【手続補正書】
【提出日】平成26年9月22日(2014.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トンネル接合であって、
ｐドープトンネル層と、
ｎドープトンネル層とを備え、
ＩｎＰ格子定数を有する、トンネル接合。
【請求項２】
前記ｐドープトンネル層は、ｐドープＡｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ材料であり、
前記ｎドープトンネル層は、ＩｎＰ，ＧａＩｎＰＡｓ，ＡｌＡｓＳｂ，ＡｌＩｎＡｓＳｂ，及びＡｌＩｎＰＡｓから成るグループから選択されるｎドープ材料である、請求項１に記載のトンネル接合。
【請求項３】
前記ｐドープトンネル層は、ｘをｘ＝０．２５、またはｘ＝１を含む０．２５〜１とした場合のＡｌｘＧａ１−ｘＩｎＡｓから成るグループから選択されるｐドープ材料であり、
前記ｎドープトンネル層は、ＩｎＰ，ＧａＩｎＰＡｓ，ＡｌＡｓＳｂ，ＡｌＩｎＡｓＳｂ，及びＡｌＩｎＰＡｓから成るグループから選択されるｎドープ材料である、請求項１又は２に記載のトンネル接合。
【請求項４】
前記ｐドープトンネル層及び前記ｎドープトンネル層は、１ｘ１０１９／ｃｍ３〜１ｘ１０２０／ｃｍ３のドープ濃度を有する、請求項１から３のいずれか１項に記載のトンネル接合。
【請求項５】
前記ｐドープトンネル層は、１．２５ｅＶ超のバンドギャップを有し、前記ｎドープトンネル層は、１．３５ｅＶ超のバンドギャップを有する、請求項１から４のいずれか１項に記載のトンネル接合。
【請求項６】
前記ｐドープトンネル層は、１．２５ｅＶのバンドギャップを有し、前記ｎドープトンネル層は、１．３５ｅＶのバンドギャップを有する、請求項１から４のいずれか１項に記載のトンネル接合。
【請求項７】
前記ｐドープトンネル層及び前記ｎドープトンネル層は、有機金属気相エピタキシー反応器、水素化物気相エピタキシー反応器、分子線エピタキシー反応器、化学線エピタキシー反応器、及び原子層堆積反応器から成るグループから選択される反応器で順番に成長させる、請求項１から６のいずれか１項に記載のトンネル接合。
【請求項８】
フォトニック素子（２００）であって、
広バンドギャップのタイプＩＩトンネル接合（２９０）を備え、該タイプＩＩトンネル接合（２９０）は、
ｐドープトンネル層（２４０）と、
ｎドープトンネル層（２５０）とを含み、
前記広バンドギャップのタイプＩＩトンネル接合（２９０）はＩｎＰ格子定数を有する、フォトニック素子（２００）。
【請求項９】
前記ｐドープトンネル層（２４０）は、ｐドープＡｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ材料であり、そして
前記ｎドープトンネル層（２５０）は、ＩｎＰ，ＧａＩｎＰＡｓ，ＡｌＡｓＳｂ，ＡｌＩｎＡｓＳｂ，ＡｌＩｎＰＡｓから成るグループから選択されるｎドープ材料である、請求項８に記載のフォトニック素子。
【請求項１０】
前記ｐドープトンネル層は、ｘをｘ＝０．２５、またはｘ＝１を含む０．２５〜１とした場合のＡｌｘＧａ１−ｘＩｎＡｓから成るグループから選択されるｐドープ材料であり、そして前記ｎドープトンネル層は、ＩｎＰ，ＧａＩｎＰＡｓ，ＡｌＡｓＳｂ，ＡｌＩｎＡｓＳｂ，ＡｌＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＡｓ、ＡｌＧａＡｓＳｂ、及びＧａＡｓＳｂから成るグループ並びにそれらの組み合わせから選択されるｎドープ材料である、請求項８又は９に記載のフォトニック素子。
【請求項１１】
前記ｐドープトンネル層（２４０）及び前記ｎドープトンネル層（２５０）は、１ｘ１０１９／ｃｍ３〜１ｘ１０２０／ｃｍ３のドープ濃度を有する、請求項８又は９に記載のフォトニック素子。
【請求項１２】
前記ｐドープトンネル層（２４０）は、１．２５ｅＶ超のバンドギャップを有し、そして前記ｎドープトンネル層（２５０）は、１．３５ｅＶ超のバンドギャップを有する、請求項８から１１のいずれか１項に記載のフォトニック素子。
【請求項１３】
前記ｐドープトンネル層（２４０）は、１．２５ｅＶのバンドギャップを有し、そして前記ｎドープトンネル層（２５０）は、１．３５ｅＶのバンドギャップを有する、請求項８から１１のいずれか１項に記載のフォトニック素子。
【請求項１４】
更に、
前記タイプＩＩトンネル接合（２９０）の第１面に配置される第１光起電力電池（２０２）と、
前記タイプＩＩトンネル接合（２９０）の第２面に配置される第２光起電力電池（２０４）と
を備える、請求項８から１３のいずれか１項に記載のフォトニック素子。
【請求項１５】
更に、
前記第１及び第２光起電力電池に電気的に接続される１つ以上の更に別の光起電力電池を備える、請求項１４に記載のフォトニック素子。
【請求項１６】
前記第１光起電力電池（２０２）及び前記第２光起電力電池（２０４）は、ＩｎＰ，ＡｌＩｎＡｓ，ＡｌＡｓＳｂ，ＡｌＩｎＡｓＳｂ，ＡｌＩｎＰＡｓ，ＡｌＧａＩｎＡｓ，ＧａＩｎＰＡｓ，ＧａＩｎＡｓ，ＡｌＧａＡｓＳｂ，ＧａＡｓＳｂ，及びこれらの材料の組み合わせから成るグループから選択される、請求項１４又は１５に記載のフォトニック素子。
【請求項１７】
前記１つ以上の更に別の光起電力サブ電池は、これらの光起電力サブ電池の間に配置される広バンドギャップのタイプＩＩトンネル接合を有する、請求項１４から１６のいずれか１項に記載のフォトニック素子。
【請求項１８】
光起電力素子を形成する方法であって、
ｐドープトンネル層を成長させることと、
ｎドープトンネル層を成長させることとを含み、
前記ｐドープトンネル層及びｎドープトンネル層は、ＩｎＰ格子定数を有する広バンドギャップのタイプＩＩトンネル接合を構成する方法。
【請求項１９】
前記ｐドープトンネル層及びｎドープトンネル層は、有機金属気相エピタキシー反応器、水素化物気相エピタキシー反応器、分子線エピタキシー反応器、化学線エピタキシー反応器、及び原子層堆積反応器から成るグループから選択される反応器で順番に成長させる、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
更に、
広バンドギャップのタイプＩＩトンネル接合で分離される２つ以上の光起電力電池を成長させることを含む、請求項１８又は１９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
本開示の特定の実施形態について、例示のために詳細に説明してきたが、種々の変更及び改良を、本開示の思想及び範囲から逸脱しない限り加えることができる。従って、本開示は、添付の請求項によって制限される場合を除き、限定するものではない。
また、本願は以下に記載する態様を含む。
（態様１）
トンネル接合であって、
ｐドープトンネル層と、
ｎドープトンネル層とを備え、
ＩｎＰ格子定数を有する、トンネル接合。
（態様２）
前記ｐドープトンネル層は、ｐドープＡｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ材料であり、
前記ｎドープトンネル層は、ＩｎＰ，ＧａＩｎＰＡｓ，ＡｌＡｓＳｂ，ＡｌＩｎＡｓＳｂ，ＡｌＩｎＰＡｓから成るグループから選択されるｎドープ材料である、態様１に記載のトンネル接合。
（態様３）
前記ｐドープトンネル層は、ｘをｘ＝１を含む０．２５〜１とした場合のＡｌｘＧａ１−ｘＩｎＡｓから成るグループから選択されるｐドープ材料であり、
前記ｎドープトンネル層は、ＩｎＰ，ＧａＩｎＰＡｓ，ＡｌＡｓＳｂ，ＡｌＩｎＡｓＳｂ，ＡｌＩｎＰＡｓから成るグループから選択されるｎドープ材料である、態様１又は２に記載のトンネル接合。
（態様４）
前記ｐドープトンネル層及び前記ｎドープトンネル層は、１ｘ１０１９／ｃｍ３〜１ｘ１０２０／ｃｍ３のドープ濃度を有する、態様１から３のいずれか１項に記載のトンネル接合。
（態様５）
前記ｐドープトンネル層は、１．２５ｅＶ超のバンドギャップを有し、前記ｎドープトンネル層は、１．３５ｅＶ超のバンドギャップを有する、態様１から４のいずれか１項に記載のトンネル接合。
（態様６）
前記ｐドープトンネル層は、１．２５ｅＶのバンドギャップを有し、前記ｎドープトンネル層は、１．３５ｅＶのバンドギャップを有する、態様１から４のいずれか１項に記載のトンネル接合。
（態様７）
前記ｐドープトンネル層及び前記ｎドープトンネル層は、有機金属気相エピタキシー反応器、水素化物気相エピタキシー反応器、分子線エピタキシー反応器、化学線エピタキシー反応器、及び原子層堆積反応器から成るグループから選択される反応器で順番に成長させる、態様１から６のいずれか１項に記載のトンネル接合。
（態様８）
フォトニック素子（２００）であって、
広バンドギャップのタイプＩＩトンネル接合（２９０）を備え、該タイプＩＩトンネル接合（２９０）は、
ｐドープトンネル層（２４０）と、
ｎドープトンネル層（２５０）とを含み、
前記広バンドギャップのタイプＩＩトンネル接合（２９０）はＩｎＰ格子定数を有する、フォトニック素子（２００）。
（態様９）
前記ｐドープトンネル層（２４０）は、ｐドープＡｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ材料であり、そして
前記ｎドープトンネル層（２５０）は、ＩｎＰ，ＧａＩｎＰＡｓ，ＡｌＡｓＳｂ，ＡｌＩｎＡｓＳｂ，ＡｌＩｎＰＡｓから成るグループから選択されるｎドープ材料である、態様８に記載のフォトニック素子。
（態様１０）
前記ｐドープトンネル層は、ｘをｘ＝１を含む０．２５〜１とした場合のＡｌｘＧａ１−ｘＩｎＡｓから成るグループから選択されるｐドープ材料であり、そして前記ｎドープトンネル層は、ＩｎＰ，ＧａＩｎＰＡｓ，ＡｌＡｓＳｂ，ＡｌＩｎＡｓＳｂ，ＡｌＩｎＰＡｓから成るグループから選択されるｎドープ材料である、態様８又は９に記載のフォトニック素子。
（態様１１）
前記ｐドープトンネル層（２４０）及び前記ｎドープトンネル層（２５０）は、１ｘ１０１９／ｃｍ３〜１ｘ１０２０／ｃｍ３のドープ濃度を有する、態様８又は９に記載のフォトニック素子。
（態様１２）
前記ｐドープトンネル層（２４０）は、１．２５ｅＶ超のバンドギャップを有し、そして前記ｎドープトンネル層（２５０）は、１．３５ｅＶ超のバンドギャップを有する、態様８から１１のいずれか１項に記載のフォトニック素子。
（態様１３）
前記ｐドープトンネル層（２４０）は、１．２５ｅＶのバンドギャップを有し、そして前記ｎドープトンネル層（２５０）は、１．３５ｅＶのバンドギャップを有する、態様８から１１のいずれか１項に記載のフォトニック素子。
（態様１４）
更に、
前記タイプＩＩトンネル接合（２９０）の第１面に配置される第１光起電力電池（２０２）と、
前記タイプＩＩトンネル接合（２９０）の第２面に配置される第２光起電力電池（２０４）と
を備える、態様８から１３のいずれか１項に記載のフォトニック素子。
（態様１５）
更に、
前記第１及び第２光起電力電池に電気的に接続される１つ以上の更に別の光起電力電池を備える、態様１４に記載のフォトニック素子。
（態様１６）
前記第１光起電力電池（２０２）及び前記第２光起電力電池（２０４）は、ＩｎＰ，ＡｌＩｎＡｓ，ＡｌＡｓＳｂ，ＡｌＩｎＡｓＳｂ，ＡｌＩｎＰＡｓ，ＡｌＧａＩｎＡｓ，ＧａＩｎＰＡｓ，ＧａＩｎＡｓ，ＡｌＧａＡｓＳｂ，ＧａＡｓＳｂ，及びこれらの材料の組み合わせから成るグループから選択される、態様１４又は１５に記載のフォトニック素子。
（態様１７）
前記１つ以上の更に別の光起電力サブ電池は、これらの光起電力サブ電池の間に配置される広バンドギャップのタイプＩＩトンネル接合を有する、態様１４から１６のいずれか１項に記載のフォトニック素子。
（態様１８）
光起電力素子を形成する方法であって、
ｐドープトンネル層を成長させることと、
ｎドープトンネル層を成長させることとを含み、
前記ｐドープトンネル層及びｎドープトンネル層は、ＩｎＰ格子定数を有する広バンドギャップのタイプＩＩトンネル接合を構成する方法。
（態様１９）
前記ｐドープトンネル層及びｎドープトンネル層は、有機金属気相エピタキシー反応器、水素化物気相エピタキシー反応器、分子線エピタキシー反応器、化学線エピタキシー反応器、及び原子層堆積反応器から成るグループから選択される反応器で順番に成長させる、態様１８に記載の方法。
（態様２０）
更に、
広バンドギャップのタイプＩＩトンネル接合で分離される２つ以上の光起電力電池を成長させることを含む、態様１８又は１９に記載の方法。
なお、有利には、前記フォトニック素子は逆構造となるように成長される。また、有利には、前記フォトニック素子は順構造となるように成長される。