【事件の表示】
　平成４年特許願第１１６７５２号「構造面を選択的にエッチングする方法」拒絶査定に対する審判事件［平成５年６月１日出願公開、特開平５−１３６１０５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
I．手続の経緯・本願発明
　本願は、１９９２年４月１０日（パリ条約による優先権主張１９９１年４月１２日、米国）に特許出願されたものであって、その請求項１〜３に係る発明は、受付日平成１２年２月２１日付け、提出日平成１４年６月２６日付け、及び提出日平成１５年１２月１７日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されたとおりのものであるところ、請求項１に係る発明は次のとおりである。
「【請求項１】誘電体層をエッチングする方法であって：
　半導体ウエーハ１０を設ける段階；
　該半導体ウエーハ１０に誘電体層１６を形成する段階；
　該誘電体層にエッチング・マスク１３を設ける段階であり、該マスクが前記誘電体層を開放部領域とマスク１３により保護される被覆領域とに分ける、ところの段階；
　前記開放部領域の所定量が除去されるまで、前記誘電体層の開放部領域を部分的に異方性エッチングする段階であって、前記誘電体層が８５ないし９５％の深さまでエッチングされる、ところの段階；
　部分的にエッチングされた開放部領域と被覆領域とに同形のポリマ膜２１を付着させる段階であって、該同形のポリマ膜が約１５００オングストローム以下の厚さを有する、ところの段階；
　同形のポリマ膜２１を異方性エッチングして、壁１２を残し水平領域から同形のポリマ膜２１をエッチングして除去する段階；および
　同形のポリマ膜２１を除去した開放部領域を化学的にエッチングする段階であって、前記開放部領域の化学的エッチングが垂直及び水平の両方向において等しい速度で達成される、ところの段階；
　によって構成されることを特徴とする方法。」（以下、「本願発明１」という）
　
II．引用刊行物
　平成１５年６月１２日付けで、当審から通知した拒絶理由で引用された刊行物２である特開平１−２２８１３３号公報（以下、「引用例１」という）、刊行物１である特開昭６０−２２３４０号公報（以下、「引用例２」という）、刊行物３である特開昭５４−８７１７２号公報（以下、「引用例３」という）、ならびに刊行物４である特開昭５０−６１１９０号公報（以下、「引用例４」という）には、それぞれ次の事項が記載されている。
　
（１）引用例１の記載事項
（１−１）特許請求の範囲には、
「基板やこの上に形成した各種膜等の被エッチング材を、開口窓を開設したレジスト膜をマスクとしてその途中の厚さまでエッチングする工程と、エッチングされた被エッチング材の凹部の内面に被エッチング材とエッチング選択性のある膜を側壁膜として微細間隙で形成する工程と、この側壁膜をマスクとして前記被エッチング材をウエットエッチングする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」が記載されている。
（１−２）第１頁左下欄１９行〜第２頁左上欄１９行の〔従来の技術〕、および〔発明が解決しようとする課題〕には、
「〔従来の技術〕
　一般に、半導体装置の製造に際しては、基板やその上に形成した各種層に対するエッチング工程が行われる。例えば、電界効果トランジスタのゲート電極を形成する場合には、基板上に形成した絶縁膜をエッチングして開口を設け、この開口を通して基板表面に接触されるゲート電極を形成する。また、バイアホールを形成する場合には、基板を全厚さに渡ってエッチングしてホールを開設し、このホールに導電膜を形成して表裏の導電膜を導通させる。従来、この種のエッチング技術としては、その微細化の要求に伴って、…中略…異方性のドライエッチングにて行っている。
〔発明が解決しようとする課題〕
　上述した従来のエッチング技術は、加工寸法の精度を高く保つ必要から異方性のドライエッチングが用いられているが、このエッチング方法では基板がプラズマや反応性イオン等に晒されるため基板に形成した各種拡散層等がダメージを受け易く、完成される半導体装置の特性劣化を招くことになる。…中略…このため、従来ではダメージを低減する対策が考えられ、その１つとしてオーバーエッチング時間を一定にする方法が提案されているが、…中略…安定した加工を行うことはできない。他方、他の方法として加工をウェットエッチングによって行う方法もあるが、この方法では等方性のエッチングになるため微細な開口が困難になり、微細寸法のゲート電極やバイアホールを製造することが難しいという問題が生じる。本発明は基板に対するダメージを防止するとともに、微細な加工を可能とする半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。」が記載されている。
（１−３）第２頁左下欄２行〜右下欄１８行には〔実施例〕として、「先ず、第１図（ａ）において、１は半絶縁性基板であり、…中略…この上に酸化膜３を形成し、更に…中略…開口窓を開設したレジスト膜４を形成している。次いで、第１図（ｂ）のように、このレジスト膜４をマスクにして異方性のドライエッチングにより酸化膜３を途中の厚さまでエッチングする。このエッチングした部分では、１０００〜２０００Å位の酸化膜が残るようにエッチング時間を制御する。その後レジスト膜４は除去する。次いで、第１図（ｃ）のように、残した酸化膜３の厚さと略同じ厚さのレジストまたは窒化膜を全面に成長させ、かつこれをエッチングバックすることにより酸化膜３のエッチング部分の内側に、前記レジスト膜４の開口窓よりも微細寸法の間隙を有する側壁膜５を選択的に形成する。しかる上で、第１図（ｄ）のように、バッファード弗酸によるウェットエッチングにより酸化膜３を残された厚さ相当分だけエッチングし、側壁膜５の下側で半絶縁性基板１の能動層２表面を露呈させる。このエッチングに際しては、能動層２はウェットエッチング液に接触されるのみであり、能動層２に対するダメージはほとんど生じない。この後、側壁膜５は取り除く。…中略…したがって、この方法によれば、酸化膜３は側壁膜５で挟まれた微細な領域でウェットエッチングされて能動層２の表面を露呈させるので、上述したように能動層２に対するダメージを防止するとともに、…中略…微細なゲート電極を形成できる。」が記載されている。
　
（２）引用例２の記載事項
（２−１）特許請求の範囲の請求項２に、
「半導体基体に配線層を形成する工程と、この配線層を含む基体上に絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜上に前記配線層の一部に対応する部分が開口されたマスク材を形成する工程と、このマスク材を用いて前記絶縁膜を異方性エッチングにより該絶縁膜が所定の厚みになるまで除去する工程と、全面に被膜を形成した後この被膜を異方性エッチングにより除去し、開口された絶縁膜の内壁に被膜を残存させる工程と、この残存被膜及びマスク材を用いて前記絶縁膜を異方性エッチングにより選択的にエッチング除去し、階段状のコンタクトホールを形成する工程と、残存被膜及びマスク材を除去後、前記絶縁膜上にコンタクトホールを介して前記配線層に接続する配線電極を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。」が記載されている。
（２−２）第３頁右上欄１４行〜右下欄１８行には、
「〔I〕まず、…中略…Ｓｉ基板１２上に、絶縁膜としての厚さ１μｍのＳｉＯ２膜１３を形成した。つづいて、全面にポジレジスト膜（東京応化工業（株）製；商品名ＯＦＰＲ８００）を塗布、乾燥後、通常のＳＲ（１０：１）を用いたフオトリソグラフイによって、前記拡散層１１に対応するポジレジスト膜部分をエツチング除去し、１．８μｍ×１．８μｍの第１の開口部１４を有するマスク材としてのレジストパターン１５を形成した（第３図（ａ）図示）。次いで、このレジストパターン１５をマスクとして前記ＳｉＯ２膜１３を、ＲＦパワー４５０Ｗ、ＣＦ４流量２０ＳＣＣμ、圧力２．０ｐａ、Ｈ２／ＣＦ４比〜１．０（条件Ａ）で該ＳｉＯ２膜１３の厚みが２０００Åになるまでエッチング除去し、１．８μｍ×１．８μｍの第２の開口部１６を形成した（第３図（ｂ）図示）。
〔II〕次に、全面にＲＦパワー４５０Ｗ、ＣＦ４流量２０ＳＣＣμ、圧力４．０ｐａ、Ｈ２／ＣＦ４〜２．０（条件Ｂ）で被膜としての厚さ０．３μｍのポリマー膜１７を形成した（第３図（ｃ）図示）。つづいて、同一ＲＩＥ装置内でこのポリマー膜１７を前記条件Ａで異方性エッチング除去し、前記レジストパターン１５の第１の開口部１４の内側壁及びポリマー膜１７の第２の開口部１６の内側壁にポリマー膜１７´を残存させた（第３図（ｄ）図示）。ここで、ポリマー膜１７のエッチング速度を増加させるため、Ｈ２／ＣＦ４比を１より小さい条件にて行うことも可能である。ひきつづき、前記レジストパターン１５及び残存ポリマー膜１７´をマスクとして、前記条件Ａで露出するＳｉＯ２膜１３を選択的に除去し、１．２μｍ×１．２μｍの第３の開口部１８を形成した。この結果、上部に大径１．８μｍ×１．８μｍの第２の開口部１６を有し、下部に小径１．２μｍ×１．２μｍの第３の開口部１８を有するコンタクトホール１９が形成された（第３図（ｅ）図示）。
〔III〕次に、残存ポリマー膜１７´及びレジストパターン１５をＯ２プラズマ処理により除去した（第３図（ｆ）図示）。つづいて、コンタクトホール１９から露出した半導体基板１２表面の拡散層１１表面のダメージ層（〜２００Å）をＣＦ４／Ｏ２プラズマ処理により除去した。」が記載されている。
（２−３）第４頁左下欄１２行〜２０行には、
「被膜としてのポリマー膜の形成に際してＨ２／ＣＦ４を用いたが、これに限らず、フロロカーボン系例えばＣ２Ｆ６、Ｃ２Ｆ６とＨ２、あるいはＣＨＦ３／Ｈ２、ＣＨＦ３／Ｎ２Ｏ等を用いてもよい。また、ポリマー膜の厚さは０．３μｍとしたが、これに限らず所望のコンタクトホールサイズに応じて、予め大径の開口パターニングがマージンのある条件で行なつて適宜厚さを変えることができる。」が記載されている。
　
（３）引用例３の記載事項
（３−１）特許請求の範囲に
「１．半導体基板の一主面に保護膜を形成し、この保護膜に選択的に孔を形成する方法において、保護膜の形成された半導体基板をドライエツチング法によりエツチング処理することにより基板表面に形成された保護膜をその表面から厚さ方向に向つて途中までエツチングし、そのあと半導体基板を上記保護膜のエツチング液に浸漬することにより残された保護膜をエツチング除去することにより孔を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。」が記載されている。
（３−２）第２頁左上欄１１行〜右上欄１５行には、
「以下、本発明を実施例により詳細に説明する。第１図は本発明をシリコンダイオードに適用した場合を示す。
（１）Ｐ型拡散層２を選択的に形成したＮ型シリコン基板１の主表面に厚さ約２〜３μの表面保護膜例えば二酸化シリコン層（ＳｉＯ２膜）３を形成したものを用意し、このＳｉＯ２膜３上に厚さ約０．１〜０．２μのホトレジスト膜４を塗布し、写真蝕刻法によりＳｉＯ２膜３に孔を形成する部分４からホトレジスト膜を除去しパターンを形成する（第１図（ａ））
（２）次にホトレジスト膜にパターンを形成した半導体基板をフレオンガス６のプラズマ雰囲気中に置いて、前記ホトレジスト膜４をマスクとしてＳｉＯ２膜３の露出された部分を途中までドライエツチングし孔７を形成する。このドライエツチングは孔７内に厚さ０．１〜０．２μのＳｉＯ２膜が残るようにエツチングする。なおこのドライエツチングにより形成される孔７のパターン寸法はほとんどホトレジスト膜４のパターン寸法と同じように形成される。（第１図（ｂ））
（３）次にドライエツチングの終了した半導体基板はフツ酸をフツ化アンモンで２０倍に希釈した溶液に浸漬し、孔７内に残されたＳｉＯ２膜を基板表面から完全にエツチング除去し孔８を形成する。」
　
（４）引用例４の記載事項
（４−１）第２頁右下欄６行〜第３頁左上欄５行には、
「第２図に示されるように、Ｐ型シリコン基板１１上に厚さ２〜３〔μ〕の熱酸化膜１２を、該シリコン熱酸化膜１２上に厚さ１０００〜１５００〔Å〕の窒化シリコン膜（Ｓｉ３Ｎ４）１３を、さらに厚さ５０００〔Å〕以上のシリコン酸化膜１４を順次被着する。該シリコン酸化膜１４は化学気相成長法（…略…）によって形成される。（…略…）次いで第３図に示されるように、通常のフオト・エツチング法により素子領域となる部分の窓開きを行なう。１５はフオト・レジストである。たとえば、ＣＦ６等のフレオンによるプラズマ・エツチング法を用いて、矢印１６で示すように熱酸化膜１２の残りの厚さが１０００〜２０００〔Å〕程度となるようにエッチングを行う。次いで第４図に示されるように、たとえば緩衝弗化アンモン等のＨＦ系エツチング液を用いて第３図に示す窓内の残りの底部の熱酸化膜１２と窓外のフオト・レジスト１５を同時に除去し、半導体基板を該窓部において表出する。」が記載されている。
　
III．当審の判断
１．引用発明１
　引用例１の記載事項（１−１）〜（１−３）を総合すれば、引用例１には、
「酸化膜をエッチングする方法であって、基板の上に形成した酸化膜を、開口窓を開設したレジスト膜をマスクとして異方性のドライエッチングにより酸化膜をその途中の厚さである１０００〜２０００Å位の酸化膜が残るまでエッチングする工程と、レジスト膜を除去する工程と、残した酸化膜の厚さと略同じ厚さのレジストまたは窒化膜を全面に成長させる工程と、エッチングバックすることにより酸化膜のエッチング部分の内側に、前記レジスト膜の開口窓よりも微細寸法の間隙を有する側壁膜を選択的に形成する工程と、この側壁膜をマスクとして前記酸化膜を等方性のウエットエッチングする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法」（以下、「引用発明１」という）が記載されているものと認められる。
　
２．対比
　本願発明１と引用発明１とを対比するに、まず、引用発明１の「基板」あるいは「酸化膜」については、引用例１中にその材質が明記されているわけではないが、半導体装置の製造における基板として、Ｓｉ基板はごく一般的に用いられるのであるから、引用発明１における「基板」としては、Ｓｉ基板が、また、「酸化膜」としては、ＳｉＯ２膜が当然に含まれている（例えば、引用例２の記載事項（２−２）、引用例３の記載事項（３−２）参照）といえるところ、本願明細書及び図面（例えば、【０００８】、【００１０】、図１参照）には、シリコン製半導体基板上に形成される「誘電体層」の一つとして「２酸化シリコン」が記載されている。
　そうすると、引用発明１の「基板」、「基板の上に形成した酸化膜」は、それぞれ本願発明１の「半導体ウエーハ１０」、「誘電体層１６」に相当するといえる。
　また、引用発明１の「レジスト膜」、「エッチングバック」、「側壁」、「ウエットエッチング」は、本願発明１の「（エッチング・）マスク１３」、「膜２１を異方性エッチング」、「壁１２」、「化学的エッチング」に夫々相当する。
　以上の点を踏まえて本願発明１と引用発明１とを対比すると、両者は、
「誘電体層をエッチングする方法であって：
　半導体ウエーハ１０を設ける段階；
　該半導体ウエーハ１０に誘電体層１６を形成する段階；
　該誘電体層にエッチング・マスク１３を設ける段階であり、該マスクが前記誘電体層を開放部領域とマスク１３により保護される被覆領域とに分ける、ところの段階；
　前記開放部領域の所定量が除去されるまで、前記誘電体層の開放部領域を部分的に異方性エッチングする、ところの段階；
　部分的にエッチングされた開放部領域と被覆領域とに同形の膜２１を設ける段階；
　同形の膜２１を異方性エッチングして、壁１２を残し水平領域から同形の膜２１をエッチングして除去する段階；および
　同形の膜２１を除去した開放部領域を化学的にエッチングする段階であって、前記開放部領域の化学的エッチングが垂直及び水平の両方向において等しい速度で達成される、ところの段階；
　によって構成されることを特徴とする方法。」で一致し、以下の点で相違している。
相違点ａ；
　本願発明１では、誘電体層の開放部領域を部分的に異方性エッチングするにあたり、「前記誘電体層が８５ないし９５％の深さまでエッチングされる」としているのに対し、引用発明１では、「１０００〜２０００Å位の誘電体層（酸化膜）が残るまでエッチングする」としているだけであって、エッチング深さの割合が明らかでない点。
相違点ｂ；
　本願発明１が、開放部領域と被覆領域とに膜を付着させるにあたり、「約１５００オングストローム以下の厚さのポリマ膜を付着させる」のに対し、引用発明１では、「残した誘電体層（酸化膜）の厚さ（１０００〜２０００Å位）と略同じ厚さのレジストまたは窒化膜を全面に成長させる」としている点。
　
３．相違点の検討
　そこで上記相違点ａ、ｂについて検討する。
相違点ａについて；
　半導体ウエーハ（Ｓｉ基板）に形成した誘電体層（ＳｉＯ２酸化膜）を複数回のエッチングにより除去するに際し、引用例２には、膜厚１μｍのＳｉＯ２膜を、酸化膜の残り量が２０００Å程度になるまでエッチングしたこと（記載事項（２−２）参照）、また、引用例３、４には、２〜３μｍの酸化膜を０．１〜０．２μ（１０００〜２０００Å）にまでエッチングしたこと（記載事項（３−２）、（４−１）参照）が記載されており、誘電体層の厚さに対するエッチング深さの割合を算出すると、引用例２では８０％、引用例３、４では、９０〜９７％となっている。
　そうすると、本願発明１でいう「前記誘電体層が８５ないし９５％の深さまでエッチングされる」というエッチング深さの割合は、上記引用例２〜４に記載された８０％或いは９０〜９７％というエッチング深さの割合からみた場合、特異なエッチング深さの割合であるとはいえず、通常に行われている程度のエッチング深さの割合に過ぎないものと認められる。
　ところで、本願明細書及び図面の記載からみても、本願発明１で、エッチング深さの割合を８５ないし９５％という特定の数値範囲に限定した点に、格別の技術的意義があるとも認められない。
　そうであれば、引用発明１においても、エッチング深さの割合を特定の数値範囲にすべき特段の事情があるわけではないから、「１０００〜２０００Å位の誘電体層（酸化膜）が残るまでエッチングする」にあたり、通常行われる程度のエッチング深さの割合になるようにエッチングを行うことは、当業者が容易になし得ることにすぎない。
　よって、相違点ａは、引用例２〜４の記載から、当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　
相違点ｂについて；
　引用発明１において、「残した誘電体層（酸化膜）の厚さ（１０００〜２０００Å位）と略同じ厚さのレジストまたは窒化膜を全面に成長させる」のは、誘電体層（酸化膜３）のエッチング部分の内側に、微細寸法の間隙を有する側壁膜５を選択的に形成し、該側壁膜５に覆われた誘電体層の壁相当箇所（本願発明１でいう「壁１２」に相当）が、エッチングにより除去されないようにするためであると認められる。
　ところで、引用例２の記載事項（２−２）によれば、Ｓｉ基板１２（「半導体ウエーハ」に相当）上に厚さ１μｍのＳｉＯ２膜１３（「誘電体層」に相当）を形成し、該ＳｉＯ２膜１３の厚みが２０００Åになるまでエッチング除去して第２の開口部１６を形成し、その後、第１の開口部１４の内側壁及び第２の開口部１６の内側壁がエッチングにより除去されないように、「全面に被膜としての厚さ０．３μｍのポリマー膜１７を形成した（第３図（ｃ）図示）」とされている。
　そうすると、引用発明１において、誘電体層の壁相当箇所（本願発明１でいう「壁１２」に相当）が、エッチングにより除去されないようにするための手段として、側壁膜５に代えてポリマー膜を付着させることは、引用例２の記載から当業者が容易に想到し得ることといえる。
　ただ、引用例２では、ポリマー膜の厚さは０．３μｍであるから、引用例２の記載から直ちに、本願発明１のポリマー膜の厚さ約１５００オングストローム以下が示唆されているとすることはできないが、ポリマー膜は、内側壁がエッチングにより除去されないようにする一方で、最終的には、ポリマー膜それ自体も内側壁から除去されるものであること、また、引用例２には、「ポリマー膜の厚さは０．３μｍとしたが、これに限らず・・・適宜厚さを変えることができる。」（記載事項（２−３）参照）とされていることからも、ポリマー膜の厚さは必ずしも０．３μｍに限定されるわけではなく、このような機能を果たす限りにおいて適宜に定め得るものであるといえる。
　ところで、引用発明１では、「残した誘電体層（酸化膜）の厚さ（１０００〜２０００Å位）と略同じ厚さのレジストまたは窒化膜を全面に成長させる」とされ、このことは、誘電体層の厚さによっては、レジストまたは窒化膜の厚さを約１５００オングストローム以下とする場合をも含むことは明らかであるから、引用発明１において、側壁膜５に代えてポリマー膜を付着させるにあたり、ポリマー膜の厚さを約１５００オングストローム以下とすることは、誘電体層の厚さに応じて当業者が適宜定め得ることと認められる。
　そして、本願明細書及び図面の記載からみても、本願発明１でポリマー膜の厚さの上限値を約１５００オングストロームと定めたことに、特段の技術的な意義があるとも認められない。
　したがって、相違点ｂは、引用例２の記載から当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
４．まとめ
　上記のとおり、本願発明１は引用例１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　そして、本願発明１により奏される効果も、引用例１〜４の記載から当業者が当然予測しうる程度のものであって、格別顕著であるとはいえない。
　
IV．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項２、３に係る発明について検討するまでもなく、本願発明１は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって結論のとおり審決する。