(57)【要約】【課題】誘電体としてセラミックス多孔体を用いた場合であっても、誘電体層の上に形成されるマイクロストリップ回路に導通する接続端子を基板の裏面側に容易に形成することができる高周波回路装置の製作方法を提供する。【解決手段】アース導体を構成する基板１と、前記基板１の表面、裏面から突出する突出部３Ａ、３Ｂを有し、前記基板１の表面から裏面に貫通し、かつ前記アース導体とは絶縁状態で支持された接続ピン３とを備えた組み立て基板を準備し、前記組み立て基板の表面側の突出部３Ａの先端面を露出させた状態でセラミックス材で誘電体層４を形成し、前記誘電体層４の上に前記突出部３Ａの先端面と導通するようにマイクロストリップ高周波回路５を形成する。基板としては、絶縁板と、アース導体としての役目を果たす金属層とを有する積層基板を用いることができる。【選択図】        図１
2004356674.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アース導体を有する基板と、前記基板の表面から突出する突出部を有し、前記基板の表面から裏面に貫通し、かつ前記アース導体とは絶縁状態で支持された導電接続部材とを備えた組み立て基板を準備し、
前記組み立て基板の表面側に前記突出部の先端面を露出させた状態でセラミックス材で誘電体層を形成し、
前記誘電体層の上に前記突出部の先端面と導通するようにマイクロストリップ高周波回路を形成する、高周波回路装置の製作方法。
【請求項２】
アース導体を有する基板と、絶縁材で形成され、前記基板の表面から突出する突出部材を備えた組み立て基板を準備し、
前記組み立て基板の表面側に前記突出部材の先端面を露出させた状態でセラミックス材で誘電体層を形成し、
前記誘電体層の上に前記突出部材の先端面を被覆するようにマイクロストリップ高周波回路を形成し、
前記マイクロストリップ高周波回路の表面から前記突出部材および基板を貫通する貫通孔を機械加工し、
前記マイクロストリップ回路に導通し、かつ前記基板の裏面側に露出する導電接続部材を前記貫通孔に絶縁状態で装着する、高周波回路装置の製作方法。
【請求項３】
前記基板はその全体が金属材で形成され、この基板をアース導体として用いる請求項１または２に記載した高周波回路の製作方法。
【請求項４】
前記基板は絶縁板とその表面に形成された金属層とを有し、前記金属層をアース導体として用いる請求項１または２に記載した高周波回路の製作方法。
【請求項５】
前記誘電体層は、シリカ、アルミナ、ジルコニアなどのセラミックス多孔体で形成された、請求項１から４のいずれか１項に記載した高周波回路装置の製作方法。
【請求項６】
前記セラミックス多孔体は、比誘電率が１．５以下、誘電正接が０．００１以下である請求項５に記載した高周波回路装置の製作方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載した製作方法によって製作した高周波回路装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、マイクロ波からミリ波帯のアンテナやコンバ−タなどの、マイクロストリップ回路を備えた高周波回路装置およびその製作方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来からマイクロ波からミリ波帯のアンテナとして、開口面アンテナ（パラボラアンテナ、ホーンアンテナ）、平面アンテナ（パッチアンテナ、スロットアンテナ）が利用されている。とりわけ誘電体で形成した基板の表面にアンテナ素子を構成するマイクロストリップ回路を、基板の裏面にアース導電体を構成する金属層を備えたパッチアレーアンテナは、小型、軽量でかつ指向性の制御がしやすいことから、モバイル用途の準ミリ波からミリ波帯のアンテナとして好適に利用されている。
【０００３】
パッチアレーアンテナのアンテナゲインは、アンテナ素子の一単位であるパッチの数と、これらを接続する給電線の損失によって概ね決定される。すなわち、高いアンテナゲインを得るためには、集積する単位パッチの数を多くするとともに、給電線の損失をできるだけ小さくすることが必要である。
【０００４】
給電線の損失は、マイクロストリップ回路の導体損失と基板を形成する誘電体の誘電損失からなる。とりわけ誘電損失は、信号周波数が高くなるにつれて大きくなる。通常のマイクロストリップ回路での誘電損失は、周波数２５ＧＨｚで給電線の全損失の約半分、６０ＧＨｚで２／３程度を占める。誘電体の誘電損失は、√（εｒ）・ｔａｎ  δ（εｒは誘電体の比誘電率、ｔａｎ  δは誘電体の誘電正接）に比例するため、εｒ、ｔａｎ  δが共に小さな誘電体材料が本質的に有利である。
【０００５】
現状のパッチアレーアンテナは、準ミリ波以上の周波数ではガラス繊維にフッ素樹脂を含浸させたテフロン基板が用いられることが多い。市販のテフロン基板の誘電特性は、εｒ＝２．２、ｔａｎ  δ＝１０−４（２５ＧＨｚの場合）程度である。一方、セラミックス材、とりわけその多孔体、例えばシリカの多孔体であるシリカエアロゲルではεｒ＝１．５、ｔａｎ  δ＝１０−５（２５ＧＨｚの場合）程度が得られ、上記テフロン基板に対して誘電損失を１／１０以下にすることができる。このため、シリカエアロゲルなどのセラミックス多孔体によって誘電体層を形成したパッチアレーアンテナは、テフロンなど従来の誘電体材料を使用したものに比べて、より高いアンテナゲインを得ることができる。なお、「テフロン」は登録商標です。
【０００６】
一方、アンテナ面と鈍直方向に最大ゲインを有するパッチアレーアンテナでは、最大ゲインを得るには全ての単位パッチが同位相で励振されることが必要であり、そのためには給電線の分岐点から末端の単位パッチに至る給電線が等長になるよう接続回路が構成される。このため前記分岐点はアンテナ表面（放射面）の中央部付近に設けられる。また前記分岐点は外部回路と電気的に接続するための接続端子（アンテナ端子）に接続されるが、最大のアンテナゲインを得るために、アンテナ端子は、通常、アンテナ裏面の中央部付近に設けられる。その理由は、アンテナ端子をアンテナ表面（放射面）に設けることは、アンテナ特性に重篤な影響を与えるために不可能であり、またアンテナ裏面の中央部付近に設けることにより前記分岐点と最短距離で結ぶことができるからである。なお、アンテナ端子はアンテナの縁端部に設けることもできるが、アンテナ中央部付近に配置される前記分岐点まで長い給電線を設けることが必要となり、給電線の損失によるアンテナゲインの低下が問題となる。
【０００７】
テフロン基板などの基板では、例えば特開平５−１６７３３２号公報（特許文献１）に記載されているように、基板表面にエッチングプロセスによりアンテナ素子としてマイクロストリップ回路を作成した後、このマイクロストリップ回路および基板を貫くように貫通孔をドリル加工し、この貫通孔に給電ピンを装着し、マイクロストリップ回路と給電ピンの先端部とを半田付けしたり、前記貫通孔にスルーホールメッキすることにより、基板の裏面側にアンテナ端子を設けるようにしていた。
【特許文献１】
特開平５−１６７３３２号公報（段落番号０００４、００１０）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、セラミックス材、特に前記シリカエアロゲルなどのセラミックス多孔体によって形成された誘電体層が形成された基板では、誘電体層を形成する材料が脆いため、基板と共に誘電体層を貫通する貫通孔を直接ドリル加工することができない。このため、上記貫通孔を開けて、これに接続ピンを装着する手法では、誘電体層の上に形成されたマイクロストリップ回路に電気的に接続された接続端子（アンテナ端子）を基板の裏面に設けることができない。一方、基板の縁端部にアンテナ端子を設けることによって、誘電体層に貫通孔を設けることは必要でなくなるが、このような手法では既述したように、給電線をアンテナ端子を設けた縁端部から中央部の分岐点まで延長する必要があるため、アンテナ端子で見たトータルとしてのアンテナゲインが低下するという問題がある。
【０００９】
本発明はかかる問題に鑑みなされたもので、誘電体としてセラミックス材、特にセラミックス多孔体を用いた場合であっても、基板表面側の誘電体層の上に形成されるマイクロストリップ回路に導通する接続端子を基板の裏面側に容易に形成することができる高周波回路装置の製作方法および同方法によって製作された高周波回路装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の高周波回路装置の製作方法は、アース導体を有する基板と、前記基板の表面から突出する突出部を有し、前記基板の表面から裏面に貫通し、かつ前記アース導体とは絶縁状態で支持された導電接続部材とを備えた組み立て基板を準備し、前記組み立て基板の表面側に前記突出部の先端面を露出させた状態でセラミックス材で誘電体層を形成し、前記誘電体層の上に前記突出部の先端面と導通するようにマイクロストリップ高周波回路を形成するものである。
この高周波回路装置の製作方法によれば、誘電体層を形成する前に予め基板の表面側と裏面側とを電気的に接続することができる導電接続部材をアース導体と絶縁した状態で形成しておき、その後、基板表面に誘電体層、その上にマイクロストリップ回路を形成するので、誘電体層を貫通する貫通孔を機械加工することなく、前記導電接続部材によってマイクロストリップ回路に導通した接続端子を基板の裏面側に容易に形成することができる。
【００１１】
本発明の他の高周波回路装置の製作方法は、アース導体を有する基板と、絶縁材で形成され、前記基板の表面から突出する突出部材を備えた組み立て基板を準備し、前記組み立て基板の表面側に前記突出部材の先端面を露出させた状態でセラミックス材で誘電体層を形成し、前記誘電体層の上に前記突出部材の先端面を被覆するようにマイクロストリップ高周波回路を形成し、前記マイクロストリップ高周波回路の表面から前記突出部材および基板を貫通する貫通孔を機械加工し、前記マイクロストリップ回路に導通し、かつ前記基板の裏面側に露出する導電接続部材を前記貫通孔に絶縁状態で装着するものである。
この他の高周波回路装置の製作方法によっても、誘電体層を直接機械加工することなく、誘電体層に埋め込まれた突出部材および基板を貫通する貫通孔を容易に機械加工することができ、この貫通孔に導電接続部材を装着することによって誘電体層の上に形成されたマイクロストリップ回路に導通した接続端子を基板の裏面側に容易に形成することができる。
【００１２】
前記高周波回路装置の製作方法において、前記基板はその全体を金属材で形成することができ、基板自体によってアース導体を構成することができる。また前記基板として絶縁板とその上に形成され、アース導体としての役目を果たすた金属層とを有する積層基板を用いることができる。この積層基板は、プリント配線基板として入手が容易であり、また軽量であるので、装置の製造コストの低減、軽量化に寄与することができる。また、前記誘電体層はシリカ、アルミナ、ジルコニアなどのセラミックス多孔体で形成することができる。かかるセラミックス多孔体は、比誘電率が１．５以下、誘電正接が０．００１以下のものが容易に得られるので、誘電損失の低い、高性能の高周波回路装置を製作することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明にかかる高周波回路装置の実施形態として、パッチアレーアンテナおよびその製作方法について説明する。
図１は本発明の第１実施形態に係るパッチアレーアンテナを示しており、銅、アルミニウム、またはこれらの合金などの導電率の高い導電性金属で形成された基板１と、導電性金属で形成され、前記基板１の中央部において表面（図例では上面）から裏面（図例では下面）に貫通し、かつ前記基板１とは合成樹脂などの絶縁材で形成された絶縁リング２を介して支持された接続ピン（導電接続部材）３と、前記基板１の表面に積層形成された誘電体層４と、前記誘電体層４の上に導電性金属によって形成されたマイクロストリップ回路５とを備えている。
【００１４】
前記接続ピン３は、前記基板１の表面より突出した第１突出部３Ａおよび基板１の裏面より突出した第２突出部３Ｂを有しており、前記第１突出部３Ａの先端面は前記マイクロストリップ回路５と電気的に接合されている。一方、基板１の下面には同軸コネクタ６が付設されており、基板１は前記同軸コネクタ６の外部導体に導通し、前記第２突出部３Ｂは同軸コネクタ６の内部導体を構成している。なお、この例では、接続端子として、同軸コネクタ６を設けたが、同軸コネクタ６は必要に応じて設ければ良く、外部回路とは前記第２突出部と基板とで構成される接続端子に直接、接続するようにしてもよい。
【００１５】
前記誘電体層４はセラミックス材で形成される。セラミックス材としては、比誘電率の低い、誘電損失の小さい材料が好ましく、特にシリカ、アルミナ、ジルコニアなどのセラミックス多孔体が好適である。セラミックス多孔体は、空孔率を上げることによって、比誘電率が１．５以下で、誘電正接が０．００１以下のものを容易に得ることができる。
【００１６】
前記実施形態にかかるパッチアレーアンテナは、以下の手順で製作される。
まず、予め前記基板１に前記接続ピン３を絶縁リング２を介して支持した組み立て基板を準備する。前記接続ピン３の先端面には疎水性コーティングを施しておくことが好ましい。具体的実施例として、前記接続ピン３の第１突出部３Ａの長さを２５０μｍ  とし、その先端面には疎水性コーティング（カーボン膜）を施した組み立て基板を準備した。
【００１７】
次に、前記組み立て基板の表面に接続ピン３の先端面を露出させた状態で誘電体層４として、例えばシリカエアロゲルからなる多孔体層を以下のようにして形成した。ＴＭＯＳ（テトラメトキシシラン）を加水分解し、縮重合させた前駆体（ゾル液）をドクターブレード法により基板１の上に塗布して一次層を形成し、さらに超臨界処理（超臨界乾燥）により一次層に含まれる溶媒を除去することによって厚さ２５０μｍ  のセラミックス多孔体層を形成した。このようにして得られた多孔体の誘電特性は、εｒ  ＝１．５、ｔａｎ  δ＝２×１０−５であった。前記ゾル液の塗布の際、接続ピン３の先端面には疎水性コーティングが施されているので、先端面にはゾル液が付着することはなかった。前記接続ピン３の第１突出部３Ａの先端面に形成された疎水性コーティングは超臨界処理の際に除去されるが、さらに超臨界処理後に有機溶剤により、あるいは機械研磨により除去してもよい。なお、接続ピン３の第１突出部３Ａの先端面に疎水性コーティングを施さない場合、この先端面に多孔体の骨格を形成するセラミックス材が付着するようになるが、かかる付着物は機械研磨などにより適宜除去すればよい。
【００１８】
前記誘電体層４を形成した後、この誘電体層４の上にメッキによって導電性金属層を形成し、さらに回路パタン部を除く不要な領域をエッチングによって除去することによってマイクロストリップ回路を形成する。この際、前記接続ピン３の先端面を回路パタンの一部が被覆するようにしておく。これによって、誘電体層４の上に形成されたマイクロストリップ回路と接続ピン３とは電気的に接続される。
【００１９】
以上のようにして製作されたパッチアレーアンテナは、基板１の裏面にマイクロストリップ回路５と電気的に接続された接続ピン３の第２突出部３Ｂが露出する。この第２突出部３Ｂと、アース導体として機能する基板１とを用いて外部回路への接続端子（アンテナ端子）を容易に構成することができる。この実施形態では、前記第２突出部３Ｂを内部心線とする同軸コネクタ６を付設した。
【００２０】
本実施形態によれば、機械的に脆く、機械加工が難しいセラミックス多孔体によって誘電体層を形成しても、この誘電体層にドリル加工を施すことなく、基板の裏面に外部回路に接続するための接続端子を容易に形成することができる。
【００２１】
図２は本発明の第２実施形態に係るパッチアレーアンテナを示しており、前記第１実施形態に係るパッチアレーアンテナとは基板の構成が異なるので、この点を中心に説明する。なお、第１実施形態と同部材は同符合を付して、その説明を簡略あるいは省略する。
【００２２】
この実施形態においては、基板１１はガラス繊維強化エポキシ樹脂などの機械加工が容易な絶縁板１２の表裏面に銅、アルミニウムなどの高導電率の金属材からなる第１金属層１３Ａ、第２金属層１３Ｂが積層形成されたものであり、前記第１、第２金属層１３Ａ，１３Ｂは絶縁板１２を貫通して装着された内部接続部材（ビアホール）１４によって電気的に接続されている。前記第１、第２金属層１３Ａ，１３Ｂ（特に表面側の第１金属層１３Ａ）はアース導体としての役目を果たす。なお、基板裏面側の第２金属層１３Ｂは必ずしも必要としない。
【００２３】
また、基板１１の中央部は金属層が被覆されていない開口部１５が形成されている。前記第１、第２金属層１３Ａ，１３Ｂおよび開口部１５は、絶縁板１２の表裏面に積層形成した金属箔をエッチングにより前記開口部１５を部分的に除去することによって形成したものである。前記基板１１の表面（第１金属層１３Ａおよび開口部に露出した絶縁板部分）にはセラミックス多孔体によって誘電体層４が積層形成されており、その上にマイクロストリップ回路５が積層形成されている。
【００２４】
前記基板１１の開口部１５には、絶縁板１２の板厚方向に貫通する貫通孔が設けられ、この貫通孔に装着された接続ピン３は、その先端面（上面）が前記誘電体層４に積層形成されたマイクロストリップ回路５の一部によって被覆されている。これによって接続ピン３とマイクロストリップ回路５とは電気的に接続される。この実施形態では、接続ピン３は絶縁板１２に直接支持されるために第１実施形態で用いた絶縁リング２は不要である。この実施形態においても、接続ピン３は基板１１の表面（第１金属層１３Ａの表面）から誘電体層４の厚さ分だけ突出する第１突出部３Ａ、および基板１１の裏面（第２金属層１３Ｂの表面）から突出する第２突出部３Ｂを有している。
【００２５】
この実施形態のパッチアレーアンテナを製作するには、基板１１に接続ピン３が装着された組み立て基板を準備し、第１実施形態と同様にして、基板１１（第１金属層１３Ａ）の表面側に、接続ピン３の第１突出部３Ａを埋め込むように誘電体層４を形成する。前記誘電体層４を形成する際には、第１実施形態と同様、第１突出部３Ａの先端面に疎水性コーティングを施しておき、先端面にセラミックス膜が付着しないようにすることが好ましい。誘電体層４を形成後、接続ピン３の第１突出部３Ａの先端面を被覆するようにマイクロストリップ回路５を形成する。これにより、マイクロストリップ回路５に電気的に接続された接続ピン３の第２突出部３Ｂと第２金属層１３Ｂとで基板１１の裏面側に接続端子を構成することができる。この実施形態においても、前記第２突出部３Ｂを内部導体とする同軸コネクタ６が付設されている。なお、第２金属層１３Ｂを有しない積層基板を用いる場合、図例のように表面側の第１金属層１３Ａに導通し、絶縁板１２の裏面に露出するように内部接続部材１４を設けることによって、基板の裏面側にアース導体側の端子を露出させることができる。
【００２６】
この第２実施形態によれば、セラミックス多孔体で形成された誘電体層にドリル加工を施すことなく、基板１１の裏面側に外部回路に接続するための接続端子を容易に形成することができるほか、金属製の基板を使用することなくパッチアレーアンテナを製作することができるため、アンテナの軽量化を図ることができる。また、本実施形態で用いる基板１１の絶縁板１２は、マイクロストリップ回路のアース導体を構成する表面側の第１金属層１３Ａによって隔てられており、高周波信号の影響を受けないので、テフロンなどの低誘電率の高周波用合成樹脂で形成する必要はなく、安価なガラス繊維強化エポキシ樹脂（ＦＲ４）を利用することができ、材料コストを低減することができる。ガラス繊維強化エポキシ樹脂製の絶縁板の両面に銅層を積層形成した積層板はプリント配線基板として市販されているので、これを利用することで製作コストを大幅に低減することができる。
【００２７】
図３は本発明の第３実施形態に係るパッチアレーアンテナを示しており、前記第２実施形態に係るパッチアレーアンテナと同様、基板として絶縁板の両面に金属層を備えた積層基板を用いるものであるが、第２実施形態とは接続ピンの形態が異なるので、この点を中心に説明する。なお、第１、２実施形態と同部材は同符合を付して、その説明を簡略あるいは省略する。
【００２８】
この実施形態においては、前記第２実施形態と同様、基板１１は機械加工が容易な絶縁板の両面に第１金属層１３Ａ、第２金属層１３Ｂが積層形成されたものである。前記第１、第２金属層１３Ａ，１３Ｂは、内部接続部材１４によって電気的に接続されている。この基板１１では、基板１１の中心部に絶縁板１２を貫通するように接続用内部接続部材１６が設けられ、この接続用内部接続部材１６の上面、下面は第３金属層１７Ａ、第４金属層１７Ｂによって被覆されている。前記第３、第４金属層１７Ａ，１７Ｂと、アース導体を構成する第１、第２金属層１３Ａ，１３Ｂとはリング状開口部１５Ａによって隔たられて非接触状態とされている。前記第１、第２金属層１３Ａ，１３Ｂおよび第３、第４金属層１７Ａ，１７Ｂは、絶縁板１２の表裏面の全面に積層形成された金属箔に対してリング状開口部１５Ａをエッチングによって除去することによって得られたものである。
【００２９】
前記接続用内部接続部材１６の表面側の第３金属層１７Ａの上には誘電体層４の厚さに相当する長さの第１部分接続ピン３Ｃが、裏面側の第４金属層１７Ｂの下には第２部分接続ピン３Ｄが半田付け等によって突設されており、第１部分接続ピン３Ｃ、第３金属層１７Ａ、接続用内部接続部材１６、第４金属層１７Ｂおよび第２部分接続ピン３Ｄによって、基板１１の表裏面を貫通する接続ピン３を構成している。
【００３０】
上記第３実施形態に係るパッチアレーアンテナは、前記基板１１に第１、第２部分接続ピン３Ｃ，３Ｄを有する接続ピン３を備えた組み立て基板を準備し、第１、第２実施形態と同様にして誘電体層４、マイクロストリップ回路５を形成することによって製作される。この実施形態でもアンテナ端子として、第２部分接続ピン３Ｄを内部導体とする同軸コネクタが設けられている。
【００３１】
この第３実施形態も前記第２実施形態と同様、セラミックス多孔体で形成された誘電体層にドリル加工を施すことなく、基板の裏面に外部回路に接続するための接続端子を容易に形成することができるほか、アンテナの軽量化を図ることができ、また市販のプリント配線基板を利用することができ、製作コストを低減することができる。
【００３２】
図４は本発明の第４実施形態に係るパッチアレーアンテナを示しており、前記第２実施形態に係るパッチアレーアンテナと同様、基板１１として絶縁板の両面に金属層１３Ａ，１３Ｂを備えた積層基板を用いるものであるが、前記第２実施形態とは接続ピンの取り付け状態が異なるので、この点を中心に説明する。なお、第２実施形態と同部材は同符合を付して、その説明を簡略あるいは省略する。
【００３３】
この実施形態においては、基板１１は前記第２実施形態と同様であり、基板１１の中央部は金属層が被覆されていない開口部１５とされている。前記開口部１５において絶縁板１２の上に、ドリル加工が容易な合成樹脂等の絶縁材で形成された突出部材２１が接着剤等により接合されて突出している。前記基板１１（第１金属層１３Ａおよび開口部１５に露出した絶縁板部分）の上には前記突出部材２１の先端面が露出するようにセラミックス多孔体で形成された誘電体層４が積層形成されている。前記突出部材２１が埋め込まれた誘電体層４の上には前記突出部材２１の先端面を被覆するようにマイクロストリップ回路５が形成され、このマイクロストリップ回路５、突出部材２１および基板１１（絶縁板１２）を貫通するように形成された貫通孔に接続ピン３が装着されている。この接続ピン３の先端部は前記マイクロストリップ回路５に半田付けされ、電気的に接続されている。一方、前記接続ピン３の下端部は基板１１の裏面より下方に突出しており、この下端部と前記第２金属層１３Ｂとで接続端子を構成している。この例においても、基板１１の裏面に前記接続ピン３の下端部を内部導体とする同軸コネクタ６が付設されている。
【００３４】
上記第４実施形態に係るパッチアレーアンテナは、前記基板１１の開口部１５に前記突出部材２１が設けられた組み立て基板を準備し、第２実施形態と同様にして誘電体層４、マイクロストリップ回路５を形成した後、前記マイクロストリップ回路５、突出部材２１および基板１１（絶縁板１２）を貫通する貫通孔をドリル加工し、その貫通孔に接続ピン３を挿入した後、マイクロストリップ回路５と接続ピン３と先端部とを半田付けすることによって製作される。さらに、この例では基板１１の裏面に接続ピン３の下端部を内部導体とする同軸コネクタ６が設けられる。
【００３５】
本実施形態によれば、多孔質誘電体を備えたパッチアレーアンテナでも、従来の基板と同様のプロセスで基板１１および誘電体層４に埋め込まれた突出部材２１を貫通する貫通孔をドリル加工し、この貫通孔にマイクロストリップ回路５に導通する接続ピン３を装着することによて、基板１１の裏面に接続端子を容易に形成することができる。もっとも、突出部材２１を形成する絶縁材の誘電特性の影響を受け、接続端子での高周波損失はやや大きくなる。
【００３６】
なお、この第４実施形態に係るパッチアレーアンテナにおいても、基板１１の裏面側の第２金属層１３Ｂは必ずしも必要ではなく、また基板自体を第１実施形態のように導電性金属材で形成してもよい。この場合、第１実施形態と同様、接続ピン３は絶縁リング２を介して基板１に装着すればよい。
【００３７】
【発明の効果】
本発明の高周波回路装置の製作方法によれば、基板の表面側の誘電体層の上に形成されるマイクロストリップ回路に導通し、基板の裏面側に露出する接続ピンあるいはこの接続ピンを装着するための突出部材を予め設けた組み立て基板に誘電体層を形成するので、誘電体層が脆くて硬いセラミックス材、とりわけセラミックス多孔体で形成されても、この誘電体層を直接機械加工することなく、基板の裏面側に接続端子を容易に設けることができる。また、本発明の高周波回路装置は、前記製作方法によって形成されたものであり、誘電体層を機械加工することなく、基板の裏面側に接続端子を備える。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係るパッチアレーアンテナの断面図を示す。
【図２】第２実施形態に係るパッチアレーアンテナの断面図を示す。
【図３】第３実施形態に係るパッチアレーアンテナの断面図を示す。
【図４】第４実施形態に係るパッチアレーアンテナの断面図を示す。
【符号の説明】
１，１１  基板
３  接続ピン
１３Ａ、１３Ｂ  金属層
２１  突出部材
【図１】
2004356674.tif 000003
【図２】
2004356674.tif 000004
【図３】
2004356674.tif 000005
【図４】
2004356674.tif 000006