【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年6月11日(2014.6.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンフォーマルに堆積する方法であって、
処理対象物の前面に隣接するプラズマシースを有するプラズマを生成させる段階と、
前記プラズマからの材料を、前記プラズマと前記プラズマシースとの間の境界を通り加速させて、前記処理対象物の前記前面のフィーチャの複数の表面上に堆積層を形成する間に、前記境界の形状を変更して、前記処理対象物の前記前面上の三次元の前記フィーチャに衝突する材料の入射角度の範囲を変化させる段階と
を備え、
前記境界の前記形状は、前記三次元のフィーチャの深さと幅に基づいて変更される方法。
【請求項２】
前記入射角度の範囲は、前記プラズマと前記プラズマシースとの間の前記境界の前記形状に依存している請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記プラズマと前記プラズマシースとの間の前記境界の前記形状は、前記フィーチャへの前記層の堆積中に複数回変更される請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記プラズマと前記プラズマシースとの間の前記境界の前記形状は、間隙を含む絶縁変更器を前記プラズマと前記処理対象物との間に配置することにより変更される請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記入射角度の範囲は、前記間隙の幅を変更することにより変更される請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記入射角度の範囲は、前記絶縁変更器と前記処理対象物との間の垂直距離を変更することにより変更される請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記絶縁変更器は、第１の絶縁器と第２の絶縁器とを含む請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記入射角度の範囲は、前記第１の絶縁器と前記第２の絶縁器との間の垂直距離を変更することにより変更される請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記入射角度の範囲には、中央角度と、前記中央角度の周りの分布とが含まれ、前記中央角度は前記処理対象物に垂直であり、前記分布は、前記フィーチャの深さを前記フィーチャの幅で除算した値として定義される前記フィーチャのアスペクト比に基づいている請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記堆積層と前記フィーチャの底面との間に空隙が維持される請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記入射角度の範囲には、中央角度と、前記中央角度の周りの分布とが含まれ、前記中央角度は前記処理対象物に垂直ではない請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記入射角度の範囲は、各中央角度の周りに分布が存在する２つの中央角度を含む請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記フィーチャの第１の深さを前記フィーチャの第１の幅で除算した値として定義される前記フィーチャの第１のアスペクト比に基づいて、第１の中央角度および分布を選択する段階と、
前記第１の中央角度および分布を利用して、前記フィーチャに材料を方向付けて、前記フィーチャに前記材料を堆積させることで、前記第１のアスペクト比を第２のアスペクト比に変更する段階と、
前記第２のアスペクト比に基づいて、第２の中央角度および分布を選択する段階と、
前記第２の中央角度および分布を利用して、前記フィーチャに材料を方向付けて、前記フィーチャの上に前記材料を堆積させる段階と
をさらに備える請求項２に記載の方法。
【請求項１４】
所望の幅、深さ、およびテーパ形状を有する三次元のフィーチャを処理対象物にエッチングする方法であって、
前記処理対象物の前面に隣接するプラズマシースを有するプラズマを生成させる段階と、
前記プラズマからの材料を、前記プラズマと前記プラズマシースとの間の境界を通り加速させて、前記処理対象物の前記前面に前記フィーチャをエッチングする間に、前記境界の形状を変更して、前記処理対象物の前記前面に衝突するイオンの入射角度の範囲を変化させる段階と
を備え、
前記境界の前記形状は、前記三次元のフィーチャのエッチングされる前記所望の深さ、幅、および形状に基づいて変更される方法。
【請求項１５】
前記入射角度の範囲は、前記プラズマと前記プラズマシースとの間の前記境界の前記形状に依存している請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記入射角度の範囲には、中央角度と、前記中央角度の周りの分布とが含まれる請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記フィーチャは、前記処理対象物の前記前面における所望の幅が、前記フィーチャの底部における所望の幅よりも大きくなる内細りのテーパ形状を有し、前記中央角度は前記処理対象物に垂直であり、前記分布はゼロ度より大きい請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記フィーチャは、前記処理対象物の前記前面における所望の幅が、前記フィーチャの底部における所望の幅よりも小さくなる外細りのテーパ形状を有し、前記入射角度の範囲は２つの中央角度を含み、各中央角度について分布が存在する請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記境界を変更する段階は、
所望の前記テーパに基づいて第１の中央角度および分布を選択する段階と、
前記第１の中央角度および分布を利用して、前記フィーチャに材料を方向付けて、前記材料によって前記処理対象物を第１の深さにエッチングする段階と
を有する請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
所望の前記テーパと前記第１の深さとに基づいて第２の中央角度および分布を選択する段階と、
前記第２の中央角度および分布を利用して、前記フィーチャに材料を方向付けて、前記材料によって前記処理対象物を第２の深さにエッチングする段階と
をさらに備える請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記選択する段階と前記方向付ける段階とを、所望の深さにエッチングされるまで複数回繰り返す段階をさらに備える請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記分布を経時的に低下させる請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記入射角度を経時的に低下させる請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
コンフォーマルに堆積されたフィーチャの製造方法であって、
処理対象物の前面に隣接するプラズマシースを有するプラズマを生成させる段階と、
前記プラズマからの材料を、前記プラズマと前記プラズマシースとの間の境界を通り加速させて、前記処理対象物の前記前面の前記フィーチャの複数の表面上に堆積層を形成する間に、前記境界の形状を変更して、前記処理対象物の前記前面上の三次元のフィーチャに衝突する材料の入射角度の範囲を変化させる段階と
を備え、
前記境界の前記形状は、前記三次元のフィーチャの深さと幅に基づいて変更されるフィーチャの製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】堆積する方法、エッチングする方法、および、フィーチャの製造方法
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
図７を参照すると、本開示における別の実施形態のブロック図が示されており、ここでは、絶縁変更器と、処理対象物１３８の前面が画定する平面１５１との間の垂直間隔（Ｚ）を調節可能である。絶縁変更器は、他の実施形態で詳述されるように一対の絶縁体２１２および２１４であってよい。一対の絶縁体２１２および２１４には、アクチュエータ７０２が機械的に連結されて、平面１５１に対して矢印７２０、７２２が示す垂直方向に絶縁体を駆動することができる。平面１５１に対する、および互いに対する一対の絶縁体２１２および２１４のＺ位置は、プラズマとプラズマシースとの間の境界の形状、ひいては、処理対象物１３８に衝突するイオンの軌跡に影響を与える。アクチュエータ７０２は、コントローラ３５６等のコントローラにより制御されてよい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
図８は、図７に基づく断面図を示しており、全ての他のパラメータを同じにして、平面１５１に対する一対の絶縁体２１２および２１４のＺ位置を異ならせたイオン軌跡を示す。第１の相対的に短いＺ間隙位置８２０では、絶縁体２１２、２１４は、平面１５１の上にＺ間隙距離（Ｚ１）を置いて設けられている。比較的高さの高いＺ間隙位置８４０では、絶縁体２１２、２１４が平面１５１の上にＺ間隙距離（Ｚ２）を置いて設けられており、（Ｚ２）＞（Ｚ１）である。Ｚ間隙位置８２０では、プラズマとプラズマシースとの間の境界８４１は、平面１５１に対して凸形状である。さらに境界８４１は、弓形形状の頂点が絶縁体２１２の上面から距離（Ｚａ）の位置にあるような円の外周の一部の形状に略近い形状を有する。これに対して、Ｚ間隙位置８４０の境界８４３の形状は、弓形形状の頂点が絶縁体２１２の上面からより短い距離（Ｚｂ）の位置にあるような、より浅い形状である（（Ｚｂ）＜（Ｚａ））。境界８４１、８４３の形状と、Ｚ間隙距離（Ｚ１）および（Ｚ２）、およびプラズマシースの電界線との組み合わせが、処理対象物１３８に衝突するイオンの角度拡がりに影響を及ぼす。例えば、相対的に短いＺ間隙位置における処理対象物１３８に衝突するイオンの角度拡がりは、相対的に長いＺ間隙位置８２０における処理対象物１３８に衝突するイオンの角度拡がりより大きい。加えて、イオンが処理対象物１３８に衝突する際の水平間隔は、より高いＺ間隙位置における水平間隔（Ｇ６）よりも、より短いＺ間隙位置８２０における水平間隔（Ｇ５）のほうが大きい（（Ｇ６）＜（Ｇ５））。図８には示されていないが、各絶縁体２１２および２１４の間で、Ｚ間隙位置を互いに異ならせることによっても、プラズマとプラズマシースとの間の境界の形状ひいてはイオンの角度拡がりに影響が出る。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
図１０は、図９に基づく断面図を示しており、全ての他のパラメータを同じにして、絶縁体２１２と２１４との間の水平間隙の間隔を異ならせたイオン軌跡を示す。第１の相対的に短い水平間隙位置１０２０において、絶縁体２１２、２１４は、互いから第１の水平距離（Ｇａ）を置いて設けられている。相対的に長い水平間隙位置１０４０では、絶縁体２１２、２１４は、互いから第２の水平距離（Ｇｂ）を置いて設けられており、（Ｇｂ）＞（Ｇａ）である。水平間隙位置１０２０では、プラズマとプラズマシースとの間の境界１０４１は、平面１５１に対して凸形状である。さらに境界１０４１は、円の外周の一部の形状に略近い形状を有する。これに対して、水平間隙位置１０４０の境界１０４３の形状は、平面１５１に対して凸形状であり、境界１０４３の中央部分が平面１５１に略平行である。この結果、処理対象物１３８の対応するより大きな中央部分に対して、平面１５１に対する入射角度約０度でイオンを衝突させることができるようになる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
図１７を参照すると、本明細書開示における別の実施形態のブロック図が示されており、ここでは、処理対象物１３８の前面が画定する平面１５１と絶縁変更器との間のＺ間隙距離（Ｚ１、Ｚ２）を調節可能である。絶縁変更器は、他の実施形態で詳述されるように一対の絶縁体２５２および２５４であってよい。絶縁体２５２および２５４には、アクチュエータ７０３ａ、ｂがそれぞれ機械的に連結されて、平面１５１に対して矢印７３０、７３２が示す垂直方向に絶縁体を駆動することができる。平面１５１に対する、および互いに対する絶縁体２５２および２５４のＺ位置は、プラズマとプラズマシースとの間の境界の形状、ひいては、処理対象物１３８に衝突するイオンの軌跡に影響を与える。アクチュエータ７０３ａ、ｂは、コントローラ３５６ａ、ｂ等のコントローラにより制御されてよい。他の実施形態では、単一のコントローラを利用してアクチュエータ７０３ａ、ｂを両方とも制御することもできる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
別の実施形態では、絶縁体同士の間の垂直間隔（Ｚ２−Ｚ１）は維持しつつ、Ｚ１を変化させることもできる。これにより、間隙角度（Ψ）を維持しつつ、処理対象物に対して絶縁体を近づけたり遠ざけたりする効果が得られる。この実施形態では、Ｚ１が変化する間、中央角度は一定に保たれて、角度分布は変化する。一部の実施形態では、角度分布はＺ１が小さくなるにつれて増加して、Ｚ１の値が大きくなるにつれて減少する。つまり、例えばＺ１をある値とすることにより、中央角度の周りの角度分布が５−１０となり、Ｚ１の値を小さくすることにより、角度分布が２０−３０度となったりする。この効果は、絶縁体が処理対象物に対して移動するにつれて変化するプラズマとプラズマシースとの間の境界の形状の変化によるものである。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
図２３に示すような二相性の角度拡がり１２００は、図２２の構成を利用して生成することができる。二相性の角度拡がりは、第１の中央角度が第１の角度分布を有し、第２の中央角度が第２の角度分布を有することを意味する。二相性の角度拡がりはさらに、図１５に示すような２つの絶縁体のみの相対的な垂直位置を変更することによっても生成することができる。図２２の実施形態では、少なくとも３つの絶縁体１４００、１４０２、１４０４を利用している。外部の２つの絶縁体１４００、１４０４を同じ垂直平面（Ｚ２）上に配置して、同じ水平間隔Ｇ８、Ｇ９を絶縁体同士の間に維持することにより、＋／−θ度を中心とする対称な二相性の角度拡がり１２００が生成される。上述したように、中央角度は、外部の絶縁体１４００、１４０４、および、中間の絶縁体１４０２の間の垂直間隔を変化させることで変更することができ、これにより、間隙角度（Ψ）が変化する。角度拡がりは、絶縁体１４００、１４０２、１４０４の間の水平間隔（Ｇ８、Ｇ９）を変化させることで変更することができ、これにより、間隙幅（δ）が変化する。非対称の分布は、Ｇ９とは異なるようにＧ８を選択することで、またはこれらのアクションの組み合わせにより、Ｚ２ｂとは異なるようにＺ２ａを生成することで生成可能である。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
システム開発には幾つか考慮すべき点がある。より高い間隙角度（Ψ）により、イオン分布の中央角度が大きくなる。平面２５７沿いの開口の長さにより、間隙の幅（δ）が画定される。間隙幅（δ）は、イオン分布の角度拡がりに影響を及ぼす。これら２つの変数は互いに独立している点が重要である。つまり、間隙角度（Ψ）は、間隙幅（δ）を変更することなく変更することができる。同様に、間隙角度（Ψ）に影響を及ぼすことなく間隙幅（δ）を変更することができる。別の変数としては、間隙（または絶縁体）から処理対象物１３８までの距離が挙げられる。この変数も、他の２つの変数とは独立して変化する。独立した水平および垂直アクチュエータ（図１７および図２０参照）を利用することにより、これらパラメータを決定する際の柔軟性が最大になる。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７６】
図２８ｃは、図２８ｂと比べて幅が広く、浅いトレンチを示す。このトレンチは、左の側壁１７４０、右の側壁１７４２、および底面１７４４を有する。均一な被膜または層１７４６を基板表面（基板表面１７２８、側壁１７４０、１７４２、および底面１７４４を含む）に塗布する。以下に示すように、側壁にしっかり均一に材料を堆積するためには、イオンの角度分布を変更する必要がある。入射角度０度のイオン（軌跡１７５０）は、基板上および底面に材料を堆積させる。約７０度より大きい入射角度を有するイオン（例えば軌跡１７５２を通るもの等）は、側壁１７４０、１７４２の上部のみに材料を堆積させることができるが、これは、基板表面１７２８が遮蔽して、イオンが側壁の下部には到達しないことに起因している。比較的小さい入射角度（軌跡１７５４）のイオンは、側壁１７４０、１７４２および底面１７４４の全ての箇所に材料を堆積させることができる。従ってフィーチャの深さを変数ｄで表し、フィーチャの幅を変数ｗで表すとき、側壁の底部に材料を堆積することのできる入射角度θ２の最大値は、ｔａｎθ２＝ｗ／ｄ、またはθ２＝ａｒｃｔａｎ（ｗ／ｄ）と定義することができる。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８７】
堆積に加えて、プラズマシースの操作をエッチングプロセスに利用することもできる。プラズマエッチングにおいては、イオンおよびニュートラルを生成および制御することで、エッチングする三次元のフィーチャの側壁のプロフィールに影響を与えることができる。一部の実施形態では、直立（つまり垂直の）側壁が望ましい場合がある。このような構成は、イオンを処理対象物の表面に対して直交方向の異方性エッチングを利用して行うことができる。この種類のエッチングの利用用途には、ゲート積層体、ＢＥＯＬダマシンおよびＦｉｎＦＥＴが含まれる。図３２ａは、直交方向のイオン２０１０によりエッチングされたフィーチャ２００２を示す。基板２００４のエッチングされない各部分は、マスク２０００で保護される。全てのイオンを基板２００４の表面に対して直交に方向付けると、エッチングされたフィーチャ２００２が垂直の側壁を有するようになる。図２９ａは、このフィーチャを作成するために必要なイオンの角度分布を示す。