(57)【要約】【課題】高周波スイッチを多段にしたり、２分波・合波器を多段にしたりすることによる挿入損失の増大・大型・高コスト化を回避して、低挿入損失で小型低コストな３分波・合波器を構成する。【解決手段】第１の周波数帯を通過帯域、第２・第３の周波数帯を減衰帯域とするとするローパスフィルタを第１のフィルタＦ１とし、第２の周波数帯を通過帯域、第１・第３の周波数帯を減衰帯域とする第２のフィルタＦ２を、ＳＡＷフィルタを備えたバンドパスフィルタとし、第３の周波数帯を通過帯域、第１・第２の周波数帯を減衰帯域とするハイパスフィルタを第３のフィルタＦ３とする。この第１・第２・第３のフィルタＦ１，Ｆ２，Ｆ３の入出力ポートの片方を共通ポートして束ねる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
周波数の低い方から順に第１・第２・第３の３つの周波数帯について信号を分波・合波する分波・合波器において、
第１の周波数帯を通過帯域、第２・第３の周波数帯を減衰帯域とする第１のフィルタと、第２の周波数帯を通過帯域、第１・第３の周波数帯を減衰帯域とする第２のフィルタと、第３の周波数帯を通過帯域、第１・第２の周波数帯を減衰帯域とする第３のフィルタとを備え、第１・第２・第３のフィルタの入出力ポートの片方を共通ポートとして束ね、第１のフィルタをローパスフィルタ、第２のフィルタをバンドパスフィルタ、第３のフィルタをハイパスフィルタでそれぞれ構成したことを特徴とする３分波・合波器。
【請求項２】
第１・第３のフィルタを構成する素子のうち少なくとも１つを、各層がセラミックからなる多層基板上に実装し、残る素子を該多層基板内に構成し、第２のフィルタの主要部をＳＡＷフィルタで構成するとともに、該ＳＡＷフィルタを前記多層基板上に実装したことを特徴とする請求項１に記載の３分波・合波器。
【請求項３】
第１・第３のフィルタを構成する素子の全てを、各層がセラミックからなる多層基板内に構成し、第２のフィルタの主要部をＳＡＷフィルタで構成するとともに、該ＳＡＷフィルタを前記多層基板上に実装したことを特徴とする請求項１に記載の３分波・合波器。
【請求項４】
第２の周波数帯は受信専用のシステムで用いられる周波数帯である請求項２または３に記載の３分波・合波器。
【請求項５】
第１のフィルタの前記共通ポート側に直列のインダクタを設けた請求項１〜４のいずれかに記載の３分波・合波器。
【請求項６】
前記ハイパスフィルタおよび前記ローパスフィルタはそれぞれ減衰極を備え、前記ハイパスフィルタの通過帯域を１９００ＭＨｚ帯とし、前記バンドパスフィルタの通過帯域を１５００ＭＨｚ帯とし、前記ローパスフィルタの通過帯域を８００ＭＨｚ帯とし、且つ前記ハイパスフィルタの減衰極周波数を前記バンドパスフィルタの通過帯域に接近する周波数とし、前記ローパスフィルタの減衰極周波数を前記バンドパスフィルタの通過帯域と前記ハイパスフィルタの通過帯域との間の周波数としたことを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の３分波・合波器。
【請求項７】
前記多層基板が略直方体形状を成し、前記多層基板の実装面の各辺に信号入出力端子を配置するとともに、隣接する信号入出力端子の間にグランド端子を配置したことを特徴とする請求項２〜６のいずれかに記載の３分波・合波器。
【請求項８】
前記多層基板内の素子を前記ＳＡＷフィルタの入出力端子接続用ランドの直下の層を避けて設けたことを特徴とする請求項２〜７のいずれかに記載の３分波・合波器。
【請求項９】
前記多層基板内にコイルを構成するとともに、該コイルを構成した層に接する上層の前記コイルに近接する位置を避けて前記コイル以外の素子を設けたことを特徴とする請求項２〜８のいずれかに記載の３分波・合波器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、３つの周波数帯の信号を分波または合波するための３分波・合波器に関するもので、特に、一体化された部品としての形態を成す３分波・合波器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
携帯電話などの移動体通信機器の分野において、例えば、ＡＭＰＳ信号、ＧＰＳ信号、ＰＣＳ信号などの周波数帯の異なった３つの信号が１つの機器で扱われる場合がある。
【０００３】
このような３つの周波数帯の信号を１つの通信機器で扱う場合、これら３つの周波数帯の信号を分波または合波する分波・合波器を用いれば、この分波・合波器より後段または前段の回路を共通にすることができ、これによって通信機器の小型化およびコストダウンを図ることができる。
【０００４】
従来、２つの周波数帯の信号を分波・合波するためにダイプレクサが用いられている。これをさらに３つの周波数帯の信号を扱うようにするために、特許文献１に開示されているように、複数段に設けたスイッチを設けて、信号を切り替える方法があった。その構成例をブロック図として図７に示す。図７は、ＤＣＳ，ＰＣＳ，ＧＳＭのトリプルバンド携帯電話機のフロントエンド部のブロック図である。図７において、１はアンテナ、２はダイプレクサである。ダイプレクサ２は、送信の際にＤＣＳ，ＰＣＳ、またはＧＳＭの送信信号を結合し、受信の際にはＤＣＳ，ＰＣＳまたはＧＳＭに受信信号を分配する。３，４，５はそれぞれ高周波スイッチであり、第１の高周波スイッチ３はＤＣＳおよびＰＣＳの送信部側とＤＣＳおよびＰＣＳの受信部側とを切り替え、第２の高周波スイッチ４はＤＣＳの受信部Ｒｘｄ側とＰＣＳの受信部Ｒｘｐ側とを切り替え、第３の高周波スイッチ５はＧＳＭの送信部Ｔｘｇ側と受信部Ｒｘｇ側とを切り替える。第１のフィルタ６はＤＣＳ，ＰＣＳの送受信信号を通過させ、第２のフィルタ７はＧＳＭの送受信信号を通過させる。
【０００５】
また、高周波スイッチを用いない３分波・合波器として、図８の（Ａ），（Ｂ）に示すような構成が考えられる。図８において、１１，１２は分波・合波器、１３，１５はローパスフィルタ、１４，１６はハイパスフィルタである。（Ａ）に示す例では、第１の周波数帯を通過帯域とし第２・第３の周波数帯を減衰域とするローパスフィルタ１３と、第２・第３の周波数帯を通過帯域とし第１の周波数帯を減衰帯域とするハイパスフィルタ１４とによって第１の分波・合波器１１を構成している。また、第２の周波数帯を通過帯域、第３の周波数帯を減衰帯域とするローパスフィルタ１５と、第３の周波数帯を通過帯域とし第２の周波数帯を減衰帯域とするハイパスフィルタ１６とによって第２の分波・合成器１２を構成している。
【０００６】
図８の（Ｂ）に示す例では、第１・第２の周波数帯を通過帯域とし第３の周波数帯を減衰域とするローパスフィルタ１３と、第３の周波数帯を通過帯域とし第１・第２の周波数帯を減衰帯域とするハイパスフィルタ１４とによって第１の分波・合波器１１を構成している。また、第１の周波数帯を通過帯域、第２の周波数帯を減衰帯域とするローパスフィルタ１５と、第２の周波数帯を通過帯域とし第１の周波数帯を減衰帯域とするハイパスフィルタ１６とによって第２の分波・合成器１２を構成している。
【０００７】
【特許文献１】
特開２０００−１６５２８８公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、図７に示した構成の３分波・合波器では、送受信信号をダイプレクサ２と２つの高周波スイッチ３，４を通さなければならないので、高周波スイッチが１段だけ設けられている場合に比べて挿入損失が大きくなってしまう。また、高周波スイッチを構成するためのダイオードの占めるコスト比率が高いため全体にコスト高になるという問題があった。
【０００９】
また、図８に示した構成の３分波・合波器では、２分波・合波器を２つ有し、且つこれらを接続する必要がある。そのため、第２の周波数帯の信号については２つのフィルタを通過させる必要があり、その結果、挿入損失が増大してしまう。また、部品点数が比較的多くなり、さらなる小型化に対して支障をきたすことになる。
この発明の目的は、上述の問題を解消し、小型で低コストな３分波・合波器を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
この発明は、周波数の低い方から順に第１・第２・第３の３つの周波数帯について信号を分波・合波する分波・合波器において、第１の周波数帯を通過帯域、第２・第３の周波数帯を減衰帯域とする第１のフィルタと、第２の周波数帯を通過帯域、第１・第３の周波数帯を減衰帯域とする第２のフィルタと、第３の周波数帯を通過帯域、第１・第２の周波数帯を減衰帯域とする第３のフィルタとを備え、第１・第２・第３のフィルタの入出力ポートの片方を共通ポートとして束ね、第１のフィルタをローパスフィルタ、第２のフィルタをバンドパスフィルタ、第３のフィルタをハイパスフィルタでそれぞれ構成したことを特徴としている。
【００１１】
このように、第１・第２・第３の３つのフィルタを用い、それらの入出力ポートの片方を共通ポートとして束ねたことにより、第１・第２・第３の３つの周波数帯の信号はこの３つのフィルタのいずれかを通過するだけであるので、低挿入損失化が図れる。また、部品点数を削減できるので、小型低コスト化が図れる。
【００１２】
また、この発明は、第１・第３のフィルタを構成する素子のうち少なくとも１つを各層がセラミックからなる多層基板上に実装し、残る素子を該多層基板内に構成し、第２のフィルタの主要部をＳＡＷフィルタで構成するとともに、該ＳＡＷフィルタを前記多層基板上に実装したことを特徴としている。このようにバンドパスフィルタを多層基板内に形成するのではなく、ＳＡＷフィルタを使用することで低挿入損失・高減衰特性が得られる。
【００１３】
また、この発明は、第１・第３のフィルタを構成する素子の全てを、各層がセラミックからなる多層基板内に構成し、第２のフィルタの主要部をＳＡＷフィルタで構成するとともに、該ＳＡＷフィルタを前記多層基板上に実装したことを特徴としている。このようにバンドパスフィルタを多層基板上のＳＡＷフィルタで構成することで低挿入損失・高減衰特性が得られる。
【００１４】
また、この発明は第２の周波数帯を受信専用のシステムで用いられる周波数帯とする。これによりＳＡＷフィルタへの高出力信号の入力をなくしてＳＡＷフィルタの破壊を防止することができる。
【００１５】
また、この発明は、第１のフィルタの前記共通ポート側に直列のインダクタを設けたことを特徴としている。これにより、上記インダクタが第１のフィルタであるローパスフィルタの一部として機能し、この第１のフィルタの通過帯域より高域側にある第２・第３の周波数帯の信号の第１のフィルタへの漏れを抑制することができる。その結果、第２・第３の周波数帯の信号の損失が抑えられる。
【００１６】
また、この発明は、前記ハイパスフィルタおよび前記ローパスフィルタはそれぞれ減衰極を備え、前記ハイパスフィルタの通過帯域を１９００ＭＨｚ帯とし、前記バンドパスフィルタの通過帯域を１５００ＭＨｚ帯とし、前記ローパスフィルタの通過帯域を８００ＭＨｚ帯とし、且つ前記ハイパスフィルタの減衰極周波数を前記バンドパスフィルタの通過帯域に接近する周波数とし、前記ローパスフィルタの減衰極周波数を前記バンドパスフィルタの通過帯域と前記ハイパスフィルタの通過帯域との間の周波数としたことを特徴としている。
【００１７】
このように、ハイパスフィルタの減衰極をバンドパスフィルタの通過帯域に接近させることにより、第２の周波数帯の信号を優先してこのハイパスフィルタで効果的に減衰させことができる。また、ローパスフィルタの減衰極をバンドパスフィルタの通過帯域とハイパスフィルタの通過帯域との間に定めることによってバンドパスフィルタの通過帯域より高域側およびハイパスフィルタの通過帯域をバランス良く減衰させることができる。
【００１８】
また、この発明は、前記多層基板が略直方体形状を成し、多層基板の実装面の各辺に信号入出力端子を配置するとともに、隣接する信号入出力端子の間にグランド端子を配置したことを特徴している。これにより、信号入出力端子間のアイソレーションが向上し、３つの周波数帯の信号の挿入損失が低減できる。
【００１９】
また、この発明は、前記多層基板内の素子をＳＡＷフィルタの入出力端子接続用ランドの直下の層を避けて設けたことを特徴としている。これにより、第２の周波数帯の信号と第１・第３の周波数帯の信号とのアイソレーションが向上し、３つの周波数帯の信号について挿入損失が低減できる。
【００２０】
また、この発明は、前記多層基板内にコイルを構成するとともに、そのコイルを構成した層に接する他の層で且つコイルに近接する位置を避けて、コイル以外の素子を設けたことを特徴としている。これにより、コイルのＱを高め、このコイルを備えたフィルタを通過する信号の挿入損失を低減することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
図１はこの発明の実施形態に係る３分波・合波器の構成を示す図であり、（Ａ）は概略外観斜視図、（Ｂ）は概略断面図である。ここで、１００は、セラミックスからなる複数のシートを積層してなる多層基板であり、第１・第２・第３のフィルタの一部を構成している。この多層基板１００の上部にはＳＡＷフィルタＳＡＷ、チップコイルＬａ１，Ｌｐ１をそれぞれ搭載している。多層基板１００の下部には、ＡＭＰＳ，ＰＣＳなどで示す複数の信号入出力端子およびグランド端子ＧＮＤを配置している。
【００２２】
図１において、多層基板１００は全体が略直方体形状を成し、多層基板１００の実装面（図における下面）の各辺に信号入出力端子を配置するとともに、隣接する信号入出力端子の間にグランド端子ＧＮＤを配置している。
【００２３】
図２は、この３分波・合波器の回路図である。ここで、Ｆ１は第１のフィルタ、Ｆ２は第２のフィルタ、Ｆ３は第３のフィルタである。ＡＭＰＳはＡＭＰＳ信号の入出力ポート、ＧＰＳはＧＰＳ信号の入出力（出力）ポート、ＰＣＳはＰＣＳ信号の入出力ポートである。ＡＮＴは第１・第２・第３のフィルタの入出力ポートのそれぞれの片方を共通ポートとして束ねたアンテナポートである。ここで、ＡＭＰＳは８００ＭＨｚ帯（８５９±３５ＭＨｚ）の信号を用いるシステム(Advanced Mobile Phone System)、ＧＰＳは１５００ＭＨｚ帯（１５７５．４２±１．０２５ＭＨｚ）の信号を用いるシステム(Global Positioning System) 、ＰＣＳは１９００ＭＨｚ帯（１９２０±７０ＭＨｚ）の信号を用いるシステム(Personal Communication Service)である。ＡＭＰＳとＰＣＳは基地局との間で送受信を行うシステムであるが、ＧＰＳはＧＰＳ衛星からの信号を受信するだけの受信専用のシステムである。
【００２４】
第１のフィルタＦ１はその通過帯域がＡＭＰＳの使用周波数帯である８００ＭＨｚ帯のローパスフィルタである。第２のフィルタＦ２は、その通過帯域がＧＰＳで用いる１５００ＭＨｚ帯であるバンドパスフィルタである。第３のフィルタＦ３は、その通過帯域がＰＣＳの使用周波数帯である１９００ＭＨｚ帯のハイパスフィルタである。
【００２５】
第１のフィルタＦ１はインダクタＬａ１，Ｌａ２とキャパシタＣａ１，Ｃａ２とから構成している。ここで、インダクタＬａ１は図１に示した多層基板１００の上部に搭載したチップコイルからなる。また、インダクタＬａ２は多層基板１００の内部に形成したコイルからなる。
【００２６】
第２のフィルタＦ２はＳＡＷフィルタＳＡＷ、キャパシタＣｇ１およびインダクタＬｇ１から構成している。ここで、ＳＡＷフィルタＳＡＷは、図１に示したように多層基板１００の上部に搭載している。キャパシタＣｇ１は多層基板１００の内部に形成したコンデンサ電極からなる。また、インダクタＬｇ１は多層基板１００の内部に形成したコイルからなる。このようにバンドパスフィルタを、ＬＣフィルタ回路として多層基板内に形成するのではなく、ＳＡＷフィルタを使用したことにより、低挿入損失・高減衰特性が得られる。
【００２７】
第３のフィルタＦ３は、キャパシタＣｐ１，Ｃｐ２，Ｃｐ３およびインダクタＬｐ１から構成している。ここで、インダクタＬｐ１はチップコイルからなり、図１に示したように多層基板１００の上部に搭載している。また、キャパシタＣｐ１，Ｃｐ２，Ｃｐ３は多層基板１００の内部に形成したコンデンサ電極からなる。
【００２８】
この図２に示したように、第１のフィルタＦ１の共通ポート（ＡＮＴ）側にインダクタＬａ１を挿入したことにより、インダクタがローパスフィルタの一部として機能し、この第１のフィルタＦ１の通過帯域より高域側にある第２・第３の周波数帯の信号の第１のフィルタへの漏れを抑制することができる。その結果、第２・第３の周波数帯の信号の損失が抑えられる。
【００２９】
図３〜図５は、上記多層基板１００の各誘電体層に設けた電極パターンの具体的な例を示している。図３の（Ａ）は最下層の誘電体層であり、この上部に（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）・・・（Ｈ）を順に積層し、続いて図４の（Ａ），（Ｂ）・・・（Ｇ）を積層し、さらに図５の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）を積層する。図５の（Ｄ）は、このようにして構成した多層基板の上部にＳＡＷフィルタＳＡＷ、チップコイルＬａ１、Ｌｐ１を搭載した状態を示している。
【００３０】
図３において、ＡＭＰＳはＡＭＰＳ信号の入出力端子、ＧＰＳはＧＰＳ信号の入出力端子、ＰＣＳはＰＣＳ信号の入出力端子、ＡＮＴはアンテナ端子である。また、ＧＮＤはグランド端子である。このように、隣接する信号入出力端子の間にグランド端子ＧＮＤを配置している。図３の（Ｂ），（Ｄ）のＧｎｄはグランド電極、（Ｃ）のＣａ１はキャパシタＣａ１用のコンデンサ電極、（Ｅ）のＣａ１，Ｃｐ１はそれぞれキャパシタＣａ１，Ｃｐ１用のコンデンサ電極である。（Ｆ）のＣａ２はキャパシタＣａ２用のコンデンサ電極である。（Ｈ）のＬａ２，Ｌｇ１はそれぞれインダクタＬａ２，Ｌｇ１用のコイル（の一部）である。
【００３１】
図４の（Ａ）, （Ｂ）のＬａ２，Ｌｇ１は、図３の（Ｈ）の層から続くインダクタＬａ２，Ｌｇ１用のコイル（の一部）である。（Ｃ），（Ｅ）のｐｃｓはＰＣＳ信号の入出力端子に接続されるキャパシタＣｐ３用のコンデンサ電極である。Ａｎｔはアンテナ入出力端子に接続されるキャパシタＣｇ１用のコンデンサ電極である。（Ｄ），（Ｆ）のＣｇ１，Ｃｐ３はキャパシタＣｇ１，Ｃｐ３用のコンデンサ電極である。（Ｆ）のＣｐ２はキャパシタＣｐ２用のコンデンサ電極である。（Ｇ）のＡｎｔはアンテナ入出力端子に接続される、キャパシタＣｐ２，Ｃｐ３，Ｃｇ１用のコンデンサ電極である。
【００３２】
図５の（Ａ）において、Ｃｐ２，Ｃｇ１はそれぞれキャパシタＣｐ２，Ｃｇ１用のコンデンサ電極である。図５の（Ｃ）においてＥｓはＳＡＷフィルタの入出力端子接続用ランドである。また、Ｅａ，ＥｐはインダクタＬａ１，Ｌｐ１用のチップコイル実装用ランドである。（Ｄ）に示すように、ランドＥｓに対してＳＡＷフィルタＳＡＷを表面実装し、ランドＥａ，Ｅｐに対してチップコイルＬａ１，Ｌｐ１をそれぞれ表面実装する。
【００３３】
図３〜５に示したように、全体が略直方体形状を成す多層基板の実装面の各辺に信号入出力端子を配置するとともに、隣接する各信号入出力端子の間にそれぞれグランド端子ＧＮＤを配置している。これにより、信号入出力端子間のアイソレーションが向上し、３つの周波数帯の信号の挿入損失が低減できる。
【００３４】
また、図５の（Ｂ），（Ｃ）に示したように、ＳＡＷフィルタの入出力端子接続ランドＥｓの直下の層には各種電極パターンを設けることなく、その他の層にコンデンサ用電極やコイル用の導体パターンを形成している。このことにより、ＳＡＷフィルタを通過する第２の周波数帯の信号と、第１・第３フィルタを通過する第１・第３の周波数帯の信号とのアイソレーションが向上し、３つの周波数帯の信号について挿入損失が低減できる。
【００３５】
また、図３の（Ｇ）に示したように、コイルを構成した層（Ｈ）に接する層には、そのコイルに近接する位置を避けてコイル以外の素子を構成している。この例では、図３の（Ｇ）で示す層の全体にわたってビアホール以外の特別な電極パターンや導体パターンを設けていない。これにより、コイルのＱを高め、このコイルを備えた第１・第２のフィルタを通過する信号の挿入損失を低減することができる。
【００３６】
図６は、図３〜図５に示した構造の３分波・合波器の通過特性を示している。ここで、Ｆ１は第１のフィルタＦ１の通過特性、Ｆ２は第２のフィルタＦ２の通過特性、Ｆ３は第３のフィルタＦ３の通過特性をそれぞれ示している。第１のフィルタＦ１は８００ＭＨｚ帯を通過帯域とし、１７００ＭＨｚ付近に減衰極を有するローパスフィルタである。第３のフィルタＦ３は、１９００ＭＨｚ帯を通過帯域とし、１６００ＭＨｚ付近に減衰極を有するハイパスフィルタである。第２のフィルタＦ２は、１５７５を中心とする所定帯域を通過帯域とし、その低域側と高域側にそれぞれ減衰極を有している。このように、ハイパスフィルタの減衰極をバンドパスフィルタの通過帯域に接近させることにより、第２の周波数帯の信号を優先してこのハイパスフィルタで効果的に減衰させことができる。また、ローパスフィルタの減衰極をバンドパスフィルタの通過帯域とハイパスフィルタの通過帯域との間に定めることによってバンドパスフィルタの通過帯域より高域側およびハイパスフィルタの通過帯域をバランス良く減衰させることができる。
【００３７】
なお、以上に示した実施形態では、第１・第３のフィルタを構成する素子のうち１つずつを、第２の主要部であるＳＡＷフィルタとともに多層基板上に実装した。しかし、これに限らず、第１・第３のフィルタを構成する素子の全てを多層基板内に構成し、第２のフィルタの主要部としてのＳＡＷフィルタを多層基板上に実装するようにしてもよい。その構成によっても低挿入損失・高減衰特性が得られる。
【００３８】
【発明の効果】
この発明によれば、第１・第２・第３の３つのフィルタを用い、それらの入出力ポートの片方を共通ポートとして束ねたことにより、第１・第２・第３の３つの周波数帯の信号がこの３つのフィルタのいずれかを通過するだけとなり、低挿入損失化が図れる。また、部品点数を削減できるので、小型低コスト化が図れる。
【００３９】
また、この発明によれば、第１・第３のフィルタを構成する素子のうち少なくとも１つを各層がセラミックからなる多層基板上に実装し、残る素子を該多層基板内に構成し、第２のフィルタの主要部をＳＡＷフィルタで構成するとともに、該ＳＡＷフィルタを前記多層基板上に実装したことにより、ＬＣ回路によるバンドパスフィルタを多層基板内に形成した場合に比べて低挿入損失・高減衰特性が得られる。
【００４０】
また、この発明によれば、第１・第３のフィルタを構成する素子の全てを多層基板内に構成し、第２のフィルタの主要部であるＳＡＷフィルタを多層基板上に実装したことにより、低挿入損失・高減衰特性が得られる。
【００４１】
また、この発明によれば、第２の周波数帯を受信専用のシステムで用いられる周波数帯とすることにより、ＳＡＷフィルタへの高出力信号の入力がなくなり、ＳＡＷフィルタの破壊を防止することができる。
【００４２】
また、この発明によれば、第１のフィルタの共通ポート側に直列のインダクタを設けたことにより、上記インダクタが第１のフィルタであるローパスフィルタの一部として機能し、この第１のフィルタの通過帯域より高域側にある第２・第３の周波数帯の信号の第１のフィルタへの漏れを抑制することができる。その結果、第２・第３の周波数帯の信号の損失が抑えられる。
【００４３】
また、この発明によれば、前記ハイパスフィルタおよび前記ローパスフィルタはそれぞれ減衰極を備え、ハイパスフィルタの通過帯域を１９００ＭＨｚ帯とし、バンドパスフィルタの通過帯域を１５００ＭＨｚ帯とし、ローパスフィルタの通過帯域を８００ＭＨｚ帯とし、ハイパスフィルタの減衰極をバンドパスフィルタの通過帯域に接近させることにより、第２の周波数帯の信号を優先してこのハイパスフィルタで効果的に減衰させことができる。また、ローパスフィルタの減衰極をバンドパスフィルタの通過帯域とハイパスフィルタの通過帯域との間に定めることによって、バンドパスフィルタの通過帯域より高域側およびハイパスフィルタの通過帯域をバランス良く減衰させることができる。
【００４４】
また、この発明によれば、前記多層基板が略直方体形状を成し、多層基板の実装面の各辺に信号入出力端子を配置するとともに、隣接する信号入出力端子の間にグランド端子を配置したことにより、信号入出力端子間のアイソレーションが向上し、３つの周波数帯の信号の挿入損失が低減できる。
【００４５】
また、この発明によれば、多層基板内の素子をＳＡＷフィルタの入出力端子接続用ランドの直下の層を避けて設けたことにより、第２の周波数帯の信号と第１・第３の周波数帯の信号とのアイソレーションが向上し、３つの周波数帯の信号について挿入損失が低減できる。
【００４６】
また、この発明によれば、多層基板内にコイルを構成するとともに、そのコイルを構成した層に接する他の層で且つコイルに近接する位置を避けて、コイル以外の素子を設けたことにより、コイルのＱが向上し、そのコイルを備えたフィルタを通過する信号の挿入損失を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施形態に係る３分波・合波器の外観斜視図および断面図
【図２】同３分波・合波器の回路図
【図３】同３分波・合波器の各層に設けた電極パターンおよび導体パターンの具体的な例を示す図
【図４】同３分波・合波器の各層に設けた電極パターンおよび導体パターンの具体的な例を示す図
【図５】同３分波・合波器の各層に設けた電極パターンおよび導体パターンの具体的な例を示す図
【図６】第１・第２・第３のフィルタの通過特性を示す図
【図７】従来の３分波・合波器のブロック図
【図８】従来技術による３分波・合波器のブロック図
【符号の説明】
１００−多層基板
Ｆ１−第１のフィルタ（ローパスフィルタ）
Ｆ２−第２のフィルタ（バンドパスフィルタ）
Ｆ３−第３のフィルタ（ハイパスフィルタ）
Ｌａ１，Ｌｐ１−チップコイル
ＳＡＷ−ＳＡＷフィルタ
Ｅｓ−ＳＡＷフィルタの入出力端子接続用ランド
【図１】
2004194240.tif 000003
【図２】
2004194240.tif 000004
【図３】
2004194240.tif 000005
【図４】
2004194240.tif 000006
【図５】
2004194240.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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