【手続補正書】
【提出日】平成26年8月3日(2014.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１次荷電粒子ビームをターゲットの表面に集束させる荷電粒子カラムであり、前記荷電粒子ビームと前記ターゲットとの衝突が前記ターゲットからの２次粒子の放出を引き起こす荷電粒子カラムと、
荷電粒子検出器アセンブリと
を備え、前記荷電粒子検出器アセンブリが、
電気信号を生成する検出器であり、前記電気信号が前記検出器に衝突した荷電粒子の数に対応する検出器と、
前記荷電粒子検出器と前記ターゲットの表面との間に配置された少なくとも１つの格子であり、前記ターゲットから前記検出器へ荷電粒子を移動させる少なくとも１つの格子と、
前記衝突する粒子をより均一に前記検出器全体にわたって分散させることにより、前記２次荷電粒子を偏向させて、前記荷電粒子検出器に衝突する前記荷電粒子の最大電流密度を低減させ、それによって前記荷電粒子検出器の耐用寿命を延ばす場の源と
を含む
荷電粒子システム。
【請求項２】
前記少なくとも１つの格子が少なくとも２つの格子を含み、前記２次荷電粒子を偏向させて、前記荷電粒子検出器に衝突する前記荷電粒子の最大電流密度を低減させる前記場の前記源が、前記少なくとも２つの格子の異なる格子の異なる電位を含む、請求項１に記載の荷電粒子システム。
【請求項３】
前記少なくとも１つの格子が少なくとも１つの抵抗格子を含み、前記２次荷電粒子を偏向させて、前記荷電粒子検出器に衝突する前記荷電粒子の最大電流密度を低減させる前記場の前記源が、前記少なくとも１つの抵抗格子の異なる部分の異なる電位を含む、請求項１に記載の荷電粒子システム。
【請求項４】
前記２次荷電粒子を偏向させて、前記荷電粒子検出器に衝突する前記荷電粒子の最大電流密度を低減させる前記場の前記源が、前記少なくとも１つの格子と前記ターゲットの間に配置された偏向電極を含む、請求項１に記載の荷電粒子システム。
【請求項５】
前記２次荷電粒子を偏向させて、前記荷電粒子検出器に衝突する前記荷電粒子の最大電流密度を低減させる前記場の前記源が、前記荷電粒子カラムの軸から遠ざかる方向へ前記２次荷電粒子を偏向させる場の源を含む、請求項１に記載の荷電粒子システム。
【請求項６】
前記荷電粒子検出器が、マルチチャンネル・プレートおよび捕集陽極；ＰＩＮダイオード；またはシンチレータによって放出された光を光電子増倍管内へ伝送するように構成された光学的光結合手段が前記シンチレータと前記光電子増倍管の間に配置されたシンチレータ−光電子増倍管を含む、請求項１に記載の荷電粒子システム。
【請求項７】
前記荷電粒子ビームが電子ビームまたは集束イオン・ビームであり、前記少なくとも１つの格子の電圧および前記荷電粒子検出器の電圧が、２次電子を捕集するように構成された、請求項１に記載の荷電粒子システム。
【請求項８】
前記荷電粒子ビームが集束イオン・ビームであり、前記少なくとも１つの格子の電圧および前記荷電粒子検出器の電圧が、２次イオンを捕集するように構成された、請求項１に記載の荷電粒子システム。
【請求項９】
前記荷電粒子ビームが集束イオン・ビームであり、前記２次荷電粒子を偏向させて、前記荷電粒子検出器に衝突する前記荷電粒子の最大電流密度を低減させる前記場の前記源が、２次イオンを捕集するように構成された、請求項１に記載の荷電粒子システム。
【請求項１０】
前記２次荷電粒子を偏向させて、前記荷電粒子検出器に衝突する前記荷電粒子の最大電流密度を低減させる前記場の前記源が、前記カラムの光軸からの前記２次粒子の相対位置が維持されるような態様で前記２次粒子を偏向させる、請求項１に記載の荷電粒子システム。
【請求項１１】
荷電粒子システム内の２次粒子検出器の損傷または汚染の速度を低下させる方法であって、
荷電粒子ビームをターゲットの表面に集束させる荷電粒子カラムであり、前記荷電粒子ビームと前記ターゲットとの衝突が前記ターゲットからの２次粒子の放出を引き起こす荷電粒子カラムを提供すること、
前記ターゲットから放出された前記２次粒子の一部を捕集する２次粒子検出器を提供すること、
前記衝突する粒子をより均一に前記検出器全体にわたって分散させることにより、前記２次荷電粒子を偏向させて、前記荷電粒子検出器に衝突する前記荷電粒子の最大電流密度を低減させ、それによって前記荷電粒子検出器の耐用寿命を延ばす場を提供すること
を含む方法。
【請求項１２】
前記表面からの２次粒子を前記２次粒子検出器に向かって加速する少なくとも１つの格子を提供することをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
２次粒子検出器を提供することが、前記カラムと前記ターゲットの間に２次粒子検出器を提供することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
少なくとも１つの格子を提供することが抵抗格子を提供することを含み、前記方法が、前記抵抗格子の１つの部分に対する第１の電圧および前記抵抗格子の第２の部分に対する第２の電圧をさらに含み、前記第１の電圧と前記第２の電圧とが等しくない、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
少なくとも１つの格子を提供することが２つの格子を提供することを含み、
前記２次荷電粒子を偏向させて、前記荷電粒子検出器に衝突する前記荷電粒子の最大電流密度を低減させる場を提供することが、前記少なくとも２つの格子の異なる格子に異なる電位を与えることを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
少なくとも１つの格子を提供することが少なくとも１つの抵抗格子を提供することを含み、
前記２次荷電粒子を偏向させて、前記荷電粒子検出器に衝突する前記荷電粒子の最大電流密度を低減させる場を提供することが、前記少なくとも１つの抵抗格子の異なる部分に異なる電位を与えることを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記２次荷電粒子を偏向させて、前記荷電粒子検出器に衝突する前記荷電粒子の最大電流密度を低減させる場を提供することが、前記少なくとも１つの格子と前記ターゲットの間に偏向電極を配置することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記２次荷電粒子を偏向させて、前記荷電粒子検出器に衝突する前記荷電粒子の最大電流密度を低減させる場を提供することが、前記荷電粒子カラムの軸から遠ざかる方向へ前記２次粒子を偏向させる場を提供することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１９】
２次荷電粒子検出器を提供することが、マルチチャンネル・プレートおよび捕集陽極；ＰＩＮダイオード；またはシンチレータによって放出された光を光電子増倍管内へ伝送するように構成された光学的光結合手段が前記シンチレータと前記光電子増倍管の間に配置されたシンチレータ−光電子増倍管を提供することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項２０】
荷電粒子カラムを提供することが、電子ビームまたは集束イオン・ビームを提供することを含み、前記２次粒子捕集器が２次電子を捕集する、請求項１１に記載の方法。
【請求項２１】
荷電粒子カラムを提供することが集束イオン・ビームを提供することを含み、前記２次粒子捕集器が２次イオンを捕集する、請求項１１に記載の方法。
【請求項２２】
前記２次荷電粒子を偏向させる場を提供することが磁場を提供することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項２３】
磁場を提供することが、前記２次粒子検出器の開口内に磁石を配置することを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
１次荷電粒子ビームをターゲットの表面に集束させる荷電粒子カラムと、
荷電粒子検出器アセンブリと
を備え、前記荷電粒子検出器アセンブリが、
電気信号を生成する検出器であり、前記電気信号が前記検出器に衝突した荷電粒子の数に対応する検出器と、
前記衝突する粒子をより均一に前記検出器全体にわたって分散させることにより、２次荷電粒子を偏向させて、前記荷電粒子検出器に衝突する前記荷電粒子の最大電流密度を低減させ、それによって前記荷電粒子検出器の耐用寿命を延ばす場の源と
を含む
荷電粒子システム。
【請求項２５】
前記場の前記源が、電場を提供する１つまたは複数の格子を含む、請求項２４に記載の荷電粒子ビーム・システム。
【請求項２６】
前記場の前記源が、磁場を提供する１つまたは複数の磁石を含む、請求項２４に記載の荷電粒子ビーム・システム。
【請求項２７】
光軸を含み、前記磁場が、前記光軸を中心に対称である、請求項２６に記載の荷電粒子ビーム・システム。
【請求項２８】
前記検出器が、前記１次ビームを通す開口を含み、前記磁石の少なくとも一部が前記開口内に配置された、請求項２６に記載の荷電粒子ビーム・システム。