(57)【要約】【課題】位置精度の高いマスクパターンが形成可能な半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】イオン注入領域とイオン非注入領域との境界２０に対応する平面位置に中央線が設定され、この中央線を中心として線幅が一定で内部に開口部を有する閉じた矩形の形状であるリング状でパターニングされたポリシリコンパターン９に対し２．３８％のＴＭＡＨ水溶液を用いてエッチングを行うことにより、ポリシリコンパターン９のレジストパターン１２で被膜されていない箇所において、イオン注入領域とイオン非注入領域の境界２０までエッチングを進め、ポリシリコンパターン１３を形成する。【選択図】        図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）  基板上に、線幅が第１の幅で一定で内部に開口部が設けられるリング状の第１のマスクパターンを形成するステップと、
（ｂ）  前記第１のマスクパターン上に沿って前記開口部を覆うように第２のマスクパターンを形成するステップとを備え、前記第２のマスクパターンの端部は前記第１のマスクパターンの外側端部から前記開口部側に所定距離以上隔てた位置に形成され、
（ｃ）  所定のエッチング液を用いて前記第１のマスクパターンを選択的に除去することより、前記第１のマスクパターンの外側端部から前記所定距離分除去された線幅の第３のマスクパターンを得るするステップと、
（ｄ）  前記第２及び第３のマスクパターンをマスクとして前記基板の上層部に不純物を注入しイオン注入領域を得るステップとをさらに備える、
半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ステップ（ａ）  は、
（ａ−１）  前記基板上に前記第１のマスクパターン材料となるマスク層を形成するステップと、
（ａ−２）  前記マスク層上にレジスト膜を形成するステップと、
（ａー３）  前記レジスト膜をパターニングして、線幅が前記第１の幅で一定で内部に前記開口部を有するリング状のレジストパターンを形成するステップと、
（ａ−４）  前記レジストパターンをマスクとして前記マスク層をパターニングして前記第１のマスクパターンを得るステップとを含む、
半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、イオン注入の際に使用されるマスクパターンの形成に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造において、従来よりチャネルやウェルの形成は、フォトレジスト材料を用いてフォトリソグラフィー技術によって作成されたイオン注入マスクを用いて行われていた。しかし、近年、半導体装置の高密度化に伴い、より高い精度の技術が求められるようになってきた。このような技術の例として、ポリシリコン材料によるイオン注入マスクを用いる特許文献１の技術が知られている。
【０００３】
【特許文献１】
特開平８−２９３５６７号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、かかる従来技術においては、ポリシリコンパターン自体の形成は既存技術で行われており、ポリシリコンパターンの端部をイオン注入領域とイオン非注入領域との境界に正確に位置させることが困難なため、所望の位置精度を達成することができないという問題点があった。
【０００５】
この発明は上記問題点を解決するためになされたもので、位置精度の高いマスクパターンが形成可能な半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明にかかる請求項１記載の半導体装置の製造方法は、（ａ）基板上に、線幅が第１の幅で一定で内部に開口部が設けられるリング状の第１のマスクパターンを形成するステップと、（ｂ）前記第１のマスクパターン上に沿って前記開口部を覆うように第２のマスクパターンを形成するステップとを備え、前記第２のマスクパターンの端部は前記第１のマスクパターンの外側端部から前記開口部側に所定距離以上隔てた位置に形成され、（ｃ）所定のエッチング液を用いて前記第１のマスクパターンを選択的に除去することより、前記第１のマスクパターンの外側端部から前記所定距離分除去された線幅の第３のマスクパターンを得るするステップと、（ｄ）前記第２及び第３のマスクパターンをマスクとして前記基板の上層部に不純物を注入しイオン注入領域を得るステップとをさらに備える。
【０００７】
【発明の実施の形態】
図１〜図１０はこの発明の実施の形態である半導体装置の製造方法における各工程を示す断面図である。以下、図１〜図１０を用いて、この実施の形態の半導体装置の製造方法を説明する。
【０００８】
まず、図１に示すように、シリコン基板等の基板１の上層部に複数の分離領域２を選択的に形成する。これら分離領域２に分離された基板１の上層部領域が活性領域３として規定される。そして、分離領域２を含む基板１上全面にゲート酸化膜４を形成する。
【０００９】
次に、図２に示すように、ゲート酸化膜４上にポリシリコン膜５（マスク層）を形成する。続いて、図３に示すように、ポリシリコン膜５上にフォトレジスト膜６を成膜する。
【００１０】
その後、図４に示すように、パターニングされた露光用マスク７（レチクル）を用いてフォトレジスト膜６を露光し、さらに現像を行うことによりフォトレジスト膜６をパターニングしてレジストパターン８を得る。
【００１１】
図１１は、このレジストパターン８の形成工程で用いた露光用マスク７の設計データ７ａと基板断面との関係を示す説明図である。なお、図１１では基板１の一部のみに対して、上側に平面視した設計データ７ａを示し、下側にそのＸＩ−ＸＩ断面を示している。
【００１２】
同図に示すように、露光用マスク７の設計データ７ａは、最終的にイオン注入を行うべき領域であるイオン注入領域と、イオン注入を行わない領域であるイオン非注入領域との境界２０に対応する平面位置に中央線２２が設定され、この中央線２２を中心として線幅が一定（Ｗ１＋Ｗ２）で内部に開口部１７を有する閉じた矩形の形状（以下、単に「リング状」と示す場合あり）を呈している。
【００１３】
また、設計データ７ａは、中央線２２に対して、イオン注入領域側の幅Ｗ１と、イオン非注入領域側の幅Ｗ２が等しく、露光用マスク７の全体を通じて幅Ｗ１およびＷ２が一定値となるように設計されている。すなわち、以下の式（１）を満たすものとなっている。
【００１４】
Ｗ１＝Ｗ２＝ｋ…（１）
式（１）において、ｋは定数である。換言すると、露光用マスク７は、レジストパターン８を、そのほぼ中央に境界２０が位置する一定幅の帯状の閉じた形状、すなわち、線幅一定のリング状のパターンとして形成するものとなっている。
【００１５】
図１３は、マスク（露光用マスク７，露光用マスク１１等に相当）のマスクサイズと、それを用いて形成されたレジストパターン（レジストパターン８，１２に相当）との間におけるサイズの関係を示す図である。
【００１６】
同図に示すように、マスクパターンが１０．０μｍを超えるとマスク寸法に対するレジストパターン寸法のズレが大きくなり、レジストパターンの精度が劣化する。これは、サイズの大きなレジストパターンでは、そのエッジがテーパ状になり、レジストパターンが収縮するように作用して、レジストパターンの裾寸法が小さくなる傾向があることに起因する。
【００１７】
一方、レジストパターンのサイズを１．０μｍ以下に抑えることにより、マスク寸法に対してほぼ正確なレジストパターンサイズが得られている。したがって、露光用マスク７の線幅を１．０μｍ以下に設定することにより、レジストパターン８を精度良く形成することができる。なお、レジストパターン８は線幅一定のリング状に形成するため、リング状で囲む面積が大きくなっても線幅を常に一定に保つことができる。
【００１８】
このように、レジストパターン８を露光用マスク７のパターンを反映して線幅一定のリング状に形成し、その線幅を１．０μｍ以下に設定することにより精度良くレジストパターン８を形成することができる。
【００１９】
次に、図５に示すように、レジストパターン８をマスクとしてポリシリコン膜５に対してドライエッチングを施し、一定の線幅をもつリング状のポリシリコンパターン９（第１のマスクパターン）を形成する。これにより、ポリシリコンパターン９は、そのほぼ中央に境界２０が位置する線幅一定のリング状のパターンとして形成される。なお、このドライエッチングは、多少のポリシリコンのエッチング残さを許容する代わりに基板１にダメージを与えない条件、すなわち、オーバーエッチングをしない程度のものとしている。これにより、ゲート酸化膜４へのダメージを回避できる。
【００２０】
次に、図６に示すように、ポリシリコンパターン９が形成された基板１上全面にフォトレジスト膜１０を成膜し、イオン注入領域と非注入領域とを分類すべく描画した露光用マスク１１を用いて露光を行う。
【００２１】
さらに、図７に示すように、フォトレジスト膜１０に対して現像を行い、第２のマスクパターンであるレジストパターン１２（１２ａ，１２ｂ）を形成する。図７の例では、レジストパターン１２ａよりレジストパターン１２ｂの方がサイズが大きく、サイズが収縮するように作用した結果、レジストパターンの裾寸法が小さくなっている。すなわち、レジストパターン１２ａのエッジを境界２０に一致させるようにパターニングした場合、レジストパターン１２ｂのエッジは境界２０（ポリシリコンパターン９の外側端部から所定距離にある位置）から内側（開口部側）にズレで形成されることになる。
【００２２】
しかしながら、マスクパターンのエッジ部分はポリシリコンパターン９（最終的には、後述するポリシリコンパターン１３）が受け持つため、レジストパターン１２ｂは少なくとも隣接するポリシリコンパターン９間のイオン非注入領域を覆って形成すれば十分であるため、レジストパターン１２ｂの上述したズレは何ら問題とならない。すなわち、レジストパターン１２は、ポリシリコンパターン９の外側端部からＷ２以上離れた位置に、ポリシリコンパターン９の開口部を覆うように形成すれば良い。
【００２３】
図１２は、この工程で用いた露光用マスク１１の設計データ１１ａと基板断面との関係を示す説明図である。なお、図１２では基板１の一部のみに対して、上側に設計データ１１ａを平面的に示し、下側にＸＩＩ−ＸＩＩ断面図を示している。図１２には、ポリシリコンパターン９の開口部を覆うべく設計された設計データ１１ａに基づき露光用マスク１１のレイアウトパターンが決定する。
【００２４】
次に、図８に示すように、有機アルカリ水溶液である２．３８％のＴＭＡＨ（ＴｅｔｒａＭｅｔｈｙｌＡｍｍｏｎｉｕｍＨｙｄｒｏｘｉｄｅ：テトラメチルアンモニウハイドロオキサイド）水溶液を用いてポリシリコンパターン９に対するウェットエッチングを実行することにより、ポリシリコンパターン９のレジストパターン１２で被膜されていない箇所において、イオン注入領域とイオン非注入領域の境界２０までエッチングを進め、第３のマスクパターンであるポリシリコンパターン１３を形成する。
【００２５】
この際、ＴＭＡＨ水溶液のポリシリコンに対するエッチング速度を考慮し、エッチングがほぼ境界２０、すなわちポリシリコンパターン９のほぼ中央に達した段階でエッチングを終了するように行う。その結果、ポリシリコンパターン９の外側端部から距離Ｗ２分除去され、線幅Ｗ１で一定のリング状のポリシリコンパターン１３を精度良く得ることができる。また、図５で示したポリシリコンパターン９の形成時にゲート酸化膜４上にエッチング残さが生じていた場合でも、このウェットエッチングにより確実に除去される。
【００２６】
ＴＭＡＨ水溶液を用いたエッチングは等方性エッチングであるため、ポリシリコンパターン９は矢印３０の方向は勿論、膜厚を削る方向にも浸食が生じる。したがって、ポリシリコンパターン９のエッジが境界２０に達するまで、イオン注入用のマスクとして機能可能な膜厚が残存する程度の膜厚にポリシリコンパターン９の膜厚を設定しておく必要がある。
【００２７】
次に、図９に示すように、レジストパターン１２およびポリシリコンパターン１３をマスクとして基板１の上層部に対するイオン注入を行う。その結果、基板１の上層部は、イオンが注入されたイオン注入領域２４とイオン注入がレジストパターン１２及びポリシリコンパターン１３により阻止されたイオン非注入領域２６に分類される。この際、精度良く形成されたポリシリコンパターン１３をマスクエッジとしてイオン注入が行えるため、イオン注入領域を精度良く形成することができる。
【００２８】
次に、図１０に示すように、硫酸および過酸化水素水によりレジストパターン１２を除去し、さらに２．３８％のＴＭＡＨ水溶液によりポリシリコンパターン１３を除去する。以降、目的とする半導体装置を得るための既存の工程を経る等ことにより精度良くイオン注入領域が形成された半導体装置を得ることができる。
【００２９】
このように、本実施の形態の半導体装置の製造方法は、パターン精度が要求されるポリシリコンパターン９を線幅一定のリング状に形成することにより、イオン注入用のマスク領域の面積（ポリシリコンパターン９で囲まれる領域の面積に相当）に関係なく、精度良くポリシリコンパターン９を形成することができる。
【００３０】
さらに、図５で示したポリシリコンパターン９形成時に用いるドライエッチングは、少々のポリシリコンのエッチング残さがあってもかまわないような基板１にダメージを与えない条件を用いるため、ゲート酸化膜４のダメージを避けることが可能である。
【００３１】
さらに、イオン注入マスクとなるポリシリコンパターン１３およびレジストパターン１２のにおいてはウェットエッチングを用いるため、ゲート酸化膜４へのダメージを避けることが可能である。
【００３２】
（ポリシリコンパターン２段階形成による効果）
本実施の形態では、ポリシリコンパターンの形成を２段階（ポリシリコンパターン９の形成後、ポリシリコンパターン９からポリシリコンパターン１３を形成）に行うことにより、導電型の異なる（不純物）イオンを隣接する領域にそれぞれ注入する工程を有する半導体装置の製造方法を実行する際、１回目に形成されるポリシリコンパターン用の露光用マスクをＰ型イオン注入用とＮ型イオン注入用とで兼用させることができる効果を有する。以下、この効果について詳述する。
【００３３】
図２２は、Ｐ型及びＮ型イオン注入兼用の露光用マスクの設計データ１８ａと基板断面との関係を示す説明図である。なお、図２２では基板１の一部のみに対して、上側に平面視した設計データ１８ａを示し、下側にそのＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ断面を示している。
【００３４】
同図に示すように、露光用マスク１８の設計データ１８ａは、Ｎ型イオン注入領域（Ｐ型イオン非注入領域）とＮ型イオン非注入領域（Ｐ型イオン注入領域）との境界２０に対応する平面位置に中央線２２が設定され、この中央線２２を中心として線幅が一定（Ｗ１＋Ｗ２）で内部に開口部１７ａ，１７ｂを有する閉じた２つのリング状を呈している。
【００３５】
以下、説明の都合上、開口部１７ａをＰ型イオン注入領域用の開口部、開口部１７ｂをＮ型イオン注入領域用の開口部とし、設計データ１８ａにおける開口部１７ａを一定の線幅で囲む形状は、図１１で示した設計データ７ａと同一形状であるとして説明する。
【００３６】
設計データ１８ａは、中央線２２に対して、Ｐ型イオン注入領域側（Ｎ型イオン非注入領域側）の幅Ｗ１と、Ｎ型イオン注入領域側（Ｐ型イオン非注入領域側）の幅Ｗ２が等しく、露光用マスク１８の全体を通じて幅Ｗ１およびＷ２が一定値となるように設計されている。
【００３７】
したがって、露光用マスク１８は、レジストパターンを、そのほぼ中央に境界２０が位置する一定幅の帯状で２つの開口部を囲んで閉じた形状、すなわち、線幅一定の２つのリング状のパターンとして形成するものとなっている。なお、図２２では２つのリング状のパターンを示したが、Ｐ型イオン注入領域とＮ型イオン注入領域とが２箇所以上で隣接する場合、３個以上のリング状パターンが隣接した露光用マスク１８が形成されることになる。
【００３８】
以下、設計データ１８ａを用いた場合の半導体装置の製造方法におけるＮ型イオン注入領域の形成について説明する。
【００３９】
まず、既に説明した図１，図２で示す工程と同様にして基板１上の全面にポリシリコン膜５及びフォトレジスト膜６を成膜する。
【００４０】
その後、図１４に示すように、設計データ１８ａによってパターニングされた露光用マスク１８を用いてフォトレジスト膜６を露光し、図１５に示すように、さらに現像を行うことによりフォトレジスト膜６をパターニングしてレジストパターン２８を得る。
【００４１】
次に、図１６に示すように、レジストパターン２８をマスクとしてポリシリコン膜５に対してドライエッチングを施しポリシリコンパターン１９（第１のマスクパターン）を形成する。これにより、ポリシリコンパターン１９は、図２２で示した設計データ１８ａを反映し、そのほぼ中央に境界２０が位置する線幅一定の複数のリング形状を有するパターンとして形成される。
【００４２】
以降、既に説明した図６〜図１０で示した工程と同様な工程と実行することにより、イオン注入領域２４としてＮ型イオン注入領域を形成することができる。但し、図６〜図１０において、ポリシリコンパターン９の代わりにポリシリコンパターン１９が用いられ、露光用マスク１１はポリシリコンパターン１９のＰ型イオン注入用の開口部（図２２の開口部１７ａに相当）を覆うように形成される点が異なる。
【００４３】
次に、設計データ１８ａを用いた場合の半導体装置の製造方法におけるＰ型イオン注入領域の形成について説明する。
【００４４】
まず、既に説明した図１，図２で示す工程と同様にして基板１上の全面にポリシリコン膜５及びフォトレジスト膜６を成膜する。
【００４５】
その後、図１４〜図１６で示すように、設計データ１８ａによってパターニングされた露光用マスク１８を用いて、Ｎ型イオン注入領域形成時と全く同じポリシリコンパターン１９を形成する。
【００４６】
次に、図１７に示すように、ポリシリコンパターン１９が形成された基板１上全面にフォトレジスト膜１０を成膜し、Ｐ型イオン注入領域とＰ型イオン非注入領域とを分類すべく描画した露光用マスク１４を用いて露光を行う。
【００４７】
さらに、図１８に示すように、フォトレジスト膜１０に対して現像を行い、第２のマスクパターンであるレジストパターン１５を形成する。
【００４８】
図２３は、この工程で用いた露光用マスク１４の設計データ１４ａと基板断面との関係を示す説明図である。なお、図２３では基板１の一部のみに対して、上側に設計データ１４ａを平面的に示し、下側にＸ−Ｘ断面図を示している。ポリシリコンパターン１９のＮ型イオン注入用の開口部（図２２の開口部１７ｂ相当）を覆うべく設計された設計データ１４ａに基づき露光用マスク１４のレイアウトパターンが決定する。
【００４９】
次に、図１９に示すように、２．３８％のＴＭＡＨ水溶液を用いてポリシリコンパターン１９に対するウェットエッチングを実行することにより、ポリシリコンパターン１９のレジストパターン１５で被膜されていない箇所において、矢印３１の方向にエッチングを進め、第３のマスクパターンであるポリシリコンパターン１６を形成する。
【００５０】
次に、図２０に示すように、レジストパターン１５およびポリシリコンパターン１６をマスクとして基板１の上層部に対するＰ型のイオン注入を行う。その結果、基板１の上層部は、イオンが注入されたＰ型イオン注入領域２５とＰ型のイオン注入がレジストパターン１５及びポリシリコンパターン１６により阻止されたＰ型イオン非注入領域２７に分類される。なお、既にＮ型イオン注入が行われている場合、Ｐ型イオン非注入領域２７はＮ型イオン注入領域となっている。
【００５１】
次に、図２１に示すように、硫酸および過酸化水素水によりレジストパターン１５を除去し、さらに２．３８％のＴＭＡＨ水溶液によりポリシリコンパターン１６を除去する。
【００５２】
このように、ポリシリコンパターンの形成をポリシリコンパターン１９とポリシリコンパターン１６の２段階に行うことにより、導電型の異なる不純物イオンを隣接する領域にそれぞれ注入する工程を有する半導体装置の製造方法の場合において、ポリシリコンパターン１９形成用の露光用マスク１８をＰ型イオン注入用とＮ型イオン注入用とで兼用させることができる効果を奏する。
【００５３】
（その他）
本実施の形態では、フォトレジスト膜６，１０として、ポジ型レジストを用いた場合について説明したが、ネガ型レジストを用いた場合も同様な効果が得られる。
【００５４】
また、本実施の形態では、図５で示したポリシリコンパターン９を得るためのエッチングをドライエッチングとしたが、ウェットエッチングを用いた場合も同様な効果が得られる。
【００５５】
さらに、本実施の形態ではシリコンパターンの素材としてポリシリコンを用いたが、アモルファスシリコンを用いても同様の効果が得られる。すなわち、所定のエッチング液でエッチングする際、ポリシリコンパターン９及びゲート酸化膜４（下地層）に対して有効な選択比を有する素材であれば、ポリシリコンの代わりに用いることができる。さらに、本実施の形態では、分離領域２上に注入領域の境界線を設定しポリシリコンパターンを形成したが、活性領域上に注入領域の境界線を設定しポリシリコンパターンを形成してもよい。
【００５６】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明における請求項１記載の半導体装置の製造方法はステップ（ａ）で線幅が第１の線幅で一定のリング状の第１のマスクパターンを形成するため、パターン精度が劣化しない第１の線幅を選択することにより、第１のマスクパターンを精度良く形成することができる。
【００５７】
そして、ステップ（ｃ）の処理を、所定のエッチング液による第１のマスクパターンのマスク材料に対するエッチング速度を考慮して実行することにより、第１のマスクパターンの外側端部から所定距離分が正確に除去された線幅の第３のマスクパターンを得ることができる。
【００５８】
その結果、ステップ（ｄ）で、精度良く形成された第３のマスクパターンをマスクエッジとしてイオン注入が行えるため、イオン注入領域が精度良く形成された半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態である半導体装置の製造方法における１工程を示す断面図である。
【図２】この発明の実施の形態である半導体装置の製造方法における１工程を示す断面図である。
【図３】この発明の実施の形態である半導体装置の製造方法における１工程を示す断面図である。
【図４】この発明の実施の形態である半導体装置の製造方法における１工程を示す断面図である。
【図５】この発明の実施の形態である半導体装置の製造方法における１工程を示す断面図である。
【図６】この発明の実施の形態である半導体装置の製造方法における１工程を示す断面図である。
【図７】この発明の実施の形態である半導体装置の製造方法における１工程を示す断面図である。
【図８】この発明の実施の形態である半導体装置の製造方法における１工程を示す断面図である。
【図９】この発明の実施の形態である半導体装置の製造方法における１工程を示す断面図である。
【図１０】この発明の実施の形態である半導体装置の製造方法における１工程を示す断面図である。
【図１１】図３で示す露光用マスクの設計データと基板断面との関係を示す説明図である。
【図１２】図６で示す露光用マスクの設計データと基板断面との関係を示す説明図である。
【図１３】露光用のマスクのマスクサイズと、それを用いて形成されたレジストパターンのサイズとの関係を示す説明図である。
【図１４】Ｐ型及びＮ型イオン注入領域の形成方法における１工程を示す断面図である。
【図１５】Ｐ型及びＮ型イオン注入領域の形成方法における１工程を示す断面図である。
【図１６】Ｐ型及びＮ型イオン注入領域の形成方法における１工程を示す断面図である。
【図１７】Ｐ型イオン注入領域の形成方法における１工程を示す断面図である。
【図１８】Ｐ型イオン注入領域の形成方法における１工程を示す断面図である。
【図１９】Ｐ型イオン注入領域の形成方法における１工程を示す断面図である。
【図２０】Ｐ型イオン注入領域の形成方法における１工程を示す断面図である。
【図２１】Ｐ型イオン注入領域の形成方法における１工程を示す断面図である。
【図２２】図１４で示す露光用マスクの設計データと基板断面との関係を示す説明図である。
【図２３】図１７で示す露光用マスクの設計データと基板断面との関係を示す説明図である。
【符号の説明】
１  基板、４  ゲート酸化膜、５  ポリシリコン膜、６，１０  フォトレジスト膜、７，１４，１８  露光用マスク、８，１２ａ，１２ｂ，２８  レジストパターン、９，１３，１６，１９  ポリシリコンパターン、２４  イオン注入領域、２５  Ｐ型イオン注入領域、２６  イオン非注入領域、２７  Ｐ型イオン非注入領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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