【事件の表示】
　平成１１年特許願第３４５９４２号「スピンバルブ型薄膜素子の製造方法及びこのスピンバルブ型薄膜素子を用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１２年　５月１６日出願公開、特開２０００−１３７９０７］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　経緯
　原特許出願　　　　　　　　　　平成１０年　７月２１日
　分割特許出願（本件）　　　　　平成１１年１２月　６日
　拒絶理由通知　　　　　　　　　平成１３年　２月２８日
　意見書・手続補正書１　　　　　平成１３年　５月　２日
　拒絶査定　　　　　　　　　　　平成１３年　５月３１日
　審判請求・手続補正書２　　　　平成１３年　７月１１日
　前置報告　　　　　　　　　　　平成１３年１０月１８日
　
２　本願発明
　本件出願の特許請求の範囲請求項１〜９に係る発明は、上記手続補正書２に記載された特許請求の範囲請求項１〜９で特定された事項であり、そのうち請求項１に係る発明は次のものである。
「反強磁性層と、この反強磁性層と接して形成され、前記反強磁性層との界面に発生する交換結合磁界により、一定方向に磁化が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性導電層を介して形成され、前記固定磁性層の磁化方向と交叉する方向に磁化が揃えられるフリー磁性層とを有するスピンバルブ型薄膜素子の製造方法において、
　前記固定磁性層を、反強磁性層に接する第１の固定磁性層と、前記第１の固定磁性層と非磁性中間層を介して重ねられる第２の固定磁性層の２層で形成し、このとき、前記第１の固定磁性層の磁気モーメント（飽和磁化Ｍｓ・膜厚ｔ）を、第２の固定磁性層の磁気モーメントよりも大きくする工程と、
　磁場中熱処理を施して、前記第１の固定磁性層と反強磁性層との界面にて交換結合磁界を発生させる際に、前記第１の固定磁性層及び第２の固定磁性層に１００〜１０００Ｏｅの磁場を印加して、前記第１の固定磁性層の磁化を前記磁場方向と同一方向に固定し、前記第２の固定磁性層の磁化を前記磁場方向と反対方向に固定する工程と、
を有することを特徴とするスピンバルブ型薄膜素子の製造方法。（以下、本願発明という。」
　
３　引用例
（１）　引用例１
　原査定の理由に引用された本件出願前公知の刊行物である引用例１（特開平７−１６９０２６号公報、査定時の引用例２）には次の記載がある。
ａ　特許請求の範囲請求項１３及び２１に、
「【請求項１３】基板と、基板上に形成された層状構造とを備え、この層状構造が、印加磁界が存在しない時に磁化容易軸を有する自由強磁性体層と、自由強磁性体層に隣接する非磁性体スペーサ層と、スペーサ層に隣接し、自由強磁性体層の磁化容易軸に対してある角度を成す磁化容易軸を有する第１の固定強磁性体膜と、第１の固定強磁性体膜に隣接する反強磁性的結合膜と、反強磁性的結合膜に隣接し、第１の固定強磁性体膜の磁化方向に全般的に反平行な磁化方向を有するように、第１の固定強磁性体膜に反強磁性的に結合された第２の固定強磁性体膜と、第２の固定強磁性体膜に隣接しこれと接触する、第２の固定強磁性体膜における磁化方向を所望の方向に固定するための反強磁性体の交換バイアス層とを備えることを特徴とする、スピン・バルブ磁気抵抗センサ。
【請求項２１】交換バイアス層に隣接する第２の固定強磁性体膜が第１の固定強磁性体膜より厚いことを特徴とする、請求項１３に記載のスピン・バルブ磁気抵抗センサ。」と記載され、
　
ｂ　【００１７】に、
「【００１７】本発明のスピン・バルブ構造の好ましい実施例を図５に概略的に示す。図５に示すスピン・バルブＭＲセンサ６０を製造するため、まず直流マグネトロン・スパッタ付着により、７０オングストロームのタンタル（Ｔａ）膜をシリコン（Ｓｉ）基板６１上に緩衝層６２として付着した。次に、磁化方向が矢印６４の方向（図５の紙面へ向かう）となるように、外部印加磁界の存在下で、７０オングストロームのＮｉ８１Ｆｅ１９自由強磁性体層６３を付着した。次いでＮｉ−Ｆｅ自由層６３上に銅（Ｃｕ）層６５を２７オングストロームの厚さに付着した。この銅層は非強磁性金属スペーサ層として機能する。この実施例においてはＣｕをスペーサ層として用いたが、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）およびそれらの合金など、高い導電性を有する別の非強磁性金属材料も使用できる。図３に示した従来技術の構造における単一層の固定層３９の代わりに用いられる固定強磁性体層７０は、銅のスペーサ層６５上に直接形成された厚さ３０オングストロームの第１のＮｉ８１Ｆｅ１９膜７２と、この第１のＮｉ−Ｆｅ膜７２上に付着された厚さ５オングストロームのルテニウム（Ｒｕ）膜７３と、このＲｕ膜７３上に形成された厚さ３０オングストロームの第２のＮｉ８１Ｆｅ１９膜７４とを含む多重膜積層構造である。２つの固定強磁性体膜７２と７４は、自由強磁性Ｎｉ−Ｆｅ層６３の付着中に印加される磁界から約９０度回転した印加磁界の存在下で付着させた。次いで第２のＮｉ−Ｆｅ膜７４上に厚さ９０オングストロームの鉄−マンガン（Ｆｅ−Ｍｎ）膜６６を付着して、第２のＮｉ−Ｆｅ膜７４と結合交換させた。最後に、Ｆｅ−Ｍｎ膜６６上に厚さ２５オングストロームのＲｕキャップ層６７を形成した。その他の適当なキャップ材料は、タンタル（Ｔａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、またはＣｕとＡｕの合金などの高抵抗材料である。」と記載され、
　
ｃ　【００２３】に、
「【００２３】積層固定層７０を構成する２つの強磁性体膜７２、７４の厚さが同じであるとすると、理論的には固定層７０の正味のモーメントはゼロになるはずである。というのは、各磁気モーメントが丁度打ち消し合うからである。各膜を正確に同じ厚さに形成することは可能ではないので、固定層７０の正味の磁気モーメントは、正常な付着プロセスの当然の結果として、小さいがゼロではない値をとる傾向を持つ。しかし、固定強磁性体膜の一方を他方の膜より少しだけ故意に厚くして、固定層中に小さい非ゼロの正味磁気モーメントが存在するようにすることが望ましいこともある。こうすることによって、小さい外部磁界の存在下で固定層７０の磁化が安定になり、固定層７０の磁化方向が予測できるようになる。また、各固定強磁性膜７２、７４の厚さを制御することにより、Ｆｅ−Ｍｎ層６６の交換バイアス磁界方向が制御できる。これはある種のＭＲ構造において望ましいことがある。２つの膜７２と７４の正味の磁気モーメントは２つの膜のうち厚い方の膜の磁気モーメントに平行になり、したがって膜７４の方が厚く形成されている場合、その磁化方向７８は付着中の印加磁界に平行となる。Ｆｅ−Ｍｎ層が付着されると、その磁化方向は付着中の印加磁界に反平行となる。」と記載されている。
　
ｄ　上記記載事項ａ及びｃは、スピンバルブ磁気抵抗センサに関するものであるが、記載事項ｂとともに製造方法についても示されていると認められる。即ち引用例１には、
「層状構造が、印加磁界が存在しない時に磁化容易軸を有する自由強磁性体層と、自由強磁性体層に隣接する非磁性体スペーサ層と、スペーサ層に隣接し、自由強磁性体層の磁化容易軸に対してある角度を成す磁化容易軸を有する第１の固定強磁性体膜と、第１の固定強磁性体膜に隣接する反強磁性的結合膜と、反強磁性的結合膜に隣接し、第１の固定強磁性体膜の磁化方向に全般的に反平行な磁化方向を有するように、第１の固定強磁性体膜に反強磁性的に結合された第２の固定強磁性体膜と、第２の固定強磁性体膜に隣接しこれと接触する、第２の固定強磁性体膜における磁化方向を所望の方向に固定するための反強磁性体の交換バイアス層とを備える、スピン・バルブ磁気抵抗センサの製造方法において、
交換バイアス層に隣接する第２の固定強磁性体膜が第１の固定強磁性体膜より厚くし、
２つの固定強磁性体膜７２と７４は、自由強磁性層６３の付着中に印加される磁界から約９０度回転した印加磁界の存在下で付着すること」
が示されている。
　
（２）　引用例２
　本件出願前公知の刊行物である引用例２（特開平１０−１７２１１９号公報、周知例とする。）には、Ｎｉ−Ｍｎ−Ｏ反強磁性体を用いたＡＭＲ型薄膜磁気ヘッドが示され、その着磁方法として、【請求項３５】、【請求項３６】に、
「【請求項３５】 前記熱処理を、温度２００℃乃至３００℃で１時間乃至２０時間少なくとも１回施すことを特徴とした請求項３４記載の磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。
【請求項３６】 前記熱処理を、１０エルステッド乃至３０００エルステッドの範囲内の磁界中で施すことを特徴とした請求項３４又は３５記載の磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。」と記載されている。
　
（３）　引用例３
　本件出願前公知の刊行物である引用例３（特開平１０−９１９２０号公報、周知例とする。）には、スピンバルブ素子の製造において、【００１３】に、
「【００１３】中央領域１０５及び端部領域１０４の詳細は図１のとおりである。磁気ギャップ層１０３上に、膜厚３０ｎｍのＮｉＯからなる反強磁性層４、膜厚３ｎｍのＮｉＦｅからなる磁化固定層３を順次積層した。このとき磁化固定層３と反強磁性層４との間の交換結合により、磁化固定層３を図面手前から奥の一方向に磁化固定する。ＮｉＯ膜とＮｉＦｅ膜との交換結合のブロッキング温度が１８０℃程度であるため、所望の磁化方向に直流磁界を５００エルステッドの強度で印加しながら２００℃に１分程度加熱することにより、磁化固定した。」と記載されている。
　
（４）　引用例４
　本件出願前公知の刊行物である引用例４（特開平９−２９３６１１号公報、周知例とする。）には、スピンバルブ素子の製造において、【００２４】に、
「【００２４】まずＲＦスパッタ法により、基板１上に反強磁性体層として４０ｎｍの酸化ニッケル（ＮｉＯ）膜を成膜した。ここで、ＮｉＯの焼結ターゲットを用い、アルゴンと酸素（Ａｒ＋Ｏ２　）の混合ガスを導入して反応性スパッタ法により成膜した。なお、基板温度は３００℃、投入パワーは２０Ｗ、スパッタガス圧は２０ｍＴｏｒｒとした。ＮｉＯの成膜後、ＤＣスパッタ法により、磁性層２、非磁性スペーサー層４、磁性層３を順次積層した。各層の膜厚はそれぞれ、３．５ｎｍ、３．０ｎｍ、３．５ｎｍとした。基板温度を?２００℃〜＋３００℃まで変化させるとともに、成膜中に０〜２５０エルステッド（Ｏｅ）の磁場を基板面に平行に印加しながら成膜を行った。ターゲットはＦｅ、Ｃｕ、Ｃｏターゲット上に、添加すべき金属チップをのせた複合ターゲットを用いた。スパッタガスは、主としてアルゴンを用いたが、窒化物Ｆｅ基合金膜を成膜する場合のみ、アルゴンガスに窒素ガスを混合した反応性スパッタ法を採用した。スピンバルブ積層膜の成膜が終了した後、真空中で、０〜１ｋＯｅの磁場を印加しながら熱処理をおこなった。作製したスピンバルブ膜は、ＴＥＭ（透過電子顕微鏡）観察を行うとともに、磁気抵抗ならびに磁化を測定した。なお、磁気抵抗効果測定に際しては、４端子測定抵抗パターンにフォトリソグラフィーとイオンミリングによりパターンニングを行った。」と記載されている。
　
４　本願発明と引用例との対比・判断
（１）　本願発明と引用例１との対比
ａ　引用例１の「第２の固定強磁性体膜」はこれと接触する、第２の固定強磁性体膜における磁化方向を所望の方向に固定するための反強磁性体の交換バイアス層に隣接しているから、本願発明の「第１の固定磁性層」に相当する。
　引用例１の「第１の固定強磁性体膜」は、本願発明の「第２の固定磁性層」に相当し、引用例１の「反強磁性的結合膜」は、第１と第２の固定強磁性体膜の間にあり、それらの固定挟持生体膜を全般的に反平行な磁化方向を有するようにしているので、本願発明の「非磁性中間層」に相当する。
　そして、本願発明の第１段では、本願発明の第１の固定磁性層と第２の固定磁性層を合わせて「固定磁性層」と読んでいることから、引用例１の「第１の固定強磁性体膜と第２の固定強磁性体膜」は、本願発明の「固定磁性層」に相当し、引用例１の「非磁性体スペーサ層」は、本願発明の「非磁性導電層」に相当する。
　また、引用例１においては第２の固定強磁性体膜が第１の固定強磁性体膜より厚くしており、記載事項ｂの例を見ると、第２の固定強磁性体膜と第１の固定強磁性体膜とも、Ｎｉ８１Ｆｅ１９膜で形成されているから、同じものが用いられている。すると、磁気モーメントは「飽和磁化Ｍｓ・膜厚ｔ」であるから、第２の固定強磁性体膜野路記モーメントは第１の固定強磁性体膜の磁気モーメントより大きくなっている。
　
ｂ（一致点）
　してみると、本願発明と引用例１のものは次の点で一致する。
「反強磁性層と、この反強磁性層と接して形成され、前記反強磁性層との界面に発生する交換結合磁界により、一定方向に磁化が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性導電層を介して形成され、前記固定磁性層の磁化方向と交叉する方向に磁化が揃えられるフリー磁性層とを有するスピンバルブ型薄膜素子の製造方法において、
　前記固定磁性層を、反強磁性層に接する第１の固定磁性層と、前記第１の固定磁性層と非磁性中間層を介して重ねられる第２の固定磁性層の２層で形成し、このとき、前記第１の固定磁性層の磁気モーメント（飽和磁化Ｍｓ・膜厚ｔ）を、第２の固定磁性層の磁気モーメントよりも大きくする工程と、
を有することを特徴とするスピンバルブ型薄膜素子の製造方法。」　
　
ｃ（相違点）
　本願発明は、「磁場中熱処理を施して、前記第１の固定磁性層と反強磁性層との界面にて交換結合磁界を発生させる際に、前記第１の固定磁性層及び第２の固定磁性層に１００〜１０００Ｏｅの磁場を印加して、前記第１の固定磁性層の磁化を前記磁場方向と同一方向に固定し、前記第２の固定磁性層の磁化を前記磁場方向と反対方向に固定する工程」を有するが、引用例１のものは「２つの固定強磁性体膜７２と７４は、自由強磁性層６３の付着中に印加される磁界から約９０度回転した印加磁界の存在下で付着する」が、熱処理及び１００〜１０００Ｏｅの磁場という具体的な磁場の強さがない点で相違している。
　
（２）　相違点の検討
　しかしながら、上記周知例として示した引用例２〜４に記載されているように、固定磁性層と反強磁性層との界面にて交換結合磁界を発生させる際に、熱処理しながら、それぞれ１０〜３０００Ｏｅ、５００ＯＥ、０〜１０００Ｏｅを印加したものが示されており、本願発明のように、「１００〜１０００Ｏｅの磁場を印加」することは、その１００及び１０００とした点に臨界的意義が認められない。従って、当業者が容易に設定できた事項であると認められる。してみるとこの相違点は格別なものではない。
　
（３）　判断
　本願発明は、上記引用例１及び周知例とした引用例２〜４記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項に規定により特許を受けることができないものである。
　
５　まとめ
　本件出願の他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本件出願は拒絶を免れ得ない。
　よって結論のとおり審決する。