(57)【要約】【課題】有機ＥＬディスプレイの透明電極、ＬＥＤやＬＤの透明電極として用いるために、透過率と表面抵抗率との良好な値を維持した状態で、その表面平坦性とその表面仕事関数Ｗ．Ｆ．を良好にする。【解決手段】ＩＴＯ薄膜は、ガラス基板上に形成され、イオンを照射することにより表面が平坦化および高仕事関数化される。このイオンは、例えば、酸素ガス、窒素ガス、アルゴンガスのうちいずれか１つの単一ガス、またはこれらガスを混合した混合ガスから生成される。このイオンを−３００〜−１０Ｖの加速電圧により、ガラス基板上に形成されたＩＴＯ薄膜に照射することにより、ＩＴＯ薄膜の表面平坦化及び高仕事関数化を図る。この表面平坦化及び高仕事関数化とは、表面平均粗さＲａを１ｎｍ以下に、表面高低差Ｒｚを１０ｎｍ以下に平坦化して、表面仕事関数Ｗ．Ｆ．を約５〜６ｅＶすることである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成され、イオンを照射することにより表面が平坦化および高仕事関数化される透明導電膜であって、
インジウム元素を含有する酸化物からなり、前記イオンを−３００〜−１０Ｖの加速電圧により照射することにより、表面平均粗さＲａが１ｎｍ以下に、表面高低差Ｒｚが１０ｎｍ以下に平坦化され、且つ、表面仕事関数Ｗ．Ｆ．が約５〜６ｅＶであることを特徴とする透明導電膜。
【請求項２】
基板上に形成し、イオンを照射することにより表面を平坦化および高仕事関数化する透明導電膜の製造方法であって、
前記透明導電膜は、インジウム元素を含有する酸化物からなり、前記イオンを−３００〜−１０Ｖの加速電圧により照射することにより、前記透明導電膜の表面平均粗さＲａを１ｎｍ以下、表面高低差Ｒｚを１０ｎｍ以下にして平坦化し、且つ、表面仕事関数Ｗ．Ｆ．を約５〜６ｅＶにすることを特徴とする透明導電膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、透明導電膜及びその製造方法に関する。特に、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ　　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイ等の透明電極として使用できる透明導電膜及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、液晶ディスプレイ等の表示デバイスには、通常、酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ：以下、ＩＴＯという）薄膜が透明電極材料として広く用いられる。このＩＴＯ薄膜は、例えば、スパッタリング法やイオンプレーティング法などにより、基板を加熱しながら（５０〜３５０℃）その基板上に形成してなる（例えば、特許文献１、２参照。）。
【０００３】
例えば、このＩＴＯ薄膜を低電圧スパッタ法により形成した場合、その膜厚は１００〜１５０ｎｍであり、透過率は８５％以上であり、表面抵抗率は１０〜２５Ω／□であり、透明導電性が非常に良い。
【０００４】
【特許文献１】
特開平９−１２９３７６号公報
【特許文献２】
特開平１０−３３０９１６号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ＩＴＯ薄膜は、多結晶体の集合体であるため、その表面の凹凸が大きい。スパッタ法により形成した薄膜では、２０〜５０ｎｍ径の結晶子が凝集して、２００〜３５０ｎｍの結晶粒領域を形成している。また、イオンプレーティング法により形成した薄膜では、１００〜１５０ｎｍの結晶子からなるシンプルな多結晶構造を有しているが、表面の平坦性はより低い。このＩＴＯ薄膜の表面高低差Ｒｚが大きくなると、表面凸部に集中的に大きな電界がかかる。そのため、表面凸部では微小な放電が生じ、素子が破壊して非発光点を生じ易く、耐久性低下を招来する。したがって、透明導電膜としては表面高低差Ｒｚを極力小さくして優れた平滑性を有するようにすることが要請される。
【０００６】
例えば、上記したＩＴＯ薄膜を低電圧スパッタ法により形成した場合、その表面仕事関数Ｗ．Ｆ．は４．８〜４．９ｅＶであり、表面平均粗さＲａは数ｎｍであり、表面高低差Ｒｚは１５〜２０ｎｍである。
【０００７】
そのため、このＩＴＯ薄膜を液晶ディスプレイ用の透明電極として用いることは適しているが、有機ＥＬディスプレイの透明電極、ＬＥＤやＬＤの透明電極として用いることには適していない。
【０００８】
すなわち、有機ＥＬディスプレイを例にして、有機ＥＬディスプレイの透明電極膜としてＩＴＯ薄膜を用いる場合、ＩＴＯ薄膜の上に発光層となる有機材料を堆積させるため、ＩＴＯ薄膜の表面平坦性や表面仕事関数Ｗ．Ｆ．が有機ＥＬディスプレイ等の性能（寿命や、発光開始電圧などの発光特性）に直接影響する。
【０００９】
そこで、上記課題を解決するために本発明は、有機ＥＬディスプレイの透明電極、ＬＥＤやＬＤの透明電極として用いるために、透過率と表面抵抗率との良好な値を維持した状態で、その表面平坦性（表面平均粗さＲａや表面高低差Ｒｚ）とその表面仕事関数Ｗ．Ｆ．を良好にする透明導電膜及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため本発明に係る透明導電膜は、基板上に形成され、イオンを照射することにより表面が平坦化および高仕事関数化される透明導電膜であって、インジウム元素を含有する酸化物からなり、前記イオンを−３００〜−１０Ｖの加速電圧により照射することにより、表面平均粗さＲａが１ｎｍ以下に、表面高低差Ｒｚが１０ｎｍ以下に平坦化され、且つ、表面仕事関数Ｗ．Ｆ．が約５〜６ｅＶであることを特徴とする。
【００１１】
また、上記加速電圧は−１００〜−６０Ｖであることが好ましい。更に、加速電圧が−１００Ｖであることがより好ましい。
【００１２】
また、上記イオンは、酸素ガス、窒素ガス、アルゴンガス、フッ素ガスのうちいずれか１つの単一ガス、またはこれらガスを混合した混合ガスから生成されてもよい。
【００１３】
この発明によれば、イオンを−３００〜−１０Ｖの加速電圧により照射することにより、表面平均粗さＲａが１ｎｍ以下に、表面高低差Ｒｚが１０ｎｍ以下に平坦化され、且つ、表面仕事関数Ｗ．Ｆ．を約５〜６ｅＶにすることが可能となる。その結果、透過率と表面抵抗率との良好な値を維持した状態で、その表面平坦性（表面平均粗さＲａや表面高低差Ｒｚ）とその表面仕事関数Ｗ．Ｆ．を良好にして、有機ＥＬディスプレイの透明電極、ＬＥＤやＬＤの透明電極として用いることが可能となる。
【００１４】
上記目的を達成するため本発明に係る透明導電膜の製造方法は、基板上に形成し、イオンを照射することにより表面を平坦化および高仕事関数化する透明導電膜の製造方法であって、前記透明導電膜は、インジウム元素を含有する酸化物からなり、前記イオンを−３００〜−１０Ｖの加速電圧により照射することにより、前記透明導電膜の表面平均粗さＲａを１ｎｍ以下、表面高低差Ｒｚを１０ｎｍ以下にして平坦化し、且つ、表面仕事関数Ｗ．Ｆ．を約５〜６ｅＶにすることを特徴とする透明導電膜の製造方法。
【００１５】
この発明によれば、イオンを−３００〜−１０Ｖの加速電圧により照射することにより、透明導電膜の表面平均粗さＲａを１ｎｍ以下、表面高低差Ｒｚを１０ｎｍ以下にして平坦化し、且つ、表面仕事関数Ｗ．Ｆ．が約５〜６ｅＶである透明導電膜を形成することが可能となる。その結果、透過率と表面抵抗率との良好な値を維持した状態で、その表面平坦性（表面平均粗さＲａや表面高低差Ｒｚ）とその表面仕事関数Ｗ．Ｆ．を良好にして、有機ＥＬディスプレイの透明電極、ＬＥＤやＬＤの透明電極として用いることが可能となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施の形態では、透明導電膜としてＩＴＯ薄膜に本発明を適用した場合を示すが、これに限定されるものではなく、インジウム元素を含有する酸化物からなる透明導電膜であればよい。また、基板として、ガラス基板に本発明を適用した場合を示すが、これに限定されるものではなく、プラスチック基板であってもよい。
【００１７】
本実施の形態にかかるＩＴＯ薄膜は、ガラス基板上に形成され、イオンを照射することにより表面が平坦化および高仕事関数化される。
【００１８】
このイオンは、例えば、酸素ガス、窒素ガス、アルゴンガスのうちいずれか１つの単一ガス、またはこれらガスを混合した混合ガスから生成される。このイオンを−３００〜−１０Ｖの加速電圧により、ガラス基板上に形成されたＩＴＯ薄膜に照射することにより、ＩＴＯ薄膜の表面平坦化及び高仕事関数化を図る。
【００１９】
なお、ここで加速電圧の最大値を−１０Ｖ超から０Ｖまでの間、例えば−８Ｖに設定すると、イオンの照射力が弱くＩＴＯ薄膜の表面を削ることはできず表面の凹凸を平坦にすることはできない。また、加速電圧の最小値を−３００Ｖ未満に設定すると、イオンの照射力が強くＩＴＯ薄膜の表面を粗くして表面を凹凸にする。
【００２０】
また、本発明でいうＩＴＯ薄膜の表面平坦化及び高仕事関数化とは、表面平均粗さＲａを１ｎｍ以下に、表面高低差Ｒｚを１０ｎｍ以下に平坦化して、表面仕事関数Ｗ．Ｆ．を約５〜６ｅＶすることである。
【００２１】
次に、本発明にかかるＩＴＯ薄膜の実施例を以下に示す。
【００２２】
＜実施例１＞
本実施例１にかかるＩＴＯ薄膜を製造するイオン源１（（株）ダイヘン、ＥＳＳＷ−１０Ｎ）を図１に示す。
【００２３】
このイオン源１は、図１に示すように、チャンバー１１に、マイクロ波Ｗをチャンバー１１内部に入射させる石英窓１２と、イオンを発生させるためのガスを導入するガス導入ポート１３と、チャンバー１１内の真空状態を排気する真空排気ポート１４と、基板２を設置する基板ホルダー１５とが設けられ、基板ホルダー１５に下記する加速電圧を印加する直流電源１６が接続され、チャンバー１１内に磁場を形成するマグネット１７が設けられてなる。このマグネット１７は、図１に示すように、チャンバー１１の外側面であって石英窓１２とガス導入ポート１３との近傍に設けられてなる。
【００２４】
次に、このイオン源１を用いた本実施例１にかかるＩＴＯ薄膜の製造を以下に、図１を用いて説明する。
【００２５】
基板ホルダー１５に、ＩＴＯ薄膜を形成した基板２をＩＴＯ薄膜を表面側にして設置する。基板を設置した後に、チャンバー１１内を真空状態にし、ガス導入ポート１３からガス圧が１．３×１０−２Ｐａである酸素ガスを導入する。この時、マグネット１７によりチャンバー１１内の空間に磁場を発生させる。そして、石英窓１２から２．４５ＧＨｚのマイクロ波Ｗを入射させて、このマイクロ波と酸素ガスと磁場とによりＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　　Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ　　Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズマを発生させる。
【００２６】
ＥＣＲプラズマを発生させた後に、直流電源１６により−６０Ｖの加速電圧を印加して、ＥＣＲプラズマ中のプラスイオンを直流電源１６に接続された基板ホルダー１５に設置された基板２上のＩＴＯ薄膜に１０分間照射してＩＴＯ薄膜を製造する。
【００２７】
そして、このイオン源１を用いて製造したＩＴＯ薄膜について、分光光度計による透過率及び反射率の測定、四探針法によるシート抵抗、大気中紫外線電子分光装置（理研計器（株）、ＡＣ−１）による表面仕事関数Ｗ．Ｆ．、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による表面観察（表面平均粗さＲａ、表面高低差Ｒｚ）などの評価を行なった。
【００２８】
その結果、透過率は８５％以上であり、表面抵抗率は１０〜２５Ω／□であった。また、このＩＴＯ薄膜の照射結果（ＩＴＯ薄膜の表面平均粗さＲａ、表面高低差Ｒｚ、表面仕事関数Ｗ．Ｆ．）を下記する表１に示す。
【００２９】
＜実施例２＞
本実施例２にかかるＩＴＯ薄膜を説明する。このＩＴＯ薄膜は、上記した実施例１と同一のイオン源１を用い、照射条件を変えて製造したものである。
【００３０】
本実施例２では、ガス導入ポート１３から導入するガスを酸素ガスから窒素ガスに変更し、直流電源１６から印加する加速電圧を−６０Ｖから−１００Ｖに変更した。
【００３１】
そして、このイオン源１を用いて製造した実施例２にかかるＩＴＯ薄膜について、上記した実施例１と同様の各種評価を行なった。その結果、透過率は８５％以上であり、表面抵抗率は１０〜２５Ω／□であった。また、このＩＴＯ薄膜の照射結果（ＩＴＯ薄膜の表面平均粗さＲａ、表面高低差Ｒｚ、表面仕事関数Ｗ．Ｆ．）を下記する表１に示す。
【００３２】
＜実施例３＞
本実施例３にかかるＩＴＯ薄膜を説明する。このＩＴＯ薄膜は、上記した実施例１と同一のイオン源１を用い、照射条件を変えて製造したものである。
【００３３】
本実施例３では、ガス導入ポート１３から導入するガスを酸素ガスから、窒素ガスと酸素ガスとを混合した混合ガスに変更し、直流電源１６から印加する加速電圧を−６０Ｖから−１００Ｖに変更した。
【００３４】
そして、このイオン源１を用いて製造した実施例３にかかるＩＴＯ薄膜について、上記した実施例１と同様の各種評価を行なった。その結果、透過率は８５％以上であり、表面抵抗率は１０〜２５Ω／□であった。また、このＩＴＯ薄膜の照射結果（ＩＴＯ薄膜の表面平均粗さＲａ、表面高低差Ｒｚ、表面仕事関数Ｗ．Ｆ．）を下記する表１に示す。
【００３５】
＜実施例４＞
本実施例４にかかるＩＴＯ薄膜を説明する。このＩＴＯ薄膜は、上記した実施例１と同一のイオン源１を用い、照射条件を変えて製造したものである。
【００３６】
本実施例４では、ガス導入ポート１３から導入するガスを酸素ガスからアルゴンガスに変更し、直流電源１６から印加する加速電圧を−６０Ｖから−１００Ｖに変更した。
【００３７】
そして、このイオン源１を用いて製造した実施例４にかかるＩＴＯ薄膜について、上記した実施例１と同様の各種評価を行なった。その結果、透過率は８５％以上であり、表面抵抗率は１０〜２５Ω／□であった。また、このＩＴＯ薄膜の照射結果（ＩＴＯ薄膜の表面平均粗さＲａ、表面高低差Ｒｚ、表面仕事関数Ｗ．Ｆ．）を下記する表１に示す。
【００３８】
＜実施例５＞
本実施例５にかかるＩＴＯ薄膜を説明する。このＩＴＯ薄膜は、上記した実施例１と同一のイオン源１を用い、照射条件を変えて製造したものである。
【００３９】
本実施例５では、ガス導入ポート１３から導入するガスを酸素ガスから、アルゴンガスと酸素ガスとを混合した混合ガスに変更し、直流電源１６から印加する加速電圧を−６０Ｖから−１００Ｖに変更した。
【００４０】
そして、このイオン源１を用いて製造した実施例５にかかるＩＴＯ薄膜について、上記した実施例１と同様の各種評価を行なった。その結果、透過率は８５％以上であり、表面抵抗率は１０〜２５Ω／□であった。また、このＩＴＯ薄膜の照射結果（ＩＴＯ薄膜の表面平均粗さＲａ、表面高低差Ｒｚ、表面仕事関数Ｗ．Ｆ．）を下記する表１に示す。
【００４１】
＜実施例６＞
本実施例６にかかるＩＴＯ薄膜を説明する。このＩＴＯ薄膜は、上記した実施例１と同一のイオン源１を用い、照射条件を変えて製造したものである。
【００４２】
本実施例６では、ガス導入ポート１３から導入するガスを酸素ガスから、アルゴンガスと窒素ガスとを混合した混合ガスに変更し、直流電源１６から印加する加速電圧を−６０Ｖから−１００Ｖに変更した。
【００４３】
そして、このイオン源１を用いて製造した実施例６にかかるＩＴＯ薄膜について、上記した実施例１と同様の各種評価を行なった。その結果、透過率は８５％以上であり、表面抵抗率は１０〜２５Ω／□であった。また、このＩＴＯ薄膜の照射結果（ＩＴＯ薄膜の表面平均粗さＲａ、表面高低差Ｒｚ、表面仕事関数Ｗ．Ｆ．）を下記する表１に示す。
【００４４】
次に、上記した各実施例１乃至６と比較を行なうために比較例を示す。
【００４５】
＜比較例１＞
比較例１にかかるＩＴＯ薄膜は、ガラス基板上に形成したのみで、上記したイオンの照射のような平坦処置を行なっていないものである。この比較例１にかかるＩＴＯ薄膜の照射結果（ＩＴＯ薄膜の表面平均粗さＲａ、表面高低差Ｒｚ、表面仕事関数Ｗ．Ｆ．）を下記する表１に示す。
【００４６】
＜比較例２＞
比較例２にかかるＩＴＯ薄膜は、ガラス基板上にＩＴＯ薄膜を形成し、形成したＩＴＯ薄膜を、酸素ガスを用いて発生させた３００Ｗのプラズマを１０分間照射させて製造したものである。この比較例２にかかるＩＴＯ薄膜の照射結果（ＩＴＯ薄膜の表面平均粗さＲａ、表面高低差Ｒｚ、表面仕事関数Ｗ．Ｆ．）を下記する表１に示す。
【００４７】
＜比較例３＞
比較例３にかかるＩＴＯ薄膜は、ガラス基板上にＩＴＯ薄膜を形成し、形成したＩＴＯ薄膜を、窒素ガスを用いて発生させた３００Ｗのプラズマを１０分間照射させて製造したものである。この比較例３にかかるＩＴＯ薄膜の照射結果（ＩＴＯ薄膜の表面平均粗さＲａ、表面高低差Ｒｚ、表面仕事関数Ｗ．Ｆ．）を下記する表１に示す。
【００４８】
＜比較例４＞
比較例４にかかるＩＴＯ薄膜は、ガラス基板上にＩＴＯ薄膜を形成し、形成したＩＴＯ薄膜を、窒素ガスと酸素ガスとを混合した混合ガスを用いて発生させた３００Ｗのプラズマを１０分間照射させて製造したものである。この比較例４にかかるＩＴＯ薄膜の照射結果（ＩＴＯ薄膜の表面平均粗さＲａ、表面高低差Ｒｚ、表面仕事関数Ｗ．Ｆ．）を下記する表１に示す。
【００４９】
＜比較例５＞
比較例５にかかるＩＴＯ薄膜は、ガラス基板上にＩＴＯ薄膜を形成し、形成したＩＴＯ薄膜を、アルゴンガスを用いて発生させた３００Ｗのプラズマを１０分間照射させて製造したものである。この比較例５にかかるＩＴＯ薄膜の照射結果（ＩＴＯ薄膜の表面平均粗さＲａ、表面高低差Ｒｚ、表面仕事関数Ｗ．Ｆ．）を下記する表１に示す。
【００５０】
【表１】
2004139747.tif 000003
表１は、上記した各実施例１乃至６と比較例１乃至５とにかかるＩＴＯ薄膜の表面平坦性（表面平均粗さＲａや表面高低差Ｒｚ）と表面仕事関数Ｗ．Ｆ．とを示した表である。
【００５１】
この表１に示すように、適切な条件で低エネルギーイオンを照射することにより、通常のＬＣＤ等で用いられる透明導電性の優れたＩＴＯ薄膜を低温プロセスで、ＩＴＯ薄膜表面の超平坦化および高仕事関数化を同時に達成できた。
【００５２】
すなわち、上記した各実施例１乃至６にかかるＩＴＯ薄膜によれば、イオンを−３００〜−１０Ｖの加速電圧により照射することにより、表面平均粗さＲａが１ｎｍ以下に、表面高低差Ｒｚが１０ｎｍ以下に平坦化され、且つ、表面仕事関数Ｗ．Ｆ．を約５〜６ｅＶにすることができる。
【００５３】
そのため、透過率と表面抵抗率との良好な値を維持した状態で、その表面平坦性（表面平均粗さＲａや表面高低差Ｒｚ）とその表面仕事関数Ｗ．Ｆ．を良好にして、有機ＥＬディスプレイの透明電極、ＬＥＤやＬＤの透明電極として用いることができる。
【００５４】
また、加速電圧は、−３００〜−１０Ｖの間に設定されていれば本発明にかかるＩＴＯ薄膜を形成することはできるが、限定的に加速電圧が−１００〜−６０Ｖの間に設定されていれば好ましく（本実施例１乃至６参照）、更に限定して、アルゴンガスと酸素ガスとの混合ガスを用い加速電圧が−１００Ｖに設定されていればより好ましい（本実施例５参照）。
【００５５】
なお、本実施の形態では、スパッタ法によりイオンをＩＴＯ薄膜に照射したが、これに限定されることではなく、−３００〜−１０Ｖの加速電圧でイオンを照射する方法であれば、イオンプレーティング法やＣＶＤ法などを他の方法を用いてもよい。
【００５６】
また、本実施例１〜６では、イオンは、酸素ガス、窒素ガス、アルゴンガス、フッ素ガスのうちいずれか１つの単一ガス、またはこれらガスを混合した混合ガスから生成されているが、これに限定されるものではなく、例えば、フッ素ガスを用いて、フッ素ガス単体もしくは、酸素ガスや窒素ガスと混合した混合ガスから生成されてもよい。
【００５７】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明にかかる透明導電膜及びその製造方法によれば、有機ＥＬディスプレイの透明電極、ＬＥＤやＬＤの透明電極として用いるために、透過率と表面抵抗率との良好な値を維持した状態で、その表面平坦性（表面平均粗さＲａや表面高低差Ｒｚ）とその表面仕事関数Ｗ．Ｆ．を良好にする。
【００５８】
すなわち、本発明にかかる透明導電膜によれば、イオンを−３００〜−１０Ｖの加速電圧により照射することにより、表面平均粗さＲａが１ｎｍ以下に、表面高低差Ｒｚが１０ｎｍ以下に平坦化され、且つ、表面仕事関数Ｗ．Ｆ．を約５〜６ｅＶにすることができる。そのため、透過率と表面抵抗率との良好な値を維持した状態で、その表面平坦性（平均粗さや表面高低差Ｒｚ）とその表面仕事関数Ｗ．Ｆ．を良好にして、有機ＥＬディスプレイの透明電極、ＬＥＤやＬＤの透明電極として用いることができる。
【００５９】
また、本発明にかかる透明導電膜の製造方法によれば、イオンを−３００〜−１０Ｖの加速電圧により照射することにより、透明導電膜の表面平均粗さＲａを１ｎｍ以下、表面高低差Ｒｚを１０ｎｍ以下にして平坦化し、且つ、表面仕事関数Ｗ．Ｆ．が約５〜６ｅＶである透明導電膜を形成することができる。そのため、透過率と表面抵抗率との良好な値を維持した状態で、その表面平坦性（平均粗さや表面高低差Ｒｚ）とその表面仕事関数Ｗ．Ｆ．を良好にして、有機ＥＬディスプレイの透明電極、ＬＥＤやＬＤの透明電極として用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態にかかるＩＴＯ薄膜を形成するためのイオン源の概略図である。
【符号の説明】
イオン源１
チャンバー１１
石英窓１２
ガス導入ポート１３
真空排気ポート１４
基板ホルダー１５
直流電源１６
マグネット１７
基板２
マイクロ波Ｗ
【図１】
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