【事件の表示】
　平成　８年特許願第１０５０９９号「磁気抵抗性読取り／書込み薄膜ヘッド積層体」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年１１月２９日出願公開、特開平　８−３１５３２２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　　　　　平成　８年　４月２５日
　（優先権主張　米国　　　　　１９９５（平成７）年　５月１０日）
　審査請求　　　　　　　　　　　　　　　平成１１年１２月　２日
　拒絶理由通知　　　　　　　　　　　　　平成１３年　３月２３日
　手続補正書１・意見書　　　　　　　　　平成１３年　６月２６日
　拒絶査定　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年　７月２６日
　審判請求　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年　９月２１日
　手続補正書２　　　　　　　　　　　　　平成１３年　９月２１日
　前置報告　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年１２月１４日
　補正却下（手続補正書２）　　　　　　　平成１４年１１月　６日
　拒絶理由通知　　　　　　　　　　　　　平成１４年１２月２６日
　手続補正書３・意見書　　　　　　　　　平成１５年　２月１７日
　
２　本願発明
　本件出願の特許請求の範囲請求項１〜９に係る発明は、上記手続補正３により補正された特許請求の範囲請求項１〜９に記載された事項により特定されたものであり、そのうち請求項１に係るものは次のとおりである。
「【請求項１】　
　磁性基層上に配置された１個の磁気抵抗型読取り素子と、該読取り素子上に素子間絶縁スペーシング層を介して積層され多巻回の導線コイルを含む１個の電磁性書込み素子とから成る読み書き機能のヘッド素子モジュールの複数個を含み走行テープ媒体に関してテープ・ヘッド面に沿って読取りおよび書込みを行う磁気抵抗型読取り／電磁型書込み薄膜テープ・ヘッドであって、前記読取り素子が、所定の形態の蒸着軟磁性体層と、該軟磁性体層の各側に当接してピン止めバイアス磁界を与える蒸着硬磁性体層とを含み、前記書込み素子が、磁気ギャップにより離隔した磁極端を有する２個の蒸着磁極片層を含み、さらに、前記導線コイル層が、硬化フォトレジスト層により被覆され、前記ヘッド面から後退した位置で前記磁極片層の一方の上に配置されている読み／書き薄膜テープ・ヘッドにおいて、
　前記素子間絶縁スペーシング層は、上側および下側の蒸着絶縁物層により挟まれ、接地電位に接続された蒸着耐摩耗シールドから成り、　そして、
　前記素子間絶縁スペーシング層および前記書込み素子は、前記読取り素子に関してリソグラフィ的に位置決めされパターン付けされている、
　ことを特徴とするヘッド積層体。（以下、本願発明という。）」
　
３　引用例
（１）　引用例１
ａ　当審の拒絶理由に引用された、本件優先権主張日前公知の刊行物である国際公開ＷＯ９４／０５００７（特表平８−５００４６２号参照）（以下、引用例１という。）には、耐摩耗性シールドを読み取りエレメントと書き込みエレメントの間に設けることが示されており、次の記載がある。なお、引用例１は英文の刊行物であるので、日本語及び参照頁は特表平８−５００４６２号公報に記載されたものを用いた。
　
ｂ　特許請求の範囲請求項５に、
「５．第１サブアセンブリ（５２０）と、第２サブアセンブリ（５３０）と、ハード・ブロック（４９４）とを備えた両走行方向テープ用薄膜式ヘッド・アセンブリであって、
　上記第１サブアセンブリ（５２０）は、第１基層（４８２）と、該基層上に形成され複数の薄膜からなる第１薄膜構成部（４８４）と、該薄膜構成部を覆う第１絶縁層（４９０）とを備え、第１薄膜構成部は、複数の読み取り用エレメントからなる第１読み取り用エレメント（４８６）と、複数の書き込み用エレメントからなる第１書き込み用エレメント（４８８）とを備え、
　上記第２サブアセンブリ（５３０）は、第２基層（５０６）と、複数の薄膜からなる第２薄膜構成部（５００）と、該薄膜構成部を覆う第２絶縁層（４９８）とを備え、第２薄膜構成部は、複数の書き込み用エレメントからなる第２書き込み用エレメント（５０２）と、複数の読み取り用エレメントからなる第２読み取り用エレメント（５０４）とを備え、
　上記ハード・ブロック（４９４）は、走行する磁気テープによる摩耗に対して該ヘッド・アセンブリの耐摩耗性を向上させるべくヌープ硬度尺度で少なくとも８００の硬度を有しかつ上記第１，２サブアセンブリの間に設けられ、上記第１，２サブアセンブリは、第１サブアセンブリの実質的にすべての読み取り用エレメントが磁気テープのヘッド・アセンブリを通過する走行方向に沿って第２サブアセンブリの各書き込み用エレメントに対して整列するように方向付けられ、第１サブアセンブリのすべての書き込み用エレメントは、上記走行方向に沿って第２サブアセンブリの各読み取り用エレメントに対して整列する、テープの両走行方向において読み／書き自在な両走行方向テープ用薄膜式ヘッド・アセンブリ（５８０）。」と記載され、
　
ｃ　第１２頁最終行〜第１５頁第２２行に、
「図２は、本発明に係るシングル・ヘッド３０を側面方向から示した横断面図である。このヘッド３０は、読み取り用モジュール３２と、書き込み用モジュール５２とを備えている。（不図示の）磁気テープは、読み書きを実行するために、右から左方向へテープ・ヘッド３０の上面を移動するであろう。この読み取り用モジュール３２は、基層３４と、薄膜構成部５７と、膜厚が大きい絶縁層４８とからなる。この薄膜構成部５７は、薄膜の第１絶縁層３６と、磁気抵抗性（ＭＲ）感知層３８と、第１伝導層４０と、第２伝導層４２と、薄膜の第２絶縁層４４と、シールド層４６とからなる。上記基層３４は、磁性セラミクス若しくは非磁性セラミクスを含むことができる。好ましい磁性セラミクスは、たとえば、ＮｉＺｎ（フェライト）の如く、保磁性が低く、高磁性モーメントと高透磁率とを有するセラミクスである。しかしながら、もし、基層３４が非磁性セラミクスを有する場合、該基層は、また、セラミクス層と、膜厚が小さい第１絶縁層３６との間に（不図示の）磁性層を備えなければならない。この磁性層は、ＮｉＦｅ（パーマロイ）、コバルト・ジルコニウム・ニオブ（ＣＺＮ）、コバルト・ジルコニウム・タンタル（ＣＺＴ）、若しくはＡｌＦｅＳｉから形成することができる。
　好ましい非磁性セラミクスは、ヌープ硬度尺度で約１８００の硬度を有するＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣを含む。好ましいＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣセラミクスは、ミネソタ州セン卜・ポールにある３Ｍから入手可能な「３Ｍセラミクス２１０」である。このセラミクスは、チタン・カーバイドの粒子を約３０重量％含んでいる。
　上記基層３４は、上記ＭＲ感知層３８に対する低磁気シールド又は最初の磁気シールドとして機能する。このシールドにより、検知されるテープの部分に密接する隣接転移部からの磁束がＭＲ感知層３８に達することが防止されると共に、該磁束がテープからの信号を損なうことが防止される。
　この３つの絶縁層３６，４４，４８は、非磁性材料又は非伝導材料であることが好ましい。この３つの絶縁層３６，４４，４８は、酸化アルミニウムＡｌ２Ｏ３から形成することができる。この３つの絶縁層３６，４４，４８は、しかしながら、ダイヤモンド状の炭素、具体的には、水素と化合した非結晶質の炭素（ａ−Ｃ：Ｈ）から形成することが好ましい。ダイヤモンド状の炭素は、炭素の１非結晶質形態であり、程度が大きいｓｐ３ボンディングを有している。このため、炭素材料は、ダイヤモンドの種々の物理的性質を有している。たとえば、非結晶質炭素（ａ−Ｃ）や、イオン・ビーム形成炭素（ｉ−Ｃ）や、ダイヤモンド又は非結晶質ダイヤモンド等の他の材料を使用することもできる。読み取り用モジュール３２の特定の構成に対応するように、膜厚が小さい第１，２絶縁層３６，４４は、０．０５〜０．５μｍの厚さのものを使用できる。膜厚が大きい絶縁層４８は、上記第１，２絶縁層３６，４４よりもずっと大きい膜厚を有するものであることが好ましく、これにより、平坦に形成することができ、しかも、０．２μｍから数百μｍの膜厚に形成できる。
　上記ＭＲ感知層３８は、磁気テープ信号による磁場が変化したとき、抵抗が変化して信号を発生する。このＭＲ感知層３８は、約８０％のニッケルと、約２０％の鉄とからなるＮｉＦｅ（パーマロイ）から形成されることが好ましい。
　上記シールド層４６は、保磁性が小さく、しかも磁気飽和モーメントが大きい磁性材料から形成されることが好ましい。このシールド層４６は、その厚さが２〜６μｍであることが好ましく、ヌープ硬度尺度で硬度が５００以下のＮｉＦｅ（パーマロイ）から形成されることができる。このシールド層４６は、しかしながら、ヌープ尺度で６００−９００の硬度を夫々有するＦｅＴａＮやＣｏＺｎＮｂ等のより硬い材料から形成されることが好ましい。
　上記第１伝導層４０は、０．０４〜０．１０μｍの厚さを有することが好ましく、たとえば、チタンや、タンタルや、ニオブや、クロム等の高抵抗を有するコンダクタから形成される必要がある。第１伝導層４０を流れる電流により、磁気バイアスが与えられ、該磁気バイアスにより、ＭＲ感知層３８を殆どのリニア・レンジにおいて作動させるようになっている。第２伝導層４２は、０．１〜０．３μｍの厚さを有することが好ましく、金や、銅や、アルミニウム等の低抵抗のコンダクタから形成される必要がある。この第２伝導層４２により、層３８，４０の感知部と、（不図示の）ターミネーション・パッドとの間に低抵抗路が提供される。第２伝導層４２は、単一ヘッド３０の磁気テープ接触面方向上向きに延在していない。
　図２に示すように、書き込み用モジュール５２は、基層５４と、薄膜構成部６７と、膜厚が大きい絶縁層６８とからなる。この薄膜構成部６７は、膜厚が小さい第１絶縁層５６と、伝導層５８と、必要に応じて設けられる平滑層６０と、膜厚が小さい第２絶縁層６４と、ポール層６６とからなる。基層５４は、読み取り用モジュール３２の基層３４と同一材料から形成されることが好ましい。該基層５４は、書き込み用モジュール５２に対して底磁気ポール又は最初の磁気ポールとして機能する。
　膜厚が小さい上記第１，２絶縁層５６，６４は、上記読み取り用モジュール３２の膜厚が小さい第１，２絶縁層３６，４４と同一材料から形成されることが好ましい。膜厚が大きい絶縁層６８は、読み取り用モジュール３２の膜厚が大きい絶縁層４８と同一材料から形成されることが好ましく、また、膜厚が大きい該絶縁層４８と同様に、その膜厚は、平坦に形成されることができるように、膜厚が小さい第１，２絶縁層３６，４４よりも遥に大きいことが好ましい。
　伝導層５８は、モジュール３２の第２伝導層４２と同一材料から形成されることができる書き込み用コイルからなる。平滑層６０は、フォトレジストであることが好ましい。ポール層６６により、磁界は、書き込み用コイルから案内されて（たとえば、テープやディスク等の）磁気メディア上に書き込まれる。ポール層６６は、読み取り用モジュール３２のシールド層４６と同一材料から形成されることが好ましい。上記層のすべて又はその一部は、図２に示した横断面に対して交わる方向にパターン化されることができる。読み取り用モジュール３２の膜厚が大きい絶縁層４８は、エポキシ層５０により、モジュール５２の膜厚が大きい絶縁層６８に結合される。このエポキシ層５０は、可能な限り小さい膜厚を有するべきである。」と記載され、
　
ｄ　第１６頁第２１行〜第１７頁第１９行に、
「本発明に係るヘッド３０は、以下のようにして構成される。すなわち、層３６〜４８は、基層３４上に順次積層される。次いで、層５６〜６８は、基層５４上に順次積層される。柔軟なリードが、各モジュールに接続される。次いで、読み取り用モジュール３２と書き込み用モジュール５２とが、膜厚が大きい絶縁層４８を膜厚が大きい絶縁層６８にエポキシ５０により接合することにより、互いに組み立てられる。
　図４Ａ〜４Ｄは、薄膜構成部を基層上に形成するための方法を示している。該図は、書き込み用モジュール５２に対する形成方法を示しているが、同一の形成方法を用いて、読み取り用モジュール３２を形成することができる。まず初めに、０．２〜０．３ｍｍの深さの複数のリリーフ・スロットが、エッチング又は機械的にウェハーに形成され、これにより、柔軟なケーブルが接続できるようにしている。また、これにより、隆起した複数のリッジが形成される。図４Ａは、ウェハー６１の横断面である。このウェハー６１は、基層５４と同一材料から形成されることができる。基層５４に類似の数百の基層は、この単一ウェハー６１から形成されることができる。
　次いで、膜厚が大きく、大きな構成を有するコンダクター若しくはリード６３が、典型的なマスキング技術及び沈積技術により、ウェハー６１のエッチング面に形成される。ウェハー６１には、典型的にフォトリジストである平滑層６５が塗布され、これにより、図４Ａに示す如く、ウェハーのリリーフ・スロットが充填される。
　次いで、平滑層６５は、図４Ｂに示すように、ウェハー６１の水準に達するように、ラッピング又は研磨され、これにより、リード６３のコンタクトは露出し、基層６１のリッジ上に位置するリード６３の部分が取り除かれる。次いで、ウェハー６１上に、薄膜構成部６７が、図４Ｃに示す如くリード６３の露出部に接するように沈積される。平滑層６５は、洗い流されるか、若しくは、エッチングで除去される。そして、カッコ６２に示すように、第３絶縁層６８が、リード６３上及び薄膜構成部６７上に沈積され、それらを保護する。」と記載され、
　
ｅ　第１７頁第２５行〜第１８頁第２４行に、
「　図６は、本発明の１実施例に係り、ヘッドの摩耗が減じられるヘッド７０を示す。読み取り用モジュール３２と、書き込み用モジュール５２との中間に、ハード・ブロック６９が備えられている。このブロック６９は、摩耗に対して高い抵抗性を有する必要がある。このブロック６９は、基層３４，４４と同一材料から形成することができる。この材料としては、たとえば、ヌープ硬度で８００以上の硬さを備えたフェライトや、ヌープ硬度で約１８００の硬さを備えたＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ等の、より硬い材料を用いることができる。このハード・ブロック６９は、フェライト等の磁性材料からなる場合、書き込み実行時において、読み取りエレメントに対する電磁シールドとして使用されることができる。このブロック６９は、約０．１３〜０．２６ｍｍの厚さを有することができる。このブロック６９は、膜厚が大きい絶縁層４８と６８との間に設けられ、エポキシ層４９，５１により、夫々、該層４８，６８に結合されている。ブロック６９に補助されて、リード５９と６３との間に間隔が形成される。
　図７は、本発明の１実施例に係るヘッド・アセンブリ８０の上部を描写的に示した図である。書き込み用エレメントは、図中、四角形状のボックスにより示しており、また、読み取り用エレメントは、図中、直線により示している。このヘッド・アセンブリ８０は、図２，３に示したヘッド３０に類似のヘッド１２０，１３０から構成されている。ヘッド１２０は、書き込み用モジュール８４と、読み取り用モジュール８２とから構成されており、該両モジュール８２，８４は、エポキシ層９０により、互いに結合されている。この読み取り用モジュール８２は、基層１０２と、膜厚が小さい薄膜からなる薄膜構成部１２２と、膜厚が大きい厚膜層１１２とからなる。この薄膜構成部１２２は、少なくとも１つの読み取り用エレメントを有する。図７は、４つの読み取り用エレメント９２を示している。
　上記書き込み用モジュール８４は、基層１０４と、膜厚が小さい薄膜からなる薄膜構成部１２４と、膜厚が大きい絶縁層１１４とから構成されている。この薄膜構成部１２４は、少なくとも１つの書き込み用エレメント９４を備える。図７は、４つの書き込み用エレメント９４を示している。」と記載されている。
　
ｆ　上記ｅにおいても、上記ｃの「読み取り用モジュール３２」及び「書き込み用モジュール５２」が用いられているものと認められる。
　即ち、引用例１には
「磁性セラミクスである基層３４と、薄膜構成部５７と、膜厚が大きい絶縁層４８とからなる読み取り用モジュール３２であり、この薄膜構成部５７は、薄膜の第１絶縁層３６と、磁気抵抗性（ＭＲ）感知層３８と、第１伝導層４０と、第２伝導層４２と、薄膜の第２絶縁層４４と、シールド層４６とからなり、
　膜厚が大きい絶縁層４８、膜厚が大きい絶縁層６８を介して、書き込み用モジュール５２は、底磁気ポール又は最初の磁気ポールとして機能する基層５４と、膜厚が小さい第１絶縁層５６と、書き込み用コイルからなる伝導層５８と、フォトレジストである平滑層６０と、膜厚が小さい第２絶縁層６４と、ポール層６６とからなる薄膜構成部６７と、膜厚が大きい絶縁層６８からなり、
　第１薄膜構成部（４８４）は、複数の読み取り用エレメントからなる第１読み取り用エレメント（４８６）を有し、第２薄膜構成部（５００）は、複数の書き込み用エレメントからなる第２書き込み用エレメント（５０２）を有し、磁気テープのヘッド・アセンブリを通過する走行方向に沿って複数の読み取り用エレメントからなる第１読み取り用エレメント（４８６）は、複数の書き込み用エレメントからなる第２書き込み用エレメント（５０２）に対して整列するように方向付けられた、読み／書き自在な両走行方向テープ用薄膜式ヘッド・アセンブリ（５８０）であり、
　ＭＲ感知層３８は、約８０％のニッケルと、約２０％の鉄とからなるＮｉＦｅ（パーマロイ）から形成され、
　層３６〜４８は、基層３４上に順次積層され、次いで、層５６〜６８は、基層５４上に順次積層され、
　読み取り用モジュール３２と、書き込み用モジュール５２との中間に、摩耗に対して高い抵抗性を有するように、ヌープ硬度で８００以上の硬さを備えたフェライトや、ヌープ硬度で約１８００の硬さを備えたＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ等の、より硬い材料を用い形成されたハード・ブロック６９が備えられ、ブロック６９は、膜厚が大きい絶縁層４８と６８との間に設けられ、エポキシ層４９，５１により、夫々、該層４８，６８に結合され、
　コンダクター若しくはリード６３が、典型的なマスキング技術及び沈積技術により、ウェハー６１のエッチング面に形成され、
　平滑層６５は、ウェハー６１の水準に達するように、ラッピング又は研磨され、これにより、リード６３のコンタクトは露出し、基層６１のリッジ上に位置するリード６３の部分が取り除かれ、次いで、ウェハー６１上に、薄膜構成部６７が、リード６３の露出部に接するように沈積され、第３絶縁層６８が、リード６３上及び薄膜構成部６７上に沈積された
読み／書き自在な両走行方向テープ用薄膜式ヘッド・アセンブリ」
が記載されている。
　
（２）　引用例２、引用例３
ａ　当審の拒絶理由に引用された、本件優先権主張日前公知の刊行物である特開平５−１３５３３２号公報（当審拒絶理由の引用例５、以下引用例２という。）には、軟磁性体層の各側に当接してピン止めバイアス磁界を与える蒸着硬磁性体層が示されており、その第１頁下欄【要約】【構成】に、
「【構成】  中央部感磁領域１０２と端部磁区制御領域１０３を有する強磁性体材料の薄膜からなる磁気抵抗効果膜３と、端部磁区制御領域１０３に重なって直接接する硬磁性体材料の薄膜からなる硬磁性体層１を設け、磁気抵抗効果膜３の中央部感磁領域１０２を単磁区状態に維持するために、磁界および強磁性交換結合による縦方向磁気バイアスを発生させることを特徴とする磁気抵抗効果再生ヘッド。」と記載されている。
　
ｂ　当審の拒絶理由に引用された、本件優先権主張日前公知の刊行物である特開平３−１２５３１１号公報（当審拒絶理由の引用例６，以下引用例３という。）には、同じく軟磁性体層の各側に当接してピン止めバイアス磁界を与える蒸着硬磁性体層が示されており、その第１頁左下欄【特許請求の範囲】（１）に、
「中心能動領域によって隔離された端部受動領域を有する磁気抵抗センサと、
磁性材料から形成され、実質的に前記中心能動領域上に延びる磁気抵抗導電層の薄膜と、
　硬磁性材料の第１及び第２の薄膜とを含み、
　硬磁性材料の前記薄膜がそれぞれ前記磁気抵抗導電層の一端との電気的かつ磁気点連続性を有する隣接接合部を形成しており、硬磁性材料の前記薄膜がそれぞれ実質的に前記端部受動領域の一方上にのみ延びて、前記磁気抵抗センサ中に縦方向バイアスを発生させることを特徴とする、磁気抵抗読取り変換器。」と記載されている。
　
（３）　引用例４
ａ　当審の拒絶理由に引用された、本件優先権主張日前公知の刊行物である特開平６−３０１９３８号公報（当審拒絶理由の引用例７、以下引用例４という。）には、シールド、読み出し素子を接地することが記載され、次の記載がある。
　
ｂ　【特許請求の範囲】【請求項１】に、
「  磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子に対してセンス電流を流すための電極の一方を記録媒体摺動面に露出させ、他方の電極を上記記録媒体摺動面から奥行き側に配置することによって、センス電流を上記記録媒体摺動面に対して垂直の方向に流す構造を有し、かつ上記磁気抵抗効果素子がそれぞれ軟磁性体層からなる上部シールドコア及び下部シールドコアで磁気的にシールドされた構成を有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、
上記磁気抵抗効果素子の記録媒体摺動面側先端部が上記下部シールドコアと電気的に接続され、上記下部シールドコアが接地されていることを特徴する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。」と記載され、
　
ｃ　従来の複合型薄膜磁気ヘッドについて、【０００８】〜【００１３】に、
「【０００８】そして、従来においては、上部シールドコア１０５を接地して、ＭＲ素子１０３の先端部分を接地電位（零電位）に保持することにより、動作時において磁気記録媒体の回転により生じる帯電に基づくＭＲヘッド１０１の放電破壊を回避するようにしている。
【０００９】ところで、上記ＭＲ素子１０３は、２層のＭＲ感磁層と、その間に配された非磁性層とを積層合体して構成することにより、バルクハウゼンノイズが発生しにくい構造にしている。具体的には、膜厚約４０ｎｍのＮｉＦｅ膜／膜厚約１０ｎｍのＡｌ２Ｏ３膜／膜厚約４０ｎｍのＮｉＦｅ膜を順次蒸着又はスパッタリングによって成膜してＭＲ素子１０３を形成するようにしている。
【００１０】上記ＭＲ素子１０３の形成以降は、このＭＲ素子１０３上に保護層（図示せず）としてＡｌ２Ｏ３膜を約２０ｎｍほど形成し、この保護層の上に絶縁層１０７（膜厚５００ｎｍのＳｉＯ２等）を成膜する。この絶縁層１０７上にバイアス導体１０８や摺動面ａから遠い部分の電極（以下、単に後端電極と記す）１０９を設けた後、ＭＲ素子１０３の先端部上の不要な絶縁層１０７及び上記保護層をＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等で除去してＭＲ素子１０３の先端部を露出させる。
【００１１】ＭＲ素子１０３の先端部を露出させたら、導電体で、かつ磁気的に絶縁物質であるＴｉ等からなる非磁性金属層１０６をＭＲヘッド１０１の上層ギャップとして例えば２００ｎｍほど成膜し、この非磁性導電層１０６上にＮｉＦｅめっき等で上部シールドコア１０５を形成してＭＲヘッド１０１が完成する。
【００１２】なお、このＭＲヘッド１０１上には情報信号記録用の誘導型薄膜磁気ヘッド１１０が形成される。この誘導型薄膜磁気ヘッド１１０は、上記ＭＲ素子１０３の上部シールドコア１０５（この誘導型薄膜磁気ヘッド１１０においては、下層コアを構成する）上に記録用のギャップとしてＡｌ２Ｏ３膜１１１を例えばスパッタ法にて成膜した後、奥の部分に磁気的なコンタクトホール１１２を形成する。その後、上記下層コア１０５と次工程に形成される記録コイル１１４との絶縁及び記録コイル形成面の平坦化を目的に有機材料による平坦化膜１１３を形成する。
【００１３】次に、例えばＣｕのパターンめっきにより記録コイル１１４を形成した後、この記録コイル１１４と次工程に形成される上層コア１１６との絶縁及び上層コア形成面の平坦化を目的に有機材料による平坦化膜１１５を形成する。その後、Ｆｅ−Ｎｉ等の磁気材料を例えばスパッタリングやめっきにて成膜した後、所定の形状に加工して、上層コア１１６を形成することにより、上記誘導型薄膜磁気ヘッド１１０が完成する。」と記載されている。
　
（４）　周知例
ａ　本件優先権主張日前公知の刊行物である特開昭５７−１７６５２４号公報を周知例１として示す。その第１頁右下欄第１２行〜第２頁左上欄第１行に、
「従来の薄膜磁気ヘッドは、第１図および第２図に示すように、強磁性体基板１上に導電性の良い金属を蒸着、電着、スパッタ等の方法を用いて付着させて、金属層を形成し、フォトエッチング技術を用いて触刻することにより、必要なパターンを形成して導電体層２を作り、また、絶縁体層３を介して、導電体層２の一部分を覆うように、パーマロイ等の上部磁性体層４を、蒸着、電着、スパッタ等の方法およびフォトエッチング技術を用いて形成する。」と記載されている。
　本件優先権主張日前公知の刊行物である特開昭５７−１８６２２４号公報を周知例２として示す。その第１頁右下欄第１５行〜第２頁左上欄第１行に、
「この磁気抵抗効果ヘッド１は、たとえばスパッタまたは蒸着などの薄膜形成手段によって、各時季シールド層４ａ，４ｂ、各絶縁層３ａ，３ｂおよび磁気抵抗効果素子２を形成することにより製作される。」と記載されている。
　
ｂ　本件優先権主張日前公知の刊行物である特開昭６０−２４７８１８号公報を周知例３として示す。その第２頁右上欄第３行〜右下欄第１０行に、
「〔発明の実施例〕
第２図（イ）及び（ロ）は夫々この発明により製造した磁気ヘツドの１実施例を示すものであり、（１ａ），（１ｂ）はサフアイア、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ等でなる一対の非磁性基板、（２ａ），（２ｂ）は非磁性基板（１ａ），（１ｂ）の対向面に形成された磁束引込部となる金属磁性薄膜、（３）は磁性薄膜（２ａ），（２ｂ）の後端に連設されたパーマロイ等の磁気抵抗効果（ＭＲ効果）を有する磁性薄膜、（４）は非磁性基板（１ａ），（１ｂ）をその金属磁性薄膜（２ａ），（２ｂ）側で接合するガラス、（６ａ），（６ｂ）はアルミニウム等の金属導電体による磁性薄膜（３）のリード線である。
　次に、以上の構成を有する磁気ヘツドを製造するためのこの発明による製造方法を第３図乃至第７図について説明する。
　まず、第３図（イ）及び（ロ）に示すように、長方形の板状非磁性基板（１ａ）の上面にセンダスト等の耐熱性を有する金属磁性薄膜（２ａ）をスパツタ等で形成し、次いでスパツタエツチ等の写真製版技術を利用して所定の磁気媒体のトラツク幅に応じた形にパターンニングする。
　また、他方の非磁性基板（１ｂ）の上面に、第４図（イ）及び（ロ）に示く如く所定間隔でＶ字状溝（７）を形成し、これにセンダスト等の耐熱性を有する金属磁性薄膜（２ｂ）をスパツタ等で形成し、次いでスパツタエツチ等の写真製版技術を利用して所定の形にパターンニングする。
　その後、両非磁性基板（１ａ），（１ｂ）を、それらに形成した金属磁性薄膜（２ａ），（２ｂ）を対向させて配置し、ガラスボンデイング等の接合手段で第５図に示すように接合する。
　次いで、接合した基板（１ａ），（１ｂ）を、第５図で１点鎖線で示す位置で切断し、その端面を研摩して第６図に示す磁束引込コア部内蔵基板（８）を得る。
　次いで、磁束引込コア部内蔵基板（８）の裏面に、パーマロイ等のＭＲ効果を有する磁性薄膜（３）を蒸着等により形成し、次いで磁性薄膜（３）にリード線（６ａ），（６ｂ）をボンデイングして第７図に示すように目的とする磁気ヘツドを製造する。
　なお、上記実施例においては、２チヤンネルの磁気ヘツドを製造する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、第３図及び第４図における金属磁性薄膜（２ａ），（２ｂ）の幅及び数を任意に選定することにより、１チヤンネル以上任意数チヤンネルの磁気ヘツドを製造することができる。」と記載されている。
　
ｃ　本件優先権主張日前公知の刊行物である特開平６−２２３３１９号公報を周知例４として示す。その第４頁【００２７】〜【００２９】に、
「【００２７】上記図２ないし図４に示すＭＲヘッドの製造方法は、図１１（ａ），（ｂ）に示すように、加工性，耐摩耗性に優れたＡｌ２Ｏ３，ＴｉＣやＭｎ−Ｚｎフェライト等の基板１上に、基板１と電気的に絶縁を保つためＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３等で絶縁層３を薄膜形成技術（スパッタリング，真空蒸着法，電極メッキ法など）を用いて成膜し、同方法でＮｉ−Ｆｅ合金，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金，Ｃｏ系非晶質合金等を成膜して下部シールド層２を形成する。同図（ｃ）のように、下部シールド層２と電気的絶縁を保つためＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３等を成膜し下地絶縁層４を形成する。さらに、Ｎｉ−Ｆｅ系合金，Ｃｏ系非晶質合金等で軟磁性バイアス補助層５を形成する。その後、非磁性層６となるＡｌ２Ｏ３，Ｓｉ２Ｏ，Ｔａ等を成膜し、磁気抵抗素子層７となるＮｉ−Ｆｅ合金を成膜して複数層形成する。
【００２８】次に、図１２（ａ）に示すように、写真食刻技術を用い、所定形状・寸法にし、引き出し電極およびバルクハウゼンノイズ抑制の交換バイアス層８とＡｕ・Ｗ等によるリード層９を形成する。同図（ｂ）に示すように、上部絶縁層１０をＡｌ２Ｏ３，Ｓｉ２Ｏ等で成膜した後、Ｎｉ−Ｆｅ合金，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金，Ｃｏ系非晶質合金等で上部シールド層１１を形成して読み取り専用ヘッド部Ｒを作製する。この際に、磁気抵抗素子層７を含む複数層および交換バイアス層８，リード層９を形成することで、上部シールド層１１の上面に数千Å程度の“段差”が生じる。この“段差”をポリシング加工して平坦にする。ここで、金属磁性体で構成されている上部シールド層１１の加工表面に残留応力とスクラッチを残さないために、ポリシング加工を使って平坦化している。
【００２９】同図（ｃ）に示すように、Ａｌ２Ｏ３やＳｉ２Ｏ等で中間絶縁層１２を形成し、Ｎｉ−Ｆｅ合金，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金，Ｃｏ系非晶質合金等で下部磁性層１３を形成する。その後、記録ギャップ１４となるＳｉＯ等の絶縁膜を成膜し、Ｃｕ等で通電用コイル１６，上部磁性層１５および下部磁性層１３と通電用コイル１６の絶縁を保つための層間絶縁層１７を形成して、Ｎｉ−Ｆｅ合金，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金，Ｃｏ系非晶質合金等で上部磁性層１５を形成し、書き込み専用ヘッド部Ｗを作製する。さらに、素子部を保護するため、保護層１８を成膜して図２に示すような素子部を構成することができる。その後、研削加工，ラッピング加工を行い空気浮上面１９を形成することにより、図１に示すようなＭＲヘッドスライダが完成する。」と記載されている。
　
４　本願発明と引用例との対比・判断
（１）　本願発明と引用例１との対比
　引用例１の「磁性セラミクスである基層３４」は、本願発明の「磁性基層」に、同じく「読み取り用モジュール３２」は、「１個の磁気抵抗型読取り素子」に、引用例１の「書き込み用モジュール５２」は、「書き込み用コイルからなる伝導層５８」を有しており、本願発明の「多巻回の導線コイルを含む１個の電磁性書込み素子とから成る読み書き機能のヘッド素子モジュール」に夫々相当する。そして、引用例１において、「第１薄膜構成部（４８４）は、複数の読み取り用エレメントからなる第１読み取り用エレメント（４８６）を有し、第２薄膜構成部（５００）は、複数の書き込み用エレメントからなる第２書き込み用エレメント（５０２）を有し、磁気テープのヘッド・アセンブリを通過する走行方向に沿って複数の読み取り用エレメントからなる第１読み取り用エレメント（４８６）は、複数の書き込み用エレメントからなる第２書き込み用エレメント（５０２）に対して整列するように方向付けられ」ているので、「読み／書き自在な両走行方向テープ用薄膜式ヘッド・アセンブリ（５８０）」は、本願発明の「読み書き機能のヘッド素子モジュールの複数個を含み走行テープ媒体に関してテープ・ヘッド面に沿って読取りおよび書込みを行う磁気抵抗型読取り／電磁型書込み薄膜テープ・ヘッド」に相当する。
　引用例１の「ＮｉＦｅ（パーマロイ）からなるＭＲ感知層３８」は、本願発明の「読取り素子」であり「所定の形態の軟磁性体層」である。
　引用例１の「磁気ポールとして機能する基層５４」および「ポール層６６」は、「膜厚が小さい第１絶縁層５６と、フォトレジストである平滑層６０と、膜厚が小さい第２絶縁層６４」を挟んで、絶縁ギャップとしているので、本願発明の「磁気ギャップにより離隔した磁極端を有する２個の磁極片層」に相当する。
　引用例１の「硬い材料を用い形成されたハード・ブロック６９」は、「沈積され」た「膜厚が大きい絶縁層４８と６８との間に設けられ」ているので、本願発明の「素子間絶縁スペーシング層は、上側および下側の蒸着絶縁物層により挟まれ蒸着耐摩耗シールド」に相当する。
　
（２）　一致点
　してみると、本願発明と引用例１のものは、次の点で一致する
「磁性基層上に配置された１個の磁気抵抗型読取り素子と、該読取り素子上に素子間絶縁スペーシング層を介して積層され多巻回の導線コイルを含む１個の電磁性書込み素子とから成る読み書き機能のヘッド素子モジュールの複数個を含み走行テープ媒体に関してテープ・ヘッド面に沿って読取りおよび書込みを行う磁気抵抗型読取り／電磁型書込み薄膜テープ・ヘッドであって、前記読取り素子が、所定の形態の軟磁性体層と、前記書込み素子が、磁気ギャップにより離隔した磁極端を有する２個の磁極片層を含み、さらに、前記導線コイル層が、硬化フォトレジスト層により被覆され、前記ヘッド面から後退した位置で前記磁極片層の一方の上に配置されている読み／書き薄膜テープ・ヘッドにおいて、
　前記素子間絶縁スペーシング層は、上側および下側の蒸着絶縁物層により挟まれ、耐摩耗シールドから成り、
　ことを特徴とするヘッド積層体」。
　
（３）　相違点
　そして、次の点で相違している。
（相違点１）　本願発明の読取り素子が、蒸着軟磁性体層であるが、引用例１のものは蒸着とは明記されていない点、
　
（相違点２）　本願発明の軟磁性体層の各側に当接してピン止めバイアス磁界を与える蒸着硬磁性体層とをふくんでいるが、引用例１のものはピン止めバイアス磁界を与える蒸着硬磁性体層が明示されていない点、
　
（相違点３）　本願発明は、蒸着磁極片層を有しているが、引用例１のものは蒸着とは明記されていない点、
　
（相違点４）　本願発明は接地電位に接続された蒸着耐摩耗シールドを有しているが、引用例１のものは接地電位に接続されているとは明記されていない点、
（相違点５）　本願発明の素子間絶縁スペーシング層および前記書込み素子は、前記読取り素子に関してリソグラフィ的に位置決めされパターン付けされているが、引用例１のものは明記されていない点。
　
（４）　相違点の検討
（相違点１、３について）
　引用例４の従来例（上記記載（３）ｃ参照。）においても、「膜厚約４０ｎｍのＮｉＦｅ膜／膜厚約１０ｎｍのＡｌ２Ｏ３膜／膜厚約４０ｎｍのＮｉＦｅ膜を順次蒸着又はスパッタリングによって成膜してＭＲ素子１０３を形成するようにしている」と記載され、読取素子を蒸着軟磁性体層とすることは示されている。又、「Ｆｅ−Ｎｉ等の磁気材料を例えばスパッタリングやめっきにて成膜した後、所定の形状に加工して、上層コア１１６を形成する」と記載され、コア、即ち磁極片層も、蒸着にて形成することが示されている。
　周知例１〜３にも、蒸着にて形成することは示されており、軟磁性体層（ＭＲ層）及び磁極片層（コア、ポール）を蒸着にて形成することは、当業者が容易になしえたものであるので、この相違点１及び３は格別なものではない。
　
（相違点２について）
　引用例２及び引用例３に、軟磁性体層の各側に当接してピン止めバイアス磁界を与える蒸着硬磁性体層が示されており、引用例１の軟磁性体層に適用することは当業者が容易に想到できたものであると認められる。したがって、相違点２は格別なものではない。
　
（相違点４について）
　引用例４に、シールド、読み出し素子を接地することが記載されており、耐摩耗性シールドを接地電位に接続することは、当業者が容易に想到できたものであると認められる。したがって、相違点４は格別なものではない。
　
（相違点５について）
　周知例４には、「基板１と電気的に絶縁を保つためＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３等で絶縁層３を薄膜形成技術（スパッタリング，真空蒸着法，電極メッキ法など）を用いて成膜し、同方法でＮｉ−Ｆｅ合金，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金，Ｃｏ系非晶質合金等を成膜して下部シールド層２を形成する。同図（ｃ）のように、下部シールド層２と電気的絶縁を保つためＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３等を成膜し下地絶縁層４を形成する。さらに、Ｎｉ−Ｆｅ系合金，Ｃｏ系非晶質合金等で軟磁性バイアス補助層５を形成する。その後、非磁性層６となるＡｌ２Ｏ３，Ｓｉ２Ｏ，Ｔａ等を成膜し、磁気抵抗素子層７となるＮｉ−Ｆｅ合金を成膜して複数層形成する。」、「写真食刻技術を用い、所定形状・寸法にし、引き出し電極およびバルクハウゼンノイズ抑制の交換バイアス層８とＡｕ・Ｗ等によるリード層９を形成する。」と記載され、素子間絶縁スペーシング層および前記書込み素子は、前記読取り素子に関してリソグラフィ的に位置決めされパターン付けすることが示されている。したがって、相違点５は格別なものではない。
　
（相違点のまとめ）
　相違点１〜５を総合的に見ても格別なものではない。
　したがって、本願発明は、上記引用例１〜４及び周知例１〜４記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
５　まとめ
　本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであるので、他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本件は拒絶を免れ得ない。
　よって、結論のとおり審決する。