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【手続補正書】
【提出日】平成24年2月24日(2012.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原油の流れに含まれる塩分を低減させる方法であって、
混合された油／水の流れを生成するために、水流を前記原油の流れの中に分散させる工程と、
前記混合された油／水の流れの均質性を増加させるために、前記混合された油／水の流れを複数の混合ステージに送る工程と、
前記混合された油／水の流れを分離容器に送る工程と、
前記分離容器において前記混合された油／水の流れを静電的に処理する工程と、
前記分離容器の下部から水を抽出する工程と、
前記分離容器の上部から処理された油を抽出する工程と、を含み、
前記分離容器に送る工程によって前記塩分の少なくとも実質的な部分は前記混合された油／水の流れに含まれる水に吸収されることを特徴とする、方法。
【請求項２】
少なくとも１つの前記混合ステージには３乃至５ｐｓｉ（０．２乃至０．３バール）の範囲内の差圧があることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
少なくとも１つの前記混合ステージには約２５ｐｓｉ（１．７バール）の差圧があることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記混合ステージはブーストポンプを含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記混合ステージの１つには、５乃至２０ｐｓｉ（０．３乃至１．４バール）の差圧があることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記水流を排出水の流れで前処理する工程を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記分離容器から抽出された前記水の一部を前記水流に回収し、前記油／水の流れを生産することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記複数の混合ステージは、第１混合ステージ、第２混合ステージ、第３混合ステージ、及び第４混合ステージを含み、各混合ステージは前記混合された油／水の流れの均質性を増加させることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記分離容器において前記混合された油／水の流れを静電的に処理する前記工程は、二重極性静電分離容器及び二重周波数静電分離容器から選択された分離容器を用いることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
湿潤剤を前記水流に加える工程をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
炭化水素を脱塩させるシステムであって、
原油の流れと、
水流と、
クイールと、
第１混合ステージ、第２混合ステージ、第３混合ステージ、及び第４混合ステージと、
前記第４混合ステージの下流に位置する分離容器と、を含み、
前記分離容器は、二重極性静電分離容器と二重周波数静電分離容器とのグループから選択され、
前記混合ステージの各々は、混合された油／水の流れの均質性を増加させるために効果的であり、
前記第１混合ステージ及び前記第３混合ステージは静的混合機を含み、かつそれぞれは前記第２混合ステージよりも圧力の低い混合ステージであり、
前記第２混合ステージは、前記混合された油／水の流れを前記第３混合ステージ及び前記第４混合ステージを通して流すために効果的な圧力上昇を提供し、
前記第４混合ステージは混合バルブを含み、前記第３混合ステージよりも増加された混合エネルギを提供可能である、
ことを特徴とする、システム。
【請求項１２】
洗浄水及び排出水を含む前記水流をさらに含むことを特徴とする、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
静的混合機を含む水混合ステージをさらに含むことを特徴とする、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
３乃至５ｐｓｉ（０．２乃至０．３バール）の範囲内の差圧がある、前記第１混合ステージ及び前記第３混合ステージの少なくとも１つを含むことを特徴とする、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１５】
ブーストポンプを含む前記第２混合ステージをさらに含むことを特徴とする、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１６】
約２５ｐｓｉ（１．７バール）の差圧がある前記第２混合ステージをさらに含むことを特徴とする、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１７】
５乃至２０ｐｓｉ（０．３乃至１．４バール）の範囲内の差圧がある前記第２混合ステージをさらに含むことを特徴とする、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１８】
前記第１混合ステージ及び前記第２混合ステージを回避するためのバイパス配管をさらに含むことを特徴とする、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１９】
湿潤剤を含む前記水流をさらに含むことを特徴とする、請求項１１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月7日(2012.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
［式中、ＲはＨ、Ｃ1〜Ｃ26−アルキル−、アリール−、又はヘタリールであり；Ｒ1はＨ、又はメチル−、又はエチル−、又はエテニル−アリール、又はヘタリールであり；Ｒ2はＨ、又はメチル−、又はエチル−、又はエテニル−アリール、又はヘタリールであり；そしてＲ3はＨ、又はメチル−、又はエチル−、又はエテニル−アリール、又はヘタリールである］
を有するチタンアトランである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリ酸及びポリオールをエステル化させてモノマーを生成させ；そして
アトラン含有触媒の存在下に重縮合によって前記モノマーを重合させて非環状ポリエステルを形成させること
を含んでなるポリエステルの製造方法。
【請求項２】
前記アトラン含有触媒がチタンアトラン触媒である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ポリ酸がテレフタル酸、イソフタル酸、シクロヘキサンジカルボン酸、ナフタレンジカルボン酸、トリメシン酸、トリメリット酸又はその無水物である請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記ポリオールがエチレングリコール、ジエチレングリコール、シクロヘキサンジメタノール、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、イソソルビド、レソルシノール、ヒドロキノン、トリメチロールプロパン又はペンタエリスリトールである請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記ポリエステルがポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリトリメチレンテレフタレート又はポリエチレンナフタレートである請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記触媒が、重縮合工程において、５〜２５０ｐｐｍの濃度で存在する請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記エステル化工程を２００℃超の温度で実施する請求項１に記載の方法。
【請求項８】
溶融相及び固体状態相を含む前記重縮合工程を、溶融相に対しては２６０〜２９０℃の温度で、そして固体状態相に対しては１９０〜２３０℃の温度で、実施する請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記エステル化工程を１〜１０ｂａｒの圧力において実施する請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
溶融相及び固相状態を含む前記重縮合工程を、３．０〜０．１ｍｂａｒの圧力において実施する請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
非環状エステル重縮合に使用するチタンアトラン含有触媒。
【請求項１２】
前記触媒が構造：
【化１】
2011515554.tif 000001
［式中、ＲはＨ、Ｃ1〜Ｃ26−アルキル−、アリール−、又はヘタリールであり；Ｒ1はＨ、又はメチル−、又はエチル−、又はエテニル−アリール、又はヘタリールであり；Ｒ2はＨ、又はメチル−、又はエチル−、又はエテニル−アリール、又はヘタリールであり；そしてＲ3はＨ、又はメチル−、又はエチル−、又はエテニル−アリール、又はヘタリールである］
を有する請求項１１に記載の触媒。
【請求項１３】
（ａ）チタン（ＩＶ）アルコキシド化合物及び第１の溶媒を含む溶液を有機酸と接触させ；
（ｂ）工程（ａ）で形成された溶液を置換又は非置換トリアルカノールアミンと接触させて非純粋触媒を形成させ；そして
（ｃ）前記非純粋触媒を精製してチタンアトラン触媒を形成させる
ことを含んでなるチタンアトラン触媒の製造方法。
【請求項１４】
前記チタン（ＩＶ）アルコキシド化合物がチタンｎ−ブチレート、チタンイソプロピレート、チタンｎ−プロピレート、チタンｔ−ブチレート又はチタンエチレートである請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の溶媒が第一アルコール、第二アルコール又は第三アルコールである請求項１３又は１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記有機酸がカルボン酸である請求項１３〜１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
前記有機酸が酢酸又はプロピオン酸である請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記トリアルカノールアミンがトリエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン又は置換トリエタノールアミンである請求項１３〜１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
前記工程（ｃ）が、
ｃ１）前記非純粋触媒から第１の溶媒を蒸発させて、不所望の副生成物を除去し；
ｃ２）前記工程ｃ１）の生成物を第２の溶媒と接触させて、懸濁固体を形成させ；そして
ｃ３）前記懸濁固体を煮沸して、精製チタンアトラン触媒を形成させる
ことを更に含む請求項１３に記載の方法。
【請求項２０】
前記工程ｃ２）の前記第２の溶媒がトルエン、アルキル置換芳香族及び長鎖アルカンからなる群から選ばれる請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月23日(2012.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
好ましくは、オリゴマー化は、２バール未満、より好ましくは１．８バール未満の圧力で制御されたモノマー添加によって行われる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
好ましくは、オリゴマー化は、制御されたモノマー添加によって行われる。“制御されたモノマー添加”という表現は、添加が、比較的一定のＨＦＰＯ流（連続供給）で安定され、そして温度と圧力もまた、冷却ジャケットの温度及び反応容器の温度をそれぞれ調節することによって、可能な限り一定に保たれる（一定の圧力とは、プラスマイナス１０℃、好ましくはプラスマイナス５℃、より好ましくは、プラスマイナス２℃を意味し；圧力は、３バール、好ましくは２バール、より好ましくは１．８バールを超えて上昇させてはならず、そして、反応容器中の圧力は、３０％、好ましくは２０％を超えて変化してはならない）。しかしながら、温度と圧力を調節する好ましい方法は、ＨＦＰＯの添加速度を調整することである。圧力又は温度が設定した限度を超えて上昇する場合、ＨＦＰＯの添加速度は低減される（が、好ましくはＨＦＰＯの添加は完全には停止しない）、また、温度又は圧力が、設定した限度を下回って降下する場合、ＨＦＰＯの添加速度は高められる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月16日(2012.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱効率を高めた合成ガスを製造するためのバッチ処理装置であって、
酸素の欠乏した雰囲気において有機材料を加熱することによって前記有機材料を熱分解し、ＣＯ及びＨ２をほぼ含む合成ガスを発生させる熱分解室と、
水性ガスシフト反応ゾーンを有し、前記合成ガス内のタールをより単純な炭素分子に解離するように前記合成ガスの温度を上昇させる改質装置ユニットと、
前記熱分解室と前記水性ガスシフト反応ゾーンとの間でガスを繰り返し循環させる循環ループを形成する導管手段と、
水性ガスシフト反応によってＣＯが消費されてＨ２が生じるように、前記水性ガスシフト反応ゾーンにおいて循環する前記ガスに蒸気を加える手段であって、前記水性シフト反応の生成物が、前記反応の際に消費される前記ＣＯに熱効率の高いガスを補充して前記合成ガス中に存在するＨ２の割合を高める、蒸気を加える手段と、
前記改質装置ユニットに並行し、合成ガスを前記改質装置ユニットに通さずに前記熱分解室へと循環させるバイパス導管と、
を含み、
使用の際、熱効率を高めた前記合成ガスを前記熱分解室に再循環させることでその中の有機材料への熱伝達を高めてガス化にかかる時間を短縮する、
前記装置。
【請求項２】
前記改質装置ユニット内の前記合成ガスの水素含有量をモニタし、これに従って前記熱分解室と前記水性ガスシフト反応ゾーンとの間のガスの循環を制御する制御システムを更に含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
制御システムを含み、前記制御システムは前記改質装置ユニット内の前記合成ガスの組成をモニタする手段を有し、これに従って、前記制御システムは、ガス合成装置及び蒸気発生手段のうちの少なくとも１つへの前記ガスの供給を制御する、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記ガス合成装置及び前記蒸気発生手段へのガスの移動を制御する手段を更に含み、前記制御システムは前記手段を制御し、これに従って前記ガス合成装置及び前記蒸気発生手段のうちの少なくとも１つへの前記ガスの供給を制御する、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記改質装置ユニット内の前記合成ガスの水素含有量に従って前記ガスへの蒸気の注入を制御する制御システムを更に含む、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記改質装置ユニットは前記循環ループ内の前記水性ガスシフト反応ゾーンの下流に混合室を有し、前記混合室内の前記合成ガスの水素含有量をモニタし、これに従って、前記熱分解室と前記水性ガスシフト反応ゾーンとの間のガスの前記循環を制御する制御システムを更に含み、前記制御システムは前記改質装置ユニット内の前記合成ガスの水素含有量に従って前記ガスへの蒸気の前記注入を制御し、前記改質装置ユニット内の前記ガスに蒸気を注入する前記手段は、前記混合室に蒸気を注入するように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記制御システムは、前記熱分解室と前記改質装置ユニットとの間で前記合成ガスを３回よりも多く、最大で２４回循環させるように機能することができる、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
合成ガスをバッチ処理で製造するために有機材料をバッチ処理する方法であって、
酸素の欠乏した雰囲気において有機材料を加熱することによって有機材料のバッチを熱分解室で熱分解し、ＣＯ及びＨ２を含む合成ガスを製造することと、
前記合成ガスを改質装置ユニットに通し、前記改質装置ユニットにおいてタールをより単純な炭素分子に解離するように前記合成ガスの温度を上昇させ、前記合成ガスを前記熱分解室に戻すことであって、前記合成ガスを前記改質装置ユニットに通すことが蒸気を前記合成ガスに導入することを含み、これによって前記蒸気はＣＯが消費されてＨ２が生じる水性ガスシフト反応を経て、前記水性シフト反応の生成物が、前記反応の際に消費される前記ＣＯに熱効率の高いガスを補充して前記合成ガス中に存在するＨ２の割合を高める、前記合成ガスの前記改質装置ユニットを介する通過と、
熱容量を高めた前記合成ガスを前記熱分解室に再循環させてその中の前記有機材料をガス化することと、
を含み、
前記反応の際に消費されるエネルギーに取って代わるようにエネルギーが供給され、
再循環する前記合成ガスの温度が所望のレベルに達すると前記改質装置を回避して前記ガスの温度のレベルが高くなりすぎるのを防ぐ、
前記方法。
【請求項９】
消費される前記ＣＯが連続して補充される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記合成ガスは、前記熱分解室と前記改質装置との間で３回よりも多く、最大で２４回循環する、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記合成ガスの水素含有量を決定するために、前記合成ガスの組成が前記改質装置ユニットにおいてモニタされ、水素の発生を促すために、モニタされた前記水素含有量に従って蒸気が前記水性ガスシフト反応ゾーンに加えられることを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
ガスの循環速度を制御することによって前記処理を制御することを更に含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記合成ガスが１つ以上の所定の制御品質管理基準を達成しているかを決定するために合成ガスの各バッチが評価され、前記所要の品質管理基準を達成している場合、合成ガスの前記バッチは前記合成処理に向けて放出され、そうでない場合、前記バッチは前記合成ガスの製造を増強するために用いられる蒸気の発生に使用される、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記合成ガスを用いて蒸気を発生させることが、前記合成ガスを導管に沿ってボイラに送ることを含み、前記ボイラで発生した前記蒸気が前記水性シフト反応での使用のために前記改質装置に送られる、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月15日(2012.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
（ｅ）ポリオール
別の態様では、本発明のポリウレタンウレアは、少なくとも１種の別のポリオールに由来する単位を付加的に含んでなる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
試験に必要な静脈血を、少なくとも１０日間薬剤を服用しなかった男性提供者から１９Ｇカニューレを介して採取した。ヘパリン（２ＬＵ／ｍＬ）を添加することによって凝血を防いだ。次いで、このように調製した血液を、ポリウレタン表面を備え、３７℃に予備加熱したインキュベーションチャンバーに挿入し、３７℃でチャンバーを不変回転させながら２時間インキュベートした。使用した比較材料は、ガラスおよびポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）であった。ガラスは、血液凝固にとって強活性化表面であり、ＰＴＦＥは、多くの用途に許容できるポリマー材料である（U. Strellerら、J. Biomed. Mater. Res B, 2003, 66B, 379-390参照）。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月30日(2012.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１−ブテンポリマー組成物であり、当該組成物は、
ａ）  アイソタクチック１−ブテンホモポリマーまたは１−ブテンと０〜３モル％のエチレン誘導単位を含有するエチレンとのコポリマーおよび/または１−ブテンと０〜１５モル％のプロピレン誘導単位を含有するプロピレンとのコポリマーであって、下記の特徴：
ｉ）９０％を超える、１３Ｃ−ＮＭＲにより測定したアイソタクチックペンタド（ｍｍｍｍ）；
ｉｉ）９０℃を超える融点（ＴｍＩＩ）；および
ｉｉｉ）０．５ｄｌ／ｇ〜５．０ｄｌ／ｇからなる、１３５℃のテトラヒドロナフタレン（ＴＨＮ）中で測定した極限粘度（ＩＶ）
を有する上記ホモポリマーまたはコポリマーを１０重量％〜９０重量％；ならびに
ｂ）  １−ブテンと少なくとも１種のＣ８〜Ｃ１２アルファ−オレフィン誘導単位とのコポリマーであって、０モル％〜１０モル％のプロピレンもしくはペンテン誘導単位を含有、および／または０モル％〜５モル％のエチレン誘導単位を含有し、Ｃ８〜Ｃ１２アルファ−オレフィン誘導単位の含量が４．０モル％よりも高く２０．０モル％よりも低い前記コポリマーであって、下記の特徴；
ｉ）１３ＣＮＭＲにより、アイソタクチックペンタドｍｍｍｍが９０％以上；ペンタド（ｍｍｒｒ＋ｍｒｒｍ）が４よりも低く、そしてペンタドｒｍｍｒが検出できない；
ｉｉ）０．８ｄｌ／ｇ〜５．０ｄｌ／ｇからなる、１３５℃のテトラヒドロナフタレン中で測定した極限粘度（ＩＶ）
ｉｉｉ）ＤＳＣにより測定した融点（ＴｍＩ）およびＣ８〜Ｃ１２アルファオレフィン含量が次の関係：
ＴｍＩ＜１３０×Ｃ−０．３（式中、ＣはＣ８〜Ｃ１２アルファオレフィン誘導単位のモル含量であり、ＴｍＩは、室温で２０００バールのオートクレーブ中で１０分間エージングし、次いで、少なくとも２４時間２３℃でエージングした圧縮成型プラークを用いてＤＳＣにより測定して第１融解転移における最大溶融ピークであり；そうでなければ融点ＴｍＩは検出できない）を満たす；
を有する前記コポリマー９０重量％〜１０重量％
を含む前記１−ブテンポリマー組成物。
【請求項２】
Ｃ８−Ｃ１２アルファーオレフィンが１−オクテンである、請求項１に記載の１−ブテンポリマー組成物。
【請求項３】
１−ブテンポリマー組成物の１００％変形永久伸び（％）は、得られる組成物について同じ種類および量のコモノマー含量を有する１−ブテンコポリマーの１００％変形永久伸び（％）よりも低い、請求項１〜２のいずれかに記載の１−ブテンポリマー組成物。
【請求項４】
１−ブテンポリマー組成物の１００％変形永久伸び（％）は、得られる組成物について同じ種類および量のコモノマー含量を有する１−ブテンコポリマーの１００％変形永久伸び（％）よりも２０％低い、請求項１〜３のいずれかに記載の１−ブテンポリマー組成物。
【請求項５】
成分ａ）の融点（ＴｍＩＩ）が９２℃を超える、請求項１〜４のいずれかに記載の１−ブテンポリマー組成物。
【請求項６】
成分ｂ）は、１−ブテンと少なくとも１種のＣ８−Ｃ１２アルファ−オレフィン誘導単位、好ましくは、少なくとも１−オクテン誘導単位とのコポリマーであり、０モル％〜２モル％のプロピレンもしくはペンテン誘導単位を含有し、８．０モル％よりも高く２０．０モル％よりも低いＣ８−Ｃ１２アルファ−オレフィン誘導単位の含量を有し、さらに下記の特徴、
ｉｖ）第２溶融走査において融点ＴｍＩＩが検出できない；
ｖ）ＤＭＴＡで測定した引張弾性率（ＴＭ）（ＭＰａ）およびコモノマー含量が次の関係：
ＴＭ＜−１４ｘＣ＋２００（式中、ＣはＣ８−Ｃ１２アルファ−オレフィン誘導単位のモル含量である）を満たし；
ｖｉ）１００％変形時の永久伸びが５５％よりも低い
特徴を有する、請求項１〜５のいずれかに記載の１−ブテンポリマー組成物。
【請求項７】
前記特徴ｖ）において、該関係が：ＴＭ＜−１３ｘＣ＋１８０  である、請求項６に記載の１−ブテンポリマー組成物。
【請求項８】
前記成分ａ）が２０重量％〜８０重量％であり、成分ｂ）が８０重量％〜２０重量％である、請求項１〜７のいずれかに記載の１−ブテンポリマー組成物。
【請求項９】
成分ａ）が、好ましくは、９２％を超える、１３ＣＮＭＲにより測定したアイソタクチックペンタド（ｍｍｍｍ）を有する、請求項１〜８のいずれかに記載の１−ブテンポリマー組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月14日(2012.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの場合により下塗りされていてもよい面、および、該場合により下塗りされていてもよい面の少なくとも１つの上の単一層を有する耐水性支持体を含んでなる印刷可能な紙であって、該単一層が実質的な組成変動を有さず、少なくとも３μｍの層厚さ、少なくとも１．２ｍＬ／ｍ２の孔容量を有しそして少なくとも１種の多孔性顔料を含んでなる印刷可能な紙。
【請求項２】
該単一層が少なくとも１種のアニオン性アクリル系ラテックスまたは脂肪族ポリウレタンラテックスをさらに含んでなる、請求項１に記載の印刷可能な紙。
【請求項３】
該単一層が少なくとも１種の水溶性結合剤をさらに含んでなる、請求項２に記載の印刷可能な紙。
【請求項４】
該ラテックスが水酸化アンモニウムで可溶性化されていない限り該単一層が少なくとも１種の不溶化剤をさらに含んでなる、請求項３に記載の印刷可能な紙。
【請求項５】
該耐水性支持体が、透明でない微孔性の軸延伸された直接押し出された線状ポリエステルであり、該線状ポリエステルより高いガラス転移温度を有する少なくとも１種の非晶質高重合体および／または該線状ポリエステルマトリックスのガラス転移温度より高い融点を有する少なくとも１種の結晶性高重合体を内部に分散させて有する該線状ポリエステルである、請求項１に記載の印刷可能な紙。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月9日(2011.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークの回転対称的な外周面の少なくとも１つの軸方向区分を加熱するための装置において、
ワークをその回転軸線を中心にして回転させるための回転手段と、誘導器とを有しており、
該誘導器の軸方向長さが、少なくとも、ワークの前記軸方向区分に向かい合う位置に設けられた領域内において、前記軸方向区分の軸方向長さよりも短く構成されており、
前記誘導器が、ワークの前記軸方向区分に向かい合う位置に対して所定の間隔を保って設けられた箇所を有しており、
前記誘導器は、前記箇所がワークの前記軸方向区分の長手方向輪郭に対して所定の間隔を保って該長手方向輪郭に沿って摺動可能であるように、移動運動可能に構成されており、
前記誘導器の移動運動が、該誘導器の回転軸線方向における任意の成分と、この任意の成分に対して垂直な成分とから構成されている、
ことを特徴とする、回転対称的な構成部分を誘導加熱するための装置。
【請求項２】
誘導器が環状に構成されている、請求項１記載の装置。
【請求項３】
誘導器が、１巻きの誘導コイルとして構成されている、請求項１又は２記載の装置。
【請求項４】
ワークが、該ワークの、ほぼ垂直に整列された回転軸線を中心にして、回転手段によって回転可能である、請求項１から３までのいずれか１項記載の装置。
【請求項５】
前記誘導器が、垂直方向の運動成分に関連して加熱するために、下方から上方に移動可能に設けられている、請求項１から４までのいずれか１項記載の装置。
【請求項６】
誘導器の前記箇所の運動に倣って移動運動可能な焼入れ装置を有している、請求項１から５までのいずれか１項記載の装置。
【請求項７】
前記焼入れ装置が誘導器の下に配置されている、請求項６記載の装置。
【請求項８】
ワークが中空であって、それぞれ加熱された周壁領域とは反対側の、ワーク壁部の他方側の周壁領域が、誘導器の前記箇所に倣って移動運動可能な冷却装置によって冷却可能である、請求項１から７までのいずれか１項記載の装置。
【請求項９】
ワークの前記軸方向区分が、円筒形とは異なる形状である、請求項１から８までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１０】
ワークの前記軸方向区分が、円錐台形周壁の形を有している、請求項１から９までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１１】
ワークの前記軸方向区分が、ワークの外周面に所属している、請求項１から１０までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１２】
ワークの前記軸方向区分が、中空円筒形状のワークの内周面に所属していて、前記誘導器が、前記ワークの内周面よりも直径の小さい外周面を有している、請求項１から１０までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１３】
ワークの前記軸方向区分が、円錐ころ軸受の内レース部材又は外レース部材の転動面領域に所属している、請求項１から１２までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１４】
ワークの回転対称的な外周面の少なくとも１つの軸方向区分を加熱するための方法において、
ワークをその回転軸線を中心にして回転させるステップと、
少なくともワークの前記軸方向区分に向かい合う位置に設けられた領域内における、前記誘導器の軸方向長さが、前記軸方向区分の軸方向長さよりも短く構成された誘導器の、ワークの前記軸方向区分に向かい合う位置に対して所定の間隔を保って設けられた箇所を、ワークの前記軸方向区分の長手方向輪郭に対して所定の間隔を保って該長手方向輪郭に沿って移動させ、この際に、前記誘導器の前記移動運動が、回転軸線方向における任意の成分と、この任意の成分に対して垂直な成分とから構成されるように、前記誘導器を移動させるステップと、
を有していることを特徴とする、ワークの回転対称的な外周面の少なくとも１つの軸方向区分を加熱するための方法。
【請求項１５】
ワークを、該ワークの、ほぼ垂直に整列された回転軸線を中心にして回転させる、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記誘導器を、垂直方向の運動成分に関連した加熱のために、下方から上方へ移動させる、請求項１４又は１５記載の方法。
【請求項１７】
前記装置に、誘導器の前記箇所の運動に倣って移動運動可能な焼入れ装置を設ける、請求項１４から１６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１８】
前記ワークを中空に構成し、それぞれ加熱された周壁領域とは反対側の、ワーク壁部の他方側の周壁領域を、誘導器の前記箇所に倣って移動運動可能な冷却装置によって冷却する、請求項１４から１７までのいずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月14日(2012.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの正極および少なくとも一つの負極を包含する、複数部分から成る金属ホイル筐体を有するガルバニ素子において、該ホイル筐体が、酸性基を有するか、および／または無水基を有するか、および／またはそれらから誘導される基を有するポリマーから、少なくともある程度構成されている多層複合ホイルであって、該ホイル筐体の部分同士を互いに絶縁している多層複合ホイルによって封止されている、ガルバニ素子。
【請求項２】
前記ホイル筐体が、二つの半分体から構成され、その内、一方は前記少なくとも一つの正極に直接接触し、他方は前記少なくとも一つの負極に直接接触することを特徴とする、請求項１に記載のガルバニ素子。
【請求項３】
前記多層複合ホイルが、酸性基を有するか、および／または無水基を有するか、および／またはそれらから誘導される基を有するポリマーによって構成される層を少なくとも1層含むことを特徴とする、請求項１または２に記載のガルバニ素子。
【請求項４】
酸性基を有するか、および／または無水基を有するか、および／またはそれらから誘導される基を有する前記ポリマーが、アクリル酸および／またはメタクリル酸系ポリマーであることを特徴とする、請求項３に記載のガルバニ素子。
【請求項５】
前記複合ホイルが、ポリオレフィンから製造される少なくとも1層を有することを特徴とする、請求項３または４に記載のガルバニ素子。
【請求項６】
前記ポリオレフィンがポリプロピレン(PP)であることを特徴とする、請求項５に記載のガルバニ素子。
【請求項７】
前記複合ホイルが、酸性基を有するか、および／または無水基を有するか、および／またはそれらから誘導される基を有するポリマーから製造される、少なくとも二つの層、および、ポリオレフィンから製造される、少なくとも一つの層を包含し、その際、後者の層は、酸性基を有するか、および／または無水基を有するか、および／またはそれらから誘導される基を有するポリマーから製造される、該少なくとも二つの層の間に配置されていることを特徴とする、請求項５または６に記載のガルバニ素子。
【請求項８】
前記ポリオレフィンから製造される、前記少なくとも一つの層と、酸性基を有するか、および／または無水基を有するか、および／またはそれらから誘導される基を有するポリマーから製造される、前記少なくとも二つの層との間に、さらに別のポリマーから製造される、少なくとも一つの追加層が配置されていることを特徴とする、請求項７に記載のガルバニ素子。
【請求項９】
前記さらに別のポリマーが、ポリオレフィンであることを特徴とする、請求項８に記載のガルバニ素子。
【請求項１０】
前記さらに別のポリマーが、ポリエチレンであることを特徴とする、請求項８に記載のガルバニ素子。
【請求項１１】
前記ガルバニ素子が、少なくとも一つの正極として、少なくとも一つのリチウム介在電極を有することを特徴とする、請求項１から１０のいずれかに記載のガルバニ素子。
【請求項１２】
少なくとも一つの負極として金属リチウムを有することを特徴とする、請求項１から１１のいずれかに記載のガルバニ素子。
【請求項１３】
前記ホイル筐体が、銅および／または銅合金から構成されることを特徴とする、請求項１から１２のいずれかに記載のガルバニ素子。
【請求項１４】
その電池高さが200 μmから500 μmであることを特徴とする、請求項１から１３のいずれかに記載のガルバニ素子。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれかに記載のガルバニ素子を有することを特徴とするチップカード。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月19日(2012.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
極端紫外線範囲内の波長を有する放射ビームを生成する放射源における使用のためのターゲット材料であって、Ｇｄの溶融温度を変更するように構成されたＧｄベースの組成物を含む、ターゲット材料。
【請求項２】
前記組成物はＧｄの前記溶融温度を低下させるように構成されている、請求項１に記載のターゲット材料。
【請求項３】
前記組成物は、Ｇｄとさらなるエレメントとの共晶合金を含む、請求項２に記載のターゲット材料。
【請求項４】
前記さらなるエレメントは、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｃｄ、ＲｕおよびＲｈからなる群から選択される、請求項３に記載のターゲット材料。
【請求項５】
前記共晶合金におけるＧｄ原子量の割合は、約６０パーセント〜約９０パーセントの範囲内である、請求項３または４に記載のターゲット材料。
【請求項６】
前記ターゲット材料は複数の成形前の固体小滴を含む、請求項１〜５のうちのいずれかに記載のターゲット材料。
【請求項７】
極端紫外線範囲内の波長を有する放射ビームを生成するためのターゲット材料であって、複数の成形前の固体小滴として構成されたＧｄを含む、ターゲット材料。
【請求項８】
前記ターゲット材料は、Ｇｄ、Ｇｄ酸化物、Ｇｄ共晶合金またはＧｄ塩のコロイド化合物を含む、請求項７に記載のターゲット材料。
【請求項９】
前記塩は水溶性であり、前記固体小滴はＧｄ塩の凝固した水溶液を含む、請求項８に記載のターゲット材料。
【請求項１０】
極端紫外線範囲内の波長を有する放射ビームを生成する放射源において使用されるターゲット材料であって、テルビウムを含む、ターゲット材料。
【請求項１１】
前記テルビウムは共晶合金に設けられる、請求項１０に記載のターゲット材料。
【請求項１２】
複数の固体小滴として構成されている、請求項１０または１１に記載のターゲット材料。
【請求項１３】
請求項１０、１１または１２のうちのいずれかに記載のターゲット材料を含む、放射源。
【請求項１４】
パターン付けされた放射ビームを基板上に投影することを含むデバイス製造方法であって、前記放射はテルビウムを含むターゲット材料を用いて生成される、デバイス製造方法。
【請求項１５】
Ｇｄの溶融温度を変更するように構成されたＧｄベースの組成物と、前記放射ビームを生成するためにレーザビームを前記ターゲット材料に供給するレーザ源とを含む、放射源。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
[0021]  本発明の一態様によると、テルビウムを含むターゲット材料を用いて放射を生成することと、放射をパターン付けすることと、パターン付けされた放射ビームを基板上に投影することとを含むデバイス製造方法が提供される。
そのような方法を促進するため、超ＥＵＶの領域における波長をもつ放射ビームを発生する放射源に使用されるターゲット材料が提供されてもよい。また、ターゲット材料は、共晶合金に設けられるテルビウムを含む。テルビウム、例えば、共晶合金は、複数の固体小滴として構成されてもよい。ターゲット材料を含む放射源が提供されてもよい。リソグラフィ装置は、当該放射源を含んでいてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ターゲット材料、放射源、およびこれらを用いたデバイス製造方法
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2011515810.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2011515810.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月7日(2012.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
本発明は以下の内容を包含する。
（１）カソード組成物であって、
外側表面を有する複数個の粒子と、
前記粒子の前記外側表面の少なくとも一部と接触するリチウム電極材料を含む層と、を備え、
前記粒子が、マンガン、ニッケル、及びコバルトから選択される、少なくとも１つの金属を含む、リチウム金属酸化物を含み、
前記リチウム電極材料が、前記粒子の再充電電圧対Ｌｉ／Ｌｉ＋未満の再充電電圧対Ｌｉ／Ｌｉ＋を有する、カソード組成物。
（２）前記リチウム金属酸化物が、Ｏ３構造を採用する、項目（１）に記載のカソード組成物。
（３）前記リチウム金属酸化物が、化学式Ｌｉ［ＬｉｘＭｎａＮｉｂＣｏｃ］Ｏ２、式中、−０．４＜ｘ＜０．６、ａ、ｂ、及びｃのそれぞれが０．０２より大きく、かつ０．９６未満、並びにｘ＋ａ＋ｂ＋ｃ＝１、を有する、項目（１）に記載のカソード組成物。
（４）前記リチウム金属酸化物が、化学式、Ｌｉ［ＬｉｘＭｎａＮｉｂＣｏｃ］Ｏ２、式中、ａ、ｂ、及びｃが、ａ、ｂ、及びｃが約０．３３、ａ及びｂが約０．５、かつｃが約ゼロ、ａ及びｂが約０．４２、かつｃが約０．１６、並びにａが約０．５、ｂが約０．３、かつｃが約０．２である、値から選択される、を有する、項目（３）に記載のカソード組成物。
（５）前記リチウム金属酸化物が、アルミニウム、ホウ素、カルシウム、及びマグネシウムから選択される、１つ以上の金属を更に含む、項目（１）に記載のカソード組成物。
（６）前記１つ以上の金属が、本質的にアルミニウム及びマグネシウムからなる、項目（５）に記載のカソード組成物。
（７）前記粒子が、２つ以上の相を備える、項目（１）に記載のカソード組成物。
（８）前記リチウム電極材料が、ナノ粒子を含む、項目（１）に記載のカソード組成物。
（９）前記リチウム電極材料が、ＬｉＦｅＰＯ４、Ｌｉ４Ｔｉ５Ｏ１２、Ｌｉ２ＦｅＳ２、ＬｉＶ６Ｏ１３、及びこれらの組み合わせから選択される、項目（１）に記載のカソード組成物。
（１０）前記リチウム電極材料が、ＬｉＦｅＰＯ４、Ｌｉ４Ｔｉ５Ｏ１２、及びこれらの組み合わせから選択される、項目（９）に記載のカソード組成物。
（１１）前記リチウム電極材料が、連続する層を備える、項目（１）に記載のカソード組成物。
（１２）項目（１）に記載のカソード組成物を含む、電極。
（１３）少なくとも１つの、項目（１２）に記載の電極を備える、電気化学セル。
（１４）前記セルが、Ｃ／４レートでの約４．６Ｖ〜約２．５ボルト対Ｌｉ／Ｌｉ＋の１００回の充電／放電サイクルの後、その初期可逆性比容量の少なくとも９０％を維持する、項目（１３）に記載の電気化学セル。
（１５）少なくとも２つの、項目（１３）に記載の電気化学セルを備える、電池パック。
（１６）項目（１３）に記載の電気化学セルを備える、電子装置。
（１７）カソード組成物を作製する方法であって、
外側表面を有する複数個の粒子を提供する工程と、
リチウム電極材料を提供する工程と、
前記リチウム電極材料を前記粒子上にコーティングして、前記粒子の前記外側表面の少なくとも一部と接触するリチウム電極材料を含む層を形成する工程と、を含み、
前記粒子が、マンガン、ニッケル、及びコバルトから選択される、少なくとも１つの金属を含む、リチウム金属酸化物を含み、
前記リチウム電極材料が、前記粒子の再充電電圧対Ｌｉ／Ｌｉ＋未満の再充電電圧対Ｌｉ／Ｌｉ＋を有する、方法。
（１８）コーティングする工程が、前記粒子及び前記リチウム電極材料をミリングする工程を含み、
前記リチウム電極材料が、ナノ粒子を含む、項目（１７）に記載の方法。
（１９）ミリングする工程が、乾式ミリング工程を含む、項目（１８）に記載の方法。
（２０）コーティングする工程が、
前記リチウム電極材料を液体中に分散する工程と、
リチウム金属酸化物を含む前記複数個の粒子を添加して、分散液を形成する工程と、
前記液体を除去するために、前記分散液を加熱する工程と、を更に含む、項目（１７）に記載の方法。
（２１）カソードを作製する方法であって、
金属膜の形態の集電器を提供する工程と、
外側表面を有する複数個の粒子を前記集電器上にコーティングする工程と、
リチウム電極材料を、前記リチウム電極材料が前記粒子の前記外側表面の少なくとも一部と接触するように、前記粒子上にコーティングする工程と、を含み、
前記粒子が、マンガン、ニッケル、及びコバルトから選択される、少なくとも１つの金属を含む、リチウム金属酸化物を含み、
前記リチウム電極材料が、前記粒子の再充電電圧対Ｌｉ／Ｌｉ＋未満の再充電電圧対Ｌｉ／Ｌｉ＋を有する、方法。
（２２）前記リチウム電極材料が、スプレーコーティング、ナイフコーティング、グラビアコーティング、蒸気コーティング、及び真空コーティングから選択される方法を使用してコーティングされる、項目（２１）に記載の方法。
（２３）真空コーティングが、スパッタリング、蒸発コーティング、及びプラズマコーティングを含む、項目（２２）に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外側表面を有する複数個の粒子と、
前記粒子の前記外側表面の少なくとも一部と接触するリチウム電極材料を含む層と、を含むカソード組成物であって、
前記粒子が、マンガン、ニッケル、及びコバルトを含むリチウム金属酸化物を含み、
前記リチウム金属酸化物が、化学式Ｌｉ［ＬｉｘＭｎａＮｉｂＣｏｃ］Ｏ２（式中、−０．４＜ｘ＜０．６；ａ、ｂ、及びｃのそれぞれが０．０２より大きく、かつ０．９６未満；並びにｘ＋ａ＋ｂ＋ｃ＝１）を有し、
ｂが０．５以下であり、
前記リチウム電極材料が、前記粒子の再充電電圧対Ｌｉ／Ｌｉ＋未満の再充電電圧対Ｌｉ／Ｌｉ＋を有し、並びに
前記リチウム金属酸化物が、Ｏ３構造を採用する、
カソード組成物。
【請求項２】
前記リチウム電極材料が、ＬｉＦｅＰＯ４、Ｌｉ２ＦｅＳ２、ＬｉＶ６Ｏ１３、及びこれらの組み合わせから選択される、請求項１に記載のカソード組成物。
【請求項３】
外側表面を有する複数個の粒子を提供する工程と、
リチウム電極材料を提供する工程と、
前記リチウム電極材料を前記粒子上にコーティングして、前記粒子の前記外側表面の少なくとも一部と接触するリチウム電極材料を含む層を形成する工程と、を含むカソード組成物を作製する方法であって、
前記粒子が、マンガン、ニッケル、及びコバルトを含むリチウム金属酸化物を含み、
前記リチウム金属酸化物が、化学式Ｌｉ［ＬｉｘＭｎａＮｉｂＣｏｃ］Ｏ２（式中、−０．４＜ｘ＜０．６；ａ、ｂ、及びｃのそれぞれが０．０２より大きく、かつ０．９６未満；並びにｘ＋ａ＋ｂ＋ｃ＝１）を有し、
ｂが０．５以下であり、
前記リチウム電極材料が、前記粒子の再充電電圧対Ｌｉ／Ｌｉ＋未満の再充電電圧対Ｌｉ／Ｌｉ＋を有し、並びに
コーティングする工程が、前記粒子及び前記リチウム電極材料をミリングする工程を含み、
前記リチウム電極材料が、ナノ粒子を含む、
方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月24日(2012.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池基板のエッジをコーティングする装置であって、
太陽電池用の非円形の基板を保持する回転可能な基板支持部と、
コーティング材料を受け取って、前記基板が回転している間に前記基板のエッジに前記コーティング材料を塗布する塗布部と、
を備え、
前記塗布部は、前記基板の前記エッジに前記コーティング材料を塗布している間、前記基板の前記エッジに物理的に接触しないように、前記基板の前記エッジからコーティング距離だけ離間された位置にある装置。
【請求項２】
前記基板の前記エッジに前記コーティング材料が塗布されている間に前記基板支持部を回転させることによって前記基板を回転させて、前記塗布部に前記基板を与える搬送部をさらに備える請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記塗布部は、前記コーティング材料でコーティングされるべく前記基板の前記エッジが挿入される凹部を有する請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記基板支持部と共に回転するように機械的に結合されているカムと、
前記塗布部と共に回転するように機械的に結合されている従動子と
をさらに備え、
前記従動子は、前記カムに機械的に接触していることによって、前記カムおよび前記従動子が回転させられている間、前記カムの形状に追従する請求項１から３の何れか１項に記載の装置。
【請求項５】
太陽電池基板のエッジをコーティングする装置であって、
太陽電池用の非円形の基板のエッジが挿入される溝を有するローラと、
前記ローラの前記溝にあるコーティング材料で前記基板の前記エッジをコーティングしている間、前記基板を保持する基板支持部と、
前記基板と共に回転するべく機械的に結合されており、前記基板の形状を持つカムと、
前記ローラと共に回転するべく機械的に結合されている従動子と
を備え、
前記従動子は、前記コーティング材料が前記基板の前記エッジに塗布されている場合に、前記カムの前記形状に追従するように前記カムと機械的に接触している装置。
【請求項６】
前記コーティング材料は、ホットメルトインクを含む請求項１から５の何れか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記コーティング材料は、ＵＶ硬化性メッキレジストを含む請求項１から６の何れか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記基板支持部は、前記コーティング材料が前記基板の前記エッジにコーティングされる第１のステーションと第２のステーションとの間で前記基板を移動させる搬送部に結合されている請求項５から７の何れか１項に記載の装置。
【請求項９】
前記第２のステーションは、事前位置合わせステーションを含む請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記搬送部は、多軸ロボットを含む請求項２、８または９に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月22日(2012.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池基板の表面を粗くする方法であって：
結晶シリコン基板の表面を、前記結晶シリコン基板を或る時間をかけて、フェノールまたはフェノールの誘導体を含むエッチング添加剤を含む表面改質添加剤を含むアルカリ性溶液に浸漬することにより粗くして、形成される粗さが、約１μｍ〜約１０μｍの平均深さを有するようにする工程を含む、方法。
【請求項２】
前記表面改質添加剤は、ポリエーテルまたは非イオン性界面活性剤を含む濡れ剤を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記表面改質添加剤は：
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、ドデシル硫酸ナトリウム（ＳＤＳ）、ポリプロピレングリコール（ＰＰＧ）、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）及びポリプロピレングリコール（ＰＰＧ）のコポリマーから成るグループから選択される濡れ剤と；
ポリ（４−ビニルフェノール）（ＰＶＰ）、臭素化ポリ（４−ビニルフェノール）、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳＡ）、Ｊｏｎｃｒｙｌ（登録商標）ポリマー、フェノール、オルトクレゾール、メタクレゾール、パラクレゾール、及びポリ（クレゾール）から成るグループから選択されるエッチング添加剤と、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記表面改質添加剤は、約２００〜約３５，０００の分子量を有するポリエチレングリコールを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記アルカリ性溶液は、水中で約１重量パーセント〜約３０重量パーセントの濃度の水酸化カリウムを含む水溶液であり、そして約６５℃〜約９５℃の温度に維持される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記表面改質添加剤は、前記アルカリ性溶液中で約２０ｐｐｍ〜約２０，０００ｐｐｍの濃度を有する請求項１に記載の方法。
【請求項７】
更に：
前記基板を、弗酸を含む第１のプレクリーニング液でプレクリーニングする工程と；
前記表面に凹凸を形成する前に、前記基板をリンス洗浄して前記第１のプレクリーニング液を除去する工程と、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１のプレクリーニング液は更に硝酸を含み、そして弗酸の濃度は、脱イオン化水中で約０．１重量パーセント〜約４重量パーセントである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
太陽電池基板の表面を粗くする方法であって：
結晶シリコン基板を、弗酸を含む第１のプレクリーニング液に浸漬する工程と；
結晶シリコン基板の表面に凹凸を、前記結晶シリコン基板を、表面改質添加剤を含むアルカリ性溶液に浸漬することにより形成する工程と；
前記基板の前記凹凸形成表面を、弗酸及び塩酸を含むポストクリーニング液に浸漬する工程と、
を含む、方法。
【請求項１０】
更に：
（ａ）前記凹凸形成表面を、オゾン及び水を含む第１の溶液に、前記基板の前記凹凸形成表面をポストクリーニング液に浸漬する前に浸漬する工程であって、前記第１の溶液中のオゾンの濃度が約１ｐｐｍ〜約３０ｐｐｍである、前記浸漬する工程と；
（ｂ）前記凹凸形成表面を前記ポストクリーニング液に浸漬する工程と；
（ｃ）工程（ａ）及び工程（ｂ）を少なくとも２回繰り返す工程と、
を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記表面改質添加剤は、ポリエチレングリコール及びポリ（４−ビニルフェノール）から成るグループから選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記結晶シリコン基板はｎ型結晶シリコン基板を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
更に、前記形成凹凸の平均深さを、前記凹凸を前記表面に形成するプロセス中に少なくとも１回だけ測定する工程と、そして前記或る時間を前記測定平均深さに基づいて調整する工程と、を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
基板凹凸形成プロセスを実行する装置であって：
１枚以上の基板を受け入れ、かつ前記１枚以上の基板をプレクリーニング液に浸すように構成される第１のウェット処理チャンバと；
エッチング液を処理チャンバ内に収容して、凹凸を前記１枚以上の基板の表面に形成する第２のウェット処理チャンバであって、前記エッチング液が、フェノールまたはフェノールの誘導体を含むエッチング添加剤を含む表面改質添加剤を含むアルカリ性溶液を含む、第２のウェット処理チャンバと；
前記１枚以上の基板を受け入れ、かつ前記１枚以上の基板を第１のポストクリーニング液に浸すように構成される第３のウェット処理チャンバと；
前記１枚以上の基板を、前記第１、第２、及び第３のウェット処理チャンバ内で位置決めするように適合させたロボット装置と、
を備える、装置。
【請求項１５】
更に：
前記１枚以上の基板のうちの１枚の基板の表面の表面特性を評価するように適合させた測定装置と；
前記プレクリーニング液、エッチング液、及び第１のポストクリーニング液に含まれる化学物質の濃度を前記表面の前記測定表面特性に基づいて制御する、そして／または前記１枚以上の基板を前記第１、第２、または第３のウェット処理チャンバ内で処理する時間を前記表面の前記測定表面特性に基づいて制御するように構成されるシステムコントローラと、
を備える、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記１枚以上の基板は、１バッチで５以上の枚数の基板を含み、そして前記第２のウェット処理チャンバは、複数バッチを１度に処理するように構成される、請求項１４に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月16日(2012.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）保護層を、エッチングリアクタ内の基板上に配置された第１層上に堆積し、
（Ｂ）この保護層をエッチングリアクタ内でエッチングし、保護層のエッチング中、第１バイアス電力が印加され、
（Ｃ）第１層をエッチングリアクタ内でエッチングし、第１層のエッチング中、第２バイアス電力が印加され、第１バイアス電力が第２バイアス電力より大きく、
（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）を繰り返すことによって基板にプロファイルを形成することを含む、チャンバ内で基板をエッチングする方法。
【請求項２】
第１バイアス電力が約２ＭＨｚ〜約１３．５６ＭＨｚの高周波範囲を含み、第２バイアス電力が約１００ｋＨｚ〜約４００ｋＨｚの高周波範囲を含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
第１バイアス電力及び第２バイアス電力の少なくとも一方を約２％〜約４０％のデューティサイクル範囲内でパルス化することを更に含む請求項１記載の方法。
【請求項４】
保護層が高分子膜であり、第１層が金属及びシリコンの少なくとも一方を含む請求項１記載の方法。
【請求項５】
堆積プロセス中に基板上に高分子膜を堆積し、
基板上に堆積されたこの高分子膜を第１エッチングプロセス中にエッチングし、
第２エッチングプロセス中に基板をエッチングすることによって基板にプロファイルを形成することを含み、
第１バイアス電力が第１プロセス中に基板に印加され、第２バイアス電力が第２エッチングプロセス中に基板に印加されるチャンバ内で基板をエッチングする方法。
【請求項６】
基板が、シリコン、酸化物及び金属の少なくとも１つを含む複数の層を備える請求項５記載の方法。
【請求項７】
第１バイアス電力が第２バイアス電力より大きい請求項５記載の方法。
【請求項８】
第１バイアス電力及び第２バイアス電力の少なくとも一方をパルス化することを更に含む請求項５記載の方法。
【請求項９】
基板を処理するためのチャンバと、
複数の第１フローコントローラを含む第１ガス送出ラインによってチャンバと連通している第１ガスパネルと、
複数の第２フローコントローラを含む第２ガス送出ラインによってチャンバと連通している第２ガスパネルとを備え、
複数の第１及び第２フローコントローラは、第１及び第２パネルからのガスをそれぞれチャンバ並びに第１及び第２ガス送出ラインと連通した１つ以上の排出部に選択的に方向付けすることができるガス送出システム。
【請求項１０】
第１ガスをチャンバへと第１ガスパネルから第１ガス送出ラインを通して供給し、
第１ガスをチャンバに供給しながら第２ガスを排出部に第２ガスパネルから第２ガス送出ラインを通して方向付けし、
第１ガスを排出部へと方向付けし、第２ガスをチャンバに供給することを含み、
第２ガスをチャンバに導入するに先立って、第１ガスはチャンバから除去されるガスをチャンバに供給する方法。
【請求項１１】
第１ガスパネルからの第１ガスをチャンバに方向付けするための第１ガス送出ラインと連通している第１フローコントローラを更に備える請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
第１フローコントローラを作動させて第１ガスパネルからの第１ガスを排出部に方向付けすることを更に含む請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
第２ガスパネルからの第２ガスを排出部に方向付けするための第２ガス送出ラインと連通している第２フローコントローラを更に備える請求項１０記載の方法。
【請求項１４】
第２フローコントローラを作動させて第２ガスパネルからの第２ガスをチャンバに方向付けすることを更に含む請求項１３記載の方法。