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【手続補正書】
【提出日】平成24年9月14日(2012.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特許受託番号 PTA-9495としてATCCに寄託されているK5831 マイコプラズマ・ガリセプティカム（Mycoplasma gallisepticum）株であることを特徴とする、単離されたマイコプラズマ・ガリセプティカム株、またはその本質的に生物学的に純粋な培養物。
【請求項２】
特許受託番号 PTA-9495としてATCCに寄託されているK5831 マイコプラズマ・ガリセプティカム株、またはその子孫もしくは派生物であり、その子孫もしくは派生物が、特許受託番号 PTA-9495としてATCCに寄託されているK5831 マイコプラズマ・ガリセプティカム株と本質的に同一の生物学的および血清学的特性を有することを特徴とする、単離されたマイコプラズマ・ガリセプティカム株。
【請求項３】
特許受託番号 PTA-9495としてATCCに寄託されているK5831 マイコプラズマ・ガリセプティカム株、またはその子孫もしくは派生物の本質的に生物学的に純粋な培養物であって、その子孫もしくは派生物が、特許受託番号 PTA-9495としてATCCに寄託されているK5831 マイコプラズマ・ガリセプティカム株と本質的に同一の生物学的および血清学的特性を有することを特徴とする、上記培養物。
【請求項４】
単離されたマイコプラズマ・ガリセプティカムが凍結乾燥されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか1項に記載の単離されたマイコプラズマ・ガリセプティカム株または培養物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか1項に記載の単離されたマイコプラズマ・ガリセプティカム株または培養物を含有する組成物。
【請求項６】
更に水を含有する、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
更に製薬上許容される担体を含有する、請求項５に記載の組成物。
【請求項８】
粘膜投与、鼻内投与、眼内投与、または経口投与のために製剤化されている、請求項５に記載の組成物。
【請求項９】
噴霧または気体化（aerolizing）のために製剤化されている、請求項５に記載の組成物。
【請求項１０】
請求項１〜４のいずれか1項に記載の単離されたマイコプラズマ・ガリセプティカム株または培養物、または請求項５〜９のいずれか1項に記載の組成物を含有するワクチン。
【請求項１１】
マイコプラズマ・ガリセプティカム株によって引き起こされる疾患に対するキジ目の鳥類の感受性を減少させる、請求項１０に記載のワクチン。
【請求項１２】
マイコプラズマ・ガリセプティカムによって引き起こされる疾患から鳥類を防御するのに十分な量の、特許受託番号 PTA-9495としてATCCに寄託されているK5831 マイコプラズマ・ガリセプティカム株、またはその子孫もしくは派生物、および製薬上許容される担体を含有する、キジ目の鳥類のためのワクチン。
【請求項１３】
防御量が、K5831 マイコプラズマ・ガリセプティカム株が鳥類の上気道に定着する（colonize）ために必要とされる量である、請求項１０〜１２のいずれか1項に記載のワクチン。
【請求項１４】
前記防御量が、鳥1羽あたり約50〜約5×107 ccuである、請求項１０〜１３のいずれか1項に記載のワクチン。
【請求項１５】
マイコプラズマ・ガリセプティカムによって引き起こされる疾患に対するキジ目の鳥類の感受性を減少させる方法であって、特許受託番号 PTA-9495としてATCCに寄託されているK5831 マイコプラズマ・ガリセプティカム株、またはその子孫もしくは派生物を鳥類に投与することを含む、上記方法。
【請求項１６】
マイコプラズマ・ガリセプティカムによって引き起こされる疾患に対するキジ目の鳥類の感受性を減少させる方法であって、請求項１〜４のいずれか1項に記載の単離されたマイコプラズマ・ガリセプティカム株または培養物、請求項５〜９のいずれか1項に記載の組成物、または請求項１０〜１４のいずれか1項に記載のワクチンを鳥類に投与することを含む、上記方法。
【請求項１７】
マイコプラズマ・ガリセプティカムによって引き起こされる疾患からキジ目の鳥類を防御する方法であって、特許受託番号 PTA-9495としてATCCに寄託されているK5831 マイコプラズマ・ガリセプティカム株、またはその子孫もしくは派生物を鳥類に投与することを含む、上記方法。
【請求項１８】
マイコプラズマ・ガリセプティカムによって引き起こされる疾患からキジ目の鳥類を防御する方法であって、請求項１〜４のいずれか1項に記載の単離されたマイコプラズマ・ガリセプティカム株または培養物、請求項５〜９のいずれか1項に記載の組成物、または請求項１０〜１４のいずれか1項に記載のワクチンを鳥類に投与することを含む、上記方法。
【請求項１９】
K5831 マイコプラズマ・ガリセプティカム株が鳥類の気道上皮に残存することを特徴とする、請求項１５〜１８のいずれか1項に記載の方法。
【請求項２０】
K5831 マイコプラズマ・ガリセプティカム株が他のマイコプラズマ・ガリセプティカム株を気道上皮から排除することを特徴とする、請求項１５〜１９のいずれか1項に記載の方法。
【請求項２１】
K5831 マイコプラズマ・ガリセプティカム株が呼吸粘膜に投与されることを特徴とする、請求項１５〜２０のいずれか1項に記載の方法。
【請求項２２】
K5831 マイコプラズマ・ガリセプティカム株が点眼薬によって投与されることを特徴とする、請求項１５〜２０のいずれか1項に記載の方法。
【請求項２３】
K5831 マイコプラズマ・ガリセプティカム株が経鼻投与されることを特徴とする、請求項１５〜２０のいずれか1項に記載の方法。
【請求項２４】
K5831 マイコプラズマ・ガリセプティカム株がエアロゾルまたは飲料水によって投与されることを特徴とする、請求項１５〜２０のいずれか1項に記載の方法。
【請求項２５】
更に少なくとも１つの更なるブースター製剤を鳥類に投与することを含んでいる、請求項１５〜２４のいずれか1項に記載の方法。
【請求項２６】
前記鳥類がニワトリまたはシチメンチョウである、請求項１５〜２５のいずれか1項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月10日(2012.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む、対象におけるCD4+HIV感染細胞を溶解することができるCD8+細胞を同定する方法：
マイクロウェルアレイ中に少なくとも1個のマイクロウェルを備える成形可能（moldable）スラブ上に沈着した、対象由来のエフェクターCD8+細胞および標的細胞の懸濁液を提供する工程であって、該マイクロウェルアレイ中の少なくとも1個のマイクロウェルが、単一のエフェクター細胞を有する工程；
該CD8+細胞によって該標的細胞を溶解させる条件下で、該懸濁液を培養する工程；
該エフェクター細胞による該標的細胞の溶解を検出する工程；ならびに
CD4+HIV感染細胞を溶解することができるCD8+細胞を同定する工程。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月8日(2012.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体内容物についての情報を得るための比較的均質な構造又は内容を有すると見込まれる物体の走査方法は、
ａ）相互間で走査ゾーンを規定するために間隔を置いた放射線ソース及び放射線検出器システムを提供するステップと、
ｂ）第１の走査ステップでは：
ｉ）前記ソース及び検出器システムに対して物体を動かして、走査ゾーンを通過させることで、物体との相互作用の後、前記検出器システムで入射放射線に関する強度情報を収集するステップと、
ｉｉ）物体を、走査ゾーンを通して動かしながら入射強度の変化をモニタリングするステップと、
ｉｉｉ）異常な構造及び／又は物体及び／又はその内容の均質性の欠如を識別するためにこのような強度の変化を利用するステップと、
ｉｖ）疑わしい結果を返す物体を分類するステップと、
ｃ）それに続く第２の走査ステップでは：
ｉ）走査ゾーンにおいて、物体を定位置に位置決めし、定位置を保持しつつ、物体との相互作用の後、検出器システムで入射放射線についての強度情報を収集するステップと、
ｉｉ）前記ソースのスペクトルの少なくとも一部にわたる複数の区別されたエネルギーバンドにおいて検出された強度情報を分解するステップと、
ｉｉｉ）透過された入射強度に関連する適切な関数関係に対して入射強度データを分析するステップと、
ｉｖ）材料内容の表示を提供するためにその分析の結果を適切なデータのライブラリ、それは検査用であって、望ましくない、危険な又は禁制の材料のデータベースを含むライブラリと比較するステップと、
ｖ）材料の存在を示す結果として前記データベース内の任意の項目への一致を返すステップと、
ｖｉ）疑わしい結果を返す物体を分類するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記第１の、可動走査の期間の識別が、前記走査ゾーンを通して物体を移動させながら予め定められた許容度限度の範囲内で入射強度の減衰の変化をモニタリングするステップと、
前記変化がこの種の予め定められた許容度限度を上回る場合に、異常な構造及び／又は均質性の欠如を識別するステップと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の、可動走査の期間の識別は、
ａ）物体の形状に起因する厚み／経路長の変化に対応しない入射強度の減衰の変化の不連続の判定、
ｂ）立体構造的な異常及び／又は、物体及び／又はその内容物の均質性の欠如を示している結果的にこのような不連続の判読、
を含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の、走査ステップの期間に集められる少なくとも強度情報を含む収集された強度データは、透過される入射強度に関連する適切な関数関係に対して数値的に分析され、その結果は、材料内容の表示を提供するために適切なデータのライブラリと比較される、前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の、走査ステップの期間に集められる強度情報は、透過される入射強度に関連する適切な関数関係に対して数値的に分析され、その結果は、材料内容の初期表示を提供するために適切なデータのライブラリと比較される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
比率が、入射より収集した強度で決定され、この比率は、強度減衰メカニズムと関連した特性材料データ係数を決定するために、透過強度減衰メカニズムのための適切な分析関係に適合される、請求項４または５に記載の方法。
【請求項７】
前記比率は、質量減衰の係数を決定することを利用するものであり、前記分析関係は指数減衰法であり、前記強度減衰メカニズムは光電吸収である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の走査ステップは、前記放射線ビームが物体及び内容物を通過し、透過強度のための線形走査である第１の走査のために、物体の横断面に沿った経路がたどれるように、前記ソース及び検出器システムからの前記放射線ビームと関連して物体を移動させるステップを含む、前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項９】
前記第２の走査ステップは、透過強度のためのポイント走査である第２の走査のために、前記放射線ビームが物体及び内容物を通過できるように、前記ソース及び検出器システムからの前記放射線ビームと関連して選択された位置で物体を配置するステップを含む、前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１０】
前記放射線ソースは、高エネルギー電離放射線を供給するソースを含む、前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１１】
前記ソースのビームは、ペンシルビームを生じさせるためにコリメートされる、前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の走査ステップ（ｂ）に関し、前記ソースのスペクトルの少なくとも一部にわたって複数の区別されたエネルギーバンドで検出される強度情報を分解する更なるステップを含む、前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１３】
前記検出器システムは、少なくともソース・スペクトルの一部において分光学的に多様な反応を示し、前記ソースのスペクトルにわたって複数の区別されたエネルギーバンドで分光学的に分解される強度情報を検索するステップを含む、前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１４】
前記検出器は、直接材料特性として本質的に直接の可変的な光電応答をソース放射線に示すように選択され、テルル化カドミウム、テルル化カドミウム亜鉛（ＣＺＴ）、テルル化カドミウムマンガン（ＣＭＴ）、及びそれらの合金から選択される半導体材料または材料で製作される検出器素子を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
物体がステップ（ｂ）（ｉｖ）又はステップ（ｃ）（ｖｉ）において疑わしいとして分類される場合、前記物体が走査プロセスから拒絶され、更なる調査に通される前記いずれかの請求項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月30日(2012.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
るつぼなしの結晶化法によりシリコン心棒を製造する方法であって、唯一の巻線を備え、かつ電流供給部としてのスリットを備えるディスクからなる、ＨＦ電流が通電される平たんな誘導コイルにより形成される、技術的に一般的な直径を有するＳｉ原料棒の上端の融液から、シリコン心棒を、平たんな誘導コイルを通して上方に引き上げる、るつぼなしの結晶化法によりシリコン心棒を製造する方法において、融液の誘導性の加熱のためだけに役立つ平たんな誘導コイル（１）が、シリコン心棒が引き上げられない電流が環流する中央開口（４）の他に、別の引き上げ開口（５．１，５．２，５．３，５．４）を備え、該引き上げ開口（５．１，５．２，５．３，５．４）を通してそれぞれ１つのシリコン心棒（９．１，９．２，９．３，９．４）を引き上げることを特徴とする、るつぼなしの結晶化法によりシリコン心棒を製造する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明により、この課題は、請求項１記載の特徴を備える方法により解決される。すなわち、本発明に係るるつぼなしのペデスタル結晶化法によりシリコン心棒を製造する方法は、唯一の巻線を備え、かつ電流供給部としてのスリットを備えるディスクからなる、ＨＦ電流が通電される平たんな誘導コイルにより形成される、技術的に一般的な直径を有するＳｉ原料棒の上端の融液から、シリコン心棒を、平たんな誘導コイルを通して上方に引き上げる、るつぼなしのペデスタル結晶化法によりシリコン心棒を製造する方法において、公知のペデスタル法を、融液の誘導性の加熱のためだけに役立つ平たんな誘導コイルが、電流が環流する中央開口の他に、別の引き上げ開口を備え、該引き上げ開口を通してそれぞれ１つのシリコン心棒が引き上げられるように変更することを特徴とする。好ましくは、開始段階において、それぞれ１つの支持体に固定されている複数のシリコン種棒を、Ｓｉ原料棒の頂部の、前記誘導コイルにより融解された融液溜において、前記引き上げ開口を通して融液に接触させ、その後、シリコン種棒をそれぞれ１つの引き上げ開口を通して上方に引き上げることにより、成長を行う。好ましくは、前記誘導コイルの上方に、結晶化したシリコン心棒への誘導性の熱供給を抑制する手段を設ける。好ましくは、前記支持体を前記シリコン種棒及び該シリコン種棒において成長したシリコン心棒とともに同期的に上方に引き上げる。好ましくは、前記Ｓｉ原料棒を、引き上げプロセス中、前記融液溜内に常時十分な量の融解した材料が前記シリコン心棒の成長のために提供されているような速度で、上方に追従制御する。好ましくは、使用するＳｉ原料棒が、引き上げられるシリコン心棒が所望のドーピングを有しているように、ホウ素及び／又は別のドーパントを含むドーピングを有している。好ましくは、ドーパントを融液にプロセス中に供給する。好ましくは、上述の方法を閉鎖された容器内で保護ガス雰囲気下で実施する。好ましくは、成長したシリコン心棒を、引き上げチャンバの上側の部分に存在するガスシールを通して、連続的に引き上げチャンバから外空間まで引き上げ、引き上げプロセスを、Ｓｉ原料棒の融解した材料貯留が消費されるまで持続可能とする。本発明に係る方法は、原則、熱源として唯一の巻線を備える平たんな誘導コイルが使用され、誘導コイルが、同時に原料棒の上端を融解し、かつ同時に融液から上方に引き上げられる成長するシリコン心棒における結晶化フロントの調節のために役立つ、古典的なペデスタル法に類似する。使用されるディスク状の単巻線の誘導コイルは、電流供給部として形成されている主スリットを有しており、中央に中央開口を有している。本発明により、誘導コイルは、電流が環流する中央開口周りに別の貫通孔を有している。貫通孔は、シリコン心棒のための引き上げ開口として役立つ。ＨＦ電流が通電される誘導コイルの下には、十分に均等な温度プロフィールが形成され、この温度プロフィールは、貯蔵棒の頂部に融液溜を発生させる。誘導コイルに設けられた別の引き上げ開口を通して、それぞれ１つのシリコン心棒が、誘導コイルの下に存在する融液溜から上方に引き上げ可能である。公知の従来技術とは異なり、電流が環流する中央開口を通して棒が上方に引き上げられず、中央開口はフリーの状態にある。単巻線の誘導コイルの直径は、有利には技術的に一般的な比較的大きな直径を有するＳｉ原料棒の直径より大きい。別の付加的な引き上げ開口は、有利には同心的又はペア状に、それぞれ中央開口に対して対称的に配置されている。別の付加的な引き上げ開口の間隔は、成長したシリコン心棒が互いに熱的に過度に強く干渉し合わないように選択されており、これにより、個々のシリコン心棒は、可及的等しく成長する。使用されるＳｉ原料棒の直径が大きければ大きいほど、誘導コイルの直径も大きく選択可能であり、これにより、相当数の付加的な引き上げ開口を設けることもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月9日(2012.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＤ８＋Ｔ細胞の個体群及び哺乳類ラパマイシン標的タンパク質（ｍＴＯＲ）阻害剤を含む組成物。
【請求項２】
前記ＣＤ８＋Ｔ細胞が前記組成物の細胞中に少なくとも１０％含まれる、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記ＣＤ８＋Ｔ細胞が特異的で、かつ、個体において免疫応答の増強が所望される抗原をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
さらにインターロイキン１２（ＩＬ−１２）を含む、請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
抗原が腫瘍抗原である、請求項３に記載の組成物。
【請求項６】
個体において、抗原に対する増強された免疫応答を得るための組み合わせであって、前記抗原及び哺乳類ラパマイシン標的タンパク質（ｍＴＯＲ）阻害剤を含み、前記個体に前記抗原及び哺乳類ラパマイシン標的タンパク質（ｍＴＯＲ）阻害剤が投与される、組み合わせ。
【請求項７】
前記組み合わせががんワクチン療法に用いられる組み合わせであり、前記個体が、がんを有すると診断されもしくは疑われており、前記がんが前記抗原を発現しているがん細胞を含む、請求項６に記載の組み合わせ。
【請求項８】
個体において、前記抗原の投与に続いて前記ｍＴＯＲ阻害剤が投与される、請求項６又は７に記載の組み合わせ。
【請求項９】
少なくとも７日間、少なくとも１日１回、ｍＴＯＲ阻害剤が個体に投与される、請求項８に記載の組み合わせ。
【請求項１０】
継続して２０日間を超えない期間、ｍＴＯＲ阻害剤が個体に投与される、請求項８に記載の組み合わせ。
【請求項１１】
ｍＴＯＲ阻害剤が、ラパマイシン又はテムシロリムスである、請求項６に記載の組み合わせ。
【請求項１２】
さらに、前記抗原に特異的なＣＤ８＋Ｔ細胞を含む組成物を含み、個体において、前記抗原に特異的なＣＤ８＋Ｔ細胞を含む組成物を投与することを含む、請求項６に記載の組み合わせ。
【請求項１３】
個体にＣＤ８＋Ｔ細胞を投与する以前に、前記抗原がＣＤ８＋Ｔ細胞に提示されている、請求項１２に記載の組み合わせ。
【請求項１４】
個体にＣＤ８＋Ｔ細胞を投与する以前に、ＣＤ８＋Ｔ細胞がｍＴＯＲ阻害剤と接触させられている、請求項１３に記載の組み合わせ。
【請求項１５】
個体にＣＤ８＋Ｔ細胞を含む前記組成物を投与する以前に、個体からＣＤ８＋Ｔ細胞が単離されている、請求項１２に記載の組み合わせ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月21日(2012.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−  キャリア（２）を準備するステップと、
−  少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（４）を準備し、前記キャリア（２）の主面（２０）に前記少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（４）を設けるステップと、
−  少なくとも１つの第１の金属層（１１）を前記キャリア（２）上に設けるステップと、
−  少なくとも１つの光学部品（３）を準備するステップと、
−  少なくとも１つの第２の金属層（１２）を前記少なくとも１つの光学部品（３）上に設けるステップと、
−  前記少なくとも１つの第１の金属層（１１）および前記少なくとも１つの第２の金属層（１２）により、前記キャリア（２）と前記少なくとも１つの光学部品（３）とを機械的に接続するステップと、を含み、
前記接続は摩擦溶接を含むか摩擦溶接であり、
前記第１の金属層（１１）および前記第２の金属層（２２）は、金または金合金からなり、
前記第１の金属層（１１）および前記第２の金属層（２２）は、前記キャリア（２）と前記光学部品（３）との間に機械的に安定で永久的な接続な接続を形成し、
前記第１の金属層（１１）は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（４）に対して電気的絶縁され、
前記第１の金属層（１１）は、前記キャリア（２）の前記主面（２０）に少なくとも４つの点形状の領域において設けられ、
前記キャリア（２）と前記光学部品（３）は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（４）が配置される空間を囲み、前記空間は気密閉鎖されない、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子（１）の製造方法。
【請求項２】
前記接続プロセス中、前記キャリア（２）は１３０〜１７０℃に加熱される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記接続プロセス中、前記光学部品（３）は３０〜５０Ｎのプレス力で前記キャリア（２）にプレスされる、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記接続プロセス中、前記光学部品（３）にのみ超音波出力が供給される、請求項１から請求項３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記接続プロセス中に供給される前記超音波出力は０．１〜２．０Ｗであり、かつ、０．２〜２．０ｓの時間印可される、請求項１から請求項４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
フォトリソグラフィー法および／またはワイヤーボンダーにより、少なくとも１つの接続バンプ（１３）が前記少なくとも１つの第１の金属層（１１）および／または前記第２の金属層（１２）に設けられる、請求項１から請求項５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
−  少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（４）を主面（２０）に有するキャリア（２）と、
−  前記キャリア（２）の前記主面（２０）上に設けられた少なくとも１つの第１の金属層（１１）と、
−  前記キャリア（２）の前記主面（２０）に対向する少なくとも１つの第２の金属層（１２）を有する、少なくとも１つの光学部品（３）と、
−  前記少なくとも１つの第１の金属層（１１）と前記少なくとも１つの第２の金属層（１２）との間に位置し、前記少なくとも１つの光学部品（３）を前記キャリア（２）に接続させる少なくとも１つの摩擦溶接シーム（１０）であって、前記少なくとも１つの第１の金属層（１１）および／または前記少なくとも１つの第２の金属層（１２）に直接位置する前記少なくとも１つの摩擦溶接シーム（１０）と、
を有し、
前記第１の金属層（１１）および前記第２の金属層（２２）は、金または金合金からなり、
前記第１の金属層（１１）および前記第２の金属層（２２）は、前記キャリア（２）と前記光学部品（３）との間に機械的に安定で永久的な接続な接続を形成し、
前記第１の金属層（１１）は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（４）に対して電気的絶縁され、
前記第１の金属層（１１）は、前記キャリア（２）の前記主面（２０）に少なくとも４つの点形状の領域において設けられ、
前記キャリア（２）と前記光学部品（３）は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（４）が配置される空間を囲み、前記空間は気密閉鎖されない、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子（１）。
【請求項８】
少なくとも１つの接続バンプ（１３）が前記第１の金属層（１１）と前記少第２の金属層（１２）との間に配置される、請求項７に記載のオプトエレクトロニクス素子（１）。
【請求項９】
前記第１の金属層（１１）、前記第２の金属層（１２）、および、前記接続バンプ（１３）は、それぞれ金からなる、請求項８に記載のオプトエレクトロニクス素子（１）。
【請求項１０】
前記第１の金属層（１１）、前記第２の金属層（１２）、および、前記接続バンプ（１３）の、前記キャリア（２）の前記主面（２０）に垂直な方向の合計厚さ（Ｄ）は、２〜４０μｍである、請求項８から請求項９のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス素子（１）。
【請求項１１】
前記第１の金属層（１１）は、前記キャリア（２）上において前記光学部品（３）の角における正確に４つの領域に設けられる、請求項７から請求項１０のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス素子（１）。
【請求項１２】
前記点形状の領域には前記第１の金属層（１１）が前記キャリア（２）の前記主面（２０）に設けられており、前記点形状の領域のそれぞれは、前記キャリア（２）に対向する前記光学部品（３）のフレーム（３１）の全面積の最大５％の領域とされ、前記第１の金属層（１１）は前記キャリア（２）の前記主面（２０）の面積の最大１０％をカバーする、
請求項７から請求項１１のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス素子（１）。
【請求項１３】
前記摩擦溶接シーム（１０）は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（４）を完全には囲わない、請求項１から請求項１２のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス素子（１）。
【請求項１４】
前記光学部品（３）は前記第２の金属層（１２）が配置された放射不透過フレーム（３１）を有し、放射透過光学素子（３２）が前記キャリア（２）から離れた側の前記フレーム（３１）の側面に装着され、前記光学素子（３２）は、互いに対向し、かつ、光屈折が起こる二つの主領域（３３）を有する、請求項７から請求項１３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス素子（１）。
【請求項１５】
−  前記キャリア（２）はセラミックを含み、
−  前記光学部品（３）はシリコンおよびガラスを含み、
−  前記第２の金属層（１２）は前記光学部品（３）の前記シリコン上に設けられ、
−  前記光学部品（３）の前記シリコンは、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（４）を枠状に囲む、請求項７から請求項１４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス素子（１）。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月16日(2011.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両用太陽光発電装置であって、
互いに電気的に分離された複数のソーラーモジュールであって、前記複数のソーラーモジュールの各ソーラーモジュールは、太陽放射を受け、該太陽放射を電気エネルギーに変換する複数の太陽電池を含み、前記複数のソーラーモジュールの各ソーラーモジュールは、その最大電力点で動作される、複数のソーラーモジュールと、
複数のコンバータであって、各々が前記複数のソーラーモジュールの対応するソーラーモジュールに電気的に接続され、前記対応するソーラーモジュールから電気エネルギーを受信し、該受信した電気エネルギーを出力電圧に変換する、複数のコンバータと、
前記出力電圧を蓄積するための前記コンバータの各々と電気的に通信するエネルギー蓄積装置と、
を備えることを特徴とする車両用太陽光発電装置。
【請求項２】
前記エネルギー蓄積装置は、低電圧バッテリ、高電圧バッテリ及びコンデンサのうちの少なくとも一つである、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記複数のソーラーモジュールは、拡散層、第一ポリマー層、ソーラーモジュール層、第二ポリマー層及びガラス層を有するラミネート構造体を形成しているソーラーパネルに取り付けられる、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記複数のソーラーモジュールは、一体的なユニットとして前記第一ポリマー層及び前記第二ポリマー層内に形成される、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記複数のソーラーモジュールは、耐久性のあるポリマー材内に積層される、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記複数のソーラーモジュールの各ソーラーモジュールは、ポリマー、複合ポリマー及び薄膜アモルファスシリコンのうちの少なくとも一つから成る材料から形成されるソーラーパネルに取り付けられる、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記複数の太陽電池は、前記複数のソーラーモジュールの各ソーラーモジュール内に配置される、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記複数の太陽電池は、配列の構成によって配置される、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記複数の太陽電池は、クロスコネクタに取り付けられる、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記複数のソーラーモジュールは、四つのソーラーモジュールを有するソーラーパネルを形成する、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記複数のソーラーモジュールは、曲線形状のソーラーパネルを形成する、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記ソーラーパネルは、複数の方向に湾曲する、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記複数のソーラーモジュールの各ソーラーモジュールは、対応するＤＣ／ＤＣブーストコンバータに電気的に接続される、請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
前記複数のコンバータの各々の中の電気経路は、互いに電気的に分離される、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
前記複数のソーラーモジュールは、前記車両のルーフに取り付けられる、請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
前記複数のソーラーモジュールは、前記車両のデッキリッドに取り付けられる、請求項１に記載の装置。
【請求項１７】
前記複数の太陽電池は、前記複数のソーラーモジュールの各ソーラーモジュールが太陽放射を最大限に受けるように配置される、請求項７に記載の装置。
【請求項１８】
太陽光発電装置から電気エネルギーを車両に供給する方法であって、
複数の電気的に分離されたソーラーモジュールを用いて太陽放射エネルギーを集めることであって、前記複数のソーラーモジュールの各ソーラーモジュールは、太陽放射を受け、該受けた太陽放射を電気エネルギーに変換するように調整された複数の太陽電池を含む、ことと、
前記複数のソーラーモジュールの各ソーラーモジュールを、その最大電力点で動作させる、ことと、
前記電気エネルギーを複数のコンバータに供給することであって、前記複数のコンバータの各コンバータは、前記複数のソーラーモジュールのソーラーモジュールに対応する、ことと、
供給された電気エネルギーを前記複数のコンバータの各コンバータで増幅させる、ことと、
前記増幅された電気エネルギーを前記複数のコンバータの各コンバータから車両用のエネルギー蓄積装置に出力する、ことと、
を備えることを特徴とする太陽光発電装置から電気エネルギーを車両に供給する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月27日(2012.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
膣境界潤滑低下又はそれに関連する疾患の治療を必要とする被験者の膣表面に、治療上有効量、局所投与される医薬組成物であり、膣境界潤滑低下又はそれに関連する疾患の治療に用いるための医薬組成物であって、
当該医薬組成物は、単離又は組み換えＰＲＧ４又はそれらのフラグメント及び製薬上許容される担体を含み、前記単離又は組み換えＰＲＧ４は、膣境界潤滑を改善するのに十分であり、場合によっては、前記組成物は、ゲル、浸透圧平衡塩類水溶液、多相エマルション、または徐放性もしくは持続放出性製剤に製剤されている、医薬組成物。
【請求項２】
アンドロゲンもしくはアンドロゲン類似体、選択的アンドロゲン受容体調節剤、選択的エストロゲン受容体調節剤、エストロゲンアンタゴニスト、アロマターゼ阻害剤、アンチプロテアーゼ、炎症性サイトカインアンタゴニスト、サイトカイン放出阻害剤、抗炎症性サイトカイン、抗炎症薬、ＮＦ−κＢ阻害剤、プロテアソーム阻害剤、ヒアルロン酸、中性もしくは極性脂質、脂肪酸、エストロゲンもしくはエストロゲン類似体、エストラジオール、プロゲステロン、卵胞刺激ホルモン、黄体形成ホルモン、ヒアルロン酸ナトリウム、ヒアルロン酸、酸化窒素、及びアミノ酸からなる群より選択される治療薬をさらに含有する、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
前記アンドロゲン、又はアンドロゲン類似体が、１７α−メチル−１７β−ヒドロキシ−２−オキサ−５α−アンドロスタン−３−オン誘導体、テストステロン誘導体、４，５α−ジヒドロテストステロン誘導体、環Ａ不飽和を含む１７β−ヒドロキシ−５α−アンドロスタン誘導体、１９−ノルテストステロン誘導体、窒素置換アンドロゲン、異常な構造特徴を有するアンドロゲン化合物を含むアンドロゲンの構造サブクラス、またはそれらの組合せである、請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記選択的アンドロゲン受容体調節剤がアリール−プロピオンアミド化合物、二環式ヒダントイン類似体、キノリン類似体、またはテトラヒドロキノリン類似である、請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項５】
前記炎症性サイトカインアンタゴニストが、抗ＴＮＦα抗体、可溶性ＴＮＦα受容体、およびＩＬ−１受容体アンタゴニストから成る群より選択される、請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項６】
前記抗炎症薬が、シクロスポリンＡ、ならびにω３脂肪酸およびω６脂肪酸から成る群より選択される、請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項７】
組成物が１０〜１００，０００μｇ／ｍＬ又は５００〜５，０００μｇ／ｍＬの濃度のヒアルロン酸ナトリウムまたはヒアルロン酸を含有する、請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項８】
組成物が１０〜１０，０００μｇ／ｍＬの濃度のＰＲＧ４を含有する、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項９】
ＰＲＧ４が５０ｋＤａ〜４００ｋＤａの平均モル質量を有する、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
ＰＲＧ４が、その潤滑性フラグメント、多量体またはホモログを含む、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
ＰＲＧ４が、組換えＰＲＧ４タンパク質、単離ＰＲＧ４タンパク質またはその機能的フラグメントである、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
ＰＲＧ４又はそれらのフラグメントが、配列番号：１と少なくとも７５％一致しているアミノ酸配列を含む、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
前記アミノ酸が、Ｌ−アルギニン、シトルリン又はアスパラギン酸である、請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
膣境界潤滑の低下に関連する疾患が、膣萎縮症、性交疼痛症、シェーグレン症候群、更年期障害、アンドロゲン欠損症、エストロゲン欠損症、エストロゲン補充療法、アレルギー、慢性炎症、閉経、早発閉経、化学療法、授乳、閉経前の卵巣の外科的切除、生殖器硬化性萎縮性苔癬、外陰部痛、細菌性膣炎、疱疹、カンジダ症、乾癬、接触皮膚炎、コンジローム、又は薬剤の副作用および加齢である、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１５】
有効量の単離または精製ＰＲＧ４又は請求項１〜１４のいずれか一項に記載の医薬組成物を、膣表面、陰茎表面またはその組合せに局所投与することを含む、性交の間の潤滑又は受胎促進を提供する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月11日(2012.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路メモリ装置であって、
外部ソースから第１のクロック信号を受信するクロック入力と、
前記第１のクロック信号の遷移に応答して、前記集積回路メモリ装置からデータ信号を出力するシグナリング回路であって、前記第１のクロック信号は、前記データ信号で搬送されるデータビット毎に各遷移を含む、シグナリング回路と、
前記第１のクロック信号の遷移に応答して、前記第１のクロック信号のＮサイクル毎に１回循環する第２のクロック信号を生成するクロック生成回路であって、Ｎは１よりも大きな整数であり、前記クロック生成回路は、前記第２のクロック信号の位相を、前記第１のクロック信号の位相に相対して、前記第１のクロック信号の選択された数のサイクルでシフトできるようにする位相調整回路を含む、クロック生成回路と
を備える、集積回路メモリ装置。
【請求項２】
前記データ信号で搬送される各データビットは、各ビット時間にわたって前記集積回路メモリ装置の出力において有効であり、前記データ信号と前記第１のクロック信号との位相オフセットは、少なくとも前記ビット時間だけドリフトすることが許される、請求項１に記載の集積回路メモリ装置。
【請求項３】
記憶装置アレイと、
前記記憶装置アレイにアクセスする論理回路であって、前記第２のクロック信号によりクロック制御される、論理回路と
をさらに備える、請求項１に記載の集積回路メモリ装置。
【請求項４】
前記位相調整回路は、前記第１のクロック信号の選択された数のサイクルを指定する位相調整値を記憶するプログラム可能レジスタを備える、請求項４に記載の集積回路メモリ装置。
【請求項５】
前記クロック生成回路は、前記第１のクロック信号の遷移カウントを生成するモジュロカウンタを備え、前記位相調整回路は、前記位相調整値を前記カウントに加算する加算回路を備える、請求項４に記載の集積回路メモリ装置。
【請求項６】
前記位相調整値が加算された後の前記カウントの最上位ビットは、前記第２のクロック信号として出力される、請求項５に記載の集積回路メモリ装置。
【請求項７】
前記位相調整値を受信するための外部シグナリングパスへのインタフェースをさらに備える、請求項４に記載の集積回路メモリ装置。
【請求項８】
第２のタイミング信号の周波数の逓倍である周波数を有する第１のタイミング信号を生成するクロック生成器と、
前記第２のタイミング信号に相対して前記第１のタイミング信号の位相を調整する位相調整回路と、
前記第１のタイミング信号をメモリ装置に出力する駆動回路であって、前記第１のタイミング信号は、データ信号を前記メモリ装置から前記メモリコントローラに送信するためのタイミングをとり、前記第１のタイミング信号は、前記データ信号で搬送されるデータビット毎に各遷移を含む、駆動回路と
を備える、メモリコントローラ。
【請求項９】
前記データ信号で搬送される各データビットは、各ビット時間にわたって前記メモリ装置の出力において有効であり、前記データ信号と前記第１のタイミング信号との位相オフセットは、少なくとも前記ビット時間だけドリフトすることが許される、請求項８に記載のメモリコントローラ。
【請求項１０】
前記第１のタイミング信号は、前記メモリ装置から前記メモリコントローラに送信される前記データ信号で搬送されるデータビット毎に各遷移を含む、請求項８に記載のメモリコントローラ。
【請求項１１】
前記クロック生成回路は、前記第２のタイミング信号をさらに生成する、請求項８に記載のメモリコントローラ。
【請求項１２】
前記位相調整回路は、前記第２のタイミング信号の位相を選択的にシフトすることにより、前記第２のタイミング信号に相対して前記第１のタイミング信号の位相を調整する回路を備える、請求項１１に記載のメモリコントローラ。
【請求項１３】
前記位相調整回路は、前記第１のタイミング信号と前記第２のタイミング信号との間に選択された位相関係を確立する回路を備え、前記メモリコントローラは、前記第１のタイミング信号と前記第２のタイミング信号との間の複数の位相関係のそれぞれでのデータ返送待ち時間を特定し、前記選択された位相関係として、メモリアクセスコマンドを発行してから対応する読み取りデータが返送されるまでの時間が、前記複数の位相関係のうちの別の関係よりも短い複数の位相関係のうちの１つを選択する較正回路をさらに備える、請求項８に記載のメモリコントローラ。
【請求項１４】
集積回路メモリ装置における動作方法であって、
外部ソースから第１のクロック信号を受信することと、
前記第１のクロック信号の遷移に応答して、前記集積回路メモリ装置からデータ信号を出力することであって、前記第１のクロック信号は、前記データ信号で搬送されるデータビット毎に各遷移を含む、出力することと、
前記第１のクロック信号の遷移に応答して、前記第１のクロック信号のＮサイクル毎に１回循環する第２のクロック信号を生成することであって、Ｎは１よりも大きな整数であり、前記クロック生成回路は、前記第２のクロック信号の位相を、前記第１のクロック信号の位相に相対して、前記第１のクロック信号の選択された数のサイクルでシフトできるようにする位相調整回路を含む、生成することと
を備える、動作方法。
【請求項１５】
前記データ信号で搬送される各データビットは、各ビット時間にわたって前記集積回路メモリ装置の出力において有効であり、前記データ信号と前記第１のクロック信号との位相オフセットは、少なくとも前記ビット時間だけドリフトすることが許される、請求項１４に記載の動作方法。
【請求項１６】
記憶装置アレイにアクセスする論理回路であって、前記第２のクロック信号によりクロック制御される論理回路を用いて、前記集積回路メモリ装置の記憶装置アレイにアクセスすることをさらに備える、請求項１４又は１５に記載の動作方法。
【請求項１７】
前記集積回路メモリ装置の位相調整回路において、前記第１のクロック信号の選択された数のサイクルを指定する位相調整値を記憶することをさらに備える、請求項１４に記載の動作方法。
【請求項１８】
前記第１のクロック信号の遷移カウントを生成し、前記位相調整値を前記カウントに加算して、前記第１のクロック信号の位相に対する前記第２のクロック信号の位相のシフトを制御することをさらに備える、請求項１７に記載の動作方法。
【請求項１９】
前記位相調整値が加算された後の前記カウントの最上位ビットは、前記第２のクロック信号として出力される、請求項１８に記載の動作方法。
【請求項２０】
前記位相調整値を受信するための外部シグナリングパスを介して前記位相調整値を受信することをさらに備える、請求項１９に記載の動作方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月24日(2012.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本発明は、ポリマー製消音器筐体の製造に特に有用であり、ポリマー製消音器筐体の製造に用いられるプロセスは本発明のプロセスを説明するための一例である。消音器筐体は、音および振動を減衰させる実質的に閉鎖された区画を形成している。「ポリマー製消音器筐体」とは、高分子材料から作製された筐体を有する消音器を意味し、これは、熱可塑性物質、熱硬化性物質、または不融性ポリマーすなわち架橋はしていないが分解温度に到達するまでは液状にならないポリマー等の任意の種類のポリマーであってもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
こうして得られたＰＢＴで被覆された溶融性固体中子を射出成形ステーションから取り出した。被覆された溶融性固体中子をオーブンで液化した後、熱水に入れた。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
［１］  内部空洞を有する中空品の製造方法であって、
（ａ）中子材料から作製され、前記中空品の前記内部空洞に所望される大きさおよび形状を有する溶融性固体中子を提供するステップと、
（ｂ）前記溶融性固体中子を室温で固体である溶湯で被覆するステップと、
（ｃ）前記溶湯を固化させるステップと、
（ｄ）前記溶融性固体中子を液化させることによって液体状態の中子材料を得るステップと、
（ｅ）前記中子材料を除去するステップと
を含み、前記溶融性固体中子が、濃度が４または約４質量モル濃度〜６０または約６０質量モル濃度の酢酸ナトリウム水溶液であることを特徴とする方法。
［２］  ステップ（ａ）が、濃度が４または約４質量モル濃度〜６０または約６０質量モル濃度の液体酢酸ナトリウム水溶液を所望の寸法の金型に装入し、前記溶液を固化させることによって実施されることを特徴とする［１］に記載の方法。
［３］  前記溶湯が、金属、セラミック、ゴム、熱可塑性物質、およびこれらの混合物から選択されることを特徴とする［１］または［２］に記載の方法。
［４］  前記溶湯が、熱可塑性物質およびゴムから選択されることを特徴とする［３］に記載の方法。
［５］  前記溶湯が、熱可塑性物質から選択されることを特徴とする［４］に記載の方法。
［６］  ステップ（ｂ）が、射出成形によって実施されることを特徴とする［１］から［５］のいずれか一項に記載の方法。
［７］  ステップ（ａ）の前に、
前記溶融性固体中子材料内に、前記中空品の前記空洞内に封入することが所望される装置および／または構造体を提供するステップ
をさらに含むことを特徴とする［１］から［６］のいずれか一項に記載の方法。
［８］  前記溶融性固体中子が、前記中子を金型内の所望の位置に配置することを可能にする１またはそれ以上のインサートと一緒に提供されることを特徴とする［１］から［７］のいずれか一項に記載の方法。
［９］  ステップ（ｄ）が、前記溶融性固体中子を溶融させることによって実施されることを特徴とする［１］から［８］のいずれか一項に記載の方法。
［１０］  ステップ（ｄ）が、前記溶融性固体中子を溶媒に溶解させることによって実施されることを特徴とする［１］から［８］のいずれか一項に記載の方法。
［１１］  前記中空品が、ダクト、吸気マニホールド、フィルタ、レゾネータ、混合装置、または消音器筐体であることを特徴とする［１］から［１０」のいずれか一項に記載の方法。
［１２］  前記中空品が、ポリマー製消音器筐体であり、前記方法が、
（ｉ）前記ポリマー製消音器筐体の内周輪郭を画定する空洞を有する第１金型を提供するステップと、
（ｉｉ）前記第１金型内にインサートを提供し、前記インサートが前記第１金型の外側に延在するように配置するステップと、
（ｉｉｉ）前記第１金型に、濃度が約４または約４質量モル濃度〜６０または約６０質量モル濃度のナトリウム水溶液を充填し、前記水溶液を固化させることにより溶融性固体中子を形成するステップと、
（ｉｖ）前記溶融性固体中子を脱型するステップと、
（ｖ）前記ポリマー製消音器筐体の外面形状を画定する金型空洞を有する第２金型を提供するステップと、
（ｖｉ）前記溶融性中子を前記第２金型内に配置するステップと、
（ｖｉｉ）前記溶融性固体中子をポリマー溶湯で被覆することにより前記ポリマー製消音器筐体を形成するステップと、
（ｉｖ）前記ポリマー製消音器筐体を突き出すステップと、
（ｖ）前記溶融性固体中子を液化させることにより液体状態の中子材料を得るステップと、
（ｖｉ）前記溶融性中子を除去するステップと
を含むことを特徴とする［１］に記載の方法。
［１３］  ステップ（ｉｉ）で使用される前記インサートが排気管であることを特徴とする［１２］に記載の方法。
［１４］  ステップ（ｉｉｉ）の前に、機能体を提供するさらなるステップを含むことを特徴とする［１２］または［１３］に記載の方法。
［１５］  ステップ（ｉｉ）で使用される前記インサートが排気管であり、かつ前記方法が、ステップ（ｉｉｉ）の前に前記排気管上にブッシングを提供するステップをさらに含むことを特徴とする［１２］から［１４］のいずれか一項に記載の方法。
［１６］  前記ポリマー溶湯が、熱可塑性物質およびゴムから選択されることを特徴とする［１２］から［１５］のいずれか一項に記載の方法。
［１７］  前記ポリマー溶湯が、熱可塑性物質から選択されることを特徴とする［１６］に記載の方法。
［１８］  一体成形品であり、および／または溶接継ぎ目、接着継ぎ目、もしくは機械的継ぎ目を有しない、ポリマー製消音器筐体。
［１９］  ［１１］から［１７］のいずれか一項に記載の方法により作製される、［１８］に記載のポリマー製消音器筐体。
［２０］  ｉ）［１８］または［１９］のいずれか一項に記載のポリマー製消音器筐体、
ｉｉ）排気管、および
ｉｉｉ）ブッシング
を備えることを特徴とする消音器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月15日(2012.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
現行の成形施設では、通常、遠隔ボイラーシステムおよび遠隔冷却リザーバを採用しており、そのどちらも当該施設全体に位置する複数の金型に流体を供給する。それらの金型は、その各々に高温の流体を搬送する高温流体供給配管を通じて前記ボイラーに連結されている。また、各金型は、それぞれに低温の流体を搬送する低温流体供給配管を通じて前記冷却リザーバに連結されている。前記金型を通過する流体は、流体戻り配管を通じて前記ボイラーまたは前記冷却用リザーバに戻るよう搬送することができる。前記ボイラーに戻される流体は、再び加熱されて再利用され、前記冷却リザーバに戻される流体は、再び冷却されて再利用される。
現行の成形施設は複数の金型の温度を制御できるが、いくつか難点を抱えている。例えば、そのような施設の初期コストおよび開発は非常に高価である。別の例として、現行の施設における１日あたりの製造コストも高い。これらの製造コストの多くは、１日あたりのエネルギーコストおよび維持費が高い結果生じており、１日あたりのエネルギーコストが高いのは、主にボイラーシステムおよび冷却システムの運用に大量のエネルギーを消費するためである。また、熱エネルギーは流体配管を通じて散逸するため、流体が金型との間を長距離移動するに伴い失われてしまう。高い維持費は予防保全コストから来るもので、施設全体のダウンタイムにつながりうるボイラーシステムおよび／または冷却システムのダウンタイムを製造中に回避するため必要とされている。別の例として、流体の供給配管および戻り配管にアクセス可能な場所でしか金型の加熱および冷却が行えないため、成形施設内で成形設備を移動または移転することは難しい。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【特許文献１】  米国特許第２６３２０８８号明細書
【特許文献２】  米国特許第４２５１４７９号明細書
【特許文献３】  米国特許第６３２２３４３号明細書
【特許文献４】  米国特許出願公開第２００６／０１９６９５７号明細書
【特許文献５】  米国特許出願公開第２００８／０１１１２８０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】