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【手続補正書】
【提出日】平成26年3月19日(2014.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブル基板（１６）に対するチャンバ入り口（１８）またはチャンバ出口を密封するためのデバイス（１００）であって、
シール面（１０８）を有する本体（１０４）と、
前記本体内に形成され、前記フレキシブル基板が横断するように構成された基板開口（１０６）と、
少なくとも部分的に前記シール面に対向する弾性チューブ（１１６）と、
前記弾性チューブ（１１６）内に配置された剛性バー（１２４）と
を備えており、前記弾性チューブが、ガス供給（１３６）に連通する連通部分を有し、かつ動作中に膨張および収縮し、前記デバイス（１００）が真空気密密封に適している、デバイス。
【請求項２】
前記本体内で前記シール面の反対側に形成された凹部（１１０）をさらに備えており、特に前記凹部（１１０）が、前記弾性チューブの長手方向軸に直交する断面において、実質上Ｕ字状であるか、または実質的に半円形の横断面を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記弾性チューブ（１１６）が、少なくとも部分的に前記凹部内に配置される、請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記シール面（１０８）が前記基板開口（１０６）内に形成される、請求項１ないし３のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項５】
前記剛性バー（１２４）が剛性チューブであり、特に前記剛性チューブの内部が、前記剛性チューブと前記弾性チューブとの間の空間と流体連通している、請求項１ないし４のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項６】
前記本体（１０４）が、前記凹部（１１０）の前記長手方向軸（Ｘ）の方向に前記凹部を延ばす少なくとも１つのチューブ取り付け開口（１２６）を備え、前記チューブ取り付け開口は前記弾性チューブおよび前記剛性バーからなる群から選択された少なくとも１つの要素を取り付けるためものである、請求項２ないし５のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項７】
前記少なくとも１つのチューブ取り付け開口（１２６）が、円周方向チューブ取り付け開口シール面（１２８）を有し、前記弾性チューブが、前記少なくとも１つのチューブ取り付け開口を流れる方向の流体流が防止されるように、前記チューブ取り付け開口シール面（１２８）に押し付けられ、特に前記供給開口シール面が実質上円錐形である、請求項６に記載のデバイス。
【請求項８】
チューブ取り付け開口内にそれぞれ配置された少なくとも１つのプラグ（１３０）をさらに備え、前記プラグが、前記弾性チューブ（１１６）を前記取り付け開口シール面に押し付け、特に前記少なくとも１つのプラグが実質上円錐形である、請求項６または７に記載のデバイス。
【請求項９】
前記少なくとも１つのプラグが前記剛性バー（１２４）を維持している、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１０】
フレキシブル基板を処理するための基板処理装置であって、
第１のチャンバ（１２）および前記第１のチャンバから分離された第２のチャンバ（１４）と、
請求項１ないし９のいずれか一項に記載のデバイスと
を備えており、前記デバイスが、前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとの間の流体連通を選択的に開閉する、基板処理装置。
【請求項１１】
フレキシブル基板（１６）に対するチャンバ入り口またはチャンバ出口を密封するためのデバイスを組み立てる方法であって、
シール面（１０８）を有する本体（１０４）を設けるステップであり、前記フレキシブル基板が横断するように構成された基板開口（１０６）が前記本体内に形成されるステップと、
前記弾性チューブ（１１６）が少なくとも部分的に前記シール面（１０８）に対向するように前記本体内へ弾性チューブ（１１６）を挿入するステップであり、前記弾性チューブが連通部分を有し、かつ動作中に膨張および収縮するステップと、
前記弾性チューブの前記連通部分をガス供給（１３６）に連通させるステップと
を含む方法。
【請求項１２】
前記デバイスが、前記本体内で前記シール面の反対側に形成された凹部（１１０）をさらに備え、前記方法が、
前記弾性チューブ（１１６）を少なくとも部分的に前記凹部内へ挿入するステップ
を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記本体が、前記凹部の長手方向軸の方向に前記凹部を延ばす少なくとも１つのチューブ供給開口（１２６）を備え、前記弾性チューブが、前記チューブ供給開口を通って前記凹部内へ導入される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記少なくとも１つのチューブ供給開口を流れる方向の流体流が防止されるように、前記少なくとも１つのチューブ供給開口の円周方向チューブ供給開口シール面（１２８）に前記弾性チューブを押し付けるステップ
をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
剛性バー（１２４）の周りに前記弾性チューブを構成するステップ
をさらに含む、請求項１１ないし１４のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月28日(2014.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
一部の実施形態では、接地カラー１４１は、給送構造体１１０の本体１１２と下側部分との周りに配置することができる。接地カラー１４１は、接地シールド１４０に結合され、かつ接地シールド１４０の一体部分又は接地シールドに結合された独立部分とすることができ、給送構造体１１０の接地を提供する。接地カラー１４１は、アルミニウム又は銅のような適切な導電材料で製造することができる。一部の実施形態では、接地カラー１４１の内径と給送構造体１１０の本体１１２の外径の間に配置された間隙は、できるだけ小さく、かつ電気的分離を提供するのに過不足のないように保つことができる。間隙は、プラスチック又はセラミックのような絶縁材料で満たすことができ又は空隙とすることができる。接地カラー１４１は、ＲＦ給送部（例えば、以下で説明する電気給送部２０５）と本体１１２の間のクロストークを防止し、それによってプラズマ及び処理の均一性を改善する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
一部の実施形態では、端子は、連続的ではなく、２つ又はそれよりも多くの個別のポイントで給送構造体１１０の本体１１２に結合することができる。例えば、図４Ｃに示すように、スロット４１４は、有利な態様においては、片持ちアーム４０２、４０４の各々と本体１１２の間に提供することができ、端子２０１、２０３に印加されたエネルギが接触領域４１６に誘導される。スロット４１４は、スロット４１４を横断する端子から本体への導電経路がないように（例えば、エネルギはスロット４１４の周囲を移動すべきであるように）、本体１１２の外側壁４１２の半径方向外側に少なくとも部分的に形成される。例えば、各端子（ＲＦエネルギに対して一方又は両方、かつＤＣエネルギに対して一方又は両方）に結合されたエネルギは、有利な態様においては、端子位置から例えば９０度離れて伝播するようにスロットによって強制され、１つのみのＲＦサプライ及びＤＣサプライが給送構造体１１０に結合される時であっても対称的な給送がそのように提供される。スロット４１４は、スロットの相対する側の間のクロストークを防止又は最小にするのに適切なあらゆる幅を有することができる。例えば、一部の実施形態では、スロット４１４は、約１／８から約２インチの幅を有することができ、又は一部の実施形態では、約１／２インチよりも大きい幅を有することができる。一部の実施形態では、スロット４１４は、約４５から約９０度の円弧長を有することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月27日(2014.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水パイプを有する炉ステーブの副次的ステーブサポートであって、
炉ステーブの外側に水パイプの第１部分が、炉殻壁の外側に水パイプの第２部分があり、
第１端部と第２端部を有しており、第１端部がステーブにより近く、水パイプ周りに同軸上に配置されている保護パイプと、
保護パイプの第１端部と水パイプの第３部分との間に配置されており、炉殻壁内から保護パイプと水パイプの間の環状空間へのガス流を防止する第１気密シールと、
を備える副次的ステーブサポート。
【請求項２】
炉殻壁の外側の水パイプの第２部分は、いかなる手段又は構造によっても、保護パイプに直接的に又は間接的に結合されていない、請求項１に記載の副次的ステーブサポート。
【請求項３】
水パイプの第１部分と第２部分は何れも、いかなる手段又は構造によっても、保護パイプに直接的に又は間接的に結合されていない、請求項１に記載の副次的ステーブサポート。
【請求項４】
保護パイプと水パイプの間の環状空間は空き空間であり、保護パイプの第２端部は開放している、請求項１に記載の副次的ステーブサポート。
【請求項５】
保護パイプの第１端部は、外側に向けて広がっており、水パイプの第３部分と共にステーブに鋳込まれている、請求項１に記載の副次的ステーブサポート。
【請求項６】
第１気密シールはステーブ内に配置されている、請求項１に記載の副次的ステーブサポート。
【請求項７】
第１気密シールはステーブの一部として形成されている、請求項１に記載の副次的ステーブサポート。
【請求項８】
第１気密シールはステーブの外側にある、請求項１に記載の副次的ステーブサポート。
【請求項９】
第１気密シールは、保護パイプの第１端部と水パイプの第３部分との間に、はんだ付け、ろう付け、ネジ止め又は溶接からなる群から選ばれる結合を含んでいる、請求項１に記載の副次的ステーブサポート。
【請求項１０】
保護パイプとステーブの外側部分との間に第２気密シールをさらに備えており、第２気密シールは、保護パイプの第１端部と第２端部との間にて、保護パイプ上に配置されている、請求項１に記載の副次的ステーブサポート。
【請求項１１】
保護パイプは炉殻壁に直接結合されている、請求項１に記載の副次的ステーブサポート。
【請求項１２】
炉殻壁に結合された閉止プレートをさらに備えており、保護パイプは、閉止プレートの開口を通って延びており、閉止プレートに結合されている、請求項１に記載の副次的ステーブサポート。
【請求項１３】
炉殻壁に結合された堅い調整器をさらに備えており、保護パイプは、堅い調整器の開口を通って延びており、堅い調整器に結合されている、請求項１に記載の副次的ステーブサポート。
【請求項１４】
水パイプはさらに第４部分を有しており、水パイプの第３部分と第４部分は、ステーブと一体的に鋳造されている、請求項１に記載の副次的ステーブサポート。
【請求項１５】
炉殻壁の外側にある部分を有する水パイプを有する炉ステーブの副次的ステーブサポートを提供する方法であって、
金属製の保護パイプの第１端部を、内にある同軸の水パイプに、ステーブに近接して気密に取り付ける工程と、
保護パイプの第２端部を炉殻壁に気密に取り付けて、第２端部が、炉殻壁の外側にある水パイプの部分と物理的に繋がらないようにする工程と、
を有する副次的ステーブサポートを提供する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月5日(2014.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
更に、（またはドイツ連邦共和国（ＤＥ）特許出願公開（Ａ１）第４２１３１３１号は、２つの冗長並列電線を含む冗長スイッチ装置を開示する。それぞれの電線は、前記２つの電線の各々に少なくとも１つの接点から構成される１つのスイッチを含む。故障検出装置を含む監視装置は、前記ダブルスイッチの下流に配置される。前記監視装置は前記接点の電気スイッチ状態をチェックする。このような方法において、常用冗長性を有するスイッチ装置は診断能力を備えている。診断能力は、例えば１または２つのスイッチの中間状態が確実に決定可能であることを意味する。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
（先行技術文献）
（特許文献）
（特許文献１）  独国特許出願公開第１０２００６０４８０２６号明細書
（特許文献２）  仏国特許出願公開第２４７７７６２号明細書
（特許文献３）  独国特許出願公開第１０３５５７０５号明細書
（特許文献４）  独国実用新案出願公開第２０２００８０１０４２３号明細書
（特許文献５）  独国特許出願公開第４２１３１３１号明細書
（特許文献６）  独国実用新案出願公開第２０２００７００５０７６号明細書
（特許文献７）  独国特許発明第４４３６６１７号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月2日(2014.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ビームを生成する段階と、
前記生成した光ビームに光学的に結合された第１の光学特徴部に接続された第１の帯域幅作動システムの起動及び制御を可能にする段階を含む第１の帯域幅範囲内で該生成光ビームの帯域幅の制御を可能にする段階と、
前記生成した光ビームに光学的に結合された第２の光学特徴部に接続された第２の帯域幅作動システムの起動及び制御を可能にする段階を含む第２の帯域幅範囲内で該生成光ビームの帯域幅の制御を可能にする段階と、
を含み、
前記第２の帯域幅範囲は、前記第１の帯域幅範囲とは異なっている、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記生成光ビームの帯域幅を前記第１の帯域幅範囲から前記第２の帯域幅範囲に変更する要求を受け取る段階を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
切り換え指令に応答して前記第１の範囲内の帯域幅制御と前記第２の範囲内の帯域幅制御との間で切り換える段階を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の範囲内の帯域幅制御から前記第２の範囲内の帯域幅制御に切り換える段階を更に含み、
前記切り換える段階は、
第２のターゲット帯域幅情報を選択する段階と、
前記第１の帯域幅作動システムを第１の固定状態に設定する段階と、
帯域幅測定システムを第１の構成から第２の構成に切り換える段階と、
前記帯域幅測定システムから測定帯域幅情報を受け取る段階と、
前記測定帯域幅情報が前記第２のターゲット帯域幅情報に適合するか否かを判断する段階と、
前記測定帯域幅情報が前記第２のターゲット帯域幅情報に適合すると判断されるまで、前記第２の光学特徴部に前記生成光ビームの前記帯域幅を修正させるように前記第２の帯域幅作動システムを起動する段階と、
を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の帯域幅作動システムを前記第１の固定状態に設定する前に、該第１の帯域幅作動システムの１つ又はそれよりも多くの構成要素の状態に関する情報を格納する段階を更に含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の固定状態は、前記生成光ビームの前記帯域幅を前記第１の帯域幅範囲から前記第２の帯域幅範囲に変更する要求が受け取られた時点での前記第１の帯域幅作動システムの状態であることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の固定状態は、前記生成光ビームの前記帯域幅を前記第１の帯域幅範囲から前記第２の帯域幅範囲に変更する要求が受け取られた時点での前記第１の帯域幅作動システムの状態の関数から判断されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記生成光ビームの前記帯域幅を前記第２の帯域幅範囲から前記第１の帯域幅範囲に変更する要求が受け取られるまで、前記測定帯域幅情報と前記第２のターゲット帯域幅情報の間の絶対誤差を低減するように前記第２の帯域幅作動システムを制御する段階を更に含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項９】
前記帯域幅測定システムを前記第１の構成から前記第２の構成に切り換えた後に前記第２の帯域幅作動システムをリセットモードで制御する段階を更に含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の範囲内の帯域幅制御から前記第２の範囲内の帯域幅制御に切り換える段階を更に含み、
前記第１の範囲内の帯域幅制御から前記第２の範囲内の帯域幅制御に切り換える段階は、帯域幅測定システムを第１の構成から第２の構成に切り換える段階を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記帯域幅測定システムを前記第１の構成から前記第２の構成に切り換える段階は、第１の組の較正変数から第２の組の較正変数に切り換える段階を含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の組の較正変数は、前記第１の帯域幅範囲にわたって帯域幅を推定するように調整された測定基準を提供するように事前に判断され、かつそのように構成され、
前記第２の組の較正変数は、前記第２の帯域幅範囲にわたって帯域幅を推定するように調整された測定基準を提供するように事前に判断され、かつそのように構成される、
ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
光ビームを生成する光源と、
前記光源から出力された光ビームの一部分を受け取るように構成され、かつ該光ビーム部分の帯域幅を測定して該帯域幅測定値を提供するように構成された帯域幅測定システムと、
各々が、１つ又はそれよりも多くの帯域幅アクチュエータを含み、かつ各々が、前記生成光ビームに光学的に結合された光学特徴部に接続され、該接続された光学特徴部を修正して該生成光ビームの帯域幅範囲内の帯域幅を選択するように動作可能である複数の帯域幅作動システムと、
前記帯域幅測定システムと前記複数の帯域幅作動システムとに接続され、提供された帯域幅測定値及び選択されたターゲット帯域幅に基づいて、第１の帯域幅作動システムを起動及び動作させる段階と、該第１の帯域幅作動システムを起動及び動作させる段階とは独立してかつ別々に第２の帯域幅作動システムを起動及び動作させる段階との間で切り換えるように構成された制御システムと、
を含むことを特徴とする装置。
【請求項１４】
複数の異なるターゲット帯域幅範囲から選択されたターゲット帯域幅範囲内であるターゲット帯域幅に設定されるように構成されたターゲット帯域幅スイッチを更に含むことを特徴とする請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記光学特徴部の少なくとも１つは、分散要素及びビーム拡大器の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１３に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月9日(2014.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部表面を形成するチャンバであって、ターゲット位置に１次焦点及び中間焦点に２次焦点を形成する形状を有する集光ミラーを収容する前記チャンバと、
前記集光ミラーの開口を通ってビーム経路に沿って増幅光ビームを生成し、前記ターゲット位置で前記チャンバ内のターゲット材料を照射して極紫外線を発生させるように構成され、光源波長の光を増幅するための利得媒体を含む光源と、
前記チャンバの前記内部表面の少なくとも一部分の上に重なるサブシステムであって、該サブシステムは複数の環状特徴部を含み、各環状特徴部は発生された極紫外線に前記中間焦点を通過させる中心開口領域を有し、各環状特徴部はチャンバ壁から前記増幅光ビームの経路の中に延び、該サブシステムは、該ビーム経路に沿って前記光源に戻る前記チャンバの内部表面からの前記光源波長の増幅光ビームの流れを低減するように構成されている前記サブシステムと、
を含むことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記光源は、レーザ光源であり、前記増幅光ビームは、レーザビームであることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記サブシステムの各環状特徴部が、少なくとも１つの円錐ベーンを含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記中心開口領域は、前記増幅光ビームの中心部分の通過を可能にすることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記サブシステムは、前記ターゲット材料の化合物を少なくとも１つのガス及び少なくとも１つの固体に化学的に分解して該ガスの前記チャンバの内部からの除去を可能にするように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記ターゲット材料化合物は、水素化錫を含み、前記少なくとも１つのガスは、水素であり、前記少なくとも１つの固体は、濃縮された錫であることを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記濃縮された錫は、溶融状態にあることを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記光源波長は、赤外線波長範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記光源は、１つ又はそれよりも多くの電力増幅器を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記光源は、１つ又はそれよりも多くの電力増幅器にシード光を供給する主発振器を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記サブシステムは、前記内部チャンバ表面に接触することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
内部表面から前記ビーム経路に沿って光源へ戻る前記光源波長の前記増幅光ビームの流れを低減するように構成されたコーティングを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記コーティングは、反射防止コーティングであることを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記コーティングは、吸収反射防止コーティングであることを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項１５】
前記コーティングは、干渉コーティングであることを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項１６】
極紫外線を生成する方法であって、
真空チャンバの内部内のターゲット位置でターゲット材料を生成する段階と、
駆動レーザシステム内の少なくとも１つの光増幅器の利得媒体にポンプエネルギを供給し、それによって光源波長の増幅光ビームを生成する段階と、
ビーム経路に沿って前記増幅光ビームを誘導し、それによって前記ターゲット材料を照射して極紫外線を発生させる段階と、
発生した極紫外線を、前記チャンバの前記内部の表面の少なくとも一部分の上に重なるチャンバサブシステムの複数の環状特徴部であって各々がチャンバ壁から前記増幅光ビームの経路の中に延びている複数の環状特徴部の中心開口領域を通過させる段階と、
前記増幅光ビームの少なくとも一部分を前記チャンバサブシステムの２つのベーンの間で反射させることにより、前記真空チャンバの内部表面から前記ビーム経路までの前記光源波長の光の流れを低減する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１７】
前記増幅光ビームが前記ターゲット位置と交差して前記ターゲット材料に衝突する時に該ターゲット材料から放出される前記発生された極紫外線を集光する段階を更に含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記光源波長の光の流れを低減する段階は、前記ビーム経路と異なる経路に沿って前記増幅光ビームの少なくとも一部分を誘導する段階を含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記少なくとも１つの光増幅器の前記利得媒体にポンプエネルギを供給する段階は、前記光源波長のレーザビームを生成することを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記ターゲット材料の化合物を少なくとも１つのガス及び少なくとも１つの固体に化学的に分解して該ガスの前記チャンバの前記内部からの除去を可能にする段階を更に含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
前記化合物を化学的に分解する段階は、水素化錫を水素及び濃縮された錫に化学的に分解する段階を含むことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記真空チャンバの前記内部表面から前記ビーム経路までの前記光源波長の前記光の流れを低減するチャンバサブシステム内に前記濃縮された錫を捕捉する段階を更に含むことを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記光源波長の光の流れを低減する段階は、前記真空チャンバの内部表面に塗布されたコーティングの界面で反射される光のビームに弱め合う干渉を生じさせる段階を含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項２４】
前記各円錐ベーンは、他の円錐ベーンの円錐角度と異なる円錐角度を有することを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項２５】
前記各円錐ベースは、互いに異なる環状幅を有することを特徴とする請求項３に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月11日(2014.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画を復号する復号方法であって、
（ａ）符号化された上記動画とともにビットストリームを復号するための予測情報を受信するステップと、
（ｂ）上記動画とともに、パラメータを受信するステップと、
（ｃ）上記予測情報に基づいて上記動画を復号するステップと、
（ｄ）復号された上記動画にデブロッキングフィルターを適用してフィルター適用動画を取得するステップと、
（ｅ）上記パラメータに基づいて上記フィルター適用動画を修正し修正を施された動画を取得するステップと、
（ｆ）上記修正を施された動画を、将来の予測のために、参照ピクチャバッファにバッファするステップと、
を含む復号方法。
【請求項２】
上記フィルター適用動画を修正するか否かを示すフラグを受信するステップと、
上記フラグが上記フィルター適用動画の修正を示す場合に上記フィルター適用動画を修正するステップと、をさらに含む請求項１に記載の復号方法。
【請求項３】
上記予測情報は、フレームが以前に送信されたフレームに基づいて符号化されていることを示す請求項１に記載の復号方法。
【請求項４】
上記予測情報は、２以上の以前に送信されたフレームに基づいて符号化されていることを示す請求項１に記載の復号方法。
【請求項５】
上記予測情報は、上記動画に含まれる、異なるサイズの画素のグループが別々に符号化されていることを示す請求項１に記載の復号方法。
【請求項６】
上記フィルター適用動画を修正するステップで用いられる上記パラメータは、入力符号値のセットと出力符号値のセットとの間のマッピング操作のためのパラメータである請求項１に記載の復号方法。
【請求項７】
上記出力符号値のセットは、輝度、第１の色差および第２の色差を示すものである請求項６に記載の復号方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】復号方法
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月11日(2014.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスであって、
第１の金属のリードフレームと、
第１の端子を含み、前記デバイスの底面にわたって延びる二次元グリッドアレイ状に配置される第１の複数の端子であって、前記第１の端子が前記デバイスの底面の中央部での入力又は出力信号のための端子である、前記第１の複数の端子と、
を含む、デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のデバイスであって、
前記デバイスの上面にわたって延びる第２の複数の端子を更に含む、デバイス。
【請求項３】
請求項２に記載のデバイスであって、
前記リードフレームが、端子からデバイス端へ延びるリードを含み、前記リードが前記端子より薄い厚みを有する、デバイス。
【請求項４】
請求項３に記載のデバイスであって、
前記端子が、はんだ付け可能な冶金学的表面構成を有する第２の金属を含む、デバイス。
【請求項５】
請求項４に記載のデバイスであって、
前記リードフレームに取り付けられ、近傍のリードにわたって延びかつ前記リードによって支持されている半導体チップと、
前記半導体チップから前記リードへ延びる電気的接続と、
を更に含み、
前記リードの前記第１の金属が、重合体封止化合物への接着のための親和性を有する表面を更に含む、デバイス。
【請求項６】
請求項５に記載のデバイスであって、
前記半導体チップ及び電気的接続と共に前記リードフレームをパッケージングする重合体封止化合物を更に含み、
前記重合体封止化合物が、前記端子の前記はんだ付け可能な表面と前記デバイス端の前記リードの端とをパッケージングされないまま残す、デバイス。
【請求項７】
請求項６に記載のデバイスであって、
パッケージングされた端子表面に取り付けられるはんだボールを更に含む、デバイス。
【請求項８】
デバイスであって、
前記デバイスの底面の中央部に入力又は出力信号のための第１の端子を含む第１の金属のリードフレームと、
誘電体媒体で前記第１の端子に取り付けられる半導体チップと、
前記第１の端子を囲む、前記デバイスの底面の４つのエッジ近辺に線形的に配置される第１の複数の端子と、
を含む、デバイス。
【請求項９】
請求項８に記載のデバイスであって、
前記第１の端子が、前記デバイスの向かい合うエッジに延びる延在リードの一部である、デバイス。
【請求項１０】
デバイスであって、
絶縁性媒体で金属のリードフレームに取り付けられる半導体チップと、
取り付けサイトとボンディングサイトとを有する、前記リードフレームの各リードと、
前記デバイスの底部側の中央部に第１の取り付けサイトを備えた第１のリードと、
前記第１の端子を囲む、前記デバイスの４つのエッジに配置されるグリッドパターンに配される第１の複数の取り付けサイトと、
前記第１のリードの他の部分で金属より厚い、前記第１の取り付けサイトの金属と、
を含む、デバイス。
【請求項１１】
請求項１０に記載のデバイスであって、
前記半導体チップを前記リードフレームの前記ボンディングサイトに接続するボンディングワイヤと、
前記半導体チップを封止する化合物と、
を更に含む、デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月20日(2014.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロチャネルを備えた集積回路を形成する方法であって、
基板上のフォトレジスト内にマイクロチャネルパターンを形成することであって、前記マイクロチャネルパターンの少なくとも１つが前記基板の一部を囲むトレンチパターンである、前記形成することと、
前記基板内にトレンチをエッチングすることと、
前記トレンチの底部を露出させるように前記基板の裏側を薄化することと、
前記マイクロチャネルを形成するように前記基板の前記一部を取り除くことと、
前記裏側を薄化することの前に、前記トレンチをトレンチ充填材料で充填することと、
前記トレンチ充填材料のオーバーフィルを取り除くことと、
前記裏側の薄化することの後に、前記トレンチから前記トレンチ充填材料を取り除くことと、
を含む、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記マイクロチャネルパターンを形成する前に前記集積回路が製造され、前記トレンチが前記基板内にエッチングされる前に前記集積回路を形成する層を介して前記トレンチがエッチングされる、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記マイクロチャネルが形成された後に前記集積回路が製造される、方法。
【請求項４】
マイクロチャネルを備えた集積回路を形成する方法であって、
回路構造の形成前に前記集積回路の基板上に少なくとも２つのマイクロチャネルパターンを形成することであって、前記少なくとも２つのマイクロチャネルパターンの少なくとも１つが前記基板の一部を囲むトレンチパターンである、前記形成することと、
前記基板内にトレンチをエッチングすることと、
前記回路構造を形成するために用いられる処理条件に耐えることが可能なトレンチ充填材料で前記トレンチを充填することと、
前記トレンチ充填材料のオーバーフィルを取り除くことと、
前記トレンチを含む前記基板上に回路構造を形成することと、
前記トレンチの底部を露出させるように前記基板の裏側を薄化することと、
前記トレンチから前記材料を取り除くことと、
前記基板の前記一部を取り除くことと、
を含む、方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、
前記トレンチ充填材料で前記トレンチを充填する前に、前記トレンチの側壁上に誘電体ライナーを形成することを更に含む、方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、
前記誘電体ライナーが、酸化物、窒化物、及びオキシナイトライドのうち少なくとも１つであり、前記トレンチ充填材料がポリシリコンである、方法。
【請求項７】
請求項４に記載の方法であって、
前記基板の前記囲まれる部分の少なくとも１つの寸法が２０ミクロンより大きい、方法。
【請求項８】
請求項４に記載の方法であって、
前記トレンチの深さが１５〜５０ミクロンの範囲であり、前記トレンチの幅が５〜５０ミクロンの範囲である、方法。
【請求項９】
請求項４に記載の方法であって、
前記マイクロチャネルパターンが全て同じ寸法である、方法。
【請求項１０】
請求項４に記載の方法であって、
前記マイクロチャネルパターンが複数の寸法を有する、方法。
【請求項１１】
請求項４に記載の方法であって、
前記マイクロチャネルのトレンチの形成の前にアイソレーションを形成することを更に含み、前記アイソレーションがＳＴＩとＬＯＣＯＳの少なくとも１つである、方法。
【請求項１２】
請求項４に記載の方法であって、
前記マイクロチャネルのトレンチの形成の後にアイソレーションを形成することを更に含み、前記アイソレーションがＳＴＩとＬＯＣＯＳの少なくとも１つである、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月31日(2014.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池基板上にパッシベーション反射防止層を形成する方法であって、
第１のプロセス混合ガスを、処理チャンバ内のプロセス容積内に流すステップと、
前記処理チャンバ内で、０．６５Ｗ／ｃｍ２より大きい電力密度でプラズマを生成するステップと、
前記プロセス容積内の太陽電池基板上に窒化ケイ素含有インターフェイスサブレイヤを堆積するステップと、
第２のプロセス混合ガスを前記プロセス容積内に流すステップと、
前記窒化ケイ素含有インターフェイスサブレイヤ上に窒化ケイ素含有バルクサブレイヤを堆積するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記インターフェイスサブレイヤが、前記結果として得られるバルクサブレイヤの屈折率（ｎ）よりも大きい屈折率（ｎ）を有し、前記インターフェイスサブレイヤと前記バルクサブレイヤの両方が、０から０．１の吸光係数（ｋ値）を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記インターフェイスサブレイヤが、２．４から２．６の屈折率を有し、前記バルクサブレイヤが２．００から２．１５の屈折率を有する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記太陽電池基板がｎ型材料を含み、
前記窒化ケイ素含有インターフェイスサブレイヤを堆積するステップがさらに、前記太陽電池基板の表面に形成される１つまたは複数のｐ型にドープされた領域の上に前記窒化ケイ素含有インターフェイスサブレイヤを堆積することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のプロセス混合ガスが窒素およびシランを含み、前記窒素とシランの比が１４：７である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２のプロセス混合ガスが、窒素、シラン、およびアンモニアを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記窒素とシランの比が約８．３５であり、前記アンモニアとシランの比が約０．９０である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記パッシベーション反射防止層には、前記インターフェイスサブレイヤおよび前記バルクサブレイヤの両方を完全に貫通するピンホールが実質的になく、前記パッシベーション反射防止層が、前記太陽電池基板の表面に形成される１つまたは複数のｐ型にドープされた領域の上に配設され、前記太陽電池基板がｎ型太陽電池基板である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第２のプロセス混合ガスを前記プロセス容積内に流すステップの前に、前記プラズマを消すステップと、
前記第２のプロセス混合ガスを前記プロセス容積内に流すステップの後に、前記プラズマを再点火するステップと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
太陽電池デバイス内に形成されるパッシベーション／ＡＲＣ層であって、
太陽電池基板の表面に形成される１つまたは複数のｐ型にドープされた領域の上に配設されるシリコン−窒素含有インターフェイスサブレイヤと、
前記シリコン−窒素含有サブレイヤの上に配設されるシリコン−窒素含有バルクサブレイヤとを備え、前記インターフェイスサブレイヤが前記バルクサブレイヤの屈折率（ｎ）よりも大きい屈折率（ｎ）を有し、前記インターフェイスサブレイヤと前記バルクサブレイヤの両方が０から０．１の吸光係数（ｋ値）を有する、
パッシベーション／ＡＲＣ層。
【請求項１１】
前記パッシベーション／ＡＲＣ層内の正味の正電荷の量が、前記太陽電池基板の前記表面において、１ｘ１０１２クーロン／ｃｍ２より大きい電荷密度を有する、請求項１０に記載のパッシベーション／ＡＲＣ層。
【請求項１２】
前記太陽電池基板がｎ型太陽電池基板であり、
前記シリコン−窒素含有インターフェイスサブレイヤが、前記太陽電池基板の表面に形成される１つまたは複数のｐ型にドープされた領域の上に配設される、請求項１０に記載のパッシベーション／ＡＲＣ層。
【請求項１３】
太陽電池上のパッシベーション層内に形成されるピンホールを検出する方法であって、
太陽電池上に形成されたパッシベーション層を有する太陽電池を電解質の中に浸すステップと、
前記太陽電池の金属に覆われる後側を介して電流を印加し、前記パッシベーション層の外面から前記太陽電池のドープされた領域に延びる任意のピンホールをメッキするステップと、
前記ピンホールのいずれかの中をメッキする任意の金属を検出するステップと
を含む方法。
【請求項１４】
接合領域を有する基板と、
前記基板の表面上のパッシベーション反射防止層と
を備え、前記パッシベーション反射防止層が、
窒化ケイ素含有インターフェイスサブレイヤ、および
前記インターフェイスサブレイヤの直ぐ上の窒化ケイ素含有バルクサブレイヤ
を備え、前記インターフェイスサブレイヤが前記バルクサブレイヤよりも大きい屈折率（ｎ）を有し、前記パッシベーション層には前記インターフェイスサブレイヤおよび前記バルクサブレイヤの両方を完全に貫通するピンホールが実質的にない太陽電池。
【請求項１５】
太陽電池上に膜を形成するシステムであって、
プラズマ処理チャンバの処理容積内の太陽電池基板上にパッシベーション／ＡＲＣ層を形成するためのプラズマ処理チャンバであって、前記パッシベーション／ＡＲＣ層が、
第１のプロセス混合ガスから生成されるプラズマを使用して０．６５Ｗ／ｃｍ２より大きな電力密度で前記太陽電池基板上に形成される窒化ケイ素含有インターフェイスサブレイヤ、および
第２のプロセス混合ガスから生成されるプラズマを使用して０．６５Ｗ／ｃｍ２より大きな電力密度で前記インターフェイスサブレイヤ上に形成される窒化ケイ素含有バルクサブレイヤ
を備えるプラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバと通信するシステムコントローラと
を備え、前記システムコントローラが、前記プラズマ電力密度、前記第１のプロセス混合ガスの流量、前記第２のプロセス混合ガスの流量を制御するように構成され、そのため、前記インターフェイスサブレイヤが、前記結果として得られるバルクサブレイヤの屈折率（ｎ）よりも大きい屈折率（ｎ）を有し、前記インターフェイスサブレイヤと前記バルクサブレイヤの両方が、０から０．１の吸光係数（ｋ値）を有するシステム。
【請求項１６】
前記基板がｎ型太陽電池基板であり、前記パッシベーション反射防止層が、前記ｎ型太陽電池基板の表面にある１つまたは複数のｐ型領域の上に配設される、請求項１４に記載の太陽電池。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月21日(2013.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射体パッケージであって、
ケーシングであって、該ケーシングの上面から該ケーシングの内部に延在する穴部を備える、ケーシングと、
前記ケーシングに一体の導電性リードフレームであって、該リードフレームと前記ケーシングとの間の確実な接続をもたらすために前記ケーシングと協働する特徴部を備える、導電性リードフレームと、
前記リードフレームの導電性部品上に配置された複数の発光デバイスであって、該複数の発光デバイスおよび前記リードフレームの部分は、前記穴部を通して露出される、複数の発光デバイスとを備え、
前記穴部の底部は、前記穴部の上部と異なる形状を備え、前記穴部の底部の形状は、前記露出されたリードフレーム部分の表面積を増大させる、放射体パッケージ。
【請求項２】
請求項１に記載の放射体パッケージであって、
前記リードフレームは、さらに、
複数の導電性カソード部品と、
前記複数のカソード部品から離れた、対応する複数の導電性アノード部品と
を備え、
前記複数のカソード部品または前記複数のアノード部品は、前記複数の発光デバイスのうちの少なくとも１つを保持し、前記複数のアノード部品および前記複数のカソード部品の各々は、前記複数の発光デバイスのうちの１つに電気的に接続されている、放射体パッケージ。
【請求項３】
請求項２に記載の放射体パッケージであって、
前記複数の発光デバイスの各々は、少なくとも２つの接点を備え、
前記２つの接点のうちの一方は、前記複数のカソード部品のうちの少なくとも１つに電気的に接続され、前記２つの接点のうちの他方は、前記複数のアノード部品のうちの少なくとも１つに電気的に接続されている、放射体パッケージ。
【請求項４】
請求項２に記載の放射体パッケージであって、
前記複数の発光デバイスは、第１の方向に延在する直線状アレイに配置され、
前記複数のアノード部品は、互いに平行関係で配設され、
前記複数のカソード部品は、互いに平行関係で配設され、
前記複数のアノード部品および前記複数のカソード部品は、前記第１の方向と直交する第２の方向に延在している、放射体パッケージ。
【請求項５】
請求項２に記載の放射体パッケージであって、
前記複数の発光デバイスの各々は、ワイヤボンドによってカソード部品またはアノード部品に、さらに、はんだによってそれぞれのカソード部品またはアノード部品に取り付けられている、放射体パッケージ。
【請求項６】
請求項１に記載の放射体パッケージであって、
前記特徴部は、スルーホール、カット、屈曲リード線、側面窪み、側面タブ、または前記リードフレームの隣接部分間の金属ギャップのうちの１つまたは複数を備え、
前記金属ギャップは、前記金属ギャップを備えないリードフレームに比べて、リードフレーム部分間に大きな距離を形成し、
前記ケーシングは、前記特徴部を備えないパッケージと比較して、前記ケーシングと前記リードフレームとの間の接着を強化するために前記特徴部を囲繞している、放射体パッケージ。
【請求項７】
請求項１に記載の放射体パッケージであって、
前記複数の発光デバイスは、直線状配列の複数のＬＥＤを備えている、放射体パッケージ。
【請求項８】
請求項１に記載の放射体パッケージであって、
前記穴部は、０．５ｍｍ以下の深さをさらに備え、
前記深さは、視野角を増大させ、
前記パッケージの高さは、２．０ｍｍ未満である、放射体パッケージ。
【請求項９】
請求項１に記載の放射体パッケージであって、
前記穴部の底部の形状は、４つの弧によって画定され、
前記穴部の上部の形状は円形である、放射体パッケージ。
【請求項１０】
請求項１に記載の放射体パッケージであって、
前記ケーシングは、該ケーシングの底部の寸法が該ケーシングの上部の寸法よりも大きくなるように階段状漸次変化部を備えている、放射体パッケージ。
【請求項１１】
請求項１に記載の放射体パッケージであって、
前記複数の発光デバイスは、直線状配列で配置された複数のカラーのＬＥＤを備え、
該複数のＬＥＤは、組み合わせて最大範囲の色を生成するように通電されるように設定されている、放射体パッケージ。
【請求項１２】
請求項１に記載の放射体パッケージであって、
さらに、
前記パッケージを覆ってシリコーン封止剤を含み、
前記封止剤の上部は、平坦である、放射体パッケージ。
【請求項１３】
発光デバイスディスプレイであって、
複数の放射体パッケージのアレイを保持する基板であって、前記複数の放射体パッケージの各々は、
ケーシングであって、該ケーシングの上面から該ケーシングの内部に延在する穴部を備える、ケーシングと、
前記ケーシングに一体のリードフレームであって、該リードフレームと前記ケーシングとの間の確実な接続をもたらすために前記ケーシングと協働する特徴部を備える、リードフレームと、
前記リードフレーム上に直線状配列で配置された複数のＬＥＤであって、該複数のＬＥＤおよび前記リードフレームの部分は、前記穴部を通して露出される、複数のＬＥＤと
を備え、
前記パッケージの各々の高さは、２．０ｍｍ未満である、複数の放射体パッケージのアレイを保持する基板と、
前記ディスプレイ上に視覚画像を生成するために前記アレイを選択的に通電する、電気的に接続された駆動回路構成と
を備えるディスプレイ。
【請求項１４】
請求項１３に記載のディスプレイであって、
前記複数の放射体パッケージ内の前記複数のＬＥＤの各々は、それぞれの電気信号によって駆動され、
前記複数のＬＥＤの各々は、前記ディスプレイの１ピクセルをさらに画定する、ディスプレイ。
【請求項１５】
請求項１３に記載のディスプレイであって、
前記複数の放射体パッケージのうちの少なくとも一部の放射体パッケージ内の前記複数のＬＥＤは、垂直に配列されている、ディスプレイ。
【請求項１６】
請求項１３に記載のディスプレイであって、
前記複数の放射体パッケージの各々は、０．９〜１．３５ｍｍの範囲の高さを有している、ディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月8日(2014.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リン化物化合物半導体材料を含んでいる半導体積層体（５）を備えた発光ダイオードチップであって、前記半導体積層体（５）が
−  ｐ型半導体領域（２）と、
−  ｎ型半導体領域（４）と、
−  前記ｐ型半導体領域（２）と前記ｎ型半導体領域（４）との間に配置されており、電磁放射を放出する役割を果たす活性層（３）と、
を含んでおり、
前記ｎ型半導体領域（４）が前記発光ダイオードチップの放射出口領域（６）の側にあり、前記ｐ型半導体領域（２）が前記発光ダイオードチップのキャリア（７）の側にある、発光ダイオードチップにおいて、
前記キャリア（７）と前記ｐ型半導体領域（２）との間に、５００ｎｍ未満の厚さを有する電流拡散層（１）が配置されており、前記電流拡散層が、１層または複数層のｐ型にドープされたＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層（０．５＜ｘ≦１）層を有し、
前記電流拡散層（１）が傾斜側端面（１２）を有し、前記傾斜側端面（１２）が、前記電流拡散層（１）の層平面に対して２０゜〜７０゜の範囲内（両端値を含む）の角度だけ傾いている、
ことを特徴とする、発光ダイオードチップ。
【請求項２】
前記電流拡散層（１）が、３００ｎｍ未満の厚さを有する、
請求項１に記載の発光ダイオードチップ。
【請求項３】
前記電流拡散層（１）のアルミニウムの割合ｘについて、０．６≦ｘ≦０．８が成り立つ、
請求項１または請求項２に記載の発光ダイオードチップ。
【請求項４】
前記電流拡散層（１）が、１×１０１９ｃｍ−３より高いドーパント濃度を有する、
請求項１から請求項３のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。
【請求項５】
前記電流拡散層（１）が、少なくとも５×１０１９ｃｍ−３のドーパント濃度を有する、
請求項１から請求項４のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。
【請求項６】
前記電流拡散層（１）がＣによってドープされている、
請求項１から請求項５のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。
【請求項７】
側端面（１１）を含んだ前記電流拡散層（１）に封止層（８）が設けられている、
請求項１から請求項６のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。
【請求項８】
前記封止層（８）が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化亜鉛、または金属を含んでいる、
請求項７に記載の発光ダイオードチップ。
【請求項９】
前記電流拡散層（１）に少なくとも１本の溝（１３）が形成されている、
請求項１から請求項８のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。
【請求項１０】
前記少なくとも１本の溝（１３）が、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化亜鉛、または金属によって満たされている、
請求項９に記載の発光ダイオードチップ。
【請求項１１】
前記少なくとも１本の溝（１３）が前記ｐ型半導体領域（２）の中まで達している、
請求項９または請求項１０に記載の発光ダイオードチップ。
【請求項１２】
ＩｎｘＧａｙＡｌ１−ｘ−ｙＡｓ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）からなる少なくとも１層が、前記電流拡散層（１）に隣接しており、前記少なくとも１層が、前記電流拡散層（１）よりも小さいバンドギャップと、より低いドーパント濃度とを有する、
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。
【請求項１３】
前記半導体積層体（５）から成長基板が分離されており、前記キャリア（７）が、前記半導体積層体（５）の成長基板とは異なる、
請求項１から請求項１２のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。
【請求項１４】
前記キャリア（７）が、シリコン、モリブデン、またはゲルマニウムを含んでいる、
請求項１３に記載の発光ダイオードチップ。