【手続補正書】
【提出日】平成26年10月3日(2014.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界効果トランジスタであって、
ゲート、ソース、およびドレイン；
ソースとドレインとの間の半導体層；ならびに
ゲートと半導体層との間のゲート絶縁体を含み；
ゲート絶縁体が、
半導体層に隣接する第１の層；および
第２の層を含み；
第１の層が、第１の誘電率および第１の厚さを有し、界面における界面電荷キャリアトラップから連続バイアス応力下で経時的にドレインとソースとの間の電流を減少させる第１の作用を引き起こし；
第２の層が第１の誘電率よりも高い第２の誘電率および第２の厚さを有し、連続バイアス応力下での経時的な第２の層の分極率の変化から連続バイアス応力下で経時的にドレインとソースとの間の電流を増加させる第２の作用を引き起こし；
第１および第２の厚さおよび第１および第２の誘電率は、第１の作用および第２の作用が少なくとも部分的に互いを補償するような方法で選択される、電界効果トランジスタ。
【請求項２】
第１の誘電率は３未満であり、第１の厚さは２００ｎｍ未満であり、第２の誘電率は５を超え、第２の厚さは５００ｎｍ未満である、請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項３】
第１の層が、８０℃を超えるガラス転移温度を有する非晶質フルオロポリマーから形成される、請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項４】
非晶質フルオロポリマーが、フッ素化１，３−ジオキソールとテトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）とのコポリマー、パーフルオロフラン（ＰＦＦ）とテトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）とのコポリマー、パーフルオロ（４−ビニルオキシル）−１−アルケン類のホモポリマーまたはコポリマー、ならびにそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項３に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項５】
非晶質フルオロポリマーが、４，５−ジフルオロ−２，２−ビス（トリフルオロメチル）−１，３−ジオキソール（ＰＤＤ）とテトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）とのコポリマー、または２，２，４−トリフルオロ−５−トリフルオロメトキシ−１，３−ジオキソール（ＴＴＤ）とテトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）とのコポリマーである、請求項３に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項６】
第１の層が非晶質フルオロポリマーおよび１つ以上のフッ素系溶媒の配合物から、以下のコーティング法または印刷法、すなわちスピンコーティング、ドクターブレード法、ワイヤーバーコーティング、吹き付けまたは浸漬コーティング、インクジェット印刷、グラビア印刷、またはフレキソ印刷のいずれか１つによって堆積される、請求項３に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項７】
第２の層が無機材料から形成される、請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項８】
第２の層の無機材料が、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＮｘ、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２のいずれか１つの材料、またはそれらの組み合わせである、請求項７に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項９】
第２の層が、原子層堆積（ＡＬＤ）、電子ビーム堆積、ＲＦスパッタリング、化学気相堆積（ＣＶＤまたはＰＥＣＶＤ）、パルス層堆積（ＰＬＤ）、スピンコーティング、印刷、積層、ドクターブレード法のいずれか１つの技術によって堆積される、請求項７に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項１０】
第２の層の無機材料が、Ａｌ２Ｏ３である、請求項７に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項１１】
任意選択で第２の層の材料がＡｌ２Ｏ３であり、第２の層が原子層堆積（ＡＬＤ）によって堆積される、請求項７に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項１２】
ゲート絶縁体が、第１および第２の層からなる二重層である、請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項１３】
第２の層が、誘導性および／または配向性双極子を有するポリマー有機材料、または永久双極子を有する分子がドープされたポリマーマトリックスからなる、請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項１４】
半導体層が有機半導体層であり、第１の層の材料が半導体層を溶解しない溶媒に対して可溶性である、請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項１５】
半導体層が、（ｉ）ペンタセン、（ｉｉ）ルブレン、（ｉｉｉ）トリイソプロピルシリルエチニル（ＴＩＰＳ）−ペンタセン、（ｉｖ）ポリトリアリールアミン（ＰＴＡＡ）中のトリイソプロピルシリルエチニル（ＴＩＰＳ）−ペンタセン、（ｖ）トリイソプロピルシリルエチニル（ＴＩＰＳ）−ペンタセンおよびＰＣＢＭＣ６０、（ｖｉ）ポリトリアリールアミン（ＰＴＡＡ）中の２，８−ジフルオロ−５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラジチオフェン（ｄｉＦ−ＴＥＳＡＤＴ）、および（ｖｉｉ）ポリ｛［Ｎ，Ｎ−９−ビス（２−オクチルドデシル）−ナフタレン−１，４，５，８−ビス（ジカルボキシミド）−２，６−ジイル］−ａｌｔ−５，５９−（２，２９−ビチオフェン）｝のいずれか１つの材料から選択される有機半導体層である、請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項１６】
半導体層が、スピンコーティング、物理気相堆積、または有機気相堆積のいずれか１つの方法によって堆積される、請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項１７】
半導体層が、ＩｎＧａＺｎＯ、ＺｎＯ、ＩｎＺｎＯ、ＧａＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、非晶質シリコン、ポリシリコン、または他の任意の周知の好適な無機半導体のいずれか１つから選択される無機半導体層である、請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項１８】
半導体層が構造：
【化１】
2013545286.tif 000001
を有する材料、またはこの材料とポリ（α−メチルスチレン）とのブレンドを含む、請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項１９】
半導体層が構造：
【化２】
2013545286.tif 000002
を有する材料を含む、請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項２０】
ゲート絶縁体が、第２の層とゲートとの間に第３の層をさらに含む、請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項２１】
第３の層が保護層として機能し、任意に非晶質フルオロポリマーである、請求項２０に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項２２】
第３の層の厚みが１００ｎｍ未満である、請求項２１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項２３】
電界効果トランジスタがトップゲート電界効果トランジスタであり、ゲート絶縁体が、半導体層の上部に配置され、第１の層が半導体層の上部に配置され、第２の層が前記第１の層の上部に配置される、請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項２４】
トップゲート電界効果トランジスタの製造方法であって、
ソース、ドレイン、ゲート、ソースとドレインとの間の半導体層、およびゲートと半導体層との間のゲート絶縁体を提供するステップを含み；
ゲート絶縁体を提供するステップが：
第１の誘電率および第１の厚さを有する第１の層を堆積するステップであって、第１の層が半導体層との界面を画定し；界面における界面電荷キャリアトラップから連続バイアス応力下で経時的にドレインとソースとの間の電流を減少させる第１の作用を引き起こすステップと；
第１の誘電率よりも高い第２の誘電率および第２の厚さを有する第２の層を堆積するステップであって、連続バイアス応力下の経時的な第２の層の分極率の変化から連続バイアス応力下で経時的にドレインとソースとの間の電流を増加させる第２の作用を引き起こすステップと；を含み、
第１および第２の厚さ、ならびに第１および第２の誘電率が、第１の作用および第２の作用が少なくとも部分的に互いを補償するような方法で選択される、方法。
【請求項２５】
ゲート絶縁体を提供するステップが、第２の層の上部に第３の層を堆積するステップをさらに含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
少なくとも１つの電子輸送有機半導体と、少なくとも１つのポリマーマトリックスとを含む組成物。
【請求項２７】
電子輸送有機半導体が約１，０００以下の分子量を有する、請求項２６に記載の組成物。
【請求項２８】
ポリマーがアリールアミンを含む、請求項２６に記載の組成物。
【請求項２９】
ポリマーが任意選択で置換されたポリスチレンである、請求項２６に記載の組成物。