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【手続補正書】
【提出日】平成24年10月11日(2012.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中継ノード（ＲＮ）が制御チャネルを監視する方法であって、
基地局（ＢＳ）から、複数のサブフレーム内の少なくとも１つのＢＳ−ＲＮサブフレームを示すＭＢＳＦＮ構成を受信するステップであって、該少なくとも１つのＢＳ−ＲＮサブフレームは、前記基地局から前記中継ノードへの通信に使用され、時間領域において、第１スロット及び第２スロットを含むステップと、
時間領域におけるダウンリンク制御チャネルの位置を示す構成メッセージを前記基地局から受信するステップと、
前記少なくとも１つのＢＳ−ＲＮサブフレームの前記第１スロットにおいて、前記中継ノードに向けた前記ダウンリンク制御チャネルを監視するステップであって、前記ダウンリンク制御チャネルは、ダウンリンクリソース割当を含み、前記少なくとも１つのＢＳ−ＲＮサブフレームの前記第１スロット内で送信される専用参照信号を用いて復調されるステップと、
前記ダウンリンクリソース割当が前記ダウンリンク制御チャネルで検出された場合、前記少なくとも１つのＢＳ−ＲＮサブフレームの前記第２スロットにおいて、前記ダウンリンクリソース割当により示されるダウンリンクデータチャネル上のダウンリンクデータを受信するステップと、
を有し、
前記第１スロット及び第２スロットは、時間領域で連続し、
前記少なくとも１つのＢＳ−ＲＮサブフレームの前記第１スロットにおいて、前記ダウンリンク制御チャネルを監視するためのリソースは、中継ノード特定として定義される、制御チャネル監視方法。
【請求項２】
前記ダウンリンク制御チャネル上の前記ダウンリンクリソース割当は、ブラインドデコーディングにより得られる、請求項１に記載の制御チャネル監視方法。
【請求項３】
前記ダウンリンクリソース割当は、前記少なくとも１つのＢＳ−ＲＮサブフレームの前記第１スロットにおいて、第１の周波数帯域で受信され、前記ダウンリンクデータチャネルは、前記少なくとも１つのＢＳ−ＲＮサブフレームの前記第２スロットにおいて、前記第１の周波数帯域で受信される、請求項１に記載の制御チャネル監視方法。
【請求項４】
中継ノード（ＲＮ）であって、
無線信号を送受信するためのＲＦユニットと、
前記ＲＦユニットと接続されるプロセッサーと、を有し、
前記プロセッサーは、基地局（ＢＳ）から、複数のサブフレーム内の少なくとも１つのＢＳ−ＲＮサブフレームを示すＭＢＳＦＮ構成を受信し、該少なくとも１つのＢＳ−ＲＮサブフレームは、前記基地局から前記中継ノードへの通信に使用され、時間領域において、第１スロット及び第２スロットを含み、
時間領域におけるダウンリンク制御チャネルの位置を示す構成メッセージを前記基地局から受信し、
前記少なくとも１つのＢＳ−ＲＮサブフレームの前記第１スロットにおいて、前記中継ノードに向けた前記ダウンリンク制御チャネルを監視し、前記ダウンリンク制御チャネルは、ダウンリンクリソース割当を含み、前記少なくとも１つのＢＳ−ＲＮサブフレームの前記第１スロット内で送信される専用参照信号を用いて復調され、
前記ダウンリンクリソース割当が前記ダウンリンク制御チャネルで検出された場合、前記少なくとも１つのＢＳ−ＲＮサブフレームの前記第２スロットにおいて、前記ダウンリンクリソース割当により示されるダウンリンクデータチャネル上のダウンリンクデータを受信するように構成され、
前記第１スロット及び第２スロットは、時間領域で連続し、
前記少なくとも１つのＢＳ−ＲＮサブフレームの前記第１スロットにおいて、前記ダウンリンク制御チャネルを監視するためのリソースは、中継ノード特定として定義される、中継ノード。
【請求項５】
前記ダウンリンク制御チャネル上の前記ダウンリンクリソース割当は、ブラインドデコーディングにより得られる、請求項４に記載の中継ノード。
【請求項６】
前記ダウンリンクリソース割当は、前記少なくとも１つのＢＳ−ＲＮサブフレームの前記第１スロットにおいて、第１の周波数帯域で受信され、前記ダウンリンクデータチャネルは、前記少なくとも１つのＢＳ−ＲＮサブフレームの前記第２スロットにおいて、前記第１の周波数帯域で受信される、請求項４に記載の中継ノード。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月23日(2012.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エネルギー効率の目的で負荷へのＡＣ電源供給の電圧を低下させるシステムであって、
ａ）ＡＣ電源供給と前記負荷との間にある、一次巻線および二次巻線を有する回路内の変圧器と、
ｂ）前記変圧器の所定の過負荷が発生した場合に前記変圧器を回路から除外し、前記電源供給を直接前記負荷に接続するバイパス手段と、
を具え、
ｃ）前記バイパス手段は、
ｉ）電源供給を直接前記負荷につなぐバイパススイッチ、
ｉｉ）前記変圧器の温度を判定する手段、
ｉｉｉ）前記負荷を通る電流を測定する手段、
ｉｖ）前記温度判定手段および前記電流測定手段から信号を受信し、前記温度および電流のいずれか１つの所定の最大レベルにおいて前記バイパススイッチを作動させる制御手段、
を具え、前記システムは、
ｄ）前記所定の最大レベルのいずれか１つにおいて前記バイパススイッチが作動しない場合に前記変圧器の前記二次巻線を通る電流を遮断するフェールセーフ手段
をさらに具え、前記フェールセーフ手段は、
ｉ）前記変圧器の前記二次巻線に接続され、所定期間後に前記変圧器が所定の上昇温度になると前記電源供給との前記変圧器の前記二次巻線の接続を遮断するように適合されたサーマルトリップ装置と、
ｉｉ）前記電源供給および前記サーマルトリップ装置と直列接続され、前記サーマルトリップ装置の最大電流定格未満の所定の上昇電流レベルになると、前記電源供給との前記変圧器の前記二次巻線の接続を遮断するように適合されたヒューズと
を具えたことを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記電源供給は、前記変圧器の前記二次巻線に接続されることを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記ヒューズは、前記ヒューズの最大電流定格未満の電流レベルにおいて前記制御手段を介して前記バイパススイッチを作動させるように適合された連続電流測定手段で誤遮断が防止されることを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項４】
前記電源供給と前記負荷との間に接続され、前記変圧器が迂回される時に前記負荷を保護するように適合された電源ヒューズを含むことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項５】
前記電源供給と前記変圧器の前記一次巻線との間に接続された電力変換器を含むことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月6日(2012.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明装置であって、
・切欠き（５）を備えた基体（１）と、
・少なくとも前記切欠き（５）の一部によって構成されている反射器（５１）と、
・前記切欠き（５）内に配置されている、少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体構成部分（２０）とを有しており、
当該半導体構成部分（２０）は光学部材（３）を有しており、当該光学部材は、作動中に前記半導体構成部分（２０）によって放射される電磁ビームの少なくとも一部を前記反射器（５１）へ向けるように構成されており、ここで前記電磁ビームの少なくとも一部は、前記半導体構成部分（２０）の光軸（４２）に対して少なくとも１１０°の角度で偏向されており、
・当該照明装置のビーム出射面（６１）は、前記半導体構成部分のビーム出射面（４４）の総計の少なくとも２倍の大きさを有している形式の照明装置において、
前記半導体構成部分（２０）の半導体チップ（４）のビーム出射面（４４１）に前記光学部材（３）が配置されており、前記電磁ビームの偏向は少なくとも部分的に、全反射によって行われる、
ことを特徴とする照明装置。
【請求項２】
前記基体（１）は少なくとも２つの切欠き（５）を有している、請求項１記載の照明装置。
【請求項３】
当該照明装置のビーム出射面（６１）の部分面の光密度と、当該照明装置のビーム出射面（６１）全体の光密度の平均値との相違は２０％を下回る、請求項１または２記載の照明装置。
【請求項４】
前記電磁ビームの偏向は少なくとも部分的に、屈折によって行われる、請求項１から３までのいずれか１項記載の照明装置。
【請求項５】
電磁ビームを通す、ビーム透過性のカバープレート（８）が前記切欠き（５）を覆う、請求項１から４までのいずれか１項記載の照明装置。
【請求項６】
前記カバープレート（８）は、前記基体（１）の外面（１１）と同一平面を成す、請求項５記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月17日(2012.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−炭素粒子を提供する工程、
−好ましくは液体であるか、または液体中に存在するシリコン前駆体を炭素粒子表面に塗布する工程、および
−シリコン前駆体を熱分解して金属シリコンを形成する工程
を含む、電気化学素子の電極用の活物質の製造方法。
【請求項２】
前記炭素粒子がグラファイト粒子、および／またはCNT（カーボンナノチューブ）であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記シリコン前駆体が少なくとも1つのシラン、好ましくはオリゴマーまたはポリマーシラン、特に、n≧10である一般式-[SiH2]n-のオリゴマーまたはポリマーシランを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
使用される前記シリコン前駆体が、環状シランからの、特にシクロペンタシランからの、好ましくは光誘起のオリゴマー化および／またはポリマー化により調製されたシラン混合物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記シラン混合物の平均分子量Mwが、500と5000の間であることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記シリコン前駆体の分解が、>300℃の温度で、特に、300℃と1200℃の間の温度で、より好ましくは300℃と600℃の間の温度で行われることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
特に請求項１〜６のいずれかに記載の方法により製造しうる、電極活物質、特に電気化学素子の負極のための電極活物質であって、表面が水素を含むシリコン層、特に非晶質シリコン層で少なくとも部分的に覆われている炭素粒子を含む活物質。
【請求項８】
炭素のコアと、実質的に閉殻のシリコンの殻とを有する粒子を含む請求項７に記載の活物質。
【請求項９】
シリコンの層または殻が、0.001重量％と5重量％の間の割合で、特に0.01重量％と3重量％の間の割合で水素を含むことを特徴とする請求項７または８に記載の活物質。
【請求項１０】
前記炭素粒子の平均粒子径が、1μmと200μmの間、特に1μmと30μmの間であることを特徴とする請求項７〜９のいずれかに記載の活物質。
【請求項１１】
表面にシリコン層を有する炭素粒子の平均粒子径が、10μmと215μmの間、特に10μmと100μmの間であることを特徴とする請求項７〜１０のいずれかに記載の活物質。
【請求項１２】
1:10と10:1の間の範囲、好ましくは、1:1と3:1の間の範囲内である、炭素のシリコンに対する重量比を特徴とする請求項７〜１１のいずれかに記載の活物質。
【請求項１３】
請求項７〜１２のいずれかに記載の活物質を有することを特徴とする電気化学素子のための電極。
【請求項１４】
前記活物質が、バインダーマトリックス中に組み込まれている請求項１３に記載の電極。
【請求項１５】
請求項１３および１４のいずれかに記載の電極を少なくとも１つ含む電気化学素子。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月29日(2012.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上の選択された成分材料を飲料容器内に分与する分与モジュールと前記飲料容器内で前記成分材料を調合および／または混合する、統合された洗浄手段を有する調合および／または混合モジュールとを備える統合された飲料システムのための飲料レシピを用意するためにユーザインタフェース・デバイスと対話しながらコンピュータを動作させる方法であって、前記飲料レシピに関するレシピパラメータをユーザが入力するために前記ユーザインタフェース・デバイスの表示装置上で１つ以上のスクリーンを前記ユーザに提示することと、および飲料容器内で前記成分材料を調合および／または混合するために前記調合および／または混合モジュールのための調合プロファイルおよび／または混合プロファイルを備える前記入力されたレシピパラメータを前記コンピュータに関連するメモリに前記飲料レシピとして保存することと、を備えるレシピプログラムを前記コンピュータ上で実行することを備える、方法。
【請求項２】
前記分与モジュールに、および／または統合された洗浄手段を有する前記調合および／または混合モジュールに連通している前記統合された飲料システムの１つ以上のコントローラによる実行に対し前記入力されたレシピパラメータを実行可能なフォーマットにすることを更に備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記入力されたレシピパラメータはさらに飲料香味料と成分材料と氷と水と混合物（ｍｉｘ−ｉｎｓ）と容器サイズのうちの１つ以上を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記調合プロファイルは前記飲料容器内における１つの調合要素の調合速度と、前記調合要素の位置と移動時間と滞留時間とを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記調合プロファイルは前記飲料容器内における複数の調合速度と、前記調合要素のレベルとレベル間の移動時間と滞留時間とを更に備える、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記混合プロファイルは前記飲料容器内における１つの混合要素の混合速度と、前記混合要素の位置と移動時間と滞留時間とを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記混合プロファイルは前記飲料容器内における複数の混合速度と、前記混合要素のレベルとレベル間の移動時間と滞留時間とを更に備える、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
１つ以上の選択された成分材料を飲料容器内に分与する分与モジュールと前記飲料容器内で前記成分材料を調合および／または混合する、統合された洗浄手段を有する調合および／または混合モジュールとを備える統合された飲料システムのための飲料レシピを用意するためにユーザインタフェース・デバイスと対話しながら動作するコンピュータであって、実行されたときに、前記飲料レシピに関するレシピパラメータをユーザが入力するために前記ユーザインタフェース・デバイスの表示装置上で１つ以上のスクリーンを前記ユーザに提示することと、および飲料容器内で前記成分材料を調合および／または混合するために前記調合および／または混合モジュールのための調合プロファイルおよび／または混合プロファイルを備える前記入力されたレシピパラメータを前記コンピュータに関連するメモリに前記飲料レシピとして保存することと、を備えるレシピプログラムを備えるコンピュータ。
【請求項９】
前記コンピュータは前記統合された飲料システムのユーザインタフェース・コントローラとＰＯＳデバイスと前記統合された飲料システムから独立しているコンピュータとからなるグループから選択される、請求項８に記載のコンピュータ。
【請求項１０】
前記レシピプログラムは前記分与モジュールおよび／または前記調合および／または混合モジュールに連通している前記統合された飲料システムの少なくとも１つのコントローラによる実行に対し前記入力されたレシピパラメータを実行可能なフォーマットにすることを更に備える、請求項８に記載のコンピュータ。
【請求項１１】
前記入力されたレシピパラメータはさらに飲料香味料と成分材料と氷と水と混合物（ｍｉｘ−ｉｎｓ）と容器サイズのうちの１つ以上を備える、請求項８に記載のコンピュータ。
【請求項１２】
前記調合プロファイルは前記飲料容器内における１つの調合要素の調合速度と、前記調合要素の位置と移動時間と滞留時間とを備える、請求項８に記載のコンピュータ。
【請求項１３】
前記調合プロファイルは前記飲料容器内における複数の調合速度と、前記調合要素レベルとレベル間の移動時間との滞留時間とを更に備える、請求項１２に記載のコンピュータ。
【請求項１４】
前記混合プロファイルは前記飲料容器内における１つの混合要素の混合速度と、前記混合要素の位置と移動時間と滞留時間とを備える、請求項８に記載のコンピュータ。
【請求項１５】
前記混合プロファイルは前記飲料容器内における複数の混合速度と、前記混合要素のレベルとレベル間の移動時間と滞留時間とを更に備える、請求項１４に記載のコンピュータ。
【請求項１６】
１つ以上の選択された成分材料を飲料容器内に分与する分与モジュールと前記飲料容器内で前記成分材料を調合および／または混合する、統合された洗浄手段を有する調合および／または混合モジュールとを備える統合された飲料システムのための飲料レシピを用意するためにユーザインタフェース・デバイスと対話しながら動作するコンピュータによる実行のための少なくとも１つのレシピプログラムが記憶されたメモリ媒体であって、実行されたときに、前記飲料レシピに関するレシピパラメータをユーザが入力するために前記ユーザインタフェース・デバイスの表示装置上で１つ以上のスクリーンを前記ユーザに提示することと、および飲料容器内で前記成分材料を調合および／または混合するために前記調合および／または混合モジュールのための調合プロファイルおよび／または混合プロファイルを備える前記入力されたレシピパラメータを前記コンピュータに関連するメモリに前記飲料レシピとして保存することと、を前記コンピュータに実行させる命令を備えるメモリ媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月21日(2012.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽光由来エネルギーの電気への変換に有用な装置であって、中央の垂直に配置されたシャフトと複数の外側に広がる羽根を含み、該羽根の少なくともいくつかはそれらの主表面の少なくとも１つの上またはそれに沿って、１以上の光起電力電池、モジュールまたは配列を含む、装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
上記の構成および方法は例示のためにのみ提示された。
記載された構成および方法のある特徴は、そのような構成および方法の１つまたはいくつかについて説明されたが、それらの構造または使用が付加的用途への適合が不可能でない場合には、それらが他の構成または方法において有用であるとみなすべきである。また、単独で説明した特徴の組み合わせも想定される。
本願発明はその実施態様として以下を含む。
第１項：  太陽光由来エネルギーの電気への変換に有用な装置であって、中央の垂直に配置されたシャフトと複数の外側に広がる羽根を含み、該羽根の少なくともいくつかはそれらの主表面の少なくとも１つの上またはそれに沿って、１以上の光起電力電池、モジュールまたは配列を含む、装置。
第２項：前記羽根のそれぞれが、それらの主表面の少なくとも１つの上またはそれに沿って、１以上の光起電力電池、モジュールまたは配列を含む、第１項記載の装置。
第３項：前記羽根のそれぞれが、それらの主表面の両方の上またはそれに沿って、１以上の光起電力電池、モジュールまたは配列を含む、第２項記載の装置。
第４項：前記羽根の少なくともいくつかが、それらの主表面の両方の上またはそれに沿って、１以上の光起電力電池、モジュールまたは配列を含む、第１項記載の装置。
第５項：前記羽根が前記シャフトの縦軸へ垂直に配置される、第１項記載の装置。
第６項：前記シャフトが前記複数の羽根の少なくとも１つに係合するブラケットの少なくとも１つに操作可能に接続される、第１項記載の装置。
第７項：前記ブラケットが環状であり、前記複数の羽根のそれぞれに係合する、第６項記載の装置。
第８項：前記ブラケットの少なくとも１つのそれぞれが、前記シャフトの縦軸へ垂直に配置され、前記複数の羽根の１つと係合される、第６項記載の装置。
第９項：発電機をさらに含み、該発電機が前記装置と電磁連絡を有し、前記装置により駆動される、第１から８のいずれか１項項記載の装置。
第１０項：モーターをさらに含み、該モーターが該シャフトと作動可能に係合され、該シャフトを回転する、第１から８のいずれか１項項記載の装置。
第１１項：さらに防護カバーを含む、第１０項記載の装置。
第１２項：さらにベースを含み、該ベースおよび防護カバーは作動可能に係合され、保護部屋を提供する、第１１項記載の装置。
第１３項：前記シャフトが、それを通る通路を有する、第１項記載の装置。
第１４項：前記通路を通って配置された１以上のワイヤをさらに含み、該ワイヤは前記光起電力電池、モジュールまたは配列によって製造された電流を該装置から離れて導くように作用する、第１３項記載の装置。
第１５項：太陽光由来エネルギーを変換する方法であって、光起電力電池、モジュールまたは配列が支持体の上に配置され、該支持体は弧を通って回転して移動し、該光起電力電池、モジュールまたは配列がＤＣ電気出力を発生させる、方法。
第１６項：前記アークが少なくとも１８０°である、第１５項記載の装置。
第１７項：前記支持体が回転可能なシャフトと作動可能に係合される羽根を備える、第１５または１６項記載の装置。
第１８項：前記シャフトがモーターと作動可能に係合され、該モーターは該シャフトを回転移動することが可能である、第１７項記載の装置。
第１９項：前記ＤＣ電気出力をＡＣ電気出力に変換する工程をさらに含む、第１８項記載の装置。
第２０項：前記の回転移動と前記の変換する工程の両方が、ユーティリティシステム構成要素の２メーター以内で行なわれる、第１９項記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月29日(2012.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自動化され、コンピュータ管理された画像処理方法において、
画像を供給するステップと、
前記画像の空間スペクトル情報を生成するステップと、
前記空間スペクトル情報の関数として、制約条件を規定するステップと、及び、
前記制約条件を、画像分離操作で使用するステップとを含む、方法。
【請求項２】
空間スペクトル情報がトークンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
空間スペクトル情報がログ色度表現を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
空間スペクトル情報がＸジャンクションを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
空間スペクトル情報がＢＩＤＲモデル表現を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
空間スペクトル情報が境界表現を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
空間スペクトル情報が、テクストンヒストグラムに基いたピクセル表現を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
制約条件が、絶対的物質カラー制約条件、同一物質制約条件、及び、相対反射制約条件のうちの一つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ＣＰＵと、及び、
画像を規定する画像ファイルを保存するメモリとを有するコンピュータシステムにおいて、
前記ＣＰＵは、前記画像ファイル内の画像の物質及び照明様相に係る論理的演繹に関する情報を識別するためのルーチンを実行するように定められ且つ構成されており、当該ＣＰＵは前記情報の関数として制約条件を規定して、当該制約条件を画像分離操作で用いる、コンピュータシステム。
【請求項１０】
コンピュータ読み取り可能な媒体に配されるコンピュータプログラムにおいて、
コンピュータ制御可能な次の処理ステップ、つまり、
コンピュータメモリ内の、画像を描いている画像ファイルを供給するステップと、
画像の物質及び照明様相に係る論理的演繹に関する、前記画像ファイル内の情報を識別するステップと、
前記情報の関数として一つの制約条件を規定するステップと、及び、
前記制約条件を画像分離操作に用いるステップとを有している、コンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月16日(2012.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二酸化ケイ素に優先して基板表面から炭化ケイ素を選択的に除去する化学的機械的研磨（ＣＭＰ）方法であり、
（ａ）研磨パッドと水性ＣＭＰ組成物を前記基板表面に接触させる手順と、
（ｂ）前記基板に存在する炭化ケイ素の少なくても一部を前記表面から摩耗させるに十分な時間、前記ＣＭＰ組成物の一部を前記研磨パッドと前記基板との間で前記基板に接触した状態に維持しつつ前記基板と前記研磨パッドとの間に相対運動を引き起こす手順とを有し、
前記ＣＭＰ組成物が約０．１〜５重量パーセントの範囲の濃度で存在する粒子状シリカ研磨剤と約２〜７の範囲のｐＨを提供する酸性緩衝剤とを含有し、前記ＣＭＰ組成物が前記基板表面に存在する二酸化ケイ素の同時的な摩耗よりも速い研磨速度で前記基板表面に存在する炭化ケイ素を摩耗させることができる方法。
【請求項２】
前記酸性緩衝剤が有機酸を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記有機酸がカルボン酸、ホスホン酸または両者の組合せを含む請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記有機酸が、酢酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノ酸及びカルボン酸のいずれかを含む請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
前記ＣＭＰ組成物が約０．５重量パーセント未満の有機剤を含有するいずれかの先行請求項に記載の方法。
【請求項６】
前記酸性緩衝剤が無機酸及びリン酸のいずれかを含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
シリカが約０．１〜２重量パーセントの範囲の濃度で存在する請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記シリカがコロイド状シリカ、ヒュームドシリカ、アルミナドープシリカおよびこれらの２つ以上の組合せから成る群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記シリカが平均粒径約４０〜１５０ナノメートルの範囲のアルミナドープコロイド状シリカを含む請求項１又は２に記載の方法。
【請求項１０】
前記シリカの平均粒径が、約２０〜約１５０ナノメートル、又は、約２５〜約７５ナノメートル、又は、約８０〜約１４０ナノメートルの範囲である請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記酸性緩衝剤が約２〜５の範囲のｐＨを提供する請求項１，２又は９に記載の方法。
【請求項１２】
前記ＣＭＰ組成物が界面活性剤と酸化剤を含有しない請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
二酸化ケイ素がＰＥＴＲＯＳ系二酸化ケイ素よりも容易に摩耗できる材料であり、組成物ｐＨが約３〜７の範囲である請求項１又は１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記組成物ｐＨが３．５超である請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
ＣＭＰプロセスにおいて基板表面からの二酸化ケイ素研磨に対する炭化ケイ素研磨の選択比を調節する化学的機械的研磨（ＣＭＰ）方法であり、
（ａ）事前に設定された研磨条件下で粒子状シリカ研磨剤と酸性緩衝剤を含むＣＭＰ組成物により炭化ケイ素基板と二酸化ケイ素基板を研磨する手順と、
（ｂ）手順（ａ）において研磨される基板における炭化ケイ素と二酸化ケイ素の研磨速度比を決定する手順と、
（ｃ）二酸化ケイ素に対する炭化ケイ素の研磨速度比を所望により増減させるために研磨パラメータを変更する手順とを含み、
変更される前記研磨パラメータが組成物ｐＨ、前記組成物中の緩衝剤濃度、前記組成物中のシリカ濃度またはそれらの２つ以上の組合せから成る群から選択される方法。
【請求項１６】
変更される前記パラメータが、前記組成物中の緩衝剤濃度、前記組成物のｐＨ、及び、前記組成物中のシリカ濃度のいずれかである請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記粒子状シリカ研磨剤が平均粒径約４０〜１５０ナノメートルの範囲のアルミナドープコロイド状シリカを含む請求項１５又は１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月5日(2012.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】太陽電池を製造する方法、及び太陽電池
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
太陽電池の製造工程および構造の改良点を開示した。本発明の具体的な実施形態を記載したが、上記の実施形態は例示を目的とするものであり限定を目的とするものではないと理解されたい。本開示内容を参照すれば当業者には多くの上記以外の実施形態が明らかとなるであろう。
［項目４］
前記薄い誘電体層は、４０オングストローム未満の厚みに形成される二酸化シリコンを含む項目３に記載の方法。
［項目５］
前記第１のドーパント源はホウ素を含み、前記第２のドーパント源はリンを含む項目１に記載の方法。
［項目７］
前記Ｐ型ドープ領域および前記Ｎ型ドープ領域に電気接続されている金属コンタクトを形成する段階をさらに備え、
前記金属コンタクトは、外部電気回路を前記太陽電池に結合させ、前記太陽電池から前記外部電気回路への電力供給を可能とする項目１に記載の方法。
［項目９］
前記誘電体は、二酸化シリコンを有する項目８に記載の太陽電池。
［項目１５］
太陽電池を製造する方法であって、
シリコン基板上に誘電体を形成する段階と、
前記誘電体上にポリシリコン層を形成する段階と、
レーザアニーリング処理を実行して、前記ポリシリコン層へドーパントを拡散して、前記ポリシリコン層内に互いに隣接するＰ型ドープ領域およびＮ型ドープ領域を形成する段階とを備える方法。
［項目１６］
前記誘電体は、二酸化シリコンを含む項目１５に記載の方法。
［項目１７］
前記レーザアニーリング処理は、エキシマーレーザを用いて実行される項目１５に記載の方法。
［項目１８］
Ｐ型ドーパント源およびＮ型ドーパント源を形成する段階をさらに備え、
前記レーザアニーリング処理は、前記Ｐ型ドーパント源および前記Ｎ型ドーパント源から前記ポリシリコン層へとドーパントを拡散させて、前記互いに隣接するＰ型ドープ領域およびＮ型ドープ領域を形成する項目１５に記載の方法。
［項目１９］
前記シリコン基板の表側の表面を粗面化処理する段階をさらに備える項目１５に記載の方法。
［項目２０］
前記シリコン基板は、Ｎ型シリコン基板を含み、前記誘電体は、４０オングストローム未満の厚みに形成される二酸化シリコンを含む項目１５に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池を製造する方法であって、
シリコン基板の裏面上にポリシリコン層を形成する段階と、
前記ポリシリコン層上に第１のドーパント源および第２のドーパント源を形成する段階と、
前記ポリシリコン層を局所的に加熱して、前記第１のドーパント源および前記第２のドーパント源からドーパントを前記ポリシリコン層に打ち込み、前記ポリシリコン層の一連続部分にＰ型ドープ領域およびＮ型ドープ領域を形成すると共に前記ポリシリコン層を再結晶化して平均粒径を大きくする段階と
を備える方法。
【請求項２】
前記ポリシリコン層は、レーザを用いて局所的に加熱される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ポリシリコン層は、前記シリコン基板の裏側に形成される薄い誘電体層の上に形成される請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記ポリシリコン層は再結晶化されると、平均粒径が少なくとも１ミクロンとなる請求項１から３の何れか１項に記載の方法。
【請求項５】
シリコン基板と、
前記シリコン基板の裏側に形成されている誘電体と、
前記誘電体上に形成されているポリシリコン層と
を備え、
前記シリコン基板の前記裏側は、通常動作時に太陽の方を向いている表側の反対側であり、
前記ポリシリコン層は、一連続部分にＰ型ドープ領域およびＮ型ドープ領域が形成されており、前記Ｐ型ドープ領域と前記Ｎ型ドープ領域との間の界面において平均粒径が少なくとも１ミクロンである太陽電池。
【請求項６】
前記誘電体は、４０オングストローム未満の厚みに形成されている二酸化シリコンを有する請求項５に記載の太陽電池。
【請求項７】
前記Ｐ型ドープ領域および前記Ｎ型ドープ領域を、前記太陽電池から電力供給される外部電気回路に電気結合する金属コンタクトをさらに備える請求項５または６に記載の太陽電池。
【請求項８】
前記シリコン基板は、Ｎ型シリコンウェハを有する請求項５から７の何れか１項に記載の太陽電池。
【請求項９】
前記シリコン基板は、表側の表面が粗面化処理されている請求項５から８の何れか１項に記載の太陽電池。
【請求項１０】
前記シリコン基板の表側に設けられている反射防止コーティングをさらに備える請求項５から９の何れか１項に記載の太陽電池。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月4日(2012.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
核酸ベクターがポリマーに共有結合しているポリマー改変核酸ベクターであって、該ポリマーは１個以上の陽性荷電４級アミノ基を有し、ここで該核酸ベクターは、ウイルス、細菌若しくはバクテリオファージ、真菌、胞子、真核細胞の核、又は遺伝情報を含む他の微生物断片若しくは成分よりなる群から選択される微生物であり、ここで
（ａ）該ポリマー及び／又はこれと核酸ベクターとの結合は加水分解的、還元的、又は酵素的に分解可能であり、及び／又は
（ｂ）該陽性荷電４級アミノ基のそれぞれは、１個以上の分解性又は生体分解性結合を介してポリマー骨格に結合している、
ポリマー改変核酸ベクター。
【請求項２】
ポリマーと核酸ベクターとの前記結合は、加水分解的、還元的、又は酵素的に分解可能であり、例えば、該加水分解的、還元的、又は酵素的に分解可能なポリマー、及び／又はこれと核酸ベクターとの結合は、ヒドラゾン、ヒドラジド、又はジスルフィド基を含んでなる、請求項１のポリマー改変核酸ベクター。
【請求項３】
前記陽性荷電４級アミノ基のそれぞれは、還元性又は加水分解性結合を含むリンカーによりポリマー骨格に結合している、請求項１又は２に記載のポリマー改変核酸ベクター。
【請求項４】
前記陽性荷電４級アミノ基のそれぞれをポリマー骨格に連結する１個以上の分解性の又は生体分解性の結合は、ジスルフィド結合、ヒドラジド結合、アセタール部分、又は酵素的に切断可能な結合を含んでなる、請求項１〜３のいずれか１項に記載のポリマー改変核酸ベクター。
【請求項５】
前記核酸ベクターは治療用又は抗原性遺伝物質を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載のポリマー改変核酸ベクター。
【請求項６】
ポリマーの核酸ベクターへの結合と核酸ベクターの改変により、核酸ベクターが宿主生物学的系で、それらが本来は通常相互作用する他の分子と相互作用する能力の阻害か、又はそれらが本来は通常結合する部位若しくは受容体に核酸ベクターが結合する能力の阻害が引き起こされる、請求項１〜５のいずれか１項に記載のポリマー改変核酸ベクター。
【請求項７】
前記核酸ベクターは、例えば、アデノウイルス、ヘルペスウイルス、パルボウイルス、ポックスウイルス、トガウイルス、ロタウイルス、又はピコルナウイルスに基づくウイルス又はウイルスベクターである、請求項１〜６のいずれか１項に記載のポリマー改変核酸ベクター。
【請求項８】
前記ポリマーは多価ポリマーである、請求項１〜７のいずれか１項に記載のポリマー改変核酸ベクター。
【請求項９】
前記ポリマーは、少なくとも２個の結合、典型的には少なくとも３個の結合により核酸ベクターに結合している、請求項１〜８のいずれか１項に記載のポリマー改変核酸ベクター。
【請求項１０】
前記ポリマー骨格は、Ｎ−２−ヒドロキシプロピルメタクリルアミド（ＨＰＭＡ）、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−１−グルタミン（ＨＥＧ）、エチレングリコール−オリゴペプチドのようなモノマー単位に基づくか、又はポリシアル酸若しくはポリマンナンポリマーである、請求項１〜９のいずれか１項に記載のポリマー改変核酸ベクター。
【請求項１１】
生物活性物質はポリマーに結合しているか又は含まれており、該生物活性物質は、例えば、増殖因子若しくはサイトカイン、糖、ホルモン、脂質、リン脂質、脂肪、アポリポタンパク質、細胞接着促進剤、酵素、毒素、ペプチド、糖タンパク質、血清タンパク質、ビタミン、ミネラル、Ｔｏｌｌ様受容体のリガンド、及び／又は受容体を認識する抗体の１個以上である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のポリマー改変核酸ベクター。
【請求項１２】
前記生物活性物質は抗体又は抗体断片である、請求項１１のポリマー改変核酸ベクター。
【請求項１３】
核酸ベクターとポリマーとを反応させることを含んでなる、核酸ベクターの生物学的及び／又は物理化学的性質を改変する方法であって、ポリマー改変核酸ベクターを得るために核酸ベクターが１個以上の共有結合によりポリマーに結合するように、該ポリマーは１個以上の陽性荷電４級アミノ基と１個以上の反応性基を含み、ここで核酸ベクターは、ウイルス、細菌若しくはバクテリオファージ、真菌、胞子、真核細胞の核、又は遺伝情報を含む他の微生物断片若しくは成分よりなる群から選択される微生物であり、ここで
（ａ）ポリマー、及び／又はこれと核酸ベクターとの１個以上の共有結合は加水分解的、還元的、又は酵素的に分解可能であり、及び／又は
（ｂ）陽性荷電４級アミノ基のそれぞれは、１個以上の分解性又は生体分解性結合を介してポリマー骨格に結合している、方法。
【請求項１４】
前記核酸ベクターは請求項５〜７のいずれか１項の特徴を含み、そして／あるいは前記ポリマーは請求項２〜４又は８〜１２のいずれか１項の特徴を含んでなる、請求項１３の方法。
【請求項１５】
前記ポリマーは、１個以上の該反応性基により置換される骨格を有する生物学的に不活性なポリマーである、請求項１３又は請求項１４の方法。
【請求項１６】
前記反応性基のそれぞれはスペーサー基を介してポリマー骨格に結合し、前記スペーサー基は１個以上の切断可能な基、例えば加水分解可能な基、例えばヒドラゾン又はヒドラジド基を含んでなる、請求項１３〜１５のいずれか１項の方法。
【請求項１７】
前記ポリマーは１個以上の式IVa：
【化１】
2012511320.tif 000001
（ここで、ＸはＮＨであり、ｎは２であり、Ｌは−Ｓ−Ｓ−である）の単位を含んでなる請求項１３〜１６のいずれか１項の方法。
【請求項１８】
前記ポリマーは１個以上の式：
【化２】
2012511320.tif 000002
の単位を含んでなる、請求項１３〜１６のいずれか１項の方法。
【請求項１９】
前記ポリマーは以下の３個のモノマー単位：
【化３】
2012511320.tif 000003
（ここで、ｍは８５〜９６モル％であり、ｎは３〜１０モル％であり、ｏは１〜５モル％である）を含んでなる、請求項１３〜１６又は１８のいずれか１項の方法。
【請求項２０】
前記ポリマーは以下の４個のモノマー単位：
【化４】
2012511320.tif 000004
（ここで、ａは８５〜９３モル％であり、ｂは１〜５モル％であり、ｃは４〜６モル％であり、ｄは２〜４モル％である）を含んでなる、請求項１３〜１７のいずれか１項の方法。
【請求項２１】
請求項１３〜２０のいずれか１項の方法により得られるポリマー改変核酸ベクター。
【請求項２２】
前記ポリマーは、本来はポリマー改変核酸ベクターの活性を中和することができる抗体による認識を受けるであろう核酸ベクターの領域を遮蔽し、該領域は典型的には核酸ベクターの表面の陰性荷電領域若しくは酸性領域である、請求項１〜１２又は２１のいずれか１項のポリマー改変核酸ベクター。
【請求項２３】
適切な希釈剤又は担体とともに、請求項１〜１２、２１又は２２のいずれか１項で定義したポリマー改変核酸ベクターを含んでなる組成物。
【請求項２４】
治療における使用のための請求項１〜１２、２１又は２２のいずれか１項のポリマー改変核酸ベクター。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月22日(2012.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの電極と電気絶縁層とを含む装置であって、該電気絶縁層は、前記少なくとも１つの電極に近接する前記装置の外面の一部分を構成し、
前記少なくとも１つの電極と前記電気絶縁層との組合せが、該電気絶縁層を介して、前記電極と前記装置の前記外面の前記部分に接触するユーザとの間の容量結合を利用することにより、ユーザに刺激を提供するように構成され、
前記電極は、互いに電気絶縁された第１の電極素子および第２の電極素子を含む、
前記装置。
【請求項２】
前記装置は、前記第１の電極素子と前記第２の電極素子との間に、時間によって変化する電位差を提供するように構成された、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記電位差は、１〜１０ボルトの範囲である、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記電極は、光透過性である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記外面は、疎水性及び／又は疎油性である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記絶縁層は、５００ｎｍ〜２μｍの範囲の厚さを有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
０．１ｍｍ〜５ｍｍの範囲の間隔で隔てられている、複数の個別に制御される電極を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記電極は、光透過性電極の２次元のアレイの一部を構成する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
前記装置は可撓性である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
前記装置の前記外面の前記部分にユーザが接触及び／又は近接するのを検出するよう構成された検出回路を含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】
前記装置の前記外面のうち、前記電極に近い前記部分にユーザが接触するのを前記検出回路が検出するのに応答して、前記電極に神経刺激電位差を提供するよう構成された刺激回路を含む、請求項８に記載の装置。
【請求項１２】
前記電極及び前記電気絶縁層の下にあるディスプレイをさらに含む、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１３】
前記装置が携帯デバイスを含む、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１４】
ユーザ装置を制御するユーザへのフィードバックを制御する、非治療的な方法であって、
少なくとも１つの電極の作動を制御して、前記電極と装置の外側絶縁層のうち前記少なくとも１つの電極に近い部分に接触するユーザとの間の容量結合を利用することにより、ユーザに触覚刺激を提供する工程を含み、
前記電極は、互いに電気絶縁された第１の電極素子および第２の電極素子を含む、
前記方法。
【請求項１５】
前記制御する工程に先立ち、前記装置の前記外面の前記部分にユーザが接触及び／又は近接したことを検出する工程をさらに含む、請求項１４に記載の非治療的な方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月11日(2012.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つの抗原性ＩｇＥペプチドを含む免疫原性組成物であって、ここで第１の抗原性ＩｇＥペプチドは配列番号３１２のアミノ酸配列からなり、第２の抗原性ＩｇＥペプチドは配列番号２２０のアミノ酸配列からなる免疫原性組成物。
【請求項２】
各抗原性ＩｇＥペプチドが免疫原性担体に連結している、請求項１に記載の免疫原性組成物。
【請求項３】
免疫原性担体がウイルス様粒子である、請求項２に記載の免疫原性組成物。
【請求項４】
ウイルス様粒子がＨＢｃＡｇ、ＨＢｓＡｇおよびＱｂｅｔａウイルス様粒子からなる群から選択される、請求項３に記載の免疫原性組成物。
【請求項５】
ウイルス様粒子がＱｂｅｔａウイルス様粒子である、請求項４に記載の免疫原性組成物。
【請求項６】
第１の抗原性ＩｇＥペプチドが抗原性ＩｇＥペプチドのＣ末端またはＮ末端において連結しているリンカーを経由して免疫原性担体に連結している、請求項３に記載の免疫原性組成物。
【請求項７】
リンカーが抗原性ＩｇＥペプチドのＣ末端に連結しており、式Ｃ（Ｇ）ｎ（式（Ｇ）ｎにおけるｎは０，１，２，３，４，５，６，７，８，９および１０からなる群から選択される整数である）を有する、請求項６に記載の免疫原性組成物。
【請求項８】
リンカーが抗原性ＩｇＥペプチドのＮ末端に連結しており、式Ｃ（Ｇ）ｎ（式（Ｇ）ｎ）におけるｎは０，１，２，３，４，５，６，７，８，９および１０からなる群から選択される整数である）を有する、請求項６に記載の免疫原性組成物。
【請求項９】
第２の抗原性ペプチドが、抗原性ＩｇＥペプチドのＣ末端またはＮ末端において連結しているリンカーを介して免疫原性担体に連結している、請求項７または請求項８に記載の免疫原性組成物。
【請求項１０】
第２の抗原性ＩｇＥペプチドが、ＳＭＰＨ（スクシンイミジル−６−［β−マレイミドプロピオンアミド］ヘキサノエート）を架橋剤として使用して、チオエーテル連結を介して配列番号４３５のＱｂｅｔａウイルス様粒子に化学的に架橋されており、前記連結が、前記抗原性ＩｇＥペプチドのシステイン残基と前記ウイルス様粒子のリシン残基の間にある、請求項７または請求項８に記載の免疫原性組成物。
【請求項１１】
第１の抗原性ＩｇＥペプチドのＣ末端が式ＧＧＣを有するリンカーに対して結合している、請求項１０に記載の免疫原性組成物。
【請求項１２】
１またはそれ以上のアジュバントをさらに含む請求項１に記載の免疫原性組成物。
【請求項１３】
アジュバントが、ミョウバン、ＣｐＧ含有オリゴヌクレオチド、サポニン系アジュバントおよびそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される、請求項１２に記載の免疫原性組成物。
【請求項１４】
前記アジュバントが、ＣｐＧ７９０９（配列番号４３３）、ＣｐＧ１０１０３（配列番号４３２）、およびＣｐＧ２４５５５（配列番号４３１）からなる群から選択されるＣｐＧ含有オリゴヌクレオチドである、請求項１３に記載の免疫原性組成物。
【請求項１５】
少なくとも２つのアジュバントを含み、１つのアジュバントがミョウバンであり、他のアジュバントが、ＣｐＧ７９０９（配列番号４３３）、ＣｐＧ１０１０３（配列番号４３２）、およびＣｐＧ２４５５５（配列番号４３１）からなる群から選択される、請求項１２に記載の免疫原性組成物。
【請求項１６】
ａ）Ｑｂｅｔａウイルス様粒子に連結した配列番号２２０のアミノ酸配列からなる第１の抗原性ＩｇＥペプチド；
ｂ）Ｑｂｅｔａウイルス様粒子に連結した配列番号３１２のアミノ酸配列からなる第２の抗原性ＩｇＥペプチド；
ｃ）ミョウバン
を含む、免疫原性組成物。
【請求項１７】
ＣｐＧ２４５５５（配列番号４３１）をさらに含む請求項１６に記載の免疫原性組成物。
【請求項１８】
ａ）Ｑｂｅｔａウイルス様粒子に連結した配列番号２２０のアミノ酸配列からなる第１の抗原性ＩｇＥペプチド；
ｂ）Ｑｂｅｔａウイルス様粒子に連結した配列番号３１２のアミノ酸配列からなる第２の抗原性ＩｇＥペプチド；
ｃ）ミョウバン
を含む、医薬組成物。
【請求項１９】
ＣｐＧ２４５５５（配列番号４３１）をさらに含む、請求項１８に記載の医薬組成物。
【請求項２０】
治療有効量の請求項１に記載の免疫原性組成物を個体に投与することを含む、個体におけるＩｇＥ関連異常を処置する方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年11月17日(2011.11.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
１４−ヒドロキシコデイノンを生じるためのテバインの酸化の間、８，１４−ジヒドロキシ−７，８−ジヒドロコデイノンを包含するいくつかの過酸化生成物が形成される。１４−ヒドロキシコデイノンからのオキシコドン遊離塩基の生成において、８，１４−ジヒドロキシ−７，８−ジヒドロコデイノンが、このプロセスを通って運ばれる。オキシコドン遊離塩基のオキシコドンハイドロクロライドへの転化の間、その不純物が、酸触媒された脱水を受け、１４−ヒドロキシコデイノンに転化される。このようにして、１４−ヒドロキシコデイノンが、最終オキシコドンハイドロクロライド組成物中に存在する。 
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１７５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１７５】
実施例３において、２７．８３ｇのオキシコドン遊離塩基のウォーターウェット（２４．５７ｇ乾燥ベース、０．０７７９モル、約３０００ｐｐｍ  １４−ヒドロキシコデイノン）、３９．８ｇの脱イオン水、８１．９ｇのイソプロパノール、０．４９ｇ ５％Ｐｄ／Ｃ触媒の５０％ウォーターウェット（ジョンソン・マッセイ８７Ｌ型）、および濃ＨＣｌ（１１．３ｇ、０．１１７モル、３７．７％ＨＣｌアッセイを基準にして１．５０当量）が、５００ｍＬパーシェイカービンにおいて組合わされた。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年11月10日(2011.11.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒子を含む薬学的組成物であって、該粒子が
カルボン酸基、ホスホン酸基、硫酸基、スルホン酸基、スルファミン酸基、またはこれらの組合せを有する陽イオン交換ポリマーを含むコア、および
式ＲＸを有するアルキル化剤によりアルキル化されたアミン官能ポリマーから選択される架橋したシェルポリマーを含むシェルであって、式ＲＸにおいて、ＲはＣ１〜Ｃ２０のアルキル基、Ｃ１〜Ｃ２０のヒドロキシアルキル基、Ｃ６〜Ｃ２０のアラルキル基、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキルアンモニウム基、またはＣ１〜Ｃ２０のアルキルアミド基であり、Ｘは１つまたは複数の親電子基を含んでいる、シェル、
を含む、薬学的組成物。
【請求項２】
前記アミン官能ポリマーの窒素原子の１０ｍｏｌ％未満が、アルキル化後に第４アンモニウムイオンを形成する、請求項１に記載の薬学的組成物。
【請求項３】
前記アルキル化剤が、アミン反応性親電子剤を有するＣ１〜Ｃ２０のアルキル基またはＣ６〜Ｃ２０のアルキルアリール基である、請求項１または２に記載の薬学的組成物。
【請求項４】
前記アルキル化剤が、ハロゲン化ベンジルおよびハロゲン化ドデシルからなる群より選択される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の薬学的組成物。
【請求項５】
前記アルキル化剤が、少なくとも２つの親電子基Ｘを含む、請求項１、２、または４のいずれか一項に記載の薬学的組成物。
【請求項６】
前記アルキル化剤が、ジハロアルカン、ジハロポリエチレングリコール、およびエピクロロヒドリンからなる群より選択される、請求項５に記載の薬学的組成物。
【請求項７】
前記陽イオン交換ポリマーが、スルホン酸ポリスチレンまたはポリ−２−フルオロアクリル酸を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の薬学的組成物。
【請求項８】
前記シェルポリマーがベンジル化ポリエチレンイミンを含む、請求項７に記載の薬学的組成物。
【請求項９】
前記シェルの厚さが、０．００２μｍと５０μｍとの間である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の薬学的組成物。
【請求項１０】
コアに対するシェルの重量比が、０．０１％〜５０％である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の薬学的組成物。
【請求項１１】
高カリウム血症、腎臓でのカルシトリオール合成の減少、腎不全、高血圧、慢性心不全、末期の腎疾患、体液過剰、および同化代謝の処置のための、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の薬学的組成物。
【請求項１２】
１つまたは複数の薬学的に受容可能な担体、希釈剤または賦形剤、および必要に応じて追加される治療薬をさらに含む、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の薬学的組成物。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の薬学的組成物、および１つまたは複数の追加される治療薬をさらに含む、薬学的キット。
【請求項１４】
ヒトまたは動物からカリウムを除去するための、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の薬学的組成物。
【請求項１５】
ヒトまたは動物からカリウムを除去するための医薬の調製における、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の薬学的組成物の使用。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
プラス電荷と疎水性を組み合わせたシステムでは、好ましいシェルポリマーとしては、上記のアミン官能ポリマーが挙げられ、これは必要に応じて疎水性物質によりアルキル化することができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
アルキル化には、ポリマーの窒素原子とアルキル化剤（通常、アルキル基やアルキルアリール基を有するアミン反応性の親電子物質）との反応が含まれる。さらに、アルキル化剤と反応する窒素原子は、複数のアルキル化による第四アンモニウムイオン形成を起こしにくく、アルキル化終了時点で、第四アンモニウムイオンを形成する窒素原子は１０ｍｏｌ％未満である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７１】
いくつかの実施形態において、コア材料は、望ましいイオン結合性質を有するポリマー組成物から選択される。適切なポリマー材料の例としては次のものが挙げられ、これらの他にもあり得る：
１）アミン官能ポリマーなどの陰イオン結合材料、例えば米国特許Ｎｏ．５，９８５，９３８、５，９８０，８８１、６，１８０，０９４、６，４２３，７５４、およびＰＣＴｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎＷＯ９５／０５１８４に記載されているもの
２）陽イオン交換ポリマー、例えばカルボン酸基、ホスホン酸基、硫酸基、スルホン酸基、スルファミン酸基、およびこれらの組合せの酸官能基を有するもの。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１９５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１９５】
【図１】図１は、コア−シェル組成物の一実施形態の概略図である。
【図２】図２は、本発明のいくつかの実施形態について、時間の関数としての溶質結合プロフィールを示す。
【図３】図３は、イオン浸透性を決めるための膜調製物を示す。
【図４】図４は、さまざまな陽イオンに対し、異なるポリエチレンイミンをコーティングしたビーズの結合データを示す。
【図５】図５は、マグネシウムおよびカリウムの結合に対するＥｕｄｒａｇｉｔＲＬ１００シェルの影響を示す。
【図６】図６は、ベンジル化したポリエチレンイミンをコーティングしたＤｏｗｅｘ（Ｋ）ビーズにおける、マグネシウムの結合を示す。
【図７】図７は、胃中の酸性条件を代表する酸性条件下での、Ｂｅｎ（８４）−ＰＥＩコーティングされたＤｏｗｅｘ（Ｋ）ビーズの安定性を示す。
【図８】図８は、ベンジル化したポリエチレンイミンのシェルを有するフルオロアクリル酸ビーズによるマグネシウム結合を示す。
【図９】図９は、ベンジル化したポリエチレンイミンをコーティングしたＤｏｗｅｘビーズによる、カリウム結合とマグネシウム結合を示す。
【図１０】図１０は、膜の浸透性を決めるためのセットアップを示す。
【図１１】図１１は、ベンジル化ポリエチレンイミン膜の浸透性を示す。
【図１２】図１２は、ＥｕｄｒａｇｉｔＲＬ１００とＥｕｄｒａｇｉｔＲＳ１００との混合物を含む膜の浸透性および浸透選択性を示す。
【図１３】図１３は、ポリエチレンイミンをコーティングしたＤｏｗｅｘ（Ｌｉ）によるカリウム結合における、胆汁酸の影響を示す。