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　平成　７年特許願第２１６９３１号「書込みヘッド及びその形成方法並びに磁気媒体ドライブ」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　４月　２日出願公開、特開平　８−　８７７１７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　平成　７年　８月２５日
（優先権主張　米国　　　　　　　１９９４年　８月２５日）
　拒絶理由通知　　　　　　　　　平成１１年　６月　９日
　意見書・手続補正書　　　　　　平成１１年１２月１４日
　拒絶査定　　　　　　　　　　　平成１３年　５月１６日
　審判請求　　　　　　　　　　　平成１３年　８月２０日
　
２　本願発明
　本件の特許請求の範囲請求項１〜３９に係る発明は、平成１１年１２月１４日の手続補正書の特許請求の範囲請求項１〜３９に記載されたとおりのものであり、そのうち請求項２４のものは次のものである。
「【請求項２４】
　低プロファイル書込みヘッドを形成する方法であって、
　ヘッド表面とゼロ・スロート・ハイトとの間の極先端領域と、前記ゼロ・スロート・ハイトと後方ギャップとの間の本体領域とを有する第１の極ピースを形成する工程と、
　前記本体領域内の前記第１の極ピース上に、第１の絶縁層を、その先端が前記ゼロ・スロート・ハイトから前記後方ギャップに向けて少なくとも３μｍ離れて配置されるように形成する工程と、
　前記本体領域内の前記第１の絶縁層上に、別の絶縁層を、その先端が前記ゼロ・スロート・ハイトに配置され、前記ゼロ・スロート・ハイトを規定するように形成する工程と、
　第２の極ピースのフレア・ポイントを前記ゼロ・スロート・ハイトから３μｍ以上離れて形成する工程と、
　を含む、方法。（以下、本願発明という。）」
　
３　引用例
　拒絶の理由に引用された、本件優先権主張日以前に公知の刊行物特開平３−３０１０６号公報（以下、引用例という。）には次の記載がある。
　
ａ　特許請求の範囲に、
「１．基板上に下部磁性体、ギヤツプ材を形成し、その上に二層以上の導体コイルを有機樹脂からなる層間絶縁層で磁性体と絶縁分離するように形成し上部磁性膜，保護膜を形成した薄膜磁気へツドにおいて、
　第一層目と第二層目の導体コイル間の層間絶縁膜パターンで、ギヤツプ深さ零の位置を決め、さらに、その上に形成する層間絶縁膜パターン形状は、ギヤツプ深さ零の位置より５μｍ以上小さいことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
　２．前記ギヤツプ材の上に形成する最下部の前記第一層目の層間絶縁膜パターン形状は、前記第一層目と前記第二層目の前記導体コイル間の前記層間絶縁膜パターンの形状よりも３μｍ以上小さい形状で形成されてい（る）ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気へッド。」、
　
ｂ　第２頁左上欄第４行〜右上欄第５行に、従来の問題点として、
「〔発明が解決しようとする課題〕
　上記従来技術は、基板上に薄膜磁気へツド素子を作製後のギヤツプ深さ加工と磁気特性との点について考慮されておらず、第１図の構造の薄膜磁気へツドは、第一層絶縁膜でギヤツプ探さゼロの位置を決めるので、第一層絶縁膜は素子段差の小さい状態で形成されるので高いパターン精度が得られるのでギヤツプ深さ加工において高い精度が得られる。しかし、層間絶縁膜端部のテーパ部の絶縁膜の重ね部に段差が発生するので、上部磁性膜も段差を生じ、良好な磁気特性が得られない。特に、この段差の影響は、上部磁性膜をスパツタリング法等のドライプロセスで形成する際には段差部周辺で磁性膜のカバレージが大きく異なるので、その影響が大きく問題があった。また、特開昭６２−４２３１１号公報の構造は、層間絶縁膜のテーパ部はなだらかであり、磁気特性に関し配慮されている。しかし、最上層絶縁層を形成する際にギヤツプ深さ零の位置を決める構造であるので、最上層形成時は、素子段差が非常に高くなり、高いパターン精度が得られず、ギヤツプ深さ加工におけるギヤツブ深さの高精度化に問題があった。」、
　
ｃ　第２頁右上欄第１３行〜右下欄第７行に、
「〔作用）
　第２図は、ヘッド先端の磁界強度と層間絶縁膜テーパ部の絶縁膜重ね部に生じる段差位置との関係を示す。ヘッド先端のギヤツプ深さ零の位置と段差部の距離が大きくなるほどヘッド先端から出力される磁界強度は大きくなり、特に、先端部に段差部があれば、磁界強度に及ぼす影響は大きい。ギヤツプ深さ零の位置の先端部から５μｍまでの距離には段差部、すなわち、絶縁膜の重ね部が無いようにすれば、良好な磁気特性を得ることができることがわかった。層間絶縁膜テーパ部の先端５μｍまでに段差部を形成しないためには、第３図の従来例でも第二層絶縁膜の先端の形成位置を５μｍ以上にすればよい。しかし、第二層絶縁膜をずらした場合は、第一絶縁膜の先端が飛び出した形状になり、第一絶縁膜の厚さが従来の１〜３μｍ程度の厚さでは、上，下部間の磁束のもれが大きく、第一層絶縁膜の厚さを厚くする必要がある。このため、全体の素子高さが高くなるので、上部磁性膜のトラツク幅加工等のプロセスに悪影響を与ぼすので好ましくない。そこで、第一層目の導体コイルと第二層目の導体コイル間の層間絶縁膜（第二層絶縁膜）でギヤツプ深さゼロの位置を決め、それより上に形成する絶縁膜パターンの先端位置を、第二層絶縁膜の先端位置の後方に５μｍ以上離した位置に形成すれば、上下部磁性体間の磁束のもれがなく、良好な磁気特性が得られる。また、第二層絶縁膜は第一層絶縁膜及び第一層目の導体コイル上に形成されるが素子段差は、１０μｍ以下であり、素子段差が１０μｍ以下であれば、絶縁膜のパターン精度に及ぼす影響は少なく、高いパターン精度が得られるので、ギヤツプ深さ零の位置が高精度に決められるので、ギヤツプ深さ加工において、ギヤツプ深さ寸法精度の高い薄膜磁気へッドが得られる。」、
　
ｄ　第２頁右下欄第８行〜第３頁右上欄第７行に、
「〔実施例〕　以下、本発明を実施例に基づいて説明する。第１図は本発明の実施例の二層１９ターンコイル型薄膜磁気へツドの断面図である。ＺｒＯ２板の表面にＡｌ２Ｏ３を形成した基板１上に下部磁性体２、Ａｌ２Ｏ３からなるギヤツプ材３を形成し、その上に第一絶縁膜４を形成した。導体コイルと磁性体間の層間絶縁膜となる絶縁膜はフエノールノボラツク系樹脂からなるフオトレジストを用い、ホトリソ技術を用いて、所定形状にパターニングしたのち、２５０〜２８０℃に熱硬化して形成した。ギヤツプ深さ零の位置で決める絶縁膜先端の角度は磁性体間、及び、外部への磁束のもれ等の関係から、３０〜５０°（℃は誤記）にする必要がある。しかし、第一絶縁膜４の先端と、ギヤツプ深さ零の位置を決める第二絶縁膜６の先端の距離が近いと第二絶縁膜６の先端のテーパ角が大きくなる。そこで、実験により確認したところ第二絶縁膜６の先端のテーパ角を５０°以下にするには、第一絶縁膜と第二絶縁膜の先端間の距離を３μｍ以上はなせばよいことがわかったので、本実施例では５μｍとした。第一絶縁膜４の上にフレームめつき法で第一層目導体コイル５を形成し、その上に第二絶縁膜６を第一絶縁体と同様なホトリソ技術を用いてパターン形状に加工した後、熱硬化して形成した。第二絶縁膜６の先端でギヤツプ深さ零の位置を決定した。素子段差は、磁性体２．５μｍ、第一絶縁膜１．５μｍ、導体コイル高さ３．５μｍとしたので７．５μｍ である。第二絶縁膜６上に第二層導体コイル７、を形成しその上に第三絶縁膜８を形成した。第二絶縁膜６先端と第三絶縁膜８先端間の距離は８μｍである。第三絶縁膜８上に上部磁性体９、保護膜１０を形成し、薄膜磁気へツドが形成される。上部，下部磁性体はパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）を使用し、スパツタリング法で形成した。本発明の実施例の薄膜磁気へツドの素子のギヤツプ深さ零の位置の位置精度を、第二絶縁膜６のホトリソ技術に用いたマスクと比較した結果、基板面内で±０．２μｍであり、非常に高い位置精度が得られた。」。
　
ｅ　引用例は薄膜磁気ヘッドに関するものであるが、それを形成する方法も記載されていると認められる。
　第１図では、極を形成する下部磁性体２と上部磁性体９は図面右側で接触していないが、コイルを用いた磁気ヘッドの機能から見て、磁気的な結合がされているものであると認められ、これを後方結合と呼ぶ。
　即ち、引用例には、
「二層１９ターンコイル型薄膜磁気へツドを形成する方法であって、
　基板上１の、ヘッド先端とのギヤツプ深さ零との間及びギヤツプ深さ零と後方結合との間に下部磁性体２を形成する工程と、
　下部磁性体２の上にギヤツプ材３を形成し、その上に第一絶縁膜４を、第一絶縁膜４と第二絶縁膜６の先端間の距離を３μｍ以上はなして形成する工程と、
　第一絶縁膜４の上にフレームめつき法で第一層目導体コイル５を形成
する工程と、
　その上に、第二絶縁膜６の先端でギヤツプ深さ零の位置を決定するように、第二絶縁膜６を形成する工程と、
　第二絶縁膜６上に第二層導体コイル７を形成し、その上に第三絶縁膜８を形成する工程と、
　第三絶縁膜８上に上部磁性体９を形成する工程とを
有する方法」が示されている。
　
４　本願発明と引用例との対比・判断
（１）対応関係
　引用例において、上記ｃ記載の「全体の素子高さが高くなるので、上部磁性膜のトラツク幅加工等のプロセスに悪影響を与ぼすので好ましくない。」という問題意識を見ると、断面の高さが低い磁気ヘッドを目的としているといえるので、引用例の「薄膜磁気へツド」は、本願発明の「低プロファイル書込みヘッド」に相当する。
　引用例の「ヘッド先端」、「ギヤツプ深さ零」、「後方結合」は、本願発明の「ヘッド表面」、「ゼロ・スロート・ハイト」、「後方ギャップ」に夫々相当する。そして、引用例においても、本願発明と同様に、「極先端領域（ポール先端領域）」、「本体領域」を有するものと認められる。
　引用例の「下部磁性体２」、「第一絶縁膜４」、「第二絶縁膜６」、「上部磁性体９」は、夫々本願発明の「第１の極ピース」、「第１の絶縁層」、「別の絶縁層」、「第２の極ピース」に相当する。
　
（２）一致点
　そして、本願発明の実施例では、コイル層が一層であり、別の絶縁層上に第２の極ピースが形成されているが、引用例ではコイル層が二層であり、第二層導体コイル層７上の第三絶縁膜８上に上部磁性体９を形成しているが、本願発明の請求項２４での記載ではコイル層は何ら限定されていないこと、及び第三絶縁膜８も第二絶縁膜上ではあるが、第一絶縁膜とは別のものであると認められる。してみると、本願発明と引用例のものとは、次の点で一致する。
「低プロファイル書込みヘッドを形成する方法であって、
　ヘッド表面とゼロ・スロート・ハイトとの間の極先端領域と、前記ゼロ・スロート・ハイトと後方ギャップとの間の本体領域とを有する第１の極ピースを形成する工程と、
　前記本体領域内の前記第１の極ピース上に、第１の絶縁層を、その先端が前記ゼロ・スロート・ハイトから前記後方ギャップに向けて少なくとも３μｍ離れて配置されるように形成する工程と、
　前記本体領域内の前記第１の絶縁層上に、別の絶縁層を、その先端が前記ゼロ・スロート・ハイトに配置され、前記ゼロ・スロート・ハイトを規定するように形成する工程と、
　を含む、方法」
　
（３）相違点
　本願発明は「第２の極ピースのフレア・ポイントを前記ゼロ・スロート・ハイトから３μｍ以上離れて形成する工程」を有しているが、引用例では、上部磁性体ついてのフレア・ポイントは明示されていない点で、相違している。
　
（４）相違点の検討
ａ　本願発明の構成が、請求人の主張する効果を奏する構成ではないことを述べる。
　本件出願の発明の詳細な説明【０００８】には、「反射問題に対する解決策は、フレア・ポイントを更にゼロ・スロート・ハイトから後方ギャップ側に移動することである。フレア・ポイントが十分後方に遠ざけられると反射光は極先端領域に達しない。光は単にゼロ・スロート・ハイトの背後の極ピース領域の狭い部分に反射されるが、ここでは第２の極先端に実質的な障害を与えることなく、ノッチが生成される。しかしながら、フレア・ポイントを後方に移動すると、この狭い部分の長さが伸び、磁束がそれを通じて第２の極ピースの大きな部分から第２の極先端に至らなければならず、狭い部分から磁束のリークが発生し、ヘッドの性能を低下させることになる。」と記載され、【００１５】には、「【課題を解決するための手段】　本発明は、通常のフォトレジスト・パターニング・プロセスにより、第２の極ピースと、狭いトラック幅を有する高分解能の第２の極先端とを同時に形成する。これは主に、ゼロ・スロート・ハイトを規定するために、第１の絶縁層以外の絶縁層の１つを使用することにより達成される。本発明の好適な実施例では、第２の絶縁層の先端がゼロ・スロート・ハイトに配置され、これを規定する。この構成によれば、第１の絶縁層の適切な位置決めが、ヘッドの品質に多大に貢献することが判明した。第１の絶縁層は、その傾斜部分がフォトリソグラフィ・プロセスの間に光を極先端領域に反射しないように、後方ギャップに向けて移動される。第１の絶縁層の先端をゼロ・スロート・ハイトから約５μｍ離すことにより、この目的は達成される。第２に、第１の絶縁層が従来の第１の絶縁層よりも相当に薄く形成される。本発明によれば、第１の絶縁層は従来の厚さより約１．８μｍ乃至０．５μｍ薄くなる。この低減は、ヘッドの本体部分の高さの低減に多大に貢献する。第３の絶縁層は、第２の極先端のパターニングに影響しないように、ヘッドの後方に維持される。」と記載されている。これらの記載から、本願発明において、第１の絶縁層以外の絶縁層が、ゼロ・スロート・ハイトを規定することにより、第１の絶縁層を後方に形成することができ、積層された絶縁層全体を従来より薄くし、そして、前方の傾斜を小さくすることができると理解できる。それゆえ、その絶縁膜上に形成される、フォトリソグラフィー技術で用いられるフォトレジストを薄くすることができ、結果として第２の極ピースのフレア・ポイントを前方に設けることができるとしている。
　しかしながら、本願発明の構成を見ると、「第１の絶縁層を、その先端が前記ゼロ・スロート・ハイトから前記後方ギャップに向けて少なくとも３μｍ離れて配置される」こと、「第２の極ピースのフレア・ポイントを前記ゼロ・スロート・ハイトから３μｍ以上離れて形成する」ことが記載され、この記載は、フレア・ポイントが３μｍ以上離れていればいいのであって、例えば１０μｍでも本願発明に含まれるものである。そうすると、この構成は、フレア・ポイントをゼロ・スロート・ハイト付近に最適にする効果を奏する構成とはなっていない。
　
ｂ　次に周知技術について検討する。
　
　１）　周知例として、本件優先権主張日前に公知である刊行物特開昭５５−８４０１９号公報（以下、周知例１という。）を示す。
　第３頁左下欄第５行〜右下欄第３行に、
「ゼロ・スロート点Ｘは、空気支承面ＡＢＳが更に点Ｙに向かって伸びた場合、磁極先端領域Ｐの厚さが増加し始める点である。変化点Ｙは磁気層１４、１５の厚さが増加し且つ磁気層が角度φ拡がり始めると共に、そこで飽和が起る点である。
　飽和が始まる時の磁極先端の誘導レベルは、角度φが約３０°乃至６０°に保たれていれば、角度φの大きさに実質的に影響されないことが実際の試験によって判った。更に、ゼロ・スロート点Ｘは出来るだけＡＢＳに近づけるべきであることも判った。一般的に、変化点Ｙを第２図で見て右へ移すと、絶縁層１１、１２の外側の縁に勾配がある為、製造上の困難がある。他方、変化点Ｙを第２図で見て左へ移すと、厚くて幅の広く後側領域Ｂの合計断面積がそれに応じて減少するので、変換器の効率並びに記録能力が低下する。　好ましいものとして、第２図に示す様に、磁気層１４、１５の厚さがＡＢＳと変化点Ｙの間で略一定であることに注意されたい。」
と記載され、フレア・ポイントをゼロ・スロート・ハイトより後方に形成する技術は周知であると認められる。
　
　２）　周知例として、本件優先権主張日前に公知である刊行物特開平２−３０２９１６号公報（以下、周知例２という。）を示す。
　特許請求の範囲に、
「１．ギャップ深さを規定する突起を設けた下部磁気コア上に、信号コイル、絶縁層、上部磁気コアなどを形成し、上部磁気コアと下部磁気コアとをリア部で接続すると共にフロント部でギャップスペーサ材を介して接合して作動ギャップを形成してなり、前記上部磁気コア幅がフロント側のギャップ形成部からリア側に行くに従って漸次広がる形状とした薄膜磁気ヘッドにおいて、前記上部磁気コアの広がり開始位置が、前記下部磁気コアの突起によって規定されるギャップ深さ零位置と、前記上部磁気コアのフロント側における高さ方向の傾斜立上がり位置との間にあることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。」
が記載されており、フレア・ポイントをゼロ・スロート・ハイトより後方に形成する技術は周知であると認められる。
　
ｃ　引用例について検討する。
　引用例において、「第一絶縁膜４の先端と、ギヤツプ深さ零の位置を決める第二絶縁膜６の先端の距離が近いと第二絶縁膜６の先端のテーパ角が大きくなる。そこで、実験により確認したところ第二絶縁膜６の先端のテーパ角を５０°以下にするには、第一絶縁膜と第二絶縁膜の先端間の距離を３μｍ以上はなせばよいことがわかったので、本実施例では５μｍとした。」、「第二絶縁膜６上に第二層導体コイル７、を形成しその上に第三絶縁膜８を形成した。第二絶縁膜６先端と第三絶縁膜８先端間の距離は８μｍである。第三絶縁膜８上に上部磁性体９、保護膜１０を形成し、薄膜磁気へツドが形成される」と記載されている。第三絶縁膜６の先端はゼロ・スロート・ハイトより３μｍ後方に形成されている。これは上部磁性膜のフレア・ポイントを直接示すものではないが、この絶縁膜上に形成される上部磁性膜の形状と密接な関連があることは明白であり、上記周知例１，２に示されるフレア・ポイントをゼロ・スロート・ハイトより後方に形成する技術を、引用例１に適応することに何ら阻害要件があるとは認められない。
　
ｄ　してみると、この相違点は格別のものではない。
　
（５）容易性
　本願発明は、引用例及び周知例１，２記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
　なお、第１の絶縁層を、その先端が前記ゼロ・スロート・ハイトから前記後方ギャップに向けて少なくとも５μｍ離れて配置されるものにおいて、「第２の極ピースのフレア・ポイントを前記ゼロ・スロート・ハイトから３μｍ以上離れて形成」するものは、出願当初の特許請求の範囲及び発明の詳細な説明に記載されているが、請求項１，請求項２４における「第１の絶縁層を、その先端が前記ゼロ・スロート・ハイトから前記後方ギャップに向けて少なくとも３μｍ離れて配置される」ことと「第２の極ピースのフレア・ポイントを前記ゼロ・スロート・ハイトから３μｍ以上離れて形成」することを合わせて構成とすることは、記載がない。
　
５　まとめ
　本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであるので、他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本件は拒絶を免れ得ない。
　よって、結論のとおり審決する。