【事件の表示】
　平成５年特許願第２３１９４４号「シリコン酸化膜の作製方法」拒絶査定不服審判事件〔平成７年３月３１日出願公開、特開平７−８６２７１〕について、
　次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続の経緯および、この出願の発明
【１-1】手続の経緯
　本願は、平成５年９月１７日の出願であって、平成１４年４月８日付けで拒絶理由が通知され、その指定期間内の同年６月４日に意見書および手続補正書が提出されたが、平成１４年７月１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月８日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　　
【１-2】この出願の発明
　この出願の明細書の特許請求の範囲の請求項１に係る発明(以下、「本願発明」という)は、前記審判請求と同時の平成１４年８月８日に提出された手続補正書により補正された、明細書の特許請求の範囲の【請求項１】に記載されたとおりの、
「酸化性ガスの導入及び排気が可能な反応管内にシリコンウエハを載置し、酸化性雰囲気中でシリコンウエハを加熱して表面を酸化するシリコン酸化膜の作製方法において、
シリコンウエハを大気に触れないように反応管内に搬入する工程と、
前記シリコンウエハの搬入された反応管内にオゾンを含むガスを導入し、大気圧以下の圧力にする工程と、
前記反応管内にオゾンを導入した後、前記シリコンウエハを所定の温度に加熱し、前記シリコンウエハ表面を酸化する酸化工程と
を含むシリコン酸化膜の作製方法。」である。
　　
【２】原審における拒絶理由の概要
　原審の拒絶の理由は、「この出願のすべての請求項に係る発明は、次の引用文献１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」というものである。
　引用文献１；特開平３−６６１２６号公報(以下、「引用例１」という)
　引用文献２；特開昭６３−４１０２８号公報
　引用文献３；特開平３−１３４１５３号公報(以下、「引用例２」という)
　引用文献４；特開昭５３−９８７７９号公報
　引用文献５；特開平２−２６０６３８号公報
　　
【３】引用例１，２の記載事項および、その開示内容
【３-1】引用例１について
［１］引用例１の記載事項
　第１頁右下欄第７〜１１行に、
(引1a)「近年、超ＬＳＩに用いられる絶縁膜の薄膜化が進んでいる。例えば16Ｍビット以上の容量を有するＤＲＡＭ(ダイナミックランダムアクセスメモリ)のＭＯＳ型メモリ素子の場合、ゲートのＳｉＯ２絶縁膜の膜厚は150Å以下であり」と記載され、
　第２頁左下欄第３〜６行に、
(引1b)「最近、外気巻き込み防止に有効な、ロードロック室(真空排気の可能な準備室)付きの酸化炉が開発され、酸化雰囲気を精密に制御することが可能になった」と記載され、
　第３頁左上欄第１〜１８行に、
(引1c)「自然酸化膜を除去するための第１の雰囲気内に置かれた半導体ウェハを外気に接することなく、酸化膜を形成するための第２の雰囲気に移動するので、表面処理の工程と熱酸化の工程との間に半導体ウェハ表面に自然酸化膜が成長したり、半導体ウェハが汚染されたりすることを防止できる。従って熱酸化直前の半導体ウェハ表面を清浄な状態に保つことが可能であり、高品質の絶縁膜を製造することができる。
上記の絶縁膜製造装置は、準備室と酸化炉とが開閉自在な仕切り弁によって仕切られており、該仕切り弁を開けて半導体ウェハを外気にさらすことなく準備室から酸化炉に移動するようにしている。従って半導体ウェハを外気にさらすことなく自然酸化膜を除去するための第１の雰囲気から酸化膜を形成するための第２の雰囲気に移動することができる」と記載され、
　第３頁左下欄第１４行〜同頁右下欄第８行に、
(引1d)「仕切り弁２０を開け、モータ２４を駆動して真空排気口１４により予め真空排気されている石英炉芯管内にＳｉウェハを移動させ、所定の位置にセットする。次に仕切り弁を閉め、酸化性ガス導入口１３から酸素(良好な特性を有する酸化膜を形成するために、必要に応じてＨＣｌ、その他の気体を添加してもよい)を導入した後、ヒータ１２でＳｉウェハを800〜1000℃に加熱し、熱酸化させる(工程Ｓ４)。所望の膜厚に応じた時間だけ加熱した後、酸素を排気し、モータ２４を駆動してＳｉウェハをロードロック室内に移動し、冷却する(工程Ｓ５)。
上記の一連の工程の夫々について、処理時間、流量等を必要に応じて任意に設定することが可能である」と記載され、
　第３頁右下欄第１０〜１８行に、
(引1e)「本発明によれば、Ｓｉウェハ表面に有機物及び自然酸化膜を除去する表面処理を施した後、Ｓｉウェハ表面を清浄な状態に保ったまま、熱酸化できるので、ＳｉＯ２／Ｓｉ界面にサブオキサイドのない低界面準位密度のシリコン絶縁膜を形成することが可能となり、界面状態の影響を受けやすい100Å以下の極めて薄いゲート絶縁膜を有するトランジスタの特性及び信頼性を向上させることができる」と記載されている。
　　
［２］引用例１の開示内容
　前記(引1b)〜(引1d)の記載から、引用例１には、
(引1z)「酸化性ガスの導入及び排気が可能な石英炉芯管内にＳｉウェハを載置し、酸化性雰囲気中でＳｉウェハを加熱して表面を酸化するＳｉＯ２絶縁膜の作製方法において、
Ｓｉウェハを外気にさらすことなく石英炉芯管内に搬入する工程と、
前記Ｓｉウェハの搬入された石英炉芯管内に酸素を含むガスを導入し、その流量を任意に設定して酸化性雰囲気にする工程と、
前記石英炉芯管内に酸素を導入した後、前記Ｓｉウェハを所定の温度に加熱し、前記Ｓｉウェハ表面を酸化する酸化工程と
を含むＳｉＯ２絶縁膜の作製方法」の発明(以下、「引用発明１」という)が開示されている。
　　
【３-2】引用例２について
［１］引用例２の記載事項
　第１頁右下欄第４〜１０行に、
(引2a)「最先端技術により形成されるシリコン集積回路、特にＭＯＳ(Metal Oxide Semiconductor)集積回路では膜厚が極めて薄い酸化膜がゲート絶縁膜に用いられる。とりわけ1.0μｍ以下のゲート長を有するサブミクロンＭＯＳデバイスでは膜厚が例えば100Å以下となる酸化膜が用いられ」と記載され、
　第２頁右下欄第９〜１４行に、
(引2b)「基板に酸化膜を形成するに当たり、酸化ガスをオゾンガスを含むガスとしたことを特徴とする。
なおここで云うオゾンガスを含むガスとはオゾンガスのみの場合、オゾンガスとオゾンガス以外の他のガスとの混合ガスの場合等を意味する」と記載され、
　第５頁左上欄第５〜１１行に、
(引2c)「この実施例では絶縁膜をシリコン酸化膜とする。また、以下の説明では第２図、第３図を適宜参照されたい。
この実施例では基板１８としてシリコン基板を用意し、この基板１８に対し従来行なわれている如く化学薬品及び純水等を用いて酸化前洗浄を先ず行なう」と記載され、
　第５頁右上欄第１５行〜同頁左下欄第１４行に、
(引2d)「反応炉１０内を上述のように高真空に排気したら、次にバルブ36a,36b,36d,36eを閉じる。その後、オゾン発生器５１を動作させ、バルブ44,48b,46bを開け、酸化ガス源14bから酸素ガスを供給する。酸素ガスは、オゾン発生器５１を通過する際にオゾン発生器５１に備わる紫外線ランプ(図示せず)からの紫外線によってオゾンとなって反応炉１０内へ供給される。・・・反応炉１０内を減圧状態に維持することは、オゾンガスを導入しながらバルブ36aを開けバルブ38を操作すると共に、オゾンガスの流量を自動流量コントローラ50bで調整することによって行なえる。これによれば、反応炉１０内を例えば100〜10-2Torrの低真空の減圧状態に維持することも出来る。
次に、加熱部１６によって基板１８を加熱して基板表面に酸化膜を形成する」と記載され、
　第６頁左下欄第２〜５行に、
(引2e)「所望の酸化膜を1000℃程度の温度で得ることが出来るため、基板にスリップが発生することもない。従って、電気的信頼性の高い酸化膜を得ることが出来る」と記載されている。
　　
［２］引用例２の開示内容
　前記(引2c),(引2d)の記載から、引用例２には、
(引2y)「酸化性雰囲気中でシリコン基板を加熱して表面を酸化するシリコン酸化膜の形成方法において、前記シリコン基板の搬入された反応炉内にオゾンを導入し、大気圧以下の減圧状態にする工程と、前記反応炉内にオゾンを導入した後、前記シリコン基板を所定の温度に加熱し、前記シリコン基板表面にシリコン酸化膜を形成する方法」が示されている。
　そして、さらに前記(引2b)の「基板に酸化膜を形成するに当たり、酸化ガスをオゾンガスを含むガスとしたことを特徴とする。
なおここで云うオゾンガスを含むガスとはオゾンガスのみの場合、オゾンガスとオゾンガス以外の他のガスとの混合ガスの場合等を意味する」という記載を参照すると、引用例２には、
(引2z)「酸化性雰囲気中でシリコン基板を加熱して表面を酸化するシリコン酸化膜の形成方法において、前記シリコン基板の搬入された反応炉内にオゾンを含むガスを導入し、大気圧以下の減圧状態にする工程と、前記反応炉内にオゾンを導入した後、前記シリコン基板を所定の温度に加熱し、前記シリコン基板表面にシリコン酸化膜を形成する方法」の発明(以下、「引用発明２」という)が開示されているといえる。
　　
【４】当審の判断
【４-1】本願発明と引用発明１との対比
　本願発明と引用発明１とを対比すると、
　引用発明１の「石英炉芯管」，「Ｓｉウェハ」，「ＳｉＯ２絶縁膜」，「外気にさらすことなく」は、
　本願発明の「反応管」，「シリコンウエハ」，「シリコン酸化膜」，「大気に触れないように」にそれぞれ相当し、これらは単に使用された用語の差異でしかない。
　したがって、両者は、
「酸化性ガスの導入及び排気が可能な反応管内にシリコンウエハを載置し、酸化性雰囲気中でシリコンウエハを加熱して表面を酸化するシリコン酸化膜の作製方法において、
シリコンウエハを大気に触れないように反応管内に搬入する工程と、
前記シリコンウエハの搬入された反応管内に酸化性ガスを含むガスを導入し、酸化性雰囲気にする工程と、
前記反応管内に酸化性ガスを導入した後、前記シリコンウエハを所定の温度に加熱し、前記シリコンウエハ表面を酸化する酸化工程と
を含むシリコン酸化膜の作製方法」であることで一致する。
　一方、両者は、
　本願発明は、「シリコンウエハの搬入された反応管内にオゾンを含むガスを導入し、大気圧以下の圧力にする工程と、前記反応管内にオゾンを導入した後、前記シリコンウエハを所定の温度に加熱」するのに対して、
　引用発明１は、「Ｓｉウェハの搬入された石英炉芯管内に酸素を含むガスを導入し、その流量を任意に設定して酸化性雰囲気にする工程と、前記石英炉芯管内に酸素を導入した後、前記Ｓｉウェハを所定の温度に加熱」する点(以下、「相違点」という)で相違する。
　　
【４-2】相違点の検討
　前記相違点について考察するに、
　引用例２に、引用発明２として、酸化性雰囲気中でシリコン基板を加熱して表面を酸化するシリコン酸化膜の形成方法において、前記「シリコン基板の搬入された反応炉内にオゾンを含むガスを導入し、大気圧以下の減圧状態にする工程と、前記反応炉内にオゾンを導入した後、前記シリコン基板を所定の温度に加熱し」(この「」内を、技術的事項という)、前記シリコン基板表面にシリコン酸化膜を形成する方法が開示されている。
　そして、本願発明および引用発明１，２がともに、同一の技術分野に属するものであることは、本願明細書段落【0001】，【0002】の「本発明は、シリコン酸化膜の製造方法に関し、特に、ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜に用いられる薄いシリコン酸化膜の製造方法に関する。ＬＳＩの集積度の向上と共にゲート絶縁膜に用いられるシリコン酸化膜は、ますます薄くなってきている」という記載および、上記(引1a),(引1e),(引2a),(引2e)の記載から明らかである。
　してみれば、前記技術的事項を引用発明１に適用することに格別の困難性があるとはいえない。
　したがって、この相違点は、当業者が、引用例２に開示された発明に基づいて、容易に想到できたものであると認められる。
　また、本願発明の効果が、引用発明１，２のそれらを合わせたものから推測もできない程に、格別顕著なものであるとも認められない。
　　
【５】むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、上記の引用例１，２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。