Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月13日(2012.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガリウム元素をベースとし、かつ、テレフタラートタイプの有機リガンドにより相互に接続された金属中心の無機ネットワークを含む有機−無機混合マトリクスを有し、下記表に記載されたラインを少なくとも含むＸ線回折図を有する、結晶化ハイブリッド材料ＩＭ−１９。
【表１】
2011517661.tif 000001
（表中、ＦＦ＝極めて高い；Ｆ＝高い；ｍ＝中程度；ｍｆ＝中程度に低い；ｆ＝低い：ｆｆ＝極めて低い。強度Ｉ／Ｉ０は、相対強度スケールに対して与えられ、ここで、１００の値が、Ｘ線回折図の最も強いラインに割り当てられる：ｆｆ＜１５；１５≦ｆ＜３０；３０≦ｍｆ＜５０；５０≦ｍ＜６５；６５≦Ｆ＜８５；ＦＦ≧８５）
【請求項２】
格子パラメーターとして；ａ＝１９．１８７（３）Å；ｂ＝７．６２８（２）Å、ｃ＝６．６６９（１）Åおよび角度として；α＝γ＝９０°、β＝９５．８６（１）°を有する単斜晶系に分類されることを特徴とする、請求項１に記載の材料。
【請求項３】
ガリウム元素をベースとし、かつ、テレフタラートタイプの有機リガンドにより相互に接続された、金属中心のネットワークを含む有機−無機混合マトリクスを有し、下記表に記載されたラインを少なくとも含むＸ線回折図を有する、合成されたままの形態にある結晶化ハイブリッド材料。
【表２】
2011517661.tif 000002
（表中、ＦＦ＝極めて高い；Ｆ＝高い；ｍ＝中程度；ｍｆ＝中程度に低い；ｆ＝低い：ｆｆ＝極めて低い。強度Ｉ／Ｉ０は、相対強度スケールに対して与えられ、ここで、１００の値が、そのＸ線回折図の最も強いラインに割り当てられる：ｆｆ＜１５；１５≦ｆ＜３０；３０≦ｍｆ＜５０；５０≦ｍ＜６５；６５≦Ｆ＜８５；ＦＦ≧８５。）
【請求項４】
格子パラメーターとして：ａ＝１７．４２２（２）Å；ｂ＝l２．１４６（２）Å、ｃ＝６．７３７（１）Åおよび角度として：α＝γ＝β＝９０°を有する斜方晶系に分類されることを特徴とする、請求項３に記載の合成されたままの形態にある結晶化ハイブリッド材料。
【請求項５】
請求項１または２に記載の有機−無機混合マトリクスを有する結晶化ハイブリッド材料を調製する方法であって、
i）少なくとも１種のガリウム前駆体を水に溶解させる段階、
ii）テレフタル酸（Ｈ２ｂｄｃ）を添加する段階、
iii）場合により、フッ化水素酸を添加する段階、
iv）結晶化段階、
v）ろ過、洗浄、および乾燥を行って、請求項３に規定された合成されたままの形態にある結晶化中間体固体を得る段階、
vi）前記合成されたままの固体を活性化させる工程であって、連続的に、ソルボサーマル経路を通じて、１２０〜２２０℃の範囲の温度で、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）およびジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）の中から選択される極性溶媒の存在下に実施される第１段階ａ）、アルコール性溶媒の存在下に交換の第２の段階ｂ）および１５０〜２８０℃の範囲の温度に段階ｂ）の終わりに得られた固体を加熱することからなる第３の段階ｃ）を含む、工程、
vii）前記活性化固体を冷却して、前記材料ＩＭ−１９を得る段階、ならびに
viii）場合による、得られた材料ＩＭ−１９を３００〜４００℃の範囲の温度に加熱して、脱水され、多孔質で溶媒フリーな材料を得る工程、
を少なくとも含む、方法。
【請求項６】
ガリウム前駆体は、ガリウム（III）塩の中から選択される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ガリウム前駆体は、硝酸ガリウムである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
段階i）〜iii）において得られた前記混合物のモル組成は、１モルのガリウム前駆体：０．５〜３モルのテレフタル酸：０〜１モルのフッ化水素酸：１００モルの水の範囲である、請求項５〜７のいずれか１つに記載の方法。
【請求項９】
段階iii）の最後に得られた混合物を、中間体固体の結晶化が得られるまで水熱処理にかけ、前記結晶化段階を、周囲温度〜２６０℃の温度で１２〜７２時間にわたって、自己生成性反応圧力条件下に実施する、請求項５〜８のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１０】
段階v）による乾燥を、２０〜２００℃で、１〜２４時間の範囲の期間にわたって実施する、請求項５〜９のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１１】
活性化処理の第１段階ａ）の際に含まれる、極性溶媒対合成されたままの結晶固体の質量比が２０〜２００の範囲である、請求項５〜１０のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１２】
段階ａ）に続けて、周囲温度〜５０℃の範囲の温度に冷却する段階、次いで、段階ａ）から得られる懸濁液をろ過および乾燥させる段階を行い、乾燥を２０〜５０℃の範囲の温度で実施する、請求項５〜１１のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１３】
前記活性化処理の工程ｂ）に含まれる、アルコール性溶媒対固体の質量比が、２００〜１０００の間の範囲である、請求項５〜１２のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１４】
前記活性化処理の段階ｂ）の終わりに、懸濁液が得られ、次いでそれをろ過し、周囲温度〜７０℃の範囲の温度で乾燥させる、請求項５〜１３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１５】
請求項１または２に記載のハイブリッド材料または請求項５〜１４のいずれか１つに記載の方法により得られたハイブリッド材料の、吸着剤または触媒としての使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
前記段階ａ）に続いて、好ましくは、周囲温度〜５０℃の温度への冷却、次いで、前記段階ａ）から得られた懸濁液のろ過および乾燥が行われる。乾燥は、好ましくは、２０〜５０℃の範囲の温度で実施される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年4月17日(2012.4.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下式（ＩＩ）
【化１】
2002530415.tif 000001
で表わされ、かつ式中の 
Ｍが、Ｚｒを意味し、 
Ｒ3が、それぞれＣ7−Ｃ30アルキルアリールを意味し、
Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7が、相互に同じでも異なっていてもよく、それぞれ水素原子またはＣ1−Ｃ20基を意味し、
Ｒ8、Ｒ9が、相互に同じでも異なっていてもよく、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、またはＣ1−Ｃ20基を意味し、またＲ8もしくはＲ9が、それ自体置換されていてもよい単環または多環基を形成してもよく、
Ｘが、ハロゲン原子を、
Ｙが、酸素を意味し、
Ｂが、Ｍ3Ｒ13Ｒ14として定義された、２個のシクロペンタジエニル環の間におけるブリッジ構成単位を意味し、ここで、Ｍ3は炭素又は珪素を意味し、及びＲ13及びＲ14は、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ、Ｃ1−Ｃ10アルキル、Ｃ6−Ｃ14アリールまたはトリメチルシリルを意味し、
ｌ、ｌ´が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ０〜４の整数である、
ことを特徴とする化合物。
【請求項２】
Ｘが塩素であることを特徴とする請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
インデニル環が２−メチル−インデニル又は２−メチル−４，５−ベンゾインデニルであることを特徴とする請求項１又は２の何れかに記載の化合物。
【請求項４】
Ｂが、（ＣＨ3）2Ｓｉであることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の化合物。
【請求項５】
Ｒ3が、２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−フェニル、２−イソプロピル−５−メチルフェニル、２，４−ジ−メチルフェニル、及び２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチルフェニルから選ばれることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の化合物。
【請求項６】
ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムモノクロリドモノ（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシド）、
ジメチルシランジイルビス（２−メチルインデニル）ジルコニウムモノクロリドモノ（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシド）、
ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムモノクロリドモノ（２−イソプロピル−５−メチルフェノキシド）、
ジメチルシランジイルビス（２−メチルインデニル）ジルコニウムモノクロリドモノ（２−イソプロピル−５−メチルフェノキシド）、
ジエチルシランジイルビス（２−メチルインデニル）ジルコニウムモノクロリドモノ（２，４−ジ−メチルフェノキシド）、及び
ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムモノクロリドモノ（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチルフェノキシド）
から選ばれることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の化合物。
【請求項７】
式（Ｉ）の前記化合物（但し、ＸがＣｌであり及びＯＲ3がＣｌである）の溶解度が、トルエン中のモル濃度として、室温で測定して、対応するメタロセンジクロリドの溶解度と比較して、少なくとも２倍であることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の化合物。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか１項に記載の化合物、担体及び共触媒を含むことを特徴とする、オレフィン性モノマーを重合することによってポリオレフィンを製造するために使用される触媒。
【請求項９】
オレフィン性モノマーを、請求項８に記載の触媒の存在下に重合することを含む、ポリオレフィンを製造する方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の触媒を、オレフィンの重合に使用する方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１３７】
実施例６ 
ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）−ジルコニウムモノクロリドモノ（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチルフェノキシド）（６）の製造 
１０ｍｌのトルエンと１ｍｌのＴＨＦの混合溶媒中における０．８５ｇ（３．５ミリモル）の２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチルフェノールを、室温において、トルエン中、２０％濃度のブチルリチウム溶液１．３ｍｌ（３．５ミリモル）と混合した。この混合物を、６０℃においてさらに１時間撹拌し、これに、室温において、１．０（１．７４ミリモル）のジメチルシランジイルビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロリドを固体として添加した。この懸濁液を１００℃において４時間撹拌し、４０ｍｌのトルエンで希釈し、次いで高温のままセライトを介して濾過した。このフィルターケーキを、それぞれ２５ｍｌのトルエンで２回抽出した（１００℃）。溶媒を濃縮して容量を１０ｍｌとし、沈殿黄色固体を濾別し、少量の冷めたトルエンで洗浄し、そして真空下に乾燥させた。これにより表記のジメチルシランジイルビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）−ジルコニウムモノクロリドモノ（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−フェニルフェノキシド）（６）０．８５ｇ（６３％）が得られた。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年7月13日(2012.7.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
これに対する代替または追加として、モジュール３１において検出電流ＩDの監視による衝突認識も行なうことができる。接触検出後に検出電流ＩDが定められた時間Ｔ2の間、検出電流限界値IDGを中断なく上回った際に、同様に衝突と認識される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年2月1日(2012.2.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線移動通信システムにおいて複数のコードタイプをサポートする方法であって、
前記方法は、
基地局（ＢＳ）からダウンリンクチャネル記述子（ＤＣＤ）を受信することであって、前記ＤＣＤは、少なくとも一つのダウンリンクバーストプロファイルを含み、前記少なくとも一つのダウンリンクバーストプロファイルは、タイプフィールドとダウンリンク区間使用コード（ＤＩＵＣ）フィールドとを含み、前記タイプフィールドが１５３に設定された場合に、前記少なくとも一つのダウンリンクバーストプロファイルは、コードタイプフィールドを含み、前記タイプフィールドが１に設定された場合に、前記少なくとも一つのダウンリンクバーストプロファイルは、前記コードタイプフィールドを含まない、ことと、
前記コードタイプフィールドが前記少なくとも一つのダウンリンクバーストプロファイルに含まれる場合に、前記コードタイプフィールドを認識することであって、前記コードタイプフィールドは、前記少なくとも一つのダウンリンクバーストプロファイルに関連付けられたダウンリンクバーストを符号化するために、前記ＢＳによって用いられるコーディング方式を示す、ことと、
前記ダウンリンクバーストに対して用いられる前記少なくとも一つのダウンリンクバーストプロファイルを分類するために用いられる前記ＤＩＵＣフィールドを認識することと
を含む、方法。
【請求項２】
前記コーディング方式は、ブロックターボコーディング（ＢＴＣ）、畳み込みターボコード（ＣＴＣ）、ゼロテール畳み込みコード（ＺＴＣＣ）または低密度パリティコード（ＬＤＰＣ）のうちの少なくとも一つである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
基本的な畳み込みコードに対する前記ＤＩＵＣフィールドは、前記タイプフィールドが１に設定されている前記少なくとも一つのダウンリンクバーストプロファイルに関連している、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも一つのダウンリンクバーストプロファイルの前記タイプフィールドが値１５３に設定された場合、前記少なくとも一つのダウンリンクバーストプロファイルの前記コードタイプフィールドは、複数のコード分類からのコードタイプをサポートする、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも一つのダウンリンクバーストプロファイルの前記タイプフィールドの値が１５３に設定された場合、前記少なくとも一つのダウンリンクバーストプロファイルは、移動局のみに対する前記ＤＣＤにおいて用いられる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも一つのダウンリンクバーストプロファイルの前記タイプフィールドの値が１５３に設定された場合、移動局によって保持されたコーディング方式のみが、前記移動局によって選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記少なくとも一つのダウンリンクバーストプロファイルは、タイプ／長さ／値（ＴＬＶ）符号化情報フィールドをさらに含み、
前記ＴＬＶ符号化情報フィールドは、順方向誤り訂正コードタイプ、ＤＩＵＣ基本進出臨界値、およびＤＩＵＣ最小進入臨界値を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
複数のコードタイプをサポートする無線移動通信システムのための移動局であって、
前記移動局は、
基地局（ＢＳ）からダウンリンクチャネル記述子（ＤＣＤ）を受信する受信器であって、前記ＤＣＤは、少なくとも一つのダウンリンクバーストプロファイルを含み、前記少なくとも一つのダウンリンクバーストプロファイルは、タイプフィールドとダウンリンク区間使用コード（ＤＩＵＣ）フィールドとを含み、前記タイプフィールドが１５３に設定された場合に、前記少なくとも一つのダウンリンクバーストプロファイルは、コードタイプフィールドを含み、前記タイプフィールドが１に設定された場合に、前記少なくとも一つのダウンリンクバーストプロファイルは、前記コードタイプフィールドを含まない、受信器と、
前記コードタイプフィールドが前記少なくとも一つのダウンリンクバーストプロファイルに含まれる場合に、前記コードタイプフィールドを認識し、前記少なくとも一つのダウンリンクバーストプロファイルに関連付けられたダウンリンクバーストに対して用いられる前記少なくとも一つのダウンリンクバーストプロファイルを分類するために用いられる前記ＤＩＵＣフィールドを認識するプロセッサであって、前記コードタイプフィールドは、前記ダウンリンクバーストを符号化するために、前記ＢＳによって用いられるコーディング方式を示す、プロセッサと
を備える、移動局。
【請求項９】
基本的な畳み込みコードに対する前記ＤＩＵＣフィールドは、前記タイプフィールドが１に設定されている前記少なくとも一つのダウンリンクバーストプロファイルに関連している、請求項８に記載の移動局。
【請求項１０】
前記コーディング方式は、ブロックターボコーディング（ＢＴＣ）、畳み込みターボコード（ＣＴＣ）、ゼロテール畳み込みコード（ＺＴＣＣ）または低密度パリティコード（ＬＤＰＣ）のうちの少なくとも一つである、請求項８に記載の移動局。
【請求項１１】
前記少なくとも一つのダウンリンクバーストプロファイルの前記タイプフィールドが値１５３に設定された場合、前記少なくとも一つのダウンリンクバーストプロファイルの前記コードタイプフィールドは、複数のコード分類からのコードタイプをサポートする、請求項８に記載の移動局。
【請求項１２】
前記少なくとも一つのダウンリンクバーストプロファイルの前記タイプフィールドの値が１５３に設定された場合、前記少なくとも一つのダウンリンクバーストプロファイルは、前記移動局のみに対する前記ＤＣＤにおいて用いられる、請求項８に記載の移動局。
【請求項１３】
前記少なくとも一つのダウンリンクバーストプロファイルの前記タイプフィールドの値が１５３に設定された場合、前記移動局によって保持されたコーディング方式のみが、前記移動局によって選択される、請求項８に記載の移動局。
【請求項１４】
前記少なくとも一つのダウンリンクバーストプロファイルは、タイプ／長さ／値（ＴＬＶ）符号化情報フィールドをさらに含み、
前記ＴＬＶ符号化情報フィールドは、順方向誤り訂正コードタイプ、ＤＩＵＣ基本進出臨界値、およびＤＩＵＣ最小進入臨界値を含む、請求項８に記載の移動局。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
表１４に、ダウンリンクバーストプロファイルのさらに他の例を示す。ここで、表１４は、Ｔｙｐｅ＝１５３のＤｏｗｎｌｉｎｋ＿Ｂｕｒｓｔ＿Ｐｒｏｆｉｌｅのフォーマットを規定し、このフォーマットは、ＭＳに対するＤＣＤメッセージにおいてのみ使用される。ＤＩＵＣフィールドは、Ｄｏｗｎｌｉｎｋ＿Ｂｕｒｓｔ＿Ｐｒｏｆｉｌｅおよび臨界値と関連付けられる。ＤＩＵＣ値は、特定のダウンリンクバーストに対して使用されるようにバーストプロファイルを特定するために、ＤＬ−ＭＡＰメッセージにおいて使用される。
（表１４）
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年4月10日(2012.4.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項７】
前記弾性要素（１４）が、アルクロムの帯であることを特徴とする請求項６に記載の相互接続部。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
装置の別の有利な実施形態では、内部ガラス半田封止部は、弾性要素を介して、隣接する相互接続部に接続されている。これによって、燃料電池の縁部領域に生じる曲げ応力を低減でき、したがって、燃料電池の破損の危険を防止する。この弾性要素は、例えば、円形状に、Ｃ字状に又はＳ字状に形成されているアルクロムの帯であることができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年7月9日(2012.7.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水系組成物のレオロジーを調整するための、
ａ）
ａｉｉｉ）Ｎ，Ｎ−ジアリルアミン
ａｉｖ）ビニルおよびアリル置換窒素複素環
ａｖ）ビニルおよびアリル置換ヘテロ芳香族化合物ならびに
ａｖｉ）それらの混合物
から選択される、９７．９５〜４０重量％の、１分子当たり少なくとも１個のカチオン発生性および／またはカチオン性基を有する少なくとも１種のα，β−エチレン性不飽和化合物、
ｂ）１〜６０重量％の、ａ）とは異なる少なくとも１種のアミド基を含有するモノエチレン性不飽和化合物、
ｃ）０．０５〜２重量％の架橋剤、
ｄ）１〜１５重量％の、置換されていても良いＣ５〜Ｃ３０−アルキル、Ｃ５〜Ｃ３０−アルケニル、Ｃ５〜Ｃ８−シクロアルキル、アリール、アリールアルキルおよびヘテロアリールを含む群から選択される少なくとも１種の基を有する少なくとも１種のモノエチレン性不飽和化合物ｄ１）、および／または反応性前駆体ｄ２）、
ｅ）０〜２０重量％の、ａ）〜ｄ）とは異なる他のモノエチレン性不飽和化合物
を含む混合物の、
ｆ）成分ａ）〜ｅ）の合計に基づいて０〜５０重量％のポリエーテル含有化合物の存在下での重合によって得ることができる水溶性もしくは水分散性ポリマーの使用（ただし、成分ａ）〜ｅ）の量は合計で１００重量％である）であって、
前記重合が、重合時に存在する全ての成分の総量に基づいて６９重量％未満のシクロヘキサンおよび１２重量％未満の水の存在下で、且つ超臨界二酸化炭素の非存在下で行われる上記使用。
【請求項２】
ａ）が、Ｒ１〜Ｒ３が水素、Ｃ１〜Ｃ４−アルキルまたはフェニルである一般式（ＩＩＩ）
【化１】
2008535954.tif 000001
のビニルイミダゾール類から選択される請求項１に記載の使用。
【請求項３】
Ｒ１〜Ｒ３が水素である請求項２に記載の使用。
【請求項４】
少なくとも一種の他の成分ｂ）が、下記一般式ＩＶ
【化２】
2008535954.tif 000002
［式中、
Ｒ１は、式ＣＨ２＝ＣＲ４−の基であり；Ｒ４＝ＨまたはＣ１〜Ｃ４−アルキルであり、Ｒ２およびＲ３は互いに独立に、Ｈ、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールまたはヘテロアリールであるか、Ｒ２とＲ３がそれらが結合している窒素原子と一体となって、５員〜８員の窒素複素環であり、あるいは
Ｒ２は式ＣＨ２＝ＣＲ４−の基であり、Ｒ１およびＲ３が互いに独立にＨ、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールまたはヘテロアリールであるか、Ｒ１およびＲ３がそれらが結合しているアミド基とともに５〜８個の環原子を有するラクタムである］
のアミド基を含有するα，β−エチレン性不飽和化合物から選択される請求項１〜３のいずれか１項に記載の使用。
【請求項５】
式ＩＶにおいて、Ｒ２がＣＨ２＝ＣＨ−であり、Ｒ１およびＲ３がそれらが結合しているアミド基とともに５個の環原子を有するラクタムである請求項４に記載の使用。
【請求項６】
使用されるポリエーテル含有成分ｆ）が、下記一般式ＶａまたはＶｂ
【化３】
2008535954.tif 000003
［式中、
Ｒ７は、ヒドロキシ、アミノ、Ｃ１〜Ｃ２４−アルコキシ、Ｒ１３−ＣＯＯ−、Ｒ１３−ＮＨ−ＣＯＯ−または多価アルコール基であり、
Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は互いに独立に、−（ＣＨ２）２−、−（ＣＨ２）３−、−（ＣＨ２）４−、−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ２−ＣＨ３）−、または−ＣＨ２−ＣＨＯＲ１４−ＣＨ２−であり、
Ｒ１１は、水素、アミノ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ２４−アルキル、Ｒ１３−Ｃ（＝Ｏ）−またはＲ１３−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−であり、
Ｒ１２は、炭素鎖が１〜１０個の隣接しない酸素原子によって中断されていても良いＣ１〜Ｃ２０−アルキレン基であり、
Ｒ１３は、Ｃ１〜Ｃ２４−アルキルであり、
Ｒ１４は、水素、Ｃ１〜Ｃ２４−アルキルまたはＲ１３−ＣＯ−であり、
Ａは、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｂ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−または−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−Ｂ−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−であり、
Ｂは、−（ＣＨ２）ｔ−、場合により置換されたシクロアルキレン、場合により置換されたヘテロシクロアルキレンまたは場合により置換されたアリーレンであり、
ｎは１であるか、Ｒ７が多価アルコール基の場合は１〜８であり、
ｓは、０〜５００であり、
ｔは、１〜１２であり、
ｕは、他のものとは独立に各々、１〜５０００であり、
ｖは、他のものとは独立に各々、０〜５０００であり、
ｗは、他のものとは独立に各々、０〜５０００である］
で表される化合物である請求項１〜５のいずれか１項に記載の使用。
【請求項７】
使用されるポリエーテル含有成分ｆ）が、一方または両方の末端が末端基によりキャッピングされ得る１０００〜１０００００ｇ／ｍｏｌの範囲の重量平均分子量Ｍｗを有するエチレンオキサイドおよび／またはプロピレンオキサイドのホモポリマーおよびコポリマーである請求項６に記載の使用。
【請求項８】
ポリエーテル含有成分ｆ）が、重合において、成分ａ）〜ｅ）の総量に基づいて５〜７０重量％の範囲の量で存在する請求項１〜７のいずれか１項に記載の使用。
【請求項９】
架橋剤ｃ）が、ペンタエリスリチルトリアリルエーテル、メチレンビスアクリルアミド、Ｎ，Ｎ’−ジビニルエチレン尿素、トリアリルアミンおよびトリアリルモノアルキルアンモニウム塩類；エチレングリコール、ブタンジオール、トリメチロールプロパンもしくはグリセリンのアクリル酸エステル；またはエチレンオキサイドおよび／またはエピクロルヒドリンと反応させたグリコール、ブタンジオール、トリメチロールプロパンもしくはグリセリンのアクリル酸エステルを含む群から選択される請求項１〜８のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１０】
化合物ｄ）が、（メタ）アクリル酸Ｃ１８〜Ｃ３０−アルキル類およびＣ１８〜Ｃ３０−アルキルビニルエーテル類を含む群から選択される請求項１〜９のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１１】
重合用に用いられる成分ａ）が、部分的にのみプロトン化された、もしくは４級化された、またはプロトン化も４級化もされていないモノマーである場合、重合の後または重合中に、ポリマーが部分的もしくは完全にプロトン化されているか、２０〜９９ｍｏｌ％の範囲まで４級化されている請求項１〜１０のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載のポリマー。
【請求項１３】
請求項１２に記載の少なくとも一種のポリマーを含む化粧用もしくは医薬用製品。
【請求項１４】
請求項１２に記載の少なくとも一種のポリマーを０．０１〜５重量％の範囲の量で含む請求項１３に記載の製品。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０４８３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０４８３】
これらの例を、実施例１〜５４および２（Ｑ）〜５４（Ｑ）のポリマーで繰り返す。各場合で、非常に良好な特性を有する毛髪コンディショニングゲルが得られる。
水および０．５重量％の個々のポリマーの混合物を調製し、下記の表に挙げた特性を測定した。
【表１０−２】
2008535954.tif 000004
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年9月10日(2012.9.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
用量に関連したヘマトクリット値の増加は、ベースラインと16回目の来院の間で観察された。ヘマトクリット値の変化はそれぞれ、800μg/kg週2回および毎週の群、ならびに400、200、100、50、および25μg/kg用量レベルのコホートにおいてそれぞれ、+3.8%、+2.7%、-0.2%、+1.6%、+0.6%、および+0.1%であった。同様の知見はヘモグロビンについても見られた。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年12月1日(2011.12.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶融スラグは水ジェットによってスラグサンドに転換され、前記スラグサンドは、続いて排液設備（４）に排出され、粗いスラグサンドは、第１の沈殿槽（４ｃ）の中に傾斜して配置された少なくとも１つの搬送ウオーム（４ａ）によって取り除かれ、溢れ出した水は、前記第１の沈殿槽（４ｃ）から第２の沈殿槽（５）の中に導出され、該第２の沈殿槽において、微細なスラグサンドが沈殿の結果として堆積し、溢れ出した水は再度スラグの水砕に供給される、スラグの水砕のための方法であって、
前記堆積した微細なスラグサンドは、直接前記第１の沈殿槽（４ｃ）の前記搬送ウオーム（４ａ）の排出領域に供給され、前記排出領域は、前記第１の沈殿槽（４ｃ）の水面上に延在していることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記堆積した微細なスラグサンドは、前記搬送ウオーム（４ａ）の前記排出領域の始点に供給されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記沈殿したスラグサンドは、１つ以上のスラッジ除去ポンプによって排出されることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の沈殿槽（５）は、微細なスラグサンドが沈殿する少なくとも１つの凹部を有していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記沈殿したスラグサンドは、搬送装置（５ａ）によって、前記スラッジ除去ポンプ（５ｂ）の前記吸入接続部品に搬送され、前記吸入接続部品は、前記溢れ出した水の入り口の下に配置されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の方法。
【請求項６】
前記搬送装置（５ａ）は、１つ以上の搬送ウオーム又はチェーンコンベヤであることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記溢れ出した水は、水平に方向付けられた流れとともに、前記第２の沈殿槽（５）の水面下で、広い窓部を介して導入されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
沈殿はラメラシックナーによって前記第２の沈殿槽（５）の中で行われることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
別の設備からのスラッジ除去水が、第１の沈殿槽（４ｃ）及び／又は第２の沈殿槽（５）に加えられることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
溶融スラグをスラグサンドに変換するための装置を有するスラグの水砕設備であって、前記スラグの水砕設備に続いて排液設備（４）が設けられ、この排液設備は、第１の沈殿槽（４ｃ）の中に傾斜して配置された少なくとも１つの搬送ウオーム（４ａ）を有し、前記排液設備によって、粗いスラグサンドは取り出され、
前記第１の沈殿槽（４ｃ）に続いて第２の沈殿槽（５）が設けられ、この第２の沈殿槽（５）の中に、前記第１の沈殿槽（４ｃ）からの溢れ出る水が導かれる設備において、
前記第２の沈殿槽（５）には装置が設けられ、この装置によって、沈殿の結果としての微細なスラグサンドを、第１の沈殿槽（４ｃ）の前記搬送ウオーム（４ａ）の排出領域に直接供給することができ、前記排出領域は、前記第１の沈殿槽（４ｃ）の水面上に延在していることを特徴とする設備。
【請求項１１】
前記堆積した微細なスラグサンドは、前記搬送ウオーム（４ａ）の前記排出領域の始点に供給することができることを特徴とする請求項１０に記載の設備。
【請求項１２】
１つ以上のスラッジ除去ポンプ（５ｂ）の吸入接続部品は、前記第２の沈殿槽（５）の中に設けられ、よって沈殿したスラグサンドは、ライン（５ｃ）を介して前記搬送ウオーム（４ａ）に要求されることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の設備。
【請求項１３】
前記第２の沈殿槽（５）は少なくとも１つの凹部を有し、この凹部の中に、１つ以上のスラッジ除去ポンプの吸入接続部品が設けられていることを特徴とする請求項１２に記載の設備。
【請求項１４】
特に前記凹部には、１つ以上の搬送ウオーム又はチェーンコンベヤのような搬送装置（５ａ）が設けられ、この搬送装置によって、沈殿したスラグサンドを前記スラッジ除去ポンプ（５ｂ）の前記吸入接続部品に搬送することができ、前記吸入接続部品は、好ましくは溢れ出る水の入口の下に配置されていることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の設備。
【請求項１５】
前記第２の沈殿槽（５）は、前記第１の沈殿槽に接続された広い窓部を有し、溢れ出る水を水平に方向付けられた流れとともに前記窓部を通じて前記水面下で導入することができることを特徴とする請求項１０〜１４のいずれか一項に記載の設備。
【請求項１６】
薄板状の分離装置が、前記第２の沈殿槽（５）内に配置されていることを特徴とする請求項１０〜１５のいずれか一項に記載の設備。
【請求項１７】
ラインが設けられ、このラインによって、別の設備からのスラッジ除去水を前記第１の沈殿槽（４ｃ）及び／又は前記第２の沈殿槽（５）に加えることができることを特徴とする請求項１０〜１６のいずれか一項に記載の設備。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
また、場所に対する要求の面に関して、より小さいラメラシックナー（Lamelleneindicker）も、沈殿槽５の代わりに使用することができる。しかしながら、ラメラシックナー無しの場合には、第２の沈殿槽はより大きくなければならない。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年9月7日(2012.9.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
液体物質含量は液体物質を有する触媒粒子が空気中で３００℃に１時間加熱して受ける質量損失の測定により十分に近似して求めることができる。製造した触媒（すなわち焼成により相形成が完全に終了した触媒）が充填する前に液体物質と接触する場合は、含有される液体物質の量は触媒の試料の質量差の簡単な測定により決定できる。触媒粒子の製造の範囲で液体物質との接触を行う場合は、含有される液体物質の量を製造方法の全材料バランスから求めるべきである、
１つの特別な構成において、反応器の充填に用意された触媒粒子は会合した形で液体物質を含有する。本発明の範囲で会合した液体物質は触媒を吸着のような物理的相互作用により有する液状物質である。その際一般にそのまま目に現われる触媒表面上の液相でなく、すなわち触媒粒子の最大飽和度を上回らない。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも触媒粒子の表面に触媒活性多成分酸化物材料を有する触媒粒子で反応器を充填する方法であり、２０℃および１気圧で液体の物質を会合された形で有する触媒粒子を用意し、この触媒粒子を反応器に充填する、触媒粒子で反応器を充填する方法であって、
前記液体物質は、物理的相互作用である吸着により、前記触媒粒子に対して会合しており、
用意された触媒粒子がその全質量に対して０．０５〜１０質量％の液体物質含量を有し、
前記液体物質が１気圧で１００℃より高い沸点を有する多価アルコール、及び当該多価アルコールと水との混合物から選択される、前記方法。
【請求項２】
前記触媒粒子が、触媒活性多成分酸化物材料を有する成形体および被膜の形で支持体に被覆される触媒活性多成分酸化物材料を有する粒子から選択される請求項１記載の方法。
【請求項３】
反応器が少なくとも１つの反応器管を有する請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
反応器管が５００〜２００００ｍｍの長さを有する請求項３記載の方法。
【請求項５】
反応器管が５〜１００ｍｍの内径を有する請求項３または４記載の方法。
【請求項６】
反応器管の長さと直径の比が２〜１００００の範囲である請求項３から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
反応器が管束反応器（多接触管反応器）として形成される請求項３から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
管束反応器が少なくとも５０００個の反応器管を有する請求項７記載の方法。
【請求項９】
用意された触媒粒子がその全質量に対して０．１〜５質量％の液体物質含量を有する請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
用意された触媒粒子が落下試験（触媒２０ｇ部分、落下管内径２５ｍｍ、長さ３５００ｍｍ）において最高０．８質量％の質量の減少を有する請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
用意された前記触媒粒子が同じ粒子を使用する３回の落下試験の繰返しの際に最高３質量％の質量の減少を有する請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
用意された前記触媒粒子が平均外径２〜３０ｍｍを有する請求項１から１１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
支持体を、２０℃および１気圧で液体の物質からなる結合剤および触媒活性多成分酸化物材料と接触させ、引き続き、粒子の全質量に対して０．０５〜１０質量％の液体物質含量を調整するために必要であれば結合剤を部分的に除去することにより触媒粒子を用意する請求項１から１２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
支持体をまず液体物質を含有する結合剤で湿らせ、その後乾燥した、微粒の、触媒活性多成分酸化物材料と接触することにより、湿らせた支持体の表面に触媒活性多成分酸化物材料の層を付着し、引き続き、粒子の全質量に対して０．０５〜１０質量％の液体物質含量を調整するために必要であれば液体結合剤を部分的に除去する請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
支持体を湿らせる工程、触媒活性多成分酸化物材料と接触する工程および液体結合剤を除去する工程を１回または複数回繰返し、その際最後の繰返しまでに液体結合剤を完全に除去できる請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
支持体として支持体の表面粗さＲｚ４０〜１００μｍを有する支持体を使用する請求項１から１５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１７】
支持体の体積に対して最高１体積％の支持体の細孔の全体積を有する支持体を使用する請求項１から１６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１８】
反応器および触媒粒子が反応器の充填の際に最高４０℃の温度を有する請求項１から１７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１９】
触媒粒子を反応器の上側の開口に供給し、重力の作用により反応器に導入することにより触媒粒子を反応器に充填する請求項１から１８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２０】
反応器に触媒粒子の落下速度を遅くする充填補助手段が存在しない請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
充填した反応器に液体物質を除去する処理を行う請求項１から２０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２２】
充填した反応器を引き続きアクロレインからアクリル酸の接触気相酸化による製造に使用する請求項１から２１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２３】
充填した反応器を引き続きメタクロレインからメタクリル酸の接触気相酸化による製造に使用する請求項１から２１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２４】
充填した反応器を引き続きプロペンからアクロレインの接触気相酸化による製造に使用する請求項１から２１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２５】
充填した反応器を引き続き芳香族炭化水素の接触気相酸化によりカルボン酸および／またはカルボン酸無水物の製造に使用する請求項１から２１までのいずれか１項記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年2月22日(2012.2.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイから材料を除去する工程と、
磁界補助電気めっきプロセスを利用して、前記ダイの中に、前記ダイとは異なる導電材料の導電ビアを形成する工程と、
を有し、
前記導電材料は、連続相を形成する導電マトリクスと、強磁性材料からなり、前記導電マトリクス中の分散相を形成する複数の埋め込み粒子との合成物である、
方法。
【請求項２】
前記複数の埋め込み粒子は、アンバー、スーパアンバー、コバールからなる群から選択された一つを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ダイから材料を除去する工程と、
前記ダイの中に、前記ダイとは異なる導電材料の導電ビアを形成する工程と、
を含み、
前記導電材料は、連続相を形成する導電マトリクスと、前記導電マトリクス中の分散相を形成する複数の埋め込み粒子との合成物であり、
前記複数の埋め込み粒子は、アンバー、スーパアンバー、コバールからなる群から選択された一つを含む、
方法。
【請求項４】
前記導電ビアを形成する工程は、第一の濃度の前記複数の埋め込み粒子に対して駆動力を提供して、前記導電ビアの前記導電材料内に、第二の濃度の前記複数の埋め込み粒子を生じさせる工程を含み、
前記複数の埋め込み粒子の前記第二の濃度は、前記複数の埋め込み粒子の前記第一の濃度より大きい、
請求項１から請求項３までの何れか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記駆動力は、重力、磁界からなる群のうちの一つを含む、
請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記導電材料は、前記導電マトリクスとは材料特性が異なる、
請求項１から請求項５までの何れか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記材料特性は熱膨張係数であり、
前記導電材料は、前記導電マトリクスより熱膨張係数が小さい、
請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記導電マトリクスは、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、銀（Ａｇ）、共晶性はんだ、非共晶性のはんだからなる群から選択された一つを含む、
請求項１から請求項７までの何れか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記共晶性はんだは、錫／鉛（Ｐｂ／Ｓｎ）はんだ、金／錫（Ａｕ／Ｓｎ）はんだからなる群のうちの一つを含む、
請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
集積回路と、
前記集積回路に連結された導電ビアを形成する導電材料と、
前記導電ビアの前記導電材料内に連続相を形成する導電マトリクスと、
前記導電ビアの前記導電材料内に分散相を形成する、前記導電マトリクスに埋め込まれた複数の粒子と、
を含み、
前記複数の粒子は、アンバー、スーパアンバー、コバールからなる群から選択された一つを含む、
半導体パッケージ。
【請求項１１】
前記導電材料は、前記導電マトリクスとは材料特性が異なる、
請求項１０に記載の半導体パッケージ。
【請求項１２】
前記材料特性は熱膨張係数である、
請求項１１に記載の半導体パッケージ。
【請求項１３】
前記材料特性は電気抵抗である、
請求項１１に記載の半導体パッケージ。
【請求項１４】
前記導電材料は、前記導電マトリクスより熱膨張係数が小さい、
請求項１０から請求項１３までの何れか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項１５】
前記導電マトリクスは、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、銀（Ａｇ）、共晶性はんだ、非共晶性のはんだからなる群から選択された一つを含む、
請求項１０から請求項１４までの何れか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項１６】
前記共晶性はんだは、錫／鉛（Ｐｂ／Ｓｎ）はんだ、金／錫（Ａｕ／Ｓｎ）はんだからなる群のうちの一つを含む、
請求項１５に記載の半導体パッケージ。
【請求項１７】
請求項１０から請求項１６までの何れか一項に記載の半導体パッケージと、
前記半導体パッケージに連結された大容量記憶デバイスと、
を含むシステム。
【請求項１８】
前記集積回路に連結されたダイナミックランダムアクセスメモリと、
前記集積回路に連結された入力／出力インタフェースと、
を含む、
請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記入力／出力インタフェースはネットワークインタフェースを含む、
請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記集積回路はプロセッサである、
請求項１７から請求項１９までの何れか一項に記載のシステム。
【請求項２１】
前記システムは、セットトップボックス、メディア・センタパソコン、デジタルバーサタイルディスクプレーヤを含む群から選択された一つである、
請求項２０に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月26日(2012.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザトラッカと、
再配置可能な有関節座標計測機と、
前記有関節座標計測機に配置されたレトロリフレクタと、
を備え、
前記レーザトラッカは、前記レトロリフレクタにレーザビームを出射して、第１の座標系における前記レーザトラッカに対する前記レトロリフレクタの位置を少なくとも３通り計測し、一方で前記有関節座標計測機は、第２の座標系における前記有関節座標計測機に対する前記レトロリフレクタの位置を少なくとも３通り計測し、
前記有関節座標計測機が、別の場所に配置され、前記レーザトラッカは、前記レトロリフレクタにレーザビームを出射し、前記第１の座標系における前記レーザトラッカに対する前記レトロリフレクタの位置を少なくとも３通り計測し、一方で前記有関節座標計測機は、前記第２の座標系における前記有関節座標計測機に対する前記レトロリフレクタの位置を少なくとも３通り計測し、
前記第１の座標系及び前記第２の座標系のうち少なくとも一方を共通の基準座標系に変換する手段を備える、
座標計測システム。
【請求項２】
請求項１に記載の座標計測システムであって、前記レーザトラッカは、所定の位置に固定されている座標計測システム。
【請求項３】
請求項１に記載の座標計測システムであって、前記レトロリフレクタは、球殻装着型レトロリフレクタである座標計測システム。
【請求項４】
請求項１に記載の座標計測システムであって、前記レトロリフレクタは、反射性キューブコーナを有する座標計測システム。
【請求項５】
有関節座標計測機と、
レーザトラッカと、
前記有関節座標計測機に配置されたレトロリフレクタと、
を備えるレーザ式対物計測機であって、
前記レーザトラッカは、前記レトロリフレクタにレーザビームを出射して、第１の座標系における前記レーザトラッカに対する前記レトロリフレクタの位置を少なくとも３通り計測し、一方で、前記有関節座標計測機は、第２の座標系における前記有関節座標計測機に対する前記レトロリフレクタの位置を少なくとも３通り計測し、
前記有関節座標計測機が、別の場所に配置され、前記レーザトラッカは、前記レトロリフレクタにレーザビームを出射し、前記第１の座標系における前記レーザトラッカに対する前記レトロリフレクタの位置を少なくとも３通り計測し、一方で、前記有関節座標計測機は、前記第２の座標系における前記有関節座標計測機に対する前記レトロリフレクタの位置を少なくとも３通り計測する、
レーザ式対物計測機。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月16日(2012.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
システム側回路から送信媒体を介して接続されたライン側回路へ電力を転送する方法であって、
前記システム側回路で、前記ライン側回路によって前記送信媒体に課される第１の信号を受信するステップと、
前記システム側回路で前記第１の信号を強化することによって、前記送信媒体を介して前記システム側回路から前記ライン側回路へ電力を転送するステップとを含み、
前記強化するステップは、
第１の増幅された信号を生成するために前記第１の信号を増幅するステップと、
前記第１の信号に前記第１の増幅された信号を加えるステップとを含む、方法。
【請求項２】
前記強化するステップを中止するステップと、
前記システム側回路で、前記ライン側回路によって前記送信媒体に課される第２の信号を受信するステップと、
第２の増幅された信号を生成するために前記第２の信号を増幅するステップと、
前記第２の信号に前記第２の増幅された信号を加えるステップとをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の信号をラッチするステップをさらに含み、
前記強化するステップを中止する前記ステップは、前記第１の信号の前記ラッチをディスエーブルするステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
送信媒体にわたってライン側回路へ電力を転送するシステム側回路であって、
（ｉ）前記ライン側回路によって前記送信媒体に課される第１の受信信号を受信し、（ｉｉ）前記第１の受信信号を強化することによって、前記送信媒体を介して前記ライン側回路へ電力を転送する、よう適合されたインタフェース回路を備え、
前記インタフェース回路は、（ｉ）第１の増幅された信号を生成するために前記第１の受信信号を増幅し、（ｉｉ）前記第１の増幅された信号を前記第１の受信信号に加える、ことによって、前記第１の受信信号を強化するよう適合される、システム側回路。
【請求項５】
前記インタフェース回路は、
第１のラッチを備え、前記第１のラッチは、
前記第１の受信信号を受信するために前記送信媒体へ接続されるよう適合された第１のインタフェース端子と、
（ｉ）前記第１のインタフェース端子へ接続された出力端子と、（ｉｉ）前記第１のインタフェース端子へ切り替え可能に接続されたデータ入力端子と、を有する第１のバッファを含む、請求項４に記載のシステム側回路。
【請求項６】
前記インタフェース回路は、前記第１のバッファへ接続され、供給電圧を受信するよう適合された電圧供給端子をさらに備え、
前記バッファのデータ入力端子が前記第１のインタフェース端子へ接続されたときに、前記第１のインタフェース端子における前記第１の受信信号は、前記バッファに、前記供給電圧からのエネルギで前記第１の受信信号を強化させる、請求項５に記載のシステム側回路。
【請求項７】
前記第１のバッファは、前記第１のバッファをエネーブルまたはディスエーブルするラッチ制御信号を受信するよう適合されたラッチ制御端子をさらに備える、請求項５に記載のシステム側回路。
【請求項８】
前記第１のバッファは、前記第１のバッファの前記データ入力端子と前記出力端子との間に接続された相補的トランジスタ対をさらに備える、請求項５に記載のシステム側回路。
【請求項９】
前記第１のバッファは三状態バッファである、請求項５に記載のシステム側回路。
【請求項１０】
前記第１のラッチはさらに、
前記送信媒体を介して送信されるべき第１の送信信号を受信するよう適合された第１の送信入力端子と、
前記第１のインタフェース端子に接続され、前記送信媒体から受信された前記第１の受信信号を出力するよう適合された第１の受信出力端子と、
第１のモードスイッチとをさらに備え、前記第１のモードスイッチは、（ｉ）前記第１の送信入力端子と前記第１の受信出力端子とへそれぞれ接続された２つの入力端子と、（ｉｉ）前記第１のバッファのデータ入力端子へ接続された出力端子と、（ｉｉｉ）（ａ）前記送信媒体を介する送信のための前記第１の送信信号、または（ｂ）前記送信媒体から受信された前記第１の受信信号、のいずれかを前記第１のバッファへ渡すように前記第１のモードスイッチを構成するためにモード選択信号を受信するよう適合されたモード選択端子とを有する、請求項５に記載のシステム側回路。
【請求項１１】
前記送信媒体を介して送信されるべき第２の送信信号を受信するよう適合された第２の送信入力端子と、
前記送信媒体に接続されるよう適合された第２のインタフェース端子と、
前記第２のインタフェース端子に接続され、前記送信媒体から受信された第２の受信信号を出力するよう適合された第２の受信出力端子と、
（ｉ）前記第２のインタフェース端子に接続された出力端子と、（ｉｉ）データ入力端子と、を有する第２のバッファと、
第２のモードスイッチとをさらに備え、前記第２のモードスイッチは、（ｉ）前記第２の送信入力端子と前記第２の受信出力端子とへそれぞれ接続された２つの入力端子と、（ｉｉ）前記第２のバッファのデータ入力端子に接続された出力端子と、（ｉｉｉ）（ａ）前記送信媒体を介する送信のための前記第２の送信信号、または（ｂ）前記送信媒体から受信された前記第２の受信信号、のいずれかを前記第２のバッファへ渡すように前記第２のモードスイッチを構成するためにモード選択信号を受信するよう適合されたモード選択端子とを有する、請求項１０に記載のシステム側回路。
【請求項１２】
前記送信媒体は、差動信号を送信するよう適合され、そして、
前記第１及び第２の受信信号並びに前記第１及び第２の送信信号は、それぞれ、差動受信信号並びに差動送信信号を形成する、請求項１１に記載のシステム側回路。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年6月1日(2012.6.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
本発明の好適な態様において、該組成物は乾燥粉末の形状であり、乾燥粉末吸入器（ＤＰＩ）を用いて送達する。乾燥粉末吸入器は既知である。吸入器に使用する乾燥粉末は通常、質量平均空気力学的直径が３０μｍ未満、好ましくは２０μｍ未満、より好ましくは１０μｍ未満である。５〜０．５μｍの範囲の空気力学的直径を有するミクロ粒子は一般に呼吸器細気管支に沈着するが、一方、空気力学的直径が２〜０．０５μｍの小粒子は肺胞に沈着すると思われる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年5月1日(2012.5.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
図１１（配列：２６）は、Ｅｐｏシグナル配列を含むＥｐｏ Ｎ４７−Ｆｃ融合ポリペプチドのｃＤＮＡ及びアミノ酸配列を示す。Ｆｃのアミノ末端残基がＥｐｏのａｒｇ−１６６残基に融合している。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】図１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図１１】
Ｅｐｏシグナル配列を含むＥｐｏ Ｎ４７−Ｆｃ融合ポリペプチドのｃＤＮＡ及びアミノ酸配列（配列：２６）を示す。Ｆｃのアミノ末端残基がＥｐｏのａｒｇ−１６６残基に融合している。