【事件の表示】
　上記当事者間の特許第１７４４０９４号発明「ウエハ−用研磨剤組成物」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　訂正を認める。
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
１．本件特許の経緯
　本件特許第１７４４０９４号は、昭和６２年４月２８日の特許出願であって、平成５年３月２５日に、その特許権の登録がなされたものである。
　
２．本件無効審判の経緯
　審判請求人株式会社フジミインコーポレーテッドは、本件特許を無効とする、審判費用は被請求人の負担とするとの審決を求めて、無効審判を請求した。
　被請求人は、答弁書提出期間内である平成１４年３月２８日に答弁書の提出とともに、第１回の訂正請求をし、さらに、審判請求人の弁駁書に対する答弁指令の期間内である平成１４年８月３０日に第２答弁書の提出とともに、第２回の訂正請求をした。
　その後、無効理由が通知され、その意見書提出期間内である平成１５年２月２０日に意見書の提出とともに、訂正請求がされた。
　第１回の訂正請求及び第２回の訂正請求は、いずれも取り下げられた。
　
３．登録された本件特許発明
　登録時における願書に添付された明細書の特許請求の範囲第１〜４項に記載された発明は、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
「１．水、粒状アモルファスシリカおよび水溶性キレート剤および／または分子量５０００以上の高分子イオンを含有し、かつアルカリ性化合物によってｐＨ９以上に調整されてなることを特徴とするウエハー用研磨剤組成物。
２．粒状アモルファスシリカの平均粒径が５ｍμないし１０μの範囲のものであることを特徴とする特許請求の範囲１に記載のウエハー用研磨剤組成物。
３．水溶性キレート剤が水溶性のエチレンジアミン４酢酸、ニトリロ３酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン３酢酸、ジエチレントリアミン５酢酸、またはヒドロキシエチルイミノ２酢酸から選ばれた１種類以上であることを特徴とする特許請求の範囲１に記載のウエハー用研磨剤組成物。
４．分子量５０００以上の高分子イオンがポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリイタコン酸、ポリマレイン酸、マレイン酸と各種ビニル基を有する化合物との共重合体、ポリスチレンスルホン酸、ポリリン酸、コンドロイチン硫酸、デキストラン硫酸、ケラタン硫酸、またはヘパリン硫酸などの高分子化合物のイオンであることを特徴とする特許請求の範囲１に記載のウエハー用研磨剤組成物。」
　
４．審判請求書における審判請求人の主張
　請求人は、
甲第１号証として米国特許第４１６９３３７号明細書を、
甲第２号証として米国特許第３７１５８４２号明細書を、
甲第３号証として特開昭４８−３１８７３号公報を、及び
甲第４号証として上野景平著「入門キレート化学」株式会社南江堂昭和４４年１２月１５日第１版発行、第１２０−１２２頁、第２１９頁−２２５頁を提示し、以下ａ〜ｃのとおり主張する。
ａ．本件特許発明は、甲第１号証又は甲第２号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、本件特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反して特許されたものである。
ｂ．本件特許発明は、甲第３号証に記載された発明又は甲第３号証及び甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
ｃ．本件特許の特許請求の範囲第３項及び第４項に記載されたものは、何れも、甲第１号証〜甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　
５．弁駁書における審判請求人の主張
　審判請求人は、甲第１号証〜甲第４号証に加え、
甲第５号証として上野景平著「入門キレート化学」株式会社南江堂昭和４４年１２月１５日第１版発行、第２４−３３頁、第２２６頁〜２３１頁、第２６０−２６５頁を、
甲第６号証として化学大辞典編集委員会編「化学大辞典第６巻」共立出版株式会社１９６３年１２月１５日縮刷版発行、第５１９頁を
甲第７号証として特開昭５３−５０９８号公報を、
甲第８号証として特開昭５１−４３０７３号公報を、
甲第９号証として特開昭５２−１１７０６０号公報を、
甲第１０号証として、米国特許第３３２８１４１号明細書を、
甲第１１号証として特開昭４９−７６４７０号公報を、及び
甲第１２号証として特開昭５２−６９５５８号公報を提示し、
　本件特許は、便宜上、以下の３つの場合に分けて考えることができる。
（ａ）研磨剤組成物が水溶性キレート剤を含み、高分子イオンを含まない場合、
（ｂ）研磨剤組成物が高分子イオンを含み、水溶性キレート剤を含まない場合、
（ｃ）研磨剤組成物が水溶性キレート剤及び高分子イオンを含む場合。
として、以下ａ１〜ｃのとおり主張する。
ａ１．（ａ）の場合、甲第１号証において用いられる水溶性アミンが金属原子と錯体を形成する水溶性キレート剤であることは甲第４号証から明らかであり、本件特許発明は、甲第１号証に実質的に記載されている。また、訂正により、請求項３に挙げられた水溶性キレート剤を限定したとしても、そのような水溶性キレート剤はキレート剤として一般的に使用されているものであり、甲第３号証又は甲第４号証にも記載されているものであるから、選択発明として特許性を有するものではない。
ａ２．（ａ）の場合、甲第３号証には、半導体素子表面などに付着した金属をキレート剤を用いて溶解除去することが開示されており、実施例には、本件特許発明の実施例として例示したジエチレントリアミン５酢酸を用いた処理液が記載されており、ウエハーの研磨処理において金属成分が付着し、これがウエハー基板中に熱拡散するという問題があることが甲第７〜９号証に記載されているようにすでに周知であるから、金属成分を除去しようとする甲第３号証に記載の技術を研磨剤組成物に組み合わせることは極めて容易であり、また、甲第３号証には、ｐＨは、目的に応じて適宜調整されるべきであることが記載されており、粒状シリカを研磨材として用いるシリコンウエハーの研磨は通常アルカリ性の領域で行われることは、甲第１０〜１２号証にあるように周知であるから、ｐＨを９以上に限定したことにも困難性は見出せない。
ｂ．（ｂ）の場合、訂正された本件特許発明と、甲第２号証とは、甲第２号証が、水溶性セルロース誘導体を用いているのに対し、本件特許発明では、分子量５００以上の特定の高分子イオンである点で相違するが、甲第５号証には、セルロース繊維に「金属原子の補足作用」があることが示されており、本件特許発明が高分子イオンを特定のものに限定しているとしても、その作用効果において甲第２号証から格別の改善があるとは認めがたく、甲第２号証と実質的に同一であるかそれから推考容易なものである。
ｃ．（ｃ）の場合、甲第２号証には、アルカリ性化合物としてピロリン酸やトリポリリン酸を添加することができることが記載されており、ピロリン酸やトリポリリン酸は水溶性キレート剤として作用することは、甲第４号証に記載されているように周知の技術である。
　
６．被請求人の主張
　請求人の主張に対し、審判被請求人は、前記訂正請求により訂正された明細書に基づいて、以下ａ〜ｆのとおり主張する
ａ．甲第１号証に記載された発明が特定の水溶性アミンを採用することにより得られる効果は、「効率的に研磨できる」ことであり、この点は、本件特許発明でも従来技術として説明されている。本件特許発明は、特定の水溶性キレート剤を含有させることにより、研摩の際のいわゆるオートドーピングを抑制するものであって、本件特許出願の際に知られていた、極めて多くのキレート化合物から、実際のウエハー用研摩の際にオートドーピングを抑制する特定の水溶性キレート剤を選択することに特徴があるものであって、これが、当業者にとって予見可能であったといえるものではない。
ｂ．甲第２号証に記載された発明は、微細沈降シリカを沈降させることなく長期に保存し、使用可能とすることを目的として、増粘による沈降を阻止するために、特定量の水溶性セルロースを含有することを採用したものであって、ウエハー研摩の際にオートドーピングを抑制できる特定の高分子をどのように選択すればよいかは不明である。
ｃ．甲第３号証に記載された発明は、半導体素子形成のためのウエハーの表面研摩に関する技術とは全く異なる。さらに、甲第３号証には、処理液のｐＨを調整して使用することが記載されているが、酸性での使用の可能性が強く、ｐＨが９以上に調整されているウエハー研磨剤組成物に使用することに想到することは困難である。
ｄ．甲第４号証及び甲第５号証は、一般的キレート化合物について教示する程度のものにすぎず、特定の水溶性キレート剤及び／または高分子イオンを採用することにより、ウエハー研摩の際、オートドーピング抑制に重要な作用効果が発揮されることについて開示、示唆するものではない。
ｅ．甲第７号証〜甲第９号証に記載された発明は、本件特許発明と問題点について一致するが、いずれも、解決手段について本質的に異なる。
ｆ．甲第１０号証〜甲第１２号証に記載された発明は、ウエハーの研磨剤である点では、本件特許発明と一致するが、本件特許発明とは、その構成も機構も全く相違する。
　
７．訂正請求によって訂正された明細書の発明
　上記訂正請求によって訂正された明細書の特許請求範囲に記載された発明（以下、「訂正発明１」という。）の要旨は、その特許請求の範囲第１項に記載された次のとおりのものである。
「水、粒状アモルファスシリカおよび水溶性キレート剤および／または分子量５０００以上の高分子イオンを含有し、かつアルカリ性化合物によってｐＨ９以上に調整されてなるウエハー用研磨剤組成物であって、前記水溶性キレート剤が水溶性のエチレンジアミン４酢酸、ニトリロ３酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン３酢酸、ジエチレントリアミン５酢酸、またはヒドロキシエチルイミノ２酢酸から選ばれた１種類以上であることを特徴とし、前記分子量５０００以上の高分子イオンがポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリイタコン酸、ポリマレイン酸、マレイン酸と各種ビニル基を有する化合物との共重合体、ポリスチレンスルホン酸、ポリリン酸、コンドロイチン硫酸、デキストラン硫酸、ケラタン硫酸、またはヘパリン硫酸から選ばれた１種以上の高分子化合物のイオンであることを特徴とする、ウエハー用研磨剤組成物。」
　
８．訂正請求の適否に対する判断
　上記訂正請求の適否について判断する。
（１）上記訂正は、願書に添付された明細書（以下、「特許明細書」という。）を、以下のａ〜ｃのとおり訂正するものである。
ａ．特許請求の範囲について、
　特許請求の範囲第１項について、「ウェハー用研磨剤組成物であって、前記水溶性キレート剤が水溶性のエチレンジアミン４酢酸、ニトリロ３酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン３酢酸、ジエチレントリアミン５酢酸、またはヒドロキシエチルイミノ２酢酸から選ばれた１種類以上であることを特徴とし、前記分子量５０００以上の高分子イオンがポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリイタコン酸、ポリマレイン酸、マレイン酸と各種ビニル基を有する化合物との共重合体、ポリスチレンスルホン酸、ポリリン酸、コンドロイチン硫酸、デキストラン硫酸、ケラタン硫酸、またはヘパリン硫酸から選ばれた１種以上の高分子化合物のイオンである」を加入する。
ｂ．特許請求の範囲について、
　特許請求の範囲第３項及び第４項を削除する。
ｃ．発明の詳細な説明について
　明細書第４頁６〜１１行目の「本発明の要旨とするところは、水、粒状アモルファスシリカ及び水溶性キレート剤および／または分子量５０００以上の高分子イオンを含有し、かつアルカリ性化合物によってｐＨ９以上に調整されてなることを特徴とするウエハー用研磨剤組成物に存する。」を、「本発明の要旨とするところは、水、粒状アモルファスシリカ及び水溶性キレート剤および／または分子量５０００以上の高分子イオンを含有し、かつアルカリ性化合物によってｐＨ９以上に調整されてなるウエハー用研磨剤組成物であって、前記水溶性キレート剤が水溶性のエチレンジアミン４酢酸、ニトリロ３酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン３酢酸、ジエチレントリアミン５酢酸、またはヒドロキシエチルイミノ２酢酸から選ばれた１種類以上であることを特徴とし、前記分子量５０００以上の高分子イオンがポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリイタコン酸、ポリマレイン酸、マレイン酸と各種ビニル基を有する化合物との共重合体、ポリスチレンスルホン酸、ポリリン酸、コンドロイチン硫酸、デキストラン硫酸、ケラタン硫酸、またはヘパリン硫酸から選ばれた１種以上の高分子化合物のイオンであることを特徴とする、ウエハー用研磨剤組成物に存する。」と訂正する。
　
（２）上記訂正のうち、
　訂正事項ａは、「水溶性キレート剤」及び「分子量５０００以上の高分子イオン」をそれぞれ、「水溶性のエチレンジアミン４酢酸、ニトリロ３酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン３酢酸、ジエチレントリアミン５酢酸、またはヒドロキシエチルイミノ２酢酸から選ばれた１種類以上である」もの及び「ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリイタコン酸、ポリマレイン酸、マレイン酸と各種ビニル基を有する化合物との共重合体、ポリスチレンスルホン酸、ポリリン酸、コンドロイチン硫酸、デキストラン硫酸、ケラタン硫酸、またはヘパリン硫酸から選ばれた１種以上の高分子化合物のイオン」に限定したものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　訂正事項ｂは、独立請求項の訂正に伴い、独立請求の記載と重複することとなった実施態様項を削除するものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　訂正事項ｃは、特許請求の範囲の減縮に伴って、発明の詳細な説明の「発明が解決するための手段」の項の記載を、これと整合するように訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　そして、上記訂正事項ａは、実施態様項にそれぞれ記載された事項の範囲内のものであるから、特許明細書に記載された事項の範囲内のものである。
　そして、これらの訂正によって、発明の目的が変更されるものでもないから、前記訂正事項は、いずれも、実質上特許請求の範囲を拡張するものでもなく、また、変更するものでもない。
　
（３）以上のとおりであるから、上記訂正請求は、平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１３４条第２項及び同条第５項で準用する同法第１２６条第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
９．無効理由に対する判断
　無効審判の請求の理由ついて判断する。
（１）本件特許発明は、上記訂正請求によって訂正された明細書の特許請求の範囲に記載されたとおりのものであって、上記７で認定したとおりのものである。
　
（２）請求人の提示した甲各号証には、以下の事項が記載されている。
　甲第１号証には、「本発明により、上記の型の、特にシリコン、の半導体表面は、究極的な粒子径が４〜２００ミリミクロン、好ましくは４〜１００ミリミクロン、のコロイド状のシリカゾルまたはシリカゲルと水溶性アミンの組合せを研磨材として使用することにより、効率的に研磨できることが分かった。シリカゾルまたはゲル中に存在するシリカに対するアミンの量は、ゾルまたはゲルのＳｉＯ２含有量に対して０．１〜５％でよい。アミンの好ましい量は、１．０〜５％、最も好ましくは２．０〜４．０％である。アミンは、２〜８個の炭素原子を含むべきであり、脂肪族系であるのが好ましい。２〜８個の炭素原子を含み、好ましくは脂肪族系であるジアミンも優れた研磨結果を与える。最も好ましくは、１個の第１級アミノ基を含むか、または数個のアミノ基を含むアミンを使用すべきである。好ましいアミンは、少なくとも１個のヒドロキシアルキル基および１個の第１級アミノ基を含む。」（翻訳文第１頁１５行目−第２頁２行目）、「試験溶液は、上記の比重に調節し、ｐＨは、十分に攪拌しながら２０％ＮａＯＨで１１．０±０．２に増加させた。」（同第５頁下から３−２行目）及び「シリコンウェハーおよび同様の材料を研磨する改良された方法であって、水性コロイド状のシリカゾルまたはシリカゲルを、ゾルのＳｉＯ２含有量に対して、０．１〜５重量％の水溶性アミンと組み合わせて含んでなる研磨材で前記材料を研磨することを特徴とする方法。」（同第１２頁２−５行目）と記載され、試験に使用したアミンを説明する表Ｉに、ＥＤＡ（エチレンジアミン）、ペンタヒドロキシプロピル、ジエチレントリアミン等が掲載されていることから、甲第１号証には、「水、粒子径が４〜１００ミリミクロン、のコロイド状のシリカゲル及びエチレンジアミン、ペンタヒドロキシプロピル、ジエチレントリアミンのような水溶性アミンを含有し、かつＮａＯＨによってｐＨ１１に調整されてなるウエハー用研磨剤組成物」の発明が記載されていると認める。
　甲第２号証には、「本発明により、水溶性セルロース誘導体で十分に増粘し、シリカの沈降を阻止したシリカスラリーは、その製造から１２週間経過した後でも、シリコンやゲルマニウムの表面に引掻き傷を付けず、従って、この貯蔵安定性の問題を解決できることが確認された」（翻訳文第２頁６−９行目）、「研磨材は、好ましくは細かく分割し、粒子径が３０ミクロン未満、平均粒子径が１ミクロン未満、好ましくは１００ｍμ未満である。」（同第３頁４−６行目）、「本発明の研磨スラリーは、より優れた品質の平らな表面が製造されるので、ｐＨが少なくとも約７であり、好ましくは少なくとも約１０であることも、不可欠ではないが、好ましい。」（同第３頁１６−１８行目）、「特定のアルカリ度を達成するためのアルカリ性化合物・・・・・アルカリ性化合物としては、約７を越えるｐＨを確保するに十分なアルカリ性化合物のすべてを使用できる。アルカリおよびアルカリ土類金属の酸化物および水酸化物が市販されており、安価であり、好ましい。これらの化合物には、上に挙げた化合物に加えて、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化マグネシウム、水酸化マグネシウム、および水酸化ストロンチウムがある。他の強金属水酸化物、例えば水酸化アルミニウム、も使用できる。アルカリおよびアルカリ土類金属の強アルカリ性塩も使用でき、炭酸塩、メタホウ酸塩、四ホウ酸塩、三リン酸塩、ピロリン酸塩およびトリポリリン酸塩、例えば、上に挙げたものに加えて、メタホウ酸ナトリウム、オルトリン酸三ナトリウム、トリポリリン酸五ナトリウム、ピロリン酸四ナトリウム、メタリン酸カリウム、四ホウ酸ナトリウム五水和物、四ホウ酸ナトリウム十水和物、五ホウ酸ナトリウム、オルトリン酸バリウムおよびオルトリン酸リチウムがある。」（同第３頁２８−２２行目）及び「適当な水溶性セルロース誘導体としては、メチルセルロース、メチルエチルセルロース、メチルヒドロキシプロピルセルロース、メチルヒドロキシエチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロース、セルロースエーテルカルボン酸の水溶性塩、例えばナトリウムカルボキシメチルセルロース、シアノエチルセルロース、スルホエチルセルロース、およびセルロース硫酸エステルのナトリウム塩がある。（同第４頁２５行目−第５頁２行目）と記載されていることから、甲第２号証には、「水中にスラリー化したシリカおよび水溶性セルロース誘導体を含有し、かつアルカリ性化合物であるピロリン酸塩またはトリポリリン酸塩によってｐＨ１０に調整されてなるウエハー用研磨剤組成物」の発明が記載されていると認める。
　甲第３号証には、「半導体素子の化学表面処理、および化学エッチング、又は電解エッチング等の処理過程において、金属イオンの錯化剤を溶解し、かつ溶液のｐＨを調節した処理液を用いて、上記の処理を停止又は半導体素子の洗浄を行なうことを特徴とする半導体素子の化学的処理方法。」（特許請求の範囲）、「半導体素子は、合金法、合金拡散法、その他の方法によって製造されるがいずれの方法においても、製造直後における半導体素子の逆方向電流値、および逆耐圧などの逆方向特性は、熱処理時に発生するＰＮ接合部の有歪層や、導電型決定不純物として用いた金属元素によるＰＮ接合を短絡する表面層などのために、著しく低下して実用に供し得ない。」（第１頁右下欄１−８行目）、「本発明は、半導体素子の劣化の原因となっているこれらの導電性イオンを効果的に除去する方法を提供するものである。すなわち、溶液中の金属イオンおよび露出したＰＮ接合周辺部に付着している金属イオンを、金属錯化剤を用いることによって、水溶性の金属配位化合物（金属錯塩）を形成せしめ、しかる後に、これを水洗除去する方法である。ここに金属錯化剤とは次のようなものをさす。すなわち、金属イオンに配位結合する能力を持った電子供与体を配位子と呼称し、一つの配位子に一つの電子供与基（例えばＮＨ３）を持ったものを一坐配位子といい狭義の錯化剤と呼ぶ。これと金属イオンとが結合したものが狭義の金属錯塩である。一つの配位子に２個以上の電子供与基を持つものを前者と区別して特にキレート試薬と称し、これと金属イオンとが結合したものを金属キレート化合物と呼ぶ。この両者を含め、このような錯化剤を広義の錯化剤と呼んでいる。」（第２頁左上欄１−１９行目）、「この錯化剤としては、一坐配位子のものとしては、例えばチオ尿素，トリエタノールアミン，シアン化カリウム，二坐配位子以上のものとしてはエチレンジアミン４酢酸，ニトリロ３酢酸などがあり、その数は多い。さて、金属錯塩の安定度は、溶液のｐＨに依存するから、錯化剤を効果的に活用するには、溶液のｐＨを調節しなければならない。」（第２頁右上欄２−９行目）及び「ＰＮ接合の容量値、および逆方向電流値の修正、改善を行なうために、ＨＮＯ３−ＨＦ−Ｈ３ＰＯ４系、又はＨ２Ｏ２−ＨＦ−ＣＨ３ＣＯＯＨ系の混酸にて化学エッチングを行なう。このとき、別に、ＨＮＯ３−ＨＦ−Ｈ２ＰＯ４、又はＨ２Ｏ２−ＨＦ−Ｈ３ＰＯ４を含む液のｐＨを１に調節した後、それにジエチレントリアミン５酢酸のＮａ塩を０．０５Ｍ程度になるように溶かした溶液を６ｌ程度準備した。この溶液を用いて前記のエッチング反応を停止させると同時に引き続きこの溶液で半導体素子を洗浄し、」（第２頁左下欄８−１７行目）と記載されていることから、甲第３号証には、「ｐＨを１に調整した後に、ジエチレントリアミン５酢酸のＮａ塩を０．０５Ｍ程度になるように溶かした、半導体素子の洗浄のための処理液。」の発明が記載されていると認める。
　甲第４号証には、「３・１・２　キレート環の数」の項の表３．２（第１２０頁）に、「キレート試薬としてもちいられるポリアミン類」として、エチレンジアミン、ジエチレンジアミン及びトリエチレンテトラミンが、「６・１　水溶性キレート化合物」の項の表６・１（第２２２頁）に、「主なコンプレクサン」として、イミノジ酢酸、ニトリロトリ酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸及びジエチレントリアミンペンタ酢酸が挙げられ、「以上述べてきた配位子はすべて有機化合物であるが、無機化合物の中にも優れたキレート生成能をもつ化合物があり、sequestering　agentとして広く実用化されている。例えばピロりん酸（１）やトリりん酸（２）イオンは、その構造から明らかなようにＯをドナー原子とするキレート試薬で、２価以上の金属イオンに配位すると、たとえば３の構造のキレート環を生成し、しかも電荷が残っているので、これらのキレート化合物は水によくとける。さらに重合度の高いガラス状の縮合リン酸（４）も同様の性質をもっており、これらの縮合リン酸類はキレート試薬として工業的にも広く用いられている。」（第２２３頁１０行目−第２２４頁１行目）と記載されている。
　甲第５号証には、「配位子の種類によっては、水にも有機溶媒にも溶けないキレート化合物を生成することがある。これらのキレートは組成の一定した沈殿になることもあり、また合成条件によって、組成のまちまちな無定形の沈殿を与える場合もある。前者はジチオオギザミドキレート（４）のように、多官能性の配位子が規則正しく鎖状に配位結合を結んで多核キレートを生成する場合で、分析化学における沈殿試薬として用いられている。ジチオオギザミド（ルベアン酸）（５）のほか８，８´−ジオキシ−５，５´−ピキノリル（６）なども同じ目的に用いられる。これに対してアリザリン（７）のような多座配位子は多くの金属イオンと不溶性の高分子キレートを生成するが、キレート生成の溶液条件、試薬の添加順序などによって種々の組成の多核キレートを生成する。これらのキレートは無定形でどんな溶媒にもとけないので、その構造を調べる方法もないが、例えばアルミニウムとカルシウムの混合キレートはトルコレッドと呼ばれる美しい赤色の沈殿となり、しかも堅ろう度も高いので優れた顔料として知られており、８の構造が与えられているが、これは配位子と金属の結合子から予想された推定構造にすぎない。また、このような多核キレートを媒染法によって繊維上に生成、染着させることもできる。」（第２６０頁１３行目−第２６１頁３行目）、「１）キレート生成によって電子状態が変化し、色素自身の色をより好ましい色調に変える。　２）キレート化した金属イオンの空いた配位座によって繊維分子中の配位基（ＯＨ，ＮＨ２など）と配位し、染料の繊維への結合力を強める。例えばセルロース分子への結合を模式的に示せば図７・４のごとくである。」（第２６２頁１５−１９行目）及び「多核錯体を発展させて、高分子のキレート化合物を合成しようという試みはすでに２０年前から始められ、種々の形式の高分子キレートが合成されてきた。当初の研究の目的は主として耐熱性高分子化合物の合成にあったのであるが、今までに得られた結果はあまりかんばしくない。というのは母体の低分子キレートより、相当する高分子キレートの方が熱安定性が劣る場合が多いからである。ただ最近になって高分子キレートの中に電導度の高い物質が見出され、有機半導体の一種として注目されるようになり、世界各国で半導性の高分子キレートの合成に関する研究が発表されつつある。」（第２６４頁下から２行目−第２６５頁６行目）と記載され、図７・４には、金属イオンとセルロースとの結合の態様が示されている。
　甲第６号証には、「トリポリりんさんえん」の項に、三メタリン酸塩と区別するために三リン酸塩に対してつけられた名称．正しい名称ではない。」と記載されている。
　甲第７号証には、「本発明は金属イオンを含んでいない非晶質の二酸化シリコンの製造方法に係り、この非晶質の二酸化シリコンは懸濁水溶液にされて半導体表面の機械的研磨に用いられるのに適している。」（第１頁左下欄１３−１６行目）、「更に、単位時間当りの研磨を最大にするために、水酸化ナトリウムの如きアルカリを用いて又はアミンを用いて研磨剤のｐＨ値を９乃至１２の範囲内に固定し、又はアルカリ金属の過酸化物或いはアルカリ土類金属の過酸化物又は有機の酸化化合物の如き酸化化合物を研磨剤に加えることが知られている。」（第２頁左上欄３−９行目）及び「しかしながら、二酸化シリコンを含む研磨剤は、研磨のための懸濁液中にＮａｙ（ＳｉＯｘ）化合物が存在することによりナトリウム・イオンを含むという欠点を有している。研磨されたシリコン表面に付着した少量のナトリウム・イオンは次に行なわれる高温処理中に基板に拡散する。集積回路は高い集積密度を有しているため、これらの少量の金属イオンでも大きい漏洩電流を生ぜしめて高密度の集積回路を動作不能にする。」（第２頁右上欄７−１５行目）と記載されている。
　甲第８号証には、「しかしながら、少量の銅が研磨されたシリコン基板上に残る。シリコン中の銅原子はシリコンの導電度に影響し、且つこのシリコン基板により製造された半導体装置の動作を妨害するので、基板上に残された銅の除去が要求される。」（第１頁右下欄１０−１４行目）、「本発明によれば、研磨されたシリコン・ウエハは再生可能な第２銅錯体を含む洗浄溶液により洗浄される。洗浄溶液は、水中でアンモニアと錯化され得る任意の第２銅塩を溶解することによりまず第２銅イオンを溶液中に入れることにより製造される。このような第２銅塩は、ＣｕＳＯ４、Ｃｕ（ＮＯ３）２、ＣｕＣｌ２及びＣｕ（ＯＨ）２を含む。水溶液中の第２銅イオンの安定度は溶液中に含まれる他の物質に依存する。アンモニアの如き原子の配位群（しばしば配位子と呼ばれる）が裸の銅イオンとは異なる化学的性質を示す第２銅−アミン錯体（テトラアムミン第２銅イオン）を形成するように第２銅イオンを囲む場合、左側への平衡状態の移動が生ずる。具体的には、形成される錯体は例えば下記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の如く、最初に用いた銅塩の陽イオンを有する水溶性テトラアムミン第２銅錯体である。
（ａ）　Ｃｕ（ＮＯ３）２＋４ＮＨ３→
　　　　　　　　　〔Ｃｕ（ＮＨ３）４（ＮＯ３）２　
（ｂ）　ＣｕＣｌ２＋４ＮＨ３→〔Ｃｕ（ＮＨ３）４〕（ＮＯ３）２　
（ｃ）　ＣｕＳＯ４＋４ＮＨ３→〔Ｃｕ（ＮＨ３）４〕ＳＯ４　
　配位子が第２銅イオンを含む溶液内に導かれると第２銅の錯体が形成される。平衡定数Ｋの値を１より小さくさせるアンモニアの如き配位子が用いられる場合、第２銅の錯体は、シリコン・ウエハ上で金属銅と反応し第１銅の錯体を形成する。これら第１銅の錯体は水中で溶解されるので、溶液中に容易に溶け、そしてウエハ上のこの様に第１銅を含む溶液は洗浄により除去される。この様にして金属銅は溶液中に混入され、次いで除去される。下記（ｄ）、（ｅ）は本処理方法を示していると考えられる。」（第２頁左上欄１９行目−左下欄１１行目）及び「洗浄溶液における第２銅の錯体の源はこの溶液に気泡を送り込むことにより再生されることができる。気泡内の酸素は下記（ｆ）の如く第１銅の錯体を第２銅の錯体に酸化する。」（第２頁左下欄１６−１９行目）と記載されている。
　甲第９号証には、「この発明は半導体ウエーハのコンディショニング、更に具体的に言えば、研磨後にきれいにする為に半導体の表面を処理することに関する。」（第１頁左下欄１３−１５行目）、「ウエーハの研磨並びに清浄化は、装置を製造する為にウエーハを用意する際の最後のプロセスであるのが普通である。研磨した後のウエーハの表面の性質は、主に使用した特定の研磨方法、例えば研磨用スラリの性質、研磨温度、研磨パッドの圧力、研磨中のウエーハの支持の仕方等によって決まる。普通、研磨工程が完了した時には、スラリ並びに研磨反応生成物が研磨されたウエーハの表面上に種々の程度に沈積して残っている。その結果、研磨済のウエーハは、装置の製造に使う前に、大がかりな清浄化を必要とする。」（第１頁右下欄５−１６行目）、「従来はこう云う清浄化作業で適切であったが、集積回路の密度を高める必要から、こう云う作業では不十分になった。」（第２頁左上欄３−５行目）、「具体的にいうと、ウエーハに親水性の表面を作ることにより、研磨用スラリ粒子及び重金属イオンを除去することが出来る。分析によると酸化物の結合の性質を変更することによって、こう云う事が達成される。この変更は次の通りであると思われる。」（第２頁右上欄１８行目−左下欄３行目）及び「酸化作業に続いて、希釈ＮＨ４ＯＨへの浸漬、水の洗滌及び回転乾燥により、シリコンの表面を処理する。水酸化アンモニウムを使うと、研磨作業又は酸化を利用した前の清浄化工程の結果、シリコンの表面上に重金属イオンが残っていても、錯イオンを形成することによって、それを除去することが出来る。」（第２頁右下欄９−１５行目）と記載されている。
　審判請求人は、甲第１０号証には、結晶シリコンを研磨する方法及び研磨組成物のｐＨが少なくとも１０であることが必要であると記載されていると主張する。
　甲第１１号証には、「例４　粒度１０〜４０ｍμの石英粉末５０ｋｇを水５００ｌ中に浮遊させ、ｐＨ値が９．５〜１０．５になるまでこの懸濁液に苛性ソーダ溶液を添加する。このようにして製造された懸濁液を例１で記載した装置上で直径６０ｍｍの丸い珪素の円盤の研摩に使用する。添加量は１分当り３０ｃｍ３である。研摩時間５０分後に研摩を中断し、研磨剤懸濁液にイソブタノール４容量％及び１０％のポリビニルアルコール溶液３容量％を添加する。今度は更に７分研磨する。発光装置の光の下での円盤の試験は円盤が曇りがなくなるまで研磨されたことを示す。」（第３頁右上欄１−１３行目）
　甲第１２号証には、「本発明によると、ポリシング用の研磨剤のコロイド粒子（例えば粒径５乃至２００ｍμ）の分散液と、アルカル金属塩基好ましくは炭酸塩と、イソシアヌル酸のハロ誘導体のナトリウム塩及びカリウム塩、具体的には、ハロトリゼントリオン（halo-trizenetriones）、好ましくはジハロイソシアヌル酸（dihaloisocyanuric　acid）のナトリウム塩及びカリウム塩から成る群から選択した酸化剤との混合液から成る新規なポリシング用組成物が提供される。」（第２頁右上欄１６行目−左下欄５行目）と記載されている。
　
（３）本件特許発明は、（ａ）「水溶性のエチレンジアミン４酢酸、ニトリロ３酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン３酢酸、ジエチレントリアミン５酢酸、またはヒドロキシエチルイミノ２酢酸から選ばれた１種類以上である、水溶性キレート剤」を含有するもの、（ｂ）「ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリイタコン酸、ポリマレイン酸、マレイン酸と各種ビニル基を有する化合物との共重合体、ポリスチレンスルホン酸、ポリリン酸、コンドロイチン硫酸、デキストラン硫酸、ケラタン硫酸、またはヘパリン硫酸から選ばれた１種以上の高分子化合物の分子量５０００以上の高分子イオン」を含有するもの、及び（ｃ）（ａ）及び（ｂ）を含むもの、の３つのものが包含されている。
　そして、本件特許発明は、（ａ）又は（ｂ）のいずれかを含むものの新規性又は進歩性が否定されれば、（ｃ）を含むものの新規性又は進歩性の有無に拘わらず、本件特許発明の新規性又は進歩性が否定されることとなり、また、（ａ）及び（ｂ）のそれぞれを含むものがともに、新規性又は進歩性があるとされれば、（ｃ）を含むものも当然に新規性又は進歩性があることとなる。
　そこで、（ａ）を含むもの、（ｂ）を含むものについて、それぞれ、新規性、進歩性について検討する。
　
（４）本件特許発明の内（ａ）を含むものについて、甲第１号証に記載された発明と対比すると、後者の「水溶性アミン」はキレート剤であることから、両者は、「水、粒状アモルファスシリカ及び水溶性キレート剤を含有し、かつアルカリ性化合物によってｐＨ９以上に調整されてなるウエハー用研磨剤組成物」の点で一致し、前者の水溶性キレート剤が「水溶性のエチレンジアミン４酢酸、ニトリロ３酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン３酢酸、ジエチレントリアミン５酢酸、またはヒドロキシエチルイミノ２酢酸から選ばれた１種類以上である」のに対し、後者のキレート剤は、「エチレンジアミン、ペンタヒドロキシプロピル、ジエチレントリアミンのような水溶性アミン」である点で相違する。
　また、本件特許発明の内（ａ）を含むものについて、甲第３号証に記載された発明と対比すると、前者の研磨剤組成物も水を含有していることから処理液ということができるから、両者は、「水及びジエチレントリアミンを含有するウエハー用処理液」の点で一致し、前者が、粒状アモルファスシリカを含有する研磨剤組成物であるのに対し、後者は洗浄のための処理液である点及び前者は、ｐＨ９以上に調整されているのに対し、後者は、使用時におけるｐＨが明らかでない点で相違する。
　そこで上記、それぞれの相違点について検討する。
　甲第１号証に記載された発明は、水溶性アミンを含有するものであるが、甲第１号証には、研摩中の金属の除去については何らの記載もなく、水溶性アミンの機能について、これが研摩中の金属の除去に機能するとの記載も、また、これを示唆する記載もない。甲第１号証には、表１に掲げられた特定の水溶性アミンを用いた効果としては、効率的に研磨できるという効果を上げているにすぎない。そうすると、甲第１号証に記載された発明は、水溶性キレート剤の機能を有するものとして、水溶性アミンを採用したものとは認められないから、水溶性アミンを他のキレート剤に置き換えることが容易であるとすることはできない。また、ウエハー研摩中に、ウエハー表面に金属が付着、残留することを防止する必要があることが周知であり、また、本件特許発明で特定された水溶性キレート剤が、キレート剤の代表的なものとして甲第４号証に記載されているとしても、甲第４号証には、半導体ウエハーの研摩の際の金属の除去について何らの記載もないから、甲第１号証に記載された発明の研磨剤に、甲第４号証に挙げられた水溶性キレート剤の中から、本件特許発明で特定された水溶性キレート剤を選択して添加することが容易であるとすることはできない。
　甲第１号証に記載された発明に、甲第３号証に記載された発明のキレート剤を溶解させると、本件特許発明の内、（ａ）を含むものとなるが、甲第３号証に記載された発明は、溶液を酸性に調整して用いるものであり、一方、甲第１号証に記載された発明の研磨剤はアルカリ性に調整して用いられるものであるから、甲第７号証〜甲第９号証に、いわゆるオートドーピングの問題について記載されているとしても、甲第１号証に記載された発明に、甲第３号証に記載された発明のキレート剤を溶解して用いることが容易であるとすることはできない。また、同様に、甲第１０号証〜甲第１２号証に記載されたアルカリ性の研磨剤に甲第３号証に記載された発明のキレート剤を溶解して用いることが容易であるとすることはできない。
　なお、審判請求人は、甲第３号証には、「ｐＨは目的に応じて適宜調整されるべきであること」が記載されている旨主張するが（平成１４年６月１４日付け審判事件弁駁書第９頁８−９行目）、甲第３号証には、錯化剤を効果的に活用するために溶液のｐＨを調節をすることは記載されているが（第２頁右上欄７−９行目参照）、目的に応じてｐＨを調節することについては記載がない。
　
（５）本件特許発明の内（ｂ）を含むものについて、甲第２号証に記載された発明と対比すると、後者の「水溶性セルロース誘導体」は分子量５０００以上の高分子化合物であることから、両者は、「水、粒状アモルファスシリカ及び分子量５０００以上の高分子イオンを含有し、かつアルカリ性化合物によってｐＨ９以上に調整されてなるウエハー用研磨剤組成物」の点で一致し、前者の高分子化合物のイオンが、「ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリイタコン酸、ポリマレイン酸、マレイン酸と各種ビニル基を有する化合物との共重合体、ポリスチレンスルホン酸、ポリリン酸、コンドロイチン硫酸、デキストラン硫酸、ケラタン硫酸、またはヘパリン硫酸から選ばれた１種以上の高分子化合物の分子量５０００以上の高分子イオン」である点で相違する。
　そこで上記、相違点について検討する。
　甲第２号証に記載された発明は、水溶性セルロース誘導体を含有するものであるが、甲第２号証には、研摩中の金属の除去については何らの記載もなく、水溶性セルロース誘導体の機能について、これが研摩中の金属の除去に機能するとの記載も、また、これを示唆する記載もない。甲第２号証に記載された発明においては、水溶性セルロース誘導体は、研磨剤を十分に増粘し、シリカの沈降を阻止するものとして機能するにすぎない。そうすると、甲第２号証に記載された発明は、高分子キレート剤として、水溶性セルロース誘導体をを採用したものとは認められないから、ウエハー研摩中に、ウエハー表面に金属が付着、残留することを防止する必要があることが周知であり、また、高分子キレートが、甲第５号証に記載されているとしても、甲第２号証に記載された発明の、水溶性セルロース誘導体を、本件特許発明で特定された高分子化合物の内の一つと置き換えることが容易であるとすることはできない。
　甲第１号証、甲第３号証、甲第４号証及び甲第６号証〜甲第１２号証にも、前記認定を覆すに足る事実は記載されていない。
　
（６）そして、本件特許発明は、願書に添付された図面の第１図に示されるように、甲第１号証に記載された発明のごとくエチレンジアミンを含有させたものと比べ格別の効果を奏するものである。
　以上のとおりであるから、本件特許発明は、甲第１号証又は甲第２号証に記載された発明であるとも、甲第１号証〜甲第１２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
　
１０．結論
　したがって、本件特許は、無効審判請求における審判請求人が主張する理由及び証拠によっては、無効とすることができない。
　よって結論の通り審決する。
　審判費用については、特許法第１６９条第２項で準用する民事訴訟法第６１条を適用して、結論のとおり審決する。