【事件の表示】
　平成１０年特許願第５００５６６号「ロングパルス  バナジュウムレーザー」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年　１月２２日国際公開、ＷＯ９８／０２９４５、平成１０年１０月２０日国内公表、特表平１０−５１０９５６］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【1】手続の経緯・本願発明
　本願は平成9年4月8日(米国の出願に基づくパリ条約による優先日:平成8年4月10日)に出願されたものであり、本願の請求項1、2に係る発明は、平成13年3月5日付け手続補正書にて補正された明細書の特許請求の範囲に記載されたとおりのものである。
　そして、その請求項1に係る発明(以下、「本願発明」という。)は以下のとおりである。
　「【請求項1】25kHz以上の繰返し数を持ち、パルス出力のRMSノイズが5%以下で35nsより70nsまでの長いアクチブキャビテイ内Qスイッチパルスを発生し、ゲイン媒体としてNd:YVO4と結合することを特徴とするダイオードポンプ固体レーザー」
　
【2】引用例
　これに対して、原査定の拒絶理由として引用した、特開平7-86668号公報、IEEE Transaction on Magnetics 31 [6] (1995) pp.1946-2951、Opt. Lett. 20 [7] (1995) pp.716-718、及び平成10年11月30日付け拒絶理由通知書で引用したQuantum Electronics 25 [8] (1995) pp.758-759 (以下、「引用例1」〜「引用例4」という。)には、以下の事項が記載されている。
引用例1:特開平7-86668号公報
【特許請求の範囲】【請求項1】、【請求項2】
　「【請求項1】 レーザ結晶を含む共振器構造と、共振器内部に配置されたQスイッチと、前記レーザ結晶を励起するための半導体レーザが前記共振器によって形成される固体レーザの発振ビームの光軸上に配置された固体レーザ装置において、固体レーザ発振ビームが前記励起用半導体レーザに帰還しないためのアイソレート構造を有する半導体レーザ励起固体レーザ装置。
【請求項2】 前記レーザ結晶がNd:YAG、Nd:YVO4、Nd:YLFなどのネオディミウム(Nd)を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置。」
3欄42行〜4欄41行
　「【0006】
【実施例】(実施例1)図1は本発明の一実施例を説明するための図である。半導体レーザ21は出力1Wのブロードエリア型半導体レーザで発振波長はレーザ結晶であるNd:YAGの吸収が最大となる0.8μmになるように温度制御素子22を用いて制御する構造とした。半導体レーザ出力24は集光光学系23によりレーザ結晶32に集光される。固体レーザの発振ビーム36の径は50μmであり、レーザ結晶32の結晶長5mmにおいて励起ビーム24が固体レーザ発振ビーム36に含まれ、励起効率がピーク値近傍となるように励起ビーム24の径を10μmとした。また、同様の理由で励起ビーム24と固体レーザ発振ビーム36は同一直線上に存在させるようにした。固体レーザはレーザ結晶32であるNd:YAG結晶の一方の面31と凹面ミラー33を反射鏡とする共振器構造にNd:YAG結晶を含むように形成した。このとき共振器構成はレーザ結晶32が共振器に含まれる構成であれば差し支えない。励起入力側のミラー31すなわちレーザ結晶の入射側端面は反射率99.5%のコーティングが、凹面ミラー33には反射率95%のコーティングが施されており凹面ミラーを出力ミラー34としている。共振器内にはAO変調器35が配置されており、Qスイッチ動作を行う。パルス幅は20〜50nsecで繰り返し周波数は1〜1kHzまでの間で可変である。
パルス幅20nsec、繰り返し周波数10Hzのときピーク出力は1kWであった。また、励起光入射側ミラー31と半導体レーザ21の間には波長選択フィルタ40を配置し、固体レーザ出力36が半導体レーザ21に帰還しないようにした。波長選択フィルタ40は励起波長0.8μmで透過率98%、固体レーザ波長1.06μmで反射率99.9%とした。この波長選択フィルタ40によって固体レーザビーム36は励起ビーム24と直角に分離され黒色加工されたレーザヘッド筐体10に照射される。このとき固体レーザビーム36は一部吸収され熱に変換され、一部散乱される。散乱された固体レーザビーム36は散乱を繰り返すことによってほとんどが同様にレーザヘッド筐体10に吸収され熱に変換され、レーザヘッド筐体より放出される。この結果、波長選択フィルタ40を透過する固体レーザビームはピーク値で0.1Wとなり、半分のパワーが半導体レーザ21に帰還しても0.05Wと安全な帰還量に低減できた。
【0007】(実施例2)図2は本発明の一実施例を説明するための図である。本発明において半導体レーザ21は出力1Wのブロードエリア型半導体レーザで発振波長はレーザ結晶であるNd:YVO4の吸収が最大となる0.8μmになるように温度制御する構造とした。半導体レーザ出力24は集光光学系23によりレーザ結晶32に集光される。励起ビーム24と固体レーザの発振ビーム36のビーム径は励起効率が大きく取れるように実施例1と同様とした。共振器の基本構成は実施例1と同様である。」
　
引用例2: IEEE Transaction on Magnetics 31 [6](1995)
p.1946-2951
2946頁左欄12〜19行
　「磁気ディスクドライブの面密度の増加は、磁気的及び表面科学的別の最適化を必要とする。1Gbit/in2に達しそれ以上の密度においては、超平滑に仕上げられたディスク基板の使用が必要とされるが、これは深刻な吸着の問題を引き起こす。実際的解決策として、ディスクの内側径(ID)近傍のランディング専用領域を形成することが含まれる。」
2946頁左欄25〜27行
　「材料表面に“ピット”、“クレータ”又はくぼんだある種の形態を形成するために、集束したレーザビームを使用することがよく知られている[1]-[3]。」
2946頁左欄40〜47行
　「この論文では、大変小さな接触領域特性を有する、レーザでもたらした“サンブレロ”渦流バンププロフィルについての我々の発見を述べる。我々は、範囲を限定したレーザパラメータ(エネルギー、パルス幅、及びビーム形状)の範囲の下で、レーザが、直径10から20μmで、10から60nmの範囲の高さの大変滑らかな微小ドームを形成することを発見した。」
2946頁右欄18〜23行
　「レーザ表面処理装置及び行程
　レーザ表面処理の技術は、高繰り返し速度のQ-スイッチ赤外ネオジウムドープのイットリウム-リチウム-フルオライド(Nd:YLF)レーザを、Ni-P被覆基板上の顕微的領域を急速に溶融するために使用する。装置の模式図はFig.1に示される。」
2947頁左欄9〜28行
　「結果
A.バンプ技術
　この方法で形成されたバンプの位相差顕微鏡写真がFig.2に示されている。螺旋に沿って一次元的に周期的に配置され、ディスクの径方向に疑似ランダム配列された、高い再現性のある特性が観察される。バンプは、約100nsecのタイムスケールでNi-Pの溶融と急速な固化を伴う行程により形成される。この行程は、バンプ体積の詳細な解析が示す(下記参照)ように、材料の除去ではなく再分布に基づくものである。各種の写真の形状はレーザのパラメータを変えることにより達成された。Fig.3は、異なる入射レーザパルスエネルギー(マイクロジュール)によって生じた原子間力顕微鏡(AFM)の特定のシーケンスのバンプの断面を示す。このデータを求めるに当たって、パルス幅(最大値の半分での全幅)が約50nsで、ナイフエッジ法で決定されるディスク上での1/e2ビーム径が23μmであった。」
　
引用例3: Opt. Lett. 20 [7](1995)pp.716-718
718頁右欄3行〜25行
　「第2のQ-スイッチNd:YVO4マイクロチップレーザは、高繰り返し速度で動作するように設計された。この装置は、Nd:YVO4とLiTaO3間の部分透過ミラーが1.064μmで97%の反射率を有し、LiTaO3の出力面が1.064μmで50%の反射率にコーティングされている点を除いて、既述のものと似ている。出力パルスの持続期間を最小化するため、温度と、電極上のdcバイアスが使用された。1.2Wの入射パワーでレーザがポンプされると、300KHz〜2.25MHzの間の全てのパルス繰り返し速度に対して、360mWの平均出力パワーを有していた。Fig.4に示すように、300KHzで1.2nsから2.25MHzで8.8nsまでパルス幅は線形に増加した。最も高いパルス繰り返し速度(2.25MHz)で、1パルスあたりのエネルギーは、0.16μJであり、ピークパルスパワーは16Wであった。レーザは単一周波数であり、直線偏光であり、ほぼ回折限界であり、全ての繰り返し速度において、ビームウエストは85μmであった。パルス-パルスの振幅ジッター及びタイミングジッターはそれぞれ、＜0.5%及び＜0.5nsであると測定された。」
　
引用例4: Quantum Electronics 25 [8](1995)pp.758-759
759頁右欄4行〜16行
　「低ポンプパワーでのQスイッチNd3+:GdVO4レーザキャビティは、低濃度F2-センターのLiF結晶によって実行される。・・・結晶レーザは、パルス-周期的態様で動作され、パルス期間τは、15-100nsの範囲内で可変であった。パルス繰り返し周波数fは、LiF スイッチ(Fig.3)の初期透過率Tに応じて5-200kHzであった。」
　
【3】対比
【3-1】一致点
　本願発明と引用例1に記載された発明(以下、「引用発明」という。)とを比較する。引用発明における、「共振器内部に配置されたQスイッチ」及び「半導体レーザ励起固体レーザ装置」は、本願発明の「アクチブキャビテイ内Qスイッチ」及び「ダイオードポンプ固体レーザー」に相当する。
　ここで、引用発明は、段落【0006】及び【0007】の記載から、レーザ結晶としてNd:YVO4を用いた場合にも、「共振器内にはAO変調器35が配置されており、Qスイッチ動作を行う。パルス幅は20〜50nsecで繰り返し周波数は1〜1kHzまでの間で可変である。パルス幅20nsec、繰り返し周波数10Hz」であると考えられる。
　してみると、両者は、「35nsより50nsまでの長いアクチブキャビテイ内Qスイッチパルスを発生し、ゲイン媒体としてNd:YVO4と結合することを特徴とするダイオードポンプ固体レーザー。」の点で一致する。
　
【3-2】相違点
　そして、本願発明と引用発明とは、以下の点で相違する。
相違点1:
　本願発明においては、Qスイッチが25kHz以上の繰返し数を持つのに対して、引用発明は、Qスイッチが繰り返し周波数は1〜1kHzまでの間で可変である点。
相違点2:
　本願発明においては、パルス出力のRMSノイズが5%以下であるのに対して、引用発明は、そのような規定がない点。
　
【4】判断
【4-1】相違点1について
　引用発明のようなQスイッチレーザを表面処理に用いる場合にレーザパラメータを所望の結果が得られるように適宜設定することは引用例2において公知であり、また、Qスイッチレーザにおいて、レーザパラメータであるパルス繰り返し速度を300KHz〜2.25MHzの範囲や5〜200kHzの範囲で設定できることは引用例3、4において公知である。そして、Qスイッチレーザのレーザパラメータを相違点1に係る本願発明の範囲に持ち来すこと自体に技術上の困難性は認められない。
　従って、引用発明のレーザパラメータである、パルス繰り返し速度を公知の範囲とすることは当業者が何ら格別の困難を伴うことなく達成できた事項である。
　
【4-2】相違点2について
　前述したようにQスイッチレーザにおいて、レーザパラメータであるパルス繰り返し速度を適宜設定できることは引用例3、4において公知であり、このときQスイッチレーザによって得られるパルスの振幅のジッターは0.5%以下となることが引用例3において公知である。ここで、パルスの振幅のジッターを0.5%以下とすることとパルス出力のRMSノイズを5%以下にすることは、いずれも各パルス間の出力の差を所定値より小さくするという点で共通しており、当該所定値の具体的値は設計上当業者が容易に設定できる値である。
　よって、引用発明のQスイッチレーザによって得られるパルス出力のRMSノイズを5%以下にすることは当業者が容易に設定できた事項である。
　
　そして、相違点1、2に係る本願発明の構成によりもたらされる効果は、引用例1、2、3、4から予測される範囲のものである。従って、本願発明は引用例1、2、3、4に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　
【5】むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項1に係る発明は特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないものであり、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。