Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月17日(2014.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ラクタムのアニオン重合により得られるポリアミド成形品であって、
潜熱アキュムレータ材料から形成されたカプセルコアとカプセル壁としてのポリマーとを有するマイクロカプセルを含み、
該マイクロカプセルのカプセルコアは、−２０〜１２０℃の温度範囲に固体／液体相転移を有する親油性物質であり、
前記マイクロカプセルは、
前記モノマー、フリーラジカル開始剤、保護コロイド及びカプセル化されるべき前記親油性物質を含む水中油型エマルジョンを製造し、及び
前記モノマーを加熱して重合を開始させ、及び
任意に該重合の反応を制御するためにさらに昇温することにより得られ、
前記水中油型エマルジョンが無機保護コロイドによって安定化されていることを特徴とするポリアミド成形品。
【請求項２】
前記ラクタムが、カプロラクタム、ピペリドン、ピロリドン、ラウロラクタム及びこれらの混合物から選択される請求項１に記載のポリアミド成形品。
【請求項３】
前記重合反応を、活性剤の存在下で行う請求項１に記載のポリアミド成形品。
【請求項４】
前記重合反応を、触媒の存在下で行う請求項１〜３の何れか１項に記載のポリアミド成形品。
【請求項５】
光散乱による体積平均［Ｄ４，３］として決定される前記マイクロカプセルの平均粒径が１．５〜１５μｍである請求項１〜４の何れか１項に記載のポリアミド成形品。
【請求項６】
前記マイクロカプセルのカプセル壁のポリマーが、モノマーの合計質量に対して、
３０〜１００質量％の、アクリル及び／又はメタクリル酸のＣ１−Ｃ２４−アルキルエステル、アクリル酸、メタクリル酸、及びマレイン酸を含む群からの１種以上のモノマー（モノマーＩ）、
０〜７０質量％の、水に不溶性であるか、あるいは僅かに溶解する（ここで、僅かに溶解するとは２０℃で６０ｇ／ｌ未満の溶解性を意味する）１種以上の２官能性又は多官能性モノマー（モノマーＩＩ）であって、少なくとも２個の非共役エチレン性二重結合を有する化合物である２官能性又は多官能性モノマー、及び
０〜４０質量％の、１種以上の他のモノマー（モノマーＩＩＩ）から構成される請求項１〜５の何れか１項に記載のポリアミド成形品。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか１項に記載のポリアミド成形品であって、該ポリアミド成形品に対してそれぞれ３０〜５０質量％のポリアミド、１０〜５０質量％のマイクロカプセル、及び０〜５０質量％の充填剤を含むポリアミド成形品。
【請求項８】
活性剤、ラクタム、マイクロカプセル、任意に触媒、及び任意に充填剤を含む混合物中での重合反応を開始させるために昇温する工程を含む請求項３に記載のポリアミド成形品の製造方法。
【請求項９】
自動車構造において、バッテリーハウジングとして、小型電子機器用ハウジングとして、及び食品用保温システムのために請求項１〜７の何れか１項に記載のポリアミド成形品を使用する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月13日(2014.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面及び反対側の第２の面を有する硬化剤層であって、
スクリム、
前記スクリムを少なくとも部分的に封入するバインダー層、及び
前記バインダー層中に分散される潜在的硬化剤、を含む、硬化剤層と、
前記硬化剤層の前記第１の面上に配置される第１のエポキシ層と、
前記硬化剤層の前記第２の面上に配置される第２のエポキシ層と、を含む、テープ。
【請求項２】
前記スクリムが、布地、繊維、布、メッシュ網、又は不織布材料を含み、任意選択で前記スクリムが導電性であり、任意選択で前記バインダー層が高分子量ポリブチレンを含む、請求項１に記載のテープ。
【請求項３】
前記第１のエポキシ層及び前記第２のエポキシ層の少なくとも１つが、固体エポキシ樹脂及び室温において液体エポキシ樹脂を含む、請求項１に記載のテープ。
【請求項４】
エポキシテープの製造方法であって、
スクリムを含むバインダー層中にエポキシ樹脂用の潜在的硬化剤を分散する工程であって、前記バインダー層が２つの表裏となる面を有する、工程と、
前記バインダー層を乾燥させる工程と、
エポキシ樹脂を前記バインダー層の各前記表裏となる面に積層する工程と、を含む、製造方法。
【請求項５】
電子デバイスでのエポキシテープの使用方法であって、
エポキシテープを第１の電子的構成要素に積層して積層体を形成する工程と、
第２の電子的構成要素を前記積層体に適用して組立品を形成する工程と、
前記組立品を加熱して前記エポキシテープを硬化させる工程と、を含み、
前記エポキシテープが、第１の面及び反対側の第２の面を有する硬化剤層と、前記硬化剤層の前記第１の面上に配置される第１のエポキシ層と、前記硬化剤層の前記第２の面上に配置される第２のエポキシ層と、を含み、
前記硬化剤層が、スクリムと、前記スクリムを少なくとも部分的に封入するバインダー層と、前記バインダー層中に分散される潜在的硬化剤と、を含む、使用方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月31日(2014.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータによって実行される、ディレクトリ・メタデータをローカルにキャッシュする方法であって、
ディレクトリ・メタデータに対する第１の要求をアプリケーションから受け取るステップと、
前記第１の要求を受け取ったことに応答して、前記ディレクトリ・メタデータに対する第２の要求をサーバに送信するステップであって、前記第２の要求が、
前記ディレクトリ・メタデータを含むディレクトリへのハンドルの要求と、
ディレクトリ・メタデータをローカルにキャッシュするためのリースの要求であって、前記サーバが当該リースを失効するまでディレクトリ・メタデータのローカルなキャッシュを可能にするリースの要求と、
要求されたメタデータを含む第１のディレクトリに関連付けられる、生成された鍵と、
前記第１のディレクトリが含まれる第２のディレクトリに関連付けられる、生成されたディレクトリ鍵と
を含む、前記第２の要求をサーバに送信するステップと、
第１の応答を前記サーバから受け取るステップであって、前記第１の応答が、前記ディレクトリ・メタデータと前記リースに対する前記要求の承認の指示とを含む、ステップと、
前記ディレクトリ・メタデータをローカルのキャッシュに格納するステップと、
前記ディレクトリ・メタデータを前記アプリケーションに提供するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記ディレクトリ・メタデータに対する第３の要求を第２のアプリケーションから受け取るステップと、
前記第３の要求を受け取ったことに応答して、前記ディレクトリ・メタデータを前記ローカルのキャッシュから提供するステップと
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２のディレクトリ内に格納されたファイルを修正するための第３の要求を第２のアプリケーションから受け取るステップと、
前記第３の要求を受け取ったことに応答して、
前記ファイルに関連付けられたファイル鍵を生成するステップと、
前記第３の要求からのデータと、前記ファイルに関連付けられた前記ファイル鍵と、前記生成されたディレクトリ鍵とを含む、第４の要求を前記サーバに送信するステップと、
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記サーバから、前記リースの失効の通知を受け取るステップと、
前記失効の通知を受け取ったことに応答して、
前記失効の通知の受け取りの受理を送信するステップと、
前記ディレクトリ・メタデータを前記ローカルのキャッシュから除去するステップと
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の方法をコンピュータに実行させるプログラム。
【請求項６】
ディレクトリ・メタデータをローカルにキャッシュできるように構成されたコンピュータ・システムであって、
少なくとも１つのプロセッサと、
前記少なくとも１つのプロセッサにより実行されると、
ディレクトリ・メタデータに対する第１の要求を第１のクライアントから受け取るステップであって、前記第１の要求が、
前記ディレクトリ・メタデータを含むディレクトリへのハンドルの要求と、
ディレクトリ・メタデータをローカルにキャッシュするためのリースの要求であって、サーバが当該リースを失効するまでディレクトリ・メタデータのローカルなキャッシュを可能にするリースの要求と、
要求されたメタデータを含む第１のディレクトリに関連付けられる、生成された鍵と、
前記第１のディレクトリが含まれる第２のディレクトリに関連付けられる、生成されたディレクトリ鍵と
を含む、前記第１の要求を受け取るステップと、
第１の応答を前記第１のクライアントに送信するステップであって、前記第１の応答が、前記ディレクトリ・メタデータと前記リースに対する前記要求の承認の指示とを含む、ステップと
を含む方法を実施する実行可能命令を格納したコンピュータ読取可能記憶媒体と、
を備える、コンピュータ・システム。
【請求項７】
前記方法が、
第２の要求を受け取るステップと、
前記第２の要求を第２のクライアントから受け取ったかどうかを判定するステップであって、前記第２の要求が前記ディレクトリ・メタデータを修正する、ステップと、
を更に含む、請求項６に記載のコンピュータ・システム。
【請求項８】
前記判定するステップが、
前記第２の要求からのディレクトリ鍵を、予め格納されたディレクトリ鍵と比較するステップ
を含む、請求項７に記載のコンピュータ・システム。
【請求項９】
前記方法が、
前記第２の要求からの前記ディレクトリ鍵が予め受け取ったディレクトリ鍵と同一でないと判定したことに応答して、前記リースを失効する失効通知を前記第１のクライアントに送信するステップ
を更に含む、請求項８に記載のコンピュータ・システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月25日(2014.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線周波数通信信号を発生させるための手段と、
前記無線周波数通信信号を使用しながらの通信中に低周波数変調ＲＦ混乱場（コンフュージョン・フィールド）を発生させて、前記無線周波数通信信号と前記低周波数変調ＲＦ混乱場の重ね合わせを生成させるように構成された手段であって、前記重ね合わせのエンベロープが周期的である当該手段とを備え、
前記無線周波数通信信号のおかげでユーザに対するバイオ効果の影響が低減されることを特徴とするパーソナル通信デバイス。
【請求項２】
前記混乱場は、時間的に変動する振幅、周波数（周期）、位相、波形、及び空間内方向特性のうちの少なくとも１つを有するように構成されることを特徴とする、請求項１に記載のパーソナル通信デバイス。
【請求項３】
前記時間的に変動する特性は、少なくとも疑似ランダムを含むランダム方式で変化するように構成されることを特徴とする、請求項２に記載のパーソナル通信デバイス。
【請求項４】
前記混乱場は、周波数、負荷サイクル、位相、及び周期的に修正される振幅のうちの少なくとも１つを含み、相対的に低い周波数信号によって変調された高周波の搬送波を有することを特徴とする、請求項１〜３の何れか１項に記載のパーソナル通信デバイス。
【請求項５】
前記低周波数変調ＲＦ混乱場を発生させるように構成された前記手段がＷＬＡＮ送信機を含む、請求項１〜４の何れか１項に記載のパーソナル通信デバイス。
【請求項６】
前記低周波数変調ＲＦ混乱場を発生させるように構成された前記手段は、ＷＬＡＮ通信中に第１のアンテナを駆動させ、前記混乱場の発生中に第２のアンテナを駆動させる手段を更に含む、請求項５に記載のパーソナル通信デバイス。
【請求項７】
前記混乱場の発生中に、前記ＷＬＡＮ送信機を前記第１のアンテナから前記第２のアンテナに切り換えるためのスイッチを含むことを特徴とする、請求項６に記載のパーソナル通信デバイス。
【請求項８】
前記第２のアンテナは、ユーザの頭部に向けてアンテナから放出された混乱場エネルギを集中させるようにできる指向性アンテナである、請求項６又は７に記載のパーソナル通信デバイス。
【請求項９】
前記ユーザの頭部に露出されるように混乱場密度が生成されるようにし、前記無線周波数通信信号を用いて行われる通信中に前記ユーザの頭部に露出される電界場密度と類似か又はそれよりも大きいことを特徴とする、請求項１〜８の何れか１項に記載のパーソナル通信デバイス。
【請求項１０】
前記低周波数変調ＲＦ混乱場を発生させるように構成された前記手段がＮＦＣ回路を含む、請求項１〜４の何れか１項に記載のパーソナル通信デバイス。
【請求項１１】
前記混乱場は、２ｕＴよりも高い密度を備えた磁場を含む、請求項１０に記載のパーソナル通信デバイス。
【請求項１２】
前記低周波数変調ＲＦ混乱場は、前記無線周波数通信信号の低周波数周期的要素の存在をマスキング又は曖昧にする付加的な要素若しくは成分を場に導入するために、前記無線周波数通信信号を増大させる、請求項１〜１１の何れか１項に記載のパーソナル通信デバイス。
【請求項１３】
前記低周波数変調ＲＦ混乱場は通常の通信信号を増大させ、当該通常の通信信号のエンベロープと比較して、組み合わされた信号のエンベロープが低減された各周期的ＥＬＦ成分を有するように、通常の通信信号を増強することを特徴とする請求項１〜１２の何れか１項に記載のパーソナル通信デバイス。
【請求項１４】
前記低周波数変調ＲＦ混乱場及び前記無線周波数通信信号の重ね合わせは、重ね合わせられていないエンベロープと比較すると、周波数が均等に分布されるようにし、相対的に低減された各ＥＬＦ周波数ピークを有するエンベロープ信号を生じさせる、請求項１〜１３の何れか１項に記載のパーソナル通信デバイス。
【請求項１５】
無線周波数通信信号を発生させるための前記手段、及び、混乱場を発生させるように構成された前記手段は、低周波数変調ＲＦ混乱場と無線周波数通信信号を放射するためのそれぞれのアンテナを備える、請求項１〜１４の何れか１項に記載のパーソナル通信デバイス。
【請求項１６】
セルラー無線受話器を含むことを特徴とする、請求項１〜１５の何れか１項に記載のパーソナル通信デバイス。
【請求項１７】
パーソナル通信デバイスをオペレーティングする方法であって、前記パーソナル通信デバイスは、
通信を行うための第１の変調無線周波数を発生させる処理と、
前記第１の変調無線周波数に重ね合わされる低周波数変調ＲＦ混乱場を同時に生成する処理であって、前記重ね合わせのエンベロープが周期的である当該処理と、
を実行し、前記第１の変調無線周波数のおかげでユーザに対するバイオ効果の影響が低減される方法。
【請求項１８】
パーソナル通信デバイスに請求項１７に記載の処理を実行させるためのプログラム。
【請求項１９】
パーソナル通信デバイスに、請求項２〜１６に記載の少なくとも１つの機能を実現させるためのプログラム。
【請求項２０】
少なくとも１つのプロセッサを備えた装置であって、前記プロセッサが請求項１９に記載のプログラムを制御することを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月9日(2014.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ピクチャ・イン・ピクチャ・アプリケーションのための複数のコンポーネントストリームを含むメディアストリームを準備する方法であって、
前記メディアストリームに含まれる前記複数のコンポーネントストリームからピクチャ・イン・ピクチャ情報を生成するステップであり、前記ピクチャ・イン・ピクチャ情報は、位置情報を有し、前記位置情報は、ピクチャ・イン・ピクチャ・モードで表示されるときのコンポーネントストリームの位置を示すステップと、
前記ピクチャ・イン・ピクチャ情報を前記メディアストリームに挿入するステップと
を有する方法。
【請求項２】
前記複数のコンポーネントストリームの変化に従って前記ピクチャ・イン・ピクチャ情報を更新するステップを更に有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記挿入するステップは、
前記生成されたピクチャ・イン・ピクチャ情報に従ってピクチャ・イン・ピクチャ・データユニットを構築するステップと、
前記ピクチャ・イン・ピクチャ・データユニットを前記メディアストリームに挿入するステップと
を有する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ピクチャ・イン・ピクチャ・アプリケーションのための複数のコンポーネントストリームを含むメディアストリームを準備する装置であって、
前記メディアストリームに含まれる前記複数のコンポーネントストリームからピクチャ・イン・ピクチャ情報を生成する相関器であり、前記ピクチャ・イン・ピクチャ情報は、位置情報を有し、前記位置情報は、ピクチャ・イン・ピクチャ・モードで表示されるときのコンポーネントストリームの位置を示す相関器と、
前記ピクチャ・イン・ピクチャ情報を前記メディアストリームに挿入する埋め込み器と
を有する装置。
【請求項５】
前記メディアストリームは、トランスポートストリーム及びプログラムストリームのうち１つである、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
識別されたピクチャ・イン・ピクチャ情報からピクチャ・イン・ピクチャ情報データユニットを生成するピクチャ・イン・ピクチャ情報構築器を更に有し、
前記ピクチャ・イン・ピクチャ情報データユニットは、前記メディアストリームに挿入するために前記埋め込み器に供給される、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
ピクチャ・イン・ピクチャ・モードで複数のコンポーネントストリームを含むメディアストリームをレンダリングする方法であって、
前記メディアストリームに関係するピクチャ・イン・ピクチャ情報を取得するステップであり、前記ピクチャ・イン・ピクチャ情報は、位置情報を有し、前記位置情報は、ピクチャ・イン・ピクチャ・モードで表示されるときのコンポーネントストリームの位置を示すステップと、
前記取得されたピクチャ・イン・ピクチャ情報に従って、前記メディアストリームから複数のコンポーネントストリームを抽出するステップと、
前記取得されたピクチャ・イン・ピクチャ情報に従って、前記複数のコンポーネントストリームをレンダリングするステップと
を有する方法。
【請求項８】
前記複数のコンポーネントストリームは、マスターレイヤのコンポーネントストリームと、少なくとも１つのスレーブレイヤのコンポーネントストリームとを有する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
必要に応じて、レンダリングの前に、前記ピクチャ・イン・ピクチャ情報に従って、前記抽出された複数のコンポーネントストリームのうち少なくとも１つを前処理するステップを更に有する、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記取得するステップは、
前記メディアストリームからピクチャ・イン・ピクチャ情報データユニットを抽出するステップと、
前記ピクチャ・イン・ピクチャ情報データユニットを分析し、前記ピクチャ・イン・ピクチャ情報を識別するステップと
を有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ピクチャ・イン・ピクチャ情報は、前記ピクチャ・イン・ピクチャ・モードでの前記コンポーネントストリームのレイヤ、サイズ又はアスペクト比の情報を更に有する、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
ピクチャ・イン・ピクチャ・モードで複数のコンポーネントストリームを含むメディアストリームをレンダリングする装置であって、
前記メディアストリームからピクチャ・イン・ピクチャ情報を抽出し、前記ピクチャ・イン・ピクチャ情報に従って、複数のコンポーネントストリームを抽出する抽出器であり、前記ピクチャ・イン・ピクチャ情報は、位置情報を有し、前記位置情報は、ピクチャ・イン・ピクチャ・モードで表示されるときのコンポーネントストリームの位置を示す抽出器と、
前記ピクチャ・イン・ピクチャ情報に従って、前記抽出された複数のコンポーネントストリームを処理するプロセッサと
を有する装置。
【請求項１３】
前記抽出器は、前記メディアストリームからピクチャ・イン・ピクチャ情報データユニットを抽出し、
前記装置は、前記ピクチャ・イン・ピクチャ情報データユニットを分析し、ピクチャ・イン・ピクチャ情報を取得し、前記複数のコンポーネントストリームへの参照を前記抽出器に提供する分析器を更に有する、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記ピクチャ・イン・ピクチャ情報は、少なくとも前記ピクチャ・イン・ピクチャ・モードでの前記コンポーネントストリームのレイヤ、サイズ及びアスペクト比の情報を更に有する、請求項１２に記載の装置。
【請求項１５】
前記プロセッサは、前記少なくとも１つのコンポーネントストリームを、前記ピクチャ・イン・ピクチャ情報で指定されたサイズに拡大縮小する前処理ユニットを有する、請求項１２に記載の装置。
【請求項１６】
前記ピクチャ・イン・ピクチャ・データユニットは、ピクチャ・イン・ピクチャ記述子を有し、
前記挿入するステップは、前記ピクチャ・イン・ピクチャ記述子を前記メディアストリームのプログラムマップテーブルに含めるステップを更に有する、請求項３に記載の方法。
【請求項１７】
前記ピクチャ・イン・ピクチャ情報は、前記ピクチャ・イン・ピクチャ・モードでの前記コンポーネントストリームのレイヤ、サイズ又はアスペクト比の情報を更に有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記ピクチャ・イン・ピクチャ・データユニットは、ピクチャ・イン・ピクチャ記述子を有し、
前記埋め込み器は、前記ピクチャ・イン・ピクチャ記述子を前記メディアストリームのプログラムマップテーブルに含めるステップを更に実行する、請求項６に記載の装置。
【請求項１９】
前記ピクチャ・イン・ピクチャ情報は、少なくとも前記ピクチャ・イン・ピクチャ・モードでの前記コンポーネントストリームのレイヤ、サイズ及びアスペクト比の情報を更に有する、請求項４に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月18日(2014.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蛍光発光繰返し単位、および前記発光繰返し単位の三重項エネルギー準位よりも低い三重項エネルギー準位を有する三重項受容繰返し単位を含む蛍光発光ポリマーであって、前記三重項受容繰返し単位が以下の式を有する、当該蛍光発光ポリマー
【化１】
2013538438.tif 000001
［式中、各Ａｒは、独立に、任意選択により置換されているアリール基またはヘテロアリール基を表し、ｎは、１〜３であり、ｍは、出現するごとに独立に、１〜５であり、ｑは、０または１であり、各Ｒ3は、独立に、Ｈまたは置換基から選択され、各Ｒ4は、独立に、Ｈまたは置換基から選択され、Ｒ4がＨでない場合、同じ炭素原子に結合しているＲ4および（Ａｒ）mは、直接結合または二価の基によって連結されていてもよく、Ｒ3がＨでない場合、Ｒ3（出現するごとに独立に）および（Ａｒ）nは、直接結合または二価の基によって連結されていてもよく、ｎまたはｍが少なくとも２である場合、隣接するＡｒ基は、二価の基によって連結されていてもよく、但しｑ＝０である場合、Ｒ3はＨではなく、直接結合または二価の基によって（Ａｒ）nに連結されている］。
【請求項２】
ｑ＝１である、請求項１に記載のポリマー。
【請求項３】
各Ｒ3がＨである、請求項２に記載のポリマー。
【請求項４】
各Ｒ4が、Ｈまたは−（Ａｒ）mである、請求項２または３に記載のポリマー。
【請求項５】
ｑ＝０である、請求項１に記載のポリマー。
【請求項６】
Ｒ3が（Ａｒ）nである、請求項５に記載のポリマー。
【請求項７】
ｎが１または２である、請求項１から６のいずれかに記載のポリマー。
【請求項８】
二価の連結基が、隣接するＡｒ基、Ｒ4および（Ａｒ）mのいずれかを連結しており、Ｒ3および（Ａｒ）nが、−（ＣＲ5Ｒ6）P−、−（ＳｉＲ5Ｒ6）p−、Ｏ、ＮＲ5およびＰＲ5から選択され、Ｒ5およびＲ6が、それぞれ独立に、Ｈまたは置換基から選択され、ｐが、１〜５、好ましくは１または２である、請求項１から７のいずれかに記載のポリマー。
【請求項９】
少なくとも１つのＡｒ基がフェニルである、請求項１から８のいずれかに記載のポリマー。
【請求項１０】
すべてのＡｒ基がフェニルである、請求項９に記載のポリマー。
【請求項１１】
Ｒ3および／またはＲ4がフェニルである、請求項９又は１０に記載のポリマー。
【請求項１２】
ｑ＝０であり、ｎ＝１であり、Ｒ3がフェニルであり、Ｒ3および（Ａｒ）nが、直接結合によって連結されている、請求項１１に記載のポリマー。
【請求項１３】
Ｒ3および（Ａｒ）nが、連結されて、置換されていてもよいフルオレンを形成する、請求項１２に記載のポリマー。
【請求項１４】
Ｒ5およびＲ6が、それぞれ独立に、Ｈまたは置換基から選択され、その置換基が、
アルキル（１つまたは複数の隣接していないＣ原子は、Ｏ、Ｓ、置換Ｎ、Ｃ＝Ｏおよび−ＣＯＯ−で置き換えられていてよく、１つまたは複数のＨ原子は、Ｆで置き換えられていてよい）、または
アリール、ヘテロアリール、アリールアルキルもしくはヘテロアリールアルキル（それぞれは、ハロゲン、シアノまたはアルキルで置換されていてよい（１つまたは複数の隣接していないＣ原子は、Ｏ、Ｓ、置換Ｎ、Ｃ＝Ｏおよび−ＣＯＯ−で置き換えられていてよい））
からなる群から選択される、請求項９又は１０に記載のポリマー。
【請求項１５】
少なくとも１つのＡｒ基が、ハロゲン；シアノ；アルキル（１つまたは複数の隣接していないＣ原子は、Ｏ、Ｓ、置換Ｎ、Ｃ＝Ｏおよび−ＣＯＯ−で置き換えられていてよい）；および−（Ａｒ4）z（Ａｒ4は、出現するごとに独立に、置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリールから選択され、ｚは、少なくとも１、任意選択により１、２または３であり、ｚが１を超える場合、複数のＡｒ4基は、連結されて、Ａｒ4基の直鎖または分岐鎖を形成することができる）から選択される少なくとも１つの置換基で置換されている、請求項１から１４のいずれかに記載のポリマー。
【請求項１６】
少なくとも１つの末端Ａｒ基の少なくとも１つのメタ位が、請求項１５に記載の置換基で置換されている、請求項９又は１０に記載のポリマー。
【請求項１７】
前記ポリマーが、アミン繰返し単位を含む、請求項３に記載のポリマー。
【請求項１８】
三重項受容繰返し単位が、蛍光発光繰返し単位に対して、少なくとも０．０５ｍｏｌ％、任意選択により０．１ｍｏｌ％の量で存在する、請求項１から１７のいずれかに記載のポリマー。
【請求項１９】
溶媒および請求項１から１８のいずれかに記載のポリマーを含む、溶液。
【請求項２０】
陽極と、陰極と、陽極および陰極の間の発光層と、任意選択により、陽極および陰極の間の、電荷輸送層および電荷阻止層から選択される１つまたは複数の層とを含み、発光層および１つまたは複数の任意選択の層の少なくとも１つが請求項１〜１８のいずれか一項に記載のポリマーを含む、有機発光デバイス。
【請求項２１】
請求項１９に記載の溶液を堆積させるステップおよび溶媒を蒸発させるステップを含む、請求項２０に記載の有機発光デバイスを形成する方法。
【請求項２２】
蛍光有機発光繰返し単位及び以下の式を有する三重項受容単位を含む蛍光有機発光ポリマーによって発生した三重項励起子を受容するための、任意選択により置換されている繰返し単位の使用
【化２】
2013538438.tif 000002
［式中、Ａｒ、ｎ、ｍ、ｑ、Ｒ3およびＲ4は、請求項１および２〜１６のいずれか一項で定義されている通りであり、Ｒ4がＨでない場合、Ｒ4および（Ａｒ）mは、直接結合または二価の基によって連結されていてもよく、Ｒ3がＨでない場合、Ｒ3および（Ａｒ）nは、直接結合または二価の基によって連結されていてもよく、ｎまたはｍが少なくとも２である場合、隣接するＡｒ基は、二価の基によって連結されていてもよく、但しｑ＝０である場合、Ｒ3はＨではなく、（Ａｒ）nに連結されている］。
【請求項２３】
任意選択により置換されている繰返し単位が、蛍光有機発光ポリマーによって発生した三重項励起子をクエンチする、請求項２２に記載の使用。
【請求項２４】
任意選択により置換されている繰返し単位が、蛍光有機発光繰返し単位から三重項受容繰返し単位に移動した三重項励起子の三重項−三重項消滅を媒介する、請求項２２又は２３に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月8日(2014.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空プロセスチャンバ内の基板（９）を支持し、該基板（９）に対向配置され該基板（９）と熱伝導するように接触している表面（１１）を備える、サセプタであって、
上記サセプタは、少なくとも３つの隣り合うゾーン（５、６、８）である、外部ゾーン（８）、中央ゾーン（６）及び内部ゾーン（５）を備え、上記ゾーン（５、６、８）は、互いを同心状に取り囲むように配置され、上記表面（１１）に沿って延びており、
上記外部ゾーン（８）は上記中央ゾーン（６）を完全に取り囲み、上記中央ゾーン（６）は上記内部ゾーン（５）を完全に取り囲み、
上記内部ゾーン（５）は、該内部ゾーン（５）に影響を与える少なくとも一つの内部加熱素子（１３）を備え、
上記外部ゾーン（８）は、該外部ゾーン（８）に影響を与える少なくとも一つの外部加熱素子（１９）を備え、
上記中央ゾーン（６）は、上記内部ゾーン（５）の最小厚さ（１２）より小さく、かつ上記外部ゾーン（８）の最小厚さ（１６）より小さい、最大厚さ（１５）を有し、各厚さ（１２、１５、１６）は上記表面（１１）に対して垂直に延びている、サセプタ。
【請求項２】
上記内部ゾーン（５）の上記最小厚さ（１２）は、上記外部ゾーン（８）の上記最小厚さ（１６）より大きい、請求項１に記載のサセプタ。
【請求項３】
上記サセプタ（１）は、上記中央ゾーン（６）の上記最大厚さ（１５）を実現するための、矩形断面を有する少なくとも１つの凹部（２３）を備えている、請求項１又は２に記載のサセプタ。
【請求項４】
上記表面（１１）に並行する上記凹部（２３）の幅は、８ｍｍ以上１５ｍｍ以下であり、好ましくは１１ｍｍである、請求項３に記載のサセプタ。
【請求項５】
上記サセプタ（１）は、上記内部ゾーン（５）と同じ厚さ（１２）を有する中間ゾーン（１８）を備え、
上記中間ゾーン（１８）は該中間ゾーン（１８）に影響を与える複数の中間加熱素子（１７）を備え、上記内部ゾーン（５）は複数の上記内部加熱素子（１３）を備え、
上記中央ゾーン（６）は上記中間ゾーン（１８）を完全に取り囲み、上記中間ゾーン（１８）は上記内部ゾーン（５）を完全に取り囲み、
複数の上記内部加熱素子（１３）はそれぞれ、内部加熱配線として備えられ、複数の上記中間加熱素子（１７）はそれぞれ、中間加熱配線として備えられ、複数の該内部加熱配線のそれぞれは、複数の該中間加熱配線のそれぞれよりも、配線寸法が大きく、かつ、隣り合う配線同士の間隔が大きい、請求項１から４の何れか１項に記載のサセプタ。
【請求項６】
上記加熱素子（１３、１７、１９）は、上記サセプタ（１）内に設けられている、請求項５に記載のサセプタ。
【請求項７】
上記中央ゾーン（６）の上記最大厚さ（１５）は、１ｍｍ以上４ｍｍ以下であり、好ましくは２ｍｍであり、及び／又は、上記内部ゾーン（５）の上記最小厚さ（１２）は、１０ｍｍ以上２０ｍｍ以下であり、好ましくは１４ｍｍである、請求項１から６の何れか１項に記載のサセプタ。
【請求項８】
上記サセプタ（１）は、ポケット（２１）及びバー（２２）として該ポケット（２１）間に提供される、凹部（２３）を有する、上記中央ゾーン（６）の上記最大厚さ（１５）を実現するための、ハニカムのような構造（２０）を備えている、請求項１から７の何れか１項に記載のサセプタ。
【請求項９】
上記表面（１１）に並行して延びる上記ポケット（２１）の幅は、８ｍｍ以上１５ｍｍ以下であり、好ましくは１１ｍｍである、請求項８に記載のサセプタ。
【請求項１０】
上記外部ゾーン（８）、上記中央ゾーン（６）及び／又は上記内部ゾーン（５）は、矩形状の上記基板（９）が上記表面（１１）上に位置されるように、矩形の表面形状を有する、請求項１から９の何れか１項に記載のサセプタ。
【請求項１１】
請求項１から１０の何れか１項に記載の上記サセプタ（１）及び上記基板（９）を備えるサセプタ装置であって、上記表面（１１）のサイズは、上記基板（９）のサイズよりも大きい又は同じである、サセプタ装置。
【請求項１２】
請求項１から１０の何れか１項に記載の上記サセプタ（１）を製造する方法であって、上記中央ゾーン（６）の上記最大厚さ（１５）は、上記サセプタ（１）における上記基板（９）が配置されている側とは反対側に配置された、長い凹み、スリット及び／又は穴を加えることにより実現される、方法。
【請求項１３】
基板（９）上に膜を形成する方法であって、
プロセスチャンバ内に、請求項１から１０の何れか１項に記載の上記サセプタ（１）を設けるステップと、
上記サセプタ（１）の上記表面（１１）上に上記基板（９）を支持するステップと、
上記基板（９）を加熱するために、上記内部加熱素子（１３）及び上記外部加熱素子（１９）に、エネルギーを供給するステップと、
上記基板（９）上に上記膜を形成するために、前駆体物質を上記プロセスチャンバに供給するステップと、を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月10日(2014.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体アセンブリを製造する方法であって、
表面と、該表面から離れている裏面と、複数の導電性パッドとを有する半導体素子を準備するステップであって、各パッドは、前記表面において露出している上面を有するとともに、該上面から離れている底面を有する、準備するステップと、
前記表面の上方から前記それぞれの導電性パッドに施される処理により、少なくとも前記導電性パッドのそれぞれを通って延在する孔を形成するステップと、
前記裏面から少なくとも部分的に前記半導体素子の厚さを通って延在する開口部を形成するステップであって、それにより前記孔及び前記開口部が前記表面と前記裏面との間の位置において交わるようにする、形成するステップと、
前記開口部の内部で前記半導体素子の内面の上に重なる第１の連続した誘電体層を形成するステップと、
少なくとも前記導電性パッドの上に位置して前記導電性パッドのそれぞれに部分的に重なり、前記孔の内部で前記半導体素子の内面の上に重なる第２の連続した誘電体層を形成するステップと、
外部デバイスに電気的に接続するために前記裏面において露出している導電性相互接続を形成するステップであって、前記導電性相互接続は少なくとも前記開口部内に延在し、前記導電性素子は前記それぞれの導電性パッドと電気的に接続される、形成するステップと、
前記表面に露出した導電性ビアを形成するステップであって、該導電ビアは、少なくとも前記孔の内部に延在し、前記導電性相互接続と電気的に接続されかつ直接的に結合された、導電性ビアを形成するステップと
を含んでなり、
前記導電性相互接続を形成するステップは、前記導電性ビアを形成するステップの前に実行されて、前記孔の内部に露出した前記導電性相互接続の面に接続した前記導電性ビアを形成するものであり、
前記孔を形成するステップは、
前記第１の連続した誘電体層の面を前記孔の内部に露出させることと、
前記第１の連続した誘電体層の面まで前記孔を延在させ、前記孔の内部に前記導電性相互接続の面を露出させることと
を含むものである、半導体アセンブリを製造する方法。
【請求項２】
前記導電性相互接続を形成する前記ステップは、前記導電性相互接続に結合された導電性コンタクトを形成し、該導電性コンタクトは前記裏面に露出している、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記導電性コンタクトは、前記半導体素子の前記裏面の上に重なる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記導電性コンタクトは、前記開口部の内部で前記半導体素子の一部分と垂直方向に位置決めされ、前記垂直方向は、前記半導体素子の前記厚さの方向である、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記孔を形成する前記ステップは、該孔が前記半導体素子の前記厚さを部分的に通って延在するように行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記孔を形成する前記ステップは、該孔が、前記半導体素子の前記厚さを通して前記表面と前記裏面の間の距離の最大１／３まで延在するように行われ、前記開口部は、前記孔によって占有されていない前記半導体素子の前記厚さの残りの部分を通って延在する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記孔を形成する前記ステップは２つ以上の孔を形成し、前記開口部を形成する前記ステップは、該開口部が前記半導体素子の前記裏面から前記孔のうちの２つ以上まで延在するように行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記開口部を形成する前記ステップは、該開口部が、前記半導体素子の表面に沿った第１の方向に延在する長さと、前記第１の方向を横切る第２の横方向に延在する幅とを有する溝形状を有し、前記長さが前記幅よりも大きいように形成される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記導電性相互接続は、少なくとも前記開口部の内面の上に重なる金属層をめっきすることによって形成され、前記導電性相互接続は前記開口部の輪郭に沿う、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記導電性相互接続は、前記開口部の前記内面の部分に沿って延在する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記導電性相互接続を形成する前記ステップは、少なくとも前記開口部の内部に２つ以上の導電性相互接続を形成するように行われ、該２つ以上の導電性相互接続の各々は前記導電性パッドのうちの１つまで延在する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記導電性相互接続は前記第１の連続した誘電体層の面の間の体積を充填する、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記導電性ビアは、少なくとも前記孔の内面の上に重なる金属層をめっきすることによって形成され、前記導電性ビアは前記孔の輪郭に沿う、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記導電性ビアは前記第２の連続した誘電体層の面の間の体積を充填する、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
半導体アセンブリを製造する方法であって、
表面と、該表面から離れている裏面と、複数の導電性パッドとを有する半導体素子を準備するステップであって、各パッドは、前記表面において露出している上面を有するとともに、該上面から離れている底面を有する、準備するステップと、
前記表面の上方から前記それぞれの導電性パッドに施される処理により、少なくとも前記導電性パッドのそれぞれを通って延在する孔を形成するステップと、
前記裏面から少なくとも部分的に前記半導体素子の厚さを通って延在する開口部を形成するステップであって、それにより前記孔及び前記開口部が前記表面と前記裏面との間の位置において交わるようにする、形成するステップと、
少なくとも前記導電性パッドの上に位置して前記導電性パッドのそれぞれに部分的に重なり、前記孔の内部で前記半導体素子の内面の上に重なる連続した誘電体層を形成するステップと、
外部デバイスに電気的に接続するために前記裏面において露出している導電性相互接続を形成するステップであって、前記導電性相互接続は少なくとも前記開口部内に延在し、前記導電性素子は前記それぞれの導電性パッドと電気的に接続される、形成するステップと、
前記表面に露出した導電性ビアを形成するステップであって、該導電ビアは、少なくとも前記孔の内部に延在し、前記導電性相互接続と電気的に接続されかつ直接的に結合された、導電性ビアを形成するステップと
を含んでなり、
前記導電性相互接続を形成するステップは、前記導電性ビアを形成するステップの前に実行されて、前記孔の内部に露出した前記導電性相互接続の面に接続した前記導電性ビアを形成するものであり、
前記開口部を形成するステップは、
前記連続した誘電体層の面を前記開口部の内部に露出させることと、
前記連続した誘電体層の面まで前記開口部を延在して、前記開口部の内部に前記導電性ビアの面を露出させることと
を含むものである、半導体アセンブリを製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月12日(2014.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン貫通ビア（ＴＳＶ）ダイを形成する方法であって、
側壁を含み、かつ外部誘電体スリーブと内部金属コアとを含むＴＳＶの突出するＴＳＶティップの末端部上にはんだを除いて第１の金属層をめっきすることと、
前記第１の金属層上に前記第１の金属層と異なる、はんだを除いて第２の金属層をめっきすることと、
を含み、
前記第１の金属層が前記第２の金属層と共に、前記突出するＴＳＶティップのための球状末端ティップ端を提供し、前記球状末端ティップ端が、前記ＴＳＶ側壁の一部と前記外部誘電体スリーブの最上表面とを覆い、前記球状末端ティップ端が、前記球状末端ティップ端より下の前記突出するＴＳＶティップの断面エリアに比べ２５％大きいものに等しいかそれより大きい断面エリアを有する、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記第１の金属層を前記めっきすることと前記第２の金属層を前記めっきすることとの両方が、選択性無電解めっきすることを含み、前記球状末端ティップ端が前記突出するＴＳＶティップの前記末端部上に選択的に形成される、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、
前記ＴＳＶダイが、複数の前記ＴＳＶダイを含むウエハ上にあり、前記複数のＴＳＶダイの各々が、能動回路要素を含む頂部側半導体表面と底部側表面とを有し、前記複数のＴＳＶを含み、前記複数のＴＳＶが、前記頂部側半導体表面上の前記能動回路要素から、前記底部側表面から出現する前記突出するＴＳＶティップまで延び、前記突出するＴＳＶティップが側壁を含み、
前記方法が、前記選択性無電解めっきする前に、
前記突出するＴＳＶティップの上を含む前記ウエハの前記底部側表面上にパッシベーション層を堆積することと、
前記突出するＴＳＶティップの末端部を現わすように前記パッシベーション層をエッチングすることであって、前記内部金属コアの一部を露出させることを含む、前記エッチングすることと、
を更に含み、
前記パッシベーション層を前記エッチングした後、前記突出するＴＳＶティップと前記側壁の一部との横の前記ウエハの前記底部側表面を覆い続ける、方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、
前記堆積することが化学気相成長（ＣＶＤ）を含み、前記パッシベーション層がシリコンナイトライド又はシリコンオキシナイトライドを含み、前記エッチングすることが化学機械研磨（ＣＭＰ）を含む、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記第１の金属層が、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｒｈ、ＮｉＰ、ＮｉＢ、ＣｏＷＰ、又はＣｏＰを含む、方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、
前記第１の金属層がＮｉを含み、第２の金属層がＣｕを含む、方法。
【請求項７】
請求項５に記載の方法であって、
前記第１の金属層がＮｉを含み、前記第２の金属層がＰｄを含む、方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、
前記第２の金属層上にＡｕ層を堆積することを更に含む、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
前記外部誘電体スリーブが、前記突出するＴＳＶティップの前記側壁に沿って中間の距離（Ｄｉ）まで延び、前記突出するＴＳＶティップの長さの１／３≦Ｄｉ≦前記突出するＴＳＶティップの前記長さ−１μｍ、である、方法。
【請求項１０】
シリコン貫通ビア（ＴＳＶ）ダイであって、
能動回路要素を有する頂部側半導体表面及び底部側表面と、
各々が外部誘電体スリーブと内部金属コアとを含む、複数のＴＳＶであって、前記頂部側半導体表面から、前記ダイの前記底部側表面から突出するＴＳＶティップまで延び、前記突出するＴＳＶティップが外周側壁と底面とを有する、前記複数のＴＳＶと、
はんだ以外の第１の金属のキャップ内に埋め込まれた前記ＴＳＶティップの前記外周側壁の端部部分であって、前記突出したＴＳＶティップの前記底面も覆う、前記端部部分と、
前記第１の金属と異なるはんだ以外の第２の金属の層であって、前記第１の金属層の前記キャップと、前記第１の金属のキャップ内に埋め込まれていない前記外周側壁の一部分とを覆う球状形状を有する、前記第２の金属の層と、
を含む、ＴＳＶダイ。
【請求項１１】
請求項１０に記載のＴＳＶダイであって、
前記球状形状の第２の金属の層が、前記突出するＴＳＶティップの前記底面より４０％大きい断面エリアを有する、ＴＳＶダイ。
【請求項１２】
請求項１０に記載のＴＳＶダイであって、
前記第１の金属が、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｒｈ、ＮｉＰ、ＮｉＢ、ＣｏＷＰ及びＣｏＰのグループから選択される、ＴＳＶダイ。
【請求項１３】
請求項１０に記載のＴＳＶダイであって、
前記第１の金属がＮｉを含み、前記第２の金属がＣｕを含む、ＴＳＶダイ。
【請求項１４】
請求項１０に記載のＴＳＶダイであって、
前記第１の金属がＮｉを含み、前記第２の金属がＰｄを含む、ＴＳＶダイ。
【請求項１５】
請求項１４に記載のＴＳＶダイであって、
Ａｕ層を更に含む、ＴＳＶダイ。
【請求項１６】
請求項１０に記載のＴＳＶダイであって、
前記外部誘電体スリーブが、前記突出するＴＳＶティップの前記側壁に沿って延び、前記底面から１μｍより離れたところで終わる、ＴＳＶダイ。
【請求項１７】
集積回路（ＩＣ）装置であって、
金属接合で接合された第１のＩＣダイと第２のＩＣダイとを含み、
前記第１のＩＣダイが、
頂部側半導体面から、前記ダイの底側面から突出するＴＳＶティップに延びる複数のＴＳＶであって、前記突出するＴＳＶティップが外周側面と底面とを有する、前記複数のＴＳＶと、
はんだ以外の第１の金属のキャップ内に埋め込まれた前記ＴＳＶティップの前記外周側面の端部部分であって、前記第１の金属のキャップが前記突出するＴＳＶティップの前記底面も覆う、前記端部部分と、
前記第１の金属と異なるはんだ以外の第２の金属の層であって、前記第１の金属のキャップと、前記第１の金属の前記キャップ内に埋め込まれていない前記外周側壁の一部分とを覆う、球状形状を有する、前記第２の金属の層と、
を含み、
前記第２のＩＣダイが、球状形状の第２の金属層と共に前記ＴＳＶティップに整列された複数の突出するボンディング特徴を有し、
前記各ＴＳＶティップと各突出するボンディング特徴との間の前記金属結合が、前記第２の金属層に隣接するはんだ部分を含む、半導体集積回路。
【請求項１８】
請求項１７に記載の第１のＩＣダイであって、
前記第１の金属が、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｒｈ、ＮｉＰ、ＮｉＢ、ＣｏＷＰ及びＣｏＰのグループから選択される、第１のＩＣダイ。
【請求項１９】
請求項１８に記載の第１のＩＣダイであって、
前記第２の金属がＣｕを含む、第１のＩＣダイ。
【請求項２０】
請求項１８に記載の第１のＩＣダイであって、
前記第１の金属がＮｉを含み、前記第２の金属がＰｄを含む、第１のＩＣダイ。
【請求項２１】
請求項１７に記載の集積回路装置であって、
前記金属接合が金又は白金を更に含む、集積回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月9日(2014.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
温度検出デバイスの製造方法であって、前記方法は、
サーミスタ構造を定義するように、少なくとも１つのシリコン層と少なくとも１つの電極又は接点を形成することを含み、
少なくとも前記シリコン層は、印刷することにより形成され、及び
前記シリコン層を印刷している間、前記シリコン層と前記少なくとも１つの電極又は接点のうち少なくとも１つが基板により支持されている、方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの電極又は接点は、印刷により形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つのシリコン層と少なくとも２つの伝導電極又は接点は、温度が測定されるべき対象物に直接当てられ、前記対象物自体が前記サーミスタ構造の前記基板を形成するようになっている、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記基板は、導電性本体を備え、前記基板は前記サーミスタ構造の電極又は接点を形成する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
前記基板は、フレキシブルシートを備える、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記フレキシブルシートは、固体薄膜、繊維材料又は織物を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記基板は、硬いシートを備える、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記硬いシートは、固体材料、繊維又は粒子材料を有する合成物、又は織物を有する合成物を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記基板は、製造中において前記サーミスタ構造のための一時的な支持又はテンプレートを形成する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板は、前記サーミスタ構造を印刷した後、犠牲とされて、そして化学的手段、熱的手段又は機械的手段によって取り除かれる、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記基板は、再利用可能なテンプレートを形成する、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記シリコン層は、シリコン粒子を有するインクと、バインダー及び適切な溶媒を含む液体溶媒と、から形成され、
前記シリコン粒子は、１０ナノメートルから１００マイクロメートルの範囲内の大きさを有し、及び粒子間の電荷の輸送を許容する面を有している、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
バインダーに対する前記シリコンの比を変化させることによる、インク組成物の変更によって、前記シリコン粒子層に少なくとも１つの更なる伝導経路を追加すること、又はシリカあるいは他のセラミックナノ粒子などの絶縁層か伝導層又は半導体層を前記インクに追加すること、それによって効果的に前記サーミスタ構造の温度依存抵抗と並列に相対的な非温度依存の内部抵抗を追加すること、を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
印刷された温度センサの公称抵抗を減少させるため、前記サーミスタ構造の前記温度依存抵抗と並列に、導電性インクを用いて、内部の略非温度依存抵抗を印刷することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記印刷された温度センサの公称抵抗を増大させるため、前記サーミスタ構造の前記温度依存抵抗と直列に、導電性インクを用いて、内部の略非温度依存抵抗を印刷することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記インクの前記シリコン粒子の画分は、５％〜９５％の範囲内である、請求項１２乃至１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
シリコン粒子を容量で２５％〜６０％の範囲内で前記インク内の前記シリコン粒子の画分を変更することにより、前記印刷された温度センサの前記抵抗を調整することを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記インクは、６０％を超えて、好ましくは８０％を超えてシリコン粒子画分を有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
厚膜堆積処理によって、又は電気メッキ若しくは無電解メッキによって、導電性インクを用いて、印刷することにより少なくとも前記伝導電極又は接点の１つを形成すること、を含む、請求項１乃至１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記少なくとも１つの接点を、所望の形状に形成するため、化学的エッチング又は電気化学的エッチング、レーザースクライビング若しくは別の方法で材料を除去することによって正確な形状にパターニングするステップを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記接点は、前記サーミスタ構造の径方向の電気経路が、測定される抵抗を前記印刷する方向に対して全方向にわたって平均化するように、円形の幾何学形状を有しており、前記印刷処理におけるいかなる横方向の異方性の影響を排除することを確実にしている、請求項１乃至２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
サーミスタデバイスに電流を供給するために使用される任意の２つの接点との間の距離が前記接点との間の半導体経路の幅と比べて小さくなるように、前記サーミスタデバイスのアスペクト比が１／３０より低い、請求項１乃至２１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
前記サーミスタデバイスの前記アスペクト比は、１／１０００より低い、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
並んで延設される２つの細長い並列の接点は、比較的広い領域を覆うように、螺旋を定義するか又は経路を蛇行するパターンで堆積させて、それによって、前記基板の対応する形状の領域の平均温度を監視できる、請求項１乃至２０、２２又は２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５】
蛇行隙間を定義するように、互いに平行に延び、隣接する複数の細長いストリップ又は複数のフィンガーをそれぞれ有する、２つの互いに組み合わせた電気接点は、印刷された粒状シリコン層によって接続又はブリッジされている、請求項１乃至２０、２２又は２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
前記印刷された粒状シリコン層は、前記電極間の前記蛇行隙間に続くように構成された、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記印刷された粒状シリコン層は、前記電極間の前記蛇行隙間の上に連続層を形成する、請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
４つの電気接点であって、前記４つの電気接点のうち２つの電気接点が電流を前記温度検出デバイスに供給するために使用され、前記４つの電気接点のうち２つの電気接点が使用中の電圧を監視するために使用され、前記４つの電気接点は、より高い精度を得るために従来の線形４点幾何学形状又は通常使用されるファン・デル・ポー(van der Pauw)形状のいずれかで堆積される、請求項１乃至２３のいずれか一項に記載の方法。