(57)【要約】【課題】処理室内で発生したプラズマの荷電粒子がガス導入部内に入り込むことを完全に防止する。【解決手段】処理室１１０内に配設された上部電極（シャワーヘッド）１３８のガス導入孔から導入した処理ガスをプラズマ化して，処理室内に配設された半導体ウエハＷに対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって，ガス導入部のガス通気孔１５６ａに，処理室内で発生したプラズマ中の荷電粒子がガス導入部内へ侵入することを防止する埋込部材２００を交換可能に装着した。【選択図】    図１
2004356531.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内に配設されたガス導入部のガス導入孔から導入した処理ガスをプラズマ化して，前記処理室内に配設された被処理体に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって，
前記ガス導入部のガス導入孔に，前記処理室内で発生したプラズマ中の荷電粒子がガス導入部内へ侵入することを防止する埋込部材を交換可能に装着したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記埋込部材は，ガス導入孔の入口側と出口側とを連通するガス通路を有し，
このガス通路は，前記ガス導入孔の中心軸方向を規制し，前記中心軸方向に対して垂直又は傾斜する方向の通路を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記埋込部材は，前記ガス導入孔の中心軸方向を常に規制しながら，ガス導入孔の入口側と出口側とを連通するガス通路が形成されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記ガス通路は，螺旋状であることを特徴とする請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記ガス通路の断面は，前記ガス導入孔の中心軸方向の厚みが幅よりも小さい形状をなすことを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記プラズマ処理に使用するガス種に応じて異なる材質の前記埋込部材を使用することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記処理室内に発生させるプラズマの密度に応じて前記ガス通路の形状が異なる前記埋込部材を使用することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，プラズマ処理装置にかかり，さらに詳しくは，処理室内で発生したプラズマの荷電粒子がガス導入部内に入り込むことを防止できるプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマ処理装置としては，例えば処理室内にガス導入部から処理ガスを導入し，この処理ガスをプラズマ化することにより，処理室内の被処理体例えば半導体ウエハ（以下，単に「ウエハ」と称する）の被処理面にプラズマ処理例えばエッチングを施すものが知られている。
【０００３】
このようなプラズマ処理装置では，ガス導入部は，処理室内に処理ガスを供給するガス導入孔を多数備えるシャワーヘッドとして構成される。プラズマ処理装置として例えば平行平板型プラズマ処理装置では，処理室内に下部電極が配設され，この下部電極上に被処理体が載置される。ガス導入部は処理室の天井部に下部電極に対向して上部電極を兼ねるシャワーヘッドとして配設される。
【０００４】
上記ガス導入部は，多数のガス導入孔を有する下面の電極板と，この電極板を支持する電極支持体とを備える。電極支持体の内部には，電極板の上方にガス導入配管に連通する空間としてバッファ室が設けられ，バッファ室は電極板のガス導入孔に連通している。ガス導入管から導入されたガスは，一旦バッファ室に供給され，バッファ室から電極板のガス導入孔を介して処理室内へ導入される。
【０００５】
【特許文献１】
特開平９−２７５０９３号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，このようなプラズマ処理装置においては，処理室内で発生した処理ガスのプラズマ中の電子やイオンなどの荷電粒子がガス導入部のガス導入孔を通ってバッファ室へ侵入することがある。このようにガス導入部（シャワーヘッド）へプラズマ中の荷電粒子が侵入すると，ガス導入部内のバッファ室でグロー放電が発生し，反応生成物がガス導入部内で付着したり，ガス導入部内が侵食されたりするという問題があった。
【０００７】
このような問題に対して，例えば特許文献１に示すようにガス導入手段のガス吹出孔に中心軸から偏心した孔を有するネジを取付け，ガス吹出孔の開口端から他方の開口端を見通せない構造にして，プラズマ中の電子やイオンがガス導入手段へ侵入することを防止するものもある。このような技術は，ガス導入手段へプラズマ中の荷電粒子が侵入するのは，電極板の厚み（ガス導入孔の高さ）がプラズマ中の荷電粒子の平均自由工程と同程度であるからであるとの考えに基づき，荷電粒子の平均自由工程による侵入を抑えるようにしたものである。
【０００８】
ところが，実際には，ガス導入手段へプラズマ中の荷電粒子が侵入するのは，プラズマ中の荷電粒子の平均自由工程による場合だけではなく，他にも要因がある。例えばガス導入部のバッファ室の上壁を構成する電極支持体の電位（グランドの電位）がバッファ室の下壁を構成する電極板の電位（グランドの電位）よりも低くなってしまう場合もある。このような場合には，プラズマ中の荷電粒子は，電極板のガス導入孔から電極支持体へ向けてバッファ室内へ侵入し易くなる。
また，ガス導入部内は通常は無電界であるが，ガス導入孔が空いていると，ガス導入孔の端部で等電位線が歪んでガス導入孔へ入り込むため，その部分へ電子などのエネルギーが集中し，ガス導入孔へ侵入し易くなる。
【０００９】
従って，特許文献１に示すようにガス導入手段のガス吹出孔に中心軸から偏心した孔を有するネジを取付けるだけでは，プラズマ中の荷電粒子がガス導入手段へ侵入することを防止するには不十分である。例えば，電子などの荷電粒子が高周波電力により振動する場合には，等電位線に垂直に振動するので，等電位線がガス導入孔の端部に入り込んでゆがむと，荷電粒子の振動方向も傾斜するため，中心軸から偏心した孔を有するネジを取付けるだけでは，荷電粒子を完全には防止できない。
【００１０】
さらに，上述したようなプラズマ中の荷電粒子のガス導入部内への侵入は，ガス導入孔の径，ガス種，プラズマ密度など様々な条件が重なったときに発生する可能性が高くなる。このため，所定の条件に応じてガス導入孔のガス通路を変えることができれば，プラズマ中の荷電粒子がガス導入部へ侵入することをより効果的に防止することができるものと考えられる。
【００１１】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，処理室内で発生したプラズマの荷電粒子がガス導入部内に入り込むことを完全に防止することができるプラズマ処理装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために，本発明の観点によれば，処理室内に配設されたガス導入部のガス導入孔から導入した処理ガスをプラズマ化して，前記処理室内に配設された被処理体に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって，前記ガス導入部のガス導入孔に，前記処理室内で発生したプラズマ中の荷電粒子がガス導入部内へ侵入することを防止する埋込部材を交換可能に装着したことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。
【００１３】
また，前記埋込部材は，ガス導入孔の入口側と出口側とを連通するガス通路を有し，このガス通路は，前記ガス導入孔の中心軸方向を規制し，前記中心軸方向に対して垂直又は傾斜する方向の通路を有するものであってもよい。
【００１４】
また，前記埋込部材は，前記ガス導入孔の中心軸方向を常に規制しながら，ガス導入孔の入口側と出口側とを連通するガス通路，例えば螺旋状のガス通路が形成されるものであってもよい。このガス通路の断面は，ガス導入孔の中心軸方向の厚みがこの中心軸方向に対して垂直方向の幅（溝の深さ）よりも小さい形状をなすものでもよい。
【００１５】
また，前記プラズマ処理に使用するガス種に応じて異なる材質の前記埋込部材を使用するようにしてもよい。また，前記処理室内に発生させるプラズマの密度に応じて前記ガス通路の形状が異なる前記埋込部材を使用するようにしてもよい。
【００１６】
このような本発明にかかるプラズマ処理装置によれば，たとえプラズマ中の電子などの荷電粒子がガス導入孔から入り込んだとしても，荷電粒子はガス導入孔の中心軸方向が規制されるので，埋込部材の上端に至るまでに埋込部材の内壁等に衝突してエネルギーが消失する。特に，ガス導入孔の端部で等電位線が歪んで電子などの荷電粒子の振動方向が傾斜してガス導入孔から入り込んだとしても，荷電粒子のガス通路によって中心軸方向の動きが規制される。これにより，プラズマ中の荷電粒子がガス導入部内に侵入することを確実に防止できる。従って，ガス導入部内にエネルギーが投入されることはなくなり，ガス導入部内でグロー放電が発生することを確実に防止できる。
【００１７】
また，本発明にかかる埋込部材は交換可能であるため，ガス種やプラズマ密度など様々な条件に応じて最適な埋込部材をガス導入部に装着することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１９】
先ず，本発明の実施形態にかかるプラズマ処理装置の構成を図１を参照しながら説明する。図１は，本実施形態にかかるプラズマ処理装置の構成を示す断面図である。プラズマ処理装置１００は，ＲＩＥ型のプラズマエッチング装置として構成されており，例えばアルミニウムまたはステンレス鋼等の金属で構成された円筒型の処理室（チャンバ）１１０を備える。処理室１１０は保安設置されている。
【００２０】
処理室１１０内には，被処理体例えば半導体ウエハ（以下，単にウエハと称する。）を載置する円板状の下部電極（サセプタ）１１２が配設されている。この下部電極１１２は，例えばアルミニウムからなり，絶縁性の筒状保持部１１４を介して処理室１１０の底部から垂直な上方向に延出する筒状支持部１１６に支持されている。筒状保持部１１４の上面には，下部電極１１２の上面を環状に囲む例えば石英からなるフォーカスリング１１８が配設されている。
【００２１】
処理室１１０の側壁と筒状支持部１１６との間には，排気路１２０が形成されている。この排気路１２０の入口又は途中には，環状のバッフル板１２２が取付けられており，底部には排気口１２４が設けられている。この排気口１２４には排気管１２６を介して排気装置１２８が接続されている。排気装置１２８は，図示しない真空ポンプを備え，処理室１１０内の処理空間を所定の真空度まで減圧することができる。処理室１１０の側壁には，ウエハＷの搬入出口を開閉するゲートバルブ１３０が取付けられている。
【００２２】
下部電極１１２には，プラズマ生成及びＲＩＥ用の高周波電源１３２が整合器１３４及び給電棒１３６を介して電気的に接続されている。この高周波電源１３２は，所定の高周波数例えば６０ＭＨｚの高周波電力を下部電極１１２に印加する。また，処理室１１０の天井部には，下部電極１１２と対向する位置に，処理ガスを供給し，上部電極を兼ねる後述のシャワーヘッド（以下，「上部電極」と称する。）１３８が設けられている。上部電極１３８はグランドの電位になっている。従って，高周波電源１３２からの高周波電圧は下部電極１１２と上部電極１３８との間に容量的に印加される。
【００２３】
下部電極１１２の上面には，ウエハＷを静電吸着力で保持するための静電チャック１４０が設けられている。この静電チャック１４０は，導電膜からなる電極１４０ａを一対の絶縁膜１４０ｂ，１４０ｃの間に挟み込んで構成される。電極１４０ａには直流電源１４２がスイッチ１４３を介して電気的に接続されている。直流電源１４２からの直流電圧により，クーロン力でウエハＷを静電チャック１４０上に吸着保持することができる。
【００２４】
下部電極１１２の内部には，例えば円周方向に延在する冷媒室１４４が設けられている。この冷媒室１４４には，チラーユニット１４６より配管１４８，１５０を介して所定温度の冷媒例えば冷却水が循環供給される。この冷媒の温度によって下部電極１１２上のウエハＷの温度を制御できる。さらに，伝熱ガス供給部１５２から伝熱ガス例えばＨｅガスが，ガス供給ライン１５４を介して静電チャック１４０の上面とウエハＷの裏面との間に供給される。
【００２５】
上部電極（シャワーヘッド）１３８は，図２にも示すように，多数のガス通気孔１５６ａを有する下面の電極板１５６と，この電極板１５６を着脱可能に支持する電極支持体１５８と，電極板１５６上に設けられこの電極板１５６のガス通気孔１５６ａに連通するガス連通孔１５７ａを有する中間部材１５７とを有する。本発明におけるガス導入部のガス導入孔は，例えば上記ガス通気孔１５６ａとガス連通孔１５７ａとにより構成される。電極支持体１５８の内部には，バッファ室１６０が設けられ，このバッファ室１６０のガス導入口１６０ａには，処理ガス供給部１６２からのガス導入配管１６４が接続されている。
【００２６】
処理室１１０は，ダイポールリング磁石１６６によって包囲されている。本実施形態におけるダイポールリング磁石１６６は，上下に間隔を開けて配設された一対の環状又は同心状の磁石から構成される。ダイポールリング磁石１６６はそれぞれ複数の異方性セグメント柱状磁石がリング状の磁性体からなるケーシング内に収納されて配置され，処理室１１０内で全体として一方向に向かう一様な水平磁界を形成する。処理室１１０内に処理ガスが導入されると，処理室１１０内の上部電極１３８と下部電極１１２との間の空間には，高周波電源１３２による鉛直方向のＲＦ電界とダイポールリング磁石１６６による水平磁界とでマグネトロン放電が生成され，下部電極１１２の表面近傍には，高密度のプラズマが生成される。
【００２７】
プラズマ処理装置には，装置内の各部を制御する制御部１６８が設けられている。この制御部１６８は，例えば排気装置１２８，高周波電源１３２，静電チャック用のスイッチ１４３，チラーユニット１４６，伝熱ガス供給部１５２，処理ガス供給部１６２などの動作を制御する。制御部１６８は，例えば図示しない工場内のホストコンピュータに接続し，ホストコンピュータから制御できるようにしてもよい。
【００２８】
このようなプラズマ処理装置１００により例えばエッチング処理を行う場合には，先ずゲートバルブ１３０を開状態にして被処理体としてのウエハＷを処理室１１０内に搬入して，下部電極１１２上に載置する。このとき，直流電源１４２により直流電圧を静電チャック１４０の電極１４０ａに印加して，ウエハＷを下部電極１１２上に静電吸着させる。そして，処理ガス供給部１６２よりＮＨ３などの所定の処理ガスを所定の流量及び流量比で処理室１１０内に導入し，排気装置１２８により処理室１１０内の圧力を所定の設定値にする。さらに，高周波電源１３２により所定の周波数の高周波電力を所定のパワーで下部電極１１２に印加する。こうして，処理室１１０内に上部電極１３８から供給された処理ガスは，両電極間１１２，１３８で高周波放電によってプラズマ化し，このプラズマで生成されるラジカルやイオンによってウエハＷの処理面がエッチングされる。
【００２９】
下部電極１１２には，従来よりも高い周波数例えば周波数領域が５０ＭＨｚ以上の高周波を印加することにより，プラズマをより好ましい解離状態で高密度化し，より低圧の条件下でも高密度プラズマを形成することができる。
【００３０】
次に，本実施形態におけるガス導入部の１例としての上部電極（シャワーヘッド）１３８について図面を参照しながらさらに説明する。図２は，本実施形態における上部電極の構成を示す断面図であり，図３は，本実施形態における上部電極と比較する別の例である。
【００３１】
本実施形態における上部電極１３８には，図２に示すようにガス導入孔のうちの電極板１５６側におけるガス通気孔１５６ａに埋込部材２００が挿入されている。この埋込部材２００は電極板１５６から脱着自在に構成されており，ガス種，プラズマ密度など様々な条件に応じて，ガス通路の形状や材質の異なる様々な構成の埋込部材２００と交換可能である。この埋込部材２００は，処理室１１０内に発生するプラズマ中の電子やイオンなどの荷電粒子がガス通気孔１５６ａから上部電極内に侵入することを防止ためのものである。埋込部材２００には処理ガスを通すガス通路２１２が形成されている。このガス通路２１２は，処理ガスは通しても，プラズマ中の荷電粒子は侵入しないように形成されている。なお，埋込部材２００の構成の詳細は後述する。
【００３２】
ここで，上部電極１３８のガス通気孔１５６ａに埋込部材２００が挿入されていない場合には，図３に示すように，プラズマ中の荷電粒子が電極板１５６のガス通気孔１５６ａを通って，上部電極１３８内に侵入するおそれがある。荷電粒子の中でも特に高速の電子はガス導入部へ侵入し易い。このように上部電極１３８へプラズマ中の荷電粒子が侵入すると，上部電極１３８内のバッファ室１６０でグロー放電が発生し，反応生成物が上部電極１３８内で付着したり，上部電極内が侵食されたりする。
【００３３】
また，上部電極１３８へプラズマ中の荷電粒子が侵入するのは，プラズマ中の荷電粒子の平均自由工程が電極板１５６の厚み（ガス導入孔の高さ）と同程度又はそれ以上である場合の他，以下の原因も考えられる。例えば上部電極１３８のバッファ室１６０の上壁を構成する電極支持体１５８の電位（グランドの電位）がバッファ室１６０の下壁を構成する中間部材１５７と電気的に接触している電極板１５６の電位（グランドの電位）よりも低くなってしまう場合もある。このような場合には，プラズマ中の荷電粒子は，電極板１５６のガス通気孔１５６ａから電極支持体１５８へ向けてバッファ室１６０内へ侵入し易くなる。
【００３４】
また，上部電極１３８内は通常は無電界であるが，ガス導入孔（ガス通気孔１５６ａとガス連通孔１５７ａ）が空いていると，ガス導入孔の端部で等電位線が歪んでガス導入孔へ入り込むため，その部分へ電子などの荷電粒子のエネルギーが集中する。すなわち，電子などの荷電粒子が高周波電力により振動する場合には，等電位線に垂直に振動するので，等電位線がガス導入孔の端部に入り込んでゆがむと，荷電粒子の振動方向も傾斜するため，上記ガス導入孔の端部へ電子などの荷電粒子のエネルギーが集中し易くなる。これにより，電子などの荷電粒子は，ガス導入孔へ侵入し易くなる。このため，荷電粒子は，高いエネルギーを保持してバッファ室１６０へ侵入するおそれが高くなる。
【００３５】
このようなプラズマ中の荷電粒子の侵入を防止するには，前記ガス導入孔の中心軸方向を規制し，前記中心軸方向に対して垂直又は傾斜する方向の通路が形成される必要がある。しかも，垂直又は傾斜する方向の通路は長くとればとるほど，プラズマ中の荷電粒子の侵入を防止する効果が大きい。これは，垂直又は傾斜する方向の通路が長いほど垂直方向のプラズマ中の荷電粒子がガス通路を形成する壁などに衝突し易くなるので，プラズマ中の荷電粒子のエネルギーも抑えられるからである。これにより，プラズマ中の荷電粒子は，上部電極１３８のバッファ室１６０まで侵入することはなくなる。
【００３６】
さらに，上述したようなプラズマ中の荷電粒子の上部電極１３８内への侵入は，ガス導入孔の径，ガス種，プラズマ密度など様々な条件が重なったときに発生する可能性が高くなる。このため，所定の条件に応じてガス導入孔のガス通路を変えることができれば，プラズマ中の荷電粒子が上部電極１３８内へ侵入することをより効果的に防止することができるものと考えられる。
【００３７】
そこで，本発明では，上部電極１３８のガス導入孔に埋込部材２００を挿入し，この埋込部材２００に形成するガス通路のうち垂直又は傾斜する方向の通路が長くなるように構成する。さらに，埋込部材２００をガス種，プラズマ密度など様々な条件に応じて交換できるようにし，所定の条件に応じてガス導入孔の通路を変えることができるようにしている。
【００３８】
次に，上述したような上部電極１３８のガス導入孔の一部を構成するガス通気孔１５６ａに挿入する埋込部材２００の構成例について図面を参照しながら説明する。図４は，上部電極のガス導入孔に取付ける埋込部材の構成例を示す図である。図４（ａ）は埋込部材の外観を示す図であり，図４（ｂ）は埋込部材がガス通気孔１５６ａに装着されている場合の埋込部材の断面を示す図である。
【００３９】
図２，図４（ｂ）に示すように，上部電極１３８の電極板１５６に形成されるガス通気孔１５６ａは，中間部材１５７側を構成する孔１５６ｂとこの孔１５６ｂに連通し，孔１５６ｂよりも径の小さい孔１５６ｃとから構成される。埋込部材２００は，ガス通気孔１５６ａのうち中間部材１５７側の孔１５６ｂに挿入される。
【００４０】
本発明にかかる埋込部材には，ガス導入孔の中心軸方向を規制し，この中心軸方向に対して垂直又は傾斜する方向のガス通路が形成される。例えば図４に示す埋込部材２００におけるガス通路２０２は，ガス通気孔１５６ａの中心軸方向を常に規制しながら埋込部材２００の上端と下端とを連通するように，例えば螺旋状に形成する。具体的には例えば，図４（ａ）に示すように，埋込部材２００の外周面に螺旋状の溝を設ければよい。これにより，埋込部材２００がガス通気孔１５６ａに挿入された状態で上記螺旋状の溝とガス通気孔１５６ａの内壁とによりガス通路２０２が形成される。なお，埋込部材のガス通路は，図示はしないがジグザグ形状に形成してもよい。
【００４１】
また，図４（ｂ）に示すように，ガス通路２０２の断面は，ガス通気孔１５６ａの中心軸方向の厚みがこの中心軸方向に対して垂直方向の幅（溝の深さ）よりも小さい形状をなすようにしてもよい。また，ガス通路２０２は，ガス通路２０２の螺旋状の巻数を多くするほど，荷電粒子の侵入防止の効果がある。但し，ガス通路２０２の螺旋状の巻数を多くするほど，ガス通路が狭くなるため，処理ガスの流量が少なくなる。そこで，ガス通路２０２の螺旋状の巻数は，荷電粒子の侵入防止と処理ガスの流量とに応じて決定することが好ましい。例えば埋込部材２００の外側面を１．５周以上の螺旋状に形成することが好ましい。
【００４２】
このような埋込部材２００を各ガス通気孔１５６ａに挿入することにより，たとえプラズマ中の荷電粒子がガス通気孔１５６ａから入り込んだとしても，埋込部材２００のガス通路２０２によってガス通気孔１５６ａの中心軸方向が常に規制されるので，埋込部材２００の上端に至るまでに埋込部材２００の内壁等に衝突してエネルギーが消失する。
【００４３】
また，たとえガス通気孔１５６ａの端部で等電位線が歪んで電子などの荷電粒子の振動方向が傾斜してガス通気孔１５６ａから入り込んだとしても，ガス通路２０２によってガス通気孔１５６ａの中心軸方向が常に規制されるので，埋込部材２００の内壁等に衝突して埋込部材２００の上端に至るまでにはエネルギーが消失する。
【００４４】
これにより，プラズマ中の荷電粒子が上部電極１３８内のバッファ室１６０に侵入することを確実に防止できる。従って，バッファ室１６０内にエネルギーが投入されることはなくなり，バッファ室１６０内でグロー放電が発生することを確実に防止できる。
【００４５】
また，埋込部材２００のガス通路２０２は，図４（ｂ）に示すように，ガス通気孔１５６ａの中心軸方向の厚みがこの中心軸方向に対して垂直方向の幅（溝の深さ）よりも小さい形状をなすようにすることにより，ガス通気孔１５６ａの軸方向の空間を狭くすることができるため，電子などの荷電粒子は埋込部材２００の壁等に衝突し易くなってエネルギーが消失し易くなる。しかも，処理ガスの流量を増やすことができるので，上部電極（シャワーヘッド）１３８のガス吐出特性を大幅に変えることなく，上部電極１３８内でのグロー放電を防止することができる。
【００４６】
なお，本発明にかかる埋込部材は，図５に示す埋込部材２１０のように，電極板１５６のガス通気孔１５６ａ全体に脱着自在に装着するようにしてもよい。図５（ａ）は埋込部材２１０の外観を示す図であり，図５（ｂ）は埋込部材２１０がガス通気孔１５６ａに装着されている場合の断面図である。この場合には，埋込部材２１０のガス通路２１２は，例えば図５（ａ）に示すように埋込部材２１０全体に形成するようにしてもよい。
【００４７】
また，本発明にかかる埋込部材の他の具体例として，ガス導入孔の中心軸方向を規制し，この中心軸方向に対して垂直又は傾斜する方向のガス通路は，埋込部材の直径方向と円周方向とを組合わせたものであってもよい。具体的には例えば図６，図７に示すような埋込部材２２０であってもよい。図６は，埋込部材２２０の構成を示す斜視図であり，図７（ａ）は，図６に示すＡ−Ａ断面図であり，図７（ｂ）は，図６に示すＢ−Ｂ断面図である。
【００４８】
埋込部材２２０は，図４に示す埋込部材２００と同様に，電極板１５６のガス通気孔１５６ａのうち孔１５６ｂに脱着自在に挿入される。埋込部材２２０は，図６，図７に示すように，全体が略円柱形状に形成され，その外側面の略中央に円周方向溝２２４が形成されている。
【００４９】
埋込部材２２０の円周方向溝２２４よりも下方部分には，図７（ａ）に示すように，ガス通気孔１５６ａの軸方向に軸方向孔２２６が形成され，さらに軸方向孔２２６の上端部に連通し，ガス通気孔１５６ａの直径方向に直径方向孔２２８が形成されている。この直径方向孔２２８は，上記円周方向溝２２４に連通している。これら直径方向孔２２８と円周方向溝２２４とは，ガス導入孔の中心軸方向に対して垂直又は傾斜する方向の通路を形成する。
【００５０】
埋込部材２２０の円周方向溝２２４よりも上方部分には，図７（ｂ）に示すように，直径方向孔２２８の方向と垂直の位置に，埋込部材２２０の上端部へ突抜ける軸方向溝２２９が形成されている。軸方向溝２２９の下端部は円周方向溝２２４と連通している。
【００５１】
埋込部材２２０がガス通気孔１５６ａに挿入されたときに上記各溝とガス通気孔１５６ａの内壁とにより通路が形成される。このような構成の埋込部材２２０のガス通路２２２は，その下端部から軸方向孔２２６を通って軸方向に上昇し，軸方向孔２２６の上端部で直径方向孔２２８により直径方向へ進んだ後，円周方向溝２２４により９０度回転してから軸方向溝２２９より上昇して埋込部材２２０のガス通路２２２の上端部へ抜けるような経路となる。
【００５２】
このような埋込部材２２０を各ガス通気孔１５６ａに挿入することにより，たとえプラズマ中の荷電粒子がガス通気孔１５６ａから入り込んだとしても，埋込部材２２０のガス通路２２２によって，直径方向孔２２８により直径方向へ進んだ後，円周方向溝２２４により９０度回転してからでなければ，軸方向溝２２９へ入り込むことができない。このように，ガス通気孔１５６ａの中心軸方向が直径方向と円周方向への通路で規制されるので，埋込部材２２０の上端に至るまでに埋込部材２２０の内壁等に衝突してエネルギーが消失する。
【００５３】
また，たとえガス通気孔１５６ａの端部で等電位線が歪んで電子などの荷電粒子の振動方向が傾斜してガス通気孔１５６ａから入り込んだとしても，ガス通路２２２によってガス通気孔１５６ａの中心軸方向が常に規制されるので，埋込部材２２０の内壁等に衝突して埋込部材２２０の上端に至るまでにはエネルギーが消失する。
【００５４】
この埋込部材２２０によっても，プラズマ中の荷電粒子が上部電極１３８内のバッファ室１６０に侵入することを確実に防止できる。従って，バッファ室１６０内にエネルギーが投入されることはなくなり，バッファ室１６０内でグロー放電が発生することを確実に防止できる。
【００５５】
なお，埋込部材２２０のガス通路２２２の断面も，荷電粒子の侵入防止と処理ガスの流量とに応じて決定することが好ましい。具体的には例えば，ガス通気孔１５６ａの直径が４ｍｍ〜５ｍｍ程度の場合には，ガス通路２２２の直径方向孔２２８と円周方向溝２２４におけるガス通気孔１５６ａの軸方向の高さは，０．５ｍｍ〜１．５ｍｍ程度が好ましい。
【００５６】
次に，本発明にかかる埋込部材の材質について説明する。上記埋込部材２００，２１０，２２０の材質は，例えば石英の他，テフロン（登録商標），四フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ），三フッ化塩化エチレン樹脂（ＰＣＴＦＥ），四フッ化エチレンパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合樹脂（ＰＦＡ），四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合樹脂（ＰＦＥＰ），フッ化ビニリデン樹脂（ＰＶＤＦ）などのフッ素樹脂であってもよい。これらは，誘電率が低く，交流電圧に対して高い耐電圧性を有し，しかも加工が容易であるため製造コストを抑えることができる点で好ましい。また，樹脂の代りに多孔性セラミックで構成してもよい。さらに，本実施形態における埋込部材２００は，無電界の上部電極１３８に適用するので，必ずしもこれらの樹脂に限られることはなく，例えばアルミニウムなどの金属で構成してもよい。
【００５７】
本実施の形態において，上部電極１３８のガス導入孔に装着される埋込部材は，交換可能である。従って，ガス種，プラズマ密度など様々な条件に応じて最適な埋込部材を選択して上部電極１３８のガス導入孔に装着することができる。これにより，処理室１１０内で発生したプラズマの荷電粒子がガス導入部としての上部電極１３８内に入り込むことを完全に防止する。
【００５８】
具体的には処理ガスのガス種に応じて材質の異なる埋込部材を用いてもよい。例えばＣＦ系ガスでは，ポリイミドで構成された埋込部材を用い，ＮＨ３系ガス，ＨＢｒ系ガス，Ｃｌ２系ガスなどの腐食系ガスでは，侵食され難いＰＴＦＥで構成された埋込部材を用いることもできる。
【００５９】
また，処理室１１０内に発生するプラズマ密度に応じて異なる形状の埋込部材を用いてもよい。例えば，プラズマ密度が高密度であるほど，よりプラズマ中の荷電粒子が侵入し難くする必要があるため，図４，図５に示すような螺旋状のガス通路２０２，２１２が形成された埋込部材２００，２１０を用い，プラズマ密度が低密度であれば，図６，図７に示すような構成のガス通路２２２が形成された埋込部材２２０を用いれば足りる。
【００６０】
以上，添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００６１】
例えば，本実施形態におけるプラズマ処理装置１００は，下部電極１１２のみに高周波電力を印加し，上部電極１３８をグランドとする場合について説明したが，下部電極１１２のみならず，上部電極１３８にも高周波電力を印加するものに適用してもよい。これによっても，本実施形態と同様に上部電極１３８内でのグロー放電を防止することができる。
【００６２】
また，エッチングプラズマ処理装置としては，平行平板型プラズマエッチングプラズマ処理装置に限られず，ヘリコン波プラズマエッチングプラズマ処理装置，誘導結合型プラズマエッチングプラズマ処理装置等に適用してもよい。
【００６３】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば，処理室内で発生したプラズマの荷電粒子がガス導入部内に入り込むことを完全に防止することができるプラズマ処理装置を提供できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態にかかるエッチング装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】同実施形態における上部電極（シャワーヘッド）の概略構成を示す断面図である。
【図３】本実施形態にかかる埋込部材がなかった場合の上部電極の概略構成を示す断面図である。
【図４】本実施形態にかかる埋込部材の構成例を示す図であって，同図（ａ）は埋込部材の外観を示す図であり，同図（ｂ）は埋込部材の断面図である。
【図５】本実施形態にかかる埋込部材の他の構成例を示す図であって，同図（ａ）は埋込部材の外観を示す図であり，同図（ｂ）は埋込部材の断面図である。
【図６】本実施形態にかかる埋込部材の他の構成例を示す斜視図である。
【図７】図６に示す埋込部材の断面図であって，同図（ａ）は図６に示す埋込部材のＡ−Ａ断面図であり，同図（ｂ）は図６に示す埋込部材のＢ−Ｂ断面図である。
【符号の説明】
１００      プラズマ処理装置
１１０      処理室
１１２      下部電極
１１４      筒状保持部
１１６      筒状支持部
１１８      フォーカスリング
１２０      排気路
１２２      バッフル板
１２４      排気口
１２６      排気管
１２８      排気装置
１３０      ゲートバルブ
１３２      高周波電源
１３４      整合器
１３６      給電棒
１３８      上部電極
１４０      静電チャック
１４０ａ    電極
１４０ｂ    絶縁膜
１４２      直流電源
１４３      スイッチ
１４４      冷媒室
１４６      チラーユニット
１４８      配管
１５２      伝熱ガス供給部
１５４      ガス供給ライン
１５６      電極板
１５６ａ    ガス通気孔
１５６ｂ    孔
１５６ｃ    孔
１５７      中間部材
１５７ａ    ガス連通孔
１５８      電極支持体
１６０      バッファ室
１６０ａ    ガス導入口
１６２      処理ガス供給部
１６４      ガス導入配管
１６６      ダイポールリング磁石
１６８      制御部
２００      埋込部材
２０２      ガス通路
２１０      埋込部材
２１２      ガス通路
２２０      埋込部材
２２２      ガス通路
２２４      円周方向溝
２２６      軸方向孔
２２８      直径方向孔
２２９      軸方向溝
Ｗ        ウエハ
【図１】
2004356531.tif 000003
【図２】
2004356531.tif 000004
【図３】
2004356531.tif 000005
【図４】
2004356531.tif 000006
【図５】
2004356531.tif 000007
【図６】
2004356531.tif 000008
【図７】
2004356531.tif 000009