【手続補正書】
【提出日】平成26年2月6日(2014.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンオンインシュレータ構造（絶縁体上シリコン構造）の製造方法であって、該構造が、ハンドルウエハと、シリコン層と、ハンドルウエハとシリコン層との間の誘電層と、を含んでおり、および中心軸と、中心軸にほぼ垂直な前表面および後表面と、前表面と後表面とを結び付ける周囲縁と、中心軸から周囲縁まで延在している半径とを有しており、該方法が：
ドナーウエハおよびハンドルウエハの少なくとも１つの前表面上に誘電層を形成し；
−約７００ｎｍ未満の厚さロールオフ量（ＲＯＡ）を有するドナーウエハおよびハンドルウエハの少なくとも１つに前記誘電層を結合させて結合ウエハを形成し；および
シリコン層が、誘電層と結合したままとなるように、ドナーウエハ内の分離平面に沿って結合ウエハを分離して、シリコンオンインシュレータ構造を形成する
ことを含む、シリコンオンインシュレータ構造の製造方法。
【請求項２】
誘電層をドナーウエハに形成し、および誘電層を、−約７００ｎｍ未満の厚さＲＯＡを有するハンドルウエハと結合させる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
誘電層を、−約７００ｎｍ未満の厚さＲＯＡを有するドナーウエハに形成し、および誘電層をハンドルウエハと結合させる、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
誘電層をハンドルウエハに形成し、および誘電層を、−約７００ｎｍ未満の厚さＲＯＡを有するドナーウエハと結合させる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
誘電層を、−約７００ｎｍ未満の厚さＲＯＡを有するハンドルウエハに形成し、および誘電層をドナーウエハと結合させる、請求項１または４に記載の方法。
【請求項６】
ハンドルウエハが、−約７００ｎｍ未満、−約６００ｎｍ未満、−約５００ｎｍ未満、−約４００ｎｍ未満、−約３００ｎｍ未満、−約２５０ｎｍ未満または−約１０ｎｍ未満〜−約７００ｎｍ未満、−約５０ｎｍ〜−約６００ｎｍ、−約１００ｎｍ〜−約５００ｎｍ、−約１００ｎｍ〜−約４００ｎｍもしくは−約１００ｎｍ〜−約３００ｎｍの厚さＲＯＡを有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
ドナーウエハが、その前表面において−約６００ｎｍ未満、−約５００ｎｍ未満、−約４００ｎｍ未満、−約３００ｎｍ未満、−約２５０ｎｍ未満または−約１０ｎｍ〜−約７００ｎｍ、−約５０ｎｍ〜−約６００ｎｍ、−約１００ｎｍ〜−約５００ｎｍ、−約１００ｎｍ〜−約４００ｎｍもしくは−約１００ｎｍ〜−約３００ｎｍの厚さＲＯＡを有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
ドナーウエハおよびハンドルウエハの両方が、構造の周囲縁と半径の９８％の位置との間に環状縁部分を有しており、厚さＲＯＡを：
厚さプロファイル上の第１分別点と第２分別点との間の参照線を形成し；および
参照線と、ウエハ厚さプロファイルの縁部分における第３分別点との間の距離を測定すること
によって求める、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
第１分別点と構造の中心軸との間の距離が、構造の半径の約８２．７％である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
第２分別点と構造の中心軸との間の距離が、構造の半径の約９３．３％である、請求項８または９に記載の方法。
【請求項１１】
第３分別点と構造の中心軸との間の距離が、構造の半径の約９９．３％である、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
参照線を一次直線としてフィットさせる、請求項８〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
参照線を三次多項式としてフィットさせる、請求項８〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
厚さＲＯＡが、平均厚さＲＯＡである、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
平均厚さＲＯＡが、８つのウエハ半径で測られた８つの厚さＲＯＡ測定値の平均である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
ドナーウエハとハンドルウエハの少なくとも１つが、−約１１００ｎｍ／ｍｍ２未満、−約８００ｎｍ／ｍｍ２未満、−約６００ｎｍ／ｍｍ２未満、−約４００ｎｍ／ｍｍ２未満、−約１１１０ｎｍ／ｍｍ２〜−約１００ｎｍ／ｍｍ２または−約８００ｎｍ／ｍｍ２〜−約２００ｎｍ／ｍｍ２の前表面ｚｄｄを有する、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
ハンドルウエハが、その前表面において約６ｎｍよりも大きい寸法の約３以下の明視野欠陥を有し、またはその前表面において約６ｎｍよりも大きい寸法の約２以下、約１以下またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
ハンドルウエハが、その前表面において約４．８ｎｍよりも大きい寸法の約６未満の明視野欠陥を有し、またはその前表面において約４．８ｎｍよりも大きい寸法の約４未満、約２未満またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
ドナーウエハが、その前表面において約６ｎｍよりも大きい寸法の約３以下の明視野欠陥を有し、またはその前表面において約６ｎｍよりも大きい寸法の約２以下、約１以下またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
ドナーウエハが、その前表面において約４．８ｎｍよりも大きい寸法の約６未満の明視野欠陥を有し、またはその前表面において約４．８ｎｍよりも大きい寸法の約４未満、約２未満またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
シリコン層が、構造の中心軸から構造の半径の約９８．９％の位置までまたは少なくとも約９９．２％、少なくとも約９９．４％、少なくとも約９９．６％の位置までまたは構造の半径の約９８．９％〜約９９．９％、約９９．２％〜約９９．９％または約９９．５％〜約９９．９％の位置まで延在している、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
ハンドルウエハが、前表面および後表面を有しており、ハンドルウエハを：
ハンドルウエハの前表面を研磨することを含む第１研磨工程を行って；
第１研磨工程後に、ハンドルウエハの前表面を洗浄することを含む洗浄工程を行って；および
洗浄工程後に、ハンドルウエハの前表面を研磨することを含む第２研磨工程を行うこと
によって製造する、請求項１〜２１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】
第１研磨工程中に前表面を研磨するのと同時にハンドルウエハの後表面を研磨する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
第１研磨工程が、ハンドルウエハの前表面の表面粗さを、約１μｍ×約１μｍ〜約１００μｍ×約１００μｍのＡＦＭスキャン寸法により測定して約３オングストローム未満、約２．５オングストローム未満または約２オングストローム未満まで減少させる、請求項２２または２３に記載の方法。
【請求項２５】
第２研磨工程が、ハンドルウエハの前表面の表面粗さを、約１０μｍ×約１０μｍ〜約１００μｍ×約１００μｍのＡＦＭスキャン寸法により測定して約２．０オングストローム未満、約１．５オングストローム未満または約１．２オングストローム未満まで減少させる、請求項２２〜２４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２６】
第１研磨工程が、ウエハをポリウレタン発泡体パッドにより研磨することを含む、請求項２２〜２５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２７】
第１研磨工程が、コロイダルシリカスラリーをウエハと接触させることを含む、請求項２２〜２６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２８】
第２研磨工程が、ウエハをポリウレタン発泡体パッドにより研磨することを含む、請求項２２〜２７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２９】
第２研磨工程が、コロイダルシリカスラリーをウエハと接触させることを含む、請求項２２〜２８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３０】
洗浄工程が、ウエハを洗い流すことを含む、請求項２２〜２９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３１】
洗浄工程が、ウエハを水酸化アンモニウム溶液および過酸素水素溶液に接触させることを含む、請求項２２〜３０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３２】
ドナーウエハが、前表面および後表面を有しており、ドナーウエハを：
ドナーウエハの前表面を研磨することを含む第１研磨工程を行って；
第１研磨工程後に、ドナーウエハの前表面を洗浄することを含む洗浄工程を行って；および
洗浄工程後に、ドナーウエハの前表面を研磨することを含む第２研磨工程を行うこと
によって製造する、請求項１〜３１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３３】
第１研磨工程中に前表面を研磨するのと同時にドナーウエハの後表面を研磨する、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
第１研磨工程が、ドナーウエハの前表面の表面粗さを、約１μｍ×約１μｍ〜約１００μｍ×約１００μｍのＡＦＭスキャン寸法により測定して約３オングストローム未満、約２．５オングストローム未満または約２オングストローム未満まで減少させる、請求項３２または３３に記載の方法。
【請求項３５】
第２研磨工程が、ドナーウエハの前表面の表面粗さを、約１０μｍ×約１０μｍ〜約１００μｍ×約１００μｍのＡＦＭスキャン寸法により測定して約２．０オングストローム未満、約１．５オングストローム未満または約１．２オングストローム未満まで減少させる、請求項３２〜３４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３６】
第１研磨工程が、ウエハをポリウレタン発泡体パッドにより研磨することを含む、請求項３２〜３５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３７】
第１研磨工程が、コロイダルシリカスラリーをウエハと接触させることを含む、請求項３２〜３６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３８】
第２研磨工程が、ウエハをポリウレタン発泡体パッドにより研磨することを含む、請求項３２〜３７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３９】
第２研磨工程が、コロイダルシリカスラリーをウエハと接触させることを含む、請求項３２〜３８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４０】
洗浄工程が、ウエハを洗い流すことを含む、請求項３２〜３９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４１】
洗浄工程が、ウエハを水酸化アンモニウム溶液および過酸素水素溶液に接触させることを含む、請求項３２〜４０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４２】
結合されたシリコンオンインシュレータ構造であって、該構造が、ハンドルウエハと、ドナーウエハと、ハンドルウエハとドナーウエハとの間の誘電層と、を含み、該誘電層が、ハンドルウエハと部分的に結合されており、該構造が、中心軸と、周囲縁と、中心軸から周囲縁まで延在している半径とを有しており、誘電層とハンドルウエハとの間の結合が、結合されたシリコンオンインシュレータ構造の中心軸から、結合されたシリコンオンインシュレータ構造の半径の少なくとも約９８．９％の位置まで延在している、結合されたシリコンオンインシュレータ構造。
【請求項４３】
誘電層とハンドルウエハとの間の結合が、結合されたシリコンオンインシュレータ構造の中心軸から、結合されたシリコンオンインシュレータ構造の半径の少なくとも約９９．２％、少なくとも約９９．４％、少なくとも約９９．６％または結合されたシリコンオンインシュレータ構造の半径の約９８．９％〜約９９．９％、約９９．２％〜約９９．９％もしくは約９９．５％〜約９９．９％の位置まで延在している、請求項４２に記載の結合されたシリコンオンインシュレータ構造。
【請求項４４】
ハンドルウエハが、−約７００ｎｍ未満、−約６００ｎｍ未満、−約５００ｎｍ未満、−約４００ｎｍ未満、−約３００ｎｍ未満、−約２５０ｎｍ未満または−約１０ｎｍ〜−約７００ｎｍ、−約５０ｎｍ〜−約６００ｎｍ、−約１００ｎｍ〜−約５００ｎｍ、−約１００ｎｍ〜−約４００ｎｍもしくは−約１００ｎｍ〜−約３００ｎｍの厚さＲＯＡを有する、請求項４２または４３に記載の結合されたシリコンオンインシュレータ構造。
【請求項４５】
ドナーウエハが、−約７００ｎｍ未満、−約６００ｎｍ未満、−約５００ｎｍ未満、−約４００ｎｍ未満、−約３００ｎｍ未満、−約２５０ｎｍ未満または−約１０ｎｍ〜−約７００ｎｍ、−約５０ｎｍ〜−約６００ｎｍ、−約１００ｎｍ〜−約５００ｎｍ、−約１００ｎｍ〜−約４００ｎｍもしくは−約１００ｎｍ〜−約３００ｎｍの厚さＲＯＡを有する、請求項４２〜４４のいずれか１項に記載の結合されたシリコンオンインシュレータ構造。
【請求項４６】
ドナーウエハとハンドルウエハの少なくとも１つが、−約１１００ｎｍ／ｍｍ２未満、−約８００ｎｍ／ｍｍ２未満、−約６００ｎｍ／ｍｍ２未満、−約４００ｎｍ／ｍｍ２未満、−約１１１０ｎｍ／ｍｍ２〜−約１００ｎｍ／ｍｍ２または−約８００ｎｍ／ｍｍ２〜−約２００ｎｍ／ｍｍ２の前表面ｚｄｄを有する、請求項４２〜４５のいずれか１項に記載の結合されたシリコンオンインシュレータ構造。
【請求項４７】
誘電層とハンドルウエハが、界面を形成しており、ハンドルウエハが、界面において約６ｎｍよりも大きい寸法の約３以下の明視野欠陥を有し、または界面において約６ｎｍよりも大きい寸法の約２以下、約１以下またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項４２〜４６のいずれか１項に記載の結合されたシリコンオンインシュレータ構造。
【請求項４８】
誘電層とハンドルウエハが、界面を形成しており、ハンドルウエハが、界面において約４．８ｎｍよりも大きい寸法の約６未満の明視野欠陥を有し、または界面において約４．８ｎｍよりも大きい寸法の約４未満、約２未満またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項４２〜４７のいずれか１項に記載の結合されたシリコンオンインシュレータ構造。
【請求項４９】
誘電層とドナーウエハが、界面を形成しており、ドナーウエハが、界面において約６ｎｍよりも大きい寸法の約３以下の明視野欠陥を有し、または界面において約６ｎｍよりも大きい寸法の約２以下、約１以下またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項４２〜４８のいずれか１項に記載の結合されたシリコンオンインシュレータ構造。
【請求項５０】
誘電層とドナーウエハが、界面を形成しており、ドナーウエハが、界面において約４．８ｎｍよりも大きい寸法の約６未満の明視野欠陥を有し、または界面において約４．８ｎｍよりも大きい寸法の約４未満、約２未満またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項４２〜４９のいずれか１項に記載の結合されたシリコンオンインシュレータ構造。
【請求項５１】
結合されたシリコンオンインシュレータ構造であって、該構造が、ハンドルウエハと、ドナーウエハと、ハンドルウエハとドナーウエハとの間の誘電層と、を含んでおり、該誘電層が、ドナーウエハと部分的に結合されており、結合されたシリコンオンインシュレータ構造が、中心軸と、周囲縁と、中心軸から周囲縁まで延在している半径とを有しており、誘電層とドナーウエハとの間の結合が、結合されたシリコンオンインシュレータ構造の中心軸から、結合されたシリコンオンインシュレータ構造の半径の少なくとも約９８．９％〜約９９．９％の位置まで延在している、結合されたシリコンオンインシュレータ構造。
【請求項５２】
誘電層とドナーウエハとの間の結合が、結合されたシリコンオンインシュレータ構造の中心軸から、ドナーウエハの半径の少なくとも約９９．２％、少なくとも約９９．４％、少なくとも約９９．６％または結合されたシリコンオンインシュレータ構造の半径の約９９．２％〜約９９．９％もしくは約９９．５％〜約９９．９％の位置まで延在している、請求項５１に記載の結合されたシリコンオンインシュレータ構造。
【請求項５３】
ハンドルウエハが、−約７００ｎｍ未満、−約６００ｎｍ未満、−約５００ｎｍ未満、−約４００ｎｍ未満、−約３００ｎｍ未満、−約２５０ｎｍ未満または−約１０ｎｍ〜−約７００ｎｍ、−約５０ｎｍ〜−約６００ｎｍ、−約１００ｎｍ〜−約５００ｎｍ、−約１００ｎｍ〜−約４００ｎｍもしくは−約１００ｎｍ〜−約３００ｎｍの厚さＲＯＡを有する、請求項５１または５２に記載の結合されたシリコンオンインシュレータ構造。
【請求項５４】
ドナーウエハが、−約７００ｎｍ未満、−約６００ｎｍ未満、−約５００ｎｍ未満、−約４００ｎｍ未満、−約３００ｎｍ未満、−約２５０ｎｍ未満または−約１０ｎｍ〜−約７００ｎｍ、−約５０ｎｍ〜−約６００ｎｍ、−約１００ｎｍ〜−約５００ｎｍ、−約１００ｎｍ〜−約４００ｎｍまたは−約１００ｎｍ〜−約３００ｎｍの厚さＲＯＡを有する、請求項５１〜５３のいずれか１項に記載の結合されたシリコンオンインシュレータ構造。
【請求項５５】
ドナーウエハとハンドルウエハの少なくとも１つが、 −約１１００ｎｍ／ｍｍ２未満、−約８００ｎｍ／ｍｍ２未満、−約６００ｎｍ／ｍｍ２未満、−約４００ｎｍ／ｍｍ２未満、−約１１１０ｎｍ／ｍｍ２〜−約１００ｎｍ／ｍｍ２または−約８００ｎｍ／ｍｍ２〜−約２００ｎｍ／ｍｍ２の前表面ｚｄｄを有する、請求項５１〜５４のいずれか１項に記載の結合されたシリコンオンインシュレータ構造。
【請求項５６】
誘電層とハンドルウエハが、界面を形成しており、ハンドルウエハが、界面において約６ｎｍよりも大きい寸法の約３以下の明視野欠陥を有し、または界面において約６ｎｍよりも大きい寸法の約２以下、約１以下またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項５１〜５５のいずれか１項に記載の結合されたシリコンオンインシュレータ構造。
【請求項５７】
誘電層とハンドルウエハが、界面を形成しており、ハンドルウエハが、界面において約４．８ｎｍよりも大きい寸法の約６未満の明視野欠陥を有し、または界面において約４．８ｎｍよりも大きい寸法の約４未満、約２未満またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項５１〜５６のいずれか１項に記載の結合されたシリコンオンインシュレータ構造。
【請求項５８】
誘電層とドナーウエハが、界面を形成しており、ドナーウエハが、界面において約６ｎｍよりも大きい寸法の約３以下の明視野欠陥を有し、または界面において約６ｎｍよりも大きい寸法の約２以下、約１以下またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項５１〜５７のいずれか１項に記載の結合されたシリコンオンインシュレータ構造。
【請求項５９】
誘電層とドナーウエハが、界面を形成しており、ドナーウエハが、界面において約４．８ｎｍよりも大きい寸法の約６未満の明視野欠陥を有し、または界面において約４．８ｎｍよりも大きい寸法の約４未満、約２未満またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項５１〜５８のいずれか１項に記載の結合されたシリコンオンインシュレータ構造。
【請求項６０】
シリコンオンインシュレータ構造であって、該構造が、ハンドルウエハと、シリコン層と、ハンドルウエハとシリコン層との間の誘電層と、誘電層とハンドルウエハとの間の界面とを含んでおり、ハンドルウエハが、中心軸と、周囲縁と、中心軸から周囲縁まで延在している半径とを有しており、シリコン層が、ハンドルウエハの中心軸から、ハンドルウエハの半径の少なくとも約９８．９％の位置まで延在しており、ハンドルウエハが、界面において約６ｎｍよりも大きい寸法の約３以下の明視野欠陥を有する、シリコンオンインシュレータ構造。
【請求項６１】
シリコン層が、ハンドルウエハの中心軸からハンドルウエハの半径の少なくとも約９９．２％の位置までまたは少なくとも約９９．４％、少なくとも約９９．６％またはハンドルウエハの半径の約９８．９％〜約９９．９％、約９９．２％〜約９９．９％もしくは約９９．５％〜約９９．９％の位置まで延在している、請求項６０のいずれか１項に記載のシリコンオンインシュレータ構造。
【請求項６２】
誘電層が、ハンドルウエハの中心軸から、ハンドルウエハの半径の少なくとも約９８．９％、少なくとも約９９．２％、少なくとも約９９．４％、少なくとも約９９．６％またはハンドルウエハの半径の約９８．９％〜約９９．９％、約９９．２％〜約９９．９％もしくは約９９．５％〜約９９．９％の位置まで延在している、請求項６０または６１に記載のシリコンオンインシュレータ構造。
【請求項６３】
ハンドルウエハが、界面において約６ｎｍよりも大きい寸法の約２以下の明視野欠陥を有し、または界面において約６ｎｍよりも大きい寸法の約１以下またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項６０〜６２のいずれか１項に記載のシリコンオンインシュレータ構造。
【請求項６４】
ハンドルウエハが、界面において約４．８ｎｍよりも大きい寸法の約６未満の明視野欠陥を有し、または界面において約４．８ｎｍよりも大きい寸法の約４以下、約２以下またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項６０〜６３のいずれか１項に記載のシリコンオンインシュレータ構造。
【請求項６５】
誘電層とシリコン層が、界面を形成しており、シリコン層が、界面において約６ｎｍよりも大きい寸法の約３以下の明視野欠陥を有し、または界面において約６ｎｍよりも大きい寸法の約２以下、約１以下またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項６０〜６４のいずれか１項に記載のシリコンオンインシュレータ構造。
【請求項６６】
誘電層とシリコン層が、界面を形成しており、シリコン層が、界面において約４．８ｎｍよりも大きい寸法の約６未満の明視野欠陥を有し、または界面において約４．８ｎｍよりも大きい寸法の約４未満、約２未満またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項６０〜６５のいずれか１項に記載のシリコンオンインシュレータ構造。
【請求項６７】
ハンドルウエハが、−約７００ｎｍ未満、−約６００ｎｍ未満、−約５００ｎｍ未満、−約４００ｎｍ未満、−約３００ｎｍ未満、−約２５０ｎｍ未満または−約１０ｎｍ〜−約７００ｎｍ、−約５０ｎｍ〜−約６００ｎｍ、−約１００ｎｍ〜−約５００ｎｍ、−約１００ｎｍ〜−約４００ｎｍもしくは−約１００ｎｍ〜−約３００ｎｍの厚さＲＯＡを有する、請求項６０〜６６のいずれか１項に記載のシリコンオンインシュレータ構造。
【請求項６８】
ハンドルウエハが、 −約１１００ｎｍ／ｍｍ２未満、−約８００ｎｍ／ｍｍ２未満、−約６００ｎｍ／ｍｍ２未満、−約４００ｎｍ／ｍｍ２未満、−約１１１０ｎｍ／ｍｍ２〜−約１００ｎｍ／ｍｍ２または−約８００ｎｍ／ｍｍ２〜−約２００ｎｍ／ｍｍ２の前表面ｚｄｄを有する、請求項６０〜６７のいずれか１項に記載のシリコンオンインシュレータ構造。
【請求項６９】
ウエハの研磨方法であって、該方法が：
ウエハをポリウレタン発泡体パッドにより研磨することを含む第１研磨工程を行って；
第１研磨工程後に、ハンドルウエハの前表面を洗浄することを含む洗浄工程を行って；および
洗浄工程後に、ウエハをポリウレタン発泡体パッドにより研磨することを含む第２研磨工程を行うこと
を含む、ウエハの研磨方法。
【請求項７０】
第１研磨工程中に前表面を研磨するのと同時にウエハの後表面を研磨する、請求項６９に記載の方法。
【請求項７１】
第１研磨工程が、ウエハの表面粗さを、約１μｍ×約１μｍ〜約１００μｍ×約１００μｍのＡＦＭスキャン寸法により測定して約３オングストローム未満、約２．５オングストローム未満または約２オングストローム未満まで減少させる、請求項６９または７０に記載の方法。
【請求項７２】
第２研磨工程が、ウエハの表面粗さを、約１０μｍ×約１０μｍ〜約１００μｍ×約１００μｍのＡＦＭスキャン寸法により測定して約２．０オングストローム未満、約１．５オングストローム未満または約１．２オングストローム未満まで減少させる、請求項６９〜７１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７３】
第１研磨工程が、コロイダルシリカスラリーをウエハと接触させることを含む、請求項６９〜７２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７４】
第２研磨工程が、コロイダルシリカスラリーをウエハと接触させることを含む、請求項６９〜７３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７５】
洗浄工程が、ウエハを洗い流すことを含む、請求項６９〜７４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７６】
洗浄工程が、ウエハを水酸化アンモニウム溶液および過酸素水素溶液と接触させることを含む、請求項６９〜７５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７７】
第２研磨工程後に、ウエハが、−約７００ｎｍ未満、−約６００ｎｍ未満、−約５００ｎｍ未満、−約４００ｎｍ未満、−約３００ｎｍ未満、−約２５０ｎｍ未満または−約１０ｎｍ〜−約７００ｎｍ、−約５０ｎｍ〜−約６００ｎｍ、−約１００ｎｍ〜−約５００ｎｍ、−約１００ｎｍ〜−約４００ｎｍもしくは−約１００ｎｍ〜−約３００ｎｍの厚さＲＯＡを有する、請求項６９または７６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７８】
第２研磨工程後に、ウエハが、−約１１００ｎｍ／ｍｍ２未満、−約８００ｎｍ／ｍｍ２未満、−約６００ｎｍ／ｍｍ２未満、−約４００ｎｍ／ｍｍ２未満、−約１１１０ｎｍ／ｍｍ２〜−約１００ｎｍ／ｍｍ２または−約８００ｎｍ／ｍｍ２〜−約２００ｎｍ／ｍｍ２の前表面ｚｄｄを有する、請求項６９〜７７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７９】
ウエハが、界面において約６ｎｍよりも大きい寸法の約３以下の明視野欠陥を有する前表面または約６ｎｍよりも大きい寸法の約２以下、約１以下またはゼロの明視野欠陥を有する前表面を有する、請求項６９〜７８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８０】
ウエハが、ハンドルウエハ、ドナーウエハまたはバルクシリコンウエハである、請求項６９〜７９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８１】
中心軸と、中心軸に対してほぼ垂直である前表面および後表面と、前表面と後表面とを結び付ける周囲縁と、中心軸から周囲縁まで延在している半径と、を有する半導体ウエハであって、−約７００ｎｍ未満の厚さロールオフ量（ＲＯＡ）を有し、およびウエハの前表面において約６ｎｍよりも大きい寸法の約３以下の明視野欠陥を有する、半導体ウエハ。
【請求項８２】
ウエハが、ウエハの前表面において約６ｎｍよりも大きい寸法の約２以下の明視野欠陥を有し、ウエハの前表面において約６ｎｍよりも大きい寸法の約１以下またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項８１に記載の半導体ウエハ。
【請求項８３】
ウエハが、ウエハの前表面において約４．８ｎｍよりも大きい寸法の約６未満の明視野欠陥または約４．８ｎｍよりも大きい寸法の約４未満、約２未満またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項８１または８２に記載の半導体ウエハ。
【請求項８４】
ウエハが、−約６００ｎｍ未満、−約５００ｎｍ未満、−約４００ｎｍ未満、−約３００ｎｍ未満、−約２５０ｎｍ未満または−約１０ｎｍ〜−約７００ｎｍ、−約５０ｎｍ〜−約６００ｎｍ、−約１００ｎｍ〜−約５００ｎｍ、−約１００ｎｍ〜−約４００ｎｍもしくは−約１００ｎｍ〜−約３００ｎｍの厚さＲＯＡを有する、請求項８１または８３のいずれか１項に記載の半導体ウエハ。
【請求項８５】
ウエハが、ウエハの周囲縁と半径の９８％との間の環状縁部分を有しており、厚さＲＯＡを：
厚さプロファイル上の第１分別点と第２分別点との間の参照線を形成し；および
参照線と、ウエハ厚さプロファイルの縁部分における第３分別点との間の距離を測定すること
によって求める、請求項８１〜８４のいずれか１項に記載の半導体ウエハ。
【請求項８６】
第１分別点と構造の中心軸との間の距離が、構造の半径の約８２．７％である、請求項８５に記載の半導体ウエハ。
【請求項８７】
第２分別点と構造の中心軸との間の距離が、構造の半径の約９３．３％である、請求項８５または８６に記載の半導体ウエハ。
【請求項８８】
第３分別点と構造の中心軸との間の距離が、構造の半径の約９９．３％である、請求項８５〜８７のいずれか１項に記載の半導体ウエハ。
【請求項８９】
参照線が一次直線としてフィットされる、請求項８５〜８８のいずれか１項に記載の半導体ウエハ。
【請求項９０】
参照線が三次多項式としてフィットされる、請求項８５〜８８のいずれか１項に記載の半導体ウエハ。
【請求項９１】
厚さＲＯＡが、平均厚さＲＯＡである、請求項８１〜９０のいずれか１項に記載の半導体ウエハ。
【請求項９２】
平均厚さＲＯＡが、８つのウエハ半径で測られた８つの厚さＲＯＡ測定値の平均である、請求項９１に記載の半導体ウエハ。
【請求項９３】
ウエハが、−約１１００ｎｍ／ｍｍ２未満、−約８００ｎｍ／ｍｍ２未満、−約６００ｎｍ／ｍｍ２未満、−約４００ｎｍ／ｍｍ２未満、−約１１１０ｎｍ／ｍｍ２〜−約１００ｎｍ／ｍｍ２または−約８００ｎｍ／ｍｍ２〜−約２００ｎｍ／ｍｍ２の前表面ｚｄｄを有する、請求項８１〜９２のいずれか１項に記載の半導体ウエハ。
【請求項９４】
ウエハが、ハンドルウエハである、請求項８１〜９３のいずれか１項に記載の半導体ウエハ。
【請求項９５】
ウエハが、ドナーウエハである、請求項８１〜９３のいずれか１項に記載の半導体ウエハ。
【請求項９６】
半導体ウエハが、単結晶シリコンから成る、請求項８１〜９５のいずれか１項に記載の半導体ウエハ。
【請求項９７】
半導体ウエハが、ウエハの群のうちの１つのウエハであり、各々のウエハが、中心軸と、中心軸に対してほぼ垂直である前表面および後表面と、前表面と後表面とを結び付ける周囲縁と、中心軸から周囲縁まで延在している半径と、を有し、−約７００ｎｍ未満の厚さロールオフ量（ＲＯＡ）を有し、およびウエハの前表面において約６ｎｍよりも大きい寸法の約３以下の明視野欠陥を有する、請求項８１〜９６のいずれか１項に記載の半導体ウエハ。
【請求項９８】
各々のウエハが、ウエハの前表面において約６ｎｍよりも大きい寸法の約２以下の明視野欠陥、ウエハの前表面において６ｎｍよりも大きい寸法の約１以下またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項９７に記載の半導体ウエハ。
【請求項９９】
各々のウエハが、ウエハの前表面において約４．８ｎｍよりも大きい寸法の約６以下の明視野欠陥または約４．８ｎｍよりも大きい寸法の約４未満、約２未満またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項９７または９８に記載の半導体ウエハ。
【請求項１００】
各々のウエハが、−約６００ｎｍ未満、−約５００ｎｍ未満、−約４００ｎｍ未満、−約３００ｎｍ未満、−約２５０ｎｍ未満または−約１０ｎｍ〜−約７００ｎｍ、−約５０ｎｍ〜−約６００ｎｍ、−約１００ｎｍ〜−約５００ｎｍ、−約１００ｎｍ〜−約４００ｎｍもしくは−約１００ｎｍ〜−約３００ｎｍの厚さＲＯＡを有する、請求項９７〜９９のいずれか１項に記載の半導体ウエハ。