【手続補正書】
【提出日】平成15年7月24日(2003.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電性単結晶基板上に、電極が形成されている弾性表面波装置であって、
前記圧電性単結晶基板はタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウム基板であり、この基板材料がＸ軸を中心にＹ軸を３３°±９°回転させた新たなＹ軸に垂直な、Ｘ軸を含む面を表面とするように切断したものであり、
前記電極が、少なくとも基板上に窒化チタン層と、アルミニウム層とを順次有する積層膜である弾性表面波装置。
【請求項２】
前記アルミニウム層に結晶粒界がない請求項１の弾性表面波装置。
【請求項３】
前記アルミニウムの結晶面（３１１）が、前記圧電性単結晶基板の表面に対して９°±９°に傾いている請求項１または２の弾性表面波装置。
【請求項４】
前記電極は窒化チタンとアルミニウム層の間に金属チタン層を有する請求項１〜３のいずれかの弾性表面波装置。
【請求項５】
前記アルミニウムの結晶面が（１１１）である請求項４の弾性表面波装置。
【請求項６】
圧電性単結晶材料のＸ軸を中心にＹ軸を３３°±９°回転させた新たなＹ軸に垂直な、Ｘ軸を含む面を表面とするタンタル酸リチウム またはニオブ酸リチウム基板上に、
チタンを窒素ガスとアルゴンガスを導入してスパッタ成膜し、
次いで、純アルミニウムをアルゴンガスのみ導入してスパッタ成膜する弾性表面波素子の製造方法。
【請求項７】
圧電性単結晶材料のＸ軸を中心にＹ軸を３３°±９°回転させた新たなＹ軸に垂直な、Ｘ軸を含む面を表面とするタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウム基板上に、
チタンを窒素ガスとアルゴンガスを導入してスパッタ成膜し、
その後、窒素ガスの導入を止めてアルゴンガスのみ導入してチタンを成膜し、
次いで、純アルミニウムをアルゴンガスのみ導入してスパッタ成膜する弾性表面波素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
すなわち上記目的は、以下の本発明の構成により達成される。
（１）  圧電性単結晶基板上に、電極が形成されている弾性表面波装置であって、
前記圧電性単結晶基板はタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウム基板であり、この基板材料がＸ軸を中心にＹ軸を３３°±９°回転させた新たなＹ軸に垂直な、Ｘ軸を含む面を表面とするように切断したものであり、
前記電極が、少なくとも基板上に窒化チタン層と、アルミニウム層とを順次有する積層膜である弾性表面波装置。
（２）  前記アルミニウム層に結晶粒界がない上記（１）の弾性表面波装置。
（３）  前記アルミニウムの結晶面（３１１）が、前記圧電性単結晶基板の表面に対して９°±９°に傾いている上記（１）または（２）の弾性表面波装置。
（４）  前記電極は窒化チタンとアルミニウム層の間に金属チタン層を有する上記（１）〜（３）のいずれかの弾性表面波装置。
（５）  前記アルミニウムの結晶面が（１１１）である上記（４）の弾性表面波装置。
（６）  圧電性単結晶材料のＸ軸を中心にＹ軸を３３°±９°回転させた新たなＹ軸に垂直な、Ｘ軸を含む面を表面とするタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウム基板上に、
チタンを窒素ガスとアルゴンガスを導入してスパッタ成膜し、
次いで、純アルミニウムをアルゴンガスのみ導入してスパッタ成膜する弾性表面波素子の製造方法。
（７）  圧電性単結晶材料のＸ軸を中心にＹ軸を３３°±９°回転させた新たなＹ軸に垂直な、Ｘ軸を含む面を表面とするタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウム基板上に、
チタンを窒素ガスとアルゴンガスを導入してスパッタ成膜し、
その後、窒素ガスの導入を止めてアルゴンガスのみ導入してチタンを成膜し、
次いで、純アルミニウムをアルゴンガスのみ導入してスパッタ成膜する弾性表面波素子の製造方法。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
【実施例】
〔実施例１〕
４２°回転Ｙ−Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板をアセトン、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）による超音波洗浄を行った後に純水により有機溶剤を置換して洗浄した。この基板をスパッタ装置の真空排気チャンバーに投入し、真空排気し、１７０℃に予備加熱した。その後にＴｉ成膜チャンバーに移し、Ａｒガスと窒素ガスをそれぞれ１５SCCM導入し、チャンバー内圧力を０．７Paとした。その後にプラズマを発生し金属チタンターゲットにて窒化チタンを反応性成膜した。成膜レートと成膜時間より窒化チタンの設定膜厚は、０．８nmである。その後に窒素ガスを停止し、Ａｒガスにて金属チタンを成膜した。この基板をＡｌ成膜チャンバーに移し、Ａｒガスにてアルミニウムを成膜した。この積層膜の膜厚は蛍光X線膜厚計にて測定した結果、チタン１０nm、アルミニウム３３０nmであった。一方、比較資料として、同じ洗浄を行なった４２°回転Ｙ−Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板にＡｌ−０．５%Ｃｕ合金（質量比、以下同）単層膜を成膜した。この合金膜の膜厚は３４７nmであった。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
この積層膜は、アルミニウム部分の透過型電子顕微鏡観察の結果、図１に示すように、粒界の無い単結晶膜であることを確認した。一方、比較サンプルであるＡｌ−０．５％Ｃｕ合金膜には、図２に示すように粒界があることを確認した。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
この２種類の膜を電極として、図３、４に示す４段のラダー型ＳＡＷフィルターを作成した。ここで図３はＳＡＷフィルターの構成を示す概略平面図、図４は図３の等価回路図である。図において、入力端子Ｉｎから出力端子Ｏｕｔ間に直列接続された弾性表面波素子Ｓ１〜Ｓ２があり、さらに弾性表面波素子Ｓ１，Ｓ２およびＳ３，Ｓ４間とＧＮＤとが弾性表面波素子Ｐ１およびＰ２により接続されている。そして、このような構成のＳＡＷフィルターを図５に示す構成の測定装置を用い、８５℃雰囲気にて耐電力性測定を行なった。すなわち、恒温槽１５内にＳＡＷフィルタ（ＳＡＷ）を配置し、この入力端Ｉｎに信号発生器１２から得られた所定の周波数範囲のＲＦ信号を、ＲＦパワーアンプ１３により所定の強度に増幅して印加した。また、その出力端ＯＵＴを電力計１１に接続して出力電力を測定した。また、前記ＳＡＷフィルタの入出力には、方向性カップラ１６および減衰器ＡＴＴ１，ＡＴＴ２を介してネッワークアナライザー１４を接続した。そして、耐電力性を、ＳＡＷフィルタに投入する電力１．５８Ｗ、挿入損失が２dB劣化するまでの寿命として評価した。結果を表２に示す。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
この積層膜を用いて実施例１と同様な図３に示すラダー型弾性表面波フィルターを作成した。図４に示す耐電力評価回路にて、周囲温度８５℃にて耐電力性測定を行なった。耐電力性をＳＡＷフィルタに投入する電力１．５８Ｗ、挿入損失が２dB劣化するまでの寿命を評価した。結果を表３に示す。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
〔実施例２〕
実施例１と同様に洗浄した４２°回転Ｙ−Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板に、アルゴンガスと窒素ガスともに１５SCCM流し、成膜圧力０．７Paで、チタンターゲットを用いて窒化チタンを設定膜厚２．５nmとなるようにスパッタ成膜した。今度は実施例１とは異なり、この窒化チタンの上にアルミニウムをアルゴンガスのみにて膜厚３４３nmとなるよう成膜した。


【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１で作製した発明サンプル電極のアルミニウム部分の透過型電子顕微鏡観察の結果を示す図面代用写真である。
【図２】実施例１で作製した比較サンプル電極のアルミニウム部分の透過型電子顕微鏡観察の結果を示す図面代用写真である。
【図３】ラダー型弾性表面波フィルターの概略構成を示す平面図である。
【図４】図３の等価回路図である。
【図５】耐電力評価に用いた装置の結線図である。
【符号の説明】
１１    電力計
１２    信号発生器
１３    ＲＦパワーアンプ
１４    ナットワークアナライザー
１５    恒温槽


【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2003101372.tif 000001
【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2003101372.tif 000002
【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2003101372.tif 000003
【手続補正１６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2003101372.tif 000004
【手続補正１７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2003101372.tif 000005
【手続補正１８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】削除
【補正の内容】