【手続補正書】
【提出日】平成26年7月4日(2014.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一のバンドギャップを有するベース半導体層（３０）、
第二のバンドギャップを有するエミッタ半導体層（３４）、及び
前記ベース半導体層（３０）と前記エミッタ半導体層（３４）との間に位置づけられ、第三のバンドギャップを有する空乏半導体層（３２）
を含み、前記第三のバンドギャップが前記第一のバンドギャップ及び前記第二のバンドギャップよりも大きい、太陽電池。
【請求項２】
前記第一のバンドギャップは前記第二のバンドギャップと実質的に同じである、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記第一のバンドギャップは前記第二のバンドギャップよりも大きい、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記第三のバンドギャップは、前記第一のバンドギャップ及び前記第二のバンドギャップよりも少なくとも１パーセント大きい、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項５】
前記第三のバンドギャップは、前記第一のバンドギャップ及び前記第二のバンドギャップよりも少なくとも１．５パーセント大きい、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項６】
前記ベース半導体層（３０）はｐ型半導体材料を含み、且つ前記エミッタ半導体層（３４）はｎ型半導体材料を含む、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項７】
前記空乏半導体層（３２）はｐ型半導体材料を含む、
請求項６に記載の太陽電池。
【請求項８】
前記空乏半導体層（３２）と前記エミッタ半導体層（３４）との間に位置づけられた第二の空乏半導体層（３３）をさらに含む、請求項７に記載の太陽電池。
【請求項９】
前記第二の空乏半導体層（３３）はｎ型半導体材料を含む、請求項８に記載の太陽電池。
【請求項１０】
前記ベース半導体層（３０）及び前記エミッタ半導体層（３４）は、第一の断面厚さ（３３）を有する空乏領域（４０）を定め、且つ
前記空乏半導体層（３２）は、前記第一の断面厚さと実質的に等しい第二の断面厚さを有する、
請求項１に記載の太陽電池。
【請求項１１】
前記空乏半導体層（３２）は、前記空乏領域（４０）を完全に覆い隠す、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項１２】
前記空乏半導体層は約０．１ミクロンから約１ミクロンまでの断面厚さ（ＴＤ）を有する、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項１３】
前記ベース半導体層（３０）は第一の半導体組成を有し、且つ前記エミッタ半導体層（３４）は第二の半導体組成を有し、且つ
前記第一の半導体組成は前記第二の半導体組成と実質的に同じである、
請求項１に記載の太陽電池。
【請求項１４】
前記ベース半導体層（３０）は第一の半導体組成を有し、前記エミッタ半導体層（３４）は第二の半導体組成を有し、且つ前記空乏半導体層（３２）は第三の半導体組成を有し、且つ
前記第三の半導体組成は、前記第一及び前記第二の半導体組成とは異なる、
請求項１に記載の太陽電池。
【請求項１５】
前記ベース半導体層、前記空乏半導体層及び前記エミッタ半導体層（３０、３２、３４）の各々は、３−５族合金を含む、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項１６】
前記空乏半導体層（３２）はアルミニウムを含み、且つ
前記ベース半導体層（３０）及び前記エミッタ半導体層（３４）の少なくとも一方は、実質的にアルミニウムを含まない、請求項１に記載の太陽電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
開示されるヘテロ接合型太陽電池の様々な態様が示され説明されたが、本明細書を読めば、当業者は多数の変更例を思いつくかもしれない。本発明は、そのような改良も含んでおり、請求の範囲によってのみ限定される。
また、本願は以下に記載する態様を含む。
（態様１）
第一のバンドギャップを有するベース半導体層（３０）、
第二のバンドギャップを有するエミッタ半導体層（３４）、及び
前記ベース半導体層（３０）と前記エミッタ半導体層（３４）との間に位置づけられ、第三のバンドギャップを有する空乏半導体層（３２）
を含み、前記第三のバンドギャップが前記第一のバンドギャップ及び前記第二のバンドギャップよりも大きい、太陽電池。
（態様２）
前記第一のバンドギャップは前記第二のバンドギャップと実質的に同じである、態様１に記載の太陽電池。
（態様３）
前記第一のバンドギャップは前記第二のバンドギャップよりも大きい、態様１に記載の太陽電池。
（態様４）
前記第三のバンドギャップは、前記第一のバンドギャップ及び前記第二のバンドギャップよりも少なくとも１パーセント大きい、態様１に記載の太陽電池。
（態様５）
前記第三のバンドギャップは、前記第一のバンドギャップ及び前記第二のバンドギャップよりも少なくとも１．５パーセント大きい、態様１に記載の太陽電池。
（態様６）
前記ベース半導体層はｐ型半導体材料を含み、且つ前記エミッタ半導体層はｎ型半導体材料を含む、態様１に記載の太陽電池。
（態様７）
前記空乏半導体層はｐ型半導体材料を含む、
態様６に記載の太陽電池。
（態様８）
前記空乏半導体層と前記エミッタ半導体層との間に位置づけられた第二の空乏半導体層をさらに含む、態様７に記載の太陽電池。
（態様９）
前記第二の空乏半導体層はｎ型半導体材料を含む、態様８に記載の太陽電池。
（態様１０）
前記ベース半導体層及び前記エミッタ半導体層は、第一の断面厚さ（３３）を有する空乏領域を定め、且つ
前記空乏半導体層は、前記第一の断面厚さと実質的に等しい第二の断面厚さ（３４）を有する、
態様１に記載の太陽電池。
（態様１１）
前記空乏半導体層は、前記空乏領域（４０）を完全に覆い隠す、態様１に記載の太陽電池。
（態様１２）
前記空乏半導体層は約０．１ミクロンから約１ミクロンまでの断面厚さを有する、態様１に記載の太陽電池。
（態様１３）
前記ベース半導体層は第一の半導体組成を有し、且つ前記エミッタ半導体層は第二の半導体組成を有し、且つ
前記第一の半導体組成は前記第二の半導体組成と実質的に同じである、
態様１に記載の太陽電池。
（態様１４）
前記ベース半導体層は第一の半導体組成を有し、前記エミッタ半導体層は第二の半導体組成を有し、且つ前記空乏半導体層は第三の半導体組成を有し、且つ
前記第三の半導体組成は、前記第一及び前記第二の半導体組成とは異なる、
態様１に記載の太陽電池。
（態様１５）
前記ベース半導体層、前記空乏半導体層及び前記エミッタ半導体層の各々は、３−５族合金を含む、態様１に記載の太陽電池。
（態様１６）
前記空乏半導体層はアルミニウムを含み、且つ
前記ベース半導体層及び前記エミッタ半導体層の少なくとも一方は、実質的にアルミニウムを含まない、態様１に記載の太陽電池。
（態様１７）
複数のサブセルを含み、
前記複数のサブセルの少なくとも一つは、
第一のバンドギャップを有するベース半導体層（３０）、
第二のバンドギャップを有するエミッタ半導体層（３４）、及び
前記ベース半導体層と前記エミッタ半導体層との間に位置づけられ、第三のバンドギャップを有する空乏半導体層（３２）を
含み、
前記第三のバンドギャップは、前記第一のバンドギャップ及び前記第二のバンドギャップよりも大きい、太陽電池。
（態様１８）
第一のバンドギャップを有するベース半導体層（３０）、及び
第二のバンドギャップを有するエミッタ半導体層（３４）
を含み、
前記ベース半導体層及び前記エミッタ半導体層はｐｎ接合を定め、且つ
前記第二のバンドギャップは前記第一のバンドギャップよりも大きい、太陽電池。