【手続補正書】
【提出日】平成25年12月16日(2013.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印加装置から放射されるマイクロ波によって加熱される負荷を受け入れ、
プレート間にマイクロ波エネルギーの電磁界を生成するように構成された非モード式プレート間マイクロ波印加装置と、
前記非モード式プレート間マイクロ波印加装置に接続されたマイクロ波源と
を備え、負荷における電磁界の強度が電磁界の安在波モードに依存しない、マイクロ波加熱システム。
【請求項２】
非共振のエンクロージャをさらに備えており、前記非共振のエンクロージャが、前記非モード式プレート間マイクロ波印加装置を少なくとも部分的に囲んでいる、請求項１に記載のマイクロ波加熱システム。
【請求項３】
前記非モード式プレート間マイクロ波印加装置が、閉ループのシングルエンド印加装置、および／または平衡印加装置、および／またはインピーダンス整合した印加装置を備えている、請求項１または２に記載のマイクロ波加熱システム。
【請求項４】
前記非共振のエンクロージャが円筒形の外形を有しているかまたは非円筒形の外形を有している、請求項１〜３のいずれか一項に記載のマイクロ波加熱システム。
【請求項５】
前記非モード式プレート間マイクロ波印加装置が、λ／６未満の距離ｄだけ隔てられた少なくとも２枚のプレートを備えている、請求項１〜４のいずれか一項に記載のマイクロ波加熱システム。
【請求項６】
前記非モード式プレート間マイクロ波印加装置が少なくとも２枚のプレートを備えており、前記プレートのすべてが同一のエリアを有するものではない、および／または前記プレートのすべてが同一の形状を有するものではない、請求項１〜５のいずれか一項に記載のマイクロ波加熱システム。
【請求項７】
前記非モード式プレート間マイクロ波印加装置が少なくとも２枚のプレートを備えており、前記プレート間の距離が可変である請求項１〜６のいずれか一項に記載のマイクロ波加熱システム。
【請求項８】
前記非モード式プレート間マイクロ波印加装置が少なくとも２枚のプレートを備えており、前記プレートのすべてが同じ材料で製作されているものではなく、および、前記非共振のエンクロージャが、少なくとも１つの導電性材料および少なくとも１つの半導体材料から選択される少なくとも１つの材料を含んでいる、請求項１〜７のいずれか一項に記載のマイクロ波加熱システム。
【請求項９】
前記非モード式プレート間マイクロ波印加装置が少なくとも２枚のプレートを備えており、前記プレート間の空間が、処理対象の負荷以外の誘電体で少なくとも部分的に満たされている、請求項１〜８のいずれか一項に記載のマイクロ波加熱システム。
【請求項１０】
前記非共振のエンクロージャが、寸法に関して定在波の生成を抑制するように構成されている、請求項１〜９のいずれか一項に記載のマイクロ波加熱システム。
【請求項１１】
前記非モード式プレート間マイクロ波印加装置のプレート間で加熱される反応瓶をさらに備えている、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のマイクロ波加熱システム。
【請求項１２】
前記負荷が反応混合物を備えている、請求項１１に記載のマイクロ波加熱システム。
【請求項１３】
フローリアクタをさらに備えている、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のマイクロ波加熱システム。
【請求項１４】
前記負荷が、移動している負荷を含む、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のマイクロ波加熱システム。
【請求項１５】
前記負荷を前記非モード式プレート間マイクロ波印加装置の内部に保持すべく前記非モード式プレート間マイクロ波印加装置に組み合わせられた支持構造をさらに備え、前記支持構造が、マイクロ波に関して透過性である材料およびマイクロ波に関して或る程度透過性である材料から選択される少なくとも１つの材料を含んでいる、請求項１〜１４のいずれか一項に記載のマイクロ波加熱システム。
【請求項１６】
前記支持構造が液体または気体の一方を含んでおり、および、前記支持構造が少なくとも１つの入口と少なくとも１つの出口とを備えている、請求項１５に記載のマイクロ波加熱システム。
【請求項１７】
負荷ホルダをさらに備え、前記負荷ホルダが、反応瓶、球、管、毛細管構造、薄膜基板、ガラススラブ、顕微鏡用スライド、組織カセット、マイクロタイタープレート、マイクロ流体装置、マイクロアレイ、微細加工構造、およびこれらの組み合わせのうちの少なくとも１つを備えている、請求項１〜１６のいずれか一項に記載のマイクロ波加熱システム。
【請求項１８】
前記負荷ホルダが、ガラススラブおよびフィルムから選択される少なくとも１つの材料を含んでいる、請求項１６または１７に記載のマイクロ波加熱システム。
【請求項１９】
前記非モード式プレート間マイクロ波印加装置に接続されたチューニング装置をさらに備え、抵抗、インダクタンス、および容量から選択される、前記チューニング装置の少なくとも１つの特性を変化させることができ、および任意で前記チューニング装置へとフィードバック信号を供給する監視装置をさらに備えている、請求項１〜１８のいずれか一項に記載のマイクロ波加熱システム。
【請求項２０】
前記監視装置が、温度センサ、圧力センサ、紫外線（ＵＶ）センサ、赤外線（ＩＲ）、Ｘ線装置、超音波装置、レーザ、蛍光測定装置、化学発光測定装置、分光装置、およびこれらの組み合わせのうちの少なくとも１つを備えている、請求項１９に記載のマイクロ波加熱システム。
【請求項２１】
マイクロ波の周波数を制御するためのコントローラをさらに備えている、請求項１〜２０のいずれか一項に記載のマイクロ波加熱システム。
【請求項２２】
前記非モード式プレート間マイクロ波印加装置が、準備、生成、分析的分析、診断、およびこれらの組み合わせのうちの少なくとも１つを実施するために、マイクロ波によって加熱される負荷を内部に受け入れるように構成されている、請求項１〜２１のいずれか一項に記載のマイクロ波加熱システム。
【請求項２３】
マイクロ波を用いて負荷を加熱するための方法であって、
電磁界を内部に生成するための印加装置を画定するような形状の非モード式プレート間マイクロ波印加装置を形成するステップと、
前記非モード式プレート間マイクロ波印加装置を、マイクロ波を用い負荷を加熱すべく電磁界を生成するように構成するステップと
を含む方法。
【請求項２４】
前記負荷が生体組織を含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記負荷が陽電子放出断層撮影（ＰＥＴ）材料を含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
マイクロ波の周波数および出力から選択される少なくとも１つの特性を、負荷における反応を制御するために変化させる、請求項２３に記載の方法。
【請求項２７】
組織化学、免疫組織化学、またはｉｎ−ｓｉｔｕハイブリッド形成の処理のために、顕微鏡用スライド上の生体サンプルを前処理する方法であって、
生体サンプルを、非モード式プレート間マイクロ波印加装置のプレート間に配置するステップと、
マイクロ波源を前記非モード式プレート間マイクロ波印加装置に接続するステップと、
前記プレート間の電磁界を、前記顕微鏡用スライド上の前記生体サンプルに印加するステップと、
少なくとも１つの染色前処理プロトコル段階を実施するために前記サンプルを加熱するステップと
を含む方法。
【請求項２８】
前記少なくとも１つの前処理プロトコル段階が、焼成、脱蝋、ターゲット回復、ブロッキング、変性、酵素消化、およびこれらの任意の組み合わせから選択される、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記サンプルの特性を監視するステップと、
前記監視に少なくとも部分的に応答して前記プレート間の電磁界を調節するステップと
をさらに含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】
組織化学、免疫組織化学、またはｉｎ−ｓｉｔｕハイブリッド形成の処理のために顕微鏡用スライド上の生体サンプルを培養する方法であって、
生体サンプルを、非モード式プレート間マイクロ波印加装置のプレート間に配置するステップと、
マイクロ波源を、前記非モード式プレート間マイクロ波印加装置に接続するステップと、
前記プレート間の電磁界を、前記顕微鏡用スライド上の前記生体サンプルに印加するステップと、
少なくとも１つの培養段階を実施するために前記サンプルを加熱するステップと
を含む方法。
【請求項３１】
前記少なくとも１つの培養段階が、組織化学的培養、免疫組織化学的培養、およびｉｎ−ｓｉｔｕハイブリッド形成から選択される、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記サンプルの特性を監視するステップと、
前記監視に少なくとも部分的に応答して前記プレート間の電磁界を調節するステップと
をさらに含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項３３】
組織化学、免疫組織化学、またはｉｎ−ｓｉｔｕハイブリッド形成の処理のための流体をインラインで加熱する方法であって、
流体を運ぶ流体キャリアを、非モード式プレート間マイクロ波印加装置のプレート間に配置するステップと、
マイクロ波源を、前記非モード式プレート間マイクロ波印加装置に接続するステップと、
前記プレート間の電磁界を、前記流体に印加するステップと、
前記流体を加熱するステップと
を含む方法。
【請求項３４】
前記流体が、洗浄用の流体、すすぎ用の流体、中性の流体、組織化学的試薬、免疫組織化学的試薬、ハイブリッド形成試薬、脱蝋用の流体、およびこれらの任意の組み合わせから選択される、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記流体の特性を監視するステップと、
前記監視に少なくとも部分的に応答して前記プレート間の電磁界を調節するステップと
をさらに含む、請求項３３に記載の方法。