【事件の表示】
　平成　２年特許願第２４２７２８号「半導体記憶装置のデータ書込みおよび消去方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　４年　４月２３日出願公開、特開平　４−１２３４７１］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１.手続の経緯、本願発明
　本願は、平成２年９月１４日に出願されたものであって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１２年１２月１８日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「第１の電源電圧と該第１の電源電圧より低い第２の電源電圧が与えられ、フローティングゲートと該フロー ティングゲートの上方に配置されたコントロールゲートとを有するトランジスタから構成されたメモリセルを備えた半導体記憶装置のデータ消去方法において、
　前記コントロールゲートに前記第１の電源電圧より高い電圧を印加し、前記トランジスタのソースあるいはドレインに前記第２の電源電圧より低い電圧を印加することにより、フローテイングゲートへ電子を注入して、メモリセルに書き込まれたデータの消去を行うことを特徴とする半導体記憶装置のデータ消去方法。」
　
２．引用例記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用した特開昭６２−２６６９７号公報（以下、「引用例」という。）には、以下（Ａ）〜（Ｅ）の記載がなされている。
（Ａ）［背景技術］半導体不揮発性メモリ、例えば比較的薄いシリコン酸化膜とその上に形成され比較的厚いシリコン窒化膜（ナイトライド）との２層構造のゲート絶縁膜を持つ絶縁ゲート電界効果トランジスタ（以下、単にＭＮＯＳという）は、その駆動電源が遮断されても記憶内容を保持する。このＭＮＯＳは、記憶情報の書込み及び消去を電気的に行うことができる。（公報第１頁右欄第１７行〜第２頁左上欄第５行目）
（Ｂ）この実施例では、約５Ｖのような電源電圧Ｖｃｃの他、読み出し、書き込み及び消去動作のために用いられる−５Ｖのような負の電圧Ｖｐが用いられる。（公報第３頁左上欄第２行〜第５行目）
（Ｃ）同図において、メモリセルアレイＭ−ＡＲＹは、マトリックス配置されたメモリセルとしてのＭＮＯＳトランジスタＭ１〜Ｍ４を含んでいる。同一の行に配置されたＭＮＯＳトランジスタＭ１とＭ２のそれぞれのゲートは、ワード線Ｗ１に共通接続される。同様に他の同一の行に配置されたＭＮＯＳトランジスタＭ３とＭ４のゲートは、それぞれワード線Ｗ２に共通接続されている。同一の列に配置されたＭＮＯＳトランジスタＭ１とＭ３のドレインは、デジット（もしくはデータ）線Ｄ１に共通接続され、そのソースは共通ソース線Ｓ１に接続されている。（公報第３頁左上欄第１２行〜右上欄第３行目）
（Ｄ）この実施例に従うと、上記ＭＮＯＳトランジスタに対する各種動作におけるレベルは、次表１のようにされる。但し、表１において、記号Ｎは−５Ｖのような負電位を意味し、記号Ｐは＋５Ｖのような正電位を意味する。記号Ｏは０Ｖのような電位を意味する。記号Ｆは、フローティング状態を意味する。記号Ｌ１は、ＭＮＯＳの記憶情報に従った２Ｖのようなハイレベル又は０Ｖのようなロウレベルを意味する。記号Ｌ２は、書き込むべきデータに従ったレベルを意味し、＋５Ｖのような正電位又は−５Ｖのような負電位をとる。（公報第４頁右下欄第９行〜第１９行目）
（Ｅ）各ディジット線の電位Ｄ１，Ｄ２等は、既に書き込むべき信号を保持しているラッチ回路ＦＦの出力信号に応じた駆動回路ＤＲＶによる上記類似の電圧変換動作によって、書き込み動作（キャリアの注入）を行う場合、−５Ｖのような負電位にされ、書き込みを行わない場合＋５Ｖのようなハイレベルにされる。これにより、書き込みが行われるＭＮＯＳのゲートとチャンネル（ドレイン）との間には約１０Ｖもの高電圧が印加されるため、トンネル現象によってキャリアの注入がなされる。（公報第５頁右下欄第９行〜第１８行目）
　上記（Ｂ）の記載から、図面第１図に示される半導体記憶装置は＋５Ｖの電源電圧Ｖｃｃと接地電圧によって動作することは明らかであるから、上記引用例には、
　＋５Ｖの電源電圧と該電源電圧より低い接地電圧が与えられ、比較的薄いシリコン酸化膜とその上に形成され比較的厚いシリコン窒化膜（ナイトライド）との２層構造のゲート絶縁膜と、該２層構造のゲート絶縁膜の上方に配置されたコントロールゲートとを有するＭＮＯＳトランジスタ（Ｍ１〜Ｍ４）から構成されたメモリセルを備えた半導体記憶装置のデータ書き込み方法において、
　前記コントロールゲートに前記＋５Ｖの電源電圧と同じ値の電圧を印加し、前記ＭＮＯＳトランジスタのドレインに前記接地電圧より低い−５Ｖの電圧を印加することにより、比較的薄いシリコン酸化膜とその上に形成され比較的厚いシリコン窒化膜（ナイトライド）との２層構造のゲート絶縁膜に電子を注入して、メモリセルにデータの書き込みを行う半導体記憶装置のデータ書き込み方法、に関する発明が記載されている。
　
３.本願発明と引用例記載の発明との対比・判断
　本願発明と上記引用例に記載されている発明とを対比すると、上記引用例に記載されている発明の「＋５Ｖの電源電圧」及び「接地電圧」は、本願発明の「第１の電圧」及び「第２の電圧」にそれぞれ相当し、また、上記引用例に記載されている「比較的薄いシリコン酸化膜とその上に形成され比較的厚いシリコン窒化膜（ナイトライド）との２層構造のゲート絶縁膜」も、本願発明の「フローティングゲート」も共に、電子を蓄積する機能を有するので「電荷蓄積部」という上位の概念で表現でき、また、上記引用例に記載されている「データの書き込み」も、本願発明の「データの消去」も共に、「プログラミング」という上位の概念で表現することができるので、両者の発明は共に、
「第１の電源電圧と該第１の電源電圧より低い第２の電源電圧が与えられ、電荷蓄積部と該電荷蓄積部の上方に配置されたコントロールゲートとを有するトランジスタから構成されたメモリセルを備えた半導体記憶装置のプログラミング方法において、
　前記コントロールゲートに前記第１の電源電圧と同じ極性の電圧を印加し、前記トランジスタのドレインに前記第２の電源電圧より低い電圧を印加することにより、電荷蓄積部に電子を注入して、メモリセルのプログラミングを行うことを特徴とする半導体記憶装置のプログラミング方法。」である点で一致し、以下の点で相違しているものと認められる。
＜相違点＞
（１）本願発明では、電荷蓄積部がフローティングゲートであるのに対して、上記引用例に記載されている発明では、電荷蓄積部が比較的薄いシリコン酸化膜とその上に形成され比較的厚いシリコン窒化膜（ナイトライド）との２層構造のゲート絶縁膜である点。
（２）本願発明では、コントロールゲートに印加する電圧が第１の電圧よりも高い電圧であるのに対して、上記引用例に記載されている発明ではコントロールゲートに印加する電圧が第１の電圧と同じ値の電圧である点。
（３）本願発明では、プログラミングがデータの消去であるのに対して、上記引用例に記載されている発明では、プログラミングがデータの書き込みである点。
　そこで、まず上記相違点（１）について検討すると、フローティングゲートを電荷蓄積部とすることは例えば、特開昭６３−１８８８９６号公報あるいは特開平１−１０５３９７号公報あるいは特開平１−２８９２８２号公報にも示されるように従来周知の技術事項であって、比較的薄いシリコン酸化膜とその上に形成され比較的厚いシリコン窒化膜（ナイトライド）との２層構造のゲート絶縁膜に電子を注入するための電圧の供給手法はそのままフローティングゲートに電子を注入するための電圧の供給手法に適用することができるものであるから、上記引用例に記載されている比較的薄いシリコン酸化膜とその上に形成され比較的厚いシリコン窒化膜（ナイトライド）との２層構造のゲート絶縁膜に代えてフローティングゲートを採用して本願発明のように構成することは当業者が容易に想到し得る程度のものと認められる。
　次に、上記相違点（２）について検討すると、電荷蓄積部に電子を蓄積させるためには、コントロールゲートにトンネル現象を生じさせるのに十分な値の電圧が供給されれば良く、本願発明のように第１の電源電圧よりも大きい電圧とするか上記引用例に記載されている発明のように第１の電源電圧と同じ値とするかは他の電極であるドレインに供給される電圧値（逆極性）などの関係で決まるものであり、本願発明のようにコントロールゲートに供給される電圧を第１の電源電圧よりも高い値とすることに格別の技術的な意味があるとは認められず、上記相違点（２）を格別なものとすることはできない。
　次に、上記相違点（３）について検討すると、従来から不揮発性メモリの分野では、電荷蓄積部に電子を注入した状態を消去状態と表現したり、あるいは書き込み状態と表現したりすることが慣用的に行われており（もし、必要ならば特開昭６４−２１７９５号公報の第４頁右下欄第１４行〜第２０行目を参照されたい）、上記引用例に記載されている発明のデータの書き込み方法をデータの消去方法に代えて本願発明のように構成することは当業者が容易に想到し得る程度のものと認められる。
　
４.むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は上記引用例に記載された発明及び従来周知の技術事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものと認められるので、特許法第２９条第２項の規定に該当し、特許を受けることができない。　
　よって、結論のとおり審決する。