【手続補正書】
【提出日】平成24年1月23日(2012.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理装置であって、
内部を第１および第２の領域に隔てる側壁を備えるチャンバと、前記側壁は、前記第１および第２の領域の間に流体連通を提供する開口部を有することと、
第１の端部が前記第１の領域内にあり、第２の端部が前記第２の領域内にあるように、前記開口部を介して水平方向に伸びるアーム部を備える片持梁アセンブリと、前記第１の端部の上側部分の上に基板支持体が配置されることと、
前記アーム部の前記第２の端部に結合され、前記片持梁アセンブリを垂直方向に移動させるよう動作可能である駆動機構と、
前記アーム部と前記側壁との間に真空シールを提供するベローズ構成と、
を備える、プラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理装置であって、
前記基板支持体は、基板を支持するよう適合された上面を有する下側電極アセンブリを備え、
前記プラズマ処理チャンバは、さらに、前記基板支持体の前記上面に対向すると共に離間されて前記上面との間にギャップを形成する下面を有する上側電極アセンブリを備え、
前記下側電極アセンブリは、前記アーム部内に配置されたＲＦ伝送部材を介して高周波（ＲＦ）電源に接続され、
前記駆動機構は、前記基板支持体を前記上側電極アセンブリに対して様々な高さに移動させて、基板のプラズマ処理中に前記ギャップのサイズを調整するよう動作可能である、プラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載のプラズマ処理装置であって、前記下側電極アセンブリは、プラズマ処理中に前記基板を所定位置にクランプするよう動作可能な静電チャックを備える、プラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１に記載のプラズマ処理装置あって、
前記アーム部は、内部空洞を備え、
前記プラズマ処理チャンバは、さらに、
前記空洞内に配置され、一方の端部がＲＦ電源に接続され、前記ＲＦ電源からＲＦ電力を伝送するよう動作可能であるＲＦ管と、
前記ＲＦ管の他方の端部に接続され、前記ＲＦ電力を集電して前記基板支持体に送るよう動作可能であるＲＦ導電体と、
を備える、プラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載のプラズマ処理装置であって、前記ＲＦ電源は、前記駆動機構によって前記片持梁アセンブリと共に移動されるように、前記アーム部の外側部分に取り付けられる、プラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項１に記載のプラズマ処理装置であって、さらに、前記開口部を囲む前記側壁上に非接触粒子シールを備え、
前記非接触粒子シールは前記アーム部から垂直に伸びる固定プレートを備え、前記側壁は前記固定プレートを受け入れるスロットを備え、前記固定プレートは前記スロットに接触せず、前記固定プレートの外側部分は前記アーム部のすべての垂直位置において前記スロット内に位置する、プラズマ処理装置。
【請求項７】
請求項１に記載のプラズマ処理装置であって、
（ａ）前記アーム部が最上位位置に移動された時に、前記ベローズの上側部分は圧縮され、前記ベローズの下側部分は伸長され、
（ｂ）前記アーム部が最下位位置に移動された時に、前記ベローズの上側部分は伸長され、前記ベローズの下側部分は圧縮される、プラズマ処理装置。
【請求項８】
請求項１に記載のプラズマ処理装置であって、前記ベローズは、移動可能なベローズシールドプレートと固定ベローズシールドとを備え、前記移動可能なベローズシールドプレートは、前記アーム部の前記第２の端部から伸びており、前記固定ベローズシールドは、前記側壁に取り付けられている、プラズマ処理装置。
【請求項９】
請求項１に記載のプラズマ処理装置であって、
前記駆動機構は、
垂直リニアベアリングと、
前記アーム部に回転可能に取り付けられ、回転された時に前記アーム部を移動させるよう動作可能であるボールネジと、
前記ボールネジを回転させるためのモータと、
を備える、プラズマ処理装置。
【請求項１０】
請求項２に記載のプラズマ処理装置であって、
前記上側電極アセンブリは、処理ガスを前記ギャップ内に供給するための少なくとも１つのバッフルを備え、
前記ＲＦ電源は、前記処理ガスを励起してプラズマを生成するために、ＲＦ電力を前記下側電極アセンブリに供給するよう動作可能である、プラズマ処理装置。
【請求項１１】
請求項２に記載のプラズマ処理装置であって、さらに、前記ギャップを取り囲むことによって前記プラズマを前記ギャップ内に閉じ込めるよう構成された少なくとも１つの閉じ込めリングを備えた閉じ込めリングアセンブリを備える、プラズマ処理装置。
【請求項１２】
請求項１に記載のプラズマ処理装置であって、前記ベローズは、一端で前記側壁の外側に対してシールされた軸直角変位ベローズであり、前記ベローズの内部は、前記第２の領域を規定する、プラズマ処理装置。
【請求項１３】
請求項１に記載のプラズマ処理装置であって、前記第２の領域の外側に位置する前記アームの前記第１の端部上に、ＲＦ源が支持されている、プラズマ処理装置。
【請求項１４】
請求項２に記載のプラズマ処理装置であって、
（ａ）前記基板支持体は、ＲＦ駆動下側電極を備え、前記アーム部は、前記電極にＲＦ整合を提供する回路を収容するハウジングを前記第２の端部に備え、
（ｂ）前記アーム部は、前記基板支持体上に載置された基板に背面冷却を提供するよう動作可能な少なくとも１つのガス管を備え、
（ｃ）前記アーム部は、前記基板支持体の中に配置されたセンサからの信号を伝送するよう動作可能な少なくとも１つの電気接続を備え、
および／または、
（ｄ）前記アーム部は、前記基板支持体の中で熱伝導液を循環させるよう動作可能な流体通路を備える、プラズマ処理装置。
【請求項１５】
請求項１に記載のプラズマ処理装置であって、さらに、前記チャンバの外側に配置された移動可能な支持プレートを備え、前記移動可能な支持プレートは前記アーム部の一端に取り付けられ、前記アーム部のサービス開口部と水平方向に整列した複数のサービス開口部を有し、リニアガイドに沿って前記チャンバの前記側壁の外面に沿って摺動する移動可能な環状プレートに取り付けられ、前記環状プレートは前記ベローズが配置される前記アーム部の周りの環状空間を規定する、プラズマ処理装置。
【請求項１６】
半導体基板を処理する方法であって、
請求項２に記載の前記プラズマ処理装置内の前記基板支持体の上に半導体基板を支持する工程と、
前記上側電極アセンブリおよび前記下側電極アセンブリの間の空間内でプラズマを生成する工程と、
前記駆動機構によって前記片持梁アセンブリを移動させることにより、前記ギャップを調整する工程と、
前記プラズマで前記半導体基板を処理する工程と、
を備える、方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、前記処理する工程は、プラズマエッチングを含む、方法。
【請求項１８】
基板を処理するためのプラズマ処理チャンバの片持梁アセンブリのための軸直角変位ベローズユニットであって、側壁が、前記チャンバの内部を、前記側壁の開口部を介して流体連通する第１および第２の領域に隔てているベローズユニットと、前記ベローズユニットは、
前記チャンバの前記側壁に取り付けられた固定環状プレートであって、前記環状プレートの開口部が、前記側壁の前記開口部を取り囲む、固定環状プレートと、
前記第１および第２の領域の外側でアーム部の端部に取り付けられた移動可能なプレートであって、前記アーム部は第１の端部が前記第１の領域内にあり、第２の端部がベローズによって規定される前記第２の領域内にあるように、前記側壁の前記開口部を介して水平方向に伸びるよう構成されており、前記第１の端部の上側部分の上に基板支持体が配置される、移動可能なプレートと、
前記固定環状プレートと前記移動可能なプレートとの間に伸びるベローズと、
を備え、
（ａ）前記アーム部が最上位位置に移動された時に、前記ベローズの上側部分は圧縮され、前記ベローズの下側部分は伸長され、
（ｂ）前記アーム部が最下位位置に移動された時に、前記ベローズの上側部分は伸長され、前記ベローズの下側部分は圧縮される、ベローズユニット。
【請求項１９】
請求項１８に記載の軸直角変位ベローズユニットであって、前記ベローズは、テーパ状をなり、前記チャンバの前記側壁に対してシールされた端部における直径が大きい、ベローズユニット。