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【手続補正書】
【提出日】平成15年7月18日(2003.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】検索方法及び検索システム


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検索対象語が入力されるステップと、
前記検索対象語を用い、全文書集合を検索して、抽出すべき単語を含む部分文書集合を抽出するステップと、
前記部分文書集合と、前記全文書集合との乖離度を用いて、前記抽出すべき単語の重要度を計算するステップと、
前記重要度に基づいて、検索された結果を出力するステップとを有することを特徴とする検索方法。
【請求項２】
上記乖離度は、上記部分文書集合と上記全文書集合との距離ｄと、上記部分文書集合と同程度の単語数を含み、かつ、上記全文書集合からランダム選出された部分文書集合と、上記全文書集合との距離ｄ’あるいは前記ｄ’の推定値とを比較して求めることを特徴とする請求項１記載の検索方法。
【請求項３】
二つの文書集合間の前記距離ｄは、それぞれの文書集合における単語分布を用いて計算することを特徴とする請求項２記載の検索方法。
【請求項４】
上記抽出すべき単語を含む部分文書集合に含まれる文書数が所定数より大きい場合、前記部分文書集合からランダムサンプリングによりあらかじめ定めた数の文書を抽出し、前記抽出された文書の集合と上記全文書集合との乖離度を用いて、前記部分文書集合と前記全文書集合の乖離度を推定することを特徴とする請求項２記載の検索方法。
【請求項５】
検索対象語が検索装置に入力される入力部と、
前記検索対象語について、全文書集合中の部分文書集合を抽出する手段と、
前記部分文書集合と、前記全文書集合との乖離度を用い、抽出すべき単語の重要度を計算する手段と、
前記重要度の基づいて、検索された結果を出力する出力部とを有し、前記出力部は、前記重要度を画面に提示する単語の選択、配置、または、配色に反映させて出力するものであることを特徴とする検索システム。
【請求項６】
前記重要度は予め計算され、前記検索装置に記憶されていることを特徴とする請求項５記載の検索システム。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月7日(2003.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜に電流を供給する一対の電極と、当該磁気抵抗効果膜の上部及び下部に形成された磁気シールド膜とを有する巨大磁気抵抗効果ヘッドにおいて、
前記磁気抵抗効果膜は、第１の自由強磁性層、第１の非磁性層、強磁性複合層、第２の非磁性層、第２の自由強磁性層とが順次積層して形成され、
前記強磁性複合層が、相互に反強磁性的に結合された第１、第２および第３の強磁性膜と、当該各強磁性膜をそれぞれ分離して反強磁性的に結合させる膜とを含むことを特徴とする巨大磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項２】
前記強磁性複合層の正味の磁気モーメントが強磁性複合層を構成する第１、第２および第３の強磁性膜の磁気モーメントの合計よりも小さいことを特徴とする請求項１記載の巨大磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項３】
前記強磁性複合層の第１と第３の強磁性膜の磁気モーメントの合計が第２の強磁性膜の磁気モーメントとほぼ同一であることを特徴とする請求項１記載の巨大磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項４】
磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜に電流を供給する一対の電極と、当該磁気抵抗効果膜の上部及び下部に形成された磁気シールド膜とを有する巨大磁気抵抗効果ヘッドにおいて、
前記磁気抵抗効果膜は、第１の強磁性複合層、第１の非磁性層、自由強磁性層、第２の非磁性層、第２の強磁性複合層が順次積層され、
前記第１の強磁性複合層及び第２の強磁性複合層は、それぞれ、相互に反強磁性的に結合された第１および第２の強磁性膜と、当該各々の強磁性膜を分離して反強磁性的に結合させる膜とを含むことを特徴とする巨大磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項５】
前記第１の強磁性複合層の正味の磁気モーメントが、第１の強磁性複合層の第１および第２の強磁性膜の磁気モーメントの合計よりも小さく、かつ、第２の強磁性複合層の正味の磁気モーメントが、第２の強磁性複合層の第１および第２の強磁性膜の磁気モーメントの合計よりも小さことを特徴とする請求項４記載の巨大磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項６】
前記第１または第２の強磁性複合層の第１と第２の強磁性膜の磁気モーメントがほぼ同一であることを特徴とする請求項４記載の巨大磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項７】
前記第１の強磁性複合層の磁気モーメントの方向と前記第２の強磁性複合層の磁気モーメントの方向とは反平行であることを特徴とする請求項４記載の巨大磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項８】
１対の磁極、該１対の磁極を磁気的に結合する磁気回路手段および前記磁気回路に鎖交するコイルを含む磁気記録用誘導型薄膜ヘッドと、前記請求項１乃至７のいずれか１項に記載の巨大磁気抵抗効果ヘッドとを備えることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
磁気記録媒体と、請求項８記載の薄膜磁気ヘッドと、前記磁気記録媒体と前記ヘッドとを相対的に駆動する駆動手段と、前記ヘッドに接続された記録再生信号処理系とを含むことを特徴とする磁気記録再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月10日(2003.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
治療レーザ光源からのレーザ光をスポット状に形成して患部に導光照射するための導光光学系と、該導光光学系に配置され患部領域にスポット照射される前記レーザ光のスポット位置を走査するための走査手段と、前記走査手段によるスポット位置の走査が連続して隣り合わないように各スポット位置の照射順序を定める順序決定手段と、該順序決定手段により定められた各スポット位置の照射順序に従ってレーザ照射が行われるように前記走査手段を制御する制御手段と、を備えることを特徴とするレーザ治療装置。
【請求項２】
請求項１のレーザ治療装置において、レーザ光の照射領域を可変設定する領域設定手段を備え、前記順序決定手段は設定された照射領域に応じて定められるレーザ光のスポット位置の分布に基づいて各スポット位置の走査が連続して隣り合わないような規則的な照射順序を定めることを特徴とするレーザ治療装置。
【請求項３】
請求項２のレーザ治療装置において、前記領域設定手段により１つのライン上でスポット位置を走査させるように設定された場合には、前記順序決定手段は１ライン上でのスポット位置を少なくとも１つ飛びに順次走査させるよう照射順序を定めることを特徴とするレーザ治療装置。
【請求項４】
請求項３のレーザ治療装置において、前記順序決定手段は１ライン上のスポット位置の数に応じて初期照射のスポット位置を定めることを特徴とするレーザ治療装置。
【請求項５】
請求項１のレーザ治療装置において、レーザ光の照射領域の形状パターンとそのサイズを設定する領域設定手段と、レーザ照射の形状パターンとそのサイズに応じて各スポット位置の走査が連続して隣り合わないような規則的な照射順序が定められた照射順序パターンを複数個記憶する記憶手段と、を備え、前記順序決定手段は前記領域設定手段による形状パターンとそのサイズの設定に基づいて前記記憶手段の中から照射順序パターンを決定することを特徴とするレーザ治療装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
（１）  治療レーザ光源からのレーザ光をスポット状に形成して患部に導光照射するための導光光学系と、該導光光学系に配置され患部領域にスポット照射される前記レーザ光のスポット位置を走査するための走査手段と、前記走査手段によるスポット位置の走査が連続して隣り合わないように各スポット位置の照射順序を定める順序決定手段と、該順序決定手段により定められた各スポット位置の照射順序に従ってレーザ照射が行われるように前記走査手段を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。
（２）  （１）のレーザ治療装置において、レーザ光の照射領域を可変設定する領域設定手段を備え、前記順序決定手段は設定された照射領域に応じて定められるレーザ光のスポット位置の分布に基づいて各スポット位置の走査が連続して隣り合わないような規則的な照射順序を定めることを特徴とする。
（３）  （２）のレーザ治療装置において、前記領域設定手段により１つのライン上でスポット位置を走査させるように設定された場合には、前記順序決定手段は１ライン上でのスポット位置を少なくとも１つ飛びに順次走査させるよう照射順序を定めることを特徴とする。
（４）  （３）のレーザ治療装置において、前記順序決定手段は１ライン上のスポット位置の数に応じて初期照射のスポット位置を定めることを特徴とする。
（５）  （１）のレーザ治療装置において、レーザ光の照射領域の形状パターンとそのサイズを設定する領域設定手段と、レーザ照射の形状パターンとそのサイズに応じて各スポット位置の走査が連続して隣り合わないような規則的な照射順序が定められた照射順序パターンを複数個記憶する記憶手段と、を備え、前記順序決定手段は前記領域設定手段による形状パターンとそのサイズの設定に基づいて前記記憶手段の中から照射順序パターンを決定することを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月1日(2003.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
使用に際しては、先ず、カテーテル組立体Ａの操作棹４の把持手段４２をシース３の先端から突出させ、把持手段４２で閉鎖栓Ｃの固定部材１の第２のリング状部分１２のリング状に形成された把持部１３を貫通する。次に把持手段４２をその基端方向に屈曲させて閉鎖栓Ｃを把持部１３で把持し、この状態で操作棹４を手前に引くと、閉鎖栓Ｃは、図５に示すように、細長く変形して第２のリング状部分１２からシース３の中に収容される。次に、このカテーテル組立体Ａを、予め右足の大腿静脈から肺動脈の動脈管開存Ｄ付近に挿入しておいたロングシース（図示していない）内に挿入して、肺動脈を経由して動脈管内に導入し、操作棹４を押してシース３から閉鎖栓Ｃの第１のリング状部分１１を押し出す。次に、第１のリング状部分１１が動脈管開存Ｄの壁と係合する状態になるまでカテーテル組立体Ａを手前に引き、続けて第２のリング状部分１２を除く部分を押し出す（図７参照）。次に、カテーテル組立体Ａを手前に引いて肺動脈側に戻し、次いで操作棹４を押して第２のリング状部分１２を動脈管開存Ｄの端部もしくは肺動脈内に押し出す。これで、閉鎖栓Ｃの動脈管開存Ｄへの固定がより強いものとなる（図６参照）。最後に、さらに操作棹４を押して（必要ならばシース３を後退させながら）把持手段４２をシース３の外に出すと、把持手段４２は屈曲前の状態（操作棹４の軸方向に延びた状態）に戻り、閉鎖栓Ｃから把持手段４２が外れる。この時、閉鎖栓Ｃも変形前の状態に復元しているので、動脈管開存Ｄを閉鎖して手術が完了し、閉鎖栓Ｃは、図８に示すような状態で動脈管開存Ｄの周りの組織に固定される。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月22日(2003.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】スライド式卓上切断機
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース上方に前後移動し、かつベース上面に対し上下揺動する切断刃物部を設け、前記切断刃物部の後方に切屑の排出口を有するスライド式卓上切断機において、該切断刃物部の後方下部に前記排出ロへ切屑を誘導するゴム板状の切屑案内部材を設け、前記切断刃物部を下限位置に押し下げたとき、前記切屑案内部材は前記ターンテーブル上面と前記切断刃物の交点位置からの該切断刃物外周接線より下方に伸び、かつ、前記切断刃物側へ弾性変形しても該切断刃物外周に接触しない長さとしたことを特徴とするスライド式卓上切断機。
【請求項２】
前記ベ−ス上のほぼ中央にガ−ドを設け、前記切断刃物部が下限位置に押し下げられ切断位置にあるとき、前記ガードの中央に前記切断刃物の外周に円弧形状で隣接した切屑案内具を配設したことを特徴とする請求項１記載のスライド式卓上切断機。
【請求項３】
前記切屑案内部材は、プレートを介して前記切断刃物部に固定され、前記プレートは前記切屑案内部材の折り曲り量を規制することを特徴とする請求項１記載のスライド式切断機。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月21日(2003.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】印刷制御方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリに格納してある印刷データを編集して印刷を行う印刷制御方法において、
印刷用紙の一面側に印刷される印刷データをメモリから読み出して印刷を実行して印刷された印刷用紙を排出し、印刷後、印刷された印刷用紙の再セットを表示部に表示し、印刷実行の指示が入力され印刷用紙がセットされている場合にはメモリから印刷データを読み出して他面側に印刷を行うことを特徴とする印刷制御方法。
【請求項２】
印刷用紙の一面側に奇数ページの印刷データをページ数が増加する順にメモりから読み出して印刷を実行し、
奇数ページの印刷データが印刷された一面側を上に、且つ、ページ数が増加する順に再セットするように表示部に表示し、
偶数ページの印刷データをページ数が減少する順にメモりから読み出して他面側に印刷を行うことを特徴とする請求項１に記載の印刷制御方法。
【請求項３】
印刷用紙の一面側に奇数ページの印刷データがページ数が増加する順にメモリから読み出して印刷を実行し、
奇数ページの印刷データが印刷された一面側を上に再セットするように表示部に表示し、
偶数ページの印刷データをページ数が増加する順に読み出して他面側に印刷を行うことを特徴とする請求項１に記載の印刷制御方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はメモリに格納してある印刷データをページ毎に編集して印刷用紙に印刷を実行する印刷制御方法に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来の印刷制御方法にあっては、用紙反転機構を組み込むので、搬送機構が複雑となり、ジャム等の障害が発生しやすくなるという問題点があった。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明は用紙反転機構を用いずに印刷用紙の両面に印刷することができる印刷制御方法を提供することを目的としている。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明の印刷制御方法においては、印刷用紙の一面側に印刷される印刷データをメモリから読み出して印刷を実行して印刷された印刷用紙を排出し、印刷後、印刷された印刷用紙の再セットを表示部に表示し、印刷実行の指示が入力され印刷用紙がセットされている場合にはメモリから印刷データを読み出して他面側に印刷を行う。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
【発明の効果】
本発明は、以上説明したように構成されているので以下に記載される効果を奏する。
印刷用紙の一面側に印刷される印刷データをメモリから読み出して印刷を実行して印刷された印刷用紙を排出し、印刷後、印刷された印刷用紙の再セットを表示部に表示し、印刷実行の指示が入力され印刷用紙がセットされている場合にはメモリから印刷データを読み出して他面側に印刷を行うことにより、用紙反転機構を備えていなくても印刷用紙に両面を印刷することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月10日(2003.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
結着剤としては、通常、テトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレンジエンターポリマー（ＥＰＤＭ）、スルホン化ＥＰＤＭ、スチレンブタジエンゴム（ＳＢＲ）、フッ素ゴム、カルボキシメチルセルロース等といった熱可塑性樹脂、ゴム弾性を有するポリマー、多糖類等を１種または２種以上の混合物として用いることができる。また、多糖類の様にリチウムと反応する官能基を有する結着剤は、例えばメチル化するなどしてその官能基を失活させておくことが望ましい。その添加量としては、１〜５０重量％が好ましく、特に２〜３０重量％が好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月2日(2004.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉛合金製正極格子を希硫酸中に浸した後に、当該格子に正極ペーストを充填し、次いで５０℃〜６０℃の雰囲気中で熟成させた未化成正極板を用いることを特徴とする鉛蓄電池の製造法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
そこで、鉛合金製正極格子を希硫酸中に浸した後に、当該格子に正極ペーストを充填し、次いで５０℃〜６０℃の雰囲気中で熟成させた未化成正極板を用いることを特徴とする鉛蓄電池の製造法の発明により、上記課題を解決するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月2日(2004.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
未化成の正および負極板を用いて電池を作製した後、前記電池に電解液を注液して通電することにより電槽内において化成する、いわゆる電槽化成法で製造される液式鉛蓄電池であって、オイルが添加された負極活物質を用いたことを特徴とする液式鉛蓄電池。
【請求項２】
オイルが添加された負極活物質を備える未化成の負極板と未化成の正極板とを用いて電池を作成する工程と、前記電池に希硫酸を注液して化成する工程とを備えたことを特徴とする、液式鉛蓄電池の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は上述したような高温下における鉛蓄電池の減液特性の低下を改善するもので、未化成の正および負極板を用いて電池を作製した後、電池に電解液を注液して通電することにより、これらの極板群を電槽内において化成する、いわゆる電槽化成法で製造される液式鉛蓄電池であって、オイルが添加された負極活物質を用いたことを特徴とするものである。前記液式鉛蓄電池は、オイルが添加された負極活物質を備える未化成の負極板と未化成の正極板とを用いて電池を作成する工程と、前記電池に希硫酸を注液して化成する工程とを備えた製造方法により得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月21日(2003.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、半導体装置１は、半導体基板２のＣＣＤ８側に、導電性バンプ１１を介して対向配置された支持基板１２を有している。この支持基板１２は、例えばベース基板であるシリコン基板１３を有し、このシリコン基板１３と半導体基板２の導電性バンプ１１との間は、シリコン基板１３側から順次積層される酸化シリコン膜１４、電極パッド１５及びコンタクトパッド１６で構成されている。また、酸化シリコン膜１４、電極パッド１５は窒化シリコン膜１７ａで覆われ、この窒化シリコン膜１７ａにおいて、電極パッド１５上に形成されたワイヤボンディング用開口部１８を通ってボンディングワイヤ（図示せず）の一端が電極パッド１５に接続されている。また、電極パッド１５の上に形成されたコンタクトパッド１６が導電性バンプ１１に接続されている。このため、ＣＣＤ８で得られた信号電荷が半導体基板２の電極パッド１０、導電性バンプ１１、コンタクトパッド１６、電極パッド１５及びボンディングワイヤを通って外部に取り出されるようになっている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月2日(2004.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハを処理液中に浸漬して処理するウェハ処理装置であって、
ウェハ処理槽と、
少なくとも３本の回転可能かつ水平に配置された棒状部材によって前記ウェハ処理槽の底面に略垂直な状態にウェハを支持し回転させる回転支持機構と、
ウェハの下方に配置されウェハに超音波を供給する超音波供給部とを備え、
前記少なくとも３本の棒状部材は、互いに略水平であり、ウェハの下側であってかつウェハの中心の直下からずれた位置に配置され、各棒状部材は、ウェハのベベリング部に係合してウェハを支持する複数の溝を有し、前記少なくとも３本の棒状部材の少なくとも１本の棒状部材はウェハを下側から支持する、
ことを特徴とするウェハ処理装置。
【請求項２】
ウェハを処理するウェハ処理方法であって、
ウェハを処理液に浸漬し、少なくとも３本の回転可能かつ水平な棒状部材によってウェハ処理槽の底面に対して略垂直な状態にウェハをその両側及び下側から支持しながら前記処理液の中でウェハを回転させ、前記ウェハの下方に配置された超音波供給部からウェハに超音波を供給しながらウェハを処理し、
前記少なくとも３本の棒状部材は、ウェハの下側であってかつウェハの中心の直下からずれた位置に配置され、各棒状部材は、ウェハのベベリング部に係合してウェハを支持する複数の溝を有する、
ことを特徴とするウェハ処理方法。
【請求項３】
前記処理液としてエッチング液を用いてウェハをエッチングすることを特徴とする請求項２に記載のウェハ処理方法。
【請求項４】
前記処理液としてエッチング液を用いて、多孔質シリコン層を有するウェハをエッチングすることを特徴とする請求項２に記載のウェハ処理方法。
【請求項５】
ＳＯＩウェハを製造する方法であって、
露出した多孔質シリコン層をもつＳＯＩ構造を有するウェハを形成する工程と、
ウェハの露出した多孔質シリコンをエッチングする工程とを含み、
エッチングの際に、ウェハをエッチング液に浸漬し、少なくとも３本の回転可能かつ水平な棒状部材によってウェハ処理槽の底面に対して略垂直な状態にウェハをその両側及び下側から支持しながら前記エッチング液の中でウェハを回転させ、前記ウェハの下方に配置された超音波供給部からウェハに超音波を供給しながらウェハを処理し、
前記少なくとも３本の棒状部材は、ウェハの下側であってかつウェハの中心の直下からずれた位置に配置され、各棒状部材は、ウェハのベベリング部に係合してウェハを支持する複数の溝を有する、
ことを特徴とするウェハ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月30日(2004.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された膜を平坦化する膜平坦化方法において、
前記半導体基板に形成された膜を砥石で研磨し、
次いで該膜を研磨布で研磨することを特徴とする膜平坦化方法。
【請求項２】
前記砥石で前記半導体基板に形成された膜を研磨するにあたり、該膜の硬度の１／３倍以上の硬度を有する砥石で該膜を研磨することを特徴とする請求項１記載の膜平坦化方法。
【請求項３】
前記砥石の表面に網の目状に溝が形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の膜平坦化方法。
【請求項４】
前記砥石で前記半導体基板に形成された膜を研磨するにあたり、該半導体基板全面に平行に倣うように該砥石が密着した状態で該砥石を動かすことを特徴とする請求項１から３のうちいずれか１項記載の膜平坦化方法。
【請求項５】
前記砥石で前記半導体基板に形成された膜を研磨するにあたり、アルミナないし二酸化ケイ素を含有する砥石で前記膜を研磨することを特徴とする請求項１から４のうちいずれか１項記載の膜平坦化方法。
【請求項６】
半導体基板上に形成された膜を平坦化する膜平坦化装置において、
前記半導体基板に形成された膜を研磨する砥石と、
該膜を研磨する研磨布と、
該膜が、前記砥石で研磨された後前記研磨布で研磨されるように研磨の順序を制御する研磨制御器とを備えたことを特徴とする膜平坦化装置。
【請求項７】
前記砥石が、該膜の硬度の１／３倍以上の硬度を有するものであることを特徴とする請求項６記載の膜平坦化装置。
【請求項８】
前記砥石の表面に網の目状に溝が形成されていることを特徴とする請求項６または７記載の膜平坦化装置。
【請求項９】
前記半導体基板に形成された膜の研磨される部分に前記砥石が密着するように、該砥石の位置を調節する砥石位置調整用部材を備えたことを特徴とする請求項６から８のうちいずれか１項記載の膜平坦化装置。
【請求項１０】
前記砥石が、アルミナないし二酸化ケイ素を含有するものであることを特徴とする請求項６から９のうちいずれか１項記載の膜平坦化装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月19日(2003.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＯＳ電界効果トランジスタに於けるチャネル領域の周辺部分に該チャネル領域に導入される不純物の導電型と反対導電型の不純物が導入されてなること
を特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板と、
基板上に設けられたフィールド酸化膜と、
前記フィールド酸化膜間に形成され、不純物が導入されたチャネル領域と、
前記チャネル領域の両端部に形成され、前記不純物とは反対導電型の不純物が導入された導入領域と、
前記チャネル領域上に形成された絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記反対導電型の不純物は、
前記チャネル領域に導入された不純物の濃度を補償すること
を特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
耐酸化性マスクを用いる選択酸化法を適用してフィールド絶縁膜を形成する工程と、
耐酸化性マスクを残した状態で活性領域の周辺部分にチャネル不純物の導電型と反対導電型の不純物を導入して領域を形成する工程と、
耐酸化性マスクを除去してからチャネル不純物を導入する工程と、
ゲート絶縁膜及びゲート電極からなるゲートを形成する工程と、
ソース領域及びドレイン領域を形成する工程とが含まれてなること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
耐酸化性マスクを残した状態で活性領域の周辺部分にチャネル不純物の導電型と反対導電型の不純物を基板に対して斜め方向からイオン注入して領域を形成する工程が含まれてなること
を特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
耐酸化性マスクを残した状態で不純物含有被膜を形成してから固相−固相拡散に依って活性領域の周辺部分にチャネル不純物の導電型と反対導電型の不純物を導入して領域を形成する工程が含まれてなること
を特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
前記したところから、本発明に依る半導体装置及びその製造方法に於いては、
（１）
ＭＯＳ電界効果トランジスタに於けるチャネル領域の周辺部分に該チャネル領域に導入される不純物の導電型と反対導電型の不純物（ｎチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタであればｐ型不純物、ｐチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタであればｎ型不純物）が導入されてなることを特徴とするか、又は、
（２）
基板と、基板上に設けられたフィールド酸化膜と、前記フィールド酸化膜間に形成され、不純物が導入されたチャネル領域と、前記チャネル領域の両端部に形成され、前記不純物とは反対導電型の不純物が導入された導入領域と、前記チャネル領域上に形成された絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を備えることを特徴とするか、又は、
（３）
前記（１）又は（２）に於いて、前記反対導電型の不純物は、前記チャネル領域に導入された不純物の濃度を補償することを特徴とするか、又は、
（４）
耐酸化性マスクを用いる選択酸化法を適用してフィールド絶縁膜を形成する工程と、耐酸化性マスクを残した状態で活性領域の周辺部分にチャネル不純物の導電型と反対導電型の不純物を導入して領域を形成する工程と、耐酸化性マスクを除去してからチャネル不純物を導入する工程と、ゲート絶縁膜及びゲート電極からなるゲートを形成する工程と、ソース領域及びドレイン領域を形成する工程とが含まれてなることを特徴とするか、又は、
（５）
前記（４）に於いて、耐酸化性マスクを残した状態で活性領域の周辺部分にチャネル不純物の導電型と反対導電型の不純物を基板に対して斜め方向からイオン注入して領域を形成する工程が含まれてなることを特徴とするか、又は、
（６）
前記（４）に於いて、耐酸化性マスクを残した状態で不純物含有被膜を形成してから固相−固相拡散に依って活性領域の周辺部分にチャネル不純物の導電型と反対導電型の不純物を導入して領域を形成する工程が含まれてなることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月26日(2003.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ウエーハハンドリング方法および半導体製造装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オペレートにより指定したカセットの溝に収納されたウェーハを取出し又は収納する方法と、カセットの溝数に無関係に第１溝から最終溝まで連続してウェーハを取出し又は収納する方法と、連続してウェーハを取りに行くか又は収納するが、ウェーハの収納されていない溝に対してあるいはウェーハの収納されている溝に対してはスキップし、ウェーハの収納されている溝に対してのみウェーハを取りに行く方法あるいはウェーハの収納されていない溝に対してのみウェーハを収納する方法を組合せ或いは選択してウェーハを取出し又は収納することを特徴とするウェーハハンドリング方法。
【請求項２】
カセットに対しウエーハの搬送を行うロボットと、前記ロボットを制御する制御部とを備えた半導体製造装置であって、
前記制御部は、
オペレートにより指定したカセットの溝に対してウエーハの搬送を行う機能と、
カセットの溝数に無関係に第１溝から最終溝まで連続してウエーハの搬送を行う機能と、
連続してウエーハを搬送するが、ウエーハの収納されている溝に対してのみ、或いはウエーハの収納されていない溝に対してのみウエーハの搬送を行う機能と、
から組合せ或いは選択して前記ロボットを制御し、ウエーハの搬送を実行制御することを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月5日(2003.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型ＧａＡｓ基板上に、半導体多層膜よりなる反射膜を介して、ＡｌＧａＩｎＰ活性層を挟むダブルヘテロ構造を有し、基板に対向する該ダブルヘテロ構造の上部に、導電型がｎ型であって、キャリア濃度が１０１７ｃｍ−３以上２×１０１９ｃｍ−３以下で、かつその厚さが１μｍ以下である発光に対し透明なＡｌＧａＡｓ電流拡散層を具備した事を特徴とするＡｌＧａＩｎＰ発光素子用基板。
【請求項２】
ｐ型ＧａＡｓ基板上に、半導体多層膜よりなる反射膜を介して、ＡｌＧａＩｎＰ活性層を挟むダブルヘテロ構造を有し、基板に対向する該ダブルヘテロ構造の上部に、導電型がｎ型であって、キャリア濃度が１０１７ｃｍ−３以上２×１０１９ｃｍ−３以下で、かつその厚さが１μｍ以下である発光に対し透明なＡｌＧａＡｓ電流拡散層を具備し、さらに該ｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層の上に発光部からの発光波長に対し透明なＡｌＧａＩｎＰ保護層を具備した事を特徴とするＡｌＧａＩｎＰ発光素子用基板。
【請求項３】
ｐ型ＧａＡｓ基板上に、半導体多層膜よりなる反射膜を介して、ＡｌＧａＩｎＰ活性層を挟むダブルヘテロ構造を有し、基板に対向する該ダブルヘテロ構造の上部に、導電型がｎ型であって、キャリア濃度が１０１７ｃｍ−３以上２×１０１９ｃｍ−３以下で、かつその厚さが１μｍ以下である発光に対し透明なＡｌＧａＡｓ電流拡散層を具備し、さらに該ｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層の上に発光部からの発光波長に対し透明なＧａＰ保護層を具備した事を特徴とするＡｌＧａＩｎＰ発光素子用基板。
【請求項４】
ダブルヘテロ接合を構成する各層の、常温におけるＧａＡｓ基板に対する格子不整合度が０．０８５％以上０．１４０％未満であることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項に記載のＡｌＧａＩｎＰ発光素子用基板。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか１項に記載のＡｌＧａＩｎＰ発光素子用基板から作製したＡｌＧａＩｎＰ発光素子。
【請求項６】
ｐ型ＧａＡｓ基板上に、半導体多層膜よりなる反射膜を介して、ＡｌＧａＩｎＰ活性層を挟むダブルヘテロ構造をＭＯＣＶＤ法で成長させ、さらに基板に対向する該ダブルヘテロ構造の上部に、導電型がｎ型であって、キャリア濃度が１０１７ｃｍ−３以上２×１０１９ｃｍ−３以下で、かつその厚さが１μｍ以下である発光に対し透明なＡｌＧａＡｓ電流拡散層を積層するＡｌＧａＩｎＰ発光素子用基板の製造方法において、ダブルヘテロ構造を構成するＡｌＧａＩｎＰ層のエピタキシャル成長温度を７３０〜８３０℃とし、かつその温度でダブルヘテロ構造を構成するＡｌＧａＩｎＰ層を基板と格子整合させることを特徴とするＡｌＧａＩｎＰ発光素子用基板の製造方法。
【請求項７】
ｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層の上に、発光部からの発光波長に対し透明なＡｌＧａＩｎＰ保護層を積層することを特徴とする請求項６に記載のＡｌＧａＩｎＰ発光素子用基板の製造方法。
【請求項８】
ｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層の上に、発光部からの発光波長に対し透明なＧａＰ保護層を積層することを特徴とする請求項６に記載のＡｌＧａＩｎＰ発光素子用基板の製造方法。
【請求項９】
ダブルヘテロ接合を構成する各層の、常温におけるＧａＡｓ基板に対する格子不整合度が０．０８５％以上０．１４０％未満であることを特徴とする請求項６〜８の何れか１項に記載のＡｌＧａＩｎＰ発光素子用基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月19日(2003.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
また、この第１のノイズマスク回路５２では、２度連続して同一のデータが入力されなければデータを更新しない構成としているが、例えば、Ｄフリップフロップを複数段連ねて、３以上連続して同一のデータが入力されなければデータを更新しない構成としてもよい。このことにより、精度をさらに高めることができる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７７】
反転回路９１には、このリバース信号（Ｒeverse）と、フェーズ出力信号Ｕｕｏｕｔ，Ｕｌｏｕｔ，Ｖｕｏｕｔ，Ｖｌｏｕｔ，Ｗｕｏｕｔ，Ｗｌｏｕｔとが供給される。この反転回路９１は、リバース信号（Ｒeverse）がハイときには、上層トランジスタと下層トランジスタのコントロール信号の駆動論理を入れ換えてＰＷＭ合成回路９２に出力する。また、リバース信号（Ｒeverse）がローのときは上層トランジスタと下層トランジスタのコントロール信号はそのままでＰＷＭ合成回路９２に出力する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７８】
具体的には、反転回路９１は、図２９に示すように、インバータ９３ｃにより反転されたリバース信号（Ｒeverse），フェーズ出力信号Ｕｕｏｕｔが供給される第１のＡＮＤゲート９３ａと、リバース信号（Ｒeverse），フェーズ出力信号Ｕｌｏｕｔが供給される第２のＡＮＤゲート９３ｂと、この第１と第２のＡＮＤゲート９３ａ，９３ｂの論理和をフェーズ出力信号Ｕｕｏｕｔ′として出力するＯＲゲート９３ｄとを有している。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７９】
また、反転回路９１は、リバース信号（Ｒeverse），フェーズ出力信号Ｕｕｏｕｔが供給される第１のＡＮＤゲート９４ａと、インバータ９４ｃにより反転されたリバース信号（Ｒeverse），フェーズ出力信号Ｕｌｏｕｔが供給される第２のＡＮＤゲート９４ｂと、この第１と第２のＡＮＤゲート９４ａ，９４ｂの論理和をフェーズ出力信号Ｕｌｏｕｔ′として出力するＯＲゲート９４ｄとを有している。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８０】
反転回路９１は、インバータ９５ｃにより反転されたリバース信号（Ｒeverse），フェーズ出力信号Ｖｕｏｕｔが供給される第１のＡＮＤゲート９５ａと、リバース信号（Ｒeverse），フェーズ出力信号Ｖｌｏｕｔが供給される第２のＡＮＤゲート９５ｂと、この第１と第２のＡＮＤゲート９５ａ，９５ｂの論理和をフェーズ出力信号Ｖｕｏｕｔ′として出力するＯＲゲート９５ｄとを有している。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８１】
また、反転回路９１は、リバース信号（Ｒeverse），フェーズ出力信号Ｖｕｏｕｔが供給される第１のＡＮＤゲート９６ａと、インバータ９６ｃにより反転されたリバース信号（Ｒeverse），フェーズ出力信号Ｖｌｏｕｔが供給される第２のＡＮＤゲート９６ｂと、この第１と第２のＡＮＤゲート９６ａ，９６ｂの論理和をフェーズ出力信号Ｖｌｏｕｔ′として出力するＯＲゲート９６ｄとを有している。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８２】
反転回路９１は、インバータ９７ｃにより反転されたリバース信号（Ｒeverse），フェーズ出力信号Ｗｕｏｕｔが供給される第１のＡＮＤゲート９７ａと、リバース信号（Ｒeverse），フェーズ出力信号Ｗｌｏｕｔが供給される第２のＡＮＤゲート９７ｂと、この第１と第２のＡＮＤゲート９７ａ，９７ｂの論理和をフェーズ出力信号Ｗｕｏｕｔ′として出力するＯＲゲート９７ｄとを有している。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８３】
また、反転回路９１は、リバース信号（Ｒeverse），フェーズ出力信号Ｗｕｏｕｔが供給される第１のＡＮＤゲート９８ａと、インバータ９８ｃにより反転されたリバース信号（Ｒeverse），フェーズ出力信号Ｗｌｏｕｔが供給される第２のＡＮＤゲート９８ｂと、この第１と第２のＡＮＤゲート９８ａ，９８ｂの論理和をフェーズ出力信号Ｗｌｏｕｔ′として出力するＯＲゲート９８ｄとを有している。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１２】
また、積分器１３３が所定の時定数をもってサンプルホールドするので、正確な電流駆動ができる。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
1999004595.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月25日(2003.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
すなわち、特公昭５１−３５２５９号公報で提案された方法は、液体を減圧下に置くものであるが、これは液体中に溶存する空気を除去することはできても、除去された空気が微細気泡として液体中に発生してしまう。したがって、塗工液として用いる場合、微細気泡が混入していると塗膜の欠陥となるため、後処理として微細気泡の除去を行う必要がある。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月16日(2003.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インク収容室と、記録ヘッドに連通するインク供給針に係合するインク供給口とを備えたインクカートリッジにおいて、
前記インク供給口の内面に嵌合する筒状の嵌合部と、前記嵌合部の内面から内方に延びる筒状の撓み部と、前記撓み部の内端に形成されて前記インク供給針の外周に密接する密嵌部とからなる弾性シール部材が、前記インク供給口に設けられているインクカートリッジ。
【請求項２】
前記撓み部の外端内面に、前記インク供給針を案内するテーパー状の案内面を設けたことを特徴とする請求項１に記載のインクカートリッジ。
【請求項３】
前記撓み部の内端内面に、前記インク供給針を案内するテーパー状の案内面を介して前記密嵌部を膨出形成したことを特徴とする請求項１に記載のインクカートリッジ。
【請求項４】
インク収容室を有するインクカートリッジ本体に対してその開口部を覆う蓋体の内面に、インク供給口寄りの部分を他の部分よりも高くなした複数の補強用横リブを前記インク収容室の長手方向に、かつ前記インク収容室と対応する部分に立設したことを特徴とするインクカートリッジ。
【請求項５】
前記インク収容室が隔壁により複数区画形成され、また前記インク供給口が前記各インク収容室に対応するように形成されている請求項１または請求項４に記載のインクカートリッジ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
このような課題を達成するために本発明のインクカートリッジは、インク収容室と、記録ヘッドに連通するインク供給針に係合するインク供給口とを備えたインクカートリッジにおいて、前記インク供給口の内面に嵌合する筒状の嵌合部と、前記嵌合部の内面から内方に延びる筒状の撓み部と、前記撓み部の内端に形成されて前記インク供給針の外周に密接する密嵌部とからなる弾性シール部材が、前記インク供給口に設けられている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
ところで、図４は、各インク供給口１０ａ〜ｅに嵌込むシールゴム１６を拡大して示したもので、このシールゴム１６は、外側がインク供給口１０の内面に摩擦嵌合する筒状の嵌合部１６ａをなしていて、この筒状嵌合部１６ａの開口端側の内面から案内斜面１６ｂを介して内方に延びる撓み部１６ｃは、径方向への撓みが可能となるように、筒状嵌合部１６ａと略平行に、かつこの間に若干の間隙ｃを有する薄肉の筒状部として形成され、さらにこの撓み部１６ｃの内端には、記録ヘッド側のインク供給針と密に接合するリング状の密嵌部１６ｄが案内斜面１６ｅを介して内側に膨出形成されている。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
この蓋体２０の上面には、始端部が空気抜き孔３２に連通し、末端が蓋体２０の上面他半に設けた通孔部３４ａ〜ｅへと延びるへび溝３３が各インク収容室１０ａ〜ｅ毎に迷路状に形成され、インクカートリッジを使用するに当って、この上を被覆しているフィルム３５の他半部を引剥し、へび溝３３を介して各インク収容室１０ａ〜ｅ内を大気に開放した際に、この長いへび溝３３によって内部のインクが蒸発するのを防ぐように形成されている。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、小径に形成しなければならないこの種のインク供給口に嵌め合わすシール部材であるにも拘らず、径方向の十分な変形余力を付与させることを可能とし、かつ装着時に生じるカートリッジとインク供給針との間の必然的な位置ズレを吸収して、インク供給針の折損を防ぎつつこれらを円滑に挿入して確実な連通を図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月25日(2003.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被駆動ユニットを駆動する駆動用モータコイルと、
前記駆動用モータコイルを介して外部より入力された同期信号である外部同期信号に同期して、外部より入力された調整データを受信する調整データ受信手段と、
受信した調整データを記憶する調整データ記憶手段と、
記憶した前記調整データに基づいて当該調整データに対応する被調整部の調整を行う調整手段と、
を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項２】
請求項１記載の電子機器において、
前記調整データ受信手段は、前記駆動用モータコイルを介して外部より入力された調整モード移行信号に基づいて動作モードを調整モードに移行し、前記調整モードに移行した場合に前記調整データを受信する、
ことを特徴とする電子機器。
【請求項３】
請求項２記載の電子機器において、
前記調整データ受信手段は、前記調整データの受信が終了すると前記調整モードを終了することを特徴とする電子機器。
【請求項４】
請求項２記載の電子機器において、
前記調整データ受信手段は、調整モードに移行して一定期間が経過すると、前記調整モードを終了することを特徴とする電子機器。
【請求項５】
請求項１記載の電子機器において、
前記駆動用モータコイルを介して内部同期信号を送信する内部同期信号送信手段を備え、
前記調整データ受信手段は、前記内部同期信号に同期して外部より入力される調整モード移行信号を、前記内部同期信号に同期して受信する、
ことを特徴とする電子機器。
【請求項６】
請求項１記載の電子機器において、
ユーザが動作モードを調整モードに移行させるための指示入力を行うための操作入力手段と、
前記操作入力手段を介して前記指示入力がなされた場合に、予め定めた所定期間の間動作モードを調整モードに移行させる動作モード移行手段と、
前記調整データ受信手段は、前記動作モードが調整モードに移行された場合に前記調整データを受信する、
ことを特徴とする電子機器。
【請求項７】
請求項６記載の電子機器において、
前記動作モード移行手段は、
前記操作入力手段を介して前記指示入力がなされた場合に、予め定めた一定期間の間に前記調整モード移行信号を受信した場合のみ動作モードを調整モードに移行させることを特徴とする電子機器。
【請求項８】
請求項１記載の電子機器において、
前記被駆動ユニットは、アナログ指針により計時動作を行うアナログ計時ユニットであり、
前記調整データは、歩度調整データ、温度補正データあるいは仕様切換データのいずれかであることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
請求項１記載の電子機器において、
計測対象の計測を行うセンサ手段を有し、
前記調整データは前記センサ手段の調整用データであることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
請求項１記載の電子機器の調整を行うための電子機器の外部調整装置であって、
前記駆動用モータコイルを介して前記外部同期信号を前記電子機器に送信するための外部同期信号送信手段と、
前記外部同期信号に同期して前記調整データを送信する調整データ送信手段と、
を備えたことを特徴とする電子機器の外部調整装置。
【請求項１１】
請求項１記載の電子機器の調整を行うための電子機器の外部調整装置であって、
前記電子機器の動作モードを調整モードに移行させるための前記調整モード移行信号を送信する調整モード移行信号送信手段を備えたことを特徴とする電子機器の外部調整装置。
【請求項１２】
請求項５記載の電子機器の調整を行うための電子機器の外部調整装置であって、
前記内部同期信号を受信し、前記内部同期信号に同期して前記調整モード移行信号を送信する調整モード移行信号送信手段を備えたことを特徴とする電子機器の外部調整装置。
【請求項１３】
被駆動ユニットを駆動する駆動用モータコイルを有する電子機器の調整方法において、
前記駆動用モータコイルを介して外部より入力された同期信号である外部同期信号に同期して、外部より入力された調整データを受信する調整データ受信工程と、
受信した調整データを記憶し、記憶した前記調整データに基づいて当該調整データに対応する被調整部の調整を行う調整工程と、
を備えたことを特徴とする電子機器の調整方法。
【請求項１４】
請求項１記載の電子機器の調整を行うための電子機器の外部調整装置の制御方法であって、
前記駆動用モータコイルを介して前記外部同期信号を前記電子機器に送信するための外部同期信号送信工程と、
前記外部同期信号に同期して前記調整データを送信する調整データ送信工程と、
を備えたことを特徴とする外部調整装置の制御方法。
【請求項１５】
請求項１記載の電子機器の調整を行うための電子機器の外部調整装置の制御方法であって、
前記電子機器の動作モードを調整モードに移行させるための前記調整モード移行信号を送信する調整モード移行信号送信工程を備えたことを特徴とする外部調整装置の制御方法。
【請求項１６】
請求項５記載の電子機器の調整を行うための電子機器の外部調整装置の制御方法であって、
前記内部同期信号を受信し、前記内部同期信号に同期して前記調整モード移行信号を送信する調整モード移行信号送信工程を備えたことを特徴とする外部調整装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
［３．２］  外部調整装置の概要構成
図９に外部調整装置の概要構成ブロック図を示す。図９において、図２の第１実施形態と同様の部分には同一の符号を付し詳細な説明を省略する。
本第３実施形態の外部調整装置３０Ｂが図２の第１実施形態の外部調整装置３０と異なる点は、補正データ作成ユニット３７に代えて複数の設定スイッチが設けられた入力ユニット６１と、入力ユニット６１の設定スイッチの設定状態を判別して設定状態データを出力する入力制御ユニット６２と、設定状態データに基づいてアナログ電子時計１０ＢのＡ／Ｄ変換ユニット５６用の補正データを作成する補正データ作成ユニット５３を設けた点である。
［３．３］  第３実施形態の動作
次に本第３実施形態の主要部の動作について説明する。
異なる複数の気圧で測定したデータに対応する設定を入力ユニット６１の複数の設定スイッチにより作業者が設定すると、入力制御ユニット６２は、入力ユニット６１の設定スイッチの設定状態を判別して設定状態データを補正データ作成ユニット６３に出力する。
補正データ作成ユニット６３は設定状態データに基づいてアナログ電子時計１０ＢのＡ／Ｄ変換ユニット５６用の補正データを作成し、補正データ信号作成ユニット３８に出力する。
この補正データの作成と並行して調整モード信号作成ユニット３６は、コイル３１および受信ユニットを介して受信したモータ駆動信号に同期した調整モード信号を生成し、出力する。