【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年6月26日(2012.6.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１６２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１６２】
粒子製造装置からのコンジットに対して基板を配置するステージの実施形態は、図１６に表示されている。粒子ノズル５９０は、粒子を回転ステージ５９２へ向ける。図１６に示すように、四枚の基板５９４が、ステージ５９２にマウントされている。対応するステージ及びチャンバサイズの修正により、これより多い又は少ない基板を、可動ステージにマウントすることが可能である。ステージ５９２の移動は、基板表面を横切って粒子ストリームをさっと通過させ（ｓｗｅｅｐ、以下、これを「スイープ」とも呼ぶ）、特定の基板５９４をノズル５９０の経路内に配置させる。図１６に示すように、モータを使用して、ステージ５９２を回転させる。ステージ５９２は、ステージ５９２上の基板の温度制御を提供するために、熱制御特徴部を含むことができる。代替の設計には、ステージの直線的な移動又はその他の動作が伴う。別の実施形態においては、粒子ストリームを集中させず、基板全体又はその望ましい部分が、生成物の流れと相対的に基板を移動させることなく、同時にコーティングされるようにする。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１６５】
様々な構成を使用して、生成物が反応区域を出る際に、コーティングを基板表面全体にさっと通過させる（スイープさせる）ことができる。一実施形態は、図１８及び１９に表示されている。基板６２０は、右向きの矢印で示すように、反応物ノズル６２２と相対的に移動する。反応物ノズル及び又は基板は、反応物チャンバと相対的に移動させることができる。反応物ノズル６２２は、基板６２０のすぐ上に配置される。光学経路６２４は、経路６２４に沿って光ビームを方向付ける適切な光学素子によって定められる。光学経路６２４は、ノズル６２２と基板６２０との間に配置され、基板６２０の表面のすぐ上に反応区域を定める。高温粒子は、より温度の低い基板表面に貼り付く傾向がある。断面図が、図１９に表示されている。粒子コーティング６２６は、基板が反応区域を越えてスキャンされるのに従って形成される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１７３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１７３】
反応区域へとつながる流動のシートとしての明確な反応物ストリームは、反応での熱により、反応区域の後で広がる傾向にある。基板が反応区域近くで反応区域を通じて通過される（スイープされる）時、流動の広がりは、大きくならない場合がある。一部の実施形態では、流動が大きく広がり、基板を動かすことなく、基板全体又はその望ましい部分を同時にコーティングできるように、反応区域から離れた状態で、流動を通じて基板をさっと通過する（スイープする）ことが望ましい場合がある。粒子の均一なコーティングを得るために適した距離は、基板のサイズと反応物の条件とに応じて変化する。通常は、約１５センチの距離で、直径４インチのウェーハに関して適切となる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１７８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１７８】
本明細書で説明する堆積アプローチを使用することで、基板に堆積する生成物粒子の組成を堆積処理中に変化させ、基板上の選択位置に特定の組成を伴う粒子を堆積させ、結果として生じる光学材料の組成をｘ−ｙ平面に沿って変化させることができる。例えば、生成物粒子ストリームを通じて基板をさっと通過する（スイープする）間に生成物粒子の組成を変化させる場合、異なるストライプ又はグリッド位置に異なる粒子組成が伴う状態で、基板表面にストライブ又はグリッドを形成することができる。光反応性堆積を使用すると、生成物の組成は、反応して生成物粒子を形成する反応物を調整することで、或いは反応条件を変えることで、変化させることができる。反応条件により、結果として生じる生成物粒子の組成及び又は特性に影響を与えることができる。例えば、反応チャンバ圧と、流量と、放射強度と、放射エネルギ／波長と、反応物ストリーム内の不活性希釈ガスの濃度と、反応物流動の温度とにより、生成物粒子の組成及びその他の特性に影響を与えることができる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１８０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１８０】
生産物粒子の組成の変化は、生成物ストリームを通じて基板をさっと通過する（スイープする）間に反応物流動の組成又は反応条件を変化させることで導入できる一方で、特に、更に大きな組成の変化を与える時には、異なる組成が関与する異なる堆積ステップの間において、堆積を停止させることが望ましい場合がある。例えば、基板の一部分を第一の組成によりコーティングし、残りの部分を別の組成でコーティングするには、堆積を終了させる指定ポイントまで、第一の組成を堆積させるために、生成物ストリームを通じて基板をさっと通過する（スイープする）ことができる。その後、この基板は、コーティングを全く行うことなく、残りの距離を並進させる。次に、反応物流動又は反応条件を変えることで生成物の組成を変化させ、生成物流動を安定させるための短い時間の後に、反対方向で基板をさっと通過させ（スイープさせ）、第一の組成に対して相補的なパターンで第二の組成をコーティングする。第一の組成及び第二の組成のコーティングの間では、混合した組成を伴う境界区域の存在を減らすために、小さな隙間を残すことが可能である。この小さな隙間は、二つの材料間に比較的鋭利な境界を伴う滑らかな表面を形成するために、硬化ステップ中に埋めることが可能である。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１８１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１８１】
この堆積処理は、基板上の三種類以上の組成及び又は更に複雑なパターンのために一般化することができる。更に複雑な処理では、生成物流動を安定させる間、及び又は基板を配置する間に、シャッタを使用して堆積をブロックすることができる。正確に制御されたステージ／コンベヤにより、特定の組成の堆積のために、基板を正確に配置し、基板をさっと通過させる（スイープさせる）ことができる。シャッタは、堆積を制御するために、迅速に開閉することができる。パターン内の組成の様々な位置に僅かな間隔を与えるために、隙間を使用してもよく、使用しなくてもよい。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２０２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２０２】
特定の目的を達成するために、コーティングの特徴は、粉末の層の組成と、基板上の材料の位置とに関して、変化させることができる。一般に、光学デバイスを形成するためには、均一な光学材料を、基板の特定の位置に局部化することができる。加えて、粒子の多数の層を、制御された形で堆積させ、様々な組成及び又は光学特性の層を形成することができる。同様に、コーティングを均一な厚さで行うこと、或いは、基板の様々な部分を、異なる厚さの粒子でコーティングすることが可能である。異なるコーティングの厚さは、粒子ノズルに対する基板の通過（スイープ）速度を変えること、厚い粒子コーティングを受ける基板の部分で多数の通過工程（スイープ）を行うこと、或いは、例えばマスクにより、層のパターン形成を行うこと等によって、適用することができる。粒子の選択的堆積のアプローチについては、下で説明する。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２０６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２０６】
反応物伝達システムは、反応チャンバ内でパウダアレイにドーパント／添加物を加えるために使用することができる。特に、ドーパント／添加物は、基板の全ての部分又は選択された部分にドーパント／添加物組成が加わるように、反応物入口を通じてドーパント／添加物組成をスプレすることによって、加えることができる。ドーパント／添加物組成は、例えば、エアロゾル伝達システムを使用して、エアロゾルとして加えることができる。放射ビームは、ドーパント／添加物組成のスプレ中に停止させることが可能であり、或いは、ドーパント／添加物組成物を反応させることなく、溶媒の部分を蒸散させるために、非常に低い出力にすることができる。上記の反応物伝達システムは、未反応ドーパント／添加物組成の伝達に適合させることができる。コーティング処理は、例えば、ドーパント／添加物ストリームを通じて、一定の速度で基板をさっと通過する（スイープする）ことで、パウダアレイ上にほぼ均等なコーティングを加えるために使用することができる。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２１２】
更なる実施形態において、望ましいドーパント／添加物を含む組成物は、パウダアレイ上でのコーティングのために、反応チャンバ内で別個に反応させる。したがって、ドーパント／添加物粉末の別個の層を、ホスト粉末の最上部に堆積させることができる。特定の例において、ホスト粉末が金属／半金属酸化物である場合、ドーパント／添加物金属／半金属酸化物のドーパント／添加物粉末は、ホストパウダアレイの最上部で、別個のパウダアレイとして形成することができる。硬化時、この材料は融合し、材料を通じてほぼ均一なドーパント／添加物の分布を有することが可能な均一組成物となる。ドーパント／添加物粉末の量は、望ましいドーパント／添加物レベルが生じるように選択することができる。コーティング処理は、ホストパウダアレイ（Ｈ）及びドーパント／添加物パウダアレイ（Ｄ）の層が望ましい比率−ＨＤＨＤＨＤ．．．又は代替としてＨＤＨＤＨ．．．で、ドーパント／添加物層が常にホスト層によって囲まれて形成されるように、繰り返すことが可能である。当然ながら、一部の実施形態での単一のホスト又はドーパント／添加物層の形成では、コーティング装置において多数のコーティングパスを使用することが可能であり、この各パスには反応物／生成物ストリームを通じた基板の通過（スイープ）が伴う。交互層の数は、望ましい合計の厚さとドーパント／添加物の分布とが生じるように選択することができる。特に、薄いホスト層と、対応するドーパント／添加物層とにより、最終的な硬化材料内で、より均一なドーパント／添加物の分布が生じる場合がある。一般に、交互層は、少なくとも一つのホスト層と一つのドーパント／添加物層とを備え、これは一部の実施形態では、約５０未満のホスト層と約５０未満のドーパント／添加物層となり、更なる実施形態では、三つのホスト層及び二つのドーパント／添加物層乃至約２５未満のホスト層及び約２５未満のドーパント／添加物層の（複数の）範囲となる。当業者が認識するように、こうした明示的な範囲内の他の範囲も考えられ、これらは本開示の範囲内にある。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２３３】
粒子コーティングは、光反応性堆積を使用して実行し、これにおいて、ウェーハのコーティングは、生成物粒子ストリームを通じて基板をさっと通過する（スイープする）ことにより、反応チャンバ内で実行した。ウェーハは、熱酸化アンダクラッドを伴うシリコンウェーハとした。基板／ウェーハを反応物ストリームにおいてコーティングするのに使用した装置は、図２０乃至２２に示す装置に相当するもので、図５に概略的に示すシステムと類似するエアロゾル先駆物質伝達システムを伴う。コーティングは、静電コーティング構造により実行した。酸素／エチレンの火炎を最初に開始させた。次に、エアロゾル流動を開始させた。安定した処理火炎が観察された時点で、ウェーハを、レーザビームの約１７インチ上方のコーティング位置に並進させた。この距離において、生成物粒子流動は、表面全体が同時にほぼ均一にコーティングされるように広がる。ウェーハは、約２０分間に渡って流動内に入れておいた。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２４１】
粒子コーティングは、光反応性堆積を使用して実行し、これにおいて、ウェーハのコーティングは、生成物粒子ストリームを通じて基板をさっと通過する（スイープする）ことにより、反応チャンバ内で実行した。ウェーハは、熱酸化アンダクラッドを伴うシリコンウェーハとした。基板／ウェーハを反応物ストリームにおいてコーティングするのに使用した装置は、図２０乃至２２に示す装置に相当するもので、図５に概略的に示すシステムと類似するエアロゾル先駆物質伝達システムを伴う。コーティングは、静電コーティング構造により実行した。酸素／エチレンの火炎を最初に開始させた。次に、エアロゾル流動を開始させた。安定した処理火炎が観察された時点で、ウェーハを、レーザビームの約１７インチ上方のコーティング位置に並進させた。この距離において、生成物粒子流動は、表面全体が同時にほぼ均一にコーティングされるように広がる。ウェーハは、約２０分間に渡って流動内に入れておいた。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２４９】
粒子コーティングは、光反応性堆積を使用して実行し、これにおいて、ウェーハのコーティングは、生成物粒子ストリームを通じて基板をさっと通過する（スイープする）ことにより、反応チャンバ内で実行した。ウェーハは、熱酸化アンダクラッドを伴うシリコンウェーハとした。基板／ウェーハを反応物ストリームにおいてコーティングするのに使用した装置は、図２０乃至２２に示す装置に相当するもので、図５に概略的に示すシステムと類似するエアロゾル先駆物質伝達システムを伴う。コーティングは、静電コーティング構造により実行した。酸素／エチレンの火炎を最初に開始させた。次に、エアロゾル流動を開始させた。安定した処理火炎が観察された時点で、ウェーハを、レーザビームの約１７インチ上方のコーティング位置に並進させた。この距離において、生成物粒子流動は、表面全体が同時にほぼ均一にコーティングされるように広がる。ウェーハは、約３０分間に渡って流動内に入れておいた。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２５８】
粒子コーティングは、光反応性堆積を使用して実行し、これにおいて、ウェーハのコーティングは、生成物粒子ストリームを通じて基板をさっと通過する（スイープする）ことにより、反応チャンバ内で実行した。ウェーハは、熱酸化アンダクラッドを伴うシリコンウェーハとした。基板／ウェーハを反応物ストリームにおいてコーティングするのに使用した装置は、図２０乃至２２に示す装置に相当するもので、図５に概略的に示すシステムと類似するエアロゾル先駆物質伝達システムを伴う。コーティングは、静電コーティング構造により実行した。最初に、酸素−エチレン火炎を開始した。安定した酸素／エチレン火炎が得られた後、液体先駆物質を導入した。安定した処理火炎を得るために、Ｏ2流量を引き上げた。その後、Ｃ2Ｈ4流量を、０まで徐々に減少させ、Ｏ2流量を動作の最終値まで減少させた。安定した処理火炎が観察された時点で、ウェーハを、レーザビームの約１７インチ上方のコーティング位置に並進させた。この距離において、生成物粒子流動は、表面全体が同時にほぼ均一にコーティングされるように広がる。ウェーハは、約２０分間に渡って流動内に入れておいた。これらの動作において、火炎速度は、エチレンが存在する動作よりも低いと思われた。これにより、酸素流量の変化に対する感度が低くなり、より安定した火炎が生じた。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２６５】
粒子コーティングは、光反応性堆積を使用して実行し、これにおいて、ウェーハのコーティングは、生成物粒子ストリームを通じて基板をさっと通過する（スイープする）ことにより、反応チャンバ内で実行した。ウェーハは、熱酸化アンダクラッドを伴うシリコンウェーハとした。基板／ウェーハを反応物ストリームにおいてコーティングするのに使用した装置は、図２０乃至２２に示す装置に相当するもので、図５に概略的に示すシステムと類似するエアロゾル先駆物質伝達システムを伴う。コーティングは、静電コーティング構造により実行した。酸素／エチレンの火炎を最初に開始させた。次に、エアロゾル流動を開始させた。安定した処理火炎が観察された時点で、ウェーハを、レーザビームの約１７インチ上方のコーティング位置に並進させた。この距離において、生成物粒子流動は、表面全体が同時にほぼ均一にコーティングされるように広がる。ウェーハは、約２０分間に渡って流動内に入れておいた。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２７０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２７０】
粒子コーティングは、光反応性堆積を使用して実行し、これにおいて、ウェーハのコーティングは、生成物粒子ストリームを通じて基板をさっと通過する（スイープする）ことにより、反応チャンバ内で実行した。ウェーハは、熱酸化アンダクラッドを伴うシリコンウェーハとした。基板／ウェーハを反応物ストリームにおいてコーティングするのに使用した装置は、図２０乃至２２に示す装置に相当するもので、図５に概略的に示すシステムと類似するエアロゾル先駆物質伝達システムを伴う。コーティングは、静電コーティング構造により実行した。酸素／エチレンの火炎を最初に開始させた。次に、エアロゾル流動を開始させた。安定した処理火炎が観察された時点で、ウェーハを、レーザビームの約１７インチ上方のコーティング位置に並進させた。この距離において、生成物粒子流動は、表面全体が同時にほぼ均一にコーティングされるように広がる。ウェーハは、約２０分間に渡って流動内に入れておいた。