【手続補正書】
【提出日】平成25年12月12日(2013.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路デバイスであって、
基板パッドを含む上面を有する第１の基板と、
回路を含む第１及び第２の表面を備えた第２の基板と、
前記第１の表面上のボンドコネクタであって、前記基板パッドに結合される、前記ボンドコネクタと、
複数の基板貫通ビアと、
を含み、
各ビアが、前記第１の表面から前記第２の表面へ前記第２の基板を介して延び、前記第２の表面から外に突出するティップを有する、金属コアを含み、
前記複数のビアが、それぞれのパッドと前記回路との間の電気的接続経路を提供する能動ビアと、熱放散経路を提供するダミービアとの両方を含む、デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のデバイスであって、
前記金属コアが銅を含み、各ビアが、障壁層の上の誘電体ライナーを更に含み、前記誘電体ライナーが前記突出するティップの長さの５０％未満を覆う、デバイス。
【請求項３】
請求項２に記載のデバイスであって、
前記突出するティップの長さが少なくとも５μｍである、デバイス。
【請求項４】
請求項３に記載のデバイスであって、
前記ダミービアが均一なアレイ状に配列される、デバイス。
【請求項５】
請求項２に記載のデバイスであって、
前記回路が、複数の金属相互接続レベルを更に含み、前記ビアが、前記複数の金属相互接続レベルの第１のレベルに接続される、デバイス。
【請求項６】
請求項１に記載のデバイスであって、
前記複数の基板貫通ビアが、前記回路に関連する拡散の垂直の範囲より下で終端する複数の上面オフセットビアを含む、デバイス。
【請求項７】
基板パッドを含む頂面を有する基板と、
貫通基板ビア（ＴＳＶ）ダイであって、
アクティブ回路を有する上側半導体面と底面とを含む半導体包含基板であって、前記上側半導体面が前記基板の前記頂面上の前記基板パッドに結合されるボンディングコネクタを含む、前記半導体包含基板と、
前記上側半導体面から突出ＴＳＶティップへ延びる内部金属コアを含む複数のＴＳＶであって、前記突出ＴＳＶティップが前記底面から突き出る、前記複数のＴＳＶと、
を含み、
前記複数のＴＳＶの少なくとも１つが、それへの電気的接続を含まない突出ＴＳＶティップを有するダミーＴＳＶである、前記貫通基板ビア（ＴＳＶ）ダイと、
を含む、集積回路（ＩＣ）デバイス。
【請求項８】
請求項７に記載の集積回路デバイスであって、
前記突出ＴＳＶティップの長さが５から５０μｍである、集積回路デバイス。
【請求項９】
請求項８に記載の集積回路デバイスであって、
前記内部金属コアが銅を含み、前記複数のＴＳＶが誘電体ライナーと前記誘電体ライナー上のバリア層とを含み、前記誘電体ライナーが前記突出ＴＳＶティップの前記長さの少なくとも５０％存在しない、集積回路デバイス。
【請求項１０】
請求項７に記載の集積回路デバイスであって、
前記ＴＳＶダイが前記集積回路デバイスのための最上位のデバイスである、集積回路デバイス。
【請求項１１】
請求項７に記載の集積回路デバイスであって、
前記複数のＴＳＶが複数の前記ダミーＴＳＶを含み、前記複数のダミーＴＳＶが前記ＴＳＶダイの全体に亙りランダムに配置されている、集積回路デバイス。
【請求項１２】
請求項７に記載の集積回路デバイスであって、
前記複数のＴＳＶが複数の前記ダミーＴＳＶを含み、前記複数のダミーＴＳＶが前記ＴＳＶダイの全体に亙り実質的に一様に配置されている、集積回路デバイス。
【請求項１３】
請求項７に記載の集積回路デバイスであって、
前記ＴＳＶダイが複数の金属相互接続レベルを含み、前記複数のＴＳＶが前記複数の金属相互接続レベルの第１の金属相互接続レベルに直接に接続されている、集積回路デバイス。
【請求項１４】
請求項７に記載の集積回路デバイスであって、
前記複数のＴＳＶが複数の前記ダミーＴＳＶと複数のアクティブＴＳＶとを含む、集積回路デバイス。
【請求項１５】
請求項１４に記載の集積回路デバイスであって、
前記複数のアクティブＴＳＶに結合される少なくとも１つの集積回路（ＩＣ）を含む少なくとも１つの上側デバイスを更に含む、集積回路デバイス。
【請求項１６】
請求項７に記載の集積回路デバイスであって、
前記複数のＴＳＶが複数の上側面オフセットＴＳＶを含み、前記複数の上側面オフセットＴＳＶが前記ＴＳＶダイ上の前記アクティブ回路に関連する拡散の垂直的な範囲より下で終端する、集積回路デバイス。
【請求項１７】
集積回路（ＩＣ）デバイスであって、
基板パッドを含む頂面を有する基板と、
前記集積回路デバイスのための最上位のデバイスを提供する貫通基板ビア（ＴＳＶ）ダイであって、
アクティブ回路を有する上側半導体面と底部側面とを含む半導体包含基板であって、前記上側半導体面が前記基板の前記頂面上の前記基板パッドに結合されるボンディングコネクタを含む、前記半導体包含基板と、
前記上側半導体面から突出ＴＳＶティップに延びる内部金属コアを含む複数のＴＳＶであって、前記突出ＴＳＶティップが前記底部側面から突き出る、前記複数のＴＳＶと、
を含み、
前記複数のＴＳＶが、それへの電気的接続を含まない突出ＴＳＶティップを有する複数のダミーＴＳＶを含み、前記突出ＴＳＶの長さが５から５０μｍであり、前記内部金属コアが銅を含み、前記複数のＴＳＶが誘電体ライナーと前記誘電体ライナー上のバリア層とを含み、前記誘電体ライナーが前記突出ＴＳＶティップの前記長さの少なくとも５０％存在しない、前記貫通基板ビアと、
を含む、集積回路デバイス。
【請求項１８】
集積回路（ＩＣ）デバイスを動作させる方法であって、
基板パッドを含む頂面を有する基板と、アクティブ回路を含む上側半導体面と底部側面とを含む貫通基板ビア（ＴＳＶ）とを含む前記集積回路デバイスを提供することであって、前記上側半導体面が前記基板の前記頂面上の前記基板パッドに結合されるボデンディングコネクタを含み、前記ＴＳＶダイが前記上側半導体面から突出ＴＳＶティップに延びる内部金属コアを含み、前記突出ＴＳＶティップが前記底部側面から突き出し、前記複数のＴＳＶの少なくとも１つが、それへの電気的接続を含まない突出ＴＳＶティップを有するダミーＴＳＶである、前記提供することと、
前記集積回路デバイスを動作させることであって、前記動作の間に前記ＴＳＶダイ上に発生される熱が、周囲の気体雰囲気に対して伝達するために、前記上側半導体面から前記ダミーＴＳＶの前記突出ＴＳＶティップに伝達される、前記動作させることと、
を含む、方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、
前記内部金属コアが銅を含み、前記複数のＴＳＶが誘電体ライナーと前記誘電体ライナー上のバリア層とを含み、前記誘電体ライナーが前記突出ＴＳＶティップの長さの少なくとも５０％存在しない、方法。
【請求項２０】
請求項１８に記載の方法であって、
前記ＴＳＶダイが前記集積回路のための最上位のデバイスを含む、方法。
【請求項２１】
請求項１８に記載の方法であって、
前記複数のＴＳＶが複数の前記ダミーＴＳＶを含み、前記複数のダミーＴＳＶが前記ＴＳＶダイの全体に亙りランダムに配置されている、方法。
【請求項２２】
請求項１８に記載の方法であって、
前記複数のＴＳＶが複数の前記ダミーＴＳＶを含み、前記複数のダミーＴＳＶが前記ＴＳＶダイの全体に亙り実質的に一様に配置されている、方法。
【請求項２３】
請求項１８に記載の方法であって、
前記ＴＳＶダイが複数の金属相互接続レベルを含み、前記複数のＴＳＶが前記複数の金属相互接続レベルの第１の金属相互接続レベルに直接に接続されている、方法。
【請求項２４】
請求項１８に記載の方法であって、
前記複数のＴＳＶが複数の前記ダミーＴＳＶと複数のアクティブＴＳＶとを含む、方法。
【請求項２５】
請求項１８に記載の方法であって、
前記複数のＴＳＶが複数の上側面オフセットＴＳＶを含み、前記複数の上側面オフセットＴＳＶが前記ＴＳＶダイ上の前記アクティブ回路に関連する拡散の垂直的な範囲より下で終端する、方法。