【事件の表示】
　特許第３３２７１７５号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第３３２７１７５号に係る明細書を本件審判請求書に添付された訂正明細書のとおり訂正することを認める。
【理　由】
第１　手続の経緯
　平成　９年　７月１８日　特許出願（特願平　９−１９３９９５号）
　同　１４年　７月１２日　特許権の設定の登録
　同　１６年　３月　１日　特許異議の決定（２００３−７０７２６号）
　同　　　年　４月１６日　出訴（平成１６年（行ケ）第１４８号）
　同　　　年　４月２０日　本件審判の請求
　同　　　年　６月　３日　訂正拒絶の理由の通知
　同　　　年　７月　１日　本件審判における手続補正書及び意見書の提出
　
第２　平成１６年７月１日付手続補正書による補正の適否について
　平成１６年７月１日付手続補正書による補正は、審判請求書第２頁第８行−第８頁第８行記載の特許請求の範囲に関する訂正事項、及び同書第８頁第９行−第１７頁第２１行記載の発明の詳細な説明の課題を解決するための手段に関する訂正事項のうち、設定登録時の特許請求の範囲の請求項２−９、１１−１７についての訂正事項を削除するものであって、訂正事項を追加又は変更するものでないから、本件審判請求書の要旨を変更するものでない。
　よって、上記補正は、特許法第１３１条の２第１項の規定に適合し、当該補正を認める。
　
第３　請求の要旨
　上記のとおり、平成１６年７月１日付手続補正書による審判請求書の補正が認められるから、本件審判の請求の要旨は、設定登録時の明細書を、上記手続補正書に添付した訂正明細書のとおり、すなわち、次のとおり訂正することを求めるものである。
１　訂正事項ア
　特許請求の範囲の
「【請求項１】　半導体素子が形成され、最上層が金属膜である２以上の層を有するウェハ中の前記金属膜の少なくとも一部を研磨により除くウェハ研磨装置であって、半導体素子が形成されたウェハ研磨面の前記金属膜の一部または全部にプローブ光を照射するプローブ光照射部と、ウェハ表面から反射されたプローブ光又はウェハを透過したプローブ光の分光反射率又は分光透過率の変化から、研磨終了点を検知する検知部を有してなることを特徴とするウェハ研磨装置。」及び
「【請求項１０】　半導体素子が形成され、最上層が金属膜である２以上の層を有するウェハ中の前記金属膜の少なくとも一部を研磨により除くウェハ研磨に際して、プローブ光照射部が半導体素子が形成されたウェハ研磨面の前記金属膜の一部または全部に多成分の波長のプローブ光を照射し、ウェハ表面から反射されたプローブ光又はウェハを透過したプローブ光の分光反射率又は分光透過率の変化から、研磨終了点を検知することを特徴とする検知部。」を
「【請求項１】　半導体素子が形成され、最上層が金属膜である２以上の層を有するウェハ中の前記金属膜の少なくとも一部を研磨により除くウェハ研磨装置であって、半導体素子が形成されたウェハ研磨面の前記金属膜の一部または全部に、多成分の波長のプローブ光を照射するプローブ光照射部と、ウェハ表面から反射されたプローブ光の分光反射率の波形の変化から、研磨終了点を検知する検知部を有し、前記プローブ光が、ウェハのデバイスの最小構造より十分大きなスポット径で、ウェハのパターン構造部分に照射され、前記デバイスの各部分からの反射光の光波が重ね合わされていて、前記検知部は前記分光反射率の波形が研磨の進行に対して安定した時点を研磨終了点とすることを特徴とするウェハ研磨装置。」及び
「【請求項１０】　半導体素子が形成され、最上層が金属膜である２以上の層を有するウェハ中の前記金属膜の少なくとも一部を研磨により除くウェハ研磨に際して、プローブ光照射部が半導体素子が形成されたウェハ研磨面の前記金属膜の一部または全部に多成分の波長のプローブ光を照射し、ウェハ表面から反射されたプローブ光の分光反射率の波形の変化から、研磨終了点を検知し、前記プローブ光が、ウェハのデバイスの最小構造より十分大きなスポット径で、ウェハのパターン構造部分に照射され、前記デバイスの各部分からの反射光の光波が重ね合わされていて、前記分光反射率の波形が研磨の進行に対して安定した時点を研磨終了点とすることを特徴とする検知部。」と訂正する。
　
２　訂正事項イ
　特許明細書の段落【００１９】の、「金属膜の一部または全部にプローブ光を照射するプローブ光照射部と、ウェハ表面から反射されたプローブ光又はウェハを透過したプローブ光の分光反射率又は分光透過率の変化から、研磨終了点を検知する検知部を有してなる」を「金属膜の一部または全部に、多成分の波長のプローブ光を照射するプローブ光照射部と、ウェハ表面から反射されたプローブ光の分光反射率の波形の変化から、研磨終了点を検知する検知部を有し、前記プローブ光が、ウェハのデバイスの最小構造より十分大きなスポット径で、ウェハのパターン構造部分に照射され、前記デバイスの各部分からの反射光の光波が重ね合わされていて、前記検知部は前記分光反射率の波形が研磨の進行に対して安定した時点を研磨終了点とする」と訂正し、段落【００３４】の「ウェハ表面から反射されたプローブ光又はウェハを透過したプローブ光の分光反射率又は分光透過率の変化から、研磨終了点を検知する」を「ウェハ表面から反射されたプローブ光の分光反射率の波形の変化から、研磨終了点を検知し、前記プローブ光が、ウェハのデバイスの最小構造より十分大きなスポット径で、ウェハのパターン構造部分に照射され、前記デバイスの各部分からの反射光の光波が重ね合わされていて、前記分光反射率の波形が研磨の進行に対して安定した時点を研磨終了点とする」と訂正し、段落【００２０】の末尾に「研磨対象であるウェハには小さな個別素子の集合体である多数の周期構造が存在し、ウエハは微細に見れば一様でない。よって、照射されるプローブ光のスポット径が小さいときは、反射光又は透過光は、この微細構造の影響を受け、照射位置によって変化し、これがノイズとなる可能性がある。しかしながら、照射するプローブ光のスポット径をウェハのデバイスの最小構造より十分大きなものとすることにより、反射光又は透過光は、プローブ光の照射位置に関係なく一定となり、安定した信号が得られる。」との記載を追加する。
　
第４　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否について
　上記訂正事項ア、イについて以下検討する。
１　訂正事項アについて
　訂正事項アは、特許請求の範囲の請求項１及び１０について、プローブ光が「多成分の波長のプローブ光」であって、「ウェハのデバイスの最小構造より十分大きなスポット径で、ウェハのパターン構造部分に照射され、デバイスの各部分からの反射光の光波が重ね合わされてい」る点を限定し、かつ、その検知部が「ウェハ表面から反射されたプローブ光の分光反射率の波形の変化から、研磨終了点を検知する」点、及び「検知部は前記分光反射率の波形が研磨の進行に対して安定した時点を研磨終了点とする」点を限定することを求めるものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、新規事項の追加に該当せず、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
２　訂正事項イについて
　訂正事項イは、発明の詳細な説明における課題を解決するための手段の記載について、上記訂正事項アと整合を図るものであって、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当し、新規事項の追加に該当せず、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
第５　独立特許要件について
　そこで、上記訂正後の特許請求の範囲の請求項１及び１０に記載された発明（以下それぞれ「訂正発明１及び１０」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下検討する。
１ 訂正発明１及び１０
　訂正発明１及び１０は、訂正明細書、及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された事項により特定される、上記「第３　１」に示すとおりのものである。
　
２　刊行物記載の発明（事項）
　当審において訂正拒絶の理由に引用された特開平７−５２０３２号公報（以下「刊行物１」という。）及び特開平９−７９８５号公報（以下「刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されていると認める。
（１）刊行物１
ア　公報第１欄第５０行−第２欄第２行
「本発明は、半導体ウエハ、特にＳＯＩ(Silicon-on-Insulator)ウエハ等の膜付きウエハの研磨方法及び装置に関する。」
イ　公報第２欄第３８−４１行
「本発明は、研磨途中でウエハを定盤から離すことなく研磨中の膜の厚さを知ることができ、研磨の高精度な制御が効率よくできるウエハの研磨方法及び装置を提供することを課題とする。」
ウ　公報第４欄第１−５行
「光ケーブルでウエハの研磨面に光を照射してその反射光を分光反射率測定
装置に入れ、特定の波長のピークにより所望の厚さになったことを知る。この研磨状態の判定は、研磨中に行っても、研磨を一時停止して行ってもよい。」
エ　公報第４欄第５０行−第５欄第５行
「分光反射率測定装置で膜厚の評価を行う場合には、測定毎に膜厚を計算で求めることが出来るので、研磨の終点を正確に決定できる。研磨中に膜厚計算を行わず、膜が目標の厚さになったときの分光反射率を予め計算で求めておいて、測定した分光反射率の特徴が計算と一致した時点で研磨を終了してもよい。」
オ　公報第５欄第２７行−第６欄第５行
「定盤１の溝２の反対側には透明窓材４の回転路に面して研磨するウエハ７の研磨面に光を照射しその反射光を受光するプローブ９が配置されている。プローブ９はピント調節用レンズを内蔵し、光ケーブル１０に接続され、その他端は二股に別れ図示していない分光反射率測定装置と測定用光源に接続されている。・・片面に回転用の軸が固定された直径１１０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円盤状のアルミニウム製のウエハ支持板８に、表面に熱酸化膜を形成した２枚のシリコンウエハを、熱酸化膜を接せしめて接着し、一方のウエハを平面研削して厚さ１５μｍのシリコン膜として直径１００ｍｍのＳＯＩウエハを、平面研削加工していない面をワックスで張り付けた。・・粒径が０.０１μｍ以下のシリカ粉末を含むアルカリ性溶液からなるローデルニッタ社製、商品名NALCO−2350を２０倍に希釈した研磨液を定盤１の研磨布５の表面に滴下しつつ、定盤１を毎分５０回転させながら、ウエハ支持板８に張り付けたウエハ７を、自転速度毎分４０回転で回転させつつ、研磨布５に、回転中心が透明窓材４の上に位置するように、研磨荷重１０ｋｇｆで押し付けて目標膜厚を１μｍにして研磨を開始した。」
カ　公報第６欄第１３−２９行
「研磨開始時、膜の分光反射率は、シリコンウエハと同一のスペクトルを示したが、研磨の進行に伴い反射率の波長に対する周期的な変動が現れ、徐々にその振幅を増した。反射光強度の個々のピークは相互の間隔を狭めながら短波長側へと移行した。個々のピークの移動により、測定波長範囲内のピークが入れ代わるにつれて、ピークの間隔は次第に広がった。・・計算によれば、ＳＯＩの厚さ１μｍのシリコン膜の分光反射率は波長７００ｎｍと７７０ｎｍにピークを持つ。そこで、一つのピークの位置が７００ｎｍを下回った時点で次のピークの位置を読み、それが７６５ｎｍ以上であれば研磨を終了するものとし、７６５ｎｍ未満であればその位置を追跡しながら研磨を続行した。・・このようにして１０枚のＳＯＩウエハを研磨した結果、総てのウエハにおいて中心の膜厚は０.９８〜１.００μｍの範囲に収まっていた。」
　上記摘記事項ア−カ、及び半導体ウエハ中に半導体素子が形成されていることは技術常識（必要であれば、下記刊行物２の記載事項（２）ウを参照。）から明らかであることからみて、刊行物１には、次の発明（以下「刊行物１記載の発明」という。）が記載されているものと認める。
　半導体素子が形成されたウエハ中のシリコン膜の一部を研磨により除くウエハ研磨装置であって、半導体素子が形成されたウエハ研磨面の一部に光を照射するプローブと、ウエハ表面から反射された光の分光反射率の波形の変化により研磨終了点を検知する分光反射率測定装置を有し、反射率の分光曲線における、一つのピークの位置が７００ｎｍを下回った時点で次のピークの位置を読み、それが７６５ｎｍ以上であれば研磨を終了するウエハ研磨装置。
（２）刊行物２
ア　公報第１０頁右欄第２０−３１行
「プラーテン１６は典型的には、ＣＭＰプロセスの最中は回転されるだろう。従って、プラーテンホール３０は、自身が一周する間にウエハ１４を１回だけ見えることになる。従って、ウエハ１４にレーザービーム３４が入射する時だけ、レーザー干渉計３２からの検出信号をサンプリングすることが可能である。レーザービーム３４がホール３０を通って部分的にしか伝送されないときには検出信号はサンプリングされず、その理由は、ホールのエッジでプラーテン１６の底部によって一部が干渉された場合は、信号に著しいノイズが発生するだろうからである。このことが発生することを防止するため、位置センサ装置が結合される。」
イ　公報第１３頁左欄第３２行−第１４頁左欄第２４行
「図１１（ａ）〜（ｃ）には、酸化物層５２の表面造作７２、７４、７６の１組が、その下の構造体７８、８０、８２と関連して例示される。これらは、典型的なパターニングされたウエハ１４上に見られ、ＣＭＰプロセス中に変化していく。・・造作７２、７４、７６のそれぞれからの個々の反射の全てから部分的に成る結合された干渉信号は、前述の周期的な正弦波状信号ではなく、外見上ランダムな様式で変動するだろう。・・しかし、上述のように、造作７２、７４、７６の研磨速度は、平坦化のポイントに近付く傾向がある。従って、・・結合された干渉信号が周期的な正弦波の形態として認識できるようになる。従って、正弦波状の干渉信号が開始するときを検出することにより、パターニングされたウエハの表面が平坦化された時を決定することが可能となる。・・図１３は、ＣＭＰの手順が行われているときのパターニングされたウエハに対する検出器信号の振幅を時間に対してプロットしたグラフである。・・レーザー干渉計からの出力信号がいつ周期化し、即ちウエハ表面が平坦化されているかを実際に決定することは、様々な方法により行うことが可能である。例えば、信号をデジタル処理し、この決定を行うアルゴリズムを用いることができるだろう。・・更に、カーブにフィッティングするための様々な周知のアルゴリズムを用いることが可能である。これらの方法は、干渉計信号の正弦波曲線との類似性を見出すために本質的に用いられるだろう。所定の許容範囲の中で一致すれば、周期が開始したと決定される。」
ウ　公報第１５頁左欄第７−２３行
「レーザー干渉計によって発生するレーザービームのビームの直径（即ちスポット）及び波長を有利なように操作することが可能であることに更に注意すべきである。図１５の（ａ）及び（ｂ）に示されているように、用いる波長に対し最小可能なスポットに合わせたビーム等の幅の狭いビーム８４は、ウエハ１４の表面に対して、フォーカスできていない広いビーム８６よりも小さな領域をカバーする。この狭いビーム８４は、広いビームに比べて、表面の不均一９０による散乱（即ちビーム８８）を生じやすく、なぜなら、この広いビーム８６はウエハ１４の表面の更に広い面積に広がり、表面の不均一９０よりも大きな部分を包含するからである。従って、広いビームは積分効果を有することとなり、ウエハ１４の表面を移動するときには、反射干渉信号に極端な変動を生じさせにくい。従って、この理由から、ビームは広い方が好ましい。レーザービームの幅を広くするためには、周知の光学装置を用いることが可能である。」
　
３　対比・判断
（１）訂正発明１について
　訂正発明１と刊行物１記載の発明とを対比すると、両者は、次の点で相違し、その余の点で一致している。
［相違点１］
　プローブ光が、前者では、「多成分の波長のプローブ光」であって、「ウェハのデバイスの最小構造より十分大きなスポット径で、ウェハのパターン構造部分に照射され、前記デバイスの各部分からの反射光の光波が重ね合わされてい」るのに対し、後者では、そのように特定されていない点。
［相違点２］
　研磨により除かれる膜が、前者では、「最上層が金属膜である２以上の層を有するウェハ中の金属膜」であって、かつ、その表面から反射される「分光反射率の波形が研磨の進行に対して安定した時点を研磨終了点とする」のに対し、後者では、「シリコン膜」であり、かつ、そのような時点を研磨終了点とするものでない点。
　上記相違点２について検討するに、相違点２に係る訂正発明１の特定事項、すなわち、研磨により除かれる膜が、「最上層が金属膜である２以上の層を有するウェハ中の金属膜」であって、かつ、その表面から反射される「分光反射率の波形が研磨の進行に対して安定した時点を研磨終了点とする」点について、刊行物２には記載も示唆もされていない。
　そして、訂正発明１は、上記特定事項を具備することにより、訂正明細書段落【００７０】記載の「研磨開始時には全面を金属が覆った形であり、反射光を観察すると概ね平坦な図５のａのような分光特性波形が得られる。研磨が進行し、絶縁層が露出するにつれ、反射光量の絶対値が下がるとともに、干渉効果によって極大、極小値をもつ波形ｂが出現する。この波形ｂが安定した時点で研磨終了とすることで、３００ｎｍほど研磨する工程において、約１０％の精度での終了検知が可能になった。」及び段落【００７１】の「半導体研磨において、研磨中あるいは研磨後の研磨量又は研磨終了点の検知が感度よく、簡便な機構でなされる。この装置は雑音に強く、信号擾乱の影響も小さい。」という格別な作用効果を奏するものと認められる。
　してみると、他の相違点について検討するまでもなく、訂正発明１は、刊行物１記載の発明及び刊行物２に記載された事項から、当業者が容易に発明をすることができたものと云うことができない。
（２）訂正発明１０について
　さらに、訂正発明１の上記特定事項を具備する訂正発明１０も、同様の理由により、刊行物１記載の発明及び刊行物２に記載された事項から、当業者が容易に発明をすることができたものと云うことができない。
　
　また、他に、訂正発明１及び１０が、特許出願の際独立して特許を受けることができない発明であるという理由を発見しない。
　
第６　むすび
　したがって、本件審判の請求は、特許法第１２６条第１項ただし書、及び同条第３項ないし第５項の規定に適合する。
　よって、結論のとおり審決する。