【事件の表示】
　平成　５年特許願第２２１７７２号「半導体発光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　６年１１月１５日出願公開、特開平　６−３１８７３１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成５年９月７日の出願（国内優先権主張：平成５年３月１２日）であって、その請求項１〜４に係る発明は、平成１２年８月２９日付け、平成１３年１１月１２日付け及び平成１４年６月７日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜４に各々記載されたとおりのものであるところ、請求項２に係る発明（以下、「本願発明」という）は次のとおりである。
　「Ｎ型導電層とＰ型導電層との接合面近傍から光を発生させる半導体発光装置において、
　上記接合面近傍で発生して上記接合面に略平行に進行する光を反射して、上記接合面に対向する上記Ｎ型導電層の対向面に向かわせるような角度をなし、上記接合面に対向する上記Ｐ型導電層の対向面から上記接合面を貫通し、上記Ｎ型導電層に達する傾斜面と、
　上記傾斜面のＮ型導電層側端部より、上記接合面に対し平行方向に延設された領域に設けられた電極形成用Ｎ型導電層と、
　上記Ｐ型導電層の対向面上と、上記電極形成用Ｎ型導電層上とに、それぞれ設けられた正電極と負電極とを備え、
　上記傾斜面は、上記接合面と３０°〜６０°の角度をなし、
　上記接合面近傍で発生し、上記Ｎ型導電層の対向面を通過した光を外部に取り出すようにしたことを特徴とする半導体発光装置。」
　　　　
２．引用例に記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願前に頒布された刊行物である特開昭５２−１２４８８５号公報（以下、「引用例」という）には、次のように記載されている。
　「・・・・本発明の装置は、半導体基板に発光接合体と非発光電極体との複数メサ構造をそなえ、各メサ構造の頂部を電極取出し用配線を有する支持体に当接した構成の半導体発光装置であり、発光表示体がメサ構造であり、そのメサ構造の側面を反射体として利用し、放射光を半導体基板側から取り出す構造である。・・・・
　第３図は本発明装置の典型的実施例を示す断面図であり、表面が（１ １ １）面のｎ形ＧａＰ結晶基板１にｐ形ＧａＰ層２をエピタキシャル成長法で育成して設け、上記ｐ形ＧａＰ層２側からメサエッチングにより２つのメサ構造体６，同７を形成し、これらのメサ構造の頂部を支持体８の側にして、それぞれ、電極金属層９、はんだ材１０および電極取出し用配線１１，同１２を介して、上記支持体８に当接固定したものである。そして、一方のメサ構造体６はそのｐｎ接合を短絡させて導通させ、基板１の取出し電極として用い、他方のメサ構造体７はｐｎ接合に順方向電流を供給して発光表示体として用いる。このような形状にすると、ｐｎ接合近傍で発生した放射光はメサ構造体７の傾斜面で内側に全反射され、透明な基板１の側から効率よく導き出される。
　第４図は上記第３図示の実施例装置を製作する工程順図である。この工程順図により、製作手順をのべると、（１ １ １）面を有するｎ形ＧａＰ結晶基板１上にｎ形エピタキシャル成長層１′を周知の液相エピタキシャル成長法によって形成したものを用い（第４図ａ）、この表面にｐ形ＧａＰ層２をエピタキシャル成長法で形成する（第４図ｂ）。ついで、発光表示素体に必要な形状の電極金属層９を・・・・形成する（第４図ｃ）。そして、この電極金属層９を耐食マスクとして、ＧａＰ結晶をメサ状に加工する。このメサ加工に用いるエッチング液は１８０°Ｃに加熱した濃りん酸が適しており、・・・・断面が台形に食刻される。しかして、この台形の側面は傾き角が５０度になり、同面が好都合な放射光の反射体になる。こうして形成された２つのメサ構造体は、所定の支持体、たとえばプリント基板上に組み付けたのち、１つのメサ構造体６のｐｎ接合に逆方向耐圧以上の電圧を加えて、同ｐｎ接合を破壊（短絡）させることにより非発光電極体に転化し、この電極体を通じて、他方のメサ構造体７への給電をおこなえば、同メサ構造体７が発光表示体になる。・・・・」（第２頁左上欄第５行〜左下欄第１４行）
　また、第３図に半導体発光装置の構成が示され、第４図にその製作手順の工程順図が示されており、これらの図から、食刻により形成された台形の側面は、ｐ形ＧａＰ層のｐｎ接合面に対向する面から、ｐｎ接合面、ｎ形エピタキシャル成長層１′を経て、ｎ形ＧａＰ結晶基板１にまで達しており、また、放射光はメサ構造体７の側面で反射しｎ形ＧａＰ基板１の接合面に対向する面から取り出されることが見てとれる。
　以上の記載からすれば、引用例には、「ｐｎ接合の接合面から発光する半導体発光装置であって、ｎ形ＧａＰ基板１上のｎ形エピタクシャル成長層１′と、ｐ形ＧａＰ層２とを有し、側面が傾き角５０度である放射光の反射体となる台形のメサ構造体６と７とを備え、その傾斜面はｐ形ＧａＰ層の対向面からｐｎ接合面、ｎ形エピタキシャル成長層１′を経て、ｎ形ＧａＰ結晶基板１に達し、メサ構造体６のｐｎ接合を短絡させて非発光電極体とするとともに、メサ構造体６、７の対向面上にそれぞれ電極が設けられた半導体発光装置」が記載されているものと認める。
　　　
３．対比、判断
　本願発明と引用例に記載のものとを対比する。
　引用例に記載のものにおける「ｐｎ接合」、「ｐ形ＧａＰ層２」、「メサ構造体７の側面」は、それぞれ本願発明における「接合面」、「Ｐ型電極層」、「傾斜面」に相当し、引用例に記載のものにおいて、「ｎ形ＧａＰ基板１」及び「ｎ形エピタキシャル成長層１′」は本願発明における「Ｎ型導電層」に相当する。また、メサ構造体７の側面のｎ形ＧａＰ基板１側の端部よりｐｎ接合に対し平行方向に延びまた、引用例に記載のものにおけるメサ構造体７の側面は基板と平行なｐｎ接合の形成されている面に対し５０度をなすこと、ｐｎ接合の近傍で光が発生し、ｐｎ接合に略平行に進行する光がメサ構造体７の側面で反射してｐｎ接合に対向するｎ形ＧａＰ基板１の対向面に向かい、対向面を通過して外部に取り出されることは明らかであり、さらに、メサ構造体６、７に設けられた電極がそれぞれ負電極、正電極であるのは明らかである。
　そうすると、本願発明と引用例に記載のものとは、「Ｎ型導電層とＰ型導電層との接合面近傍から光を発生させる半導体発光装置において、上記接合面近傍で発生して上記接合面に略平行に進行する光を反射して、上記接合面に対向する上記Ｎ型導電層の対向面に向かわせるような角度をなし、上記接合面に対向する上記Ｐ型導電層の対向面から上記接合面を貫通し、上記Ｎ型導電層に達する傾斜面と、上記Ｐ型導電層の対向面上に設けられた正電極と、負電極とを備え、上記傾斜面は、上記接合面と５０°の角度をなし、上記接合面近傍で発生し、上記Ｎ型導電層の対向面を通過した光を外部に取り出すようにしたことを特徴とする半導体発光装置」である点において一致するが、次の点において相違する。
［相違点］
　本願発明においては、「傾斜面のＮ型導電層側端部より、接合面に対し平行方向に延設された領域に電極形成用Ｎ型導電層が設けられ、上記電極形成用Ｎ型導電層上に負電極が設けられている」のに対し、引用例に記載のものにおいては、メサ構造体の側面のｎ形ＧａＰ基板側端部からｐｎ接合に平行にｎ形ＧａＰ基板が延びており、この基板上にメサ構造体６のｐｎ接合を短絡した非発光電極体が形成されており、この非発光電極体をなすメサ構造体６の短絡されたｐｎ接合面の対向面上に負電極が設けられている点。
　そこで、上記相違点について検討する。
　基板上にＮ型導電層及びＰ型導電層が順次形成され、その間に接合面となるメサ構造の発光ダイオードにおいて、メサ構造の側面がＮ形導電層に達しており、その側面のＮ型導電層側端部より接合面に平行に延びるＮ型導電層の部分を電極形成用導電層とすることは周知の事項である（例えば、特開平４−１８８８８０号公報、特開平４−１９９８８６号公報を参照。後者の場合、発生した光を基板裏面から取り出すものでもある。）。また、引用例に記載のものにおいて、メサ構造体６のｐｎ接合を短絡することの意味がＮ型導電層に導通させるためであることは明らかである。
　それゆえ、このような従来周知の技術的事項を勘案すれば、引用例に記載のものにおけるメサ構造体６のｐｎ接合を短絡して形成した非発光電極体に代えて、ｎ形導電体上に電極を形成することは容易に想到し得るところである。
　そして、上記相違点による作用効果も予測の域をでるものではない。
　　　　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。