Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月23日(2003.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
澱粉質原料に、アルカリ水溶液で溶解または膨張させたカードランを添加することを特徴とするもち類または団子類の製造方法。
【請求項２】
澱粉質原料に、アルカリ水溶液で溶解または膨張させたカードランを中和したものを添加することを特徴とするもち類または団子類の製造方法。
【請求項３】
カードランが加熱凝固性β−１，３−グルカンであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のもち類または団子類の製造方法。
【請求項４】
カードランを、もち類または団子類当たり０．１〜２重量％添加することを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のもち類または団子類の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の方法により得られたもち部と、アルカリ水溶液で溶解または膨張させたカードランを含むゼリー部とよりなることを特徴とするもち入りゼリー食品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
すなわち、本発明は、
（１）  澱粉質原料に、アルカリ水溶液で溶解または膨張させたカードランを添加することを特徴とするもち類または団子類の製造方法、
（２）  澱粉質原料に、アルカリ水溶液で溶解または膨張させたカードランを中和したものを添加することを特徴とするもち類または団子類の製造方法、
（３）  カードランが加熱凝固性β−１，３−グルカンであることを特徴とする前記（１）項または前記（２）項に記載のもち類または団子類の製造方法、
（４）  カードランを、もち類または団子類当たり０．１〜２重量％添加することを特徴とする前記（１）項ないし前記（３）項のいずれか１項に記載のもち類または団子類の製造方法、
（５）  前記（１）項ないし前記（４）項のいずれか１項に記載の方法により得られたもち部と、アルカリ水溶液で溶解または膨張させたカードランを含むゼリー部とよりなることを特徴とするもち入りゼリー食品、
に関するものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の品質改良剤は、カードランアルカリ水溶液をそのまま用いてもよいが、カードランアルカリ水溶液を中和してゲル化させ、中和ゲルとして用いてもよい。中和に用いる酸も特に限定されないが、例えば、乳酸、クエン酸、酢酸などの各種有機酸や、塩酸や硫酸、さらに酸性を示す食品である醤油、酢などが挙げられる。カードランのアルカリ水溶液を中和するとゲル状となるが、攪拌機等で粉砕して添加すればよい。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
請求項５に記載したもち入りゼリー食品は、もち部とゼリー部からなるセパレートタイプのゼリー食品であり、もち部は請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載した方法により得られるもち類である。ゼリー部は、アルカリ水溶液で溶解または膨張させたカードランを用いることにより、もち部およびゼリー部ともに加熱凝固性のカードランを含有するため、加熱してホットゼリーとしてももち部とゼリー部が混ざり合うことがなく、食感も非常に優れている。ゼリー部に加える食材は特に限定されるものではないが、練り餡やこし餡などの餡を加えることにより、ぜんざい風ゼリーとすることができる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【表２】
2000093102.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
【表３】
2000093102.tif 000002
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
【表４】
2000093102.tif 000003
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
以上の結果より明らかなように、アルカリ溶解カードランを団子に使用することにより、ゆで汁の濁りの軽減、レトルト処理後の食感維持、冷蔵後の再加熱による団子の溶解や食感低下の低減を図ることができることが分かる。また、粉末カードランをそのまま使用するよりも、少ないカードラン含有量で同等の品質改良効果が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月13日(2004.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
逆浸透膜モジュールユニットが多段に配置され、前段の逆浸透膜モジュールユニットからの濃縮液流路が次段の逆浸透膜モジュールユニットの供給液流路へ連通している逆浸透膜分離装置であって、前記次段の逆浸透膜モジュールユニットの供給液流路の少なくとも１ヶ所において昇圧ポンプが備えられているとともに、前記逆浸透膜モジュールユニットの少なくとも１段において透過水圧力もしくは透過水流量を調節するための手段が設けられていることを特徴とする逆浸透分離装置。
【請求項２】
透過水圧力もしくは透過水流量を調節するための手段が設けられている逆浸透膜モジュールユニットに続く逆浸透膜モジュールユニットの供給液流路に昇圧ポンプが備えられていることを特徴とする請求項１に記載の逆浸透膜装置。
【請求項３】
透過水圧力もしくは透過水流量を調節するための手段が、透過水流路に設けられた圧力調節弁、流量調節弁、圧力エネルギー回収装置のうち少なくとも１つからなることを特徴とする請求項１または２に記載の逆浸透膜分離装置。
【請求項４】
透過水および／または最終段の逆浸透膜モジュールユニットの濃縮水の圧力エネルギーを回収する装置を備え、該圧力エネルギーの回収装置を１段目モジュールユニットの供給水昇圧用高圧ポンプに連結していることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の逆浸透膜分離装置。
【請求項５】
スケール防止剤の添加手段を設けたことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の逆浸透膜分離装置。
【請求項６】
１段目の逆浸透膜モジュールユニットの上流側に、前処理としての膜濾過装置を設けたことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の逆浸透膜分離装置。
【請求項７】
少なくとも１段目の逆浸透膜モジュールユニットの透過水流路の耐圧性が２．０ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の逆浸透膜分離装置。
【請求項８】
多段に配置した逆浸透膜モジュールユニットを用いて供給水を逆浸透分離する方法であって、少なくとも前段の逆浸透膜モジュールユニットの濃縮液を昇圧して次段の逆浸透膜モジュールユニットに供給するとともに、前記逆浸透膜モジュールユニットの少なくとも１段において透過水圧力もしくは透過水流量を調節することを特徴とする逆浸透分離方法。
【請求項９】
少なくとも１段の逆浸透膜モジュールユニットにおいて、透過水圧力もしくは透過水流量を調節するとともに、濃縮水を昇圧してその逆浸透膜モジュールユニットに続く逆浸透膜モジュールユニットに供給することを特徴とする請求項８に記載の逆浸透分離方法。
【請求項１０】
「ｎ」段目の逆浸透膜モジュールユニットの操作圧力「Ｐ（ｎ）」と「ｎ＋１」段目の逆浸透膜モジュールユニットの操作圧力「Ｐ（ｎ＋１）」とを、下記の範囲とすることを特徴とする請求項８または９に記載の逆浸透膜分離方法。
１．１５≦Ｐ（ｎ＋１）／Ｐ（ｎ）≦１．８
【請求項１１】
各段の逆浸透膜モジュールユニットの濃縮水の膜面流速について、最も大きい膜面流速を有する逆浸透膜モジュールユニットの濃縮水膜面流速（最大濃縮水膜面流速）と、最も小さい膜面流速を有する逆浸透膜モジュールユニットの濃縮水膜面流速（最小濃縮水膜面流速）とが、下記の関係になるように運転することを特徴とする請求項８〜１０のいずれかに記載の逆浸透膜分離方法。
最大濃縮水膜面流速／最小濃縮水膜面流速≦１．５
【請求項１２】
供給液が溶質濃度０．５重量％以上の水溶液であることを特徴とする請求項８〜１１のいずれかに記載の逆浸透膜分離方法。
【請求項１３】
逆浸透膜モジュールユニット各段から得られる透過水の合計量が、１段目の逆浸透膜モジュールユニットの供給水の５０％以上であることを特徴とする請求項８〜１２のいずれかに記載の逆浸透膜分離方法。
【請求項１４】
逆浸透膜の膜面積あたりの透過流束を０．７５ｍ3 ／ｍ2 ・日以下とすることを特徴とする請求項８〜１３のいずれかに記載の逆浸透膜分離方法。
【請求項１５】
透過水および／または最終段の逆浸透膜モジュールユニットの濃縮水の圧力エネルギーを回収して１段目の逆浸透膜モジュールユニットの供給水を加圧するのに用いることを特徴とする請求項８〜１４のいずれかに記載の逆浸透膜分離方法。
【請求項１６】
少なくとも最終段の逆浸透膜モジュールユニットの供給水に、スケール防止剤、スケール防止剤の錯体を含むことを特徴とする請求項８〜１５のいずれかに記載の逆浸透膜分離方法。
【請求項１７】
膜濾過装置の透過液を第１段目の逆浸透膜モジュールユニットの供給液とすることを特徴とする請求項８〜１６のいずれかに記載の逆浸透膜分離方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月10日(2003.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のプロトコルを有する通信コントローラを介して複数の端末装置間でデジタルデータを送受信すると共に、上記通信コントローラにより規則的な間隔で基準信号を通信するようにしたデジタルデータの通信方法において、
上記各端末装置において夫々の動作クロックを上記基準信号に同調させ、この動作クロックに基づき上記デジタルデータに係る信号処理を行うことで、複数の端末装置の上記信号処理を同期化させることを特徴とするデジタルデータの通信方法。
【請求項２】
上記基準信号には時間に関するデータが含まれており、該時間データに基づいて上記動作クロックのタイミングを調整することを特徴とする請求項１記載のデジタルデータの通信方法。
【請求項３】
上記通信コントローラはＩＥＥＥ１３９４規格に準拠して規則的な間隔でデータ転送を行うアイソクロナス転送モードを有し、上記基準信号はアイソクロナス転送モードにおけるサイクルスタート信号であることを特徴とする請求項１又は２に記載のデジタルデータの通信方法。
【請求項４】
上記時間データはＩＥＥＥ１３９４規格に準拠したサイクルタイマデータであることを特徴とする請求項２又は３に記載のデジタルデータの通信方法。
【請求項５】
上記デジタルデータは、音声データや動画像データなどの時系列デジタルデータであり、第１の端末装置において上記動作クロックに基づきデジタルデータのエンコード処理を行う一方、該デジタルデータを第１の端末装置から第２の端末装置へ通信した後、第２の端末装置において上記動作クロックに基づきデジタルデータのデコード処理を行うことを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載のデジタルデータの通信方法。
【請求項６】
デジタルデータを所定のプロトコルに基づき通信すると共に所定の基準信号を規則的な間隔で通信する通信コントローラを備えた複数の端末装置と、これら複数の端末装置を上記通信コントローラを介して接続する通信手段とを備え、上記複数の端末装置間でデジタルデータを送受信するデジタルデータの通信システムであって、
上記複数の端末装置には、夫々の動作クロックを上記基準信号に同調させる動作クロック同調手段と、上記動作クロックに基づき上記デジタルデータの信号処理を行う信号処理手段とが、それぞれ設けられていることを特徴とするデジタルデータの通信システム。
【請求項７】
デジタルデータを所定のプロトコルに基づき通信すると共に規則的な間隔で所定の基準信号を通信するように設定された通信コントローラと、所定の動作クロックを上記基準信号に同調させるクロック同調手段と、この動作クロックに基づき上記デジタルデータに関する信号処理を行う信号処理手段とを備え、当該信号処理を上記動作クロックに同期して行うように構成されてなることを特徴とする端末装置。
【請求項８】
上記基準信号には時間に関するデータが含まれており、該時間データに基づいて上記動作クロックのタイミングを補償する補償手段を備えていることを特徴とする請求項７記載の端末装置。
【請求項９】
上記通信コントローラはＩＥＥＥ１３９４規格に準拠して規則的な間隔でデータ転送を行うアイソクロナス転送モードを有し、上記基準信号はアイソクロナス転送モードにおけるサイクルスタート信号であることを特徴とする請求項７又は８に記載の端末装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月10日(2003.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の位置に設置され、旋回可能な複数のカメラと、
前記複数のカメラが設置された地域の地図を表示する表示手段と、
前記表示された地図上において撮像をすべき位置を指示入力するための入力手段と、
前記指示入力された位置の位置情報、前記複数のカメラの位置情報、及び障害物により監視が不能な旋回の角度範囲の情報に基づきカメラを選定する手段と、
前記選定されたカメラにおいて行うべき旋回角度情報を求め、当該カメラに対し前記旋回角度情報に基づく旋回を行わせて、当該カメラにより画像情報を得る制御を行うカメラ制御手段とを具備することを特徴とする監視カメラ制御システム。
【請求項２】
カメラはズーム機構を有するものであり、前記カメラ制御手段は、選定したカメラと前記指示入力された位置の距離に基づきズーム比を決定して、当該カメラに対し前記ズーム比に基づくズームを行わせて、当該カメラによる画像情報を得る制御を行うことを特徴とする請求項１に記載の監視カメラ制御システム。
【請求項３】
複数の位置に設置され、旋回可能な複数のカメラのいずれかからの画像情報を得る制御を行う監視カメラ制御装置において、
前記複数のカメラが設置された地域の地図を表示する表示手段と、
前記表示された地図上において撮像をすべき位置を指示入力するための入力手段と、
前記指示入力された位置の位置情報、前記複数のカメラの位置情報、及び障害物により監視が不能な旋回の角度範囲の情報に基づきカメラを選定する手段と、
前記選定されたカメラにおいて行うべき旋回角度情報を求め、当該カメラに対し前記旋回角度情報に基づく旋回を行わせて、当該カメラにより画像情報を得る制御を行うカメラ制御手段とを具備することを特徴とする監視カメラ制御装置。
【請求項４】
前記カメラ制御手段は、カメラの切替えを要求する入力に応じて、次候補のカメラを選定すると共に、当該カメラにおいて行うべき旋回角度情報を求め、当該カメラに対し前記旋回角度情報に基づく旋回を行わせて、当該カメラによる画像情報を得る制御を行うことを特徴とする請求項３に記載の監視カメラ制御装置。
【請求項５】
前記カメラ制御手段は、選定したカメラによる画角を示す画像を、地図上に表示することを特徴とする請求項３に記載の監視カメラ制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る監視カメラ制御システムは、複数の位置に設置され、旋回可能な複数のカメラと、前記複数のカメラが設置された地域の地図を表示する表示する表示手段と、前記表示された地図上において撮像をすべき位置を指示入力するための入力手段と、前記指示入力された位置の位置情報、前記複数のカメラの位置情報、及び障害物により監視が不能な旋回の角度範囲の情報に基づきカメラを選定する手段と、前記選択されたカメラにおいて行うべき旋回角度情報を求め、当該カメラに対し前記旋回角度情報に基づく旋回を行わせて、当該カメラにより得られた画像情報を得る制御を行うカメラ制御手段とを具備することを特徴とする。これによって、指示入力された位置の位置情報、複数のカメラの位置情報及び障害物により監視が不能な旋回の角度範囲の情報に基づきカメラが選定され、選択されたカメラにおいて旋回が行われて、当該カメラにより画像情報を得ることができる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る監視カメラ制御装置は、複数の位置に設置され、旋回可能な複数のカメラのいずれかからの画像情報を得る制御を行う監視カメラ制御装置において、前記複数のカメラが設置された地域の地図を表示する表示する表示手段と、前記表示された地図上において撮像をすべき位置を指示入力するための入力手段と、前記指示入力された位置の位置情報、前記複数のカメラの位置情報、及び障害物により監視が不能な旋回の角度範囲の情報に基づきカメラを選定する手段と、前記選択されたカメラにおいて行うべき旋回角度情報を求め、当該カメラに対し前記旋回角度情報に基づく旋回を行わせて、当該カメラにより画像情報を得る制御を行うカメラ制御手段とを具備することを特徴とする。これによって、指示入力された位置の位置情報、複数のカメラの位置情報、及び障害物により監視が不能な旋回の角度範囲の情報に基づきカメラが選定され、選択されたカメラにおいて旋回が行われて、当該カメラにより画像情報を得ることができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、複数の位置に設置され、旋回可能な複数のカメラのいずれかからの画像情報を得る制御を行う監視カメラ制御装置において、複数のカメラが設置された地域の地図を表示して、表示された地図上において撮像をすべき位置を指示入力し、指示入力された位置の位置情報、複数のカメラの位置情報、及び障害物により監視が不能な旋回の角度範囲の情報に基づきカメラを選定する手段と、前記選択されたカメラにおいて行うべき旋回角度情報を求め、当該カメラに対し旋回角度情報に基づく旋回を行わせて、当該カメラにより画像情報を得る制御を行うので、地図上にて表示を希望する位置を指示するだけで、最も近いカメラが選択されて画像が得られ、更に次候補のカメラによる画像を得ることも可能で便利である。更に、監視可能なカメラを見つけて監視に係る画像を得るものであり、距離は近いが障害物により監視を行えない場合に適切に対応することができ、有効な監視が可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月9日(2003.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】再生装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスクを再生する再生装置であって、
システムストリームを構成するセルおよびプログラムチェーン情報を光ディスクから読み出す読み出し手段と、
プログラムチェーン情報を受信し、プログラムチェーン情報により特定されるセルと当該セルの再生順序に従い、システムストリーム中のセルを前記読み出し手段に再生させる制御手段から構成され、
前記制御手段は、特殊再生を行う場合は、セルに付随するトリックプレイ情報を参照して、セルの再生がセル内の最終区間に到達したか否かを判定し、
最終区間で無いと判定されれば、セルに付随するトリックプレイ情報を参照して、次に再生するセル内の区間を決定し、
最終区間で有ると判定されれば、前記プログラムチェーン情報を参照して、次に再生するセルの先頭区間を決定することを特徴とする再生装置。
【請求項２】
前記制御手段は、逆方向の特殊再生を行う場合は、セルに付随するトリックプレイ情報を参照して、セルの再生がセル内の先頭区間に到達したか否かを判定し、
先頭区間で無いと判定されれば、セルに付随するトリックプレイ情報を参照して、次に再生するセル内の区間を決定し、
先頭区間で有ると判定されれば、前記プログラムチェーン情報を参照して、次に再生するセルの最終区間を決定することを特徴とする請求項１記載の再生装置。
【請求項３】
複数のセルはインターリーブユニットに互いに分割されディスク上にインターリーブ記録され、前記制御手段は、各インターリーブユニットに含まれるトリック情報を参照し、同一のセルを構成する次に再生されるインターリーブユニットの記録位置を決定することを特徴とする請求項１記載の再生装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記プログラムチェーン情報が特定する再生順序に従い、同一のセルを重複して再生し得ることを特徴とする請求項１記載の再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月15日(2003.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像印刷装置および方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を撮影する撮影手段と、
前記撮影手段による撮影方向を変更する変更手段と、
前記撮影手段により撮影された前記被写体の画像に重畳される重畳画像を設定する第１の設定手段と、
前記撮影方向を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された前記撮影方向に応じた前記重畳画像を設定する第２の設定手段と、
前記第２の設定手段により設定された前記重畳画像を、前記撮影手段により撮影された前記被写体の画像に合成する合成手段と、
前記合成手段により合成された合成画像を表示する表示手段と、
前記表示手段により表示された前記合成画像を印刷する印刷手段と
を含むことを特徴とする画像印刷装置。
【請求項２】
前記変更手段は、異なる前記撮影方向に指向された複数の前記撮影手段の中から、１つの前記撮影手段を選択することで前記撮影方向を変更する
ことを特徴とする請求項１に記載の画像印刷装置。
【請求項３】
被写体の撮影を制御する撮影制御ステップと、
前記撮影制御ステップの処理により制御される撮影の撮影方向を変更する変更ステップと、
前記撮影制御ステップの処理により制御されて撮影された前記被写体の画像に重畳される重畳画像を設定する第１の設定ステップと、
前記撮影方向を検出する検出ステップと、
前記検出ステップの処理により検出された前記撮影方向に応じた前記重畳画像を設定する第２の設定ステップと、
前記第２の設定ステップの処理により設定された前記重畳画像を、前記撮影制御ステップの処理により制御されて撮影された前記被写体の画像に合成する合成ステップと、
前記合成ステップの処理により合成された合成画像の表示を制御する表示制御ステップと、
前記表示制御ステップの処理により制御されて表示された前記合成画像の印刷を制御する印刷制御ステップと
を含むことを特徴とする画像印刷方法。
【請求項４】
前記変更ステップは、異なる前記撮影方向に指向された複数の撮影部の中から、１つの前記撮影部を選択することで前記撮影方向を変更し、
前記撮影制御ステップは、前記変更ステップの処理により選択された前記撮影部による前記被写体の撮影を制御する
ことを特徴とする請求項３に記載の画像印刷方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、画像印刷装置および方法に関し、特に、アミューズメント性が高い、より効果的なサービスを提供することができる画像印刷装置および方法に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
変更手段は、異なる撮影方向に指向された複数の撮影手段の中から、１つの撮影手段を選択することで撮影方向を変更するようにすることができる。
本発明の画像印刷方法は、被写体の撮影を制御する撮影制御ステップと、撮影制御ステップの処理により制御される撮影の撮影方向を変更する変更ステップと、撮影制御ステップの処理により制御されて撮影された被写体の画像に重畳される重畳画像を設定する第１の設定ステップと、撮影方向を検出する検出ステップと、検出ステップの処理により検出された撮影方向に応じた重畳画像を設定する第２の設定ステップと、第２の設定ステップの処理により設定された重畳画像を、撮影制御ステップの処理により制御されて撮影された被写体の画像に合成する合成ステップと、合成ステップの処理により合成された合成画像の表示を制御する表示制御ステップと、表示制御ステップの処理により制御されて表示された合成画像の印刷を制御する印刷制御ステップとを含むことを特徴とする。
前記変更ステップは、異なる撮影方向に指向された複数の撮影部の中から、１つの撮影部を選択することで撮影方向を変更し、撮影制御ステップは、変更ステップの処理により選択された撮影部による被写体の撮影を制御するようにすることができる。
本発明の画像印刷方法においては、被写体の撮影が制御され、撮影の撮影方向が変更され、撮影された被写体の画像に重畳される重畳画像が設定され、撮影方向が検出され、検出された撮影方向に応じた重畳画像が設定され、設定された重畳画像が、撮影された被写体の画像に合成され、合成された合成画像の表示が制御され、表示された合成画像の印刷が制御される。
本発明の画像印刷方法によれば、被写体の撮影を制御し、撮影の撮影方向を変更し、撮影された被写体の画像に重畳される重畳画像を設定し、撮影方向を検出し、検出した撮影方向に応じた重畳画像を設定し、設定した重畳画像を、撮影された被写体の画像に合成し、合成した合成画像の表示を制御し、表示した合成画像の印刷を制御するようにしたので、アミューズメント性が高い、より効果的なサービスを提供することができる。
前記変更ステップは、異なる撮影方向に指向された複数の撮影部の中から、１つの撮影部を選択することで撮影方向を変更し、撮影制御ステップは、変更ステップの処理により選択された撮影部による被写体の撮影を制御するようにすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
ステップS２２において、CPU４２は、プリンタ４７に対して、利用者が選択した分割数のシールシートに、画像（合成画像生成装置５１の編集処理用のフレームバッファの第２の領域に記憶されている画像）をプリントすることを指示する。この指示に基づいてプリンタ４７によりプリントが行われ、シールシートがシール取出口３０から排出される。その後、処理はステップS１に戻り、それ以降の処理が繰り返し実行される。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
【発明の効果】
本発明の画像印刷装置および方法によれば、撮影方向を検出し、検出した撮影方向に応じた重畳画像を、撮影された被写体の画像に合成し、合成した合成画像を表示し、表示した合成画像を印刷するようにしたので、アミューズメント性が高い、より効果的なサービスを提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月5日(2003.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
右目画像を表示する画素と左目画像を表示する画素とを有する画像表示部と、該右目画像と該左目画像を分離するイメージバリア部とを有する立体表示装置に於いて、
前記イメージバリア部は光透過部と光遮断部が水平方向で交互に繰り返すパタンを有し、垂直方向では複数画素毎に繰り返すパタンを有し、前記画像表示部は前記イメージバリア部の前記光透過部と前記光遮断部の繰り返し構造と同期して、前記右目画像を表示する画素と前記左目画像を表示する画素が水平方向及び垂直方向の両方向で交互に繰り返して配置されるパタンを有する事を特徴とする立体表示装置。
【請求項２】
各前記画素は、カラー画素であり、同じ色の前記カラー画素が垂直方向に連続して配置されたことを特徴とする請求項１に記載の立体表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するための本願発明の第１の手段は、右目画像を表示する画素と左目画像を表示する画素とを有する画像表示部と、該右目画像と該左目画像を分離するイメージバリア部とを有する立体表示装置に於いて、前記イメージバリア部は光透過部と光遮断部が水平方向で交互に繰り返すパタンを有し、垂直方向では複数画素毎に繰り返すパタンを有し、前記画像表示部は前記イメージバリア部の前記光透過部と前記光遮断部の繰り返し構造と同期して、前記右目画像を表示する画素と前記左目画像を表示する画素が水平方向及び垂直方向の両方向で交互に繰り返して配置されるパタンを有する事を特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上記の課題を解決するための本願発明の第２の手段は、本願発明の第１の手段において、各前記画素はカラー画素であり、同じ色の前記カラー画素が垂直方向に連続して配置されたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
一方、垂直方向の繰り返し周期の長い、図６、図７で説明した実施例では、図６（ａ）のイメージバリア部の垂直幅が長く、縦方向の視野角が広い範囲で立体画像が認識可能である。縦方向の繰り返し周期は２画素に限らず、３画素以上の複数でも同様の効果が実現可能である。
上記の如く本発明の立体表示装置は、右目画像を表示する画素と左目画像を表示する画素とを有する画像表示部と、該右目画像と該左目画像を分離するイメージバリア部とを有する立体表示装置に於いて、イメージバリア部は光透過部と光遮断部が水平方向及び垂直方向の両方向で交互に繰り返すパタンを有し、画像表示部はイメージバリア部の光透過部と光遮断部の繰り返し構造と同期して、右目画像を表示する画素と左目画像を表示する画素が水平方向及び垂直方向の両方向で交互に繰り返して配置されるパタンを有する事を特徴とする。
また、本発明の立体表示装置は、右目画像を表示する画素と左目画像を表示する画素とを有する画像表示部と、該右目画像と該左目画像を分離するイメージバリア部とを有する立体表示装置に於いて、各画素はそれぞれ独立の色を表示するカラー画素であり、イメージバリア部は光透過部と光遮断部が水平方向及び垂直方向の両方向で交互に繰り返すパタンを有し、画像表示部はイメージバリア部の光透過部と光遮断部の繰り返し構造と同期して、右目画像を表示する画素と左目画像を表示する画素が水平方向及び垂直方向の両方向で交互に繰り返して配置されるパタンを有する事を特徴とする。
また、本発明の立体表示装置は、右目画像を表示する画素と左目画像を表示する画素とを有する画像表示部と、該右目画像と該左目画像を分離するイメージバリア部とを有する立体表示装置に於いて、各画素はそれぞれ独立の色を表示するカラー画素であり、同じ色のカラー画素は垂直方向に連続して配置され、イメージバリア部は光透過部と光遮断部が水平方向及び垂直方向の両方向で交互に繰り返すパタンを有し、画像表示部はイメージバリア部の光透過部と光遮断部の繰り返し構造と同期して、右目画像を表示する画素と左目画像を表示する画素が水平方向及び垂直方向の両方向で交互に繰り返して配置されるパタンを有する事を特徴とする。
また、本発明の立体表示装置は、右目画像を表示する画素と左目画像を表示する画素とを有する画像表示部と、該右目画像と該左目画像を分離するイメージバリア部とを有する立体表示装置に於いて、各画素はそれぞれ独立の色を表示するカラー画素であり、同じ色のカラー画素は垂直方向に連続して配置され、イメージバリア部は光透過部と光遮断部が水平方向で交互に繰り返すパタンを有し、垂直方向では一画素毎に繰り返すパタンを有し、画像表示部はイメージバリア部の光透過部と光遮断部の繰り返し構造と同期して、右目画像を表示する画素と左目画像を表示する画素が水平方向及び垂直方向の両方向で交互に繰り返して配置されるパタンを有する事を特徴とする。
また、本発明の立体表示装置は、右目画像を表示する画素と左目画像を表示する画素とを有する画像表示部と、該右目画像と該左目画像を分離するイメージバリア部とを有する立体表示装置に於いて、各画素はそれぞれ独立の色を表示するカラー画素であり、同じ色のカラー画素は垂直方向に連続して配置され、イメージバリア部は光透過部と光遮断部が水平方向で交互に繰り返すパタンを有し、垂直方向では複数画素毎に繰り返すパタンを有し、画像表示部はイメージバリア部の光透過部と光遮断部の繰り返し構造と同期して、右目画像を表示する画素と左目画像を表示する画素が水平方向及び垂直方向の両方向で交互に繰り返して配置されるパタンを有する事を特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月2日(2003.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマＣＶＤ装置、そのクリーニング方法、薄膜形成方法及び半導体の製造方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバと、該チャンバ内に収容される上部電極（カソード）と、該上部電極（カソード）に対向して配置された下部電極（アノード）とからなり、該上部電極（カソード）には高周波電力出力回路が接続されており、上部電極と高周波電力出力回路との間にはインピーダンス整合回路が更に接続されているプラズマＣＶＤ装置において、
前記下部電極（アノード）はインピーダンス調整回路を介して接地されており、成膜時にインピーダンス調整回路により、印加する高周波電力の周波数に共振させて下部電極（アノード）側のインピーダンスを印加周波数に対して０Ωとして前記下部電極の範囲に対応するプラズマを発生させ、クリーニング時にインピーダンス調整回路により、上部電極（カソード）側から見た下部電極（アノード）のインピーダンスを上昇させて前記下部電極の範囲を超える幅のプラズマを発生させることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項２】
インピーダンス調整回路はコイルと容量可変コンデンサとから構成されている請求項１のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項３】
チャンバと、該チャンバ内に収容される上部電極（カソード）と、該上部電極（カソード）に対向して配置された下部電極（アノード）とからなり、該上部電極（カソード）には高周波電力出力回路が接続されており、上部電極と高周波電力出力回路との間にはインピーダンス整合回路が更に接続されているプラズマＣＶＤ装置のチャンバ内部のクリーニング方法において、
前記下部電極（アノード）をインピーダンス調整回路を介して接地し、該インピーダンス調整回路により、上部電極（カソード）側から見た下部電極（アノード）側のインピーダンスを上昇させて、プラズマをチャンバ内に拡散させることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置のチャンバ内部のクリーニング方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載のプラズマＣＶＤ装置により成膜処理を行い、基板上に薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項５】
請求項４に記載の薄膜形成方法により形成された薄膜を表面上に有する基板を用いて半導体を製造することを特徴とする半導体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月22日(2003.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３３】
〔７〕メモリセル１を用いたフラッシュＥＥＰＲＯＭ１０１は、選択トランジスタ１２が設けられているため、個々のメモリセル１にそれ自身を選択する機能がある。つまり、消去動作時に浮遊ゲート電極５，６から電荷を引き抜く際に電荷を過剰に抜き過ぎても、選択ゲート１１によってチャネル領域４をオフ状態にすることができる。従って、過剰消去が発生したとしても、選択トランジスタ１２によってメモリセル１のオン・オフ状態を制御することができ、過剰消去が問題にならない。すなわち、メモリセル１の内部に設けられた選択トランジスタ１２によって、そのメモリセル自身のオン・オフ状態を選択することができる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７２】
本第７実施形態にあっては、上記したように、第１実施形態に比べて図９（ｂ）に示す工程が不要となり、工程数の簡略化を図ることができる。
（６）各絶縁膜８，１０を、酸化シリコン、窒酸化シリコン、窒化シリコンのうち少なくとも１つを主成分とする他の絶縁膜に置き代る。その絶縁膜の形成には、熱酸化法、熱窒化法、熱酸窒化法、ＣＶＤ法のうち少なくとも１つの方法を用いればよい。また、これらの異なる絶縁膜を複数積層した構造に置き代える。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７３】
（７）各ゲート電極５〜７の材質をそれぞれ、ドープドポリシリコン以外の導電性材料（アモルファスシリコン、単結晶シリコン、高融点金属を含む各種金属、金属シリサイドなど）に置き代える。
（８）Ｐ型単結晶シリコン基板２をＰ型ウェルに置き代える。
（９）Ｐ型単結晶シリコン基板２をＮ型単結晶シリコン基板またはＮ型ウェルに置き代え、ソース・ドレイン領域３を形成するために注入する不純物イオンとしてＰ型不純物イオン（ホウ素、インジウムなど）を用いる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７４】
（１０）グローバルビット線ＢＬｇ1〜ＢＬｇnの材質を、金属以外の導電材料（ドープドポリシリコン、金属シリサイドなど）に置き代える。
（１１）多値記憶技術を利用し、各メモリセル１の各浮遊ゲート電極５，６毎にそれぞれ３値以上のデータを記憶させるようにする。
（１２）各実施形態において、書き込み動作時にベリファイ書き込み方式を用いる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月17日(2003.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の方法では、無電解スズメッキ層を形成する工程をプレスズメッキと本スズメッキとに分けて行うことができ、この場合にはプレスズメッキ層の厚さを、本スズメッキの厚さよりも薄くすることが好ましい。
本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法では、無電解スズメッキを行うメッキ浴中におけるＳｎ２＋濃度を所定の範囲に制御してスズメッキを行っており、このようにＳｎ２＋濃度を制御することにより、上記えぐれの発生を抑制することができる。また、本スズメッキ層の形成前にプレスズメッキ層を形成することにより、えぐれ部が形成されてしまう場合であっても、その深さを最低限度に抑制することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本発明の方法において、スズメッキ層は単層であっても複数の層から形成されていても良い。
即ち、上記のようにスズメッキをする前に、リード部あるいは配線パターンにプレスズメッキをした後、Ｓｎ２＋濃度が上記範囲内にあるスズメッキ浴を用いてスズメッキを行っても良い。即ち、図３に示されるように、リード部に例えば室温（２５℃）でプレスズメッキを行った後、このプレスズメッキ層上に例えば７０℃で本スズメッキを行うことができ、また、本スズメッキ層を２層以上形成してもよい。こうした場合、プレスズメッキ層の厚さを本スズメッキ層の厚さよりも薄くすることが好ましい。このようにプレスズメッキを行った後、本スズメッキをすることにより、例えばソルダーレジストの縁部に剥離した部分があったとしても、このソルダーレジスト下部の配線パターン表面に薄いプレスズメッキ層が形成されるので、本スズメッキの際にメッキ液がこの剥離部に残留しても配線パターンを形成する導電体箔（電解銅箔）が溶出せず、従ってえぐれ部の発生を抑制することができる。このように２層のスズメッキ層を形成する場合、プレスズメッキ層の厚さと、本スズメッキ層の厚さとの比は、通常は０．５：１０〜２：１０、好ましくは０．５：１０〜１：８、特に好ましくは０・５：１０〜１：１０の範囲内にする。このようにプレスズメッキ層の厚さを薄くすることにより、えぐれ部の発生抑制効果が良好になる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図２に、プレスズメッキと本スズメッキとを組み合わせて行う際に、プレスズメッキに用いるメッキ浴中におけるＳｎ２＋濃度を変えたときのえぐれ部の深さとの関係の例を示す。図２において、「Ａ」は、ソルダーレジスト塗布液を塗布し硬化させた後、スズメッキ浴中のＳｎ２＋濃度を変えて室温（２５℃）でプレスズメッキ層を形成し次いで本スズメッキ条件を、Ｓｎ２＋濃度；２０ｇ／リットル、温度７０℃、時間；２１０秒に設定して本スズメッキを行ったときに発生したえぐれ部の深さとＳｎ２＋濃度との関係を示すグラフであり、「Ｂ」は、上記と同様にしてソルダーレジスト層を形成した後、メッキされる部分をソフトエッチングした後に同様にして同様にしてＳｎ２＋濃度を変えてプレスズメッキを行った後、上記と同様にして本スズメッキした際に発生したえぐれ部の深さとＳｎ２＋濃度との関係を示すグラフである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
こうして無電解スズメッキを行った後、水洗しメッキ層を１３０℃に加熱することにより電子部品実装用フィルムキャリアテープを製造した。得られた電子部品実装用フィルムキャリアテープのリード部を観察してリードえぐれが生じたリードを選んで、この部分の断面写真を撮影した。この断面写真からリードえぐれの深さを測定した。結果を図２に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月6日(2003.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その主面に半導体素子が形成された半導体基板と、前記主面または前記主面上の何れかの層に形成された第１パターンと、前記第１パターンの上層に形成された第２パターンとを有する半導体装置であって、
前記第１パターンには第１のダミーパターンが含まれ、前記第２パターンには前記第１のダミーパターンと同一設計寸法のパターンピッチおよびパターン幅を有する第２のダミーパターンが含まれ、
前記第２のダミーパターンは、その平面位置において前記第１のダミーパターン間のスペース上に形成されており、
前記第１パターンにはさらに前記第１のダミーパターンより大きな第３のダミーパターンが形成されており、前記第２パターンにはさらに光学的パターン認識の対象となるパターンが含まれ、
前記光学的パターン認識の対象となるパターンは、前記第３のダミーパターンの平面形状内に内包されるように形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記第３のダミーパターンは、前記光学的パターン認識の対象となるパターンとその周辺部のパターン配置禁止領域を含む領域よりも大きいパターンで、前記第１のダミーパターンは前記パターン配置禁止領域には配置されていないことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記第１のダミーパターンおよび光学的パターン認識の対象となるパターンは、スクライブ領域に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記第１および第２のダミーパターンは、製品領域およびスクライブ領域に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記第２のダミーパターンの何れかの端辺は、その平面位置において、前記第１のダミーパターンに重なって形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記第１のダミーパターンと前記第２のダミーパターンとは、その平面位置において、ピッチの半分の距離だけずれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか一項に記載の半導体装置であって、
前記第１のパターンは、前記主面に形成された活性領域パターンであり、前記第２のパターンは、前記半導体素子を構成するゲート電極と同層に形成されたパターンであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
（ａ）半導体基板の主面上または前記主面上の何れかの部材層上に第１のダミーパターンと前記第１のダミーパターンより大きな第３のダミーパターンが含まれた第１パターンを形成する工程と、
（ｂ）前記第１パターンが形成された前記主面上または前記第１パターンにパターニングされた部材上に絶縁膜を堆積し、前記絶縁膜に研磨を施して表面を平坦化する工程と、
（ｃ）前記平坦化された表面の上層に光学的パターン認識の対象となるパターンと第２のダミーパターンが含まれた第２パターンを形成する工程と、
前記光学的パターン認識の対象となるパターンを光学的に検出して、前記半導体基体の位置合わせを行う工程とを有し、
前記光学的パターン認識の対象となるパターンは、前記第３のダミーパターンの平面形状内に内包されるように形成し、
前記第２のダミーパターンは前記第１のダミーパターンと同一寸法のパターンピッチおよびパターン幅を有し、その平面的位置関係において前記第１のダミーパターン間のスペース上に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第３のダミーパターンは、前記光学的パターン認識の対象となるパターン周辺のパターン配置禁止領域以上の面積で形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第２のダミーパターンの何れかの端辺は、その平面位置において、前記第１のダミーパターンに重なるように形成する第１の構成、
前記第１のダミーパターンと前記第２のダミーパターンとは、その平面位置において、ピッチの半分の距離だけずらして形成する第２の構成、
の何れかの構成を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項８記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第３のダミーパターンを半導体ウェハのスクライブ領域に形成し、前記第１および第２のダミーパターンを前記半導体ウェハの製品領域およびスクライブ領域に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
（ａ）半導体基板の主面上に第１のダミーパターンと前記第１のダミーパターンより大きな第３のダミーパターンが含まれた第１パターンを形成する工程と、
（ｂ）前記第１パターンが形成された前記主面上にゲート絶縁膜とゲート電極となる層を堆積する工程と、
（ｃ）前記堆積された層の表面の上層に光学的パターン認識の対象となるパターンと第２のダミーパターンが含まれた第２パターンを形成する工程と、
前記光学的パターン認識の対象となるパターンを光学的に検出して、前記半導体基体の位置合わせを行う工程とを有し、
前記光学的パターン認識の対象となるパターンは、前記第３のダミーパターンの平面形状内に内包されるように形成し、
前記第２のダミーパターンは前記第１のダミーパターンと同一寸法のパターンピッチおよびパターン幅を有し、その平面的位置関係において前記第１のダミーパターン間のスペース上に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月8日(2004.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力端子と、
出力端子と、
コントロール端子と、
ドレインとソースとの間にドレイン寄りの第１ゲートとソース寄りの第２ゲートを有し、上記第１ゲートは上記コントロール端子からの信号を受け、上記第２ゲートは上記入力端子からの信号を受ける半導体増幅素子と、
上記半導体増幅素子から出力された信号に応じた信号を、上記出力端子に供給する回路と、
上記コントロール端子に接続され、上記コントロール端子に供給されるコントロール電圧に従ったバイアスを上記半導体増幅素子の第２ゲートに供給するバイアス回路を有することを特徴とする高周波電力増幅モジュール。
【請求項２】
上記バイアスは非線形特性であることを特徴とする請求項１に記載の高周波電力増幅モジュール。
【請求項３】
上記高周波電力増幅モジュールはＧＳＭ用の高周波電力増幅モジュールであることを特徴とする請求項２に記載の高周波電力増幅モジュール。
【請求項４】
上記デュアルゲートＦＥＴの上記第１ゲートで動作するＦＥＴ及び上記第２ゲートで動作するＦＥＴの電圧特性はいずれも線形性を示し、上記第１ゲートで動作するＦＥＴの電圧特性の勾配は上記第２ゲートで動作するＦＥＴの電圧特性の勾配よりも急峻になっていることを特徴とする請求項３記載の高周波電力増幅モジュール。
【請求項５】
上記デュアルゲートＦＥＴの上記第１ゲートで動作するＦＥＴは上記第２ゲートで動作するＦＥＴよりも早く動作し、上記第２ゲートで動作するＦＥＴよりも早く動作しなくなることを特徴とする請求項３記載の高周波電力増幅モジュール。
【請求項６】
送信側出力段に高周波電力増幅モジュールを有する無線通信装置であって、
上記高周波電力増幅モジュールは、
入力端子と、
出力端子と、
コントロール端子と、
ドレインとソースとの間にドレイン寄りの第１ゲートとソース寄りの第２ゲートを有し、上記第１ゲートは上記コントロール端子からの信号を受け、上記第２ゲートは上記入力端子からの信号を受ける半導体増幅素子と、
上記半導体増幅素子から出力された信号に応じた信号を、上記出力端子に供給する回路と、
上記コントロール端子に接続され、上記コントロール端子に供給されるコントロール電圧に従ったバイアスを上記半導体増幅素子の第２ゲートに供給するバイアス回路を有する高周波電力増幅モジュールとすることを特徴とする無線通信装置。
【請求項７】
上記バイアスは非線形特性であることを特徴とする請求項６に記載の無線通信装置。
【請求項８】
上記高周波電力増幅モジュールはＧＳＭ用の高周波電力増幅モジュールであることを特徴とする請求項６に記載の無線通信装置。
【請求項９】
上記デュアルゲートＦＥＴの上記第１ゲートで動作するＦＥＴ及び上記第２ゲートで動作するＦＥＴの電圧特性はいずれも線形性を示し、上記第１ゲートで動作するＦＥＴの電圧特性の勾配は上記第２ゲートで動作するＦＥＴの電圧特性の勾配よりも急峻になっていることを特徴とする請求項８記載の無線通信装置。
【請求項１０】
上記デュアルゲートＦＥＴの上記第１ゲートで動作するＦＥＴは上記第２ゲートで動作するＦＥＴよりも早く動作し、上記第２ゲートで動作するＦＥＴよりも早く動作しなくなることを特徴とする請求項８記載の無線通信装置。
【請求項１１】
増幅されるべき信号が供給される入力端子と、
出力端子と、
コントロール電圧を受けるコントロール端子と、
ソースと、上記出力端子への信号を出力するドレインと、上記ドレインと上記ソースとの間にドレイン寄りの第１ゲートとソース寄りの第２ゲートを有し、上記第１ゲートは上記コントロール端子からの信号を受け、上記第２ゲートは上記入力端子からの信号を受ける半導体増幅素子と、
上記コントロール端子に接続され、上記コントロール端子に供給されるコントロール電圧に従ったバイアスを上記半導体増幅素子の第１ゲート及び第２ゲートに供給するバイアス回路とを有し、
上記バイアス回路は、上記第１ゲートに供給される第１のバイアス及び上記第２ゲートに供給される第２のバイアスが、それぞれ上記コントロール電圧の変化に同期して変化し、上記第１のバイアス及び上記第２のバイアスの電圧変化の方向が、それぞれ上記コントロール電圧の電圧変化の方向と同じになることを特徴とする高周波電力増幅モジュール。
【請求項１２】
上記半導体増幅素子はデュアルゲート型の半導体増幅素子であることを特徴とする請求項１１に記載の高周波電力増幅モジュール。
【請求項１３】
上記高周波電力増幅モジュールはＧＳＭ用の高周波電力増幅モジュールであることを特徴とする請求項１１に記載の高周波電力増幅モジュール。
【請求項１４】
上記高周波電力増幅モジュールはＥＤＧＥ用の高周波電力増幅モジュールであることを特徴とする請求項１１に記載の高周波電力増幅モジュール。
【請求項１５】
上記高周波電力増幅モジュールはＧＳＭ用の高周波電力増幅モジュールであることを特徴とする請求項１２に記載の高周波電力増幅モジュール。
【請求項１６】
上記高周波電力増幅モジュールはＥＤＧＥ用の高周波電力増幅モジュールであることを特徴とする請求項１２に記載の高周波電力増幅モジュール。
【請求項１７】
送信側出力段に高周波電力増幅モジュールを有する無線通信装置であって、
上記高周波電力増幅モジュールは、
増幅されるべき信号が供給される入力端子と、
出力端子と、
コントロール電圧を受けるコントロール端子と、
ソースと、上記出力端子への信号を出力するドレインと、上記ドレインと上記ソースとの間にドレイン寄りの第１ゲートとソース寄りの第２ゲートを有し、上記第１ゲートは上記コントロール端子からの信号を受け、上記第２ゲートは上記入力端子からの信号を受ける半導体増幅素子と、
上記コントロール端子に接続され、上記コントロール端子に供給されるコントロール電圧に従ったバイアスを上記半導体増幅素子の第１ゲート及び第２ゲートに供給するバイアス回路とを有し、
上記バイアス回路は、上記第１ゲートに供給される第１のバイアス及び上記第２ゲートに供給される第２のバイアスが、それぞれ上記コントロール電圧の変化に同期して変化し、上記第１のバイアス及び上記第２のバイアスの電圧変化の方向が、それぞれ上記コントロール電圧の電圧変化の方向と同じになることを特徴とする無線通信装置。
【請求項１８】
上記半導体増幅素子はデュアルゲート型の半導体増幅素子であることを特徴とする請求項１７に記載の高周波電力増幅モジュール。
【請求項１９】
上記高周波電力増幅モジュールはＧＳＭ用の高周波電力増幅モジュールであることを特徴とする請求項１７に記載の高周波電力増幅モジュール。
【請求項２０】
上記高周波電力増幅モジュールはＥＤＧＥ用の高周波電力増幅モジュールであることを特徴とする請求項１７に記載の高周波電力増幅モジュール。
【請求項２１】
上記高周波電力増幅モジュールはＧＳＭ用の高周波電力増幅モジュールであることを特徴とする請求項１８に記載の高周波電力増幅モジュール。
【請求項２２】
上記高周波電力増幅モジュールはＥＤＧＥ用の高周波電力増幅モジュールであることを特徴とする請求項１８に記載の高周波電力増幅モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月25日(2003.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】オーバーレイメモリ１８には、ポインティングデバイス６の座標位置を示す矢印などの形状データや現在のステージの座標を表す文字データなどを書き込むことで、測定操作を補助することができる。