【手続補正書】
【提出日】平成26年8月1日(2014.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基材に触媒前駆体を析出させること、
前記金属基材に非触媒物質を析出させること、及び
前記触媒前駆体及び前記非触媒物質の析出後、カーボンナノチューブが表面に成長するように、前記金属基材をカーボンナノチューブ成長環境に曝露すること、
を含んで構成され、
前記カーボンナノチューブ成長環境は、前記触媒前駆体をカーボンナノチューブの成長に使用可能な触媒に変換する、カーボンナノチューブ成長プロセス。
【請求項２】
前記カーボンナノチューブが成長している間、前記金属基材を搬送することを更に含んで構成される、請求項１に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
【請求項３】
前記触媒前駆体は、前記非触媒物質の前に析出する、請求項１に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
【請求項４】
前記触媒前駆体は、前記非触媒物質の後に析出する、請求項１に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
【請求項５】
前記触媒前駆体は、前記非触媒物質と共に析出する、請求項１に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
【請求項６】
前記触媒前駆体は、遷移金属の硝酸塩、遷移金属の酢酸塩、遷移金属のクエン酸塩、遷移金属の塩化物、及びこれらの水和物、並びにこれらの組み合わせからなる群より選択される遷移金属塩を含んで構成される、請求項１に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
【請求項７】
前記遷移金属塩は、硝酸鉄（II）、硝酸鉄（III）、硝酸コバルト（II）、硝酸ニッケル（II）、硝酸銅（II）、酢酸鉄（II）、酢酸鉄（III）、酢酸コバルト（II）、酢酸ニッケル（II）、酢酸銅（II）、クエン酸鉄（II）、クエン酸鉄（III）、クエン酸鉄（III）アンモニウム、クエン酸コバルト（II）、クエン酸ニッケル（II）、クエン酸銅（II）、塩化鉄（II）、塩化鉄（III）、塩化コバルト（II）、塩化ニッケル（II）、塩化銅（II）、及びこれらの水和物、並びにこれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項６に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
【請求項８】
前記触媒前駆体は、ＦｅＯ、Ｆｅ2Ｏ3、Ｆｅ3Ｏ4、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項１に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
【請求項９】
前記非触媒物質は、アルミニウム塩又はその水和物、ガラス、ケイ酸塩、シラン、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項１に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
【請求項１０】
前記アルミニウム塩は、硝酸アルミニウム、酢酸アルミニウム、及びこれらの水和物、並びにこれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項９に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
【請求項１１】
前記触媒前駆体及び前記非触媒物質は、夫々、少なくとも１つの溶液から析出し、前記触媒前駆体に対する前記非触媒物質のモル比は、高々約６：１である、請求項１に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
【請求項１２】
前記触媒前駆体及び前記非触媒物質は、金属基材に、約５ｎｍから約１μｍに及ぶ厚さを有する触媒コーティングを含んで構成される、請求項１に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
【請求項１３】
前記金属基材は、約８００℃以下の融点を有する、請求項１に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
【請求項１４】
前記金属基材は、アルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウム、亜鉛、及び鉛−アンチモン合金からなる群より選択される、請求項１３に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
【請求項１５】
請求項１のカーボンナノチューブ成長プロセスにより作製されるカーボンナノチューブが表面に成長する金属基材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
本発明は開示された実施形態を参照して説明されたが、当業者であれば、これらの実施形態が本発明の例示にすぎないことを容易に認識するであろう。当然のことながら、本発明の精神から逸脱することなく、様々な変形例を考え出すことが可能である。本発明は、変形可能であり、相違するが当業者に明白な同等の方式で、本明細書の教示による利益を有しつつ実施され得るので、上記で開示された特定の実施形態は一例にすぎない。さらに、特許請求の範囲に記載されている場合のほか、本明細書に示される構造又はデザインの詳細に限定するものではない。このため、上記に開示された特定の例示的な実施形態を選択し、組み合わせ、あるいは変形することができ、このようなバリエーション（variation）は全て、本発明の範囲及び精神に従っていると考えられる。組成及び方法は、様々な成分又は工程を、「含んで構成される（comprising）」、「含有する（containing）」又は「含む（including）」という用語で記載されているが、組成及び方法は、様々な成分及び工程「から基本的に構成される（consist essentially of）」、あるいは様々な成分及び工程「からなる（consist of）」としてもよい。上記に開示されたすべての数字及び範囲はいくらか変動する。下限と上限を有する数値範囲が開示されている場合はいつも、厳密にいえば、より広い範囲に含まれるあらゆる数字、及びあらゆる部分的な範囲（subrange）も開示される。また、特許請求の範囲における用語は、特許権者により明確かつ明瞭に定義されていない限り、平易な普通の意味を有する。本明細書、及び参照により本明細書に組み込まれる１以上の特許又は他の文献における単語又は用語の使用法に不一致がある場合には、本明細書に合致する定義が採用される。
以上の実施形態から把握し得る請求項以外の技術的思想について、以下に記載する。
（イ）触媒前駆体及び非触媒物質が析出する少なくとも１つの溶液は、溶媒として水を含んで構成される、請求項１１に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
（ロ）触媒前駆体及び非触媒物質は、夫々、少なくとも１つの溶液において、約０．１ｍＭから約１．０Ｍに及ぶ濃度を有している、請求項１１に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
（ハ）触媒前駆体及び非触媒物質は、夫々、少なくとも１つの溶液において、約５０ｍＭから約１．０Ｍに及ぶ濃度を有している請求項１１に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
（ニ）触媒前駆体及び非触媒物質は、夫々、スプレーコーティング、浸漬コーティング、ローラーコーティング、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される技術により析出する請求項１１に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
（ホ）触媒前駆体に対する非触媒物質のモル比は、高々約２：１である請求項１１に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
（ヘ）融点が約８００℃以下の金属基材に触媒前駆体を析出させること、及び、前記触媒前駆体の析出後、カーボンナノチューブが表面に成長するように、前記金属基材をカーボンナノチューブ成長環境に曝露すること、を含んで構成され、
前記カーボンナノチューブ成長環境は、前記触媒前駆体をカーボンナノチューブの成長に使用可能な触媒に変換するカーボンナノチューブ成長プロセス。
（ト）前記カーボンナノチューブが成長している間、前記金属基材を搬送することを更に含んで構成される（へ）に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
（チ）前記カーボンナノチューブ成長環境に前記金属基材を曝露する前に、前記金属基材に非触媒物質を析出させることを更に含んで構成される（へ）に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
（リ）前記触媒前駆体は、前記非触媒物質の前に析出する（チ）に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
（ヌ）前記触媒前駆体は、前記非触媒物質の後に析出する（チ）に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
（ル）前記触媒前駆体は、前記非触媒物質と共に析出する（チ）に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
（ヲ）前記触媒前駆体及び前記非触媒物質は、夫々、少なくとも１つの溶液から析出する（チ）に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
（ワ）前記少なくとも１つの溶液は、溶媒として水を含んで構成される（ヲ）に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
（カ）前記触媒前駆体に対する前記非触媒物質のモル比は、高々約６：１である（ヲ）に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
（ヨ）前記触媒前駆体に対する前記非触媒物質のモル比は、高々約２：１である（ヲ）に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
（タ）前記触媒前駆体及び前記非触媒物質は、夫々、スプレーコーティング、浸漬コーティング、ローラーコーティング、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される技術により析出する（ヲ）に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
（レ）前記非触媒物質は、アルミニウム塩又はその水和物、ガラス、ケイ酸塩、シラン、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される（チ）に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
（ソ）前記アルミニウム塩は、硝酸アルミニウム、酢酸アルミニウム、及びこれらの水和物、並びにこれらの組み合わせからなる群より選択される（レ）に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
（ツ）前記触媒前駆体は、遷移金属の硝酸塩、遷移金属の酢酸塩、遷移金属のクエン酸塩、遷移金属の塩化物、及びこれらの水和物、並びにこれらの組み合わせからなる群より選択される遷移金属塩を含んで構成される（ヘ）に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
（ネ）前記遷移金属塩は、硝酸鉄（II）、硝酸鉄（III）、硝酸コバルト（II）、硝酸ニッケル（II）、硝酸銅（II）、酢酸鉄（II）、酢酸鉄（III）、酢酸コバルト（II）、酢酸ニッケル（II）、酢酸銅（II）、クエン酸鉄（II）、クエン酸鉄（III）、クエン酸鉄（III）アンモニウム、クエン酸コバルト（II）、クエン酸ニッケル（II）、クエン酸銅（II）、塩化鉄（II）、塩化鉄（III）、塩化コバルト（II）、塩化ニッケル（II）、塩化銅（II）、及びこれらの水和物、並びにこれらの組み合わせからなる群より選択される（ツ）に記載のカーボンナノチューブ成長プロセス。
（ナ）金属基材に触媒前駆体を析出させること、前記触媒前駆体の前若しくは後、又は前記触媒前駆体と共に、前記金属基材に非触媒物質を析出させること、前記触媒前駆体及び前記非触媒物質の析出後、カーボンナノチューブが表面に成長するように、前記金属基材をカーボンナノチューブ成長環境に曝露すること、及び前記カーボンナノチューブが成長している間、前記金属基材を搬送すること、を含んで構成され、
前記カーボンナノチューブ成長環境は、前記触媒前駆体をカーボンナノチューブの成長に使用可能な触媒に変換するカーボンナノチューブ成長プロセス。