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【手続補正書】
【提出日】平成15年12月12日(2003.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に形成され、発光層を含む半導体積層体とを具備し、
前記発光層からの光を外部に取り出すための光取り出し面は微小凹凸を有し、前記微小凹凸の９０％以上は、凸部の高さが１００ｎｍ以上、底辺の長さが１０〜５００ｎｍの錐体形状であることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記基板は透明基板であり、前記光取り出し面は、前記基板の裏面であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記光取り出し面は、前記半導体積層体の最上層の面にあることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記凸部は、頂角が２０〜８０度の三角錐形状であることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記凸部は、頂部に前記光取り出し面の材料とは異なる材料からなる微小透明部を有することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記光取り出し面は電流拡散層であり、前記凹凸は電流拡散層上の電極及び配線を形成した部分以外の面に形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記光取り出し面の電極及び配線を形成した部分以外の面に透明な酸化物膜又は窒化物膜が形成され、前記凹凸は前記酸化物膜又は窒化物膜に形成されていることを特徴とする請求項３記載の半導体発光素子。
【請求項８】
基板上に、発光層を含む半導体積層膜を形成する工程、
前記発光層からの光を外部に取り出すための光取り出し面に、ブロックコポリマーを含有するマスク材料層を形成する工程、
前記マスク材料層にアニール処理を施して、前記ブロックコポリマーを相分離させる工程、
前記相分離したブロックコポリマーの一方の相を除去して、残りの相からなるパターンを有するマスクを形成する工程、および
前記マスクのパターンを前記光取り出し面に転写して、前記光取り出し面に微小凹凸を形成する工程
を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記ブロックコポリマーは、芳香環含有ポリマー鎖とアクリル系ポリマー鎖とを含有することを特徴とする請求項８に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記芳香環含有ポリマー鎖はポリスチレンを含み、前記アクリル系ポリマー鎖はポリメタクリ酸メチルを含み、前記アニール処理により前記ブロックコポリマーはポリスチレンとポリメタクリ酸メチルとに相分離し、前記マスクは、前記ポリメタクリル酸メチルを除去して前記ポリスチレンのパターンを残すことにより形成されることを特徴とする請求項９に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記ポリメタクリル酸メチルの除去は、前記相分離後のブロックコポリマーを含有する前記マスク材料層をエッチングすることにより行なわれることを特徴とする請求項１０に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１２】
前記ポリメタクリル酸メチルの除去は、前記相分離後のブロックコポリマーを含有する前記マスク材料層に対し、電子線の照射，現像，およびリンス処理を施すことにより行なわれることを特徴とする請求項１０に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１３】
前記ブロックコポリマーは、芳香環含有ポリマー鎖と脂肪族二重結合ポリマー鎖とを含有することを特徴とする請求項８に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１４】
前記芳香環含有ポリマー鎖はポリスチレンを含み、前記脂肪族二重結合ポリマー鎖はポリイソプレンを含み、前記アニール処理により前記ブロックコポリマーはポリスチレンとポリイソプレンとに相分離し、前記マスクは、オゾン処理により前記ポリイソプレンを除去してポリスチレンのパターンを残すことにより形成されることを特徴とする請求項１３に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１５】
前記マスクのパターンを前記光取り出し面に転写することは、ＲＩＥによるドライエッチング或いはウェットエッチングにより行なわれることを特徴とする請求項８ないし１４のいずれか１項に記載の半導体発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
即ち本発明は、基板と、前記基板上に形成され、発光層を含む半導体積層体とを具備し、前記発光層からの光を外部に取り出すための光取り出し面は微小凹凸を有し、前記微小凹凸の９０％以上は、凸部の高さが１００ｎｍ以上、底辺の長さが１０〜５００ｎｍの錐体形状であることを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また本発明は、基板上に、発光層を含む半導体積層膜を形成する工程、前記発光層からの光を外部に取り出すための光取り出し面に、ブロックコポリマーを含有するマスク材料層を形成する工程、前記マスク材料層にアニール処理を施して、前記ブロックコポリマーを相分離させる工程、前記相分離したブロックコポリマーの一方の相を除去して、残りの相からなるパターンを有するマスクを形成する工程、および，前記マスクのパターンを前記光取り出し面に転写して、前記光取り出し面に微小凹凸を形成する工程を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月26日(2004.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】高周波回路基板およびその接合方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
裏面にＰＨＳ構造が形成された高周波回路基板において、前記ＰＨＳ構造の部分にスリットを形成したことを特徴とする高周波回路基板。
【請求項２】
スリットが縦方向および横方向に伸びる格子状に形成されていることを特徴とした請求項１記載の高周波回路基板。
【請求項３】
スリットが交差し、この交差する部分の幅が大きくなっていることを特徴とした請求項１または請求項２記載の高周波回路基板。
【請求項４】
高周波回路基板にＶＩＡホールが設けられ、ＶＩＡホールの穴とスリットが一致していることを特徴とした請求項１ないし請求項３のいずれか１つに記載の高周波回路基板。
【請求項５】
高周波回路基板にＶＩＡホールが設けられ、かつ、スリットが交差し、スリットが交差する部分と前記ＶＩＡホールの穴の位置が一致することを特徴とした請求項１ないし請求項４のいずれか１つに記載の高周波回路基板。
【請求項６】
ＶＩＡホールの穴が裏面側から表面側に貫通していることを特徴とした請求項４または請求項５記載の高周波回路基板。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれか１つに記載した高周波回路基板のＰＨＳ構造の面とパッケージとを半田付けする工程を有する高周波回路基板の接合方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はマイクロ波帯やミリ波帯などの高周波で使用される高周波回路基板およびその接合方法に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は、上記した欠点を解決し、接合部分の熱抵抗を減少させた高周波回路基板およびその接合方法を提供することを目的とする。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
【発明の効果】
本発明によれば熱抵抗を減少させたＭＭＩＣ基板およびその接合方法を実現できる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月23日(2004.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の一般式（１）で表される新規なビス（１−ヒドロキシ−２−エチルフェニル）類
【化１】
2002161061.tif 000001
一般式（１）
（式中、Ｘは一般式（２）で表される１，１−シクロヘキシル基又は９, ９−フルオレニル基を示す。）
【化２】
2002161061.tif 000002
一般式（２）
（Ｒは、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、フェニル基及びヒドロキシフェニル基を示す。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【化４】
2002161061.tif 000003
一般式（２）
（Ｒは水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、フェニル基及びヒドロキシフェニル基を示す。）


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明において、上記一般式（１）において、Ｘとして、一般式（２）で表される１，１−シクロヘキシル基の場合、Ｒは具体的には水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、フェニル基及びヒドロキシフェニル基である。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
従って、本発明の一般式（１）で表されるビス（１−ヒドロキシー２エチルフェニル）類としては、具体的には、１，１−ビス（１−ヒドロキシ−２−エチルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（１−ヒドロキシ−２−エチルフェニル）−３−メチルシクロヘキサン、１，１−ビス（１−ヒドロキシ−２−エチルフェニル）−４−メチルシクロヘキサン、１，１−ビス（１−ヒドロキシ−２−エチルフェニル）−３−エチルシクロヘキサン、１，１−ビス（１−ヒドロキシ−２−エチルフェニル）−４−エチルシクロヘキサン、１，１−ビス（１−ヒドロキシ−２−エチルフェニル）−３−イソプロピルシクロヘキサン、１，１−ビス（１−ヒドロキシ−２−エチルフェニル）−４−イソプロピルシクロヘキサン、１，１−ビス（１−ヒドロキシ−２−エチルフェニル）−４−ｎ−プロピルシクロヘキサン、１，１−ビス（１−ヒドロキシ−２−エチルフェニル））４−フェニルシクロヘキサン、１，１−ビス（１−ヒドロキシ−２−エチルフェニル）−３−フェニルシクロヘキサン、１，１−ビス（１−ヒドロキシ−２−エチルフェニル）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（１−ヒドロキシ−２−エチルフェニル））−４−（３’−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（１−ヒドロキシ−２−エチルフェニル））−４−（２’−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（１−ヒドロキシ−２−エチルフェニル）−３−（４’−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（１−ヒドロキシ−２−エチルフェニル）−３−（３’−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、９，９−ビス（１−ヒドロキシー２−エチルフェニル）フルオレン等が挙げられる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【化５】
2002161061.tif 000004
一般式（４）
（Ｒは、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、フェニル基及びヒドロキシフェニル基を示す。）
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月9日(2003.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ素電解槽陽極取付部支持部が、シール補強材とシール材とでシールされていることを特徴とするフッ素電解槽陽極取付部。
【請求項２】
シール補強材が、アルミナ、チタニア系セラミック、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミまたはジルコニアから選ばれる１種または２種以上のセラミックである請求項１に記載のフッ素電解槽陽極取付部。
【請求項３】
シール補強材がアルミナセラミックである請求項２に記載のフッ素電解槽陽極取付部。
【請求項４】
シール補強材が、アルミナ純度が９９％以上のアルミナセラミックである請求項２または３に記載のフッ素電解槽陽極取付部。
【請求項５】
シール材がフッ素樹脂である請求項１〜４のいずれかに記載のフッ素電解槽陽極取付部。
【請求項６】
フッ素樹脂がポリテトラフルオロエチレン、ポリヘキサフルオロプロピレン及びポリ（フッ化ビニリデン−ヘキサフルオロプロピレン）からなる群から選ばれる少なくとも１種の樹脂である請求項５に記載のフッ素電解槽陽極取付部。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載のフッ素電解槽陽極取付部を具備していることを特徴とするフッ素電解槽。
【請求項８】
フッ素電解槽陽極取付部に、シール補強材とシール材とシールを挿入することを特徴とするフッ素電解槽陽極取付部のシール方法。
【請求項９】
請求項７に記載のフッ素電解槽を用いることを特徴とするフッ素ガスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
しかしながら、ポリテトラフルオロエチレン（以下、Ｄｕｐｏｎｔ社商品名「テフロン」ということがある。）等のフッ素系樹脂もフッ素ガスに対して全く不活性な材料というわけでなく、酸化反応的にフッ素ガスにより浸食されて減肉することがあり、そうすると陽極取付部の密封性が失われるため、電解槽外にフッ素ガスが漏洩する場合がある。フッ素は、多くの物質と激しく反応することが知られており、取り扱いに非常に注意を要する物質である。また、フッ素ガスは米国衛生学会によれば許容濃度が１ｐｐｍ以下と極めて有害な物質であり、大気中に漏洩すると作業員などの健康を害する危険性が大きい。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
ガスの漏洩を防ぐためのシール方法の改良例として、特開平３−１７０６８９号公報には、食塩のイオン交換膜法電解法において、陽極から発生する塩素や次亜塩素酸に対して耐食性の大きな物質としてフッ素ゴムであるポリ（フッ化ビニリデン−ヘキサフルオロプロピレン）を用い、密封性の良好な物質としてエチレンプロピレン系のゴムを用いれば長期に渡る運転が可能になることが記載されている。しかしながら前述したとおり、フッ素電解槽ではフッ素ゴムとしてポリ（フッ化ビニリデン−ヘキサフルオロプロピレン）及びポリテトラフルオロエチレンを用いた場合でもフッ素による浸食が頻繁に起こり、これまでは完全にフッ素ガスの漏洩を防止することができなかった。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月24日(2003.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
講読物情報提供者が提供する講読物を講読物配信者が講読物配信システム利用者の携帯電話に配信する講読物配信システムであって、
前記携帯電話は、アプリケーションプログラム実行手段と、情報記憶手段とを有しており、
前記講読物配信者は、
前記講読物情報提供者が提供する講読物と、この講読物を利用した際の料金体系とを保持する講読物情報保持手段と、
前記講読物配信システム利用者の情報と、前記講読物配信システム利用者に対して配信した講読物の情報とを保持する利用者情報保持手段と、
前記講読物情報登録手段に登録された講読物を配信に適したデータ形式に変換するとともに、前記利用者情報保持手段に保持されている前記講読物配信システム利用者の情報に対応させて当該講読物の配信状況を書き込む講読物情報編集手段と、
前記データ形式が変換された講読物の情報を前記講読物配信システム利用者に送信するとともに、前記講読物配信システム利用者からの配信要求情報を受信する講読物情報送受信手段と、
を備えている講読物配信システム。
【請求項２】
前記講読物配信者は、前記講読物情報送受信手段から送信した講読物に関する情報と、前記講読物情報保持手段に保持されている課金情報と、前記利用者情報保持手段に保持されている利用者情報とから、講読物の配信に対する対価を算出し、その支払い手続を行うことともに、前記講読物配信システム利用者に対する課金を行う課金制御手段をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の講読物配信システム。
【請求項３】
前記課金制御手段は、前記講読物配信システム利用者に配信した講読物が文字データのみを含むものか、あるいは、文字データ及び画像データの双方を含むものかに応じて課金金額を決定することを特徴とする請求項２に記載の講読物配信システム。
【請求項４】
前記携帯電話は、前記講読物配信者から配信された講読物の文字情報を縦書きに表示するものであることを特徴とする請求項１乃至３の何れ一項に記載の講読物配信システム。
【請求項５】
前記携帯電話は、前記講読物配信者から配信された講読物を閲読した割合を前記講読物配信者に送信する機能を有しており、前記講読物配信者は、その割合に基づいて、前記講読物の続きの部分を前記携帯電話に送信することを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の講読物配信システム。
【請求項６】
前記講読物情報編集手段は、前記携帯電話の前記情報記憶手段の記憶容量に応じて一回の講読物配信量を決定するとともに、その講読物配信量が講読物のどこまでであるかを示す情報を講読物配信システム利用者毎に生成するものであることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の講読物配信システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明は、上記の課題を解決するために、講読物情報提供者が提供する講読物を講読物配信者が講読物配信システム利用者の携帯電話に配信する講読物配信システムであって、前記携帯電話は、アプリケーションプログラム実行手段と、情報記憶手段とを有しており、前記講読物配信者は、前記講読物情報提供者が提供する講読物と、この講読物を利用した際の料金体系とを保持する講読物情報保持手段と、前記講読物配信システム利用者の情報と、前記講読物配信システム利用者に対して配信した講読物の情報とを保持する利用者情報保持手段と、前記講読物情報登録手段に登録された講読物を配信に適したデータ形式に変換するとともに、前記利用者情報保持手段に保持されている前記講読物配信システム利用者の情報に対応させて当該講読物の配信状況を書き込む講読物情報編集手段と、前記データ形式が変換された講読物の情報を前記講読物配信システム利用者に送信するとともに、前記講読物配信システム利用者からの配信要求情報を受信する講読物情報送受信手段と、を備えている講読物配信システムを提供する。
前記講読物配信者は、前記講読物情報送受信手段から送信した講読物に関する情報と、前記講読物情報保持手段に保持されている課金情報と、前記利用者情報保持手段に保持されている利用者情報とから、講読物の配信に対する対価を算出し、その支払い手続を行うことともに、前記講読物配信システム利用者に対する課金を行う課金制御手段をさらに備えていることが好ましい。
前記課金制御手段は、例えば、前記講読物配信システム利用者に配信した講読物が文字データのみを含むものか、あるいは、文字データ及び画像データの双方を含むものかに応じて課金金額を決定する。
前記携帯電話は、前記講読物配信者から配信された講読物の文字情報を縦書きに表示するものであることが好ましい。
前記携帯電話は、前記講読物配信者から配信された講読物を閲読した割合を前記講読物配信者に送信する機能を有しており、前記講読物配信者は、その割合に基づいて、前記講読物の続きの部分を前記携帯電話に送信するものであることが好ましい。
前記講読物情報編集手段は、前記携帯電話の前記情報記憶手段の記憶容量に応じて一回の講読物配信量を決定するとともに、その講読物配信量が講読物のどこまでであるかを示す情報を講読物配信システム利用者毎に生成するものであることが好ましい。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
講読物配信システム利用者２が利用している携帯電話のアプリケーションプログラム実行手段を用いて提供された講読物情報を入手する手続をとれば、講読物配信システム利用者２に対して入手した講読物をいつでもどこでも閲読可能とする環境を与えることが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月30日(2003.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】駐車場の予約に係る処理方法、及び駐車場の予約方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駐車場の予約状況を蓄積するデータベースを備えた処理装置のための駐車場の予約に係る処理方法であって、
前記処理装置は通信回線を介して駐車場の予約の申込みに係る情報を受信し、受信した情報に基づき、前記データベースの蓄積データを参照して、前記処理装置は受信した予約申込の駐車場が既に予約されているかどうかを検知し、前記処理装置は検知結果に基づく情報を申込み先へ送信し、
前記検知の結果、既に予約済の場合には、申込み駐車場のキャンセル待ちを行うか否かの問い合わせる情報を、前記処理装置は予約申込先へ送信し、
前記キャンセル待ちを行うか否かの情報の送信に対し、キャンセル待ちを行う旨の情報を受信した場合、前記処理装置はデータベースにキャンセル待ちの登録を行い、
前記処理装置は、前記キャンセル待ちの登録を表す情報を申込み先へ送信することを特徴とする駐車場の予約方法。
【請求項２】
請求項１に記載の駐車場の予約方法において、
前記処理装置は、受信した予約申込の駐車場が既に予約されているかどうかを検知するとともにキャンセル待ちの順位を検知し、
前記検知の結果、既に予約済の場合には、申込み駐車場のキャンセル待ちを行うか否かの問い合わせる情報を前記処理装置は予約申込先へ送信するのに加え、キャンセル待ちの情報を予約申込み先へ送信することを特徴とする駐車場の予約方法。
【請求項３】
請求項１に記載の駐車場の予約方法において、
前記処理装置は、予約キャンセルの情報を受けると上記データベースに登録し、
上記予約のキャンセルに基づいてキャンセル待ちについて予約が可能になったことを検知し、キャンセル待ちの連絡先へ予約情報を送信することを特徴とする駐車場の予約方法。
【請求項４】
処理装置が駐車場の予約処理を行う駐車場の予約方法であって、
前記処理装置はデータベースに予約状況を蓄積すると共に前記データベースに利用者のデータを保持し、
前記処理装置は通信回線を介して予約駐車場と利用時刻を受信し、
上記予約を、前記処理装置は駐車場を管理する端末に送信し、
前記処理装置は、予約した駐車場の予約のキャンセルを通信回線を介して受信すると、キャンセルの受信を前記処理装置は上記端末に送信し、
前記処理装置は、当該キャンセルに応じて更新された当該駐車場の満空状況を前記端末から受信し、
前記処理装置は、前記データベースの予約情報を更新し、
前記処理装置は、前記キャンセルの時刻と前記駐車予定時刻との関係に基づいて算出された料金を、前記利用者データベースに登録されている前記利用会員のＩＣカードに課金する処理を行うことを特徴とする駐車場の予約方法。
【請求項５】
データベースを利用して駐車場の予約処理を行う処理装置の予約方法であって、
前記処理装置は、駐車場利用時間の申込みを受け、前記データベースに登録し、
前記処理装置は、前記駐車場の予約した利用時間を超えた駐車を検出した場合、
前記利用会員が予約した駐車時間の後の予約をデータベースに基づいて検知し、該予約先に、利用出来ない旨の電子的な通知を行うと共に、データベースに基づき他の駐車場の情報を送信することを特徴とする駐車場の予約方法。
【請求項６】
請求項５に記載の駐車場の予約方法において、
前記処理装置は、データベースに予め個人情報を記録しており、前記駐車場の利用時間の延期時間に基づいて料金の計算処理を行い、
前記処理装置は、上記計算された料金に基づき、課金の処理を行うことを特徴とする駐車場の予約方法。
【請求項７】
請求項６に記載の駐車場の予約方法おいて、
前記処理装置は、前記データベースの検索に基づき、前記駐車時間の延長に関係する後の予約の有無を検知し、
前記処理装置は、上記有無の検知結果に基づいて上記料金の計算処理を行うことを特徴とする駐車場の予約方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月29日(2004.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前面側のパネルと背面側のパネルとこれら両パネルの間隔を保持する間隔保持部材とを備えた枠ユニットの内部に石を詰めて順次段積みし、連続する斜面を持つ石詰め壁を構築する壁構築方法であって、
前記枠ユニットを段積みする際に、上側のパネルの下縁部と下側のパネルの上縁部とを直接係合させることを特徴とする壁構築方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
連続する斜面を持つ石詰め壁を構築する壁構築方法であって、
間隔保持部材として複数の斜め補強材付き平行四辺形骨材をパネル幅の間隔をおいて互いに平行に並べて立て、パネル幅間隔で隣接する２つの平行四辺形骨材の前面斜辺部間および背面斜辺部間にそれぞれ網状矩形のパネルをあてがい、前記平行四辺形骨材を共有して隣接する左右のパネルを平行四辺形骨材とともに連結部材を用いて連結して、隣接して並ぶ複数の枠ユニットを組み立て、この枠ユニット内に石を詰めて壁の１段部分を形成し、その１段部分の上に略同じ工程で枠ユニットを段積みする際に、上側の枠ユニットのパネルの下縁部と下側の枠ユニットのパネルの上縁部とを直接係合させ、上側の枠ユニットに石を詰めて壁の次ぎの１段部分を形成し、これを繰り返して、連続する斜面を持つ石詰め壁を構築することを特徴とする壁構築方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項１１は、前面側のパネルと背面側のパネルとこれら両パネルの間隔を保持する間隔保持部材とを備えた枠ユニットの内部に石を詰めて順次段積みし、連続する斜面を持つ石詰め壁を構築する壁構築方法であって、
前記枠ユニットを段積みする際に、上側のパネルの下縁部と下側のパネルの上縁部とを直接係合させることを特徴とする。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項１２は、連続する斜面を持つ石詰め壁を構築する壁構築方法であって、
間隔保持部材として複数の斜め補強材付き平行四辺形骨材をパネル幅の間隔をおいて互いに平行に並べて立て、パネル幅間隔で隣接する２つの平行四辺形骨材の前面斜辺部間および背面斜辺部間にそれぞれ網状矩形のパネルをあてがい、前記平行四辺形骨材を共有して隣接する左右のパネルを平行四辺形骨材とともに連結部材を用いて連結して、隣接して並ぶ複数の枠ユニットを組み立て、この枠ユニット内に石を詰めて壁の１段部分を形成し、その１段部分の上に略同じ工程で枠ユニットを段積みする際に、上側の枠ユニットのパネルの下縁部と下側の枠ユニットのパネルの上縁部とを直接係合させ、上側の枠ユニットに石を詰めて壁の次ぎの１段部分を形成し、これを繰り返して、連続する斜面を持つ石詰め壁を構築することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月4日(2003.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外枠及びその外枠に開閉自在に取り付けられた開閉枠を有し、その開閉枠を閉状態にロックするロック機構を備えた遊技機において、
ロック機構は、開閉枠及び外枠の一方に設けられた第１機構と他方に設けられた第２機構とから構成し、第１機構には係合部材を設けるとともに、第２機構には該係合部材の所定方向への配置位置のずれにかかわらず当該係合部材と係合関係を構成する被係合部を設けたことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記第１機構は、係合部材を係合状態から非係合状態へ駆動する駆動手段を含むことを特徴とする請求項１記載の遊技機。
【請求項３】
前記第１機構は、前記駆動手段を操作する操作手段を含むことを特徴とする請求項２記載の遊技機。
【請求項４】
前記第１機構は、係合部材を含めて一体にユニット化されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の遊技機。
【請求項５】
前記第２機構は被係合部を前記所定方向へ多数備え、各被係合部のうちから前記係合部材の配置位置に応じた被係合部が当該係合部材と係合関係を構成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の遊技機。
【請求項６】
前記第２機構は被係合部を前記所定方向へ位置調節可能に取り付けたものであり、被係合部を前記係合部材の配置位置に応じて位置調節することにより当該係合部材と係合関係を構成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の遊技機。
【請求項７】
前記第１機構は係合部材を前記所定方向と交差する方向へ移動操作可能な構成とし、その移動に伴って係合部材が係合状態と非係合状態とに切り換えられるように構成し、第２機構は前記係合部材の前記所定方向への任意の位置ずれに対応し得るように前記係合部材と係合される係合面を前記所定方向に延設したことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の遊技機。
【請求項８】
前記係合面は、凹溝の一方の側壁面によって構成し、凹溝内を前記係合部材の係合状態時における係合部材の一部が入り込む空間としたことを特徴とする請求項７記載の遊技機。
【請求項９】
前記第２機構は、前記被係合部を、前記係合部材の開閉枠に対する前後方向への配置位置のずれにかかわらず当該係合部材と係合し得るように調整手段を備えていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の遊技機。
【請求項１０】
開閉枠を有した遊技機を所定の相手先に設置する遊技機設置構造であって、
前記相手先に対し、前記開閉枠を開閉自在にかつ取外可能に取り付け、
前記開閉枠を閉状態にロックするロック機構を、遊技機及び相手先の一方に設けられた第１機構と他方に設けられた第２機構とから構成し、第１機構には係合部材を設けるとともに、第２機構には該係合部材の所定方向への配置位置のずれにかかわらず当該係合部材と係合関係を構成する被係合部を設けたことを特徴とする遊技機設置構造。
【請求項１１】
遊技機本体を開閉枠によって構成し、該開閉枠に開閉軸構成部を設け、該開閉軸構成部を所定の相手先に取り付けた状態では前記開閉枠を開閉自在とすることで、遊技機全体を開閉自在となるように構成したことを特徴とする遊技機。
【請求項１２】
前記開閉軸構成部を前記開閉枠の上端部と下端部とにそれぞれ設け、上端部側の開閉軸構成部と下端部側の開閉軸構成部とを結ぶ軸線を前記開閉枠の開閉中心軸線となるように構成したことを特徴とする請求項１１記載の遊技機。
【請求項１３】
前記開閉枠を所定の相手先に取り付けた状態において閉状態にロックするロック機構のうち一部を、前記開閉枠に設けたことを特徴とする請求項１１又は１２記載の遊技機。
【請求項１４】
前記ロック機構の構成部品は、係合部材を含めて一体にユニット化されていることを特徴とする請求項１３記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月17日(2003.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光触媒を含む塗膜を形成するための光触媒性親水性塗料組成物であって、
金属酸化物からなる光触媒粒子と、
シリカ、アルキルシリケ−ト、水ガラス、リン酸、リン酸ナトリウム、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、メタクリル酸、酢酸、メタクリル酸ナトリウム、ポリカルボン酸ナトリウム、メタクリル酸アンモニウム、ポリカルボン酸アンモニウム、およびポリエチレングリコ−ルからなる群から選択される少なくとも一種の分散剤と、
溶媒とを含んでなり、
塗膜表面を前記光触媒粒子の光励起に応じて親水性になすことを特徴とする光触媒性親水性塗料組成物。
【請求項２】
前記光触媒粒子の平均結晶子径が１００ｎｍ以下である、請求項１に記載の光触媒性親水性塗料組成物。
【請求項３】
さらに抗菌性金属又はその化合物を含んでなる、請求項１または２に記載の光触媒性親水性塗料組成物。
【請求項４】
前記光触媒粒子がアナタ−ゼ型酸化チタンである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の光触媒性親水性塗料組成物。
【請求項５】
さらに屈折率２以下である物質が添加されている、請求項４に記載の光触媒性親水性塗料組成物。
【請求項６】
塗膜表面を前記光触媒の光励起に応じて水との接触角に換算して５゜以下の親水性になす、請求項１〜５のいずれか一項に記載の光触媒性親水性塗料組成物。
【請求項７】
光励起に応じて表面が親水化された塗膜が、その表面に付着した湿分の凝縮水及び／又は水滴が塗膜の表面に広がるのを可能にし、もって、該塗膜によって被覆された基材が湿分の凝縮水及び／又は水滴によって曇り若しくは翳るのを防止する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の光触媒性親水性塗料組成物。
【請求項８】
光励起に応じて表面が親水化された塗膜が、降雨にさらされた時に付着堆積物及び／又は汚染物が雨水により洗い流されるのを可能にし、もって、表面の自己浄化を可能にする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の光触媒性親水性塗料組成物。
【請求項９】
光励起に応じて表面が親水化された塗膜が、汚染物を含んだ雨水が接触したときに汚染物が表面に付着するのを防止する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の光触媒性親水性塗料組成物。
【請求項１０】
光励起に応じて表面が親水化された塗膜が、水に浸漬したとき又は水で濡らしたときに付着堆積物及び／又は汚染物を釈放し、もって、表面を水で洗浄するのを容易にする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の光触媒性親水性塗料組成物。
【請求項１１】
光励起に応じて表面が親水化された塗膜が、その表面に付着した水滴が塗膜の表面に広がるのを可能にし、もって、該塗膜によって被覆された基材に付着した水滴の乾燥を促進する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の光触媒性親水性塗料組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月20日(2004.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
紫外線によって重合しうる重合性官能基を２以上有する多官能性化合物であって、かつその２０重量％以上がトリス（ヒドロキシアルキル）イソシアヌレート、トリス（ヒドロキシアルキル）イソシアヌレート−アルキレンオキシド付加物およびトリス（ヒドロキシアルキル）イソシアヌレート−ラクトン付加物から選ばれた１種以上のイソシアヌレート系ポリオールのポリ（メタ）アクリレートである多官能性化合物（ａ）、メルカプト基を有する有機基と加水分解性基または水酸基とがケイ素原子に結合しているメルカプトシラン化合物で平均粒径１〜２００ｎｍのコロイド状シリカを表面修飾して得られる修飾コロイド状シリカ（ｂ）、および、光重合開始剤（ｃ）を含む紫外線硬化性の被覆用組成物。
【請求項２】
多官能性化合物（ａ）１００重量部に対し、修飾コロイド状シリカ（ｂ）を５〜３００重量部、光重合開始剤（ｃ）を０．０１〜２０重量部含む、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
メルカプトシラン化合物が、下記式（１）で表される化合物である、請求項１または２記載の組成物。
ＨＳ−Ｒ−ＳｉＸｎＲ１３−ｎ ・・・（１）
ただし、式（１）においてＲは２価の炭化水素基、Ｒ１は１価の炭化水素基、Ｘは水酸基または加水分解性基、ｎは１〜３の整数を表す。
【請求項４】
修飾コロイド状シリカ（ｂ）が、コロイド状シリカが分散した有機分散媒にメルカプトシラン化合物を添加して加水分解することにより得られるコロイド状シリカである、請求項１、２または３記載の組成物。
【請求項５】
請求項１、２、３または４記載の組成物から得られる硬化物で表面が被覆された基材。
【請求項６】
基材が芳香族ポリカーボネート樹脂の成形物である請求項５記載の基材。
【請求項７】
請求項５または６記載の基材を熱曲げ加工することを特徴とする加工方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
紫外線によって重合しうる重合性官能基を２以上有する多官能性化合物であって、かつその２０重量％以上がトリス（ヒドロキシアルキル）イソシアヌレート、トリス（ヒドロキシアルキル）イソシアヌレート−アルキレンオキシド付加物およびトリス（ヒドロキシアルキル）イソシアヌレート−ラクトン付加物から選ばれた１種以上のイソシアヌレート系ポリオールのポリ（メタ）アクリレートである多官能性化合物（ａ）、メルカプト基を有する有機基と加水分解性基または水酸基とがケイ素原子に結合しているメルカプトシラン化合物で平均粒径１〜２００ｎｍのコロイド状シリカを表面修飾して得られる修飾コロイド状シリカ（ｂ）、および、光重合開始剤（ｃ）を含む紫外線硬化性の被覆用組成物。上記の被覆用組成物から得られる硬化物で表面が被覆された基材。上記の基材を熱曲げ加工することを特徴とする加工方法。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
【実施例】
以下、本発明を合成例（例１〜６、例２１〜２４）、実施例（例７、８、例２５〜３０）、比較例（例９〜２０、３１、３２）に基づき説明するが、本発明はこれらに限定されない。例７〜２０についての各種物性の測定（曲げ加工性試験は下記［曲げ加工性１］、耐候性試験は［耐候性１］による）および評価は以下に示す方法で行い、その結果を表１に示した。また、例２５〜３２についての各種物性の測定（曲げ加工性試験は下記［曲げ加工性２］、耐候性試験は［耐候性２］による）および評価は以下に示す方法で行い、その結果を表２に示した。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月1日(2003.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筒状側壁と、筒状側壁の上方部分においてこれを閉じる様にして形成されている天井壁と、天井壁の下部に位置するインナーリングと、筒状側壁の上端から上方に延びている液案内用の周状突起とを備え、前記インナーリングは、筒状側壁とは間隔を置いて下方に延びており、且つその上端は筒状側壁の内面に連なっており、前記インナーリングと筒状側壁との間の空間に容器口部壁が嵌め込まれて上下動可能に容器口部に設けられると共に、前記筒状側壁の内面には、容器口部の外壁面と係合し得るアンダーカットが形成されており、これにより容器蓋の上昇動が制限されている容器蓋において、
前記インナーリングには、その下端部から上方に延びている少なくとも１個の切欠き乃至凹部が形成されており、容器蓋が容器口部に装着され且つ降下位置にある状態において、該インナーリングの外面は、実質上前記切欠き乃至凹部を除き、容器口部の内面と密着状態に保持され、
容器蓋が降下位置にあるときは、前記切欠き乃至凹部の上端は、容器口部壁の上端よりも下側に位置し、これにより、容器内空間は、インナーリングと筒状側壁との間の空間と完全に遮断されているが、容器蓋が上昇位置にあるときは、前記切欠き乃至凹部の上端が容器口部壁の上端よりも上方に位置し、これにより、容器内空間は、インナーリングと筒状側壁との間の空間と連通状態になり、
前記インナーリングと筒状側壁との間の空間と天井壁の上部空間とを連通する少なくとも１個の内容液注出用通路が形成されていることを特徴とする容器蓋。
【請求項２】
前記内容液注出用通路は、筒状側壁の厚み部に形成されている請求項１に記載の容器蓋。
【請求項３】
前記切欠き乃至凹部及び内容液注出用通路は、それぞれ一定間隔で複数個形成されている請求項１に記載の容器蓋。
【請求項４】
前記筒状側壁の上部は、天井壁に向かってテーパー状に形成されている請求項１に記載の容器蓋。
【請求項５】
前記インナーリングと筒状側壁との間には、両者と間隔をおいてアウターリングが下方に延びており、該インナーリングとアウターリングとの間に容器口部壁が嵌め込まれると共に、インナーリングとアウターリングとの間の空間に前記内容液注出用通路が連通している請求項１に記載の容器蓋。
【請求項６】
前記筒状側壁の下端には、タンパーエビデントバンドが設けられており、内容液案内用の周状突起の開放端部は、着脱自在に設けられたオーバーキャップにより閉じられていると共に、前記容器がスクイズボトルである請求項１に記載の容器蓋。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月31日(2003.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケース本体と蓋体とがヒンジ機構により接続され、上記蓋体が開閉自在にされるようにした光ディスク収納箱において、
上記ヒンジ機構は、上記ケース本体側に円孔と、半円弧状溝とを有し、上記蓋体側には上記円孔と係合する第１の凸起と、上記半円弧状溝と係合する第２の凸起とを有して、上記ケース本体に対して上記蓋体が開閉自在にされ、
上記蓋体の開放位置では、上記第２の凸起が上記半円弧状溝の端部に突き当たって上記ケース本体に対して水平状態に開放するようになされ、
上記ケース本体の側面部と前面部との連結部分に補強壁からなる割れ防止機構を設けてなる
ことを特徴とする光ディスク収納箱。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ケース本体側の円孔に蓋体側の第１の凸起が係合され、ケース本体側の半円弧状溝に蓋体側の第２の凸起が係合されて、該蓋体が開閉自在にされ、蓋体の開放位置では第２の凸起が半円弧状溝の端部に突き当たって水平状態に開放するようになされ、ケース本体の側面部と前面部との連結部分に補強壁からなる割れ防止機構を設けてなることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
【発明の効果】
本発明によれば、光ディスク収容箱１５のケース本体２５および蓋体３５の端部に丸みをつけたため、光ディスク収容箱１５を見た目にソフトな印象になり、光ディスク収容箱１５により他のものを傷つけることを防止できた。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月7日(2003.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エネルギ・バンド・ギャップが３．０〔ｅＶ〕を越え且つ第１の誘電率を有する高誘電率酸化物からなるチャネル層と、
該チャネル層上に於いて前記第１の誘電率よりも低い第２の誘電率を有する低誘電率酸化物からなる中間層を介して形成されるとともに、受光領域を挟んで対向して形成された一対の電極と、
該チャネル層の一対の電極が設けられた側と反対側に形成された電極と、
を含んだトランジスタ構造を備えること
を特徴とする光センサ。
【請求項２】
エネルギ・バンド・ギャップが３．０〔ｅＶ〕を越え且つ第１の誘電率を有する高誘電率酸化物からなるチャネル層と、
該チャネル層上に於いて前記第１の誘電率よりも低い第２の誘電率を有する低誘電率酸化物からなる中間層を介して形成されるとともに、受光領域を挟んで対向して形成された一対の電極と、
を含んだダイオード構造を備えること
を特徴とする光センサ。
【請求項３】
前記光センサは紫外光を検知すること
を特徴とする請求項１又は請求項２記載の光センサ。
【請求項４】
前記チャネル層にキャリヤを導入して生成させたキャリヤ層を、前記一対の電極とは反対側に位置させて該チャネル層に結合させたこと
を特徴とする請求項１から請求項３までの何れか１記載の光センサ。
【請求項５】
前記キャリヤ層は可視光を検知すること
を特徴とする請求項４記載の光センサ。
【請求項６】
第２のチャネル層を、前記一対の電極とは反対側に位置させて該キャリヤ層に結合させたこと
を特徴とする請求項４又は請求項５記載の光センサ。
【請求項７】
前記第２のチャネル層は赤外光を検知すること
を特徴とする請求項４記載の光センサ。
【請求項８】
前記第１の誘電率は１００を越えること
を特徴とする請求項１から請求項７までの何れか１記載の光センサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記したところから、本発明に依る光センサに於いては、
（１）
エネルギ・バンド・ギャップが３．０〔ｅＶ〕を越え且つ第１の誘電率を有する高誘電率酸化物からなるチャネル層と、該チャネル層上に於いて前記第１の誘電率よりも低い第２の誘電率を有する低誘電率酸化物からなる中間層を介して形成されるとともに、受光領域を挟んで対向して形成された一対の電極と、該チャネル層の一対の電極が設けられた側と反対側に形成された電極とを含んだトランジスタ構造を備えることを特徴とするか、又は、
（２）
エネルギ・バンド・ギャップが３．０〔ｅＶ〕を越え且つ第１の誘電率を有する高誘電率酸化物からなるチャネル層と、該チャネル層上に於いて前記第１の誘電率よりも低い第２の誘電率を有する低誘電率酸化物からなる中間層を介して形成されるとともに、受光領域を挟んで対向して形成された一対の電極とを含んだダイオード構造を備えることを特徴とするか、又は、
（３）
前記（１）或いは（２）に於いて、前記光センサは紫外光を検知することを特徴とするか、又は、
（４）
前記（１）乃至（３）の何れか１に於いて、前記チャネル層にキャリヤを導入して生成させたキャリヤ層を、前記一対の電極とは反対側に位置させて該チャネル層に結合させることを特徴とするか、又は、
（５）
前記（４）に於いて、前記キャリヤ層は可視光を検知することを特徴とするか、又は、（６）
前記（４）或いは（５）に於いて、第２のチャネル層を、前記一対の電極とは反対側に位置させて該キャリヤ層に結合させたことを特徴とするか、又は、
（７）
前記（４）に於いて、前記第２のチャネル層は赤外光を検知することを特徴とするか、又は、
（８）
前記（１）乃至（７）の何れか１に於いて、前記第１の誘電率は１００を越えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月16日(2003.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
５０２，５０３は、制御ユニット５０１と同じ構成をもつ制御ユニットであり、入力シリアルノード５１１ａ，５１１ｂと出力シリアルノード５１０ａ，５１０ｂとを具えている。これら制御ユニット５０２，５０３は、それぞれカセット１３２、デッキからの給紙制御をするユニットである。そして、上記制御ユニット５０１〜５０３はモジュール化され、給紙段毎に１つ接続される。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
ここで、規制板６０２の位置検知センサ６０４と規制板６０２との関係を図２５を用いて説明する。図２５において、ステッピングモータ６０１により駆動ベルト６０５を介して、規制板６０２は矢印方向Ｘに移動する。規制板６０２の位置は最大用紙幅の場合を示し、６０２ａの位置は最小用紙幅の場合を示している。規制板６０２には、位置検知用のフラグ６０３が取り付けられている。位置検知センサ６０４は、両面トレイ１５６に固定されており、規制板６０２は画像形成装置が搬送できる最大用紙サイズよりも開いた位置に配置されている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７２】
（シリアルノード）
次に、シリアルノードについて説明する。前述した図１で説明したように、ＳＩＯＣ５２１は、シリアルＩ／Ｏ制御部６２０を介して、センサなどを接続するセンサロジックＩＣが実装された入力シリアルノード６４０〜６４２や、電磁クラッチ、ステッピングモータなどを接続するプリドライバＩＣが実装された出力シリアルノード６５０〜６５２に接続されている。以下、入力シリアルノード６４０〜６４２および出力シリアルノード６５０〜６５２について説明する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７６】
プリドライバＩＣ６５５は、シリアルＩ／Ｏコントローラ（ＳＩＯＣ）５２１からのシリアル信号により、接続された各負荷へのドライブを行うことになり、実際には、プリドライバＩＣ６５５は、受け取ったシリアル信号をロジック部６５５ａ内においてシフトレジスタを通じてラッチ回路にてラッチし、プリドライブ部６５５ｂを介して出力を行うと共に、接続された他のノードに受け取ったシリアル信号をバケツリレー的に受け渡すために出力を行う。また、ステッピングモータ制御用の図示しない専用ストロープ信号もロジック部６５５ａに接続されている。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８９】
ここで、「０」でパリティエラーなしを示し、「１」でパリティエラーありを示す。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０３】
受信割り込みは、シリアル割り込みマスクレジスタ（ＳＣｎＩＮＴ）の受信割り込み許可ビット（ＩＮＴＲＸ）を「０」にすることによってマスクされる。ＳＩＯＣ５２１は、受信したデータからパリティ（偶数パリティ）を計算し、これを受け取ったパリティの値と比較する。値が同じならば受信データをシリアル受信データレジスタｍ−１（ＳＣｎＴＤＴｍ−１）に書き込み、受信割り込みを発生する。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０４】
また、シリアルステータスレジスタ（ＳＣｎＳＲ）の受信終了ビットが「１」にセットされる。パリティの値が異なった場合は、シリアルモードレジスタ（ＳＣｎＭＯＤ）のリトライ制御ビット（ＲＳＴＲＴ）の設定により動作が異なり、リトライ制御ビット（ＲＳＴＲＴ）が「０」の時は、パリティエラービット「１」にセットし、かつ、エラー割り込みを発生する。これに対して、エラー時のリトライ制御ビット（ＲＳＴＲＴ）が「１」の時は再度受信する。２度目の受信で、パリティが一致したら、受信データをシリアル受信データレジスタｍ−１（ＳＣｎＴＤＴｍ−１）に書き込み、受信割り込みを発生する。


【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
1998190900.tif 000001
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
1998190900.tif 000002
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
1998190900.tif 000003
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
1998190900.tif 000004
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
1998190900.tif 000005
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２２】
1998190900.tif 000006
【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２４】
1998190900.tif 000007
【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２５】
1998190900.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月27日(2004.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶媒中にＣ４〜Ｃ６イソオレフィン−Ｃ４〜Ｃ６共役ジオレフィン重合体を含む溶液をつくり、該溶液に臭素を加え、温度約１０〜６０℃において該臭素を該重合体と反応させ、臭素の量が該重合体中の共役ジオレフィン１モル当たり約０．３０〜約１．０モルである臭素化されたイソオレフィン−共役ジオレフィン重合体を分離するＣ４〜Ｃ６イソオレフィン−Ｃ４〜Ｃ６共役ジオレフィン重合体を臭素化する方法において、該溶媒は不活性飽和パラフィン炭化水素および不活性ハロゲン含有炭化水素を該パラフィン炭化水素対該ハロゲン含有炭化水素の容積比が約９０／１０〜約１０／９０になるような割合で含む混合物であり、該ハロゲン含有炭化水素はモノ−、ジ−またはトリ−ハロゲン化Ｃ１〜Ｃ６パラフィン炭化水素またはハロゲン化芳香族炭化水素であることを特徴とする改良法。
【請求項２】
請求項１記載の方法でえられた生成物。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月26日(2003.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
充填材として、非結晶（無定形）にしてかつ平均粒径が５μ以下のアルミナ粉末を１５〜２０重量％、平均粒径が５μ以下の黒鉛粉末を３〜８重量％、および平均粒径が３０μ以下のカーボン粉末を６〜１２重量％含むポリエーテルエーテルケトン樹脂からなる軽金属合金材を相手とする摺動部材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
1998053700.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月22日(2003.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
作業機の状態を検出し状態信号を出力する状態検出手段と、当該状態信号を受け作業機の状態が所定の状態になったことを判別した時に報知信号を出力する判別手段と、当該報知信号を受け警報を発する警報手段を備えた作業機の警報装置において、
前記警報手段の音量を調整する時に操作され音量調整信号を出力する音量調整手段と、当該音量調整信号を受けて音量レベルを表示させる音量レベル表示手段を備え、前記音量調整手段により警報手段の音量を調整する時には前記音量レベル表示手段に音量レベルを表示するように構成したことを特徴とする作業機の警報装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】請求項４の発明では、作業機の状態を検出し状態信号を出力する状態検出手段と、当該状態信号を受け作業機の状態が所定の状態になったことを判別した時に報知信号を出力する判別手段と、当該報知信号を受け警報を発する警報手段を備えた作業機の警報装置において、
前記警報手段の音量を調整する時に操作され音量調整信号を出力する音量調整手段と、当該音量調整信号を受けて音量レベルを表示させる音量レベル表示手段を備え、前記音量調整手段により警報手段の音量を調整する時には前記音量レベル表示手段に音量レベルを表示するように構成したことを特徴とするものである。