Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月11日(2003.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
顧客の利用実績に応じたポイントを発行してポイントに対してサービスまたは商品を提供するポイントシステム全体を管理する機能を有するポイントシステム管理手段と、ポイントシステムを運用するメーカまたはそのメーカと提携する加盟店が扱うＩＣカード読み書き手段と、上記ポイントシステム管理手段によって提供されるポイントを管理するためのポイント管理アプリケーションと、ポイント管理アプリケーションを内蔵するＩＣカードとを有するポイント管理システムにおいて、上記ポイントシステム管理手段は、ポイントシステムを運用するメーカの登録や管理をおこない、登録する時点でメーカごとに固有の上記ポイント管理アプリケーションをアクセスするための暗号鍵等の鍵データを発行する機能を有し、上記ポイント管理アプリケーションは、複数のメーカからそれぞれの鍵データまたは鍵データと一つ以上の他の情報を組み合わせたものを使って読み書き手段から利用でき、この時、利用された鍵データに対応したエリアのデータのみの読み出し書き込みを許可する機能を有することを特徴とするポイント管理システム。
【請求項２】
前記ＩＣカードは、複数のアプリケーションを搭載可能であり、ＩＣカード内には、少なくとも前記ポイント管理アプリケーションと、前記読み書き手段に対応した一つ以上のメーカアプリケーションがあり、前記読み書き手段は、上記メーカアプリケーションも利用できることを特徴とする請求項１に記載のポイント管理システム。
【請求項３】
顧客の利用実績に応じたポイントを発行してポイントに対してサービスまたは商品を提供するポイントシステム全体を管理する機能を有するポイントシステム管理手段と、ポイントシステムを運用するメーカまたはそのメーカと提携する加盟店が扱うＩＣカード読み書き手段と、上記ポイントシステム管理手段によって提供されるポイントを管理するためのポイント管理アプリケーションと、上記ポイント管理アプリケーションを利用したポイントシステムを運用するメーカによって提供され上記読み書き手段から利用されるメーカアプリケーションと、少なくとも上記ポイント管理アプリケーションと一つ以上の上記メーカアプリケーションを有する複数のアプリケーションを搭載可能なＩＣカードとを有するポイント管理システムにおいて、上記ポイントシステム管理手段は、ポイントシステムを運用するメーカの登録、管理をおこない、登録する時点でメーカごとに固有の上記ポイント管理アプリケーションをアクセスするための暗号鍵等の鍵データを発行する機能を有し、上記ポイント管理アプリケーションは、複数のメーカの上記メーカアプリケーションからそれぞれの鍵データまたは鍵データと一つ以上の他の情報を組み合わせたものを使って利用でき、この時、利用された鍵データに対応したエリアのデータのみの読出し書込みを許可する機能を有することを特徴とするポイント管理システム。
【請求項４】
前記ポイント管理アプリケーションは、前記ＩＣカード読み書き手段からも前記メーカアプリケーション同様に鍵データまたは鍵データと一つ以上の他の情報を組み合わせたものを使って利用できることを特徴とする請求項３に記載のポイント管理システム。
【請求項５】
ポイントシステムに加盟している店舗の情報を登録し、該店舗を識別する該店舗に固有な登録店番号とポイントデータを暗号化する該店舗に固有な暗号鍵とを該店舗に供給するポイントシステム管理手段と、
顧客の利用実績に応じたポイントを記憶する複数のエリアを有するメモリと、該店舗の暗号鍵に対応する暗号鍵を有し、該店舗の暗号鍵で暗号化されたポイントデータを該対応する暗号鍵を用いて処理し、該登録店番号によって該複数のエリアへのアクセスを管理するポイント管理アプリケーションとを有するＩＣカードと、
該登録店番号と該店舗の暗号鍵とを用いて該ＩＣカードの読み書きをするＩＣカード読み書き手段と、
を備えることを特徴とするポイント管理システム。
【請求項６】
顧客の利用実績に応じ、店舗を識別する該店舗に固有な登録店番号とポイントデータを暗号化する該店舗に固有な暗号鍵とを有する該店舗によって発行されたポイントを記憶する複数のエリアを有するメモリと、
該店舗の暗号鍵に対応する暗号鍵を有し、該店舗の暗号鍵で暗号化されたポイントデータを該対応する暗号鍵を用いて処理し、該登録店番号によって該複数のエリアへのアクセスを管理するポイント管理アプリケーションと、
を備えることを特徴とするＩＣカード。
【請求項７】
請求項６において、
前記複数のエリアはそれぞれ前記登録店番号と対応しており、
前記ポイント管理アプリケーションは、前記登録店番号によってポイントを更新するエリアを識別し、該エリア以外へのアクセスを禁止すること
を特徴とするＩＣカード。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月20日(2003.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の画像データを入力する第１の入力工程と、第２の画像データを入力する第２の入力工程と、前記第２の画像データにおける画素レベル分布を解析する解析工程と、前記解析工程における解析結果に基づいて、前記第１の画像データを変換する変換テーブルを作成する変換テーブル作成工程と、前記変換テーブルに基づいて前記第１の画像データを変換する変換工程と、を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項２】
前記変換テーブル作成工程においては、前記第１の画像データにおける色調を変換する変換テーブルを作成することを特徴とする請求項１記載の画像処理方法。
【請求項３】
前記解析工程においては、前記第２の画像データにおける画素レベルのヒストグラムを各色成分毎に作成することを特徴とする請求項２記載の画像処理方法。
【請求項４】
画像データを入力する入力工程と、前記画像データにおける画素レベル分布を解析する解析工程と、前記解析工程における解析結果に基づいて、前記画像データを変換する変換テーブルを作成する変換テーブル作成工程と、前記変換テーブルに基づいて前記画像データを変換する変換工程と、を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項５】
前記解析工程においては、前記画像データにおける画素レベルのヒストグラムを作成することを特徴とする請求項４記載の画像処理方法。
【請求項６】
前記変換テーブル作成工程は、前記解析工程において作成されたヒストグラムに基づいて、所定値以上の画素数を有する画素レベルの範囲を第１の範囲として得る範囲取得工程と、前記第１の範囲を広げるように変換テーブルを作成するテーブル作成工程と、を有することを特徴とする請求項５記載の画像処理方法。
【請求項７】
前記解析工程においては、前記画像データにおける画素レベル分布を各色成分毎に解析し、前記変換テーブル作成工程においては、前記変換テーブルを各色成分毎に作成することを特徴とする請求項４記載の画像処理方法。
【請求項８】
第１及び第２の画像データを入力する入力手段と、前記第２の画像データにおける画素レベル分布を解析する解析手段と、前記解析手段における解析結果に基づいて、前記第１の画像データを変換する変換テーブルを作成する変換テーブル作成手段と、前記変換テーブルに基づいて前記第１の画像データを変換する変換手段と、を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項９】
画像データを入力する入力手段と、前記画像データにおける画素レベル分布を解析する解析手段と、前記解析手段における解析結果に基づいて、前記画像データを変換する変換テーブルを作成する変換テーブル作成手段と、前記変換テーブルに基づいて前記画像データを変換する変換手段と、を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項１０】
更に、前記入力手段によって入力する画像データを指示する指示手段を有することを特徴とする請求項８又は９記載の画像処理装置。
【請求項１１】
更に、画像データを表示する表示手段を有し、前記指示手段においては、前記表示手段に表示された画像データの中から画像データを指示することを特徴とする請求項１０記載の画像処理装置。
【請求項１２】
第１の画像の色分布を判別する判別工程と、前記色分布に応じた変換条件を用いて第２の画像を変換する変換工程と、前記変換された第２の画像を第１の画像に合成する合成工程と、を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１３】
画像処理のプログラムコードが格納されたコンピュータ可読メモリであって、第１の画像データを入力する第１の入力工程のコードと、第２の画像データを入力する第２の入力工程のコードと、前記第２の画像データにおける画素レベル分布を解析する解析工程のコードと、前記解析工程における解析結果に基づいて、前記第１の画像データを変換する変換テーブルを作成する変換テーブル作成工程のコードと、前記変換テーブルに基づいて前記第１の画像データを変換する変換工程のコードと、を有することを特徴とするコンピュータ可読メモリ。
【請求項１４】
画像処理のプログラムコードが格納されたコンピュータ可読メモリであって、画像データを入力する入力工程のコードと、前記画像データにおける画素レベル分布を解析する解析工程のコードと、前記解析工程における解析結果に基づいて、前記画像データを変換する変換テーブルを作成する変換テーブル作成工程のコードと、前記変換テーブルに基づいて前記画像データを変換する変換工程のコードと、を有することを特徴とするコンピュータ可読メモリ。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月22日(2003.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記第２のレジストパターンは前記第１の溝以外の前記アライメントマーク領域の所定の領域上にさらに形成され、
前記ステップ(i)は、前記アライメントマーク領域の前記所定領域に第２のダミー電極部をさらに形成し、
(j) 前記素子形成領域の表面内に前記ゲート電極に隣接して第１〜第Ｎ（≧２）の拡散領域を形成するステップと、
ｉ＝１〜Ｎの順でＮ回繰り返す下記のステップ(k)〜(m)とをさらに備え、
(k) 前記半導体基板上の全面に第ｉの絶縁層を形成するステップ、
(l) 第２のアライメントマークを位置認識し、第ｉの拡散領域上の第１〜第ｉの絶縁層を貫通して第ｉの貫通孔を形成するステップ、
(m) 前記第ｉの貫通孔を介して前記第ｉの拡散領域と電気的に接続される第ｉの拡散領域接続導電層を形成するステップ、
Ｎ回繰り返される前記ステップ(l)は、１回の実行毎に前記第１及び第２のダミー電極部のいずれかを前記第２のアライメントマークとして選択することを特徴とする、
請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
また、請求項１１記載の半導体装置の製造方法において、前記第２のレジストパターンは前記第１の溝以外の前記アライメントマーク領域の所定の領域上にさらに形成され、前記ステップ(i)は、前記アライメントマーク領域の前記所定領域に第２のダミー電極部をさらに形成し、(j)前記素子形成領域の表面内に前記ゲート電極に隣接して第１〜第Ｎ（≧２）の拡散領域を形成するステップと、ｉ＝１〜Ｎの順でＮ回繰り返す下記のステップ(k)〜(m)とをさらに備え、(k)前記半導体基板上の全面に第ｉの絶縁層を形成するステップ、(l)第２のアライメントマークを位置認識し、第ｉの拡散領域上の第１〜第ｉの絶縁層を貫通して第ｉの貫通孔を形成するステップ、(m)前記第ｉの貫通孔を介して前記第ｉの拡散領域と電気的に接続される第ｉの拡散領域接続導電層を形成するステップ、Ｎ回繰り返される前記ステップ(l)は、１回の実行毎に前記第１及び第２のダミー電極部のいずれかを前記第２のアライメントマークとして選択している。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
この発明は、上記問題点を含む上記改良方法をさらに発展させたもので、アライメントマーク領域１１Ａにある活性領域の位置を規定する溝１０Ａの少なくともエッジ部に第一配線材料を残すことにより、エッチング残の発生を抑制させ集積回路の高歩留まりを達成することを第１の目的とする。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
加えて、アライメントマーク領域１１Ａにある活性領域の位置を規定する溝１０Ａ及びシリコン酸化膜２Ａによって構成されたアライメントマーク上全面に第一配線材料を残すことにより、活性領域を規定するアライメントマークによって生じる高低差をアライメントマーク上に形成される第一配線材料の表面の高低差に反映させ、この高低差をアライメントマークとして、アルミ配線、ビット線コンタクト、ストレージノードコンタクト用のコンタクトホールの重ね合わせを行い、上記コンタクトホールと活性領域との重ね合わせを精度よく行い接合劣化を低減することを第２の目的としている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月30日(2004.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
バイポーラトランジスタと接合型電界効果トランジスタとを有し、上記バイポーラトランジスタのコレクタと上記接合型電界効果トランジスタのソースとが接続されてなる半導体装置の製造方法において、上記接合型電界効果トランジスタにおけるゲートコンタクト導電層の形成工程と、該ゲートコンタクト導電層上に層間絶縁層を形成する工程と、その後に接合型電界効果トランジスタのドレインコンタクト導電層を形成するドレインコンタクト導電層の形成工程とを行って、上記ゲートコンタクト導電層の上記ドレイン側の縁部の配置面が上記ドレインコンタクト導電層のゲート側の縁部の配置面より下方に位置するように形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
これは、例えば、図９に示すように、ｎｐｎ型バイポーラトランジスタＴＲのコレクタと接合型電界効果トランジスタＪ−ＦＥＴのソースを接続すると共に、バイポーラトランジスタＴＲのベースとＪ−ＦＥＴのゲートＧとを接続するものである。この場合においても、コレクタ端子Ｃに高電圧が掛かった場合に、接合型電界効果トランジスタＪ−ＦＥＴをピンチオフして、バイポーラトランジスタＴＲにＪ−ＦＥＴのピンチオフ電圧Ｖp 以下の電圧のみが印加されるようにして、結果的に低耐圧バイポーラトランジスタにおいて、高耐圧化をはかるものであるが、この場合、バイポーラトランジスタＴＲの飽和状態時に、Ｊ−ＦＥＴのゲートが順方向にバイアスされるようになされて、Ｊ−ＦＥＴの飽和電流Ｉdss 以上の大電流を取り扱うことを可能としたものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
これらの構成において、バイポーラトランジスタのＴＲにおいて、低耐圧トランジスタで高耐圧化をはかるには、接合型電界効果トランジスタＪ−ＦＥＴにおけるピンチオフ電圧Ｖp の低減化が必要となる。また、これらの構成による場合、バイポーラトランジスタＴＲのコレクタに、直列に接合型電界効果トランジスタＪ−ＦＥＴのソース・ドレイン間抵抗が接続されることから、高速応答性、高周波数特性を得る上では、Ｊ−ＦＥＴのオン抵抗ができるだけ低く選定されることが要求される。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明は、バイポーラトランジスタと接合型電界効果トランジスタとを有し、バイポーラトランジスタのコレクタと接合型電界効果トランジスタのソースとが接続されてなる半導体装置の製造方法において、接合型電界効果トランジスタにおけるゲートコンタクト導電層の形成工程と、ゲートコンタクト導電層上に層間絶縁層を形成する工程と、その後に接合型電界効果トランジスタのドレインコンタクト導電層を形成するドレインコンタクト導電層の形成工程とを行って、ゲートコンタクト導電層のドレイン側の縁部の配置面が、ドレインコンタクト導電層のゲート側の縁部の配置面より下方に位置するように形成して目的とする半導体装置を得る。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、バイポーラトランジスタＴＲの形成部に例えばコレクタ埋込み領域２に達する深さにコレクタ電極取り出し領域６を、接合型電界効果トランジスタＪ−ＦＥＴの形成部の相対向する両外側部にそれぞれソース高濃度領域７とドレイン高濃度領域８とをそれぞれｎ型不純物を高濃度に導入して形成する。これら領域６、７および８の形成は、例えばＰ（りん）イオンを５０〜１００ｋｅＶで１×１０１５／cm２〜１×１０１６／cm２のドーズ量でイオン注入することによって形成できる。そして、半導体基板１の表面を、例えばフォトレジストの塗布およびエッチバックによって平坦化し、素子分離絶縁層５下にｐ型のチャネルストップ領域ＣＳを、イオン注入によって形成する。半導体基板１の表面には、例えば厚さ５０〜２００ｎｍのＳｉＯ２をＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition) 法等によって成膜して絶縁層９を形成する。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
このようにして、コレクタ埋込み領域４上に例えばｎ型の半導体層３の一部をコレクタ領域１６とし、これの上にｐ型のベース領域１２が形成され、更にこれの上にｎ型のエミッタ領域１５が形成されたバイポーラトランジスタＴＲが形成され、一方、ゲート領域１４によるゲート接合Ｊ１と、ｐ型の半導体基体２とｎ型の半導体層３とのｐ−ｎ接合Ｊ２との間にチャネル部１６が形成され、このチャネル部の両側をソース領域およびドレイン領域としてこれらにそれぞれソース高濃度領域７とドレイン高濃度領域８とが形成された接合型電界効果トランジスタＪ−ＦＥＴが、同一半導体基板１上に構成される。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
このようにして、同一半導体基板１上に、バイポーラトランジスタＴＲと接合型電界効果トランジスタＪ−ＦＥＴとが形成され、バイポーラトランジスタＴＲのベース領域１２のグラフトベース領域１２ｇ上と、接合型電界効果トランジスタＪ−ＦＥＴのゲート領域１４上とに同一の導電層、すなわち第１の多結晶半導体層１０により構成されたベースコンタクト導電層１７Ｂとゲートコンタクト導電層１７Ｇが、それぞれ、いわばセルフアラインによってコンタクトされ、エミッタ領域１５には、第２の多結晶半導体層１３によるエミッタコンタクト導電層１７Ｅが、セルフアラインによってコンタクトされた構成の半導体装置が構成される。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また、上述したように、ゲートコンタクト導電層１７Ｇのドレイン側の縁部１７Ｇ１とドレインコンタクト導電層１８Ｄとが異なる層として形成したことにより、両者の縁部の板面方向の距離を、同一層で形成した場合のフォトリソグラフィおよびエッチングで制限される最小距離（間隔）より近づけることができることから、いわばゲート電極およびドレイン電極としてのゲート上層コンタクト導電層１８Ｇおよびドレインコンタクト導電層１８Ｄとを、上述した例におけるように、同一導電層の例えばＴｉ／ＴｉＯＮ／Ａｌ構造の金属層によって形成した場合にも、上述のＭＩＳないしはＭＯＳ構造部を充分ドレイン側に張り出す（延在）させることができて、上述のＭＯＳないしはＭＩＳ−ＦＥＴ効果を高めることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月2日(2003.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体薄膜でなる活性層を有する半導体装置の作製方法において、
絶縁表面上に酸化珪素膜を成膜し、
前記酸化珪素膜を所定の形状にパターニングして凹または凸パターンを形成し、
前記酸化珪素膜上に非晶質半導体膜を成膜し、
前記非晶質半導体膜に対して結晶化を助長する金属元素を保持させ、
加熱処理により前記非晶質半導体膜を結晶性半導体膜に結晶化し、
前記結晶性半導体膜にレーザー光または、前記レーザー光と同等のエネルギーを持つ強光を照射して前記結晶性半導体膜をモノドメイン領域に変成させ、
前記モノドメイン領域を用いて前記活性層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記活性層は前記モノドメイン領域のみを用いて形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
半導体薄膜でなる活性層を有する半導体装置の作製方法において、
絶縁表面上に酸化珪素膜を成膜し、
前記酸化珪素膜を所定の形状にパターニングして凹または凸パターンを形成し、
前記酸化珪素膜上に非晶質半導体膜を成膜し、
前記非晶質半導体膜に対して結晶化を助長する金属元素を保持させ、
加熱処理により前記非晶質半導体膜を結晶性半導体膜に結晶化し、
前記結晶性半導体膜にレーザー光または前記レーザー光と同等のエネルギーを持つ強光を照射して前記結晶性半導体膜をモノドメイン領域に変成させ、
前記モノドメイン領域のみを用いて活性層を形成し、
前記活性層を覆って珪素を主成分とする絶縁膜を成膜し、
加熱処理により前記活性層中の前記結晶化を助長する金属元素をゲッタリングすると共に前記活性層と前記絶縁膜との界面に熱酸化膜を形成し、
窒素雰囲気中における加熱処理により前記熱酸化膜および前記絶縁膜の膜質を改善することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１または３において、前記結晶性半導体膜は前記絶縁表面と概略平行な柱状または針状結晶が複数集合して形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１または３において、前記酸化珪素膜は人工石英ターゲットを用いたスパッタ法により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１または３において、前記金属元素としてＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種類のものが用いられることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４において、前記モノドメイン領域は、前記レーザー光または前記レーザー光と同等のエネルギーを持つ強光を照射する工程において前記柱状または針状結晶が複数集合して形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１または３において、前記モノドメイン領域には結晶粒界が存在しないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１または３において、前記半導体装置は薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１または３において、前記モノドメイン領域の膜厚は１５〜４５ｎｍであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１または３において、前記モノドメインの外縁部は前記レーザー光または前記強光により隆起していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１または３において、前記モノドメイン領域を構成する半導体薄膜中には水素が１×１０15〜１×１０21atoms/cm3の濃度で添加されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１または３において、前記モノドメイン領域は、
前記凹または凸パターン上に形成された縦成長領域と、
前記縦成長領域を起点に前記半導体薄膜に対して概略平行な方向に結晶成長した横成長領域とを有し、
前記縦成長領域は前記横成長領域と比較して高い濃度で前記金属元素が含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１または３において、前記酸化珪素膜の成膜はスパッタ法により行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項３において、前記熱酸化膜の形成はハロゲン元素を含む雰囲気において行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項３において、前記絶縁膜および前記熱酸化膜でなる積層膜はゲイト絶縁膜として機能し、
前記活性層と前記ゲイト絶縁膜との界面付近にはハロゲン元素が高濃度に存在することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１または３において、前記非晶質半導体膜の結晶化は前記凹または凸パターンから進むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月15日(2004.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電界発光素子及びその製造方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極及び陰極との間に挟持される電荷注入輸送層又は/及び発光層を備える電界発光素子において、
前記陽極に交差するように形成されたバンクと、
前記バンクにより形成される領域内に配置されており、液相から形成される前記電荷注入輸送層又は/及び発光層と、を備えてなり、
前記陰極は前記バンクによってパターニングされてなることを特徴とする電界発光素子。
【請求項２】
前記バンクの断面形状が長方形であることを特徴とする第１項に記載の電界発光素子。
【請求項３】
前記バンクの断面形状が平行四辺形であることを特徴とする第１項に記載の電界発光素子。
【請求項４】
前記バンクの断面形状が逆台形状であることを特徴とする第１項に記載の電界発光素子。
【請求項５】
電界発光素子を製造する方法において、
基板に陽極をパターニングする工程と、
前記陽極に交差するバンクを形成する工程と、
前記バンクにより形成される領域内に液相状の電荷注入輸送物質又は/及び発光物質を配置する工程と、
前記電荷注入輸送物質又は/及び発光物質を焼成して電荷注入輸送層又は/及び発光層を形成する工程と、
前記電荷注入輸送層又は/及び前記発光層上に陰極材料を蒸着して陰極を形成する工程、を具備し、
前記陰極を形成する工程においては、前記バンクによって前記陰極がパターニングされることを特徴とする電界発光素子の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の電界発光素子は、陽極及び陰極との間に挟持される電荷注入輸送層又は/及び発光層を備える電界発光素子において、前記陽極に交差するように形成されたバンクと、前記バンクにより形成される領域内に配置されており、液相から形成される前記電荷注入輸送層又は/及び発光層と、を備えてなり、  前記陰極は前記バンクによってパターニングされてなることを特徴とする。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
さらに、前記バンクの断面形状が長方形であることを特徴とする。この場合には、パネル正面方向に対して垂直方向、または陽極の長手方向から斜方蒸着により陰極材料を蒸着すれば、陰極蒸着時に同時に陰極のパターニングが終了する。このためプロセスに弱い有機膜上に形成された陰極をパターニングできるのである。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また前記バンクの断面形状を平行四辺形として、パネル正面方向に対して垂直方向、または前記バンクの２つの側面のうち基板表面との成す角度が鈍角である面側から前記陰極材料を蒸着したことを特徴とする。これにより、陰極のパターニングの確実性を向上させることができ、かつバンク間の距離を長方形形状の場合と同じに保つことができるため、インクジェットヘッドで膜材料を吐出した場合に狙った画素に命中しやすくなる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
または、前記バンクの断面形状が逆台形型として、パネル正面方向から前記陰極材料を蒸着すれば、陰極のパターニングの確実性を増すことができる。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また前記電界発光素子の表面にノングレア処理そして／または減反射処理を施すことにより、明るい場所における前記電界発光素子のコントラストを向上することができる。また前記電界発光素子に、単純マトリックス駆動するに必要な手段を接続したことを特徴とする。これにより前記電界発光素子を時分割駆動できるようになり、安価な大容量カラー電界発光素子が可能となる。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の電界発光素子の製造方法は、基板に陽極をパターニングする工程と、  前記陽極に交差するバンクを形成する工程と、前記バンクにより形成される領域内に液相状の電荷注入輸送物質又は/及び発光物質を配置する工程と、前記電荷注入輸送物質又は/及び発光物質を焼成して電荷注入輸送層又は/及び発光層を形成する工程と、前記電荷注入輸送層又は/及び前記発光層上に陰極材料を蒸着して陰極を形成する工程、を具備し、前記陰極を形成する工程においては、前記バンクによって前記陰極がパターニングされることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月18日(2003.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一基板に少なくともＤＲＡＭ及び論理回路を有する半導体集積回路装置の製造方法であって、
（１）前記基板上にゲート絶縁膜を形成する工程、
（２）前記ゲート絶縁上に多結晶シリコンを堆積する工程、
（３）前記多結晶シリコンをパターニングして前記ＤＲＡＭおよび論理回路の電界効果トランジスタのゲート電極および論理回路の抵抗素子を形成する工程、
（４）前記ゲート電極および抵抗素子上に第１絶縁膜を形成する工程、
（５）前記ＤＲＡＭの電界効果トランジスタ部および論理回路の抵抗素子の中間領域上には前記第１絶縁膜を残存させ、前記論理回路の電界効果トランジスタのｐ型半導体領域およびｎ型半導体領域およびゲート電極上面ならびに前記論理回路の前記抵抗素子のコンタクト領域上の前記第１絶縁膜を除去するように前記第１絶縁膜をパターニングする工程、
（６）前記論理回路のｎ型半導体領域およびｐ型半導体領域およびゲート電極表面上および前記論理回路の抵抗素子の前記コンタクト領域上にシリサイドを形成する工程、を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２】
前記（３）の工程の後に、前記論理回路のｐ型電界効果トランジスタのｐ型半導体領域への不純物導入時に前記抵抗素子全体にも不純物導入を行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３】
前記（６）の工程においてシリサイドの形成は、Ｔｉ膜を前記基板全面に形成して熱処理を施しその後Ｓｉと反応していないＴｉ膜を除去して行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項４】
前記（２）の工程の後に、前記論理回路のｐ型電界効果トランジスタのｐ型半導体領域への不純物導入時に前記抵抗素子の前記コンタクト領域にも不純物導入を行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路装置として、同一の半導体基板にＤＲＡＭ（Ｄynamic ＲandumＡccess Ｍemory）及びＣＰＵ（Ｃentral Ｐrocessing Ｕnit）等の論理回路を混在したシステムＩＣが開発されている。このシステムＩＣは、同一基板にＤＲＡＭ及び論理回路を搭載しているので、ＤＲＡＭと論理回路との間におけるデータ転送速度が速い。この種のシステムＩＣについては、例えば、シー・アイ・シー・シー１９９６〔“Ｐerformance Ｅvaluation of a Ｍicroprocessor with Ｏn−chip ＤＲＡＭ and Ｈigh Ｂandwidth Ｉnternal Ｂus”,Ｓ.Ｉwata et．al.,ＣＩＣＣ‘９６ １３．１ ｐ２６９〜２７２〕に記載されている。また、特開平７−２３５６１６には、ＤＲＡＭとアナログ回路を含む半導体素子においてＤＲＡＭ部の容量形成時にアナログ部の容量およびポリシリコン抵抗を同時に形成する開示がある。また、特開平９−７４１４４，特開平１０−１２８３８，特開平７−１０６５１８には、ＤＲＡＭの容量形成時に論理回路のデカップリング容量を形成する開示がある。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月10日(2003.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
前記取付部３１の見込み方向寸法と規制部３３の見込み方向寸法の和は、各框ブロック取付部、この実施の形態では押縁取付部２２の見込み方向の寸法、つまり、第１係止受片２３と第２係止受片２４との間隔よりも若干大きい。
よって、取付部３１と規制部３３を隣接した２つの框、例えば縦框１３と下框１２の第１係止受片２３と第２係止受片２４との間に弾性変形して押し込むことで嵌合し、その取付部３１が若干弾性圧縮変形し、その弾性復元力で本体部３０が表面方向に押圧され、規制部３３が第１係止受片２３に当接して表面方向への突出を規制すると共に、押縁コーナーブロック１７を取付け固定し、落下しないように保持される。係止片３４が横の框の第１係止受片２３に係止し、落下を確実に防止する。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
なお、前記取付部３１をブロック取付部（例えば第１係止受片２３と第２係止受片２４との間）に、弾性変形して嵌合して取付け固定しても良い。
例えば、図１５、図１６に示すように、取付部３１の見付け寸法を本体部３０の見付け寸法よりも大きくして両者の見付け方向内側面が面一で、取付部３１の見付け方向外側面が本体部３０の見付け方向外側面よりも突出させ、取付部３１を本体部３０の第１・第２端面３０ａ，３０ｂまで突出させる。
そして、取付部３１をブロック取付部、例えば第１係止受片２３と第２係止受片２４との間に弾性変形して嵌合する。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月29日(2003.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
図５に、フロント作業機構３のブームの一部を構成する公知のアッパーブーム６を示す。このアッパーブーム６は、４枚の金属板を溶接手段により連結することによって、中空の矩形断面形状となったボックス形状となっており、その側面の適宜位置に、油圧シリンダ１２のロッド１２ａを連結するための一対のブラケット１５，１６が設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月16日(2004.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
又、上記センサケース９ａの中間部で上記トーンホイール６と反対側側面には、係合部である第二の係合溝２４を、上記支持板部材７ａの円周方向に亙り（直線的に）形成している。この第二の係合溝２４は、上記各係合溝１０ａと上記切り欠き８ａの両端縁部とを係合させつつ、上記センサケース９ａを上記切り欠き８ａ内に挿入し切った状態で、前記ばね片２２の先端部に形成した係合突部２３と係合して、上記センサケース９ａが上記切り欠き８ａから抜け出るのを阻止する。この状態で上記センサケース９ａは、上記各係合溝１０ａと上記切り欠き８ａの両端縁部との係合、並びに上記第二の係合溝２４と上記係合突部２３との係合に基づき、上記支持板部材７ａに支持固定される。そして上記センサケース９ａは、この支持板部材７ａを介して、前記内側の内輪２に支持固定される。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
次に、図６は、本発明の実施の形態の第２例を示している。本例の場合には、トーンホイール６を支持する為の芯金１８ａには第一のシールリップ１９（図１〜２参照）を添着せず、玉５、５を設置した空間と外部とは、第二のシールリップ２５及び弾性袋部２６によってのみ遮断している。従って、本例の場合には、上記空間部分に存在するグリースが、センサケース９ａ及びトーンホイール６を設置した部分に入り込む可能性がある。但し、センサ及びトーンホイール６が磁気式のものである限り、グリースの進入が回転速度検出に悪影響を及ぼす事はない。又、本例の場合には、上記第一のシールリップ１９を省略した事に伴い、支持板部材７ｂの内径寄り部分の断面形状を簡略化している。その他の構成及び作用は、上述した第１例の場合と同様であるから、同等部分には同一符号を付して、重複する説明を省略する。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月20日(2003.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
膜部材と、この膜部材の表面に形成された突起状接触子とを備え、上記突起状接触子と被検査体の電極とが電気的に接触して上記被検査体の電気的特性検査を行うプローブカードにおいて、上記突起状接触子は基端部から先端部に渡って徐々に細く形成されていると共にその先端に平坦面を有していることを特徴とするプローブカード。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に記載のプローブカードは、膜部材と、この膜部材の表面に形成された突起状接触子とを備え、上記突起状接触子と被検査体の電極とが電気的に接触して上記被検査体の電気的特性検査を行うプローブカードにおいて、上記突起状接触子は基端部から先端部に渡って徐々に細く形成されていると共にその先端に平坦面を有していることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月12日(2003.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
取付固定片と、その取付固定片の一端に設けられ、ガスメータの入側及び出側口金に対応して入側及び出側支持孔が設けられたメータ固定片とを有する取付金具を備え、
少なくとも２本のメータ支持フレームの一領域がそれぞれ空間上の所定位置に配置される態様に、各メータ支持フレームの一端が構造物の壁体に固定され、
前記取付金具のメータ固定片が水平に配置されるように、前記取付固定片が、固着具によって前記各メータ支持フレームの一領域に固定され、
前記取付金具のメータ固定片の入側及び出側支持孔を介して、メータ側管継手及び配管側管継手が連結されて互いに前記メータ固定片に固定され、
入側及び出側の前記メータ側管継手にガスメータの入側及び出側口金がそれぞれ連結されて、そのガスメータが前記取付金具及び各メータ支持フレームを介して前記構造物壁体に支持され、
入側及び出側の前記配管側管継手に、入側及び出側フレキシブルガス配管がそれぞれ連結されてなることを特徴とするガスメータ取付構造。
【請求項２】
前記メータ支持フレームが、長さ方向に沿って多数の長孔が形成された孔明きアングル材により構成されてなる請求項１記載のガスメータ取付構造。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月24日(2003.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】台秤
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
計量機構を配設し側壁を有する基台と、前記計量機構の上に載置し前記基台の側壁の外側を覆う側壁を有する載台と、前記基台と前記載台とを張架する補助スプリングとからなる台秤において、前記基台の側壁は、上端が形成された係合用凹部を有し、前記載台の側壁は、前記載台が前記基台から浮き上がった際に前記係合用凹部の上端と係止するように隙間を形成しながら前記係合用凹部と勘合された折り曲げ片とを有することを特徴とする台秤。
【請求項２】
前記係合用凹部は前記基台の対向する側壁に有し、前記折り曲げ片は前記基台の対向する側壁に相対向する前記載台の側壁に有することを特徴とする請求項１記載の台秤。
【請求項３】
前記基台の係合用凹部の上部の側壁が内側に傾斜していることを特徴とする請求項１または２記載の台秤。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月20日(2003.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光伝送路（１）に在るエバネッセント波を生じさせることのできる光導波表面部分（２）を界面活性剤等溶液（３）に浸し、該光導波表面部分（２）を経由した光伝送路（１）を通して該光導波表面部分（２）への吸着に基づいた出力光の強度変化量を検出することを特徴とする臨界ミセル濃度の測定方法。
【請求項２】
光伝送路（１）として光ファイバ（２１）を用い、該光ファイバ（２１）の途中に光導波表面部分（２）として光ファイバ（２１）のコア（２２）の表面を露出させ、該光導波表面部分（２）に界面活性剤等の溶液を接触させた状態で、該光伝送路の光情報変化量を測定することを特徴とする臨界ミセル濃度の測定装置。
【請求項３】
光源（４）として凸レンズ（９）を有する半導体レーザダイオードまたは発光ダイオード等の該光源（４）を用い、該光源（４）と先端に凸レンズ（１０）を備えた光伝送路（１）とを組み合わせて光入射結合手段としたことを特徴とする請求項２記載の臨界ミセル濃度の測定装置。
【請求項４】
界面活性剤等溶液の化学的諸性質が臨界ミセル濃度を境に急激に変化する点に着目し、光伝送路（１）に在るエバネッセント波を生じさせることのできる光導波表面部分（２）を界面活性剤等溶液（３）に浸し、該光導波表面部分（２）を経由した光伝送路（１）を通して該光導波表面部分（２）への吸着に基づいた出力光の強度変化量を検出することで、該界面活性剤等溶液（３）の化学的諸性質を選択して利用できるように、該界面活性剤等の使用条件設定したことを特徴とする界面活性剤等の使用方法。
【請求項５】
界面活性剤等の溶液の化学的諸性質が臨界ミセル濃度を境に急激に変化する点に着目し、光源（４）、エバネッセント波を生じさせることのできる光導波表面部分（２）を有する光伝送路（１）手段を有し、界面活性剤等溶液（３）と該光導波表面部分（２）との接触手段と、該光導波表面部分（２）を経由する光伝送路（１）からの出力光の強度の測定手段（５１）を具備したことを特徴とする界面活性剤等の使用装置。
【請求項６】
請求項５記載の光伝送路（１）として光ファイバ（２１）を用い、該光ファイバ（２１）の途中に光導波表面部分（２）として光ファイバ（２１）のコア（２２）の表面を露出させ、該光導波表面部分（２）に界面活性剤等の溶液を接触させ、該光伝送路の光情報変化量の測定手段（５１）を具備したことを特徴とする界面活性剤等の使用装置。
【請求項７】
光伝送路の光導波表面部分に、界面活性剤等が含まれる溶液を接触させ、該光伝送路の光情報変化量を検出しながら、該界面活性剤等溶液の濃度を一次関数的に変え、該光伝送路の光情報の非線形変化量を計測して、該界面活性剤等の溶液の化学的諸性質を選択的に選定し、該界面活性剤等の使用条件設定したことを特徴とする界面活性剤等の使用方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月16日(2004.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドライ真空ポンプと、該ドライ真空ポンプの後段に位置する補助ポンプと、
該補助ポンプの排気性能を変化させる調節手段と、前記ドライ真空ポンプの温度を検出する温度センサと、前記調節手段を含み該ドライ真空ポンプを所定の温度に維持するように該補助ポンプの排気性能を変化させる制御手段と、を有することを特徴とする真空排気装置。
【請求項２】
前記補助ポンプが回転式真空ポンプであり、前記調節手段が該補助ポンプのモータ回転数を調節するものであることを特徴とする請求項１記載の真空排気装置。
【請求項３】
前記回転式真空ポンプが水封ポンプであることを特徴とする請求項２記載の真空排気装置。
【請求項４】
ドライ真空ポンプと、該ドライ真空ポンプの後段に位置する補助ポンプと、該ドライ真空ポンプと該補助ポンプとの間に位置する排気トラップと、該補助ポンプのモータ回転数を変化させる調節手段と、を有する真空排気装置のメンテナンス方法であって、
該ドライ真空ポンプが所定の温度に維持されている状態での該補助ポンプのモータ回転数の長期的な変化を監視し、該モータ回転数に基づいて該排気トラップの交換を行うことを特徴とする真空排気装置のメンテナンス方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
更に、前記ドライ真空ポンプの温度を検出する温度センサと、前記調節手段を含み該ドライ真空ポンプを所定の温度に維持するように制御する制御手段とを有する真空排気装置としている。
更に、請求項２では、前記補助ポンプを回転式真空ポンプとしている。
更に、請求項３では、前記回転式真空ポンプを水封ポンプとしている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、請求項４では、ドライ真空ポンプと、該ドライ真空ポンプの後段に位置する補助ポンプと、該ドライ真空ポンプと該補助ポンプとの間に位置する排気トラップと、該補助ポンプのモータ回転数を変化させる調節手段とを有する真空排気装置のメンテナンス方法において、該ドライ真空ポンプが所定の温度に維持されている状態での該補助ポンプのモータ回転数の長期的な変化を監視し、該モータ回転数に基づいて該排気トラップの交換を行うようにしている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月16日(2004.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ねじり振動を発生する回転軸に取付られるハウジングを備え、該ハウジングは回転軸の周方向に沿った環状とし、該環状ハウジング内に、慣性リングを収容すると共に粘性流体を封入した粘性ダンパにおいて、
該慣性リングは、ベアリングを介して環状ハウジングに沿って移動可能とし、内周に突出する複数個の突部を設け、
該ハウジングには、内部に複数個の固定子を設け、該慣性リングの突部と固定子との間に金属製のコイルスプリングを設けるとともに該ハウジングの慣性リングの半径方向の内側を粘性流体の液溜室としたことを特徴とする粘性ダンパ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
かゝる課題を達成するため請求項１記載の発明は、ねじり振動を発生する回転軸に取付られるハウジングを備え、該ハウジングは回転軸の周方向に沿った環状とし、該環状ハウジング内に、慣性リングを収容すると共に粘性流体を封入した粘性ダンパにおいて、該慣性リングは、ベアリングを介して環状ハウジングに沿って移動可能とし、内周に突出する複数個の突部を設け、該ハウジングには、内部に複数個の固定子を設け、該慣性リングの突部と固定子との間に金属製のコイルスプリングを設けるとともに該ハウジングの慣性リングの半径方向の内側を粘性流体の液溜室としたことを特徴とし、かかる構成を備えることで、コイルスプリングによって、振動のピークを２分割でき、又、慣性リングとハウジングとの相対振幅により粘性流体に剪断力が働いて、分割された振動のピークを低い値に抑えることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月27日(2003.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
尚、前記球状凹面１７及び第二の球状凹面１９、１９は、互いに同心、即ち、単一球面上に位置させても良いが、アキシャル方向に亙る保持器の変位を防止しつつ、上記ポケット８内への潤滑剤の取り込みを効果的に行なわせるべく、より好ましくは、互いの中心を異ならせる。この点に就いて、図２により説明する。図１〜２に示す様に、１対のアキシャル円筒面１８、１８を上記ポケット８の一部で円周方向（図１〜２の左右方向）両側に設けた構造で、上記球状凹面１７は玉５の転動中心軸αの一端側（図１〜２の下端側）部分に、第二の球状凹面１９、１９は同じく他端側（図１〜２の上端側）部分に、それぞれ設けている。図２（Ａ）の点Ｏ５  は、上記玉５がポケット８内の中立位置に存在すると仮定した状態での、この玉５の中心点である。この様な条件の下で、上記球状凹面１７の曲率の中心点Ｏ１７を、上記転動中心軸α上で上記玉５の中心Ｏ５  よりも他端側に片寄った位置に存在させる。一方、上記第二の球状凹面１９、１９の曲率の中心点Ｏ１９を、上記転動中心軸α上で上記玉５の中心Ｏ５  よりも一端側に片寄った位置に存在させる。従って、上記各球状凹面１７、１９の曲率半径Ｒ１７、Ｒ１９が上記玉５の転動面の曲率半径Ｒ５  よりも大きい程度は、上記各中心点Ｏ５  、Ｏ１７、Ｏ１９を一致させる場合に比べて著しくしている。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月2日(2003.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転軸を支える潤滑剤封入方式の無給油軸受と、軸受箱内の潤滑剤の保持並びに軸受箱内への水および／または異物の進入を防止するために前記軸受の少なくとも片側の回転軸上、かつ回転軸軸心方向に２個以上配設されたシールと、該シールの少なくとも１対の相対向するシール間に空気を供給するための軸受箱内部と外部を貫通する空気導管とを有することを特徴とする回転軸軸受保持装置。
【請求項２】
回転軸を支える潤滑剤封入方式の軸受であって、かつ回転軸軸心方向の少なくとも一方の側面にシールを装着したシールドタイプの無給油軸受と、軸受箱内への水および／または異物の進入を防止するために前記軸受装着シールと同一側の回転軸上、かつ回転軸軸心方向に１個以上配設されたシールと、前記軸受装着シールおよび回転軸上に配設されたシールから選ばれる少なくとも１対の相対向するシール間に空気を供給するための軸受箱内部と外部を貫通する空気導管とを有することを特徴とする回転軸軸受保持装置。
【請求項３】
前記無給油軸受が、グリースもしくは潤滑油と樹脂の混合物を成形して得られた軸受であることを特徴とする請求項１または２記載の回転軸軸受保持装置。
【請求項４】
前記した回転軸上に配設されたシールの少なくとも１個が、ゴムで形成されたシール、樹脂で形成されたシールおよび隙間が0.02〜0.1mm のラビリンスシールから選ばれる１種以上であることを特徴とする請求項１〜３いずれかに記載の回転軸軸受保持装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記第１の発明または第２の発明においては、前記無給油軸受40が、グリースもしくは潤滑油と樹脂の混合物を成形して得られた軸受であることが好ましい。
また、前記第１の発明または第２の発明においては、前記した回転軸２上に配設されたシール10a 、11a 、10b 、11b の少なくとも１個が、ゴムで形成されたシール、樹脂で形成されたシールおよび隙間が0.02〜0.1mm のラビリンスシールから選ばれる１種以上であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月31日(2003.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
ガス切れ報知を受けて、弁体切替えハンドル１０を第二流入口２４ｂ側に切替えると揺動リンク６を介して弁棒５が押し込まれ、弁体８も共動して弁口７が開かれ、ボンベからガスが供給されダイヤフラム室１の内圧が上昇する。弁体切替えハンドル１０が第一流入口２４ａ側から第二流入口２４ｂ側に切替えられるとき、弁体切替えハンドル１０の基盤１７に設けられた円弧状立て壁１８が、軸受１４’の外側に突出した支点軸１３の先端３３を押し込み、貫通孔３２に嵌まっていた凸部２０が抜けて、押し・捩じりバネの捩じり付勢によって表示板を有するアーム１２が倒伏する。


【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
1998238651.tif 000001