【手続補正書】
【提出日】平成25年12月9日(2013.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
５，０００〜３００，０００の分子量（Ｍｗ）を有し、立体特異性ノルボルナンジオール及び／又はノルボルナンジメタノールモノマーから誘導される繰り返し単位を含むポリカーボネート；
キャリア溶媒；及び
ホルムアルデヒド、ギ酸、２−ニトロ安息香酸、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、シュウ酸、アジピン酸、グルタル酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、マレイン酸、酒石酸、乳酸、マンデル酸、グリセリン酸、吉草酸、カプロン酸、フェニル酢酸、安息香酸、サリチル酸、及びアミノ安息香酸から選択されるフラックス剤；
を含むポリマー組成物。
【請求項２】
フラックス剤が、ホルムアルデヒド、ギ酸、２−ニトロ安息香酸、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、及びコハク酸から選択される、請求項１に記載のポリマー組成物。
【請求項３】
フラックス剤がギ酸である、請求項２に記載のポリマー組成物。
【請求項４】
立体特異性ノルボルナンジオール及び／又はノルボルナンジメタノールモノマーから誘導される繰り返し単位が、エキソ−エキソ−２，３−ポリノルボルナンジメチルカーボネート及びエンド−エンド−２，３−ポリノルボルナンジメチルカーボネートポリマー、エンド−エキソ−２，３−ポリノルボルナンジメチルカーボネートポリマー、及びトランス−２，３−ポリノルボルナンジメチルカーボネートポリマーの１つである、請求項１に記載のポリマー組成物。
【請求項５】
ポリカーボネートが、式Ｉ〜ＸＶ：
【化１】
2013544939.tif 000001
【化２】
2013544939.tif 000002
（式Ｘ及びＸＩにおいて、Ｒ１３は独立してＣ１〜Ｃ６アルキレンから選択される）
によって表されるジオールモノマーから誘導される繰り返し単位を更に含む、請求項１に記載のポリマー組成物。
【請求項６】
ポリカーボネートがポリマー組成物の１５〜８０重量％である、請求項１に記載のポリマー組成物。
【請求項７】
ギ酸が、ポリマーの全重量を基準として組成物の０．５〜１０．０重量％を構成する、請求項６に記載のポリマー組成物。
【請求項８】
キャリア溶媒が、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、γ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アニソール、アセトン、メチル３−メトキシプロピオネート、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、及びこれらの混合物から選択される、請求項１に記載のポリマー組成物。
【請求項９】
キャリア溶媒がγ−ブチロラクトンである、請求項８に記載のポリマー組成物。
【請求項１０】
基板にマイクロエレクトロニクス部品を実装するための、請求項１〜９のいずれかに記載のポリマー組成物の使用。
【請求項１１】
マイクロエレクトロニクス部品を基板上の所望の位置に保持し、かかる部品を基板にハンダ結合し、及びアンダーフィルとして所定位置に残留させるための、請求項１０に記載の使用。
【請求項１２】
・第１の表面の上に配置された１以上の第１のコンタクト領域を有する第１の基板；
・第２の表面の上に配置された１以上の第２のコンタクト領域を有する第２の基板（ここで、第１の基板の第１の表面は第２の基板の第２の表面に接触しており、１以上の第１のコンタクト領域は１以上の第２のコンタクト領域と整列している）；
・第１のコンタクト領域の１以上又は第２のコンタクト領域の１以上の上に配置されたハンダプリフォーム；及び
・第１の基板の第１の表面と第２の基板の第２の表面との間に配置された請求項１〜９のいずれかに記載のポリマー組成物の層（ここで、ポリマー組成物は、ハンダプリフォームの上に重なってそれを封入し、第１の基板を第２の基板に物理的に結合している）；
を含むマイクロエレクトロニクス部品アセンブリ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本明細書は以下の発明の開示を包含する。
［１］５，０００〜３００，０００の分子量（Ｍｗ）を有するポリカーボネートを含むポリマー；
キャリア溶媒；及び
フラックス剤；
を含むＴＦＵポリマー組成物。
［２］フラックス剤が、ホルムアルデヒド、ギ酸、２−ニトロ安息香酸、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、及びコハク酸から選択される、請求項１に記載のポリマー組成物。
［３］フラックス剤がギ酸である、請求項２に記載のポリマー組成物。
［４］ポリカーボネートが、ポリ（アルキレンカーボネート）、或いは立体特異性ノルボルナンジオール及び／又はジメタノールモノマーから形成されるポリマーから選択される、請求項１に記載のポリマー組成物。
［５］立体特異性ノルボルナンジオール及び／又はジメタノールモノマーから形成されるポリマーが、エキソ−エキソ−２，３−ポリノルボルナンジメチルカーボネート及びエンド−エンド−２，３−ポリノルボルナンジメチルカーボネートポリマー、１，３−ポリシクロヘキシルカーボネート及びエンド−エキソ−２，３−ポリノルボルナンジメチルカーボネートポリマー、ポリ（イソソルビルカーボネート）及びトランス−２，３−ポリノルボルナンジメチルカーボネートポリマーの１つである、請求項４に記載のポリマー組成物。
［６］ポリマーが、式Ｉ〜ＸＶによって表されるノルボルナンジオールモノマー、ノルボルナンジメタノールモノマー、及びジオールモノマーから誘導される繰り返し単位を含む、請求項１に記載のポリマー組成物。
［７］ポリマーがポリマー組成物の１５〜８０重量％である、請求項１に記載のポリマー組成物。
［８］ギ酸が、ポリマーの全重量を基準として組成物の０．５〜１０．０重量％を構成する、請求項７に記載のポリマー組成物。
［９］キャリア溶媒が、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、γ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アニソール、アセトン、メチル３−メトキシプロピオネート、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、及びこれらの混合物から選択される、請求項１に記載のポリマー組成物。
［１０］キャリア溶媒がＧＢＬである、請求項９に記載のポリマー組成物。
［１１］第１の表面上に配置された第１のコンタクト領域を有する第１の基板を与え；
第２の表面上に配置された第２のコンタクト領域を有する第２の基板を与え；
第１のコンタクト領域の１以上又は第２のコンタクト領域の１以上の上に配置されたハンダプリフォームを与え；
ハンダプリフォームの上に重なってそれを封入するＴＦＵポリマーの層を形成し；
第１の基板の第１の表面を第２の基板の第２の表面に接触させ、ここで、ＴＦＵポリマーの層をその間に配置し、第１のコンタクト領域を第２のコンタクト領域と整列させ、組立前構造物を形成し；そして
組立前構造物を、（１）ハンダプリフォームによって、第１のコンタクト領域の１以上を第２のコンタクト領域の１以上に物理的及び電気的に結合し；及び（２）第１及び第２の基板に物理的に結合しているポリマーアンダーフィルを形成する；のに有効な温度に加熱する；
ことを含む、マイクロエレクトロニクス部品アセンブリを形成する方法。
［１２］ハンダプリフォームの上に重なってそれを封入するＴＦＵポリマーの層を形成することが、コンタクトパッドの上に配置されているハンダボールを有するマイクロエレクトロニクスデバイスの活性表面の上に重なっているかかる層を形成することを含む、請求項１１に記載の方法。
[0007]以下に与える実施例及び特許請求の範囲を参照して、本発明による代表的な幾つかの態様を記載する。本明細書に記載するかかる代表的な幾つかの態様の種々の修正、適合、又は変化は、開示されているように当業者に明らかにすることができる。本発明の教示に依存しており、それによってこれらの教示が技術を進歩させる全てかかる修正、適合、又は変化は、本発明の範囲及び精神の範囲内であると考えられることが理解されるであろう。