【手続補正書】
【提出日】平成26年5月22日(2014.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
例１２
合成：  ７．３ｇのアジピン酸を、マグネチックスターラーバーを備えた２５０ｍｌフラスコ中で４０．１７ｇのＤＩ水中に分散した。攪拌しながら、１１．１８ｇのＮ−［３−（トリメトキシシリル）プロピル］エチレンジアミンを滴下した。添加後に、この溶液を室温で１９時間攪拌して透明な溶液を得た。アジピン酸中のＣＯＯＨとＮ−［３−（トリメトキシシリル）プロピル］エチレンジアミン中の全Ｎのとのモル比は１００：１００であった。
調合：  上記のポリマー溶液をＤＩ水で希釈することによって５．０重量％溶液を調製し、そして５００ｐｐｍのＭｅｇａｆａｃｅ（登録商標）Ｅｘｐ  ＴＦ−２０６６界面活性剤（ＤＩＣ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（Ｔｏｋｙｏ，Ｊａｐａｎ）から入手可能）を加えた。
試験：  調合物を６インチ（１５．２ｃｍ）Ｓｉウェハ上にスピンコートし、そして１４０℃／６０秒間ベークした。次いで、これらのウェハをＤＩ水で３０秒間現像した。ベークしたフィルムはＤＩ水で完全に洗浄除去され、これはアジピン酸が、ポリ（プロピルエチレンジアミンシロキサン）が１４０℃／６０秒間ベークで硬化することを妨げたことを示していた。
本願発明は、特許請求の範囲に記載の発明に係るものであるが、以下の技術事項を包含するものである。
１．  フォトレジストパターン上にコーティングするための水性組成物であって、少なくとも一つのケイ素部分と少なくとも一つのアミノ基とを含む第一の水溶性化合物、及び少なくとも一つのカルボン酸基を含む第二の化合物を含む、前記組成物。
２．  第二の化合物が、少なくとも二つのカルボン酸基を含む、上記１に記載の組成物。
３．  第二の化合物が更にケイ素部分を含む、上記１または２に記載の組成物。
４．  第一の化合物が以下の構造１の部分を含む、上記１〜３のいずれか一つに記載の組成物。
【化７】
2013536463.tif 000001
式中、Ｒ１は、水素、Ｃ１−Ｃ８アルキル、及びＣ１−Ｃ６カルボニルアルキルから選択され、Ｒ２は、Ｃ１−Ｃ１２脂肪族アルキレン、Ｃ１−Ｃ１２カルボニル脂肪族アルキレン、Ｃ１−Ｃ１２カルボニルアミノ脂肪族アルキレン及びＣ１−Ｃ１２アミノ脂肪族アルキレンから選択され、そして
【化８】
2013536463.tif 000002
は、第一の化合物の残りの部分への結合点である。
５．  第二の化合物が以下の構造２を有する、上記１〜４のいずれか一つに記載の組成物。
【化９】
2013536463.tif 000003
式中、Ｗは接続基であり、そしてｙは、０、１、２または３である。
６．  第二の化合物が以下の構造３を有する、上記１〜５のいずれか一つに記載の組成物。
【化１０】
2013536463.tif 000004
式中、Ｒ３及びＲ４は、独立して、Ｃ１〜Ｃ１２脂肪族アルキレンから選択され、Ｘは、直接原子価結合または接続基であり、ｚは０、１、２または３である。
７．  第二の化合物が以下の構造３を有する、上記１〜６のいずれか一つに記載の組成物。
【化１１】
2013536463.tif 000005
式中、Ｒ３及びＲ４は、独立して、Ｃ１〜Ｃ１２脂肪族アルキレンから選択され、Ｘは直接原子価結合または接続基であり、ｚは１、２または３である。
８．  Ｘがケイ素部分を含む、上記７に記載の組成物。
９．  第二の化合物中のカルボン酸基と第一の化合物のアミン基とのモル比が約５：１００〜約１１０：１００の範囲である、上記１〜８のいずれか一つに記載の組成物。
１０．  ９０℃で６０秒間ベークした後に水中でまたは水性アルカリ性溶液中で現像可能である、上記１〜９のいずれか一つに記載の組成物。
１１．  水、水溶性有機溶剤またはこれらの混合物から選択される溶剤を更に含む、上記１〜１０のいずれか一つに記載の組成物。
１２．  組成物のケイ素含有率が、組成物の固形物に対し５重量％を超える、上記１〜１１のいずれか一つに記載の組成物。
１３．  フォトレジストに共形付着層を形成することができる、上記１〜１２のいずれか一つに記載の組成物。
１４．  パターン形成方法であって、次のステップ：
（ａ）基材上に第一のフォトレジストパターンを形成するステップ；
（ｂ）上記１〜１３のいずれか一つに記載のコーティング組成物を第一のフォトレジストパターン上に施用して、第一のフォトレジストパターンを覆う第二のコーティング層を形成するステップ；
（ｃ）任意に、コーティングを加熱するステップ；及び
（ｄ）第二のコーティング組成物を現像し、それによって第一のフォトレジストパターン上の未反応の第二のコーティング層を除去するステップ；
を含む、前記方法。
１５．  パターン形成方法であって、次のステップ：
（ａ）フォトレジスト構造を持つ第一のフォトレジストパターンを基材上に形成するステップ；
（ｂ）上記１〜１３のいずれか一つに記載のコーティング組成物を第一のフォトレジストパターン上に施用して、第一のフォトレジストパターンを覆うコーティング層を形成するステップ；
（ｃ）コーティング層を現像し、それによって第一のフォトレジストパターン上に付着コーティング層を形成するステップ；
（ｄ）フォトレジストの表面をドライエッチングして、フォトレジストパターンの最上部で付着コーティング層を完全に除去するステップ；及び
（ｅ）第一のフォトレジストパターンを除去し、それによって基材上に付着層のパターンを形成するステップ；
を含む、前記方法。
１６．  付着層の形成後にハードベークを更に含む、上記１４に記載の方法。
１７．  第一フォトレジストパターンがドライエッチングによって除去される、上記１５に記載の方法。
１８．  第一のフォトレジストパターンが有機溶剤によって除去される、上記１５に記載の方法。
１９．  フォトレジストがフラッド露光及び水性アルカリ性現像剤中での現像によって除去される、上記１５に記載の方法。
２０．  パターン形成方法であって、次のステップ：
（ａ）基材上に第一のフォトレジストパターンを形成するステップ；
（ｂ）上記１〜１３のいずれか一つに記載のコーティング組成物を第一のフォトレジストパターン上に施用して、第一のフォトレジストパターンを覆うコーティング層を形成するステップ；
（ｃ）任意に、コーティングを加熱するステップ；及び
（ｄ）第二のコーティング組成物を現像し、それによって相互混合ドープドフォトレジストパターンを形成するステップ；
を含む、前記方法。
２１．  フォトレジストパターン上にコーティングするための、上記１〜１３のいずれか一つに記載の組成物の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトレジストパターン上にコーティングするための水性組成物であって、少なくとも一つのケイ素部分と少なくとも一つのアミノ基とを含む第一の水溶性化合物、及び少なくとも一つのカルボン酸基を含む第二の化合物を含む、前記組成物。
【請求項２】
第二の化合物が、少なくとも二つのカルボン酸基を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
第二の化合物が更にケイ素部分を含む、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項４】
第一の化合物が以下の構造１の部分を含む、請求項１〜３のいずれか一つに記載の組成物。
【化１】
2013536463.tif 000006
式中、Ｒ１は、水素、Ｃ１−Ｃ８アルキル、及びＣ１−Ｃ６カルボニルアルキルから選択され、Ｒ２は、Ｃ１−Ｃ１２脂肪族アルキレン、Ｃ１−Ｃ１２カルボニル脂肪族アルキレン、Ｃ１−Ｃ１２カルボニルアミノ脂肪族アルキレン及びＣ１−Ｃ１２アミノ脂肪族アルキレンから選択され、そして
【化２】
2013536463.tif 000007
は、第一の化合物の残りの部分への結合点である。
【請求項５】
第二の化合物が以下の構造２を有する、請求項１〜４のいずれか一つに記載の組成物。
【化３】
2013536463.tif 000008
式中、Ｗは接続基であり、そしてｙは、０、１、２または３である。
【請求項６】
第二の化合物が以下の構造３を有する、請求項１〜５のいずれか一つに記載の組成物。
【化４】
2013536463.tif 000009
式中、Ｒ３及びＲ４は、独立して、Ｃ１〜Ｃ１２脂肪族アルキレンから選択され、Ｘは、直接原子価結合または接続基であり、ｚは０、１、２または３である。
【請求項７】
フォトレジストに共形付着層を形成することができる、請求項１〜６のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項８】
パターン形成方法であって、次のステップ：
（ａ）基材上に第一のフォトレジストパターンを形成するステップ；
（ｂ）請求項１〜７のいずれか一つに記載のコーティング組成物を第一のフォトレジストパターン上に施用して、第一のフォトレジストパターンを覆う第二のコーティング層を形成するステップ；
（ｃ）任意に、コーティングを加熱するステップ；及び
（ｄ）第二のコーティング組成物を現像し、それによって第一のフォトレジストパターン上の未反応の第二のコーティング層を除去するステップ；
を含む、前記方法。
【請求項９】
パターン形成方法であって、次のステップ：
（ａ）フォトレジスト構造を持つ第一のフォトレジストパターンを基材上に形成するステップ；
（ｂ）請求項１〜７のいずれか一つに記載のコーティング組成物を第一のフォトレジストパターン上に施用して、第一のフォトレジストパターンを覆うコーティング層を形成するステップ；
（ｃ）コーティング層を現像し、それによって第一のフォトレジストパターン上に付着コーティング層を形成するステップ；
（ｄ）フォトレジストの表面をドライエッチングして、フォトレジストパターンの最上部で付着コーティング層を完全に除去するステップ；及び
（ｅ）第一のフォトレジストパターンを除去し、それによって基材上に付着層のパターンを形成するステップ；
を含む、前記方法。
【請求項１０】
付着層の形成後にハードベークを更に含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
第一フォトレジストパターンがドライエッチングによって除去される、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
第一のフォトレジストパターンが有機溶剤によって除去される、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
フォトレジストがフラッド露光及び水性アルカリ性現像剤中での現像によって除去される、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
パターン形成方法であって、次のステップ：
（ａ）基材上に第一のフォトレジストパターンを形成するステップ；
（ｂ）請求項１〜７のいずれか一つに記載のコーティング組成物を第一のフォトレジストパターン上に施用して、第一のフォトレジストパターンを覆うコーティング層を形成するステップ；
（ｃ）任意に、コーティングを加熱するステップ；及び
（ｄ）第二のコーティング組成物を現像し、それによって相互混合ドープドフォトレジストパターンを形成するステップ；
を含む、前記方法。
【請求項１５】
フォトレジストパターン上にコーティングするための、請求項１〜７のいずれか一つに記載の組成物の使用。