(57)【要約】【課題】有機ＥＬ素子の製造に際し、蒸着マスクのクリーニングを効率的に、かつ変形させることなく行う。【解決手段】有機ＥＬ素子の蒸着を行う成膜室中において、蒸着マスクを集束エネルギビームにより走査し、局所的な加熱を行うことにより、蒸着マスク上に堆積した堆積物を昇華・除去する。【選択図】　　　　　図４
2004103512.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜室中において蒸着マスクを使って有機材料を蒸着する工程を含む有機ＥＬ素子の製造方法において、
前記蒸着マスク表面を集束エネルギビームにより局所的に加熱し、前記蒸着マスク上に堆積した堆積物を昇華させる工程を含み、
前記昇華工程は、前記集束エネルギビームにより前記蒸着マスク表面を走査する工程を含むことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項２】
前記昇華工程は、前記成膜室中において実行されることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項３】
前記走査工程は、前記蒸着マスク表面の像を取得する工程と、前記取得された像に基づいて、前記蒸着マスクのうち、堆積物が堆積している部分を照準して前記エネルギビームを照射する工程とを含むことを特徴とする請求項１または２記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項４】
前記集束エネルギビームはレーザビームであることを特徴とする請求項１〜３のうち、いずれか一項記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項５】
排気系より排気される成膜室と、
前記成膜室中に設けられた、被処理基板を保持する基板保持台と、
前記成膜室中、前記基板保持台上に保持された被処理基板に対向するように設けられた蒸発源と、
前記蒸発源と前記被処理基板との間に設けられた蒸着マスクと、
前記成膜室の外部に設けられレーザビームを形成するレーザ光源と、
前記成膜室の一部に形成され、前記レーザビームを成膜室内部に導入する光学窓と、
前記レーザ光源により形成されたレーザビームを前記蒸着マスクに導く光学系と、
前記蒸着マスクの表面を撮像する撮像素子とを備えたことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は一般に有機ＥＬ素子に係り、特に有機ＥＬ素子の製造方法および製造装置に関する。
【０００２】
有機ＥＬ素子は有機ＥＬ発光層を電子輸送層と正孔輸送層で狭持した構成の有機発光素子であり、小型・軽量・低消費電力で、しかも広視野角の発光型表示素子として有望な素子と考えられている。
【０００３】
【従来の技術】
図１は、典型的な従来の有機ＥＬ表示１０の１画素分の断面構造を概略的に示す。
【０００４】
図１を参照するに、ガラスなどの透明基板１１上には画素毎に赤（Ｒ），緑（Ｇ）および青（Ｂ）の発光領域が画成されており、前記ガラス基板１１上には前記ＩＴＯやＡｕ，ＳｎＯ２など、仕事関数の大きな電極材料よりなる正孔注入電極（陽極）膜１２が一様に形成されている。
【０００５】
さらに前記陽極膜１２上には、２−ＴＮＴＡ（４，４’，４”ｔｒｉｓ（２−ｎａｐｈｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）などよりなる正孔輸送層１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂがそれぞれ前記領域Ｒ，Ｇ，Ｂに対応して形成されており、さらに前記正孔輸送層１３Ｒ〜１３Ｂ上には、Ａｌｑ３（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｏｎｏｌｉｎｅ　ａｌｕｍｉｎｕｍ）発光層１４Ｒ，１４Ｇ、１４Ｂが、それぞれ形成されている。さらに前記Ａｌｑ３発光層１４Ｒ〜１４Ｂ上にはＡｌｑ３やＢＣＰ（バソキュプロイン）などよりなる電子輸送層１５Ｒ〜１５Ｇが、それぞれ形成されている。
【０００６】
さらに前記電子輸送層１５Ｒ〜１５Ｇ上にはＡｌ−Ｌｉ合金よりなるカソード電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂが、間に約１ｎｍの膜厚のＬｉＦ膜（図示せず）を挟んで形成されている。
【０００７】
さらに前記有機ＥＬ表示１０は金属あるいはガラスよりなる封止容器１７により封止されている。
【０００８】
かかる有機ＥＬ表示１０では、前記ＩＴＯ電極１２と前記カソード電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂとの間に電圧を、前記ＩＴＯ電極１２に正電圧が印加されるように、また前記カソード電極１６Ｒ〜１６Ｂに負電圧が印加されるように印加することにより、前記発光層１４Ｒ〜１４Ｂには正孔が前記正孔輸送層１３Ｒ〜１３Ｂを通って、また電子が前記電子輸送層１５Ｒ〜１５Ｂを通って注入され、その結果、前記発光層１４Ｒ〜１４Ｂにおいて、それぞれの色で発光が生じる。なお前記カソード電極１６Ｒ〜１６Ｂとしては、前記Ａｌ−Ｌｉ合金以にも、化学的安定性の高いＭｇ−Ｉｎ合金やＭｇ−Ａｌ合金、Ｍｇ合金などを使うことができる。
【０００９】
【特許文献１】特開２０００−３２８２２９号公報
【特許文献２】特開２００２−６０９２６号公報。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このような有機ＥＬ素子を使ってカラー表示装置を形成しようとする場合、発光色により前記正孔輸送層１３Ｒ〜１３Ｂ、発光層１４Ｒ〜１４Ｂあるいは電子輸送層１５Ｒ〜１５Ｂの材質を変化させる必要がある。このため、図１の積層構造は、Ｒ，Ｇ，Ｂの各領域について個別に形成する必要がある。
【００１１】
このような事情で、従来より図１の有機ＥＬ表示装置１０を製造する場合、図２（Ａ）に示すような１００×３００μｍ程度の大きさの開口部１Ａを形成された厚さが１００〜数百ミクロンの蒸着マスク部材１を使い、かかる蒸着マスク部材をマスクに、各層の材料を蒸着することが行われている。その場合、基板上に前記マスクを数ミクロンの精度で位置合わせする必要がある。
【００１２】
ところが、このように蒸着マスクを使って蒸着処理を繰り返し行うと、マスクのうち蒸着源の側には有機材料が数ミクロンの厚さに堆積し、マスク開口部が図２（Ｂ）に示すようにこのような堆積物により塞がれたり、堆積した有機材料が蒸着源に落下し、これを汚染するなどの問題が生じることがある。
【００１３】
このような問題を回避するためには、蒸着マスクを定期的にクリーニングし、堆積している有機物層を除去する作業が必要になる。このようなクリーニングは、一般に蒸着マスクを大気環境中に取り出し、有機溶媒中において洗浄する、あるいはサンドブラスト処理を行って、堆積物を物理的に除去するなどの工程により行われる。しかし、このように大気中に成膜室を開放した場合、成膜室の内部を再び成膜可能な真空状態に復旧するまでに時間がかかり、またマスクを位置合わせするのにも時間がかかる。
【００１４】
この問題を解決するために、特開２０００−３２８２２９号公報には、前記成膜室を酸素プラズマを使ってクリーニングする方法が提案されている。しかし、この方法では成膜室中で酸素雰囲気を使用するため、成膜室中に滞留している酸素を完全に排除するまでに長い時間がかかってしまう。有機ＥＬ素子の製造に使われる真空蒸着装置では、基板位置決め機構や基板導入・搬送機構などの複雑な構造が存在しており、内部における気体の流路が複雑で、酸素の滞留が生じやすい。
【００１５】
また従来より特開２００２−６０９２６号公報には、成膜室中においてランプあるいは抵抗加熱源を使って蒸着マスク上に堆積した有機物を昇華・除去する方法が提案されている。しかし、有機ＥＬ素子の製造に使われる有機材料は大半が２２００〜３５０℃の温度で昇華する材料であり、マスク上に堆積した有機材料を除去する場合にもこの程度の温度で加熱することが必要であるが、このような温度でマスクを加熱した場合には、マスクが変形してしまい、基板との間のアラインメントが失われてしまう。また成膜室中に保持されている有機材料あるいは有機金属材料よりなる蒸着材料も、また成膜室中に保持されている有機ＥＬ素子も、このような加熱処理の結果、劣化してしまう恐れがある。
【００１６】
そこで本発明は上記の課題を解決した、新規で有用な有機ＥＬ素子の製造方法および製造装置を提供することを概括的課題とする。
【００１７】
本発明のより具体的な課題は、蒸着マスクのクリーニングを、蒸着マスクの精度を損なうことなく、また蒸発源あるいは成膜室中の有機ＥＬ素子に汚染を生じることなく行うことのできる有機ＥＬ素子の製造方法および製造装置を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の課題を、成膜室中において蒸着マスクを使って有機材料を蒸着する工程を含む有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記蒸着マスク表面を集束エネルギビームにより局所的に加熱し、前記蒸着マスク上に堆積した堆積物を昇華させる工程を含み、前記昇華工程は、前記集束エネルギビームにより前記蒸着マスク表面を走査する工程を含むことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法により、解決する。
【００１９】
本発明によれば、蒸着マスクをクリーニングする際に、堆積物が堆積している部分に集束エネルギビームを照射することにより、蒸着マスクが局所的に加熱され、堆積物が昇華・除去されるが、その際に蒸着マスク全体が加熱されることがなく、蒸着マスクが変形したり、アラインメントが狂う等の問題は生じない。また集束エネルギビームとしてレーザビームを使うことにより、成膜室内部に光学窓を介して容易に大パワー集束エネルギビームを導入することが可能になる。このような大パワーレーザビームは成膜室内部に光学系を設けることにより、前記蒸着マスク上を自在に走査することが可能である。そこで、前記蒸着マスク表面の像を取得する撮像系と組み合わせることにより、前記蒸着マスク上の堆積物を効率的に除去することが可能になる。また本発明によれば、成膜室中に酸素あるいは大気が導入されることがなく、蒸着マスクのクリーニングを短時間で効率よく実行することが可能である。
【００２０】
【発明の実施の形態】
図３は、本発明の第１実施例による有機ＥＬ表示装置の製造装置２０の概要を、図４は図３の製造装置中、一成膜室の構成を示す。
【００２１】
図３を参照するに、有機ＥＬ素子製造装置２０はクラスタ型の枚葉式装置であり、搬送ロボット（図示せず）を備えた真空搬送室２１Ａに基板前処理室２２Ａおよび複数の成膜室２２Ｂ〜２２Ｅが結合されている。例えば前記前処理室２２Ａは前記ガラス基板１１上に形成された透明電極膜１２の表面を紫外光励起あるいはプラズマ励起された酸素ラジカルによりクリーニング処理するのに使われ、一方前記成膜室２２Ｂは前記透明電極膜１２上への前記正孔輸送層１３Ｒ、１３Ｇ，１３Ｂの蒸着に使われる。また前記成膜室２２Ｃは前記発光層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂの蒸着に使われ、さらに前記成膜室２２Ｄは前記電子輸送層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂの蒸着に使われる。
【００２２】
前記真空搬送室２１Ａは基板受け渡し室２３を介して搬送ロボット（図示せず）を備えた別の真空搬送室２１Ｂに結合されており、前記別の真空搬送室２１Ｂには例えば電極パターン１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを形成するのに使われる電極成膜室２２Ｆが結合されている。
【００２３】
さらに前記真空搬送室２１Ｂには、各成膜室２２Ｂ〜２２Ｆで使われた蒸着マスクをまとめてバッチ処理によりクリーニングするクリーニングユニット２２Ｇが結合されており、また前記有機ＥＬ表示装置１０の封止容器１７を投入する投入室２２Ｈが結合されている。さらに図３の構成では、前記封止容器１７を前記ガラス基板１１上に装着して、有機ＥＬ表示装置１０を組み立てる封止室２２Ｉが設けられており、また、このようにして組み立てられた有機ＥＬ表示装置１０を取り出す取り出し室２２Ｋが前記真空搬送室２１Ｂには結合されている。
【００２４】
次に前記成膜室２２Ｂ〜２２Ｅおよび２２Ｆの構成について、図４を参照しながら説明する。
【００２５】
図４は、前記成膜室２２Ｂの構成を示す。成膜室２２Ｃ〜２２Ｆの構成は、実質的に成膜室２２Ｂの構成と同じであり、以下の説明では説明を省略する。
【００２６】
図４を参照するに、成膜室２２Ｂはトラップ３２を含む排気系３１により排気されており、成膜室２２Ｂの上部にはＸ−Ｙ方向に移動自在で、さらに軸周りで回転可能な可動ステージ３３が設けられ、前記可動ステージ３３上には被処理基板３４が保持されている。
【００２７】
前記成膜室２２Ｂ中には前記被処理基板３４に対向するように有機材料あるいは有機金属材料を保持し蒸発源を構成するセル３５が設けられ、前記セル３５と被処理基板３４との間には、先に図２で説明した開口部を有する蒸着マスク３６が設けられている。その結果、前記セル３５から蒸発した有機材料あるいは有機金属材料は前記蒸着マスク３６を介して前記被処理基板３４上に堆積される。なお、図４では単一の蒸着セル３５を設けた例を示しているが、必要に応じて複数の蒸着セルを設けることができる。
【００２８】
さらに前記成膜室２２Ｂ中には、前記蒸着マスク３６の表面状態を観測するためにＣＣＤカメラなどの撮像系３７が設けられている。
【００２９】
また前記成膜室２２Ｂには光学窓２２ｂが設けられており、Ｈｅ−Ｎｅレーザ、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ、ＹＡＧレーザ、ＣＯ２レーザなどの大出力レーザ３９がレンズ３９Ａおよび前記光学窓２２ｂを介してレーザビーム３９ａを前記成膜室２２Ｂ中に導入する。このようにして成膜室２２Ｂ中に導入されたレーザビーム３９ａは、前記成膜室２２Ｂ中に設けられた可動ミラー４０により、前記蒸着マスク３６表面の所望の位置に導かれる。
【００３０】
さらに前記成膜室２２Ｂ中には前記蒸着マスク３６の表面状態を観察するＣＣＤ等の撮像素子３７が設けられており、前記撮像素子３７により取得された前記蒸着マスク３６表面の像に基づいて前記可動ミラー４０が駆動され、照射されたレーザビーム３９ａにより、堆積物が加熱され昇華する。
【００３１】
昇華した堆積物は前記排気系３１により排気され、成膜室２２Ｂから除去されるが、その際にコールドトラップ３２により捕獲され、環境中に排出されることはない。
【００３２】
このように、本実施例によれば蒸着マスク３６のクリーニング工程をその場（ｉｎ−ｓｉｔｕ）で行うことが可能であるが、その際、成膜室２２Ｂは真空状態あるいは数パスカル程度の減圧雰囲気とする必要がある。特に少量の窒素あるいはＨｅ，Ａｒなどの不活性ガスを前記成膜室２２Ｂ中に流すことにより、昇華した堆積物が速やかに成膜室２２Ｂから排出され、成膜室の壁面等に付着するのが回避される。
【００３３】
本実施例によれば、前記蒸着マスク３６が集束レーザビーム３９ａにより局所的に加熱されるため、蒸着マスク３６全体が変形することがなく、蒸着マスク３６のクリーニング工程の後で直ちに蒸着工程を再開しても、蒸着マスク３６と被処理基板３４との間でアラインメントが狂うことがない。このため図３，４の製造装置を使うことにより、効率的に有機ＥＬ素子を製造することが可能になる。
【００３４】
以下の表１は、前記蒸着マスク３６として、Ｎｉ電鋳により形成された厚さが５００μｍで１００×４０μｍの開口部を有するマスクを使い、蒸着マスク３６のクリーニングを行うことなくＡｌｑ３錯体および２−ＴＮＡＴＡを、交互に毎回５０ｎｍの膜厚で１０回成膜し、得られた画素の大きさを測定した結果を示す。
【００３５】
【表１】
2004103512.tif 000003
表１を参照するに、ＸおよびＹ方向の画素寸法は堆積を５回くりかえしたあたりまでは１００±１×４０±１μｍの範囲に収まっていたのが、６回を越えたあたりから減少を始め、１０回目には所定の寸法に対して１ミクロン以上減少した９０±８×３０±６μｍ程度にパターンサイズが減少しているのがわかる。
【００３６】
これに対し、図４の構成においてレーザ３９として波長が８００ｎｍ以上の近赤外〜赤外波長域のレーザ、例えば波長が１０６４ｎｍのＮｄ−ＹＡＧレーザを使い、０．５Ｗの出力で形成したレーザビーム３９ａを前記レンズ３９Ａにより約１ｍｍのビーム径に集束し、このようにして集束されたレーザビーム３９ａを前記可動ミラー４０により、前記１０回堆積を行った蒸着マスク３６上を５ｍｍ／秒の速度で走査したところ、マスク表面の有機材料は消失し、またかかるクリーニングを行った蒸着マスク３６を使うことにより、１００±１×４０±１μｍのパターン形成が回復されたのが確認された。
【００３７】
さらに、このようにしてクリーニングを行った蒸着マスク３６のレーザビームによる熱変形を調べるために、クリーニングした蒸着マスク３６を使っておのおのＲ，Ｇ，Ｂ領域を含む画素を１２０行１６０列配列した積層パターンを形成し、かかる積層パターンの四隅の位置を測定した。
【００３８】
表２は、かかる蒸着マスク形状の測定結果を示す。ただし表２中、（１０００，１０００）などの数字は前記積層パターンが形成されるＩＴＯ膜上の基準位置から測った、前記四隅のｘおよびｙ座標を示す。
【００３９】
【表２】
2004103512.tif 000004
表２を参照するに、蒸着前の、すなわち使用前の蒸着マスクの四隅の位置と、蒸着を１０回繰り返した後、図４のレーザビーム３９ａによりクリーニングを行った蒸着マスクの四隅の位置との間には実質的な差は認められず、このような集束レーザビーム照射によるクリーニングは蒸着マスクに実質的な変形をもたらさないことが確認された。
【００４０】
表３は、このようなクリーニングの際に環境中に排出される排気中に含まれる化学成分について、四重極質量分析センサを使って分析した結果を示す。ただし表３は、排気中のＣＨ３−成分（有機分解物）、水分（質量数１８）、窒素（質量数２８）、酸素（質量数３２）、二酸化炭素（質量数４４）およびベンゼン環（Ｃ６Ｈ５−、質量数７７）のイオン強度を示す。このうちベンゼン環は多環芳香族の分解により生じるもので、有機物の揮発量に比例すると考えられる。
【００４１】
【表３】
2004103512.tif 000005
表３を参照するに、成膜室２２Ｂから排出される排気中には多量のベンゼン環が含まれており、レーザビーム３９ａの照射により蒸着マスク３６上に堆積した有機物が効率的に除去されていることを示している。一方、同じ排気ガスをコールドトラップ３２の下流で測定したところ、ベンゼン環の量は激減しており、除去された有機物あるいは有機金属化合物が環境中へ排出されることはほとんどないことがわかる。
【００４２】
先にも説明したように、以上の説明は図４に示す成膜室２２Ｂについてのものであるが、他の成膜室２２Ｃ〜２２Ｅおよび２２Ｆも同様な構成を有しており、レーザビーム３９ａによる蒸着マスク３６のクリーニングを効率的に、かつ安全に行うことが可能である。
【００４３】
なお図３の枚葉式処理装置２０には真空搬送室２１Ｂに結合してマスククリーニング室２２Ｇが設けられており、クリーニングをバッチ処理により行うことも可能である。
【００４４】
この場合、クリーニングは酸素プラズマ処理により、あるいは可視光ないし赤外線加熱により行うことが可能である。あるいは前記マスククリーニング室２２Ｇにおいて蒸着マスク表面にアセトンやイソプロピルアルコールなどの有機溶媒を噴霧して堆積物を溶解し、さらに乾燥窒素あるいはＡｒあるいはＨｅにより有機溶媒を除去することにより所望のクリーニングを行うことも可能である。
【００４５】
本発明では、前記レーザビーム３９ａにより蒸着マスク３６の所定の領域を走査することでマスク３６上に堆積した堆積物を除去することができるが、特に前記撮像装置３７を使って前記蒸着マスク３６の表面を観察し、得られた像を目視で、あるいは図示を省略した画像処理装置により分析することにより、蒸着マスク３６上の特定の箇所を照準してレーザビーム加熱することが可能で、例えば前記蒸着マスク３６上の粒状の堆積物など、特に厚い堆積が生じている箇所をクリーニングすることができる。
【００４６】
なお、本実施例においては前記可動ミラー４０を成膜室２２Ｂの内部に設けているが、これを図５に示すように、光学窓３８の外部に設けることも可能である。さらに前記撮像素子３７も前記成膜室２２Ｂの外部に設け、成膜室２２Ｂに設けられた別の光学窓３８Ａを介して前記蒸着マスク３６表面の観察を行うようにすることもできる。ただし図５中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。この構成によれば、可動ミラー４０および撮像素子３７の堆積物による汚染が最小化され、メンテナンスの回数を減らすことができる。
［第２実施例］
図５は、図３の有機ＥＬ製造装置２０において前記処理室２２Ｇとして使われる、本発明の第２実施例によるマスククリーニング室の構成を示す。
【００４７】
図５を参照するに、マスククリーニング室２２Ｇはトラップ４２を含む排気系４１により排気されており、クリーニング室２２Ｇの上部には、前記成膜室２２Ｂ〜２２Ｅあるいは２２Ｆから取り外された蒸着マスク３６が保持されている。さらに前記クリーニング室２２Ｇ中には、前記蒸着マスク３６の表面状態を観測するためにＣＣＤカメラなどの撮像系４３が設けられている。
【００４８】
また前記クリーニング室２２Ｇには光学窓２２ｇが設けられており、Ｈｅ−Ｎｅレーザ、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ、ＹＡＧレーザ、ＣＯ２レーザなどの大出力レーザ４４がレンズ４４Ａおよび前記光学窓２２ｇを介してレーザビーム４４ａを前記クリーニング室２２Ｇ中に導入する。このようにしてクリーニング室２２Ｇ中に導入されたレーザビーム４４ａは、前記クリーニング室２２Ｇ中に設けられた可動ミラー４５により、前記蒸着マスク３６表面の所望の位置に導かれる。
【００４９】
さらに前記クリーニング室２２Ｇ中には前記蒸着マスク３６の表面状態を観察するＣＣＤ等の撮像素子４６が設けられており、前記撮像素子４６により取得された前記蒸着マスク３６表面の像に基づいて前記可動ミラー４５が駆動され、照射されたレーザビーム４４ａにより、堆積物が加熱され昇華する。
【００５０】
昇華した堆積物は前記排気系４１により排気され、クリーニング室２２Ｇから除去されるが、その際にコールドトラップ４２により捕獲され、環境中に排出されることはない。
【００５１】
このように、本実施例によれば、図３の有機ＥＬ素子製造装置２０において蒸着マスク３６のクリーニング工程を成膜室外においても行うことが可能になる。
【００５２】
この場合も、集束レーザビーム４４ａが蒸着マスク３６の表面を走査するため、蒸着マスク３６全体が加熱されることがなく、熱による蒸着マスクの変形が生じることがない。なお図５の構成においても前記可動ミラー４５および撮像素子４３をクリーニング室２２Ｇの外部に設けることが可能である。
【００５３】
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において、様々な変形・変更が可能である。
【００５４】
（付記１）　成膜室中において蒸着マスクを使って有機材料を蒸着する工程を含む有機ＥＬ素子の製造方法において、
前記蒸着マスク表面を集束エネルギビームにより局所的に加熱し、前記蒸着マスク上に堆積した堆積物を昇華させる工程を含み、
前記昇華工程は、前記集束エネルギビームにより前記蒸着マスク表面を走査する工程を含むことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【００５５】
（付記２）　前記昇華工程は、前記成膜室中において実行されることを特徴とする付記１記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【００５６】
（付記３）　前記昇華工程は、前記成膜室外において実行されることを特徴とする付記１記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【００５７】
（付記４）　前記走査工程は、前記蒸着マスク表面の像を取得する工程と、前記取得された像に基づいて、前記蒸着マスクのうち、選択された部分を照準して前記エネルギビームを照射する工程とを含むことを特徴とする付記１〜３のうち、いずれか一項記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【００５８】
（付記５）　前記集束エネルギビームはレーザビームであることを特徴とする付記１〜４のうち、いずれか一項記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【００５９】
（付記６）　前記昇華工程は、前記蒸着マスク近傍の空間を排気しながら実行されることを特徴とする付記１〜５のうち、いずれか一項記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【００６０】
（付記７）　排気系より排気される成膜室と、
前記成膜室中に設けられた、被処理基板を保持する基板保持台と、
前記成膜室中、前記基板保持台上に保持された被処理基板に対向するように設けられた蒸発源と、
前記蒸発源と前記被処理基板との間に設けられた蒸着マスクと、
前記成膜室の外部に設けられレーザビームを形成するレーザ光源と、
前記成膜室の一部に形成され、前記レーザビームを成膜室内部に導入する光学窓と、
前記レーザ光源により形成されたレーザビームを前記蒸着マスクに導く光学系と、
前記蒸着マスクの表面を撮像する撮像素子とを備えたことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造装置。
【００６１】
（付記８）　前記光学系は、可動ミラーを含むことを特徴とする請求項７記載の有機ＥＬ素子の製造装置。
【００６２】
（付記９）　さらに前記排気系に結合されたコールドトラップを含むことを特徴とする請求項７または８記載の有機ＥＬ素子の製造装置。
【００６３】
（付記１０）　前記光学系は、前記成膜室内部に設けられたことを特徴とする付記７〜９のうち、いずれか一項記載の有機ＥＬ素子の製造装置。
【００６４】
（付記１１）　前記光学系は、前記成膜室の外部に設けられたことを特徴とする付記７〜９のうち、いずれか一項記載の有機ＥＬ素子の製造装置。
【００６５】
（付記１２）　前記撮像素子は、前記成膜室内部に設けられたことを特徴とする付記７〜１１のうち、いずれか一項記載の有機ＥＬ素子の製造装置。
【００６６】
（付記１３）　前記撮像素子は、前記成膜室の外部に設けられたことを特徴とする付記７〜１１のうち、いずれか一項記載の有機ＥＬ素子の製造装置。
【００６７】
（付記１４）　内部に蒸着マスクを保持し、排気系により排気される処理容器と、前記処理容器の外部に設けられレーザビームを形成するレーザ光源と、前記処理容器の一部に形成され、前記レーザビームを前記処理容器内部に導入する光学窓と、前記レーザ光源により形成されたレーザビームを前記蒸着マスクに導く光学系と、前記蒸着マスクの表面を撮像する撮像素子とを備えた蒸着マスクのクリーニング室と、
被処理基板を保持する基板保持台と、前記基板保持台上に保持された被処理基板に対向するように設けられた蒸発源と、前記蒸発源と前記被処理基板との間に設けられた蒸着マスクとを含む成膜室と、
前記成膜室と前記クリーニング室とを結合する真空搬送室とを備えたことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造装置。
【００６８】
【発明の効果】
本発明によれば、蒸着マスクをクリーニングする際に、堆積物が堆積している部分に集束エネルギビームを照射することにより、蒸着マスクが局所的に加熱され、堆積物が昇華・除去されるが、その際に蒸着マスク全体が加熱されることがなく、蒸着マスクが変形したり、アラインメントが狂う等の問題は生じない。また集束エネルギビームとしてレーザビームを使うことにより、成膜室内部に光学窓を介して容易に大パワー集束エネルギビームを導入することが可能になる。このような大パワーレーザビームは成膜室内部に光学系を設けることにより、前記蒸着マスク上を自在に走査することが可能である。そこで、前記蒸着マスク表面の像を取得する撮像系と組み合わせることにより、前記蒸着マスク上の堆積物を効率的に除去することが可能になる。また本発明によれば、成膜室中に酸素あるいは大気が導入されることがなく、蒸着マスクのクリーニングを短時間で効率よく実行することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の有機ＥＬ表示装置の概略的構成を示す図である。
【図２】（Ａ），（Ｂ）は蒸着マスクを示す図である。
【図３】本発明の第１実施例による有機ＥＬ素子製造装置の構成を示す図である。
【図４】図３の製造装置で使われる成膜室の構成を示す図である。
【図５】図４の成膜室の一変形例を示す図である。
【図６】本発明の第２実施例によるマスククリーニング室の構成を示す図である。
【符号の説明】
１　蒸着マスク
１Ａ　マスク開口部
１０　有機ＥＬ表示装置
１１　ガラス基板
１２　ＩＴＯ膜
１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂ　正孔輸送層
１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂ　有機ＥＬ発光層
１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂ　電子輸送層
１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ　陽極
１７　封止容器
２０　製造装置
２１Ａ，２１Ｂ　真空搬送室
２２Ａ　基板前処理室
２２Ｂ〜２２Ｅ　成膜室
２２Ｆ　電極形成室
２２Ｇ　マスククリーニング室
２２Ｈ　封止容器投入室
２２Ｉ　封止室
２２Ｋ　取り出し室
２３　基板受け渡し室
３１　排気系
３２　コールドトラップ
３３　基板保持台
３４　被処理基板
３５　蒸発源
３６　蒸着マスク
３７，４３　撮像素子
２２ｇ，３８，３８Ａ　光学窓
３９，４４　レーザ
３９Ａ，４４Ａ　レンズ
３９ａ，４４ａ　レーザビーム
４０，４５　ミラー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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