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【手続補正書】
【提出日】平成24年8月31日(2012.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上皮性卵巣癌（ＥＯＣ）の診断、検出、及び／又は予後診断に使用するための、Ｓｏｘ１１タンパク質又はＳｏｘ１１タンパク質をコードする核酸分子に選択的に結合することができる結合部分。
【請求項２】
上皮性卵巣癌（ＥＯＣ）の診断、検出、又は予後診断のための唯一のバイオマーカーとして使用するための、請求項１に記載の結合部分。
【請求項３】
上皮性卵巣癌（ＥＯＣ）の診断、検出、又は予後診断のための１つ又は複数の追加の結合部分と組み合わせて使用するための、請求項１又は２に記載の結合部分。
【請求項４】
Ｓｏｘ１１の核及び／又は細胞質の発現を検出するための、請求項１から３のいずれか一項に記載の結合部分。
【請求項５】
Ｓｏｘ１１タンパク質に選択的に結合することができる、請求項１から４のいずれか一項に記載の結合部分。
【請求項６】
配列番号１のアミノ酸配列を含むポリペプチド及び／又はその天然のバリアントに選択的に結合することができる、請求項１から５のいずれか一項に記載の結合部分。
【請求項７】
抗体又はその抗原結合断片若しくはバリアントを含むか又はからなる、請求項１から６のいずれか一項に記載の結合部分。
【請求項８】
Ｓｏｘ１１タンパク質をコードする核酸分子に選択的に結合することができる、請求項１から６のいずれか一項に記載の結合部分。
【請求項９】
配列番号１のアミノ酸配列を含むポリペプチド及び／又はその天然のバリアントをコードする核酸分子に選択的に結合することができる、請求項８に記載の結合部分。
【請求項１０】
核酸分子を含むか又はからなる、請求項８又は９に記載の結合部分。
【請求項１１】
配列番号２のヌクレオチド配列の断片、その相補的配列、又はそのバリアントを含むか又はからなる、請求項８から１０のいずれか一項に記載の結合部分。
【請求項１２】
個体の上皮性卵巣癌（ＥＯＣ）を診断、検出及び/又は予後診断する方法であって、
（ａ）個体由来の上皮性卵巣細胞のサンプルを準備する工程；及び
（ｂ）細胞サンプル中のＳｏｘ１１タンパク質及び／又はｍＲＮＡの量を測定する工程
を含み、Ｓｏｘ１１タンパク質及び／又はｍＲＮＡのレベルが、上皮性卵巣癌（ＥＯＣ）を有し、無再発生存率（ＲＦＳ）が改善し、及び/又は、上皮性卵巣癌（ＥＯＣ）細胞を有する個体の指標である、方法。
【請求項１３】
上皮性卵巣癌（ＥＯＣ）を診断及び/又は予後診断するための医薬の調製における、請求項１から１１のいずれか一項に記載の結合部分の使用。
【請求項１４】
上皮性卵巣癌（ＥＯＣ）細胞を診断、及び/又は予後診断するためのバイオマーカーとしての、Ｓｏｘ１１タンパク質及び／又はＳｏｘ１１タンパク質をコードするｍＲＮＡの使用。
【請求項１５】
上皮性卵巣癌（ＥＯＣ）の診断及び／又は予後診断における有効性を有する分子のスクリーニング方法であって、
（ａ）Ｓｏｘ１１タンパク質及び／又はＳｏｘ１１タンパク質をコードするｍＲＮＡ（又は前記タンパク質若しくはｍＲＮＡの断片）と試験する分子を接触させる工程；及び
（ｂ）前記タンパク質及び／又はｍＲＮＡ（又はそれらの断片）及び試験する分子を含む複合体の存在を検出する工程
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月20日(2012.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の式(I)の化合物、
【化１】
2012501337.tif 000001
、又はその薬学的に許容可能な塩、N-酸化物若しくはプロドラッグであり、
ここで、
Aは、フェニル、あるいはベンゾフラニルであり、ここで、フェニルおよびベンゾフラニルは、少なくとも1つのRで各々随意に置換され;
あるいは、Aは、隣接した炭素原子上の2つのR基により置換されたフェニルであり、ここで、2つのR基、およびそれらが付けられる炭素原子は、C4-C8シクロアルキルまたはC3-C8ヘテロシクロアルキルを形成し;
Rは、F、Cl、Br、I、-CN、-NO2、-CF3、-OH、-OR3、-OCF3、-C≡CH、-C≡CR3、C1-C6アルキレンアルキン、C1-C6アルキル、C3-C6シクロアルキル、C1-C6ヘテロアルキル、C1-C6ハロアルキル、テトラゾリル、C2-C6ヘテロシクロアルキル、フェニル、-NHS(=O)2R3、S(=O)2N(R4)2、-C(=O)CF3、-C(=O)NHS(=O)2R3、-S(=O)2NHC(=O)R4、N(R4)2、-N(R4)C(=O)R3、-CO2R4、-C(=O)R3、-OC(=O)R3、-C(=O)N(R4)2、-SR3、-S(=O)R3および-S(=O)2R3から選択され;
Jは、単結合であり;
R1は、CO2R2であり、ここで、R2は水素であり、
Zは、Oであり;
Xは、Bであり、少なくとも1つのRにより随意に置換され;
Bは、フラン、チオフェン、ピロール、ピリジン、オキサゾール、チアゾール、イミダゾール、チアジアゾール、イソオキサゾール、イソチアゾール、ピラゾール、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾール、インドール、ベンゾキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンズイミダゾール、ベンゾオキサジアゾール、ベンゾチアジアゾール、ベンゾトリアゾール、ピラゾロピリジン、イミダゾピリジン、ピロロピリジン、ピロロピリミジン、インドリジン、プリン、フロピリジン、チエノピリジン、フロピロール、フロフラン、チエノフラン、1,4-ジヒドロピロロピロール、チエノピロール、チエノチオフェン、キノリン、イソキノリン、フロピラゾール、チエノピラゾールおよび1,6-ジヒドロピロロピラゾールから選択され；
各R3は、C1-C6アルキル、C1-C6ハロアルキル、C3-C8シクロアルキル、フェニルおよびベンジルから独立的に選択され;
R4は、水素である、
ことを特徴とする化合物。
【請求項２】
Aがフェニルであることを特徴とする請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
フェニルは1つのRにより置換されることを特徴とする請求項２に記載の化合物。
【請求項４】
フェニルは2つのRにより置換されることを特徴とする請求項１又は２に記載の化合物。
【請求項５】
フェニルは3つのRにより置換されることを特徴とする請求項１又は２に記載の化合物。
【請求項６】
RがF、Cl、Br、I、あるいはC1-C6アルキルから選択されることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の化合物。
【請求項７】
Aがベンゾフラニルであることを特徴とする請求項１に記載の化合物。
【請求項８】
ベンゾフラニルが1つのRで置換されることを特徴とする請求項７に記載の化合物。
【請求項９】
Bがベンゾキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンズイミダゾール、ピラゾロピリジン、イミダゾピリジン、ベンゾオキサジアゾール、ベンゾチアジアゾールおよびベンゾトリアゾールから選択されることを特徴とする請求項１乃至８の何れかに記載の化合物。
【請求項１０】
Bがベンゾキサゾールであることを特徴とする請求項１乃至９の何れかに記載の化合物。
【請求項１１】
Bがベンゾチアゾールであることを特徴とする請求項１乃至９の何れかに記載の化合物。
【請求項１２】
Bがピラゾロピリジンであることを特徴とする請求項１乃至９の何れかに記載の化合物。
【請求項１３】
Bがベンゾチアジアゾールであることを特徴とする請求項１乃至９の何れかに記載の化合物。
【請求項１４】
RがF、Cl、Br、I、-CN、-NO2、-CF3、-OH、-OR3、-OCF3、-C≡CH、-C≡CR3、C1-C6アルキレンアルキン、C1-C6アルキル、C3-C6シクロアルキル、C1-C6ヘテロアルキル、C1-C6ハロアルキル、テトラゾリル、C2-C6ヘテロシクロアルキル、およびフェニルから選択されることを特徴とする請求項１乃至１３の何れかに記載の化合物。
【請求項１５】
RがF、Cl、BrおよびIから選択されることを特徴とする請求項１乃至１４の何れかに記載の化合物。
【請求項１６】
次のものから選択される化合物、
【化２】
2012501337.tif 000002
【化３】
2012501337.tif 000003
【化４】
2012501337.tif 000004
【化５】
2012501337.tif 000005
【化６】
2012501337.tif 000006
又は、それらの薬学的に許容可能な塩、N-酸化物若しくはプロドラッグ。
【請求項１７】
以下の構造
【化７】
2012501337.tif 000007
を有する請求項１に記載の化合物、又はその薬学的に許容可能な塩、N-酸化物若しくはプロドラッグ。
【請求項１８】
以下の構造
【化８】
2012501337.tif 000008
を有する請求項１に記載の化合物、又はその薬学的に許容可能な塩、N-酸化物若しくはプロドラッグ。
【請求項１９】
以下の構造
【化９】
2012501337.tif 000009
を有する請求項１に記載の化合物、又はその薬学的に許容可能な塩、N-酸化物若しくはプロドラッグ。
【請求項２０】
以下の構造
【化１０】
2012501337.tif 000010
を有する請求項１に記載の化合物、又はその薬学的に許容可能な塩若しくはプロドラッグ。
【請求項２１】
以下の構造
【化１１】
2012501337.tif 000011
を有する請求項１に記載の化合物、又はその薬学的に許容可能な塩若しくはプロドラッグ。
【請求項２２】
請求項１乃至２１の何れかに記載の化合物、およびその薬学的に許容可能な希釈剤、賦形剤、担体または結合剤を含む医薬組成物。
【請求項２３】
自己免疫疾患を処置するための医薬の製造における請求項1に記載の化合物又はその薬学的に許容可能な塩の使用。
【請求項２４】
自己免疫性疾患が、炎症性の腸疾患、関節リウマチ、重症筋無力症、多発性硬化症、シェーグレン症候群、I型糖尿病、紅斑性狼瘡、乾癬、変形性関節症、強皮症および／又は自己免疫性溶血性貧血であることを特徴とする請求項２３記載の使用。
【請求項２５】
自己免疫性疾患が関節リウマチであることを特徴とする請求項２４に記載の使用。
【請求項２６】
自己免疫性疾患が乾癬であることを特徴とする請求項２４に記載の使用。
【請求項２７】
自己免疫性疾患が変形性関節症であることを特徴とする請求項２４に記載の使用。
【請求項２８】
自己免疫性疾患が多発性硬化症であることを特徴とする請求項２４に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月7日(2012.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
航空機エンジン複合材料部品であって、
前記部品が環または環セグメントであり、ポリイミド、ポリアミド−イミド、ポリエーテルイミド、ポリベンズイミダゾールおよびそれらの配合物からなる群から選択される、約４０〜約９０重量パーセントのポリマー構成成分と；
少なくとも９重量パーセントの片状黒鉛または黒鉛粉末の充填材構成成分と；
任意選択により、約５１重量パーセント以下の粒子状物質と；
を含み、
ここで前記複合材料の全構成成分の合計は１００重量パーセントであり、
前記複合材料は、１時間に５回の割合で空気が交換されている状態で空気中において７０ｐｓｉ（０．４８ＭＰａ）で１００時間７００°Ｆ（３７１℃）に加熱した後に判定された場合に５％未満の熱酸化による重量損失を有し、かつ０．５未満の動的摩擦係数を有し；
金属環または金属環セグメントのための適切な代替品である複合材料部品。
【請求項２】
前記部品が、内部シュラウドまたは内部シュラウドの１セグメントである、請求項１に記載の複合材料部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
最初にテンシルバーを秤量することにより、酸化安定性を測定した。その後バーを１００時間空気中７０ｐｓｉ（０．４８ＭＰａ）の圧力で７００°Ｆ（３７１℃）の温度に曝露した。空気は１時間に５回の割合で交換した。この時間の終了時に、バーを再度秤量し、ＴＯＷＬは、２．９％であった。
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
１．航空機エンジン複合材料部品であって、前記部品が環または環セグメントであり、
ポリイミド、ポリアミド−イミド、ポリエーテルイミド、ポリベンズイミダゾールおよびそれらの配合物からなる群から選択される、約４０〜約９０重量パーセントのポリマー構成成分と；
少なくとも９重量パーセントの炭素質充填材構成成分と；
任意選択により、約５１重量パーセント以下の粒子状物質と；
を含み、
ここで前記複合材料の全構成成分の合計は１００重量パーセントであり、
前記複合材料は、１時間に５回の割合で空気が交換されている状態で空気中において７０ｐｓｉ（０．４８ＭＰａ）で１００時間７００°Ｆ（３７１℃）に加熱した後に判定された場合に５％未満の熱酸化による重量損失を有し、かつ０．５未満の動的摩擦係数を有し；金属環または金属環セグメントのための適切な代替品である複合材料部品。
２．前記ポリマーがポリイミドであり、炭素質充填材が黒鉛粉末である、前記１に記載の複合材料部品。
３．約５０重量パーセントのポリマーと約５０重量パーセントの炭素質充填材とを含む、前記１に記載の複合材料部品。
４．約９０重量パーセントのポリマーと；約９重量パーセントの炭素質充填材および約１重量パーセントの粒子状物質とを含む、前記１に記載の複合材料部品。
５．前記炭素質充填材が黒鉛粉末であり、前記粒子が約５０μｍ未満の平均サイズを有する、前記３に記載の複合材料部品。
６．前記炭素質充填材が黒鉛粉末であり、前記粒子が約１０μｍ以下の平均サイズを有する、前記３に記載の複合材料部品。
７．前記ポリイミドが、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、２，２’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノール）−ヘキサフルオロプロパンテトラカルボン酸またはピロメリット酸、前記酸の無水物またはエステル、あるいは前記酸、前記無水物または前記エステルの混合物および１つ以上の芳香族ジアミンから誘導されている、前記１に記載の複合材料部品。
８．前記部品が内部シュラウドまたは内部シュラウドの１セグメントである、前記１または３に記載の複合材料部品。
９．前記部品が、可変ベーンと共に用いられる内部シュラウドまたは内部シュラウドの１セグメントである、前記２または３に記載の複合材料部品。
１０．前記部品が、内部シュラウドであるか、または内部シュラウドの１セグメントが可変ベーンと直接接触している、前記６に記載の複合材料部品。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月9日(2012.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）９０〜９９．９重量％の少なくとも１つのポリオキシメチレンポリマー、
（ｂ）実質的に酸性物質を含まず、トウモロコシからのアミロペクチン、および可溶性デンプンからなる群から選択される少なくとも１つの多糖類を０．１〜１０重量％、
（ｃ）任意選択的に、ホルムアルデヒド反応性窒素基を含有する高分子安定剤を０．１〜３．０重量％、
（ｄ）ポリ（ビニルアルコール）、ポリ（エチレンビニルアルコール）、ポリ（ヒドロキシエチルメタクリレート）、ポリ（ヒドロキシプロピルメタクリレート）、および加水分解酢酸ビニル／メタクリレート共重合体からなる群から選択されるヒドロキシル含有ポリマー、および
（ｅ）任意選択的に、補強材を１〜４０重量％、
を含んでなり、
ａ）およびｂ）の各重量％がａ）およびｂ）の合計量を基準にし、
（ｃ）、（ｄ）、および（ｅ）の各重量％が全組成物を基準にする、
ポリオキシメチレン組成物。
【請求項２】
前記ホルムアルデヒド反応性窒素基を含有する高分子安定剤が、ポリアクリルアミドまたはポリメタクリルアミドであり、
前記補強材が、ガラス繊維、炭素繊維、およびそれらの組み合わせからなる群から選択され、
さらに、（ｉ）耐衝撃性改良剤，（ｉｉ）潤滑剤，（ｉｉｉ）抗酸化剤，（ｉｖ）ナノ粘土，（ｖ）成核剤，（ｖｉ）難燃剤、および（ｖｉｉ）離型剤からなる群から選択される添加剤を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
請求項１または２に記載の組成物から作られる物品。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月27日(2012.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
使用されたアリールアルコールのＯＨ基が直接芳香族に結合されている、請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
アリールアルコールをベースとする芳香族は、単核又は多核であってもよい。好ましくは、芳香族は単核（フェノール誘導体）であるか、あるいは二核（ナフトール誘導体）であり、特に単核である。アリールアルコールはさらに他の置換基を有していてもよい。この置換基は互いに独立して、Ｃ１〜Ｃ１０−アルキル基、ハロゲン、Ｃ１〜Ｃ１０−アルコキシ基、酸素又は硫黄によって中断されたアルキレン基又はアリーレン基、Ｃ１〜Ｃ１０−アルコキシカルボキシル基、ニトリル基、ニトロ基並びにＣ１〜Ｃ１０−アルコキシカルバモイル基、特に好ましくはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、トリフルオロメチル基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、メトキシ基、エトキシ基、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ベンジリデン基、ニトリル基、ニトロ基、特に好ましくはメチル基、メトキシ基、メチレン基、エチレン基、トリフルオロメチル基、フッ素及び臭素である。新規方法を用いて、アリールアルコールについて多彩に使用することができる。特に好ましくは、電子に富むアレーン、例えば１又はそれ以上置換されたフェノール並びにナフトール（α−及びβ−）及びその置換された誘導体、とりわけ好ましくは４−アルキル置換フェノール並びに２，４−ジアルキル置換フェノールである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月15日(2011.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）ハブと、
（Ｂ）前記ハブ上に配置される第１群のブレードレットと、
からなり、
前記第１群のブレードレットは、第１のブレードを構成し、
前記ブレードレットは、根元部と先端部とを有し、
前記ブレードレットは、留置状態と非留置状態の間を動き、
前記留置状態においては、前記先端部は前記ハブから離れており、
前記非留置状態においては、前記先端部は前記ハブに近い
ことを特徴とする羽根車。
【請求項２】
（Ｃ）前記ハブ上に配置される第２群のブレードレット
を更に有し、
前記第２群のブレードレットは、第２のブレードを構成し、
前記第１のブレードと第２のブレードが、第１のブレード列を構成し、
前記第１のブレード列は、軸対称にｎ回配置され、
ここでｎは、第１のブレード列のブレードの数である
ことを特徴とする請求項１記載の羽根車。
【請求項３】
前記第１群のブレードレットは、前記ハブの周囲を螺旋状に配置される
ことを特徴とする請求項１又は２記載の羽根車。
【請求項４】
隣接するブレードレットのそれぞれの先端部は、互いに当たっている
ことを特徴とする請求項１−３のいずれかに記載の羽根車。
【請求項５】
前記隣接するブレードレットの先端部は、重なり合う
ことを特徴とする請求項１−３のいずれかに記載の羽根車。
【請求項６】
前記ブレードレットの少なくとも一部は、先端部で最も幅が広く、根元部で最も幅が狭い
ことを特徴とする請求項１−５のいずれかに記載の羽根車。
【請求項７】
前記隣接するブレードレットの根元部は、互いに離間している
ことを特徴とする請求項１−６のいずれかに記載の羽根車。
【請求項８】
前記隣接するブレードレットの先端周辺エッジと後端周辺エッジは、直線である
ことを特徴とする請求項１−７のいずれかに記載の羽根車。
【請求項９】
前記根元部の弦幅に対する先端部の弦幅の比率は、１．５以上である
ことを特徴とする請求項１−８のいずれかに記載の羽根車。
【請求項１０】
前記各ブレードレットの先端部の弦幅に対する各ブレードレットの半径方向長さの比率は、２以上である
ことを特徴とする請求項１−９のいずれかに記載の羽根車。
【請求項１１】
（Ｄ）膜を更に有し、
前記膜は、前記第１のブレードの少なくとも一部をカバーする
ことを特徴とする請求項１−１０のいずれかに記載の羽根車。
【請求項１２】
前記各ブレードレットは、圧力面と吸引面とを有し、
前記少なくとも一部のブレードレットの圧力面は、凹型である
ことを特徴とする請求項１−１１のいずれかに記載の羽根車。
【請求項１３】
前記各ブレードレットは、圧力面と吸引面とを有し、
前記少なくとも一部のブレードレットの吸引面は、凸型である
ことを特徴とする請求項１−１２のいずれかに記載の羽根車。
【請求項１４】
（Ｅ）フレキシブルな駆動ケーブルと、
（Ｆ）剛性のある駆動シャフトと、
を更に有し、
前記駆動ケーブルと前記駆動シャフトは、互いに連結され、
前記ハブは、前記駆動シャフトに動作可能に結合される
ことを特徴とする請求項１−１３のいずれかに記載の羽根車。
【請求項１５】
（Ｅ）生体外のモータ  を更に有し、
前記モータは、前記駆動ケーブルに接続される
ことを特徴とする請求項１−１４のいずれかに記載の羽根車。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月20日(2012.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）複数の画素と、
（ｂ）２又はそれ以上の画素の加算ノードどうしを接続する第１の加算トランジスタと
を有し、
前記複数の画素の夫々は、
（ｉ）少なくとも１つのフォトセンサと、
（ｉｉ）前記フォトセンサをフローティング・ディフュージョンに接続する少なくとも１つのトランスファゲートと、
（ｉｉｉ）前記フローティング・ディフュージョンに接続される出力トランジスタと、
（ｉｖ）直列に接続される第1のリセットトランジスタ及び第２のリセットトランジスタと
を有し、
前記第１のリセットトランジスタは、前記フローティング・ディフュージョンと加算ノードとの間に接続され、前記第２のリセットトランジスタは、前記加算ノードに接続される、イメージセンサ。
【請求項２】
２又はそれ以上の画素の加算ノードどうしを接続する第２の加算トランジスタを更に有する、請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項３】
各画素において前記出力トランジスタに接続される行選択トランジスタを更に有する、請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項４】
２又はそれ以上の画素からの電荷を足し合わせる方法であって、
（ａ）各画素において少なくとも１つのフォトセンサを設ける段階と、
（ｂ）各画素において前記フォトセンサをフローティング・ディフュージョンに接続する少なくとも１つのトランスファゲートを設ける段階と、
（ｃ）各画素において前記フローティング・ディフュージョンに接続される出力トランジスタを設ける段階と、
（ｄ）各画素において直列に接続される第１のリセットトランジスタ及び第２のリセットトランジスタを設ける段階と、
（ｅ）２又はそれ以上の画素の加算ノードどうしを接続する１又はそれ以上の加算トランジスタを設ける段階と、
（ｆ）２又はそれ以上の画素の間で電荷を足し合わせるよう、各画素において前記加算トランジスタの１又はそれ以上と前記第１のリセットトランジスタとをアクティブにする段階と
を有し、
前記第１のリセットトランジスタは、前記フローティング・ディフュージョンと加算ノードとの間に接続され、前記第２のリセットトランジスタは、前記加算ノードに接続される、方法。
【請求項５】
カメラに含まれる請求項１に記載のイメージセンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月20日(2012.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイス構造（３００）を製造する方法であって、
半導体材質（２０２）を有する基板（２００）を提供することと、
前記半導体材質（２０２）内に分離溝（２１２）を形成することと、
その上への高ｋ材質の形成を実質的に阻止するライナ材質（２１４）で前記分離溝（２１２）をライニングして内側を覆われた溝（２１６）をもたらすことと、
前記内側を覆われた溝（２１６）を少なくとも部分的に絶縁材質（２１８）で充填することと、
前記絶縁材質（２１８）の少なくとも一部分を覆い且つ前記半導体材質（２０２）の少なくとも一部分を覆う高ｋゲート材質（２３２）の層を、前記高ｋゲート材質（２３２）の層が前記ライナ材質（２１４）によって分割されるように形成することとを備えた方法。
【請求項２】
その内部に画定される能動トランジスタ領域（３０８，３１０）を有する半導体材質（２０２）の層と、
前記能動トランジスタ領域（３０８，３１０）に隣接して前記半導体材質（２０２）の層内に形成される分離溝（２１２）と、
前記分離溝（２１２）をライニングする溝ライナ（２１４）であって内側を覆われた溝（２１６）を前記分離溝（２１２）と共に形成する溝ライナ（２１４）と、
前記内側を覆われた溝（２１６）内の絶縁材質（２１８）と、
前記絶縁材質（２１８）の少なくとも一部分を覆い且つ前記能動トランジスタ領域（３０８，３１０）の少なくとも一部分を覆うと共に前記溝ライナ（２１４）によって分割されている高ｋゲート材質（２３２）の層とを備えた半導体デバイス（３００）。
【請求項３】
半導体デバイス構造（３００）のための浅い溝分離の方法であって、
半導体材質（２０２）の層、前記半導体材質（２０２）の層を覆うパッド酸化物層（２０８）、及び前記パッド酸化物層（２０８）を覆うパッド窒化物層（２１０）を有する半導体基板（２００）を提供することと、
前記パッド窒化物層（２１０）の一部分、前記パッド酸化物層（２０８）の一部分、及び前記半導体材質（２０２）の層の一部分の選択的な除去により前記半導体基板（２００）内に分離溝（２１２）を形成することと、
その上への高ｋ材質の核生成を実質的に阻害するライナ材質（２１４）を前記分離溝（２１２）内及び前記パッド窒化物層（２１０）の露出させられた部分上に堆積させることと、
絶縁材質（２１８）が前記分離溝（２１２）を充填するように前記絶縁材質（２１８）を前記ライナ材質（２１４）の上に堆積させることとを備えた方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月17日(2012.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面上に材料を堆積させる方法であって、
金属層、金属窒化層、またはこれらの組合せを含む障壁層を、基板上に形成するステップと、
気相成長プロセス中に前記基板をジコバルトヘキサカルボニルブチルアセチレン（ＣＣＴＢＡ）および水素に露出させて前記障壁層上にコバルト層を形成するステップと、
前記コバルト層を覆うように導電材料を堆積させるステップと
を含む方法。
【請求項２】
処理プロセス中に前記障壁層または前記コバルト層をプラズマに露出させるステップをさらに含み、このステップにおいて、前記プラズマが、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、水素（Ｈ２）、アンモニア／水素混合物、これらの誘導体、およびこれらの組合せからなる群から選択された試薬を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記障壁層または前記コバルト層を、約２０秒から約４０秒の範囲内の期間にわたって水素プラズマに露出させ、前記水素プラズマが遠隔プラズマ源によって形成されるものである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
熱処理プロセス中に前記障壁層または前記コバルト層をガスに露出させるステップをさらに含み、このステップにおいて、前記ガスが、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、水素（Ｈ２）、アンモニア／水素混合物、これらの誘導体、およびこれらの組合せからなる群から選択され、前記基板が、前記熱処理プロセス中に約５０℃から約４００℃の範囲内の温度に加熱される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記基板を、熱化学気相成長プロセス中に前記ＣＣＴＢＡおよび前記水素を含む堆積ガスに露出させ、前記基板を、前記熱化学気相成長プロセス中に約１００℃から約２５０℃の範囲内の温度に加熱する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記気相成長プロセスが、原子層堆積プロセス中に前記基板を前記ＣＣＴＢＡおよび前記水素に順次露出させるステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記障壁層が、タンタル、窒化タンタル、チタン、窒化チタン、タングステン、窒化タングステン、これらの合金、これらの誘導体、およびこれらの組合せからなる群から選択された少なくとも１つの材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記導電材料が銅または銅合金を含み、前記導電材料がシード層およびバルク層を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記シード層が、銅を含み、物理気相成長プロセスまたは化学気相成長プロセスによって堆積され、且つ前記バルク層が、銅を含み、電気化学めっきプロセスによって堆積される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
基板表面上に材料を堆積させる方法であって、
金属層、金属窒化層、またはこれらの組合せを含む障壁層を、基板上に形成するステップと、
前処理プロセス中に前記障壁層を第１のプラズマに露出させるステップと、
気相成長プロセス中に前記基板をジコバルトヘキサカルボニルブチルアセチレン（ＣＣＴＢＡ）および水素に露出させて前記障壁層上にコバルト層を形成するステップと、
後処理プロセス中に前記コバルト層を第２のプラズマに露出させるステップと、
気相成長プロセスによって前記コバルト層上に銅層を堆積させるステップと
を含む方法。
【請求項１１】
前記第１のプラズマまたは前記第２のプラズマが、それぞれ独立して、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、水素（Ｈ２）、アルゴン、ヘリウム、アンモニア／水素混合物、これらの誘導体、およびこれらの組合せからなる群から選択されたガスを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
約２０秒から約４０秒の範囲内の期間にわたって、前記障壁層を前記第１のプラズマに、または前記コバルト層を前記第２のプラズマに、露出させ、前記第１および第２のプラズマが遠隔プラズマ源によって形成されるものである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記気相成長プロセスが、熱化学気相成長プロセス中に前記ＣＣＴＢＡおよび前記水素を含む堆積ガスに前記基板を露出させるステップを含み、前記基板を、前記熱化学気相成長プロセス中に約１００℃から約２５０℃の範囲内の温度に加熱する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記気相成長プロセスが、原子層堆積プロセス中に前記基板を前記ＣＣＴＢＡおよび前記水素に順次露出させるステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
基板表面上に材料を堆積させる方法であって、
タンタル、窒化タンタル、チタン、窒化チタン、タングステン、窒化タングステン、これらの合金、これらの誘導体、またはこれらの組合せからなる群から選択された少なくとも１つの材料を含む障壁層を、基板上に形成するステップと、
前処理プロセス中に前記障壁層をプラズマに露出させるステップと、
気相成長プロセス中に前記基板をジコバルトヘキサカルボニルブチルアセチレン（ＣＣＴＢＡ）および還元ガスに露出させて前記障壁層上にコバルト層を形成するステップと、
後処理プロセス中に前記コバルト層を水素プラズマに露出させるステップと、
前記コバルト層を覆うように銅材料を堆積させるステップと
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月26日(2012.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジット・ノードにおいて、送信元アドレス及びマルチキャスト・グループ・アドレスを有するマルチキャスト・データパケットを送信元のノードから受信するステップと、
前記マルチキャスト・データパケットのハードウェア・キャッシュミスを前記トランジット・ノードにおいて検出するステップと、
前記ハードウェア・キャッシュミスの検出に応答して、前記マルチキャスト・データパケットをハードウェアを介して前記ネットワークのポートにフラッディングするステップと、
前記マルチキャスト・データパケットのコピーを処理装置へ送信するステップと、
前記コピーを前記処理装置から前記ネットワークにフォワーディングすることなく、前記マルチキャスト・データパケットの前記コピーをソフトウェア処理するステップと、
から構成され、
前記フラッディングするステップは、仮想ローカルエリア・ネットワーク（ＶＬＡＮ）メンバシップに基づいて前記マルチキャスト・データパケットのコピーを前記トランジット・ノードが隣接するノードにフォワーディングするステップを含み、
、前記ソフトウェア処理するステップは、前記マルチキャスト・データパケットのハードウェア・キャッシュ・エントリをハードウェア抽象化レイヤを介して確立するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
未来のマルチキャスト・データパケットの送信元アドレスおよびマルチキャスト・グループ・アドレスと、前記マルチキャスト・データパケットの前記ハードウェア・キャッシュ・エントリとのマッチングに応答して、マルチキャスト・トラフィックに加入する前記トランジット・ノードが隣接するノードにのみ、前記未来のマルチキャスト・データパケットをフォワーデングするステップをさらに有することを特徴とする方法。
【請求項３】
前記マルチキャスト・データパケットの前記送信元アドレスおよび前記マルチキャスト・グループ・アドレスと、ハードウェアキャッシュのハードウェアエントリとを比較するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記マルチキャスト・データパケットのハードウェア・キャッシュミスを前記トランジット・ノードにおいて検出するステップは、前記ハードウェアエントリと前記マルチキャスト・データパケットの送信元アドレスおよびマルチキャスト・グループ・アドレスの比較に応答するものであり、それらがマッチした結果に応答するものではないことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ハードウェアを介して前記ネットワークのポートにフラッディングするステップは、前記マルチキャスト・データのコピーが前記処理装置によってソフトウェア処理されている間に、初期ハードウェア・フラッディング状態に入るステップを含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記処理装置は、中央処理装置（ＣＰＵ）又はネットワーク処理装置（ＮＰＵ）のどちらか一方であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記トランジット・ノードはイーサネット自動保護スイッチング（ＥＡＰＳ）であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ハードウェア・フラッディングは対応するタイマによって開始することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記タイマが切れると、前記ハードウェア・フラッディングを停止するステップをさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
送信元アドレスおよびマルチキャスト・グループ・アドレスを有するマルチキャスト・データパケットを受信するためのパケット・プロセッサと、
送信元アドレスおよびマルチキャスト・グループ・アドレスに基づいたマルチキャスト・トラフィックのフォワーディング用のエントリを記憶するためのハードウェア・キャッシュと、
から構成され、
前記パケット・プロセッサは、
前記ハードウェア・キャッシュの検索に基づいて前記マルチキャスト・データパケットのハードウェア・キャッシュミスを検出し、
前記ハードウェア・キャッシュミスの検出に応答して、前記ネットワークのポートに前記マルチキャスト・パケットをフラッディングし、このフラッディングには、少なくとも部分的にＶＬＡＮメンバシップに基づき、前記トランジット・ノードに隣接するノードに前記マルチキャスト・データパケットのコピーをフォワーディングすることが含まれ、
前記マルチキャスト・データパケットのコピーを処理装置へ送信する、
ことが可能であり、
前記処理装置は、前記コピーをネットワークにフォワーディングすることなく、前記マルチキャスト・データパケットの前記コピーをソフトウェア処理し、このソフトウェア処理は前記マルチキャスト・データパケットのハードウェア・キャッシュ・エントリをハードウェア抽象化レイヤを介して確立する工程を含むことを特徴とするネットワーク装置。
【請求項１１】
前記パケット・プロセッサは、前記マルチキャスト・データパケットの前記送信元アドレスおよびマルチキャスト・グループ・アドレスと、前記ハードウェア・キャッシュ・エントリとを比較することがさらに可能であることを特徴とする請求項１０に記載のネットワーク装置。
【請求項１２】
前記パケット・プロセッサは、未来のマルチキャスト・データパケットの送信元アドレスおよびマルチキャスト・グループ・アドレスと、前記マルチキャスト・データパケットの前記ハードウェア・キャッシュ・エントリとのマッチングに応答して、マルチキャスト・トラフィックに加入する前記トランジット・ノードが隣接するノードにのみ、前記未来のマルチキャスト・データパケットをフォワーデングすることがさらに可能であることを特徴とする請求項１０に記載のネットワーク装置。
【請求項１３】
前記パケット・プロセッサは、前記マルチキャストデータのコピーが前記処理装置によってソフトウェア処理されている間に、初期ハードウェア・フラッディングの状態に入ることによって、前記ハードウェアを介して前記ネットワークのポートにフラッディングすることを特徴とする請求項１０に記載のネットワーク装置。
【請求項１４】
前記処理装置は、前記ネットワーク装置をＥＡＰＳネットワーク上で構成するためのイーサネット自動保護スイッチング（ＥＡＰＳ）構成要素を含むことを特徴とする請求項１０に記載のネットワーク装置。
【請求項１５】
前記処理装置は、前記ネットワーク装置をネットワーク上で構成するためのコマンドラインインターフェイス（ＣＬＩ）を含むことを特徴とする請求項１０に記載のネットワーク装置。
【請求項１６】
前記パケット・プロセッサはタイマをさらに備え、前記タイマが切れると、前記パケット・プロセッサによる前記フラッディングが停止することを特徴とする請求項１０に記載のネットワーク装置。
【請求項１７】
実行されると、請求項１乃至１９のいずれかに記載の方法を含む操作を機械に実行させる命令を提供するためのコンテンツを有するコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2012501583.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月10日(2012.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン含有構造の内面を前記構造のエッチングに続いて平滑化するための反応性プラズマミーリングする方法であって、
エッチングされたシリコン含有構造の内面から残留高分子材料を除去するステップと、
前記シリコン含有構造を含む基板にパルス化されたＲＦ電力でバイアスを掛けながら、シリコンと反応する試薬を含む原料ガス及び不活性ガスから生成される反応性プラズマで前記エッチングされたシリコン含有構造の前記内面を処理するステップを含み、前記パルス周波数が約１０Ｈｚから約１０００Ｈｚまでの範囲にあり、及び前記デューティ時間％が２％から４０％までの範囲にある方法。
【請求項２】
前記反応性プラズマは、約１０ｋＨｚから約６０ＭＨｚのＲＦ電力を用いて生成され、前記基板バイアスは、１０ｋＨｚから約１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力を用いて実行される請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記構造を含む前記基板は、前記パルス周波数が約５０Ｈｚから約１８０Ｈｚまでの範囲にあり、及び前記デューティ時間％が５％から３０％までの範囲にあるパルス化されたＲＦ電力でバイアスを掛けられる請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記エッチングされた構造の前記内面の前記処理は、前記シリコン含有被エッチング構造の前記内面上のノッチ深さを３００ｎｍ以下の深さまで減少させるのに十分な時間実行される請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記エッチングされた構造はビアであり、前記ビアの形状は、前記ビアの前記内面が平滑化される間に同時に変えられる請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記形状は、前記内面の前記処理の間、前記内面に衝撃を与えるために用いられる不活性ガスの組成を選択することによって変えられる請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記形状は、前記内面の前記処理が実行されるプロセスチャンバ内の圧力を選択することによって変えられる請求項５記載の方法。
【請求項８】
前記残留高分子材料を除去するのに続いて、前記シリコン含有被エッチング構造の前記内面を前記反応性プラズマで処理する前に、前記シリコン含有被エッチング構造の開口を囲む高分子材料を除去する請求項１記載の方法。
【請求項９】
シリコン含有基板を貫通する以前にエッチングされた開口の内部側壁表面を平滑化する方法であって、
いかなる残留フォトレジストをも前記開口が通してエッチングされた外側基板表面から除去するステップと、
前記開口のエッチングの間に、前記開口の前記内部側壁表面上に堆積された残留保護高分子材料を除去するステップと、
前記シリコン含有基板にパルス化されたＲＦ電力でバイアスを掛けながら、前記エッチングされた開口の前記内面を、シリコンと反応する試薬を含む原料ガス及び不活性ガスから生成される反応性プラズマで処理するステップを含み、前記パルス周波数が約１０Ｈｚから約１０００Ｈｚまでの範囲にあり、及び前記デューティ時間％が２％から５０％までの範囲にある方法。
【請求項１０】
前記エッチングされた開口を含む基板は、前記パルス周波数が約１０Ｈｚから約１０００Ｈｚまでの範囲にあり、前記デューティ時間％が２％から４０％までの範囲にあるパルス化されたＲＦ電力でバイアスが掛けられる請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記基板にバイアスを掛けるために使用される前記ＲＦ電力の周波数は、約２００ｋＨｚから約２０００ｋＨｚまでの範囲にある請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記エッチングされた開口の前記内面の前記処理は、前記側壁表面上のノッチ深さを３００ｎｍ以下の深さまで減少させるのに十分な時間実行される請求項１０記載の方法。
【請求項１３】
基板内へ又は基板を貫通してエッチングされる構造であって、
前記構造の前記基板内への又は前記基板を貫通するエッチング深さは、約７００μｍと約１×１０６μｍの間にあり、前記エッチングされる構造の側壁のノッチ深さは、約７００ｎｍ未満である構造。
【請求項１４】
基板内へ又は基板を貫通してエッチングされる構造であって、
前記構造の前記基板内への又は前記基板を貫通するエッチング深さは、約２μｍと約５００μｍの間にあり、前記エッチングされる構造の側壁のノッチ深さは、１０ｎｍ未満と５００ｎｍの間にある構造。
【請求項１５】
いかなる残留フォトレジスト及びいかなる残留保護高分子材料をも前記開口の前記内面から除去するステップに続いて、前記シリコン含有被エッチング開口の前記内面を平滑化反応性プラズマによって処理するステップの前に、前記開口の外側入口で前記開口の側壁の壁延長部を除去する請求項９記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
図３Ａ〜３Ｃは、反応性プラズマミーリング（スムージング）プロセスの間に、プロセスパラメータを変化させることによって達成できるエッチングされたシリコンビア形状の変化を示す。図３Ａは、反応性プラズマミーリング前の開始ビア形状を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月14日(2012.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属性基材を提供することと、
前記金属性基材を、粒子を含む乾燥組成物でコーティングすることと、
を含む、カレントコレクタの製造方法であって、前記基材をコーティングすることには、０より大きく約３０ｇ／ｃｍ２より小さい、表面に対する垂直の圧力で、前記基材に対し前記粒子の有効量をアプリケータパッドを用いてバフがけすることが含まれ、前記アプリケータパッドは前記表面のある点に対して複数の方向で前記表面に対し平行な面で動き、これにより前記粒子のほぼ均一なコーティングが得られ、前記粒子はモース硬度が０．４〜３の間であり、最大寸法が約１００マイクロメートル未満である、製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月6日(2012.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
伝送ラインを備える電力分割器であって、前記伝送ラインのまわりに配置された複数のＮ本の二次巻線を有し、前記伝送ラインは、前記Ｎ本の二次巻線中に電力を誘導結合する方位角磁界を動作可能に形成して、前記伝送ラインからの前記電力をＮ分割し、前記伝送ラインは、定在波を前記伝送ライン上に動作可能に発生させるように短絡されることを特徴とする電力分割器。
【請求項２】
前記伝送ラインに結合されたインピーダンス整合回路を備え、前記インピーダンス整合回路はスタブチューナを含むことを特徴とする請求項１に記載の電力分割器。
【請求項３】
前記短絡部はゼロ電圧点と、同時に電流の最大点とを生じさせ、前記電流は、前記方位角磁界の発生を引き起こすことを特徴とする請求項１に記載の分割器。
【請求項４】
前記二次巻線は前記短絡部の近くに設置され、前記短絡部から前記伝送ラインに沿って軸方向に延びることを特徴とする請求項３に記載の分割器。
【請求項５】
前記二次巻線は、前記方位角磁界の領域内に設置された巻枠上に設けられることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の分割器。
【請求項６】
前記二次巻線は、前記方位角磁界の領域内に設置された巻枠上に対構成として設けられ、前記対の個々の対は、短絡されて非平衡終端出力部を作り出し、２Ｎ対の巻線を有し、前記”Ｎ本の巻線の半分は一方の端部で短絡され、前記２Ｎ本の巻線の半分は他方の端部で短絡されて、Ｎ個のプッシュプル対を形成し、前記対の個々の対は差動出力を与えることを特徴とする請求項４に記載の分割器。
【請求項７】
前記Ｎ本の二次巻線は、前記伝送ラインの側壁のまわりに配置されたＮ本の二次同軸ケーブルを、電力が前記二次同軸ケーブル中に誘導されるように備え、前記伝送ラインは内側導体および外側導体を有し、前記誘導電力は、前記伝送ライン中の半径方向電界から導出され、前記Ｎ本の二次同軸ケーブル上に誘導される電力は同相であり、前記Ｎ本の二次同軸ケーブルは内側導体および外側導体を有し、これらは、前記二次同軸ケーブルの前記外側導体が前記伝送ラインの前記外側導体に取り付けられ、前記外側導体から絶縁された前記二次同軸ケーブルの前記内側導体が前記伝送ラインの前記内側導体に取り付けられるように配置されることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の分割器。
【請求項８】
前記短絡部と、前記Ｎ本の二次同軸ケーブルの内側および外側が前記伝送ラインに接続される位置との間の長さは、前記Ｎ本の同軸ケーブル間の相対電力結合を制御するように制御され、前記伝送ラインの前記内側導体の内側に配置されたＭ本の内側二次同軸ケーブルを、前記電力が前記Ｍ本の二次同軸ケーブルに誘導されるようにさらに備え、前記伝送ラインは内側導体および外側導体を有し、前記Ｍ本の内側二次同軸ケーブルは内側導体および外側導体を、前記二次同軸ケーブルの前記外側導体が前記伝送ラインの前記内側導体に接続され、前記二次同軸ケーブルの前記内側導体が前記伝送ラインの前記外側導体に接続されるように配置されて有することを特徴とする請求項７に記載の分割器。
【請求項９】
前記伝送ラインは短絡され、前記Ｎ本の二次同軸ケーブルおよび前記Ｍ本の二次同軸ケーブルは、前記伝送ラインの前記短絡部から前記Ｎ本の二次同軸ケーブルの前記内側導体の場所までの距離と前記伝送ラインの前記短絡部から前記Ｍ本の二次同軸ケーブルの前記内側導体の場所までの距離とが同じになるように配置され、その結果、前記Ｎ本の二次同軸ケーブル中に誘導される前記電力の位相が、前記Ｍ本の二次同軸ケーブル中に誘導される前記電力と１８０度位相がずれることになり、前記短絡部と、前記Ｎ本の二次同軸ケーブルの前記内側導体の場所および前記Ｍ本の二次同軸ケーブルの前記外側導体の場所との間の距離は、前記Ｎ本の同軸ケーブルと前記Ｍ本の同軸ケーブルの間の相対電力結合を制御するように制御され、Ｍ＝Ｎであり、それによってＮ個のプッシュプル対を形成することを特徴とする請求項７または８に記載の分割器。
【請求項１０】
前記Ｎ本の二次巻線の個々の巻線は、プラズマ源の電極に選択的に結合され、前記伝送ラインは、その入力部で高周波源に結合されることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の分割器。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれかに記載の電力分割器を備えることを特徴とするプラズマ源。
【請求項１２】
伝送ラインを備える電力結合器であって、前記伝送ラインのまわりに配置された複数のＮ本の二次巻線を有し、前記二次巻線は、前記Ｎ本の二次巻線のそれぞれからの電力を単一の伝送ライン上に結び付けるように電力を前記伝送ライン上に動作可能に結合し、前記伝送ラインは、定在波を前記伝送ライン上に動作可能に発生させることを特徴とする電力結合器。
【請求項１３】
前記伝送ラインに結合されたインピーダンス整合回路を備え、前記短絡部はゼロ電圧点と、同時に電流の最大点とを動作可能に生じさせ、前記電流は方位角磁界の発生を引き起こし、前記二次巻線は前記短絡部の近くに設置され、前記短絡部から前記伝送ラインに沿って軸方向に延び、前記二次巻線は、前記方位角磁界の領域内に設置された巻枠上に設けられることを特徴とする請求項１２に記載の結合器。
【請求項１４】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の電力分割器と、請求項１２または１３に記載の電力結合器とを備えることを特徴とする電力分割結合装置。
【請求項１５】
請求項１２または１３に記載の結合器を備えることを特徴とする信号結合器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月15日(2012.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
補綴ベアリングコンポーネント（１０）であって、
炭素繊維強化ポリアリールエーテルエーテルケトン（ＣＦＲ−ＰＥＥＫ）で作られたベアリング面（４０）を有し、使用の際、１又は２以上の開口部（２０）が前記ベアリング面に設けられ、前記１又は２以上の開口部は、補綴ベアリングコンポーネントを適所に固定するために、１又は２以上の取付け手段（３０）を受入れるように構成される、補綴ベアリングコンポーネント。
【請求項２】
使用の際、前記１又は２以上の開口部（２０）は、キャップ、前記取付け手段（３０）、及び脆弱要素（４０）のうちの１又は２以上により補強される、請求項１に記載の補綴ベアリングコンポーネント。
【請求項３】
前記開口部（２０）の１又は２以上は、前記補綴ベアリングコンポーネント（１０）をその厚さ方向に貫通する、請求項１又は２に記載の補綴ベアリングコンポーネント。
【請求項４】
前記開口部（２０）の１又は２以上は、前記補綴ベアリングコンポーネントの中をその厚さ方向に部分的に延びる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の補綴ベアリングコンポーネント。
【請求項５】
前記開口部（２０）の１又は２以上は、環状凹部（１１０，１２０）によって形成される、請求項４に記載の補綴ベアリングコンポーネント。
【請求項６】
係合手段と係合する係合部分（１００，１３０）が前記環状凹部（１１０，１２０）の内側に設けられる、請求項５に記載の補綴ベアリングコンポーネント。
【請求項７】
前記開口部（２０）の１又は２以上は、環状溝（８０，９０）によって形成される、請求項４に記載の補綴ベアリングコンポーネント。
【請求項８】
係合手段と係合する係合部分（１００）が、前記環状溝（８０，９０）によって定められる環状部の内側に設けられる、請求項７に記載の補綴ベアリングコンポーネント。
【請求項９】
前記係合部分（１００，１３０）は、凹部又は凸部によって構成される、請求項６又は８に記載の補綴ベアリングコンポーネント。
【請求項１０】
前記開口部（２０）の１又は２以上は、脆弱要素（７０）によって構成される、請求項４〜９のいずれか１項に記載の補綴ベアリングコンポーネント。
【請求項１１】
前記開口部（２０）の１又は２以上は、前記補綴ベアリングコンポーネントの外面（５０）又は内面（４０）から始まり、前記脆弱要素（７０）を選択的に破損させるとき、前記開口部の前記１又は２以上は、前記補綴ベアリングコンポーネントをその厚さ方向に貫通する、請求項１０に記載の補綴ベアリングコンポーネント。
【請求項１２】
前記ベアリング面の１又は２以上の開口部（２０）の周囲輪郭は、前記１又は２以上の開口部が前記ベアリング面によって包囲されるように連続する、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の補綴ベアリングコンポーネント。
【請求項１３】
前記取付け手段（３０）は、ヘッドを含み、前記取付け手段のヘッドは、凹部が前記ベアリング面に形成されるように、前記ベアリング面と面一でない、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の補綴ベアリングコンポーネント。
【請求項１４】
１又は２以上のキャップが、前記ベアリング面の１又は２以上の開口部（２０）の中に設けられる、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の補綴ベアリングコンポーネント。
【請求項１５】
前記補綴ベアリングコンポーネントは、単一層のＣＦＲ−ＰＥＥＫを含む、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の補綴ベアリングコンポーネント。