【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年1月17日(2012.1.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１１】
バイアス磁石層とＡＳＩＣを備えるシリコンチップ（４３）が、リードフレーム（４０）と接続して上下に積み重ねられることを特徴とする請求項１０に記載の配列装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
図３は、ここで使用された関連装置とこの発明の改良と関連した磁石抵抗特殊センサー要素の特殊な物理的状態を説明する特性曲線を示す。図３ａは、車輪回転数作動の際に永久磁化されたエンコーダトラック１３に対する幾何学的整合において図２ａによる磁石抵抗特殊センサーモジュール１２を示す。エンコーダトラックは平面的にＸＹ−平面に位置し、Ｙ−方向においてセンサー要素に対して移動される。センサーモジュールの一部１４は、図３ｂに図示されているように、四つの磁気抵抗ペルム合金（バーベルポール）抵抗体１７から成るブリッジ回路１６を包含する。抵抗体層の平面はＸＹ−平面に平行なエンコーダの平面のように延びている。図３ｃは磁気空隙磁界強さＨｙ，Ｈｘ１とＨｙ，Ｈｘ２の関数としての作業特性曲線、信号電圧Ｖｓｓを示す。この場合には、Ｈｙはエンコーダトラックの走行方向における磁界成分であり、Ｈｘはエンコーダの横方向における磁界成分である。この場合に、Ｈｘ１とＨｘ２はｘ方向における互いに反対にずれて配向された磁界成分である。図３ｃは、交換するＨｘ１、Ｈｘ２−エンコーダ磁化の成分が鏡像的特性曲線１８、１９を導き得る。Ｈｘ−成分の交換する符号と結合した特性曲線の交換が突然に生じ、「フリッピング（Ｆｌｉｐｐｉｎｇ）」或いは「フリッペン（Ｆｌｉｐｐｅｎ）」と呼ばれる。フリッペンはエンコーダ信号の望まれない歪曲（倍加）を導いて、車輪回転数の検出のために障害となる。現在のプラクテスでは、フリッペンは、Ｘ−方向における偏極を備える、所謂、バイアス磁石１５が成分Ｈｘ１、Ｈｘ２より大きく、それ故に、両特性曲線の一方、例えば１８を特定する所謂、支持磁界を発生させることによって回避される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
フリッペンに対して車輪回転数センサーの固有信頼性を高める信号評価の次の態様が提案されている：
１．場合：
周波数（感知経路）が同じ周波数（観察された経路）である。
・重複しているとのメッセージの表出
・高い信頼性にあるということ
・感知経路のみが利用される。
２．場合：
周波数（感知経路）が同じ周波数（観察された経路）ではない。
・信号プロトコールにおいてフリップ状態に関する診断メッセージが指定できる。
・観察された経路のみが利用される。
・車輪回転数情報が緊急作動のために使える。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
図７は、例としてのセンサーモジュールの概念を示し、二つのＺ方向において互いにずれたセンサー構造、主としてブリッジ構造であり、この構造はこの発明によると、同じ磁気参照磁界強さに比べて同じ並びに同じではないセンサー的高感度を有し得る。合成樹脂製のケース３１には、感知的ブリッジ構造を備えるシリコン担体３２、３３或いは磁界センサー要素３４、３５が収納されている。Ｚ方向における立体的ずれはこの両チップの「バック対バック配列」によって生じる。Ｘ方向における偏極を備える別のバイアス磁石３６が両感知層をＺ方向における立体的ずれに基づいてエンコーダ３７の磁界成分に比べて異なった磁界強さＨｘにより磁気層２１と鉄逆接続部２２により磁気的にバイアスを加える。センサーの読取りトラックはエンコーダの中心トラックに比べてＸ方向にずれているので、障害となるＨｘ成分３８はフリッペンを導き得るバイアス磁界に反作用する。例としてのセンサーモジュールは必要とされた最高感受性経路並びに同時にフリッペンに対して抵抗する観察経路を実現するために、次の技術的反転性を利用する：センサー構造３５を関連して、エンコーダの表面に対する距離Ｌ４が比較的小さいのに対して、バイアス磁石に対する距離Ｌ３が比較的大きい、即ち、比較的弱いバイアス成分Ｈｘの場合には、エンコーダの比較的強い磁気成分Ｈｙが作用する。それ故に、構造／磁界センサー要素３５は必要とされるように高感知である。逆部材はセンサー構造／磁界センサー要素３４の場合である。エンコーダの表面に対する距離Ｌ２が比較的大きいのに対して、バイアス磁石に対する距離Ｌ１は比較的僅かである、即ち、比較的強いバイアス成分Ｈｘの場合には、もはやフリッペンを惹起できないエンコーダの比較的弱い障害となる逆成分のみが作用する。所定のセンサー・エンコーダ・空隙・インターフェイスにさらに適用するために、次のパラメータ変動可能性の技術的に有利な組合せが利用され得る：
・Ｚ方向における磁界センサー要素３４、３５の現在の距離に適合するシリコン担体層の厚さの選択
・ケース内の挿入深さの選択によるエンコーダ表面に対するシリコン担体層パケットに対する距離の選択
・バイアス磁石により惹起された磁界の強さの適合
・間に位置するケース層厚さの選択によるシリコン担体層パケットに対するバイアス磁石の幾何学的距離の適合
・両磁界センサー要素或いは磁気抵抗構造３４、３５の各々の個別的感度の選択。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
図８は、図７の概念によるセンサーモジュールの別の例としての実施態様の図解を示す。図８ａは図８ｂの断面スケッチに対する立体的表示である。バイアス磁石３９はここでは磁気層として（例えばＳｍＣｏとして形成される）リードフレーム４０に塗布されている。鉛フレーム末端部４１とリードフレーム逆部材４２は（必要なケース体４７が図示されていない）センサーモジュールの２線接続部を形成する。磁気層を介してＡＳＩＣ４４を備えるシリコンチップ４３が配置されていて、図２による信号電流発生するまで信号調整に用いられる。このＡＳＩＣ４４上には、横間隔で磁気抵抗ブリッジ４５、４６を備える互いに二つのシリコン担体４３３、４４４が存在し、フリップチップ技術のブリッジ４６と接着技術のブリッジ４５はＡＳＩＣと電気的に接続されている。エンコーダトラック４８に比べてブリッジ４５は感受性経路の磁界センサー要素として用いられ、ブリッジ４６は観察された経路のフリップ抵抗磁界センサー要素として用いられる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
図９はセンサーモジュールの二つの別の態様を示す。両態様は、図８から既に知られているように、リードフレーム４０、バイアス磁石３９とＡＳＩＣ４４を備えるシリコンチップ４３の層状体であることを共通し、ここで磁気層がリードフレーム４０ではなく、むしろシリコンチップ４３の裏面に塗布されていることが相違している。図９ａでは、裏面対裏面が互いに機械的に固定されている二枚のシリコンチップ４９、５１から成る堆積体は、磁界センサー要素５０が接着技術によってＡＳＩＣと接続されているのに対して、磁界センサー要素５２を介してフリップチップ技術によってＡＳＩＣと電気的に接触されている。図９ａによる全配列はセンサーモジュールの機能要素を有する。図９ｂによる態様では、個別のシリコンチップ５３が二つの磁気抵抗センサー要素５４、５５の担体として普段には同じ機能性の場合の図９ａによる堆積体４９、５１の代わりに用いられる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
図１０は、二つの同じＸＹ平面で互いにずれた感知構造、主として同じ磁気カバー磁界強さに比べて同じでない感知高感度を有するブリッジ構造の選択的概念の実施例を示す。合成樹脂製のケース５６には感知ブリッジ構造を備えるシリコン担体５７或いは磁界センサー要素５８、５９が収納されている。この両ブリッジ構造或いはセンサー要素の立体的ずれは、エンコーダ３７のＸＹ平面と平行なシリコン担体の平面に生じる。Ｘ方向における偏極を備える別のバイアス磁石３６が両感知層をＸ方向及びＹ方向又はそのいずれかの方向におけるその立体的ずれに基づいてエンコーダ３７の磁界成分に比べて異なった磁界強さＨｘにより磁気層２１と鉄逆接続部２２とより磁気的にバイアスをかけられている。センサーモジュールの読取りトラックは磁石エンコーダの中心トラックに比べてＸ方向にずれているので、障害となるＨｘ成分３８はフリッペンを導き得たバイアス磁界に反作用する。例としての実施態様は、必要とされた最高感受性経路並びにフリッペンに対して抵抗する観察経路を同時に実現するために、磁気抵抗構造の固有異方性を幅広範囲に変更させる図１１に具体的に説明された技術的可能性を利用する。ペルム合金製（重要な磁気抵抗材料として）の固有異方性Ｈ０の高さは実質的に帯幅対層厚の関係に依存してＨ０の公式に上げられて、それにより幅限度に変更できる。感知経路は低い固有異方性、即ち比較的薄い幅広帯を備えるセンサーを必要とし、それに対して、観察された経路はより高い固有異方性、即ち比較的厚く狭い帯を備えるセンサーを必要とする。フリップ抵抗センサー構造の固有異方性を十分に支援し、同時に感受性経路の感度を強力に制限しない適した寸法となったバイアス磁化に関連して、この発明の課題提起が簡単な方法で例として惹起される。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
１、６．．．センサー
２、７．．．ＥＣＵ（ＡＢＳ制御器の電子制御装置、或いは一般に電子制御ユニット）
３、４、８、９、１０．．．ワイア導線
５．．．．．エンコーダ
１１．．．．電流源
１２．．．．センサーモジュール
１３．．．．エンコーダトラック
２１．．．．磁気層
２３．．．．エンコーダ
２４．．．．センサー
２５．．．．ＥＣＵ
２６、２７．．．信号再処理段
２８．．．．比較器段
２９．．．．電子式切換スイッチ
３０．．．．信号論理
３４、３５．．．磁気抵抗構造
３６．．．．バイアス磁石
３７．．．．エンコーダ
３８．．．．Ｈｘ成分
３９．．．．バイアス磁石
４０．．．．リードフレーム
４１．．．．リードフレーム末端部
４３．．．．シリコンチップ
４９、５１、５３．．．シリコンチップ
５０、５２、５４、５５．．．磁気抵抗センサー要素
５６．．．．合成樹脂製のケース
５７．．．．シリコン担体
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４．．．完全ブリッジ
Ｒ５，Ｒ６．．．半ブリッジ