Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月29日(2003.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プレートと、汚泥を収容する濾布と、
該濾布に当接し前記濾布の濾過水を排出する溝を備えたダイヤフラムと、
該ダイヤフラムと該プレートとの間に加熱媒体の流路を備えたダイヤフラム圧搾機構と、
前記濾布内に汚泥を供給する機構と、
前記ダイヤフラムと前記プレートとの間に加熱媒体を供給し、濾布内に収容した汚泥を圧搾及び加温する機構と、前記濾布外部を減圧する機構とを備えたことを特徴とする汚泥の脱水乾燥装置。
【請求項２】
対向する一対のプレート間に一対の前記溝を備えたダイヤフラムを配置し、該ダイヤフラム間に汚泥を収容する濾布を配置したことを特徴とする請求項１記載の汚泥の脱水乾燥装置。
【請求項３】
濾布内に汚泥を収容し、前記濾布内の汚泥を複数の排水溝を備えたダイヤフラムを介して加圧しつつ加温して圧搾すると共に、前記濾布外を減圧することを特徴とする汚泥の脱水乾燥方法。
【請求項４】
前記濾布内の汚泥をダイヤフラムを介して加圧しつつ加温して圧搾した後に、圧搾空気を吹き込むブロー工程を行うことを特徴とする請求項３記載の汚泥の脱水乾燥方法。
【請求項５】
前記ダイヤフラムに、熱伝導性のよい物質を混合した耐熱及び伸縮性に富んだ素材を使用することを特徴とする請求項３記載の汚泥の脱水乾燥方法。
【請求項６】
前記ダイヤフラムに０．５ＭＰａ以上の圧力が加わるようにしたことを特徴とする請求項３記載の汚泥の脱水乾燥方法。
【請求項７】
前記加温は、加熱媒体の温度を７０乃至９０℃程度の温度に保つものであることを特徴とする請求項３記載の汚泥の脱水乾燥方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するため、本発明の第１の態様は、フィルタープレス型濾過装置のプレートの間に各々一対の溝付きダイヤフラムと、該ダイヤフラム間に濾布を設け、該濾布内に形成される濾室に汚泥を供給し、前記濾布を締め付けることで、前記濾布を通して前記ダイヤフラムに配設された溝に沿って濾過水を排出するダイヤフラムプレス型の脱水乾燥装置を用い、一方で、前記濾室内の汚泥を加圧すると共に加温して圧搾し、他方で、前記濾室外を減圧するプロセスを実行することを特徴とするものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の第２の態様は、一又は複数対のプレートと該プレート対の間に配置された汚泥を収容する濾布とを有するフィルタープレス型濾過機構と、該濾布に当接し前記濾布の濾過水を排出する溝を備えたダイヤフラム型圧搾機構と、前記濾布内に汚泥を供給する機構と、前記ダイヤフラム部に加熱媒体を供給し、濾布内に収容した汚泥を加圧及び加温して圧搾する機構と、前記濾布外部を減圧する機構とを備えたことを特徴とする汚泥の脱水乾燥装置である。
なお、本発明は好ましくは前記加圧用ダイヤフラムに０．５ＭＰａ以上の圧力が加わるようにすること、また、前記加圧用ダイヤフラムは、ポリエチレン等の熱伝導性のよい物質を混合した耐熱及び伸縮性に富んだ素材を使用すること、更に、前記加温は、加熱媒体の温度を７０乃至９０℃程度の温度に保つことを特徴とするものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、隣接する濾板の間に一対のダイヤフラムと濾布を設け、濾布内に収容された汚泥の圧搾が片面、好ましくは両面からできるような圧搾機構を備えている。そして、加圧及び加熱媒体として熱保有流体を用い、ダイヤフラムと濾布を介して汚泥を加圧及び加熱可能とし、汚泥の濾過及び圧搾ができるようにしている。そして、フィルタプレスによる濾過工程中に、濾液排出ラインを減圧下にするとともにダイヤフラムに熱保有流体を供給し、濾室内の汚泥を圧搾しながらダイヤフラムを介して汚泥に乾燥熱量を供給する。即ち、汚泥を濾室内で加圧加温圧搾しつつ、濾布の外側の空間である濾室外を減圧することで濾室内の汚泥を脱水するとともに乾燥する。従って、濾室（濾布）内の汚泥が加圧・加温により圧搾されると共に、濾室（濾布）外が減圧された状態となるので、これにより汚泥の脱水・乾燥が促進され、従来の方法と比較して効率的な脱水・乾燥が行われる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月8日(2003.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリッジに搭載された記録ヘッドの記録動作により、シートに記録を実行する記録装置において、
上記記録ヘッドによる記録動作中に、この記録ヘッドにより記録が実行される位置よりも先行する位置の上記シートの状態を検出する検出器を備え、
この検出器の検出結果に基づき上記シートが非定型である、或いは、上記シートに記録不可能な領域が存在すると判断したときに、上記記録ヘッドによる記録動作を停止するよう構成されたことを特徴とする記録装置。
【請求項２】
上記検出器は、記録ヘッドに対してキャリッジの走査方向における先行位置に設置され、記録ヘッドにより記録が実行される位置よりも先行する位置のシートの状態を検出可能に構成されたことを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項３】
上記検出器は、記録ヘッドに対してキャリッジの走査方向における先行位置に設置され、記録ヘッドにより記録が実行される位置よりも先行する位置におけるシートの側縁を検出可能に構成されたことを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項４】
上記検出器は、シートが供給される記録装置本体のシート供給部に設置され、上記シートの幅方向の状態を検出可能に構成されたことを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項５】
キャリッジに搭載された記録ヘッドの記録動作により、シートに記録を実行する記録装置の制御方法において、
上記記録ヘッドによる記録動作中に、この記録ヘッドにより記録が実行される位置よりも先行する位置の上記シートの状態に基づき、上記シートが非定型である、或いは、上記シートに記録不可能な領域が存在すると判断したときに、上記記録ヘッドによる記録動作を停止することを特徴とする記録装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、キャリッジに搭載された記録ヘッドの記録動作により、シートに記録を実行する記録装置において、上記記録ヘッドによる記録動作中に、この記録ヘッドにより記録が実行される位置よりも先行する位置の上記シートの状態を検出する検出器を備え、この検出器の検出結果に基づき上記シートが非定型である、或いは、上記シートに記録不可能な領域が存在すると判断したときに、上記記録ヘッドによる記録動作を停止するよう構成されたことを特徴とするものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、上記検出器は、記録ヘッドに対してキャリッジの走査方向における先行位置に設置され、記録ヘッドにより記録が実行される位置よりも先行する位置のシートの状態を検出可能に構成されたことを特徴とするものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項５に記載の発明は、キャリッジに搭載された記録ヘッドの記録動作により、シートに記録を実行する記録装置の制御方法において、上記記録ヘッドによる記録動作中に、この記録ヘッドにより記録が実行される位置よりも先行する位置の上記シートの状態に基づき、上記シートが非定型である、或いは、上記シートに記録不可能な領域が存在すると判断したときに、上記記録ヘッドによる記録動作を停止することを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月8日(2003.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
解像度に応じてキャリッジ速度が決定された複数の記録モードを備え、キャリッジに搭載された記録ヘッドが、上記キャリッジの走行中にシートに一行ごと画像を記録する記録装置において、
解像度に対応する一の記録モードを選択した場合、任意の行に記録される記録容量に応じて、一の記録モードのキャリッジ速度を他の記録モードのキャリッジ速度に変更可能に構成されたことを特徴とする記録装置。
【請求項２】
上記キャリッジ速度は、任意の行に記録される記録容量に応じ、当該行の記録時間が最小となる記録モードのキャリッジ速度に変更されることを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項３】
上記キャリッジ速度は、記録ヘッドの駆動周波数の上限値を超えない範囲で、いずれかの記録モードのキャリッジ速度が選択されることを特徴とする請求項１または２に記載の記録装置。
【請求項４】
解像度に応じてキャリッジ速度が決定された複数の記録モードを備え、キャリッジに搭載された記録ヘッドが、上記キャリッジの走行中にシートに一行ごと画像を記録する記録装置の記録方法において、
解像度に対応する一の記録モードを選択した場合、任意の行に記録される記録容量に応じて、一の記録モードのキャリッジ速度を他の記録モードのキャリッジ速度に変更して記録を実行することを特徴とする記録装置の記録方法。
【請求項５】
上記キャリッジ速度を、任意の行に記録される記録容量に応じ、当該行の記録時間が最小となる記録モードのキャリッジ速度に変更して記録を実行することを特徴とする請求項４に記載の記録装置の記録方法。
【請求項６】
上記キャリッジ速度を、記録ヘッドの駆動周波数の上限値を超えない範囲で、いずれかの記録モードのキャリッジ速度に選択して記録を実行することを特徴とする請求項４または５に記載の記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、解像度に応じてキャリッジ速度が決定された複数の記録モードを備え、キャリッジに搭載された記録ヘッドが、上記キャリッジの走行中にシートに一行ごと画像を記録する記録装置において、解像度に対応する一の記録モードを選択した場合、任意の行に記録される記録容量に応じて、一の記録モードのキャリッジ速度を他の記録モードのキャリッジ速度に変更可能に構成されたことを特徴とするものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、上記キャリッジ速度は、任意の行に記録される記録容量に応じ、当該行の記録時間が最小となる記録モードのキャリッジ速度に変更されることを特徴とするものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の発明において、上記キャリッジ速度は、記録ヘッドの駆動周波数の上限値を超えない範囲で、いずれかの記録モードのキャリッジ速度が選択されることを特徴とするものである。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項４に記載の発明は、解像度に応じてキャリッジ速度が決定された複数の記録モードを備え、キャリッジに搭載された記録ヘッドが、上記キャリッジの走行中にシートに一行ごと画像を記録する記録装置の記録方法において、解像度に対応する一の記録モードを選択した場合、任意の行に記録される記録容量に応じて、一の記録モードのキャリッジ速度を他の記録モードのキャリッジ速度に変更して記録を実行することを特徴とするものである。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、上記キャリッジ速度を、任意の行に記録される記録容量に応じ、当該行の記録時間が最小となる記録モードのキャリッジ速度に変更して記録を実行することを特徴とするものである。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項６に記載の発明は、請求項４または５に記載の発明において、上記キャリッジ速度を、記録ヘッドの駆動周波数の上限値を超えない範囲で、いずれかの記録モードのキャリッジ速度に選択して記録を実行することを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月23日(2004.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
図１１（Ｂ）右側には、ラスタ番号５〜１０の各ラスタラインを形成するパスと水平位置との関係を示した。第２実施例では、ｋ＝６，ｓ＝２であるので、画像全体のドットは、主走査方向に２画素、副走査方向に６画素分の合計１２画素の領域を単位として一様な順序で形成される。水平位置１は、奇数番目の画素位置を表しており、水平位置２は、偶数番目の画素位置を表している。また、マス内の数字は、パス番号を表している。図示したように、ラスタ番号５〜１０のラスタにおいて、奇数番目の画素をパス１，１２，３，８，５，１０でそれぞれ記録し、偶数番目の画素をパス７，６，９，２，１１，４でそれぞれ記録する。言い換えれば、奇数番号のラスタラインでは、各ラスタラインの奇数番目の画素は、第１の主走査で記録し、偶数番目の画素は、第２の主走査で記録する。また、偶数番号のラスタラインでは、各ラスタラインの奇数番目の画素は、第２の主走査で記録し、偶数番目のラスタラインは、第１の主走査で記録する。このように連続する主走査で形成するドットの水平位置を異ならせることによって、各画素に径の大きなドットを形成したときでもドットどうしが重なりにくくすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月11日(2003.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
図１（ａ）（ｂ）（ｃ）はそれぞれＣＤ，ＣＤ−Ｒ，ＤＶＤのディスク断面として層構造を示している。各図に記したようにＣＤ，ＣＤ−Ｒ，ＤＶＤともにディスク全体の厚みは１．２ｍｍとされている。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図１（ｃ）のＤＶＤも同様にディスク表面１２８側からディスク基板１２１が配され、ディスク基板１２１の他面側に信号面が形成される。ＤＶＤの場合、信号面が１つである１層ディスクと呼ばれるものと、信号面が２層となっている２層ディスクと呼ばれるものの２種類が提案されており、図１（ｃ）は２層ディスクの例を示している。すなわち第１信号面１２２及び第１信号面１２２に対応する第１反射層１２３により第１層のデータ記録面が形成される。また第２信号面１２４及び第２信号面１２４に対応する第２反射層１２５により第２層のデータ記録面が形成される。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
そしてピックアップ１によってディスクＤにピット形態で記録されているデータの読み出しが行われることになるが、上述したようにピックアップ１として実際には独立した２つのピックアップ（ＣＤピックアップ１ａ，ＤＶＤピックアップ１ｂ）が設けられている。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
このシステムコントローラ３０の行うディスク判別動作では、ＣＤピックアップ１ａのみを用いて、光ディスク装置に装填されたディスクＤがＣＤ１００（ＣＤ−Ｒ１１０）であるかＤＶＤ１２０であるかの判別を行う。具体的には、ＣＤ用対物レンズ２ａをフォーカスサーボ引き込み動作のように強制移動させ、フォーカスエラー信号ＦＥがジャストフォーカス近傍にあるときにピックアップ１ａを半径方向に動作させてトラッキングエラー信号ＴＥを検出する。このときトラッキングエラー信号ＴＥが検出されれば、ＣＤ１００（ＣＤ−Ｒ１１０）であると判断し、トラッキングエラー信号ＴＥが検出されなければＤＶＤ１２０であると判断するものである。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
フォーカスＯＫ信号を検出できたらステップＳ１０５において、システムコントローラ３０に供給されるフォーカスエラー信号ＦＥが所定の値（例えば２００ｍＶ）より大きくなったか否かを判断する。すなわち、システムコントローラ３０は、トラッキングエラー信号ＴＥを検出するにあたりＣＤ用対物レンズ２ａがジャストフォーカス近傍になければならない。従って、このステップＳ１０５でＣＤ用対物レンズ２ａがジャストフォーカス近傍の位置にあるかどうかを判断している。このフォーカスエラー信号ＦＥの値が一定時間の間この所定の値より大きくならないときは、装填されたディスクＤがＤＶＤ１２０であると判断して処理を終了する。このようにフォーカスエラー信号ＦＥが所定の値より大きくならないときは、ディスクＤの記録面からの反射光が少ないためであるのでＤＶＤ１２０であると判断をしている。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
そして、ステップＳ１０８において、検出したトラッキングエラー信号ＴＥから装填されているディスクＤがＣＤかＤＶＤかを判断する。システムコントローラ３０は、検出したトラッキングエラー信号ＴＥをサンプルして、このサンプルしたデータからトラッキングエラー信号ＴＥが十分出力されていると判断する場合には、装填されたディスクＤがＣＤ１００（ＣＤ−Ｒ１１０）であると判別する。また、システムコントローラ３０は、トラッキングエラー信号ＴＥが出力されていないと判断する場合には、装填されたディスクＤがＣＤ１００（ＣＤ−Ｒ１１０）であると判別する。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
ステップＳ１０７でトラッキングエラー信号ＴＥが検出できるとステップＳ１０９において、フォーカスエラー信号ＦＥが一定レベル以下であるかどうかを判断する。なお、このステップＳ１０８では、検出したトラッキングエラー信号ＴＥのデータをサンプルしてＤＶＤ１２０であるかＣＤ１００（ＣＤ−Ｒ１１０）であるかの判断は行わない。フォーカスエラー信号ＦＥが一定レベル以下であるかどうかを判断するのは、Ｓ字カープのリニア領域となるフォーカス引込範囲、すなわち、図８（ｃ）に示すフォーカスＯＫ信号が出力され且つフォーカスエラー信号ＦＥが零クロス近傍の範囲になければフォーカスループが引き込めないからである。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
ステップＳ１１３において、トラッキングエラー信号ＴＥを再度検出する。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月3日(2003.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波導波路用の誘電体層と、
この誘電体層に対向して設けられているマイクロ波導入窓と、
このマイクロ波導入窓に対面するように内部に試料台が配置されている反応室とを備えるプラズマ処理装置であって、
前記マイクロ波導入窓から５ｍｍ以内の位置に前記反応室へのガスの導入口が開口していることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
マイクロ波を用いたプラズマ処理方法であって、
マイクロ波導波路用の誘電体層に対向して設けられているマイクロ波導入窓から５ｍｍ以内の位置に開口しているガスの導入口より、前記マイクロ波導入窓に対面するように内部に試料台が配置されている反応室へガスを導入する工程と、
前記マイクロ波導入窓を介して前記反応室にマイクロ波を導入する工程と、
前記マイクロ波によって前記反応室内のガスを励起してプラズマを発生させる工程と、
を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子基板や液晶ディスプレイ用ガラス基板等にプラズマを利用してエッチング、アッシングおよびＣＶＤ等の処理を施すのに適したプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、大面積の試料に対しても高速のプラズマ処理を施すことが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することを目的としている。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明のプラズマ処理装置は、マイクロ波導波路用の誘電体層と、この誘電体層に対向して設けられているマイクロ波導入窓と、このマイクロ波導入窓に対面するように内部に試料台が配置されている反応室とを備えるプラズマ処理装置であって、前記マイクロ波導入窓から５ｍｍ以内の位置に前記反応室へのガスの導入口が開口していることを特徴としている。
また本発明のプラズマ処理方法は、マイクロ波を用いたプラズマ処理方法であって、マイクロ波導波路用の誘電体層に対向して設けられているマイクロ波導入窓から、５ｍｍ以内の位置に開口しているガスの導入口より、前記マイクロ波導入窓に対面するように内部に試料台が配置されている反応室へガスを導入する工程と、前記マイクロ波導入窓を介して前記反応室にマイクロ波を導入する工程と、前記マイクロ波によって前記反応室内のガスを励起してプラズマを発生させる工程とを有することを特徴としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
すなわち、本発明のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法では、ガスの導入位置を従来に比べてマイクロ波導入窓に近づける、すなわちマイクロ波導入窓から５ｍｍ以内の範囲としている。そのため、マイクロ波の電界強度の強い領域にガスを導入するので、従来装置に比べて強くプラズマを発生させることができる。その結果、試料のプラズマ処理速度を向上させることができ、大面積の試料に対しても高速のプラズマ処理を施すことが可能になる。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法にあっては、プラズマを強く発生させることができるので、大面積の試料に対しても、高速のプラズマ処理を施すことが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月25日(2003.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
不規則な放電が繰り返されるサイクルサービス用途の密閉形鉛蓄電池の充電方法において、放電後の充電電気量を、放電の深さや放電電流の大きさに関係なく、前回放電電気量の１００％を超えて１０５％以下とすることを特徴とする密閉形鉛蓄電池の充電方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月1日(2003.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
書き込み端ＤＩには入力データＤＩＮが与えられ、読み出し端ＤＯからメモリＲ２５６の読み出しデータが得られる。図３０においてはマルチプレクサＭＵＸ３が更に設けられ、リセット信号ＲＳＴが非活性時（“１”）の場合にはメモリＲ２５６からの読み出しデータが双方向ＦＩＬＯの出力データＤＯＵＴとして採用されるが、リセット信号ＲＳＴが活性時（“０”）の場合には１０進数でいう０が双方向ＦＩＬＯの出力データＤＯＵＴとして採用される。この理由については後述される。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
表４乃至表６ではmodule bifilo1が、表７ではmodule RAM256が、表８では module RAM256Cが、それぞれ記載されている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
リスト第１８行乃至第３７行のcase文については、リスト第１８行がステップＳ２０４に相当し、リスト第１９行乃至第２７行がステップＳ２０６〜Ｓ２０８に相当し、リスト第２８行乃至第３６行がステップＳ２１１〜Ｓ２１３に相当する。ステップＳ２０５，Ｓ２０９，Ｓ２１０，Ｓ２１４におけるＲＡＭへの読み書きは、リスト第７８行乃至第７９行における代入文と、第８０行で参照される、表８に示されたmodule RAM256Cによって規定されている。


【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
1998241354.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月18日(2003.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶素子と、
前記記憶素子に接続されるワード線と、
前記記憶素子に接続されるビット線と、
前回の読み出しサイクルで読み出されたデータに応じて、前記ビット線を次の読み出しサイクルのリセット電位にリセットする第１回路と
を有することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
前記ビット線は対になっており、
前記第１回路は、前記ビット線対の一方の電位を、選択された記憶素子に接続されていた他方のビット線の電位にリセットすることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記リセット電位は、高電源電圧または低電源電圧のいずれか一方であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記ビット線対に選択的に接続されるダミーセル回路をさらに有し、
前記ダミーセル回路は、前記ビット線対の一方の電位を、前記選択された記憶素子に接続されていた他方のビット線電位とは異なる電位に設定することを特徴とする請求項２または３に記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
各読み出しサイクルでは、前記ビット線対の一方のみを駆動することを特徴とする請求項２ないし４のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
前回の読み出しサイクルで選択された記憶素子から外部装置へのデータ出力動作が終了する前に、次の読み出しサイクルが開始されることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
【請求項７】
前記ビット線に接続されたセンスアンプをさらに有し、前記センスアンプの入力電位は前回の読み出しサイクルで読み出されたデータに応じてリセットされることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項８】
前記センスアンプは、前記ビット線の両端に配置された第１および第２のセンスアンプを含み、
前記ビット線の一端に位置する第１センスアンプが動作する場合は、前記ビット線の他端に位置する第２センスアンプは非動作状態であることを特徴とする請求項７に記載の半導体記憶装置、
【請求項９】
前記センスアンプの入力電位をリセットする第２回路をさらに有し、前記第２回路は、前記センスアンプの入力電位を、前回の読み出しサイクルで読み出したデータに応じてリセットすることを特徴とする請求項７に記載の半導体記憶装置。
【請求項１０】
前記ビット線に接続された第１センスアンプと、
別のビット線に接続された第２センスアンプと
をさらに有し、前記第１回路は、前記第１センスアンプと第２センスアンプの間に位置して、前記第１および第２のセンスアンプに共通に設けられることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項１１】
前記第１回路は、前記第１センスアンプと第２センスアンプの入力電位を、それぞれ異なるレベルにリセットすることを特徴とする請求項１０に記載の半導体記憶装置。
【請求項１２】
前記ビット線に接続されるセンスアンプと、
前記センスアンプとデータバスの間に設けられ、コラム選択信号によって制御されるデータ入出力回路と、
前記センスアンプとデータバスの間に設けられ、前記センスアンプの状態に応じて、当該センスアンプを選択的に前記データバスに接続するゲート回路と
をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項１３】
前記データ入出力回路は、対応するビット線を前記データバスに間接的に接続するトランジスタを有するダイレクトセンス回路であり、前記トランジスタは、対応するセンスアンプの出力レベルに応じて、前記データバスを所定の電位にすることを特徴とする請求項１２に記載の半導体記憶装置。
【請求項１４】
前記センスアンプがオフのときに、前記所定の電位はデータバスのリセット電位に等しいことを特徴とする請求項１３に記載の半導体記憶装置。
【請求項１５】
記憶素子と、
前記記憶素子に接続されるワード線と、
前記記憶素子に接続されるビット線対と、
前記ビット線対に接続されるセンスアンプと、
データ入出力回路を介して前記センスアンプに接続されるデータバス対と、
前記データバス対をフローティング状態にする回路と
を有し、データが、対応の記憶素子への書き込みを禁止するためにマスクされるべきビットを含む場合、前記回路は前記データバス対のうち、対応する一方のデータバスをフローティング状態にすることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項１６】
選択された記憶素子から読み出されたビット線上のデータが出力されるととともに、前記第１回路は当該ビット線をリセットすることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項１７】
前記第１回路は、ビット線対に接続されるセンスアンプを含み、前記センスアンプは、対応するビット線対の双方をリセットすることを特徴とする請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項１８】
前記ビット線対と、前記センスアンプの入出力ノード対の間に配置される転送ゲートトランジスタ対をさらに有し、
前記センスアンプがリセット電位を供給する間、前記転送ゲートトランジスタ対のいずれか一方がオン状態であることを特徴とする請求項１７に記載の半導体記憶装置。
【請求項１９】
前記ダミーセル回路は、
低電源電圧に接続されるノードと対向ノードとを有するダミーキャパシタと、
前記ビット線対の間に接続され、前記ダミーキャパシタの対向ノードを前記ビット線対の一方のビット線に選択的に接続する第１および第２のダミーセルトランジスタと、
前記ダミーセルキャパシタの対向ノードに接続され、対向ノードにプリチャージ電位を供給するプリチャージトランジスタと
を含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体記憶装置。
【請求項２０】
前記ビット線は、第１ビット線対と、第２ビット線対を含み、
前記第１回路は、前記第１ビット線対と第２ビット線対のいずれかに選択的に接続されるセンスアンプを含み、
前記センスアンプは、前記第１ビット線対と第２ビット線対の間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項２１】
対応するビット線対に接続されるセンスアンプと、
前記センスアンプと前記第１回路の間に位置する転送ゲートトランジスタ対と、
前記転送ゲートトランジスタ対と前記センスアンプとの間に位置し、前記ビット線対の双方に選択的に相互接続されるリセットトランジスタと
をさらに有することを特徴とする請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項２２】
前記転送トランジスタ対の各々は、個別に制御されることを特徴とする請求項２１に記載の半導体記憶装置。
【請求項２３】
前記センスアンプと第１回路の双方が前記ビット線対の一方の側に位置することを特徴とする請求項２１に記載の半導体記憶装置。
【請求項２４】
記憶素子と、
前記記憶素子に接続されるワード線と、
前記記憶素子に接続されるビット線対と、
第１の読み出しサイクルで前記ビット線対に読み出されたデータに応じて、当該ビット線対を、前記第１読み出しサイクルに続く第２読み出しサイクルのリセット電位にリセットする第１回路と
を有することを特徴とする半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年3月28日(2003.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トリレンジイソシアネートとポリオールとの反応によって得られるイソシアネート末端プレポリマーを主成分とする主剤と、芳香族ポリアミンを含有する硬化剤とからなる２液型常温硬化性塗膜防水材の製造方法において、（１）前記イソシアネート末端プレポリマーのイソシアネート含有率を１．５〜８重量％とし、
（２）前記硬化剤中の芳香族ポリアミンとして、ジエチルトルエンジアミンとポリアルキレンエーテルポリオール−ｐ−アミノベンゾエートとの混合物を使用し、該芳香族ポリアミンの４０〜９０モル％がジエチルトルエンジアミンであり、１０〜６０モル％がポリアルキレンエーテルポリオール−ｐ−アミノベンゾエートであり、
（３）前記硬化剤中に、イソシアネート末端プレポリマー１００重量部に対して、０〜１３０重量部の可塑剤を使用し、
（４）前記硬化剤中に、イソシアネート末端プレポリマー１００重量部に対して、０〜３５重量部のポリオールを使用し、
（５）主剤と硬化剤とを施工現場で主剤のイソシアネート基と硬化剤の芳香族ポリアミンのアミノ基との当量比が０．８〜２．０となるように混合し、塗工し硬化せしめることを特徴とする常温硬化性塗膜防水材の製造方法。
【請求項２】
イソシアネート末端プレポリマー用ポリオールが分子量４００〜８０００のポリプロピレンエーテルポリオールまたはポリエチレン−プロピレンエーテルポリオールである請求項１記載の常温硬化性塗膜防水材の製造方法。
【請求項３】
トリレンジイソシアネートが２，４−異性体含有率が８０重量％以上のトリレンジイソシアネートである請求項１又は２記載の常温硬化性塗膜防水材の製造方法。
【請求項４】
トリレンジイソシアネートが２，４−異性体含有率が８５重量％以上のトリレンジイソシアネートである請求項１又は２記載の常温硬化性塗膜防水材の製造方法。
【請求項５】
硬化剤中の芳香族ポリアミン架橋剤の６０〜９０モル％がジエチルトルエンジアミンであり、１０〜４０モル％がポリアルキレンエーテルポリオール−ｐ−アミノベンゾエートである請求項１〜４のいずれか１項記載の常温硬化性塗膜防水材の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来技術のかかえている上記のような困難を解決するために、検討を重ねた結果、本発明に到達した。即ち本発明の第一の発明は、
１  トリレンジイソシアネート（以下ＴＤＩ）とポリオールとの反応によって得られるイソシアネート末端プレポリマーを主成分とする主剤と、芳香族ポリアミンを含有する硬化剤とからなる２液型常温硬化性塗膜防水材の製造方法において、
（１）前記イソシアネート末端プレポリマーのイソシアネート含有率を１．５〜８重量％とし、
（２）前記硬化剤中の芳香族ポリアミンとして、ジエチルトルエンジアミンとポリアルキレンエーテルポリオール−ｐ−アミノベンゾエートとの混合物を使用し、該芳香族ポリアミンの４０〜９０モル％がジエチルトルエンジアミンであり、１０〜６０モル％がポリアルキレンエーテルポリオール−ｐ−アミノベンゾエートであり、
（３）前記硬化剤中に、イソシアネート末端プレポリマー１００重量部に対して、０〜１３０重量部の可塑剤を使用し、
（４）前記硬化剤中に、イソシアネート末端プレポリマー１００重量部に対して、０〜３５重量部のポリオールを使用し、
（５）主剤と硬化剤とを施工現場で主剤のイソシアネート基と硬化剤の芳香族ポリアミンのアミノ基との当量比が０．８〜２．０となるように混合し、塗工し硬化せしめることを特徴とする常温硬化性塗膜防水材の製造方法である。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】また第二の発明は、
２．イソシアネート末端プレポリマー用ポリオールが分子量４００〜８０００のポリプロピレンエーテルポリオールまたはポリエチレン−プロピレンエーテルポリオールである前記１記載の常温硬化性塗膜防水材の製造方法であり、第三の発明は、
３．トリレンジイソシアネートが２，４−異性体含有率が８０重量％以上のトリレンジイソシアネートである前記１又は２記載の常温硬化性塗膜防水材の製造方法であり、第四の発明は、
４．トリレンジイソシアネートが２，４−異性体含有率が８５重量％以上のトリレンジイソシアネートである前記１又は２記載の常温硬化性塗膜防水材の製造方法であり、第五の発明は、
５．硬化剤中の芳香族ポリアミン架橋剤の６０〜９０モル％がジエチルトルエンジアミンであり、１０〜４０モル％がポリアルキレンエーテルポリオール−ｐ−アミノベンゾエートである前記１〜４のいずれか１項記載の常温硬化性塗膜防水材の製造方法である。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【表３】
1997278858.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月30日(2004.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
約１４〜約２０個の炭素原子を有する少なくとも１種のα−オレフィンを異性化させて、約１４〜約２０個の炭素原子を有する少なくとも１種の深内部（deep internal）オレフィンを製造する方法であって、該方法が、異性化条件下で、該α−オレフィンを触媒量の非金属性スルホン酸樹脂触媒又は非金属性パーフルオロスルホン酸樹脂触媒と接触させることを含む方法。
【請求項２】
前記触媒は、粒子状スルホン酸イオン交換樹脂である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記触媒は、スルホン酸側基を有するパーフルオロ化されたイオン交換ポリマーである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記触媒は、テトラフルオロエチレン／パーフルオロ（４−メチル−３，６−ジオキサ−７−オクテン−１−スルホン酸）コポリマーである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ポリマーは、担体上に担持されている、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記ポリマーは、多孔質微小複合体の形態であり、
前記ポリマーは、担体内部に捕捉され且つ担体全体に高度に分散されていて、前記ポリマーと前記担体との合計重量の約０．１〜９０重量％であり、
前記多孔質微小複合体の孔寸法は、約０．５〜約１０００ｎｍである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記担体は、金属酸化物である、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記金属酸化物は、シリカである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
製造物が、１００℃における粘度が約１．６ｃＳｔ以下で、４０℃における粘度が約３．８ｃＳｔ以下で、流動点が−５℃以下である、オレフィン性油を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
請求項１に従って製造された製品。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月19日(2003.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
塑性変形値および弾性変形値を得るには、具体的には、次のように行なう。すなわち、市販の引張試験機の先に三角錘圧子１３を取付けた後（図１ａ参照）、転写層表面に接触させ（図１ｂ参照）、５μｍ／ｓの速度で転写材１表面を押し込んでいく（図１ｃ〜ｄ参照）。その際に、三角錘圧子１３にかかる荷重付加と押し込み深さを一定の時間間隔でプロットすると、図２に示すようなグラフになる。荷重付加がある一定の数値まで達した後（図２ａの部分、図１ｃ参照）、荷重付加を一定時間保持する（図１ｄ参照）。荷重付加を保持していても押し込み深さはさらに深くなる。一定時間荷重付加を保持した後（図２ｂの部分）、三角錘圧子１３を後退させていくと押し込み深さも後退し、やがて転写層にかかる荷重付加が解除され（図２ｃの部分、図１ｅ参照）、三角錘圧子１３が転写層から離脱する（図１ｆ参照）。しかし、荷重付加が完全に除荷されたとしても転写層表面は完全に戻らず、押し込み深さｘｃは残ったままとなる。弾性変形値は保持していた荷重付加を取り除いた時に戻った変形値で示されるので、ｂの地点での変形値ｘｂのからｃの時点での変形値ｘｃの差になる。塑性変形値は、荷重除荷した後も残った押し込み深さｘｃから荷重付加を一定時間保持していた際に生じた押し込み変形値ｘｂ−ｘａ（クリープ変形値と呼ばれる）を差し引いた値で示される。


【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2003103995.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2003103995.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月23日(2003.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液体収納容器


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口を有する液体収容部と、該開口に配置され内部の液体を導出可能にする接続部を有する接続ユニットと、を備え、前記液体収容部と前記接続ユニットとを組み合わせて構成されることを特徴とするインクジェット用液体収納容器。
【請求項２】
前記接続ユニットは、液体を前記液体収容部から導出するための接続口と前記液体収容部に空気を導入するための接続口を有することを特徴とする請求項１に記載の液体収納容器。
【請求項３】
前記接続ユニットには、弾性部材が圧縮された状態で保持されていることを特徴とする請求項１に記載の液体収納容器。
【請求項４】
前記接続ユニットは前記液体収容部に溶着固定されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の液体収納容器。
【請求項５】
前記接続ユニットは前記液体収容部に固定されるキャップ部材により該液体収容部に固定されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の液体収納容器。
【請求項６】
前記キャップ部材は前記液体収容部にねじ込み固定されることを特徴とする請求項５に記載の液体収納容器。
【請求項７】
前記接続ユニットに複数の接続口が設けられていることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の液体収納容器。
【請求項８】
前記接続部に液体を導出するための中空針が挿通されることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の液体収納容器。
【請求項９】
前記接続部に空気を導入するための中空針が挿通されることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の液体収納容器。
【請求項１０】
前記接続部に吸収体が配されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の液体収納容器。
【請求項１１】
前記液体収容部はブロー成形により作製された中空容器であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の液体収納容器。
【請求項１２】
前記液体がインクであることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の液体収納容器。
【請求項１３】
記録手段から被記録材へインクを吐出して記録を行うインクジェット記録装置に着脱可能に装着されることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の液体収納容器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、インクジェット記録装置等で使用するのに好適な液体収納容器に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
図１１の液体収納容器（インクタンク）１０は図１２に示すような構造の接続部を介して記録ヘッド等の液体使用機器（不図示）に供給チューブ等を介して液体（インク）供給可能に接続される。
図１１及び図１２において、インクタンク１０は、液状のインク１２を収容したインク収容部（タンク本体）２０と、該インク収容部の底面（下面）に設けられた接続部４０とで構成されている。前記接続部４０は２箇所（２組）設けられており、一方はインク収容部２０内のインクを記録ヘッドに供給するための接続部であり、他方は大気をインク収容部２０内に導入するための接続部である。これら２つの接続部４０は、連通先を異にしているが、実質的に同じ構造を有しており、それぞれに接続口（ガイド孔）４２が設けられている。そして、これら接続口４２から中空針（不図示）を挿通することによりインク収容部２０内と連通を取るように構成されている。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
以上説明したように、図１１のインク収容部２０の２箇所の接続部４０は、一方は液体供給用（インク供給用）に使用され、他方は液体（インク）の消費に伴って液体収容部（インク容器）２０内の内圧下降を緩和するように大気を該液体収容部（インク容器）２０内に導くための大気導入口として使用される。このような液体収納容器（インクタンク）の製造方法としては、先ず容器部２２と蓋部材２４とを超音波溶着し、次に該蓋部材２４に形成された孔２８より液体収納部２０内へ液体（インク）を注入する。その後、弾性部材４４を各ハウジング２６内に装着し、接続部のそれぞれに押さえ部材４６を装着するといった工程で製造される。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明は以上のような技術的課題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、液体を導出するための接続部及び空気を導入するための接続部を含む複数の接続部を有する場合でも、これらの接続部を簡単かつコンパクトで、しかも高精度で密封性等の信頼性に優れた構造で実現することができ、液体注入時の生産性にも優れた液体収納容器を提供することである。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【課題を解決するための手段】
請求項１の液体収納容器に係る発明は、上記目的を達成するため、開口を有する液体収容部と、該開口に配置され内部の液体を導出可能にする接続部を有する接続ユニットと、を備え、前記液体収容部と前記接続ユニットとを組み合わせて構成されることを特徴とする。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
請求項１２及び１３の発明によれば、さらに、前記液体がインクである構成、あるいは液体収納容器は記録手段から被記録材へインクを吐出して記録を行うインクジェット記録装置に着脱可能に装着される構成としたので、一層効率よく前述の効果を達成することができる。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月16日(2003.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本実施の形態において、シートトレイ２１は底壁及び前後左右壁で区画された固定ボックス形状を有しており、このシートトレイ２１の底壁上には昇降動自在なボトムプレート３０（図４参照）が配設されている一方、シートトレイ２１の底壁にはシート２２のサイズに応じてシート２２を位置決めするサイドガイド３１及びエンドガイド３２が配設され、更に、シートトレイ２１の前壁上方付近にはシート２２の浮き上がり防止用のシート挙動規制部材４０が配設されている。
本実施の形態では、シート挙動規制部材４０は、図３（ｂ）に示すように、ベースシートに繊維毛が植設されてなる植毛部材４０１からなり、シートトレイ２１に収容されたシート２２の走行方向側縁に接触配置されるようになっている。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
次に、本実施の形態に係るシート供給装置の作動について説明する。
今、シートトレイ２１にシート２２を収容セットする場合には、図３（ａ）に示すように、トレイ受け２４（図２参照）からシートトレイ２１を引き出した後に、シートトレイ２１のシート収容領域（シート２２が収容されるべき領域）Ｓにシート２２を収容配置するようにすればよい。
このとき、シートトレイ２１がトレイ受け２４から引き出されると、位置可変機構５０の係止片５３とストッパ５６との係合が外れ、揺動アーム５１がスプリング５５の付勢力に沿って回動し、シート挙動規制部材４０が退避位置に配置されているから、シート２２を収容配置する際に、シート２２とシート挙動規制部材４０とが接触することはない。このため、シート２２の収容セット操作時において、シート２２やシート挙動規制部材４０にダメージを与えることなく、シート２２の収容セット操作は簡単に行われる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
すなわち、本実施の形態において、従動機構９０は、例えば図１０（ｂ）に示すように、上下の回転コロ９１，９２間にベルト９３を循環回転可能に掛け渡したものであり、シート挙動規制部材４０は前記ベルト９３表面に繊維毛が植設された植毛部材４０１にて構成されている。
特に、本実施の形態では、植毛部材４０１の繊維毛４０３（図１１参照）はシート２２の側縁が当接するベルト９３面において斜め下方に傾斜配置されている。
尚、従動機構９０として、図１０（ｃ）に示すように、回転コロ９４そのものを用い、シート挙動規制部材４０としては前記回転コロ９４表面に繊維毛が植設された植毛部材４０１を設けるようにしてもよい。


【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2001048368.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月24日(2003.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貝類の殻に焼成処理と粉砕処理とを行って得られた粉体を含有することを特徴とする、化粧料。
【請求項２】
貝類が、アサリ、シジミ、蛤、牡蠣、サザエ、ホッキ貝、ホタテ貝、アゲマキ貝、ムラサキイガイ、ミドリイガイ、アコヤガイ、アワビ、ナガラミ、トコブシ、赤貝、トリガイ、タイラガイ及びシャコガイから選ばれる１種乃至は２種以上であることを特徴とする、請求項１に記載の化粧料。
【請求項３】
焼成の温度が、２００〜１３００℃であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の化粧料。
【請求項４】
メークアップ化粧料であることを特徴とする請求項１〜３何れか１項に記載の化粧料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（２）本発明の化粧料
本発明の化粧料は、上記本発明の粉体を含有することを特徴とする。本発明の化粧料としては、通常化粧料として使用されている形態であれば特段の限定を受けずに適用できるが、粉体を通常含有するタイプのものが特に好ましい。この様な化粧料としては、スクラブ剤などを含有するパック化粧料、マッサージ化粧料、洗顔化粧料、汗や皮脂を吸収する粉体を含有するタルカムパウダー類や腋臭抑制化粧料、或いは粉体類の光学的特性を利用したメークアップ化粧料などが好ましく例示できる。この内特に好ましいものは、メークアップ化粧料である。これは、本発明の粉体の効果によって、化粧料ののびが良くなるとともに、化粧持ちや使用感が向上するからである。本発明の化粧料に於いては、必須成分である上記本発明の粉体以外に、通常化粧料で使用される任意の成分を含有することができる。かかる任意成分としては、例えば、スクワラン、ワセリン、マイクロクリスタリンワックス等の炭化水素類、ホホバ油、カルナウバワックス、オレイン酸オクチルドデシル等のエステル類、オリーブ油、牛脂、椰子油等のトリグリセライド類、ステアリン酸、オレイン酸、リチノレイン酸等の脂肪酸、オレイルアルコール、ステアリルアルコール、オクチルドデカノール等の高級アルコール、スルホコハク酸エステルやポリオキシエチレンアルキル硫酸ナトリウム等のアニオン界面活性剤類、アルキルベタイン塩等の両性界面活性剤類、ジアルキルアンモニウム塩等のカチオン界面活性剤類、ソルビタン脂肪酸エステル、脂肪酸モノグリセライド、これらのポリオキシエチレン付加物、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル等の非イオン界面活性剤類、ポリエチレングリコール、グリセリン、１，３−ブタンジオール等の多価アルコール類、増粘・ゲル化剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、色剤、防腐剤、粉体等を好ましく例示できる。本発明の化粧料の於いて、特に好ましい任意成分としては、ハイドロジェンメチルポリシロキサン、パーフルオロアルキル燐酸ジエタノールアミン、シランカップリング剤、金属石鹸などで表面処理をした疎水化粉体が例示できる。これは、本発明の粉体の有する汗や皮脂の吸着作用と相まって、化粧持ちが向上するからである。これら疎水化粉体の好ましい含有量は１〜５０重量％であり、更に好ましくは５〜３０重量％である。本発明の化粧料は、これら必須の成分と任意の成分とを常法に従って処理することにより、製造することができる。