【事件の表示】
　平成　６年特許願第５００００４号「薄膜トランジスタ、固体装置、表示装置および薄膜トランジスタの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　６年　１月　６日国際公開、ＷＯ９４／００８８２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯・本願発明　
　
　本願は、平成５年６月２３日（優先権主張：平成４年６月２４日）を国際出願日とする出願であって、平成１４年４月２３日付で拒絶査定がなされ、その後、これに対し平成１４年５月３０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年７月１日付で手続補正がなされたものであり、その請求項に係る発明は、平成１４年１月２８日付及び平成１４年７月１日付の手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし１５に記載されたとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「絶縁基板上に、ソース領域、ドレイン領域、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に形成されたチャネル領域とを含むシリコン膜と、ゲート絶縁膜を介して前記チャネル領域に対向配置されたゲート電極とを有する薄膜トランジスタにおいて、
　前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、高濃度不純物領域と、前記高濃度不純物領域と前記チャネル領域との間に配置された低濃度不純物領域とを有し、前記低濃度不純物領域は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重畳されてなり、かつ、前記高濃度不純物領域は前記低濃度不純物領域よりも厚い膜厚を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。」
　　
２．引用例
　これに対して、原査定において拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前の平成２年１１月３０日に頒布された刊行物である特開平２−２９１１３８号公報（以下、「引用例１」という。）には、第１図とともに、次のとおり記載されている。　
（１）「従来のトランジスタ技術の一つに、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor 以下適宜ＴＦＴと略称することもある)技術があり、これは例えばポリシリコンを用いたＴＦＴとして具体化されている。」（第２頁左上欄第４〜８行）
（２）「即ち、本発明のトランジスタ製造方法は、絶縁層上にソース，ドレイン領域とゲート電極とを有するトランジスタの製造方法であって、
　絶縁層上に、ソース，ドレイン領域となる不純物を含む導電層を離間させて形成する工程と、
　上記導電層上を覆って半導体層を形成する工程と、
　上記導電層から不純物を拡散させて上記半導体層に低濃度不純物領域を形成する工程と、
　上記導電層離間部に対応する上記半導体層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程とを具備するものである。」（第２頁右下欄第10行〜第３頁左上欄第２行）
（３）「この実施例は、本発明を、ＬＳＩに適したＴＦＴの製造プロセスとして具体化したものである。
　本実施例では、二酸化シリコンから成る絶縁層１上に、ソース，ドレイン用に、リンを高濃度ドープ(ドース量１０20〜１０21ｃｍ-3程度)したポリシリコン層を形成し、これをあらかじめＲＴＡ(Rapid Thermal anneal)等で低抵抗化しておく。これにより、ソース，ドレイン領域となる導電層2a，2bを形成して、第１図(ａ)の構造を得る。該導電層2a，2bは、例えば純ポリシリコン層を堆積により形成し、ここにリンをイオン注入し、その後、該ポリシリコンをパターニングする前または後にアニールするという手法をとってもよいし、またはイオン注入後アニールしてからパターニングするという手法を用いるのでもよく、任意である。あるいは本実施例の如きイオン注入を用いるのではなく、ポリシリコンに代えていわゆるＤＯＰＯＳ(ドープト・ポリシリコン)の如くすでに不純物を含有している半導体材料を堆積して、適宜アニール，パターニングを任意の順で行うのでもよい。」（第３頁左下欄第14行〜同頁右下欄第15行）
（４）「次に本実施例においては、ポリシリコンを堆積することによって半導体層３を形成する。ここでは、200〜800Å程度の膜厚の薄膜ポリシリコン層として形成した。これにより第１図（ｂ）の構造を得た。またこの構造の時点で、レーザー照射等により、所望の特性を得るよう結晶改善を行った。特に、離間部２０に対応する図示符号３１の部分をレーザ照射等の手段によって結晶改善し、ポリシリコンのグレインを大きくし、モビリティを上げるようにした。
　次に本実施例では、９００℃以下の低温で熱処理した。本実施例ではこの熱処理により、ゲート酸化を行ってゲート酸化膜４を得るとともに、この際、該熱処理により導電層２ａ，２ｂから半導体層３へ不純物が拡散し、低濃度不純物領域３ａ，３ｂであるＬＤＤｎ-領域が形成される。これにより、第１図（ｃ）の構造が得られる。
　但し、ゲート酸化と上記拡散とを別々にして、ゲート酸化膜４の形成と低濃度不純物領域３ａ，３ｂの形成とを別工程で行ってもよく、その場合の両工程の順序もどちらが先でもよい。いずれにしても、低温での処理によって、低濃度拡散領域３ａ，３ｂを得ることができる。
　次いで、ゲート電極５を形成するが、本実施例ではゲート電極の材料として、金属を用い、特にアルミニウム−シリコン合金（Ｓｉ含有量１重量％）を使用した。従来は高温でのアニールを要したので、ゲート電極として金属を用いることは難しかったが、本発明を用いることで、抵抗の極めて小さい材料である金属により、電極を形成することが可能となったのである。
　かつ、このゲート電極５は、ソース，ドレイン用の導電層2a，2b間の離間部２０に対応する位置に形成するが、該離間部２０の位置を自由に設定できる結果、ゲート電極５の位置も任意にできる。
　更に、ゲート電極５の直下の部分、特に図に５１で示す部分はｎ-である低濃度拡散領域３ａ，３ｂになっているので、直下がｎ+である高濃度拡散領域である場合の如き電界集中が発生せず、電界が緩和されて、電界集中に伴う各種不都合は防止できる。」（第４頁左上欄第２行〜同頁左下欄第２行)　
　
これらの記載により、引用例１には、
「絶縁層上に、ソース領域、ドレイン領域となる、リンを高濃度にドープしたポリシリコン層よりなる導電層2a、2bの離間部の前記絶縁層上と上記導電層上を覆って、200〜800Å程度の膜厚の薄膜ポリシリコン層として形成された半導体層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成された薄膜トランジスタであって、上記導電層2a、2bから上記半導体層へ不純物が拡散して、低濃度不純物領域3a、3bであるＬＤＤｎ-領域が形成され、上記ゲート電極の直下の部分がｎ-である低濃度拡散領域３ａ，３ｂの一部（５１）になっていることを特徴とする薄膜トランジスタ。」
が記載されている。
　　
　また、同様に、原査定において拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平２−２４６２７７号公報（以下、「引用例２」という。）には、第１、２、３図とともに、次のとおり記載されている。
　
（１）「第１図において、石英基板９の表面に形成した薄膜形のシングルゲートＭＯＳトランジスタは、中央にポリシリコン膜１０の薄膜部１０ａに設けたゲート酸化膜１１を介したゲート１２と、上記の薄膜部１０ａおよびその両側に中央のゲート１２から距離を置いてポリシリコン膜を２層に形成した厚膜部１０ｂに不純物を注入して設けたソース１３およびドレイン１４とから構成されている。」（第２頁右下欄第１〜８行）
（２）「第１図に示すＭＯＳトランジスタでは、ポリシリコン膜１０の膜厚は、厚膜部１０ｂが第３図のｔ1に、薄膜部１０ａがそのほぼ１／３のｔ2に形成されている。従って、ドレイン１４は、ゲート１２の近傍が不純物低濃度領域、遠方が不純物高濃度領域でそれぞれ構成されることになる。」(第２頁右下欄第15〜20行)
（３）「まず、石英基板９の全面に膜厚０.２μｍないし０.３μｍのポリシリコン膜を形成した後、パターニングして島状の厚膜部１０ｂの一層部１０ｃを形成する［第２図(ａ)］。次に、膜厚約０.１μｍのポリシリコン膜を堆積して厚膜部１０ｂおよび厚膜部１０ｂに挟まれた薄膜部１０ａを形成する［第２図（ｂ）］。次に、上記の薄膜部１０ａの中央部に、乾燥酸素ガスを用いて膜厚０.１２μｍないし０.１３μｍのゲート酸化膜１１を形成した後、膜厚約４０００Åのポリシリコン膜を成長させ、ゲート１２を形成する［第２図（ｃ）］。」（第３頁左上欄第４〜13行）
　
３．対比　　
　本願発明と引用例１に記載された発明（以下、「引用例１発明」という）を対比すると、まず、引用例１発明における「絶縁層」は、本願発明における「絶縁基板」に相当する。引用例１には、200〜800Å程度の膜厚の薄膜ポリシリコン層として形成された半導体層が、ソース領域、ドレイン領域となる導電層2a、2bの離間部、すなわち、ソース領域とドレイン領域の間の絶縁層上及び導電層上に形成され、その上部にゲート絶縁膜を介してゲート電極が設けられていると記載されており、一般に、半導体分野における、このような構造を有する「トランジスタ」では、ソース領域とドレイン領域の間でゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成された半導体材料からなる領域をチャネル領域と呼び、引用例１発明においてもソース領域とドレイン領域との間にチャネル領域に相当する領域が形成されていることは明らかである。「薄膜ポリシリコン層として形成された半導体層」がシリコン膜の一種であることも、半導体分野において自明であるから、引用例１発明における「ソース領域、ドレイン領域となる不純物を含む導電層2a、2bの離間部の前記絶縁層上と上記導電層上を覆って、200〜800Å程度の膜厚の薄膜ポリシリコン層として形成された半導体層」は、本願発明における「前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に形成されたチャネル領域とを含むシリコン膜」に相当する。
　また、引用例１には、「熱処理により導電層2a，2bから半導体層３へ不純物が拡散し、低濃度不純物領域3a，3bであるＬＤＤｎ-領域が形成される。」（第４頁左上欄第15〜17行）及び上記「ゲート電極５の直下の部分、特に図に５１で示す部分は、ｎ-である低濃度拡散領域3a，3bになっている」（第４頁右上欄第17〜19行）と記載されている。ここで、図示番号が同じであること、半導体分野において不純物を拡散させた不純物領域を拡散領域と呼ぶことも一般的に行われているから、「低濃度拡散領域3a，3b」及び「低濃度不純物領域3a，3b」はいずれも熱処理することにより形成された領域であり、「低濃度拡散領域３ａ，３ｂの一部分（５１）」もゲート電極５の直下の部分であることに加えて、ゲート電極の直下の部分には当然チャネル領域に相当する領域もあり、「低濃度拡散領域３ａ，３ｂの一部分（５１）」は、チャネル領域に相当する領域と隣接するものである。他方において、「リンを高濃度にドープ」したポリシリコン層である導電層2a，2bからの不純物の拡散により、ＬＤＤｎ-領域を含む低濃度不純物領域3a，3bが形成されるのであるから、「低濃度拡散領域３ａ，３ｂの一部分（５１）」は、導電層2a，2bとも隣接するものである。したがって、引用例１発明における「リンを高濃度にドープしたポリシリコン層よりなる導電層2a、2b」及び「低濃度拡散領域３ａ，３ｂの一部分（５１）」は、本願発明における「高濃度不純物領域」、「前記高濃度不純物領域と前記チャネル領域との間に配置された低濃度不純物領域」に相当する。
　さらに、引用例１には、「ゲート電極５の直下の部分、特に図に５１で示す部分はｎ-である低濃度拡散領域３ａ，３ｂになっているので、直下がｎ+である高濃度拡散領域である場合の如き電界集中が発生せず、電界が緩和されて、電界集中に伴う各種不都合は防止できる。」（第４頁右上欄第17行〜同頁左下欄第２行）とも記載されており、本願発明と同一の目的をもって、ゲート電極を形成する前に、引用例１発明における「低濃度拡散領域３ａ，３ｂの一部分（５１）」が形成されているので、「前記高濃度不純物領域と前記チャネル領域との間に配置された低濃度不純物領域」に相当する引用例１発明の「低濃度拡散領域３ａ，３ｂの一部分（５１）」が「ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重畳されてな」るものであることは明らかである。
　
　そこで、両者は、　
「絶縁基板上に、ソース領域、ドレイン領域、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に形成されたチャネル領域とを含むシリコン膜と、ゲート絶縁膜を介して前記チャネル領域に対向配置されたゲート電極とを有する薄膜トランジスタにおいて、
　前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、高濃度不純物領域と、前記高濃度不純物領域と前記チャネル領域との間に配置された低濃度不純物領域とを有し、前記低濃度不純物領域は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重畳されてなることを特徴とする薄膜トランジスタ。」である点で一致し、以下の点で相違する。　
　
　相違点１ 
　本願発明では、「高濃度不純物領域は前記低濃度不純物領域よりも厚い膜厚を有する」のに対して、引用例１発明では、「低濃度不純物領域3ａ、3bであるＬＤＤｎ-領域」が「200〜800Å程度の膜厚の薄膜ポリシリコンとして形成」されているものの、「リンを高濃度にドープしたポリシリコン層よりなる導電層2a、2b」との厚みの大小は明らかでない点。
　　
４．当審の判断　
　上記相違点について、以下で検討する。
（１）相違点１について　
　引用例２には、「ドレイン１４は、ゲート１２の近傍が不純物低濃度領域、遠方が不純物高濃度領域でそれぞれ構成されることになる。」(第２頁右下欄第18〜20行)及び「石英基板９の全面に膜厚０.２μｍないし０.３μｍのポリシリコン膜を形成した後、パターニングして島状の厚膜部１０ｂの一層部１０ｃを形成する［第２図(ａ)］。次に、膜厚約０.１μｍのポリシリコン膜を堆積して厚膜部１０ｂおよび厚膜部１０ｂに挟まれた薄膜部１０ａを形成する［第２図（ｂ）］。次に、上記の薄膜部１０ａの中央部に、乾燥酸素ガスを用いて膜厚０.１２μｍないし０.１３μｍのゲート酸化膜１１を形成した後、膜厚約４０００Åのポリシリコン膜を成長させ、ゲート１２を形成する［第２図（ｃ）］。」（第３頁左上欄第４〜13行）と記載されており、引用例２に記載された「石英基板９の表面に形成した薄膜形のシングルゲートＭＯＳトランジスタ」は、引用例１発明と同様に、ソース領域、ドレイン領域となる厚膜部１０bの間の石英基板上にポリシリコン層を堆積させ、その上にゲート絶縁膜、ゲート電極を形成する構造の薄膜トランジスタであり、引用例２に記載された「島状の厚膜部１０ｂの一層部１０ｃ」及び「厚膜部１０ｂ、厚膜部１０ｂに挟まれた薄膜部１０ａ及び１０ａに連続して形成された、厚膜部１０ｂのうち一層部１０ｃを除いた部分」は、引用例１発明における「リンを高濃度にドープしたポリシリコン層よりなる導電層2a、2b」及び「低濃度不純物領域3ａ、3bであるＬＤＤｎ-領域」にそれぞれ相当し、ゲート近傍に低濃度不純物領域を設ける基本的なトランジスタの構造も共通であり、これらの共通性に着目した場合に引用例２に記載された薄膜トランジスタの構造を基本的なトランジスタ構造が同じく共通する薄膜トランジスタである引用例１発明のものに適用することは当業者にとって何ら阻害要因はないので、引用例１には、導電層2a，2bの具体的な厚さについては記載がないものの、高濃度不純物領域に相当する引用例１発明における「リンを高濃度にドープしたポリシリコン層よりなる導電層2a、2b」の部分を、引用例２に記載されたごとく、「前記高濃度不純物領域と前記チャネル領域との間に配置された低濃度不純物領域」に相当する部分より、膜厚にすること、即ち、本願発明の如く、「高濃度不純物領域は前記低濃度不純物領域よりも厚い膜厚を有する」ものとすることは、当業者が容易になし得たものである。
　
　したがって、本願発明は、当業者が各引用例に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　　　
　
５．むすび　　
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２乃至１５に係る発明について検討するまでもなく、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。　
　
　よって、結論のとおりに審決する。