Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月26日(2011.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータで生成された三次元仮想環境へウエブ・コンテンツを取り込む方法において、
（Ａ）ウエブ・コンテンツを、コンピュータ上でインスタンスで表されたウエブ・ブラウザで獲得するステップと、
（Ｂ）前記ウエブ・コンテンツを、前記コンピュータのバッファに記憶するステップと、
（Ｃ）仮想環境クライアントが、前記ウエブ・コンテンツを、前記三次元の仮想環境の三次元表面上に、配置するステップと、
を有する
ことを特徴とするコンピュータで生成された三次元仮想環境へウエブ・コンテンツを取り込む方法。
【請求項２】
前記ウエブ・コンテンツは、前記仮想環境クライアントから独立した、前記ウエブ・ブラウザにより得られる
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ウエブ・コンテンツは、仮想環境サーバから独立した、前記ウエブ・サーバにより得られる
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
（Ｄ）前記三次元表面から、ＵＲＬを得るステップと、
前記ＵＲＬは、前記（Ａ）ステップの間使用され、前記ウエブ・ブラウザを、前記ウエブ・コンテンツを得るように、指示し、
前記ＵＲＬは、クッキーとＪａｖａＳｃｒｉｐｔ変数とを有するブラウザ状態情報を含む
を更に有する
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
（Ｅ）ユーザから、前記ウエブ・コンテンツに関連する入力を受領するステップ
前記入力は、前記ウエブ・コンテンツを更新するインストラクションを含む
を更に有する
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
（Ｆ）前記インストラクションに関連する新たなＵＲＬを獲得するステップと、
（Ｇ）前記新たなＵＲＬと前記ブラウザ状態情報を、前記ウエブ・サーバに転送するステップと、
これにより、更新済みウエブ・コンテンツを得る
を更に有する
ことを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
（Ｈ）前記更新済みウエブ・コンテンツを、コンピュータ上でインスタンスで表されたウエブ・ブラウザで獲得するステップと、
（Ｉ）前記更新済みウエブ・コンテンツを、前記コンピュータのバッファに記憶するステップと、
（Ｊ）前記仮想環境クライアントが、前記更新済みウエブ・コンテンツを、前記三次元の仮想環境の三次元表面上に、配置するステップと、
を更に有する
ことを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】
（Ｋ）前記新たなＵＲＬと新たなブラウザ状態を、仮想環境サーバに転送するステップと、
これにより、前記新たなＵＲＬと新たなブラウザ状態が、仮想環境の他のユーザに転送される
を更に有する
ことを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項９】
仮想環境の複数のユーザに、前記仮想環境内のウエブ・コンテンツにアクセスさせる方法において、
（Ａ）ＵＲＬと初期ブラウザ状態を、三次元の仮想環境内の三次元表面に関連付けるステップと、
（Ｂ）前記ＵＲＬと初期ブラウザ状態を、三次元表面を記述するパラメータと共に、前記三次元の仮想環境のユーザに転送するステップと、
を有する
ことを特徴とする仮想環境の複数のユーザに、前記仮想環境内のウエブ・コンテンツにアクセスさせる方法。
【請求項１０】
前記ＵＲＬにより、前記三次元の仮想環境のユーザが、前記仮想環境をサポートするサーバとは無関係のウエブサーバから、前記ＵＲＬに関連するウエブ・コンテンツを得ることができ、
前記三次元の表面を記述するパラメータにより、前記ウエブ・コンテンツは、前記仮想環境内にマッピングされ、
前記初期ブラウザ状態により、前記ユーザは、前記仮想環境内のウエブ・コンテンツと同期したビューを有することができる
ことを特徴とする請求項９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月24日(2012.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サービスプラットフォームとの取引において、エージェントの意向と引き換えに、前記エージェントを代償するシステムであって、
エージェントと、前記エージェントによって作動される一連の機器と、を登録するコンポーネントと、
前記登録されたエージェントに関連し受信した情報から意向を抽出するコンポーネントと、オフラインドメイン又はオンラインドメインのうち少なくとも１つにおいて受信される情報と、
前記エージェントの抽出された意向の返礼として広告費を介し前記エージェントを代償するコンポーネントと、を含むシステム。
【請求項２】
更に、登録されたエージェントに関する情報を保持するストレージコンポーネントを含む請求項１記載のシステム。
【請求項３】
更に、代償に対し広告費用を配分する広告費管理コンポーネントを含む請求項２記載のシステム。
【請求項４】
更に、前記抽出された意向に関連し、代償を運ぶ広告を表示する広告管理コンポーネントを含む請求項２記載のシステム。
【請求項５】
前記広告が、オフラインドメイン又はオンラインドメインのうち少なくとも１つに表示されることを特徴とする請求項４記載のシステム。
【請求項６】
前記代償が、前記広告を介し誘発されるエージェントの動作を介し送信されることを特徴とする請求項４記載のシステム。
【請求項７】
前記広告管理コンポーネントが、
広告コンテンツを保持する広告コンテンツストアと、
前記登録されたエージェントに関しストアされている前記情報に従って広告コンテンツを最適化するコンポーネントと、
前記登録された一連の機器のうち少なくとも１つの機器に従って広告形式を最適化するコンポーネントと、
最適化された広告に対する登録されたエージェントの反応を解析するコンポーネントと、を含むことを特徴とする請求項４記載のシステム。
【請求項８】
前記意向を抽出するコンポーネントが更に、
一連の暗黙的な表現又は一連の明示的な表現のうち少なくとも１つを集める情報収集コンポーネントと、
前記収集された表現をエージェントのプライバシープロファイルに従って検査するプライバシーコンポーネントと、
前記検査された表現を処理し、意向を推論する解析コンポーネントと、を含むことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項９】
前記一連の暗黙的な表現が、視覚的な表現及び聴覚的な表現を含んでいて、前記一連の明示的な表現が、装着可能な印を含むことを特徴とする請求項８記載のシステム。
【請求項１０】
前記登録されたエージェントを代償する前記コンポーネントが、
登録されたエージェントに授与される代償を計算するコンポーネントと、
不正代償を軽減する不正防止コンポーネントと、
代償記録を保持するコンポーネントと、を含むことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項１１】
サービスプラットフォームとの取引において、エージェントの意向と引き換えに、遍在する前記エージェントの意向を基本とした代償をするための方法であって、前記方法が、
エージェントを登録するステップと、
一連のオフライン表現又は一連のオンライン表現のうち少なくとも１つを介し前記登録されたエージェントの営利的意向を抽出するステップと、
前記抽出された営利的意向の正当性を評価するステップと、
前記エージェントの正当な営利的意向と引き換えに、前記登録されたエージェントを代償するステップと、を含むことを特徴とする方法。
【請求項１２】
更に、前記登録されたエージェントの代償記録をストアするステップを含む請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
更に、前記エージェントによって作動される一連の機器を登録するステップを含む請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
更に、前記登録プロセスを介しエージェント情報をストアするステップを含む請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記エージェントの正当な営利的意向と引き換えに、前記登録されたエージェントを代償するステップが更に、
前記エージェントの営利的意向の少なくとも一部に基づいて代償を運ぶ広告を伝達するステップと、
前記広告に反応し、エージェント動作を決定するステップと、
前記エージェント動作が適格な動作であることを、前記広告コンテンツの少なくとも一部に基づいて決定するステップと、
直接対価又は報奨トークンのうち少なくとも１つを介し、前記エージェントを代償するステップと、含む請求項１３記載の方法。
【請求項１６】
前記エージェントの営利的意向の少なくとも一部に基づいて、代償を運ぶ広告を伝達するステップが更に、
前記広告を表示するための対価を受信するステップと、
エージェントの営利的意向の少なくとも一部に基づいてエージェントを代償するために前記対価の一部を配分するステップと、
前記エージェントの営利的意向に関連する広告を送信するステップと、を含む請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
更に、
広告コンテンツを受信するステップと、
前記広告コンテンツをストアするステップと、
前記エージェントによって作動される前記登録された一連の機器に対し、前記広告コンテンツを最適化するステップと、
前記エージェントによって作動される前記一連の機器に対する広告形式を最適化するステップと、を含む請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
更に、
前記エージェントの位置を決定するステップと、
前記エージェントの位置の少なくとも一部に基づいて代償を運ぶ広告を伝達するステップと、を含む請求項１３記載の方法。
【請求項１９】
前記エージェントの位置が、オフライン位置又はオンライン位置のうち少なくとも１つであることを特徴とする請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
意向を基本とした広告を介しエージェントの商取引をさせるための方法であって、
エージェントの機器に対し最適化した、意向を基本とした代償に関連する広告を表示するステップであって、前記広告が、オフラインドメイン又はオンラインドメインのうち少なくとも１つに表示されるものと、
前記最適化した広告に対するエージェントの反応を精査するステップと、
前記広告に関連する前記代償を前記エージェントの反応に従って調整するステップと、を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月17日(2011.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロリソグラフィのための投影露光装置（１）の物体視野（１４）の照明のための照明光学系（５）であって、
前記照明光学系（５）の瞳平面（９）の下流に配置された、有効光の束（４）を誘導する光学構成要素のコンデンサー群（１５）、及び
有効光の経路において前記コンデンサー群（１５）の下流に配置された光束誘導構成要素の対物光学素子群（１８）、
を含み、
コンデンサー群（１５）のうちの少なくとも１つの構成要素（ＦＬＧ４、ＦＬＧ５）、及び
対物光学素子群（１８）のうちの少なくとも１つの構成要素（ＲＥＭＡ１、ＲＥＭＡ２）、
が、物体視野（１４）の、望ましい照明状態に対する実際の照明状態のずれの補償のために変位可能である、
ことを特徴とする照明光学系。
【請求項２】
前記変位可能構成要素（ＦＬＧ４，ＦＬＧ５，ＲＥＭＡ１，ＲＥＭＡ２）のうちの少なくとも１つが、制御デバイス（３３）と信号接続状態にある変位駆動体（２８，３４，３６，３８）に接続されることを特徴とする請求項１に記載の照明光学系。
【請求項３】
前記変位可能構成要素（ＦＬＧ４，ＦＬＧ５，ＲＥＭＡ１，ＲＥＭＡ２）は、中心物体視野点（２１）の主光線方向（２）に沿って変位可能であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の照明光学系。
【請求項４】
前記変位駆動体（２８，３４，３６，３８）は、前記中心物体視野点（２１）の前記主光線方向（２）に沿って１ｍｍの範囲の変位経路を可能にすることを特徴とする請求項３に記載の照明光学系。
【請求項５】
前記変位駆動体（２８，３４，３６，３８）は、５０μｍよりも良好な位置決め精度を有することを特徴とする請求項４に記載の照明光学系。
【請求項６】
前記変位可能構成要素（ＦＬＧ４，ＦＬＧ５，ＲＥＭＡ１，ＲＥＭＡ２）のうちの少なくとも１つが、中心物体視野点（２１）の主光線方向（２）に対して垂直な少なくとも１つの軸（ｘ，ｙ）に沿って変位可能であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の照明光学系。
【請求項７】
偏心変位駆動体（２８，３４，３６，３８）が、４００μｍの範囲の偏心変位経路を提供することを特徴とする請求項６に記載の照明光学系。
【請求項８】
前記偏心変位駆動体（３８，３４，３６，３８）は、少なくとも２０μｍの位置決め精度を有することを特徴とする請求項７に記載の照明光学系。
【請求項９】
前記変位可能構成要素（ＦＬＧ４，ＦＬＧ５，ＲＥＭＡ１，ＲＥＭＡ２）のうちの少なくとも１つが、中心物体視野点（２１）の主光線方向（２）に対して垂直な少なくとも１つの傾斜軸（ｘ，ｙ）の回りに傾斜可能であることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の照明光学系。
【請求項１０】
傾斜変位駆動体（２８，３４，３６，３８）が、角度で１０分の範囲の傾斜変位経路を有することを特徴とする請求項９に記載の照明光学系。
【請求項１１】
前記傾斜変位駆動体（２８，３４，３６，３８）は、角度で０．５分よりも良好な位置決め精度を有することを特徴とする請求項１０に記載の照明光学系。
【請求項１２】
前記コンデンサー群（１５）の前記変位可能構成要素（ＦＬＧ３，ＦＬＧ４，ＦＬＧ５）は、第１のもの（４０）が中心物体視野点（２１）に属し、かつ第２のもの（４１）が縁部での物体視野点（２２）に属する２つの放射線部分束（４０、４１）が、該２つの物体視野点を含む子午断面（ｘｙ）内で最大で７０％だけ重なり合う構成要素であることを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の照明光学系。
【請求項１３】
前記対物光学素子群（１８）の前記変位可能構成要素（ＲＥＭＡ１，ＲＥＭＡ２，ＲＥＭＡ３）は、第１のもの（４０）が中心視野点（２１）に属し、かつ第２のもの（４１）が縁部での物体視野点（２２）に属する２つの放射線部分束（４０、４１）が、該２つの物体視野点を含む子午断面（ｘｙ）内で最大で３０％だけ重なり合う構成要素であることを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の照明光学系。
【請求項１４】
前記コンデンサー群（１５）の前記変位可能構成要素（ＦＬＧ３，ＦＬＧ４，ＦＬＧ５）は、４５０ｍｍよりも短いその焦点距離の絶対値を有することを特徴とする請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の照明光学系。
【請求項１５】
前記対物光学素子群（１８）の前記変位可能構成要素（ＲＥＭＡ１，ＲＥＭＡ２，ＲＥＭＡ３）は、４５０ｍｍよりも短く、特に、４００ｍｍよりも短いその焦点距離の絶対値を有することを特徴とする請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の照明光学系。
【請求項１６】
前記コンデンサー群（１５）は、前記有効光の束（４）を誘導する１１個よりも多くない構成要素（ＦＬＧ１からＦＬＧ６）を含み、該構成要素（ＦＬＧ１からＦＬＧ６）のうちの少なくとも１つ（ＦＬＧ４；ＦＬＧ５）かつ２つよりも多くないもの（ＦＬＧ、ＦＬＧ５）が変位可能であることを特徴とする請求項１から請求項１５のいずれか１項に記載の照明光学系。
【請求項１７】
前記対物光学素子群（１８）は、前記有効光の束（４）を誘導する１７個よりも多くない構成要素（ＲＥＭＡ１からＲＥＭＡ９）を含み、該構成要素（ＲＥＭＡ１からＲＥＭＡ９）のうちの少なくとも１つ（ＲＥＭＡ１；ＲＥＭＡ２）かつ２つよりも多くないもの（ＲＥＭＡ１、ＲＥＭＡ２）が変位可能であることを特徴とする請求項１から請求項１６のいずれか１項に記載の照明光学系。
【請求項１８】
光源（３）と、
請求項１から請求項１７のいずれか１項に記載の照明光学系（５）と、
を含むことを特徴とする照明系。
【請求項１９】
照明環境を定めるための調節デバイス（８）を含むことを特徴とする請求項１８に記載の照明系。
【請求項２０】
請求項１８又は請求１９に記載の照明系と、
物体視野（１４）を像視野（１４ａ）内に結像するための投影対物系（１１）と、
を含むことを特徴とする投影露光装置（１）。
【請求項２１】
構造化構成要素を生成する方法であって、
少なくとも一部に感光材料の層が付加されたウェーハ（１３）を準備する段階と、
結像される構造を有するレチクル（７）を準備する段階と、
請求項２０に記載の投影露光装置（１）を準備する段階と、
前記投影露光装置（１）を用いて前記レチクル（７）の少なくとも一部を前記ウェーハ（１３）上の前記層の領域に投影する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の方法を用いて生成された構造化構成要素。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月24日(2012.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に非晶質炭素層を形成する方法において、
基板処理チャンバ内に基板を位置決めするステップと、
前記処理チャンバ内に炭化水素源を導入するステップと、
前記処理チャンバ内にアルゴン、クリプトン、キセノン、ヘリウム、およびこれらの組合せからなる群からの希ガスであって、そのモル流量が前記炭化水素源のモル流量より大きい、希ガスを導入するステップと、
前記処理チャンバに前記希ガスとは異なるガスであるプラズマ開始ガスを導入するステップと、
前記処理チャンバ内でプラズマを生成するステップと、
前記基板上に密度が約１．８ｇ／ｃｃ〜約２．５ｇ／ｃｃである非晶質炭素層を形成するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記希ガスのモル流量が、前記炭化水素源のモル流量より２倍から４０倍大きい、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記希ガスのモル流量は４０００ｓｃｃｍ以上であり、前記炭化水素源のモル流量は１８００ｓｃｃｍ以下である、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記非晶質炭素層は、密度が１．２ｇ／ｃｃから１．８ｇ／ｃｃであり、可視スペクトル内での吸収係数が０．１０未満である、請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記処理チャンバ内に水素ガスを流すステップをさらに含む、請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記炭化水素源が、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、およびこれらの組合せからなる群から選択される、請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記希ガスのモル流量と前記炭化水素源のモル流量との比が、２対１から４対１である、請求項１から６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
基板上に非晶質炭素層を形成する方法において、
基板処理チャンバ内に基板を位置決めするステップと、
前記処理チャンバ内に炭化水素源を導入するステップと、
前記処理チャンバ内に前記炭化水素源に対する希釈ガスを導入するステップであって、前記希釈ガスのモル流量が前記炭化水素源のモル流量の約２から４０倍である、導入するステップと、
前記処理チャンバに前記希ガスとは異なるガスであるプラズマ開始ガスを導入するステップと、
前記処理チャンバ内でプラズマを生成するステップと、
前記基板上に密度が約１．８ｇ／ｃｃ〜約２．５ｇ／ｃｃである非晶質炭素層を形成するステップと
を含む、方法。
【請求項９】
前記希釈ガスがアルゴンであり、前記プラズマ開始ガスがヘリウムであり、前記炭化水素源が脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、およびこれらの組合せからなる群から選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記希ガスのモル流量が、前記炭化水素源のモル流量より１０倍から１４倍多い、請求項１または８に記載の方法。
【請求項１１】
基板上に非晶質炭素層を形成する方法において、
基板処理チャンバ内に基板を位置決めするステップと、
前記処理チャンバ内に炭化水素源を導入するステップと、
前記処理チャンバ内に前記炭化水素源の希釈剤としてアルゴンを導入するステップと、
前記処理チャンバ内でプラズマを生成するステップと、
前記処理チャンバ内でプラズマを開始した後、前記処理チャンバ内で約１トルから１０トルの圧力を維持するステップと、
前記基板上に密度が約１．８ｇ／ｃｃ〜約２．５ｇ／ｃｃである非晶質炭素層を形成するステップと
を含む、方法。
【請求項１２】
前記アルゴンのモル流量が、前記炭化水素源のモル流量の約２倍から４０倍であり、また前記非晶質炭素層が、可視スペクトル内で約０．８以下の消光係数を有するように形成される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記処理チャンバ内に、前記アルゴンのモル流量と前記水素のモル流量との比が約２対１から４対１である、水素ガスを導入するステップをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記炭化水素源が、エチレン、プロピレン、アセチレン、およびトルエンからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記水素ガスのモル流量と前記炭化水素源のモル流量との比が約０〜約２０である、請求項５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月26日(2012.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のアンテナを通じてセルラ受信エリア内の専用のユーザ装置に送信される専用のリファレンス信号を提供するリファレンス信号発生器と、
前記専用のリファレンス信号に対して固有であり、且つ前記専用のリファレンス信号にビーム形成重みが使用された後に、前記専用のリファレンス信号に使用され、データ信号に使用されない、専用のブーストレベルを選択するブースト選択器と、
専用のブーストレベルによりブーストされる前記専用のリファレンス信号を前記ユーザ装置に送信する送信機と
を備える、セルラ通信システムの一部をなす基地局。
【請求項２】
前記ブースト選択器は、送信される信号が前記専用のユーザ装置により復調されるときに所定の復調ペナルティを生成するために、前記ブーストレベルを設定するブーストレベル設定器を備える、請求項１に記載の基地局。
【請求項３】
前記ブーストレベル設定器は、前記ブーストレベルを設定して、チャンネル推定処理利得ならびに前記ブーストレベルの関数としての所定の復調ペナルティを生成する請求項２に記載の基地局。
【請求項４】
前記ブースト選択器は、１組のブーストレベルを予め定義し、適切な専用のブーストレベルを選択する、ブーストレベル設定器を備える、請求項１から３の何れか１項に記載の基地局。
【請求項５】
前記ブースト選択器は、１組の、復調および符号化方式値と関連するブーストレベルを予め定義し、現在選択された復調および符号化方式に基づいて専用のブーストレベルを選択する、ブーストレベル設定器を備える、請求項１から４の何れか１項に記載の基地局。
【請求項６】
前記ブースト選択器は、前記ブーストレベルとしてダウンブーストレベルを選択する、請求項１から５の何れか１項に記載の基地局。
【請求項７】
前記セルラ通信システムはＬＴＥ通信システムであり、
前記ブースト選択器は、前記専用のブーストレベルにより、送信される信号に対して前記専用のリファレンス信号の出力レベルを変化させる、請求項１から６の何れか１項に記載の基地局。
【請求項８】
基地局により送信される専用のリファレンス信号であって、前記専用のリファレンス信号にビーム形成重みが使用された後、ユーザ装置に固有の専用のブーストレベルによりブーストされた専用のリファレンス信号を受信するステップと、
前記専用のリファレンス信号に使用される前記専用のブーストレベルによるブーストがなされないデータ信号を受信するステップと、
前記専用のブーストレベルを決定するステップと、
前記専用のブーストレベルおよびチャンネル推定値を用いて、前記基地局からのデータ信号を復調するステップと
を含む、セルラ通信システムのユーザ機器装置のための方法。
【請求項９】
前記決定するステップは、
前記リファレンス信号からチャンネル推定を推定するステップと、
前記チャンネル推定ならびに前記専用のブーストレベルにより生成される利得の関数である、予め定義された復調ペナルティから、前記ブーストレベルを推測するステップと、
を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記決定するステップは、復調および符号化方式値を受信するステップと、前記ブーストレベルを、前記受信した復調および符号化方式値と関連するブースト値に設定するステップと、を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記決定するステップは、
前記ブーストレベルを、受信されるデータ信号とリファレンス信号との間で計測される出力比の関数として推定するステップと、
前記ブーストレベルを、１組の予め定義されたブーストレベルの中から、その値が、前記計測される出力比の強度に最も近いブーストレベルとして選択するステップと、
を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記決定するステップは、
１組の予め定義されたブーストレベルの中の各ブーストレベルをデータ復調器に提供するステップと、
前記データ復調器の復調エラーを最小にする前記ブーストレベルを選択するステップと
を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記決定するステップにおいて、前記ブーストレベルとしてダウンブーストレベルを決定する、請求項８から１２の何れか１項に記載の方法。
【請求項１４】
基地局により送信される専用のリファレンス信号であって、ビーム形成重みが前記専用のリファレンス信号に対して使用された後、ユーザ装置に固有の専用のブーストレベルによりブーストされた前記専用のリファレンス信号を受信する受信器と、
前記専用のリファレンス信号に使用される前記専用のブーストレベルによるブーストがなされないデータ信号を受信する受信器と、
前記ブーストレベルを決定するブースト決定器と、
前記ブーストレベルおよびチャンネル推定値を用いて、前記基地局から送信されるデータ信号を復調するデータ復調器と
を含む、セルラ通信システムの一部をなすユーザ機器装置。
【請求項１５】
前記決定器は、
前記リファレンス信号からチャンネル推定を推定する推定器と、
前記チャンネル推定ならびに前記ブーストレベルにより生成される利得の関数である、予め定義された復調ペナルティから、前記ブーストレベルを推測する分析器と、
を含む、請求項１４に記載のユーザ機器装置。
【請求項１６】
前記決定器は、復調および符号化方式値を受信する受信器と、前記ブーストレベルを、前記受信した復調および符号化方式値と関連するブーストレベルに設定するブーストレベル設定器と、を含む、請求項１４に記載のユーザ機器装置。
【請求項１７】
前記決定器は、
受信するデータ信号とリファレンス信号との間で計測される出力比の関数として、前記ブーストレベルを推定する推定器と、
前記ブーストレベルを、１組の予め定義されたブーストレベルの中から、その値が、前記計測される出力比の強度に最も近いブーストレベルとして、選択するブースト選択器と、
を含む、請求項１４に記載のユーザ機器装置。
【請求項１８】
前記決定器は、
１組の予め定義されたブーストレベルの中の各ブーストレベルを前記データ復調器に提供するユニットと、
前記データ復調器の復調エラーを最小にする前記ブーストレベルを選択する選択器と、
を含む、請求項１４に記載のユーザ機器装置。
【請求項１９】
前記決定器は、前記ブーストレベルとしてダウンブーストレベルを決定する、請求項１４から１８の何れか１項に記載のユーザ機器装置。
【請求項２０】
前記セルラ通信システムはＬＴＥ通信システムであり、
前記決定器は、前記専用のブーストレベルにより、送信されるデータ信号に対して前記専用のリファレンス信号の出力レベルを変化させる、請求項１４から１９の何れか１項に記載のユーザ機器装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月13日(2012.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上側表面（３４）、下側表面（３６）、及び側壁（３８）を有するダイパッド（３０）において、前記ダイパッド（３０）が、前記上側表面（３４）に前記側壁（３８）に沿って形成される第１の窪み群（４２）と、及び、前記下側表面（３６）に前記側壁（３８）に沿って形成される第２の窪み群（４４）とを備える、前記ダイパッド（３０）と、
前記ダイパッド（３０）の周りに配置されるリード群（３２）と、
を備える、パッケージ化電子デバイス（２０）用リードフレーム（２２）。
【請求項２】
前記ダイパッド（３０）は一定の厚さ（４６）を有し、
前記第１の窪み群（４２）は前記ダイパッド（３０）内に前記上側表面（３４）から、前記厚さ（４６）よりも短い第１の深さ（４８）だけ延在し、及び、
前記第２の窪み群（４４）は前記ダイパッド（３０）内に前記下側表面（３６）から、前記厚さ（４６）よりも短い第２の深さ（５０）だけ延在する、
請求項１に記載のリードフレーム（２２）。
【請求項３】
前記第１の窪み群（４２）の前記第１の深さ（４８）、及び前記第２の窪み群（４４）の前記第２の深さ（５０）は、ほぼ等しい、請求項２に記載のリードフレーム（２２）。
【請求項４】
前記第１の深さ（４８）及び前記第２の深さ（５０）の各々は、前記厚さの約２分の１である、請求項２に記載のリードフレーム（２２）。
【請求項５】
前記第１及び第２の窪み群（４２，４４）は半円形に設けられる、請求項１に記載のリードフレーム（２２）。
【請求項６】
前記第１及び第２の窪み群（４２，４４）は、前記ダイパッド（３０）の端面に、かつそれぞれの上側表面（３４）及び下側表面（３６）が前記側壁（３８）と交差する位置に設けられる、請求項１に記載のリードフレーム（２２）。
【請求項７】
前記ダイパッド（３０）内に前記下側表面（３６）から延伸する前記第２の窪み群（４４）は、前記ダイパッド（３０）内に前記上側表面（３４から延伸する前記第１の窪み群（４２）に対して前記側壁（３８）に沿って偏位している、請求項１に記載のリードフレーム（２２）。
【請求項８】
前記ダイパッド（３０）の材料部分（６２）は、前記第１の窪み群（４２）と前記下側表面（３６）との間に延伸し、及び前記ダイパッド（３０）の前記材料部分（６２）は、前記第２の窪み群（４４）と前記上側表面（３４）との間に延伸している、請求項７に記載のリードフレーム（２２）。
【請求項９】
前記ダイパッド（３０）の材料部分（６２）は、前記第１の窪み群（４２）の各々の間に延伸し、及び前記ダイパッド（３０）の前記材料部分（６２）は、前記第２の窪み群（４４）の各々の間に延伸している、請求項１に記載のリードフレーム（２２）。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月5日(2012.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理のための装置であって、
チャンバ本体と、
該チャンバ本体内に配置された第１のチャンバライナと、
該第１のチャンバライナの下方で該チャンバ本体内に配置され、該第１のチャンバライナに電気的に結合された、第２のチャンバライナとを備え、
該第２のチャンバライナが、それを通って形成される開口を有し、該第２のチャンバライナが、該チャンバ本体の底面に対して高い位置にあり、これによって、環状プレナムが該第２のチャンバライナと該チャンバ本体の底面との間に画定されるプラズマ処理のための装置。
【請求項２】
前記第２のチャンバライナが、底壁と、該底壁から上方へ延びる内壁と、該底壁から上方へ傾斜する外壁とを備え、
前記環状プレナムの第１の部分が、前記第２のチャンバライナの底壁と前記チャンバ本体の底面との間に画定され、
前記環状プレナムの第２の部分が、前記第２のチャンバライナの外壁と前記チャンバ本体の壁との間に画定される請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記第２のチャンバライナがそれを通る複数の開口を有し、
１つの開口が前記第２のチャンバライナのそれぞれの四分円に存在する請求項１記載の装置。
【請求項４】
対向する四分円より少ない開口が、前記第２のチャンバライナの第１の四分円に存在する請求項３記載の装置。
【請求項５】
前記第２のチャンバライナの第１の四分円が、チャンバ本体内の排出口に隣接して位置する請求項４記載の装置。
【請求項６】
対向する四分円より小さい開口が、前記第２のチャンバライナの第１の四分円に存在する請求項３記載の装置。
【請求項７】
前記第２のチャンバライナの第１の四分円が、チャンバ本体内の排出口に隣接して位置する請求項６記載の装置。
【請求項８】
プラズマチャンバのための環状チャンバライナであって、
底壁と、
該底壁から上方へ延びる内壁と、
該底壁から上方へ延びる外壁とを備え、
該環状チャンバライナが、該底壁及び該外壁を通って延びる複数のスロットを有し、
少なくとも１つのスロットが、該環状チャンバライナのそれぞれの四分円内に存在するように、該複数のスロットが配置されるプラズマチャンバのための環状チャンバライナ。
【請求項９】
前記環状チャンバライナの１つの四分円が、他の３つの四分円より少ないスロットを有する請求項８記載の環状チャンバライナ。
【請求項１０】
前記環状チャンバライナの１つの四分円が、他の３つの四分円より多い数のスロットを有する請求項８記載の環状チャンバライナ。
【請求項１１】
前記環状チャンバライナの１つの四分円が、他の３つの四分円より大きいスロットを有する請求項８記載の環状チャンバライナ。
【請求項１２】
前記環状チャンバライナの１つの四分円が、他の３つの四分円より小さいスロットを有する請求項８記載の環状チャンバライナ。
【請求項１３】
エッチング装置であって、
チャンバ本体と、
該チャンバ本体に配置された基板支持ペデスタルと、
該基板支持ペデスタルに対向してチャンバに配置されたガス導入シャワーヘッドと、
上部チャンバライナであって、該チャンバ本体に配置され、これによって、該基板支持ペデスタル、該ガス導入シャワーヘッド、及び第１のチャンバライナが少なくとも部分的に処理領域を包囲する上部チャンバライナと、
該基板支持ペデスタルに連結し、該ペデスタルを包囲する環状バッフルと、
下部チャンバライナであって、
底壁と、
該環状バッフルの下方に構成され、該基板支持ペデスタルを包囲する内壁と、
該底壁から上方へ傾斜する外壁とを備える下部チャンバライナとを備え、
該下部チャンバライナが、それを通って形成されたスロットを有し、該下部チャンバライナが該チャンバ本体内に配置され、これによって、環状プレナムが該下部チャンバライナの底壁及び外壁と該チャンバ本体の底部及び外壁との間に画定され、
該環状プレナムが排出口と流体連通状態にあるエッチング装置。
【請求項１４】
前記下部チャンバライナが、それを通って延びる一連のスロットを有し、
前記下部チャンバライナの１つの四分円が、対向する四分円より少ないスロットを有する請求項１３記載の装置。
【請求項１５】
前記下部チャンバライナが、それを通って延びる一連のスロットを有し、
前記下部チャンバライナの１つの四分円が、対向する四分円より大きいスロットを有する請求項１３記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月8日(2011.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コーディネータノードと、リーフノードのセットとを含むネットワークにおいて通信するための方法であって、
スーパーフレームは、アクティブ期間、および前記アクティブ周期に続く非アクティブ期間を含み、前記アクティブ期間は、第１の競合アクセス期間（ＣＡＰ−１）と、前記ＣＡＰ−１に続く第１の非競合期間（ＣＦＰ−１）と、前記ＣＦＰ−１に続く第１のグループ確認応答（ＧＡＣＫ−１）と、前記ＧＡＣＫ−１に続く第２のＣＦＰ−２と、前記ＣＦＰ−２に続く第２のＧＡＣＫ−２と、前記ＧＡＣＫ−２に続く第２のＣＡＰ−２とを含み、各前記ＣＦＰは、各前記リーフノードに割り当てられた保証タイムスロット（ＧＴＳ）を含み、前記コーディネータノードから前記リーフノードのセットに、前記スーパーフレームを定義するビーコンを周期的に送信することと、
各前記リーフノードによって、各前記ＣＦＰの間の、該リーフノードに割り当てられた前記ＧＴＳの間にのみ、前記コーディネータノードに送信することと
を含む方法。
【請求項２】
前記ＧＡＣＫ−１は、前記ＣＦＰ−１内で、前記ＧＴＳにおけるいずれの送信が失敗または成功したかを示し、前記ＧＡＣＫ−２は、前記ＣＦＰ−２内で、前記ＧＴＳにおけるいずれの送信が失敗または成功したかを示す請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＣＦＰ−２は、失敗した前記送信のためのＧＴＳを提供する請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ＣＦＰ−２は、前記ＣＦＰ−１内に失敗した送信が存在する場合、アラートメッセージのためのＧＴＳを提供する請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記アクティブ期間は、前記ＣＡＰ−２に続く第３のＣＦＰ−３、および前記ＣＦＰ−３に続く第３のＧＡＣＫ−３をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ビーコン送信周期は、スーパーフレーム間隔の整数倍に等しい請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記スーパーフレームのアクティブ間隔は、複数のＣＡＰ間隔を含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記スーパーフレームのアクティブ間隔は、複数の広範なＣＦＰ間隔を含む請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月11日(2012.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）回転式交換デバイス（ＲＥＤ）の第１のアーム上に、第１のレチクルを保持する第１のベースプレートを受け取ることと、
（ｂ）前記ＲＥＤの第２のアームによって支持される第２のベースプレートをバッファリングすることと、
を含み、
前記第１および第２のベースプレートは、前記ＲＥＤの回転軸から実質的に等距離に配置される、方法。
【請求項２】
（ｃ）前記ＲＥＤの第３のアームによって支持される第３のベースプレートによって保持される第３のレチクルをアライメントすることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
（ｃ）エンコーダを有するモータシステムによって前記ＲＥＤを回転させることをさらに含み、
前記モータシステムは、前記モータシステムからのガス放出および粒子汚染が実質的に排除されるように真空チャンバ内に密封される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
（ｃ）前記ＲＥＤから前記第１のベースプレートをアンロードすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
（ｃ）第２のレチクルを、前記第２のベースプレートからレチクルステージに移動させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
（ｃ）第２のレチクルを、レチクルステージから前記第２のベースプレートに移動させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
（ｃ）前記ＲＥＤを回転させて前記第１のベースプレートを、前記第１のレチクルのプリアライメントを可能にする位置に動かすことをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
（ｃ）前記ＲＥＤを回転させて前記第１のベースプレートを、前記第１のレチクルをレチクルステージに移動させることを可能にする位置に動かすことをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
（ｃ）前記ＲＥＤを回転させて前記第１のベースプレートを、前記第１のベースプレートのバッファリングを可能にする位置に動かすことをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
（ｃ）前記ＲＥＤを回転させて前記第１のベースプレートを、前記第１のベースプレートを前記ＲＥＤから外すよう移動させることを可能にする位置に動かすことをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
回転軸を有する回転式サポートデバイスと、
前記回転式サポートデバイスに接続され、第１のベースプレートを、前記第１のベースプレートによって保持される第１のレチクルを受け取ることを可能にする第１の位置において支持する第１のベースプレートサポートと、
前記回転式サポートデバイスに接続され、第２のベースプレートを、前記第２のベースプレートによって保持される第２のレチクルのバッファリングを可能にする第２の位置において支持する第２のベースプレートサポートと、
を含み、
前記第１および第２のベースプレートサポートは、前記回転軸から実質的に等距離に位置付けられ、かつユニゾンで回転するように構成される、システム。
【請求項１２】
前記回転式サポートデバイスに接続され、第３のベースプレートを、前記第３のベースプレートのバッファリングを可能にする第３の位置において支持する第３のベースプレートサポートをさらに含む、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
エンコーダを有するモータシステムを、前記モータシステムからのガス放出および粒子汚染が実質的に排除されるように密封する真空チャンバをさらに含み、前記モータシステムは、前記回転式サポートデバイスを回転させるように構成される、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記回転軸に沿って前記回転式サポートデバイスを並進させるアクチュエータをさらに含む、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１５】
（ａ）第１のベースプレートを有する第１のレチクルを第１の位置にロードすることと、
（ｂ）第２のベースプレートによって支持される第２のレチクルを第２の位置においてプリアライメントすることと、
（ｃ）第３のベースプレートを第３の位置においてバッファリングすることと、
を含み、
前記ステップ（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）は、実質的に同時に行われる、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月22日(2012.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス部品であって、
−  構造化されているキャリア片（１）を備えている接続キャリア（１０）であって、相互間空間（２）が電気絶縁材料（３）によって満たされている、前記接続キャリア（１０）と、
−  前記接続キャリアの上面（１０ａ）に取り付けられて電気的に接続されているオプトエレクトロニクス半導体チップ（４）と、
を備えており、
−  前記電気絶縁材料（３）が、部分的に前記キャリア片（１）と同じ高さに整列している、または、前記キャリア片（１）が前記電気絶縁材料（３）よりも突き出しており、
−  前記キャリア片（１）が、前記接続キャリアの前記上面（１０ａ）もしくは下面（１０ｂ）またはその両方において、前記電気絶縁材料（３）によって覆われておらず、
−  前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（４）がポッティングボディ（８）によって囲まれており、前記ポッティングボディ（８）が、シリコーンを含んでおり、部分的に前記接続キャリア（１０）の前記電気絶縁材料（３）に直接隣接しており、
−  前記電気絶縁材料（３）がシリコーンを含んでいる、またはシリコーンから成る、
オプトエレクトロニクス部品。
【請求項２】
前記ポッティングボディ（８）と前記接続キャリア（１０）は、個片化痕跡を有する、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項３】
前記キャリア片（１）が、特に、アンダーカットの形における少なくとも１つのアンカー構造（１ａ）を備えており、前記アンカー構造（１ａ）が、前記キャリア片との前記電気絶縁材料（３）の接着性を向上させる、
請求項１または請求項２に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項４】
前記キャリア片（１）が、少なくとも部分的にＴ字形状の断面を備えている、
請求項１から請求項３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項５】
前記キャリア片（１）が、少なくとも部分的にキノコ形状の断面を備えている、
請求項１から請求項４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項６】
前記少なくとも１つのアンカー構造（１ａ）がエッチングによって形成されている、
請求項１から請求項５のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項７】
前記少なくとも１つのアンカー構造（１ａ）が前記キャリア片における開口である、
請求項１から請求項６のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項８】
前記電気絶縁材料（３）が、エポキシ樹脂を含んでいる、請求項１から請求項７のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項９】
前記電気絶縁材料（３）がフィラー粒子を含んでおり、前記フィラー粒子が、前記接続キャリアの熱膨張係数を低減する、
請求項１から請求項８のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１０】
前記電気絶縁材料が接着促進剤を含んでおり、前記接着促進剤が、前記キャリア片（１）との接着性を向上させる、
請求項１から請求項９のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１１】
前記キャリア片（１）が、胴を含んでいるメインボディ（６）を備えており、前記メインボディ（６）が部分的に層（７）によって覆われており、前記層（７）が、銀、ニッケル、白金、金、パラジウムのうちの少なくとも１種類の金属を含んでいる、
請求項１から請求項１０のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１２】
前記接続キャリア（１０）に空洞が存在しない、
請求項１から請求項１１のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品を製造する方法であって、
キャリア片（１）を形成するステップと、
前記キャリア片（１）をエッチング法（９）によって構造化するステップと、
前記キャリア片（１）の相互間空間（２）を、スクリーン印刷法を用いて電気絶縁材料（３）によって満たして接続キャリア（１０）を形成するステップと、
−  前記キャリア片（１）に複数のオプトエレクトロニクス半導体チップ（４）を貼り付けるステップと、
を含んでいる、方法。
【請求項１４】
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（４）がポッティング材料によって包囲されてポッティングボディ（８）が形成されており、
前記接続キャリア（１）と、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（４）と、前記ポッティングボディ（８）とから成る配置構造部が個片化されてオプトエレクトロニクス部品が製造され、前記個片化（１１）が前記ポッティングボディ（８）を貫いて行われる、
請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月30日(2012.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アレイ内の吸収積層体と、
対応する吸収積層体に接続されたアレイ内の多層反射積層体と、を含み、
前記吸収積層体および多層反射積層体は、パターニングデバイスのプリ・アライメントに使用される波長の光で照射される際に、パターニングデバイスのプリ・アライメントのために使用される所定の回折次数を増加させ、かつプリ・アライメントシステムの所定の方向に光を回折する、アライメントフィーチャ。
【請求項２】
前記吸収積層体および多層反射積層体の各々は、前記アライメントフィーチャの面積の少なくとも半分を占める、請求項１に記載のアライメントフィーチャ。
【請求項３】
前記吸収積層体および多層反射積層体は、前記パターニングデバイスのプリ・アライメントに使用される前記波長で照射される際に、一次回折またはより高次の回折を増加させ、一方０次回折次数および鏡面反射を実質的に減少させる、請求項１に記載のアライメントフィーチャ。
【請求項４】
前記吸収積層体および多層反射積層体は、チェッカーボードパターンで配置される、請求項１に記載のアライメントフィーチャ。
【請求項５】
前記吸収積層体および多層反射積層体は、正方形であって、各正方形は
【数１】
2011517126.tif 000001
の寸法の辺を有し、ここでｄは、前記アライメントフィーチャの回折格子周期である、請求項１に記載のアライメントフィーチャ。
【請求項６】
前記吸収積層体および多層反射積層体は、
【数２】
2011517126.tif 000002
の半径を有する複数の円であり、ここでｄは、前記アライメントフィーチャの回折格子周期である、請求項１に記載のアライメントフィーチャ。
【請求項７】
前記吸収積層体および多層反射積層体は、前記パターニングデバイスのプリ・アライメントに使用される入射波長の半分の位相の反転を生成する高さを有する、請求項１に記載のアライメントフィーチャ。
【請求項８】
前記吸収積層体および多層反射積層体の表面は、前記パターニングデバイスのプリ・アライメントに使用される前記所定の回折次数を増加させるためにブレーズが設けられる、請求項１に記載のアライメントフィーチャ。
【請求項９】
パターニングデバイスをプリ・アライメントするために使用される方法であって
前記パターニングデバイス上にアライメントターゲットを形成することであって、前記アライメントターゲットは複数のアライメントフィーチャを有し、各アライメントフィーチャは、パターニングデバイスのプリ・アライメントに使用される所定の回折次数を増加させる回折素子を含むことと、
前記アライメントターゲットを前記パターニングデバイスのプリ・アライメントに使用される波長で照射することと、
前記アライメントターゲットから回折された放射を使用して前記パターニングデバイスをプリ・アライメントすることと、を含む、方法。
【請求項１０】
前記回折素子は、各アライメントフィーチャの面積の少なくとも半分を占める、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記回折素子は、前記パターニングデバイスのプリ・アライメントに使用される前記波長で照射される際に、一次回折またはより高次の回折を増加させ、一方０次回折次数および鏡面反射を実質的に減少させる、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
放射ビームを調整するように構成された照明源と、
反射パターニングデバイスであって、前記パターニングデバイスをプリ・アライメントするためのアライメントターゲットを含み、前記アライメントターゲットの各々がアライメントフィーチャを含み、前記アライメントフィーチャの各々が前記パターニングデバイスをプリ・アライメントするために使用される特定の回折次数を増加させるように構成された回折素子を含む、反射パターニングデバイスと、を含む、リソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記回折素子は、各アライメントフィーチャ内にチェッカーボードパターンで配置される、請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
前記回折素子は、前記アライメントフィーチャの回折格子周期に依存する寸法を有する、請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１５】
面積を有するアライメントフィーチャであって、
第１層上のアレイの第１プロファイルと、
第２層上のアレイの第２プロファイルであって、前記第１および第２層は位相格子を形成する第２プロファイルと、を含み、前記第１プロファイルは、前記アライメントフィーチャの前記面積の少なくとも半分を占める、アライメントフィーチャ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アライメントフィーチャ、プリ・アライメント方法、及びリソグラフィ装置
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月21日(2012.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセルに使用される平坦なカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）抵抗スイッチング材料を形成する方法であって、
第１の誘電材料を堆積するステップと、
前記第１の誘電材料をパターニングするステップと、
前記第１の誘電材料内にフィーチャを形成するように前記第１の誘電材料をエッチングするステップと、
前記フィーチャを前記ＣＮＴ抵抗スイッチング材料で少なくとも部分的に充填するように前記第１の誘電材料の上に前記ＣＮＴ抵抗スイッチング材料を堆積するステップと、
前記ＣＮＴ抵抗スイッチング材料の上に第２の誘電材料を堆積するステップと、
前記フィーチャ内の前記ＣＮＴ抵抗スイッチング材料の少なくとも一部を露出させるように前記第２の誘電材料および前記ＣＮＴ抵抗スイッチング材料を平坦化するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、
前記第１の誘電材料の上に前記ＣＮＴ抵抗スイッチング材料を堆積するステップが、スプレーコーティング技術およびスピンコーティング技術のうちの１つ以上を使用することを含む方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法において、
前記第１の誘電材料の上に前記ＣＮＴ抵抗スイッチング材料を堆積するステップが、
前記第１の誘電材料の上にシード層を形成することと、
前記シード層の上に前記ＣＮＴ抵抗スイッチング材料を形成すること、
を含む方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、
前記ＣＮＴ抵抗スイッチング材料が隙間または谷部を有する表面を含み、前記第２の誘電材料を堆積するステップが前記隙間または谷部を実質的に充填することを含む方法。
【請求項５】
請求項４記載の方法において、
平坦化の後、前記隙間または谷部が、前記第２の誘電材料で実質的に充填される方法。
【請求項６】
請求項１記載の方法において、
前記ＣＮＴ抵抗スイッチング材料に接続されるステアリング素子を形成するステップをさらに含む方法。
【請求項７】
請求項６記載の方法において、
前記ステアリング素子が、薄膜トランジスタを含む方法。
【請求項８】
請求項６記載の方法において、
前記ステアリング素子が、薄膜ダイオードを含む方法。
【請求項９】
請求項１記載の方法を用いて形成されるメモリセル。
【請求項１０】
メモリセルを形成する方法であって、
基板の上にフィーチャを形成するステップと、
カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）抵抗スイッチング材料であって、その表面が隙間または谷部を含む前記ＣＮＴ抵抗スイッチング材料を前記フィーチャに形成し、かつ前記ＣＮＴ抵抗スイッチング材料の上に、前記隙間または谷部を実質的に充填する誘電材料を形成することによって、前記ＣＮＴ抵抗スイッチング材料を含むメモリ素子を形成するステップと、
前記基板の上に、前記ＣＮＴ抵抗スイッチング材料に接続されるステアリング素子を形成するステップと、
を含む方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の方法において、
前記基板の上に誘電層を形成するステップと、
前記誘電層に前記フィーチャを形成するステップと、
をさらに含む方法。
【請求項１２】
請求項１０記載の方法において、
前記メモリ素子が、可逆抵抗スイッチング素子を含む方法。
【請求項１３】
請求項１０記載の方法において、
前記ステアリング素子が、ｐ−ｎまたはｐ−ｉ−ｎダイオードを含む方法。
【請求項１４】
請求項１０記載の方法において、
前記ステアリング素子が、多結晶ダイオードを含む方法。
【請求項１５】
請求項１０記載の方法において、
前記ＣＮＴ抵抗スイッチング材料を形成することが、スプレーコーティング技術およびスピンコーティング技術のうちの１つ以上を使用することを含む方法。
【請求項１６】
請求項１０記載の方法において、
前記ＣＮＴ抵抗スイッチング材料を形成することが、
前記基板の上にシード層を形成することと、
前記シード層の上に前記ＣＮＴ抵抗スイッチング材料を形成すること、
を含む方法。
【請求項１７】
請求項１０記載の方法において、
前記ステアリング素子が１つ以上のシリコンの層を含み、前記方法が前記ステアリング素子の上に１つ以上の金属層を形成するステップをさらに含む方法。
【請求項１８】
請求項１７記載の方法において、
前記１つ以上の金属層および前記１つ以上のシリコンの層をエッチングするステップをさらに含む方法。
【請求項１９】
請求項１０記載の方法を用いて形成されるメモリセル。
【請求項２０】
請求項１０記載の方法を用いて形成されるメモリセルアレイ。
【請求項２１】
メモリセルであって、
基板上のフィーチャと、
前記フィーチャのＣＮＴ抵抗スイッチング材料であって、その表面が隙間または谷部を含むＣＮＴ抵抗スイッチング材料と、
前記ＣＮＴ抵抗スイッチング材料の上にあって、前記隙間または谷部を実質的に充填する誘電材料と、
前記基板上にあって、前記ＣＮＴ抵抗スイッチング材料に接続されるステアリング素子と、
を備えるメモリセル。