Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月13日(2012.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記構造を有する化合物、又はその医薬的に許容され得る塩:
【化１】
2011510007.tif 000001
(式中、Z1-Z6は、各々独立して、C、N、O、又はSであるが、Z1-Z6の少なくとも1つはNであり;
n及びmは、各々独立して、1〜5であり;
pは、0又は1であり;
R1及びR2は、各々独立して、H、低級アルキル、低級アルケニル、低級アルキニル、ハライド、ヒドロキシ、アルコキシ、トリフルオロメチル、-N(R6)2、-CN、-CO2R6、又は-CH2OHであるか; 又は、
nが2である場合、各R1はこれらが結合している炭素原子と一緒になって縮合アリール、置換アリール、ヘテロアリール、置換ヘテロアリール、シクロアルキル、置換シクロアルキル、複素環、又は置換複素環を形成し;
R3、R4、R5、及びR6は、各々独立して、H又は低級アルキルである)。
【請求項２】
pが1である、請求項1に記載の化合物。
【請求項３】
R1が、H、低級アルキル、クロロ、フルオロ、トリフルオロメチル、又はメトキシである、請求項1に記載の化合物。
【請求項４】
下記構造を有する化合物、又はその医薬的に許容され得る塩
【化２】
2011510007.tif 000002
(式中、Z1-Z5は、各々独立して、C、N、O、又はSであるが、Z1-Z5の少なくとも1つはNであり;
n及びmは、各々独立して、1〜5であり;
pは、0又は1であり;
R1及びR2は、各々独立して、H、低級アルキル、ハライド、ヒドロキシ、アルコキシ、又はトリフルオロメチルである)。
【請求項５】
下記構造を有する請求項4に記載の化合物:
【化３】
2011510007.tif 000003
【請求項６】
下記構造を有する請求項4に記載の化合物:
【化４】
2011510007.tif 000004
【請求項７】
請求項1に記載の少なくとも1つの化合物を医薬的に許容され得る担体中に含む医薬組成物。
【請求項８】
請求項1に記載の少なくとも1つの化合物、又はその組み合わせ、又はその医薬的に許容され得る塩、水和物、溶媒和物、結晶形、異性体、互変異性体、エナンチオマー、又はジアステレオマーを含む医薬組成物。
【請求項９】
アルファ2Bアドレナリン受容体及びアルファ2Cアドレナリン受容体の選択的サブタイプモジュレーションと関連している疾患を治療するための医薬組成物を製造する為の請求項1に記載の少なくとも1つの化合物、又はその組み合わせ、又はその医薬的に許容され得る塩、水和物、溶媒和物、結晶形、異性体、互変異性体、エナンチオマー、又はジアステレオマーの使用。
【請求項１０】
疾患が、緑内障、高眼圧、虚血性神経症、視神経症、疼痛、内臓痛、角膜疼痛、頭痛、片頭痛、癌疼痛、背疼痛、過敏性腸症候群疼痛、筋肉痛や糖尿病性神経障害と関連がある疼痛、糖尿病性網膜症の治療、他の網膜変性状態、卒中、認知障害、神経精神医学的状態、薬物依存性や耽溺、禁断症候群、強迫性障害、肥満症、インスリン抵抗性、ストレスに関係のある状態、下痢、多尿、鼻うっ血、痙直、注意力欠如障害、精神病、不安、うつ病、自己免疫疾患、クローン病、胃炎、アルツハイマー病、パーキンソン病、又はALSである、請求項９に記載の使用。
【請求項１１】
疾患が、慢性疼痛、神経障害性疼痛、内臓痛、癌又は癌の治療によって引き起こされる内臓痛、緑内障および高眼圧からなる群から選択される、請求項９に記載の使用。
【請求項１２】
医薬組成物が、経口投与される、請求項９に記載の使用。
【請求項１３】
医薬組成物が、局所投与される、請求項９に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月16日(2012.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の式の化合物又はその医薬上許される塩もしくはプロドラッグ。
【化１】
2011510009.tif 000001
［式中、破線は共有結合の存在又は不在を表し、
Ｙは下記の式の基であり、
【化２】
2011510009.tif 000002
Ａは-(CH2)6-、シス-CH2CH=CH-(CH2)3-、又は-CH2C≡C-(CH2)3-（これらの場合、１個又は２個の炭素原子がＳ又はＯで置換されていてもよい）であり、又はＡは-(CH2)m-Ar-(CH2)o-（式中、Arは置換又は未置換フェニル又は単環式ヘテロアリールであり、ｍ及びｏの合計が１から４までであり、かつ１個のCH2がＳ又はＯで置換されていてもよい）であり、
ＸはＳ又はＯであり、
Ｒは１個から12個までの炭素原子を含むヒドロカルビル又はヒドロキシヒドロカルビル部分であり、
Ｄは独立に１個から６個までの非水素原子を含む部分であり、かつ
ｎは０から４までの整数である］
【請求項２】
ｎが０である、請求項１記載の化合物。
【請求項３】
Ｒが６個から９個までの炭素原子及び環状構造を含む、請求項１記載の化合物。
【請求項４】
式
【化３】
2011510009.tif 000003
または
【化４】
2011510009.tif 000004
の請求項３記載の化合物又はその医薬上許される塩、もしくはプロドラッグ。
【請求項５】
式
【化５】
2011510009.tif 000005
または
【化６】
2011510009.tif 000006
の請求項１記載の化合物又はその医薬上許される塩、もしくはプロドラッグ。
【請求項６】
Ａが-(CH2)6-、シス-CH2CH=CH-(CH2)3-、又は-CH2C≡C-(CH2)3-である、請求項１記載の化合物。
【請求項７】
式
【化７】
2011510009.tif 000007
または
【化８】
2011510009.tif 000008
（式中、R3、R4、及びR5 が独立にＨ又はC1-6 アルキルである）
の請求項２記載の化合物又はその医薬上許される塩、もしくはプロドラッグ。
【請求項８】
R4及びR5 がメチルである、請求項７記載の化合物。
【請求項９】
式
【化９】
2011510009.tif 000009
の請求項８記載の化合物又はその医薬上許される塩、もしくはプロドラッグ。
【請求項１０】
Ａが-(CH2)m-Ar-(CH2)o- （式中、Arがフェニルであり、ｍ及びｏの合計が１から４までであり、かつ１個のCH2がＳ又はＯで置換されていてもよい）である、請求項２記載の化合物。
【請求項１１】
式
【化１０】
2011510009.tif 000010
【化１１】
2011510009.tif 000011
の請求項１記載の化合物又はその医薬上許される塩、もしくはプロドラッグ。
【請求項１２】
緑内障又は眼の高血圧の治療用組成物製造のための、請求項１記載の化合物の使用。
【請求項１３】
禿頭症の治療用組成物製造のための、請求項１記載の化合物の使用。
【請求項１４】
脱毛症の治療用組成物製造のための、請求項１記載の化合物の使用。
【請求項１５】
式
【化１２】
2011510009.tif 000012
または
【化１３】
2011510009.tif 000013
の請求項１記載の化合物又はその医薬上許される塩もしくはプロドラッグ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月13日(2012.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造：
【化１】
2011510008.tif 000001
を有する化合物又はその医薬上許される塩。
［式中、
ＸはＯ又はＳであり、
Z1-Z6 は夫々独立にＣ、Ｎ、Ｏ、又はＳであり、但し、Z1-Z6 の少なくとも一つがＮであることを条件とし、
ｎ及びｍは夫々独立に１〜５であり、
ｐは０又は１であり、
夫々のR1 及びR2 は独立にＨ、低級アルキル、低級アルケニル、低級アルキニル、ハライド、ヒドロキシ、アルコキシ、トリフルオロメチル、-N(R6)2、-CN、-CO2R6、又は-CH2OHであり、又は
ｎが２である場合には、夫々のR1 はそれらが結合されている炭素原子と一緒にされて縮合アリール、置換アリール、ヘテロアリール、置換ヘテロアリール、シクロアルキル、置換シクロアルキル、複素環、又は置換複素環を形成し、
R3、R4、R5、及びR6 は夫々独立にＨ又は低級アルキルである］
【請求項２】
ｐが１である、請求項１記載の化合物。
【請求項３】
R1 がＨ、低級アルキル、クロロ、フルオロ、トリフルオロメチル、又はメトキシである、請求項１記載の化合物。
【請求項４】
構造
【化２】
2011510008.tif 000002
を有する化合物又はその医薬上許される塩。
［式中、
Z1-Z5 は夫々独立にＣ、Ｎ、Ｏ、又はＳであり、但し、Z1-Z5 の少なくとも一つがＮであることを条件とし、
ｎ及びｍは夫々独立に１〜５であり、
ｐは０又は１であり、
夫々のR1 及びR2 は独立にＨ、低級アルキル、ハライド、ヒドロキシ、アルコキシ、又はトリフルオロメチルである］
【請求項５】
構造：
【化３】
2011510008.tif 000003
のいずれか一つを有する、請求項４記載の化合物。
【請求項６】
構造：
【化４】
2011510008.tif 000004
を有する請求項４記載の化合物。
【請求項７】
構造
【化５】
2011510008.tif 000005
を有する化合物又はその医薬上許される塩。
［式中、
Z1-Z5 は夫々独立にＣ、Ｎ、Ｏ、又はＳであり、但し、Z1-Z5 の少なくとも一つがＮであることを条件とし、
ｎ及びｍは夫々独立に１〜５であり、
ｐは０又は１であり、
夫々のR1 及びR2 は独立にＨ、低級アルキル、ハライド、ヒドロキシ、アルコキシ、又はトリフルオロメチルである］
【請求項８】
構造：
【化６】
2011510008.tif 000006
を有する請求項７記載の化合物。
【請求項９】
構造：
【化７】
2011510008.tif 000007
を有する請求項７記載の化合物。
【請求項１０】
請求項１記載の少なくとも一種の化合物をその医薬上許される担体中に含むことを特徴とする医薬組成物。
【請求項１１】
アルファ2Bアドレナリン作用受容体及びアルファ2Cアドレナリン作用受容体の選択的サブタイプ変調と関連する疾患の治療の為の医薬組成物の製造の為の請求項１記載の少なくとも一種の化合物、もしくはそのあらゆる組み合わせ、又はその医薬上許される塩、水和物、溶媒和物、結晶形態、異性体、互変異性体、鏡像体、及びジアステレオマーの使用。
【請求項１２】
疾患が緑内障、上昇した眼内圧、虚血性神経障害、視神経障害、痛み、内臓痛、角膜痛、頭痛、片頭痛、癌の痛み、背中痛、刺激性腸症候群の痛み、筋肉痛及び糖尿病性神経障害と関連する痛み、糖尿病性網膜症、その他の網膜変性症状、卒中、認識不足、神経精神症状、薬物依存症及びし癖、禁断症状、強迫疾患、肥満、インスリン耐性、ストレス関連症状、下痢、利尿、鼻鬱血、痙攣、注意不足疾患、精神病、不安、鬱病、自己免疫疾患、クローン病、胃炎、アルツハイマーALS、及びパーキンソンALSである、請求項１１記載の使用。
【請求項１３】
疾患が慢性の痛みである、請求項１１記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月16日(2011.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デュロキセチン又はその医薬的に許容可能な塩、及び一種以上の医薬的に許容可能な賦型剤を含む医薬組成物において、デュロキセチンが２〜４０μｍのＤ９０粒子サイズを有することを特徴とする医薬組成物。
【請求項２】
デュロキセチンがコア中に存在することを特徴とする請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
腸溶性層がコアを包囲することを特徴とする請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
デュロキセチンが約１０〜３５μｍのＤ９０粒子サイズを有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項５】
デュロキセチンが２５〜３５μｍのＤ９０粒子サイズを有することを特徴とする請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
デュロキセチンが塩酸塩として存在することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項７】
腸溶性層が一つ以上のポリマーコートを含み、その少なくとも一つが腸溶性コートであることを特徴とする請求項３〜６のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項８】
少なくとも一つの腸溶性コートが、ヒドロキシプロピルメチルセルロースフタル酸塩、メタクリル酸コポリマーＡ型、メタクリル酸コポリマーＢ型、メタクリル酸コポリマーＣ型、ヒドロキシプロピルメチルセルロース酢酸塩琥珀酸塩、及びそれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
少なくとも一つの腸溶性コートがヒドロキシプロピルメチルセルロースフタル酸塩であることを特徴とする請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
少なくとも一つの腸溶性コートがラウリル硫酸ナトリウム及び精製されたタルクをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
少なくとも一つの腸溶性コートが可塑剤をさらに含むことを特徴とする請求項３〜１０のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１２】
可塑剤が、ポリエチレングリコール、クエン酸トリエチル、及びフタル酸ジエチルからなる群から選択されることを特徴とする請求項１１に記載の組成物。
【請求項１３】
コアを腸溶性層から分離する一つ以上のサブコート層をさらに含むことを特徴とする請求項３〜１２のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１４】
組成物が仕上げ層をさらに含むことを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１５】
サブコート層及び／又は仕上げ層がヒドロキシプロピルメチルセルロースを含むことを特徴とする請求項１３又は１４に記載の組成物。
【請求項１６】
サブコート層及び／又は仕上げ層が、精製されたタルク及びポリエチレングルコールのいずれか又は両方を追加的に含むことを特徴とする請求項１５に記載の組成物。
【請求項１７】
錠剤、ペレット、ビーズ、又はミニ錠剤からなる群から選択される単位投薬形態を含むことを特徴とする請求項１〜１６のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１８】
カプセルのシェルの内部に含有された請求項１７に記載の一つ以上の単位投薬形態を含むことを特徴とする遅延放出カプセル。
【請求項１９】
ａ）デュロキセチン又はその医薬的に許容可能な塩、及び一種以上の医薬的に許容可能な賦型剤を含むコアと、ｂ）腸溶性層とを含む医薬組成物において、デュロキセチンが２〜４０μｍのＤ９０粒子サイズを有することを特徴とする医薬組成物。
【請求項２０】
コアを包囲するサブコート層をさらに含むことを特徴とする請求項１９に記載の組成物。
【請求項２１】
腸溶性層を包囲する仕上げ層をさらに含むことを特徴とする請求項１９又は２０に記載の組成物。
【請求項２２】
腸溶性層によって包囲された、錠剤、ペレット、ビーズ、又はミニ錠剤の形のコアを含む医薬組成物であって、前記コアが以下のものを含むことを特徴とする医薬組成物：
ａ）１０〜５０％の、２〜４０μｍのＤ９０粒子サイズを有するデュロキセチン又はその医薬的に許容可能な塩；
ｂ）１０〜４５％の充填剤／希釈剤；
ｃ）０．５〜２０％の結合剤；
ｄ）０．５〜１０％の潤滑剤；
ｅ）０．５〜１５％の崩壊剤；及び
ｆ）０．１〜３％の流動促進剤。
【請求項２３】
コアが以下のものを含むことを特徴とする請求項２２に記載の組成物：
ａ）２〜４０μｍのＤ９０粒子サイズを有するデュロキセチン  ＨＣｌ
６７．３８ｍｇ
ｂ）微結晶性セルロース  １０１                                      ５４ｍｇ
ｃ）クロスポビドン                                                    ６ｍｇ
ｄ）無水コロイドシリカ                                          １．６２ｍｇ
ｅ）ヒプロメロース  Ｅ３                                              ６ｍｇ
ｆ）水                                                                ｑｓ
ｇ）クロスポビドン                                                  １２ｍｇ
ｈ）ステアリン酸マグネシウム                                          ３ｍｇ
【請求項２４】
デュロキセチンが約１０〜３５μｍのＤ９０粒子サイズを有することを特徴とする請求項１９〜２３のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項２５】
デュロキセチンが２５〜３５μｍのＤ９０粒子サイズを有することを特徴とする請求項２４に記載の組成物。
【請求項２６】
デュロキセチンが塩酸塩として存在することを特徴とする請求項１９〜２５のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項２７】
ａ）デュロキセチン又はその医薬的に許容可能な塩、及び一種以上の医薬的に許容可能な賦型剤からなるコアを準備し、ｂ）腸溶性層を付与することを含む医薬組成物の調製方法において、デュロキセチンが２〜４０μｍのＤ９０粒子サイズを有することを特徴とする方法。
【請求項２８】
デュロキセチンが約１０〜３５μｍのＤ９０粒子サイズを有することを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
デュロキセチンが２５〜３５μｍのＤ９０粒子サイズを有することを特徴とする請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
腸溶性層の付与前にコアをサブコート層で包囲することをさらに含むことを特徴とする請求項２７〜２９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３１】
腸溶性層を仕上げ層で包囲することをさらに含むことを特徴とする請求項２７〜３０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３２】
腸溶性層が、ヒドロキシプロピルメチルセルロースフタル酸塩、及び所望により一種以上の医薬的に許容可能な賦型剤を含むことを特徴とする請求項２７〜３１のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月5日(2012.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像内の特定の人物のコンピュータ認識を可能にするコンピュータで実行される方法であって、
前記人物の顔認識モデルを使用して人物の複数の顔画像を分析して、前記顔画像と前記認識モデルを比較することによって顔の外観の変化を識別するステップと、
前記顔画像に対する対象認識の信頼値を計算するステップと、
前記顔画像に対する前記対象認識の信頼値と前記顔認識モデルに関連付けられた前の対象認識の信頼値を比較して、前記信頼値の変化を識別するステップと、
前記対象認識の信頼値の前記識別した変化を分析して、前記人物に対して新しい顔認識モデルが必要かどうかを決定するステップと、
前記識別した変化を分析する前記ステップによって、前記新しい顔認識モデルが必要であると決定された場合、前記人物の現在または後の画像から前記新しい顔認識モデルを生成するステップと、
後の人物認識タスクに対して前記新しい顔認識モデルを使用するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記識別した変化を分析する前記ステップが、前記対象認識の信頼値の変化を時間とともに追跡して、前記信頼値の著しい変化を識別するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、全体的な変化、パーセント変化、閾値変化、変化率、または変化持続時間を含む変化検出基準に対して、前記対象認識の信頼値の著しい変化を測定するステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、類似性スコア分布から計算される確率の正規化した比の使用を含む前記対象認識の信頼値を計算するステップをさらに含み、前記類似性スコア分布が、既知の顔と認識されない顔の整合を示す確率分布であることを特徴とする方法。
【請求項５】
デジタル画像内の特定の人物のコンピュータ認識を可能にするコンピュータで実行される方法であって、
画像取込みデバイスを使用して前記人物の少なくとも１つのデジタル顔画像を取得するステップと、
前記人物の所定の顔認識モデルに対して、前記人物の前記少なくとも１つのデジタル顔画像を分析して、前記少なくとも１つの画像と前記モデルの間の顔の外観の変化を識別するステップと、
前記少なくとも１つの顔画像のそれぞれに対する対象認識の信頼値を計算するステップと、
前記少なくとも１つの画像のそれぞれに対する前記対象認識の信頼値と前記所定の顔認識モデルに関連付けられた対象認識の信頼値を比較して、前記値の変化を識別するステップと、
前記対象認識の信頼値の前記識別した変化を分析して、前記人物に対して新しい顔認識モデルが必要かどうかを決定するステップと、
前記画像取込みデバイスを使用して前記人物の少なくとも１つのさらなる顔画像を取得し、前記新しい顔認識モデルを生成するのに必要な画像の完全なセットを編集するステップと、
前記画像の完全なセットから前記新しい顔認識モデルを生成するステップと、
写真内人物認識タスクに対して前記新しい顔認識モデルを使用するステップとを含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月19日(2012.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明制御回路であって、
少なくとも２つの異なる種類の調光信号から選択した１つに対応する第１電圧レベル信号を発生するように構成可能な調光レベル検出回路であって、前記調光信号の種類は、交流（ＡＣ）位相カット調光信号、直流（ＤＣ）電圧レベル調光信号、及びパルス幅変調（ＰＷＭ）調光信号を含む、調光レベル検出回路と、
波形発生器周期波形を出力するように構成されている波形発生器と、及び
前記波形発生器周期波形を前記第１電圧レベル信号と比較して、前記少なくとも２つの異なる入力調光信号の内の前記１つの調光レベルに対応する比較器デューティ・サイクルと、前記波形発生器周期波形の周波数に対応する周波数とを有する比較器波形を発生する比較回路と
を備えていることを特徴とする照明制御回路。
【請求項２】
請求項１記載の照明制御回路において、前記調光レベル検出回路は、
前記少なくとも２つの異なる入力調光信号の１つから前記電圧レベルを発生するように、ユーザにより設定可能であること、
前記少なくとも２つの異なる入力調光信号の１つから前記電圧レベルを発生するように予め構成されていること、
電気的ジャンパ構成によって構成可能であること、
構成素子の選択によって構成可能であること、又は
前記少なくとも２つの異なる種類の調光信号のそれぞれと関連付けられた異なる入力コネクタへの接続によって構成可能であること、
を特徴とする照明制御回路。
【請求項３】
請求項１又は２記載の照明制御回路において、該照明制御回路は更に、前記第１電圧レベル信号を遮断閾値電圧と比較し、この比較に基づいて遮断信号を発生するように構成されている遮断比較回路を備えていることを特徴とする照明制御回路。
【請求項４】
請求項１〜３いずれかに記載の照明制御回路において、前記調光レベル検出回路は、前記少なくとも２つの異なる種類の調光信号に対応する電圧レベルのワイヤードＯＲ回路を備えていることを特徴とする照明制御回路。
【請求項５】
請求項１〜４いずれかに記載の照明制御回路において、前記調光レベル検出回路は、デューティ・サイクル検出回路及び平均回路を備えていることを特徴とする照明制御回路。
【請求項６】
請求項５記載の照明制御回路において、前記平均回路は、ＡＣ調光信号の検出したデューティ・サイクルを平均化するように構成されている第１平均回路と、ＰＷＭ調光信号のデューティ・サイクルを平均化するように構成されている第２平均回路とを備えていることを特徴とする照明制御回路。
【請求項７】
照明デバイスであって、
少なくとも１つのソリッド・ステート発光部と、
請求項１〜６いずれかに記載の照明制御回路と、及び
前記比較器波形に応答して、前記少なくとも１つのソリッド・ステート発光部の出力強度を変化させるように構成されている駆動回路と
を備えていることを特徴とする照明デバイス。
【請求項８】
照明制御回路であって、
少なくとも２つの異なる種類の調光信号から選択した１つに対応する第１電圧レベル信号を発生する手段であって、前記調光信号の種類は、交流（ＡＣ）位相カット調光信号、直流（ＤＣ）電圧レベル調光信号、及びパルス幅変調（ＰＷＭ）調光信号を含む、手段と、
波形発生器周期波形を出力する手段と、及び
前記波形発生器周期波形を前記第１電圧レベル信号と比較して、前記少なくとも２つの異なる種類の調光信号から選択した前記１つの調光レベルに対応する比較器デューティ・サイクルと、前記波形発生器周期波形の周波数に対応する周波数とを有する比較器波形を発生する手段と、
を備えていることを特徴とする照明制御回路。
【請求項９】
照明制御回路であって、
調光レベル検出回路と、
波形発生器と、及び
比較回路と、
を備えており、
前記調光レベル検出回路は、（１）位相カットＡＣ型調光信号、（２）電圧レベル型調光信号、及び（３）ＰＷＭ型調光信号の中から選択した少なくとも２つの型の入力調光信号を受け取り、これに基づいて電圧レベル信号を発生するように構成されており、
前記波形発生器は、波形発生器周期波形を出力するように構成されており、
前記比較回路は、（ａ）前記電圧レベル信号の瞬時電圧が前記波形発生器周期波形の瞬時電圧レベルを超える時間の割合に基づく比較器デューティ・サイクルと、（ｂ）前記波形発生器周期波形の周波数に対応する周波数とを有する比較器波形を発生するように構成されている
ことを特徴とする照明制御回路。
【請求項１０】
照明制御方法であって、
少なくとも２つの異なる種類の調光信号から選択した１つに基づいて第１電圧レベル信号を発生するステップであって、前記調光信号の種類は、交流（ＡＣ）位相カット調光信号、直流（ＤＣ）電圧レベル調光信号、及びパルス幅変調（ＰＷＭ）調光信号を含む、ステップと、
波形発生器周期波形を発生するステップと、及び
前記波形発生器周期波形を前記第１電圧レベル信号と比較して、前記少なくとも２つの異なる入力調光信号の内の前記１つの調光レベルに対応する比較器デューティ・サイクルと、前記波形発生器周期波形の周波数に対応する周波数とを有する比較器波形を発生するステップと
を含んでいることを特徴とする照明制御方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の方法において、該方法は更に、
少なくとも２つの異なる種類の調光信号から選択した前記１つを特定するために、ユーザ入力を得るステップ、
前記少なくとも２つの異なる入力調光信号から選択した前記１つを予め構成するステップ、
前記少なくとも２つの異なる種類の調光信号から選択した前記１つを特定するために電気的ジャンパを設定するステップ、又は
前記少なくとも２つの異なる種類の調光信号から選択された前記１つに基づいて電圧発生回路の構成素子を選択するステップ、
を含んでいることを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１０又は１１記載の方法において、前記第１電圧レベルを発生するステップは、前記少なくとも２つの異なる種類の調光信号のそれぞれと関連付けられている異なる入力コネクタに至る接続の存在に基づいて、第１電圧レベルを発生するステップを含んでいることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１０〜１２いずれかに記載の方法において、該方法は更に、前記第１電圧レベル信号を遮断閾値電圧と比較して、この比較に基づいて遮断信号を発生するステップを含んでいることを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１０〜１３いずれかに記載の方法において、前記少なくとも２つの異なる種類の調光信号に対応する電圧レベルは、論理的にワイヤードＯＲされていることを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１０〜１４いずれかに記載の方法において、第１電圧レベルを発生するステップは、
前記少なくとも２つの異なる調光信号から選択した前記１つがＡＣ調光を含む場合、
前記検出したＡＣ調光信号のデューティ・サイクルを検出するステップと、及び
前記ＡＣ調光信号の検出したデューティ・サイクルの平均を取って、前記第１電圧レベルを供給するステップと、
前記少なくとも２つの異なる調光信号から選択した前記１つがＰＷＭ調光を含む場合、前記ＰＷＭ調光信号の平均を取って、前記第１電圧レベルを供給するステップと
を含んでいることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月5日(2011.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容積部を取り囲むチャンバ本体と、
前記処理容積部に処理ガスを流すように構成されたガス注入口と、
前記処理容積部に配置された支持ペデスタルとを備え、
前記支持ペデスタルは、
上部プレートであって、
前記基板を裏面で受け取り支持するように構成された基板支持表面と、
上部プレートの上部表面上の前記基板支持表面に囲まれた凹部と、
前記基板支持表面を囲んで径方向外側に前記基板支持表面から延びる縁部表面とを有する上部プレートと、
基板支持表面から径方向外側に上部プレートから突き出る複数の支持アイランドであって、基板支持表面よりも鉛直方向に高く、基板が滑って離れないように構成される複数の支持アイランドと、
上部プレートの縁部表面上に配置される、複数の支持アイランドの径方向外側の縁部リングであって、基板の上部表面と縁部リングの上部表面が高度差を有して配置される縁部リングとを備える、基板を処理するための装置。
【請求項２】
前記基板支持表面は、前記基板よりも小さい直径を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記縁部表面が前記基板の前記上部表面よりも鉛直方向に低い、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記基板の前記上部表面と前記縁部表面との間の高度差が６．２５ミリ（０．２５インチ）から１２．７０ミリ（０．５インチ）の範囲内にある、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記基板支持表面が、前記基板の直径よりも小さい直径を有するリングの上部表面である、請求項３に記載の装置。
【請求項６】
前記上部プレートの本体が石英を含む、請求項３に記載の装置。
【請求項７】
前記複数の支持アイランドの各々の内面が基板支持表面の外側縁部から溝によって分離されている、請求項３に記載の装置。
【請求項８】
処理チャンバの支持ペデスタル用上部プレートにおいて、
実質的にプレート形状を有する本体であって、
基板を裏面で受け取り支持するように構成された基板支持表面と、
上部プレートの上部表面上の前記基板支持表面に囲まれた凹部と、
前記基板支持表面を囲んで径方向外側に前記基板支持表面から延びる縁部表面とを有する本体と、
基板支持表面から径方向外側に本体から突き出る複数の支持アイランドであって、基板支持表面よりも鉛直方向に高く、基板が滑って離れないように構成される複数の支持アイランドと、
本体の縁部表面上に配置される、複数の支持アイランドの径方向外側の縁部リングであって、基板の上部表面と縁部リングの上部表面が高度差を有して配置される縁部リングとを備える、処理チャンバの支持ペデスタル用上部プレート。
【請求項９】
前記本体が石英を含む、請求項８に記載の上部プレート。
【請求項１０】
請求項１の装置に配置される基板の処理方法であって、
基板を前記基板ペデスタルに位置決めすることと、
処理ガスを前記装置内に流すことと、
前記基板を前記処理ガスで処理することとを含み、
前記基板の上部表面と前記縁部表面との間の高度差が、前記装置内に流された前記処理ガスへの前記基板の縁部領域の暴露を制御するのに使用される、方法。
【請求項１１】
前記基板を前記処理ガスで処理することが、前記処理ガスへの前記縁部領域の暴露を増加させるように前記縁部表面を降下させることを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記基板を前記処理ガスで処理することが、前記処理ガスへの前記縁部領域の暴露を減少させるように前記縁部表面を上昇させることを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記基板の前記上部表面と前記縁部表面との間の高度差が６．２５ミリ（０．２５インチ）から１２．７０ミリ（０．５インチ）の範囲内にある、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板の上部表面と前記縁部表面との間の前記高度差を調整するように前記縁部表面に縁部リングを配置することをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
持上げピンを使用して前記基板の上昇を変更することによって前記高度差を調整することをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月16日(2012.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン伝導性ポリマーゲル相を有する第一ドメイン、前記第一ドメインに隣接する第二ドメイン、及び電解質塩を有し、且つ、２５℃で１×１０-4Ｓｃｍ-1以上のイオン伝導度を有するナノ構造電解質材料であって、
前記第一ドメインは前記電解質材料の伝導部位を形成しており；
前記第二ドメインは構造ポリマー相を有し、前記構造ポリマー相は２５℃で１×１０6Ｐａよりも大きい体積弾性率を有し、且つ、前記第二ドメインは前記電解質材料の構造部位を形成している、前記ナノ構造電解質材料。
【請求項２】
前記ポリマーゲル相が、1種以上の溶媒を含む液体電解質を含む、請求項１に記載の電解質材料。
【請求項３】
前記溶媒が、置換エーテル、置換アミン、置換アミド、置換ホスファゼン、置換ＰＥＧ、アルキルカーボナート、ニトリル、ボラン、及びラクトンからなる群から選択される１種以上の極性添加剤を含む、請求項２に記載の電解質材料。
【請求項４】
前記溶媒が、１種以上の室温イオン性液体を含む、請求項２に記載の電解質材料。
【請求項５】
前記溶媒が、１種以上のルイス酸を含む、請求項２に記載の電解質材料。
【請求項６】
前記溶媒が、１種以上の高誘電性有機可塑剤を含む、請求項２に記載の電解質材料。
【請求項７】
前記構造ポリマー相が、前記液体電解質の存在下で５％未満膨潤する、請求項２に記載の電解質材料。
【請求項８】
前記構造ポリマー相が、９０℃で１×１０６Ｐａよりも大きい体積弾性率を有する、請求項１に記載の電解質材料。
【請求項９】
非フッ素化材料である、請求項１に記載の電解質材料。
【請求項１０】
架橋を有さない、請求項１に記載の電解質材料。
【請求項１１】
２５℃で１×１０−３Ｓｃｍ−１以上のイオン伝導度を有する、請求項１に記載の電解質材料。
【請求項１２】
前記第一ドメインが複数の第一のイオン伝導性ポリマーブロックを含み、且つ前記第二ドメインが複数の第二の構造ポリマーブロックを含むことを特徴とする、複数のブロックコポリマーを含む請求項１に記載の電解質材料。
【請求項１３】
前記第一のポリマーブロックが、ポリエーテル、直鎖状コポリマー、ポリアミン、ポリエチレンオキシド、直鎖状ポリエーテル、直鎖状ポリアクロニトリル、直鎖状ポリビニルアルコール、及び直鎖状ポリアクリレートからなる群から選択される１種以上のポリマーを含む、請求項１２に記載の電解質材料。
【請求項１４】
前記第一のポリマーブロックが、ポリシロキサン、ポリホスファゼン、ポリエーテル、ポリエチレン、及びポリアクリレートからなる群から選択される低ガラス転移点骨格を有し、且つ、ＰＥＧ−ジメチルエーテル、ＰＥＧ−ＥＣ及びＰＥＧ−ＣＮなどの置換ポリエチレングリコールからなる群から選択されるペンダントを有する１種又は櫛状のポリマーを含む、請求項１２に記載の電解質材料。
【請求項１５】
第二のポリマーブロックが、ポリスチレン、ポリメタクリレート、ポリビニルピリジン、ポリビニルシクロヘキサン、ポリイミド、ポリアミド、ポリプロピレン及びこれらのコポリマーからなる群から選択される１種以上の成分を含む、請求項１２に記載の電解質材料。
【請求項１６】
陽極、陰極、及び前記陽極と陰極との間にイオン伝達をもたらすために配置されたナノ構造ゲルポリマー電解質を含む電池であって、
前記ナノ構造ゲルポリマー電解質が、
イオン伝導性ポリマーゲル相を含む第一ドメイン（第一ドメインは、電解質材料の伝導部位を形成する）；
前記第一ドメインに隣接する第二ドメイン（第二ドメインは、２５℃で１×１０６Ｐａより大きい体積弾性率を有する構造ポリマー相を含み、且つ、電解質材料の構造部位を形成する）；及び
電解質塩、
を含み、且つ
電解質材料が２５℃で１×１０−４Ｓｃｍ−１以上のイオン伝導度を有する、前記電池。
【請求項１７】
前記第一ドメインがポリエチレンオキシドを含む、請求項１６に記載の電池。
【請求項１８】
前記第二ドメインがポリスチレンを含む、請求項１６に記載の電池。
【請求項１９】
第三相を含む第三ドメインを更に含む、請求項１６に記載の電池。
【請求項２０】
前記陰極がリチウム金属を含む、請求項１６に記載の電池。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月20日(2012.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正電極材料であって、
リチウム（Ｌｉ）、電気活性金属（Ｍ）、およびリン酸塩（ＰＯ４）を含む１またはそれ以上の相を有する電気活性材料を含み、完全にリチオ化された状態において、全体の組成は、約１．０より大きく約１．３までの範囲のＬｉ：Ｍの比と、約１．０から１．１４までの範囲の（ＰＯ４）：Ｍの比とを有し、ＭはＣｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉからなるグループから選択される１またはそれ以上の金属であり、少なくとも１つの相がかんらん石リチウム電気活性金属リン酸塩を含む正電極材料。
【請求項２】
Ｌｉ：Ｍの比は約１．０より大きく約１．１までの範囲である請求項１に記載の正電極材料。
【請求項３】
（ＰＯ４）：Ｍの比は約１．０でありＬｉ：Ｍの比は約１．０より大きく約１．０７までの範囲である、
（ＰＯ４）：Ｍの比は約１．０でありＬｉ：Ｍの比は約１．０３より大きく約１．０５までの範囲である、または、
（ＰＯ４）：Ｍの比は約１．０２でありＬｉ：Ｍの比は約１．０５から約１．０６までの範囲である請求項１に記載の正電極材料。
【請求項４】
電気活性材料は、更に、Ｖ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｏ、ＮｉおよびＺｒからなるグループから選択された１またはそれ以上のドーパント材料（Ｚ）を含み、任意的には、電気活性材料は、約５ｍｏｌ％までの１またはそれ以上のドーパント金属を含む請求項１に記載の正電極材料。
【請求項５】
ＭはＦｅを含み、
電気活性材料は、約５ｍｏｌ％までの１またはそれ以上のドーパント金属を含み、
Ｌｉ：Ｍの比は約１．０５から約１．１５の範囲であり（ＰＯ４）：Ｍの比は約１．０から約１．０３の範囲、または、
Ｌｉ：Ｍの比は約１．０５から約１．１５の範囲であり（ＰＯ４）：Ｍの比は約１．０３から約１．０５の範囲、または、
Ｌｉ：Ｍの比は約１．１から約１．２の範囲であり（ＰＯ４）：Ｍの比は約１．０５から約１．０７の範囲、または、
Ｌｉ：Ｍの比は約１．１から約１．３の範囲であり（ＰＯ４）：Ｍの比は約１．０７から約１．１４の範囲、から選択される１つである請求項４に記載の正電極材料。
【請求項６】
１またはそれ以上のドーパント金属は、かんらん石リチウム電気活性金属リン酸塩中の、１またはそれ以上のリチウムまたは電気活性金属を置き換える請求項４に記載の正電極材料。
【請求項７】
かんらん石リチウム電気活性金属リン酸塩は、（Ｌｉ１−ｘＺｘ）ＭＰＯ４の式を有し、ｘは約０．００１から約０．０５の範囲であり、（Ｌｉ１−ｘＺｘ）：Ｍの比は約１．０より大きく約１．３までの範囲である請求項４に記載の正電極材料。
【請求項８】
電気活性材料は、かんらん石リチウム電気活性金属リン酸塩相と、リチウムとリン酸塩のリッチな第２相とを含み、
任意的に、第２相はリン酸リチウムまたはピロリン酸リチウムを含む請求項１に記載の正電極材料。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の正電極材料を含み、任意的に、バインダと電気導電性材料とを含む正電極。
【請求項１０】
リチウム二次電池であって、
正電極電流コレクタと電子的に接続した正電極であって、電流コレクタは外部回路と電気的に接続された正電極と、
負電極電流コレクタと電子的に接続した負電極であって、電流コレクタは外部回路と電気的に接続された負電極と、
カソードとアノードの間に配置され、それらとイオン接続するセパレータと、
正電極および負電極とイオン接続する電解質とを含み、
正電極は、請求項１〜８のいずれかに記載の電気活性材料を含むリチウム二次電池。
【請求項１１】
負電極は、リチウム層間化合物またはリチウム金属合金を含む請求項１０に記載のリチウム二次電池。
【請求項１２】
負電極は、炭素を含み、
任意的に、負電極は、グラファイトカーボンを含み、および／または炭素は、グラファイト、球状黒鉛、メソカーボンマイクロビーズ、および炭素繊維からなるグループから選択される請求項１０に記載のリチウム二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月9日(2011.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
複製ビデオコンテンツを検出するためにコンピュータによって実行される方法であって、
入力ビデオを表す入力フィンガープリントを受け取るステップと、
参照ビデオセットから候補セグメントリストを生成するステップであって、前記候補セグメントリストは、前記参照ビデオセット内の参照ビデオ中の時間的にローカライズされたセグメントを含み、かつ、前記候補セグメントリスト内の各候補セグメントは、前記入力フィンガープリントに少なくとも部分的に一致する参照フィンガープリントを含む、前記ステップと、
分類要素を用いて、一致候補セグメントまたは不一致候補セグメントの何れかとして、前記候補セグメントリストからの候補セグメントを分類するステップと、
前記候補セグメントの前記分類に基づいて、前記参照ビデオセットから参照ビデオの一致部分を識別する結果を生成するステップと
を具備する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
複製ビデオコンテンツを検出するためのコンピュータプログラムを記憶するコンピュータ読取り可能な記憶媒体であって、コンピュータに、
入力ビデオを表す入力フィンガープリントを受け取る手順と、
参照ビデオセットから候補セグメントリストを生成する手順と、ここで、前記候補セグメントリストは、前記参照ビデオセット内の参照ビデオ中の時間的にローカライズされたセグメントを含み、かつ、前記候補セグメントリスト内の各候補セグメントは、前記入力フィンガープリントに少なくとも部分的に一致する参照フィンガープリントを含み、
分類要素を用いて、一致候補セグメントまたは不一致候補セグメントの何れかとして、前記候補セグメントリストからの候補セグメントを分類する手順と、
前記候補セグメントの前記分類に基づいて、前記参照ビデオセットから参照ビデオ中の一致部分を識別する結果を生成する手順と
を実行させるためのコンピュータプログラムを記憶したコンピュータ読取り可能な記憶媒体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２９】
複製ビデオコンテンツを検出するシステムであって、
入力ビデオを受け取る取込みサーバと、
前記入力ビデオを表す入力フィンガープリントを生成するフィンガープリントモジュールと、
参照ビデオセットを表す参照フィンガープリントを格納する参照データベースと、
前記フィンガープリントモジュールおよび前記参照データベースに接続される一致モジュールであって、前記入力フィンガープリントに基づいて、前記参照ビデオセットから候補セグメントリストを生成し、ここで、前記候補セグメントリスト内の各候補セグメントは前記入力フィンガープリントに少なくとも部分的に一致する参照フィンガープリントを含んでおり、一致セグメントまたは不一致セグメントとして前記候補セグメントを分類し、前記候補セグメントの前記分類に基づいて、前記参照ビデオセットから参照ビデオの一致部分を識別する結果を生成する、前記一致モジュールと
を備えるシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月25日(2011.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
質量パーセントで表して、２５〜４５％のＳｉＯ2、２３〜３７％のＡｌ2Ｏ3、５〜１５％のＴｉＯ2、０〜３５％のＢａＯ、０〜３０％のＳｒＯを含み、（ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ａｌ2Ｏ3のモル比が１．２未満である組成物から形成されたガラスセラミックであって、
前記ガラスセラミックが主結晶相として長石を含み、前記組成物が、無アルカリでありかつ、シリコンとの反応により元素状態に還元され得る酸化物を含まないことを特徴とするガラスセラミック。
【請求項２】
２５〜１０００℃の温度範囲において３０〜５５×１０-7／℃のＣＴＥを有することを特徴とする請求項１記載のガラスセラミック。
【請求項３】
１４５０℃を超える軟化温度を有することを特徴とする請求項１記載のガラスセラミック。
【請求項４】
２０〜３０質量パーセントの間の量でＳｒＯ＋ＢａＯをさらに含むことを特徴とする請求項１記載のガラスセラミック。
【請求項５】
１２５０℃より高い使用温度を有することを特徴とする請求項１記載のガラスセラミック。
【請求項６】
請求項１記載のガラスセラミックから製造された基体を含む光電装置。
【請求項７】
主に１種類の単斜晶系長石の均一な細粒結晶を含む、約１２５０℃より高い使用温度が可能なガラスセラミック物品であって、前記結晶が、質量パーセントで表して、２５〜４５％のＳｉＯ2、２３〜３７％のＡｌ2Ｏ3、２０〜３５％のＲＯ、およびＴｉＯ2、ＺｎＳ、ＺｒＯ2、Ｖ2Ｏ5、ＭｏＯ3、ＣａＦ2、ＷＯ3、ＮｉＯ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、およびＩｒからなる群より選択される、基礎ガラス組成物に加えて存在する少なくとも１種類の核剤を含み、モル比ＲＯ／Ａｌ2Ｏ3＜１．２を有するガラス体からその場での結晶化により形成され、ここで、ＲＯは、ＳｒＯおよびＢａＯからなる群より選択される、単独のまたは組合せの少なくとも１種類のアルカリ土類金属酸化物からなり、前記ガラスセラミック物品が、無アルカリでありかつ、シリコンとの反応により元素状態に還元され得る酸化物を含まないことを特徴とするガラスセラミック物品。
【請求項８】
１３００℃より高い使用温度をさらに示すことを特徴とする請求項７記載のガラスセラミック物品。
【請求項９】
ガラスセラミック物品を製造する方法であって、
均一な溶融物に溶融するのに十分な期間に亘り１５５０℃から１７００℃の温度で、少なくとも１種類の核剤を含む原料のバッチを溶融し、
前記溶融物からガラス物品を所望の形状に成形し、
前記ガラス物品を７００℃から８５０℃の範囲の温度でアニールし、
前記ガラス物品を、前記核剤からの核の均一な分散と成長とってに十分な期間に亘り８００℃から９００℃の温度で熱処理し、
最高の結晶化度を達成し、それによって、前記ガラス物品をガラスセラミック物品に変化させるのに十分な期間に亘り９５０℃から１４５０℃の範囲の温度でガラスを結晶化させ、
前記ガラスセラミック物品を冷却する、
各工程を有してなり、それによって、前記ガラスセラミック物品が、１２５０℃〜１４５０℃の範囲内で加熱されたときに、変形しないすなわち形状を変化させないことを特徴とする方法。
【請求項１０】
前記ガラスセラミック物品が、２５〜１０００℃の温度範囲において３０〜５５×１０-7／℃のＣＴＥを有することを特徴とする請求項９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月18日(2011.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスト細胞活性化を調節するためのポリペプチドであって、
（ｉ）ＮＥＤＤ９  Ｓｒｃ相同性２（ＳＨ２）ドメイン、
（ii）ＮＥＤＤ９  Ｓｒｃ相同性３（ＳＨ３）ドメイン、又は
（iii）ＰＨＬＤＡ１プレクストリン相同性（ＰＨ）ドメイン
のアミノ酸配列を含むポリペプチド。
【請求項２】
配列番号１４〜１５、１８〜１９、１２２〜１４４、又は１８５〜２７３のいずれか１つに示されているアミノ酸配列からなる、請求項１に記載のポリペプチド。
【請求項３】
配列番号１６〜１７、２０〜１２１、又は１４５〜１８４のいずれか１つに示されているアミノ酸配列を含む、請求項１に記載のポリペプチド。
【請求項４】
配列番号８に示されているアミノ酸配列からなる、請求項１に記載のポリペプチド。
【請求項５】
配列番号１６に示されているアミノ酸配列を含む、請求項１に記載のポリペプチド。
【請求項６】
配列番号１０、又は配列番号２７４〜３１９のいずれかに示されているアミノ酸配列を含む、請求項１に記載のポリペプチド。
【請求項７】
配列番号１０、配列番号１１又は配列番号１２に示されているアミノ酸配列からなる、請求項１に記載のポリペプチド。
【請求項８】
マスト細胞活性化から生じる過敏性疾患又は過敏性障害の治療用薬剤を製造するための、
（ｉ）ＮＥＤＤ９  Ｓｒｃ相同性２（ＳＨ２）ドメイン、
（ii）ＮＥＤＤ９  Ｓｒｃ相同性３（ＳＨ３）ドメイン、又は
（iii）ＰＨＬＤＡ１プレクストリン相同性（ＰＨ）ドメイン
のアミノ酸配列を含むポリペプチドの使用。
【請求項９】
過敏性疾患又は過敏性障害が、アナフィラキシー、薬物反応、皮膚アレルギー、湿疹、アレルギー性鼻炎、じんま疹、アトピー性皮膚炎、接触アレルギー、食物アレルギー、アレルギー性結膜炎、昆虫毒アレルギー、ぜん息、アレルギー性ぜん息、内因性ぜん息、職業性ぜん息、急性呼吸窮迫症候群（ＡＲＤＳ）、及び慢性閉塞性肺疾患（ＣＯＰＤ）からなる群から選択される、請求項８に記載の使用。
【請求項１０】
アレルギー性疾患又はアレルギー性障害の治療用薬剤を製造するための、
（ｉ）ＮＥＤＤ９  Ｓｒｃ相同性２（ＳＨ２）ドメイン、
（ii）ＮＥＤＤ９  Ｓｒｃ相同性３（ＳＨ３）ドメイン、又は
（iii）ＰＨＬＤＡ１プレクストリン相同性（ＰＨ）ドメイン
のアミノ酸配列を含むポリペプチドの使用。
【請求項１１】
アレルギー性疾患又はアレルギー性障害が、アナフィラキシー、アレルギー性薬物反応、皮膚アレルギー、湿疹、じんま疹、アトピー性皮膚炎、接触アレルギー、食物アレルギー、アレルギー性結膜炎、昆虫毒アレルギー、及びアレルギー性呼吸器疾患又は呼吸器障害からなる群から選択される、請求項１０に記載の使用。
【請求項１２】
アレルギー性呼吸器疾患又は呼吸器障害がアレルギー性ぜん息又はアレルギー性鼻炎である、請求項１１に記載の使用。
【請求項１３】
ポリペプチドが、配列番号７、配列番号８、又は配列番号１４〜２７３のいずれかに示されているアミノ酸配列を含む、請求項８〜１２のいずれかに記載の使用。
【請求項１４】
ポリペプチドが、配列番号８、又は配列番号１４〜１６のいずれかに示されているアミノ酸配列からなる、請求項８〜１２のいずれかに記載の使用。
【請求項１５】
ポリペプチドが、配列番号１０〜１２のいずれか、又は配列番号２７４〜３４８のいずれかに示されているアミノ酸配列を含む、請求項８〜１２のいずれかに記載の使用。