【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年6月20日(2014.6.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フュージョンプロセスでの使用に適した形状を有する本体を備えた、ガラスまたはガラスセラミックを作製するためのアイソパイプであって、前記本体が含む窒化ケイ素耐火性材料が、
（ａ）前記アイソパイプの使用中に、溶融状態の前記ガラスまたはガラスセラミックと接触し、
（ｂ）前記溶融ガラスまたは溶融ガラスセラミックと前記窒化ケイ素耐火性材料との前記接触による、完成したガラスまたは完成したガラスセラミックに生じる欠陥の個数が、１ポンド（約４５４ｇ）当たり０．１個を超えない欠陥レベルであるという点で、前記溶融ガラスまたは溶融ガラスセラミックと適合したものであり、かつ、
（ｃ）１２５０℃かつ１０００ｐｓｉ（約６．９ＭＰａ）で、１×１０-6／時未満の曲げクリープ歪み速度を有し、ここで、
（ｉ）前記窒化ケイ素耐火性材料が、０．１未満のｐＯ2を有する雰囲気内において、１０重量％未満の１以上の焼結助剤を使用してブロック状に生成されたものであり、
（ｉｉ）該ブロック状の窒化ケイ素耐火性材料が、前記本体へと機械加工され、さらに、
（ｉｉｉ）該機械加工された窒化ケイ素耐火性材料のブロックを、０．１以上の酸素分圧に、一定時間の間、実質的に受動的酸化機序のみを呈するＳｉＯ2層を形成するのに十分な温度で、曝すことにより処理し、該ＳｉＯ2層が、前記アイソパイプの使用中に、前記窒化ケイ素のさらなる酸化に対する保護バリアとして働くものであることを特徴とするアイソパイプ。
【請求項２】
前記工程（ｉｉｉ）の処理が、１０００℃以上の温度で行われることを特徴とする請求項１記載のアイソパイプ。
【請求項３】
前記窒化ケイ素耐火性材料が、少なくとも８５重量％のＳｉ3Ｎ4を含むことを特徴とする請求項１または２記載のアイソパイプ。
【請求項４】
前記窒化ケイ素耐火性材料が、少なくとも３６重量％のＮと少なくとも５４重量％のＳｉとを含むことを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載のアイソパイプ。
【請求項５】
フュージョンプロセスでの使用に適した形状を有するアイソパイプを作製する方法であって、順に、
（ａ）０．１未満のｐＯ2を有する雰囲気内において１０重量％未満の１以上の焼結助剤を使用して生成された、窒化ケイ素耐火性材料のブロックを提供するステップ、
（ｂ）前記ブロックをアイソパイプ形状に機械加工するステップ、および、
（ｃ）前記機械加工されたブロックを、０．１以上の酸素分圧に、一定時間の間、実質的に受動的酸化機序のみを呈するＳｉＯ2層を形成するのに十分な温度で、曝すステップであって、該ＳｉＯ2層が、前記アイソパイプの使用中に、前記窒化ケイ素のさらなる酸化に対する保護バリアとして働くものである、該ステップ、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
ステップ（ｃ）での酸素に曝すステップが、１０００℃以上の温度で行われることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記窒化ケイ素耐火性材料が、少なくとも３６重量％のＮと少なくとも５４重量％のＳｉとを含むことを特徴とする請求項５または６記載の方法。
【請求項８】
請求項１から４いずれか１項記載のアイソパイプを使用してガラスシートを作製する方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
本開示では、窒化ケイ素を製造しこれを使用前に処理する手法が、気泡形成に対するアイソパイプの感受性に重要な役割を果たすと考えられるという、新たな観点からこの問題を見た。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
特に、酸素含有雰囲気内で加熱すると、窒化ケイ素は能動的酸化機序または受動的酸化機序に入り得る。能動的機序は元の窒化ケイ素製品の正味重量の損失を特徴とし、一方受動的機序は正味重量の増加を特徴とする。能動的機序にはさらに、長時間に亘って酸素と反応し続けるという特徴がある。従って、能動的機序が一旦確立されると、窒化ケイ素は酸素と反応し続ける可能性があり、この酸素には溶融ガラスとの接触で得られる酸素が含まれる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
一方、受動的機序は自己制御式であり、数μｍまでのオーダーのシリカ層が窒化ケイ素の表面上に形成されると受動的機序は停止する。これがすなわち窒化ケイ素の保護バリアを形成し、これにより気泡形成のリスクが実質的に低減された状態で窒化ケイ素を溶融ガラスと接触させることができる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
能動的機序か受動的機序かは、窒化ケイ素が酸素に曝される際の条件や、窒化ケイ素の組成に依存する。主な変動値は、温度、酸素圧、およびある程度ではあるが時間である。特に、例えば温度／Ｏ2の組合せがＴ＞１６００℃かつｐＯ2＜０．１であるものなど、高温かつ低酸素分圧の条件は能動的機序を促進する。時間変動値はあまり重要ではないが、窒化ケイ素が長時間酸素に曝されると、形成されるＳｉＯ2層が剥離し易くなることがあり、これにより材料が能動的機序に入り易くなる可能性がある。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
組成については、焼結助剤をより多く含む窒化ケイ素は能動的機序を呈する可能性がより高く、一方焼結助剤の含有量が少ない窒化ケイ素は能動的機序に入り難い。重要なことは、焼結助剤は窒化ケイ素のクリープ特性を低下させる傾向があるため、焼結助剤を低いレベルに保つことが、材料の物理的特性および化学的特性の両方にとって有益であるということである。窒化ケイ素を高密度化するための極端な手段を必要としないようにいくつかの焼結助剤が一般に要求されるが、一般的に言って、含まれる焼結助剤は１０重量％未満となるようにすべきである。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
前述したことを考慮して、焼結助剤の量を１０重量％レベル未満で維持できるよう、本書において開示されるアイソパイプに採用される窒化ケイ素は、例えば不活性雰囲気などの低酸素雰囲気内において製造される。その後、窒化ケイ素を機械加工し、アイソパイプとして使用するのに適した形状とする。次いで、この構造体を、酸素含有雰囲気内において、受動的機序を促進しかつ能動的機序を抑制するように選定された温度で処理する（「形成後処理」）。例えば、機械加工された窒化ケイ素の形成後処理を、おおよそ１２００℃の温度の空気内で少なくとも２４時間に亘って行ってもよい。その時点で、窒化ケイ素がその露出表面上に、通常約２μｍを超えかつ約５０μｍ未満の厚さを有するシリカ層を有していることが認められる。この層の厚さは、材料の断面を取ってＳＥＭで調べることにより測定することができる。いくつかの事例では、Ｓｉ2Ｎ2Ｏ中間層も、窒化ケイ素材料と外側のシリカ層との間に見られるであろう。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
形成後処理が終わると、アイソパイプはＬＣＤガラスなどの溶融ガラスと接触する準備ができ、形成される窒素気泡は最小量となる。所望であれば、処理を実行するための十分な高温を生成するのを可能にするために、アイソパイプが内部に取り付けられるマッフルが構成される場合には、形成後処理をフュージョン装置内の適当な位置で行うことができることに留意されたい。（当技術においては周知であるが、溶融ガラスを汚染から保護するため、かつガラスの温度を制御するため、使用中アイソパイプはマッフルで包囲される。このマッフルは、耐火性材料で作られ、またマッフル内部の温度を調整するための加熱素子を備えている。）
窒化ケイ素と共に使用する１以上の焼結助剤のパッケージは、この窒化ケイ素アイソパイプを用いて成形される個々のガラスを考慮して選択する必要があることに留意されたい。例えば、アルミナやイットリアが、窒化ケイ素に対する焼結助剤として通常使用されるが、これらの２つのうちイットリアの方が種々のガラスにとって好ましいであろう。というのも、イットリアはアルミナよりも拡散率が低く、またＬＣＤガラスを含むほとんどの一般的なガラスと適合性が低いことから、ガラスと結合して望ましくない失透を生じる可能性が低いためである。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
素地が成形されると、これを焼成し、アイソパイプの形成に適した寸法の窒化ケイ素ブロックを生成する。材料の共有結合が非常に強いため、大気中での標準的な焼結はほとんどの組成に対して行われない。無加圧すなわち常圧焼結法などの準伝統的な焼結法は、多量の焼結助剤および／または極小さい粒子サイズを用いることで行うことができる。しかしながら上述したように、過量の焼結助剤は、最終的な製品の物理的特性、特に高温特性の低下に繋がり、さらに、ＳｉＯ2形成に関し、望ましくない能動的機序を促進する。したがって、本書において開示される窒化ケイ素ブロックの焼成は、実質的に不活性雰囲気、すなわち０．１未満のｐＯ2を有する雰囲気（例えば、０．０１未満のｐＯ2を有する雰囲気）の中で行われる。この焼成は、１７００〜２０００℃の範囲の温度で行うことができるが、所望であればこれより高い温度や低い温度を使用してもよい。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
窒化ケイ素ブロックは、形成されると、フュージョンプロセスのアイソパイプとして使用するのに適した形状に機械加工される。アイソパイプは、一塊の窒化ケイ素で構成してもよいし、あるいは、そのうちのいくつかまたは全てが窒化ケイ素から成る、複数のブロックから作製してもよい。アイソパイプは、選択された形状がいかなるものであっても、溶融ガラスと接触する少なくとも１つの表面を有し、窒化ケイ素で構成され、そして機械加工の後にこの窒化ケイ素上に形成される保護シリカ層を備える。上述したように、保護シリカ層は形成後処理によって形成される。すなわち、機械加工された表面を、０．１以上の酸素分圧（例えば、０．２以上の分圧）に、例えば１，０００℃以上（およそ１２００℃など）にまで上昇された高温で、長時間、例えば一実施の形態では少なくとも１２時間、また別の実施形態では少なくとも２４時間の間、曝すことによって形成される。また同じく上述したように、形成後処理において使用される条件は、受動的酸化機序を促進し、かつ能動的酸化機序を抑制するように選択され、ここで受動的機序は部品の正味重量の増加を特徴とし、そして能動的機序はその減少を特徴とする。