記金属筐体を支持する支持体を更に備え、前記支持体が前記金属筐体を接地から電気的に絶縁している、請求項１記載の装置。
【請求項６】
前記超伝導回路を所定の温度より低く維持するために前記金属筐体内に冷却剤を更に備える、請求項１記載の装置。
【請求項７】
その上に前記金属筐体が支持されたプラットフォームを備え、前記プラットフォームは接地から電気的に絶縁されている、請求項１記載の装置。
【請求項８】
第２の金属筐体と、第３及び第４の端子と、前記第２の金属筐体内に収容された第２の超伝導回路とを更に備え、
前記第２の超伝導回路は前記第３及び第４の端子に電気的に接続され、前記第２の金属筐体は前記プラットフォームにより支持されている、請求項７記載の装置。
【請求項９】
前記金属筐体及び前記第２の金属筐体が電気的に絶縁されるように前記金属筐体と前記プラットフォームとの間に支持体を更に備える、請求項８記載の装置。
【請求項１０】
前記第３及び第４の端子の各々は一つ以上の配電線に電気的に接続されている、請求項８記載の装置。
【請求項１１】
前記第３の端子は前記第１及び第２の端子の一つに電気的に接続されている、請求項８記載の装置。
【請求項１２】
少なくとも一つが一つ以上の電流搬送線に電気的に接続された第３及び第４の端子、及び
前記金属筐体内に収容され且つ前記第３及び第４の端子に電気的に接続された第２の超伝導回路、
を更に備える、請求項１記載の装置。
【請求項１３】
少なくとも一つが一つ以上の電流搬送線に電気的に接続された第５及び第６の端子、及び
前記金属筐体内に収容され且つ前記第５及び第６の端子に電気的に接続された第３の超伝導回路、
を更に備える、請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
前記第１の超伝導回路と前記金属筐体との間の隙間長が２５０ｃｍ未満である、請求項１記載の装置。
【請求項１５】
前記第１の超伝導回路と前記金属筐体との間の隙間長が約８〜２５ｃｍである、請求項１３記載の装置。
【請求項１６】
障害電流の送電を制限する方法であって、該方法は、
第１及び第２の端子を一つ以上の電流搬送線に電気的に接続するステップ、
障害電流を通す通路を与えるために金属筐体内に収容された超伝導回路を前記第１及び第２の端子に電気的に接続するステップ、及び
前記金属筐体を接地から電気的に絶縁するステップを備える、方法。
【請求項１７】
前記金属筐体を前記第１及び第２の端子から電気的に絶縁するステップを更に備える、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記金属筐体を前記第１及び第２の端子の一つに電気的に接続するステップを更に備える、請求項１６記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
本発明の理解を容易にするために、添付図面を参照して説明する。これらの図は必ずしも正しい寸法比で描かれていない。更に、これらの図は本発明を限定するものでなく、単なる例示であるものと解釈されたい。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年5月30日(2014.5.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
４５００h後に、本発明による水蒸気での再生を、まず最初にＭＴＢＥフィード流を止め、引き続き２７０℃及び０．７MPaで３h、１h-1のＷＨＳＶで水蒸気をフィードとして使用することによって、実施した。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
出発物質混合物及び生成物混合物の組成から、ＭＴＢＥ転化率、イソブテン形成の選択率（反応されたＭＴＢＥのモル数に対する形成されたイソブテンのモル数）及びメタノール形成の選択率（反応されたＭＴＢＥのモル数に対する形成されたメタノールのモル数）を、多様な反応時間で計算した。これらの値は以下の第１表にまとめられている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカリ金属及び／又はアルカリ土類金属、酸化アルミニウム及び酸化ケイ素の群からの混合酸化物を含有する触媒を再生する方法であって、
再生が次の特徴を含む：
ｉ）触媒をその場で処理し、
ｉｉ）触媒を水と接触させ、
ｉｉｉ）触媒を１００〜４００℃の温度範囲内で処理し、
ｉｖ）触媒を０．１〜２MPaの圧力範囲内で処理し、
ｖ）触媒を０．１〜２４hの期間にわたって処理し、
ｖｉ）触媒を０．１〜１００h-1の比触媒負荷で処理し、
イソブテン及びメタノールへのメチル−ｔ−ブチルエーテル（ＭＴＢＥ）の気相分解に引き続き、触媒を再生し、かつ
再生を、水蒸気を用いて、まず最初にＭＴＢＥフィード流を止め、引き続き水蒸気をフィードとして使用することによって、実施する
ことを特徴とする、触媒を再生する方法。
【請求項２】
温度範囲が１５０〜３８０℃である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
温度範囲が２００〜３５０℃である、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
圧力範囲が０．２〜１MPaである、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
触媒の処理を、１〜１０hの期間にわたって行う、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
触媒の処理を、２〜６hの期間にわたって行う、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
触媒の処理を０．５〜３０h-1の比触媒負荷で行う、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年6月26日(2014.6.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
適当な芳香族カルボン酸は、例えば、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸；  ナフタレンカルボン酸、ピリジンカルボン酸及びナフタレンジカルボン酸の各種異性体、並びにトリメリト酸、トリメシン酸、ピロメリト酸及びメリト酸；メトキシ安息香酸、ヒドロキシ安息香酸、ヒドロキシメチル安息香酸、ヒドロキシメトキシ安息香酸、ヒドロキシジメトキシ安息香酸、ヒドロキシイソフタル酸、ヒドロキシナフタレンカルボン酸、ヒドロキシピリジンカルボン酸及びヒドロキシメチルピリジンカルボン酸、ヒドロキシキノリンカルボン酸の各種異性体；並びにｏ−トルイル酸、ｍ−トルイル酸、ｐ−トルイル酸、ｏ−エチル安息香酸、ｍ−エチル安息香酸、ｐ−エチル安息香酸、ｏ−プロピル安息香酸、ｍ−プロピル安息香酸、ｐ−プロピル安息香酸、３，４−ジメチル安息香酸、及びチオフェンカルボン酸である。異なるアリール−及び／またはアルキルアリールカルボン酸の混合物も同様に適している。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
本方法は、安息香酸メチルエステル、安息香酸エチルエステル、安息香酸ｎ−ヘキシルエステル、安息香酸ｏ−トリルエステル、ｐ−トルイル酸メチルエステル、ｐ−ヒドロキシ安息香酸メチルエステル、ｐ−ヒドロキシ安息香酸エチルエステル、ニコチン酸メチルエステル、ニコチン酸エチルエステル、ニコチン酸フェニルエステルの製造に特に適している。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８１】
例２：  ｐ−トルイル酸ブチルエステルの製造
攪拌機、内部温度計及び均圧管を備えた１０Ｌビュッヒ攪拌オートクレーブ中に、３．１２ｋｇのｎ−ブタノール（４２モル）を仕込み、そして２．８８ｋｇのｐ−トルイル酸（２１モル）及び６０ｇのメタンスルホン酸と混合した。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８３】
理論値の８２％の転化率が達成された。この反応生成物は実質上無色であり、鉄の含有率は＜５ｐｐｍであった。炭酸水素塩溶液で触媒を中和しそして水及び過剰のブタノールを蒸留して分離した後、減圧蒸留によって３．３ｋｇのトルイル酸ブチルエステルが＞９７．５％の純度で得られた。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１３】
Ａｒが、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸；ナフタレンカルボン酸、ピリジンカルボン酸及びナフタレンジカルボン酸の各異性体；トリメリト酸、トリメシン酸、ピロメリト酸及びメリト酸；メトキシ安息香酸、ヒドロキシ安息香酸、ヒドロキシメチル安息香酸、ヒドロキシメトキシ安息香酸、ヒドロキシジメトキシ安息香酸、ヒドロキシイソフタル酸、ヒドロキシナフタレンカルボン酸、ヒドロキシピリジンカルボン酸、ヒドロキシメチルピリジンカルボン酸、ヒドロキシキノリンカルボン酸の各異性体；ｏ−トルイル酸、ｍ−トルイル酸、ｐ−トルイル酸、ｏ−エチル安息香酸、ｍ−エチル安息香酸、ｐ−エチル安息香酸、ｏ−プロピル安息香酸、ｍ−プロピル安息香酸、ｐ−プロピル安息香酸、３，４−ジメチル安息香酸、及びチオフェンカルボン酸から選択される、請求項１〜１０の一つまたはそれ以上の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月19日(2014.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持細胞が存在しない培地中で、１つ以上の因子と接した状態でヒト造血細胞集団を増殖させる工程であって、当該増殖させる工程の間に、上記ヒト造血細胞集団中の複数のヒト造血細胞が赤血球へ分化する工程と、
上記培地から上記赤血球を単離する工程と、を含む、赤血球を生産する方法であって、
上記因子は、約１０〜約１０，０００ｎｇ／ｍＬの濃度であるＳＣＦ、約０．０１〜約５００ｎｇ／ｍＬの濃度であるＩＬ−３、および、約０．１〜約１０ＩＵ／ｍＬの濃度であるＥｐｏを含み、
上記培地は、約１〜約１０００ｎｇ／ｍＬの濃度であるインスリン様増殖因子１（ＩＧＦ−１）を含み、
上記培地は、Ｆｌｔ−３Ｌ、ＩＬ−１１、トロンボポエチン（Ｔｐｏ）、ホメオボックス−Ｂ４（ＨｏｘＢ４）またはメチルセルロースのうち、１つ以上を含まず、
上記ＳＣＦ、ＩＬ−３およびＥｐｏは、上記培地の定義されていない成分の中には含まれていないことを特徴とする、赤血球を生産する方法。
【請求項２】
上記ＳＣＦは、約１００ｎｇ／ｍＬの濃度で存在することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記ＩＬ−３は、約５ｎｇ／ｍＬの濃度で存在することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
上記Ｅｐｏは、約２〜約３ＩＵ／ｍＬの濃度で存在することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
上記造血細胞が、ＣＤ３４＋であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
上記培地は、さらに約１〜約１０００μｇ／ｍＬの濃度である脂質を含み、
上記脂質は、たんぱく質とコレステロールとの混合物を含み、
上記培地は、約０．０１〜約１００μＭの濃度であるヒドロコルチゾン、または、約０．０１〜約１００μＭの濃度であるデキサメタゾンを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
上記ＩＧＦ−１は、約２０〜約１００ｎｇ／ｍＬの濃度で存在することを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
上記脂質は、約２０〜約１００μｇ／ｍＬの濃度で存在することを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項９】
上記デキサメタゾンは、約０．１〜約１０μＭの濃度で存在することを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
上記培地は、約１００ｎｇ／ｍＬのＳＣＦ、約３ＩＵ／ｍＬのＥｐｏ、約４０ｎｇ／ｍＬのＩＧＦ−１、約１μＭのデキサメタゾン、および４０μｇ／ｍＬの脂質を含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
上記培地は、約１００ｎｇ／ｍＬのＳＣＦ、約２ＩＵ／ｍＬのＥｐｏ、約４０ｎｇ／ｍＬのＩＧＦ−１、約１μＭのヒドロコルチゾン、および５０μｇ／ｍＬの脂質を含み、
上記脂質は、たんぱく質とコレステロールとの混合物を含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
支持細胞が存在しない培地中で、ヒト造血細胞集団を増殖させる工程であって、当該増殖させる工程の間に、上記ヒト造血細胞集団中の複数のヒト造血細胞が赤血球へ分化する工程と、
上記培地から上記赤血球を単離する工程と、を含む、赤血球を生産する方法であって、
上記培地は、約１００ｎｇ／ｍＬのＳＣＦ、約３ＩＵ／ｍＬのＥｐｏ、約４０ｎｇ／ｍＬのＩＧＦ−１、約１μＭのデキサメタゾン、約４０μｇ／ｍＬの脂質、および約５ｎｇ／ｍＬのＩＬ−３を含み、
上記培地は、Ｆｌｔ−３Ｌ、ＩＬ−１１、トロンボポエチン（Ｔｐｏ）、ホメオボックス−Ｂ４（ＨｏｘＢ４）またはメチルセルロースのうち、１つ以上を含まず、
上記ＳＣＦ、ＩＬ−３およびＥｐｏは、上記培地の定義されていない成分の中には含まれていないことを特徴とする、赤血球を生産する方法。
【請求項１３】
支持細胞が存在しない培地中で、ヒト造血細胞集団を増殖させる工程であって、当該増殖させる工程の間に、上記ヒト造血細胞集団中の複数のヒト造血細胞が赤血球へ分化する工程と、
上記培地から上記赤血球を単離する工程と、を含む、赤血球を生産する方法であって、
上記培地は、約１００ｎｇ／ｍＬのＳＣＦ、約３ＩＵ／ｍＬのＥｐｏ、約４０ｎｇ／ｍＬのＩＧＦ−１、約１μＭのヒドロコルチゾン、約４０μｇ／ｍＬの脂質、および約５ｎｇ／ｍＬのＩＬ−３を含み、
上記培地は、Ｆｌｔ−３Ｌ、ＩＬ−１１、トロンボポエチン（Ｔｐｏ）、ホメオボックス−Ｂ４（ＨｏｘＢ４）またはメチルセルロースのうち、１つ以上を含まず、
上記ＳＣＦ、ＩＬ−３およびＥｐｏは、上記培地の定義されていない成分の中には含まれていないことを特徴とする、赤血球を生産する方法。
【請求項１４】
支持細胞が存在しない培地中で、ヒト造血細胞集団を増殖させる工程であって、当該増殖させる工程の間に、上記ヒト造血細胞集団中の複数のヒト造血細胞が赤血球へ分化する工程と、
上記培地から上記赤血球を単離する工程と、を含む、赤血球を生産する方法であって、
上記培地は、約１０〜約１０，０００ｎｇ／ｍＬのＳＣＦ、約０．０１〜約５００ｎｇ／ｍＬのＩＬ−３、約０．１〜約１０ＩＵ／ｍＬのＥｐｏ、約４０ｎｇ／ｍＬのＩＧＦ−１、約１μＭのデキサメタゾン、および約４０μｇ／ｍＬの脂質を含み、
上記培地は、Ｆｌｔ−３Ｌ、ＩＬ−１１、トロンボポエチン（Ｔｐｏ）、ホメオボックス−Ｂ４（ＨｏｘＢ４）またはメチルセルロースのうち、１つ以上を含まず、
上記ＳＣＦ、ＩＬ−３およびＥｐｏは、上記培地の定義されていない成分の中には含まれていないことを特徴とする、赤血球を生産する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月28日(2013.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
以下において、実施例によって本発明を更に説明する。本発明は、実施例に限定されない。
本発明の好ましい態様は、以下を包含する。
〔１〕ポリマーマトリックス（２）を含んでなり、中空粒子（３）がポリマーマトリックス（２）中に配置されていることを特徴とする、圧電性ポリマーフィルム素子（１）、特にポリマー箔。
〔２〕中空粒子（２）が球状および／またはストランド状に構成されていることを特徴とする、上記〔１〕に記載の圧電性ポリマーフィルム素子（１）。
〔３〕中空粒子（２）がガラス、ポリマーまたはセラミック材料で構成されている、上記〔１〕に記載の圧電性ポリマーフィルム素子（１）。
〔４〕中空粒子（２）が１μｍ〜８００μｍの高さおよび／または１μｍ〜８００μｍの直径を有することを特徴とする、上記〔１〕に記載の圧電性ポリマーフィルム素子（１）。
〔５〕ポリマーマトリックス（２）が非導電性ポリマーまたは非導電性ポリマー混合物で作られていることを特徴とする、上記〔１〕に記載の圧電性ポリマーフィルム素子（１）。
〔６〕ポリマーマトリックス（２）がエラストマーで作られていることを特徴とする、上記〔１〕に記載の圧電性ポリマーフィルム素子（１）。
〔７〕ポリマーマトリックス（２）がポリウレタンエラストマー、シリコーンエラストマー、アクリレートエラストマーおよび／またはゴム或いはそれらの混合物で作られていることを特徴とする、上記〔１〕に記載の圧電性ポリマーフィルム素子（１）。
〔８〕ポリマーマトリックスが１０μｍ〜１０００μｍの厚さ（Ｄ）を有することを特徴とする、上記〔１〕に記載の圧電性ポリマーフィルム素子（１）。
〔９〕Ａ）中空粒子（３）を供給する工程、
Ｂ）ポリマー材料であるポリマーマトリックス（２）に中空粒子（３）を導入する工程、
Ｃ）ポリマーマトリックス（２）をポリマーフィルムとして成形する工程
を含む、圧電性ポリマーフィルム素子（１）、特にポリマー箔の製造方法。
〔１０〕工程Ｃ）において、押出、樹脂射出成形、射出成形によって、或いは基材上への、ナイフ塗布、ラッカー回転塗布、浸漬被覆、吹付塗、流し塗またはスロットダイ被覆および必要に応じたその後の基材からのポリマーフィルムの分離によって、ポリマーフィルムを成形することを特徴とする、上記〔９〕に記載の方法。
〔１１〕ポリマー材料が、ゴム、ゴム誘導体、不飽和ポリエステル、アルキド樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、アミド樹脂、ケトン樹脂、キシレン−ホルムアルデヒド樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルエステル、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルエーテル、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエステル、コポリエステル、ポリアミド、シリコーン樹脂、ポリウレタン、およびこれらのポリマーの混合物からなる群から選択される少なくとも１つのポリマーを含んでなる、上記〔９〕に記載の方法。
〔１２〕Ｄ）ポリマーフィルム素子、特に中空粒子（３）中のキャビティ（４）を反対電荷で帯電させる工程
を含むことを特徴とする、上記〔９〕に記載の方法。
〔１３〕Ｅ）ポリマーフィルム表面に電極（５、５’）を適用する工程
を含むことを特徴とする、上記〔９〕に記載の方法。
〔１４〕充填剤としての中空粒子（３）を含んでなる少なくとも１つの第一ポリマーフィルム（１）を含んでなる、電気機械変換器。
〔１５〕上記〔１〕に記載のポリマーフィルム素子（１）または上記〔１４〕に記載の電気機械変換器の、センサー、発電機および／またはアクチュエーターとしての使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマーマトリックス（２）を含んでなり、中空粒子（３）がポリマーマトリックス（２）中に配置されていることを特徴とする、圧電性ポリマーフィルム素子（１）、特にポリマー箔。
【請求項２】
中空粒子（２）が球状および／またはストランド状に構成されていることを特徴とする、請求項１に記載の圧電性ポリマーフィルム素子（１）。
【請求項３】
中空粒子（２）がガラス、ポリマーまたはセラミック材料で構成されている、請求項１に記載の圧電性ポリマーフィルム素子（１）。
【請求項４】
中空粒子（２）が１μｍ〜８００μｍの高さおよび／または１μｍ〜８００μｍの直径を有することを特徴とする、請求項１に記載の圧電性ポリマーフィルム素子（１）。
【請求項５】
ポリマーマトリックス（２）が非導電性ポリマーまたは非導電性ポリマー混合物で作られていることを特徴とする、請求項１に記載の圧電性ポリマーフィルム素子（１）。
【請求項６】
ポリマーマトリックス（２）が、ポリウレタンエラストマー、シリコーンエラストマー、アクリレートエラストマーおよび／またはゴム或いはそれらの混合物からなるエラストマーで作られていることを特徴とする、請求項１に記載の圧電性ポリマーフィルム素子（１）。
【請求項７】
ポリマーマトリックスが１０μｍ〜１０００μｍの厚さ（Ｄ）を有することを特徴とする、請求項１に記載の圧電性ポリマーフィルム素子（１）。
【請求項８】
Ａ）中空粒子（３）を供給する工程、
Ｂ）ポリマー材料であるポリマーマトリックス（２）に中空粒子（３）を導入する工程、
Ｃ）ポリマーマトリックス（２）をポリマーフィルムとして成形する工程
を含む、圧電性ポリマーフィルム素子（１）、特にポリマー箔の製造方法。
【請求項９】
工程Ｃ）において、押出、樹脂射出成形、射出成形によって、或いは基材上への、ナイフ塗布、ラッカー回転塗布、浸漬被覆、吹付塗、流し塗またはスロットダイ被覆および必要に応じたその後の基材からのポリマーフィルムの分離によって、ポリマーフィルムを成形することを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
ポリマー材料が、ゴム、ゴム誘導体、不飽和ポリエステル、アルキド樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、アミド樹脂、ケトン樹脂、キシレン−ホルムアルデヒド樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルエステル、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルエーテル、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエステル、コポリエステル、ポリアミド、シリコーン樹脂、ポリウレタン、およびこれらのポリマーの混合物からなる群から選択される少なくとも１つのポリマーを含んでなる、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
Ｄ）ポリマーフィルム素子、特に中空粒子（３）中のキャビティ（４）を反対電荷で帯電させる工程
を含むことを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
Ｅ）ポリマーフィルム表面に電極（５、５’）を適用する工程
を含むことを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
充填剤としての中空粒子（３）を含んでなる少なくとも１つの第一ポリマーフィルム（１）を含んでなる、電気機械変換器。
【請求項１４】
請求項１に記載のポリマーフィルム素子（１）または請求項１３に記載の電気機械変換器の、センサー、発電機および／またはアクチュエーターとしての使用。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月4日(2013.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスの製造方法であって、前記方法は、
打込みマスク層上にエッチマスクをパターニング処理する工程、
を含み、ここで、打込みマスク層は、第１導電型の半導体材料のチャネル層上にあり、および、チャネル層は、第１導電型の半導体基板の上面上にあり、
前記方法は、さらに、
エッチマスクを介してチャネル層及び打込みマスク層の一部を選択的にエッチングし、上面と、各々の底面により画定されるエッチングされた各部分に隣接した側壁とを各々有する隆起した領域を画定する工程と、
チャネル層のエッチングされた部分の底面の下に半導体材料中の第２導電型の打込み領域を形成するために、打込みマスク層のエッチングされた部分を介してチャネル層へイオンを打込む工程と、
を含み、ここで、イオンは、半導体基板の上面に対して垂直から＋／−１０°以内の角度で打込まれ、打込む工程の間に打込みマスク層に衝突する十分なイオンは打込みマスクによって散乱され、隆起した領域のチャネル層の側壁に隣接した第２導電型の打込み領域に＋ドーピングされ、エッチングされた部分の底面の下の打込み領域は隆起した領域のチャネル層の側壁に隣接した打込み領域に繋がっており、前記の２導電型の＋ドーピングされた打込み領域がトレンチの底部から隆起した領域の頂上近くまで伸長する長いチャネルを形成していることを特徴とする方法。
【請求項２】
チャネル層が、半導体基板上にある第１導電型の半導体材料のドリフト層上にあることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項３】
チャネル層とドリフト層は、各々、ドーパント濃度を有し、およびチャネル層のドーパント濃度は、ドリフト層のドーパント濃度より低いことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
打込み中のイオンのエネルギーが、２５０ｋｅＶから２ＭｅＶであることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項５】
イオンの打込みの間、打込みマスク層は、第１導電型の半導体材料のソース層上にあり、およびソース層はチャネル層上にあることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項６】
チャネル層および半導体基板が、ＳｉＣを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
打込みマスク層が、少なくとも０．５μｍの厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
チャネル層が、０．２５μｍ〜５μｍの厚さおよび１ｘ１０１４／ｃｍ３〜１ｘ１０１８／ｃｍ３のドーパント濃度を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ドリフト層が、２００μｍ未満の厚さおよび１ｘ１０１４／ｃｍ３〜１ｘ１０１８／ｃｍ３のドーパント濃度を有することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項１０】
ソース層が、５ｘ１０１８／ｃｍ３より大きなドーパント濃度を有することを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項１１】
半導体基板は、１ｘ１０１８／ｃｍ３〜１ｘ１０２０／ｃｍ３のドーパント濃度を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
イオンの打込みの間、打込みマスク層が、第１導電型の半導体材料のソース層上にあり、およびソース層はチャネル層上にあることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項１３】
隆起したソース領域が、フィンガーの形態の複数の離間した細長い部分を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
イオンが、半導体基板の上面に対して垂直から＋／−０．１°の角度でチャネル層へ打込まれることを特徴とする請求項１に記載の方法。