【事件の表示】
　平成　８年特許願第２７４７２１号「光磁気記録媒体」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　５月１５日出願公開、特開平１０−１２４９４５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成８年１０月１７日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１３年１２月３日付け及び平成１５年５月９日付けの手続補正で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。なお、（ｂ’）、（ｃ’）、（ｄ’）、（ｅ’）、（ｆ’）の記号は、後記対比の便宜上、当審が付したものである。
　【請求項１】「磁気ヘッドを用いた磁界変調記録方式によって情報が記録される書き換え型光磁気記録媒体であって、
　（ｂ’）レーザ光を透過する基板の一方の面に少なくとも、（ｃ’）上記基板を透過したレーザ光を通すことができ、かつ層に平行な方向の面内磁化を有する磁気シールド層と、（ｄ’）層に垂直な方向の垂直磁化を有し、この垂直磁化の向きによって情報を記録する記録層とが（ｅ’）この順に積層され、
　（ｆ’）上記磁気シールド層と記録層との間に、両側の層の間の交換結合を無くすための第１中間層が挟まれていることを特徴とする光磁気記録媒体。」
　
ＩＩ．引用例
　これに対し、原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前の刊行物である、特開平１−１０７３４４号公報（以下、「引用例」という。）には、次のように記載されている。なお、下線は、当審が付したものである。
　引用例には、図面とともに、
　（i）「１．
基板上に、該基板に対し垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性薄膜を配置した光磁気記録媒体において、上記基板に対し平行な方向に磁化容易軸を有する第２の磁性薄膜を、上記磁性薄膜に対し、該磁性薄膜に磁場を印加するための手段が配置される側と反対の側に隣接して配置したことを特徴とする光磁気記録媒体。
　（ii）「２．基板に対し垂直な方向に磁化容易軸を有する上記磁性薄膜は、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｎｄ、Ｄｙ、Ｈｏ及びＰｒからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素、Ｆｅ及びＣｏからなる合金である特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体。」（特許請求の範囲請求項２参照）、
　（iii）「３．上記第２の磁性薄膜は、基板に対し垂直な方向に磁化容易軸を有する上記磁性薄膜の材料に窒素を加えた混合物又は金属窒化物である特許請求の範囲第２項記載の光磁気記録媒体。」（特許請求の範囲請求項３参照）、
　（iv）「光磁気記録媒体の記録材料としては希土類元素・遷移金属元素、とくに希土類元素・鉄族元素を主体とする合金が用いられているが、大気中の酸素や水に対して活性で、容易に酸化物や水酸化物を形成する。そのためディスクの磁気特性の低下、さらには記録・再生特性の低下を引き起こす。この問題を改良するため、記録用合金薄膜の一方又は両方の面を非磁性の保護膜で覆う方法や、記録用合金薄膜の一方又は両方の面に窒素を混入する方法などが用いられている（特開昭６１−１８８７６０号公報）。」（第２頁右上欄２〜１１行参照）こと、
　（v）「（発明が解決しようとする問題点）　上記従来技術は、保護膜の存在によりその分だけ磁界発生コイルを記録膜から遠ざけるため、記録膜の感度が減少したのと同じこととなり、それに伴いコイルから発生する磁界の強さを増す等の必要が生じることについて配慮がされておらず、コイルから発生する熱の増大やコイルのサイズの増大などの問題点があった。　
本発明の目的は、感度を向上させ
　（vi）「通常、
基板に垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性薄膜（以下第１の磁性薄膜という）
第２の磁性薄膜は、第１の磁性薄膜と基板との間に設ける
　（vii）「
第１の磁性薄膜と第２の磁性薄膜とは密着していることが好ましいが、その間に例えば保護膜などの薄層があっても差し支えない。
　（viii）「
非磁性の保護膜の厚みは、３０Å以上であり
　（ix）「［作用］　本発明の光磁気記録媒体の一例の概念図を第６図に示す。
基板１
第２の磁性薄膜１３
第１の磁性薄膜２
磁気ヘッド１８
それとは反対側の基板側よりレーザー光１５をレンズ１６で絞って照射
基板１と第１の磁性薄膜２の間に第２の磁性薄膜１３が存在すると点線に示すような磁気回路１７を構成する。そのため、磁気ヘツドから磁性薄膜に印加される磁場の強さが同じであっても印加される磁場の強さが実効上増す。
　（x）「このようにして作成した光磁気ディスクを用い
磁界変調記録方式により記録を行なった
　
　これらの記載からみて、引用例には、以下の発明が記載されていると認められる。
　「磁気ヘッド１８を用いて磁界変調記録方式により記録を行なう光磁気記録媒体であって、
　（ｂ”）基板１上に、（ｄ”）該基板１に対し垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性薄膜（第１の磁性薄膜２）を配置し、（ｃ”）上記基板１に対し平行な方向に磁化容易軸を有する第２の磁性薄膜１３を、（ｅ”）上記磁性薄膜（第１の磁性薄膜２）に対し、該磁性薄膜（第１の磁性薄膜２）に磁場を印加するための手段が配置されている側と反対の側に隣接して配置し、
　（ｆ”）第１の磁性薄膜２と第２の磁性薄膜１３の間に保護膜などの薄層があること、を特徴とする光磁気記録媒体。」（以下、「引用例発明」という。）
　
ＩＩＩ．対比、判断
　そこで、本願発明と引用例発明とを対比する。
　（ａ）引用例発明の「磁気ヘッド１８を用いて磁界変調記録方式により記録を行なう光磁気記録媒体」は、書き換え型であることは周知であるから、本願発明の「磁気ヘッドを用いた磁界変調記録方式によって情報が記録される書き換え型光磁気記録媒体」に相当する。
　
　（ｂ）引用例発明の（ｂ”）「基板１」は、基板側よりレーザ光を照射して記録することから、基板１がレーザー光を透過することが明らかであり、本願発明の（ｂ’）「レーザ光を透過する基板」に相当する。
　
　（ｃ）引用例発明の（ｃ”）「上記基板１に対し平行な方向に磁化容易軸を有する第２の磁性薄膜１３」は、
　（イ）記録層に光が届くようにするためには磁性薄膜１３をレーザー光が透過する必要があるが故に磁性薄膜１３がレーザー光を透過することが明らかであるから、そして、
　（ロ）平行な方向に磁化容易軸を有することは層に平行な方向の面内磁化に他ならないから、更に、
　（ハ）第２の磁性薄膜１３を設けることによって、図６中の点線で示すような磁気回路１７が構成され、磁場の強さが実効上増すとの作用（上記摘示（ix）参照）を奏することに鑑みれば、本願発明でいうところの磁気シールド層の作用効果と同じ作用効果が奏されていると認められ、第２の磁性薄膜１３は磁気シールド層そのものと言って過言ではないから、
　本願発明の（ｃ’）「上記基板を透過したレーザ光を通すことができ、かつ層に平行な方向の面内磁化を有する磁気シールド層」に相当する。
　
　（ｄ）引用例発明の（ｄ”）「該基板１に対し垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性薄膜（第１の磁性薄膜２）」は、垂直磁化の向きによって情報を記録するための層と認められるから、本願発明の（ｄ’）「層に垂直な方向の垂直磁化を有し、この垂直磁化の向きによって情報を記録する記録層」に相当する。
　
　（ｅ）引用例発明の（ｂ”）「基板上１に、」（ｄ”）「・・・磁性薄膜（第１の磁性薄膜２）を配置し」、（ｃ”）「・・・第２の磁性薄膜１３を」、（ｅ”）「上記磁性薄膜（第１の磁性薄膜２）に対し、該磁性薄膜（第１の磁性薄膜２）に磁場を印加するための手段が配置されている側と反対の側に隣接して配置」することによる各膜（即ち各層）の積層順は、磁場を印加するための手段（即ち磁気ヘッド１８）の位置する側とは反対側の基板側よりレーザー光１５照射する態様が示されている（摘示（vi）、（ix）、図６参照）ことからみて、基板と第２の磁性薄膜と第１の磁性薄膜と磁場を印加する手段（即ち磁気ヘッド１８）がこの順に積層されていることになるから、本願発明の（ｂ’）「・・・基板の一方の面に少なくとも、」（ｃ’）「・・・磁気シールド層と、」（ｄ’）「・・・記録層とが」（ｅ’）「この順に積層されている」との各層の積層順に相当する。
　
　（ｆ）引用例発明の（ｆ”）「第１の磁性薄膜２と第２の磁性薄膜１３の間に保護膜などの薄層がある」ことは、本願発明の（ｆ’）「上記磁気シールド層と記録層との間に、・・・第１中間層が挟まれている」ことに対応する。
　なるほど、審判請求理由において審判請求人が主張するように、「保護膜」は保護する膜であって、「両側の層の間の交換結合を無くするための」ものであることは明示されていない。
　しかしながら、本願発明を検討するに、第１中間層の材質や層厚について本願明細書には具体的説明が見あたらないところ、ただ実施形態として「第１中間層としてＡｌＮを２ｎｍ」で設けたことが示されている（本願明細書段落【００２７】，【００２９】、【００３１】、【００３３】など参照）。そして、審判請求理由の平成１５年５月９日付け手続補正書第６〜７頁に「非磁性中間層を設けると、磁気シールド層と記録層とが分離されて交換結合しない」と説明されている。　
　してみると、第１中間層としては２ｎｍ程度以上の非磁性層を設ければ、本願発明に言うところの「両側の層の間の交換結合を無くする」との作用を奏するに足りるものと解するのが相当である。
　一方、引用例発明の保護膜について更に検討すると、「非磁性の保護膜の厚みは、３０Å以上」であること、及び「保護膜の厚みが３０Å未満では酸素や水の透過を十分防止することが困難であり」と記載（摘示（viii）参照）されていて、保護膜を設ける場合には少なくとも３０Å即ち３ｎｍ以上とすべきことが示唆されている。この非磁性の保護膜の厚みは、前記で検討した本願発明の第１中間層である非磁性中間層の厚み２ｎｍよりも厚いことからみて、本願発明に言う「磁気シールド層と記録層とが分離されて交換結合しない」状態となるものというしかない。
　なお、引用例発明に用いられる保護層が本願発明の第１中間層と同じ役割をも果たし得ると解される以上、第１中間層の有無による作用効果の程度について検討するまでもない。ちなみに、意見書並びに審判請求理由に示された「中間層（厚さ１０ｎｍのＧｄ層）ありという条件下で」測定されているデータは、本願明細書に記載されたＧｄ層が磁気シールド層であることに鑑みれば、本願明細書に準拠するものであると断定できるものではないから、そもそも参考にすべき理由はない。
　よって、引用例発明の（ｆ”）「第１の磁性薄膜２と第２の磁性薄膜１３の間に保護膜などの薄層がある」ことは、「両側の層の間の交換結合を無くするための」ものであることの明示の有無にかかわらず、本願発明の（ｆ’）「上記磁気シールド層と記録層との間に、両側の層の間の交換結合を無くすための第１中間層が挟まれている」ことと実質的に同じであるというべきである。
　
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例発明と同一であると認められる。
　
ＩＶ．むすび
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。