【事件の表示】
　平成６年特許願第８３４８７号「集積回路処理装置において使用されるウエハサポートの誘電材への保護被覆とその形成方法」拒絶査定に対する審判事件［平成６年１１月２５日出願公開、特開平６−３２６１７５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成６年４月２１日（パリ条約による優先権主張１９９３年４月２２日、米国）の出願であって、平成１４年３月２６日付け（平成１４年４月１日発送）で拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月２８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年７月２９日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１４年７月２９日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１４年７月２９日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正の内容
　本件補正による特許請求の範囲の記載に関する補正事項は、以下のとおりである。
〈補正事項１〉
　請求項１の「アルミニウム若しくはアルミニウム合金を含むウエハサポートがその上に形成された高分子誘電材を有し、半導体ウエハを前記ウエハサポートへ静電荷によりクランプならしめる半導体処理装置であって、
  前記半導体ウエハの処理において用いられる化学物質による侵食から前記高分子誘電材を保護するために、前記高分子誘電材の上方に形成されたアルミニウム化合物を含む均一な厚さの保護被覆であって、前記保護被覆は、約１ミクロン乃至約３０ミクロンの範囲の厚さで、前記高分子誘電材の厚さの５０％を超えない厚さを有する、前記保護被覆、
　を備え
る、
「アルミニウム若しくはアルミニウム合金を含むウエハサポートがその上に形成された高分子誘電材を有し、半導体ウエハを前記ウエハサポートへ静電荷によりクランプならしめる半導体処理装置であって、
  前記半導体ウエハの処理において用いられる化学物質による侵食から前記高分子誘電材を保護するために、前記高分子誘電材の上方に形成されたアルミニウム化合物を含む均一な厚さの保護被覆であって、前記保護被覆は、約１ミクロン乃至約３０ミクロンの範囲の厚さで、前記高分子誘電材の厚さの５０％を超えない厚さを有する、前記保護被覆を備
え、前記保護被覆は、約１０
13
Ωｃｍ乃至１０
20
Ωｃｍの範囲の抵抗率を有し、前記半導体ウエハを把持する間は前記静電荷を保持し、前記半導体ウエハが前記ウエハサポートより除去される時には前記静電荷を開放することを可能ならしめる、前記
〈補正事項２〉
　請求項７を削除する。
〈補正事項３〉
　請求項８の「【請求項
８
７
〈補正事項４〉
　請求項９の「【請求項
９
８
８
１又は７
〈補正事項５〉
　請求項１０の「【請求項
１０
　前記ウエハサポート上に形成された高分子誘電材と、前記ウエハサポート及び前記高分子誘電材の露出した表面を覆って形成された保護被覆とを更に備え、
　前記ウエハサポートは、アルミニウム若しくはアルミニウム合金を含み、
　前記高分子誘電材は、その中に電極を有し、
　前記保護被覆は、前記半導体ウエハの処理において用いられる化学物質による侵食から前記高分子誘電材を保護するために、アルミニウム化合物を含む均一な厚さを有
する、
「【請求項
９
　前記ウエハサポート上に形成された高分子誘電材と、前記ウエハサポート及び前記高分子誘電材の露出した表面を覆って形成された保護被覆とを更に備え、
　前記ウエハサポートは、アルミニウム若しくはアルミニウム合金を含み、
　前記高分子誘電材は、その中に電極を有し、
　前記保護被覆は、前記半導体ウエハの処理において用いられる化学物質による侵食から前記高分子誘電材を保護するために、アルミニウム化合物を含む均一な厚さを有
し、且つ、前記半導体ウエハを把持する間は前記静電荷を保持し、前記半導体ウエハが前記ウエハサポートより除去される時には前記静電荷を開放することを可能ならしめるように、約１０
13
Ωｃｍ乃至１０
20
Ωｃｍの範囲の抵抗率を有する、前記
〈補正事項６〉
　「
【請求項１０】前記高分子誘電材はポリイミド材料を含む、請求項９記載の半導体処理装置。
〈補正事項７〉
　請求項１１の「アルミニウム若しくはアルミニウム合金を含むウエハサポートに高分子誘電材を介して半導体ウエハを静電荷でクランプする半導体処理装置において前記高分子誘電材を保護する方法であって、
　前記ウエハサポート及び前記高分子誘電材の露出した表面を覆って、アルミニウム化合物で均一な厚さの保護被覆を形成する
ことを特徴とする、
「アルミニウム若しくはアルミニウム合金を含むウエハサポートに高分子誘電材を介して半導体ウエハを静電荷でクランプする半導体処理装置において前記高分子誘電材を保護する方法であって、
　前記ウエハサポート及び前記高分子誘電材の露出した表面を覆って、アルミニウム化合物で均一な厚さの保護被覆を形成する
工程を備え、前記保護被覆は、約１０
13
Ωｃｍ乃至１０
20
Ωｃｍの範囲の抵抗率を有し、前記半導体ウエハを把持する間は前記静電荷を保持し、前記半導体ウエハが前記ウエハサポートより除去される時には前記静電荷を開放することを可能ならしめる、前記
〈補正事項８〉
　請求項１４の「アルミニウム若しくはアルミニウム合金を含むウエハサポートの表面上に形成された高分子誘電材を用いて半導体ウエハが前記ウエハサポートに静電的にクランプされる前記半導体ウエハ上に集積回路構造を形成する方法であって、
　処理化学物質による侵食に耐え得る、前記高分子誘電材の上方の、アルミニウム化合物を含む均一な厚さの保護被覆であって、約１ミクロン乃至約３０ミクロンの範囲の厚さで、前記高分子誘電材の厚さの５０％を超えない厚さを有する前記保護被覆を用いて、前記半導体ウエハ上に前記集積回路構造を形成する間、侵食から前記高分子誘電材を保護する工程
、を備える、
「アルミニウム若しくはアルミニウム合金を含むウエハサポートの表面上に形成された高分子誘電材を用いて半導体ウエハが前記ウエハサポートに静電的にクランプされる前記半導体ウエハ上に集積回路構造を形成する方法であって、
　処理化学物質による侵食に耐え得る、前記高分子誘電材の上方の、アルミニウム化合物を含む均一な厚さの保護被覆であって、約１ミクロン乃至約３０ミクロンの範囲の厚さで、前記高分子誘電材の厚さの５０％を超えない厚さを有する前記保護被覆を用いて、前記半導体ウエハ上に前記集積回路構造を形成する間、侵食から前記高分子誘電材を保護する工程
を備え、前記保護被覆は、約１０
13
Ωｃｍ乃至１０
20
Ωｃｍの範囲の抵抗率を有し、前記半導体ウエハを把持する間は前記静電荷を保持し、前記半導体ウエハが前記ウエハサポートより除去される時には前記静電荷を開放することを可能ならしめる、前記
〈補正事項９〉
　請求項１５の「ウエハサポートと、
　前記ウエハサポートの表面上に固定されるとともに、電極を中に有する
　
　前記
　
ことを特徴とする
「ウエハサポートと、
　前記ウエハサポートの表面上に固定されるとともに、電極を中に有する
高分子
　前記
高分子
静電クランプ装置であって、前記保護被覆は、約１０
13
Ωｃｍ乃至１０
20
Ωｃｍの範囲の抵抗率を有し、前記半導体ウエハを把持する間は前記静電荷を保持し、前記半導体ウエハが前記ウエハサポートより除去される時には前記静電荷を開放することを可能ならしめる、前記
〈補正事項１０〉
　請求項１９を削除する。
〈補正事項１１〉
　「【請求項
２２
　前記ウエハサポートの表面上に固定されるとともに、電極を中に有する
　
　前記
　
　前記保護被覆上に帯電するほぼ均一な静電荷により、ウエハをクランプして、当該ウエハ上に対し処理を行う半導体製造方法
　
「【請求項
２１
　前記ウエハサポートの表面上に固定されるとともに、電極を中に有する
高分子
　前記
高分子
　前記保護被覆上に帯電するほぼ均一な静電荷により、ウエハをクランプして、
当該ウエハ上に対し処理を行う半導体製造方法
であって、前記保護被覆は、約１０
13
Ωｃｍ乃至１０
20
Ωｃｍの範囲の抵抗率を有し、前記半導体ウエハを把持する間は前記静電荷を保持し、前記半導体ウエハが前記ウエハサポートより除去される時には前記静電荷を開放することを可能ならしめる、前記半導体製造方法
　なお、下線は、補正箇所を明確化するために、当審で付したものである。
　
（２）補正事項６に対する当審の判断
　上記補正事項６は、請求項１０を新たに追加するものであるから、明らかに、特許請求の範囲の減縮、請求項の削除、誤記の訂正、及び、明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しない。
　
（３）補正事項９に対する当審の判断（独立特許要件）
（３−１）補正後の請求項１５に係る発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１５は、
「ウエハサポートと、
　前記ウエハサポートの表面上に固定されるとともに、電極を中に有する高分子誘電材と、
　前記高分子誘電材の表面のうち、前記ウエハサポートとの接触面以外の表面を全て被覆するとともに、その被覆範囲全体にわたり、ほぼ同じ厚さからなる保護被覆と、を備え、前記保護被覆上に帯電するほぼ均一な静電荷により、ウエハをクランプする静電クランプ装置であって、
　前記保護被覆は、約１０13Ωｃｍ乃至１０20Ωｃｍの範囲の抵抗率を有し、前記半導体ウエハを把持する間は前記静電荷を保持し、前記半導体ウエハが前記ウエハサポートより除去される時には前記静電荷を開放することを可能ならしめる、
　前記静電クランプ装置。」と補正される。
　上記補正は、補正前の請求項１５に係る発明の構成に欠くことができない事項である「誘電材」に「高分子」という材料の限定を付加し、同じく「保護被覆」について「約１０13Ωｃｍ乃至１０20Ωｃｍの範囲の抵抗率を有し、前記半導体ウエハを把持する間は前記静電荷を保持し、前記半導体ウエハが前記ウエハサポートより除去される時には前記静電荷を開放することを可能ならしめる」という抵抗率及び作用の限定を付加するものであって、特許法第１７条の２第３項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１５に記載された発明（以下、「本願補正発明１５」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第４項において準用する同法第１２６条第３項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（３−２）刊行物記載の発明（事項）
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に国内で頒布された刊行物である特開平３−１５２９５３号公報（以下、「刊行物１」という。）には、
（イ）「本発明は半導体製造工程等に使用して好適な静電チャックに係り、特にシリコンウエハ等の基板を静電的に吸着保持する静電チャックに関するものである。」（第１頁左下欄２０行〜同頁右下欄３行）、
（ロ）「第１図は本発明に係る静電チャックの第１実施例を示す断面図・・・である。これらの図において、１は・・・セラミックス製の円盤状基板で、この基板１の上面は・・・２つの電極２、３が・・・形成されている。・・・６は前記電極２、３を絶縁する絶縁物で、この絶縁物６は有機絶縁材料からなる絶縁膜で構成され、またこの絶縁膜６の上には無機絶縁材料からなる膜７が形成されている。絶縁膜６としては、電極２、３の上にポリイミド・・・を塗布し、・・・ベーキング処理を行うことにより厚さ１０μｍの丈夫なポリイミド層を得た。膜７は前記絶縁膜６を保護するもので、例えばアルミナ・・・を前記絶縁膜６の上にスパッタリングすることにより形成され、その厚みは０．５μｍ〜１μｍとされる。」（第３頁左上欄１０行〜同頁右上欄２０行）、
（ハ）「ポリイミドは表面の硬度が小さく、耐摩耗性に欠ける嫌いがあるため、絶縁膜６をポリイミド単体で形成した場合には表面が摩擦によって粗面になると耐圧劣化あるいは静電吸着力の低下を生じるという問題があった。またポリイミドは耐湿性に欠けるため、・・・空気中の水蒸気を吸収して表面抵抗が低下すると、沿面漏れ電流が流れ、静電吸着力が劣化する。この点、本発明では硬くて耐摩耗性に優れ、また非吸湿性、安定性、耐候性等に優れたアルミナからなる膜７によって前記ポリイミドからなる絶縁膜６を被覆保護しているので、上記したポリイミドの欠点をカバーすることができる。また、絶縁膜６によって絶縁を図っているため、膜７自体の厚みを０．５μｍ程度と、非常に薄くすることができる。」（第３頁右下欄３行〜１９行）、
（ニ）「第３図は本発明の第２実施例を示す断面図・・・である。・・・上記実施例と異なる点は、基板１０を板厚２ｍｍ程度のアルミニウム板によって平面視コ字状に形成した点と、基板１０と電極２、３との間に絶縁層１１を介在させた点にある。その他の構成は上記実施例と略同一であるため、同一符号を以て示し、その説明を省略する。絶縁層１１は・・・ポリイミドからなる絶縁層とされる。」（第４頁左上欄９行〜同頁右上欄１行）と記載されている。
　これらの摘記事項及び第３図の記載からみて、刊行物１には、
「基板１０と、
　前記基板１０の表面上に固定されるとともに、間に電極２、３を有する２層のポリイミドからなる絶縁膜６、１１と、
　前記ポリイミドからなる絶縁膜６の表面を被覆するアルミナからなる膜７と、を備えた、シリコンウエハ等の基板を吸着保持する静電チャック」の発明（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に国内で頒布された刊行物である特開平４−３６７２４７号公報（以下、「刊行物２」という。）には、
（ホ）「【発明が解決しようとする課題】しかし、近年シリコンウェハの加工速度が高速化して、より強力なエッチングを行うようになってきた為、ポリイミドなどの樹脂からなる静電チャックでは損傷が激しいという問題点があった。」（第１欄３２行〜３６行）、
（ヘ）「本発明は、・・・強誘電体セラミックスからなる板状体に内部電極を備えるとともに、上記セラミック板状体の表面にＡｌ・・・の酸化物、窒化物・・・からなる被覆層を形成して静電チャックを構成したものである。」（第１欄４８行〜第２欄３行）
と記載されている。
　
（３−３）対比
　そこで、本願補正発明１５と刊行物１記載の発明とを対比すると、後者の「基板１０」は、その技術的意義からみて、前者の「ウエハサポート」に相当し、同様にして、後者の「電極２、３」は前者の「電極」に、後者の「ポリイミドからなる絶縁膜６、１１」は前者の「高分子誘電材」に、後者の「ポリイミドからなる絶縁膜６の表面」は前者の「高分子誘電材の表面のうち、前記ウエハサポートとの接触面以外の表面」に、後者の「アルミナからなる膜７」は前者の「保護被覆」に、後者の「シリコンウエハ等の基板を吸着保持する静電チャック」は前者の「ウエハをクランプする静電クランプ装置」に、それぞれ相当する。
　してみると、両者の一致点及び相違点は、以下のとおりである。
〈一致点〉ウエハサポートと、前記ウエハサポートの表面上に固定されるとともに、電極を有する高分子誘電材と、前記高分子誘電材の表面のうち、前記ウエハサポートとの接触面以外の表面を被覆する保護被覆と、を備えた、ウエハをクランプする静電クランプ装置。
〈相違点１〉前者は、誘電材が電極を中に有するものであるのに対して、後者は、誘電材がその間に電極を有するものである点。
〈相違点２〉前者は、保護被覆が、高分子誘電材の表面のうち、前記ウエハサポートとの接触面以外の表面の全てを被覆し、また、被覆範囲全体にわたり、ほぼ同じ厚さからなるものであって、保護被覆上に帯電するほぼ均一な静電荷により吸着保持するのに対して、後者は、保護被覆が、高分子誘電材の表面のうち、前記ウエハサポートとの接触面以外の表面の全てを被覆すること、また、被覆範囲全体にわたり、ほぼ同じ厚さからなるものであること、そして、保護被覆上に帯電するほぼ均一な静電荷により吸着保持することが明らかではない点。
〈相違点３〉前者は、保護被覆が、約１０13Ωｃｍ乃至１０20Ωｃｍの範囲の抵抗率を有し、前記半導体ウエハを把持する間は前記静電荷を保持し、前記半導体ウエハが前記ウエハサポートより除去される時には前記静電荷を開放することを可能ならしめるものであるのに対して、後者は、そのように特定されていない点。
　
（３−４）判断
　上記相違点等について、以下検討する。
〈相違点１について〉
　静電クランプ装置において、誘電材が電極を中に有するものは、刊行物２に記載されている（上記の摘記事項（ヘ）を参照）。そして、上記の刊行物２記載の事項と刊行物１記載の発明とは、ともに「静電クランプ装置」という同一の技術分野に属する。
　してみると、刊行物１記載の発明の相違点１に係る構成に上記の刊行物２記載の事項を適用して本願補正発明１５のものとすることは、当業者が容易になし得ることである。
〈相違点２について〉
　刊行物１記載の発明において、保護すべき高分子誘電材の表面は、高分子誘電材の表面が露出する部分全て、すなわち、ウエハサポートとの接触面以外の表面の全てであるから、保護被覆の被覆部位を、高分子誘電材の表面のうち、ウエハサポートとの接触面以外の表面の全てとすることは、当業者が容易になし得ることである。また、全ての被覆部位で同等に保護作用が発揮される必要があることからみて、刊行物１記載の発明において、保護被覆の厚さを被覆範囲全体にわたりほぼ同じとすることも、当業者が容易になし得ることである。
　そして、このような被覆範囲、厚さとすることにより、保護被覆上にほぼ均一な静電荷が帯電され、吸着保持できることは、当業者が容易に想到し得る事項である。
〈相違点３について〉
　本願明細書の段落【００１７】〜【００１８】には、「最後に、保護被覆は、ウエハがウエハサポートより取り除かれるとき静電荷を開放せしめるよう十分に導電性であるべきだが、ウエハサポートへのウエハのクランピング若しくはチャッキングにおいて表面の静電荷を保持するよう十分に絶縁性でもあるべきである。約１０13オーム・センチメートル（Ωｃｍ）から約１０20Ωｃｍの範囲にある抵抗率を持つ保護材料は、導電率対抵抗率の見地から通常満足されることが見出されるであろう。・・・誘電材を上に載せた金属製のウエハサポートがアルミニウム材料を備える場合、アルミニウム酸化物（例えばＡｌ2 Ｏ3 ）・・・のような無機アルミニウム化合物であって、約３ミクロンから約３０ミクロンの範囲の厚さ、望ましくは約３ミクロン乃至約２０ミクロンの厚さであり、誘電材の厚さの約５０％を越えないような厚さに形成された上記無機アルミニウム化合物は、上記要件の全てに合致するであろうことが見出されている。」と記載されている。
　ところで、刊行物１記載の発明の保護被膜は、アルミナからなるものであるから、上記の本願明細書の記載からみて、当然にその抵抗率が約１０13Ωｃｍ乃至１０20Ωｃｍの範囲にあって、半導体ウエハを把持する間は静電荷を保持し、半導体ウエハがウエハサポートより除去される時には静電荷を開放することを可能ならしめるものであるということができる。　　
〈作用効果について〉
　本願補正発明１５は、「誘電材は、半導体ウエハの処理において用いられる化学物質による化学侵食からウエハの静電クランピングを損ねない方法で保護される。」（本願明細書の段落【００２９】）という作用効果を奏しているが、刊行物２には、誘電材をポリイミドで構成する場合に、「より強力なエッチングを行うようになってきた為、・・・損傷が激しいという問題点があった。」（上記の摘記事項（ホ）を参照）という課題のあったことが記載されているから、刊行物１記載の発明において、当該課題に対する保護被覆の作用を確認する程度のことは、当業者が容易に想到し得ることである。
　してみると、本願補正発明１５の作用効果は、刊行物１記載の発明及び刊行物２記載の事項から当業者が予測可能な範囲内のものであって、格別のものではない。
　したがって、本願補正発明１５は、刊行物１記載の発明及び刊行物２記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定、及び、特許法第１７条の２第４項で準用する同法第１２６条第３項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明１５
　平成１４年７月２９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜２２に係る発明（以下それぞれを、「本願発明１」等という。）は、平成１４年１月３０日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜２２に記載されたとおりのものと認められるところ、本願発明１５は以下のとおりのものである。
「ウエハサポートと、
　前記ウエハサポートの表面上に固定されるとともに、電極を中に有する誘電材と、
　前記誘電材の表面のうち、前記ウエハサポートとの接触面以外の表面を全て被覆するとともに、その被覆範囲全体にわたり、ほぼ同じ厚さからなる保護被覆と、を備え、前記保護被覆上に帯電するほぼ均一な静電荷により、ウエハをクランプすることを特徴とする静電クランプ装置。」
　
（２）刊行物記載
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物、および、その記載事項は、前記「２．（３−２）」に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断
　本願発明１５は、前記２．（３）で検討した本願補正発明１５から「誘電材」の限定事項である「高分子」との構成を省き、同じく、「保護被覆」の限定事項である「約１０13Ωｃｍ乃至１０20Ωｃｍの範囲の抵抗率を有し、前記半導体ウエハを把持する間は前記静電荷を保持し、前記半導体ウエハが前記ウエハサポートより除去される時には前記静電荷を開放することを可能ならしめる」との構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明１５の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明１５が、前記「２．（３）」に記載したとおり、刊行物１記載の発明及び刊行物２記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１５も、同様の理由により、刊行物１記載の発明及び刊行物２記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
（４）むすび
　以上のとおりであるから、特許を受けることができない本願発明１５を含む本願は、本願発明１〜１４及び１６〜２２について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。