Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月6日(2012.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（ＩＩＩ）：
【化１】
2011509261.tif 000001
式中、
Ｌ１は、−ＮＨＣＨ２−、−ＣＨ２ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−、または−ＮＨＣ（Ｏ）ＮＨ−であり；
Ｙは、任意に置換されたアリール、任意に置換されたヘテロアリール、任意に置換されたアルキル、任意に置換されたシクロアルキル、任意に置換されたアルケニル、任意に置換されたシクロアルケニル、または任意に置換されたヘテロシクリルであり；
Ｂは、−Ｃ（Ｒａ）２−、−Ｃ（Ｏ）−；−Ｏ−、−Ｓ−、または−Ｎ（Ｒｂ）−であり；
環Ｃは、
【化２】
2011509261.tif 000002
から選択され；
Ｘ１１、Ｘ１２およびＸ１３のそれぞれは、独立して、−Ｃ（Ｒａ）−、−Ｃ（Ｒａ）２−、−Ｓ−、−Ｏ−、−Ｎ−、または−Ｎ（Ｒｂ）−から選択され；
Ｘ１４、Ｘ１５、Ｘ１６、およびＸ１７のそれぞれは、独立して、−Ｃ（Ｒａ）−および−Ｎ−から選択され；
各Ｒａは、独立して、−Ｈ、任意に置換されたアルキル、任意に置換されたアルケニル、任意に置換されたアルキニル、任意に置換されたシクロアルキル、任意に置換されたシクロアルケニル、任意に置換されたヘテロシクリル、任意に置換されたアリール、任意に置換されたヘテロアリール、任意に置換されたアラルキル、任意に置換されたヘテロアラルキル、ハロアルキル、−Ｃ（Ｏ）ＮＲ１Ｒ２、−ＮＲ４Ｃ（Ｏ）Ｒ５、ハロ、−ＯＲ４、シアノ、ニトロ、ハロアルコキシ、−Ｃ（Ｏ）Ｒ４、−ＮＲ１Ｒ２、−ＳＲ４、−Ｃ（Ｏ）ＯＲ４、−ＯＣ（Ｏ）Ｒ４、−ＮＲ４Ｃ（Ｏ）ＮＲ１Ｒ２、−ＯＣ（Ｏ）ＮＲ１Ｒ２、−ＮＲ４Ｃ（Ｏ）ＯＲ５、−Ｓ（Ｏ）ｐＲ４、または−Ｓ（Ｏ）ｐＮＲ１Ｒ２であり；
各Ｒｂは、独立して、−Ｈ、任意に置換されたアルキル、任意に置換されたアルケニル、任意に置換されたアルキニル、任意に置換されたシクロアルキル、任意に置換されたシクロアルケニル、任意に置換されたヘテロシクリル、任意に置換されたアリール、任意に置換されたヘテロアリール、任意に置換されたアラルキル、任意に置換されたヘテロアラルキル、ハロアルキル、ハロ、−Ｃ（Ｏ）ＮＲ１Ｒ２、−Ｃ（Ｏ）Ｒ４、または−Ｃ（Ｏ）ＯＲ４であり；
Ｒ１およびＲ２は、出現するごとに、独立して、Ｈ、任意に置換されたアルキル、任意に置換されたアルケニル、任意に置換されたアルキニル、任意に置換されたシクロアルキル、任意に置換されたシクロアルケニル、任意に置換されたヘテロシクリル、任意に置換されたアリール、任意に置換されたヘテロアリール、任意に置換されたアラルキル、または任意に置換されたヘテロアラルキルであり；あるいはＲ１およびＲ２は、それらが結合する窒素と一緒になると、任意に置換されたヘテロシクリルまたは任意に置換されたヘテロアリールであり；
Ｒ４およびＲ５は、出現するごとに、独立して、Ｈ、任意に置換されたアルキル、任意に置換されたアルケニル、任意に置換されたアルキニル、任意に置換されたシクロアルキル、任意に置換されたシクロアルケニル、任意に置換されたヘテロシクリル、任意に置換されたアリール、任意に置換されたヘテロアリール、任意に置換されたアラルキル、または任意に置換されたヘテロアラルキルであり；
ｐは、０、１、または２であり；ならびに
環Ｄは、
【化３】
2011509261.tif 000003
【化４】
2011509261.tif 000004
から選択される、
で表される化合物またはその薬学的に許容し得る塩
（但し、該化合物が、４Ｈ−チエノ［３，２−ｄ］［１］ベンザピン−２−カルボキサミド、６−［４−［（［１，１’−ビフェニル］］−２−イルカルボニル）アミノ］ベンゾイル］−Ｎ−シクロプロピル−５，６−ジヒドロ−でない。）。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月21日(2011.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（３Ｓ）−３−｛４−［７−（アミノカルボニル）−２Ｈ−インダゾール−２−イル］フェニル｝ピペリジニウム４−メチルベンゼンスルホナート；
（３Ｓ）−３−｛４−［７−（アミノカルボニル）−２Ｈ−インダゾール−２−イル］フェニル｝ピペリジニウムスルファート；
（３Ｓ）−３−｛４−［７−（アミノカルボニル）−２Ｈ−インダゾール−２−イル］フェニル｝ピペリジニウムベンゼンスルファート；
（３Ｓ）−３−｛４−［７−（アミノカルボニル）−２Ｈ−インダゾール−２−イル］フェニル｝ピペリジニウムフマラート；
（３Ｓ）−３−｛４−［７−（アミノカルボニル）−２Ｈ−インダゾール−２−イル］フェニル｝ピペリジニウムスクシナート；及び
（３Ｓ）−３−｛４−［７−（アミノカルボニル）−２Ｈ−インダゾール−２−イル］フェニル｝ピペリジニウム４−メチルベンゼンスルホナート一水和物；
から選択される化合物、又はその立体異性体若しくは互変異性体。
【請求項２】
（３Ｓ）−３−｛４−［７−（アミノカルボニル）−２Ｈ−インダゾール−２−イル］フェニル｝ピペリジニウム４−メチルベンゼンスルホナートである化合物、又はその立体異性体若しくは互変異性体。
【請求項３】
（３Ｓ）−３−｛４−［７−（アミノカルボニル）−２Ｈ−インダゾール−２−イル］フェニル｝ピペリジニウムスルファートである化合物、又はその立体異性体若しくは互変異性体。
【請求項４】
（３Ｓ）−３−｛４−［７−（アミノカルボニル）−２Ｈ−インダゾール−２−イル］フェニル｝ピペリジニウムベンゼンスルファートである化合物、又はその立体異性体若しくは互変異性体。
【請求項５】
（３Ｓ）−３−｛４−［７−（アミノカルボニル）−２Ｈ−インダゾール−２−イル］フェニル｝ピペリジニウムフマラートである化合物、又はその立体異性体若しくは互変異性体。
【請求項６】
（３Ｓ）−３−｛４−［７−（アミノカルボニル）−２Ｈ−インダゾール−２−イル］フェニル｝ピペリジニウムスクシナートである化合物、又はその立体異性体若しくは互変異性体。
【請求項７】
（３Ｓ）−３−｛４−［７−（アミノカルボニル）−２Ｈ−インダゾール−２−イル］フェニル｝ピペリジニウム４−メチルベンゼンスルホナート一水和物である化合物、又はその立体異性体若しくは互変異性体。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の化合物、又はその立体異性体若しくは互変異性体を、薬学的に許容される担体と共に含んでなる医薬組成物。
【請求項９】
同時の、別々の、又は連続した投与のための、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の化合物又はその立体異性体若しくは互変異性体、及び抗癌剤。
【請求項１０】
療法において使用するための、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の化合物、又はその立体異性体若しくは互変異性体。
【請求項１１】
ポリ（ＡＤＰ−リボース）ポリメラーゼ（ＰＡＲＰ）の阻害により改善し得る症状を治療又は予防するための医薬組成物であって、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の化合物、又はその立体異性体若しくは互変異性体を、薬学的に許容される担体と共に含んでなる前記医薬組成物。
【請求項１２】
癌、炎症性疾患、再灌流損傷、虚血症状、卒中、腎不全、心臓血管疾患、心臓血管疾患以外の血管疾患、糖尿病、神経変性疾患、レトロウイルス感染症、網膜損傷、又は皮膚老化、及びＵＶ誘導性皮膚損傷を治療又は予防するための医薬組成物であって、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の化合物、又はその立体異性体若しくは互変異性体を、薬学的に許容される担体と共に含んでなる前記医薬組成物。
【請求項１３】
癌を治療又は予防するための医薬組成物であって、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の化合物、又はその立体異性体若しくは互変異性体の使用を、薬学的に許容される担体と共に含んでなる前記医薬組成物。
【請求項１４】
請求項１１ないし１３のいずれか１項に記載の症状の治療又は予防における使用のための、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の化合物、又はその立体異性体若しくは互変異性体。
【請求項１５】
癌治療のための医薬組成物であって、化学的増感剤及び／又は放射線増感剤としての、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の化合物、又はその立体異性体若しくは互変異性体を、薬学的に許容される担体と共に含んでなる前記医薬組成物。
【請求項１６】
抗がん剤をさらに含んでなる、請求項８、１１、１２、１３及び１５のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１７】
抗癌剤が、テモゾロミドである、請求項１６に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月21日(2011.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
α−リポ酸（ALA）、CLA、コエンザイムQ10（CQ）およびフェニルアラニン（PA）からなる群より選択される少なくとも一つの化合物を含む、神経変性疾患を処置するための薬学的組成物であって、神経変性の症状を有する対象に、症状が減少するような条件下で投与される、前記薬学的組成物。
【請求項２】
一つまたは複数の化合物が、2種の化合物である、請求項1記載の薬学的組成物。
【請求項３】
2種またはそれ以上の化合物が、ALAおよびCLA；ALAおよびCQ；ALAおよびPA；CLAおよびCQ；CLAおよびPA；ならびにCQおよびPAからなる群より選択される、請求項2記載の薬学的組成物。
【請求項４】
一つまたは複数の化合物が、3種の化合物である、請求項1記載の薬学的組成物。
【請求項５】
3種の化合物が、ALA、CLAおよびCQ；ALA、CLAおよびPA；CLA、CQおよびPA；ならびにALA、CQおよびPAからなる群より選択される、請求項4記載の薬学的組成物。
【請求項６】
一つまたは複数の化合物が、ALA、CLA、CQおよびPAである、請求項1記載の薬学的組成物。
【請求項７】
神経変性疾患が、老人性難聴である、請求項1記載の薬学的組成物。
【請求項８】
該薬学的組成物の投与が、対象中のらせん神経節細胞の損失の防止または減少をもたらす、請求項1記載の薬学的組成物。
【請求項９】
ALA、CLA、CQおよびPAからなる群より選択される少なくとも一つの化合物を含む、神経変性疾患を予防するための薬学的組成物であって、対象において神経変性疾患が予防されるような条件下で、対象に投与される、前記薬学的組成物。
【請求項１０】
該薬学的組成物の投与が、対象中のらせん神経節細胞のレベルの減少を防止する、請求項9記載の薬学的組成物。
【請求項１１】
ALA、CLA、CQおよびPAからなる群より選択される一つまたは複数の化合物を、神経変性疾患を予防するかまたは減少させるのに十分な用量で含む、食品。
【請求項１２】
ALA、CLA、CQおよびPAからなる群より選択される一つまたは複数の化合物を、神経変性疾患を予防するかまたは減少させるのに十分な用量で含む、栄養補助剤。
【請求項１３】
ALA、CLA、CQおよびPAからなる群より選択される一つまたは複数の化合物を、神経変性疾患を予防するかまたは減少させるのに十分な用量で含む、薬学的組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明のさらなる態様は、本明細書に記載される。
[本発明1001]
a）α−リポ酸（ALA）、CLA、コエンザイムQ10（CQ）およびフェニルアラニン（PA）からなる群より選択される少なくとも一つの化合物を、神経変性の症状を有する対象に、症状が減少するような条件下で投与する段階
を含む、神経変性疾患を処置する方法。
[本発明1002]
一つまたは複数の化合物が、2種の化合物である、本発明1001の方法。
[本発明1003]
2種またはそれ以上の化合物が、ALAおよびCLA；ALAおよびCQ；ALAおよびPA；CLAおよびCQ；CLAおよびPA；ならびにCQおよびPAからなる群より選択される、本発明1002の方法。
[本発明1004]
一つまたは複数の化合物が、3種の化合物である、本発明1001の方法。
[本発明1005]
3種の化合物が、ALA、CLAおよびCQ；ALA、CLAおよびPA；CLA、CQおよびPA；ならびにALA、CQおよびPAからなる群より選択される、本発明1004の方法。
[本発明1006]
一つまたは複数の化合物が、ALA、CLA、CQおよびPAである、本発明1001の方法。
[本発明1007]
神経変性疾患が、老人性難聴である、本発明1001の方法。
[本発明1008]
一つまたは複数の化合物の投与が、対象中のらせん神経節細胞の損失の防止または減少をもたらす、本発明1001の方法。
[本発明1009]
a）ALA、CLA、CQおよびPAからなる群より選択される少なくとも一つの化合物を、対象において神経変性疾患が予防されるような条件下で、対象に投与する段階
を含む、神経変性疾患を予防する方法。
[本発明1010]
一つまたは複数の化合物の投与が、対象中のらせん神経節細胞のレベルの減少を防止する、本発明1009の方法。
[本発明1011]
ALA、CLA、CQおよびPAからなる群より選択される一つまたは複数の化合物を、神経変性疾患を予防するかまたは減少させるのに十分な用量で含む、食品。
[本発明1012]
ALA、CLA、CQおよびPAからなる群より選択される一つまたは複数の化合物を、神経変性疾患を予防するかまたは減少させるのに十分な用量で含む、栄養補助剤。
[本発明1013]
ALA、CLA、CQおよびPAからなる群より選択される一つまたは複数の化合物を、神経変性疾患を予防するかまたは減少させるのに十分な用量で含む、薬学的組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月4日(2012.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＩＩ族窒化物結晶断片を製造する方法であって、
（ａ）アンモサーマル法によって形成されたＩＩＩ族窒化物断片を、該断片の表面に汚染物質を集中するために十分な温度および圧力において、ある時間の間、アニールすることと、
（ｂ）ステップ（ａ）に続いて、該断片の該汚染物質の量を減少させるために、該断片の該表面のある量を取り除くことと
を含む、方法。
【請求項２】
ＩＩＩ族窒化物インゴットが前記アンモサーマル法によって成長させられ、断片は、該インゴットからスライスされ、次いで、該断片がステップ（ａ）および（ｂ）を受ける、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
アニールが還元雰囲気において実行される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
アニール温度が少なくとも約５００℃である、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
アニール温度が少なくとも約８００℃である、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
アニール温度が約１３００℃以下である、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
アニール温度が約１１００℃と１３００℃との間である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
還元雰囲気がアンモニアを含む、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
還元雰囲気が水素を含む、請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記断片がウエハである、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記ウエハの厚さが０．１ｍｍと１ｍｍとの間である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ウエハの両面が前記雰囲気に露出される、請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ＩＩＩ族窒化物がＧａＮである、請求項１〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記断片のＧａ極側面の一部分を取り除くことをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記断片の前記Ｇａ極側面の前記一部分を取り除くステップは、請求項１のステップ（ａ）の後に実行される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
請求項１〜１５の方法のいずれかによって製造されるＩＩＩ族窒化物断片。
【請求項１７】
請求項１〜１５の方法のいずれかによって製造されるＧａＮ断片。
【請求項１８】
前記断片の透明度が改善される、請求項１７に記載のＧａＮ断片。
【請求項１９】
Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、ＮｉあるいはＣｏのような重金属不純物の濃度が約１×１０１７ｃｍ−３より小さい、請求項１７に記載のＧａＮ断片。
【請求項２０】
Ｌｉ、Ｎａ、ＫあるいはＭｇのような軽金属不純物の濃度が約１×１０１７ｃｍ−３より小さい、請求項１７に記載のＧａＮ断片。
【請求項２１】
請求項１６に記載のＩＩＩ族窒化物断片の上、または、請求項１７〜２０のいずれかに記載のＧａＮ断片の上に形成された半導体デバイス。
【請求項２２】
請求項１６に記載のＩＩＩ族窒化物断片の上、または、請求項１７〜２０のいずれかに記載のＧａＮ断片の上に形成された光電子デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月1日(2011.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２７】
請求項１に記載の式ＩＩの化合物を製造する方法であって、一般式ＩＩＩ
【化３】
2011509240.tif 000001
の化合物を、炭酸誘導体Ｘ1Ｘ2Ｃ＝Ｏ［式中、Ｘ1およびＸ2は、同一であるか異なっており、互いが別個に塩素、またはＯＣＣｌ3、ＯＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ3、または窒素を介して結合したイミダゾリルもしくはトリアゾリルであってもよい］と反応させることを特徴とする、式ＩＩの化合物を製造する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
本発明はまた、式ＩＩの化合物を製造する方法であって、一般式ＩＩＩ
【化３】
2011509240.tif 000002
の化合物を、炭酸誘導体Ｘ1Ｘ2Ｃ＝Ｏ［式中、Ｘ1およびＸ2は、同一であるか異なっており、互いが別個に塩素、またはＯＣＣｌ3、ＯＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ3、または窒素を介して結合したイミダゾリルもしくはトリアゾリルであってもよい］と反応させることを含む、方法にも関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
ホスゲン（Ｘ1、Ｘ2＝Ｃｌ）が試薬として問題があるため、好ましくは、容易に取扱可能なジホスゲン（Ｘ1＝Ｃｌ、Ｘ2＝ＯＣＣｌ3）が反応性炭酸等価物として使用される。しかし、カルボン酸ジメチルまたはカルボン酸ジエチル、および例えばカルボニルジイミダゾールなどの記載した窒素含有炭酸等価物もきわめて適しており、容易に取扱可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月10日(2012.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
油内に浮遊した粒子状物質を有する油を含む経口で用いる医薬組成物において、前記粒子状物質は、
ａ．疎水性表面を有するシリカナノ粒子と親和性非共有結合した多糖であって、前記シリカナノ粒子の大きさは１〜１００ナノメートルである多糖と、
ｂ．前記シリカナノ粒子および多糖と非共有結合し、治療活性を有するタンパク質またはペプチドと、
を含む医薬組成物。
【請求項２】
前記多糖は分岐多糖を含む請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
前記分岐多糖は、アミロペクチン、でんぷんおよびグリコーゲンから成る群から選択されるか；または
前記分岐多糖は４００℃以下の融解温度を有する、
請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
セルロース、キチン、αグルカン、βグルカンおよびそれらの誘導体から成る群から選択される直鎖多糖を含む請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項５】
エラスチン、コラーゲン、ケラチン、およびフィブリノゲンから成る群から選択される構造タンパク質をさらに含む請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項６】
エラスチン、コラーゲン、ケラチン、およびフィブリノゲンから成る群から選択される構造タンパク質をさらに含む請求項４に記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記組成物は無水物であるか；または
前記シリカナノ粒子の前記大きさは５〜３０ナノメートルの間であるか；または
前記シリカナノ粒子は６００℃以上の融解温度を有するか；または
前記シリカナノ粒子の前記疎水性表面は炭化水素部分を有するか；または
アルギニン、リジン、グルタミン酸、アスパラギン酸およびヒスチジンから成る群から選択されるアミノ酸をさらに含むか；または
前記油は油の混合物を含むか；または
前記油は天然植物油およびその合成類似体から選択される油の混合物を含むか；または
前記油は抗酸化物質をさらに含むか；または
前記油は少なくとも５〜１０℃の融解温度を有する油を含むか；または
前記油は付加的な油成分を含み、少なくとも５〜１０℃の融解温度を有する油を含むか；または
ワックスをさらに含む、
請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項８】
前記タンパク質またはペプチドは赤血球生成促進因子であるか；または
前記タンパク質またはペプチドは下垂体成長ホルモンであるか；または
前記タンパク質またはペプチドは酢酸ガラティラメルであるか；または
前記タンパク質またはペプチドはアポリタンパク質Ａ−１様ペプチドであるか；または
前記タンパク質またはペプチドはタンパク質ＣＤ２０に対するモノクローナル抗体であるか；または
前記タンパク質またはペプチドは、カルシトニン、腫瘍壊死因子（ＴＮＦ）タンパク質、インターフェロン−α、インターフェロン−β、インターフェロン−γから成る群から選択されるか；または
前記タンパク質またはペプチドは、ＤＮａｓｅ、ＲＮａｓｅまたはその両方である、
請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項９】
前記粒子状物質の重量は、前記医薬組成物の体積の２５％以下である請求項１〜８のうちいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
治療活性を有する生物学的活性タンパク質またはペプチドを経口投与するための、請求項１〜９のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
前記タンパク質またはペプチドは酵素であるか；または
前記タンパク質またはペプチドはペプチドホルモンであるか；または
前記タンパク質またはペプチドは抗体であるか；または
前記タンパク質またはペプチドは赤血球生成促進因子であるか；または
前記タンパク質またはペプチドは下垂体成長ホルモンであるか；または
前記タンパク質またはペプチドは酢酸ガラティラメルであるか；または
前記タンパク質またはペプチドはアポリタンパク質Ａ−１様ペプチドであるか；または
前記タンパク質またはペプチドはタンパク質ＣＤ２０に対するモノクローナル抗体であるか；または
前記タンパク質またはペプチドは、カルシトニン、腫瘍壊死因子（ＴＮＦ）タンパク質、インターフェロン−α、インターフェロン−β、インターフェロン−γから成る群から選択されるか；または
前記タンパク質またはペプチドは、ＤＮａｓｅ、ＲＮａｓｅまたはその両方である、
請求項１０に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
経口送達するために製剤した医薬組成物の製造方法において、前記方法は、
ａ．疎水性表面を有するシリカナノ粒子を乾燥混合する工程であって、前記シリカナノ粒子の大きさは多糖を有して１〜１００ナノメートルであり、前記シリカナノ粒子は前記多糖と親和性非共有結合を形成する工程と、
ｂ．治療活性を有するタンパク質またはペプチドを油と混合する工程と、
ｃ．前記シリカナノ粒子および多糖を前記油内に入れて混合する工程であって、前記タンパク質またはペプチドは、前記シリカナノ粒子および前記多糖と親和性非共有結合を形成し、前記シリカナノ粒子、前記多糖、および前記生物学的活性タンパク質またはペプチドは、前記油内で分散する工程と、
を含む方法。
【請求項１３】
前記多糖は分岐多糖を含むか；または
前記多糖は分岐多糖および直鎖多糖を含むか；または
構造タンパク質を前記シリカナノ粒子および多糖の混合物に加える工程をさらに含むか；または
直鎖多糖および構造タンパク質を前記シリカナノ粒子および多糖の混合物に加える工程をさらに含むか；または
前記油を加えた後に付加的な油成分を加える工程をさらに含むか；または
前記油を加えた後にワックスを加える工程をさらに含む、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記タンパク質またはペプチドは、工程（ｂ）の前に凍結乾燥した形態であるか；または
前記タンパク質またはペプチドは、工程（ｂ）の前に水溶液内で溶解する、
請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月5日(2012.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
網膜神経節ニューロン変性の予防又は治療のための、ビコイドファミリーのホメオタンパク質を含む医薬組成物。
【請求項２】
前記網膜神経節ニューロン変性が緑内障において生じることを特徴とする請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
培養網膜神経節ニューロンの生存を増大させるための、ビコイドファミリーのホメオタンパク質を含む組成物。
【請求項４】
前記ホメオタンパク質がOtxサブファミリーに属することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項５】
前記ホメオタンパク質がOtx2ホメオタンパク質であることを特徴とする請求項４に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月6日(2012.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビタミンＥ、ビタミンＣ、グルタチオンまたはこれらの前駆体からなる群から選択される抗酸化物と組合された、Ｄ−アミノ酸を含んでなる経口投与のための医薬組成物。
【請求項２】
前記Ｄ−アミノ酸が、Ｄ−セリン、Ｄ−アラニン、Ｄ−システイン、Ｄ−ホモシステイン、またはＤ−トレオニンからなる群から選択される、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項３】
前記抗酸化物がグルタチオンまたはこの前駆体である、請求項１又は２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記グルタチオン前駆体が、Ｌ−システインまたはＮ−アセチル−Ｌ−システイン及びこれらのラセミ体或いはこれらの組合せからなる群から選択される、請求項３記載の医薬組成物。
【請求項５】
前記抗酸化物がビタミンＥである、請求項１又は２に記載の医薬組成物。
【請求項６】
前記抗酸化物がビタミンＣである、請求項１又は２に記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記Ｄ−アミノ酸及び抗酸化物が１：１０〜１０：１の間のモル比で存在する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項８】
減弱されたＮＭＤＡ神経伝達を特徴とする精神神経系障害を治療するための、請求項１〜７のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項９】
前記精神神経系障害が、統合失調症、統合失調症様障害、精神障害ＮＯＳ、または統合失調症の前駆症状である、請求項８記載の医薬組成物。
【請求項１０】
前記精神神経系障害がアルツハイマー病である、請求項８記載の医薬組成物。
【請求項１１】
前記精神神経系障害が自閉症である、請求項８記載の医薬組成物。
【請求項１２】
前記精神神経系障害がうつ病である、請求項８記載の医薬組成物。
【請求項１３】
前記精神神経系障害が良性健忘症である、請求項８記載の医薬組成物。
【請求項１４】
前記精神神経系障害が幼児期学習障害である、請求項８記載の医薬組成物。
【請求項１５】
前記精神神経系障害が注意欠陥障害である、請求項８記載の医薬組成物。
【請求項１６】
前記精神神経系障害が閉鎖性頭部外傷である、請求項８記載の医薬組成物。
【請求項１７】
前記精神神経系障害が運動性疾患である、請求項８記載の医薬組成物。
【請求項１８】
前記運動性疾患がパーキンソン病、ハンチントン舞踏病、ウィルソン病、トゥレット症候群、チック障害、または強迫性障害である、請求項１７記載の医薬組成物。
【請求項１９】
減弱されたＮＭＤＡ神経伝達を特徴とする精神神経系障害に罹患していると診断された患者における精神神経系障害を治療するための経口医薬組成物であって、ビタミンＥ、ビタミンＣ、グルタチオンまたはこの前駆体からなる群から選択される抗酸化物と組合された、Ｄ−アミノ酸の治療上有効量を含んでなる経口医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月5日(2012.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スコピンまたはその塩と式Ｒ１ＣＯ２Ｒ３で表される適当なカルボン酸エステルとのエステル交換を含む、スコピンエステルＩまたはその四級塩ＩＩの調製プロセス。
【化１】
2011509284.tif 000001
［式中、Ｒ１およびＲ２は、独立して、水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、必要に応じて置換されているアリールもしくは必要に応じて置換されているアリールアルキル、アリールアルケニル、アリールアルキニル、アルキルアリール、アルケニルアリールまたはアルキニルアリールを表し；
Ｒ３は、アルキル、アルケニル、アルキニル、必要に応じて置換されるアリールもしくは必要に応じて置換されるアリールアルキル、アリールアルケニル、アリールアルキニル、アルキルアリール、アルケニルアリールまたはアルキニルアリールを表し；そして
Ｘは、医薬的に許容可能な陰イオンを表す。］
【請求項２】
（ｉ）Ｒ１が、式ＩＩＩ：
【化２】
2011509284.tif 000002
［式中、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は、独立して、水素、ヒドロキシ、ハロ、アルコキシ、アルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、必要に応じて置換されているアリールもしくは必要に応じて置換されているアリールアルキル、アリールアルケニル、アリールアルキニル、アルキルアリール、アルケニルアリールまたはアルキニルアリールを表す。］
で表される；および／または
（ｉｉ）Ｒ２が、水素またはＣ１−Ｃ４アルキルを表す；および／または
（ｉｉｉ）Ｒ３が、Ｃ１−Ｃ４アルキルを表す；および／または
（ｉｖ）Ｒ３が、メチルを表す；および／または
（ｖ）Ｘが、ハロ、メタンスルホネート、トルエンスルホネートまたはトリフルオロメタンスルホネート基を表す；および／または
（ｖｉ）Ｘが、ブロモ基を表す；および／または
（ｖｉｉ）Ｒ２が、メチルであり、Ｘが、ブロモである、
請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
（ｉ）Ｒ４および／またはＲ５が、アリールを表す；および／または
（ｉｉ）Ｒ４および／またはＲ５が、アリールを表し、前記アリール基が、Ｃ１−Ｃ４アルキル、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ、ヒドロキシ、ハロまたはハロアルキルから選択される１または２個の基によって必要に応じて一置換または二置換されていてもよい、フェニル、ナフチル、チエニルおよびフリルから選択される；および／または
（ｉｉｉ）Ｒ４および／またはＲ５が、アリールを表し、前記アリール基が、２−チエニルである；および／または
（ｉｖ）Ｒ６が、ヒドロキシ、Ｃ１−Ｃ４アルキル、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ、ヒドロキシアルキル、ハロまたはハロアルキルを表す；および／または
（ｖ）Ｒ４が、２−チエニルであり、Ｒ５が、２−チエニルであり、Ｒ６が、ヒドロキシルである、
請求項２に記載のプロセス。
【請求項４】
前記エステル交換反応が、塩基の存在下において行われる、請求項１〜３のいずれかに記載のプロセス。
【請求項５】
前記塩基が、
（ｉ）有機塩基である；および／または
（ｉｉ）有機アミン塩基である；および／または
（ｉｉｉ）トリアルキルアミンもしくは複素環式アミンである；および／または
（ｉｖ）トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン（ＤＢＵ）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノン−５−エン（ＤＢＮ）、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（Ｄａｂｃｏ）、ピリジンまたは４−（ジメチルアミノ）ピリジン（ＤＭＡＰ）から選択される；および／または
（ｖ）ＤＢＵである、
請求項４に記載のプロセス。
【請求項６】
さらなる塩基が使用される、請求項４または５に記載のプロセス。
【請求項７】
前記さらなる塩基が、
（ｉ）無機塩基；および／または
（ｉｉ）水素化物；および／または
（ｉｉｉ）ＮａＨ、ＫＨもしくはＣａＨ２；および／または
（ｉｖ）ＮａＨ
である、請求項６に記載のプロセス。
【請求項８】
（ｉ）前記スコピンを塩の形態で使用する；および／または
（ｉｉ）前記スコピンを塩の形態で使用して、またスコピン遊離塩基をｉｎ  ｓｉｔｕで遊離させるために前記さらなる塩基を使用する、
請求項６または７に記載のプロセス。
【請求項９】
（ｉ）前記スコピンを、塩酸塩の形態で使用する；および／または
（ｉｉ）前記四級塩ＩＩの形成が、エステルＩの精製および／もしくは単離なしに行われる；および／または
（ｉｉｉ）前記エステル交換反応が、ジメチルホルムアミド中で行われる；および／または
（ｉｖ）前記スコピンエステルＩまたはその四級塩ＩＩが、９５％より高いＨＰＬＣ純度で得られる、；および／または
（ｖ）前記スコピンエステルＩまたはその四級塩ＩＩが、５０％より高い収率で得られる、
請求項１〜８のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１０】
実質的に純粋なチオトロピウム塩基（３）。
【化３】
2011509284.tif 000003
【請求項１１】
実質的に純粋な臭化チオトロピウム（１）。
【化４】
2011509284.tif 000004
【請求項１２】
請求項１〜９のいずれかに記載のプロセスによって調製された、チオトロピウム塩基（３）または臭化チオトロピウム（１）。
【請求項１３】
実質的に純粋である、請求項１２に記載のチオトロピウム塩基（３）または臭化チオトロピウム（１）。
【請求項１４】
請求項１１〜１３のいずれかに記載の臭化チオトロピウム（１）を含有する医薬組成物。
【請求項１５】
（ｉ）医薬における使用；および／または
（ｉｉ）呼吸障害の処置もしくは予防；および／または
（ｉｉｉ）喘息またはＣＯＰＤの処置もしくは予防；および／または
（ｉｖ）慢性気管支炎または気腫の処置もしくは予防
のための、請求項１４に記載の医薬組成物。
【請求項１６】
乾燥粉末吸入器（ＤＰＩ）、水溶液噴霧器または加圧定量吸入器（ｐＭＤＩ）における使用に適している、請求項１４または１５に記載の医薬組成物。
【請求項１７】
呼吸障害を処置または予防するための医薬を製造するための、請求項１１〜１３のいずれかに記載の臭化チオトロピウム（１）の使用または請求項１４〜１６のいずれかに記載の組成物の使用。
【請求項１８】
前記呼吸障害が、
（ｉ）喘息もしくはＣＯＰＤ；および／または
（ｉｉ）慢性気管支炎または気腫
を含む、請求項１７に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月17日(2011.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基地局と移動局との間の接続を識別するための方法であって、
前記移動局が前記基地局のカバレッジエリアに入るときに前記移動局にＭＳ  ＩＤを割り当てるステップ、及び
前記基地局と前記移動局との間に接続が確立されるときに前記接続に接続ＩＤを割り当てるステップ
を備える方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、前記ＭＳ  ＩＤがセル又はセクタの領域において一意であり、一方、前記接続ＩＤが前記移動局の領域において一意である方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法において、ｍ及びｎを整数として、前記ＭＳ  ＩＤがｍビットで示され、前記接続ＩＤがｎビットで示される、方法。
【請求項４】
請求項３記載の方法であって、前記接続ＩＤに少なくとも１つのビットを追加するステップをさらに備える方法。
【請求項５】
請求項３記載の方法において、特定の移動局のための前記接続ＩＤが同じ長さを有する、方法。
【請求項６】
請求項３記載の方法において、１セットの接続ＩＤがシグナリング接続のために取っておかれる、方法。
【請求項７】
請求項３記載の方法であって、前記ＭＳ  ＩＤに基づいて各移動局のために無線リソースを割り当てるステップをさらに備える方法。
【請求項８】
請求項３記載の方法であって、前記移動局が前記基地局のカバレッジエリアから別の基地局のカバレッジエリアに移動する場合に前記ＭＳ  ＩＤを更新するステップをさらに備える方法。
【請求項９】
請求項８記載の方法において、前記移動局のための前記接続ＩＤが、前記移動局が前記基地局のカバレッジエリアから別の基地局のカバレッジエリアに移動するときに維持される、方法。
【請求項１０】
請求項７記載の方法において、前記ＭＳ  ＩＤに基づいて各移動局のために無線リソースを割り当てる前記ステップが、
前記ＭＳ  ＩＤに基づいてダウンリンクのために少なくとも１つのリソースブロックを割り当てるステップ、及び
前記ＭＳ  ＩＤに基づいてアップリンクのために少なくとも１つのリソースブロックを割り当てるステップ
を備える方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の方法において、送信時に、前記リソースブロックが、そのヘッダがｎビット接続ＩＤを含むフィールドを含むＭＡＣ  ＰＤＵで満たされる、方法。
【請求項１２】
基地局と移動局との間の接続を識別するための基地局であって、
前記移動局が前記基地局のカバレッジエリアに入るときに前記移動局にＭＳ  ＩＤを割り当てるための第１の割当手段、及び
前記基地局と前記移動局との間に接続が確立されるときに前記接続に接続ＩＤを割り当てるための第２の割当手段
を備えた基地局。
【請求項１３】
請求項１２記載の基地局において、前記ＭＳ  ＩＤがセル又はセクタの領域において一意であり、一方、前記接続ＩＤが前記移動局の領域において一意である基地局。
【請求項１４】
基地局から割り当てられたＭＳ  ＩＤによって識別される移動局であって、
接続ＩＤを含むメッセージを受信するための受信手段、及び
前記接続ＩＤに基づいて前記基地局との接続を確立すること
を備えた移動局。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月12日(2011.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源供給電圧線と接続された静電気放電（ＥＳＤ）保護回路であって、
出力パッドと電源供給電圧線との間に接続されたソース／ドレインの経路を有する多重独立ゲート電界効果トランジスタ（ＭＩＧＦＥＴ）であって、第１のゲート端子および第２のゲート端子を有する前記ＭＩＧＦＩＴと、
出力を有する前段駆動回路と、
前記ＭＩＧＦＩＴの第１のゲート端子に接続されたホットゲートバイアス回路と
を備え、
前記前段駆動回路の出力は、前記ＭＩＧＦＩＴの第２のゲート端子に接続され、前記ホットゲートバイアス回路は、ＥＳＤ現象中に、バイアス電圧を前記ＭＩＧＦＩＴの前記第１のゲート端子に印加するように構成され、
前記ＭＩＧＦＩＴは、前記前段駆動回路の出力に応答して前記出力パッドに信号を供給する、ＥＳＤ保護回路。
【請求項２】
電源供給電圧線と接続された静電気放電（ＥＳＤ）保護回路であって、
出力パッドと電源供給電圧線との間に接続されたソース／ドレインの経路を有する多重独立ゲート電界効果トランジスタ（ＭＩＧＦＥＴ）であって、第１のゲート端子および第２のゲート端子を有する前記ＭＩＧＦＩＴと、
出力を有する前段駆動回路と、
前記ＭＩＧＦＩＴの第１のゲート端子に接続されたホットゲートバイアス回路と
を備え、
前記前段駆動回路の出力は、前記ＭＩＧＦＩＴの第２のゲート端子に接続され、前記ホットゲートバイアス回路は、ＥＳＤ現象中に、バイアス電圧を前記ＭＩＧＦＩＴの前記第１のゲート端子に印加するように構成され、
前記ＭＩＧＦＩＴは、前記前段駆動回路の出力に応答して前記出力パッドに信号を供給し、
前記ホットゲートバイアス回路は、前記ＥＳＤ現象を検出するようにさらに構成される、ＥＳＤ保護回路。
【請求項３】
電源供給電圧線と接続された静電気放電（ＥＳＤ）保護回路であって、
出力パッドと電源供給電圧線との間に接続されたソース／ドレインの経路を有する多重独立ゲート電界効果トランジスタ（ＭＩＧＦＥＴ）であって、第１のゲート端子および第２のゲート端子を有する前記ＭＩＧＦＩＴと、
出力を有する前段駆動回路と、
前記ＭＩＧＦＩＴの第１のゲート端子に接続されたホットゲートバイアス回路と
を備え、
前記前段駆動回路の出力は、前記ＭＩＧＦＩＴの第２のゲート端子に接続され、前記ホットゲートバイアス回路は、ＥＳＤ現象中に、バイアス電圧を前記ＭＩＧＦＩＴの前記第１のゲート端子に印加するように構成され、
前記ＭＩＧＦＩＴは、前記前段駆動回路の出力に応答して前記出力パッドに信号を供給し、
前記ホットゲートバイアス回路は、前記バイアス電圧を前記出力パッドの電圧と略等しくするのに十分な大きさの前記バイアス電圧を印加するように構成される、ＥＳＤ保護回路。
【請求項４】
第１の電力供給電圧線および第２の電力供給電圧線に接続された静電気放電（ＥＳＤ）保護回路であって、
出力パッドと前記第１の電力供給電圧線との間に接続されるソース／ドレインの経路を有する第１の多重独立ゲート電界効果トランジスタ（ＭＩＧＦＥＴ）であって、第１のゲート端子および第２のゲート端子を有する前記第１のＭＩＧＦＩＴと、
前記出力パッドと前記第２の電力供給電圧線との間に接続されるソース／ドレインの経路を有する第２の多重独立ゲート電界効果トランジスタ（ＭＩＧＦＥＴ）であって、第１のゲート端子および第２のゲート端子を有する前記第２のＭＩＧＦＩＴと、
出力を有する前段駆動回路と、
前記第１のＭＩＧＦＩＴの前記第１のゲート端子と、前記第２のＭＩＧＦＩＴの前記第１のゲート端子とに接続されるゲートバイアス回路とを備え、
前記前段駆動回路は、前記第１のＭＩＧＦＩＴの前記第２のゲート端子および前記第２のＭＩＧＦＩＴの前記第２のゲート端子に接続され、
前記ゲートバイアス回路は、ＥＳＤ現象中に、前記第１のＭＩＧＦＩＴの前記第１のゲート端子に第１のバイアス電圧を印加し、前記第２のＭＩＧＦＩＴの前記第１のゲート端子に第２のバイアス電圧を印加するように構成され、
前記ＭＩＧＦＩＴは、前記前段駆動回路の出力に応答して前記出力パッドに信号を供給する、ＥＳＤ保護回路。
【請求項５】
第１の電力供給電圧線および第２の電力供給電圧線に接続された静電気放電（ＥＳＤ）保護回路であって、
出力パッドと前記第１の電力供給電圧線との間に接続されるソース／ドレインの経路を有する第１の多重独立ゲート電界効果トランジスタ（ＭＩＧＦＥＴ）であって、第１のゲート端子および第２のゲート端子を有する前記第１のＭＩＧＦＩＴと、
前記出力パッドと前記第２の電力供給電圧線との間に接続されるソース／ドレインの経路を有する第２の多重独立ゲート電界効果トランジスタ（ＭＩＧＦＥＴ）であって、第１のゲート端子および第２のゲート端子を有する前記第２のＭＩＧＦＩＴと、
出力を有する前段駆動回路と、
前記第１のＭＩＧＦＩＴの前記第１のゲート端子と、前記第２のＭＩＧＦＩＴの前記第１のゲート端子とに接続されるゲートバイアス回路とを備え、
前記前段駆動回路は、前記第１のＭＩＧＦＩＴの前記第２のゲート端子および前記第２のＭＩＧＦＩＴの前記第２のゲート端子に接続され、
前記ゲートバイアス回路は、ＥＳＤ現象中に、前記第１のＭＩＧＦＩＴの前記第１のゲート端子に第１のバイアス電圧を印加し、前記第２のＭＩＧＦＩＴの前記第１のゲート端子に第２のバイアス電圧を印加するように構成され、
前記ＭＩＧＦＩＴは、前記前段駆動回路の出力に応答して前記出力パッドに信号を供給し、
前記ゲートバイアス回路は、前記ＥＳＤ現象を検出するようにさらに構成される、ＥＳＤ保護回路。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月9日(2011.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気化学セルのためのパッシブ熱管理システムであって、
非水性伝熱媒体と、
内側及び外側を有し、内側は伝熱媒体を保持する容器と、
前記媒体に少なくとも部分的に浸漬される、少なくとも１つ以上の電気化学セルと、
凝縮器と、を備える、システム。
【請求項２】
前記伝熱媒体は、１つ以上のハイドロフルオロエーテルを含む、請求項１に記載の電気化学セルのためのパッシブ熱管理システム。
【請求項３】
電気化学セルのためのパッシブ熱管理システムであって、
容器と、
熱交換器と、
１つ以上の電気化学セルと、
非水性伝熱媒体と、を備え、
前記容器は、前記媒体で少なくとも部分的に充填され、前記セルのうちの少なくとも１つは、前記媒体に少なくとも部分的に浸漬され、前記媒体は、前記熱交換器と熱的に接触している、システム。
【請求項４】
電気化学セルのパッシブ熱管理のための方法であって、
伝熱媒体で少なくとも部分的に充填される容器及び熱交換器を提供する工程と、
少なくとも１つの電気化学セルを前記媒体に部分的に浸漬する工程と、
前記セルを充電又は放電して、加熱されたセルを生成する工程と、
前記加熱されたセルから前記媒体に熱を伝達する工程と、
前記加熱されたセルからの前記熱を使用して、前記媒体を蒸発させる工程と、を含み、  前記蒸発した媒体が前記熱交換器に熱的に接触する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月17日(2011.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体材料上の電荷を修正する方法であって、前記方法は、
実質的に不均一な帯電分布を表面上に有する誘電体材料を得る工程であって、前記帯電分布は接地電位に対して測定されている工程と、
前記誘電体材料の前記表面に、少なくとも微弱な導電性液体を塗布する工程と、
前記少なくとも微弱な導電性液体を前記表面から少なくとも部分的に除去し、実質的に均一な帯電を前記表面上に残す工程と、を含む方法。
【請求項２】
誘電体材料上に帯電パターンを生成する方法であって、前記方法は、
第１帯電電位を有する誘電体材料を得る工程と、
少なくとも微弱な導電性液体を前記誘電体材料の第１部分に塗布する工程であって、前記少なくとも微弱な導電性液体が第２帯電電位を有する、工程と、
前記導電性液体を前記誘電体材料の前記第１部分から少なくとも部分的に除去し、実質的に均一な帯電を前記誘電体材料の前記第１部分上に残す工程と、を含む方法。
【請求項３】
誘電体材料の細長いウェブを中性化する方法であって、前記方法は、
少なくとも微弱な導電性液体を接地電位と電気的に結合する工程と、
前記接地電位と完全には実質的に等しくない帯電電位を有する誘電体材料を得る工程と、
連続する前記ウェブの一部分を前記導電性液体に浸漬し、細長い前記ウェブの前記一部分を完全に覆って、細長い前記ウェブ上の電荷を中性化する工程と、
連続する前記ウェブの前記一部分を前記導電性液体から取り出す工程と、
前記浸漬後に、連続する前記ウェブから前記導電性液体を少なくとも部分的に乾燥させる工程と、を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月19日(2011.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの直交する次元を有するイオンビームを準備する準備工程であって、前記イオンビームが複数のイオンビームレットを具え、かつ前記イオンビームの一方の次元における前記ビームレット間の平行度が他方の次元よりも高い工程(工程ａ)と、
平坦な表面を有するワークピースを、前記平行度が高い方の次元に実質的に垂直な軸について傾斜させる傾斜工程であって、前記ワークピースの平坦な表面と前記イオンビームに垂直な平面との間に角度を形成する形成工程(工程ｂ)と、
前記ワークピースを前記イオンビームにさらす露光工程(工程ｃ)と、
前記ワークピースを時計回りまたは反時計周りに回転させる回転工程(工程ｄ)と
を具えることを特徴とする大傾斜注入を行う方法。
【請求項２】
前記回転は、前記ワークピースの平坦な表面に垂直な軸の周りで行われる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ワークピースの全体が前記イオンビームに露光されるように、前記ワークピースを前記次元に実質的に垂直な方向に動かす工程をさらに具える請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記イオンビームが幅次元およびより小さい高さ次元を有し、かつ前記高い平行度は、前記幅次元にある請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記傾斜工程によって形成される角度は、約５〜６０度の範囲である請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記露光工程および前記回転工程は、複数回行われる請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記回転の角度が約９０度である請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記回転の角度が約１８０度である請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記回転の角度が、３６０度を前記回転工程が行われる回数で除した角度であると定義される請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記イオンビームが走査イオンビームを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記イオンビームがリボンビームを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記イオンビームの幅が、前記傾斜工程によって形成された角度に基づいて変化する請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
a.イオンビーム源と、
b.前記イオンビームを走査するための走査手段であって、幅次元を有する走査ビームを作り出すための走査手段と、
c.ワークピース支持体であって、前記幅次元に実質的に垂直な軸について傾斜されるよう適応して、それ故に注入の角度を作り出すワークピース支持体と
を具え、
前記走査手段は、前記角度に基づいて前記幅次元を修正するよう適応されることを特徴とするワークピースにイオンを注入するための装置。
【請求項１４】
前記走査手段は、静電スキャナおよび走査波形発生器を具え、前記発生された波形は、前記角度に基づいて修正される請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記波形は周波数および振幅を有し、かつ前記修正は前記振幅の修正を含む請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
２つの直交する次元を有するイオンビームを準備する準備工程であって、前記イオンビームが複数のイオンビームレットを具え、かつ前記イオンビームの一方の次元における前記ビームレット間の平行度が他方の次元よりも高い工程(工程ａ)と、
平坦な表面を有するワークピースを、前記平行度が高い方の次元に実質的に垂直な軸について傾斜させる傾斜工程であって、前記ワークピースの平坦な表面と前記イオンビームに垂直な平面との間に角度を形成する形成工程(工程ｂ)と、
前記イオンビームに対して前記ワークピースの方向を合わせる配向工程であって、前記ワークピースの一部分を前記ビームによって露光されるべき位置に配置する配向工程(工程ｃ)と、
前記ワークピースを前記イオンビームにさらす露光工程(工程ｄ)と
を具えることを特徴とするワークピースの一部分を注入する方法。
【請求項１７】
前記イオンビームが幅次元およびより小さい高さ次元を有し、かつ前記高い平行度は、前記幅次元にある請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記一部分がハロ注入を受ける請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記一部分が片側埋め込みストラップ注入を受ける請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記一部分がソース―ドレイン拡張注入を受ける請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
前記注入が、非平面デバイス構造の一部分上で行われる請求項１６に記載の方法。
【請求項２２】
前記ワークピースを時計回りまたは反時計周りに回転させる回転工程をさらに具える請求項１６に記載の方法。
【請求項２３】
前記回転は、前記ワークピースの平坦な表面に垂直な軸の周りで行われる請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記配向工程、前記露光工程および前記回転工程は、複数回行われる請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記配向工程は、前記ワークピースを時計回りまたは反時計周りに回転させることによって行われる請求項１６に記載の方法。
【請求項２６】
前記配向工程は、前記ワークピースを前記ワークピースの平坦な表面に垂直な軸の周りで回転させることによって行われる請求項２５に記載の方法。