【手続補正書】
【提出日】平成16年1月9日(2004.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に薄膜を有する基板を準備する工程と、前記基板裏面を、研磨装置に設けられた基板保持用のキャリアで保持する工程と、
前記基板を保持したまま、前記研磨装置に設けられた研磨部材に押しつけながら前記キャリアと一体にして前記基板を回転させて前記薄膜を研磨する工程を含み、前記基板保持用のキャリアには前記基板と前記研磨部材との相対運動で生じる摩擦力により前記基板が前記キャリアから離脱するのを防止するために前記基板を囲んで内側ガイドを設け前記基板が前記研磨部材に押しつけられて生ずる前記基板への反力を分散するようにして、かつ、前記内側ガイドの外に外側ガイドを設けて前記研磨部材と前記キャリアの間の距離を一定に保つようにして前記基板上の薄膜を研磨することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
表面に絶縁性薄膜を有する半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板裏面を保持する工程と、
前記半導体基板裏面を保持した状態で、前記半導体基板とは直径およびと回転中心位置が異なる研磨部材を用い前記絶縁性薄膜を研磨する半導体装置の製造方法において、前記半導体基板の周囲に配置された、内壁に弾性体を有する内側ガイドで前記半導体基板の横方向への移動を抑えながら、かつ、前記内側ガイドの外に外側ガイドを設けて前記研磨部材と前記半導体基板を保持する保持器との間の距離を一定に保つようにして研磨する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記内側ガイドは内壁に凹状溝を有し、
前記研磨部材と前記凹状溝は一定の距離が保たれていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記内側ガイドは、前記凹状溝と前記基板が接触しない逃げ領域を交互に設けたことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記内側ガイドはたわみ変形可能な構造を有することを特徴とする請求項３又は４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
表面に薄膜を有する基板を準備する工程と、前記基板の裏面側を加圧して研磨部材表面に前記基板表面を押しつける工程と、前記基板と前記研磨部材との間で生じる研磨加工摩擦力により生じる前記基板の横方向の移動を、前記基板と接触する部位に凹部を備え、前記基板の周辺に配置された内側ガイドにより防止し、かつ、前記内側ガイドの外に外側ガイドを設けて前記研磨部材と前記基板を保持する保持器との間の距離を一定に保つようにしながら前記研磨部材を用いて前記薄膜を研磨加工する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記凹部は、Ｖ溝形状を有することを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記研磨部材の研磨面側における縦弾性係数が３０００Ｋｇ／ｃｍ2以上であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記研磨部材が砥粒を固定した固定砥粒盤であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記研磨部材表面に分散剤を含む水を供給しながら研磨することを特徴とする請求項１乃至７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記研磨部材表面に砥粒を含むスラリーを供給しながら研磨することを特徴とする請求項１乃至７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記研磨加工は、前記基板の平坦度のモニター情報に基づいて前記キャリアを制御しながら行われることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記薄膜と前記研磨部材との間隔を随時制御して、前記薄膜と前記研磨部材との間に介在する加工液の量を制御する工程を有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記薄膜は有機ＳＯＧ薄膜であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記半導体装置は電荷蓄積用の容量と前記容量への電荷の出し入れ用のトランジスタとを備えていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
半導体基板表面にトランジスタを形成する工程と、前記トランジスタを覆うように絶縁膜を形成する工程と、前記基板裏面を、研磨装置に設けられた基板保持用のキャリアで保持する工程と、
前記基板を保持したまま、前記研磨装置に設けられた研磨部材に押しつけながら前記キャリアと一体にして回転させたとき、前記基板と前記被研磨部材との相対運動で生じる摩擦力により前記基板が前記キャリアから離脱するのを防止するために前記基板を囲んで設けられた内側ガイドに、前記基板が押しつけられて生ずる前記基板への反力が分散されるようにし、かつ、前記内側ガイドの外に外側ガイドを設けて前記研磨部材と前記基板保持用のキャリアとの間の距離を一定に保つようにしながら平坦化研磨する工程と、その後、前記平坦化された絶縁膜に、前記トランジスタに電気的接続を行うための開口部を形成する工程と、前記開口部内に配線層となる金属層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記内側ガイドは内壁に凹状溝を有し、前記研磨部材と前記凹状溝は一定の距離が保たれていることを特徴とする請求項１６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
トランジスタを備えた半導体装置の製造方法であって、半導体基板上にトランジスタを形成する工程と、前記トランジスタ上に絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体基板裏面をキャリアで保持する工程と、
前記半導体基板裏面を保持した状態で、前記半導体基板とは直径およびと回転中心位置が異なる研磨部材を用い、前記半導体基板の周囲に配置された、内壁に弾性体を有する内側ガイドで前記半導体基板の横方向への移動を抑えながら、かつ、前記内側ガイドの外に外側ガイドを設けて前記研磨部材と前記半導体基板を保持するキャリアとの間の距離を一定に保つようにして前記絶縁膜を研磨する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
トランジスタを備えた半導体装置の製造方法であって、半導体基板上にトランジスタを形成する工程と、前記トランジスタ上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を形成する工程と、前記開口部を有する半導体基板上に金属層を形成する工程と、前記半導体基板裏面を、研磨装置に設けられた基板保持用のキャリアで保持する工程と、前記半導体基板を保持したまま、前記研磨装置に設けられた研磨部材に前記半導体基板を押しつけながら前記キャリアと一体にして回転させたとき、前記半導体基板と前記研磨部材との相対運動で生じる摩擦力により前記半導体基板が前記キャリアから離脱するのを防止するために前記半導体基板を囲んで内側ガイドを設け、前記半導体基板が押しつけられて生ずる前記半導体基板への反力を分散するようにして、かつ、前記内側ガイドの外に外側ガイドを設けて前記研磨部材と前記キャリアとの間の距離を一定に保つようにして、前記開口部内に金属層が残るように、前記金属層を研磨加工する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
表面に薄膜を有する基板を準備する工程と、
前記基板の外径より大なる内径の内側ガイドと前記基板の背面を前記内側ガイドの内側に保持可能な弾性部材とを有するキャリアに前記基板を保持する工程と、
その後、前記基板の背面を前記弾性部材を介して加圧し前記基板の表面を研磨部材表面に押しつける工程と、
前記基板を保持したままの状態で、前記基板と前記研磨部材との相対運動とにより，前記基板表面の薄膜を研磨加工する工程とを有する半導体装置の製造方法において、
前記相対運動で生じる推力で前記基板が前記内側ガイドの内壁面に押し付けられ、前記基板の外周に前記内壁面が接触倣い変形し、前記接触倣い変形により前記基板外周部に加わる反力を分散させ、かつ、前記内側ガイドの外に外側ガイドを設けて前記研磨部材と前記キャリアとの間の距離を一定に保つようにすることにより、前記基板表面の薄膜の突起部分を前記基板表面全域に渡って平坦に研磨加工することを特徴とする半導体装置の製造方法。