【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年1月27日(2014.1.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）流動性のガスケット形成材料を受け入れるための領域を有するフランジ；
（ｉｉ）４１０ｎｍより短い波長を有する電磁放射線に対して透過性で内表面および外表面を有するモールドであって、前記内表面はモールド空洞を決定し、前記モールドは、前記領域に誘導されたガスケット形成材料を受け入れるための前記領域の周辺がシールされ；
（ｉｉｉ）４１０ｎｍより短い波長を有する電磁放射線の供給源と前記モールド空洞との間に配置された電磁放射線フィルターであって、ここで前記電磁放射線フィルターは、前記モールドの前記外表面に近接し、供給源から発生されモールドに到達する４１０ｎｍより短い波長を有する電磁放射線の量を制限および／または減衰し；および
（ｉｖ）電磁放射線硬化性組成物を含むガスケット形成材料；
を含む、モールド・イン・プレースによるガスケット形成アッセンブリ。
【請求項２】
電磁放射線供給源は、モールド部品（単数または複数）中の１つ以上の導管であってよく、それを通って電磁放射線は、ガスケット形成材料を受け入れるための領域に移動する、請求項１に記載のアッセンブリ。
【請求項３】
ガスケット形成材料を受け入れるための領域を形成するモールド部品の１つは、それ自体が製造品またはその部品である、請求項１に記載のアッセンブリ。
【請求項４】
前記電磁放射線硬化性組成物が、ガスケットを形成するために硬化される、請求項１に記載のアッセンブリ。
【請求項５】
前記フィルターが、４００ｎｍより短い波長を有する電磁放射線の量を制限および／または減衰する、請求項１に記載のアッセンブリ。
【請求項６】
前記電磁放射線硬化性組成物が、ポリアクリレートを含む、請求項１に記載のアッセンブリ。
【請求項７】
前記電磁放射線硬化性組成物が、シリコーンを含む、請求項１に記載のアッセンブリ。
【請求項８】
前記電磁放射線硬化性組成物が、
ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ビスフェノール−Ａジ（メタ）アクリレート、テトラヒドロフラン（メタ）アクリレートおよびジ（メタ）アクリレート、シトロネリルアクリレートおよびシトロネリルメタクリレート、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラヒドロジシクロペンタジエニル（メタ）アクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレートおよびトリエチレングリコールジメタクリレートから成る群より選択される少なくとも１種類の（メタ）アクリレートモノマーと；
エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリエステル、ポリエーテル、ポリアミド、ポリスルフィド、ポリチオエーテル、ポリ塩化ビニル、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、エチレン−アクリレートエラストマー、ポリオレフィン、フルオロエラストマー、フルオロポリマー、スチレン単位含有エラストマー、ホットメルト樹脂、反応性ホットメルト樹脂、イソプレンおよびイソプレン含有エラストマー、ＥＰＤＭ、ブタジエンおよびブタジエン含有エラストマーおよびポリアセテートから成る群より選択される少なくとも１種類のポリマーと
の少なくともいずれか一方を含む、請求項１に記載のアッセンブリ。
【請求項９】
前記モールドへの前記形成されたガスケットの接着力が、前記ガスケットの凝集力および前記モールドの凝集力のいずれよりも低いままである、請求項４に記載のアッセンブリ。
【請求項１０】
前記モールド、フィルターおよびフランジが、固定具に共に保持されている、請求項１に記載のアッセンブリ。
【請求項１１】
前記固定具が、前記フランジと前記モールドの間に加圧されたシールを形成するために共に締め付けられている、請求項１０に記載のアッセンブリ。
【請求項１２】
前記モールドが、キャストまたは射出で成形された熱硬化性シリコーンを含む、請求項１に記載のアッセンブリ。
【請求項１３】
前記フィルターが、前記モールドのためのバッキングプレートとして機能する、請求項１に記載のアッセンブリ。
【請求項１４】
前記領域が平面状であるか、隆起、凹型またはその他の３次元的形状である、請求項１に記載のアッセンブリ。
【請求項１５】
前記モールドが、シリコーンを含む、請求項１に記載のアッセンブリ。
【請求項１６】
前記フィルターが、ＵＶフィルターである、請求項１に記載のアッセンブリ。
【請求項１７】
（ｉ）注入されたガスケット形成材料を受け入れるための凹型領域を有する適用フランジ；
（ｉｉ）内表面および外表面を有し紫外光に対して透過性のシリコーンモールドであって、前記内表面はモールド空洞を決定し、前記シリコーンモールドは、前記凹型領域に注入されたガスケット形成材料を受け入れるための前記凹型領域の周辺がシールされ；
（ｉｉｉ）４００ｎｍより短い波長をフィルターで除くために前記シリコーンモールドの前記外表面に近接して配置された紫外線フィルター；および
（ｉｖ）紫外線硬化性ポリアクリレートを含むガスケット形成材料；
を含む、モールド・イン・プレースによるガスケット形成アッセンブリ。
【請求項１８】
前記ＵＶ硬化性ポリアクリレートが、ガスケットを形成するためにＵＶ硬化される、請求項１７に記載のアッセンブリ。
【請求項１９】
前記形成されたガスケットを前記モールドより反復して取り除くのを容易にするために、前記形成されたガスケットが、前記ガスケットまたはモールドの凝集強度より低い界面接着力を有する、請求項１７に記載のアッセンブリ。
【請求項２０】
ａ）（ｉ）流動性のガスケット形成材料を受け入れるための領域を有するフランジ；
（ｉｉ）４１０ｎｍより短い波長を有する電磁放射線に対して透過性で、内表面および外表面を有するモールドであって、前記内表面はモールド空洞を決定し、前記モールドは、前記領域に誘導されたガスケット形成材料を受け入れるための前記領域の周辺がシールされ；および
（ｉｉｉ）供給源から発生されモールドに到達する４１０ｎｍより短い波長を有する電磁放射線の量を制限および／または減衰するために、４１０ｎｍより短い波長を有する電磁放射線の供給源と前記モールド空洞との間に配置され、前記モールドの前記外表面に近接して配置された電磁放射線フィルター；
（ｉｖ）電磁放射線硬化性組成物を含むガスケット形成材料；を含むモールド・アッセンブリを提供するステップ；
ｂ）電磁放射線硬化性組成物を含むガスケット形成材料を、前記モールド・アッセンブリの流動性ガスケット形成材料を受け入れるための前記領域中に注入すること；
ｃ）前記ガスケット形成材料を硬化してガスケットを形成するために、前記フィルターおよびモールドを通して電磁放射線を誘導するステップ；および
ｄ）ガスケットを形成するステップ；
を含む、モールド・イン・プレースで形成されたガスケットで填環する方法。
【請求項２１】
さらに、前記ガスケットの前記表面を後硬化することを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記領域が平面状であるか、隆起、凹型またはその他の３次元的形状である、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記モールドが、シリコーンを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２４】
前記フィルターが、４００ｎｍより短い波長を有する電磁放射線の量を制限および／または減衰する、請求項２０に記載の方法。
【請求項２５】
前記注入温度が、２１６℃より低い、請求項２０に記載の方法。
【請求項２６】
前記ガスケットの前記モールドへの前記界面接着力が、前記ガスケットおよび前記モールドの凝集強度より小さい、請求項２０に記載の方法。
【請求項２７】
前記ガスケットを前記モールドから分離するステップを更に含む、請求項２０に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
（関連技術の簡単な説明）
モールド・イン・プレースによるガスケットは、ガスケット形成材料をモールドに液体注入することによって形成されてきた。典型的な方法は、高温および／または高圧の液体注入の利用を含む。例えば、典型的な方法はＳａｋａｉらの米国特許第５，５９７，５２３号公報に記載されている。成形方法および成形デバイスは、典型的には約２４，５００ｋＰａの高圧、および例えば２５０℃の高温を共に必要とする。ある例では、上部および下部モールドは相互にかみ合わせられて、それらの間にモールド空洞を決定する。ある例では、平らなカバーまたはフランジがモールドにかみ合わせられて、それらの間にあるモールド空洞を決定する。ガスケット形成材料、例えば、エポキシ樹脂またはプラスチックゴムは、モールド空洞中に２，９００ｋＰａでポンプによって送られる。モールドおよびガスケット材料は、約２５０℃に加熱される。ガスケット形成材料は、モールド空洞にポンプによって送られる。次いで、モールドは高圧、例えば２４，５００ｋＰａで共に締め付けられる。ガスケット材料が電磁放射線または他の硬化技術によって硬化された後、モールドおよびガスケットは室温に冷却される。しかし、そのような短いサイクル時間で、そのような高い圧力および温度を利用するには、ガスケットを形成するために精密さを極めて維持しながら、圧力および温度のそのような大きな変動に耐えることができる金属モールドを使用する必要があり、そのことは装置および方法に経費がかかり、かつ運転を困難にする。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０２】
実施例３で記載した方法を反復した。しかしながら、注入温度を６０℃に下げた。このレベルに注入温度を下げると、破壊を認めるまでのサイクル数は２０００回に増加した。