【事件の表示】
　平成　９年特許願第３４８５１５号「相変化型光記録媒体」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　６月２２日出願公開、特開平１１−１６７７４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成９年１２月３日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１５年３月２４日付け手続補正で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものと認める。
　【請求項１】「基板上に第１の誘電体層、記録層、第２の誘電体層、反射放熱層をその順に積層してなる相変化型記録媒体において、記録層の構成元素がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅであって、ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδの各組成比α、β、γ、δ（原子％）が、
　　　　　　　１≦α＜１０　
　　　　　　　１＜β≦２０　
　　　　　　３５≦γ≦７０　
　　　　　　２０≦δ≦３５　
　　　　　α＋β＋γ＋δ＝１００　
であり、記録後の反射率が１７％以上であり、且つ規格化プッシュプル比０．９２以下及びプッシュプル振幅０．０８５以上の少なくとも一方を満足させるとともに、トップホールドプッシュプル電圧を６００ｍＶ以上としたことを特徴とする相変化型光記録媒体。」
　
ＩＩ．引用例
　これに対し、原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前の刊行物である、特開平８−２１２５５０号公報（以下、「引用例１」という。）、及び特開平９−２６３０５５号公報（以下、「引用例２」という。）には、次のように記載されている。
　引用例１には、
　（1-i）「【請求項１】　トラック溝特性の記録後のプッシュプル値が０．０８〜０．１６の範囲内となるように設定したことを特徴とする相変化型光記録媒体。
　【請求項２】　トラック溝特性の記録前後のプッシュプル比が０．６〜１．２の範囲内となるように設定したことを特徴とする相変化型光記録媒体。
　・・・（中略）・・・　
　【請求項６】　トラック溝特性について、記録後のプッシュプル値が０．０８〜０．１６の範囲内となり、記録前後のプッシュプル比が０．６〜１．２の範囲内となり、記録前のラジアルコントラスト値が０．１以上となり、記録後のラジアルコントラスト値が０．２以上となり、記録前後のラジアルコントラスト比が０．３以上となるように設定したことを特徴とする相変化型光記録媒体。
　・・・中略・・・
　【請求項８】　基板上に形成される記録層の主成分材料に、少なくとも、Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを含むことを特徴とする請求項６記載の相変化型光記録媒体。
　・・・中略・・・
　【請求項１０】　媒体自身の反射率が３５％以下であることを特徴とする請求項６記載の相変化型光記録媒体。」（請求項１，２，６，８，１０参照）、
　（1-ii）「【０００１】【産業上の利用分野】　本発明は、光メモリ関連機器等の分野で利用されるものであって、光情報記録媒体に光ビームを集光照射させることにより記録層材料に相変化を生じさせて、情報の記録又は再生を行い、かつ、書換えが可能な相変化型光記録媒体及び光情報記録再生装置に関する。」（段落【０００１】参照）こと、
　（1-iii）「【００１８】【作用】本発明においては、トラック溝特性について、　１記録後のプッシュプル値が０．０８〜０．１６の範囲内　　２記録前後のプッシュプル比が０．６〜１．２の範囲内　　３記録前のラジアルコントラスト値が０．１以上　　４記録後のラジアルコントラスト値が０．２以上　　５記録前後のラジアルコントラスト比が０．３以上　の何れか一つ又は全てを満たすように設定することにより、トラッキングが安定したものとなり、トラック外れが生じにくくなるので、記録／再生時のエラーを減少させることができる。　【００１９】特に、請求項６記載の発明においては、これらの条件を全て満足するようにトラック溝特性を設定しているので、トラッキングがより安定したものとなる。また、請求項７記載の発明においては、トラック溝の深さを５０〜６０ｎｍ、溝幅を０．３〜０．６μｍとして請求項６記載の発明の条件を設定しているので、スタンパが作成しやすく、製造が容易な上に、トラッキングがより安定したものとなる。さらに、請求項８，９，１０記載の発明においては、基板上に形成される記録層の主成分材料に、少なくとも、Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを含むこととし、或いは、基板材料の屈折率を１．５〜１．６２とし、又は、媒体自身の反射率を３５％以下として、請求項６記載の発明の条件を設定しているので、記録前後でも、トラッキングがより安定したものとなる。」（段落【００１８】，【００１９】参照）こと、
　（1-iv）「【００２１】【実施例】　本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。まず、本実施例で用いられる相変化型光記録媒体１は、図３に示すように、基板２上に下部保護層３、記録層４、上部保護層５、放熱層６及びＵＶ保護層７を順に積層形成した構造とされている。　ここに、基板２はポリカーボネート樹脂により形成されている。この基板２の形状（従って、相変化型光記録媒体１の形状）は、例えば、円盤ディスク状とされているが、カード状或いはシート状であってもよい。上下の保護層３，５は、例えば、ＺｎＳやＳｉＯ2やＳｉＮx等により形成されている。記録層４はレーザビーム等の電磁波の照射時に光学定数の変化を生ずるものであり、好ましくは相変化型材料、特に好ましくはその層構成元素として、Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ及びＴｅを含むものがよい。よって、この記録層４は、例えば、ＡｇＩｎＳｂＴｅやＧｅＳｂＴｅ等により形成されている。放熱層６は、例えば、ＡｌやＡｌ合金やＡｕやＡｇ等により形成されている。この放熱層６は必ずしも必要ではないが、過剰な熱を放熱層６によって放熱することでディスク（基板２）側への熱負担を軽減するためには設けたほうがよい。ＵＶ保護層７は、ＵＶ硬化型樹脂により形成されている。」（段落【００２１】参照）こと、
　（1-v）「【００２２】　本実施例で用い得る相変化型光記録媒体１は、このような構造、材料に限定されるものではないが、上記構造ないしは材料によれば、記録／再生及びオーバライト特性が良好となるので、好ましい。　　【００２３】　このような相変化型光記録媒体１には、図２に示すようなトラック溝８が予めプリグルーブとして形成されている。ここに、このようなトラック溝８の溝特性に関して、本実施例では、以下のように設定されている。　　【００２４】　第１に、記録後のプッシュプル値は図１中の範囲Ａに示すように、０．０８〜０．１６の範囲内となるように規格が設定されている。図１中の範囲Ｂは従来のＣＤ規格（０．０４〜０．０９）を示す。なお、プッシュプル振幅をＩ１-Ｉ２とし、１１Ｔについての振幅トップレベルをＩtopとしたとき、記録後のプッシュプル値は、ＰＰＡ（記録後）＝（Ｉ１-Ｉ２）／Ｉtop （０．１μｍオフセット時）として算出したものである。」（段落【００２２】〜【００２４】参照）こと、
　（1-vi）「【００２５】　ここに、図１は、記録後のプッシュプル値の溝幅及び溝深さの依存性を示すものである。図１によれば、従来のＣＤ規格による場合には、溝深さが４０ｎｍで、溝幅が０．２５〜０．４μｍの範囲内となるように幅狭いトラック溝として形成しなければらず、これに適合するスタンパは非常に作成しにくい。また、プッシュプル値が小さいので、プッシュプル方式のトラッキングサーボを用いる光情報記録再生装置では、トラッキングが外れやすい。これに対して、本実施例のプッシュプル値の規格による場合、トラック溝８の溝深さが５０〜６０ｎｍ、溝幅が０．３〜０．５５μｍの範囲内であればよく、これに適合するスタンパは十分作成可能である。また、このような規格の範囲内で作成した相変化型光記録媒体１であれば、波長λ＝７８０ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡ＝０．４７による評価において、従来のプッシュプル値より大きいことから、トラッキングが安定し、トラック外れを生じにくい。よって、プッシュプル方式のトラッキング制御を行う光情報記録再生装置に用いた場合、記録／再生におけるエラーが減少する。」（段落【００２５】参照）ことが記載されている。
　
　引用例２には、
　（2-i）「【請求項１】　記録を担う物質の相変化により記録消去を行う光記録媒体の記録層の構成元素が主にＡｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｓｂであり、それぞれの組成比α、β、γ、δ（原子％）が　１≦α＜６　　７≦β≦２０　　２０≦γ≦３５　　３５≦δ≦７０　　α＋β＋γ＋δ＝１００　であることを特徴とする光記録媒体。
　【請求項２】　基板上に第１の誘電体層、記録層、第２の誘電体層、金属または合金層の順に積層してなる光記録媒体において、記録層が請求項１記載の組成範囲をもつ相変化型記録材料からなることを特徴とする光記録媒体。
　・・・（中略）・・・
　【請求項５】　円盤状の基板上に第１の誘電体層、記録層、第２の誘電体層、金属または合金層の順に積層してなる光記録媒体において、第１の誘電体層の膜厚が５００〜２５００Å、記録層の膜厚が１００〜１０００Å、第２の誘電体層の膜厚が１００〜１５００Å、金属または合金層の膜厚が３００〜２０００Åであることを特徴とする請求項２記載の光記録媒体。」（請求項１，２，５参照）、
　（2-ii）「【００１９】【発明の実施の形態】　以下、本発明をさらに詳細に説明する。　Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｓｂを含む４元系の相変化型記録材料を主成分として含有する材料は、記録（アモルファス化）感度・速度、消去（結晶化）感度・速度、及び消去比が極めて良好なため、記録層の材料として適している。　良好なディスク特性が得られる記録層組成は前記（１）のとおりであるが、最も良好な記録消去特性を得るには、さらに前記（４）に示した要件を満足している方が良い。」（段落【００１９】参照）こと、
　（2-iii）「【００２８】　次に本発明を添付図面に基づき説明する。図１は本発明の構成例を示すものである。基板１上に第１の誘電体層（耐熱性保護層）２、記録層３、第２の誘電体層（耐熱性保護層）４、反射放熱層５が設けられている。耐熱性保護層２、４はかならずしも記録層３の両側共に設ける必要はないが、基板１がポリカーボネート樹脂のように耐熱性が低い材料の場合には耐熱性保護層２を設けることが望ましい。」（段落【００２８】参照）こと、
　（2-iv）「【００３６】実施例１〜８、比較例１〜１０
　表１にカルコパイライト構造及び／又は閃亜鉛鉱型構造を有する化学量論組成及び／又はそれに近い組成のＡｇＩｎＴｅ2が存在するスパッタリングターゲットの組成、及びそれらを用いた場合のディスク特性、オーバーライト繰り返し可能回数（Ｏ／Ｗ回数）を示す。幅０．５μｍ、深さ６００Åでトラックピッチ１．６μｍのグルーブが形成されているポリカーボネートディスク基板（厚さ１．２ｍｍ）にＺｎＯ・ＳｉＯ2からなる第１の誘電体層（厚さ２０００Å）、記録層（厚さ２５０Å）、ＺｎＳ・ＳｉＯ2からなる第２の誘電体層（厚さ３００Å）、アルミニウム基合金（Ａｌ-Ｓｉ（Ｓｉ１．０重量％を含む））からなる反射放熱層（厚さ１０００Å）、ＵＶ樹脂コート層（環境保護層、厚さ１０μｍ）を設けてディスクを作成した。なお、記録層のスパッタリング方法は背圧を９×１０-7ｔｏｒｒで、アルゴンガスを入れ、４×１０-3ｔｏｒｒにしてＲＦｐｏｗｅｒ４０ワットで行なった。　【００３７】　ディスクの回転線速度は１．２〜５．６ｍ／ｓの範囲内で各々のディスクに最適な線速で測定（記録再生）し、信号変調方式はＥＦＭ変調方式を用い、レーザー記録時には照射するレーザーパルスをマルチパルス化して記録した。半導体レーザーの波長は７８０ｎｍ、対物レンズのＮＡは０．５である。ディスク特性の欄の評価値は、レベル３が最も良好な特性（Ｃ／Ｎ≧５５ｄＢ、消去比（Ｅｒｓ）≦−３５ｄＢ）を示すターゲット組成とそれを用いて作製した記録層組成であることを表し、レベル２は良好な特性（５５＞Ｃ／Ｎ≧４５ｄＢ、−３５＜消去比（Ｅｒｓ）≦−２５ｄＢ）を示すターゲットとそれを用いて作製した記録層組成であることを表し、レベル１は良好な特性を有するディスクが得られなかった（上記以外のもの）ターゲットとそれを用いて作製した記録層組成であることを示す。　　【００３８】　その結果、Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｓｂそれぞれの組成比α、β、γ、δ（原子％）がスパッタリングターダットでは、０．５≦α＜８、５≦β≦２３、１７≦γ≦３８、３２≦δ≦７３であるとき、そして記録層組成としては１≦α＜６、７≦β≦２０、２０≦γ≦３５、３５≦δ≦７０であるとき、良好なディスク性が得られていることがわかる。　・・・（後略）。」（段落【００３６】〜【００３８】参照）こと、
　（2-v）「【００５０】【発明の効果】　本発明によりＣ／Ｎ、消去比、感度、換り返し特性の飛躍・向上を達成できた。　　・・・（後略）。」（段落【００５０】参照）ことが記載されている。
　
ＩＩＩ．対比、判断
　そこで、本願発明と引用例１記載の発明とを対比する。
　引用例１には、上記摘示より、「基板２上に下部保護層３、記録層４、上部保護層５、放熱層６及びＵＶ保護層７を順に積層形成した構造を有する相変化型記録媒体において、該記録層がＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを含むものであって、記録後のプッシュプル値が０．０８〜０．１６の範囲内となり、記録前後のプッシュプル比が０．６〜１．２の範囲内となるように設定したことを特徴とする相変化型光記録媒体。」の発明が記載されていると認められる。
　そして、（イ）引用例１記載の発明の上下の保護層３，５は、例えば、ＺｎＳやＳｉＯ2やＳｉＮx等により形成されている（摘示（1-iv）参照）から、それぞれ本願発明の「第１の誘電体層」と「第２の誘電体層」に相当し、（ロ）引用例１記載の発明の放熱層６は、ＡｌやＡｌ合金やＡｕやＡｇ等により形成されている（摘示（1-iv）参照）から、本願発明の「反射放熱層」に相当する。
　更に、（ハ）引用例１では、プッシュプル値について「記録後のプッシュプル値は図１中の範囲Ａに示すように、０．０８〜０．１６の範囲内となるように規格が設定されている。図１中の範囲Ｂは従来のＣＤ規格（０．０４〜０．０９）を示す。なお、プッシュプル振幅をＩ１-Ｉ２とし、１１Ｔについての振幅トップレベルをＩtopとしたとき、記録後のプッシュプル値は、ＰＰＡ（記録後）＝（Ｉ１-Ｉ２）／Ｉtop （０．１μｍオフセット時）として算出したものである。」（段落【００２４】参照）とされている。　　ところで、本願発明で規定する「プッシュプル振幅０．０８５以上」は、明細書段落【００１０】の説明から、記録後のプッシュプル振幅を意味し、かつ、その無次元の数値で表されていることからみても引用例１記載の発明と同様にで正規化されているものと判断する。　してみると、引用例１記載の発明のプッシュプル値０．０８〜０．１６との規定は、本願発明の「プッシュプル振幅０．０８５以上」との規定に相当し実質的に合致している。
　
　そうであるから、本願発明と引用例１記載の発明は、「基板上に第１の誘電体層、記録層、第２の誘電体層、反射放熱層をその順に積層してなる相変化型記録媒体において、記録層の構成元素がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅであって、プッシュプル振幅０．０８５以上を少なくとも満足させる相変化型光記録媒体。」の点で一致する。
　そして、次の（１）〜（３）の点で相違する。
　（１）記録層の構成元素に関して、本願発明では「ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδの各組成比α、β、γ、δ（原子％）が、１≦α＜１０　１＜β≦２０　３５≦γ≦７０　２０≦δ≦３５　α＋β＋γ＋δ＝１００」であるのに対して、引用例１記載の発明では組成比について言及していない点。
　（２）記録後の反射率に関して、本願発明では「１７％以上であり」としているのに対して、引用例１記載の発明ではそのような反射率の下限について言及していない点。
　（３）本願発明では、「トップホールドプッシュプル電圧を６００ｍＶ以上とした」と規定しているのに対して、引用例１記載の発明ではそのように限定していない点。
　
　そこで、これらの相違する点について検討する。
　（１）の点について検討する。
　ところで、引用例２には、「記録を担う物質の相変化により記録消去を行う光記録媒体の記録層の構成元素が主にＡｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｓｂであり、それぞれの組成比α、β、γ、δ（原子％）が　１≦α＜６　　７≦β≦２０　　２０≦γ≦３５　　３５≦δ≦７０　　α＋β＋γ＋δ＝１００　であることを特徴とする光記録媒体。」（請求項１，摘示（2-i）参照）が記載されていて、この記録層の構成元素と組成比は本願発明で特定する組成並びに組成比と実質的に同一と認められ（なお、このＴｅとＳｂの成分比のγとδは、本願発明のＳｂγＴｅδと逆になっているだけで、単に表記が異なっているにすぎない点に留意。）、かつ、引用例１記載の発明及び本願発明と同じ層構成である「基板上に第１の誘電体層、記録層、第２の誘電体層、金属または合金層の順に積層してなる光記録媒体において、記録層が請求項１記載の組成範囲をもつ相変化型記録材料からなることを特徴とする光記録媒体。」（請求項２，摘示（2-i）参照）との層構成（金属または合金層は、反射放熱層に相当する）を有するものであり、「Ｃ／Ｎ、消去比、感度、換り返し特性の飛躍・向上を達成できた」との作用効果（摘示（2-v），（2-ii）参照）を有していることも明らかにされている。
　そうであるから、そのような作用効果を期待して、引用例１記載の発明のＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅの構成元素の組成比を引用例２記載の発明の如くする程度のことは、当業者が容易に想い到るものであって、格別の創意工夫が必要とは認められない。
　なお、本願明細書には、相違点（１）の如き組成比を採用することによる技術的意義は具体的根拠をもって説明されておらず、もともと単なる希望的な組成比として認識されているにすぎないものというべきである。　ちなみに、本願明細書段落【００２４】には、相違点（１）の如き組成比であるものとしたことから、「トップホールドプッシュプル電圧をより確実に所望の値以上とすることができる。」と記載されているけれども、「より確実に」の根拠が示めされているわけでもなく、その程度も全く不明で、前記示した引用例２の作用効果の域を超えるものとは到底いうことができない。
　
　（２）の点について検討する。
　反射率に関して、引用例１には、「媒体自身の反射率が３５％以下である」（請求項１０など）との記載があるものの、記録後の反射率を１７％以上とすることまでは記載されていない。
　しかしながら、反射率がある程度大きいほど良いことは、反射率に応じて信号が大きくなり、信号処理が容易になることから自明である。　更に、本願明細書段落【０００３】に明示された１９９６年１０月（本願出願前）に発行された「書き換え可能なコンパクディスク（ＣＤ−ＲＷ）の規格として、オレンジブックパートＩＩＩ」には、記録後の反射率を０．１５〜０．２５（即ち１５〜２５％）とする旨規定されている［なお、オレンジブックの当該記載に関して必要であれば、本願出願後の刊行物であるが、トリケップス企画部編「ＣＤ−Ｒ／ＣＤ−ＲＷ技術」２００１年８月６日、株式会社トリケップス発行、第６１〜６３頁のＯＢ−ＩＩＩの規格値からの抜き出した表や、特開平２００２−１５７７７８号公報の段落【０００４】，【０００７】の「ＣＤ−ＲＷの規格付近２３〜２７％の反射率」などを参照］し、例えば特開平６−２６２８５４号公報段落【０００６】〜【０００８】に相変化型記録媒体では現状２０〜３０％程度の反射率しか達成されていない旨の記載などを徴すれば、相変化型記録媒体において記録後の反射率を１７％以上とすることは、当業者が通常採用している程度のことと認められる。
　
　（３）の点について検討する。
　本願発明において、「トップホールドプッシュプル電圧を６００ｍＶ以上とした」ことによって、安定にトラッキングすることが可能とされているけれども、単に本願明細書段落【００１０】に示されている如く「本発明に使用した測定治具においては、６００ｍＶ以上あれば安定にトラッキングすることが可能である。」だけで、使用する測定装置に応じて適宜決められた数値というしかなく、臨界的な数値であるとも解し得ないし、その点に格別の創意工夫があるわけではなく、しかももともと検出電圧が大きいほど安定なトラッキングを行えることは明らかである。
　本願発明ではトラッキングを安定に行うために「トップホールドプッシュプル電圧を６００ｍＶ以上」としその電圧を得るためにプツシュプル値を特定するものと認められるところ、引用例１記載の発明も、「従来のプッシュプル値より大きいことから、トラッキングが安定し、トラック外れが生じにくい」（段落【００２５】参照）のであり、トラッキングを安定に行なうために記録後のプッシュプル値を特定しているのであって、その点で本願発明と軌を一にし、その結果として得られる検出値が大きなものであることは容易に理解できる。
　なお、引用例１には、トップホールドプッシュプル電圧について言及はないけれども、オフセット修正したＴＰＰ（ＴｏｐＨｏｌｄ　Ｐｕｓｈ−Ｐｕｌｌ）トラッキングエラー信号を利用することは知られている（必要であれば、特開平９−２７４７２６号公報参照）のであるから、トップホールドプッシュプル電圧を一指標に用いることに格別の創意工夫があるわけではない。
　よって、（３）の相違点は、当業者が必要に応じて容易に想到できる程度のものというしかない。
　
ＩＶ．むすび
　したがって、本願発明は、周知技術を勘案し引用例１及び引用例２に記載の発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。