(57)【要約】      （修正有）【課題】配線の上部面の食刻損傷を防止しながら、配線とプラグとの間の短絡と、ＢＶが低くなることとを防ぐとともに、配線との間のカップリングキャパシタンスを低くする。【解決手段】マスクパターンを有する配線を形成し、この配線間を埋める層間絶縁膜パターンを形成した後、マスクパターンを部分食刻して層間絶縁膜パターン間にリセスされたマスクパターン４７０を形成しグルーブとする。グルーブを埋める犠牲マスクパターンを形成し、これを食刻マスクとして層間絶縁膜パターンを食刻して、半導体基板を露出させる自己整列コンタクトホールを形成する。自己整列コンタクトホールの側壁を覆うスペーサー６５０を形成後、自己整列コンタクトホールを埋める上部導電膜を形成する。リセスされたマスクパターンの上部面が露出されるまで上部導電膜及び犠牲マスクパターンを除去平坦化してスペーサーによって囲まれたプラグ８５０を形成する。【選択図】図１２
2004356628.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上部に複数の平行な配線パターンを形成する段階であって、前記配線パターンのそれぞれが順に積層された配線及びマスクパターンを有する、半導体基板上部に複数の平行な配線パターンを形成する段階と、
前記配線パターンの間のギャップ領域を埋める層間絶縁膜パターンを形成する段階と、
前記マスクパターンを部分食刻して前記層間絶縁膜パターンの間にグルーブを限定するリセスされたマスクパターンを形成する段階と、
前記グルーブを埋める犠牲マスクパターンを形成する段階と、
前記犠牲マスクパターンを食刻マスクとして使用して前記層間絶縁膜パターンの所定領域を食刻して前記半導体基板の所定領域を露出させる自己整列コンタクトホールを形成する段階と、
前記自己整列コンタクトホールの側壁を覆うスペーサーを形成する段階と、
前記スペーサーが形成された半導体基板の全面上に前記自己整列コンタクトホールを埋める上部導電膜を形成する段階と、
前記リセスされたマスクパターンの上部面が露出されるまで前記上部導電膜及び前記犠牲マスクパターンを平坦化させて前記スペーサーによって囲まれたプラグを形成する段階と、
を含むことを特徴とする自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項２】
前記配線パターンを形成する段階は、
前記半導体基板上部に下部導電膜及びマスク膜を順に形成する段階と、
前記マスク膜及び前記下部導電膜を連続的にパターニングする段階と、を含むことを特徴とする請求項１記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項３】
前記下部導電膜は、ポリシリコン膜及び金属シリサイド膜を積層したり、拡散防止膜及び金属膜を積層したりして形成することを特徴とする請求項２記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項４】
前記マスク膜は、前記下部導電膜の食刻物質に対して食刻率が低い絶縁膜で形成することを特徴とする請求項２記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項５】
前記下部導電膜の食刻物質に対して食刻率が低い絶縁膜は、シリコン窒化膜であることを特徴とする請求項４記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項６】
前記層間絶縁膜パターンは、前記マスクパターンの食刻物質に対して食刻率が低く、シリコン窒化膜と比べて低誘電率を有する低誘電膜で形成することを特徴とする請求項１記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項７】
前記低誘電膜は、シリコン酸化膜であることを特徴とする請求項６記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項８】
前記犠牲マスクパターンは、前記層間絶縁膜パターンを食刻するための食刻レシピに対して前記マスクパターンよりも遅い食刻率を有する物質膜で形成することを特徴とする請求項１記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項９】
前記マスクパターンよりも遅い食刻率を有する物質膜は、ポリシリコン膜であることを特徴とする請求項８記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項１０】
前記スペーサーは、前記層間絶縁膜パターンと同様な物質膜で形成することを特徴とする請求項１記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項１１】
前記上部導電膜は、ポリシリコンを使用して形成することを特徴とする請求項１記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項１２】
半導体基板上部に複数の平行な配線パターンを形成する段階であって、前記配線パターンのそれぞれは順に積層された配線、第１マスクパターン、バッファー層パターン及び第２マスクパターンを有する、半導体基板上部に複数の平行な配線パターンを形成する段階と、
前記配線パターンの間のギャップ領域を埋める層間絶縁膜パターンを形成する段階と、
前記第２マスクパターンを食刻して前記層間絶縁膜パターンの間に前記バッファー層パターンを露出させるグルーブを形成する段階と、
前記グルーブを埋める犠牲マスクパターンを形成する段階と、
前記犠牲マスクパターンを食刻マスクとして使用して前記層間絶縁膜パターンの所定領域を食刻して前記半導体基板の所定領域を露出させる自己整列コンタクトホールを形成する段階と、
前記自己整列コンタクトホールの側壁を覆うスペーサーを形成する段階と、
前記スペーサーが形成された半導体基板の全面上に前記自己整列コンタクトホールを埋める上部導電膜を形成する段階と、
前記バッファー層パターンの上部面が露出されるまで前記上部導電膜及び前記犠牲マスクパターンを平坦化させて前記スペーサーによって囲まれたプラグを形成する段階と、
を含むことを特徴とする自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項１３】
前記配線パターンを形成する段階は、
前記半導体基板上部に下部導電膜、第１マスク膜、バッファー層及び第２マスク膜を順に形成する段階と、
前記第２マスク膜、前記バッファー層、前記第１マスク膜及び前記下部導電膜を連続的にパターニングする段階と、を含むことを特徴とする請求項１２記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項１４】
前記下部導電膜は、ポリシリコン膜及び金属シリサイド膜を積層したり、拡散防止膜及び金属膜を積層したりして形成することを特徴とする請求項１３記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項１５】
前記第１マスク膜は、シリコン窒化膜で形成することを特徴とする請求項１３記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項１６】
前記バッファー層は前記第２マスク膜に対して食刻選択比を有する絶縁膜で形成することを特徴とする請求項１３記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項１７】
前記第２マスク膜は、前記下部導電膜の食刻物質に対して食刻率が低い絶縁膜で形成することを特徴とする請求項１３記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項１８】
前記下部導電膜の食刻物質に対して食刻率が低い絶縁膜は、シリコン窒化膜であることを特徴とする請求項１７記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項１９】
前記層間絶縁膜パターンは、前記マスクパターンの食刻物質に対して食刻率が低く、シリコン窒化膜と比べて低誘電率を有する低誘電膜で形成することを特徴とする請求項１２記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項２０】
前記低誘電膜は、シリコン酸化膜であることを特徴とする請求項１９記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項２１】
前記犠牲マスクパターンは、前記層間絶縁膜パターンを食刻するための食刻レシピに対して前記第２マスクパターンよりも遅い食刻率を有する物質膜で形成することを特徴とする請求項１２記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項２２】
前記マスクパターンよりも遅い食刻率を有する物質膜は、ポリシリコン膜であることを特徴とする請求項２１記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項２３】
前記スペーサーは、前記層間絶縁膜パターンと同様な物質膜で形成することを特徴とする請求項１２記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項２４】
前記上部導電膜は、ポリシリコンを使用して形成することを特徴とする請求項１２記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項２５】
前記バッファー層パターンが露出された後、前記第１マスクパターンの上部面が露出されるまで前記バッファー層パターンを平坦化させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項１２記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項２６】
半導体基板上部に複数の平行な配線パターンを形成する段階であって、前記配線パターンのそれぞれは順に積層された配線及びマスクパターンを有する、半導体基板上部に複数の平行な配線パターンを形成する段階と、
前記配線パターンの間のギャップ領域を埋める層間絶縁膜パターンを形成する段階と、
前記マスクパターンを部分食刻して前記層間絶縁膜パターンの間にグルーブを限定するリセスされたマスクパターンを形成する段階と、
前記グルーブの間の前記層間絶縁膜パターンを等方性食刻して前記リセスされたマスクパターンよりも広い幅を有する拡張されたグルーブ（ｅｎｌａｒｇｅｄ  ｇｒｏｏｖｅｓ）を形成する段階と、
前記拡張されたグルーブを埋める犠牲マスクパターンを形成する段階と、
前記犠牲マスクパターンを食刻マスクとして使用して、前記層間絶縁膜パターンの所定領域を異方性食刻して、前記半導体基板の所定領域を露出させる自己整列コンタクトホールを形成する段階であって、前記層間絶縁膜パターンの一部分は自己整列コンタクトホールの側壁と前記配線パターンの側壁との間に残存する、自己整列コンタクトホールを形成する段階と、
前記自己整列コンタクトホールを有する半導体基板の全面上に前記自己整列コンタクトホールを埋める上部導電膜を形成する段階と、
前記リセスされたマスクパターンの上部面が露出されるまで前記上部導電膜及び前記犠牲マスクパターンを平坦化させて前記自己整列コンタクトホールを埋めるプラグを形成する段階と、
を含むことを特徴とする自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項２７】
前記配線パターンを形成する段階は、
前記半導体基板上部に下部導電膜及びマスク膜を順に形成する段階と、
前記マスク膜及び前記下部導電膜を連続的にパターニングする段階と、を含むことを特徴とする請求項２６記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項２８】
前記下部導電膜は、ポリシリコン膜及び金属シリサイド膜を積層したり、拡散防止膜及び金属膜を積層したりして形成することを特徴とする請求項２７記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項２９】
前記マスク膜は、前記下部導電膜の食刻物質に対して食刻率が低い絶縁膜で形成することを特徴とする請求項２７記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項３０】
前記下部導電膜の食刻物質に対して食刻率が低い絶縁膜は、シリコン窒化膜であることを特徴とする請求項２９記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項３１】
前記層間絶縁膜パターンは、前記マスクパターンの食刻物質に対して食刻率が低く、シリコン窒化膜と比べて低誘電率を有する低誘電膜で形成することを特徴とする請求項２６記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項３２】
前記低誘電率膜はシリコン酸化膜であることを特徴とする請求項３１記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項３３】
前記犠牲マスクパターンは、前記層間絶縁膜パターンを食刻するための食刻レシピに対して前記マスクパターンよりも遅い食刻率を有する物質膜で形成することを特徴とする請求項２６記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項３４】
前記マスクパターンよりも遅い食刻率を有する物質膜は、ポリシリコン膜であることを特徴とする請求項３３記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項３５】
前記スペーサーは、前記層間絶縁膜パターンと同様な物質膜で形成することを特徴とする請求項２６記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項３６】
前記上部導電膜は、ポリシリコンを使用して形成することを特徴とする請求項２６記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項３７】
半導体基板上部に複数の平行な配線パターンを形成する段階であって、前記配線パターンのそれぞれは順に積層された配線、第１マスクパターン、バッファー層及び第２マスクパターンを有する、半導体基板上部に複数の平行な配線パターンを形成する段階と、
前記配線パターンの間のギャップ領域を埋める層間絶縁膜パターンを形成する段階と、
前記第２マスクパターンを食刻して前記層間絶縁膜パターンの間に前記バッファー層パターンを露出させるグルーブを形成する段階と、
前記グルーブの間の前記層間絶縁膜パターンを等方性食刻して、前記第１マスクパターンよりも広い幅を有する拡張されたグルーブ（ｅｎｌａｒｇｅｄ  ｇｒｏｏｖｅｓ）を形成する段階と、
前記拡張されたグルーブを埋める犠牲マスクパターンを形成する段階と、
前記犠牲マスクパターンを食刻マスクとして使用して、前記層間絶縁膜パターンの所定領域を異方性食刻して、前記半導体基板の所定領域を露出させる自己整列コンタクトホールを形成する段階であって、前記層間絶縁膜パターンの一部は自己整列コンタクトホールの側壁と前記配線パターンの側壁の間に残存する、自己整列コンタクトホールを形成する段階と、
前記自己整列コンタクトホールを有する半導体基板の全面上に前記自己整列コンタクトホールを埋める上部導電膜を形成する段階と、
前記第１マスクパターンの上部面が露出されるまで前記上部導電膜及び前記犠牲マスクパターンを平坦化させて前記自己整列コンタクトホールを埋めるプラグを形成する段階と、
を含むことを特徴とする自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項３８】
前記配線パターンを形成する段階は、
前記半導体基板上部に下部導電膜、第１マスク膜、バッファー層及び第２マスク膜を順に形成する段階と、
前記第２マスク膜、前記バッファー層、前記第１マスク膜及び前記下部導電膜を連続的にパターニングする段階と、を含むことを特徴とする請求項３７記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項３９】
前記下部導電膜は、ポリシリコン膜及び金属シリサイド膜を積層したり、拡散防止膜及び金属膜を積層したりして形成することを特徴とする請求項３８記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項４０】
前記第１マスク膜は、シリコン窒化膜で形成することを特徴とする請求項３８記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項４１】
前記バッファー層は、前記第２マスク膜に対して食刻選択比を有する絶縁膜で形成することを特徴とする請求項３８記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項４２】
前記第２マスク膜は、前記下部導電膜の食刻物質に対して食刻率が低い絶縁膜で形成することを特徴とする請求項３８記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項４３】
前記下部導電膜の食刻物質に対して食刻率が低い絶縁膜は、シリコン窒化膜であることを特徴とする請求項４２記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項４４】
前記層間絶縁膜パターンは、前記マスクパターンの食刻物質に対して食刻率が低く、シリコン窒化膜と比べて低誘電率を有する低誘電膜で形成することを特徴とする請求項３７記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項４５】
前記低誘電膜は、シリコン酸化膜であることを特徴とする請求項４４記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項４６】
前記バッファー層パターンは、前記拡張されたグルーブを形成する間に食刻されて除去されることを特徴とする請求項３７記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項４７】
前記犠牲マスクパターンは、前記層間絶縁膜パターンを食刻するための食刻レシピに対して前記第２マスクパターンよりも遅い食刻率を有する物質膜で形成することを特徴とする請求項３７記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項４８】
前記マスクパターンよりも遅い食刻率を有する物質膜は、ポリシリコン膜であることを特徴とする請求項４７記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項４９】
前記スペーサーは、前記層間絶縁膜パターンと同様な物質膜で形成することを特徴とする請求項３７記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項５０】
前記上部導電膜は、ポリシリコンを使用して形成することを特徴とする請求項３７記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の製造方法に関するもので、特に犠牲マスク膜を使用して自己整列コンタクト構造体を形成する方法（Ｍｅｔｈｏｄ  ｏｆ  ｆｏｒｍｉｎｇ  ａ  ｓｅｌｆ−ａｌｉｇｎｅｄ  ｃｏｎｔａｃｔ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ  ｕｓｉｎｇ  ａ  ｓａｃｒｉｆｉｃｉａｌ  ｍａｓｋ  ｌａｙｅｒ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、半導体素子の高集積化によって、配線の幅及びそれらの間隔が次第に狭くなる。従って、前記配線間の所定領域を貫通するコンタクトホールを形成するための写真工程を実施する間、整列余裕度を増加させるために自己整列コンタクト技術が使われる。
【０００３】
図１ないし図５は、従来技術による自己整列コンタクト構造体を形成する方法を説明するための断面図である。
【０００４】
図１を参照すると、半導体基板１０上に下部絶縁膜２０を形成する。前記下部絶縁膜２０が形成された半導体基板の全面上に下部導電膜３０及びマスク膜４０を順に形成する。従来技術で前記マスク膜４０は通常シリコン窒化膜で形成される。
【０００５】
図２を参照すると、前記マスク膜４０及び前記下部導電膜３０を順にパターニングして配線３５及びマスクパターン４５が積層された配線パターン３７を形成する。前記配線パターン３７が形成された半導体基板の全面上にシリコン窒化膜を形成する。前記シリコン窒化膜が形成された半導体基板を全面食刻してスペーサー５０を形成する。前記スペーサー５０は前記配線パターン３７の側壁を覆う。
【０００６】
図３を参照すると、前記配線パターン３７及び前記スペーサー５０が形成された半導体基板の全面上に層間絶縁膜６０を形成する。前記層間絶縁膜６０は前記配線パターン３７の間のギャップ領域を埋め込む。前記層間絶縁膜６０は酸化膜で形成される。
【０００７】
図４を参照すると、前記層間絶縁膜６０上にコンタクトホール形成のため前記層間絶縁膜を露出させる開口部を有するフォトレジストパターン７０を形成する。前記開口部の下部には、前記配線３７の一部及びスペーサー５０が位置することもある。前記フォトレジストパターン７０を食刻マスクとして前記層間絶縁膜６０を食刻する。この時、前記開口部の下に位置した前記配線パターン３７の一部及び前記スペーサー５０も食刻マスクとして作用して前記半導体基板１０の所定領域を露出させる自己整列コンタクト７５が形成される。
【０００８】
前記配線パターン３７上部の前記マスクパターン４５及び前記スペーサー５０は、シリコン窒化膜で形成されるためシリコン酸化膜で形成された前記層間絶縁膜６０を食刻する間、相当な量が食刻される。従って、前記配線３５の上部角と前記コンタクトホール７５との距離が近くなり、場合によっては、前記配線３５が前記コンタクトホール７５に露出されることもある。
【０００９】
図５を参照すると、前記コンタクトホール７５が形成された後、フォトレジストパターン７０を除去する。その後、前記コンタクトホール７５が形成された半導体基板の全面上に前記コンタクトホール７５を埋めるように上部導電膜を形成する。前記上部導電膜を前記層間絶縁膜６０が露出されるまで平坦化する。その結果、前記層間絶縁膜６０によって互いに分離されたプラグ８５が形成される。
【００１０】
以上で説明した従来技術は、すでにパッドプラグを形成してその上に形成されるコンタクトホールの縦横比（ａｓｐｅｃｔ  ｒａｔｉｏ）を低くすることができ、自己整列コンタクトホールを形成するので工程余裕度を確保できるというメリットがある。
【００１１】
しかし、前述の従来技術は、幾つかの問題点をかかえる。一つ目として、図４を参照として説明したように自己整列コンタクトホール７５を形成する時、前記配線３５上部の前記マスクパターン４５及び前記スペーサー５０の一部が食刻されて前記配線３５の角の部分が露出されることがある。前記配線３５が露出されると、前記プラグ８５と短絡が発生するので素子不良となる。たとえ前記配線が露出されず短絡の発生がないにしても、前記配線３５と前記プラグ８５との間が近ければＢＶ（ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  ｖｏｌｔａｇｅ）が低くなり素子不良となる。
【００１２】
二つ目として、前記配線３５と前記プラグ８５とが短絡する問題を防ぐために前記マスクパターン４５の厚みを増やすこともできる。しかし、前記マスクパターン４５を高く形成するための写真及び食刻工程上の難しさがあり、前記自己整列コンタクトホール７５の縦横比が増えると、素子全体の高さが増加して構造的な脆弱性が発生する。
【００１３】
三つ目として、前述の従来技術は、図２で説明したように前記配線パターン３７が形成された半導体基板の全面上にシリコン窒化膜を形成し、これを全面食刻して前記スペーサー５０を形成する。従って、前記スペーサー５０は前記配線パターン３７の側壁を覆う。従って、前記配線３５との間にはスペーサー５０、層間絶縁膜６０及びスペーサー５０からなる誘電膜が介在される。この時、シリコン窒化膜からなる前記スペーサー５０は、シリコン酸化物からなる層間絶縁膜６０と比べて誘電率が高いため前記配線３５との間に発生するカップリングキャパシタンスが高い。
【特許文献１】韓国公開特許公報第２００１−００７６１６６号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００３／００２７３９５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明の目的は、コンタクトプラグの高さを低くし、配線の上部面の食刻損傷を防止しながら配線とプラグとの間に短絡が発生したり、ＢＶが低くなったりすることを防ぐことができる自己整列コンタクト構造体を形成する方法を提供することにある。
【００１５】
本発明のもう一つの目的は、配線との間に発生するカップリングキャパシタンスを低くさせることができる自己整列コンタクト構造体を形成する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前述の目的を達成するため、本発明は犠牲マスク膜を使用して自己整列コンタクト構造体を形成する方法を提供する。この方法は、半導体基板の上部に下部導電膜及びマスク膜を順に形成することを含む。前記マスク膜及び前記下部導電膜を連続的にパターニングして複数の平行な配線パターンを形成する。この時、前記配線パターンの各々は、順に積層された配線及びマスクパターンを有する。前記配線パターンとの間のギャップ領域を埋める層間絶縁膜パターンを形成し、前記マスクパターンを部分食刻して前記層間絶縁膜パターンとの間にグルーブを限定するリセスされたマスクパターンを形成する。その後、前記グルーブを埋める犠牲マスクパターンを形成し、前記犠牲マスクパターンを食刻マスクとして使用して前記層間絶縁膜パターンの所定領域を食刻して前記半導体基板の所定領域を露出させる自己整列コンタクトホールを形成する。前記自己整列コンタクトホールの側壁を覆うスペーサーを形成し、前記スペーサーが形成された半導体基板の全面上に前記自己整列コンタクトホールを埋める上部導電膜を形成する。その後、前記リセスされたマスクパターンの上部面が露出されるまで前記上部導電膜及び前記犠牲マスクパターンを平坦化させて前記スペーサーによって囲まれたプラグを形成する。
【００１７】
望ましくは、前記マスク膜は第１マスク膜、バッファー層及び第２マスク膜を順に積層して形成する。この時、前記マスクパターンは前記第２マスク膜、バッファー層及び第１マスク膜を連続的にパターニングして第１マスクパターン、バッファー層パターン及び第２マスクパターンを形成することで形成される。また、前記リセスされたマスクパターンは前記バッファー層パターンが露出されるように前記第２マスクパターンを選択的に食刻して形成する。
【００１８】
前述の目的を達成するために本発明は、半導体基板の上部に下部導電膜及びマスク膜を順に形成することを含む。前記マスク膜及び前記下部導電膜を連続的にパターニングして複数の平行な配線パターンを形成する。この時、前記配線パターンの各々は、順に積層された配線及びマスクパターンを有する。前記配線パターンとの間のギャップ領域を埋める層間絶縁膜パターンを形成し、前記マスクパターンを部分食刻して前記層間絶縁膜パターンとの間にグルーブを限定するリセスされたマスクパターンを形成する。その後、前記グルーブとの間の前記層間絶縁膜パターンを等方性食刻して前記リセスされたマスクパターンよりも広い幅を有する拡張されたグルーブ（ｅｎｌａｒｇｅｄ  ｇｒｏｏｖｅｓ）を形成する。前記拡張されたグルーブを埋める犠牲マスクパターンを形成し、前記犠牲マスクパターンを食刻マスクとして使用して前記層間絶縁膜パターンの所定領域を異方性食刻して前記半導体基板の所定領域を露出させる自己整列コンタクトホールを形成する。この時、前記層間絶縁膜パターンの一部は、自己整列コンタクトホールの側壁と前記配線パターンの側壁との間に残存する。前記自己整列コンタクトホールを有する半導体基板の全面上に前記自己整列コンタクトホールを埋める上部導電膜を形成する。前記リセスされたマスクパターンの上部面が露出されるまで前記上部導電膜及び前記犠牲マスクパターンを平坦化させて前記自己整列コンタクトホールを埋めるプラグを形成する。
【００１９】
望ましくは、前記マスク膜は第１マスク膜、バッファー層及び第２マスク膜を順に積層して形成する。この時、前記マスクパターンは前記第２マスク膜、バッファー層及び第１マスク膜を連続的にパターニングして第１マスクパターン、バッファー層パターン及び第２マスクパターンを形成することで形成される。また、前記リセスされたマスクパターンは前記バッファー層パターンが露出されるように前記第２マスクパターンを選択的に食刻して形成する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、コンタクトプラグの高さを低くし、配線の上部面の食刻損傷を防止しながら、配線とプラグとの間に短絡が発生したりＢＶが低くなったりすることを防ぐことができる。また、配線との間、または配線とプラグとの間に発生するカップリングキャパシタンスを低めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
図６ないし図１２は、本発明の望ましい実施形態による自己整列コンタクト構造体を形成する方法を説明するための断面図である。
【００２２】
図６を参照すると、半導体基板１００上に下部絶縁膜２００を形成する。前記半導体基板１００の内部には電気的接触が可能であるように活性領域（図示せず）、または導電パッド（図示せず）が形成されることもある。前記半導体基板１００の表面に活性領域が露出されている場合、前記下部絶縁膜２００はゲート誘電膜となる。
【００２３】
前記下部絶縁膜２００は酸化膜、または窒化膜で形成されるのが望ましく、ゲート誘電膜となる場合は誘電率が高い材料を使用して形成することが望ましい。
【００２４】
前記半導体基板１００の表面に導電パッド（図示せず）が露出されている場合、前記下部絶縁膜２００をパターニングして前記導電パッドのうち、一部を露出させる開口部を形成することができる。
【００２５】
前記下部絶縁膜２００が形成された半導体基板の全面上に下部導電膜３００及びマスク膜４００を順に形成する。前記下部導電膜３００は単一の導電膜、または順に積層された複数の導電膜で形成することができる。
【００２６】
望ましくは、前記下部導電膜３００は、ポリシリコン膜及び金属シリサイド膜を順に積層したり、拡散防止膜及び金属膜を順に積層したりして形成する。前記金属膜はタングステンで形成することができる。
【００２７】
前記マスク膜４００は、前記下部導電膜３００をパターニングする間、マスクの役割をするので前記下部導電膜３００の食刻物質（ｅｔｃｈａｎｔ）に対して食刻率が低い材料を使用して形成する。望ましくは、前記マスク膜４００は、シリコン窒化膜を使用して形成する。また、前記マスク膜４００は複数の膜を積層して形成することもできるが、これに対しては図１３ないし図１８を参照して詳しく説明する。
【００２８】
図７を参照すると、前記マスク膜４００を写真及び食刻工程でパターニングしてライン形態のマスクパターン４５０を形成する。前記マスクパターン４５０が形成された後、前記下部導電膜３００を食刻工程でパターニングして配線３５０を形成する。この時、前記マスクパターン４５０を食刻マスクとして使用することができる。その結果、前記配線３５０と前記マスクパターン４５０とからなる配線パターン３７０が形成される。
【００２９】
前記配線３５０は、ワードライン、またはビットラインになるように形成することができる。
【００３０】
前記配線パターンが形成された半導体基板の全面上に前記配線パターン３７０との間のギャップ領域を埋めるように層間絶縁膜を形成する。前記層間絶縁膜は前記マスクパターン４５０を食刻するための食刻物質に対して食刻率が低い低誘電膜を使用して形成するのが望ましく、シリコン酸化膜で形成することができる。前記層間絶縁膜を前記マスクパターン４５０の上部面が露出されるまで平坦化する。その結果、前記配線パターン３７０との間のギャップ領域を埋める層間絶縁膜パターン５００が形成され、前記マスクパターン４５０の上部面が露出される。
【００３１】
従来技術では、前記配線パターン３７０の側壁を覆うスペーサーを形成した後、層間絶縁膜を形成する。前記従来のスペーサーはシリコン窒化膜のような高誘電膜で形成されるので配線との間のカップリングキャパシタンスが高い。しかし、本発明では、前記配線パターン３７０の側壁を覆うスペーサーを形成せず層間絶縁膜パターン５００を形成する。従って、前記配線３５０との間で発生するカップリングキャパシタンスを低くすることができる。
【００３２】
図８を参照すると、前記露出されたマスクパターン４５０の上部面を選択的に食刻してリセスされたマスクパターン４７０を形成する。前記マスクパターン４５０は前記層間絶縁膜パターン５００に対して食刻の選択性がある食刻物質を使用して乾式、または湿式で選択的に食刻することができる。その結果、前記リセスされたマスクパターン４７０の上部には、前記層間絶縁膜パタン５００によって限定されるグルーブ（ｇｒｏｏｖｅｓ）５５０が形成される。
【００３３】
図９を参照すると、前記グルーブ５５０が形成された半導体基板の全面上に犠牲マスク膜を形成する。前記犠牲マスク膜は前記層間絶縁膜パターン５００を食刻するための食刻レシピに対して前記マスク膜４００よりも食刻率がもっと低い物質膜を使用して形成する。望ましくは、ポリシリコン膜を使用して前記犠牲マスク膜を形成することができる。
【００３４】
前記犠牲マスク膜を前記層間絶縁膜パターン５００の上部面が露出されるまで平坦化する。その結果、前記グルーブ５５０を埋め、前記層間絶縁膜パターン５００によって互いに分離される犠牲マスクパターン６００が形成される。
【００３５】
図１０を参照すると、前記犠牲マスクパターン６００が形成された半導体基板の上部に前記層間絶縁膜パターン５００の所定領域を露出させる開口部を有するフォトレジストパターン７００を形成する。前記フォトレジストパターン７００は、前記半導体基板１００内部に形成された活性領域（図示せず）、またはパッド（図示せず）上部に開口部を有するように形成する。また、前記開口部の底には前記犠牲マスクパターン６００の一部が露出されることとなる。
【００３６】
前記フォトレジストパターン７００の開口部は、ホール形態（ｈｏｌｅ  ｔｙｐｅ）で形成することができ、前記犠牲マスクパターン６００の上部を横切るライン形態で形成することもできる。
【００３７】
前記フォトレジストパターン７００及び前記犠牲マスクパターン６００を食刻マスクとして使用して前記層間絶縁膜パターン５００及び前記下部絶縁膜２００を連続的に食刻する。その結果、半導体基板１００の内部に形成された活性領域（図示せず）、またはパッド（図示せず）を露出させる自己整列コンタクトホール７５０が形成される。
【００３８】
この時、前記犠牲マスクパターン６００の角の部分が食刻される。しかし、前記犠牲マスクパターン６００の食刻速度はシリコン窒化膜と比べて遅いので従来技術のマスク膜と比べ薄い厚さでも前記配線３５０の上部面が露出されないように自己整列コンタクトホール７５０を形成することができる。
【００３９】
図１１を参照すると、前記コンタクトホール７５０が形成された後、前記フォトレジストパターン７００を除去する。その後、前記コンタクトホール７５０が形成された半導体基板の全面上にコンフォーマル（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ）なスペーサー絶縁膜を形成する。前記スペーサー絶縁膜はシリコン酸化物、またはシリコン窒化膜で形成することができる。但し、シリコン酸化膜は、シリコン窒化膜と比べて誘電率が低いのでカップリングキャパシタンスを低くすることができるメリットがある。
【００４０】
前記スペーサー絶縁膜を全面食刻して前記コンタクトホール７５０の側壁を覆うスペーサー６５０を形成する。前記スペーサー６５０が形成された半導体基板の全面上に前記コンタクトホール７５０を埋める上部導電膜８００を形成する。前記上部導電膜８００はポリシリコン膜、または金属膜を使用して形成することができる。前記上部導電膜８００を、金属膜を使用して形成する場合、前記金属膜を形成する前に拡散防止膜を先に形成することができる。
【００４１】
図１２を参照すると、前記上部導電膜８００及び前記犠牲マスクパターン６００を前記リセスされたマスクパターン４７０が露出されるまで平坦化する。その結果、前記半導体基板１００表面に露出された前記活性領域、またはパッド（図示せず）と電気的に接触されるプラグ８５０が形成される。前記プラグ８５０は前記リセスされたマスクパターン４７０及び前記層間絶縁膜パターン５００によって互いに分離される。前記プラグ８５０はコンタクトパッドとして使用されてその上に形成されるコンタクトホールの縦横比を低くすることができる。
【００４２】
本実施形態によると、前記犠牲マスクパターン６００が最終的にはすべて除去されるので前記プラグ８５０の高さを低くすることができる。また、自己整列コンタクトホール７５０を形成する時、シリコン窒化膜と比べて食刻率が低い前記犠牲マスクパターン６００を使用するので前記配線３５０がコンタクトホール７５０の内部に露出されるのを防ぐことができ、ＢＶを高めることができる。
【００４３】
一方、前記配線パターン３７０が形成された後、その側壁を覆う高誘電膜のスペーサーを形成せず、層間絶縁膜を形成するので前記配線３５０との間に発生するカップリングキャパシタンスを低くすることができる。また、前記コンタクトホール７５０が形成された後、シリコン酸化膜でスペーサーを形成して前記配線３５０と前記プラグ８５０との間のカップリングキャパシタンスを低くすることができる。
【００４４】
図１３ないし図１８は、本発明の他の実施形態による自己整列コンタクト構造体を形成する方法を説明するための断面図である。
【００４５】
図１３を参照すると、図６で説明したように、半導体基板１００上に下部絶縁膜２００，下部導電膜３００及びマスク膜４００を形成する。但し、前記マスク膜４００は第１マスク膜４１０、バッファー層４２０及び第２マスク膜４３０を順に積層して形成する。この時、前記第２マスク幕４３０は前記下部導電膜３００をパターニングする間、マスクの役割をするので前記下部導電膜３００は食刻物質（ｅｔｃｈａｎｔ）に対して食刻率が低い絶縁膜を使用して形成する。望ましくは、前記第２マスク膜４３０はシリコン窒化膜を使用して形成することができる。
【００４６】
前記第１マスク膜４１０は、最終的に前記下部導電膜３００を保護する膜であり、シリコン窒化膜で形成することが望ましい。前記バッファー層４２０は前記第２マスク膜４３０を湿式で食刻する時、食刻阻止膜の機能を果たすことのできる絶縁膜を使用して形成する。従って、前記バッファー層４２０は前記第２マスク膜に対して食刻選択比を有する絶縁膜で形成することが望ましい。すなわち、前記第２マスク膜４３０がシリコン窒化膜で形成される場合、前記バッファー層４２０はシリコン酸化膜を使用して形成することが望ましい。
【００４７】
図１４を参照すると、図７で説明したように、前記マスク膜４００及び前記下部導電膜３００を順にパターニングしてマスクパターン４５０及び配線３５０を形成する。その結果、前記配線３５０及び前記マスクパターン４５０が積層された配線パターン３７０が形成される。
【００４８】
但し、前記マスクパターン４５０は前記第２マスク膜４３０、前記バッファー層４２０及び前記第１マスク膜４１０を写真及び食刻工程で順にパターニングして形成する。従って、前記マスクパターン４５０は第１マスクパターン４１５、バッファー層パターン４２５及び第２マスクパターン４３５が積層された構造を有する。
【００４９】
前記配線パターン３７０が形成された半導体基板の全面上に、図７で説明したように、層間絶縁膜を形成した後、前記マスクパターン４５０の上部面が露出されるまで平坦化する。その結果、前記配線パターンとの間のギャップ領域を埋める層間絶縁膜パターン５００が形成され、前記第２マスクパターン４３５の上部面が露出される。
【００５０】
図１５を参照すると、前記露出された第２マスクパターン４３５を湿式で食刻して選択的に除去する。その結果、前記バッファー層パターン４２５の上部面が露出されるリセスされたマスクパターン４７０が形成され、前記バッファー層パターン４２５上部に前記層間絶縁膜パターン５００によって限定されるグルーブ５５０が形成される。前記バッファー層パターン４２５は前記第２マスクパターン４３５を湿式食刻する工程で食刻阻止膜として作用する。従って、前記バッファー層パターン４２５を使用することによって前記第２マスクパターン４３５を湿式食刻する工程を制御し易くなる。
【００５１】
図１６を参照すると、前記グルーブ５５０が形成された半導体基板の全面上に、図９を参照して説明したように、犠牲マスク膜を形成する。前記犠牲マスク膜を前記層間絶縁膜パターン５００が露出されるまで平坦化して前記グルーブ５５０を埋め、前記層間絶縁膜５００によって互いに分離された犠牲マスクパターン６００を形成する。
【００５２】
図１７を参照すると、図１０で説明したように、前記層間絶縁膜パターン５００を露出させる開口部を有するフォトレジストパターン７００を形成する。また、図１０で説明したように、前記フォトレジストパターン７００及び前記犠牲マスクパターン６００を食刻マスクとして前記層間絶縁膜５００及び前記下部絶縁膜２００を連続的に食刻して前記半導体基板１００の所定領域を露出させる自己整列コンタクトホール７５０を形成する。
【００５３】
図１８を参照すると、図１１及び図１２を参照して説明したように、前記コンタクトホール７５０内部にスペーサー６５０を形成した後、上部導電膜を形成する。前記上部導電膜を前記バッファー層パターン４２５が露出されるまで平坦化してプラグ８５０を形成する。この時、前記バッファー層パターン４２５も平坦化工程によって共に除去されることになる。
【００５４】
本実施形態によると、前記リセスされたマスクパターン４７０を形成する時、バッファー層パターン４２５を食刻阻止膜として使用することができ食刻工程を制御し易いというメリットがある。
【００５５】
図１９ないし図２６は、本発明のもう一つの実施形態による犠牲マスク膜を使用して自己整列コンタクトプラグ構造体を形成する方法を説明するための断面図である。
【００５６】
図１９ないし図２１を参照すると、図６ないし図８を参照して説明したように、半導体基板１００上に下部絶縁膜２００を形成し配線３５０、層間絶縁膜パターン５００及びリセスされたマスクパターン４７０とグルーブ５５０を形成する。
【００５７】
図２２を参照すると、前記グルーブ５５０が形成された半導体基板上部の前記層間絶縁膜パターン５００を等方性食刻して拡張されたグルーブ（ｅｎｌａｒｇｅｄ  ｇｒｏｏｖｅｓ、５７０）を形成する。この時、前記リセスされたマスクパターン４７０は、前記等方性食刻物質（ｅｔｃｈａｎｔ）による食刻率が低く前記層間絶縁膜パターン５００と比べて少ない量だけが食刻される。
【００５８】
図２３を参照すると、前記拡張されたグルーブ５７０が形成された半導体基板の全面上に犠牲マスク膜を形成する。前記犠牲マスク膜は、図９を参照して説明したように、前記層間絶縁膜パターン５００を食刻するための食刻レシピに対して前記マスク膜（図６の４００）よりも食刻率がさらに低い膜を使用して形成する。望ましくは、ポリシリコン膜を使用して前記犠牲マスク膜を形成することができる。
【００５９】
前記犠牲マスク膜を前記層間絶縁膜パターン５００の上部面が露出されるまで平坦化する。その結果、前記拡張されたグルーブ５７０を埋め、前記層間絶縁膜パターン５００によって互いに分離された犠牲マスクパターン６００が形成される。
【００６０】
図２４を参照すると、図１０で説明したように、前記犠牲マスクパターン６００が形成された半導体基板の上部に前記層間絶縁膜５００の所定領域を露出させる開口部を有するフォトレジストパターン７００を形成する。前記フォトレジストパターン７００は前記半導体基板１００内部に形成された活性領域（図示せず）、またはパッド（図示せず）の上部に開口部を有するように形成される。また、前記開口部の底には前記犠牲マスクパターン６００の一部が露出されることもある。
【００６１】
前記フォトレジストパターン７００の開口部は、ホール形態（ｈｏｌｅ  ｔｙｐｅ）で形成することができ、前記犠牲マスクパターン６００を横切るライン形態で形成されることもある。
【００６２】
前記フォトレジストパターン７００及び前記犠牲マスクパターン６００を食刻マスクとして前記層間絶縁膜パターン５００及び前記下部絶縁膜２００を連続的に食刻する。その結果、前記半導体基板１００内部に形成された前記活性領域（図示せず）、またはパッド（図示せず）を露出させる自己整列コンタクトホール７５０が形成される。前記自己整列コンタクトホール７５０の側壁と前記配線パターン（３５０及び４７０）の側壁との間には層間絶縁膜パターン５００の一部が食刻されずに残存してスペーサー６５０が形成される。前記スペーサー６５０は、前記コンタクトホール７５０を形成する工程によって自動的に形成されるので別途のスペーサー形成工程を実施する必要がない。
【００６３】
図２５を参照すると、前記コンタクトホール７５０が形成された後、前記フォトレジストパターン７００を除去する。その後、前記コンタクトホール７５０が形成された半導体基板の全面上に上部導電膜８００を形成する。前記上部導電膜８００は、図１１で説明したように、ポリシリコン膜、または金属膜を使用して形成することができ、前記金属膜を形成する前に拡散防止膜を先に形成することができる。
【００６４】
図２６を参照すると、前記上部導電膜８００及び前記犠牲マスクパターン６００を前記リセスされたマスクパターン４７０が露出されるまで平坦化する。その結果、前記半導体基板１００の内部に形成された前記活性領域、またはパッド（図示せず）と電気的に接触するプラグ８５０が形成される。前記プラグ８５０は前記リセスされたマスクパターン４７０及び前記層間絶縁膜５００によって互いに分離される。
【００６５】
本発明によると、前記配線３５０及びリセスされたマスクパターン４７０の幅よりも広い幅を有する犠牲マスクパターン６００を使用して自己整列コンタクトホール７５０を形成する。その結果、前記コンタクトホール７５０を形成する工程によって前記コンタクトホール７５０と前記配線パターン（３５０及び４７０）の側壁との間にはスペーサー６５０が自動的に形成される。従って、別途のスペーサー形成工程を実施する必要がなく、特に層間絶縁膜パターン５００の誘電率が低いので、前記プラグ８５０と前記配線３５０との間に発生するカップリングキャパシタンスを低くすることができるメリットがある。
【００６６】
図２７ないし図３３は、本発明のもう一つ他の実施形態による前記マスク膜４００を複数の膜で形成して自己整列コンタクトプラグ構造体を形成する方法を説明するための断面図である。
【００６７】
図２７ないし図２９を参照すると、図１３ないし図１５を参照して説明したように、半導体基板１００上に下部絶縁膜２００を形成し、前記下部絶縁膜２００上に配線３５０、第１マスクパターン４１５、バッファー層パターン４２５、第２マスクパターン４３５からなる配線パターンを形成した後、前記配線パターン４５０との間のギャップ領域を埋める層間絶縁膜パターン５００を形成し、前記第２マスクパターン４３５を選択的に食刻してグルーブ５５０を形成する。
【００６８】
図３０を参照すると、図２２で説明したように、前記グルーブ５５０が形成された半導体基板の上部の前記層間絶縁膜パターン５００を等方性食刻して拡張されたグルーブ５７０を形成する。この時、前記バッファー層パターン４２５は等方性食刻によってすべて除去することができる。しかし、前記バッファー層パターン４２５がすべて除去されても前記第１マスクパターン４１５は前記等方性食刻物質（ｅｔｃｈａｎｔ）による食刻率が低いので前記層間絶縁膜パターン５００と比べて僅かな量だけが食刻される。また、前記等方性食刻工程を進行する間、前記バッファー層パターン４２５が食刻されるので前記第１マスクパターン４１５の側壁に沿って前記層間絶縁膜パターン５００が食刻される量を減少させることができる。
【００６９】
図３１を参照すると、図２３で説明したように、前記層間絶縁膜パターン５００によって互いに分離された犠牲マスクパターン６００を形成する。但し、前記犠牲マスクパターン６００の下部には第１マスクパターン４１５が位置する。
【００７０】
図３２を参照すると、図２４で説明したように、前記犠牲マスクパターン６００が形成された半導体基板の上部にフォトレジストパターン７００を形成した後、前記フォトレジストパターン７００及び前記犠牲マスクパターン６００を食刻マスクとして使用して前記層間絶縁膜パターン５００を食刻して自己整列コンタクトホール７５０を形成する。この時、前記配線パターン（３５０及び４７０）と前記コンタクトホール７５０との間にスペーサー６５０が自動的に形成される。
【００７１】
図３３を参照すると、図２５及び図２６を参照して説明したように，前記フォトレジストパターン７００を除去した後、前記コンタクトホール７５０が形成された半導体基板の全面上に上部導電膜を形成する。前記上部導電膜及び前記犠牲マスクパターン６００を前記第１マスクパターン４１５の上部面が露出されるまで平坦化してプラグ８５０を形成する。
【００７２】
本実施形態によれば、前記バッファー層パターン４２５を食刻阻止膜として使用して前記第２マスクパターン４３５を選択的に食刻することができるので工程制御がやり易い。また、前記層間絶縁膜パターン５００を等方性食刻する工程で前記バッファー層パターン４２５が共に除去されるので前記第１マスクパターン４１５の側壁に沿って前記層間絶縁膜５００がリセスされる量を最小化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】従来技術による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図２】従来技術による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図３】従来技術による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図４】従来技術による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図５】従来技術による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図６】本発明の望ましい実施形態による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図７】本発明の望ましい実施形態による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図８】本発明の望ましい実施形態による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図９】本発明の望ましい実施形態による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図１０】本発明の望ましい実施形態による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図１１】本発明の望ましい実施形態による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図１２】本発明の望ましい実施形態による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図１３】本発明の他の実施形態による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図１４】本発明の他の実施形態による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図１５】本発明の他の実施形態による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図１６】本発明の他の実施形態による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図１７】本発明の他の実施形態による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図１８】本発明の他の実施形態による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図１９】本発明のもう一つの実施形態による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図２０】本発明のもう一つの実施形態による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図２１】本発明のもう一つの実施形態による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図２２】本発明のもう一つの実施形態による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図２３】本発明のもう一つの実施形態による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図２４】本発明のもう一つの実施形態による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図２５】本発明のもう一つの実施形態による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図２６】本発明のもう一つの実施形態による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図２７】本発明のもう一つ他の実施形態による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図２８】本発明のもう一つ他の実施形態による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図２９】本発明のもう一つ他の実施形態による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図３０】本発明のもう一つ他の実施形態による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図３１】本発明のもう一つ他の実施形態による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図３２】本発明のもう一つ他の実施形態による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【図３３】本発明のもう一つ他の実施形態による自己整列コンタクト構造体形成方法を説明するために概略的に示した断面図である。
【符号の説明】
【００７４】
１００  半導体基板
２００  下部絶縁膜
３５０  配線
４１５  第１マスクパターン
６５０  スペーサー
８５０  プラグ
【図１】
2004356628.tif 000003
【図２】
2004356628.tif 000004
【図３】
2004356628.tif 000005
【図４】
2004356628.tif 000006
【図５】
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【図６】
2004356628.tif 000008
【図７】
2004356628.tif 000009
【図８】
2004356628.tif 000010
【図９】
2004356628.tif 000011
【図１０】
2004356628.tif 000012
【図１１】
2004356628.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2004356628.tif 000018
【図１７】
2004356628.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
2004356628.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
2004356628.tif 000023
【図２２】
2004356628.tif 000024
【図２３】
2004356628.tif 000025
【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
2004356628.tif 000029
【図２８】
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【図２９】
2004356628.tif 000031
【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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