【手続補正書】
【提出日】平成24年2月24日(2012.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスの端部終端構造であって、
半導体接合を少なくとも部分的に取り囲む半導体層内の複数の離間同心フローティング・ガード・リングであって、濃くドープされた部分及び薄くドープされた部分を有し、前記複数の離間同心フローティング・ガード・リング間の間隔が不均一である離間同心フローティング・ガード・リングを有する端部終端構造。
【請求項２】
前記半導体デバイスが炭化ケイ素半導体デバイスを含み、前記半導体層が炭化ケイ素層を含み、前記半導体接合が炭化ケイ素を主成分とする半導体接合を含む請求項１に記載の端部終端構造。
【請求項３】
前記フローティング・ガード・リングの前記ドーパント濃度が、前記デバイスの主接合から前記デバイスの周辺部に向かって低下する請求項２に記載の端部終端構造。
【請求項４】
前記ガード・リングの前記薄くドープされた部分の前記ドーパント濃度が、前記デバイスの前記主接合から前記デバイスの前記周辺部に向かって低下し、前記ガード・リングの前記薄くドープされた部分で勾配を与える請求項３に記載の端部終端構造。
【請求項５】
前記フローティング・ガード・リングの前記濃くドープされた部分が、前記炭化ケイ素層の内部に第１距離だけ延び、前記フローティング・ガード・リングの前記薄くドープされた部分が、前記炭化ケイ素層の内部に第２距離だけ延びる請求項４に記載の端部終端構造。
【請求項６】
前記第１距離が前記第２距離未満である請求項５に記載の端部終端構造。
【請求項７】
前記第１距離が約０．５μｍであり、前記第２距離が約０．８μｍである請求項６に記載の端部終端構造。
【請求項８】
前記フローティング・ガード・リングの前記薄くドープされた部分が、前記フローティング・ガード・リングの前記濃くドープされた部分に隣接する部分で第１ドーピング濃度を有し、前記フローティング・ガード・リングの前記濃くドープされた部分の下で前記第１ドーピング濃度よりも高い第２ドーピング濃度を有する請求項７に記載の端部終端構造。
【請求項９】
前記第１ドーピング濃度が約１．０×１０１７ｃｍ−３であり、前記第２ドーピング濃度が約１．４×１０１７ｃｍ−３である請求項８に記載の端部終端構造。
【請求項１０】
前記複数のフローティング・ガード・リングが約２個から約１００個のガード・リングを含む請求項９に記載の端部終端構造。
【請求項１１】
前記炭化ケイ素層がｎ型炭化ケイ素層であり、前記複数の離間ガード・リングがｐ型炭化ケイ素である請求項１０に記載の端部終端構造。
【請求項１２】
前記第１距離と前記第２距離が同一である請求項５に記載の端部終端構造。
【請求項１３】
前記フローティング・ガード・リングの前記濃くドープされた部分が、約５．０×１０１８ｃｍ−３から約１．０×１０２０ｃｍ−３のドーパント濃度を有し、前記フローティング・ガード・リングの前記薄くドープされた部分が、約５．０×１０１６ｃｍ−３から約５．０×１０１７ｃｍ−３のドーパント濃度を有する請求項２に記載の端部終端構造。
【請求項１４】
前記濃くドープされた部分及び前記薄くドープされた部分が、約０．３μｍから約０．８μｍの距離だけ前記炭化ケイ素層の内部に延びる請求項２に記載の端部終端構造。
【請求項１５】
前記フローティング・ガード・リングが、均一に離間し、不均一に離間し、且つ／又は均一に離間に離間したものと不均一に離間したものの組合せである請求項１に記載の端部終端構造。
【請求項１６】
前記炭化ケイ素層がｐ型炭化ケイ素層であり、前記複数の離間ガード・リングがｎ型炭化ケイ素である請求項２に記載の端部終端構造。
【請求項１７】
半導体デバイス用の端部終端構造を製造する方法であって、
半導体接合を少なくとも部分的に取り囲む半導体層内の複数の離間同心フローティング・ガード・リングを形成することであって、前記離間同心フローティング・ガード・リングが、濃くドープされた部分及び薄くドープされた部分を有し、前記複数の離間同心フローティング・ガード・リング間の間隔が不均一であることを含む方法。
【請求項１８】
前記半導体デバイスが炭化ケイ素半導体デバイスを含み、前記半導体層が炭化ケイ素層を含み、前記半導体接合が炭化ケイ素を主成分とする半導体接合を含む請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記フローティング・ガード・リングの前記濃くドープされた部分を形成する工程が、前記炭化ケイ素層の内部に第１距離だけ延びるように前記フローティング・ガード・リングの前記濃くドープされた部分を形成する工程を含み、
前記フローティング・ガード・リングの前記薄くドープされた部分を形成する工程が、前記炭化ケイ素層の内部に第２距離だけ延びるように前記フローティング・ガード・リングの前記薄くドープされた部分を形成する工程を含む請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１距離と前記第２距離が同一である請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記第１距離が前記第２距離未満である請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記第１距離が約０．５μｍであり、前記第２距離が約０．８μｍである請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記フローティング・ガード・リングの前記薄くドープされた部分が、前記フローティング・ガード・リングの前記濃くドープされた部分に隣接する部分で第１ドーピング濃度を有し、前記フローティング・ガード・リングの前記濃くドープされた部分の下で前記第１ドーピング濃度よりも高い第２ドーピング濃度を有する請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記第１ドーピング濃度が約１．０×１０１７ｃｍ−３であり、前記第２ドーピング濃度が約１．４×１０１７ｃｍ−３である請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
約５．０×１０１８ｃｍ−３から約１．０×１０２０ｃｍ−３のドーパント濃度を有するアルミニウムを注入することによって前記フローティング・ガード・リングの前記濃くドープされた部分を形成する工程、及び
約５．０×１０１６ｃｍ−３から約５．０×１０１７ｃｍ−３のドーパント濃度を有するホウ素を注入することによって前記フローティング・ガード・リングの前記薄くドープされた部分を形成する工程
をさらに含む請求項１８に記載の方法。
【請求項２６】
前記フローティング・ガード・リングの前記ドーパント濃度が、前記デバイスの主接合から前記デバイスの周辺部に向かって低下する請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記ガード・リングの前記薄くドープされた部分の前記ドーパント濃度が、前記デバイスの前記主接合から前記デバイスの前記周辺部に向かって低下し、前記ガード・リングの前記薄くドープされた部分で勾配を与える請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記濃くドープされた部分及び前記薄くドープされた部分が、約０．３μｍから約０．８μｍの距離だけ前記炭化ケイ素層の内部に延びる請求項１８に記載の方法。
【請求項２９】
前記フローティング・ガード・リングを形成する工程が、前記フローティング・ガード・リングが均一に離間し、不均一に離間し、且つ／又は均一に離間したものと不均一に離間したものの組合せとなるように前記フローティング・ガード・リングを形成することを含む請求項１８に記載の方法。
【請求項３０】
前記複数のフローティング・ガード・リングが約２個から約１００個のガード・リングを含む請求項１８に記載の方法。
【請求項３１】
前記炭化ケイ素層がｎ型炭化ケイ素層であり、前記複数の離間ガード・リングがｐ型炭化ケイ素である請求項１８に記載の方法。
【請求項３２】
前記炭化ケイ素層がｐ型炭化ケイ素層であり、前記複数の離間ガード・リングがｎ型炭化ケイ素である請求項２８に記載の方法。
【請求項３３】
半導体デバイス用の端部終端構造であって、
前記デバイスの電界破壊を低減する半導体層内の少なくとも２つの離間同心フローティング・ガード・リングであって、濃くドープされた部分及び薄くドープされた部分を有する離間同心フローティング・ガード・リングを有する端部終端構造。