【手続補正書】
【提出日】平成24年3月23日(2012.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマディスプレイパネルと、プラズマディスプレイパネルの前部に設けた電磁妨害（ＥＭＩ）フィルタとを備え、前記ＥＭＩフィルタは、ガラス基板によって支持されたＥＭＩ被膜を備え、前記ＥＭＩ被膜は、前記ガラス基板から遠ざかる順に以下の層：
窒化ケイ素からなる第１層、
少なくとも約２．２の屈折率（ｎ）を有する第１の高屈折率層、
酸化亜鉛からなる第１層、
酸化亜鉛からなる第１層と接触する銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第１層、
第１の金属酸化物層、
酸化亜鉛からなる第２層、
酸化亜鉛からなる第２層と接触する銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第２層、
第２の金属酸化物層、
酸化亜鉛からなる第３層、
酸化亜鉛からなる第３層と接触する銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層であって、銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層は、銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層より厚く、
銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第３層、
第３の金属酸化物層、
および保護層
を有する、プラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
第１の高屈折率層は、チタン酸化物を含む、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
ガラス基板およびこれに結合したＥＭＩ被膜は、少なくとも５５％の可視透過率を有する、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層は、銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層よりも厚い、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層は、銀からなる第１および第２のＥＭＩ遮蔽層のいずれよりも厚い、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
チタン酸化物からなり、第２および第３のＥＭＩ遮蔽層間に位置する少なくとも２．２の屈折率を有する第２の高屈折率層をさらに有する、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
チタン酸化物からなる高屈折率層は、第１および第２のＥＭＩ遮蔽層間に位置しない、請求項６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
プラズマディスプレイパネルと、プラズマディスプレイパネルの前部に設けた電磁妨害（ＥＭＩ）フィルタとを備え、前記ＥＭＩフィルタは、ガラス基板によって支持されたＥＭＩ被膜を備え、前記ＥＭＩ被膜は、前記ガラス基板から遠ざかる順に以下の層：
酸化亜鉛からなる第１層、
酸化亜鉛からなる第１層と接触する銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第１層、
酸化亜鉛からなる第２層、
酸化亜鉛からなる第２層と接触する銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第２層、
酸化亜鉛からなる第３層、
酸化亜鉛からなる第３層と接触する銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第３層、
および保護層
を有し、銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層は、銀からなる第１および／または第２のＥＭＩ遮蔽層よりも厚い、プラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層は、銀からなる第１および／または第２のＥＭＩ遮蔽層よりも少なくとも１ｎｍ厚い、請求項８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
ガラス基板およびこれに結合したＥＭＩ被膜が、少なくとも５５％の可視透過率を有する、請求項８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１１】
ガラス基板および第１のＥＭＩ遮蔽層間に位置するが、第１および第２のＥＭＩ遮蔽層間に位置しない、チタン酸化物からなる高屈折率層をさらに有する、請求項８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１２】
ガラス基板によって支持され、かつ、ガラス基板から遠ざかる順に以下の層：
酸化亜鉛からなる第１層、
酸化亜鉛からなる第１層と接触する銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第１層、
酸化亜鉛からなる第２層、
酸化亜鉛からなる第２層と接触する銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第２層、
酸化亜鉛からなる第３層、
酸化亜鉛からなる第３層と接触する銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第３層、
および保護層
を有するＥＭＩ被膜を備え、銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層は、銀からなる第１および／または第２のＥＭＩ遮蔽層よりも厚い、ディスプレイ装置用のＥＭＩフィルタ。
【請求項１３】
プラズマディスプレイパネルと、プラズマディスプレイパネルの前部に設けた電磁妨害（ＥＭＩ）フィルタとを備え、前記ＥＭＩフィルタは、ガラス基板によって支持されたＥＭＩ被膜を備え、前記ＥＭＩ被膜は、前記ガラス基板から遠ざかる順に以下の層：
窒化ケイ素からなる第１層、
酸化亜鉛からなる第１層、
酸化亜鉛からなる第１層と接触する銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第１層、
第１の金属酸化物層、
酸化亜鉛からなる第２層、
酸化亜鉛からなる第２層と接触する銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第２層、
第２の金属酸化物層、
酸化亜鉛からなる第３層、
酸化亜鉛からなる第３層と接触する銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第３層、
第３の金属酸化物層、
および保護層
を有し、Ｎｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第３層は、Ｎｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第１および／または第２層の両方またはいずれか一方よりも少なく酸化される、プラズマディスプレイ装置。
【請求項１４】
Ｎｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第３層は、Ｎｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第１および第２層の両方よりも少なく酸化される、請求項１３に記載のディスプレイ装置。
【請求項１５】
銀からなる第４のＥＭＩ遮蔽層および少なくとも第３の金属酸化物層より上に位置するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第４層をさらに有し、
Ｎｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第４層は、Ｎｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる少なくとも第１、第２および第３層よりも少なく酸化される、請求項１３に記載のディスプレイ装置。
【請求項１６】
窒化ケイ素からなる第１層は、ｘ／ｙが０．７６から１．５までのＳｉxＮy層を有する、請求項１３に記載のディスプレイ装置。
【請求項１７】
窒化ケイ素からなる第１層は、ｘ／ｙが０．８５から１．２までのＳｉxＮy層を有する、請求項１３に記載のディスプレイ装置。
【請求項１８】
プラズマディスプレイパネルと、プラズマディスプレイパネルの前部に設けた電磁妨害（ＥＭＩ）フィルタとを備え、前記ＥＭＩフィルタは、ガラス基板によって支持されたＥＭＩ被膜を備え、前記ＥＭＩ被膜は、前記ガラス基板から遠ざかる順に以下の層：
窒化ケイ素からなる第１層、
酸化亜鉛からなる第１層、
酸化亜鉛からなる第１層と接触する銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第１のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第１層、
第１の金属酸化物層、
酸化亜鉛からなる第２層、
酸化亜鉛からなる第２層と接触する銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第２のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第２層、
第２の金属酸化物層、
酸化亜鉛からなる第３層、
酸化亜鉛からなる第３層と接触する銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層、
銀からなる第３のＥＭＩ遮蔽層と接触するＮｉおよび／またはＣｒの酸化物からなる第３層、
第３の金属酸化物層、
および保護層
を有し、窒化ケイ素からなる第１層は、ｘ／ｙが０．８５から１．２までのＳｉxＮy層を有する、プラズマディスプレイ装置。
【請求項１９】
少なくとも第１および第２のＥＭＩ遮蔽層間に位置する窒化ケイ素からなる別の層をさらに有し、当該窒化ケイ素からなる別の層は、ｘ／ｙが０．８５から１．２までのＳｉxＮy層を有する、請求項１８に記載のディスプレイ装置。