【手続補正書】
【提出日】平成23年5月31日(2011.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板のミスカット上に成長した無極性ＩＩＩ族窒化物薄膜であって、
該無極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の上部表面は、無極性平面であり、
該ミスカットは、該基板の結晶面に関してミスカット角で傾けられた該基板の表面であり、該ミスカット角は、該無極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の該上部表面におけるアンジュレーションを抑制するように制御される、薄膜。
【請求項２】
前記結晶面は、ｍ平面であり、
前記無極性ＩＩＩ族窒化物薄膜は、ｍ平面であり、
前記ミスカット角は、ａ軸方向に向き、該ａ軸方向に向いた０．１５°以上のミスカット角と、該ａ軸方向に向いた３０°未満のミスカット角とを含む、
請求項１に記載の薄膜。
【請求項３】
前記ミスカット角は、０．１５°以上である、請求項１に記載の薄膜。
【請求項４】
前記上部表面は、原子的に平滑またはプレーナである、請求項１に記載の薄膜。
【請求項５】
前記ミスカット角は、前記上部表面上の１つ以上のアンジュレーションのステップ高さの二乗平均平方根（ＲＭＳ）が１０００マイクロメートルの長さにわたって５０ｎｍ以下であるような角度である、請求項１に記載の薄膜。
【請求項６】
前記ミスカット角は、前記上部表面上の１つ以上のアンジュレーションのステップ高さの最大が１０００マイクロメートルの長さにわたって６１ｎｍ以下であるような角度である、請求項１に記載の薄膜。
【請求項７】
前記アンジュレーションは、ファセット化されたピラミッド形を備える、請求項６に記載の薄膜。
【請求項８】
前記結晶面は、無極性平面である、請求項１に記載の薄膜。
【請求項９】
前記ミスカット角は、前記薄膜が無極性であるように、十分に小さい、請求項１に記載の薄膜。
【請求項１０】
前記ミスカット角は、前記上部表面と、該上部表面上に堆積された１つ以上の層の１つ以上の表面とが量子井戸界面またはヘテロ接合界面に対して十分に平滑であるような角度である、請求項１に記載の薄膜。
【請求項１１】
前記薄膜は、基板またはテンプレートであり、前記上部表面は、デバイスクオリティの（Ａｌ，Ｂ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ層のその後の該上部表面上での成長に適している、請求項１に記載の薄膜。
【請求項１２】
請求項１に記載の薄膜を用いて製作されたデバイス。
【請求項１３】
無極性ＩＩＩ族窒化物薄膜を成長させるための方法であって、
（ａ）基板のミスカット上に無極性ＩＩＩ族窒化物薄膜を成長させることであって、
該薄膜の上部表面は、無極性平面であり、
該ミスカットは、該基板の結晶面に関してミスカット角で傾けられた該基板の表面であり、該無極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の該上部表面におけるアンジュレーションは、該ミスカット角を制御することにより抑制される、こと
を包含する、方法。
【請求項１４】
前記結晶面は、ｍ平面であり、
前記無極性ＩＩＩ族窒化物薄膜は、ｍ平面であり、
前記ミスカット角は、ａ軸方向に向き、該ａ軸方向に向いた０．１５°以上のミスカット角と、該ａ軸方向に向いた３０°未満のミスカット角とを含む、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ミスカット角は、０．１５°以上である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記上部表面は、原子的に平滑またはプレーナである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記ミスカット角は、前記上部表面上の１つ以上のアンジュレーションのステップ高さの二乗平均平方根（ＲＭＳ）が１０００マイクロメートルの長さにわたって５０ｎｍ以下であるような角度である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
前記ミスカット角は、前記上部表面上の１つ以上のアンジュレーションのステップ高さの最大が１０００マイクロメートルの長さにわたって６１ｎｍ以下であるような角度である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
前記アンジュレーションは、ファセット化されたピラミッド形を備える、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記結晶面は、無極性平面である、請求項１３に記載の方法。
【請求項２１】
前記ミスカット角は、前記薄膜が無極性であるように、十分に小さい、請求項１３に記載の方法。
【請求項２２】
前記ミスカット角は、前記上部表面と、該上部表面上に堆積された１つ以上の層の１つ以上の表面とが量子井戸界面またはヘテロ接合界面に対して十分に平滑であるような角度である、請求項１３に記載の方法。
【請求項２３】
前記薄膜は、基板またはテンプレートであり、前記上部表面は、デバイスクオリティの（Ａｌ，Ｂ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ層のその後の該上部表面上での成長に適している、請求項１３に記載の方法。
【請求項２４】
請求項１３に記載の方法を用いて製作された無極性ＩＩＩ族窒化物薄膜。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明は、無極性ＩＩＩ族窒化物ベースのデバイスをさらに開示し、該デバイスは、基板のミスカット上に成長した平滑な表面モフォロジーを有する無極性ＩＩＩ族窒化物薄膜を備えている。
例えば、本発明は以下の項目を提供する。
（項目１）
基板のミスカット上に成長した無極性ＩＩＩ族窒化物薄膜であって、
該薄膜の上部表面は、無極性平面であり、
該ミスカットは、該基板の結晶面に関してミスカット角で傾けられた該基板の表面である、
薄膜。
（項目２）
上記結晶面は、ｍ平面であり、
上記無極性ＩＩＩ族窒化物薄膜は、ｍ平面であり、
上記ミスカット角は、ａ軸方向に向き、該ａ軸方向に向いた０．１５°以上のミスカット角と、該ａ軸方向に向いた３０°未満のミスカット角とを含む、
項目１に記載の薄膜。
（項目３）
上記ミスカット角は、０．１５°以上である、項目１に記載の薄膜。
（項目４）
上記上部表面は、原子的に平滑またはプレーナである、項目１に記載の薄膜。
（項目５）
上記ミスカット角は、上記上部表面上の１つ以上のアンジュレーションのステップ高さの二乗平均平方根（ＲＭＳ）が１０００マイクロメートルの長さにわたって５０ｎｍ以下であるような角度である、項目１に記載の薄膜。
（項目６）
上記ミスカット角は、上記上部表面上の１つ以上のアンジュレーションのステップ高さの最大が１０００マイクロメートルの長さにわたって６１ｎｍ以下であるような角度である、項目１に記載の薄膜。
（項目７）
上記アンジュレーションは、ファセット化されたピラミッド形を備える、項目６に記載の薄膜。
（項目８）
上記結晶面は、無極性平面である、項目１に記載の薄膜。
（項目９）
上記ミスカット角は、上記薄膜が無極性であるように、十分に小さい、項目１に記載の薄膜。
（項目１０）
上記ミスカット角は、上記上部表面と、該上部表面上に堆積された１つ以上の層の１つ以上の表面とが量子井戸界面またはヘテロ接合界面に対して十分に平滑であるような角度である、項目１に記載の薄膜。
（項目１１）
上記薄膜は、基板またはテンプレートであり、上記上部表面は、デバイスクオリティの（Ａｌ，Ｂ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ層のその後の該上部表面上での成長に適している、項目１に記載の薄膜。
（項目１２）
項目１に記載の薄膜を用いて製作されたデバイス。
（項目１３）
無極性ＩＩＩ族窒化物薄膜を成長させるための方法であって、
（ａ）基板のミスカット上に無極性ＩＩＩ族窒化物薄膜を成長させることであって、
該薄膜の上部表面は、無極性平面であり、
該ミスカットは、該基板の結晶面に関してミスカット角で傾けられた該基板の表面である、こと
を包含する、方法。
（項目１４）
上記結晶面は、ｍ平面であり、
上記無極性ＩＩＩ族窒化物薄膜は、ｍ平面であり、
上記ミスカット角は、ａ軸方向に向き、該ａ軸方向に向いた０．１５°以上のミスカット角と、該ａ軸方向に向いた３０°未満のミスカット角とを含む、
項目１３に記載の方法。
（項目１５）
上記ミスカット角は、０．１５°以上である、項目１３に記載の方法。
（項目１６）
上記上部表面は、原子的に平滑またはプレーナである、項目１３に記載の方法。
（項目１７）
上記ミスカット角は、上記上部表面上の１つ以上のアンジュレーションのステップ高さの二乗平均平方根（ＲＭＳ）が１０００マイクロメートルの長さにわたって５０ｎｍ以下であるような角度である、項目１３に記載の方法。
（項目１８）
上記ミスカット角は、上記上部表面上の１つ以上のアンジュレーションのステップ高さの最大が１０００マイクロメートルの長さにわたって６１ｎｍ以下であるような角度である、項目１３に記載の方法。
（項目１９）
上記アンジュレーションは、ファセット化されたピラミッド形を備える、項目１８に記載の方法。
（項目２０）
上記結晶面は、無極性平面である、項目１３に記載の方法。
（項目２１）
上記ミスカット角は、上記薄膜が無極性であるように、十分に小さい、項目１３に記載の方法。
（項目２２）
上記ミスカット角は、上記上部表面と、該上部表面上に堆積された１つ以上の層の１つ以上の表面とが量子井戸界面またはヘテロ接合界面に対して十分に平滑であるような角度である、項目１３に記載の方法。
（項目２３）
上記薄膜は、基板またはテンプレートであり、上記上部表面は、デバイスクオリティの（Ａｌ，Ｂ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ層のその後の該上部表面上での成長に適している、項目１３に記載の方法。
（項目２４）
項目１３に記載の方法を用いて製作された無極性ＩＩＩ族窒化物薄膜。