【手続補正書】
【提出日】平成15年6月23日(2003.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板および圧電体からなる第２の基板の主面を鏡面仕上げする工程と、前記主面の双方またはいずれか一方に複数の溝を形成する工程と、前記第１の基板および前記第２の基板の前記主面を重ね合わせる工程と、前記重ね合わせた基板を熱処理し接合する工程と、前記第１の基板に前記第２の基板の一部を露出させる開口部を形成する工程と、前記開口部に露出した前記第２の基板の領域またはその領域に対向する前記第２の基板の主面の双方またはいずれか一方に電極を形成し複数の圧電素子を形成する工程と、前記接合した基板を前記複数の圧電素子に分割する工程とを有する圧電素子の製造方法。
【請求項２】
第１の基板が半導体、ガラス、圧電体のうちのいずれかからなる請求項１記載の圧電素子の製造方法。
【請求項３】
第１の基板がシリコン、ガリウムヒ素、または、インジウムリンのいずれかからなる請求項１記載の圧電素子の製造方法。
【請求項４】
第１の基板が集積回路の形成されたシリコン基板であることを特徴とする請求項１記載の圧電素子の製造方法。
【請求項５】
第１の基板が薄膜トランジスタを含む集積回路の形成されたガラス基板であることを特徴とする請求項１記載の圧電素子の製造方法。
【請求項６】
第２の基板が、水晶、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ジルコン酸チタン酸ランタン酸鉛のいずれかからなる請求項１記載の圧電素子の製造方法。
【請求項７】
第１の基板および圧電体からなる第２の基板の主面を鏡面仕上げする工程と、前記主面の双方またはいずれか一方に複数の溝を形成する工程と、前記第１の基板および前記第２の基板の前記主面を重ね合わせる工程と、前記第２の基板の厚さを減ずる工程と、前記重ね合わせた基板を熱処理し接合する工程と、前記第１の基板に前記第２の基板の一部が露出する開口部を形成する工程と、前記開口部に露出した前記第２の基板の領域またはその領域に対向する前記第２の基板の主面の双方またはいずれか一方に電極を形成し複数の圧電素子を形成する工程と、前記接合した基板を前記複数の圧電素子に分割する工程とを有する圧電素子の製造方法。
【請求項８】
第１の基板および圧電体からなる第２の基板の主面を鏡面仕上げする工程と、前記主面の双方またはいずれか一方に複数の溝を形成する工程と、前記第１の基板および前記第２の基板の前記主面を重ね合わせる工程と、前記第２の基板を複数の領域に分割する工程と、前記重ね合わせた基板を熱処理し接合する工程と、前記第１の基板に前記第２の基板の一部が露出する開口部を形成する工程と、前記開口部に露出した前記第２の基板の領域またはその領域に対向する前記第２の基板の主面の双方またはいずれか一方に電極を形成し複数の圧電素子を形成する工程と、前記接合した基板を前記複数の圧電素子に分割する工程とを有する圧電素子の製造方法。
【請求項９】
第１の基板および圧電体からなる第２の基板の主面を鏡面仕上げする工程と、前記主面の双方またはいずれか一方に複数の溝を形成する工程と、前記第１の基板および前記第２の基板の前記主面を重ね合わせる工程と、前記第２の基板の厚さを減ずる工程と、前記第２の基板を複数の領域に分割する工程と、前記重ね合わせた基板を熱処理し接合する工程と、前記第１の基板に前記第２の基板の一部が露出する開口部を形成する工程と、前記開口部に露出した前記第２の基板の領域またはその領域に対向する前記第２の基板の主面の双方またはい
ずれか一方に電極を形成し複数の圧電素子を形成する工程と、前記接合した基板を前記複数の圧電素子に分割する工程とを有する圧電素子の製造方法。
【請求項１０】
第１の基板および圧電体からなる第２の基板の主面を鏡面仕上げする工程と、前記主面の双方またはいずれか一方に複数の溝を形成する工程と、前記第１の基板および前記第２の基板の前記主面を重ね合わせる工程と、重ね合わせた状態で前記第１の基板および前記第２の基板を複数の基板に分割する工程と、前記複数の基板を熱処理し接合する工程と、前記複数の基板のそれぞれに前記第１の基板に前記第２の基板の一部が露出する開口部を形成する工程と、前記開口部に露出した前記第２の基板の領域またはその領域に対向する前記第２の基板の主面の双方またはいずれか一方に電極を形成する工程とを有する圧電素子の製造方法。
【請求項１１】
第１の基板および圧電体からなる第２の基板の主面を鏡面仕上げする工程と、前記主面の双方またはいずれか一方に複数の溝を形成する工程と、前記第１の基板および前記第２の基板を洗浄する工程と、前記第１の基板および前記第２の基板の前記主面を重ね合わせる工程と、前記重ね合わせた基板の周囲の前記溝に充填剤を埋める工程と、前記重ね合わせた基板を熱処理し接合する工程と、前記第１の基板の一部を前記第２の基板に達するまで除去する工程と、前記第１の基板が除去された領域における前記第２の基板に電極を形成する工程と、前記複数の溝の全部または一部に沿って前記接合された基板を分離する工程とを有する圧電素子の製造方法。
【請求項１２】
電極が形成された圧電体と、前記圧電体の一部に接合された基板とからなる圧電素子において、前記圧電体と前記基板との接合部における前記基板には少なくとも１以上のくぼみが形成されていることを特徴とする圧電素子。
【請求項１３】
くぼみが溝であることを特徴とする請求項１２記載の圧電素子。
【請求項１４】
溝が互いに直交する複数の溝であることを特徴とする請求項１３記載の圧電素子。
【請求項１５】
基板が半導体、ガラス、圧電体のうちのいずれかからなる請求項１２記載の圧電素子。
【請求項１６】
基板がシリコン、ガリウムヒ素、または、インジウムリンのいずれかからなる請求項１２記載の圧電素子。
【請求項１７】
基板が集積回路の形成されたシリコン基板であることを特徴とする請求項１２記載の圧電素子。
【請求項１８】
基板が薄膜トランジスタを含む集積回路の形成されたガラス基板であることを特徴とする請求項１２記載の圧電素子。
【請求項１９】
圧電体が、水晶、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ジルコン酸チタン酸ランタン酸鉛のいずれかからなる請求項１２記載の圧電素子。
【請求項２０】
第１の基板および第２の基板の主面を鏡面仕上げする工程と、前記主面の双方またはいずれか一方に複数の溝を形成する工程と、前記第１の基板および前記第２の基板の前記主面を重ね合わせる工程と、前記重ね合わせた基板を熱処理し接合する工程とを有することを特徴とする複合基板の製造方法。
【請求項２１】
前記第１の基板と前記第２の基板の熱膨張係数が異なることを特徴とする請求項２０記載の複合基板の製造方法。
【請求項２２】
前記第２の基板が圧電体であることを特徴とする請求項２０記載の複合基板の製造方法。  
【請求項２３】
第１の基板と、前記第１の基板に直接接合または陽極接合された第２の基板とを有する複合基板において、前記第１の基板と前記第２の基板との接合部における前記第１の基板表面または前記第２の基板表面に少なくとも１以上のくぼみが形成されていることを特徴とする複合基板。
【請求項２４】
前記第１の基板と前記第２の基板の熱膨張係数が異なることを特徴とする請求項２３記載の複合基板。
【請求項２５】
前記第２の基板が圧電体であることを特徴とする請求項２３記載の複合基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
すなわち、前記目的を達成するため、開示された圧電素子の製造方法は、第１の基板および圧電体からなる第２の基板の主面を鏡面仕上げする工程と、前記主面の双方またはいずれか一方に複数の溝を形成する工程と、前記第１の基板および前記第２の基板の前記主面を重ね合わせる工程と、前記重ね合わせた基板を熱処理し接合する工程と、前記第１の基板に前記第２の基板の一部を露出させる開口部を形成する工程と、前記開口部に露出した前記第２の基板の領域またはその領域に対向する前記第２の基板の主面の双方またはいずれか一方に電極を形成し複数の圧電素子を形成する工程と、前記接合した基板を前記複数の圧電素子に分割する工程とを有することを特徴とする。
また、開示された複合基板の製造方法は、第１の基板および第２の基板の主面を鏡面仕上げする工程と、前記主面の双方またはいずれか一方に複数の溝を形成する工程と、前記第１の基板および前記第２の基板の前記主面を重ね合わせる工程と、前記重ね合わせた基板を熱処理し接合する工程とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、開示された圧電素子は、電極が形成された圧電体と、前記圧電体の一部に接合された基板とからなる圧電素子において、前記圧電体と前記基板との接合部における前記基板には少なくとも１以上のくぼみが形成されていることを特徴とする。
また、開示された複合基板は、第１の基板と、前記第１の基板に直接接合または陽極接合された第２の基板とを有する複合基板において、前記第１の基板と前記第２の基板との接合部における前記第１の基板表面または前記第２の基板表面に少なくとも１以上のくぼみが形成されていることを特徴とする。