【事件の表示】
　平成　６年特許願第２８６０４８号「３族窒化物半導体の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　５月１７日出願公開、特開平　８−１２５２２２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成６年１０月２５日に出願された特許出願であって、平成１４年３月２５日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年５月３１日付で手続補正がなされたものである。
　　
２．平成１４年５月３１日付の手続補正についての補正却下の決定
[補正却下の決定の結論]
平成１４年５月３１日付の手続補正を却下する。
[理由]
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】　３族窒化物半導体(ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む) の製造方法において、アクセプタ不純物の添加された３族窒化物半導体(ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む) の気相成長後に雰囲気ガスを排気してＨ２ガス、ＮＨ３ガス以外の不活性ガスに置換して室温まで自然冷却させてｐ型半導体を得ることを特徴とする３族窒化物半導体の製造方法。」
と補正された。
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項について、技術的限定を付加するものであって、特許法第１７条の２第３項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第４項において準用する同法第１２６条第３項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前の他の出願であって、その出願後に出願公開された特願平６−１６２４７３号（特開平８−３２１１３号公報参照）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下、「先願明細書」という。）には、
　（ａ）「【０００１】【産業上の利用分野】　本発明は、ｐ型ＧａＮ系半導体の製造方法に関し、詳しくは製造工程を簡略化してコストを低減し得、かつ不良率を低減し得るｐ型ＧａＮ系半導体の製造方法に関する。」、
　（ｂ）「【００１０】【作用】  本発明は、成長させた後の半導体を自然冷却よりも遅い速度で冷却することで半導体の温度をできるだけ高い状態に維持し、これにより、熱処理を施した場合と同等の効果を得るようにしたものである。即ち、半導体の温度をできるだけ高い状態に維持することによって、水素原子がｐ型不純物と結合するのを抑制して該ｐ型不純物をアクセプターとして正常に機能させ、これにより低抵抗のｐ型半導体を得るようにしたものである。したがって本発明においては、後処理的な熱処理が不要であり、また半導体を徐々に冷却するため該半導体層におけるクラック等の発生が抑制される。」、
　（ｃ）「【００１１】　以下、本発明の
ｐ型ＧａＮ系半導体の製造方法
【００１２】（１）半導体層の形成
　まず、基板１上に、バッファ層２を介してｎ型ＧａＮクラッド層３１、ＧａＩｎＮ活性層３２およびｐ型ＧａＮクラッド層３３をこの順に成膜して、図１に示すものと同様の
多層部３を形成する。
　（ｄ）「【００１９】　
上記多層部３を構成する活性層３２／クラッド層３１，３３のそれぞれの半導体材料の組合せとしては、
ＧａＩｎＮ／ＡｌＧａＩｎＮ
　（ｅ）「【００２３】　ｎ型／
ｐ型不純物を多層部３にドープする方法としては
多層部３を気相成長法により成長させている間、反応容器内に不純物ガスを供給すればよい。
　ｐ型不純物としては、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ等が例示され、なかでもドーピング効率、キャリアの活性化率および不純物準位の点でＭｇまたはＺｎが好適である。」、
　（ｆ）「【００２４】（２）半導体層の冷却
　ついで、上記のようにして
成長させた多層部３を、成長時の高温（通常１０５０℃程度）から室温まで冷却する。
上記多層部３の冷却を
１分間に０．１〜３℃程度
の割合で温度が降下するように行う
上記温度降下の割合が３℃／分以下であれば、水素原子がｐ型不純物と結合するのを抑制する効果、ならびにクラック等の発生を抑制する効果が十分となり
　（ｇ）「【００２７】　
上記多層部３の成長後は、反応容器内からＮＨ
３
 等の水素含有物質を可及的に除去しておくことが望ましい。
【００２８】　
上記のように反応容器内から水素含有物質を除去し、該容器内をできるだけ真空に近い状態として多層部３の冷却を行うようにしてもよいが、該容器内を不活性ガス雰囲気下とすることがさらに望ましい。
との記載が認められ、さらに、
　（ｈ）【表１】を参照すると、
冷却速度がそれぞれ５℃／分と１０℃／分であった比較例１，２の半導体層が、
ｐ型を呈していることが見て取れるから、先願明細書には、少なくとも冷却速度が０．１〜１０℃／分の範囲であればｐ型半導体層を示すことが開示されているといえる。
（３）対比
　そこで、本願補正発明と先願明細書に記載された発明とを比較すると、先願明細書に記載された発明の「ｐ型ＧａＮ系半導体の製造方法」は、上記（ｄ）の記載に照らせば、本願補正発明の「３族窒化物半導体(ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む) の製造方法」に相当することは明らかであり、以下同様に「多層部３」は、同様に、上記（ｄ）の記載に照らせば、「３族窒化物半導体(ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む) 」に、「ｐ型不純物」は、「アクセプタ不純物」に、「ＮＨ３ 等の水素含有物質」は、「Ｈ２ガス、ＮＨ３ガス」に、相当するから、
　両者は、
「３族窒化物半導体(ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む) の製造方法において、アクセプタ不純物の添加された３族窒化物半導体(ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む) の気相成長後に雰囲気ガスを排気してＨ２ガス、ＮＨ３ガス以外の不活性ガスに置換して室温まで冷却させてｐ型半導体を得ることを特徴とする３族窒化物半導体の製造方法。」
である点で一致し、次の点で一応相違している。
　　
［形式上の相違点］本願補正発明は、「室温まで自然冷却させてｐ型半導体を得る」ものであるのに対して、先願明細書に記載された発明は、「室温まで１分間に０．１〜１０℃程度の温度降下割合で冷却させてｐ型半導体を得る」ものであって、両者が同一であるか否か必ずしも明瞭とはいえない点。
　　
（４）判断
　先願明細書に記載された発明において、「室温まで１分間に０．１〜３℃程度の温度降下割合で冷却させてｐ型半導体を得る」ことの技術的意義は、上記（ｂ）に記載されているように、「半導体の温度をできるだけ高い状態に維持することによって、水素原子がｐ型不純物と結合するのを抑制して該ｐ型不純物をアクセプターとして正常に機能させ、これにより低抵抗のｐ型半導体を得るようにしたものである。したがって本発明においては、後処理的な熱処理が不要であり、また半導体を徐々に冷却するため該半導体層におけるクラック等の発生が抑制される。」であって、その温度降下割合の技術的な意味は、上記（ｆ）にあるように、「１分間に０．１〜３℃程度、好ましくは０．５〜１．５℃程度の割合で温度が降下するように行うことが望ましい。上記温度降下の割合が３℃／分以下であれば、水素原子がｐ型不純物と結合するのを抑制する効果、ならびにクラック等の発生を抑制する効果が十分となり、一方０．１℃／分以上であると、冷却時間が過度に長くなることがなく製造効率が良好な程度に維持される。」というものである。さらに上記（ｈ）から、クラックの発生を無視すれば、温度降下割合が１０℃／分程度であってもＰ型半導体を得ることができることは明らかである。
　他方、本願当初明細書の同様な技術説明には、「【０００９】　【発明の作用及び効果】　３族窒化物半導体(ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む)の気相成長後に、温度が室温まで降下する前に、雰囲気ガスをＨ２ガス、ＮＨ３ガス以外の不活性ガスに置換することで、薄膜中に多量に存在する水素が膜外に離脱すると共に膜中から窒素が離脱するのが防止される。」及び「【００１９】  次に、有機金属ガスの供給を停止して、反応室内を一度真空に排気し、その後、Ｎ２ガス或いは不活性ガスを導入し、この状態で、
室温まで自然冷却した
　両者を比較すると、先願明細書に記載の方法では、室温まで温度を降下せしめるについて、どのような温度降下条件であればｐ型半導体が得られるのか、その条件を解析しているのに対し、本願補正発明では、温度降下条件に関する解析は特になく、自然冷却した結果得られた半導体はｐ型であったという主張である。
　そこで、この「自然冷却」について考察すると、自然冷却とは、熱を加えたりあるいは強制的に冷却したりせずに、対象物が雰囲気温度（室温）になるまで放置するという冷却方法であるから、この場合の温度降下態様は、半導体層を結晶成長せしめる反応容器の形状・構造・材質・大きさなどに付随する熱容量・熱伝導率・表面積など、あるいは結晶成長温度、置換ガスの温度、雰囲気温度等々、種々の要素が介在し、決定されるものと解するのが相当であるところ、本願補正発明における「自然冷却」が、どのような温度降下態様なのか、本願明細書には何ら開示がない。
　したがって、本願補正発明において、ある半導体層成長装置（反応容器）を用い、所定の方法で製膜後「自然冷却」した結果、先願明細書のような温度降下条件で作成したものと同様のｐ型半導体が得られたというのであれば、その場合の温度降下態様は、先願明細書に記載された温度降下条件と重複すると推認するのが合理的であって、結局、上記相違点は、先願明細書に記載されているに等しい事項といわざるを得ない。
　よって、本願補正発明は、先願明細書に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条の２の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項において準用する同法第１２６条第３項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　　
３．本願発明について
　平成１４年５月３１日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１４年２月１２日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、次のものである。
「【請求項１】　３族窒化物半導体(ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む)の製造方法において、３族窒化物半導体(ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む)の気相成長後に、温度が室温まで降下する前に、雰囲気ガスを排気してＨ２ガス、ＮＨ３ガス以外の不活性ガスに置換することを特徴とする３族窒化物半導体の製造方法。」
　　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された先願明細書、及び、その記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　　
（２）対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から「３族窒化物半導体(ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む) 」の限定事項である「アクセプタ不純物の添加された」及び「温度が室温まで降下する」の限定事項である「自然冷却させてｐ型半導体を得る」との構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要素を全て含み、さらに他の構成を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載されたとおり、先願明細書に記載された発明と同一なのであるから、上記限定事項を省いた本願発明も、先願明細書に記載された発明と同一であるということができる。
　　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本願発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願発明は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。