【手続補正書】
【提出日】平成15年12月12日(2003.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）主鎖に脂環式骨格を有する樹脂と、（Ｂ）放射線の照射により酸を発生する感放射線性酸発生剤とを含有することを特徴とする、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）照射用感放射線性樹脂組成物。
【請求項２】
（Ａ）主鎖に脂環式骨格を有する樹脂が、下記一般式（７）で表される少なくとも１種のノルボルネン誘導体と、共重合可能な１種以上の不飽和化合物とを、ラジカル共重合する方法により製造されたものであることを特徴とする、請求項１に記載のＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）照射用感放射線性樹脂組成物。
【化８】
1998111569.tif 000001
〔一般式（７）において、ｎは０または１であり、ＡおよびＢはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の１価の炭化水素基または炭素数１〜１０の１価のハロゲン化炭化水素基を示し、ＸおよびＹはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、炭素数１〜１０の１価のハロゲン化炭化水素基または酸開裂性基を示し、かつＸおよびＹのうち少なくとも一つは酸開裂性基であり、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 およびＲ8 はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の１価の炭化水素基または炭素数１〜１０の１価のハロゲン化炭化水素基を示す。〕
【請求項３】
（Ａ）主鎖に下記一般式（１）または一般式（２）で表される脂環式骨格を有する樹脂、（Ｂ）放射線の照射により酸を発生する感放射線性酸発生剤、および（Ｄ）該感放射線性酸発生剤から発生する酸に対してルイス塩基として作用する化合物を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。
【化１】
1998111569.tif 000002
【化２】
1998111569.tif 000003
〔一般式（１）および一般式（２）において、ｎは０または１であり、ＡおよびＢはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の１価の炭化水素基または炭素数１〜１０の１価のハロゲン化炭化水素基を示し、ＸおよびＹはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、炭素数１〜１０の１価のハロゲン化炭化水素基または酸開裂性基を示し、かつＸおよびＹのうち少なくとも一つは酸開裂性基である。〕
【請求項４】
（Ｂ）成分の使用量が（Ａ）成分１００重量部に対して０．１〜１０重量部であり、（Ｄ）成分の配合量が（Ｂ）成分１モルに対して０．０５〜１モルであることを特徴とする、請求項３に記載の感放射線性樹脂組成物。
【請求項５】
（Ａ）下記一般式（３）で表される繰返し単位を含有する樹脂および（Ｂ）放射線の照射により酸を発生する感放射線性酸発生剤を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。
【化３】
1998111569.tif 000004
〔一般式（３）において、ｎは０または１であり、Ａは水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の１価の炭化水素基または炭素数１〜１０の１価のハロゲン化炭化水素基を示し、Ｘは酸開裂性基を示す。〕
【請求項６】
（Ａ）下記一般式（３−１）で表される繰返し単位を含有する樹脂（Ａ) および（Ｂ）放射線の照射により酸を発生する感放射線性酸発生剤を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。
【化４８】
1998111569.tif 000005
〔一般式（３−１）において、ｎは０または１であり、R9は炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、炭素数１〜１０の１価のハロゲン化炭化水素基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、カルボブトキシメチル基、カルボブトキシエチル基、カルボブトキシプロピル基またはトリアルキルシリル基（但し、アルキル基の炭素数は１〜４である。）を示す。〕
【請求項７】
（Ａ）下記一般式（３）で表される繰返し単位と下記一般式（４）で表される繰返し単位とを含有する樹脂および（Ｂ）放射線の照射により酸を発生する感放射線性酸発生剤を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。
【化３】
1998111569.tif 000006
【化４】
1998111569.tif 000007
〔一般式（３）および一般式（４）において、ｎおよびｍはそれぞれ独立に０または１であり、ＡおよびＢはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の１価の炭化水素基または炭素数１〜１０の１価のハロゲン化炭化水素基を示し、Ｘは酸開裂性基を示す。〕
【請求項８】
（Ａ）主鎖に下記一般式（１）で表され脂環式骨格を有する樹脂および（Ｂ）放射線の照射により酸を発生する感放射線性酸発生剤を含有し、かつ該樹脂を製造する際に使用される触媒が、デミングの周期律表IV族、Ｖ族、VI族、 VII族およびVIII族の金属の群から選ばれる少なくとも１種を含むものであり、該樹脂中の残留金属の含有量が３００ｐｐｂ以下であることを特徴とする感放射線性樹脂組成物。
【化１】
1998111569.tif 000008
〔一般式（１）において、ｎは０または１であり、ＡおよびＢはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の１価の炭化水素基または炭素数１〜１０の１価のハロゲン化炭化水素基を示し、ＸおよびＹはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、炭素数１〜１０の１価のハロゲン化炭化水素基または酸開裂性基を示し、かつＸおよびＹのうち少なくとも一つは酸開裂性基である。〕
【請求項９】
（Ａ）主鎖に下記一般式（１）で表され脂環式骨格を有する樹脂および（Ｂ）放射線の照射により酸を発生する感放射線性酸発生剤を含有し、かつ該樹脂を製造する際に使用される触媒が、ふっ素、塩素および臭素の群から選ばれる少なくとも１種のハロゲンを含むものであり、該樹脂中の残留ハロゲンの含有量が３ｐｐｍ以下であることを特徴とする感放射線性樹脂組成物。
【化１】
1998111569.tif 000009
〔一般式（１）において、ｎは０または１であり、ＡおよびＢはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の１価の炭化水素基または炭素数１〜１０の１価のハロゲン化炭化水素基を示し、ＸおよびＹはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、炭素数１〜１０の１価のハロゲン化炭化水素基または酸開裂性基を示し、かつＸおよびＹのうち少なくとも一つは酸開裂性基である。〕
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
｛但し、Ｚは -O-または -N(R3)-（但し、R3は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜８のアルキル基もしくは炭素数１〜４の -SO2R4(但し、R4は炭素数１〜４のアルキル基もしくは炭素数１〜４のハロゲン化アルキル基である。））を示す。｝で表される含酸素複素環構造あるいは含窒素複素環構造が好ましい。
一般式（１）および一般式（２）におけるＸおよびＹの好ましい酸開裂性基において、基-(CH2)i COOR1 としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、２−メチルプロポキシカルボニル基、１−メチルプロポキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基、ｎ−ヘプチルオキシカルボニル基、ｎ−オクチルオキシカルボニル基、ｎ−デシルオキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、４−ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘプチルオキシカルボニル基、シクロオクチルオキシカルボニル基等の（シクロ）アルコキシカルボニル基；フェノキシカルボニル基、４−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル基、１−ナフチルオキシカルボニル基等のアリーロキシカルボニル基；ベンジルオキシカルボニル基、４−ｔ−ブチルベンジルオキシカルボニル基等のアラルキルオキシカルボニル基；メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルメチル基、ｎ−ブトキシカルボニルメチル基、２−メチルプロポキシカルボニルメチル基、１−メチルプロポキシカルボニルメチル基、ｔ−ブトキシカルボニルメチル基、シクロヘキシルオキシカルボニルメチル基、４−ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニルメチル基等の（シクロ）アルコキシカルボニルメチル基；フェノキシカルボニルメチル基、１−ナフチルオキシカルボニルメチル基等のアリーロキシカルボニルメチル基；ベンジルオキシカルボニルメチル基、４−ｔ−ブチルベンジルオキシカルボニルメチル基等のアラルキルオキシカルボニルメチル基；
２−メトキシカルボニルエチル基、２−エトキシカルボニルエチル基、２−ｎ−プロポキシカルボニルエチル基、２−イソプロポキシカルボニルエチル基、２−ｎ−ブトキシカルボニルエチル基、２−（２−メチルプロポキシ）カルボニルエチル基、２−（１−メチルプロポキシ）カルボニルエチル基、２−ｔ−ブトキシカルボニルエチル基、２−シクロヘキシルオキシカルボニルエチル基、２−（４−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニル）エチル基等の（シクロ）アルコキシカルボニルエチル基；２−フェノキシカルボニルエチル基、２−（１−ナフチルオキシカルボニル）エチル基等の２−アリーロキシカルボニルエチル基；２−ベンジルオキシカルボニルエチル基、２−（４−ｔ−ブチルベンジルオキシカルボニル）エチル基等の２−アラルキルオキシカルボニルエチル基等を挙げることができる。
これらの基のうち、基 -COOR1 に相当するものが好ましく、さらに好ましくは（シクロ）アルコキシカルボニル基であり、特に好ましくはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基である。