【手続補正書】
【提出日】平成24年9月7日(2012.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法であって、
処理チャンバ内にマイクロ電子トポグラフィを配置する工程であって、前記処理チャンバ内で、前記マイクロ電子トポグラフィは、表面上に第１のリンス液体を有する、工程と、
前記マイクロ電子トポグラフィが浸漬されるまで、第２のリンス液体を前記処理チャンバに供給する工程と、
前記処理チャンバ内の圧力が、１０００ｐｓｉｇより高い所定の圧力を越えるまで、前記第２のリンス液体とは異なる加圧流体で前記処理チャンバを加圧する工程と、
前記処理チャンバをベントするのと同時に、前記加圧流体を前記処理チャンバに供給する工程であって、前記処理チャンバ内の前記加圧流体の濃度が所定の閾値を越えるまで継続し、前記処理チャンバ内の前記圧力が１０００ｐｓｉｇより高い前記所定の圧力を越え続けるように実行される、工程と、
前記処理チャンバ内での液体の形成を防止するように前記処理チャンバをベントする工程と、
を備える、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記マイクロ電子トポグラフィの前記表面上の前記第１のリンス液体は、さらに、水性液体を含む、方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法であって、
前記第２のリンス液体を供給する工程は、さらに、非水液体化学配合物を供給する工程を含む、方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、
前記非水液体化学配合物を供給する工程は、さらに、エタノール、メタノール、プロパノール、イソプロパノール、アセトン、ヘキサン、ペンタン、および、ヘプタンからなる群より選択された少なくとも１つを供給する工程を含む、方法。
【請求項５】
請求項３または４に記載の方法であって、
前記非水液体化学配合物を供給する工程は、さらに、供給を行いつつ、前記非水液体化学配合物の組成を段階的に変化させる工程を含む、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記第２のリンス液体を供給する工程は、さらに、２５重量％以下の水を含む溶媒を供給する工程を含む、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、前記溶媒を供給する工程は、さらに、エタノール、メタノール、プロパノール、イソプロパノール、アセトン、ヘキサン、ペンタン、および、ヘプタンからなる群より選択された少なくとも１つを供給する工程を含む、方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載の方法であって、
前記第２のリンス液体を供給する工程は、さらに、前記処理チャンバの容積の少なくとも９０％が前記第２のリンス液体を含むまで、前記第２のリンス流体を前記処理チャンバに供給する工程を含む、方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、
前記第２のリンス液体を供給する工程は、さらに、前記第２のリンス液体で前記処理チャンバを満たす工程を含む、方法。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれかに記載の方法であって、
前記第２のリンス液体を供給する工程は、さらに、前記マイクロ電子トポグラフィの上面が液気界面よりも少なくとも３ミリメートル下方に位置するように、前記マイクロ電子トポグラフィを浸漬する工程を含む、方法。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれかに記載の方法であって、
前記処理チャンバを加圧する工程は、さらに、前記処理チャンバが、前記加圧流体の臨界圧力以上の圧力に到達するまで、前記加圧流体で前記処理チャンバを加圧する工程を含む、方法。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれかに記載の方法であって、
前記加圧する工程は、さらに、二酸化炭素および六フッ化硫黄からなる群より選択された少なくとも１つである前記加圧流体で加圧する工程を含む、方法。
【請求項１３】
システムであって、
シール可能領域を規定し、前記シール可能領域内の１０００ｐｓｉｇより高い圧力に耐えるよう構成され、金属材料を含む処理チャンバと、
前記処理チャンバ内に配置され、マイクロ電子トポグラフィを含む少なくとも１つの基板を支持するよう構成された基板ホルダと、
前記処理チャンバと、二酸化炭素に混和性を有する非水液体化学配合物の供給源と、に接続された第１の流体流入ポートであって、前記システムは、前記マイクロ電子トポグラフィが浸漬されるまで、前記第１の流体流入ポートを通して前記非水液体化学配合物を前記シール可能領域に供給するよう構成されている、第１の流体流入ポートと、
前記処理チャンバと、二酸化炭素の供給源と、に接続された第２の流体流入ポートであって、前記システムは、１０００ｐｓｉｇより高い所定の圧力を越えるまで、前記シール可能領域を二酸化炭素で加圧するよう構成されている、第２の流体流入ポートと、
を備え、
前記処理チャンバが、１０００ｐｓｉｇを越える圧力を有するときに、
前記システムは、前記処理チャンバ内の圧力を前記所定の圧力より高く維持しつつ、前記シール可能領域から流体をベントするのと同時に二酸化炭素を前記シール可能領域に供給するように、構成されており、
内部容積内の前記二酸化炭素の濃度が９５％以上であるときに、
前記システムは、液体二酸化炭素が形成されないように、前記シール可能領域をベントするよう構成されている、システム。
【請求項１４】
請求項１３に記載のシステムであって、
前記システムは、前記シール可能領域の容積の少なくとも９０％が前記非水液体化学配合物を含むようになるまで、前記非水液体化学配合物を前記シール可能領域に供給するよう構成される、システム。
【請求項１５】
請求項１３または１４に記載のシステムであって、さらに、
前記シール可能領域内に容器を備え、
前記システムは、前記マイクロ電子トポグラフィが浸漬されるまで、前記非水液体化学配合物を前記容器に供給するよう構成される、システム。
【請求項１６】
請求項１３から１５のいずれかに記載のシステムであって、
前記処理チャンバは、前記シール可能領域内で二酸化炭素を超臨界状態にするよう構成される、システム。
【請求項１７】
請求項１３から１６のいずれかに記載のシステムであって、
前記所定の圧力は、二酸化炭素の臨界圧力である、システム。
【請求項１８】
請求項１３から１７のいずれかに記載のシステムであって、
前記システムは、前記シール可能領域内の圧力が実質的に大気圧であるときに、前記第１の流体流入ポートを通して前記非水液体化学配合物を供給するよう構成される、システム。
【請求項１９】
請求項１３から１８のいずれかに記載のシステムであって、
前記基板ホルダは、マイクロ電子トポグラフィをそれぞれ含む複数の別個の基板を保持するよう構成される、システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図１のブロック１０に示すように、本明細書に記載の方法は、マイクロ電子トポグラフィ内で複数のデバイス構造を包み込む犠牲層を選択的にエッチングする工程を含んでよい。かかる選択的エッチング処理を適用可能なマイクロ電子トポグラフィの一例の部分断面図が図２に示されており、選択的エッチング処理の結果として得られたトポグラフィが図３に示されている。図２に示すように、マイクロ電子トポグラフィ４０は、半導体層４２上に配置されてデバイス構造４４を包み込む犠牲層４６を備えてよい。いくつかの実施形態では、半導体層４２は、単結晶シリコン、ガリウムヒ素、リン化インジウム、シリコンゲルマニウム、シリコン・オン・インシュレータ、または、シリコン・オン・サファイア基板などの半導体基板であってよい。かかる場合、半導体層４２は、ｎ型ドープまたはｐ型ドープされてよく、いくつかの実施形態において、半導体層に、拡散領域および／または分離領域が形成されてよい。他の場合に、半導体層４２は、半導体基板上に形成された構造および層を備えてもよい。それらの構造および層は、誘電体層、メタライゼーション層、ゲート構造、コンタクト構造、ビア、または、局所相互配線を含みうるが、それらに限定されない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
非水液体を加える工程（ブロック１４）、チャンバを加圧する工程（ブロック２０〜２４）、非水液体をフラッシングする工程（ブロック２６〜３０）、および、処理チャンバをベントする行程（ブロック３４）に関して上述した様々な方法は、リンス液体をマイクロ電子トポグラフィ４０から除去するために用いられてよい。換言すれば、水性液体残留物がリンス処理において完全に除去され、無水のリンス液体のみがマイクロ電子トポグラフィ上に残る場合、非水液体化学配合物を用いて、リンス液体を除去、乳化、および／または、溶解する。したがって、残留リンス液体は、非水液体化学配合物に混和するか、もしくは、残留リンス液体は、非水液体化学配合物と同じものであってもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
本発明が、マイクロ電子トポグラフィ内でのフィーチャ崩壊を防止するための方法およびシステムを提供すると考えられることは、本開示を読んだ当業者であれば理解するであろう。本発明の様々な態様のさらなる変形例および別の実施形態は、本明細書の記載に照らせば、当業者にとって明らかである。例えば、本明細書に記載の例の多くは、処理チャンバを加圧して超臨界状態を取る流体として二酸化炭素を挙げているが、本明細書に記載の方法およびシステムは、それに限定されない。したがって、本明細書の記載は、単に例示として解釈されるべきものであり、本発明を実施する一般的な方法を当業者に教示することを目的としている。図に示され、本明細書に記載された本発明の形態は、現時点での好ましい実施形態であると見なされることを理解されたい。本発明の記載を読んだ当業者にとって明らかなように、図示または本明細書に記載の要素および材料は置き換えられてもよく、部品および処理は逆転されてもよく、本発明の特定の特徴は独立して利用されてもよい。以下の特許請求の範囲に記載の本発明の精神および範囲を逸脱することなく、本明細書に記載の要素に変更を加えてもよい。
たとえば、本発明は、以下のような態様で実現することもできる。
［適用例１］
方法であって、
処理チャンバ内にマイクロ電子トポグラフィを配置する工程であって、前記処理チャンバ内で、前記マイクロ電子トポグラフィは、表面上に第１のリンス液体を有する、工程と、
前記マイクロ電子トポグラフィが浸漬されるまで、第２のリンス液体を前記処理チャンバに供給する工程と、
前記処理チャンバ内の圧力が、１０００ｐｓｉｇより高い所定の圧力を越えるまで、前記第２のリンス液体とは異なる加圧流体で前記処理チャンバを加圧する工程と、
前記処理チャンバをベントするのと同時に、前記加圧流体を前記処理チャンバに供給する工程であって、前記処理チャンバ内の前記加圧流体の濃度が所定の閾値を越えるまで継続し、前記処理チャンバ内の前記圧力が１０００ｐｓｉｇより高い前記所定の圧力を越え続けるように実行される、工程と、
前記処理チャンバ内での液体の形成を防止するように前記処理チャンバをベントする工程と、
を備える、方法。
［適用例２］
適用例１の方法であって、
前記マイクロ電子トポグラフィの前記表面上の前記第１のリンス液体は、さらに、水性液体を含む、方法。
［適用例３］
適用例１の方法であって、
前記第２のリンス液体を供給する工程は、さらに、非水液体化学配合物を供給する工程を含む、方法。
［適用例４］
適用例３の方法であって、
前記非水液体化学配合物を供給する工程は、さらに、エタノール、メタノール、プロパノール、イソプロパノール、アセトン、ヘキサン、ペンタン、および、ヘプタンからなる群より選択された少なくとも１つを供給する工程を含む、方法。
［適用例５］
適用例３の方法であって、
前記非水液体化学配合物を供給する工程は、さらに、供給を行いつつ、前記非水液体化学配合物の組成を段階的に変化させる工程を含む、方法。
［適用例６］
適用例１の方法であって、
前記第２のリンス液体を供給する工程は、さらに、２５重量％以下の水を含む溶媒を供給する工程を含む、方法。
［適用例７］
適用例６の方法であって、前記溶媒を供給する工程は、さらに、エタノール、メタノール、プロパノール、イソプロパノール、アセトン、ヘキサン、ペンタン、および、ヘプタンからなる群より選択された少なくとも１つを供給する工程を含む、方法。
［適用例８］
適用例１の方法であって、
前記第２のリンス流体を供給する工程は、さらに、前記処理チャンバの容積の少なくとも９０％が前記第２のリンス流体を含むまで、前記第２のリンス流体を前記処理チャンバに供給する工程を含む、方法。
［適用例９］
適用例８の方法であって、
前記第２のリンス液体を供給する工程は、さらに、前記第２のリンス液体で前記処理チャンバを満たす工程を含む、方法。
［適用例１０］
適用例１の方法であって、
前記第２のリンス液体を供給する工程は、さらに、前記マイクロ電子トポグラフィの上面が液気界面よりも少なくとも３ミリメートル下方に位置するように、前記マイクロ電子トポグラフィを浸漬する工程を含む、方法。
［適用例１１］
適用例１の方法であって、
前記処理チャンバを加圧する工程は、さらに、前記処理チャンバが、前記加圧流体の臨界圧力以上の圧力に到達するまで、前記加圧流体で前記処理チャンバを加圧する工程を含む、方法。
［適用例１２］
適用例１の方法であって、
前記加圧する工程は、さらに、二酸化炭素および六フッ化硫黄からなる群より選択された少なくとも１つである前記加圧流体で加圧する工程を含む、方法。
［適用例１３］
システムであって、
シール可能領域を規定し、前記シール可能領域内の１０００ｐｓｉｇより高い圧力に耐えるよう構成され、金属材料を含む処理チャンバと、
前記処理チャンバ内に配置され、マイクロ電子トポグラフィを含む少なくとも１つの基板を支持するよう構成された基板ホルダと、
前記処理チャンバと、二酸化炭素に混和性を有する非水液体化学配合物の供給源と、に接続された第１の流体流入ポートであって、前記システムは、前記マイクロ電子トポグラフィが浸漬されるまで、前記第１の流体流入ポートを通して前記非水液体化学配合物を前記シール可能領域に供給するよう構成されている、第１の流体流入ポートと、
前記処理チャンバと、二酸化炭素の供給源と、に接続された第２の流体流入ポートであって、前記システムは、１０００ｐｓｉｇより高い所定の圧力を越えるまで、前記シール可能領域を二酸化炭素で加圧するよう構成されている、第２の流体流入ポートと、
を備え、
前記処理チャンバが、１０００ｐｓｉｇを越える圧力を有するときに、
前記システムは、前記処理チャンバ内の圧力を前記所定の圧力より高く維持しつつ、前記シール可能領域から流体をベントするのと同時に二酸化炭素を前記シール可能領域に供給するように、構成されており、
内部容積内の前記二酸化炭素の濃度が９５％以上であるときに、
前記システムは、液体二酸化炭素が形成されないように、前記シール可能領域をベントするよう構成されている、システム。
［適用例１４］
適用例１３のシステムであって、
前記システムは、前記シール可能領域の容積の少なくとも９０％が前記非水液体化学配合物を含むようになるまで、前記非水液体化学配合物を前記シール可能領域に供給するよう構成される、システム。
［適用例１５］
適用例１３のシステムであって、さらに、
前記シール可能領域内に容器を備え、
前記システムは、前記マイクロ電子トポグラフィが浸漬されるまで、前記非水液体化学配合物を前記容器に供給するよう構成される、システム。
［適用例１６］
適用例１３のシステムであって、
前記処理チャンバは、前記シール可能領域内で二酸化炭素を超臨界状態にするよう構成される、システム。
［適用例１７］
適用例１３のシステムであって、
前記所定の圧力は、二酸化炭素の臨界圧力である、システム。
［適用例１８］
適用例１３のシステムであって、
前記システムは、前記シール可能領域内の圧力が実質的に大気圧であるときに、前記第１の流体流入ポートを通して前記非水液体化学配合物を供給するよう構成される、システム。
［適用例１９］
適用例１３のシステムであって、
前記基板ホルダは、マイクロ電子トポグラフィをそれぞれ含む複数の別個の基板を保持するよう構成される、システム。