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【手続補正書】
【提出日】平成24年9月7日(2012.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンの運動エネルギーを変える方法であって、
イオントラップの捕捉領域内にイオンを捕捉するステップと、
前記捕捉領域を通してガスビームを指向するステップとを含み、それにより前記捕捉されたイオンの運動エネルギーを変え、前記捕捉されたイオンを実質的に解離させない方法。
【請求項２】
前記ガスビームが、実質的に一方向に沿って伝播する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記捕捉領域が第１の軸を定義し、前記ガスビームが前記第１の軸に沿って指向され、前記方法が、
捕捉されたイオンを前記イオントラップから第２の軸に沿って放出するステップ
をさらに含み、前記第２の軸が前記第１の軸とは異なる請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の軸が前記第１の軸に直交する請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記トラップが、前記第１の軸に沿って細長く、前記第１の軸が、前記捕捉領域を通るガスビームの方向とほぼ同一直線上に位置される請求項３または４に記載の方法。
【請求項６】
イオンを実質的に前記第１の軸に沿って前記トラップ内に注入するステップを含む請求項４または５に記載の方法。
【請求項７】
ガスを指向するステップが、ガスジェットを生成することを含む請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
イオンを貯蔵および冷却する方法である請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
ガスをガス入口で受け取るステップをさらに含み、
前記イオントラップ内部の圧力が、前記ガス入口の前記イオントラップとは反対の側での圧力よりもかなり低く、
前記イオントラップが、前記第１の軸に沿って配置された差動排気口を備え、前記方法が、
前記差動排気口の前記ガス入口近い方の側で第１の圧力の領域を生成するステップと、 前記差動排気口の他方の側で第２の圧力の領域を生成するステップと
をさらに含み、前記第２の圧力が前記第１の圧力よりも低い請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記差動排気口が、スキマーコーンを使用して形成され、
前記スキマーコーンが、前記ガス入口と、前記ガス入口を通って流れるガスのマッハディスクに対して識別される位置との間に位置される請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ビームなしでの前記イオントラップの圧力自体が、前記トラップ内にイオンを貯蔵できないほど低い請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記ビームなしでの前記イオントラップ内の圧力が、約１×１０-4ｍｂａｒ以下である請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
イオンの移動度に基づいて前記イオンの分離を引き起こすように前記捕捉領域にわたって電位勾配が印加される請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記イオンを、捕捉される前に導入口を通して前記イオントラップに入れるステップと、
イオンの移動度に基づいてイオンの分離を引き起こすように導入口に電位を印加するステップと
をさらに含む請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記捕捉領域が巡回経路を備え、前記巡回経路が第１の軸を含む請求項３〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
イオンの運動エネルギーを変えるためのイオントラップであって、
電極構成と、
ポンピング構成と、
制御装置とを備え、前記制御装置が、受け取られたイオンを捕捉領域内に捕捉するために前記電極構成を制御するように構成され、かつ前記捕捉領域を通してガスビームを指向するために前記ポンピング構成を制御するように構成され、それにより前記捕捉されたイオンの運動エネルギーを変え、前記捕捉されたイオンを実質的に解離させないイオントラップ。
【請求項１７】
前記捕捉領域が第１の軸を備え、前記制御装置が、捕捉されたイオンを前記イオントラップから第２の軸に沿って放出するために前記電極構成を制御するようにさらに構成され、前記第２の軸が前記第１の軸とは異なり、
前記第２の軸が前記第１の軸に直交する請求項１６記載のイオントラップ。
【請求項１８】
前記制御装置が、ガスジェットを生成するために前記ポンピング構成を制御するようにさらに構成される請求項１６又は１７記載のイオントラップ。
【請求項１９】
前記制御装置が、前記イオントラップ内部の圧力がガス入口の外部の圧力よりもかなり低くなるように前記ポンピング構成を制御するようにさらに構成され、
前記第１の軸に沿って配置された差動排気口をさらに備え、
前記制御装置が、前記差動排気口の前記ガス入口に近い方の側で第１の圧力の領域を生成し、前記差動排気口の他方の側で第２の圧力の領域を生成するために前記ポンピング構成を制御するようにさらに構成され、前記第２の圧力が前記第１の圧力よりも低い請求項１６〜１８のいずれか一項に記載のイオントラップ。
【請求項２０】
前記制御装置が、前記ビームなしでの前記イオントラップ内部の圧力自体が前記トラップ内にイオンを貯蔵できないほど低くなるように前記ポンピング構成を制御するようにさらに構成される請求項１６〜１９のいずれか一項に記載のイオントラップ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月4日(2012.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を処理するためのプロセスチャンバであって、
前記プロセスチャンバの内部体積を画定する筐体と、
前記筐体に沿って配置された２個以上の端部リングであって、各端部リングが前記プロセスチャンバの前記内部体積内で少なくとも１つのプロセシングゾーンの境界を画定する、端部リングと、
前記チャンバの前記内部体積内に配置され、基板支持部の中心軸に平行な方向に動きながら前記中心軸の周りを回転するように構成された、基板支持部と、
前記プロセスチャンバの各プロセシングゾーンに連結されたガス導管と
を備える、プロセスチャンバ。
【請求項２】
各端部リングが、前記端部リングの上方のプロセシングゾーンの境界および前記プロセシングゾーンのためのフロアを形成するために前記基板支持部が中に設置される開口部を画定する、請求項１に記載のプロセスチャンバ。
【請求項３】
前記２個以上の端部リングが、３個から５個の間の端部リングを備える、請求項１に記載のプロセスチャンバ。
【請求項４】
前記基板支持部が肩部を備え、少なくとも１個の端部リングが前記肩部の上方に突き出して延びる、請求項１に記載のプロセスチャンバ。
【請求項５】
前記２個以上の端部リングが、第１の端部リングおよび第２の端部リングを備え、前記基板支持部が前記第１の端部リングに近接して設置されるときに、前記第１の端部リングが前記第１の端部リングの内径と前記基板支持部の端部部分との間の第１のギャップを画定し、前記基板支持部が前記第２の端部リングに近接して設置されるときに、前記第２の端部リングが前記第２の端部リングの内径と前記基板支持部の端部部分との間の第２のギャップを画定し、前記第１のギャップおよび前記第２のギャップが異なる幅を有する、請求項１に記載のプロセスチャンバ。
【請求項６】
半導体基板を処理する方法であって、
プロセスチャンバ内の基板支持部上に前記基板を設置するステップと、
前記基板支持部上の前記基板を回転させるステップと、
前記基板を回転させながら回転の軸に沿って前記基板を動かすステップと
を備える方法。
【請求項７】
前記基板支持部が通過することができる前記プロセスチャンバ内に仕切りを設置することによって複数のプロセシングゾーンを画定するステップをさらに備える、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
第１のプロセシングゾーン内で前記基板を処理するステップと、
前記基板の回転を維持するステップと、
第２のプロセシングゾーンへ前記回転の軸に沿って前記基板を動かすステップと、
前記第２のプロセシングゾーン内で前記基板を処理するステップと
をさらに備える、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１のプロセシングゾーン内で前記基板を処理するステップが、前記第１のプロセシングゾーンに第１のプロセシング条件をもたらすステップを備え、前記第２のプロセシングゾーン内で前記基板を処理するステップが、前記第２のプロセシングゾーンに第２のプロセシング条件を定めるステップを備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
プロセスチャンバ内に配置された基板支持部
を備えるプロセスチャンバであって、前記基板支持部が、
前記プロセスチャンバのフロアを通って延びる支持シャフトの第１の終端部に連結され、前記支持シャフトの第２の終端部のところで回転アセンブリに連結された基板支持部表面と、
前記回転アセンブリおよびリフトアクチュエータに連結された第１のリフト部材ならびに、前記支持シャフトおよびリフトピンアクチュエータに連結された第２のリフト部材を備えるリフトアセンブリと
を備える、プロセスチャンバ。
【請求項１１】
前記リフトアセンブリが、リフトモータや、前記リフトモータに固定された止め具や、前記第１のリフト部材に前記止め具を連結する弾性部材をさらに備える、請求項１０に記載のプロセスチャンバ。
【請求項１２】
前記回転アセンブリが、前記支持シャフトの前記第２の終端部の周りに配置され、前記第１のリフト部材によって前記リフトアセンブリに連結された支持カップを備える、請求項１０に記載のプロセスチャンバ。
【請求項１３】
前記支持カップが、前記支持シャフトに取り付けられた磁気ロータに磁気的に連結する複数の磁気挿入物を備え、前記支持カップが回転モータに連結される、請求項１２に記載のプロセスチャンバ。
【請求項１４】
前記リフトアセンブリが、前記回転アセンブリに電気的に連結され、前記第１のリフト部材の位置によって起動されるセンサをさらに備える、請求項１０に記載のプロセスチャンバ。
【請求項１５】
前記第２のリフト部材が、前記止め具と前記リフトアセンブリに取り付けられた制限部材との間を前記支持シャフトに沿って進む、請求項１０に記載のプロセスチャンバ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月30日(2012.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する方法であって、
前記基板を可動式の基板支持体上に位置決めすることと、
前記基板の一部分より下にある第１の固定位置の方へ第１の数量の加熱エネルギーを誘導することと、
前記基板の一部分より下にある第２の固定位置の方へ第２の数量の加熱エネルギーを誘導することと、
前記基板支持体を動かし、前記第１の固定位置の上、次いで前記第２の固定位置の上にそれぞれの選択された領域を順次位置決めすることによって、前記基板の選択された領域を処理することと、
前記基板の一部分を５００℃より低い温度で維持することと
を含み、前記第１の数量の加熱エネルギー又は前記第２の数量の加熱エネルギーはいずれも、前記基板のどの部分も溶融しない、方法。
【請求項２】
前記第２の数量の加熱エネルギーが、前記基板の一部分をアニールするのに十分な電力を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の数量の加熱エネルギーが、前記基板の一部分をアニールするのに必要な電力より小さい電力を有する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
基板表面をアニールする方法であって、
前記基板表面の予熱部分を、前記予熱部分にエネルギーを印加することによって予熱することと、
前記基板の前記予熱部分を予熱しながら、前記予熱部分内の前記基板のアニール部分を、前記アニール部分に増分エネルギーを印加することによってアニールすることと
を含み、前記予熱部分及び前記アニール部分の少なくとも１つの外周が円形ではない、方法。
【請求項５】
基板を熱処理する装置であって、
可動式の基板支持体と、
前記基板支持体の表面の第１の部分の方へアニールエネルギーを誘導するような向きにした第１のエネルギー源と、
前記基板支持体の前記表面の第２の部分の方へ予熱エネルギーを誘導するような向きにした第２のエネルギー源と、
前記第１および第２のエネルギー源を収容する光学アセンブリと
を備え、前記第１のエネルギー源または前記第２のエネルギー源はいずれも、１０ｋＷ／ｃｍ２を超えるエネルギーを発生しない、装置。
【請求項６】
前記第１のエネルギー源がレーザであり、前記第２のエネルギー源がレーザである、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記第１のエネルギー源がレーザであり、前記第２のエネルギー源が複数のランプである、請求項５に記載の装置。
【請求項８】
前記光学アセンブリが、前記アニールエネルギーを成形するための第１の光チューナと、前記予熱エネルギーを成形するための第２の光チューナとをさらに備える、請求項５に記載の装置。
【請求項９】
前記基板支持体に結合された制御装置をさらに備える、請求項５に記載の装置。
【請求項１０】
基板を熱処理する装置であって、
固定の基板支持体と、
前記基板支持体の表面の第１の部分の方へアニールエネルギーを誘導し、前記基板支持体の前記表面の第２の部分の方へ予熱エネルギーを誘導するような向きにした１つまたは複数のエネルギー源と、
前記１つまたは複数のエネルギー源を収容する光学アセンブリと、
前記固定の基板支持体に対して前記アニールエネルギーおよび前記予熱エネルギーを動かすためのアクチュエータと
を備え、各エネルギー源は最高約１０ｋＷ／ｃｍ２までの電力を有する、装置。
【請求項１１】
少なくとも１つのエネルギー源がレーザである、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記光学アセンブリが、前記アニールエネルギーおよび前記予熱エネルギーを成形するための１つまたは複数の光チューナをさらに備える、請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
前記アクチュエータに結合された制御装置をさらに備える、請求項１０に記載の装置。
【請求項１４】
前記基板の１つまたは複数の部分の温度を感知するための検出器をさらに備える、請求項１０に記載の装置。
【請求項１５】
前記アクチュエータが、前記アニールエネルギーおよび前記予熱エネルギーを方向付けるように前記光学アセンブリを回転させる、請求項１０に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月9日(2012.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）シリカ、
（ｂ）アミン置換シラン、テトラアルキルアンモニウム塩、テトラアルキルホスホニウム塩、ピリジニウム塩、及びイミダゾリウム塩からなる群から選ばれるカチオン性化合物、
（ｃ）７つ又はこれよりも多い炭素原子を有するカルボン酸、
（ｄ）金属を酸化する酸化剤、及び
（ｅ）水
を含む化学機械研磨組成物。
【請求項２】
前記研磨組成物が０．１重量％〜０．５重量％のシリカを含む、請求項１の研磨組成物。
【請求項３】
前記シリカが２０ｎｍから１００ｎｍの平均粒子サイズを有する、請求項１の研磨組成物。
【請求項４】
前記研磨組成物が５０〜５００ｐｐｍのアミン置換シランを含む、請求項１の研磨組成物。
【請求項５】
前記アミン置換シランが、アミノプロピルトリアルコキシシラン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリアルコキシシラン、ジエチルアミノメチルトリアルコキシシラン、（Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−アミノプロピル）トリアルコキシシラン）、３−（Ｎ−スチリルメチル）−２−アミノエチルアミノプロピルトリアルコキシシラン、（２−Ｎ−ベンジルアミノエチル）−３−アミノプロピルトリアルコキシシラン、トリアルコキシシリルプロピル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウムクロライド、Ｎ−（トリアルコキシシリルエチル）ベンジル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウムクロライド、（ビス（メチルジアルコキシシリルプロピル）−Ｎ−メチルアミン、ビス（トリアルコキシシリルプロピル）尿素、ビス（３−（トリアルコキシシリル）プロピル）−エチレンジアミン及びビス（３−（トリアルコキシシリル）プロピル）アミンからなる群より選ばれる、請求項４の研磨組成物。
【請求項６】
前記研磨組成物が５０ｐｐｍ〜１５００ｐｐｍのテトラアルキルアンモニウム塩を含む、請求項１の研磨組成物。
【請求項７】
前記研磨組成物が１０ｐｐｍ〜１５００ｐｐｍのテトラアルキルホスホニウム塩を含む、請求項１の研磨組成物。
【請求項８】
前記研磨組成物が１０ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍのピリジニウム塩を含む、請求項１の研磨組成物。
【請求項９】
前記研磨組成物が１０ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍのイミダゾリウム塩を含む、請求項１の研磨組成物。
【請求項１０】
前記カルボン酸が環式炭素含有置換基を有する、請求項１の研磨組成物。
【請求項１１】
前記カルボン酸が２−ヒドロキシ安息香酸、３−ヒドロキシ安息香酸、４−ヒドロキシ安息香酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸、２，６−ジヒドロキシ安息香酸及び３，５−ジヒドロキシ安息香酸からなる群から選ばれる、請求項１０の研磨組成物。
【請求項１２】
前記カルボン酸が２−ヒドロキシ安息香酸又は２，６−ジヒドロキシ安息香酸である、請求項１１の研磨組成物。
【請求項１３】
前記カルボン酸が安息香酸、１，２−ベンゼンジカルボン酸、１，２，４−ベンゼントリカルボン酸、フェニルマロン酸、シクロヘキサンカルボン酸、トランス−シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸及びフェニルマロン酸からなる群から選ばれる、請求項１の研磨組成物。
【請求項１４】
前記研磨組成物が１０ｐｐｍ〜２０００ｐｐｍの前記カルボン酸を含む、請求項１３の研磨組成物。
【請求項１５】
前記酸化剤が過酸化水素である、請求項１の研磨組成物。
【請求項１６】
前記研磨組成物が腐食防止剤をさらに含む、請求項１の研磨組成物。
【請求項１７】
前記腐食防止剤がトリアゾール又はテトラゾール基を含む、請求項１６の研磨組成物。
【請求項１８】
前記研磨組成物が１０ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍの前記腐食防止剤を含む、請求項１６の研磨組成物。
【請求項１９】
前記研磨組成物が３〜５のｐＨを有する、請求項１の研磨組成物。
【請求項２０】
基板を化学的機械的に研磨する方法であって、
（ｉ）請求項１〜１９のいずれか一項の化学機械研磨組成物に基板を接触させるステップと、
（ｉｉ）前記研磨組成物を前記基板に対して、前記化学機械研磨組成物を間に配して動かすステップと、
（ｉｉｉ）前記基板を研磨するように、前記基板の少なくとも一部を磨り減らせるステップとを有する方法。
【請求項２１】
前記基板が二酸化ケイ素を含み、前記二酸化ケイ素の一部が前記基板を研磨するように前記基板から除去される、請求項２０の方法。
【請求項２２】
前記二酸化ケイ素がカーボンドープされた二酸化ケイ素である、請求項２１の方法。
【請求項２３】
前記基板がさらにタンタルを含み、前記タンタルの一部が前記基板を研磨するように前記基板から除去される、請求項２２の方法。
【請求項２４】
前記基板がさらに銅を含み、前記銅の一部が前記基板を研磨するように前記基板から除去される、請求項２３の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月2日(2012.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板（１）上の第１導電性材料（２）と、第２基板（４）上の第２導電性材料（５）との間の電気的接続を実現する方法であって、
（ａ）第１基板（１）上の第１導電性材料（２）上に、第１金属間層（３）を受け取る工程であって、第１金属間層は壊れやすくて粗く、低い圧力を用いて半田材料部分を接触させた場合に第１金属間層は破壊される工程と、
（ｂ）第２導電性材料（５）上に半田材料（６）を受け取る工程であって、半田材料（６）は、第１導電性材料、第２導電性材料、および第１金属間層（３）より低い融点を有し、半田材料（６）は金属間層（３）より柔らかい工程と、
（ｃ）半田材料（６）の融点より低い温度で、半田材料（６）を第１金属間層（３）と接触させて、第１金属間層（３）を破壊する工程と、
（ｄ）半田材料（６）の融点より低い温度で、半田材料（６）を第１金属間層（３）とより接触させて、第１金属間層（３）を破壊した後に、第１金属間層（３）の表面の孔の少なくとも一部に半田材料（６）を充填する工程と、
（ｅ）半田材料（６）の融点より低い温度で、半田材料（６）と第１金属間層（３）との間の界面で、第２金属間層（７）を実現する工程と、を含む方法。
【請求項２】
第１金属間層（３）は、安定相であり、第１基板（１）上の第１導電性材料（２）と反応しない請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１金属間層（３）の膜厚は、約１０００ｎｍと２０００ｎｍの間である請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
金属間層（３）は、約０．２μｍより大きなＲＭＳ表面粗さと、約０．５μｍより大きな山と谷の高低差を有する請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
半田材料面積の約３０％と７０％の間が第１金属間層（３）に接触した場合に、第１金属間層（３）が破壊される請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
半田材料面積の約５０％より広くが第１金属間層（３）に接触した場合に、半田材料（６）は、第１金属間層（３）の表面の孔の少なくとも一部を充填する請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
半田材料（６）は、接触領域の第１金属間層の表面の全ての孔を本質的に充填し、第１金属間層と完全に接触する請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
半田材料（６）は、第２金属間層（７）の形成後に全てが消費されるような体積を有する請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
更に、第１金属間層（３）の実現に先立って、導電性層の上に中間層を堆積する工程を含む請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
第１導電性層（２）は、第１金属であり、第１金属間層（３）は、第１金属層の上に第２金属層を堆積する工程と、第１金属層を第２金属層と反応させて第１金属間層（３）を実現する工程とにより実現される請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
低い圧力は、５０ＭＰａ以下の圧力である請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
低い圧力は、２０ＭＰａ以下の圧力である請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
基板（１）上の第１導電性材料（２）と、第２基板（４）上の第２導電性材料（５）との間の電気的接続を実現するための部品一式であって、この一式は、
その上の第１導電性材料（２）と第１導電性材料（２）上の金属間層（３）とを有する第１基板であって、金属間層（３）は、壊れやすくて粗さを有し、低い圧力で半田材料と接触した場合に破壊するような第１基板と、
その上の第２導電性材料（５）と第２導電性材料（５）上の半田材料（６）とを有する第２基板（４）であって、半田材料（６）は第１導電性材料（２）および第２導電性材料（５）より低い、および第１金属間材料（３）より低い融点を有し、半田材料（６）は金属間層（３）より柔らかい、第２基板と、を含み、
半田材料（６）と第１金属間層（３）は、半田材料（６）の融点より低い温度で、第２金属間層（７）を形成するように変化する部品一式。
【請求項１４】
第１金属間層（６）は、安定相であり、第１基板（１）上の第１導電性層（２）と反応しない請求項１３に記載の部品一式。
【請求項１５】
第１金属間層（３）の膜厚は、約１０００ｎｍと２０００ｎｍの間である請求項１３または１４のいずれかに記載の部品一式。
【請求項１６】
金属間層（３）は、約０．２μｍより大きなＲＭＳ表面粗さと、約０．５μｍより大きな山と谷の高低差を有する請求項１３〜１５のいずれかに記載の部品一式。
【請求項１７】
半田材料面積の約３０％と７０％の間が第１金属間層（３）に接触する場合に、第１金属間層（３）が破壊される請求項１３〜１６のいずれかに記載の部品一式。
【請求項１８】
半田材料面積の約５０％より広くが第１金属間層（３）と接続する場合に、半田材料（６）が第１金属間層（３）の表面の孔の少なくとも一部を充填するように部品一式が適用される請求項１３〜１７のいずれかに記載の部品一式。
【請求項１９】
部品一式は、接触領域の第１金属間層（３）の表面の全ての孔を半田材料（６）が充填して、第１金属間層（３）と完全に接触するように適用される請求項１３〜１８のいずれかに記載の部品一式。
【請求項２０】
半田材料（６）は、第２金属間層の形成中に、全て消費可能な体積を有する請求項１３〜１９のいずれかに記載の部品一式。
【請求項２１】
更に、第１導電性層と第１金属間層との間に、中間層（３）を含む請求項１３〜２０のいずれかに記載の部品一式。
【請求項２２】
第１導電性層（３）は、第１金属であり、第１金属間層（３）は、第１金属と第２金属の反応により形成された金属間層である請求項１３〜２１のいずれかに記載の部品一式。
【請求項２３】
低い圧力は、５０ＭＰａ以下の圧力である請求項１３〜２２のいずれかに記載の部品一式。
【請求項２４】
低い圧力は、２０ＭＰａ以下の圧力である請求項２３に記載の部品一式。
【請求項２５】
第１基板（１）の上の第１導電性材料（２）と、第２基板（４）の上の第２導電性材料（５）の間に電気的接続を実現するデバイスであって、このデバイスは、第１導電性材料（２）の上の第１金属間層（３）と、第２導電性材料（５）の上の半田材料（６）から、融点より低い温度で形成された第２金属間層（７）を含み、第１金属間層（３）は、低い圧力で半田材料（６）を接触させた場合に、小さな変形で破壊するように、壊れやすくて粗さを有し、半田材料（６）は、第１導電性材料（２）および第２導電性材料（５）、および第１金属間層（３）より低い融点を有し、半田材料（６）は第１金属間層（３）より柔らかいデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月3日(2012.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池の製造方法であって、
誘電体層が上に設けられた基板を準備する工程と、
前記誘電体層の上にピンホールフリーのマスク層を形成する工程と、
パターニングされたピンホールフリーのマスク層を形成するべく、マスクを利用せずに前記誘電体層で前記基板を保護しながら、前記ピンホールフリーのマスク層をパターニングする工程と
を備える製造方法。
【請求項２】
太陽電池の製造方法であって、
誘電体層が上に設けられた基板を準備する工程と、
前記誘電体層の上にピンホールフリーのマスク層を形成する工程と、
パターニングされたピンホールフリーのマスク層を形成するべく、マスクを利用せずに前記誘電体層で前記基板を保護しながら、前記ピンホールフリーのマスク層をパターニングする工程と、
パターニングされた誘電体層を形成して前記基板の一部を露呈させるべく、前記パターニングされたピンホールフリーのマスク層をマスクとして利用して前記誘電体層をエッチングする工程と、
前記パターニングされた誘電体層を露呈させるべく前記パターニングされたピンホールフリーのマスク層を除去する工程と、
前記パターニングされた誘電体層内に複数の金属コンタクトを形成する工程と
を備える製造方法。
【請求項３】
前記誘電体層をエッチングする工程は、
全体的な緩衝酸化物エッチング溶液を利用する工程を含む請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記パターニングされたピンホールフリーのマスク層を除去する工程は、
水酸化カリウム水溶液を利用する工程を含む請求項２または３に記載の製造方法。
【請求項５】
前記ピンホールフリーのマスク層をパターニングする工程は、
波長を有するレーザによるレーザアブレーション法を利用する工程を含み、
前記レーザアブレーション法を利用する工程は、
前記ピンホールフリーのマスク層が前記誘電体層よりも速いアブレーションレートを有するように前記レーザの前記波長を選択する工程を含む請求項２から４の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項６】
前記ピンホールフリーのマスク層をパターニングする工程は、
水酸化カリウム水溶液を含むウェットエッチング溶液によるスポットエッチング法を利用する工程を含む請求項１から５の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項７】
前記ピンホールフリーのマスク層を形成する工程は、
化学気相成長法を利用してアモルファスシリコン、およびアモルファスカーボンからなる群から選択された材料を堆積する工程を含む請求項１から６の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項８】
前記誘電体層が上に設けられた基板を準備する工程は、
二酸化シリコン層が上に設けられた結晶シリコン基板を準備する工程を含み、
前記ピンホールフリーのマスク層を形成する工程は、
前記二酸化シリコン層の上にアモルファスシリコン層を形成する工程を含む請求項１から７の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項９】
前記誘電体層が上に設けられた基板を準備する工程は、
二酸化シリコン層が結晶シリコン基板の上に設けられ、窒化シリコン層が前記二酸化シリコン層の上に設けられた前記結晶シリコン基板を準備する工程を含み、
前記ピンホールフリーのマスク層を形成する工程は、
前記窒化シリコン層の上にアモルファスシリコン層を形成する工程を含む請求項２から８の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記ピンホールフリーのマスク層をパターニングする工程は、
前記誘電体層全体を保存する工程を含む請求項１から９の何れか１項に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月11日(2012.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体リソグラフィのための投影露光装置（３１０）に用いる交換可能なアセンブリ（１）であって、
前記交換可能なアセンブリは、少なくとも１個の減衰素子（２）を備え、前記減衰素子（２）は、弾性要素（２１）に連結した質量要素（２０）を有することを特徴とする、交換可能なアセンブリ。
【請求項２】
請求項１に記載の交換可能なアセンブリ（１）であって、前記交換可能なアセンブリ（１）は、さらに、少なくとも１個の光学素子（３）を備えることを特徴とする、交換可能なアセンブリ。
【請求項３】
請求項１に記載の交換可能なアセンブリ（１）であって、前記減衰素子（２）がせん断運動を行うことができるように、前記弾性要素（２１）を前記質量要素（２０）に連結したことを特徴とする、交換可能なアセンブリ。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の交換可能なアセンブリ（１）であって、前記質量要素（２０）の質量は１５０ｇ〜４５０ｇの範囲内であることを特徴とする、交換可能なアセンブリ。
【請求項５】
請求項４に記載の交換可能なアセンブリ（１）であって、前記質量要素（２０）の質量は、２５０ｇ〜３５０ｇの範囲内であることを特徴とする、交換可能なアセンブリ。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の交換可能なアセンブリ（１）であって、前記弾性要素（２１）はフッ素エラストマ、特に、フッ素ゴムから生成したことを特徴とする、交換可能なアセンブリ。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の交換可能なアセンブリ（１）であって、前記減衰素子（２）には冷却デバイスを設けたことを特徴とする、交換可能なアセンブリ。
【請求項８】
請求項７に記載の交換可能なアセンブリ（１）であって、前記冷却デバイスは、ガス冷却手段、液体冷却手段、またはヒートパイプであることを特徴とする、交換可能なアセンブリ。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の交換可能なアセンブリ（１）であって、前記交換可能なアセンブリ（２）は挿入素子として実施することを特徴とする、交換可能なアセンブリ。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の交換可能なアセンブリ（１）であって、前記減衰素子（２）は、周波数が１０Ｈｚ〜８００Ｈｚの範囲にある振動を減衰するように設計したことを特徴とする、交換可能なアセンブリ。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の交換可能なアセンブリ（１）であって、前記減衰素子（２）の固有周波数は、前記投影対物レンズの固有周波数の約９５％であることを特徴とする、交換可能なアセンブリ。
【請求項１２】
半導体リソグラフィのための投影露光装置（３１０）であって、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の交換可能なアセンブリ（２）を少なくとも１個含んで構成されることを特徴とする、投影露光装置（３１０）。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体リソグラフィのための投影露光装置（３１０）であって、前記減衰素子（２）の固有周波数および／または振動方向は、前記交換可能なアセンブリ（２）内に配置した光学素子（３）の固有周波数および／または振動方向と調整されることを特徴とする、投影露光装置。
【請求項１４】
請求項１２に記載の半導体リソグラフィのための投影露光装置（３１０）であって、前記減衰素子（２）の固有周波数は、前記交換可能なアセンブリ（２）外部の光学素子（７，７´）の固有周波数と連動することを特徴とする、投影露光装置。
【請求項１５】
請求項１２に記載の半導体リソグラフィのための投影露光装置（３１０）であって、前記交換可能なアセンブリ（２）は挿入開口部に配置されることを特徴とする、投影露光装置。
【請求項１６】
半導体リソグラフィのための投影露光装置に用いる測定装置であって、
前記投影露光装置の振動のパラメータを検出する少なくとも１個のセンサを備える測定装置において、
前記測定装置は、投影露光装置（３１０）内の光学素子に設けた交換開口部に挿入可能なように実施されることを特徴とする、測定装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月7日(2012.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも1つの電気的且つ熱的に伝導性がある部分を有する印刷回路基板（PCB）と、
光を発するための発光ダイオード（LED）であって、前記LEDの少なくとも1つの接点によって前記少なくとも1つの電気的且つ熱的に伝導性がある部分に熱的に接続される、LEDと、
前記少なくとも1つの電気的且つ熱的に伝導性がある部分に熱的に接続される、前記LEDによって発生した熱を放散させるための放熱部材と、
を有する発光装置であって、
前記LEDによって発生した熱が、前記少なくとも1つの接点及び前記少なくとも1つの電気的且つ熱的に伝導性がある部分を経由して前記LEDから前記放熱部材へと延在している熱伝達経路に沿って伝達される、発光装置。
【請求項２】
前記接点が、前記LEDを前記少なくとも1つの電気的且つ熱的に伝導性がある部分へと電気的に接続する電気接点である、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記接点が熱伝達部材である、請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記LEDが、少なくとも1つの前記電気接点と少なくとも1つの前記熱伝達部材とを含む複数の接点を有する、請求項１乃至３の何れか一項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記LED及び前記放熱部材が、前記PCBの一方の側に取り付けられる、請求項１乃至４の何れか一項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記少なくとも1つの電気的且つ熱的に伝導性がある部分が、前記PCBの同じ側に設けられる、請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
制御回路を更に有し、前記制御回路及び前記LEDが、前記PCBの異なる側に取り付けられる、請求項１乃至６の何れか一項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記制御回路が、保護材料中に少なくとも部分的に埋め込まれる、請求項７に記載の発光装置。
【請求項９】
前記放熱部材が光学素子を受け入れるよう適応される、請求項５乃至８の何れか一項に記載の発光装置。
【請求項１０】
各々のLEDが少なくとも1つの接点によって前記少なくとも1つの電気的且つ熱的に伝導性がある部分に熱的に接続される、複数のLEDと、
前記複数のLEDの熱を放散させるための前記放熱部材と、
を有する、請求項１乃至９の何れか一項に記載の発光装置。
【請求項１１】
各々のLEDが、少なくとも1つの接点によって前記少なくとも1つの電気的且つ熱的に伝導性がある部分に熱的に接続されている複数のLEDと、
前記複数のLEDによって発生した熱を放散させるための複数の放熱部材とを有し、
前記複数のLEDのうちの少なくとも1つの熱が、前記複数のLEDのうちの少なくとも1つから前記複数の放熱部材のうちの少なくとも1つへと延在する熱伝達経路に沿って伝達される、請求項１乃至９の何れか一項に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記放熱部材が、少なくとも1つの半田及び接着剤を用いて、前記少なくとも1つの電気的且つ熱的に伝導性がある部分に取り付けられる、請求項１乃至１１の何れか一項に記載の発光装置。
【請求項１３】
前記放熱部材は、前記制御回路が前記LEDから電磁気的に遮蔽される位置に取り付けられる、請求項７乃至１２の何れか一項に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月6日(2012.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線機器に実装される方法であって、
伝達情報タイプ及びユーザー信号双方を含む基準を受信するステップと、
既定の応答としてストアされる応答を受信するステップと、
前記基準を満たす伝達情報及びユーザー信号が受信されたとき、それに続いて前記応答を送信するための前記応答及び前記基準双方をストアするステップと、を含む方法。
【請求項２】
前記基準を受信するステップがユーザーから前記基準を受信するステップを含むことと、前記応答を受信するステップが前記ユーザーから前記応答を受信するステップを含むことと、を特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
更に、
付加的な伝達情報タイプ及び付加的なユーザー信号双方を含む付加的な基準を受信するステップと、
付加的な応答を受信するステップと、
前記付加的な基準が満たされた場合、それに続いて前記付加的な応答を送信するための前記付加的な応答及び前記付加的な基準双方をストアするステップと、を含む請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記伝達情報タイプが音声通話を含んでいて、前記付加的な伝達情報タイプがメッセージを含んでいて、前記ユーザー信号及び前記付加的なユーザー信号双方が同一信号であることを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記伝達情報タイプ及び前記付加的な伝達情報タイプ双方が同一の伝達情報タイプを含むことと、前記ユーザー信号及び前記付加的なユーザー信号が異なる２つの信号であることと、を特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項６】
前記ユーザー信号が、前記機器のタッチスクリーンを介したユーザーによる記号の入力を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記ユーザー信号が、前記機器に対する特定の物理的フィードバック入力を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
更に、
異なる機器から前記伝達情報タイプを受信するステップと、
第１の無線機器のユーザーから前記ユーザー信号を受信するステップと、
少なくとも前記タイプ及び前記ユーザー信号双方の一部に基づいて、前記既定の応答を識別するステップと、
前記既定の応答を前記異なる機器へ送信するステップと、を含む請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記無線機器の１つ以上のプロセッサーによって実行されるとき、前記１つ以上のプロセッサーに請求項１記載の前記方法の実行をもたらす複数の命令をストアしている１つ以上の計算機記憶媒体。
【請求項１０】
応答生成モジュールであって、
第１の伝達情報タイプ及び第１のユーザー信号双方を含む基準を受信し、
既定の応答としてストアされる応答を受信し、
前記応答及び前記基準双方をストアするものと、
照合モジュールであって、
異なる機器から前記第１のタイプの伝達情報を受信し、
前記無線機器のユーザーから前記第１のユーザー信号を受信し、
少なくとも前記第１のタイプ及び前記第１のユーザー信号双方の一部に基づいて前記既定の応答を識別し、
前記異なる機器へ前記既定の応答を送信するものと、を含む無線機器。
【請求項１１】
前記照合モジュールが更に、
前記異なる機器から第２のタイプの第２の伝達情報を受信し、
前記ユーザーから第２のユーザー信号を受信し、
少なくとも前記第２のタイプ及び前記第２のユーザー信号双方の一部に基づいて、第２の既定の応答を識別し、
前記異なる機器へ前記第２の既定の応答を送信すること、を特徴とする請求項１０記載の無線機器。
【請求項１２】
伝達情報の前記第１のタイプがメッセージを含んでいて、伝達情報の前記第２のタイプが音声通話を含んでいて、前記第１のユーザー信号及び前記第２のユーザー信号双方が同一の信号であることを特徴とする請求項１１記載の無線機器。
【請求項１３】
伝達情報の前記第１のタイプ及び伝達情報の前記第２のタイプ双方が、同一の伝達情報タイプを含むことと、前記第１のユーザー信号及び前記第２のユーザー信号が、２つの異なる信号であることと、を特徴とする請求項１１記載の無線機器。
【請求項１４】
更に、複数の既定の応答及び対応する基準をストアするための応答コレクションを含む請求項１０記載の無線機器。
【請求項１５】
前記応答生成モジュールが、更に、別の機器から１つ以上の既定の応答及び対応する基準を受信し、前記１つ以上の既定の応答及び対応する基準を前記応答コレクションの一部としてストアする、ためにあることを特徴とする請求項１４記載の無線機器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月14日(2012.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
全体で、本発明の広さは、与えられる実施例により制限されることはない。以下のように特許請求する。
本発明の好ましい態様は、以下を包含する。
［１］約１００ＭＰａより少ない弾性率を有する誘電エラストマー材料、
該誘電エラストマー材料の少なくとも片側上に電極材料、および
該誘電エラストマー材料または電極材料の少なくとも１つの少なくとも一部と接触する部分放電抑制剤
を含み、該部分放電抑制剤は、空気の誘電率を越える誘電率および該誘電エラストマーの弾性率以下の弾性率を有する、変換器フィルム。
［２］部分放電抑制剤は、電極材料とのみ接触する、［１］に記載の変換器フィルム。
［３］部分放電抑制剤は、電極材料の外側部分と接触する、［１］に記載の変換器フィルム。
［４］部分放電抑制剤は、電極材料の内側部分と接触する、［１］に記載の変換器フィルム。
［５］部分放電抑制剤は、誘電エラストマー材料のみと接触する、［１］に記載の変換器フィルム。
［６］部分放電抑制剤は、誘電エラストマー材料の外側部分と接触する、［１］に記載の変換器フィルム。
［７］部分放電抑制剤は、誘電エラストマー材料の内側部分と接触する、［１］に記載の変換器フィルム。
［８］部分放電抑制剤は、誘電エラストマー材料および電極材料の間にある、［７］に記載の変換器フィルム。
［９］部分放電抑制剤は、誘電エラストマー材料の少なくとも一部および電極材料の少なくとも一部と接触する、［１］に記載の変換器フィルム。
［１０］電極材料は、誘電エラストマー材料の両側上にあり、部分放電抑制剤の接触の範囲は、誘電エラストマー材料の両側上で実質的に同一である、［１］に記載の変換器フィルム。
［１１］電極材料は、誘電エラストマー材料の両側上にあり、部分放電抑制剤の接触の範囲は、誘電エラストマー材料の各側上で異なっている、［１］に記載の変換器フィルム。
［１２］部分放電抑制剤は、１以上の低弾性固体、粘弾性ゲルおよび誘電性液体を含む、［１］に記載の変換器フィルム。
［１３］部分放電抑制剤は、誘電率の上昇、抑制剤の抵抗率の低下、水蒸気の除去および酸素の除去の１以上を行う粒子を含む、［１］に記載の変換器フィルム。
［１４］部分放電抑制剤は、約５％を越える最小線形歪みを有する、［１］に記載の変換器フィルム。
［１５］部分放電抑制剤の弾性率は約１ＭＰａより小さい、［１］に記載の変換器フィルム。
［１６］部分放電抑制剤の抵抗率は、約１Ｅ５〜約１Ｅ１４Ω・ｍの範囲である、［１］に記載の変換器フィルム。
［１７］［１］に記載の変換器フィルムを含む変換器デバイス。
［１８］［１］に記載の変換器フィルムの製造方法であって、
誘電エラストマー材料を供給する工程、
１以上の電極を形成し、次いで誘電エラストマー材料上に形成する工程、および
誘電エラストマー材料または電極材料の少なくとも１つの少なくとも一部を覆う部分放電抑制剤の層を形成する工程
を含む、方法。
［１９］部分放電抑制剤の層を、１以上の電極を形成する前に形成する、［１８］に記載の変換器フィルム。
［２０］部分放電抑制剤を、型抜き染め、噴霧、浸漬被覆、スクリーン印刷、パッド印刷、フレキソ印刷、ナイフオーバーコートおよびメーターロッド被覆の１つにより形成する、［１８］に記載の変換器フィルム。
［２１］前記方法の少なくとも幾つかの工程を、ウェブベース製造技術により行う、［１８］に記載の変換器フィルム。
［２２］［１８］に記載の変換器フィルムを包装する方法であって、該変換器フィルムを封止して不活性雰囲気を供給する工程を含む、方法。
［２３］［１８］に記載の変換器フィルムを包装する方法であって、該変換器フィルムを、化学反応性固体を組み込むことにより変性させた空気内で封止する工程を含む、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
約１００ＭＰａより少ない弾性率を有する誘電エラストマー材料、
該誘電エラストマー材料の少なくとも片側上に電極材料、および
該誘電エラストマー材料または電極材料の少なくとも１つの少なくとも一部と接触する部分放電抑制剤
を含み、該部分放電抑制剤は、空気の誘電率を越える誘電率および該誘電エラストマーの弾性率以下の弾性率を有する、変換器フィルム。
【請求項２】
部分放電抑制剤は、電極材料とのみ接触する、請求項１に記載の変換器フィルム。
【請求項３】
部分放電抑制剤は、誘電エラストマー材料のみと接触する、請求項１に記載の変換器フィルム。
【請求項４】
部分放電抑制剤は、誘電エラストマー材料および電極材料の間にある、請求項１に記載の変換器フィルム。
【請求項５】
部分放電抑制剤は、誘電エラストマー材料の少なくとも一部および電極材料の少なくとも一部と接触する、請求項１に記載の変換器フィルム。
【請求項６】
部分放電抑制剤は、１以上の低弾性固体、粘弾性ゲルおよび誘電性液体を含む、請求項１に記載の変換器フィルム。
【請求項７】
部分放電抑制剤は、誘電率の上昇、抑制剤の抵抗率の低下、水蒸気の除去および酸素の除去の１以上を行う粒子を含む、請求項１に記載の変換器フィルム。
【請求項８】
部分放電抑制剤は、約５％を越える最小線形歪みを有する、請求項１に記載の変換器フィルム。
【請求項９】
部分放電抑制剤の弾性率は約１ＭＰａより小さい、請求項１に記載の変換器フィルム。
【請求項１０】
部分放電抑制剤の抵抗率は、約１Ｅ５〜約１Ｅ１４Ω・ｍの範囲である、請求項１に記載の変換器フィルム。
【請求項１１】
請求項１に記載の変換器フィルムを含む変換器デバイス。
【請求項１２】
請求項１に記載の変換器フィルムの製造方法であって、
誘電エラストマー材料を供給する工程、
１以上の電極を形成し、次いで誘電エラストマー材料上に形成する工程、および
誘電エラストマー材料または電極材料の少なくとも１つの少なくとも一部を覆う部分放電抑制剤の層を形成する工程
を含む、方法。
【請求項１３】
部分放電抑制剤の層を、１以上の電極を形成する前に形成する、請求項１２に記載の変換器フィルム。
【請求項１４】
請求項１２に記載の変換器フィルムを包装する方法であって、該変換器フィルムを封止して不活性雰囲気を供給する工程を含む、方法。
【請求項１５】
請求項１２に記載の変換器フィルムを包装する方法であって、該変換器フィルムを、化学反応性固体を組み込むことにより変性させた空気内で封止する工程を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月13日(2012.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
嵩密度が理論密度の８８％超である、バルブメタル及び／又はバルブメタル亜酸化物のコンデンサアノード焼結体。
【請求項２】
嵩密度が理論密度の９０％超、好適には９２％超である、請求項１に記載のアノード体。
【請求項３】
組成が
ＮｂＯx
［式中、０．７＜ｘ＜１．３］
である、請求項１又は２に記載のアノード体。
【請求項４】
タンタル又はニオブから成る、請求項１又は２に記載のアノード体。
【請求項５】
ＢＥＴ比表面積（ｍ2／ｇ）×滑り係数ηの積が０．３３〜０．７５、好適には０．４５〜０．５８である、ニオブ亜酸化物アグロメレート粉末。
【請求項６】
圧縮係数が０．０７超である、ニオブ亜酸化物アグロメレート粉末。
【請求項７】
ＢＥＴ比表面積（ｍ2／ｇ）×滑り係数ηの積が０．６２〜０．９５、好適には０．６５〜０．８６である、タンタルアグロメレート粉末。
【請求項８】
圧縮係数が０．０８超である、タンタルアグロメレート粉末。
【請求項９】
ＢＥＴ比表面積（ｍ2／ｇ）×滑り係数ηの積が０．３８〜０．８、好適には０．４２〜０．６である、ニオブアグロメレート粉末。
【請求項１０】
圧縮係数が０．０８超である、ニオブアグロメレート粉末。
【請求項１１】
プレス密度２．８ｇ／ｃｍ3にプレスし、１３４０℃の温度で２０分間の焼結後に、嵩密度が８８％超、好適には９０％超、とりわけ好適には９２％超のアノード体が製造可能な、ニオブ亜酸化物アグロメレート粉末。
【請求項１２】
プレス密度５ｇ／ｃｍ3超にプレスし、１２５０℃以上の温度で２０分間の焼結後に、嵩密度が８８％超、好適には９０％超、とりわけ好ましくは９２％超のアノード体が製造可能な、タンタルアグロメレート粉末。
【請求項１３】
プレス密度３．１４ｇ／ｃｍ3にプレスし、１１６５℃以上の温度で２０分間の焼結後に、嵩密度が８８％超のアノード体が製造可能な、ニオブアグロメレート粉末。
【請求項１４】
コンデンサアノード焼結体の製造に適したバルブメタル及び／又はバルブメタル酸化物のアグロメレート粉末の製造方法において、
アグロメレート粉末の前駆体粒子を微粒子状細孔形成剤と混合し、圧縮によって高多孔性の接着結合された前駆体粒子のアグロメレートを生成し、細孔形成剤を熱により除去し、接着結合されたアグロメレートを、焼結橋形成に充分な温度及び所要時間の温度処理に供し、この少なくとも部分的に焼結されたアグロメレートを、それ自体公知の方法でバルブメタル及び／又はバルブメタル亜酸化物のアグロメレート粉末にさらに加工することを特徴とする、前記製造方法。
【請求項１５】
細孔形成剤として、蒸発温度、昇華温度、又は分解温度が６００℃未満のアンモニウム塩を使用することを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
細孔形成剤として、微粒子状の塩化アンモニウム及び／又はシュウ酸アンモニウムを使用することを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
細孔形成剤を、前駆体化合物の体積に対して１０〜９０体積％の量で使用することを特徴とする、請求項１４から１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
コンデンサアノード焼結体の製造に適したバルブメタル及び／又はバルブメタル亜酸化物のアグロメレート粉末の製造方法において、
アグロメレート粉末の前駆体粒子を、過酸化水素又は二酸化炭素含有水の中でスラリー化し、乾燥によって酸素ガス若しくは二酸化炭素を放出させながら水を除去し、その結果、高多孔性の接着結合された前駆体粒子のアグロメレートが生成され、この接着結合されたアグロメレートを、焼結橋形成に充分な温度及び所要時間の温度処理に供し、この少なくとも部分的に焼結されたアグロメレートを、それ自体公知の方法でバルブメタル及び／又はバルブメタル酸化物のアグロメレート粉末にさらに加工することを特徴とする、前記製造方法。
【請求項１９】
前駆体粒子が、８０ｍ2／ｇ超、好適には１００ｍ2／ｇ超の比表面積を有することを特徴とする、請求項１４から１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
請求項１から４までのいずれか１項に記載のコンデンサアノード焼結体の化成により製造される、コンデンサアノード。
【請求項２１】
請求項５から１３までのいずれか１項に記載のアグロメレート粉末のプレスと焼結により製造される、コンデンサアノード。
【請求項２２】
請求項１から４までのいずれか１項に記載のバルブメタル及び／又はバルブメタル亜酸化物のコンデンサアノード焼結体を含む、コンデンサ。
【請求項２３】
請求項２０に記載のコンデンサアノードを含む、コンデンサ。
【請求項２４】
請求項２１に記載のコンデンサアノードを含む、コンデンサ。
【請求項２５】
電気的装置における、請求項２２から２４までのいずれか１項に記載のコンデンサの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月20日(2012.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲートウェイにおいてＩＰ系ネットワークへの多重アクセスを提供する方法であり、前記ゲートウェイが、第１のネットワークとのインタフェースと、第２のネットワークとのインタフェースとを備え、前記ゲートウェイが、第１のパブリックＩＰアドレスの第１のネットワーク・プロバイダによって前記第２のネットワークを介して前記ＩＰ系ネットワークに接続されて、前記第１のネットワーク中に位置する任意の装置が前記第１のパブリックＩＰアドレスを介して前記ＩＰ系ネットワークにアクセスするようになっている方法であって、
第２のネットワーク・プロバイダによって前記ＩＰ系ネットワークに接続することを求める前記第１のネットワーク上に位置する装置からの要求を検出するステップと、
前記第１のパブリックＩＰアドレスを用いて前記ＩＰ系ネットワーク上で前記要求を転送するステップと、
第２のパブリックＩＰアドレスを含む応答を、前記第２ネットワーク・プロバイダから受信するステップと、
前記装置にローカル・アドレスを割り当てるステップと、
前記ローカル・アドレスを前記第２のパブリックＩＰアドレスにマッピングして、前記装置が前記第２のパブリックＩＰアドレスを介して前記ＩＰ系ネットワークにアクセスするようにするステップと、を含む、前記方法。
【請求項２】
前記第２のネットワーク・プロバイダによって前記ＩＰ系ネットワークに接続することを求める前記第１のネットワーク上に位置する第２の装置からの要求を検出するステップと、
前記装置にローカル・アドレスを割り当てるステップと、
前記ローカル・アドレスを前記第２のパブリックＩＰアドレスにマッピングして、前記装置が前記第２のパブリックＩＰアドレスを介して前記ＩＰ系ネットワークにアクセスするようにするステップと、を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記要求、応答、解除がそれぞれ、ＤＨＣＰ要求、ＤＨＣＰ応答、およびＤＨＣＰ解除である、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
ＩＰ系ネットワークへの多重アクセスを提供するゲートウェイであり、
第１のネットワークとのインタフェースと、第２のネットワークとのインタフェースとを備え、第１のパブリックＩＰアドレスの第１のネットワーク・プロバイダによって前記第２のネットワークを介して前記ＩＰ系ネットワークに接続されて、前記第１のネットワーク中に位置する任意の装置が前記第１のパブリックＩＰアドレスを介して前記ＩＰ系ネットワークにアクセスするようになっているゲートウェイであって、
第２のネットワーク・プロバイダによって前記ＩＰ系ネットワークに接続することを求める前記第１のネットワーク上に位置する装置からの要求を検出する検出手段と、
前記要求を受信したときに、前記第１のパブリックＩＰアドレスを用いて前記ＩＰ系ネットワーク上で前記要求を転送し、第２のパブリックＩＰアドレスを含む応答を前記第２ネットワーク・プロバイダから受信したときに、前記装置にローカル・アドレスを割り当て、前記ローカル・アドレスを前記第２のパブリックＩＰアドレスにマッピングして、前記装置が前記第２のパブリックＩＰアドレスを介して前記ＩＰ系ネットワークにアクセスするようにする接続手段と、を備える、前記ゲートウェイ。