(57)【要約】【課題】大信号入力時に歪特性及び飽和特性の劣化を抑えつつ十分なコレクタバイアス電流Ｉｃ４を得る。【解決手段】エミッタが接地されベースが整合回路３を介して信号入力端子１に接続されコレクタが負荷回路５を介して電源端子８に接続されるとともに出力端子６に接続されたトランジスタ４と、トランジスタ４のベースにバイアス電流を供給するバイアス部２０とを有する回路において、バイアス部２０はエミッタが接地されベースとコレクタが抵抗２０２を介して互いに接続されたトランジスタ２０１と、トランジスタ２０１のコレクタにエミッタが接続されベースとコレクタが共に電流入力端子７に接続されたトランジスタ２０３と、トランジスタ２０３のベース及びコレクタにベースが接続されコレクタが電源端子８に接続されエミッタが抵抗２０５を介してトランジスタ４のベースに接続されたトランジスタ２０４とを備えた。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
エミッタが接地され、ベースが整合回路を介して信号入力端子に接続され、コレクタが負荷回路を介して電源端子に接続されるとともに信号出力端子に接続された第１のバイポーラトランジスタからなる増幅部と、前記第１のバイポーラトランジスタのベースにバイアス電流を供給するバイアス部とを有するエミッタ接地増幅回路において、
前記バイアス部は、
エミッタが接地され、ベースとコレクタが第１の抵抗を介して互いに接続された第２のバイポーラトランジスタと、
前記第２のバイポーラトランジスタのコレクタにエミッタが接続され、ベースとコレクタが共に電流入力端子に接続された第３のバイポーラトランジスタと、
前記第３のバイポーラトランジスタのベースおよびコレクタにベースが接続され、コレクタが前記電源端子に接続され、エミッタが第２の抵抗を介して第１のバイポーラトランジスタのベースに接続された第４のバイポーラトランジスタと、を備えたことを特徴とするエミッタ接地増幅回路。
【請求項２】
前記第４のバイポーラトランジスタのコレクタは、第３の抵抗を介して前記電源端子に接続されることを特徴とする請求項１記載のエミッタ接地増幅回路。
【請求項３】
前記第４のバイポーラトランジスタのエミッタは、第４の抵抗を介して接地されることを特徴とする請求項１または２記載のエミッタ接地増幅回路。
【請求項４】
前記第２のバイポーラトランジスタのエミッタは、第１のインピーダンス素子を介して接地されるとともに、前記第１のバイポーラトランジスタのエミッタは、第２のインピーダンス素子を介して接地されることを特徴とする請求項１、２または３記載のエミッタ接地増幅回路。
【請求項５】
前記負荷回路として、抵抗を用いたことを特徴とする請求項１、２、３または４記載のエミッタ接地増幅回路。
【請求項６】
前記負荷回路として、インダクタを用いたことを特徴とする請求項１、２、３または４記載のエミッタ接地増幅回路。
【請求項７】
前記負荷回路として、インダクタとコンデンサとを互いに並列接続してなる並列共振回路を用いたことを特徴とする請求項１、２、３または４記載のエミッタ接地増幅回路。
【請求項８】
前記負荷回路として、抵抗、インダクタ、またはインダクタとコンデンサとを互いに並列接続してなる並列共振回路に、インダクタとコンデンサとを互いに直列接続してなる直列共振回路を並列接続してなる共振回路を用いたことを特徴とする請求項１、２、３または４記載のエミッタ接地増幅回路。
【請求項９】
請求項１、２、３、４、５、６、７またな８記載のエミッタ接地増幅回路を、無線基地局装置へ信号を送信する無線送信部の電力増幅回路として用いたことを特徴とする移動無線端末装置。
【請求項１０】
請求項１、２、３、４、５、６、７または８記載のエミッタ接地増幅回路を、移動無線端末装置へ信号を送信する無線送信部の電力増幅回路として用いたことを特徴とする無線基地局装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体集積回路内で電力増幅に用いられるエミッタ接地増幅回路に関し、より詳細には、設定電流に応じてバイアス電流の設定が可能なエミッタ接地増幅回路に関し、更にはこれを無線送信部の電力増幅回路に用いた移動無線端末装置および無線基地局装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のエミッタ接地増幅回路のバイアス部には、半導体集積回路内で実現する場合、図９に示すようにバイポーラトランジスタ（以下、単にトランジスタと略す）のカレントミラー回路で構成されたバイアス回路が用いられている。（例えば非特許文献１参照）
【０００３】
図９に示すエミッタ接地増幅回路において、入力信号は入力端子１および整合回路３を介して、エミッタ接地されたトランジスタ４のベースに入力され、増幅される。出力信号はトランジスタ４のコレクタから出力端子６を介して得られる。
【０００４】
バイアス部３０は、トランジスタ４と共にカレントミラー回路を構成している。電流入力端子７に入力される設定電流（Ｉｉｎ）は、このカレントミラー回路で電流増幅されて、トランジスタ４のコレクタバイアス電流（Ｉｃ４）として流れる。
【０００５】
抵抗３０４は、エミッタ接地増幅回路の入力インピーダンスを大きくするためのものであり、エミッタ接地増幅回路の入力インピーダンスをトランジスタ４のベースの入力インピーダンスよりも大きくすることにより、入力信号がバイアス部３０へ流入するのを抑制している。
【０００６】
しかし、抵抗３０４で発生する電圧降下によりトランジスタ４のベース電位が低下し、コレクタバイアス電流（Ｉｃ４）が減少する。そこで、バイアス部３０を構成するトランジスタ３０１のベースとトランジスタ３０３のエミッタとの間に抵抗３０２を挿入するとともに、抵抗３０４で発生する電圧降下と抵抗３０２で発生する電圧降下が等しくなるようにそれぞれの抵抗値を設定することにより、トランジスタ４のベース電位低下を補償している。
【０００７】
トランジスタ４、３０１のエミッタの面積比をそれぞれＮ２、Ｎ１、トランジスタ４、３０１、３０３の電流増幅率をｈｆｅとし、抵抗３０２、３０４に発生する電圧降下は等しいとして、トランジスタ４、３０１、３０３のアーリー効果を無視すると、設定電流（Ｉｉｎ）とコレクタバイアス電流（Ｉｃ４）の関係は次式のようになる。
【０００８】
Ｉｃ４＝Ｎ２／Ｎ１×１／［１＋（１＋Ｎ２／Ｎ１）／｛ｈｆｅ×（ｈｆｅ＋１）｝］×Ｉｉｎ
以上のように、設定電流（Ｉｉｎ）によってコレクタバイアス電流（Ｉｃ４）を設定することが可能である。
【０００９】
【非特許文献１】
２０００  ＩＥＥＥ  Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔｓ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ、ＩＥＥＥ、２０００年、Ｐ．１０５−１０８、Ｆｉｇ．１（ｄ）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来のエミッタ接地増幅回路は、バイアス部３０がカレントミラー回路で構成されているため、設定電流（Ｉｉｎ）が変化しない限りコレクタバイアス電流（Ｉｃ４）には変化が無く、定電流源に近い動作をする。そのため、小信号入力時には十分なコレクタバイアス電流（Ｉｃ４）が得られるが、大信号入力時にはコレクタバイアス電流（Ｉｃ４）が不十分となり、歪特性および飽和特性の劣化を招くという問題があった。また、大信号入力時に十分なコレクタバイアス電流（Ｉｃ４）が得られるように設定すると、小信号入力時には消費電流が増加するという問題があった。
【００１１】
本発明は、従来の問題を解決するためになされたもので、その目的は、設定電流によってコレクタバイアス電流を設定することが可能であり、大信号入力時に歪特性および飽和特性の劣化を抑えつつ十分なコレクタバイアス電流を得ることができるエミッタ接地増幅回路、更にはこれを無線送信部の電力増幅回路に用いた移動無線端末装置および無線基地局装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明のエミッタ接地増幅回路は、エミッタが接地され、ベースが整合回路を介して信号入力端子に接続され、コレクタが負荷回路を介して電源端子に接続されるとともに信号出力端子に接続された第１のバイポーラトランジスタからなる増幅部と、第１のバイポーラトランジスタのベースにバイアス電流を供給するバイアス部とを有するエミッタ接地増幅回路において、前記バイアス部は、エミッタが接地され、ベースとコレクタが第１の抵抗を介して互いに接続された第２のバイポーラトランジスタと、第２のバイポーラトランジスタのコレクタにエミッタが接続され、ベースとコレクタが共に電流入力端子に接続された第３のバイポーラトランジスタと、第３のバイポーラトランジスタのベースおよびコレクタにベースが接続され、コレクタが前記電源端子に接続され、エミッタが第２の抵抗を介して第１のバイポーラトランジスタのベースに接続された第４のバイポーラトランジスタと、を備えたものである。
【００１３】
上記のように構成したことにより、設定電流によってコレクタバイアス電流を設定することが可能であり、大信号入力時に歪特性および飽和特性の劣化を抑えつつ十分なコレクタバイアス電流を得ることができる。
【００１４】
本発明のエミッタ接地増幅回路において、第４のバイポーラトランジスタのコレクタは、第３の抵抗を介して前記電源端子に接続されることが望ましい。
【００１５】
この構成により、大信号入力時にコレクタバイアス電流の増加に伴い、第３の抵抗で発生する電圧降下が増加し、第４のバイポーラトランジスタのエミッタ電流は制限され、コレクタバイアス電流も制限されることとなる。
【００１６】
また、第４のバイポーラトランジスタのエミッタは、第４の抵抗を介して接地されることが望ましい。
【００１７】
この構成により、第４の抵抗を介して接地に流れる電流を設定することで、第４のバイポーラトランジスタのベースとエミッタ間の電圧と第３のバイポーラトランジスタのベースとエミッタ間の電圧を等しくできる。
【００１８】
また、第２のバイポーラトランジスタのエミッタは、第１のインピーダンス素子を介して接地されるとともに、第１のバイポーラトランジスタのエミッタは、第２のインピーダンス素子を介して接地されることが望ましい。
【００１９】
この構成により、第１のバイポーラトランジスタのエミッタに電圧帰還がかかる。
【００２０】
また、前記負荷回路として、抵抗を用いることが望ましい。この構成により、前記負荷回路のインピーダンスの周波数依存性は無くなる。
【００２１】
また、前記負荷回路として、インダクタを用いてもよい。この構成により、出力振幅の基準が前記電源端子の電位となる。
【００２２】
また、前記負荷回路として、インダクタとコンデンサとを互いに並列接続してなる並列共振回路を用いてもよい。この構成により、前記負荷回路は周波数依存性を持ち、特定の周波数においてインピーダンスは増大する。
【００２３】
また、前記負荷回路として、抵抗、インダクタ、またはインダクタとコンデンサとを互いに並列接続してなる並列共振回路に、インダクタとコンデンサとを互いに直列接続してなる直列共振回路を並列に接続してなる回路を用いてもよい。この構成により、前記負荷回路は周波数依存性を持ち、特定の周波数においてインピーダンスは減少する。
【００２４】
また、本発明の移動無線端末装置は、本発明のエミッタ接地増幅回路を、無線基地局装置へ信号電波を送信する無線送信部の電力増幅回路として用いたものである。
【００２５】
この構成により、移動無線端末装置の送信部内の電力増幅回路において、設定電流によってコレクタバイアス電流を設定することが可能であり、大信号入力時に歪特性および飽和特性の劣化を抑えつつ十分なコレクタバイアス電流を得ることができる。
【００２６】
また、本発明の無線基地局装置は、本発明のエミッタ接地増幅回路を、移動無線端末装置へ信号電波を送信する無線送信部の電力増幅回路として用いたものである。
【００２７】
この構成により、無線基地局装置の送信部内の電力増幅回路において、設定電流によってコレクタバイアス電流を設定することが可能であり、大信号入力時に歪特性および飽和特性の劣化を抑えつつ十分なコレクタバイアス電流を得ることができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、図９に示した従来例の回路と同一部分は同一符号を付して説明する。
【００２９】
図１は本発明に係るエミッタ接地増幅回路の第１の実施の形態の回路図である。このエミッタ接地増幅回路は、エミッタ接地された第１のバイポーラトランジスタ（以下、単にトランジスタと記す。）４からなる増幅部と、第１のトランジスタ４のベースにバイアス電流を供給するバイアス部２０とを備えて構成されている。
【００３０】
第１のトランジスタ４は、ベースが整合回路３を介して入力端子１に接続され、コレクタが負荷回路５を介して電源端子８に接続されるとともに出力端子６に接続されている。
【００３１】
バイアス部２０は、第２、第３および第４のトランジスタ２０１、２０３、２０４を備えている。第２のトランジスタ２０１は、エミッタが接地されており、ベースとコレクタが第１の抵抗２０２を介して互いに接続されている。第３のトランジスタ２０３は、エミッタが第２のトランジスタ２０１のコレクタに接続され、ベースとコレクタが電流入力端子７に接続されている。第４のトランジスタ２０４は、ベースが第３のトランジスタ２０３のベースおよびコレクタと共に電流入力端子７に接続され、コレクタが電源端子８に接続され、エミッタが第２の抵抗２０５を介して第１のトランジスタ４のベースに接続されている。
【００３２】
ここで、図９に示した従来の回路との対応関係は以下の通りである。トランジスタ２０１とトランジスタ３０１、トランジスタ２０３および２０４とトランジスタ３０３、抵抗２０２と抵抗３０２、抵抗２０５と抵抗３０４は、それぞれ同じサイズのトランジスタあるいは同じ定数の抵抗である。更に、電流入力端子７に入力される設定電流（Ｉｉｎ）は同一である。
【００３３】
次に、上記のように構成された第１の実施の形態のエミッタ接地増幅回路の動作について説明する。
【００３４】
入力信号は入力端子１に入力され、整合回路３を介して第１のトランジスタ４のベースに入力され、増幅される。出力信号は第１のトランジスタ４のコレクタから出力端子６を介して得られる。その際、バイアス部２０は以下のように動作する
【００３５】
第４のトランジスタ２０４のエミッタの電位（Ｖａ）は、第１のトランジスタ２０１のベースとエミッタ間の電圧（Ｖｂｅ２０１）と抵抗２０２の端子間電圧（Ｖｒ２０２）と第３のトランジスタ２０３のベースとエミッタ間の電圧（Ｖｂｅ２０３）との和から第４のトランジスタ２０４のベースとエミッタ間の電圧（Ｖｂｅ２０４）を引いたものであり、次式で表される。
【００３６】
Ｖａ＝Ｖｂｅ２０１＋Ｖｒ２０２＋Ｖｂｅ２０３−Ｖｂｅ２０４
【００３７】
ここで第３のトランジスタ２０３のベースとエミッタ間の電圧（Ｖｂｅ２０３）と第４のトランジスタ２０４のベースとエミッタ間の電圧（Ｖｂｅ２０４）がほぼ等しいと仮定すると、第４のトランジスタ２０４のエミッタの電位（Ｖａ）は、次式で表される。
【００３８】
Ｖａ＝Ｖｂｅ２０１＋Ｖｒ２０２
【００３９】
一方、図９において、トランジスタ３０３のエミッタの電位（Ｖｂ）は、トランジスタ３０１のベースとエミッタ間の電圧（Ｖｂｅ３０１）と抵抗３０２の端子間電圧（Ｖｒ３０２）との和であり、次式で表される。
【００４０】
Ｖｂ＝Ｖｂｅ３０１＋Ｖｒ３０２
【００４１】
トランジスタ２０１とトランジスタ３０１は同一サイズであり、抵抗２０２と抵抗３０２は同一定数であるので、第４のトランジスタ２０４のエミッタの電位（Ｖａ）とトランジスタ３０３のエミッタの電位（Ｖｂ）は等しいと見なすことができる。そして図１の抵抗２０５と図９の抵抗３０４は同一定数であるので、図１および図９に示すエミッタ接地された第１のトランジスタ４のベースの電位は等しくなり、それぞれのコレクタバイアス電流（Ｉｃ４）も等しくなる。
【００４２】
以上のように、図１に示すバイアス部２０と図９に示すバイアス回路３０は、回路構成は異なるが、それぞれの第１のトランジスタ４のコレクタバイアス電流（Ｉｃ４）は等しくなる。
【００４３】
だだし、図１のバイアス部２０は、第２のトランジスタ２０１、抵抗２０２および第３のトランジスタ２０３によって発生した電圧を、エミッタフォロワとして動作する第４のトランジスタ２０４を介して抵抗２０５に印加している。すなわち、図１のバイアス部２０は、図９のバイアス部３０のようなカレントミラー回路の構成をとらずに、定電圧源に近い動作をしている。そのため、従来の問題すなわち、大信号入力時にコレクタバイアス電流量（Ｉｃ４）が不十分となり、歪特性および飽和特性の劣化を招くということはない。
【００４４】
以上のように、図１に示すエミッタ接地増幅回路は、設定電流（Ｉｉｎ）によってコレクタバイアス電流を設定することが可能であり、大信号入力時に歪特性および飽和特性の劣化を抑えつつ十分なコレクタバイアス電流（Ｉｃ４）を得ることができる。
【００４５】
図２は本発明に係るエミッタ接地増幅回路の第２の実施の形態の回路図である。図１のエミッタ接地増幅回路と異なる点は、バイアス部２０の第４のトランジスタ２０４のコレクタと電源端子８間に抵抗２０６を挿入した点である。抵抗２０６を挿入することで、第１のトランジスタ４のコレクタバイアス電流（Ｉｃ４）を制限することが可能となる。以下にこの場合の動作を説明する。
【００４６】
入力信号が増大してくると、第１のトランジスタ４のベースバイアス電流が増加し、コレクタバイアス電流（Ｉｃ４）の増加に伴い、第１のトランジスタ４のベースバイアス電流を供給する第４のトランジスタ２０４のコレクタ電流が増加する。しかしながら、第４のトランジスタ２０４のコレクタと電源端子８間に抵抗２０６が挿入されているため、第４のトランジスタ２０４のコレクタ電流が増加するに伴い、抵抗２０６で発生する電圧降下が増大し、第４のトランジスタ２０４のコレクタとエミッタ間の電圧が減少する。トランジスタにはアーリー効果があるため、コレクタとエミッタ間の電圧が減少すると、コレクタ電流も減少する。そのため、第１のトランジスタ４のベースバイアス電流を供給する第４のトランジスタ２０４のコレクタ電流が減少し、その結果第１のトランジスタ４のコレクタバイアス電流（Ｉｃ４）に制限がかかる。抵抗２０６の抵抗値を変化させることでコレクタバイアス電流（Ｉｃ４）に制限がかかる電流値を設定することができる。
【００４７】
なお、第３のトランジスタ２０３のベースとエミッタ間の電圧（Ｖｂｅ２０３）に比べて第４のトランジスタ２０４のベースとエミッタ間の電圧（Ｖｂｅ２０４）が小さい場合には、図３のエミッタ接地増幅回路に示すように、バイアス部２０において、第４のトランジスタ２０４のエミッタと接地との間に抵抗２０７を挿入してもよい。抵抗２０７を挿入することで、第４のトランジスタ２０４のコレクタ電流が増加し、第４のトランジスタ２０４のベースとエミッタ間の電圧（Ｖｂｅ２０４）が増大する。抵抗２０７の抵抗値を設定することにより、第４のトランジスタ２０４のベースとエミッタ間の電圧（Ｖｂｅ２０４）と第３のトランジスタ２０３のベースとエミッタ間の電圧（Ｖｂｅ２０３）を等しくすることが可能である。その結果、図９に示す従来のエミッタ接地増幅回路と同じくコレクタバイアス電流（Ｉｃ４）の設定することができる。
【００４８】
図４は本発明に係るエミッタ接地増幅回路の第３の実施の形態の回路図である。図３のエミッタ接地増幅回路と異なる点は、バイアス部２０の第２のトランジスタ２０１のエミッタと接地との間にインダクタ２０８を挿入し、第１のトランジスタ４のエミッタと接地間にインダクタ９を挿入した点である。この構成により、第１のトランジスタ４のエミッタの電圧帰還量が増加する。その結果、エミッタ接地増幅回路の入力ダイナミックレンジが増大する。インダクタ２０８はバイアス回路２０と第１のトランジスタ４との対称性を保つ目的で、第２のトランジスタ２０１のエミッタと接地間に挿入される。しかし、インダクタ２０８およびインダクタ９の電圧降下が小さく、バイアス回路２０と第１のトランジスタ４との対称性を崩さない場合には、インダクタ２０８は省略してもよい。インダクタ９、２０８は、半導体集積回路内のインダクタ素子を用いて容易に実現可能であるが、半導体集積回路の外部素子あるいは、半導体集積回路とパッケージ間の配線を用いて実現してもよい。なお、インダクタ９、２０８の代わりに抵抗を挿入してもよい。抵抗を挿入する場合は、それぞれの抵抗で発生する電圧降下が等しくなるように抵抗値を設定すれば、バイアス回路２０と第１のトランジスタ４との対称性は保たれて、インダクタの場合と同様に、エミッタ設置増幅回路の入力ダイナミックレンジが拡大する。
【００４９】
本発明の第４の実施の形態は、図１乃至図４の負荷回路５として、図５に示す抵抗１００を用いたものである。この構成により、負荷回路５のインピーダンスの周波数依存性は無くなる。その結果、エミッタ接地増幅回路の周波数依存性が小さくなる。抵抗１００は、半導体集積回路内の抵抗素子を用いて容易に実現可能であるが、半導体集積回路の外部素子を用いてもよい。
【００５０】
本発明の第５の実施の形態は、図１乃至図４の負荷回路５として、図６に示すインダクタ１０１を用いたものである。この構成により、出力振幅の基準が電源の電位となる。その結果、大振幅の出力を得ることが可能となる。インダクタ１０１は、半導体集積回路内のインダクタ素子を用いて容易に実現可能であるが、半導体集積回路の外部素子あるいは、半導体集積回路とパッケージ間の配線を用いて実現してもよい。
【００５１】
本発明の第６の実施の形態は、図１乃至図４の負荷回路５として、図７に示す並列共振回路を用いたものである。この並列共振回路は、インダクタ１０１とコンデンサ１０２とを互いに並列接続してなる。この構成により、負荷回路５は周波数依存性を持ち、特定の周波数においてインピーダンスは増大する。その結果、エミッタ接地増幅回路は特定の周波数で変換利得が増大する。インダクタ１０１およびコンデンサ１０２は、半導体集積回路内の素子以外に、半導体集積回路の外部素子あるいは、インダクタ１０１に関しては半導体集積回路とパッケージ間の配線を用いてもよい。
【００５２】
本発明の第７の実施の形態は、図１乃至図４の負荷回路５として、図８（ａ）〜（ｃ）に示す共振回路を用いたものである。図８（ａ）の共振回路は、図５の抵抗１００に、インダクタ１０３とコンデンサ１０４とを互いに直列接続してなる直列共振回路を並列に接続してなる。図８（ｂ）の共振回路は、図６のインダクタ１０１に、インダクタ１０３とコンデンサ１０４とを互いに直列接続してなる直列共振回路を並列に接続してなる。図８（ｃ）の共振回路は、図７の並列共振回路に、インダクタ１０３とコンデンサ１０４とを互いに直列接続してなる直列共振回路を並列に接続してなる。これらの構成により、直列共振回路の共振周波数を不要な周波数成分に設定することで、不要な周波数成分を抑圧することが可能である。
【００５３】
上記第１乃至第７の実施の形態のエミッタ接地増幅回路は、移動無線端末装置や無線基地局装置の送信部内の電力増幅回路に好適である。第１乃至第７の実施の形態のエミッタ接地増幅回路を送信部内の電力増幅回路に用いることで、移動無線端末装置や無線基地局装置の送信部内の電力増幅回路において、設定電流によってコレクタバイアス電流を設定することが可能であり、大信号入力時に歪特性および飽和特性の劣化を抑えつつ十分なコレクタバイアス電流を得ることができる。
【００５４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のエミッタ接地増幅回路によれば、設定電流によってコレクタバイアス電流を設定することが可能であり、大信号入力時に歪特性および飽和特性の劣化を抑えつつ十分なコレクタバイアス電流を得ることができる。
【００５５】
また、本発明の移動無線端末装置によれば、移動無線端末装置の送信部内の電力増幅回路において、設定電流によってコレクタバイアス電流を設定することが可能であり、大信号入力時に歪特性および飽和特性の劣化を抑えつつ十分なコレクタバイアス電流を得ることができる。
【００５６】
また、本発明の無線基地局装置によれば、無線基地局装置の送信部内の電力増幅回路において、設定電流によってコレクタバイアス電流を設定することが可能であり、大信号入力時に歪特性および飽和特性の劣化を抑えつつ十分なコレクタバイアス電流を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の回路図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態の回路図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態の別の回路図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態の回路図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態における負荷回路の回路図である。
【図６】本発明の第５の実施の形態における負荷回路の回路図である。
【図７】本発明の第６の実施の形態における負荷回路の回路図である。
【図８】（ａ）は本発明の第７の実施の形態における負荷回路の回路図である。（ｂ）は本発明の第７の実施の形態における負荷回路の別の回路図である。（ｃ）は本発明の第７の実施の形態における負荷回路の別の回路図である。
【図９】従来のエミッタ接地増幅回路の回路図である。
【符号の説明】
１：入力端子
３：整合回路
４、２０１、２０３、２０４、３０１、３０３：トランジスタ
５：負荷回路
６：出力端子
７：電流入力端子
８：電源端子
９、１０１、１０３、２０８：インダクタ
１０２、１０４：コンデンサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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