(57)【要約】【課題】ＣＣＭ基板の陽極表面に存在する表面不良層を除去し、陽極表面を保護し、ひいては、有機ＥＬ素子の駆動電圧の上昇防止や発光均一性の維持を目的とする。【解決手段】基板１２上に光の波長変換を行うＣＣＭ層１４を積層し、そのＣＣＭ層１４の上にＩＺＯからなる陽極１６を形成する。陽極１６の上に無機化合物からなる表面保護層１８を誘導結合型ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタでスパッタ処理により積層する。無機化合物としては、ＳｉＯ２が好ましい。スパッタ処理により、陽極１６の表面不良層を除去しつつ、無機化合物によって、表面不良層が除去された状態を保持させることが可能である。その結果、陽極１６の電気的安定性を長期間にわたり維持させるができ、有機ＥＬ表示装置１００の表示画質を向上させることができる。【選択図】　　　図１
2004139798.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
Ｉｎ原子含有化合物からなる電極と、
前記電極と前記基板との間に位置する層であって、この層に入射する光の波長を変換するための蛍光変換層と、
を含む電極基板であって、
前記電極の表面であって、前記蛍光変換層に対向している表面と反対側の表面上に、無機化合物からなる表面保護層が形成してあることを特徴とする電極基板。
【請求項２】
前記基板及び／又は前記電極の構成材料が透明性材料であることを特徴とする請求項１に記載の電極基板。
【請求項３】
前記電極が逆スパッタ処理を施した電極であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電極基板。
【請求項４】
前記逆スパッタ処理が、誘導結合型ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタによる逆スパッタ処理であることを特徴とする請求項３に記載の電極基板。
【請求項５】
前記表面保護層を構成する無機化合物が、Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｙｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｃｄ，Ｍｇ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｇｅ，Ｓｂ，Ｚｎ，Ｃｓ，Ｅｕ，Ｙ，Ｃｅ，Ｗ，Ｚｒ，Ｌａ，Ｓｃ，Ｒｂ，Ｌｕ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｈｏ，Ｃｕ，Ｅｒ，Ｓｍ，Ｗ，Ｃｏ，Ｓｅ，Ｈｆ，Ｔｍ，Ｆｅ，Ｎｂから選択される少なくとも一種以上の金属の酸化物、又は窒化物、複合酸化物、硫化物、弗化物のいずれかであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電極基板。
【請求項６】
前記表面保護層は、スパッタ法で形成されていることを特徴とする請求項５記載の電極基板。
【請求項７】
前記表面保護層は、誘導結合型ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタを用いたスパッタ法で形成されていることを特徴とする請求項６記載の電極基板。
【請求項８】
前記表面保護層の膜厚が５〜１００Åの範囲内の値であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の電極基板。
【請求項９】
前記電極が酸化錫インジウム（ＩＴＯ）又は酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）からなることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の電極基板。
【請求項１０】
前記電極が非晶質酸化物であることを特徴とする請求項９に記載の電極基板。
【請求項１１】
前記電極を駆動する駆動素子、を含むことを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の電極基板。
【請求項１２】
基板と、
Ｉｎ原子含有化合物からなる電極と、
前記電極と前記基板との間に位置する層であって、この層に入射する光の波長を変換するための蛍光変換層と、
を含む電極基板を製造する方法において、
前記基板上に前記蛍光変換層を形成する工程と、
前記形成された蛍光変換層上に前記電極を形成する工程と、
前記形成された電極表面に逆スパッタ処理を施す工程と、
を含み、
前記電極表面に逆スパッタ処理を施す工程において、
逆スパッタ処理を実施した後、あるいは、逆スパッタ処理を実施する際に、無機化合物からなる表面保護層を形成することを特徴とする電極基板の製造方法。
【請求項１３】
前記逆スパッタ処理は、誘導結合型ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタを使用して実行されることを特徴とする請求項１２に記載の電極基板の製造方法。
【請求項１４】
前記逆スパッタ処理において、
前記誘導結合型ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタのヘリカルコイルに対して、電力５０〜２００Ｗ、周波数１３．５６〜１００ＭＨｚの高周波を印加し、
前記誘導結合型ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタのカソードに対して、電力２００〜５００Ｗ、周波数１３．５６〜１００ＭＨｚの高周波を印加し、プラズマ放電させ、
前記誘導結合型ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタのマグネトロン磁界の強度を２００〜３００ガウスの範囲内の値とすることを特徴とする請求項１３に記載の電極基板の製造方法。
【請求項１５】
請求項１に記載の電極基板であって、
Ｘ線光電子分光法により、前記表面保護層に対向している表面において測定されるＩｎ原子の３ｄ５／２軌道スペクトルのピークの半値幅を［Ｉｎ３ｄ５／２］ｎで表した場合に、
前記各半値幅の比率である（［Ｉｎ３ｄ５／２］ｈ／［Ｉｎ３ｄ５／２］ｎ）の値が０．９〜１．２の範囲内であることを特徴とする電極基板。
【請求項１６】
請求項１に記載の電極基板であって、
Ｘ線光電子分光法により、前記電極において測定されるＩｎ原子の３ｄ５／２軌道スペクトルのピークの値をＩｎｐｅａｋで表し、
Ｘ線光電子分光法により、前記電極において測定されるＳｎ原子の３ｄ５／２軌道スペクトルのピークの値をＳｎｐｅａｋで表し、
前記電極表面において測定される各ピークの比率を（Ｉｎｐｅａｋ／Ｓｎｐｅａｋ）ｈで表し、
前記電極内部において測定される各ピークの比率を（Ｉｎｐｅａｋ／Ｓｎｐｅａｋ）ｎで表した場合に、
（（Ｓｎｐｅａｋ／Ｉｎｐｅａｋ）ｈ／（Ｓｎｐｅａｋ／Ｉｎｐｅａｋ）ｎ）＜１．５であることを特徴とする電極基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機ＥＬ素子の基板の構造及びその製造方法に関する。特に、ＣＣＭ法を利用した有機ＥＬ素子に用いられる電極基板に関する。より詳細には、基板の陽極である透明電極表面の劣化に対し対策を施した色変換（ＣＣＭ）基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
Ａ．［技術背景］
近年、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子が発光装置、表示装置としての応用の面から注目されている。たとえば、情報表示機器、車載表示機器などのカラー及びフルカラー表示デバイスとしての利用が進められている。
【０００３】
（１）有機ＥＬ素子の基本構造
一般に有機ＥＬ素子は透明電極を陽極、対向電極としてＡｌ（アルミニウム）等を陰極とし、その両電極間に有機物層が挟まれた構成をもつ。このような有機ＥＬ素子は様々な応用が考えられているが、なかでもカラーディスプレイへの応用への期待が大である。
【０００４】
（２）ＣＣＭ法
本発明は、特にＣＣＭ（Ｃｏｌｏｒ　Ｃｈａｎｇｉｎｇ　Ｍｅｄｉｕｍ）法を適用した有機ＥＬ素子に関するものである。ここで、ＣＣＭ法とは、表示装置をカラー化する方法の一つ
である。有機ＥＬ素子を用いてカラーの表示装置を構成する場合、たとえば、３原色（赤、青、緑）の光を発する有機物を用いることが考えられる。しかし、３種類の有機物（以下、単に有機物と呼ぶ）を使用するのは製造工程が複雑になってしまうため、１種類の有機物だけでカラー化ができることが望ましい。ＣＣＭ法は係る要請に基づき考案されたものであり、１種類の有機物が発する単色の光（たとえば青色）を蛍光変換層を用いて、適宜他の波長の光（たとえば赤や緑）に変換させることによって３原色を作成する方式である。
【０００５】
このＣＣＭ法は、表示装置のカラー化の手法の中で、製造コスト及びパターンの高精細化（フルカラー化）の観点から、最も将来性が有望と見られている手法の一つである。尚、このＣＣＭ法においては、単なる蛍光変換層だけでなく、カラーフィルターも用いて発光色の純度を高める工夫がなされる場合もある。すなわち、蛍光変換層及び／又はカラーフィルター層を用いて、有機ＥＬの発光色を変化させることが知られている。
【０００６】
ＣＣＭ法を用いた有機ＥＬ表示装置１０の基本的な構造を表す模式断面図が図６に示されている。この図に示すように、透明なガラスの基板１２の上には、ＣＣＭ層１４が設けられている。このＣＣＭ層１４は、緑色の蛍光を発する緑色ＣＣＭ層１４Ｇと、赤色の蛍光を発する赤色ＣＣＭ層１４Ｒと、有機物層１８が発する青色の光をそのまま透過する透明材料の青色ＣＣＭ層１４Ｂとを含み、表示装置としての画面上の１個の画素は、緑色ＣＣＭ層１４Ｇと、赤色ＣＣＭ層１４Ｒと、青色ＣＣＭ層１４Ｂとから構成される。
【０００７】
ＣＣＭ層１４の上には透明電極である陽極１６が積層されている。陽極１６としてはＩＴＯ（酸化錫インジウム：Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（酸化亜鉛インジウム：Ｉｎｄｉｕｍｕ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）が用いられる。そして、陽極１６の上には、順に有機物層１８、陰極２０（たとえばアルミニウム（Ａｌ））が設けられている。この有機物層１８は、電界の印加によって発光するので、発光層と呼ばれることもある。
【０００８】
ＣＣＭ型の有機ＥＬ表示装置１０は、多くの場合、青色を発する有機物層１８が用いている。そして、この青色の光は、緑色ＣＣＭ層１４Ｇによって緑色の光に波長変換され、赤色ＣＣＭ層１４Ｒによって赤色の光に波長変換されるのである。一方、青色ＣＣＭ層１４Ｂは有機物層１８が発する青色の光をそのまま透過させる。このような構成によって、赤色、青色、緑色の光の３原色を得ることができる。
【０００９】
尚、図６及びこれまでの説明では、ＣＣＭ方式の有機ＥＬ表示装置１０の基本構造のみ説明したが、実際には、ＣＣＭ層１４にはカラーフィルターを含み、色の純度の改善を図る場合も多い。有機物層１８には、電子注入層や、正孔注入層が設けられ、陰極２０からの電子や陽極１６からの正孔を効率よく発光層（有機物層１８）に供給する仕組みも実際には広く利用されている。
【００１０】
尚、有機ＥＬ表示装置１０中、陽極１６から陰極２０までの構成を特に、「有機ＥＬ素子２２」と呼ぶ。すなわち、陽極１６、有機物層１８、陰極２０である。
【００１１】
また、有機ＥＬ表示装置１０中、基板１２から陽極１６までの構成を電極付きの基板の意味で「電極基板」と呼ぶ。この電極基板は、その上にＥＬ素子を構成する有機物と陰極を積層させることによって、有機ＥＬ表示装置１０を容易に作ることができる。さらに、基板１２と陽極１６との間にＣＣＭ層１４が設けられている場合には、容易にＣＣＭ型の有機ＥＬ表示装置１０を作成することができ、その場合の電極基板を特にＣＣＭ基板２４と呼ぶ。すなわち、基板１２、ＣＣＭ層１４、陽極１６とからなる電極基板をＣＣＭ基板２４と呼ぶのである。
【００１２】
（３）陽極上の表面不良層
有機ＥＬ素子は基板上に構成されるが、ＣＣＭ法を採用する場合、その基板上に上述したような蛍光変換層及び／又はカラーフィルター層が設けられる。そして、この蛍光変換層等の上にさらに陽極が設けられ、以下順次有機物層、陰極の順に積層され、基板上に有機ＥＬ素子が形成される。
【００１３】
また、上述したように、ＣＣＭ法を利用する場合、その基板と、その上に積層される蛍光変換層及び／又はカラーフィルター層、陽極も含めて、ＣＣＭ基板２４と呼ぶ。このＣＣＭ基板２４を構成する陽極１６としては、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）等透明電極が用いられる。本願発明者らはこの陽極の表面不良層形成について研究を進め、以下のことが判明した。
【００１４】
▲１▼ＣＣＭ基板を作成する場合、その基板作製は工程数が多く、基板汚染が進行しやすく、また陽極表面に表面不良層が形成されやすい。特に、ＩＺＯ等の透明電極の表面が、過度の洗浄工程、又は、パターニングのためのエッチング残さ等によってダメージをうけやすい。さらに、電極表面への水の吸着や、電極のバルク（表面部位以外の内部部分）に含まれる微量不純物原子の表面への析出等が原因となり、いわゆる表面不良層が陽極上に形成される傾向にある。
【００１５】
▲２▼さらに、ＣＣＭ層（蛍光変換層）自体は樹脂から形成されている部分が多く、この樹脂からの水分等の揮発ガス成分が徐々に陽極表面を汚染する場合がある。
【００１６】
（４）このような表面不良層の存在によって、以下の現象が生じることが、本願発明者らの研究によって判明した。
【００１７】
▲１▼有機ＥＬ素子の駆動電圧が大きくなる。すなわち、いわゆるＥＬ性能が低下する。
【００１８】
▲２▼有機ＥＬ素子の発光均一性が低下する。具体的にはＣＣＭパネル（ＣＣＭ法を利用した有機ＥＬ素子を用いた表示パネル）を形成した場合、各画素の縮小現象が観測されている。
【００１９】
▲３▼上記ＣＣＭパネルを加熱環境において加速評価を行った場合、画素縮小の速度が加速される現象が観測されている（たとえば〜８５℃などの加熱環境を利用した）。
【００２０】
以上のような問題点が、本願発明者らの研究により判明している。
【００２１】
（５）従来の陽極の改善
従来から、有機ＥＬ素子の陽極１６と、陽極上に積層される有機物との密着性・導電性を改善する工夫が種々なされてきた。
【００２２】
この工夫の一つに、陽極１６と有機物層との間に、有機化合物あるいは金属や半導体の無機物をバッファー層として挿入するという手法がある。この手法はかなり以前から広く研究が進められてきた。
【００２３】
しかしこのバッファー層の挿入手法では、上記（３）（４）に示すように、透明電極（陽極）の表面が劣化しているのを改質するような作用はない。したがって、単にバッファー層を挿入するという手法だけでは、陽極表面の劣化を改質できないので、その効果に自ずと限界があると言えよう。
【００２４】
Ｂ．［先行技術文献の例］
次に、従来技術を具体的な先行技術文献を示して紹介し、その内容、欠点、問題点等を説明する。
【００２５】
（１）パッシベーション膜（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ　ｆｉｌｍ）
たとえばＷＯ　００７２６３７　Ａｌ（以下、文献１という）では酸化珪素からなるバリヤー膜（＝パッシベーション膜（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ　ｆｉｌｍ））が含有されたＣＣＭ法による有機ＥＬディスプレイが開示されている。
【００２６】
まず、この文献１によれば、基板とその上のＣＣＭ層（カラーフィルター層を含む）を平坦化のための有機層で覆い、平坦化することで、その上に有機ＥＬ素子を積層しても「断切れ」等が生じることがないとされている。
【００２７】
有機ＥＬ素子を積層する面に段差がある場合には、積層する有機ＥＬ素子の膜に不連続部分が生じるおそれがある。この不連続部分は「断切れ」と呼ばれている。また、平坦化のための有機層の例としては、熱硬化型樹脂や紫外線硬化型樹脂の例が文献１に示されている。
【００２８】
さらに文献１では、平坦化のための有機層上に、有機ＥＬ素子を直接積層させると、有機ＥＬの積層時や駆動時の熱により平坦化のための有機層の成分が揮発し、それが有機ＥＬの各構成材料に悪影響を及ぼすことも考えられると指摘している。その結果、ダークスポットと称する非発光領域が生じたり、所定の品位の発光が維持できなくなることが想定されると文献１に指摘されている。
【００２９】
そこで、この文献１では、ＳｉＯｘからなるバリヤー層（パッシベーション膜）を平坦化のための有機層と有機ＥＬ素子との間に積層することにより、平坦化のための有機層成分が有機ＥＬ素子の各層材料へ拡散することを防止して、素子の劣化を防ぐことが示されている。
【００３０】
しかし、このバリヤー層（パッシベーション膜）は有機層及びＣＣＭ層からの揮発成分の拡散防止には有効ではあるが、ＣＣＭ層以外の部分からの水分等の混入に対しては効果はほとんどないと考えられる。
【００３１】
素子中へ混入した水分は陽極１６と有機物層の間に吸着し、接着性を低下させ、電荷の注入性を悪くすると考えられる。その結果、いわゆる陽極の表面不良層が形成されると予想される。本発明はこのような表面不良層の発生を抑止する手法（表面保護層）を実現しようとする発明である。
【００３２】
（２）陽極上へのバッファー層の積層
陽極上に積層されるバッファー層の目的は、密着性の改善を図るものや、無機材料による導電性の改善を図るもの、絶縁体の薄膜層を利用するもの、陽極表面を逆スパッタ（逆ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）するもの、等がある。以下順次説明する。
【００３３】
▲１▼陽極／有機物層の密着性（有機物の付着性）改善を目的としてバッファー層を挿入するもの
特開平１０−２１４６８３号公報（以下、文献２という）では多結晶質のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）と有機物との結晶状態が異なるため、陽極と有機物層との接合がうまく行われず部分的に接合不良が生じ、ダークスポット（ｄａｒｋ　ｓｐｏｔ）が発生する場合があり、又は接合不良部分に発生した熱が有機層の劣化を招くなどの問題があることが示されている。
【００３４】
文献２では、これらの問題を解決するために、導電性の接合改善層（Ａｕ，Ｐｔ等の金属、ＭｏＯｘ，ＶＯｘ，ＳｎＯｘ，ＩｎＯｘ，ＢａＯｘなどの金属酸化物、共役性ポリマー等のアモルファス膜）を１〜５００μｍの膜厚の範囲で設けている。
【００３５】
また、特開平９−３２４１７６号公報（以下、文献３という）では電極と有機膜との密着性を改善して非発光部分の発生を防止し、長期保存性や連続駆動半減時間を向上させる技術が示されている。このような目的を達成するために文献３では、従来正孔注入輸送材料として用いられている化合物の末端をシランカップリング基で置換した材料からなる層を介在させる技術を開示している。
【００３６】
また、特開平９−２０４９８５号公報（以下、文献４という）では文献３と同様な観点からＩＴＯ電極自体をチタネート系カップリング剤で表面処理する技術が開示されている。
【００３７】
▲２▼無機材料（半導体、伝導体）を適用し伝導性の向上等をねらうもの
特開平３−１０５８９８号公報（以下、文献５という）では通常有機物からなる正孔輸送層あるいは電子輸送層を成膜状態がよいアモルファス半導体のＰ型あるいはＮ型で形成し、発光性能を向上させる技術が開示されている。
【００３８】
また、特開平１０−２６００６２（以下、文献６という）では高価な正孔注入輸送材料を用いずに、代わりにＩＴＯと無機半導体との混合層を形成し、抵抗率を２０Ω・ｃｍ以下とする構成を開示している。この構成は、低コストでしかも有機物とＩＴＯとの直接接続をさけているので、上述した密着性の改善の観点からでも良好の結果を得ることができ、ダークスポットの発生等が抑制された素子が形成可能となる。
【００３９】
また、特開平９−６３７７１号公報（以下、文献７という）では陽極であるＩＴＯと正孔輸送層の間に仕事関数の値がＩＴＯよりも大きい金属酸化物（ＲｕＯ，ＭｏＯ，ＶＯ等）を５〜３０ｎｍ形成することによって、陽極と正孔輸送層の間のエネルギー障壁を減少させ、発光効率を向上させようとしている。
【００４０】
また、特開平０８−０３１５７３号公報（以下、文献８という）では陽極の一部、あるいは陽極全体を炭素薄膜で形成する構成が開示されている。
【００４１】
これら以外にも特開平０３−２１０７９１号公報、特開平０３−２６２１７０号公報、特開平０６−１１９９７３号公報にはＰ型半導体を正孔輸送材料として適用することが開示されている。
【００４２】
▲３▼陽極と有機物層の間に絶縁体薄膜層を形成するもの
米国特許ＵＳＰ５８５３９０５号（以下、文献９という）には、透明電極と有機物の密着性改善あるいは積極的に電荷障壁を形成し、トンネル注入機構を利用した新たな素子構成の提案が記載されている。
【００４３】
また、特開平０８−２８８０６９号公報（以下、文献１０という）では、連続駆動時に発生するリークの発生を回避するため、窒化アルミニウム等の窒化物を５０Å程度の薄膜で陽極と有機物層の間に設ける構成が開示されている。
【００４４】
▲４▼陽極表面をあらかじめ逆スパッタ処理するもの
特開平１１−１２６６８９号公報（以下、文献１１という）では、リーク電流あるいはダークスポットの発生要因が陽極表面の凹凸にあると認定し、この凹凸をなくすために、逆スパッタによる陽極表面処理が提案されている。
【００４５】
【発明が解決しようとする課題】
上記「Ｂ．［先行技術文献の例］」の「（２）陽極へのバッファー層の積層」の項▲１▼〜▲３▼で説明した先行技術においては、陽極と有機物層の密着性向上などの接合特性の改善、陽極から有機物層への正孔注入特性の改善等を目的としている。
【００４６】
しかし、上記「Ａ．［技術背景］」の「（３）陽極上の表面不良層」及び同（４）で述べたように、ＩＴＯ等の透明電極の表面に本来的に存在する表面不良層の存在により種々の不具合が発生する。たとえば、表面不良層の存在により、連続駆動時の駆動電圧の上昇が大きくなり、寿命が短くなるという現象が生じるおそれがある。また、耐熱性の確保が困難となり、特に車載用各種表示機器等への適用時にこの点が問題となることが予想される。さらに、特に高精細なＣＣＭパネルの場合、表面不良層の生成及び増大による発光画素の縮小が問題となる。これは特に高温の環境下では顕在化すると考えられる。このような点に着目し、対策を講じたという例は知られていない。
【００４７】
そして、上記「（２）陽極へのバッファー層の積層」の項▲４▼においては、逆スパッタによる陽極表面処理が提案されているが、次の理由により不十分であると考えられる。すなわち、逆スパッタ後に、無機化合物を積層させていないので、真空中で汚染される可能性が高く、真空槽中にも存在する水分等で元の表面状態に戻る可能性があり、効果が不十分であると考えられる。
【００４８】
本発明はこれらの問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、以下の通りである。
【００４９】
（１）ＣＣＭ基板の陽極表面に存在する表面不良層を除去すること、及び、陽極表面の保護をすることを目的とする。
【００５０】
（２）有機ＥＬ素子ひいてはＣＣＭパネルの性能安定化、具体的には、駆動電圧の上昇防止、発光均一性の維持、耐熱性の向上などを目的とする。
【００５１】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を解決するために、表面不良層の除去の後、無機化合物を積層させるという従来とは異なる新たな構成を提案するものであり、この無機化合物の積層により新たな表面不良層の発生を防止するという従来の技術にはない効果を奏するものである。
【００５２】
本発明の表面保護層の存在によって、陽極上に表面不良層が形成させるのを防止できる。たとえばフルカラーパネル用ＣＣＭ基板の陽極上に陰極分離用の障壁層を形成した状態で、汚染等への特段の配慮をせずに保管、移動等が可能となる。また、パネルとしての作製時（有機ＥＬ成膜時）に従来の所定の作製プロセスにそのまま従ったプロセスを実行すればよい。
【００５３】
本発明は、具体的には以下の構成を採用する。
【００５４】
本発明は、上記課題を解決するために、基板と、Ｉｎ原子含有化合物からなる電極と、前記電極と前記基板との間に位置する層であって、この層に入射する光の波長を変換するための蛍光変換層と、を含む電極基板であって、前記電極の表面であって、前記蛍光変換層に対向している表面と反対側の表面上に、無機化合物からなる表面保護層が形成してあることを特徴とするものである。このような構成によって、表面不良層が形成されてしまうことを防止できる。具体的には、大気等に触れることにより表面不良層が形成されてしまうことを効果的に防止することができるのである。
【００５５】
また、本発明は、上記の電極基板の前記基板及び／又は前記電極の構成材料が透明性材料であることを特徴とするものである。このような透明性の材料を用いることによって、表示手段に利用することができる電極基板が得られる。
【００５６】
また、本発明は、上記の電極基板の前記電極表面に逆スパッタ処理が施してあることを特徴とするものである。このような構成によって、電極表面の表面不良層を効果的に減少させることができ、電極表面と内部とを均質なものとすることができる。
【００５７】
また、本発明は、上記の逆スパッタ処理が、誘導結合型ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタによる逆スパッタ処理であることを特徴とするものである。このような構成によれば、陽極表面の表面不良層の除去にちょうどよい運動エネルギーの放電ガスイオンが得られやすいため、電極を損傷させずに表面不良層を除去できる。
【００５８】
また、本発明は、前記表面保護層を構成する無機化合物が、Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｙｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｃｄ，Ｍｇ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｇｅ，Ｓｂ，Ｚｎ，Ｃｓ，Ｅｕ，Ｙ，Ｃｅ，Ｗ，Ｚｒ，Ｌａ，Ｓｃ，Ｒｂ，Ｌｕ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｈｏ，Ｃｕ，Ｅｒ，Ｓｍ，Ｗ，Ｃｏ，Ｓｅ，Ｈｆ，Ｔｍ，Ｆｅ，Ｎｂから選択される少なくとも一種以上の金属の酸化物、又は窒化物、複合酸化物、硫化物、弗化物のいずれかであることを特徴とするものである。このような構成によれば、電極表面に緻密な表面保護層を形成させることができる。
【００５９】
また、本発明は、前記表面保護層は、スパッタ法で形成されていることを特徴とするものである。このような構成によって、電極の表面不良層を除去しつつ、表面不良層を形成することができる。
【００６０】
また、本発明は、前記表面保護層は、誘導結合型ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタを用いたスパッタ法で形成されていることを特徴とするものである。このような構成によって、表面保護層を効果的に形成させることができる。
【００６１】
また、本発明は、前記表面保護層の膜厚が５〜１００Åの範囲内の値であることを特徴とするものである。このような構成によれば、表面不良層が再発生してしまうことを防止しうると共に、所定の光透過性を確保することができる。
【００６２】
また、本発明は、前記電極が酸化錫インジウム（ＩＴＯ）又は酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）からなることを特徴とする。このような構成によれば、優れた光透過性を得ることができる。
【００６３】
また、本発明は、前記電極が非晶質酸化物であることを特徴とするものである。このような構成によれば、優れたエッチング特性を得ることができる。尚、ＩＴＯは、通常は結晶性であるが、成膜時に水分雰囲気とする、又は、微量元素をドープする、等の手法により非晶質（アモルファス）とすることができる。
【００６４】
また、本発明は、前記電極を駆動する駆動素子、を含むことを特徴とするものである。近年特に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を画素毎に備えさせ、表示性能を向上した液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置が広く利用されている。そこで、あらかじめＴＦＴのような駆動素子を設けた電極基板を提供することによって、上記のようなＴＦＴ方式の液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置の製造が容易になる。
【００６５】
以下、電極基板の製造方法に関する発明である。
【００６６】
次に、本発明は、上記課題を解決するために、基板と、Ｉｎ原子含有化合物からなる電極と、前記電極と前記基板との間に位置する層であって、この層に入射する光の波長を変換するための蛍光変換層と、を含む電極基板を製造する方法において、前記基板上に前記蛍光変換層を形成する工程と、前記形成された蛍光変換層上に前記電極を形成する工程と、前記形成された電極表面に逆スパッタ処理を施す工程と、を含み、前記電極表面に逆スパッタ処理を施す工程において、逆スパッタ処理を実施した後、あるいは、逆スパッタ処理を実施する際に、無機化合物からなる表面保護層を形成することを特徴とする電極基板の製造方法である。
【００６７】
このような構成によって、電極上の表面不良層を減少させた電極基板を製造することができる。
【００６８】
無機化合物による表面保護層によって、表面不良層が除去された状態を保持させ、表面不良層が再形成されることを効果的に防止することができる。
【００６９】
また、本発明は、前記逆スパッタ処理は、誘導結合型ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタを使用して実行されることを特徴とするものである。このような構成によれば、陽極表面の表面不良層の除去にちょうどよい運動エネルギーの放電ガスイオンが得られやすいため、電極を損傷させずに表面不良層を除去できる。
【００７０】
また、本発明は、前記逆スパッタ処理において、前記誘導結合型ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタのヘリカルコイルに対して、電力５０〜２００Ｗ、周波数１３．５６〜１００ＭＨｚの高周波を印加し、前記誘導結合型ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタのカソードに対して、電力２００〜５００Ｗ、周波数１３．５６〜１００ＭＨｚの高周波を印加し、プラズマ放電させ、前記誘導結合型ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタのマグネトロン磁界の強度を２００〜３００ガウスの範囲内の値とすることを特徴とする製造方法である。
【００７１】
このような構成によれば、電極表面の表面不良層をより効果的に除去することができる。
【００７２】
特に、電極基板に係る本発明を、ＸＰＳによる測定値から規定すれば、以下の通りである。
【００７３】
本発明は、上記課題を解決するために、基板と、Ｉｎ原子含有化合物からなる電極と、前記電極と前記基板との間に位置する層であって、この層に入射する光の波長を変換するための蛍光変換層と、を含む電極基板であって、前記電極の表面であって、前記蛍光変換層に対向している表面と反対側の表面上に、無機化合物からなる表面保護層が形成してあることを特徴とする電極基板であって、電極表面のＸ線光電子分光法の測定結果が以下のような測定値のものである。
【００７４】
すなわち、本発明は、Ｘ線光電子分光法により、前記電極表面において測定されるＩｎ原子の３ｄ５／２軌道スペクトルのピークの半値幅を［Ｉｎ３ｄ５／２］ｈで表し、Ｘ線光電子分光法により、前記電極内部において測定されるＩｎ原子の３ｄ５／２軌道スペクトルのピークの半値幅を［Ｉｎ３ｄ５／２］ｎで表した場合に、前記各半値幅の比率である（［Ｉｎ３ｄ５／２］ｈ／［Ｉｎ３ｄ５／２］ｎ）の値が０．９〜１．２の範囲内であることを特徴とする電極基板である。
【００７５】
このような構成とすることにより、電極の「内部」のＩｎ３ｄ５／２軌道スペクトルピークの半値幅と、電極の「表面」の半値幅の比率を所定範囲内の値に制限することにより、電極上の表面不良層が存在しない電極基板を構成することができる。
【００７６】
尚、本件の発明において、「表面において測定される」とは、少なくとも表面の一部又は表面の一点において測定されることを意味する。
【００７７】
また、本発明は、基板と、Ｉｎ原子含有化合物からなる電極と、前記電極と前記基板との間に位置する層であって、この層に入射する光の波長を変換するための蛍光変換層と、を含む電極基板であって、前記電極の表面であって、前記蛍光変換層に対向している表面と反対側の表面上に、無機化合物からなる表面保護層が形成してあることを特徴とする電極基板であって、Ｘ線光電子分光法により測定された結果が以下のような測定値のものである。
【００７８】
すなわち、本発明は、Ｘ線光電子分光法により、前記電極において測定されるＩｎ原子の３ｄ５／２軌道スペクトルのピークの値をＩｎｐｅａｋで表し、Ｘ線光電子分光法により、前記電極において測定されるＳｎ原子の３ｄ５／２軌道スペクトルのピークの値をＳｎｐｅａｋで表し、前記電極表面において測定される各ピークの比率を（Ｉｎｐｅａｋ／Ｓｎｐｅａｋ）ｈで表し、前記電極内部において測定される各ピークの比率を（Ｉｎｐｅａｋ／Ｓｎｐｅａｋ）ｎで表した場合に、（（Ｓｎｐｅａｋ／Ｉｎｐｅａｋ）ｈ／（Ｓｎｐｅａｋ／Ｉｎｐｅａｋ）ｎ）＜１．５であることを特徴とする電極基板である。
【００７９】
このような構成とすることにより、Ｉｎ原子のピーク値とＳｎ原子のピーク値との比率を、電極の内部と外部で測定し、この内部と外部の比率を所定範囲内の値に制限することにより、電極上の表面不良層が存在しない電極基板を構成することができる。
【００８０】
この「表面において測定される」とは、少なくとも表面の一部又は表面の一点において測定されることを意味することは、今まで述べた発明と同様である。
【００８１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態を図面に基づき説明する。
【００８２】
Ａ．基本構造
本実施の形態では、色変換（ＣＣＭ）基板の陽極の上に無機化合物層を積層し、その上に有機物層を積層させた構成を提案する。このような有機ＥＬ表示装置１００の構成を表す断面を表す模式図が図１に示されている。
【００８３】
この図に示されているように、本実施の形態において特徴的なことは、陽極１６の上に無機化合物又は有機化合物からなる表面保護層１０２が設けられいている点である。そして、有機物層１８は、この表面保護層１０２の上に積層されている。
【００８４】
尚、有機物層１８は、発光を司る部分であるので、発光層とも呼ばれる。また、有機物は多くの場合化合物であるので有機化合物層と呼ぶ場合もある。この有機物層１８は、少なくとも再結合領域及び発光領域を有するものである。また、この有機物層１８は、有機ＥＬ素子層と呼ぶ場合もある。
【００８５】
有機物層１８に関しては、必要に応じ、有機物層１８（発光層）以外に、たとえば正孔注入層，電子注入層，有機半導体層，電子障壁層，付着改善層などの層を設けてもよい。その場合には、これら正孔注入層等を含む複数の層を有機物層１８と呼ぶのが一般的である。そして、これら複数の層からなる有機物層１８の上に陰極２０が形成されている。
【００８６】
本実施の形態においては、有機ＥＬ表示装置１００の例を示すが、この有機ＥＬ表示装置は、請求項の「発光装置」の一例に相当する。本来有機ＥＬ自体は発光素子であるので、光を発する機能を有する発光装置を構成する。本実施の形態ではこの発光装置の一例として有機ＥＬ表示装置１００を説明するが、本発明の「発光装置」は、有機ＥＬ表示装置に限定されるものではない。
【００８７】
本実施の形態で示す有機ＥＬ表示装置１００の代表的な構成例（バリエーション）を示す。もちろん、これに限定されるものではない。
【００８８】
有機ＥＬ表示装置１００の基本的な層構造は、以下の通りである。
【００８９】
基板／色変換膜（ＣＣＭ層）／パッシベーション膜／有機ＥＬ素子
ここで、有機ＥＬ素子１２２は、さらに以下のバリエーションがある。
【００９０】
（１）透明電極（陽極）／表面保護層／発光層／電極（陰極）
（２）透明電極（陽極）／表面保護層／正孔注入層／発光層／電極（陰極）
（３）透明電極（陽極）／表面保護層／発光層／電子注入層／電極（陰極）
（４）透明電極（陽極）／表面保護層／正孔注入層／発光層／電子注入層／電極（陰極）
（５）陽極／表面保護層／有機半導体層／発光層／陰極
（６）陽極／表面保護層／有機半導体層／電子障壁層／発光層／陰極
（７）陽極／表面保護層／正孔注入層／発光層／付着改善層／陰極
以上のような構造を挙げることができる。これらの中で、通常（４）の構成が好ましく用いられる。
【００９１】
本実施の形態において特徴的なことは、有機ＥＬ素子１２２に含まれる表面保護層１０２である。
【００９２】
Ｂ．ＩＴＯ等の透明電極表面不良層について
ここで、電極の表面不良層について説明する。
【００９３】
既に、従来技術の「Ａ．背景技術」の（４）で述べたように、ＩＴＯ等の透明電極表面は、洗浄工程における過度の洗浄又はパターニングのためのエッチング残さ等でダメージをうける。また、表面への水の吸着、バルクに含まれる微量不純物原子の析出等の原因によっても下記のようないわゆる表面不良層が形成されている。この表面不良層の問題に着目し改善を試みた例は未だ知られていない。その結果、従来の有機ＥＬ素子では、陽極に表面不良層を伴う状態で有機物が積層されており、界面における電荷注入性の低下などのため、本来得られるはずの素子性能が確保できなかった場合が多いと考えられる。
【００９４】
（１）表面不良層
本実施の形態である表面不良層とは、例えば、以下の要件の一つに該当するものがある。
【００９５】
▲１▼ドーパント（Ｄｏｐａｎｔ）であるＳｎの表面への析出があること。ＩＺＯの場合はＺｎの欠損が挙げられる。
【００９６】
▲２▼同じくドーパントである酸化空孔の表面での欠落（すなわち酸素原子過多）があること。
【００９７】
▲３▼表面に水分が吸着していること。
【００９８】
▲４▼バルク中に含まれる微量不純物（窒素等）が表面へ析出していること。
【００９９】
このような表面不良層の存在で、電導性（正孔注入性）の低下、上に積層する有機物の付着性の低下域は表面不良層中の不純物の有機物層への拡散等が見られる。
【０１００】
このような表面不良層の存在によって、以下の問題が生じることが判明した。
【０１０１】
▲１▼定電流連続駆動時に電圧上昇が大きく、短寿命となる。
【０１０２】
▲２▼表面不良層の上に積層する有機物との密着性が低下し、結果的に高温下で駆動の際に発光が不均一になり、また、高温保存をした後にも発光が不均一化する。同じく高温時の電流注入性及び発光効率の低下する等、いわゆる耐熱性が低下する。
【０１０３】
（２）　表面不良層の検出方法
分析的にはＸ線光電子分光法（ＸＰＳ：Ｘ−ｒａｙ　Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｙ）により検出する。
【０１０４】
▲１▼Ｉｎ原子の回りの状況を反映しているＩｎ原子のスペクトルＩｎ　３ｄ５／２（結合エネルギー４４４．４ｅＶ）のピークの大きさ（以下、Ｉｎｐｅａｋと呼ぶ）と、Ｓｎ原子のＳｎ　３ｄ５／２（結合エネルギー４８６．２ｅＶ）のピークの大きさ（以下、Ｓｎｐｅａｋと呼ぶ）をそれぞれ求め、それらの比Ｓｎｐｅａｋ／Ｉｎｐｅａｋが、電極内部（バルク）より表面付近で増大していることを以て、表面不良層の存在を検出する。ここで、Ｉｎｐｅａｋ及びＳｎｐｅａｋの算出は、実際には、求めた値を原子による感度で補正して最終的な値を求める。
【０１０５】
概ねＳｎｐｅａｋ／Ｉｎｐｅａｋは、０．１〜０．２の値となるが、表面でのその値がバルクのそれの１．５倍以上であれば、表面でＳｎが析出していると考えられ、表面不良層の存在が認められる。
【０１０６】
すなわち、電極表面におけるＳｎｐｅａｋ／Ｉｎｐｅａｋの値を（Ｓｎｐｅａｋ／Ｉｎｐｅａｋ）ｈと表し、電極内部におけるＳｎｐｅａｋ／Ｉｎｐｅａｋの値を（Ｓｎｐｅａｋ／Ｉｎｐｅａｋ）ｎと表すと、（Ｓｎｐｅａｋ／Ｉｎｐｅａｋ）ｈ／（Ｓｎｐｅａｋ／Ｉｎｐｅａｋ）ｎ＞＝１．５となる場合に、表面不良層の存在が認められるのである。逆に言えば、（Ｓｎｐｅａｋ／Ｉｎｐｅａｋ）ｈ／（Ｓｎｐｅａｋ／Ｉｎｐｅａｋ）ｎ＜１．５となるような電極を作れば、表面不良層が事実上存在しないと見なすことができる。
【０１０７】
電極表面におけるＸＰＳの計測は、一般に表面の一部又は表面の一点に対して行うので、上記の測定も、電極表面の一部又は表面の一点の測定を意味する。
【０１０８】
▲２▼Ｉｎ原子の周りの状況を反映しているＩｎ原子のスペクトルＩｎ　３ｄ５／２のピーク半値幅（ＦＷＨＭ：Ｆｕｌｌ−Ｗｉｄｔｈ　Ｈａｌｆ−Ｍａｘｉｍｕｍ）が表面において、バルクにおけるそれよりも明らかに大きければ表面原子組成が異なり、表面不良層が形成されている。以下にその例を図２の模式図とともに説明する。この模式図は縦軸にスペクトル強度（単位は任意）をとり、横軸に結合エネルギーを取ったグラフの模式図である。
【０１０９】
たとえば、通常の有機溶媒洗浄をし、ＵＶ洗浄まで終了した電極（基板上に設けられている）を素早くＸＰＳの測定チャンバーに投入し観測すると、上記半値幅は１．９ｅＶであった（図２中Ａで示される）。これは表面のＩｎ　３ｄ５／２のピーク半値幅である。これをアルゴンイオンガンで３０秒スパッタし、約５０Å掘った再表面を観測すると、半値幅は１．７ｅＶであり（図２中Ｂで示される）この後者の半値幅がバルクのＩＴＯの半値幅と考えられる。
【０１１０】
Ｉｎ　３ｄ５／２のピーク半値幅の表面の値を［Ｉｎ３ｄ５／２］ｈと表し、Ｉｎ　３ｄ５／２のピーク半値幅のバルク（内部）の値を［Ｉｎ３ｄ５／２］ｎと表すと、両者の比［Ｉｎ３ｄ５／２］ｈ／［Ｉｎ３ｄ５／２］ｎの値が０．９〜１．２の範囲になければ、電極表面の原子組成が内部と異なり、表面不良層が存在すると認められる。たとえば、上記の例を用いてこの値を計算すると、１．９／１．２＝１．５８と求められ、０．９〜１．２の範囲にはないので、表面不良層が存在すると判断する。
【０１１１】
この▲２▼で示した例に対して、ＩＴＯ電極上にＳｉＯ２を成膜した電極について、上記と同様な洗浄後、その表面のＩｎ　３ｄ５／２の半値幅を観測すると１．７ｅＶであり、ＩＴＯバルクの値と同様であった。この結果から、上記ＳｉＯ２を成膜した基板表面は表面不良層が除去されていることがわかる。［Ｉｎ３ｄ５／２］ｈ／［Ｉｎ３ｄ５／２］ｎの値が１．０となり、０．９〜１．２の範囲にあるからである。尚、このＳｉＯ２の成膜は、ヘリカルスパッタを用いて実行している。つまり、この成膜工程は、スパッタにより表面不良層を除去しつつ、表面保護層たるＳｉＯ２を電極表面に成膜しているのである。
【０１１２】
尚、誘導結合型ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタを、「ヘリカルスパッタ」と呼ぶ。
【０１１３】
またヘリカルスパッタ成膜時の放電ガス流量を変化させると、ＳｉＯ２を成膜した基板表面のＩｎ　３ｄ５／２ピーク半値幅は変化することがわかっている。具体的に言えば、放電ガス流量を大きくすると半値幅が狭くなり、より表面不良層が除去される傾向にあることが判明した。
【０１１４】
以上のことから、放電ガスのスパッタ作用によりＩＴＯ電極表面の表面不良層が除去できることを本願発明者らは見いだしたのである。
【０１１５】
本発明において特徴的なことは、ＳｉＯ２等の無機化合物からなる表面保護層をスパッタ法で電極表面に形成したことである。このスパッタによって電極表面の表面不良層を除去しうると共に、表面を保護する保護層を設けることができたものである。
【０１１６】
▲３▼上記表面保護層の膜厚としては、５〜１００Å程度の膜厚から選択することができる。好ましくは１０〜５０Å、さらに好ましくは２０〜４０Åである。
【０１１７】
一般的には、成膜膜厚が５〜２０Åでは膜が島状構造をとってしまい、一様な界面は形成されにくい。しかし、５Å以上の膜厚で効果の再現性は得られており、膜厚２０Åでは少なくとも均一成膜となっているのを透過電子顕微鏡の観察によって本願発明者らが確認しており、スパッタ膜、特にヘリカルスパッタ膜は安定した緻密な膜形成ができることが確認済みである。
【０１１８】
一方、膜厚が厚くなりすぎると（１００Å程度以上）、ＳｉＯ２等の無機化合物は本来絶縁物が多く導電性が低い場合が多いので、陽極と有機物層の間の注入障壁が問題となり、素子が高電圧化してくるので好ましくない。
【０１１９】
Ｃ．各層の構成
以下有機ＥＬ表示装置１００を構成する各層について説明する。
【０１２０】
有機ＥＬ表示装置１００は、上述したように、
基板／色変換膜（ＣＣＭ層）／パッシベーション膜／有機ＥＬ素子
の構成を有している。また、有機ＥＬ素子１２２は、
透明電極（陽極）／表面保護層／正孔注入層／発光層／電子注入層／電極（陰極）
の構成を有している例について、以下各層の説明を行う。
【０１２１】
（１）表面保護層１０２−無機化合物層について
まず、本発明のポイントである無機化合物から形成される表面保護層１０２１０２について説明する。
【０１２２】
この表面保護層１０２は、Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｙｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｃｄ，Ｍｇ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｇｅ，Ｓｂ，Ｚｎ，Ｃｓ，Ｅｕ，Ｙ，Ｃｅ，Ｗ，Ｚｒ，Ｌａ，Ｓｃ，Ｒｂ，Ｌｕ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｈｏ，Ｃｕ，Ｅｒ，Ｓｍ，Ｗ，Ｃｏ，Ｓｅ，Ｈｆ，Ｔｍ，Ｆｅ，Ｎｂ等の金属との酸化物、窒化物、複合酸化物、硫化物、弗化物が好適である。この例の中では酸化珪素ＳｉＯｘ（ｘは原子比を示す）が有効である。
【０１２３】
さらに好ましい具体例を挙げれば、ＬｉＯｘ，　ＬｉＮｘ，　ＮａＯｘ，　ＫＯｘ，　ＲｂＯｘ，　ＣｓＯｘ，　ＢｅＯｘ，　ＭｇＯｘ，　ＭｇＮｘ，　ＣａＯｘ，　ＣａＮｘ，　ＳｒＯｘ，　ＢａＯｘ，　ＳｃＯｘ，　ＹＯｘ，　Ｙｎｘ，　ＬａＯｘ，　ＬａＮｘ，　ＣｅＯｘ，ＰｒＯｘ，　ＮｄＯｘ，　ＳｍＯｘ，　ＥｕＯｘ，　ＧｄＯｘ，　ＴｂＯｘ，　ＤｙＯｘ，　ＨｏＯｘ，　ＥｒＯｘ，　ＴｍＯｘ，　ＹｂＯｘ，　ＬｕＯｘ，ＴｉＯｘ，　ＴｉＮｘ，　ＺｒＯｘ，　ＺｒＮｘ，　ＨｆＯｘ，　ＨｆＮｘ，　ＴｈＯｘ，　ＶＯｘ，　ＶＮｘ，　ＮｂＯｘ，　ＮｂＮｘ，　ＴａＯｘ，　ＴａＮｘ，　ＣｒＯｘ，　ＣｒＮｘ，　ＭｏＯｘ，　ＭｏＮｘ，　ＷＯｘ，　ＷＮｘ，　ＭｎＯｘ，　ＲｅＯｘ，　ＦｅＯｘ，　ＦｅＮｘ，　ＲｕＯｘ，　ＯｓＯｘ，　ＣｏＯｘ，　ＲｈＯｘ，　ＩｒＯｘ，　ＮｉＯｘ，　ＰｄＯｘ，　ＰｔＯｘ，　ＣｕＯｘ，　ＣｕＮｘ，　ＡｇＯｘ，　ＡｕＯｘ，　ＺｎＯｘ，　ＣｄＯｘ，　ＨｇＯｘ，　ＢＯｘ，　ＢＮｘ，　ＡｌＯｘ，　ＡｌＮｘ，　ＧａＯｘ，　ＧａＮｘ，　ＩｎＯｘ，　ＳｉＮｘ，　ＧｃＯｘ，　ＳｎＯｘ，　ＰｂＯｘ，ＰＯｘ，　ＰＮｘ，　ＡｓＯｘ，　ＳｂＯｘ，　ＳｃＯｘ，　ＴｅＯｘ　等の金属酸化物又は金属窒化物でも好ましい。
【０１２４】
さらに、ＬｉＡｌＯ２，　Ｌｉ２ＳｉＯ３，　Ｌｉ２ＴｉＯ３，　Ｎａ２Ａｌ２２Ｏ３４，　ＮａＦｅＯ２，　Ｎａ４ＳｉＯ４，　Ｋ２ＳｉＯ３，　Ｋ２ＴｉＯ３，　Ｋ２ＷＯ４，　Ｒｂ２ＣｒＯ４，　Ｃｓ２ＣｒＯ４，　ＭｇＡｌ２Ｏ４，　ＭｇＦｅ２Ｏ４，　ＭｇＴｉＯ３，　ＣａＴｉＯ３，　ＣａＷＯ４，　ＣａＺｒＯ３，　ＳｒＦｅ１２Ｏ１９，　ＳｒＴｉＯ３，　ＳｒＺｒＯ３，　ＢａＡｌ２Ｏ４，　ＢａＦｅ１２Ｏ１９，　ＢａＴｉＯ３，　Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２，　Ｙ３Ｆｅ５Ｏ１２，　ＬａＦｅＯ３，　Ｌａ３Ｆｅ５Ｏ１２，　Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７，　ＣｅＳｎＯ４，　ＣｅＴｉＯ４，　Ｓｍ３Ｆｅ５Ｏ１２，　ＥｕＦｅＯ３，　Ｅｕ３Ｆｅ５Ｏ１２，　ＧｄＦｅＯ３，　Ｇｄ３Ｆｅ５Ｏ１２，　ＤｙＦｅＯ３，　Ｄｙ３Ｆｅ５Ｏ１２，　ＨｏＦｅＯ３，　Ｈｏ３Ｆｅ５Ｏ１２，　ＥｒＦｅＯ３，　Ｅｒ３Ｆｅ５Ｏ１２，　Ｔｍ３Ｆｅ５Ｏ１２，　ＬｕＦｅＯ３，　Ｌｕ３Ｆｅ５Ｏ１２，　ＮｉＴｉＯ３，　Ａｌ２ＴｉＯ３，　ＦｅＴｉＯ３，　ＢａＺｒＯ３，　ＬｉＺｒＯ３，　ＭｇＺｒＯ３，　ＨｆＴｉＯ４，　ＮＨ４ＶＯ３，　ＡｇＶＯ３，　ＬｉＶＯ３，　ＢａＮｂ２Ｏ６，　ＮａＮｂＯ３，　ＳｒＮｂ２Ｏ６，　ＫＴａＯ３，　ＮａＴａＯ３，　ＳｒＴａ２Ｏ６，　ＣｕＣｒ２Ｏ４，　Ａｇ２ＣｒＯ４，　ＢａＣｒＯ４，　Ｋ２ＭｏＯ４，　Ｎａ２ＭｏＯ４，　ＮｉＭｏＯ４，　ＢａＷＯ４，　Ｎａ２ＷＯ４，　ＳｒＷＯ４，　ＭｎＣｒ２Ｏ４，　ＭｎＦｅ２Ｏ４，　ＭｎＴｉＯ３，　ＭｎＷＯ４，　ＣｏＦｅ２Ｏ４，　ＺｎＦｅ２Ｏ４，　ＦｅＷＯ４，　ＣｏＭｏＯ４，　ＣｏＴｉＯ３，　ＣｏＷＯ４，　ＮｉＦｅ２Ｏ４，　ＮｉＷＯ４，　ＣｕＦｅ２Ｏ４，　ＣｕＭｏＯ４，　ＣｕＴｉＯ３，　ＣｕＷＯ４，　Ａｇ２ＭｏＯ４，　Ａｇ２ＷＯ４，　ＺｎＡｌ２Ｏ４，　ＺｎＭｏＯ４，　ＺｎＷＯ４，　ＣｄＳｎＯ３，　ＣｄＴｉＯ３，　ＣｄＭｏＯ４，　ＣｄＷＯ４，　ＮａＡｌＯ２，　ＭｇＡｌ２Ｏ４，　ＳｒＡｌ２Ｏ４，　Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２，　ＩｎＦｅＯ３，　ＭｇＩｎ２Ｏ４，　Ａｌ２ＴｉＯ５，　ＦｅＴｉＯ３，　ＭｇＴｉＯ３，　Ｎａ２ＳｉＯ３，　ＣａＳｉＯ３，　ＺｒＳｉＯ４，　Ｋ２ＧｅＯ３，　Ｌｉ２ＧｅＯ３，　Ｎａ２ＧｅＯ３，　Ｂｉ２Ｓｎ３Ｏ９，　ＭｇＳｎＯ３，　ＳｒＳｎＯ３，　ＰｂＳｉＯ３，ＰｂＭｏＯ４，　ＰｂＴｉＯ３，　ＳｎＯ２−Ｓｂ２Ｏ３，　ＣｕＳｃＯ４，　Ｎａ２ＳｅＯ３，　ＺｎＳｅＯ３，　Ｋ２ＴｅＯ３，　Ｋ２ＴｅＯ４，　Ｎａ２ＴｅＯ３，　Ｎａ２ＴｅＯ４　等の金属複合酸化物でもよい。
【０１２５】
また、ＦｅＳ，　Ａｌ２Ｓ３，　ＭｇＳ，　ＺｎＳ　等の硫化物、ＬｉＦ，　ＭｇＦ２，　ＳｍＦ３　等のフッ化物、ＨｇＣｌ，　ＦｅＣｌ２，　ＣｒＣｌ３，等の塩化物、ＡｇＢｒ，　ＣｕＢｒ，　ＭｎＢｒ２　等の臭化物、ＰｂＩ２，　ＣｕＩ，　ＦｅＩ２　等のヨウ化物、又は、ＳｉＡｌＯＮなどの金属酸化物等も好適な材料として挙げられる。
【０１２６】
なかでも、酸化物が好ましく、特に好ましくは標準生成Ｇｉｂｂｓエネルギーが−５２０ｋＪｍｏｌ−１以上のもので、安定な酸化物か好ましい。たとえばＳｉＯ２（−８５５ｋｊｍｏｌ−１）、ＧｅＯ２（−４９７ｋＪｍｏｌ−１）、ＣｅＯ２（−１０２５ｋＪｍｏｌ−１）、Ａｌ２Ｏ３（−１５８１．９ｋＪｍｏｌ−１）が挙げられる。
【０１２７】
その他の化合物としてはＡｌＮ，ＳｉＣ，ＣａＳなども安定した化合物であり好ましい。
【０１２８】
次に、表面保護層１０２を電極上に成膜する手順を説明する。
【０１２９】
成膜手順の概要
プロセス１：陽極（透明電極）付基板の湿式洗浄を行う。これは、通常の素子成膜前に行う基板洗浄と同様である。具体的には、２プロパノール等の有機溶媒を用いた超音波洗浄及び純水によるリンス洗浄の組み合わせが有効である、また、陽極表面の汚れの程度に応じて中性洗剤等を用いた超音波洗浄を行うことが好ましい。
【０１３０】
プロセス２：ヘリカルスパッタ等のスパッタ法による無機酸化物の成膜を行う。ここで、無機化合物をスパッタ法で成膜する理由は、以下の通りである。
【０１３１】
・まず、酸化物あるいは窒化物は一般に蒸着に要する温度が高く、抵抗加熱方式では蒸着が困難である。
・さらに、電子ビーム蒸着法で成膜することは可能であるが、スパッタと異なり、ＩＴＯの表面不良層の改質効果はない。
【０１３２】
・そして、スパッタ法でＩＴＯの表面不良層の改良効果があるのは、プラズマで発生する放電ガスイオンがプラズマで発生するセルフバイアスの電界により加速され、表面不良層をたたき、スパッタクリーニング（いわゆる逆スパッタ）するためであると考えられる。
【０１３３】
・スパッタの中でも、ヘリカルスパッタが特に好ましい。この理由は、一般にヘリカルスパッタはターゲット−基板間距離を大きくとるので、通常のスパッ　ターでは基板への過剰なエネルギーを与え、基盤へ逆に損傷を与えるのに対し、ヘリカルスパッタでは陽極表面不良層の除去にちょうどよい運動エネルギーであることが（０．１〜１ｅＶ程度）実験により確認されたからである。
【０１３４】
成膜手順の具体例
ステップ１：真空チャンバー内にガスを導入する前の真空度が１０−３Ｐａ台前半であることを確認する。
【０１３５】
ステップ２：Ａｒ等の放電ガスを真空チャンバーへ導入する。このときの真空度は１×１００Ｐａから１×１０−２Ｐａ程度である。あまり低圧ではないように、たとえば、０．３Ｐａ〜１．０Ｐａが好ましい。これは表面不良層の除去の効果が低圧では減少するためである。放電ガスの種類はＡｒ、Ｘｅ、Ｋｒ等の希ガスから選択できるが、コストの面でＡｒが好ましい。
【０１３６】
ステップ３：順次、ヘリカルコイル（誘導結合用コイル）へ５０〜２００Ｗ、カソードへ２００〜５００Ｗ、周波数が各々１３．５６ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの高周波を印加し、プラズマ放電を起こさせる。このときのマグネトロン磁界の強さは概ね２００〜３００ガウス程度が好ましい。
【０１３７】
ステップ４：十分なプリスパッタ（ｐｒｅ−ｓｐｕｔｔｅｒ）により、ターゲット表面のクリーニングを行う。最低５分以上、特にターゲット交換後の初回は１０分以上行うことが好ましい。
【０１３８】
ステップ５：次にスパッタ装置のメインシャッターを開け、無機化合物が所定膜厚（５〜１００Å）になるまで成膜する。
【０１３９】
（２）基板１２
本実施の形態で用いられる基板としては、透明性があり、カラー表示装置を支えるに十分な剛直な材料が好ましい。本実施の形態では、基板を配置することによりカラー表示装置を補強して耐衝撃性等の機械的強度を高めている。
【０１４０】
具体的な材料としては、たとえば、ガラス板、セラミック板、プラスチック板（ポリカーポネート、アクリル、塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリエステル樹脂等）等を挙げることができる。
【０１４１】
（３）ＣＣＭ層１４
ＣＣＭ層１４（色変換層とも呼ぶ）は、有機ＥＬ素子１２２の発光を吸収して、より長波長の蛍光を発光する機能を有する。たとえば、青色光を緑色光又は赤色光に変換する。尚、ＣＣＭ層１４の他に、色再現性をよするためにカラーフィルターを含んでもよい。
【０１４２】
各ＣＣＭ層１４は、有機ＥＬ素子１２２の発光領域、たとえば、陽極１６と陰極２０との交差部分の位置に対応して配置してあることが好ましい。陽極１６や陰極２０は、表示面に対してストライプ状に配置されており、且つ、両者は表示平面上で直交するような向きに上に設けられている。そして、陽極１６と陰極２０とが平面上で重畳する位置（交差した位置）にある有機物層１８が発光するのである。この重畳した位置（交差した位置）が、表示平面上の「１画素」に相当することになる。
【０１４３】
さて、このように構成することにより、陽極１６と陰極２０との交差部分における有機物層１８（有機ＥＬ発光層）が発光した場合に、その光を各ＣＣＭ層１４が受光して、異なる色（波長）の発光を外部に取り出すことが可能になる。
【０１４４】
この場合、特に、有機ＥＬ素子１２２が青色発光するとともに、ＣＣＭ層１４によって、緑色、赤色発光に変換可能な構成とすると、一種類の有機物層１８からなる有機ＥＬ素子１２２であっても、青色、緑色、赤色の光の３原色が得られ、フルカラー表示が可能であることから好適である。
【０１４５】
（３−１）材料
ＣＣＭ層１４の材料は特に制限はない。たとえば、蛍光色素、又は、蛍光色素及びバインダー樹脂から構成される。このうち、蛍光色素及びバインダー樹脂からなるＣＣＭ層１４の典型例として、蛍光色素を顔料樹脂及び／又はバインダー樹脂中に溶解又は分散させた固形状態のものを挙げることができよう。
【０１４６】
具体的な蛍光色素について説明すると、有機ＥＬ素子１２２における近紫外光からの紫色の発光を青色発光に変換する蛍光色素としては、１、４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン（Ｂｉｓ−ＭＢＳ）、トランスー４，４´―ジフェニルスチルベン（ＤＰＳ）等のスチルベン系色素、７−ヒドロキシ−４−メチルクマリン（クマリン４）等のクマリン系色素を挙げることができる。
【０１４７】
また、有機ＥＬ素子１２２における青色、青緑色又は白色の発光を緑色発光に変換する場合の蛍光色素については、たとえば、２，３，５，６−１Ｈ，４Ｈ−テトラヒドロ−８−トリフロルメチルキノリジノ（９，９ａ，１−ｇｈ）クマリン（クマリン１５３）、３−（２´−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（クマリン６）、３−（２´−ベンズイミダゾリル）−７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン（クマリン７）等のクマリン色素、その他クマリン色素系染料であるベーシックイエロー５１、また、ソルベントイエロー１１、ソルベントイエロー１１６等のナフタルイミド色素を挙げることができる。
【０１４８】
また、有機ＥＬ素子１２２における青色から緑色までの発光、又は白色の発光を、橙色から赤色までの発光に変換する場合の蛍光色素については、たとえば、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチルリル）−４Ｈピラン（ＤＣＭ）等のシアニン系色素、１−エチル−２−（４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブタジエニル）−ピリジニウム−パークロレート（ピリジン１）等のピリジン系色素、ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ等のローダミン系色素、その他にオキサジン系色素等が挙げられる。
【０１４９】
さらに、各種染料（直接染料、酸性染料、塩基性染料、分散染料等）も蛍光性があれば蛍光色素として選択することが可能である。
【０１５０】
また、蛍光色素をポリメタクリル酸エステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体、アルキッド樹脂、芳香族スルホンアミド樹脂、ユリア樹脂、メラニン樹脂、ペンゾグアナミン樹脂等の顔料樹脂中にあらかじめ練り込んで顔料化したものでもよい。
【０１５１】
一方、バインダー樹脂は、透明な（可視光における光透過率が５０％以上）材料が好ましい。たとえば、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリカーポネート、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース等の、透明樹脂（高分子）が挙げられる。
【０１５２】
尚、蛍光媒体を平面的に分離配置するために、フォトリソグラフィー法が適用できる感光性樹脂を選択することが可能である。たとえば、アクリル酸系、メタクリル酸系、ポリケイ皮酸ビニル系、環ゴム系等の反応性ビニル基を有する光硬化型レジスト材料が挙げられる。また、印刷法を用いる場合には、透明な樹脂を用いた印刷インキ（メジウム）が選ばれる。たとえば、ポリ塩化ビニル樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン酸樹脂、ポリアミド樹脂のモノマー、オリゴマー、ポリマーまた、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリカーポネート、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース等の透明樹脂を用いることができる。
【０１５３】
（３−２）形成方法
ＣＣＭ層１４が、主に蛍光色素からなる場合は、所望のＣＣＭ層１４のパターンが得られるマスクを介して真空蒸着又はスパッタリング法で成膜することが好ましい。
【０１５４】
一方、ＣＣＭ層１４が、蛍光色素と樹脂からなる場合は、蛍光色素と樹脂と適当な溶剤とを混合、分散又は可溶化させて液状物とし、当該液状物を、スピンコート、ロールコート、キャスト法等の方法で成膜し、その後、フォトリソグラフィー法で所望のＣＣＭ層１４のパターンにパターニングしたり、スクリーン印刷等の方法で所望のパターンにパターニングして、ＣＣＭ層１４を形成するのが好ましい。
【０１５５】
（３−３）厚さ
ＣＣＭ層１４の厚さは、有機ＥＬ素子１２２の発光を十分に受光（吸収）するとともに、蛍光の発生機能を妨げるものでなければ、特に制限されるものではないが、たとえば、１０ｎｍ〜１，０００μｍとすることが好ましく、０．１μｍ〜５００μｍ
とすることがより好ましく、５μｍ〜１００μｍとすることがさらに好ましい。
【０１５６】
この理由は、ＣＣＭ層１４の厚さが１０ｎｍ未満となると、機械的強度が低下したり、積層することが困難となる場合があるためである。一方、ＣＣＭ層１４の厚さが１ｍｍを超えると、光透過率が著しく低下して、外部に取り出せる光量が低下したり、あるいは有機ＥＬ発光装置の薄型化が困難となる場合があるためである。
【０１５７】
（４）パッシベーション膜
パッシベーション膜は、その下部にあるＣＣＭ層１４等樹脂膜からの揮発成分と有機ＥＬ素子１２２とが接触するのを遮断できるものであり、且つ、可視光域で透明でありさえすれば、特に材料に制限はない。
【０１５８】
具体的な材料としては、透明無機物が挙げられる。
【０１５９】
より具体的には、ＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＯｘＮｙ、ＴｉＯ２、Ｔｉｏｘ，ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２），ＩＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ），ＳｎＯ２，ＺｎＯ，インジウム銅（ＣｕＩｎ）、金、白金、パラジウム等の一種単独又は二種以上の組み合わせ等の仕事関数の大きい透明無機物が挙げられる。
【０１６０】
上記のような透明無機物を利用する場合には、ＣＣＭ層１４を劣化させないよに、低温（２００℃以下）で、成膜速度を遅くして成膜するのが好ましく、具体的にはスパッタリング、蒸着、ＣＶＤ、イオンプレーティング（Ｉｏｎｐｌａｔｉｎｇ）等の方法が好ましい。
【０１６１】
ここで、パッシベーション膜の厚さは、有機ＥＬ素子１２２の精細度にもよるが、０．０１μｍ〜１００μｍの範囲から選択することができる。好ましくは、０．０５μｍ〜１０μｍ、より好ましくは、０．１μｍ〜１μｍの膜厚がよい。
【０１６２】
膜厚が０．０１μｍより小さいと、十分に揮発成分の遮断ができず、１００μｍより大きいと、有機ＥＬ素子１２２の光が拡散して、所望のＣＣＭ層１４の入射が妨げられるので、視認性が低下（色にじみ、混色、視野角依存）する可能性がある。
【０１６３】
（５）有機ＥＬ素子１２２
本実施の形態における有機ＥＬ表示装置１００は、ＣＣＭ基板１２４に含まれる陽極１６の上に、上述した無機化合物層（表面保護層１０２）を形成し、さらにその上有機ＥＬ素子１２２の中心的な材料である有機物層１８（有機化合物層とも呼ぶ）が積層されている。この有機物層１８は、再結合領域及び発光領域を少なくとも有するものが用いられる。この再結合領域及び発光領域は、発光の機能を有する発光層に存在することが多い。そのため、本実施の形態においては、有機物層１８として発光層のみを用いてもよいが、必要に応じ、発光層以外に、たとえば正孔注入層、電子注入層、有機半導体層、電子障壁層、付着改善層などを、有機物層１８に含めてもよい。これらの有機物層１８の上に陰極２０が形成されている。
【０１６４】
本実施の形態では、陽極１６（透明電極）から、陰極２０までを有機ＥＬ素子１２２と呼ぶ。すなわち、有機ＥＬ表示装置１００は、簡単に言えば、ガラス等の基板１２上に有機ＥＬ素子１２２を構成したものである。本実施の形態では、有機ＥＬ素子として既に説明した以下の構成を例にして、これら各層の説明を次節から行う。
【０１６５】
透明電極（陽極）／表面保護層／正孔注入層／発光層／電子注入層／電極（陰極）
すなわち、ここでは、有機物層１８が正孔注入層／発光層／電子注入層からなる構成を例にして説明する。もちろん、単層の発光層からなる有機物層１８を採用してもかまわない。
【０１６６】
（６）　陽極１６（透明電極）
代表的な陽極１６の材料としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ等が挙げられる。陽極１６は、これらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で、薄膜を形成させることにより作成することができる。発光層からの発光を陽極１６から取り出す場合、陽極１６の発光に対する透過率が１０％よりも大きくすることが好ましい。また、陽極１６のシート抵抗は、数百Ω／□（Ω／ｍ２）以下が好ましい。陽極１６の膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲が好ましい。尚、本実施の形態においては、陽極１６として基板電極を用いている。
【０１６７】
ここで、陽極１６の材料としては非晶質酸化物を採用し、良好なエッチング特性を得ることも好ましい。上記ＩＴＯは通常は結晶性であるが、成膜時に水分雰囲気としたり、微量元素のドープによって、非晶質（アモルファス）とすることが可能である。
【０１６８】
（７）　発光層
本実施の形態における発光層においては、発光材料（ホスト材料）として、一般式（Ｉ）
【化１】
2004139798.tif 000003
で表されるジスチリアリレーン系化合物を用いるのが好ましい。この化合物は、たとえば特開平２−２４７２７８号公報に開示されている。
【０１６９】
上記一般式において、Ｙ１〜Ｙ４はそれぞれ水素分子、炭素数１〜６のアルキリ基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数７〜８のアラルキル基、置換あるいは無置換の炭素数６〜１８のアリール基、置換あるいは無置換のシクロヘキシル基、置換あるいは無置換の炭素数６〜１８のアリールオキシ基、炭素数１〜６のアルコキシ基を示す。
【０１７０】
ここで置換基は、炭素数１〜６のアリキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数７〜８アラルキル基、炭素数６〜１８のアリールオキシ基、炭素数１〜６のアシル基、炭素数１〜６のアシルオキシ基、カルボキシル基、スチリル基、炭素数６〜２０のアリールカルボニル基、炭素数６〜２０のアリールオキシカルボニル基、炭素数１〜６のアルコキシカルボニル基、ビニル基、アニリノカルボニル基、カルバモイル基、フェニル基、ニトロ基、水酸基、あるいはハロゲンを示す。
【０１７１】
これらの置換基は単一でも複数でもよい。また、Ｙ１〜Ｙ４は同一でも、また互いに異なってもよく、Ｙ１とＹ２及びＹ３とＹ４は互いに置換している基と結合して、置換あるいは無置換の飽和五員環又は置換あるいは無置換の飽和六員環を形成してもよい。Ａｒは置換あるいは無置換の炭素数６〜２０のアリレーン基を表し、単一置換されていても、複数置換されていてもよく、また結合部分は、オルト、パラ、メタいずれでもよい。但し、Ａｒが無置換フェニレン基の場合、Ｙ１〜Ｙ４はそれぞれ炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数７〜８のアラルキル基、置換あるいは無置換のナフチル基、ビフェニル基、シクロヘキシル基、アリールオキシ基より選ばれたものである。このようなジスチルアリレーン系化合物としては、たとえば、下記を示すものが挙げられる。
【０１７２】
【化２】
2004139798.tif 000004
【化３】
2004139798.tif 000005
また、別の好ましい発光材料（ホスト材料）として、８−ヒドロキシキノリン、又はその誘導体の金属錯体を挙げることができる。具体的には、オキシン（一般に８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキサノイド化合物である。このような化合物は高水準の性能を示し、容易に薄膜形態に形成される。このオキサノイド化合物の例は、下記構造式を満たすものである。
【０１７３】
【化４】
2004139798.tif 000006
尚、式中、Ｍｔは金属を表し、ｎは１〜３の整数であり、Ｚはそのそれぞれの位置が独立であって、少なくとも２以上の縮合芳香族環を完成させるために必要な原子を示す。
【０１７４】
ここで、Ｍｔで表される金属は、一価、二価又は三価の金属とすることができるものであり、たとえばリチウム、ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属、マグネシウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属、あるいはホウ素又はアルミニウムなどの土類金属である。一般に、有用なキレート化合物であると知られている一価、二価又は三価の金属はいずれも使用することができる。
【０１７５】
また、上の式でＺは、少なくとも２以上の縮合芳香族環の一方がアゾール又はアジンからなる複素環を形成させる原子を示す。ここで、もし必要であれば、上記縮合芳香族環に他の異なる環を付加することが可能である。また、機能上の改善がないまま嵩ばった分子を回避するため、Ｚで示される原子の数は１８以下に維持することが好ましい。さらに、具体的にキレート化オキサノイド化合物を例示すると、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）マグネシウム、ビス（ベンゾ−８−キノリノール）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウムオキシド、トリス（８−キノリノール）インジウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、８−キノリノールリチウム、トリス（５−クロロ−８−キノリノール）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−キノリノール）カルシウム、５，７−ジクロル−８−キノリノールアルミニウム、トリス（５，７−ジプロモー８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウムなどがある。
【０１７６】
さらに、特開平５−１９８３７８号公報に記載されているフェノラート置換８−ヒドロキシキノリンの金属錯体は、青色発光材料として好ましいものである。このフェラート置換８−ヒドロキシキノリンの金属錯体の具体例としては、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（フェノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（ｏ−クレゾラート）アルミニウム（ＩＩＩ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（ｍ−クレゾラート）アルミニウム（ＩＩＩ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（ｐ−クレゾラート）アルミニウム（ＩＩＩ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（ｏ−フェニルフェノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（ｍ−フェニルフェノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（ｐ−フェニルフェノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，３ジメチルフェノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，６ジメチルフェノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，４ジメチルフェノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，５ジメチルフェノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，５−ジーｔ−ブチルフェノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，６ジフェニルフェノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，６−トリフェニルフェノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）などが挙げられる。これらの発光材料は、一種用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１７７】
以下、発光層に関しさらに具体的に説明する。一般に白色の光を発光させる場合には、発光層を２層構成とする場合が多い。これらを、第一発光層、第二発光層と呼ぶ。
【０１７８】
本実施の形態に用いられる第一発光層としては、各種公知の発光材料が用いることができるが、好ましい第一発光層としては、上記オキサノイド化合物に緑色蛍光色素を０．２〜３重量％微量添加したものを挙げることができる。ここで添加される緑色蛍光色素としては、クマリン系、キナクリドン系である。これらを添加することにより第一発光層を保有する素子は、５〜２０（ｌｍ／ｗ）の高効率の緑色発光を実現することができる。一方、第一発光層から高効率にて黄色又は橙色を取り出したい場合には、オキサノイド化合物にルブレン及びその誘導体、ジシアノピラン誘導体、ペリレン誘導体を０．２〜３重量％添加したものを用いる。これらの素子は３〜１０（ｌｍ／ｗ）の高効率で発光出力をすることが可能である。また、緑色蛍光色素と赤色蛍光色素を同時に添加しても橙色が可能である。たとえば、好ましくはクマリンとジシアノピラン系色素、キナクリドンとペリレン色素、クマリンとペリレン色素を同時に用いてもよい。他の特に好ましい第一発光層はポリアリーレンビニレン誘導体である。これは緑色又は橙色を高効率に出力することが可能である。
【０１７９】
本実施の形態に用いられる第二発光層としては各種公知の青色発光材料を用いることができる。たとえばジスチリルアリレーン誘導体、トリススチリルアリレーン誘導体、アリルオキシ化キノリラート金属錯体が高効率で純度の高い青色を発光可能な青色発光材料である。また、ポリマーとしては、ポリパラフェニリン誘導体を挙げることができる。
【０１８０】
本実施の形態に用いられる有機ＥＬ素子における発光層の形成方法としては、たとえば、蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法などの公知の方法により薄膜化することで形成することができるが、特に分子堆積膜であることが好ましい。ここで、分子堆積膜とは、該化合物の気相状態から沈着され形成された薄膜や、該化合物の溶融状態又は液相状態から固体化され形成された膜のことである。通常、この分子堆積膜は、ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）と凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区別することができる。また、この発光層は、樹脂などの結着材と共に溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法などにより薄膜化して形成することができる。このようにして形成された発光層の膜厚については、特に制限はなく、適宜状況に応じて選ぶことができるが、好ましくは１ｎｍ〜１０μｍ、特に好ましいのは５ｎｍ〜５μｍの範囲である。
【０１８１】
（８）　正孔注入層
次に、正孔注入層は、有機ＥＬ表示装置１００として必須の構成ではないが、発光性能の向上のために一般的に用いられるものであるので、本実施の形態でも正孔注入層を用いる例について説明する。
【０１８２】
この正孔注入層は発光層への正孔注入を助ける層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが、通常５．５ｅＶ以下と小さいものがよい。このような正孔注入層としては、より低い電界で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、たとえば１０４〜１０６Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０−６ｃｍ２／Ｖ・秒〜（すなわち、１０−６ｃｍ２／Ｖ・秒以上）であればなお好ましい。このような正孔注入材料については、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において、正孔の電荷輸送材として慣用されているものや、ＥＬ素子の正孔注入層に使用される公知のもの中から任意のものを選択して用いることができる。
【０１８３】
具体例としては、たとえばトリアゾール誘導体（米国特許３，１１２，１９７号明細書等参照）、オキサジアゾール誘導体（米国特許３，１８９，４４７号明細書等参照）、イミダゾール誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報等参照）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特許３，６１５，４０２号明細書、同第３，８２０，９８９号明細書、同第３，５４２，５４４号明細書、特公昭４５−５５５号公報、同５１−１０９８３号公報、同５５−１７１０５号公報、同５６−４１４８号公報、同５５−１０８６６７号公報、同５５−１５６９５３号公報、同５６−３６６５６号公報等参照）、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体（米国特許第３，１８０，７２９号明細書、同第４，２７８，７４６号明細書、特開昭５５−８８０６４号公報、同５５−８８０６５号公報、同４９−１０５５３７号公報、同５５−５１０８６号公報、同５６−８００５１号公報、同５６−８８１４１号公報、同５７−４５５４５号公報、同５４−１１２６３７号公報、同５５−７４５４６号公報等参照）等を挙げることができる。
【０１８４】
具体例としては、たとえばさらに、フェニレンジアミン誘導体（米国特許第３，６１５，４０４号明細書、特公昭５１−１０１０５号公報、同４６−３７１２号公報、同４７−２５３３６号公報、特開昭５４−５３４３５号公報、同５４−１１０５３６号公報、同５４−１１９９２５号公報等参照、）、アリールアミン誘導体（米国特許第３，５６７，４５０号明細書、同第３，１８０，７０３号明細書、同第３，２４０，５９７号明細書、同第３，６５８，５２０号明細書、同第４，２３２，１０３号明細書、同４，１７５，９６１号明細書、同第４，０１２，３７６号明細書、特公昭４９−３５７０２号公報、同３９−２７５７７号公報、特開昭５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同５６−２２４３７号公報、西独特許第１，１１０，５１８号明細書等参照）、アミノ置換カルコン誘導体（米国特許第３，５２６，５０１号明細書等参照）、オキサゾール誘導体（米国特許第３，２５７，２０３号明細書等に開示のもの）、フルオレノン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報等参照）、ヒドラゾン誘導体（米国特許第３，７１７，４６２号明細書、特開昭５４−５９１４３号公報、同５５−５２０６３号公報、同５５−５２０６４号公報、同５５−４６７６０号公報、同５５−８５４９５号公報、同５７−１１３５０号公報、同５７−１４８７４９号公報、特開平２−３１１５９１号公報等参照）、スチリルアントラセン誘導体（特開昭５６−４６２３４号公報等参照）、スチルベン誘導体（特開昭６１−２１０３６３号公報、同６１−２２８４５１号公報、同６１−１４６４２号公報、同６１−７２２５５号公報、同６２−４７６４６号公報、同６２−３６６７４号公報、同６２−１０６５２号公報、同６２−３０２５５号公報、同６０−９３４４５号公報、同６０−９４４６２号公報、同６０−１７４７４９号公報、同６０−１７５０５２号公報等参照）、シラザン誘導体（米国特許第４，９５０，９５０号明細書）、ポリシラン系（特開平２−２０４９９６号公報）、アニリン系共重合体（特開平２−２８２２６３号公報）、特開平１−２１１３９９号公報に開示されている導電性高分子オリゴマー（特にチオフェンオリゴマー）等を挙げることができる。
【０１８５】
正孔注入層の材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物（特開昭６３−２９５６９６５号公報等に開示のもの）、芳香族第三級アミン化合物及びスチルアミン化合物（米国特許第４，１２７，４１２号明細書、特開昭５３−２７０３３号公報、同５４−５８４４５号公報、同５４−１４９６３４号公報、同５４−６４２９９号公報、同５５−７９４５０号公報、同５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同６１−２９５５５８号公報、同６１−９８３５３号公報、同６３−２９５６９５号公報等参照）、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。
【０１８６】
上記ポルフィリン化合物の代表例としては、ポルフィン、１，１０，１５，２０−テトラフェニルー２１Ｈ、２３Ｈ−ポルフィン銅（ＩＩ）、１，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ、２３Ｈ−ポルフィン亜鉛（ＩＩ）、５，１０，１５，２０−テトラキス（ペンタフルオロフェニル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン、シリコンフタロシアニンオキシド、アルミニウムフタロシアニンクロリド、フタロシアニン（無金属）、ジリチウムフタロシアニン、銅テトラメチルフタロシアニン、銅フタロシアニン、クロムフタロシアニン、亜鉛フタロシアニン、鉛フタロシアニン、チタニウムフタロシアニンオキシド、Ｍｇフタロシアニン、銅オクタメチルフタロシアニン等を挙げることができる。
【０１８７】
また、前記芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノフェニル、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビスー（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（以下ＴＰＤと略記する）、２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ジ−ｐートリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−４，４’−ジアミノフェニル、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノェニル）−４−フェニルシクロヘキサン、ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン、ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノフェニルエーテル、４，４’−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−［４（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］スチルベン、４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン、３−メトキシ−４’−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン、Ｎ−フェニルカルバゾール、米国特許第５，０６１，５６９号に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有する、たとえば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（以下ＮＰＤと略記する）、また、特開平４−３０８６８８号公報で記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４’、４”−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（以下ＭＴＤＡＴＡと略記する）等を挙げることができる。
【０１８８】
また、発光層の材料として示した前述の芳香族ジメチリディン系化合物の他、ｐ型―Ｓｉ，ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入層の材料として使用することができる。正孔注入層は、上述した化合物を、たとえば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜化することにより形成することができる。正孔注入層としての膜厚は、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。この正孔注入層は、上述した材料の一種又は二種以上からなる一層で構成されてもよいし、又は、前記正孔注入層とは別種の化合物からなる正孔注入層を積層したものであってもよい。また、有機半導体層は、発光層への正孔注入又は電子注入を助ける層であって、１０−１０Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体層の材料としては、含チオフェンオリゴマーや含アリールアミンオリゴマーなどの導電性オリゴマー、含アリールアミンデンドリマーなどの導電性デンドリマーなどを用いることができる
（９）　電子注入層・付着改善層
一方、電子注入層は、発光層への電子注入を助ける層であって、電子移動が大きく、また付着改善層は、この電子注入層の中で、特に陰極との付着がよい材料からなる層である。電子注入層に用いられる材料としては、たとえば８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体、あるいはオキサジアゾール誘導体が好ましく挙げられる。また、付着改善層に用いられる材料としては、特に８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体が好適である。上記８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン（一般に８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキサノイド化合物が挙げられる。一方、オキサジアゾール誘導体としては、以下に示す一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）で示すものが挙げられよう。
【０１８９】
【化５】
2004139798.tif 000007
この各式中、Ａｒ１０〜Ａｒ１３はそれぞれ置換又は無置換のアリール基を示し、Ａｒ１０とＡｒ１１及びＡｒ１２とＡｒ１３はそれぞれにおいて互いに同一であっても異なっていてもよく、Ａｒ１４は、置換又は無置換のアリレーン基を示す。
【０１９０】
オキサジアゾール誘導体としては、これらの式で表される電子伝達化合物が挙げられる。ここで、アリール基としてはフェニル基、ビフェニル基、アントラニル基、ペリレニル基、ピレニル基などが挙げられ、アリレーン基としてはフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントラセニレン基、ペニレニレン基、ピレニレン基などが挙げられる。また、置換基としては炭素数１〜１０のアルキリ基、炭素数１〜１０のアルコキシ基又はシアノ基などが挙げられる。この電子伝達化合物は、薄膜形成性のものが好ましい。上記電子伝達化合物の具体例としては、以下の式で示される化合物が挙げられる。
【０１９１】
【化６】
2004139798.tif 000008
（１０）　陰極２０
陰極２０としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム―カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属などが挙げられる。この陰極２０は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜を形成することにより、作成することができる。また、陰極２０としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍの中から選ぶことができ、特に５０〜２００ｎｍの範囲が好ましい。
【０１９２】
尚、本実施の形態に用いられる有機ＥＬ素子においては、該陽極１６又は陰極２０のいずれか一方が透明又は半透明であることが好ましい。透明又は半透明であれば、発光を透過するため、発光の取り出し効率がよいからである。
【０１９３】
（１１）有機ＥＬ素子１２２を構成する層の積層方法
ａ．陽極１６（基板電極）
基板１２側に積層する電極を基板電極と呼ぶ。したがって、既に上述した陽極１６は基板電極である。基板電極の積層方法としては、特に制限はないが、たとえば、蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティング法、電子ビーム蒸着法、ＣＶＤ法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：化学気相堆積法）、ＭＯＣＶＤ法（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ　ＣＶＤ：有機金属化学堆積法）、プラズマＣＶＤ法などのドライ成膜法が好ましい。陽極１６もこのような積層方法で積層される。
【０１９４】
ｂ．有機物層１８
上記「（７）発光層」で説明した手法と同様の手法で積層する。
【０１９５】
ｃ．対向電極
前記基板電極と対向する電極を対向電極と呼ぶ。したがって、既に上述した陰極２０は対向電極である。対向電極も上記基板電極と同様の手法で積層する。
【０１９６】
【実施例】
以下、本実施の形態のＣＣＭ電極基板及びその上で有機ＥＬ素子を構築した場合の有機ＥＬ表示装置（ＣＣＭパネル）に関して、具体的な数値を挙げて実施例を説明する。
【０１９７】
［実施例１］
本実施例１では、ＣＣＭ基板１２４（ＣＣＭ電極基板とも呼ぶこともある）上の陽極１６の上に表面保護層１０２を設けることによって、そのＣＣＭ基板１２４を利用して有機ＥＬ表示装置１２２（ＣＣＭパネルとも呼ばれる）を作成した場合、その有機ＥＬ表示装置１２２がより高性能化することを検証する。
【０１９８】
▲１▼ＣＣＭ基板１２４（色変換基板）の作製その１（色変換膜形成まで）
１０２ｍｍ×１３３ｍｍ×１．１ｍｍの支持基板（ＯＡ２ガラス：日本電気硝子社製）上に、ブラックマトリックス（ＢＭ）の材料としてＶ２５９ＢＫ（新日鉄化学社製）をスピンコートし、格子状のパターンになるような紫外線露光し、２％炭酸ナトリウム水溶液で現像後、２００℃でベーク（Ｂａｋｅ：焼成）して、ブラックマトリックス（膜厚１．５μｍ）のパターンを形成した。
【０１９９】
次に、青色カラーフィルタの材料として、Ｖ２５９Ｂ（新日鉄化学社製）をスピンコートし、長方形（９０μｍライン、２４０μｍギャップ）のストライプパターンが３２０本得られるようなフォトマスクを介して、ＢＭに位置合わせして紫外線露光し、２％炭酸ナトリウム水溶液で現像後、２００℃でベーク（焼成）して、青色カラーフィルタ（膜厚１．５μｍ）のパターンを形成した。
【０２００】
次に、緑色カラーフィルタの材料として、Ｖ２５９Ｇ（新日鉄化学社製）をスピンコートし、長方形（９０μｍライン、２４０μｍギャップ）のストライプパターンが３２０本得られるようなフォトマスクを介して、ＢＭに位置合わせして紫外線露光し、２％炭酸ナトリウム水溶液で現像後、２００℃でベーク（焼成）して、青色カラーフィルタの隣に緑色カラーフィルタ（膜厚１．５μｍ）のパターンを形成した。
【０２０１】
次に、赤色カラーフィルタの材料として、Ｖ２５９Ｒ（新日鉄化学社製）をスピンコートし、長方形（９０μｍライン、２４０μｍギャップ）のストライプパターンが３２０本得られるようなフォトマスクを介して、ＢＭに位置合わせして紫外線露光し、青色カラーフィルタと緑色カラーフィルタの間に赤色カラーフィルタ（膜厚１．５μｍ）のパターンを形成した。
【０２０２】
次に、緑色ＣＣＭ層１４Ｇの材料として、０．０４ｍｏ１／ｋｇ（対固形分）となる量のクマリン６をアクリル系ネガ型フォトレジスト（Ｖ２５９ＰＡ、固形分濃度５０％：新日鉄化学社製）に溶解させたインキを調製した。
【０２０３】
このインキを、先の基板上にスピンコートし、緑色カラーフィルタ上を紫外線露光し、２％炭酸ナトリウム水溶液で現像後、２００℃でベーク（焼成）して、緑色カラーフィルタ上に緑色変換膜のパターン（膜厚１０μｍ）を形成した。
【０２０４】
次に、赤色ＣＣＭ層１４Ｒの材料として、クマリン６：０．５３ｇ、ベーシックバイオレット１１：１．５ｇ、ローダミン６Ｇ：１．５ｇ、アクリル系ネガ型フォトレジスト（Ｖ２５９ＰＡ、固形分濃度５０％：新日鉄化学社製）：１００ｇに溶解させたインキを調製した。
【０２０５】
このインキを、先の基板上にスピンコートし、赤色カラーフィルタ上を紫外線露光し、２％炭酸ナトリウム水溶液で現像後、１８０℃でベーク（焼成）して、赤色カラーフィルタ上に赤色変換膜のパターン（膜厚１０μｍ）を形成し、色変換基板を得た。
【０２０６】
▲２▼ＣＣＭ基板１２４（色変換基板）の作製その２（平坦化膜〜陽極１６〜隔壁形成まで）
次に、平坦化膜としてアクリル系熱硬化性樹脂（Ｖ２５９ＰＨ：新日鉄化学社製）を先の基板上にスピンコートし、１８０℃でベーク（焼成）して、平坦化膜（膜厚５μｍ）を形成した。
【０２０７】
次に、酸素遮断層として、透明無機膜としてＳｉＯｘＮｙ（Ｏ／Ｏ＋Ｎ＝５０％：Ａｔｏｍｉｃ　ｒａｔｉｏ）を低温ＣＶＤにより２００ｎｍの厚さで成膜した。酸素透過量は０．１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ未満であった。
【０２０８】
次に、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）をスパッタリングにより２００ｎｍ膜厚で成膜した。
【０２０９】
次に、この基板上にポジ型レジスト（ＨＰＲ２０４：富士フィルムアーチ製）９０μｍライン、２０μｍギャップのストライプ状のパターンになるようなフォトマスクを介して、ＣＣＭ層又はカラーフィルタパターンと重なるように位置合わせをして紫外線露光し、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）の現像液で現像し、１３０℃でベーク（焼成）して、レジストパターンを得た。
【０２１０】
次に、５％蓚酸水溶液からなるＩＺＯエッチャントにて、露出している部分のＩＺＯをエッチングした。次に、レジストをエタノールアミンを主成分とする剥離液（Ｎ３０３：長瀬産業製）で処理して、ＩＺＯパターン（下部電極：陽極１６、ライン数９６０本）を得た。
【０２１１】
次に、第一の層間絶縁膜として、ネガ型レジスト（Ｖ２５９ＰＡ：新日鉄化学社製）をスピンコートし、紫外線露光し、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）の現像液で現像した。次に、１８０℃でベーク（焼成）して、ＩＴＯのエッジを被覆し、ＩＺＯの開口部が７０μｍ×２９０μｍとなるようにした。
【０２１２】
次に、第二の層間絶縁膜（隔壁）として、ネガ型レジスト（ＺＰＮ１１００：日本ゼオン製）をスピンコートし、２０μｍライン、３１０μｍギャップのストライプパターンになるようなフォトマスクを介して、紫外線露光後、さらに露光後ベーク（焼成）を行った。次に、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）の現像液でネガレジストを現像し、ＩＺＯストライプに直交した有機膜の第二の層間絶縁膜（隔壁）を形成した。
【０２１３】
▲３▼ＣＣＭ基板１２４（色変換基板）の作製その３（陽極１６上に表面保護層１０２を成膜）
上記のようにして層間絶縁膜を設けた基板の上に誘導結合型ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタ法（以下ヘリカルスパッタ法と呼ぶ）にてＳｉＯ２を２０Å成膜した。詳細な手順は以下の通りである。
【０２１４】
上記基板を洗浄後、その洗浄後の基板をスパッタチャンバーへセットし、真空排気を行った。尚、実験に用いた装置では、ＳｉＯ２のターゲットから基板までの距離は３０ｃｍである。
【０２１５】
真空度が２．０×１０４Ｐａ以下となったことを確認後、放電ガスとしてＡｒをマスクフローコントローラーにて８０ｓｃｃｍ導入した。このときの真空度は０．３８Ｐａであった。
【０２１６】
ターゲット直上のメインシャッターが閉の状態で、周波数１３．５６ＭＨｚの誘導結合用コイルに５０Ｗ、ＳｉＯ２ターゲット（カソード）に同じく周波数１３．５６ＭＨｚ　５００Ｗの高周波を印加し、プラズマ放電を起こした。このとき各コイルの反射はいずれも５Ｗ以下であった。このメインシャッター閉の状態で５分上記放電を継続させ、ＳｉＯ２ターゲット表面をクリーニングした。
【０２１７】
この後メインシャッターを開け、あらかじめ計測しておいた成膜レートの値より推測して、６分２０秒間のプラズマ放電によって成膜し、その結果、膜厚２０ÅのＳｉＯ２をＩＺＯ上に形成した。
【０２１８】
▲４▼ＣＣＭ基板１２４（色変換基板）上への有機ＥＬ素子の形成及びパネル封止
このようにして得られた基板を純水及びイソプロピルアルコール中で超音波洗浄し、乾燥窒素ブローにて乾燥した。
【０２１９】
基板を有機蒸着装置（日本真空技術製）内部に移動させ、基板を基板ホルダーに固定した。
【０２２０】
尚、有機蒸着装置にはモリブデン製の加熱ポートが備えられている。そして、あらかじめ、それぞれのモリブテン製の加熱ポートには、各種材料が仕込まれている。
【０２２１】
具体的には、正孔注入材料として、４，４’、４”−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＤ）が仕込まれている。発光材料のホストとしては、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）が仕込まれている。ドーパントとしては、１，４−ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチリルベンゼン）］（ＤＰＡＶＢ）が仕込まれている。電子注入材料としては、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）とＬｉが仕込まれている。さらに陰極２０としてはＡｌが仕込まれている。
【０２２２】
その後、真空槽を５×１０−７ｔｏｒｒまで減圧したのち、以下の手順で正孔注入層から陰極２０まで積層した。尚、積層工程の途中では、一度も真空を破らずに、一回の真空引きで各層を順次積層した。
【０２２３】
まず、正孔注入層としては、ＭＴＤＡＴＡを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／秒で成膜し、膜厚６０ｎｍを得た。さらに、ＮＰＤを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／秒で成膜し、膜厚２０ｎｍを得た。また、発光層としては、ＤＰＶＢｉとＤＰＡＶＢをそれぞれ蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／秒、蒸着速度０．０３〜０．０５ｎｍ／秒で共蒸着して膜厚５０ｎｍを得た。電子注入層としては、Ａｌｑを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／秒で成膜し、膜厚２０ｎｍを得た。さらに、Ａ１ｑとＬｉをそれぞれ０．１〜０．３ｎｍ／秒、０．００５ｎｍ／秒で共蒸着して成膜し、膜厚２０ｎｍを得た。最後に、陰極２０としてＡ１を蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／秒で成膜し、膜厚１５０ｎｍの陰極２０を構成した。このようにして、有機ＥＬ素子を作製した。
【０２２４】
次に、この基板を乾燥窒素（露点―５０℃）を循環したグローブボックス内に移動し、１０２ｍｍ×１３３ｍｍ×１．１ｍｍの青色ガラスにて表示部を被覆し、表示部周辺部はカチオン硬化製の接着剤（ＴＢ３１０２：スリーボンド製）で光硬化させて貼り合わせ、パッシブ型有機ＥＬ表示装置を作製した。
【０２２５】
▲５▼色変換パネル封止の駆動評価
その下部電極（陽極１６：ＩＺＯ）と上部電極（陰極２０：Ａｌ）にＤｕｔｙ＝１／１２０にて、１５Ｖの電圧を印加（下部電極：（＋）、上部電極：（−））したところ、各電極の交差部分（画素）が発光した。
【０２２６】
発光輝度は、色彩色差計（ＣＳ１００、ミノルタ製）にて、青色カラーフィルタ部（青色画素）で１６ｃｄ／ｍ２でＣＩＥ色度座標はＸ＝０．１５、Ｙ＝０．１６の青色の発光、緑ＣＣＭ層／緑色カラーフィルタ部（緑色画素）で４５ｃｄ／ｍ２でＣＩＥ色度座標はＸ＝０．２７、Ｙ＝０．６７の緑色の発光、赤ＣＣＭ層／赤色カラーフィルタ部（赤色画素）で１５ｃｄ／ｍ２でＣＩＥ色度座標はＸ＝０．６４、Ｙ＝０．３５の赤色の発光が得られ、光の３原色が得られた。
【０２２７】
尚、その時の有機ＥＬ素子の発光輝度は２００ｃｄ／ｍ２（全画素発光に相当）でＣＩＥ色度座標はＸ＝０．１７、Ｙ＝０．２８の青色の発光であった。
【０２２８】
次にこの駆動条件で、室温２２℃で１０００時間駆動させたところ、青色画素が１０ｃｄ／ｍ２（初期値を１とすると、比率０．６７）、緑色画素が２７ｃｄ／ｍ２（初期値を１とすると、比率０．６０）、赤色画素が９ｃｄ／ｍ２（初期値を１とすると、比率０．６０）であり、有機ＥＬ素子の輝度は１２６ｃｄ／ｍ２（初期値を１とすると、比率０．６３）であった。
【０２２９】
また、有機ＥＬ素子を通常の乾燥窒素のような不活性気体にて封止した場合の有機ＥＬ素子の輝度劣化は、上記駆動条件と同様の駆動条件下で、初期値を１とすると、比率０．６５であった。
【０２３０】
［比較例１］
実施例１における▲３▼ＣＣＭ基板１２４の作製（陽極１６上に表面保護層１０２成膜）において表面保護層１０２としてのＳｉＯ２を成膜工程を実行せずに、すぐに▲４▼ＣＣＭ基板１２４上への有機ＥＬ素子層形成及びパネル封止の処理を全く同様に行い、有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬパネル）を作製した。実施例１と同様、▲５▼色変換パネル封止の駆動評価を行い、以下のような結果を得た。
【０２３１】
発光輝度は、色彩色差計（ＣＳ１００、ミノルタ製）にて、青色カラーフィルタ部（青色画素）で１１ｃｄ／ｍ２でＣＩＥ色度座標はＸ＝０．１５、Ｙ＝０．１６の青色の発光、緑ＣＣＭ層／緑色カラーフィルタ部（緑色画素）で３ｃｄ／ｍ２でＣＩＥ色度座標はＸ＝０．２７、Ｙ＝０．６７の緑色の発光、赤ＣＣＭ層／赤色カラーフィルタ部（赤色画素）で１２ｃｄ／ｍ２でＣＩＥ色度座標はＸ＝０．６４、Ｙ＝０．３６の赤色の発光が得られ、光の３原色が得られた。
【０２３２】
尚、その時のＥＬ素子の発光輝度は１５０ｃｄ／ｍ２（全画素発光に相当）でＣＩＥ色度座標はＸ＝０．１７、Ｙ＝０．２７の青色の発光であった。
【０２３３】
次にこの駆動条件で、室温２２℃で１０００時間駆動させたところ、青色画素が６ｃｄ／ｍ２（初期値を１とすると、比率０．５５）、緑色画素が１６ｃｄ／ｍ２（初期値を１とすると、比率０．４８）、赤色画素が６ｃｄ／ｍ２（初期値を１とすると、比率０．５０）であり、有機ＥＬ素子の輝度は８４ｃｄ／ｍ２（初期値を１とすると、比率０．５６）であった。
【０２３４】
また、有機ＥＬ素子を通常の乾燥窒素のような不活性気体にて封止した場合の有機ＥＬ素子の輝度劣化は、この駆動条件は、初期値を１とすると、比率０．５８であった。
【０２３５】
以上の結果よりＣＣＭ基板１２４の陽極１６であるＩＺＯ上に表面保護層１０２を成膜すると、成膜しなかった場合に比べて、各色とも同じ電圧に対する発光輝度が増加していることが理解できよう。すなわち、本実施例によれば、発光効率の向上が確認できたことになる。
【０２３６】
また、連続駆動した場合にも表面保護層１０２を成膜した方が、成膜しない場合に比べて発光輝度の劣化の進行速度が抑制されていることが理解できる。
【０２３７】
このように、陽極１６上に表面保護層１０２を成膜した場合に、発光性能が向上し、しかも連続駆動時のパネルの安定性（すなわち、寿命）が向上することが判明した。
【０２３８】
実施の形態２　ＴＦＴを構成に含む例
図１に示した例では、ＣＣＭ層１４の上に陽極１６が示されている。図１では、この陽極１６の駆動方式については特に示されていないが、たとえば、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）で駆動することも好ましい。このような構成が図４に示されている。この図４においては、図１で示した１画素中の１色の部位に関して、その断面模式図が示されている。すなわち、図１中の赤、青、緑のうち、いずれか１色分の部位を示している。
【０２３９】
この図に示すように、本実施の形態では、基板１２上にＣＣＭ層１４が設けられている。そして、ＣＣＭ層１４の上に、オーバーコート層２１０、パッシべーション膜２１２が設けられている。パッシベーション膜２１２上には、薄膜トランジスタ２２０のゲート２２６が設けられ、さらにその上を覆うように絶縁膜２３０が積層されている。
【０２４０】
絶縁膜２３０上には、陽極１６と、この陽極１６を駆動する薄膜トランジスタ２２０のドレイン２２４とソース２２２とが形成されている。そして、ドレイン２２４は、陽極１６と電気的に接続している。
【０２４１】
本実施の形態２において特徴的な事項は、陽極１６が薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で駆動されていることである。そして、この薄膜トランジスタ２２０のゲート２２６に印加する電位によって陽極１６への電力供給を制御する。尚、この薄膜トランジスタ２２０は、請求の範囲の「駆動素子」の一例に相当する。
【０２４２】
本発明の特徴の一つに、陽極１６の上に表面保護層１０２が設けられている点が挙げられるが、この陽極と同層に薄膜トランジスタ２２０が備えられていてもかまわないことを本実施の形態２は示すものである。
【０２４３】
換言すれば、本実施の形態２において、図２と本質的に相違する点は、薄膜トランジスタ２２０によって陽極１６が駆動される点のみである。すなわち、陽極及び薄膜トランジスタ２２０の上には、図１と同様に表面保護層１０２が設けられている。この表面保護層は、これまで説明してきた表面保護層１０２と同様のものである。
【０２４４】
また、図１と同様に、表面保護層１０２の上には有機物層１８、陰極２０が設けられ、全体として有機ＥＬ表示装置２００が構成されている。
【０２４５】
本実施の形態２では、陽極１６の駆動方式として薄膜トランジスタ２２０を利用することを示したが、もちろん他の種々の駆動素子・駆動方式を適宜採用することが可能である。
【０２４６】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明の電極基板によれば、表面不良層を減少させた電極を用いているので、電気的安定性が改善されている。したがって、この電極基板をたとえば、有機ＥＬ素子の陽極として用いれば、素子の寿命を延ばすことができるという効果を奏する。さらに、この有機ＥＬ素子の駆動電圧の上昇を抑えることができるという効果を奏する。さらに、この有機ＥＬ素子の耐熱性を向上させることができる。
【０２４７】
また、本発明によれば、電極基板上の電極を駆動する駆動素子が設けられているので、たとえばＴＦＴ方式等の表示装置の製造に適した電極基板を提供することができる。
【０２４８】
また、本発明の電極基板を有機ＥＬ素子の電極として用いて、有機ＥＬ表示装置を構成すれば、発光むらや輝度のばらつきが減少し、画質が向上した有機ＥＬ表示装置を得ることができる。さらに、その有機ＥＬ表示装置の画質品質の経時的信頼性を向上させることが可能である。
【０２４９】
また、本発明の電極基板製造方法によれば、上記のような効果を奏する電極基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好適な有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面模式図である。
【図２】Ｉｎ含有化合物をＸＰＳで検査した場合のスペクトルを表すグラフの模式図である。
【図３】実施の形態２に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面模式図である。
【図４】従来のＣＣＭ型有機ＥＬ表示装置の断面模式図である。
【符号の説明】
１０、１００、２００　有機ＥＬ表示装置
１２　基板
１４　ＣＣＭ層
１４Ｂ　青色ＣＣＭ層
１４Ｒ　赤色ＣＣＭ層
１４Ｇ　緑色ＣＣＭ層
１６　陽極
１８　有機物層
２０　陰極
２２、１２２　有機ＥＬ素子
２４、１２４　ＣＣＭ基板
１０２　表面保護層
２１０　オーバーコート層
２１２　パッシメーション膜
２２０　薄膜トランジスタ
２２２　ゲート
２２４　ドレイン
２２６　ゲート
【図１】
2004139798.tif 000009
【図２】
2004139798.tif 000010
【図３】
2004139798.tif 000011
【図４】
2004139798.tif 000012