【手続補正書】
【提出日】平成24年2月1日(2012.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
偏光を放出する発光ダイオード（ＬＥＤ）であって、
ＩＩＩ族窒化物層上に形成された１つ以上のＩＩＩ族発光層を備え、該ＩＩＩ族発光層は、該ＩＩＩ族発光層によって放出される光の偏光比を０．８より大きい値まで増加させるインジウム（Ｉｎ）含有量を有する、発光ダイオード（ＬＥＤ）。
【請求項２】
前記Ｉｎ含有量は、前記偏光比を０．８より大きい値に増加させるために、該ＩＩＩ族窒化物層との格子不整合の増加に起因する該ＩＩＩ族発光層中の歪を増加させる、請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項３】
前記ＩＩＩ族窒化物発光層は、１つ以上の（ＡｌｚＩｎｙＧａｘ）Ｎ（式中、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）半導体を含む、請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項４】
前記（ＡｌｚＩｎｙＧａｘ）Ｎ半導体は、ウルツ鉱結晶の無極性方位上にエピタキシャルに調製される、請求項３に記載のＬＥＤ。
【請求項５】
前記（ＡｌｚＩｎｙＧａｘ）Ｎ半導体は、ＧａＮ基板またはＧａＮ鋳型上にエピタキシャルに調製される、請求項３に記載のＬＥＤ。
【請求項６】
前記ＧａＮ鋳型は、異種基板上に調製されるＧａＮ層である、請求項５に記載のＬＥＤ。
【請求項７】
前記（ＡｌｚＩｎｙＧａｘ）Ｎ半導体は、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１を伴う、ＧａＮではない、（ＡｌｚＩｎｙＧａｘ）Ｎ基板または鋳型上に調製され、ＧａＮと異なる歪管理のための基盤を設定する、請求項３に記載のＬＥＤ。
【請求項８】
前記ＩＩＩ族窒化物発光層は、量子井戸（ＱＷ）構造または二重ヘテロ（ＤＨ）構造を含み、該ＱＷまたはＤＨ構造は、発光活性層であって、該活性層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有する１つ以上の障壁層またはクラッド層間に埋め込まれる、発光活性層を含む、請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項９】
前記活性層は、該活性層のＩｎ含有量（ｙ）値より小さいｙ値を有する１つ以上のＩｎｙＧａＮまたはＧａＮ層間に埋め込まれる（ＩｎｙＧａｘ）Ｎ（式中、０≦ｘ≦１、０＜ｙ≦１、およびｘ＋ｙ＝１）を含む、請求項８に記載のＬＥＤ。
【請求項１０】
前記活性層は、単一ＱＷ構造または多重ＱＷ構造である、請求項８に記載のＬＥＤ。
【請求項１１】
前記活性層は、範囲０＜ｙ≦１内のインジウム（Ｉｎ）含有量ｙを伴うＩｎｙＧａＮを含み、該Ｉｎ含有量は、該活性層中で誘発される歪を制御し、該誘発される歪は、前記偏光の偏光度を制御する、請求項８に記載のＬＥＤ。
【請求項１２】
前記活性層は、臨界厚より薄く、歪を解放する不整合転位の発生を回避する、請求項８に記載のＬＥＤ。
【請求項１３】
前記活性層は、歪を調節するためのＡｌＩｎＧａＮである、請求項８に記載のＬＥＤ。
【請求項１４】
発光ダイオード（ＬＥＤ）を加工する方法であって、
該方法は、
ＩＩＩ族窒化物層上に、１つ以上のＩＩＩ族窒化物発光層を形成することによって、該ＬＥＤから放出される光の偏光度を制御することを含み、該ＩＩＩ族窒化物発光層は、該ＩＩＩ族発光層によって放出される光の偏光比を０．８より大きい値まで増加させるインジウム（Ｉｎ）含有量を有する、方法。
【請求項１５】
前記制御するステップは、前記ＩＩＩ族窒化物発光層中のインジウム（Ｉｎ）含有量を変化させ、誘発される歪を制御することを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ＩＩＩ族窒化物発光層は、１つ以上のＩｎｙＧａＮまたはＧａＮ障壁層間に埋め込まれる（ＩｎｙＧａｘ）Ｎ（式中、０≦ｘ≦１、０＜ｙ≦１、およびｘ＋ｙ＝１）を含み、
前記制御するステップは、該障壁層のＩｎ含有量は不変のまま、該ＩＩＩ族窒化物発光層中の前記Ｉｎ含有量（ｙ、０＜ｙ≦１）を変化させ、前記誘発される歪を制御することを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記障壁層のＡｌ含有量は不変のまま、ＡｌＩｎＧａＮに対する前記ＩＩＩ族窒化物発光層のアルミニウム（Ａｌ）含有量を変化させ、歪を調節することをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記制御するステップは、前記ＩＩＩ族窒化物発光層のうちの１つ以上のインジウム（Ｉｎ）含有量を増加させることによって、前記偏光度を増加させることを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記Ｉｎ含有量の増加は、偏光比を増加させるために、前記ＩＩＩ族窒化物層との格子不整合の増加に起因する該ＩＩＩ族窒化物発光層中の歪を増加させる、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
発光ダイオード（ＬＥＤ）から発光させるための方法であって、
該ＬＥＤのＩＩＩ族窒化物層上に形成された１つ以上のＩＩＩ族窒化物発光層から偏光を放出することを含み、該ＩＩＩ族窒化物層は、該ＩＩＩ族窒化物発光層によって放出される光の偏光比が０．８より大きい値まで増加する、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
さらなる実施例として、制御ステップは、ＬＥＤの１つ以上の発光層中のＩｎ含有量を増加させることによって、偏光度を増加させるステップであってもよい。Ｉｎ含有量を伴う発光層は、ＩＩＩ族窒化物層上に形成されてもよく、Ｉｎ含有量の増加は、偏光比を増加させるために、ＩＩＩ族窒化物層との格子不整合の増加によって、発光層中の歪を増加させる。
例えば、本発明は以下の項目を提供する。
（項目１）
偏光を放出する、発光ダイオード（ＬＥＤ）。
（項目２）
上記ＬＥＤは、１つ以上の発光層から成り、該発光層のインジウム（Ｉｎ）含有量は、該発光層によって放出される上記偏光の偏光比が０．８超のものである、項目１に記載のＬＥＤ。
（項目３）
上記発光層は、ＩＩＩ族窒化物層上に形成され、該発光層の上記Ｉｎ含有量は、上記偏光比を０．８超に増加させるために、該ＩＩＩ族窒化物層との格子不整合の増加によって、該発光層中の歪を増加させる、項目２に記載のＬＥＤ。
（項目４）
上記ＬＥＤは、１つ以上の（ＡｌｚＩｎｙＧａｘ）Ｎ（式中、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）半導体から成る、項目１に記載のＬＥＤ。
（項目５）
上記（ＡｌｚＩｎｙＧａｘ）Ｎ半導体は、ウルツ鉱結晶の無極性方位上にエピタキシャルに調製される、項目４に記載のＬＥＤ。
（項目６）
上記（ＡｌｚＩｎｙＧａｘ）Ｎ半導体は、ＧａＮ基板またはＧａＮ鋳型上にエピタキシャルに調製される、項目４に記載のＬＥＤ。
（項目７）
上記ＧａＮ鋳型は、異種基板上に調製されるＧａＮ層である、項目６に記載のＬＥＤ。
（項目８）
上記（ＡｌｚＩｎｙＧａｘ）Ｎ半導体は、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１を伴う、ＧａＮではない、（ＡｌｚＩｎｙＧａｘ）Ｎ基板または鋳型上に調製され、ＧａＮと異なる歪管理のための基盤を設定する、項目４に記載のＬＥＤ。
（項目９）
上記ＬＥＤは、量子井戸（ＱＷ）構造または二重ヘテロ（ＤＨ）構造から成り、該ＱＷまたはＤＨ構造は、発光活性層であって、該活性層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有する１つ以上の障壁層またはクラッド層間に埋め込まれる、発光活性層を含む、項目１に記載のＬＥＤ。
（項目１０）
上記活性層は、該活性層のＩｎ含有量（ｙ）値より小さいｙ値を有する１つ以上のＩｎｙＧａＮまたはＧａＮ層間に埋め込まれる（ＩｎｙＧａｘ）Ｎ（式中、０≦ｘ≦１、０＜ｙ≦１、およびｘ＋ｙ＝１）を含む、項目９に記載のＬＥＤ。
（項目１１）
上記活性層は、単一ＱＷ構造または多重ＱＷ構造である、項目９に記載のＬＥＤ。
（項目１２）
上記活性層は、範囲０＜ｙ≦１内のインジウム（Ｉｎ）含有量ｙを伴うＩｎｙＧａＮを含み、該Ｉｎ含有量は、該活性層中で誘発される歪を制御し、該誘発される歪は、上記偏光の偏光度を制御する、項目９に記載のＬＥＤ。
（項目１３）
上記活性層は、臨界厚より薄く、歪を解放する不整合転位の発生を回避する、項目９に記載のＬＥＤ。
（項目１４）
上記活性層は、歪を調節するためのＡｌＩｎＧａＮである、項目９に記載のＬＥＤ。
（項目１５）
発光ダイオード（ＬＥＤ）から放出される光の偏光度を制御することを含む、ＬＥＤを加工する方法。
（項目１６）
上記制御ステップは、活性層中のインジウム（Ｉｎ）含有量を変化させ、誘発される歪を制御するステップを含む、項目１５に記載の方法。
（項目１７）
（１）上記ＬＥＤは、活性層を含み、
（２）該活性層は、１つ以上のＩｎｙＧａＮまたはＧａＮ障壁層間に埋め込まれる（ＩｎｙＧａｘ）Ｎ（式中、０≦ｘ≦１、０＜ｙ≦１、およびｘ＋ｙ＝１）を含み、
（３）上記制御ステップは、該障壁層のＩｎ含有量は不変のまま、該活性層中の上記Ｉｎ含有量（ｙ、０＜ｙ≦１）を変化させ、上記誘発される歪を制御することを含む、項目１６に記載の方法。
（項目１８）
上記障壁層のＡｌ含有量は不変のまま、ＡｌＩｎＧａＮに対する上記活性層のアルミニウム（Ａｌ）含有量を変化させ、歪を調節することをさらに含む、項目１７に記載の方法。
（項目１９）
上記制御ステップは、上記ＬＥＤの１つ以上の発光層中のインジウム（Ｉｎ）含有量を増加させることによって、上記偏光度を増加させることを含む、項目１５に記載の方法。
（項目２０）
ＩＩＩ族窒化物層上に上記Ｉｎ含有量を伴う発光層を形成することをさらに含み、該Ｉｎ含有量の増加は、偏光比を増加させるために、該ＩＩＩ族窒化物層との格子不整合の増加によって、該発光層中の歪を増加させる、項目１８に記載の方法。
（項目２１）
発光ダイオード（ＬＥＤ）から発光させるための方法であって、
該ＬＥＤの発光領域から発光させることを含み、該発光領域のインジウム含有量は、該光の偏光比が０．８超のものである、方法。