(57)【要約】【課題】本発明は、基体シートとして液晶ポリマフィルムを用い、導電層との間で優れた密着力を有する導電性シートを提供することを目的とする。【解決手段】本発明の導電性シートは、液晶ポリマフィルムからなる基体シートの表裏いずれか一方の面または表裏両面に、第１の金属からなる第１導電層を形成し、その上に第１導電層より厚くなるように第２の金属からなる第２導電層を形成してなるものである。【選択図】　　　　図１
2004103504.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶ポリマフィルムからなる基体シートの表裏いずれか一方の面または表裏両面に、第１の金属からなる第１導電層を形成し、その上に第１導電層より厚くなるように第２の金属からなる第２導電層を形成してなる導電性シート。
【請求項２】
第１導電層は、第１の金属をスパッタリングまたは蒸着することにより形成される請求項１記載の導電性シート。
【請求項３】
第２導電層は、第２の金属をめっきすることにより形成される請求項１記載の導電性シート。
【請求項４】
基体シートの表裏いずれか一方の面または表裏両面が、塩基性物質により前処理されている請求項１記載の導電性シート。
【請求項５】
第１導電層を形成した後および／または第２導電層を形成した後に熱処理して得られる請求項１記載の導電性シート。
【請求項６】
第１の金属および第２の金属が、ともにＣｕである請求項１記載の導電性シート。
【請求項７】
基体シートと第１導電層との間に、第１の金属とは異なる第３の金属で構成される下地層が形成されている請求項１記載の導電性シート。
【請求項８】
第３の金属が、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｚｎ、これらの金属の酸化物、窒化物およびこれらの金属を少なくとも１種含む合金のいずれかである請求項７記載の導電性シート。
【請求項９】
基体シートが、長尺の連続状のものである請求項１記載の導電性シート。
【請求項１０】
基体シートが、穴加工されたものである請求項１記載の導電性シート。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、導電性シートに関する。より詳細には、半導体用基板や電気、電子部品用回路基板あるいは各種パッケージング等に好適に用いることができるものであって、かつ特に高周波特性に優れた導電性シートに関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶ポリマフィルムは、ポリイミド、エポキシ、ＰＥＴ等の液晶性を示さない一般の樹脂フィルムに比し高周波特性に優れているため、半導体用基板や電気、電子部品用回路基板あるいは各種パッケージング等に用いられる導電性シートの基体シートとして近年注目されている。しかし、液晶ポリマフィルムは導電層を形成する各種の金属、とりわけ銅との間の密着性に欠けるという問題点が存し、この問題を解決するために種々の試みがなされている。例えば、該密着性を改良するべく銅箔の表面を粗化処理し、このような処理をされた銅箔を前記フィルムと熱プレスにより密着させようとする試みがあるが、この方法によれば該粗化処理に起因してフィルムと密着後の銅箔の表面が凹凸となり、このためファイン化されたパターンの形成が困難となっていた。一方、前記フィルムの表面に対して無電解めっき法により金属による下地層を形成し、その上に電気めっき法により厚い導電層を形成させる方法も試みられているが、かかる方法においても十分な密着力を有した導電性シートが得られるには至っていない。したがって、液晶ポリマフィルムは優れた高周波特性を有しているにもかかわらず、未だ導電性シートの基体シートとして十分に活用されていない現状にある。
【０００３】
なお、以上本発明についての従来の技術を、出願人の知得した一般的技術情報に基づいて説明したが、出願人の記憶する範囲において、出願前までに先行技術文献情報として開示すべき情報を出願人は有していない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の現状に鑑みなされたものであってその目的とするところは、基体シートとして液晶ポリマフィルムを用い、導電層との間で優れた密着力を有する導電性シートを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記問題点を解決するために鋭意研究を重ねることにより、ついに本発明を完成するに至った。
【０００６】
すなわち、本発明の導電性シートは、液晶ポリマフィルムからなる基体シートの表裏いずれか一方の面または表裏両面に、第１の金属からなる第１導電層を形成し、その上に第１導電層より厚くなるように第２の金属からなる第２導電層を形成してなるものである。また、第１導電層は、第１の金属をスパッタリングまたは蒸着することにより形成することができ、第２導電層は、第２の金属をめっきすることにより形成することができる。このような構成としたことにより、基体シートである液晶ポリマフィルムと前記両導電層との間に十分な密着力を得ることが可能となった。
【０００７】
また、本発明の導電性シートは、基体シートの表裏いずれか一方の面または表裏両面が、塩基性物質により前処理されたものとすることができる。これにより、液晶ポリマフィルムと前記両導電層との間でさらに強力な密着力を得ることが可能となった。
【０００８】
また、本発明の導電性シートは、第１導電層を形成した後および／または第２導電層を形成した後に熱処理して得られるものとすることができる。これにより、液晶ポリマフィルムと前記両導電層との間でさらに強力な密着力を得ることが可能となった。
【０００９】
一方、本発明の導電性シートは、第１の金属および第２の金属が、ともにＣｕ（銅）とすることができる。
【００１０】
また、本発明の導電性シートは、基体シートと第１導電層との間に、第１の金属とは異なる第３の金属で構成される下地層が形成されたものとすることができる。
【００１１】
また、本発明の導電性シートは、上記第３の金属が、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｚｎ、これらの金属の酸化物、窒化物およびこれらの金属を少なくとも１種含む合金のいずれかであるものとすることができる。
【００１２】
また、本発明の導電性シートは、基体シートが、長尺の連続状のものであるものとすることができる。
【００１３】
また、本発明の導電性シートは、基体シートが、穴加工されたものであるものとすることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
＜基体シート＞
本発明に用いる基体シートは、液晶ポリマフィルムにより構成される。本発明において液晶ポリマフィルムとは、フィルムの構成成分が液晶ポリマであるものをいう。液晶ポリマは、前述の通り液晶性を示さない他の一般の樹脂に比し高周波特性に優れているため、良好な高周波特性が要求される用途に供される導電性シートの基体シートの構成成分として特に好適なものである。通常、液晶ポリマは、ライオトロピック性のものとサーモトロピック性のものに大別されるが、本発明においてはいずれのものも用いることができ、たとえばポリカーボネート系、ポリエステル系、ポリアミド系、アラミド系等、いずれのものであっても使用することができる。本発明で用いる液晶ポリマフィルムは、厚さ１０〜２００μｍ、好ましくは２５〜５０μｍのものが好適である。１０μｍ未満の場合には厚さが薄過ぎて基体シートとしては不適当なものとなる一方、２００μｍより厚くなる場合にはコストアップにつながり経済的に不利となるばかりかロール状での加工が困難となり作業効率の低下につながるため好ましくない。また本発明の液晶ポリマフィルムは、基体シートとして長尺の連続状のものであることが好ましく、幅が２０〜６００ｍｍ、好ましくは１５０〜２５０ｍｍであって、長さが０．３〜５００ｍ、好ましくは５０〜１００ｍであるものを用いることが好適である。このように長尺の連続状のものを用いることにより、導電性シートの製造効率が向上するだけではなく品質のばらつきを防止することができ極めて有効である。これは、後述の通り導電層がスパッタリング法や蒸着法、あるいはめっき法により形成されることによりもたらされる本発明の特有の効果であると考えられる。このため、前記長さが０．３ｍ未満の場合にはこのような効果を得ることができなくなる一方、５００ｍを超えるものは後述のスパッタリング法や蒸着法、あるいはめっき法を実行する装置への装着が困難となるため好ましくない。一方、該基体シートは、アライメントホールやビアホール等各種の穴加工を行なうことができ、これにより後述の導電層を形成する際に同時に穴埋め加工をすることができるため有効である。このような穴加工は、通常レーザ（ＣＯ２、ＹＡＧ）、プレス、パンチ等により行なうことができる。
【００１５】
＜第１導電層＞
本発明の第１導電層は、基体シートの表裏いずれか一方の面または表裏両面に第１の金属により形成することができる。該第１導電層は、導電特性を有するとともに後述の第２導電層を基体シート上に強力に保持する密着性補助層としての作用を有するものである。このため、該第１導電層は第１の金属を基体シート上に極めて緻密に存在させる必要があり、金属の種類にもよるがその密着力を０．６〜３．０ｋｇ／ｃｍ２、好ましくは１．０〜２．０ｋｇ／ｃｍ２として形成することが好ましい。この目的を達成するためには、該第１導電層の形成方法としてスパッタリング法または蒸着法を採用することが好適である。そして、該スパッタリングの条件としては、真空度１×１０−４〜１．５×１０−１Ｐａ、好ましくは１×１０−４〜１×１０−２Ｐａ、出力０．３〜９ｋｗ（１〜１５Ａ／３００〜６００Ｖ）、好ましくは１．２〜６ｋｗ（３〜１２Ａ／４００〜５００Ｖ）、Ａｒガス５０〜４００ｃｃ／分、好ましくは１８０〜２５０ｃｃ／分の条件を採用することが好ましい。また、該蒸着の条件としては、真空度１×１０−５〜１×１０−２Ｐａ、好ましくは１×１０−４〜１×１０−３Ｐａ、出力１０〜１５０ｋｗ（１０００〜３０００Ａ／１０〜５０Ｖ）、好ましくは４０〜９０ｋｗ（２０００〜３０００Ａ／２０〜３０Ｖ）の条件を採用することが好ましい。一方、このような第１導電層を構成する第１の金属としては、Ｃｕ、Ｎｉおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金を挙げることができる。そして、特にＣｕを採用することが好ましい。スパッタリングまたは蒸着により基体シート上に極めて緻密に存在させることができるからである。また、第１導電層の厚みとしては５００〜３０００Å、好ましくは１５００〜２５００Åとすることが好適である。５００Å未満の場合には前述のような密着性補助層としての作用が十分に示されなくなる一方、３０００Åを超えても前記作用効果に大差なく経済的に却って不利となるからである。
【００１６】
なお、後述の第２導電層の形成に先立って、第１導電層上を０．５〜５０％、好ましくは３〜１０％濃度の硫酸により０．１〜３分間、好ましくは０．５〜１．５分間酸活性処理することにより活性化させておくことが好ましい。このような酸活性処理を行なうことにより、第１導電層を構成する第１の金属がたとえ酸化されているような場合であっても（すなわち第１の金属がＣｕの場合それが酸化されて酸化銅となっていても）これを効果的に還元乃至溶解除去し、第２の金属を密着性高く第１導電層上に形成させることが可能となる。
【００１７】
＜第２導電層＞
本発明の第２導電層は、前記第１導電層上に第２の金属により形成されるものである。該第１導電層が主として第２導電層のための密着性補助層としての作用を示したのに対して、本第２導電層は主として導電性を付与する作用を奏するものである。このため、本第２導電層は、導電性を保証する観点から前記第１導電層より厚く形成させる必要がある一方、基体シートとの密着性は主として前記第１導電層により達成されるため第１導電層のように緻密に形成させる必要はない。すなわち、このような第２導電層は０．５〜５０μｍ、好ましくは３〜２０μｍの厚みで形成させることが好適である。厚みが０．５μｍ未満の場合には、十分な導電性が示されなくなることがある一方、５０μｍを超えて形成しても導電性に大差なく経済的に却って不利となるため好ましくない。また、このような第２導電層は、めっき法により形成するのが好適である。かかるめっき法としては、無電解めっき法であっても電気めっき法であっても差し支えなくいずれをも採用することができ、目的とする厚みによって任意の方法を選択することができる。ここで、このような第２導電層を構成する第２の金属としては、Ｃｕ、Ｎｉおよびこれらの金属を少なくとも１種含む合金を挙げることができる。そして、特にＣｕを採用することが好ましい。極めて優れた導電性が示されるからであり、また第１導電層がＣｕで形成される場合にはこれとの間で特に強力な密着性が得られるからである。第２導電層が、第１導電層上にこのようなＣｕを用いて電気めっきすることにより形成される場合、その条件としては、まずめっき液の組成を硫酸銅３０〜３００ｇ／ｌ、好ましくは９０〜１５０ｇ／ｌ、硫酸７０〜２００ｇ／ｌ、好ましくは９０〜１３０ｇ／ｌ、塩素３０〜９０ｐｐｍ、好ましくは５０〜７０ｐｐｍその他所望により少量の添加剤を配合させたものとし、このようなめっき液を用いて電流密度０．５〜１０Ａ／ｄｍ２、好ましくは１〜４Ａ／ｄｍ２、液温２０〜６０℃、好ましくは２５〜３５℃の下で実行することができる。
【００１８】
＜塩基性物質による前処理＞
本発明の前記基体シートは、第１導電層を形成させる前に塩基性物質により前処理することが好ましい。前記第１導電層は、第２導電層のための密着性補助層として作用するものであるが、基体シート上に第１の金属を緻密に存在させるには限度があり、単にスパッタリングや蒸着するだけでは金属を緻密に存在させることができない場合がある。このような場合、基体シートと第１導電層間において十分な密着性を得ることができなくなってしまう。そこで、このような不都合を解消するべく基体シートを塩基性物質で処理すると、基体シートを構成する液晶ポリマフィルムが塩基性物質の作用を受けて膨潤し、これにより該液晶ポリマフィルム表面に前記金属が密着し易くなり極めて有効である。このような塩基性物質としては、たとえば水酸化ナトリウムや水酸化カリウム等を挙げることができるが、これらに限られるものではなく塩基性を示す物質であればいずれのものでも使用することができる。本発明においては、このような塩基性物質を１０〜１０００ｇ／ｌ、好ましくは２００〜３００ｇ／ｌの濃度で水に溶解することによりｐＨを９〜１４、好ましくは１１〜１２の範囲に調節し、液温３０〜１００℃、好ましくは５０〜６０℃の下、前記基体シートを０．５〜１０分間、好ましくは３〜５分間前記水溶液に浸漬させることによりこのような前処理を行なうことができる。
【００１９】
なお、前処理を経た基体シートは、含有水分量を０．０１％未満となるように乾燥処理することが好ましい。基体シートに水分が含まれていると該水分中に溶存する酸素の影響により第１導電層の酸化が助長されるからであり、一旦第１導電層が酸化されると基体シートとの間の密着性が著しく低減することとなる。該乾燥処理方法としては常法に従って実行することができるが、とりわけ１００℃以上、好ましくは１１０℃以上の温度に加熱された真空状態（５．２×１０−３Ｐａ）でボンバード処理する方法を挙げることができる。該ボンバード処理の条件としては、Ａｒガス３０〜４００ｃｃ／分、出力０．２〜８．４ｋｗ（０．５〜１．２Ａ／４００〜７００Ｖ）、速度０．１〜１ｍ／分の下、スパッタリング装置等を用いることにより行なうことができる。なお、このような乾燥処理は、基体シートに対してたとえ前処理を行なわない場合であっても行なうことが好ましい。いずれにせよ、第１導電層の酸化を防止することができるからである。
【００２０】
＜熱処理＞
本発明においては、第１導電層を形成した後および／または第２導電層を形成した後に熱処理を施すことが好ましい。上記のように塩基性物質による前処理により基体シートと第１導電層との間の密着力を向上させることが期待できるが、さらにより強力な密着力が要求されるような場合がある。このような場合において、第１導電層を形成した後および／または第２導電層を形成した後に熱処理を施すと、基体シートを構成する液晶ポリマフィルムと第１導電層とが熱の作用を受けて互いに融着し、これにより基体シートと第１導電層との間に強力な密着力が形成されることとなるので有効である。このような熱処理の条件としては、たとえば１５０〜３００℃、好ましくは１８０〜２００℃の温度で３〜６０分、好ましくは３０〜４０分間処理することにより行なうことができる。また、このような熱処理は、空気中、真空中、不活性ガス（たとえばＡｒやＮ２等）中のいずれにおいても行なうことができるが、空気中で行なった場合には第１導電層が酸化される可能性があるため、熱処理後において前記のような酸活性処理を行なうことが好ましい。
【００２１】
＜下地層＞
本発明の下地層は、前記第１の金属とは異なる第３の金属を用いることにより、前記基体シートと第１導電層との間に形成することができる。該下地層は、第１導電層が酸化されるのを防止する酸化防止層としての作用を奏するものである。該第１導電層は、空気中の酸素や基体シートに含まれる水分に溶存している酸素の作用により経時的に酸化され、このように一旦酸化されると基体シートとの密着力が著しく低減し容易に剥離等の不都合を生じることとなる。このような場合において、本下地層が基体シートと第１導電層との間に存在すると、基体シートから第１導電層の方向に拡散する前記酸素に対して下地層を構成する第３の金属がこれを有効に捕捉し、以って当該酸素が第１導電層に到達するまでに有効に除去されることとなるので第１導電層を構成する第１の金属が酸化されるのを防止することが可能となる。このような下地層を構成する第３の金属としては、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｏ、これらの金属の酸化物、窒化物およびこれらの金属を少なくとも１種含む合金を挙げることができ、これらの中でも特にＴｉを採用することが好ましい。また、該下地層は２０〜５００Å、好ましくは５０〜１００Åの範囲の厚みとして形成することが好適である。２０Å未満の場合には前述のような酸化防止層としての作用が十分に示されなくなる一方、５００Åを超えて形成すると導電層をエッチング処理する際のエッチング性が害されるため好ましくない。また、このような下地層は、通常、スパッタリング法または蒸着法を採用することにより形成することができる。当該スパッタリングの条件としては、真空度１×１０−４〜１．５×１０−１Ｐａ、好ましくは１×１０−４〜１×１０−２Ｐａ、出力０．３〜８ｋｗ（１〜１０Ａ／３００〜８００Ｖ）、好ましくは１．２〜２．５ｋｗ（３〜５Ａ／４００〜５００Ｖ）、Ａｒガス３０〜４００ｃｃ／分、好ましくは１００〜１５０ｃｃ／分の条件を採用することが好ましい。また、該蒸着の条件としては、真空度１×１０−５〜１×１０−２Ｐａ、好ましくは１×１０−４〜１×１０−３Ｐａ、出力１０〜１５０ｋｗ（１０００〜３０００Ａ／１０〜５０Ｖ）、好ましくは４０〜９０ｋｗ（２０００〜３０００Ａ／２０〜３０Ｖ）の条件を採用することが好ましい。
【００２２】
【実施例】
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２３】
＜実施例１＞
本実施例は、基体シート上に第１導電層および第２導電層をこの順で形成した導電性シートに関するものである。以下、図１および図３を参照して説明する。
【００２４】
基体シート１０１として厚さ５０μｍの液晶ポリマフィルム（商品名：ＣＴ−Ｘ１００、クラレ（株）製）を幅２５０ｍｍ、長さ１００ｍにスリットした後、塩基性物質として工業用水酸化ナトリウムを２５０ｇ／ｌの濃度で溶解した水溶液が浸漬浴に充填されている連続浸漬装置を用いて、液温５５℃の下５分間該基体シートを浸漬処理することにより基体シートの表面を塩基性物質により前処理した。その後、５回水洗を行ないブロアにより水切りを行なった後６０℃で熱風乾燥した。
【００２５】
次いで、このように処理された基体シートを図３に示したスパッタリング装置の真空チャンバ３１８内の送出しシャフト３１１に装着するとともにその先端部を巻取りシャフト３１７に取付けた。そして基体シートが０．４ｍ／分の速度で巻き取られるように冷却装置付駆動ドラム３１４、送出しシャフト３１１および巻取りシャフト３１７をそれぞれ回転させ、真空チャンバ３１８内が１．３×１０−３Ｐａの真空状態となるまでの間９０分間回転を続けた。その後ヒータ３１２により温度を１１０℃とした後、ボンバード処理部３１３においてＡｒガス１２０ｃｃ／分、出力０．４８ｋｗ（０．８Ａ／６００Ｖ）の条件下ボンバード処理を行なうことにより基体シートの水分含有量が０．０１％未満となるように真空乾燥した。
【００２６】
続いて、真空チャンバ３１８内の第１ターゲット３１５にＣｕを装着し、Ａｒガス２００ｃｃ／分、出力２．５ｋｗ（５Ａ／５００Ｖ）の条件下Ｃｕをスパッタリングすることにより前記前処理された基体シート１０１の表面上に第１導電層１０２を形成した。この第１導電層の厚みをＦＩＢ装置により測定したところ、その厚みは２０００Åであった。
【００２７】
その後、このように第１導電層を形成した上記基体シートをスパッタリング装置から取出し、続いて連続めっき装置にセットした。３．５％の硫酸が充填されているめっき浴に上記基体シートを１．０ｍ／分の移動速度で１分間連続的に浸漬することにより、上記第１導電層を酸活性化処理した。次いで、２回水洗を繰り返した後、上記装置のめっき浴にめっき液（硫酸銅１１０ｇ／ｌ、硫酸１５０ｇ／ｌ、塩素５５ｐｐｍおよびトップルチナ３８０Ｈ（奥野製薬工業（株）製）１０ｃｃ／ｌからなるもの）を充填し、上記基体シートを１．０ｍ／分の移動速度で連続的に浸漬させ、液温２９℃、電流密度４Ａ／ｄｍ２の条件下で電気めっきすることにより、前記第１導電層１０２上にＣｕからなる第２導電層１０３を形成した。
【００２８】
続いて、水洗を４回繰り返し、ブロアによる水切り後６０℃で１分間乾燥させた後巻き取った。その後、このように巻き取られた基体シートを図３に示した装置の真空チャンバ３１８内の送出しシャフト３１１に装着するとともにその先端部を巻取りシャフト３１７に取付けた。そして基体シートが０．０５ｍ／分の速度で巻き取られるように冷却装置付駆動ドラム３１４、送出しシャフト３１１および巻取りシャフト３１７をそれぞれ回転させ、真空チャンバ３１８内が１．３×１０−１Ｐａの真空状態となるまで回転を続けた。そして、Ｎ２ガスを常気圧になるまで投入した後、ヒータ３１２により温度を１９０℃まで昇温させた。その後、４０分間基体シートを前記速度で回転させながら熱処理を行なった後、室温まで冷却することにより図１に示した本発明の導電性シートを得た。なお、該シートの第２導電層の厚みを蛍光Ｘ線測定器を用いて測定したところ１２μｍであった。一方、第１導電層および第２導電層の基体シートに対する密着力をピール試験機を用いて測定したところ、１．２５ｋｇ／ｃｍ２であった。参考までに、上記熱処理を経る前の状態のものの同密着力を同条件下で測定したところ０．３ｋｇ／ｃｍ２であり、また上記前処理を行なわずかつ熱処理も行なわなかった状態のものの同密着力を同条件下で測定したところ０．１ｋｇ／ｃｍ２であった。
【００２９】
上記で得られた本発明の導電性シートは、その導電層を任意のパターンにエッチングした後個々のパターン毎にカッティングすることにより、半導体用基板や電気、電子部品用回路基板あるいは各種パッケージング等に好適に用いることができるものであった。また、予め基体シートに各種の穴加工、とりわけビアホール加工を施しておくと、第２導電層の形成と同時に穴埋め加工をすることができるため、極めて有効であった。
【００３０】
＜実施例２＞
本実施例は、基体シート上に下地層、第１導電層および第２導電層をこの順で形成した導電性シートに関するものである。以下、図２および図３を参照して説明する。
【００３１】
基体シート２０１として厚さ５０μｍの液晶ポリマフィルム（商品名：ＣＴ−Ｘ１００、クラレ（株）製）を幅２５０ｍｍ、長さ１００ｍにスリットした後、塩基性物質として工業用水酸化ナトリウムを２５０ｇ／ｌの濃度で溶解した水溶液が浸漬浴に充填されている連続浸漬装置を用いて、液温５５℃の下５分間該基体シートを浸漬処理することにより基体シートの表面を塩基性物質により前処理した。その後、５回水洗を行ないブロアにより水切りを行なった後６０℃で熱風乾燥した。
【００３２】
次いで、このように処理された基体シートを図３に示したスパッタリング装置の真空チャンバ３１８内の送出しシャフト３１１に装着するとともに、その先端部を巻取りシャフト３１７に取付けた。そして、基体シートが０．４ｍ／分の速度で巻き取られるように冷却装置付駆動ドラム３１４、送出しシャフト３１１および巻取りシャフト３１７をそれぞれ回転させ、真空チャンバ３１８内が１．３×１０−３Ｐａの真空状態となるまでの間９０分間回転を続けた。その後ヒータ３１２により温度を１１０℃とした後、ボンバード処理部３１３においてＡｒガス１２０ｃｃ／分、出力０．４８ｋｗ（０．８Ａ／６００Ｖ）の条件下ボンバード処理を行なうことにより基体シートの水分含有量が０．０１％未満となるように真空乾燥した。
【００３３】
続いて、真空チャンバ３１８内の第１ターゲット３１５にＴｉを装着するとともに第２ターゲット３１６にＣｕを装着し、ＴｉおよびＣｕをこの順でスパッタリングすることにより前記前処理された基体シート２０１の表面上にＴｉからなる下地層２０４およびＣｕからなる第１導電層２０２をこの順で形成した。なお、Ｔｉをスパッタリングする条件はＡｒガス１２０ｃｃ／分、出力２．２ｋｗ（５Ａ／４４０Ｖ）とし、またＣｕをスパッタリングする条件はＡｒガス２５０ｃｃ／分、出力５．７６ｋｗ（１２Ａ／４８０Ｖ）とした。また、この下地層２０４および第１導電層２０２の厚みをそれぞれＦＩＢ装置により測定したところ、その厚みは下地層が９０Åであり、第１導電層が２０００Åであった。
【００３４】
その後、このように下地層および第１導電層を形成した上記基体シートをスパッタリング装置から取出し、続いて連続めっき装置にセットした。３．５％の硫酸が充填されているめっき浴に上記基体シートを１．０ｍ／分の移動速度で１分間連続的に浸漬することにより、上記第１導電層を酸活性化処理した。次いで、２回水洗を繰り返した後、上記装置のめっき浴にめっき液（硫酸銅１１０ｇ／ｌ、硫酸１５０ｇ／ｌ、塩素５５ｐｐｍおよびトップルチナ３８０Ｈ（奥野製薬工業（株）製）１０ｃｃ／ｌからなるもの）を充填し、上記基体シートを１．０ｍ／分の移動速度で連続的に浸漬させ、液温２９℃、電流密度４Ａ／ｄｍ２の条件下で電気めっきすることにより、前記第１導電層２０２上にＣｕからなる第２導電層２０３を形成した。
【００３５】
続いて、水洗を４回繰り返し、ブロアによる水切り後６０℃で１分間乾燥させた後巻き取った。その後、このように巻き取られた基体シートを図３に示した装置の真空チャンバ３１８内の送出しシャフト３１１に装着するとともにその先端部を巻取りシャフト３１７に取付けた。そして基体シートが０．１ｍ／分の速度で巻き取られるように冷却装置付駆動ドラム３１４、送出しシャフト３１１および巻取りシャフト３１７をそれぞれ回転させ、真空チャンバ３１８内が１．３×１０−１Ｐａの真空状態となるまで回転を続けた。そして、Ｎ２ガスを常気圧になるまで投入した後、ヒータ３１２により温度を１９０℃まで昇温させた。その後、４０分間基体シートを前記速度で回転させながら熱処理を行なった後、室温まで冷却することにより図２に示した本発明の導電性シートを得た。なお、該シートの第１導電層および第２導電層の合計厚みを蛍光Ｘ線測定器を用いて測定したところ９．５μｍであり、したがって第２導電層の厚みは９．３μｍであった。一方、第１導電層および第２導電層の基体シートに対する密着力をピール試験機を用いて測定したところ、１．３６ｋｇ／ｃｍ２であった。
【００３６】
このようにして得られた導電性シートは、その導電層を任意のパターンにエッチングした後個々のパターン毎にカッティングすることにより、半導体用基板や電気、電子部品用回路基板あるいは各種パッケージング等に好適に用いることができるものであった。また、予め基体シートに各種の穴加工、とりわけビアホール加工を施しておくと、第２導電層の形成と同時に穴埋め加工をすることができるため、極めて好都合である。
【００３７】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００３８】
【発明の効果】
本発明の導電性シートは、基体シートとして液晶ポリマフィルムを用いているにもかかわらず基体シートと第１導電層および第２導電層との間の密着性に優れており、したがって優れた高周波特性が示されるとともに導電層が剥離する等の不都合を一切伴わないものである。また、前記密着性の向上に粗化処理を伴わないため、第２導電層の表面に凹凸が発生することがなく、以って極めてファインな回路パターンの形成が可能となる。さらに、基体シートの液晶ポリマフィルムとして長尺の連続状のものを用いることにより、導電性シートの製造効率が向上するだけでなく品質のばらつきを防止することが可能となる。また、基体シートに予め穴加工を施しておくと、第１導電層および第２導電層の形成と穴埋め加工とを同時に行なうことができるため有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】基体シート上に第１導電層および第２導電層をこの順で形成した導電性シートの概略断面図である。
【図２】基体シート上に下地層、第１導電層および第２導電層をこの順で形成した導電性シートの概略断面図である。
【図３】スパッタリング装置の一例を示した概略図である。
【符号の説明】
１０１，２０１　基体シート、１０２，２０２　第１導電層、１０３，２０３第２導電層、２０４　下地層、３１１　送出しシャフト、３１２　ヒータ、３１３　ボンバード処理部、３１４　冷却装置付駆動ドラム、３１５　第１ターゲット、３１６　第２ターゲット、３１７　巻取りシャフト、３１８　真空チャンバ。
【図１】
2004103504.tif 000003
【図２】
2004103504.tif 000004
【図３】
2004103504.tif 000005