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【手続補正書】
【提出日】平成15年7月15日(2003.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の画像を印刷するための第１画像データ、および配送先を示す配送先情報を受け付ける受付手段と、
配送先に関連する第２の画像を印刷するための第２画像データを記憶する記憶手段と、
前記受付手段が受け付けた配送先情報に基づいて、前記記憶手段から前記第２画像データを取得する取得手段と、
前記受付手段が受け付けた前記第１画像データにより定まる第１の画像、および、前記取得手段が取得した前記第２画像データにより定まる第２の画像を、印刷媒体のあらかじめ定められた単位領域内に印刷する印刷手段と、を備える
ことを特徴とする印刷サービス提供装置。
【請求項２】
請求項１に記載の印刷サービス提供装置において、
前記受付手段は、
前記配送先情報と対応する第２の画像を印刷する位置を指定するための位置情報を、さらに受け付け、
前記印刷手段は、
前記受付手段が受け付けた前記位置情報により指定された位置に、前記第２の画像を印刷することを特徴とする印刷サービス提供装置。
【請求項３】
請求項１に記載の印刷サービス提供装置において、
前記受付手段は、
前記第１画像データ、および、当該第１画像データに対応付けられた複数の前記配送先情報を受け付け、
前記取得手段は、
前記受付手段が受け付けた前記複数の配送先情報に基づいて、前記配送先情報のそれぞれと対応する前記第２画像データを取得し、
前記印刷手段は、
前記取得手段が取得した前記第２画像データにより定まるすべての第２の画像について、各第２の画像ごとに、当該第２の画像および前記受付手段が受け付けた第１画像データにより定まる前記第１の画像を、印刷媒体のあらかじめ定められた単位領域内に印刷することを特徴とする印刷サービス提供装置。
【請求項４】
第１の画像を印刷するための第１画像データを受け付ける受付手段と、
配送先に関連する第２の画像を印刷するための第２画像データを、複数記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶された前記複数の第２画像データの中から、１以上の前記第２画像データの指定を受け付ける指定受付手段と、
前記指定された１以上の前記第２画像データを、前記記憶手段から取得する取得手段と、
前記取得手段が取得した１以上の前記第２画像データにより定まるすべての第２の画像について、各第２の画像ごとに、当該第２の画像および前記受付手段が受け付けた前記第１画像データにより定まる前記第１の画像を、印刷媒体のあらかじめ定められた単位領域内に印刷する印刷手段と、を備える
ことを特徴とする印刷サービス提供装置。
【請求項５】
第１の画像を印刷するための第１画像データを、複数記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶された前記複数の第１画像データの中から、１以上の前記第１画像データの指定を受け付ける指定受付手段と、
前記指定された前記第１画像データを、前記記憶手段から取得する取得手段と、
配送先に関連する第２の画像を印刷するための第２画像データを受け付ける受付手段と、
前記取得手段が取得した前記第１画像データにより定まる前記第１画像、および、前記受付手段が受け付けた前記第２画像データにより定まる前記第２画像を印刷媒体のあらかじめ定められた単位領域内に印刷する印刷手段と、を備える
ことを特徴とする印刷サービス提供装置。
【請求項６】
第１の画像を印刷するための第１画像データを複数記憶する第１の記憶手段と、
配送先に関連する第２の画像を印刷するための第２画像データを複数記憶する第２の記憶手段と、
前記第１の記憶手段に記憶された前記複数の第１画像データの中から、一の前記第１画像データの指定を受け付ける第１の指定受付手段と、
前記第２の記憶手段に記憶された前記複数の第２画像データの中から、一の前記第２画像データの指定を受け付ける第２の指定受付手段と、
指定された前記第１画像データおよび前記第２画像データを、前記第１および第２の記憶手段からそれぞれ取得する取得手段と、
前記取得手段が取得した前記第１画像データにより定まる第１画像、および、前記第２画像データにより定まる第２画像を、印刷媒体のあらかじめ定められた単位領域内に印刷する印刷手段と、を備える
ことを特徴とする印刷サービス提供装置。
【請求項７】
請求項１から６のうちのいずれか一項に記載の印刷サービス提供装置において、
前記印刷媒体は、ロール状に巻かれたロール紙であって、
当該印刷サービス提供装置は、前記ロール紙を切断するためのカッターをさらに備え、
前記カッターは、
前記印刷手段が前記ロール紙に前記第１および第２の画像の印刷をした後、当該カッターにより切り取られた用紙に前記あらかじめ定められた単位領域を含むように、当該ロール紙を切断することを特徴とする印刷サービス提供装置。
【請求項８】
請求項１から７のうちのいずれか一項に記載の印刷サービス提供装置において、
前記第１の画像および前記第２の画像の画像を合成する画像合成手段を、さらに備え、
前記印刷手段は、
前記画像合成手段による合成結果に基づいて、前記第１の画像および前記第２の画像を印刷することを特徴とする印刷サービス提供装置。
【請求項９】
請求項８に記載の印刷サービス提供装置において、
前記画像合成手段は、
前記第１の画像および前記第２の画像の一部または全部が、互いに重なった状態で印刷を行うとき、前記重なった部分について、画素ごとに演算を行って画像を合成し、
前記印刷手段は、
前記重なった部分について、前記画像合成手段による合成結果に基づいて印刷を行うことを特徴とする印刷サービス提供装置。
【請求項１０】
印刷サービス提供装置が行う方法であって、
第１の画像を印刷するための第１画像データ、および配送先を示す配送先情報を受け、
前記配送先情報に基づいて、配送先に関連する第２の画像を印刷するための第２画像データを取得し、
前記第１画像データにより定まる第１の画像、および、前記第２画像データにより定まる第２の画像を、印刷媒体のあらかじめ定められた単位領域内に印刷することを特徴とする印刷方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月16日(2003.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、
前記半導体層に水素を含む不純物を導入する不純物導入工程と、
少なくとも前記絶縁膜にフッ素を導入するフッ素導入工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、
前記半導体層に不純物を導入する不純物導入工程と、
前記絶縁膜に水素が混入する工程と、
少なくとも前記絶縁膜にフッ素を導入するフッ素導入工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法において、
前記不純物はボロンを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、
前記半導体層にデカボランを含む不純物を導入する不純物導入工程と、
少なくとも前記絶縁膜にフッ素を導入するフッ素導入工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記フッ素導入工程は、前記半導体層上から前記フッ素をイオン注入するイオン注入工程と、熱処理を行って前記フッ素を前記絶縁膜に拡散させる熱処理工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記フッ素導入工程は、前記半導体層上に、フッ素含有膜を形成するフッ素含有膜形成工程と、熱処理を行って前記フッ素含有膜に含まれた前記フッ素を前記絶縁膜に拡散させる熱処理工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体層形成工程では、フッ素含有膜である前記半導体層を形成し、
前記フッ素導入工程では、熱処理を行って前記半導体層に含有する前記フッ素を前記絶縁膜に拡散させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体層を所定の形状にパターニングしてゲート電極を形成するパターニング工程を有し、
前記不純物導入工程では、前記ゲート電極をマスクとしてソース／ドレイン領域にも前記不純物を導入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
半導体基板と、前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、水素を含む不純物が導入された半導体層とを有する半導体装置であって、
少なくとも前記絶縁膜にフッ素が導入されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層に水素を含む不純物を導入する不純物導入工程と、少なくとも前記絶縁膜にフッ素を導入するフッ素導入工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法により達成される。これにより、絶縁膜のダングリングボンドにフッ素を結合させることができるので、結合エネルギーが水素より大きいフッ素はこの後の熱処理やＢＴストレス試験等においても結合が解かれることはなく、これにより絶縁膜と半導体基板との界面における界面準位密度を低く抑えることができ、絶縁膜内の固定電荷も少なく抑えることができるので、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供することができる。また、フッ素の導入量を適宜設定することにより、絶縁膜が厚くなってしまうのを防止することができるので、電気的特性の優れた半導体装置の製造方法を提供することができる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、上記目的は、半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層に不純物を導入する不純物導入工程と、前記絶縁膜に水素が混入する工程と、少なくとも前記絶縁膜にフッ素を導入するフッ素導入工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法により達成される。これにより、絶縁膜のダングリングボンドにフッ素を結合させることができるので、結合エネルギーが水素より大きいフッ素はこの後の熱処理やＢＴストレス試験等においても結合が解かれることはなく、これにより絶縁膜と半導体基板との界面における界面準位密度を低く抑えることができ、また、絶縁膜内の固定電荷も少なく抑えることができるので、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供することができる。また、フッ素の導入量を適宜設定することにより、絶縁膜が厚くなってしまうのを防止することができるので、電気的特性の優れた半導体装置の製造方法を提供することができる。
また、上記の半導体装置の製造方法において、前記不純物はボロンを含むことが望ましい。
また、上記目的は、半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層にデカボランを含む不純物を導入する不純物導入工程と、少なくとも前記絶縁膜にフッ素を導入するフッ素導入工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法により達成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、上記の半導体装置の製造方法において、前記フッ素導入工程は、前記半導体層上から前記フッ素をイオン注入するイオン注入工程と、熱処理を行って前記フッ素を前記絶縁膜に拡散させる熱処理工程とを有することが望ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、上記の半導体装置の製造方法において、前記フッ素導入工程は、前記半導体層上に、フッ素含有膜を形成するフッ素含有膜形成工程と、熱処理を行って前記フッ素含有膜に含まれた前記フッ素を前記絶縁膜に拡散させる熱処理工程とを有することが望ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、上記の半導体装置の製造方法において、前記半導体層形成工程では、フッ素含有膜である前記半導体層を形成し、前記フッ素導入工程では、熱処理を行って前記半導体層に含有する前記フッ素を前記絶縁膜に拡散させることが望ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月25日(2003.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素を含有するシリコンの非単結晶からなるｎ型半導体層、ｉ型半導体層及びｐ型半導体層を順に積層してなる第１のｎｉｐ接合を有し、前記ｐ型半導体層を光の入射側とした光起電力素子において、前記ｉ型半導体層は微結晶シリコンからなり、前記ｉ型半導体層と前記ｎ型半導体層との間に第１の不純物拡散防止層を有することを特徴とする光起電力素子。
【請求項２】
前記ｉ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に第２の不純物拡散防止層を有することを特徴とする請求項１に記載の光起電力素子。
【請求項３】
前記第１及び前記第２の不純物拡散防止層の厚さが、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載の光起電力素子。
【請求項４】
前記第１及び前記第２の不純物拡散防止層は、ｉ型の窒化シリコン、ｉ型の炭化シリコン又はｉ型の酸化シリコンのいずれか一つからなることを特徴とする請求項２又は３に記載の光起電力素子。
【請求項５】
前記ｎ型半導体層は、微結晶シリコンの複数の層、又は、微結晶シリコンと非晶質シリコンの複数の層、からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光起電力素子。
【請求項６】
前記ｐ型半導体層は、微結晶シリコンからなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光起電力素子。
【請求項７】
前記第１のｎｉｐ接合と同一の構成を有する第２のｎｉｐ接合を光の入射側に、該第２のｎｉｐ接合を通して第１のｎｉｐ接合に光が入射するように配設して成る請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光起電力素子。
【請求項８】
前記第１のｎｉｐ接合を構成するｉ型半導体層の厚さが、０．５μｍ以上２５μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光起電力素子。
【請求項９】
前記第１のｎｉｐ接合を構成するｉ型半導体層は、シリコン原子に対して１０ｐｐｍ以下のホウ素を含有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光起電力素子。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の光起電力素子を作製する方法において、前記ｎｉｐ接合を構成するｉ型半導体層を、周波数が０．１ＧＨｚ以上のマイクロ波を用いたプラズマＣＶＤ法により形成することを特徴とする光起電力素子の作製方法。
【請求項１１】
前記ｎｉｐ接合を構成するｉ型半導体層をプラズマＣＶＤ法により形成するとき、前記ｎｉｐ接合を載置するために用いる導電性基板にＤＣ又は／及びＲＦのバイアスを印加することを特徴とする請求項１０に記載の光起電力素子の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
すなわち、本発明に係る第１の光起電力素子は、水素を含有するシリコンの非単結晶からなるｎ型半導体層、ｉ型半導体層及びｐ型半導体層を順に積層してなる第１のｎｉｐ接合を有し、前記ｐ型半導体層を光の入射側とした光起電力素子において、前記ｉ型半導体層は微結晶シリコンからなり、前記ｉ型半導体層と前記ｎ型半導体層との間に第１の不純物拡散防止層を有することを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月25日(2003.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基地局とセルラー無線電話システムの移動局との間の可変形式チャネルを経由したデータ・トランザクションを実行する方法であって、前記移動局は、移動局が大容量一方向形式をとるチャネルを経由した受信を待つ空きモードと、移動局が大容量一方向形式をとるチャネルを経由した受信をする第１の能動モードと、移動局が低容量二方向形式をとるチャネルを経由した送信または受信をする第２の能動モードとをとることができ、前記方法が、
基地局がデータ・トランザクションを開始したときに空きモードから第１の能動モードへスイッチするステップと、
移動局がデータ・トランザクションを開始したときに空きモードから第２の能動モードへスイッチするステップと、
データ・トランザクション完了後に両能動モード間でスイッチするステップと、
第１の能動モードでのデータ・トランザクション完了後の第２の能動モードへのスイッチ後に第２の能動モードでトランザクションを開始するかあるいは第１の能動モードへ復帰するかを決定するステップと
を実行する移動局を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
第１の能動モードでのデータ・トランザクションが生じない場合に事前に決められた時間経過後に移動局が空きモードへ復帰することを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の方法において、
移動局がトランザクションに含まれる標識によって第１の能動モードでのトランザクションの完了を検知することを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１乃至４の何れかに記載の方法において、
基地局がトランザクションに含まれる標識によって第２の能動モードでのトランザクションの完了を検知することを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法において、
基地局が完了を示す第２の能動モードでのトランザクションを終了するフラグを検知することを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れかに記載の方法において、
移動局が基地局に対して前記決定のステップの結果を信号で通知することを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れかに記載の方法において、
第２の能動モードへ入る際に、移動局がチャネルを経由して基地局に対して自局が第２の能動モードへ入ったことを通知することを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れかに記載の方法において、
第２の能動モードにおいて、チャネルのアップリンクだけがユーザ・データ用に使用されることを特徴とする方法。
【請求項９】
セルラー無線電話システムの基地局との間で可変形式チャネルを経由して通信できる移動局であって、
前記移動局は、
移動局が大容量一方向形式をとるチャネルを経由した受信を待つ空きモードと、
移動局が大容量一方向形式をとるチャネルを経由した受信をする第１の能動モードと、
移動局が低容量二方向形式をとるチャネルを経由した送信または受信をする第２の能動モードとを持ち、
前記移動局が、
基地局による第１の能動モードでのデータ・トランザクションの開始を禁止するための手段と、
基地局による第１の能動モードでのデータ・トランザクションの開始を許可するための手段と
を含むことを特徴とする移動局。
【請求項１０】
請求項９に記載の移動局において、
禁止する手段および許可する手段がチャネルを経由した第２の能動モードでのアップリンク信号の送信のための手段を含むことを特徴とする移動局。
【請求項１１】
請求項１０に記載の移動局において、
前記低容量二方向形式は、前記可変形式チャネルの構成に対応し、アップリンクおよびダウンリンクの両フレーム内にシングル・スロットを指定してデータを運ぶことを特徴とする移動局。
【請求項１２】
アップリンク通信が共通アクセスであるセルラー無線電話システムの移動局であって、
シングル・スロット形式でアップリンク送信を行う送信機と、
シングル・スロットまたは複数連続スロットの形式でダウンリンク受信を行う受信機とを含み、
対応するアップリンクおよびダウンリンクのスロットは実質的に相互に周波数の間隔が空いており、また相互に時間的に１スロットの長さより少ない間隔が空いており、
前記移動局が、ダウンリンク・トランザクションが完了したことを判定した後にアップリンク・データ・トランザクションを開始できることを特徴とする移動局。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月30日(2004.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
このような固定器１８，２０は、その一例を後に詳細に説明するが、磁気吸着固定装置、磁気吸着保持装置等と称されている磁気装置であり、たとえば、特公5８−４３２１５号公報、特開昭６０−１３０１０６号公報、特公平１−１３２０３号公報、特開平２−２６１７９１号公報等に記載されている。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
作動装置１０を図１において右方から左方（固定器２０の側から固定器１８の側に向かう方向）へ移動させるとき、固定器１８，２０の磁気吸着面２２が磁性体からなる移動基準部（図示の例では、移動基準面）に吸着するように励磁電流が固定器１８に供給されるのに対し、固定器２０に供給されない状態で、図２（Ａ）に示す波形を有する電圧が伸縮器１６に供給される。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
伸縮器７６はその端面において固定器７２，８０に連結されており、伸縮器７８はその端面において固定器７４，８０に連結されている。固定器７２，７４，８０は、六角柱状の形を有する点を除いて前記した固定器１８等と同じである。従って磁性体を吸着可能の励磁状態と磁性体を吸着不能の非励磁状態とに選択的に切り換え可能の磁気的な吸着部を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月23日(2003.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
油槽所でタンクローリ車のハッチに油液が積み込まれる際、出荷ステージで入力手段により各ハッチ毎に積み込まれる油液の情報が入力されると共にハッチ積み込み情報を管理するタンクローリ車の荷卸制御装置において、
前記入力手段を複数種有し、当該複数種の入力手段から入力される各ハッチ毎の積込み情報が記憶される記憶手段と、
該記憶手段から前記ハッチの積込み情報を読み込むハッチ情報読み込み手段と、
該ハッチ情報読み込み手段により読み込まれた前記ハッチの積込み情報に基づいて前記ハッチに積み込まれた油液の荷卸しを許可する荷卸し許可手段と、
を備えてなることを特徴とするタンクローリ車の荷卸制御装置。
【請求項２】
油槽所でタンクローリ車のハッチに油液が積み込まれる際、出荷ステージで入力手段により各ハッチ毎に積み込まれる油液の情報が入力されると共にハッチ積み込み情報を管理するタンクローリ車の荷卸制御装置において、
前記入力手段は、
前記タンクローリ車の各ハッチ近傍に夫々設けられ、当該各ハッチへの油液の供給に使用されるローディングアーム夫々に設けられた当該ローディングより供給可能な油液の液種を記憶する油種キーより当該液種を読み込む油種プラグと、
前記各ハッチに積み込まれた油種を記憶したカードを読み込むカードリーダと、からなり、
前記油種プラグと前記カードリーダとの何れかより前記各ハッチに積み込まれた液種が入力された場合に、当該液種を前記各ハッチに対応させて記憶する記憶手段と、
該記億手段から前記各ハッチの積込み液種を読み込むハッチ情報読み込み手段と、
該ハッチ情報読み込み手段により読み込まれた前記各ハッチに積込まれた油液の液種に基づいて前記各ハッチに積込まれた油液の荷卸しを許可する荷卸し許可手段と、
を備えてなることを特徴とするタンクローリ車の荷卸制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は以下のような特徴を有する。
上記請求項１記載の発明は、油槽所でタンクローリ車のハッチに油液が積み込まれる際、出荷ステージで入力手段により各ハッチ毎に積み込まれる油液の情報が入力されると共にハッチ積み込み情報を管理するタンクローリ車の荷卸制御装置において、
前記入力手段を複数種有し、当該複数種の入力手段から入力される各ハッチ毎の積込み情報が記憶される記憶手段と、
該記憶手段から前記ハッチの積込み情報を読み込むハッチ情報読み込み手段と、
該ハッチ情報読み込み手段により読み込まれた前記ハッチの積込み情報に基づいて前記ハッチに積み込まれた油液の荷卸しを許可する荷卸し許可手段と、
を備えてなることを特徴とするものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
従って、上記請求項１記載の発明によれば、油槽所で油液を各ハッチに積み込む際、複数種の入力手段から入力される各ハッチ毎の積込み情報が記憶され、ハッチ情報読み込み手段により読み込まれたハッチの積込み情報に基づいてハッチに積み込まれた油液の荷卸しを許可するため、例え出荷管理システムの異なる油槽所で油液の積込みを受ける場合でも、その出荷管理システムに対応した入力手段からハッチの積込み情報を得ることが可能になる。そのため、ハッチに積み込まれた油液を荷卸しする場合、入力手段の相違に拘わらず、同一油種のタンクに荷卸しできると共に、油種の異なるタンクへの荷卸しを禁止できる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、請求項２記載の発明は、油槽所でタンクローリ車のハッチに油液が積み込まれる際、出荷ステージで入力手段により各ハッチ毎に積み込まれる油液の情報が入力されると共にハッチ積み込み情報を管理するタンクローリ車の荷卸制御装置において、
前記入力手段は、
前記タンクローリ車の各ハッチ近傍に夫々設けられ、当該各ハッチへの油液の供給に使用されるローディングアーム夫々に設けられた当該ローディングより供給可能な油液の液種を記憶する油種キーより当該液種を読み込む油種プラグと、前記各ハッチに積み込まれた油種を記憶したカードを読み込むカードリーダと、からなり、
前記油種プラグと前記カードリーダとの何れかより前記各ハッチに積み込まれた液種が入力された場合に、当該液種を前記各ハッチに対応させて記憶する記憶手段と、
該記億手段から前記各ハッチの積込み液種を読み込むハッチ情報読み込み手段と、
該ハッチ情報読み込み手段により読み込まれた前記各ハッチに積込まれた油液の液種に基づいて前記各ハッチに積込まれた油液の荷卸しを許可する荷卸し許可手段と、
を備えてなることを特徴とするものである。
従って、上記請求項２記載の発明によれば、油種プラグとカードリーダとの何れかより各ハッチに積み込まれた液種が入力された場合に、当該液種を各ハッチに対応させて記憶させ、記憶手段から読み込まれた各ハッチに積込まれた油液の液種に基づいて各ハッチに積込まれた油液の荷卸しを許可するため、カードリーダのみが設置されている油槽所でも油種キーコネクタのみが設置されている油槽所でも容易に油液の積込みが行える。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
【発明の効果】
上述の如く、請求項１記載の発明によれば、油槽所で油液を各ハッチに積み込む際、複数種の入力手段から入力される各ハッチ毎の積込み情報が記憶され、ハッチ情報読み込み手段により読み込まれたハッチの積込み情報に基づいてハッチに積み込まれた油液の荷卸しを許可するため、例え出荷管理システムの異なる油槽所で油液の積込みを受ける場合でも、その出荷管理システムに対応した入力手段からハッチの積込み情報を得ることが可能になる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
また、上記請求項２記載の発明によれば、油種プラグとカードリーダとの何れかより各ハッチに積み込まれた液種が入力された場合に、当該液種を各ハッチに対応させて記憶させ、記憶手段から読み込まれた各ハッチに積込まれた油液の液種に基づいて各ハッチに積込まれた油液の荷卸しを許可するため、カードリーダのみが設置されている油槽所でも油種キーコネクタのみが設置されている油槽所でも容易に油液の積込みを行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月17日(2003.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
重量百分率でガラス粉末を６０〜８０％、セラミック粉末を０〜１０％、熱可塑性樹脂を５〜３０％、可塑剤を０〜１０％含むガラスシートからなることを特徴とするプラズマディスプレーパネル用誘電体形成材料。
【請求項２】
自己接着性を有することを特徴とする請求項１のプラズマディスプレーパネル用誘電体形成材料。
【請求項３】
ガラス粉末が、重量百分率で、ＰｂＯ  ５０〜７５％、Ｂ2 Ｏ3   ２〜３０％、ＳｉＯ2   ２〜３５％、ＺｎＯ  ０〜２０％の組成を有することを特徴とする請求項１のプラズマディスプレーパネル用誘電体形成材料。
【請求項４】
ガラス粉末が、重量百分率で、ＺｎＯ  ２５〜４５％、Ｂｉ2 Ｏ3  １５〜３５％、Ｂ2 Ｏ3  １０〜３０％、ＳｉＯ2  ０．５〜８％、ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ  ８〜２４％の組成を有することを特徴とする請求項１のプラズマディスプレーパネル用誘電体形成材料。
【請求項５】
ガラスの軟化点より１０℃高い温度で焼成することにより形成されるガラス膜の表面粗さＲａが０．２μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のプラズマディスプレーパネル用誘電体形成材料。
【請求項６】
シート厚が５０〜１００μｍであることを特徴とする請求項１〜５のプラズマディスプレーパネル用誘電体形成材料。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月27日(2004.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
石膏には、天然石膏と化学石膏とがあり、例えば、石油精製時の脱硫過程で発生した余剰硫黄及び硫酸から化学石膏を製造する場合には、図６に示す工程により行なわれている。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、図６の技術例であると、前述した（２）のＣａＳＯ４濃縮スラリーの生成工程と、（３）の水分除去工程でそれぞれ多量の水処理をすることが必要となり、これらに伴って廃水処理設備の設置を余儀なくされ、経済性や設置スペースの面で改善すべき課題が残されている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月20日(2004.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に研磨工具を有する研磨テーブルと、基板を保持しつつ該基板の被研磨面を前記研磨テーブルに所定の圧力で押圧する自転自在なトップリングヘッドと、前記トップリングヘッドと研磨テーブルの外の位置で基板の受け渡しを行う受け渡し装置とを備え、
前記研磨テーブルと基板の受け渡し装置との間にはガイドレールが配置され、このガイドレールには前記トップリングヘッドを搭載する基台が走行可能に設けられていることを特徴とする基板の研磨装置。
【請求項２】
前記基板のドレッシングを行なうドレッシング装置が、前記トップリングヘッドが基板の受け渡し位置に移動した時に前記研磨テーブルの上方に来るように前記基台に搭載されていることを特徴とする請求項１に記載の基板の研磨装置。
【請求項３】
前記基台は、ボールねじ機構によって走行駆動されることを特徴とする請求項１に記載の基板の研磨装置。
【請求項４】
前記研磨テーブルは、基板に対して循環並進運動を行なう形式であることを特徴とする請求項１に記載の基板の研磨装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本願発明は、上記課題を解決するためになされたもので、請求項１に記載の発明は、上面に研磨工具を有する研磨テーブルと、基板を保持しつつ該基板の被研磨面を前記研磨テーブルに所定の圧力で押圧する自転自在なトップリングヘッドと、前記トップリングヘッドと研磨テーブルの外の位置で基板の受け渡しを行う受け渡し装置とを備え、前記研磨テーブルと基板の受け渡し装置との間にはガイドレールが配置され、このガイドレールには前記トップリングヘッドを搭載する基台が走行可能に設けられていることを特徴とする基板の研磨装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月13日(2004.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
さらに、前記トップリング装置との間で被研磨材の受け渡しを行うプッシャを取付ける第３の枠体が、前記第１の枠体と前記基礎枠との間に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の基板の研磨装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項４に記載の発明は、さらに、前記トップリング装置との間で被研磨材の受け渡しを行うプッシャを取付ける第３の枠体が、前記第１の枠体と前記基礎枠との間に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の基板の研磨装置である。これにより、プッシャを含めたコンパクトな構成とすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月6日(2003.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】切手の製作方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
切手印刷用デザインを郵政省に申請し、切手シートをプリンターにより連続的に間隔をあけて印刷する工程と水溶性の粘着性接着剤を切手シート裏面に接着する接着剤塗布工程と切手シートをシリコーン処理したグラシン化紙に接着する接着工程と切手シートにミシン目を刻設するプレス工程とからなる切手の製作方法によって切手の製造委託をし、製品化された切手を購入して頒布することを特徴とする切手の製作方法。
【請求項２】
料金が印刷され、ミシン目の入った単位切手枚数分のシートを郵政省から購入し、これに自由なデザインを請求項１に記載の切手の製作方法によって印刷して頒布することを特徴とする切手の制作方法。
【請求項３】
印刷工程は、印刷面を浮き彫りの金装飾をなす請求項１又は請求項２に記載の切手の製作方法。
【請求項４】
プレス工程は凹凸模様層を設けた転写材を切手シートに転写して切手シートに凹凸模様を形成する請求項１又は請求項２に記載の切手の製作方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、切手を自由にデザインし、製作頒布する切手の製作方法に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
即ち、切手印刷用デザインを郵政省に申請し、切手シートをプリンターにより連続的に間隔をあけて印刷する工程と水溶性の粘着性接着剤を切手シート裏面に接着する接着剤塗布工程と切手シートをシリコーン処理したグラシン化紙に接着する接着工程と切手シートにミシン目を刻設するプレス工程とからなる切手の製作方法によって切手の製造委託をし、製品化された切手を購入して頒布する切手の製作方法、又は、料金が印刷され、ミシン目の入った単位切手枚数分のシートを郵政省から購入し、これに自由なデザインを請求項１に記載の切手の製作方法によって印刷して頒布する切手の製作方法を構成するものである。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
これによって、浮き彫り３２，３３，３４の金は、それら浮き彫りに対応するシート３９上の区域４０、４１、４２へと、瞬間的に移される。シート３９には、板３１の平面４５に対応する、金張りがなされない残留区域４３が設けられている。次いで、肖像を浮き彫り上に浮き立たせるための普通の打ち出しまたは型押しと、切手の像４４の裁断が行われる。このようにして、迅速にしかも金を少しでも落とすことなく切手に浮き彫り状に金張りででき、且つ切手の残留区域には任意の印刷を行うことができる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
一方、郵便物処理の機械化のために、郵便物の種類を切手によって判別処理を行う検知方式が採用されつつある。その検知方法として、例えば切手自体に蛍光材料を用いることも考えられている。この蛍光材料として無機蛍光顔料を塗被液に含有させるとグラビアロールに付着したインキのうち過剰分のインキ取りを行うために適切であることが判明している。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月4日(2003.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
図１に、本発明のサーマルヘッドの調整方法を実施する本発明の感熱記録装置の一実施例の概略断面模式図を示す。
図１に示す感熱記録装置（以下、単に記録装置という）１０は、例えばＢ４サイズ等の所定のサイズのカットシートである感熱記録材料（以下、単に感熱材料という）Ａに感熱画像記録を行うものであり、感熱材料Ａが収容されたマガジン２４が装填される装填部１４、供給搬送部１６、サーマルヘッド６６によって感熱材料Ａに感熱画像記録を行う記録部２０、および排出部２２を有する。また、図３に示されるように、記録部２０のサーマルヘッド６６には、画像処理部８０および記録制御部８４が接続され、さらに、画像処理部８０にはデータ記憶部８６が接続される。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月22日(2003.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子放出素子の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カソード電極と、前記カソード電極に対向して配置されたアノード電極と、前記カソード電極上に配置された電子放出部材とを備える電子放出素子の製造方法であって、
難電子放出物質からなる略円筒状体に、前記難電子放出物質とは異なる易電子放出物質を充填したのち、前記略円筒状体を延伸して前記略円筒状体の径を小さくする工程、および
前記径を小さくした略円筒状体を切断することによって、貫通孔を有する難電子放出物質と、前記貫通孔に充填され前記難電子放出物質よりも電子を放出しやすい易電子放出物質とを備える電子放出部材を形成する工程
を含むことを特徴とする電子放出素子の製造方法。
【請求項２】
前記易電子放出物質がカーボン・ナノ・チューブを含む請求項１に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項３】
前記電子放出部材を形成する工程ののち、前記難電子放出物質の端部を除去することによって、前記電子放出部材に、前記易電子放出物質からなる凸部を形成する工程をさらに含む請求項１に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項４】
前記略円筒状体を延伸することにより前記易電子放出物質を略一方向に配列させる、請求項１に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項５】
前記易電子放出物質がカーボン・ナノ・チューブを含む、請求項４に記載の電子放出素子の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
そこで本発明は、前記問題を解決するため、取り扱いが容易であり、かつ電子放出能力の高い電子放出材料の製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため本発明の電子放出素子の製造方法は、カソード電極と、前記カソード電極に対向して配置されたアノード電極と、前記カソード電極上に配置された電子放出部材とを備える電子放出素子の製造方法であって、
難電子放出物質からなる略円筒状体に、前記難電子放出物質とは異なる易電子放出物質を充填したのち、前記略円筒状体を延伸して前記略円筒状体の径を小さくする工程、および
前記径を小さくした略円筒状体を切断することによって、貫通孔を有する難電子放出物質と、前記貫通孔に充填され前記難電子放出物質よりも電子を放出しやすい易電子放出物質とを備える電子放出部材を形成する工程
を含むことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記易電子放出物質はカーボン・ナノ・チューブを含むことが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記電子放出部材を形成する工程ののち、前記難電子放出物質の端部を除去することによって、前記電子放出部材に、前記易電子放出物質からなる凸部を形成する工程をさらに含むことが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
前記略円筒状体を延伸することにより前記易電子放出物質を略一方向に配列させることが好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前記易電子放出物質がカーボン・ナノ・チューブを含むことが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月22日(2003.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
図５には、同一基板上に形成されるＮチャネル型ＴＦＴの９０％が１８０(cm2／Vs)を超え２６０(cm2／Vs)以下の移動度を有していることが示されている。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
図６には、得られるＰチャネル型ＴＦＴの９０％が１１０(cm2／Vs)を超え１５０(cm2／Vs)以下の移動度を有していることが示されている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
上記のことは、任意に１００個のＴＦＴを選びだした場合、平均してその９０個が上述したような移動度を示すことを意味している。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本明細書で開示する発明の一つは、
絶縁表面上に形成された薄膜トランジスタでなるオペアンプ回路群であって、
前記オペアンプ回路は、少なくともＮチャネル型の薄膜トランジスタとＰチャネル型の薄膜トランジスタを組み合わせて構成されており、
前記Ｎチャネル型の薄膜トランジスタの９０％はその移動度が１８０(cm2／Vs)を超え２６０(cm2／Vs)以下の値を有し、
前記Ｐチャネル型の薄膜トランジスタの９０％はその移動度が１１０(cm2／Vs)を超え１５０(cm2／Vs)以下の値を有していることを特徴とする。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎチャネル型の薄膜トランジスタとＰチャネル型の薄膜トランジスタが組み合わされて構成されたオペアンプ回路群であって、
前記Ｎチャネル型の薄膜トランジスタと前記Ｐチャネル型の薄膜トランジスタは同一基板上に形成されており、
前記Ｎチャネル型の薄膜トランジスタのうち９０％は、移動度が１８０(cm2／Vs)を超え２６０(cm2／Vs)以下であり、
前記Ｐチャネル型の薄膜トランジスタのうち９０％は、移動度が１１０(cm2／Vs)を超え１５０(cm2／Vs)以下であることを特徴とするオペアンプ回路群。
【請求項２】
Ｎチャネル型の薄膜トランジスタとＰチャネル型の薄膜トランジスタが組み合わされて構成された差動増幅回路群であって、
前記Ｎチャネル型の薄膜トランジスタと前記Ｐチャネル型の薄膜トランジスタは同一基板上に形成されており、
前記Ｎチャネル型の薄膜トランジスタのうち９０％は、移動度が１８０(cm2／Vs)を超え２６０(cm2／Vs)以下であり、
前記Ｐチャネル型の薄膜トランジスタのうち９０％は、移動度が１１０(cm2／Vs)を超え１５０(cm2／Vs)以下であることを特徴とする差動増幅回路群。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月8日(2003.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来技術】
かゝる大型寸法の耐火レンガは、錫浴と反対側の面、四つの側面および錫浴に接触しない面を持つ厳密な平行六面体の形態を有している。錫浴と反対側の面は大抵は鋼鉄製より成る槽構造物で支持されている。かゝる大型寸法の耐火レンガの６つの面は、焼き付けた後のブロックゲージ（Ｅｎｄｍａｓｓ）での研磨工程において仕上加工され、その際に所望の寸法が得られる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、錫浴のための内張りとして使用する際の剥落現象を押さえるために、長石の形成または長石代替物の形成を著しく減少させて、冒頭に記載した種類の大型寸法の耐火レンガを提供することである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
珪酸アルカリ金属は被覆物中に約５０〜６０重量% の割合でそしてアルミノ珪酸塩を約５０〜４０重量% の割合で含有している。被覆物は珪酸アルカリ金属に加えて、釉性層の組成を変えるために、ＳｉＯ2 を含有していてもよい。耐火レンガは、ガラス製造装置の使用場所によって、釉性層を装置の末端部では既に比較的に低い温度、例えば既に６００℃で、または装置の中心部では比較的に高温、例えば１０００℃または１２００℃で初めて生じる様に相違していてもよい。ＳｉＯ2 はシリカゾルの形でまたは焼成珪酸（Ｐｙｒｏｇｅｎｅ  Ｋｉｅｓｅｌｓａｅｕｒｅ）として準備してもよい。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
ブロック状基礎物質は被覆物の他に、錫浴と接触する表面の周りを周回する相を有していてもよい。この場合被覆物はこの相によって形成される基礎物質の側面をも少なくとも被っている。錫浴に接触する表面には大きな表面を沢山の小さな面に分割する一つまたは複数の細い溝が追加的に配置されていてもよい。
かゝる耐火レンガの本発明に従う製造方法は、ブロック状基礎物質をＡｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系の材料で形成し、乾燥し、焼き付けそしてブロックゲージ上で研磨しそしてブロックゲージ上で基礎物質を研磨の後に錫浴と接触する基礎物質表面に珪酸アルカリ金属含有被覆物を設けるものである。被覆物の塗布は例えば塗り掛け、ロール塗装、噴霧塗装等で行う。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月30日(2003.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２７】
請求項１、２または３に記載の式１の化合物を含有することを特徴とする医薬組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２８】
予防上または治療上有効量の請求項１、２または３に記載の式１の化合物及び医薬上許される担体を含むことを特徴とするHIV-1 感染症の予防または治療用医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月1日(2003.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】リポタンパク質およびクロトンアミド誘導体を含有する医薬組成物


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１) リポタンパク質、および
２) 式Ｉ
【化１】
1997188658.tif 000001
〔式中、Ｒ1はａ)（Ｃ1〜Ｃ4）−アルキル、ｂ)（Ｃ3〜Ｃ5）−シクロアルキル、ｃ)（Ｃ2〜Ｃ6）−アルケニルまたはｄ)（Ｃ2〜Ｃ6）−アルキニルであり、
Ｒ2はａ)−ＣＦ3、ｂ)−Ｏ−ＣＦ3、ｃ)−Ｓ−ＣＦ3、ｄ)−ＯＨ、ｅ)−ＮＯ2、ｆ)ハロゲン、ｇ)ベンジル、ｈ)フェニル、ｉ)−Ｏ−フェニル、ｋ)−ＣＮまたはｌ) 1)（Ｃ1〜Ｃ4）−アルキル、2)ハロゲン、3)−Ｏ−ＣＦ3または4)−Ｏ−ＣＨ3によりモノ−またはポリ置換された−Ｏ−フェニルであり、
Ｒ3はａ)（Ｃ1〜Ｃ4）−アルキル、ｂ)ハロゲンまたはｃ)水素原子であり、そして
Ｘはａ)−ＣＨ基またはｂ)窒素原子である〕で表される化合物、その立体異性体または塩
を含有する医薬組成物。
【請求項２】
Ｒ1がａ)メチル、ｂ)シクロプロピルまたはｃ)（Ｃ3〜Ｃ5）−アルキニルであり、Ｒ2がＣＦ3またはＣＮであり、Ｒ3が水素原子またはメチルでありそしてＸが−ＣＨ基である請求項１記載の医薬組成物。
【請求項３】
式Ｉの化合物がＮ−（４−トリフルオロメチルフェニル）−２−シアノ−３−ヒドロキシクロトンアミド、２−シアノー３−シクロプロピルー３−ヒドロキシ−Ｎ−（４−シアノフェニル）アクリルアミドまたはＮ−（４−トリフルオロメチルフェニル）−２−シアノ−３−ヒドロキシヘプト−２−エン−６−インーカルボキサミドである化合物、その立体異性体または塩である請求項１記載の医薬組成物。
【請求項４】
リポタンパク質が高密度リポタンパク質画分であり、高密度リポタンパク質サブ画分または高密度リポタンパク質成分が用いられる請求項１記載の医薬組成物。
【請求項５】
用いる高密度リポタンパク質がＨＤＬ1、ＨＤＬ2、ＨＤＬ3、ＨＤＬc、ＡｐｏＥ、ＡｐｏＡ−Ｉ、ＡｐｏＡ−II、それらの変性形態またはそれらの混合物である請求項４記載の医薬組成物。
【請求項６】
１種またはそれより多くの抗尿酸症剤、血小板凝集阻害剤、鎮痛剤、ステロイド性抗炎症剤、非ステロイド性抗炎症剤または免疫抑制化合物を含有する請求項１記載の医薬組成物。
【請求項７】
シクロスポリンＡ、ＦＫ５０６またはラパマイシンを含有する請求項６記載の医薬組成物。
【請求項８】
急性免疫疾患、臓器移植後の急性、慢性または超急性拒絶反応、自己免疫疾患、II型糖尿病、嚢胞性繊維症、大腸炎、肝繊維症、ガン性疾患の治療のための請求項１記載の医薬組成物。
【請求項９】
免疫疾患治療用医薬製造のための請求項１記載の医薬組成物の使用。
【請求項１０】
ガン治療用医薬製造のための請求項１記載の医薬組成物の使用。
【請求項１１】
ガンが肺ガン、白血病、卵巣ガン、肉腫、カポジ肉腫、髄膜腫、大腸ガン、リンパ腺ガン、脳腫瘍、乳ガン、膵臓ガン、前立腺ガンまたは皮膚ガンである請求項１０記載の使用。
【請求項１２】
自己免疫疾患治療用医薬製造のための請求項１記載の医薬組成物の使用。