【手続補正書】
【提出日】平成16年1月9日(2004.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面を有し厚さ50nm以上10μm以下の単結晶層と、
前記単結晶層の主面上に形成された第1の電極層と、
前記第1の電極層上に形成され、前記単結晶層の主面に対して面内方向の変形が弾性的に前記単結晶層によって拘束されている単結晶層或いは単一配向層からなる強誘電体層と、
前記強誘電体層上に形成された第2の電極層とを具備し、前記赤外線検出素子の強誘電体層の電荷量を第1の電極層及び第2の電極層から電気信号として検出することを特徴とする赤外線検出素子。
【請求項２】
前記強誘電体層がペロブスカイト構造をもつことを特徴とする請求項1記載の赤外線検出素子。
【請求項３】
前記強誘電体層がBa１−XSrXTiO3(0≦x≦1)を主成分とすることを特徴とする請求項１記載の赤外線検出素子。
【請求項４】
前記第1の電極層は、貴金属層あるいはペロブスカイト構造をもつ導電性酸化物層であり、厚さが1μm以下であることを特徴とする請求項１記載の赤外線検出素子。
【請求項５】
前記単結晶層が(001)方位の単結晶シリコン層であり、前記強誘電体層が(001)方位にエピタキシャル成長或いは配向成長していることを特徴とする請求項２記載の赤外線検出素子。
【請求項６】
前記強誘電体層のa軸及びb軸が前記主面に対して面内方向に形成され、前記強誘電体層のC軸が前記主面に対して垂直方向に形成されていることを特徴とする請求項2記載の赤外線検出素子。
【請求項７】
主面を有し厚さ50nm以上10μm以下であるシリコン単結晶層と、この単結晶層の主面上に形成された第1の電極層と、
前記第1の電極層上に形成され、前記単結晶層の主面に対してエピタキシャル成長により形成された単結晶層或いは配向成長により形成された単一配向層からなる強誘電体層と、
前記強誘電体層上に形成された第２の電極層とを具備し、前記強誘電体層の電荷量を第1の電極層及び第２の電極層から電気信号として検出することを特徴とする赤外線検出素子。
【請求項８】
前記強誘電体層がペロブスカイト構造をもつことを特徴とする請求項７記載の赤外線検出素子。
【請求項９】
前記強誘電体層がBa１−XSrXTiO3(0≦x≦1)を主成分とすることを特徴とする請求項８記載の赤外線検出素子。
【請求項１０】
前記第1の電極層は、貴金属あるいはペロブスカイト構造をもつ導電性酸化物であり、厚さが1μm以下であることを特徴とする請求項９記載の赤外線検出素子。
【請求項１１】
主面を有し厚さ50nm以上10μm以下であるシリコン単結晶層と、
この単結晶層の主面上に形成された第1の電極層と、
前記第1の電極層上に固着形成された単結晶強誘電体層と、
前記強誘電体層上に形成された第2の電極層とを具備し、前記赤外線検出素子の強誘電体層の電荷量を第1の電極層及び第2の電極層から電気信号として検出することを特徴とする赤外線検出素子。
【請求項１２】
前記強誘電体層は前記第1の電極層上にスパッタリングにより固着形成されることを特徴とする請求項11記載の赤外線検出素子。
【請求項１３】
前記強誘電体層がペロブスカイと構造を持つことを特徴とする請求項１２記載の赤外線検出素子。
【請求項１４】
前記強誘電体層がBa１−XSrXTiO3(0≦x≦1)を主成分とすることを特徴とする請求項１３記載の赤外線検出素子。
【請求項１５】
前記第1の電極層が、貴金属あるいはペロブスカイト構造をもつ導電性酸化物であることを特徴とする請求項14記載の赤外線検出素子。
【請求項１６】
主面を有し厚さ50nm以上10μm以下の単結晶層と、前記単結晶層の主面上に形成された第1の電極層と、
前記第1の電極層上に形成され、前記単結晶層の主面に対して面内方向の変形が弾性的に前記単結晶層によって拘束されている単結晶層或いは単一配向層からなる第１の強誘電体層と、
前記第１の強誘電体層上に形成された第2の電極層を有する赤外線検出素子と、
前記単結晶層の主面に形成された第3の電極層と、
前記第3の電極層上に形成され、前記単結晶層の主面に対して面内方向の変形が弾性的に前記単結晶層によって拘束されている単結晶層或いは単一配向層からなる第2の強誘電体層と、前記第の強誘電体層上に形成された第4の電極層を有するダミーセルと、
このダミーセル上に形成された赤外線反射膜とを具備し、前記赤外線検出素子の前記第１の強誘電体層の電荷量を前記第1の電極層及び前記第2の電極層から電気信号として検出し、前記ダミーセルの前記第の強誘電体層の電荷量を前記第3の電極層及び前記第4の電極層からの電気信号として検出し、これらの電気信号の差を検出することを特徴とする赤外線検出装置。
【請求項１７】
前記第1および第2の強誘電体層がペロブスカイト構造をもつことを特徴とする請求項16記載の赤外線検出装置。
【請求項１８】
前記第1および第2の強誘電体層がBa１−XSrXTiO3(0≦x≦1)を主成分とすることを特徴とする請求項17記載の赤外線検出装置。
【請求項１９】
前記第1および第3の電極層が貴金属あるいはペロブスカイト構造をもつ導電性酸化物であることを特徴とする請求項18記載の赤外線検出装置。
【請求項２０】
前記単結晶層が(001)方位の単結晶シリコン層であり、前記第1および第2の強誘電体層が(001)方位にエピタキシャル成長或いは配向成長していることを特徴とする請求項19記載の赤外線検出装置。
【請求項２１】
前記各強誘電体層のa軸及びb軸が前記主面に対して面内方向に形成され、前記各強誘電体層のC軸が前記主面に対して垂直方向に形成されていることを特徴とする請求項２０記載の赤外線検出装置。
【請求項２２】
主面を有し厚さ50nm以上10μm以下の単結晶層と、
前記単結晶層の主面上に形成された第1の電極層と、
前記第1の電極層上に固着形成された単結晶層からなる第1の強誘電体層と、
前記第１の強誘電体層上に形成された第2の電極層を有する赤外線検出素子と、
前記単結晶層の主面上に形成された第3の電極層と、
前記第3の電極層上に固着形成された単結晶層からなる第2の強誘電体層と、
前記第２の強誘電体層上に形成された第4の電極層を有するダミーセルと、
このダミーセル上に形成された赤外線反射膜とを具備し、
前記赤外線検出素子の前記第１の強誘電体層の電荷量を前記第1の電極層及び前記第2の電極層から電気信号として検出し、前記ダミーセルの前記第２の強誘電体層の電荷量を前記第3の電極層及び前記第4の電極層からの電気信号として検出し、これらの電気信号の差を検出することを特徴とする赤外線検出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
主面を有し厚さ50nm以上10μm以下の単結晶層と、前記単結晶層の主面上に形成された第1の電極層と、
前記第1の電極層上に形成され、前記単結晶層の主面に対して面内方向の変形が弾性的に前記単結晶層によって拘束されている単結晶層或いは単一配向層からなる第１の強誘電体層と、
前記第１の強誘電体層上に形成された第2の電極層を有する赤外線検出素子と、
前記単結晶層の主面に形成された第3の電極層と、
前記第3の電極層上に形成され、前記単結晶層の主面に対して面内方向の変形が弾性的に前記単結晶層によって拘束されている単結晶層或いは単一配向層からなる第2の強誘電体層と、前記第の強誘電体層上に形成された第4の電極層を有するダミーセルと、
このダミーセル上に形成された赤外線反射膜とを具備し、前記赤外線検出素子の前記第１の強誘電体層の電荷量を前記第1の電極層及び前記第2の電極層から電気信号として検出し、前記ダミーセルの前記第の強誘電体層の電荷量を前記第3の電極層及び前記第4の電極層からの電気信号として検出し、これらの電気信号の差を検出することを特徴とする赤外線検出装置を提供する。