(57)【要約】　　　（修正有） 【課題】Ｓｉ基板上に形成されるＣｅＯ2 膜について、結晶性の高いＣｅＯ2 膜を提供する。 【解決手段】　酸素とＣｅの供給を交互に繰り返すことにより、Ｃｅ原子層とＯ原子層とを交互に積層することができ、その結果、（００１）Ｓｉ基板１７の上に良好な結晶性を有する（００１）ＣｅＯ2 膜３０を形成することができる。ＭＥＥモードによる単原子層を交互に形成すれば、ダブルドメインのない高い結晶性を有する（００１）ＣｅＯ2 膜を容易に形成することができる。【選択図】図３
2004103571.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　（００１）Ｓｉ基板と、
　上記（００１）Ｓｉ基板上に形成された（００１）ＣｅＯ2 膜と
を備えている誘電体膜。
【請求項２】
　請求項１記載の誘電体膜において、
　上記（００１）Ｓｉ基板と上記（００１）ＣｅＯ2膜との間に、（００１）Ｃｅ層が挟まれている，誘電体膜。
【請求項３】
　請求項１記載の誘電体膜において、
　強誘電体膜をさらに備え、
　上記（００１）ＣｅＯ2 膜は、上記強誘電体膜と上記（００１）Ｓｉ基板との間に挟まれている，誘電体膜。
【請求項４】
　請求項２記載の誘電体膜において、
　強誘電体膜をさらに備え、
　上記（００１）ＣｅＯ2 膜および上記（００１）Ｃｅ層は、上記強誘電体膜と上記（００１）Ｓｉ基板との間に挟まれている，誘電体膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、金属Ｃｅと酸素とを原料として、Ｓｉ基板上に結晶性の高いＣｅＯ2 膜を有する誘電体膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
　近年、Ｓｉ基板上に形成されるＣ−ＭＯＳデバイスの微細化、集積化の進展には著しいものがある。そして、それに伴いＭＯＳＦＥＴの一部を構成するゲート絶縁膜の薄膜化も強く要請されている。ゲート絶縁膜の薄膜化が要請されるのは、以下の理由による。
【０００３】
　まず、省電力を目指して動作電圧が低下しつづけているにも関わらず、素子動作に必要な電荷量はほぼ一定であってさほど低減されていない。Ｑ＝ＣＶ（Ｑ：電荷量、Ｃ：静電容量、Ｖ：電圧）の関係により、電荷量Ｑがほぼ一定でありながら、電圧Ｖが低下しつづけるためには、ゲート絶縁膜に保持することが可能な静電容量Ｃを上げざるを得ない。ここで、Ｃ＝（εr ・Ｓ）／ｄ（εr ：比誘電率、Ｓ：キャパシタ面積、ｄ：電極間隔）であるので、静電容量Ｃを増大するためには、まず、現在ＳｉＯ2 により構成されているゲート絶縁膜の膜厚ｄを薄くすることによって実現できる。そのために、現在では１０ｎｍ〜１５ｎｍあるいは１０ｎｍ以下というゲート絶縁膜の薄膜化が試みられている。
【０００４】
　しかし、ゲート絶縁膜の薄膜化を進めると、ゲート絶縁膜の破壊耐圧の悪化や、リーク電流の増大という不具合が生じるおそれが出てきた。
【０００５】
　そこで、最近では、ゲート絶縁膜をＳｉＯ2 よりも高い比誘電率εr を有し、しかも、他の電気的特性もＳｉＯ2 に劣らない特性を有する絶縁膜材料が探索されている。すなわち、比誘電率εr を高くすることにより、厚みｄをある程度厚くしても静電容量Ｃを高く維持できるので、低電圧化されても必要な電荷量Ｑを保持できるからである。このような観点から、現行のＳｉＯ2 ゲート絶縁膜と同等の性能を得ることができ、かつ、高い比誘電率と破壊耐圧を持ち、界面準位やリーク電流が小さい新しい絶縁材料からなる絶縁膜のＳｉ基板上への形成方法が検討されつつある。
【０００６】
　また、別な要請から、Ｓｉ基板上にＳｉＯ2 とは異なる絶縁体材料による絶縁膜の形成を行なう試みもなされている。例えば非特許文献１に開示されている例では、電界効果型トランジスタのゲートに強誘電性を持つ薄膜を用いてメモリー効果のあるトランジスタを実現することを目的とした研究について示されている。その検討の一つとして、ここでは、強誘電性を持つＰｂＺｒ1-x Ｔｉx Ｏ3 （ＰＺＴ）からなる薄膜（ＰＺＴ膜）の形成を試みている。しかしながら、このＰＺＴ膜は直接Ｓｉ基板上に形成することが困難であるので、ＰＺＴ膜とＳｉ基板との間にＣｅＯ2 などからなるバッファ層となる絶縁膜を積層している。
【０００７】
　また、強誘電体材料を始めとしてその他の誘電体（例えば超伝導体）膜をＳｉ基板上に形成するためにも、前述のゲート絶縁膜と同じように、比誘電率や破壊耐圧が高く、界面準位やリーク電流が小さいという特性を実現できるような新しい絶縁体膜のＳｉ基板上への形成方法が検討されつつある。
【０００８】
　そして、それらの検討においても、ＣｅＯ2 膜はバッファ層として非常に注目されている絶縁体材料の一つである。これは以下の理由による。ＣｅＯ2 の格子定数は他の材料に比べてＳｉの格子定数に近く、ＣｅＯ2 とＳｉとの格子不整合率が−０．３７％（ａCeO2＝５．４１１Å、ａSi＝５．４３１Å）しかないからである。さらに、ＣｅＯ2 の結晶構造は螢石型であり、ダイヤモンド構造を持つＳｉ基板に連続して結晶格子をつくることができる。すなわち、Ｓｉでは全ての原子が４配位であるのに対して、ＣｅＯ2 の場合は酸素原子が４配位、Ｃｅ原子が８配位となっているという違いはあるが、面心立方格子を基本とした立方晶系であるという点で両結晶は共通しており、両結晶は破綻なく積層することができる（酸素とＣｅの構成比は２：１になっている）。従って、Ｓｉ基板上に非常に高い結晶性の薄膜を作製することが可能となり、さらにその上に重ねて高い結晶性を持つ強誘電体膜や超伝導体膜を形成しやすくなる。また、ＣｅＯ2 はその比誘電率が２６前後と高いので、ＳｉＯ2 に代わるあたらしいゲート絶縁膜材料としての充分な可能性も持っている。
【０００９】
　非特許文献１以外にもＳｉ基板上にＣｅＯ2 を形成することに関しては様々な試みが行われており、その代表例を幾つかあげると以下の文献がある。
【００１０】
　非特許文献２に開示されている例では、電子線（ELECTRON BEAM ：ＥＢ）蒸着装置を備えた分子線エピタキシ（MOLECULAR BEAM EPITAXY：ＭＢＥ）装置中において、ペレット状のＣｅＯ2 焼結体にＥＢを照射することによってＣｅＯ2 を蒸発させ、Ｓｉ基板上に結晶性の高いＣｅＯ2 薄膜を形成している。この時、ＣｅＯ2 の蒸発と同時に酸素ガスを供給し、ＣｅＯ2 薄膜の酸素欠損による結晶性の低下を防いでいる。なお、上述の非特許文献１にあるＣｅＯ2 膜の形成もこれと同じ方法で行われている。
【００１１】
　非特許文献３に開示されている例では、非特許文献１，２の方法とは異なる薄膜形成方法を用いている。ここでは、金属Ｃｅからなるターゲットを装着した反応性スパッタリング装置を用い、酸素ガスを供給しながらターゲット内のＣｅ原子をスパッタし、Ｓｉ基板上でＣｅと酸素とを反応させることによってＳｉ基板上に結晶性の高いＣｅＯ2 薄膜を形成している。
【００１２】
　非特許文献４に開示されている例では、上記各方法とはさらに異なる方法によってＣｅＯ2 膜を形成している。ここでは、外部からＡｒＦによるエキシマレーザー光を導入することが可能なＭＢＥ装置を用い、内部に置かれたペレット状のＣｅＯ2 焼結体にこのレーザー光を照射してＣｅＯ2 を蒸発させ、それと同時に酸素ガスを導入することにより、Ｓｉ基板上に結晶性の高いＣｅＯ2 薄膜を形成している。
【非特許文献１】JAPAN JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 35, 4987,(1996)
【非特許文献２】JAPAN JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 1765,(1993)
【非特許文献３】JAPAN JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 270, 1994
【非特許文献４】APPLIED PHISICS LETTERS 2027, (1991)
【非特許文献５】JAPAN JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 31, L1736, (1992)
【非特許文献６】JAPAN JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 29, L1199, (1990)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
　しかしながら、上記各文献における結晶性ＣｅＯ2 薄膜の形成においては以下に示すような幾つかの不具合がある。
【００１４】
　ただし、以下の記載においては、（００１）面という時は結晶学上｛００１｝面として表される結晶面群を代表的に表すものとする。（０１１），（１１１）という時も同様である。また、（００１）基板又は膜，（０１１）基板又は膜，（１１１）基板又は膜という時は、それぞれ主面が（００１）面，（０１１）面，（１１１）面である基板又は膜をいうものとする。
【００１５】
　まず、非特許文献１，２にある例では、ペレット状のＣｅＯ2 をＥＢで加熱させて蒸発させることにより、酸素とＣｅが同時に供給されてしまう。すなわち、Ｓｉ基板表面にはＣｅと酸素とが同時に到達することになり、ＣｅＯ2 と同時にＳｉＯ2 も形成されてしまう。ＳｉＯ2 が形成されてしまった場合、ＳｉＯ2 は一般にアモルファス構造を有しているので、界面構造の結晶性の急峻性が低下し平坦性も悪くなる。また、ＳｉＯ2 膜の形成後、素子として動作させようとした場合、せっかく比誘電率が高いＣｅＯ2 膜を形成しているにも関わらず、加えた電圧がより低い比誘電率を持つＳｉＯ2 膜に集中することになる。その結果、ゲート絶縁膜としての機能を確保するに足る電荷量を蓄積することが困難である。さらに、このようなＳｉＯ2 が混在したＣｅＯ2 膜を強誘電体膜や超伝導体膜のバッファ層として用いた場合にも、必要な電圧を強誘電体層や超伝導体層に印加することが困難である。
【００１６】
　非特許文献２にある例では、（１１１）Ｓｉ基板の上には（１１１）ＣｅＯ2 膜を形成することが可能であるが、（００１）Ｓｉ基板の上には（００１）ＣｅＯ2 膜が形成できず、（０１１）ＣｅＯ2 膜しか形成されていない。すなわち、いくら格子定数が近くとも、両者の面方位がくい違っているために、格子歪みの発生を抑え、欠陥の発生を抑える効果が全く期待できない。しかも、実際には、同じ（０１１）ＣｅＯ2 膜であってもＳｉ基板の主面上で互いに９０°の角度で回転対称となる２つの結晶が混在した多結晶構造となっているので、平滑で均一な単結晶薄膜を得ることは困難である。
【００１７】
　非特許文献５は、この理由について解説している。すなわち、高真空中で形成されるＳｉ結晶の表面の（００１）面上の２×１再構成構造上に現れるダングリングボンド（末端未結合手、浮遊未結合手）と、ＣｅＯ2 結晶の（０１１）面内の酸素原子の位置とが近いので、両者の（００１）面同士で連続するよりも、Ｓｉ結晶の（００１）面とＣｅＯ2 の（０１１）面とが連続する方が安定性が高いことによると考えられている。
【００１８】
　非特許文献４にある例では、（１１１）Ｓｉ基板のに非常に結晶性の高い（１１１）ＣｅＯ2 膜を形成することが可能であることが示されている。この例では、結晶成長中に反射型高エネルギー電子線回折（Reflection High Energy Electron Diffraction ：ＲＨＥＥＤ）観察において、その回折パターン強度の振動（ＲＨＥＥＤ振動）が見られる。このＲＨＥＥＤ振動の発生は、結晶の成長が二次元的であり、高い表面平滑性を持ち、層毎に進行しているということを表している。断面ＴＥＭによる観察でも大きな欠陥の存在はほとんど観測されず、ＳｉとＣｅＯ2 の界面でのＳｉＯ2 の形成も見えない。しかしながら、この例でもＳｉ結晶の（００１）面上でのＣｅＯ2 結晶の（００１）面の形成は報告されていない。
【００１９】
　非特許文献６は、このことについて開示している。すなわち、この系においてもＣｅと酸素が同時に供給されることになるので（００１）Ｓｉ基板の上には、（０１１）ＣｅＯ2 膜が形成されてしまうのである。
【００２０】
　非特許文献３にある例においても、非特許文献２，４と同様に、Ｓｉ基板の（１１１）面上に非常に結晶性の高いＣｅＯ2 の（１１１）を形成している。この例にあげられている方法では、供給原料として金属Ｃｅを用いているのでＳｉ基板界面にＣｅだけを供給してＳｉＯ2 の形成を抑制することに成功している。しかしながら、高い結晶性のＣｅＯ2 膜を得るために必要となる金属Ｃｅ単独の層の厚さが５ｎｍと厚い。従って、トランジスタのゲート絶縁膜としての利用を考える場合、厚い金属層が存在してしまうことになり、素子の動作上重大な問題がある。また、やはりこの例においても（００１）Ｓｉ基板上での（００１）ＣｅＯ2 膜の形成は報告されていない。その理由は、同文献中には記載されていないが、５ｎｍ程度の厚い金属Ｃｅ層が存在している場合には、Ｓｉ基板の結晶構造に関する情報を伝達して同じ面方位を持つＣｅＯ2 結晶を形成することが困難であることによると考えられる。
【００２１】
　本発明の目的は、Ｓｉ基板の上に結晶性の高い単結晶のＣｅＯ2 膜を形成することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
　まず、本発明に係るＣｅＯ2 膜の形成方法に到達するために行なった考察について説明する。
【００２３】
　（００１）Ｓｉ基板の上には（０１１）ＣｅＯ2 膜しか形成できず、（００１）ＣｅＯ2 膜が形成できない理由についていは、上述の非特許文献５に開示されている。その詳細について、以下に説明する。
【００２４】
　図８は、Ｓｉ基板の（００１）面上へのＣｅＯ2 結晶のエピタキシャル状態を示す図であって、非特許文献５中の図２に相当する図である。同図において、大きな白丸はＣｅ原子１を、中ぐらいの斜線付丸はＳｉ原子２を、小さな白丸は酸素原子３をそれぞれ示す。Ｓｉ基板の表面には単位胞４を有するＳｉ結晶の（００１）面が現れている。この単位胞４の１つの辺は［１００］方向に平行であり、単位胞４の他の辺は［０１０］方向に平行である。言い換えると、図８の紙面をＳｉ結晶の結晶面（００１）に平行な面と規定すると、Ｓｉ結晶のｘ軸，ｙ軸は紙面内に存在しており、Ｓｉ結晶のｚ軸は紙面に垂直である。一方、Ｓｉ結晶の（００１）面と整合するＣｅＯ2 結晶としては、同図に示す単位胞５又は単位胞６で表される２つの結晶が同じ確率で生成される。各単位胞５，６の各１つの辺は［１００］方向（つまりｘ軸方向）に平行であり、他の辺は［０１１］方向（つまりｙ軸に対して４５°傾いた方向）に平行である。そして、単位胞５のｘ軸と単位胞６のｘ軸とは互いに直交しており、単位胞５の［０１１］方向と単位胞６の［０１１］方向とは互いに直交している。言い換えると、単位胞５と単位胞６とは図８の紙面に垂直な軸の回りに９０°だけ回転移動させた関係にある。なお、各単位胞５，６のｙ軸及びｚ軸は図８の紙面から４５°傾いている。
【００２５】
　同図に示すように、ＣｅＯ2 の（０１１）面においては、Ｏ原子１がＳｉ結晶中のＳｉ原子列の中間部分の上方に位置している。Ｓｉ結晶の格子構造の［１００］方向に沿って一次元的に見た場合、つまり紙面に垂直な方向から見た場合、このＯ原子１の位置は、Ｓｉ基板の最表面の２×１再構成構造に現れるダングリングボンドの位置と非常に近い。その結果、Ｓｉ基板上に同時に供給されたＣｅとＯ（酸素）とは、ＣｅＯ2 結晶の（００１）面を形成するよりも、ＣｅＯ2 の（０１１）面を形成しやすいことになる。そして、Ｓｉ基板上にＣｅＯ2 結晶の（０１１）面が形成される場合、同図に示すように、単位胞５と単位胞６という互いに回転対称関係にある２つの結晶構造が同等の確率で現れることになる。従って、Ｓｉ基板上にＣｅＯ2 結晶のエピタキシャル成長を行なった場合、２つの異なる方位を有する２つの結晶がドメインを作って混在し、全体として多結晶のＣｅＯ2 膜が形成される。
【００２６】
　図９は、上記非特許文献５に記載されているもので、ＣｅＯ2 膜に２つのドメインが混在する状態を高分解能走査型トンネル電子顕微鏡（High Resolution Transmission Electron Microscopy：ＨＲＴＭ）で観察して得られた顕微鏡写真図である。同図に示すように、同図の横方向に平行なｘ軸［１００］を有するドメインＣrAと、同図の縦方向に平行なｘ軸［１００］を有するドメインＣrBとが混在しており、各ドメインＣrA，ＣrBのサイズは１０ｎｍ〜５０ｎｍである。
【００２７】
　図７は、（１００）Ｓｉ基板８の上に形成された（０１１）ＣｅＯ2 膜９中に２種類のＣｅＯ2 結晶のドメインが形成されている状態を示す模式断面図である。
【００２８】
　次に、（１１１）Ｓｉ基板の上に（１１１）ＣｅＯ2 結晶を形成する過程を考える。この時のＳｉ結晶とＣｅＯ2 結晶の構造については、上述の非特許文献６に開示されている。図１０（ａ）〜（ｃ）は、同文献中の図４に相当する図であって、Ｓｉ基板の（００１）面，（１１１）面及び（１１０）面にそれぞれエピタキシャル成長するＣｅＯ2 結晶の方位を示す図である。図１０（ａ）は、非特許文献５と同様に、Ｓｉ基板の（００１）面上に膜面の方位が（０１１）面であるＣｅＯ2 結晶の２種類のドメインが形成されることを表している。一方、図１０（ｃ）は、（０１１）Ｓｉ基板の上には（０１１）ＣｅＯ2 膜と（１１１）ＣｅＯ2 膜とが形成可能であることを表している。
【００２９】
　ここで、図１０（ｂ）に示すように、（１１１）Ｓｉ基板の上には（１１１）ＣｅＯ2 膜が成長しやすく、格子不整合も小さい。このとき、ＣｅＯ2 結晶の構造は、厳密には基板面と垂直な方向にＣｅのみからなる層と酸素のみからなる層が交互に積層されたものとなっているが、両層の層間距離は非常に近いので、近似的には共通の面内に２つの原子が混在しているとみなすことができる。したがって、Ｃｅ原子とＯ原子という２種類の原子のうち一方の種類の原子を排除して他方の種類の原子のみからなる層を形成するエネルギーは、いずれの種類の原子の層についても大きくない。すなわち、Ｓｉ基板上にＣｅ原子とＯ原子とが同時に供給される場合にも、（１１１）ＣｅＯ2 膜を形成することができ、これとは異なる面方位を有するＣｅＯ2 膜が形成されることはないといってよい。
【００３０】
　しかるに、（１１１）面はダイヤモンド構造を有する結晶中の最稠密面であるので、（１１１）面上には最も多くのＳｉダングリングボンド（未結合手）が存在している。このＳｉ基板の表面上にＯ原子とＣｅ原子とを同時に供給すると、Ｓｉ基板の表面上にＣｅＯ2 結晶だけでなくＳｉＯ2 層も形成されることになる。従って、結晶性の悪化や比誘電率の低下を招くおそれがある。
【００３１】
　なお、非特許文献１，３，４，６では、形成したＣｅＯ2 薄膜の結晶性をＸ線によって評価している。それらのうちで最も小さな半値全幅（Full Width of Half Maximum：ＦＷＨＭ）の回折ピークを示しているのは、非特許文献４のものであるが、それでも半値全幅が３５００ arc sec. と大きい。また、他の文献で得られている半値全幅はそれを大きく上回る。これは、Ｓｉ結晶とＣｅＯ2 結晶との格子不整合率が−０．３７％しかないことを考えると非常に悪い値であると考えられる。例えば、ＧａＡｓに対して０．２６％の格子不整合率（ａGaAs＝５．６５３３、ａZnSe＝５．６６８）を持つＺｎＳｅのＦＷＨＭが３００ arc sec. 以下である（ただし、２θ軸固定，ω軸走査のロッキングカーブの場合）。各文献で得られている半値前幅の値はω−２θ（θ−２θ）両軸走査によって得られている値であるので、その半分がω軸走査の値と等価であるとしてもおよそ６倍の違いがある。すなわち各文献において形成されているＣｅＯ2 膜は、ＴＥＭを用いて観察されるような局所的なレベルでは平滑で欠陥が少ないように見えていても、Ｘ線ビームのスポット径の範囲に亘って格子の乱れ・欠陥等不規則性が大きく、化合物半導体で用いられる結晶と比較した場合、その結晶性はかなり劣ると考えられる。このようにＣｅＯ2 膜の結晶性が低いということも、両者の間にＳｉＯ2 層を形成してしまう要因の一つと考えられる。すなわち、すでに形成されたＣｅＯ2 層で格子が乱れている場合、その部分を酸素（Ｏ）原子が透過しやすくなり、Ｓｉ基板の表面に供給される酸素原子の量が増える。また、Ｓｉ基板の表面部分においても直上のＣｅＯ2 層の結晶格子が乱れた部分にはダングリングボンドが多く存在するので、そこに酸素が結合しやすくなってＳｉＯ2 層の形成が促進される。
【００３２】
　本発明者は、以上の考察から、（００１）Ｓｉ基板の上にＣｅと酸素とを交互に供給し、しかもＣｅ及び酸素の供給量を制御することで、（００１）Ｓｉ基板の上に単原子層のＣｅ原子層とＯ原子層とを積層していけば、ダブルドメインを有する（０１１）ＣｅＯ2 膜は形成されることがなく、単結晶の（００１）ＣｅＯ2 膜を形成することができることを想到するに至った。すなわち、螢石構造を有する（００１）ＣｅＯ2 膜の結晶成長においては、結晶格子中でＣｅ原子だけが存在する層と酸素原子だけが存在する層とが等間隔で交互に繰返し現れることに着目したのである。
【００３３】
　以下、以上の考察から導かれた本発明について説明する。
【００３４】
　本発明の誘電体膜は、（００１）Ｓｉ基板と、（００１）Ｓｉ基板上に形成された（００１）ＣｅＯ2 膜とを備えている。
【００３５】
　（００１）Ｓｉ基板と（００１）ＣｅＯ2膜との間には、（００１）Ｃｅ層が挟まれていることが好ましい。
【００３６】
　強誘電体膜をさらに備えている場合には、（００１）ＣｅＯ2 膜が強誘電体膜と（００１）Ｓｉ基板との間に挟まれているか、（００１）ＣｅＯ2 膜および（００１）Ｃｅ層が強誘電体膜と上記（００１）Ｓｉ基板との間に挟まれていることが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
　　（第１の実施形態）
　次に、本発明の誘電体膜の形成方法及び誘電体膜の形成装置に関する第１の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００３８】
　図１は、本発明の第１の実施形態に係るＫ−セルを備えた誘電体膜の形成装置であるＭＢＥ装置の構成を概略的に示す断面図である。このＭＢＥ装置は、ＭＢＥ成長又は成膜を行なうための真空容器１３と、真空容器１３内を減圧するための真空ポンプ１６と、ＣｅＯ2 薄膜の形成用の金属Ｃｅを保持したＫ−セル１２と、真空容器１３内へのＣｅの供給量を制御するためのシャッター１１と、真空容器１３内への酸素ガスの供給量を制御するためのガスバルブ１５とを備えている。そして、図示されていない試料取り付け部に被処理物である基板１４を取り付けて、ＭＢＥ成長又は成膜を行なうように構成されている。
【００３９】
　そして、シャッター１１の開閉制御によっていわゆる分子線状のＣｅを供給することが可能に構成されている。また、真空容器１３にＫ−セル１２と共に装着されたガスバルブ１５の制御により、真空容器１３に連続的にかつＣｅとは個別に酸素を供給することが可能であるとともに、酸素の供給量を非常に短く規則正しいパルス状に（いわゆる分子線状に）制御することも可能である。すなわち、ガスバルブ１５には、電磁弁が備えられており、この電磁弁の開閉は０．１秒以内で行なうことが可能であり、かつ、電磁弁を閉鎖した場合にはそのリークレートを１×１０-5cc／sec.以下に抑制することが可能である。
【００４０】
　次に、ＭＢＥの手順について説明する。ＣｅＯ2 薄膜の形成に先立って、Ｋ−セル１２内に保持され真空容器１３に装着された金属Ｃｅが加熱される。金属Ｃｅの融点は８６０℃程度であり、Ｋ−セル１２は１２００〜１３００℃程度の温度まで加熱できるように構成されている。本実施形態においては、Ｋ−セル１２は実際の薄膜形成に使用する温度よりも高い温度まで昇温され、数１０分から数時間の間その温度に保持される。この時、基板１４はＭＢＥ装置内にまだ装着されていない。その後、Ｋ−セル１２の温度が非使用時の温度まで下げられ、金属Ｃｅの蒸発・昇華がほとんど起こらない状態で数時間以上保持される。ＭＢＥ装置内は、真空ポンプ１６によって常時排気されている。この操作により、金属Ｃｅ中の不純物や表面付近の汚染物およびＫ−セル１２に付着した汚染物を蒸発させることができる。その結果、実際に薄膜を形成するに際しては、不純物や汚染物の大部分が除去された高純度の金属Ｃｅを用いてＣｅ原子を真空容器１３内に供給することができ、これにより、後述のように結晶性の良好なＣｅＯ2 薄膜を形成することができる。
【００４１】
　一方、被処理物である基板１４は、以下のように準備される。まず、Ｓｉ基板上にＬＯＣＯＳ膜などが形成された基板１４が洗浄された後、基板１４が弗化水素（ＨＦ）や弗化アンモニウム（ＮＨ4 Ｆ）を含む液に浸漬されて、水洗，乾燥された後直ちに結晶成長のためのＭＢＥ装置内に装着される。この時、この操作により基板１４の表面は水素（Ｈ）原子やごく薄いＳｉＯ2 アモルファス層によって覆われている。Ｓｉ基板の主面は（００１）面であることが望ましいが、（１１１）面や他の高次の面方位、あるいはそれらを数度オフさせた面方位の主面を有するＳｉ基板を用いてもよい。そして、ＭＢＥ装置内で基板１４が１００℃〜４００℃の温度まで昇温されると、基板１４の表面に残る水分や吸着ガスが除去される。その後、さらに基板１４が昇温されて８００℃〜９００℃に保持される。この時、基板１４の表面を覆っていたＨ原子や薄いＳｉＯ2 アモルファス層も脱離し、基板１４の清浄・平滑な面が真空容器１３中に露出される。
【００４２】
　図２（ａ）〜（ｃ）は、ＣｅＯ2 膜が形成されていく過程を説明するための図である。
【００４３】
　まず、図２（ａ）に示すように、真空容器１３内にＣｅが供給されると、清浄・平滑な面が露出されたＳｉ基板１７に蒸発Ｃｅ原子１８が衝突する。このとき、シャッター１１は開かれており、ガスバルブ１５は閉じられている。Ｓｉ基板１７上に到達した拡散Ｃｅ原子１９は基板面内を拡散して、Ｓｉ基板１７のダイヤモンド構造の結晶格子に連続するＣｅＯ2 結晶の格子点となるべき位置に安定して存在して固定Ｃｅ原子２０となる。このとき、基板温度が低く抑えられているために、拡散Ｃｅ原子１９は、最初にＳｉ基板１７に接した位置の近傍で拡散しもっとも安定した点で結晶格子に組み込まれて固定Ｃｅ原子２０になるので、Ｃｅのみで大きなアイランドを形成するなどの３次元的成長をすることはない。また、シャッター１１の開放時間を正確に定めることにより、供給されるＣｅの量を制御して、Ｓｉ基板１７の表面を１原子層で覆うのに必要な量を上回る分のＣｅ、すなわち過剰に供給されるＣｅの量を極力抑える。ただし、Ｓｉ基板１７とＣｅＯ2 層との境界面に欠陥をつくらないためには、Ｃｅをわずかながらも過剰に供給する必要がある。過剰に供給されたＣｅの一部は、基板表面の固定Ｃｅ原子２０の近傍にとどまっているが、残りは基板上に固定されることなく再脱離する。すなわちＳｉ基板１７上に到達した拡散Ｃｅ原子１９がＳｉ基板１７上をほぼ二次元的に分散して固定Ｃｅ原子２０となり、単原子層が形成される。このような結晶成長過程をＭＥＥ（Migration Enhanced Epitaxy）モードと呼ぶ。
【００４４】
　次に、図２（ｂ）に示すように、Ｓｉ基板１７上が固定Ｃｅ原子２０によって埋め尽くされて単原子層のＣｅ原子層２１が形成されると、ガスバルブ１５を開いて蒸発Ｏ分子２２を供給する。このとき、シャッター１１はすでに閉じられている。Ｃｅ原子層２１で覆われた基板表面に到達した拡散Ｏ分子２３は、基板面内を拡散した後、Ｃｅ原子層２１中の固定Ｃｅ原子２０と反応して結合を形成し、固定Ｏ原子２４となってＣｅＯ2 層の結晶格子内に組み込まれる。これにより、すでに形成されているＣｅ原子層２１の上に固定Ｏ原子２４のみからなる単原子層のＯ原子層２５が形成される。このとき、格子点に入らずＣｅ原子層２１の上に滞在していた拡散Ｃｅ原子１９は、自然に排除されうるが、なるべく過剰なＣｅが生じないようにその供給量を制御することが好ましい。
【００４５】
　また、このときには、酸素もＣｅと同様に供給する量を制限されている。少なすぎるとＣｅＯ2 中のＯ原子が欠損して構成されるＣｅ6 Ｏ11やＣｅ2 Ｏ3 などの結晶ができるおそれがあり、そうなると全体としての結晶性が低下してしまう。しかしながら、酸素の供給量が多すぎるとＳｉＯ2 層が形成されてしまうおそれがので問題である。そこで、本実施形態においては、パルス状に酸素を照射することが可能なガスバルブ１５を使って酸素が供給される。これを用いると、基板上がＣｅ原子層２１で表面が覆われている状態の時に、高い圧力の酸素を極短時間に供給することができる。このように高い圧力で酸素を供給すると、基板表面に到達した時点の酸素原子密度は高く、Ｏ原子とＣｅ原子との反応が促進される。しかし、Ｃｅ原子層２１の表面全体が固定Ｏ原子２４によって覆われた後は、過剰の拡散Ｏ分子２３は基板表面から真空容器１３中へと脱離して最終的に真空ポンプ１６によって排出される。酸素ガスはパルス状に供給されたもの以外には供給されていないので、真空容器１３中にはほとんど酸素が存在しない。よって、拡散Ｏ分子２３がＳｉ基板１７の表面まで浸透してＳｉＯ2 層を形成することはほとんどない。
【００４６】
　次に、図２（ｃ）に示すように、Ｓｉ基板１７上にＣｅ原子層２１とＯ原子層２５とが積層された後、シャッター１１を開いて真空容器１３内に再びＣｅが供給されると、蒸発Ｃｅ原子１８が基板上に到達して拡散Ｃｅ原子１９が拡散した後、固定Ｃｅ原子２０となる。すなわち、上述の作用によって、基板上にＣｅ原子層２１が形成される。その後、酸素とＣｅの供給を交互に繰り返すことにより、Ｃｅ原子層２１とＯ原子層２５とを交互に積層することができる。
【００４７】
　その結果、図３に示すように、（００１）Ｓｉ基板の上に（００１）ＣｅＯ2 膜３０が形成される。
【００４８】
　本実施形態の形成方法によると、酸素とＣｅの供給を交互に繰り返すことにより、Ｃｅ原子層２１とＯ原子層２５とを交互に積層することができ、その結果、（００１）Ｓｉ基板の上に良好な結晶性を有する（００１）ＣｅＯ2 膜３０を形成することができる。すでに説明したように、上記従来の製造方法のごとく、Ｏ原子とＣｅ原子とが同時に供給される条件でエピタキシャル成長を行なった場合には、（０１１）面での結晶成長の方がより起こりやすいが、本実施形態のように、ＭＥＥモードによる単原子層を交互に形成すれば、図８に示すような共通の格子面にＣｅ原子とＯ原子とが共存する（０１１）ＣｅＯ2 膜は形成されることがない。つまり、ダブルドメインのない高い結晶性を有する（００１）ＣｅＯ2 膜を容易に形成することができる。
【００４９】
　また、本実施形態の製造装置においては、Ｋ−セル１２を利用して金属Ｃｅの蒸発を行なわせているので、以下のような効果を発揮することができる。
【００５０】
　工業的な生産を前提とした場合に入手可能な金属Ｃｅの純度は、現在９９．９％オーダーである。これは、金属原料を用いるIII-Ｖ族半導体のＭＢＥ成長において用いられる金属Ｇａや金属砒素（Ａｓ）においては９９．９９９９９％（７Ｎ）の純度を持つ原料が入手可能なことと比較するとかなり低い純度であると言える。また、金属Ｃｅは非常に酸化されやすく、表面が酸化された後も内部まで酸素が浸透して酸化反応が起こりつづけるので大気中に放置しておくことができない。さらに、水分ともゆっくりと反応して酸化物を作り水素を発生させる。従って、通常、油分を表面に塗布する、あるいは油紙で包む、あるいは空気や水を溶かさない液体中に保存する、などの措置が必要である。その結果、通常、金属Ｃｅの表面には油分が付着しており、本来純度が高くない上に油分で汚染されている金属Ｃｅを使用する必要がある。したがって、市販の金属Ｃｅをそのままの状態で原料としてもちいてＣｅＯ2 薄膜を形成すると、形成された膜中に不純物が多く含まれることとなり、結晶性を低下させるとともにその絶縁性を大きく低下させることが懸念される。また、デバイス動作中に不純物イオンの移動が発生し、経時的に電気特性を変化させて信頼性を低下させるおそれもある。
【００５１】
　これらの理由により、非特許文献４を除く非特許文献１〜６において、ＣｅＯ2 薄膜作製用の原料にはＣｅＯ2 粉末あるいはその焼結体であるペレットが用いられていた。その結果、Ｓｉ基板の表面にＳｉＯ2 層が形成されたり、（００１）Ｓｉ基板の上にダブルドメインの（０１１）ＣｅＯ2 結晶膜が形成されるという不具合があった。
【００５２】
　それに対し、本実施形態おいては、真空容器１３にＫ−セル１２を付設して、Ｋ−セル１２中に金属Ｃｅを保持して加熱、蒸発させることができるので、ＣｅＯ2 薄膜の形成に先駆けて金属Ｃｅのみを加熱し、油分などの汚染物を始め金属Ｃｅ中にもともと含まれる高い蒸気圧を持つ不純物を蒸発除去し、金属Ｃｅを高純度化することができる。そして、この高純度化された金属Ｃｅを用いることにより、高い絶縁性と結晶性を持つ（００１）ＣｅＯ2 薄膜を形成することができる。
【００５３】
　また、図４に示されているように、Ｓｉ基板１７上に複数のＣｅ原子層からなるＣｅ層３２を形成してもよい。通常、Ｓｉ基板１７の表面が全面に亘って原子層レベルで平滑ではないことを考慮した構造である。
【００５４】
　Ｓｉ基板１７の表面には、通常数原子層の段差がところどころに存在している。そこに、図２（ｂ）に示すような単原子層のＣｅ原子層２１しか形成しない場合には、段差の側壁をＣｅで覆うことができない事態も生じうる。その場合、Ｏ原子がＳｉ原子に直接結合してＳｉＯ2 層が形成されたり、部分的に（０１１）ＣｅＯ2 膜が形成されるおそれがある。そこで、Ｓｉ基板１７がＣｅ原子によって覆われずに露出することがないように、複数のＣｅ原子層からなるＣｅ層３２を堆積することも効果的である。
【００５５】
　ただし、Ｓｉ基板１７に垂直な方向に積み重なるＣｅ原子の数が多すぎると、金属Ｃｅ結晶の格子構造になってしまい、Ｓｉ基板１７の結晶構造に関する情報をその上のＣｅＯ2 膜に伝えられなくなる。従って、Ｃｅ原子層の数は４個（約５Å）以下であることが好ましい。
【００５６】
　なお、本実施形態においては、（００１）Ｓｉ基板上に（００１）ＣｅＯ2 結晶膜を形成する場合について説明したが、（１１１）基板上に（１１１）ＣｅＯ2 膜を形成する場合も、上述のごとくＣｅと酸素とを交互にＳｉ基板上に供給するようにできるので、ＳｉＯ2 層の形成に起因する結晶性の悪化や比誘電率の低下などの不具合を回避することができる。
【００５７】
　　（第２の実施形態）
　次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
【００５８】
　図５は、第２の実施形態に係るＣｅＯ2 薄膜を形成するためのＭＢＥ装置の構造を概略的に示す断面図である。同図に示すように、本実施形態のＭＢＥ装置においては、金属Ｃｅを収納したＫ−セル１２は、ロードロック機構３４中に配置されている。このロードロック機構３４と真空容器１３との間には、ゲートバルブ３５が介設されており、このゲートバルブ３５を閉鎖するとロードロック機構３４と真空容器１３との間がほぼ完全に遮断される。また、シャッター４６を開閉することによって、いわゆる分子線状のＣｅの供給を制御できるように構成されている。また、ロードロック機構３４には、真空容器１３を減圧するための真空ポンプ１６とは別に、ロードロック機構３４内を減圧するための真空ポンプ３６が付設されている。その他の部分の構造は、上記第１の実施形態のＭＢＥ装置と共通している。
【００５９】
　次に、本実施形態におけるＭＢＥの手順について説明する。
【００６０】
　ＣｅＯ2 薄膜の形成に先立って、Ｋ−セル１２内の金属Ｃｅを加熱する。その際、ゲートバルブ３５は閉じられており、ロードロック機構３４と真空容器１３とは遮断されている。従って、不純物や汚染物を含んだＣｅが真空容器１３内に侵入することはない。Ｋ−セル１２は、実際の薄膜形成に使用する温度よりも高い温度まで昇温されて、数１０分から数時間の間その温度に保持される。その後Ｋ−セル１２の温度が非使用時の温度まで戻される。ロードロック機構３４内は真空ポンプ３６によって常時排気されている。この操作により、金属Ｃｅ中の不純物や表面付近の汚染物およびＫ−セル１２に付着した汚染物を蒸発させることができる。また、その作業において真空容器１３を汚染することがない。その結果、実際に薄膜を形成するに当たっては不純物や汚染物の大部分が除去された高純度のＣｅを供給することができ、また、雰囲気中にも汚染物がほとんど残存しない。これにより高い結晶性を有するＣｅＯ2 薄膜を形成することができる。
【００６１】
　その後、基板１４を洗浄し装置内に導入してＣｅＯ2 薄膜を形成するが、それらの工程は第１の実施形態の工程と同じなので詳細は省略する。
【００６２】
　本実施形態のＣｅＯ2 膜の形成方法によると、Ｋ−セル１２とガスバルブ１５とを用いて基板１４上に交互にＣｅと酸素とを供給するようにしているので、上記第１の実施形態と同様に、（００１）Ｓｉ基板の上に結晶性のよい（００１）ＣｅＯ2 膜を形成することができる。
【００６３】
　加えて、本実施形態のＭＢＥ装置においては、Ｋ−セルがロードロック機構内に配置されているので、金属Ｃｅ中の不純物や表面付近の汚染物およびＫ−セルに付着した汚染物をより効果的に除去することができ、真空容器の内部の汚染を有効に防止することができる。そして、不純物や汚染物の大部分が除去された高純度のＣｅを利用して、高い結晶性を有するＣｅＯ2 薄膜を形成することができる。
【００６４】
　また、本実施形態においても、上記第１の実施形態と同様に、（１１１）基板上に（１１１）ＣｅＯ2 膜を形成することができる。
【００６５】
　　（第３の実施形態）
　次に、本発明の第３の実施形態について説明する。
【００６６】
　　図６は、第３の実施形態に係るＭＢＥ装置の構造を概略的に示す断面図である。同図に示すように、本実施形態のＭＢＥ装置においては、バルブドクラッキングセル４０が設けられている。このバルブドクラッキングセル４０は、金属Ｃｅ４１を収納するためのエフューザー４２と、昇華したガスをさらに加熱して微細化するためのクラッカー４３と、クラッカー４３と真空容器１３との間に介設されたバルブ４７と、バルブドクラッキングセル４０内を真空容器１３内とは独立して減圧するための真空ポンプ４５とによって構成されている。バルブ４４は高い気密性を有し、バルブドクラッキングセル４０と真空容器１３との間をほぼ完全に遮断することができる。また、バルブ４４の操作によっていわゆる分子線状のＣｅを供給することが可能に、かつ、基板１４に供給される分子線を急峻に制御することが可能に構成されている。その他の部分の構造は、上記第１の実施形態のＭＢＥ装置と同様である。
【００６７】
　次に、本実施形態におけるＭＢＥの手順について説明する。ＣｅＯ2 薄膜の形成に先立って、バルブドクラッキングセル４０に収納されている金属Ｃｅ４１を加熱する。その間、バルブ４４は閉じられており、バルブドクラッキングセル４０と真空容器１３との間は完全に遮断されている。従って、不純物や汚染物を含んだＣｅは全く真空容器１３内には侵入することがない。また、エフューザー４１及びクラッカー４３によって、昇華したＣｅは実際の薄膜形成に使用する温度よりも高い温度まで昇温されて、数１０分から数時間の間その温度に保持される。その後、非使用時の温度まで戻される。バルブドクラッキングセル４０内は真空ポンプ４５によって常時排気されている。この加熱操作により、金属Ｃｅ中の不純物や表面付近の汚染物およびバルブドクラッキングセル４０に付着した汚染物を蒸発させ、かつ真空ポンプ４５によって排出することができるので、バルブ４４の詰まりを抑制することができる。また、その作業による真空容器１３内の汚染をきたすことはない。その結果、実際に薄膜を形成するに当たっては不純物や汚染物の大部分が除去された高純度のＣｅを供給することができ、また、雰囲気中にも汚染物がほとんど残存しない。これにより高い結晶性を有するＣｅＯ2 薄膜を形成することができる。
【００６８】
　その後、基板１４を洗浄し装置内に導入してＣｅＯ2 薄膜を形成するが、それらの工程は第１の実施形態の工程と同じなので詳細は省略する。
【００６９】
　本実施形態のＣｅＯ2 膜の形成方法によると、Ｋ−セル１２とガスバルブ１５とを用いて基板１４上に交互にＣｅと酸素とを供給するようにしているので、上記第１の実施形態と同様に、（００１）Ｓｉ基板の上に結晶性のよい（００１）ＣｅＯ2 膜を形成することができる。
【００７０】
　加えて、本実施形態のＭＢＥ装置においては、金属Ｃｅがバルブドクラッキングセル内に配置されているので、金属Ｃｅ中の不純物や表面付近の汚染物およびセル内に付着した汚染物をより効果的に除去することができ、真空容器の内部の汚染を有効に防止することができる。そして、不純物や汚染物の大部分が除去された高純度のＣｅを利用して、高い結晶性を有するＣｅＯ2 薄膜を形成することができる。
【００７１】
　また、本実施形態においても、上記第１の実施形態と同様に、（１１１）基板上に（１１１）ＣｅＯ2 膜を形成することができる。
【００７２】
　　（第４の実施形態）
　次に、本発明の第４の実施形態について説明する。
【００７３】
　　図１１は、第４の実施形態に係るＭＢＥ装置の構造を概略的に示す断面図である。同図に示すように、本実施形態のＭＢＥ装置においては、ＥＢ加熱装置４８が設けられている。このＥＢ加熱装置４８は、金属Ｃｅ４１を担持するとともに金属Ｃｅ４１に電子線（Ｅlectron Ｂeam ：ＥＢ）を照射して加熱するための機構４９を備えている。そして、シャッター４６の操作によっていわゆる分子線状のＣｅを供給することが可能に構成されている。その他の部分の構造は、上記第１の実施形態のＭＢＥ装置と同様である。
【００７４】
　なお、ＥＢ加熱装置４８の機構４９において金属Ｃｅ４１を直接担持する部分は、通常のＥＢ装置において用いられているカーボン（Ｃ）や銅（ｃｕ）ではなく、タングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）あるいはタンタル（Ｔａ）などによって構成されていることが好ましい。その理由は、以下の通りである。Ｃｕの融点は１０００℃前後であって、Ｃｅの融点に対して１００〜２００℃しか余裕がないので、Ｃｅを融解，蒸発させるときにＣｕも同時に融解して蒸発するおそれがある。また、カーボンは融点が３０００℃前後とかなり高いが、Ｃｅと化合物を形成しやすいため、１０００℃以下でカーボンとＣｅとが化学反応して炭化物を形成し、機構４９が壊れてしまうおそれがある。それに対して、Ｗ，Ｍｏ，Ｔａは、それぞれ融点が２０００℃以上であり、かつＣｅと化合物を形成しにくいことから、Ｃｅの融点付近の低温状態では両者が化学反応を生じることもないので、金属Ｃｅ４１を直接担持する部分を構成する材料として非常に安定している。
【００７５】
　次に、本実施形態におけるＭＢＥ成膜の手順について説明する。第１の実施形態において金属ＣｅはＫ−セルに収納され、加熱されて、いわゆる分子線として基板に供給されていたが、本実施形態においては、Ｋ−セルの代わりにＥＢ加熱装置４８が用いられている点が特徴である。すなわち、ＥＢ加熱装置４８の機構４９に担持された金属Ｃｅ４１に５〜３０ｋｅＶの電圧を印加して加速した電子線を照射することにより、金属Ｃｅ４１を加熱，蒸発させていわゆる分子線として基板１４に供給することができる。もし、金属Ｃｅ４１の一部あるいは全部が何らかの理由で酸化されてしまって高融点の酸化セリウム（ＣｅＯx ：ｘ＝１〜２）になり、Ｋ−セルでは十分な量の分子線を取り出すことができるなくなるほど、金属Ｃｅ４１の大部分が高融点の酸化セリウムに変化したとしても、電子線で加熱することにより、酸化セリウムに変化した部分も容易に融解，蒸発させて基板１４にいわゆる分子線状態のＣｅを供給することが可能である。
【００７６】
　その他の処理として、基板１４を洗浄し真空容器１３内に取り付けてからＣｅＯ2 膜を形成する処理が必要であるが、それらの工程は第１の実施形態で説明した通りである。
【００７７】
　また、供給するＣｅ分子線の制御も、加熱に用いる電子線の加速強度とともに、シャッター４６の操作によって行なわれ、第１の実施形態と同様にＭＥＥモードを用いて、（００１）Ｓｉ基板上に、Ｃｅ層と０層とが交互に積層されてなる高い結晶性を有する（００１）ＣｅＯ2 膜を形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
　本発明の誘電体膜は、電子機器に搭載されるＭＩＳＦＥＴの一部として利用でき、有用性の高いものである。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るＫ−セルを備えたＭＢＥ装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態におけるＣｅＯ2 膜が形成されていく過程を説明するための図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る方法により形成されたＣｅＯ2 膜の結晶構造を示す模式断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態の変形例に係る方法により形成されたＣｅＯ2 膜の結晶構造を示す模式断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係るロードロック機構を備えたＭＢＥ装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図６】本発明の第３の実施形態に係るバルブドクラッキングセルを備えたＭＢＥ装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図７】（１００）Ｓｉ基板の上にＣｅＯ2 結晶の２種類のドメインが形成されている状態を示す模式断面図である。
【図８】非特許文献５に記載されている，Ｓｉ基板の（００１）面上へのＣｅＯ2 結晶のエピタキシャル状態を示す模式平面図である。
【図９】非特許文献５に記載されている，ＣｅＯ2 膜に２つのドメインが混在する状態を高分解能走査型トンネル電子顕微鏡で観察して得られた顕微鏡写真図である。
【図１０】非特許文献６に記載されている，Ｓｉ基板の（００１）面，（１１１）面及び（１１０）面にそれぞれエピタキシャル成長するＣｅＯ2 結晶の方位を示す模式平面図である。
【図１１】本発明の第４の実施形態に係るＥＢ加熱装置を備えたＭＢＥ装置の構成を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００８０】
　１　　Ｃｅ原子
　２　　Ｓｉ原子
　３　　Ｏ原子
　４　　単位胞
　５　　単位胞
　６　　単位胞
　８　　（００１）Ｓｉ基板
　９　　（０１１）ＣｅＯ2 膜
　１１　シャッター
　１２　Ｋ−セル
　１３　真空容器
　１４　基板
　１５　ガスバルブ
　１６　真空ポンプ
　１７　Ｓｉ基板
　１８　蒸発Ｃｅ原子
　１９　拡散Ｃｅ原子
　２０　固定Ｃｅ原子
　２１　Ｃｅ原子層
　２２　蒸発Ｏ分子
　２３　拡散Ｏ分子
　２４　固定Ｏ原子
　２５　Ｏ原子層
　３０　ＣｅＯ2 膜
　３２　Ｃｅ層
　３４　ロードロック機構
　３５　ゲートバルブ
　３６　真空ポンプ
　４０　バルブドクラッキングセル
　４１　金属Ｃｅ
　４２　エフューザー
　４３　クラッカー
　４４　バルブ
　４５　真空ポンプ
　４６　シャッター
　４８　ＥＢ加熱装置
　４９　機構
【図１】
2004103571.tif 000003
【図２】
2004103571.tif 000004
【図３】
2004103571.tif 000005
【図４】
2004103571.tif 000006
【図５】
2004103571.tif 000007
【図６】
2004103571.tif 000008
【図７】
2004103571.tif 000009
【図８】
2004103571.tif 000010
【図９】
2004103571.tif 000011
【図１０】
2004103571.tif 000012
【図１１】
2004103571.tif 000013