【事件の表示】
　平成１０年特許願第　　３７６３号「薄膜磁気ヘッド」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　７月３０日出願公開、特開平１１−２０３６２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　
　本願は、平成１０年１月１２日の特許出願であって、その請求項１乃至３に係る発明は、平成１５年２月２１日付けで手続補正が提出された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至３に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という）は、次のとおりである。
　
「【請求項１】 スライダ基体と、少なくとも１つの書き込み素子を有する薄膜磁気ヘッドであって、
　前記スライダ基体は、媒体対向面を有しており、
　前記書き込み素子は、第１の磁性膜と、第２の磁性膜と、ギャップ膜と、コイル膜とを含み、前記スライダ基体に搭載されており、
　前記第１の磁性膜及び前記第２の磁性膜のそれぞれは、ポール端部と、ヨークとを有しており、
　前記ポール端部は、前記媒体対向面において前記ギャップ膜を挟んで互いに対向しており、
　前記ヨークは、前記媒体対向面からみて前記ポール端部の後方に延び、後方結合部において互いに結合されており、
　前記コイル膜は、絶縁膜によって支持され、前記後方結合部の周りに、平面的にうず巻くうず巻き状に配置されており、
　前記ポール端部から前記後方結合部までの距離をＹＬ(μm)とし、前記コイル膜のターン数をＮ（ターン）としたとき、
　Ｎ／ＹＬ≧０．２(ターン／μm)
　但し、
　Ｎ／ＹＬ≠０．２８(ターン／μm)、かつ、
　Ｎ／ＹＬ≠０．３７(ターン／μm)
　を満たす薄膜磁気ヘッド。」
　
２．先願発明
　これに対し、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開がされた特願平８−３１１２３１号（特開平１０−１４３８２０号）（以下、「先願」という）の願書に最初に添付された明細書又は図面（以下、「先願明細書等」という）には、以下の技術事項が記載されている。
　
（ａ）
「【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　上下１対の磁性膜の間に絶縁膜と導体コイルとを積層した書込み用のインダクティブヘッドと、読出し用の磁気抵抗（ＭＲ）ヘッドとを備えるインダクティブ／ＭＲ複合型薄膜磁気ヘッドであって、
　前記上下磁性膜の先端に磁気ギャップを挟んで互いに対向する上下磁極と前記上下磁性膜の結合部との間の距離Ｌ（μｍ）が、前記薄膜磁気ヘッドの所望のデータ転送レートＸ（Mbit/sec）に対して、Ｌ＜８４００／Ｘの関係を有することを特徴とするインダクティブ／ＭＲ複合型薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項２】　前記距離Ｌが６０μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載のインダクティブ／ＭＲ複合型薄膜磁気ヘッド。」
（ｂ）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、書込み用のインダクティブヘッドと読出し用の磁気抵抗（ＭＲ）ヘッドとを一体的に備え、例えばハードディスク装置など、コンピュータ・ワードプロセッサ等の様々な機器の記録再生装置に使用されるインダクティブ／ＭＲ複合型薄膜磁気ヘッドに関し、より詳細に言えば、特に磁気記録が１５５Mbit/cm2（１０００Mbit/in2）を超える高密度でかつデータ転送レートが１００Mbit/sec以上の高速度で行われるようなインダクティブ／ＭＲ複合型薄膜磁気ヘッドに関する。」
（ｃ）
「【００１０】このようにして、データ転送レートに応じてインダクティブヘッドの上下磁性膜のヨーク部分の長さを制限することにより、コイルを流れる書込み電流による渦電流損の影響が少なくなるので、上下磁極間の磁場に生じる高周波成分の遅れが改善され、ＮＬＴＳを減少させることができる。」
（ｄ）
「【００１１】
【発明の実施の形態】以下に本発明について添付図面を参照しつつ実施例を用いて詳細に説明する。図１及び図２には、本発明によるインダクティブ／ＭＲ複合型薄膜磁気ヘッドの好適実施例が示されている。この複合型薄膜磁気ヘッドは、従来と同様に、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ系のセラミック材料からなる基板１上に、アルミナ又はＳｉなどの絶縁膜２を被着し、パーマロイ系合金、コバルト系合金、鉄系センダスト合金などの軟磁性材料をめっき又はスパッタ蒸着してなる下シールド３及び上シールド４と、それらの間に挟まれたＭＲ素子５とを有する読出し用のＭＲヘッド６が形成されている。ＭＲ素子５は、アルミナなど絶縁膜からなる上下ギャップ層の間に設けられたＮiＦeなどからなる磁気抵抗薄膜、再生信号の歪み低減のためのバイアス膜、磁区安定膜などで構成される。
【００１２】書込み用のインダクティブヘッドは、その下部磁性膜を兼ねる上シールド４の上に、従来技術の工程をそのまま利用して、磁気ギャップを形成するためのアルミナからなる磁気ギャップ膜７と、ノボラック系樹脂からなる有機絶縁層８、９と、Ｃｕからなる単層構造の導体コイル１０と、ＮiＦeのめっき膜からなる上部磁性膜１１とを積層することにより形成されている。コイル１０の最内周部分及び最外周部分には、それぞれコイル引出線１３、１４が接続されている。」
（ｅ）
「【００１５】実際、距離Ｌは、必要なコイルターン数Ｔを実現するように、コイルピッチやコイルの構造によって決定される。例えば、コイルターン数Ｔ＝１１の場合に、コイルピッチ＝５μｍとすると距離Ｌ＝６０μｍとなり、コイルピッチ＝３μｍとすると距離Ｌ＝４０μｍとなり、コイルピッチ＝２μｍとすると距離Ｌ＝３０μｍとなる。また、コイルを２層構造にした場合は、必要なコイルターン数が同一であってもＬをより短くすることが可能となる。
【００１６】また、必要なコイルターン数Ｔの最小値は、必要な書込み磁場の強さや磁極材料の飽和磁束密度により異なるが、一般に実用上５〜８程度である。コイルピッチは、製造工程におけるホトリソグラフィ技術の精度により左右されることは言うまでもないが、一般に実用上１．５μｍ以下とされる。これらを奏合すると、現状では、距離Ｌの最小値は、１０μｍ程度と考えることができる。
【００１７】本実施例において、データ転送レートを１４０（Mbit/sec）とする複合型薄膜磁気ヘッドを製造し、その場合に生じるＮＬＴＳの大きさ（％）と距離Ｌとの関係を試験したところ、図３に示す結果が得られた。この試験に用いた薄膜磁気ヘッドは、下シールドを膜厚約２μｍのＮｉＦｅめっき膜で、下ギャップ層を膜厚０．０７μｍのアルミナスパッタ膜で、ＭＲ素子をＮｉＦｅスパッタ膜からなる磁気抵抗薄膜とＮｉＦｅＲｈからなるバイアス膜とＣｏＰｔからなる磁区安定膜とで、上ギャップ層を膜厚０．９μｍのアルミナ膜で、上部磁性膜を膜厚３．５μｍのＮｉＦｅめっき膜でそれぞれ形成した。また、コイルのターン数Ｔは１２で一定とし、コイルピッチを、距離Ｌ＝１００μｍのとき７μｍ、距離Ｌ＝５０μｍのとき３．５μｍとした。
【００１８】図３から明らかなように、ＮＬＴＳは、上下磁性膜のヨーク部分の距離Ｌの増大に伴って大きくなることが分かる。更に、Ｌ＝６０μｍでは、ＮＬＴＳが２０％以下となり、特に良好な特性が得られることが分かる。」
　
　上に摘記した明細書及び図面の記載を総合勘案すると、先願明細書等には、結局、次の発明が記載されている（以下、「先願発明」という）。
　
「ハードディスク装置などに使用される、インダクティブ／ＭＲ複合型薄膜磁気ヘッドであって、
Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ系のセラミック材料からなる基板１に、
下磁極とヨーク部からなる下部磁性膜（上シールド）４、
磁気ギャップを形成するためのアルミナからなる磁気ギャップ膜７、
ノボラック系樹脂からなる有機絶縁層８、９、
Ｃｕからなる単層構造の導体コイル１０、
及び、上磁極とヨーク部からなる上部磁性膜１１
を積層することにより形成されている書込み用のインダクティブヘッドであって、
上下磁性膜のヨーク部分の距離、即ち上下磁性膜の先端に磁気ギャップを挟んで互いに対向する上下磁極と前記上下磁性膜の結合部との間の距離をＬ（μｍ）、
コイルのターン数Ｔとしたとき、
　　Ｔ＝１２、
　　Ｌを１０μｍ〜６０μｍ
とした薄膜磁気ヘッド」
　
３．対比
　本願発明を、先願発明と比較すると、両者「薄膜磁気ヘッド」に関するものである点で一致している。
　先願発明における「薄膜磁気ヘッド」が「ハードディスク装置などに使用される」ものであることから、「基板１」はスライダとなることがこの分野の常識にすぎず、また、磁気記録再生技術においては、磁気ギャップが媒体と対向することで、記録再生を行うものであるから、先願明細書等の図１及び２を参照するまでもなく、磁気ギャップが形成される面は媒体対向面を形成している。以上の点で、先願発明における「基板１」は、本願発明の「スライダ基体」に相当するものである。
　先願発明における「書込み用のインダクティブヘッド」は、本願発明における「書き込み素子」に相当する。
　先願発明における「下部磁性膜（上シールド）４」「磁気ギャップ膜７」「有機絶縁層８、９」「導体コイル１０」及び「上部磁性膜１１」は、それぞれ本願発明の「第１の磁性膜」「ギャップ膜」「絶縁膜」「コイル膜」「第２の磁性膜」に相当する。
　先願発明において、前記インダクティブヘッドが、前記基板１に、「下部磁性膜（上シールド）４」「磁気ギャップ膜７」「導体コイル１０」「上部磁性膜１１」等を積層して形成されていることは、本願発明において、「前記書き込み素子は、第１の磁性膜と、第２の磁性膜と、ギャップ膜と、コイル膜とを含み、前記スライダ基体に搭載されており、」とされている点に相当する。
　先願発明において、上下磁極が磁気ギャップ膜７を挟んで磁気ギャップを形成している点は、本願発明において、
　「前記ポール端部は、前記媒体対向面において前記ギャップ膜を挟んで互いに対向しており、」とされている点に相当する。
　すると、先願発明における「上下磁極」は、本願発明の「ポール端部」に相当する。
　また、先願発明における「ヨーク部分」は、本願発明の「ヨーク」に相当する。
　したがって、先願発明において下部磁性膜が下磁極とヨーク部からなり、上部磁性膜が上磁極とヨーク部からなることは、本願発明において「前記第１の磁性膜及び前記第２の磁性膜のそれぞれは、ポール端部と、ヨークとを有しており、」とされている点に相当する。
　また、図１、２も参照すると、先願発明においては、Ｌ（μｍ）の定義に用いられているように、上下部磁性膜は磁気ギャップの形成される媒体対向面から後方に伸びで結合部で結合され、これにより磁気回路を形成しているものである。したがって、先願発明の「結合部」は、本願発明の「後方結合部」に相当する。
　先願発明の「単層構造の導体コイル１０」は、ノボラック系樹脂からなる有機絶縁層８、９で絶縁されていることが明らかであり、図１，２の記載を併せて解釈すると、本願発明の「絶縁膜によって支持され、後方結合部の周りに、平面的にうず巻くうず巻き状に配置」されていることに相当する。
　先願発明の「上下磁極と前記上下部磁性膜の結合部との間の距離Ｌ（μｍ）」は、本願発明の「ポール端部から前記後方結合部までの距離をＹＬ(μm)」に相当し、先願発明の「コイルのターン数Ｔ」は、本願発明における「コイル膜のターン数Ｎ（ターン）」に相当する。
　先願発明において、Ｔ＝１２とした場合の実施例のうち、Ｌが、１０μｍ〜６０μｍの範囲のものについては、
　　０．２≦Ｔ／Ｌ≦１．２（ターン／μｍ）
となるものであり、本願発明の
　　Ｎ／ＹＬ≧０．２(ターン／μm)
に含まれるものである。
　
　すると、本願発明と先願発明とは、次の点で一致する。
＜一致点＞
　「スライダ基体と、少なくとも１つの書き込み素子を有する薄膜磁気ヘッドであって、
　前記スライダ基体は、媒体対向面を有しており、
　前記書き込み素子は、第１の磁性膜と、第２の磁性膜と、ギャップ膜と、コイル膜とを含み、前記スライダ基体に搭載されており、
　前記第１の磁性膜及び前記第２の磁性膜のそれぞれは、ポール端部と、ヨークとを有しており、
　前記ポール端部は、前記媒体対向面において前記ギャップ膜を挟んで互いに対向しており、
　前記ヨークは、前記媒体対向面からみて前記ポール端部の後方に延び、後方結合部において互いに結合されており、
　前記コイル膜は、絶縁膜によって支持され、前記後方結合部の周りに、平面的にうず巻くうず巻き状に配置されており、
　前記ポール端部から前記後方結合部までの距離をＹＬ(μｍ)とし、前記コイル膜のターン数をＮ（ターン）としたとき、
　Ｎ／ＹＬ≧０．２(ターン／μm)
　を満たす薄膜磁気ヘッド。」
　
　一方で、以下の点で相違する。
＜相違点＞
　本願発明では、
　「Ｎ／ＹＬ≠０．２８(ターン／μm)、かつ、
　Ｎ／ＹＬ≠０．３７(ターン／μm)」
との条件が加わっているのに対し、先願発明にはそのような条件は加わっていない点。
　
４．判断
　上記相違点について検討する。
　本願発明において、Ｎ／ＹＬの値に関し、特定の２点のみを除くことが、実質的に出願当初明細書に記載されていたか否かについて、及び上記特定の２点を除くことの技術的意義の有無についての議論はおくとしても、先願発明は、Ｌ＝６０μｍから、製造工程等の現状を踏まえて、実用上の下限としている１０μｍまでの範囲において、Ｌの小さい領域において、ＮＬＴＳが小さい、即ちＮＬＴＳに関して良好な特性が得られることが記載されているのであるから、特定の２点を除いても、それ以外の値に関しては、先願発明に記載された範囲内のもの全てを含むこととなるのは自明なことであるから、上記特定の２点のみを除くことで、先願発明との間に実質的な相違を生じるものではない。
　
　なお、本願発明におけるＹＬの定義が、
「前記ポール端部から前記後方結合部までの距離」
とあり、先願発明におけるＬの定義が、
「上下磁極と前記上下部磁性膜の結合部との間の距離」
とある点については、既に示したように（上記「３．対比」参照）、先願発明の「上下磁極」は本願発明の「ポール端部」に、先願発明の「上下部磁性膜の結合部」は本願発明の「後方結合部」に相当するものであるから、両記載からは構成上の相違が認められない。また、ＹＬ及びＬの技術的意義についても、先願発明において「ヨーク部分の距離」との認識が示され（上記２．（ｃ）第１０段落、（ｅ）第１８段落参照）、本願明細書中には、「第１の磁性膜２１は、ポール端部２１１と、ヨーク２１２とを有する。ヨーク２１２は、媒体対向面からみて、ポール端部２１１の後方に延びている。第２の磁性膜２２も、ポール端部２２１と、ヨーク２２２とを有する」（第２２段落）としたうえで、「ヨーク２１２，２２２の長さを考慮したとき、その単位長さ当たりのコイルターン数を大きくする」（第２７段落）としていることから、両者がヨーク部分の長さをＮＬＴＳに影響する変数として認識している点で共通しており、このような観点からも、両者に特段の構成上の相違があるものとは認められない。
　さらに、仮に、本願の図１と、先願明細書等の図２を比較して、先願発明のＬが、磁極部分を含まない寸法と解し、その点を一応の相違点と認めるとしても、ＹＬとＬについて、本願明細書と先願明細書等との間で、その技術的意義について、上記の認識している点で共通していることを否定する根拠とはならないし、また、技術常識の点からも、例えば特開平６−２０８７１０号公報に「ギャップデプス寸法が１μｍ以下」（第１頁要約欄）、「ギャップデプス寸法Ｌは０．５〜２μｍ程度」（第５段落）、特開平７−１８２６２３号公報に「ギャップデプス（スロートハイト）が所定の値（例えば、０〜２μm）」（第２５段落）、特開平７−２３０６０７号公報に「・・・スロートハイトまたはギャップデプスと呼ばれている。スロートハイトは、例えば１μm程度の微小寸法であって、・・・」（第２段落）、特開平９−３２６１０５号公報に「スロートハイトは１．４μm」（第７２段落）等の周知例を参照すると、磁極部分の寸法は高々２μｍ程度である。すると、先願発明におけるＬは、ＹＬに対して、前記スロートハイトまたはギャップデプスの寸法程度小さな値となるにすぎないのであるから、先願明細書等の図３に示された範囲のうち、Ｌ（μm）が、最小値は１０μｍ、最大値は６０μｍから上記磁極部分の寸法を引いたものまでの範囲については、依然として本願発明の条件を満たすことが明らかであるから、結局のところ、先願発明が本願発明に含まれるとの結論に何ら影響を及ぼすものではない。
　
　したがって、上記相違点として掲げた事項、及び仮に一応の相違点と認める事項は、先願発明が本願発明に含まれるものであることを覆す根拠はなり得ないものであって、結局、本願発明は先願発明と実質的に同一である。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願請求項１に係る発明は、先願明細書等に記載された発明と同一であり、しかも、本願請求項１に係る発明の発明者が上記先願明細書等に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記先願の出願人と同一であるとも認められないので、本願請求項１に係る発明は、特許法第２９条の２第１項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。　
　
　よって、結論のとおり審決する。