Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月18日(2014.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
関連付けられたホストプロセッサを有するホストコンピュータと通信して、関連付けられたテープドライブプロセッサを有するテープドライブによってアクセスされる磁気テープ上にデータを記憶するとともにデータを読出すための方法であって、
前記磁気テープに関連した所定数のセクションから、前記ホストコンピュータによって指定された関連数のセクションを有する論理ボリューム内の少なくとも１つのパーティション内にデータを読出しまたは書込むステップを含み、
各パーティションは、１つのセクションにわたって延在する、方法。
【請求項２】
前記磁気テープ上の書込み可能パーティションを指定するマスクを前記ホストコンピュータから受信するステップをさらに含み、
データを書込むステップは、前記ホストコンピュータから受信した前記マスクによって指定されたパーティションにのみデータを書込むステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
各セクションは、実質的に前記テープのデータ部の幅にわたって延在し、前記所定数のセクションは、実質的に前記テープのデータ部の長さにわたって集合的に延在する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記磁気テープは、セクションごとに所定数のパーティションを含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記パーティションは、論理的に隣接するパーティションを認識するための情報を含む自動リンクパーティションを備え、
指定パーティションから前記論理的に隣接したパーティションへの読出しまたは書込みは、前記テープドライブプロセッサによって制御される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
データを読出しまたは書込むステップは、セクションの終端において、テープ走行を反転するステップを含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記磁気テープに関連した前記所定数のセクションからの複数のセクションを単一の論理ボリュームに関連付けるステップをさらに含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記磁気テープの対応するセクションに論理ボリュームをマッピングする、前記ホストコンピュータ内のボリュームマップを保持するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記単一の論理ボリュームに関連付けられた前記複数のセクションは、前記磁気テープに関連付けられた前記所定数のセクションよりも少ない、請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
前記磁気テープは、テープの開始部、テープの終了部、およびデータ部を含み、
前記テープドライブプロセッサは、前記データ部の終端に到達する前に、テープ走行の方向を反転する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
ホストコンピュータからテープドライブ内にロード可能な複数の磁気テープのうちの１つに、前記ホストコンピュータと通信してデータを保管するための方法であって、
前記ホストコンピュータから前記テープドライブに情報を伝達して、関連付けられた磁気テープの設定を前記ホストコンピュータに行なわせるステップと、
前記関連付けられた磁気テープのデータエリアを複数のセクションに分割するステップ
を含み、
各セクションは、複数のパーティションを有し、
各パーティションは、関連付けられたセクションにわたって実質的に完全に延在し、
セクション内の前記パーティションは、前記磁気テープの幅にわたって概して配列され、
前記方法は、
前記複数のセクションのうちの少なくとも１つを、前記ホストコンピュータによって指定された論理データボリュームに関連付けるステップと、
前記論理データボリュームから前記少なくとも１つの関連付けられたセクションにデータを書込むステップとをさらに含む、方法。
【請求項１２】
コンピュータデータ記憶システムであって、
関連する磁気テープ上にデータを書込みおよび読出すための、関連するプロセッサおよびメモリを有するテープドライブを備え、
前記テープドライブは、前記磁気テープのホストコンピュータ設定をイネーブルするための情報をホストコンピュータから受信し、複数のセクションに前記磁気テープのデータエリアを割当て、
各セクションは、複数のパーティションを有し、
各パーティションは、関連付けられたセクションにわたって実質的に完全に延在し、
セクション内の前記パーティションは、前記磁気テープの幅にわたって概して配列され、
前記テープドライブは、前記ホストコンピュータから受信したデータを、前記ホストコンピュータによって指定された論理ボリュームに関連付けられた少なくとも１つのセクションに書込む、コンピュータデータ記憶システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月10日(2014.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノワイヤーおよびポリマー結合剤を備えるインクを提供することであって、前記ナノワイヤーが長さ分布を有し、前記分布が平均Ｌｍおよび標準偏差σを有する、インクを提供することと、
表面および前記表面中の複数のくぼみを提供することであって、前記複数のくぼみが、ＬＰＩ（ライン／インチ）の密度を有する、表面および表面中の複数のくぼみを提供することと、
前記複数のくぼみ中に前記インクを転送することと、
前記インクの少なくとも一部分を、前記くぼみから印刷媒体に転送することであって、ＬＰＩが、２．５×１０４μｍライン／インチ÷（Ｌｍ＋３σ）未満であり、前記印刷媒体が、前記表面に対してＵ（フィート／分）の速度で移動し、前記インクの粘性がμ（ｃｐｓ）であり、ＬＰＩが４７３〜６７．６ｌｎ（μ・ｌｏｇ１０（Ｕ））ライン／インチよりも大きいものである、インクの少なくとも一部分を転送することと
を含む、方法
【請求項２】
前記ポリマー結合剤が、少なくとも１つのセルロース系ポリマーを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ポリマー結合剤が、少なくとも１つのセルロース系エステルを備える、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記ポリマー結合剤が、少なくとも１つのセルロースアセテートブチレートを備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記ナノワイヤーのアスペクト比が５０よりも大きい、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記ナノワイヤーが、少なくとも１つの銀ナノワイヤーを備える、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記表面が輪転グラビアシリンダの外面である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月7日(2014.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シース（２）内に超伝導コア（１）を含んでなる複数のフィラメント（４）を有し、該フィラメント（４）はマトリックス（３）内に埋設され、前記超伝導コア（１）が二ホウ化マグネシウム（ＭｇＢ2）からなると共に前記シース（２）がニオブ（Ｎｂ）からなる、第１及び第２の超伝導線（７）を接続する方法であって、
前記マトリックス（３）を所定長（２０）除去して前記フィラメント（４）を露出させ、
該露出フィラメント（４）を溶融スズ（Ｓｎ）（２４，５４）に浸して前記シース（２）のニオブを、その厚さ全体にわたってニオブ−スズ（Ｎｂ3Ｓｎ）に変化させ、
前記第１の超伝導線（７）のフィラメント（４）の超伝導コア（１）の間に、前記フィラメント（４）の前記Ｎｂ3Ｓｎシース（２）を経て前記第２の線（７）の前記コア（１）へ達する超伝導経路を設ける、
ことを含む方法。
【請求項２】
前記露出フィラメントを溶融スズに浸すときに、少なくとも６００℃の温度のスズを使用する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記露出フィラメントを溶融スズに浸すときに、接続有効部分において前記溶融スズ（２４，５４）に対する前記コア（１）の露出を防止して行う、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記溶融スズに浸す前に前記超伝導線（７）を曲げ、前記シース（２）の端部（３２）が前記溶融スズに漬からないようにする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記溶融スズに浸す間、保持クリップ（２２）により前記曲げた超伝導線を一定の相対位置に維持する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記溶融スズに浸す前に前記シース（２）の端部（４２）を封止し、前記フィラメント（４）のコア（１）が前記溶融スズに漬からないようにする、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の超伝導線（７）のフィラメント（４）の超伝導コア（１）の間にあって、前記フィラメント（４）の前記Ｎｂ3Ｓｎシース（２）を経て前記第２の超伝導線（７）の前記コア（１）へ達する前記超伝導経路は、前記第１及び第２の超伝導線の前記フィラメントを超伝導鋳造物質（３０）内に埋めることにより設ける、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記溶融スズ（５４）に浸す間、前記第１及び第２の超伝導線（７）の前記フィラメント（４）を圧着具（４６）内に保持し、続く前記シース（２）のＮｂ3Ｓｎへの変化で、当該フィラメントのＮｂ3Ｓｎシース間に電気的及び機械的接触を生じさせる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記圧着具内に保持する際に、
前記超伝導線（７）の前記フィラメント（４）を近接させ、
該フィラメントの周りに筒形圧着具（４６）を配置し、
該圧着具を機械的に圧着（４７）して前記フィラメントを加圧し互いに接触させる、
ことを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記圧着具がニオブで裏打ち（５２）されており、前記圧着実行時に加圧されて前記フィラメントと接触し、その裏地（５２）が、前記溶融スズに浸されている間に少なくとも部分的にＮｂ3Ｓｎに変化し、前記フィラメント間のさらなる超伝導経路を提供する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記溶融スズの周囲に不活性雰囲気を提供して前記スズの酸化を防止する、請求項２に記載の方法。
【請求項１２】
シース（２）内に超伝導コア（１）を含んでなる複数のフィラメント（４）を有し、該フィラメント（４）はマトリックス（３）に入れてあり、前記シース（２）がニオブ（Ｎｂ）からなる、第１及び第２の超伝導線（７）の間の接続部であって、
前記マトリックス（３）の除去により所定長（２０）を露出させた前記フィラメントと、
前記所定長（２０）内で、前記シースの厚さ全体をニオブ−スズ（Ｎｂ3Ｓｎ）にした前記シース（２）と、
前記第１の超伝導線（７）のフィラメント（４）の超伝導コア（１）の間に設けられた、前記フィラメント（４）の前記Ｎｂ3Ｓｎシース（２）を経て前記第２の超伝導線（７）の前記コア（１）へ達する超伝導経路と、
を備えた接続部。
【請求項１３】
前記超伝導コア（１）は、二ホウ化マグネシウム（ＭｇＢ2）からなる、請求項１２に記載の接続部。
【請求項１４】
前記シース（２）の端部が封じされている、請求項１２又は請求項１３に記載の接続部。
【請求項１５】
前記第１及び第２の超伝導線の前記フィラメントは、超伝導鋳造物質（３０）に埋められており、この超伝導鋳造物質（３０）により、前記第１の超伝導線（７）のフィラメント（４）の超伝導コア（１）の間にあって、前記フィラメント（４）の前記Ｎｂ3Ｓｎシース（２）を経て前記第２の超伝導線（７）の前記コア（１）へ達する前記超伝導経路が提供されている、請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の接続部。
【請求項１６】
前記第１及び第２の超伝導線（７）の前記フィラメント（４）は、圧着具（４６）内に保持されていて、前記フィラメントのＮｂ3Ｓｎシース間に電気的及び機械的接触が提供されている、請求項１２〜１５のいずれか１項に記載の接続部。
【請求項１７】
前記圧着具は、ニオブで裏打ち（５２）されて少なくとも部分的にＮｂ3Ｓｎに変化しており、前記フィラメント間のさらなる超伝導経路を提供する、請求項１６に記載の接続部。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月2日(2014.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光ダイオードを有して互いに並列に連結された複数の発光部と、
前記複数の発光部に直流電源を供給する電源部と、
少なくとも１つの発光部が搭載された複数のボードと、
前記各ボードに配置され、互いに電気的に連結された複数のボード抵抗と、
前記ボードの接続個数によって変化される前記ボード抵抗の和によって前記電源部から供給される電流を可変させるフィードバック制御部と、
を含み、
前記フィードバック制御部は、
基準電圧に連結された抵抗と、
前記抵抗と前記ボード抵抗との分圧値を出力する基準電位部と、
前記基準電位部の出力と前記複数の発光部の出力端との値を比較して前記電源部に出力して前記電源部の出力電流を制御する比較器と、
を含むことを特徴とする、電源供給装置。
【請求項２】
前記各発光部の複数の発光ダイオードは互いに直列に連結されることを特徴とする、請求項１に記載の電源供給装置。
【請求項３】
前記複数のボード抵抗は互いに並列に連結されることを特徴とする、請求項１に記載の電源供給装置。
【請求項４】
前記各ボードのボード抵抗は前記発光ダイオードと電気的に分離されることを特徴とする、請求項１に記載の電源供給装置。
【請求項５】
前記フィードバック制御部には前記複数の発光部の出力端と前記比較器に連結された電流調節部を含み、前記電流調節部の他端は前記電源部に連結されることを特徴とする、請求項１に記載の電源供給装置。
【請求項６】
前記各ボードにはコネクタを含み、前記コネクタは複数のボード抵抗を互いに並列に連結させることを特徴とする、請求項１に記載の電源供給装置。
【請求項７】
前記複数のボード抵抗の値は前記ボードの接続個数によって変化され、前記フィードバック制御部は前記ボード抵抗値の変化によって前記電源部から供給される電流を可変させることを特徴とする、請求項１に記載の電源供給装置。
【請求項８】
前記フィードバック制御部は前記ボードの接続個数によって定電流に制御することを特徴とする、請求項１に記載の電源供給装置。
【請求項９】
前記複数のボード抵抗は互いに同一な値で形成されることを特徴とする、請求項１に記載の電源供給装置。
【請求項１０】
前記基準電位部は前記抵抗の一端と前記ボード抵抗の一端が各々並列に連結されることを特徴とする、請求項１に記載の電源供給装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年9月22日(2014.9.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一種のアイコン生成の方法であって、
オペレーティングシステムが、同じ解像度環境の中で、元のアイコンを事前設定されたサイズに調整するステップ（Ａ）と、
前記オペレーティングシステムが、前記元のアイコン各自のピクセルのＲＧＢ値の統計を取得し、前記元のアイコンのメインカラーを計算するステップ（Ｂ）と、
前記オペレーティングシステムが、前記メインカラーの色相角と事前設定された彩度・明度によって、背景色を生成するステップ（Ｃ）と、
前記オペレーティングシステムが、前記背景色を事前設定されたカラーグラデーションのテンプレートに当てはめ、アイコンの原版を生成するステップ（Ｄ）と、
前記オペレーティングシステムが、事前設定されたアイコンエッジ切断のテンプレートを使って、ステップ（Ａ）の中で調整した後のアイコンを切断するステップ（Ｅ）と、
前記オペレーティングシステムが、前記アイコンの原版とステップ（Ｅ）の中で切断した後のアイコンとを事前設定された前景テンプレートと重ね合わせ、最終的にアイコンを生成するステップ（Ｆ）とを有することを特徴とするアイコン生成の方法。
【請求項２】
前記ステップ（Ｂ）は、前記オペレーティングシステムが、前記元のアイコンの各ピクセルのＲＧＢ値を取得し、前記元のアイコンの全てのピクセルのＲ値の平均Ｒ値を求め、前記元のアイコンの全てのピクセルのＧ値の平均Ｇ値を求め、前記元のアイコンの全てのピクセルのＢ値の平均Ｂ値を求めるステップを含み、ここで計算した平均Ｒ値、平均Ｇ値と平均Ｂ値は前記元のアイコンの前記メインカラーであることを特徴とする請求項１に記載のアイコン生成の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
このために、本発明は以下の技術ソリューションを使用している。
一種のアイコン生成の方法であって、
Ａ）同じ解像度環境の中で、元のアイコンを事前設定されたサイズに調整し、
Ｂ）元のアイコン各自のピクセルのＲＧＢ値の統計を取得し、元のアイコンのメインカラーを計算し、
Ｃ）メインカラーの色相角と事前設定された彩度・明度によって、背景色を生成し、
Ｄ）背景色を事前設定されたカラーグラデーションのテンプレートに当てはめ、アイコンの原版を生成し、
Ｅ）事前設定されたアイコンエッジ切断のテンプレートを使って、ステップＡの中で調整した後のアイコンを切断し、
Ｆ）アイコンの原版とステップＥで切断した後のアイコンとを事前設定された前景テンプレートと重ね合わせ、最終のアイコンを生成する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
次は添付図面にあわせて具体的な実施方式を説明することによって本発明の技術ソリューションについて更なる説明をする。
図１は本発明の具体的な実施方式の中のアイコン生成のフローチャートである。図１が示しているように、当該アイコン生成のプロセスは以下のステップを含む。
ステップ１０１、同じ解像度環境の中で、元のアイコンを事前設定されたサイズに調整する。
ステップ１０２、元のアイコン各自のピクセルのＲＧＢ値の統計を取り、元のアイコンのメインカラーを計算する。まずは元のアイコンの各ピクセルのＲＧＢ値を得て、それぞれ元のアイコンの全てのピクセルの平均Ｒ値、平均Ｇ値、平均Ｂ値を求める。ここで計算した平均Ｒ値、平均Ｇ値と平均Ｂ値は元のアイコンのメインカラーである。
ステップ１０３、メインカラーの色相角と事前設定された彩度・明度によって、背景色を生成する。
ステップ１０４、背景色を事前設定されたカラーグラデーションのテンプレートに当てはめ、アイコンの原版を生成する。
ステップ１０５、事前設定されたアイコンエッジ切断のテンプレートを使って、ステップ１０１の中で調整した後のアイコンを切断する。
ステップ１０６、アイコンの原版、ステップ１０５の切断後のアイコンを事前設定された前景テンプレートと重ね合わせ、最終的にアイコンを生成する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図１】
2014507735.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月4日(2014.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの生成物の幾何学パラメータを選択することと、
第１のモル数の少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを含む、少なくとも１つの第１の組成物を提供することと、
第２のモル数の少なくとも１つの第２の金属または金属イオンを含む少なくとも１つの第２の組成物を提供することであって、前記少なくとも１つの第１の還元性金属イオンおよび前記少なくとも１つの第２の金属または金属イオンが、同一の原子番号を有することと、
前記第２のモル数の前記少なくとも１つの第１の金属または金属イオンの存在下で、前記第１のモル数の前記少なくとも１つの第１の還元性金属イオンの少なくとも一部を少なくとも１つの第一の金属に還元することと、
を含む方法であって、
前記第２のモル数対前記第１のモル数の比率が、前記少なくとも１つの生成物の幾何学パラメータに基づいて特定される、方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの生成物の幾何学パラメータが、生成物の長さ、生成物の直径、生成物の容積、または生成物の表面積のうちの１つまたは複数を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２のモル数対前記第１のモル数の前記比率が、前記生成物の長さの関数になるように選択される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２のモル数対前記第１のモル数の前記比率が、前記生成物の直径の関数になるように選択される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記第２のモル数対前記第１のモル数の前記比率が、前記生成物の直径により乗算される前記生成物の長さの関数になるように選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記第２のモル数対前記第１のモル数の前記比率が、前記生成物の直径の２乗により乗算される前記生成物の長さの関数になるように選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記第２のモル数対前記第１のモル数の前記比率が、生成物の前記容積の関数になるように選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記少なくとも１つの第１の還元性金属イオンが、銀イオンを含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
少なくとも第３の組成物を形成するために、前記少なくとも１つの第１の組成物および前記少なくとも１つの第２の組成物の少なくともいくつかを組み合わせることをさらに含み、前記組み合わせることが、前記第１のモル数の前記少なくとも１つの第１の還元性金属イオンの前記少なくともいくつかを、少なくとも１つの第１のナノワイヤに還元するまでに起こる、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月31日(2014.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの第１の還元性金属イオンと、少なくとも１つのＩＵＰＡＣ  Ｇｒｏｕｐ  ３、ＩＵＰＡＣ  Ｇｒｏｕｐ  ４、ＩＵＰＡＣ  Ｇｒｏｕｐ  ５、ＩＵＰＡＣ  Ｇｒｏｕｐ  ６、またはＩＵＰＡＣ  Ｇｒｏｕｐ  ７からの元素もしくは元素のイオンを含む、少なくとも１つの第２の金属または金属イオンとを含む、少なくとも１つの組成物を提供することであって、前記少なくとも１つの第２の金属または金属イオンは、前記少なくとも１つの第１の還元性金属イオンとは原子番号において異なる、組成物を提供することと、
前記少なくとも１つの第１の還元性金属イオンを、少なくとも１つの第１の金属ナノワイヤに還元することと、を含む、方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つのＩＵＰＡＣ  Ｇｒｏｕｐ  １１からの元素のイオンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つの第１の還元性金属イオンは、少なくとも１つの銀イオンを含む、請求項１〜２のいずれかに記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも１つの組成物は、前記少なくとも１つの第２の金属または金属イオンを含む、少なくとも１つの金属酸化物化合物を含む、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも１つの金属酸化物化合物は、金属酸化物ハロゲン化物化合物または遷移金属酸化物化合物のうちの少なくとも１つを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つの第２の金属または金属イオンは、＋４以上の酸化状態を含む、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記少なくとも１つの金属ナノワイヤは、約１０ｎｍ〜約３００ｎｍの平均直径、および約５０〜約１０，０００のアスペクト比を含む、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記少なくとも１つの金属ナノワイヤは、少なくとも１つの銀ナノワイヤを含む、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月4日(2014.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種のヒドロキサメート化ポリマーを含有する微粒分散系の製造方法であって、
大量のヒドロキシルアミンの存在下でヒドラジンに関する有意な選択性を示す掃去剤を用いてヒドラジンを含有するヒドロキシルアミン−遊離塩基を処理することによりヒドロキシルアミン−遊離塩基を得る工程、かつ
ａ）油及び乳化剤の連続相ならびにヒドロキシルアミンと反応するであろう１つもしくはそれより多い側鎖官能基を含有するビニルポリマーを含んでなる不連続水相を含有する油中水型微粒分散系を、ｂ）無機塩を実質的に含まず、ヒドロキシルアミンに基づいて５００ｐｐｍより少ないヒドラジンを含有するヒドロキシルアミン遊離塩基を反応させる工程を含んでなる方法。
【請求項２】
ビニルポリマーがアクリルアミド、アクリル酸及び／又はアクリルエステルの（コ）ポリマーから選ばれる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ヒドロキシルアミン−遊離塩基が２０ｐｐｍより少ないヒドラジンを含有する請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ヒドロキシルアミン−遊離塩基が実質的にヒドラジンを含有しない請求項３に記載の方法。
【請求項５】
掃去剤が式Ｉ及び／又はＩＩ
【化１】
2014507507.tif 000001
［式中、
Ｘ1及びＸ2のそれぞれは独立して、Ｈ、ＯＨ、ＮＲ”2、ＯＲ”’、ＳＨ、ハライド又は場合により置換されていることができるヒドロカルビル基から選ばれ、但しＸ1及びＸ2の両方がＯＨ基であることはなく、ここで各Ｒ”は独立して、Ｈ又は場合により置換されていることができるヒドロカルビル基から選ばれ、Ｒ”’は場合により置換されていることができるヒドロカルビル基であり、ここで２個のＲ”’基は場合により置換されていることができる環系を形成することもできるか；あるいはＲ”’はアルカリ金属又はＮＲV4であり、ここで各ＲVは独立して、Ｈ又は場合により置換されていることができるヒドロカルビル基から選ばれ；
Ｘ3はＯ、ＮＲ’、Ｓ又はＰＲ’であり、ここでＲ’はＨ、ＯＨ、アルカリ金属、ＮＲIV2又はアルキルであり、ここで各ＲIVは独立して、Ｈ又は場合により置換されていることができるヒドロカルビル基から選ばれ；
Ｒは、
Ｒ1及びＲ2のそれぞれが独立して、Ｈ又は場合により置換されていることができるヒドロカルビル基から選ばれ、ここでＲ1及びＲ2は場合により置換されていることができる環を形成することもできるＣＲ1Ｒ2；
Ｒ3及びＲ4が一緒になって場合により置換されていることができる環を形成するＲ3Ｃ＝ＣＲ4；ならびに
Ｒ5及びＲ7が一緒になって場合により置換されていることができる環を形成し、Ｒ6及びＲ8のそれぞれが独立して：Ｈ又は場合により置換されていることができるヒドロカルビル基から選ばれるＲ5Ｒ6Ｃ−ＣＲ7Ｒ8
から選ばれ、
但しＲ1はＸ1と環系を形成することができる］
の化合物から選ばれる請求項１に記載の方法。
【請求項６】
掃去剤がフタルイミド；芳香環上に１個もしくはそれより多い電子供与基を保有する置換されたフタルイミド；Ｎ−置換されたフタルイミド；２炭素上にアルキル置換を有する１，３ジケトン；及びピロメリト酸ジイミドの群から選ばれる請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ヒドロキシルアミン−遊離塩基を水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、アンモニア及びそれらの混合物から選ばれる過剰の塩基と一緒に用いる請求項１〜６のいずれか１つに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月11日(2014.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【図１】本発明のある例示的な実施形態による、電力が供給される商品陳列システムの斜視図である。
【図２】図１の実施形態による、電力が供給されるペグボードすなわちバッキングボードの正面図である。
【図３Ａ−３Ｃ】図１〜図２の電力が供給される商品陳列システムと共に使用するための、電力が供給される作り付けの棚および関連する陳列ハードウェアの略斜視図である。
【図４】図１〜図３の電力が供給される商品陳列システムから、電力が供給される陳列システムにぶら下がっている製品と結合した電力供給可能デバイスへ電流を引き込むためのインパッケージ電力導体の略斜視図である。
【図５】本発明による、電力が供給される商品陳列システムと共に使用される、電力が供給される他の任意選択のデバイスを示す略図である。
【図６Ａ】本発明による、電力が供給される商品陳列システムの回路図のある実施形態を示す回路図の一部である。
【図６Ｂ】本発明による、電力が供給される商品陳列システムの回路図のある実施形態を示す回路図の一部である。
【図６Ｃ】本発明による、電力が供給される商品陳列システムの回路図のある実施形態を示す回路図の一部である。
【図７】本発明のある実施形態による、ネットワークを介してサーバに接続された複数の陳列システムを含んだシステムのある実施形態を示す図である。
【図８】本発明のある態様による、製品を陳列する方法の流れ図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2014507249.tif 000001
【図２】
2014507249.tif 000002
【図３Ａ−３Ｃ】
2014507249.tif 000003
【図４】
2014507249.tif 000004
【図５】
2014507249.tif 000005
【図６Ａ】
2014507249.tif 000006
【図６Ｂ】
2014507249.tif 000007
【図６Ｃ】
2014507249.tif 000008
【図７】
2014507249.tif 000009
【図８】
2014507249.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月6日(2014.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）ポリマーベース層およびポリマー結合層を含む反射性ポリマー基材であって、ベース層のポリマー材料が軟化温度ＴS-Bを有し、結合層のポリマー材料が軟化温度ＴS-HSを有する反射性ポリマー基材；および
（ｉｉ）複数のナノワイヤを含む導電層；
を含み、
ナノワイヤが結合層のポリマーマトリックス中に少なくとも部分的に分散しているように、前記ナノワイヤが結合層のポリマーマトリックスによって束縛されている、反射性導電性フィルムの製造方法であって、ポリマーベース層およびポリマー結合層を含む反射性ポリマー基材を準備するステップ；前記ナノワイヤを、結合層の露出した表面に配置するステップ；および、複合フィルムを温度Ｔ1まで加熱するステップであって、Ｔ1が、ＴS-HS以上であり、Ｔ1が、ＴS-Bより、少なくとも約５℃低いステップ；を含む、上記方法。
【請求項２】
前記ナノワイヤが、液体媒体に前記ナノワイヤを分散させること、および、ナノワイヤ含有液体を結合層の露出した表面にコーティングすることによって、結合層の露出した表面に配置される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
少なくとも８０％の５４０ｎｍでの反射率を示す反射性ポリマー基材を準備するステップを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
反射性導電性フィルムが、少なくとも６０％の、一実施形態では少なくとも７０％の、５４０ｎｍでの反射率を示す、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
ポリマー基材がポリエステル基材である、および／または、ポリマー基材が２軸配向基材である、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
ベース層のポリエステルが、ポリ（エチレンテレフタレート）およびポリ（エチレン２，６−ナフタレート）から選択される、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
結合層がコポリエステルであり、好ましくは
（ｉ）エチレングリコール、テレフタル酸およびイソフタル酸から誘導されるコポリエステル、好ましくは２５：７５〜８５：１５の範囲のテレフタル酸成分とイソフタル酸成分のモル比を示す、エチレングリコール、テレフタル酸およびイソフタル酸から誘導されるコポリエステル；
（ｉｉ）テレフタル酸、脂肪族ジカルボン酸およびグリコールから誘導されるコポリエステル、好ましくは約５０：５０〜約７０：３０のテレフタル酸成分と脂肪族ジカルボン酸成分のモル比を示す、テレフタル酸、脂肪族ジカルボン酸およびエチレングリコールから誘導されるコポリエステル；および
（ｉｉｉ）テレフタル酸、エチレングリコールおよび１，４−シクロヘキサンジメタノールから誘導されるコポリエステル；
から選択される、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
コポリエステルが、テレフタル酸、アゼライン酸およびエチレングリコールから誘導される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
結合層およびベース層が共押出される、請求項１から８までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
基材の全厚が３５０μｍ以下である、請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
ポリマー基材が、微粒子無機フィラー、非相溶性樹脂フィラーおよびこれらの混合物から選択される１種または複数の反射剤を含み、基材に混入される反射剤の量が、所定の層のポリマー材料の重量に対して５重量％〜６０重量％の範囲にある、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
ポリマー基材が、二酸化チタン、硫酸バリウムおよびこれらの混合物から選択される反射剤を含む、請求項１から１１までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
透明導電性フィルムのシート抵抗が、１００，０００オーム／スクエア未満である、請求項１から１２までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
ナノワイヤが金属ナノワイヤであり、一実施形態では、ナノワイヤが銀ナノワイヤであるか、またはカーボンナノチューブである、請求項１から１３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
フィルム製造プロセスが完了した後で、導電層が基材の結合層の表面に付けられ、ナノワイヤの付着後に、フィルムが温度Ｔ1に加熱される、請求項１から１４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
フィルム製造プロセスの間に、好ましくは熱固定ステップの前に、導電層が基材の結合層の表面に付けられ、ナノワイヤの付着後に、フィルムが温度Ｔ1に加熱される、請求項１から１４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
熱固定ステップの前、かつ、２軸延伸操作の２つの段階（縦および横）の間に、導電層が基材の結合層の表面に付けられる、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
加熱温度Ｔ1が５０℃〜２４０℃の範囲にある、請求項１から１７までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
（ｉ）ポリマーベース層およびポリマー結合層を含む反射性ポリマー基材であって、ベース層のポリマー材料が軟化温度ＴS-Bを有し、結合層のポリマー材料が軟化温度ＴS-HSを有する反射性ポリマー基材；および
（ｉｉ）複数のナノワイヤを含む導電層；
を含み、
ナノワイヤが結合層のポリマーマトリックス中に少なくとも部分的に分散しているように、前記ナノワイヤが結合層のポリマーマトリックスによって束縛されており、ポリマー基材が２軸配向ポリエステル基材であり、ポリマー結合層がコポリエステルである、反射性導電性フィルム。
【請求項２０】
請求項１から１８までのいずれか１項に記載の方法によって得られる、請求項１９に記載の反射性導電性フィルム。
【請求項２１】
ポリマー基材および導電層が、請求項１から４または６から１８までのいずれか１項に定められるものである、請求項１９または２０に記載の反射性導電性フィルム。
【請求項２２】
複数のナノワイヤを含む導電層を備える反射性導電性フィルムの製造における基材としての、ポリマーベース層およびポリマー結合層を含む反射性ポリマー基材の使用であって、ベース層のポリマー材料が軟化温度ＴS-Bを有し、結合層のポリマー材料が軟化温度ＴS-HSを有し、ポリマー基材が２軸配向ポリエステル基材であり、ポリマー結合層がコポリエステルであり、ポリマー基材および導電層が、請求項１から４または６から１８までのいずれか１項に定められるものである、上記使用。
【請求項２３】
請求項１９、２０および２１のいずれかに定められる反射性導電性フィルムを含む電子デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月22日(2014.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
幹細胞特性を有する化学療法剤耐性癌細胞を単離する方法であって、
（ｉ） アガロースでコーティングされた、アガロース含有ビーズ内に癌細胞のサンプルをカプセル化することと、
（ｉｉ） 前記癌細胞の少なくとも一部を死滅させるのに十分な時間、前記ビーズを、少なくとも１つの抗癌化学療法剤と接触させることと、
（ｉｉｉ） 前記ビーズから生存細胞を除去することと、
（ｉｖ） 前記生存細胞を、少なくとも１つの幹細胞特性について分析試験することと、
（ｖ） 前記幹細胞特性を示す細胞を、前記幹細胞特性を示さない細胞から単離することを含む方法。
【請求項２】
前記幹細胞特性はＯＣＴ４の発現である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記化学療法剤はドセタキセルである請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記癌細胞は哺乳類細胞である請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記哺乳類細胞はヒト細胞である請求項４に記載の方法。
【請求項６】
少なくとも１つの幹細胞特性を示す、単離された化学療法耐性癌細胞。
【請求項７】
前記幹細胞特性はＯＣＴ４の発現である請求項６に記載の単離された化学療法耐性癌細胞。
【請求項８】
前記癌細胞は哺乳類細胞である請求項６に記載の単離された化学療法耐性癌細胞。
【請求項９】
前記哺乳類細胞はヒト細胞である請求項８に記載の単離された化学療法耐性癌細胞。
【請求項１０】
前記細胞はドセタキセルに耐性を有する請求項５に記載の単離された化学療法耐性癌細胞。
【請求項１１】
対象の物質が抗癌有効性を有するか否かを決定する方法であって、
（ｉ）アガロースを含有する、アガロースでコーティングされたビーズ内にカプセル化された癌細胞のサンプルに、前記物質を、所定濃度で所定期間接触させることと、
（ｉｉ）前記物質によって死滅した前記癌細胞の割合を同定することと、
（ｉｉｉ）前記割合を、対照薬剤によって死滅した、アガロースを含有するアガロースでコーティングされたビーズ内にカプセル化された前記細胞の割合と比較することを含み、前記物質によって死滅した割合がより高いことが前記対象に対する抗癌有効性の指標となる方法。
【請求項１２】
前記癌細胞は哺乳類細胞である請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記哺乳類癌細胞はヒト癌細胞である請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
対象の物質が抗癌幹細胞活性を有するか否かを決定する方法であって、
アガロースを含有するアガロースでコーティングされたビーズ内にカプセル化された癌幹細胞を、前記物質と接触させることと、
前記物質と接触していない癌幹細胞含有ビーズに対して残存細胞数を比較することを含み、その間の差異が前記物質が抗癌幹細胞活性を有することの指標となる方法。
【請求項１５】
癌を患う対象の予後を決定するための方法であって、
（ｉ） アガロースでコーティングされた、アガロース含有ビーズ内に、前記対象から採取された癌細胞のサンプルをカプセル化することと、
（ｉｉ）前記アガロースでコーティングされた、アガロース含有ビーズと、有効として知られる濃度の、前記癌細胞に対して有効と知られる抗癌剤とを、有効として知られる時間の間、接触させることと、
（ｉｉｉ）前記（ｉｉ）における時間の後に前記ビーズ内に残存している癌細胞の数を測定することと、を含み、
（ｉｖ）良好な予後の患者と比較して癌細胞の数が多いことが前記対象の不良な予後の兆候である方法。
【請求項１６】
前記（ｉｉ）における時間の後に前記ビーズ内に癌細胞が残存していないことが前記対象の良好な予後の兆候である請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月18日(2014.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
食品をコートするための方法であって、
ａ．食品を提供する工程と、
ｂ．振動コンベヤを提供する工程であって、前記振動コンベヤが閉鎖チャネルを備え、かつ前記振動コンベヤが入口及び出口を有する工程と、
ｃ．前記食品を前記振動コンベヤの前記入口に送り込む工程と、
ｄ．約６を超えるペクレ数、約０．３を超える無次元加速度数、及び約３ｍｍを超える振動の垂直振幅にて、前記振動コンベヤを操作する工程と、
ｅ．前記食品が前記入口から前記出口に移動する際にコーティング材料で被覆されるように、前記コーティング材料を振動コンベヤに送り込む工程と、を含む、方法。
【請求項２】
前記振動コンベヤがスパイラルを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記振動コンベヤが前記振動コンベヤの長さに沿った少なくとも１以上の開口部を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記コーティング材料が前記開口部を介して供給される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記振動コンベヤが前記振動コンベヤの長さに沿った２以上の開口部を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
２以上の異なる前記コーティング材料が、それぞれ２以上の前記開口部の少なくとも一つを介して前記振動コンベヤ内に供給される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
過熱蒸気が２以上の前記開口部の一つを介して振動コンベヤ内に供給される、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記食品が微生物を失活させるのに十分な条件下で前記過熱蒸気に曝される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記微生物が、サルモネラ菌である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記閉鎖チャネルが実質的に円形の横断面を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
粒子状生成物をコーティングするための方法であって、
ａ．前記粒子状生成物を振動コンベヤの入口に導入する工程と、
ｂ．前記コンベヤを振動させて、約６を超えるペクレ数を有する前記コンベヤ内での垂直移動及び前記コンベヤ内にわたる水平移動の両方を誘導する工程と、
ｃ．前記粒子状生成物が前記振動コンベヤの前記入口から出口に移動する際にコーティング材料で被覆されるように、前記コーティング材料を前記振動コンベヤに送り込む工程と、を含む、方法。
【請求項１２】
前記振動コンベヤが、約０．３を超える無次元加速度を有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記振動コンベヤが、約３ｍｍを超える振動の平均垂直振幅を有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記粒子状生成物が、前記振動コンベヤ内にて床に沿って移動し、前記床が床の深さを有し、前記垂直振幅の前記床の深さに対する比率が約０．１〜約０．５の間である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
振動数が約１〜約１００Ｈｚである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記振動コンベヤが約１００を超えるペクレ数を有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
乾燥空気流を前記振動コンベヤ内に導入する工程を更に含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記乾燥空気が、周囲温度と比較して加熱されている、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記粒子状生成物がペットフードキブルである、請求項１１に記載の方法。
【請求項２０】
微生物を失活させるのに十分な条件下で過熱蒸気流を前記振動コンベヤ内に導入する工程を更に含む、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月9日(2014.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
左の画像と右の画像によって表される立体シーンにおける焦点面の位置を管理する方法であって、
前記２つの画像において少なくとも１つのゾーンを決定する工程と、
前記左の画像の前記ゾーンと前記右の画像の同じゾーンとの相関が最適な、決定された前記ゾーンの各々に対するいわゆる支配的と呼ばれる平行移動値を計算する工程と、
近い支配的な値からなる群によって各ゾーンの前記平行移動値を分類する工程と、
各群内において前記群を構成する前記ゾーンの前記支配的な平行移動値の平均値を計算する工程と、
前記群のすべての前記平均値の間の最高平均値と等しい、前記左の画像と右の画像との間のいわゆる相対的と呼ばれる平行移動値を決定する工程と、
前記先に決定された相対値の前記２つの左および右の画像の相対平行移動を行う工程とを含む方法。
【請求項２】
前記得られた支配的な平行移動値が異常なゾーンを除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
少なくとも所定の閾値と等しい数のゾーンを含まないゾーン群を除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
支配的な各ゾーンに対する前記平行移動値を計算する前記工程は、
前記左のゾーンをいわゆる左の線と呼ばれる線上に、かつ、前記右のゾーンをいわゆる右の線と呼ばれる線上に投射する工程と、
いくつかの平行移動値に対する前記左の線と前記右の線との間の相関を計算する工程と、
前記相関が最適な前記平行移動値を決定する工程と
を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
左の画像と右の画像によって表される立体シーンにおける焦点面の位置を管理する手段を含む撮影または立体ディスプレイであって、
前記２つの画像において少なくとも１つのゾーンを決定する手段と、
前記左の画像の前記ゾーンと前記右の画像の同じゾーンとの相関が最適な、前記のとお
り決定された前記ゾーンの各々に対するいわゆる支配的と呼ばれる平行移動値を計算する手段と、
近い値からなる群によって各ゾーンの前記支配的な平行移動値を分類する手段と、
各群内において前記群を構成する前記ゾーンの前記支配的な平行移動値の平均値を計算する手段と、
前記群のすべての前記平均値の間の最高平均値と等しい、前記左の画像と右の画像との間のいわゆる相対的と呼ばれる平行移動値を決定する手段と、
前記先に決定された相対値の前記２つの左および右の画像の相対平行移動を行う手段とを含むことを特徴とする撮影または立体ディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月1日(2014.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノ粒子と、
ＤＮＡ結合分子及びリンカーを含むＤＮＡ結合部分とを含むコンジュゲートであって、ＤＮＡ結合分子が主溝バインダー、ＤＮＡ介入剤、ＤＮＡアルキル化剤、又はそれらの組合せであり、コンジュゲートが次の構造：
ナノ粒子−リンカー−ＤＮＡ結合分子
を有するコンジュゲート。
【請求項２】
ナノ粒子が、量子ドット、金属ナノ粒子、金属酸化物ナノ粒子又は遷移金属複合体ナノ粒子を含む、請求項１に記載のコンジュゲート。
【請求項３】
ＤＮＡ結合部分が、４',６-ジアミジノ-２-フェニルインドール(ＤＡＰＩ)、ビス-ベンズイミド染料、ソラレン、又はナフタレンジイミドから選択されるＤＮＡ結合分子を含む、請求項１に記載のコンジュゲート。
【請求項４】
リンカーが、１〜３０炭素原子長さの脂肪族鎖又はｎが２〜１５である(-ＯＣＨ２ＣＨ２-)ｎを含む請求項１に記載のコンジュゲート。
【請求項５】
リンカーが多官能性リンカーであり、複数のＤＮＡ結合分子が多官能性リンカーに結合している請求項１に記載のコンジュゲート。
【請求項６】
ＤＮＡ結合部分が
2014507949.tif 000001
である請求項１に記載のコンジュゲート。
【請求項７】
核を可視化する方法において、
組織試料をプロテアーゼで前処理して前処理された組織試料を形成し；
前処理された組織試料を、請求項１から６の何れか一項に記載のコンジュゲートと共に、コンジュゲートが前処理された組織試料内に核を挿入させるのに十分な条件下でインキュベートし、ここでコンジュゲートは核内においてＤＮＡに結合しており；
ナノ粒子を可視化させ、よって核を可視化させる
ことを含む方法。
【請求項８】
ナノ粒子が量子ドットを含み、ナノ粒子の可視化が、量子ドットの光安定性蛍光の可視化を含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
コンジュゲートが、少なくとも２０ｎＭの濃度で組織試料と共にインキュベートされる請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
核の特徴を定量的に測定するコンピューター画像解析技術を使用することをさらに含み、場合によって核の特性が、染色体分布、倍数性、形状、サイズ、テクスチャ特性、コンテクスチャ特性、又はそれらの組合せを含む請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
組織試料がプロテアーゼで４−８分間前処理され、組織試料がプロテアーゼでの前処理前に固定される請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
コンジュゲートと共に前処理された組織試料をインキュベートする前に、組織試料内の標的にハイブリダイズ可能なプローブを提供し；
プローブが組織試料内の標的にハイブリダイズするのに十分な条件下でプローブを組織試料と共にインキュベートし；
プローブを検出する
ことをさらに含む請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
プローブの検出が、プローブと結合した量子ドットの可視化を含み、コンジュゲートのナノ粒子が、プローブと結合した量子ドットとは異なる波長で蛍光を発光可能な量子ドットを含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
組織試料について蛍光インサイツハイブリダイゼーション法を実施することをさらに含み、場合によって蛍光インサイツハイブリダイゼーション法が、ＨＥＲ２アッセイ、ＴＭＰＲＳＳ２-ＥＲＧアッセイ、Ｃｈｒ１７アッセイ、又はそれらの組合せを含む請求項７に記載の方法。
【請求項１５】
核を可視化するためのキットであって、
プロテアーゼ酵素及びプロテアーゼバッファーを含有し、プロテアーゼバッファーが、プロテアーゼ酵素がタンパク質分解活性を示すのに十分な塩濃度及びｐＨを有するプロテアーゼ酵素組成物、
ａ）ナノ粒子とｂ）ＤＮＡ結合分子を含むＤＮＡ結合部分とを含むコンジュゲート、
プロテアーゼ酵素組成物で前処理された組織試料内にコンジュゲートが核を挿入するのを可能にするのに十分な塩濃度及びｐＨを有する反応バッファー
を含むキット。
【請求項１６】
ナノ粒子が、量子ドット、金属ナノ粒子、金属酸化物ナノ粒子、又は遷移金属錯体ナノ粒子を含む請求項１５に記載のキット。
【請求項１７】
ＤＮＡ結合分子が、副溝バインダー、主溝バインダー、ＤＮＡ介入剤、ＤＮＡアルキル化剤、又はそれらの組合せである請求項１５に記載のキット。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月29日(2014.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
縦方向に延びる内腔軸を決める曲がりくねった本体と、
該曲がりくねった本体の横軸に沿って互いに反対側に配置される基端及び先端とを備え、
前記曲がりくねった本体は、基端と先端とが最大限離間する第一形態と、基端と先端とが第一形態よりも互いに近くになっている第二形態とを含むことを特徴とする低侵襲の椎間インプラント。
【請求項２】
前記曲がりくねった本体は、第一形態から第二形態への移行の際に塑性的に変形する生体ヒンジによって連結されるセグメントを有する請求項１記載の低侵襲の椎間インプラント。
【請求項３】
前記生体ヒンジは、曲がりくねった本体を第二形態に係止する請求項２記載の低侵襲の椎間インプラント。
【請求項４】
基端と先端との少なくとも一つは、移植ツールを受けるための開口を含む請求項１記載の低侵襲の椎間インプラント。
【請求項５】
曲がりくねった本体の縦方向に対向する面の少なくとも一つは、骨との固定接触を促進するテクスチャを含む請求項１記載の低侵襲の椎間インプラント。
【請求項６】
基端は、外表面に反対側に配置され基端側に延設される一対の溝部を含み、前記溝部は、移植ツールの突起部を収容するように構成される請求項１記載の低侵襲の椎間インプラント。
【請求項７】
曲がりくねった本体は、チタン、チタン合金、ポリエーテルエーテルケトンからなる群から選択される剛性の生物学的に不活性物質を含む請求項１記載の低侵襲の椎間インプラント。
【請求項８】
インプラントと、移植ツールとを備え、
前記インプラントは、縦方向に延びる内腔軸を決める曲がりくねった本体と、該曲がりくねった本体の横軸に沿って互いに反対側に配置される基端及び先端とを有し、前記曲がりくねった本体は、基端と先端とが最大限離間する第一形態と、基端と先端とが第一形態よりも互いに近くになっている第二形態とを含んで構成されており、
前記移植ツールは、カニューレと、シャフトと、ハンドルとを有し、
前記カニューレは、先端から前方に延びてインプラントの基端における溝部に係止する一対の突起部を有し、
前記シャフトは、カニューレを通って長手方向に摺動自在に配置されるように構成され、インプラントの先端に係止するように構成されるねじ込み先端を有し、シャフトの先端は、カニューレの先端から伸びるように構成されており、
前記ハンドルは、シャフトの基端に取り付けられ、回転によって、曲がりくねった本体を第一形態から第二形態に移行させるように構成される低侵襲の椎間インプラントシステム。
【請求項９】
ハンドルの回転は、カニューレの先端から第一位置と第二位置との間にシャフトの先端を移動させ、第一形態から第二形態に曲がりくねった本体を移行するように、曲がりくねった本体に圧縮力を加える請求項８記載のインプラントシステム。
【請求項１０】
シャフトのねじ込み先端は、曲がりくねった本体の先端開口に螺合するように構成される請求項８記載のインプラントシステム。
【請求項１１】
曲がりくねった本体は、第一形態から第二形態への移行の際に塑性的に変形する生体ヒンジによって連結されるセグメントを有する請求項８記載のインプラントシステム。
【請求項１２】
前記生体ヒンジは、曲がりくねった本体を第二形態に係止する請求項１１記載のインプラントシステム。
【請求項１３】
カニューレの基端に着脱自在に取付けられる先端を有するファネルと、
カニューレを通ってインプラントの内部容積に骨移植材を押すために、ファネルの内腔にスライディングシールを形成するように構成されるプランジャとを含む請求項８記載のインプラントシステム。
【請求項１４】
カニューレに固定して設けられる回転位置インジケータを含む請求項８記載のインプラントシステム。
【請求項１５】
外部カバーは、カニューレの基端に取り付けられており、
第一と第二の位置マークは、ハンドルの先端近傍に配置されており、
第一マークは、視認可能であり、第二マークは、カバー体によって明白に遮られるとき、シャフトの先端は、カニューレから第一位置に伸びており、
第一マークと第二マークとは両方、視認可能なとき、シャフトの先端は、カニューレから第二位置に伸びている請求項８記載のインプラントシステム。