【事件の表示】
　平成　７年特許願第１７８６１０号「光変調器」拒絶査定に対する審判事件［平成　９年　２月　７日出願公開、特開平　９−　３３８６９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成７年７月１４日の出願であって、その請求項１〜３に係る発明は、平成１３年８月２３日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に各々記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という）は次のものである。
　「第１の導電型から成る基板と、該基板上に設けられ所定の電界の印加によって光吸収係数が変化する吸収層と、該吸収層上に設けられ第２の導電型から成るクラッド層と、前記基板とクラッド層とに各々接続される電極層と、前記吸収層に対する光の入射および出射を行う端面とを備える光変調器であって、
　前記クラッド層は前記吸収層上の前記光の入射を行う端面から前記光の出射を行う端面に対応する部分の全面にわたり形成されているとともに、
　前記クラッド層に接続される電極層は、少なくとも前記光の入射する端面と対応する部分を除く一部に形成されていることを特徴とする光変調器。」
　　　　
２．引用例に記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願前に頒布された刊行物である特開平３−７３９０５号公報（以下、「引用例」という）には、次のように記載されている。
　「基板面上もしくは基板面の近傍に形成された光処理機能を有する少なくとも１本の光導波路と、前記基板の端面に設けられた少なくとも１つの光入出力端と前記導波路を接続する入出力光導波路を具備した光機能素子であって、・・・・」（特許請求の範囲第１項）
　「本発明は光変調や光切換え等を行う光機能素子に関するものであり、特に高性能で小形の光通信装置を実現するのに有用な光機能素子に関するものである。・・・・この集積形光機能素子の１つとして、量子井戸構造半導体材料を用いたものがある。これらの材料は、量子サイズ効果により大きな電界吸収効果および電気光学効果を有しているため、・・・・光変調器や光スイッチ等、種々の光機能素子の研究が進められている。・・・・
　半導体レーザダイオードと、量子井戸構造半導体を用いた外部光強度変調器および光ファイバとの間の光結合に関して、従来の構成例を第１図（ａ）および（ｂ）に示す。
　第１図（ａ）は、変調器中央部の断面図、第１図（ｂ）は平面図を表わす。半導体レーザ（ＬＤ）１の活性層２から出射した光６をレンズ３により変調器の光導波路４の入射端部５に入射させる。・・・・本変調器では、多重量子井戸構造半導体層として、量子井戸層にＩｎＧａＡｓ、バリア層にＩｎＡｌＡｓを使用した場合を示しており、８はｐ側電極、９はｐ−ＩｎＧａＡｓ層、１０はｐ−ＩｎＡｌＡｓクラッド層、１１は多重量子井戸層、１２はｎ−ＩｎＡｌＡｓクラッド層、１３はｎ−ＩｎＰ基板、１４はｎ側電極である。さらに、変調器の出力側の光導波路端１５からの出射光１６はレンズ１７により光ファイバ１８のコア部１９に入射される。」（第１頁右下欄第１３行〜第２頁右上欄第１１行）
　「第２図は本発明による光機能素子の一実施例の構成図である。従来例と同一構成部分は同一符号をもって表わしている。２０は多重量子井戸構造半導体を利用した光変調器であり、例えばＬＤからの出力光６が基板１３の端部に入射端２１をもつ入力光導波路２２に光結合され、入力光導波路２２は変調器２０の導波路４に接続されている。入射端２１と対向する基板の右端部に出射端２３をもつ出力導波路２４が導波路４に接続されるように形成されており、そこからの出射光１６は、例えば光ファイバに直接光結合させている。」（第３頁右上欄第４〜１４行）
　「第６図は本発明による他の実施例であり、光機能素子中央部の断面部あ表わす。この場合、入出力導波路と接続される変換導波路２９，３０を、例えば半導体結晶面選択エッチング等の方法により厚さをテーパ状に形成させた場合であり、スポットサイズ変換損失を小さくすることができる特徴がある。また、入出力導波路２２，２４、もしくは変換導波路２９，３０の上に、例えばＳｉＯ２やＳｉＮ，Ａｌ２Ｏ３等の誘電体や半導体あるいは多重量子井戸層半導体等を用いたクラッド層３１を形成することにより、光導波路のスポット形状を調整することができ、また導波路寸法の凹凸による放射損失を低減させることができるので、低損失な光機能素子を実現できる特徴がある。」（第４頁右下欄第１〜１４行）
　「４…光変調器の導波路、５…光入射端部、６…ＬＤ出射光、・・・・８…ｐ側電極、９…ｐ−ＩｎＧａＡｓ層、１０…ｐ−ＩｎＡｌＡｓクラッド層、１１…多重量子井戸構造半導体層、１２…ｎ−ＩｎＡｌＡｓクラッド層、１３…ｎ−ＩｎＰ基板、１４…ｎ側電極、１６…出射光、・・・・２２…入力光導波路、・・・・２４…出力光導波路、・・・・２９…入力変換光導波路、３０…出力変換光導波路、３１…クラッド層、」（第５頁左下欄第６〜１８行）
　また、第６図に、他の実施例としての光機能素子の構成が示されており、この光機能素子において、入力導波路２２，２４、変換導波路２９，３０の上側に、ｐ−ＩｎＡｌＡｓクラッド層１０と、その入射端側及び出射端側に接続された状態のクラッド層３１とが形成されており、クラッド層１０は光機能素子の光軸方向の入射端部側及び出射端部側を除いて一部に形成されているが、これと両方のクラッド層３１とを合せたものとしてのクラッド層は光変調素子の光軸方向の全面にわたって形成されていること、さらに、クラッド層の上側に接続されたｐ側電極８は光機能素子の入射端部側と出射端部側とを除く一部に形成されていることが見てとれる。
　以上の記載からすれば、引用例には、「ｎ−ＩｎＰ基板１３と、基板１３上に形成された光入射端部側の入力光導波路２２、光出射端部側の出力光導波路２４及びそれらの間に接続された変換導波路２９，３０と、入出力導波路２２，２４もしくは変換導波路２９，３０の上に形成されたｐ−ＩｎＡｌＡｓクラッド層１０、その光入射端部側及び光出射端部側にそれぞれ誘電体や半導体あるいは多重量子井戸層半導体等を用いて形成されたクラッド層３１と、基板１３に接続されるｎ側電極及びクラッド層１０に接続されるｐ側電極８とを備えた光機能素子であって、クラッド層１０は光機能素子の光軸方向の入射端部側及び出射端部側を除いて一部に形成されているが、これと両方のクラッド層３１とを合せたものとしてのクラッド層は光変調素子の光軸方向の全面にわたって形成されており、クラッド層の上側に接続されたｐ側電極８は光機能素子の入射端部側と出射端部側とを除く一部に形成されている光機能素子」が記載されているものと認める。
　　　
３．対比、判断
　本願発明と引用例に記載のものとを対比すると、引用例に記載のものにおける「ｎ−ＩｎＰ基板１３」、「ｐ−ＩｎＡｌＡｓクラッド層１０」、「ｎ側電極１４及びｐ側電極８」、「光機能素子」は、それぞれ本願発明における「第１の導電型から成る基板」、「第２の導電型から成るクラッド層」、「基板とクラッド層とに各々接続される電極層」、「光変調器」に相当するものであり、引用例に記載のものにおける「変換導波路２９，３０」は、電界吸収効果を用いて光変調を行うものとして、本願発明における「所定の電界の印加によって光吸収係数が変化する吸収層」に相当し、また、引用例に記載のものにおける「入力光導波路２２」の光入射端部における端面と「出力光導波路２４」の光出射端部における端面とは、それぞれ変換導波路に対する光の入射及び出射を行う端面であって、本願発明における「吸収層に対する光の入射および出射を行う端面」に相当するから、本願発明と引用例に記載のものとは、「第１の導電型から成る基板と、該基板上に設けられ所定の電界の印加によって光吸収係数が変化する吸収層と、該吸収層上に設けられ第２の導電型から成るクラッド層と、前記基板とクラッド層とに各々接続される電極層と、前記吸収層に対する光の入射および出射を行う端面とを備える光変調器であって、前記クラッド層に接続される電極層は、少なくとも前記光の入射する端面と対応する部分を除く一部に形成されていることを特徴とする光変調器」である点において一致するが、次の点において相違する。
［相違点］
　本願発明においては、「第２の導電型から成るクラッド層が吸収層上の前記光の入射を行う端面から前記光の出射を行う端面に対応する部分の全面にわたり形成されている」のに対して、引用例に記載のものにおいては、ｐ−ＩｎＡｌＡｓクラッド層１０は光機能素子の光軸方向の入射端部側及び出射端部側を除いて一部に形成されており、クラッド層１０とこれに接続されて形成された入射端部側及び出射端部側の両方のクラッド層３１とを合せたものとしてのクラッド層が光変調素子の光軸方向の全面にわたって形成されており、両方のクラッド層３１は誘電体や半導体あるいは多重量子井戸層半導体等を用いて形成されているが、半導体を用いた場合の導電型については明記されていないので、結局上記の点は記載されていない点。
　そこで、上記相違点について検討する。
　引用例に記載のものにおいては、入出力導波路２２，２４、もしくは変換導波路２９，３０の上に、誘電体や半導体あるいは多重量子井戸層半導体等を用いてクラッド層３１を形成し、それによって光導波路のスポット形状が調整され、導波路寸法の凹凸による放射損失が低減されるようにしており、このクラッド層３１を半導体で形成する場合に、その導電型について特に制限されないことは明らかであるから、入射端部側及び出射端部側の両方のクラッド層３１を、間のクラッド層１０と同様の導電型がｐ型の層として形成することは、積層構造の設計手法として必要に応じて適宜考慮し得るところである。その場合、ｐ−ＩｎＡｌＡｓクラッド層１０と両方のクラッド層３１を合せたものは、変換導波路２９，３０と入出力導波路２２，２４とからなる導波路の光の入射を行う端面から光の出射を行う端面に対応する部分の全面にわたり形成されることになることは明らかである。また、両方のクラッド層３１を導電型がｐ型の半導体で形成して、導波路の上側のクラッド層を全体として導電型がｐ型のものとしたことによる作用効果についても、何ら格別なものはない。
　　　　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　よって、結論のとおり審決する。