【事件の表示】
　平成９年特許願第８５１０号「半導体ウェーハの研磨方法」拒絶査定不服審判事件〔平成９年１０月１４日出願公開、特開平９−２７０４０１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成９年１月２１日の出願であって、その請求項１〜６に係る発明は、願書に添付した明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
「両面研磨装置を用い半導体ウェーハの両面を研磨する第１次研磨工程と、片面研磨装置を用いキャリアプレート上に１個以上のウェーハ位置決め用穴を有するテンプレートを該位置決め用穴にバッキングパッドが入るように固着させたウェーハ保持治具によって半導体ウェーハの一方の片面を保持し半導体ウェーハの他方の片面を研磨する第２次研磨工程とからなることを特徴とする半導体ウェーハの研磨方法。」
　
２．刊行物記載の発明（事項）
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に国内で頒布された刊行物である特公平１−２２１１３号公報（以下、「刊行物１」という。）及び特開平４−１３５６８号公報（以下、「刊行物２」という。）には、以下の発明（事項）が記載されていると認められる。
　
（１）刊行物１
（イ）第１欄１９行〜２３行
「叙上の事情から半導体ウエハに対する仕上も高度に要求されるようになり、従来の鏡面仕上の程度では満足できず、さらに平行度、平面度・・・を向上にする必要に迫られている。」
（ロ）第１欄２４行〜２５行
「従来、半導体ウエハに対する鏡面仕上研摩は両面研摩装置で行なわれていた。」
（ハ）第３欄２６行〜第４欄１０行
「この１実施例にかかる方法の第１次研摩工程は叙上の従来の方法とほとんど変らないので説明を省略する。・・・次に第３図に示される片面研摩装置によつて第２次研摩を施す。・・・１４はワツクスレスの半導体ウエハ保持治具で、半導体ウエハ１を板状の弾性部材１４ａを介し減圧導路１４ｂで吸引保持するとともに低速で回転する。」
（ニ）第４欄１５行〜２２行
「両面研摩による第１次研摩に引続き施される第２次研摩の片面研摩においても半導体ウエハを固定するためにワツクスを用いないので、このワツクスによる汚染や除去のための汚染、ワツクス固定のための取着と研摩後の除去のための工程増加、前記工程に伴なう破損の増加等を生ずることなく上記ＬＳＩ等の製造に満足できる鏡面仕上となる。」
　上記の摘記事項（ロ）、（ハ）及び第１〜３図の記載からみて、刊行物１には、
「両面研摩装置を用い半導体ウエハ１の両面を研摩する第１次研摩工程と、片面研摩装置を用い減圧導路１４ｂで半導体ウエハ１を吸引保持するワツクスレスの半導体ウエハ保持治具１４によって半導体ウエハ１の一方の片面を保持し半導体ウエハ１の他方の片面を研摩する第２次研摩工程とからなる半導体ウエハ１の研摩方法」の発明（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（２）刊行物２
（ホ）第２頁左上欄１８行〜同頁右上欄８行
「ワックス法においては、接着層厚さの不均一性がそのままウェーハの平面度、平行度等に反映する。従って、接着層厚さを均一にする必要があるが、この作業はそこぶる困難で熟練を必要とする、他方、近時、集積回路素子の高密度化にともない、ウェーハの精度もますます厳しくなっている。しかし、ワックスの塗布を人手でやる以上、接着層厚さの均一性と再現性には自ずと限界がある。しかもワックスを用いる接着は、後処理としてワックス除去作業が不可欠であり、自動化を妨げる一因となっていた。」
（ヘ）第３頁左上欄１６行〜同頁右上欄２行
「第３の発明として、バッキングパッドの精密平面加工後、該キャリアプレート上に１個以上のウェーハ位置決め用穴を有するテンプレートを該位置決め用穴に該バッキングパッドが入るように固着させたウェーハ保持治具にてウェーハを保持し、研磨することを特徴とする半導体ウェーハの研磨方法を提供するものである。」
（ト）第４頁左下欄１５行〜１８行
「第３図のウェーハ保持治具はウェーハを保持させて研磨することにより、平行度および平面度の良好なウェーハを得ることができる。」
　ところで、上記（ヘ）及び第３図に示されるウェーハ保持治具は、その構造からみて、片面研磨装置で用いるものであることが明らかである。
　
３．対比
　本願発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、後者の「研摩」が前者の「研磨」に、後者の「半導体ウエハ１」が前者の「半導体ウェーハ」に、後者の「両面研摩装置を用い半導体ウエハ１の両面を研摩する第１次研摩工程」が前者の「両面研磨装置を用い半導体ウェーハの両面を研磨する第１次研磨工程」に、それぞれ相当することは明らかである。そして、後者の「片面研摩装置を用い減圧導路１４ｂで半導体ウエハ１を吸引保持するワツクスレスの半導体ウエハ保持治具１４によって半導体ウエハ１の一方の片面を保持し半導体ウエハ１の他方の片面を研摩する第２次研摩工程」と前者の「片面研磨装置を用いキャリアプレート上に１個以上のウェーハ位置決め用穴を有するテンプレートを該位置決め用穴にバッキングパッドが入るように固着させたウェーハ保持治具によって半導体ウェーハの一方の片面を保持し半導体ウェーハの他方の片面を研磨する第２次研磨工程」とは、「片面研磨装置を用いウェーハ保持治具によって半導体ウェーハの一方の片面を保持し半導体ウェーハの他方の片面を研磨する第２次研磨工程」の限りで一致する。
　そうすると、両者の一致点及び相違点は以下のとおりである。
〈一致点〉両面研磨装置を用い半導体ウェーハの両面を研磨する第１次研磨工程と、片面研磨装置を用いウェーハ保持治具によって半導体ウェーハの一方の片面を保持し半導体ウェーハの他方の片面を研磨する第２次研磨工程とからなる半導体ウェーハの研磨方法。
〈相違点〉半導体ウェーハの他方の片面を研磨する第２次研磨工程で半導体ウェーハの一方の片面を保持するウェーハ保持治具が、前者では、キャリアプレート上に１個以上のウェーハ位置決め用穴を有するテンプレートを該位置決め用穴にバッキングパッドが入るように固着させたものであるのに対して、後者では、減圧導路１４ｂで半導体ウエハ１を吸引保持するものである点。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討するに、刊行物２には、半導体ウェーハの片面を研磨するに際して、キャリアプレート上に１個以上のウェーハ位置決め用穴を有するテンプレートを該位置決め用穴にバッキングパッドが入るように固着させたウェーハ保持治具によって半導体ウェーハの一方の片面を保持し他方の片面を研磨するとの事項（以下、「刊行物２記載の事項」という。）が記載されている（上記の摘記事項（ヘ）を参照）。
　そして、刊行物１記載の発明を含め、半導体ウェーハの研磨において、半導体ウェーハの平行度、平面度をさらに向上するとの課題は当業者にとって自明の課題であり（上記の摘記事項（イ）を参照）、一方、刊行物２記載の事項は当該課題に応えるものである（上記の摘記事項（ト）を参照）。加えて、刊行物１記載の発明と刊行物２記載の事項とは、ともにワックスを用いてウェーハを固定するワックス法の問題点を解決しようとするものである（上記の摘記事項（ニ）、（ホ）を参照）。
　また、刊行物１記載の発明は片面研磨工程を含むから、該刊行物１記載の発明と刊行物２記載の事項とは、「半導体ウェーハの片面研磨」という技術分野で共通する。
　さらに、刊行物１記載の発明に刊行物２記載に事項を組み合わせることを妨げる特段の事情も見出せないことからみると、刊行物１記載の発明の片面研磨工程で半導体ウェーハの一方の片面を保持するウェーハ保持治具として、課題及び技術分野を共通にする刊行物２記載の事項を適用し、刊行物１記載の発明の上記相違点に係る構成を本願発明のものとすることは、当業者が容易になし得ることである。
　そして、本願発明の作用効果は、刊行物１記載の発明及び刊行物２記載の事項から当業者が予測可能な範囲内のものであって、格別のものではない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、刊行物１記載の発明及び刊行物２記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、請求項２〜６に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。