【事件の表示】
　特許第３２２２４４６号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第３２２２４４６号に係る明細書を本件審判請求書に添付された訂正明細書のとおり訂正することを認める。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３２２２４４６号の各請求項に係る発明についての出願は、平成３年２月１６日に出願された特願平３−７７３１７号の一部を平成１２年１月２４日に新たな特許出願としたものであり、平成１３年８月１７日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、特許異議の申立て（異議２００２−７０６８２号）がなされ、平成１５年４月１６日に本件の請求項１ないし１３に係る特許を取り消す旨の決定がなされたところ、本件の請求人はこれを不服として東京高等裁判所に当該決定の取消を求める訴（平成１５年（行ケ）第２３３号）を提起し、平成１５年８月１４日に本件特許第３２２２４４６号の訂正審判を請求したものである。
　　　　
２．訂正の内容
　請求人の求める訂正の内容は、次のとおりである。
Ａ．特許請求の範囲について
　特許明細書の特許請求の範囲の
　「【請求項１】
　薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした前記平坦化膜の上の画素電極を有し、
　前記ドレイン電極と前記画素電極を接続するコンタクトホールは、前記薄膜トランジスタのドレインと前記ドレイン電極を接続するコンタクトホールの直上に重ならないことを特徴とするアクティブ型表示装置。
　【請求項２】
　薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした前記平坦化膜の上の画素電極を有し、
　前記平坦化膜に形成されたコンタクトホールは、前記薄膜トランジスタのドレインと前記ドレイン電極を接続するコンタクトホールの直上に重ならず、
　前記平坦化膜の上面から前記平坦化膜に形成されたコンタクトホールの内面にかけて湾曲した面を有することを特徴とするアクティブ型表示装置。
　【請求項３】
　薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした前記平坦化膜の上の画素電極を有し、
　前記平坦化膜に形成されたコンタクトホールは、前記薄膜トランジスタのドレインと前記ドレイン電極を接続するコンタクトホールの直上に重ならず、
　前記平坦化膜の上面から前記平坦化膜に形成されたコンタクトホールの内面にかけて前記平坦化膜に形成されたコンタクトホールの直径が連続的に小さくなり、かつ、湾曲した面を有することを特徴とするアクティブ型表示装置。
　【請求項４】
　薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした画素電極を有し、
　前記ドレイン電極は、層間絶縁物の上に設けられ、且つ、該層間絶縁物に形成された第１のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに接続され、
　前記画素電極は、前記平坦化膜の上に設けられ、且つ、該平坦化膜に形成された第２のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続され、
　前記第２のコンタクトホールは、前記第１のコンタクトホールの直上に重ならないことを特徴とするアクティブ型表示装置。
　【請求項５】
　薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした画素電極を有し、
　前記ドレイン電極は、層間絶縁物の上に設けられ、且つ、該層間絶縁物に形成された第１のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに接続され、
　前記画素電極は、前記平坦化膜の上に設けられ、且つ、該平坦化膜に形成された第２のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続され、
　前記第２のコンタクトホールは、前記第１のコンタクトホールの直上に重ならず、
　前記平坦化膜の上面から前記第２のコンタクトホールの内面にかけて湾曲した面を有することを特徴とするアクティブ型表示装置。
　【請求項６】
　薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした画素電極を有し、
　前記ドレイン電極は、層間絶縁物の上に設けられ、且つ、該層間絶縁物に設けられた第１のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに接続され、
　前記画素電極は、前記平坦化膜の上に設けられ、且つ、該平坦化膜に設けられた第２のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続され、
　前記第２のコンタクトホールは、前記第１のコンタクトホールの直上に重ならず、
　前記平坦化膜の上面から前記第２のコンタクトホールの内面にかけて前記第２のコンタクトホールの直径が連続的に小さくなり、かつ、湾曲した面を有することを特徴とするアクティブ型表示装置。
　【請求項７】
　請求項４乃至請求項６のいずれか一において、前記層間絶縁物は酸化珪素膜であることを特徴とするアクティブ型表示装置。
　【請求項８】
　請求項１乃至請求項７のいずれか一において、前記平坦化膜は有機樹脂からなることを特徴とするアクティブ型表示装置。
　【請求項９】
　請求項１乃至請求項８のいずれか一に記載のアクティブ型表示装置は、アクティブ型液晶表示装置であることを特徴とするアクティブ型表示装置。
　【請求項１０】
　アクティブ型表示装置をビューファインダーに用いたカメラであって、
　前記アクティブ型表示装置は、
　薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした前記平坦化膜の上の画素電極を有し、
　前記ドレイン電極と前記画素電極を接続するコンタクトホールは、前記薄膜トランジスタのドレインと前記ドレイン電極を接続するコンタクトホールの直上に重ならないことを特徴とするカメラ。
　【請求項１１】
　アクティブ型表示装置をビューファインダーに用いたカメラであって、
　前記アクティブ型表示装置は、
　薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした前記平坦化膜の上の画素電極を有し、
　前記平坦化膜に形成されたコンタクトホールは、前記薄膜トランジスタのドレインと前記ドレイン電極を接続するコンタクトホールの直上に重ならず、
　前記平坦化膜の上面から前記平坦化膜に形成されたコンタクトホールの内面にかけて湾曲した面を有することを特徴とするカメラ。
　【請求項１２】
　アクティブ型表示装置をビューファインダーに用いたカメラであって、
　前記アクティブ型表示装置は、
　薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした前記平坦化膜の上の画素電極を有し、
　前記平坦化膜に形成されたコンタクトホールは、前記薄膜トランジスタのドレインと前記ドレイン電極を接続するコンタクトホールの直上に重ならず、
　前記平坦化膜の上面から前記平坦化膜に形成されたコンタクトホールの内面にかけて前記平坦化膜に形成されたコンタクトホールの直径が連続的に小さくなり、かつ、湾曲した面を有することを特徴とするカメラ。
　【請求項１３】
　アクティブ型表示装置をビューファインダーに用いたカメラであって、
　前記アクティブ型表示装置は、
　薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした画素電極を有し、
　前記ドレイン電極は、層間絶縁物の上に設けられ、且つ、該層間絶縁物に形成された第１のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに接続され、
　前記画素電極は、前記平坦化膜の上に設けられ、且つ、該平坦化膜に形成された第２のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続され、
　前記第２のコンタクトホールは、前記第１のコンタクトホールの直上に重ならないことを特徴とするカメラ。
　【請求項１４】
　アクティブ型表示装置をビューファインダーに用いたカメラであって、
　前記アクティブ型表示装置は、
　薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした画素電極を有し、
　前記ドレイン電極は、層間絶縁物の上に設けられ、且つ、該層間絶縁物に設けられた第１のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに接続され、
　前記画素電極は、前記平坦化膜の上に設けられ、且つ、該平坦化膜に設けられた第２のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続され、
　前記第２のコンタクトホールは、前記第１のコンタクトホールの直上に重ならず、
　前記平坦化膜の上面から前記第２のコンタクトホールの内面にかけて湾曲した面を有することを特徴とするカメラ。
　【請求項１５】
　アクティブ型表示装置をビューファインダーに用いたカメラであって、
　前記アクティブ型表示装置は、
　薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした画素電極を有し、
　前記ドレイン電極は、層間絶縁物の上に設けられ、且つ、該層間絶縁物に設けられた第１のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに接続され、
　前記画素電極は、前記平坦化膜の上に設けられ、且つ、該平坦化膜に設けられた第２のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続され、
　前記第２のコンタクトホールは、前記第１のコンタクトホールの直上に重ならず、
　前記平坦化膜の上面から前記第２のコンタクトホールの内面にかけて前記第２のコンタクトホールの直径が連続的に小さくなり、かつ、湾曲した面を有することを特徴とするカメラ。
　【請求項１６】
　請求項１３乃至請求項１５のいずれか一において、前記層間絶縁物は酸化珪素膜であることを特徴とするカメラ。
　【請求項１７】
　請求項１０乃至請求項１６のいずれか一において、前記平坦化膜は有機樹脂からなることを特徴とするカメラ。
　【請求項１８】
　請求項１０乃至請求項１７のいずれか一に記載のアクティブ型表示装置は、アクティブ型液晶表示装置であることを特徴とするカメラ。
　【請求項１９】
　請求項１０乃至請求項１８のいずれか一に記載のカメラは、ビデオカメラであることを特徴とするカメラ。」
を、
　「【請求項１】ガラス基板上に形成され、チャネル形成領域がゲイト電極の下に設けられた薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした透明導電膜でなる画素電極を有し、
　前記ドレイン電極は、層間絶縁物の上に設けられ、且つ、該層間絶縁物に形成された第１のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに直接接続され、
　前記画素電極は、前記平坦化膜の上に設けられ、且つ、該平坦化膜に形成された第２のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に直接接続され、
　前記第２のコンタクトホールは、前記層間絶縁物の上に位置し、且つ、前記第１のコンタクトホールに重ならないことを特徴とするアクティブ型表示装置。
【請求項２】ガラス基板上に形成され、チャネル形成領域がゲイト電極の下に設けられた薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした透明導電膜でなる画素電極を有し、
　前記ドレイン電極は、層間絶縁物の上に設けられ、且つ、該層間絶縁物に形成された第１のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに直接接続され、
　前記画素電極は、前記平坦化膜の上に設けられ、且つ、該平坦化膜に形成された第２のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に直接接続され、
　前記第２のコンタクトホールは、前記層間絶縁物の上に位置し、且つ前記第１のコンタクトホールに重ならず、
　前記平坦化膜の上面から前記第２のコンタクトホールの内面にかけて湾曲した面を有することを特徴とするアクティブ型表示装置。
【請求項３】ガラス基板上に形成され、チャネル形成領域がゲイト電極の下に設けられた薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした透明導電膜でなる画素電極を有し、
　前記ドレイン電極は、層間絶縁物の上に設けられ、且つ、該層間絶縁物に設けられた第１のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに直接接続され、
　前記画素電極は、前記平坦化膜の上に設けられ、且つ、該平坦化膜に設けられた第２のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に直接接続され、
　前記第２のコンタクトホールは、前記層間絶縁物の上に位置し、且つ、前記第１のコンタクトホールに重ならず、
　前記平坦化膜の上面から前記第２のコンタクトホールの内面にかけて前記第２のコンタクトホールの直径が連続的に小さくなり、かつ、湾曲した面を有することを特徴とするアクティブ型表示装置。
【請求項４】請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記層間絶縁物は酸化珪素膜であることを特徴とするアクティブ型表示装置。
【請求項５】請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記平坦化膜は有機樹脂からなることを特徴とするアクティブ型表示装置。
【請求項６】請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載のアクティブ型表示装置は、アクティブ型液晶表示装置であることを特徴とするアクティブ型表示装置。
【請求項７】アクティブ型表示装置をビューファインダーに用いたカメラであって、前記アクティブ型表示装置は、ガラス基板上に形成され、チャネル形成領域がゲイト電極の下に設けられた薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜およ び前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした透明導電膜でなる画素電極を有し、
　前記ドレイン電極は、層間絶縁物の上に設けられ、且つ、該層間絶縁物に形成された第１のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに直接接続され、
　前記画素電極は、前記平坦化膜の上に設けられ、且つ、該平坦化膜に形成された第２のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に直接接続され、
　前記第２のコンタクトホールは、前記層間絶縁物の上に位置し、且つ、前記第１のコンタクトホールに重ならないことを特徴とするカメラ。
【請求項８】アクティブ型表示装置をビューファインダーに用いたカメラであって、前記アクティブ型表示装置は、
　ガラス基板上に形成され、チャネル形成領域がゲイト電極の下に設けられた薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした透明導電膜でなる画素電極を有し、
　前記ドレイン電極は、層間絶縁物の上に設けられ、且つ、該層間絶縁物に設けられた第１のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに直接接続され、
　前記画素電極は、前記平坦化膜の上に設けられ、且つ、該平坦化膜に設けられた第２のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に直接接続され、
　前記第２のコンタクトホールは、前記層間絶縁物の上に位置し、且つ、前記第１のコンタクトホールに重ならず、
　前記平坦化膜の上面から前記第２のコンタクトホールの内面にかけて湾曲した面を有することを特徴とするカメラ。
【請求項９】アクティブ型表示装置をビューファインダーに用いたカメラであって、前記アクティブ型表示装置は、
　ガラス基板上に形成され、チャネル形成領域がゲイト電極の下に設けられた薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした透明導電膜でなる画素電極を有し、
　前記ドレイン電極は、層間絶縁物の上に設けられ、且つ、該層間絶縁物に設けられた第１のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに直接接続され、
　前記画素電極は、前記平坦化膜の上に設けられ、且つ、該平坦化膜に設けられた第２のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に直接接続され、
前記第２のコンタクトホールは、前記層間絶縁物の上に位置し、且つ、前記第１のコンタクトホールに重ならず、
前記平坦化膜の上面から前記第２のコンタクトホールの内面にかけて前記第２のコンタクトホールの直径が連続的に小さくなり、かつ、湾曲した面を有することを特徴とするカメラ。　
【請求項１０】請求項７乃至請求項９のいずれか一において、前記層間絶縁物は酸化珪素膜であることを特徴とするカメラ。
【請求項１１】請求項７乃至請求項１０のいずれか一において、前記平坦化膜は有機樹脂からなることを特徴とするカメラ。
【請求項１２】請求項７乃至請求項１１のいずれか一に記載のアクティブ型表示装置は、アクティブ型液晶表示装置であることを特徴とするカメラ。
【請求項１３】請求項７乃至請求項１２のいずれか一に記載のカメラは、ビデオカメラであることを特徴とするカメラ。」
と訂正する。
Ｂ．発明の詳細な説明について
（ア）特許明細書の発明の詳細な説明の段落【０００７】の
　「本発明のアクティブ型表示装置は、階調表示に必要な中間の電圧を維持するために、薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした前記平坦化膜の上の画素電極を有し、前記ドレイン電極と前記画素電極を接続するコンタクトホールは、前記薄膜トランジスタのドレインと前記ドレイン電極を接続するコンタクトホールの直上に重ならないことを特徴とする。また、本発明のアクティブ型表示装置は、薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした画素電極を有し、前記ドレイン電極は、層間絶縁物の上に設けられ、且つ、該層間絶縁物に形成された第１のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに接続され、前記画素電極は、前記平坦化膜の上に設けられ、且つ、該平坦化膜に形成された第２のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続され、前記第２のコンタクトホールは、前記第１のコンタクトホールの直上に重ならないことを特徴とする。
　上記構成において、前記平坦化膜の上面から前記平坦化膜に形成されたコンタクトホールの内面にかけて湾曲した面を有するようにしても良い。また、前記平坦化膜に形成されたコンタクトホールの直径が連続的に小さくなるようにしても良い。さらに、上記構成を有したアクティブ型表示装置をカメラのビューファインダーに用いても良い。以下に実施例をもってさらに詳細な説明を加える。」
を、
　「本発明のアクティブ型表示装置は、階調表示に必要な中間の電圧を維持するために、ガラス基板上に形成され、チャネル形成領域がゲイト電極の下に設けられた薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした透明導電膜でなる画素電極を有し、前記ドレイン電極は、層間絶縁物の上に設けられ、且つ、該層間絶縁物に形成された第１のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに直接接続され、前記画素電極は、前記平坦化膜の上に設けられ、且つ、該平坦化膜に形成された第２のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に直接接続され、前記第２のコンタクトホールは、前記層間絶縁物の上に位置し、且つ、前記第１のコンタクトホールに重ならないことを特徴とする。上記構成において、前記平坦化膜の上面から前記平坦化膜に形成されたコンタクトホールの内面にかけて湾曲した面を有するようにしても良い。また、前記平坦化膜に形成されたコンタクトホールの直径が連続的に小さくなるようにしても良い。さらに、上記構成を有したアクティブ型表示装置をカメラのビューファインダーに用いても良い。以下に実施例をもってさらに詳細な説明を加える。」
と訂正する。
（イ）同じく段落【００４０】の
　「【発明の効果】
　任意の画素に書き込む単位時間ｔと１画面を書き込む時間Ｆで関係される表示タイミングを有する表示駆動方式を用いた表示装置の階調表示を、前記時間Ｆを変更すること無しに前記時間ｔの書き込み時間中の信号を時分割としたことで、デジタル制御された明確な階調表示を得ることができ、ＴＦＴの面内特性ばらつきを補償することができた。かつ、複数フレームによる階調表示方法に比べて、表示周波数の低下が生じず、高品位な表示が可能となっている。また、図５及び図６（Ｇ）に示したように、薄膜トランジスタを平坦化膜で覆い、薄膜トランジスタのドレイン電極と平坦化膜上の画素電極を接続するコンタクトホールが、薄膜トランジスタのドレイン領域と前記ドレイン電極を接続するコンタクトホールの直上に重ならないような画素構造の表示装置としたことで、階調表示に必要な中間の電圧が維持され、明確な階調表示と高品位な表示が可能となっている。」
を、
　「【発明の効果】
　任意の画素に書き込む単位時間ｔと１画面を書き込む時間Ｆで関係される表示タイミングを有する表示駆動方式を用いた表示装置の階調表示を、前記時間Ｆを変更すること無しに前記時間ｔの書き込み時間中の信号を時分割としたことで、デジタル制御された明確な階調表示を得ることができ、ＴＦＴの面内特性ばらつきを補償することができた。かつ、複数フレームによる階調表示方法に比べて、表示周波数の低下が生じず、高品位な表示が可能となっている。また、図５及び図６（Ｇ）に示したように、ガラス基板上に形成され、チャネル形成領域がゲイト電極の下に設けられた薄膜トランジスタを平坦化膜で覆い、前記薄膜トランジスタのドレイン電極と平坦化膜上の透明導電膜でなる画素電極を直接接続するコンタクトホールが、層間絶縁物の上に位置し、且つ、前記薄膜トランジスタのドレイン領域と前記ドレイン電極を直接接続するコンタクトホールに重ならないような画素構造の表示装置としたことで、階調表示に必要な中間の電圧が維持され、明確な階調表示と高品位な表示が可能となっている。」
と訂正する。
　　　
３．訂正の目的の適否及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項Ａは、訂正前の特許請求の範囲の請求項１ないし３及び１０ないし１２を削除して、訂正前の請求項４ないし９及び請求項１３ないし１９を新たな請求項１ないし１３とするものであり、訂正前の請求項４、５、６、１３、１４、１５（新たな請求項１、２、３、７、８、９）における「薄膜トランジスタ」をそれぞれ「ガラス基板上に形成され、チャネル形成領域がゲイト電極の下に設けられた薄膜トランジスタ」とする訂正は、特許明細書の段落【００１２】及び【００２４】の記載に基づいて発明を特定する事項である薄膜トランジスタについて限定するものであり、訂正前の請求項４、５、６、１３、１４、１５（新たな請求項１、２、３、７、８、９）における「画素電極」を「透明導電膜でなる画素電極」とする訂正は、特許明細書の段落【００２８】の記載に基づいて発明を特定する事項である「画素電極」について限定するものであり、訂正前の請求項４、５、６、１３、１４、１５（新たな請求項１、２、３、７、８、９）における「ドレインに接続され、」と「ドレイン電極に接続され、」とを、それぞれ「ドレインに直接接続され、」と「ドレイン電極に直接接続され、」とする訂正は、図面の図６（Ｇ）の記載に基づいて発明を特定する事項であるドレインとの接続状態及びにドレイン電極との接続状態について限定するものであり、また、訂正前の請求項４、５、６、１３、１４、１５（新たな請求項１、２、３、７、８、９）における「前記第１のコンタクトホールの直上に重ならない」または「前記第１のコンタクトホールに重ならず」を、それぞれ「前記層間絶縁物の上に位置し、且つ、前記第１のコンタクトホールに重ならない」または「前記層間絶縁物の上に位置し、且つ、前記第１のコンタクトホールに重ならず」とする訂正は、図面の図５及び６の記載に基づいて発明を特定する事項である第１及び第２のコンタクトホールの位置関係について限定するものであるので、いずれの訂正事項も特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、また、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　また、新たな請求項４ないし６及び１０ないし１３における引用する請求項の訂正は、請求項の削除と、それに伴う請求項の繰り上げによる整合を図るために請求項を訂正するものであって、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、また、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。　
　上記訂正事項Ｂは、訂正事項Ａによる特許請求の範囲の訂正との整合を図るために、特許明細書の段落【００１２】、【００２４】、【００２８】、図５及び６の記載に基づいて段落【０００７】及び【００４０】の記載を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、また、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　　　
４．独立特許要件についての判断
（ア）訂正発明
　上記訂正後の発明（以下、それぞれ「訂正発明１ないし１３」という）は、訂正請求書に添付された全文訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし１３に各々記載されたとおりのものである。
　以下、訂正発明１ないし１３が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１２６条第３項の規定に適合するか）について検討する。
（イ）刊行物の記載事項
　異議２００２−７０６８２号の特許異議申立人が提出した各刊行物には、次のような記載事項がある。
刊行物１：特開昭５５−３２０２６号公報
　「表示セルを構成する一方の基板に、複数個の能動素子及び受動素子をマトリツクス状に配置した半導体基板を用いた液晶表示パネルにおいて、該半導体基板は表面平坦化処理が施された基板表面上に該能動素子及び受動素子に対応してマトリツクス状に電極膜が形成されておりかつ該半導体基板表面は配向処理膜にて覆われていることを特徴とする液晶パネル。」（特許請求の範囲第１項）、
　「第１図は従来の液晶表示パネルの構造図を示すものであり、図中の１は能動素子もしくは受動素子を含む半導体基板である。半導体基板表面には、液晶駆動電極２がマトリツクス状に配置されている。・・・・第２図は、半導体基板の断面図である。第２図の二点鎖線で囲まれた領域が一画素に相当する。一画素中には、トランジスタとコンデンサーがそれぞれ１個づつ含まれている。図中の７は、たとえばｎ型のシリコン基板、８はｐ型の拡散層、９はｎ＋型の拡散層である。１０はフイールド酸化膜、１１はＳｉＯ２膜、１２はドープドポリシリコン膜である。１３はＣＶＤ　ＳｉＯ２膜、１４はアルミニウム膜で電極と配線を成す。１５は保護膜であり通常はＣＶＤ　ＳｉＯ２膜である。第２図のＡ部がトランジスター部、Ｂ部がコンデンサー部である。」（第２頁左上欄第７行〜右上欄第４行）、
　「第５図は、半導体基板の表面段差を少なくした基板断面構造図である。第５図中の７〜１４までの番号は、第２図中の番号と対応している。第５図中の２１は、本発明のポイントである所の半導体基板表面を平坦にするための層である。また該層２１には液晶駆動電極として、透明導電膜層もしくは金属層２２が形成される。この液晶駆動電極は、スルーホールにより下部配線１４と接続されている。半導体基板表面を平坦化する層２１は、ポリイミド樹脂、低融点ガラスあるいはその他の絶縁材がよい。」（第２頁右下欄第１３行〜第３頁左上欄第３行）
と記載され、また、第５図には、半導体基板の断面構造が示されており、半導体部の８、８はソース及びドレインであり、その間のチャネル部はゲイト部の下側にあり、右側のｐ型拡散層８（ドレイン）はフイールド酸化膜１０のスルーホールを介してフイールド酸化膜１０の上側に形成された下部配線１４に接続され、下部配線１４は、その上側に形成された半導体基板表面を平坦化する層２１の上側に形成された液晶駆動電極としての透明導電膜層もしくは金属層２２とスルーホールを介して接続されており、このフィールド酸化膜１０のスルーホールと半導体基板表面を平坦化する層のスルーホールとは重なっておらず、また、半導体基板を平坦化する層のスルーホールは上から下に向かって径が減少する形状になっていることを見てとることができる。
刊行物２：特開昭５６−９４３８６号公報
　「第７図（ａ）及び（ｂ）は、表面が凹凸形状を呈するアルミニウム又はアルミニウム合金薄膜層を１層及び２層有する半導体基板と、上側ガラス基板とから成る液晶表示体装置の断面構造図である。・・・・図中の７１はシリコン半導体基板、７２はＭＯＳトランジスタのゲート酸化膜、７３はコンデンサ用の酸化膜、７４はゲートポリシリコン電極、７５はコンデンサ用のポリシリコン電極、７６はソース拡散層、７７はドレイン拡散層、７８は絶縁薄膜層、７９は液晶駆動電極、８０は画像信号線、８６は上側ガラス基板、８７は上側ガラス基板上の透明導電膜で出来た共通電極、８８はゲストホスト液晶層である。」（第６頁右上欄第６行〜左下欄第２行）、
　「一実施例として第１０図にこのデバイス構造に起因する段差を、透明あるいは不透明な樹脂層にて埋めた半導体基板の断面構造の一実施例を示す。第１０図中の９７は半導体基板、９８はソース及びドレイン拡散層、９９はストツパー拡散層、１００はＭＯＳトランジスタのゲート酸化膜、１０１はＭＯＳトランジスタのポリシリコン電極、１０２はコンデンサーの電極、１０３はフイールド酸化膜、１０４は絶縁層、１０５はアルミニウムもしくはアルミニウム合金の金属薄膜層であり、表面が凹凸形状を呈している。１０６が本実施例による透明あるいは不透明な有機樹脂による絶縁薄膜層であり、この絶縁薄膜層の形成により半導体基板表面は平坦化される。その後１０７の如くスルーホールを明け、液晶駆動電極用の金属薄膜層１０８を形成する。図にて明らかな如く、半導体基板上のデバイス構造に起因する段差は消滅し、液晶駆動電極上の凹凸は液晶駆動電極用金属薄膜がもつ、表面の凹凸とスルーホール部分の凹部だけとなり、・・・・」（第７頁左下欄下から２行〜右下欄下から３行）
と記載されている。
刊行物３：特開昭６３−２７９２２８号公報
　「第１図（Ａ）において、１１はデータ電極としてのソース電極を示し、１３は走査電極としてのゲート電極を示す。これら電極は例えばガラス基板等の好適な基板上にマトリクス状に形成されている。又、これら両電極が交差する領域にはＴＦＴ１５が形成されていて、図中、１７で示すものはこのＴＦＴ１５のドレイン電極になる。
　・・・・この発明の液晶表示装置は、画素電極基板上に、ソース電極１１、ゲート電極１３、ＴＦＴ１５及び基板表面で主に構成される凹凸を覆い表面が平坦な絶縁層を具えると共に、この絶縁層上に画素電極５１・・・・を具えている。そして、この画素電極は５１は絶縁層に設けられているコンタクトホール５３を介してこの絶縁層下のドレイン電極１７に接続してある。」（第４頁左下欄第１〜１７行）、
　「通常の薄膜形成技術を用い、ガラス基板２１上にスイッチング素子としてのＴＦＴ１５、これの走査電極１３及びデータ電極１１を形成する。・・・・絶縁層５７の形成を以下のように行った。
　ＴＦＴ１５及び両電極１３，１１が形成されたガラス基板２１上に、ポリイミドワニス・・・・をスピンコーティング法によって塗布し、これを約１７０°Ｃの温度で約１時間乾燥させた。・・・・上述のような成膜条件でポリイミドワニスを塗布した時、この段差はポリイミド表面では０．３μｍに緩和されて、その突出具合も滑らかなものになった。・・・・」（第５頁左下欄末行〜第６頁左上欄第１行）
と記載されている。
刊行物４：特開平３−１２６３７号公報
　第３頁右上欄第１０行〜右下欄第１２行の記載及び第３図を参酌すると、石英基板１０上にポリシリコン層のトランジスタ領域１１を形成し、チャネル領域、ゲート酸化膜、ゲート電極を形成し、ソース領域及びドレイン領域を形成した後に、ソース・コンタクト用窓１８Ｗとドレイン・コンタクト用窓１９Ｗとを有する層間絶縁膜１７を形成し、コンタクト窓１８Ｗと１９Ｗに夫々ソース・コンタクト１８とドレイン・コンタクト１９を形成し、ドレイン・コンタクト１９を覆うようにコンタクト膜２２を形成してから、コンタクト膜２２上及び層間絶縁膜１７上に画素電極２３を形成することが把握できる。
刊行物５：特開昭６４−１８２６６号公報
　第２頁左下欄第２〜１１行の記載及び第２図を参酌すると、ガラス基板１上にゲート電極２、ゲート絶縁膜３、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜４、保護膜５を形成し、ソース、ドレイン部のコンタクトホール６を設け、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜７を形成し、次にソース、ドレイン８を形成する薄膜トランジスタの製造方法を把握することができる。
刊行物６：特開平１−１５６７２５号公報
　「本発明の表示装置の１実施例における平面図を第１図に、断面図を第４図に示す。本実施例では能動素子としてＴＦＴを用い、電気光学材料として液晶を用いる。・・・・第４図において、４０は絶縁基板、４１、４２、４３、４５はそれぞれＴＦＴのソース部、チャネル部、ドレイン部、ゲート電極であり、４４はゲート絶縁膜である。４６は層間絶縁膜で、４７はデータ線である。本実施例においては、これらの素子の上にもう一層の絶縁膜５２があり、その上に画素電極４８を形成するため、ＴＦＴの上部やデータ線の上部も画素電極で覆うことができる。５０はもう一つの絶縁基板で・・・・画素電極４８を透明導電膜を用いて形成し、２つの絶縁基板の上下に偏光板を配置すると、透過型の表示装置となるが、・・・・画素電極４８にアルミニウムや金、プラチナ等の金属を用いると反射型の表示装置となる。」（第２頁右上欄第１４行〜右下欄第６行）
と記載されている。
刊行物７：特開平１−２８９９１７号公報
　「第３図（ａ）において、７１はガラス、石英基板等の絶縁基板であり、その上にＰ形ＴＦＴ９９及びＮ形ＴＦＴ１００が形成されている。７３、７６はチャネル領域となるシリコン薄膜、７２、７４、７５、７７はソース領域又はドレイン領域となるシリコン薄膜であり、・・・・８０、８１は多結晶シリコン、金属、金属シリサイド等によるゲート電極、８２はＳｉＯ２等による層間絶縁膜、８３は金属等による配線層、・・・・である。」（第４頁右下欄第１９行〜第５頁左上欄第１３行）、
「応用例の一つは、本発明のアクティブマトリクスパネルを用いて構成される、ビデオカメラ等の電子ビューファインダー（・・・・ＥＶＦと略記する）である。・・・・第１７図に例示する様な構造のＥＶＦが実現可能となっている。」（第１２頁右上欄第１６行〜左下欄第６行）　　
と記載されている。
刊行物８：「ＳＩＤ　８１　ＤＩＧＥＳＴ」第１１０〜１１１頁
　ガラス基板上に設けられた薄膜のシリコン層上に形成されたスイッチングトランジスタを有し、そのドレイン領域には層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介してドレイン電極が接続され、トランジスタの全面にポリイミド膜が形成され、その上にコンタクトホールを介して反射型の画素電極が設けられたアクティブ型液晶表示装置について記載されているものと認められる。
刊行物９：「ＳＩＤ　８４　ＤＩＧＥＳＴ」第３１２〜３１５頁
　ガラス基板上に薄膜トランジスタを形成することについて記載されているものと認められる。
（ウ）対比、判断
　訂正発明１と刊行物１に記載のものとを対比すると、両者は、次の点において相違し、その余の点においては一致する。
相違点：
ａ．訂正発明１における基板は「ガラス基板」であり、したがって、ガラス基板上に薄膜トランジスタが形成されているのに対し、刊行物１に記載のものにおいては、基板が「半導体基板」であり、したがって、半導体基板上にトランジスタが形成されている点。
ｂ．訂正発明１において、「ドレイン電極」が「層間絶縁物」に形成された「第１のコンタクトホールを介して」薄膜トランジスタのドレインに「直接」接続され、平坦化膜に形成された「第２のコンタクトホール」が「層間絶縁物の上に位置する」のに対し、刊行物１に記載のものにおける「下部配線１４」は「フィールド酸化膜１０及びその上側のＣＶＤ　ＳｉＯ２膜１３の形成されていない部分」においてトランジスタのドレイン（ｐ型の拡散層８）に接続されるものの、フィールド酸化膜１０またはＣＶＤ　ＳｉＯ２膜１３に形成されたスルーホールを介して直接接続されることについては記載されておらず、また、半導体基板表面を平坦にする層２１のスルーホールの下側には、ドープドポリシリコン膜１２が形成されており、フィールド酸化膜１０もＣＶＤ　ＳｉＯ２膜１３も形成されていない点。
　そこで、相違点ｂについて検討すると、刊行物１の第５図に示されるように、半導体基板表面を平坦にする層２１におけるスルーホールの下側の部分はコンデンサー部をなす構成となっており（第２図と同様）、そのためにフィールド酸化膜１０及びＣＶＤ　ＳｉＯ２膜１３はスルーホールの下側において形成されていないものと解される。そうすると、刊行物１に記載のものにおいては、半導体基板表面を平坦にする層２１に形成されたスルーホールがフィールド酸化膜１０またはＣＶＤ　ＳｉＯ２膜１３の上に位置することにはなり得ないものである。また、刊行物１に記載のものにおける下部配線１４のトランジスタのドレイン（ｐ型の拡散層８）への接続部分についてみると、この接続部分においてドレインの上側にフィールド酸化膜１０もＣＶＤ　ＳｉＯ２膜１３も形成されていないが、刊行物１において、フィールド酸化膜１０またはＣＶＤ　ＳｉＯ２膜１３にスルーホールを形成し、このスルーホールを介して下部配線１４がドレインに直接接続されることは記載されておらず、また、これを示唆するところもない。
　よって、相違点ｂの事項は、刊行物１に記載されたものとは認められないが、刊行物２〜９においても、以下に述べるように、同事項は記載されておらず、示唆するところもないものである。
　刊行物２には、第７図において、半導体基板表面を平坦化する絶縁薄膜層１０６のスルーホールがフィールド酸化膜１０３及び絶縁層１０４の上に位置することが示されているが、フィールド酸化膜１０３または絶縁層１０４にスルーホールが形成されること、このスルーホールを介して金属薄膜層１０５がドレイン拡散層９８に直接接続されることは、記載されていない。さらに、刊行物２に記載のものは、半導体基板上にトランジスタが形成され、液晶駆動電極として金属薄膜層１０８からなるものを用いた反射型の液晶表示装置であって、これは液晶駆動電極を透明導電層にすることのみによっては透過型の表示装置となし得ないものであり、絶縁薄膜層１０６のスルーホールがフィールド酸化膜１０３及び絶縁層１０４の上に位置することのみを刊行物１に記載のものに適用することの動機付けはない。
　刊行物３に記載のものは、ガラス基板上にチャネル形成領域がゲート電極の上に設けられた薄膜トランジスタが形成されており、訂正発明１のようにドレイン電極が層間絶縁物の上に設けられてはいない。
　刊行物４に記載のものにおいて、ドレインコンタクトは層間絶縁膜に形成された窓を介して層間絶縁膜の上側の画素電極に接続されており、やはりドレインコンタクトが層間絶縁膜の上に設けられたものでなく、また、平坦化膜が形成されたものでもない。
　刊行物５には、ガラス基板上に形成された薄膜トランジスタについて記載されているものの、層間絶縁物、平坦化膜等との関係について示唆するところはない。
　刊行物６に記載のものは、画素電極が直接ドレインに接続されるか、ないしはドレインに接続された金属電極に接続されており、ドレインコンタクトが層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介してドレインに直接接続されることを示唆するところはない。
　刊行物７に記載のものも、ドレイン、ドレインコンタクト、画素電極の関係については刊行物６に記載のものと同様であり、ドレインコンタクトが層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介してドレインに直接接続されることを示唆するところはない。
　刊行物８において、アクティブ型液晶表示装置の構成を示す図１に関して詳細には説明されていないが、表面側が半導体の基板、スイッチングトランジスタ、ドレイン電極、画素電極、絶縁膜の関係については、刊行物１に記載のものと同様のものが記載されており、その結果、訂正発明１との対比においても同様に相違点ａ及びｂを有する。
　刊行物９にはガラス基板上に薄膜トランジスタが形成されているが、平坦化膜を設けることについては記載されていない。
　以上のとおり、刊行物２〜９において、相違点ｂについて示唆するところはないので、相違点ａについて検討するまでもなく、訂正発明１は、刊行物１〜９に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではなく、特許出願の際独立して特許を受けることができないものではない。
　次に、訂正発明２及び３は、訂正発明１を特定する事項を全て備え、さらに平坦化膜に形成されたコンタクトホールの形状について限定するものであるから、訂正発明１の場合と同様の理由により、刊行物１〜９に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではなく、特許出願の際独立して特許を受けることができないものではない。
　次に、訂正発明４ないし６は、いずれも訂正発明１ないし３を引用し、訂正発明１ないし３を特定する事項を全て備えるから、訂正発明１の場合と同様の理由により、刊行物１〜９に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではなく、特許出願の際独立して特許を受けることができないものではない。
　次に、訂正発明７ないし９は、それぞれ訂正発明１ないし３のアクティブ型表示装置をビューファインダーに用いたカメラであり、いずれも訂正発明１ないし３を特定する事項を全て備えるから、訂正発明１の場合と同様の理由により、刊行物１〜９に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではなく、特許出願の際独立して特許を受けることができないものではない。
　次に、訂正発明１０ないし１３は、いずれも訂正発明７ないし９を引用し、訂正発明７ないし９を特定する事項を全て備えるから、訂正発明１の場合と同様の理由により、刊行物１〜９に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではなく、特許出願の際独立して特許を受けることができないものではない。
　また、他に訂正発明１ないし９が特許出願の際独立して特許を受けることができないとする根拠はない。
　　　
５．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項〜第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　よって、結論のとおり審決する。