Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月5日(2003.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、該感光層が下記一般式（１）で示されるジアミン化合物と、下記一般式（２）又は下記一般式（３）で示されるスチリル化合物と、を含有することを特徴とする電子写真感光体：
一般式（１）
【化１】
2000221712.tif 000001
（上記式（１）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アリル基、置換基を有してもよいアリ−ル基、アラルキル基またはハロゲン原子を示し、Ｒ５及びＲ６は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、アラルキル基またはアリール基を示し、ｎは独立に１または２の整数を示す）
一般式（２）
【化２】
2000221712.tif 000002
（上記式（２）中、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、置換アミノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アリル基、置換基を有してもよい基、アリール基、アラルキル基またはハロゲン原子を示し、Ｘは直接結合、−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−を示し、ｍは独立に１または２の整数を示す）
一般式（３）
【化３】
2000221712.tif 000003
（上記式（３）中、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、置換アミノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アリル基、置換基を有してもよい基、アリール基、アラルキル基またはハロゲン原子を示し、Ｘは直接結合、−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−を示し、ｍは独立に１または２の整数を示す）。
【請求項２】
請求項１記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段及びクリ−ニング手段からなる群より選ばれる少なくとも一つの手段と、を一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカ−トリッジ。
【請求項３】
請求項１記載の電子写真感光体、帯電手段、像露光手段、現像手段及び転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月30日(2003.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液晶装置及びその製造方法、並びに電子機器


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する基板間をシール材でシールし、封止口から液晶を注入後、封止口を封止材で封止し、液晶パネルを形成する工程を有する液晶装置の製造方法であって、前記封止材は光硬化性であり、前記パネルの両側から光を当てて前記封止材を硬化させる工程を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
前記封止材を硬化させる工程において、前記封止口を除く部分を遮光する遮光マスクを用いて、前記パネルの両側から片側ずつ光を当てる工程を有することを特徴とする請求項１記載の液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記封止材を硬化させる工程において、前記パネルの両側から同時に光を当てる工程を有することを特徴とする請求項１記載の液晶装置の製造方法。
【請求項４】
前記封止材として、エポキシ系樹脂を用いることを特徴とする請求項１乃至３記載の液晶装置の製造方法。
【請求項５】
前記シールする工程において、前記シール材の仮硬化工程と本硬化工程とを有し、前記シール材としてエポキシ系樹脂を用いることを特徴とする請求項１乃至４記載の液晶装置の製造方法。
【請求項６】
前記シール材の本硬化工程において前記パネルの両側から光を当てて前記シール材を硬化させる工程を有することを特徴とする請求項５記載の液晶装置の製造方法。
【請求項７】
前記シール材及び前記封止材としてエポキシ系樹脂を用い、かつ、紫外線の積算光量を２万〜１０万ｍＪとしたことを特徴とする請求項１乃至６記載の液晶装置の製造方法。
【請求項８】
イオンビーム配向法によって液晶を配向させることを特徴とする請求項１乃至７記載の液晶装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至８に記載の方法を用いて作製されたことを特徴とする液晶装置。
【請求項１０】
請求項９記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の液晶装置の製造方法は、互いに対向する基板間をシール材でシールし、封止口から液晶を注入後、封止口を封止材で封止し、液晶パネルを形成する工程を有する液晶装置の製造方法であって、前記封止材は光硬化性であり、前記パネルの両側から光を当てて前記封止材を硬化させる工程を有することを特徴とする。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明では、封止口を除く部分を遮光する遮光マスクを用いて、パネルの両側から片側ずつ光を当てる工程、あるいは、パネルの両側から同時に光を当てる工程を有することが好ましい。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明では、封止材として、エポキシ系樹脂を用いることが好ましい。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の液晶装置の製造方法は、前記シールする工程において、前記シール材の仮硬化工程と本硬化工程とを有し、前記シール材としてエポキシ系樹脂を用いることを特徴とする。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明では、シール材の本硬化工程においてパネルの両側から光を当ててシール材を硬化させる工程を有することが好ましい。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の液晶装置の製造方法は、前記シール材及び前記封止材としてエポキシ系樹脂を用い、かつ、紫外線の積算光量を２万〜１０万ｍＪとしたことを特徴とする。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の液晶装置の製造方法は、上記の液晶装置の製造方法において、イオンビーム配向法によって液晶を配向させることを特徴とする。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明のこのような構成によれば、イオンビーム配向法は液晶の配向力が弱い（アンカリングエネルギーが小さい）ので、アクリル成分による配向への悪影響を特に受けやすいが、上記の液晶装置の製造方法を用いることで、アクリル成分による配向への悪影響を回避できる。特に、シール材及び封止材としてエポキシ系樹脂を用いた場合はアクリル成分を含まないので効果が高い。


【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明の液晶装置は、上記の液晶装置の製造方法を用いて作製されたことを特徴とする。


【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明の電子機器は、上記の液晶装置の製造方法を用いて作製された液晶装置を備えたことを特徴とする。


【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
ここで、保持された画素信号がリークするのを防ぐことを目的に、画素電極９と対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加することが一般的である。たとえば、画素電極９ａの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量７０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置が実現できる。なお、蓄積容量７０を形成する方法としては、容量を形成するための配線である容量線３ｂとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線３ａとの間に形成する場合のいずれであってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月18日(2003.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２基板と、
画像表示領域における前記第１基板上に設けられ、マトリクス状に配置された画素電極部に電気的に接続される複数の信号電極手段と、
前記画像表示領域における前記第２基板上に、前記信号電極手段の延設方向に配列された所定数の前記画素電極部に夫々交差するように設けられた複数の走査電極手段と、
前記画像表示領域の周囲にある額縁領域に位置し且つ前記信号電極手段の端部側に位置する所定個所の前記第１基板に対して取り付けられ、前記信号電極手段及び前記走査電極手段を駆動する１チップ構造の駆動回路と、
前記額縁領域における前記第１基板上に配線され、前記所定個所に近い側にある前記複数の信号電極手段の端部と前記駆動回路とを接続する複数の第１引き回し配線と、
前記額縁領域における前記第１及び第２基板間に設けられ、前記複数の走査電極手段が延設された端部に夫々接続された複数の上下導通手段と、
前記額縁領域における前記第１基板上に配線されており前記複数の上下導通手段夫々と前記駆動回路とを接続する複数の第２引き回し配線と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記複数の走査電極手段は、前記上下導通手段から前記画像表示領域内部に向けて交互に配線されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記複数の上下導通手段は前記複数の走査電極手段の端部側に夫々設けられ、前記複数の第２引き回し配線は前記走査電極手段の端部側から前記所定箇所に延設されていることを特徴とする請求項１記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記画像表示領域は、前記走査電極手段に沿った方向よりも前記信号電極手段に沿った方向に長く、
前記画像表示領域では、前記信号電極手段に沿った方向の画素電極部の数が前記走査電極手段に沿った方向の画素電極部の数よりも多いように前記信号電極手段及び前記走査電極手段が設けられていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記上下導通手段は、
前記第１及び第２基板間に配置された上下導通材と、
前記第１基板上に設けられており前記上下導通材と接触すると共に前記第２引き回し配線の一端に接続された上下導通端子と
を含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記信号電極手段は、
各画素毎に形成された画素電極部と、
前記信号電極手段の延設される方向の前記画素電極部に対して所定の順序で接続される接続する複数の信号配線部と
を含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記信号電極手段は、各画素毎に前記画素電極部と前記信号配線部との間に２端子型非線形素子を接続してなることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記駆動回路は、前記第１基板上に搭載されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記第１基板上の前記所定個所には前記第１及び第２引き回し配線に接続された入力端子が設けられており、前記駆動回路は前記入力端子に所定の接続手段を介して接続されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置において、前記信号電極手段と前記走査電極手段とを入れ替えた構成を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置を表示装置として用いたことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、第１及び第２基板と、画像表示領域における前記第１基板上に設けられ、マトリクス状に配置された画素電極部に電気的に接続される複数の信号電極手段と、前記画像表示領域における前記第２基板上に、前記信号電極手段の延設方向に配列された所定数の前記画素電極部に夫々交差するように設けられた複数の走査電極手段と、前記画像表示領域の周囲にある額縁領域に位置し且つ前記信号電極手段の端部側に位置する所定個所の前記第１基板に対して取り付けられ、前記信号電極手段及び前記走査電極手段を駆動する１チップ構造の駆動回路と、前記額縁領域における前記第１基板上に配線され、前記所定個所に近い側にある前記複数の信号電極手段の端部と前記駆動回路とを接続する複数の第１引き回し配線と、前記額縁領域における前記第１及び第２基板間に設けられ、前記複数の走査電極手段の前記額縁領域が延設された端部に夫々接続された複数の上下導通手段と、前記額縁領域における前記第１基板上に配線されており前記複数の上下導通手段夫々と前記駆動回路とを接続する複数の第２引き回し配線とを備える。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の電気光学装置の一の態様では、前記複数の走査電極手段は、前記上下導通手段から前記画像表示領域内部に向けて交互に配線されている。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記複数の上下導通手段は前記複数の走査電極手段の端部側に夫々設けられ、前記複数の第２引き回し配線は前記走査電極手段の端部側から前記所定箇所に延設されている。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月31日(2003.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
前記一対のシール部材１３,１４が下流側に移動しつつ相互に近接することで、両シール部材１３,１４が、筒状フィルム２５内のフィルム移送方向に隣り合う物品間に位置する筒状フィルム２５を挟んで当接するに至る。このとき、前記第２シール部材１４の移動に連動して、前記第１および第２移送コンベヤ１１,１２の各移動フレーム１７,２１の先端が相互に離間移動し、第２シール部材１４の上方への突出を許容する隙間を画成する。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
前記両シール部材１３,１４は、前記重合区間を移動する間は当接した状態で筒状フィルム２５の移送に伴って略同一速度で下流側に移動し、これにより該フィルム２５に確実なエンドシールが施される。なお、前記重合区間において第１シール部材１３は圧縮コイルバネ４６,４６の弾力に抗して第１支持部材３９側に退避すると共に、該バネ４６,４６の弾力によって第２シール部材１４に圧接された状態で移動する。また、両シール部材１３,１４が当接している状態で前記カッタ４７が作動して筒状フィルム２５が切断される。前記各圧縮コイルバネ４６は、図４に示すように、前記支持軸４２に内挿されると共に案内筒４３や蓋部材４４により外部に露出しないよう構成してあるから、該バネ４６のコイル間にゴミ等が溜まらず、圧縮コイルバネ４６に対する清掃等のメンテナンスは不要となる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月6日(2003.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
必須成分として、
（Ａ）非シアンの２価の錫化合物及び１価の銀化合物、並びに
（Ｂ）錫の主錯化剤として、モル比で錫の２倍以上のピロリン酸、クエン酸、酒石酸又はグルコン酸若しくはそれらのアルカリ金属塩から選ばれた錯化剤の１種又は２種以上
を含む浴に、さらに
（Ｃ）銀の主錯化剤として、モル比で銀の２倍以上の濃度の下記一般式（１）〜（３）：
・式（１）
【化１】
1999021693.tif 000001
［ここで、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3及びＸ4は炭素又は窒素原子を表し、各Ｘ1〜Ｘ4が窒素原子を表すときは各Ｘに結合するＲ1〜Ｒ4は存在しない。全てのＸが同時に窒素原子であることはない。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4はそれぞれ独立に水素原子、ヒドロキシル基又はＣ1〜Ｃ4のアルキル基を表し、該アルキル基の水素原子はヒドロキシル基、カルボキシル基又はハロゲン原子で置換されていてよい。Ｒ1はＲ2とメチレン基を介してベンゼン環を形成してよく、該ベンゼン環の水素原子はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基で置換されていてよい。Ｒ5は水素原子又はＣ1〜Ｃ5のアルキル若しくはアルケニル基又はフェニル基を表し、該アルキル基、アルケニル基及び（又は）フェニル基の水素原子はヒドロキシル基又はアミノ、モノメチルアミノ若しくはジメチルアミノ基で置換されていてよい。］
で表される含窒素五員複素環式化合物、
・式（２）
【化２】
1999021693.tif 000002
［ここで、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ独立に、水素原子又はＣ1〜Ｃ5のアルキル若しくはアルコキシ基を表す。Ｘは窒素又は炭素原子を表し、Ｘが窒素原子のときは、Ｒ4は存在しない。］
で表されるヒダントイン化合物、こはく酸イミド又はマレイン酸イミド及びそれらの誘導体、及び
・式（３）
【化３】
1999021693.tif 000003
［ここで、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ独立に水素原子又はＣ1〜Ｃ5のアルキル基を表す。Ｒ3及びＲ4はそれぞれ独立に水素原子、Ｃ1〜Ｃ5のアルキル若しくはアルケニル基又はフェニル基を表し、該アルキル基、アルケニル基及び（又は）フェニル基の水素原子はヒドロキシル基又はアミノ、モノメチルアミノ若しくはジメチルアミノ基で置換されていてよく、Ｒ3とＲ4は結合して環を形成してよい。Ｒ5はアルキル基、アリル基又はヒドロキシル基を表す。Ｘは窒素又は炭素原子を表し、Ｙは酸素又は硫黄原子を表す。Ｘが窒素原子のときは、Ｒ5は存在しない。］
で表される尿素、チオ尿素又はチオアセトアミド及びそれらの誘導体
から選ばれた錯化剤の１種又は２種以上
を添加してなることを特徴とする非シアンの錫−銀合金電気めっき浴。
【手続補正書】
【提出日】平成15年5月16日(2003.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式
【化１】
1999021321.tif 000001
［式中、Ｒ１ は−ＣＨ２ ＣＨ（−ＯＨ）Ｒ２ を示し（ただし、Ｒ２ は、炭素数１〜８のアルキル基またはアルコキシメチル基を示す）、ｘは０≦ｘ＜１を示し、ｙは０≦ｙ≦１を示し、ｚは０≦ｚ≦１を示し、ｘ，ｙ，ｚはそれぞれの構成単位のモル分率を示し、ｙとｚが共に０であることはない］を主要構成成分として含むポリアリルアミン誘導体。
【請求項２】
ポリアリルアミンと、一般式
【化２】
1999021321.tif 000002
（ただし、Ｒ２ は、炭素数１〜８のアルキル基またはアルコキシメチル基を示す）で表わされるエポキシ化合物とを反応させることを特徴とする、請求項１に記載のポリアリルアミン誘導体の製造方法。
【請求項３】
反応する際の溶媒が水である請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載のポリアリルアミン誘導体と、水とを含む親水性・疎水性熱可逆型材料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
【実施例】
実施例１
ポリアリルアミン誘導体（式ＩでＲ２ がＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ３，ｘ＝０，ｙ＝０．６，ｚ＝０．４）の製造
ポリアリルアミン水溶液（日東紡績（株）製，ＰＡＡ−１０Ｃ）を１４．８２％ポリアリルアミン水溶液に調製し、それから１９２．６５ｇ（ポリアリルアミンのモノマー単位で０．５モル）を取り出し、３００ｍｌセパラブルフラスコに入れ攪拌し、約４０℃に維持しながら、それにエチルグリシジルエーテル（東京化成（株））０．７０モル（ポリアリルアミンのモノマー単位に対し１４０モル％）を少しずつ加えた。その後、同温度で反応混合物を５．５時間攪拌することにより、ポリアリルアミン誘導体（式Ｉで、Ｒ２ がＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ３，ｘ＝０，ｙ＝０．６，ｚ＝０．４）と水との混合物を得た。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月7日(2004.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
画像表示装置であって、
カラー画像を表す第１ないし第３の色に対応する色信号を調整する色信号調整部と、
前記色信号調整部から出力される第１ないし第３の出力色信号の表すカラー画像を表示する画像表示部と、
前記色信号調整部を制御する調整制御部と、を備え、
前記色信号調整部は、
色信号のレベルを調整するルックアップテーブルとして使用可能な第１ないし第４のＲＡＭと、
前記調整制御部からの所定の選択信号に応じて、前記第１ないし第３の色信号および所定のアドレス信号を、前記第１ないし第４のＲＡＭの入力アドレス信号として入れ換え可能に選択するアドレス選択部と、
前記所定の選択信号に応じて、前記第１ないし第４のＲＡＭから出力される出力信号のうちの少なくとも３つの出力信号を、前記第１ないし第３の色に対応する第１ないし第３の出力色信号として選択して出力するデータ選択部と、を備える、
画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】
上述の課題の少なくとも一部を解決するため、本発明の画像表示装置は、
カラー画像を表す第１ないし第３の色に対応する色信号を調整する色信号調整部と、
前記色信号調整部から出力される第１ないし第３の出力色信号の表すカラー画像を表示する画像表示部と、
前記色信号調整部を制御する調整制御部と、を備え、
前記色信号調整部は、
色信号のレベルを調整するルックアップテーブルとして使用可能な第１ないし第４のＲＡＭと、
前記調整制御部からの所定の選択信号に応じて、前記第１ないし第３の色信号および所定のアドレス信号を、前記第１ないし第４のＲＡＭの入力アドレス信号として入れ換え可能に選択するアドレス選択部と、
前記所定の選択信号に応じて、前記第１ないし第４のＲＡＭから出力される出力信号のうちの少なくとも３つの出力信号を、前記第１ないし第３の色に対応する第１ないし第３の出力色信号として選択して出力するデータ選択部と、を備えることを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
また、第１のＲＡＭ１２０の入力アドレス信号としてアドレス信号ＡＤが選択されている場合には、リードライト信号ＷＲ１に従って、読み出しまたは書き込みが行われる。書き込み実行時には、第１のＲＡＭ１２０のアドレス信号ＡＤに対応するアドレスに、コントローラ７０（図１）からバス７０ｂのデータバスを介して供給される書き込みデータＷＤが書き込まれる。読み出し実行時には、アドレス信号ＡＤに対応するアドレスに書き込まれているデータが読み出されて、出力信号ＲＤ１が読み出し信号ＲＤとして出力される。読み出し信号ＲＤは、バス７０ｂのデータバスを介してコントローラ７０に供給される。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月3日(2003.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
複数の印刷モードで印刷可能な印刷装置で印刷させるべき印刷データを生成する印刷制御装置であって、
印刷設定項目を利用者に設定させるためのユーザインターフェイスを提供するユーザインターフェイス手段と、
前記提供されるユーザインターフェイスを介して設定された項目に応じて、前記複数の印刷モードのうち一つの印刷モードを決定する第１の決定手段と、
前記第１の決定手段により決定された印刷モードで、前記印刷装置で印刷させるべき印刷データを生成する生成手段と、
を備えることを特徴とする印刷制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は次のような構成からなる。すなわち、複数の印刷モードで印刷可能な印刷装置で印刷させるべき印刷データを生成する印刷制御装置であって、印刷設定項目を利用者に設定させるためのユーザインターフェイスを提供するユーザインターフェイス手段と、前記提供されるユーザインターフェイスを介して設定された項目に応じて、前記複数の印刷モードのうち一つの印刷モードを決定する第１の決定手段と、前記第１の決定手段により決定された印刷モードで、前記印刷装置で印刷させるべき印刷データを生成する生成手段とを備える。更に好ましくは、前記生成手段により生成された印刷データを前記印刷装置に送付する送付手段を更に備える。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月14日(2003.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、磁性体分散型樹脂微粒子キャリアを用いた二成分現像剤を担持搬送する現像剤担持体として、少なくとも結着樹脂と、導電性の球状粒子とを含有する樹脂組成物により形成される被覆層を基体上に設けた構成の現像剤担持体を用いることから、あらゆる環境下での長期画出し耐久において常に現像領域へ安定した現像剤の搬送を行うことが出来る。またこの現像剤担持体は、耐摩耗性、耐汚染性に優れているため、長期の繰り返し使用に対しても、良好な画像を提供しつづけることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月17日(2003.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液晶素子
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２枚の基板間にネマティック液晶を挟持してなり、上下基板の一軸配向性の方向が平行または反平行である液晶素子において、温度の変化に起因する前記液晶組成物の複屈折の変化を補償するように液晶分子の配向状態を変化させることで液晶素子のリタデーション値の温度変化を低減することを特徴とする液晶素子。
【請求項２】
前記ネマティック液晶を主成分とする液晶組成物の３０℃での屈折率異方性が０．１５０以上であり、かつ基板界面における３０℃での液晶分子のプレチルト角が１０°以上４５°以下であることを特徴とする請求項１に記載の液晶素子。
【請求項３】
前記上下基板の配向は、一軸配向性を付与した、垂直または高いプレチルト角を有する有機系配向膜により設けたものであることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶素子。
【請求項４】
位相補償することにより黒を表示することを特徴とする請求項１〜３に記載の液晶素子。
【請求項５】
駆動電圧の高電圧側を黒とするノーマリーホワイトモードを使用することを特徴とする請求項１〜４に記載の液晶素子。
【請求項６】
前記液晶素子は電界制御複屈折型であることを特徴とする請求項１に記載の液晶素子。
【請求項７】
前記液晶素子はスプレイ配向型であることを特徴とする請求項１に記載の液晶素子。
【請求項８】
前記液晶素子はベンド配向型であることを特徴とする請求項１に記載の液晶素子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ネマティック液晶を用いた液晶素子に関し、特に表示パネルに用いて好適な液晶素子に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段および作用】
上記の目的を達成するため本発明の液晶素子は、上下２枚の基板間にネマティック液晶組成物を挟持してなり、上下基板の一軸配向性の方向が平行または反平行である液晶素子において、温度の変化に起因する液晶組成物の複屈折の変化を補償するように液晶分子の配向状態を変化させ液晶素子のリタデーション値の温度変化（温度に依存する変化）を低減することを特徴とする。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
具体的には、３０℃でのΔｎが０．１５０以上であるネマティック液晶を主成分とする液晶組成物を用い、かつ基板界面における３０℃での液晶分子のプレチルト角を１０°以上４５°以下とすることにより、上記複屈折の変化を補償することができる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明者等は、垂直またはプレチルトの高い有機系配向膜を有する上下基板に対し平行または反平行にラビング処理を行った液晶セルにネマティック液晶を挟持した場合に、液晶組成物のΔｎの温度特性が相殺されるように配向状態が変化することを発見し、本発明を完成するに至った。一般的に液晶組成物のΔｎの温度特性は、高温側では小さく低温になることで徐々に大きくなることが知られている。本実施形態で用いた液晶組成物のΔｎの温度特性を図３に示す。
図３は、横軸に温度を、そして縦軸に屈折率異方性（Δｎ）をとり、液晶のΔｎの温度変化を示すグラフである。図示するように液晶は、温度が低温側の場合Δｎが高く、一方高温側ではΔｎが低い。
そして、一般に液晶とよばれる化合物は、その種類のいかんにかかわらず、このような温度変化を示す。このような高温側で低下するΔｎを補償するべく何らかの工夫をする必要があると本発明者等は検討した。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月25日(2003.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ記憶空間を冗長ユニット内にマッピングする方法であって、該データ記憶空間は第１のストライプ・セット（５０２）および第２のストライプ・セット（５０４）からなり、該第１のストライプ・セットにおけるそれぞれのストライプは少なくとも「Ｎ」個のブロックを有し、該第２のストライプ・セットにおけるそれぞれのストライプは「Ｎ」個未満のブロックを有しており、
（ａ）データをミラー冗長機構に従って記憶する少なくとも１つの第１の冗長ユニット（７０４）を作成するステップであって、該第１の冗長ユニットが、前記第１のストライプ・セットからのブロックと第２のストライプ・セットからのブロックを含む、ステップと、を含む、
データ記憶空間を冗長ユニット内にマッピングする方法。
【請求項２】
前記データ記憶空間はディスク・アレイによって提供される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
さらに、
（ｂ）データをパリティ冗長機構に従って記憶する少なくとも１つの第２の冗長ユニットを作成するステップであって、該第２の冗長ユニット（７０８）が、前記第１のストライプ・セットの第１のストライプにおけるすべてのブロックを含む、ステップと、を含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記ミラー冗長機構はＲＡＩＤレベル１であり、前記パリティ冗長機構はＲＡＩＤレベル５である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記Ｎは３である、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
（ａ）少なくとも「Ｎ」個のブロックをそれぞれのストライプが有する第１のストライプ・セット（５０２）、および「Ｎ」個未満のブロックをそれぞれのストライプが有する第２のストライプ・セット（５０４）を有する記憶空間を提供するディスク・アレイと、
（ｂ）前記ディスク・アレイに接続されたコントローラであって、データをミラー冗長機構に従って記憶する少なくとも１つの第１の冗長ユニット（７０４）を作成することによって、前記記憶空間を冗長ユニットにマッピングするよう動作可能なコントローラと、を備えており、
前記第１の冗長ユニットは、前記第１のストライプ・セットからのブロックと前記第２のストライプ・セットからのブロックとを含む、データ記憶システム。
【請求項７】
前記コントローラは、さらに、データをパリティ冗長機構に従って記憶する少なくとも１つの第２の冗長ユニット（７０８）を作成することによって前記記憶空間をマッピングするよう動作可能であり、
前記第２の冗長ユニットは、前記第１のストライプ・セット（５０２）の第１のストライプにおけるすべてのブロックを含む、請求項６に記載のデータ記憶システム。
【請求項８】
前記ミラー冗長機構はＲＡＩＤレベル１であり、前記パリティ冗長機構はＲＡＩＤレベル５であり、Ｎは３である、請求項７に記載のデータ記憶システム。
【請求項９】
前記ミラー冗長機構はＲＡＩＤレベル１であり、前記パリティ冗長機構はＲＡＩＤレベル６であり、Ｎは５である、請求項７に記載のデータ記憶システム。
【請求項１０】
前記ミラー冗長機構はトリプル・ミラーであり、前記パリティ冗長機構はＲＡＩＤレベル６であり、Ｎは４である、請求項７に記載のデータ記憶システム。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月11日(2003.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の表面に有機膜を塗布した後、前記有機膜に有機溶剤を浸透させて溶解を生じさせることにより前記有機膜を平坦化させることを特徴とする有機膜の平坦化方法。
【請求項２】
前記有機膜が有機溶剤に溶解する有機材料であり、前記有機溶剤が下記に示す材料のうち少なくとも一つを含む請求項１記載の有機膜の平坦化方法。
有機溶剤（Ｒはアルキル基又は置換アルキル基、Ａｒはフェニル基又はフェニル基以外の芳香環を示す）：
・アルコール類（Ｒ−ＯＨ）
・エーテル類（Ｒ−Ｏ−Ｒ、Ａｒ−Ｏ−Ｒ、Ａｒ−Ｏ−Ａｒ）
・エステル類
・ケトン類
・グリコール類
・アルキレングリコール類
・アルコキシアルコール類
・グリコールエーテル類
【請求項３】
前記有機材料がアクリル、ポリイミド、ポリアクリルアミドのいずれかである請求項２記載の有機膜の平坦化方法。
【請求項４】
前記有機膜に有機溶剤を浸透させて溶解を生じさせた後、１００〜１８０℃の範囲の温度で熱処理を行い、前記有機膜中に含まれる有機溶剤を蒸発させる請求項１乃至３のいずれかに記載の有機膜の平坦化方法。
【請求項５】
基板上に塗布した有機膜に有機溶剤を浸透させて溶解を生じさせ有機膜の平坦化を行う方法において、前記有機溶剤に固有の蒸気圧の違いを利用して前記有機膜の溶解速度を制御することを特徴とする有機膜の平坦化方法。
【請求項６】
蒸気圧の高い有機溶剤を用い、前記有機膜の溶解速度を速めることを特徴とする請求項５記載の有機膜の平坦化方法。
【請求項７】
蒸気圧の低い有機溶剤を用い、前記有機膜の溶解速度を遅くすることを特徴とする請求項５記載の有機膜の平坦化方法。
【請求項８】
基板上に塗布した有機膜に有機溶剤を浸透させて溶解を生じさせ有機膜の平坦化を行う方法において、前記有機溶剤の温度と、前記絶縁基板との温度の違いを利用して前記有機膜の溶解速度を制御することを特徴とする有機膜の平坦化方法。
【請求項９】
前記有機溶剤の温度に対する前記絶縁基板の温度を高くすることにより、前記有機膜の溶解速度を遅くすることを特徴とする請求項８記載の有機膜の平坦化方法。
【請求項１０】
前記有機溶剤の温度に対する前記絶縁基板の温度を低くすることにより、前記有機膜の溶解速度を速くすることを特徴とする請求項８記載の有機膜の平坦化方法。
【請求項１１】
基板上に塗布した有機膜に有機溶剤を浸透させて溶解を生じさせ有機膜の平坦化を行う方法において、前記有機膜の上層部分の溶解する深度を、使用する有機溶剤の種類の選択と処理時間との少なくとも１方で制御することを特徴とする有機膜の平坦化方法。
【請求項１２】
前記有機膜の上層部分の溶解する深度を制御することにより、前記有機膜の上層部分と下層部分との粘度を異ならせることを特徴とする請求項１１記載の有機膜の平坦化方法。
【請求項１３】
前記有機膜の上層部分と下層部分との粘度を異ならせ、主に上層部分の粘度を低下させ溶解させ流動化させることを特徴とする請求項１２記載の有機膜の平坦化方法。
【請求項１４】
前記有機溶剤の温度と、基板の温度とを常温付近に維持し平坦化処理を行うことを特徴とする請求項１乃至７及び請求項１１乃至１３のいずれか１つに記載の有機膜の平坦化方法。
【請求項１５】
基板上に塗布した有機膜に有機溶剤を浸透させて溶解を生じさせ有機膜の平坦化を行う方法において、前記有機膜が、水溶性材料を用いた塗布膜であるとき、前記有機膜中に浸透させ溶解させる薬液として、少なくとも水を含む水溶液を用いることを特徴とする有機膜の平坦化方法。
【請求項１６】
前記有機膜に前記有機溶剤、または前記水溶液を浸透させる方法が、前記有機膜を前記有機溶剤、または前記水溶液の溶液の蒸気にさらすことにより行われることを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１つに記載の有機膜の平坦化方法。
【請求項１７】
前記有機膜に前記有機溶剤、または前記水溶液を浸透させる方法が、前記有機膜を前記有機溶剤、または前記水溶液の溶液に浸漬することにより行われることを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１つに記載の有機膜の平坦化方法。
【請求項１８】
第１基板上にゲート線及びゲート電極を形成し、続いて、前記第１基板上に前記ゲート線及び前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に半導体膜を形成し、前記半導体膜をその上に形成したソース・ドレイン電極と接続する工程と、前記ゲート絶縁膜の上に前記半導体膜、前記ソース・ドレイン電極を覆う保護膜を形成する工程と、前記保護膜の上に平坦化膜を形成する工程とを有する製造方法によりＴＦＴ基板を形成し、続いて、前記第１基板の前記平坦化膜側に前記第１基板と対向する第２基板を配置して対向基板を形成し、さらに、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に液晶組成物を充填する液晶表示装置の製造方法であって、前記平坦化膜を形成する工程が、前記保護膜の上に有機膜を塗布した後、前記有機膜に有機溶剤を浸透させて前記有機膜の溶解を生じさせることにより行われることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第１基板上には前記ゲート線と同時に共通電極が形成され、前記ソース・ドレイン電極の形成と同時に前記ソース・ドレイン電極の一部を構成する画素電極が形成され、前記共通電極と前記画素電極は互いに並行する櫛歯状の電極を有する請求項１８記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記平坦化膜が、請求項１乃至１７のいずれかに記載の有機膜を用いて形成される液晶表示装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月21日(2004.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
隣接する二つの導電体パターン間の距離は最小抜き寸法に相当し、上記二つの導電体パターンが向かい合う側の側面に枠付け形成されたサイドウォール間の距離は最小抜き寸法よりも小さいことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月10日(2003.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（００２）面のＸ線回折ピーク強度Ｉ（intensity）（００２）と（１１０）面のＸ線回折ピーク強度Ｉ（１１０）の比であるＩ（１１０）／Ｉ（００２）の値が０．２より小さいグラファイト系炭素を含むリチウム系列二次電池の負極材料。
【請求項２】
前記炭素は Ｉ（１１０）／Ｉ（００２）の値が０．０４より小さい請求項１に記載のリチウム系列二次電池の負極材料。
【請求項３】
コールタールピッチまたは石油ピッチを有機溶媒で処理して有機溶媒不溶性成分を除去し、
前記有機溶媒不溶性成分が除去された前記ピッチを不活性ガス雰囲気下の４００〜４５０℃の温度範囲で３０分以上熱処理して異方性球体を形成した後、
前記異方性球体を安定化処理またはコークス化処理し、
前記安定化処理またはコークス化処理された異方性球体を１０００〜１３００℃の温度で炭化処理した後、
前記炭化処理された異方性球体を２５００〜３０００℃の温度で黒鉛化処理する工程を含むリチウム系列二次電池の負極材料の製造方法。
【請求項４】
前記不活性ガス雰囲気は窒素またはアルゴンガス雰囲気である請求項３に記載のリチウム系列二次電池の負極材料の製造方法。
【請求項５】
前記形成される異方性球体の量は１０〜９８重量％である請求項３に記載のリチウム系列二次電池の負極材料の製造方法。
【請求項６】
前記安定化処理工程は軟化点より２０〜３０℃高い温度で実施する請求項３に記載のリチウム系列二次電池の負極材料の製造方法。
【請求項７】
前記コークス化処理工程は６００℃まで温度を上げながら不活性雰囲気で実施する請求項３に記載のリチウム系列二次電池の負極材料の製造方法。
【請求項８】
（００２）面のＸ線回折ピーク強度Ｉ（００２）と（１１０）面のＸ線回折ピーク強度Ｉ（１１０）の比であるＩ（１１０）／Ｉ（００２）の値が０．２より小さい人造黒鉛を含むリチウム系列二次電池の負極材料。
【請求項９】
前記人造黒鉛はＩ（１１０）／Ｉ（００２）の値が０．０４より小さい請求項８に記載のリチウム系列二次電池の負極材料。
【請求項１０】
前記人造黒鉛はＩ（１１０）／Ｉ（００２）の値が０．００２〜０．２である請求項８に記載のリチウム系列二次電池の負極材料。
【請求項１１】
前記人造黒鉛はＩ（１１０）／Ｉ（００２）の値が０．００２〜０．０４である請求項８に記載のリチウム系列二次電池の負極材料。
【請求項１２】
前記人造黒鉛はｃ軸の結晶サイズ（Ｌｃ）が１０〜１００ｎｍある請求項８に記載のリチウム系列二次電池の負極材料。
【請求項１３】
前記人造黒鉛はａ軸の結晶サイズ（Ｌｃ）が２０〜２００ｎｍある請求項８に記載のリチウム系列二次電池の負極材料。
【請求項１４】
前記人造黒鉛の比表面積は３〜２０ｍ２／ｇである請求項８に記載のリチウム系列二次電池の負極材料。
【請求項１５】
前記強度比は積分強度比である請求項８に記載のリチウム系列二次電池の負極材料。
【請求項１６】
前記人造黒鉛は結晶性人造黒鉛である請求項８に記載のリチウム系列二次電池の負極材料。
【請求項１７】
コールタールピッチまたは石油ピッチを有機溶媒で処理して有機溶媒不溶性成分を除去し、
前記有機溶媒不溶性成分が除去された前記ピッチを不活性ガス雰囲気下の４００〜４５０℃の温度範囲で３０分以上熱処理して異方性球体を形成した後、
前記異方性球体を安定化処理またはコークス化処理し、
前記安定化処理またはコークス化処理された異方性球体を１０００〜１３００℃の温度で炭化処理した後、
前記炭化処理された異方性球体を２５００〜３０００℃の温度で黒鉛化処理する工程で製造された（００２）面のＸ線回折ピーク強度 Ｉ（００２）と（１１０）面のＸ線回折ピーク強度 Ｉ（１１０）の比であるＩ（１１０）／Ｉ（００２）の値が０．２より小さい人造黒鉛を含むリチウム系列二次電池の負極材料。
【請求項１８】
ピッチを不活性ガス雰囲気下の４００〜４５０℃の温度範囲で３０分以上熱処理して異方性球体を製造する工程の前に、前記コールタールピッチ及び石油ピッチからなる群より選択されるピッチを有機溶媒で溶解して不溶性成分を除去する工程をさらに実施する請求項１７に記載のリチウム系列二次電池の負極材料。
【請求項１９】
前記人造黒鉛はＩ（１１０）／Ｉ（００２）の値が０．００２〜０．２である請求項１７に記載のリチウム系列二次電池の負極材料。
【請求項２０】
前記強度比は積分強度比である請求項１７に記載のリチウム系列二次電池の負極材料。
【請求項２１】
前記不活性ガスは窒素ガスまたはアルゴン雰囲気である請求項１７に記載のリチウム系列二次電池の負極材料。
【請求項２２】
前記異方性球体は前記ピッチ重量の１０〜９８重量％の量に形成される請求項１７に記載のリチウム系列二次電池の負極材料。
【請求項２３】
前記安定化処理工程は軟化点より２０〜３０℃高い温度で実施する請求項１７に記載のリチウム系列二次電池の負極材料。
【請求項２４】
前記コークス化処理工程は６００℃まで温度を上げながら不活性雰囲気で実施する請求項１７に記載のリチウム系列二次電池の負極材料。
【請求項２５】
前記人造黒鉛は結晶性人造黒鉛である請求項１７に記載のリチウム系列二次電池の負極材料。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月9日(2003.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次式Ｉ
【化１】
1997323980.tif 000001
で表される２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）−４，６−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−ｓ−トリアジンの製造方法であって、
ａ）次式ＩＩ
【化２】
1997323980.tif 000002
で表される塩化シアヌルを０ないし１１０℃の温度において、使用される塩化シアヌル１モル当りルイス酸２．３ないし３．０モルの比率のルイス酸の存在下、少なくとも１種の不活性な塩素化された芳香族溶媒の存在下、使用される塩化シアヌル１モル当り式ＩＩＩの化合物２．１ないし２．５モルの比率の次式ＩＩＩ
【化３】
1997323980.tif 000003
で表される１，３−キシレンと、式ＩＩＩの化合物を５ないし３０時間にわたって添加しながら反応させて次式ＩＶ
【化４】
1997323980.tif 000004
で表される化合物を得て、そしてその後
ｂ）得られた式ＩＶの化合物を単離せずに、これを使用される塩化シアヌル１モル当りレゾルシノール０．５ないし１．０モルの比率のレゾルシノールと、０ないし１００℃の温度において反応させて式Ｉの化合物を得ることからなる方法。
【請求項２】
紫外線吸収剤としてもしくは紫外線吸収剤の製造のための出発材料として
使用するため請求項１に従って製造された化合物。
【請求項３】
次式ＩＶ
【化５】
1997323980.tif 000005
で表される化合物の製造方法であって、次式ＩＩ
【化６】
1997323980.tif 000006
で表される塩化シアヌルを０ないし１１０℃の温度において、使用される塩化シアヌル１モル当りルイス酸２．３ないし３．０モルの比率のルイス酸の存在下、少なくとも１種の不活性の塩素化された芳香族溶媒の存在下、使用される塩化シアヌル１モル当り式ＩＩＩの化合物２．１ないし２．５モルの比率の次式ＩＩＩ
【化７】
1997323980.tif 000007
で表される１，３−キシレンと、式ＩＩＩの化合物を５ないし３０時間にわたって添加しながら反応させて式ＩＶの化合物を得て、そして得られた式ＩＶの化合物を単離することからなる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月7日(2004.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
８０℃から２００℃の範囲内の温度、２バールから６０バールの範囲内の圧力で、触媒を使用して又は使用せずに、モノカルボン酸及び／又はモノカルボン酸無水物を、モル過剰量のホスゲンによって、溶媒の存在下で又はその不在下で処理し、モノカルボン酸塩化物を得ることを特徴とする、モノカルボン酸及び／又はモノカルボン酸無水物のホスゲン化のためのプロセス。
【請求項２】
酸に対して２倍から１５倍のモル過剰のホスゲンを使用する請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
触媒の不在下で前記反応を行う請求項１又は２に記載のプロセス。
【請求項４】
部分的に脱気することによって前記プロセスを開放系中で生じさせることを特徴とする請求項１、２、又は、３に記載のプロセス。
【請求項５】
前記温度が１００℃から１５０℃の範囲内であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項６】
前記温度が１１０℃から１３０℃の範囲内である請求項５に記載のプロセス。
【請求項７】
前記圧力が６バールから４０バールの範囲内であることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項８】
式ＲＣＯＯＨのモノカルボン酸を酸塩化物ＲＣＯＣｌに変換し、前式中のＲが、
−  ａ）１個以上の互いに同一なもしくは異なったハロゲン原子、ｂ）１個以上のニトロ基、もしくは、ｃ）各々に置換されていないもしくは置換されている、１個以上のアリール（好ましくはフェニル）、アリールオキシ、もしくは、アリールチオ基によって随意に置換される、２２個までの炭素原子を有する、直鎖もしくは枝分れの、飽和もしくは不飽和の脂肪族基、
−  ａ）ハロゲン原子、ｂ）アルキルもしくはハロアルキル基、ｃ）ニトロ基、及び、ｄ）各々に置換されていないかもしくは置換されている、アリール（好ましくはフェニル）、アリールオキシ、もしくは、アリールチオ基から選択される１個以上の置換基によって置換されているかもしくは置換されていない、３個から８個の炭素原子を有する脂環式基、
−  ハロゲン原子、１個から１２個の炭素原子を有するアルキルもしくはハロアルキル基（好ましくはＣＦ３）、１個から６個の炭素原子を有するアルキルチオもしくはハロアルキルチオ基、１個から６個の炭素原子を有するアルキルスルフィニルもしくはハロアルキルスルフィニル基、１個から６個の炭素原子を有するアルキルスルホニルもしくはハロアルキルスルホニル基、１個から６個の炭素原子を有するアルキルオキシもしくはハロアルキルオキシ基、アリール、アリールチオもしくはアリールオキシ基、及び、ニトロ基から成るグループから選択される１個以上の置換基によって、置換されているかもしくは置換されていない芳香族炭素環式基、又は、
−  酸素原子、硫黄原子、もしくは、窒素原子から選択される１個以上の互いに同一であるかもしくは異なっているヘテロ原子を有し、且つ、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキル、ハロアルキル、アルキルオキシ、ハロアルキルオキシ、アリール、アリールチオ、アリールオキシ基から選択される１個以上の置換基によって置換されているかもしくは置換されておらず、及び／又は、それ自体が非置換であるかもしくは置換されている芳香族炭素環に随意に縮合している、芳香族もしくは非芳香族の５員もしくは６員のヘテロ環式基
と定義される
ことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項９】
各々の式中のＲとＲ′とが請求項８のＲの定義と同じ定義を有し且つＲとＲ′が同時に同一の基を表すことはない式（ＲＣＯ）２Ｏの酸無水物又は混合酸無水物（ＲＣＯ）Ｏ（ＯＣＲ′）を、酸塩化物ＲＣＯＣｌとＲ′ＣＯＣｌとに変換することを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１０】
酸と無水物との混合物をモノカルボン酸塩化物に変換することを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１１】
前記反応中に形成される塩酸及び二酸化炭素とホスゲンとの分離を、前記反応器の外部にあるカラムの中で行うことを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載のプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月29日(2004.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個々の業務用記録媒体についてその記録媒体を識別する識別データと、その記録媒体に割り当てられた業務と、その業務に対応して設定された保存期限とを登録し、
定期的に又は随時に保存期限を徒過した業務用記録媒体を検索し、
保存期限を徒過した業務用記録媒体を提示することを特徴とする記録媒体管理方法。
【請求項２】
個々の業務に対応する保管期間を予め設定し、業務と保存開始時期とを入力することにより、この業務、保存期間及び保存開始時期に基づいて保管期限を暦算的に演算して得る請求項１に記載の記録媒体管理方法。
【請求項３】
個々の業務用記録媒体を識別する識別データ、その記録媒体に割り当てられた業務及びその記録媒体の保存期限が登録される管理用記憶手段と、
少なくとも前記識別データ、業務及び保存期限を入力する入力手段と、
前記管理用記憶手段から保存期限を徒過した業務用記録媒体を検索する検索手段と
を備えるコンピュータシステムからなることを特徴とする記録媒体管理装置。
【請求項４】
個々の業務とこれに対応する保存期間を予め記憶させたテーブルと、
入力手段により入力される保存開始時期及びこのテーブルに記憶させた保存期間に基づいて保存期限を演算する演算手段とを設け、前記更新手段がこの演算手段で演算された保存期限を管理用記憶手段に記録させるように構成される請求項３に記載の業務用記録媒体管理装置。
【請求項５】
前記検索手段にて検索された業務用記録媒体の再使用の可否を判定する判定手段と、
前記判定手段で、再使用を可と判定された場合、業務用記録媒体のうち再使用を可とする記録媒体の保存期限を更新する更新手段とを備える請求項３又は４に記載の業務用記録媒体管理装置。