【手続補正書】
【提出日】平成26年7月30日(2014.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハ内の開口と、
前記開口内に位置し、前記半導体ウエハに接する第１の非導電層であって、実質的に均一の厚さを有する、前記第１の非導電層と、
前記開口内に位置し、前記第１の非導電層に接する第１の導電構造であって、実質的に均一の厚さを有する、前記第１の導電構造と、
前記開口内に位置し、前記第１の非導電層と前記第１の導電構造とに接する第２の非導電層であって、実質的に均一の厚さを有する、前記第２の非導電層と、
前記開口内に位置し、前記第２の非導電層に接する第２の導電構造であって、実質的に均一の厚さを有する、前記第２の導電構造と、
を含む、キャパシタ。
【請求項２】
請求項１に記載のキャパシタであって、
前記第１の導電構造の第１の部分が前記第２の導電構造の垂直方向の下方に位置し、前記第１の部分が前記開口内に位置し、
前記第１の導電構造の第２の部分が前記第２の導電構造のどの部分の垂直方向の下方にも位置せず、前記第２の部分が前記開口内に位置する、キャパシタ。
【請求項３】
請求項１に記載のキャパシタであって、
前記第１の導電構造と前記第２の非導電層と前記第２の導電構造とが完全に前記開口内に位置する、キャパシタ。
【請求項４】
請求項１に記載のキャパシタであって、
前記第１の導電構造と前記第２の非導電層と前記第２の導電構造とに接する第３の非導電層を更に含む、キャパシタ。
【請求項５】
請求項４に記載のキャパシタであって、
前記第３の非導電層を介して延在して前記第１の導電構造と電気的に接続する第１の金属コンタクトと、
前記第３の非導電層を介して延在して前記第２の導電構造と電気的に接続する第２の金属コンタクトと、
を更に含む、キャパシタ。
【請求項６】
請求項５に記載のキャパシタであって、
前記第１の金属コンタクトが前記第２の導電構造から離間され、前記第２の金属コンタクトが前記第１の導電構造から離間されている、キャパシタ。
【請求項７】
請求項５に記載のキャパシタであって、
前記第１の導電構造が前記第１の金属コンタクトの底面に接し、前記第２の導電構造が前記第２の金属コンタクトの底面に接する、キャパシタ。
【請求項８】
キャパシタを形成する方法であって、
半導体ウエハに第１の開口を形成することと、
前記半導体ウエハに接するように前記第１の開口内に第１の非導電層を形成することであって、前記第１の非導電層が実質的に均一の厚さを有しかつ第２の開口を形成する、前記第１の非導電層を形成することと、
前記第２の開口内に前記第１の非導電層に接する第１の金属構造を形成するように前記第１の非導電層上に複数の第１の原子を堆積することであって、前記第１の原子が第１のシャドーマスクを通して通過し、前記第１のシャドーマスクが前記第１の非導電層の上面から離間されており、前記第１の金属構造が実質的に均一の厚さを有しかつ第３の開口を形成する、前記複数の第１の原子を堆積することと、
前記第３の開口内に前記第１の非導電層と前記第１の金属構造とに接するように第２の非導電層を形成することであって、前記第２の非導電層が実質的に均一の厚さを有しかつ第４の開口を形成する、前記第２の非導電層を形成することと、
前記第４の開口内に前記第２の非導電層に接する第２の金属構造を形成するように前記第２の非導電層上に複数の第２の原子を堆積することであって、前記第２の原子が第２のシャドーマスクを通して通過し、前記第２のシャドーマスクが前記第２の非導電層の上面から離間されており、前記第２の金属構造が実質的に均一の厚さを有する、前記複数の第２の原子を堆積することと、
を含む、キャパシタの形成方法。
【請求項９】
請求項８に記載のキャパシタの形成方法であって、
前記第１の非導電層を露出させるように前記半導体ウエハを平坦化することを更に含み、前記第２の金属構造と前記第２の非導電層と前記第１の金属属構造とが前記半導体ウエハを平坦化した後に露出される、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載のキャパシタの形成方法であって、
前記第２の金属構造と前記第２の非導電層と前記第１の金属構造と前記第１の非導電層とに接するように第３の非導電層を形成することを更に含む、方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載のキャパシタの形成方法であって、
前記第１の金属構造を露出させるように前記第３の非導電層に第１の開口を形成すると同時に、前記第２の金属構造を露出させるように前記第３の非導電層に第２の開口を形成することと、
前記第１の金属構造と電気的に接続するように前記第１の開口に第１の金属コンタクトを形成し、前記第２の金属構造に電気的に接続するように前記第２の開口に第２の金属コンタクトを形成することと、
を更に含む、方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載のキャパシタの形成方法であって、
前記第１の金属コンタクトが第２の金属構造から離間され、前記第２の金属コンタクトが前記第１の金属構造から離間されている、方法。
【請求項１３】
請求項８に記載のキャパシタの形成方法であって、
前記複数の第２の原子が前記第２の金属構造を形成するように堆積される前に、前記第２の非導電層の上面をエッチングすることを更に含む、方法。
【請求項１４】
請求項９に記載のキャパシタの形成方法であって、
前記半導体ウエハを平坦化した後に、前記第１の金属構造の第１の部分が前記第２の金属構造の垂直方向の下方に位置し、前記第１の金属構造の第２の部分が前記第２の金属構造のどの部分の垂直方向の下方にも位置しない、方法。
【請求項１５】
請求項１０に記載のキャパシタの形成方法であって、
前記第１の金属構造が形成された後でかつ前記第２の非導電層が形成される前に、前記第１の金属構造をエッチングするように第１の定義シャドーマスクを通して原子を通過させることであって、前記第１の定義シャドーマスクが前記第１の金属構造の上面から離間されている、前記原子を通過させることと、
前記第２の金属構造が形成された後でかつ前記第３の非導電層が形成される前に、前記第２の金属構造をエッチングするように第２の定義シャドーマスクを通して原子を通過させることであって、前記第２の定義シャドーマスクが前記第２の金属構造の上面から離間されている、前記原子を通過させることと、
を更に含む、方法。
【請求項１６】
請求項１１に記載のキャパシタの形成方法であって、
前記第２の非導電層が複数の材料の層を含む、方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載のキャパシタの形成方法であって、
前記複数の材料の層のうちの２つが異なる、方法。
【請求項１８】
請求項１１に記載のキャパシタの形成方法であって、
前記第２の非導電層が第１の蒸着チャンバ内で形成され、前記第１の原子が第２の蒸着チャンバ内で堆積され、前記第２の原子が第３の蒸着チャンバ内で堆積される、方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載のキャパシタの形成方法であって、
第２の非導電層が形成されるときに前記第１のチャンバが大気圧よりも低い内部圧力を有し、前記第１の原子が堆積されるときに前記第２のチャンバが前記内部圧力を有し、前記第２の原子が堆積されるときに前記第３のチャンバが前記内部圧力を有する、方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載のキャパシタの形成方法であって、
前記第１のチャンバと前記第２のチャンバと前記第３のチャンバとの間を前記ウエハが移動されるときに前記ウエハが継続的に前記内部気圧に晒される、方法。