Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年5月24日(2012.5.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマーマトリックスを生成する非極性ポリアルキルシロキサンと、
ポリアルキルシロキサンの質量に基づいて、０.１ｗｔ％〜２０ｗｔ％の量のガンマ線耐性成分と、
の非重合性混合物を含む組成物で生成された高分子材料であって、
該ガンマ線耐性成分が、１０,０００センチポイズ以下の粘度を有し、該ガンマ線耐性成分が、シリコーン系添加物であり、そしてハロゲン化物またはフェニル官能基を含む、高分子材料。
【請求項２】
該ガンマ線耐性成分が、シリコーン系添加物を含む、請求項１の高分子材料。
【請求項３】
少なくとも２０ｋＧｙのガンマ線に曝された場合、該ガンマ線耐性成分が、該ポリアルキルシロキサンと反応しない、請求項１または２の高分子材料。
【請求項４】
該ガンマ線耐性成分が、該ポリアルキルシロキサンと重合しない、請求項１〜３の高分子材料。
【請求項５】
該量が、０.５ｗｔ％〜１０ｗｔ％である、請求項１〜４の高分子材料。
【請求項６】
該高分子材料が、３以下の再シール性能を示す、請求項１〜５の高分子材料。
【請求項７】
放射線照射後のバースト圧力が、４１ｋＰａ未満である、請求項１〜６の高分子材料。
【請求項８】
該ガンマ線耐性成分が、０.６以下の移動性能を示す、請求項１〜７の高分子材料。
【請求項９】
該ガンマ線耐性成分が、フルオロシリコーンを含む、請求項１〜８の高分子材料。
【請求項１０】
該フルオロシリコーンが、ポリトリフルオロプロピルメチルシロキサンを含む、請求項９の高分子材料。
【請求項１１】
該ガンマ線耐性成分が、フェニルシリコーンを含む、請求項１〜１０の高分子材料。
【請求項１２】
該フェニルシリコーンが、ポリフェニルメチルシロキサンを含む、請求項１１の高分子材料。
【請求項１３】
該ガンマ線耐性成分が、少なくとも１７０℃の温度で安定である、請求項１〜１２の高分子材料。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
特定の態様において、開示は、シリコーンマトリックス材料と、放射線耐性成分とを含む非重合性混合物を含む殺菌した医療機器を対象にする。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
さらなる例示的態様において、開示は、極性の放射線耐性成分中非極性のポリアルキルシロキサンの非重合混合物を含む高分子材料で生成された、２つの接触する表面によって規定された開口部を含む、殺菌した医療機器を対象にする。高分子材料は、約３以下の再シール性能と約４１ｋＰａ(６ポンド／平方インチ）インチ以下の放射線照射後のバースト圧力とを示す。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
別の例示的態様において、開示は、医療機器を生成するための方法を対象にする。方法は、ポリアルキルシロキサン前駆体と、ポリアルキルシロキサン前駆体の質量に基づいて約０.１ｗｔ％〜約２０ｗｔ％の放射線耐性成分配合量の放射線耐性成分との混合物を調製することを含む。方法は、医療機器を生成させるために鋳型を混合物で満たすことおよびポリアルキルシロキサン前駆体を硬化させることをさらに含む。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年12月8日(2011.12.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２３】
前記第１の管はハイポチューブを含むことを特徴とする請求項２０に記載の装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２６】
前記ライナーは、ポリテトラフルオロエチレン、ポリ（フッ化ビリニデン）（ＰＶＤＦ）及び高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）から構成される一群から選択される材料によって実質的に形成されることを特徴とする請求項２４に記載の装置。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２７】
前記装置の末端部は、第１の材料から実質的に形成される本体と、同第１の材料より柔軟な第２の材料から実質的に形成される末端の先端部を備えることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２９】
前記末端部の本体はナイロンから構成されることと、前記末端の先端部は弾性ポリエーテルブロックアミドを含むこととを特徴とする請求項２８に記載の装置。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項４７】
前記少なくとも１つのマーカーはバルーンカテーテルシャフト上の少なくとも１つのマーカーであって、直接、又は内視鏡により操作者に認識可能であるマーカーを備えることを特徴とする請求項４６に記載のシステム。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項５０】
前記少なくとも１つのマーカーは、
管状案内部の末端部に対するバルーンカテーテルの末端部の位置を示す第１のマーカーと、
管状案内装置の末端部に対するバルーンの位置を示す第２のマーカーを備えることを特徴とする請求項４７、４８、４９のいずれか一項に記載のシステム。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項５２】
第２のマーカーは、バルーンの長さと略同じ長さを有する認識可能なマークを備えることを特徴とする請求項５１に記載のシステム。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項５３】
前記バルーンカテーテルは、略非柔軟なバルーンを備えることを特徴とする請求項４０及び４３のうちいずれか一方に記載のシステム。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項５４】
前記バルーンカテーテルは、ポリエチレンテレフタレート、ナイロン、及びポリアミドから構成される一群から選択される材料から実質的に形成されるバルーンを備えることを特徴とする請求項５３に記載のシステム。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項５５】
前記バルーンカテーテルは、破裂することなく２２気圧以上の圧力に耐久可能なバルーンを備えることを特徴とする請求項４０及び４３のうちいずれか一方に記載のシステム。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項６０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項６０】
前記蛍光透視鏡は、Ｃアーム型蛍光透視鏡を備えることを特徴とする請求項５９に記載のシステム。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項７０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項７０】
前記バルーンカテーテルはバルーンを備えることと、同バルーンは、約０．００２インチ（約０．００５０８ｃｍ）の厚みを有するポリエチレンテレフタレートから実質的に形成されることと、同ポリエチレンテレフタレートはポリウレタンのコーティングを載置することと、同コーティングは約２インチ（約０．００５０８ｃｍ）の厚みを有することとを特徴とする請求項４０及び４３のうちいずれか一方に記載のシステム。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項８２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項８２】
前記シースは、側壁及び同側壁内の組み編みを有する管を備えることと、同組み編みは、シースが管状案内装置の湾曲した末端部を通過して前進される場合にシースのよじれの発生を抑止するよう構成されていることとを特徴とする請求項８０に記載のシステム。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項８４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項８４】
前記側壁は少なくともその一部が、架橋されたポリマーから形成されることと、ポリマーの架橋により、ポリマーは、シースが管状案内装置の湾曲した末端部を通過して前進される場合に同シースのよじれの発生を抑止するのに十分な剛性を付与されることを特徴とする請求項８０に記載のシステム。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項８５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項８５】
前記ポリマーは、前記架橋を発生させるように、電子ビームの放射にさらされたポリエチレンを含むことを特徴とする請求項８４に記載のシステム。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項８６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項８６】
前記ポリマーは、高密度のポリエチレン及び低密度のポリエチレンの混合体を含むことを特徴とする請求項８５に記載のシステム。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項９１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項９１】
前記末端部に湾曲部が形成されることと、装置は同装置の基端部上にハブ部材を更に備えることと、同ハブ部材は、湾曲部の方向を示す、少なくとも１つの湾曲方向指示要素を有することとを特徴とする請求項１に記載の管状案内装置。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項９３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項９３】
請求項１に記載の複数の管状案内装置を備えることと、各管状案内装置の末端部は異なる形状を有することとを特徴とするシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月1日(2012.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データの送信方法であって、
データ（Ｍ）の認証語（Ｅ）を決定するステップであって、前記認証語（Ｅ）は処理前の前記データに関連するステップ（Ｅ２０）と、
処理データ（Ｇ）を取得するために前記データを処理するステップであって、前記処理は、前記データを暗号化するステップ（Ｅ２２）及び暗号化されたデータを圧縮するステップ（Ｅ２４）を含むステップと、
伝送チャネル（ＣＴ，ＣＡ）上で前記処理データ（Ｇ）を送信するステップ（Ｅ２８）と、
を備えるデータの送信方法。
【請求項２】
前記決定するステップ（Ｅ２０）はデータ（Ｍ）に対するハッシュ関数（Ｈ）の適用を含む請求項１に記載のデータの送信方法。
【請求項３】
ハッシュ関数（Ｈ）の適用に暗号化キー（Ｋ）を用いる請求項２に記載のデータの送信方法。
【請求項４】
前記暗号化するステップ（Ｅ２２）はデータ（Ｍ）と認証語（Ｅ）に適用される請求項１に記載のデータの送信方法。
【請求項５】
前記処理は８ビット語を６ビット語に変換するステップを含む請求項１乃至４の何れか一項に記載のデータの送信方法。
【請求項６】
伝送チャネル（ＣＡ，ＣＴ）は航空機（Ａ）と地上局（Ｂ）との間のデータ交信チャネルである請求項１乃至５の何れか一項に記載のデータの送信方法。
【請求項７】
データの受信方法であって、
伝送チャネル（ＣＡ，ＣＴ）上でデータ（Ｇ′）を受信するステップ（Ｅ３０）と、
受信したデータ（Ｇ′）を処理するステップであって、前記処理は、データを伸長するステップ（Ｅ３４）及び伸長されたデータを復号化するステップ（Ｅ３６）を含むステップと、
処理データ（Ｍ′）の認証を行うステップ（Ｅ３８，Ｅ４０）と、
を備えるデータの受信方法。
【請求項８】
前記認証を行うステップは、
少なくとも処理データ（Ｍ′、Ｅ′）の１部分（Ｍ′）からハッシュ計算結果（Ｅ″）を算出するステップ（Ｅ３８）と、
算出されたハッシュ計算結果（Ｅ″）と受信したハッシュ計算結果（Ｅ′）とを比較するステップ（Ｅ４０）と、
を含む請求項７に記載のデータの受信方法。
【請求項９】
ハッシュ計算結果（Ｅ″）を算出するステップはデータ（Ｍ′）の前記１部分にハッシュ関数（Ｈ）を適用するステップを含む請求項８に記載のデータの受信方法。
【請求項１０】
ハッシュ関数（Ｈ）を適用するとき暗号化キー（Ｋ）を使う請求項９に記載のデータの受信方法。
【請求項１１】
受信したハッシュ計算結果（Ｅ′）は送信時に送信データ（Ｍ）にハッシュ関数（Ｈ）を適用したものである請求項１０又は１１に記載のデータの受信方法。
【請求項１２】
前記処理は６ビット語を８ビット語に逆変換するステップ（Ｅ３２）を含む請求項７乃至１１の何れか一項に記載のデータの受信方法。
【請求項１３】
伝送チャネル（ＣＡ，ＣＴ）は航空機（Ａ）と地上局（Ｂ）との間のデータ交信チャネルである請求項７乃至１２の何れか一項に記載のデータの受信方法。
【請求項１４】
データの送信装置であって、
データ（Ｍ）の認証語（Ｅ）を決定する手段であって、前記認証語（Ｅ）は処理前の前記データに関連する手段と、
処理データ（Ｇ）を取得するためにデータを処理する手段であって、前記処理する手段は、前記データを暗号化する手段及び暗号化されたデータを圧縮する手段を含む手段と、
伝送チャネル（ＣＡ，ＣＴ）上で処理データ（Ｇ）を送信する手段と、
を備えるデータの送信装置。
【請求項１５】
前記決定する手段はデータ（Ｍ）にハッシュ関数（Ｈ）を適用する手段を含む請求項１４に記載のデータの送信装置。
【請求項１６】
データの受信装置であって、
伝送チャネル（ＣＡ，ＣＴ）上でデータ（Ｇ′）を受信する手段と、
受信データ（Ｇ′）を処理する手段であって、前記処理する手段は、データを伸長する手段及び伸長されたデータを復号化する手段を含む手段と、
処理データ（Ｍ′）の認証を行う手段と、
を備えるデータの受信装置。
【請求項１７】
前記認証を行う手段は、
算出されたハッシュ計算結果（Ｅ″）を取得するために少なくとも処理データ（Ｍ′）の１部分にハッシュ関数を適用する手段と、
算出されたハッシュ計算結果（Ｅ″）と受信されたハッシュ計算結果（Ｅ′）とを比較する手段と、
を含む請求項１６にデータの受信装置。
【請求項１８】
請求項１４乃至１７の何れか一項の装置を有する航空機。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年10月5日(2012.10.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
この発明の真空ドラムが一つ或いは複数のセグメントの交換によってだけでフォーマット交換を可能とする。これらは、リング状或いは部分リング状に形成されることが可能であり、一つの完全な真空ドラムと比較して明白に減少された重量を伴って形成されることが可能である。それにより明白に改良された取扱いがフォーマット交換の際に、しかし保守の際にも生じる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年7月10日(2012.7.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８５】
【表１】
2009531285.tif 000001
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８８】
【表２】
2009531285.tif 000002
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記のいずれかの式で表される１種又は複数の染料を含む染毛剤組成物。
【化１】
2009531285.tif 000003
【請求項２】
少なくとも１種の酸化染料前駆体及び／又は少なくとも１種のカップリング化合物を含む、請求項１に記載の染毛剤組成物。
【請求項３】
酸化剤を含む、請求項１又は２に記載の染毛剤組成物。
【請求項４】
２〜11の範囲のpH値を有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の染毛剤組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の染毛剤組成物を、毛髪に塗布し、１〜45分間放置し、次いで毛髪から洗い流すことを特徴とする、毛髪を染色するための方法。
【請求項６】
下記のいずれかの式で表される染料。
【化２】
2009531285.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月14日(2011.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２５】
得られた比較吸水性樹脂（２）１００質量部に１，４−ブタンジオール０．３８質量部、プロピレングリコール０．６３質量部、純水２．７４質量部の混合液からなる表面架橋剤を均一に混合した後、混合物を２１２℃で加熱処理した。混合物の加熱時間を３０分、４０分、４５分としたものをそれぞれ作製した。その後、得られた粒子をそれぞれ目開き７１０μｍのＪＩＳ標準篩を通過するまで解砕した。次に、解砕された粒子にペイントシェーカーテスト１を行った。こうして、表面が架橋された比較吸水性樹脂を得た。加熱時間３０分のものを比較吸水性樹脂（２−３０）、加熱時間４０分のものを比較吸水性樹脂（２−４０）、加熱時間４５分のものを比較吸水性樹脂（２−４５）とした。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３１】
得られた比較吸水性樹脂（３）１００質量部に１，４−ブタンジオール０．３８質量部、プロピレングリコール０．６３質量部、純水３．３９質量部、過硫酸ナトリウム０．１質量部の混合液からなる表面架橋剤を均一に混合した後、混合物を２１２℃で加熱処理した。混合物の加熱時間を３５分、４０分、４５分としたものをそれぞれ作製した。その後、得られた粒子をそれぞれ目開き７１０μｍのＪＩＳ標準篩を通過するまで解砕した。次に、解砕された粒子にペイントシェーカーテスト１を行った。こうして、表面が架橋された比較吸水性樹脂を得た。加熱時間３５分のものを比較吸水性樹脂（３−３５）、加熱時間４０分のものを比較吸水性樹脂（３−４０）、加熱時間４５分のものを比較吸水性樹脂（３−４５）とした。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年9月18日(2012.9.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）基板内に非気体の化学種のイオンを注入する工程（前記化学種および注入条件は、基板の材料に従って選択され、深部に閉じ込められ、１つの層内に分布した沈殿物の形成を可能にし、これらの沈殿物は、基板の融点未満の融点を有する固体層である。）ここで、当該基板が半導体材料又はシリコン系材料であり、イオンを注入する当該化学種が水銀、セシウム、ガリウム、ルビジウム、リン、カリウム、ナトリウム、硫黄、インジウム、リチウム、錫、タリウム、亜鉛、テルル、マグネシウム、アルミニウム、セリウム、カルシウム、ゲルマニウム及び銀からなる群から選択される少なくとも１種であり、そして、当該イオンの注入が沈殿物の融点未満の温度で実行され；および
（２）沈殿物が液体相にある条件下で分離応力を加えることにより沈殿物の層のレベルで基板を破壊することによって、薄膜を分離する工程
を含む、基板からの薄膜の製造方法。
【請求項２】
シリコン系材料が、酸化ケイ素又は窒化ケイ素であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
沈殿物の融点が、室温より高いことを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
注入が、実質的に室温で実行されることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
分離が、基板の温度を沈殿物の融点より高く上昇させた後に実行されることを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
分離が、沈殿物を含む基板の温度を沈殿物の融点のいずれかの側に変化させる複数のサイクルにより先行されることを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
イオンが、セシウム、ガリウム、ルビジウム、カリウム、ナトリウム、インジウムおよびリチウムを含むグループの中で選択されることを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
イオンが、ガリウムイオンであることを特徴とする、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
基板が、支持基板によって支持されている層であることを特徴とする、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
基板が、結晶性材料であることを特徴とする、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
基板が、シリコンであることを特徴とする、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
ガリウムイオンが、少なくとも１００ｋｅＶのエネルギーおよび少なくとも１０１５／ｃｍ２の注入量でシリコン基板に注入されることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
基板が、窒化ガリウムからできていることを特徴とする、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
基板が、第ＩＩＩ−Ｖ族からの材料からできていることを特徴とする、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
基板が、第ＩＩＩ族−Ｎからの材料からできていることを特徴とする、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
基板が、第ＩＩ−ＶＩ族からの材料からできていることを特徴とする、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
ガリウムイオンが、少なくとも約５０ｋｅＶのエネルギーおよび少なくとも１０１５／ｃｍ２の注入量で窒化ガリウム基板に注入されることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１８】
沈殿物が、基板に注入された化学種から本質的になることを特徴とする、請求項１から１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
イオンが注入される基板の表面が、強化材と緊密に接触させられることを特徴とする、請求項１から１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
基板表面と強化材とを緊密に接触させることが、沈殿物の融点未満の温度で実行されることを特徴とする、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
緊密に接触させることが、室温で実行されることを特徴とする、請求項１９または請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
基板と強化材とを緊密に接触させることが、分子接着によって実行されることを特徴とする、請求項１９から２１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
熱処理が適用されて、基板と強化材との間の界面が強化されることを特徴とする、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
緊密に接触させることが、前記強化材を形成するのに十分な厚さの層を被着させることによって達成されることを特徴とする、請求項１９に記載の方法。
【請求項２５】
前記層を、基板からエピタキシャルに被着させることを特徴とする、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
基板が、温度変化で応力を発現させるように、エピタキシャル成長した層を構成する材料の熱膨張係数と実質的に異なる熱膨張係数を有する支持基板によって支持されることを特徴とする、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
分離応力が、機械的および／または化学的であることを特徴とする、請求項１から２６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２８】
この分離応力が、液体相の沈殿物の層のレベルで実質的に局在化させられていることを特徴とする、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
局在化された分離応力が、ブレードを挿入することによって生み出すことを特徴とする、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
分離によって露出される薄膜の表面に適用される仕上げ処理をさらに含むことを特徴とする、請求項１から２９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３１】
注入の間または後に、沈殿物の形成を促進する熱処理をさらに含むことを特徴とする、請求項１から３０のいずれか一項に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年2月7日(2012.2.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ローラを含むロールクラッシャーであって、
前記ローラは主軸（３）とともに回転する形式のロールクラッシャーにおいて、
前記ローラは、鋼製の支持ローラ（２）および複数の超硬合金セグメント（１）からできており、
前記超硬合金セグメント（１）はコバルトマトリクスからなり、
前記コバルトマトリクスに炭化タングステンが組み込まれており、
前記超硬合金セグメント（１）は、前記支持ローラ（２）の上に取り外し可能に固定されている、
ことを特徴とするロールクラッシャー。
【請求項２】
請求項１記載のロールクラッシャーにおいて、
前記ローラは、鋼製の前記支持ローラと、８個から１６個の超硬合金セグメントとからなる、
ことを特徴とするロールクラッシャー。
【請求項３】
請求項１記載のロールクラッシャーにおいて、
前記ローラは、鋼製の前記支持ローラと、１２個の超硬合金セグメントとからなる、
ことを特徴とするロールクラッシャー。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項記載のロールクラッシャーにおいて、
前記超硬合金セグメントは、８０重量パーセント以上が炭化タングステンからできており、
該炭化タングステンは、前記コバルトマトリクスに組み込まれている、
ことを特徴とするロールクラッシャー。
【請求項５】
請求項１から３のいずれか一項記載のロールクラッシャーにおいて、
前記超硬合金セグメントは、９０重量パーセント以上が炭化タングステンからできており、
該炭化タングステンは、前記コバルトマトリクスに組み込まれている、
ことを特徴とするロールクラッシャー。
【請求項６】
請求項１から３のいずれか一項記載のロールクラッシャーにおいて、
前記超硬合金セグメントは、９１．５重量パーセントが炭化タングステンからできており、
該炭化タングステンは、前記コバルトマトリクスに組み込まれている、
ことを特徴とするロールクラッシャー。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項記載のロールクラッシャーにおいて、
前記超硬合金セグメントの表面は、前記ローラの被覆表面の一部を形成しており、カット研磨面が設けられている、
ことを特徴とするロールクラッシャー。
【請求項８】
請求項７記載のロールクラッシャーにおいて、
前記硬合金セグメントはそれぞれ、３個から１２個の前記カット面を有している、
ことを特徴とするロールクラッシャー。
【請求項９】
請求項７記載のロールクラッシャーにおいて、
前記硬合金セグメントはそれぞれ、４個から７個の前記カット面を有している、
ことを特徴とするロールクラッシャー。
【請求項１０】
請求項７記載のロールクラッシャーにおいて、
前記硬合金セグメントはそれぞれ、５個の前記カット面を有している、
ことを特徴とするロールクラッシャー。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項記載のロールクラッシャーにおいて、
前記超硬合金セグメントのすべてのエッジは、半径を以て面取りされている、
ことを特徴とするロールクラッシャー。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか一項記載のロールクラッシャーにおいて、
前記超硬合金セグメントは互いに、高純度プラスティック（７）によって密閉されており、
該高純度プラスティックは、複数の前記超硬合金セグメント（１）間の溝（８）に嵌め込まれている、
ことを特徴とするロールクラッシャー。
【請求項１３】
請求項１２記載のロールクラッシャーにおいて、
前記ローラの端部面は、高純度プラスティックからなるプレートによって覆われている、
ことを特徴とするロールクラッシャー。
【請求項１４】
請求項１２または１３記載のロールクラッシャーにおいて、
前記主軸は、高純度プラスティックからなる成形部品によって覆われている、
ことを特徴とするロールクラッシャー。
【請求項１５】
請求項１２から１４のいずれか一項記載のロールクラッシャーにおいて、
前記高純度プラスティックは、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリウレタン、エチレン・テトラフルオロエチレン共重合体、パーフルオロアルコキシ共重合体、またはHalar （登録商標）を含むグループから選択される、
ことを特徴とするロールクラッシャー。
【請求項１６】
請求項１から１５のいずれか一項記載のロールクラッシャーにおいて、
前記超硬合金セグメントは、ボルトによって前記支持ローラに固定されており、
前記ボルトを固定するために、前記超硬合金セグメントに雌ねじが焼結されている、
ことを特徴とするロールクラッシャー。
【請求項１７】
請求項１から１６のいずれか一項記載のロールクラッシャーにおいて、
前記ローラの直径は１０００mmから２０００mmである、
ことを特徴とするロールクラッシャー。
【請求項１８】
粗い多結晶シリコンを破砕するための方法において、
前記粗い多結晶シリコンは、請求項１から１７のいずれか一項記載のロールクラッシャーを用いて破砕される、
ことを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１８記載の方法において、
８０mmから２５０mmという中位の断片サイズを備える多結晶シリコンの断片が、請求項１から１７のいずれか一項記載のクラッシャーに送り込まれ、１つの工程で、破砕比率５以上の比率で、それぞれ所望の目標大きさに破砕される、
ことを特徴とすることを特徴とする方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
この課題は、ローラを含むロールクラッシャーであって、前記ローラは主軸（３）とともに回転する形式のロールクラッシャーにおいて、前記ローラは、鋼製の支持ローラ（２）および複数の超硬合金セグメント（１）からできており、ここで前記超硬合金セグメント（１）はコバルトマトリクスからなり、前記コバルトマトリクスに炭化タングステンが組み込まれており、前記超硬合金セグメント（１）は、前記支持ローラ（２）の上に取り外し可能に固定されている、ことを特徴とするロールクラッシャーによって解決される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
この超硬合金セグメントは、有利には８０重量パーセント以上、特に有利には９０重量パーセント以上、とりわけ有利には９１．５重量パーセントが炭化タングステンからできており、この炭化タングステンは、コバルトマトリクスに組み込まれている。この超硬合金セグメントの表面は、ローラの被覆表面の一部を形成しており、有利にはカット研磨面が設けられている。このカット面は、ローラ被覆部上で進入を促すように作用し、破砕材料はより進入しやすくなる。とりわけ超硬合金セグメントはそれぞれ、３個から１２個、特に有利には４個から７個，とりわけ有利には５個のカット面を有している（図２）。超硬合金セグメントのすべてのエッジ（６）は、この超硬合金セグメントでのエッジの欠損を回避するために、有利には２mmから５mmのエッジ半径となるよう面取りされている。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年3月30日(2012.3.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５８】
本方法に好適な典型的なポリイソシアネートは、第１の群から、および第２の群から選択される（壁形成物質−アセチレンカルバミドを除く−としての２種類のイソシアネートの混合物には、各群の１種類のイソシアネートを選択しなければならず、常に各群の少なくとも１種類のイソシアネートがなければならないが、この領域の分かりにくい用語法のため、「芳香族と脂肪族」という本発明の簡単な区分と異なる他の分類を示す）：
１群［本発明では「芳香族」と称される］−（置換された）ベンゼン（ｂｅｎｃｅｎｅ）環に直接結合したＮＣＯ基を有する：
１，３−および／または１，４−フェニレンジイソシアネート、２，４−、２，６−トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）、粗ＴＤＩ、２，４’−、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）、粗ＭＤＩ、４，４’−ジイソシアネートビフェニル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジイソシアネートビフェニル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジイソシアネートジフェニルメタン、ナフチレン−１，５−ジイソシアネート、トリフェニルメタン−４，４’，４’’−トリイソシアネート、ｍ−およびｐ−イソシアネートフェニルスルホニルイソシアネート、ポリアリールポリイソシアネート（ＰＡＰＩ）、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート（ＰＭＤＩ）および１群のイソシアネートの誘導体およびプレポリマー。
２群［本発明ではそれらは全て「脂肪族」と称される］−（置換された）ベンゼン環に直接結合していないＮＣＯ基を有する：
脂肪族イソシアネート：エチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）、テトラメチレンジイソシアネート、ドデカメチレンジイソシアネート、１，６，１１−ウンデカントリイソシアネート、２，２，４−トリメチルヘキサ−メチレンジイソシアネート、リシンジイソシアネート、２，６−ジイソシアネートメチルカプロエート、ビス（２−イソシアネートエチル）フマレート、炭酸ビス（２−イソシアネートエチル）、２−イソシアネートエチル−２，６−ジイソシアネートヘキサノエート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート（ＴＭＤＩ）、ダイマー酸ジイソシアネート（ＤＤＩ）、
脂環式ポリイソシアネート：イソホロンジイソシアネート（ＩＰＤＩ）、ジシクロヘキシルジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート（Ｈ−ＭＤＩ）、シクロヘキシレンジイソシアネート、水素化トリレンジイソシアネート（ＨＴＤＩ）、ビス（２−イソシアネートエチル）−４−シクロヘキセン−１，２−ジカルボキシレート、２，５−および／または２，６−ノルボルナンジイソシアネート、
炭素数８〜１５の芳香脂肪族ポリイソシアネート：ｍ−および／またはｐ−キシリレンジイソシアネート（ＸＤＩ）、α，α，α，α−テトラメチルキシリレンジイソシアネート（ＴＭＸＤＩ）
脂環式ポリイソシアネート：エチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）、テトラメチレンジイソシアネート、ドデカメチレンジイソシアネート、１，６，１１−ウンデカントリイソシアネート、２，２，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、リシンジイソシアネート、２，６−ジイソシアネートメチルカプロエート、ビス（２−イソシアネートエチル）フマレート、炭酸ビス（２−イソシアネートエチル）、２−イソシアネートエチル−２，６−ジイソシアネートヘキサノエート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート（ＴＭＤＩ）、ダイマー酸ジイソシアネート（ＤＤＩ）、
および２群のイソシアネートの誘導体およびプレポリマー。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年2月24日(2012.2.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
１つのスクリュー軸を有する可塑化ユニットに使用するための混練エレメント（１）であって、少なくとも３つの混練ユニット（２）を有しており、前記混練ユニット（２）が１つの共通の軸としてのスクリュー軸上に配置可能である形式のものにおいて、
前記混練ユニット（２）の幅（ｂ）が処理方向で増大しており、かつ部分的には互いに相前後して配置された前記混練ユニット（２）の幅が同じであり、それによって、可塑化しようとする材料のための剪断力が処理方向で増大することを特徴とする、スクリューエレメント。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
スクリュー押出機又は射出成形機において設けられているような可塑化ユニットでプラスチックを処理する場合、種々異なる方法（処理若しくはプロセス）が用いられる。このような方法のうちの１つは、コンパウンディング（混成）である。つまり、充填材又は補強材の混合、塗料又は顔料の処理、種々異なる材料例えばプラスチック又はエラストマーの混合、反応性プロセス等である。すべての方法は、同方向又は逆方向で回転するスクリューを有する２軸又はそれ以上の軸を有する押出機によって行われる。可塑性材料を溶融させるために、スクリューによって剪断エネルギーが材料内にもたらされる。スクリューはいわゆる複数のスクリューエレメントを有しており、これらのスクリューエレメントは、しばしば多条スクリューとして構成されている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
混練ユニットの幅は処理方向で全体的に次第に増大している。これによって、可塑化しようとする材料の剪断も処理方向で増大する。処理方向として、可塑化しようとする、かつ／又は可塑化された材料がほぼ搬送される可塑化ユニットの方向性が規定される。しかしながら混練ユニットの幅の可変性の連続は、常に増大させる必要はなく、部分的には同じであってよい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
特に有利な形式で、混練ユニット幾何学形状は、可塑化しようとする材料の剪断が連続的に得られるように、構成されている。これは、剪断の導入が大規模に突然行われるのではなく、滑動的に例えば次第に増大するように行われる、という点で特に有利である。機械的には、このような実施態様は特に有利である。何故ならば、エレメントの負荷は、局所的かつ暴力的に狭く限定された領域で行われるよりは、むしろ比較的長い行程に亘って次第に増加するからである。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
混練エレメント１は複数の混練ユニット２より構成されており、これらの混練ユニット２は、図示の実施例では互いに堅固に結合されている。混練ユニット２は、１つの共通の軸上に配置することができる。このために、混練ユニット２は歯列を有しており、この歯列は、スクリュー軸に形成された歯列と噛み合い、それによって混練エレメントはスクリュー軸にほぼ相対回動不能に固定される。混練ユニット１２は、２つの直径Ｄｉ及びＤａによって、つまり直径Ｄ１若しくはＤ２，Ｄ３又はＤ４によって規定された幾何学形状を有している。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
この場合、相前後して配置された２つの混練ユニット２の幾何学形状は異なっている。図１に示した混練エレメントにおいては、外径Ｄａが処理方向で増大している。つまり、この実施例では最小の直径Ｄ１を有する混練ユニット２が搬入ゾーンの方向で最も近い所に配置されていて、外径Ｄ４を有する混練ユニット２が、搬出ゾーンの方向で最も遠くに配置されている。つまり、図示の実施例では、外径Ｄ４は外径Ｄ３よりも大きく、外径Ｄ３は外径Ｄ２よりも大きい。外径Ｄ１は外径Ｄ２よりも小さい。即ちＤ１＜Ｄ２＜Ｄ３＜Ｄ４である。この場合、混練エレメント１の内径Ｄｉは一定である。どのような構成においても、内径Ｄｉが相応に、又は外径Ｄａとは異なって可変であることが考えられる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
図３は、可変なウエブ幅を備えた本発明による混練エレメントを示す。つまり混練ユニット２は異なる幅ｂを有している。この実施例では、直径比Ｄａ／Ｄｉは一定である。さらに、外径Ｄａが同様に一定であることを考慮する必要がある。混練ユニット２の幅ｂは、処理方向で次第に増大している。これによって、混練エレメント１の幅Ｂに亘っての材料の剪断は高められる。この具体的な実施例では、この混練エレメント１において搬入ゾーンに向かう方向で最も近くに配置された混練入ニット２の幅ｂ１は、幅ｂ２よりも小さい。また幅ｂ２は幅ｂ３よりも小さい。隣の混練ユニット２の幅ｂ４は、すぐ前の混練ユニット２の幅ｂ３よりも大きい。また、この混練ユニット２に関連して搬出ゾーンの方向で最も遠い位置に配置された混練ユニット２の幅ｂ５は、幅ｂ４よりも大きい。つまりｂ１＜ｂ２＜ｂ３＜ｂ４である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年10月5日(2012.10.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細胞死を引き起こす疾患、障害または症状の治療および／または予防のための、肝臓内、皮内、経皮、筋肉内、腹腔内、静脈内、皮下、経口、硬膜外、局所または鼻腔内経路で投与される医薬品の製造における、カスパーゼ−８、もしくはその前駆体、ムテイン、融合タンパク質、機能的誘導体またはそれらの塩の使用であって、
該ムテインが、カスパーゼ−８のアミノ酸配列中の３０個以下のアミノ酸の挿入および／または欠損を含むアミノ酸配列からなるタンパク質であって、該挿入および／または欠損が機能的立体構造に重要であるアミノ酸を除去または置き換えず、かつ、カスパーゼ−８の機能を変化させることのないものであるタンパク質であり、
該融合タンパク質がカスパーゼ−８またはそのムテインを含むタンパク質であり、
該機能的誘導体が、残基上の側鎖に存在しているかまたはＮ−もしくはＣ−末端基へ添加される官能基から製造されるカスパーゼ−８の誘導体、および、変化がカスパーゼ−８を構成しているアミノ酸の配列中に導入されているカスパーゼ−８から構成されるマルチマーであって、該変化がカスパーゼ−８分子の延長もしくは切断、またはカスパーゼ−８の１もしくは複数のアミノ酸の欠損または置換であり、かつ、該変化がカスパーゼ−８の特性に影響を与えないものであるマルチマーからなる群から選択される使用。
【請求項２】
前記細胞および／または死細胞の除去に関与する細胞が、細胞外カスパーゼ−８による調節または他の細胞によって遊離され得るかもしくは細胞外カスパーゼ−８に応答して活性化され得る分子による調節に反応性である請求項１記載の使用。
【請求項３】
細胞外カスパーゼ−８による調節が、細胞内の一酸化窒素（ＮＯ）レベルおよび／または産生および／または分泌の増加によって表される請求項２記載の使用。
【請求項４】
細胞がリンパ球および／またはマクロファージである請求項１〜３のいずれかに記載の使用。
【請求項５】
細胞がリンパ球である請求項４記載の使用。
【請求項６】
細胞がＴリンパ球である請求項５記載の使用。
【請求項７】
細胞がマクロファージである請求項４記載の使用。
【請求項８】
疾患、障害または症状が、敗血症性ショック、急性肝炎、移植片対宿主病、ＡＩＤＳ、糖尿病および甲状腺炎から選択される請求項１〜７のいずれかに記載の使用。
【請求項９】
疾患が敗血症性ショックである請求項８記載の使用。
【請求項１０】
疾患、障害または症状の治療および／または予防のための、肝臓内、皮内、経皮、筋肉内、腹腔内、静脈内、皮下、経口、硬膜外、局所または鼻腔内経路で投与される医薬品の製造における、カスパーゼ−８、もしくはその前駆体、ムテイン、融合タンパク質、機能的誘導体またはそれらの塩の使用であって、該疾患、障害もしくは症状の病因または経過が、ＮＯのレベルの変化と関連するか、または反応性である使用であり、かつ、
該ムテインが、カスパーゼ−８のアミノ酸配列中の３０個以下のアミノ酸の挿入および／または欠損を含むアミノ酸配列からなるタンパク質であって、該挿入および／または欠損が機能的立体構造に重要であるアミノ酸を除去または置き換えず、かつ、カスパーゼ−８の機能を変化させることのないものであるタンパク質であり、
該融合タンパク質がカスパーゼ−８またはそのムテインを含むタンパク質であり、
該機能的誘導体が、残基上の側鎖に存在しているかまたはＮ−もしくはＣ−末端基へ添加される官能基から製造されるカスパーゼ−８の誘導体、および、変化がカスパーゼ−８を構成しているアミノ酸の配列中に導入されているカスパーゼ−８から構成されるマルチマーであって、該変化がカスパーゼ−８分子の延長もしくは切断、またはカスパーゼ−８の１もしくは複数のアミノ酸の欠損または置換であり、かつ、該変化がカスパーゼ−８の特性に影響を与えないものであるマルチマーからなる群から選択される使用。
【請求項１１】
疾患、障害または症状が、敗血症性ショック、肝炎、血栓症、狭心痛、勃起不全、高コレステロール血症、創傷および血管炎症から選択される請求項１０記載の使用。
【請求項１２】
カスパーゼ−８、もしくはその前駆体、ムテイン、融合タンパク質、機能的誘導体またはそれらの塩および薬学的に許容され得る担体を含む、細胞の死を引き起こす疾患、障害または症状の治療および／または予防のための医薬組成物であって、
該医薬組成物が肝臓内、皮内、経皮、筋肉内、腹腔内、静脈内、皮下、経口、硬膜外、局所または鼻腔内経路で投与され、かつ、
該ムテインが、カスパーゼ−８のアミノ酸配列中の３０個以下のアミノ酸の挿入および／または欠損を含むアミノ酸配列からなるタンパク質であって、該挿入および／または欠損が機能的立体構造に重要であるアミノ酸を除去または置き換えず、かつ、カスパーゼ−８の機能を変化させることのないものであるタンパク質であり、
該融合タンパク質がカスパーゼ−８またはそのムテインを含むタンパク質であり、
該機能的誘導体が、残基上の側鎖に存在しているかまたはＮ−もしくはＣ−末端基へ添加される官能基から製造されるカスパーゼ−８の誘導体、および、変化がカスパーゼ−８を構成しているアミノ酸の配列中に導入されているカスパーゼ−８から構成されるマルチマーであって、該変化がカスパーゼ−８分子の延長もしくは切断、またはカスパーゼ−８の１もしくは複数のアミノ酸の欠損または置換であり、かつ、該変化がカスパーゼ−８の特性に影響を与えないものであるマルチマーからなる群から選択される医薬組成物。
【請求項１３】
敗血症性ショック、急性肝炎、移植片対宿主病、ＡＩＤＳ、糖尿病および甲状腺炎から選択される疾患、障害または症状の治療のための請求項１２記載の医薬組成物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９５】
本発明によるムテインにおける好ましい変化は、「保存的な（conservative）」置換として知られているものである。カスパーゼの保存的なアミノ酸置換には、群のメンバー間での置換が分子の生物学的機能が保存するような十分に類似の生理化学的特徴を有する群内の同義的アミノ酸が含まれてもよい（Grantham Science.1974 Sep 6;185(4154):862-4）。アミノ酸の挿入および欠損もまた、それらの機能を変化させることなしに、特に挿入または欠損が、少数のアミノ酸、例えば３０以下、好ましくは１０以下のアミノ酸のみに関与し、機能的立体構造に重要であるアミノ酸、例えばシステイン残基を除去または置き換えないのであれば、上記で定義された配列内で実施されてもよいことは明らかである。そのような欠損および／または挿入によって産生されたタンパク質およびムテインは、本発明の範囲内に含まれる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年2月1日(2012.2.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
以下説明される本発明の実施態様において、大きい振幅の急速に変動する場が、高圧高周波発生器（以下、Ｈ．Ｔ．Ｈ．Ｆ）を用いて得られる。Ｈ．Ｔ．Ｈ．Ｆ波発生器に、Ｈ．Ｔ．Ｈ．Ｆ負荷が結びつけられる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
高電圧および小さい強度で作動するＨ．Ｔ．Ｈ．Ｆ発生器および負荷は通常、高いインピーダンスを呈する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
本発明による装置は、以下の少なくとも２つの離れた部分で構成される：
−少なくとも１つのＨ．Ｔ．Ｈ．Ｆ発生器と、この発生器に電気的に連結されその役割が周囲の媒質、場合によっては真空に、電気エネルギーを充填する複数の電極とで構成されるエネルギー生成装置、
−少なくとも１つのＨ．Ｔ．Ｈ．Ｆ負荷および場合によってはこの負荷に電気的に連結された電極で構成されるエネルギー消費装置。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
本発明によるＨ．Ｔ．Ｈ．Ｆ負荷は、Ｈ．Ｔ．Ｈ．Ｆ発生器の装置に類似した装置であり、必要に応じて、負荷は、それらが可逆的である場合に、低圧装置に給電するために発生器と同じ技術を用いる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
発生器側と同様に負荷側にも用いられる技術が可逆的である場合、装置全体が可逆的であり、エネルギーは２つの方向に無差別に流れ得るということになる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
位相のずれを受ける複数の電極で構成されない単純なシステムを考える場合、Ｈ．Ｔ．Ｈ．Ｆ発生器は、必要に応じてＨ．Ｔ．Ｈ．Ｆ負荷のように、放射損失を回避するために、好適には発生器から短距離に配置された２つのタイプの電極に導線により連結される。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
図１は、生成／消費の考え得る組み合わせを示す。Ｈ．Ｔ．Ｈ．Ｆ発生器（１）が、一方では大きいサイズの受動電極（２）（図１ａ）またはアース（リザーバ電極）（図１ｂ）に連結され、他方ではエネルギーが集中する強い場のゾーン（４）を生成するより小さいサイズの能動電極（３）（発生電極）に連結されている。高インピーダンス負荷（５）としては、一方では場が強いゾーン中に置かれた小さいサイズの電極（６）（起電電極）に連結され、他方では場がより弱いゾーン中に置かれた好ましくはより大きいサイズの電極（７）（受動電極）に連結されている。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
インピーダンスの適合を必要とする負荷の事例においては、本発明の範囲内において、最低でも２つの能動電極があり、一方は生成装置側、すなわち発生電極、他方は消費装置側、すなわち起電電極である。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
イオン化された低圧媒質、非常に抵抗性の固体材料または特定の半導体のような、高いインピーダンスを必然的に呈する負荷の事例では、そのような負荷は任意に、追加の電極との接続を必要とすることなく、強い場のゾーン中に置かれる。そのような事例では、電極の役割を果たすのは、そのような媒質の物理限界である。従って、エンベロープ中のイオン化ガスのような必然的にインピーダンスが高いＨ．Ｔ．Ｈ．Ｆ負荷に遠隔給電し、発生器の端子の一方に連結されたアースを利用する事例では、必要な発生器の他方の端子に連結されたただ１つの電極しかない。この唯一の電極は、必然的に発生電極である。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
図２は、Ｈ．Ｔ．Ｈ．Ｆ負荷の内部組成についての考え得る種々の状況を示す。
−図２ａは、整流装置（図示せず）に任意に結合された誘導形変圧器（８）の使用により低インピーダンス最終負荷（９）に給電することが可能になる事例を示す。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
−図２ｂは、Ｈ．Ｔ．Ｈ．Ｆ負荷が、必然的に強いインピーダンスを呈する構成要素で単純に構成されている事例を示す。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
−図２ｃは、Ｈ．Ｔ．Ｈ．Ｆ負荷が、誘電性固体エンベロープ（１６）中に含有される低圧イオン化ガス（１５）で構成されている事例を示す。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
図３は、本発明のより洗練された実施態様を示す。
−図３ａは、追加の変調装置（１１）が、消費装置側で電圧降下変圧器（８）と低電圧負荷（９）との間に挿入されている事例を示す。消費装置側の増幅装置（１２）に連結されたこの変調装置により、エネルギーの移送方向と反対方向への情報の同時移送が可能になる。情報は、消費装置側に置かれた制御および管理装置（１３）により発生され、発生装置側で昇圧変圧器（８）とパワー源（１０）との間に置かれた第２の変調装置に連結された同様の構成により、消費装置のエネルギー要求にパワー源が適応することが可能になる。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５５】
本発明の１つの実施態様において、生成装置は、負荷がエネルギーをもはや必要としなくなると、消費装置との情報リンクを中断することなく発生電極に印加される電圧の平均振幅を大きく減少させることにより自動的に待機状態になる。生成装置と消費装置との間の間欠的な問い合わせにより待機状態はいっそう推進される。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６５】
【図１】生成／消費の考え得る組み合わせを示す図である。
【図２】Ｈ．Ｔ．Ｈ．Ｆ負荷の内部組成についての考え得る種々の状況を示す図である。
【図３】本発明のより洗練された実施態様を示す図である。
【図４】可動消費装置が空間中のその角度位置と無関係に給電されたままになるように、内部的に切り換えられる４つの電極のセット（図示せず）が用いられる事例を示す図である。
【図５】ただ１つの生成装置から複数の消費装置への短距離でのエネルギー分配についての実施態様を示す図である。
【図６】中距離または長距離でのエネルギー配分についての考え得る実施態様を示す図である。