【手続補正書】
【提出日】平成26年6月30日(2014.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線放射を使用して化学反応を誘発させるための方法であって、
（ａ）反応容器内の空間にＸ線照射を導入することでＸ線照射空間を反応容器内に形成するステップと、
（ｂ）前記Ｘ線照射空間に２つ以上の反応物質を導入するステップと、
（Ｃ）１つ以上の他の反応物質のうちの少なくとも１つの反応物質を、Ｘ線照射空間まで延在するＸ線遮蔽パイプであって、前記１つ以上の反応物質にそれぞれ対応するＸ線遮蔽型パイプを介して、Ｘ線照射空間の中に導入するステップであって、該Ｘ線遮蔽型パイプの各々が、該Ｘ線照射空間の少なくとも大半の長さに亘って離散した複数の流出用開口を有し、該流出用出口により、少なくとも１つの反応物質が、該Ｘ線照射空間まで到達できるように構成されていることを特徴とするステップと、
（ｄ）原料反応物質、前記２つ以上の他の反応物質、及びその後生成された中間反応物質について、当該反応物質のうち、何らかの程度にイオン化される部分の全体量を選択的に制御し、当該反応物質のうち、何らかの程度にイオン化される部分であって前記Ｘ線照射空間内にある部分のイオン化の平均的な程度を選択的に制御するステップであって、該制御は、該Ｘ線照射の線束とエネルギーを制御することにより行うことで該Ｘ線照射空間内における反応物質の選択的反応の誘発を起こさせることを特徴とするステップを含む方法。
【請求項２】
前記反応容器内に前記Ｘ線照射空間を形成するステップは、冷陰極電界放射型Ｘ線源により前記空間内にＸ線放射を導入することで実現されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
イオン化の程度の平均値を選択的に制御する前記ステップは、全てのイオン化を誘発させるように制御するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
イオン化の程度の平均値を選択的に制御する前記ステップは部分的なイオン化を誘発させるように制御するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記原料反応物質より低分子量の最終生成物が実現されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記原料反応物より長い分子長及び大きな分子量の一方又は両方を有する最終生成物が実現されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】
選択的反応を誘発させるような方法で前記原料反応物質及び前記１つ以上の他の反応物質の導入を制御するステップをさらに含み、該制御するステップは、該反応物質がＸ線照射空間へ導入されるそれぞれの速度をリアルタイムで測定し、得られる最終生成物としての最終生成物における所望の化学特性が実現できるように、必要に応じて該導入速度をリアルタイムで調節するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記制御するステップは、前記Ｘ線照射空間から流出する出力流量の体積を測定し、前記最終生成物の化学組成を同定し、これに応じて、得られる最終生成物としての最終生成物における所望の化学特性が実現できるように、該反応物質を該Ｘ線照射空間へそれぞれ導入する速度をリアルタイムで制御することを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
（ａ）前記反応容器は1つの軸に沿って延在するパイプとして形成され；
（ｂ）前記パイプの照射部分を前記Ｘ線源が包囲し、前記パイプの照射部分にＸ線照射を向けることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
（ａ）各Ｘ線遮蔽型パイプは、内側パイプが外側パイプによって包囲され、これらの間に中間遮蔽材が配設されて複数の流出用開口を有する二重壁式パイプを含み、
（ｂ）前記パイプを通って注入される前記１つ以上の他の反応物質のためのＸ線照射の遮蔽は、中間遮蔽材及び前記内側パイプと外側パイプのうちの任意のものによって提供される任意の遮蔽に起因する
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
各Ｘ線遮蔽型パイプは、複数の流出用開口を有する単層パイプであって、該パイプはここを通って注入される反応物質のためのＸ線照射の遮蔽を提供するように選択された組成と壁厚を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
（ａ）前記Ｘ線照射空間は1つの軸に沿って延在し、
（ｂ）前記原料反応物質と１つ以上の他の反応物質は前記Ｘ線照射空間の中に導入され、
（ｃ）前記１つ以上の他の反応物質のうちの少なくとも１つの反応物質は、流出用開口を有する１つ以上のＸ線遮蔽型パイプのそれぞれを通って前記軸に沿って前記Ｘ線照射空間へ導入される
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
（ａ）前記反応容器は、反応物質と反応生成物が１つの軸に沿ってＸ線照射空間内を移動するように構成され、
（ｂ）前記導入ステップは、前記Ｘ線照射空間の上流側の位置から前記照射空間内へ原料反応物質を導入するステップを含み、
（ｃ）前記導入ステップはさらに、１つ以上の他の反応物質を、
（ｉ）流出用開口を有する１つ以上のＸ線遮蔽型パイプのそれぞれを介して、
（ｉｉ）前記Ｘ線照射空間の上流で前記原料反応物質とある程度の混合が起こるように反応領域より十分に上流側にある流入部へ注入され、
（ｉｉｉ）前記Ｘ線照射は注入パルスの各パルスと交互するパルスとして供給される
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
Ｘ線照射の前記パルスは前記１つ以上の反応物質の前記注入パルスと重ならないことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記１つ以上のＸ線遮蔽型パイプは、前記Ｘ線照射空間を通る方向に沿って螺旋状に構成され、前記Ｘ線遮蔽型パイプを通って供給される反応物質と前記原料反応物質との混合を促進するように構成されることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記導入ステップは、複数の反応物質を、前記照射空間へ導入するときよりも実質的に前に、連続的に混合するステップを含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記導入ステップは、複数の反応物質を、前記Ｘ線照射空間へ導入するときよりも実質的に前に、連続的に混合するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
（ａ）前記反応容器は、反応物質と反応生成物が1つの軸に沿って前記Ｘ線照射空間の中を移動して出力フローとして前記Ｘ線照射空間から流出するように構成され、
（ｂ）前記出力フローの一部が前記Ｘ線照射空間の流入部へ注入される
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記Ｘ線照射は約１．８電子ボルトから約１２０万電子ボルトの範囲である
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記Ｘ線源はパルス動作される
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
（ａ）前記Ｘ線照射空間へ直接導入される任意の反応物質が、ガス、液体、粉体などの固体、プラズマ、又はこれらの組み合わせから構成されており、
（ｂ）前記Ｘ線照射空間へ導入される前に相互に導入される任意の反応物質が、ガス、液体、粉体などの固体、プラズマ、又はこれらの組み合わせから構成される
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記空間出力フローを測定するステップは、望ましくない副産物が形成されたかどうかを判断するステップを含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項２３】
前記判断するステップは化学センサーを使用することを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
原料反応物質と１つ以上の他の反応物質を収容できるように構成された１つのＸ線照射空間を有する反応処理容器と、該Ｘ線照射空間の中に該１つ以上の他の反応物質のうち、少なくとも１つの反応物質を導入できるように構成されたＸ線遮蔽型パイプアセンブリとの組み合わせであって、該Ｘ線遮蔽型パイプアセンブリは、該Ｘ線照射空間まで延在し、メインとなるＸ線遮蔽型通路を有し、該Ｘ線照射空間の長さの少なくとも大半に亘って離散した複数の流出用出口を含むことを特徴とする組み合わせ。
【請求項２５】
前記インジェクタ開口インサートは、外側パイプのネジ穴にある外側雌ネジ山と嵌合するための外側雄ネジ山及び内側パイプのネジ穴にある内側雌ネジ山と嵌合するための内側雄ネジ山とを含めることで封止されることを特徴とする請求項２４に記載の組み合わせ。
【請求項２６】
（ａ）前記内側雄ネジ山は、テーパー付きの前記内側雌ネジ山とそれぞれ嵌合するために直壁式であり、
（ｂ）前記外側雄ネジ山は、直壁式になっている前記外側雌ネジ山とそれぞれ嵌合  するためにテーパー付きになっている
ことを特徴とする請求項２５に記載の組み合わせ。
【請求項２７】
前記放射線遮蔽型パイプアセンブリを通って注入される前記１つ以上の他の反応物質のためのＸ線遮蔽は、前記中間遮蔽材と前記内側パイプ及び外側パイプのいずれかによる任意の遮蔽により提供されることを特徴とする請求項２４に記載の組み合わせ。
【請求項２８】
前記内側パイプと前記外側パイプのそれぞれは、前記パイプアセンブリ内に導入される複数の反応物質から中間遮蔽材を隔離するための密封式端部キャップを含むことを特徴とする請求項２４に記載の組み合わせ。
【請求項２９】
前記パイプアセンブリは、前記内側パイプ内に侵入させるために、連続溶接処理を用いて、前記反応処理容器に最初に搭載され、その後、スポット溶接を使用して、前記反応処理容器の内壁面に搭載されることを特徴とする請求項２４に記載の組み合わせ。
【請求項３０】
前記パイプアセンブリは直線形状であることを特徴とする請求項２４に記載の組み合わせ。
【請求項３１】
前記パイプアセンブリは螺旋形状であることを特徴とする請求項２４に記載の組み合わせ。
【請求項３２】
前記Ｘ線遮蔽型パイプアセンブリは、更に、複数のＸ線遮蔽型注入通路であって、該複数のＸ線遮蔽型注入通路の各々が、前記メインとなる遮蔽型通路から外側に向かって延在して、前記少なくとも１つの反応物質が前記Ｘ線照射空間の中に供給できるように構成されていることを特徴とする請求項２４に記載の組み合わせ。
【請求項３３】
前記メインとなるＸ線遮蔽型通路は、
ａ）内側パイプ；
ｂ）前記内側パイプを取り囲む外側パイプ；
ｃ）前記内側パイプと前記外側パイプとの間の空間に収容されているＸ線遮蔽型中間材；及び
ｄ）前記複数のＸ線遮蔽型注入通路の各々は、前記内側パイプと前記外側パイプとの間を気密的に連通させる注入用開口間挿材を含むことを特徴とする請求項３２に記載の組み合わせ。