Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月25日(2012.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
マニホルド３０は、任意のサイズおよび形状であってよいが、しかし好ましくは、断面が正方形（例えば、一辺が１１/４インチの）であり、ノズル２８は、好ましくは互いに約５インチ以下の間隔により配置されている。ただし、これは、特定のモールドおよび間隔の配置に適合するように変わり得る。標準的なＤＣ鋳造装置について、マニホルド３０は、例えば、長さ１７２０ｍｍ（インゴットの長辺側）および長さ５６０ｍｍ（インゴットの短辺側）であってよい。ノズル２８に供給する水の圧力は、ほとんど又は全ての冷却水のインゴット表面から取り除くのに適している必要があり、好ましくは、少なくとも８０ｐｓｉ、最大約１５０ｐｓｉであり、より好ましくは１００〜１２０ｐｓｉの範囲であり、それぞれのノズルにおいて、１分あたり少なくとも０．４ガロン（ｇｐｍ）、最大約１．５ｇｐｍ（理想的には０．６〜１．０ｇｐｍの範囲）の流速を与える。モールド吐出流量（または排出量、discharge flaw rate）（ワイパーより前にモールドから排出された全ての水に関する流量）が、好ましくは、モールド外周の周りの距離１リニアインチあたり、少なくとも０．６ｇｐｍ／ｉｎ、最大１．５ｇｐｍ／ｉｎであり、好ましくは０．７〜１．０ｇｐｍ／ｉｎの範囲である。詰まるまたは他の注意が必要な場合、１以上のマニホルドの交換を行なうために容易に接続を断つおよび再接続できるように、高圧ホース３１、３２、３３および３４は好ましくは、着脱容易な取り付け具（quick release fittings）により、マニホルドに取り付けられる。さらに、マニホルド３０は、好ましくは、それらをインゴット１９の近く移動するもしくはインゴット１９からより遠くに移動する、および／または鋳造モールドの近くに移動もしくは鋳造モールドからより離れて移動することができる装置（図示せず）上に支持される。また、ノズルを水平軸の周りに回転可能にして、状況に応じて決定するように、インゴット表面対するスプレーの角度を調整可能にすることが望ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷却水が表面を流動方向に流れる、概して矩形で４つの側面を有する金属インゴットの前記表面から前記冷却水を取り除く方法であって、
水スプレーを、前記冷却水が前記水スプレーに衝突する際に前記表面を流れる前記冷却水を前記表面から分離するのに効率的になるような角度と流速で、前記インゴットの４つの側面全ての前記表面に向けることと、
前記表面から分離された前記冷却水と、前記表面と接触した後の前記スプレーからの水とを、前記表面から離れた経路に従うように制限することと、
を含む方法。
【請求項２】
前記水スプレーが、前記流動方向に逆流する方向に６５°〜７５°範囲内の角度で前記表面に向けられる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記水スプレーが、それぞれ１．５ガロン／分以下の流量を有する請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記水スプレーが概して平坦かつ扇形状に形成される請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記扇形状のスプレーが、スプレーがインゴットと接触する箇所で重なり合うように、互いに近接して位置する請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記水スプレーが、１〜２インチの範囲で重なり合うように互いに近接して位置する請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記水スプレーがそれぞれ、少なくとも６５°の円弧に亘って広がっている請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記ノズルが、５インチ以下の間隔で互いに離れている請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記冷却水を前記インゴットの前記表面に与えるオリフィスを備えたダイレクトチル鋳造モールドから現れたインゴットに適用する請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法であって、
前記スプレーが全て、前記ダイレクトチル鋳造モールドから所定の距離で前記表面に向けられている方法。
【請求項１０】
前記スプレーが、前記ダイレクトチル鋳造モールドから同じ距離で前記インゴットの前記４つの側面全に向けられている請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ダイレクトチル鋳造モールドが垂直鋳造のための方向に向けられていることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
冷却水が表面を流動方向に流れる、矩形で４つの側面を有する金属インゴットの前記表面から前記冷却水を取り除く装置であって、
水スプレーをインゴットの４つの側面全ての前記表面に向けるように構成されたノズルであって、前記水スプレーが、前記冷却水が前記スプレーに衝突する際に前記表面を流れる前記冷却水を前記表面から分離させるために用いるのに効率的になるような位置および角度に配置され、前記スプレーにより前記表面から取り除かれた前記冷却水と前記表面に接触した後の前記スプレーからの水とがインゴットの前記表面から離れた経路に従うように構成されたノズルと、
前記ノズルに水を供給するための１以上の導管と、
前記ノズルに供給する水を加圧するための加圧装置と、
を含む装置。
【請求項１３】
前記１以上のノズルが、前記流動方向に逆流する方向に６５°〜７５°の範囲内の角度で前記表面に向けられている請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記水スプレーが、約１．５ガロン／分以下の流量である請求項１２または１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記ノズルが、概して平坦かつ扇形状の水スプレーを形成するように構成されている請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１６】
前記ノズルが、前記スプレーがインゴットと接触する箇所で重なり合うように、互いに近接して位置する請求項１２〜１５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１７】
前記ノズルが、前記水スプレーが１〜２インチの範囲で重なり合うように、互いに近接して位置する請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記ノズルが、前記扇形状のスプレーがそれぞれ少なくとも６５°の円弧に亘って広がるように、構成されている請求項１５または１６に記載の装置。
【請求項１９】
前記ノズルが、５インチ以下の間隔で互いに離れている請求項１２〜１８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２０】
前記インゴットを製造するためのダイレクトチル鋳造モールドを含む請求項１２〜１９のいずれか１項に記載の装置であって、
前記モールドは、前記冷却水を前記インゴットの前記表面に与えるオリフィスを備え、
前記ノズルが、前記ダイレクトチル鋳造モールドの出口から所定の距離に位置する装置。
【請求項２１】
前記ノズルが、前記ダイレクトチル鋳造モールドから同じ距離で、前記インゴットの前記４つの側面に向いている請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
前記ダイレクトチル鋳造モールドが、垂直鋳造のための方向に向けられていることを特徴とする請求項２０に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月21日(2012.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
叢状神経線維腫を治療するための医薬であって、式１による化合物：
【化６】
2011526292.tif 000001
［式中、
Ｒ１は、４−ピラジニル、１−メチル−１Ｈ−ピロリル、アミノ置換フェニルもしくはアミノ−低級アルキル置換フェニル（前記アミノ基はそれぞれの場合において、遊離しているか、またはアルキル化もしくはアシル化されている）、五員環炭素原子で結合している１Ｈ−インドリルもしくは１Ｈ−イミダゾリル、または環炭素原子において結合しており、窒素原子において非置換もしくは酸素で置換されている非置換ピリジルもしくは低級アルキル置換ピリジルであり、
Ｒ２およびＲ３は、それぞれ他とは独立に、水素または低級アルキルであり、
基Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８のうちの１個または２個は、それぞれ、ニトロ、フルオロ置換低級アルコキシまたは式ＩＩの基
−Ｎ（Ｒ９）−Ｃ（＝Ｘ）−（Ｙ）ｎ−Ｒ１０  （ＩＩ）
［式中、
Ｒ９は、水素または低級アルキルであり、
Ｘは、オキソ、チオ、イミノ、Ｎ−低級アルキル−イミノ、ヒドロキシミノまたはＯ−低級アルキル−ヒドロキシミノであり、
Ｙは、酸素または基ＮＨであり、
ｎは、０または１であり、
Ｒ１０は、少なくとも５個の炭素原子を有する脂肪族基、または芳香族、芳香族−脂肪族、脂環式、脂環式−脂肪族、複素環もしくは複素環−脂肪族の基である］であり、
残りの基Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８は、それぞれ他とは独立に、水素、非置換低級アルキルまたは遊離もしくはアルキル化アミノ、ピペラジニル、ピペリジニル、ピロリジニルもしくはモルホリニルによって置換されている低級アルキル、または低級アルカノイル、トリフルオロメチル、遊離もしくはエーテル化もしくはエステル化ヒドロキシ、遊離もしくはアルキル化もしくはアシル化アミノ、または遊離もしくはエステル化カルボキシである］
または少なくとも１個の塩形成基を有する該化合物の塩を治療上有効な少なくとも１用量含む、医薬。
【請求項２】
前記化合物が式１の薬学的に許容できる塩である、請求項１に記載の医薬。
【請求項３】
前記式１の薬学的に許容できる塩がメシル酸塩である、請求項２に記載の医薬。
【請求項４】
さらに叢状神経線維腫または同様の状態を有する患者を診断するための、請求項１に記載の医薬。
【請求項５】
さらに叢状神経線維腫または同様の状態を生じるリスクにある患者を同定するための、請求項１に記載の医薬。
【請求項６】
式１による前記化合物の前記治療上有効な用量が２００ｍｇ〜５００ｍｇであり、
前記化合物の前記用量が患者に少なくとも１日１回投与される、請求項１に記載の医薬。
【請求項７】
式１による前記化合物の前記治療上有効な用量が３５０ｍｇ〜４５０ｍｇであり、前記化合物の前記用量が患者に少なくとも１日１回投与される、請求項１に記載の医薬。
【請求項８】
式１による前記化合物の前記治療上有効な用量が４００ｍｇであり、前記化合物の前記用量が患者に１日２回投与される、請求項１に記載の医薬。
【請求項９】
叢状神経線維腫を治療するための医薬であって、式２による化合物
【化７】
2011526292.tif 000002
を治療上有効な少なくとも１用量含む、医薬。
【請求項１０】
前記化合物が式２の薬学的に許容できる塩である、請求項９に記載の医薬。
【請求項１１】
さらに叢状神経線維腫または同様の状態を有する患者を診断するための、請求項９に記載の医薬。
【請求項１２】
さらに叢状神経線維腫または同様の状態を生じるリスクにある患者を同定するための、請求項９に記載の医薬。
【請求項１３】
式２による前記化合物の前記治療上有効な用量が２００ｍｇ〜５００ｍｇであり、前記化合物の前記用量が患者に少なくとも１日１回投与される、請求項９に記載の医薬。
【請求項１４】
式２による前記化合物の前記治療上有効な用量が３５０ｍｇ〜４５０ｍｇであり、前記化合物の前記用量が患者に少なくとも１日１回投与される、請求項９に記載の医薬。
【請求項１５】
式２による前記化合物の前記治療上有効な用量が４００ｍｇであり、前記化合物の前記用量が患者に１日２回投与される、請求項９に記載の医薬。
【請求項１６】
叢状神経線維腫を治療するための医薬であって、式３による化合物
【化８】
2011526292.tif 000003
を治療上有効な少なくとも１用量含む、医薬。
【請求項１７】
さらに叢状神経線維腫または同様の状態を有する患者を診断するための、請求項１６に記載の医薬。
【請求項１８】
さらに叢状神経線維腫または同様の状態を生じるリスクにある患者を同定するための、請求項１６に記載の医薬。
【請求項１９】
式３による前記化合物の前記治療上有効な用量が２００ｍｇ〜５００ｍｇであり、前記化合物の前記用量が患者に少なくとも１日１回投与される、請求項１６に記載の医薬。
【請求項２０】
式３による前記化合物の前記治療上有効な用量が３５０ｍｇ〜４５０ｍｇであり、前記化合物の前記用量が患者に少なくとも１日１回投与される、請求項１６に記載の医薬。
【請求項２１】
式３による前記化合物の前記治療上有効な用量が４００ｍｇであり、前記化合物の前記用量が患者に１日２回投与される、請求項１６に記載の医薬。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月18日(2012.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式(I):
【化１】
2011526293.tif 000001
の化合物もしくは立体異性体、または医薬的に許容されるその塩。
【請求項２】
ケモカインもしくはケモカイン受容体活性を調節するための、医薬的に許容される担体および治療上有効な量の請求項１に記載の化合物を含有する医薬組成物。
【請求項３】
CCR-1活性を調節するための、医薬的に許容される担体および治療上有効な量の請求項１に記載の化合物を含有する医薬組成物。
【請求項４】
CCR-1受容体活性を調節するための、医薬的に許容される担体および治療上有効な量の請求項１に記載の化合物を含有する医薬組成物。
【請求項５】
炎症性疾患を治療するための、医薬的に許容される担体および治療上有効な量の請求項１に記載の化合物を含有する医薬組成物。
【請求項６】
CCR-1によって少なくとも部分的に媒介される炎症性疾患を治療するための、医薬的に許容される担体および治療上有効な量の請求項１に記載の化合物を含有する医薬組成物。
【請求項７】
障害を治療するための、医薬的に許容される担体および治療上有効な量の請求項１に記載の化合物を含有する医薬組成物であって、ここで、該障害は、骨関節炎、動脈瘤、発熱、心血管作用、クローン病、うっ血性心不全、自己免疫疾患、HIV感染症、HIV関連認知症、乾癬、特発性肺線維症、移植動脈硬化症、物理的もしくは化学的に誘発された脳外傷、神経因性疼痛、炎症性腸疾患、肺胞炎、潰瘍性大腸炎、全身性エリテマトーデス、腎毒性血清腎炎、糸球体腎炎、喘息、多発性硬化症、アテローム性動脈硬化症、関節リウマチ、脊椎関節症、再狭窄、臓器移植、多発性骨髄腫、結腸直腸癌、肝細胞癌、または他の癌から選択される、該医薬組成物。
【請求項８】
医薬的に許容される担体および治療上有効な量の請求項１に記載の化合物を含有する医薬組成物を有用な医薬剤形に製剤化することを含む、骨関節炎、動脈瘤、発熱、心血管作用、クローン病、うっ血性心不全、自己免疫疾患、HIV感染症、HIV関連認知症、乾癬、特発性肺線維症、移植動脈硬化症、物理的もしくは化学的に誘発された脳外傷、神経因性疼痛、炎症性腸疾患、肺胞炎、潰瘍性大腸炎、全身性エリテマトーデス、腎毒性血清腎炎、糸球体腎炎、喘息、多発性硬化症、アテローム性動脈硬化症、関節リウマチ、または脊椎関節症の治療のための医薬の製造方法。
【請求項９】
骨関節炎、動脈瘤、発熱、心血管作用、クローン病、うっ血性心不全、自己免疫疾患、HIV感染症、HIV関連認知症、乾癬、特発性肺線維症、移植動脈硬化症、物理的もしくは化学的に誘発された脳外傷、神経因性疼痛、炎症性腸疾患、肺胞炎、潰瘍性大腸炎、全身性エリテマトーデス、腎毒性血清腎炎、糸球体腎炎、喘息、多発性硬化症、アテローム性動脈硬化症、関節リウマチ、脊椎関節症、再狭窄、臓器移植、多発性骨髄腫、結腸直腸癌、肝細胞癌、または他の癌を含む、炎症性、感染性および免疫調節性の障害および疾患を予防もしくは治療するための、治療上有効な量の請求項１に記載の化合物および１つ以上の他の活性成分を組み合わせて含む剤であって、該他の活性成分を請求項１に記載の化合物と同時にもしくは連続して投与することを特徴とする、該剤。
【請求項１０】
該他の活性成分が、抗炎症薬、鎮痛薬、疼痛緩和剤、増強薬、うっ血除去薬、鎮咳剤、利尿薬、鎮静性もしくは非鎮静性抗ヒスタミン薬、インテグリンアンタゴニスト、ステロイド、免疫抑制剤、抗ヒスタミン薬、非ステロイド性抗喘息薬、非ステロイド性抗炎症薬(NSAID)、シクロオキシゲナーゼ-2(COX-2)阻害剤、ホスホジエステラーゼタイプIV(PDE-IV)の阻害剤、ケモカイン受容体の他のアンタゴニスト、コレステロール低下薬、抗糖尿病薬、インターフェロン製剤、抗ウイルス化合物、5-アミノサリチル酸、代謝拮抗薬、または細胞傷害性癌化学療法薬である、請求項９に記載の剤。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月15日(2012.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
精密打ち抜き金型で精密打ち抜き部品を製作するための方法であって、帯状材料が、上側のプレスプレートまたは打ち抜きプレート（１０）および下側の打ち抜きプレート（５）と上側の打ち抜きパンチおよび下側の打ち抜きパンチ（１１）からなる２つの金型部分（３，４）の間で挟持され、その際、打ち抜きが、上側の打ち抜きパンチおよび下側の打ち抜きパンチと協働して、精密打ち抜き部品の外周に沿った不完全な切断として行われるので、精密打ち抜き部品（１）が、少なくとも一つの部分的な接続部分（１４）において、帯状材料と相対的な高さ位置にある精密打ち抜き部品のほぼ上側平面または下側平面で、先ず最初は帯状材料（２）に材料結合的に接合された状態であり、そしてその後、帯状材料と共に、後続のエゼクタ（１２）を有する離型段まで帯状材料の走行方向（Ｒ）に移動させられ、引き続き、精密打ち抜き部品（１）が金型の内室から帯状材料（２）の走行方向（Ｒ）に排出される、方法において、
打ち抜きエッジに沿って部分的に形成された面取り部（１６）を有する、打ち抜きプレート（５）の収容部（６）に挿入することができるダイインサート（７）と、このダイインサート（７）に付設された打ち抜きパンチ（１１）が、打ち抜きの為に使用され、および、少なくとも一つの接続箇所（１４）を介して帯状材料（２）と接続される精密打ち抜き部品（１）が、エグザクタ（１２）による剪断力を加えない破断によって、帯状材料（２）の走行方向（Ｒ）に対して垂直方向下方へ押し戻さずに離型され、その際、離型された精密打ち抜き部品（１）が打ち抜きプレート（５）内の落下シュート（９）を通って排出されることを特徴とする方法。
【請求項２】
精密打ち抜き部品（１）がその外周の約８０〜９０％だけ帯状材料（２）から完全に打ち抜かれることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
精密打ち抜き部品（１）が不完全打ち抜きの後で、少なくとも１つ、特に２つ以上の接続部分（１４）によって帯状材料に保持されることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
ダイインサート（７）が端面の再研磨によって複数回使用可能であり、再研磨によって生じる、ダイインサート（７）の高さの低下または素材損失が、打ち抜きプレート（５）の収容部（６）に挿入される１個または複数の台（８）によって補償されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ダイインサート（７）が、精密打ち抜き部品（１）の形状に適合した形により、その外周に沿って均一に付勢されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
上側の金型部分と下側の金型部分（３，４）との間における帯状材料（２）の挟持が、ダイインサート（７）だけによって行われることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
精密打ち抜き部品（１）と帯状材料（２）が、金型を開放する際に切断されないように、押出し部材（２０）によって加えられるばね力によって保持されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
帯状材料（２）から精密打ち抜き部品（１）を不完全に打ち抜くためおよび帯状材料（２）を挟持するためのそれぞれ１個の上側のプレスプレートまたは案内プレート（１０）および下側の打ち抜きプレート（５）と上側および下側の打ち抜きパンチ（１１）から成る二つの金型部分（３，４）を備えており、その際、精密打ち抜き部品（１）が、少なくとも一つの部分的な接続部分（１４）において、帯状材料と相対的な高さ位置にある精密打ち抜き部品のほぼ上側平面または下側平面で、先ず最初は帯状材料（２）に材料結合的に接合された状態であり、エゼクタ（１２）を有する離型段を備えている、請求項１に記載の帯状材料から精密打ち抜き部品を製作するための装置において、
打ち抜きプレート（５）の収容室（６）内に、均一な付勢力を受けて摩擦連結的に保持されたダイインサート（７）が配置され、このダイインサートに打ち抜きパンチ（１１）が付設され、ダイインサート（７）の打ち抜きエッジ（１５）が、部分的に形成された面取り部（１６）によって、帯状材料（２）から精密打ち抜き部品（１）を、少なくとも、一つの接続箇所（１４）によって帯状材料に接合された状態で打ち抜くための、部分的に形成された面取り部（１６）を備え、ダイインサート（７）が打ち抜きプレート（５）に対して、帯状材料（２）をプレスプレートまたは案内プレート（１０）に部分的に挟持するための高さのずれ（Ｈ）を有し、垂直方向の剪断力成分を接続箇所（１４）に伝達しないで、帯状材料（２）から少なくとも１つの部分的な接続箇所（１４）を破断するためのエゼクタ（１２）が離型段に設けられ、分離された精密打ち抜き部品（１）を帯状材料（２）の走行方向（Ｒ）に対して下方へ排出するための落下シュート（９）が打ち抜きプレート（５）内に設けられていることを特徴とする装置。
【請求項９】
面取り部（１６）が異なる長さおよび／または幅および／または傾斜を有することを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
ダイインサート（７）が交換可能であることを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
ダイインサートの再研磨の際に生じる素材損失および高さの低下を補償するために、異なる厚さを有する、ダイインサート（７）の下方の収容室（６）内に配置された１個または複数の台（８）が設けられていることを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１２】
プレスラム（１７）内に配置されかつばねセット（１９）によって付勢された押出し部材（２０）が打ち抜きパンチ（１１）に付設され、この押出し部材が金型の開放時、すなわち、プレスラム（１７）の後退時に、ばねセット（１９）の減張によって、帯状材料（２）からの少なくとも１つの接続箇所（１４）の切断を防止することを特徴とする請求項８に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月25日(2012.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
切削加工が難しい、鋳造材料を含む材料を加工するための多刃穿孔工具であって、研削部の構成は、主刃（２２、２４）が、異なる大きさの先端角（ＷＳＰＩ、ＷＳＰＡ）を規定する少なくとも２つの主刃区域（２２、２４）を有し、前記先端角のうちの、径方向に外側の先端角（ＷＳＰＡ）は、径方向に内側の先端角（ＷＳＰＩ）よりも小さい、穿孔工具において、前記径方向に外側の主刃区域（２４）は、９５°と１３０°との間の範囲の先端角（ＷＳＰＡ）を規定し、前記径方向に内側の主刃区域（２２）は、１３０°と１５０°との間の範囲の先端角（ＷＳＰＩ）を規定し、前記両主刃区域（２２、２４）の間に配置された、前記主刃（２２、２４）の屈曲位置（２６）は、ドリル軸（２８）から、（０．２５と０．４との間）×Ｄの範囲にある距離（ＲＫ）を有しており、ここでＤは、前記穿孔工具（１０）の公称直径を示すことを特徴とする、穿孔工具。
【請求項２】
前記径方向に内側の主刃区域（２２）は、ドリル先端から軸方向に見て、ドリルの中心（２８）に向かって、屈曲して延びていることを特徴とする、請求項１に記載の穿孔工具。
【請求項３】
前記径方向に内側の主刃区域（２２）の屈曲部は、丸くなっており、円の半径は、（０．２と０．２６との間）×Ｄの範囲であり、Ｄは、前記穿孔工具（１０）の公称直径を示すことを特徴とする、請求項２に記載の穿孔工具。
【請求項４】
前記ドリル先端に向かって角度をなした、前記径方向に内側の主刃区域（２２）の部分（２２Ｂ）は、クロス研削技術に係る尖鋭部（３０）によって形成されていることを特徴とする、請求項２または３に記載の穿孔工具。
【請求項５】
前記両主刃区域（２２、２４）に、それぞれ、別々の主逃げ面（４２、４４）が割当られ、前記主逃げ面（４２、４４）によって、各逃げ角度（ＷＦ２２、ＷＦ２４）を別々に規定可能であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の穿孔工具。
【請求項６】
前記主刃区域（２２、２４）に割当てられた前記各主逃げ面は、２つの面（４２・４６、および、４４・４８）から形成されており、前記面のうちの、前記主刃区域（２２、２４）に隣接する面（４２、４４）は、別の面（４６、４８）よりも、小さいすくい角（ＷＦ２２、ＷＦ２４）を規定していることを特徴とする、請求項５に記載の穿孔工具。
【請求項７】
少なくとも前記径方向に外側の主刃区域（２４）は、軸方向に見て、凸状に延びていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の穿孔工具。
【請求項８】
少なくとも前記径方向に外側の主刃区域（２４）は、軸方向に見て、凹状に延びていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の穿孔工具。
【請求項９】
主逃げ面（４６、４８）に開口し、内部に設けられた冷却／潤滑剤管を特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載の穿孔工具。
【請求項１０】
前記内部に設けられた冷却／潤滑剤管の各開口部（１４）は、切屑溝（２０）まで、開口して研削されていることを特徴とする、請求項９に記載の穿孔工具。
【請求項１１】
前記径方向に外側の主刃区域は、刃角（１３４）の領域において、面取りした面を備え、前記面取りした面の径方向の伸長域（ＥＲ）は、（０．０５と０．０７との間）×Ｄの範囲にあり、前記面取りした面の円周方向の伸長域ＥＵは、（０．０２５と０．０３５との間）×Ｄにあり、ここで、Ｄは、前記穿孔工具（１０）の公称直径を示すことを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の穿孔工具。
【請求項１２】
螺旋形の切屑溝（２０）を特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の穿孔工具。
【請求項１３】
前記穿孔工具は、少なくとも部分的に、高速度鋼から構成されることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の穿孔工具。
【請求項１４】
前記穿孔工具は、少なくとも刃の領域において、硬質材料工具として構成されていることを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の穿孔工具。
【請求項１５】
前記穿孔工具の少なくとも刃の近傍の領域を構成する硬質材料は、微粒子−超硬合金であることを特徴とする、請求項１４または１４に記載の穿孔工具。
【請求項１６】
前記穿孔工具の刃は、嵌め込み刃から形成されており、前記嵌め込み刃は、高剛性材料、または、硬質材料から構成されていることを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の穿孔工具。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか１項に係る穿孔工具の、高強度の材料、または、金属鋳造材料を含む他の切削加工が難しい鋼材料を加工するための使用。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月28日(2012.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式I
【化１】
2011526252.tif 000001
式中、
Ｒ１は、水素、メチル、エチルおよびビニルから選択され；および
Ｒ２およびＲ３は、独立して、水素、メチル、エチルおよびビニルから選択されるか；または
Ｒ２およびＲ３は、一緒になって、２価のラジカル−（ＣＨ２）ｎ−であり、ここでｎは２または３であり；
但し、式Ｉで表される化合物の炭素原子の総数は２０個以下である、
で表される化合物。
【請求項２】
２，２，６，６，１０，１０−ヘキサメチル−５，７−ジオキサテトラシクロ［９．２．１．０１，９，０４，８］テトラデカン；６−エチル−２，２，４，１０，１０−ペンタメチル−５，７−ジオキサテトラシクロ［９．２．１．０１，９，０４，８］テトラデカン；２，２，１０，１０−テトラメチル−５，７−ジオキサテトラシクロ［９．２．１．０１，９，０４，８］テトラデカン；２，２，６，１０，１０−ペンタメチル−５，７−ジオキサテトラシクロ［９．２．１．０１，９，０４，８］テトラデカン；６−エチル−２，２，１０，１０−テトラメチル−５，７−ジオキサテトラシクロ［９．２．１．０１，９，０４，８］テトラデカン；２，２，４，１０，１０−ペンタメチル−５，７−ジオキサテトラシクロ［９．２．１．０１，９，０４，８］テトラデカン；２，２，４，６，１０，１０−ヘキサメチル−５，７−ジオキサテトラシクロ［９．２．１．０１，９，０４，８］テトラデカン；および２，２，４，６，６，１０，１０−ヘプタメチル−５，７−ジオキサテトラシクロ［９．２．１．０１，９，０４，８］テトラデカンからなるリストから選択される、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
請求項１に定義された式Iで表される化合物のフレーバーまたフレグランスとしての使用。
【請求項４】
請求項１に定義された式Iで表される化合物またはそれらの混合物、およびベース材料を含むフレグランス組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月28日(2012.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略平坦な面に非貫通方式で設置される太陽光発電モジュールであって、
外周と、主平面を規定している正面とを含む太陽光発電積層体を有する太陽光発電デバイスと、
前記太陽光発電積層体の前記外周の周囲を取り囲むように前記外周に取着されているフレームと
を備え、
前記フレームは、
互いに対向する前方フレーム部材および後方フレーム部材と、
互いに対向する第１の側方フレーム部材および第２の側方フレーム部材と、
前記フレーム部材のうち１つから突出しており、設置面に載置されるべく前記正面の反対側に支持面が形成されている第１のアームと
を有し、
前記支持面の平面および前記太陽光発電積層体の前記主平面は互いに平行ではなく、
前記太陽光発電積層体および前記フレームは、組み立てが完了すると、一体構造となる太陽光発電モジュール。
【請求項２】
前記太陽光発電積層体の前記主平面および前記支持面の平面によって、３度から７度の範囲内の内角が画定されている請求項１に記載の太陽光発電モジュール。
【請求項３】
前記一体構造は、前記フレームを前記太陽光発電積層体から取り外すには前記フレーム部材のうち少なくとも１つを破損させなければならないように構成されている請求項１に記載の太陽光発電モジュール。
【請求項４】
前記第１のアームは、前記フレームを、同一構造の第２の太陽光発電モジュールアセンブリの対応するフレームに重ねることを可能とするように構成されている請求項１に記載の太陽光発電モジュール。
【請求項５】
前記第１の側方フレーム部材は、前記後方フレーム部材の対応する第２のコネクタにプレスフィット方式で取着される第１のコネクタを含む請求項１に記載の太陽光発電モジュール。
【請求項６】
前記第１のコネクタは、
レセプタクルが画定されているメス型部品、および、
前記レセプタクルの形状に応じた形状を持つオス型部品
のうちいずれか一方であり、
前記第２のコネクタは、前記オス型部品および前記メス型部品のうち他方である請求項５に記載の太陽光発電モジュール。
【請求項７】
前記第１のアームの前記支持面は、前記前方フレーム部材とは反対方向に前記後方フレーム部材を超えて延伸しており、
前記フレームはさらに、
前記フレーム部材のうち１つから突出しており、支持面が形成されている第２のアーム
を有し、前記第２のアームの前記支持面は、前記後方フレーム部材を超えて延伸しており、前記第１のアームの前記支持面と同一平面上にある請求項１に記載の太陽光発電モジュール。
【請求項８】
前記フレームはさらに、
前記フレーム部材のうち１つから突出しており、前記前方フレーム部材を超えて延伸している支持面が形成されている第３のアームと、
前記フレーム部材のうち１つから突出しており、前記前方フレーム部材を超えて延伸している支持面が形成されている第４のアームと
を有し、
前記第１から第４のアームの前記支持面は、同一平面上にある請求項７に記載の太陽光発電モジュール。
【請求項９】
前記フレームはさらに、前記第１のアームの終端部分に設けられている取着領域を有し、前記取着領域は、同一構造の第２の太陽光発電モジュールの第３のアームの対応する取着領域に取着される請求項８に記載の太陽光発電モジュール。
【請求項１０】
前記第１のアームおよび前記第３のアームは、前記第１の側方フレーム部材から延伸しており、
前記第２のアームおよび前記第４のアームは、前記第２の側方フレーム部材から延伸している
請求項８に記載の太陽光発電モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月28日(2012.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略平坦な面に非貫通方式で設置される太陽光発電モジュールアセンブリであって、
太陽光発電積層体を含む太陽光発電デバイスと、
前記太陽光発電積層体の外周を囲み、後方フレーム部材を持つ骨組部、前記骨組部から前記後方フレーム部材を超えて延び、第１座部が形成されている第１支持アーム、前面及び後面を持つ偏向部材、ならびに前記フレーム及び前記偏向部材の前記後面のいずれか一方から延出するクリップを含む、前記太陽光発電積層体に取着されるフレームと
を有する太陽光発電モジュールを備え、
前記偏向部材が前記第１座部内に位置し、前記クリップを通じて前記後方フレーム部材に取り外し可能に取り付けられる第１取り付け状態を提供する太陽光発電モジュールアセンブリ。
【請求項２】
前記第１座部は、前記偏向部材の一部分を摩擦係止する大きさに形成されたスロットを形成する複数の側壁を含む請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
前記第１支持アームには、さらに前記偏向部材の一部分を摩擦係止する第２座部が形成されており、前記第２座部は、長手方向に前記後方フレーム部材と前記第１座部との間に配置される請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項４】
前記偏向部材は、対向する第１側面及び第２側面と、対向する第１端部及び第２端部とを含み、
前記第１取り付け状態は、前記第１端部の一部分が前記第１座部内に位置する状態を含み、
前記第２端部の一部分が前記第２座部内に位置し、前記偏向部材が前記クリップを通じて前記後方フレーム部材に取り外し可能に取り付けられる第２取り付け状態を提供し、
前記後面が、前記第１端部から延び前記偏向部材の横断面と第１角度をなす第１部分と、前記第２端部から延び前記偏向部材の横断面と第２角度をなす第２部分とを含み、
前記第１角度と前記第２角度とが異なっており、
前記第１取り付け状態は、前記第２部分が前記後方フレーム部材に隣接する状態を含み、
前記第２取り付け状態は、前記第１部分が前記後方フレーム部材に隣接する状態を含み、
前記第１部分及び前記第２部分は、前記偏向部材の前記第１側面に設けられる請求項１から３の何れか１項に記載のアセンブリ。
【請求項５】
前記第１取り付け状態は、前記第１側面の第１部分が前記第１座部内に配置される状態を含み、
前記第２取り付け状態は、前記第１側面の第２部分が前記第２座部内に配置される状態を含む請求４に記載のアセンブリ。
【請求項６】
前記第１支持アームは、第２の太陽光発電モジュールを取着するのに適した取着領域を形成し、
前記第１座部は、長手方向に前記取着領域と前記後方フレーム部材との間に位置する請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項７】
前記第１支持アームは、平坦な面に設置するための下面を持ち、
前記下面は、前記平坦な面に対して前記太陽光発電積層体を支持し、前記太陽光発電積層体の面に対して非平行である面を含む請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項８】
前記フレームは、前記骨組部から前記後方フレーム部材を超えて延びる第２支持アームを含み、
前記第２支持アームには、前記第１支持アームの前記第１座部と横方向に並び、前記偏向部材の一部分を摩擦係止する座部が形成されている請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項９】
前記クリップは、前記後方フレーム部材から突出して保持部分を形成し、
前記偏向部材は、前記第１取り付け状態において前記保持部分を係止する大きさに形成された第１受容部を前記後面に含む請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１０】
前記保持部分は、第１外側寸法を持つ自然位置から、前記第１外側寸法よりも小さい第２外側寸法を持つ偏向位置へと偏向可能であって、
前記保持部分は、前記偏向位置から前記自然位置へと自然に戻るような付勢力を示し、
前記第１受容部は、前記第１取り付け状態において前記保持部分が前記第１受容部に挿入されるときに、前記保持部分を前記偏向位置へと押しやる位置に設けられた少なくとも１つの壁部材を含む請求項９に記載のアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月29日(2012.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのフラクショナル利得を広帯域入力と結合する、加算器と、
前記加算器の出力を積分する、第１積分器と、
前記第１積分器の出力を増幅して、第１の増幅信号を提供する、第１の可変利得ブロックと、
前記第１の増幅信号に対応した信号を積分する、第２積分器と、
前記第２積分器の出力を増幅して、第２の増幅信号を提供する、第２の可変利得ブロックと、
前記第２の増幅信号に基づいて、前記少なくとも１つのフラクショナル利得係数を提供する、少なくとも１つのフラクショナル利得ブロックとを備えた、状態可変フィルタ。
【請求項２】
請求項１において、前記状態可変フィルタは制御器正準形である、状態可変フィルタ。
【請求項３】
請求項１において、前記状態可変フィルタは観測器正準形である、状態可変フィルタ。
【請求項４】
請求項１において、前記第１積分器または第２積分器に加える電圧を調節することによって、当該状態可変フィルタの帯域幅を変更する、状態可変フィルタ。
【請求項５】
フィルタ処理済み信号の極を広帯域入力と結合して、結合信号を提供する工程と、
前記結合信号を積分して、積分済み信号を提供する工程と、
前記積分済み信号を利得Ｇで増幅して、前記フィルタ処理済み信号を提供する工程であって、フィルタ中心周波数が前記利得Ｇで拡大または縮小される、工程とを備えた、広帯域信号のフィルタリング方法。
【請求項６】
請求項５において、さらに、
前記フィルタ処理済み信号を積分して、別の積分済み信号を提供する工程と、
前記別の積分済み信号を増幅して、別のフィルタ処理済み信号を提供する工程と、
前記結合信号を積分する前に、前記別の積分済み信号を前記結合信号と結合する工程と、
前記別のフィルタ処理済み信号を前記差信号に加えて、出力を提供する工程とを備えた、広帯域信号のフィルタリング方法。
【請求項７】
請求項５において、さらに、
前記広帯域入力がトレーニング信号である場合には、前記フィルタ処理済み信号を測定して等化係数を生成する工程と、
前記等化係数に基づいて、前記積分済み信号の利得を調節して前記フィルタ処理済み信号を等化する工程とを備えた、広帯域信号のフィルタリング方法。
【請求項８】
広帯域入力に対して並列に作用する、ｍ次状態可変フィルタおよびｎ次状態可変フィルタと、
前記ｍ次状態可変フィルタおよび前記ｎ次状態可変フィルタからの出力を加算して、処理済み出力を生成する、加算器とを備えた、広帯域信号処理装置。
【請求項９】
請求項８において、前記ｍ次状態可変フィルタおよび前記ｎ次状態可変フィルタは、タップ重みを含み、このタップ重みは、当該広帯域信号処理装置の伝達関数を生成するように調節可能である、広帯域信号処理装置。
【請求項１０】
請求項８において、さらに、
前記処理済み出力のデジタル表現を生成する、アナログ−デジタル変換器と、
前記処理済み出力の前記デジタル表現に基づいて、前記ｍ次状態可変フィルタおよび前記ｎ次状態可変フィルタを制御する、デジタル信号プロセッサとを備えた、広帯域信号処理装置。
【請求項１１】
請求項１０において、前記デジタル信号プロセッサは、前記ｍ次状態可変フィルタおよび前記ｎ次状態可変フィルタのタップ重みまたはＤＣ電圧を変更することによって、前記ｍ次状態可変フィルタおよび前記ｎ次状態可変フィルタの中心周波数および伝達関数を制御する、広帯域信号処理装置。
【請求項１２】
請求項８において、前記ｍ次状態可変フィルタは１次状態可変フィルタであり、
この１次状態可変フィルタは、
前記広帯域入力の留数を提供する、留数ブロックと、
フィルタ処理済み出力の極と前記広帯域入力の前記留数とを結合する、加算器と、
前記加算器の出力を積分する、積分器と、
前記積分器の出力を増幅して、前記フィルタ処理済み出力を提供する、可変利得ブロックと、
前記フィルタ処理済み出力の前記極を提供する、極ブロックとを有する、広帯域信号処理装置。
【請求項１３】
請求項８において、前記ｎ次状態可変フィルタは２次状態可変フィルタであり、
この２次状態可変フィルタは、
少なくとも１つのフラクショナル利得を前記広帯域入力と結合する、加算器と、
前記加算器の出力を積分する、第１積分器と、
前記第１積分器の出力を増幅して、第１の増幅信号を提供する、第１の可変利得ブロックと、
前記第１の増幅信号に対応した信号を積分する、第２積分器と、
前記第２積分器の出力を増幅して、第２の増幅信号を提供する、第２の可変利得ブロックと、
前記第２の増幅信号に基づいて、前記少なくとも１つのフラクショナル利得係数を提供する、少なくとも１つのフラクショナル利得ブロックとを有する、広帯域信号処理装置。
【請求項１４】
広帯域信号を受信する、アンテナと、
前記広帯域信号の特徴を提供する、スペクトル分析器と、
前記広帯域信号の前記特徴決定に基づいて、干渉をゼロにするように再構成可能な帯域阻止フィルタであって、当該帯域阻止フィルタの利得が当該帯域阻止フィルタの中心周波数を調節する、帯域阻止フィルタとを備えた、トランシーバ。
【請求項１５】
タップ付遅延ライン構成で配置された状態可変フィルタ遅延要素を備えた、タップ付遅延ラインであって、
前記遅延要素は、広帯域入力に並列に作用するｎ次状態可変フィルタおよびｍ次状態可変フィルタと、前記ｎ次状態可変フィルタおよびｍ次状態可変フィルタからの出力を加える加算器とを備えた、タップ付遅延ライン。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月16日(2012.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのＦｃ領域のアミノ酸の突然変異を有し、該少なくとも１つのＦｃ領域のアミノ酸の突然変異を有していない同一抗体よりも大きい抗体依存性細胞傷害（ＡＤＣＣ）を示し、そして１×１０-7Ｍ以下のＫDでヒトインテグリンα５β１に結合することができる、分離されたヒト完全長ＩｇＧ１抗体。
【請求項２】
抗体が５×１０-8Ｍ以下のＫDでヒトインテグリンα５β１に結合する、請求項１に記載の抗体。
【請求項３】
１×１０-7Ｍ以下のＫDでヒトインテグリンα５β１に結合し、そして配列番号７に記載のアミノ酸配列と少なくとも９０％同一である重鎖可変領域を含む、分離されたモノクローナル抗体又はその抗原結合部分。
【請求項４】
配列番号８に記載のアミノ酸配列と少なくとも９０％同一である軽鎖可変領域を更に含む、請求項３に記載の抗体又はその抗原結合部分。
【請求項５】
（ａ）配列番号１を含む重鎖可変領域ＣＤＲ１；
（ｂ）配列番号２を含む重鎖可変領域ＣＤＲ２；
（ｃ）配列番号３を含む重鎖可変領域ＣＤＲ３；
（ｄ）配列番号４を含む軽鎖可変領域ＣＤＲ１；
（ｅ）配列番号５を含む軽鎖可変領域ＣＤＲ２；及び
（ｆ）配列番号６を含む軽鎖可変領域ＣＤＲ３；
を含む、分離されたモノクローナル抗体又はその抗原結合部分。
【請求項６】
（ａ）配列番号７のアミノ酸配列を含む重鎖可変領域；及び
（ｂ）配列番号８のアミノ酸配列を含む軽鎖可変領域；
を含む、請求項５に記載の抗体又は抗原結合部分。
【請求項７】
抗体がヒト完全長ＩｇＧ１抗体であり、そしてここで抗体のＦｃ領域の少なくとも１つのアミノ酸が突然変異し、そして更にここで該抗体は該少なくとも１つのアミノ酸が突然変異していない同一抗体よりも大きいＡＤＣＣを示す請求項３〜６のいずれか１項に記載の抗体。
【請求項８】
請求項１又は７に記載の抗体であって、少なくとも１つの突然変異がセリン２４７、アラニン３３８、又はイソロイシン３４０のアミノ酸位置で起こる、上記抗体。
【請求項９】
少なくとも１つの突然変異が、セリン２４７からアスパラギン酸（Ｓ２４７Ｄ）、アラニン３３８からロイシン（Ａ３３８Ｌ）、及びイソロイシン３４０からグルタミン酸（Ｉ３４０Ｅ）から成る群から選択される、請求項８に記載の抗体。
【請求項１０】
抗体が突然変異Ｓ２４７Ｄ、Ａ３３８Ｌ、及びＩ３４０Ｅを含む、請求項９に記載の抗体。
【請求項１１】
抗体が配列番号９に記載のアミノ酸配列と少なくとも９０％同一である重鎖アミノ酸配列を含む、請求項５に記載の抗体。
【請求項１２】
抗体が配列番号１０に記載のアミノ酸配列と少なくとも９０％同一である軽鎖アミノ酸配列を含む、請求項５に記載の抗体。
【請求項１３】
抗体が配列番号９に記載のアミノ酸配列と少なくとも９０％同一である重鎖アミノ酸配列、及び配列番号１０に記載のアミノ酸配列と少なくとも９０％同一である軽鎖アミノ酸配列を含む、請求項５に記載の抗体。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の抗体又は抗原結合部分、及び薬学的に許容される担体を含む組成物。
【請求項１５】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の、任意の抗体の重鎖及び／又は軽鎖、又はその抗原結合部分をコード化する分離された核酸分子。
【請求項１６】
請求項１５に記載の核酸分子を含む、発現ベクター。
【請求項１７】
請求項１６に記載の発現ベクターを含む、宿主細胞。
【請求項１８】
請求項１７に記載の宿主細胞において抗体又は抗原結合部分を発現させることを含む、抗α５β１抗体又はその抗原結合部分を調製する方法。
【請求項１９】
細胞を、腫瘍細胞の増殖を阻害するのに有効な量の、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の抗体若しくはその抗原結合部分又は請求項１４に記載の組成物と接触させることを含む、インテグリンα５β１を発現する腫瘍細胞の増殖を阻害する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月18日(2012.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のオプトエレクトロニクス素子の製造方法において、
それぞれに１つのコンタクト構造（２０）が設けられており、且つ、電磁放射の形成に適した活性層（１６）を半導体層列（１５）内に備えている複数の半導体ボディ（１４）を第１の主面（１２）上に有している半導体ボディ支持体（１０）を準備するステップと、
前記半導体ボディ（１４）を覆うことなく、前記コンタクト構造（２０）および前記半導体ボディ支持体（１０）の上の領域を少なくとも部分的に覆う平坦な充填構造（４２，４４）を前記第１の主面（１２）上に形成するステップとを有し、
前記半導体ボディ支持体（１０）を準備するステップは、複数の半導体ボディ（１４）を、少なくとも１つのウェハ結合体から個別にまたは一緒に前記半導体ボディ支持体（１０）に運ぶステップを含むことを特徴とする、
複数のオプトエレクトロニクス素子の製造方法。
【請求項２】
少なくとも前記半導体ボディ（１４）を覆う構造化されたレジスト層を形成し、構造化された前記レジスト層の外側に平坦な充填構造を形成し、構造化された前記レジスト層を除去することにより、平坦な充填構造を形成するステップを実施する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
複数の半導体ボディ（１４）を複数のウェハ結合体から個別に前記半導体ボディ支持体（１０）に運び、異なるウェハ結合体の前記半導体ボディ（１４）は電磁放射の形成に適した異なる活性層（１６）を有する、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記複数の半導体ボディ（１４）を自由に選択可能なパターンで前記半導体ボディ支持体上に配置する、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記複数の半導体ボディ（１４）をウェハ結合体から補助支持体を用いて一緒に前記半導体ボディ支持体（１０）に運ぶ、請求項１または２記載の方法。
【請求項６】
前記平坦な充填構造を前記半導体ボディの少なくとも１つの側縁に対して距離を空けて配置し、前記半導体ボディの側方にミラー層を形成する、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記第１の主面上に変換部を配置し、前記変換部と、前記半導体ボディの前記第１の主面側とは反対側の面との間に中間層を配置する、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記半導体ボディ支持体（１０）は半導体材料を含有し、該半導体材料内に保護ダイオードを形成し、該保護ダイオードを前記コンタクト構造の接続面に接続させる、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
前記半導体ボディ支持体の上に保護ダイオードを配置し、該保護ダイオードを前記コンタクト構造の接続面に接続させる、請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
前記半導体ボディ支持体は接続面を有し、該接続面をスルーコンタクトを介して前記半導体ボディ支持体の前記第１の主面側とは反対側の面と接続し、オプトエレクトロニクス素子の表面実装を実施する、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
前記変換部の上に光学素子を設ける、請求項７記載の方法。
【請求項１２】
前記平坦な充填構造はプラスチックを含む、請求項１から１１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
前記プラスチックはベンゾシクロブテンを含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
１つまたは複数のオプトエレクトロニクス素子を前記半導体ボディ支持体の分割により個別化する、請求項１から１３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
複数のオプトエレクトロニクス素子を前記半導体ボディ支持体の分割により個別化し、複数のオプトエレクトロニクス素子から成る結合体を形成し、前記結合体の端部に位置するオプトエレクトロニクス素子をブリッジコンタクトを介して前記結合体の内側に位置するオプトエレクトロニクス素子と接触接続させる、請求項１から１３までのいずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月14日(2012.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス装置（１）において、
複数の光学素子（４ａ）を有する光学構造（４）と、集光器（５）とを備えた光学装置（３）と、
半導体チップ（２）との電気的な接触接続のための複数のコンタクト素子（６ａ）を有し、かつ、前記光学構造（４）から垂直方向において間隔を空けて配置されているコンタクト構造（６）を備えた、ビームを放射または受信する半導体チップ（２）とを含み、
前記コンタクト素子（６ａ）は前記光学構造（４）の平面に前記コンタクト構造（６）を投影する際、複数の光学素子（４ａ）間の中間空間に配置されており、
前記集光器（５）は前記半導体チップ（２）と対向する側において、前記半導体チップ（２）とは反対側における開口部よりも小さい開口部を有し、
前記光学構造（４）は、前記集光器（５）において前記半導体チップ（２）に対向している側に配置されていることを特徴とする、オプトエレクトロニクス装置。
【請求項２】
前記コンタクト構造（６）は、前記半導体チップ（２）において前記光学装置（３）に対向しているビーム通過面（２ａ）上に被着されている、請求項１記載のオプトエレクトロニクス装置（１）。
【請求項３】
前記光学構造（４）は周期的な構造である、請求項１または２記載のオプトエレクトロニクス装置（１）。
【請求項４】
前記光学素子（４ａ）はレンズアレイまたは光学格子を形成する、請求項３記載のオプトエレクトロニクス装置（１）。
【請求項５】
前記光学構造（４）はガラスを含有する、請求項１から４までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス装置（１）。
【請求項６】
前記コンタクト構造（６）は周期的な構造であり、該構造の周期性は前記光学構造（４）の周期性と一致する、請求項３から５までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス装置（１）。
【請求項７】
前記コンタクト構造（６）は網状に配置されているコンタクト素子（６ａ）を有する、請求項６記載のオプトエレクトロニクス装置（１）。
【請求項８】
前記コンタクト構造（６）はコンタクトウェブを有する、請求項７記載のオプトエレクトロニクス装置（１）。
【請求項９】
前記集光器（５）はパラボラ集光器である、請求項１から８までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス装置（１）。
【請求項１０】
前記集光器（５）は中実体であり、該中実体は前記半導体チップ（２）と対向する表面において前記光学構造（４）を有する、請求項１から９までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス装置（１）。
【請求項１１】
前記集光器（５）は反射性の内面を備えた中空体であり、該中空体の後段には前記半導体チップ（２）と対向する側に前記光学構造（４）が配置されている、請求項１から９までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス装置（１）。
【請求項１２】
前記半導体チップ（２）はビームを放射するゾーンまたはビームを受信するゾーンを有し、該ゾーンは前記コンタクト構造（６）によって覆われていない複数の領域において機能する、請求項１から１１までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス装置（１）。
【請求項１３】
前記光学構造（４）と前記半導体チップ（２）との間の中間空間（８）は、前記光学構造（４）とは異なる屈折率を有する、請求項１から１２までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス装置（１）。
【請求項１４】
前記中間空間（８）内には空気またはシリコーンが存在する、請求項１３記載のオプトエレクトロニクス装置（１）。
【請求項１５】
ビームを放射する前記半導体チップ（２）は発光ダイオードである、請求項１から１４までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス装置（１）。
【請求項１６】
ビームを受信する前記半導体チップ（２）はビーム検出器または太陽電池である、請求項１から１４までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス装置（１）。
【請求項１７】
前記集光器（５）の前記小さい開口部の面積は前記光学構造（４）の輪郭が成す面積と等しい、請求項１から１６までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス装置（１）。