【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年2月20日(2014.2.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノード、カソードおよび前記アノードとカソードの間に配置された少なくとも一つの光活性領域を含む有機感光性光電子工学装置であって、
前記少なくとも一つの光活性領域が、少なくとも一つの一重項分裂ホスト物質および少なくとも一つの三重項形成ドーパント物質を含む少なくとも一つの有機光電導性物質を含み、
前記少なくとも一つの一重項分裂ホスト物質の量が、前記少なくとも一つの三重項形成ドーパント物質の量よりも大きく、
前記少なくとも一つの三重項ドーパント物質が、光がドーパントにより吸収された後に三重項励起子を形成し、
前記少なくとも一つの一重項分裂ホスト物質が下記の化合物から選択される：
【化１】
2010537407.tif 000001
感光性光電子工学装置。
【請求項２】
前記少なくとも一つの一重項分裂ホスト物質が、Ｅ（Ｓ１）， Ｅ（Ｔ２） ＞ ２Ｅ（Ｔ１）の要件を満足する、請求項１に記載の感光性光電子工学装置；
式中、Ｅ（Ｓ１）は最も低い励起一重項状態の励起エネルギーであり、Ｅ（Ｔ２）はより高い三重項状態の励起エネルギーであり、Ｅ（Ｔ１）は最も低い三重項状態の励起エネルギー、である。
【請求項３】
前記少なくとも一つの三重項形成ドーパント物質が、前記少なくとも一つの一重項分裂ホスト物質のエネルギーよりも高い三重項エネルギーを有する、請求項１または２に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項４】
前記少なくとも一つの三重項形成ドーパント物質が、約０．５ｅＶよりも小さい一重項−三重項ギャップを有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項５】
前記少なくとも一つの三重項形成ドーパント物質が、太陽光域の赤色および近赤外領域の光を吸収する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項６】
前記少なくとも一つの三重項形成ドーパント物質が、ポルフィリン化合物およびフタロシアニン錯体の少なくとも一つから選択される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項７】
前記少なくとも一つのポルフィリン化合物が非平面状である、請求項６に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項８】
少なくとも一つの非平面状ポルフィリンが、化学式（Ｉ）を有する化合物の群から選択される、請求項７に記載の感光性光電子工学装置：
【化２】
2010537407.tif 000002
式中、
ＭはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｔｃ，Ｒｅ，Ｆｅ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｐｏ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ，Ａｔ，ランタニド，アクチニド，および２Ｈから選択され；
Ｒ’はＣｌ，Ｂｒ，Ｉ，Ａｔおよびポルフィリンのメソ炭素に結合する原子価原子を含む基からそれぞれ独立して選択され、前記原子価原子はＢ，Ｃ，Ｎ，Ｏ，Ｓｉ，Ｐ，Ｓ，Ｃｌ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｂｒ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｉ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｐｏ およびＡｔから選択され；
ＲはＣｌ，Ｂｒ，Ｉ，Ａｔおよびピロール環のβ炭素に結合する原子価原子を含む基からそれぞれ独立に選択され、前記原子価原子はポルフィリンのメソ炭素に結合する原子価原子を含む群からそれぞれ独立して選択され、前記原子価原子はＢ，Ｃ，Ｎ，Ｏ，Ｓｉ，Ｐ，Ｓ，Ｃｌ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｂｒ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｉ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｂｉ，ＰｏおよびＡｔから選択され、同じピロール環に、当該ピロール環の二つのβ炭素とともに結合する隣接する二つのＲ基は、炭素環基またはヘテロ環基を形成していてもよい。
【請求項９】
少なくとも一つのＲ’およびＲ基における前記原子価原子が、Ｃである、請求項８に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項１０】
少なくとも一つのＲ’またはＲ基がアルキル基、置換されたアルキル基、アルケニル基、置換されたアルケニル基、アルキニル基、置換されたアルキニル基、シクロアルキル基、置換されたシクロアルキル基、シクロアルケニル基、置換されたシクロアルケニル基、シクロアルキニル基、置換されたシクロアルキニル基、アリール基、置換されたアリール基、ヘテロ環基、および置換されたヘテロ環基からなる群からそれぞれ独立して選択される、請求項８または９に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項１１】
前記置換されたアルキル基が、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、シクロアルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルケニロキシ基、アルキニロキシ基、シクロアルコキシ基、シクロアルケニロキシ基、シクロアルキニロキシ基、アリールオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、シクロアルケニルカルボニルオキシ基、シクロアルキニルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、チオール基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、シクロアルケニルチオ基、シクロアルキニルチオ基、アリールチオ基、ホルミル基、アシル基、カルバモイル基、少なくとも一つのアルキル基、アルケニル基、またはアルキニル基で置換されていてもよいアミノ基、アシルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アルキルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アルケニルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アルキニルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−シクロアルキルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−シクロアルケニルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アリールアミノ基、ニトロ基、ヘテロ環基およびハロゲン原子からそれぞれ独立して選択される少なくとも一つのラジカルによって置換され、
前記置換されたアルケニル基が、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、シクロアルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルケニロキシ基、アルキニロキシ基、シクロアルコキシ基、シクロアルケニロキシ基、シクロアルキニロキシ基、アリールオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、シクロアルケニルカルボニルオキシ基、シクロアルキニルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、チオール基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、シクロアルケニルチオ基、シクロアルキニルチオ基、アリールチオ基、ホルミル基、アシル基、カルバモイル基、少なくとも一つのアルキル基、アルケニル基、またはアルキニル基で置換されていてもよいアミノ基、アシルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アルキルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アルケニルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アルキニルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−シクロアルキルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−シクロアルケニルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アリールアミノ基、ニトロ基、ヘテロ環基およびハロゲン原子からそれぞれ独立して選択される少なくとも一つのラジカルによって置換され、
前記置換されたアルキニル基が、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、シクロアルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルケニロキシ基、アルキニロキシ基、シクロアルコキシ基、シクロアルケニロキシ基、シクロアルキニロキシ基、アリールオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、シクロアルケニルカルボニルオキシ基、シクロアルキニルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、チオール基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、シクロアルケニルチオ基、シクロアルキニルチオ基、アリールチオ基、ホルミル基、アシル基、カルバモイル基、少なくとも一つのアルキル基、アルケニル基、またはアルキニル基で置換されていてもよいアミノ基、アシルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アルキルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アルケニルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アルキニルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−シクロアルキルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−シクロアルケニルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アリールアミノ基、ニトロ基、ヘテロ環基およびハロゲン原子からそれぞれ独立して選択される少なくとも一つのラジカルによって置換され、
前記置換されたシクロアルキル基が、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、シクロアルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルケニロキシ基、アルキニロキシ基、シクロアルコキシ基、シクロアルケニロキシ基、シクロアルキニロキシ基、アリールオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、シクロアルケニルカルボニルオキシ基、シクロアルキニルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、チオール基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、シクロアルケニルチオ基、シクロアルキニルチオ基、アリールチオ基、ホルミル基、アシル基、カルバモイル基、少なくとも一つのアルキル基、アルケニル基、またはアルキニル基で置換されていてもよいアミノ基、アシルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アルキルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アルケニルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アルキニルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−シクロアルキルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−シクロアルケニルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アリールアミノ基、ニトロ基、ヘテロ環基およびハロゲン原子からそれぞれ独立して選択される少なくとも一つのラジカルによって置換され、
前記置換されたシクロアルケニル基が、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、シクロアルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルケニロキシ基、アルキニロキシ基、シクロアルコキシ基、シクロアルケニロキシ基、シクロアルキニロキシ基、アリールオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、シクロアルケニルカルボニルオキシ基、シクロアルキニルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、チオール基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、シクロアルケニルチオ基、シクロアルキニルチオ基、アリールチオ基、ホルミル基、アシル基、カルバモイル基、少なくとも一つのアルキル基、アルケニル基、またはアルキニル基で置換されていてもよいアミノ基、アシルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アルキルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アルケニルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アルキニルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−シクロアルキルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−シクロアルケニルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アリールアミノ基、ニトロ基、ヘテロ環基およびハロゲン原子からそれぞれ独立して選択される少なくとも一つのラジカルによって置換され、
前記置換されたシクロアルキニル基が、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、シクロアルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルケニロキシ基、アルキニロキシ基、シクロアルコキシ基、シクロアルケニロキシ基、シクロアルキニロキシ基、アリールオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、シクロアルケニルカルボニルオキシ基、シクロアルキニルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、チオール基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、シクロアルケニルチオ基、シクロアルキニルチオ基、アリールチオ基、ホルミル基、アシル基、カルバモイル基、少なくとも一つのアルキル基、アルケニル基、またはアルキニル基で置換されていてもよいアミノ基、アシルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アルキルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アルケニルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アルキニルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−シクロアルキルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−シクロアルケニルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アリールアミノ基、ニトロ基、ヘテロ環基およびハロゲン原子からそれぞれ独立して選択される少なくとも一つのラジカルによって置換され、
前記置換されたアリール基が、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、シクロアルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルケニロキシ基、アルキニロキシ基、シクロアルコキシ基、シクロアルケニロキシ基、シクロアルキニロキシ基、アリールオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、シクロアルケニルカルボニルオキシ基、シクロアルキニルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、チオール基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、シクロアルケニルチオ基、シクロアルキニルチオ基、アリールチオ基、ホルミル基、アシル基、カルバモイル基、少なくとも一つのアルキル基、アルケニル基、またはアルキニル基で置換されていてもよいアミノ基、アシルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アルキルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アルケニルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アルキニルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−シクロアルキルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−シクロアルケニルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アリールアミノ基、ニトロ基、ヘテロ環基およびハロゲン原子からそれぞれ独立して選択される少なくとも一つのラジカルによって置換され、
前記置換されたヘテロ環基が、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、シクロアルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルケニロキシ基、アルキニロキシ基、シクロアルコキシ基、シクロアルケニロキシ基、シクロアルキニロキシ基、アリールオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、シクロアルケニルカルボニルオキシ基、シクロアルキニルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、チオール基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、シクロアルケニルチオ基、シクロアルキニルチオ基、アリールチオ基、ホルミル基、アシル基、カルバモイル基、少なくとも一つのアルキル基、アルケニル基、またはアルキニル基で置換されていてもよいアミノ基、アシルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アルキルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アルケニルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アルキニルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−シクロアルキルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−シクロアルケニルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アリールアミノ基、ニトロ基、ヘテロ環基およびハロゲン原子からそれぞれ独立して選択される少なくとも一つのラジカルによって置換される、請求項１０に記載の感光性光電子工学装置
【請求項１２】
少なくとも一つのピロール環の二つのβ炭素原子と一緒になった少なくとも一つのピロール環の隣接した２つのＲ基が、炭素環基、または置換された炭素環基、ヘテロ環基、または置換されたヘテロ環基を形成する、請求項８〜１１のいずれか一項に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項１３】
少なくとも一つのピロール環の二つのβ炭素原子と一緒になった少なくとも一つのピロール環の隣接した２つのＲ基が、炭素環基、または置換された炭素環基を形成する、請求項１２に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項１４】
前記炭素環基または置換された炭素環基が大員環またはベンズアヌレンのπ系である、請求項１３に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項１５】
前記炭素環基または置換された炭素環基が芳香族である、請求項１３に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項１６】
少なくとも一つのピロール環の二つのβ炭素原子と一緒になった少なくとも一つのピロール環の隣接した２つのＲ基が、ヘテロ環基または置換されたヘテロ環基を形成する、請求項１２〜１５のいずれか一項に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項１７】
前記ヘテロ環基または置換されたヘテロ環基が芳香族である、請求項１６に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項１８】
少なくとも一つのＲ’またはＲ基がフェニル、トリル、キシレニル、メシチル、メチル、エチル、ｎ−プロピルまたはイソプロピルである、請求項８〜１７のいずれか一項に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項１９】
少なくとも一つの非平面状ポルフィリンが次の化合物から選択される、請求項８〜１８のいずれか一項に記載の感光性光電子工学装置：
【化３】
2010537407.tif 000003
【請求項２０】
少なくとも一つのＲ’またはＲ基における前記原子価原子がＯである、請求項８〜１９のいずれか一項に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項２１】
前記少なくとも一つのＲ’基またはＲ基が、ヒドロキシ、アルコキシ、アルケニロキシ、アルキニロキシ、シクロアルコキシ、シクロアルケニルオキシ、シクロアルキニルオキシ、アラルキルオキシ、アラルケニルオキシ、アラルキニルオキシ、アリールオキシ、アルキルカルボニルオキシ、アルケニルカルボニルオキシ、アルキニルカルボニルオキシ、ヒドロキシカルボニルオキシ、またはアルコキシカルボニルオキシである、請求項２０に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項２２】
前記少なくとも一つのＲ’基またはＲ基が、ヒドロキシまたはアルコキシである、請求項２１に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項２３】
前記少なくとも一つのＲ’基またはＲ基が、ＯＨ、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、またはイソプロポキシである、請求項２２に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項２４】
前記少なくとも一つのＲ基またはＲ’基が、Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ，およびＡｔからそれぞれ独立に選択される、請求項８〜２３のいずれか一項に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項２５】
前記少なくとも一つのＲ基またはＲ’基における前記原子価原子がＮである、請求項８〜２４のいずれか一項に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項２６】
前記少なくとも一つのＲ基またはＲ’基が、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルケニルアミノ基、ジアルケニルアミノ基、アルキニルアミノ基、ジアルキニルアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アルケニルアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アルキニルアミノ基、Ｎ−アルケニル−Ｎ−アルキニルアミノ基、アシルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アルキルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アルケニルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アルキニルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−シクロアルキルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−シクロアルケニルアミノ基、Ｎ−アシル−Ｎ−アリールアミノ基、ニトロ基、ヘテロ環基、一の窒素原子価原子を含むヘテロ環基、および一の窒素原子価原子を含む置換されたヘテロ環基から選択される、請求項２５に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項２７】
前記少なくとも一つのＲ基またはＲ’基における原子価原子がＳである、請求項８〜２６のいずれか一項に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項２８】
前記少なくとも一つのＲ基またはＲ’基が、チオール基、アルキルチオ基、アルケニルチオ基、アルキニルチオ基、アラルキルチオ基、アラルケニルチオ基、アラルキニルチオ基、シクロアルキルアルキルチオ基、シクロアルケニルアルキルチオ基、シクロアルキニルアルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、シクロアルケニルチオ基、シクロアルキニルチオ基、およびアリールチオ基から選択される、請求項２７に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項２９】
ＭがＰｔ，Ｐｄ，またはＩｒである、請求項８〜２８のいずれか一項に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項３０】
前記少なくとも一つの非平面状ポルフィリンが、Ｐｔ（テトラフェニルベンゾ−ポルフィリン）またはＰｄ（テトラフェニルベンゾ−ポルフィリン）である、請求項８〜２９のいずれか一項に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項３１】
有機光起電電池である、請求項１〜３０のいずれか一項に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項３２】
光電導体セルである、請求項１〜３０のいずれか一項に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項３３】
光検知器である、請求項１〜３０のいずれか一項に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項３４】
前記感光性光電子工学装置が有機光センサー、化学センサーおよび生物学的センサーである、請求項１〜３０のいずれか一項に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項３５】
アノード、カソードを含み、少なくとも一つの有機光導電性物質を少なくとも一つのアノードまたはカソードに接触させる、請求項１〜３４のいずれか一項に記載の感光性光電子工学装置の製造方法であって、；
前記少なくとも一つの有機光導電性物質が少なくとも一つの一重項分裂ホスト物質とおよび少なくとも一つの三重項形成ドーパント物質を含み、
前記少なくとも一つの一重項分裂ホスト物質の量が前記少なくとも一つの三重項分裂ドーパント物質の量よりも多く、
前記少なくとも一つの一重項分裂ホスト物質が、光が吸収された際に一重項分裂を発現する物質から選択され、
前記少なくとも一つの三重項形成ドーパントがドーパントにより光が吸収された後に三重項励起子を形成し、
前記少なくとも一つの一重項分裂ホスト物質が下記の化合物から選択される：:
【化４】
2010537407.tif 000004
製造方法。
【請求項３６】
アノード、カソードおよび前記アノードとカソードの間に配置された少なくとも一つの光活性領域を含む有機感光性光電子工学装置であって、
前記少なくとも一つの光活性領域が、少なくとも一つの一重項分裂ホスト物質および少なくとも一つの三重項形成ドーパント物質を含む少なくとも一つの有機光電導性物質を含み、
前記少なくとも一つの一重項分裂ホスト物質の量が、前記少なくとも一つの三重項形成ドーパント物質の量よりも大きく、
前記少なくとも一つの三重項ドーパント物質が、光がドーパントにより吸収された後に三重項励起子を形成し、
前記少なくとも一つの一重項分裂ホスト物質が下記の化合物から選択される：
ｏ−キシリレン、ｐ−キシリレン、イソベンゾフルベン、イソベンゾフラン、ｐ−セキフェニル、テトラシアノ−ｐ−キノジメタン、テトラフルオロテトラシアノ−ｐ−キノジメタン、ポリジアセチレン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、カロテノイド、および１，４−ビス（テトラセン−５−イル）ベンゼン、及びこれらの誘導体。
【請求項３７】
前記少なくとも一つの一重項分裂ホスト物質が、Ｅ（Ｓ１）， Ｅ（Ｔ２） ＞ ２Ｅ（Ｔ１）の要件を満足する、請求項３６に記載の感光性光電子工学装置；
式中、Ｅ（Ｓ１）は最も低い励起一重項状態の励起エネルギーであり、Ｅ（Ｔ２）はより高い三重項状態の励起エネルギーであり、Ｅ（Ｔ１）は最も低い三重項状態の励起エネルギー、である。
【請求項３８】
前記少なくとも一つの三重項形成ドーパント物質が、前記少なくとも一つの一重項分裂ホスト物質のエネルギーよりも高い三重項エネルギーを有する、請求項３６または３７に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項３９】
前記少なくとも一つの三重項形成ドーパント物質が、約０．５ｅＶよりも小さい一重項−三重項ギャップを有する、請求項３６〜３８のいずれか一項に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項４０】
前記少なくとも一つの三重項形成ドーパント物質が、太陽光域の赤色および近赤外領域の光を吸収する、請求項３６〜３９のいずれか一項に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項４１】
前記少なくとも一つの三重項形成ドーパント物質が、ポルフィリン化合物およびフタロシアニン錯体の少なくとも一つから選択される、請求項３６〜４０のいずれか一項に記載の感光性光電子工学装置。
【請求項４２】
前記少なくとも一つのポルフィリン化合物が非平面状である、請求項４１に記載の感光性光電子工学装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２３】
本発明の有機起電装置の例としては、Ｐｔ（ＴＰＢＰ）をドープされたテトラセン／Ｃ６０／ＢＣＰ／Ａｌ、およびＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／Ｐｔ（ＴＰＢＰ）をドープされたＰ３ＨＴ／Ｃ６０／ＢＣＰ／Ａｌが挙げられる。