【事件の表示】
　特願２００１−２１３５４３「磁気抵抗効果装置およびその製造方法ならびに薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　４月２６日出願公開、特開２００２−１２４７１９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　　　平成１３年　７月１３日
（国内優先権主張
　特願２０００−２３７３６６　　　　平成１２年　８月　４日）
　拒絶理由通知　　　　　　　　　　　平成１３年１１月１６日
　手続補正書１・意見書　　　　　　　平成１４年　１月２２日
　拒絶査定　　　　　　　　　　　　　平成１４年　２月　７日
　審判請求書　　　　　　　　　　　　平成１４年　３月２２日
　手続補正書（方式）　　　　　　　　平成１４年　４月１５日
　拒絶理由通知　　　　　　　　　　　平成１５年　８月２２日
　手続補正書２・意見書　　　　　　　平成１５年１０月３１日
　
２　本願発明
　本件の【特許請求の範囲】【請求項１】〜【請求項８】に係る発明は、上記手続補正書２の【特許請求の範囲】【請求項１】〜【請求項８】に記載されたとおりのものであり、そのうち請求項１に係る発明は次のものである。
「互いに反対側を向く２つの面と、それぞれ前記２つの面を連結する２つの側部とを有する磁気抵抗効果素子と、
　前記磁気抵抗効果素子の各側部に隣接するように配置され、前記磁気抵抗効果素子に対してバイアス磁界を印加する２つのバイアス磁界印加層と、
　それぞれ各バイアス磁界印加層の一方の面に隣接するように配置され、前記磁気抵抗効果素子に対して信号検出用の電流を流す２つの電極層と
を備えた磁気抵抗効果装置であって、
　前記２つのバイアス磁界印加層は、前記磁気抵抗効果素子の一方の面に重ならないように配置され、
　前記２つの電極層のうちの少なくとも一方は、前記磁気抵抗効果素子の一方の面に部分的に重なるように配置され、電極層が磁気抵抗効果素子の一方の面に重なる領域の合計の長さは０．２μｍ以下であり、且つ前記２つの電極層の間隔は０．６μｍ以下であり、
　前記磁気抵抗効果素子は、互いに反対側を向く２つの面を有する非磁性層と、前記非磁性層の一方の面に隣接するように配置された軟磁性層と、前記非磁性層の他方の面に隣接するように配置され、磁化の方向が固定されたピンド層と、前記ピンド層における非磁性層とは反対側の面に隣接するように配置され、前記ピンド層における磁化の方向を固定する反強磁性層とを有し、且つ前記軟磁性層は前記非磁性層よりも前記電極層から離れた位置に配置され、
　前記磁気抵抗効果素子の前記２つの側部は、前記電極層から離れるほどそれらの間隔が広がるように傾斜している
ことを特徴とする磁気抵抗効果装置。（以下、本願発明という。）」
　
３　引用例
（１）　引用例１（特開２０００−７６６２９号公報）
　本件出願前公知の刊行物である、特開２０００−７６６２９号公報（拒絶理由の引用例３、以下、引用例１という。）には、次の記載がある。
　
ａ　「【特許請求の範囲】の【請求項１】〜【請求項４】に、
「【請求項１】 媒体磁界を感磁する磁気抵抗効果を有する感磁領域と、前記感磁領域に電流を供給する互いに離間した一対の電極膜と、前記感磁領域にバイアス磁界を印加する互いに離間した一対の永久磁石膜とを備える磁気抵抗効果素子を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、実効的な再生トラック幅が０．１μｍ〜０．５μｍであり、かつ、前記一対の永久磁石膜間の間隔が前記一対の電極膜間の間隔より０．３μｍ〜１０μｍであることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
　
　【請求項２】 請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記感磁領域が、電気抵抗の変化が非磁性層を介して対向する２つの磁性層の磁化の方向間の余弦に比例するスピンバルブ層を有することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
　
　【請求項３】 請求項１又は２記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記スピンバルブ層を構成する２つの磁性層のうち、磁化が変化する回転磁化層に対して前記一対の永久磁石膜が接合してバイアス磁界を印加していることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
　
　【請求項４】 実効的な再生トラック幅が０．１μｍ〜０．５μｍの磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法において、媒体磁界を感磁する磁気抵抗効果を有する感磁領域となる積層膜を形成する工程と、前記感磁領域となる積層膜の上に第１フォトレジスト膜をパターニングする工程と、前記第１フォトレジスト膜をマスクとして前記感磁領域となる積層膜をパターニングして感磁領域を形成する工程と、前記工程で用いた第１フォトレジスト膜をマスクとして前記感磁領域にバイアス磁界を印加する互いに離間する一対の永久磁石膜を成膜した後、前記第１フォトレジスト膜をリフトオフする工程と、前記第１フォトレジスト膜よりトラック幅方向の幅が狭い第２フォトレジスト膜を形成する工程と、前記第２フォトレジスト膜をマスクとして、前記一対の永久磁石膜間の間隔より０．３μｍ〜１０μｍだけ互いの離間距離が狭い一対の電極膜を成膜した後、前記第２フォトレジスト膜をリフトオフする工程とを有することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。」と記載され、
　
ｂ　【０００４】に、
「【０００４】このスピンバルブ素子の積層構造を図７に示す。このスピンバルブ積層膜１０は、第１強磁性層１１、非磁性層１２、第２強磁性層１３、反強磁性層１４の順序で薄膜が積層されている。このスピンバルブ積層膜１０では、第２強磁性層１３の磁化が反強磁性層１４でピン止めされ、トラック幅方向と直交する方向（図中１６の方向）に一軸異方性が与えられている。一方、第１強磁性層１１はピン止めされていない磁化回転層であり、磁化はトラック幅方向と平行（図中１５の方向）であり、第２強磁性層１３と直交する方向である。これらの第１強磁性層と第２強磁性層の磁化方向間の余弦に対応する抵抗変化により、磁気媒体から漏洩する磁界を検出できるようになっている。」と記載され、
　
ｃ　【００１６】〜【００１８】に、
「【００１６】図１に本発明の素子構造を示す。図１では媒体磁界を感磁する感磁領域にスピンバルブ膜を用いた場合を想定することとする。（ａ）に素子を媒体対向面から見た時の層構成を示す。トラック幅より幅広の感磁領域１００であるスピンバルブ層即ち感磁領域１００の両端部にバイアス磁界を印加する永久磁石膜２３とセンス電流を供給する電極膜２４が積層され、永久磁石膜間Ｌ２は電極膜間Ｌｌに比べ、小さく設定されている。こうすることにより、以下で述べるスピンバルブ膜中のフリー層（第１強磁性層）１１中の、媒体磁界に対して高感度な領域を再生トラックとすることが出来る。
【００１７】図１（ｂ）は媒体磁界がないときの、スピンバルブ膜１０中の外部磁界に対して磁化変化するフリー層１１の磁化の様子、および、フリー層１１をバイアスする永久磁石膜２３の磁化の様子を示す。図１（ｂ）に示すように、永久磁石膜２３からのバイアス磁界によって、感磁領域１００の感磁膜１１が単磁区化されている。図１（ｃ）は素子が媒体磁界を受けた場合、（ｄ）は（ｃ）と反対方向の媒体磁界を受けた場合であり、フリー層１１の磁化が、媒体磁界に応答して変化していることを示す。このとき、フリー層１１の磁化は均一に変化するのではなく、永久磁石膜２３からのバイアス磁界の影響の大きい接合領域近辺では、その変化が小さくなる。そこで、電極膜２４を、フリー層１１中の磁化が大きく変化している中心方向へ延ばし、電極間Ｌ１でトラック幅を規定することにより、磁化変化の大きい領域のみを実効的な再生トラック（図中のＬｌ）とすることができる。この効果はトラック幅の小さいときに、実質的にはＬｌが０．５μｍ以下で、具体的には（０．１〜０．５μｍ）より顕著となる。トラック幅Ｌｌと、スピンバルブ１０の幅、即ち永久磁石膜２３の間隔Ｌ２との位置関係は図２に示される結果から規定される。
【００１８】図２は、図１で示す素子の感磁領域１００の中心に対して、ＬｌおよびＬ２の中心を一致させ、かつ、（Ｌ２−Ｌｌ）／２で示される永久磁石膜と電極膜とのずれ量を変えて作製したヘッドの、規格化出力の変化を示す。再生トラック幅は０．５μｍ弱である。電極膜の位置に対して、磁石膜の位置が後退するに従って出力が大きくなる。これは、図１に示したように、媒体磁界を感磁する感磁領域１００中の、磁界感度のより高い部分をトラック幅とすることができることによる。図２より、（Ｌ２−Ｌ１）／２≧０．１５μｍとすることで、感磁領域１００中の低感度の部分の影響のない、高出力な挟トラック再生素子が得られることが認められる。したがって、電極膜２４間の離間距離Ｌ２と永久磁石膜２３間の離間距離Ｌ１の差は０．３μｍ〜１０μｍ以上である必要がある。なお、図２中の（Ｌ２−Ｌ１）／２＝０は、図９に示した従来例に相当する。また、電極膜２４間の離間距離Ｌ２と永久磁石膜２３間の離間距離Ｌ１の差は１０μｍ以下が適当である。これは、媒体対向面に露出するパタン幅をむやみに大きくしないためである。」と記載され、
　
ｄ　【００３９】〜【００４４】に、
「【００３９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００４０】図１（ａ）は、本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの主要部を示す構成図である。トラック幅より幅広の感磁領域１００の両側面に感磁領域１００の図７に示した回転磁化層１１と接合している互いに離間する一対の永久磁石膜２３が配置され、回転磁化層１１にバイアス磁界を印加して単磁区化している。永久磁石膜２３の上には互いに離間している一対の電極膜２４が積層され、対向する電極膜２４の端部は感磁領域１００の上にもオーバーラップしている。電極膜２４の間隙の中心は、感磁領域１００のトラック幅方向の中心とほぼ一致している。
【００４１】電極膜２４の離間距離Ｌ１は、実質的にトラック幅となっており、０．１μｍ〜０．５μｍである。また、永久磁石膜２３のトラック幅方向先端間の離間距離Ｌ２よりも、一端側が０．１５μｍ〜５μｍ短く、両端合計で０．３μｍ〜１０μｍ短くなっている。このように電極膜２４間幅を永久磁石膜２３の離間距離より０．１５μｍ〜５μｍずつ短くすることにより、図２に示したように、トラック幅が０．１μｍ〜０．５μｍの挟トラック幅であっても、高出力を得ることができる。
【００４２】感磁領域１００は、図７に示したスピンバルブ層１０とすることが、本発明の構成を最も生かすことになる。このスピンバルブ層１０は、自由層としての第１強磁性層１１は、例えばＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＮｉＦｅなどを用いて膜厚２〜１５ｎｍであり、非磁性層１２は、例えば銅を１〜５ｎｍ、第２強磁性層１３は、固定層として、例えばＮｉＦｅが１〜５ｎｍの厚さで用いられる。反強磁性層１４には例えばＰｔＭｎ、ＮｉＯが用いられ、２０〜８０ｎｍの膜厚である。
【００４３】また、永久磁石膜２３として、例えばＣｏＣｒＰｔ系の合金が用いられ４〜３０ｎｍの膜厚である。この永久磁石膜２３は、自由層１１の磁区制御層として自由層１１と接合されている。また、一対の電極膜２４は、例えばＡｕ，Ｃｕ、Ｔａ等の金属で構成されている。
【００４４】図２は、このような磁気抵抗効果素子を用いた再生記録複合ヘッドの断面図を示す。この記録再生ヘッドは、スライダとなるセラミック基体２０上に下シールド層２１、下ギャップ層２２が順次積層され、その上にトラック幅のスピンバルブ層１０が形成されている。スピンバルブ層１０のトラック幅方向両端側にスピンバルブ層の磁化回転層にバイアス磁界を印加して単磁区化する永久磁石膜２３が形成され、この永久磁石膜の上にスピンバルブ層に電流を供給する電極膜２４が形成されている。これらの永久磁石膜２３と電極膜２４の積層膜がスピンバルブ層１０をトラック幅方向両端部において挟むような構造になっている。電極膜２４の離間距離Ｌ１は実質的にトラック幅であり、永久磁石膜２３の離間距離Ｌ２より０．３μｍ〜１０μｍ狭くなっている。これらの上に、上ギャップ層２５、記録磁極と兼用される上シールド層２６、記録ギャップ層２７を介して記録磁極２８が形成されている。更に、これらを覆う保護層２９が設けられている。記録磁極２６、２７間には図の奥行き方向にフォトレジストにより絶縁された図示しない励磁コイルが設けられている。」と記載され、
　
ｅ　【００４５】〜【００５２】に、
「【００４５】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法を図５を参照して説明する。まず、図５（ａ）に示すように、媒体磁界を感磁するための感磁領域を形成するスピンバルブ膜１０ａを成膜する。このスピンバルブ膜１０ａは、図５では図示していないが、下シールド層と下ギャップ層を積層した基板上に形成される。また、スピンバルブ膜１０ａの構造は、図７に示したものと同じである。
【００４６】次に、図５（ｂ）に示すように、スピンバルブ膜１０ａの上にこのスピンバルブ膜１０ａをパタン化するための第１フォトレジストパタンＲ１を形成する。この第１フォトレジストパタンＲ１は、基端側が細くなっている２段型形状又は逆テーパー状に形成される。
【００４７】次に、図５（ｃ）に示すように、第１フォトレジストＲ１をマスクとして、イオンビームエッチングによりスピンバルブ膜１０ａをパタン化して感磁領域１００を形成する。このエッチングでは、第１フォトレジストＲ１の形状から、感磁領域１００の端部が傾斜を有するように行われる。
【００４８】次に、図５（ｄ）に示すように、感磁領域１００にバイアス磁界を印加する永久磁石膜を成膜し、リフトオフして永久磁石膜２３を形成する。
【００４９】従来の素子構造では、永久磁石膜と電極膜は同じ離間距離で形成されていたため、図１１（ａ）〜（ｅ）に示すように、スピンバルブ膜１０ａの上にフォトレジスト膜Ｒ３を形成し、スピンバルブ膜をエッチングして感磁領域１００を形成した後、フォトマスクＲ３を用いて永久磁石膜２３１と電極膜２４１とを連続的に成膜し、リフトオフする。
【００５０】一方、本発明では、永久磁石膜２３を成膜しリフトオフした後、第１フォトマスクＲ１を除去し、図５（ｅ）に示すように、新たに第１フォトマスクＲ１よりも幅の狭い第２フォトマスクＲ２を形成した後、図５（ｆ）に示すように、イオンビームスパッタ法で電極膜２４を成膜する。
【００５１】この永久磁石膜成膜２３と電極膜２４成膜時には、本実施形態ではイオンビームスパッタ法を用いる。従来の素子では、トラック幅が広いため、永久磁石膜や電極膜を成膜する際には、通常のＲＦスパッタ法やマグネトロンスパッタ法で十分であった。しかし、トラック幅が０．５μｍ以下の本発明では、これらの方法では不十分である。
【００５２】図１２（ａ）〜（ｇ）は、図５と同じ工程で、第１フォトマスクＲ４を用いてスピンバルブ膜１０ａをエッチングし、永久磁石膜２３２をスパッタで形成し、第２フォトマスクＲ５をマスクとして通常のＲＦスパック法やマグネトロンスパッタ法を用いて電極膜２４２を成膜した場合、トラック幅の狭い素子であるために、電極膜２４２がフォトマスクＲ５に回り込む影響が大きくなり、マスクＲ５を壁としたバリが発生していることを示す。このバリが素子の絶縁抵抗の減少などの問題を発生させる原因となる。」と記載されている。
　　
ｆ　即ち引用例１には、
「第１強磁性層１１、非磁性層１２、第２強磁性層１３、反強磁性層１４の順序で薄膜が積層されているスピンバルブ素子であり、
　第２強磁性層１３の磁化が反強磁性層１４でピン止めされ、トラック幅方向と直交する方向（図中１６の方向）に一軸異方性が与えられ、一方、第１強磁性層１１はピン止めされていない磁化回転層であり、磁化はトラック幅方向と平行（図中１５の方向）であり、
　トラック幅より幅広の感磁領域１００であるスピンバルブ層即ち感磁領域１００の両端部に、バイアス磁界を印加するもので互いに離間する一対の永久磁石膜２３を有し、
　永久磁石膜２３の上には互いに離間している一対の、センス電流を供給する電極膜２４が積層され、対向する電極膜２４の端部は感磁領域１００の上にもオーバーラップして、永久磁石膜間Ｌ２は電極膜間Ｌｌに比べ、小さく設定され、電極膜２４の間隙の中心は、感磁領域１００のトラック幅方向の中心とほぼ一致し、
　電極膜２４の離間距離Ｌ１は実質的にトラック幅となり、０．１μｍ〜０．５μｍであり、オーバーラップ量が一端側が０．１５μｍ〜５μｍ、両端合計で０．３μｍ〜１０μｍである磁気抵抗効果型ヘッド」が示されている。
　
（２）　引用例２（特開２００１−１４６１５号公報）
　本件出願前公知の刊行物である、特開２００１−１４６１５号公報（拒絶理由の引用例２、以下引用例２という。）には次の記載がある。
　
ａ　【特許請求の範囲】の【請求項１】、【請求項２】に、
「【請求項１】 基板上に薄膜状に形成された磁気抵抗効果素子と、硬磁性材料によって形成されて上記磁気抵抗効果素子の長手方向の両端部に電気的及び磁気的に接続された一対のバイアス層と、これらバイアス層の直上にそれぞれ薄膜状に形成された一対のリード電極とを有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドであって、上記リード電極は、上記磁気抵抗効果素子にオーバーラップして形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
　
【請求項２】 上記リード電極の上記磁気抵抗効果素子に対するオーバーラップ量は、０．３μｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。」と記載され、
　
ｂ　【０００９】、【００１０】に、
「【０００９】また、従来のＭＲヘッドでは、ＭＲ素子の両端部に一対のバイアス層を形成する際に、このバイアス層がＭＲ素子の両端部近傍の位置で、その上面側に付着してしまうといった場合があった。この場合に、ＭＲヘッドは、反強磁性膜によってピン層に印加されるバイアス磁界が不安定となり、上述と同様に、動作が不安定になってしまうといった問題があった。
【００１０】そこで、本発明は、ＭＲ素子、バイアス層、及びリード電極の構造を改善することにより、安定に動作することができる磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的とする。」と記載され、
　
ｃ　【００１４】に、
「【００１４】したがって、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法によれば、リード電極を磁気抵抗効果素子にオーバーラップして形成し、この磁気抵抗効果素子の安定領域のみを利用して磁気信号の再生を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドを製造することができる。」と記載され、
　
ｄ　【００８８】〜【００９３】に、
「【００８８】実験例７
実験例７では、実験例１と同様に第２のリード電極層１０のオーバーラップ量を変えて複数のＭＲヘッドを作製した。このとき、ＭＲ素子７のトラック幅を１μｍとし、高さを０．８μｍとした。また、一対のリード電極１５のオーバーラップ量は、ＭＲ素子７の両側で同じとした。
　
【００８９】そして、これら複数のＭＲヘッドについて実効トラック幅を測定し、この実効トラック幅の光学トラック幅に対する割合と、オーバーラップ量との関係を調べた。その結果を図１８に示す。
【００９０】なお、この実験例７において、光学トラック幅とは、リード電極１５間の距離によって規定されるＭＲ素子７の幅を示している。また、実効トラック幅とは、ＭＲ素子７の両端部に生じる不安定領域を除いた、実際にトラックの再生に関与でき得るＭＲ素子７の幅のことをいう。
【００９１】また、上述したように実際にリード構造体１６の全抵抗値を測定する際の条件は、実験例１と同様にセンス電流が２〜５ｍＡ、印加する外部磁界が±６０［Ｏｅ］である。また、図１８に示すオーバーラップ量の値は、図１５の場合と同様に、一対のリード電極１５のうちの一方だけのオーバーラップ量を示す。
【００９２】図１８に示す結果から、オーバーラップ量を０．３μｍ未満とすると、光学トラック幅と比較して実効トラック幅が狭くなり、オーバーラップ量を０．３μｍ以上とすることによって、光学トラック幅と実効トラック幅が一致することがわかる。言い換えると、オーバーラップ量を０．３μｍ未満とした場合には、リード電極１５をオーバーラップさせることによる効果が十分に得られず、ＭＲ素子７両端部に生じる不安定領域が使用されてしまう虞が生じてしまう。
【００９３】したがって、この実験例７の結果から、上述した実験例１と同様に、第２のリード電極層１０のＭＲ素子７に対するオーバーラップ量は、０．３μｍ以上であることが望ましいといえる。」
　
ｆ　即ち、引用例２には、電極間間隔に相当する（光学的）トラック幅が１μｍで、電極とＭＲ素子部のオーバーラップ量が両電極を合計して０．６μｍ以上であるものが示されている。
　
ｇ　そして、図１８，図１９を見ると、オーバーラップ量が、０、０．１、０．２、０．３・・・（単位μｍ）の測定点が示されている。これらは、引用例２において比較例としたものであるが、片側のオーバラップ量が、０μｍ、０．１μｍが示唆され、両側ではその倍の０μｍ、０．２μｍのものが示されている。
　
（３）　引用例３（特開平９−２８２６１８号公報）
　本件出願前公知の刊行物である特開平９−２８２６１８号公報（拒絶理由の引用例６、以下、引用例３という。）には次の記載がある。
　
ａ　【特許請求の範囲】の【請求項２】及び【請求項１６】〜【請求項１８】に、
「【請求項２】磁気記録媒体のトラック幅に対応した大きさの複数の膜が積層された磁気抵抗効果膜と、磁気抵抗効果膜の両側に隣接して配置された磁区制御層と、磁区制御層上に積層されて磁気抵抗効果膜と電気的に接続された一対の電極とを備え、磁気抵抗効果膜は、磁気記録媒体からの磁界により磁化方向が変化する単層又は複数層の第一の強磁性膜と、磁化方向が固定された単層又は複数層の第二の強磁性膜と、前記第一の強磁性膜と第二の強磁性膜との間に挿入された非磁性導体膜と、前記第二の強磁性膜の磁化方向を固定する反強磁性膜もしくは永久磁石膜とを有する磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記一対の電極の一部がそれぞれ前記反強磁性膜もしくは永久磁石膜上に積層され、前記各電極の間隔が前記磁気抵抗効果膜の幅よりも狭く形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項１６】前記磁気抵抗効果膜の幅は、前記一対の電極の間隔に０．５〜４μｍを加えた値を有することを特徴とする請求項１〜１５のいずれかに記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項１７】前記一対の電極の各電極は、前記磁気抵抗効果膜の幅方向端部に対し０．２５〜２μｍの範囲で前記磁気抵抗効果膜と重なっていることを特徴とする請求項１〜１６のいずれかに記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項１８】前記一対の電極の電極間隔は２μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜１７のいずれかに記載の磁気抵抗効果型ヘッド。」と記載され、
　
ｂ　【００４４】、【００４５】に
「【００４４】図７は、電極間隔が１μｍと狭い場合の出力とオーバーラップ量との関係を測定した結果を示す線図である。
　【００４５】図７から、ヘッドの出力を本来の出力の９０％以上に保つためには、オーバーラップ量を０．２５μｍ　以上にすれば良いことがわかる。これは、磁気抵抗効果膜１０の幅方向の端部の領域、すなわち感度が低い領域には実質的に電流が流れず、感度の高い中央部の領域にのみ電流が流れるので、出力を高く保つことができるからである。このため、狭電極間隔でありながら高感度なヘッドとするためには、各電極１４の先端側の端部は左右ともに磁気抵抗効果膜１０の幅方向の端部よりも０．２５μｍ以上内側になるように配置することが望ましい。」と記載され、
　
ｃ　そして、図７には、オーバーラップ量が０、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５μｍのものが図示されている。両電極ではその倍の０、０．２、０．４・・・のものが示されている。
　
ｄ　【００６２】に、
「【００６２】図１６は、スピンバルブヘッドにおいて、本発明のようにオーバーラップ量がある場合と、従来のヘッドのようにオーバーラップ量が無い場合の電極間隔（１μｍ）あたりの出力、すなわち感度と電極間隔との関係を示す線図である。本発明におけるスピンバルブヘッドにおいては、各電極３１が反強磁性膜２１を覆う幅に対応したオーバーラップ量５３を０．５μｍとし、磁気抵抗効果膜の幅５１を電極間隔５２に１．０μｍを加えた値としている。図１６から、本発明のヘッドによれば、従来のヘッドとは異なって、電極間隔５２が０．５μｍと極めて狭くなった場合でも、感度を高く保つことができることがわかる。」と記載されている。
　
ｅ　そして、図１６には、電極間隔が０．５μｍのものが示されている。
　
（４）　引用例４（特開平８−７７５１７号公報）
　本件出願前公知の刊行物である特開平８−７７５１７号公報（拒絶理由の引用例７、以下、引用例４という。）には次の記載がある。
　
ａ　「【００２０】［実施例１］図８に本発明の実施例１の磁気抵抗効果素子の構造の概念図を示す。磁性層１，２にて非磁性層３をはさんで感磁部を構成する。磁性層１，２としては、ともに厚さ５ｎｍのパーマロイ（Ｎｉ８０Ｆｅ２０）を、非磁性層３としては、厚さ２ｎｍのＣｕを用いる。反強磁性層５として、膜厚５０ｎｍのＮｉＯを用いた。これを図５にて示したプロセスを用いてパターニングした。硬磁性層９および電極４を磁性膜に接するようにして設け、両者を同時にパターニングする。硬磁性層としては、膜厚１０ｎｍのＣｏＰｔ、電極としては、Ａｕを用いる。」
　
ｂ　「【００２４】［実施例２］図９に本発明の実施例２の磁気抵抗効果素子の構造の概念図を示す。磁性層１，２にて非磁性層３をはさんで感磁部を構成する。磁性層１，２としては、ともに厚さ５ｎｍのパーマロイ（Ｎｉ８０Ｆｅ２０）を、非磁性層３としては、厚さ２ｎｍのＣｕを用いる。反強磁性層５として、膜厚１０ｎｍのＦｅＭｎを用いた。これを図５にて示したプロセスを用いてパターニングした。縦バイアス用強磁性層１６，縦バイアス用反強磁性層１７、および電極４を磁性膜に接するようにして設け、両者を同時にパターニングする。縦バイアス用強磁性層としてはパーマロイ（１０ｎｍ）、縦バイアス用反強磁性層としてはＮｉＭｎ（４０ｎｍ）を積層した膜を用い、両者を交換結合させた。電極４としては、Ａｕを用いた。」
　
ｃ　即ち、引用例４には、反強磁性層と自由層の積層順が異なる２つのものが示されている。
　
４　本願発明と引用例との対比
（１）　国内優先権主張について
　本願発明の「２つの電極層の間隔は０．６μｍ以下であり」とする構成は、優先権を主張の元となる平成１２年８月４日の特願２０００−２３７３６６号に記載されていないものである。従って本願発明の出願日は本件出願日である平成１３（２００１）年７月１３日である。
　
（２）　本願発明と引用例１との対比
ａ　引用例１の「スピンバルブ素子」は磁気抵抗効果素子の一種であるから、本願発明の「磁気抵抗効果素子」に相当する。そして、引用例１の「スピンバルブ素子」は、図１・図３において感磁領域１００として示され、明らかにその上下面に上ギャップ層２５としたギャップ層２２に夫々接する２つの面と有し、その２つの面を連絡する２つの側面を有しており、本願発明の「互いに反対側を向く２つの面と、それぞれ前記２つの面を連結する２つの側部とを有する磁気抵抗効果素子」である。
　
ｂ　引用例１の２つの側面にも、「感磁領域１００の両端部に、バイアス磁界を印加するもので互いに離間する一対の永久磁石膜２３」が設けられ、本願発明の「前記磁気抵抗効果素子の各側部に隣接するように配置され、前記磁気抵抗効果素子に対してバイアス磁界を印加する２つのバイアス磁界印加層」に相当する。
　
ｃ　更に、引用例１の電極膜２４について、「永久磁石膜２３の上には互いに離間している一対の、センス電流を供給する電極膜２４が積層され」、「対向する電極膜２４の端部は感磁領域１００の上にもオーバーラップして、永久磁石膜間Ｌ２は電極膜間Ｌｌに比べ、小さく設定され」ており、本願発明の「それぞれ各バイアス磁界印加層の一方の面に隣接するように配置され、前記磁気抵抗効果素子に対して信号検出用の電流を流す２つの電極層」に相当する。
　
ｄ　引用例１の一対の永久磁石膜２３は、【００４８】〜【００５２】の上記記載事項ｅの製造方法を参照すれば、本願発明の「前記２つのバイアス磁界印加層は、前記磁気抵抗効果素子の一方の面に重ならないように配置され」た構造を有することは明らかである。
　
ｅ　引用例１の電極間隔は「０．１μｍ〜０．５μｍであり」、本願発明の「２つの電極層の間隔は０．６μｍ以下」となっている。
　
ｆ　次に引用例１のスピンバルブ素子は【００４２】の記載で図７に示される積層構造を有しており、「自由層としての第１強磁性層１１」、「非磁性層１２」、「第２強磁性層１３」、「反強磁性層１４」は、夫々本願発明の「軟磁性層」、「非磁性層」、「ピンド層」、「反強磁性層」に相当する。
　
ｇ　引用例１のものも、上記記載事項ｅの【００４５】以下の製造方法によれば、本願発明の「磁気抵抗効果素子の前記２つの側部は、前記電極層から離れるほどそれらの間隔が広がるように傾斜している」構造を有している。
　
（３）　一致点
　してみると、本願発明と引用例１のものは、次の点で一致する。
「互いに反対側を向く２つの面と、それぞれ前記２つの面を連結する２つの側部とを有する磁気抵抗効果素子と、
　前記磁気抵抗効果素子の各側部に隣接するように配置され、前記磁気抵抗効果素子に対してバイアス磁界を印加する２つのバイアス磁界印加層と、
　それぞれ各バイアス磁界印加層の一方の面に隣接するように配置され、前記磁気抵抗効果素子に対して信号検出用の電流を流す２つの電極層と
を備えた磁気抵抗効果装置であって、
　前記２つのバイアス磁界印加層は、前記磁気抵抗効果素子の一方の面に重ならないように配置され、
　前記２つの電極層のうちの少なくとも一方は、前記磁気抵抗効果素子の一方の面に部分的に重なるように配置され、前記２つの電極層の間隔は０．６μｍ以下であり、
　前記磁気抵抗効果素子は、互いに反対側を向く２つの面を有する非磁性層と、前記非磁性層の一方の面に隣接するように配置された軟磁性層と、前記非磁性層の他方の面に隣接するように配置され、磁化の方向が固定されたピンド層と、前記ピンド層における非磁性層とは反対側の面に隣接するように配置され、前記ピンド層における磁化の方向を固定する反強磁性層とを有し、
　前記磁気抵抗効果素子の前記２つの側部は、前記電極層から離れるほどそれらの間隔が広がるように傾斜している
ことを特徴とする磁気抵抗効果装置。」
　
（４）　相違点
（相違点１）
　そして、本願発明は、
「電極層が磁気抵抗効果素子の一方の面に重なる領域の合計の長さは０．２μｍ以下であり」、引用例１のものは「０．３μｍ〜１０μｍである」点で相違し、
（相違点２）
　本願発明は、「前記軟磁性層は前記非磁性層よりも前記電極層から離れた位置に配置され」ているが、引用例１のものは明示されていない点で相違している。
　
（５）　相違点の検討
（相違点１）
ａ　引用例２では、その【００８８】の記載から、ＭＲ素子７のトラック幅を１μｍとし、図１８，１９の記載から、片側のオーバーラップ量が、０、０．１、０．２、０．３、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１．０（単位μｍ）の測定点が示されている。引用例２において比較例としたものであるが、片側のオーバラップ量が、０μｍ、０．１μｍが示唆され、両側ではその倍の０μｍ、０．２μｍのものが示されている。このことから、オーバーラップの最適値を求めるのに、０μｍ、０．２μｍのものを考慮することは当業者にとって当然のことであると認められる。
　
ｂ　引用例３では、電極間隔が１μｍと狭い場合として、図７には、オーバーラップ量が０、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．７、１．０、１．５μｍのものが図示されている。両電極ではその倍の０、０．２、０．４、０．６、０．８、１．０、１．４、２．０、３．０μｍのものが示されている。
　更に、図７から、オーバーラップ量が少ないと、出力は小さくなり、図８からオーバーラップ量が多くなると、実効的異方性磁界が少なくなることが示されており、オーバーラップの最適値を求めるのに、０μｍ、０．２μｍのものを考慮することは当業者にとって当然のことであると認められる。
　してみると、引用例１においても、オーバーラップ量として両側で０，０．２，０．６・・・を選択して検討することは、当業者にとって容易に想到することができた事項である。
　
ｃ　しかも、本件の出願当初の明細書では、重なる領域の合計の長さは０．３μｍ未満であるとしている。確かに本件の発明の詳細な説明【００６３】〜【００６８】において、表１にオーバーラップ量Ｌ０が、０μｍ、０．０５μｍ、０．１０μｍ、０．１５μｍ、０．２０μｍの５種類が記載されている。そして磁気的読みトラック幅ＭＲＷ
　
　
　
　
ｄ　してみると、この相違点１は格別なことではない。
　
（相違点２について）
　自由層である磁気抵抗効果膜（軟磁性層）を下側にするか、上側にするかは引用例４にも示されているように、周知の形状であり、当業者が適宜選択できたものである。
　しかも、引用例１において図７のスピンバルブ素子は下側に自由層が形成さており、引用例１の感磁領域において、その構造を有したまま使用されていると見ることが自然であり、逆に自由層を上部にする必然性もない。
　してみると、相違点２も格別なものではない。
　
（総合的検討）
　相違点１及び２を総合的に見ても格別であるとは認められない。
　
（６）　容易性のまとめ
　従って、本願発明は、引用例１〜４記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
５　まとめ
　本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであるので、他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本件出願は拒絶を免れ得ない。
　よって、結論のとおり審決する。