Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月28日(2012.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電型を有するコレクタと、
前記コレクタ上の、前記第１の導電型を有するドリフト層と、
前記ドリフト層上の、前記第１の導電型と反対の第２の導電型を有するベース層と、
前記ベース層上の、前記第１の導電型を有し前記ベース層とｐ−ｎ接合部を形成するバッファ層であって、前記ベース層のドーピング濃度よりも低いドーピング濃度を有するバッファ層と１、
前記バッファ層上の、前記第１の導電型を有し側壁を有するエミッタメサと
を備え、
前記バッファ層は、前記エミッタメサの側壁の近傍でそこから横方向に間隔を置いて配置されたメサ段差を備え、前記エミッタメサの下の前記バッファ層の第１の厚さは、前記メサ段差外側の前記バッファ層の第２の厚さよりも厚いことを特徴とするバイポーラ接合トランジスタ。
【請求項２】
前記エミッタメサ上の局所エミッタコンタクト領域であって、第１の導電型を有し、前記エミッタメサのドーピング濃度よりも高いドーピング濃度を有し、前記エミッタメサの側壁から横方向に間隔を置いて配置されたエミッタコンタクト領域と、
前記局所エミッタコンタクト領域上のエミッタオーミックコンタクトと
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のバイポーラ接合トランジスタ。
【請求項３】
前記エミッタメサの側壁上の、前記局所エミッタコンタクト領域と前記バッファ層の両方に接触するように延びる導電層をさらに備え、前記エミッタオーミックコンタクトは、前記導電層とオーミックコンタクトを形成することを特徴とする請求項２に記載のバイポーラ接合トランジスタ。
【請求項４】
前記局所エミッタコンタクト領域は、前記エミッタメサの側壁から約２μｍ以上の間隔で配置されることを特徴とする請求項２に記載のバイポーラ接合トランジスタ。
【請求項５】
前記ベース層の申に延びるベースコンタクト領域であって、第２の導電型を有し、前記ベース層のドーピング濃度よりも高いドーピング濃度を有するベースコンタクト領域と、
前記ベースコンタクト領域上のベースオーミックコンタクトと
をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載のバイポーラ接合トランジスタ。
【請求項６】
前記ベース層の中に延びるベースコンタクト領域であって、第２の導電型を有し、かつ前記ベース層のドーピング濃度よりも高いドーピング濃度を有するベースコンタクト領域と、
前記ベースコンタクト領域上のベースオーミックコンタクトと
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のバイポーラ接合トランジスタ。
【請求項７】
前記メサ段差は、約０．３μｍ以下の高さを有することを特徴とする請求項１に記載のバイポーラ接合トランジスタ。
【請求項８】
前記メサ段差は、前記エミッタメサの側壁から約２μｍ以上の間隔で配置されることを特徴とする請求項１に記載のバイポーラ接合トランジスタ。
【請求項９】
前記バッファ層は、前記エミッタメサのドーピング濃度よりも低いドーピング濃度を有することを特徴とする請求項１に記載のバイポーラ接合トランジスタ。
【請求項１０】
前記バッファ層は、前記バッファ層と前記ベース層の間のｐ−ｎ接合部のビルトイン電位によって前記バッファ層の、前記策２の厚さを有する部分が完全に空乏化されるように選択されたドーピング濃度を有することを特徴とする請求項１に記載のバイポーラ接合トランジスタ。
【請求項１１】
前記コレクタ、前記ドリフト層、前記ベース層、前記バッファ層および前記エミッタメサは炭化ケイ素を含むことを特徴とする請求項１に記載のバイポーラ接合トランジスタ。
【請求項１２】
第１の導電型を有する第１の層と、
前記第１の層上の第２の層であって、前記第１の導電型と反対の第２の導電型を有し、前記第１の層の第１のドーピング濃度よりも高い第２のドーピング濃度を有する第２の層と、
前記第２の層上の、前記第１の導電型を有し前記第２の層とｐ−ｎ接合部を形成する第３の層であって、前記第２の層の前記第２のドーピング濃度よりも低い第３のドーピング濃度を有する第３の層と、
前記第３の層上の、前記第１の導電型を有し側壁を有するメサと
を備え、
前記第３の層は、前記メサの側壁の近傍でそこから横方向に間隔を置いて配置されたメサ段差を備え、前記メサの下の前記第３の層の第１の厚さは、前記メサ段差外側の前記第３の層の第２の厚さよりも厚いことを特徴とする電力半導体デバイス。
【請求項１３】
前記メサ上のコンタクト領域であって、第１の導電型を有し、前記メサの第５のドーピング濃度よりも高い第４のドービング濃度を有し、前記メサの側壁から横方向に間隔を置いて配置されたコンタクト領域と、
前記コンタクト領域上のオーミックコンタクトと
をさらに備えることを特徴とする請求項１２に記載の電力半導体デバイス。
【請求項１４】
前記メサの側壁上の、前記コンタクト領域と前記第３の層の両方に接触するように延びる導電層をさらに備え、前記オーミックコンタクトは、前記導電層とオーミックコンタクトを形成することを特徴とする請求項１３に記載の電力半導体デバイス。
【請求項１５】
電子デバイスを形成する方法であって、
第１の導電型を有するドリフト層を設けるステップと、
前記ドリフト層上に、前記第１の導電型と反対の第２の導電型を有する半導体層を設けるステップと、
前記半導体層上に、前記第１の導電型を有するバッファ層を設けるステップと、
前記バッファ層を選択的にエッチングして、前記バッファ層の、第１の厚さを有する第１の部分、および前記バッファ層の、前記第１の厚さよりも薄い第２の厚さを有する第２の部分を画定するメサ段差を形成するステップと、
前記バッファ層の前記第１の部分上にメサを設けるステップであって、前記メサは、前記第１の導電型を有するとともに、前記バッファ層の前記第１の部分を部分的に露出し前記バッファ層の前記メサ段差から横方向に間隔を置いて配置されたメサ側壁を有する、ステップと
を含む電子デバイスを形成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月7日(2011.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
約５０ｎｍ〜約１０００ｎｍの範囲の平均直径を有するナノファイバーの多孔質層を含むセパレータを有するキャパシタであって、前記ナノファイバーがポリアミドと酸化防止剤とを含むキャパシタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
本発明は様々な具体的な実施形態に関して記載されてきたが、様々な修正が本開示から明らかであろうし、次のクレームの範囲内であることが意図される。
次に、本発明の態様を示す。
1.  約５０ｎｍ〜約１０００ｎｍの範囲の平均直径を有するナノファイバーの多孔質層を含むセパレータを有するキャパシタであって、前記ナノファイバーがポリアミドと酸化防止剤とを含むキャパシタ。
2.  前記セパレータが約０．０１μｍ〜約１０μｍの平均流細孔径、約０．１ミル（０．００２５ｍｍ）〜約５ミル（０．１２７ｍｍ）の厚さ、約１ｇ／ｍ2〜約３０ｇ／ｍ2の坪量、約２０％〜約９０％の気孔率、約８０ｃｆｍ／ｆｔ2（２４ｍ3／分／ｍ2）未満のＦｒａｚｉｅｒ通気度および約２〜約１５のＭａｃＭｕｌｌｉｎ数を有する上記１に記載のキャパシタ。
3.  前記セパレータがメタノール中２モルのＬｉＣｌ電解質溶液において約０．１オーム−ｃｍ2〜約５オーム−ｃｍ2のイオン抵抗を有する上記１に記載のキャパシタ。
4.  前記ポリアミドが、ポリアミド６、ポリアミド６，６、ポリアミド６，１２、ポリアミド１１、ポリアミド１２、ポリアミド４，６、半芳香族ポリアミドおよびそれらのブレンドまたは組み合わせからなる群から選択される上記１に記載のキャパシタ。
5.  前記酸化防止剤が前記ポリアミドの約０．０１重量％〜約５重量％のレベルで存在する上記１に記載のキャパシタ。
6.  前記酸化防止剤が、フェノール系アミド、ヒンダードフェノール、フェノール系エステル、銅の有機または無機塩、ヒンダードアミン、高分子ヒンダードフェノール、ヒンダードホスファイト、ならびにそれらの組み合わせおよびブレンドからなる群から選択される上記１に記載のキャパシタ。
7.  ＤＣ寿命試験中の抵抗上昇が５０％未満である上記１に記載のキャパシタ。
8.  ＤＣ寿命試験中の抵抗上昇が２０％未満である上記１に記載のキャパシタ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月20日(2012.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に位置し、論理ゲート及び／又は揮発性メモリと関連するトランジスタデバイス用のゲートとして使用される材料から成る浮遊ゲートと、
ソース領域と、
ドレイン領域と、
前記ソース領域と前記ドレイン領域とを結合するｎ型チャネルと
を備え、
前記ドレイン領域は、前記ドレイン領域に印加されるデバイス用プログラム供給電圧を、前記浮遊ゲートと前記ドレイン領域との間にある容量結合によって前記浮遊ゲートに付与できるように前記ゲートの大部分に重なる、基板上に位置するプログラマブル不揮発性デバイス。
【請求項２】
前記プログラム供給電圧は５ボルトより大きい、請求項１に記載のプログラマブルデバイス。
【請求項３】
前記浮遊ゲートは消去可能である、請求項１に記載のプログラマブルデバイス。
【請求項４】
前記デバイスは再プログラムできる、請求項３に記載のプログラマブルデバイス。
【請求項５】
前記浮遊ゲートは前記ソース領域に印加される消去電圧によって消去可能である、請求項３に記載のプログラマブルデバイス。
【請求項６】
前記浮遊ゲートの状態は前記ドレインに適用された読み取り信号によって決定できる、請求項１に記載のプログラマブルデバイス。
【請求項７】
前記読み取り信号は約1ボルト未満である、請求項１に記載のプログラマブルデバイス。
【請求項８】
前記デバイスは、集積回路において別個の各論理回路及び／又は各メモリ回路に組み込まれたプログラム可能なアレイの一部である、請求項１に記載のプログラマブルデバイス。
【請求項９】
前記デバイスは、データ暗号化回路、リファレンス調整（reference trimming）回路、製造ＩＤ、及び／又はセキュリティＩＤのうちの一つと関連する、請求項８に記載のプログラマブルデバイス。
【請求項１０】
前記容量結合は前記基板に位置する第１トレンチで行われる、請求項１に記載のプログラマブルデバイス。
【請求項１１】
前記基板にある一組の第２トレンチは組込み型ＤＲＡＭとして使用される、請求項１０に記載のプログラマブルデバイス。
【請求項１２】
一対のラッチの配列に結合された第２プログラマブルデバイスをさらに有し、データやその補数が前記一対のラッチに保存される、請求項１１に記載のプログラマブルデバイス。
【請求項１３】
電荷蓄積位置としての機能を果たす各不純物を有し、基板上に位置する他の各非プログラマブルデバイス用の絶縁層として利用される材料から成る浮遊ゲートと、
ソース領域と、
ドレイン領域と、
前記ソース領域と前記ドレイン領域とを結合させるｎ型チャネルと
を備え、
前記ドレイン領域は、前記ドレイン領域に印加されるプログラム供給電圧を、前記浮遊ゲートと前記ドレイン領域との間にある容量結合によって前記浮遊ゲートに付与できるように前記ゲートの大部分に重なる、基板上に位置するプログラマブルデバイス。
【請求項１４】
基板上に位置して論理ゲート及び／又は揮発性メモリと関連するトランジスタデバイス用の相互接続ゲート及び／又は別のゲートが共用する材料から成る浮遊ゲートと、
ソース領域と、
前記浮遊ゲートの一部分に重なり、前記浮遊ゲートと前記ドレイン領域との間にある容量結合をもたらすドレイン領域と、
前記ソース領域と前記ドレイン領域とを結合させるｎ型チャネルと
を備え、
前記浮遊ゲートの閾値は、ＯＴＰデバイスにデータを保存するよう各チャネル熱電子によって恒久的に変更できる、基板上に位置するワンタイムプログラマブル（ＯＴＰ）デバイス。
【請求項１５】
一つ以上の他の追加論理デバイス及び／又は非ＯＴＰメモリデバイスと共にシリコン基板上に組み込まれるワンタイムプログラマブル（ＯＴＰ）メモリデバイスであって、
ａ．前記ＯＴＰメモリデバイスはｎ型チャネルを有し、
ｂ．前記ＯＴＰメモリデバイスの任意及びすべての領域と各構造とは、前記追加論理デバイス及び／又は非ＯＴＰメモリデバイスの各構成要素として使用される各対応領域及び構造から単に由来するものであり、
前記ＯＴＰメモリデバイスは、ソース端子とドレイン端子とを介して、容量結合に使用するプログラム供給電圧を浮遊ゲートにプログラム可能にすることを特徴とするメモリデバイス。
【請求項１６】
シリコン基板上にゲート、ｎ型不純物ソース、及びｎ型不純物ドレインを有するプログラマブルメモリデバイスであって、
ｎ型チャネルを備え、
前記ｎ型不純物ドレインは、前記ｎ型不純物ドレインに印加されるプログラム供給電圧を、前記ｎ型不純物ドレインと前記ゲートとの間にある容量結合によって前記ゲートに付与できるように前記ゲートの大部分に重なり、
前記ゲートは、前記デバイスが前記プログラム供給電圧によって前記ゲート上に蓄積された電荷量によって画定されるプログラム状態にあるように浮遊ゲートとしての機能に適応し、
さらに、前記浮遊ゲート上の前記電荷は、前記デバイスが再プログラム可能となるように消去できる、プログラマブルメモリデバイス。
【請求項１７】
シリコン基板上にゲート、ｎ型不純物ソース、及びｎ型不純物ドレインを有するワンタイムプログラマブル（ＯＴＰ）メモリデバイスであって、
ｎ型チャネルを備え、
前記ｎ型不純物ドレインは、前記ｎ型不純物ドレインに印加される電圧を、前記ｎ型不純物ドレインと前記ゲートとの間にある容量結合によって前記ゲートに付与できるように前記ゲートの大部分に重なり、
前記ゲートは、ＯＴＰデバイスが前記ゲートの荷電状態によって画定されるプログラム状態にあるように構成される、メモリデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月7日(2011.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シート材料の表面の形状プロファイルを測定するための装置であって、
前記シート材料の表面に向けて光ビームを提供する光源と、
前記光ビームが前記表面で検出される際に、前記表面の複数の位置に入射し、前記複数の位置のそれぞれにおいて反射光ビームを生じるように、前記光源を前記シート材料の表面上を移動させるために前記光源に連結する線形の移動ステージと、
前記複数の位置のそれぞれで生じた反射光ビームを選択的に受信するために所定の位置に配置される複数の光受信器と、
前記光源と、前記複数の位置のそれぞれで生じた反射光ビームを受信する前記複数の光受信器から選択される１つの光受信器との位置差に関する情報を受信するように構成されるデータ収集装置と、
前記位置差情報を前記シート材料の表面の形状プロファイルと関連付けるように構成されるデータ解析装置と、
を有してなる装置。
【請求項２】
前記光源によって提供される前記光ビームが細長であることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記細長のビームの主軸が、前記光源の移動方向に垂直であることを特徴とする請求項２記載の装置。
【請求項４】
前記光検出器が、前記光源と連動するように、前記移動ステージに連結されることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の装置。
【請求項５】
前記光受信器が、光検出器に連結したマルチモードファイバであることを特徴とする請求項１〜４いずれか１項記載の装置。
【請求項６】
前記光受信器が、前記光源の移動方向に沿って配置されることを特徴とする請求項１〜５いずれか１項記載の装置。
【請求項７】
前記データ解析装置が、前記位置差情報を、前記光源の移動方向に対して実質的に平行方向の前記形状プロファイルと関連付けることを特徴とする請求項１〜６いずれか１項記載の装置。
【請求項８】
前記データ解析装置が、
【数１】
2011503574.tif 000001
の解をｙ（ｘ）について求めることを特徴とし、
ここで、ｙ（ｘ）は形状プロファイルであり、ｙ'（ｘ）はｙ（ｘ）の微分であり、Ｄ（ｘ）＋Ｄoは前記複数の位置のそれぞれにおける、前記受信した反射光ビームと前記入射した光ビームの間の位置差であり、θoは前記光ビームが前記シート材料の表面に入射する角度である、
請求項７記載の装置。
【請求項９】
前記データ解析装置が、
【数２】
2011503574.tif 000002
を積分してｙ（ｘ）を得ることを特徴とし、
ここで、ｙ（ｘ）は形状プロファイルであり、ｙ'（ｘ）はｙ（ｘ）の微分であり、Ｄ（ｘ）＋Ｄoは前記複数の位置のそれぞれにおける、前記受信した反射光ビームと前記入射した光ビームの間の位置差であり、θoは前記光ビームが前記シート材料の表面に入射する角度である、
請求項７記載の装置。
【請求項１０】
前記解析装置が、
【数３】
2011503574.tif 000003
の解をｙ（ｘ）について求めることを特徴とし、
ここで、ｙ（ｘ）は形状プロファイルであり、ｙ'（ｘ）はｙ（ｘ）の微分であり、Ｄ'o＋Ｄ'（ｘ）は、前記複数の位置のそれぞれにおける、前記受信した反射光ビームと前記入射した光ビームの間の位置差であり、θoは前記光ビームが前記シート材料の表面に入射する角度である、
請求項７記載の装置。
【請求項１１】
前記シート材料の表面の形状プロファイルを測定する方法であって、
前記シート材料の表面に入射する光ビームを提供し、
前記入射光ビームが前記表面の複数の位置に入射し、前記複数の位置のそれぞれにおいて反射光ビームを生じるように、前記表面上の所定の測定方向に、前記入射光ビームを実質的に直線的に移動し、
前記複数の位置のそれぞれで生じた反射光ビームを受信し、
前記複数の位置のそれぞれにおける、前記受信した反射光ビームと前記入射光ビームの位置差に関する情報を受信し、
前記位置差情報を前記シート材料の表面の前記形状プロファイルと相関付ける、
各工程を有してなる方法。
【請求項１２】
前記位置差データを前記形状プロファイルと相関付ける工程が、
【数４】
2011503574.tif 000004
の解をｙ（ｘ）について求めることを特徴とし、
ここで、ｙ（ｘ）は形状プロファイルであり、ｙ'（ｘ）はｙ（ｘ）の微分であり、Ｄ（ｘ）＋Ｄoは前記複数の位置のそれぞれにおける、前記受信した反射光ビームと前記入射した光ビームの間の位置差であり、θoは前記光ビームが前記シート材料の表面に入射する角度である、
請求項１１記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
１つの実施の形態では、装置の光受信器は光源の移動方向に沿って配置される。１つの実施の形態では、光受信器は一次元配列で配置される。１つの実施の形態では、光受信器は、二次元配列で配置される。１つの実施の形態では、光受信器は、光源の移動方向に沿って千鳥形に配置される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月15日(2011.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記飲料冷却手段に係合する手段は、前記アームの遠位端に配置されることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月14日(2011.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光パルスを放射するための少なくとも１つのレーザ光源（１１１）を含み、前記光パルスは、製造システム（１００）によって処理される間、前記材料（１４）の上のサンプル位置でパルスＴＨｚ放射を放射するように動作可能なＴＨｚエミッタ（５１）に結合される、ＴＨｚ発生器と、
前記光パルスを受信し、前記光パルスと同期して、前記サンプル位置から反射されたまたは透過されたＴＨｚ放射を検出して、電気検出信号を供給するように動作可能な受信機（５２）と、
前記レーザ（１１１）から前記光パルスを受信し、前記受信機（５２）と前記ＴＨｚエミッタ（５１）の両方に前記光パルスを供給するように動作可能な同期光学素子（１１２、１１３および１１４）と、
前記電気検出信号を受信し、処理された電気検出信号を供給するための少なくとも１つのプロセッサ（８７）および前記処理された電気検出信号から前記材料（１４）の少なくとも１つの特性を決定するように動作可能なアナライザ（８８）を備えるコントローラ（２５）と、
を備える材料測定システム（５００）。
【請求項２】
光ファイバ（１１５）をさらに備え、前記光パルスは、前記光ファイバによって前記レーザ光源（１１１）から前記受信機（５２）および前記エミッタ（５１）のうちの少なくとも１つに結合される、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記アナライザ（８８）は、前記サンプル位置で前記材料（１４）の複数の前記特性を同時に決定するように動作可能であり、前記複数の特性は、坪量、水分、厚さ、構成および繊維配向からなるグループから選択される、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記コントローラ（２５）および前記レーザ（１１１）の両方は、前記製造システムから離れて置かれる、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記ＴＨｚエミッタ（５１）と前記受信機（５２）が単一のセンサモジュール内で組み合わされる、請求項１に記載の測定システム。
【請求項６】
前記受信機（５２）および前記ＴＨｚエミッタ（５１）は、前記材料の両側に置かれ、それによって、前記システムが透過ベースのシステムである、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
製造システムによって処理された材料の現場品質管理のための方法であって、
前記製造システムによって処理されている材料（１４）上のサンプル位置にＴＨｚ放射を向けるステップと、
前記サンプル位置から反射された放射または透過された放射を測定し、そこから電気検出信号を生成するステップと、
前記電気検出信号を受信し、処理された電気検出信号を供給するための少なくとも１つのプロセッサ（８７）を備える、離れて置かれたコントローラ（２５）に前記電気検出信号を送信するステップと、
前記処理された電気検出信号から前記材料（１４）の少なくとも１つの特性を決定するステップと、
前記特性に基づいて少なくとも１つのプロセスパラメータを自動的に修正するステップとを備える、方法。
【請求項８】
前記少なくとも１つの特性が複数の前記特性を備え、前記複数の特性は、前記サンプル位置の単一の位置からの前記反射された放射または透過された放射の同時測定から決定される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記測定ステップが同期測定ステップを備え、前記同期測定ステップは、前記ＴＨｚ放射を生成するために使用されたレーザ光源（１１１）からの光パルスと同期され、前記光パルスファイバは、前記ＴＨｚ放射を生成するためのＴＨｚ発生器、および前記反射された放射または透過された放射の前記測定のための受信機に光結合される、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記決定ステップは、前記処理された電気検出信号から時間領域分光（ＴＤＳ）スペクトルを生成するステップを備える、請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月7日(2011.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
等温滴定マイクロ熱量計システム用の自動ピペットアセンブリであって、当該自動ピペットアセンブリが、ピペットハウジングと、滴定剤を供給するため試料セル内に挿入されるように構成された滴定針を備えるシリンジと、シリンジ内にプランジャを駆動するためのリニアアクティベータとを備えており、上記滴定針が、ハウジングに対して回転可能であって、試料セル内の流体を攪拌するように構成された攪拌パドルを備えており、自動ピペットアセンブリが、滴定針の回転を駆動するための攪拌モータを備える、自動ピペットアセンブリ。
【請求項２】
前記攪拌モータが、中空ロータが滴定針と同心に配置された直接駆動モータである、請求項１記載の自動ピペットアセンブリ。
【請求項３】
前記攪拌モータが、回転伝達構成部によって滴定針を回転駆動させる、請求項１又は請求項２記載の自動ピペットアセンブリ。
【請求項４】
前記シリンジがハウジングに対して回転可能であり、前記滴定針がシリンジに回転不能に装着される、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の自動ピペットアセンブリ。
【請求項５】
前記シリンジが、ピペットハウジング内の回転フレーム内に着脱式に配置される、請求項４記載の自動ピペットアセンブリ。
【請求項６】
前記リニアアクティベータが、ねじプランジャを駆動するように構成されたステッピングモータを備え、ピペットアセンブリが、ねじプランジャの２つの所定位置を検出するための位置センサをさらに備える、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の自動ピペットアセンブリ。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の自動ピペットアセンブリを備える等温滴定マイクロ熱量計システム。
【請求項８】
ピペットアセンブリのリニアアクティベータ及び攪拌モータを制御するように構成されたピペット制御装置を備え、リニアアクティベータが、ねじプランジャを駆動するように構成されたステッピングモータを備え、ピペットアセンブリが、ねじプランジャの２つの所定位置を検出するための位置センサをさらに備え、ピペット制御装置が、ねじプランジャの２つの所定の位置を位置合わせし、位置間でねじプランジャを移動させるためにステッピングモータによって実施されるステップ数からプランジャのねじのピッチを判定するように構成される、請求項７記載の等温滴定マイクロ熱量計システム。
【請求項９】
滴定針が、滴定剤を供給するために試料セル内に挿入されるように構成された自動ピペットアセンブリと、２以上の動作位置間で及び２以上の動作位置内にピペットアセンブリを案内するように構成されたピペットガイド機構とを備え、第１の動作位置は、ピペット洗浄位置であり、滴定針が、洗浄装置内に挿入され、第２の動作位置は、滴定位置であり、シリンジが、熱量測定のために試料セル内に挿入される、マイクロ滴定熱量計システム。
【請求項１０】
試料セルと、基準セルとを備え、両セルは、第１の熱シールドによって封鎖され、第１の熱シールドが、さらに第２の熱シールドによって封鎖され、第１の熱ポンプユニットが、第１の熱シールドと第２の熱シールドとの間で熱エネルギーを伝達するように構成され、第２の熱ポンプユニットが、第２の熱シールドと熱シンクとの間で熱エネルギーを伝達するように構成される等温滴定マイクロ熱量計システムであって、第１の熱ポンプユニット及び第２の熱ポンプユニットを制御するように構成された制御装置と、試料セルと第１の熱シールドとの間の温度差を感知するための温度センサ構成体とをさらに備え、制御装置が、等温モードで、試料セルと第１の熱シールドとの温度差を最小限に抑えるように第１の熱ポンプを制御するように構成される、等温滴定マイクロ熱量計システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月8日(2011.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
更に、各々の列挙した範囲は、範囲の全ての組合せおよび下位組合せ、更にそれに含まれる具体的な数を包含する。加えて、本明細書で引用または記載する各特許、特許出願および公報の開示はその全部を参照により本明細書に組入れる。
以下の態様もまた開示される。
［１］  低粘度疎水性液体パーソナルケア活性物質を保護する方法であって：
界面活性である能力を有するポリオレフィン酸コポリマー、水、および塩基を含む混合物を形成すること；ならびに
該活性物質を該混合物と組合せて、懸濁した活性粒子を形成すること；
を含む、方法。
［２］  該塩基がＮａＯＨ、ＫＯＨ、またはトリエタノールアミンである、上記［１］に記載の方法。
［３］  該混合物を形成するステップが、ポリオレフィン酸コポリマーと塩基とを組合せ、その後水を添加することを含む、上記［１］に記載の方法。
［４］  該活性物質を該混合物に添加する、上記［１］に記載の方法。
［５］  該組合せのステップが、該混合物を乳化することを含む、上記［１］に記載の方法。
［６］  該コポリマーを沈殿させることによって該活性粒子の周りにシェルを形成することを更に含む、上記［１］に記載の方法。
［７］  該シェルによって規定される該粒子の粒子サイズが、２μｍ未満、好ましくは１．８μｍ未満、好ましくは１．６μｍ未満、好ましくは１．４μｍ未満、好ましくは１．２μｍ未満、および好ましくは約１μｍである、上記［６］に記載の方法。
［８］  該沈殿のステップが、該混合物のｐＨを低下させることを含む、上記［６］に記載の方法。
［９］  該ｐＨをクエン酸で低下させる、上記［８］に記載の方法。
［１０］  該沈殿のステップが、安定剤を該混合物に添加することを更に含む、上記［６］に記載の方法。
［１１］  該パーソナルケア活性物質が、ビタミン、エモリエント、サンスクリーン、油系顔料分散体、エッセンシャルオイル、または香料である、上記［１］に記載の方法。
［１２］  該パーソナルケア活性物質がオクチノキセートである、上記［１］に記載の方法。
［１３］  該パーソナルケア活性物質が香料である、上記［１］に記載の方法。
［１４］  ポリオレフィン酸コポリマーが、約９〜約２２質量パーセントのアクリル酸単位、好ましくは約１８〜約２２質量パーセントのアクリル酸単位、好ましくは約１９〜約２１パーセントのアクリル酸単位、および最も好ましくは約２０アクリル酸単位を有するエチレン／アクリル酸コポリマーである、上記［１］に記載の方法。
［１５］  該混合物におけるエチレン／アクリル酸コポリマーの活性物質に対する比が、約１：１〜約１：２０、好ましくは１：５〜約１：１５、最も好ましくは約１：１０である、上記［１４］に記載の方法。
［１６］  該エチレン／アクリル酸コポリマーが、約４．５質量パーセント〜約５０質量パーセント、好ましくは約６．３質量パーセント〜約１７質量パーセント、最も好ましくは約９質量パーセント存在する、上記［１４］に記載の方法。
［１７］  低粘度疎水性液体パーソナルケア活性物質をエチレン／アクリル酸コポリマーでカプセル化する方法であって：
エチレン／アクリル酸コポリマー混合物のｐＨを約７超に上昇させること；
該活性物質を該混合物中で分散させること；および
該コポリマーを沈殿させることによって該活性物質の周りにシェルを形成すること；
を含む、方法。
［１８］  低粘度疎水性液体パーソナルケア活性物質；およびポリオレフィン酸コポリマー混合物；を含む、組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低粘度疎水性液体パーソナルケア活性物質を保護する方法であって：
界面活性である能力を有するポリオレフィン酸コポリマー、水、および塩基を含む混合物を形成すること；ならびに
該活性物質を該混合物と組合せて、懸濁した活性粒子を形成すること；
を含む、方法。
【請求項２】
該コポリマーを沈殿させることによって該活性粒子の周りにシェルを形成することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該シェルによって規定される該粒子の粒子サイズが、１．６μｍ未満である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
該パーソナルケア活性物質が、ビタミン、エモリエント、サンスクリーン、油系顔料分散体、エッセンシャルオイル、または香料である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
該パーソナルケア活性物質が香料である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ポリオレフィン酸コポリマーが、９〜２２質量パーセントのアクリル酸単位を有するエチレン／アクリル酸コポリマーである、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月2日(2011.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
親和性タグ標識された巨大分子複合体の製造方法であって、親和性タグ及び選択マーカーを含むヌクレオチド配列をインフレーム融合させることを含んでなり、該融合をマルチコピータンパク質をコードする遺伝子の染色体部位でなされる、方法。
【請求項２】
前記マルチコピータンパク質が巨大分子複合体の表面に露出している、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記巨大分子複合体が、複製複合体、転写複合体、翻訳複合体、リボソーム、及び多量体機能分子を含む複合体から選択される、請求項１又は請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記巨大分子複合体がリボソームであり、前記マルチコピータンパク質が原核Ｌ１２又はその相同体である、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記インフレーム融合が遺伝子の染色体部位の３’末端でなされ、組換えによる線状配列のインフレーム融合によって達成される、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記選択マーカー遺伝子が耐薬剤性遺伝子である、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記親和性タグがマルチコピータンパク質をエンコードする遺伝子中の停止コドンの直前又は近傍に挿入され、該遺伝子はその機能を保持する、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記親和性タグが、Ｈｉｓ6タグのようなＨｉｓタグ、、Ｆｌａｇタグ、Ａｒｇタグ、Ｔ７タグ、Ｓｔｒｅｐタグ、Ｓタグ、アプタマータグ及びこれらのタグの組合せから選択される、請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
前記親和性タグを用いてリボソームのような巨大分子複合体のアフィニティ精製を行うことを含む、請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
前記リボソームがＨｉｓタグで標識され、アフィニティ精製方法がアフィニティークロマトグラフィー、好ましくは固定化金属アフィニティークロマトグラフィー（ＩＭＡＣ）である、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
インタクトな活性７０Ｓリボソーム又はインタクトなリボソームサブユニットを精製する、請求項１乃至請求項１０のいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
原核Ｌ１２タンパク質又はその相同体の多重コピーを含んでいて、それらがすべて親和性タグ標識、好ましくは２以上のＨｉｓ残基でタグ標識されている、親和性タグ標識リボソーム。
【請求項１３】
請求項１２記載の親和性タグ標識リボソームを含んでなる細胞。
【請求項１４】
細胞がそのリボソーム遺伝子中に１以上の突然変異を有する、請求項１３記載の細胞。
【請求項１５】
請求項１２記載の親和性タグ標識リボソームのインビトロでの、特にタンパク質のインビトロ合成のための、使用。
【請求項１６】
翻訳複合体及び／又はこれらに結合された成分の単離のための、請求項１５記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月10日(2011.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動物用医薬品として有効量のプラジカンテル；
イベルメクチン、ドラメクチン、モキシデクチン、セラメクチン、エマメクチン、エプリノメクチン、ミルベメクチン、アバメクチン、ミルベマイシンオキシムおよびネマデクチンからなる群から選択された大環状ラクトンを、遊離の形または生理学的に許容される塩の形で；
シクロデキストリン；
粘稠化剤；および
水
を含む水性懸濁液の形の駆虫ペーストであって、
駆虫ペーストの含水率が製剤全体の重量を基準にして≧５０重量％であり、駆虫ペーストは界面活性剤を含まない、前記駆虫ペースト。
【請求項２】
大環状ラクトンがミルベマイシンオキシムである、請求項１に記載のペースト。
【請求項３】
０．５〜２０重量％のプラジカンテル；
０．１〜８重量％の大環状ラクトン；
０．５〜４０重量％のシクロデキストリン；
０．１〜１０．０重量％の粘稠化剤；および
全量１００重量％に調整する水
を含む、請求項１または請求項２に記載のペースト。
【請求項４】
２．０〜７．５重量％のプラジカンテル；
１．０〜２．５重量％の大環状ラクトン；
２．０〜７．５重量％のシクロデキストリン；
１．０〜５．０重量％の粘稠化剤；および
全量１００重量％に調整する水
を含む、請求項１または請求項２に記載のペースト。
【請求項５】
保湿剤、保存剤、ｐＨ調整剤、着色剤および矯味剤からなる群から選択された１つ以上の追加の成分を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載のペースト。
【請求項６】
製剤全体に対して≧６０重量％の含水率を有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載のペースト。
【請求項７】
粘稠化剤がキサンタンガム、またはキサンタンガムとポリビニルピロリドンとの混合物、またはキサンタンガムとポリビニルピロリドンと微結晶セルロースとの混合物である、請求項１〜６のいずれか一項に記載のペースト。
【請求項８】
１．０〜１０重量％のプラジカンテル；
０．５〜５重量％のミルベマイシンオキシム；
１．０〜２０重量％のシクロデキストリン；
０．５〜７．５重量％の粘稠化剤；
１．０〜１０重量％の保湿剤；
０．５〜５重量％の保存剤；
２．５〜２０重量％の矯味剤；
０〜５．０重量％の着色剤；並びに
全量１００重量％に調整する水および酸
からなる、請求項２に記載のペースト。
【請求項９】
１．０５〜１．１５の比重を有することを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載のペースト。
【請求項１０】
チキソトロピー性であることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載のペースト。
【請求項１１】
イヌおよびネコにおける内部寄生虫の処置のための、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の駆虫ペーストの使用。
【請求項１２】
イヌおよびネコにおいて内部寄生虫を防除するための医薬品の調製における、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の駆虫ペーストの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月9日(2011.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】
請求項 1〜14の何れか一項に記載のペプチド, その断片, および機能上均等なホモログおよびアナログの微生物に対する抗微生物効果をインビトロで試験するための方法であって、以下を含む方法：
インビトロで前記物質を前記微生物に投与してインキュベーションすることと；
前記微生物の生存数を計数すること。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２２】
請求項２１に記載の方法であって、前記微生物が細菌、ウイルス、および真菌からなる群から選択される方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２３】
請求項 1〜14の何れか一項に記載のペプチド, その断片, および機能上均等なホモログおよびアナログの抗炎症効果をインビトロで試験するための方法であって、以下を含む方法：
インビトロで前記物質を細胞に投与してインキュベーションすることと；
前記細胞のサイトカイン産生に関して分析すること。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２４】
請求項２３に記載の方法であって、前記サイトカインが腫瘍壊死因子-α(TNF-α), インターロイキン-1 (IL-1), インターロイキン-6 (IL-6), インターロイキン-8 (IL-8), およびコロニー刺激因子(CSFs)からなる群から選択される方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月22日(2012.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インスリン分泌性ＧＬＰ−１化合物、基礎インスリンペプチド、薬学的に許容可能な添加剤及び亜鉛を含有する非経口投与のための可溶性薬学的組成物であって、
インスリン分泌性ＧＬＰ−１化合物がＡｒｇ３４，Ｌｙｓ２６（Ｎε−（γ−Ｇｌｕ（Ｎα−ヘキサデカノイル）））−ＧＬＰ−１（７−３７）であり、基礎インスリンペプチドがＮεＢ２９−（Ｎα−（ＨＯＯＣ（ＣＨ２）１４ＣＯ）−γ−Ｇｌｕ）ｄｅｓＢ３０ヒトインスリンであり、亜鉛含有量が６分子のインスリン当たり７〜１２のＺｎイオンである、可溶性薬学的組成物。
【請求項２】
上記薬学的組成物のｐＨがおよそｐＨ７．４からおよそｐＨ８．２である、請求項１に記載の薬学的組成物。
【請求項３】
上記薬学的組成物のｐＨがおよそｐＨ７．４からおよそｐＨ７．７又はおよそｐＨ７．４からおよそｐＨ８．２である、請求項１又は２に記載の薬学的組成物。
【請求項４】
基礎インスリンの濃度がおよそ１．５からおよそ８ｍｇ／ｍＬの範囲にあり、ＧＬＰ−１化合物の濃度がおよそ２からおよそ１０ｍｇ／ｍＬの範囲にある、請求項１から３の何れか一項に記載の薬学的組成物。
【請求項５】
ヒスチジンを更に含有する、請求項１から４の何れか一項に記載の薬物学的組成物。
【請求項６】
１型および２型の糖尿病、肥満症、β細胞欠損、ＩＧＴ、脂質異常症、高血糖症又は体重減少の治療のための、請求項１から５の何れか一項に記載の薬物学的組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月10日(2011.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性成分として、
1)
3-ヒドロキシ-2-(2,4-ジフルオロフェニル)-3-(3-ピリジル)プロパン酸3-トリフルオロメチルフェニルメチル；
3-ヒドロキシ-2-(2-クロロ-6-フルオロフェニル)-3-(3-ピリジル)プロパン酸3-トリフルオロメチルフェニルメチル；
3-ヒドロキシ-2-(2-チエニル)-3-(3-ピリジル)プロパン酸3-トリフルオロメチルフェニルメチル；
およびそれらの塩から選択される殺菌化合物I、またはその互変異性体もしくは塩；
ならびに
2)
A) エポキシコナゾール(epoxiconazole)、プロチオコナゾール(prothioconazole)、シアゾファミド(cyazofamid)、プロクロラズ(prochloraz)、およびカルベンダジム(carbendazim)からなる群より選択されるアゾール；
B) アゾキシストロビン(azoxystrobin)、フルオキサストロビン(fluoxastrobin)、およびピコキシストロビン(picoxystrobin)からなる群より選択されるストロビルリン；
D) シプロジニル(cyprodinil)、およびイプロジオン(iprodione)からなる群より選択される複素環式化合物；
E) イプロバリカルブ(iprovalicarb)から選択されるカルバメート；
および
クロロタロニル(chlorothalonil)から選択される他の活性化合物；
から選択される殺菌化合物II；
を相乗的に有効な量で含んでなる殺菌混合物。
【請求項２】
3-ヒドロキシ-2-(2,4-ジフルオロフェニル)-3-(3-ピリジル)プロパン酸3-トリフルオロメチルフェニルメチル；
3-ヒドロキシ-2-(2-チエニル)-3-(3-ピリジル)プロパン酸3-トリフルオロメチルフェニルメチル；
およびそれらの塩からなる群より選択される化合物Iを含む、請求項1に記載の混合物。
【請求項３】
化合物IIとしてカルベンダジム、シアゾファミド、エポキシコナゾール、プロチオコナゾール、およびプロクロラズから選択される活性化合物を含む、請求項1または2に記載の混合物。
【請求項４】
化合物IIとしてアゾキシストロビン、ピコキシストロビン、およびフルオキサストロビンから選択される活性化合物を含む、請求項1または2に記載の混合物。
【請求項５】
化合物IIとしてシプロジニル、およびイプロジオンから選択される活性化合物を含む、請求項1または2に記載の混合物。
【請求項６】
化合物IIとしてイプロバリカルブを含む、請求項1または2に記載の混合物。
【請求項７】
化合物IIとしてクロロタロニルを含む、請求項1または2に記載の混合物。
【請求項８】
殺虫化合物をさらに含む、請求項1〜7のいずれかに記載の混合物。
【請求項９】
殺虫化合物がピレスロイド、特にα-シペルメトリン、ならびにニコチン受容体アゴニスト/アンタゴニスト化合物、特にアセタミプリド、クロチアニジン、ジノテフラン、イミダクロプリド、チアメトキサム、ニテンピラムおよびチアクロプリドから選択される、請求項8に記載の混合物。
【請求項１０】
化合物Iおよび化合物IIを100：1〜1：100の重量比で含む、請求項1〜9のいずれかに記載の混合物。
【請求項１１】
液体または固体の担体と、少なくとも2種の殺菌活性成分とを含んでなる殺菌組成物であって、少なくとも2種の殺菌活性成分が請求項1〜10のいずれかに記載の混合物である、上記殺菌組成物。
【請求項１２】
有害な植物病原菌類、その生育場所もしくは該菌類の攻撃から保護すべき植物、土壌または種子を、有効量の請求項1〜10のいずれかに記載の混合物で処理することを含んでなる、有害な植物病原菌類の防除方法。
【請求項１３】
請求項1〜10のいずれか1項に記載の混合物を5g/ha〜2000g/haの量で施用する、請求項12に記載の方法。
【請求項１４】
請求項1〜10のいずれかで定義した化合物Iおよび化合物IIを同時に、すなわち一緒にもしくは別々に、または連続して施用する、請求項12または13に記載の方法。
【請求項１５】
種子を殺菌的に有効な量の請求項1〜10のいずれかに記載の混合物と接触させることを含んでなる、種子の保護方法。
【請求項１６】
請求項1〜10のいずれかに記載の混合物を種子100kgあたり0.01g〜10kgの量で施用する、請求項15に記載の方法。
【請求項１７】
種子100kgあたり0.1g〜10kgの量の請求項1〜10のいずれかに記載の混合物を含む種子。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月10日(2011.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
呼吸器疾患の治療用薬剤の製造のためのコルチコステロイドの使用であって、１用量の前記薬剤が約０．２５ｍｇ以下の前記コルチコステロイドを含み、前記１用量の薬剤を少なくとも１日２回、少なくとも７日間投与したときに、ＡＵＣ０−ｉｎｆが初回用量のＡＵＣ０−ｉｎｆの約１．５倍を超えて増加することを特徴とする使用。
【請求項２】
請求項１に記載の使用において、前記１用量を噴霧によって投与することを特徴とする使用。
【請求項３】
請求項２に記載の使用において、Ｔｍａｘが前記薬剤の噴霧時間と略同一時間であることを特徴とする使用。
【請求項４】
請求項３に記載の使用において、Ｔｍａｘ及び前記噴霧時間の各々が約５．０分以下であることを特徴とする使用。
【請求項５】
請求項１に記載の使用において、前記１用量の薬剤が約０．１３５ｍｇ以下のコルチコステロイドを含むことを特徴とする使用。
【請求項６】
請求項１に記載の使用において、前記コルチコステロイドが、２１−アセトキシプレグネノロン、アルクロメタゾン、アルゲストン、アムシノニド、ベクロメタゾン、ベータメタゾン、ブデソニド、クロロプレドニゾン、シクレソニド、クロベタゾール、クロベタゾン、クロコルトロン、クロプレドノール、コルチコステロン、コルチゾン、コルチバゾール、デフラザコート、デスシクレソニド、デソニド、デスオキシメタゾン、デクサメタゾン、ジフロラゾン、ジフルコルトロン、ジフルプレドナート、エノキソロン、フルアザコート、フルクロロニド、フルメタゾン、フルニソリド、フルオシノロンアセトニド、フルオシノニド、フルオコルチンブチル、フルオコルトロン、フルオロメトロン、フルペロロンアセタート、フルプレドニリデンアセタート、フルプレドニソロン、フルランドレノリド、フルチカゾンプロピオナート、ホルモコータル、ハルシノニド、ハロベタソールプロピオナート、ハロメタゾン、ハロプレドンアセタート、ヒドロコルタマート、ヒドロコルチゾン、ロテプレドノールエタボナート、マジプレドン、メドリゾン、メプレドニゾン、メチルプレドニゾロン、モメタゾンフロアート、パラメタゾン、プレドニカルバート、プレドニゾロン、プレドニゾロン２５−ジエチルアミノ−アセタート、プレドニゾロンリン酸ナトリウム、プレドニゾン、プレドニバル、プレドニリデン、リメキソロン、チキソコルトール、トリアムシノロン、トリアムシノロンアセトニド、トリアムシノロンベネトニド、トリアムシノロンヘキサセトニド、その誘導体、類似体、及び塩、ならびにその組合せからなる群より選択されることを特徴とする使用。
【請求項７】
請求項６に記載の使用において、前記コルチコステロイドがブデソニドであることを特徴とする使用。
【請求項８】
請求項１に記載の使用において、前記呼吸器疾患が喘息であることを特徴とする使用。
【請求項９】
請求項１に記載の使用において、前記薬剤の投与により、Ｃｍａｘが約８５０ｐｇ／ｍｌ以下となることによって特徴づけられた薬物動態的特性が得られ、ＡＵＣ０−ｉｎｆが７５，０００ｐｇ−ｍｉｎ／ｍｌを超えないことを特徴とする使用。
【請求項１０】
呼吸器疾患の治療用の医薬組成物であって、１用量の前記医薬組成物が約０．２５ｍｇ以下のコルチコステロイドを含み、前記１用量の医薬組成物を少なくとも１日２回、少なくとも７日間投与したときに、ＡＵＣ０−ｉｎｆが初回用量のＡＵＣ０−ｉｎｆの約１．５倍を超えて増加することを特徴とする医薬組成物。
【請求項１１】
請求項１０に記載の医薬組成物において、前記１用量を噴霧によって投与することを特徴とする医薬組成物。
【請求項１２】
請求項１１に記載の医薬組成物において、Ｔｍａｘが前記薬剤の噴霧時間と略同一時間であることを特徴とする医薬組成物。
【請求項１３】
請求項１０に記載の医薬組成物において、前記１用量が約０．１３５ｍｇ以下のコルチコステロイドを含むことを特徴とする医薬組成物。
【請求項１４】
請求項１０に記載の医薬組成物において、前記コルチコステロイドが、２１−アセトキシプレグネノロン、アルクロメタゾン、アルゲストン、アムシノニド、ベクロメタゾン、ベータメタゾン、ブデソニド、クロロプレドニゾン、シクレソニド、クロベタゾール、クロベタゾン、クロコルトロン、クロプレドノール、コルチコステロン、コルチゾン、コルチバゾール、デフラザコート、デスシクレソニド、デソニド、デスオキシメタゾン、デクサメタゾン、ジフロラゾン、ジフルコルトロン、ジフルプレドナート、エノキソロン、フルアザコート、フルクロロニド、フルメタゾン、フルニソリド、フルオシノロンアセトニド、フルオシノニド、フルオコルチンブチル、フルオコルトロン、フルオロメトロン、フルペロロンアセタート、フルプレドニリデンアセタート、フルプレドニソロン、フルランドレノリド、フルチカゾンプロピオナート、ホルモコータル、ハルシノニド、ハロベタソールプロピオナート、ハロメタゾン、ハロプレドンアセタート、ヒドロコルタマート、ヒドロコルチゾン、ロテプレドノールエタボナート、マジプレドン、メドリゾン、メプレドニゾン、メチルプレドニゾロン、モメタゾンフロアート、パラメタゾン、プレドニカルバート、プレドニゾロン、プレドニゾロン２５−ジエチルアミノ−アセタート、プレドニゾロンリン酸ナトリウム、プレドニゾン、プレドニバル、プレドニリデン、リメキソロン、チキソコルトール、トリアムシノロン、トリアムシノロンアセトニド、トリアムシノロンベネトニド、トリアムシノロンヘキサセトニド、その誘導体、類似体、及び塩、ならびにその組合せからなる群より選択されることを特徴とする医薬組成物。
【請求項１５】
請求項１４に記載の医薬組成物において、前記コルチコステロイドがブデソニドであることを特徴とする医薬組成物。
【請求項１６】
請求項１０に記載の医薬組成物において、前記呼吸器疾患が喘息であることを特徴とする医薬組成物。
【請求項１７】
請求項１０に記載の医薬組成物において、前記１用量の投与により、Ｃｍａｘが約８５０ｐｇ／ｍｌ以下となることによって特徴づけられた薬物動態的特性が得られ、ＡＵＣ０−ｉｎｆが７５，０００ｐｇ−ｍｉｎ／ｍｌを超えないことを特徴とする医薬組成物。