【事件の表示】
　平成　６年特許願第２２０２０６号「半導体発光素子、およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　３月２６日出願公開、特開平　８−　８３９２９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成６年９月１４日の出願であって、平成１４年３月２０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年６月３日付けで手続補正がなされたものである。
　　　
２．平成１４年６月３日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１４年６月３日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の発明　　
　平成１４年６月３日付けの手続補正（以下、「本件補正」という）により、特許請求の範囲の請求項１は、
　「絶縁基板の表面上に、ｎ型半導体層、発光層、およびｐ型半導体層から構成される積層部が形成されている半導体発光素子において、
　上記絶縁基板には、上記積層部のうち最下層のｎ型またはｐ型の半導体層の形成位置から絶縁基板の裏面にわたって形成されたスルーホール内に導電性物質が充填されたコンタクトホールが形成され、かつ、
　上記絶縁基板の裏面の全面には、上記コンタクトホールを介して上記最下層の半導体層に導通するとともに、上記コンタクトホールの導電性物質と同一の材質からなる導電性膜が形成されていることを特徴とする、半導体発光素子。」
と補正された。
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である導電性膜が形成される基板の裏面について、「全面」との限定を付加するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本件補正発明」という）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下検討する。
（２）引用例に記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願前に頒布された刊行物である特開平１−２５１６７５号公報（以下、「引用例」という）には、次のように記載されている。
　「所定の厚さを有し且つ所定の領域の部分が除去された半導体基板（１）と、
　該半導体基板の一方の側に形成されたｎ型クラッド層（２）と、
　該ｎ型クラッド層の上に形成された活性層（３）と、
　該活性層の上に形成されたｐ型クラッド層（４）と、
　該ｐ型クラッド層の上に半導体層（５，６）を介し、前記所定の領域に対応する部分を残して該半導体層上に形成されたｐ側電極（７）と、
　前記所定の領域の部分を充填して前記半導体基板の他方の側に形成されたｎ側電極（８）とを具備し、
　前記ｐ側電極およびｎ側電極の間に電流を流して前記活性層より光を放出させ、該放出された光を前記所定の領域に対応する前記半導体層の部分より取り出すようにした光半導体装置。」（特許請求の範囲請求項１）
　「本発明は、光半導体装置及びその製造方法に関し、特に、発光デバイスとして用いられる発光ダイオード（以下、ＬＥＤと称する）の構造とその製造方法に関する。」（第２頁右上欄第１２〜１５行）
　「〔実施例〕
　第１図には本発明の一実施例としてのＬＥＤの構造が断面的に示されている。
　第１図において、１はＧａＡｓからなる半導体基板、すなわちウエハ、２はｎ−ＧａＡｌＡｓからなるクラッド層、３は活性層、４は活性層３を挟んでクラッド層２と対向して形成されたｐ−ＧａＡｌＡｓからなるクラッド層、５はｎ−ＧａＡｌＡｓからなる半導体層、６は亜鉛（Ｚｎ）の拡散によって形成されたｐ型拡散層、７は金亜鉛・チタン・白金・金（ＡｕＺｎ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）からなるｐ側電極、８はＡｕのめっきによって形成された熱放散用の電極（Ｐｌａｔｉｎｇ　Ｈｅａｔ　Ｓｉｎｋ；ＰＨＳ）であって、同時にｎ側電極を兼ねるもの、をそれぞれ示す。」（第４頁右上欄第１５行〜左下欄第９行）
　「次に、第１図に示されるＬＥＤの製造方法について第２図（ａ）〜（ｊ）の工程図を参照しながら説明する。・・・・
　まず、（ａ）の工程では、ＧａＡｓ基板（約３００μｍの厚さのウエハ）１上にエピタキシャル成長によって順次、ｎ−ＧａＡｌＡｓのクラッド層２・・・・活性層３・・・・ｎ−ＧａＡｌＡｓの半導体層５・・・・を形成する。
　工程（ｂ）においては、・・・・半導体層５を所定のピッチ・・・・でエッチング除去する。・・・・」（第４頁左下欄第２０行〜右下欄第１４行）
　「工程（ｃ）においては、まずウエハの状態で各チップ毎のアイソレーションを行う。・・・・以上の工程によりｐ側のプロセスは終了する。この後、ウエハを裏表引っ繰り返してｎ側のプロセスを行う。
　工程（ｄ）においては、ラップによってＧａＡｓ基板１を１００μｍ程度に薄く加工し、次いでその上にスパッタ法によりＳｉＯ２膜１２を形成する。
　工程（ｅ）においては、・・・・ｎ側電極形成用の穴明けを行う。・・・・ｎ−ＧａＡｌＡｓのクラッド層２が現れた時点で該エッチングは止まる。
　工程（ｆ）では、金・ゲルマニウム（ＡｕＧｅ）１４を全面に亘って蒸着する。特に、穴の部分に蒸着されたＡｕＧｅは、後の段階で形成されるｎ側電極用のＡｕのめっきとのコンタクトをとり易くするのに用いられる。
　工程（ｇ）では、リフトオフによってレジスト１２およびＡｕＧｅ膜１４（ただし、穴の部分に蒸着されたＡｕＧｅ膜は残す）を除去し、・・・・
　工程（ｈ）では、全面に亘ってＡｕまたはＡｇのめっき・・・・を行う。・・・・ＡｕＧｅ膜１４が蒸着された穴の部分にのみめっき層１５が形成される。
　工程（ｉ）においては、まずＳｉＯ２膜１２を除去し、次いでＡｕＧｅ１６を全面に亘って蒸着する。この場合のＡｕＧｅ１６は、前述のＡｕＧｅ１４と同様に、後の段階で形成されるｎ側電極用のＡｕのめっきとのコンタクトをとり易くするのに用いられる。続いて、・・・・レジスト１７を所定の位置に形成する。
　最後の工程（ｊ）では、Ａｕのめっき・・・・を全面に亘って行う。・・・・ＡｕＧｅ膜１６が蒸着された部分にのみめっき層８が形成される。すなわち、ＰＨＳまたはｎ側電極８が形成される。」（第５頁左上欄第６行〜左下欄第１９行）
　また、第１図にはＬＥＤ（光半導体装置）の構造が断面図で示され、第２図（ａ）〜（ｉ）にはＬＥＤの製造工程が示されている。第１図及び第２図（ｊ）では、ｎ側電極８の半導体基板１より外側の部分（第２図（ｊ）で上側の部分）は、基板１のほぼ全面に亘って形成されていることがみてとれる。
　以上の記載からすれば、引用例には、「半導体基板１の一方の側に、ｎ型クラッド層２、活性層３、ｐ型クラッド層４が順次積層形成され、半導体基板１の所定の領域の部分に他方の側から最下層のｎ型クラッド層２に達する穴が形成され、この穴に順次ＡｕＧｅ膜１４、ＡｕまたはＡｇのめっき１５を施した後、半導体基板１の外側に基板１のほぼ全面に亘ってＡｕＧｅ膜１６が形成され、さらにＡｕめっきが形成された光半導体装置」が記載されているものと認める。
（３）対比、判断
　本件補正発明と引用例に記載のものとを対比すると、引用例に記載のものにおける「ｎ型クラッド層２」、「活性層３」、「ｐ型クラッド層４」、「光半導体装置」は、それぞれ本件補正発明における「ｎ型半導体層」、「発光層」、「ｐ型半導体層」、「半導体発光素子」に相当し、引用例に記載のものにおける基板の「一方の側」及び「他方の側」は、それぞれ本件補正発明における絶縁基板の「表面」及び「裏面」に相当し、引用例に記載のものにおいて半導体基板１に形成され最下層のｎ型クラッド層２に達する「穴」は、最下層のｎ型クラッド層２の形成位置から基板１の裏面にわたって形成されていることから、本件補正発明における「スルーホール」に相当し、また、引用例に記載のものにおける穴内に充填された導電性物質（ＡｕＧｅ及びＡｕまたはＡｇ）は、本件補正発明における「導電性物質が充填されたコンタクトホール」に相当するものであるので、本件補正発明と引用例に記載のものとは、
　「基板の表面上に、ｎ型半導体層、発光層、およびｐ型半導体層から構成される積層部が形成されている半導体発光素子において、上記基板には、上記積層部のうち最下層のｎ型の半導体層の形成位置から絶縁基板の裏面にわたって形成されたスルーホール内に導電性物質が充填されたコンタクトホールが形成され、かつ、上記基板の裏面には、上記コンタクトホールを介して上記最下層の半導体層に導通する導電性膜が形成されている半導体発光素子」
である点において一致するが、次の点において相違する。
ａ．本件補正発明における基板は絶縁基板であるのに対して、引用例に記載のものにおける基板は半導体基板である点。
ｂ．本件補正発明において絶縁基板の裏面の全面にコンタクトホールの導電性物質と同一の材質からなる導電性膜が形成されているのに対して、引用例に記載のものにおいては、ＡｕＧｅ膜が基板１の外側（他方の側）にほぼ全面に形成され、また、基板１に形成され最下層のｎクラッド層に達する穴内に最初にＡｕＧｅ膜１４が形成され、その上にＡｕまたはＡｇのめっき層１５が形成され、ＡｕＧｅ膜１６が全面に形成され、さらにＡｕめっきが形成されていることから、その材質は基板に形成され最下層のｎ型クラッド層に達する穴内の導電性物質と全てが同一の材質ではない点。
　そこで、上記相違点について検討する。
相違点ａについて：
　半導体発光素子を形成する際の基板としては、その積層構造をなす材質に応じて絶縁性基板及び半導体基板のいずれも適切なものが選択されることは周知の事項である。そして、引用例に記載の光半導体装置に関する技術は、半導体基板でなければ構成できないものでないことは明らかであるから、半導体の積層構造の種類に応じて絶縁基板を用いることは適宜考慮し得るところである。
相違点ｂについて：
　引用例に記載のＡｕＧｅ層１４及び１６は、ｎ側電極用のＡｕめっき層とのコンタクトをとり易くするためなどに用いられているのであり、それを特に意図しなければ、穴内の導電性物質を全体として同じ材質のものとすることは困難なことではない。また、引用例に記載のものにおいて、基板の外側に導電性材質の層が一部形成されないのは、製造後に個々の光半導体装置を分離することを考慮して行っているものと解されるが、それを特に考慮する必要がなければ、このように基板の外側のほぼ全面に導電性物質の層を形成するのに代えて、その全面に形成することも容易になし得るところであり、全面にわたって導電性物質の層を形成することによる作用効果についても格別なものはない。
　また、相違点ａ及びｂを総合しても、何ら格別な技術的特徴が与えられることはない。
　したがって、本件補正発明は、引用例に記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
（４）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する特許法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　　　
３．本願発明について
　平成１４年６月３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１及び２に係る発明は、平成１３年１２月１０日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に各々記載されたとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という）は次のとおりである。
　「絶縁基板の表面上に、ｎ型半導体層、発光層、およびｐ型半導体層から構成される積層部が形成されている半導体発光素子において、
　上記絶縁基板には、上記積層部のうち最下層のｎ型またはｐ型の半導体層の形成位置から絶縁基板の裏面にわたって形成されたスルーホール内に導電性物質が充填されたコンタクトホールが形成され、かつ、
　上記絶縁基板の裏面には、上記コンタクトホールを介して上記最下層の半導体層に導通するとともに、上記コンタクトホールの導電性物質と同一の材質からなる導電性膜が形成されていることを特徴とする、半導体発光素子。」
（１）引用例に記載の発明
　原査定の拒絶理由に引用された引用例及びその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
（２）対比、判断
　本願発明は、前記「２．」で検討した本件補正発明から、導電性膜が形成される絶縁性基板の箇所として、裏面の「全面」との限定を除いたものである。
　そして、本願発明を特定する事項を全て含み、さらに上記「全面」との限定を付加したものに相当する本件発明は、前記「２．（３）」に記載したとおり、引用例に記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例に記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（３）むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。