【事件の表示】
　平成８年特許願第１４８３６０号「半導体装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成９年１１月２８日出願公開、特開平９−３０６９０１］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成８年５月１７日の出願であって、その請求項１〜５に係る発明は、平成１１年３月２９日、及び平成１２年８月１６日付手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されたとおりであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりである。
「【請求項１】半導体基板（１）上に無機絶縁層（３）を形成する工程と、
　該無機絶縁層上にポリイミド層（４）を形成する工程と、
　該ポリイミド層上に約４μｍないし５μｍの厚さを有するポジ型フォトレジスト層（５）を形成する工程と、
　該ポジ型フォトレジスト層にポジ用マスク（６）を用いて露光を行う工程と、
　所定現像液を用いて前記露光されたポジ型フォトレジスト層の部分及び該ポジ型フォトレジスト層をマスクとして前記ポリイミド層の部分を除去して、前記ポジ型フォトレジスト層下にアンダカット（Ｘ）を入れる工程と、
　該アンダカットを入れる工程後に前記ポジ型フォトレジスト層の残り部分を除去する工程と、
　該ポジ型フォトレジスト層の残り部分を除去する工程後に前記ポリイミド層をマスクとして前記無機絶縁層をエッチング除去する工程と
　を具備する半導体装置の製造方法。」
　
２．刊行物の記載事項
　これに対して、当審の拒絶の理由に引用された、本願出願前日本国内において頒布された特開平７−５８１０７号公報（以下「刊行物１」という。）、特開平６−２７５５１１号公報（以下「刊行物２」という。）、特開平２−２４９２３２号公報（以下「刊行物３」という。）には、以下の事項が記載されている。
（１）刊行物１
（１ａ）「【請求項１】半導体基板上に形成された金属配線上に無機絶縁膜を形成する工程と、
　前記無機絶縁膜上にポリイミド膜を形成する工程と、
　前記ポリイミド膜上にフォトレジストを形成する工程と、
　前記フォトレジストを所定の形状に形成した後、これをマスクとして前記ポリイミド膜にエッチングにて所定の開口部を設ける工程と、
　前記フォトレジストを除去する工程と、
　前記ポリイミド膜をマスクにして前記無機絶縁膜にＲＩＥによるドライエッチングを施す工程と、
　前記ポリイミド膜の表面層を一定量除去する工程とから構成される積層パッシベーション膜形成工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
（１ｂ）「【００１２】【実施例】　本発明の一実施例について、図１及び図２を参照しながら説明する。
　図１（ａ）〜図１（ｅ）は、本発明の一実施例における半導体装置の製造工程を示す断面図である。以下に、本実施例の製造工程について説明する。
　【００１３】　まず、所定のパターンを有した、例えばＡｌ−Ｓｉからなる金属配線１１（厚さ：約１．０μｍ）上に、通常のプラズマＣＶＤ法により無機絶縁膜１２として１μｍ厚のＰ−ＳｉＯ膜を形成し、この無機絶縁膜１２のＰ−ＳｉＯ膜上にポリイミド膜１３を約３．２μｍ（４０００rpm−６０秒）塗布をする。更に１４０℃（５分）のベーク後、ポジ型フォトレジスト１４を約２．５μｍ（４０００rpm−３０秒）塗布し、１１０℃（６０秒）のベークを行う（図１（ａ））。
　【００１４】　次に、所定のパターンを有するマスクを用い、露光後、アルカリ系現像液により、ポジ型フォトレジスト１４の現像とポリイミド膜１３のエッチングを連続して行ない、ポリイミド膜１３に所定のパターンを形成する（図１（ｂ））。
　【００１５】　続いて、有機溶剤により、ポジ型フォトレジスト１４を選択的に除去した後、所定の手順でベーク（（２５０℃−３０分）＋（３５０℃−４０分））を行ない、ポリイミド膜１３のイミド化を完了させる。この後所定の開孔部をもつ、ポリイミド膜１３をマスクにこの無機絶縁膜１２の開孔を、通常のＲＩＥによるドライエッチングで行う（図１（ｃ））。」
（１ｃ）「【００２１】【発明の効果】　本発明による半導体装置の製造方法によれば、モールド樹脂との密着性の良好であり、モールド樹脂中に水分が侵入しても、パッドや配線のコロージョンが発生しにくい半導体装置の製造方法を提供することが出来る。」
　  
（２）刊行物２
（２ａ）「【０００１】【産業上の利用分野】　本発明は、ポリイミドパターンの形成方法に関するものである。さらに詳しくは、ポジ型フォトレジストを用いた場合のポリイミドパターンの形成方法に関するものである。
　【０００２】【従来の技術】　半導体素子などの用途に用いられるポリイミドには、上部配線と下部配線、または外部リードと下部配線との導通のために絶縁層にスルーホール（接続孔）を形成する必要があり、そのためには、ポリイミドパターンの形成が不可欠である。通常ポリイミドは、ポリイミド前駆体の形で供与され、このポリイミド前駆体のパターンを形成した後、熱処理を行いポリイミドのパターンを形成する。」
（２ｂ）「【０００５】　通常、ポジ型フォトレジストを用いてポリイミド前駆体のパターンを形成するには、次のように行われる。
　【０００６】（１）ポリイミド前駆体被膜を基板上に形成する。
　【０００７】（２）ポジ型フォトレジスト被膜を形成した後に露光し、ポジ型フォトレジストの現像後または現像と同時にそれをマスクとして該ポリイミド前駆体被膜のエッチングを行いパターン化する。
　【０００８】（３）該ポジ型フォトレジスト被膜を剥離する。
　【０００９】（４）パターンの形成されたポリイミド前駆体被膜を加熱処理しポリイミドのパターンに変換する。」
（２ｃ）「【００２２】　ポジ型フォトレジストを塗布する方法としては、公知の方法が使用できるが、回転法によることが好ましい。膜厚としては、通常、プリベーク後の膜厚が、２．０〜４．０μｍとなるように塗布される。」
　
（３）刊行物３
（３ａ）ポリイミド系樹脂膜のエッチング方法およびそれを用いた多層配線構造体の形成方法と題する発明であって、従来技術欄に「配線導体の形成された絶縁面上にポリイミド樹脂膜が形成され、その上にポジ型もしくはネガ型のレジスト膜を形成し、所定の選択露光及び現像処理によりレジストパターンを形成し、これをエッチングマスクとしてエッチング液によりポリイミド樹脂膜を選択的に溶解除去するものである。」（２頁右下欄７〜１３行）
（３ｂ）「上記レジスト膜４の膜厚としては０．３〜１０μｍの範囲であることが望ましい。０．３μｍより薄いと形成膜にピンホールなどの膜欠陥が生じ易く、１０μｍより厚いとパターン精度が低下し、何れもエッチングにより形成したパターンに不良が発生する原因となる。」（４頁左下欄５〜１０行）、第１図（ｅ）、第２図（ｅ）には、エッチング液によりポリイミド樹脂膜をエッチングして、該膜にアンダーカットが形成されていることが示されている。
　
３．当審の判断
　上記摘記事項（１ｂ）によると、ポリイミド膜の上に、ポジ型レジスト層を約２．５μｍ塗布し、べークを行い、現像液により露光されたポジ型レジスト層の部分とポリイミド層とを除去することが記載されているから、上記刊行物１には、「半導体基板上に無機絶縁層を形成する工程と、
　該無機絶縁層上にポリイミド層を形成する工程と、
　該ポリイミド層上に約２．５μｍの厚さのポジ型フォトレジスト層を形成する工程と、
　該ポジ型フォトレジスト層にポジ用マスクを用いて露光を行う工程と、
　所定現像液を用いて前記露光されたポジ型フォトレジスト層の部分及び該ポジ型フォトレジスト層をマスクとして前記ポリイミド層の部分を除去する工程と、
　該工程後に前記ポジ型フォトレジスト層の残り部分を除去する工程と、
　該ポジ型フォトレジスト層の残り部分を除去する工程後に前記ポリイミド層をマスクとして前記無機絶縁層をエッチング除去する工程と
　を具備する半導体装置の製造方法。」が記載されていることになる。
　
　そこで、本願発明１と刊行物１に記載された発明とを対比すると、
両者は、「半導体基板上に無機絶縁層を形成する工程と、
　該無機絶縁層上にポリイミド層を形成する工程と、
　該ポリイミド層上にポジ型フォトレジスト層を形成する工程と、
　該ポジ型フォトレジスト層にポジ用マスクを用いて露光を行う工程と、
　所定現像液を用いて前記露光されたポジ型フォトレジスト層の部分及び該ポジ型フォトレジスト層をマスクとして前記ポリイミド層の部分を除去する工程と、
　該工程後に前記ポジ型フォトレジスト層の残り部分を除去する工程と、
　該ポジ型フォトレジスト層の残り部分を除去する工程後に前記ポリイミド層をマスクとして前記無機絶縁層をエッチング除去する工程と
　を具備する半導体装置の製造方法。」で一致しているが、次の２点で相違している。
　相違点１；ポジ型フォトレジスト層の厚みについて、本願発明１が、約４μｍないし５μｍの厚さを有するとしているのに対して、刊行物１に記載された発明では、約２．５μｍとしている点．
　相違点２；本願発明１が、ポリイミド層の部分を除去して、前記ポジ型フォトレジスト層下にアンダカット（Ｘ）を入れるとしているのに対して、刊行物１に記載された発明では、ポジ型フォトレジスト層下にアンダカットを入れることが明記されていない点．
　
　そこで、上記相違点１、２について検討する。
　相違点１について；刊行物２には、ポジ型レジスト層を膜厚として、通常、２．０〜４．０μｍに形成すること、刊行物３には、ポジ型レジスト膜の膜厚としては０．３〜１０μｍの範囲であることが望ましいことが記載されているから、刊行物１記載での厚み約２．５μｍを、約４μｍないし５μｍの厚さとすることは、当業者ならば適宜なし得ることである。
　相違点２について；刊行物３には、エッチング液によりポリイミド樹脂膜をエッチングして、該膜にアンダーカットが形成されていることが記載されている。また、通常、エッチング液によると等方エッチングされ、アンダーカットが形成されることは周知であり、このことは、本願の明細書に記載された第２の従来技術第８図（Ａ）にも示されている。
　そうすると、刊行物１に記載された発明では、ポジ型フォトレジスト層下にアンダカットを入れることが明記されていないが、現像液でポリイミド層の部分をエッチング除去するのであるから、前記ポジ型フォトレジスト層下のポリイミド層の部分は等方エッチングされ、アンダカットが形成されているはずである。よって、相違点２は実質的な相違点とは云えない。
　また、本願発明１による効果も、刊行物１〜３の記載から予測し得るものであって格別なものとは認められない。
　したがって、本願発明１は、上記刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　なお、上記したように当審で拒絶理由を通知し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、請求人からは何らの応答もない。
　そして、以上検討したように、上記の拒絶理由は妥当なものと認められるので、本願は、この拒絶理由によって拒絶すべきものである。
　
４．むすび
　したがって、本願発明１は、上記刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。