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【手続補正書】
【提出日】平成24年3月16日(2012.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種の多ヒドロキシル化脂肪族炭化水素および／またはそのエステルを少なくとも１種のクロロヒドリンおよび／またはそのエステルに変換する方法であって、クロロヒドリンおよび／またはそのエステルを生成する反応条件下で多ヒドロキシル化脂肪族炭化水素および／またはそのエステルを塩化水素と接触させる少なくとも１つの反応ステップ、続いて該反応ステップの流出物を処理する少なくとも１つの下流処理ステップ、を含み、該下流処理ステップを、クロロヒドリンおよび／またはそのエステルを含有する該流出物が温度１２０℃未満で維持されるような条件で実施する、方法。
【請求項２】
該下流処理ステップで使用する下流処理設備は、当該下流処理設備が流出物の総質量に対する総塩化水素濃度０．８質量％超である該流出物と接触する領域のみにおいて耐食性物質で形成または被覆されている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該下流処理ステップにおいて、水を実質的に該反応ステップの流出物から除去し；該水を、反応、極低温、抽出、共沸、吸収または蒸発のｉｎ−ｓｉｔｕ法またはｅｘ−ｓｉｔｕ法によって除去する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
該下流処理ステップにおいて、該反応ステップの流出物における塩化水素の濃度を０．８質量％未満に低減し；そして該反応ステップの流出物における塩化水素の濃度を、希釈、中和、ストリッピング、抽出、吸収または蒸留によって低減する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
各々のプロセス流または供給物流における総フッ化物濃度を５０質量ｐｐｍ未満に制限し；そして不均一性または均一性のフッ化物捕捉剤を用いて処理することによって該フッ化物濃度を５０質量ｐｐｍ未満に維持する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
塩化水素が気体であり；そして該反応ステップを超大気分圧の塩化水素で、かつ実質的に水の除去なしで実施する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
クロロヒドリンが、ジクロロヒドリン；１，３−ジクロロプロパン−２−オール；２，３−ジクロロプロパン−１−オール；またはこれらの混合物である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
多ヒドロキシル化脂肪族炭化水素が、１，２−エタンジオール；１，２−プロパンジオール；１，３−プロパンジオール；１−クロロ−２，３−プロパンジオール；２−クロロ−１，３−プロパンジオール；１，４−ブタンジオール；１，５−ペンタンジオール；シクロヘキサンジオール；１，２−ブタンジオール；１，２−シクロヘキサンジメタノール；１，２，３−プロパントリオール；およびこれらの混合物から選択される少なくとも１種の化合物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
触媒を該反応ステップにおいて用い、そして該触媒が、カルボン酸；無水物；酸クロリド；エステル；ラクトン；ラクタム；アミド；金属有機化合物；もしくはこれらの組合せから選択されるか、または、該触媒が、ハロゲン、アミン、アルコール、アルキル化アミン、スルフヒドリル、アリール基もしくはアルキル基またはこれらの組合せからなる官能基を有する酸であってこの部分がカルボン酸基の立体障害とならない、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
触媒がカルボン酸、カルボン酸のエステル、もしくはこれらの組合せであるか；または該触媒が酢酸であるか；または該触媒が、カプロラクトン、６−ヒドロキシヘキサン酸、６−クロロヘキサン酸、これらのエステル、もしくはこれらの混合物から選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
耐食性物質が、タンタル、ジルコニウム、白金、チタン、金、銀、ニッケル、ニオブ、モリブデン、タングステンおよびこれらの混合物から選択されるか；または、該耐食性物質が、タンタル、ジルコニウム、白金、チタン、金、銀、ニッケル、ニオブ、モリブデン、タングステンおよびこれらの混合物から選択される少なくとも１種の金属を含有する合金から選択されるか；または該耐食性物質が、セラミックもしくは金属−セラミック、耐火物質、グラファイト、もしくはガラスライニングされた物質から選択されるか；または該耐食性物質が、琺瑯スチールから選択されるか；または該耐食性物質が、ポリオレフィン、フッ素化ポリマー、硫黄および／もしくは芳香族化合物を含有するポリマー、エポキシレジン、フェノールレジン、ビニルエステルレジン、もしくはフランレジンから選択されるポリマーであるか；または該耐食性物質が、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、パーフルオロアルコキシ（ＰＦＡ）、もしくはポリ（テトラフルオロエチレン−ｃｏ−パーフルオロ（メチルビニルエーテル）から選択されるポリマーである、請求項２に記載の方法。
【請求項１２】
該耐食性物質を使用して、腐食から保護されることが必要な下流処理設備装置の実体を形成するか、または、該耐食性物質を、腐食から保護されることが必要な下流処理設備装置の表面のコーティングとして使用する、請求項２に記載の方法。
【請求項１３】
該耐食性物質が、設備とコーティングとの間に組み込まれたカーボン層を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項１４】
該反応ステップを塩化水素分圧１５ｐｓｉａ〜１０００ｐｓｉａで実施し；そして該反応ステップを温度２５℃〜３００℃で実施する、請求項６に記載の方法。
【請求項１５】
該反応ステップを実施するために使用する設備が少なくとも部分的に耐食性物質で形成もしくは被覆されているか；または該反応ステップを実施するために使用する設備が全体的に耐食性物質で形成もしくは被覆されている、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
少なくとも１種の多ヒドロキシル化脂肪族炭化水素および／またはそのエステルを少なくとも１種のクロロヒドリンおよび／またはそのエステルに変換する塩化水素化反応ゾーンの下流に位置する設備における腐食を低減させる方法であって、クロロヒドリンおよび／またはそのエステルを含有する反応ゾーンの流出物を温度１２０℃未満で維持する、方法。
【請求項１７】
水を実質的に反応ゾーンの流出物から除去する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
少なくとも１種の多ヒドロキシル化脂肪族炭化水素および／またはそのエステルを少なくとも１種のクロロヒドリンおよび／またはそのエステルに変換するための装置であって、少なくとも１つの反応ユニットであって、その中でクロロヒドリンおよび／またはそのエステルを生成する反応条件下で多ヒドロキシル化脂肪族炭化水素および／またはそのエステルを塩化水素と接触させる反応ユニットを含み、該反応ユニットは、少なくとも１つの下流処理ユニットに接続されており、該下流処理ユニットの中で反応ユニットの流出物が処理および／または貯蔵され、該下流処理ユニットにおいて使用する設備は、当該設備が流出物の総質量に対する総塩化水素濃度０．８質量％超である該流出物と接触する領域のみにおいて耐食性物質で形成または被覆されている、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月11日(2012.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザ機器（ＵＥ）が、基地局から伝送された信号を受信する方法であって、前記方法は、
前記基地局から、伝送アンテナの数についての情報を受信することと、
前記基地局が、行列を用いることによってプリコーディングを介して信号を伝送するという仮定に基づいて、信号を受信することと
を含み、前記基地局の伝送モードが、循環遅延ダイバーシティ（ＣＤＤ）方式に対するモードであり、かつ、伝送アンテナの数が２である場合に、前記行列は、ＷＤＵの形式で生成され得、前記ＷＤＵの形式において、恒等行列（Ｉ）に対応する第１の行列（Ｗ）、対角行列に対応する第２の行列（Ｄ）、および、ユニタリ行列に対応する第３の行列（Ｕ）が順次掛け算される、方法。
【請求項２】
伝送ランクが１より大きい場合に、前記ＣＤＤ方式に対するモードとして、前記基地局の伝送モードを決定することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
伝送アンテナの数が２、かつ、伝送ランクが２である場合に、前記第２の行列（Ｄ）は、２×２行列である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ＵＥは、前記ＣＤＤ方式に対するモードを用いる前記基地局が、第１の行列を
【数１５】
2011518458.tif 000001
として固定して使用すると仮定し、前記ユーザ機器は前記基地局にプリコーディング行列インデックス（ＰＭＩ）をフィードバックしない、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記基地局の前記伝送モードは、空間多重化モードおよび伝送ダイバーシティモードを含み、
前記空間多重化モードは、前記ＣＤＤ方式を用いるモードと、前記ＣＤＤ方式を用いないモードとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
基地局がユーザ機器（ＵＥ）に信号を伝送する方法であって、前記方法は、
行列を用いることによって伝送信号のプリコーディングを行うことであって、前記基地局の伝送モードが、循環遅延ダイバーシティ（ＣＤＤ）方式に対するモードであり、かつ、伝送アンテナの数が２である場合に、前記行列は、ＷＤＵの形式で生成され得、前記ＷＤＵの形式において、恒等行列（Ｉ）に対応する第１の行列（Ｗ）、対角行列に対応する第２の行列（Ｄ）、および、ユニタリ行列に対応する第３の行列（Ｕ）が順次掛け算される、ことと、
前記プリコーディングされた信号を資源要素にマッピングすることと、
前記マッピングされた信号を前記ＵＥに伝送することと
を含む、方法。
【請求項７】
伝送アンテナの数が２、かつ、伝送ランクが２である場合に、前記第２の行列は、２×２行列である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ＣＤＤ方式に対するモードを用いる前記基地局が、第１の行列を
【数１６】
2011518458.tif 000002
として固定して使用し、プリコーディング行列インデックスは、前記ユーザ機器から前記基地局にフィードバックされない、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
基地局から伝送された信号を受信するユーザ機器（ＵＥ）であって、前記ＵＥは、
前記基地局から、伝送アンテナの数についての情報を受信するように構成される受信機と、
前記基地局が、行列を用いることによってプリコーディングを介して信号を伝送するという仮定に基づいて、信号を受信するように前記受信機を制御するように構成されるプロセッサと
を含み、前記基地局の伝送モードが、循環遅延ダイバーシティ（ＣＤＤ）方式に対するモードであり、かつ、伝送アンテナの数が２である場合に、前記行列は、ＷＤＵの形式で生成され得、前記ＷＤＵの形式において、恒等行列（Ｉ）に対応する第１の行列（Ｗ）、対角行列に対応する第２の行列（Ｄ）、および、ユニタリ行列に対応する第３の行列（Ｕ）が順次掛け算される、ＵＥ。
【請求項１０】
前記プロセッサは、多重アンテナデコーダ、並列−直列変換器、デマッパおよびチャネルデコーダのうちの少なくとも１つを含む、請求項９に記載のＵＥ。
【請求項１１】
前記プロセッサは、伝送ランクが１より大きい場合に、前記ＣＤＤ方式に対するモードとして、前記基地局の伝送モードを決定するようにさらに構成される、請求項９に記載のＵＥ。
【請求項１２】
伝送アンテナの数が２、かつ、伝送ランクが２である場合に、前記第２の行列（Ｄ）は、２×２行列である、請求項９に記載のＵＥ。
【請求項１３】
前記プロセッサは、前記ＣＤＤ方式に対するモードを用いる前記基地局が、第１の行列を
【数１７】
2011518458.tif 000003
として固定して使用すると仮定し、前記ユーザ機器は前記基地局にプリコーディング行列インデックス（ＰＭＩ）をフィードバックしない、請求項９に記載のＵＥ。
【請求項１４】
前記基地局の前記伝送モードは、空間多重化モードおよび伝送ダイバーシティモードを含み、
前記空間多重化モードは、前記ＣＤＤ方式を用いるモードと、前記ＣＤＤ方式を用いないモードとを含む、請求項９に記載のＵＥ。
【請求項１５】
ユーザ機器（ＵＥ）に信号を伝送する基地局であって、前記基地局は、
行列を用いることによって伝送信号のプリコーディングを行うように構成されたプリコーダであって、前記基地局の伝送モードが、循環遅延ダイバーシティ（ＣＤＤ）方式に対するモードであり、かつ、伝送アンテナの数が２である場合に、前記行列は、ＷＤＵの形式で生成され得、前記ＷＤＵの形式において、恒等行列（Ｉ）に対応する第１の行列（Ｗ）、対角行列に対応する第２の行列（Ｄ）、および、ユニタリ行列に対応する第３の行列（Ｕ）が順次掛け算される、プリコーダと、
前記プリコーディングされた信号を資源要素にマッピングするように構成された資源要素マッパと、
資源マッピングされた信号を前記ＵＥに伝送するように構成された送信機と
を含む、基地局。
【請求項１６】
伝送アンテナの数が２、かつ、伝送ランクが２である場合に、前記第２の行列は、２×２行列である、請求項１５に記載の基地局。
【請求項１７】
前記ＣＤＤ方式に対するモードを用いる前記基地局が、第１の行列を
【数１８】
2011518458.tif 000004
として固定して使用し、プリコーディング行列インデックスは、前記ユーザ機器から前記基地局にフィードバックされない、請求項１５に記載の基地局。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月18日(2012.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クライアントデバイスを動作させ、商業サービスに関する広告情報を表示する方法であって、
（Ａ）無線アクセスポイントの信頼情報を入手するステップと、
（Ｂ）前記無線アクセスポイントからの制御伝達物の真正性を前記信頼情報に基づいて検証するステップであって、前記制御伝達物は前記クライアントデバイスが前記無線アクセスポイントへの接続を開くことを可能にするネットワーク特性と少なくとも１つの商業サービスのための広告とを含む、ステップと、
（Ｃ）前記検証するステップに少なくとも部分的に基づいて、前記制御伝達物に含まれる広告をユーザに向けて選択的に表示するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、前記検証するステップは少なくとも１つのメッセージを前記無線アクセスポイントに送信するステップを含む、方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法において、営利団体はモール又はショッピングセンターであり、前記信頼情報は前記モール及び／又は前記モール内の店舗のための１又は複数の信頼情報である、方法。
【請求項４】
請求項３記載の方法において、前記少なくとも１つのメッセージはこの方法を実行するデバイスのデバイス信頼情報を含み、前記検証するステップは、前記無線アクセスポイントからの前記少なくとも１つのメッセージに対する少なくとも１つの応答を受信するステップと、前記デバイス信頼情報を用いて前記少なくとも１つの応答を検査するステップと、を更に含む、方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法において、前記検証するステップは前記信頼情報を用いて前記制御伝達物の少なくとも一部を暗号化解除するステップを含む、方法。
【請求項６】
請求項１記載の方法において、前記信頼情報を入手するステップは、営利団体に関連するＮＦＣ（Near-Field Communication）を実現するデバイスから前記信頼情報を入手するステップを含む、方法。
【請求項７】
請求項１記載の方法において、前記信頼情報を入手するステップは、信頼情報のリポジトリとして機能するウェブサービスから前記信頼情報を入手するステップを含む、方法。
【請求項８】
請求項１記載の方法において、前記信頼情報を入手するステップは、ユーザが、前記信頼情報をディレクトリから入手した後に前記信頼情報を入力するステップを含む、方法。
【請求項９】
請求項１記載の方法において、前記信頼情報は前記無線アクセスポイントによって実現される公開鍵暗号化アルゴリズムの公開鍵である、方法。
【請求項１０】
請求項１記載の方法において、前記制御伝達物は前記制御伝達物の環境情報を含み、
この方法は、前記環境情報を検証するステップを更に含み、
前記広告を前記ユーザに選択的に表示するステップは、前記環境情報を検証するステップの結果に少なくとも部分的に基づく、方法。
【請求項１１】
請求項１記載の方法において、前記環境情報は、前記制御伝達物を送信する前記無線アクセスポイントの位置及び／又は前記制御伝達物が送信された時刻である、方法。
【請求項１２】
実行されると、エンティティと関連する無線アクセスポイントからの制御伝達物の真正性を確認する方法をコンピュータに実行させるコンピュータ実行可能命令がエンコードされている少なくとも１つのコンピュータ可読の記憶装置であって、前記方法は、
（Ａ）前記エンティティの信頼情報を入手するステップと、
（Ｂ）前記コンピュータが前記無線アクセスポイントに対して開いた接続を有していないときには、前記無線アクセスポイントから制御伝達物を受け取るステップと、
（Ｃ）前記信頼情報を用いて、前記無線アクセスポイントからの制御伝達物の前記真正性を検証するステップと、
（Ｄ）前記検証するステップに少なくとも部分的に基づいて、前記制御伝達物のコンテンツを選択的に用いるステップであって、前記制御伝達物のコンテンツは少なくとも１つの広告を含む、ステップと、
を含む、少なくとも１つのコンピュータ可読の記憶装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の少なくとも１つのコンピュータ可読の記憶装置において、前記信頼情報は、前記制御伝達物の少なくとも一部を暗号化するのに使用される公開鍵暗号化アルゴリズムの公開鍵である、少なくとも１つのコンピュータ可読の記憶装置。
【請求項１４】
請求項１２記載の少なくとも１つのコンピュータ可読の記憶装置において、前記制御伝達物のコンテンツは前記無線アクセスポイントのための位置データを更に含み、前記コンテンツを用いるステップは、クライアントデバイスの現在位置を判定するステップを含む、少なくとも１つのコンピュータ可読の記憶装置。
【請求項１５】
請求項１２記載の少なくとも１つのコンピュータ可読の記憶装置において、前記信頼情報を入手するステップは、前記エンティティと関連するキオスクから前記信頼情報を入手するステップを含む、少なくとも１つのコンピュータ可読の記憶装置。
【請求項１６】
請求項１２記載の少なくとも１つのコンピュータ可読の記憶装置において、前記制御伝達物は前記制御伝達物の環境情報を含み、
前記方法は、前記環境情報を検証するステップを更に含み、
前記コンテンツを選択的に用いるステップは、前記環境情報を検証するステップの結果に少なくとも部分的に基づく、少なくとも１つのコンピュータ可読の記憶装置。
【請求項１７】
無線ネットワークにおいて制御伝達物を送信する装置であって、
信頼情報と少なくとも１つの商業サービスのための少なくとも１つの広告とを格納する少なくとも１つのデータストアーと、
前記コンテンツとネットワーク特性とを含む制御伝達物を構成してクライアントデバイスが前記無線アクセスポイントへの接続を開くことを可能にするように構成され、また、前記信頼情報を用いて前記制御伝達物の少なくとも一部を暗号化するように構成されている少なくとも１つのプロセッサであって、前記制御伝達物のコンテンツは前記少なくとも１つの広告を含む、少なくとも１つのプロセッサと、
前記制御伝達物を送信する通信回路と、
を含む装置。
【請求項１８】
請求項１７記載の装置において、前記信頼情報は公開鍵暗号化アルゴリズムの秘密鍵である、装置。
【請求項１９】
請求項１７記載の装置において、前記通信回路は、クライアントデバイスから受信されたテスト制御メッセージに応答して前記少なくとも１つのプロセッサによって構成される応答テスト制御メッセージを送信するように構成され、前記テスト制御メッセージは少なくとも１つのナンスを含む、装置。
【請求項２０】
請求項１７記載の装置において、前記制御伝達物のコンテンツはこの装置の位置を記述する位置データを含む、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月13日(2012.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理領域を定めるチャンバと、
前記チャンバ内でその底部領域に設けられた基板支持部と、
前記基板支持部から隔てられ、前記基板支持部の上方に置かれた基板に対して放射を発生し透過させるように構成された少なくとも１つのエキシマランプと、
を備え、前記少なくとも１つのエキシマランプの各々が、
電極と、
前記電極の周囲にある、外壁および内壁を含む管状ボディであって、少なくとも１種の不活性ガスが前記外壁と前記内壁との間にある、管状ボディと、
前記管状ボディの前記外壁に隣接する反射鏡と、を備え、
前記反射鏡および前記電極が、硬化処理用のエキシマ光を点灯させるために、前記不活性ガスを励起させるように構成される、
絶縁性材料のエキシマ硬化処理のための装置。
【請求項２】
圧力が前記電極と前記管状ボディとの間の空間内に与えられ、前記電極および前記反射鏡が前記空間内のガスを励起させないようにする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記管状ボディが前記電極の周囲にあり、前記電極が前記チャンバ内で露出されないようにする、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記反射鏡が前記外壁の周囲で実質的に半円柱状になっている、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記管状ボディが前記内壁および前記外壁に接触する隔壁を備え、前記管状ボディが第１の端部および第２の端部を有し、前記隔壁が前記第１の端部に隣接する第１の区域を前記第２の端部に隣接する第２の区域から隔てる、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記隔壁が前記チャンバのチャンバ壁に実質的に隣接する、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記管状ボディが前記チャンバのチャンバ壁に隣接する端部を有する絶縁性材料領域を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記管状ボディが、前記チャンバのチャンバ壁中へ延びる第１の端部および前記チャンバ内で延びる第２の端部を有し、前記内壁が前記第２の端部に隣接する領域において前記外壁から隔てられる、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記管状ボディが、前記チャンバのチャンバ壁中へ延びる第１の端部および前記チャンバ内で延びる第２の端部を有し、前記第２の端部が前記チャンバの第２の側壁から隔てられる、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記管状ボディが、前記チャンバの第１のチャンバ壁中へ延びる第１の端部および前記チャンバの第２のチャンバ壁内で延びる第２の端部を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記少なくとも１つのエキシマランプが第１のエキシマランプおよび第２のエキシマランプを含み、前記第１のエキシマランプが、前記チャンバの第１の側壁において固定され、前記チャンバの中心に向けて延び、前記第２のエキシマランプが、前記チャンバの前記第１の側壁に対向する前記チャンバの第２の側壁において固定され、前記チャンバの中心に向けて延びる、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記少なくとも１つのエキシマランプが第１のエキシマランプおよび第２のエキシマランプを含み、前記第１のエキシマランプおよび前記第２のエキシマランプが前記チャンバの側壁を貫通して実質的に平行に設けられる、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記第１のエキシマランプおよび前記第２のエキシマランプが前記チャンバの中心近くに設けられる、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
基板上方の絶縁性材料をエキシマ硬化させるための方法であって、前記基板がチャンバ壁を有するチャンバ内に設置され、エキシマランプが前記チャンバ内に配置されており、
エキシマ光を点灯させて前記絶縁性材料を硬化させるように、前記エキシマランプ内の不活性ガスを励起させるために、前記チャンバ壁と前記エキシマランプとの間に電圧降下を適用する工程、
を備える方法。
【請求項１５】
前記エキシマ光を発生させて前記絶縁性材料を硬化させるように、前記不活性ガスを励起させるために、前記チャンバ内で前記エキシマランプに隣接して設けられた反射鏡を実質的に接地する工程、をさらに備える、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月30日(2012.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複合発熱体であって、該複合発熱体は発熱体を備え、
該発熱体は、
第一表面と第二表面を有するフラットシートを備え、前記第一表面および前記第二表面のそれぞれは断熱材により定義され、
前記発熱体は更に、
第一導体と第二導体を備え、前記第一導体と前記第二導体全体にわたる電圧を接続し、
前記発熱体は更に、
前記第一導体と前記第二導体の間に延伸する導電体を備え、
該導電体は、
前記第一表面と前記第二表面の間に位置することにより、電圧が実質的にシート全体にわたって熱を発生させる導電体を介して電流を起こし、
前記複合発熱体は更に、
前記発熱体に積層された基礎層を備え、該基礎層は前記発熱体を定義する前記フラットシートと前記第一表面に付着される導体箔のシートと箔上の電気絶縁プラスチック材料製の被覆層を備えることを特徴とする、複合発熱体。
【請求項２】
前記発熱体は、
前記第一表面を定義する第一可撓性電気絶縁プラスチック層と前記第二表面を定義する第二可撓性電気絶縁プラスチック層を備え、
前記層は、上積みされる関係で接続されることで内面と外表面と上積みされる側端部と共に細長いシートを形成し、
前記第一導体と前記第二導体は、二つの連続した電極のうち各一つを備え、該二つの連続した電極は側端部の各一つに沿った前記層の間の要素に沿って延伸し、前記第一導体と前記第二導体は全体に電圧を供給するよう接続するために配設され、
前記導電体は、電極に対し直角に適応される一列の導体ストリップを定義し、前記導電体は電極に接触し、それにより電極に電気発熱回路を平行に配設することで、前記電圧が前記ストリップ内に発熱電流を発生させることを特徴とする、請求項１記載の発熱体。      
【請求項３】
防火のため前記発熱体の前記第二表面に付着する導体箔の第二シートを提供することを特徴とする、請求項１または２に記載の発熱体。
【請求項４】
抗破壊膜を含む前記発熱体の片側上に強化層を提供することを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の発熱体。
【請求項５】
前記抗破壊膜が弾性エラストマー層を含むことを特徴とする、請求項４記載の発熱体。
【請求項６】
前記抗破壊膜がその表面に加圧のみで接着する接着表面を定義することを特徴とする、請求項４または５記載の発熱体。
【請求項７】
前記抗破壊膜が半透明であることを特徴とする、請求項４乃至６のいずれか一つに記載の発熱体。
【請求項８】
前記発熱体は、
前記第一表面を定義する第一可撓性電気絶縁プラスチック層と前記第二表面を定義する第二可撓性電気絶縁プラスチック層を備え、
前記層は上積みされる関係で接続されることで内面と外表面と上積みされる側端部と共に細長いシートを形成し、
前記第一導体と前記第二導体は二つの連続した電極のうち各一つを備え、該二つの連続した電極は側端部の各一つに沿った前記層の間の要素に沿って延伸し、前記第一導体と前記第二導体は全体に電圧を供給するよう接続するために配設され、
前記発熱体は更に、
前記第一導体上の電気絶縁材料製の第一ストリップを備え、前記第一導体は間に第一スロットを定義することで第一端末の電気接点の第一スロットへの挿入を可能にし、
前記発熱体は更に、
前記第二導体上の電気絶縁材料製の第二ストリップを備え、前記第二導体は間に第二スロットを定義することで第二端末の電気接点の第二スロットへの挿入を可能にすることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか一つに記載の発熱体。
【請求項９】
前記ストリップと前記導体の間に接着剤がないことを特徴とする、請求項８記載の発熱体。
【請求項１０】
前記接点が絶縁材料製の層を介してかみ合い、前記導体に係合する留め具の一つの顎であることを特徴とする、請求項８または９記載の発熱体。
【請求項１１】
基礎層への接続のための端末の電気接点を受ける位置を提供するため、前記第一ストリップが前記第二ストリップよりも幅が広いことを特徴とする、請求項８９、または、１０記載の発熱体。
【請求項１２】
前記接点が前記絶縁材料製の層を介してかみ合い、前記基礎層に係合する留め具の一つの顎であることを特徴とする、請求項８乃至１１のいずれか一つに記載の発熱体。
【請求項１３】
前記発熱体の第一側面上の最外層を定義する繊維強化材料製の強化層を含み、該繊維強化材料がタイル接着剤層に係合する繊維接着層を定義することを特徴とする、請求項１乃至１２のいずれか一つに記載の発熱体。
【請求項１４】
金属箔層およびプラスチック材料製の被覆層が、前記発熱体を形成する前記シート上に共通の積層板として適応されるあらかじめ形成された積層板であり、
前記あらかじめ形成された積層板が各側面の接着剤層を支えるプラスチックシートで形成される積層により、前記発熱体に積層され、
前記箔の厚さが0.001インチ未満であることを特徴とする、請求項１乃至１３のいずれか一つに記載の発熱体。
【請求項１５】
タイル張りの床であって、
該タイル張りの床は、
下地床と、
下地床上に適応されるタイルの層と、
以下を含む発熱体を備え、
該発熱体は、
各々が絶縁材料によって定義される第一表面と第二表面を有するフラットシートと、
電圧の全体にわたる接続のための第一導体および第二導体と、および、
前記第一導体と前記第二導体の間に延伸する導電体を備え、
該導電体は、前記第一表面と前記第二表面の間に位置することにより、電圧が実質的にシート全体にわたって熱を発生させる導電体を介して電流を起こし、
該タイル張りの床は、
抗破壊膜を含む前記発熱体の第一側面上の強化層と、
前記発熱体の前記第二側面上に最外層を定義する繊維強化材料製の強化層を備え、
該繊維強化材料はタイル接着剤層へ係合するための繊維接着層を定義し、
繊維強化材料製の前記強化層が前記発熱体の上部にあり、タイル接着剤によりタイルの層に固定され、および、
前記抗破壊膜が前記発熱体の底面にあり、前記下地床に固定されることを特徴とする、タイル張りの床。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月16日(2012.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン形成された拡散層を有するソーラーセルを提供する方法であって、
ａ．半導体ウエハを提供するステップと、
ｂ．前記半導体ウエハ内に溝を提供するステップと、
ｃ．前記溝内にドーパント液を散布するステップと、
ｄ．ドーパントを前記ウエハ内に拡散させる所定時間、前記ウエハを高温条件下で加熱するステップと、
ｅ．液体を含有するメタライゼーション物質を前記溝内に散布するステップと、を含んでおり、
メタライゼーション位置でパターン形成された拡散層を作成することを特徴とする方法。
【請求項２】
パターン形成された拡散層を有するソーラーセルを提供する方法であって、
ａ．半導体ウエハを提供するステップと、
ｂ．前記半導体ウエハ内に溝を提供するステップと、
ｃ．前記溝内には提供せずに、前記ウエハの非溝領域内に拡散抑制物質を提供するステップと、
ｄ．前記ウエハの表面全体にドーパントを提供するステップと、
ｅ．前記ドーパントを前記ウエハ内に拡散させる所定時間、前記ウエハを高温条件下で加熱するステップと、
ｆ．液体を含有するメタライゼーション物質を前記溝内に散布するステップと、を含んでおり、
メタライゼーション位置でパターン形成された拡散層を作成することを特徴とする方法。
【請求項３】
パターン形成された拡散層を有するソーラーセルを提供する方法であって、
ａ．半導体ウエハを提供するステップと、
ｂ．前記半導体ウエハ内に溝を提供するステップと、
ｃ．前記溝内にドーパント液を散布するステップと、
ｄ．前記溝を含む前記ウエハの表面全体に亘って拡散抑制物質を提供するステップと、
ｅ．高温で前記ドーパントを前記ウエハ内に拡散させるステップと、
ｆ．液体を含有するメタライゼーション物質を前記溝内に散布するステップと、を含んでおり、
メタライゼーション位置でパターン形成された拡散層を作成することを特徴とする方法。
【請求項４】
パターン形成された拡散層を有するソーラーセルを提供する方法であって、
ａ．半導体ウエハを提供するステップと、
ｂ．平坦な表面のウエハと比較してウエハの光トラップ特性を強化するように構成された凹状テクスチャ領域を前記半導体ウエハに提供するステップと、
ｃ．前記半導体ウエハ内にメタライゼーションのための溝を提供するステップと、
ｄ．前記凹状テクスチャ領域において、前記メタライゼーションのための溝と交差する、深いエミッタグリッド線のための溝を前記ウエハ内に提供するステップと、
ｅ．前記深いエミッタグリッド線のための溝にドーパントを提供するステップと、
ｆ．前記ドーパントを前記ウエハ内に拡散させる所定時間、前記ウエハを高温で加熱するステップと、
ｇ．液体を含有するメタライゼーション物質を前記メタライゼーションのための溝内に散布するステップと、を含んでおり、
メタライゼーション位置でパターン形成された拡散層を作成することを特徴とする方法。
【請求項５】
ａ．ドーピング種を有するシリコンベースウエハと、
ｂ．約６０ミクロン未満の幅及び約３ミクロンを超える深さを有する、メタライゼーションのための溝と、
ｃ．前記ウエハの表面に亘って、前記各溝の両側部に約１５ミクロンを超えて延び出ることがない、前記溝内のメタライゼーションと、
ｄ．前記メタライゼーション溝でない領域において前記ウエハ表面に存在するドーパントよりも深いメタライゼーション下のドーパントと、
ｅ．前記メタライゼーション及び前記より深くドープされたシリコンの間の接合面での半連続ガラス層と、を備えることを特徴とするソーラーセル。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月14日(2011.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光活性成分としてＩＶ−ＶＩ族の半導体ナノ結晶を備える光起電力セルであって、前記ナノ結晶が、
（ｉ）それぞれが、選択されたバンドギャップエネルギーを有する第１のＩＶ−ＶＩ族の半導体材料のコアおよび第２のＩＶ−ＶＩ族の半導体材料から構成されるコアを被覆するシェルを備えるコア−シェル半導体ナノ結晶、あるいは、
（ｉｉ）それぞれが、選択されたバンドギャップエネルギーを有する第１のＩＶ−ＶＩ族の半導体材料のコアおよび前記第１のＩＶ−ＶＩ族の半導体材料と第２のＩＶ−ＶＩ族の半導体材料との合金から構成されるコアを被覆する合金シェルを備えるコア−合金シェル半導体ナノ結晶、
のいずれかであり、
前記コアが、ＡＢの構造を有し、前記コアを被覆するシェルが、存在する場合には、ＡＣの構造を有し、前記コアを被覆する合金シェルが、存在する場合には、ＡＢｘＣ１−ｘ構造の合金から構成され、式中、ＡはＰｂであり、ＢはＳｅまたはＴｅであり、ＣはＳであり、ｘはＢのモル分率であり、１−ｘはＣのモル分率であり、ｘは式中ｘ＜１およびｘ＞０の範囲内で段階的に変化する、光起電力セル。
【請求項２】
前記ナノ結晶が、コア−シェル半導体ナノ結晶である、請求項１に記載される光起電力セル。
【請求項３】
前記ナノ結晶が、コア−合金シェル半導体ナノ結晶である、請求項１に記載される光起電力セル。
【請求項４】
前記ナノ結晶が、回転楕円体またはロッドの形態にある、請求項１に記載される光起電力セル。
【請求項５】
前記コア半導体材料の前記バンドギャップエネルギーが、赤外範囲内にある、請求項１に記載される光起電力セル。
【請求項６】
前記コア半導体材料が、ＰｂＳｅまたはＰｂＴｅであり、前記コアを被覆するシェルが、存在する場合には、ＰｂＳから製造され、前記コアを被覆する合金シェルが、存在する場合には、ＰｂＳｅｘＳ１−ｘ構造またはＰｂＴｅｘＳ１−ｘ構造をそれぞれ有し、式中、ｘはＳｅまたはＴｅそれぞれのモル分率であり、１−ｘはＳのモル分率であり、ｘは式中ｘ＜１およびｘ＞０の範囲内で段階的に変化する、請求項５に記載される光起電力セル。
【請求項７】
（ｉ）前記ナノ結晶が、コア−シェル半導体ナノ結晶であり、前記コア半導体材料が、ＰｂＳｅであり、前記コアを被覆するシェルが、ＰｂＳから製造される、あるいは、（ｉｉ）前記ナノ結晶が、コア−合金シェル半導体ナノ結晶であって、前記コア半導体材料がＰｂＳｅであり、前記コアを被覆する合金シェルが、ＰｂＳｅｘＳ１−ｘ構造を有し、式中、ｘはＳｅのモル分率であり、１−ｘはＳのモル分率であり、ｘはｘ＜１およびｘ＞０の範囲内で段階的に変化する、請求項６に記載される光起電力セル。
【請求項８】
前記ナノ結晶のそれぞれ１つが、コア−合金シェル半導体ナノ結晶であり、前記合金シェルが、結晶学的な格子間隔の段階的な変化および／または誘電率の段階的な変化を示す、請求項１に記載される光起電力セル。
【請求項９】
前記ＩＶ−ＶＩ族の半導体ナノ結晶が、（ｉ）８００〜３５００ｎｍのスペクトル範囲内の調整可能な単一の励起子吸収、（ｉｉ）多重担体生成につながる紫外および可視スペクトル領域内で励起され、これにより、広いスペクトル範囲を網羅する吸収過程を可能にする衝撃イオン化過程、または、（ｉｉｉ）効率的な内部電荷担体分離を有する、請求項１に記載される光起電力セル。
【請求項１０】
（ｉ）前記ナノ結晶が、約２ｎｍ乃至約５０ｎｍの範囲内、好ましくは約２ｎｍから約２０ｎｍまでのサイズを有し、（ｉｉ）前記ナノ結晶の直径が、５％未満の平均二乗偏差（ＲＭＳＤ）を示し、あるいは、（ｉｉｉ）前記ナノ結晶が、２０％より大きく、好ましくは４０％より大きく、より好ましくは６０％より大きく、最も好ましくは約８０％の量子収量を有する光ルミネセンスを示す、請求項１に記載される光起電力セル。
【請求項１１】
前記ナノ結晶が、
（ｉ）、収集電極間に挟まれ、かつ、ｐ−ｉ−ｎ構造における分離層として作用する単一の層の薄膜であって、前記ナノ結晶のそれぞれ１つにおける効率的な内部電荷分離により、電荷担体の関連する収集電極への移動が可能となる、単一の層の薄膜、
（ｉｉ）ナノ結晶の第２の層、または、ドナー−アクセプタ対の電荷輸送を容易にする千鳥状のエネルギーバンドアライメントを有する導電性ポリマー薄膜のいずれかと共役してナノ結晶の層を備える二層ヘテロ−接合であって、収集電極間に挟まれる、二層ヘテロ−接合、
（ｉｉｉ）ドナー−アクセプタ（Ｄ−Ａ）対の電荷輸送を容易にする千鳥状のエネルギーバンドアライメントを有するナノ結晶−導電性ポリマーブレンドの単一の層であって、収集電極間に挟まれ、かつ、超過電荷分離および関連する収集電極への電荷担体拡散を可能にする、単一の層、または、
（ｉｖ）ＴｉＯ２粒子薄膜上に堆積されて光増感剤として作用し、ＴｉＯ２薄膜中にそれらの電子を注入するナノ結晶の単一の層、
として集積される、請求項１から１０のいずれか１項に記載される光起電力セル。
【請求項１２】
前記導電性ポリマーが、ポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチル−ヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］（ＭＥＨ−ＰＰＶ）またはポリ−３−ヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ）である、請求項１１に記載される光起電力セル。
【請求項１３】
光起電力セルと、蛍光集光器として作用し、広いスペクトル範囲の太陽放射を回収し、光活性成分としてＩＶ−ＶＩ族の半導体ナノ結晶を備え、ブラッグ反射器の対の間に単一の層として集積されるフォトニック構造と、を備える光起電力デバイスであって、前記ナノ結晶が、
（ｉ）それぞれが、選択されたバンドギャップエネルギーを有するＩＶ−ＶＩ族の半導体材料のコアおよび第２のＩＶ−ＶＩ族の半導体材料のコアを被覆するシェルを備えるコア−シェル半導体ナノ結晶、あるいは、
（ｉｉ）それぞれが、選択されたバンドギャップエネルギーを有するＩＶ−ＶＩ族の半導体材料のコアおよび前記ＩＶ−ＶＩ族の半導体材料と第２のＩＶ−ＶＩ族の半導体材料との合金から構成されるコアを被覆するシェル
のいずれかであり、
前記ナノ結晶が、それらのバンドエッジエネルギーで光子を射出し、前記光子が、フォトニック空洞内で内側に反射し、次いで、前記光起電力セルの成分である光活性材料の吸収端に調整された高められた強度で、前記フォトニック空洞から射出される、光起電力デバイス。
【請求項１４】
前記ナノ結晶が、コア−シェル半導体ナノ結晶である、請求項１３に記載される光起電力デバイス。
【請求項１５】
前記ナノ結晶が、コア−合金シェル半導体ナノ結晶である、請求項１３に記載される光起電力デバイス。
【請求項１６】
前記ナノ結晶が、回転楕円体またはロッドの形態にある、請求項１３に記載される光起電力デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月24日(2011.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
裏面コンタクト太陽電池を製造する方法であって、
前記裏面コンタクト太陽電池の正面側のシリコン基板の表面にテクスチャ加工を施してテクスチャ加工された正面側の表面を生成する工程と、
前記テクスチャ加工された正面側の表面の上に、二酸化シリコンを含むパッシベーションレベルを形成する工程と、
前記パッシベーションレベルの上に高ｋシリコン窒化物層を形成する工程と、
前記高ｋシリコン窒化物層の上に低ｋシリコン窒化物層を形成する工程とを備え、
前記裏面コンタクト太陽電池は前記正面とは反対の裏面上に、複数の拡散領域と、前記複数の拡散領域に電気的に連結された複数の金属コンタクトとを含み、前記正面は通常動作において太陽側を向き、太陽放射を収集し、
前記高ｋシリコン窒化物層は、前記正面から前記シリコン基板へ入射するＵＶ放射の少なくとも１０％を遮光する方法。
【請求項２】
前記高ｋシリコン窒化物層は、４００ｎｍ以下の波長の光に対して少なくとも０．０３の消衰係数を有し、前記低ｋシリコン窒化物層は、４００ｎｍ以上の波長の光に対して多くとも０．０３の消衰係数を有する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記シリコン基板は、Ｎ型シリコン基板を含む請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記パッシベーションレベルは、熱成長した二酸化シリコンを含む請求項１から３の何れか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記高ｋシリコン窒化物は、１ｎｍから１００ｎｍの範囲の厚みを有する請求項１から４の何れか１項に記載の方法。
【請求項６】
裏面コンタクト太陽電池であって、
前記裏面コンタクト太陽電池の正面側のシリコン基板上のテクスチャ加工された表面と、
前記テクスチャ加工された表面上に形成されたパッシベーションレベルと、
前記パッシベーションレベル上に形成された高光吸収層と、
前記高光吸収層上に形成された低光吸収層とを備え、
前記正面は通常動作において太陽側を向き、太陽放射を収集し、
前記高光吸収層は、前記正面から前記シリコン基板へ入射するＵＶ放射の少なくとも１０％を遮光する裏面コンタクト太陽電池。
【請求項７】
前記高光吸収層は、４００ｎｍ以下の波長の光に対して少なくとも０．０３の消衰係数を有し、前記低光吸収層は、４００ｎｍ以上の波長の光に対して多くとも０．０３の消衰係数を有する請求項６に記載の裏面コンタクト太陽電池。
【請求項８】
前記高光吸収層は、４００ｎｍ以下の波長の光に対して少なくとも０．０３の消衰係数を有する高ｋシリコン窒化物を有する請求項６または７に記載の裏面コンタクト太陽電池。
【請求項９】
前記高光吸収層は、１ｎｍから１００ｎｍの範囲の厚みに形成された高ｋシリコン窒化物を有する請求項６から８の何れか１項に記載の裏面コンタクト太陽電池。
【請求項１０】
裏面コンタクト太陽電池を製造する方法であって、
前記裏面コンタクト太陽電池の太陽電池基板の正面側の表面にテクスチャ加工を施してテクスチャ加工された正面側の表面を生成する工程と、
前記テクスチャ加工された正面側の表面の上に、パッシベーションレベルを形成する工程と、
前記パッシベーションレベルの上に高光吸収層を形成する工程と、
前記高光吸収層の上に低光吸収層を形成する工程とを備え、
前記正面は通常動作において太陽側を向き、太陽放射を収集し、
前記高光吸収層は、前記正面から前記基板へ入射するＵＶ放射の少なくとも１０％を遮光する方法。
【請求項１１】
前記基板はＮ型シリコンを含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記高光吸収層は、１ｎｍから１００ｎｍの範囲の厚みに形成された高ｋシリコン窒化物を有する請求項１０または１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月5日(2012.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単一ユーザ多重入力多重出力（ＳＵ−ＭＩＭＯ）モードとマルチユーザＭＩＭＯ（ＭＵ−ＭＩＭＯ）モードとをサポートする基地局におけるモード適応方法であって、
前記方法は、
ＭＩＭＯフィードバックモードを示すフィードバックモード指示を移動局に転送することと、
前記フィードバックモード指示にしたがって決定されたフィードバック情報を前記移動局から受信することと、
前記フィードバック情報に基づいてＭＩＭＯモードを決定することと
を含み、
前記フィードバックモード指示は、時間及び周波数リソースに割り当てられた移動局の数を示す情報を含む、モード適応方法。
【請求項２】
前記フィードバックモード指示は、前記移動局が、前記ＳＵ−ＭＩＭＯモードのフィードバック情報を転送するかまたは前記ＭＵ−ＭＩＭＯモードのフィードバック情報を転送するかを示す情報をさらに含む、請求項１に記載のモード適応方法。
【請求項３】
前記フィードバック情報は、ＣＱＩ、ＰＭＩ及びランクのうちの少なくとも一つを含む、請求項２に記載のモード適応方法。
【請求項４】
前記フィードバック情報を用いて前記移動局に対するＭＣＳレベルを選択することをさらに含む、請求項３に記載のモード適応方法。
【請求項５】
前記移動局の好ましいＭＩＭＯフィードバックモードを示す情報を前記移動局から受信することをさらに含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載のモード適応方法。
【請求項６】
前記決定されたＭＩＭＯモードを示す情報を前記移動局に転送することをさらに含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載のモード適応方法。
【請求項７】
単一ユーザ多重入力多重出力（ＳＵ−ＭＩＭＯ）モードとマルチユーザＭＩＭＯ（ＭＵ−ＭＩＭＯ）モードとをサポートする移動局におけるモード適応方法であって、
前記方法は、
ＭＩＭＯフィードバックモードを示すフォードバックモード指示を基地局から受信することと、
前記フィードバックモード指示にしたがって決定されたフィードバック情報を前記基地局に転送することであって、前記フィードバックモード指示は、時間及び周波数リソースに割り当てられた移動局の数を示す情報を含む、モード適応方法。
【請求項８】
前記フィードバックモード指示は、前記移動局が、前記ＳＵ−ＭＩＭＯモードのフィードバック情報を転送するかまたは前記ＭＵ−ＭＩＭＯモードのフィードバック情報を転送するかを示す情報をさらに含む、請求項７に記載のモード適応方法。
【請求項９】
前記フィードバック情報は、ＣＱＩ、ＰＭＩ及びランクのうちの少なくとも一つを含む、請求項８に記載のモード適応方法。
【請求項１０】
前記移動局の好ましいＭＩＭＯフィードバックモードを示す情報を前記基地局に転送することをさらに含む、請求項７〜９のいずれか１項に記載のモード適応方法。
【請求項１１】
前記基地局によって決定されたＭＩＭＯモードを示す情報を前記基地局から受信することをさらに含む、請求項７〜９のいずれか１項に記載のモード適応方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
前記フィードバック情報は、ＣＱＩ、ＰＭＩ及びランクのうち少なくとも一つを含むことができる。
例えば、本発明は以下の項目を提供する。
（項目１）
単一ユーザＭＩＭＯ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｕｓｅｒ  ＭＩＭＯ；ＳＵ−ＭＩＭＯ）モードとマルチユーザＭＩＭＯ（Ｍｕｌｔｉ  Ｕｓｅｒ  ＭＩＭＯ；ＭＵ−ＭＩＭＯ  ）モード間のモードスイッチングを行うモード適応方法であって、
基地局が端末にＭＩＭＯフィードバックモードを報告し、
上記端末から上記ＭＩＭＯフィードバックモードに基づいて決定されたフィードバック情報を受信し、
上記フィードバック情報に基づいてＭＩＭＯフィードバックモードを決定すること、
を含み、
上記ＭＩＭＯフィードバックモードは、ＳＵ−ＭＩＭＯなのか或いはＭＵ−ＭＩＭＯなのか、及び一度に転送される端末の個数を表す、モード適応方法。
（項目２）
上記ＭＩＭＯフィードバックモードは、ＳＵ−ＭＩＭＯモードと、２個の端末を支援するＭＵ−ＭＩＭＯモード２と、３個の端末を支援するＭＵ−ＭＩＭＯモード３と、４個の端末を支援するＭＵ−ＭＩＭＯモード４のうちの一つである、項目１に記載のモード適応方法。
（項目３）
上記フィードバック情報は、ＣＱＩ、ＰＭＩ及びランクのうち少なくとも一つを含む、項目２に記載のモード適応方法。
（項目４）
単一ユーザＭＩＭＯ（ＳＵ−ＭＩＭＯ）モードとマルチユーザＭＩＭＯ（ＭＵ−ＭＩＭＯ）モード間のモードスイッチングを行うモード適応方法であって、
端末が基地局からＭＩＭＯフィードバックモードを受信し、
上記ＭＩＭＯフィードバックモードに基づいて決定されたフィードバック情報を上記基地局に転送し、
上記基地局から上記フィードバック情報に基づいて決定されたＭＩＭＯフィードバックモードを受信すること、
を含み、
上記ＭＩＭＯフィードバックモードは、ＳＵ−ＭＩＭＯなのか或いはＭＵ−ＭＩＭＯなのか、及び一度に転送される端末の個数を表す、モード適応方法。
（項目５）
上記ＭＩＭＯフィードバックモードは、ＳＵ−ＭＩＭＯモードと、２個の端末を支援するＭＵ−ＭＩＭＯモード２と、３個の端末を支援するＭＵ−ＭＩＭＯモード３と、４個の端末を支援するＭＵ−ＭＩＭＯモード４のうちの一つである、項目４に記載のモード適応方法。
（項目６）
上記フィードバック情報は、ＣＱＩ、ＰＭＩ及びランクのうち少なくとも一つを含む、項目５に記載のモード適応方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月10日(2011.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
拡張アップリンクを用いるUTRAN (Universal Mobile Telecommunications System Terrestrial Radio Access Network)の、ユーザ端末におけるアップリンク再送信方法であって、
初期送信において、第１の数の物理制御チャネルと第２の数の物理データチャネルを有するサブフレームを送信するステップ(400)と、
総回数Ｍのうち第３の回数Ｎ（Ｎ＜Ｍ）、前記サブフレームを再送信するステップ(401)と、前記サブフレームを、残りのＭ−Ｎ回、再送信するステップ(402)とを有し、
前記第１の数の物理制御チャネルの少なくとも１つが、前記初期送信における対応する物理制御チャネルの送信電力レベルよりも低い送信電力レベルを有し、前記第２の数の物理データチャネルの少なくとも１つが、前記初期送信における対応する物理データチャネルの送信電力レベルよりも高い送信電力レベルを有することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記Ｎ回の再送信における前記第１の数の物理制御チャネルの前記少なくとも１つが、前記初期送信における対応する物理制御チャネルの送信電力レベルよりも高い送信電力レベルを有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記低い送信電力レベルを有する物理制御チャネルの１つが、拡張個別チャネル用の個別物理制御チャネルであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記低い送信電力レベルを有する物理制御チャネルの１つが、個別物理制御チャネルであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
拡張アップリンクを用いるUTRAN (Universal Mobile Telecommunications System Terrestrial Radio Access Network)の、ノードＢにおけるアップリンク再送信方法であって、
ユーザ端末から受信される初期送信において、第１の数の物理制御チャネルと第２の数の物理データチャネルを有するサブフレームを受信するステップ(403)と、
前記ユーザ端末から受信された、総回数Ｍのうちの第３の回数Ｎ（Ｎ＜Ｍ）の再送信において、前記サブフレームを受信するステップ(404)と、
前記サブフレームを、残りのＭ−Ｎ回の再送信において前記ユーザ端末から受信するステップ(405)とを有し、
前記第１の数の物理制御チャネルの少なくとも１つが、前記初期送信における対応する物理制御チャネルの送信電力レベルよりも低い送信電力レベルを有し、前記第２の数の物理データチャネルの少なくとも１つが、前記初期送信における対応する物理データチャネルの送信電力レベルよりも高い送信電力レベルを有することを特徴とする方法。
【請求項６】
前記Ｎ回の再送信における前記第１の数の物理制御チャネルの前記少なくとも１つが、前記初期送信における対応する物理制御チャネルの送信電力レベルよりも高い送信電力レベルを有することを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記低い送信電力レベルを有する物理制御チャネルの１つが、拡張個別チャネル用の個別物理制御チャネルであることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記低い送信電力レベルを有する物理制御チャネルの１つが、個別物理制御チャネルであることを特徴とする請求項５乃至請求項７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
拡張アップリンクを用いるUTRAN (Universal Mobile Telecommunications System Terrestrial Radio Access Network)の、ユーザ端末(150)であって、
初期送信において、第１の数の物理制御チャネルと第２の数の物理データチャネルを有するサブフレームを送信する手段(501)と、
総回数Ｍのうち第３の回数Ｎ（Ｎ＜Ｍ）、前記サブフレームを再送信する手段(502)と、
前記サブフレームを、残りのＭ−Ｎ回、再送信する手段(502)とを有し、
前記第１の数の物理制御チャネルの少なくとも１つが、前記初期送信における対応する物理制御チャネルの送信電力レベルよりも低い送信電力レベルを有し、前記第２の数の物理データチャネルの少なくとも１つが、前記初期送信における対応する物理データチャネルの送信電力レベルよりも高い送信電力レベルを有することを特徴とするユーザ端末。
【請求項１０】
拡張アップリンクを用いるUTRAN (Universal Mobile Telecommunications System Terrestrial Radio Access Network)の、ノードＢ(130)であって、
ユーザ端末から受信される初期送信において、第１の数の物理制御チャネルと第２の数の物理データチャネルを有するサブフレームを受信する手段(503)と、
前記ユーザ端末から受信された、総回数Ｍのうちの第３の回数Ｎ（Ｎ＜Ｍ）の再送信において、前記サブフレームを受信する手段(503)と、
前記サブフレームを、前記ユーザ端末から受信された残りのＭ−Ｎ回の再送信において受信する手段(503)とを有し、
前記第１の数の物理制御チャネルの少なくとも１つが、前記初期送信における対応する物理制御チャネルの送信電力レベルよりも低い送信電力レベルを有し、前記第２の数の物理データチャネルの少なくとも１つが、前記初期送信における対応する物理データチャネルの送信電力レベルよりも高い送信電力レベルを有することを特徴とするノードＢ。