Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月31日(2003.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次式（ａ）：
【化１】
1998168125.tif 000001
［上記式中、｛（Ｉ），（ＩＩ）｝は、ユニットＩおよびユニットＩＩのそれぞれ１種または２種以上がランダムに結合していることを表し；ユニットＩＩは、ユニットＩおよびユニットＩＩの合計に対して１〜１００モル％の割合で存在し；ここで、ユニットＩは次式（ｉ）：
【化２】
1998168125.tif 000002
（上記式中、Ｒは水素原子またはメチル基を表し、Ｘは水素原子または活性水素を有しない置換基を表す）で示される構造単位から選ばれ；ユニットＩＩは次式（ｉｉ）：
【化３】
1998168125.tif 000003
（上記式中、ＲおよびＸは前記と同義であり、Ｚはハロゲン原子、ＯＨ基、ＯＲ′基またはＯＭ基を表し、ここでＲ′は炭化水素基を表し、Ｍは金属原子を表す）で示される構造単位から選ばれる］で示される構造を末端にポリマー１分子当り平均して０．１〜５００個含み、数平均分子量が８００〜５００，０００であることを特徴とする末端修飾ポリプロピレン系ポリマー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
すなわち本発明によれば、次式（ａ）：


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【化６】
1998168125.tif 000004
（上記式中、ＲおよびＸは前記と同義であり、Ｚはハロゲン原子、ＯＨ基、ＯＲ′基またはＯＭ基を表し、ここでＲ′は炭化水素基を表し、Ｍは金属原子を表す）で示される構造単位から選ばれる］で示される構造を末端にポリマー１分子当り平均して０．１〜５００個含み、数平均分子量が８００〜５００，０００であることを特徴とする末端修飾ポリプロピレン系ポリマーが提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月15日(2003.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】履歴記録装置及び履歴記録方法、並びに履歴再生装置及び履歴再生方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報空間上で提供される情報コンテンツを閲覧するための閲覧画面上における操作履歴を記録するための履歴記録装置であって、
情報コンテンツに対するユーザの操作履歴を保持する履歴保持手段と、
情報コンテンツ中の各コンポネントに対してイベント・ハンドラを設定するイベント・ハンドラ設定手段と、
前記履歴保持手段に保持された操作履歴を包含した情報コンテンツ識別子を生成する識別子生成手段とを具備し、
前記イベント・ハンドラ設定手段により設定されるイベント・ハンドラは、コンポネントに対するユーザの操作履歴を生成する手段と、操作履歴を前記履歴保持手段に追加する手段とを含む、
ことを特徴とする履歴記録装置。
【請求項２】
情報コンテンツ識別子を参照して前記情報空間から取り出し可能な情報コンテンツとして形成されていることを特徴とする請求項１に記載の履歴記録装置。
【請求項３】
前記イベント・ハンドラ設定手段は、既に他のイベント・ハンドラが設定されているコンポネントに対しては、当該他のイベント・ハンドラを、
ユーザの操作履歴を生成する手段と、
操作履歴を前記履歴保持手段に追加する手段と、
当該他のイベント・ハンドラを呼び出す手段と、
からなるイベント・ハンドラで置き換えることを特徴とする請求項１に記載の履歴記録装置。
【請求項４】
前記履歴保持手段は、前記情報空間上におけるコンテンツのアクセス履歴、前記閲覧画面上におけるユーザの操作履歴、前記閲覧画面上におけるアクション履歴のうちの少なくとも１つを保持することを特徴とする請求項１に記載の履歴記録装置。
【請求項５】
前記情報空間は、ネットワーク上に展開するＷＷＷ（ｗｏｒｌｄ Ｗｉｄｅ Ｗｅｂ）システムであり、前記情報コンテンツはＨＴＭＬ（Ｈｙｐｅｒ Ｔｅｘｔ Ｍａｒｋｕｐ Ｌａｎｇｕａｇｅ）形式で記述されたドキュメント・オブジェクトであり、前記閲覧画面はＷＷＷブラウザによって提供され、前記情報コンテンツの識別子はＵＲＬ（Ｕｎｉｆｏｒｍ Ｒｅｓｏｕｒｃｅ Ｌｏｃａｔｏｒ）形式で記述されることを特徴とする請求項１に記載の履歴記録装置。
【請求項６】
ＷＷＷブラウザ上で動作するＨＴＭＬコンテンツに埋め込まれた、ＷＷＷブラウザが実行可能なスクリプトとして実装されていることを特徴とする請求項５に記載の履歴記録装置。
【請求項７】
ＷＷＷ情報空間上で提供されるＨＴＭＬコンテンツを閲覧するためのＷＷＷブラウザ画面上における操作履歴を記録するための履歴記録装置であって、
操作履歴情報をＵＲＬ（Ｕｎｉｆｏｒｍ Ｒｅｓｏｕｒｃｅ Ｌｏｃａｔｏｒ）形式で記述して保存することを特徴とする履歴記録装置。
【請求項８】
情報空間上で提供された情報コンテンツを、記録された操作履歴に従って閲覧画面上で再現するための履歴再生装置であって、
操作履歴を包含した情報コンテンツ識別子の中から、再現すべき情報コンテンツの識別子と、該情報コンテンツに対する操作履歴とを抽出する抽出手段と、
前記抽出手段によって抽出された情報コンテンツ識別子を基に情報コンテンツを前記情報空間から取り出して前記閲覧画面上に表示する手段と、
前記抽出手段によって抽出された操作履歴の各々を、前記表示手段によって閲覧画面上に表示された情報コンテンツの該当するコンポネントに対して順次適用する操作履歴適用手段と、
を具備することを特徴とする履歴再生装置。
【請求項９】
前記の操作履歴を包含した情報コンテンツ識別子を参照して前記情報空間から取り出し可能な情報コンテンツとして形成されていることを特徴とする請求項８に記載の履歴再生装置。
【請求項１０】
さらに、
操作履歴にイベントの再生可能な形式でイベント情報が付随する場合に、イベント情報からイベント・オブジェクトを生成する手段と、
前記表示手段によって前記情報空間から取り出されて前記閲覧画面上に表示された情報コンテンツのコンポネントに設定されたイベント・ハンドラを、イベント・オブジェクトを利用して呼び出す手段と、
を含むことを特徴とする請求項８に記載の履歴再生装置。
【請求項１１】
前記情報空間は、ネットワーク上に展開するＷＷＷ（ｗｏｒｌｄ Ｗｉｄｅ Ｗｅｂ）システムであり、前記情報コンテンツはＨＴＭＬ（Ｈｙｐｅｒ Ｔｅｘｔ Ｍａｒｋｕｐ Ｌａｎｇｕａｇｅ）形式で記述されたドキュメント・オブジェクトであり、前記閲覧画面はＷＷＷブラウザによって提供され、前記情報コンテンツの識別子はＵＲＬ（Ｕｎｉｆｏｒｍ Ｒｅｓｏｕｒｃｅ Ｌｏｃａｔｏｒ）形式で記述されることを特徴とする請求項８に記載の履歴再生装置。
【請求項１２】
ＷＷＷブラウザ上で動作するＨＴＭＬコンテンツに埋め込まれた、ＷＷＷブラウザが実行可能なスクリプトとして実装され、且つ、操作履歴を包含したＵＲＬによってＷＷＷブラウザからアクセス可能なＨＴＭＬコンテンツとして前記情報空間上に配置されていることを特徴とする請求項１１に記載の履歴再生装置。
【請求項１３】
情報空間上で提供される情報コンテンツを閲覧するための閲覧画面上における操作履歴を記録するための履歴記録方法であって、
情報コンテンツに対するユーザの操作履歴を保持する履歴保持ステップと、
情報コンテンツ中の各コンポネントに対してイベント・ハンドラを設定するイベント・ハンドラ設定ステップと、
前記履歴保持ステップにより保持された操作履歴を包含した情報コンテンツ識別子を生成する識別子生成ステップとを具備し、
前記イベント・ハンドラ設定ステップにより設定されるイベント・ハンドラは、コンポネントに対するユーザの操作履歴を生成するステップと、操作履歴を前記履歴保持手段に追加するステップとを実行する、
ことを特徴とする履歴記録方法。
【請求項１４】
情報空間上で提供された情報コンテンツを、記録された操作履歴に従って閲覧画面上で再現するための履歴再生方法であって、
操作履歴を包含した情報コンテンツ識別子の中から、再現すべき情報コンテンツの識別子と、該情報コンテンツに対する操作履歴とを抽出する抽出ステップと、
前記抽出ステップにおいて抽出された情報コンテンツ識別子を基に情報コンテンツを前記情報空間から取り出して前記閲覧画面上に表示するステップと、
前記抽出ステップにおいて抽出された操作履歴の各々を、前記表示ステップにおいて閲覧画面上に表示された情報コンテンツの該当するコンポネントに対して順次適用する操作履歴適用ステップと、
を具備することを特徴とする履歴再生方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月4日(2003.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の競り参加者から落札者を決定する自動競り装置において、
競りの対象となる商品の情報を、ネットワークを介して、前記商品の情報を提供する者の第１のクライアント装置から受信し、記憶装置に蓄積する第１の手段と、
前記記憶装置内の前記商品の情報を、ネットワークを介して、前記競り参加者の第２のクライアント装置へ送信する第２の手段と、
競りに参加するための発注情報を、ネットワークを介して、前記第２のクライアント装置から受信し、前記記憶装置に蓄積する第３の手段と、
前記記憶装置内の前記発注情報に基づいて、現在の競り価格が前記競り参加者が前記商品を購入するために出しても良いと考える価格以下であるか否かを判定する第４の手段と、
前記現在の競り価格が前記商品を購入するために出しても良いと考える価格以下であると前記第４の手段が判定した場合に、前記商品の購入を希望する競り参加者であることを判定する第５の手段と、
前記商品の購入を希望する競り参加者が複数存在するか否かよって、競りが競合状態であるか否かを判定する第６の手段と、
前記競りが競合状態であると前記第６の手段が判定した場合に、前記競り価格を上げ、上げられた前記競り価格を前記現在の競り価格として前記第４の手段と前記第５の手段と前記第６の手段を動作させる第７の手段と、
前記競りが競合状態でないと前記第６の手段が判定した場合に、残った前記競り参加者を前記落札者として決定する第８の手段とを備える自動競り装置。
【請求項２】
前記第８の手段が前記落札者を決定した場合に、落札価格を、電子メールにより前記落札者の前記第２のクライアント装置へ通知する第９の手段を備える請求項１に記載の自動競り装置。
【請求項３】
前記第１のクライアント装置から受信された前記商品の情報は、前記商品の数量と前記商品の価格を含む請求項１に記載の自動競り装置。
【請求項４】
前記第２のクライアント装置から受信された前記発注情報は、前記競り参加者が前記商品の購入を希望する希望価格と前記希望価格に対して上乗せを許容できる許容価格を含む請求項１に記載の自動競り装置。
【請求項５】
前記発注情報は、競りに参加するための条件を定義したルールを含み、
前記第４の手段は、前記ルールに基づいて、前記現在の競り価格が前記商品を購入するために出しても良いと考える価格以下であるか否かを判定する請求項１に記載の自動競り装置。
【請求項６】
複数の競り参加者から落札者を決定する自動競り装置において、
前記競り参加者が複数存在するか否かによって、競りが競合状態か否かを判定する第１の手段と、
競りが競合状態であると前記第１の手段が判定した場合に、予め定められた分だけ競り価格を上げ、上げられた前記競り価格が前記競り参加者が競りの対象となる商品を購入するために出しても良いと考える価格より大きいか否か判定する第２の手段と、
前記競り価格が前記商品を購入するために出しても良いと考える価格より大きいと前記第２の手段が判定した場合に、その競り参加者を競りから除外する第３の手段と、
競りが競合状態でないと前記第１の手段が判定した場合に、残った前記競り参加者を前記落札者として決定する第４の手段とを備え、
前記第１の手段は、前記第３の手段が前記競り参加者を競りから除外した後に、残った前記競り参加者について、競りが競合状態か否かを判定する自動競り装置。
【請求項７】
競りの競合状態によって前記諸品を落札できなかった場合に、前記競りの競合状態によって敗れた価格を、電子メールにより前記第３の手段によって競りから除外された前記競り参加者のクライアント装置へ通知する第５の手段を備える請求項６に記載の自動競り装置。
【請求項８】
前記第４の手段が前記落札者を決定した場合に、落札価格を、電子メールにより前記落札者のクライアント装置へ通知する第６の手段を備える請求項７に記載の自動競り装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月11日(2003.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記透明導電膜は、ＩＴＯ，ＳｎＯ2 およびＺｎＯのうちのいずれかにより形成されたものである
ことを特徴とする請求項９記載の光学多層構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
光の吸収のある基板上に、光の干渉現象を起こし得る大きさを有すると共にその大きさが可変な間隙部、および透明層をこの順で配設した構造を有し、かつ、前記基板の複素屈折率をＮ1 （＝ｎ1 −ｉ・ｋ1 ，ｎ1 は屈折率，ｋ1 は消衰係数，ｉは虚数単位）、前記透明層の屈折率をｎ2 、入射媒質の屈折率を１．０としたとき、次式（８）の関係を満たす光学多層構造体の製造方法であって、
【数８】
2003029169.tif 000001
前記基板上に犠牲層を形成し、前記犠牲層上に前記透明層を形成し、その後、前記犠牲層を選択的に除去することにより前記間隙部を形成する工程を
含むことを特徴とする光学多層構造体の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
第２の層１３は、透明材料により形成されたものであり、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）（ｎ2 ＝２．４），窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）（ｎ2 ＝２．０），酸化亜鉛（ＺｎＯ）（ｎ2 ＝２．０），酸化ニオブ（Ｎｂ2 Ｏ5 ）（ｎ2 ＝２．２），酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）（ｎ2 ＝２．１），酸化珪素（ＳｉＯ）（ｎ2 ＝２．０），酸化スズ（ＳｎＯ2 ）（ｎ2 ＝２．０），ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide) （ｎ2 ＝２．０）などにより形成されている。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
この光スイッチング装置１００では、ＴａＮX 膜１０２を接地して電位を０Ｖとし、第２の層側に形成されたＩＴＯ膜１０６に例えば＋１２Ｖの電圧を印加すると、その電位差によりＴａＮX 膜１０２とＩＴＯ膜１０６との間に静電引力が発生し、図１４では光スイッチング素子１００Ａ，１００Ｃのように第１の層と第２の層とが密着し、間隙部１０４が「０」の状態となる。この状態では、入射光Ｐ1 は上記多層構造体を透過し、更に基板１０１に吸収される。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る光学多層構造体の間隙部が「λ／４」のときの構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した光学多層構造体の間隙部が「０」のときの構成を表す断面図である。
【図３】図１に示した光学多層構造体の製造工程を説明するための断面図である。
【図４】図３の工程に続く工程を説明するための断面図である。
【図５】光学アドミッタンスダイアグラム上で、ｎ2 の屈折率を持つ透明な第２の層が、ダイアグラム上の（１，０）の点 (空気のアドミッタンス) を通る軌跡を表す図である。
【図６】図１の光学多層構造体の変形例を表す図である。
【図７】図１に示した光学多層構造体の一具体例の反射特性を表す図である。
【図８】図７の例の低反射時の光学アドミッタンスを説明するための図である。
【図９】図１の光学多層構造体の更に他の変形例を説明するための断面図である。
【図１０】光学多層構造体の静電気による駆動方法を説明するための断面図である。
【図１１】光学多層構造体の静電気による他の駆動方法を説明するための断面図である。
【図１２】光学多層構造体の静電気による更に他の駆動方法を説明するための断面図である。
【図１３】光学多層構造体の磁気による駆動方法を説明するための断面図である。
【図１４】光スイッチング装置の一例の構成を表す図である。
【図１５】ディスプレイの一例の構成を表す図である。
【図１６】ディスプレイの他の例を表す図である。
【図１７】ペーパー状ディスプレイの構成図である。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月28日(2003.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
物体側から順に、正の屈折力を有する第１レンズ群と、負の屈折力を有する第２レンズ群と、正の屈折力を有する第３レンズ群と、負の屈折力を有する第４レンズ群とから構成され、各群を光軸方向に移動させてズーミングを行い、次の条件式（１）ないし（３）を満足することを特徴とするズームレンズ系。
（１）１．１＜ｆ23T／ｆ23W＜１．８
（２）０．２＜ＬＤ23W／ｆW＜０．４５
（３）０．０１＜（Ｄ23W−Ｄ23T）／ｆT＜０．０５
但し、
ｆ23W：短焦点距離端での第２レンズ群と第３レンズ群の合成焦点距離、
ｆ23T：長焦点距離端での第２レンズ群と第３レンズ群の合成焦点距離、
ＬＤ23W：短焦点距離端での第２レンズ群の最も物体側の面から第３レンズ群の最も像側の面までの距離、
ｆW：短焦点距離端での全系の焦点距離、
ｆT：長焦点距離端での全系の焦点距離、
Ｄ23W：短焦点距離端での第２レンズ群と第３レンズ群の軸上空気間隔、
Ｄ23T：長焦点距離端での第２レンズ群と第３レンズ群の軸上空気間隔。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明によるズームレンズ系は、物体側から順に、正の屈折力を有する第１レンズ群と、負の屈折力を有する第２レンズ群と、正の屈折力を有する第３レンズ群と、負の屈折力を有する第４レンズ群、とから構成され、各群を光軸方向に移動させてズーミングを行い、次の条件式（１）ないし（３）を満足することを特徴としている。
（１）１．１＜ｆ23T／ｆ23W＜１．８
（２）０．２＜ＬＤ23W／ｆW＜０．４５
（３）０．０１＜（Ｄ23W−Ｄ23T）／ｆT＜０．０５
但し、
ｆ23W：短焦点距離端での第２レンズ群と第３レンズ群の合成焦点距離、
ｆ23T：長焦点距離端での第２レンズ群と第３レンズ群の合成焦点距離、
ＬＤ23W：短焦点距離端での第２レンズ群の最も物体側の面から第３レンズ群の最も像側の面までの距離、
ｆW：短焦点距離端での全系の焦点距離、
ｆT：長焦点距離端での全系の焦点距離、
Ｄ23W：短焦点距離端での第２レンズ群と第３レンズ群の軸上空気間隔、
Ｄ23T：長焦点距離端での第２レンズ群と第３レンズ群の軸上空気間隔、
である。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
条件式（２）は、短焦点距離端での第２レンズ群の最も物体側の面から第３レンズ群の最も像側の面までの距離を規定するものである。
条件式（２）の下限を超えると、負の第２レンズ群と正の第３レンズ群の間隔が狭くなるため短焦点距離端においてバックフォーカスが極めて短くなり、第４レンズ群の径が大きくなってしまう。条件式（２）の上限を超えると、第２レンズ群と第３レンズ群の間隔が広くなりすぎるため、短焦点距離端において入射瞳位置が像面側に寄るので第１レンズ群の径が大きくなってしまい、径方向の小型化が困難となる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月12日(2003.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
本実施形態では、色分解系（光源から画像表示素子まで）について主に述べたが、色合成系（画像表示素子から投射光学系まで）は、画像表示素子で反射した光が色分解系と逆向きに同様の光路を辿るので，蒸気の色分解系について述べたことと同様のことが言える。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３６】
本実施形態では、色分解系（光源から画像表示素子まで）について主に述べたが、色合成系（画像表示素子から投射光学系まで）は、画像表示素子で反射した光が色分解系と逆向きに同様の光路を辿るので，蒸気の色分解系について述べたことと同様のことが言える。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６０】
本実施形態では、色分解系（光源から画像表示素子まで）について主に述べたが、色合成系（画像表示素子から投射光学系まで）は、画像表示素子で反射した光が色分解系と逆向きに同様の光路を辿るので，蒸気の色分解系について述べたことと同様のことが言える。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９８】
本実施形態では、色分解系（光源から画像表示素子まで）について主に述べたが、色合成系（画像表示素子から投射光学系まで）は、画像表示素子で反射した光が色分解系と逆向きに同様の光路を辿るので，蒸気の色分解系について述べたことと同様のことが言える。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０１】
１５ａは第１の集光レンズ、１５ｂは第２の集光レンズ、１５ｃはコンデンサーレンズ、１５ｄはフィールドレンズである。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１０】
ここでカラーフィルター１３は、図１３（ｂ）に示すように、透過する色（ＲＧＢ）が切り替わるように異なる特性のフィルターを組み合わせた構成をしており、カラーフィルター１３を回転させることで透過する色を時間順次で切り替え、かつこの照明光の色の切り替えに同期して反射型液晶表示素子を制御することにより、１つの反射型液晶表示素子１０ｄでフルカラーの画像を投射することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月16日(2004.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上における画像表示領域に、画素電極及び該画素電極に接続された第１トランジスタを備えており、
前記基板上における前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に、前記第１トランジスタを駆動するための配線及び該配線に接続された駆動回路の一部を構成する第２トランジスタを備えており、
前記第１トランジスタを構成する第１ゲート絶縁膜は、窒素が導入されていない酸化膜からなり、
前記第２トランジスタを構成する第２ゲート絶縁膜は、窒素が導入された酸窒化膜からなることを特徴とする基板装置。
【請求項２】
前記第２トランジスタは、Ｐチャネル型ＴＦＴ又はＣＭＯＳ（Complementary MOS）型ＴＦＴからなることを特徴とする請求項１に記載の基板装置。
【請求項３】
前記第１トランジスタは、Ｎチャネル型ＴＦＴからなることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板装置。
【請求項４】
前記第１及び第２トランジスタを構成する半導体層は、低温又は高温ポリシリコン若しくはアモルファスシリコンからなることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の基板装置。
【請求項５】
前記第２トランジスタは、ゲート電圧が閾値を超えることでオンオフ動作するスイッチング素子として前記駆動回路内に設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の基板装置。
【請求項６】
基板上の画像表示領域に、画素電極及び該画素電極に接続された第１トランジスタを備えており、
前記基板上における前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に、前記第１トランジスタを駆動するための配線及び該配線に接続された駆動回路の一部を構成する第２トランジスタを備えており、基板装置を製造する基板装置の製造方法であって、
前記基板上に、前記第１トランジスタを構成する第１半導体層及び前記第２トランジスタを構成する第２半導体層を形成する半導体層形成工程と、
前記第１及び第２半導体層に酸窒化膜を形成する酸窒化膜形成工程と、
該形成された酸窒化膜のうち前記第２半導体層上に形成された部分をマスクしつつ該形成された酸窒化膜のうち前記第１半導体層上に形成された部分を選択的に除去する除去工程と、
前記酸窒化膜が除去された第１半導体層上に、前記酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、
前記形成された酸窒化膜及び酸化膜上に夫々、ゲート電極を形成するゲート電極形成工程と
を含むことを特徴とする基板装置の製造方法。
【請求項７】
基板上の画像表示領域に、画素電極及び該画素電極に接続された第１トランジスタを備えており、
前記基板上における前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に、前記第１トランジスタを駆動するための配線及び該配線に接続された駆動回路の一部を構成する第２トランジスタを備えており、基板装置を製造する基板装置の製造方法であって、
前記基板上に、前記第１トランジスタを構成する第１半導体層及び前記第２トランジスタを構成する第２半導体層を形成する半導体層形成工程と、
前記第２半導体層をマスクしつつ前記第１半導体層に窒化膜を選択的に形成する窒化膜形成工程と、
前記窒化膜が形成されていない第２半導体層上に酸窒化膜を選択的に形成する酸窒化膜形成工程と、
前記窒化膜を除去する除去工程と、
前記窒化膜が除去された第１半導体層上に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、
前記形成された酸窒化膜及び酸化膜上に夫々、ゲート電極を形成するゲート電極形成工程と
を含むことを特徴とする基板装置の製造方法。
【請求項８】
基板上の画像表示領域に、画素電極及び該画素電極に接続された第１トランジスタを備えており、
前記基板上における前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に、前記第１トランジスタを駆動するための配線及び該配線に接続された駆動回路の一部を構成する第２トランジスタを備えており、基板装置を製造する基板装置の製造方法であって、
前記基板上に、前記第１トランジスタを構成する第１半導体層及び前記第２トランジスタを構成する第２半導体層を形成する半導体層形成工程と、
前記第１及び第２半導体層に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、
前記第１半導体層上に形成された酸化膜を窒化膜でマスクしつつ前記第２半導体層上に形成された酸化膜に酸窒化膜を選択的に形成する酸窒化膜形成工程と、  前記形成された酸窒化膜及び酸化膜上に夫々、ゲート電極を形成するゲート電極形成工程と
を含むことを特徴とする基板装置の製造方法。
【請求項９】
基板上の画像表示領域に、画素電極及び該画素電極に接続された第１トランジスタを備えており、
前記基板上における前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に、前記第１トランジスタを駆動するための配線及び該配線に接続された駆動回路の一部を構成する第２トランジスタを備えており、基板装置を製造する基板装置の製造方法であって、
前記基板上に、前記第１トランジスタを構成する第１半導体層及び前記第２トランジスタを構成する第２半導体層を形成する半導体層形成工程と、
前記第２半導体層を窒化膜又はレジストでマスクしつつ前記第１半導体層上に酸化膜を選択的に形成する酸化膜形成工程と、
前記窒化膜を除去後に前記第２半導体層上に酸窒化膜を選択的に形成する酸窒化膜形成工程と、
前記形成された酸窒化膜及び酸化膜上に夫々、ゲート電極を形成するゲート電極形成工程と
を含むことを特徴とする基板装置の製造方法。
【請求項１０】
前記酸窒化膜形成工程は、窒素を含む雰囲気で酸化する工程を含むことを特徴とする請求項６から９のいずれか一項に記載の基板装置の製造方法。
【請求項１１】
前記酸窒化膜形成工程は、Ｎ２Ｏ（一酸化二窒素）ガス、ＮＯ（一酸化一窒素）ガス及びＮＨ４（アンモニア）ガスのうち少なくとも一つを含む雰囲気中でアニールする工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載の基板装置の製造方法。
【請求項１２】
前記酸窒化膜形成工程は、縦型あるいは横型拡散炉、プラズマを使用した窒化、ランプアニール、レーザーアニール又はイオン注入のいずれか１つの工程を含むことを特徴とする請求項６から１１のいずれか一項に記載の基板装置の製造方法。
【請求項１３】
前記酸窒化膜形成工程は、酸化膜を形成後に窒素をドープする工程を含むことを特徴とする請求項６から１２のいずれか一項に記載の基板装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１から５のいずれか一項に記載の基板装置を具備してなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月5日(2004.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれの素子供給部から回路基板へ素子を配置するための配置経路を生成する方法において、
素子が配置される配置位置と該素子が取り出される素子供給部とを関連づけるステップと、
少なくとも１つの素子供給部について、該素子供給部に関連づけられた配置位置の所定の近傍範囲に、他の素子供給部に関連づけられた配置位置が存在するかどうかを判定し、存在する場合には、該他の素子供給部を特定する判定ステップと、
判定ステップでの判定結果に基づいて、配置経路を生成するステップと
からなることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、該方法はさらに、
各素子供給部について、他の素子供給部それぞれに関連付けられた配置位置の所定の近傍範囲に存在する当該素子供給部に関連づけられた配置位置の相対頻度を決定するステップと、
決定された相対頻度に基づいて、配置経路を生成するステップと
からなることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法において、該方法はさらに、第１の所定の相対頻度となる２つの素子供給部を特定するステップを備えていることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項３記載の方法において、配置経路は、特定された２つの素子供給部に関連するすべての配置位置が配置経路に沿った連続的位置となるように、生成されることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項３記載の方法において、該方法はさらに、特定された２つの素子供給部の一方との間で第２の所定の相対頻度となる第３の素子供給部を特定するステップを備えていることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項５記載の方法において、配置経路は、特定された３つの素子供給部に関連するすべての配置位置が配置経路に沿った連続的位置となるように、生成されることを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１記載の方法において、配置経路は、少なくとも２つの素子供給部に関連するすべての配置位置が配置経路に沿った連続的位置となるように、生成されることを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１記載の方法において、配置経路は、少なくとも３つの素子供給部に関連するすべての配置位置が配置経路に沿った連続的位置となるように、生成されることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１記載の方法において、判定ステップにおいて、回路基板の所定の部分内に２つの配置位置が存在する場合にのみ、これら配置位置が所定の近傍範囲に存在すると判定することを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月1日(2003.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板のアライメント方法、及び露光方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクに形成されたパターンの像を感光基板上に転写するに際し、所定位置に配置された複数のアライメントセンサを用いて前記感光基板上に形成された複数のアライメントマークを検出することにより当該感光基板のアライメントを行う方法において、
前記アライメントセンサの複数の検出用の光を前記複数のアライメントマークに対して照射し、それぞれの検出範囲内で前記アライメントマークの位置をそれぞれ検出する工程と；前記複数のアライメントマークの一部が前記検出範囲から外れているために当該マークの位置が検出できない場合に、検出された他のアライメントマークの位置に基づき、前記複数のアライメントマークが全て前記検出範囲内に入るような再検出位置を算出する工程と；前記再検出位置から、前記照射を再び行うことによって前記全てのアライメントマークの位置を検出する工程と；前記検出された全てのアライメントマークの位置に基づいて、前記感光基板のアライメントを行う工程とを含むことを特徴とする基板のアライメント方法。
【請求項２】
前記複数のアライメントマークの一部が前記検出範囲から外れているために当該マークの位置が検出できない場合に、検出された他のアライメントマークが前記検出範囲の中央付近で検出されるように前記再検出位置を求めることを特徴とする請求項１に記載の基板のアライメント方法。
【請求項３】
前記検出用の光としてスリット状の光を用い、当該スリット状の光に対して前記アライメントマークとを相対走査することによって発生する回折光又は散乱光に基づいて前記アライメントマークの位置を検出することを特徴とする請求項１，又は２に記載の基板のアライメント方法。
【請求項４】
マスクに形成されたパターンの像を感光基板上に露光するに際し、所定位置に配置された複数のアライメントセンサを用いて前記感光基板上に形成された複数のアライメントマークを検出することにより当該感光基板のアライメントを行った後、露光する露光方法において、
前記アライメントセンサの複数の検出用の光を前記複数のアライメントマークに対して照射し、それぞれの検出範囲内で前記アライメントマークの位置をそれぞれ検出する工程と；前記検出する工程で検出した複数のアライメントマークが前記検出範囲内にあるかどうかを判断し、前記検出範囲内のアライメントマーク位置に基づき、前記複数のアライメントマークが前記検出範囲内に入るように再検出位置を算出する工程と；前記再検出位置から、前記照射を再び行うことによって前記複数のアライメントマークの位置を検出する工程と；前記検出された複数のアライメントマークの位置に基づいて、前記感光基板のアライメントを行う工程とを含むことを特徴とする露光方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月4日(2003.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスク上のパターンを所定形状の照明領域で照明する照明光学系と、前記マスク上のパターンを感光基板上に投影する投影光学系と、前記マスクと前記感光基板とを一体で保持する保持手段と、前記投影光学系を固定する固定部とを有し、前記保持手段を前記投影光学系に対して所定方向に移動させることによって前記マスク上のパターンを前記投影光学系を介して前記感光基板上に投影露光する投影露光装置において、
前記固定部に対して固定され、少なくとも前記保持手段の前記移動のストローク分の長さをもって当該移動の方向に延設された長尺ミラーと；前記長尺ミラーに対する前記マスク及び前記感光基板の位置に基づいて、前記移動の方向と直交する方向における前記マスクと前記感光基板との相対的な位置ずれ量を計測する計測手段とを備えたことを特徴とする投影露光装置。
【請求項２】
前記計測手段は、前記長尺ミラーに対する前記マスク及び前記感光基板の位置に基づいて、前記保持手段の前記移動の方向を軸とする回転方向のずれ量を更に計測することを特徴とする請求項１に記載の投影露光装置。
【請求項３】
前記マスクを前記保持手段に対して保持するマスクステージと、前記感光基板を前記保持手段に対して保持する基板ステージとを更に備えるとともに、
前記計測手段は、計測用の光を射出する手段と；前記マスクステージと前記基板ステージにそれぞれ固定され、前記計測用の光の少なくとも一部を前記長尺ミラーに導くた分岐光学系とを有し、前記長尺ミラーで反射された前記計測用の光を用いて前記マスクと前記感光基板との相対的な位置ずれを計測することを特徴とする請求項１又は２に記載の投影露光装置。
【請求項４】
前記分岐光学系は、前記計測用の光の一部を前記長尺ミラーに導く偏光ビームスプリッタと、当該偏光ビームスプリッタを透過した前記計測用の光を反射する基準ミラーとを備え、
前記計測手段は、前記長尺ミラーからの反射光と前記基準ミラーからの反射光の干渉状態に基づいて前記マスクと前記感光基板との相対的な位置ずれを計測することを特徴とする請求項３に記載の投影露光装置。
【請求項５】
前記分岐光学系は、前記計測用の光を反射して前記長尺ミラーに導く台形ミラーと；前記固定部に対して固定され、前記台形ミラー及び前記長尺ミラーで反射した光が入射する基準ミラーとを備え、
前記計測手段は、前記基準ミラーから前記台形ミラーを介して、前記マスク側と前記感光基板側とから戻る２つの光の干渉状態に基づいて前記マスクと前記感光基板との相対的な位置ずれを計測することを特徴とする請求項３に記載の投影露光装置。
【請求項６】
前記分岐光学系は、前記計測用の光を反射して前記長尺ミラーに導くとともに、当該長尺ミラーからの反射光を反射するペンタプリズムであり、
前記計測手段は、前記ペンタプリズムで反射して、前記マスク側と前記感光基板側とから戻る２つの光の干渉状態に基づいて前記マスクと前記感光基板との相対的な位置ずれを計測することを特徴とする請求項３に記載の投影露光装置。
【請求項７】
マスク上のパターンを所定形状の照明領域で照明する照明光学系と、前記マスク上のパターンを感光基板上に投影する投影光学系と、前記マスクと前記感光基板とを保持する保持手段と、前記投影光学系を固定する固定部とを有し、前記保持手段を前記投影光学系に対して所定方向に移動させることによって前記マスク上のパターンを前記投影光学系を介して前記感光基板上に投影露光する投影露光装置において、
前記固定部に対して固定され、少なくとも前記保持手段の前記移動のストローク分の長さをもって当該移動の方向に延設された長尺ミラーと；計測用の光を射出する手段と前記計測用の光の少なくとも一部を前記長尺ミラーに導く分岐光学系とを備え、前記長尺ミラーに対する前記マスク及び前記感光基板の位置に基づいて、前記移動の方向と直交する方向における前記マスクと前記感光基板との相対的な位置ずれ量を計測する計測手段とを備えたことを特徴とする投影露光装置。
【請求項８】
前記分岐光学系は、前記計測用の光を反射して前記長尺ミラーに導くとともに、当該長尺ミラーからの反射光を反射するペンタプリズムであり、
前記計測手段は、前記ペンタプリズムで反射して、前記マスク側と前記感光基板側とから戻る２つの光の干渉状態に基づいて前記マスクと前記感光基板との相対的な位置ずれを計測することを特徴とする請求項７に記載の投影露光装置。
【請求項９】
前記保持手段は、前記マスクを保持するマスクステージと前記感光基板を保持する基板ステージとを含むことを特徴とする請求項７または８記載の投影露光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月27日(2003.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成された複数のアライメントマークの位置を測定して所定の座標系における該測定された複数のアライメントマークの座標位置のデータを取得し、得られた複数のデータを、該データを補正する少なくとも１つの補正パラメータを含む関数により変換することにより補正された位置座標データを求め、前記補正された複数の座標位置データとそれぞれの設計上の座標位置との偏差のうちの最大の偏差値が略最小となるように前記補正パラメータを決定することを特徴とする基板の位置合わせ誤差補正方法。
【請求項２】
前記補正パラメータを決定するに際して、重み付き最小自乗法により補正パラメータを求め、求めた補正パラメータによって計算した補正座標位置データと前記設計上の座標位置との偏差が最大となるデータの重みを大きくし、再度重み付き最小自乗法を行うことを繰り返すことにより漸近的に前記最大の偏差値を略最小にすることを特徴とする請求項１に記載の基板の位置合わせ誤差補正方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法において、最大偏差の最小値の所定許容幅を設定し、前記重み付き最小自乗法を行って得た補正データと前記設計上の座標位置の最大偏差を求めたたびごとに、そのときの最大偏差と歴代最小の最大偏差とを比較し、そのときの最大偏差が歴代最小の最大偏差に対する前記所定許容幅に入るか、またはそのときの最大偏差が歴代最小の最大偏差より大きくなることが所定回数連続した場合に最大偏差が略最小に達したと判断して補正パラメータを確定することを特徴とする基板の位置合わせ誤差補正方法。
【請求項４】
前記補正方法はマスク上に形成されたパターンを感光基板上に露光転写する半導体または液晶製造用の露光装置における重ね合わせ露光時に適用される方法であり、前記基板は感光基板であり、前記アライメントマークは基板上にすでに露光されているパターンに付随するアライメントマークであることを特徴とする請求項１項乃至３項のいずれかに記載の基板の位置合わせ誤差補正方法。
【請求項５】
前記補正パラメータは基板位置の横ずれ、回転、マスク上のパターンを基板上に投影する際の倍率、または基板上でのパターン配列の直交度の少なくとも一つに関わることを特徴とする請求項４に記載の基板の位置合わせ誤差補正方法。
【請求項６】
マスクを介して感光基板を露光することによりマスクに形成されたパターンを該基板上に転写する半導体または液晶表示デバイス製造用の露光装置であって、
前記感光基板上にすでに露光されているパターンに付随する複数のアライメントマークの装置内の所定の座標系における座標位置を検出して座標位置データを取得する座標位置検出手段と、
得られた複数のデータを、該データを補正する一つまたは複数の補正パラメータを含む関数により変換することにより該座標位置データを補正する手段であって、前記補正された複数の座標位置データとそれぞれの設計上の座標位置との偏差のうちの最大の偏差値を略最小となるように前記補正パラメータを決定する座標位置データ補正手段と、
該決定された補正パラメータを用いて、前記基板にすでに形成されているパターンに対して前記マスクに形成されたパターンを重ね合わせ露光する際の基板位置の補正を行う基板位置制御手段と、
を有することを特徴とする露光装置。
【請求項７】
前記座標位置データ補正手段は前記補正パラメータを決定するに際して、重み付き最小自乗法により補正パラメータを求め、求めた補正パラメータによって計算した補正座標位置データと前記設計上の座標位置との偏差が最大となるデータの重みを大きくし、再度重み付き最小自乗法を行うことを繰り返すことにより漸近的に前記最大偏差を略最小にすることを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記座標位置データ補正手段は前記補正パラメータを決定するに際して、最大偏差の最小値の所定許容幅を設定し、前記重み付き最小自乗法を行って得た補正データと前記設計上の座標位置の最大偏差を求めたたびごとに、そのときの最大偏差と歴代最小の最大偏差とを比較し、そのときの最大偏差が歴代最小の最大偏差に対する前記所定許容幅に入るか、またはそのときの最大偏差が歴代最小の最大偏差より大きくなることが所定回数連続した場合に最大偏差が略最小に達したと判断して補正パラメータを確定することを特徴とする請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
前記補正パラメータは基板位置の横ずれ、回転、マスク上のパターンを基板上に投影する際の倍率、または基板上でのパターン配列の直交度の少なくとの一つに関わることを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
【請求項１０】
露光装置の作動精度に関わる複数の量を調整する方法であって、該複数の量の測定データを取得し、該複数の量を調整する調整パラメータを含む関数により前記取得した複数のデータを変換して複数の補正データを得、該補正データのそれぞれと前記複数の量のそれぞれの理想値との偏差のうちの最大の偏差が略最小となるように前記調整パラメータを決定し、該決定された調整パラメータに基づいて装置の調整を行うことを特徴とする露光装置の調整方法。
【請求項１１】
前記パラメータを決定するに際して、重み付き最小自乗法によりパラメータを求め、求めたパラメータによって計算した前記複数の補正データとその各理想値との偏差が最大となるデータの重みを大きくし、再度重み付き最小自乗法を行うことを繰り返すことにより漸近的に前記最大偏差を略最小にすることを特徴とする請求項１０に記載の露光装置の調整方法。
【請求項１２】
測定により得られメモリに格納された複数の一次元または多次元のデータを、一つまたは複数のパラメータを含む線形または非線形の変換関数により変換した補正データをデジタルプロセッサにより計算することにより、複数の該補正データとそれぞれのデータの理想値との偏差のうち最大のものを略最小にするようにパラメータを求める方法において、前記補正データを求めるにあたって、重み付きの最小自乗法を利用してパラメータを求め、そのパラメータによって得られる補正データのそれぞれの理想値との偏差算出し、該偏差が最大となるデータの重みを大きくして再度重み付き最小自乗法を行うことを繰り返すことによりすべての補正データとそれぞれの理想値との偏差の最大値を略最小とするように前記パラメータを決定することを特徴とするデータ補正方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月15日(2003.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（A）エチレンーメチルメタアクリレート共重合体、９９〜１ｗｔ％と（B）ポリエチレン１〜９９ｗｔ％を含有する樹脂組成物１００重量部（A＋B）に対して、（C）アクリロニトリル−スチレン−アルキル（メタ）アクリレ−ト共重合体の１〜１００重量部、（D）熱分解型発泡剤の１〜３０重量部を配合
したことを特徴とする熱可塑性樹脂組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の詳細な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために発見した組成物の範囲は次の通りである。
（A） エチレンーメチルメタアクリレート共重合体、９９〜１ｗｔ％（好適には９０〜４０ｗｔ％）と（B） ポリエチレン１〜９９ｗｔ％（好適には１０〜６０ｗｔ％）を含有する樹脂組成物１００重量部（A＋B）に対して、（Ｃ）アクリロニトリル−スチレン−アルキル（メタ）アクリレ−ト共重合体の１〜１００重量部（好適には１０〜７０部）、
（Ｄ） 熱分解型発泡剤の１〜３０重量部を配合したことを特徴とする熱可塑性樹脂組成物である。
【００１０】
（３）アクリロニトリル−スチレン−アルキル（メタ）アクリレ−ト系ゴム状共重合体の説明
本発明のアクリロニトリル−スチレン−アルキル（メタ）アクリレ−ト系ゴム状共重合体はアクリロニトリル、スチレン、アルキル（メタ）アクリレ−トを必須成分として含有するゴム状共重合体でアルキル（メタ）アクリレ−トとしてはブチルアクリレ−ト、２エチルヘキシルアクリレ−ト、メチルメタクリレ−ト、エチルアクリレ−ト、エチルメタクリレ−ト、メチルアクリレ−ト、アクリル酸ペンチル、アクリル酸ヘキシルなどがあり少なくとも１種類以上のアルキル（メタ）アクリレ−トを用いたものである。
【００１１】
また、二官能性アクリレ−ト類、二官能性メタクリレ−ト類、三官能性アクリレ−ト類、三官能性メタクリレ−ト類、およびジビニルベンゼンなどにより部分的に架橋させたものでもよい。このようなアクリロニトリル−スチレン−アルキル（メタ）アクリレ−ト系ゴム状共重合体は公知であり、３０℃より高い温度でラジカル乳化重合により製造し得る。たとえば、特開平６−３２２０３７に記載された方法で得ることができ、市販されているグッドイヤ−社製の商品名サニガムなどがこれに相当する。
【００１５】
2001011258.tif 000001
【００１８】
表３、その１（比較例の樹脂組成物に関する。単位は重量部である）
１． エチレン−メチルメタアクリレ−ト共重合体 （＊下記注記を参照）
２． エチレン−メチルメタアクリレ−ト共重合体 （＊下記注記を参照）
３． エチレン−メチルメタアクリレ−ト共重合体 （＊下記注記を参照）
４． ポリエチレン（軟質）
５． ポリエチレン（硬質）
６． アクリロニトリル−スチレン−アルキル（メタ）アクリレ−ト共重合体
７．ホスファイト系抗酸化剤
８．フェノール系抗酸化剤
９．滑剤
１０．熱分解型発泡剤
１１．顔料
（＊注記）エチレン（ＥＴ）ーメチルメタアクリレート（ＭＭＡ）共重合体（１、２、３）の中では、１＜２＜３の順にＭＭＡの含有量が多い。実施例におけるＥＴーＭＭＡ共重合体(1)は前記の１と同じである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2001011258.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月22日(2003.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によるこのようなウレタン形成性の反応混合物としては、例えば塩素化ＰＰ変性アクリルポリオール樹脂とＨＭＤＩとの混合物をあげることができる。ＨＭＤＩはウレタン形成反応の速度が遅いのでこの塗装用組成物に適している。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月8日(2003.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）導電性粒子および／またはその前駆体；
（Ｂ）水溶性樹脂；ならびに
（Ｃ）水で希釈可能なグリコール類および／またはグリセリン
を含み、水を実質的に含まないか、水の含有量が（Ｃ）と水の合計量に対して３５重量％以下であることを特徴とする積層コンデンサ用電極ペースト組成物。
【請求項２】
（Ｂ）が、ヒドロキシアルキルセルロースである、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
（Ｂ）が、２−ヒドロキシプロピルセルロースである、請求項２記載の組成物。
【請求項４】
さらに（Ｄ）糖類を含む、請求項１〜３のいずれか１項記載の組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項記載の電極ペースト組成物を用いて内部電極を形成した積層コンデンサ。
【請求項６】
（１）水を溶媒として含む誘電体ペーストを、基材に印刷または塗布する工程；
（２）誘電体ペーストを乾燥して、誘電体層を形成する工程；
（３）請求項１〜４のいずれか１項記載の電極ペースト組成物を、誘電体層の表面に印刷する工程；
（４）電極ペースト組成物を乾燥して、内部電極を形成する工程；
（５）工程（１）〜（４）を反復して、積層体を形成する工程、ただし、反復中の（１）においては、内部電極の表面、また内部電極を形成しない部位では下地の誘電体層の表面に印刷または塗布する；および
（６）積層体を焼成する工程
をその順に含むことを特徴とする積層コンデンサの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
すなわち、本発明１の積層コンデンサ用電極ペースト組成物は、
（Ａ）導電性粒子および／またはその前駆体；
（Ｂ）水溶性樹脂；ならびに
（Ｃ）水で希釈可能なグリコール類および／またはグリセリン
を含み、水を実質的に含まないか、水の含有量が（Ｃ）と水の合計量に対して３５重量％以下であることを特徴とする。また、本発明２は、（Ｂ）がヒドロキシアルキルセルロースである本発明１の組成物であり、本発明３は、（Ｂ）が２−ヒドロキシプロピルセルロースである本発明２の組成物であり、本発明４は、さらに（Ｄ）糖類を含む本発明１〜３の組成物である。本発明５の積層コンデンサは、本発明１〜４のいずれかの積層コンデンサ用電極ペースト組成物を用いて内部電極を形成した積層コンデンサである。さらに、本発明６の積層コンデンサの製造方法は、
（１）水を溶媒として含む誘電体ペーストを、基材に印刷または塗布する工程；
（２）誘電体ペーストを乾燥して、誘電体層を形成する工程；
（３）本発明１〜４のいずれかの電極ペースト組成物を、誘電体層の表面に印刷する工程；
（４）電極ペースト組成物を乾燥して、内部電極を形成する工程；
（５）工程（１）〜（４）を反復して、積層体を形成する工程、ただし、反復中の（１）においては、内部電極の表面、また内部電極を形成しない部位では下地の誘電体層の表面に印刷または塗布する；および
（６）積層体を焼成する工程
をその順に含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月4日(2003.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
米国特許第５，２４０，８２１号（Ｔｅｘｔｅｒ等）は、現像主薬前駆体の固体粒子分散体、及びこのような分散体を含有する写真要素を開示している。米国特許第５，２７４，１０９号（Ｔｅｘｔｅｒ）は、微細沈殿メチンオキソノールフィルター色素分散体を開示している。これらの分散体は、微細沈殿処理に使用される酸の理論量に十分な注意を払って調製される。
米国特許第５，３６０，６９５号（Ｔｅｘｔｅｒ）は、固体粒子熱溶剤分散体、及びそれらを含有する水性現像性色素拡散移動要素を開示している。米国特許出願第０７／９５６，１４０号（Ｔｅｘｔｅｒ）（現在は「米国特許第５，４０１，６２３号」）は、カプラー溶剤で湿潤したナノ粒子状微結晶カプラー分散体を開示している。米国特許出願第０８／１２５，９９０号（Ｔｅｘｔｅｒ）（出願日：１９９３年９月２３日）（現在は「米国特許第５，５１２，４１４号」）は、カラー拡散移動要素用固体粒子カプラー分散体を開示している。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
本発明のスラリー及びコロイド分散体は、水中油形乳化後の相転化により得ることができる。有効ｐＫａ１＞１を有する水への溶解度が低い第一化学物質の粒状固相は、まずこの第一化学物質を、このような乳剤を調製する音波、直接、洗浄又は蒸発法のいずれかを用いて、水中油形乳剤に分散することにより得ることができる。このような方法は当該技術分野において周知であり、米国特許第３，６７６，１２号、第３，７７３，３０２号、第４，４１０，６２４号及び第５，２２３，３８５号（これらにおいて分散性物質及び分散方法について教示されている全ての内容は、引用することにより本明細書の開示の一部とされる）。このような本発明の第一化学物質の水中油形乳剤を得た後、この第一化学物質の物理的状態を、公知の可能な転化方法のいずれかにより固体状物理的状態に転化する。これらの方法には、温度を低下して液体状物理的状態を固体状物理的状態に転化する方法、過剰の有機溶剤を除去して溶解限界が前記第一化学物質の前記有機溶剤中における溶解限界を超える結果として、分子溶液（液体）物理的状態を固体状物理的状態に転化する方法、及び米国特許出願第０７／９５６，１４０号（１９９２年１０月５日出願）（現在は、米国特許第５，４０１，６２３号）（分散方法及び相転化について教示されている内容は、全て引用することにより本明細書の開示の一部とされる）に記載されているような熱的及び化学的アニーリング法などがある。