【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年11月21日(2013.11.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理チャンバの基板処理領域内で基板の表面のシリコン含有層をエッチングする方法であって、相対的に平滑なエッチング後表面が残され、
前記基板処理領域に流体結合された第１の遠隔プラズマ領域の中にフッ素含有前駆体および水素含有前駆体を、プラズマ放出物を生成するために前記第１の遠隔プラズマ領域内でプラズマを形成しながら流すステップであって、前記フッ素含有前駆体の流量および前記水素含有前駆体の流量により、水素対フッ素原子流れ比率が１：２未満になるステップと、
前記基板の前記表面に固体副生成物を形成しながら前記プラズマ放出物を前記基板処理領域内に流し込むことによって前記シリコン含有層をエッチングするステップと、
前記固体副生成物を、前記固体副生成物の昇華温度を超えて前記基板の温度を上げることによって昇華させて、前記相対的に平滑なエッチング後表面を残すステップとを含む、方法。
【請求項２】
前記フッ素含有前駆体が、三フッ化窒素、フッ化水素、二原子フッ素、単原子フッ素、およびフッ素置換された炭化水素からなる群から選択された少なくとも１つの前駆体を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記水素含有前駆体が、原子水素、分子水素、アンモニア、炭化水素、および不完全にハロゲン置換された炭化水素からなる群から選択された少なくとも１つの前駆体を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記シリコン含有層が、エッチング操作中に約５０℃以上に維持される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記シリコン含有層をエッチングする操作および前記固体副生成物を昇華させる操作が１つのステップから成り立ち、整数個のステップが使用されて各サイクル中に除去される材料の量が低減する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記シリコン含有層の全厚が３つのステップで除去され、各ステップで全厚の２０％から４０％を除去する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
各ステップで前記シリコン含有層から約１５０Å以下を除去する、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記シリコン含有層が酸化ケイ素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
基板処理チャンバの基板処理領域内で基板の表面のシリコン含有層をエッチングする方法であって、前記方法は、高密度にパターニングされた区域と低密度にパターニングされた区域との間のエッチング速度の差を低減し、
前記基板処理領域に流体結合された第１の遠隔プラズマ領域の中にフッ素含有前駆体および水素含有前駆体を、プラズマ放出物を生成するために前記第１の遠隔プラズマ領域内でプラズマを形成しながら流すステップであって、前記フッ素含有前駆体の流量および前記水素含有前駆体の流量により、水素対フッ素原子流れ比率が１：２未満になるステップと、
前記基板の前記表面に固体副生成物を形成しながら前記プラズマ放出物を前記基板処理領域内に流し込むことによって前記高密度にパターニングされた区域と前記低密度にパターニングされた区域で前記シリコン含有層をエッチングするステップと、
前記固体副生成物を、前記固体副生成物の昇華温度を超えて前記基板の温度を上げることによって昇華させるステップとを含む、方法。
【請求項１０】
前記フッ素含有前駆体が、三フッ化窒素、フッ化水素、二原子フッ素、単原子フッ素、およびフッ素置換された炭化水素からなる群から選択された少なくとも１つの前駆体を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記水素含有前駆体が、原子水素、分子水素、アンモニア、炭化水素、および不完全にハロゲン置換された炭化水素からなる群から選択された少なくとも１つの前駆体を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項１２】
前記シリコン含有層をエッチングする操作および前記固体副生成物を昇華させる操作が１つのステップから成り立ち、整数個のステップが使用されて各サイクル中に除去される材料の量が低減する、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記シリコン含有層の全厚が３つのステップで除去され、各ステップで全厚の２０％から４０％を除去する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
各ステップで前記シリコン含有層から約１００Å以下を除去する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記フッ素含有前駆体の前記流量および前記水素含有前駆体の前記流量により、水素対フッ素原子流れ比率が１：４未満になる、請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
前記シリコン含有層が酸化ケイ素を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
基板処理チャンバの基板処理領域内で基板の表面のシリコン含有層をエッチングする方法であって、
前記基板処理領域に流体結合された第１の遠隔プラズマ領域の中にフッ素含有前駆体および水素含有前駆体を、プラズマ放出物を生成するために前記第１の遠隔プラズマ領域内で一連のプラズマパルスを形成しながら流すステップであって、前記フッ素含有前駆体の流量および前記水素含有前駆体の流量により、水素対フッ素原子流れ比率が１：２未満になるステップと、
前記基板の前記表面に固体副生成物を形成しながら前記プラズマ放出物を前記基板処理領域内に流し込むことによって前記シリコン含有層をエッチングするステップと、
前記固体副生成物を、前記固体副生成物の昇華温度を超えて前記基板の温度を上げることによって昇華させるステップとを含む、方法。
【請求項１８】
前記一連のプラズマパルスが、前記第１の遠隔プラズマ領域に加えられるプラズマ出力をパルス化することによって作り出される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記水素含有前駆体流、および前記フッ素含有前駆体流の両方が前記エッチング操作中に一定である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記一連のプラズマパルスが、前記フッ素含有前駆体流および前記水素含有前駆体流の少なくとも一方の流れをパルス化することによって作り出される、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記固体副生成物を昇華させる操作が、前記プラズマパルスのそれぞれに続いて起こる複数の基板アニールを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】
前記一連のプラズマパルスの繰返し周波数が約０．１Ｈｚから約１．０Ｈｚの間である、請求項１７に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
一実施形態では、相対的に平滑なエッチング後表面を残す、基板処理チャンバの基板処理領域内で基板の表面のシリコン含有層をエッチングする方法は、基板処理領域に流体結合された第１の遠隔プラズマ領域の中にフッ素含有前駆体および水素含有前駆体を、プラズマ放出物を生成するために第１の遠隔プラズマ領域内でプラズマを形成しながら流すステップを含む。フッ素含有前駆体の流量および水素含有前駆体の流量により、水素対フッ素原子流れ比率が１：１未満、または５：１超になる。この方法はさらに、基板の表面に固体副生成物を形成しながらプラズマ放出物を基板処理領域内に流し込むことによってシリコン含有層をエッチングするステップと、固体副生成物を、固体副生成物の昇華温度を超えて基板の温度を上げることによって昇華させて、相対的に平滑なエッチング後表面を残すステップとを含む。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
さらに別の実施形態では、高密度にパターニングされた区域と低密度にパターニングされた区域とのエッチング速度の差を低減する、基板処理チャンバの基板処理領域内で基板の表面のシリコン含有層をエッチングする方法は、基板処理領域に流体結合された第１の遠隔プラズマ領域の中にフッ素含有前駆体および水素含有前駆体を、プラズマ放出物を生成するために第１の遠隔プラズマ領域内でプラズマを形成しながら流すステップを含む。フッ素含有前駆体の流量および水素含有前駆体の流量により、水素対フッ素原子流れ比率が１：１未満、または５：１超になる。この方法はさらに、基板の表面に固体副生成物を形成しながらプラズマ放出物を基板処理領域内に流し込むことによって、高密度にパターニングされた区域および低密度にパターニングされた区域でシリコン含有層をエッチングするステップと、固体副生成物を、固体副生成物の昇華温度を超えて基板の温度を上げることによって昇華させるステップとを含む。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
ＳｉＣｏｎｉ（登録商標）エッチング処理では、遠隔プラズマシステム（ＲＰＳ）の中を通って反応領域内に一緒に流れ込む水素源のアンモニア（ＮＨ３）およびフッ素源の三フッ化窒素（ＮＦ３）を使用した。これまでＳｉＣｏｎｉ（登録商標）エッチング処理は、フッ素および水素の供給物を効率的に使用するように最適化されてきた。三フッ化窒素流量の２倍のアンモニア流量が、約２：１の水素対フッ素原子流れ比率にいっそう広く変わる高いエッチング速度を生じさせるために使用されてきた。水素（原子％）流量がフッ素（原子％）流量の２倍超または２倍未満になるように各流量の一方または両方を修正すると、エッチングされたシリコン含有面の粗さが低減することが分かった。水素対フッ素原子流れ比率は別々の実施形態で、１：１未満、１：２未満、１：４未満、５：１超、１０：１超、および２０：１超である。