【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年10月3日(2012.10.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理炉を用いて所定の温度・時間プロフィールでなされる半田付けプロセスにおけるフラックスの性能を評価するための方法であって、
誘電体材料基板上の所定の領域内に配置された２つの金属トレースを備えるコンダクタンスプローブを設ける工程と、
前記半田付けプロセス中に前記コンダクタンスプローブの温度を測定するための温度プローブを設ける工程と、
前記所定の領域の少なくとも一部分上に所定量の前記フラックスを塗布する工程と、
前記コンダクタンスプローブを、塗布された前記フラックスと共に所定の温度・時間プロフィールに従って加熱する工程と、
前記コンダクタンスプローブの前記金属トレース間におけるコンダクタンスを前記半田付けプロセス中に前記コンダクタンスプローブの温度の関数として測定し、時間に対するコンダクタンスおよび温度の変化であるコンダクタンス−温度・時間プロフィールを生成する工程と、
前記コンダクタンス−温度・時間プロフィールを分析し、半田付けプロセスにおける前記フラックスの性能を求める工程とを含む方法。
【請求項２】
前記各金属トレースの少なくとも一部分と、それらの間の誘電体基板の所定領域内とに前記フラックスを塗布するようにした請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記フラックスが半田ペーストに含まれ、該半田ペーストが前記金属トレースの少なくとも１つの所定領域内にあって前記金属トレース間の基板を除く領域に塗布され、前記測定工程が前記金属トレース間で発生する電気的短絡を検出する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記フラックスが、ステンシル、注射器分注、浸漬被覆、スプレー、ブラシおよび印刷よりなる群から選択される方法によって塗布される請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記処理炉が、リフロー炉または予熱炉である請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記コンダクタンスプローブの金属トレース間のコンダクタンスが、前記２つの金属トレース間に印加される電圧に対する電流応答の温度の関数として測定される請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記２つの金属トレース間に印加される電圧が所定周波数の交流電圧である請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記塗布、加熱、測定および分析の各工程が、複数の所定周波数に対して繰り返される請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記分析する工程がコンピュータを用いて行われる請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記分析する工程が、コンダクタンスのデータ曲線を時間または温度の関数として作成することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記分析する工程が、前記データ曲線の勾配、ピーク面積、ピーク面積率、ピーク高さ、ピーク高さ率および前記コンダクタンスが所定値を上回る時間よりなる群から選択される特徴を抽出することをさらに含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記コンダクタンスプローブまたは前記コンダクタンスプローブを含む回路基板ラックに取り付けられた環境センサーからの出力を監視する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記環境センサーが、酸素濃度センサー、相対湿度センサー、および圧力センサーよりなる群から選択される請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記塗布、加熱、測定、監視および分析の各工程が前記環境センサーからの複数の出力について繰り返される請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
処理炉を用いて所定の温度・時間プロフィールでなされる半田付けプロセスにおけるフラッックスの性能を評価するための装置であって、
誘電体材料基板上の所定の領域内に配置された２つの金属トレースを備えるコンダクタンスプローブと、
前記半田付けプロセス中に前記コンダクタンスプローブの温度を測定するための温度プローブと、
前記コンダクタンスプローブの２つの金属トレース間におけるコンダクタンスを測定するためのコンダクタンス計とを具備し、
前記所定の領域の少なくとも一部分上に所定量の前記フラックスが塗布され、前記コンダクタンスプローブが、塗布された前記フラックスと共に所定の温度・時間プロフィールに従って加熱され、前記コンダクタンスプローブの前記金属トレース間におけるコンダクタンスが前記コンダクタンスプローブの温度の関数として測定されて、時間に対するコンダクタンスおよび温度の変化であるコンダクタンス−温度・時間プロフィールが生成され、該コンダクタンス−温度・時間プロフィールを分析して、半田付けプロセスにおける前記フラックスの性能を求められるようにした装置。
【請求項１６】
前記２つの金属トレースが、互いに入り込んだくし状パターンを形成する請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記誘電体材料がポリマーを含む請求項１５に記載の装置。
【請求項１８】
前記誘電体材料がセラミックを含む請求項１５に記載の装置。
【請求項１９】
前記温度プローブが熱電対と第１の電圧計とを含む請求項１５に記載の装置。
【請求項２０】
前記熱電対が、前記コンダクタンスプローブの一部と物理的に接触している請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
前記コンダクタンス計が電源と電流計測器とを含む請求項１５に記載の装置。
【請求項２２】
前記電源が交流電源である請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
前記電流計測器が電気抵抗器と第２の電圧計とを含む請求項２１に記載の装置。
【請求項２４】
前記処理炉がリフロー炉または予熱炉である請求項１５に記載の装置。
【請求項２５】
複数のコンダクタンスプローブを同時にテストするための回路基板ラックをさらに備える請求項１５に記載の装置。
【請求項２６】
前記熱電対が前記回路基板ラックの一部と物理的に接触している請求項２５に記載の装置。
【請求項２７】
前記熱電対プローブのＳＮ比を増大させるための電圧増幅器をさらに備える請求項１５に記載の装置。
【請求項２８】
前記コンダクタンス計のＳＮ比を増大させるための電流増幅器をさらに備える請求項１５に記載の装置。
【請求項２９】
アナログ−デジタル変換器とコンピュータとをさらに備え、これにより前記半田付けプロセスにおけるフラックスの性能評価に用いられるコンダクタンス−温度・時間プロフィールの分析を容易にした請求項１５に記載の装置。
【請求項３０】
前記コンダクタンスプローブ、前記温度プローブおよび使用されるその他センサーからのデータ信号をデータ収集・処理システムに送信するための無線リンクをさらに備える請求項１５に記載の装置。
【請求項３１】
データを収集・格納し、前記加熱工程が完了した後にこれをダウンロードできるようなオン・ボード・データリンクをさらに備える請求項１５に記載の装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
本発明は、半田付けプロセスにおけるフラックスの性能を評価するための装置および方法を提供するものである。この装置は、誘電体基板上で隣接する２つの金属トレースを有するコンダクタンスプローブと、前記コンダクタンスプローブの温度を測定するための温度プローブと、前記２つの金属トレース間のコンダクタンスを測定するためのコンダクタンス計とを備える。この２つの金属トレースは互いに入り込んだくし状パターンを形成することが好ましい。本発明の方法の好適な実施形態では、各金属トレースの少なくとも一部分および該トレース間の誘電体基板上の少なくとも一部分に（金属半田を含まない）半田付け用フラックスを塗布し、該トレース間のコンダクタンスを半田付けプロセスの前、中間（ウェーブ半田付けの場合を除く）および後に測定する。このようにして作成されたコンダクタンス−温度・時間プロフィールを分析し、前記半田付けプロセスに対する前記フラックスの性能を決定する。本発明の装置は、同一の工程で複数のコンダクタンスプローブを同時に評価するための回路基板ラックをさらに備えてもよい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
本発明によるコンダクタンス−温度・時間プロフィールの分析により、半田リフローまたはウェーブ半田付け操作の前、中間（リフロー半田付けプロセスの場合）および後を含む実際の半田付けプロセス全般における相対的なフラックス活性を求めることができる。これによりフラックス活性および活性化特性を半田付けプロセスの要求に応じて最適化することが可能になる。（半田付けプロセスの前に）測定される常温フラックスのフラックス活性が顕著な場合、フラックスが室温で化学反応し保管寿命が短くなっていることを示す。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
フラックス活性は、半田リフロー温度またはウェーブ半田付け操作の直前に最大となるようにすることが好ましい。熱・コンダクタンス分析（ＴＣＡ：Thermoconductimetric Analysis）はフラックス活性が最大になる温度を検出するので特に有効である。ＴＣＡコンダクタンス−温度・時間プロフィールに基づいてフラックス化合物の化学的安定性や沸点などを調整することにより、フラックスの活性化に必要な時間および温度を最適化することができる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
また本発明によれば、腐食やエレクトロマイグレーションを誘起し回路故障の原因となるイオン状のフラックス残渣を、半田付けプロセス後に残留するフラックス活性によって検出することができる。先行の表面絶縁抵抗（ＳＩＲ、surface insulation resistance）試験に類似したものではあるが、本発明の残留フラックス活性測定は、半田付けプロセス全般について行われフラックス活性が最小になる温度を検出することを特徴とする。また、このような半田付け後のコンダクタンスを交流（ａｃ）で測定し、操作電圧および周波数または周波数帯域（スイープ）が電子機器の残留フラックス活性に（その操作温度で）及ぼす影響を評価してもよい。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
本発明は、半田付けプロセスにおけるフラックスの性能を評価するための方法および装置を提供するものである。本発明の方法は以下の各工程を含む。（１）誘電体材料基板上の所定領域の内に並べられた２つの金属トレースを備えるコンダクタンスプローブを設ける、（２）前記コンダクタンスプローブの温度を測定するための温度プローブを設ける、（３）前記所定領域の少なくとも一部分上に所定量のフラックスを塗布する、（４）前記コンダクタンスプローブを、塗布されたフラックスと共に所定の温度・時間プロフィールに従って加熱する、（５）前記コンダクタンスプローブの金属トレース間におけるコンダクタンスを温度の関数として測定し、コンダクタンス−温度・時間プロフィールを生成できるようにする、さらに（６）前記コンダクタンス−温度・時間プロフィールを分析し、半田付けプロセスにおけるフラックスの性能を求めるようにする。これらの工程は適宜順を変えて実施してもよい。フラックス活性評価では一般に、各金属トレースの少なくとも一部分およびそれら間の誘電体基板上の所定領域内にフラックスを塗布する。半田ペースト・スランプ評価ではフラックスを含む半田ペーストを用い、金属トレースの少なくとも１つの上にあって金属トレース間の基板上ではない所定領域内に該半田ペーストを塗布する。この場合、金属トレース間の空間を橋絡する半田スランプがコンダクタンス測定における電気短絡として検出される。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
本発明による２つの金属トレースはあらゆる適当な形状に配置することができる。このような形状として、例えば互いに入り込んだくし状または蛇行パターンなど、小さな間隔で分離された長いトレースがコンダクタンス測定のＳ／Ｎ比向上の点で有用であろう。トレース間の間隔は、評価対象となる半田付けプロセスで用いられる表面パッドの最細ピッチと同等にすることが好ましい。評価対象となるリフロー半田付けプロセスで実際に半田付けされる回路アッセンブリを模擬したトレース形状は、半田ペースト・スランプ、または、半田ボール形成などの影響を検知するために有益な場合がある。コンダクタンスプローブトレース対を複数、直列（デイジー・チェーン）接続してＳＮ比を高めてもよい。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
図１は、コンダクタンスプローブの回路トレースが互いに入り込んだくし状パターンを有する本発明の装置を示す。このパターンは基板１００上に並べられた一対の金属トレース１０１および１０２を含むもので、この基板にはポリマー積層体、セラミックス材料またはこれらの組み合わせを含むあらゆる誘電体材料を用いることができる。典型的な積層体材料として難燃性エポキシグラスファイバー（ＦＲ−４）がある。金属トレース１０１および１０２は、ワイヤー１０３および１０４を介してコンダクタンス計１０５に接続されている。このコンダクタンス計はトレース１０１と１０２との間に電圧を印加し、その際の電流応答からコンダクタンスを決定する。印加電圧および電流応答は、直流（ｄｃ）または交流（ａｃ）のいずれでもよい。直流測定の場合には１から１０ボルト範囲の印加電圧が適当であることが見出されているが、この範囲外の電圧を印加しても構わない。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
本発明の典型例では、（基板１００ならびに金属トレース１０１および１０２を含む）コンダクタンスプローブと温度プローブ１０６とが加熱される一方、コンダクタンス計１０５および第１の電圧計１０９は常温に保たれる。この場合、ワイヤー１０３、１０４、１０７および１０８の少なくとも一部を耐熱材料にする。本発明の範囲内で、コンダクタンス計１０５および／または第１の電圧計１０９に耐熱性回路を使用し、これらをコンダクタンスプローブおよび温度プローブ１０６とともに加熱できるようにしてもよい。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
図２は本発明の装置の実施形態を示すもので、コンダクタンスプローブの回路トレースが誘電体基板２００上に並べられた円形パッド２０１と同心リング２０２とを備えている。この回路トレース配置は回路基板の接続パッドを模擬するもので、同心リング内周が比較的長いためトレース間のコンダクタンス変化に対する感度が高い。図１の実施形態と同様、トレース２０１および２０２がワイヤー２０３および２０４を介してコンダクタンス計２０５に接続されており、また熱電対２０６がワイヤー２０７および２０８を介して第１の電圧計２０９に接続されている。金属トレース２０１への電気接続は、（図示するように）同心リングトレース２０２に設けられた間隙をワイヤー２０４の一部が通るように配線することができる。代わりに、金属トレース２０１への接続を基板２００中の内部回路を介して行い、リング２０２の間隙を無くしてもよい。このようなコンダクタンスプローブを複数（同一の基板上で）並列接続することにより測定感度を向上させＳ／Ｎ比を高めてもよい。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
コンダクタンスプローブの金属トレースへのフラックスを塗布方法は、実施しようとするフラックス評価の種類によって異なる。半田付けまたは予熱プロセス中における半田フラックスの活性を評価するためには、各金属トレースの少なくとも一部分、および両トレース間の誘電体基板の少なくとも一部分に（金属半田の無い）フラックスを塗布する。リフロー半田付け中の半田ペースト・スランプ特性を評価するためには（金属半田粉の入った）半田ペースト中にフラックスを含め、これをコンダクタンスプローブの少なくとも１つの金属トレースの少なくとも一部分に塗布する。ただしこの場合、両トレース間の誘電体基板には塗布しない。このようにすると、リフロープロセス中の半田スランプ、または、半田ボール形成による金属トレース間の短絡がトレース間コンダクタンスの急激な増大として容易に検出することができる。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
コンダクタンス測定によって表されるフラックス活性は存在するフラックスの量に依存するため、コンダクタンスプローブには所定量のフラックスを塗布することが好ましい。コンダクタンスデータからフラックスの伝導度を計算することも理論的には可能であるが、この手法は実用的とは言えない。この手法では、時間や温度ともに変化するフラックスの形状や量に対し金属トレースの配置を考慮する必要があり、またフラックスの伝導度を温度の関数として事前に知ることが必要になる。従って、所定量のフラックスを分注し、金属トレース間のコンダクタンスをフラックス活性の相対値、すなわちコンダクタンスを増大させるイオン種の形成に依存する値、として測定することが好ましい。また、半田ペーストの存在量に強く依存するスランプ特性の評価においても所定量の半田ペーストを金属トレースに塗布することが好ましい。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
本発明の方法によるコンダクタンス−温度・時間プロフィール分析では、コンダクタンスプローブがリフロー炉を通過するなどして加熱される際に測定されるコンダクタンスと温度とを時間の関数として通常プロットする。この分析は、好ましくはコンピュータを用いた表形式データ、または例えばコンダクタンスを温度の関数として表したその他のプロットを用いて実施する。コンダクタンスの測定値はフラックス活性に比例するものと一般に見なすことができる。コンダクタンス−温度・時間プロフィールで評価されるリフロー半田付けプロセスの重要特性は下記を含む。
・初期室温フラックス活性、この特性によりフラックスの時期尚早な活性化を検出する。尚早な活性化はフラックスの保管寿命を縮め性能を低下させる。
・半田リフロー時間および温度に対するフラックス活性化の時間および温度、この特性により、実際のリフロー条件下でフラックスを有効に作用させることができる。
・リフロープロセス後におけるフラックスの低温活性：この特性によりイオン状のフラックス残渣を検出する。
上記残渣は腐食またはエレクトロマイグレーションを誘起し、使用時に回路故障の原因となり得る。ウェーブ半田付けプロセスにおけるコンダクタンス−温度・時間プロフィールの重要特性はリフロー半田付けプロセスのそれに類似している。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
本発明によって得られたデータを様々な方法で分析することにより、半田付けプロセスの性能に関する定量的な情報を得ることができる。例えば、コンダクタンスデータを時間または温度に対しプロットして作成される曲線を直接分析してもよいし、時間または温度に伴う伝導度の変化を強調するため曲線を微分して一次または二次微分曲線を作成してもよい。データ曲線を（当業者が）調査して分析する、および／または、勾配、ピーク面積、ピーク面積率、ピーク高さ、ピーク高さ率、あるいはコンダクタンスが所定値を上回る時間など曲線の（限定されない）特徴を抽出して分析することができる。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
フラックスを金属トレースおよびこれらの間の基板の両方に塗布する場合、常温で測定されるトレース間のコンダクタンスが測定前のフラックス活性の指標となる。これにより、半田付けの信頼性を損なうフラックス保管寿命の短縮および／または不十分なフラックス活性を検出することができる。Fredericksonらによる米国特許第5,656,933号、第6,005,399号、第6,278,281号および第6,300,778号は常温における半田ペーストの特性評価にインピーダンス分光法を用いることを述べている。この作業は、半田付け製品欠陥の原因となる半田ペースト中の半田粒子の酸化を検出することを目的とし、等価回路モデルに結合した印加電圧周波数の関数としての複雑なインピーダンス測定を必要とするものである。一方本発明者らは、半田フラックスのコンダクタンスがフラックス活性の指標となること、そして常温におけるフラックス活性がフラックス保管寿命の評価および半田付け性能予測に用いることができることを逸早く認識したのである。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
半田付け用フラックスの（使用前における）活性を評価する方法を提供する本発明の実施形態は、（１）誘電体材料基板上の所定の領域内に配置された２つの金属トレースを備えるコンダクタンスプローブを設け、（２）各金属トレースの少なくとも一部分上およびそれら間の誘電体基板上の所定領域内に所定量のフラックスを塗布し、さらに（３）前記コンダクタンスプローブの金属トレース間のコンダクタンスを測定する各工程を含む。本方法において相対的に高いコンダクタンスは、半田付け用フラックスの活性度が相対的に高いことを示す。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
本発明の装置は、（１）誘電体材料基板上の所定の領域内に配置された２つの金属トレースを備えるコンダクタンスプローブと、（２）前記コンダクタンスプローブの温度を測定するための温度プローブと、（３）前記コンダクタンスプローブの２つの金属トレース間におけるコンダクタンスを測定するためのコンダクタンス計とを備える。好適な実施形態では所定領域の少なくとも一部分上にフラックスを塗布し、コンダクタンスプローブを加熱しながらコンダクタンスプローブの金属トレース間におけるコンダクタンスを温度の関数として測定することによりコンダクタンス−温度・時間プロフィール作成し、これを分析して半田付けプロセスにおけるフラックスの性能を決定する。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
本発明の装置におけるコンダクタンス計は、直流または交流の電源と電流計測器とを一般に備える。この電流計測器は、抵抗器と第２の電圧計を含む単純な装置でもよく、例えば電流フォロワおよび／またはバッファー／増幅器を含むより複雑な装置であってもよい。コンダクタンスは抵抗値の逆数なので、抵抗測定によってコンダクタンスを求めることもできる。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５４】
また本発明の装置は、複数のコンダクタンスプローブを同時に試験するための回路基板ラックと、熱電対プローブのＳＮ比を高めるための電圧増幅器と、コンダクタンス計のＳＮ比を高めるための電流増幅器と、半田付けプロセスの性能評価に使用するコンダクタンス−温度・時間プロフィールの分析を容易にするためのアナログ−デジタル変換器およびコンピュータと、前記コンダクタンスプローブ、前記温度プローブ、その他使用されるすべてのセンサー類からのデータ信号をデータ収集・処理システムに送信するための無線リンクと、加熱工程完了後のデータダウンロードを想定しデータの収集と格納を行うためのオン・ボード・データリンクと、前記コンダクタンス−温度・時間プロフィールのハードコピーを供するためのプリンタとをさらに備えてもよい。
好適な実施形態の記述
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５５】
図３は本発明の装置の好適な実施形態を示すもので、この装置は、互いに入り込んだくし状パターンを形成する金属トレース対３１１および３１２、３３１および３３２、３５１および３５２、をそれぞれ有する複数のコンダクタンスプローブ３１０、３３０、３５０と、回路基板ラック３７０と、コンダクタンス計３７０と、ワイヤー３８１および３８２によって第１の電圧計３８３に接続された熱電対３８０を含む温度プローブと、コンダクタンス計３７０および第１の電圧計３８３からの各出力３７１および３８４のＳＮ比を向上させるためのバッファー／増幅器モジュール３９０と、バッファー／増幅器モジュール３９０からの出力３９１をデジタル化するためのアナログ‐デジタル（Ａ／Ｄ）変換器３９２と、Ａ／Ｄ変換器３９２からの出力３９３を分析するためのパーソナルコンピュータ３９４と、コンピュータ３９４からの出力３９５のハードコピーを提供するためのプリンタ３９６とを備えている。金属トレース対３１１および３１２、３３１および３３２、３５１および３５２、がワイヤー３１３、３１４、３３３、３３４、３５３、３５４を介して回路基板のエッジ接点３１５、３１６、３３５、３３６、３５５、３５６にそれぞれ接続され、各エッジ接点は回路基板ラック３７０のスロット３１７、３１８、３３７、３３８、３５７、３５８にそれぞれ挿入され、また各スロットはワイヤー３１９、３２０、３３９、３４０、３５９、３６０を介してコンダクタンス計３７０にそれぞれ接続されている。バッファー／増幅器３９０は２つの回路を備え、１つはコンダクタンス計３７０からの出力３７１用で、もう１つは温度プローブの第１電圧計３８３からの出力３８４用となっている。図４、５はそれぞれコンダクタンスプローブおよび温度プローブ用に好適なバッファー／増幅器の模式的回路図を示す。
【誤訳訂正２１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６０】
実施例１：図６は低温プロフィールでリフローした市販の２種類の半田フラックス調剤（Kester 244およびKester 256GS）について測定したコンダクタンス−温度・時間プロフィールの例を示す。いずれの半田フラックスについてもコンダクタンスが室温で測定されるが、これはフラックスの保管寿命を短縮させるフラックス活性がいくらかあることを示す。室温におけるコンダクタンスはKester 256GSのほうが明らかに高いが、これは同フラックスが保管中に活性を失いやすく保管寿命も短くなる傾向にあることを示す。実際の保管寿命試験によれば、Kester 256GSフラックスの保管寿命は４ヶ月、Kester 244フラックスの保管寿命は６ヶ月であった。
【誤訳訂正２２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６１】
図６の約４５℃（０．５分）付近からKester 256GSフラックスのコンダクタンスは急激に増大し始めるが、これはフラックス活性剤が溶解しフラックス溶剤中で解離するに伴いフラックス活性が増大することを示す。コンダクタンス測定値によって示されるKester 244フラックスの活性は、この温度／時間領域においてKester 256GSフラックスのそれに比べ約６秒遅れることが認められる。
【誤訳訂正２３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６２】
図６の約１４０℃（１．４分）付近において、Kester 256GSフラックスのコンダクタンスはピークに達しその後急激に低下するが、これはフラックス溶剤の揮発に伴いフラックス活性が低下することを示している。この温度／時間領域におけるKester 244フラックスの活性は高いままであった。図６の約１８０℃（２．１分）付近から、Kester 256GSフラックスのコンダクタンスが再び上昇しているが、これはフラックスの樹脂系および弱有機活性剤が液化しフラックス活性が増大したことを示している。この温度／時間領域（最高温度の２３２℃まで）において、Kester 244フラックスの活性は増大し続けるが、これは２４４活性剤の揮発性が相対的に低いことを反映している。
【誤訳訂正２４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６３】
図６において温度がピークに達してから約２２０℃まで低下すると（３．６分）、いずれの半田フラックスもコンダクタンスの低下を示すが、これは温度の低下に伴いフラックス活性が低下したことを示す。しかしながらKester 244フラックスの活性低下はより緩慢で、より長い時間にわたり高い値を示す。また同フラックスの活性は、半田付けのピーク温度に対応して最高点に到達した。一方、Kester 256GSフラックスは２．２分でリフロー温度（１８０℃）に到達し、その後約３．６分まで完全活性に到らなかった点に留意すべきである。このような結果を用いて、各用途に最適な半田フラックスを選定することができる。例えば、高いフラックス活性を維持するKester 244フラックスは、実施例１の低温プロフィールを用いて半田ぬれ性が比較的低い部品を半田付けするのに好ましい。
【誤訳訂正２５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６４】
いずれの半田フラックスのコンダクタンスも図６の約１１５℃付近から低い値のプラトーを示すが、これはフラックス樹脂系が凝固するに伴いフラックス活性が無視できる程度まで低下するためである。このようにいずれの半田フラックスも、腐食や電流漏れなど実用上の問題を回避するために必要な低い残留フラックス活性を示す。いずれのフラックスも、半田付け後に残渣が電子アセンブリ上に残っても許容される程度のものである。
【誤訳訂正２６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６５】
実施例２：図７は、実施例１の低温プロフィールで用いた２つの市販半田フラックス調剤（Kester 244およびKester 256GS）について、中温プロフィールで測定したコンダクタンス−温度・時間プロフィールの例を示す。従来のスズ−鉛半田より高い融点を有するスズ−銀−銅半田を用いたリフロー半田付けなどでは、このようなさらに高い温度が要求される。中温プロフィールにおけるKester 256GSフラックスは、前記と同様２つのコンダクタンスピークを示すが、最高半田付け温度におけるフラックス活性がかなり高いことからも分かるようにその性能が改善されている。一方、Kester 244フラックスの活性は高いものの高温域でかなり変動する。これはKester 244活性剤系の一部が中温プロフィールの高温域で非常に揮発的となったことに起因するものと考えられる。本例より、特にリフローサイクル時間が長い場合には、Kester 256GSフラックスが好ましい場合があることが分かる。
【誤訳訂正２７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６６】
実施例３：図８は、実施例１および実施例２の低温・中温プロフィールで用いた２つの市販半田フラックス調剤（Kester 244およびKester 256GS）について、高温プロフィールで測定したコンダクタンス−温度・時間プロフィールの例を示す。高温プロフィールにおいてもKester 256GSフラックスは前記と同様２つのコンダクタンスピークを示すが、最高半田付け温度におけるフラックス活性が（中温プロフィールに比較して）かなり高いことからも分かるように、その性能はさらに改善されている。これに対し、Kester 244フラックスの活性は高温プロフィールの高温域において（中温プロフィールに比べ）低下している。
【誤訳訂正２８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６８】
実施例４：図９は、代表的な水溶性フラックスについて高温プロフィールを用いて測定したコンダクタンス−温度・時間プロフィールの例を示す。このようなフラックスは半田ぬれ性が一般に乏しく、半田付けが難しい金属システムに一般に使用される。水溶性フラックスの活性（図９）はリフロープロセスを通じて比較的高いままである。さらに半田付けプロセス後（室温においても）フラックス活性が高いまま維持される。このことは洗浄プロセスによって腐食および／エレクトロマイグレーションを引き起こすフラックス残渣を除去する必要があることを示唆している。
【誤訳訂正２９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６９】
実施例５：図１０は、３種類のリフロー封止材を低温プロフィールで測定したコンダクタンス−温度・時間プロフィールの例を示す。これら材料の典型的な用途はボール・グリッド・アレー（ＢＧＡ）装置であるが、この装置はプリント基板への相互接続にリード線を用いず、半田球の列を使用したパッケージである。パッケージと基板との間に形成される半田接続が封止材の存在により強化され相互接続の接着信頼性が向上する。典型的なリフロー半田付けプロセスに用いられるリフロー封止材は、半田合金の溶融温度に到るまで良好なフラックス特性を維持することが求められる。その後リフロー封止材を架橋させ硬化させると完全にポリマー化した封止材となる。リフロープロセスにおいてリフロー封止材をあまりに早く硬化させると、その結果生じるゲルが半田接続形成を阻害する。（このことは米国特許第6,819,004号、Kirstenに記載されている。）リフロー封止材が硬化するに従いそのコンダクタンスは低下する。
【誤訳訂正３０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７２】
【図１】コンダクタンスプローブの回路トレースが互いに入り込んだくし状パターンを有する本発明の装置の実施形態を示す。
【図２】コンダクタンスプローブの回路トレースが円形パッドおよび同心リングを含む本発明の装置の実施形態を示す。
【図３】互いに入り込んだくし状パターンを有する複数のコンダクタンスプローブと、回路基板ラックと、バッファー／増幅器モジュールと、アナログ−デジタル変換器と、パーソナルコンピュータと、プリンタとを備える本発明の装置の好適な実施形態を示す。
【図４】本発明のコンダクタンスプローブに用いられる好適なバッファー／増幅器の回路図である。
【図５】本発明の熱電対式温度プローブに用いられる好適なバッファー／増幅器の回路図である。
【図６】２種類の市販半田ペースト・フラックス調剤（Kester 244およびKester 256GS）について、市販のリフロー炉を低温加熱プロフィールで加熱しリフローを行った際、本発明の方法および装置によって測定されたコンダクタンス−温度・時間プロフィールの代表例を示す。
【図７】図６の２つの市販半田ペースト・フラックス調剤を中温プロフィールで加熱した際に測定されたコンダクタンス−温度・時間プロフィールの代表例を示す。
【図８】図６の２つの市販半田ペースト・フラックス調剤を高温プロフィールで加熱した際に測定されたコンダクタンス−温度・時間プロフィールの代表例を示す。
【図９】半田ペーストに用いられる代表的な水溶性フラックスについて高温プロフィールを用い測定されたコンダクタンス−温度・時間プロフィールの例を示す。
【図１０】３種のリフロー封止材について低温プロフィールを用い測定されたコンダクタンス−温度・時間プロフィールの例を示す。
【誤訳訂正３１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７３】
１００    基板
１０１    金属トレース
１０２    金属トレース
１０３    ワイヤー
１０４    ワイヤー
１０５    コンダクタンス計
１０６    熱電対
１０７    ワイヤー
１０８    ワイヤー
１０９    電圧計
２００    基板
２０１    円形パッド
２０２    同心リング
２０３    ワイヤー
２０４    ワイヤー
２０５    コンダクタンス計
２０３    ワイヤー
２０４    ワイヤー
２０６    熱電対
２０７    ワイヤー
２０８    ワイヤー
２０９    電圧計
３１１    金属トレース
３１２    金属トレース
３３１    金属トレース
３３２    金属トレース
３５１    金属トレース
３５２    金属トレース
３１０    コンダクタンスプローブ
３３０    コンダクタンスプローブ
３５０    コンダクタンスプローブ
３７０    回路基板ラック
３７０    コンダクタンス計
３８０    熱電対
３８１    ワイヤー
３８２    ワイヤー
３８３    電圧計
３９０    バッファー／増幅器
３９２    アナログ‐デジタル（Ａ／Ｄ）変換器
３９４    コンピュータ
３９６    プリンタ