【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年1月27日(2014.1.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
別の局面において、本発明は、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）に適合したソースガスを用いて半絶縁性の半導体基板上にＩＩＩ族窒化物層をエピタキシャル成長させるための方法である。この局面において、改善は、互いに組成が十分に異なっている２つのＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層から形成されたヘテロ構造を成長させ、窒素が大半を占める雰囲気中でそれらの界面で、かつ少なくとも１００ｍｍの直径の基板上で、２次元電子ガスを生成することを含んでいる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
別の局面において、本発明は、複数の半絶縁性炭化シリコンウェハ（各々は、少なくとも１００ｍｍの直径を有する）、であり、該ウェハは、各ウェハ上のＩＩＩ族窒化物へテロ構造、および各ウェハの上面としての窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）バリア層を有している。この局面において、ウェハの７５パーセントは、１．００の０．０８以内の、ＡｌＧａＮバリア層の中心の厚さに対する縁の厚さの比、および約０．９８〜１．０２の間の、（すなわち、１．００の０．０２以内の）ＡｌＧａＮバリア層におけるアルミニウムの最大の割合に対する最小の割合の比を有している。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５７】
【表２】
2008544486.tif 000001
図１７は、本発明にしたがう１８個のウェハのシート抵抗の標準偏差をプロットしているグラフであり、分位数（ｑｕａｎｔｉｌｅ）が付随されている。図１７は、大きな欠陥を有する基板における実験的なエピタキシャル成長を含んでいるので、データは高い（均一性が低い）値に向けて動いている。言い換えると、望ましくないサンプルが含まれている場合でさえも、本発明の高い品質は明確に示されている。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５８】
図１８は、本発明にしたがう１６個のウェハに対する、ＣＶゼロバイアス容量によって決定された、ウェハの中心に対するウェハの縁におけるＡｌＧａＮバリアの厚さの比のプロットであり、ここでもまた分位数が列挙されている。本明細書に開示されているように、最良のウェハは、最小の厚さと最大の厚さとの間で、１％の変化を有しており、典型的には、ウェハの縁における厚さは、ウェハの中心における厚さよりも６％小さい。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５９】
図１９は、本発明にしたがう１６個のウェハのサンプルに対する、ウェハの中心に対するウェハの縁において測定されたアルミニウムの割合の比の分位数が付随されているプロットである。平均では、縁において測定されたアルミニウムの割合は、ウェハの中心における測定の９９．１パーセントであり、優れた組成制御を示している。上述のように、小さな縁の部分は、これらの測定を行うときには、除外されている。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６６】
本発明において、トリメチルガリウム（（ＣＨ３）３Ｇａ；「ＴＭＧ」）およびトリメチルアルミニウム（（ＣＨ３）３Ａｌ；「ＴＭＡ」）が、ＩＩＩ族のプレカーサーとして用いられており、アンモニア（ＮＨ３）が、窒化物のプレカーサーとして用いられている。しかしながら、特別な改善点として、本発明にしたがうと、最良の結果は、ＡｌＮ層およびＡｌＧａＮ層が、最小（約５パーセント）の水素（Ｈ２）を含む雰囲気中で、例えば、窒素（Ｎ２）が大半を占める雰囲気中で成長させられたときに現れることが発見された。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７３】
図２６および図２７は、本発明にしたがう、ウェハの望ましい（すなわち最小の）ボー特性およびワープ特性を示している。図２６は、ウェハのカウントに対するミクロン単位のボーの大きさのプロットであり、これらの１００ミリメートルのウェハに対し、中位の（平均的な）ボーは、３１ミクロン未満であり、標準偏差は、２６ミクロン未満であることを示している。複数のものとして見た場合、そのような１００ミリメートルのウェハの群のうちの少なくとも７５パーセントは、５７ミクロン未満のボーを有している。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８０】
【図１】図１は、本発明にしたがう半導体材料の断面の概略図を示している。
【図２】図２は、本発明にしたがうトランジスタのプレカーサーを有する半導体ウェハの概略的な断面図である。
【図３】図３は、本発明にしたがうウェハに対するシート抵抗のマップである。
【図４】図４は、本発明にしたがうウェハに対するシート抵抗の等高図である。
【図５】図５は、本発明にしたがうウェハに対するシート抵抗の等高図である。
【図６】図６は、本発明にしたがうウェハに対するシート抵抗の等高図である。
【図７】図７は、本発明にしたがうウェハに対するシート抵抗の等高図である。
【図８】図８は、本発明にしたがうウェハに対するシート抵抗の等高図である。
【図９】図９は、本発明にしたがうウェハに対するシート抵抗の等高図である。
【図１０】図１０は、本発明にしたがうウェハに対するシート抵抗の等高図である。
【図１１】図１１は、本発明にしたがうウェハに対するシート抵抗の等高図である。
【図１２】図１２は、本発明にしたがうウェハの様々な電子的特性に対するポイントデータである。
【図１３】図１３は、本発明にしたがうウェハの様々な電子的特性に対するポイントデータである。
【図１４】図１４は、本発明にしたがうウェハの様々な電子的特性に対するポイントデータである。
【図１４Ａ】図１４Ａは、本発明にしたがうウェハの様々な電子的特性に対するポイントデータである。
【図１５】図１５は、本発明にしたがうウェハの様々な電子的特性に対するポイントデータである。
【図１５Ａ】図１５Ａは、本発明にしたがうウェハの様々な電子的特性に対するポイントデータである。
【図１６】図１６は、本発明にしたがうウェハの様々な電子的特性に対するポイントデータである。
【図１６Ａ】図１６Ａは、本発明にしたがうウェハの様々な電子的特性に対するポイントデータである。
【図１７】図１７は、いくつかのウェハにわたるシート抵抗の結果のチャートであり、分位数を含んでいる。
【図１８】図１８は、ウェハの中心と比較したときのウェハの縁におけるＩＩＩ族窒化物の厚さの比率に関して、複数のウェハにわたるプロットであり、分位数を含んでいる。
【図１９】図１９は、図１８に類似した棒グラフおよび分位数であるが、ウェハの中心に対するウェハの縁におけるアルミニウムの割合の比を表している。
【図２０】図２０は、本発明にしたがう１００ミリメートル基板上に成長させられたトランジスタのプレカーサーに対するアルミニウムのモル分率のマップである。
【図２１】図２１は、本発明にしたがう１００ミリメートル基板上に成長させられたトランジスタのプレカーサーに対するアルミニウムのモル分率のマップである。
【図２２】図２２は、本発明にしたがう１００ミリメートル基板上に成長させられたトランジスタのプレカーサーに対するＩＩＩ族窒化物バリアの厚さのプロットである。
【図２３】図２３は、本発明にしたがう１００ミリメートル基板上に成長させられたトランジスタのプレカーサーに対するＩＩＩ族窒化物バリアの厚さのプロットである。
【図２４】図２４は、アルミニウムの標準偏差パーセントに対するウェハのカウントの棒グラフである。
【図２５】図２５は、厚さの標準偏差パーセントに対するウェハのカウントの棒グラフである。
【図２６】図２６は、ミクロン単位のボーの大きさに対するウェハのカウントの棒グラフである。
【図２７】図２７は、ミクロン単位のワープに対するウェハのカウントの棒グラフである。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図１７】
2008544486.tif 000002
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図１８】
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【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図１９】
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【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図２４】
2008544486.tif 000005
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図２５】
2008544486.tif 000006
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図２６】
2008544486.tif 000007
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図２７】
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