【手続補正書】
【提出日】平成26年9月18日(2014.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の（ａ）〜（ｇ）を含む、二酸化炭素のギ酸塩への電気化学的還元の方法。
（ａ）電気化学反応器の以下の陽極液コンパートメント内への陽極液の導入；
前記陽極液コンパートメントには、陽極が少なくとも部分的に入っており、
前記陽極は、チタン基板、および、金属酸化物触媒を含み、
前記金属酸化物触媒は、
前記基板上に堆積された酸化タンタル、および、前記酸化タンタル上に堆積
された酸化イリジウムを含む。
（ｂ）前記電気化学反応器の以下の陰極液コンパートメント内への陰極液の導入；
前記陰極液コンパートメントは、膜によって前記陽極液コンパートメントから分離
されており、さらに、陰極−パッドの組み合わせによりガスコンパートメントから分
離されており、
前記陰極−パッドの組み合わせは、以下の（ア）多孔質陰極及び（イ）多孔質で
非伝導性のパッドを含んだものからなり、
（ア）多孔質陰極は、以下の（ｉ）〜（ｉｖ）を含んでいる。
（ｉ）スズ；
（ｉｉ）製造物であって、
多孔質導電性基板と；
前記基板上に堆積され、０．５ミクロン〜５ミクロンの間の粒度
を有するスズ堆積物を含むスズ触媒であって、前記スズ堆積物
は、前記基板の外側表面を実質的に覆う、スズ触媒；
を含む製造物；
（ｉｉｉ）製造物であって、
（Ａ）多孔質で導電性の基板を、スズ塩、少なくとも１つの錯化剤、及
び、非イオン性界面活性剤を含んでいる溶液中に浸漬するステップ
（Ｂ）ステップ（Ａ）の間に、前記溶液を４５〜７０℃の間の温度に維
持するステップ
（Ｃ）ステップ（Ａ）の間に、１．５〜２．５ｍＡ／ｃｍ２の陰極電流
密度を０．５〜２時間の間で印加するステップ
を含む方法によって形成される製造物；
または
（ｉｖ）製造物であって、
多孔質導電性基板と；
触媒であって、
スズ、および、前記陰極触媒の約３重量パーセント〜約
６重量パーセントの間を占める亜鉛を含む触媒
を含む製造物
（イ）多孔質で非伝導性のパッドであって、前記パッドは前記陰極の前記膜側に
隣接しており、前記陰極−パッドの組み合わせが前記陰極液コンパートメン
トを少なくとも部分的に画定するパッド；
（ｃ）前記ガスコンパートメント内への二酸化炭素ガスの導入；
（ｄ）前記ガスコンパートメントから、前記ガスコンパートメントと前記陰極の間で前
記陰極に隣接しているディフューザー内に前記二酸化炭素ガスの少なくとも一部分
の導入；
（ｅ）前記ディフーザーから前記陰極−パッドの組み合わせ内への前記二酸化炭素ガス
の導入；
（ｆ）前記陰極−パッドの組み合わせから前記陰極液内への前記二酸化炭素ガスの導
入；
（ｇ）前記陽極と前記陰極の間へのＤＣ電圧の印加による、前記二酸化炭素の少なくと
も一部のギ酸への還元；
【請求項２】
以下の（ａ）〜（ｆ）を含む方法。
（ａ）電気化学反応器の陽極液コンパートメント内への陽極液の導入；
前記陽極液コンパートメントには、陽極が少なくとも部分的に入っている。
（ｂ）前記電気化学反応器の陰極液コンパートメント内に陰極液の導入；
前記陰極液コンパートメントは、膜によって前記陽極液コンパートメントから分
離されており、前記陰極液コンパートメントは、陰極−パッドの組み合わせによ
りガスコンパートメントからも分離されており、陰極−パッドの組み合わせは、
多孔質陰極と；
多孔質で非伝導性のパッドであって、
前記パッドは前記陰極の前記膜側に隣接しており、
前記陰極−パッドの組み合わせが前記陰極液コンパートメントを少なくと
も部分的に画定するパッドである。
（ｃ）前記ガスコンパートメント内への二酸化炭素ガスの導入；
（ｄ）前記ガスコンパートメントから前記陰極内への前記二酸化炭素ガスの導入；
（ｅ）前記陰極から前記陰極液内への前記二酸化炭素ガスの導入；
（ｆ）前記陽極と前記陰極の間にＤＣ電圧を印加による、前記二酸化炭素の少なくとも
一部のギ酸への還元。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、前記陰極は、以下の（ｉ）〜（ｉｖ）を含んでいる。
（ｉ）多孔質導電性基板と触媒とを含む製造物であって、
前記触媒は
スズ、および、前記陰極触媒の約３重量パーセント〜約６重量パーセントの
間を占める亜鉛を含むものである触媒
を含む製造物；
（ｉｉ）製造物であって、
多孔質導電性基板と；
前記基板上に堆積され、０．５ミクロン〜５ミクロンの間の粒度を有するス
ズ堆積物を含むスズ触媒であって、
前記スズ堆積物は、前記基板の外側表面を実質的に覆うものであるもの含む
を含む製造物；
または
（ｉｉｉ）製造物であって、
（Ａ）多孔質で導電性の基板を、以下を含む溶液中に浸漬するステップであり、溶液
はスズ塩、少なくとも１つの錯化剤、及び、非イオン性界面活性剤を含むステップ
（Ｂ）ステップ（Ａ）の間に、前記溶液を４５〜７０℃の間の温度に維持するステッ
プ
（Ｃ）ステップ（Ａ）の間に、１．５〜２．５ｍＡ／ｃｍ２の陰極電流密度を０．５
〜２時間の間で印加するステップと；
を含む方法によって形成される製造物。
【請求項４】
前記スズ塩が塩化第一スズ二水和物を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記塩化第一スズ二水和物が、０．０８〜０．３ｍｏｌ／Ｌの間の濃度で存在する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つの錯化剤がピロリン酸四カリウムを含む、請求項３から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記ピロリン酸四カリウムが、０．４〜０．６ｍｏｌ／Ｌの間の濃度で存在する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記少なくとも１つの錯化剤がグリシンを含む、請求項３から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記グリシンが、０．１〜０．２ｍｏｌ／Ｌの間の濃度で存在する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記溶液が、Ｌ−アスコルビン酸をさらに含む、請求項３から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記非イオン性界面活性剤が、ポリオキシエチレン（１２）ノニルフェニルエーテルを含む、請求項３から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記溶液が、４．５のｐＨを有する、請求項３から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
（ａ）前記多孔質非導電性パッド内に前記陰極液の少なくとも一部を導入するステップ
をさらに含む、請求項２から１２のいずれか一項に記載の方法
【請求項１４】
（ａ）前記陰極内に前記二酸化炭素ガスを導入する前に、前記ガスコンパートメントか
らディフューザー内に前記二酸化炭素ガスの少なくとも一部を導入するステップであ
って、前記ディフューザーは、前記陰極の前記ガスコンパートメント側に隣接してい
るステップ
をさらに含む、請求項２から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記陽極は、チタン基板、および、金属酸化物触媒を含み、
前記金属酸化物触媒は、
前記基板上に堆積された酸化タンタル、および、前記酸化タンタル上に堆積された
酸化イリジウムを含み、
前記二酸化炭素の少なくとも一部がギ酸に還元される、
請求項２から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記陰極液は、
（ｉ）約６．５のｐＨを有する硫酸カリウム、および
（ｉｉ）約５．５のｐＨを有する硫酸ナトリウム
からなる群から選択される約０．１Ｍ〜約３Ｍの化合物の水溶液を含む、請求項２から１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記陽極液は、
（ｉ）約１Ｍの水酸化ナトリウム、または
（ｉｉ）約０．５Ｍの硫酸
を含む、請求項２から１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
容器と；
前記容器内に配置され、陰極液コンパートメントと陽極液コンパートメントとに前記容器を分離する膜と；
前記陽極液コンパートメント内に少なくとも部分的に配置された陽極と；
陰極−パッドの組み合わせであって、
多孔質陰極と；
多孔質非導電性パッドであって、前記パッドは前記陰極の前記膜側に隣接しており、
前記陰極−パッドの組み合わせが前記陰極液コンパートメントを少なくとも部分的に
画定している多孔質非導電性パッド；を含む陰極−パッドの組み合わせと；
前記陰極と流体連通したガスコンパートメントと；
前記陽極および前記陰極と電気的に連絡しており、前記陽極と前記陰極の間にＤＣ電圧を印加するように構成された電圧源と
を備える装置。
【請求項１９】
請求項１８記載の装置であって、前記陰極が、以下の（ｉ）〜（ｉｉｉ）を含むもの。
（ｉ）製造物であって、
多孔質導電性基板と；
スズ、および触媒の約３重量パーセント〜約６重量パーセントの間を占める亜
鉛を含む触媒；
を含む製造物。
（ｉｉ）製造物であって、
多孔質導電性基板と；
前記基板上に堆積され、０．５ミクロン〜５ミクロンの間の粒度を有し、前
記基板の外側表面を実質的に覆うスズ堆積物を含むスズ触媒
を含む製造物。
または
（ｉｉｉ）以下のステップを含む方法によって形成される製造物
（Ａ）多孔質で導電性の基板を、以下を含む溶液中に浸漬するステップ。
スズ塩；
少なくとも１つの錯化剤；
非イオン性界面活性剤；
（Ｂ）ステップ（Ａ）の間に、前記溶液を４５〜７０℃の間の温度に維持するステッ
プ；
（Ｃ）ステップ（Ａ）の間に、１．５〜２．５ｍＡ／ｃｍ２の陰極電流密度を０．５
〜２時間の間で印加するステップ；
【請求項２０】
前記スズ塩が塩化第一スズ二水和物を含む、請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
前記塩化第一スズ二水和物が、０．０８〜０．３ｍｏｌ／Ｌの間の濃度で存在する、請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
前記少なくとも１つの錯化剤がピロリン酸四カリウムを含む、請求項１９から２１のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２３】
前記ピロリン酸四カリウムが、０．４〜０．６ｍｏｌ／Ｌの間の濃度で存在する、請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】
前記少なくとも１つの錯化剤がグリシンを含む、請求項１９から２３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２５】
前記グリシンが、０．１〜０．２ｍｏｌ／Ｌの間の濃度で存在する、請求項２４に記載の装置。
【請求項２６】
前記溶液が、Ｌ−アスコルビン酸をさらに含む、請求項１９から２６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２７】
前記非イオン性界面活性剤が、ポリオキシエチレン（１２）ノニルフェニルエーテルを含む、請求項１９から２６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２８】
前記溶液が、４．５のｐＨを有する、請求項１９から２７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２９】
陰極液フィード部をさらに備え、前記陰極液フィード部が前記多孔質非導電性パッドと流体連通している、請求項１８から２８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項３０】
二酸化炭素フィード部を更に備え、前記二酸化炭素フィードは前記ディフューザーと流体連通し、前記ディフューザーは、前記陰極の前記ガスコンパートメント側に隣接する、請求項１８から２９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項３１】
前記陽極は、チタン基板および金属酸化物触媒を含み、
前記金属酸化物触媒は、
前記基板上に堆積された酸化タンタルおよび
前記酸化タンタル上に堆積された酸化イリジウムを含む
請求項１８から３０のいずれか一項に記載の装置。