Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月8日(2011.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンディングヘッド（８）を有するピックアンドプレースシステム（５）を用いて基板（４）上のウエハテーブル（１）上に供給される半導体チップ（２）を実装するための方法であって、マーキング（１０）が、前記ボンディングヘッド（８）に取り付けられ、前記方法によって
前記ウエハテーブル（１）上に供給される半導体チップ（２）の画像が第１のカメラ（６）によって撮られ、および、前記画像から決定される前記半導体チップ（２）の位置が第１の座標系ＫＳ１に関連する位置データの形で供給され、
基板箇所の画像が第２のカメラ（７）によって撮られ、および、前記画像から決定される前記基板箇所の位置が第２の座標系ＫＳ２に関連する位置データの形で供給され、および
前記ボンディングヘッド（８）の位置が前記ピックアンドプレースシステム（５）に内在する座標系ＫＳに関連し、前記方法がセットアップ段階および製造段階を含み、
前記セットアップ段階が、
前記第１の座標系ＫＳ１を前記座標系ＫＳおよびその逆関数にマップする第１のマッピング関数を決定し、
第１の補正ベクトルを値０にセットし、
前記第２の座標系ＫＳ２を前記座標系ＫＳおよびその逆関数にマップする第２のマッピング関数を決定し、
第２の補正ベクトルを値０にセットすることを含み、および
前記製造段階が、
順次、半導体チップ（２）を、
前記第１のカメラ（６）によって、次に実装されるべき前記半導体チップ（２）の画像を撮り、
前記第１のカメラ（６）の前記画像から、前記第１の座標系ＫＳ１に対する前記半導体チップ（２）の前記位置を決定し、
前記第１のマッピング関数を用いてかつ前記第１の補正ベクトルを考慮に入れることによって前記座標系ＫＳに対して、前記ピックアンドプレースシステム（５）が前記半導体チップ（２）を取り上げるために前記ボンディングヘッド（８）をそこまで移動する必要がある位置を算出し、
前記第２のカメラ（７）によって前記半導体チップ（２）がその上に実装されるべき前記基板箇所の画像を撮り、
前記第２のカメラ（７）の前記画像から前記第２の座標系ＫＳ２に対する前記基板箇所の前記位置を決定し、および
前記第２のマッピング関数を用いてかつ前記第２の補正ベクトルを考慮に入れることによって前記座標系ＫＳに対して、前記ピックアンドプレースシステム（５）が前記半導体チップ（２）を前記基板箇所上に実装するために前記ボンディングヘッド（８）をそこまで移動する必要がある位置を算出すること、を含んで実装し、および
所定のイベントの発生で前記第１および第２の補正ベクトルを再調整することを含み、前記第１および第２の補正ベクトルの前記再調整が、
前記マーキング（１０）が前記第１のカメラ（６）の前記視野内に位置する第１のセットポイント位置へ前記ボンディングヘッド（８）を移動し、
前記第１の座標系ＫＳ１に対する前記マーキング（１０）の前記第１のセットポイント位置を算出し、
前記第１のカメラ（６）によって前記マーキング（１０）の画像を撮り、
前記第１のカメラ（６）の前記画像から前記第１の座標系ＫＳ１に対する前記マーキング（１０）の実際の位置を決定し、
前記算出されたセットポイント位置と前記マーキング（１０）の前記決定された実際の位置との間の差異として前記第１の補正ベクトルＫ１を算出し、
前記マーキング（１０）が前記第２のカメラ（７）の前記視野内に位置する第２のセットポイント位置へ前記ボンディングヘッド（８）を移動し、
前記第２の座標系ＫＳ２に対する前記マーキング（１０）の前記第２のセットポイント位置を算出し、
前記第２のカメラ（７）によって前記マーキング（１０）の画像を撮り、
前記第２のカメラ（７）の前記画像から前記第２の座標系ＫＳ２に対する前記マーキング（１０）の前記実際の位置を決定し、および
前記算出されたセットポイント位置と前記マーキング（１０）の前記決定された実際の位置との間の差異として前記第２の補正ベクトルを算出することを含む、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記所定のイベントが、以下のイベント、すなわち、
−前回の較正以降、所定の数の半導体チップ（２）が実装された、
−前回の較正以降、前記ピックアンドプレースシステム（５）の所定の箇所で測定される温度が所定の値より多く変化した、
−製造が、止められた、
−実装の後で前記第２のカメラ（７）によって検出され、かつ算出された前記実装された半導体チップの実際の位置が、所定の量より多く前記セットポイント位置から逸脱する、イベントの少なくとも１つであることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法であって、前記ボンディングヘッド（８）に施着される前記マーキング（１０）が、前記ボンディングヘッド（８）に取り付けられるレンズ（１１）を用いて前記それぞれのカメラ（６および７）上へ充分な明確さで画像形成される、ことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の方法であって、前記第１のマッピング関数の前記決定が、前記マーキング（１０）が前記第１のカメラ（６）の前記視野内に位置するように、前記ボンディングヘッド（８）を複数の異なる位置へ移動し、前記第１のカメラ（６）によって画像を撮り、かつ前記第１のカメラ（６）によって供給される前記画像から前記マーキング（１０）の前記関連する位置を決定すること、を含み、そして前記第２のマッピング関数の前記決定が、前記マーキング（１０）が前記第２のカメラ（７）の前記視野内に位置するように、前記ボンディングヘッド（８）を複数の異なる位置へ移動し、前記第２のカメラ（７）によって画像を撮り、かつ前記第２のカメラ（７）によって供給される前記画像から前記マーキング（１０）の前記関連する位置を決定すること、を含む、ことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月21日(2012.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビーム放射デバイス（１）の製造方法であって、
当該方法は以下のステップを有している：すなわち、
ａ）遠距離場における、ガウス状の放出特性よりも高い均一性を有している放出特性を設定するステップ；
ｂ）前記ビーム放射デバイス（１）の主要放出方向に対して垂直に延在する方向における、前記ビーム放射デバイス（１）に対する屈折率プロファイルを前記設定された放出特性から求めるステップ；
ｃ）前記デバイス（１）が前記事前に定められた屈折率プロファイルを有するように、前記デバイス（１）に対する構造を求めるステップ；および
ｄ）前記事前に定められた構造に従って、前記ビーム放射デバイス（１）を構成するステップ、
とを有している、
ことを特徴とする、ビーム放射デバイスの製造方法。
【請求項２】
ステップｂ）において、
・遠距離場における前記設定されている放出特性から、属する近接場を求め、
当該近接場から、前記ビーム放射デバイス（１）に対する前記屈折率プロファイルを求める、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ビーム放射デバイス（１）は半導体層列を伴う半導体（２）を有しており、当該半導体層列は、ビーム形成のために設けられたアクティブ領域（２１）を有しており、
ステップｄ）において、前記前記半導体層列を伴う半導体（２）を析出し、前記屈折率プロファイルを、適切な材料組成によって、前記半導体（２）の半導体層列に対する析出方向に沿って構成する、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
遠距離場における前記放出特性を、相互に傾斜または垂直に延在している２つの軸に沿って設定し、ステップｂ）において、前記主要放出方向に対して垂直に、かつ前記屈折率プロファイルに対して垂直に別の屈折率プロファイルを求め、ステップｃ）において、前記デバイス（１）の構造を求め、前記デバイスは、前記事前に定められた別の屈折率プロファイルを有している、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
ビーム放射デバイスであって、
ビームを形成するために設けられたアクティブ領域（２１）を備えており、
主要放出方向と、当該主要放出方向に対して垂直な屈折率プロファイルを有しており、
当該屈折率プロファイルは次のように構成されている、すなわち、当該屈折率プロファイルに基づいて、前記デバイスの作動中に形成されるビームの放出特性が遠距離場において、アクティブ領域（２１）に対して設定された間隔で、ガウス状の放出特性よりも高い均一性を有しているように構成されている、
ことを特徴とするビーム放射デバイス。
【請求項６】
ビーム放射デバイスであって、
ビームを形成するために設けられたアクティブ領域（２１）を備えており、
主要放出方向を有しており、
前記アクティブ領域の両側に場形成層（２２）が配置されており、当該場形成層（２２）によって、前記主要放出方向に対して垂直に屈折率プロファイルが構成され、当該屈折率プロファイルは、前記アクティブ領域（２１）の両側で、それぞれ跳躍的な移行部（２４）を有しており、ここでは各屈折率はアクティブ領域（２１）から見て増大しており、
前記アクティブ領域（２１）の方を向いていない、場形成層（２２）の面には、それぞれ１つのカバー層（２６）が配置されており、当該カバー層（２６）は、前記場形成層（２２）の屈折率よりも低い屈折率を有している
ことを特徴とするビーム放射デバイス。
【請求項７】
前記放出特性は遠距離場（１００）において強度経過特性を有しており、当該強度経過特性には、前記強度経過特性の曲線の下方に延在している、最大面積（１０１）を備えた矩形が割り当てられており、当該矩形は、遠距離場の強度経過特性の曲線の下方の面積全体の少なくとも５０％を占める、請求項５または６記載のビーム放射デバイス。
【請求項８】
前記放出特性は遠距離場（１００）において強度経過特性を有しており、当該強度経過特性には、前記強度経過特性の曲線の下方に延在している、最大面積（１０１）を備えた矩形が割り当てられており、当該矩形は、遠距離場の強度経過特性の曲線の下方の面積全体の少なくとも６０％を占める、請求項５または６記載のビーム放射デバイス。
【請求項９】
前記少なくとも１つの場形成層（２２）は、部分領域（２２１）および別の部分領域（２２２）を有しており、
前記部分領域（２２１）および前記別の部分領域（２２２）における屈折率はそれぞれ、前記アクティブ領域（２１）からの距離が増大するとともに低減し、
前記部分領域（２２１）および前記別の部分領域（２２２）は、前記アクティブ領域（２１）の同じ面に配置されている、請求項６記載のビーム放射デバイス。
【請求項１０】
前記跳躍的な移行（２４）は、前記部分領域（２２１）と前記別の部分領域（２２２）との間に配置されている、請求項９記載のビーム放射デバイス。
【請求項１１】
前記デバイス（１）は、半導体層列を備えた半導体（２）を有しており、
前記アクティブ領域は前記半導体（２）内に構成されており、前記屈折率プロファイルは前記半導体（２）の半導体層の主要延在方向に対して垂直に延在している、請求項５から１０までのいずれか１項記載のビーム放射デバイス。
【請求項１２】
前記主要放出方向に対して垂直に、かつ前記屈折率プロファイルに対して垂直に、別の屈折率プロファイルを有しており、当該別の屈折率プロファイルは、切り欠き（４）によって構成され、当該切り欠きは、前記別の屈折率プロファイルに沿って前記半導体（２）内へ延在している、請求項５から１１までのいずれか１項記載のビーム放射デバイス。
【請求項１３】
別のアクティブ領域（２７）を有しており、当該別のアクティブ領域は、ビーム形成のために設けられている、請求項５から１２までのいずれか１項記載のビーム放射デバイス。
【請求項１４】
前記アクティブ領域（２１）と前記別のアクティブ領域（２７）との間にトンネル領域（２８）が構成されており、
前記アクティブ領域（２１）において形成されたビームと、前記別のアクティブ領域（２７）において形成されたビームは、共通の横断的な光学モードを有しており、前記トンネル領域（２８）は前記横断的光学モードの結合点内に配置されている、請求項１２記載のビーム放射デバイス。
【請求項１５】
前記跳躍的な移行部（２４）は、前記アクティブ領域（２１）と前記別のアクティブ領域（２７）との間に配置されている、請求項１３または１４記載のビーム放射デバイス。
【請求項１６】
前記別のアクティブ領域（２７）の両側に、別の場形成層（２３）が配置されており、前記屈折率プロファイルは、前記別のアクティブ領域の両側でそれぞれ別の跳躍的な移行部（２５）を有しており、ここで各屈折率は別のアクティブ領域（２７）から見て増大している、請求項１３記載のビーム放射デバイス。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年10月22日(2012.10.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
更に、第一及び／又は第二の電極の面に向いた発光層は、一定の高さの凹凸を有していてもよい。このような凹凸は支持体を洗浄してもこの表面上に残ることができる。このような凹凸は、通常の洗浄工程では除去されない１００ｎｍ未満の厚さの粒子を有する。該粒子は、数ｎｍの厚さを有し、かつ第一と第二の電極上で塊状の凹凸を作り出しても良い。更に、第一及び／又は第二の電極が製造される材料は、その析出の際に同様に凹凸が形成される先端を作り出す傾向がある。この先端は１０ｎｍを越える高さを有することができる。このような凹凸は、直ちに又は数百時間の運転の後に初めて局所電気的なショートを形成する傾向がある。これは装置の全体的な欠損を生じる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
作動中に第一の電荷の電荷担体を放出する第一の電極（１００）と、
第一の電荷の電荷担体を輸送しかつドーピングについて勾配を有し、第一の電極（１００）上に設けられているドーピングされた第一の輸送層（２００）と、
第一の発光材料を有し、かつドーピングされた第一の輸送層（２００）上に設けられている第一の発光層（４００）と、
第二の発光材料を有し、かつ第一の発光層（４００）上に設けられている第二の発光層（４１０）と、
作動中に第二の電荷の電荷担体を放出し、かつ第二の発光層（４１０）上に設けられている第二の電極（１１０）と
を含む放射線放出装置であって、
ドーピングされた第一の輸送層（２００）は３つの部分層に分かれており、第一の部分層と第三の部分層との間の範囲である第二の部分層のドーピング濃度は第一の部分層および第三の部分層におけるよりも高く、
前記の第一の発光材料及び／又は第二の発光材料はリン光性であり、かつ第一の発光材料は、第二の発光材料とは別の波長で放射線を放出する、
ことを特徴とする放射線放出装置。
【請求項２】
第一の発光層（４００）と第二の発光層（４１０）との間には、第一の電荷輸送層（５００）が設けられている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
第一の電荷輸送層（５００）は、第一の電荷および第二の電荷の電荷担体を輸送するマトリックス材料を有するマトリックスを含むか、又は、第一の電荷の電荷担体を輸送する第一のマトリックス材料と、第二の電荷の電荷担体を輸送する第二のマトリックス材料との混合物を含む、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
第三の発光材料を有し、かつ第二の発光層（４１０）と第二の電極（１１０）との間に設けられている第三の発光層（４２０）を含み、前記の第三の発光材料は第一の発光材料および第二の発光材料とは別の波長で放射線を放出する、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
第三の発光層（４２０）は第二の電荷の電荷担体を輸送する、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
第二の発光層（４１０）と第三の発光層（４２０）との間に設けられている第二の電荷輸送層（５１０）を含む、請求項４又は５に記載の装置。
【請求項７】
第二の電荷輸送層（５１０）は、第一の電荷および第二の電荷の電荷担体を輸送するマトリックス材料、又は、第一の電荷の電荷担体を輸送する第一のマトリックス材料と、第二の電荷の電荷担体を輸送する第二のマトリックス材料とを含むマトリックスを含んでいる、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
第一の発光層（４００）及び／又は第二の発光層（４１０）及び／又は第三の発光層（４２０）は、第一の電荷および第二の電荷の電荷担体を輸送するマトリックス材料、又は、第一の電荷の電荷担体を輸送する第一のマトリックス材料と、第二の電荷の電荷担体を輸送する第二のマトリックス材料とを有するマトリックスを含んでいる、請求項４から７までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
第一の電極（１００）は、第一の発光材料及び／又は第二の発光材料から放出される放射線に対して反射性である、請求項１から８までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
第一の電極（１００）は、第一の発光材料及び／又は第二の発光材料及び／又は第三の発光材料から放出される放射線に対して反射性である、請求項４に記載の装置。
【請求項１１】
発光層（４００、４１０、４２０）から反射電極までの距離が増えるに従って、それぞれの発光材料は、より長い波長で放射線を放出する、請求項９又は１０に記載の装置。
【請求項１２】
第二の電極（１１０）は、第一の発光材料及び／又は第二の発光材料から放出される放射線に対して透過性である、請求項１から１１までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項１３】
第二の電極（１１０）は、第一の発光材料及び／又は第二の発光材料及び／又は第三の発光材料から放出される放射線に対して透過性である、請求項４に記載の装置。
【請求項１４】
発光層（４００、４１０、４２０）の方向を向いた第一の電極（１００）及び／又は第二の電極（１１０）の表面は一定の高さを有する凹凸を有する、請求項１から１３までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項１５】
第一の電極（１００）及び／又は第二の電極（１１０）に境界を成す層は、凹凸の高さよりも大きな層厚を有する、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
白色光を発する、請求項４に記載の装置。
【請求項１７】
照明目的に適している、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
第二の電極（１１０）と、第二の電極の最も近くに位置する発光層との間には、第二の電荷の電荷担体を輸送するドーピングされた第二の輸送層が設けられている、請求項１から１７までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項１９】
第一の発光層（４００）及び／又は第二の発光層（４１０）及び／又は第三の発光層（４２０）は、それぞれ反射性の電極に対して発光層の発光波長の四分の一に相当する中間距離を有する、請求項１０に記載の装置。
【請求項２０】
凹凸は１００ｎｍ未満の厚さの粒子により構成されている、請求項１４記載の装置。
【請求項２１】
第一の電極（１００）及び／又は第二の電極（１１０）は、１００ｎｍを上回る層厚を有する、請求項２０記載の装置。
【請求項２２】
ドーピングされた第一の輸送層（２００）は第一の電極（１００）に隣接している、請求項１から２１までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項２３】
ドーピングされた第二の輸送層は第二の電極（１１０）に隣接している、請求項１８に記載の装置。
【請求項２４】
ドーピングされた第二の輸送層は、そのドーピングにおける勾配を有しており、３つの部分層に分けられており、第一の部分層と第三の部分層との間の範囲である第二の部分層のドーピング濃度は第一の部分層および第三の部分層におけるよりも高い、請求項１８に記載の装置。
【請求項２５】
第一の発光材料は蛍光性であり、かつ第二の発光材料はリン光性である、請求項１から２４までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項２６】
第一の発光材料は蛍光性であり、かつ第二および第三の発光材料がリン光性である、請求項４に記載の装置。
【請求項２７】
ドーピングされた第一及び／又は第二の輸送層は、ドーピング剤として酸化モリブデンまたは酸化レニウムを含むホール輸送層である、請求項１８に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月8日(2012.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＵＭ（ユニファイドメッセージング）アプリケーションを実行するコンピュータシステムであって、
ユーザインターフェースと、
少なくとも一つのコンピュータデバイス上で動作し、および複数のユーザプロンプトおよびユーザプロンプトの間の遷移によって定義されるメニュー状態を含むＵＭ  ＦＳＭ（有限状態機械）をＸＭＬで構成する、前記ユーザインターフェースを介してアクセスされるプログラミング環境であって、各遷移は、プロンプトに対する特定のユーザ応答によって定義される、プログラミング環境と、
前記ＵＭ  ＦＳＭによって呼び出される外部ソフトウェアコンポーネントを含むＵＭソフトウェアコンポーネントと、
前記ＵＭソフトウェアコンポーネントに基づいて有効なメニュー状態を生成するのに前記プログラミング環境によって利用されるＸＭＬ特徴であって、前記ＸＭＬ特徴は、前記プログラミング環境によって使用される関数ラッパーであって、前記外部ソフトウェアコンポーネントが存在し、バイナリＵＭ  ＦＳＭを生成する時、コンパイルフェーズ中に前記外部ソフトウェアコンポーネントを妥当性検査し、および前記外部ソフトウェアコンポーネントがコンパイルフェーズ中に存在しない時、エラーを生成する関数ラッパーを含む、ＸＭＬ特徴と、
コンパイルフェーズ中に存在する前記外部ソフトウェアコンポーネントのバージョンが実行時に使用可能な前記外部ソフトウェアコンポーネントのバージョンと同一であることを確認する、前記バイナリＵＭ  ＦＳＭの実行中に呼び出される検証ツールと
を備えることを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記ＵＭソフトウェアコンポーネントは、ＵＭアプリケーションのセッティングを含み、前記ＸＭＬ特徴は、前記ＵＭ  ＦＳＭの遷移を事前に決定する条件付き属性を含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記条件付き属性は、コンテキスト変数からなる属性を含むことを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記条件付き属性は、構文木への解析に適する少なくとも１つの論理演算子によって組み合わされる複数のコンテキスト変数からなる属性を含むことを特徴とする請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記ＵＭソフトウェアコンポーネントは、文法ノードを含み、前記ＸＭＬ特徴は、コマンド文法を選択的にアクティブにする条件付き要素属性を含むことを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項６】
前記ＵＭソフトウェアコンポーネントは、ＸＭＬスニペットを含み、前記ＸＭＬ特徴は、コンパイル時に前記ＸＭＬスニペットを複製するのに前記プログラミング環境によって利用されるインポート要素を含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記ＸＭＬスニペットは、プロンプトと非応答ユーザ発話に応答する遷移とを定義する音声メニューを含むことを特徴とする請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記非応答ユーザ発話は、無音、つぶやき、および現在のコンテキストで適用可能ではない単語からなる群から選択される１つまたは複数の応答であることを特徴とする請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記外部ソフトウェアコンポーネントは、メソッド、関数、変数、およびアクションからなる群の１つであることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記ユーザプロンプトと意味的に同等の複数のユーザ応答のうちの１つとしてセマンティックイベントを定義する自動化音声認識メニューをさらに含み、前記遷移は、特定のセマンティックイベントに依存することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
セマンティックイベントをＤＴＭＦ（デュアルトーンマルチフリケンシ）キーパッド入力として定義するＤＴＭＦインターフェースをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
ＵＭ（ユニファイドメッセージング）システムに対するユーザインターフェースを開発する方法であって、
少なくとも一つのコンピュータデバイスで有限状態機械を生成するステップであって、前記有限状態機械は、ユーザを促すメニュー状態と、ユーザ応答に従って次のメニュー状態への遷移とからなる、ステップと、
ＸＭＬ特徴を利用することによって既存の外部ＵＭソフトウェアコンポーネントに基づいて有効なメニュー状態を生成するステップであって、前記有効なメニュー状態を生成するステップは、
前記ＸＭＬ特徴についての関数ラッパーを生成するステップと、
コンパイルフェーズ中に、前記外部ＵＭソフトウェアコンポーネントが存在し、バイナリＵＭ有限状態機械を生成する時、前記関数ラッパーを使用して前記外部ＵＭソフトウェアコンポーネントを妥当性検査するステップと、
前記バイナリＵＭ有限状態機械の実行中に、コンパイルフェーズ中に存在する前記外部ＵＭソフトウェアコンポーネントのバージョンが実行時に使用可能な前記外部ＵＭソフトウェアコンポーネントのバージョンと同一であることを確認するステップと、
少なくとも一つのユーザプロンプトを含む前記ユーザインターフェースの有効なメニュー状態を生成するステップと
を含む、ステップと
を備えることを特徴とする方法。
【請求項１３】
前記有効なメニュー状態を生成するステップは、ＸＭＬインポート要素によって前記有限状態機械において複製されるＸＭＬスニペットに基づく、ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記有効なメニュー状態を生成するステップは、プロンプトまたは遷移を定義するＸＭＬ要素のＸＭＬ条件付き属性によって参照されるコンテキスト変数に基づく、ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記有効なメニュー状態を生成するステップは、呼び出されるアクションおよび外部ＵＭソフトウェアコンポーネントにおいて参照を行う前記有限状態機械の変数をラッピングすることと、居場所が突き止められない場合にビルド時エラーを生成することとによって妥当性検査されることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記有限状態機械のコンパイルされたバージョンによって参照される外部ＵＭソフトウェアコンポーネントが、実行時に、妥当性検査されるときと同一であることを検証するステップをさらに備えることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月21日(2011.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画像共有装置を使用する方法であって、前記複数の画像共有装置の各々は、画像コンテンツファイルを保存するメモリと通信システムとを備え、画像共有システムを提供し、当該方法は、
前記画像共有システムに含まれる画像共有装置を特定するステップと、
特定された画像共有装置との間で画像コンテンツファイルを転送可能な通信リンクを確立するステップと、
前記画像共有装置各々における共有可能な画像コンテンツファイルを特定するステップと、
いずれかの画像共有装置から少なくとも１つの他の画像共有装置へ、前記共有可能な画像コンテンツファイルをコピーするのに使用可能なマニフェストデータを決定するステップであって、前記共有可能な画像コンテンツファイルの各々が、前記画像共有システムにおける少なくとも２つの画像共有装置に保存されるようにする、ステップと、
前記マニフェストデータにしたがって、いずれかの画像共有装置から少なくとも１つの他の画像共有装置へ、共有可能な画像コンテンツファイルを自動的にコピーするステップと、
共有可能な画像コンテンツファイル各々が保存される少なくとも２つの画像共有装置を示すインデックスデータを生成するステップと、
前記画像共有装置各々のコンテンツを監視し、共有可能な画像コンテンツを保存した画像共有装置を判別し、該共有可能な画像コンテンツは、インデックスデータが指定している共有可能な画像コンテンツとは異なり、前記画像共有装置に保存されるべきものである、ステップと、
前記インデックスデータにおける共有可能な画像コンテンツファイル各々が、少なくとも２つの画像共有装置に保存されるように、選択されコピーされる画像コンテンツを有する他の画像共有装置から画像コンテンツファイルをコピーするステップと
を有する方法。
【請求項２】
前記画像コンテンツファイルが、暗号化された形式で少なくとも１つの画像共有装置に保存され、当該方法は、前記少なくとも１つの画像共有装置の少なくとも一部の画像コンテンツにアクセスするのに使用可能な解読キーを取得するステップをさらに有し、前記画像共有装置に保存されている画像コンテンツを、共有可能な画像コンテンツとして特定する際、前記解読キーを用いて解読可能な画像コンテンツのみを特定する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
ある画像コンテンツファイルは保管用であり、他の画像コンテンツファイルは共有用ではないように確認されることで、画像コンテンツファイルは少なくとも１つの画像共有装置に保存され、前記画像共有装置に保存されている画像コンテンツを、共有可能な画像コンテンツとして特定する際、共有用として確認された画像コンテンツのみを特定する、請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月6日(2012.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個別オペレーション・ポイントについて、ビデオ・ユーザビリティ情報を規定することによって、マルチビュー・ビデオ・コンテンツを符号化する符号器を含む符号化装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本原理の更に別の一形態に従えば、付記の装置が提供される。この装置は、各パラメータが少なくとも１つのハイレベル・シンタックス要素に於いて規定される。
本原理の更に別の一形態に従えば、付記の装置が提供される。この装置は、少なくとも１つのハイレベル・シンタックス要素には、ｍｖｃ＿ｖｕｉ＿ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ＿ｅｘｔｅｎｓｉｏｎ（）のシンタックス要素、ｍｖｃ＿ｓｃａｌａｂｉｌｉｔｙ＿ｉｎｆｏのサプリメンタル・エンハンスメント情報シンタックス・メッセージ、シーケンス・パラメータ・セットの少なくとも一部、ピクチャ・パラメータ・セット、及び、サプリメンタル・エンハンスメント情報のうち、少なくとも１つが含まれている。
本原理の更に別の一形態に従えば、付記の装置が提供される。この装置は、ビデオ・ユーザビリティ情報の少なくとも一部にはビットストリーム制限パラメータが含まれている。
本原理の更に別の一形態に従えば、付記の方法が提供される。この方法は、各パラメータが少なくとも１つのハイレベル・シンタックス要素に於いて規定される。
本原理の更に別の一形態に従えば、付記の方法が提供される。この方法は、少なくとも１つのハイレベル・シンタックス要素には、ｍｖｃ＿ｖｕｉ＿ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ＿ｅｘｔｅｎｓｉｏｎ（）のシンタックス要素、ｍｖｃ＿ｓｃａｌａｂｉｌｉｔｙ＿ｉｎｆｏのサプリメンタル・エンハンスメント情報シンタックス・メッセージ、シーケンス・パラメータ・セットの少なくとも一部、ピクチャ・パラメータ・セット、及び、サプリメンタル・エンハンスメント情報のうち、少なくとも１つが含まれている。
本原理の更に別の一形態に従えば、付記の方法が提供される。この方法は、ビデオ・ユーザビリティ情報の少なくとも一部にはビットストリーム制限パラメータが含まれている。
本原理の更に別の一形態に従えば、コンピュータ・プログラム可能記憶媒体が提供される。この媒体は、該媒体上で符号化されたビデオ信号データを有し、個別ビュー、１つのビューに於ける個別時間レベル、及び、個別オペレーション・ポイントから選択された少なくとも１つについてビデオ・ユーザビリティ情報を規定することによって符号化されたマルチビュー・ビデオ・コンテンツを含む。
本原理の更に別の一形態に従えば、付記の媒体が提供される。この媒体は、各パラメータが少なくとも１つのハイレベル・シンタックス要素に於いて規定される。
本原理の更に別の一形態に従えば、付記の媒体が提供される。この媒体は、少なくとも１つのハイレベル・シンタックス要素には、ｍｖｃ＿ｖｕｉ＿ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ＿ｅｘｔｅｎｓｉｏｎ（）のシンタックス要素、ｍｖｃ＿ｓｃａｌａｂｉｌｉｔｙ＿ｉｎｆｏのサプリメンタル・エンハンスメント情報シンタックス・メッセージ、シーケンス・パラメータ・セットの少なくとも一部、ピクチャ・パラメータ・セット、及び、サプリメンタル・エンハンスメント情報のうち、少なくとも１つが含まれている。
本原理の更に別の一形態に従えば、付記の媒体が提供される。この媒体は、ビデオ・ユーザビリティ情報の少なくとも一部にはビットストリーム制限パラメータが含まれている。
本原理のこれらの、及び、その他の形態、特徴、及び、利点は、添付図面を参照しつつ読まれるべき以下の各実施例の詳細な説明から明らかになるであろう。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月6日(2012.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個々の演算ポイントについてビデオ・ユーザビリティ情報を指定することよって、マルチビュー・ビデオ・コンテンツを復号化する復号器を備える、装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明のさらに他の特徴によれば、付記の装置が提供される。この装置は、パラメータは、少なくとも１つの高レベルシンタックス要素で指定されている。
本発明のさらに他の特徴によれば、付記の装置が提供される。この装置は、少なくとも１つの高レベルシンタックス要素は、ｍｖｃ＿ｖｕｉ＿ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ＿ｅｘｔｅｎｓｉｏｎ（）シンタックス要素と、ｍｖｃ＿ｓｃａｌａｂｉｌｉｔｙ＿ｉｎｆｏ付加拡張情報シンタックス・メッセージと、シーケンス・パラメータ・セットの少なくとも一部と、ピクチャ・パラメータ・セットと、付加拡張情報と、のうちの少なくとも１つを含む。
本発明のさらに他の特徴によれば、付記の装置が提供される。この装置は、ビデオ・ユーザビリティ情報の少なくとも一部はビットストリーム制限パラメータを含む。
本発明のさらに他の特徴によれば、付記の方法が提供される。この方法は、パラメータは、少なくとも１つの高レベル・シンタックス要素で指定されている。
本発明のさらに他の特徴によれば、付記の方法が提供される。この方法は、少なくとも１つの高レベル・シンタックス要素は、ｍｖｃ＿ｖｕｉ＿ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ＿ｅｘｔｅｎｓｉｏｎ（）のシンタックス要素と、ｍｖｃ＿ｓｃａｌａｂｉｌｉｔｙ＿ｉｎｆｏ付加拡張情報シンタックス・メッセージと、シーケンス・パラメータ・セットの少なくとも一部と、ピクチャ・パラメータ・セットと、付加拡張情報と、のうちの少なくとも１つを含む。
本発明のさらに他の特徴によれば、付記の方法が提供される。この方法は、ビデオ・ユーザビリティ情報の少なくとも一部は、ビットストリーム制限パラメータを含む。
本発明のこれら及び他の特徴、態様及び効果は、添付の図面と関連して読まれるべき引き続く例示的な実施形態の詳細な説明から明らかになる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年9月12日(2012.9.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレイと、該ディスプレイを照明するバックライトと、
前記ディスプレイに表示させる画像データの画像処理を制御するプロセッサとを有するディスプレイデバイスにより実行される画像特性を調整するための方法であって、
前記プロセッサが、
前記ディスプレイに表示する画像データの黒レベル、画像データの低諧調領域における彩度、画像の輝度、ダイナミックコントラスト、フレーム内のコントラスト、または省電力に基づいて選択された性能目標を決定するステップと、
前記決定した性能目標に基づき、ターゲットとするディスプレイの最大出力、ターゲットとするディスプレイのコントラスト比、およびターゲットとするディスプレイのガンマ値から成る組から選択されるターゲットトーン曲線パラメータを決定するステップと、
前記決定したターゲットトーン曲線パラメータに基づき一組の候補トーン曲線を計算するステップと、
前記一組の候補トーン曲線から、前記性能目標に基づき画像データに適用する候補トーン曲線をターゲットトーン曲線として選択するステップと、
前記選択したターゲットトーン曲線を画像データに適用して、前記ディスプレイに表示することを特徴とする画像特性を調節するための方法。
【請求項２】
前記プロセッサは、
前記一組の候補トーン曲線のそれぞれを、前記バックライトの照明レベルを示すバックライトレベルに対応付けて計算することを特徴とする請求項１に記載の画像特性を調節するための方法。
【請求項３】
前記プロセッサは、
前記一組の候補トーン曲線から、前記性能目標を満たす前記バックライトレベルに対応する候補トーン曲線を前記ターゲットトーン曲線として選択することを特徴とする請求項１に記載の画像特性を調節するための方法。
【請求項４】
前記プロセッサは、
前記一組の候補トーン曲線から、元の画像データの画素値と表示時にクリップされる画素値とに基づいて決定されるディストーション基準を満たす前記候補トーン曲線を前記ターゲットトーン曲線として選択することを特徴とする請求項１に記載の画像特性を調節するための方法。
【請求項５】
前記プロセッサが、前記ターゲットトーン曲線を選択するステップは、
前記決定したターゲットトーン曲線パラメータに基づき、前記バックライトの照明レベルを示すバックライトレベルにそれぞれ対応付けられた一組の候補トーン曲線を計算し、
前記画像データから所定の画像特性を分析し、
前記分析した画像特性に基づき、前記一組の候補トーン曲線から一つの候補トーン曲線をターゲットトーン曲線として選択することを特徴とする請求項１に記載の画像特性を調節するための方法。
【請求項６】
前記分析する所定の画像特性は、画像のダイナミックレンジであり、
前記プロセッサは、前記一組の候補トーン曲線から、前記ダイナミックレンジに最も合う候補トーン曲線を前記ターゲットトーン曲線として選択することを特徴とする請求項５に記載の画像特性を調節するための方法。
【請求項７】
前記一組の候補トーン曲線は、
入力画像データの画素値が特定の低い領域で、バックライトレベルに応じて、入力画素値に対する出力値がそれぞれ異なる領域と、バックライトレベルが異なっても入力画素値に対する出力値が共通となる共通領域とを有することを特徴とする請求項５または６に記載の画像特性を調節するための方法。
【請求項８】
前記複数の候補トーン曲線の各々は、前記入力画像データの画素値が最も高い特定領域において、入力画像データの画素値に対する出力値の傾きが、入力画像データの画素値が大きくなるに従って徐々に低減する丸め曲線を有することを特徴とする請求項７に記載の画像特性を調節するための方法。
【請求項９】
前記プロセッサは、
前記ディスプレイの所定の特性に基づきパネルトーン曲線を計算し、
前記一組の候補トーン曲線の前記共通領域を、前記パネルトーン曲線の一部にマッチングさせて生成することを特徴とする請求項７または８に記載の画像特性を調節するための方法。
【請求項１０】
前記一組の候補トーン曲線は、
前記共通領域を共有する複数の候補トーン曲線に加えて、複数のエンハンスされた候補トーン曲線を含み、
前記エンハンスされた候補トーン曲線の各々は、前記バックライトレベルに対応付けられ、入力画像データの画素値が特定の低い領域で、前記バックライトレベルに応じて、入力画素値に対する出力値がそれぞれ異なる領域と、前記バックライトレベルが異なっても入力画素値に対する出力値が共通となる共通領域とを有し、
前記エンハンスされた候補トーン曲線の共通領域は、前記エンハンスされていない候補トーン曲線の共通領域よりも高い出力値にマッピングされることを特徴とする請求項７に記載の画像特性を調節するための方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２１４】
［カラー保存の実施例］
本発明の一部の実施例は、画像の明るさをエンハンスしながら、カラー特性を保存するためのシステムおよび方法を含む。一部の実施例では、明るさ保存は、フルパワーのベタ全域を低減されたパワーディスプレイのより狭いベタ全域にマッピングすることを含む。
一部の実施例では、カラー保存のために異なる方法が使用される。一部の実施例は、輝度ブーストの低減に替えて、カラーの色相／彩度を保存する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月30日(2011.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実質的に結晶形態の２−ヒドロキシ−３−［５−（モルホリン−４−イルメチル）ピリジン−２−イル］−１Ｈ−インドール−５−カルボニトリル・クエン酸塩の化合物であって、粉末Ｘ線回折の１４.５６オングストロームのｄ値で特徴付けられる形態Ｄの化合物。
【請求項２】
実質的に結晶形態の２−ヒドロキシ−３−［５−（モルホリン−４−イルメチル）ピリジン−２−イル］−１Ｈ−インドール−５−カルボニトリル・クエン酸塩の化合物であって、粉末Ｘ線回折の１４.５６、１１.３６、５.５７オングストロームのｄ値で特徴付けられる形態Ｄの化合物。
【請求項３】
実質的に結晶形態の２−ヒドロキシ−３−［５−（モルホリン−４−イルメチル）ピリジン−２−イル］−１Ｈ−インドール−５−カルボニトリル・クエン酸塩の化合物であって、粉末Ｘ線回折の１４.５６、１１.３６、９.１１、５.５７、５.１１、４.２９、３.５２オングストロームのｄ値及び相対強度で特徴付けられる形態Ｄの化合物。
【請求項４】
無水物の形態である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の実質的に結晶形態の２−ヒドロキシ−３−［５−（モルホリン−４−イルメチル）ピリジン−２−イル］−１Ｈ−インドール−５−カルボニトリル・クエン酸塩を製造する方法であって、以下の工程：
ａ）２−ヒドロキシ−３−［５−（モルホリン−４−イルメチル）ピリジン−２−イル］−１Ｈ−インドール−５−カルボニトリル・クエン酸塩のいずれかの形態又はいずれかの形態の混合物を水に懸濁すること；
ｂ）スラリーを溶液が得られるまで約８５℃に加熱すること；
ｃ）得られた溶液を約３０分かけて約４５℃に冷却し、次いで約２０時間かけて約５℃に更に冷却することにより結晶化させること；
ｄ）得られた結晶化した化合物を、濾過し、その後エタノールで洗浄し、そして約５０℃で減圧乾燥することにより単離すること；
を含む方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法に従って製造された実質的に結晶形態の２−ヒドロキシ−３−［５−（モルホリン−４−イルメチル）ピリジン−２−イル］−１Ｈ−インドール−５−カルボニトリル・クエン酸塩の化合物。
【請求項７】
実質的に結晶形態の２−ヒドロキシ−３−［５−（モルホリン−４−イルメチル）ピリジン−２−イル］−１Ｈ−インドール−５−カルボニトリル・クエン酸塩の化合物であって、粉末Ｘ線回折の１５.５１オングストロームのｄ値で特徴付けられる形態Ｅの化合物。
【請求項８】
実質的に結晶形態の２−ヒドロキシ−３−［５−（モルホリン−４−イルメチル）ピリジン−２−イル］−１Ｈ−インドール−５−カルボニトリル・クエン酸塩の化合物であって、粉末Ｘ線回折の１５.５１、１１.９０、５.１７オングストロームのｄ値で特徴付けられる形態Ｅの化合物。
【請求項９】
実質的に結晶形態の２−ヒドロキシ−３−［５−（モルホリン−４−イルメチル）ピリジン−２−イル］−１Ｈ−インドール−５−カルボニトリル・クエン酸塩の化合物であって、粉末Ｘ線回折の１５.５１、１１.９０、５.９６、５.７１、５.１７、３.６１オングストロームのｄ値及び相対強度で特徴付けられる形態Ｅの化合物。
【請求項１０】
一水和物の形態である、請求項７〜９のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項１１】
請求項７〜９のいずれか１項に記載の実質的に結晶形態の２−ヒドロキシ−３−［５−（モルホリン−４−イルメチル）ピリジン−２−イル］−１Ｈ−インドール−５−カルボニトリル・クエン酸塩の化合物を製造する方法であって、以下の工程：
ａ）２−ヒドロキシ−３−［５−（モルホリン−４−イルメチル）ピリジン−２−イル］−１Ｈ−インドール−５−カルボニトリル・クエン酸塩のいずれかの形態、又はいずれかの形態の混合物を水に懸濁すること；
ｂ）スラリーを溶液が得られるまで約９５℃に加熱すること；
ｃ）得られた溶液を約９０分かけて約７５℃に冷却し、次いでエタノールを水に対して約０％〜約４０％（容積比）の比率で加えること；
ｄ）工程ｃ）で得られた溶液を、約８時間かけて約１５℃に更に冷却し、次いで終夜撹拌すること；
ｅ）得られた結晶化した化合物を、濾過し、その後アセトン／水で洗浄し、そして吸引乾燥することにより単離すること；
を含む方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法に従って製造された実質的に結晶形態の２−ヒドロキシ−３−［５−（モルホリン−４−イルメチル）ピリジン−２−イル］−１Ｈ−インドール−５−カルボニトリル・クエン酸塩の化合物。
【請求項１３】
活性成分としての請求項１〜４、６〜１０及び１２のいずれか１項に記載の化合物の治療的有効量を、場合により希釈剤、受容体又は不活性の担体と一緒に含む医薬製剤。
【請求項１４】
治療に使用するための、請求項１〜４、６〜１０及び１２のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項１５】
グリコーゲン・シンターゼ・キナーゼ−３に関連する病態、認知障害、認知症、統合失調症における認知欠陥（ＣＤＳ）、軽度認知機能障害（ＭＣＩ）、年齢関連の記憶傷害（ＡＡＭＩ）、年齢関連の認知機能低下（ＡＲＣＤ）又は認知機能障害非痴呆症（ＣＩＮＤ）、神経原線維変化と関連する認知症、前頭側頭型認知症（ＦＴＤ）、パーキンソン型を伴う前頭側頭型認知症（ＦＴＤＰ）、 進行性核上性麻痺（ＰＳＰ）、ピック病、ニーマン−ピック病、 大脳皮質基底核変性症、外傷性脳損傷（ＴＢＩ）、ボクサー認知症、アルツハイマー病（ＡＤ）、ダウン症候群、血管性認知症、パーキンソン病（ＰＤ）、脳炎後パーキンソン症候群、レヴィー小体認知症、ＨＩＶ認知症、ハンチントン病、筋萎縮性側索硬化症（ＡＬＳ）、運動ニューロン疾患（ＭＮＤ）、クロイツフェルト−ヤコブ病、及びプリオン病、注意欠陥障害（ＡＤＤ）、注意欠陥過活動性障害（ＡＤＨＤ）、情動障害，急性躁病を含む双極障害、双極性うつ病、双極性維持、うつ病を含む大うつ病障害（ＭＤＤ）、大うつ病、気分安定化、統合失調症を含む統合失調性情動障害、気分変調症、Ｉ型糖尿病、ＩＩ型糖尿病、糖尿病性神経障害、脱毛症、炎症性疾患、骨粗しょう症を含む骨関連疾患又は状態の予防及び／又は処置；海綿骨形成及び／又は新骨形成の増進を含む骨形成の増進；骨ミネラル密度の増進；骨折事故の減少及び骨折治癒の強化における、請求項１〜４、６〜１０及び１２のいずれか１項に記載の化合物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体用容器（１）のための閉鎖装置（２）において、
前記閉鎖装置（２）は、流体が容器から流出する開放位置、および、流体が容器から流出するのをほぼ防ぐ閉鎖位置を有するバルブ部材（３）を有する双安定バルブを備え、
前記閉鎖装置（２）は、前記バルブ部材（３）を前記開放位置に保持する力を前記バルブ部材（３）に及ぼすための手段を備え、
前記双安定バルブは、前記手段によって及ぼされる力に打ち勝つよう、バルブ部材（３）に向かって押している容器内側の流体に応じて閉まる構成となっていることを特徴とする閉鎖装置。
【請求項２】
第１および第２バルブシート（３４，３５）をさらに備え、
前記閉鎖位置において、前記バルブ部材（３）が前記第１バルブシート（３４）に係合し、
前記開放位置において、前記バルブ部材（３）が前記第２バルブシート（３５）に係合することを特徴とする請求項１に記載の閉鎖装置。
【請求項３】
前記容器が直立しているとき、前記第１バルブシート（３４）が、前記第２バルブシート（３５）の上方に位置し、
前記第１バルブシート（３４）が、前記バルブの前記閉鎖位置の範囲を定め、
前記第２バルブシート（３５）が、前記バルブの前記開放位置の範囲を定めることを特徴とする請求項２に記載の閉鎖装置。
【請求項４】
前記バルブ部材（３）を前記開放位置に保持する力が磁力からなっていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の閉鎖装置。
【請求項５】
前記バルブ部材（３）が、磁力によって前記閉鎖位置に保持されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の閉鎖装置。
【請求項６】
前記第１バルブシート（３４）が、容器（１）の取り外し可能な蓋（６）に配置され、
前記第２バルブシート（３５）が、流体を含むことができる容器（１）の本体部分に配置されていることを特徴とする請求項２乃至５のいずれかに記載の閉鎖装置。
【請求項７】
前記第１バルブシート（３４）が、第１バルブリム部（４，２９）を備え、
前記第２バルブシート（３５）が、第２バルブリム部（５，３０）を備え、
前記バルブ部材（３）が、前記第１および第２バルブリム部（４，２９，５，３０）に係合でき、
好ましくは、各バルブリム部（４，２９，５，３０）が、前記容器（１）の内側の周囲に少なくとも部分的に形成された、内方に延びる部分から形成されており、
また好ましくは、前記バルブリム部（４，２９，５，３０）が、前記容器の部分から形成されていることを特徴とする請求項２乃至６のいずれかに記載の閉鎖装置。
【請求項８】
前記閉鎖装置が、前記バルブ部材（３）と封止的に係合可能なガスケット（２６）を備えたことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の閉鎖装置。
【請求項９】
前記閉鎖位置から前記バルブ部材（３）を移動させるために必要な力の方が、前記開放位置から前記バルブ部材を移動させるために必要な力に比べて大きくなっていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の閉鎖装置。
【請求項１０】
前記バルブ部材（３）がディスクを備えたことを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の閉鎖装置。
【請求項１１】
前記ディスクが、磁性材料が含浸されたプラスチック材料を備えたことを特徴とする請求項１０に記載の閉鎖装置。
【請求項１２】
前記バルブ部材が、前記バルブ部材（３）の上面に、ドーム状に隆起した突起部（１４）を備えたことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の閉鎖装置。
【請求項１３】
前記開放位置において、前記バルブ部材（３）と前記容器の周囲にほぼ延びる前記第２バルブリム部との間に開口部が画定されることを特徴とする請求項７に記載の閉鎖装置。
【請求項１４】
前記装置が、前記容器（１）の内部の圧力を開放する手段（３２）を備え、
前記手段は、好ましくは安全バルブであることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれかに記載の閉鎖装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれかに記載の閉鎖装置を備えたことを特徴とする流体用容器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月5日(2011.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（ＩＶｂ）
【化１】
2010535718.tif 000001
式中、
Ｒ１は、水素、メチルまたはエチルであり；
Ｒ２は、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキルまたはＣ２〜Ｃ６アルケニルであり；
Ｒ３は、水素、メチルまたはエチルであり；または
Ｒ１およびＲ３またはＲ２およびＲ３のいずれかは、これらが結合している炭素原子と共に５員環または６員環炭素環を形成し；
Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８およびＲ９は、独立して、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキルまたはＣ２〜Ｃ６アルケニルから選択され；または、
Ｒ４＋Ｒ９は一緒に、−（ＣＨ２）ｎ−（式中、ｎは１または２である）、−Ｃ（＝Ｃ（ＣＨ３）２）−および−Ｃ（＝Ｃ（ＣＨ２ＣＨ３）２）−から選択される２価の残基であり；
Ｒ１０は、水素、直鎖状もしくは分枝状Ｃ１〜Ｃ５アルキルまたは直鎖状もしくは分枝状Ｃ２〜Ｃ５アルケニルであり；
Ｒは、水素であり、Ｒ’は、ヒドロキシルまたは−ＯＣＯＲ１３（式中、Ｒ１３は、水素またはＣ１〜Ｃ３アルキルである）から選択され；
ＲおよびＲ’は、メトキシおよびエトキシから選択され；または
ＲおよびＲ’は、これらが結合している炭素原子と共にジオキソラン、ジオキサン、カルボニルまたはＣ＝Ｎ−ＯＨを形成し；
ただし、１−（３ａ，４，７，７ａ−テトラヒドロ−１Ｈ−インデン−６イル）エタノン、式（ＩＶｂ）（式中、Ｒ１〜Ｒ６、Ｒ８およびＲ９は水素であり、Ｒ７はメチルまたは２−メチル−ペンタ−２−エン−５−イルである）で表される化合物を除く、
で表される化合物。