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【手続補正書】
【提出日】平成24年3月23日(2012.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷コミュニティに参加するように複数の店頭を構成し、
印刷の買い手が、インタフェースを通じて所望の製品の特性を前記印刷コミュニティに指定し、
前記印刷コミュニティの前記複数の店頭から情報を取得し、前記情報は、前記所望の製品の特性に合致する製品についての情報を含み、
前記印刷コミュニティの前記複数の店頭からの情報に基づいて前記所望の製品の特性に合致する製品を決定し、
前記所望の製品の特性に合致する製品についての情報を前記印刷の買い手に提示することを有する印刷方法。
【請求項２】
前記印刷コミュニティに参加するように店頭を構成することは、前記店頭により前記印刷コミュニティに提供される製品の特性の送出を可能にすることを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記印刷コミュニティに参加するように店頭を構成することは、前記印刷コミュニティを通じて提供される製品に制限を定めることを有する、請求項２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月18日(2012.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射面を備えたバイザーと、
２つのリフレクタを備えた対物レンズサブシステムとを有し、各リフレクタが一光路に沿って配置されかつアミチプリズムおよびアミチ鏡からなるリフレクタのクラスから選択され、
光路に沿って対物レンズサブシステムを通過した入力光を受けて増強像を作る像増強器と、
光路に沿って増強像を受入れかつ該増強像をユーザが見られるようにする接眼レンズサブシステムとを更に有することを特徴とする暗視眼鏡。
【請求項２】
前記対物レンズサブシステム、像増強器および接眼レンズサブシステムを、増強像が接眼レンズサブシステムを通過し、次にバイザーの反射面からユーザの眼に反射するような相対位置に支持するフレームを更に有することを特徴とする請求項１記載の暗視眼鏡。
【請求項３】
前記対物レンズサブシステムは、前記光路内に配置された１つ以上のレンズを更に有し、前記２つのリフレクタは前記１つ以上のレンズを通過した光を受け入れることを特徴とする請求項１または２記載の暗視眼鏡。
【請求項４】
前記対物レンズサブシステムは、光路内に配置された１つ以上のレンズを更に有することを特徴とする請求項１または２記載の暗視眼鏡。
【請求項５】
前記対物レンズサブシステムは、
光路内に配置された１つ以上のレンズからなる第１サブシステムであって、前記２つのリフレクタは該第１サブシステムの前記１つ以上のレンズを通過した光を受け入れ、
２つのリフレクタ間の光路内に配置された１つ以上のレンズからなる第２サブシステムとを更に有することを特徴とする請求項１または２記載の暗視眼鏡。
【請求項６】
前記対物レンズサブシステムは、
前記光路内に配置された第１ダブレットレンズを有し、前記２つのリフレクタは該第１タブレットを通過した光を受け入れ、
２つのリフレクタの間の光路内に配置された第２ダブレットレンズと、
像増強器と２つのリフレクタのうちの前記像増強器に近い方のリフレクタとの間の光路内に配置されたフィールドフラットナーとを更に有することを特徴とする請求項１または２記載の暗視眼鏡。
【請求項７】
前記対物レンズサブシステムは、Ｆ／ｎ口径（ｎは約２．０以上）を有していることを特徴とする請求項１、２、３、４、５または６のいずれか１項記載の暗視眼鏡。
【請求項８】
前記対物レンズサブステムは、全体として像を回転させないことを特徴とする請求項１、２、３、４、５または６のいずれか１項記載の暗視眼鏡。
【請求項９】
前記像増強器を通る光路は光ファイバの回転を含まないことを特徴とする請求項１、２、３、４、５または６のいずれか１項記載の暗視眼鏡。
【請求項１０】
前記像増強器はガラス出力窓を有していることを特徴とする請求項１、２、３、４、５または６のいずれか１項記載の暗視眼鏡。
【請求項１１】
前記像増強器は光ファイバ出力窓を有していることを特徴とする請求項１、２、３、４、５または６のいずれか１項記載の暗視眼鏡。
【請求項１２】
前記像増強器は第２世代像増強器であることを特徴とする請求項１、２、３、４、５または６のいずれか１記載の暗視眼鏡。
【請求項１３】
前記リフレクタは、像を回転させ、回転させられた像を像増強器へ通過させることを特徴とする請求項１、２、３、４、５または６のいずれか１記載の暗視眼鏡。
【請求項１４】
前記像増強器は、ガラス型出力窓を持っていることを特徴とする請求項１、２、３、４、５または６のいずれか１記載の暗視眼鏡。
【請求項１５】
前記バイザーの反射面が、曲がっていることを特徴とする請求項１、２、３、４、５または６のいずれか１記載の暗視眼鏡。
【請求項１６】
前記対物レンズサブシステムが、さらに、ダブレットレンズを有することを特徴とする請求項１または２に記載の暗視眼鏡。
【請求項１７】
前記２つのリフレクタは、前記ダブレットレンズを通過した光を受け入れことを特徴とする請求項１６に記載の暗視眼鏡。
【請求項１８】
前記ダブレットレンズが、前記２つのリフレクタの間の光路内に配置されていることを特徴とする請求項１６に記載の暗視眼鏡。
【請求項１９】
前記対物レンズサブシステムが、さらに、フィールドフラットナーレンズを有することを特徴とする請求項１６に記載の暗視眼鏡。
【請求項２０】
前記フィールドフラットナーレンズが、前記像増強器と、前記２つのリフレクタのうちの該像増強器により近いものとの間の光路内に配置されていることを特徴とする請求項１６に記載の暗視眼鏡。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月6日(2011.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一及び第二のプリズムと、
第一、第二、第三、及び第四のプリズム面と、
前記第一のプリズム面が前記第三のプリズム面と対向するように前記第一のプリズムと前記第二のプリズムとの間に配置された反射型偏光子と、を含む偏光ビームスプリッタ、
第一のプリズム面に面して配置された色選択性偏光回転フィルタであって、前記フィルタは、少なくとも別の選択された色の光の偏光方向を変化させることなく少なくとも１つの選択された色の光の偏光方向を変化させることができる、色選択性偏光回転フィルタ、
前記第二、第三及び第四のプリズム面にそれぞれ面して配置された第一、第二及び第三のダイクロイックフィルタ、並びに、
前記第二、第三及び第四のプリズム面の各々に面して配置された第一、第二及び第三の位相差板、
を含む色合成器であって、前記第一の位相差板は前記第一のダイクロイックフィルタと前記第二のプリズム面との間にあり、前記第二及び第三のダイクロイックフィルタの各々は前記第二及び第三の位相差板と前記対応するプリズム面との間にある、色合成器。
【請求項２】
請求項１に記載の色合成器を提供することと、
未偏光の第一、第二及び第三の色の光をそれぞれ前記第一、第二及び第三のプリズム面に方向付けることと、
前記色選択性偏光回転フィルタから合成偏光を受光することと、を含む、光合成方法。
【請求項３】
対角面及び旋光プリズム面を有する、少なくとも１つの旋光プリズムを更に含み、前記旋光プリズム面が、前記第一、第二又は第三の位相差板のうちの１つに面して配置される、請求項１に記載の光合成器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月23日(2012.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）１つまたは複数の導電性材料、
（ｂ）１つまたは複数の無機結合剤、
（ｃ）有機ビヒクル、
を含む組成物であって、無機成分の１〜１５％がサブミクロン粒子である、組成物。
【請求項２】
サブミクロン粒子は銀を含む請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
サブミクロン粒子は０．１〜１ミクロンの平均粒径ｄ５０を有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
無機成分は双峰粒度分布を有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
１つまたは複数の添加剤は、
（ａ）Ｚｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｃｒから選択される金属と、
（ｂ）Ｚｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｃｒから選択される１つまたは複数の金属の金属酸化物と、
（ｃ）焼成されると（ｂ）の金属酸化物を生成可能な任意の化合物と、
（ｄ）それらの混合物と、
からなる群から選択される成分を含む、請求項１に記載の組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
試験装置は、電池のＩ−Ｖ特性曲線を確定するための約４００の負荷抵抗設定で電流（Ｉ）と電圧（Ｖ）を測定するために多点直接接触法を使用する。充填率（ＦＦ）と効率（Ｅｆｆ）の両方はＩ−Ｖ特性曲線から計算される。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
［１］  （ａ）１つまたは複数の導電性材料、
（ｂ）１つまたは複数の無機結合剤、
（ｃ）有機ビヒクル、
を含む組成物であって、無機成分の１〜１５％がサブミクロン粒子である、組成物。
［２］  無機成分の８５〜９９％は１．５〜１０ミクロンの平均粒径ｄ５０を有する、［１］に記載の組成物。
［３］  １つまたは複数の導電性材料は銀を含む、［１］に記載の組成物。
［４］  サブミクロン粒子は銀を含む、［３］に記載の組成物。
［５］  サブミクロン粒子は０．１〜１ミクロンの平均粒径ｄ５０を有する、［１］に記載の組成物。
［６］  サブミクロン粒子は０．１〜０．６ミクロンの平均粒径ｄ５０を有する、［１］に記載の組成物。
［７］  無機成分は双峰粒度分布を有する、［１］に記載の組成物。
［８］  １つまたは複数の添加剤をさらに含む［１］に記載の組成物。
［９］  １つまたは複数の添加剤は、
（ａ）Ｚｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｃｒから選択される金属と、
（ｂ）Ｚｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｃｒから選択される１つまたは複数の金属の金属酸化物と、
（ｃ）焼成されると（ｂ）の金属酸化物を生成可能な任意の化合物と、
（ｄ）それらの混合物と、
からなる群から選択される成分を含む、［８］に記載の組成物。
［１０］  １つまたは複数の無機添加剤はＺｎＯを含む、［９］に記載の組成物。
［１１］  サブミクロン粒子はさらにＺｎＯと無機結合剤とを含む、［４］に記載の組成物。
［１２］  １つまたは複数の無機結合剤はガラスフリットを含む、［１］に記載の組成物。
［１３］  無機成分は全組成の７０〜９５ｗｔ％である、［１］に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月17日(2012.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光表面を備えるエミッタ、
前記エミッタから発した光を入射面で受けて光を出射面に伝送するよう位置合わせした固形集積光学素子であって、前記出射面が出射面表面積及び出射面対角線を有する固形集積光学素子、及び
前記固形集積光学素子の前記出射面からの光を受けるよう位置合わせしたレンズであって、前記レンズが曲率半径を有する概半球部を備えるレンズを備える、光源モジュールであって、
前記曲率半径の前記出射面対角線に対する比が０．７より大きく、
前記固形集積光学素子が固形集積光学素子屈折率を有し、前記レンズがレンズ屈折率を有し、前記レンズ屈折率の固形集積光学素子屈折率に対する比が１よりも大きい、光源モジュール。
【請求項２】
前記レンズ屈折率の前記固形集積光学素子屈折率に対する比が少なくとも１．３である、請求項１に記載の光源モジュール。
【請求項３】
前記発光表面と前記入射面との間に、又は、前記出射面と前記レンズとの間に配した反射偏光子を更に備える、請求項１に記載の光源モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月2日(2012.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上方を第１方向に伸びている第１導体と、
第２導体および第１ダイオード要素の第１部分を備える第１の一連の帯部と、
前記第１導体と前記第１の一連の帯部との間に形成されている支柱と、を備え、
前記第１の一連の帯部は前記基板の上方を第２方向に伸びており、
前記第２方向は前記第１方向に略直交しており、
前記支柱は、前記第１導体と前記第１の一連の帯部との間に直列に存在する、前記第１ダイオード要素の第２部分と、第２ダイオード要素と、状態変化素子とを含んでおり、
前記第１ダイオード要素の前記第１部分と前記第１ダイオード要素の前記第２部分とは同一の導電型を有している、集積回路装置。
【請求項２】
前記第１ダイオード要素の前記第１部分は、ポリシリコンの真性層を備え、
前記第１ダイオード要素の前記第２部分は、ポリシリコンの真性層を備える、
請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項３】
前記第２ダイオード要素は、第１導電型の高濃度にドープされたシリコン領域を備える、
請求項１または２に記載の集積回路装置。
【請求項４】
前記第１の一連の帯部は、
前記第２導体と前記第１ダイオード要素の前記第１部分との間に形成された、第２導電型の高濃度にドープされたポリシリコン領域をさらに備える、
請求項３に記載の集積回路装置。
【請求項５】
前記第１ダイオード要素の前記第１部分は、第１導電型の低濃度にドープされたポリシリコンの層を備え、
前記第１ダイオード要素の前記第２部分は、第１導電型の低濃度にドープされたポリシリコンの層を備え、
前記第２ダイオード要素は、第２導電型の高濃度にドープされたポリシリコン領域を備え、
前記第２導電型は前記第１導電型と反対の型である、
請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項６】
前記状態変化素子はアンチヒューズである、
請求項１ないし５の何れか１項に記載の集積回路装置。
【請求項７】
前記アンチヒューズは、前記第１ダイオード要素の前記第２部分と前記第２ダイオード要素との間に形成されている、
請求項６に記載の集積回路装置。
【請求項８】
前記支柱は、前記第１ダイオード要素、前記第２ダイオード要素および前記状態変化素子と直列なアンチヒューズをさらに備える、
請求項１ないし５の何れか１項に記載の集積回路装置。
【請求項９】
前記第１導体、前記第２導体、前記第１ダイオード要素の前記第１部分、前記第１ダイオード要素の前記第２部分、および前記第２ダイオード要素は、少なくとも１つの不揮発性記憶素子を形成する、
請求項１ないし８の何れか１項に記載の集積回路装置。
【請求項１０】
前記集積回路は、モノリシックな３次元の不揮発性メモリアレイを備え、
前記少なくとも１つの不揮発性記憶素子は、前記モノリシックな３次元の不揮発性メモリアレイの第１メモリレベルで形成されており、
前記集積回路は、少なくとも１つの追加的なメモリレベルを備えている、
請求項９に記載の集積回路装置。
【請求項１１】
基板の上方の第１高さに、略平行および略同一平面内の複数の第１導体を形成するステップを備え、
前記第１導体は第１方向に伸びており、
基板の上方の第２高さに、略平行および略同一平面内の複数のレール積層体を形成するステップを備え、
前記レール積層体は前記第１方向と略直交する第２方向に伸びており、
レール積層体の各々は、第２導体と、前記レール積層体に関連する複数のダイオードについての第１ダイオード要素の第１部分を含んでおり、
複数の第１導体と複数のレール積層体との交差点の間に、複数の支柱を形成するステップを備え、
前記複数の支柱は、第１レール積層体と前記複数の第１導体との間に形成されている第１の支柱群を備え、
前記第１の支柱群の各々は、前記第１レール積層体に関連する前記複数のダイオードについての前記第１ダイオード要素の第２部分と、第２ダイオード要素と、状態変化素子を備え、
前記第１ダイオード要素の前記第１部分と前記第１ダイオード要素の前記第２部分とは同一の導電型を有している、集積回路装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１支柱群内の各々の支柱の前記第２ダイオード要素は、第１導電型の高濃度にドープされたポリシリコン層であり、
各々のレール積層体の前記第１ダイオード要素の第１部分は、ポリシリコンの真性層であり、
前記第１支柱群内の各々の支柱の前記第１ダイオード要素の前記第２部分は、ポリシリコンの真性層である、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
複数の第１導体、前記第２導体、前記第１ダイオード要素、前記第２ダイオード要素、および前記状態変化素子は、複数の不揮発性記憶素子を形成し、
前記不揮発性半導体メモリは、モノリシックな３次元の不揮発性メモリアレイを備え、
前記複数の不揮発性記憶素子は、前記モノリシックな３次元の不揮発性メモリアレイの第１メモリレベルで形成されており、
前記集積回路は、少なくとも１つの追加的なメモリレベルを備えている、
請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板上方の前記第２高さは、前記基板上方の前記第１高さよりも高い、
請求項１１ないし１３の何れか１項に記載の方法。
【請求項１５】
第１の導電層を基板上に形成するステップを備え、
高濃度にドープされたポリシリコン層を前記第１の導電層の表面に形成するステップを備え、
前記高濃度にドープされたポリシリコン層の表面にアンチヒューズ層を形成するステップを備え、
前記アンチヒューズ層の表面に第１の真性ポリシリコン層を形成するステップを備え、
前記第１の真性ポリシリコン層の表面に第１パターンを適用するステップを備え、
第１の導電層、高濃度にドープされたポリシリコン層、アンチヒューズ層、および第１の真性ポリシリコン層を、前記第１パターンに従ってエッチングするステップを備え、
パターニングおよびエッチングは、前記第１方向に伸びる各層の帯部を形成し、
前記帯部は、前記複数の第１導体を備え、
パターニングおよびエッチングの後に、前記第１の真性ポリシリコン層の表面に第２の真性ポリシリコン層を形成するステップを備え、
前記第２の真性ポリシリコン層の表面に第２の導電層を形成するステップを備え、
前記第２の導電層の表面に第２パターンを適用するステップを備え、
前記複数のレール積層体を形成するために、前記第２の導電層および前記第２の真性ポリシリコン層を前記第２パターンに従ってエッチングするステップを備え、
前記第２の真性ポリシリコン層は、各レール積層体の前記第１ダイオード要素の前記第１部分を形成しており、
前記第２導電層は、各レール積層体の前記第２導体を形成しており、
前記複数の支柱を形成するために、第１の真性ポリシリコン層、前記アンチヒューズ層、および前記高濃度にドープされたポリシリコン層を、前記第２パターンに従ってエッチングするステップを備える、
請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月25日(2012.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）金属又は半金属を有する第一のモノマー単位、及び
ｂ）化学結合によって第一のモノマー単位に結合されている第二のモノマー単位
を有する少なくとも１つのツインモノマーを重合することによって得られる誘電体を有する、３．５以下の誘電率を有する誘電体層であって、その際、前記重合は、前記ツインモノマーを、前記化学結合の切断及び前記第一のモノマー単位を有する第一のポリマーの形成及び前記第二のモノマー単位を有する第二のポリマーの形成を伴いながら重合することを含み、且つ、その際、第一及び第二のモノマー単位は共通の機構によって重合する、３．５以下の誘電率を有する誘電体層。
【請求項２】
前記の金属又は半金属が、Ｓｉ、Ｂ、Ｔｉ、Ｚｒ又はＨｆ、特にＳｉ又はＴｉである、請求項１記載の誘電体層。
【請求項３】
前記第一のポリマーが本質的に無機系であり、且つ前記第二のポリマーが本質的に有機系である、請求項１又は２記載の誘電体層。
【請求項４】
前記第一のモノマー単位及び前記第二のモノマー単位が、アニオン的に、カチオン的に又はフリーラジカル的に重合する、請求項１から３までのいずれか１項記載の誘電体層。
【請求項５】
前記誘電率が３．０以下、特に２．５以下である、請求項１から４までのいずれか１項記載の誘電体層。
【請求項６】
前記第二のポリマーが、熱的に、酸化的に又は熱的及び酸化的に除去されている、請求項１から５までのいずれか１項記載の誘電体層。
【請求項７】
前記第二のモノマー単位が、基
【化１】
2011524077.tif 000001
[式中、Ａ1、Ａ2、Ａ3は、それぞれ独立して水素、直鎖状又は分枝鎖状の、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、又は芳香族−脂肪族炭化水素基である]である、請求項１から６までのいずれか１項記載の誘電体層。
【請求項８】
前記第二のモノマー単位が、基
【化２】
2011524077.tif 000002
[式中、Ａ1、Ａ2、Ａ3及びＡ4は、それぞれ独立して水素又は直鎖状又は分枝鎖状の、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基又は芳香族−脂肪族炭化水素基であり、且つＲ3、Ｒ4は、それぞれ独立して水素又は１〜６個の炭素原子を有するアルキル基、好ましくはメチル又はＨである]である、請求項１から７までのいずれか１項記載の誘電体層。
【請求項９】
前記の基Ａ1、基Ａ2、基Ａ3及び、存在する場合、基Ａ4の少なくとも２個が互いに結ばれており、より好ましくは融合している、請求項７又は８記載の誘電体層。
【請求項１０】
前記の基Ａ1、基Ａ2、基Ａ3及び、存在する場合、基Ａ4の１個以上の炭素原子が、独立してヘテロ原子によって、より好ましくはＯ、Ｓ及び／又はＮによって置き換えられている、請求項７から９までのいずれか１項記載の誘電体層。
【請求項１１】
Ａ1、Ａ2、Ａ3及び、存在する場合、Ａ4が、それぞれ独立して１個以上の官能基、特にハロゲン、例えばＢｒ及びＣｌ、それにＣＮ及びＮＲ２であり、その際、Ｒが、特にＨ又は脂肪族又は芳香族の炭化水素、好ましくはＨ、メチル、エチル又はフェニルである、請求項７から１０までのいずれか１項記載の誘電体層。
【請求項１２】
Ａ1及びＡ3がそれぞれＨであり、好ましくはＡ1、Ａ2、Ａ3及び、存在する場合、Ａ4がそれぞれＨである、請求項７から１１までのいずれか１項記載の誘電体層。
【請求項１３】
請求項１から１２までのいずれか１項記載の誘電体層であって、その際、前記誘電体が、式（ＩＩａ）
【化３】
2011524077.tif 000003
［式中、
Ｍは、金属又は半金属、好ましくはＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ又はＨｆ、より好ましくはＳｉ又はＴｉであり、
Ａ1、Ａ2、Ａ3は、それぞれ独立して水素又は直鎖状又は分枝鎖状の、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基又は芳香族−脂肪族炭化水素基である]の少なくとも１つの有機ケイ素化合物のツイン重合によって得られる誘電体層。
【請求項１４】
請求項１から１２までのいずれか１項記載の誘電体層であって、その際、前記誘電体が、式（ＩＩｂ）
【化４】
2011524077.tif 000004
[式中、
Ｍは、金属又は半金属、好ましくはＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ又はＨｆ、より好ましくはＳｉ又はＴｉであり、
Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4は、それぞれ独立して水素又は直鎖状又は分枝鎖状の、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基又は芳香族−脂肪族炭化水素基であり、
Ｒ3、Ｒ4は、それぞれ独立して水素又は１〜６個の炭素原子を有するアルキル基、好ましくはメチル又はＨである]の少なくとも１つの有機ケイ素化合物のツイン重合によって得られる誘電体層。
【請求項１５】
半導体基板上に３．５の誘電率を有する誘電体層を製造するための、
ａ）金属又は半金属を有する第一のモノマー単位、及び
ｂ）化学結合によって第一のモノマー単位に結合されている第二のモノマー単位
を有する少なくとも１つのツインモノマーを有する組成物の使用であって、その際、前記ツインモノマーが、前記化学結合の切断及び前記第一のモノマー単位を有する第一のポリマー及び前記第二のモノマー単位を有する第二のポリマーの形成を伴いながら重合可能であり、且つ第一及び第二のモノマー単位が共通の機構によって重合可能である、少なくとも１つのツインモノマーを有する組成物の使用。
【請求項１６】
請求項１から１４までのいずれか１項記載の誘電体層を有する半導体部品。
【請求項１７】
３．５未満の誘電率を有する少なくとも１つの誘電体層を有する半導体部品の製造法であって、その際、
ａ）金属又は半金属を有する第一のモノマー単位、及び化学結合によって第一のモノマー単位に結合されている第二のモノマー単位を有する少なくとも１つのツインモノマーを半導体基板に適用し、且つ
ｂ）前記の少なくとも１つの有機金属化合物を、前記化学結合の切断及び前記第一のモノマー単位を有する第一のポリマー及び前記第二のモノマー単位を有する第二のポリマーの形成を伴いながら重合し、且つ、その際、前記の第一及び第二のモノマー単位が同じ機構によって重合する、３．５未満の誘電率を有する少なくとも１つの誘電体層を有する半導体部品の製造法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月14日(2012.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構成要素（１）およびキャリア（３）を含み、前記キャリアが熱伝導性セラミックを含み、少なくとも１つのバリスタ体（２）に接続され、前記半導体構成要素からの熱が、前記バリスタ体によってキャリア（３）へ少なくとも部分的に消散されることが可能であり、前記キャリア（３）および／または前記バリスタ体が少なくとも１つの熱伝導性チャネルを含む、電気的構成要素アセンブリ。
【請求項２】
前記キャリア（３）が、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、酸化ハフニウム、酸化マンガンから選択された少なくとも１つの材料を含む、請求項１に記載の電気的構成要素アセンブリ。
【請求項３】
前記キャリア（３）が、前記キャリアを取り囲む材料と異なる材料組成を有する少なくとも１つの熱伝導性チャネル（３）を含む、請求項１または２に記載の電気的構成要素アセンブリ。
【請求項４】
前記バリスタ体（２）が前記キャリア（３）に取り付けられ、一方で、前記半導体構成要素（１）が、前記バリスタ体に取り付けられる、請求項１から３のいずれか一項に記載の電気的構成要素アセンブリ。
【請求項５】
前記バリスタ体（２）が多層バリスタとして実施される、請求項４に記載の電気的構成要素アセンブリ。
【請求項６】
前記バリスタ体（２）が少なくとも１つの熱伝導性チャネル（１０）を含み、前記半導体構成要素（１）からの熱が該熱伝導性チャネル（１０）を介して前記キャリア（２）に消散することができる、請求項４または５に記載の電気的構成要素アセンブリ。
【請求項７】
前記バリスタ体（２）が前記キャリア（３）に一体化される、請求項１から３のいずれか一項に記載の電気的構成要素アセンブリ。
【請求項８】
前記キャリア（３）が複数の電気的端子（４）を有し、少なくとも１つの第１の電気的端子が前記半導体構成要素（１）への電気的接続部を形成し、少なくとも１つの第２の電気的端子が外側に向けて電気的接続部を形成する、請求項１から７のいずれか一項に記載の電気的構成要素アセンブリ。
【請求項９】
前記バリスタ体（２）が前記キャリア（３）に一体化され、前記キャリア（３）の前記第１および前記第２の電気的端子に接続される、請求項８に記載の電気的構成要素アセンブリ。
【請求項１０】
前記バリスタ体（２）がビアとして実施される、請求項９に記載の電気的構成要素アセンブリ。
【請求項１１】
前記バリスタ体（２）が、少なくとも基質としてのバリスタセラミックと充填材としての熱伝導性材料からなる複合材料を含む、請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気的構成要素アセンブリ。
【請求項１２】
前記バリスタ体（２）が少なくとも１つの内部電極（８）を有する、請求項１から１１のいずれか一項に記載の電気的構成要素アセンブリ。
【請求項１３】
前記キャリア（３）がハウジング（１２）に一体化され、前記ハウジングが、前記キャリアに接続されて前記キャリアに熱的に結合される熱伝導性領域を有する、請求項１から１２のいずれか一項に記載の電気的構成要素アセンブリ。
【請求項１４】
前記半導体構成要素（１）が、以下の構成要素：光電子構成要素、ＬＥＤ、キャパシタ、多層キャパシタ、サーミスタ、多層サーミスタ、ダイオード、増幅器、から選択される、請求項１から１３のいずれか一項に記載の電気的構成要素アセンブリ。
【請求項１５】
抵抗／温度特性曲線に従属するような、前記半導体構成要素（１）の制御電流の調整に寄与する、サーミスタをさらに有する、請求項１から１４のいずれか一項に記載の電気的構成要素アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月6日(2012.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学ベンチと、
前記光学ベンチ上の可変同調掃引源であって、スペクトル走査帯域にわたって、同調された光信号を生成する、可変同調掃引源と、
前記光学ベンチ上のクロックサブシステムであって、前記光信号が前記走査帯域にわたって同調されると、間隔を空けた周波数増分でクロック信号を生成する、クロックサブシステムと、
前記光信号を受信し、この光信号をサンプルアームと参照アームに分割し、前記サンプルアームと前記参照アームからの前記光信号を結合する干渉計と、
前記サンプルアームと前記参照アームからの前記結合された光信号を検出する検出システムと、
前記クロック信号に応答して、前記結合された光信号をサンプリングするアナログ／デジタル変換システムとを備えた、クロック掃引源分析システム。
【請求項２】
請求項１において、さらに、
前記干渉計における光信号の遅れに相当する量だけ、前記クロック信号を遅延する、電子式遅延回路を備えた、クロック掃引源分析システム。
【請求項３】
請求項１または２において、前記可変同調掃引源によって生成される前記光信号の一部は、前記クロックサブシステムに導かれる、クロック掃引源分析システム。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項において、前記可変同調掃引源は前側反射器および後側反射器を有するレーザであり、
前記前側反射器を通して前記光信号が提供され、前記後側反射器を通して、前記可変同調レーザ光源において生成された光が前記クロックサブシステムに提供され、
前記前側反射器および前記後側反射器は、前記可変同調レーザ光源のレーザキャビティを画定している、クロック掃引源分析システム。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項において、さらに、
前記光学ベンチ上の少なくとも１つのレンズ構成要素であって、前記クロックサブシステムによって受光された、前記可変同調掃引源からの前記光信号を平行にする、レンズ構成要素を備えた、クロック掃引源分析システム。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項において、前記クロックサブシステムは、
前記同調信号をスペクトルフィルタリングする光フィルタと、
前記光フィルタによってフィルタリングされた前記光信号を検出する検出器とを有する、クロック掃引源分析システム。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項において、前記クロックサブシステムは、
前記同調信号をスペクトルフィルタリングするエタロンと、
前記エタロンによってフィルタリングされた前記光信号を検出して、前記クロック信号を生成する検出器と、
前記光信号の一部を前記エタロンに導き、前記エタロンから戻る前記フィルタリングされた光信号を前記検出器に導くビームスプリッタとを有する、クロック掃引源分析システム。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項において、さらに、
前記クロックサブシステムによって生成された前記クロック信号に応じて、クロック周波数を増加させる周波数逓倍器を備えた、クロック掃引源分析システム。
【請求項９】
可変同調掃引源に対するクロック信号を生成する方法であって、
同調光信号を生成する工程であって、前記同調光信号は、光学ベンチ上に少なくとも一部が組み込まれた可変同調掃引源のスペクトル走査帯域にわたって走査される、工程と、
前記光学ベンチ上に取り付けられたフィルタによって、前記同調光信号の光の一部をフィルタリングする工程と、
前記光学ベンチ上に取り付けられたクロックサブシステムの検出器によって、前記フィルタによりフィルタリングされた光からクロック信号を生成する工程であって、前記クロック信号は、固定の周波数増分による前記光同調信号の走査を示す、工程と、
この同調光信号をサンプルアームと参照アームに分割し、前記サンプルアームと前記参照アームからの前記同調光信号を結合する工程と、
前記サンプルアームと前記参照アームからの結合された光信号を検出する工程と、
前記クロック信号に応答して、前記結合された光信号をサンプリングする工程とを備えた、クロック信号生成方法。
【請求項１０】
請求項９において、さらに、
前記サンプルアームと前記参照アームを含む光信号の干渉計における遅れに相当する量だけ、前記クロック信号を電子式に遅延する工程を備えた、クロック信号生成方法。
【請求項１１】
請求項９または１０において、さらに、
前記可変同調掃引源によって生成された前記光信号の一部を、前記クロックサブシステムに導く工程を備えた、クロック信号生成方法。
【請求項１２】
請求項９から１１のいずれか一項において、前記可変同調掃引源は、前側反射器および後側反射器を有するレーザであり、
前記前側反射器を通して前記光信号が提供され、前記後側反射器を通して、前記可変同調レーザ光源において生成された光が前記クロックサブシステムに提供され、
前記前側反射器および前記後側反射器は、前記可変同調レーザ光源のレーザキャビティを画定している、クロック信号生成方法。
【請求項１３】
請求項９から１２のいずれか一項において、さらに、
前記フィルタによって受信された前記光信号を平行にする工程を備えた、クロック信号生成方法。
【請求項１４】
請求項９から１３のいずれか一項において、さらに、
前記クロック信号が、前記結合された光信号をサンプリングするのに用いられるよりも前に、当該クロック信号を周波数逓倍する工程を備えた、クロック信号生成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月29日(2012.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
商品又はサービスを提供するための販売機システムであって、
提供機構制御装置を有さない提供機構を有する販売機と、
前記販売機からは遠隔のデータ処理装置と、
ベンディングブリッジと、を備え、
前記ベンディングブリッジは、前記データ処理装置及び前記販売機の前記提供機構と通信して、マスタースレーブ関係の下に、前記データ処理装置が、前記提供機構に対して前記商品又はサービスを提供するように直接的に命令するようにしたことを特徴とする、販売機システム。
【請求項２】
前記ベンディングブリッジは消費者インターフェースを有する、請求項１に記載の販売機。
【請求項３】
前記ベンディングブリッジはディスプレイインターフェースを有する、請求項１に記載の販売機。
【請求項４】
前記ベンディングブリッジは、モータ制御インターフェースを有する、請求項１に記載の販売機システム。
【請求項５】
前記データ処理装置はパーソナルコンピュータを有する、請求項１に記載の販売機。
【請求項６】
前記データ処理装置は電話を有する、請求項１に記載の販売機。
【請求項７】
前記販売機は冷蔵システムを有し、
前記データ処理装置は、前記ベンディングブリッジを介して前記冷蔵システムを制御する、請求項１に記載の販売機システム。
【請求項８】
前記ベンディングブリッジは、前記冷蔵システム及び前記データ処理装置と通信する冷蔵制御インターフェースを有する、請求項７に記載の販売機システム。
【請求項９】
前記冷蔵制御インターフェースは、１つ又は複数のファン制御インターフェースを有する、請求項８に記載の販売機システム。
【請求項１０】
前記冷蔵制御インターフェースは、遠隔動き検出器を有する、請求項８に記載の販売機システム。
【請求項１１】
前記データ処理装置は、前記販売機のナイトタイムモードの動作の管理を実行する命令を記録したマイクロプロセッサ可読媒体を有する、請求項１に記載の販売機。
【請求項１２】
前記データ処理装置は、消費者からの通信を受け付け、商品又はサービスの提供が承認されたか否か判定して前記商品又はサービスの提供を実行する命令を記録したマイクロプロセッサ可読媒体を有する、請求項１に記載の販売機システム。
【請求項１３】
前記ベンディングブリッジは、前記販売機のエネルギー利用方法及び効率の管理を実行する命令を記録したマイクロプロセッサ可読媒体を有する、請求項１に記載の販売機システム。
【請求項１４】
前記データ処理装置は複数の仮想設備モジュールを有する、請求項１に記載の販売機システム。
【請求項１５】
前記データ処理装置と通信する支払いサービスシステムをさらに有する、請求項１に記載の販売機システム。
【請求項１６】
前記データ処理装置と通信する消費者インタラクションシステムをさらに有する、請求項１に記載の販売機システム。
【請求項１７】
前記データ処理装置と通信するルート操作システムをさらに有する、請求項１に記載の販売機システム。
【請求項１８】
前記データ処理装置と通信する会計サービスシステムをさらに有する、請求項１に記載の販売機システム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月12日(2012.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レシートを提供する方法であって、
顧客との販売時点情報管理（ＰＯＳ）商取引に参加するステップであって、前記顧客が、前記商取引が発生する場所に物理的に存在しており、前記商取引が、リモートネットワーク商取引を容易にする商用システムを介し実行されていないものと、
前記顧客によって持ち運ばれる装置から、前記レシートが送信されるべき場所を識別する連絡先を含む前記装置にストアされているプロファイル情報を受信するステップと、
前記商取引に基づく前記レシートを生成するステップと、
前記レシートが、前記連絡先によって識別されるレシートストアへ送信されるようにするステップと、を含む方法。
【請求項２】
前記プロファイル情報が、前記装置と通信しＰＯＳコンポーネントと通信可能に接続されているデバイス読取装置において受信され、前記送信されるようにするステップが、
前記レシートを前記デバイス読取装置へ送信せず、前記ＰＯＳコンポーネントから前記レシートストアへ前記レシートを送信するステップを含むこと、を特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記プロファイル情報が、前記装置と通信し、ＰＯＳコンポーネントと通信可能に接続されているデバイス読取装置において、受信され、前記方法が更に、
前記ＰＯＳコンポーネントにおいて部分的レシートを生成するステップと、
前記ＰＯＳコンポーネントから前記デバイス読取装置へ前記部分的レシートを送信するステップと、
前記デバイス読取装置において前記レシートを生成するステップと、を含み、
前記送信されるようにするステップが、
前記デバイス読取装置から前記レシートストアへ前記レシートを送信するステップを含むこと、を特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記プロファイル情報が、前記装置と通信しＰＯＳコンポーネントと通信可能に接続されているデバイス読取装置において、受信され、前記方法が更に
前記デバイス読取装置において、前記ＰＯＳコンポーネントから部分的レシートを受信するステップと、
前記レシートを生成するために、支払情報を前記部分的レシートに追加するステップと、
前記デバイス読取装置から前記装置へ前記レシートを送信するステップと、を含み、
前記送信されるようにするステップが、
前記装置から前記レシートストアへ前記レシートを送信するステップを含むこと、を特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
更に、
前記レシートの複製を前記装置にストアするステップを含む請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記レシートストアが、クラウドにおけるサービスとして実装され、前記送信されるようにするステップが、
前記クラウドへ前記レシートを送信するステップを含むこと、を特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
更に、
前記装置において、前記クラウドから前記レシートを受信するステップを含む請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記顧客が、前記レシートストアを使用するための契約関係（subscription）を有しており、前記連絡先が、前記顧客によって前記契約関係を形成する一部として取得されること、を特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項９】
装置から顧客の支払口座情報及び前記顧客の連絡先を含むプロファイル情報を受信するデバイス読取装置と、
前記顧客及びＰＯＳコンポーネントが、物理的に一緒に存在している場所において、商取引を実行し、前記商取引と関連するコンテンツを生成するＰＯＳコンポーネントと、
前記コンテンツに基づくレシートを生成し、前記レシートが前記連絡先に基づくレシートストアへ送信されるようにする第１のコンポーネントと、を含むシステム。
【請求項１０】
前記第１のコンポーネントが、前記ＰＯＳコンポーネントであり、前記ＰＯＳコンポーネントが、前記レシートストアがサービスとして実装されているクラウドへ前記レシートを送信すること、を特徴とする請求項９記載のシステム。
【請求項１１】
前記第１のコンポーネントが、前記デバイス読取装置であり、前記デバイス読取装置が、前記レシートを生成するために、前記コンテンツに支払いデータを追加し、前記デバイス読取装置が、前記レシートストアがサービスとして実装されているクラウドへ前記レシートを送信すること、を特徴とする請求項９記載のシステム。
【請求項１２】
前記第１のコンポーネントが、前記デバイス読取装置であって、前記デバイス読取装置が、前記レシートを生成するために、前記コンテンツに支払いデータを追加し、
前記デバイス読取装置が、前記装置へ前記レシートを送信することによって、前記レシートを前記レシートストアへ送信するようにさせ、前記装置が、前記顧客によって持ち運ばれ、前記レシートストアへ前記レシートを送信するように構成されていること、を特徴とする請求項９記載のシステム。
【請求項１３】
前記顧客が、前記レシートストアを使用するための契約関係を有しており、前記連絡先が、前記顧客によって前記契約関係を形成する一部として取得されること、を特徴とする請求項９記載のシステム。
【請求項１４】
前記デバイス読取装置が、前記レシートを前記装置にストアすることを特徴とする請求項９記載のシステム。
【請求項１５】
レシートストアとしての役割を実行することを顧客と取り決めるステップと、
前記レシートストアにストアされるレシートの送信先の場所を識別する連絡先を前記顧客に提供するステップであって、前記連絡先が通信アドレスでないものと、
前記連絡先によって識別された前記場所へ送信されるレシートを受信するステップと、
前記顧客へ前記レシートに基づくデータを伝達するステップと、を含む方法を実行する実行可能命令を含む１つ以上の計算機可読記憶媒体。
【請求項１６】
前記レシートに基づく前記データが、前記レシートが生成される元となった商取引において購入した品目別の一覧を含むことを特徴とする請求項１５記載の１つ以上の計算機可読記憶媒体。
【請求項１７】
前記方法が更に、
前記レシートストア内の複数レシートから事実又は結論をマイニングするステップを含み、前記複数のレシートが、前記レシート含んでおり、前記レシートに基づく前記データが、前記事実又は前記結論を含むこと、を特徴とする請求項１５記載の１つ以上の計算機可読記憶媒体。
【請求項１８】
前記方法が更に、
前記事実又は前記結論に基づく前記顧客へのコマーシャル提案を作成するステップを含むことを特徴とする請求項１７記載の１つ以上の計算機可読記憶媒体。
【請求項１９】
前記方法が更に、
前記レシートストア内のレシート表現を前記顧客に提示するステップであって、前記レシートに基づく前記データが、前記表現を含んでいるもの、を含むことを特徴とする請求項１５記載の１つ以上の計算機可読記憶媒体。
【請求項２０】
前記レシートストアが、クラウドサービスとして実装されており、前記受信ステップが、
前記クラウドを介し前記レシートを受信するステップを含むこと、を特徴とする請求項１５記載の１つ以上の計算機可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月9日(2012.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＴスキャナと、
個体の組織の石灰化を、ＣＴスキャンにより前記組織の鉱物密度偏差および／または鉱物組成偏差を測定することによって定量的に測定し、前記ＣＴスキャンにおいて前記組織の正常領域またはストレスの少ない領域に対して前記偏差を比較し、組織の損傷インデックスを決定するようにプログラムされたコンピューターと、を含む、撮像システム。
【請求項２】
前記鉱物密度偏差および前記鉱物組成偏差は、肋骨の腹側の端上、咽頭・気管および気管支中、ならびに、骨の関節表面上の組織からなる群から選択される硝子軟骨関連組織に関連する、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
非疾患関連プロセスのミネラル化反応を計算および減算し、かつ、ミネラル化損傷反応モデルを利用することにより、骨関節炎の損傷および骨関節炎のリスクレベルを決定するステップであって、
前記ミネラル化損傷反応モデルにおいて、損傷に応答する指数関数的なミネラル化は、組織損傷を推量するためにログ関数を要するステップをさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記非疾患関連プロセスのミネラル化反応を計算および減算し、かつ、ミネラル化損傷反応モデルを利用することにより、冠動脈疾患等の心臓血管疾患の損傷およびリスクレベルを決定するステップであって、
前記ミネラル化損傷反応モデルにおいて、損傷に応答する指数関数的なミネラル化は、組織損傷を推量するためにログ関数を要するステップをさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記密度および組成ＣＴ測定は、血管壁領域および隣接領域から取得され、個体の心血管疾患に関する治療的および／または臨床的情報を提供するために使用される、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記密度および組成ＣＴ測定は、非疾患関連プロセスのミネラル化反応を計算および減算し、かつ、ミネラル化損傷反応モデルを利用することにより、損傷および機能不全のリスクを評価するために靱帯および腱から取得され、それにより、靱帯および腱の組織の機能不全および損傷のリスクレベルが明らかにされ、
前記ミネラル化損傷反応モデルにおいて、損傷に応答する指数関数的なミネラル化は、組織損傷を推量するためにログ関数を要する、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
ＣＴスキャナと、
個体の肺組織の高分解能ＣＴスキャンを得、前記ＣＴスキャンを分析し、最高粒子沈着を有する気道組織部位の密度偏差を測定することにより肺組織損傷を定量的に測定するようにプログラムされたコンピューターと、を含み、
前記密度偏差は、気道幾何解析または流量解析のいずれかを用いて得られ、局部的な肺機能測定および／または全体的な肺機能測定を用いて気道閉塞の程度が測定され、これらの測定結果のいずれかまたは全ては肺疾患リスクインデックスと組み合わせられる、撮像システム。
【請求項８】
前記全体的な肺機能測定は、ＦＥＶ１／ＦＶＣであり、前記局部的な肺機能測定は、ＣＴ壁厚測定および肺気腫の測定、またはその両方から選択される、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記ＣＴスキャンを分析し、前記密度偏差を測定するステップは、ＣＴスキャンの気道樹に沿って隣接する低曝露領域からの最大ＨＵ密度偏差のログの合計を測定するステップをさらに含む、請求項７に記載のシステム。
【請求項１０】
前記最高粒子沈着の部位は、１つまたは複数の分岐部位または湾曲領域を含み、
前記測定を組み合わせるステップは、前記１つまたは複数の分岐部位または湾曲領域からの肺がんリスクの測定を上回る大きな影響をおくステップをさらに含む、請求項７に記載のシステム。
【請求項１１】
前記ＣＴスキャンは、複数エネルギーＣＴスキャンであり、かつ曝露に対する個体反応をさらに区別するための物質組成特性を提供する、請求項７に記載のシステム。
【請求項１２】
ＣＴスキャン測定の分析から肺疾患リスクインデックスを決定し、最も低い潜在的な肺がんおよびＣＯＰＤリスクを生み出す治療形態を提案するようにプログラムされたコンピューターを含む、治療計画分析用コンピューターシステム。
【請求項１３】
振動し、かつ、肺がん治療を必要とする患者の肺に触知するユニットを含み、
前記振動／触知は、前記肺からの石灰化の除去を促進させるのに十分であり、前記ユニットは、音刺激または機械的刺激による機構を使用して前記振動／触知を発動させる、肺がん治療装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月28日(2011.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細長いイントロデューサと、
上記イントロデューサと分離可能に接続されるメッシュスタビライザーと、ここで該メッシュスタビライザーは、メッシュストラップを保持し膣の前壁及び後壁にメッシュストラップを位置決めする一対のアームを含む、
上記メッシュスタビライザーに係合可能なプローブヘッドを有する膣プローブと、を備え、
上記イントロデューサは、第１切り口を通じて腹部内へメッシュスタビライザーを運び、送達し、上記膣プローブは、膣に挿入され、上記メッシュスタビライザーは、縫合のため膣尖部に対して上記メッシュストラップを安定させるために上記膣プローブのプローブヘッドと係合する、
仙骨腟固定術用メッシュ送達システム。
【請求項２】
イントロデューサは、前部及び後部膣壁へのメッシュの縫合を容易にするため、メッシュスタビライザーから選択的に分離可能であり、腹部から除去可能である、請求項１に記載のメッシュ送達システム。
【請求項３】
膣へのメッシュの縫合完了後に、イントロデューサは、腹部へ再挿入され、メッシュスタビライザーの回収のために上記メッシュスタビライザーに再び取り付け可能である、請求項２に記載のメッシュ送達システム。
【請求項４】
上記メッシュスタビライザーは、仙骨メッシュの細片を運ぶキャリヤー部材を備える、請求項１に記載のメッシュ送達システム。
【請求項５】
上記メッシュスタビライザーは、仙骨メッシュの２つの細片を運ぶ２つの対向したキャリヤー部材を備える、請求項４に記載のメッシュ送達システム。
【請求項６】
上記イントロデューサは、上記メッシュスタビライザーを選択的に解放する選択的解放部を有する遠位の取付機構を備える、請求項１に記載のメッシュ送達システム。
【請求項７】
上記取付機構はマグネットを備える、請求項６に記載のメッシュ送達システム。
【請求項８】
上記イントロデューサは、体腔内にあるとき、上記メッシュスタビライザーの外部操作のため関節接合される、請求項１に記載のメッシュ送達システム。
【請求項９】
上記イントロデューサは、枢動可能に縦に連結された３つのセグメントを備え、一つの端セグメントの移動が他の端セグメントを移動させる、請求項１に記載のメッシュ送達システム。
【請求項１０】
上記プローブは、外部真空源へ取り付けるための真空ポートを備え、真空ポートは、上記プローブヘッドにおける複数の真空孔と連通する、請求項１に記載のメッシュ送達システム。
【請求項１１】
膣プローブと、
仙骨メッシュを締め付け、位置決めするメッシュスタビライザーで、上記プローブと解放可能にドッキングするメッシュスタビライザーと、
体腔に上記メッシュスタビライザーを挿入し、縫合の間、仙骨メッシュを固定するため、上記メッシュスタビライザーを上記プローブへドッキングするイントロデューサと、
を備えた、仙骨メッシュ送達システム。
【請求項１２】
上記メッシュスタビライザーは、細長い仙骨メッシュを運ぶ少なくとも一つのキャリヤー部材を備える、請求項１１に記載の仙骨メッシュ送達システム。
【請求項１３】
上記イントロデューサは、上記メッシュスタビライザーを取り付け、選択的に解放する解放制御を有する遠位の取付機構を備える、請求項１２に記載の仙骨メッシュ送達システム。
【請求項１４】
上記取付機構はマグネットを備える、請求項１３に記載の仙骨メッシュ送達システム。
【請求項１５】
上記イントロデューサは、体腔内にあるとき、上記メッシュスタビライザーの外部操作のため関節接合される、請求項１２に記載の仙骨メッシュ送達システム。
【請求項１６】
上記イントロデューサは、枢動可能に縦に連結された３つのセグメントを備え、一つの端セグメントの移動が他の端セグメントを移動させる、請求項１５に記載の仙骨メッシュ送達システム。
【請求項１７】
上記プローブは、外部真空源に取り付けるための真空ポートを備え、真空ポートは、上記プローブヘッドにおける複数の真空孔と連通する、請求項１２に記載の仙骨メッシュ送達システム。
【請求項１８】
プローブヘッドと、すべて前部の凹面を形成した複数の交換可能なプローブ先端とを備え、交換可能なプローブ先端のそれぞれは、前部の凹面の異なる曲率半径を有する、膣プローブ・キット