【手続補正書】
【提出日】平成26年7月30日(2014.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線透視システムと、
前記Ｘ線透視システムの光路中に配置されたビームスプリッタと、
Ｘ線検出素子を有し、前記ビームスプリッタを通過したＸ線を検出するために光路中に配置された検出システムと、を含み、
前記ビームスプリッタは、入射Ｘ線ビームを受けてＸ線の干渉縞を生成するように配置されたスプリッタ格子を含み、
前記検出システムは、前記Ｘ線検出素子に到達する前のＸ線の前記干渉縞の少なくとも一部を受けて遮断するように配置されたアナライザ格子を含み、
前記アナライザ格子は、長手寸法と、当該長手寸法に直交する第１の横寸法と、当該長手寸法及び当該第１の横寸法に対して直交する第２の横寸法と、を有しており、複数の光学的高密度領域のパターンを含み、
前記各光学的高密度領域は、前記長手寸法に沿った最も長い寸法を含み、隣り合う光学的高密度領域間に光学的低密度領域が存在するように、前記第１の横寸法に互いに隙間を空けて実質的に平行に配置され、
各光学的高密度領域は、前記長手寸法における長さよりも短い深さを前記第２の横寸法に有しており、
前記アナライザ格子は、前記長手寸法が入射Ｘ線に対して相対的に浅い角度を成すように配置され、
前記浅い角度が３０度よりも小であることを特徴とする微分位相コントラストＸ線イメージングシステム。
【請求項２】
各光学的高密度領域は、前記長手寸法の長さよりも少なくとも１／２短い深さを前記第２の横寸法に有していることを特徴とする請求項１に記載の微分位相コントラストＸ線イメージングシステム。
【請求項３】
各光学的高密度領域は、前記長手寸法の長さよりも少なくとも１／１０短い深さを前記第２の横寸法に有していることを特徴とする請求項１に記載の微分位相コントラストＸ線イメージングシステム。
【請求項４】
各光学的高密度領域は、前記長手寸法の長さよりも少なくとも１／１００短い深さを前記第２の横寸法に有していることを特徴とする請求項１に記載の微分位相コントラストＸ線イメージングシステム。
【請求項５】
前記浅い角度が２５度より小かつ３度よりも大であることを特徴とする請求項１に記載の微分位相コントラストＸ線イメージングシステム。
【請求項６】
前記浅い角度が１５度より小かつ５度よりも大であることを特徴とする請求項１に記載の微分位相コントラストＸ線イメージングシステム。
【請求項７】
前記スプリッタ格子が反射型回折格子であることを特徴とする請求項１に記載の微分位相コントラストＸ線イメージングシステム。
【請求項８】
前記スプリッタ格子が透過型回折格子であることを特徴とする請求項１に記載の微分位相コントラストＸ線イメージングシステム。
【請求項９】
前記スプリッタ格子は、長手寸法と、当該長手寸法に直交する第１の横寸法と、当該長手寸法及び当該第１の横寸法に対して直交する第２の横寸法と、を有しており、複数の光学的高密度領域のパターンを含み、
前記各光学的高密度領域は、前記長手寸法に沿った最も長い寸法を含み、隣り合う光学的高密度領域間に光学的低密度領域が存在するように、前記第１の横寸法に互いに隙間を空けて実質的に平行に配置され、
各光学的高密度領域は、前記長手寸法における長さよりも短い深さを前記第２の横寸法に有しており、
前記スプリッタ格子は、前記長手寸法が入射Ｘ線に対して相対的に浅い角度を成すように配置され、
前記浅い角度が３０度よりも小であることを特徴とする請求項８に記載の微分位相コントラストＸ線イメージングシステム。
【請求項１０】
前記Ｘ線透視システムは、
Ｘ線源と、
前記Ｘ線源と前記ビームスプリッタの間の光路中に配置された線源格子と、を含み、
前記線源格子が複数の実質的にコヒーレントなＸ線ビームを生成することを特徴とする請求項１に記載の微分位相コントラストＸ線イメージングシステム。
【請求項１１】
前記Ｘ線透視システムは、
多エネルギーＸ線源と、
多エネルギーＸ線源からのＸ線の光路中に配置されたバンドパスフィルタと、を含み、
前記バンドパスフィルタは、あるエネルギー帯域内にあるＸ線を、当該エネルギー帯域外のＸ線よりも強く通過させることを特徴とする請求項１に記載の微分位相コントラストＸ線イメージングシステム。
【請求項１２】
前記バンドパスフィルタは、
低い通過帯域エネルギーよりも少ないエネルギーを有するＸ線の入射ビームの第１部分を反射し、Ｘ線の前記入射ビームの第２部分を通過させるハイパスＸ線ミラーと、
前記低い通過帯域エネルギーよりも少ないエネルギーを有するＸ線の前記入射ビームの前記第１部分を受けて少なくとも減衰させるように配置された第１のビームストップと、
前記ハイパスＸ線ミラーを通過し、高い通過帯域エネルギーよりも少ないエネルギーを有するＸ線の前記入射ビームの前記第２部分の一部を反射するローパスＸ線ミラーと、
前記第２のビームストップに到達する前に前記ハイパスＸ線ミラーを外れたＸ線を受けて少なくとも減衰させるように配置された第２のビームストップと、を含み、
前記第１及び第２のビームストップが、前記高い通過帯域エネルギーと前記低い通過帯域エネルギーの間のエネルギーを有するＸ線のビームを透過させるように配置されることを特徴とする請求項１１に記載の微分位相コントラストＸ線イメージングシステム。
【請求項１３】
前記ローパスＸ線ミラーは、低Ｚ材料を含む支持層の上に高Ｚ材料を含む反射層を含む薄膜Ｘ線ミラーであり、Ｚは原子番号であり、
前記高Ｚ材料はＺが少なくとも４２の原子を含み、前記低Ｚ材料はＺが１４よりも小さい原子を含むことを特徴とする請求項１２に記載の微分位相コントラストＸ線イメージングシステム。
【請求項１４】
前記スプリッタ格子と前記アナライザ格子は、タルボ・ロー条件により決定された間隔をもって配置されることを特徴とする請求項１に記載の微分位相コントラストＸ線イメージングシステム。
【請求項１５】
前記スプリッタ格子と前記アナライザ格子は、タルボ・ロー条件により決定された格子パターンを有することを特徴とする請求項１に記載の微分位相コントラストＸ線イメージングシステム。
【請求項１６】
多エネルギーＸ線源と、
前記多エネルギーＸ線源からのＸ線の光路中に配置されたバンドパスフィルタと、を含み、
前記バンドパスフィルタは、あるエネルギー帯域内にあるＸ線を、当該エネルギー帯域外のＸ線よりも強く通過させ、
前記バンドパスフィルタは、
低い通過帯域エネルギーよりも少ないエネルギーを有するＸ線の入射ビームの第１部分を反射し、Ｘ線の前記入射ビームの第２部分を通過させるハイパスＸ線ミラーと、
前記低い通過帯域エネルギーよりも少ないエネルギーを有するＸ線の前記入射ビームの前記第１部分を受けて少なくとも減衰させるように配置された第１のビームストップと、
前記ハイパスＸ線ミラーを通過し、高い通過帯域エネルギーよりも少ないエネルギーを有するＸ線の前記入射ビームの前記第２部分の一部を反射するローパスＸ線ミラーと、
前記第２のビームストップに到達する前に前記ハイパスＸ線ミラーを外れたＸ線を受けて少なくとも減衰させるように配置された第２のビームストップと、を含み、
前記第１及び第２のビームストップが、前記高い通過帯域エネルギーと前記低い通過帯域エネルギーの間のエネルギーを有するＸ線のビームを透過させるように配置されることを特徴とするＸ線透視システム。
【請求項１７】
前記ローパスＸ線ミラーは、低Ｚ材料を含む支持層の上に高Ｚ材料を含む反射層を含む薄膜Ｘ線ミラーであり、
Ｚは原子番号であり、
前記高Ｚ材料はＺが少なくとも４２の原子を含み、前記低Ｚ材料はＺが１４よりも小さい原子を含むことを特徴とする請求項１６に記載のＸ線透視システム。