【手続補正書】
【提出日】平成24年4月20日(2012.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マグネトロンスパッタリングにより物体を前処理及びコーテイングするための装置であって、
金属製のチャンバ壁（２６）と、スパッタターゲットを有するマグネトロン（１，２）とを備えた真空チャンバからなり、
少なくとも一つのマグネトロンは、高電力パルスのマグネトロンスパッタリングプロセスで動作するＨＰＰＭＳマグネトロン（１）として配されており、
スイッチング素子（５）を介して該ＨＰＰＭＳマグネトロン（１）のスパッタターゲットに容量素子（６）を接続することによって、電気パルスが該ＨＰＰＭＳマグネトロンに供給され、
該スイッチング素子（５）が、該チャンバ壁（２６）の上に配されていることを特徴とする装置。
【請求項２】
該容量素子（６）は、並列接続したキャパシタからなる容量バンクとして構成され、
該スイッチング素子（５）と該容量素子（６）は、該チャンバ壁（２６）の上に配されている
請求項１記載の装置。
【請求項３】
該ＨＰＰＭＳマグネトロンに対する電源供給のために、真空通路（８）が該チャンバ壁（２６）に配されており、
該容量素子（６）、該スイッチング素子（５）及び該真空通路（８）はユニットを形成している
先行する請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項４】
冷却手段が該ＨＰＰＭＳマグネトロンのために設けられており、
冷却媒体が導管（３６，３８）を通って該ＨＰＰＭＳマグネトロン（１）に流入し、
該導管（３６，３８）は、真空通路（８）を介して該チャンバ壁（２６）を貫通しており、
該導管（３６，３８）が導電体として用いられ、該導電体により電流が該スイッチング素子（５）から該ＨＰＰＭＳマグネトロン（１）に導かれている
先行する請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項５】
冷却手段が該チャンバ壁及び／又は該チャンバ壁に取り付けられた真空通路のために設けられており、
該冷却手段が該スイッチング素子の冷却にも用いられる
先行する請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項６】
少なくとも一つの電極対が配されており、該電極対の少なくとも一つはＨＰＰＭＳマグネトロン（１）であり、
電気配線が該電極対の各電極のために配されており、
該電極対の二つの電極のための該電気配線は、共通の真空通路（８）若しくは二つの隣接する真空通路を介して、コーテイング用の該チャンバに挿通しており、該電気配線は、該チャンバの内部で該電極に延びている
先行する請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
コーテイングされるべき物体を支持するための基板テーブル（４）と、
第１電極（１）及び第２電極（３）とを備えた少なくとも一つのプラズマ発生電極対を含み、
前記ＨＰＰＭＳマグネトロン（１）は該第１電極（１）であり、高電力パルスを用いたマグネトロンスパッタリングモードで動作し、
ＨＰＰＭＳ電源が該第１電極と該第２電極との間に配されており、
該基板テーブル（４）に支持された物体が該電極対の能動面の間に位置するか、あるいは該電極対の能動面の間の空間を移動するように、該第１電極と該第２電極とを配置するようにした先行する請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
少なくとももう一つの電極対が真空チャンバに配されており、該電極対の各電極の少なくとも一つはマグネトロン（２）として構成されており、該マグネトロンは直流電源若しくは在来型のパルス電源に接続されている
請求項７に記載の装置。
【請求項９】
該少なくとも一つの電極対の能動面の間の距離は２０ｃｍより大きく、好ましくは４０ｃｍより大きく、特に好ましくは６０ｃｍより大きい、
請求項７又は８に記載の装置。
【請求項１０】
該第２電極は、陽極（３）であり、
バイアス電圧を発生するために、バイアス電圧源（ＶＢ）が該陽極（３）と該基板テーブル（４）との間に配されている、
請求項７から９のいずれかに記載の装置。
【請求項１１】
コーテイングの間プラズマにさらされる該陽極（３）の表面は、該プラズマにさらされる該第１電極の表面より小さい、
請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
電源（ＶＣ）が該陽極と該チャンバ壁との間に配されており、コーテイングの間該チャンバ壁に対して該陽極を正電位に維持する
請求項１０又は１１に記載の装置。
【請求項１３】
コーテイングの間、少なくとも二つのマグネトロンが共通の陽極（３）に対して接続されている
請求項１０から１２のいずれかに記載の装置。
【請求項１４】
該第２電極はＨＰＰＭＳマグネトロン（１ａ）であり、
該第１電極と該第２電極との間にＨＰＰＭＳ電力供給源（４０）が配されており、
このＨＰＰＭＳ電力供給源により、該電極（１，１ａ）が相互にバイポーラ方式でパルス駆動される
請求項７に記載の装置。
【請求項１５】
マグネトロンスパッタリングにより物体を前処理及びコーテイングするための方法であって、
該物体は、金属製のチャンバ壁（２６）と、スパッタターゲットを有するマグネトロンとを有する真空チャンバに配され、
該真空チャンバの中でプラズマが発生し、該スパッタターゲットの少なくとも一つがスパッタされ、
該マグネトロンの少なくとも一つは、高電力パルスを用いたマグネトロンスパッタリングプロセスによりＨＰＰＭＳマグネトロンとして動作し、
スイッチング素子（５）を介して容量素子（６）を該ＨＰＰＳマグネトロン（１）の該スパッタターゲットに接続することにより、電気パルスを該ＨＰＰＳマグネトロン（１）に供給する方法において、
該スイッチング素子（５）が、該チャンバ壁（２６）の上に配されていることを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
この目的は、請求項１に記載された装置、及び請求項１５に記載された方法によって達成される。従属請求項は本発明の有益な実施形態に関連している。ここで、周知の方法の提案された改良は、上述した各面に個々に対応しているものの、これらはどのような態様にても各面の間で組み合わせることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項１に規定するように本発明によって提案された装置は、各々マグネトロンスパッタリングで物体を前処理及びコーテイング処理するために提供される。これらは、金属のチャンバ壁を有する真空チャンバからなる。この真空チャンバには、スパッタターゲット、好ましくは金属ターゲットを具備したマグネトロンが配される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本発明の請求項７による改善は、周知の装置及び方法により高いイオン密度がマグネトロンの前面で達成できる一方、これらのイオン密度はコーテイング容積の中では、即ちコーティングすべき基板の位置では、連続的に利用できないという点に基づいている。このことは、特にＨＰＰＭＳに当てはまり、又大きなコーテイング容積と基板−マグネトロン間の拡大した距離とを伴う商業的な設備に当てはまる。本発明は、マグネトロンスパッタリングによって基板の前処理及びコーテイングを可能とするもので、高い金属イオン密度と、高い気体イオン密度の両方をコーテイング容積全体で達成できる。好ましくは一方で在来型の例えば直流マグネトロンを配し他方ではＨＰＰＭＳマグネトロンを真空チャンバに配し、それぞれのマグネトロンの電力を適切に選択することで、一方では金属イオンの量をあらかじめ決定し他方では気体イオンの量をあらかじめ決定することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
それゆえ、第１及び第２の電極を適切に配することで、基板テーブルに支持された物体が電極対の能動面の間に位置するか、若しくは電極対の能動面の間の空間を移動する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
本発明の発展形態によれば、エッチングとコーテイングとの間の遷移の特別な態様を提供している。