【手続補正書】
【提出日】平成24年8月17日(2012.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】イオンソース
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
従来技術においては、半径方向のプラズマ密度の不均一性のお問題があった。以下に記載される装置の実施形態は、ヘリコンソースにより生成された高いプラズマ密度を効率的に利用し、広く均一なリボンイオンビームを生成する。
一実施形態において、拡散チャンバの向かい合う両端に位置する２つのヘリコンプラズマソースが設けられ、軸方向に均一なイオンビームが生成され、その結果、均一なリボンイオンビームを抽出することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
同様にして、図１０に示すような太陽電池箔４００もドープすることができる。現在、ｐ型ＣｕＩｎ１−ｘＧａｘＳ２箔型太陽電池は、温度１３５℃の中間アニール工程を伴う４７５℃の複雑な硫化プロセスによって形成されている。このプロセスは、９０分以上掛かるため、生産性が低くなってしまっている。上述したイオンビームソースによれば、モータによって駆動される２つのリール４１０、４２０に巻きつけられるフォイル（箔）４００を、連続的に真空チャンバを通過させて、ビーム経路を横切らせることができる。高ビーム電流は、所望のドーピングを短時間で実現可能であり、好ましくは、１度の通過で実現し、ドーズ量は、ビーム電流及びリールの回転スピードで設定することができる。図１０は、このプロセスを単純化して示した図である。チャンバハウジングと拡散チャンバの断面が示されており、イオンビーム２７０が入射している。構成を明確に示す目的から、図では、イオンソースの他の構成要素が省略されているが、実際には存在する。イオンビームは、図１０の面に垂直な方向に長さを有するリボンの形をしている。一実施形態において、太陽電池箔は、放射されるリボンイオンビームの幅と同じか、僅かに小さな幅を有する。イオンビームは、拡散チャンバ２１０の抽出開口部の直下を通過して、太陽電池箔４００の一部に当たる。また、一実施形態において、太陽電池箔４００は、回転するリール４１０、４２０によって運ばれる。これらのリールの速度を調整することにより、太陽電池箔４００の各部分がイオンビームに暴露される時間を調整することができる。
［項目１２］
ａ．中心軸、閉口端及び開放端を含む誘電体シリンダ、前記中心軸の方向に磁場を形成し、前記誘電体シリンダを囲み前記誘電体シリンダの前記開放端の方向に向けられるマグネット、及び、前記誘電体シリンダ内にヘリコン波を生成可能なアンテナを有するヘリコンプラズマソースと、
ｂ．拡散チャンバを画定し、第１端、第２端及び抽出開口部を含むチャンバハウジングと
を備え、
前記チャンバハウジングの前記第１端は、前記誘電体シリンダの前記開放端と連通し、前記抽出開口部は、第２寸法よりも大きい第１寸法を有し、前記第１寸法は、前記誘電体シリンダの前記中心軸に平行であるイオンソース。
［項目１３］
前記チャンバハウジングを囲み、マルチカスプ磁場を形成する複数のマグネットをさらに備える項目１１に記載のイオンソース。
［項目１４］
前記第１閉口端に設けられたガス注入口をさらに備える項目１１に記載のイオンソース。
［項目１５］
前記マグネットは、ソレノイドを含み、
前記イオンソースは、前記ソレノイドによって形成される前記磁場を制御する電源をさらに備える項目１１に記載のイオンソース。
［項目１６］
前記マグネットは、永久磁石を含む項目１１に記載のイオンソース。
［項目１７］
前記アンテナに接続され前記アンテナに電力を供給するＲＦ電源をさらに備える項目１１に記載のイオンソース。
［項目１８］
前記ＲＦ電源の電力は、整合回路を介して、前記アンテナに供給される項目１７に記載のイオンソース。
［項目１９］
前記抽出開口部の付近に位置し、前記拡散チャンバからのイオン放出を促進する抽出光学系をさらに備える項目１１に記載のイオンソース。
［項目２０］
イオンビームの不均一性を調整する方法であって、
ａ．  ｉ．第１中心軸、第１閉口端及び第１開放端を含む第１誘電体シリンダ、前記第１中心軸の方向に磁場を形成し、前記第１誘電体シリンダを囲み前記第１誘電体シリンダの前記開放端の方向に向けられる第１ソレノイド、及び、前記第１誘電体シリンダ内にヘリコン波を生成可能な第１アンテナを有する第１のヘリコンプラズマソースと、
ｉｉ．第２中心軸、第２閉口端及び第２開放端を含む第２誘電体シリンダ、前記第２中心軸の方向に磁場を形成し、前記第２誘電体シリンダを囲み前記第２誘電体シリンダの前記開放端の方向に向けられる第２ソレノイド、及び、前記第２誘電体シリンダ内にヘリコン波を生成可能な第２アンテナを有する第２のヘリコンプラズマソースと、
ｉｉｉ．拡散チャンバを画定し、第１端、第２端及び抽出開口部を含むチャンバハウジングと、
ｉｖ．前記第１のヘリコンプラズマソースの前記第１閉口端及び前記第２のヘリコンプラズマソースの前記第２閉口端にそれぞれ設けられたガス注入口と、
ｖ．前記第１ソレノイド及び前記第２ソレノイドによって形成される前記磁場を制御する電源と、
ｖｉ．前記第１アンテナ及び前記第２アンテナに接続され、前記第１アンテナ及び前記第２アンテナに電力を供給するＲＦ電源と
を有し、前記チャンバハウジングの前記第１端は、前記第１誘電体シリンダの前記開放端と連通し、前記チャンバハウジングの前記第２端は、前記第２誘電体シリンダの前記開放端と連通し、前記抽出開口部は、第２寸法よりも大きい第１寸法を有し、前記第１寸法は、前記第１誘電体シリンダの前記第１中心軸に平行であるイオンソースを提供する段階と、
ｂ．軸方向の前記磁場を調整するＤＣ電源の出力電流、前記ＲＦ電源の出力、及び前記注入口へのガス流量からなる群から選択される、前記イオンソースの特性を調整する段階と
を備える方法。
［項目２１］
前記ＲＦ電源の前記出力は、電力成分及び周波数成分を含み、前記ＲＦ電源の調整は、前記電力成分を調整することを含む項目２０に記載の方法。
［項目２２］
前記ＲＦ電源の前記出力は、電力成分及び周波数成分を含み、前記ＲＦ電源の調整は、前記周波数成分を調整することを含む項目２０に記載の方法。
［項目２３］
前記イオンソースは、前記電源として、第１電源及び第２電源を含み、前記第１電源及び前記第２電源はそれぞれ、対応する前記第１ソレノイド及び前記第２ソレノイドを制御し、前記調整する段階は、前記第１電源及び前記第２電源の出力をそれぞれ調整することを含む項目２０に記載の方法。
［項目２４］
前記イオンソースは、前記ＲＦ電源として、第１ＲＦ電源と第２ＲＦ電源とを含み、前記第１ＲＦ電源及び前記第２ＲＦ電源はそれぞれ、対応する前記第１アンテナ及び前記第２アンテナを制御し、前記調整する段階は、前記第１ＲＦ電源及び前記第２ＲＦ電源の出力をそれぞれ調整することを含む項目２０に記載の方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ．第１中心軸、第１閉口端及び第１開放端を含む第１誘電体シリンダ、前記第１中心軸の方向に磁場を形成し、前記第１誘電体シリンダを囲み前記第１誘電体シリンダの前記第１開放端の方向に向けられる第１マグネット、及び、前記第１誘電体シリンダ内にヘリコン波を生成可能な第１アンテナを有する第１のヘリコンプラズマソースと、
ｂ．第２中心軸、第２閉口端及び第２開放端を含む第２誘電体シリンダ、前記第２中心軸の方向に磁場を形成し、前記第２誘電体シリンダを囲み前記第２誘電体シリンダの前記第２開放端の方向に向けられる第２マグネット、及び、前記第２誘電体シリンダ内にヘリコン波を生成可能な第２アンテナを有する第２のヘリコンプラズマソースと、
ｃ．拡散チャンバを画定し、第１端、第２端及び抽出開口部を含むチャンバハウジングと
を備え、
前記チャンバハウジングの前記第１端は、前記第１誘電体シリンダの前記第１開放端と連通し、前記チャンバハウジングの前記第２端は、前記第２誘電体シリンダの前記第２開放端と連通し、前記抽出開口部は、第２寸法よりも大きい第１寸法を有し、前記第１寸法は、前記第１誘電体シリンダの前記第１中心軸に平行であるイオンソース。
【請求項２】
前記第２中心軸は、前記抽出開口部の前記第１寸法と平行であり、且つ前記第１誘電体シリンダの前記第１中心軸と同軸である請求項１に記載のイオンソース。
【請求項３】
前記チャンバハウジングを囲み、マルチカスプ磁場を形成する複数のマグネットをさらに備える請求項２に記載のイオンソース。
【請求項４】
前記第１のヘリコンプラズマソースの前記第１閉口端及び前記第２のヘリコンプラズマソースの前記第２閉口端にそれぞれ設けられたガス注入口をさらに備える請求項２または３に記載のイオンソース。
【請求項５】
前記第１マグネット及び前記第２マグネットはそれぞれ、ソレノイドを含み、
前記イオンソースは、前記ソレノイドによって形成される前記磁場を制御する電源をさらに備える請求項２から４の何れか１項に記載のイオンソース。
【請求項６】
前記第１マグネット及び前記第２マグネットはそれぞれ、ソレノイドを含み、
前記イオンソースは、第１電源及び第２電源をさらに備え、
前記ソレノイドはそれぞれ、対応する電源によって制御される請求項２から５の何れか１項に記載のイオンソース。
【請求項７】
前記第１マグネット及び前記第２マグネットは、永久磁石を含む請求項２から６の何れか１項に記載のイオンソース。
【請求項８】
前記第１アンテナ及び前記第２アンテナに接続され、前記第１アンテナ及び前記第２アンテナに電力を供給するＲＦ電源をさらに備える請求項２から７の何れか１項に記載のイオンソース。
【請求項９】
前記第１アンテナに接続され前記第１アンテナに電力を供給する第１のＲＦ電源と、前記第２アンテナに接続され前記第２アンテナに電力を供給する第２のＲＦ電源とをさらに備える請求項２から７の何れか１項に記載のイオンソース。
【請求項１０】
前記ＲＦ電源からのＲＦ電力は、２つの独立した整合回路を介して、前記第１アンテナ及び前記第２アンテナに供給される請求項８に記載のイオンソース。
【請求項１１】
前記抽出開口部の付近に位置し、前記拡散チャンバからのイオン放出を促進する抽出光学系をさらに備える請求項２から１０の何れか１項に記載のイオンソース。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５ａ】
2012501524.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６ａ】
2012501524.tif 000002