【事件の表示】
　平成　５年特許願第１９９２２８号「誘電体薄膜素子」拒絶査定に対する審判事件［平成　７年　２月　７日出願公開、特開平　７−　３７７５５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯・本願発明　
　本願は、平成５年７月１６日の出願であって、その請求項に係る発明は、平成１４年１月２１日付の手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。（以下、「本願発明」という。）
　
　「基板上に下部電極、誘電体薄膜、及び上部電極を形成してなる誘電体薄膜素子であって、
　前記下部電極は、基板上に拡散防止膜、電極を順次形成した構造を有しているとともに、
　前記誘電体薄膜は単成分の酸化チタン（ＴｉＯ2）からなり、かつ、該酸化チタンは少なくともルチル型結晶とアナターゼ型結晶の２種類の結晶を所定の比率で混在させた混合構造を有していること
　を特徴とする誘電体薄膜素子。」
　　
２．引用例　
　これに対して、原査定において拒絶の理由に引用された、本願の出願日前の平成５年６月１１日に頒布された刊行物である特開平５−１４４６６４号公報（以下、「引用例１」という。）には、次のとおり記載されている。
・「ペロブスカイト構造を有する誘電体材料よりなる誘電体薄膜と、前記誘電体薄膜を介して対向形成された上部電極及び下部電極を具備してなる薄膜コンデンサにおいて、
　前記誘電体薄膜の前記上部電極との境界面，及び前記下部電極との境界面のうち、少なくとも一方にＡ2 Ｂ2 Ｏ7 型構造（Ａ，Ｂは金属）を有する誘電体材料よりなる界面層を堆積したことを特徴とする薄膜コンデンサ。」（特許請求の範囲の請求項１）
　
・「【００１０】　　
　【実施例】
　図１は本発明の一実施例に係る薄膜コンデンサの断面図である。図示のように、この薄膜コンデンサは、シリコン基板１上に下部電極２と、誘電体薄膜３と、上部電極４とが積層されて構成されている。
　　　【００１１】
　シリコン基板１は、５インチシリコンウェハー１ａを熱酸化法により酸化し、表面に厚さ１［μｍ］の酸化シリコン１ｂを形成したものである。この酸化シリコン１ｂは、シリコンウェハー１ａと下部電極２とを絶縁するものである。
　　　【００１２】
　下部電極２は、シリコン基板１上にチタン２ａを３００Ａ（ただし「Ａ」はオングストローム），白金２ｂを１０００Ａだけスパッタ法により堆積して形成される。この際のスパッタの条件は、Ａｒガス，真空度０．６Ｐａ，出力３００Ｗである。
　　　【００１３】
　誘電体薄膜３は、下部電極２上にＳｒ2 Ｎｂ2 Ｏ7 よりなる界面層３ａをスパッタ法により約５０Ａ堆積し、次にＳｒＴｉＯ3 よりなる誘電体層３ｂをやはりスパッタ法により１０００Ａ堆積し、更に、この上にＳｒ2 Ｎｂ2 Ｏ7 よりなる界面層３ｃをスパッタ法により５０Ａ堆積して形成される。なお、Ｓｒ2 Ｎｂ2 Ｏ7 を堆積する際にはターゲットとしてＳｒ2 Ｎｂ2 Ｏ7 の焼結体を用い、ＳｒＴｉＯ3 を堆積する際にはターゲットとしてＳｒＴｉＯ3 の焼結体を用いる。また、このときのスパッタ条件は、Ａｒ＋Ｏ2 ガス，真空度０．６Ｐａ，出力４００Ｗである。
　　　【００１４】
　上部電極４は、誘電体薄膜３上にチタン４ａを３００Ａ，白金４ｂを１０００Ａだけスパッタ法にて堆積して形成される。」
　　
　これらの記載より、引用例１には、
  「ペロブスカイト構造を有する誘電体材料よりなる誘電体薄膜と、前記誘電体薄膜を介して対向形成された上部電極及び下部電極を具備してなる薄膜コンデンサにおいて、
　前記下部電極は、シリコンウエハ基板上に、酸化シリコン膜及び金属薄層（１ａ，１ｂ）を順次形成した構造を有したことを特徴とする薄膜コンデンサ。」
が記載されている。
　
　また、同様に、原査定において拒絶の理由に引用された、本願の出願日前の平成２年１０月３日に頒布された刊行物である特開平２−２４７９０４号公報（以下、「引用例２」という。）には、次のとおり記載されている。　
　「ＴｉＯ２薄膜は優れた電気的、光学的特性を有し、化学的にも安定であることから、コンデンサ、光デバイス用素子としての利用が検討されている。しかしながら、高い誘電率、屈折率を有するのは、高温で安定なルチル型であり、低温で生成しやすいアナターゼ型は誘電率、屈折率、硬度等の特性においてルチル型に劣る。
　したがって、膜全体にわたり、均一なルチル型構造のＴｉＯ２膜を得る方法としては、スプレー法またはＣＶＤ法による成膜過程において、基板温度を１，２００℃以上とするか、あるいは５００℃以下の低温で形成したアナターゼ型のＴｉＯ２膜を１，２００℃以上で熱処理する方法が行なわれてきた。」（第２頁左上欄第１６行〜同頁右上欄第８行）
　
３．対比　　
　本願発明と引用例１に記載された発明（以下「引用発明」という。）を対比すると、　
　引用発明の「下部電極」、「上部電極」、「誘電体薄膜」及び、「シリコンウエハ基板」は、それぞれ、本願発明の、「下部電極」、「上部電極」、「誘電体薄膜」及び、「基板」
に相当する。
　　
　また、引用発明の「薄膜コンデンサ」において、上部電極及び下部電極の間に実質的に挟まれるのは、「誘電体薄膜」であるので、「薄膜コンデンサ」は、「誘電体薄膜素子」に相当する。
　さらに、本願発明の「拡散防止膜」がシリコン酸化膜であるので、引用発明の「酸化シリコン膜」は、本願発明の「拡散防止膜」に相当する。
　　　
　よって、両者は、
　「基板上に下部電極、誘電体薄膜、及び上部電極を形成してなる誘電体薄膜素子であって、前記下部電極は、基板上に拡散防止膜、電極を順次形成した構造を有していることを特徴とする誘電体薄膜素子。」である点で一致し、　
　以下の点で相違する。　
　
　相違点１  
  本願発明では、誘電体薄膜が「単成分の酸化チタン（ＴｉＯ2）からなり、かつ、該酸化チタンは少なくともルチル型結晶とアナターゼ型結晶の２種類の結晶を所定の比率で混在させた混合構造を有している」のに対して、引用発明では、誘電体薄膜が「ペロブスカイト構造を有する誘電体材料よりなる誘電体薄膜」である点。
　　
４．当審の判断　
　上記相違点について、以下で検討する。
　
　相違点１について　
　引用例２には、コンデンサに用いる誘電体膜として、ＴｉＯ２薄膜が示されるとともに、
 「膜全体にわたり、均一なルチル型構造のＴｉＯ２膜を得る方法としては、スプレー法またはＣＶＤ法による成膜過程において、基板温度を１，２００℃以上とするか、あるいは５００℃以下の低温で形成したアナターゼ型のＴｉＯ２膜を１，２００℃以上で熱処理する方法が行なわれてきた」ことが記載されているので、
　誘電体薄膜素子であるコンデンサの誘電体薄膜として、ＴｉＯ２のみの薄膜を用いること及び、ＴｉＯ２薄膜の形成温度を適宜設定することにより、ルチル型結晶とアナターゼ型結晶の２種類の結晶を所定の比率で混在させた混合構造とすることは、当業者が容易になし得ることである。
　よって、引用発明の「ペロブスカイト構造を有する誘電体材料よりなる誘電体薄膜」に代えて、本願発明の如く、誘電体薄膜を「単成分の酸化チタン（ＴｉＯ2）からなり、かつ、該酸化チタンは少なくともルチル型結晶とアナターゼ型結晶の２種類の結晶を所定の比率で混在させた混合構造を有している」ものとすることは、引用例１及び２に記載された発明から、当業者が何ら困難性なくなし得たものである。
　
　したがって、本願発明は、当業者が各引用例に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　　　
　　
５．むすび　　
　よって、結論のとおりに審決する。