【手続補正書】
【提出日】平成24年3月19日(2012.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）単一の第１のスイッチを閉じ、それによりソース電流がインダクタを通って流れることができるようになるステップと、
（ｂ）単一の第１のスイッチを開き、それにより充電電流がインダクタのインダクタンスを利用するエネルギー蓄積デバイスを通って流れるようになるステップと、
（ｃ）エネルギー蓄積デバイスが十分に充電されるまで、ステップａおよびｂを繰り返すステップであって、ステップａおよびｂが、製造中に回路組立で行われる較正工程により決定される所定の回数実行されるステップと、
（ｄ）指令と同時に、第２のスイッチを閉じ、それにより放電電流がエネルギー蓄積デバイスからインダクタに流れ、駆動する磁場をインダクタに発生させ、それにより機械弁を駆動するステップとを含む、方法。
【請求項２】
ソース電流が弁を駆動するのに不十分である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ソース電流が電流検出素子により測定される第１の所定のレベルに到達するまで、ステップａが維持される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ソース電流が電流検出素子により測定される第２の所定のレベルに到達するまで、ステップｂが維持される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
較正工程が構成要素の公差と周囲温度の両方を考慮する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ステップａおよびｂが、第２のスイッチが開かれた状態で実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
（ｅ）弁が駆動された後に、電流検出素子によりソース電流を監視するステップと、
（ｆ）ソース電流が所定のレベルに到達すると、ステップａおよびｂを繰り返して、エネルギー蓄積デバイスを再充電するステップとをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
第１のスイッチが、通常閉じられたデプリーション型ＭＯＳＦＥＴである、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
（ａ）第１の単極単投接点（ＳＰＳＴ）スイッチを開き、第２のＳＰＳＴスイッチを閉じ、それにより第１のダイオードを順バイアスし、ソース電流がコンデンサを通って流れることができるようになり、コンデンサを充電するステップと、
（ｂ）第２のＳＰＳＴスイッチを開き、それにより第２のダイオードを逆バイアスし、コンデンサの充電を維持するステップと、
（ｃ）第１のＳＰＳＴスイッチを閉じ、それによりソース電流がソレノイドコイルを通って流れることができるようになるステップと、
（ｄ）第１のＳＰＳＴスイッチを開き、それにより第２のダイオードを順バイアスし、充電電流がソレノイドコイルのインダクタンスを利用するコンデンサを通って流れるステップと、
（ｅ）コンデンサが十分に充電されるまで、ステップｃおよびｄを繰り返すステップと、
（ｆ）指令と同時に、第１のＳＰＳＴスイッチも第２のＳＰＳＴスイッチも閉じ、それにより第１のダイオードも第２のダイオードも逆バイアスし、放電電流がコンデンサからソレノイドコイルに流れ、駆動する磁場をソレノイドコイルが発生させ、それにより機械弁を駆動するステップとを含み、
ソース電流が電流検出素子により測定される第１の所定のレベルに到達するまで、ステップｃが維持される、方法。
【請求項１０】
ソース電流が、弁を駆動するための駆動する磁場を発生させるのに不十分である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
ソース電流が電流検出素子により測定される第２の所定のレベルに到達するまで、ステップｄが維持される、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
ステップｃおよびｄが所定の回数実行される、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
所定の回数が較正工程により決定され、構成要素の公差と周囲温度の両方を考慮する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ステップｃおよびｄが、第２のスイッチが開かれた状態で実行される、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
（ｇ）弁が駆動された後に、電流検出素子によりソース電流を監視するステップと、
（ｈ）ソース電流が所定のレベルに到達すると、ステップａおよびｂを繰り返して、エネルギー蓄積デバイスを再充電するステップとをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
第１のＳＰＳＴスイッチが、通常閉じられたデプリーション型ＭＯＳＦＥＴである、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
ステップａ、ｂおよびｃは、
ソース電流が第１の所定のレベルに上がるまで、第１のＳＰＳＴスイッチを閉じたままにするステップと、
ソース電流が第１の所定のレベルに上がるとき、第１のＳＰＳＴスイッチを開くステップと、
ソース電流が第２の所定のレベルに下がると、第１のＳＰＳＴスイッチを閉じるステップとをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
ステップａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅは、
ソース電流が第１の所定のレベルに上がるまで、第１のＳＰＳＴスイッチを閉じたままにするステップと、
ソース電流が第１の所定のレベルに上がるとき、第１のＳＰＳＴスイッチを開くステップと、
ソース電流が第２の所定のレベルに下がると、第１のＳＰＳＴスイッチを閉じるステップとをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１９】
（ａ）第１の単極単投接点（ＳＰＳＴ）スイッチを開き、第２のＳＰＳＴスイッチを閉じ、それにより第１のダイオードを順バイアスし、ソース電流がコンデンサを通って流れることができるようになり、コンデンサを充電するステップと、
（ｂ）第２のＳＰＳＴスイッチを開き、それにより第２のダイオードを逆バイアスし、コンデンサの充電を維持するステップと、
（ｃ）第１のＳＰＳＴスイッチを閉じ、それによりソース電流がソレノイドコイルを通って流れることができるようになるステップと、
（ｄ）第１のＳＰＳＴスイッチを開き、それにより第２のダイオードを順バイアスし、充電電流がソレノイドコイルのインダクタンスを利用するコンデンサを通って流れるステップと、
（ｅ）コンデンサが十分に充電されるまで、ステップｃおよびｄを繰り返すステップと、
（ｆ）指令と同時に、第１のＳＰＳＴスイッチも第２のＳＰＳＴスイッチも閉じ、それにより第１のダイオードも第２のダイオードも逆バイアスし、放電電流がコンデンサからソレノイドコイルに流れ、駆動する磁場をソレノイドコイルに発生させ、それにより機械弁を駆動するステップとを含み、
ステップｃおよびｄが較正工程により決定される所定の回数実行され、、構成要素の公差と周囲温度の両方を考慮する、方法。
【請求項２０】
ソース電流が、弁を駆動するための駆動する磁場を発生させるのに不十分である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
ステップｃおよびｄが、第２のＳＰＳＴスイッチが開かれた状態で実行される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
（ｅ）弁が駆動された後に、電流検出素子によりソース電流を監視するステップと、
（ｆ）ソース電流が所定のレベルに到達すると、ステップａおよびｂを繰り返して、エネルギー蓄積デバイスを再充電するステップとをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
ステップａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅは、
ソース電流が第１の所定のレベルに上がるまで、第１のＳＰＳＴスイッチを閉じたままにするステップと、
ソース電流が第１の所定のレベルに上がるとき、第１のＳＰＳＴスイッチを開くステップと、
ソース電流が第２の所定のレベルに下がると、第１のＳＰＳＴスイッチを閉じるステップとをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】
（ａ）第１の単極単投接点（ＳＰＳＴ）スイッチを開き、第２のＳＰＳＴスイッチを閉じ、それにより第１のダイオードを順バイアスし、ソース電流がコンデンサを通って流れることができるようになり、コンデンサを充電するステップと、
（ｂ）第２のＳＰＳＴスイッチを開き、それにより第２のダイオードを逆バイアスし、コンデンサの充電を維持するステップと、
（ｃ）第１のＳＰＳＴスイッチを閉じ、それによりソース電流がソレノイドコイルを通って流れることができるようになるステップと、
（ｄ）第１のＳＰＳＴスイッチを開き、それにより第２のダイオードを順バイアスし、充電電流がソレノイドコイルのインダクタンスを利用するコンデンサを通って流れるステップと、
（ｅ）コンデンサが十分に充電されるまで、ステップｃおよびｄを繰り返すステップと、
（ｆ）指令と同時に、第１のＳＰＳＴスイッチも第２のＳＰＳＴスイッチも閉じ、それにより第１のダイオードも第２のダイオードも逆バイアスし、放電電流がコンデンサからソレノイドコイルに流れ、駆動する磁場をソレノイドコイルに発生させ、それにより機械弁を駆動するステップと、
（ｇ）弁が駆動された後に、電流検出素子によりソース電流を監視するステップと、
（ｈ）ソース電流が所定のレベルに到達すると、ステップａおよびｂを繰り返して、エネルギー蓄積デバイスを再充電するステップとを含む、方法。
【請求項２５】
ソース電流が、弁を駆動するための駆動する磁場を発生させるのに不十分である、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
ステップｃおよびｄが所定の回数実行される、請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
ステップｃおよびｄが、第２のスイッチが開かれた状態で実行される、請求項２４に記載の方法。
【請求項２８】
ステップａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅは、
ソース電流が第１の所定のレベルに上がるまで、第１のＳＰＳＴスイッチを閉じたままにするステップと、
ソース電流が第１の所定のレベルに上がるとき、第１のＳＰＳＴスイッチを開くステップと、
ソース電流が第２の所定のレベルに下がると、第１のＳＰＳＴスイッチを閉じるステップとをさらに含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２９】
（ａ）第１の単極単投接点（ＳＰＳＴ）スイッチを開き、第２のＳＰＳＴスイッチを閉じ、それにより第１のダイオードを順バイアスし、ソース電流がコンデンサを通って流れることができるようになり、コンデンサを充電するステップと、
（ｂ）第２のＳＰＳＴスイッチを開き、それにより第２のダイオードを逆バイアスし、コンデンサの充電を維持するステップと、
（ｃ）第１のＳＰＳＴスイッチを閉じ、それによりソース電流がソレノイドコイルを通って流れることができるようになるステップと、
（ｄ）第１のＳＰＳＴスイッチを開き、それにより第２のダイオードを順バイアスし、充電電流がソレノイドコイルのインダクタンスを利用するコンデンサを通って流れるステップと、
（ｅ）コンデンサが十分に充電されるまで、ステップｃおよびｄを繰り返すステップと、
（ｆ）指令と同時に、第１のＳＰＳＴスイッチも第２のＳＰＳＴスイッチも閉じ、それにより第１のダイオードも第２のダイオードも逆バイアスし、放電電流がコンデンサからソレノイドコイルに流れ、駆動する磁場をソレノイドコイルに発生させ、それにより機械弁を駆動するステップとを含み、
ステップａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅは、
ソース電流が第１の所定のレベルに上がるまで、第１のＳＰＳＴスイッチを閉じたままにするステップと、
ソース電流が第１の所定のレベルに上がるとき、第１のＳＰＳＴスイッチを開くステップと、
ソース電流が第２の所定のレベルに下がると、第１のＳＰＳＴスイッチを閉じるステップとをさらに含む、方法。
【請求項３０】
ソース電流が、弁を駆動するための駆動する磁場を発生させるのに不十分である、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
ステップｃおよびｄが所定の回数実行される、請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】
ステップｃおよびｄが、第２のスイッチが開かれた状態で実行される、請求項２９に記載の方法。