Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月19日(2003.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実計算機上で複数の仮想計算機が動作する仮想計算機システムにおいて，
第１の仮想計算機に割り当てられている入出力装置と第２の仮想計算機に割り当てられている入出力装置とを交換することを指示するコマンドの入力により，交換対象として指定された入出力装置をそれぞれ該第１および該第２の仮想計算機から取り外す第１の手段と，
前記第１の手段により前記第２の仮想計算機から取り外した入出力装置を前記第１の仮想計算機に取り付け，前記第１の手段により前記第１の仮想計算機から取り外した入出力装置を前記第２の仮想計算機に取り付ける第２の手段とを備える
ことを特徴とする仮想計算機システム。
【請求項２】
請求項１記載の仮想計算機システムにおいて，
仮想計算機の起動時に仮想計算機に割り当てる入出力装置の定義情報を記憶する不揮発性の記憶装置と，
前記第１の手段および前記第２の手段による入出力装置の交換の際に，前記記憶装置に記憶された入出力装置の定義情報を更新する第３の手段とを更に備える
ことを特徴とする仮想計算機システム。
【請求項３】
実計算機上で複数の仮想計算機が動作する仮想計算機システムにおける入出力装置交換方法であって，
該仮想計算機システムが，
第１の仮想計算機に割り当てられている入出力装置と第２の仮想計算機に割り当てられている入出力装置とを交換することを指示するコマンドの入力により，交換対象として指定された入出力装置をそれぞれ該第１および該第２の仮想計算機から取り外す第１の過程と，
前記第１の過程で前記第２の仮想計算機から取り外した入出力装置を前記第１の仮想計算機に取り付け，前記第１の過程で前記第１の仮想計算機から取り外した入出力装置を前記第２の仮想計算機に取り付ける第２の過程と，
前記第１の過程および前記第２の過程による入出力装置の交換に対して，あらかじめ不揮発性の記憶装置に格納されている，仮想計算機の起動時に仮想計算機に割り当てる入出力装置の定義情報を更新する第３の過程とを実行する
ことを特徴とする仮想計算機間の入出力装置交換方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月21日(2003.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
尚、図１及び図４に示した製造方法では、何れも多層薄膜を焼成した後に電極を形成するようにしたものを例示したが、図７に示すような手順にて電極を形成するようにしてもよい。つまり、同図（ａ）に示すように、アルミナ基板２１上に金属薄膜２２，２３，２４から成る多層薄膜を形成した後に、同図（ｂ）に示すように、Ａｇ粉末を含有した導体ペースト２５を多層薄膜の端部と重なるように塗布しこれを１３０℃で１０分間乾燥させてから、同図（ｃ）に示すように、アルミナ基板２１上の多層薄膜及び導体ペーストを空気等の酸化性雰囲気中で先の製造方法と同様に焼成するようにしてもよい。導体ペースト２５は温度保持ステップにおける長時間高温保持により焼結して電極２７となる。また、各金属薄膜、即ちＮｉ薄膜２２とＭｎ薄膜２３とＦｅ薄膜２４とから成る多層薄膜は温度保持ステップにおける長時間高温保持により酸化されて、隣接する薄膜相互で金属が個溶し、この結果、半導体化された金属複合膜（抵抗膜）２６が形成される。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
第２容器５３内の純水Ｆ２の温度はヒータ５５のオンオフ制御によって３５℃に保たれ、これにより第１容器５２内の酵素溶液Ｆ１の温度も同温度（酵素の活性温度）に保たれている。また、試料溶液Ｆ３は生体物質や化学物質等を水等の溶媒に溶解したもので、ここでは酵素溶液Ｆ１と試料溶液（例えば尿素溶液）Ｆ３の濃度をそれぞれ１０ｍｇ／ｍｌ，５０ｍｇ／ｍｌとした。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
恒温槽６７内の温度は例えばＰＩＤ制御等によって一定の３５℃に保たれ、これにより反応槽６２及び熱交換器６３の温度も同温度（酵素の活性温度）に保たれている。また、試料溶液Ｆ１２は生体物質や化学物質等を水等の溶媒に溶解したもので、ここでは酵素溶液Ｆ１１と試料溶液Ｆ１２の濃度をそれぞれ１０ｍｇ／ｍｌ，５０ｍｇ／ｍｌとした。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月28日(2003.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水、酸化ジルコニウム微粒子及び研磨促進剤を含む磁気ディスク基板の研磨用組成物。
【請求項２】
水、酸化ジルコニウム微粒子、研磨促進剤及び水溶性酸化剤を含む磁気ディスク基板の研磨用組成物。
【請求項３】
酸化ジルコニウム微粒子の平均粒子径が二次粒子で０．１〜１．０μｍ、一次粒子で０．００１〜０．３μｍである請求項１又は２に記載の研磨用組成物。
【請求項４】
酸化ジルコニウム微粒子の二次粒子の粒度分布における累積９０重量％の粒子径と１０重量％の粒子径の比Ｄ９０／Ｄ１０が３．０以内である請求項３に記載の研磨用組成物。
【請求項５】
研磨用組成物中の酸化ジルコニウム微粒子の濃度が２〜２０重量％である請求項１〜４のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
【請求項６】
研磨促進剤がアルミニウム塩である請求項１〜５のいずれかに記載の研磨用組成物。
【請求項７】
アルミニウム塩が硝酸アルミニウムである請求項１〜６のいずれかに記載の研磨用組成物。
【請求項８】
研磨用組成物中の研磨促進剤の濃度が１〜２０重量％である請求項１〜７のいずれかに記載の研磨用組成物。
【請求項９】
研磨用組成物中の水溶性酸化剤の濃度が１０重量％以下である請求項２〜７のいずれかに記載の研磨用組成物。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載のスラリー状磁気ディスク基板研磨用組成物を用いる磁気ディスク基板研磨方法。
【請求項１１】
アルミニウム磁気ディスク基板を、請求項１〜９のいずれか１項に記載の磁気ディスク基板研磨用組成物を用いて研磨することを特徴とする磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項１２】
アルミニウム磁気ディスク基板を、アルミニウム酸性塩を添加し、請求項１〜９いずれか１項に記載の磁気ディスク基板研磨用組成物を用い、ｐＨ２〜５で研磨することを特徴とする磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の磁気ディスク基板研磨用組成物を用いて研磨された、記録密度５００Ｍｂｉｔ／ｉｎｃｈ２以上、研磨傷深さ１５ｎｍ以下、表面荒さ（Ｒａ）が３〜５Åである磁気ディスク基板。
【請求項１４】
磁気ディスク基板がＮｉＰメッキ、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐメッキ、Ｃｏ−Ｐメッキしたアルミニウム板もしくはアルミニウム合金板またはあるまいとかこうしたアルミニウム板である請求項１３に記載の磁気ディスク基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は酸化ジルコニウム微粒子及び研磨促進剤を含む磁気ディスク基板研磨用組成物に関し、さらに詳しくは、磁気ヘッドが低浮上量で飛行するのに適した精度の高い磁気ディスク表面が得られる磁気ディスク基板研磨用組成物、それを用いる磁気ディスク研磨方法並びに製造された磁気ハードディスク基板に関する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明における酸化ジルコニウム微粒子は研磨傷の発生を防ぐため、好ましくは二次粒子として平均粒子径が１．０μｍ以下である。また研磨作用を高めることから、二次粒子径は平均粒子径が０．１μｍ以上が好ましい。そして二次粒子が上記の範囲にある場合、一次粒子は平均粒子径が０．００１〜０．３μｍの範囲となり、この中で小さいものが好ましい。酸化ジルコニウムの粒子の粒度分布については平均粒子径が同じであっても粒度分布が広いと大きな粒子を含むことになり、研磨傷の原因となるのでシャープな粒度分布が好ましく、例えば二次粒子の粒度分布における径の小さい方からの累積９０重量％の粒子径と残りの１０重量％の粒子径の比Ｄ９０／Ｄ１０が３．０以内であるものが特に好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月8日(2003.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の表面に成膜を行なう膜の堆積方法において、
前記基材に予め所定の変位量の弾性変形を与えた状態で、該基材の表面に膜材料を所定の厚さになるまで堆積し、成膜完了後に前記基材の弾性変形を解除することを特徴とする健全な膜の堆積方法。
【請求項２】
前記基材は微細孔や微細溝を設けた半導体ウエハであり、該微細孔や微細溝を設けた半導体ウエハ表面に成膜する膜はメッキであり、さらに成膜完了後に半導体ウエハを変形前の無変形状態の形状に戻した後、該半導体ウエハ表面を化学機械研摩することによって微細孔や微細溝内のメッキを残して半導体ウエハ表面のメッキを除去することを特徴とする請求項１記載の健全な膜の堆積方法。
【請求項３】
基材の表面に成膜を行なう膜の堆積装置において、
前記基材に所定の弾性変形を付与し且つ解除する構造の弾性変形付与手段を具備すると共に、
該弾性変形付与手段に装着した基材の少なくとも成膜を行なう側の面を成膜液に浸すことを特徴とする堆積装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するため本発明は、基材の表面に成膜を行なう膜の堆積方法において、前記基材に予め所定の変位量の弾性変形を与えた状態で、該基材の表面に膜材料を所定の厚さになるまで堆積し、成膜完了後に前記基材の弾性変形を解除することによって健全な膜を得るように構成した。
即ち基材に予め問題となる内部応力と逆向きの応力を生じる変形を与えておき、この状態でその表面に成膜を行ない、成膜後に該変形を開放することによって堆積膜に生じる内部応力の大部分又は一部を相殺し、これによって健全な膜を得るのである。
なお前記基材の弾性変形は、該基材の表面に液体の静水圧を印加することによって行なっても良い。また前記基材の弾性変形は、該基材を所定形状の型に押し付けることによって行なっても良い。
また本発明は、基材の表面に成膜を行なう膜の堆積装置において、前記基材に所定の弾性変形を付与し且つ解除する構造の弾性変形付与手段を具備すると共に、該弾性変形付与手段に装着した基材の少なくとも成膜を行なう側の面を成膜液に浸すことによって堆積装置を構成した。
なお前記弾性変形付与手段は、基材の弾性変形を付与しようとする部分の両面に充満させた成膜液の内の一方の面側の成膜液を加圧手段によって加圧するように構成しても良い。また前記弾性変形付与手段は、基材の弾性変形を付与しようとする一方の面に基材の加圧手段を配置するとともに、他方の面に前記加圧手段によって弾性変形された基材を所定の変形形状に保持する型を配置して構成しても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月4日(2003.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】微細窪みの充填方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材表面の微細窪みに材料を液相を介して充填する方法において、メッキ液を前記基材と接触させる前に、前記微細窪み内に湿潤力又は浸透力の強い液体を供給し、該微細窪みの内面を濡らすことを特徴とする微細窪みの充填方法。
【請求項２】
前記微細窪みの開口幅は、５０Å以上でかつ１０，０００Å未満であることを特徴とする請求項１記載の微細窪みの充填方法。
【請求項３】
前記微細窪みの開口幅と深さの比は、０．１以上でかつ１．０未満であることを特徴とする請求項１又は２記載の微細窪みの充填方法。
【請求項４】
前記湿潤力又は浸透力の強い液体は、界面活性剤及び／又はフッ酸等の溶液であることを特徴とする請求項１記載の微細窪みの充填方法。
【請求項５】
前記湿潤力又は浸透力の強い液体の供給時に、前記基材を周波数２５Ｈｚ〜５ＭＨｚのエネルギで加振することを特徴とする請求項１記載の微細窪みの充填方法。
【請求項６】
前記材料を微細窪みに充填した後、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）により充填された材料の表面を平坦化することを特徴とする請求項１記載の微細窪みの充填方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、微細窪みの充填方法に係り、特に半導体素子の配線用溝等の微細窪みに銅（Ｃｕ）等の金属を充填するための充填方法に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は上述の事情に鑑みなされたもので、充填材料として銅又は銅合金等の電気比抵抗の小さい材料を用いることができ、かつ微細な配線用の溝等の微細窪みに銅又は銅合金等の電気比抵抗の小さい材料を充填することができる液相メッキ工程等の液相工程による微細窪みの充填方法を提供することを目的とする。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上述した目的を達成するため、本発明の充填方法は、基材表面の微細窪みに材料を液相を介して充填する方法において、メッキ液を前記基材と接触させる前に、前記微細窪み内に湿潤力又は浸透力の強い液体を供給し、該微細窪みの内面を濡らすことを特徴とするものである。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の微細窪み内部の成膜方法は、基材表面の微細な窪みの内部に基材と異なる材料を液相を介して膜状に堆積する微細窪み内部の成膜方法において、成膜液を前記基材と接触させる前に、前記微細窪み内に湿潤力又は浸透力の強い液体を供給し、該微細窪みの内面を濡らすようにしてもよい。
また、本発明の充填装置は、基材表面の微細窪みに基材と異なる材料を液相を介して充填する装置において、槽内に湿潤力又は浸透力の強い液体とメッキ液とを順次供給できるように構成し、メッキ液を前記基材と接触させる前に、前記微細窪み内に湿潤力又は浸透力の強い液体を供給し、該微細窪みの内面を濡らすようにしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月9日(2003.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器中において被めっき基板と常温常圧において液体である媒質とを共存させ、前記容器内部を該媒質の亜臨界又は超臨界状態に保持した後、前記媒質を気相状態を介することなく常温常圧まで変化させることを特徴とするめっき前処理方法。
【請求項２】
前記媒質は、水又はめっき液であることを特徴とする請求項１に記載のめっき前処理方法。
【請求項３】
前記媒質は、水より臨界圧力又は臨界温度の少なくとも一方が低いものであることを特徴とする請求項１に記載のめっき前処理方法。
【請求項４】
前記媒質は、アルコールであることを特徴とする請求項３に記載のめっき前処理方法。
【請求項５】
前記容器に前記媒質を充満させる前に前記容器内を真空にすることを特徴とする請求項１に記載のめっき前処理方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載のめっき前処理方法を行った後にめっきを行い、さらに基板に付着した金属の不要部分を化学機械研磨装置により研磨して除去することを特徴とする基板の加工方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
容器中にめっき基板を収納した後、前記媒質を液体状態で容器内に導入した後、亜臨界又は超臨界状態にするようにしてもよい。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
容器中にめっき基板を収納した後、前記媒質を気体状態で容器内に導入した後、亜臨界又は超臨界状態にするようにしてもよい。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
前記容器内に気体状態の媒質を導入する過程において前記容器内の圧力を１又は複数回圧力変動をさせるようにしてもよい。これにより、被めっき基板上に形成された微細窪みに存在する空気等の不凝縮ガスを取り出してから上述プロセスを行うことができるため、より完全に、迅速に微細窪みに液体を気泡なく流入させることができる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項６に記載の発明は、請求項１ないし５のいずれかに記載のめっき前処理方法を行った後にめっきを行い、さらに基板に付着した金属の不要部分を化学機械研磨装置により研磨して除去することを特徴とする基板の加工方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月18日(2003.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
また、パーフルオロポリエーテル基を持つアルコキシシラン化合物を塗布するに際しては、塗布されるべき基材（ＳｉＯ2）の表面が清浄化されていることが好ましいことは勿論である。清浄化に際しては、界面活性剤による汚れ除去、有機溶剤による脱脂、フッ素系溶剤による蒸気洗浄等が適用される。さらに、密着性、耐久性の向上を目的として各種の前処理を施すことも有効な手段であり、とくに好ましく用いられる方法としては活性化ガス処理、酸、アルカリなどによる薬品処理などが挙げられる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
これに対して、単に表面エネルギーを低下させるためにフッ素系溶剤および炭化水素系化合物を使用した比較例（比較例２〜比較例１６）では、表面滑り性や手垢の付きにくさで大きな差が生じ、目的の撥水性、耐汚染性、耐摩耗性をもった撥水処理ガラスを得ることはできない。また、従来の炭化水素系のシランカップリング剤を用いた比較例（比較例１７、比較例１８）でも、アルコール洗浄により、接触角が著しく低下し、目的の撥水性、耐汚染性、耐摩耗性をもった撥水処理ガラスを得ることはできない。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月1日(2003.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒形の坩堝中の結晶性物質を円筒形の側面ヒーターにより加熱し熔融させ、坩堝を引き下げることにより該結晶性物質を冷却して結晶化させる結晶製造装置において、該側面ヒーターを回転可能であることを特徴とする結晶製造装置。
【請求項２】
前記側面ヒーターは、側面ヒーター回転シャフトを介して接続された側面ヒーター回転用モーターにより回転され、該側面ヒーター回転シャフトの少なくとも一部が断熱部材からなることを特徴とする請求項１記載の結晶製造装置。
【請求項３】
円筒形の坩堝中の結晶性物質を側面ヒーターにより加熱し熔融させ、坩堝を引き下げることにより該結晶性物質を冷却して結晶化させる結晶製造装置において、該坩堝と該側面ヒーターとの間に回転可能な円筒形の均熱筒を設けたことを特徴とする結晶製造装置。
【請求項４】
前記均熱筒は、均熱筒回転シャフトを介して接続された均熱筒回転モーターにより回転され、該均熱筒回転シャフトの少なくとも一部が断熱部材からなることを特徴とする請求項３記載の結晶製造装置。
【請求項５】
前記断熱部材は、ＭｇＯ、セラミック、金属メッシュ、耐熱耐火煉瓦、多孔カーボンから選択される材料を含むことを特徴とする請求項２又は請求項４記載の結晶製造装置。
【請求項６】
前記坩堝は、前記結晶性物質を収容する領域を唯一有していることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の結晶製造装置。
【請求項７】
前記坩堝は、仕切り板を備え、前記結晶性物質を収容する領域が複数に分けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の結晶製造装置。
【請求項８】
前記仕切り板の少なくとも１つは孔を有し、該孔を介して上下に分けられた前記領域が連通していることを特徴とする請求項７記載の結晶製造装置。
【請求項９】
前記結晶性物質は蛍石であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項記載の結晶製造装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９に記載の結晶製造装置を使用して結晶を製造することを特徴とする結晶製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る結晶製造装置の模式的な断面図である。
本発明に係る結晶製造装置は、円筒形の坩堝中の結晶性物質（蛍石等）を上部・下部・側面のうち一ヶ所、もしくは複数ヶ所に設けられたヒーターにより加熱し溶融させ、坩堝を引き下げることにより該結晶性物質を冷却して結晶化させる結晶製造装置において、該側面ヒーターを回転させるための側面ヒーター回転機構を設けたことを特徴としている。
側面ヒーター回転機構は、側面ヒーターの上部、下部、側部のうち一ヶ所、もしくは複数ヶ所に設けられた側面ヒーター回転シャフトと該回転シャフトを回転させるための回転モーターとから構成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
図１における結晶製造装置は、炉室６を形成する筐体５と、炉室６内に配置され、例えばグラファイト製の側面ヒーター３とからなる。本例では、側面ヒーター３は上下が開放した円筒形をしている該側面ヒーター３には、側面ヒーター用電源８から電力が供給される。ここでは特に図示しないが、電力が供給される側面ヒーターの電極はブラシを用い、またそのブラシと該側面ヒーターの接触位置は側面ヒーターの上端と下端に位置し、該側面ヒーター３の回転に際し、常に一定の電力が供給可能な機構になっている。また、電力はヒーター用制御装置９によって制御される。
本実施例に係る坩堝は、前記原料である結晶性物質を収容する領域を唯一有している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
（第２の実施の形態）
図２は、本発明の第２の実施の形態に係る結晶製造装置の模式的な断面図である。第２の実施例は、第１の実施の形態と同じであるが、坩堝１内が仕切り板１ａにより複数の領域７に分けられている点のみが異なる。
前記仕切り板の少なくとも１つは、中央に孔を有し、該孔を介して上下の前記領域が連通している。
他の点は第１の実施の形態と同様である。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
（第３の実施の形態）
図３は、本発明の第３の実施の形態に係る結晶製造装置の模式的な断面図である。第３の実施の形態は、側面ヒーター３と坩堝１との間に、回転機構を備えた均熱筒１１を有する形態である。
本発明に係る結晶製造装置は、円筒形の坩堝中の結晶性物質を側面ヒーターにより加熱し溶融させ、坩堝を引き下げることにより該結晶性物質を冷却して結晶化させる結晶製造装置であって、該坩堝と該側面ヒーターとの間に円筒形の均熱筒と、該均熱筒を回転させるための均熱筒回転機構とを設けたことを特徴とする。
前記均熱筒回転機構は、均熱筒の上部、下部、測部のうち一ヶ所、もしくは複数ヶ所に設けられた均熱筒回転シャフトと該均熱筒回転シャフトを回転させるための回転モーターとからなる。
本実施例に係る坩堝は、前記原料である結晶性物質を収容する領域を唯一有している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
（第４の実施の形態）
図４は、本発明の第４の実施の形態に係る結晶製造装置の模式的な断面図である。第４の実施の形態は、第３の実施の形態と同じである、が坩堝１内が仕切り板１ａにより複数の領域７に分けられている点のみが異なる。
前記仕切り板の少なくとも１つは、中央に孔を有し、該孔を介して上下の前記領域が連通している。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月10日(2003.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単段の真空ドライポンプの排気側に、加圧、コンダクタンス変動または冷却のうちの少なくとも１つにより排ガス中の成分を捕捉し、捕捉した生成物を除去し再生する生成物処理部を付設したことを特徴とする真空ドライポンプ。
【請求項２】
多段の真空ドライポンプの各段の少なくとも１つの排気側に、加圧、コンダクタンス変動または冷却のうちの少なくとも１つにより排ガス中の成分を捕捉し、捕捉した生成物を除去し再生する生成物処理部を付設したことを特徴とする真空ドライポンプ。
【請求項３】
多段の真空ドライポンプの各段の少なくとも１つの排気側で、加圧、コンダクタンス変動または冷却のうちの少なくとも１つにより排ガス中の成分を捕捉し再生することを特徴とするトラップ方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、単段の真空ドライポンプの排気側に、加圧、コンダクタンス変動または冷却のうちの少なくとも１つにより排ガス中の成分を捕捉し、捕捉した生成物を除去し再生する生成物処理部を付設したことを特徴とする真空ドライポンプである。これにより、単段の真空ドライポンプにおいて最も生成物が析出し易い排出側での生成物の付着を防止し、排ガス中の成分（生成物）を捕捉後、再生処理をインラインで行って、真空ドライポンプ等の真空排気システムの保護及びダウンタイムの削減を図ることができる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項２に記載の発明は多段の真空ドライポンプの各段の少なくとも１つの排気側に、加圧、コンダクタンス変動または冷却のうちの少なくとも１つにより排ガス中の成分を捕捉し、捕捉した生成物を除去し再生する生成物処理部を付設したことを特徴とする真空ドライポンプである。これにより、排ガスが徐々に昇圧される多段の真空ドライポンプを使用し、真空ドライポンプの中で生成物が析出し易い場所に生成物処理部を付設することで、真空ドライポンプの内部に生成物が析出することを防止し、排ガス中の成分（生成物）を捕捉後、再生処理をインラインで行って、真空ドライポンプ等の真空排気システムの保護及びダウンタイムを削減することができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2001342950.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月26日(2003.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施の形態にかかるハンドル錠を図１ないし図１１を参照して説明する。図１は施錠状態のハンドル錠の正面図、図２は、図１に示されたハンドル錠の横断面図、図３は図１中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図、図４は図２中のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図、図５は図１のＶ−Ｖ線に沿った断面図、図６ないし図１１はカバー部材を示す説明図である。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
ハンドル３は、図２中に実線で示す操作部１３が扉の表面と略面一な施錠位置と、図２中に二点鎖線で示すハンドルケース２の前壁１０から突出する即ち扉の表面から突出する解錠位置と、に亘ってハンドルケース２即ち扉から突没自在に設けられている。操作部１３は、前記施錠位置において収容凹部１１内に収容される。このため、施錠位置では、操作部１３を握って回動操作することはできない。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
また、図示例では、カバー部材８をハンドル３に対し固定するスプリングピン３８を備えている。スプリングピン３８は、筒部１２を外方向から内方向に向かって貫通して切欠部３７に係止する。スプリングピン３８は、カバー部材８が軸線Ｐに沿ってハンドル３から脱落することを防止する。前記カバー部材８は最終的に固定金具６により固定されるが、スプリングピン３８で予め係止しておくことにより、現場での錠ユニット５の取付作業が容易になる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
請求項２に記載された本発明によれば、カバー部材の固定部材より操作部の表面から離れた位置まで延在した延在部がハンドルに係合しているので、ハンドルの表面に近い位置が柔らかくなってもカバー部材のハンドルに対する回転が規制された状態を維持する。このため、錠ユニットと固定部材との双方が回転しようとしても、少なくとも一方がカバー部材により確実に接触する。したがって、ハンドルが加熱されるなどしても、固定部材と錠ユニットが回転することが規制されるので、錠ユニットのロックが解除することをより確実に防止できる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月13日(2003.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分散媒と、該分散媒に分散した砥粒とを含み、
上記砥粒は、
上記分散媒への２５℃における溶解度が０．００１ｇ／１００ｇ以上であり、
Ｃｅ化合物、Ｃｕ化合物及びＮＨ４化合物のうちの少なくともいずれかの化合物の結晶を含むことを特徴とする研磨剤。
【請求項２】
上記砥粒は、
Ce2(SO4)3、Ce(IO3)3、Ce2Mg3(NO3)12・24H2O、Ce(NH4)(NO3)6、Ce(NO3)4、Ce2(WO4)3、Ce (NH4)2(NO3)5・4H2O、
CuBr2、CuCl2、Cu(ClO3)2、Cu(NO3)2、CuSO4、CuCl2、Cu(ClO4)2・6H2O、CuCrO4、CuF2・2H2O、CuI、CuI2、CuK2(SO4)・6H2O、Cu(NH4)2Cl4・2H2O、Cu(NH4)2(SO4)2・6H2O、CuSeO4・5H2O、Cu(SiF6)・4H2O、Cu(SO3NH2)2、
NH4Br、NH4Cl、NH4ClO4、(NH4)2CrO4、(NH4)Cr2O7、NH4F、NH4HCO3、NH4H2PO4、(NH4)2HPO4、NH4I、NH4NO3、NH4SCN、(NH4)2SO4、(NH4)2S2O8、(NH3OH)Cl、(NH4)2CO3、NH4HF2、NH4N3及びNH4NO3
のうちの少なくともいずれかである請求項１記載の研磨剤。
【請求項３】
分散媒と、該分散媒に分散した砥粒とを含み、
上記砥粒は、
上記分散媒への２５℃における溶解度が０．００１ｇ／１００ｇ以上である有機酸、有機酸塩及びそれらの水和化合物のうちの少なくともいずれかの有機物の結晶を含むことを特徴とする研磨剤。
【請求項４】
上記有機物は、
アジピン酸、クエン酸、クエン酸水和物、クロロ酢酸、コハク酸、シュウ酸塩、シュウ酸水和物、酒石酸、ニコチン酸、マロン酸、ＤＬ−マンデル酸、ＤＬ−リンゴ酸、吉草酸塩、グルコン酸塩、ケイ皮酸塩、酢酸塩、サリチル酸塩、トリクロロ酢酸、ナフタレンスルホン酸塩、馬尿酸、フェノキシ酢酸塩、フマル酸塩、酪酸塩、
オロト酸エステル塩、
ショ糖、グリセロリン酸塩、
コデインリン酸塩ニ水和物及びスクシンイミド水和物
のうちの少なくともいずれかであることを特徴とする請求項４又は５記載の研磨剤。
【請求項５】
上記分散媒は、
（１）フッ化水素酸、塩酸、硫酸、硝酸、酢酸及び有機酸のうちの少なくともいずれかの酸を含む酸性溶液、
（２）アンモニア水、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム及びアミンのうちの少なくともいずれかの塩基を含むアルカリ性溶液、
（３）上記酸と上記塩基との塩を含む溶液、
（４）水、又は
（５）有機溶剤
であることを特徴とする請求項１又は３記載の研磨剤。
【請求項６】
上記分散媒は、
陽イオン界面活性剤、陰イオン界面活性剤、両性界面活性剤及び有機溶剤のうちの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項１又は３記載の研磨剤。
【請求項７】
上記分散媒への２５℃における溶解度が０．００１ｇ／１００ｇ未満である化合物を含まないことを特徴とする請求項１又は３記載の研磨剤。
【請求項８】
請求項１又は３記載の研磨剤を用いて半導体基板の表面を研磨することを特徴とする半導体基板の研磨方法。
【請求項９】
研磨中に、研磨剤中の砥粒の分散量を動的に変化させつつ半導体基板の表面を研磨することを特徴とする半導体基板の研磨方法。
【請求項１０】
研磨中に上記研磨剤中の分散媒の量を変化させることにより上記砥粒の一部を分散媒中に溶解又は析出させて、上記研磨剤中に固体として分散する上記砥粒の分散量を変化させることを特徴とする請求項９記載の半導体基板の研磨方法。
【請求項１１】
研磨中に上記研磨剤の温度を変化させることにより上記砥粒の上記分散媒への溶解度を変化させて、上記研磨剤中に固体として分散する上記砥粒の分散量を変化させることを特徴とする請求項９記載の半導体基板の研磨方法。
【請求項１２】
請求項８記載の研磨方法を用いて半導体基板の表面を研磨する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月16日(2003.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また押圧式締結構造の炭化炉蓋１の上方側に、石炭装入口から炭化炉に装入された石炭層の表面を掻き均すレベラー（図示せず）の出入口が設けられている。なお、図１は、コークス押出機側の押圧式締結構造の炭化炉蓋１を示したものである。また図２は図１で示すレベラー出入口近傍の拡大図を示したもので、正面拡大図（ａ）とその（ａ）のＹ−Ｙ線一部切欠断面図（ｂ）を示す。図２において、１５は石炭層表面レベラー装入用開口孔で、押圧式締結構造の炭化炉蓋１の耐熱シール積層プレート９を経て炭化炉壁１４を貫通して炭化炉２に通じる様に穿設されている。１６は石炭層表面レベラーのガイド用外枠部材で、炉内側には石炭層表面レベラー挿通用の耐熱内枠部材１７が連接され、石炭層表面レベラー装入用開口孔１５に装着されている。この場合、石炭層表面レベラーガイド外枠部材１６と石炭層表面レベラー挿通用耐熱内枠部材１７との連接間に、気密性を保持するために、耐熱性パッキングシート（図示せず）を挟み込んでもよい。石炭層表面レベラーガイド外枠部材１６は、炭化炉２に装入される進退自在なレベラー（図示せず）を支持するものであって、その外径と内径の大きさおよび部材長さについては特に限定するものでないが、特に内径については、石炭層表面レベラーを円滑に挿通するため、石炭層表面レベラー挿通用耐熱内枠部材１７と同じサイズが好ましい。また石炭層表面レベラー挿通用耐熱内枠部材１７は、レベラーを装入した際に炭化炉２から流出する高温度の炉内ガスに煽られて焼損を防止するため耐熱性材料を使用し、しかも先端部が炭化炉２内に突出する事のない位置で石炭層表面レベラー装入用開口孔１５に遊嵌する事によって、高温度の炉内熱の影響が遠ざけられ、該内枠部材１７の膨張による炭化炉壁１４の亀裂の発生を防止する。さらに該内枠部材１７の外周を炭化炉壁１４との遊嵌間隙を狭める大きさに形成する事によって、高温度の炉内発生ガスの流出を防止し、該内枠部材１７ならびにその近傍の耐熱シール積層プレート９などの付帯部材の過熱と焼損を防止して気密性を保持する効果を奏する。すなわち、本発明において、石炭層表面レベラー挿通用耐熱内枠部材１７は、熱容量と熱変形抵抗を大ならしめて形状性を保持しかつ炭化炉壁１４との遊嵌間隙内を流出する炉内ガス圧を高めて堰止め気密性を保持するために、長さ（炉内ガス流出方向の長さ）が口径対角線長さの２０〜５０％でかつ外径が炭化炉壁１４に接近する大きさに限定する必要がある。特に本発明において、口径対角線長さから石炭層表面レベラー挿通用耐熱内枠部材１７の長さを規定する事は、該内枠部材１７を流出する炉内ガスの滞留時間を短縮し、しかも外径を炭化炉壁１４に接近させるほど分厚くする事により熱容量が大きくなり、高温度の熱に対する変形抵抗が大きくなって形状性を安定に保持する効果を奏する。その効果は、２０％未満の短い長さでは前記した内枠部材１７を流出する炉内ガスの滞留時間が短いため、炉内ガスの温度が下げられず、炉内側の耐熱シール積層プレート９など付帯部材を過熱し焼損する問題がある。その反対に５０％を越える長い内枠部材１７は、必要以上に加熱され変形し、走行する石炭層表面レベラーの障害となる。この場合、石炭層表面レベラー挿通用耐熱内枠部材１７および炭化炉壁１４との間の遊嵌間隙が無く密に接合する事は、該内枠部材１７および炭化炉壁１４の熱膨脹による応力が干渉し合い、相方の形状に変化ならしめ気密性を劣化する問題から避けなければならない。なお、本発明において石炭層表面レベラー挿通用耐熱内枠部材１７の断面形状は、特に限定するものでなく丸形、正四角形、長方形などいかなる形状でもよい。また本発明においては、石炭層表面レベラー挿通用耐熱内枠部材１７と炭化炉壁１４との間の遊嵌間隙に直面する耐熱シール積層プレート９の過熱による焼損を防止するために、必要によっては炉内側には防熱シート１８を内張りしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月11日(2003.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバー内に基材と該基材に対向して配置した導電材からなるターゲットを配置し、該基材とターゲット間に電圧を印加すると共に、該チャンバー内にスパッタガスを導入して、イオン化及び加速された粒子を該ターゲットに衝突させ、該ターゲットから跳び出した導電材粒子を前記基材に堆積させ、該基材に予め形成した微細な凹みを被覆、又は埋込んで配線を形成するスパッタリングによる配線形成方法であって、
前記ターゲット材料の結晶の粒径を６０μｍ以下とすることを特徴とするスパッタリングによる配線形成方法。
【請求項２】
チャンバーと、該チャンバー内に対向して配置した基材とターゲットと、電圧源と、スパッタガス源を具備し、該基材とターゲット間に電圧源から電圧を印加すると共に、該チャンバー内にスパッタガス源からスパッタガスを導入して、イオン化及び加速された粒子を該ターゲットに衝突させ、該ターゲットから跳び出した導電材粒子を前記基材に堆積させ、該基材に予め形成した微細な凹みを被覆、又は埋込んで配線を形成するスパッタリングによる配線形成装置であって、
前記ターゲットに結晶の粒径が６０μｍ以下の導電材を用いたことを特徴とするスパッタリングによる配線形成装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のスパッタリングによる配線形成方法又は配線形成装置において、
前記基材とターゲット間に印加する電圧を１，０００Ｖ以上とすることを特徴とするスパッタリングによる配線形成方法又は配線形成装置。
【請求項４】
チャンバー内に基材と該基材に対向して配置した導電材からなるターゲットを配置し、該基材とターゲット間に電圧を印加すると共に、該チャンバー内にスパッタガスを導入して、イオン化及び加速された粒子を該ターゲットに衝突させ、該ターゲットから跳び出した導電材粒子を前記基材に堆積させ、該基材に予め形成した微細な凹みを被覆、又は埋込んで配線を形成するスパッタリングによる配線形成方法に用いるターゲット材料であって、
前記ターゲット材料の結晶の粒径が６０μｍ以下であることを特徴とするスパッタリングによる配線形成方法に用いるターゲット材料。
【請求項５】
請求項４に記載のスパッタリングによる配線形成方法に用いるターゲット材料であって、
前記ターゲット材料の結晶の粒径が６０μｍ以下の銅又は銅合金であることを特徴とするスパッタリングによる配線形成方法に用いるターゲット材料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため請求項１に記載の発明は、チャンバー内に基材と該基材に対向して配置した導電材からなるターゲットを配置し、該基材とターゲット間に電圧を印加すると共に、該チャンバー内にスパッタガスを導入して、イオン化及び加速された粒子を該ターゲットに衝突させ、該ターゲットから跳び出した導電材粒子を基材に堆積させ、該基材に予め形成した微細な凹みを被覆、又は埋込んで配線を形成するスパッタリングによる配線形成方法であって、ターゲット材料の結晶の粒径を６０μｍ以下とすることを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、請求項２に記載の発明は、チャンバーと、該チャンバー内に対向して配置した基材とターゲットと、電圧源と、スパッタガス源を具備し、該基材とターゲット間に電圧源から電圧を印加すると共に、該チャンバー内にスパッタガス源からスパッタガスを導入して、イオン化及び加速された粒子を該ターゲットに衝突させ、該ターゲットから跳び出した導電材粒子を前記基材に堆積させ、該基材に予め形成した微細な凹みを被覆、又は埋込んで配線を形成するスパッタリングによる配線形成装置であって、ターゲットに結晶の粒径が６０μｍ以下の導電材を用いたことを特徴とする。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、請求項４に記載の発明は、チャンバー内に基材と該基材に対向して配置した導電材からなるターゲットを配置し、該基材とターゲット間に電圧を印加すると共に、該チャンバー内にスパッタガスを導入して、イオン化及び加速された粒子を該ターゲットに衝突させ、該ターゲットから跳び出した導電材粒子を基材に堆積させ、該基材に予め形成した微細な凹みを被覆、又は埋込んで配線を形成するスパッタリングによる配線形成方法に用いるターゲット材料であって、ターゲット材料の結晶の粒径が６０μｍ以下であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月19日(2003.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報中継装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信ネットワークに接続され、該通信ネットワークとの間で前記パケットを送受信するためのパケット送受信手段と、
１個以上の前記パケット送受信手段と接続し、前記パケットを転送できるようにするパケット処理手段と、を備えた情報中継装置において、
パケット送受信手段が送受信する前記パケットに関する統計情報を収集する統計情報収集手段と、
該統計情報収集手段が収集した統計情報を取得して蓄積し、蓄積した統計情報に特定の変化があったときには通知イベントを発生させる統計情報管理手段と、
該統計情報管理手段から呼び出され、前記統計情報、または前記統計情報の変化を表す通知イベント、またはその両方を、あらかじめ登録された統計情報利用手段に通知する統計情報通知手段と、
該統計情報通知手段からの通知を受信するとあらかじめ設定された条件により動作を変化させる前記統計情報利用手段と、を備えたことを特徴とする情報中継装置。
【請求項２】
請求項１に記載された情報中継装置であって、
前記統計情報利用手段は、前記統計情報に変化があった場合に、あらかじめ設定されたネットワーク管理装置に対してネットワーク管理用トラップを送信するネットワーク管理エージェント手段を備えたことを特徴とする情報中継装置。
【請求項３】
請求項１に記載された情報中継装置であって、
前記統計情報利用手段は、前記統計情報に変化があった場合に、あらかじめ設定された管理者宛に電子メールを送信する電子メール送信手段を備えたことを特徴とする情報中継装置
【請求項４】
請求項１に記載された情報中継装置であって、
前記統計情報利用手段は、前記統計情報に変化があった場合に、あらかじめ設定された条件にしたがって経路制御プロトコルで使用するネットワークパラメータを変化させる経路制御プロトコル処理手段を備えたことを特徴とする情報中継装置。
【請求項５】
請求項１に記載された情報中継装置であって、
前記統計情報利用手段は、前記統計情報に変化があった場合に、あらかじめ設定された条件にしたがって複数の経路から特定の経路を選択する際の選択方法を変化させる複数経路選択手段を備えたことを特徴とする情報中継装置。
【請求項６】
請求項１に記載された情報中継装置であって、
前記統計情報利用手段は、前記統計情報に変化があった場合に、あらかじめ設定された条件にしたがって隣接する情報中継装置と連携して特定のパケット中継用の経路を設定する経路設定手段を備えたことを特徴とする情報中継装置。
【請求項７】
請求項１に記載された情報中継装置であって、
前記統計情報、または前記統計情報の変化を表すイベント、またはその両方を視覚的に表示する統計情報表示手段と、
前記統計情報に変化があった場合に、あらかじめ設定された条件にしたがって該統計情報表示手段の表示内容を変化させる統計情報表示制御手段と、を備えたことを特徴とする情報中継装置。
【請求項８】
請求項１に記載された情報中継装置であって、
前記統計情報管理手段が前記統計情報からイベントを生成するための条件の定義、設定、変更のいずれかをあらかじめ装置利用者が実施するためのユーザインタフェース手段を備えたことを特徴とする情報中継装置。
【請求項９】
請求項１に記載された情報中継装置であって、  前記統計管理手段が収集した前記統計情報をファイル装置に記録する、または前記ファイル装置に記録された前記統計情報を前記統計情報利用手段が利用可能にする、統計情報記録手段を備えたことを特徴とする情報中継装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月30日(2003.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】直流電源装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流商用電源を直流に変換する直流電源装置本体と、直流電源装置本体に交流商用電源を供給するコードと、直流電源装置本体で変換された直流電源をコードレス電動工具に供給するコードと、該コードに接続されコードレス電動工具に嵌合するアダプタとからなる直流電源装置において、
前記アダプタは、前記コードレス電動工具に供給する電圧を設定する電圧設定手段と、該電圧設定手段と連動して少なくとも前記電圧設定手段で設定した設定電圧より小さい定格電圧のコードレス電動工具には接続できないように動作する接続防止機構とを有し、複数の定格電圧のコードレス電動工具に接続可能としたをことを特徴とする直流電源装置。
【請求項２】
前記接続防止機構は前記電圧設定手段で設定した電圧以外の定格電圧のコードレス電動工具には接続できないように動作することを特徴とする請求項１記載の直流電源装置。
【請求項３】
交流商用電源を直流に変換する直流電源装置本体と、直流電源装置本体に交流商用電源を供給するコードと、直流電源装置本体で変換された直流電源をコードレス電動工具に供給するコードと、該コードに接続されコードレス電動工具に嵌合するアダプタとからなる直流電源装置において、
前記アダプタは、前記コードレス電動工具に供給する電圧を設定する電圧設定手段と、該電圧設定手段と連動して少なくとも前記電圧設定手段で設定した設定電圧より小さい定格電圧のコードレス電動工具には接続できないように動作する装着手段とを有し、複数の定格電圧のコードレス電動工具に接続可能としたをことを特徴とする直流電源装置。
【請求項４】
前記装着手段は前記電圧設定手段で設定した電圧以外の定格電圧のコードレス電動工具には接続できないように動作することを特徴とする請求項１記載の直流電源装置。
【請求項５】
前記電圧設定手段を前記アダプタの嵌合部に設けたことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４いずれか１項記載の直流電源装置。
【請求項６】
前記電圧設定手段に、プラス・マイナス反対にコードレス電動工具に接続できないようにする機能を持たせたことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５いずれか記載の直流電源装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2001230034.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成15年1月31日(2003.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
このような画像形成装置においては、使用により感光体ドラムに傷が付くことがあるため、サービスマンが感光体ドラムの交換を行なう。ところで、図６に示すように、感光体ドラムの形状が同じ又は似ており、ドラム性能が異なる感光体ドラムが存在する場合がある。例えば、画像形成装置Ａに画像形成装置Ｂ用の感光体ドラムを誤って組み込んでしまうと、画像形成装置として機能しなくなったり、装置を損傷してしまうという問題がある。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
定着部５０は、一対のローラ５１，５２を有し、転写紙を加熱、加圧し、この加熱、加圧された転写紙にトナー像を定着する。定着部５０の後段に配置された切換ゲート１００によって転写紙の搬送経路が排出側と、再搬送側に切り替えられる。切換ゲート１００の切り換えは、レジスト制御部７０からの転写紙の送出しのタイミングによって行なわれる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月1日(2003.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光をライトバルブ手段に照射し、前記ライトバルブ手段から出射された光を投射する光学装置において、
送風手段と、前記送風手段から前記光学装置の水平方向に延び、前記ライトバルブ手段の下方に至り、さらに前記ライトバルブ手段の下方から上方に送風する送風路と、前記送風手段の略近傍から前記ライトバルブ手段の略近傍までの送風路に設けられ、複数の流路を形成するための案内部材とから構成し、該案内部材によって、前記複数の流路の排出側の流速のうち二つ以上の流路の流速が各々異なるように構成することを特徴とする光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光学装置において、前記流路の出口が前記ライトバルブ手段の位置に略合致するようにその断面形状を前記案内部材によって変化させることを特徴とする光学装置。
【請求項３】
請求項１又は２の何れか一項に記載の光学装置において、前記流路は吸入側の断面積が排出側の断面積に対して大きく形成されることを特徴とする光学装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の光学装置において、前記案内部材は固定部および可動部から構成されることを特徴とする光学装置。
【請求項５】
請求項４に記載の光学装置において、前記可動部は調整可能な構成であることを特徴とする光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の光学装置において、前記ライトバルブ手段は第１のライトバルブ手段、第２のライトバルブ手段、第３のライトバルブ手段を有し、前記流路の一部を円弧状に構成し、前記第１、第２、第３のライトバルブ手段のうち発熱量の大きいライトバルブ手段を冷却する流路が、前記円弧状の流路の円周方向の外側になるよう構成することを特徴とする光学装置。
【請求項７】
請求項６に記載の光学装置において、前記複数の流路は前記第１のライトバルブ手段を冷却する第１の流路と、前記第２のライトバルブ手段と第３のライトバルブ手段を冷却する第２の流路とを有することを特徴とする光学装置。
【請求項８】
請求項７に記載の光学装置において、前記第２の流路は前記第２のライトバルブ手段を冷却する第３の流路と、前記第３のライトバルブ手段を冷却する第４の流路とから構成されることを特徴とする光学装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月8日(2003.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光をライトバルブ手段に照射し、該ライトバルブ手段から出射した光を投射する光学装置であって、
該光学装置の筐体側面に設けられた吸入口と、
該吸入口を介して外気を取り入れ、送風するための送風手段と、
該送風手段の出口から前記ライトバルブ手段の間に設けられた送風路とを有し、
該送風路は、該送風路内に設けられた案内部材により２つの流路が構成され、該２つの流路のそれぞれを通る風は、前記ライトバルブ手段の入射側と出射側のそれぞれを冷却することを特徴とする光学装置。
【請求項２】
前記送風手段は、前記吸入口から第１の方向で空気を吸入し、第１の方向に対して略垂直な第２の方向に送風出力する遠心ファンであることを特徴とする請求項１に記載の光学装置。
【請求項３】
前記筐体の何れかの側面に設けられた排気口と、
該排気口を通して排気するための排気手段とを設けたことを特徴とする請求項１乃至請求項２の何れか一項に記載の光学装置。
【請求項４】
前記排気口は前記吸入口が設けられている前記筐体側面とは異なる側面に設けられたことを特徴とする請求項３に記載の光学装置。