(57)【要約】【課題】  金型を用いることなく、工程数を低減して、低価格化を図ることができるチップサイズパッケージを提供する。【解決手段】  チップサイズパッケージにおいて、表面に複数の電極が形成された半導体チップと、前記半導体チップの前記表面上に設けられた保護膜と、前記保護膜上に設けられ、前記電極が形成された位置とは異なる位置で前記電極が外部との電気的接続をとるために、前記保護膜上に設けられた配線と、前記電極上から離れた位置における前記配線上に設けられたバンプと、前記バンプの上面を露出するように前記半導体チップの表面上に設けられた樹脂とを含み、前記樹脂の側面には、切断面１０５が形成されている。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数の電極が形成された半導体チップと、
前記半導体チップの前記表面上に設けられた保護膜と、
前記保護膜上に設けられ、前記電極が形成された位置とは異なる位置で前記電極が外部との電気的接続をとるために、前記保護膜上に設けられた配線と、
前記電極上から離れた位置における前記配線上に設けられたバンプと、
前記半導体チップの表面上に、前記バンプの上面を露出するように設けられた樹脂とを含み、
前記樹脂の側面には、切断面が形成されていることを特徴とするチップサイズパッケージ。
【請求項２】
請求項１記載のチップサイズパッケージにおいて、前記半導体チップの裏面及び側面は、前記樹脂により封止されていないことを特徴とするチップサイズパッケージ。
【請求項３】
請求項１又は２記載のチップサイズパッケージにおいて、前記樹脂から露出している前記バンプの上面に半田ボールが形成されていることを特徴とするチップサイズパッケージ。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項記載のチップサイズパッケージにおいて、前記バンプは、前記電極よりも前記半導体チップの中央側に設けられていることを特徴とするチップサイズパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＳＩのパッケージに係り、特に、ＬＳＩチップと略同じ大きさのチップサイズパッケージに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、このような分野の技術としては、例えば、非特許文献１，２に記載されるようなものがあった。
【０００３】
従来、この種のパッケージは、μ−ＢＧＡ、チップサイズパッケージ、ＣＳＰ等種々の名前で呼ばれ、また色々なタイプのチップサイズパッケージが開発されている。
【０００４】
図８はかかる従来のチップサイズパッケージの一部破断斜視図である。
【０００５】
この図に示すように、ＬＳＩチップ１に半田を蒸着し銅バンプを形成後、モールド樹脂２により樹脂封止し、外部端子用の半田バンプ３をつける。なお、４は配線パターン、５は電極パッドである。結果として、略ＬＳＩチップと同じ大きさのパッケージを得ることができる。
【０００６】
また、図９は従来のチップサイズパッケージのうちテープキャリア方式を示す断面図である。
【０００７】
この図において、ＬＳＩチップの表面には弾性のある接着剤６をコートし、ＬＳＩの各パッドにはフレキシブル配線７を接続し、且つこのフレキシブル配線７には半田バンプ９が形成されている。この半田バンプ９の周囲には、ポリイミドフィルム８等が形成され、前記した弾性のある接着剤６でこのＬＳＩに固定されている。１０は保護枠である。結果として、略ＬＳＩと同じ大きさのパッケージを得ることができる。
【０００８】
すなわち、このパッケージでは、ＬＳＩチップをバンプを有するポリイミド配線基板に実装し、次に、これを目的の配線基板に実装する形態をとっていた。
【０００９】
他の形態のパッケージにおいても、配線が施されたＬＳＩチップを、配線基板に実装するようにしている。
【非特許文献１】“日経マイクロデバイス”１９９５年２月号  Ｐ．９６〜９７
【非特許文献２】“チップサイズパッケージ技術”サーキットテクノロジ  Ｖｏｌ．９  Ｎｏ．７  Ｐ４７５〜４７８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記したように、従来のチップサイズパッケージでは、ＬＳＩをウエハから切り出した後、各々のチップサイズパッケージを作製することになるので、専用の金型を必要とし、低価格化の障害となっていた。
【００１１】
また、従来のチップサイズパッケージでは、ＬＳＩを配線基板に実装するのに２回実装することとなるため、工程数が多くなり、結果として高価格になる。
【００１２】
更に、ＬＳＩをウエハから切り出した後、各々のチップサイズパッケージを作製することとなるので、その作製が煩雑であり、製造の信頼性上も問題である。
【００１３】
また、従来エポキシ樹脂のモールドに関してはモールドに離型剤が添加されていた。これは金型と樹脂との接着を防ぐ目的のものであるが、ＬＳＩ及びその周辺の金属との接着力も弱くなり、信頼性低下につながった。
【００１４】
更に、今までにもＬＳＩにバンプを直接作製し、これをフェースダウン方式で基板に実装する方法は提案され、実用化している。しかし、この方法ではＬＳＩの保護が全くなされておらず、機械的にも弱いものであった。
【００１５】
本発明は、上記問題点を除去し、金型を用いることなく、工程数を低減して、低価格化を図ることができるチップサイズパッケージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔１〕チップサイズパッケージにおいて、表面に複数の電極が形成された半導体チップと、前記半導体チップの前記表面上に設けられた保護膜と、前記保護膜上に設けられ、前記電極が形成された位置とは異なる位置で前記電極が外部との電気的接続をとるために、前記保護膜上に設けられた配線と、前記電極上から離れた位置における前記配線上に設けられたバンプと、前記半導体チップの表面上に、前記バンプの上面を露出するように設けられた樹脂とを含み、前記樹脂の側面には、切断面が形成されていることを特徴とする。
【００１７】
〔２〕上記〔１〕記載のチップサイズパッケージにおいて、前記半導体チップの裏面及び側面は、前記樹脂により封止されていないことを特徴とする。
【００１８】
〔３〕上記〔１〕又は〔２〕記載のチップサイズパッケージにおいて、前記樹脂から露出している前記バンプの上面上に半田ボールが形成されていることを特徴とする。
【００１９】
〔４〕上記〔１〕〜〔３〕のいずれか１項記載のチップサイズパッケージにおいて、前記バンプは、前記電極よりも前記半導体チップの中央側に設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、次のような効果を奏することができる。
【００２１】
（１）ＬＳＩチップと同じ面積のチップサイズパッケージを得ることができる。
【００２２】
また、樹脂をチップ表面に被着しているので、いわゆる樹脂モールドとほぼ同じ信頼性を保証できる。
【００２３】
すなわち、パッケージは小さいままで、強度的にも、耐湿性等においても、いわゆるモールドパッケージと同等の信頼性を確保することができる。
【００２４】
（２）上記（１）の効果に加え、ＬＳＩの表面の強度と接続の信頼性を高めることができる。
【００２５】
（３）上記（１）の効果に加え、ＬＳＩのパッド電極と半田ボールとの位置を任意に変更でき、接続の自由度を高めることができる。
【００２６】
（４）パッケージ化の作業を全てウエハ単位で行えるため、工数が少なくなり、低価格化を実現できる。
【００２７】
このように、ウエハのカッティングを最後に行うので、各パッケージ当たりの工数が少なくなり、低価格化を実現できる。
【００２８】
（５）上記（４）の効果に加え、ＬＳＩをウエハから切り出す前に、そのウエハ全面に補強板を接着するようにしたので、ＬＳＩを機械的に補強することができ、確実にウエハから切り出しを行うことができる。
【００２９】
（６）金型を用いないので、エポキシ樹脂に離型剤を添加する必要はない。また、樹脂との接着を促進するシランカップリング剤等を有効に用いることができた。
【００３０】
（７）上記（６）と同様な効果を奏するチップサイズパッケージを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
本発明のチップサイズパッケージは、表面に複数の電極が形成された半導体チップと、前記半導体チップの前記表面上に設けられた保護膜と、前記保護膜上に設けられ、前記電極が形成された位置とは異なる位置で前記電極が外部との電気的接続をとるために、前記保護膜上に設けられた配線と、前記電極上から離れた位置における前記配線上に設けられたバンプと、前記半導体チップの前記表面上に前記バンプの上面を露出するように設けられた樹脂とを含み、前記樹脂の側面には、切断面が形成されている。よって、金型を用いることなく、工程数を低減して、低価格化を図ることができるチップサイズパッケージを提供する。
【実施例】
【００３２】
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【００３３】
図１は本発明の第１実施例を示すウエハの平面図、図２は図１のＡ−Ａ′線における半導体チップの製造工程断面図である。
【００３４】
図１においては、１枚のウエハが示されており、前処理を終了し、更に各ＬＳＩの電極にバンプを形成した状態を示している。
【００３５】
この図において、１０１，１０２，１０３，１０４…は各ＬＳＩであり、実線Ｃ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８に沿ってウエハから切り取られる。
【００３６】
２０１，２０２，２０３，２０４，２０５，２０６，２０７，２０８は各ＬＳＩにおける電極であり、通常は１μｍ厚のアルミニウムが用いられる。３０１，３０２，３０３，…，３０８，…はバンプであり、この実施例では、いわゆるスタッド方式（ワイヤボンディングの技術を用い、ボンディング時のボールをバンプとする）を用いた。
【００３７】
また、電極２０１，２０２，２０３，２０４，２０５，２０７，２０８は、各々１辺が５０〜１００μｍの長方形または正方形の形状をなしており、バンプ３０１，３０２，３０３…は通常各々最大直径が３０〜６０μｍで高さもほぼ同じ値である。
【００３８】
以下、図１に示されるＬＳＩ１０４のＡ−Ａ′線に沿ったウエハサイズチップの製造方法について図２を参照しながら説明する。
【００３９】
（１）まず、図２（ａ）に示すように、１００はＬＳＩ１０４を保護するためのＰＳＧ膜（酸化膜）であり、電極２０４，２０５上のバンプ３０４，３０５はワイヤボンディング技術で作製されるので先端がくびれた形状になっている。次工程前に１バンプ当たり６〜１０ｇの加重をかけ、各バンプ２０４，２０５の高さを揃え、また各バンプ２０４，２０５の先端の表面を平坦にしておくと都合がよい。
【００４０】
バンプ２０４，２０５の材質としては金、または銅が望ましい。両者とも、通常の技術で作製することができる。特に、金のスタッド方式のバンプに関しては、製造装置も販売され、ＬＳＩの前工程を変更することなく作製することができる。
【００４１】
また、銅バンプに関してはボンディング時、Ａｒに水素を添加したガス雰囲気が必要であり、またボンディング圧力も若干大きめなため、ＬＳＩのアルミ電極  の厚さを２μｍ程度と通常より厚くする必要が生じたが、条件を最適化することにより良好な銅のスタッド方式のバンプを得ることが可能である。
【００４２】
最近、錫−鉛を主成分にした半田ワイヤをボンディングして、半田のバンプをＬＳＩのアルミ電極に形成する技術も実用化されている。この技術を用いると容易に半田バンプ３０４，３０５を形成することができ、更に続行する工程も容易になる。
【００４３】
（２）全てのアルミ電極２０４，２０５にバンプ３０４，３０５を形成、加圧後、図２（ｂ）に示すように、ウエハ全面にエポキシ樹脂２００を被着し、ホットプレスにより押圧、加熱しつつ硬化させる。プレスによる圧力は、１５〜２０Ｋｇ重／ｃｍ2 、温度は８０〜１００℃、硬化時間にほぼ１時間を要した。この押圧工程により、バンプ３０１，３０２，３０３，３０４，３０５…の平らな突起上面がエポキシ樹脂２００の表面に露出する。樹脂はエコボンド（エマーソンアンドカミング社製の商品名）のように硬化前後における体積変化率の低いものを用いた。樹脂や押圧条件により、バンプ３０４，３０５の平らな突起上面にエポキシ樹脂２００が薄く残存する場合がある。この時は表面をサンドペーパー、またはサンドブラスト等で若干研磨することで露出させる。
【００４４】
（３）次に、通常の工程により、図２（ｃ）に示すように、バンプ３０４，３０５の平らな突起上面に半田ボール６０４，６０５を設置する。エポキシ樹脂２００上に半田レジストが存在してもよい。これらの工程はウエハ全域にわたって行われる。半田ボール６０４，６０５を設置後、図１の実線Ｃ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８に沿ってウエハをカッティングする。
【００４５】
上記のようにして、カッティングを行ったチップサイズパッケージを以下に示す。
【００４６】
図３は本発明の第１実施例を示すチップサイズパッケージの斜視図である。
【００４７】
この図において、６０１，６０２，６０３，６０４，６０５，…は半田ボールである。また、この図の点線で示した５０は、このチップサイズパッケージを補強するための補強板である。このチップサイズパッケージは、表面にエポキシ樹脂をコーティングしているので十分な強度を持つが、使用する前においては、更なる強度を必要とする場合がある。ウエハカッティング前、補強板５０を貼り付けることにより、極少ない工程数で、補強板付きチップサイズパッケージを得ることができる。
【００４８】
この様な構造になっているから、ＬＳＩチップと同じ面積のチップサイズパッケージを得ることができる。
【００４９】
本発明によれば、この半導体パッケージは小さいままで、強度的にも、耐湿性等においてもいわゆるモールドパッケージと同等の信頼性を持つものである。
【００５０】
次に、本発明の第２実施例について説明する。
【００５１】
図４は本発明の第２実施例を示すウエハのチップとなる部分の平面図、図５はそのウエハのチップの断面図（図４のＢ−Ｂ′線断面図）、図６は本発明の第２実施例を示すチップサイズパッケージの斜視図である。なお、第１実施例と同じ部分については、同じ符号を付してそれらの説明は省略する。
【００５２】
これらの図において、４０１，４０２，４０３，４０４，４０５，４０６，４０７，…はエポキシ樹脂２００上に形成された配線金属であり、特に、配線金属４０２，４０４，４０５，４０７は、半田ボール６０２，６０４，６０５，…の位置をアルミ電極２０２，２０４，２０５，２０７の真上の位置から移動させるためのものである。この配線金属４０１，４０２，４０３，４０４，４０５，４０６，４０７，…を形成する工程は、例えばアルミニウム蒸着、ホトリソ、エッチング工程で行えばよく、なんら新しい技術は使用しない。また、メッキ技術によって形成してもよい。半田ボール６０１，６０２，６０３，６０４，６０５，…を設置するため半田レジスト５００を形成する。
【００５３】
この実施例では、第１実施例のように、接続用の半田ボールをＬＳＩのアルミ電極の真上に形成するのではなく、平面的に離れた場所に形成する。
【００５４】
すなわち、図５に示すように、まず、第１実施例のように、ＬＳＩ１０４の各アルミ電極２０４，２０５上に、スタッドバンプ３０４，３０５をたて、次に、エポキシ樹脂２００を被着、押圧、加熱して、加工後、このエポキシ樹脂２００の表面に配線金属４０４，４０５を形成し、更に半田レジスト５００を塗布後、半田ボール６０４，６０５を設置する。
【００５５】
最後にウエハをカッティングしてＬＳＩを切り出す。
【００５６】
このように、半田ボール形成後、一枚のウエハをカッティングした一個のＬＳＩに相当する部分を拡大すると、図６のようになる。
【００５７】
この実施例では、バンプ形成後、半田ボール移動のための配線金属の形成を行った。エポキシ樹脂形成前に半田ボール移動のための配線金属の形成を行うことも可能である。
【００５８】
図７はかかる本発明の第３実施例を示す配線金属の形成を先に行った場合のチップサイズパッケージの要部断面図である。図５と同じ部分については、同じ符号を付してそれらの説明は省略する。
【００５９】
この図において、７０４，７０５は半田ボール６０４，６０５の位置を移動するための配線金属、８０４，８０５はバンプである。
【００６０】
上記実施例によれば、接続用の半田ボール６０４，６０５が所望の場所にあるチップサイズパッケージを容易に得ることが可能である。
【００６１】
特に、第１実施例と同様に、ウエハのカッティングを最後に行うようにしたので、各パッケージ当たりの工数が少なくなり、低価格化を実現できる。また、エポキシ樹脂のＬＳＩへの接着力も十分なものが得られる。
【００６２】
第１実施例、第２実施例共にバンプはスタッドバンプとして説明した。しかし通常のメッキによるバンプを用いても、十分に本発明を実施することが可能である。
【００６３】
また、第１実施例、第２実施例はバンプ形成後、樹脂封止する工程を用いている。しかし、樹脂を全面に被着後、この樹脂を部分的に必要箇所に応じてホトリソ技術等で除去し、除去箇所に無電解メッキなどでバンプを形成する手法も有効である。
【００６４】
図１０〜図１２は本発明の第４実施例を示す図であり、図１０は本発明の第４実施例を示すチップサイズパッケージの製造工程断面図（図１１のＣ−Ｃ′線断面図）、図１１はそのチップサイズパッケージの平面図、図１２はそのチップサイズパッケージの斜視図である。
【００６５】
第１実施例と同じ部分については同じ符号を付してそれらの説明は省略する。
【００６６】
以下、そのチップサイズパッケージの製造方法を図１０を用いて説明する。
【００６７】
（１）まず、図１０（ａ）に示すように、ＬＳＩ１０４を保護するためのＰＳＧ膜（酸化膜）１００が形成される。アルミ電極２０４，２０５に接続されるバンプ３０４，３０５はワイヤボンディング技術で作製されるので先端がくびれた形状になっている。
【００６８】
バンプの材質としては金、または銅が望ましい。両者とも、通常の技術で作製することができる。特に、金のスタッド方式のバンプに関しては、製造装置も販売され、ＬＳＩの前工程を変更することなく作製することができる。
【００６９】
また、銅バンプに関してはボンディング時Ａｒに水素を添加したガス雰囲気が必要であり、またボンディング圧力も若干大きめなため、ＬＳＩのアルミ電極の厚さを２μｍ程度と通常より厚くする必要が生じたが、条件を最適化することにより、良好な銅のスタッド方式のアルミニウムを得ることが可能である。
【００７０】
最近、錫−鉛を主成分にした半田ワイヤをボンディングして半田のバンプをＬＳＩのアルミ電極に形成する技術も実用化されている。この技術を用いると容易に半田バンプ３０４，３０５を形成することができ、更に続行する工程も容易になる。
【００７１】
（２）次に、図１０（ｂ）に示すように、全てのＬＳＩ１０４のアルミ電極２０４，２０５にバンプ３０４，３０５を形成し、加圧による先端平坦化後、このウエハ全面に銅箔１４００（例えば、１５μｍの厚さ）を鑞付けする。この銅箔１４００表面に、予め錫あるいは半田等を１μｍ程度の厚さにメッキしておき、このメッキ膜（図示なし）とバンプ３０４，３０５とを低温鑞付けする。
【００７２】
次に、この銅箔１４００とＰＳＧ膜１００間にエポキシ樹脂１２００を注入、加熱硬化させる。樹脂は、エコボンド（エマーソンアンドカミング社製の商品名）のように、硬化前後における体積変化率の低いものを用いた。ＬＳＩ１０４と銅箔１４００間の距離は４０μｍ前後であるから、毛細管現象により効率よく、また、確実に樹脂１２００を充填でき、また、ＬＳＩ１０４表面、銅箔１４００面との接着性も極めて良好であった。なお、バンプ材料が半田である場合は、銅箔に予め錫、半田等をメッキしなくても容易にバンプと銅箔を接続できる。
【００７３】
（３）次いで、図１０（ｃ）に示すように、銅箔１４００をエッチング加工し、所望の配線金属１４０４，１４０５をエポキシ樹脂１２００上に形成した。銅箔１４００のエッチング加工は、例えば、感光性のドライフィルムを銅箔１４００にコーティング後、マスクを用いて露光、現像等の処理を行った後、塩化第二鉄の溶液による銅の選択エッチングにより行った。
【００７４】
（４）次に、配線金属１４０４，１４０５を形成後、半田ボール６０４，６０５を設置するため半田レジスト１５００を塗布し、その後、半田ボール６０４，６０５を所定の場所に設置する。
【００７５】
このようにして得られたチップサイズパッケージの平面を図１１に示す。
【００７６】
この図において、１４０１，１４０２，１４０３，１４０４，１４０５…は樹脂１２００上に形成された銅箔からなる配線金属であり、６０１，６０２，６０３，６０４，６０５，…は半田ボールである。
【００７７】
ＬＳＩのアルミ電極２０１，２０３，２０６，２０８についてはその真上に外部回路との接続点（半田ボール６０１，６０３，…）を設置するようにしてある。アルミ電極２０２，２０４，２０５，２０７については、バンプ３０２，３０４，３０５，３０７上に形成された配線金属１４０２，１４０４，１４０５，…を通して、外部回路との接続点（半田ボール６０２，６０４，６０５，…）を移動できるよう設計されている。
【００７８】
半田ボール６０１，６０２，６０３、６０４，６０５，…の設置後、図１のように、点線Ｃ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８に沿ってウエハをカッティングする。カッティング後のＬＳＩ１０４が図１２に示されている。
【００７９】
図１２に示した７００は、このチップサイズパッケージを補強するための補強板である。このチップサイズパッケージは表面にエポキシ樹脂をコーティングしているので十分な強度を持つが、使用する前においては、さらなる強度を必要とする場合がある。ウエハカッティング前、補強板７００を貼り付けることにより、極少ない工程で、補強板７００付きチップサイズパッケージを得ることが可能である。
【００８０】
また、エポキシ樹脂を半導体チップ表面に被着しているので、いわゆる樹脂モールドと略同じ信頼性を保証できる。
【００８１】
非特許文献１，２に示されているように、従来のチップサイズパッケージはＬＳＩのダイスカッティング後、パッケージを行っていた。しかし、本発明ではパッケージ化の作業を全てウエハ単位で行えるため、工数が少なく、低価格化を実現できる。
【００８２】
従来のエポキシ樹脂のモールドに関してはモールドに離型剤が添加されていた。これは金型と樹脂との接着を防ぐ目的のものであるが、ＬＳＩ及びその周辺の金属との接着力も弱くなり信頼性低下につながった。
【００８３】
しかし、本発明の技術では金型を用いないので、エポキシ樹脂に離型剤を添加する必要はない。また、樹脂との接着を促進するシランカップリング剤等を有効に用いることができる。
【００８４】
本発明のパッケージは小さいままで、強度的にも、耐湿性等においてもいわゆるモールドパッケージと同等の信頼性を持つものである。
【００８５】
本発明においては、バンプはスタッド方式として説明した。しかし通常のメッキによるバンプを用いることも当然可能であり、他の手法でもよい。またバンプの材料も銅、金、錫−鉛半田のみでなく、他の材料の使用も可能である。
【００８６】
ウエハ全面のバンプに張り付ける箔を銅箔として説明したが、これ以外に金箔、コバール板等を用いても良好なチップサイズパッケージを得ることができる。
【００８７】
また、各バンプとの接続は、低温鑞付けではなく、高温圧接、超音波接続等を用いても可能である。この場合、銅箔に半田メッキ、錫メッキ等は不要である。
【００８８】
銅箔のパターニングはドライフィルムを用いる手法で説明したが、レジストをコーティングする手法等の方法でも十分対応しえるものである。
【００８９】
銅箔とＬＳＩ間にエポキシ樹脂を毛細管現象で注入したが、例えばポリイミド樹脂等、他の系統の樹脂でも対応可能である。
【００９０】
外部回路との接続は半田ボールで行うとして説明したが、接続予定場所に金属片を溶接して接続端子とすることも可能である。あるいは導電性塗料を必要箇所に塗布してもよい。
【００９１】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【産業上の利用可能性】
【００９２】
本発明のチップサイズパッケージは、ＬＳＩパッケージとして利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】本発明の第１実施例を示すウエハの平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ′線における半導体チップの製造工程断面図である。
【図３】本発明の第１実施例を示すチップサイズパッケージの斜視図である。
【図４】本発明の第２実施例を示すウエハのチップとなる部分の平面図である。
【図５】本発明の第２実施例を示すウエハのチップの断面図（図４のＢ−Ｂ′線断面図）である。
【図６】本発明の第２実施例を示すチップサイズパッケージの斜視図である。
【図７】本発明の第３実施例を示す配線金属の形成を先に行った場合のチップサイズパッケージの要部断面図である。
【図８】従来のチップサイズパッケージの一部破断斜視図である。
【図９】従来のチップサイズパッケージのうちテープキャリア方式を示す断面図である。
【図１０】本発明の第４実施例を示すチップサイズパッケージの製造工程断面図（図１１のＣ−Ｃ′線断面図）である。
【図１１】本発明の第４実施例を示すチップサイズパッケージの平面図である。
【図１２】本発明の第４実施例を示すチップサイズパッケージの斜視図である。
【符号の説明】
【００９４】
５０，７００    補強板
１００    ＰＳＧ膜（酸化膜）
１０１，１０２，１０３，１０４，…    ＬＳＩ（半導体チップ）
１０５    切断面
２００，１２００    エポキシ樹脂
２０１，２０２，２０３，２０４，２０５，２０６，２０７，２０８    電極（アルミニウム）
３０１，３０２，３０３，３０４，３０５，３０６，３０７，３０８，８０４，８０５，…    バンプ（スタッドバンプ）
４０２，４０４，４０５，４０７，７０４，７０５，１４０１，１４０２，１４０３，１４０４，１４０５    配線金属
５００，１５００    半田レジスト
６０１，６０２，６０３，６０４，６０５，…    半田ボール
１４００    銅箔
【図１】
2004356659.tif 000003
【図２】
2004356659.tif 000004
【図３】
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【図４】
2004356659.tif 000006
【図５】
2004356659.tif 000007
【図６】
2004356659.tif 000008
【図７】
2004356659.tif 000009
【図８】
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【図９】
2004356659.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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