(57)【要約】【課題】ダマシン配線技術のＣＭＰ工程でディッシングが生じないような層間絶縁膜を製造する方法を与える。【解決手段】本発明に係る半導体集積回路の多層配線用層間絶縁膜の製造方法は、シリコン系炭化水素を材料ガスとして用いてプラズマＣＶＤ法により、第１の絶縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜を形成した後、ｉｎ−ｓｉｔｕで連続的にシリコン系炭化水素ガス及び酸化性ガスを材料ガスとして用いてプラズマＣＶＤ法により、第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程とから成る。好適には、酸化性ガスの流量はシリコン系炭化水素ガスの流量の１．２〜１００倍である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路の多層配線用層間絶縁膜の製造方法であって、
シリコン系炭化水素を材料ガスとして用いてプラズマＣＶＤ法により、第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜を形成した後、ｉｎ−ｓｉｔｕで連続的にシリコン系炭化水素ガス及び酸化性ガスを材料ガスとして用いてプラズマＣＶＤ法により、前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
から成る方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記酸化性ガスの流量は前記シリコン系炭化水素ガスの流量の１．２〜１００倍である、ところの方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記シリコン系炭化水素は、
一般式ＳｉαＯα−１（Ｒ）２α−β＋２（ＯＣｎＨ２ｎ＋１）で表され、
ここで、α＝１〜３の整数、β＝０〜２の整数、ｎ＝１〜３の整数及びＲ＝Ｓｉに結合されたＣ１−６炭化水素である、ところの方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、前記シリコン系炭化水素は、ジメチル・ジメトキシシランである、ところの方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記酸化性ガスは、酸素、亜酸化窒素、オゾン、過酸化酸素、二酸化炭素、アルコール類の少なくとも１つから成る、ところの方法。
【請求項６】
半導体集積回路の多層配線用層間絶縁膜であって、
シリコン系炭化水素を材料ガスとして用いてプラズマＣＶＤ法により形成された、第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜を形成した後、ｉｎ−ｓｉｔｕで連続的にシリコン系炭化水素ガス及び酸化性ガスを材料ガスとして用いてプラズマＣＶＤ法により、前記第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜と、
から成る多層配線用層間絶縁膜。
【請求項７】
請求項６に記載の多層配線用層間絶縁膜であって、前記酸化性ガスの流量は前記シリコン系炭化水素ガスの流量の１．２〜１００倍である、ところの多層配線用層間絶縁膜。
【請求項８】
請求項６に記載の多層配線用層間絶縁膜であって、前記シリコン系炭化水素は、
一般式ＳｉαＯα−１（Ｒ）２α−β＋２（ＯＣｎＨ２ｎ＋１）で表され、
ここで、α＝１〜３の整数、β＝０〜２の整数、ｎ＝１〜３の整数及びＲ＝Ｓｉに結合されたＣ１−６炭化水素である、ところの多層配線用層間絶縁膜。
【請求項９】
請求項８に記載の多層配線用層間絶縁膜であって、前記シリコン系炭化水素は、ジメチル・ジメトキシシランである、ところの多層配線用層間絶縁膜。
【請求項１０】
請求項６に記載の多層配線用層間絶縁膜であって、前記酸化性ガスは、酸素、亜酸化窒素、オゾン、過酸化酸素、二酸化炭素、アルコール類の少なくとも１つから成る、ところの多層配線用層間絶縁膜。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路の多層配線用層間絶縁膜及びその製造方法に関し、特に、Ｃｕ多層配線に使用するためのポリッシングストッパ膜及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】
半導体集積回路は、これまで高速化及び高機能化を目指し、微細化が進んできた。従来、半導体集積回路の多層配線材料としてＡｌが使用されてきたが、配線が微細かつ長距離になるにつれ、電流密度の増大で発生するエレクトロマイグレーションによる断線事故及びＡｌの抵抗率及び絶縁膜の誘電率に起因する信号遅延といった点が問題になってきた。
【０００３】
次世代の多層配線材料として注目されているのがＣｕである。Ｃｕは断線事故に対して強く、抵抗もＡｌに比べて小さい。１９９７年に、ＩＢＭとＭｏｔｏｒｏｌａによって、デュアルダマシン（Ｄｕａｌ−Ｄａｍａｓｃｅｎｅ）と呼ばれる技術が開発された。従来は、Ａｌ膜をエッチングで凸状に加工して配線を形成し、その後層間を絶縁膜で埋め込んでいた。これに対してダマシン配線技術は、平坦な層間絶縁膜に配線パターンの溝をエッチングで形成し、全面にＣｕ薄膜を堆積させた後、化学機械研磨（ＣＭＰ）によって研磨し、溝部分にのみＣｕを残して配線とするものである（例えば、非特許文献１参照）。
【０００４】
【非特許文献１】
「次世代ＵＬＳＩプロセス技術」株式会社リアライズ社、平成１２年２月２９日、ｐ．５５８−５６５
【０００５】
このダマシン配線技術では、低誘電率絶縁膜の適用が必須である。低誘電率絶縁膜として、スピンコート法による無機ＳＯＧ膜、材料ガスとしてＣｘＦｙＨｚを用いたプラズマＣＶＤ法によるａ−Ｃ：Ｆ膜、材料ガスとしてシリコン系炭化水素を用いたプラズマＣＶＤ法によるＳｉｘＣｙＯｚ膜等が知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ダマシン配線技術のＣＭＰ工程では、研磨布と研磨液（スラリー）を用いて研磨を行うが、絶縁膜の機械的強度が低いとＣｕ配線部分より絶縁膜部分が凹んでしまうディッシングと呼ばれる問題が生じる。これは、研磨レートの異なる材料が同一研磨面内に混在する（例えば、金属配線及び層間絶縁膜）場合、研磨布が変形可能であることから、研磨レートの大きな材料が余計に研磨されるために発生する現象である。ダマシン配線技術で最も有望な低誘電率膜であるＳｉｘＣｙＯｚ膜は、膜中に−ＣＨｘ結合を多く含み多孔質であるため機械的強度が低く、ディッシングの問題が生じる。
【０００７】
ディッシングの問題を解決するために後処理用の装置を用意すると、装置スペース及びコストの面で問題となるばかりか、装置間の移動の際に生じるパーティクル汚染も問題となる。
【０００８】
したがって、本発明の目的は、ダマシン配線技術のＣＭＰ工程でディッシングが生じないような層間絶縁膜を製造する方法を与えることである。
【０００９】
本発明の他の目的は、別の装置を一切必要としない低コストの層間絶縁膜を製造する方法を与えることである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明に係る層間絶縁膜を製造する方法は以下の工程から成る。
【００１１】
半導体集積回路の多層配線用層間絶縁膜の製造方法は、
シリコン系炭化水素を材料ガスとして用いてプラズマＣＶＤ法により、第１の絶縁膜を形成する工程と、
第１の絶縁膜を形成した後、ｉｎ−ｓｉｔｕで連続的にシリコン系炭化水素ガス及び酸化性ガスを材料ガスとして用いてプラズマＣＶＤ法により、第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
から成る。
【００１２】
好適には、酸化性ガスの流量はシリコン系炭化水素ガスの流量の１．２〜１００倍である。
【００１３】
本発明で使用するシリコン系炭化水素は、一般式ＳｉαＯα−１（Ｒ）２α−β＋２（ＯＣｎＨ２ｎ＋１）で表され、
ここで、α＝１〜３の整数、β＝０〜２の整数、ｎ＝１〜３の整数及びＲ＝Ｓｉに結合されたＣ１−６炭化水素である。
【００１４】
具体的には、シリコン系炭化水素は、ジメチル・ジメトキシシランを含む。
【００１５】
また具体的には、酸化性ガスは、酸素、亜酸化窒素、オゾン、過酸化酸素、二酸化炭素、アルコール類の少なくとも１つから成る。
【００１６】
一方、半導体集積回路の多層配線用層間絶縁膜は、
シリコン系炭化水素を材料ガスとして用いてプラズマＣＶＤ法により形成された、第１の絶縁膜と、
第１の絶縁膜を形成した後、ｉｎ−ｓｉｔｕで連続的にシリコン系炭化水素ガス及び酸化性ガスを材料ガスとして用いてプラズマＣＶＤ法により、第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜と、
から成る。
【００１７】
【発明の実施の態様】
以下、図面を参照しながら本願発明を詳細に説明する。図１は、本発明に係る半導体集積回路の多層配線用層間絶縁膜の製造方法に使用するプラズマＣＶＤ装置の略示図である。
【００１８】
プラズマＣＶＤ装置１は反応チャンバ６を含む。反応チャンバ６内側には半導体ウエハ４を載置するためのサセプタ３が設けられている。サセプタ３はヒータ２によって支持され、該ヒータ２は半導体ウエハ４を所定の温度（３５０〜４５０℃）に維持する。サセプタ３はプラズマ放電のための一方の電極を兼ねており、反応チャンバ６を通じて接地１１されている。反応チャンバ６の内側天井部にはサセプタ３と平行に対向して、シャワーヘッド９が設けられている。シャワーヘッド９は底面に多くの細孔を有しており、そこから以下に説明する材料ガスが半導体ウエハ４に向かって均一に噴出される。シャワーヘッド９の中央部には材料ガス導入口５が設けられ、材料ガスはガスライン（図示せず）を通じてシャワーヘッド９に導入される。ガス導入口５は反応チャンバ６から電気的に絶縁されている。シャワーヘッド９はプラズマ放電のためのもう一方の電極を兼ねており、材料ガス導入口５を通じて外部の第１の高周波電源７及び第２の高周波電源８に接続されている。これによって、半導体ウエハ４の近傍にプラズマ反応場が生成される。反応チャンバ６の底部には排気口１０が設けられ、外部の真空ポンプ（図示せず）と連結されている。
【００１９】
次に、本発明に係る半導体集積回路の多層配線用層間絶縁膜の製造方法について説明する。本発明に係る多層配線用層間絶縁膜の製造方法は、シリコン系炭化水素を材料ガスとして用いてプラズマＣＶＤ法により、第１の絶縁膜を形成する工程を含む。ここで材料ガスは、一般式ＳｉαＯα−１（Ｒ）２α−β＋２（ＯＣｎＨ２ｎ＋１）（ここで、α＝１〜３の整数、β＝０〜２の整数、ｎ＝１〜３の整数及びＲ＝Ｓｉに結合されたＣ１−６炭化水素）で表されるシリコン系炭化水素であり、好適にはＤＭ−ＤＭＯＳ（ジメチル・ジメトキシシラン）である。他に副原料ガスとして、ＣＯ２、アルコール類、少なくとも１つの不飽和結合を含む炭化水素、またはＮ２を含むことができる。Ｓｉ／Ｏ比を制御する必要がある場合には副原料ガスとしてさらにＯ２若しくはＮ２Ｏを付加することもできる。さらに添加ガスとして、Ａｒ及び／またはＨｅのような不活性ガスを含むこともできる。
【００２０】
外部真空ポンプ（図示せず）によって真空排気した後、材料ガスは、ガス導入口５からシャワーヘッド９を通じて反応チャンバ６内部に導入される。続いて、第１の高周波電源７及び第２の高周波電源８によって励起高周波パワーが印加され、半導体基板４近傍にプラズマ反応場が形成される。ここで、第１の高周波電源７の周波数は２ＭＨｚ以上であり、重畳する第２の高周波電源８の周波数は２ＭＨｚ以下である。選択的に、第１の高周波電源７のみを用いることも可能である。プラズマ中で分解した材料ガス原子が化学反応を起こし、組成ＳｉｘＣｙＯｚの第１の絶縁膜が半導体ウエハ４上に堆積する。
【００２１】
また、本発明に係る多層配線用層間絶縁膜の製造方法は、第１の絶縁膜を形成した後、ｉｎ−ｓｉｔｕで連続的にシリコン系炭化水素ガス及び酸化性ガスを材料ガスとして用いてプラズマＣＶＤ法により、第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程を含む。ここで材料ガスとして用いるシリコン系炭化水素は、一般式ＳｉαＯα−１（Ｒ）２α−β＋２（ＯＣｎＨ２ｎ＋１）（ここで、α＝１〜３の整数、β＝０〜２の整数、ｎ＝１〜３の整数及びＲ＝Ｓｉに結合されたＣ１−６炭化水素）で表されるシリコン系炭化水素であり、好適にはＤＭ−ＤＭＯＳ（ジメチル・ジメトキシシラン）である。また材料ガスとして用いる酸化性ガスは、酸素、亜酸化窒素、オゾン、過酸化酸素、二酸化炭素、アルコール類の少なくとも１つから成る。以下に詳細に説明するように、鋭意研究を重ねた結果、酸化性ガスの流量をシリコン系炭化水素ガスの流量の１．２〜１００倍に制御することにより、第２の絶縁膜がポリッシングストッパ膜としての機能を果たすことがわかった。
【００２２】
第１の絶縁膜が形成された後、ｉｎ−ｓｉｔｕで連続的に材料ガスをガス導入口５からシャワーヘッド９を通じて反応チャンバ６内に導入する。この際、酸化性ガスの流量はシリコン系炭化水素ガスの流量の１．２〜１００倍に制御する。続いて、第１の高周波電源７及び第２の高周波電源８によって励起高周波パワーが印加され、半導体ウエハ４近傍にプラズマ反応場が形成される。ここで、第１の高周波電源７の周波数は２ＭＨｚ以上であり、重畳する第２の高周波電源８の周波数は２ＭＨｚ以下である。選択的に、第１の高周波電源７のみを用いることも可能である。プラズマ中で分解した材料ガス原子が化学反応を起こし、組成ＳｉＯ２の第２の絶縁膜が半導体基板４上に堆積する。
【００２３】
第１の絶縁膜の特徴は誘電率が低いことである。これは、主原料ガス（シリコン系炭化水素）中のＳｉ−Ｃ結合がそのまま膜中に取り込まれ、膜の密度が疎となるためである。しかし、第１の絶縁膜は膜中に−ＣＨｘ結合を多く含み多孔質であるため機械的強度が低いという欠点を有する。本発明者らはこの点に着目し、第１の絶縁膜の欠点を補うべく、機械的強度の高い第２の絶縁膜を第１の絶縁膜上に形成する方法を発明するに至った。第２の絶縁膜の特徴は機械的強度が高いことである。これは、酸化性ガスを過剰に流すことによって、膜中にＣが入らず、膜が緻密となるためであると考えられる。
【００２４】
【実施例】
以下、本発明に係る層間絶縁膜の製造方法で形成した絶縁膜の評価実験を行ったので説明する。実験では、主原料ガスとしてＤＭ−ＤＭＯＳ及び１，３ジメトキシテトラメチルジシロキサンを用い、それぞれの場合について第２の絶縁膜の単独評価及び第１の絶縁膜と組み合わせた場合のダマシン構造のＣＭＰ研磨試験を行った。
（実験１）
プラズマＣＶＤ装置：Ｅａｇｌｅ　１２（日本エー・エス・エム社製）
第１の絶縁膜の成膜条件：
主原料ガス：ＤＭ−ＤＭＯＳ　　　　２００ｓｃｃｍ
添加ガス：Ｈｅ　　　　　　　４００ｓｃｃｍ
第１のＲＦ周波数：　　　　　２７．１２ＭＨｚ　　２．８Ｗ／ｃｍ２
第２の絶縁膜の成膜条件：
主原料ガス：ＤＭ−ＤＭＯＳ　　　　　　　　１００ｓｃｃｍ
酸化性ガス：Ｏ２
第１のＲＦ周波数：　　　　　２７．１２ＭＨｚ
その他の第２の絶縁膜の成膜条件は表１の通りである。
【００２５】
【表１】
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【００２６】
この条件で、まず第２の絶縁膜を１μｍ成膜し、単独での膜厚分布、屈折率及び硬度を評価した。表２は評価結果を示したものである。
【００２７】
【表２】
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【００２８】
ＣＭＰのポリッシングストッパとして好適な硬度は６ＧＰａ以上である。この実験結果から、第２の絶縁膜の好適な成膜条件は、酸化性ガス／主原料ガスの流量比＝１．２〜１００、圧力１００〜４００Ｐａ、第１ＲＦ高周波パワー＝０．５〜１．５Ｗ／ｃｍ２であることがわかった。
【００２９】
次に、ＣＭＰ試験を行ったので説明する。まず、上記装置及び成膜条件で第１の絶縁膜を１μｍ形成した。その後表１の成膜条件に従いｉｎ−ｓｉｔｕで連続的に第２の絶縁膜を０．１μｍ形成した。ダマシン構造をＣＭＰで研磨したところ、表１のすべての条件でディッシングは検出されなかった。
【００３０】
【効果】
本発明に係る層間絶縁膜の製造方法によれば、ダマシン配線技術のＣＭＰ工程においてポリッシングストッパとして機能する絶縁膜を与えることができた。その結果、低誘電率絶縁膜であるＳｉｘＣｙＯｚ膜のディッシングの問題は解決された。
【００３１】
また、本発明に係る層間絶縁膜の製造方法によれば、従来のプラズマＣＶＤ装置をそのまま使用することができるため、後処理用の付加的な装置は一切不要となり、装置スペース及びコストを増大させることはない。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明に従う半導体集積回路の多層配線用層間絶縁膜の製造方法に使用するプラズマＣＶＤ装置の略示図である。
【符号の説明】
１　　　　　　プラズマＣＶＤ装置
２　　　　　　ヒータ
３　　　　　　サセプタ
４　　　　　　半導体ウエハ
５　　　　　　材料ガス導入口
６　　　　　　反応チャンバ
７　　　　　　第１高周波電源
８　　　　　　第２高周波電源
９　　　　　　シャワーヘッド
１０　　　排気口
１１　　　接地
【図１】
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