【手続補正書】
【提出日】平成26年6月24日(2014.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つのシード構造体が埋め込まれた細長構造体を含む有核ロッド（ＳＲ）ナノ構造体であって、前記シード構造体がコア／シェル構造体又は単一材料ロッド要素であり、
当該シードがロッド要素である場合、前記要素を埋め込んだ前記細長構造体の材料の一方の端部での前記ナノ構造体の１つの軸に沿った厚さは、同じ軸に沿った他方の端部と比較して大きい、又は１つの軸に沿った厚さが、別の軸と比較して大きく、
当該シードはコア／シェル構造体である場合、当該コア及びシェルのうちの少なくとも一方の材料が半導体材料であるナノ構造体。
【請求項２】
前記細長構造体の材料及び前記シードの材料は半導体材料の中から独立して選択される請求項１に記載のナノ構造体。
【請求項３】
前記シード構造体がコア／シェル構造体である請求項１又は２に記載のナノ構造体。
【請求項４】
前記コア／シェル構造体は、形状が球状又は非球状であり、前記細長構造体の中に同軸性状又は非同軸性状に位置している請求項３に記載のナノ構造体。
【請求項５】
前記コア／シェル構造体は、形状が球状であり、１つ又は複数のシェルを有し、各シェルが約０．２ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の厚さを有する請求項４に記載のナノ構造体。
【請求項６】
前記コア／シェル構造体は形状が細長である請求項４に記載のナノ構造体。
【請求項７】
前記細長形状のコア／シェル構造体はアスペクト比が１．８を超える請求項６に記載のナノ構造体。
【請求項８】
前記アスペクト比が１．８〜５０である請求項６に記載のナノ構造体。
【請求項９】
前記コア／シェル構造体がコア／多層シェル構造体である請求項１に記載のナノ構造体。
【請求項１０】
前記コア／シェル構造体が、球状コア／球状シェル、球状コア／細長シェル、及び細長コア／細長シェルから選択される請求項１に記載のナノ構造体。
【請求項１１】
前記コア／シェル構造体が、球状コア／球状シェル、球状コア／球状シェル（１）／球状シェル（２）、球状コア／細長シェル、球状コア／球状シェル（１）／細長シェル（２）、球状コア／細長シェル（１）／細長シェル（２）、細長コア／細長シェル、及び細長コア／細長シェル（１）／細長シェル（２）から選択される請求項１０に記載のナノ構造体。
【請求項１２】
第１の材料の細長構造体を含み、これは第２の材料のコアとさらなる材料の少なくとも１つのシェルとを含むコア／シェル構造体を埋め込んでおり、前記第１、第２、及びさらなる材料の各々が、隣接した材料が互いに異なるように選択される請求項１に記載のナノ構造体。
【請求項１３】
前記シェル材料は、その上で異方性の成長を可能にする多形結晶形を有するように選択される請求項１２に記載のナノ構造体。
【請求項１４】
異方性の成長を可能にする前記材料は、立方晶（亜鉛ブレンド）及び非立方晶の結晶構造を有し、前記非立方構造は、六方晶（ウルツ鉱）、単斜晶、斜方晶、菱面体晶、及び正方晶の結晶構造から選択される請求項１３に記載のナノ構造体。
【請求項１５】
前記第１の材料、前記第２の（コアの）材料、及び単数または複数の前記さらなる材料の各々は、他のものとは独立に、金属、金属合金、金属酸化物、絶縁体、及び半導体材料の中から選択される請求項１２に記載のナノ構造体。
【請求項１６】
前記材料の各々は、金属、金属合金、及び金属酸化物から選択される請求項１２に記載のナノ構造体。
【請求項１７】
前記材料の各々は半導体材料であるか又はそれを含む請求項１２に記載のナノ構造体。
【請求項１８】
前記シード構造体は単一材料のロッド要素である請求項１に記載のナノ構造体。
【請求項１９】
前記細長構造体は、単一材料のロッド要素から成り、前記細長構造体の中に同軸性状又は非同軸性状に位置している請求項１に記載のナノ構造体。
【請求項２０】
細長コア／細長シェル及び細長コア／細長シェル（１）／細長シェル（２）から選択される請求項１に記載のナノ構造体。
【請求項２１】
請求項１に記載の有核ロッドナノ構造体を製造する方法であって、請求項１で定義されるシード構造体の表面上への前記細長構造体材料の細長の成長を可能にする条件下で、前記シード構造体を溶液中で前記細長構造体材料の少なくとも１つの前駆体と接触させ、それにより有核ロッドを得ることを含む方法。
【請求項２２】
−予め作製したシード構造体の溶液を得ることと、前記シード構造体の各々はロッド要素シード、コア／シェルシード、及びコア／多層シェルシードから選択される、
−前記シード構造体の表面上への前記材料の細長の成長を可能にする条件下で、前記シード構造体を溶液中で細長構造体材料の前駆体溶液と接触させることと
を含み、それにより有核ロッドナノ構造体を得る請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記有核ロッドを単離することをさらに含む請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記シード構造体はコア／シェル（ｎ）ナノ構造体であり、
−コア／シェル（ｎ）構造体の溶液を提供することと、
−シェル（ｎ）の表面上への前記材料の細長の成長を可能にする条件下で、前記コア／シェル（ｎ）構造体を前記細長構造体材料の前駆体溶液と接触させることと
を含み、それによりコア／シェル（ｎ）有核ロッドナノ構造体を得る請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記シード構造体はロッド要素であり、
−ロッド要素の溶液を提供することと、
−前記ロッド要素の表面上への前記材料の細長の成長を可能にする条件下で、前記ロッド要素を前記細長構造体材料の前駆体溶液と接触させることと
を含み、それによりロッドインロッドナノ構造体を得る請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
請求項１から２０のいずれか一項に記載のナノ構造体を含むデバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６６】
ＺｎＳ最終シェルは、Ｚｎ及びＳ前駆体（ＳＩＬＡＲ）を交互に注入すること又は両方の前駆体の混合物を連続的に注入することのいずれかによって生成される。別の考えられる方法は種結晶成長であり、ここでは、ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅコアを、Ｓ前駆体に混合させ、Ｚｎ前駆体及び配位子（長鎖アミン、リン酸、ホスフィンオキシドなど）の加熱混合物へ迅速に注入する。
以下に、本願の発明の実施態様を付記する。
［１］１つのシード構造体が埋め込まれた細長構造体を含む有核ロッド（ＳＲ）ナノ構造体であって、前記シード構造体がコア／シェル構造体又は単一材料ロッド要素であり、当該シードがロッド要素である場合、前記要素を埋め込んだ前記細長構造体の材料の一方の端部での前記ナノ構造体の１つの軸に沿った厚さは、同じ軸に沿った他方の端部と比較して大きい、又は１つの軸に沿った厚さが、別の軸と比較して大きく、当該シードはコア／シェル構造体である場合、当該コア及びシェルのうちの少なくとも一方の材料が半導体材料であるナノ構造体。
［２］前記細長構造体の材料及び前記シードの材料は半導体材料の中から独立して選択される［１］に記載のナノ構造体。
［３］前記シード構造体がコア／シェル構造体である［１］又は［２］に記載のナノ構造体。
［４］前記コア／シェル構造体は、形状が球状又は非球状であり、前記細長構造体の中に同軸性状又は非同軸性状に位置している［３］に記載のナノ構造体。
［５］前記コア／シェル構造体は、形状が球状であり、１つ又は複数のシェルを有し、各シェルが約０．２ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の厚さを有する［４］に記載のナノ構造体。
［６］前記コア／シェル構造体は形状が細長である［４］に記載のナノ構造体。
［７］前記構造体の最も長い軸の長さは６〜１００ｎｍである［６］に記載のナノ構造体。
［８］前記構造体の直径は１．５〜１０ｎｍである［６］に記載のナノ構造体。
［９］前記細長形状のコア／シェル構造体はアスペクト比が１．８を超える［６］に記載のナノ構造体。
［１０］前記アスペクト比が２を超える［６］に記載のナノ構造体。
［１１］前記アスペクト比が３を超える［６］に記載のナノ構造体。
［１２］前記アスペクト比が１０を超える［６］に記載のナノ構造体。
［１３］前記アスペクト比が１．８〜５０である［６］に記載のナノ構造体。
［１４］前記コア／シェル構造体がコア／多層シェル構造体である［１］に記載のナノ構造体。
［１５］前記コア／シェル構造体が、球状コア／球状シェル、球状コア／細長シェル、及び細長コア／細長シェルから選択される［１］に記載のナノ構造体。
［１６］前記コア／シェル構造体が、球状コア／球状シェル、球状コア／球状シェル（１）／球状シェル（２）、球状コア／細長シェル、球状コア／球状シェル（１）／細長シェル（２）、球状コア／細長シェル（１）／細長シェル（２）、細長コア／細長シェル、及び細長コア／細長シェル（１）／細長シェル（２）から選択される［１５］に記載のナノ構造体。
［１７］前記コア／シェル構造体の前記コアは、形状が球状であり、約１〜約２０ｎｍの範囲の直径を有する［１］に記載のナノ構造体。
［１８］前記コアは、形状がロッド様であり、前記ロッド様の最も長い軸の長さが約５ｎｍ〜約５００ｎｍの範囲である［１］に記載のナノ構造体。
［１９］前記最も長い軸の長さが１０〜１００ｎｍである［１８］に記載のナノ構造体。
［２０］前記ロッド様コアの厚さが約２〜約２０ｎｍの範囲である［１８］に記載のナノ構造体。
［２１］前記厚さが約２〜約１０ｎｍである［２０］に記載のナノ構造体。
［２２］前記ロッド様コアはアスペクト比が１．８〜５０である［１８］に記載のナノ構造体。
［２３］第１の材料の細長構造体を含み、これは第２の材料のコアとさらなる材料の少なくとも１つのシェルとを含むコア／シェル構造体を埋め込んでおり、前記第１、第２、及びさらなる材料の各々が、隣接した材料が互いに異なるように選択される［１］に記載のナノ構造体。
［２４］前記シェル材料は、その上で異方性の成長を可能にする多形結晶形を有するように選択される［２３］に記載のナノ構造体。
［２５］異方性の成長を可能にする前記材料は、立方晶（亜鉛ブレンド）及び非立方晶の結晶構造を有し、前記非立方構造は、六方晶（ウルツ鉱）、単斜晶、斜方晶、菱面体晶、及び正方晶の結晶構造から選択される［２４］に記載のナノ構造体。
［２６］前記第１の材料、前記第２の（コアの）材料、及び単数または複数の前記さらなる材料の各々は、他のものとは独立に、金属、金属合金、金属酸化物、絶縁体、及び半導体材料の中から選択される［２３］に記載のナノ構造体。
［２７］前記材料の各々は、元素周期表のｄブロックのＩＩＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢ、ＶＩＢ、ＶＩＩＢ、ＶＩＩＩＢ、ＩＢ、ＩＩＢ、ＩＩＩＡ、ＩＶＡ、及びＶＡ族の元素であるか又はそれを含む［２６］に記載のナノ構造体。
［２８］前記材料の各々は、周期表のｄブロックのＩＩＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢ、ＶＩＢ、ＶＩＩＢ、ＶＩＩＩＢ、ＩＢ、及びＩＩＢ族から選択される遷移金属であるか又はそれを含む［２７］に記載のナノ構造体。
［２９］前記遷移金属は、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、及びＨｇから選択される金属である［２９］に記載のナノ構造体。
［３０］前記材料の各々は、Ｉ−ＶＩＩ族、ＩＩ−ＶＩ族、ＩＩＩ−Ｖ族、ＩＶ−ＶＩ族、ＩＩＩ−ＶＩ族、及びＩＶ族半導体の元素並びにそれらの組み合わせから選択される半導体材料である［２６］に記載のナノ構造体。
［３１］前記半導体材料は、ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕＩ、ＡｇＣｌ、ＡｇＢｒ、ＡｇＩ、及びそれらの任意の組み合わせから選択されるＩ−ＶＩＩ族半導体である［３０］に記載のナノ構造体。
［３２］前記半導体材料は、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＣｄＺｎＳｅ、ＺｎＯ、及びそれらの任意の組み合わせから選択されるＩＩ−ＶＩ族材料である［３０］に記載のナノ構造体。
［３３］前記半導体材料は、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＮ、ＧａＮ、ＩｎＳｂ、ＩｎＡｓＰ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＳｂ、ＡｌＰ、ＡｌＮ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＣｄＳｅＴｅ、ＺｎＣｄＳｅ、及びそれらの任意の組み合わせから選択されるＩＩＩ−Ｖ族材料である［３０］に記載のナノ構造体。
［３４］前記半導体材料は、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｎＴｅ、Ｔｌ2ＳｎＴｅ5、及びそれらの任意の組み合わせから選択されるＩＶ−ＶＩ族材料である［３０］に記載のナノ構造体。
［３５］前記材料はＩＶ族の元素であるか又はそれを含む［３０］に記載のナノ構造体。
［３６］前記材料はＣ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂから選択される［３５］に記載のナノ構造体。
［３７］前記材料の各々は、金属、金属合金、及び金属酸化物から選択される［２３］に記載のナノ構造体。
［３８］前記材料の各々は半導体材料であるか又はそれを含む［２３］に記載のナノ構造体。
［３９］前記コア／シェルがＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＣｄＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅ、及びＺｎＳｅＴｅから選択されるコアの材料を含む［１］に記載のナノ構造体。
［４０］前記コア／シェルにおいてシェル材料の各々はＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳＳｅ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＳ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、及びＺｎＴｅから選択される［１］に記載のナノ構造体。
［４１］前記細長構造体の材料はＣｄＳ、ＣｄＺｎＳ、ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、及びＺｎＴｅ／ＺｎＳから選択される、請求項１に記載のナノ構造体。
［４２］ＩｎＡｓ／ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＺｎＴｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅ／ＺｎＳ、ＺｎＳｅＴｅ／ＺｎＴｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、及びＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳから選択される［１］に記載のナノ構造体。
［４３］ＩｎＡｓ／ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＣｄＳ及びＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅ／ＺｎＳから選択される［１］に記載のナノ構造体。
［４４］前記細長構造体の材料はＣｄＳ、ＣｄＺｎＳ、ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、及びＺｎＴｅ／ＺｎＳから選択される［４０］に記載のナノ構造体。
［４５］前記シード構造体は単一材料のロッド要素である［１］に記載のナノ構造体。
［４６］前記細長構造体は、単一材料のロッド要素から成り、前記細長構造体の中に同軸性状又は非同軸性状に位置している［１］に記載のナノ構造体。
［４７］前記ロッド要素は前記細長構造体の中に非同軸性状に位置している［４６］に記載のナノ構造体。
［４８］前記ロッド要素は前記細長構造体の中に同軸性状に位置しており、軸の１つに沿った前記細長構造体材料の厚さは、他の軸と比較して、実質的に異なっている［４６］に記載のナノ構造体。
［４９］長軸に沿った前記細長構造体の材料の厚さは、短軸に沿った厚さの少なくとも２倍大きい［４８］に記載のナノ構造体。
［５０］長軸に沿った前記細長構造体材料の厚さは、短軸の厚さの少なくとも３倍大きい［４８］に記載のナノ構造体。
［５１］前記細長構造体材料及び前記ロッド要素材料の各々は、他のものとは独立に、金属酸化物、絶縁体、及び半導体材料の中から選択される［４５］に記載のナノ構造体。
［５２］前記材料の各々は、Ｉ−ＶＩＩ族、ＩＩ−ＶＩ族、ＩＩＩ−Ｖ族、ＩＶ−ＶＩ族、ＩＩＩ−ＶＩ族、及びＩＶ族半導体の元素、並びにそれらの組み合わせから選択される半導体材料である、［５１］に記載のナノ構造体。
［５３］前記半導体材料は、ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕＩ、ＡｇＣｌ、ＡｇＢｒ、ＡｇＩ、及びそれらの任意の組み合わせから選択されるＩ−ＶＩＩ族半導体である［５２］に記載のナノ構造体。
［５４］前記半導体材料がＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＣｄＺｎＳｅ、ＺｎＯ、及びそれらの任意の組み合わせから選択されるＩＩ−ＶＩ族材料である［５２］に記載のナノ構造体。
［５５］前記半導体材料がＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＮ、ＧａＮ、ＩｎＳｂ、ＩｎＡｓＰ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＳｂ、ＡｌＰ、ＡｌＮ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＣｄＳｅＴｅ、ＺｎＣｄＳｅ、及びそれらの任意の組み合わせから選択されるＩＩＩ−Ｖ族材料である、［５２］に記載のナノ構造体。
［５６］前記半導体材料は、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｎＴｅ、Ｔｌ2ＳｎＴｅ5、及びそれらの任意の組み合わせから選択されるＩＶ−ＶＩ族材料である［５２］に記載のナノ構造体。
［５７］前記材料はＩＶ族の元素であるか又はそれを含む［５２］に記載のナノ構造体。
［５８］前記材料はＣ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂから選択される［５７］に記載のナノ構造体。
［５９］前記材料の各々は半導体材料であるか又はそれを含む［５１］に記載のナノ構造体。
［６０］前記コア／シェル構造体は形状が細長である請求項１に記載のナノ構造体。
［６１］前記細長コア／シェル構造体は細長コアといくつかの細長シェルとを含む［６２］に記載のナノ構造体。
［６２］シェルの数が１〜３０の範囲である［６１］に記載のナノ構造体。
［６３］細長コア／細長シェル及び細長コア／細長シェル（１）／細長シェル（２）から選択される［６０］に記載のナノ構造体。
［６４］請求項１に記載の有核ロッドナノ構造体を製造する方法であって、請求項１で定義されるシード構造体の表面上への前記細長構造体材料の細長の成長を可能にする条件下で、前記シード構造体を溶液中で前記細長構造体材料の少なくとも１つの前駆体と接触させ、それにより有核ロッドを得ることを含む方法。
［６５］−予め作製したシード構造体の溶液を得ることと、前記シード構造体の各々はロッド要素シード、コア／シェルシード、及びコア／多層シェルシードから選択される、−前記シード構造体の表面上への前記材料の細長の成長を可能にする条件下で、前記シード構造体を溶液中で細長構造体材料の前駆体溶液と接触させることとを含み、それにより有核ロッドナノ構造体を得る［６４］に記載の方法。
［６６］前記有核ロッドを単離することをさらに含む［６５］に記載の方法。
［６７］前記シード構造体はコア／シェル（ｎ）ナノ構造体であり、−コア／シェル（ｎ）構造体の溶液を提供することと、−シェル（ｎ）の表面上への前記材料の細長の成長を可能にする条件下で、前記コア／シェル（ｎ）構造体を前記細長構造体材料の前駆体溶液と接触させることとを含み、それによりコア／シェル（ｎ）有核ロッドナノ構造体を得る［６５］に記載の方法。
［６８］前記シード構造体はロッド要素であり、−ロッド要素の溶液を提供することと、−前記ロッド要素の表面上への前記材料の細長の成長を可能にする条件下で、前記ロッド要素を前記細長構造体材料の前駆体溶液と接触させることとを含み、それによりロッドインロッドナノ構造体を得る［６７］に記載の方法。
［６９］前記シード構造体を前記細長構造体材料の前駆体と共に成長溶液中に添加することにより、前記接触を溶液中で行う［６４］から［６８］のいずれか一に記載の方法。
［７０］前記添加が高温にある成長溶液中への注入によって行われる［６９］に記載の方法。
［７１］外側ロッド半導体に対するコア半導体のレベルのバンド構造がタイプＩ又はタイプＩＩを示す［１］から［６３］のいずれか一に記載のナノ構造体。
［７２］［１］から［６３］のいずれか一に記載のナノ構造体を含むデバイス。
［７３］電子デバイス又は光学デバイスである［７２］に記載のデバイス。
［７４］送信機、レーザー、Ｑスイッチ、スイッチ、光スイッチ、光ファイバー、増幅器、アンプ、ディスプレイ、検出器、通信システム、発光ダイオード、光変換層、太陽電池、及びセンサーから選択される請求項７３に記載のデバイス。