Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月17日(2012.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス半導体ボディであって、
−  実質的に平坦な半導体積層体であって、第１の主面および第２の主面と、電磁放射を発生させるのに適する活性層とを有する、前記半導体積層体と、
−  少なくとも前記半導体積層体の前記活性層を分断している溝であって、前記半導体積層体の前記活性層を少なくとも２つの電気的に絶縁されている部分活性層に分割する役割を果たしている、前記溝と、
−  前記第２の主面上に配置されており、前記部分活性層との接続を形成する役割を果たしている第１の接続層および第２の接続層であって、それぞれが前記少なくとも２つの部分活性層との接続を形成している前記第１の接続層および前記第２の接続層が、前記少なくとも２つの部分活性層が直列回路を形成するように、互いに導電的に結合されている、前記第１の接続層および前記第２の接続層と、
を備えており、
前記第１の主面が、電磁放射を放出するように構成されており、
前記第１の接続層および前記第２の接続層と、分離層とが、横方向に重なり合っている、
オプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項２】
前記少なくとも２つの部分活性層のうちの第１の部分活性層との接続を形成するための前記第１の接続層が、前記少なくとも２つの部分活性層のうちの第２の部分活性層との接続を形成するための前記第２の接続層に、導電接続されている、請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項３】
前記第１の接続層もしくは前記第２の接続層またはその両方が、前記少なくとも２つの部分活性層のうちの１つによって、前記第２の主面に向かう方向に放出される前記電磁放射の一部を、前記第１の主面の方向に反射する、請求項１または請求項２に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項４】
半導体性または電気絶縁性のミラー層が、前記半導体積層体と、前記第１の接続層もしくは前記第２の接続層またはその両方との間の少なくとも一部分に配置されている、請求項１から請求項３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項５】
前記半導体性または電気絶縁性のミラー層が複数の開口を有し、前記第１の接続層もしくは前記第２の接続層またはその両方が、前記開口の中を前記半導体積層体まで延在している、請求項４に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項６】
前記半導体性または電気絶縁性のミラー層が、前記半導体積層体の前記第２の主面の５０％またはそれ以上を覆っている、請求項４または請求項５に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項７】
前記半導体積層体が、前記第２の主面に隣接する電流拡散層、特に導電性酸化物、を有する、請求項１から請求項６のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項８】
前記積層体の部分層との接続を形成するための前記第１の接続層および前記第２の接続層のそれぞれが、前記第２の主面から前記半導体ボディとの電気接続を形成するために適しているコンタクト領域を有する、請求項１から請求項７のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項９】
前記第１の接続層および前記第２の接続層のそれぞれが、
前記半導体ボディの外側に配置されており、前記半導体ボディの前記面の上のコンタクトに接続されているリード、を形成している部分要素、
を備えている、
請求項１から請求項８のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項１０】
オプトエレクトロニクス半導体ボディを製造する方法であって、
−  成長基板上に半導体積層体をエピタキシャル成長させるステップであって、前記半導体積層体が、電磁放射を発生させるために適している活性層を有し、第１の主面から電磁放射を放出するように構成されている、前記ステップと、
−  少なくとも２つの部分活性層に分割する目的で、少なくとも前記半導体積層体の前記活性層に電気絶縁性の溝を形成するステップと、
−  前記活性層との接続を形成する目的で、前記第１の主面とは反対側である前記半導体積層体の面に、第１の接続層を堆積させるステップと、
−  前記第１の主面とは反対側である前記半導体積層体の前記面に、分離層を形成するステップと、
−  前記第１の主面とは反対側である前記半導体積層体の前記面に、第２の接続層を堆積させるステップと、
を含んでおり、
−  前記第１の接続層と、前記分離層と、前記第２の接続層とが、これらが少なくとも部分的に横方向に重なり合うように形成されており、
−  前記接続層が少なくとも２つの部分活性層との接続を形成して直列回路が形成されている、
方法。
【請求項１１】
−  前記活性層に穿孔を形成するステップと、
−  前記穿孔の中に前記第２の接続層の部分要素を形成するステップであって、前記第２の接続層が、前記第１の接続層から前記分離層によって電気的に絶縁されている、前記ステップと、
をさらに含んでいる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の接続層が反射性として形成されている、請求項１０または請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記穿孔が前記分離層に形成されており、前記穿孔が、第１の部分活性層との接続を形成している前記第１の接続層を、第２の部分活性層との接続を形成している前記第２の接続層の１つに導電接続している、請求項１０から請求項１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
−  前記第１の主面とは反対側の前記面に第１のコンタクトパネルを形成するステップであって、前記第１のコンタクトパネルが、前記第１の接続層との接続を形成することによって前記第１の部分活性層との電気接続を形成している、前記ステップと、
−  前記第１の主面とは反対側の前記面に第２のコンタクトパネルを形成するステップであって、前記第２のコンタクトパネルが、前記第２の接続層との接続を形成することによって前記第２の部分活性層との電気接続を形成している、前記ステップと、
をさらに含んでいる、請求項１０から請求項１３のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月14日(2011.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トンネル接合（２）と、電磁放射を放出するために設けられている活性層（４）と、を有するエピタキシャル半導体積層体、を備えているオプトエレクトロニクス半導体ボディであって、
前記トンネル接合が、ｎ型トンネル接合層（２１）とｐ型トンネル接合層（２２）との間の中間層（２３）を有し、前記中間層が、前記ｎ型トンネル接合層に面しているｎ型バリア層（２３１）と、前記ｐ型トンネル接合層に面しているｐ型バリア層（２３３）と、中央層（２３２）とを有し、前記中央層の材料組成が、前記ｎ型バリア層の材料組成および前記ｐ型バリア層の材料組成とは異なり、
前記ｎ型バリア層（２３１）、前記中央層（２３２）、および前記ｐ型バリア層（２３３）が、第１の成分および第２の成分を含んでいる半導体材料を備えており、前記第１の成分の割合が、前記ｎ型バリア層および前記ｐ型バリア層におけるよりも前記中央層において低く、
前記第１の成分がアルミニウムを含んでおり、前記第２の成分が、Ｉｎ、Ｇａ、Ｎ、Ｐから成る群のうちの少なくとも１つの元素を含んでおり、
前記中間層（２３）の前記中央層（２３２）の領域に、所定の方法で不完全構造（６）が設けられており、
前記不完全構造（６）が、少なくとも部分的に、前記中間層に層として含まれている不純物原子によって形成されており、前記不純物原子の前記層（２３ｂ）が、前記半導体材料によって満たされている開口を有する、
オプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項２】
前記第１の成分がアルミニウムから成る、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項３】
前記第１の成分の前記割合が、前記中央層（２３２）において２０％以下であり、前記ｎ型バリア層（２３１）および前記ｐ型バリア層（２３３）において２０％以上である、
請求項１または請求項２に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項４】
前記ｎ型バリア層（２３１）の層厚さもしくは前記ｐ型バリア層（２３３）の層厚さ、またはその両方が、２ｎｍ以下である、
請求項１から請求項３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項５】
前記不完全構造（６）が、少なくとも部分的に、前記中間層（２３）の半導体材料の欠陥によって形成されている、
請求項１または請求項４に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項６】
前記不完全構造（６）が、少なくとも部分的に、前記中間層（２３）の半導体材料の結晶格子に組み込まれている不純物原子によって形成されている、もしくは、前記不純物原子（６）が前記中間層（２３）に層として含まれている、またはその両方である、
請求項１から請求項５のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項７】
前記ｎ型トンネル接合層（２１）もしくは前記ｐ型トンネル接合層（２２）またはその両方が、交互層の超格子として具体化されている、
請求項１から請求項６のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項８】
トンネル接合（２）と、電磁放射を放出するために設けられている活性層（４）と、を有するエピタキシャル半導体積層体、を備えているオプトエレクトロニクス半導体ボディ、を製造する方法であって、
前記トンネル接合が、ｎ型トンネル接合層（２１）と、中間層（２３）と、ｐ型トンネル接合層（２２）とを有し、前記中間層を形成するため、半導体材料をエピタキシャルに堆積させ、前記半導体材料の少なくとも一部分に所定の方法で不完全構造（６）を設ける工程を有する、
方法。
【請求項９】
前記不完全構造（６）を設ける前記工程が、前記半導体材料の中に欠陥を導入するステップを含んでおり、エピタキシャル炉の中で前記半導体材料を堆積させている間、前記欠陥（６）を導入する目的で、前記エピタキシャル炉の中に水素ガスを少なくともときどき導入する、
請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記不完全構造（６）を設ける前記工程が、前記半導体材料の中に欠陥を導入するステップを含んでおり、エピタキシャル炉の中で前記半導体材料を堆積させている間、前記欠陥（６）を導入する目的で、前記エピタキシャル炉の中の工程温度もしくは圧力またはその両方を変化させる、
請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記不完全構造（６）を設ける前記工程が、前記中間層（２３）の中に不純物原子を導入するステップを含んでいる、
請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月3日(2012.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体発光ダイオード（１０）であって、
−  少なくとも１層のｐ型ドープ発光ダイオード層（４）と、ｎ型ドープ発光ダイオード層（２）と、前記ｐ型ドープ発光ダイオード層（４）と前記ｎ型ドープ発光ダイオード層（２）との間の光学活性ゾーン（３）と、
−  透明導電性酸化物の酸化物層（８）と、
−  少なくとも１層のミラー層（９）と、
を有し、
前記酸化物層（８）が、前記発光ダイオード層（２，４）と前記少なくとも１層のミラー層（９）との間に配置されており、前記酸化物層（８）が、前記発光ダイオード層（２，４）に面している第１の境界面（８ａ）と、前記少なくとも１層のミラー層（９）に面している第２の境界面（８ｂ）と、を備えており、
前記酸化物層（８）の前記第２の境界面（８ｂ）が、前記酸化物層（８）の前記第１の境界面（８ａ）よりも小さい粗さ（Ｒ２）を有し、
前記ミラー層（９）が、少なくとも１層の金属ミラー層（１９）を備えており、
前記ミラー層（９）が、少なくとも１層の誘電体ミラー層（１８）を備えており、
前記誘電体ミラー層（１８）が、前記酸化物層（８）と前記金属ミラー層（１９）との間に配置されており、前記誘電体ミラー層（１８）が局所的な凹部（１１）を備えており、前記凹部（１１）の中で前記金属ミラー層（１９）が前記酸化物層（８）の前記第２の境界面（８ｂ）まで延在している、
半導体発光ダイオード。
【請求項２】
半導体発光ダイオード（１０）であって、
−  少なくとも１層のｐ型ドープ発光ダイオード層（４）と、ｎ型ドープ発光ダイオード層（２）と、前記ｐ型ドープ発光ダイオード層（４）と前記ｎ型ドープ発光ダイオード層（２）との間の光学活性ゾーン（３）と、
−  透明導電性酸化物の酸化物層（８）と、
−  少なくとも１層のミラー層（９）と、
前記酸化物層（８）が、前記発光ダイオード層（２，４）と前記少なくとも１層のミラー層（９）との間に配置されており、前記酸化物層（８）が、前記発光ダイオード層（２，４）に面している第１の境界面（８ａ）と、前記少なくとも１層のミラー層（９）に面している第２の境界面（８ｂ）と、を備えており、
前記酸化物層（８）の前記第２の境界面（８ｂ）が、１．０ｎｍ未満の粗さ（Ｒ２）であり、
前記ミラー層（９）が、少なくとも１層の金属ミラー層（１９）を備えており、
前記ミラー層（９）が、少なくとも１層の誘電体ミラー層（１８）を備えており、
前記誘電体ミラー層（１８）が、前記酸化物層（８）と前記金属ミラー層（１９）との間に配置されており、前記誘電体ミラー層（１８）が局所的な凹部（１１）を備えており、前記凹部（１１）の中で前記金属ミラー層（１９）が前記酸化物層（８）の前記第２の境界面（８ｂ）まで延在している、
半導体発光ダイオード。
【請求項３】
前記酸化物層（８）が、５ｎｍより大きい層厚さを有することを特徴とする、
請求項１または２に記載の半導体発光ダイオード。
【請求項４】
前記ｐ型ドープ発光ダイオード層（４）が、前記ｎ型ドープ発光ダイオード層（２）よりも前記酸化物層（８）の近傍に配置されていることを特徴とする、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体発光ダイオード。
【請求項５】
前記ｐ型ドープ発光ダイオード層（４）と前記酸化物層（８）との間に、ｐ型ドープ半導体層（５）が配置されており、前記ｐ型ドープ半導体層（５）が、前記ｐ型ドープ発光ダイオード層（４）のドーパント濃度と同じかまたはそれより高いドーパント濃度を有することを特徴とする、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体発光ダイオード。
【請求項６】
前記酸化物層（８）が、その前記第１の境界面（８ａ）において、前記ｐ型ドープ半導体層（５）に隣接していることを特徴とする、
請求項５に記載の半導体発光ダイオード。
【請求項７】
前記ｐ型ドープ半導体層（５）と前記酸化物層（８）との間にｎ型ドープ半導体層（７）が配置されており、前記酸化物層（８）の前記第１の境界面（８ａ）が、前記ｎ型ドープ半導体層（７）に隣接していることを特徴とする、
請求項５に記載の半導体発光ダイオード。
【請求項８】
前記ｐ型ドープ半導体層（５）と前記ｎ型ドープ半導体層（７）との間にアンドープ半導体層（６）が配置されていることを特徴とする、
請求項７に記載の半導体発光ダイオード。
【請求項９】
前記酸化物層（８）の前記透明導電性酸化物が、材料として酸化亜鉛、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物のうちの少なくとも１つを含んでいることを特徴とする、
請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体発光ダイオード。
【請求項１０】
前記ミラー層（９）が前記酸化物層（８）の前記第２の境界面（８ｂ）に隣接していることを特徴とする、
請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体発光ダイオード。
【請求項１１】
半導体発光ダイオード（１０）を製造する方法であって、
−  少なくとも１層のｐ型ドープ発光ダイオード層（４）とｎ型ドープ発光ダイオード層（２）とを形成するステップと、
−  透明導電性酸化物を堆積させるステップであって、これによって、前記発光ダイオード層（２，４）に面している第１の境界面（８ａ）を備えている酸化物層（８）が形成され、前記酸化物層（８）が、ＨＦ支援ＤＣスパッタリングによって堆積され、この堆積において、前記第１の境界面（８ａ）に向かい合う、前記酸化物層（８）の第２の境界面（８ｂ）が形成され、前記第２の境界面（８ｂ）が、前記酸化物層（８）の前記第１の境界面（８ａ）よりも小さい粗さを有する、前記ステップと、
−  前記酸化物層（８）の前記第２の境界面（８ｂ）の上に少なくとも１層のミラー層（９）を形成するステップと、
を含んでおり、
前記少なくとも１層のミラー層（９）を形成する前記ステップが、
少なくとも１層の誘電体ミラー層（１８）を堆積させるステップと、前記誘電体ミラー層（１８）に凹部をエッチングするステップと、前記誘電体ミラー層（１８）の上に少なくとも１層の金属ミラー層（１９）を堆積させるステップと、
を含んでいる、
方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月14日(2011.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
・少なくとも部分的に不透明な主表面（１０）を備える支持体素子（１）と、
・該支持体素子（１）の上に配置された有機発光構成素子（２）とを有する発光構成体であって、
該有機発光構成素子（２）は、少なくとも部分的に透明な第１の電極（２１）と、少なくとも部分的に透明な第２の電極（２２）との間に活性領域を備える有機層列を有し、
・該活性領域（２９）は、スイッチオンされた動作状態では電磁ビーム（９１，９３）を形成し、
・前記発光構成体は、有機発光構成素子（２）の支持体素子（１）とは反対側に、電磁ビーム（９２，９３）を放射するための光出射面（３）を有し、
・支持体素子（１）の少なくとも部分的に不透明な主表面（１０）は、有機発光構成素子（２）のスイッチオフ動作状態では、外部観察者により光出射面（３）を通して知覚可能であり、
前記不透明な主表面（１０）は、有機発光構成素子（２）がスイッチオンされている動作状態では照明され、知覚可能である発光構成体。
【請求項２】
支持素子（１）の少なくとも部分的に不透明な主表面（１０）は、有機発光構成素子（２）の反対側に配置されている、請求項１記載の発光構成体。
【請求項３】
支持素子（１）は、有機発光構成素子（２）に向いた側に、ガラスおよび／またはプラスチックを含む透明材料を有する、請求項１または２記載の発光構成体。
【請求項４】
支持素子（１）の少なくとも部分的に不透明な主表面（１０）は、有機発光構成素子（２）に向いた側に配置されている、請求項１記載の発光構成体。
【請求項５】
支持素子（１）は、少なくとも１つまたは複数の不透明材料からなる、請求項１から４までのいずれか１項に記載の発光構成体。
【請求項６】
支持素子（１）の少なくとも部分的に不透明な主表面（１０）は、少なくとも１つまたは複数の不透明な材料によるコーティングを有する、請求項１から５までのいずれか１項に記載の発光構成体。
【請求項７】
少なくとも１つまたは複数の不透明材料は、石材、木材、プラスチック、線維製品、金属、合金、紙、厚紙、塗装材料の群から選択される、請求項５または６記載の発光構成体。
【請求項８】
支持素子（１）と有機発光構成素子（２）との間には少なくとも１つの中間層（４）が配置されており、
該中間層は、ガラス、プラスチック、接着剤、半導体、非結晶材料、結晶材料、液体、気体からなる群からの少なくとも１つまたは複数の材料を有する、請求項１から７までのいずれか１項に記載の発光構成体。
【請求項９】
有機発光構成素子（２）は基板（２０）を有し、
該基板（２０）は、支持素子（１）と有機層列（２３）との間に配置されている、請求項１から８までのいずれか１項に記載の発光構成体。
【請求項１０】
有機発光構成素子（２）は基板（２０）を有し、
有機層列（２３）は、支持素子（１）と基板（２０）との間に配置されている、請求項１から８までのいずれか１項に記載の発光構成体。
【請求項１１】
支持素子（１）は、有機発光構成素子（２）のための基板（２０）として構成されている、請求項１から８までのいずれか１項に記載の発光構成体。
【請求項１２】
有機発光構成素子（２）は、活性領域（２９）で形成された電磁ビーム（９１，９３）を第１の強度で支持素子（１）の方向に、第２の強度で光出射面（３）の方向に放射する特性を有する、請求項１から１１までのいずれか１項に記載の発光構成体。
【請求項１３】
支持素子（１）の少なくとも部分的に不透明な主表面（１０）は、第１の強度の電磁ビーム（９１）により照明され、該第１の強度の電磁ビーム（９１）は少なくとも部分的に光出射面（３）の方向に反射される、請求項１から１２までのいずれか１項に記載の発光構成体。
【請求項１４】
支持素子（１）の有機発光構成素子（２）に向いた側にはフィルタ層（５）が配置されており、該フィルタ層は波長に依存する透過係数および／または強度に依存する透過係数を有する、請求項１から１３までのいずれか１項に記載の発光構成体。
【請求項１５】
前記フィルタ層（５）は、吸収性の色素、波長変換物質、飽和可能な吸収物質もしくはそれらの組合わせ、および電圧に依存する透過係数を有する、請求項１から１４までのいずれか１項に記載の発光構成体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月2日(2012.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のCuのアグロメレーションを制御する方法であって、
当該方法は：
上面、及び少なくとも側面と底面を有する少なくとも1つの凹部を有する表面構造を有する基板を供する工程；
前記基板の表面構造上にバリア膜を堆積する工程；
前記バリア膜上に金属含有ウエッティング膜を堆積する工程； 
銅金属ターゲットから銅金属をスパッタリングする工程；
0℃より高温でかつ200℃以下の基板温度で、前記金属含有ウエッティング膜を前記のスパッタリングされた銅金属に曝露する工程；
を有する方法であって、
前記のスパッタリングされた銅金属に曝露する工程は、前記凹部の入口の前記金属含有ウエッティング膜上で突出しないように、連続的な銅金属シード層を堆積する、
方法。
【請求項２】
前記金属含有ウエッティング膜は、ルテニウム(Ru)金属、パラジウム(Pd)金属、ロジウム(Rh)金属、若しくは銀(Ag)金属、又は、窒素、酸素、炭素、ホウ素、若しくはリンをさらに有するRu、Pd、Rh、若しくはAgの化合物を有する、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
不活性ガス、H2ガス、又はH2ガスと不活性ガスの混合ガスが存在する中で、100℃乃至400℃の温度で、前記金属含有ウエッティング膜を熱処理する工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
不活性ガス、H2ガス、又はH2ガスと不活性ガスの混合ガスが存在する中で、100℃乃至400℃の温度で、前記金属シード層を熱処理する工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記バリア膜が、TaN、TiN、WN、TaSiN、TiSiN、WSiN、又は上記の混合物を有する、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも1つの凹部が誘電体材料中に形成される、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
基板を処理する方法であって：
上面、及び少なくとも側面と底面を有する少なくとも1つの凹部を有する表面構造を有する基板を供する工程；
前記基板の表面構造上にバリア膜を堆積する工程であって、前記バリア膜は、前記少なくとも1つの凹部内で1nm乃至10nmの厚さを有する、工程；
前記バリア膜上に金属含有ウエッティング膜を堆積する工程であって、前記金属含有ウエッティング膜は、ルテニウム(Ru)金属、パラジウム(Pd)金属、ロジウム(Rh)金属、若しくは銀(Ag)金属、又は、窒素、酸素、炭素、ホウ素、若しくはリンをさらに有するRu、Pd、Rh、若しくはAgの化合物を有する、工程；
銅金属ターゲットから銅金属をスパッタリングする工程；
0℃より高温でかつ200℃以下の基板温度で、前記金属含有ウエッティング膜を前記のスパッタリングされた銅金属に曝露する工程であって、前記のスパッタリングされた銅金属に曝露する工程は、前記凹部の入口の前記金属含有ウエッティング膜上で突出しないように、連続的な銅金属シード層を堆積する、工程；並びに、
前記少なくとも1つの凹部内に気泡の存在しないバルクのCu金属をメッキする工程；
を有する方法。
【請求項８】
前記メッキする工程は、前記少なくとも1つの凹部を充填又は過剰充填する、請求項7に記載の方法。
【請求項９】
不活性ガス、H2ガス、又はH2ガスと不活性ガスの混合ガスが存在する中で、100℃乃至400℃の温度で、前記金属含有ウエッティング膜を熱処理する工程をさらに有する、請求項7に記載の方法。
【請求項１０】
不活性ガス、H2ガス、又はH2ガスと不活性ガスの混合ガスが存在する中で、100℃乃至400℃の温度で、前記金属シード層を熱処理する工程をさらに有する、請求項7に記載の方法。
【請求項１１】
前記バリア膜が、TaN、TiN、WN、TaSiN、TiSiN、WSiN、又は上記の混合物を有する、請求項7に記載の方法。
【請求項１２】
基板を処理する方法であって：
上面、及び少なくとも側面と底面を有する少なくとも1つの凹部を有する表面構造を有する基板を供する工程であって、前記少なくとも1つの凹部は、ビア、溝、又は上記の組み合わせを有する、工程；
前記基板の表面構造上にバリア膜を堆積する工程であって、前記バリア膜は、前記少なくとも1つの凹部内で1nm乃至10nmの厚さを有する、工程；
銅金属ターゲットから銅金属をスパッタリングする工程；
0℃より高温でかつ200℃以下の基板温度で、前記金属含有ウエッティング膜を前記のスパッタリングされた銅金属に曝露する工程であって、前記のスパッタリングされた銅金属に曝露する工程は、前記凹部の入口の前記金属含有ウエッティング膜上で突出しないように、連続的な銅金属シード層を堆積する、工程；並びに、
前記少なくとも1つの凹部内に気泡の存在しないバルクのCu金属をメッキする工程であって、前記メッキする工程は前記少なくとも1つの凹部を充填又は過剰充填する、工程；
を有する方法。
【請求項１３】
不活性ガス、H2ガス、又はH2ガスと不活性ガスの混合ガスが存在する中で、100℃乃至400℃の温度で、前記金属含有ウエッティング膜を熱処理する工程をさらに有する、請求項12に記載の方法。
【請求項１４】
不活性ガス、H2ガス、又はH2ガスと不活性ガスの混合ガスが存在する中で、100℃乃至400℃の温度で、前記金属シード層を熱処理する工程をさらに有する、請求項12に記載の方法。
【請求項１５】
前記バリア膜が、TaN、TiN、WN、TaSiN、TiSiN、WSiN、又は上記の混合物を有する、請求項12に記載の方法。
【請求項１６】
前記凹部は、100nm以下の幅、及び2:1よりも大きなアスペクト比を有する、請求項12に記載の方法。
【請求項１７】
前記金属含有ウエッティング膜がルテニウム(Ru)金属を有する、請求項1に記載の方法。
【請求項１８】
前記基板温度が0℃乃至100℃である、請求項1に記載の方法。
【請求項１９】
前記基板温度が0℃乃至100℃である、請求項15に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月21日(2011.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セル筐体内に配置された電極スタック（２）を備えたバッテリー用単一セル（１）の製造方法であって、前記セル筐体が２つの導電性筐体側壁（３）と、その間に配置されて縁の周りを巡る電気的に絶縁されたフレーム（４）から形成されており、１つの極性の集電タブ（２．１）が前記電極スタック（２）のそれぞれ１つの極接点（Ｐ）にまとめられ、フレーム（４）内に電気的に互いに絶縁されて互いに間隔をあけた２つの材料後退部（４．１）が設けられ、前記材料後退部内に同じ極性の集電タブ（２．１）が挿入され、前記極接点（Ｐ）と前記筐体側壁（３）との間に導電性接続が形成される単一セル（１）の製造方法において、単一セル（１）が開いた状態で導電性接続が形成されることを特徴とする方法。
【請求項２】
１つのフレーム（４）内に前記電極スタック（２）を配列する前に、１つの極接点（Ｐ）が１つの筐体側壁（３）と導電性接続されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
１つのフレーム（４）内に前記電極スタック（２）を配列した後で、少なくとも１つの極接点（Ｐ）が１つの筐体側壁（３）と導電性接続されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記筐体側壁（３）と前記極接点（Ｐ）との導電性接続が、溶接プロセス及び／又は複合ウェルディングプレス接合法で形成されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記溶接プロセス中に１つ又は複数の溶接ビード及び／又は溶接ポイントが形成されることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ウェルディングプレス接合中に１つ又は複数の溶接ビード及び／又は溶接ポイントが形成され、前記極接点（Ｐ）及び前記筐体側壁（３）がプレスされることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
１つの溶接ビード及び／又は１つの溶接ポイントによって極接点（Ｐ）を形成しているすべての前記集電タブ（２．１）と、それに対応する導電性の筐体側壁（３）とが、特に１つのステップで互いに溶接されることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
導電性接続を作りだす前に、前記極接点（Ｐ）と前記筐体側壁（３）との間に、付加材料から成る１つの独立した箔を挿入することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
導電性接続を作りだす前に、前記筐体側壁（３）の前記極接点（Ｐ）の方を向いた側に、付加材料から成る１つの独立した箔を取り付けることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記セル筐体内に配置された前記電極スタック（２）が、個々の電極から、好ましくは電極箔から形成され、前記電極が１つのセパレータによって、好ましくは１つのセパレータ箔によって、互いに絶縁されて分離されていることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
電極スタック（２）の外へと案内された各電極箔の縁領域が、集電タブ（２．１）として使用されることを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
電極箔（３）として銅箔及び／又はアルミニウム箔又はそのような種類の合金製の箔が使用されることを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
電極の積み重ね方向で測定した材料後退部（４．１）の内法の高さが、無干渉で互いに上下に積み重ねられた付属する集電タブ（２．１）の対応する範囲よりも小さいか又は同じであり、電極箔の平坦面と平行に測定された集電タブ（２．１）の奥行きは、付属する集電タブ（２．１）の対応する範囲よりも大きいか又は同じになるよう選択されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
導電性接続を形成した後に、摩擦結合、接着結合、及び／又は形状結合によって筐体側壁（３）をフレーム（４）に固定し、単一セル（１）を電解質が満たすことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月20日(2012.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出力面を含む中空の光リサイクリングキャビティを形成する、部分的透過性の前面反射体及び背面反射体であって、前記背面反射体の少なくとも第１部分は、前記前面反射体に対して非平行である、前面反射体及び背面反射体と、
前記中空の光リサイクリングキャビティ内に配置された少なくとも１つの半鏡面要素と、
前記中空の光リサイクリングキャビティ内に光を放射するために配置された１つ以上の光源であって、前記中空の光リサイクリングキャビティ内に限定された角度範囲にわたって光を放射するように構成されている、光源と、を備えるバックライト。
【請求項２】
所望の出力光束分布を提供するように動作可能なバックライトを形成する方法であって、
出力面を含む中空の光リサイクリングキャビティであって、部分的透過性の前面反射体及び平面状の背面反射体を更に含む光リサイクリングキャビティを形成する工程と、
前記光リサイクリングキャビティ内に限定された角度範囲にわたって光を放射するための、１つ以上の光源を位置決めする工程と、
前記所望の出力光束分布を選択する工程と、
第１の出力光束分布を測定する工程と、
前記第１の出力光束分布を前記所望の光束分布と比較する工程と、
前記背面反射体を形成する工程と、
第２の出力光束分布を測定する工程と、
前記第２の出力光束分布を前記所望の出力光束分布と比較する工程と、を含む、方法。
【請求項３】
表示パネルと、
前記表示パネルに光を提供するように配置されたバックライトとを備える表示システムであって、
前記バックライトは、
出力面を含む中空の光リサイクリングキャビティを形成する、部分的透過性の前面反射体及び背面反射体であって、前記背面反射体の少なくとも第１部分が、前記前面反射体に対して非平行である、前面反射体及び背面反射体と、
前記中空の光リサイクリングキャビティ内に配置された少なくとも１つの半鏡面要素と、
前記中空の光リサイクリングキャビティ内に光を放射するために配置された１つ以上の光源であって、前記中空の光リサイクリングキャビティ内に、限定された角度範囲にわたって光を放射するように構成されている、光源と、を備える、表示システム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月23日(2012.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ばねクランプ機構により物品に取り付けられた電子式物品監視／無線周波識別組み合わせタグを取り外すための取り外しユニットであって、前記タグはタグ磁気ループアンテナを有し、前記取り外しユニットは、
前記電子式物品監視／無線周波識別タグを受容するための配置領域と、
前記配置領域の近傍に位置すると共に、前記タグ磁気ループアンテナに磁気的に接続された近傍界磁気ループアンテナであり、この近傍界磁気ループアンテナは実質的に円形で且つ比誘電率を有する基板材料を含み、下式、
【数１】
2011513856.tif 000001
を満たすｄを直径とし、この式中、ｃは光速、ｆはＵＨＦ作動周波数、εｒは前記基板材料の前記比誘電率を示す近傍界磁気ループアンテナと、
受信した無線周波識別応答信号に基づいて、前記電子式物品監視／無線周波識別タグを前記物品から解除するための取り外し器と、
を備える取り外しユニット。
【請求項２】
前記取り外し器は、前記電子式物品監視／無線周波識別タグが前記近傍界磁気ループアンテナの近傍に置かれたときに、前記電子式物品監視／無線周波識別タグを前記物品から解除する、請求項１に記載の取り外しユニット。
【請求項３】
前記近傍界磁気ループアンテナは、前記無線周波識別タグ読取器のインピーダンスと実質的に等しいインピーダンスを有する、請求項１に記載の取り外しユニット。
【請求項４】
前記近傍界磁気ループアンテナは、無線周波識別タグ読取器から物品識別信号を受信するために、前記無線周波識別タグ読取器に連結される、請求項１に記載の取り外しユニット。
【請求項５】
前記取り外しユニット内に位置する無線周波識別タグ読取器を更に含む、請求項１に記載の取り外しユニット。
【請求項６】
前記取り外しユニットは、前記無線周波識別タグ読取器及び前記近傍界磁気ループアンテナがその上に位置されているプリント回路基板を含む、請求項６に記載の取り外しユニット。
【請求項７】
前記電子式物品監視／無線周波識別タグは、電子式物品監視部品と、無線周波識別部品と、前記電子式物品監視部品及び前記無線周波識別部品の間に位置するスペーサとを含む、請求項１に記載の取り外しユニット。
【請求項８】
前記無線周波識別部品はスパイラルアンテナインレイを含む、請求項７に記載の取り外しユニット。
【請求項９】
前記スパイラルアンテナインレイは２つ以上のスパイラルループアンテナを含む、請求項８に記載の取り外しユニット。
【請求項１０】
前記無線周波識別部品は、２つのスパイラルループアンテナの間に位置する磁気ループアンテナを有するハイブリッドアンテナインレイを含む、請求項７に記載の取り外しユニット。
【請求項１１】
電子式物品監視／無線周波識別監視システムであって、
電子式物品監視／無線周波識別タグを受容するための配置領域と、
前記配置領域の近傍に位置すると共に、前記電子式物品監視／無線周波識別タグ上で前記タグ磁気ループアンテナに磁気的に接続された近傍界磁気ループアンテナであり、この近傍界磁気ループアンテナは実質的に円形で且つ比誘電率を有する基板材料を含み、下式、
【数２】
2011513856.tif 000002
を満たすｄを直径とし、この式中、ｃは光速、ｆはＵＨＦ作動周波数、εｒは前記基板材料の前記比誘電率を示す近傍界磁気ループアンテナと、
受信した無線周波識別応答信号に基づいて前記電子式物品監視／無線周波識別タグを前記物品から解除するための取り外し器と、
を含む電子式物品監視／無線周波識別タグ取り外しユニットと、
前記タグ取り外しユニットと電気的に通信する無線周波識別タグ読取器と、
を備える、電子式物品監視／無線周波識別監視システム。
【請求項１２】
前記無線周波識別タグ読取器は、
前記電子式物品監視／無線周波識別タグに問合せ信号を出力するよう構成された伝送回路と、
前記問合せ信号に応答して前記電子式物品監視／無線周波識別タグから応答信号を受信するよう構成された受信回路と、
を備える、請求項１１に記載の電子式物品監視／無線周波識別監視システム。
【請求項１３】
前記無線周波識別応答信号が評価され、前記取り外し器は、前記物品が盗難されたものではないとの表示に基づいて前記電子式物品監視／無線周波識別タグを解除するよう作動する、請求項１１に記載の電子式物品監視／無線周波識別監視システム。
【請求項１４】
前記近傍界磁気ループアンテナは、円形であり、且つ約２ｃｍの直径を有する、請求項１１に記載の電子式物品監視／無線周波識別監視システム。
【請求項１５】
前記電子式物品監視／無線周波識別タグは、電子式物品監視部品と、無線周波識別部品と、前記電子式物品監視部品及び前記無線周波識別部品との間に位置するスペーサ部品とを含む、請求項１１に記載の電子式物品監視／無線周波監視システム。
【請求項１６】
前記無線周波識別部品は２つのスパイラルループアンテナを含む、請求項１５に記載の電子式物品監視／無線周波識別監視システム。
【請求項１７】
前記無線周波識別部品は２つのスパイラルループアンテナの間に位置する磁気ループアンテナを更に含む、請求項１６に記載の電子式物品監視／無線周波識別監視システム。
【請求項１８】
電子式物品監視／無線周波識別監視組み合わせタグをその物品から取り外すための方法であって、前記タグはタグ磁気ループアンテナを有し、前記方法は、
配置領域において電子式物品監視／無線周波識別タグを受容するステップと、
前記配置領域の近傍に位置する近傍界磁気ループアンテナを使用して、無線周波識別問合せ信号を介して前記電子式物品監視／無線周波識別タグに問合わせるステップと、を含み、前記近傍界磁気ループアンテナは、前記タグ磁気ループアンテナに磁気的に接続されており、前記近傍界磁気ループアンテナは、実質的に円形で且つ比誘電率を有する基板材料を含み、下式、
【数３】
2011513856.tif 000003
を満たすｄを直径とし、この式中、ｃは光速、ｆはＵＨＦ作動周波数、εｒは前記基板材料の前記比誘電率を示し、
前記方法は更に、
少なくとも前記問合せの結果が前記物品の肯定的識別であることが認証されたときに、前記電子式物品監視／無線周波識別監視組み合わせタグをその物品から取り外すステップ  を含む方法。
【請求項１９】
前記物品監視／無線周波識別監視組み合わせタグを取り外すステップは、前記物品が盗難されたものではないことを確認するステップを更に含む、請求項１８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月20日(2012.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
埋め込みデバイスのためのオペレーティング・システム・イメージを作成するシステムであって、
処理ユニットと、
メモリーと、
前記埋め込みデバイスのオペレーティング・システムを含むオペレーティング・システム・ベース・モジュールと、
ソフトウェア・アプリケーション・モジュールであって、前記埋め込みデバイスにおいて実行するようにプログラミングされた１つ以上のソフトウェア・アプリケーションを含む、ソフトウェア・アプリケーション・モジュールと、
前記１つ以上のソフトウェア・アプリケーションにおける依存性を特定するようにプログラミングされた分析プログラム・モジュールと、
前記オペレーティング・システム・ベースに追加される１つ以上のコンポーネントを含むコンポーネント・モジュールと、
前記コンポーネント・モジュールからの１つ以上のコンポーネントに前記依存性をマッピングするようにプログラミングされたマッピング・モジュールと、
オペレーティング・システム・イメージを構築する構築モジュールと、
前記オペレーティング・システム・イメージを検査し、前記オペレーティング・システムにおける追加の依存性を判定し、前記追加の依存性を解決するコンポーネントを特定するようにプログラムされた検査および設計モジュールと、
を含む、システム。
【請求項２】
請求項１記載のシステムにおいて、前記コンポーネントは、メディア・プレーヤー、ウェブ・ブラウザー、およびファイアウォールから成る１群から選択される、システム。
【請求項３】
請求項１または２に記載のシステムにおいて、前記マッピング・モジュールは、更に、ハッシュ表を用いて前記依存性をマッピングするようにプログラミングされた、システム。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載のシステムであって、更に、前記ソフトウェア・アプリケーションのフォーマットを選択するための第１セクションと、前記コンポーネントを選択するための第２セクションとを含むようにプログラミングされたユーザー・インターフェースを含む、システム。
【請求項５】
埋め込みデバイスのためのオペレーティング・システム・イメージを作成する統合開発システムであって、
処理ユニットと、
メモリーと、
前記埋め込みデバイスのオペレーティング・システムを含むオペレーティング・システム・ベース・モジュールと、
１つ以上のフォーマットで提供される１つ以上のソフトウェア・アプリケーションを含むソフトウェア・アプリケーション・モジュールと、
前記ソフトウェア・アプリケーションを分析して、該ソフトウェア・アプリケーションにおけるオペレーティング・システム依存性を判定するようにプログラミングされた１つ以上の分析プログラムを含む分析プログラム・モジュールと、
前記オペレーティング・システムに追加されるようにプログラミングされた１つ以上のコンポーネントを含むコンポーネント・モジュールと、
前記フォーマットおよび前記コンポーネントの選択を可能にするユーザー・インターフェース・モジュールと、
前記ソフトウェア・アプリケーションを分析し、前記ユーザー・インターフェースに表示される前記コンポーネントに前記依存性をマッピングするために前記分析プログラムを実行する依存性処理モジュールと、
オペレーティング・システム・イメージを構築する構築モジュールと、
前記オペレーティング・システムを検査し、前記オペレーティング・システムにおける追加の依存性を判定し、前記追加の依存性を解決するコンポーネントを特定する検査および設計モジュールと、
を含む、統合開発システム。
【請求項６】
請求項５記載のシステムにおいて、前記コンポーネントは、メディア・プレーヤー、ウェブ・ブラウザー、およびファイアウォールから成る１群から選択される、システム。
【請求項７】
請求項５または６に記載のシステムであって、更に、ハッシュ表を用いて前記依存性をマッピングするようにプログラミングされたマッピング・モジュールを含む、システム。
【請求項８】
統合開発システムを用いて、埋め込みデバイスのためのオペレーティング・システム・イメージを作成する、コンピュータ・システムで実行される方法であって、
前記コンピュータ・システムにおいて、オペレーティング・システム・ベースにおいて実行するソフトウェア・アプリケーションを特定するステップと、
前記ソフトウェア・アプリケーションのフォーマットを、前記統合開発システムのユーザー・インターフェースから選択するステップと、
前記統合開発システムに含まれる１つ以上の分析プログラムを用いて、前記ソフトウェア・アプリケーションについて依存性分析を行うステップと、
前記依存性分析からオペレーティング・システム依存性を判定するステップと、
前記オペレーティング・システム・ベースに追加される１つ以上のコンポーネントに前記依存性をマッピングするステップと、
前記１つ以上のコンポーネントを前記ユーザー・インターフェースに表示するス
テップと、
前記選択したコンポーネントを前記オペレーティング・システム・ベースに追加するステップと、
前記ソフトウェア・アプリケーションを前記オペレーティング・システム・ベースに追加するステップと、
前記オペレーティング・システム・ベースからオペレーティング・システム・イメージを構築するステップと、
前記オペレーティング・システム・イメージを検査して、追加の依存性が存在するかどうかを判定するステップと、
追加の依存性が存在すると判定されたとき、前記追加の依存性を解決するコンポーネントを特定するステップと、
を含む、方法。
【請求項９】
請求項８記載の方法において、前記依存性をマッピングするステップは、更に、ハッシュ表を用いて前記依存性をマッピングすることを含む、方法。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の方法において、前記コンポーネントは、メディア・プレーヤー、ウェブ・ブラウザー、およびファイアウォールから成る１群から選択される、方法。
【請求項１１】
請求項８から１０のいずれかに記載の方法であって、更に、ユーザーに、マッピングしたコンポーネントを手作業で除外させ、追加のコンポーネントを選択させるステップを含む、方法。
【請求項１２】
請求項８から１１のいずれかに記載の方法であって、更に、前記依存性を解決するために、追加のコンポーネントを前記オペレーティング・システム・ベースに追加するステップを含む、方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の方法において、前記依存性をマッピングするステップは、更に、ハッシュ表を用いて前記依存性をマッピングすることを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月27日(2012.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
メディア資産を有する少なくとも一つの保管部であって、前記メディア資産の少なくとも一つは商標付きのエンターテイメントに値付けをする値付け方法に従って値付けたされたものであり、前記値付け方法には少なくとも１つの定量化可能対象が含まれており、少なくとも１つの定量化可能対象の値付けは値付けされた前記少なくとも一つのメディア資産に関する評価点を生じるものである、保管部、
該保管部からの値付けされたメディア資産を少なくとも一つの要求されたクリエイティブに合致させる推薦エンジン、および
前記要求されたクリエイティブを、前記保管部からの前記合致したメディア資産に統合させる配送エンジンを含む、
保証付き広告エンジン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】
メディア資産を有する少なくとも一つの保管部であって、前記メディア資産の少なくとも一つは商標付きのエンターテイメントに値付けをする値付け方法に従って値付けたされたものであり、前記値付け方法には少なくとも１つの定量化可能対象が含まれており、少なくとも１つの定量化可能対象の値付けは値付けされた前記少なくとも一つのメディア資産に関する評価点を生じるものである、保管部、
該保管部からの値付けされたメディア資産を少なくとも一つの資産に裏付けされたメディアに合致させる推薦エンジン、および
前記裏付けされたメディア資産を、前記保管部からの合致したメディア資産に統合させる配送エンジンを含む、
保証付き広告エンジン。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2011513831.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月16日(2011.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
標的とする広告を選択するための方法であって、
広告サーバーにおいて、第１のエンドユーザーに関する情報を受信するステップであって、前記情報が、第２のエンドユーザーによって提供されるものと、
前記第２のエンドユーザーから受信した前記情報に基づいて、前記第１のエンドユーザーを明確に標的とする少なくとも１つの広告を選択するステップと、
前記第１のエンドユーザーと第２のユーザーとの間の計算機利用可能な通信形式を介し、前記少なくとも１つの広告を前記第１のエンドユーザーに提示するステップと、を含む方法。
【請求項２】
前記受信した前記第１のエンドユーザーに関する情報が、行動、趣味、関心、関係状況、学歴、及び前記第２のエンドユーザーとの提携、のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記方法が更に、
前記第１のエンドユーザーに提示するための前記少なくとも１つの広告を伝達するステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも１つの広告が、ソーシャルネットワーキング・ウェブサイトを介し前記第１のエンドユーザーに提示されることを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも１つの広告が、前記第１のエンドユーザーと第２のエンドユーザーとの間のリアルタイムネットワークベースメッセージ、電子メール、又は音声電話通信を介し、前記第１のエンドユーザーに提示されることを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項６】
前記第２のエンドユーザーによって広告サーバーに提供される前記第１のエンドユーザーに関する前記情報が、前記第１のエンドユーザーの真の身元を開示していないことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記少なくとも１つの広告が、前記第２のエンドユーザー装置に伝達され、前記第２のユーザー装置上にキャッシュされることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記第１のエンドユーザーに提示するための前記少なくとも１つの広告を伝達するステップが、前記第１のエンドユーザー及び第２のエンドユーザーが計算機利用可能な通信形式で交信中に、生じることを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項９】
方法を実行するためにその上に具体化された計算機実行可能命令を有する１つ以上の計算機記憶媒体であって、前記方法が、
第１のエンドユーザーに関する情報を広告サーバーに提供するステップであって、前記情報が、第２のエンドユーザーによって提供され、前記広告サーバーが、第１のエンドユーザーに提示するために、前記第１のエンドユーザーを明確に標的とする少なくとも１つの広告を選択するものと、
前記第１のエンドユーザーに関連付けられた第１のユーザー装置と通信するステップであって、前記少なくとも１つの広告が、前記第１のユーザー装置に提示するために伝達されるものと、を含むことを特徴とする計算機記憶媒体。
【請求項１０】
前記受信した第１のエンドユーザーに関する情報が、
行動、趣味、関心、関係状況、学歴、及び前記第２のエンドユーザーとの提携、のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項９記載の１つ以上の計算機記憶媒体。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの広告が、前記第１のエンドユーザーと第２のエンドユーザーとの間のリアルタイムネットワークベースメッセージ、音声電話通信、又は電子メールを介し、前記第１のエンドユーザーに提示されることを特徴とする請求項９記載の１つ以上の計算機記憶媒体。
【請求項１２】
前記方法が更に、
前記少なくとも１つの広告を前記広告サーバーから受信するステップと、
前記少なくとも１つの広告を前記第２のユーザー装置にキャッシュするステップと、を含むことを特徴とする請求項９記載の１つ以上の計算機記憶媒体。
【請求項１３】
前記方法が更に、
前記第１のユーザー装置から通信を受信するステップであって、前記通信が、前記第１のユーザーが前記第２のエンドユーザーとの通信を試みていることを示しているもの、を含むことを特徴とする請求項１２記載の１つ以上の計算機記憶媒体。
【請求項１４】
前記方法が更に、
前記第１のユーザー装置と前記第２のユーザー装置との間の通信セッションを始動するステップを含むことを特徴とする請求項１３記載の１つ以上の計算機記憶媒体。
【請求項１５】
前記方法が更に、
前記少なくとも１つの広告を前記第１のユーザー装置に伝達するステップであって、前記第１のユーザーと第２のユーザー装置との間の通信中、前記少なくとも１つの広告が、前記第１のユーザー装置に伝達され、前記少なくとも１つの広告が、前記第１のエンドユーザーに提示されるもの、を含むことを特徴とする請求項１４記載の１つ以上の計算機記憶媒体。
【請求項１６】
前記少なくとも１つの広告が、前記第１のエンドユーザー及び第２のエンドユーザーが計算機利用可能な通信形式で交信中に、現れている前記第１のエンドユーザーに提示されることを特徴とする１５記載の１つ以上の計算機記憶媒体。
【請求項１７】
標的とする広告をエンドユーザーに提示するための方法を実行するためにその上に具体化した計算機実行可能命令を有する１つ以上の計算機記憶媒体であって、前記方法が、
ウェブサイト用サーバーにおいて、コンテンツに対するリクエストを第１のエンドユーザーから受信するステップと、
前記第１のエンドユーザーを明確に対象とする少なくとも１つの広告を提供するステップであって、前記第１のエンドユーザーを対象とする前記少なくとも１つの広告が、第２のエンドユーザーによって提供される情報に基づいているものと、
前記少なくとも１つの広告を前記コンテンツと共に前記第１のエンドユーザーに伝達するステップと、を含むことを特徴とする計算機記憶媒体。
【請求項１８】
前記ウェブサイトが、ユーザーがプロファイルを生成するオンラインソーシャルネットワーク又はその他の同様のネットワークであって、前記プロファイルが、別のユーザーによって閲覧され得ることを特徴とする請求項１７の計算機記憶媒体。
【請求項１９】
前記第１のエンドユーザーが、前記第２のエンドユーザーによって生成されたプロファイルを閲覧したとき、前記少なくとも１つの広告が、第１のエンドユーザーに伝達されることを特徴とする請求項１８の計算機記憶媒体。