Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月24日(2014.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物理的空間内の物体を感知し、感知された情報を出力するように構成された深度感知カメラと、
前記物理的空間内の表面上に投影を行うように構成されたプロジェクタと、
前記深度感知カメラと前記プロジェクタによりそれぞれ供給された前記感知された情報および前記投影を処理して仮想対話型空間を生成し、前記仮想対話空間を物理的空間の上にオーバーレイ表示し、物体および表面とのインタラクションのための対話型ディスプレイをエミュレートする制御コンポーネントであって、前記エミュレート動作は、頭部装着型ユーザ装置を使用すること無く、仮想現実の表現および前記仮想現実に対するインタラクション機能が機能拡張されるような態様で実行される、
を備えることを特徴とする多次元モデリングシステム。
【請求項２】
前記感知された情報の一部を投影にマッピングして３Ｄ物理座標系を作成するマッピングコンポーネントをさらに備え、
前記カメラおよび前記プロジェクタが物理的空間に登録されることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記制御コンポーネントが、３Ｄ感知情報である感知された情報を２Ｄ画像である投影に適用し、前記感知された情報を処理して物理的空間内の物体の深度を推測し、
前記投影が、少なくとも２つの投影内の物体が相互参照されて物理的空間において接続性が確立されるように、相互に関連付けられることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記制御コンポーネントが、物理的空間内の表面上への空間ウィジェットの投影を円滑にし、前記空間ウィジェットの対話型操作は、物理的空間で所定の動きを使用して達成されることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記深度感知カメラの感知された情報を利用して、物理的空間にいるユーザに対して仮想物体の位置決めをシミュレートするために前記制御コンポーネントが処理する、３Ｄメッシュが構築され、
前記３Ｄメッシュは、リアルタイムで構築され、かつ、物理的空間の感知される部分をモデル化することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
深度感知カメラの配列構成を使用して、物理的空間内の物体を感知し、感知された情報を出力するステップと、
プロジェクタの配置構成を使用して、物理的空間内の表面上に画像を投影するステップと、
前記感知された情報と前記投影された画像とに基づき、仮想対話型空間を作成して物理的空間に重ねるステップと、
前記物理的空間内の表面に対して、物体とのインタラクションを提示するステップであって、前記提示動作は、頭部装着型ユーザ装置を使用すること無く、仮想現実の表現および前記仮想現実に対するインタラクション機能が機能拡張されるような態様で実行される、ステップと、
を含むことを特徴とする多次元モデリング方法。
【請求項７】
前記感知された情報に基づき、物理的空間内の物体の深度を推測するステップをさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記カメラの物理的空間への登録および前記プロジェクタの物理的空間への登録に基づき、物理的空間の３Ｄメッシュをリアルタイムで生成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項９】
物理的空間内の２つの表面を、前記２つの表面の接続インタラクションに基づき、仮想的に関係付けるステップと、空間ウィジェットを物理的空間の対話型表面上に提示するステップと、
所定の物理的移動を使用して前記空間ウィジェットを対話型に操作するステップと、
をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
物体に対する仮想対話型表面の計算された近接性に基づき、前記物体を仮想的に採取し、前記物体を仮想的に落とすステップをさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月24日(2014.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセッサを備える装置であって、
前記プロセッサは、複数の投機的メモリアクセス動作をトランザクショナルモードで単一のアトミックトランザクションとして実行するように構成され、前記単一のアトミックトランザクションは、前記投機的メモリアクセス動作によってアクセスされるデータを投機的データであるとしてマークすることを含み、前記プロセッサは、
前記プロセッサによって実行中のスレッドにおける制御転送を検出すること及び／又は前記プロセッサが所与の特権レベルで実行中であることを検出することによって暗黙サスペンド条件を決定するように構成される検出ユニットと、
前記暗黙サスペンド条件の表示を受信することに応答して前記トランザクショナルモードの実行をサスペンドするように構成されるトランザクションサスペンションユニットと、を備え、
前記トランザクショナルモードの実効がサスペンドされている間に実行されたメモリ動作によって投機的データがアクセスされるときに、前記トランザクショナルモードのサスペンションに応答して前記プロセッサは前記投機的データをマークすることをサスペンドし、
前記プロセッサは前記アトミックトランザクションがサスペンドされている間に前記アトミックトランザクションが失敗したことを検出するように構成され、前記プロセッサは前記投機的データを廃棄することによるのを含めて当該失敗したアトミックトランザクションを停止するように構成される装置。
【請求項２】
前記プロセッサは前記トランザクションに対する前記トランザクショナルモードの実行のための再開条件を検出した後にのみ前記失敗したアトミックトランザクションを停止するように構成される請求項１の装置。
【請求項３】
前記トランザクショナルモードのサスペンションは前記プロセッサがサスペンドフラグをセットすることを含み、前記プロセッサは前記アトミックトランザクションが失敗したことを検出することに応答して停止フラグをセットするように更に構成される請求項２の装置。
【請求項４】
前記プロセッサは前記サスペンドフラグ及び前記停止フラグを実行コンテクストの一部として保存するように構成され、当該保存された実行コンテクストは前記プロセッサによって行われるコンテクストスイッチに際して前記プロセッサの状態をリストアするために使用可能である請求項３の装置。
【請求項５】
プロセッサを備える装置であって、
前記プロセッサは、複数の投機的メモリアクセス動作をトランザクショナルモードで単一のアトミックトランザクションとして実行するように構成され、前記単一のアトミックトランザクションは、前記投機的メモリアクセス動作によってアクセスされるデータを投機的データであるとしてマークすることを含み、前記プロセッサは、
前記プロセッサによって実行中のスレッドにおける制御転送を検出すること及び／又は前記プロセッサが所与の特権レベルで実行中であることを検出することによって暗黙サスペンド条件を決定するように構成される検出ユニットと、
前記暗黙サスペンド条件の表示を受信することに応答して前記トランザクショナルモードの実行をサスペンドするように構成されるトランザクションサスペンションユニットと、を備え、
前記トランザクショナルモードの実効がサスペンドされている間に実行されたメモリ動作によって投機的データがアクセスされるときに、前記トランザクショナルモードのサスペンションに応答して前記プロセッサは前記投機的データをマークすることをサスペンドし、
前記検出ユニットは前記制御転送からのリターンに対応するリターン制御転送を検出することによるのを含めて再開条件を決定するように構成され、前記プロセッサは前記再開条件を決定した後にデータを投機的であるとしてマークすることを再開するように構成される装置。
【請求項６】
前記トランザクションサスペンションユニットは前記トランザクショナルモードがサスペンドされていた間に当該トランザクションが失敗したことを検出することに応答して前記アトミックトランザクションを停止することによって前記再開条件の決定に応答するように構成され、前記停止することは前記投機的データを廃棄することを含む請求項５の装置。
【請求項７】
前記アトミックトランザクションが再開される場合に前記プロセッサは前記アトミックトランザクションのサスペンションの前及び後の両方にマークされた投機的データを非投機的であるとしてマークすることによるのを含めて前記アトミックトランザクションをコミットするように構成される請求項６の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月13日(2014.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチスクリーンシステムの第１スクリーンにおいて第１入力を認識するステップであって、前記第１入力は前記第１スクリーン上の第１表示オブジェクトへの第１モーション入力を含む、ステップと、
前記マルチスクリーンシステムの第２スクリーンにおいて第２入力を認識するステップであって、前記第２入力は前記第２スクリーン上の第２表示オブジェクトへの第２モーション入力を含む、ステップと、
前記認識された第１及び第２入力に関係付けられた前記第１及び第２モーション入力から、縮小ジェスチャー又は拡大ジェスチャーのうちの少なくとも一方を判定するステップであって、前記縮小ジェスチャーは、前記第１表示オブジェクトを、前記第１及び第２スクリーンを隔てる前記マルチスクリーンシステムのベゼル近傍の前記第１スクリーン上に表示されるように縮小し、前記第２表示オブジェクトを、前記マルチスクリーンシステムの前記ベゼル近傍の前記第２スクリーン上に表示されるように縮小するのに有効であり、前記第１及び第２表示オブジェクトは、それぞれ前記第１及び第２スクリーン上において互いに独立して表示されるように縮小される、ステップと、
を含む、コンピューターにより実現される方法。
【請求項２】
前記縮小ジェスチャーは、前記第１及び第２モーション入力が前記第１及び第２表示オブジェクトを縮小するのに有効である場合に、前記第１及び第２入力のスクリーン間における連係動作として識別される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記拡大ジェスチャーは、前記第１及び第２モーション入力が前記第１及び第２表示オブジェクトを拡大するのに有効である場合に、前記第１及び第２入力のスクリーン間における連係動作として識別される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記縮小ジェスチャーは、前記第１及び第２入力間の距離を減少させる前記第１及び第２モーション入力に基づいて判定される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記拡大ジェスチャーは、前記第１及び第２入力間の距離を増加させる前記第１及び第２モーション入力に基づいて判定される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１及び第２入力間の距離が前記第１及び第２モーション入力と共に変化することを認識するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記変化は前記縮小ジェスチャーと判定される前記距離の減少である、ということを認識するステップを更に含み、前記縮小ジェスチャーは前記第１及び第２表示オブジェクトが縮小された時にズームアウトの様相をもたらす、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記変化は前記拡大ジェスチャーと判定される前記距離の増加である、ということを認識するステップを更に含み、前記拡大ジェスチャーは前記第１及び第２表示オブジェクトが拡大された時にズームインの様相をもたらす、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
認識された第１及び第２入力と関係付いているモーション入力から縮小ジェスチャー又は拡大ジェスチャーのうちの少なくとも一方を判定するように構成されたジェスチャーモジュールであって、前記縮小ジェスチャーは、表示オブジェクトを縮小するのに有効である、ジェスチャーモジュールと、
第１スクリーンにおいて前記第１入力を認識するように構成され、前記第１入力は前記第１スクリーン上の第１表示オブジェクトを縮小するための第１モーション入力を含み、第２スクリーンにおいて前記第２入力を認識するように構成され、前記第２入力は前記第２スクリーン上の第２表示オブジェクトを縮小するための第２モーション入力を含み、前記第１及び第２表示オブジェクトは、それぞれ前記第１及び第２スクリーン上の互いに独立した表示のために縮小されるように構成され、前記第１入力が認識されるのとほぼ同じ時に前記第２入力が認識される、入力認識システムと、
を実現するための少なくともメモリとプロセッサーを含む、マルチスクリーンシステム。
【請求項１０】
前記ジェスチャーモジュールは、前記第１及び第２入力に関係付けられた前記モーション入力に基づいて、前記表示オブジェクトを縮小するのに有効な前記第１及び第２入力のスクリーン間における連係動作として前記縮小ジェスチャーを識別するように更に構成された、請求項９に記載のマルチスクリーンシステム。
【請求項１１】
前記ジェスチャーモジュールは、前記第１及び第２入力に関係付けられた前記モーション入力に基づいて、前記表示オブジェクトを拡大するのに有効な前記第１及び第２入力のスクリーン間における連係動作として前記拡大ジェスチャーを識別するように更に構成された、請求項９に記載のマルチスクリーンシステム。
【請求項１２】
前記ジェスチャーモジュールは、前記第１及び第２入力間の距離を減少させる前記モーション入力から前記縮小ジェスチャーを判定するように更に構成された、請求項９に記載のマルチスクリーンシステム。
【請求項１３】
前記ジェスチャーモジュールは、前記第１及び第２入力間の距離を増加させる前記モーション入力から前記拡大ジェスチャーを判定するように更に構成された、請求項９に記載のマルチスクリーンシステム。
【請求項１４】
前記入力認識システムは、前記第１及び第２入力間の距離が前記モーション入力と共に変化することを認識するように更に構成された、請求項９に記載のマルチスクリーンシステム。
【請求項１５】
前記ジェスチャーモジュールは、前記変化が前記第１及び第２入力間の前記距離の減少である場合に前記縮小ジェスチャーを判定するように更に構成され、前記縮小ジェスチャーは前記表示オブジェクトが縮小された時にズームアウトの様相をもたらす、請求項１４に記載のマルチスクリーンシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月17日(2014.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２重被覆光ファイバにおいて、
コア領域及びクラッド層領域を有するガラスファイバ、及び
前記ガラスファイバを囲む２重被覆層であって、
前記ガラスファイバを囲む内層被覆であり、第１のポリイミド材料を含む内層被覆と、
前記内層被覆を囲んで前記内層被覆に直接に接する外層被覆であり、前記第１のポリイミド材料より高い分解閾温度を有する第２のポリイミド材料を含む外層被覆と、
を有する２重被覆層、
を備えることを特徴とする２重被覆光ファイバ。
【請求項２】
２重被覆光ファイバにおいて、
コア領域及びクラッド層領域を有するガラスファイバ、及び
前記ガラスファイバを囲んで前記ガラスファイバと直接に接する２重被覆層、
を備え、前記２重被覆層が、
前記ガラスファイバを囲む内層被覆であって、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水化物／４,４-オキシジアニリン／ｍ-フェニレンジアミンポリマーのポリアミック酸と有機シラン定着剤の混合物を含む内層被覆と、
前記内層被覆を囲んで前記内層被覆に直接に接する外層被覆であって、ｓ-ビフェニル二無水化物／ｐ-フェニレンジアミンポリマーを含む外層被覆と、
を有することを特徴とする２重被覆光ファイバ。
【請求項３】
二重被覆光ファイバを形成する方法において、
ガラスファイバに第１のポリイミド材料を塗布して、前記ガラスファイバを囲む内層被覆を形成する工程、
前記内層被覆を有する前記ガラスファイバを加熱して、前記第１のポリイミド材料を硬化させる工程、
前記内層被覆上に直接に、前記第１のポリイミド材料より高い分解閾温度を有する第２のポリイミド材料を塗布して、外層被覆を形成する工程、及び
前記内層被覆及び前記外層被覆を有する前記ガラスファイバを加熱して、前記第２のポリイミド材料を硬化させる工程、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
前記第１のポリイミド材料がベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水化物／４,４-オキシジアニリン／ｍ-フェニレンジアミンポリマーのポリアミック酸を含み、前記第２のポリイミド材料がビフェニル二無水化物／フェニレンジアミンに基づくポリマーを含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月17日(2014.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オブジェクトと関連した第１オンスクリーン入力を受けるステップと、
前記オブジェクトと関連した第２ベゼル・ジェスチャー入力を受けるステップであって、前記ベゼル・ジェスチャー入力が、対応するデバイス・ベゼル上におけるタッチ入力と、前記デバイス・ベゼルから前記対応するデバイスに関連したディスプレイ・デバイス上への前記タッチ入力の動きとを含み、前記デバイスが、前記ベゼル上のみで行われる前記タッチ入力を検知するように構成され、前記ベゼル・ジェスチャー入力が連続スワイプ・ジェスチャーを含み、該連続スワイプ・ジェスチャーが、前記ベゼル上のみと前記ディスプレイ・デバイス上のみの双方で行われると前記対応するデバイスで検知される、ステップと、
引き抜かれない前記ページの部分に関連した前記オンスクリーン入力と、引き抜かれる前記ページの前記部分の境界を示す前記ベゼル・ジェスチャー入力との双方の入力の組み合わせと関連した引き抜き機能を確認するステップと、
前記関連した引き抜き機能にアクセスするステップであって、前記引き抜き機能が、引き抜かれなかった前記ページの前記部分のビットマップを生成させる、ステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、前記オンスクリーン入力が、１本指の入力を含む、方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法において、前記オンスクリーン入力が、複数指の入力を含む、方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、前記ベゼル・ジェスチャー入力が、１本指の入力を含む、方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法において、前記ベゼル・ジェスチャー入力が、複数指の入力を含む、方法。
【請求項６】
請求項１記載の方法において、前記機能が、ページ操作と関連付けられている、方法。
【請求項７】
請求項１記載の方法において、前記引き抜き機能が前記引き抜きの方向に依存する、方法。
【請求項８】
請求項１記載の方法において、前記機能が、前記ページの一部に対する部分的引き抜き動作と関連付けられている、方法。
【請求項９】
請求項１記載の方法において、前記機能が、前記ページの一部に対する部分的引き抜き動作と関連付けられており、前記ベゼル・ジェスチャー入力が、１本指の入力を含む、方法。
【請求項１０】
請求項１記載の方法において、前記機能が、ページに対する完全な引き抜き動作と関連付けられている、方法。
【請求項１１】
請求項１記載の方法において、前記機能が、ページに対する完全な引き抜き動作と関連付けられており、前記ベゼル・ジェスチャー入力が、複数指の入力を含む、方法。
【請求項１２】
コンピューター実行可能命令を含む１つ以上のコンピューター読み取り可能記憶メモリであって、前記コンピューター実行可能命令を実行すると、
ページと関連した第１オンスクリーン入力を受けるステップと、
前記ページと関連した第２ベゼル・ジェスチャー入力を受けるステップであって、前記ベゼル・ジェスチャー入力がスライドするタッチ入力を含み、該スライドするタッチ入力の部分が、対応するデバイス・ベゼル上において行われ、該スライドするタッチ入力の別の部分が前記対応するデバイスに関連したディスプレイ・デバイス上において行われ、前記デバイスが、前記ベゼル上のみで行われる前記タッチ入力を検知し、前記ディスプレイ・デバイス上において行われる前記ベゼル・ジェスチャーの部分と、前記ベゼル上のみにおいて開始しかつ前記ベゼル上のみにおいて行われるように検知される前記部分と、連続するスワイプ・ベゼル・ジェスチャー入力を定める前記ベゼル上のみにおいて行われる前記部分と組合わさった前記ディスプレイ・デバイス上において行われる前記部分と、を検知するように構成された、ステップと、
引き抜かれない前記ページの部分に関連した前記オンスクリーン入力と、引き抜かれる前記ページの前記部分の境界を示す前記ベゼル・ジェスチャー入力との双方の入力の組み合わせと関連した引き抜き機能を確認するステップと、
前記関連した引き抜き機能にアクセスするステップであって、前記引き抜き機能が、引き抜かれなかった前記ページの前記部分のビットマップを生成させる、ステップと、
を含む方法を実施する、１つ以上のコンピューター読み取り可能記憶メモリ。
【請求項１３】
請求項１２記載の１つ以上のコンピューター読み取り可能記憶メモリにおいて、前記オンスクリーン入力が、１本指の入力を含む、１つ以上のコンピューター読み取り可能記憶メモリ。
【請求項１４】
請求項１２記載の１つ以上のコンピューター読み取り可能記憶メモリにおいて、前記オンスクリーン入力が、複数指の入力を含む、１つ以上のコンピューター読み取り可能記憶メモリ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月28日(2014.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データに対応するメタデータを受け取って運動物体の観察軌跡を決定するメタデータ処理モジュールと、
前記観察軌跡のスコアリングを実行するスコアリングエンジンと、
前記スコアリングの結果を分析して異常挙動が観察されたかどうかを判断する異常挙動検出モジュールと、
前記判定に基づいて警告を生成する警告生成モジュールとによって構成される監視モジュールを有することを特徴とするビデオ監視システム。
【請求項２】
前記画像データに対応するメタデータを生成するメタデータ生成モジュールを有し、
前記監視モジュールは前記生成されたメタデータを受け取ることを特徴とするビデオ監視システム。
【請求項３】
前記画像データを生成する検出装置を有し、前記検出装置は前記メタデータ生成モジュールを有し、前記検出装置は前記監視モジュールに接続されることを特徴とする請求項１または２に記載のビデオ監視システム。
【請求項４】
前記検出装置はビデオカメラであることを特徴とする請求項３に記載のビデオ監視システム。
【請求項５】
前記画像データは所定の大きさのセルに分割され、
前記メタデータ生成モジュールは、前記メタデータを前記セル毎のデータキューブを生成し、
さらに、前記メタデータ処理モジュールは、前記データキューブ内の外れ値を検出して前記観測軌跡を決定することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のビデオ監視システム。
【請求項６】
前記メタデータ生成モジュールは外れ値検出モジュールを有し、
前記外れ値検出モジュールは、前記セルにおける前記観察軌跡の値と前記セルにおける前記データキューブに保持されたデータを比較することにより、前記セルにおける前記観察軌跡の値が外れ値であることを判定することを特徴とする請求項５に記載のビデオ監視システム。
【請求項７】
前記データキューブに保存されたデータは、前記運動物体を囲むバウンディングボックスのサイズ、前記運動物体の速度、または前記運動物体の加速度であることを特徴とする請求項６に記載のビデオ監視システム。
【請求項８】
正常動きモデルを記憶する動的モデルデータベースと、前記正常動きモデルを更新するデータベース更新モジュールとを有し、
前記スコアリングエンジンは、前記動的モデルデータベースから前記正常モデルを取り出して前記観察軌跡に対してスコアリングし、
前記データベース更新モジュールは前記観察軌跡の変化を判定して前記動的モデルデータベースに記憶される前記正常動きモデルを生成することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載のビデオ監視システム。
【請求項９】
コンピュータを用いて運動物体の監視をするビデオ監視方法であって、
画像データに対応するメタデータを受け取って運動物体の観察軌跡を決定するメタデータ処理ステップと、
前記観察軌跡のスコアリングを実行するスコアリングステップと、
前記スコアリングの結果を分析して異常挙動が観察されたかどうかを判断する異常挙動検出ステップと、
前記判定に基づいて警告を生成する警告生成ステップとによって構成されることを特徴とするビデオ監視方法。
【請求項１０】
前記画像データに対応するメタデータを生成するメタデータ生成ステップをさらに有し、
前記メタデータ処理ステップは前記生成されたメタデータを受け取ることを特徴とする請求項９に記載のビデオ監視方法。
【請求項１１】
コンピュータに実行させる運動物体の監視をするビデオ監視プログラムであって、
画像データに対応するメタデータを受け取って運動物体の観察軌跡を決定するメタデータ処理ステップと、
前記観察軌跡のスコアリングを実行するスコアリングステップと、
前記スコアリングの結果を分析して異常挙動が観察されたかどうかを判断する異常挙動検出ステップと、
前記判定に基づいて警告を生成する警告生成ステップとによって構成されることを特徴とするビデオ監視プログラム。
【請求項１２】
前記画像データに対応するメタデータを生成するメタデータ生成ステップをさらに有し、
前記メタデータ処理ステップは前記生成されたメタデータを受け取ることを特徴とする請求項１１に記載のビデオ監視プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月17日(2014.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
計算デバイスのベゼル上においてベゼル・ジェスチャーを受けるステップであって、前記ベゼル・ジェスチャーが、前記ベゼル上のみにおいて開始する部分を有し、該部分が、前記計算デバイスに関連したディスプレイ・デバイス上において行われる部分に続き、前記計算デバイスが、前記ベゼル上のみにおいて開始する前記部分と前記ディスプレイ・デバイス上において行われる前記部分とを検知するように構成された、ステップと、
前記受けたことに少なくとも部分的に応答して、提示可能なベゼル・メニューを介して利用可能な機能にアクセスするステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、前記受けるステップが、前記ベゼル・メニューにアクセスするために使用可能な視覚的アフォーダンスに関するベゼル・ジェスチャーを受けるステップを含む、方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法であって、更に、前記機能にアクセスする前に、かつ前記視覚的アフォーダンスに関する前記ベゼル・ジェスチャーを受けたことに応答して、前記ベゼル・メニューを提示するステップを含む、方法。
【請求項４】
請求項３記載の方法において、前記ベゼル・メニューが、ドロップ・ダウン・メニューを含む、方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法において、前記ベゼル・メニューが、複数のスロットを含み、個々のスロットが、それぞれの機能と関連付けられた、方法。
【請求項６】
請求項１記載の方法において、前記ベゼル・メニューが、コマンド、ツール、およびオブジェクトへのアクセスを可能にするように構成された、方法。
【請求項７】
ベゼルとディスプレイ・スクリーンを有する計算デバイスを含むシステムであって、
１つ以上のプロセッサーと、
コンピューター読み取り可能命令を有する１つ以上のコンピューター読み取り可能記憶媒体であって、前記命令が、前記１つ以上のプロセッサーの影響の下で実行されると、前記計算デバイス上にベゼル・アクセス可能なメニューを実現し、前記命令が、実行されたときに、機能にアクセスするように構成され、少なくともその機能の一部が、ベゼル・ジェスチャー入力によって、前記ベゼル・アクセス可能メニューと関連付けられ、前記ベゼル・ジェスチャー入力が連続ジェスチャー入力を含み、該連続ジェスチャー入力が、前記計算デバイスの前記ベゼル上のみにおいて行われる部分と前記計算デバイスに関連した前記ディスプレイ・スクリーン上のみにおいて行われる部分との間で遷移し、前記計算デバイスが、前記ベゼル上のみにおいて行われる前記入力部分と前記ディスプレイ・スクリーン上のみにおいて行われる前記部分とを検知するように構成された、システム。
【請求項８】
請求項７記載のシステムにおいて、前記ベゼル・ジェスチャー入力が、前記ベゼル上で開始または終了する入力、前記ベゼルを交差または再交差する入力、異なる位置で前記ベゼルを交差する入力、複数のスクリーンと関連した１つ以上のベゼル上において行われる入力、１接触ドラッグを含む入力、２接触ドラッグを含む入力、または手接触ドラッグを含む入力のうち少なくとも１つを含む、システム。
【請求項９】
請求項７記載のシステムにおいて、前記ベゼル・メニューが、複数のスロットを含み、個々のスロットがそれぞれの機能と関連付けられた、システム。
【請求項１０】
請求項７記載のシステムにおいて、前記ベゼル・メニューが、複数のスロットを含み、個々のスロットがそれぞれの機能と関連付けられ、少なくとも１つのスロットが、他のスロットと比較して狭くした幅を有する、システム。
【請求項１１】
請求項７記載のシステムにおいて、前記ベゼル・メニューが、複数のスロットを含み、個々のスロットがそれぞれの機能と関連付けられ、少なくとも１つのスロットが、他のスロットと比較して狭くした幅を有し、前記少なくとも１つのスロットが角スロットを含む、システム。
【請求項１２】
請求項７記載のシステムであって、更に、異なるジェスチャー・モードによって、前記ベゼル・アクセス可能メニューと関連付けられた機能に対するアクセスを可能にする命令を含む、システム。
【請求項１３】
請求項７記載のシステムであって、更に、異なるジェスチャー・モードによって、前記ベゼル・アクセス可能メニューと関連付けられた機能に対するアクセスを可能にする命令を含み、第１ジェスチャー・モードが、前記ベゼル・アクセス可能メニューを見せる初心者モードを含み、第２ジェスチャー・モードが、前記ベゼル・アクセス可能メニューを見せない習熟者モードを含む、システム。
【請求項１４】
請求項７記載のシステムであって、更に、前記ベゼル・アクセス可能メニューと関連付けられた機能にアクセスするために使用されるように構成された前記ベゼル・アクセス可能メニューと関連付けられた視覚的アフォーダンスを表示する命令を含む、システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月21日(2014.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
強化メンブランであって、
（ｉ）金属、炭素、ポリマー又はこれらの複合材で得られた、平らな強化部材と、及び
（ii）イオン-伝導性物質とを備えてなり、
前記イオン-伝導性物質が、液体又は固体の、プロトン-伝導性ポリマー又はアニオン-伝導性ポリマーであり、
前記平らな強化部材が、多数の個別のセルを含むセル状構造であり、
前記各セルの壁が、前記部材の厚さを通して延び、各セル壁が前記イオン-伝導性物質に対して浸透しないものであり、
前記平らな強化部材における幾つか又は全ての前記セルが、前記イオン-伝導性物質により満たされたものである、強化メンブラン。
【請求項２】
前記平らな強化部材が、ハニカム構造である、請求項１に記載の強化メンブラン。
【請求項３】
前記平らな強化部材の孔隙率が３０％超過である、請求項１又は２に記載の強化メンブラン。
【請求項４】
前記イオン-伝導性物質が固体である、請求項１〜３の何れか一項に記載の強化メンブラン。
【請求項５】
前記固体イオン-伝導性物質が、ｚ-方向に沿って満たされた前記セルを超えて延び、前記平らな強化部材の一面又は両面に非強化固体イオン-伝導性物質の層が備えられてなる、請求項４に記載の強化メンブラン。
【請求項６】
前記イオン-伝導性物質が液体である、請求項１〜５の何れか一項に記載の強化メンブラン。
【請求項７】
前記全てのセルが、前記イオン-伝導性物質で充填されてなる、請求項１〜６の何れか一項に記載の強化メンブラン。
【請求項８】
前記平らな強化部材のエッジの周りのセルが、前記イオン-伝導性物質で満たされず、前記平らな強化部材の周辺部の周りに、前記イオン-伝導性物質が存在しない領域が存在してなる、請求項１〜７の何れか一項に記載の強化メンブラン。
【請求項９】
請求項１〜８の何れか一項に記載の強化メンブランと、及び
前記強化メンブランの少なくとも一方の側に位置する電気化学的触媒層とを備えてなる、触媒コーティング強化メンブラン。
【請求項１０】
請求項１〜８の何れか一項に記載の強化メンブランを備えてなる、メンブラン電極組立体。
【請求項１１】
請求項９による触媒コーティング強化メンブランを備えてなる、メンブラン電極組立体。
【請求項１２】
請求項１〜８の何れか一項に記載の強化メンブラン、
請求項９に記載の触媒コーティング強化メンブラン、或いは
請求項１０又は１１に記載のメンブラン電極組立体を備えてなる、燃料電池。
【請求項１３】
請求項１〜８の何れか一項に記載の強化メンブラン、
請求項９に記載の触媒コーティング強化メンブラン、或いは
請求項１０又は１１に記載のメンブラン電極組立体を備えてなる、電解槽。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月6日(2014.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧縮コネクタであって、
中心長手方向軸と、第１径方向寸法によって画定される内面と、前記第１径方向寸法を超える第２径方向寸法によって画定される外面と、第１及び第２の対向する終端と、を画定する、細長く内部が中空の内管であって、第１軸方向押し出し速度を呈する第１材料を含む管と、
第２軸方向押し出し速度を呈する第２材料を含む少なくとも１つの管状スリーブと、を含み、
前記少なくとも１つの管状スリーブが、長さと、前記第１径方向寸法より小さい第３径方向寸法によって画定される外面と、前記第３径方向寸法より小さい第４径方向寸法を有する内部中空部分を画定する内面と、第１及び第２の対向する終端とを有し、
前記第３の径方向寸法と前記第４の径方向寸法との間の差異は、前記少なくとも１つのスリーブが、前記中空の管の前記第１又は第２終端を通って軸方向に挿入され、かつ前記管の前記外面に実質的に直交する方向の機械的圧縮にさらされたときに、前記第１及び第２材料が実質的に同じ速度で軸方向に押し出されるように変形するように、壁厚を画定するように選択される、圧縮コネクタ。
【請求項２】
前記第２径方向寸法を超える第５径方向寸法によって画定される内面と、前記第５径方向寸法を超える第６径方向寸法によって画定される外面と、第１及び第２の対向する終端と、を有する外側の内部中空管状体を更に含み、前記外側管状体が、前記内管の上に摺動可能に係合され、任意で、前記外側管状体が金属を含む、請求項１に記載の圧縮コネクタ。
【請求項３】
前記外側管状体の前記第５径方向寸法より小さい外半径を有する撚り複合体ケーブルを更に備え、前記撚り複合体ケーブルが、中心長手方向軸を画定する単一コアワイヤと、前記単一コアワイヤの周囲に撚られた少なくとも第１の複数の複合体ワイヤと、前記第１の複数の複合体ワイヤの周囲に撚られた少なくとも第２の複数のワイヤとを更に備える、複合体コアと、を備え、更に、前記単一コアワイヤ及び前記少なくとも第１の複数の複合体ワイヤの終端部分が、前記少なくとも第２の複数のワイヤの終端部分を超えて長手方向に延び、また追加で、前記少なくとも第１の複数の複合体ワイヤの終端部分の少なくとも一部分が、前記スリーブの前記第４径方向寸法の２倍未満である直径を有し、かつ前記スリーブの内部中空部分の中へ延びる、請求項２に記載の圧縮コネクタ。
【請求項４】
請求項３に記載の圧縮コネクタを使用する圧縮コネクタアセンブリを作製する方法であって、
前記スリーブを、前記管の前記内部中空部分の中へ軸方向に挿入する工程と、
前記単一コアワイヤ及び前記少なくとも第１の複数の複合体ワイヤの前記終端部分を、前記スリーブの前記内部中空部分の中へ挿入する工程と、
前記単一コアワイヤ及び前記少なくとも第１の複数の複合体ワイヤの前記終端部分を、前記スリーブの前記内部中空部分の中へ挿入し、かつ前記スリーブを、前記内管の前記内部中空部分の中へ軸方向に挿入した後に、前記管の前記外面に実質的に直交する方向に前記内管を機械的に圧縮し、それによって、前記第１及び第２材料が実質的に同じ速度で軸方向に押し出されるように、前記内管及び前記スリーブを変形する工程と、
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月18日(2014.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体（１１）の毛管層により表面（１６）上に基板（１２）をクランプする為の基板支持構造（１３）であって、前記表面が外縁（２８）を有しているとともにクランプされる前記基板を受け入れる為の１つ又はそれ以上の基板支持要素（１７）を備えていて、
ここにおいては、前記１つ又はそれ以上の基板支持要素が複数の支持位置に前記基板の為の支持を提供するよう配置されており、
ここにおいては、前記基板支持構造がさらに、前記表面を取り囲んでいるとともに密封リムを形成している上表面又は縁（２２，２４，２６）を有している密封構造（２１）をさらに備えており、
ここにおいては、前記表面の前記外縁と複数の前記支持位置の最も外側の１つとの間の距離（ｃ）が前記外縁と前記密封リムとの間の距離（ｄ）よりも大きく、そして、
ここにおいては、前記密封リムと前記最も外側の支持位置との間の距離（ｃ＋ｄ）が、隣接している支持位置間の最大距離よりも大きい、
基板支持構造。
【請求項２】
前記表面の前記外縁と前記最も外側の支持位置との間の前記距離（ｃ）が、前記外縁と前記密封リムとの間の前記距離（ｄ）の２倍よりも大きいか又は２倍に等しい、請求項１の基板支持構造。
【請求項３】
前記密封リムと前記最も外側の支持位置との間の前記距離（ｃ＋ｄ）が、隣接している支持位置間の前記最大距離の２倍よりも大きいか又は２倍に等しい、請求項１又は２の基板支持構造。
【請求項４】
前記表面の前記外縁と前記最も外側の支持位置との間の前記距離（ｃ）が、隣接している支持位置間の前記最大距離の２倍よりも大きいか又は２倍に等しい、請求項１乃至３の何れか１項の基板支持構造。
【請求項５】
前記表面の前記外縁と前記最も外側の支持位置との間の前記距離（ｃ）が、複数の支持位置間の公称距離と等しいか又は公称距離よりも大きく、そして、前記外縁と前記密封リムとの間の前記距離（ｄ）がこのような公称距離と等しいか又はこのような公称距離よりも小さい、請求項１乃至４の何れか１項の基板支持構造。
【請求項６】
液体（１１）の毛管層により表面（１６）上に基板（１２）をクランプする為の基板支持構造（１３）であって、前記表面が外縁（２８）を有しているとともにクランプされる前記基板を受け入れる為の１つ又はそれ以上の基板支持要素（１７）を備えていて、
ここにおいては、前記１つ又はそれ以上の基板支持要素が複数の支持位置に前記基板の為の支持を提供するよう配置されており、
ここにおいては、前記基板支持構造がさらに、前記表面を取り囲んでいるとともに密封リムを形成している上表面又は縁（２２，２４，２６）を有している密封構造（２１）をさらに備えており、そして、
ここにおいては、前記表面の前記外縁と前記最も外側の支持位置との間の距離（ｃ）が複数の支持位置間の公称距離と等しいか又は公称距離よりも大きく、そしてここにおいては、前記外縁と前記密封リムとの間の距離（ｄ）がこのような公称距離と等しいか又はこのような公称距離よりも小さい、
基板支持構造。
【請求項７】
前記１つ又はそれ以上の基板支持要素は、相互に等しいピッチで規則的なパターンに配置されている複数の支持位置に前記基板の為の支持を提供していて、前記密封リムと前記密封リムに最も近い支持位置との間の距離が前記ピッチを越えている、請求項１乃至６の何れか１項の基板支持構造。
【請求項８】
前記密封リムが前記基板支持要素の上面と実質的に同じ水準である、請求項１乃至７の何れか１項の基板支持構造。
【請求項９】
前記表面（１６）の回りに堀（１９）が設けられていて、前記堀は前記表面の外辺部により高い段部分（８３）を備えている、請求項１乃至８の何れか１項の基板支持構造。
【請求項１０】
複数の前記基板支持要素の上面と前記堀（１９）の前記段部分（８３）との間の高さの差異は、複数の前記基板支持要素の高さの２倍よりも大きいか又は２倍に等しい、請求項９の基板支持構造。
【請求項１１】
基板支持構造（１３）と、液体（１１）の毛管層により前記基板支持構造の表面（１６）上にクランプされている基板（１２）との組み合わせであって、前記表面が前記基板を受け入れる為の１つ又はそれ以上の基板支持要素（１７）を備えているとともに１つ又はそれ以上の支持位置で前記基板の為の支持を提供するよう配置されていて、
ここにおいては、前記基板支持構造がさらに、前記表面の回りで密封リムを形成している上表面又は縁（２２，２４，２６）を有している密封構造（２１）を備えており、そして、
ここにおいては、前記密封リムと最も外側の前記支持位置との間の距離（ｃ＋ｄ）が、隣接している支持位置間の最大距離よりも大きい、
組み合わせ。
【請求項１２】
前記基板のクランプの間に、隙間が、前記基板の底表面が前記密封リムに接触するよう減少されている、請求項１１の組み合わせ。
【請求項１３】
前記密封リムが複数の前記基板支持要素の上面と実質的に同じ水準である、請求項１１又は１２の組み合わせ。
【請求項１４】
前記密封リムと前記最も外側の支持位置との間の距離（ｃ＋ｄ）が、隣接している支持位置間の最大距離の２倍よりも大きいか又は２倍に等しい、請求項１１乃至１３の何れか１項の組み合わせ。
【請求項１５】
前記毛管液体層の周縁部と前記最も外側の支持位置との間の距離（ａ）が、前記毛管液体層の周縁部と前記密封リムとの間の距離（ｂ）よりも大きい、請求項１１乃至１４の何れか１項の組み合わせ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板支持構造及び基板支持構造と基板支持構造の表面上にクランプされている基板との組み合わせ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
この発明は、その表面上に基板をクランプする為の基板支持構造、及び基板支持構造と基板支持構造の表面上にクランプされている基板との組み合わせ、に関係している。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月4日(2013.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理する方法であって、
露出面を提供することと、
前記露出面を覆う自己組織化単分子層を吸着するために、第１の分子鎖長を有する第１の有機前駆体を供給することと、
その上に自己組織化単分子層が吸着されない前記露出面の反応部位上に吸着するために、前記第１の分子鎖長より短い第２の分子鎖長を有する第２の有機前駆体を供給することと、を含む方法。
【請求項２】
前記露出面は、反応チャンバの表面である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記露出面は、パターン化された基板の表面である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の分子鎖長は、８炭素原子以上の長さであり、前記第２の分子鎖長は、８炭素原子未満の長さである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
選択的ＡＬＤ処理を前記反応チャンバ内の前記パターン化された基板上に実行することをさらに含み、わずかな量の材料が、前記選択的ＡＬＤ処理中に前記自己組織化単分子層上に堆積される、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の有機前駆体を導入する前に、水酸化処理を前記露出面上に実行することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の有機前駆体および前記第２の有機前駆体は、同時に供給される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第２の有機前駆体を供給する前に、前記露出面を覆って吸着されない未反応の第１の有機前駆体を除去することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
蒸着反応器で処理する方法であって、
反応器表面の一部を覆って自己組織化単分子層を堆積するために、第１の有機前駆体を供給することと、
その上に前記自己組織化単分子層が吸着されなかった、前記反応器表面の一部と反応するために、第２の有機前駆体を供給することであって、前記第２の有機前駆体内の分子の前記鎖は、前記第１の有機前駆体内の分子の前記鎖より短い、前駆体を供給することと、を含む方法。
【請求項１０】
前記反応器内の集積回路構造上のＡＬＤ処理を実行することをさらに含み、１つまたは複数の単分子層は、前記集積回路構造上に堆積され、前記反応器表面上の前記自己組織化単分子層上に堆積されない、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の有機前駆体は、オクタデシルトリクロロシラン（ＯＤＴＳ）、トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチルトリ−クロロシラン（ＦＯＴＳ）およびテトラデシルトリクロロシラン（ＴＴＳ）からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２の有機前駆体は、トリクロロメチルシラン（ＴＣＭＳ）、トリメチルクロロシラン（ＴＭＣＳ）およびトリメチルシラノール（ＴＭＳ）からなる群から選択される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
第１の表面および前記第１の露出表面と異なる第２の隣接した表面と、
前記第２の表面上に形成することなく、前記第１の表面上に吸着された混合疎水性膜であって、前記膜は、複数の第１の鎖有機分子および複数の第２の鎖有機分子を備え、前記第２の鎖有機分子は、前記第１の鎖有機分子より短い、混合疎水性膜と、を備える集積膜構造。
【請求項１４】
前記第１の露出表面は誘電材料を備え、前記第２の露出表面は半導体材料を備える、請求項１３に記載の集積膜構造。
【請求項１５】
前記混合疎水性膜は、１００度を超える水接触角を有する、請求項１３に記載の集積膜構造。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月18日(2014.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の表面上に形成された複数の濡れ性パッドと、
前記基板の前記表面上に堆積され、外面を有するはんだレジスト層と、
を含むアセンブリを取得するステップであって、少なくとも前記はんだレジスト層は、前記濡れ性パッドに隣接した容積を定める陥凹領域を有するように形成され、前記陥凹領域が隣接する濡れ性パッドの頂部表面に対して垂直に延びる直線領域と、前記直線領域に対して傾斜した角度で該直線領域から延びる傾斜領域とを含む、取得するステップと、
前記濡れ性パッドに隣接した前記容積内に溶融はんだを直接射出して、前記濡れ性パッドに隣接した前記容積をはんだで充填するステップと、
前記はんだが固化するのを可能にして、前記はんだが前記濡れ性パッドに付着された複数のはんだ構造体を形成するようにするステップと、
前記固化後に前記基板及び前記はんだを再加熱して前記はんだをリフローさせ、前記はんだレジスト層の前記外面より上方に延びる球形のボールにするステップと、
を含み、
前記濡れ性パッドに隣接した前記容積は、前記射出するステップにおいて十分なはんだを受け取るような構成及び寸法にされ、前記再加熱するステップの結果として、前記球形のボールは前記はんだレジスト層の前記外面より上方に延びる、方法。
【請求項２】
前記再加熱するステップの結果として、前記ボールは、５ミクロン乃至４５ミクロンだけ、前記はんだレジスト層の前記外面より上方に延びる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記溶融はんだを直接射出するステップは、射出成形はんだ充填ヘッドを用いて実施され、前記充填ヘッドは、前記はんだレジストのトポグラフィカル・フィーチャに適応するように、前記充填ヘッドと前記はんだレジスト層との間に挿置された順応性材料を含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記アセンブリを取得するステップにおいて、前記基板は有機基板を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記溶融はんだを直接射出するステップは、射出成形はんだ充填ヘッドを用いて実施され、前記射出するステップの間、（ｉ）前記ヘッドと（ｉｉ）前記基板との間に相対的移動をもたらすステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記アセンブリを取得するステップにおいて、前記基板は、はんだマスク規定型基板を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記アセンブリを取得するステップにおいて、前記濡れ性パッドに隣接した前記容積は、少なくとも部分的に円錐台状であり、前記パッドに隣接したより小さい直径と、前記パッドと反対側のより大きい直径とを有する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記直線領域が前記基板から離れるに従って一方向に延びる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記直線領域が前記隣接する濡れ性パッドの高さと平行に延び、前記高さが前記基板の頂部表面から前記隣接する濡れ性パッドの頂部表面までの距離とされる、請求項１に記載の方法。