【手続補正書】
【提出日】平成15年10月10日(2003.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
半導体基板上に選択的に形成されたフィールドシールド絶縁膜と、前記フィールドシールド絶縁膜の上部に形成されたフィールドシールドゲート電極とを備えたフィールド分離構造によって素子間分離を行う半導体装置であって、
前記フィールド分離構造は、
前記フィールドシールドゲート電極の上面を覆うように形成された耐酸化性膜と、
前記耐酸化性膜の上面を覆う第１の酸化膜と、
前記第１の酸化膜、前記耐酸化性膜および前記フィールドシールドゲート電極の側面を直接覆う第２の酸化膜とを備える半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
半導体基板上に選択的に形成されたフィールドシールド絶縁膜と、前記フィールドシールド絶縁膜の上部に形成されたフィールドシールドゲート電極とを備えたフィールド分離構造によって素子間分離を行う半導体装置であって、
前記フィールド分離構造は、
前記フィールドシールドゲート電極の上面を覆う第１の酸化膜と、
前記第１の酸化膜および前記フィールドシールドゲート電極の側面を直接覆う第２の酸化膜と、
前記フィールドシールドゲート電極および第２の酸化膜の下面を覆うように形成された耐酸化性膜とを備える半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記第２の酸化膜は、
その表面形状が、垂直断面方向に丸みを帯びた段差を有する輪郭を有し、前記フィールドシールド絶縁膜との接触部分の輪郭が前記半導体基板側に向けて丸みを帯びた形状である請求項１または請求項３記載の半導体装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
半導体基板上に選択的に形成されたフィールドシールド絶縁膜と、前記フィールドシールド絶縁膜の上部に形成されたフィールドシールドゲート電極とを備えたフィールド分離構造によって素子間分離を行う半導体装置であって、
前記フィールド分離構造は、
前記フィールドシールドゲート電極の上面を覆う第１の酸化膜と、
前記第１の酸化膜の上面を覆う第１の耐酸化性膜と、
少なくとも前記第１の酸化膜および前記フィールドシールドゲート電極の側面を直接覆う第２の酸化膜とを備える半導体装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記第２の酸化膜の表面を直接覆う第２の耐酸化性膜をさらに備える請求項６記載の半導体装置。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記第２の酸化膜は、前記第１の耐酸化性膜の側面を併せて覆い、
前記第２の酸化膜の表面を直接覆う第２の耐酸化性膜をさらに備える請求項６記載の半導体装置。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
半導体基板上に選択的に形成されたフィールドシールド絶縁膜と、前記フィールドシールド絶縁膜の上部に形成されたフィールドシールドゲート電極とを備えたフィールド分離構造によって素子間分離を行う半導体装置であって、
前記フィールドシールド絶縁膜は耐酸化性を有する膜であって、
前記フィールド分離構造は、
前記フィールドシールドゲート電極の上面を覆うように形成された第１の耐酸化性膜と、
前記第１の耐酸化性膜および前記フィールドシールドゲート電極の側面を直接覆うように形成された第２の耐酸化性膜とを備える半導体装置。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
半導体基板上に選択的に形成されたフィールドシールド絶縁膜と、前記フィールドシールド絶縁膜の上部に形成されたフィールドシールドゲート電極とを備えたフィールド分離構造によって素子間分離を行う半導体装置であって、
前記フィールド分離構造は、
前記フィールドシールドゲート電極の上面を覆う第１の酸化膜と、
前記第１の酸化膜および前記フィールドシールドゲート電極の側面を直接覆う第２の酸化膜とを備え、
前記フィールド分離構造によって素子間分離される素子はＭＯＳトランジスタであって、
前記第１の酸化膜の厚さは、
前記ＭＯＳトランジスタのゲート電極の端面に形成される、前記ＭＯＳトランジスタの低ドープドレイン層形成のためのサイドウォール酸化膜と、前記ＭＯＳトランジスタの部分に形成されるシリサイドプロテクション膜の厚さの合計よりも厚いことを特徴とする半導体装置。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】
半導体基板上に選択的に形成されたフィールドシールド絶縁膜と、前記フィールドシールド絶縁膜の上部に形成されたフィールドシールドゲート電極とを備えたフィールド分離構造によって素子間分離を行う半導体装置の製造方法であって、
(ａ)前記半導体基板上に前記フィールドシールド絶縁膜を全面的に形成する工程と、
(ｂ)前記フィールドシールド絶縁膜上に、前記フィールドシールドゲート電極、耐酸化性膜、第１の酸化膜が順に積層された積層体を選択的に形成する工程と、
(ｃ)前記第１の酸化膜、前記耐酸化性膜、前記フィールドシールドゲート電極の側面を直接覆う第２の酸化膜を形成する工程とを備え、
前記工程(ｃ)は、
(ｃ−１)前記フィールドシールド絶縁膜および前記積層体を覆うように酸化膜を形成する工程と、
(ｃ−２)異方性ドライエッチング法により前記フィールドシールド絶縁膜上の前記酸化膜の厚みを薄くする工程と、
(ｃ−３)前記フィールドシールド絶縁膜上の前記酸化膜を、ウエットエッチング法により除去して前記第２の酸化膜を形成するとともに、前記フィールドシールド絶縁膜を選択的に除去する工程とを含む、半導体装置の製造方法。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２２】
半導体基板上に選択的に形成されたフィールドシールド絶縁膜と、前記フィールドシールド絶縁膜の上部に形成されたフィールドシールドゲート電極とを備えたフィールド分離構造によって素子間分離を行う半導体装置の製造方法であって、
(ａ)前記半導体基板上に前記フィールドシールド絶縁膜および耐酸化性膜を順に全面的に形成する工程と、
(ｂ)前記耐酸化性膜上に、前記フィールドシールドゲート電極、第１の酸化膜が順に積層された積層体を選択的に形成する工程と、
(ｃ)前記第１の酸化膜、前記フィールドシールドゲート電極の側面を直接覆う第２の酸化膜を形成する工程とを備え、
前記工程(ｃ)は、
(ｃ−１)前記耐酸化性膜および前記積層体を覆うように酸化膜を形成する工程と、
(ｃ−２)異方性ドライエッチング法により前記酸化膜を除去して、前記第２の酸化膜を形成する工程と、
(ｃ−３)前記第２の酸化膜をマスクとして、ウエットエッチング法により前記耐酸化性膜を選択的に除去する工程と、
(ｃ−４)前記耐酸化性膜をマスクとして、ウエットエッチング法により前記フィールドシールド絶縁膜を選択的に除去する工程とを含む、半導体装置の製造方法。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２４】
半導体基板上に選択的に形成されたフィールドシールド絶縁膜と、前記フィールドシールド絶縁膜の上部に形成されたフィールドシールドゲート電極とを備えたフィールド分離構造によって素子間分離を行う半導体装置の製造方法であって、
(ａ)前記半導体基板上に、前記フィールドシールド絶縁膜、前記フィールドシールドゲート電極、第１の酸化膜、第１の耐酸化性膜が順に積層された積層体を選択的に形成する工程と、
(ｂ)少なくとも、前記第１の酸化膜および前記フィールドシールドゲート電極の側面を直接覆う第２の酸化膜を形成する工程と、
(ｃ)前記第２の酸化膜に窒素イオンを注入して、前記第２の酸化膜の表面に第２の耐酸化性膜を形成する工程とを備える、半導体装置の製造方法。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２６】
半導体基板上に選択的に形成されたフィールドシールド絶縁膜と、前記フィールドシールド絶縁膜の上部に形成されたフィールドシールドゲート電極とを備えたフィールド分離構造によって素子間分離を行う半導体装置の製造方法であって、
(ａ)前記半導体基板上に前記フィールドシールド絶縁膜を耐酸化性を有する膜として全面的に形成する工程と、
(ｂ)前記フィールドシールド絶縁膜上に、前記フィールドシールドゲート電極、第１の耐酸化性膜が順に積層された積層体を選択的に形成する工程と、
(ｃ)前記第１の耐酸化性膜および前記積層体を覆うように耐酸化性の膜を形成し、該耐酸化性の膜および前記フィールドシールド絶縁膜を異方性ドライエッチング法により除去し、前記第１の耐酸化性膜、前記フィールドシールドゲート電極の側面を直接覆う第２の耐酸化性膜を形成する工程と、
(ｄ)前記半導体基板の露出表面上に、一旦、犠牲酸化膜を形成した後、当該犠牲酸化膜を除去する工程とを備える半導体装置の製造方法。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２７】
前記フィールド分離構造によって素子間分離される素子はＭＯＳトランジスタであって、
前記半導体基板は、絶縁性基板上に形成されたＳＯＩ層を備えたＳＯＩ基板であって、前記フィールドシールド絶縁膜および前記犠牲酸化膜は、前記ＳＯＩ層上に形成され、
前記工程(ａ)に先だって、
前記ＳＯＩ層内に、前記ＭＯＳトランジスタのチャネル領域の濃度よりも高くなるように、不純物を導入する工程を備える、請求項２６記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
図８２に示すように、半導体装置Ｍ９０では、支持基板１と埋込酸化膜２とで構成される絶縁性基板の上にシリコン半導体層がＳＯＩ層３として形成されている。このＳＯＩ層３は、多数のＮＭＯＳトランジスタの形成領域（以後、ＮＭＯＳ領域と呼称）およびＰＭＯＳトランジスタの形成領域（以後、ＰＭＯＳ領域）を含んでいる。そして、これらの素子領域を互いに電気的に分離するための、平板状のフィールドシールドゲート電極（以後、ＦＳ電極と略記）５が、ＳＯＩ層３の各素子領域の境界に形成されている。


【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
この状態で、ゲート電極６の上部表面および図示しないソース・ドレイン層の表面に自己整合的にシリサイド膜１２を形成する。なお、シリサイド膜１２は、コバルトシリサイド（ＣｏＳｉ２）やチタンシリサイド（ＴｉＳｉ２）、あるいはニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ２）、タングステンシリサイド（ＷＳｉ２）など、いかなるシリサイド膜であっても構わない。シリサイド膜１２は、ポリシリコン層やシリコン層の表面に形成されるので、図９３に示すように、ＦＳ電極５の露出面にも形成されることになる。


【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る請求項１記載の半導体装置は、半導体基板上に選択的に形成されたフィールドシールド絶縁膜と、前記フィールドシールド絶縁膜の上部に形成されたフィールドシールドゲート電極とを備えたフィールド分離構造によって素子間分離を行う半導体装置であって、前記フィールド分離構造は、前記フィールドシールドゲート電極の上面を覆うように形成された耐酸化性膜と、前記耐酸化性膜の上面を覆う第１の酸化膜と、前記第１の酸化膜、前記耐酸化性膜および前記フィールドシールドゲート電極の側面を直接覆う第２の酸化膜とを備えている。


【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
本発明に係る請求項３記載の半導体装置は、半導体基板上に選択的に形成されたフィールドシールド絶縁膜と、前記フィールドシールド絶縁膜の上部に形成されたフィールドシールドゲート電極とを備えたフィールド分離構造によって素子間分離を行う半導体装置であって、前記フィールド分離構造は、前記フィールドシールドゲート電極の上面を覆う第１の酸化膜と、前記第１の酸化膜および前記フィールドシールドゲート電極の側面を直接覆う第２の酸化膜と、前記フィールドシールドゲート電極および第２の酸化膜の下面を覆うように形成された耐酸化性膜とを備えている。


【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
本発明に係る請求項５記載の半導体装置は、前記第２の酸化膜は、その表面形状が、垂直断面方向に丸みを帯びた段差を有する輪郭を有し、前記フィールドシールド絶縁膜との接触部分の輪郭が前記半導体基板側に向けて丸みを帯びた形状である。


【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
本発明に係る請求項６記載の半導体装置は、半導体基板上に選択的に形成されたフィールドシールド絶縁膜と、前記フィールドシールド絶縁膜の上部に形成されたフィールドシールドゲート電極とを備えたフィールド分離構造によって素子間分離を行う半導体装置であって、前記フィールド分離構造は、前記フィールドシールドゲート電極の上面を覆う第１の酸化膜と、前記第１の酸化膜の上面を覆う第１の耐酸化性膜と、少なくとも前記第１の酸化膜および前記フィールドシールドゲート電極の側面を直接覆う第２の酸化膜とを備えている。


【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
本発明に係る請求項９記載の半導体装置は、前記第２の酸化膜の表面を直接覆う第２の耐酸化性膜をさらに備えている。


【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
本発明に係る請求項１０記載の半導体装置は、前記第２の酸化膜が、前記第１の耐酸化性膜の側面を併せて覆い、前記第２の酸化膜の表面を直接覆う第２の耐酸化性膜をさらに備えている。


【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
本発明に係る請求項１１記載の半導体装置は、半導体基板上に選択的に形成されたフィールドシールド絶縁膜と、前記フィールドシールド絶縁膜の上部に形成されたフィールドシールドゲート電極とを備えたフィールド分離構造によって素子間分離を行う半導体装置であって、前記フィールドシールド絶縁膜は耐酸化性を有する膜であって、前記フィールド分離構造は、前記フィールドシールドゲート電極の上面を覆うように形成された第１の耐酸化性膜と、前記第１の耐酸化性膜および前記フィールドシールドゲート電極の側面を直接覆うように形成された第２の耐酸化性膜とを備えている。


【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
本発明に係る請求項１６記載の半導体装置は、半導体基板上に選択的に形成されたフィールドシールド絶縁膜と、前記フィールドシールド絶縁膜の上部に形成されたフィールドシールドゲート電極とを備えたフィールド分離構造によって素子間分離を行う半導体装置であって、前記フィールド分離構造は、前記フィールドシールドゲート電極の上面を覆う第１の酸化膜と、前記第１の酸化膜および前記フィールドシールドゲート電極の側面を直接覆う第２の酸化膜とを備え、前記フィールド分離構造によって素子間分離される素子はＭＯＳトランジスタであって、前記第１の酸化膜の厚さは、前記ＭＯＳトランジスタのゲート電極の端面に形成される、前記ＭＯＳトランジスタの低ドープドレイン層形成のためのサイドウォール酸化膜と、前記ＭＯＳトランジスタの部分に形成されるシリサイドプロテクション膜の厚さの合計よりも厚くなっている。


【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
本発明に係る請求項２１記載の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に選択的に形成されたフィールドシールド絶縁膜と、前記フィールドシールド絶縁膜の上部に形成されたフィールドシールドゲート電極とを備えたフィールド分離構造によって素子間分離を行う半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板上に前記フィールドシールド絶縁膜を全面的に形成する工程(ａ)と、前記フィールドシールド絶縁膜上に、前記フィールドシールドゲート電極、耐酸化性膜、第１の酸化膜が順に積層された積層体を選択的に形成する工程(ｂ)と、前記第１の酸化膜、前記耐酸化性膜、前記フィールドシールドゲート電極の側面を直接覆う第２の酸化膜を形成する工程(ｃ)とを備え、前記工程(ｃ)が、前記フィールドシールド絶縁膜および前記積層体を覆うように酸化膜を形成する工程(ｃ−１)と、異方性ドライエッチング法により前記フィールドシールド絶縁膜上の前記酸化膜の厚みを薄くする工程(ｃ−２)と、前記フィールドシールド絶縁膜上の前記酸化膜を、ウエットエッチング法により除去して前記第２の酸化膜を形成するとともに、前記第２の酸化膜をマスクとして、前記フィールドシールド絶縁膜を選択的に除去する工程(ｃ−３)とを含んでいる。


【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
本発明に係る請求項２２記載の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に選択的に形成されたフィールドシールド絶縁膜と、前記フィールドシールド絶縁膜の上部に形成されたフィールドシールドゲート電極とを備えたフィールド分離構造によって素子間分離を行う半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板上に前記フィールドシールド絶縁膜および耐酸化性膜を順に全面的に形成する工程(ａ)と、前記耐酸化性膜上に、前記フィールドシールドゲート電極、第１の酸化膜が順に積層された積層体を選択的に形成する工程(ｂ)と、前記第１の酸化膜、前記フィールドシールドゲート電極の側面を直接覆う第２の酸化膜を形成する工程(ｃ)とを備え、前記工程(ｃ)が、前記耐酸化性膜および前記積層体を覆うように酸化膜を形成する工程(ｃ−１)と、異方性ドライエッチング法により前記酸化膜を除去して、前記第２の酸化膜を形成する工程(ｃ−２)と、前記第２の酸化膜をマスクとして、ウエットエッチング法により前記耐酸化性膜を選択的に除去する工程(ｃ−３)と、前記耐酸化性膜をマスクとして、ウエットエッチング法により前記フィールドシールド絶縁膜を選択的に除去する工程(ｃ−４)とを含んでいる。


【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
本発明に係る請求項２４記載の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に選択的に形成されたフィールドシールド絶縁膜と、前記フィールドシールド絶縁膜の上部に形成されたフィールドシールドゲート電極とを備えたフィールド分離構造によって素子間分離を行う半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板上に、前記フィールドシールド絶縁膜、前記フィールドシールドゲート電極、第１の酸化膜、第１の耐酸化性膜が順に積層された積層体を選択的に形成する工程(ａ)と、少なくとも、前記第１の酸化膜および前記フィールドシールドゲート電極の側面を直接覆う第２の酸化膜を形成する工程(ｂ)と、前記第２の酸化膜に窒素イオンを注入して、前記第２の酸化膜の表面に第２の耐酸化性膜を形成する工程(ｃ)とを備えている。


【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
本発明に係る請求項２６記載の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に選択的に形成されたフィールドシールド絶縁膜と、前記フィールドシールド絶縁膜の上部に形成されたフィールドシールドゲート電極とを備えたフィールド分離構造によって素子間分離を行う半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板上に前記フィールドシールド絶縁膜を耐酸化性を有する膜として全面的に形成する工程(ａ)と、前記フィールドシールド絶縁膜上に、前記フィールドシールドゲート電極、第１の耐酸化性膜が順に積層された積層体を選択的に形成する工程(ｂ)と、前記第１の耐酸化性膜および前記積層体を覆うように耐酸化性の膜を形成し、該耐酸化性の膜および前記フィールドシールド絶縁膜を異方性ドライエッチング法により除去し、前記第１の耐酸化性膜、前記フィールドシールドゲート電極の側面を直接覆う第２の耐酸化性膜を形成する工程(ｃ)と、前記半導体基板の露出表面上に、一旦、犠牲酸化膜を形成した後、当該犠牲酸化膜を除去する工程(ｄ)とを備えている。


【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
本発明に係る請求項２７記載の半導体装置の製造方法は、前記フィールド分離構造によって素子間分離される素子がＭＯＳトランジスタであって、前記半導体基板は、絶縁性基板上に形成されたＳＯＩ層を備えたＳＯＩ基板であって、前記フィールドシールド絶縁膜および前記犠牲酸化膜は、前記ＳＯＩ層上に形成され、前記工程(ａ)に先だって、前記ＳＯＩ層内に、前記ＭＯＳトランジスタのチャネル領域の濃度よりも高くなるように、不純物を導入する工程を備えている。


【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
シリサイド膜１２としては、コバルトシリサイド（ＣｏＳｉ２）やチタンシリサイド（ＴｉＳｉ２）、あるいはニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ２）、タングステンシリサイド（ＷＳｉ２）など、いかなるシリサイド膜であっても構わない。


【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
図１５に示す領域Ａの拡大図を図１６に示す。シリサイド膜ＳＦは一般に多結晶構造であり、図１６に示すように大小のシリサイドの結晶粒子ＧＲで構成されている。従って結晶粒界においては各粒子の形状が反映され、起伏を有している。ゲート電極ＧＥの端縁部に沿ったシリサイド膜ＳＦの端縁部においても同様であり、図１６に示すように、ゲート電極ＧＥを間に挟んで結晶粒子ＧＲが対向している。このような構造において、サージ電圧が印加されると、ゲート電極ＧＥの両側の結晶粒子ＧＲの突起部間（矢示間）にサージ電流の集中が起こり、その部分が集中的に破壊されて、ＭＯＳトランジスタの動作が不良となり保護回路として機能が失われる。このような理由から、保護回路のソース・ドレイン領域の表面にはシリサイド膜を形成しないこととし、その代わりに、シリサイドプロテクション膜を形成するものである。


【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
次に、図２２に示す工程において、ＦＳ下部窒化膜１６の下部だけに残るように酸化膜ＯＦ１をエッチングし、ＦＳゲート酸化膜４３を形成する。なお、酸化膜ＯＦ１のエッチングには、例えば、フッ酸（ＨＦ）によるウエットエッチングを用いるので、オーバーエッチングにより、ＦＳゲート酸化膜４３の端縁部はＦＳ下部窒化膜１６の端縁部よりも若干後退している。なお、この後退量が多いと、後の工程でゲート電極を形成する際に、不要なポリシリコン層が残渣として残るので、ウエットエッチング時間ができるだけ短くなるようにする。そのためには、例えば、酸化膜ＯＦ１の厚みを窒化膜ＮＦ２の半分、例えば１００オングストローム程度に設定する。


【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２６】
次に、図２７に示す工程において、ＦＳ電極５およびサイドウォール酸化膜４２の下部だけに残るように窒化膜ＮＦ２をエッチングし、ＦＳ下部窒化膜１６を形成する。なお、窒化膜ＮＦ２のエッチングには、例えば、熱リン酸によるウエットエッチングを用いるので、オーバーエッチングにより、ＦＳ下部窒化膜１６の端縁部はサイドウォール酸化膜４２の端縁部よりも若干後退している。


【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２７】
次に、図２８に示す工程において、ＦＳ下部窒化膜１６の下部だけに残るように酸化膜ＯＦ１をエッチングし、ＦＳゲート酸化膜４３を形成する。なお、酸化膜ＯＦ１のエッチングには、例えば、フッ酸（ＨＦ）によるウエットエッチングを用いるので、オーバーエッチングにより、ＦＳゲート酸化膜４３の端縁部はＦＳ下部窒化膜１６の端縁部よりも若干後退している。


【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５４】
その後、所定の工程を経て図６１に示す構成を形成し、図６２に示す工程において、ＳＯＩ層３の表面に犠牲酸化膜ＳＯを形成する。ここで、犠牲酸化膜ＳＯがＳＯＩ層３中の不純物を吸収するという作用を積極的に利用することで、チャネル領域（図６２中ではＦＳ電極５の下部以外のＳＯＩ層３内）の不純物濃度は、チャネル領域に適した濃度に設定し、ＦＳ電極５下部のＳＯＩ層３内の不純物濃度は、ＦＳ電極の形成前に設定した高い濃度（当初の濃度）を保つという効果が得られる。


【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２６７】
そして、図６８に示す工程において、ＳＯＩ層３の表面にゲート酸化膜１０となる酸化膜ＯＦ４を熱酸化法により形成する。この酸化膜の形成に際して、酸化剤である酸素は、ＦＳ絶縁膜４Ａを通過できないので、ＦＳ電極５の上面側および下面側は酸化されない。


【手続補正３６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２６】
1999017000.tif 000001
【手続補正３７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２７】
1999017000.tif 000002