【手続補正書】
【提出日】平成26年6月27日(2014.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
質量分析計においてサンプル材料のイオンを発生させるためのイオン源の少なくとも一つの表面をクリーニングする方法であって、
前記イオン源の前記少なくとも一つの表面にＵＶ光を当てることで、汚染物材料を前記少なくとも一つの表面から剥離させる段階を含む、方法。
【請求項２】
前記イオン源の前記少なくとも一つの表面が前記イオン源の電極の表面を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記イオン源が、前記サンプル材料に光を発射することによりサンプル材料をイオン化するためのレーザー装置を含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記イオン源の前記少なくとも一つの表面上に当てられる前記ＵＶ光が、サンプル材料をイオン化するためのレーザー装置によって発せられる光の第１の波長とほぼ等しいかそれより短い第２の波長のものである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記イオン源の前記少なくとも一つの表面上に当てられる前記ＵＶ光が、サンプル材料をイオン化するために前記サンプル材料に光を発射することによりレーザー装置によって発生する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記イオン源の前記少なくとも一つの表面上にＵＶ光を当てる前記操作が、反射性表面を介して前記イオン源の少なくとも一つの表面上に前記ＵＶ光を反射する操作を含み、
場合によって、前記イオン源の前記少なくとも一つの表面上にＵＶ光を当てる前記操作が、ＵＶ光の光路に前記反射性表面を移動させることで、前記反射性表面に前記ＵＶ光を反射させる操作を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記反射性表面が凹面である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記方法が、前記反射性表面を移動させて、前記イオン源の前記少なくとも一つの表面全体にわたりＵＶ光源からのＵＶ光を走査させる操作を含む、請求項６〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記反射性表面が、前記イオン源によってイオン化されるべきサンプル材料を保持するためのサンプル保持手段上に設けられている、請求項６〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記方法が、前記反射性表面を用いて、前記イオン源の前記少なくとも一つの表面上に存在する汚染物材料の量を肉眼で評価する操作を含む、請求項６〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記方法が、前記ＵＶ光を集光させて、前記ＵＶ光が前記イオン源の前記少なくとも一つの表面で所定のエネルギー密度を有するようにする操作を含む、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記イオン源の前記少なくとも一つの表面上にＵＶ光のパルスを当てる操作；及び
ＵＶ光の前記パルスを集光させて、各ＵＶ光のパルスが、前記イオン源の前記少なくとも一つの表面で１μＪ／ｍｍ２以上、１０μＪ／ｍｍ２以上、１００μＪ／ｍｍ２以上、２００μＪ／ｍｍ２以上、４００μＪ／ｍｍ２以上又は５００μＪ／ｍｍ２以上；及び／又は２０００μＪ／ｍｍ２以下、１０００μＪ／ｍｍ２以下、８００μＪ／ｍｍ２以下又は６００μＪ／ｍｍ２以下であるエネルギー密度を有するようにする操作
を含む、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法であって、
場合によって、前記方法が、
第１の焦点と第２の焦点の間に前記ＵＶ光の焦点を調節する操作；及び
前記イオン源の第１の表面上に前記第１の焦点を有するＵＶ光を当て、前記イオン源の前記第２の表面上に前記第２の焦点を有するＵＶ光を当てる操作
を含み、
場合によって、各凹面反射性表面が異なる曲面を有する少なくとも二つの凹面反射性表面を用いて、前記イオン源の前記少なくとも一つの表面上にＵＶ光を当てることで、前記ＵＶ光の焦点を調節し、
場合によって、ＵＶ光の光路におけるレンズの位置を調節することで前記ＵＶ光の焦点を調節する、
前記方法。
【請求項１３】
イオン源が、サンプル材料に光を発射することによりサンプル材料をイオン化するためのレーザー装置を有する、質量分析計において前記サンプル材料のイオンを発生させるための前記イオン源の少なくとも一つの表面のクリーニング方法であって、
前記イオン源の少なくとも一つの表面上に前記サンプル材料をイオン化するためのレーザー装置によって発生させた光を当てることで、前記少なくとも一つの表面から汚染物材料を剥離させる操作を含む、方法。
【請求項１４】
イオン源が、サンプル材料に第１の波長の光を発射することにより前記サンプル材料をイオン化するためのレーザー装置を有する、質量分析計においてサンプル材料のイオンを発生させるための前記イオン源の少なくとも一つの表面をクリーニングする方法であって、
前記イオン源の少なくとも一つの表面上に第２の波長の光を当てることで前記少なくとも一つの表面から汚染物材料を剥離させる操作を含み、前記第２の波長は前記第１の波長とほぼ等しいかそれより短い波長である、方法。
【請求項１５】
質量分析計においてサンプル材料のイオンを発生させるイオン源の少なくとも一つの表面のクリーニング方法であって、
（ａ）前記イオン源の前記少なくとも一つの表面上に光を当てることで、前記光が前記イオン源の前記少なくとも一つの表面上の汚染物材料に直接エネルギーを結合し、前記表面から汚染物材料を剥離させる操作、
（ｂ）前記イオン源の少なくとも一つの表面上に光を当てることで、前記少なくとも一つの表面の加熱が実質的に無いように、前記少なくとも一つの表面から汚染物材料を剥離させる操作、及び
（ｃ）前記イオン源の少なくとも一つの表面上に光を当てて前記少なくとも一つの表面から汚染物材料を剥離させる操作であって、前記イオン源の少なくとも一つの表面上に当てられる前記光は前記汚染物材料が吸収性である波長を有する、操作
の少なくとも１つを含む、
前記方法。
【請求項１６】
前記イオン源がＭＡＬＤＩイオン源である、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法であって、
場合によって、前記イオン源の前記少なくとも一つの表面が前記イオン源の第１の電極の表面を含み、
場合によって、前記イオン源がＴＯＦ質量分析計に含まれる、
前記方法。
【請求項１７】
質量分析計においてイオンを発生させるイオン源であって、
前記イオン源の少なくとも一つの表面上にＵＶ光を当てて、前記少なくとも一つの表面から汚染物材料を剥離させる手段を有し、
場合によって、前記サンプル材料に光を発射することによりサンプル材料をイオン化するためのレーザー装置を含み、及び
ＵＶ光を当てる手段は、前記イオン源の少なくとも一つの表面上に前記レーザー装置によって発生したＵＶ光を当てて、前記少なくとも一つの表面から汚染物材料を剥離させる手段である、
前記イオン源。
【請求項１８】
質量分析計においてサンプル材料のイオンを発生させるイオン源であって、
前記サンプル材料に光を発射することによりサンプル材料をイオン化するためのレーザー装置；及び
前記イオン源の少なくとも一つの表面上に前記サンプル材料をイオン化するためのレーザー装置によって発生した光を当てて、前記少なくとも一つの表面から汚染物材料を剥離させる手段
を有する、
前記イオン源。
【請求項１９】
質量分析計においてイオンを発生させるイオン源であって、
前記サンプル材料に第１の波長の光を発射することによりサンプル材料をイオン化するためのレーザー装置；及び
前記イオン源の少なくとも一つの表面上に第２の波長の光を当てて、前記少なくとも一つの表面から汚染物材料を剥離させる手段であって、前記第２の波長は前記第１の波長とほぼ等しいかそれより短い波長である、手段
を含む、前記イオン源。
【請求項２０】
質量分析計においてイオンを発生させるイオン源であって、
（ａ）前記イオン源の前記少なくとも一つの表面上に光を当てて、前記光が前記イオン源の少なくとも一つの表面上の汚染物材料に直接エネルギーを結合し、前記表面から汚染物材料を剥離させるための光ディレクタ、
（ｂ）前記イオン源の少なくとも一つの表面上に光を当てて、前記少なくとも一つの表面の加熱が実質的にないように、前記少なくとも一つの表面から汚染物材料を剥離させるための光ディレクタ、及び
（ｃ）前記イオン源の前記少なくとも一つの表面上に光を当てて、前記少なくとも一つの表面から汚染物材料を剥離させるための光ディレクタであって、前記イオン源の少なくとも一つの表面上に当てられた前記光は前記汚染物材料が吸収性である波長を有する、光ディレクタ
の少なくとも１つを有する、
前記イオン源。