(57)【要約】【課題】基板に設けられた電極パッド上にハンダボールを形成し、配線基板に実装する場合の基板及びハンダボールの形成方法及びその実装構造に関し、基板と配線基板との間にクラック等の損傷のない樹脂部材を配設することにより、実装構造の密着性及び電気的信頼性の向上を図ることを目的とする。【解決手段】半導体チップ１０３に形成されたフィルム状ソルダーレジスト８１の開口部に、ハンダと熱硬化樹脂部材１７１とを有するハンダペーストを充填し、熱処理を行うことでハンダボール１６１と、半導体基板６１とハンダボールの間に熱硬化樹脂部材１７１を配設する。この半導体チップ１０３と配線基板１４０とをフリップチップ実装するための熱処理を行うことで、配線層１５１と配線基板１４０の一部とを覆うようにクラック等の損傷のない熱硬化樹脂部材１７１が配設される。【選択図】　　　図４０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に電極パッドを形成する工程と、
前記電極パッド上に第一の開口部を有する絶縁層を形成する工程と、
前記第一の開口部にハンダと、アンダーフィル機能を有する第一の樹脂部材とを有するハンダペーストを充填する工程と、
該ハンダペーストを熱処理することにより、前記電極パッド上にハンダボールが形成されると共に、前記電極パッドと前記基板との間に硬化された前記第一の樹脂部材が形成される工程とを設けてなることを特徴とするハンダボールの形成方法。
【請求項２】
請求項１記載のハンダボールの形成方法において、
前記熱処理の温度Ｔ１は、前記ハンダの融点Ｔ２と前記第一の樹脂部材の硬化温度Ｔ３との関係がＴ１≧Ｔ３≧Ｔ２であることを特徴とするハンダボールの形成方法。
【請求項３】
基板上に電極パッドを形成する工程と、
前記電極パッド上に第一の開口部を有する絶縁層を形成する工程と、
該絶縁膜上に剥離層を積層する工程と、
前記剥離層に前記第一の開口部と同一形状の第二の開口部を設ける工程と、
前記ハンダペーストを熱処理する工程と、
前記剥離層を除去する工程とを設けたことを特徴とするハンダボールの形成方法。
【請求項４】
基板本体上に形成された電極パッドと、
前記電極パッド間を絶縁する第一の開口部を有する絶縁層と、
前記電極パッド上に形成されたハンダボールとを設けた基板において、
前記ハンダボールを支持するように、前記ハンダボールと前記基板本体との間に第一の樹脂部材を設けたことを特徴とする基板。
【請求項５】
請求項４記載の基板において、
前記第一の樹脂部材は、前記電極パッドと、
前記ハンダボールの一部と、
前記絶縁層の側壁部分の一部とを隙間なく覆うように形成されてなることを特徴とする基板。
【請求項６】
請求項４または５記載の基板において、
前記絶縁層と前記ハンダボールとを連続的に覆うように第二の樹脂部材を形成することを特徴とする基板。
【請求項７】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載のハンダボールの形成方法により製作された基板と、配線層を設けた配線基板に実装する実装構造であって、
前記第一の樹脂部材は、前記基板と前記配線基板との間に配設された前記ハンダボールの一部を覆い、前記ハンダボールを支持するように形成されたことを特徴とする実装構造。
【請求項８】
請求項７記載の実装構造において、
前記ハンダボールは、前記ハンダボールの少なくとも一部が前記絶縁層よりも高い位置に存在するように形成されることを特徴とする実装構造。
【請求項９】
請求項７または８記載の実装構造において、
前記第一の樹脂部材を、前記基板と前記配線基板との間に介装することによりアンダーフィル部を形成したことを特徴とする実装構造。
【請求項１０】
請求項７乃至９記載のいずれか一項に記載の実装構造において、
前記アンダーフィル部は、前記第一の樹脂部材と前記第二の樹脂部材とを有することを特徴とする実装構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板及びハンダボールの形成方法及びその実装構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体チップを回路基板上にフェイスダウンで実装するフリップチップ実装技術において、半導体チップと回路基板との間に樹脂部材を充填するアンダーフィル技術が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
また、半導体チップ上に鉛フリーのハンダボールを大きく形成する場合には、感光性ドライフィルムレジストを用いた技術がある（例えば、非特許文献１参照。）。さらに、レジストマスクを用いて鉛フリーを含有したハンダボールを大きく形成する技術がある（例えば、非特許文献２参照。）。
【０００４】
アンダーフィル技術では、半導体チップと回路基板とをフリップチップ実装技術により接合後に、半導体チップと回路基板との間にエポキシ樹脂等の熱硬化樹脂を注入し、その後に加熱することにより熱硬化樹脂を硬化する。
【０００５】
このように半導体チップと回路基板との間に硬化した熱硬化樹脂が充填することで、半導体チップと回路基板との間の熱膨張歪みを低減することができ、これにより接合部の信頼性を向上することができる。また、半導体チップと回路基板との間が熱硬化樹脂で封止されるため、水分の侵入によってハンダボールや電極等が腐食されるのを防止することができる。
【０００６】
図１は、従来のアンダーフィル技術を用いて、半導体チップ１０と回路基板２０との間に熱硬化樹脂３１（アンダーフィル樹脂）を装填した状態を示す断面図である。従来において、半導体チップ１０と回路基板２０の間に熱硬化樹脂３１を充填するには、先ず予め電極パッド１１にハンダボール２２が形成された半導体チップ１０を回路基板２０の配線層２１にフリップチップ接合する。
【０００７】
次に、半導体チップ１０と回路基板２０との間に形成された間隙内に図中矢印Ａ方向から熱硬化樹脂３１を注入する。その後、加熱処理を行なうことにより、熱硬化樹脂３１を硬化させる。これにより、上記したように半導体チップ１０と回路基板２０との間の熱膨張歪みを熱硬化樹脂３１により低減することができ、よってハンダボール２２の接合部における信頼性を向上することができる。
【０００８】
【特許文献１】
特開平９−１７２０３５号公報。
【０００９】
【非特許文献１】
富士通株式会社、鉛フリーの微細はんだバンプを従来比１／２の低コストで形成、［ｏｎｌｉｎｅ］、平成１３年１２月１２日、［平成１４年９月３日検索］、インターネット＜ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｐｒ．ｆｕｊｉｔｓｕ．ｃｏｍ／ｊｐ／ｎｅｗｓ／２００１／１２／１２−１．ｈｔｍｌ＞。
【００１０】
【非特許文献２】
作山誠樹、他４名、半導体ウエハへの一括バンプ形成技術、「第７回シンポジウムＭａｔｅ２００１」、マイクロ接合研究委員会、平成１３年２月１日、ｐ．２８５−２９０。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記した従来の方法により熱硬化樹脂３１を形成する方法では、半導体チップ１０を回路基板２０にフリップチップ接合した後、半導体チップ１０と回路基板２０との間に形成される狭い間隙内に熱硬化樹脂３１を充填する必要がある。このため、この間隙内の全体に熱硬化樹脂３１を完全に充填するのは困難であり、よって図１に示されるように熱硬化樹脂３１が充填されない領域（ボイド４１）が発生しやすい。
【００１２】
このボイドが発生した状態で、熱硬化樹脂３１を硬化させるための加熱処理を行った場合には、加熱によりボイド４１内の水分が膨張し、熱硬化樹脂３１にクラックが発生したり、ハンダボール２２と配線層２１とが断線する恐れがある。
【００１３】
そこで本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、実装構造の接合性能及び電気的信頼性に優れた基板及びハンダボールの形成方法及びその実装構造を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を、請求項１記載の発明では、基板上に電極パッドを形成する工程と、前記電極パッド上に第一の開口部を有する絶縁層を形成する工程と、前記第一の開口部にハンダと、アンダーフィル機能を有する第一の樹脂部材とを有するハンダペーストを充填する工程と、該ハンダペーストを熱処理することにより、前記電極パッド上にハンダボールが形成されると共に、前記電極パッドと前記基板との間に硬化された前記第一の樹脂部材が形成される工程とを設けてなることを特徴とするハンダボールの形成方法により、解決する。
【００１５】
上記発明によれば、電極パッド上の絶縁層に第一の開口部を形成することで、電極パッド上の第一の開口部にハンダペーストを充填することができる。また、ハンダとアンダーフィル機能を有した第一の樹脂部材とを有したハンダペーストを熱処理することで、電極パッド上にハンダボールを形成する処理と、このハンダボールを支持する第一の樹脂部材を同時に形成することができる。このように、一回の熱処理でハンダボールと第一の樹脂部材を同時に形成できるため、工程の簡略化を図ることができる。更に、ハンダボールと電極パッドとの間に第一の樹脂部材が形成されるため、ハンダボールと電極パッドとの間の接合部の機械的強度の補強をすることができる。
【００１６】
また請求項２記載の発明では、請求項１記載のハンダボールの形成方法において、前記熱処理の温度Ｔ１は、前記ハンダの融点Ｔ２と前記第一の樹脂部材の硬化温度Ｔ３との関係がＴ１≧Ｔ３≧Ｔ２であることを特徴とするハンダボールの形成方法により、解決する。
【００１７】
上記発明によれば、電極パッド上にハンダボールが形成された後に、硬化した第一の樹脂部材をハンダボールと基板間に配設することができる。そのため、硬化した第一の樹脂部材により、ハンダボールと電極パッドとの間の接合部の補強を行うことができる。
【００１８】
また請求項３記載の発明では、基板上に電極パッドを形成する工程と、前記電極パッド上に第一の開口部を有する絶縁層を形成する工程と、該絶縁膜上に剥離層を積層する工程と、前記剥離層に前記第一の開口部と同一形状の第二の開口部を設ける工程と、前記ハンダペーストを熱処理する工程と、前記剥離層を除去する工程とを設けたことを特徴とするハンダボールの形成方法により、解決する。
【００１９】
上記発明によれば、絶縁層に形成された第一の開口部と、剥離層に形成された第二の開口部とにハンダペーストを充填することができる。そのため、単層に設けられた一つの開口部に、ハンダペーストを充填する場合と比較して多くのハンダペーストを第一の開口部と、第二の開口部とに充填することができる。
【００２０】
これにより、第一及び第二の開口部に存在する第一の樹脂部材の量を十分確保することができるため、ハンダボールをより確実に支持することができる。
【００２１】
また請求項４記載の発明では、基板本体上に形成された電極パッドと、前記電極パッド間を絶縁する第一の開口部を有する絶縁層と、前記電極パッド上に形成されたハンダボールとを設けた基板において、前記ハンダボールを支持するように、前記ハンダボールと前記基板本体との間に第一の樹脂部材を設けたことを特徴とする基板により、解決する。
【００２２】
上記発明によれば、第一の樹脂部材によりハンダボールを支持することができるため、ハンダボールと電極パッドとの間の接合部の補強を行うことができる。
【００２３】
また請求項５記載の発明では、請求項４記載の基板において、前記第一の樹脂部材は、前記電極パッドと、前記ハンダボールの一部と、前記絶縁層の側壁部分の一部とを隙間なく覆うように形成されてなることを特徴とする基板により、解決する。
【００２４】
上記発明によれば、基板とハンダボールとの間だけでなく、絶縁層の側壁部分とハンダボールとの間にも第一の樹脂部材を形成することで、強固にハンダボールを支持することができ、ハンダボールと電極パッドとの間の接合部の補強を行うことができる。
【００２５】
また請求項６記載の発明では、請求項４または５記載の基板において、前記絶縁層と前記ハンダボールとを連続的に覆うように第二の樹脂部材を形成することを特徴とする基板により、解決する。
【００２６】
上記発明によれば、絶縁層とハンダボールとを第二の樹脂部材により覆いつくすことで基板上に多くの樹脂部材を設けることができる。
【００２７】
また請求項７記載の発明では、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のハンダボールの形成方法により製作された基板と、配線層を設けた配線基板に実装する実装構造であって、前記第一の樹脂部材は、前記基板と前記配線基板との間に配設された前記ハンダボールの一部を覆い、前記ハンダボールを支持するように形成されたことを特徴とする実装構造により、解決する。
【００２８】
上記発明によれば、第一の樹脂部材により、基板と配線基板との間をしっかりと支持することができる。それにより、電極パッドとハンダボールの間の接合と、配線層とハンダボールの間の接合とを補強することができる。
【００２９】
また請求項８記載の発明では、請求項７記載の実装構造において、前記ハンダボールは、前記ハンダボールの少なくとも一部が前記絶縁層よりも高い位置に存在するように形成されることを特徴とする実装構造により、解決する。
【００３０】
上記発明によれば、絶縁層よりもハンダボールの一部が高い位置に形成することで、絶縁層が存在しても、配線基板上に形成された配線層に対しハンダボールとを確実に実装することができる。
【００３１】
また請求項９記載の発明では、請求項７または８記載の実装構造において、前記第一の樹脂部材を、前記基板と前記配線基板との間に介装することによりアンダーフィル部を形成したことを特徴とする実装構造により、解決する。
【００３２】
上記発明によれば、アンダーフィル部を形成することにより、基板と配線基板はアンダーフィル部により確実に接合される。これにより、電極パッドとハンダボールの間の接合と、配線層とハンダボールの間の接合とを補強することができる。
【００３３】
また請求項１０記載の発明では、請求項７乃至９記載のいずれか一項に記載の実装構造において、前記アンダーフィル部は、前記第一の樹脂部材と前記第二の樹脂部材とを有することを特徴とする実装構造により、解決する。
【００３４】
上記発明によれば、アンダーフィル部に第二の樹脂部材を加えることで、樹脂部材の量を増加させることができる。これにより、基板と配線基板との間の隙間を全て樹脂部材で封止することがきるため、基板と配線基板との間の密着性が増し、ボイドの発生を防ぐことができる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明する。
（第１の実施形態）
図２〜図５は、本発明の第１の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示した図である。
【００３６】
図２に示すように、配線や絶縁膜が形成された半導体基板６１上に、電極パッド７１をパターニングし、続いて、フィルム状ソルダーレジスト８１を電極パッド７１上に配設する。
【００３７】
次に、露光、現像処理を行い、図３に示すように、電極パッド７１上のフィルム状ソルダーレジストに幅Ｗ２＞幅Ｗ１となるような開口部Ｂを形成する。開口部Ｂの幅Ｗ２は、例えば、電極パッド７１の幅Ｗ１の１．３〜３．０倍程度の大きさに形成することができる。
【００３８】
次に、図４に示すように、粉末状或いは粒状のハンダとアンダーフィル機能を有した熱硬化樹脂部材１７１とを混合してなるハンダペースト９０を、スキージング法により開口部Ｂに充填する。スキージングの回数は数回行うことで、開口部Ｂにハンダペースト９０を充填することができる。
【００３９】
ハンダには、例えば、Ｓｎ−３％Ａｇを用いることができる。また、開口部Ｂの形状は円形状が望ましいが、ハンダペースト９０を充填することができれば、どのような形状であってもよい。熱硬化樹脂部材１７１には、例えば、エポキシ系樹脂を用いることができる。また、ハンダペースト９０に含まれるハンダと熱硬化樹脂部材１７１の比率は、ハンダを７５〜９２ｗｔ％、熱硬化樹脂部材１７１を８〜２５ｗｔ％の範囲内で調整することができる。
【００４０】
次に、ハンダペースト９０に含まれるハンダの融点Ｔ２よりも高く、かつ、熱硬化樹脂１７１の硬化温度Ｔ３よりも高い温度Ｔ１で熱処理を行うことで、図５に示すように、熱硬化樹脂１７１は、ハンダボール１６１と半導体基板６１との間と、フィルム状ソルダーレジスト８１の側壁部と半導体基板６１との間にアンダーフィルとして配設される。また、熱処理の温度Ｔ１は、例えば、２４０℃で行うことができる。
【００４１】
図６は、ハンダペースト中に含まれる熱硬化樹脂の割合が高い場合の熱処理後の半導体チップの断面図である。
【００４２】
ハンダペースト９０中に含まれる熱硬化樹脂１７１の量を調節することで、ハンダボール１６１とフィルム状ソルダーレジスト８１の周囲に形成される熱硬化樹脂１７１の形状は変化する。熱硬化樹脂１７１の割合が高い場合は図６に示すように、熱硬化樹脂１７１はハンダボール１６１とフィルム状ソルダーレジスト８１を繋ぐように形成され、アンダーフィルとしての機能が増加される。
【００４３】
このように、ハンダとアンダーフィル機能を有した熱硬化樹脂部材１７１とをハンダペースト９０として使用することで、一度の熱処理でハンダボール１６１を形成すると共に、同時にアンダーフィルとしての熱硬化樹脂１７１を形成することができため、クラック等が熱硬化樹脂１７１に形成されない上に、工程を簡略化することができる。
【００４４】
また、ハンダボール１６１と半導体基板６１との間に配設された熱硬化樹脂１７１により、電極パッド７１とハンダボール１６１との接合を補強することができる。さらに、フィルム状ソルダーレジスト８１の側壁部と半導体基板６１との間にも熱硬化樹脂１７１が配設されているため、フィルム状ソルダーレジスト８１と半導体基板６１との間の接合も補強することができる。
（第２の実施形態）
第１の実施形態では、フィルム状ソルダーレジスト８１に設けた開口部Ｂにハンダペースト９０を充填したが、フィルム状ソルダーレジスト８１上にフィルム状フォトレジストを配設して、二つの開口部を設けてこれらの開口部にハンダペースト９０を充填してハンダボールを形成してもよい。
【００４５】
図７〜図１１は、本発明の第２の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示した図である。
【００４６】
図７に示すように、配線や絶縁膜が形成された半導体基板６１上に、電極パッド７１をパターニングし、続いて、フィルム状ソルダーレジスト８１を電極パッド７１上に配設し、更にフィルム状ソルダーレジスト８１上にフィルム状フォトレジスト１１１を配設する。
【００４７】
次に、図８に示すように、露光、現像処理を行い、フィルム状ソルダーレジスト８１に幅Ｗ２＞幅Ｗ１となるような開口部Ｂと、フィルム状フォトレジスト１１１に開口部Ｃとを形成する。開口部Ｂと開口部Ｃの大きさは同一形状に形成する。また、開口部Ｂの幅Ｗ２は、例えば、電極パッド７１の幅Ｗ１の１．３〜３．０倍程度の大きさに形成することができる。
【００４８】
次に、図９に示すように、ハンダとアンダーフィル機能を有した熱硬化樹脂部材１７１とからなるハンダペースト９０を、スキージング法により開口部Ｂ，Ｃに充填する。スキージングの回数は３〜８回行うことで、開口部Ｂ，Ｃにハンダペースト９０を充填することができる。
【００４９】
ハンダには、例えば、Ｓｎ−３％Ａｇを用いることができる。また、熱硬化樹脂部材１７１には、例えば、エポキシ系樹脂を用いることができる。開口部Ｂの形状については、円形状が望ましいが、ハンダペースト９０を充填することができれば、どのような形状であってもよい。
【００５０】
次に、ハンダペースト９０に含まれるハンダの融点Ｔ２よりも高く、かつ、熱硬化樹脂１７１の硬化温度Ｔ３よりも高い温度Ｔ１で熱処理を行うことで、図１０に示すように、熱硬化樹脂１７１は、ハンダボール１６１とフィルム状ソルダーレジスト８１の側壁部とを繋ぐように配設される。
【００５１】
また、熱処理の温度Ｔ１に関しては、例えば、２４０℃で行うことができる。この時、フィルム状フォトレジスト１１１の表面にはハンダペースト９０中に含まれていたハンダの粉末が残っている場合がある。このハンダの粉末が付着した状態で実装を行った場合には、配線基板との密着性に悪影響を及ぼす。
【００５２】
次に、図１１に示すように、フィルム状フォトレジスト１１１のみを剥離液へ浸漬させて、フィルム状フォトレジスト１１１の除去を行う。この時、フィルム状フォトレジスト１１１の表面に付着していたハンダの粉末も一緒に除去される。
【００５３】
なお、フィルム状フォトレジスト１１１の除去方法については、剥離液への浸漬以外の方法でもフィルム状フォトレジスト１１１が除去できればよく、例えば、剥離液のシャワーリングによる除去方法、剥離液に超音波を与える除去方法、及び剥離用テープによる除去方法などがある。
【００５４】
このように、フィルム状ソルダーレジスト８１上にフィルム状フォトレジスト１１１を配設して、二つの開口部Ｂ，Ｃを形成することで多くのハンダペースト９０を開口部Ｂ，Ｃに充填することができる。そのため、半導体基板６１上のハンダボール１６１とフィルム状ソルダーレジスト８１の間に多くの熱硬化樹脂部材１７１をアンダーフィルとして形成することができる。それにより、熱硬化樹脂部材１７１により電極パッド７１とハンダボール１６１の接合と、半導体基板６１とフィルム状ソルダーレジスト８１の密着性とを補強することができる。
【００５５】
また、ハンダボール１６１も大きく形成することができる。さらに、ハンダボール１６１形成後には、フィルム状フォトレジスト１１１は除去されるため、ハンダボール１６１形成時にフィルム状フォトレジスト１１１上に付着しているハンダの粉末も一緒に除去することができる。これにより、配線基板と実装する場合に接合部の信頼性を向上させることができる。
（第３の実施形態）
第２の実施形態では、ハンダボール形成前にフィルム状ソルダーレジスト８１上にフィルム状フォトレジスト１１１を形成し開口部Ｂ，Ｃを配設したが、フィルム状フォトレジスト１１１の代わりにメタルマスクを使用して二つの開口部を設けてハンダボールを形成してもよい。
【００５６】
図１２〜図１５は、本発明の第３の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示した図である。
【００５７】
始めに、先に示した図２〜図３までのパターニングを半導体基板６１上に形成し、その後に図１２に示すように、開口部Ｂと同形状の開口部Ｃが設けられたメタルマスク１２１をフィルム状ソルダーレジスト８１上に配設する。
【００５８】
なお、図２〜図３については先の第１の実施形態ですでに説明を行ったので、ここでの説明は省略する。
【００５９】
次に、図１３に示すように、ハンダとアンダーフィル機能を有した熱硬化樹脂部材１７１とからなるハンダペースト９０を、スキージング法により開口部Ｂ，Ｃに充填する。スキージングを行う最表面がメタルであるので、ハンダペースト９０の滑りが良く、少ない回数で開口部Ｂ，Ｃにハンダペースト９０を充填することができる。
【００６０】
ハンダには、例えば、Ｓｎ−３％Ａｇを用いることができる。熱硬化樹脂部材１７１には、例えば、エポキシ系樹脂を用いることができる。開口部Ｂの形状については、円形状が望ましいが、ハンダペースト９０を充填することができれば、どのような形状であってもよい。
【００６１】
次に、図１４に示すように、メタルマスク１２１をフィルム状ソルダーレジスト８１上から剥離する。続いて、ハンダペースト９０に含まれるハンダの融点Ｔ２よりも高く、かつ、熱硬化樹脂１７１の硬化温度Ｔ３よりも高い温度Ｔ１で熱処理を行う。これにより、図１５に示すように、熱硬化樹脂１７１は、ハンダボール１６１とフィルム状ソルダーレジスト８１の側壁部とを繋ぐように配設される。
【００６２】
このように、フィルム状ソルダーレジスト８１上にメタルマスク１２１を配設して、二つの開口部Ｂ，Ｃを形成することで多くのハンダペースト９０を開口部Ｂ，Ｃに充填することができる。これにより、半導体基板６１上のハンダボール１６１とフィルム状ソルダーレジスト８１の間に十分な量の熱硬化樹脂部材１７１をアンダーフィルとして形成することができる。よって、電極パッド７１とハンダボール１６１の接合と、半導体基板６１とフィルム状ソルダーレジスト８１との密着性を補強することができると共に、ハンダボール１６１の形状も必要な大きさに確実に形成することができる。
【００６３】
さらに、ハンダボール１６１形成時には、メタルマスク１２１は除去されるため、フィルム状ソルダーレジスト８１の表面にハンダの粉末が付着することを防止できる。これにより、配線基板と実装する場合に接合部の信頼性を向上させることができる。
（第４の実施形態）
第４の実施形態は、フィルム状ソルダーレジスト８１に設ける開口部Ｂよりも大きな開口部をフィルム状フォトレジストに設けた第２の実施形態の変形例である。
【００６４】
図１６〜図２０は、本発明の第４の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示した図である。
【００６５】
始めに、図２〜図３までのパターニングを半導体基板６１上に形成した後に、図１６に示すように、フィルム状フォトレジスト１１２をフィルム状ソルダーレジスト８１上に配設する。
【００６６】
なお、図２〜図３については先の第１の実施形態ですでに説明を行ったので、ここでの説明は省略する。
【００６７】
次に、図１７に示すように、露光、現像処理を行い、フィルム状フォトレジスト１１２に幅Ｗ４＞幅Ｗ２＞幅Ｗ１となるような開口部Ｅを形成する。
【００６８】
次に、図１８に示すように、ハンダとアンダーフィル機能を有した熱硬化樹脂部材１７１とからなるハンダペースト９０を、スキージング法により開口部Ｂ，Ｅに充填する。スキージングの回数は３〜８回行うことで、開口部Ｂ，Ｃにハンダペースト９０を充填することができる。ハンダには、例えば、Ｓｎ−３％Ａｇを用いることができる。熱硬化樹脂部材１７１には、例えば、エポキシ系樹脂を用いることができる。開口部Ｂ，Ｅの形状については、円形状が望ましいが、ハンダペースト９０を充填することができれば、どのような形状であってもよい。
【００６９】
次に、ハンダペースト９０に含まれるハンダの融点Ｔ２よりも高く、かつ、熱硬化樹脂１７１の硬化温度Ｔ３よりも高い温度Ｔ１で熱処理を行うことで、図１９に示すように、熱硬化樹脂１７１は、ハンダボール１６１とフィルム状ソルダーレジスト８１の側壁部とを繋ぐように配設される。この時、熱硬化樹脂１７１はフィルム状ソルダーレジスト８１の表面の位置よりも高い位置にあるハンダボール１６１の一部を覆うように形成される。また、熱処理の温度Ｔ１に関しては、例えば、２４０℃で行うことができる。
【００７０】
次に、図２０に示すように、フィルム状フォトレジスト１１２のみを剥離液へ浸漬させて、フィルム状フォトレジスト１１２の除去を行う。この時、フィルム状フォトレジスト１１２の表面に付着していたハンダの粉末も一緒に除去される。
【００７１】
なお、フィルム状フォトレジスト１１２の除去方法については、剥離液への浸漬以外の方法でもフィルム状フォトレジスト１１２が除去できればよく、例えば、剥離液のシャワーリングによる除去方法、剥離液に超音波を与える除去方法、及び剥離用テープによる除去方法などがある。
【００７２】
このように、フィルム状ソルダーレジスト８１上にフィルム状フォトレジスト１１１を配設して、開口部Ｂよりも大きな開口部Ｅを形成することで、さらに多くのハンダペースト９０を開口部Ｂ，Ｅに充填することができる。そのため、熱硬化樹脂１７１をフィルム状ソルダーレジスト８１の表面の位置よりも高い位置にあるハンダボール１６１の一部を覆うように形成することができ、多くの熱硬化樹脂部材１７１をアンダーフィルとして形成することができる。それにより、電極パッド７１とハンダボール１６１の間の接合と、半導体基板６１とフィルム状ソルダーレジスト８１の密着性とを、多くの熱硬化樹脂部材１７１により補強することができる。
【００７３】
また、ハンダボール１６１を大きく形成することができる。さらに、ハンダボール１６１形成後には、フィルム状フォトレジスト１１２は除去されるため、ハンダボール１６１形成時にフィルム状フォトレジスト１１２上に付着しているハンダの粉末も一緒に除去することができる。これにより、配線基板と実装する場合に接合部の信頼性を向上させることができる。
（第５の実施形態）
第５の実施形態は、フィルム状ソルダーレジスト８１に設ける開口部Ｂよりも大きな開口部をメタルマスクに設けた第３の実施形態の変形例である。
【００７４】
図２１〜図２４は、本発明の第５の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示した図である。
【００７５】
始めに、図２〜図３までのパターニングを半導体基板６１上に形成した後に、図２１に示すように、幅Ｗ３＞幅Ｗ２＞幅Ｗ１となるような開口部Ｄを設けたメタルマスク１２２をフィルム状ソルダーレジスト８１上に配設する。
【００７６】
次に、図２２に示すように、ハンダとアンダーフィル機能を有した熱硬化樹脂部材１７１とからなるハンダペースト９０を、スキージング法により開口部Ｂ，Ｄに充填する。スキージングを行う最表面がメタルであるので、ハンダペースト９０の滑りが良く、少ない回数で開口部Ｂ，Ｄにハンダペースト９０を充填することができる。ハンダには、例えば、Ｓｎ−３％Ａｇを用いることができる。また、熱硬化樹脂部材１７１には、例えば、エポキシ系樹脂を用いることができる。開口部Ｂの形状は円形状が望ましいが、ハンダペースト９０を充填することができれば、どのような形状であってもよい。
【００７７】
次に、図１４に示すように、メタルマスク１２２をフィルム状ソルダーレジスト８１上から剥がし取る。
【００７８】
次に、ハンダペースト９０に含まれるハンダの融点Ｔ２よりも高く、かつ、熱硬化樹脂１７１の硬化温度Ｔ３よりも高い温度Ｔ１で熱処理を行うことで、図２４に示すように、熱硬化樹脂１７１は、ハンダボール１６１とフィルム状ソルダーレジスト８１の側壁部とを繋ぐように配設される。この時、熱硬化樹脂１７１はフィルム状ソルダーレジスト８１の表面の位置よりも高い位置にあるハンダボール１６１の一部を覆うように形成される。また、熱処理の温度Ｔ１に関しては、例えば、２４０℃で行うことができる。
【００７９】
このように、フィルム状ソルダーレジスト８１上にメタルマスク１２２を配設して、二つの開口部Ｂ，Ｃを形成することで多くのハンダペースト９０を開口部Ｂ，Ｃに充填することができる。そのため、熱硬化樹脂１７１をフィルム状ソルダーレジスト８１の表面の位置よりも高い位置にあるハンダボール１６１の一部を覆うように形成することができ、多くの熱硬化樹脂部材１７１をアンダーフィルとして形成することができる。それにより、電極パッド７１とハンダボール１６１の密着性と、半導体基板６１とフィルム状ソルダーレジスト８１の密着性が向上する。
【００８０】
また、ハンダボール１６１も大きく形成することができる。さらに、ハンダボール１６１形成時には、メタルマスク１２２は除去されるため、ハンダボール１６１形成前にメタルマスク１２２上に付着しているハンダの粉末も一緒に除去することができる。これにより、配線基板と実装する場合に接合部の信頼性を向上させることができる。また、メタルマスク１２２は金属であるので壊れにくく、容易に剥がすことができる。
（第６の実施形態）
第６の実施形態は、開口部Ｂが設けられたフィルム状ソルダーレジスト８１に溝部を形成した第２の実施形態の変形例である。
【００８１】
図２５〜図３０は、本発明の第６の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示した図である。
【００８２】
始めに、先に説明した図２に示すように、半導体基板６１上にパターニングされた電極パッド７１と、電極パッド７１上にフィルム状ソルダーレジスト８１を配設する。
【００８３】
次に、図２５に示すように、露光、現像処理を行い、フィルム状ソルダーレジスト８１に幅Ｗ２＞幅Ｗ１となるような開口部Ｂと溝部１３１とを形成する。また、開口部Ｂの幅Ｗ２は、例えば、電極パッド７１の幅Ｗ１の１．３〜３．０倍程度の大きさに形成することができる。
【００８４】
次に、図２６に示すように、フィルム状フォトレジスト１１３をフィルム状ソルダーレジスト８１上に配設する。
【００８５】
次に、図２７に示すように、露光、現像処理を行い、フィルム状フォトレジスト１１３に開口部Ｂと同一形状の開口部Ｆを形成する。
【００８６】
次に、図２８に示すように、ハンダとアンダーフィル機能を有した熱硬化樹脂部材１７１とからなるハンダペースト９０を、スキージング法により開口部Ｂ，Ｆに充填する。スキージングの回数は３〜８回行うことで、開口部Ｂ，Ｆにハンダペースト９０を充填することができる。ハンダには、例えば、Ｓｎ−３％Ａｇを用いることができる。熱硬化樹脂部材１７１には、例えば、エポキシ系樹脂を用いることができる。開口部Ｂ，Ｆの形状については、円形状が望ましいが、ハンダペースト９０を充填することができれば、どのような形状であってもよい。
【００８７】
次に、ハンダペースト９０に含まれるハンダの融点Ｔ２よりも高く、かつ、熱硬化樹脂１７１の硬化温度Ｔ３よりも高い温度Ｔ１で熱処理を行うことで、図２９に示すように、熱硬化樹脂１７１は、ハンダボール１６１とフィルム状ソルダーレジスト８１の側壁部とを繋ぐように配設される。また、熱処理の温度Ｔ１に関しては、例えば、２４０℃で行うことができる。この時、フィルム状フォトレジスト１１３の表面にはハンダペースト９０に含まれていたハンダの粉末が残っている場合がある。このハンダの粉末が付着した状態で実装を行った場合には、配線基板との密着性に悪影響を及ぼす。
【００８８】
次に、図３０に示すように、フィルム状フォトレジスト１１３のみを剥離液へ浸漬させて、フィルム状フォトレジスト１１３の除去を行う。この時、フィルム状フォトレジスト１１３の表面に付着していたハンダの粉末も一緒に除去される。
【００８９】
なお、フィルム状フォトレジスト１１３の除去方法については、剥離液への浸漬以外の方法でもフィルム状フォトレジスト１１３が除去できればよく、例えば、剥離液のシャワーリングによる除去方法、剥離液に超音波を与える除去方法、及び剥離用テープによる除去方法などがある。
【００９０】
このようにハンダボールを形成することで、半導体基板６１上のハンダボール１６１とフィルム状ソルダーレジスト８１の間に多くの熱硬化樹脂部材１７１をアンダーフィルとして形成でき、電極パッド７１とハンダボール１６１の接合と、半導体基板６１とフィルム状ソルダーレジスト８１の密着性を補強できる。また、フィルム状ソルダーレジスト８１に設けられた溝部１３１により、隣り合うハンダボールとのショートを防ぐことができる。
【００９１】
さらに、ハンダボール１６１形成後には、フィルム状フォトレジスト１１３は除去されるため、ハンダボール１６１形成時にフィルム状フォトレジスト１１３上に付着しているハンダの粉末も一緒に除去することができる。これにより、配線基板と実装する場合に接合部の信頼性を向上させることができる。
（第７の実施形態）
第７の実施形態は、開口部Ｂが設けられたフィルム状ソルダーレジスト８１に溝部を形成した第３の実施形態の変形例である。
【００９２】
図３１〜図３５は、本発明の第７の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示した図である。
【００９３】
始めに、先に説明した図２に示すように、半導体基板６１上にパターニングされた電極パッド７１と、電極パッド７１上にフィルム状ソルダーレジスト８１を配設する。
【００９４】
次に、図３１に示すように、露光、現像処理を行い、フィルム状ソルダーレジスト８１に幅Ｗ２＞幅Ｗ１となるような開口部Ｂと溝部１３２とを形成する。また、開口部Ｂの幅Ｗ２は、例えば、電極パッド７１の幅Ｗ１の１．３〜３．０倍程度の大きさに形成することができる。
【００９５】
次に、図３２に示すように、開口部Ｇが形成されたメタルマスク１２３をフィルム状ソルダーレジスト８１上に配設する。
【００９６】
次に、図３３に示すように、ハンダとアンダーフィル機能を有した熱硬化樹脂部材１７１とからなるハンダペースト９０を、スキージング法により開口部Ｂ，Ｇに充填する。スキージングの回数は３〜８回行うことで、開口部Ｂ，Ｇにハンダペースト９０を充填することができる。ハンダには、例えば、Ｓｎ−３％Ａｇを用いることができる。熱硬化樹脂部材１７１には、例えば、エポキシ系樹脂を用いることができる。開口部Ｂ，Ｇの形状については、円形状が望ましいが、ハンダペースト９０を充填することができれば、どのような形状であってもよい。
【００９７】
次に、図３４に示すように、メタルマスク１２１をフィルム状ソルダーレジスト８１上から剥離する。続いて、ハンダペースト９０に含まれるハンダの融点Ｔ２よりも高く、かつ、熱硬化樹脂１７１の硬化温度Ｔ３よりも高い温度Ｔ１で熱処理を行う。また、熱処理の温度Ｔ１に関しては、例えば、２４０℃で行うことができる。
【００９８】
これにより、図３５に示すように、熱硬化樹脂１７１は、ハンダボール１６１とフィルム状ソルダーレジスト８１の側壁部とを繋ぐように配設される。
【００９９】
このようにハンダボールを形成することで、半導体基板６１上のハンダボール１６１とフィルム状ソルダーレジスト８１の間に多くの熱硬化樹脂部材１７１をアンダーフィルとして形成でき、電極パッド７１とハンダボール１６１の間の接合と、半導体基板６１とフィルム状ソルダーレジスト８１の密着性とを補強することができる。また、フィルム状ソルダーレジスト８１に設けられた溝部１３１により、隣り合うハンダボールとのショートを防ぐことができる。
【０１００】
さらに、ハンダボール１６１形成後には、フィルム状フォトレジスト１１３は除去されるため、ハンダボール１６１形成時にフィルム状フォトレジスト１１３上に付着しているハンダの粉末も一緒に除去することができる。これにより、配線基板と実装する場合に接合部の信頼性を向上させることができる。
（第８の実施形態）
第８の実施形態では、第１〜第７の実施形態で述べたハンダボールが形成された基板を配線基板にフリップチップ実装する場合の実施形態について説明する。
【０１０１】
図３６〜図３８は、本発明の第８の実施形態によるアンダーフィルとしての熱硬化樹脂部材が少ない場合のフリップチップ実装工程の図を示したものである。
【０１０２】
図３６は、ハンダボールが形成されている側の半導体チップ１０２と、配線層が形成されている側の配線基板とを向かい合わせにした状態を示している。
【０１０３】
半導体チップ１０２には、半導体基板６１上に配設された電極パッド７１上にはハンダボール１６１が形成され、フィルム状ソルダーレジスト８１と熱硬化樹脂部材１７１とが配設されている。また、熱硬化樹脂部材１７１は、ハンダボールと半導体基板６１の間と、フィルム状ソルダーレジスト８１の側壁面と半導体基板６１の間とに配設されている。
【０１０４】
配線基板１４０は、その内部には絶縁膜（図示せず）と配線層（図示せず）からなる多層配線構造が形成されている。また、配線基板１４０の最上層にはハンダボール１６１を実装するための配線層１５１が配設されている。
【０１０５】
次に、図３７に示すように、半導体チップ１０２と配線基板１４０を押し当てて加熱することにより、フリップチップ実装される。このとき、熱硬化樹脂部材１７１が溶解し、図３８に示すように熱硬化樹脂部材１７１の一部が、配線層１５１とその近傍のハンダボール１６１の一部を覆うように配設されて硬化する。
【０１０６】
このように熱硬化樹脂部材１７１が、半導体チップ１０２と配線基板１４０の間に配設することで、ハンダボール１６１と配線層１５１との間の接合を補強することができる。
【０１０７】
次に、基板上に配設された熱硬化樹脂部材１７１の量が多い基板をフリップチップ実装する場合について説明する。
【０１０８】
図３９〜図４０は、本発明の第８の実施形態によるアンダーフィルとしての熱硬化樹脂部材が多い場合のフリップチップ実装工程の図を示したものである。
【０１０９】
図３９は、ハンダボール１６１が形成されている側の半導体チップ１０３と、配線層１５１が形成されている側の配線基板１４０とを向かい合わせにした状態を示している。
【０１１０】
図３９に示した状態から、半導体チップ１０３と配線基板１４０を押し当てて加熱することにより、フリップチップ実装される。このとき、熱硬化樹脂部材１７１が溶解し、図４０に示すように熱硬化樹脂部材１７１の一部が、配線層１５１とハンダボール１６１の全ての表面を覆うように配設されて硬化する。
【０１１１】
このように熱硬化樹脂部材１７１を、ハンダボール１６１と、電極パッド７１と、配線層１５１とを隙間なく連続的に覆うように形成することで、半導体チップ１０３と配線基板１４０との間の熱膨張歪みを低減することができ、これにより、接合部の信頼性を向上することができる。
（第９の実施形態）
図４１〜図４３は、本発明の第９の実施形態によるフリップチップ実装工程の図を示したものである。
【０１１２】
図４１に示すように、半導体チップ１０４には、半導体基板６１上に配設された電極パッド７１上にはハンダボール１６１が形成され、フィルム状ソルダーレジスト８１と熱硬化樹脂部材１７１とが配設されている。
【０１１３】
この半導体チップ１０４上に、図４２に示すように熱硬化樹脂部材１７２を配設する。
【０１１４】
次に、半導体チップ１０４と配線基板１４０とを押し当てて、加熱することにより、図４３に示すように、半導体チップ１０４と配線基板１４０との間を隙間なく熱硬化樹脂部材１７３により充填された、フリップチップ実装構造が形成される。同図中に示す熱硬化樹脂部材１７３は、熱硬化樹脂部材１７１，１７２からなる樹脂部材のことを示している。
【０１１５】
なお、半導体チップ１０４は、第１〜第７の実施形態で述べたハンダボールが形成された基板であればよく、限定されない。
【０１１６】
このように、フリップチップ実装前の半導体チップ１０４に熱硬化樹脂部材１７２を配設することで、半導体チップ１０４と配線基板１４０との間を隙間なく熱硬化樹脂部材１７１，１７２で充填することができる。そのため、半導体チップ１０３と配線基板１４０との間の熱膨張歪みを低減やボイドの発生を抑制できる。これにより、接合部の信頼性を向上することができる。さらに、半導体チップ１０４と配線基板１４０との間が熱硬化樹脂部材１７１，１７２により充填されているので、水分の侵入によってハンダボール１６１や電極パッド７１等が腐食されるのを防止することができ、またマイグレーション等を抑制することができる。
（第１０の実施形態）
図４４〜図４７は、本発明の第１０の実施形態によるフリップチップ実装工程の図を示したものである。
【０１１７】
始めに、図４４に示すように半導体基板６１上に電極パッド７１と、開口部Ｂを設けたフィルム状ソルダーレジスト８１とを配設する。
【０１１８】
次に、図４５に示すように開口部Ｂに、ハンダと、アンダーフィル機能とフラックス機能とを設けた熱硬化樹脂部材とを有するハンダペースト１９０を充填する。
【０１１９】
次に、図４６に示すように、電極パッド７１が形成されている側の半導体チップ１０５の面と、配線層１５１が形成されている配線基板１４０の面とを向かい合わせにして、ハンダペースト１９０と配線層１５１とを接触させる。
【０１２０】
次に、熱処理を行い、図４７に示すように電極パッド７１と配線層１５１との間にハンダボール１６２を形成すると共に、半導体基板６１と配線基板１４０との間に電極パッド７１と、配線層１５１と、ハンダボール１６２とを覆うように、硬化させた熱硬化樹脂部材２１１を配設してフリップチップ実装を行う。熱処理の温度は、例えば、２３０℃とすることで上記構造を形成することができる。
【０１２１】
このようにフリップチップ実装を行うことで、一度の熱処理でハンダボール１６２の形成と、熱硬化樹脂部材２１１の配設と、半導体基板６１と配線基板１４０との実装を行うことができるので、工程が簡略化でき、コストダウンが図れる。
（第１１の実施形態）
第１１の実施形態は、第１０の実施形態の変形例である。
【０１２２】
図４８〜図５０は、本発明の第１１の実施形態によるフリップチップ実装工程の図を示したものである。
【０１２３】
図４８に示した半導体チップ１０６は、例えば、先に説明した図８のように二つの開口部Ｂ，Ｃが設けられているところにハンダペースト１９０を充填し、フィルム状レジスト１１１を除去した構造を示している。
【０１２４】
次に、図４９に示すように、電極パッド７１が形成されている側の半導体チップ１０６の面と、配線層１５１が形成されている配線基板１４０の面とを向かい合わせにして、ハンダペースト１９０と配線層１５１とを接触させる。
【０１２５】
次に、熱処理を行い、図５０に示すように電極パッド７１と配線層１５１との間にハンダボール１６２を形成すると共に、半導体基板６１と配線基板１４０との間に電極パッド７１と、配線層１５１と、ハンダボール１６２とを覆うように、硬化させた熱硬化樹脂部材２１１をアンダーフィルとして配設してフリップチップ実装を行う。熱処理の温度は、例えば、２３０℃とすることで上記構造を形成することができる。
【０１２６】
なお、半導体チップ１０６には、先に説明した図１２，図２７，図３２のような構造を用いてもよい。
【０１２７】
このようにフリップチップ実装を行うことで、一度の熱処理でハンダボール１６２の形成と、熱硬化樹脂部材２１１の配設と、半導体基板６１と配線基板１４０との実装を行うことができるので、工程が簡略化できる。また、二つの開口部にハンダペースト１９０を充填するため、多くのハンダペースト１９０を半導体基板６１上に配設できる。これにより、ハンダボール１６１も大きく形成することができる。また、アンダーフィルとしての熱硬化樹脂部材２１１の量も増えるため、半導体基板６１と配線基板１４０との間に配設された電極パッド７１と、配線層１５１と、電極パッド７１とを強固に支持することができる。それにより、半導体チップ１０６と配線基板１４０との間の熱膨張歪みを低減することができ、これにより、接合部の信頼性を向上することができる。
（第１２の実施形態）
図５１〜図５２は、本発明の第１２の実施形態によるフリップチップ実装工程の図を示したものである。
【０１２８】
始めに、図５１に示すように、半導体基板６１上に電極パッド７１をパターニングして、電極パッド上にハンダと、アンダーフィル機能とフラックス機能とを設けた熱硬化樹脂部材とを有するハンダペーストからなるハンダボール１６３を配設する。
【０１２９】
次に、ハンダボール１６３と配線層１５１とを接触させた後に、熱処理を行う。これにより、ハンダボール１６４を形成すると共に、ハンダボール１６３中に含まれていた熱硬化樹脂部材２１２が、半導体基板６１と配線基板１４０との間に電極パッド７１と、配線層１５１と、ハンダボール１６２とを覆うように配設される。このように、ハンダボールを形成してフリップチップ実装することもできる。
【０１３０】
以上本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【０１３１】
（付記１）　基板上に電極パッドを形成する工程と、
前記電極パッド上に第一の開口部を有する絶縁層を形成する工程と、
前記第一の開口部にハンダと、アンダーフィル機能を有する第一の樹脂部材とを有するハンダペーストを充填する工程と、
該ハンダペーストを熱処理することにより、前記電極パッド上にハンダボールが形成されると共に、前記電極パッドと前記基板との間に硬化された前記第一の樹脂部材が形成される工程とを設けてなることを特徴とするハンダボールの形成方法。
【０１３２】
（付記２）　付記１記載のハンダボールの形成方法において、
前記ハンダペーストは、活性力を有するフラックスを含んでいることを特徴とするハンダボールの形成方法。
【０１３３】
（付記３）　付記１または２記載のハンダボールの形成方法において、
前記ハンダは、Ｓｎを主成分としたＰｂ−Ｓｎ合金であることを特徴とするハンダボールの形成方法。
【０１３４】
（付記４）　付記１乃至３のいずれか一項に記載のハンダボールの形成方法において、
前記ハンダペーストは、Ｓｎが主成分であり、Ａｇ，Ｃｕ，Ｂｉ，Ｉｎ，Ｓｂ，及びＡｕからなる群から選択される元素を含有してなることを特徴とするハンダボールの形成方法。
【０１３５】
（付記５）　付記１乃至４のいずれか一項に記載のハンダボールの形成方法において、
前記第一の開口部は、前記電極パッドと接することなく、前記電極パッドよりも大きな開口部として形成されることを特徴とするハンダボールの形成方法。
【０１３６】
（付記６）　付記１乃至５のいずれか一項に記載のハンダボールの形成方法において、
前記ハンダペーストは、スキージングにより前記第一の開口部に充填されることを特徴とするハンダボールの形成方法。
【０１３７】
（付記７）　付記１乃至６のいずれか一項に記載のハンダボールの形成方法において、
前記熱処理の温度Ｔ１は、前記ハンダの融点Ｔ２と前記第一の樹脂部材の硬化温度Ｔ３との関係がＴ１≧Ｔ３≧Ｔ２であることを特徴とするハンダボールの形成方法。
【０１３８】
（付記８）　付記１乃至７のいずれか一項に記載のハンダボールの形成方法において、
基板上に電極パッドを形成する工程と、
前記電極パッド上に第一の開口部を有する絶縁層を形成する工程と、
該絶縁膜上に剥離層を積層する工程と、
前記剥離層に前記第一の開口部と同一形状の第二の開口部を設ける工程と、
前記ハンダペーストを熱処理する工程と、
前記剥離層を除去する工程とを設けたことを特徴とするハンダボールの形成方法。
【０１３９】
（付記９）　付記１乃至８のいずれか一項に記載のハンダボールの形成方法において、
基板上に電極パッドを形成する工程と、
前記電極パッド上に第一の開口部を有する絶縁層を形成する工程と、
前記剥離層に前記第一の開口部よりも大きな第二の開口部を設ける工程と、
前記ハンダペーストを熱処理する工程と、
前記剥離層を除去する工程とを設けたことを特徴とするハンダボールの形成方法。
【０１４０】
（付記１０）　付記８または９記載のハンダボールの形成方法において、
前記剥離層の除去方法として、剥離液への浸漬による除去方法、剥離液のシャワーリングによる除去方法、剥離液に超音波を与える除去方法、及び剥離用テープによる除去方法からなる群から選択されるいずれか一つの方法を用いることを特徴とするハンダボールの形成方法。
【０１４１】
（付記１１）　付記８乃至１０のいずれか一項に記載のハンダボールの形成方法において、
前記剥離層として、レジスト膜または導体金属膜を用いることを特徴とするハンダボールの形成方法。
【０１４２】
（付記１２）　基板本体上に形成された電極パッドと、
前記電極パッド間を絶縁する第一の開口部を有する絶縁層と、
前記電極パッド上に形成されたハンダボールとを設けた基板において、
前記ハンダボールを支持するように、前記ハンダボールと前記基板本体との間に第一の樹脂部材を設けたことを特徴とする基板。
【０１４３】
（付記１３）　付記１２記載の基板において、
前記第一の樹脂部材は、前記電極パッドと、
前記ハンダボールの一部と、
前記絶縁層の側壁部分の一部とを隙間なく覆うように形成されてなることを特徴とする基板。
【０１４４】
（付記１４）　付記１２または１３記載の基板において、
前記絶縁層と前記ハンダボールとを連続的に覆うように第二の樹脂部材を形成することを特徴とする基板。
【０１４５】
（付記１５）　付記１２乃至１４のいずれか一項に記載の基板において、
前記電極パッド間に設けられた前記絶縁層は、前記基板本体に対して垂直方向に溝が設けられて分割されていることを特徴とする基板。
【０１４６】
（付記１６）　付記１乃至１１のいずれか一項に記載のハンダボールの形成方法により製作された基板と、配線層を設けた配線基板に実装する実装構造であって、
前記第一の樹脂部材は、前記基板と前記配線基板との間に配設された前記ハンダボールの一部を覆い、前記ハンダボールを支持するように形成されたことを特徴とする実装構造。
【０１４７】
（付記１７）　付記１６記載の実装構造において、
前記ハンダボールは、前記ハンダボールの少なくとも一部が前記絶縁層よりも高い位置に存在するように形成されることを特徴とする実装構造。
【０１４８】
（付記１８）　付記１６または１７記載の実装構造において、
前記第一の樹脂部材を、前記基板と前記配線基板との間に介装することによりアンダーフィル部を形成したことを特徴とする実装構造。
【０１４９】
（付記１９）　付記１８記載の実装構造において、
前記アンダーフィル部は、前記第一の樹脂部材と前記第二の樹脂部材を有することを特徴とする実装構造。
【０１５０】
（付記２０）　付記１８または１９記載の実装構造において、
前記アンダーフィル部は、前記第一の樹脂部材と前記第二の樹脂部材とを有することを特徴とする実装構造。
【０１５１】
【発明の効果】
請求項１記載の発明によれば、電極パッド上の絶縁層に第一の開口部を形成することで、電極パッド上の第一の開口部にハンダペーストを充填することができる。また、ハンダとアンダーフィル機能を有した第一の樹脂部材とを有したハンダペーストを熱処理することで、電極パッド上にハンダボールを形成する処理と、このハンダボールを支持する第一の樹脂部材を同時に形成することができる。このように、一回の熱処理でハンダボールと第一の樹脂部材を同時に形成できるため、工程の簡略化を図ることができる。更に、ハンダボールと電極パッドとの間に第一の樹脂部材が形成されるため、ハンダボールと電極パッドとの間の接合部の機械的強度の補強をすることができる。
【０１５２】
また請求項２記載の発明によれば、電極パッド上にハンダボールが形成された後に、硬化した第一の樹脂部材をハンダボールと基板間に配設することができる。そのため、硬化した第一の樹脂部材により、ハンダボールと電極パッドとの間の接合部の補強を行うことができる。
【０１５３】
また請求項３記載の発明によれば、絶縁層に形成された第一の開口部と、剥離層に形成された第二の開口部とにハンダペーストを充填することができる。そのため、単層に設けられた一つの開口部に、ハンダペーストを充填する場合と比較して多くのハンダペーストを第一の開口部と、第二の開口部とに充填することができる。これにより、第一及び第二の開口部に存在する第一の樹脂部材の量を十分確保することができるため、ハンダボールをより確実に支持することができる。
【０１５４】
また請求項４記載の発明によれば、第一の樹脂部材によりハンダボールを支持することができるため、ハンダボールと電極パッドとの間の接合部の補強を行うことができる。
【０１５５】
また請求項５記載の発明によれば、基板とハンダボールとの間だけでなく、絶縁層の側壁部分とハンダボールとの間にも第一の樹脂部材を形成することで、強固にハンダボールを支持することができ、ハンダボールと電極パッドとの間の密着性を向上させることができる。
【０１５６】
また請求項６記載の発明によれば、絶縁層とハンダボールとを第二の樹脂部材により覆いつくすことで基板上に多くの樹脂部材を設けることができる。
【０１５７】
また請求項７記載の発明によれば、第一の樹脂部材により、基板と配線基板との間をしっかりと支持することができる。それにより、電極パッドとハンダボールの間の接合と、配線層とハンダボールの間の接合とを補強することができる。
【０１５８】
また請求項８記載の発明によれば、絶縁層よりもハンダボールの一部が高い位置に形成することで、絶縁層が存在しても、配線基板上に形成された配線層に対しハンダボールとを確実に実装することができる。
【０１５９】
また請求項９記載の発明によれば、アンダーフィル部を形成することにより、基板と配線基板はアンダーフィル部により確実に接合される。これにより、電極パッドとハンダボールの間の接合と、配線層とハンダボールの間の接合とを補強することができる。
【０１６０】
また請求項１０記載の発明によれば、アンダーフィル部に第二の樹脂部材を加えることで、樹脂部材の量を増加させることができる。これにより、基板と配線基板との間の隙間を全て樹脂部材で封止することがきるため、基板と配線基板との間の密着性が増し、ボイドの発生を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のアンダーフィル技術を半導体チップと回路基板との間に適用したときの断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その１）である。
【図３】本発明の第１の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その２）である。
【図４】本発明の第１の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その３）である。
【図５】本発明の第１の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その４）である。
【図６】ハンダペースト中に含まれる熱硬化樹脂の割合が高い場合の熱処理後の半導体チップの断面図である。
【図７】本発明の第２の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その１）である。
【図８】本発明の第２の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その２）である。
【図９】本発明の第２の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その３）である。
【図１０】本発明の第２の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その４）である。
【図１１】本発明の第２の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その５）である。
【図１２】本発明の第３の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その１）である。
【図１３】本発明の第３の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その２）である。
【図１４】本発明の第３の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その３）である。
【図１５】本発明の第３の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その４）である。
【図１６】本発明の第４の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その１）である。
【図１７】本発明の第４の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その２）である。
【図１８】本発明の第４の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その３）である。
【図１９】本発明の第４の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その４）である。
【図２０】本発明の第４の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その５）である。
【図２１】本発明の第５の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その１）である。
【図２２】本発明の第５の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その２）である。
【図２３】本発明の第５の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その３）である。
【図２４】本発明の第５の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その４）である。
【図２５】本発明の第６の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その１）である。
【図２６】本発明の第６の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その２）である。
【図２７】本発明の第６の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その３）である。
【図２８】本発明の第６の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その４）である。
【図２９】本発明の第６の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その５）である。
【図３０】本発明の第６の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その６）である。
【図３１】本発明の第７の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その１）である。
【図３２】本発明の第７の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その２）である。
【図３３】本発明の第７の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その３）である。
【図３４】本発明の第７の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その４）である。
【図３５】本発明の第７の実施形態による基板上へのハンダボールの形成工程を示す図（その５）である。
【図３６】本発明の第８の実施形態によるアンダーフィルとしての熱硬化樹脂部材が少ない場合のフリップチップ実装工程を示す図（その１）である。
【図３７】本発明の第８の実施形態によるアンダーフィルとしての熱硬化樹脂部材が少ない場合のフリップチップ実装工程を示す図（その２）である。
【図３８】本発明の第８の実施形態によるアンダーフィルとしての熱硬化樹脂部材が少ない場合のフリップチップ実装工程を示す図（その３）である。
【図３９】本発明の第８の実施形態によるアンダーフィルとしての熱硬化樹脂部材が多い場合のフリップチップ実装工程を示す図（その１）である。
【図４０】本発明の第８の実施形態によるアンダーフィルとしての熱硬化樹脂部材が多い場合のフリップチップ実装工程を示す図（その２）である。
【図４１】本発明の第９の実施形態によるフリップチップ実装工程を示す図（その１）である。
【図４２】本発明の第９の実施形態によるフリップチップ実装工程を示す図（その２）である。
【図４３】本発明の第９の実施形態によるフリップチップ実装工程を示す図（その３）である。
【図４４】本発明の第１０の実施形態によるフリップチップ実装工程を示す図（その１）である。
【図４５】本発明の第１０の実施形態によるフリップチップ実装工程を示す図（その２）である。
【図４６】本発明の第１０の実施形態によるフリップチップ実装工程を示す図（その３）である。
【図４７】本発明の第１０の実施形態によるフリップチップ実装工程を示す図（その４）である。
【図４８】本発明の第１１の実施形態によるフリップチップ実装工程を示す図（その１）である。
【図４９】本発明の第１１の実施形態によるフリップチップ実装工程を示す図（その２）である。
【図５０】本発明の第１１の実施形態によるフリップチップ実装工程を示す図（その３）である。
【図５１】本発明の第１２の実施形態によるフリップチップ実装工程を示す図（その１）である。
【図５２】本発明の第１２の実施形態によるフリップチップ実装工程を示す図（その２）である。
【符号の説明】
５、６１　半導体基板
１０、１００、１０１，１０２、１０３、１０４，１０５、１０６、１０７　半導体チップ
１１、７１　電極パッド
２０　回路基板
２１、１５１　配線層
２２、１６１、１６２、１６３、１６４　ハンダボール
２３　ソルダーレジスト
３１　熱硬化樹脂
４１　ボイド
８１　フィルム状ソルダーレジスト
９０、１９０　ハンダペースト
１１１、１１２、１１３　フィルム状フォトレジスト
１２１、１２２、１２３　メタルマスク
１３１、１３２　溝部
１４０　配線基板
１７１、１７２、１７３、２１１、２１２　熱硬化樹脂部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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