【事件の表示】
　平成１０年特許願第１３８７１９号「固体撮像装置及びその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１１年１１月３０日出願公開、特開平１１−３３０４４８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年５月２０日の出願であって、平成１２年１２月５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１３年１月１８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに同年２月１９日付けで手続補正がなされ、平成１５年５月１３日付けで審尋がなされ、同年７月１６日付けで回答書が提出されたものである。
　
　
２．平成１３年２月１９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の結論］
　平成１３年２月１９日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）本件補正の内容
　本件補正の内容は、特許請求の範囲を次のとおりに補正するとともに、発明の詳細な説明を補正するものである。
「【請求項１】
入射光量に応じた電荷量の信号電荷に変換する複数の光電変換部と、複数の前記光電変換部に隣接して設けられ、前記光電変換部で発生した信号電荷を読み出す複数の電荷読出部と、複数の前記光電変換部に隣接して設けられ、前記光電変換部から前記電荷読出部により読み出された信号電荷を転送する複数の電荷転送部と、前記光電変換部、前記電荷読出部、前記電荷転送部及びその周辺の上方に絶縁膜を介して形成され、前記電荷転送部の信号電荷の転送を制御するための複数の電荷転送電極とを備えてなる固体撮像装置の製造方法であって、
前記電荷読出部となる第１導電型半導体層と前記電荷転送部となる第２導電型半導体層とを形成し、前記電荷転送部の上方に第１の絶縁膜を介して少なくとも１層の複数の第１の電荷転送電極を、前記光電変換部を形成すべき領域を覆うことなく形成する第１の電荷転送電極形成工程と、
複数の前記光電変換部を形成すべき領域に開口部を形成する開口部形成工程と、
複数の前記光電変換部を形成すべき領域に前記第２導電型半導体層と同導電型の不純物層を形成する光電変換部形成工程と、
前記第１の電荷転送電極の端縁と、前記光電変換部と、前記電荷読出部と、前記電荷転送部及びその周辺との上方とに、第２の絶縁膜を介して複数の第２の電荷転送電極を形成する第２の電荷転送電極形成工程と、
を備えてなることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２の電荷転送電極形成工程では、前記第２の電荷転送電極を、前記第１の電荷転送電極のいずれかと同一層内に所定間隔隔てて、又は、前記第２の絶縁膜を介して異なる層に互いの縁端が重なるように形成することを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２の電荷転送電極形成工程では、前記複数の第２の電荷転送電極を、隣接するもの同士が前記開口部とは連続しない離間部を隔てるように形成することを特徴とする請求項１又は２記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記光電変換部形成工程では、前記開口部より開口面積の狭い開口部を有するフォトレジスト膜をマスクとして前記第１及び第２導電型半導体層に比べその深さが深く、形成領域が狭い第３導電型半導体層を高い加速エネルギーで形成した後、前記フォトレジスト膜及び第２の電荷転送電極をマスクとして、その深さが浅い領域に第４導電型半導体層を低い加速エネルギーで形成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記光電変換部形成工程では、前記第４導電型半導体層は、第１導電型不純物を垂直方向に対して７度又は４５度の傾きの注入角度で、かつ、低い加速エネルギーでイオン注入することにより、前記第２の電荷転送電極の開口部の前記電荷読出部側のエッジから所定距離隔てて形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１に記載の固体撮像装置の製造方法。」
　
（２）本件補正についての検討
（２−１）補正事項の整理
　当合議体は、平成１５年５月１３日付けで「当合議体では、上記手続補正の適否を検討するに当たり、更に、新たな請求項１乃至５が、それぞれ補正前の請求項８，１０乃至１３のいずれと対応するものか審判請求人に説明を求めます。例えば、「旧請求項○○を新請求項○とする。」のように、具体的に記載してください。」との審尋をなしたところ、審判請求人は、平成１５年７月１６日付けの回答書において、「平成１３年５月２４日付け手続補正書（方式）にて、「請求項８、１０乃至１３を新たな請求項１乃至５に補正した」とご説明申し上げましたが、これは一部誤りであり、正しくは、新請求項１は旧請求項８に、新請求項２は旧請求項８と９に、新請求項３は旧請求項１０に、新請求項４は旧請求項１２に、新請求項５は旧請求項１３に、それぞれ対応致します。」との説明をしている。
　ここで、出願人は、「新請求項２は旧請求項８と９に」対応する旨説明しているが、旧請求項８は新請求項１が既に対応しており、しかも、旧請求項８，９はそれぞれ独立形式の請求項であるから、新請求項２は旧請求項９に対応するものとせざるを得ない。
　
　以上を前提として、補正事項を整理すると、次のとおりである。
（補正事項１）
　旧請求項１乃至７、及び１１を削除する。
（補正事項２）
　旧請求項８，９，１０，１２，１３を、それぞれ請求項１，２，３，４，５として、項番号を繰り上げる。
（補正事項３）
　旧請求項８を次のように補正する。
「入射光量に応じた電荷量の信号電荷に変換する複数の光電変換部と、複数の前記光電変換部に隣接して設けられ、前記光電変換部で発生した信号電荷を読み出す複数の電荷読出部と、複数の前記光電変換部に隣接して設けられ、前記光電変換部から前記電荷読出部により読み出された信号電荷を転送する複数の電荷転送部と、前記光電変換部、前記電荷読出部、前記電荷転送部及びその周辺の上方に絶縁膜を介して形成され、前記電荷転送部の信号電荷の転送を制御するための複数の電荷転送電極とを備えてなる固体撮像装置の製造方法であって、
　前記電荷読出部となる第１導電型半導体層と前記電荷転送部となる第２導電型半導体層とを形成し、前記電荷転送部の上方に第１の絶縁膜を介して少なくとも１層の複数の第１の電荷転送電極を、前記光電変換部を形成すべき領域を覆うことなく形成する第１の電荷転送電極形成工程と、複数の前記光電変換部を形成すべき領域に開口部を形成する開口部形成工程と、複数の前記光電変換部を形成すべき領域に前記第２導電型半導体層と同導電型の不純物層を形成する光電変換部形成工程と、前記第１の電荷転送電極の端縁と、前記光電変換部と、前記電荷読出部と、前記電荷転送部及びその周辺との上方とに、第２の絶縁膜を介して複数の第２の電荷転送電極を形成する第２の電荷転送電極形成工程と、を備えてなることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。」
（補正事項４）
　旧請求項９を次のように補正する。
「前記第２の電荷転送電極形成工程では、前記第２の電荷転送電極を、前記第１の電荷転送電極のいずれかと同一層内に所定間隔隔てて、又は、前記第２の絶縁膜を介して異なる層に互いの縁端が重なるように形成することを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置の製造方法。」
（補正事項５）
　旧請求項１０を次のように補正する。
「前記第２の電荷転送電極形成工程では、前記複数の第２の電荷転送電極を、隣接するもの同士が前記開口部とは連続しない離間部を隔てるように形成することを特徴とする請求項１又は２記載の固体撮像装置の製造方法。」
（補正事項６）
　旧請求項１２を次のように補正する。
「前記光電変換部形成工程では、前記開口部より開口面積の狭い開口部を有するフォトレジスト膜をマスクとして前記第１及び第２導電型半導体層に比べその深さが深く、形成領域が狭い第３導電型半導体層を高い加速エネルギーで形成した後、前記フォトレジスト膜及び第２の電荷転送電極をマスクとして、その深さが浅い領域に第４導電型半導体層を低い加速エネルギーで形成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１に記載の固体撮像装置の製造方法。」
（補正事項７）
　旧請求項１３を次のように補正する。
「前記光電変換部形成工程では、前記第４導電型半導体層は、第１導電型不純物を垂直方向に対して７度又は４５度の傾きの注入角度で、かつ、低い加速エネルギーでイオン注入することにより、前記第２の電荷転送電極の開口部の前記電荷読出部側のエッジから所定距離隔てて形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１に記載の固体撮像装置の製造方法。」
（補正事項８）
　明細書の段落【００１２】乃至【００１６】を補正する。
　
（２−２）補正の適否についての検討
　以下、補正事項１乃至８について順次検討する。
　ここで、本願に対する拒絶理由通知における、特許請求の範囲の記載が明りょうでない旨の指摘に関しては、平成１２年８月１５日付け拒絶理由通知において、請求項１１（平成１２年１０月２３日付け手続補正書により削除された。）に対してのみ、特許請求の範囲の記載が明りょうでない旨が指摘されており、その他の旧請求項の記載が明りょうでない旨は指摘されていないことを確認しておく。
（２−２−１）補正事項１について
　旧請求項１乃至７、及び１１を削除する補正は、請求項の削除を目的とする補正である。
　
（２−２−２）補正事項２について
　旧請求項の削除に伴い、請求項の番号を変更することは、請求項の削除に伴い、他の請求項を形式的に補正することであり、請求項の削除を目的とする補正に当たる。
　
（２−２−３）補正事項３について
　補正事項３は、
（補正事項３−１）
　「入射光をその光量に応じた電荷量の信号電荷に変換する複数の光電変換部と、」（旧請求項８）を
　「入射光量に応じた電荷量の信号電荷に変換する複数の光電変換部と、」と、
（補正事項３−２）
　「前記複数の光電変換部に隣接して設けられ、対応する光電変換部で発生した信号電荷を読み出す複数の電荷読出部と、」（旧請求項８）を
　「複数の前記光電変換部に隣接して設けられ、前記光電変換部で発生した信号電荷を読み出す複数の電荷読出部と、」と、
（補正事項３−３）
　「前記複数の光電変換部に隣接して設けられ、対応する光電変換部から対応する電荷読出部により読み出された信号電荷を転送する複数の電荷転送部と、」（旧請求項８）を
　「複数の前記光電変換部に隣接して設けられ、前記光電変換部から前記電荷読出部により読み出された信号電荷を転送する複数の電荷転送部と、」と、
（補正事項３−４）
　「対応する光電変換部、電荷読出部及び電荷転送部及びその周辺の上方に絶縁膜を介して形成され、」（旧請求項８）を
　「前記光電変換部、前記電荷読出部、前記電荷転送部及びその周辺の上方に絶縁膜を介して形成され、」と、
（補正事項３−５）
　「対応する電荷転送部の信号電荷の転送を制御するための複数の電荷転送電極とを備えてなる固体撮像装置の製造方法であって、」（旧請求項８）を
　「前記電荷転送部の信号電荷の転送を制御するための複数の電荷転送電極とを備えてなる固体撮像装置の製造方法であって、」と、
（補正事項３−６）
　「その表面領域に、第１導電型半導体層からなる複数の電荷読出部と、第２導電型半導体層からなる複数の電荷転送部とが形成された第１導電型半導体層上に、」（旧請求項８）を
　「前記電荷読出部となる第１導電型半導体層と前記電荷転送部となる第２導電型半導体層とを形成し、」と、
（補正事項３−７）
　「対応する電荷転送部の上方に絶縁膜を介して少なくとも１層の複数の第１の電荷転送電極を前記複数の光電変換部を形成すべき領域に対応した領域を覆うことなく形成する第１の電荷転送電極形成工程と、」（旧請求項８）を
　「前記電荷転送部の上方に第１の絶縁膜を介して少なくとも１層の複数の第１の電荷転送電極を、前記光電変換部を形成すべき領域を覆うことなく形成する第１の電荷転送電極形成工程と、」と、
（補正事項３−８）
　「絶縁膜を介して導電膜を形成した後、前記複数の光電変換部を形成すべき領域に対応した領域に開口部を有するフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程と、前記フォトレジスト膜をマスクとして前記開口部に対応した領域の前記導電膜を除去する導電膜除去工程と、」（旧請求項８）を
　「複数の前記光電変換部を形成すべき領域に開口部を形成する開口部形成工程と、」と、
（補正事項３−９）
　「前記フォトレジスト膜及び前記導電膜の両方又は前記導電膜だけをマスクとして前記複数の光電変換部を形成する光電変換部形成工程と、」（旧請求項８）を
　「複数の前記光電変換部を形成すべき領域に前記第２導電型半導体層と同導電型の不純物層を形成する光電変換部形成工程と、」と、
（補正事項３−１０）
　「前記導電膜をエッチングすることにより、
対向する第１の電荷転送電極の端縁と、対応する光電変換部と、対応する電荷読出部と、対応する電荷転送部及びその周辺との上方に、複数の第２の電荷転送電極を形成する第２の電荷転送電極形成工程と」（旧請求項８）を
　「前記第１の電荷転送電極の端縁と、前記光電変換部と、前記電荷読出部と、前記電荷転送部及びその周辺との上方とに、第２の絶縁膜を介して複数の第２の電荷転送電極を形成する第２の電荷転送電極形成工程と、」と
するものであり、この補正について検討する。
　
　補正事項３−１乃至３−５は、「入射光をその光量に応じた」、「前記複数の光電変換部」、「対応する光電変換部」、「対応する電荷読出部」、「電荷読出部」、「対応する光電変換部、電荷読出部及び電荷転送部」を、それぞれ「入射光量に応じた」、「複数の前記光電変換部」、「前記光電変換部」、「前記電荷読出部」、「前記読出部」、「前記光電変換部、前記電荷読出部、前記電荷転送部」とする補正である。
　したがって、補正事項３−１乃至３−５は、拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてする明りょうでない記載の釈明、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正のうちのいずれを目的とするものでもない。
　補正事項３−６は、「その表面領域に、第１導電型半導体層からなる複数の電荷読出部と、第２導電型半導体層からなる複数の電荷転送部とが形成された第１導電型半導体層上に、」（旧請求項８）を「前記電荷読出部となる第１導電型半導体層と前記電荷転送部となる第２導電型半導体層とを形成し、」と補正するものであるが、「前記電荷読み出し部となる第１導電型半導体層と前記電荷転送部となる第２導電型半導体層とを形成し」は旧請求項８の発明特定事項に更に発明特定事項を付加したものではない。
　したがって、補正事項３−６は、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてする明りょうでない記載の釈明のうちのいずれを目的とするものでもない。
　補正事項３−７は、「対応する電荷転送部」、「絶縁膜」、「第１の電荷転送電極を」、「前記複数の光電変換部」、「形成すべき領域に対応した領域」を、それぞれ「前記電荷転送部」、「第１の絶縁膜」、「第１の電荷転送電極を、」、「前記光電変換部」、「形成すべき領域」と補正するものであり、拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてする明りょうでない記載の釈明、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正のうちのいずれを目的とするものでもない。
　補正事項３−８については、請求項１にはフォトレジスト膜については何も記載されていない。すなわち、旧請求項８に係る発明の発明特定事項のうち、少なくとも「絶縁膜を介して導電膜を形成した後、前記複数の光電変換部を形成すべき領域に対応した領域に開口部を有するフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程と、前記フォトレジスト膜をマスクとして前記開口部に対応した領域の前記導電膜を除去する導電膜除去工程と」を備えてなる点は請求項１には記載されておらず、更に、上記工程とを備えてなる点に実質的に相当する工程を備えてなる点も請求項１には記載されていない。
　したがって、補正事項３−８は、拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてする明りょうでない記載の釈明、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正のうちのいずれを目的とするものでもない。
　補正事項３−９は、「前記フォトレジスト膜及び前記導電膜の両方又は前記導電膜だけをマスクとして前記複数の光電変換部を形成する」を「複数の前記光電変換部を形成すべき領域に前記第２導電型半導体層と同導電型の不純物層を形成する」と補正するものであり、これは発明特定事項を限定する補正ではなく、特許請求の範囲を拡張・変更するものである。
　補正事項３−１０は、「前記導電膜をエッチングすることにより、」を削除するとともに、「対向する第１の電荷転送電極」、「対応する光電変換部」、「対応する電荷読出部」、「対応する電荷転送部」を、それぞれ「前記第１の電荷転送電極」、「前記光電変換部」、「前記電荷読出部」、「前記電荷転送部」と補正し、「第２の絶縁膜を介して」を付加するものであり、拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてする明りょうでない記載の釈明、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正のいずれを目的とするものでもない。
　
　よって、以上のとおりであるから、補正事項３は、拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてする明りょうでない記載の釈明、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正のいずれを目的とするものでもない。
　
（２−２−４）補正事項４について　
　請求項２は、明らかに旧請求項９に係る発明の発明特定事項を含むものではない。しかも、本願に対する拒絶理由通知においては、旧請求項９の記載が明りょうでない旨は指摘していない。したがって、補正事項４は、特許請求の範囲を拡張・変更するものであって、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてする明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものでもない。
　
（２−２−４）補正事項５について
　補正事項５は、
（補正事項５−１）
　「前記第２の電荷転送電極形成工程及び前記電荷転送電極形成工程では、前記複数の第２の電荷転送電極を、隣接するもの同士が前記開口部とは連続しない離間部を隔てるように形成すること」（旧請求項１０）を
　「前記第２の電荷転送電極形成工程では、前記複数の第２の電荷転送電極を、隣接するもの同士が前記開口部とは連続しない離間部を隔てるように形成すること」と、
（補正事項５−２）
　「を特徴とする請求項８又は９記載の固体撮像装置の製造方法。」（旧請求項１０）を
　「を特徴とする請求項１又は２記載の固体撮像装置の製造方法。」と、
補正するものであり、この補正について検討する。
　
　補正事項５−１は、「前記第２の電荷転送電極形成工程及び前記電荷転送電極形成工程では、」を「前記第２の電荷転送電極形成工程では、」と補正するものであり、これは発明特定事項を限定する補正ではなく、特許請求の範囲の減縮を目的とするものではない。
　補正事項５−２は、請求項の繰上げに伴い、請求項３が引用する請求項の引用番号を変更するものであり、請求項の削除を目的とする補正に当たる。
　
　よって、以上のとおりであるから、補正事項５−１を含む補正事項５は、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてする明りょうでない記載の釈明のうちのいずれを目的とするものでもない。
　
（２−２−６）補正事項６について
　補正事項６は、
（補正事項６−１）
　「前記光電変換部形成工程では、
　前記開口部より開口面積の狭い開口部を有するフォトレジスト膜をマスクとして
その深さが深く、形成領域が狭い第１の第２導電型半導体領域を高い加速エネルギで形成した後、
　前記導電膜だけをマスクとして、
その深さが浅く、形成領域が広い第２の第２導電型半導体領域を低い加速エネルギで形成された形成すると共に、前記第１及び第２の第２導電型半導体領域の表面領域に第１導電型半導体領域を形成すること」（旧請求項１２）を
　「前記光電変換部形成工程では、
　前記開口部より開口面積の狭い開口部を有するフォトレジスト膜をマスクとして
前記第１及び第２導電型半導体層に比べその深さが深く、形成領域が狭い第３導電型半導体層を高い加速エネルギーで形成した後、
　前記フォトレジスト膜及び第２の電荷転送電極をマスクとして、
その深さが浅い領域に第４導電型半導体層を低い加速エネルギーで形成すること」と、
（補正事項６−２）
　「を特徴とする請求項８乃至１１のいずれか１に記載の固体撮像装置の製造方法。」（旧請求項１２）を
　「を特徴とする請求項１乃至３のいずれか１に記載の固体撮像装置の製造方法。」と、
補正するものであり、この補正について検討する。
　
　補正事項６−１は、「その深さが深く」、「形成領域が狭い第１の第２導電型半導体領域」、「前記導電膜だけをマスクとして」、「その深さが浅く、形成領域が広い第２の第２導電型半導体領域を低い加速エネルギで形成された形成すると共に、前記第１及び第２の第２導電型半導体領域の表面領域に第１導電型半導体領域を形成すること」を、それぞれ「前記第１及び第２導電型半導体層に比べその深さが深く」、「形成領域が狭い第３導電型半導体層」、「前記フォトレジスト膜及び第２の電荷転送電極をマスクとして」、「その深さが浅い領域に第４導電型半導体層を低い加速エネルギーで形成すること」と補正するものであり、これは発明特定事項を限定する補正ではなく、特許請求の範囲の減縮を目的とするものではない。
　補正事項６−２は、請求項４が引用する請求項の引用番号を変更するものであり、請求項の削除を目的とする補正に当たる。
　
　よって、補正事項６−１を含む補正事項６は、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてする明りょうでない記載の釈明のうちのいずれを目的とするものでもない。
　
（２−２−７）補正事項７について
　補正事項７は、
（補正事項７−１）
　「前記光電変換部形成工程では、
　前記第１導電型半導体領域は、第１導電型不純物を垂直方向に対して７度又は４５度の傾きの注入角度で、かつ、低い加速エネルギでイオン注入することにより、
対応する電荷転送電極の開口部の前記電荷読出部側のエッジから所定距離隔てて形成すること
」（旧請求項１３）を、
　「前記光電変換部形成工程では、
　前記第４導電型半導体層は、第１導電型不純物を垂直方向に対して７度又は４５度の傾きの注入角度で、かつ、低い加速エネルギーでイオン注入することにより、
前記第２の電荷転送電極の開口部の前記電荷読出部側のエッジから所定距離隔てて形成すること」と、
（補正事項７−２）
　「を特徴とする請求項１１又は１２記載の固体撮像装置の製造方法。」（旧請求項１３）を
　「を特徴とする請求項１乃至４のいずれか１に記載の固体撮像装置の製造方法。」と、
補正するものであり、この補正について検討する。
　
　補正事項７−１は、「前記第１導電型半導体領域」、「対応する電荷転送電極の開口部」を、それぞれ「前記第４導電型半導体層」、「前記第２の電荷転送電極の開口部」と補正するものであり、これは発明特定事項を限定する補正ではなく、特許請求の範囲の減縮を目的とするものではない。
　補正事項７−２は、請求項が引用する請求項の引用番号を変更するものである。
　
　よって、補正事項７は、請求項の削除、誤記の訂正、特許請求の範囲の減縮、拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてする明りょうでない記載の釈明のうちのいずれを目的とするものでもない。
　
（２−２−８）補正事項８について
　補正事項８は、願書に最初に添付した明細書に記載した事項の範囲内におけるものである。
　
（３）全体のむすび
　したがって、補正事項３乃至７を含む本件補正は、特許法第１７条の２第４項第１号乃至第４号に規定される事項を目的とするものに該当しないから、平成１３年２月１９日付けの本件補正は、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１３年２月１９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１２年１０月２３日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至１３に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、同手続補正書の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「入射光をその光量に応じた電荷量の信号電荷に変換する複数の光電変換部と、
　前記複数の光電変換部に隣接して設けられ、対応する光電変換部で発生した信号電荷を読み出す複数の電荷読出部と、
　前記複数の光電変換部に隣接して設けられ、対応する光電変換部から対応する電荷読出部により読み出された信号電荷を転送する複数の電荷転送部と、
　対応する電荷転送部の上方に対応する光電変換部を覆うことなく形成され、対応する電荷転送部の信号電荷の転送を制御するための複数の第１の電荷転送電極と、
　対応する光電変換部と、対応する電荷読出部と、対応する電荷転送部及びその周辺との上方に絶縁膜を介して形成されると共に、絶縁膜を介した異なる層に形成された対向する第１の電荷転送電極と互いの端縁が重なるように形成され又は同一層内に形成された対向する第１の電荷転送電極と所定間隔隔てて形成され、対応する光電変換部上に開口部を有し、対応する電荷転送部の信号電荷の転送を制御するための複数の第２の電荷転送電極とを備え、
　前記複数の第１の電荷転送電極又は前記複数の第２の電荷転送電極のいずれかが対応する光電変換部で発生した信号電荷の対応する電荷転送部への読み出しを制御するための電荷読出電極を兼ねることを特徴とする固体撮像装置。」
　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願日前に頒布された特開平９−６４３３３号公報（以下「引用例」という。）には、次のとおり記載されている。
　従来の固体撮像装置の構成について、
「従来の単層電極ＣＣＤ構造を有する固体撮像装置の製造工程を図６〜１０に示す。各図の（ａ）はその工程における固体撮像装置の平面図を、（ｂ）はその平面図のＸ-Ｘ′方向の断面図を、（ｃ）はＹ-Ｙ′方向の断面図をそれぞれ示している。ここで、単層電極ＣＣＤとは転送電極が１層から構成されるＣＣＤをいう。」（段落【０００２】）
「半導体基板１上に絶縁膜２ａを熱酸化により形成し、絶縁膜２ａ上に例えばポリシリコン層３をＣＶＤ法等により堆積する（図６（ａ），（ｂ）、及び（ｃ）参照）。次に、レジスト層を用いたパターニングによりポリシリコン電極３ａを形成する（図７（ａ），（ｂ）、及び（ｃ）参照）。この電極３ａは光電変換部では、水平線をなす端辺から狭幅、電荷転送部では広幅を有する形状となっており、互いに水平線に関して線対称に形成された２つの電極を交互にＹ方向に配設することにより、狭幅部分には光電変換部を形成するための窓が形成されるようになっている。。この時、隣り合うポリシリコン電極３ａの間隔はできるだけ小さくなるようにしており、実際には加工限界である０．６μｍ前後としている。このように電極の間隔を小さくするのは、電荷の転送特性を劣化させないためである。」（段落【０００３】）
「この第１のレジスト層５の開口形状は側壁４よりも内側に位置する端部を有しているが、移送部が形成されている領域では十分に後退した形状となっている。ただし信号電荷を読み出す領域は、電極上部に端部を位置させている。このレジストパターンをイオン注入マスクとして、信号電荷と同一導電型の第１不純物（例えばリン）を注入する。拡散後、第１不純物層６が得られる（図９（ａ），（ｂ）、及び（ｃ）参照）。次に第２のレジスト層７をパターニングで形成し、このレジスト層７をイオン注入マスクとして、信号電荷と逆導電型であるｐ型の第２不純物（例えばボロン）を注入する。拡散後、第２不純物層８が得られる（図１０（ａ），（ｂ）、及び（ｃ）参照）。これによって、画素面下に第１不純物層６及び第２不純物層８から成る埋め込み型フォトダイオードが形成される。」（段落【０００５】）
「第１不純物層６はゲートセルフアラインで形成されるため、側壁４を一体化した読み出し電極３ａと第１不純物層６との重なり（マスク合わせ精度や加工公差を考慮しても約０．３μｍ以上）が必要になり…特性が劣化するおそれがあった。」（段落【０００７】）
　撮像装置の平面パターンを示す図９（ａ）には、第１不純物層６の凸部とポリシリコン層３とが重なるように配置されたものが記載されており、第１不純物層６のうち、ポリシリコン層３の下に張り出して形成されたこの領域は「信号電荷を読み出す領域」であることが読み取れる。
　
　以上図６乃至図９を参酌してまとめると、引用例には、
「複数の光電変換部と、信号電荷を読み出す領域と、電荷転送部と、互いに水平線に関して線対称に形成されると共に、狭幅部分には光電変換部を形成するための窓が形成された２つのポリシリコン電極（以下、信号電荷を読み出す領域上のポリシリコン電極を「第１のポリシリコン電極」とし、他方を「第２のポリシリコン電極」とする。）とを備える固体撮像装置。」が記載されている。
　
（２）対比・判断
　本願発明と引用例に記載された発明とを対比する。
（２−１）引用例に記載された「複数の光電変換部」は「入射光をその光量に応じた電荷量の信号電荷に変換する」ものであることから、本願発明の「入射光をその光量に応じた電荷量の信号電荷に変換する複数の光電変換部」に相当する。
（２−２）引用例に記載された「信号電荷を読み出す領域」は「前記複数の光電変換部に隣接して設けられ、対応する光電変換部で発生した信号電荷を読み出す複数の」部分であることから、本願発明の「前記複数の光電変換部に隣接して設けられ、対応する光電変換部で発生した信号電荷を読み出す複数の電荷読出部」に相当する。
（２−３）引用例には「この電極３ａは光電変換部では、水平線をなす端辺から狭幅、電荷転送部では広幅を有する形状となっており、互いに水平線に関して線対称に形成された２つの電極を交互にＹ方向に配設することにより、狭幅部分には光電変換部を形成するための窓が形成されるようになっている。」と記載されているから、引用例に記載された「電荷転送部」は、本願発明の「複数の光電変換部に隣接して設けられ、対応する光電変換部から対応する電荷読出部により読み出された信号電荷を転送する複数の電荷転送部」に相当する。
（２−４）引用例には「隣り合うポリシリコン電極３ａの間隔はできるだけ小さくなるようにしており、実際には加工限界である０．６μｍ前後としている。このように電極の間隔を小さくするのは、電荷の転送特性を劣化させないためである。」と記載されていること、及び「第１のポリシリコン電極は、光電変換部で発生した信号電荷の対応する電荷転送部への読み出しを制御するための電荷読出電極を兼ねる」旨記載されていることから、引用例に記載された「第１のポリシリコン電極」は、本願発明の「対応する電荷転送部の上方に対応する光電変換部を覆うことなく形成され、対応する電荷転送部の信号電荷の転送を制御するための複数の第１の電荷転送電極」であって、「対応する光電変換部で発生した信号電荷の対応する電荷転送部への読み出しを制御するための電荷読出電極を兼ねる」ものに相当する。
（２−５）引用例には「ポリシリコン層３のパターニングにより、第１のポリシリコン電極と第２のポリシリコン電極が形成される」旨記載されていることから、引用例に記載された「第２のポリシリコン電極」は、本願発明の「対応する光電変換部と、対応する電荷読出部と、対応する電荷転送部及びその周辺との上方に絶縁膜を介して形成されると共に、同一層内に形成された対向する第１の電荷転送電極と所定間隔隔てて形成され、対応する光電変換部上に開口部を有し、対応する電荷転送部の信号電荷の転送を制御するための複数の第２の電荷転送電極」に相当する。
　
　したがって、両者は
　「入射光をその光量に応じた電荷量の信号電荷に変換する複数の光電変換部と、
　前記複数の光電変換部に隣接して設けられ、対応する光電変換部で発生した信号電荷を読み出す複数の電荷読出部と、
　前記複数の光電変換部に隣接して設けられ、対応する光電変換部から対応する電荷読出部により読み出された信号電荷を転送する複数の電荷転送部と、
　対応する電荷転送部の上方に対応する光電変換部を覆うことなく形成され、対応する電荷転送部の信号電荷の転送を制御するための複数の第１の電荷転送電極と、
　対応する光電変換部と、対応する電荷読出部と、対応する電荷転送部及びその周辺との上方に絶縁膜を介して形成されると共に、同一層内に形成された対向する第１の電荷転送電極と所定間隔隔てて形成され、対応する光電変換部上に開口部を有し、対応する電荷転送部の信号電荷の転送を制御するための複数の第２の電荷転送電極とを備え、
　前記複数の第１の電荷転送電極が対応する光電変換部で発生した信号電荷の対応する電荷転送部への読み出しを制御するための電荷読出電極を兼ねることを特徴とする固体撮像装置。」
である点で一致し、相違点はない。
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明と同一である。
　　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項２乃至１３に記載された事項により特定される発明について検討するまでもなく、本願は特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。