【手続補正書】
【提出日】平成24年10月18日(2012.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理チャンバ用の紫外線透過式マイクロ波反射板であって、
（ａ）金属フレームと、
（ｂ）前記金属フレーム全体にわたって延び、１つまたは複数の電鋳された層を備えるマイクロメッシュスクリーンと
を備える反射板。
【請求項２】
前記マイクロメッシュスクリーンが、
（ｉ）総面積の８０％より大きい開放面積、
（ｉｉ）面積が少なくとも１ｍｍ２である複数の開口、
（ｉｉｉ）面積が１０ｍｍ２未満である複数の開口、
（ｉｖ）高さと幅の比が少なくとも約１．５である方形の断面、および
（ｖ）前記高さと幅の比が約２〜約５である方形の断面
という特徴のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の反射板。
【請求項３】
基板処理チャンバ用の紫外線透過式マイクロ波反射板を製作する方法であって、前記マイクロメッシュスクリーンの開放面積が総面積の８０％を上回るように、マイクロメッシュスクリーンを取り囲む金属フレームを電鋳するステップを含む方法。
【請求項４】
（ａ）プリフォームの表面を清浄するステップと、
（ｂ）前記プリフォームの表面上にフォトレジスト層を塗布するステップと、
（ｃ）前記フォトレジスト層上に、マイクロメッシュパターンを有するフォトマスクを配置するステップと、
（ｄ）前記フォトマスクを通過する光に前記フォトレジスト層を露出させて、前記フォトマスクの前記マイクロメッシュパターンの画像を前記フォトレジスト層上に刻印するステップと、
（ｅ）前記露出されたフォトレジストを現像して、高くなったレジストフィーチャのパターンを形成するステップと、
（ｆ）電解液からの材料を前記レジストフィーチャ間の凹部領域上に堆積させて、マイクロメッシュスクリーンを画定する相互接続された固体セグメントを形成するステップと、
（ｇ）前記フレームおよびマイクロメッシュスクリーンを前記プリフォームから剥がすステップと
によって、前記マイクロメッシュスクリーンを取り囲む前記フレームを電鋳するステップを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
基板処理チャンバ用の紫外線透過式マイクロ波反射板であって、
（ａ）紫外線透過板と、
（ｂ）前記紫外線透過板全体にわたって延びるマイクロメッシュスクリーンと
を備える反射板。
【請求項６】
前記紫外線透過板が石英板を構成する、請求項５に記載の反射板。
【請求項７】
基板処理チャンバ用の紫外線透過式マイクロ波反射板を製作する方法であって、
（ａ）紫外線透過板を形成するステップと、
（ｂ）前記紫外線透過板上へマイクロメッシュスクリーンを電鋳するステップと
を含み、前記マイクロメッシュスクリーンの開放面積が総面積の８０％より大きい方法。
【請求項８】
基板処理チャンバ用の紫外線透過式マイクロ波反射板であって、
（ａ）固体セグメントの格子を備えるマイクロメッシュスクリーンと、
（ｂ）前記固体セグメントを覆う被覆媒体と
を備える反射板。
【請求項９】
前記被覆媒体が、
（ｉ）紫外線透過性の媒体であること、
（ｉｉ）ポリマーであること、および
（ｉｉｉ）約２ミクロン〜約１０ミクロンの厚さを有すること
のうちの少なくとも１つを含む、請求項８に記載の反射板。
【請求項１０】
基板処理チャンバ用の紫外線透過式マイクロ波反射板を製作する方法であって、
（ａ）固体セグメントの格子を備えるマイクロメッシュスクリーンを電鋳するステップと、
（ｂ）前記固体セグメントを被覆媒体で被覆するステップと
を含む方法。
【請求項１１】
金属フレーム全体にわたって延びるマイクロメッシュスクリーンを備え、前記金属フレームと前記マイクロメッシュスクリーンは一体化されたユニット構造である、紫外線透過式マイクロ波反射板。
【請求項１２】
前記マイクロメッシュスクリーンが固体セグメントの格子を備え、前記固体セグメントが、
（ｉ）幅が約１０〜約１００ミクロンであり、高さが２〜約５００ミクロンである方形の断面、および
（ｉｉ）直径が約１０〜約１００ミクロンである円形の断面
という特性のうちの少なくとも１つを含む、請求項１または１１に記載の反射板。
【請求項１３】
（ｉ）少なくとも１つの電鋳された層、
（ｉｉ）少なくとも約２０ｍｍの幅、および
（ｉｉｉ）約２０ミクロン〜約１００ミクロンの厚さ
という特性のうちの少なくとも１つを含む、請求項１または１１に記載の反射板。
【請求項１４】
前記金属フレームと前記マイクロメッシュスクリーンは、連続する電鋳された層を形成する、請求項１１に記載の反射板。
【請求項１５】
紫外線透過式マイクロ波反射板を製作する方法であって、金属フレーム全体にわたって延びるマイクロメッシュスクリーンからなる、一体化されたユニット構造を形成するステップを含む方法。
【請求項１６】
前記マイクロメッシュスクリーンと前記金属フレームは同時に製作される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記金属フレームのパターンを、前記マイクロメッシュスクリーンの開口のパターンに組み込んで、単一のパターン付きのフォトマスクにすることによって、一体化されたユニット構造を形成するステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
（ａ）プリフォームの表面を清浄するステップと、
（ｂ）前記プリフォームの表面上にフォトレジスト層を塗布するステップと、
（ｃ）前記フォトレジスト層上に、マイクロメッシュパターンを有するフォトマスクを配置するステップと、
（ｄ）前記フォトマスクを通過する光に前記フォトレジスト層を露出させて、前記フォトマスクの前記マイクロメッシュパターンの画像を前記フォトレジスト層上に刻印するステップと、
（ｅ）前記露出されたフォトレジストを現像して、高くなったレジストフィーチャのパターンを形成するステップと、
（ｆ）電解液からの材料を前記レジストフィーチャ間の凹部領域上に堆積させて、マイクロメッシュスクリーンを画定する相互接続された固体セグメントを形成するステップと、
（ｇ）前記フレームおよびマイクロメッシュスクリーンを前記プリフォームから剥がすステップと
によって、前記マイクロメッシュスクリーンを取り囲む前記フレームを電鋳するステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
紫外線透過式マイクロ波反射板を製作する方法であって、
（ａ）金属フレームのパターンを、マイクロメッシュスクリーンの開口のパターンに組み込んで、単一のパターン付きのフォトマスクにするステップと、
（ｂ）前記単一のパターン付きのフォトマスクを用いて、金属フレーム全体にわたって延びるマイクロメッシュスクリーンからなる、一体化されたユニット構造を形成するステップと
を含む方法。
【請求項２０】
開放面積が総面積の８０％より大きい、前記マイクロメッシュスクリーンを形成するステップを含む、請求項１５または１９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
１つの応用例では、紫外線（ＵＶ）放射は、酸化シリコン、炭化シリコン、または炭素ドープ酸化シリコンの膜を処理するために使用される。たとえば、本発明の譲受人に譲渡された米国特許第６，５６６，２７８号および第６，６１４，１８１号は、シリコン−酸素−炭素膜を処理するための紫外光の使用について記述している。両特許を、全体として参照により本明細書に組み込む。酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）、およびシリコン−酸素−炭素（ＳｉＯＣｘ）膜などの材料が、半導体デバイスの製作において誘電体層として使用される。これらの膜を堆積させるには、化学気相成長（ＣＶＤ）法が使用されることが多く、この方法は、ＣＶＤチャンバ内のシリコン供給源と酸素供給源の間で熱またはプラズマに基づく反応を促進することを含む。いくつかのプロセスでは、少なくとも１つのＳｉ−Ｃ結合を含むオルガノシラン源が使用されるとき、シリコン−酸素−炭素膜の堆積の際に水が形成される。この水は、膜内に物理的に吸収されることがあり、および／またはＳｉ−ＯＨ化学結合として堆積された膜に組み込まれることがある。これらはどちらも望ましくない。ＵＶ放射は、たとえばカリフォルニア州のサンタクララのＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．に譲渡された、２００５年５月９日に出願され、「Ｔａｎｄｅｕｍ  ＵＶ  Ｃｈａｍｂｅｒ  ｆｏｒ  Ｃｕｒｉｎｇ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ」という名称で米国特許出願公開第２００６／０２５１８２７（Ａ１）号として公開された、米国特許出願第１１／１２４，９０８号に記載のように、個々のウェーハの全体的な熱量を低減させて製作プロセスを加速させながら、堆積された膜を硬化させて密度を高くするようにこれらのＣＶＤ膜を処理するために使用されてきた。同出願を、全体として参照により本明細書に組み込む。