【事件の表示】
　平成　４年特許願第１７０７６１号「液晶表示装置、アレイ基板、およびこれらの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　６年　１月２１日出願公開、特開平　６−　１１７２８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成４年６月２９日に出願された特許出願であって、平成１１年６月２５日に審査請求と同時に手続補正がなされ、その後、原審において、平成１３年６月７日付で拒絶理由が通知され、同年８月１３日に手続補正がなされ、さらに、同年１０月１８日付で再度拒絶理由が通知され、同年１２月２５日に手続補正がなされたところ、平成１４年１月２５日付で拒絶査定がなされ、これに対し平成１４年２月２８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月１日に手続補正がなされたものであって、その請求項に係る発明は、上記手続補正がなされた明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１〜６に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項３に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のものである。
　　
「【請求項３】　基板上にマトリクス状に配置された複数の画素電極と、
　前記画素電極と接続する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタより上層に配置される遮光膜とを備え、前記遮光膜は金属材料からなり、前記遮光膜上に前記遮光膜の表面を酸化してなり、前記遮光膜端部を覆う絶縁膜を具備することを特徴とするアレイ基板。」
　　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭５９−１３２７６号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
（ア）「Ｓｉ基板上にスイッチング用トランジスタ回路をマトリックス状に形成し、該基板上に液晶を載置して成る半導体表示装置において、光リーク電流を減少させる為の遮光膜として、酸化クロム膜を使用することを特徴としている。」（１頁左下欄１２〜１６行）
（イ）「本発明方法による素子の構造を第２図に示す。先ずＮ型Ｓｉ単結晶基板に既存の方法により、イントリンシックゲッタリング処理を行う。次に既存の熱拡散によりＰ＋層（ストッパ）を形成する。次にポリシリコンゲート層を形成後、Ｎ＋拡散層をつくる。続いて第２フィールド膜を形成後、ＡＬ配線層を形成する。・・・
　本発明は、従来の間隙部からの入射光量を、大幅に減少させ、光リーク電流を、一層減少させることを目的としている。第２図はその一例を示したものであり、第２フィールド上に、酸化クロムをリアクティブスパッタでデポし、リアクティブイオンエッチでエッチ後ＡＬ膜を形成する。酸化クロムは、光透過率が小さく、特に高エネルギ波長（短波長）での透過率は、５％以下であり、光電流は入射光量に比例する為、格段に小さくすることができた。又、酸化クロム−クロム−酸化クロム、あるいは酸化クロム−ＣＶＤＳｉＯ２の積層構造にすれば、入射光量は、ほぼ完全に阻止出来る。」（２頁左上欄１２行〜右上欄１６行）
　さらに上記（ア）、（イ）の記載、明細書の図面の詳細な説明の記載、及び第１，２図を参酌すれば、以下の事項も記載されていることが明らかである。
（ウ）ＡＬ膜７は、Ｓｉ基板上にマトリックス状に形成されたスイッチング用トランジスタ回路のソース＝ドレイン層５に接続されている。
　　
　また、同じく原査定の拒絶の理由に引用された特開平３−１２５１２３号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
（エ）「本発明の目的は、能動素子及び配線の下方に形成された遮光層を有し、しかも、遮光層と能動素子及び配線との間の電気的リークの発生のないアクティブマトリクス表示装置を提供することである。」（２頁左下欄１９行〜右下欄２行）
（オ）「本発明のアクティブマトリクス表示装置は、一対の絶縁性基板と、該一対の基板の何れか一方の基板内面にマトリクス状に配列された多数の絵素電極と、該絵素電極のそれぞれに接続された能動素子と、該絵素電極の間に形成され該能動素子を選択駆動する走査線及び信号線と、を備えたアクティブマトリクス表示装置であって、該絵素電極が形成されている領域以外の領域の、該能動素子並びに該走査線及び該信号線の下方に形成された遮光層と、該遮光層上に形成された絶縁膜と、を備えており・・・。」（２頁右下欄６〜１７行）
（カ）「まず、ガラス基板１上に金属層を堆積した。この金属層は、後に、遮光層として機能するブラックストライプ２と、陽極酸化膜３とになる。この金属層には、例えば、Ｔａ，Ｖ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅ等の陽極酸化が可能な金属が用いられる。」（３頁右上欄６〜１２行）
（キ）「次に、フォトリソグラフィ法及びエッチングにより、この金属層を第２図の斜線で示す格子状にパターニングした。次に、この金属層の上面の陽極酸化を行い、陽極酸化膜３を形成した。陽極酸化膜３は、後に形成されるＴＦＴ１９，ゲートバス配線２３及びソースバス配線２２と、ブラックストライプ２との間の電気的接触を防止するための絶縁膜として機能する。」（３頁左下欄２〜９行）
　さらに、第１図を参酌すると、
（ク）「金属遮光膜であるブラックストライプ２の端部まで陽極酸化膜３によって覆われている。」ことが見てとれる。
　　
３．対比
　そこで、本願発明と、引用例１に記載されたものとを、以下に比較すると、
（ａ）引用例１の上記（ウ）に記載されたＡＬ膜７は、基板上にマトリックス状に形成されたスイッチング用トランジスタ回路のソース＝ドレイン層５に接続され、画素単位を構成していると解されるから、本願発明の「基板上にマトリクス状に配置された複数の画素電極」に相当し、
（ｂ）引用例１の上記（ウ）に記載された、Ｓｉ基板上に形成されたスイッチング用トランジスタ回路は、画素電極に接続されたスイッチング用トランジスタ回路であるから、本願発明の「画素電極と接続するトランジスタ」に相当し、
（ｃ）引用例１の上記（イ）に記載された「第２フィールド膜上に形成された、酸化クロム膜」は、上記（イ）の記載からみて、第２フィールド膜がスイッチング用トランジスタ回路の上に形成された膜であることが明らかであり、また、上記（ア）の「光リーク電流を減少させる為の遮光膜として、酸化クロム膜を使用する」、上記（イ）の「酸化クロムは、光透過率が小さく、特に高エネルギ波長（短波長）での透過率は、５％以下であり、光電流は入射光量に比例する為、格段に小さくすることができた。又、酸化クロム−クロム−酸化クロム、あるいは酸化クロム−ＣＶＤＳｉＯ２の積層構造にすれば、入射光量は、ほぼ完全に阻止出来る。」なる記載からみて、酸化クロム膜が遮光膜であることは明白であるから、上記「第２フィールド膜上に形成された、酸化クロム膜」が、本願発明の「トランジスタより上層に配置される遮光膜」に相当し、
（ｄ）引用例１の上記（ア）〜（ウ）の記載からみて、引用例１に記載されたＳｉ基板は、スイッチング用トランジスタ回路がマトリックス状に形成され、それらトランジスタ回路に各々画素電極が接続された基板にほかならないから、本願発明の「アレイ基板」に相当することは明らかであるから、
　両者は、
「基板上にマトリクス状に配置された複数の画素電極と、前記画素電極と接続するトランジスタと、前記トランジスタより上層に配置される遮光膜とを備えたアレイ基板。」
である点で一致し、次の点で相違している。
　　
［相違点１］本願発明の基板は、「薄膜トランジスタ用の基板」であり、またスイッチング素子は、「薄膜トランジスタ」であるのに対して、引用例１に記載のものの基板は、「Ｓｉ基板」であり、またスイッチング素子は、「Ｓｉ基板上に形成されたスイッチング用トランジスタ回路」であって、薄膜トランジスタ用の基板および薄膜トランジスタとはいえない点。
［相違点２］本願発明の遮光膜は、「遮光膜は金属材料からなり、前記遮光膜上に前記遮光膜の表面を酸化してなり、前記遮光膜端部を覆う絶縁膜を具備する」ものであるのに対して、引用例１に記載のものの遮光膜は「酸化クロム膜」である点。
　　　
４．判断
［相違点１について］
　薄膜トランジスタが、薄膜トランジスタ用の基板上に形成されることは、その用語から明らかなように技術常識であり、また、これらは例示するまでもなく周知ないしは慣用技術である（引用例２の上記（キ）にも、薄膜トランジスタである「ＴＦＴ」が記載されている点に留意されたい。）。そして、Ｓｉ基板に形成されたスイッチング用トランジスタ回路の代わりにこれらを採用することは、当業者が容易になし得ることである。
［相違点２について］
　上記引用例２には、能動素子（本願発明の「薄膜トランジスタ」に相当）を遮光する遮光層に陽極酸化が可能な金属が用いられること、金属遮光層を形成した後、同層を陽極酸化せしめることにより絶縁層を形成し、上記金属遮光層と薄膜トランジスタ及び配線との間の電気的リークを防止すること、金属遮光膜の端部まで陽極酸化膜である絶縁層によって覆われていること、が記載されている。
　また陽極酸化処理は、通常処理液中に浸漬して行われる都合上、被処理金属膜の露出面であれば、特段の遮蔽処理を施さない限り金属膜の端部を含め、ことごとく陽極酸化されるのが技術常識である。
　さらに引用例１に記載された酸化クロム膜が、遮光膜であるばかりか、金属酸化物の絶縁膜でもあることも自明であるから、これら記載事項ないしは技術常識に照らせば、遮光性と絶縁性を併せ備えた引用例１に記載のものの酸化クロム膜に代えて、上記引用例２に記載された金属遮光層及び陽極酸化絶縁膜を採用することに特段の阻害要因があるとはいえず、また、陽極酸化の際には、金属遮光層の端部まで自動的に陽極酸化膜で覆われるから、上記相違点２は、上記引用例１，２に記載されたものから当業者が容易に想到し得たものといえる。
　　
　また、本願発明の作用効果も、引用例１，２に記載された発明及び上記周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　　
　なお、請求人は、請求理由において「
本願１〜６では、遮光膜を上側に設ける場合に、遮光膜の上層に画素電極を配置する構成にして
画素電極を遮光膜の上側に配置した場合に、スルーホールにおける遮光膜と画素電極との電気的接触の問題を
解決し
本願請求項１〜６の発明における遮光膜のスルーホールの開口の問題
については、何の示唆も与えておらず
本願請求項１〜６の発明のスルーホールにおける遮光膜の開口の大きさと絶縁性の問題
について、何の示唆も与えておりません。
　しかしながら、本願発明（請求項３）には、上記主張の前提たるべき構成である「画素電極を遮光膜の上側に配置する」ことも、「遮光膜のスルーホール」についても、何ら記載がないのであるから、これら前提構成を欠いた上記主張は、本願発明の構成に基づかない主張という外はなく、これを採用することができない。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１，２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。