【事件の表示】
　平成　５年特許願第２８３４９１号「磁気抵抗装置及びその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年　８月１２日出願公開、特開平　６−２２３３３７］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続きの経緯
　　出　　　　　願　　　　平成　５年１１月１２日
　　　　　　　　（優先日　１９９２年１１月１２日　米国）
　　拒絶理由の通知　　　　平成１３年　５月１６日
　　意　　見　　書　　　　平成１３年１０月３１日
　　手　続　補　正１　　　　　　　同上
　　拒　絶　査　定　　　　平成１３年１１月３０日
　　（同　謄本送達　　　　平成１３年１２月　４日）
　　審判請求・手続補正２　平成１４年　３月　４日
　　手続補正３　　　　　　平成１４年　４月　３日
　
２　本願発明
　本件出願の特許請求の範囲請求項１〜２４に係る発明は、平成１４年４月３日付手続補正書３で補正された特許請求の範囲請求項１〜２４に記載されたとおりのものであり、そのうち請求項１に係る発明は、
「主軸線と、この主軸線に対し交差し、互いに反対側の位置に位置する第１及び第２端部分とを有する磁気抵抗構造体と、
　この磁気抵抗構造体に対しほぼ共平面関係で配置され、この磁気抵抗構造体から分離材料層を介して離間して配置された第１及び第２永久磁石層と、
　記録媒体の磁気面からの磁気信号変化に基づく前記磁気抵抗構造体の抵抗変化を検出するために、前記磁気抵抗構造体と、前記第１及び第２永久磁石層との双方又はいずれか一方に接触されている第１及び第２電極と
を具えていることを特徴とする磁気抵抗装置。（以下、本願発明という。）」である。
　
３　引用例
（１）　これに対し、原審の拒絶査定に用いられた優先権主張出願前公知の刊行物である引用例１（特開昭６４−１１１２号公報）には、次のａ〜ｄの記載がある。
ａ　「１．感磁膜のトラック幅方向の両側の近傍あるいは両側に接するように硬磁性材料を設けたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。」（特許請求の範囲１）
ｂ　「３．当該硬磁性材料を磁気抵抗効果型素子のトラック幅方向に平行に着磁したことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の磁気抵抗効果型ヘッド。」（特許請求の範囲３）
ｃ　「〔産業上の利用分野〕
　　本発明は磁気記録再生装置用の再生専用ヘッド　に係り、特にトクラック面端から発生しやすい微細磁区の発生を防止し、バルクハウゼンノイズの発生しない磁気抵抗効果型ヘッドに関する。」（第１頁左下欄第１７行〜右下欄第１行）
ｄ　「〔実施例〕
　第１図は、本発明による一実施例である。シールド膜を兼ねた磁性基板１０上に下部絶縁層３を形成（膜厚：０．６μｍ）した後、磁気抵抗効果膜１（例えば、Ｎｉ−Ｆｅ合金膜やＣｏ−Ｎｉ合金膜など、膜厚：５０ｎｍ、バイアス膜２（例えば、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｒ，Ｔａなど、膜厚：１５０ｎｍ）を連続的に形成し、パターニングを行なう。その後、硬磁性膜４（例えば、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｓｍ−Ｃｏなど、膜厚：１００ｎｍ）を形成し、パターニングする。ここで、各膜の膜厚は典型的な値を示したもので、ヘッド出力、バイアス磁界強度など、ヘッド特性に応じて最適な膜厚を選ぶことば言うまでもない。
例えば、硬磁性膜４の膜厚は、膜の自己エネルギーの大きさや、ヘッド形状により異なるが、およそ２０〜２００ｎｍの範囲内が一般的である。本実施例では、磁気抵抗効果膜１、バイアス膜２を形成した後、硬磁性膜４を形成したが、順番は特に問題でなく、硬磁性膜４を先に形成してももちろん良い。また、本実施例ではヘッドトラック両端から距離ｌだけ離して硬磁性膜４を形成した。
この距離ｌは先ほど述べた硬磁性膜４の膜厚と同様に膜の自己エネルギーの大きさやヘッド形状により最適な値が異なるが、通常は１０μｍ以内であることが望ましい。但し、次の実施例にもあるように接していても特に開題はない。（０≦ｌ≦１０μｍ）このようなヘッド構成にすると、トラック両端近傍での反磁界が減少し、微細磁区の発生を防止出来る。また、素子長手方向（図中右下に示したＸ軸方向）の異方性が強まるために磁化容易軸が素子長手方向を向き易くなり、異方性のばらつきが原因のヘッド特性のばらつきも小さくなる．本実施例では、基板に磁性基板１０を用いたが、非磁性基板を用いて、パーマロイ薄膜などの薄膜シールド構造にしても良いことは言うまでもない。上部シールドについても同様である。」（第２頁左上欄第１９行〜左下欄第１５行）
　上記ａ〜ｄ及び第１図から、引用例１には次のことが示されている。
「磁気抵抗効果膜１とバイアス膜２を連続的に形成し、パターニングされた感磁膜と、
該磁性膜のトラック幅方向の両側（ヘッドトラック両端）の近傍に、該感磁性膜が形成される磁性基板１０上の下部絶縁層３上に、ヘッドトラック両端から距離ｌだけ離れた硬磁性膜４と
を具えていることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。」
（２）　また、原審の拒絶査定に用いられた優先権主張出願前公知の刊行物である引用例２（特開昭６４−７６４１５号公報）には、
「非磁性導体層を挟んで強磁性磁気抵抗効果素子と非晶質軟磁性バイアス補助層とが積層された構造を有する磁気抵抗効果型ヘッド」（特許請求の範囲（１））と記載されている。
　
（３）　優先権主張出願前公知の刊行物である引用例３（特開昭６２−４０６１０号公報）の第４図には、ＭＲセンサ１０から、導電手段（電極）１８，２０が引き出されている形状が示されている。周知例とする。
　
（４）　優先権主張出願前公知の刊行物である引用例４（特開昭６３−９１８１８号公報）の第１図には、ＭＲ素子上の高保持力強磁性膜の端部からリード導体（電極）７，８が引き出されている形状が示されている。周知例とする。
　
（５）　優先権主張出願前公知の刊行物である引用例５（特開平４−１６１８７４号公報）には、ＭＲ素子１と電極２の積層体の上下面に、シールド間ギャップとして絶縁層であるＳｉＯ２膜を形成した磁気抵抗効果ヘッドが示されている。周知例とする。
　
４　本願発明と引用例との対比・判断
　引用例１の「磁気抵抗効果膜１とバイアス膜２を連続的に形成し、パターニングされた感磁膜」は、それ自体でも磁気抵抗構造体であるが、引用例２に「非磁性導体層を挟んで強磁性磁気抵抗効果素子と非晶質軟磁性バイアス補助層とが積層された構造」即ち磁気抵抗構造体が示されていることと、引用例１において、「トラック両端近傍での反磁界が減少し、微細磁区の発生を防止出来る」の記載から、トラック両端が、本願発明の第１、２端部に相当することを鑑みると、本願発明の「主軸線と、この主軸線に対し交差し、互いに反対側の位置に位置する第１及び第２端部分とを有する磁気抵抗構造体」に相当する。
　また、「硬磁性材料」は、本願発明の「第１及び第２永久磁石層」に相当する。
　
　してみると、本願発明と引用例１のものとは、次の点で一致する。
（一致点）
「主軸線と、この主軸線に対し交差し、互いに反対側の位置に位置する第１及び第２端部分とを有する磁気抵抗構造体と、
　この磁気抵抗構造体に対しほぼ共平面関係で配置され、この磁気抵抗構造体から離間して配置された第１及び第２永久磁石層と、
を具えていることを特徴とする磁気抵抗装置。
　
　そして、次の点で両者は相違する。
（相違点１）
　本願発明の第１及び第２永久磁石層は、「磁気抵抗構造体から分離材料層を介して離間して配置された」のに対して、引用例１のものは、分離材料層が示されていない点、
（相違点２）
　本願発明の「記録媒体の磁気面からの磁気信号変化に基づく前記磁気抵抗構造体の抵抗変化を検出するために、前記磁気抵抗構造体と、前記第１及び第２永久磁石層との双方又はいずれか一方に接触されている第１及び第２電極」を有するのに対して、引用例１のものは示されていない点。
　
（相違点１の検討）
　引用例５には、ＭＲ素子１と電極２の積層体の上下面に、シールド間ギャップとして絶縁層であるＳｉＯ２膜を形成した磁気抵抗効果ヘッドが示されて織り、周知の形状である。本願発明の磁気抵抗装置は、磁気抵抗効果ヘッドに使用された状態では、シールド間ギャップ材料が、磁気抵抗構造体と永久磁石層との間に入り込み、磁気的な分離層を形成することとなり、分離材料層を介すると限定したことに格別のことが認められない。しかも、引用例１においても、層の形状ではないが、空隙は磁気的な分離となっており、分離材料層としたことに格別のことが認められない。
　また、審判請求人は請求理由において次の主張している。
「この引用例１の発明は、磁気抵抗構造体と、第１及び第２硬磁性膜とを互いに離間させることにその要旨があるものではなく、しかもこの引用例１に開示された離間距離は１０μｍ、すなわち１０×１０４オングストローム以内であり、本願発明で最適としている分離距離４００オングストローム程度以下と全く掛け離れているものである。
　要するに、本願発明によれば、磁気抵抗構造体と、第１及び第２永久磁石層とを分離材料層を介して分離させることにより、適切なバルクハウゼン雑音抑圧を達成しうる最適な分離距離（４００オングストローム程度以下）を見いだしたものであり、かかる着想は引用例１に開示も示唆もされていない。しかも、分離を分離材料層によって行っている為に、この分離材料層を請求項２に記載したように非磁性金属材料とすることができるものであり、この場合には、本願明細書の［００１９］欄に説明してあるように、電気接点を導電性領域に直接形成した場合に通常生じる不所望な電流分路効果を排除しうるという追加の効果もえられるものである。」
　しかしながら、本願発明（請求項１に係る発明）においては、最適な分離距離（４００オングストローム程度以下）も、非磁性金属材料も、何ら記載されていない事項であり、これらの点についての主張は失当である。
　
（相違点２の検討）
　引用例３の第４図には、ＭＲセンサ１０から、導電手段（電極）１８，２０が引き出されている形状が示され、引用例４の第１図には、ＭＲ素子上の高保持力強磁性膜の端部からリード導体（電極）７，８が引き出されている形状が示され、いずれの引出形状も周知である。してみると、本願発明の「前記磁気抵抗構造体に接触されている第１及び第２電極」、「前記第１及び第２永久磁石層とに接触されている第１及び第２電極」とも周知の形状であり、当業者が任意に設定できた事項であり、格別のものではない。
　
　従って、本願発明は、上記引用例１，２及び周知例の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５　まとめ
　従って、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　よって結論のとおり審決する。