Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月23日(2003.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセッサと、
データブロックを記憶するための大量記憶サブシステムと、
一部が、前記データブロックのうちの選択されたいずれかを一時記憶するためのアドレス指定可能な位置を備えるキャッシュメモリとして構成されるシステムメモリと、
ハードウェア的に構成されたキャッシュマネージャと、
前記プロセッサが接続されるローカルバス、
前記システムメモリが接続されるメモリバス、
前記キャッシュマネージャと大量記憶サブシステムが接続される周辺装置バス、および、
前記ローカルバス、メモリバスおよび周辺装置バスを相互接続するバス間インターフェースを備えるバスシステムと
を有するコンピュータであって、
前記プロセッサは、前記バスシステム上に送出される要求によって前記キャッシュマネージャに特定のデータブロックが現在前記キャッシュメモリにあるかどうかを質問するプログラムを実行する動作をし、
前記キャッシュマネージャは、
−識別子によってそれぞれ同定される前記キャッシュメモリのアドレス指定可能な位置を現在そこに記憶されている任意の前記データブロックに対応付ける対応付け手段と、
−前記対応付け手段に対するチェック要求に応じて前記特定のデータブロックが現在前記キャッシュメモリに存在するかどうかを調べるチェック手段と、
−前記チェック手段が前記特定のデータブロックがキャッシュメモリに存在することを発見したとき、前記バスシステムを介して前記プログラムに“キャッシュ内にあり”標識を返す動作をする報告手段と
を有し、
前記プログラムは、前記”キャッシュ内にあり”標識に応答して、前記プロセッサを、前記ローカルバス、前記バス間インターフェースおよび前記メモリバスからなる経路を介して、前記特定のデータブロックにアクセスするように制御する
コンピュータ。
【請求項２】
前記キャッシュマネージャおよび大量記憶サブシステムは前記周辺装置バスへの同じインターフェースを共用する
請求項１に記載のコンピュータ。
【請求項３】
前記キャッシュマネージャおよび大量記憶サブシステムは、前記周辺装置バスへのそれぞれのインターフェースを有する
請求項１に記載のコンピュータ。
【請求項４】
前記報告手段はさらに、前記チェック手段が前記特定のデータブロックが前記キャッシュメモリに存在することを発見したとき、前記特定のデータブロックが現在記憶されているキャッシュ位置の識別子を前記プログラムに返す動作をする
請求項１に記載のコンピュータ。
【請求項５】
読み出すべきある特定のデータブロックに対する要求に応じて前記チェック手段が前記特定のデータブロックが前記キャッシュメモリに存在しないことを発見すると、前記報告手段は“キャッシュ内になし”標識を前記特定のデータブロックの記憶に用いるべきキャッシュ位置の識別子とともに前記プログラムに返す動作をし、前記報告手段からの前記“キャッシュ内になし”標識と前記識別子を受け取ると、前記プログラムは前記特定のデータブロックを前記大量記憶サブシステムから前記識別子によって同定されるキャッシュ位置に転送させる
請求項１に記載のコンピュータ。
【請求項６】
前記大量記憶サブシステムが前記バスシステム上のデータブロックの転送を制御するためのブロック転送制御手段を有し、前記キャッシュマネージャと大量記憶サブシステムが動作可能に直接相互接続され、前記バスシステムへの共通のインターフェースを共用し、前記キャッシュマネージャは、読み出すべきある特定のデータブロックに対する要求に応じて前記チェック手段が前記特定のデータブロックが前記キャッシュメモリに存在しないことを発見すると、前記大量記憶サブシステムの前記ブロック転送手段に対して前記特定のデータブロックを転送開始手段によって指定されるある所定のキャッシュ位置に転送するように直接命令する動作をする転送開始手段を有し、前記報告手段はさらに前記プログラムに前記所定のキャッシュ位置に対応する前記識別子を返す動作をする
請求項１に記載のコンピュータ。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月25日(2003.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板（２）上にプリントされたアース平面（１）と、少なくとも一つのアンテナ出力端子（ｂ、ｃ）をもつアンテナプレート（３）を備えており、前記アース平面（１）と前記プレート（３）が誘電体（４）によって分離されているマイクロ波アンテナエレメントであって、前記アース平面（１）から前記プレート（３）を分離する前記誘電体が空気であり、伝送用のマイクロ波ベクトルの分極に適合した形状をもつ前記プレート（３）が電導板で構成されており、前記プレート（３）が、基板（２）上にプレートを支持するための型押しまたは曲げ加工によってつくられた少なくとも二本の脚（ａ、ｂ、ｃ）を備えており、各脚は孔によって基板を貫通し、これらの脚の少なくとも一本（ｂ、ｃ）は、支持するためだけでなくアンテナの出力を構成し、アース平面に基板内にこのような脚（ｂ、ｃ）を通すための孔を取り囲んでいる隙間（９）があることを特徴とするマイクロ波アンテナエレメント。
【請求項２】
各脚が通る孔は金属被覆（７）されており、該金属被覆は、はんだ付け（６）によって基板に脚を固定するために前記アース平面（１）を支えている面に向き合った基板の面上の孔の縁部まで伸びていることを特徴とする請求項１に記載のマイクロ波アンテナエレメント。
【請求項３】
前記プレート（３）が正方形で、三本の脚（ａ、ｂ、ｃ）を有しており、その脚のうちの一本はプレート（３）の中央に位置して、前記プレート（３）と前記アース平面（１）との間に短絡を形成し、他の二本の脚（ｂ、ｃ）はそれぞれ、前記プレート（３）の中線（Ｍ１）と（Ｍ２）上に位置する二つのアンテナ出力端子を構成し、それぞれが同位相におけるリンクと直角位相におけるリンクとを形成することを特徴とする請求項２に記載のマイクロ波アンテナエレメント。
【請求項４】
前記二つのアンテナ出力（ｂ、ｃ）の各々が、それぞれ、前記アース平面（１）に向き合った基板表面（２）上にプリントされた回路において直線的な結線（１１，１３）によって前記絶縁基板の縁に固定された出力端子（１０、１２）に接続されており、これら二つの結線（１１，１３）は、それぞれ互いに垂直であることを特徴とする請求項３に記載のマイクロ波アンテナエレメント。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月13日(2003.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）レーザ利得媒体と、
（ｂ）反射率Ｒ１を有する第１の反射器、及び前記第１の反射器から間隔をあけて配置されて、共にレーザ利得媒体を納めるレーザ空洞を形成し、前記レーザ利得媒体から放射される光が前記レーザ空洞内で共振を生じるようにする、前記反射率Ｒ１より大きい反射率Ｒ２を有する第２の反射器と、
（ｃ）前記第２の反射器から間隔をあけて配置されて、共に前記レーザ空洞の外部共振空洞を形成し、前記レーザ空洞からの通過光によって、外部共振空洞内において共振が生じ、前記外部共振空洞からの通過光によって前記レーザ利得媒体が光学的にロックされるようにする、前記反射率Ｒ１より大きい反射率Ｒ３を有する第３の反射器とを備えるレーザ・システム。
【請求項２】
前記レーザ利得媒体が、前記外部共振空洞からレーザ・ダイオードへの強い光学帰還によって前記外部共振空洞の共振周波数にロックさせられるレーザ・ダイオードであることを特徴とする、請求項１に記載のレーザ・システム。
【請求項３】
前記外部共振空洞の光強度が、前記レーザ空洞の光強度より少なくとも１桁高いことを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のレーザ・システム。
【請求項４】
前記反射率Ｒ１が０．９９〜０．１、前記反射率Ｒ２が０．９〜０．９９９９９９、前記反射率Ｒ３が、０．９〜０．９９９９９９であることを特徴とする、請求項１から請求項３のいずれかに記載のレーザ・システム。 
【請求項５】
前記レーザ利得媒体が、前記レーザ・ダイオードから前記外部共振空洞に送られる光の１０％を超える光の前記レーザ・ダイオードへの光学帰還によって、前記外部共振空洞の共振周波数にロックさせられる前記レーザ・ダイオードであることを特徴とする、請求項２から請求項４のいずれかに記載のレーザ・システム。
【請求項６】
前記反射率Ｒ３が前記反射率Ｒ２より大きく、前記反射率Ｒ２が前記反射率Ｒ１より大きいことを特徴とする、請求項１から請求項５のいずれかに記載のレーザ・システム。
【請求項７】
前記第２の反射器と前記第３の反射器の間に配置されて、前記レーザ利得媒体からの光を異なる周波数に変換するための非線形光学素子を備え、前記第２の反射器と前記第３の反射器が、異なる周波数の光の共振に用いられることを特徴とする、請求項１から請求項６のいずれかに記載のレーザ・システム。
【請求項８】
前記レーザ利得媒体が、前記第２の反射器から間隔をあけ、前記第２の反射器と対向して配置された反射防止コーティングを施したフェーセットを備えることを特徴とする、請求項１から請求項７のいずれかに記載のレーザ・システム。
【請求項９】
前記レーザ利得媒体が、前記第１の反射器と前記第２の反射器から間隔をあけて配置された、２つの反射防止コーティング付きフェーセットを備えることを特徴とする、請求項１から請求項７のいずれかに記載のレーザ・システム。
【請求項１０】
前記レーザ利得媒体から放射される光と前記外部共振空洞を空間的に整合させるためのモード整合光学素子を備えることを特徴とする、請求項１から請求項９のいすれかに記載のレーザ・システム。
【請求項１１】
前記第３の反射器と前記第２の反射器の間の距離を調整することによって、前記外部共振空洞の共振周波数を同調させることが可能であることを特徴とする、請求項１から請求項１０のいずれかに記載のレーザ・システム。
【請求項１２】
（ａ）レーザ利得媒体と、
（ｂ）反射率Ｒ１を有する第１の反射器、及び、前記第１の反射器から間隔をあけて配置されて、共に、レーザ利得媒体を収容し、内部でレーザ利得媒体から放射される光の共振を生じる、レーザ空洞を形成し、前記第１の反射器の反射率Ｒ１より大きい反射率Ｒ２を有する第２の反射器と、
（ｃ）前記第２の反射器と共に、前記レーザ空洞の外部共振空洞を形成し、前記レーザ空洞からの通過光が、前記外部共振空洞内において前記共振空洞内ビーム経路に沿って共振を生じ、前記外部共振空洞からの通過光が前記レーザ空洞に入って、前記レーザ利得媒体を光学的にロックするようにする、前記第１の反射器の反射率Ｒ１より大きい反射率Ｒ３を有する第３の反射器と、
（ｄ）前記外部共振空洞と連係して、分析サンプルを前記外部共振空洞からの光エネルギにさらし、前記分析サンプルにおける分析物の光相互作用特性が示されるようにするための手段と、
（ｅ）露光させる手段に隣接して配置され、前記光相互作用を検出するための検出器を備え、前記分析サンプルにおける前記分析物の存在を検出するために用いるレーザ・システム。
【請求項１３】
（ａ）第１の反射器、及び前記第１の反射器から間隔をあけて配置された第２の反射器によって形成されるレーザ空洞内に配置されたレーザ利得媒体から光ビームを放射させて、レーザ利得媒体からの光が前記レーザ空洞内で共振するようにするステップと、
（ｂ）前記レーザ空洞から、前記第２の反射器と第３の反射器によって形成される、前記レーザ空洞の外部共振空洞に光を送り、前記レーザ利得媒体から放射される光が前記外部共振空洞内において共振し、前記外部共振空洞内の光の一部が、前記レーザ空洞に送り返されて、前記レーザ利得媒体を前記外部共振空洞の共振周波数にロックするようにするステップを含む、前記レーザ利得媒体を受動的にロックするための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月14日(2003.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイ取付領域と信号層領域を備えた第１表面を有するキャリヤー基板、
ダイ取付領域に固定され、複数のボンディングパッドを備えた集積回路チップ、
電気信号を伝えるための、基板の信号層領域の上の少なくとも３つの導電性層であって、１つの信号層、第１基準電圧信号を集積回路チップに送るための少なくとも１つの第１電圧層、及び第２基準電圧信号を集積回路チップに送るための第２電圧層を含み、第１電圧層は、接地信号を集積回路チップに送るための基板に隣接した基準接地層を備え、第２電圧層は、基準接地層の近くで連結された基準電圧層を備え、それによって、それらの間に少なくとも０．０５ｎＦ／ｃｍ2 の減結合キャパシタンスを提供する導電性層、
所定の長さを有する複数のボンドワイヤーであって、各ボンドワイヤーは、集積回路チップの１つのボンディングパッドを信号層の１つのボンディングパッドに電気接続し、各ボンドワイヤーは、ボンドワイヤーの長さを最小限に抑えるため互いに実質的に平行に配置されて１つの信号層の全データ信号をルート割当し、ボンドワイヤーのインダクタンスが１ｎＨ未満で０．２５ｎＨより大きい範囲にあるボンドワイヤー、
少なくとも第１と第２の誘電体層であって、少なくとも第１の誘電体層は第１と第２の電圧層の間に配置され、少なくとも第２の誘電体層は第２電圧層と信号層の間に配置された誘電体層、
電気信号を伝達するため、導電性層の少なくとも１つを経由してチップのボンディングパッドと電子部品を相互接続するための複数の電気接続、を含んでなり、集積回路チップを収容し、集積回路チップと電子部品の間にデータ信号と電圧信号の電気接続を提供する集積回路パッケージ。
【請求項２】
ダイ取付領域と信号層領域を備えた第１表面を有するキャリヤー基板、
ダイ取付領域に固定され、複数のボンディングパッドを備えた集積回路チップ、
電気信号を伝えるための、基板の信号層領域の上の少なくとも３つの導電性層であって、第１基準電圧信号を集積回路チップに送るための基板に隣接した少なくとも１つの第１電圧層、第２基準電圧信号を集積回路チップに送るための第２電圧層、及び１つの信号層を含み、第１電圧層は、接地信号を集積回路チップに送るための基板に隣接した基準接地層を備え、第２電圧層は、基準接地層の近くで連結された基準電圧層を備え、それによって、それらの間に所定の重要なレベルの減結合キャパシタンスを提供する導電性層、
所定の長さを有する複数のボンドワイヤーであって、各ボンドワイヤーは、集積回路チップの１つのボンディングパッドを信号層の１つのボンディングパッドに電気接続し、各ボンドワイヤーは、ボンドワイヤーの長さを最小限に抑えるため互いに平行に配置されて１つの信号層の全データ信号をルート割当し、ボンドワイヤーのインダクタンスが１ｎＨ未満で０．２５ｎＨより大きい範囲にあるボンドワイヤー、
少なくとも第１と第２の誘電体層であって、少なくとも第１の誘電体層は第１と第２の電圧層の間に配置され、少なくとも第２の誘電体層は第２電圧層と信号層の間に配置され、第２誘電体層は、シアネートエステルが含浸した延伸膨張ポリテトラフルオロエチレンを少なくとも部分的に含む誘電体層、
電気信号を伝達するため、導電性層の少なくとも１つを経由してチップのボンディングパッドと電子部品を相互接続するための複数の電気接続、を含んでなり、集積回路チップを収容し、集積回路チップと電子部品の間にデータ信号と電圧信号の電気接続を提供する集積回路パッケージ。
【請求項３】
ダイ取付領域と信号層領域を備えた第１表面を有するキャリヤー基板、
所定の寸法を有し、ダイ取付領域に固定され、複数のボンディングパッドを備えた集積回路チップ、
電気信号を伝えるための、基板の信号層領域の上の少なくとも３つの導電性層であって、
ａ）複数の信号ボンディングパッドと信号線材を有する１つの信号層であって、集積回路チップに出入りする全データ信号をルート割当し、データ信号の高密度のルート割当と追跡を用いる１つの信号層、
ｂ）第１基準電圧信号を集積回路チップに送るための少なくとも１つの第１電圧層、
ｃ）第２基準電圧信号を集積回路チップに送るための第２電圧層であって、減結合キャパシタンスを最大にするために近い距離で連結された第１と第２の電圧層、を含んでなる導電性層、
少なくとも３つの導電性層を互いに隔てるための少なくとも第１と第２の誘電体層、
集積回路チップのボンディングパッドを信号ボンディングパッドに電気接続するための複数のボンドワイヤーであって、インダクタンスが１ｎＨ未満で０．２５ｎＨより大きい範囲にあるボンドワイヤー、を含んでなり、集積回路チップを収容し、集積回路チップと電子部品の間にデータ信号と電圧信号の電気接続を提供し、集積回路チップが所定の高周波数で動作することを可能にする高性能集積回路パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月24日(2003.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ゲート電極に隣接し、ゲート誘電体により上記ゲート電極から分離され、水素添加された半導体トランジスタからなり、
上記半導体トランジスタは、上部平面と下部平面を有し、上記上部平面及び上記下部平面が、上部密封層及び下部密封層で覆われている、
ことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
ゲート電極上に第１の密封層を堆積する工程と、
上記第１の密封層の上に半導体層を堆積する工程と、
上記半導体層をエッチングして、上記ゲート電極の上にトランジスタを形成する工程と、
ＩＩＩ族またはＶ族元素をイオン注入して、上記トランジスタの閾値電圧を調整し、上記トランジスタのソース及びドレインを形成する工程と、
上記トランジスタに水素添加し、上記トランジスタに第２の密封層をコーティングする工程と、
を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
基板上にゲート電極を形成する工程と、
上記ゲート電極上に第１の二酸化シリコン層を堆積する工程と、
上記第１の二酸化シリコン層上に第１の窒化シリコン層を堆積する工程と、
上記第１の窒化シリコン層上にポリシリコン層を堆積する工程と、
上記ポリシリコン層上に第２の二酸化シリコン層を堆積し、上記第２の二酸化シリコン層をエッチングして、上記ポリシリコン層が薄膜トランジスタを形成するようにする工程と、
ＩＩＩ族またはＶ族元素をイオン注入して、上記薄膜トランジスタの閾値電圧を調整し、
上記薄膜トランジスタのソース及びドレインを形成する工程と、
上記薄膜トランジスタに水素添加して、上記薄膜トランジスタの結晶粒界内のダングリングボンドに水素を終端させる工程と、
上記薄膜トランジスタ上に第２の窒化シリコン層を堆積する工程と、
を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
低いＩon／Ｉoff比が許容される場合もあるが、許容されない場合もある。許容されない場合、薄膜トランジスタに水素添加してダングリングボンドを終端し、高いＩon／Ｉoff比を得る。しかし、ポリシリコン層内の水素は、時間が経つと移動する傾向があり、このことによりダングリングボンドが再び発生する。したがって、トランジスタに損傷が生じ、製品の寿命が短くなってしまう。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
このような水素添加薄膜トランジスタは、よく知られている。一般的には、これらの水素添加薄膜トランジスタは、ゲート電極の上に二酸化シリコン層を堆積することにより形成される。そして、ポリシリコン層が堆積及びエッチングされて、イオン注入によりソース／ドレイン領域が形成され、チャネル、ソース、ドレインからなるトランジスタが形成される。このトランジスタに、二酸化シリコン層をコーティングする。この第２の二酸化シリコン層の堆積及びソース／ドレイン注入の後、ウェハを水素プラズマにさらすことにより、あるいはポリシリコン層に水素イオンを注入することにより、ポリシリコン層に水素添加する。この水素添加されたポリシリコン層に、膜厚の大きい二酸化シリコン層または窒化シリコン層をコーティングする。次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、ゲート電極に金属製の接触子を接続するための開口部を設け、その後、トランジスタ端子リードとしての金属層の堆積、フォトプリント及びエッチングを行う。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
したがって、本発明は、上述した従来の薄膜トランジスタの実情に鑑みてなされたものであり、Ｉon／Ｉoff比が比較的高く、水素添加後の水素の移動がない薄膜トランジスタを提供することを目的とする。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明では、トランジスタの上面及び下面に密封層をコーティングすることにより、水素添加薄膜トランジスタからの水素の移動を防止する。密封層は、好ましくは窒化シリコンからなり、この窒化シリコンがポリシリコン内の水素原子を維持し、ポリシリコンの結晶粒界が、トランジスタ動作中に電子を不規則にトラップ及びリリースすることを防止する。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
所望のソース及びドレインを形成した後、高周波（ＲＦ）電力が約５００ワット、水素流量が１００〜５００ＳＣＣＭの条件で、ウェハを水素プラズマに３０〜６０分さらすことにより、トランジスタ２１に水素添加する。あるいは、最後のポリシリコン層１８に、水素イオンを１０14〜１０15／ｃｍ2注入することにより水素添加することもできる。これにより、ポリシリコンの結晶粒界を不動態化し、ポリシリコン結晶粒界内のダングリングボンドの数を低減する。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【発明の効果】
本発明では、ポリシリコン層を水素添加することにより、薄膜トランジスタのＩon／Ｉoff比を向上することができ、密封層をコーティングすることにより、ポリシリコン層からの水素原子の漏出を防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月16日(2003.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円形や方形の沈澱池の中央に立設されたセンター軸の下部回りで周方向に回転するように設けられたレーキと、同レーキを回転駆動させる駆動手段と、汚水を導入する手段と、掻き寄せられた汚泥を排出する手段とを備えた円形沈澱池等における汚泥掻寄装置において、前記駆動手段は、水中モーターを駆動源としてレーキの回転する部分に装備され、同駆動手段として、レーキを回転させる走行輪を備えているとともに、駆動源からのコードは、池上まで導かれている円形沈澱池等における汚泥掻寄装置。
【請求項２】
円形沈澱池等における汚泥掻寄装置。
【請求項３】
請求項１または２において、レーキは、センター軸側を支点にして上下に揺動自在に支持され、上方への揺動により駆動手段が水面以上に浮上可能になっている円形沈澱池等における汚泥掻寄装置。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれかにおいて、レーキは、センター軸を介する一方に伸び、他方にはバランスウエイトが設けられている円形沈澱池等における汚泥掻寄装置。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれかにおいて、汚水はセンター軸内を通じて池内に導入可能とされている円形沈澱池等における汚泥掻寄装置。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれかにおいて、センター軸からの汚水の出口外周囲には、汚泥の拡散を規制し流下させる筒体が設けられている円形沈澱池等における汚泥掻寄装置。
【請求項７】
請求項６において、センター軸からの汚水の出口には、緩衝部材が対向配置されている円形沈澱池等における汚泥掻寄装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項２記載の発明は、請求項１において、走行輪は、沈澱池の底壁上に沿って運動するようになっている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項３記載の発明は、請求項１または２において、レーキは、センター軸側を支点にして上下に揺動自在に支持され、上方への揺動により駆動手段が水面以上に浮上可能になっている。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項４記載の発明は、請求項１から３までのいずれかにおいて、レーキは、センター軸を介する一方に伸び、他方にはバランスウエイトが設けられている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項５記載の発明は、請求項１から４までのいずれかにおいて、汚水はセンター軸内を通じて池内に導入可能とされている円形沈澱池等における汚泥掻寄装置。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項６記載の発明は、請求項１から５までのいずれかにおいて、センター軸からの汚水の出口外周囲には、汚泥の拡散を規制し流下させる筒体が設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月5日(2003.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薬液カートリッジ収納部と、薬液カートリッジ内のガスケットを押すためのプランジャーと、注射針取付部とを備え、ハブと先端側に形成された穿刺針部と後端側に形成されたカートリッジ刺通針部を備える中空針と該中空針の中間部に固着されたハブとを備える注射針を装着可能な注射器であって、
前記注射針取付部は、注射針ハブを保持するハブ保持部と、注射器の後端側に移動可能な移動部材と、該移動部材が注射器の後端側に移動すると前記ハブ保持部による注射針ハブの保持が解除され、前記移動部材が注射器の先端側に位置すると前記ハブ保持部による注射針ハブの保持が可能となるハブ着脱機構を備えることを特徴とする注射器。
【請求項２】
前記移動用部材は、前記ハブ保持部を収納し、さらに、該移動用部材内には、該移動用部材と前記ハブ保持部とにより圧縮されたバネ部材を有している請求項１に記載の注射器。
【請求項３】
前記ハブ保持部は、複数のハブ保持用爪を備えるハブ保持部材と、該ハブ保持部材と一体あるいは該ハブ保持部材に固着され、注射針のカートリッジ刺通針部が挿通可能な誘導路形成部材を有する請求項１または２に記載の注射器。
【請求項４】
前記移動部材は、外筒部材と、該外筒部材と同軸的に設けられた内筒部材を有し、該内筒部材は、注射針装着時にハブ内に侵入し、装着された注射針のハブのガタツキを抑制するためのハブ内侵入可能部と、後端側に伸びるカートリッジ押圧部とを有する請求項１ないし３のいずれかに記載の注射器。
【請求項５】
前記ハブ保持用爪は、移動部材が注射器の後端側に移動することにより、外方に押し広げられるように変形するものである請求項３に記載の注射器。
【請求項６】
前記注射針ハブは、後端部に形成されたフランジを有し、前記ハブ保持用爪は、先端部に形成されたハブ誘導用傾斜部と、該傾斜部より後方に形成され、前記ハブのフランジと係合するフランジ係合部とを有する請求項１ないし５のいずれかに記載の注射器。
【請求項７】
前記注射針取付部は、注射針装着時に注射針ハブと接触し、注射針の回転を抑制するための注射針回転抑制部を有する請求項１ないし６のいずれかに記載の注射器。
【請求項８】
前記注射針回転抑制部は、前記移動部材の軸に対してほぼ直交するように、かつ注射針装着時に注射針ハブと接触可能な位置に形成された平板部の表面に形成され、注射針ハブの後端部と係合可能なリブである請求項７に記載の注射器。
【請求項９】
前記移動用部材は、前記ハブ保持部を収納し、さらに、該移動用部材内には、該移動用部材と前記ハブ保持部とにより圧縮された弾性部材を有している請求項１に記載の注射器。
【請求項１０】
先端および後端に刃面が形成された中空針と、該中空針の中間部に固定され、後端側が開口した注射針ハブとからなる注射針であって、前記ハブは、該注射針が取り付けられる注射器の注射針取付部に形成された注射針回転抑制部と接触するハブ側のハブ回転抑制部を備えることを特徴とする注射針。
【請求項１１】
請求項７に記載の注射器に装着されるための注射針であって、該注射針は、先端および後端に刃面が形成された中空針と、該中空針の中間部に固定され、後端側が開口した注射針ハブとを備え、さらに、前記ハブは、前記注射器の注射針取付部に形成された注射針回転抑制部と係合するハブ側のハブ回転抑制部を備えることを特徴とする注射針。
【請求項１２】
請求項１に記載の注射器のための注射針廃棄容器であって、該廃棄容器は、廃棄容器本体と、該廃棄容器本体の上面部に設けられた筒状の注射針離脱用部材からなり、該離脱用部材は、離脱用部材内に前記注射器の注射針取付部を誘導するための誘導部と、誘導部より下方に形成され、前記注射針取付部の少なくとも先端部分を収納可能な内部空間と、この内部空間を形成する離脱用部材の内側面より内方に突出し、ハブ保持部と実質的に接触することなく、かつ移動用部材の通過を阻止するリブを有することを特徴とする注射針廃棄容器。
【請求項１３】
前記ハブ保持部は、先端側にハブ保持用爪を備える複数のハブ保持部材と、カートリッジ刺通針部が挿通可能な誘導路を有し、該ハブ保持部材の後端部を回動可能に支持するハブ保持部材支持部材と、該ハブ保持部材支持部材と前記ハブ保持部材とにより圧縮され前記ハブ保持部材をハブを保持可能な方向に付勢するための弾性部材とを備える請求項１，２，９のいずれかに記載の注射器。
【手続補正書】
【提出日】平成15年3月25日(2003.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】圧縮木質材の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
繊維飽和点以下に含水率調整された木質材を予備加熱してその表裏材温を高め、その表裏面に水を塗布した後、該木質材の結晶成分であるセルロースの軟化点以上の温度にて加熱圧縮し、その後解圧し、次いで、該木質材自体の材温がまだ高いうちに、セルロースの軟化点以上の温度にて再度加熱圧縮し、その後解圧冷却することにより、該木質材の表裏面にそれぞれ加熱圧縮により圧縮化された高比重層を形成することを特徴とする圧縮木質材の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】本発明は木質材を加熱圧縮して圧縮木質材を製造する方法に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記従来技術による問題点を解決することのできる新規な圧縮木質材の製造方法を提供することを目的とする。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】すなわち、本発明による圧縮木質材の製造方法は、繊維飽和点以下に含水率調整された木質材を予備加熱してその表裏材温を高め、その表裏面に水を塗布した後、該木質材の結晶成分であるセルロースの軟化点以上の温度にて加熱圧縮し、その後解圧し、次いで、該木質材自体の材温がまだ高いうちに、セルロースの軟化点以上の温度にて再度加熱圧縮し、その後解圧冷却することにより、該木質材の表裏面にそれぞれ加熱圧縮により圧縮化された高比重層を形成することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】本発明により製造された圧縮木質材の概略構成を示す断面図である。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月17日(2003.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成され所望の能動動作を行う能動電界効果トランジスタ、印加電流に応じて抵抗値が調整できる調整抵抗を含みこの調整抵抗の抵抗値に応じて前記能動電界効果トランジスタのゲートに所定のバイアス電圧を与えるバイアス回路、および前記半導体基板上に形成された補助電界効果トランジスタを備え、前記補助電界効果トランジスタは前記能動電界効果トランジスタと同じプロセスで形成され、その飽和ドレイン電流を前記印加電流として前記調整抵抗に供給できるようになっている半導体装置。
【請求項２】
前記調整抵抗が前記印加電流に応じて切断される複数の断面積の異なる抵抗素子を含む請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記調整抵抗が前記印加電流の電流密度に応じて抵抗値が変化する抵抗素子を含む請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記調整抵抗が、パッシベーション膜の上に形成された抵抗素子と、前記半導体基板上に形成された抵抗素子を含む請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記各抵抗素子の抵抗値が前記印加電流の電流密度に応じて変化する請求項４記載の半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、所望の能動動作を行う能動電界効果トランジスタ（以下能動ＦＥＴという）を含んだ半導体装置、特に能動ＦＥＴのゲートに所定のゲート電圧を与えるバイアス回路を改良した半導体装置に関するものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
この発明は、能動ＦＥＴの特性の測定を不要にし、複数の半導体装置におけるバイアス電圧のバラツキをより改善することのできる改良された半導体装置を提案するものである。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
また、この発明による半導体装置において、半導体基板がＧａＡｓ基板とし、能動ＦＥＴおよび補助ＦＥＴをＧａＡｓトランジスタとしたものでは、能動ＦＥＴの特性のバラツキが大きくなる傾向にあるが、この特性のバラツキにかかわらず、ゲートバイアス電圧を均一化できる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月22日(2003.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
広周波数帯域で動作する半導体集積回路を備えた半導体装置であって、
前記半導体集積回路は、トランジスタと所定の素子とを組み合わせたトランジスタセルと、該トランジスタセルの入出力インピーダンスを整合させるための整合回路を備え、
前記所定の素子は、トランジスタセルの所望の周波数帯域における最大有能利得特性が周波数に対して平坦な特性となるように定められた素子であり、
前記整合回路は、該整合回路において発生する損失が周波数に対して平坦な特性を有するように設計された整合回路であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記トランジスタセルは、所望の周波数帯域における最大有能利得特性が、偏差１デシベル以内の平坦な特性となるように設計されたトランジスタセルであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記トランジスタセルは、該トランジスタセルの安定化係数Ｋが１以上となるように設計されたトランジスタセルであることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記トランジスタセルの回路構成を、前記トランジスタに前記所定の素子からなる帰還回路を付加した回路構成とすることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記トランジスタセルの基板上のレイアウトを、前記帰還回路を構成する素子の少なくとも１つを前記トランジスタのドレイン電極に隣接させたレイアウトとすることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記トランジスタセルの基板上のレイアウトを、前記帰還回路を構成する素子の少なくとも１つを前記トランジスタのゲート電極に隣接させたレイアウトとすることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項７】
前記トランジスタセルの回路構成を、前記トランジスタのゲート電極側に前記所定の素子からなる回路を付加する回路構成とすることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記ゲート電極側に付加された回路の回路構成を、直列接続されたインダクタと抵抗に、キャパシタを並列接続した構成とすることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記ゲート電極側に付加された回路の回路構成を、直列接続されたインダクタと抵抗に、第１のキャパシタを並列接続し、さらに前記ゲート電極に、接地された第２のキャパシタを接続した構成とすることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記トランジスタセルの回路構成を、前記トランジスタのドレイン電極側に前記所定の素子からなる回路を付加する回路構成とすることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記ドレイン電極側に付加された回路の回路構成を、直列接続されたインダクタと抵抗に、キャパシタを並列接続した構成とすることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記トランジスタセルを複数組み合わせることにより電力増幅機能を実現することを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載の半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＭＭＩＣ（Microwave Monolithic Integrated Circuit）など高周波数帯域で動作する半導体装置に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
そこで本発明は、広帯域で動作する高質かつ低コストの半導体装置を提供することを目的とする。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、このような設計方法により回路設計されたものである。すなわち、広周波数帯域で動作する半導体集積回路を備えた半導体装置であって、
前記半導体集積回路は、トランジスタと所定の素子とを組み合わせたトランジスタセルと、そのトランジスタセルの入出力インピーダンスを整合させるための整合回路を備え、
前記所定の素子は、トランジスタセルの所望の周波数帯域における最大有能利得特性が周波数に対して平坦な特性となるように定められた素子であり、
前記整合回路は、その整合回路において発生する損失が周波数に対して平坦な特性を有するように設計された整合回路であることを特徴とする。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
【発明の効果】
本発明の半導体装置は、トランジスタセルと他の回路を組み合わせることによって、比較的簡単に設計することができ、製造コストを抑え、低価格な半導体装置を提供できるようになる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月21日(2004.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
その際、生産性向上のために特開昭５１−７０４２４に示されているように焼結基板を巻回体の状態で一連の浸漬・乾燥・アルカリ処理・水洗の各工程を施す方法が提案されている。この方法では、焼結基板をステンレス製スプリングなどの間隔保持体により所定極板間隔を保持して巻回し、巻回体の状態で含浸することにより大量処理を可能にしている。この支持リールは図４および図５に示すように、主軸１１の両端に配設された支持部１２ａ、１２ｂを有している。またこれら支持部には、主軸を中心として放射状にリブ１３が配設されており、巻回された焼結基板７の側端部がこれらリブ１３によって支持されるようになっている。通常、支持リールは主軸１１が直立するような態勢で使用されるが、リブ１３による部分的支持により、巻回された焼結基板の側端部の全辺が支持部と接触することがない。これにより、焼結基板側端部の損傷が防止でき、かつ焼結基板を処理液に浸漬しても処理液などの循環が妨げられないようになっている。しかしながら、近年、更なる大量処理が求められるようになり、焼結基板の幅広化、長尺化が更に推し進められるようになった。この結果、リブにかかる焼結基板の重みが増大し、特に保持体外周部においてはリブの間隔が広がることから、焼結基板が自重で変形し、巻回体の真円度が維持できなくなるといった問題が生じるようになった。これにより、焼結基板同士が接触し、その部分で液体あるいは気体の流通が悪くなり、極板表面に汚れが生じたり、均一な表面処理ができなかったりすることにより、品質低下の原因となっていた。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
そこで、上記焼結基板同士の接触を防ぐために、リール中心部の軸受型鍔部から放射状に延び出たリブ上に渦巻き状に極板支持ガイド片を固定し、帯状の焼結基板を支持する極板支持ガイド片相互の間隔を、鍔部に近い巻き初め部分で広くし、外周部に近い巻き終わり部分では狭くして巻き取る方法が提案されている（特開平１１−２１３９９７）。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、そのような方法では、巻回体中心部での巻回ピッチが大きくなるため焼結基板の巻長さが減少し、生産性向上効果を十分に発揮し得ず、又、巻回体の外周部と内周部で焼結基板同士の間隔が異なり、液体、気体の流通が均一にならないなどの問題があった。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
したがって、本発明の支持リールによれば、巻回体内周部から外周部にわたって巻回体を構成する焼結基板などの帯状体の距離を短く保ったまま、支持することができるため、巻回体が全体にわたって真円に近い形状を維持することが可能となる。一方、内周部では必要以上にリブが密集することが無いため、液体、気体の流通が悪くなることもない。従って、液体や気体の通過を遮断することのないように配置することができる。その結果、巻回体全長にわたって必要最低限の間隔で巻回することができ、一度に処理し得る最大量の処理を行なうことが可能となり、生産性が飛躍的に向上する。また、十分に均一な処理を行なうことが可能となる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
かかる構成によれば、領域面積が小さくなる内周側でリブが少なく、領域面積の大きくなる外周側ではリブが多くなる構造の支持リールを用いているため、この支持リールは、外周側の機械的強度が高められ、面全体にわたって同程度の機械的強度をもつものとなっている。したがって巻回体内周部から外周部にわたって巻回体を構成する帯状焼結基板の距離を短く保ったまま、全体にわたって真円に近い形状を維持することが可能となる。一方、内周部では必要以上にリブが密集することが無いため、液体、気体の流通が悪くなることもなく表面状態の良好な電極基板を形成することが可能となる。したがって、巻回体全長にわたって必要最低限の間隔で巻回することができ、一度に処理し得る最大量の処理を行なうことが可能となり、生産性が飛躍的に向上する。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
各枠４ａ、４ｂ、４ｃは、それぞれ半径２５０ｍｍ、５００ｍｍ，１５００ｍｍ、幅８ｍｍの円環状であり、リブ３の幅は同じく８ｍｍである。これらの枠やリブの材質はステンレスである。そして、この含浸用支持リールに帯状焼結基板が巻回されて巻回体を構成する。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
最内周の枠４ａおよびその外側の枠４ｂは、それぞれ半径２５０ｍｍ、５００ｍｍの円に外接する正方形および正八角形をなすように形成されており、最外周の枠の半径は１５００ｍｍである。この含浸用支持リールに帯状焼結基板が巻回されて巻回体を
構成する。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
２．帯状焼結基板の形成
この含浸用リールは、導電性芯材にニッケル粉を焼結し、この焼結体を硝酸ニッケルのような金属塩溶液とアルカリ液とに交互に何度も繰り返し浸漬して、この焼結された導電性芯材に水酸化ニッケルを析出させる方法に用いられる。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
５．リブ間隔と極板不良部位面積との関係
次に、活物質含浸焼結基板ａおよびｘに対し、これら基板（図１、図４に図７で示す）の側端部に形成されたリブとの接触痕をもとに、図７の様にして区切られる各領域のリブ接触間隔Ａ、および領域面積（基板の幅Ｗ×Ａ）に占める不良部面積の割合Ｓ（％）を夫々求め、Ｓに対するＡの関係を図６に示した。なお、図６では、最大のリブ接触間隔における部分でのＳを１００％に正規化して示してある。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
したがって、本発明の支持リールによれば、巻回体内周部から外周部にわたって巻回体を構成する焼結基板などの帯状体の距離を短く保ったまま、支持することができるため、巻回体が全体にわたって真円に近い形状を維持することが可能となる。一方、内周部では必要以上にリブが密集することが無いため、液体、気体の流通が悪くなることもない。その結果、巻回体全長にわたって必要最低限の間隔で巻回することができ、生産性の向上をはかることができるとともに、十分に均一な処理を行なうことが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月1日(2003.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
連結部６Ａ，６Ｂには、これら連結部６Ａ，６Ｂをホルダ３０に固定するためのネジ孔７Ａ１，７Ａ２，７Ｂ１，７Ｂ２（以下適宜にネジ孔７という）が設けられている。連結部６Ａ，６Ｂにおける後方部分および前方部分には、それぞれ平板上の薄肉部１４が形成されている。各薄肉部１４の厚さは約０．５ｍｍである。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
４つの保持部５Ａ１，５Ａ２，５Ｂ１，５Ｂ２（以下適宜に保持部５という）のうち、ホーン本体４の後方側の保持部５Ａ１，５Ｂ１は、ホーン本体４の基端から１番目の節ｐ１の位置に設けられ、ホーン本体４の前方側の保持部５Ａ２，５Ｂ２は、ホーン本体４の基端から２番目の節ｐ２の位置に設けられている。各保持部５の厚さは約０．５ｍｍである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図２ないし図４に示すように、超音波ホーン１はホルダ３０に対し、ボルト３５によってネジ留めして使用される。ホルダ３０は、配管取付部９を跨いで左右の連結部６を一体的に連結する構造であり、その上面の装着孔３０ａにより、図示しないワイヤボンダ本体のボンディングヘッド駆動機構に装着される。装着孔３０ａの中心は、ホーン本体４の軸心４ｂの直上に位置している。ホルダ３０には、４つの通孔７に対応して設けられボルト３５と螺合する鉛直方向のネジ孔３０ｂが、それぞれ設けられている。またホーン本体４の基端部のネジ孔１７には、電歪素子を軸方向に積層してなる公知の超音波振動子４０が固定される。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図５ないし図７は、本実施形態による効果を示すグラフであり、横軸は周波数、縦軸は超音波振動子４０のインピーダンスを示す。図５は配管取付部９に何も取り付けない場合であり、特定の周波数において急峻なピークがあることから、明瞭な定在波が生じていることが判る。図６は対照実験として、接続部材５０を用いずに、通常この種の空圧配管に用いられる硬質ナイロン製のフレキシブルチューブを配管取付部９に直接取り付けた場合であり、定在波がきわめて不明瞭になっていることから、硬質ナイロン製のフレキシブルチューブによる反力が振動特性に悪影響を与えていることが判る。これに対し、図７は同じく硬質ナイロン製のフレキシブルチューブを、上記実施形態のとおり接続部材５０を介して配管取付部９に取り付けた場合であり、図５の場合とほとんど変わらない振動特性が得られていることが確認できた。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月20日(2003.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子メール受信制御方法および電子メール受信装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
宛先メールアドレスを記憶するメモリを備えたファクシミリ型電子メール装置の受信制御方法であって、受信した電子メールを解析して制御命令を示す特殊な文字列が含まれているか否かを認識し、前記文字列が認識されない場合には前記電子メールをイメージデータに変換するとともに、前記文字列が認識された場合には前記電子メール内に含まれる宛先メールアドレスを前記メモリに登録するようにしたことを特徴とする電子メール受信制御方法。
【請求項２】
宛先メールアドレスが登録される記憶領域を有するメールアドレステーブルを格納した記憶部を備えた電子メール装置における電子メール受信制御方法であって、受信した電子メールを解析して登録を指示する制御コマンドが含まれているか否かを認識するステップと、前記制御コマンドが認識されない場合には前記電子メールをイメージデータに変換するステップと、前記制御コマンドが認識された場合には前記受信した電子メールから登録が指示されている宛先メールアドレスを取出して前記メールアドレステーブルに登録するステップとを有することを特徴とする電子メール受信制御方法。
【請求項３】
電子メール内には宛先メールアドレスが複数個含まれていることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の電子メール受信制御方法。
【請求項４】
送信エラーが発生した場合のエラーメールの返送先メールアドレスが登録される記憶領域とを有するメールアドレステーブルを格納した記憶部を備えた電子メール装置における電子メール受信制御方法であって、受信した電子メールを解析して登録を指示する制御コマンドが含まれているか否かを認識するステップと、前記制御コマンドが認識されない場合には前記電子メールをイメージデータに変換するステップと、前記制御コマンドが認識された場合には前記受信した電子メールから登録が指示されている返送先メールアドレスを取出して前記メールアドレステーブルにそれぞれ対応させて登録するステップとを有し、前記返送先メールアドレスは対応する宛先メールアドレスに対してメール送信する際に発信元メールアドレスとして用いられることを特徴とする電子メール受信制御方法。
【請求項５】
電子メール内には返信先メールアドレスが複数個含まれていることを特徴とする請求項４に記載の電子メール受信制御方法。
【請求項６】
宛先メールアドレスを記憶するメモリを備えたファクシミリ型電子メール受信装置であって、受信した電子メールを解析して制御命令を示す特殊な文字列が含まれているか否かを認識する認識手段と、前記文字列が認識されない場合には前記電子メールをイメージデータに変換するとともに、前記文字列が認識された場合には前記電子メール内に含まれる宛先メールアドレスを前記メモリに登録する登録手段とを備えた電子メール受信装置。
【請求項７】
送信エラーが発生した場合のエラーメールの返送先メールアドレスが登録される記憶領域とを有するメールアドレステーブルを格納した記憶部を備えた電子メール受信装置であって、受信した電子メールを解析して登録を指示する制御コマンドが含まれているか否かを認識する認識手段と、前記制御コマンドが認識されない場合には前記電子メールをイメージデータに変換する変換手段と、前記制御コマンドが認識された場合には前記受信した電子メールから登録が指示されている返送先メールアドレスを取出して前記メールアドレステーブルにそれぞれ対応させて登録する登録手段とを有し、前記返送先メールアドレスは対応する宛先メールアドレスに対してメール送信する際に発信元メールアドレスとして用いられることを特徴とする電子メール受信装置。