【手続補正書】
【提出日】平成16年1月22日(2004.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電気光学装置及びその製造方法、並びにプロジェクタ


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
複数の走査線及び複数のデータ線と、
前記走査線及び前記データ線の交差に対応して設けられた薄膜トランジスタと、
前記ドレイン領域に導電層を中継して電気的に接続された画素電極と
を備えており、
前記ドレイン領域から延設された半導体層の一部からなる第１蓄積容量電極と前記第１蓄積容量電極上の第２蓄積容量電極とが第１誘電体膜を介して対向配置されて一の蓄積容量が構築され且つ前記第２蓄積容量電極と前記導電層の一部からなる第３蓄積容量電極とが前記第２誘電体膜を介して対向配置されて他の蓄積容量が構築されており、
前記第２蓄積容量電極の伸延方向に交わる方向で切った前記一及び他の蓄積容量を含む断面において前記第１蓄積容量電極は前記第２蓄積容量電極よりも幅広に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記断面において前記第３蓄積容量電極は前記第２蓄積容量電極よりも幅狭に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記断面において前記第３蓄積容量電極は前記第２蓄積容量電極よりも幅広に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
基板上に、
複数の走査線及び複数のデータ線と、
前記走査線及び前記データ線の交差に対応して設けられた薄膜トランジスタと、
前記ドレイン領域に導電層を中継して接続された画素電極と
を備えており、
前記ドレイン領域から延設された半導体層の一部からなる第１蓄積容量電極と前記第１蓄積容量電極上の第２蓄積容量電極とが前記第１誘電体膜を介して対向配置されて一の蓄積容量が構築され且つ前記第２蓄積容量電極と前記導電層の一部からなる第３蓄積容量電極とが前記第２誘電体膜を介して対向配置されて他の蓄積容量が構築されており、
前記第２蓄積容量電極の伸延方向に交わる方向で切った前記一及び他の蓄積容量を含む断面において前記第２蓄積容量電極は前記第３蓄積容量電極よりも幅広に形成されており、前記導電層上及び該導電層が形成されていない領域における前記第２誘電体膜上には層間絶縁膜が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
前記断面において前記第２蓄積容量電極の縁は、ほぼテーパが無い状態に形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記ドレイン領域と前記導電層とは、前記一及び他の蓄積容量が形成されていない平面領域に開孔された第１コンタクトホールを介して電気的に接続されており、前記第２蓄積容量電極の伸延方向に交わる方向で切った前記第１コンタクトホールを含む断面において前記第１蓄積容量電極は前記第２蓄積容量電極よりも幅広に形成されており且つ前記第３蓄積容量電極は前記第２蓄積容量電極よりも幅広に形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記導電層と前記画素電極とは、前記一及び他の蓄積容量が構築された平面領域に開孔された第２コンタクトホールを介して電気的に接続されたことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第１誘電体膜と同一膜から前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜が形成されており、前記第２蓄積容量電極と同一膜から前記走査線が形成されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記導電層は高融点金属を含むことを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記導電層は、前記基板上において前記データ線よりも下層に設けられていることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置をライトバルブとして用いることを特徴とするプロジェクタ。
【請求項１２】
基板上に薄膜トランジスタのソース領域、チャネル領域及びドレイン領域並びに一の蓄積容量の第１蓄積容量電極となる半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上に前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜及び前記一の蓄積容量の第１誘電体膜を同一絶縁薄膜から形成する工程と、
前記第ゲート絶縁膜及び前記１誘電体膜上に夫々複数の走査線及び複数の容量線を形成する工程と、
前記走査線及び容量線上に第２誘電体膜を形成する工程と、
前記第１及び第２誘電体膜に前記ドレイン領域に通じる第１コンタクトホールを開孔する工程と、
前記第２誘電体膜上に、前記第１コンタクトホールを介して前記ドレイン領域に電気的に接続されるように導電層を形成する工程と、
前記導電層上に一の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記一の層間絶縁膜上に複数のデータ線を形成する工程と、
前記データ線上に他の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記一及び他の層間絶縁膜に前記導電層に通じる第２コンタクトホールを開孔する工程と、
前記第２コンタクトホールを介して前記導電層に電気的に接続されるように前記他の層間絶縁膜上に画素電極を形成する工程と
を有しており、
前記第１蓄積容量電極と前記容量線の一部からなる第２蓄積容量電極とを前記第１誘電体膜を介して対向配置させることにより前記一の蓄積容量を構築し且つ前記第２蓄積容量電極と前記導電層の一部からなる第３蓄積容量電極とを前記第２誘電体膜を介して対向配置させることにより他の蓄積容量を構築し、
前記容量線の伸延方向に交わる方向で切った前記一及び他の蓄積容量を含む断面において前記第１蓄積容量電極を前記第２蓄積容量電極よりも幅広に形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
前記断面において前記第３蓄積容量電極を前記第２蓄積容量電極よりも幅狭に形成することを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
基板上に薄膜トランジスタのソース領域、チャネル領域及びドレイン領域並びに一の蓄積容量の第１蓄積容量電極となる半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上に前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜及び前記一の蓄積容量の第１誘電体膜を同一絶縁薄膜から形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜及び前記第１誘電体膜上に夫々複数の走査線及び複数の容量線を形成する工程と、
前記走査線及び容量線上に第２誘電体膜を形成する工程と、
前記第１及び第２誘電体膜に前記ドレイン領域に通じる第１コンタクトホールを開孔する工程と、
前記第２誘電体膜上に、前記第１コンタクトホールを介して前記ドレイン領域に電気的に接続されるように導電層を形成する工程と、
前記導電層上及び前記導電層が形成されていない領域における前記第２誘電体膜上に一の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記一の層間絶縁膜上に複数のデータ線を形成する工程と、
前記データ線上に他の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記一及び他の層間絶縁膜に前記導電層に通じる第２コンタクトホールを開孔する工程と、
前記第２コンタクトホールを介して前記導電層に電気的に接続されるように前記他の層間絶縁膜上に画素電極を形成する工程と
を有しており、
前記第１蓄積容量電極と前記容量線の一部からなる第２蓄積容量電極とを前記第１誘電体膜を介して対向配置させることにより前記一の蓄積容量を構築し且つ前記第２蓄積容量電極と前記導電層の一部からなる第３蓄積容量電極とを前記第２誘電体膜を介して対向配置させることにより他の蓄積容量を構築し、
前記容量線の伸延方向に交わる方向で切った前記一及び他の蓄積容量を含む断面において前記第２蓄積容量電極を前記第３蓄積容量電極よりも幅広に形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】
前記走査線及び容量線を形成する工程では、ドライエッチングにより前記走査線及び容量線をパターンニングする工程を含むことを特徴とする請求項１２から１４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、複数の走査線及び複数のデータ線と、前記走査線及び前記データ線の交差に対応して設けられた薄膜トランジスタと、前記ドレイン領域に導電層を中継して電気的に接続された画素電極と  を備えており、前記ドレイン領域から延設された半導体層の一部からなる第１蓄積容量電極と前記第１蓄積容量電極上の第２蓄積容量電極とが第１誘電体膜を介して対向配置されて一の蓄積容量が構築され且つ前記第２蓄積容量電極と前記導電層の一部からなる第３蓄積容量電極とが前記第２誘電体膜を介して対向配置されて他の蓄積容量が構築されており、前記第２蓄積容量電極の伸延方向に交わる方向で切った前記一及び他の蓄積容量を含む断面において前記第１蓄積容量電極は前記第２蓄積容量電極よりも幅広に形成されている。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
更に導電層の一部からなる第３蓄積容量電極は、第２蓄積容量電極と対向配置されることにより、該第２蓄積容量電極を半導体層の一部からなる第１蓄積容量電極に対向配置して構築した一の蓄積容量に加えて、他の蓄積容量を追加的に構築する。従って、当該導電層を利用することにより、限られた画素の非開口領域（即ち、各画素において表示に寄与する光が透過しない領域）を有効利用して蓄積容量を増加させることができる。この結果、画素電極における画像信号の電圧保持時間を長くすることができ、コントラスト比を効率良く高められる。また、容量線により各画素に設けられる第１蓄積容量電極をまとめて構成できる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
そして、第２蓄積容量電極の伸延方向に交わる方向で切った一及び他の蓄積容量を含む断面において、第１蓄積容量電極は第２蓄積容量電極よりも幅広に形成されている。即ち、第１蓄積容量の幅＞第２蓄積容量の幅という不等式関係が成立する。このため、第１蓄積容量電極が第２蓄積容量電極と同一幅に形成される場合と比較して、第２蓄積容量電極側面部上に形成される第２誘電体膜の付き回りは遥かに良くなる。より具体的には、幅広の第１蓄積容量電極の上面においてその縁から後退した位置から側面部が立ち上がるように第２蓄積容量電極が形成されるので、第２蓄積容量電極上に形成される第２誘電体膜が付き回される段差は当該第２蓄積容量電極の膜厚とほぼ等しいだけで済む。そして、この段差分だけ第２蓄積容量電極の側面部に対し第２誘電体膜を付き回すことは、比較的容易に行えるのである。この結果、第２蓄積容量電極の側面部において付き回りの悪い第２誘電体膜の欠陥個所を介して当該第２蓄積容量電極とこの上に第２誘電体膜を介して形成される導電層の一部である第３蓄積容量電極との間でショート或いはリークする可能性を低減できる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この態様によれば、第２蓄積容量電極の伸延方向に交わる方向で切った一及び他の蓄積容量を含む断面において、第１蓄積容量の幅＞第２蓄積容量の幅＞第３蓄積容量の幅という不等式関係が成立する。このため、仮に第２蓄積容量電極上に形成される第２誘電体膜の付き回りが第２蓄積容量電極の側面部において悪く、この側面部で第２誘電体膜に欠陥個所が存在しても、この側面部における第２誘電体膜上には、第３蓄積容量電極は形成されない。このため、第３蓄積容量電極と第２蓄積容量電極とが、この欠陥個所を介してショート或いはリークする可能性は殆ど無い。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
この態様によれば、第２蓄積容量電極の伸延方向に交わる方向で切った一及び他の蓄積容量を含む断面において、第１蓄積容量の幅＞第２蓄積容量の幅＜第３蓄積容量の幅という不等式関係が成立する。このため、第２蓄積容量電極の側面部において第２誘電体膜上に第３蓄積容量電極が形成されるものの、第２蓄積容量電極上に形成される第２誘電体膜の付き回りが特にその側面部においても良好なため、第２蓄積容量電極の側面部において付き回りの悪い第２誘電体膜の欠陥個所を介して当該第２蓄積容量電極とこの上に第２誘電体膜を介して形成される第３蓄積容量電極との間でショート或いはリークする可能性を低減できる。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の第２電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、複数の走査線及び複数のデータ線と、前記走査線及び前記データ線の交差に対応して設けられた薄膜トランジスタと、前記ドレイン領域に導電層を中継して接続された画素電極とを備えており、前記ドレイン領域から延設された半導体層の一部からなる第１蓄積容量電極と前記第１蓄積容量電極上の第２蓄積容量電極とが前記第１誘電体膜を介して対向配置されて一の蓄積容量が構築され且つ前記第２蓄積容量電極と前記導電層の一部からなる第３蓄積容量電極とが前記第２誘電体膜を介して対向配置されて他の蓄積容量が構築されており、前記第２蓄積容量電極の伸延方向に交わる方向で切った前記一及び他の蓄積容量を含む断面において前記第２蓄積容量電極は前記第３蓄積容量電極よりも幅広に形成されており、前記導電層上及び該導電層が形成されていない領域における前記第２誘電体膜上には層間絶縁膜が形成されている。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
そして、第２蓄積容量電極の伸延方向に交わる方向で切った一及び他の蓄積容量を含む断面において、第２蓄積容量電極の幅＞第３蓄積容量電極の幅という不等式関係が成立する。このため、仮に第２蓄積容量電極の側面部において付き回りの悪い第２誘電体膜の欠陥個所があっても、この側面部における第２誘電体膜上には、第３蓄積容量電極は形成されない。しかも、この場合の欠陥個所は、一の層間絶縁膜により覆われる。これらの結果、第３蓄積容量電極と第２蓄積容量電極とが、この欠陥個所を介してショート或いはリークする可能性は殆ど無い。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
この態様によれば、第２蓄積容量電極の縁はほとんどテーパが無い状態に形成されても、上述の如く仮に第１蓄積容量電極が第２蓄積容量電極と同一幅に形成されるとすれば第２誘電体膜の付き回りは非常に悪いが、この態様では、第１蓄積容量電極は第２蓄積容量電極よりも幅広に形成されているので、やはり第２蓄積容量電極上に形成される第２誘電体膜の付き回りは良い。
このため、付き回りの悪い第２誘電体膜の欠陥個所を介して当該第２蓄積容量電極と導電層の一部である第３蓄積容量電極との間でショート或いはリークする可能性を低減できる。したがって、このような装置欠陥の発生率を低減しつつ且つ素子電極や配線の微細化に相応しくパターン精度を高めるのに最適な指向性の高いドライエッチングを用いて第２蓄積容量電極を形成でき、容量線と同一膜から同時に走査線をドライエッチングにより形成できる。このことは、走査線の一部が薄膜トランジスタのゲート電極とされることに鑑みれば、パターン精度の高いゲート電極を形成することによりトランジスタ特性に優れた薄膜トランジスタを形成する上で非常に有利である。


【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の第１又は第２電気光学装置の他の態様では、前記ドレイン領域と前記導電層とは、前記一及び他の蓄積容量が形成されていない平面領域に開孔された第１コンタクトホールを介して電気的に接続されており、前記第２蓄積容量電極の伸延方向に交わる方向で切った前記第１コンタクトホールを含む断面において前記第１蓄積容量電極は前記第２蓄積容量電極よりも幅広に形成されており且つ前記第３蓄積容量電極は前記第２蓄積容量電極よりも幅広に形成されている。


【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
この態様によれば、第１コンタクトホールは、一及び他の蓄積容量が形成されていない平面領域に開孔されている。この第１コンタクトホールを介して半導体層のドレイン領域と導電層とは電気的に接続されている。そして、第２蓄積容量電極の伸延方向に交わる方向で切った第１コンタクトホールを含む断面において、第１蓄積容量電極の幅＞第２蓄積容量電極の幅＜第３蓄積容量電極の幅という不等式関係が成立する。従って、この断面において、第１コンタクトホールを介してドレイン領域と導電層とを第２蓄積容量電極に電気的に接触しないように接続することが可能となる。しかも、第２蓄積容量電極の側面部において第２誘電体膜上に第３蓄積容量電極が形成されているものの、第２蓄積容量電極上に形成される第２誘電体膜の付き回りが良いため、結局、第１コンタクトホールの周囲で第２蓄積容量電極の側面部において付き回りの悪い第２誘電体膜の欠陥個所を介して当該第２蓄積容量電極と第３蓄積容量電極との間でショート或いはリークする可能性を低減できる。


【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明の第１又は第２電気光学装置の他の態様では、前記第１誘電体膜と同一膜から前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜が形成されており、前記第２蓄積容量電極と同一膜から前記走査線が形成されている。


【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
この態様によれば、一の蓄積容量を構築するための第１誘電体膜と、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜とは、例えば熱酸化膜等と同一膜から形成されている。
しかも、第２蓄積容量電極と走査線とは、例えばポリシリコン膜等と同一膜から形成されている。従って、全体として装置構成及び製造方法の簡略化並びに低コスト化を図ることが可能となる。そして特に、ゲート電極を構成する走査線に要求されるパターン精度を出すために、ドライエッチングを施してこれら容量線及び走査線をパターンニングした場合に、該ドライエッチングにより、ほぼテーパが無い状態の側面部を持つ第２蓄積容量電極が形成されたとしても、第２蓄積容量電極と第３蓄積容量電極との間でショート或いはリークする可能性を余り高めないで済む。