Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月14日(2012.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
局所的最大パワーポイントトラッキング（ＭＰＰＴ）を集中型ＭＰＰＴを有するエネルギ生成システム内に組み込むためのシステムであって、
システム動作周波数を含むシステム制御ループ、及び、
各々が対応する局所的動作周波数を含む、複数個の局所的制御ループであって、前記局所的動作周波数の各々が少なくとも予め定めた距離だけ前記システム動作周波数から離れている、前記複数個の局所的制御ループ、
を含むシステム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムであって、前記システム制御ループが閉ループシステムを含み、且つ前記局所的制御ループの各々が閉ループシステムを含む、システム。
【請求項３】
請求項１に記載のシステムであって、前記システム制御ループが、エネルギ生成装置のアレイと、前記アレイに対してＭＰＰＴを提供することが可能な中央ＭＰＰＴ制御ブロックを含むＤＣ−ＡＣコンバータとを含む、システム。
【請求項４】
請求項１に記載のシステムであって、各局所的制御ループが、エネルギ生成装置と、前記エネルギ生成装置に対してＭＰＰＴを提供することが可能な局所的コンバータとを含む、システム。
【請求項５】
請求項１に記載のシステムであって、前記システム動作周波数が、前記システム制御ループに対する対応する時定数を含む、システム。
【請求項６】
請求項５に記載のシステムであって、前記局所的動作周波数の各々が、その局所的動作周波数に対応する局所的制御ループに対する対応するセトリングタイムを含む、システム。
【請求項７】
請求項６に記載のシステムであって、各局所的制御ループのセトリングタイムが、前記システム制御ループに対する前記時定数より早い、システム。
【請求項８】
請求項６に記載のシステムであって、各局所的制御ループのセトリングタイムが、前記システム制御ループに対する前記時定数よりも少なくとも５倍早い、システム。
【請求項９】
局所的最大パワーポイントトラッキング（ＭＰＰＴ）を集中型ＭＰＰＴを有するエネルギ生成システム内に組み込むためのシステムであって、
エネルギ生成装置のアレイと、前記アレイに対してＭＰＰＴを提供することが可能な中央ＭＰＰＴ制御ブロックを含むＤＣ−ＡＣコンバータとを含むシステム制御ループであって、システム動作周波数に基いて動作することが可能な前記システム制御ループ、及び、
複数個の局所的制御ループであって、各局所的制御ループが前記エネルギ生成装置の内の一つとそのエネルギ生成装置に対してＭＰＰＴを提供することが可能な局所的変換器とを含み、前記局所的制御ループの各々が、対応する局所的動作周波数に基いて動作することが可能であり、且つ前記局所的動作周波数の各々が少なくとも予め定めた距離だけ前記システム動作周波数から離れている、前記複数個の局所的制御ループ、
を含むシステム。
【請求項１０】
請求項９に記載のシステムであって、前記システム制御ループが閉ループシステムを含み、且つ前記局所的制御ループの各々が閉ループシステムを含む、システム。
【請求項１１】
請求項９に記載のシステムであって、前記システム動作周波数が、前記システム制御ループに対する対応する時定数を含む、システム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のシステムであって、前記局所的動作周波数の各々が、その局所的動作周波数に対応する局所的制御ループに対する対応するセトリングタイムを含む、システム。
【請求項１３】
請求項１２に記載のシステムであって、各局所的制御ループのセトリングタイムが、前記システム制御ループに対する時定数より早い、システム。
【請求項１４】
請求項１２に記載のシステムであって、各局所的制御ループのセトリングタイムが、前記システム制御ループに対する時定数よりも少なくとも５倍早い、システム。
【請求項１５】
局所的最大パワーポイントトラッキング（ＭＰＰＴ）を集中型ＭＰＰＴを有するエネルギ生成システム内に組み込むための方法であって、
システム動作周波数を含むシステム制御ループを設けること、及び、
各々が対応する局所的動作周波数を含む、複数個の局所的制御ループを設けること、
を含み、前記局所的動作周波数の各々が少なくとも予め定めた距離だけ前記システム動作周波数から離れている、
方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、システム動作周波数が、前記システム制御ループに対する対応する時定数を含む、方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、前記局所的動作周波数の各々が、その局所的動作周波数に対応する局所的制御ループに対する対応するセトリングタイムを含む、方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法であって、各局所的制御ループのセトリングタイムが、前記システム制御ループに対する時定数より早い、方法。
【請求項１９】
請求項１７に記載の方法であって、各局所的制御ループのセトリングタイムが、前記システム制御ループに対する時定数よりも少なくとも５倍早い、方法。
【請求項２０】
請求項１５に記載の方法であって、前記システム制御ループが、エネルギ生成装置のアレイと、前記アレイに対してＭＰＰＴを提供することが可能な中央ＭＰＰＴ制御ブロックを含むＤＣ−ＡＣ変換器とを含み、且つ各局所的制御ループが、前記エネルギ生成装置の内の一つと、前記エネルギ生成装置に対してＭＰＰＴを提供することが可能な局所的変換器とを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月11日(2012.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷物の注文を処理する方法であって、
第一の店舗において、第一の印刷製品を定義するステップと、
第二の店舗において、前記第一の印刷製品の特徴を継承することにより第二の印刷製品の特徴を定義し、前記第一の印刷製品の特徴と前記第二の印刷製品の特徴とを区別するために１又は複数の特徴を定義するステップと、
前記第二の店舗で、前記第二の印刷製品の注文を受け取るステップと、
前記第二の印刷製品の注文と、前記第二の印刷製品の定義に基づいて前記第一の印刷製品の注文を自動的に導き出すステップと、
前記第一の印刷製品の注文を処理して印刷品目を制作するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記第二の印刷製品の注文と前記第二の印刷製品の定義に基づいて、前記第二の製品価格を自動的に提供するステップと、
前記第一の印刷製品の注文を前記第一の店舗に送るステップと、
をさらに含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月15日(2012.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）半導体加工品の熱処理中に半導体加工品の変形を測定するステップであって、当該加工品は半導体ウェーハを含み、加熱処理中の加工品の変形の測定は前記ウェーハの熱処理中の変形の測定を含み、かつ変形の測定はウェーハの曲率の測定を含み、
ｂ）前記ウェーハの前記変形の測定に応答し、前記ウェーハの熱処理に関連し、行動をとるステップとを備える方法。
【請求項２】
行動をとる前記ステップは、前記熱処理中の前記ウェーハの温度測定値に対し、変形補正を実施することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
変形補正を実施する前記ステップは、前記温度測定値を得るのに使用した反射率の測定値に変形補正を実施することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
行動をとる前記ステップは、前記ウェーハの熱処理を変更することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
熱プロセッシングを変更する前記ステップは、前記ウェーハの所望する変形の測定に応答し、前記ウェーハの表面に入射する照射フラッシュを開始することを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記熱プロセッシングを変更する前記ステップは、前記ウェーハ内の熱暴走を防止することを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
熱プロセッシングを変更する前記ステップは、前記ウェーハと、このウェーハの下方にある支持プレートとの間の間隔を広げることを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
熱プロセッシングを変更する前記ステップは、ウェーハの初期形状に対する前記ウェーハの変形を小さくすることを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
曲率を測定する前記ステップは、前記ウェーハが反射した像の変化を測定することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
像の変化を測定する前記ステップは、前記ウェーハが反射した像の倍率の変化を測定することを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
像の変化を測定する前記ステップは、前記ウェーハの表面に対する少なくとも２つの法線を識別することを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記変形の計測は、前記ウェーハの表面上の複数の位置のウェーハの変形を計測することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
行動をとる前記ステップは、前記ウェーハの所望する変形を誘導することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
変形を誘導する前記ステップは、前記ウェーハをドーム形状に変形させることを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ウェーハの所望する変形が誘導されたときに、前記ウェーハの表面に入射する照射フラッシュを開始するステップを更に含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
ａ）半導体加工品を熱処理するように構成されている熱処理システムであって、当該加工品は半導体ウェーハを含み、前記熱処理システムは熱プロセッシングシステムを含み、
ｂ）熱処理システムによるウェーハの熱処理中に前記ウェーハの変形を測定するように構成されている測定システムであって、当該計測システムは前記ウェーハの曲率を計測するよう構成され、
ｃ）前記熱処理システムおよび前記測定システムと協働し、前記測定システムによる前記ウェーハの前記変形を測定することに応答し、前記ウェーハの前記熱処理に関連し、行動をとるように構成されているプロセッサ回路とを備える、半導体加工品を熱処理するための装置。
【請求項１７】
前記プロセッサ回路は、前記熱処理中の前記ウェーハの温度測定に対し、変形補正を実施するように構成されている、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記プロセス回路は、前記温度測定値を得るために使用される、反射率の測定値に対して変形補正を実施するように構成されている、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記プロセッサ回路は、前記測定システムによる前記ウェーハの変形の測定に応答し、前記ウェーハの前記熱処理を変更するように構成されている、請求項１６に記載の装置。
【請求項２０】
前記熱処理システムは、照射フラッシュ源を含み、前記プロセッサ回路は、前記熱処理システムを制御し、前記測定システムによる前記ウェーハの所望する変形の測定に応答し、前記ウェーハの表面に入射する照射フラッシュを開始するように構成されている、請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
前記プロセッサ回路は、前記熱処理システムを制御し、前記ウェーハにおける熱暴走を防止するように構成されている、請求項１９に記載の装置。
【請求項２２】
前記プロセッサ回路は、前記熱処理システムを制御し、前記ウェーハと前記ウェーハの下方に位置する支持プレートとの間の間隔を広げるように構成されている、請求項１９に記載の装置。
【請求項２３】
前記プロセッサ回路は、前記熱処理システムを制御し、その初期形状に対する前記ウェーハの変形を低減するように構成されている、請求項１９に記載の装置。
【請求項２４】
前記測定システムは、前記ウェーハが反射した像の変化を測定するように構成されている、請求項１６に記載の装置。
【請求項２５】
前記測定システムは、前記ウェーハが反射した像の倍率の変化を測定するように構成されている、請求項２４に記載の装置。
【請求項２６】
前記測定システムは、前記ウェーハの表面に対する少なくとも２つの法線を識別するように構成されている、請求項１６に記載の装置。
【請求項２７】
前記測定システムは、像源と前記ウェーハの表面による前記像源の反射を検出するように構成されている検出器とを含む、請求項１６に記載の装置。
【請求項２８】
前記計測システムは、前記ウェーハの表面上の複数の位置におけるウェーハの変形を計測するよう構成されている、請求項１６に記載の装置。
【請求項２９】
前記プロセッサ回路は、前記ウェーハの所望する変更を誘導するように前記熱処理システムを制御するように構成されている、請求項１６に記載の装置。
【請求項３０】
前記プロセッサ回路は、前記熱処理システムを制御し、前記ウェーハの所望する変形が誘導されたときに、前記ウェーハの表面に入射する照射フラッシュを開始するように構成されている、請求項２９に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月20日(2012.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空内で対象物を位置決めするロボットであって、前記ロボットは、
真空チャンバ内に少なくとも部分的に配置され、かつ並進軸に沿って対象物を位置決めする第１コンポーネントであって、前記対象物は前記真空内に配置される、第１コンポーネントと、
シャフトであって、前記シャフトの対称軸が前記並進軸に対して垂直になるように前記第１コンポーネントを支持するように構成される、シャフトと、
前記真空チャンバの外側に位置決めされた第２コンポーネントであって、（ｉ）前記シャフトを前記対称軸の周りで回転させ、かつ（ｉ）前記シャフトを前記対称軸に対して平行方向に移動させる第２コンポーネントとを含み、
前記第２コンポーネントは、前記シャフトの外周面に沿ってガスを導入する第２コンポーネントガスベアリングと、前記第２コンポーネントガスベアリングによって導入された前記ガスを排気する排出シールとを含む、ロボット。
【請求項２】
前記第１コンポーネントは、
第１端で前記対象物を支持する細長部材と、
前記対象物を位置決めするために前記並進軸に沿って前記細長部材を駆動するアクチュエータと、
前記並進軸に沿った動作中に前記細長部材の表面に作用する第１コンポーネントベアリングと
を含む、請求項１に記載のロボット。  
【請求項３】
前記アクチュエータは、前記第１端から空間的に離れた位置で前記細長部材に係合する、請求項２に記載のロボット。
【請求項４】
前記第１コンポーネントベアリングは、前記細長部材の前記表面に沿ってガスを導入するガスベアリングである、請求項２または３に記載のロボット。
【請求項５】
前記第１コンポーネントは、前記ガスベアリングによって導入されたガスを排気する排出シールをさらに含む、請求項４に記載のロボット。
【請求項６】
前記第１コンポーネントは、第１排出シールおよび第２排出シールをさらに含み、前記第１排出シールおよび前記第２排出シールは、それぞれ、前記ガスベアリングによって導入された前記ガスを排気するために前記ガスベアリングの両側に位置決めされる、請求項４に記載のロボット。
【請求項７】
前記第１コンポーネントベアリングは潤滑ベアリングであり、前記第１コンポーネントは可撓性ベローズをさらに含み、前記可撓性ベローズは、前記真空チャンバ内への前記潤滑ベアリングのガス放出を実質的に減少させるために前記細長部材を包囲する、請求項２または３に記載のロボット。
【請求項８】
前記アクチュエータおよび前記第１コンポーネントベアリングは、密閉筐体内に配置され、かつ前記密閉筐体は、前記真空チャンバ内へのガス放出を実質的に減少させるために排気される、請求項２〜７のうちのいずれかに記載のロボット。
【請求項９】
前記排出シールの対称軸は、前記シャフトの前記対称軸に対して平行に位置決めされ、かつ前記排出シールは、前記第２コンポーネントガスベアリングと前記真空チャンバとの間に配置される、請求項１に記載のロボット。
【請求項１０】
前記排出シールは、前記シャフトの前記外周面に作用する、請求項９に記載のロボット。
【請求項１１】
前記排出シールは、前記シャフトの表面に対して垂直の表面に作用する、請求項９に記載のロボット。
【請求項１２】
放射ビームを生成する照明システムと、
真空チャンバ内に配置され、かつ前記放射ビームをパターン付けするパターニングデバイスと、
前記パターン付けされたビームを前記真空チャンバ内の基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、
前記真空チャンバ内で対象物を位置決めするロボットであって、前記ロボットは、
前記真空チャンバ内に少なくとも部分的に配置され、かつ並進軸に沿って前記対象物を位置決めする第１コンポーネントであって、前記対象物は前記真空チャンバ内に配置される、第１コンポーネントと、
シャフトであって、前記シャフトの対称軸が前記並進軸に対して垂直になるように前記第１コンポーネントを支持する、シャフトと、
前記真空チャンバの外側に位置決めされた第２コンポーネントであって、（ｉ）前記シャフトを前記対称軸の周りで回転させ、かつ（ｉ）前記シャフトを前記対称軸に対して平行方向に移動させる第２コンポーネントとを含み、
前記第２コンポーネントは、前記シャフトの外周面に沿ってガスを導入する第２コンポーネントガスベアリングと、前記第２コンポーネントガスベアリングによって導入された前記ガスを排気する排出シールとを含む、ロボットと
を含む、リソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記第１コンポーネントは、
第１端で前記対象物を支持する細長部材と、
前記対象物を位置決めするために前記並進軸に沿って前記細長部材を駆動するアクチュエータと、
前記並進軸に沿った動作中に前記細長部材の表面に作用する第１コンポーネントベアリングと
を含み、
前記アクチュエータは、前記第１端から空間的に離れた位置で前記細長部材に係合するように構成されている、請求項１２に記載の装置。  
【請求項１４】
前記アクチュエータおよび前記第１コンポーネントベアリングは、密閉筐体内に配置され、かつ前記密閉筐体は、前記真空チャンバ内へのガス放出を実質的に減少させるために排気される、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記排出シールの対称軸は、前記シャフトの前記対称軸に対して平行に位置決めされ、かつ前記排出シールは、前記第２コンポーネントガスベアリングと前記真空チャンバとの間に配置される、請求項１２に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月28日(2012.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超伝導性物品であって、以下のものからなる：
以下のものからなる多層フィラメント超伝導性テープセグメント：
基板テープ；
前記基板の上に横たわるバッファ層；  及び
前記バッファ層の上に横たわり、かつ前記基板の長さに沿って伸びる高温超伝導性（ＨＴＳ）材料よりなるフィラメントであって、隣接するフィラメントから水平方向にあるスペースだけ空けられ、かつ縦方向にあるギャップだけ間隔を空けられており、ここで、該フィラメントは、約１００ミクロンより大きくない水平方向フィラメント間不整列を備える。
【請求項２】
請求項１記載の超伝導性物品であって、前記水平方向フィラメント間不整列は約５０ミクロンより大きくない。
【請求項３】
請求項１記載の超伝導性物品であって、前記多層フィラメント超伝導性テープセグメントは少なくとも約５ｍの長さを持つ。
【請求項４】
請求項１記載の超伝導性物品であって、前記ＨＴＳフィラメントは少なくとも約１００ミクロンの連続長さを持つ。
【請求項５】
請求項１記載の超伝導性物品であって、前記ＨＴＳフィラメントは前記基板の長さに沿って伸びるギャップにより分離されており、該ギャップは前記ＨＴＳフィラメントの長さより大きくない長さを持つ。
【請求項６】
請求項５記載の超伝導性物品であって、前記ギャップは約３ｍｍより大きくない長さを持つ。
【請求項７】
請求項１記載の超伝導性物品であって、前記スペースは約１ｍｍより大きくない。
【請求項８】
請求項１記載の超伝導性物品であって、前記バッファ層は前記膜の面内、及び面外の両方で２軸整列された結晶を持つ２軸テキスチャ膜よりなる。
【請求項９】
請求項１記載の超伝導性物品であって、前記多層フィラメント超伝導性テープセグメントは、以下のものを備えた故障電流制限器（ＦＣＬ）装置の要素である：
前記多層フィラメント超伝導性テープセグメントに並列に電気的に接続された分路回路。
【請求項１０】
多層フィラメント超伝導性テープを形成する方法であって、以下のことよりなる：
リールツーリールプロセスで超伝導性テープを移送させること、
前記超伝導性テープは、以下のものよりなる：
基板；
前記基板の上に横たわるバッファ層；  及び、
前記バッファ層の上に横たわるＨＴＳ層；
前記超伝導性テープの上に横たわるマスクを形成すること；  及び、
前記マスクの部分、および前記ＨＴＳ層の部分を研磨粒子を用いて除去して、前記超伝導性テープの長さに沿って伸び、かつ隣接するフィラメントからある空間だけ空けられて水平方向に空間を空けて配置されたＨＴＳフィラメントを持つ多層フィラメント超伝導性テープを形成すること。
【請求項１１】
請求項１０の方法であって、前記マスクを形成することは以下のことよりなる：
マスクテープをフィードリールから移送すること；
前記超伝導性テープをフィードリールから移送すること；  及び、
前記マスクテープを前記超伝導性テープ上に積層して、マスクされた超伝導性テープを形成すること。
【請求項１２】
請求項１１記載の方法において、さらに以下のことを備える：
前記マスクされた超伝導性テープを、第１の登録マスクを有する基板ホルダを通して移送させること；  及び、
前記マスクされた超伝導性テープの部分を、第２の登録マスクを有するレティクルを通って向けられる放射に露出させること、ここで、前記第２の登録マスクは前記第１の登録マスクに相当し、かつ整列する。
【請求項１３】
請求項１１記載の方法において、さらに以下のことを備える：
第１の登録マスクを有する前記マスクされた超伝導性テープを、第２の登録マスクを有するレティクル下にて移送させること；  
前記第１の登録マスクと前記第２の登録マスクを整列させること；  及び、
前記マスクされた超伝導性テープの部分を、前記レティクルを通って向けられた放射に露出させて、パターン化された超伝導性テープを形成すること。
【請求項１４】
請求項１０記載の方法において、前記マスクを形成することは以下のことよりなる：
印刷可能なテープ材料をフィードリールからプリンタを通して移送させること；  及び、
前記プリンタ内で前記印刷可能なテープ材料の表面上にパターンを印刷して、印刷されたテープを形成すること。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、さらに以下のことよりなる：
前記印刷可能なテープ材料を第１のフィードリールより移送させること；
放射感受性テープ材料を第２のフィード材料より移送させること；
前記印刷されたテープと前記放射感受性テープ材料とを結合させて印刷されたテープを形成すること；及び
前記印刷されたテープを巻き取りリールに移送させること。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月23日(2012.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オブジェクトを照らす調整可能光スポットを有する照明システムを制御する制御情報を提供する装置であって、当該装置が、
−前記オブジェクトにおいて、更なるシステムから入来する信号を受信する受信器であって、当該受信器は、光を感知し且つ感知情報を供給するセンサを有し、前記信号は、前記光における符号又は前記光の極性、パターン、変調若しくは波長を規定する個別化パラメータを含む光を含む、受信器と、
−前記信号を前記制御信号へ変換する変換器であって、前記感知情報を分析する分析器を含む変換器と、
−最大値センサ応答を認識するために前記調整可能光スポットを動かすための捜索情報を生成する生成器と、
を有する装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、前記変換器は、更に、位置情報及び／又は光情報及び／又は受信器情報及び／又は更なるシステムの情報を記憶するメモリ、を含み、前記調整可能光スポットは、異なる位置間で動かされる、及び／又は異なる目標へ向けられる、装置。
【請求項３】
請求項２に記載の装置であって、前記分析器は、前記異なる位置及び／又は前記異なる目標に関して前記感知情報を分析するように構成され、これにより、前記メモリに記憶される前記情報のうちの１つ又は複数の部分を使用する、装置。
【請求項４】
請求項１に記載の装置であって、前記調整可能光スポットは、前記最大値センサ応答を認識するために第1軸に沿って動かされるように構成され、前記第1軸は、前記最大値センサ応答の位置において停止され、前記調整可能光スポットは、更なる最大値センサ応答を認識するために第２軸に沿って動かされるように構成され、装置。
【請求項５】
請求項１に記載の装置であって、前記照明システムは、更に更なる調整可能光スポットを含む、装置。
【請求項６】
請求項１に記載の装置であって、前記信号の一部を形成する前記光は反射光であり、前記更なるシステムは、前記調整可能光スポットから又は別の光源から入来する光を前記反射光へ変換する反射器を含む、装置。
【請求項７】
請求項６に記載の装置であって、前記別の光源は、前記調整可能光スポットの一部を形成する又は前記調整可能光スポットへ結合される、装置。
【請求項８】
請求項６に記載の装置であって、前記センサは、前記調整可能光スポットにおいて又は前記調整可能光スポットの近くに位置され且つ光スポット軸及び前記センサの光学軸が並行であるように前記調整可能光スポットと位置決めされる、又は前記センサは、多重感知性フィールドを有する、装置。
【請求項９】
請求項１に記載の装置であって、前記信号の一部を形成する前記光はある光源から入来する光であり、前記更なるシステムは前記光源を含む、装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の装置であって、前記制御情報は、照準パラメータ及び／又は位置パラメータ及び／又は光パラメータを含む、装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の装置であって、当該装置は、更に、前記照明システムを制御するために人へ前記制御情報を表示するインジケータを含む、又は当該装置は、更に、前記制御情報に応答して前記照明システムを自動的に制御する制御器を含む、装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の装置を含む照明システム。
【請求項１３】
オブジェクトにおいて使用され、請求項１に記載の前記装置へ信号を供給する更なるシステム。
【請求項１４】
請求項１２に記載の前記照明システムを含み、且つ、請求項１３に記載の前記更なるシステムを含む、一次的な又は安定的に閉じたループの光学位置決めシステム。
【請求項１５】
オブジェクトを照らす調整可能光スポットを有する照明システムを制御する制御情報を提供する方法であって、
−前記オブジェクトにおける更なるシステムから入来する信号を受信するステップであって、当該受信するステップは、光を感知するステップ及び感知情報を供給するステップを有し、前記信号は、前記光における符号又は前記光の極性、パターン、変調若しくは波長を規定する個別化パラメータを含む光を含む、受信するステップと、
−前記信号を前記制御信号へ変換するステップであって、前記感知情報を分析するステップを含む、変換するステップと、
−最大値センサ応答を認識するために前記調整可能光スポットを動かすための捜索情報を生成する生成器と、
を有する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月25日(2012.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面充填されたプリミティブデータをジオメトリシェーダへ供給するための方法であって、
元の一連の頂点及び元の一連の接続性データに基き一連の平面充填された頂点及び計算された一連の接続性データを平面充填エンジンで計算することと、
前記元の一連の頂点及び前記一連の平面充填された頂点に基き頂点シェーダで計算された頂点データを生成することと、
前記計算された一連の接続性データを前記ジオメトリシェーダで受け取ることと、
前記計算された一連の接続性データに基き前記計算された頂点データの一部を前記ジオメトリシェーダで要求することと、
前記計算された頂点データの前記一部により画定されるプリミティブを処理することと、を備えた方法。
【請求項２】
請求項１の方法であって、
前記元の一連の頂点がスレッショルドを満たさない場合に表面データ出力を処理するための前記平面充填エンジンの使用を無効にすることを更に備えた方法。
【請求項３】
請求項２の方法であって、前記スレッショルドは観察平面からの距離によって定義される方法。
【請求項４】
請求項３の方法であって、前記スレッショルドは観察窓のサイズに基いて調節される方法。
【請求項５】
請求項１の方法であって、前記計算された頂点データを前記頂点シェーダ内の評価シェーダで記憶することを更に備えた方法。
【請求項６】
請求項５の方法であって、
前記計算された頂点データの一部を前記要求することは、前記計算された頂点データの前記一部を前記評価シェーダから要求することを備えている方法。
【請求項７】
平面充填されたプリミティブデータをジオメトリシェーダへ供給するためのグラフィックス処理ユニットであって、
元の一連の頂点及び元の一連の接続性データに基き一連の平面充填された頂点及び計算された一連の接続性データを計算するための平面充填エンジンと、
前記元の一連の頂点及び前記一連の平面充填された頂点に基き計算された頂点データを生成するための頂点シェーダと、
前記計算された一連の接続性データを受け取り、前記計算された一連の接続性データに基き前記計算された頂点データの一部を要求し、前記計算された頂点データの前記一部により画定されるプリミティブを処理するためのジオメトリシェーダと、を備えたグラフィックス処理ユニット。
【請求項８】
請求項７のグラフィックス処理ユニットであって、前記平面充填エンジンは前記元の一連の頂点がスレッショルドを満たさない場合に無効にされるグラフィックス処理ユニット。
【請求項９】
請求項８のグラフィックス処理ユニットであって、前記スレッショルドは観察平面からの距離によって画定されるグラフィックス処理ユニット。
【請求項１０】
請求項９のグラフィックス処理ユニットであって、前記スレッショルドは観察窓のサイズに基いて調節されるグラフィックス処理ユニット。
【請求項１１】
請求項７のグラフィックス処理ユニットであって、前記頂点シェーダは前記計算された頂点を評価シェーダで記憶するように動作するグラフィックス処理ユニット。
【請求項１２】
請求項１１のグラフィックス処理ユニットであって、前記ジオメトリシェーダは前記計算された頂点データの前記一部を前記評価シェーダから要求するように動作するグラフィックス処理ユニット。
【請求項１３】
平面充填されたプリミティブデータをプロセッサがジオメトリシェーダへ供給することを可能にするために記録されたコンピュータプログラム論理を有するコンピュータ使用可能媒体を備えたコンピュータプログラム製品であって、
前記プロセッサが、
元の一連の頂点及び元の一連の接続性データに基き一連の平面充填された頂点及び計算された一連の接続性データを平面充填エンジンで計算し、
前記元の一連の頂点及び前記一連の平面充填された頂点に基き頂点シェーダで計算された頂点データを生成し、
前記計算された一連の接続性データを前記ジオメトリシェーダで受け取り、
前記計算された一連の接続性データに基き前記計算された頂点データの一部を前記ジオメトリシェーダで要求し、
前記計算された頂点データの前記一部により画定されるプリミティブを処理することを可能にするデータ及び命令を前記コンピュータプログラム論理が備えているコンピュータプログラム製品。
【請求項１４】
請求項１３のコンピュータプログラム製品であって、
前記プロセッサが、前記元の一連の頂点がスレッショルドを満たさない場合に表面データ出力を処理するために前記平面充填エンジンの使用を無効にすることを可能にするデータ及び命令を、前記コンピュータプログラム論理が更に備えているコンピュータプログラム製品。
【請求項１５】
請求項１４のコンピュータプログラム製品であって、前記スレッショルドは観察平面からの距離によって定義されるコンピュータプログラム製品。
【請求項１６】
請求項１５のコンピュータプログラム製品であって、前記スレッショルドは観察窓のサイズに基いて調節されるコンピュータプログラム製品。
【請求項１７】
請求項１３のコンピュータプログラム製品であって、
前記プロセッサが、前記計算された頂点データを前記頂点シェーダ内の評価シェーダで記憶することを可能にするデータ及び命令を、前記コンピュータプログラム論理が更に備えているコンピュータプログラム製品。
【請求項１８】
請求項１７のコンピュータプログラム製品であって、
前記プロセッサが前記計算された頂点データの一部を要求することを可能にする前記データ及び命令は、前記プロセッサが前記計算された頂点データの前記一部を前記評価シェーダから要求することを可能にするデータ及び命令を備えているコンピュータプログラム製品。
【請求項１９】
請求項１３のコンピュータプログラム製品であって、
前記データ及び命令はハードウエア記述言語データ及び命令を備えているコンピュータプログラム製品。
【請求項２０】
元の一連の頂点及び元の一連の接続性データに基き一連の平面充填された頂点及び計算された一連の接続性データを計算するための平面充填エンジンと、
前記元の一連の頂点及び前記一連の平面充填された頂点に基き計算された頂点データを生成するための頂点シェーダと、を備えたグラフィックス処理ユニット。
【請求項２１】
請求項２０のグラフィックス処理ユニットであって、
前記計算された一連の接続性データを受け取り、前記計算された一連の接続性データに基き前記計算された頂点データの一部を要求し、前記計算された頂点データの前記一部により画定されるプリミティブを処理するためのジオメトリシェーダを更に備えたグラフィックス処理ユニット。
【請求項２２】
請求項２０のグラフィックス処理ユニットであって、前記グラフィックス処理ユニットはコンピュータ可読媒体に記憶される一連の命令を備えており、前記命令はハードウエア記述命令を備えているグラフィックス処理ユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月27日(2012.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷ジョブの一部である印刷要素の特性を計算する方法であって、
ａ）印刷枚葉紙の範囲を与える段階と、
ｂ）前記印刷ジョブに対して所望の面付け方式を与える段階と、
ｃ）前記所望の面付け方式により、前記印刷枚葉紙の範囲に必要な印刷要素のセットを計算する段階と、
ｄ）前記印刷要素のセットを複数の印刷要素サブセットに分割する段階であって、前記サブセットはそれぞれ前記印刷要素のセットより少ない印刷要素を含む、段階と、
ｅ）前記印刷要素サブセットの各々の処理パラメータを計算する段階であって、前記処理パラメータは前記印刷要素の処理に必要である、段階とを有し、
ｆ）前記印刷要素と前記処理パラメータとの前記計算を、前記枚葉紙の面付けレイアウトの計算をせずに実行する、
方法。
【請求項２】
各枚葉紙は複数の印刷要素を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
各印刷要素はデジタルページである、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月16日(2012.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
a) セルケース；
b) 第一の端子；
c) セルケースと電気的に連絡しており、第一の端子から電気的に絶縁されている第二の端子；
d) セルケース内の電極アセンブリ、該電極アセンブリは、第一の端子と電気的に連絡している第一の電極、第二の端子と電気的に連絡している第二の電極、および第一の電極と第二の電極間の電解液を含む；
e) 第一の端子および第一の電極と、または第二の端子および第二の電極と電気的に連絡している電流遮断デバイス、該電流遮断デバイスは、互いに電気的に連絡している第一の導電性構成要素と第二の導電性構成要素を含み、該２つの構成要素間のゲージ圧が約4kg/cm2〜約15kg/cm2の範囲である場合、第一の導電性構成要素と第二の導電性構成要素間の電気的連絡は遮断される；ならびに
f) セルケースの内表面の非多孔質非導電性コーティングを含む絶縁部、該コーティングまたはバッグが、充電条件または過充電条件下にある場合、および電流遮断デバイスの第一の導電性構成要素と第二の導電性構成要素間の電気的連絡が遮断されている場合、第一の電極と第二の端子間または第二の電極と第一の端子間の潜在する電気化学的連絡を遮断し、それにより、第一の端子と第一の電極間または第二の端子と第二の電極間の電気的連絡を遮断する、
を含む電池。
【請求項２】
絶縁部が、電池を充電する充電器から第一の端子または第二の端子のいずれかへの電流の流れを遮断する電気絶縁部をさらに含む、請求項１記載の電池。
【請求項３】
電気絶縁部が温度ヒューズである、請求項２記載の電池。
【請求項４】
温度ヒューズが、i) セルケースの外表面の一部分に、もしくは該一部分の上部に、またはii) 充電器からの電流の流れを受ける端子の一方にある、請求項３記載の電池。
【請求項５】
非多孔質非導電性コーティングによりセルケースの内表面全体がコーティングされている、請求項１記載の電池。
【請求項６】
非多孔質非導電性コーティングがAl2O3および／またはSiO2を含む、請求項５記載の電池。
【請求項７】
非多孔質非導電性コーティングがAl2O3を含む、請求項６記載の電池。
【請求項８】
Al2O3コーティングが約5ミクロン〜約50ミクロンの範囲の厚さを有する、請求項７記載の電池。
【請求項９】
Al2O3コーティングが約5ミクロン〜約15ミクロンの範囲の厚さを有する、請求項８記載の電池。
【請求項１０】
非多孔質非導電性コーティングにより、さらに、セルケースの外表面の少なくとも一部分がコーティングされている、請求項６記載の電池。
【請求項１１】
さらにセルケースを覆う蓋を含み、セルケースの外表面の非多孔質非導電性コーティングでコーティングされた部分が、該蓋と接触する部分以外である、請求項１０記載の電池。
【請求項１２】
蓋の少なくとも一部分が第二の端子と電気的に連絡している、請求項１１記載の電池。
【請求項１３】
絶縁部が、さらに非多孔質非導電性のテープまたはラップを含む、請求項１記載の電池。
【請求項１４】
電極アセンブリがゼリーロールの形態である、請求項１３記載の電池。
【請求項１５】
非多孔質非導電性のテープまたはラップが、ゼリーロールの末端から延在し、ゼリーロールの外壁を覆っている、請求項１４記載の電池。
【請求項１６】
セルケースを覆う蓋をさらに含み、該蓋が導電性材料製である、請求項１記載の電池。
【請求項１７】
導電性材料が金属である、請求項１６記載の電池。
【請求項１８】
セルケースおよび蓋が、アルミニウムを含む金属製である、請求項１７記載の電池。
【請求項１９】
電流遮断デバイスが第二の端子および第二の電極と電気的に連絡している、請求項１８記載の電池。
【請求項２０】
蓋が第二の端子と電気的に連絡している、請求項１９記載の電池。
【請求項２１】
電流遮断デバイスが該蓋に存在している、請求項２０記載の電池。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月27日(2012.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
上記に述べ、図面に示した実施形態はあくまで一例として示したものであり、本発明の概念及び原理に対する限定を目的としたものではない。したがって、当業者であれば、本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく各要素並びにその構成及び配置における様々な変更が可能である点は認識されるであろう。本発明の種々の特徴及び態様は、添付の請求項に定める。
本発明はまた、以下の内容を包含する。
（１）可変長を有する粘弾性支持部材と、
前記支持部材に連結された伝導体であって、前記粘弾性支持部材の可変長に対応するように少なくとも１つの屈曲部を含む前記伝導体と、を含む、伝導コネクタ。
（２）前記支持部材が第１の支持部材であり、更に第２の支持部材を含み、前記伝導体が前記第１の支持部材と前記第２の支持部材との間に連結されている、項目（１）に記載の伝導コネクタ。
（３）前記伝導体が前記支持部材に埋め込まれている、項目（１）又は（２）に記載の伝導コネクタ。
（４）前記支持部材が内部空間を画定し、前記伝導体が前記支持部材の前記内部空間内に位置決めされる、項目（１）〜（３）のいずれか一項に記載の伝導コネクタ。
（５）前記伝導体が螺旋状の形態を有する、項目（１）〜（４）のいずれか一項に記載の伝導コネクタ。
（６）前記伝導コネクタの少なくとも一部分が放射線透過性である、項目（１）〜（５）のいずれか一項に記載の伝導コネクタ。
（７）前記伝導コネクタの少なくとも一部分が使い捨て可能である、項目（１）〜（６）のいずれか一項に記載の伝導コネクタ。
（８）前記伝導体が伝導性厚膜積層体を含む、項目（１）〜（７）のいずれか一項に記載の伝導コネクタ。
（９）前記支持部材が少なくとも１つのスリット又は低強度領域を含む、項目（１）〜（８）のいずれか一項に記載の伝導コネクタ。
（１０）２点間の導通路を提供する方法であって、
第１の端部及び第２の端部を有し、電磁的信号、電気的信号、音響的信号、機械的信号、熱的信号、及び化学的信号の少なくとも１つについて第１の点と第２の点との間に経路を設けるように構成された可変長コネクタを提供することと、
前記コネクタの長さを変化させることによって前記第１の点と前記第２の点との間に適当な距離を設けることと、
前記コネクタの前記第１の端部を前記第１の点に連結することと、
前記コネクタの前記第２の端部を前記第２の点に連結することと、を含む方法。
（１１）前記コネクタの長さを変化させることが、前記コネクタの前記第１の端部を前記第１の点に連結すること、及び前記コネクタの前記第２の端部を前記第２の点に連結することの少なくとも一方に先立って行われる、項目（１０）に記載の方法。
（１２）前記コネクタの長さを変化させることが、前記コネクタの長さを１回目に変化させることによって前記コネクタの前記第１の端部と前記コネクタの前記第２の端部との間に第１の距離を設けること、更に前記コネクタの長さを２回目に変化させることによって前記コネクタの前記第１の端部と前記コネクタの前記第２の端部との間に第２の距離を設けることと、を含む、項目（１０）又は（１１）に記載の方法。
（１３）前記コネクタの長さを変化させることが、前記可変長コネクタを長くすることを含み、前記第２の距離が前記第１の距離よりも大きい、項目（１２）に記載の方法。
（１４）前記コネクタの長さを２回目に変化させることが、前記コネクタの前記第１の端部を前記第１の点に連結すること、及び前記コネクタの前記第２の端部を前記第２の点に連結することの少なくとも一方の後に行われる、項目（１２）又は（１３）に記載の方法。
（１５）前記可変長コネクタの長さを変化させることが、前記可変長コネクタを短くすることによって前記コネクタの前記第１の端部と前記コネクタの前記第２の端部との間の距離を減少することを含む、項目（１０）〜（１４）のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可変長を有する粘弾性支持部材と、
前記支持部材に連結された伝導体であって、前記粘弾性支持部材の可変長に対応するように少なくとも１つの屈曲部を含む前記伝導体と、を含む、伝導コネクタ。
【請求項２】
前記伝導体が、螺旋状の形態及び伝導性厚膜積層体のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の伝導コネクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月28日(2012.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
０．８６〜０．８９ｇ／ｃｍ３の密度と、少なくとも１０５℃の微結晶融点とを有するオレフィンポリマー、および粘着樹脂からなる、粘弾性の支持体を有する接着テープ。
【請求項２】
前記オレフィンポリマーの密度が０．８６〜０．８８ｇ／ｃｍ３であり、および／または前記オレフィンポリマーが、少なくとも１０５℃の微結晶融点を有することを特徴とする、請求項１に記載の接着テープ。
【請求項３】
前記オレフィンポリマーが、８ｇ／１０分未満のメルトインデックスを有し、および／または５０ＭＰａ未満の曲げ弾性率を有することを特徴とする、請求項１または２に記載の接着テープ。
【請求項４】
前記オレフィンポリマーが、プロピレンまたはエチレン、および、Ｃ２〜Ｃ１０−オレフィンから選択されるさらなるコモノマーを少なくとも一種含有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１つに記載の接着テープ。
【請求項５】
前記支持体が、
一次酸化防止剤を少なくとも２ｐｈｒの量で、および／または、
二次酸化防止剤を、０〜５ｐｈｒの量、および／または、
ＨＡＬＳである光安定剤、および／または、
ＵＶ吸収材、
を含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１つに記載の接着テープ。
【請求項６】
前記支持体が、２．１未満の多分散度を有する粘着樹脂を含むことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１つに記載の接着テープ。
【請求項７】
前記粘着樹脂が、
−  一部または全部が水素化された、ロジンまたはロジン誘導体類をベースとする樹脂、
−  一部または全部が水素化された、Ｃ５モノマーをベースとする炭化水素樹脂
−  芳香族含有の炭化水素樹脂を水素化してなる炭化水素樹脂、
−  水素化されたシクロペンタジエン−ポリマー類をベースとする炭化水素樹脂、および／または
−  一部または全部が水素化された、ポリテルペン類をベースとする樹脂、
−  テルペンフェノール樹脂、
からなる群から選択され、そのとき前記接着剤中の粘着樹脂の量が、１３０〜３５０ｐｈｒであることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１つに記載の接着テープ。
【請求項８】
前記支持体が、鉱油、イソブテンホモポリマーおよび／またはイソブテン−ブテンコポリマーからなる液状重合体、およびフタル酸、トリメリト酸、クエン酸またはアジピン酸のエステル類の群から選択される可塑剤を含有することを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１つに記載の接着テープ。
【請求項９】
前記支持体が、エチレン、プロピレン、ブテン−１、ヘキセン−１、および／またはオクテン−１からなるコポリマーまたはターポリマーであり、その際、前記コポリマーまたはターポリマーの曲げ弾性率が、２０ＭＰａ未満であり、および／またはその微結晶融点が５０℃未満であり、および／またはその密度が０．８６〜０．８７ｇ／ｃｍ３である、該コポリマーまたはターポリマー、あるいは、４０〜７０重量％のエチレン含量、および／または０．８８ｇ／ｃｍ３未満の密度を有するＥＰＤＭを含み、ここでコポリマーまたはターポリマーの量は１００ｐｈｒを超えることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１つに記載の接着テープ。
【請求項１０】
前記支持体が、１００〜５０００μｍの厚さを有することを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１つに記載の接着テープ。
【請求項１１】
前記支持体が感圧接着剤を全く供給されていないか、あるいは前記支持体が外側の片面にまたは両面に感圧接着剤を供給されていることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１つに記載の接着テープ。
【請求項１２】
ポリエチレンに対して９０°の接着力が少なくとも５Ｎ／ｃｍであり、および／または鋼に対して９０°の接着力が少なくとも２０Ｎ／ｃｍであることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１つに記載の接着テープ。
【請求項１３】
前記接着テープのプローブタックが、少なくとも２Ｎであり、および／またはポリエチレンに対するＬ型冶具試験の値が少なくとも１００Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか１つに記載の接着テープ。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１つに記載の接着テープの、構造用接着テープとしての使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
物性の最適化のために、使用される粘弾性の支持体に、充填材、繊維、防燃剤、顔料、染色剤、耐オゾン剤、光開始剤、導電性添加剤、強磁性添加剤、架橋剤、または架橋促進剤および特に発泡のための発泡剤といった追加の添加剤を混合できる。適した充填材および顔料は、例えば、カーボンブラック、酸化チタン、木粉、炭酸カルシウム、炭酸亜鉛、酸化亜鉛、シリケートまたはケイ酸である。好ましい充填材は、ガラスまたはポリマーの中実または中空ビーズ、およびガスで膨張可能の微小バルーンであり、好ましい量は、支持体処方物の全量に対して２〜６重量％である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
プローブタック
両面接着性接着テープの接着特性を、プローブタック法により「テクスチャーアナライザーＴＡ．ＸＴ２ｉ」（Ｓｔａｂｌｅ  Ｍｉｃｒｏ  Ｓｙｓｔｅｍｓ社）を用いて評価する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
例３
製造は、例１と同様に行われるが、支持体の処方は以下のとおりである：
2011522080.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
例５
製造は、例１と同様に行われるが、支持体の処方は以下のとおりである：
2011522080.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月16日(2012.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個々のＡブロックに１個以上４個以下のシリル基を有する組成ＡＢＡのブロックコポリマーであって、シリル官能化（メタ）アクリレートおよび（メタ）アクリレートまたはその混合物の群から選択される非シリル官能性モノマーを含有するコポリマーであるブロックＡ、および付加的なシリル官能基を有さず、その組成がブロックＡの非シリル官能性モノマーの組成とは異なる（メタ）アクリレートまたはその混合物を含有する１個のブロックＢが、ＡＢＡブロックコポリマーとして重合されることを特徴とするブロックコポリマー。
【請求項２】
ＡＢＡブロックコポリマーの個々のＡブロックが、１個以上２個以下のシリル基を含む組成を有することを特徴とする、請求項１に記載のブロックコポリマー。
【請求項３】
個々のＡブロックがそれぞれＡＢＡブロックコポリマーの合計質量の２５％未満を構成することを特徴とする、請求項１または２に記載のブロックコポリマー。
【請求項４】
個々のＡブロックがそれぞれＡＢＡブロックコポリマーの合計質量の１０％未満を構成することを特徴とする、請求項３に記載のブロックコポリマー。
【請求項５】
個々のＢブロックがさらに固有のＣＤＣトリブロック構造を有するためＡＣＤＣＡペンタブロックコポリマーが形成されることを特徴とする、請求項１から４のいずれか１項に記載のブロックコポリマー。
【請求項６】
Ｃブロックの組成がＡブロック中の非シリル官能化成分の組成に該当することを特徴とする、請求項５に記載のブロックコポリマー。
【請求項７】
個々のＡブロックがさらに固有のＣＡ’ジブロック構造を有して、ブロックＡ’が（メタ）アクリレートまたはその混合物の群から選択されるモノマーを包み、Ｃブロックが非シリル官能化（メタ）アクリレートを含有するほかはＡ’ブロックの組成に合致することから、ＣＡ’ＢＡ’Ｃペンタブロックコポリマーが形成されることを特徴とする、請求項１に記載のブロックコポリマー。
【請求項８】
Ａセグメントの官能化に用いるモノマーが不飽和のフリーラジカル重合が可能な基およびシリル基を含有し、この付加的なシリル基が
−Ｓｉ（ＯＲ1）bＲ2aＸc
［式中、
有機基Ｒ1およびＲ2はそれぞれ同一であるか互いに異なっており、１〜２０個の炭素原子からなる直鎖、分枝鎖または環状脂肪族炭化水素基の群から選択され、Ｒ1は排他的に水素であってもよく、
Ｘはアルコキシおよびヒドロキシル以外の加水分解可能な基の群から選択され、
ａ、ｂおよびｃはそれぞれ０〜３の整数であって、ａ、ｂおよびｃの合計は３である］
の形態を有することを特徴とする、請求項１に記載のブロックコポリマー。
【請求項９】
ハロゲン非含有の溶剤中で、開始剤および触媒の存在下にて原子移動ラジカル重合（ＡＴＲＰ）を連続的に実施することにより、ブロックＡをシリル官能化（メタ）アクリレートと（メタ）アクリレートまたはその混合物の群から選択されるモノマーとの混合物から得て、かつ、ブロックＢを付加的なシリル官能基を有さない（メタ）アクリレートまたはその混合物から得ることを特徴とする、個々のＡブロックに４個以下のシリル基を有する組成ＡＢＡのブロックコポリマーの作製方法。
【請求項１０】
開始剤が二官能性開始剤であることを特徴とする、請求項９に記載のブロックコポリマーの作製方法。
【請求項１１】
触媒として遷移金属化合物、好ましくは銅化合物を使用し、配位子としてＮ含有キレート配位子を使用することを特徴とする、請求項９または１０に記載のブロックコポリマーの作製方法。
【請求項１２】
ブロックコポリマーの数平均分子量が５０００ｇ／モル〜１０００００ｇ／モルであることを特徴とする、請求項９に記載のブロックコポリマーの作製方法。
【請求項１３】
ブロックコポリマーの数平均分子量が好ましくは７５００ｇ／モル〜５００００ｇ／モルであることを特徴とする、請求項９に記載のブロックコポリマーの作製方法。
【請求項１４】
ブロックコポリマーの分子量分布が１．６未満であることを特徴とする、請求項９に記載のブロックコポリマーの作製方法。
【請求項１５】
重合後にメルカプタンまたはチオール基を含有する化合物を添加することにより触媒が沈殿し、濾過によってポリマー溶液から除去されることを特徴とする、請求項９に記載のペンタブロックコポリマーの作製方法。
【請求項１６】
シリル官能化（メタ）アクリレートおよび（メタ）アクリレートまたはその混合物の群から選択されるモノマーを含有するコポリマーであるブロックＡ、およびシリル官能基を有さず、（メタ）アクリレートまたはその混合物を含有する１個のブロックＢが、ＡＢＡブロックコポリマーとして重合されることを特徴とする、個々のＡブロックに４個以下のシリル官能化基を有する組成ＡＢＡのブロックコポリマーの、反応性ホットメルト接着剤、接着結合組成物または封止剤における使用。
【請求項１７】
シリル官能化（メタ）アクリレートおよび（メタ）アクリレートまたはその混合物の群から選択されるモノマーを含有するコポリマーであるブロックＡ、およびシリル官能基を有さず、（メタ）アクリレートまたはその混合物を含有する１個のブロックＢが、ＡＢＡブロックコポリマーとして重合されることを特徴とする、個々のＡブロックに４個以下のシリル官能化基を有する組成ＡＢＡのブロックコポリマーの、ヒートシール応用例における使用。