Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月19日(2012.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属導電性支持体（５）および該支持体（５）上に位置した多結晶層（６）を有する正極（３）を備え、
少なくとも１つのリチウム伝導性層（１１）を有するイオン伝導性膜構造（４）を備え、
多結晶層（７）および金属導電性層（８）から構成されている負極（２）を備え、その際、多結晶層（７）は、膜構造（４）に面している、リチウムイオン電池（１）において、
リチウム伝導性層（１１）が１５０℃を上廻るガラス転移温度を有するポリマーを有するポリマーフィルムであり、かつ物理的処理によりリチウムイオンに対して伝導性であることを特徴とする、リチウムイオン電池（１）。
【請求項２】
ポリマーフィルムが、チャンネルおよび／またはリチウムイオンまたはリチウム原子がリチウムイオンまたはリチウム原子での衝撃によってリチウム伝導性層（１１）中に導入されるように物理的に処理されている、請求項１記載のリチウムイオン電池。
【請求項３】
噴射されたリチウム原子とリチウム伝導性層（１１）に隣接する負極（２）、正極（３）または他の層との間の隙間が２０ｎｍを上廻らない、請求項２記載のリチウムイオン電池。
【請求項４】
リチウム伝導性層（１１）が２〜１９μｍ、殊に２〜５μｍの厚さを有する、請求項１、２または３記載のリチウムイオン電池。
【請求項５】
イオン伝導性膜構造（４）が多孔質である第２の層（１２）を有する、請求項１から４までのいずれか１項に記載のリチウムイオン電池。
【請求項６】
リチウム伝導性層（１１）が第２の層（１２）より薄手である、請求項５記載のリチウムイオン電池。
【請求項７】
第２の層が１０〜２０μｍの厚さを有する、請求項５または６記載のリチウムイオン電池。
【請求項８】
金属導電性支持体（５）がニッケル層または不銹鋼層である、請求項１から７までのいずれか１項に記載のリチウムイオン電池。
【請求項９】
多結晶層（６，７）の少なくとも１つがナノ結晶層である、請求項１から８までのいずれか１項に記載のリチウムイオン電池。
【請求項１０】
正極（３）の多結晶層（６）がＭｎＯ2、ＣｏＯ2またはＮｉＭｎの物質の中から選択されている、請求項１から９までのいずれか１項に記載のリチウムイオン電池。
【請求項１１】
イオン伝導性膜構造（４）がポリエーテルケトン、ポリスルホン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン、ポリベンズイミダゾールまたはポリホスファゼンポリマーの物質群の中から選択されている、請求項１から１０までのいずれか１項に記載のリチウムイオン電池。
【請求項１２】
負極（２）の多結晶層（７）がＣ、Ｓｉ、ＬｉＡｌ、ＬｉＣまたはＬｉＮｉの物質の中から選択されている、請求項１から１１までのいずれか１項に記載のリチウムイオン電池。
【請求項１３】
イオン伝導性膜構造（４）がポリエチレンオキシドを有する、請求項１から１２までのいずれか１項に記載のリチウムイオン電池。
【請求項１４】
リチウム伝導性膜（１１）が星状または直鎖状のポリマー鎖から構成されている共有結合ゲル電解質を含有し、この共有結合ゲル電解質中には、リチウムイオン伝導性材料が埋設されている、請求項１から１３までのいずれか１項に記載のリチウムイオン電池。
【請求項１５】
金属導電性支持体（５）および該支持体（５）上に位置した多結晶層（６）を有する正極（３）を備え、
少なくとも１つのリチウム伝導性層（１１）を有するイオン伝導性膜構造（４）を備え、
多結晶層（７）および金属導電性層（８）から構成されている負極（２）を備え、その際、多結晶層（７）は、膜構造（４）に面している、リチウムイオン電池（１）の製造法において、
リチウム伝導性層（１１）を、１５０℃を上廻るガラス転移温度を有するポリマーを有するポリマーフィルムとして、膜構造（４）の第２の層（１２）上に析出させ、その後にこのポリマーフィルムがリチウムイオンに対して伝導性になるように物理的に処理することを特徴とする、リチウムイオン電池（１）の製造法。
【請求項１６】
ポリマーフィルムにリチウムイオンまたはリチウム原子で衝撃を与える、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
リチウム伝導性層（１１）を膜構造（４）の第２の層（１２）上の薄手の気密性のポリマーフィルムとして析出させる、請求項１５または１６記載の方法。
【請求項１８】
リチウム伝導性層（１１）を浸漬塗布または回転塗布により膜構造（４）の第２の層（１２）上に析出させる、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
リチウム伝導性層（１１）を高圧噴霧により膜構造（４）の第２の層（１２）上に噴霧する、請求項１５記載の方法。
【請求項２０】
リチウム伝導性層（１１）をＬｉ3ＰＯ4、Ｌｉ3Ｐまたはシリコン粒子の群の中から選択された物質を添加しながら膜構造（４）の第２の層（１２）上に噴霧する、請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
リチウム伝導性層（１１）を負極（２）または正極上に析出させる、請求項１５から２０までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
リチウム伝導性層（１１）を、ＺｒＯ2粒子と組み合わされた、ポリベンズイミダゾールまたはポリホスファゼンを有するゾルゲル層としての膜構造（４）の第２の層（１２）上に析出させる、請求項１５から２１までのいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月27日(2010.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチキャストディジタルメッセージを受信するデバイスを有する装置であって、前記マルチキャストディジタルメッセージは、
継続期間フィールドと、
マルチキャスト受信機のアドレスフィールドと、
マルチキャスト送信機のアドレスフィールドと、
前記マルチキャストディジタルメッセージに応答するように要求されている宛先を指定するビットと
を含むフォーマットを有する、装置。
【請求項２】
前記マルチキャストディジタルメッセージが、マルチキャストデータを受信するための通信媒体における時間を予約するマルチキャストリクエストトゥセンドメッセージを含む、請求項1記載の装置。
【請求項３】
宛先を指定するビットが、
1つの宛先を指定するフィールドを複数個、又は
オフセットを有する第1フィールド及び該オフセットに関連する宛先を示す第2フィールド
の内の何れかを含む、請求項1記載の装置。
【請求項４】
複数の前記フィールドの各々が宛先識別子を含み、該宛先識別子は、関連付け識別子及び媒体アクセス制御アドレスの内の何れかを含む、請求項3記載の装置。
【請求項５】
当該装置がフレーム制御フィールドをさらに使用し、前記フレーム制御フィールドはフレームタイプ識別子を含み、前記継続期間フィールドは、通信媒体の予約時間を表す情報を含む、請求項1記載の装置。
【請求項６】
マルチキャストディジタルメッセージを受信するデバイスを有する装置であって、前記ディジタルメッセージは、
継続期間フィールドと、
マルチキャスト受信機のアドレスフィールドと、
マルチキャスト送信機のアドレスフィールドと
を有し、前記マルチキャストディジタルメッセージは、過去に受信したマルチキャストリクエストトゥセンドメッセージをキャンセルさせるように機能し、該過去に受信したマルチキャストリクエストトゥセンドメッセージは、クリアトゥセンドメッセージを送信することで、前記マルチキャストリクエストトゥセンドメッセージに応答するように予定されている宛先を指定するフィールドを含む、装置。
【請求項７】
マルチキャストディジタルメッセージをコンピュータに処理させる命令を有するコンピュータプログラムを記憶する記憶装置であって、前記マルチキャストディジタルメッセージは、
継続期間フィールドと、
マルチキャスト受信機のアドレスフィールドと、
マルチキャスト送信機のアドレスフィールドと、
前記マルチキャストディジタルメッセージに応答するように要求されている宛先を指定するビットと
を含むフォーマットを有する、記憶装置。
【請求項８】
前記マルチキャストディジタルメッセージが、マルチキャストデータを受信するために通信媒体の使用時間を予約するマルチキャストリクエストトゥセンドメッセージを含む、請求項7記載の記憶装置。
【請求項９】
宛先を指定するビットが、
1つの宛先を指定するフィールドを複数個、又は
オフセットを有する第1フィールド及び該オフセットに関連する宛先を示す第2フィールド
の内の何れかを含む、請求項7記載の記憶装置。
【請求項１０】
複数の前記フィールドの各々が宛先識別子を含み、該宛先識別子は、関連付け識別子及び媒体アクセス制御アドレスの内の何れかを含む、請求項9記載の記憶装置。
【請求項１１】
当該記憶装置がフレーム制御フィールドをさらに使用し、前記フレーム制御フィールドはフレームタイプ識別子を含み、前記継続期間フィールドは、通信媒体の予約時間を表す情報を含む、請求項7記載の記憶装置。
【請求項１２】
マルチキャストディジタルメッセージをコンピュータに処理させる命令を有するコンピュータプログラムを記憶する記憶装置であって、前記マルチキャストディジタルメッセージは、
通信媒体が予約されている残り時間を表す情報を含む継続期間フィールドと、
マルチキャスト受信機のアドレスフィールドと、
マルチキャスト送信機のアドレスフィールドと
を含むフォーマットを有し、前記マルチキャストディジタルメッセージは、過去に受信したマルチキャストリクエストトゥセンドメッセージをキャンセルさせるように機能し、該過去に受信したマルチキャストリクエストトゥセンドメッセージは、クリアトゥセンドメッセージを送信することで、前記マルチキャストリクエストトゥセンドメッセージに応答するように予定されている宛先を指定するフィールドを含む、記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】マルチキャスト通信のための装置及び記憶装置
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月12日(2012.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イヤプラグのマイクロスピーカーが耳栓と別体に配置され、前記マイクロスピーカーと前記耳栓との間に、所定の長さを有する音波伝送路と、所定の体積を有する共鳴室体とが設けられ、前記マイクロスピーカーが本体内に装着されたセーフティ・イヤプラグにおいて、
前記本体内において、前記マイクロスピーカーと、前記音波伝送路の開口とを密封して、両者の間に音波集中口を形成させる小型密封ケースが取り付けられていることを特徴とするセーフティ・イヤプラグ。
【請求項２】
前記小型密封ケースによって、前記マイクロスピーカーの発音端の周辺と、前記音波集中口と、前記音波伝送路の開口の接続部分とが密封されていることを特徴とする請求項１に記載のセーフティ・イヤプラグ。
【請求項３】
前記音波集中口は、逆ラッパ状に形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセーフティ・イヤプラグ。
【請求項４】
前記音波集中口は、周辺がいずれも弧線状である逆ラッパ状、周辺がいずれも斜線状である逆ラッパ状、周辺がいずれも曲線状である逆ラッパ状、周辺が弧線または曲線状の逆ラッパ状と斜線状の逆ラッパ状とからなる逆ラッパ状のうちのいずれかの逆ラッパ状に形成されていることを特徴とする請求項３に記載のセーフティ・イヤプラグ。
【請求項５】
前記音波集中口の周辺の２対の斜辺または弧線または曲線がなす夾角は、対称になっており、前記２対の斜辺または弧線または曲線のそれぞれと中心線との夾角が４．５度〜６５度となるように、９度〜１３０度と設定されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載のセーフティ・イヤプラグ。
【請求項６】
前記音波集中口のラッパ状の錐体の断面、または錐体の底面に平行する断面は、多角形、または楕円形、または４つの角が円弧角または直角である長方形となっていることを特徴とする請求項５に記載のセーフティ・イヤプラグ。
【請求項７】
前記音波集中口のラッパ状の錐体の断面は、大端部が長方形、小端部が円形となっていることを特徴とする請求項５に記載のセーフティ・イヤプラグ。
【請求項８】
前記音波集中口の周辺の２対の斜辺または弧線または曲線のそれぞれと中心線との夾角は、非対称になっており、一側の斜線または弧線または曲線と中心線との夾角が１〜６５度、他側の斜線または弧線または曲線と中心線との夾角が６５〜１度となるように、それぞれ１〜６５度、６５〜１度と設定されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載のセーフティ・イヤプラグ。
【請求項９】
前記マイクロスピーカーが１つ、前記音波伝送路が２つ設けられており、前記マイクロスピーカーからの音声は、前記音波集中口から分岐する前記２つの音波伝送路のそれぞれを介して、２つの前記耳栓に伝送されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のセーフティ・イヤプラグ。
【請求項１０】
前記本体内において、１つの前記マイクロスピーカーと、１つの前記音波伝送路の開口と、１つの前記音波集中口とが密封された小型密封ケースが、２つ収納されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のセーフティ・イヤプラグ。
【請求項１１】
前記本体内において、スイッチがさらに取り付けられており、当該スイッチの一端が導線を介してプラグに接続されていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載のセーフティ・イヤプラグ。
【請求項１２】
前記本体内において、マイクロホンがさらに取り付けられていることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のセーフティ・イヤプラグ。
【請求項１３】
前記本体上に、１つまたは複数の受話孔が設けられており、前記マイクロホンの受音面が外を向き、その周辺が密封されて、音が前記受話孔からマイクロホンの受音面の受音用小孔のみを経由してマイクロホンに伝送されることを特徴とする、請求項１２に記載のセーフティ・イヤプラグ。
【請求項１４】
前記音波伝送路の一端が前記耳栓の入力端子に、他端が前記本体の前記小型密封ケースの出力端子にそれぞれ取り付けられ、これら両端の音波伝送路の開口内において、前記音波伝送路を広げるように、前記音波伝送路を前記耳栓の入力端子および前記小型密封ケースに固定するための中空のリベットが挿入されることにより、前記音波伝送路が締め付けられていることを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか１項に記載のセーフティ・イヤプラグ。
【請求項１５】
前記音波伝送路の一端が前記耳栓の入力端子、他端が前記本体の前記小型密封ケースの出力端子に被せられて、前記音波伝送路の先端外周をスリーブで覆うことにより、前記音波伝送路が締め付けられていることを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか１項に記載のセーフティ・イヤプラグ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月27日(2012.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板のトレンチ内に誘電体材料を堆積させる方法であって、
前記トレンチの底部および側壁の表面の上に窒化シリコン層および窒化ホウ素層を含む２重層を含むライナ層を形成するステップ、
酸化シリコンを含む前記誘電体材料を、前記ライナ層の上に堆積させるステップであって、前記誘電体材料が前記トレンチを少なくとも部分的に充填する、堆積させるステップ、および
前記堆積した誘電体材料の一部をエッチャントを用いてエッチングするステップであって、前記エッチャントが、前記ライナ層より高いエッチング速度で前記誘電体材料を除去する、エッチングステップ
を含む方法。
【請求項２】
前記ライナ層が、１対の窒化シリコン層の間に形成された窒化ホウ素層を含む３重層である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記堆積した誘電体材料の一部をエッチングする前記ステップが、前記トレンチの前記誘電体材料内に形成されたボイドを露出させる請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記方法が、前記トレンチの前記誘電体材料内の第２の部分を堆積させるステップをさらに含み、前記誘電体材料の第２の部分が、前記露出したボイドを少なくとも部分的に充填する請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記堆積した誘電体材料の一部をエッチングする前記ステップが、前記トレンチ内に前記誘電体材料によって形成されたギャップを広げる請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記堆積した誘電体材料の一部をエッチングする前記ステップが、反応性のフッ素を含むドライエッチングを伴う請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記堆積した誘電体材料の一部をエッチングする前記ステップが、ＮＨ３およびＮＦ３を含むプロセスガス中で前記誘電体材料をドライエッチングすることを含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記エッチャントが、三フッ化窒素（ＮＦ３）から形成される反応性のフッ素種を含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
酸化シリコンと誘電体ライナのエッチング比が約７５超である請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
酸化シリコンと誘電体ライナのエッチング比が約１００超である請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記誘電体ライナが、５％超の原子濃度のホウ素を有する請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記誘電体ライナが、５％超の原子濃度の炭素を有する請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記誘電体ライナが、１０％超の原子濃度のホウ素を有する請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記誘電体ライナが、１０％超の原子濃度の炭素を有する請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記誘電体ライナが、２０％超の原子濃度のホウ素を有する請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月12日(2012.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に非晶質炭素層を形成する方法であって、
基板処理チャンバ内に基板を位置決めするステップと、
炭素と水素の原子比が１：２より大きい炭化水素源を前記処理チャンバ内へ導入するステップと、
水素、ヘリウム、アルゴン、窒素、およびこれらの組合せからなる群から選択されるプラズマ開始ガスを前記処理チャンバ内へ導入するステップであり、前記炭化水素源の体積流量とプラズマ開始ガスの体積流量の比が１：２以上であるステップと、
１Ｗ／ｃｍ２以下のＲＦ電力密度、２トル以上の圧力、および３００℃〜４８０℃の温度で前記処理チャンバ内にプラズマを生成するステップと、
前記基板上に共形の非晶質炭素層を形成するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記非晶質炭素層を形成した後、パージ処理ステップを実行するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記非晶質炭素形成プロセスステップおよび前記パージ処理ステップを２〜５０サイクル繰り返すステップをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記水素の前駆体、前記プラズマ開始ガス、またはこれらの両方とともに、前記処理チャンバ内へ希釈ガスを導入するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記炭化水素源の炭素と水素の原子比が２：３以上であり、前記炭化水素源が、アセチレン、ビニルアセチレン、ベンゼン、スチレン、トルエン、キシレン、ピリジン、アセトフェノン、フェノール、フラン、Ｃ３Ｈ２、Ｃ５Ｈ４、モノフルオロベンゼン、ジフルオロベンゼン類、テトラフルオロベンゼン類、およびヘキサフルオロベンゼンの群から選択される１つまたは複数の化合物を含み、前記炭化水素ガスの体積流量とプラズマ開始ガスの体積流量の比が１：１〜１：２である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ＲＦ電力密度が０．０１〜１Ｗ／ｃｍ２で印加され、前記圧力が２トル〜２０トルである、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ＲＦ電力が、２重周波数システムによって提供される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記非晶質炭素層の共形性が、３０％〜１００％である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
処理チャンバ内で基板を処理する方法であって、
堆積サイクルを実行するステップであって、
前記基板の表面上に共形の非晶質炭素材料を形成するステップ、及び
前記処理チャンバにパージガスを流すステップ
を含むステップと、
前記サイクルを２〜５０回繰り返すステップと
を含む方法。
【請求項１０】
前記パージガスが不活性ガスまたは炭化水素源ガスを含み、前記パージガスをプラズマに励起する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記堆積サイクルが、停止ステップ時間と堆積ステップ時間とを含み、前記停止ステップ時間と前記堆積ステップ時間の比が１００：１〜１：１００であり、各堆積サイクルで、前記非晶質炭素層の厚さの２％〜５０％を堆積させる、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記基板の表面上に共形の非晶質炭素材料を形成する前記ステップが、
炭素と水素の原子比が１：２以上である炭化水素源を前記処理チャンバ内へ導入するステップと、
水素、ヘリウム、アルゴン、窒素、およびこれらの組合せからなる群から選択されるプラズマ開始ガスを前記処理チャンバ内へ導入するステップであり、前記炭化水素源の体積流量とプラズマ開始ガスの体積流量の比が１：２以上であるステップと、
５Ｗ／ｃｍ２以下のＲＦ電力、２トル以上の圧力、および３００℃〜４８０℃の温度で前記処理チャンバ内にプラズマを生成するステップと
を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記炭化水素源の炭素と水素の原子比が２：３以上であり、前記炭化水素源が、アセチレン、ビニルアセチレン、ベンゼン、スチレン、トルエン、キシレン、ピリジン、アセトフェノン、フェノール、フラン、Ｃ３Ｈ２、Ｃ５Ｈ４、モノフルオロベンゼン、ジフルオロベンゼン類、テトラフルオロベンゼン類、およびヘキサフルオロベンゼンからなる群から選択される１つまたは複数の化合物を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記プロセスが、炭化水素ガスの体積流量とプラズマ開始ガスの体積流量の比が１：１〜１：２であること、前記ＲＦ電力が０．０１〜５Ｗ／ｃｍ２で印加されること、前記圧力が２トル〜２０トルであること、及び前記圧力が３００℃〜４８０℃であることからなる群から選択される１つまたは複数の処理パラメータを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
基板上に非晶質炭素層を形成する方法であって、
基板処理チャンバ内に基板を位置決めするステップと、
炭素と水素の原子比が１：２より大きい炭化水素源を前記処理チャンバ内へ導入するステップと、
水素、ヘリウム、アルゴン、窒素、およびこれらの組合せからなる群から選択されるプラズマ開始ガスを前記処理チャンバ内へ導入するステップであり、前記炭化水素源の体積流量とプラズマ開始ガスの体積流量の比が１：２以上であり、前記炭化水素源および前記プラズマ開始ガスが、前記基板表面から４００ミル〜６００ミルに位置決めされたガス分配器によって前記処理チャンバ内へ導入されるステップと、
１Ｗ／ｃｍ２以下のＲＦ電力および０℃〜１００℃の温度で前記処理チャンバ内にプラズマを生成するステップと、
前記基板上に共形の非晶質炭素層を形成するステップと
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月30日(2012.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽光スペクトルを複数のスペクトル帯に分離し、分離したスペクトル帯を複数の同心円状の領域に集束させる集光型光学構造体と、
前記集光型光学構造体によって生成された個々のスペクトル帯に対応付けられた同心円状の領域にほぼ一致してそれぞれ一つずつ配置される複数のサブセルと、を含む光起電力セルであって、各前記サブセルが、前記個々のスペクトル帯からエネルギーを供給または生成する、光起電力セル。
【請求項２】
前記集光型光学構造体は多色レンズを含む、請求項１に記載の光起電力セル。
【請求項３】
前記サブセルは、それぞれ上部電極および下部電極を含む、請求項１に記載の光起電力セル。
【請求項４】
前記サブセルは、それぞれに共通の下部電極を共有する、請求項３に記載の光起電力セル。
【請求項５】
前記サブセルは、それぞれ個別の下部電極を有する、請求項３に記載の光起電力セル。
【請求項６】
前記多色レンズは、軸外照射を集束させる、請求項２に記載の光起電力セル。
【請求項７】
前記サブセルは、半導体ベースの材料を含む、請求項１に記載の光起電力セル。
【請求項８】
前記サブセルは、有機物ベースの材料を含む、請求項１に記載の光起電力セル。
【請求項９】
太陽光スペクトルを複数のスペクトル帯に分離し、分離したスペクトル帯を複数の同心円状の領域に集束させる集光型光学構造体を形成し、
前記集光型光学構造体によって生成された個々のスペクトル帯に対応付けられた同心円状の領域にほぼ一致してそれぞれ一つずつ配置される複数のサブセルを形成することを含み、各前記サブセルが、前記個々のスペクトル帯からエネルギーを供給または生成する、光起電力セルの形成方法。
【請求項１０】
前記集光型光学構造体は多色レンズを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記サブセルは、それぞれ上部電極および下部電極を含む、請求項９に記載方法。
【請求項１２】
前記サブセルは、それぞれに共通の下部電極を共有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記サブセルは、それぞれ個別の下部電極を有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記多色レンズは、軸外照射を集束させる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記サブセルは、半導体ベースの材料を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
前記サブセルは、有機物ベースの材料を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
太陽光スペクトルを複数のスペクトル帯に分離し、分離したスペクトル帯を複数の同心円状の領域に集束させる集光型光学構造体を設け、
前記集光型光学構造体によって生成された個々のスペクトル帯に対応付けられたリング形スポットにほぼ一致してそれぞれ一つずつ複数の円形のサブセルを配置することを含み、各前記サブセルが、前記個々のスペクトル帯からエネルギーを供給または生成する、光起電力セル内に光エネルギーを供給する方法。
【請求項１８】
前記集光型光学構造体は多色レンズを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記円形のサブセルは、それぞれ上部電極および下部電極を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記円形のサブセルは、それぞれに共通の下部電極を共有する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記円形のサブセルは、それぞれ個別の下部電極を有する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記多色レンズは、軸外照射を集束させる、請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】
前記円形のサブセルは、半導体ベースの材料を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２４】
前記円形のサブセルは、有機物ベースの材料を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２５】
光起電力供給構造体であって、
複数の光起電力セルを含み、
前記複数の光起電力セルは、それぞれ、
太陽光スペクトルを複数のスペクトル帯に分離し、分離したスペクトル帯を複数の同心状の領域に集束させる集光型光学構造体と、
前記集光型光学構造体によって生成された個々のスペクトル帯に対応付けられた同心円状の領域にほぼ一致してそれぞれ一つずつ配置される複数のサブセルにおいて、各前記サブセルが、前記個々のスペクトル帯に生じたエネルギーを供給または生成する、複数のサブセルと、を含み、
更に、
前記サブセルに連結されて、円形のサブセル内に供給されたエネルギーを取り出す複数の電極を含む光起電力供給構造体。
【請求項２６】
太陽光スペクトルを複数のスペクトル帯に分離し、分離したスペクトル帯を複数の一次元領域に集束させる集光型光学構造体と、
前記集光型光学構造体によって生成された個々のスペクトル帯に対応付けられた一次元領域にほぼ一致してそれぞれ一つずつ配置される複数のサブセルと、を含む光起電力セルであって、各前記サブセルが、前記個々のスペクトル帯からエネルギーを供給または生成する、光起電力セル。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月27日(2012.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造物を形成する方法にであって、
半導体基板上にゲート材料の第一層を形成すること、
前記ゲート材料の第一層上にハードマスク層を形成すること、
前記ハードマスク層と前記ゲート材料の第一層とを貫通する開口を形成すること、
前記ハードマスク層の上、及び前記開口の内側に、電荷蓄積層を形成すること、
前記電荷蓄積層上にゲート材料の第二層を形成することであって、該ゲート材料の第二層の厚さが、少なくとも前記ゲート材料の第一層とハードマスク層との合計の厚さ程度である、前記ゲート材料の第二層を形成すること、
前記ハードマスク層上を被覆する、前記ゲート材料の第二層の一部分と前記電荷蓄積層の一部分とを除去することであって、該除去することは、該ハードマスク層を停止層として利用し、該ゲート材料の第二層の第二部分が、前記開口内に残存する、前記除去すること、
前記ハードマスク層上、及び前記開口内のゲート材料の第二層の第二部分上に、パターン化されたマスク層を形成することであって、該パターン化されたマスク層は、第一ビットセル、第二ビットセル、及びロジック・トランジスタのゲートを画定する、前記パターン化されたマスク層を形成すること、
前記パターン化されたマスク層を用いて前記第一ビットセル及び第二ビットセルを形成することであって、該第一ビットセル及び第二ビットセルの各々は、前記ゲート材料の第一層から形成された選択ゲート、及び前記ゲート材料の第二層から形成された制御ゲートを含む、前記パターン化されたマスク層を用いて前記第一ビットセル及び第二ビットセルを形成すること、
前記パターン化されたマスク層を用いてロジック・トランジスタのゲートを形成することであって、該ロジック・トランジスタのゲートが、ゲート材料の第一層から形成されている、前記ロジック・トランジスタのゲートを形成すること
を含む方法。
【請求項２】
リセスした後、前記開口内のゲート材料の第二層の第二部分の上面が、前記ゲート材料の第一層の上面と同一平面上にないように、前記開口内のゲート材料の第二層の第二部分をリセスすることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ゲート材料の第一層上にハードマスク層を形成することにおいて、ハードマスク層が５００オングストロームまたはそれ以上の厚さを有することをさらに特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ゲート材料の第一層上にハードマスク層を形成することにおいて、ハードマスク層が窒化物層であることをさらに特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ハードマスク層上を被覆する、前記ゲート材料の第二層の一部分と前記電荷蓄積層の一部分とを除去することにおいて、化学機械研磨を実施して、前記ハードマスク上を被覆する前記ゲート材料の第二層の一部分と前記電荷蓄積層の一部分とを除去することをさらに特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記電荷蓄積層上にゲート材料の第二層を形成することにおいて、該ゲート材料の第二層が、５０００オングストローム以上の厚さを有することをさらに特徴とする、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月11日(2012.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のアンテナを有する無線通信システムの送信器による干渉を制御する方法であって、
前記方法は、
基本コードブックから選択された基本コードブックサブセットを示す基本コードブックサブセット指示子を伝送することと、
受信器が前記基本コードブックまたは前記基本コードブックサブセットのいずれを使用するかを示す指示子情報を前記受信器に伝送することと、
前記指示子情報に従って、前記基本コードブックサブセットまたは前記基本コードブックを使用して、前記受信器に伝送されるデータをプリコーディングすることと
を含む、方法。
【請求項２】
前記受信器によって選択されたプリコーディング行列の識別情報を前記受信器から受信することをさらに含み、
前記データは、前記識別情報に基づいてプリコーディングされ、
前記受信器により選択された前記プリコーディング行列は、前記指示子情報に従って、前記基本コードブックまたは前記基本コードブックサブセットから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基本コードブックサブセット指示子はブロードキャストされ、前記指示子情報は前記受信器にユニキャストされる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記基本コードブックサブセットが選択される前記基本コードブックは、ランク１について定義されたコードブックである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記受信器がマルチユーザー閉ループＭＩＭＯについて定義されたコードブックを用いて前記識別情報を伝送することを示すマルチユーザー基本コードブックタイプ情報を前記受信器に伝送することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記受信器が単一ユーザー閉ループＭＩＭＯについて定義されたコードブックを用いて前記識別情報を伝送することを示す単一ユーザー基本コードブックタイプ情報を前記受信器に伝送することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
１つ以上の受信器が隣接セルの送信器を使用することを望むかまたは使用しないことを望む１つ以上のプリコーディング行列を示すプリコーディング行列情報を前記１つ以上の受信器から受信することをさらに含み、
前記基本コードブックサブセット指示子を伝送することは、前記プリコーディング行列情報に基づいて、前記基本コードブックサブセット指示子を伝送する、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記基本コードブックサブセットに含まれたプリコーディング行列を用いて、前記データを循環的にプリコーディングすることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
複数のアンテナを有する無線通信システムの受信器による干渉を制御する方法であって、
前記方法は、
基本コードブックから選択された基本コードブックサブセットを示す基本コードブックサブセット指示子を送信器から受信することと、
前記受信器が前記基本コードブックまたは前記基本コードブックサブセットのいずれを使用するかを示す指示子情報を前記送信器から受信することと、
前記指示子情報に従って、前記基本コードブックまたは前記基本コードブックサブセットからプリコーディング行列を選択することと、
前記選択されたプリコーディング行列の識別情報を前記送信器に伝送することと
を含む、方法。
【請求項１０】
前記基本コードブックサブセット指示子は前記送信器によってブロードキャストされ、前記指示子情報は前記送信器によって前記受信器にユニキャストされる、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記基本コードブックサブセットが選択される前記基本コードブックは、ランク１について定義されたコードブックである、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記受信器がマルチユーザー閉ループＭＩＭＯについて定義されたコードブックを用いて前記識別情報を伝送することを示すマルチユーザー基本コードブックタイプ情報を前記送信器から受信することをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記受信器が単一ユーザー閉ループＭＩＭＯについて定義されたコードブックを用いて前記識別情報を伝送することを示す単一ユーザー基本コードブックタイプ情報を前記送信器から受信することをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記受信器が隣接セルの送信器を使用することを望むかまたは使用しないことを望む１つ以上のプリコーディング行列を示すプリコーディング行列情報を前記送信器に伝送することをさらに含む、請求項９〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記基本コードブックサブセット指示子は、前記プリコーディング行列情報に基づいて、前記送信器から前記受信器に伝送される、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月6日(2012.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基板への第一の被覆用の非クロム硬化性防食剤であって、
１〜３のｐＨ範囲を有し、
水と、
ａ）チタン及び／又はジルコニウムのフルオロ錯イオンと、
ｂ）少なくとも一種類の防食顔料と、
ｃ）前記特定のｐＨ範囲で水溶性もしくは水分散性であり、それ自体は５０重量％の濃度の水溶液中で１〜３のｐＨ範囲を有する少なくとも一種類の有機重合体又は共重合体と、を含有し、
ｄ）分子量が１００，０００ｇ／モルより大きく、しかし１，０００，０００ｇ／モル以下でポリビニルアミンのアシル化度が８０％以上である少なくとも一種類のポリビニルアミンをさらに含有する、
非クロム硬化性防食剤。
【請求項２】
成分ｄ）の前記ポリビニルアミンのアミノ基がホルミル化された、請求項１に記載の非クロム硬化性防食剤。
【請求項３】
成分ｄ）の前記ポリビニルアミンの分子量が５００，０００ｇ／モル以下である、請求項２に記載の非クロム硬化性防食剤。
【請求項４】
成分ｄ）の前記ポリビニルアミンのアシル化度が９０％以上である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の非クロム硬化性防食剤。
【請求項５】
成分ｃ）の前記水溶性若しくは水分散性の有機重合体又は共重合体は、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルのモノマーの一種類以上から合成され、かつ少なくとも一種類の官能基が、エポキシド基、シラン基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、リン酸基及びリン酸エステル基から選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の非クロム硬化性防食剤。
【請求項６】
成分ｃ）の前記水溶性若しくは水分散性の有機重合体又は共重合体は、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルから選択される少なくとも一種類のモノマーを含有する、請求項５に記載の非クロム硬化性防食剤。
【請求項７】
成分ｃ）の前記重合体又は共重合体におけるリン酸基若しくはリン酸エステル基を有するモノマーの比率が、０．５〜４モル％の範囲にある、請求項５又は６に記載の非クロム硬化性防食剤。
【請求項８】
すぐに使用可能な状態で、防食剤全体に対して以下の重量％比率で成分を含有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の非クロム硬化性防食剤：
水：２５〜６９．６重量％、
ａ）ヘキサフルオロチタン酸若しくはヘキサフルオロジルコン酸として計算されるチタン及び／又はジルコニウムのフルオロ錯イオン：合計で０．３〜３重量％、
ｂ）防食顔料：合計で５〜２５重量％、
ｃ）前記特定のｐＨ範囲で水溶性又は水分散性であり、それ自体は５０重量％の含有量の水溶液中において１〜３のｐＨ範囲を有する有機重合体：２５〜５０重量％、
ｄ）アシル化ポリビニルアミン：合計で０．１〜５重量％、
ｅ）リン酸として計算されるリン酸塩イオン：０〜５重量％、
ｆ）マンガンイオン及び／又はマグネシウムイオン：合計で０〜２重量％、
ｇ）キレート錯体を形成することができる有機化合物：合計で０〜５重量％、
ｈ）アンモニウム塩として計算されるモリブデン酸イオン及び／又はタングステンイオン：合計で０〜１重量％、
ｉ）亜鉛イオン、コバルトイオン、ニッケルイオン、バナジウムイオン及び鉄イオンから選択されるカチオン：合計で０〜１重量％、
ｊ）鉄（II）イオン及びヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアンモニウム塩又はヒドロキシルアミン切断化合物から選択される還元剤：合計で０〜０．１重量％。
【請求項９】
大気圧下で最高１５０℃の沸点を有する有機化合物を５重量％以下含有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の非クロム硬化性防食剤。
【請求項１０】
金属ストリップの被覆方法であって、請求項１〜９のいずれか１項に記載の非クロム硬化性防食剤を脱脂及び洗浄した金属ストリップと接触させ、該金属ストリップ上で前記防食剤を硬化させ、０．５〜１０μｍの範囲の膜厚が得られるようにする、被覆方法。
【請求項１１】
前記防食剤の硬化後、ポリウレタン樹脂系及び／又はイソシアネート並びにジオール若しくはポリオール系の有機結合剤系を含有する追加的被覆剤を塗布して硬化させる、請求項１０に記載の被覆方法。
【請求項１２】
前記金属ストリップは、亜鉛又は亜鉛合金、鉄又は鉄合金、アルミニウム又はアルミニウム合金のストリップ、及び亜鉛若しくは亜鉛合金又はアルミニウム若しくはアルミニウム合金で被覆された綱ストリップから選択される、請求項１０又は１１に記載の被覆方法。
【請求項１３】
請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の被覆方法に従って作製された被覆を有する、被覆金属ストリップ又はそれから切り取られた任意に成形可能な金属シート。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月18日(2012.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ころ軸受け保持器であって、
ころの外周面に直接に対峙するために設けられた面を有する少なくとも１つのウェブエレメントが設けられており、
前記面が、潤滑剤を保持するための、略舟形状の巨視的な多数の凹部を備えて形成されており、
前記凹部が、ころの周方向で、周方向の少なくとも一方の端部に向かって、縮小する幅および／または深さを備えて形成されており、
前記面に複数の凹部が配置されており、複数の凹部のうち第１のグループが、実質的に一方の端部に向かって縮小していて、第２のグループが他方の端部に向かって縮小しており、
前記凹部が、前記面の、ころ周方向の延在長さの９０％〜５０％に延びているように形成されていることを特徴とする、ころ軸受け保持器。
【請求項２】
互いに異なって縮小する前記凹部が、前記ウェブエレメントの長手方向で交互に配置されている、請求項１記載のころ軸受け保持器。
【請求項３】
前記凹部の長手方向の延びが、ころの周方向に対して接線方向または斜めに方向付けられている、請求項１または２記載のころ軸受け保持器。
【請求項４】
互いに異なって方向付けられた凹部が、前記ウェブエレメントの中央に関して対称的に配置されている、請求項３記載のころ軸受け保持器。
【請求項５】
前記凹部の深さが、約０．０５ｍｍ、特に約０．１ｍｍよりも大きく形成されている、請求項１から４までのいずれか１項記載のころ軸受け保持器。
【請求項６】
複数のウェブエレメントが、保持器の少なくとも１つの環状の周方向エレメントに材料接続式に結合されている、請求項１から５までのいずれか１項記載のころ軸受け保持器。
【請求項７】
前記材料接続式の結合のために前記エレメントを互いに規定通りに位置決めするために、周方向エレメントにおけるウェブエレメントの位置が周方向エレメントの周方向および／または軸方向で予め規定されているように、前記エレメントが互いに調整された形状付与部を備えて形成されている、請求項６記載のころ軸受け保持器。
【請求項８】
前記エレメントが、鉄材料を含んでおり、前記材料接続式の結合が、溶接を含んでいる、請求項６または７記載のころ軸受け保持器。
【請求項９】
前記周方向エレメントと、前記ウェブエレメントとが、互いに異なる特性を備えて形成されている、請求項６から８までのいずれか１項記載のころ軸受け保持器。
【請求項１０】
前記ウェブエレメントの１つの少なくとも１つの区分の横断面が台形状である、請求項１から９までのいずれか１項記載のころ軸受け保持器。
【請求項１１】
前記台形の側面が、ころに適合して円弧状に形成されている、請求項１０記載のころ軸受け保持器。
【請求項１２】
ウェブエレメントが、相応に異形成形された棒状材料または帯状材料から切断されている、請求項１から１１までのいずれか１項記載のころ軸受け保持器。
【請求項１３】
ころ軸受け保持器が、特に円筒ころ軸受け、円錐ころ軸受け、または自動調心ころ軸受けのために形成されている、請求項１から１２までのいずれか１項記載のころ軸受け保持器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月27日(2012.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主燃焼室（２）および主煙道ガスの後燃焼室（３）を有する主燃焼炉（１）、固体燃料焼却ゾーンを含む２段式の主燃焼工程、並びに別途の副燃焼ラインを有する、固体燃料および／または固体燃料混合物のための焼却設備内での有害物質排出の減少方法であって、
ａ）  主燃焼室（２）内での固体燃料および／または固体燃料混合物の焼却を、化学量論組成比を下回る一次ガス供給（１１）下で行い、その際、発熱量の多い燃焼ガスおよび炭素の少ない固体残留物が形成され、
ｂ）  燃料および／または固体燃料混合物の焼却の際に形成された発熱量の多い燃焼ガスの部分流を主煙道ガスの後燃焼室（３）への取り入れ前に分岐する一方、吸引されていない、残っている残留燃焼ガス流（１７）が主燃焼室（２）を貫流し、
ｃ）  発熱量の多い燃焼ガスの分岐された部分流が副燃焼ラインを流通し、その際、発熱量の多い燃焼ガスの分岐された部分流を冷却により調温する、熱交換器（１８）または急冷部を含む調温部と、灰粒子およびすす粒子の分離および腐蝕性燃焼ガス含有物質の分離による後続の燃焼ガス精製部とからなる燃焼ガス調整部（５）の流通後、後続の副燃焼を行い、その際、発熱量の多い燃焼ガスの分岐された部分流を燃焼ガス副燃焼室（６）に供給し、且つ、酸素含有ガスの供給下で焼却し、且つ、その際形成された熱く且つ腐蝕性の低い排ガスをエネルギー利用部（７、２３）に供給し、並びに
ｄ）  主燃焼炉（１）の副燃焼ラインからの、焼却され且つエネルギー利用された排ガスを主煙道ガスの後燃焼室（３）の前で返送し、且つ、燃焼ガス流（１７）と共に主煙道ガスの後燃焼室（３）で、酸素含有二次ガス（１６）の化学量論組成比を上回る添加下で、焼却し、且つ、主蒸気発生器（１２）および主煙道ガス精製部（１４）に供給すること、
を含む方法。
【請求項２】
主燃焼工程（１）の固体燃料焼却ゾーン内での固体燃料の焼却をストーカ上または流動層またはロータリーキルン内で実施する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
主蒸気発生器内で発生された蒸気を次に、連続して副蒸気過熱器（２３）を貫流させ、且つ、その際、焼却された燃焼ガス部分流の熱く腐蝕性の低い排ガスをエネルギー利用の範囲内でさらに過熱する、請求項１あるいは２に記載の方法。
【請求項４】
エネルギー利用（２４）後の排ガスが、燃焼ガス調整部（５）通過後の燃焼ガス温度を上回る温度を有する、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
燃焼ガス副燃焼室（６）の温度および熱出力を、発熱量の多い燃焼ガスの、酸素含有ガスの、および／またはリサイクルされた排ガス（２１、３１）の、流量および／または流量比によって制御する、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
燃焼ガス副燃焼室（６）内での副燃焼を、予熱された酸素含有二次ガス（３４）の供給下で行う、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
発熱量の多い燃焼ガスの分岐された部分流を調温の際に３５０〜５００℃の温度に冷却し、その際、燃焼ガス流中に含有されるガス状の揮発性アルカリ金属化合物および金属化合物が固体粒子として再昇華される、および／またはフライアッシュ粒子上に凝結される、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
腐蝕性燃焼ガス含有物質の分離が、３５０〜５００℃の温度での、再昇華され且つ凝結されたアルカリ金属化合物および金属化合物を有するフライアッシュ粒子および固体粒子のろ過除去を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
腐蝕性燃焼ガス含有物質の分離のための燃焼ガス精製が、調温（１８）後の燃焼ガスへの、アルカリ金属含有中和剤、アルカリ土類金属含有中和剤の計量供給によるハロゲン酸の分離、および引き続く固体反応生成物の分離（２０）を含む、請求項１から８までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
中和剤が水酸化カルシウムおよび／または酸化カルシウムおよび／または炭酸カルシウムを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
腐蝕性燃焼ガス含有物質の分離のための燃焼ガス精製（２０）が、固定床吸収体を通じた燃焼ガスの貫流によるハロゲン酸分離、および／または吸収体粒子層を通じた貫流を含む、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
燃焼ガス調整（５）の際、発熱量の多い燃焼ガスの分岐された部分流中のハロゲン酸濃度に依存して、中和剤導入（３０）の流量を制御することによって、ハロゲン酸の好ましい分離を行う一方、硫化水素の分離は予定せず、且つ、それによって副燃焼炉後の排ガス（２４）中および主煙道ガスの後燃焼室（３）後の主燃焼炉の煙道ガス中のＨＣｌ／ＳＯ2比を低下させる、請求項１から１１までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
副燃焼室（６）からの焼却された排ガスの供給および主煙道ガスの後燃焼室（３）への取り入れ前の燃焼ガス（１７）の吸引されていない部分流との混合後、還元性雰囲気が存在し、それによって燃焼ガス副燃焼室（６）で形成された窒素酸化物ＮＯxが窒素Ｎ2へと還元されることを特徴とする、請求項１から１２までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
固体燃料焼却ゾーン、主燃焼室（２）および燃焼ガスのための主煙道ガスの後燃焼室（３）からなる主燃焼炉（１）内での２段式の主燃焼工程、並びに、固体焼却時に形成された発熱量の多い燃焼ガス（１７）の部分流のための、燃焼ガス副燃焼室（６）内での別途の副燃焼ラインを有する、固体燃料のための焼却設備内での有害物質排出を低減するための装置であって、
ａ）  固体燃料焼却ゾーンと主煙道ガスの後燃焼室との間の、燃焼ガスの部分流（１７）の分岐部（４）
ｂ）  冷却のための熱交換器または急冷部を含む、発熱量の多い燃焼ガス流の冷却部を含む燃焼ガス調温部、並びに燃焼ガス精製のための手段を有する、後続の部分流（１７）の燃料調整部（５）
ｃ）  酸素含有二次ガスの供給のための手段を有する、後続の部分流（１７）の燃焼ガス副燃焼室（６）およびエネルギー利用部（７）、並びに
ｄ）  主煙道ガスの後燃焼室への、後続の部分流（１７）の注ぎ口（８）
を含む装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月18日(2012.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
転動体のための少なくともＵ字形に画定された複数のポケットを備えた転がり軸受け保持器であって、
少なくとも１つの環状の周方向エレメントが設けられており、該周方向エレメントが周方向に分配された、半径方向の少なくとも３つの突入部または突出部を備えて形成されており、該突入部の内周面または突出部の外周面が、保持器のためのガイド面として働き、かつ
前記周方向エレメントに、ウェブエレメントが材料接続式に結合されており、隣接した２つのウェブエレメントの間にそれぞれ、ポケットの１つが延びていることを特徴とする、少なくともＵ字形に画定された複数のポケットを備えた転がり軸受け保持器。
【請求項２】
前記突入部の内周面が保持器のためのガイド面として働いている場合に、前記ウェブエレメントが、隣接した２つの突入部の間で、該突入部とは半径方向で反対の側に位置する外周面に配置されているように、前記周方向エレメントに固定されているか、または
前記突出部の外周面が保持器のためのガイド面として働いている場合に、前記ウェブエレメントが、隣接した２つの突出部の間で、該突出部とは半径方向で反対の側に位置する内周面に配置されているように、前記周方向エレメントに固定されている、請求項１記載の転がり軸受け保持器。
【請求項３】
前記エレメントが、鉄材料を含んでいて、前記材料接続式の結合が溶接を含んでいる、請求項１または２記載の転がり軸受け保持器。
【請求項４】
前記材料接続式の結合が、ろう接または接着を含んでいる、請求項１から３までのいずれか１項記載の転がり軸受け保持器。
【請求項５】
前記周方向エレメントが、ウェブエレメントの個数に相応して突入部または突出部を備えて形成されている、請求項１から４までのいずれか１項記載の転がり軸受け保持器。
【請求項６】
転動体の個数に相応して、ウェブエレメントが設けられている、請求項１から５までのいずれか１項記載の転がり軸受け保持器。
【請求項７】
前記周方向エレメントが、周方向で、特に均等な波形状を備えて形成されている、請求項１から６までのいずれか１項記載に転がり軸受け保持器。
【請求項８】
前記周方向エレメントと、前記ウェブエレメントとが、それぞれ異なる特性を備えて形成されている、かつ／または前記周方向エレメントおよび前記ウェブエレメントの少なくとも一方が、少なくとも部分領域でコーティングされて形成されている、請求項１から７までのいずれか１項記載の転がり軸受け保持器。
【請求項９】
前記ウェブエレメントの少なくとも１つが、転動体への接触のために設けられた面に、特に略舟形状の潤滑ポケットを備えて形成されている、請求項１から８までのいずれか１項記載の転がり軸受け保持器。
【請求項１０】
ウェブエレメントの１つの少なくとも１つの区分の横断面が台形であり、かつ特に前記台形の側面が、転動体に合わせて円弧状に形成されている、請求項１から９までのいずれか１項記載の転がり軸受け保持器。
【請求項１１】
前記周方向エレメントが、閉じられているか、または開放されて形成されている、請求項１から１０までのいずれか１項記載の転がり軸受け保持器。
【請求項１２】
前記ウェブエレメントの軸方向の両端部に、それぞれ１つの環状の周方向エレメントが配置されている、請求項１から１１までのいずれか１項記載の転がり軸受け保持器。
【請求項１３】
軸方向で前記周方向エレメントの両端面に、ウェブエレメントにより形成される少なくともＵ字形に画定されるポケットが接続する、請求項１から１２までのいずれか１項記載の転がり軸受け保持器。
【請求項１４】
転がり軸受け保持器が、ころ軸受け保持器として、特に円筒ころ軸受け、円錐ころ軸受けまたは自動調心ころ軸受けのために形成されている、請求項１から１３までのいずれか１項記載の転がり軸受け保持器。
【請求項１５】
前記ウェブエレメントが、相応に異形成形された棒状材料または帯状材料から切断されている、かつ／または前記ウェブエレメントが、同様に形成されている、請求項１から１４までのいずれか１項記載の転がり軸受け保持器。