【手続補正書】
【提出日】平成24年5月25日(2012.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エピタキシャルリフトオフプロセスの際に薄膜材料を形成するための方法であって、 
基板上の犠牲層の上方にエピタキシャル材料を形成するステップと； 
前記エピタキシャル材料の上に、平らな、予湾曲した支持ハンドルを接着するステップであって、前記平らな予湾曲した支持ハンドルが、湾曲した支持材料を平らにすることによって形成され、前記平らな予湾曲した支持ハンドルが引張状態にある一方、前記エピタキシャル材料が圧縮状態にあるステップと； 
エッチングプロセスの際に前記犠牲層を除去するステップと； 
前記基板から前記エピタキシャル材料を剥離させつつ、それらの間にエッチング間隙を形成し、実質的な曲率を有するよう前記平らな予湾曲した支持ハンドルを曲げるステップと； 
を具えることを特徴とする方法。 
【請求項２】
前記湾曲した支持材料が、ワックス、ポリエチレン、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレートポリエステル、ゴム、それらの誘導体、及びそれらの組み合わせから成る群から選択される材料を含んでおり、
さらに、前記湾曲した支持材料が、ポリエチレンテレフタレートポリエステル、ポリオレフィン、又はそれらの誘導体を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 
【請求項３】
前記湾曲した支持材料が、ワックスを含む第１の層と前記第１の層の上方に配置されたポリマを含む第２の層とを具えており、
さらに、前記第２の層が、ポリエチレンテレフタレートポリエステル又はその誘導体を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 
【請求項４】
さらに、前記湾曲した支持材料が、ワックスを含み前記第２の層の上方に配置された第３の層、又は別のポリマを含み前記第２の層の上方に配置された第３の層を具えており、
さらに、前記第３の層が、ポリエチレン又はその誘導体を含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。 
【請求項５】
前記平らな予湾曲した支持ハンドルが下面及び上面を具えており、 
前記下面がエピタキシャル材料に接着され、 
前記平らな予湾曲した支持ハンドルが前記上面に向かって曲がることを特徴とする請求項１に記載の方法。 
【請求項６】
接着剤が、前記エピタキシャル材料に前記平らな予湾曲した支持ハンドルを接着するよう使用され、 
前記接着剤が、感圧接着剤、熱溶融性接着剤、ＵＶ硬化接着剤、天然接着剤、合成接着剤、それらの誘導体、及びそれらの組み合わせから成る群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の方法。 
【請求項７】
前記犠牲層が、エッチングプロセスの際に湿式エッチング液に漬けられ、 
前記湿式エッチング液が、フッ酸、界面活性剤及び緩衝剤を含んでおり、
前記犠牲層が、約５ｍｍ／ｈｒ又はそれ以上の速さでエッチングされることを特徴とする請求項１に記載の方法。 
【請求項８】
前記エピタキシャル材料が、ガリウムヒ素、アルミニウムガリウムヒ素、インジウムガリウムリン、それらの合金、それらの誘導体、及びそれらの組み合わせから成る群から選択される材料を含んでおり、
さらに、前記エピタキシャル材料が、ガリウムヒ素を含む層及びアルミニウムガリウムヒ素を含む別の層を含んでおり、
さらに、前記エピタキシャル材料が、ガリウムヒ素緩衝層、アルミニウムガリウムヒ素不活性化層、及びガリウムヒ素活性層を含んでおり、
前記ガリウムヒ素緩衝層が、約１００ｎｍ乃至約５００ｎｍの範囲内の厚さを有し、
前記アルミニウムガリウムヒ素不活性化層が、約１０ｎｍ乃至約５０ｎｍの範囲内の厚さを有し、
前記ガリウムヒ素活性層が、約５００ｎｍ乃至約２，０００ｎｍの範囲内の厚さを有し、
さらに、前記エピタキシャル材料が、第２のアルミニウムガリウムヒ素不活性化層を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 
【請求項９】
前記エピタキシャル材料が、ガリウムヒ素、ｎ型にドープされたガリウムヒ素、ｐ型にドープされたガリウムヒ素、アルミニウムガリウムヒ素、ｎ型にドープされたアルミニウムガリウムヒ素、ｐ型にドープされたアルミニウムガリウムヒ素、インジウムガリウムリン、それらの合金、それらの誘導体、及びそれらの組み合わせから成る群から選択される少なくとも１の材料を具える複数層を含むセル構造を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 
【請求項１０】
前記犠牲層が、アルミニウムヒ素、その合金、それらの誘導体、及びそれらの組み合わせから成る群から選択される材料を含んでおり、
さらに、前記犠牲層が、約２０ｎｍ以下の厚さのアルミニウムヒ素層を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 
【請求項１１】
前記基板が、ガリウムヒ素、ｎ型にドープされたガリウムヒ素、ｐ型にドープされたガリウムヒ素、又はそれらの誘導体を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 
【請求項１２】
基板上に配置された犠牲層と； 
前記犠牲層の上に配置されたエピタキシャル材料と； 
前記エピタキシャル材料の上方に配置された平らな予湾曲した支持材料と； 
を具え、 
前記平らな予湾曲した支持材料が引張状態にある一方、前記エピタキシャル材料が圧縮状態にあることを特徴とする薄膜積層材料。 
【請求項１３】
前記平らな予湾曲した支持材料が、ワックス、ポリエチレン、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレートポリエステル、ゴム、それらの誘導体、及びそれらの組み合わせから成る群から選択される材料を含んでおり、
前記平らな予湾曲した支持材料が、ポリエチレンテレフタレートポリエステル、ポリオレフィン、又はそれらの誘導体を含むことを特徴とする請求項１２に記載の薄膜積層材料。  
【請求項１４】
前記平らな予湾曲した支持材料が、ワックスを含む第１の層及び前記第１の層の上方に配置されたポリマを含む第２の層を具えており、
さらに、前記第２の層が、ポリエチレンテレフタレートポリエステルを含んでおり、
さらに、前記平らな予湾曲した支持材料が、別のポリマを含み前記第２の層の上方に配置された第３の層を具えており、
さらに、前記第３の層が、ポリエチレン又はその誘導体を含むことを特徴とする請求項１２に記載の薄膜積層材料。 
【請求項１５】
接着剤が、平らな予湾曲した支持材料と前記エピタキシャル材料との間に配置され、 
前記接着剤が、感圧接着剤、熱溶融性接着剤、ＵＶ硬化接着剤、天然接着剤、合成接着剤、それらの誘導体、及びそれらの組み合わせから成る群から選択されることを特徴とする請求項１２に記載の薄膜積層材料。 
【請求項１６】
前記エピタキシャル材料が、ガリウムヒ素、アルミニウムガリウムヒ素、インジウムガリウムリン、それらの合金、それらの誘導体、及びそれらの組み合わせから成る群から選択される材料を含んでおり、
前記エピタキシャル材料が、ガリウムヒ素を含む層及びアルミニウムガリウムヒ素を含む別の層を具えており、
前記エピタキシャル材料が、ガリウムヒ素緩衝層、アルミニウムガリウムヒ素不活性化層、及びガリウムヒ素活性層を具えており、
前記ガリウムヒ素緩衝層が、約１００ｎｍ乃至約５００ｎｍの範囲内の厚さを有し、
前記アルミニウムガリウムヒ素不活性化層が、約１０ｎｍ乃至約５０ｎｍの範囲内の厚さを有し、
前記ガリウムヒ素活性層が、約５００ｎｍ乃至約２，０００ｎｍの範囲内の厚さを有し、
さらに、前記エピタキシャル材料が、第２のアルミニウムガリウムヒ素不活性化層を具えることを特徴とする請求項１５に記載の薄膜積層材料。 
【請求項１７】
前記エピタキシャル材料が、ガリウムヒ素、ｎ型にドープされたガリウムヒ素、ｐ型にドープされたガリウムヒ素、アルミニウムガリウムヒ素、ｎ型にドープされたアルミニウムガリウムヒ素、ｐ型にドープされたアルミニウムガリウムヒ素、インジウムガリウムリン、それらの合金、それらの誘導体、及びそれらの組み合わせから成る群から選択される少なくとも１の材料を具える複数層を含むセル構造を含むことを特徴とする請求項１２に記載の薄膜積層材料。 
【請求項１８】
前記犠牲層が、アルミニウムヒ素、その合金、それらの誘導体、及びそれらの組み合わせから成る群から選択される材料を含んでおり、
さらに、前記犠牲層が、約２０ｎｍ以下の厚さのアルミニウムヒ素層を具えることを特徴とする請求項１２に記載の薄膜積層材料。 
【請求項１９】
前記厚さが、約１ｎｍ乃至約１０ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１８に記載の薄膜積層材料。 
【請求項２０】
前記基板が、ガリウムヒ素、ｎ型にドープされたガリウムヒ素、ｐ型にドープされたガリウムヒ素、又はそれらの誘導体を含むことを特徴とする請求項１２に記載の薄膜積層材料。