【手続補正書】
【提出日】平成23年12月7日(2011.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の洗浄システムであって、前記洗浄ヘッドは、さらに、前記パターニング済み基板の前記表面の表面張力を低減する表面張力低下ガスのための複数の供給口を備える洗浄システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の洗浄システムであって、さらに、
前記洗浄ヘッドの下で前記パターニング済み基板を移動させるための搬送機構を備える洗浄システム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の洗浄システムであって、前記洗浄ヘッドは、前記洗浄剤を供給するための長いスリットを有する洗浄システム。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の洗浄システムであって、さらに、
前記パターニング済み基板の上方かつ前記洗浄ヘッドの隣に配置されたリンスヘッドを備え、前記リンスヘッドは、リンス液を供給して、前記パターニング済み基板の前記表面から洗浄剤を除去する洗浄システム。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の洗浄システムであって、前記基板キャリアは、ある速度で前記パターニング済み基板を前記洗浄ヘッドの下で移動させる洗浄システム。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれか一項に記載の洗浄システムであって、前記溶媒は、水、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、または、それらの組み合わせからなる群より選択される洗浄剤。
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
請求項１ないし請求項９のいずれか一項に記載の洗浄システムであって、前記高分子化合物は、ポリアクリルアミド（ＰＡＭ）、ポリアクリル酸（ＰＡＡ）（Ｃａｒｂｏｐｏｌ  ９４０（商標）およびＣａｒｂｏｐｏｌ  ９４１（商標）など）、ポリ−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド）（ＰＤＭＡＡｍ）、ポリ−（Ｎ−イソプロピルアクリルアミド）（ＰＩＰＡＡｍ）、ポリメタクリル酸（ＰＭＡＡ）、ポリメタクリルアミド（ＰＭＡＡｍ）などのアクリルポリマ；ポリエチレンイミン（ＰＥＩ）、ポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）、ポリプロピレンオキシド（ＰＰＯ）などのポリイミンおよび酸化物；ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリエチレンスルホン酸（ＰＥＳＡ）、ポリビニルアミン（ＰＶＡｍ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、ポリ−４−ビニルピリジン（Ｐ４ＶＰ）などのビニルポリマ；メチルセルロース（ＭＣ）、エチルセルロース（ＥＣ）、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）、カルボキシメチルセルロース（ＣＭＣ）などのセルロース誘導体；アカシア、寒天およびアガロース、ヘパリン、グアーガム、キサンタンゴムなどの多糖類；アルブミン、コラーゲン、グルテンなどのタンパク質、からなる群より選択される洗浄剤。
【手続補正８】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
請求項１ないし請求項１０のいずれか一項に記載の洗浄システムであって、前記分子量は、約０．１Ｍｇ／ｍｏｌから約１００Ｍｇ／ｍｏｌの間である洗浄剤。
【手続補正９】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
請求項１ないし請求項１１のいずれか一項に記載の洗浄システムであって、前記洗浄剤は、液体、ゾル、ゲル、または、泡の形態の流体である洗浄剤。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
集積回路デバイスを規定するパターニング済み基板の表面上の汚染物質を除去するために洗浄剤を供給する洗浄システムであって、
前記パターニング済み基板を支持するための基板支持体であって、洗浄処理中に回転して、前記パターニング済み基板の前記表面から汚染物質を除去する基板支持体と、
集積回路デバイスを規定する前記パターニング済み基板上に前記洗浄剤を供給するために、前記パターニング済み基板の上方に配置された供給ノズルと
を備え、
前記洗浄剤は、１０，０００ｇ／ｍｏｌを越える分子量を持つ高分子化合物のポリマを備え、前記ポリマは、前記洗浄剤を形成するために溶媒に溶解可能であり、前記洗浄剤が前記パターニング済み基板の前記表面上に供給される前に含む金属汚染物質は１ｐｐｂ未満であり、前記溶解されたポリマは、前記パターニング済み基板の前記表面から前記汚染物質を捉えて取り込むために長いポリマ鎖を有し、前記パターニング済み基板の前記表面上に供給された前記洗浄剤に力が加えられた時に、前記洗浄剤は、前記パターニング済み基板上のデバイスフィーチャの周りで変形して、前記表面上の前記デバイスフィーチャを実質的に損傷することなく前記汚染物質を除去し、前記洗浄剤は、前記パターニング済み基板の前記表面上に供給される前には研磨粒子を実質的に含まず、前記供給ノズルは、洗浄剤準備システムに接続された前記洗浄剤の貯蔵容器に接続されている洗浄システム。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
集積回路デバイスを規定するパターニング済み基板の表面上の汚染物質を除去するための洗浄システムであって、
前記パターニング済み基板を支持するための基板キャリアと、
集積回路デバイスを規定する前記パターニング済み基板の前記表面から汚染物質を除去するための洗浄剤を収容する洗浄タンクであって、前記洗浄剤は、１０，０００ｇ／ｍｏｌを越える分子量を持つ高分子化合物のポリマを備え、前記ポリマは、前記洗浄剤を形成するために溶媒に溶解可能であり、前記洗浄剤が前記パターニング済み基板の前記表面上に供給される前に含む金属汚染物質は１ｐｐｂ未満であり、前記溶解されたポリマは、前記パターニング済み基板の前記表面から前記汚染物質を捉えて取り込むために長いポリマ鎖を有し、前記パターニング済み基板の前記表面上に供給された前記洗浄剤に力が加えられた時に、前記洗浄剤は、前記パターニング済み基板上のデバイスフィーチャの周りで変形して、前記表面上の前記デバイスフィーチャを実質的に損傷することなく前記汚染物質を除去し、前記洗浄剤は、前記パターニング済み基板の前記表面上に供給される前には研磨粒子を実質的に含まず、前記洗浄タンクは、前記洗浄剤の貯蔵容器に接続されている、洗浄タンクと、
前記パターニング済み基板を前記洗浄タンクに出し入れするよう下降および上昇させるための機械的機構と
を備える洗浄システム。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
別の一実施形態では、集積回路デバイスを規定するパターニング済み基板の表面上の汚染物質を除去するための洗浄システムが提供されている。洗浄システムは、パターニング済み基板を支持するための基板キャリアを備える。洗浄システムは、さらに、集積回路デバイスを規定するパターニング済み基板の表面から汚染物質を除去するための洗浄剤を収容する洗浄タンクを備える。洗浄剤は、１０，０００ｇ／ｍｏｌを越える分子量を有する高分子化合物のポリマを含む。ポリマは、洗浄剤を形成するために溶媒中に溶解可能である。洗浄剤がパターニング済み基板の表面上に供給される前に含む金属汚染物質は、１ｐｐｂ未満である。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
図２Ｂは、パターニング済み基板への洗浄剤の適用に関連した３つの反応曲線を示す図である。曲線２０１’は、洗浄剤によってパターニング済み基板に与えられるエネルギに対する強度を示している。洗浄剤によって与えられる強度は、ＥP’で最大となる。曲線２０２’は、基板に適用されたエネルギに対する粒子除去速度を示す。粒子除去速度は、ＥR’付近で最大になる。洗浄剤によって与えられるエネルギがＥR’に達すると、洗浄剤が基板表面から粒子を除去する効率は最大になる。曲線２０３’は、洗浄剤によって基板表面に与えられるエネルギの関数として、洗浄剤によって引き起こされるデバイス構造の損傷量を示す。基板上のデバイス構造は、洗浄剤によって与えられるエネルギの分布の上限ＥN’よりも小さいＥS’以上で損傷を受ける。デバイス構造の損傷曲線２０３’は、洗浄剤がパターニング済み基板に与えるエネルギの分布２０１’の範囲内にあるため、パターニング済み基板上のデバイス構造は、洗浄剤によって損傷を受け、粒子（または、欠陥）を増やす。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
図４Ｄは、基板４２０上に洗浄剤を供給する洗浄ヘッド４２０’’の断面図である。洗浄剤は、洗浄剤供給ライン４６０につながる供給口を通して供給され、真空ライン４６５につながる真空口によって基板４２０の表面から除去される。洗浄剤は、洗浄ヘッド４２０’’および基板４２０の間にメニスカス４３０’を形成する。さらに、表面張力低下ガスの供給ライン４６７につながる表面張力低下ガスの供給口（図示せず）が設けられており、基板４２０の表面の表面張力を低減させるために用いられる。一実施形態において、表面張力低下ガスは、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）および窒素（Ｎ2）の混合物を含む。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
図４Ｅは、上側洗浄ヘッド（すなわち近接ヘッド）４１０、下側洗浄ヘッド（すなわち近接ヘッド）４１０’、および、支持構造４１９を含む洗浄剤供給アセンブリ４１８を備えた洗浄システム４００’の一実施形態を示す。上側洗浄ヘッド４１０は、下側洗浄ヘッド４１０’の鏡像にあたる。洗浄剤供給アセンブリ４１８は、制御部４１９によって制御される。基板４２０は、基板ホルダ４２４によって保持されており、上側及び下側洗浄ヘッド４１０、４１０’の間を、４６６の方向に通過する。上側および下側洗浄ヘッド４１０、４１０’を用いると、基板の前面および背面の両方が、同時に洗浄される。