Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月1日(2010.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に固体材料を薄膜堆積させるための堆積システムであって、
ａ）複数のガス状材料にそれぞれ対応する複数の供給源であって、第１、第２及び第３のガス状材料にそれぞれ対応する第１、第２及び第３供給源を少なくとも含む複数の供給源と；
ｂ）薄膜堆積を受ける基体にガス状材料を供給するための供給ヘッドであって、
（ｉ）第１、第２及び第３ガス状材料をそれぞれ受容するための少なくとも第１、第２及び第３流入ポートを含む複数の流入ポートと；
（ｉｉ）複数の出力開口部を含み、かつ、基体の表面から所定の距離をおいて対向する出力面；
を含む供給ヘッド、ここで、第１、第２及び第３のガス状材料は前記出力面の出力開口部から同時に排出される；
ｃ）基体を支持するために任意選択的に用いてもよい基体支持体と；
を含み、
ｄ）薄膜堆積中に供給ヘッドの出力面と基体表面との間で実質的に均一な距離を維持することを含み、薄膜堆積のために基体表面への供給ヘッドからのガス状材料の１つまたは２つ以上の流れにより発生した圧力が、基体の表面から供給ヘッドの出力面を分離する力の少なくとも一部を提供する、基体上に固体材料を薄膜堆積させるための堆積システム。
【請求項２】
基体を支持するための基体支持体をさらに含み、堆積システムは、動作中に、出力面と基体表面との間に相対運動を提供することができる、請求項１に記載の堆積装置。
【請求項３】
ガス流が、供給ヘッドの出力面における実質的に平行な細長い開口部を通して供給される、請求項１に記載の堆積システム。
【請求項４】
薄膜材料を基体上に堆積させる方法であって、薄膜堆積システムの供給ヘッドの出力面から基体の表面に向けて一連のガス流を同時に案内することを含み、ここで、一連のガス流は、少なくとも、第１反応性ガス状材料と、不活性パージガスと、第２反応性ガス状材料とを含み、第１反応性ガス状材料は、第２反応性ガス状材料で処理された基体表面と反応することができ、ガス流のうちの１つ又は２つ以上が、供給ヘッドの面から基体の表面を分離するのに少なくとも寄与する圧力を提供する、薄膜材料を基体上に堆積させるための方法。
【請求項５】
第１反応性ガス状材料が金属含有化合物であり、第２の反応性ガス状材料が非金属化合物である、請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月20日(2012.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図１１は、本発明の態様にしたがい生成されたレポートを示している。図１１では、レポートは画面１１０２に示されている。例えば、レポートは、「店舗」１１０４と称される食料品店チェーンに関するものであることができる。レポートは、ユーザに食料品店チェーンの当日キャッシュポジションを提供することができる。例えば、画像１１０２は、２つの店舗１１０９及び１１１１におけるキャッシュポジションに関連する情報１１０８及び１１１０を示している。食料品店チェーンの全キャッシュポジションも、他の情報１１１２とともに提供されるであろう。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2010515124.tif 000001
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年9月5日(2012.9.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｐ２Ｐネットワークのコンテンツを放出するための方法であって、
通常ノードが属する第１の通常ノードネットワークの通常ノードに格納されるコンテンツを、コンテンツを格納するＰ２Ｐネットワークの通常ノードによって放出する過程と、
前記通常ノードによって、Ｐ２Ｐネットワークのスーパーノードを検索する過程と、
スーパーノードによって管理される第２の通常ノードネットワークのコンテンツを、スーパーノードによって放出する過程と
を具備し、
スーパーノードは、コンテンツがスーパーノードネットワークで放出される時、前記コンテンツを放出する通常ノードを管理し、
コンテンツのインデクス情報はスーパーノードの代わりに第２の通常ノードネットワークの通常ノードに格納され、
通常ノードが属する第１の通常ノードネットワークの通常ノードに格納されるコンテンツを、コンテンツを格納するＰ２Ｐネットワークの通常ノードによって放出する過程は、
第１の通常ノードネットワークのコンテンツのキー値、即ち第１のキー値を、コンテンツを格納する通常ノードによって生成する過程と、
第１の通常ノードネットワークの第１のキー値を格納する通常ノードを検索する過程と、
コンテンツのインデクス情報を、第１のキー値を格納する通常ノードによって生成又は更新する過程と
を具備することを特徴とする方法。
【請求項２】
Ｐ２Ｐネットワークのスーパーノードを検索する過程であって、スーパーノードは、コンテンツがスーパーノードネットワークで放出される時、前記コンテンツを放出する通常ノードを管理する、過程は、
スーパーノードネットワークのコンテンツのキー値、即ち第２のキー値を第１のスーパーノードによって生成する過程であって、第１のスーパーノードが第１の通常ノードネットワークを管理する過程と、
前記第１のスーパーノードによって、スーパーノードネットワークの第２のキー値を格納するスーパーノードを検索する過程と
を具備することを特徴とする請求項１に記載のＰ２Ｐネットワークのコンテンツを放出するための方法。
【請求項３】
スーパーノードによって管理される第２の通常ノードネットワークのコンテンツを、スーパーノードによって放出する過程は、
第２の通常ノードネットワークのコンテンツのキー値、即ち第３のキー値をスーパーノードによって生成する過程と、
スーパーノードによって、第２の通常ノードネットワークの第３のキー値を格納する通常ノードを検索する過程と、
コンテンツのインデクス情報を、第３のキー値を格納する通常ノードによって生成又は更新する過程と、又は
第２の通常ノードネットワークの予め設定された状況に準拠する通常ノードにコンテンツのコンテンツＩＤをスーパーノードによって送信する過程と、
コンテンツＩＤに関与する第３のキー値を、予め設定された状況に準拠する通常ノードによって生成する過程と、
スーパーノードによって、第２の通常ノードネットワークの第３のキー値を格納する通常ノードを検索する過程と、
コンテンツのインデクス情報を、第３のキー値を格納する通常ノードによって生成又は更新する過程と
を具備することを特徴とする請求項１又は２に記載のＰ２Ｐネットワークのコンテンツを放出するための方法。
【請求項４】
コンテンツのインデクス情報は、第１の通常ノードネットワークにコンテンツを格納する通常ノードに関する情報を具備し、又はコンテンツのインデクス情報は、スーパーノードに関する情報を具備し、スーパーノードは、コンテンツがスーパーノードネットワークで放出される時、前記コンテンツを放出する通常ノードを管理することを特徴とする請求項１〜３のうち何れか１項に記載のＰ２Ｐネットワークのコンテンツを放出するための方法。
【請求項５】
コンテンツのインデクス情報を格納し、通常ノードが属する第１の通常ノードネットワークの通常ノードに格納されるコンテンツを放出し、かつ、Ｐ２Ｐネットワークのスーパーノードを検索するために適合される第１の通常ノードと、
第１のトリガ情報を受信し、かつ、スーパーノードによって管理される第２の通常ノードネットワークのコンテンツを放出するために適合されるスーパーノードと、
第２の通常ノードネットワークでコンテンツのインデクス情報を格納するために適合される第２の通常ノードネットワークの通常ノードと
を具備し、
スーパーノードは、コンテンツがスーパーノードネットワークで放出される時、前記コンテンツを放出する通常ノードを管理し、
コンテンツのインデクス情報は、スーパーノードの代わりに第２の通常ノードネットワークの通常ノードに格納され、
通常ノードが属する第１の通常ノードネットワークの通常ノードに格納されるコンテンツを放出することは、
コンテンツを格納する第１の通常ノードが、第１の通常ノードネットワークのコンテンツのキー値、即ち第１のキー値を生成し、
コンテンツを格納する第１の通常ノードが、第１の通常ノードネットワークで第１のキー値を格納する通常ノードを検索し、かつ、
第１のキー値を格納する通常ノードが、コンテンツのインデクス情報を生成又は更新することを具備する
ことを特徴とするＰ２Ｐネットワークのコンテンツを放出するためのシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月14日(2010.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクジェットプリンタにおいて、インプリントポリマーの微量天秤を提供するステップであって、それによって、前記微量天秤が、前記インプリントポリマーと適合性がある少なくとも１つの標的化合物を含有する設定値のインクと接触した場合に平衡の設定値の振動性特徴を示すステップ、
前記プリンタの補給インクと接触して前記微量天秤を置くステップ、
前記微量天秤の振動性特徴を測定するステップ、
前記振動性特徴が前記設定値の特徴と異なる場合に警告を発するステップ、
を含むインク品質管理のプロセス。
【請求項２】
前記微量天秤が設定値のインクで平衡の状態に達せられ、振動性特徴が測定されて、前記振動性特徴が設定値の特徴として記憶されるステップを含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
インプリントされた化合物の微量天秤、該微量天秤の振動性特徴を設定値の特徴と比較するための比較器、及び、該比較器により制御される警告装置を含むインク管理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月13日(2011.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属構造物を備えたインプラントであって、該インプラントの表面の少なくとも一部には生体適合金属からなる粉末をプラズマ溶射よって溶着させた生体適合金属コーティングが提供され、前記コーティングの表面には殺菌性金属の陽イオンが吸収されて組み込まれていることを特徴とするインプラント。
【請求項２】
前記殺菌性金属の陽イオンが銀イオンである請求項１記載のインプラント。
【請求項３】
コーティングに導入された前記銀イオンの量が１〜１００μｇ／ｃｍ２である請求項２記載のインプラント。
【請求項４】
プラズマ溶射により形成された構造物に、陽極酸化処理又はリン酸処理のいずれかの処理がなされている、請求項１から３のいずれかに記載のインプラント。
【請求項５】
前記殺菌性金属を含むプラズマ溶射により形成された構造物がヒドロキシアパタイトでコーティングされ、任意に、前記殺菌性金属の陽イオンが前記ヒドロキシアパタイトに導入される、請求項１から４のいずれかに記載のインプラント。
【請求項６】
金属構造物を備えたインプラントの製造方法であって、生体適合金属コーティングを形成するように、前記金属構造物の表面の少なくとも一部に生体適合金属の粉末をプラズマ溶射し、殺菌性金属の陽イオンが前記コーティングの表面に吸収されて組み込まれるように前記殺菌性金属を含む溶液を前記コーティングに接触させるステップを備えている方法。
【請求項７】
前記コーティングを、殺菌性金属を含む溶液と接触させる前に、最初にリン酸と接触させる請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記コーティングされた構造物を、殺菌性金属の溶液と接触させる前に陽極酸化処理する請求項６記載の方法。
【請求項９】
殺菌性金属を含むプラズマ溶射によって形成された構造物はヒドロキシアパタイトで被覆され、任意に、ヒドロキシアパタイトコーティングがされた構造物が、前記ヒドロキシアパタイトコーティングに前記殺菌性金属の陽イオンの少なくとも一部を導入するために前記殺菌性金属を含む溶液で処理される、請求項６から８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記殺菌性金属が銀である請求項６から９のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月11日(2011.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般構造式（Ｉ）の多環式有機化合物であって：
【化１】
2010515710.tif 000001
ここで、ｎは３乃至１０の範囲であるフェニル環の数であり；
Ａ及びＢは酸性基であり；
ｍは０、１、２又は３であり；
ｌは１、２又は３であり；
ｐは１、２、３、４、５又は６であり；
ＣはＨ＋、ＮＨ４＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｌｉ＋、Ｃｓ＋、Ｃａ２＋、Ｍｇ２＋、Ｓｒ２＋、Ｌａ３＋、Ｚｎ２＋、Ｚｒ４＋、Ｃｅ３＋、Ｙ３＋、Ｙｂ３＋、Ｇｄ３＋及びそれらの任意の組み合わせからなる群より選択される対イオンであり；
ｋは（−ｐ）と等しい負の電荷を補償するために必要な対イオンの数である、有機化合物において、
前記有機化合物は可視スペクトル領域における電磁放射に対して透過性であり、かつ同有機化合物の溶液は基質上に、実質的に透明であるとともに光学的に異方性の固体層を形成することができ、
前記化合物は更なる共有結合によって二つの隣接するフェニル環を結合する同一の、又は異なる二価の基Ｘｉを更に含み、ここでｉは１乃至（ｎ−１）の範囲の数である、有機化合物。
【請求項２】
前記二価の基Ｘｉは、−ＳＯ２−、−Ｏ−及び−ＮＨ−基からなる群より選択される、請求項１に記載の有機化合物。
【請求項３】
前記酸性基Ａ及びＢは、スルホン基、カルボキシル基及びホスホン酸基からなる群より個々に選択され、かつ前記化合物は構造式（ＩＩ）：
【化２】
2010515710.tif 000002
；二価の基Ｘ１、Ｘ２及びＸ３を含む構造式（ＩＩＩ）
【化３】
2010515710.tif 000003
；及び二価の基Ｘ１、Ｘ２及びＸ３を含む構造式（ＩＶ）
【化４】
2010515710.tif 000004
；からなる群より選択される構造式を有する、請求項１又は２に記載の有機化合物。
【請求項４】
二つの隣接するフェニル環の間に配置される少なくとも一つの複素環基を更に含む、請求項１又は２に記載の有機化合物。
【請求項５】
二つの隣接するフェニル環の間に配置される少なくとも二つの、同一の、若しくは異なる複素環基を更に含む、請求項１又は２に記載の有機化合物。
【請求項６】
前記有機化合物中の複素環基は、ベンゾジオキサゾール、ベンゾジイミダゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、１，３，４−オキサジアゾール及びそれらの任意の組み合わせからなる群より選択される、請求項４又は５に記載の有機化合物。
【請求項７】
構造（１）乃至（６）：
【化５】
2010515710.tif 000005
を含む群から選択される構造式を有する、請求項４乃至６のいずれか一項に記載の有機化合物。
【請求項８】
前面及び後面を有する基質上の異方性光学膜であって、前記基質の前面に適用される少なくとも一つの有機層を含み、かつ、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の少なくとも一つの多環式有機化合物を含む異方性光学膜において、
前記有機層は可視スペクトル領域における電磁放射に対して透過性である、異方性光学膜。
【請求項９】
前記異方性光学膜は水及び水混和性の溶媒の少なくとも一方において実質的に溶けない、請求項８に記載の異方性光学膜。
【請求項１０】
前記有機層は、基質表面に対して直交する方向において一つの屈折率（ｎｚ）を有し、基質表面の面上にて互いに直交する二つの方向に対応する二つの屈折率（ｎｘ及びｎｙ）を有する二軸遅延層である、請求項８又は９に記載の異方性光学膜。
【請求項１１】
前記屈折率ｎｘ，ｎｙ及びｎｚは以下の条件、即ち：ｎｙ＞ｎｚ＞ｎｘに従う、請求項１０に記載の異方性光学膜。
【請求項１２】
前記基質は可視スペクトル領域における電磁放射に対して透過性であり、かつ同基質はポリマー又はガラスから形成される、請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の異方性光学膜。
【請求項１３】
前記有機層の頂面に配置される更なる透過接着層を更に含む、請求項８乃至１２のいずれか一項に記載の異方性光学膜。
【請求項１４】
接着透過層上に形成される保護コーティングを更に含む、請求項１３に記載の異方性光学膜。
【請求項１５】
二つ以上の前記有機層を含む、請求項８乃至１４のいずれか一項に記載の異方性光学膜であって、前記層は請求項１乃至７のいずれか一項により定義される異なる多環式化合物を含む、異方性光学膜。
【請求項１６】
基質上に異方性光学膜を形成する方法において、前記方法は、
ａ）請求項１乃至７のいずれか一項に記載の多環式有機化合物の溶液を調製する工程と、
ｂ）前記基質上に溶液の液体層を適用する工程と：
ｃ）固体層を形成するために乾燥する工程と、からなる、方法。
【請求項１７】
前記乾燥工程の前に水溶液に外的な整合作用を適用する工程を更に含み、前記整合工程は溶液を適用する工程と同時に、若しくは溶液を適用する工程の後である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記溶液は水及び水混和性の溶媒のいずれか一方に基づく水溶液である、請求項１６又は１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記乾燥工程は、昇温時において気流中にて実施される、請求項１６乃至１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記昇温時は約２０乃至６０℃の範囲にある、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記溶液を適用する工程の前に、前記基質はその表面を親水性とするために予め処理される、請求項１６乃至２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
前記形成された固体層はスルホン基を有し、かつ金属塩溶液にて処理される、請求項１６乃至２１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
前記金属塩は、Ｂａ２＋、Ｐｂ２＋及びＳｒ２＋カチオンからなる群より選択されるカチオンを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記溶液はリオトロピック液晶溶液である、請求項１６乃至２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５】
請求項１６乃至２４のいずれか一項に記載の方法において、前記水溶液の適用工程、整合工程及び乾燥工程の技術的な連続操作は２回以上繰り返され、各連続操作にて得られる固体層は水溶液を使用して形成され、前記水溶液は前回のサイクルにて使用されたものと同一のもの、若しくは異なるものである、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月7日(2011.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリオキシエチレンおよびポリオキシプロピレン側鎖を有しないアニオン性ポリウレタンの水性分散体を調製するための手順であって、以下の段階：ａ）２〜１０重量％の−ＮＣＯ基および１０〜１００ｍｅｑ（ミリ当量）のカルボキシル基を含むプレポリマーを、ｉ）−ＣＯＯＨ基を含む少なくとも１種のポリオール、ｉｉ）少なくとも１種の非イオン性ポリオール、ｉｉｉ）少なくとも１種の脂肪族または脂環式ポリイソシアネートを反応させることにより調製すること；ｂ）５℃〜３０℃の温度にて、水酸化アルカリ金属を含む水溶液中にプレポリマーを分散させ、水酸化アルカリ金属の量がプレポリマーのカルボキシル基の少なくとも６０％を中和するのに十分であること；ｃ）ポリアミンを加えることによってプレポリマーを延長し、温度を５〜４０℃に維持し、分散体中のポリウレタンの最終濃度が２０〜５０重量％を包含することを含む、前記手順。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月17日(2012.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導管内を流れる流体を通る少なくとも１つの弦方向経路を規定するように導管に対して配置された複数のトランスデューサと、
走行時間信号を生成するために弦方向経路上に設けた少なくとも１つの送信用トランスデューサ及び受信用トランスデューサの対と、
前記液体の点位置からのすべての角度からの散乱エネルギを受け取って距離ゲート式ドップラー信号を生成するように位置決めされた少なくとも１つの受信用トランスデューサと、
少なくとも１つの送信用トランスデューサを励起し、走行時間信号及び距離ゲート式ドップラー信号に応答し、且つ導管内を流れる流体の速度プロフィール及び平均速度を生成するように構成されている処理サブシステムと、
を備え、
前記受信用トランスデューサは走行時間及びドップラー偏移信号を前記処理サブシステムに出力し、
前記処理サブシステムは、
走行時間信号の走行時間を測定し且つ前記流体の音速を決定し、
測定された走行時間及び前記音速を使用して少なくとも１つの走行時間経路に沿った前記流体の平均速度を計算し、
流体内の点位置を決定して前記点位置における点速度を測定する
ように構成され、
前記点位置は前記音速を使用することによって決定される、
超音波流量計システム。
【請求項２】
前記処理サブシステムは、ドップラー偏移を測定して前記点位置における速度を計算するように構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記処理サブシステムは、前記点位置における前記速度から速度プロフィールを生成するように構成される、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記速度プロフィールは三次元速度プロフィールである、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記処理サブシステムは、少なくとも１つの走行時間経路に沿った前記流体の平均速度を補正して、平均流量を決定するように構成される、請求項３に記載のシステム。
【請求項６】
前記処理サブシステムは、前記速度プロフィールを使用して、少なくとも１つの走行時間経路に沿った前記流体の平均速度を補正する、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記平均流量を表示するための手段をさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
導管内を流れる流体を通る２つの弦方向経路を規定するように導管に対して配列された２つの送信用トランスデューサ及び受信用トランスデューサの対と、
直径経路を規定するように導管上に配列された、走行時間信号を生成するための少なくとも１つの送信用トランスデューサ及び受信用トランスデューサの対と、
前記液体の点位置からのすべての角度からの散乱エネルギを受け取って距離ゲート式ドップラー信号を生成するように位置決めされた、前記受信用トランスデューサの少なくとも１つと、
少なくとも１つの前記送信用トランスデューサを励起し、また走行時間信号及び距離ゲート式ドップラー信号に応答する処理サブシステムと、
を備え、
前記処理サブシステムは、
走行時間信号の走行時間を測定し且つ前記流体の音速を決定し、
測定された走行時間及び前記音速を使用して少なくとも１つの走行時間経路に沿った前記流体の平均速度を計算し、
流体内の点位置を予め決定して前記点位置における点速度を測定し、
ドップラー偏移を測定して前記点位置における速度を計算し、
前記点位置における速度から速度プロフィールを生成し、
少なくとも１つの走行時間経路に沿った前記流体の平均速度を補正して平均流量を決定する
ように構成された、
超音波流量計システム。
【請求項９】
前記流体の前記平均速度は、測定された走行時間及び音速を使用して計算される、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記点位置は、前記音速を使用して決定される、請求項８に記載のシステム。
【請求項１１】
少なくとも１つの走行時間経路に沿った前記流体の前記平均速度は、前記速度プロフィールを使用して補正される、請求項８に記載のシステム。
【請求項１２】
前記速度プロフィールは、三次元プロフィールである、請求項８に記載のシステム。
【請求項１３】
導管内を流れる流体を通る少なくとも１つの弦方向経路を規定するように導管に対してトランスデューサを配列する段階と、
弦方向経路上に設けた少なくとも１つの送信用トランスデューサ及び受信用トランスデューサの対から走行時間信号を生成する段階と、
前記液体の点位置からのすべての角度からの散乱エネルギを受け取るように位置決めされた少なくとも１つの受信用トランスデューサから距離ゲート式ドップラー信号を生成する段階と、
送信用トランスデューサを励起する段階と、
走行時間信号及び距離ゲート式ドップラー信号から、導管内を流れる流体の速度プロフィール及び平均速度を生成する段階と、
含み、
前記受信用トランスデューサは走行時間及びドップラー偏移信号を出力し、
さらに、
走行時間信号の走行時間を測定し且つ前記流体の音速を決定する段階と、
測定された走行時間及び前記音速を使用して少なくとも１つの走行時間経路に沿った前記流体の平均速度を計算する段階と、
測定された前記走行時間及び前記音速を使用して、前記流体の前記平均速度計算する段階と、
流体内の点位置を決定して前記点位置における点速度を測定する段階と、
前記音速を使用することによって前記点位置を予め決定する段階と、
を含む、
超音波流量計測方法。
【請求項１４】
導管内を流れる流体を通る２つの弦方向経路を規定するように導管に対して２つの送信用トランスデューサ及び受信用トランスデューサの対を配列する段階と、
走行時間信号を生成するために直径経路を規定するように導管上に少なくとも１つの送信用トランスデューサ及び受信用トランスデューサの対を配列する段階と、
受信用トランスデューサの少なくとも１つを、前記液体の点位置からのすべての角度からの散乱エネルギを受け取って距離ゲート式ドップラー信号を生成するように位置決めする段階と、
少なくとも１つの送信用トランスデューサを励起する段階と、
前記走行時間信号の走行時間を測定し且つ前記流体の音速を決定する段階と、
測定された前記走行時間及び前記音速を使用して少なくとも１つの走行時間経路に沿った前記流体の平均速度を計算する段階と、
前記流体内の前記点位置を予め決定して前記点位置における点速度を測定する段階と、
前記距離ゲート式ドップラー信号からドップラー偏移を測定して前記点位置における速度を計算する段階と、
前記点位置における速度から速度プロフィールを生成する段階と、
少なくとも１つの走行時間経路に沿った前記流体の前記平均速度を補正して平均流量を決定する段階と、
を含む、超音波流量計測方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月14日(2010.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クロマトグラフィーレジンのライブラリーを調製する方法であって、多様なマルチモーダルイオン交換レジンを作り出すこと；およびレジンがお互いに分けられて提示されるパラレルシステムで多様性を提供することを含む、上記方法。
【請求項２】
多様性を作り出すことがレジンの２以上のディスクリプターを計算すること、および計算されたディスクリプターを多変量解析と一緒に使用して第１主成分を持つレジンの多次元マップを生み出すことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
マップを指針として使用してタンパク質精製に適切なレジンを選択する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
パラレルシステムがマルチウェルプレートである、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
多様性が、基礎マトリックス特性；カップリングケミストリー；リガンド特性およびリガンド密度からなる群から選択される少なくとも１つの特性の変動を含む、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
離れたコンパートメント中に提示される多様なマルチモーダルイオン交換レジンを含むライブラリー。
【請求項７】
レジンが非特異的なマルチモーダルイオン交換リガンドを含む、請求項６に記載のライブラリー。
【請求項８】
少なくとも２つのウェルに異なるクロマトグラフィーレジンを有するマルチウェルプレートからなる、請求項６または７に記載のライブラリー。
【請求項９】
パラレルクロマトグラフィーシステムを使用して少なくとも２つの異なるマルチモーダルイオン交換レジンへの標的物質の相対的結合を分析する方法であって以下のステップ：
（ａ）標的物質を含む溶液を提供すること；
（ｂ）該溶液を少なくとも２種の異なるレジンとパラレルに接触させること；
（ｃ）標的物質をレジンに結合させること；
（ｄ）少なくとも２種の異なるレジンの相対的結合を査定すること
を含む、上記方法。
【請求項１０】
クロマトグラフィーレジンに由来する溶出条件を査定する方法であって、２以上のクロマトグラフィーレジンをパラレルシステムで提供すること；第１の実験セットにおいてそれぞれのレジンに対するｎ個の異なる溶出条件を試験すること；および第２の実験セットにおいてそれぞれのレジンに対するｍ個の異なる溶出条件を試験することを含み、第１および第２の実験セット間の試験条件に重複が存在する、上記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月22日(2010.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの金属層又は金属含有層及び前記金属層又は前記金属含有層に直接接触した少なくとも一つのドーピングされたポリマー層を含み、ドーパントが酸、塩基もしくは塩又は光潜伏性酸もしくは光潜伏性塩基であり、前記ドーパントがポリマー及び／又は少なくとも一つのポリマー層に加えられ、前記ポリマーが酸性もしくは潜伏酸性又は塩基性もしくは潜伏塩基性基で官能化されている時間−温度インジケータ、或いは
金属粒子及び光潜伏性酸もしくは光潜伏性塩基を含有する少なくとも一つのポリマー層、又はポリマーが潜伏酸性又は潜伏塩基性基で官能化されている、金属粒子を含有する少なくとも一つのポリマー層を含む時間−温度インジケータ。
【請求項２】
前記ドーパントが塩である、請求項１記載の時間−温度インジケータ。
【請求項３】
前記ドーパントが酸である、請求項１記載の時間−温度インジケータ。
【請求項４】
前記ドーパントが塩基である、請求項１記載の時間−温度インジケータ。
【請求項５】
前記ドーパントが光潜伏性酸であり、前記酸が光の照射によって放出される、請求項１記載の時間−温度インジケータ。
【請求項６】
前記ドーパントが光潜伏性塩基であり、前記塩基が光の照射によって放出される、請求項１記載の時間−温度インジケータ。
【請求項７】
前記ドーパントが、酸性もしくは潜伏酸性又は塩基性もしくは潜伏塩基性基で官能化されているポリマーである、請求項１記載の時間−温度インジケータ。
【請求項８】
前記官能化されているポリマーが
【化４】
2010515903.tif 000001
である、請求項７記載の時間−温度インジケータ。
【請求項９】
前記ドーパントが、１〜２０％、好ましくは１〜１０％の濃度で加えられる、請求項１記載の時間−温度インジケータ。
【請求項１０】
前記金属が、アルミニウム、銅、銀、鉄、マグネシウム、スズ、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン及びこれらの金属の合金から選択される、請求項１記載の時間−温度インジケータ。
【請求項１１】
前記金属層がアルミニウム層である、請求項１０記載の時間−温度インジケータ。
【請求項１２】
前記金属層が金属含有層であり、金属顔料分散系に基づくインクからなる、請求項１記載の時間−温度インジケータ。
【請求項１３】
前記金属層が、金属粒子を含有するポリマーマトリックスである、請求項１記載の時間−温度インジケータ。
【請求項１４】
前記金属層が抵抗装置の一部である、請求項１記載の時間−温度インジケータ。
【請求項１５】
金属層が、少なくとも二つの伝導層及びそれらの間に備わる誘電／絶縁層を特徴とする容量性ＴＴＩ装置の一部である、請求項１記載の時間−温度インジケータ。
【請求項１６】
請求項１記載の時間−温度インジケータを製造する方法であって、
ａ）塩、酸又は塩基をポリマーに加えることによってポリマーをドーピングする、又は官能化ポリマーを製造して、それにより、反応性ポリマーを得るステップ、
ｂ）ステップａ）の前記ポリマーを基材に被着させて、それにより、一つのラベルを得るステップ、
ｃ）金属層又は金属含有層を基材に被着させて、それにより、第二のラベルを得るステップ、
ｄ）ステップｂ）の前記反応性ポリマーラベルをステップｃ）の前記金属層に被着させることによって活性化するステップ
を含む方法。
【請求項１７】
請求項１記載の時間−温度インジケータを製造する方法であって、
ａ）潜伏性酸又は潜伏性塩基をポリマーに加えることによってポリマーをドーピングする、又は潜伏酸性又は塩基性基を有する官能化ポリマーを製造して、それにより、潜伏反応性ポリマーを得るステップ、
ｂ）ステップａの前記潜伏反応性ポリマーを光の照射によって活性化して、それにより、反応性ポリマーを得るステップ、
ｃ）ステップａ）の前記ポリマーを基材上の金属層又は金属含有層に被着させて、それにより、ラベルを得るステップ（一方の層の他方の層の上への配置は、活性化の前又は後又はそれと同時に実施することができる）、又は
ｄ）前記潜伏性酸又は塩基を含有する前記ポリマー層又は潜伏酸性又は塩基性基を有する前記官能化ポリマーに金属粒子を加え、光の照射によって活性化するステップ
を含む方法。
【請求項１８】
請求項１記載のＴＴＩラベルを活性化し、供給する方法であって、二つのラベルディスペンサを含み、一方のディスペンサが、ドーピングされたポリマー層を有するラベルを金属層の表面に取り付け、第二のディスペンサが、組み合わされたラベルを、ＴＴＩインジケータが取り付けられる製品の表面上に付着させる方法。
【請求項１９】
請求項１記載のＴＴＩラベルを活性化し、供給する方法であって、二つのラベルディスペンサを含み、一方のディスペンサが、金属含有ラベルを、ＴＴＩインジケータが取り付けられる製品の表面上に取り付け、第二のディスペンサが、ドーピングされたポリマー層を有する層を前記金属含有ラベルの表面に付着させる方法。
【請求項２０】
製品包装の貯蔵温度をモニタし、超過された温度限度を検出するための、請求項１記載の時間−温度インジケータの使用。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年5月30日(2012.5.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空間のみの領域でデインタレースされる対象ピクセルブロックについて多数の角度候補の各々のコスト計測値を、各角度候補についての複数の隣接するライン対の絶対差の合計（ＳＡＤ）に基づいて計算する段階と、
１次Ｓｏｂｅｌの公式を適用することで前記対象ピクセルブロックの水平角度計測値を決定する段階と、
前記多数の角度候補の中から最低コスト計測値を決定することで、前記多数の角度候補の中からグローバル最小角度を確定する段階と、
前記水平角度計測値により適合される閾値を利用して前記多数の角度候補の中から多階層的に選択することで、前記多数の角度候補からローカル最小角度を確定する段階と、
前記グローバル最小角度と前記ローカル最小角度とをフィルタリングして、デインタレース用に前記対象ピクセルブロックを補間する値を作成する段階と、を備える方法。
【請求項２】
前記多数の角度候補のうち一の角度の前記コスト計測値は、対象ピクセル対から前記角度の位置にある複数の隣接するライン対間の絶対差の合計である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
１以上の前記隣接するライン対は、可変ライン長を有し、前記ライン長は、前記ラインで比較されるピクセル数である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記多数の角度候補は、同じフレーム内の前記対象ピクセルブロックの１ラインに隣接するライン上のピクセルであり、前記多数の角度候補は、前記対象ピクセルブロックを基準にマイナス１度からプラス１度までの、マイナス１１度を含む全角度範囲に及ぶ、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記多数の角度候補は、マイナス１１度、マイナス１８度、マイナス２７度、マイナス４５度、９０度、プラス４５度、プラス２７度、プラス１８度、およびプラス１１度を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記水平角度計測値は、１次Ｓｏｂｅｌの公式を前記対象ピクセルブロックに適用することで決定される、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記多数の角度候補の各々のコスト計測値を、９０度から始まる同じプラスまたはマイナスのクラスの次の最大度数と比較した後に、前記ローカル最小角度を選択する条件が充たされるまで、前記比較に基づいて別の比較用の次の最小度数へ分岐することで、前記ローカル最小角度が確定される、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記水平角度計測値を前記コスト計測値の比較に用いる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
平均化アルゴリズムまたはメジアン５アルゴリズムのうち少なくとも一つが、前記フィルタリングに用いられる前記グローバル最小角度および前記ローカル最小角度に適用される、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
空間のみの領域でデインタレースされる対象ピクセルブロックについて多数の角度候補の各々にコスト計測値を、各角度候補についての複数の隣接するライン対の絶対差の合計（ＳＡＤ）に基づいて計算する多数角度コスト計測コンポーネントと、
１次Ｓｏｂｅｌの公式を適用することで前記対象ピクセルブロックの水平角度計測値を決定する水平角度計測コンポーネントと、
前記多数の角度候補の中から最低コスト計測値を決定することで、前記多数の角度候補の中からグローバル最小角度を確定するグローバル最小角度コンポーネントと、
前記水平角度計測値により適合される閾値を利用して前記多数の角度候補の中から多階層的に選択することで、前記多数の角度候補からローカル最小角度を確定するローカル最小角度コンポーネントと、
前記グローバル最小角度と前記ローカル最小角度とをフィルタリングして、デインタレース用に前記対象ピクセルブロックを補間する値を作成する角度フィルタリングコンポーネントと、を備える装置。
【請求項１１】
前記多数の角度候補のうち一の角度の前記コスト計測値は、対象ピクセル対から前記角度の位置にある複数の隣接するライン対間の絶対差の合計である、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
１以上の前記隣接するライン対は、可変ライン長を有し、前記ライン長は、前記ラインで比較されるピクセル数である、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記多数の角度候補は、同じフレーム内の前記対象ピクセルブロックの１ラインに隣接するライン上のピクセルであり、前記多数の角度候補は、前記対象ピクセルブロックを基準にマイナス１度からプラス１度までの、マイナス１１度を含む全角度範囲に及ぶ、請求項１０から１２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】
前記多数の角度候補のうち１以上を省いて前記ローカル最小角度が確定される、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記多数の角度候補の各々のコスト計測値を、９０度から始まる同じプラスまたはマイナスのクラスの次の最大度数と比較した後に、前記ローカル最小角度を選択する条件が充たされるまで、前記比較に基づいて別の比較用の次の最小度数へ分岐することで、前記ローカル最小角度が確定される、請求項１０から１４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１６】
コンピュータに、
空間のみの領域でデインタレースされる対象ピクセルブロックについて多数の角度候補の各々にコスト計測値を、各角度候補についての複数の隣接するライン対の絶対差の合計（ＳＡＤ）に基づいて計算する手順と、
１次Ｓｏｂｅｌの公式を適用することで前記対象ピクセルブロックの水平角度計測値を決定する手順と、
前記多数の角度候補の中から最低コスト計測値を決定することで、前記多数の角度候補の中からグローバル最小角度を確定する手順と、
前記水平角度計測値により適合される閾値を利用して前記多数の角度候補の中から多階層的に選択することで、前記多数の角度候補からローカル最小角度を確定する手順と、
前記グローバル最小角度と前記ローカル最小角度とをフィルタリングして、デインタレース用に前記対象ピクセルブロックを補間する値を作成する手順と、
を実行させる、プログラム。
【請求項１７】
前記多数の角度候補のうち一の角度の前記コスト計測値は、対象ピクセル対から前記角度の位置にある複数の隣接するライン対間の絶対差の合計である、
請求項１６に記載のプログラム。
【請求項１８】
前記複数の隣接するライン対は、可変ライン長を有し、
前記ライン長は、前記ラインで比較されるピクセル数である、
請求項１７に記載のプログラム。
【請求項１９】
前記多数の角度候補は、同じフレーム内の前記対象ピクセルブロックの１ラインに隣接するライン上のピクセルであり、
前記多数の角度候補は、前記対象ピクセルブロックを基準にマイナス１度からプラス１度までの、マイナス１１度を含む全角度範囲に及ぶ、
請求項１６から１８のいずれか一項に記載のプログラム。
【請求項２０】
平均化アルゴリズムまたはメジアン５アルゴリズムのうち少なくとも一つが、前記フィルタリングに用いられる前記グローバル最小角度および前記ローカル最小角度に適用される、
請求項１６から１９のいずれか一項に記載のプログラム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年7月13日(2012.7.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
正常動作条件の下では、支持プラットフォーム１１２は、駆動プラットフォーム１０２に固定したピボット１１８回りに自由に旋回できる。発明の代替実施態様では、支持プラットフォーム１１２の駆動プラットフォーム１０２に対する旋回を、垂直と、前方運動とを含む前後面に制限することができる。運動平面内では、支持プラットフォームの旋回は、駆動プラットフォーム１０２に結合された運行ストッパ、または、駆動プラットフォーム１０２を支持プラットフォーム１１２にそれぞれのプラットフォームの前後両端のいずれか一方もしくは両方において連結するばねのような柔軟部材によって制限される。発明のさらに別の代替実施態様では、支持プラットフォーム１１２はモータなどのロータリアクチュエータ１２４によって活発に駆動される。制御ループ制御下で（詳細は以下に説明する）、支持プラットフォーム１１２の垂直バランスは、支持プラットフォーム１０２を前方又は後方に動かすことによって維持される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年2月17日(2012.2.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２７】
２つの信号は、これらの信号のスケールファクタが等しいか、またはスケールファクタが等しくないにかかわらず、「比較可能である」と言われる。「軟組織」という語は、分解不能な微細構造のためにスペックルを形成する任意の目標物のことを表す。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年3月8日(2012.3.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化水素を含むガスからイオウ化合物を除去する方法であって、
活性炭及びゼオライトを含まない触媒を、
１５〜４０℃の温度、及び大気圧の圧力で使用することを含み、且つ
前記触媒は、
ａ）０〜３．３質量％のＣｏＯ、
ｂ）１４〜１５質量％のＭｏＯ３、
ｃ）８２．７〜８５％のＡｌ２Ｏ３、
を含み、成分ａ）、ｂ）及びｃ）の合計が１００質量％になり、及び
前記イオウ化合物を除去するための反応が、１段階で行われることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記触媒に加え、銅を含む触媒が一緒に使用される請求項１に記載の炭化水素を含むガスからイオウ化合物を除去する方法。
【請求項３】
請求項１又は２のいずれか１項に記載の方法を、水素製造用の、イオウ非含有で炭化水素を含むガスを製造するために使用する方法。
【請求項４】
請求項１又は２のいずれか１項に記載の方法を、燃料電池作動用の水素を製造するためのイオウ非含有で炭化水素を含むガスを製造するために使用する方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
本発明者等は、上記目的が、炭化水素を含むガスからイオウ化合物を除去する方法であって、
活性炭及びゼオライトを含まない触媒を、
１５〜４０℃の温度、及び大気圧の圧力で使用することを含み、且つ
前記触媒は、
ａ）０〜３．３質量％のＣｏＯ、
ｂ）１４〜１５質量％のＭｏＯ３、
ｃ）８２．７〜８５％のＡｌ２Ｏ３、
を含み、成分ａ）、ｂ）及びｃ）の合計が１００質量％になり及び前記イオウ化合物を除去するための反応が、１段階で行われることを特徴とする方法により達成されることを見いだした。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
［触媒１１］
含浸触媒の組成：１４．６質量％のＣｕＯ、７．４質量％のＺｎＯ及び７８質量％のＡｌ2Ｏ3
１．７７ｋｇの、直径４ｍｍ及び水吸着０．５７７ｍｌ／ｇを有する酸化アルミニウムを、１Ｌ当たり３４３ｇの硝酸銅及び１Ｌ当たり１５６ｇの硝酸亜鉛を有する上澄み水溶液に浸漬して含浸させ、１２０℃で乾燥し、そして５２０℃で３時間か焼した。乾燥及びか焼を含む含浸操作を繰り返した。こうして８４４ｇ／Ｌのリットル質量、０．４４ｍｌ／ｇの水吸着及び２６６Ｎの切断硬度を有する含浸触媒２１００ｇを得た。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】削除
【訂正の内容】
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年11月30日(2011.11.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）複数の炭素ナノチューブで、それらが炭素ナノチューブのマットを形成し、前記マットが平面状領域を有し、前記マットが１μｍより大きな厚さを有する炭素ナノチューブから形成され、及び
（ｂ）前記炭素ナノチューブのマットと接触した、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、テクネチウム（Ｔｃ）、レニウム（Ｒｅ）、鉄（Ｆｅ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、コバルト（Ｃｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、及びそれらの組合せからなる群から選択された触媒金属を含むプロトン電解質膜燃料電池電極であって、
該触媒金属が、炭素ナノチューブのマットの平面状領域の面積について４００μｇ／ｃｍ２より少ない量で存在し、
前記触媒金属と前記マットは、炭素ナノチューブを、該触媒金属を含むまたは分散する溶媒中に分散して懸濁物を形成し、該懸濁物を加熱することにより形成された金属担持ナノチューブを濾過して溶媒から分離することにより製造された膜電極である、上記プロトン電解質膜燃料電池電極。
【請求項２】
炭素ナノチューブが、官能基により誘導体化されている、請求項１に記載の電極。
【請求項３】
電極が、水素／酸素プロトン交換膜燃料電池（ＰＥＭＦＣ）または直接メタノール燃料電池（ＤＭＦＣ）の一部品である、請求項１に記載の電極。
【請求項４】
ａ）電極が水素／酸素ＰＥＭＦＣ中の一部品であり、ｂ）触媒金属が白金を含み、ｃ）炭素ナノチューブが単層壁炭素ナノチューブであり、ｄ）電極が、炭素ナノチューブのマットの平面状領域の面積について１μｇＰｔ／ｃｍ２あたり１ｍＡ／ｃｍ２より大きな電流密度値を与える、請求項１に記載の電極。
【請求項５】
（ａ）複数の炭素ナノチューブに、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、テクネチウム（Ｔｃ）、レニウム（Ｒｅ）、鉄（Ｆｅ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、コバルト（Ｃｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、及びそれらの組合せからなる群から選択された触媒金属を付随させ、触媒金属が付随した複数の炭素ナノチューブを形成し、
（ｂ）触媒金属が付随した複数の炭素ナノチューブを含む膜電極を形成する燃料電池膜電極製造方法であって、
該工程（ａ）において、前記触媒金属が付随した複数の炭素ナノチューブは、該炭素ナノチューブを、該触媒金属を含むまたは分散する溶媒中に分散して懸濁物を形成し、該懸濁物を加熱することによって形成された金属担持ナノチューブを濾過して溶媒から分離することにより製造されたものである燃料電池膜電極製造方法。
【請求項６】
複数の炭素ナノチューブを官能基により誘導体化する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
プロトン交換膜、アノード電極、カソード電極、及び触媒金属が付随した炭素ナノチューブを含み、然も、前記炭素ナノチューブが、前記アノード電極と前記プロトン交換膜との間に配置されている、膜電極組立体であって、
前記触媒金属が付随した炭素ナノチューブは、炭素ナノチューブを、該触媒金属を含むまたは分散する溶媒中に分散して懸濁物を形成し、該懸濁物を加熱することにより形成された金属担持ナノチューブを濾過して溶媒から分離することによって製造された膜電極である膜電極組立体。
【請求項８】
炭素ナノチューブが、ペルフルオロスルホン酸／ＰＴＦＥ共重合体で被覆されている、請求項７に記載の膜電極組立体。
【請求項９】
膜電極組立体が、水素／酸素ＰＥＭ燃料電池または直接メタノール燃料電池中に存在する、請求項７に記載の膜電極組立体。
【請求項１０】
アノード電極、カソード電極、及びプロトン交換膜を含み、然も、前記アノード電極が、単層壁炭素ナノチューブを含み、前記単層壁炭素ナノチューブが白金含有金属粒子を支持している、ＰＥＭ燃料電池であって、
前記アノード電極は、白金を含むまたは分散する溶媒中に前記単層壁炭素ナノチューブを分散して懸濁物を形成し、該懸濁物を加熱することにより形成された金属担持ナノチューブを濾過して溶媒から分離することによって製造された膜電極であるＰＥＭ燃料電池。
【請求項１１】
カソード電極、カソード電極またはその両方中の単層壁炭素ナノチューブが、官能基で誘導体化されている、請求項１０に記載のＰＥＭ燃料電池。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９２】
例１
単層壁炭素ナノチューブ及びＰｔを含むＭＥＡ電極の製造
２２．８ｍｇのクロロ白金酸六水和物〔分子量５１９．９、アルドリッヒ（Ａｌｄｒｉｃｈ）Ｎｏ．２０，６０８−３〕を１０ｍｌのＥｔＯＨに溶解し、クロロ白金酸ストック溶液を形成した。クロロ白金酸ストック溶液（１８４μｌ）を、２．０ｍｇの精製したＨＩＰＣＯ（登録商標名）単層壁炭素ナノチューブに添加し、その混合物の体積をＥｔＯＨを用いて５ｍｌにした。〔ＨＩＰＣＯ単層壁炭素ナノチューブは、カーボン・ナノテクリロージズ社（Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，  Ｉｎｃ．）から得られたものであり、ＨＩＰＣＯは、テキサス州ヒューストンのカーボン・ナノテクリロージズ社の登録商標名である〕。クロロ白金酸と混合する前に、単層壁炭素ナノチューブを、空気酸化（〜２００−３００℃）し、次に約１８％のＨＣｌ中で一晩ソックスレー抽出して触媒残留物を除去することにより精製した。精製後、ナノチューブ中の残留鉄は、約７重量％Ｆｅであった。エタノール希釈クロロ白金酸へＳＷＮＴを超音波（２分２秒サイクル、３０％負荷サイクル、５５％電力出力）により分散し、ＳＷＮＴ懸濁物を形成した。ＳＷＮＴ懸濁物を磁気撹拌しながら４時間５０℃に加熱し、白金担持ナノチューブを形成した。Ｐｔ担持ナノチューブを、ＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）膜フィルター〔直径４７ｍｍ、気孔孔径０．２２μｍ、ミリポアー（Ｍｉｌｌｉｐｏｒｅ）〕を用いて真空濾過により溶液から分離した。濾過後、Ｐｔ担持ナノチューブは、直径３．７ｃｍの薄い固体フイルムの形をしており、それを「膜電極」と呼ぶ。Ｐｔ錯化ＳＷＮＴの得られた膜電極をＥｔＯＨ（２０ｍｌ）で洗浄し、過剰の釣り合いがとれなかった分のクロロ白金酸を除去した。膜電極を、周囲条件で１２時間乾燥した。ＳＷＮＴへの白金付着量を、ＩＣＰ−ＭＳ（誘導結合高周波プラズマ質量分光）分析により４重量％Ｐｔであることが決定された。