【事件の表示】
　平成　３年特許願第５１４３９２号「ロードセル」拒絶査定に対する審判事件［平成　７年　３月１５日出願公告、特公平　７−　２３８５８、平成　４年　４月　２日国際公開、ＷＯ９２／０５４１６］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１，手続の経緯・本願発明
  本願は、平成３年９月７日（優先権主張、平成２年９月２６日、日本国）の出願であって、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、出願公告後、平成８年３月２５日付け手続補正書及び平成１０年６月２２日付け手続補正書により明細書が補正されたので、補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された次の通りの事項により特定されるものである。 
「請求項１
　金属製の起歪体に高分子材料からなる電気絶縁膜を介してスパッタリングにより形成された銅ーニッケル合金膜により歪ゲージパターンを形成し、前記歪ゲージパターンを無酸素雰囲気で熱処理をしてなるロードセルにおいて、
　前記歪ゲージパターンを構成する銅ーニッケルの重量比を、前記起歪体の線膨張係数に基づいて、前記起歪体に形成後の前記起歪体と一体的に伸縮する歪ゲージパターンの抵抗温度係数が実質的にゼロとなる値に設定したことを特徴とする
ロードセル。」
　
２，引用例の記載事項
  これに対して、原査定の拒絶理由である特許異議の決定の理由で引用された、特開昭６１−２２３５２４号公報（以下「引用例１」という。）には、荷重変換器に関し次の事項が記載されている。
「この発明は、前記従来のひずみゲージの欠点であるゲージ率の低さ、抵抗温度特性及び抵抗値変化の直線性等の問題点を解決することを技術的課題としたもので、安定性が良くてゲージ率が高く、直線性もよいひずみゲージを用いた荷重変換器を得ることを目的としたものである。」（２頁右下欄５行〜１０行）
「上記実施例ではＩＣＢ法によりCuクラスタまたはNiクラスタのいずれかをイオン化処理してCu-Ni薄膜を形成させたが、両クラスタ共イオン化処理しても良いし、ＩＣＢ法以外の方法、例えばイオンビームスパッタ法でイオン化処理して薄膜を形成させても良い。…第８図は基材として金属製起歪体（１）に、絶縁層（１０）を介して一層の薄膜（１１）を形成させた例であって、この薄膜（１１）は・・・複数の物質で形成させる場合は、少なく共ひとつの物質をイオン化処理する。そしてこの薄膜（１１）を例えばフォトリソグラフィー等でもって歪みゲージを形成させてひずみ検知部（１１）を構成する。」（４頁右上欄１１４行〜同左下欄１２行）、
「…複数の物質により、各々イオン化処理により薄膜を形成させることもできる。」（４頁右下欄１行〜４行）、
「複数の物質をイオン化処理によって…組成比等の物性を自由に制御でき、」（５頁左上欄３行〜５行）、
「イオン化処理によって直接、起歪体としての基材上に薄膜を作製し、これをひずみゲージとして用いるから従来の接着形ひずみゲージのような接着剤は不要であり、正確にひずみがひずみゲージに伝達されると共に使用温度、湿度等の影響をほとんど受けない性能の良い荷重変換器が得られる。」（５頁左上欄１６行〜同右上欄２行）
  同じく、西野　勇　他,「Cu-Ni系合金薄膜のゼロ抵抗温度係数の出現とその考察(CPM83-32)」,電子通信学会技術研究報告　信学技報　Vol.83NO.102,p31‐32,1983年8月3日発行（以下、「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
「重要な電子部品の一つとして小型薄膜抵抗素子がある。特に、電子機器の高性能、高信頼化のために要求される小型薄膜抵抗素子は、高抵抗で、かつ温度変化の小さな材料を必要とする。たとえば、高性能電子機器に用いられる薄膜抵抗素子には、抵抗温度係数が数ｐｐｍ／°Ｃのものが要求される。」（第３１頁左欄２行〜８行）
「Cu-Ni系薄膜の作製には日本真空技術製ＲＦ二極スパッタ装置を用いた。本装置は基板側が上部、ターゲット側が下部のアップスパッタ方式であり、対向電極の直径は１００ｍｍφ、電極間距離は４１ｍｍである。薄膜の作製状況は表２に示す。膜組成の選択は、図３（Ａ）に示すような複合ターゲットの面積比を変えることにより行なった。試料形状はステンレス製ハードマスクにより図（３）Ｂに示すようなものとした。」（第３２頁左欄下から１０行〜末行）
「図には、その時の室温におけるρ及び４００°Ｃ１時間の真空熱処理後の結果も示してある。ρは膜中のCu量とともに増大し、・・・一方、αは・・・４０at％〜６０at％の範囲で僅かに負値を示した後、それ以上では再び正となり増加する。また、これらは熱処理によっても若干特性を変えることがわかった。」（第３３頁左欄下から１２行〜下から４行）
「図６に示したように、Cu-Ni系合金薄膜において、そのαはある組成によって極めて小さな値となり、また、アニールにより、それが負値から正値へと変化し、場合によっては、又は零抵抗温度係数も出現しうることが見出された。」（第３４頁下から９行〜下から５行）
「温度変化の小さな薄膜抵抗素子に有用な材料として、Cu-Ni系合金の薄膜を作製し、その抵抗温度係数が組成によりどのように変化するかを調べた。その結果、Cux　Ni1-x合金でＸ＝０．４〜０．６において抵抗温度係数が極めて小さくなり、零抵抗温度係数も現われる。」（第３７頁右欄２行〜７行）
　引用例２の上記記載によれば、引用例２には、抵抗性合金材としてスパッタリングにより形成された銅−ニッケル合金膜でなるものを使用し、その合金材組成の重量比を変化させることにより、抵抗温度係数は正値にも負値にも実質的にゼロ値にも設定すること、また、抵抗温度係数は真空熱処理によっても変わることが記載されている。
　
３，対比
　引用例１の上記記載によれば、引用例１には、金属製起歪体（１）の表面に絶縁層（１０）を介して一層の薄膜をイオン化処理により形成し、この薄膜からフォトリソグラフィー法でひずみ検知部を形成した荷重変換器において、イオンビームスパッタ法でイオン化処理してCu-Ni薄膜を形成してもよい点が記載されている。
  そこで、本願発明と引用例１に記載されたものとを対比すると、引用例１の「金属製起歪体（１１）」、「絶縁膜（１０）」、「イオンビームスパッタ法」、「Cu-Ni薄膜」、「ひずみ検知部」及び「荷重変換器」は、本願発明の「金属製の起歪体」、「電気絶縁膜」、「銅−ニッケル合金膜」、「歪ゲージパターン」及び「ロードセル」に相当するから、本願発明は引用例１に記載された発明と下記１の一致点で一致し、下記２の相違点で相違する。
　
　記１（一致点）
　金属製の起歪体に電気絶縁膜を介してスパッタリングにより形成された銅−ニッケル合金膜により歪ゲージパターンを形成したロードセル。
　
  記２（相違点）
　相違点１
　電気絶縁膜が、本願発明では、高分子材料からなるのに対し、引用例１に記載の絶縁膜は材料が特定されていない点。
　相違点２
　本願発明では歪ゲージパターンを無酸素雰囲気で熱処理をしているのに対し、引用例１に記載されたものはそのような処理を行っていない点。
　相違点３
　本願発明は、前記歪ゲージパターンを構成する銅−ニッケルの重量比を、前記起歪体の線膨張係数に基づいて、前記起歪体に形成後の前記起歪体と一体的に伸縮する歪ゲージパターンの抵抗温度係数が実質的にゼロとなる値に設定したのに対し、引用例１に記載されたものはそのようになっていない点。
　
４，相違点の判断
  相違点１について
　電気絶縁膜として高分子材料を用いることは周知（例えば、特開平２ー５５９２５号公報参照）であるから、引用例１の絶縁膜の材料として、前記周知の材料を適用することに格別の困難性はない。
　相違点２について
　歪ゲージパターンを真空という無酸素雰囲気で熱処理をすることは引用例２に記載されているから、引用例１に記載のものにおいて、歪ゲージパターンを無酸素雰囲気で熱処理をすることに格別の困難性はない。
　相違点３について
　起歪体の線膨張係数と起歪体に形成後の起歪体と一体的に伸縮する歪ゲージパターンの抵抗温度係数が実質的にゼロとなる値に設定すること（すなわち、温度変化による起歪体の線膨張と歪ゲージパターンの抵抗値の変化とを相殺させること）は、周知の事項（例えば、特開昭６３ー２５６８０３号公報）であり、しかも、歪ゲージパターンを構成する銅−ニッケル合金の抵抗温度係数はその組成により変化し、ゼロとすることも可能であることは引用例２に開示されているから、引用例１に記載された発明においても、起歪体の線膨張係数に基づいて、歪ゲージの抵抗温度係数をゼロとするように、銅−ニッケル合金の組成を調整することに格別の困難性はない。
  そして、本願発明により得られる効果も当業者の予測可能な範囲に止まるものであり、格別のものとはいえない。
　
４，むすび
  したがって、本願発明は上記引用例１及び引用例２に記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定によって特許を受けることができない。
  よって、結論のとおり審決する。