【手続補正書】
【提出日】平成24年5月10日(2012.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カンチレバーおよび探針（tip）が窒化ケイ素または炭化ケイ素の連続した単一層から形成されている、該探針を備える該カンチレバーと、
該カンチレバーに付着したピエゾ抵抗器であって、該ピエゾ抵抗器がケイ素とホウ素含有ドーパントとを含み、該ドーパントが、立方センチメートル当たり少なくとも0.5×1020原子の濃度を有する、該ピエゾ抵抗器と
を含む、装置。
【請求項２】
前記ピエゾ抵抗器が、単結晶ケイ素を含む、請求項1記載の装置。
【請求項３】
前記ピエゾ抵抗器が、多結晶ケイ素を含む、請求項1記載の装置。
【請求項４】
前記カンチレバー上に配置された少なくとも一つのひずみゲージをさらに備える、請求項1記載の装置。
【請求項５】
前記カンチレバーが、第一表面、第二表面、第一ひずみゲージ、および第二ひずみゲージを備え、該第一表面および該第二表面が対向し、該第一ひずみゲージが該第一表面上に配置され、かつ該第二ひずみゲージが該第二表面上に配置される、請求項1記載の装置。
【請求項６】
前記カンチレバーが前記装置におけるカンチレバーのアレイの一部である、請求項1記載の装置。
【請求項７】
前記アレイがカンチレバーの一次元アレイである、請求項6記載の装置。
【請求項８】
前記アレイがカンチレバーの二次元アレイである、請求項6記載の装置。
【請求項９】
前記探針が顕微鏡探針である、請求項1記載の装置。
【請求項１０】
前記探針が原子間顕微鏡探針である、請求項1記載の装置。
【請求項１１】
前記探針が走査型顕微鏡探針である、請求項1記載の装置。
【請求項１２】
前記探針がナノスコープ探針である、請求項1記載の装置。
【請求項１３】
少なくとも一つの金属コンタクト（metal contact）をさらに含み、該少なくとも一つの金属コンタクトがCr、Pt、およびAuのうち一つまたは複数を含む、請求項1記載の装置。
【請求項１４】
前記カンチレバーの長さ、幅、および厚さのうち最大のものが約1000μm未満である、請求項1記載の装置。
【請求項１５】
（i）ホウ素含有ドーパントが立方センチメートル当たり少なくとも0.5×1020原子の濃度を有するように、該ドーパントでケイ素鋳型ウェハーの少なくとも一部をドープすることによって、該ケイ素鋳型ウェハー中にピエゾ抵抗器を形成する段階；
（ii）カンチレバーおよび探針の両方が窒化ケイ素または炭化ケイ素の連続した単一層から形成されるように、窒化ケイ素または炭化ケイ素の該連続した単一層を該ケイ素鋳型ウェハーの少なくとも一部分上に蒸着させることによって製造された、該探針を備える該カンチレバーを形成する段階；
（iii）該ピエゾ抵抗器および該カンチレバーを形成した後、該鋳型ウェハーをアニーリングすることによって該カンチレバーに該ピエゾ抵抗器を付着させる段階；ならびに
（iv）該カンチレバーおよび該付着したピエゾ抵抗器を、残りの該鋳型ウェハーから分離する段階
を含む、方法。
【請求項１６】
前記カンチレバー上に少なくとも一つの金属コンタクトを形成する段階をさらに含み、該少なくとも一つの金属コンタクトが少なくとも一つのピエゾ抵抗器と接触する、請求項15記載の方法。
【請求項１７】
前記少なくとも一つの金属コンタクトが、クロム、白金、および金からなる群より選択される少なくとも一つの物質を含む、請求項16記載の方法。
【請求項１８】
前記ドープすることが、イオン注入またはイオン拡散を用いて遂行される、請求項15記載の方法。
【請求項１９】
前記鋳型ウェハーが、単結晶ケイ素を含む、請求項15記載の方法。
【請求項２０】
前記鋳型ウェハーが、多結晶ケイ素を含む、請求項18記載の方法。
【請求項２１】
前記ピエゾ抵抗器が、単結晶ケイ素を含む、請求項19記載の方法。
【請求項２２】
前記ピエゾ抵抗器が、多結晶ケイ素を含む、請求項15記載の方法。
【請求項２３】
前記カンチレバーが、窒化ケイ素を蒸着させることによって形成される、請求項15記載の方法。
【請求項２４】
前記カンチレバーが、炭化ケイ素を蒸着させることによって形成される、請求項15記載の方法。
【請求項２５】
前記鋳型ウェハーのアニーリングが、アルゴン雰囲気下、約1000℃で遂行される、請求項15記載の方法。
【請求項２６】
前記鋳型ウェハーのアニーリングが、約3時間に渡って遂行される、請求項15記載の方法。
【請求項２７】
前記鋳型ウェハーのアニーリング後の少なくとも一つのピエゾ抵抗器が、約0.1μm〜約0.8μmの厚さを有する、請求項15記載の方法。
【請求項２８】
前記鋳型ウェハーのアニーリング後の少なくとも一つのピエゾ抵抗器が、約0.4μmの厚さを有する、請求項15記載の方法。
【請求項２９】
前記鋳型ウェハー上に少なくとも一つの酸化物層を形成する段階をさらに含む、請求項15記載の方法。
【請求項３０】
カンチレバーおよび探針が窒化ケイ素または炭化ケイ素の連続した単一層から形成されている、該探針を備える該カンチレバーと、
該カンチレバーに付着したピエゾ抵抗器であって、該ピエゾ抵抗器がケイ素とホウ素含有ドーパントとを含み、該ドーパントが、立方センチメートル当たり少なくとも0.5×1020原子の濃度を有する、該ピエゾ抵抗器と
を含む装置を提供する段階；ならびに
該ピエゾ抵抗器を用いて該探針のたわみを測定する段階
を含む、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
少なくとも一つの態様の少なくとも一つの利点として、温度変化に対する回復力の増大が挙げられる。
[本発明1001]
少なくとも一つのピエゾ抵抗器を備える少なくとも一つのカンチレバーを備え、
該少なくとも一つのカンチレバーが、窒化ケイ素または炭化ケイ素を含み、
該少なくとも一つのピエゾ抵抗器が、該少なくとも一つのカンチレバー上に配置され、かつ
該少なくとも一つのピエゾ抵抗器が、ケイ素および少なくとも一つのドーパントを含み、該少なくとも一つのドーパントが、立方センチメートル当たり少なくとも0.5×1020原子の濃度で存在する、
装置。
[本発明1002]
前記少なくとも一つのカンチレバーが、窒化ケイ素を含む、本発明1001の装置。
[本発明1003]
前記少なくとも一つのドーパントが、n型ドーパントを含む、本発明1001の装置。
[本発明1004]
前記少なくとも一つのドーパントが、ホウ素を含む、本発明1001の装置。
[本発明1005]
前記少なくとも一つのピエゾ抵抗器が、単結晶ケイ素を含む、本発明1001の装置。
[本発明1006]
前記少なくとも一つのピエゾ抵抗器が、多結晶ケイ素を含む、本発明1001の装置。
[本発明1007]
前記少なくとも一つのカンチレバー上に配置された少なくとも一つのひずみゲージをさらに備える、本発明1001の装置。
[本発明1008]
前記少なくとも一つのカンチレバーが、第一表面、第二表面、少なくとも一つの第一ひずみゲージ、および少なくとも一つの第二ひずみゲージを備え、該第一表面および該第二表面が対向し、該少なくとも一つの第一ひずみゲージが該第一表面上に配置され、かつ該少なくとも一つの第二ひずみゲージが該第二表面上に配置される、本発明1001の装置。
[本発明1009]
前記少なくとも一つのカンチレバーがアレイを含む、本発明1001の装置。
[本発明1010]
前記少なくとも一つのカンチレバーがアレイを含み、該アレイが一次元である、本発明1001の装置。
[本発明1011]
前記少なくとも一つのカンチレバーがアレイを含み、該アレイが二次元である、本発明1001の装置。
[本発明1012]
本発明1001の少なくとも一つのカンチレバーを備える、熱駆動プローブ。
[本発明1013]
少なくとも一つの探針（tip）をさらに備える、本発明1001の装置。
[本発明1014]
少なくとも一つの顕微鏡探針をさらに備える、本発明1001の装置。
[本発明1015]
少なくとも一つの原子間顕微鏡探針をさらに備える、本発明1001の装置。
[本発明1016]
少なくとも一つの走査型顕微鏡探針をさらに備える、本発明1001の装置。
[本発明1017]
少なくとも一つのナノスコープ探針をさらに備える、本発明1001の装置。
[本発明1018]
前記少なくとも一つのカンチレバーが、探針および該探針から離れた位置を含み、該探針の第一の温度が、該探針から離れた該位置の第二の温度よりも実質的に高い、本発明1001の装置。
[本発明1019]
少なくとも一つの金属コンタクト（metal contact）をさらに含み、該少なくとも一つの金属コンタクトがCr、Pt、Auのうち一つまたは複数を含む、本発明1001の装置。
[本発明1020]
前記少なくとも一つのカンチレバーが、長さ、幅、および厚さを有し、該長さ、該幅、および該厚さのうち最大のものが約1000μm未満である、本発明1001の装置。
[本発明1021]
（i）ハンドルウェハー中に少なくとも一つのピエゾ抵抗器を形成する段階；
（ii）該ハンドルウェハー上に配置される少なくとも一つのカンチレバーを形成する段階；
（iii）該少なくとも一つのピエゾ抵抗器を該少なくとも一つのカンチレバーに接触させるのに十分な時間に渡って、該ハンドルウェハーをアニーリングする段階；ならびに
（iv）該少なくとも一つのカンチレバーと該少なくとも一つのピエゾ抵抗器が接触したままになるように、該ハンドルウェハーの少なくとも一部を分離する段階
を含む、方法。
[本発明1022]
前記少なくとも一つのカンチレバー上に配置される少なくとも一つの探針を形成する段階をさらに含む、本発明1021の方法。
[本発明1023]
前記少なくとも一つのカンチレバー上に少なくとも一つの金属コンタクトを形成する段階をさらに含み、該少なくとも一つの金属コンタクトが該少なくとも一つのピエゾ抵抗器と接触する、本発明1021の方法。
[本発明1024]
前記少なくとも一つのカンチレバー上で少なくとも一つの金属コンタクトを形成する段階をさらに含み、該少なくとも一つの金属コンタクトが該少なくとも一つのピエゾ抵抗器と接触し、さらに該少なくとも一つの金属コンタクトが、クロム、白金、または金のうち一つまたは複数を含む、本発明1021の方法。
[本発明1025]
前記少なくとも一つのピエゾ抵抗器を形成する段階が、イオン注入またはイオン拡散を含む、本発明1021の方法。
[本発明1026]
前記ハンドルウェハーが、単結晶ケイ素を含む、本発明1021の方法。
[本発明1027]
前記ハンドルウェハーが、多結晶ケイ素を含む、本発明1021の方法。
[本発明1028]
前記少なくとも一つのピエゾ抵抗器が、単結晶ケイ素を含む、本発明1021の方法。
[本発明1029]
前記少なくとも一つのピエゾ抵抗器が、多結晶ケイ素を含む、本発明1021の方法。
[本発明1030]
前記少なくとも一つのピエゾ抵抗器が、ホウ素を含む、本発明1021の方法。
[本発明1031]
前記少なくとも一つのピエゾ抵抗器が、少なくとも約0.5×1020原子/cm3のホウ素を含む、本発明1021の方法。
[本発明1032]
前記カンチレバーが、窒化ケイ素を含む、本発明1021の方法。
[本発明1033]
前記カンチレバーが、炭化ケイ素を含む、本発明1021の方法。
[本発明1034]
前記ハンドルウェハーをアニーリングする段階が、アルゴン雰囲気下、約1000℃で遂行される、本発明1021の方法。
[本発明1035]
前記ハンドルウェハーをアニーリングする段階が、約3時間に渡って遂行される、本発明1021の方法。
[本発明1036]
前記ハンドルウェハーをアニーリングする段階後の前記少なくとも一つのピエゾ抵抗器が、約0.1μm〜約0.8μmの厚さを有する、本発明1021の方法。
[本発明1037]
前記ハンドルウェハーをアニーリングする段階後の前記少なくとも一つのピエゾ抵抗器が、約0.4μmの厚さを有する、本発明1021の方法。
[本発明1038]
前記ハンドルウェハー上に配置される少なくとも一つの酸化物層を形成する段階をさらに含む、本発明1021の方法。
[本発明1039]
前記ハンドルウェハー上に配置される少なくとも一つの酸化物層を形成する段階をさらに含み、該ハンドルウェハーが、n型ドーパントでドープされた（doped）多結晶ケイ素を含む、本発明1021の方法。
[本発明1040]
前記ハンドルウェハー上に配置される少なくとも一つの酸化物層を形成する段階をさらに含み、該ハンドルウェハーがホウ素でドープされた多結晶ケイ素を含む、本発明1021の方法。
[本発明1041]
少なくとも一つのピエゾ抵抗器の少なくとも一つの抵抗を測定する段階、
該少なくとも一つの抵抗の最大抵抗または最小抵抗を決定する段階、
該最大抵抗または最小抵抗に対応する特定の位置を決定する段階、
探針たわみを算出する段階
を含み、
該少なくとも一つのピエゾ抵抗器が少なくとも一つのカンチレバー上に配置され、該少なくとも一つのカンチレバーが、長さ、幅、および厚さを有し、かつ該長さ、該幅、および該厚さのうち最大のものが約1000μm未満である、方法。
[本発明1042]
前記少なくとも一つのピエゾ抵抗器が、本発明1001の装置の一部である、本発明1041の方法。
[本発明1043]
前記少なくとも一つのピエゾ抵抗器が、ケイ素および少なくとも一つのドーパントを含む、本発明1041の方法。
[本発明1044]
前記少なくとも一つのピエゾ抵抗器が、ケイ素およびホウ素を含む、本発明1041の方法。
[本発明1045]
前記探針たわみが、前記特定の位置を使用して算出される、本発明1041の方法。
[本発明1046]
前記探針たわみが、前記最大抵抗または最小抵抗を使用して算出される、本発明1041の方法。
[本発明1047]
前記探針たわみが、前記少なくとも一つの抵抗を使用して算出される、本発明1041の方法。
[本発明1048]
力を算出する段階をさらに含む、本発明1041の方法。
[本発明1049]
少なくとも一つのひずみゲージの少なくとも一つの抵抗を測定する段階、
該少なくとも一つの抵抗の最大抵抗または最小抵抗を決定する段階、
該最大抵抗または最小抵抗に対応する特定の位置を決定する段階、
探針たわみを算出する段階
を含み、
該少なくとも一つのひずみゲージが少なくとも一つのカンチレバー上に配置され、該少なくとも一つのカンチレバーが、長さ、幅、および厚さを有し、かつ該長さ、該幅、および該厚さのうち最大のものが約1000μm未満である、方法。
[本発明1050]
前記少なくとも一つのひずみゲージが、本発明1001の装置の一部である、本発明1049の方法。
[本発明1051]
前記少なくとも一つのひずみゲージが、クロム、ニッケル-クロム合金、銅-ニッケル合金、白金、または白金-タングステン合金のうち一つまたは複数を含む、本発明1049の方法。
[本発明1052]
前記探針たわみが、前記特定の位置を使用して算出される、本発明1049の方法。
[本発明1053]
前記探針たわみが、前記最大抵抗または最小抵抗を使用して算出される、本発明1049の方法。
[本発明1054]
前記探針たわみが、前記少なくとも一つの抵抗を使用して算出される、本発明1049の方法。
[本発明1055]
力を算出する段階をさらに含む、本発明1049の方法。