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【手続補正書】
【提出日】平成26年1月23日(2014.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウム金属アノードと、カソードと、高分子電解質とを備える電池であって、該カソードは、式ＡｘＭ（ＸＯ４）ｙを有する化合物の粒子からなるＣ−ＡｘＭ（ＸＯ４）ｙ材料を含み、前記粒子は、その表面の少なくとも一部に熱プロセスによって堆積された炭素堆積物を含み、式中、
−ＡがＬｉのみ、または原子百分率最大１０％のＮａまたはＫで部分的に置き換えられたＬｉを表し、
−ＭがＦｅ（ＩＩ）もしくはＭｎ（ＩＩ）またはこれらの混合物のみを、あるいは原子百分率最大３０％の、ＮｉおよびＣｏから選択される１種もしくは複数種の他の金属の原子で、かつ／または原子百分率最大１０％の、ＮｉもしくはＣｏ以外の１種または複数種の異原子価もしくは等原子価金属で、かつ／または原子百分率最大５％のＦｅ（ＩＩＩ）で部分的に置き換えられたＦｅ（ＩＩ）もしくはＭｎ（ＩＩ）またはこれらの混合物を表し、
−ＸＯ４が、ＰＯ４のみ、またはモル百分率最大１０％の、ＳＯ４、ＳｉＯ４およびＭｏＯ４の中から選択される少なくとも１種の基で部分的に置き換えられたＰＯ４を表し、
−０＜ｘ≦２および０＜ｙ≦２であり、係数ｘおよびｙが、酸化物錯体の電気的中性が確保されるように独立的に選択され、
前記材料は、不純物として存在するカルシウムの濃度が略１０００ｐｐｍより低い、好ましくは略５００ｐｐｍより低い、より好ましくは略３００ｐｐｍより低い、さらにより好ましくは略１００ｐｐｍよりも低いことを特徴とする、電池。
【請求項２】
ＭがＦｅ（ＩＩ）のみを、あるいは原子百分率最大３０％の、Ｍｎ、ＮｉおよびＣｏから選択される１種もしくは複数種の他の金属の原子で、かつ／またはＭｇ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｇｅ、Ｌａ、Ｙ、Ｙｂ、Ｓｍ、Ｃｅ、Ｃｕ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｂ、ＣａおよびＷから選択される、原子百分率最大１０％の１種または複数種の異原子価もしくは等原子価金属で、かつ／または原子百分率最大５％のＦｅ（ＩＩＩ）で部分的に置き換えられたＦｅ（ＩＩ）を表すことを特徴とする、請求項１に記載の電池。
【請求項３】
炭素堆積物が、均一であり、接着性を有し、非粉末状であることを特徴とする、請求項１に記載の電池。
【請求項４】
炭素堆積物が、総重量に対して略０．０３乃至略１５重量％に相当することを特徴とする、請求項１に記載の電池。
【請求項５】
不純物として存在する前記カルシウムが、主に前記材料Ｃ−ＡｘＭ（ＸＯ４）ｙの表面上に堆積されていることを特徴とする、請求項１に記載の電池。
【請求項６】
不純物として存在する前記カルシウムが主に、任意選択でリチウムを含有するリン酸カルシウムの形態であることを特徴とする、請求項５に記載の電池。
【請求項７】
材料Ｃ−ＡｘＭ（ＸＯ４）ｙがＣ−ＬｉＦｅＰＯ４であることを特徴とする、請求項１に記載の電池。
【請求項８】
前記材料Ｃ−ＡｘＭ（ＸＯ４）ｙが、基本粒子および該基本粒子の凝集体から構成されることを特徴とする、請求項１に記載の電池。
【請求項９】
前記凝集した粒子の大きさが１０ｎｍ乃至３μｍの範囲であり、前記凝集体の大きさが略１００ｎｍ乃至略３０μｍの範囲であることを特徴とする、請求項８に記載の電池。
【請求項１０】
略５ｍ２／ｇ乃至略５０ｍ２／ｇの比表面積を有することを特徴とする、請求項９に記載の電池。
【請求項１１】
前記基本粒子の大きさが略１μｍ乃至略５μｍの範囲であることを特徴とする、請求項８に記載の電池。
【請求項１２】
前記凝集体の大きさが略１μｍ乃至略１０μｍの範囲であることを特徴とする、請求項８に記載の電池。
【請求項１３】
前記材料Ｃ−ＡｘＭ（ＸＯ４）ｙが、基本粒子および該基本粒子の凝集体によって構成され、該基本粒子の粒子径分布Ｄ５０が略１μｍ乃至略５μｍの範囲であり、該凝集体の粒子径分布Ｄ５０が略１μｍ乃至略１０μｍの範囲であることを特徴とする、請求項１に記載の電池。
【請求項１４】
前記カソードは、集電体を形成する導体基板上に堆積された複合材料膜によって構成され、該複合材料が、前記Ｃ−ＡｘＭ（ＸＯ４）ｙ材料と、バインダと、電子伝導性化合物とを含むことを特徴とする、請求項１に記載の電池。
【請求項１５】
前記バインダが、エチレンオキシド由来の繰り返し単位−ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ−少なくとも６０％で構成され、リチウム塩が任意選択でその中に溶解しているポリマーであることを特徴とする、請求項１４に記載の電池。
【請求項１６】
リチウム塩が存在する場合に、この塩がＬｉＮ（ＳＯ２ＣＦ３）２を含むことを特徴とする、請求項１５に記載の電池。
【請求項１７】
リチウム金属アノードと、カソードと、高分子電解質とを備えるリチウム金属ポリマー（ＬＭＰ）テクノロジー電池の電気化学的特性を改良するための方法であって、該カソードがＣ−ＡｘＭ（ＸＯ４）ｙ材料を含み、前記方法が、
（ｉ）（ａ）式ＡｘＭ（ＸＯ４）ｙを有する化合物の粒子を含むリチオ化された、または部分的にリチオ化されたオキシアニオン系材料、
（ｂ）式ＡｘＭ（ＸＯ４）ｙを有する化合物の粒子を含むリチオ化された、または部分的にリチオ化されたオキシアニオン系材料であって、該粒子がその表面の少なくとも一部に熱分解によって堆積された炭素堆積物を含む材料、あるいは
（ｃ）（ａ）または（ｂ）の前駆体、
中に不純物として存在するカルシウムの濃度を決定するステップと、
（ｉｉ）前記カソードの製造に使用するための、略１０００ｐｐｍより低い、好ましくは略５００ｐｐｍより低い、好ましくは略３００ｐｐｍより低い、さらにより好ましくは略１００ｐｐｍより低い濃度の、不純物として存在するカルシウムを含有する材料または前駆体を、（ａ）、（ｂ）または（ｃ）から選択するステップとを含み、
式中、
−ＡがＬｉのみ、または原子百分率最大１０％のＮａまたはＫで部分的に置き換えられたＬｉを表し、
−ＭがＦｅ（ＩＩ）もしくはＭｎ（ＩＩ）またはこれらの混合物のみ、あるいは原子百分率最大３０％の、ＮｉおよびＣｏから選択される１種もしくは複数種の他の金属で、かつ／または原子百分率最大１０％の、ＮｉもしくはＣｏ以外の１種または複数種の異原子価もしくは等原子価金属で、かつ／または原子百分率最大５％のＦｅ（ＩＩＩ）で部分的に置き換えられたＦｅ（ＩＩ）もしくはＭｎ（ＩＩ）またはこれらの混合物を表し、
−ＸＯ４が、ＰＯ４のみを、またはモル百分率最大１０％の、ＳＯ４、ＳｉＯ４およびＭｏＯ４の中から選択される少なくとも１種の基で部分的に置き換えられたＰＯ４を表し、
−０＜ｘ≦２および０＜ｙ≦２であり、係数ｘおよびｙが、酸化物錯体の電気的中性が確保されるように独立的に選択されることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月9日(2014.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表側キャリア（１）と、裏側キャリア（２）と、複数の発光ダイオードチップ（３）と、を有する照明装置であって、前記照明装置の動作時に、前記複数の発光ダイオードチップ（３）は光を放射し、かつ廃熱を放散し、
−  前記裏側キャリア（２）は、少なくとも部分的に、前記表側キャリア（１）によって覆われており、
−  前記発光ダイオードチップ（３）は、前記裏側キャリア（２）と前記表側キャリア（１）との間にアレイを形成するように配置され、
−  前記発光ダイオード（３）は、前記裏側キャリア（２）もしくは前記表側キャリア（１）またはその両方によって電気的に接触されており、前記裏側キャリア（２）および前記表側キャリア（１）によって機械的に固定されており、
−  前記表側キャリア（１）は、前記発光ダイオードチップ（３）に熱伝導可能な状態に結合され、前記発光ダイオードチップ（３）とは反対側の光取り出し面（１０１）を備えており、前記光取り出し面は、前記発光ダイオードチップ（３）によって生成される廃熱の一部を周囲環境に放散するように構成されており、
−  前記照明装置の動作時、前記発光ダイオードチップ（３）それぞれに、作動させるための１００ｍＷ以下の公称電力が供給され、前記発光ダイオードチップ（３）それぞれは１００ｌｍ／Ｗ以上の発光効率を有し、
−  隣り合う発光ダイオードチップ（３）の間の距離（ｄＣ）は、前記照明装置の動作時に前記発光ダイオードチップ（３）を前記公称電力で作動させるとき、前記発光ダイオードチップ（３）によって形成される前記アレイが、４５０Ｗ／ｍ２以下の電力消費量を有するように、アレイの基本領域に対して十分に大きく選択されており、
−  隣り合う発光ダイオードチップ（３）の間の前記距離（ｄＣ）は、前記照明装置の動作時に前記発光ダイオードチップ（３）を前記公称電力で作動させるとき、前記発光ダイオードチップ（３）によって形成される前記アレイが前記光取り出し面の平面視において、２０００Ｃｄ／ｍ２以上の平均輝度で光を放射するように、十分に小さく選択されており、前記距離（ｄＣ）は、前記光取り出し面（１０１）と前記発光ダイオードチップ（３）との間の距離（ｄＬ）の２．５倍以下である、
照明装置。
【請求項２】
前記表側キャリア（１）は、複数の個別の空洞（１５）を囲んでおり、前記各空洞（１５）は、前記発光ダイオードチップ（３）の１つと重なっており、発光材料を有する発光変換要素（６）を含んでいる、
請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記空洞（１５）は前記表側キャリア（１）の本体によって完全に囲まれており、前記本体は光透過性である、
請求項２に記載の照明装置。
【請求項４】
前記各空洞（１５）は、前記空洞（１５）が重なっている前記発光ダイオードチップ（３）の対応する横方向寸法（ＬＣ）の３倍よりも小さいかまたは等しい横方向寸法（ＬＰ）を有する、
請求項１から請求項３のいずれかに記載の照明装置。
【請求項５】
前記光取り出し面（１０１）と前記発光ダイオードチップ（３）との間の前記距離（ｄＬ）は、５ｍｍ以下である、
請求項１から請求項４のいずれかに記載の照明装置。
【請求項６】
前記発光ダイオードチップ（３）が、３００μｍ以下の横方向寸法（ＬＣ）を有する、
請求項１から請求項５のいずれかに記載の照明装置。
【請求項７】
前記光取り出し面（１０１）における熱の放散と前記裏側キャリア（２）の裏側外面（２０１）における熱の放散とによって、追加のヒートシンク無しに冷却されるように前記照明装置が設計されている、
請求項１から請求項６のいずれかに記載の照明装置。
【請求項８】
前記表側キャリア（１）および前記裏側キャリア（２）がフレキシブルである、
請求項１から請求項７のいずれかに記載の照明装置。
【請求項９】
構造高さ（ＨＢ）が、１０ｍｍ以下、特に、５ｍｍ以下である、
請求項１から請求項８のいずれかに記載の照明装置。
【請求項１０】
前記表側キャリア（１）と前記裏側キャリア（２）との間に、接着促進剤（４）が所々に配置され、前記接着促進剤によって、前記キャリア（１，２）の間に引張応力が発生する、
請求項１から請求項９のいずれかに記載の照明装置。
【請求項１１】
前記発光ダイオードチップ（３）と前記表側キャリア（１）との間に屈折率整合材料（５）が配置される、
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の照明装置。
【請求項１２】
前記表側キャリア（１）は、複数の個別の空洞（１５）を囲んでおり、
−  前記各空洞（１５）は、前記発光ダイオードチップ（３）の１つと重なっており、
−  前記各空洞（１５）の、前記それぞれの発光ダイオードチップ（３）の側の第１のサブ領域（１５Ａ）は、発光材料を有する発光変換要素（６）を含んでおり、
−  前記各空洞（１５）の、前記それぞれの発光ダイオードチップ（３）とは反対側の第２のサブ領域（１５Ｂ）は、材料、特に気体によって満たされており、前記材料は前記光取り出し面（１０１）の側の前記空洞（１５）の境界を形成している前記表側キャリア（１）の材料よりも低い屈折率を有し、特に、湾曲した表面を備えている、
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の照明装置。
【請求項１３】
前記表側キャリア（１）は、散乱粒子によって拡散反射する層（１６）、を含んでいる、
請求項１から請求項１２のいずれかに記載の照明装置。
【請求項１４】
前記発光ダイオードチップ（３）それぞれは、前記表側キャリア（１）に面している光透過性のコンタクト層（３４）を備えており、前記表側キャリア（１）は、少なくとも部分的に光を透過させる電気接続層（１０）を備えており、前記接続層は、特に、前記発光ダイオードチップ（３）の前記コンタクト層（３４）に直接隣接している、
請求項１から請求項１３のいずれかに記載の照明装置。
【請求項１５】
前記裏側キャリア（２）は、少なくとも１つの導体トラック（２０Ａ）を備えており、前記導体トラック（２０Ａ）は、前記発光ダイオードチップ（３）の少なくとも１つに表側から電気的に接触するために設けられており、少なくとも１つの電気的ブリッジ要素（７）は、前記表側キャリア（１）と前記裏側キャリア（２）との間に配置されており、前記裏側キャリアの前記導体トラック（２０Ａ）と前記表側キャリア（１）の前記電気接続層（１０）との間の電気的接触を生じさせる、
請求項１４に記載の照明装置。
【請求項１６】
前記発光ダイオードチップ（３）と前記電気的ブリッジ要素（７）とは、ほぼ同じ高さ（ＨＣ）である、
請求項１５に記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月9日(2014.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
工作物を処理するためのプラズマチャンバ内でプラズマプロセスパラメータを測定する方法あって、
前記プラズマチャンバ内のプラズマに基板表面を暴露することであって、前記基板は、前記プラズマチャンバ内のプラズマよって処理される工作物と実質的に同じ材料である材料から作られる、暴露すること、および、
前記基板に埋め込まれる１つまたは複数のセンサに対して前記プラズマからもたらされる１つまたは複数の信号を測定することであって、前記基板表面と実質的に同じ材料から作られたコレクタ部分およびセンサ部分を備え、前記コレクタ部分は、前記基板の上部表面と同一平面上にある表面を含む、測定することを含み、
前記センサエレクトロニクスは、前記基板に埋め込まれ、前記コレクタ部分に結合される方法。
【請求項２】
前記１つまたは複数の測定値は変位電流を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記１つまたは複数の測定値はＤＣ電流または電圧を含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記１つまたは複数の測定値は、１つまたは複数のラングミュアプローブ測定値を含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記１つまたは複数のラングミュアプローブ測定値は、１つまたは複数のデュアルまたはトリプル差動ラングミュアプローブ測定値を含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記１つまたは複数のラングミュアプローブ測定値は、複数の時分割多重差動ラングミュアプローブ測定値を含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記１つまたは複数の信号を測定することは、所与のコレクタ部分に励起を印加し、１つまたは複数の異なるコレクタ部分で信号を測定することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記コレクタ部分は、前記プラズマに暴露される前記基板の全表面を備える請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記基板は、前記コレクタ部分を形成する抵抗層を含み、前記ＤＣ信号を測定することは、前記抵抗層上の２つの場所間の電圧差を測定することを含む請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記１つまたは複数の信号を測定することは、第１の場所で前記プラズマに暴露されない前記抵抗層の面に結合した接点に励起を印加し、１つまたは複数の他の場所で前記プラズマに暴露されない前記抵抗層の前記面に結合した１つまたは複数の他の接点で信号を測定することを含む請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記コレクタ部分の表面上に配設された材料は、前記コレクタ部分と前記プラズマとの間の相互作用を変更する請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
工作物を処理するためのプラズマチャンバ内のプラズマプロセスパラメータを測定する検知デバイスであって、
前記プラズマチャンバ内でプラズマによって処理される工作物と実質的に同じ材料である材料から作られる基板と、
前記基板に埋め込まれる１つまたは複数のセンサであって、各センサは、前記基板と実質的に同じ材料から作られたコレクタ部分を備え、前記コレクタ部分は、前記基板の上部表面と同一平面上にある表面を含む、１つまたは複数のセンサと、
前記基板に埋め込まれ、前記コレクタ部分に結合されたセンサエレクトロニクスとを備える検知デバイス。
【請求項１３】
前記コレクタ部分と前記基板との間の直流（ＤＣ）接続をさらに備える請求項１２に記載の検知デバイス。
【請求項１４】
キャビティは、前記基板内に形成され、前記コレクタ部分は、前記キャビティ内に配設され、前記基板から電気絶縁される請求項１２に記載の検知デバイス。
【請求項１５】
前記基板は、第１の層および第２の層を含み、前記センサエレクトロニクスは、前記第１の層と前記第２の層との間に挟まれる請求項１２に記載の検知デバイス。
【請求項１６】
前記第１および第２の層は、伝導性または半伝導性材料から作られ、前記センサエレクトロニクスは、前記第１および第２の層から電気絶縁される請求項１５に記載の検知デバイス。
【請求項１７】
前記基板表面および前記コレクタ部分は、前記第１の層から形成され、前記コレクタ部分は、前記第１の層の残りの部分から電気絶縁される請求項１５に記載の検知デバイス。
【請求項１８】
前記基板は、１００ｍｍと４５０ｍｍとの間の直径を有するシリコンウェハを備える１つまたは複数の層で作られ、前記検知デバイスは、０．３ｍｍ〜１０ｍｍの厚さを有する請求項１２に記載の検知デバイス。
【請求項１９】
前記基板は、半導体ウェハ、リソグラフィマスク基板、またはフラットパネルディスプレイ基板と実質的に同じ材料から作られる請求項１２に記載の検知デバイス。
【請求項２０】
前記基板の表面は、フォトレジスト上部層を含む請求項１９に記載の検知デバイス。
【請求項２１】
前記コレクタ部分は、前記基板の上部表面である請求項１２に記載の検知デバイス。
【請求項２２】
前記基板は、前記コレクタ部分を形成する抵抗層と導電性層との間に挟まれた電気絶縁層を含む請求項２１に記載の検知デバイス。
【請求項２３】
前記抵抗層の下側に形成された１つまたは複数の導電性センサ接点をさらに備える請求項２２に記載の検知デバイス。
【請求項２４】
前記エレクトロニクスは、前記１つまたは複数の導電性センサ接点に電気結合されたＤＣセンサエレクトロニクスを含む請求項２３に記載の検知デバイス。
【請求項２５】
前記エレクトロニクスは、前記１つまたは複数の導電性センサ接点に電気結合されたＡＣセンサエレクトロニクスを含む請求項２３に記載の検知デバイス。
【請求項２６】
前記エレクトロニクスは、前記伝導性層と別の伝導性層との間に挟まれ、前記１つまたは複数の導電性センサ接点に電気結合される請求項２３に記載の検知デバイス。
【請求項２７】
前記基板の上部層は、平面であり、標準的な処理基板と実質的に同じであるプロファイルを有する請求項１２に記載の検知デバイス。
【請求項２８】
前記１つまたは複数のセンサは、１つまたは複数の対のコレクタ部分を含み、前記コレクタ部分およびセンサエレクトロニクスは、デュアルまたはトリプル差動ラングミュアプローブとして動作するように構成される請求項１２に記載の検知デバイス。
【請求項２９】
前記エレクトロニクスは、信号調整エレクトロニクスおよび信号処理エレクトロニクスを含む請求項１２に記載の検知デバイス。
【請求項３０】
前記回路は、ポリイミド可撓性基板上に形成される請求項２９に記載の検知デバイス。
【請求項３１】
前記回路は、前記基板または前記基板の層上に直接形成される請求項２９に記載の検知デバイス。
【請求項３２】
各センサ用の前記エレクトロニクスは、ローカルデジタルプロセッサを含む請求項１２に記載の検知デバイス。
【請求項３３】
各ローカルデジタルプロセッサに結合された集中化通信ユニットまたはプロセッサをさらに備える請求項３２に記載の検知デバイス。
【請求項３４】
前記コレクタ部分の表面上の材料であって、前記コレクタ部分と前記プラズマとの間の相互作用を変更する、材料をさらに含む請求項１２に記載の検知デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月25日(2013.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光タイルを有する発光デバイスであって、
前記複数の発光タイルの各々は、少なくとも１つの接合部分をもち、
前記少なくとも１つの接合部分は、信号伝送に適合し、各タイルは、前記少なくとも１つの接合部分に接続された導体をもち、
前記少なくとも１つの接合部分は、接続要素を用いることにより前記複数の発光タイルのうち２つの発光タイルを互いに接続するように適合し、
前記複数の発光タイルは、デイジーチェーンバスシステムにより接続される発光面を形成するために、前記少なくとも１つの接合部分及び接続要素により接続され、前記デイジーチェーンバスシステムは、各発光タイルの出力及び／又は色を示す信号を伝送するように適合し、
前記複数の発光タイルの各タイルにおける前記導体は、デイジーチェーンバススキームに従って設けられ、前記少なくとも１つの接合部分のそれぞれは、スイッチを有し、前記複数の発光タイルのうち１つのタイルの前記デイジーバスチェーンは、各スイッチが閉じられた場合にのみ閉じられ、前記少なくとも１つの接合部分の前記スイッチは、接続要素が前記少なくとも１つの接合部分に接続されたときに空けられ、前記複数の発光タイルの各タイルの前記デイジーチェーンバスは、開けられたスイッチ毎に１つの入力及び１つの出力ポートをもち、前記入力ポート及び前記出力ポートは、前記接続要素に接続される、照明デバイス。
【請求項２】
前記発光タイルは、有機発光ダイオード又は発光ダイオードを有する、請求項１に記載の照明デバイス。
【請求項３】
前記発光タイルは、種々の形状をもつ、請求項１又は請求項２に記載の照明デバイス。
【請求項４】
前記スイッチはメカニカルスイッチである、請求項１に記載の照明デバイス。
【請求項５】
前記スイッチは電気スイッチである、請求項１に記載の照明デバイス。
【請求項６】
各発光タイルは、前記デイジーチェーンバスシステムに接続されたコントローラを有する、請求項１又は２に記載の照明デバイス。
【請求項７】
発光タイルの前記コントローラは、前記発光タイルの出力及び／又は色を制御するように適合される、請求項６に記載の照明デバイス。
【請求項８】
制御ユニットが前記デイジーチェーンバスシステムに接続され、前記制御ユニットは、前記デイジーチェーンバスシステムを介して前記発光タイルの前記コントローラに信号を送るように適合され、前記信号は、前記発光タイルの出力及び／又は色を示す、請求項１又は２に記載の照明デバイス。
【請求項９】
前記制御ユニットは、ディスプレイを有し、前記ディスプレイは、前記発光タイルが適切に接続されたかどうかを示すように適合される、請求項８に記載の照明デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月25日(2013.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウムイオン電気化学セルであって、
金属酸化物活性材料を含む第１のサイクル不可逆容量を有する複合正極電極と、
合金活性材料を含む１０パーセント以上の第１のサイクル不可逆容量を有する複合負極電極と、
電解質と、
を備え、
前記複合正極電極の前記第１のサイクル不可逆容量が、前記複合負極電極の前記第１のサイクル不可逆容量の４０パーセント以内である、リチウムイオン電気化学セル。
【請求項２】
前記金属酸化物活性材料が、コバルト、ニッケル、マンガン、リチウム、又はこれらの組み合わせを含む、請求項１に記載のリチウムイオン電気化学セル。
【請求項３】
前記金属酸化物活性材料が、式、Ｌｉ［Ｌｉ（１−２ｙ）／３Ｍ１ｙＭｎ（２−ｙ）／３］Ｏ２を有し、式中、０．０８３＜ｙ＜０．５であり、Ｍ１が、Ｎｉ、Ｃｏ、又はこれらの組み合わせを表し、前記金属酸化物活性材料が、Ｏ３結晶構造を有する単相の形態である、請求項２に記載のリチウムイオン電気化学セル。
【請求項４】
前記金属酸化物活性材料が、式、Ｌｉ［Ｍ２ｙＭ３１−２ｙＭｎｙ］Ｏ２を有し、式中、０．１６７＜ｙ＜０．５であり、Ｍ２が、Ｎｉ又はＮｉ及びＬｉを表し、Ｍ３が、Ｃｏを表し、前記金属酸化物活性材料が、Ｏ３結晶構造を有する単相の形態である、請求項２に記載のリチウムイオン電気化学セル。
【請求項５】
前記金属酸化物活性材料が、式、Ｌｉ［Ｍ４ｙＭ５１−２ｙＭｎｙ］Ｏ２を有し、式中、０．１６７＜ｙ＜０．５であり、Ｍ４が、Ｎｉを表し、Ｍ５が、Ｃｏ又はＣｏ及びＬｉを表し、前記金属酸化物活性材料が、Ｏ３結晶構造を有する単相の形態である、請求項２に記載のリチウムイオン電気化学セル。
【請求項６】
前記金属酸化物活性材料が、リチウムイオン電気化学セルに組み込まれ、かつ３０℃で１００回の充放電サイクルの間、２．０Ｖ〜３．０Ｖのより低い電圧から４．４Ｖ〜４．８Ｖのより高い電圧へサイクルされるとき、スピネル結晶構造への相変態を受けない、請求項３、４又は５に記載のリチウムイオン電気化学セル。
【請求項７】
前記合金活性材料が、
シリコン、スズ、又はこれらの組み合わせと、
任意に、アルミニウムと、
少なくとも１つの遷移金属と、
任意に、イットリウム、ランタニド元素、アクチニド元素、又はこれらの組み合わせと、
任意に、炭素と、
を含む、請求項１に記載のリチウムイオン電気化学セル。
【請求項８】
前記シリコンが、存在する場合、５５モルパーセントを上回って存在する、請求項７に記載のリチウムイオン電気化学セル。
【請求項９】
前記遷移金属が、チタン、コバルト、鉄、及びこれらの組み合わせから選択される、請求項７に記載のリチウムイオン電気化学セル。
【請求項１０】
前記合金活性材料が、以下の構成要素元素、ＳｉＡｌＦｅＴｉＳｎＭｍ、ＳｉＦｅＳｎ、ＳｉＡｌＦｅ、ＳｎＣｏＣ、及びこれらの組み合わせを有する材料より選択され、Ｍｍが、ランタニド元素を含むミッシュメタルである、請求項７に記載のリチウムイオン電気化学セル。
【請求項１１】
前記負極電極が、Ｓｉ６０Ａｌ１４Ｆｅ８ＴｉＳｎ７Ｍｍ１０、Ｓｉ７１Ｆｅ２５Ｓｎ４、Ｓｉ５７Ａｌ２８Ｆｅ１５、Ｓｎ３０Ｃｏ３０Ｃ４０、又はこれらの組み合わせを含む、請求項１０に記載のリチウムイオン電気化学セル。
【請求項１２】
前記活性合金材料が、シリコンを含む非晶相、及びスズを含む金属間化合物を含むナノ結晶相の混合物である、請求項７に記載のリチウムイオン電気化学セル。
【請求項１３】
前記複合正極電極、前記複合負極電極が、グラファイト、導電性希釈剤、又は結合剤のうちの少なくとも１つを更に含む、請求項１に記載のリチウムイオン電気化学セル。
【請求項１４】
請求項１に記載の電気化学セルを備える、電子デバイス。
【請求項１５】
高容量を有する電気化学セルを作製する方法であって、
合金活性材料を含む複合負極電極を準備する工程であって、前記負極電極が、１０パーセント以上の第１のサイクル不可逆容量を有する、工程と、
金属酸化物活性材料を含む複合正極電極を選択する工程であって、前記正極電極が、前記負極電極の前記第１のサイクル不可逆容量の４０パーセント以内の第１のサイクル不可逆容量を有する、工程と、
前記複合負極電極、前記複合正極電極、及び電解質を組み合わせて、電気化学セルを形成する工程と、
を含む、方法。
【請求項１６】
前記複合正極電極が、前記複合負極電極の前記第１のサイクル不可逆容量の２０パーセント以内の第１のサイクル不可逆容量を有する、請求項１５に記載の電気化学セルを作製する方法。
【請求項１７】
前記金属酸化物活性材料が、コバルト、ニッケル、マンガン、リチウム、又はこれらの組み合わせを含む、請求項１５に記載の電気化学セルを作製する方法。
【請求項１８】
前記合金活性材料が、
シリコン、スズ、又はこれらの組み合わせと、
任意に、アルミニウムと、
少なくとも１つの遷移金属と、
任意に、イットリウム、ランタニド元素、アクチニド元素、又はこれらの組み合わせと、
任意に、活性炭と、
を含む、請求項１５に記載の電気化学セルを作製する方法。
【請求項１９】
前記遷移金属が、チタン、コバルト、鉄、及びこれらの組み合わせから選択される、請求項１８に記載の電気化学セルを作製する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月27日(2014.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通されるとカードの磁気ストライプに格納されるデータを示す信号を生成するよう構成されるリードヘッドと、
モバイルホスト装置の標準的なヘッドセットジャックに挿入されるよう構成され、前記モバイルホスト装置の標準的なヘッドセットジャックのマイクロフォン入力に前記磁気ストライプに格納されるデータを示す出力信号を通信するよう構成されるチップ、リング、スリーブ出力プラグと、
前記リードヘッドから前記磁気ストライプに格納されるデータを示す信号を受信し、復号化されたデータを決定するため、前記磁気ストライプに格納されるデータを示す信号を復号化することを含む前記磁気ストライプに格納されるデータを示す信号を処理し、前記復号化されたデータを表す処理されたデータを生成し、前記磁気ストライプに格納されるデータを示す出力信号を生成するため、前記処理されたデータを信号に変調するよう構成される回路と、
を有するカードリーダ装置。
【請求項２】
前記回路は、前記磁気ストライプに格納されるデータを示す信号を処理する際に処理を実行するよう構成される集積回路装置を有する、請求項１記載のカードリーダ装置。
【請求項３】
前記回路に電力を提供するバッテリを有する、請求項１記載のカードリーダ装置。
【請求項４】
前記リードヘッドと前記回路とを包囲するハウジングを有し、
前記チップ、リング、スリーブ出力プラグは、前記ハウジングから延びる、請求項１記載のカードリーダ装置。
【請求項５】
前記回路は、前記モバイルホスト装置の標準的なヘッドセットジャックから受ける電力から前記チップ、リング、スリーブ出力ジャックを介し電力供給されるＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサ又は他の処理要素を含む、請求項１記載のカードリーダ装置。
【請求項６】
前記回路に電力を提供するため、前記モバイルホスト装置の１以上のオーディオ出力上で前記チップ、リング、スリーブ出力プラグを介し受ける１以上のオーディオ出力波形を整流する整流回路を有する、請求項１記載のカードリーダ装置。
【請求項７】
カードリーダ装置のリードヘッドが、カードの磁気ストライプが前記リードヘッドに通されることに応答して、前記磁気ストライプに格納されるデータを示す信号を生成するステップと、
復号化されたデータを生成するため、前記磁気ストライプに格納されるデータを示す信号を復号化し、前記復号化されたデータを表す処理されたデータを生成することを含む、前記磁気ストライプに格納されるデータを示す信号を処理するステップと、
前記復号化されたデータを伝送する出力信号を生成するため、前記処理されたデータを信号に変調するステップと、
前記磁気ストライプに格納されるデータに関連する取引の処理のため、前記カードリーダ装置のチップ、リング、スリーブ出力プラグが現在挿入されているモバイルホスト装置の標準的なヘッドセットジャックのマイクロフォン入力に前記出力信号を提供するステップと、
を有する方法。
【請求項８】
前記モバイルホスト装置から前記カードリーダ装置のチップ、リング、スリーブ出力プラグを介しＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサ又は他の処理要素を動作させるための電力を受けるステップを有する、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記モバイルホスト装置から前記カードリーダ装置を動作させるための電力を受けるステップは、前記モバイルホスト装置の１以上のオーディオ出力上の前記チップ、リング、スリーブ出力プラグを介し受信した１以上のオーディオ出力波形を整流するステップを有する、請求項７記載の方法。
【請求項１０】
前記モバイルホスト装置のヘッドセットジャックのマイクロフォン入力により前記出力信号を受信するステップと、
ホストシステムと通信する前記モバイルホスト装置が、前記磁気ストライプに格納されるデータに関連する金融取引の認証を要求及び受信するステップと、
を有する、請求項７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月24日(2014.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光導波路ファイバにおいて、前記光ファイバが、
(ｉ)波長１５５０ｎｍにおいて１００μｍ２から１６０μｍ２の有効面積を有し、α値が１２≦α≦２００である、無Ｇｅコアであって、
(ａ)中心線から径方向に外向きに半径ｒ０まで拡がり、純シリカに対して測定される、％単位の相対屈折率％プロファイル,Δ０(ｒ)を有し、−０.１％＜Δ０(ｒ)＜０.１％である中心コア領域であり、最大相対屈折率％,Δ０最大を有する中心コア領域と、
(ｂ)前記中心コア領域を囲んで前記中心コア領域に直接に接し、外半径ｒ１まで拡がり、４.８μｍ＜ｒ１＜１０μｍであって、純シリカに対して測定される、％単位の相対屈折率％プロファイル,Δ１(ｒ)及び最小相対屈折率,Δ１最小を有しており、半径ｒ＝２.５μｍにおいて測定される相対屈折率が、
−０.１５＜Δ１(ｒ＝２.５μｍ)＜０及びΔ０最大≧Δ１(ｒ＝２.５μｍ)，
である、第１の環状コア領域と、
(ｃ)前記第１の環状コア領域を囲んで前記第１の環状コア領域に直接に接し、半径１３μｍ＜ｒ２＜３０μｍまで拡がり、純シリカに対して測定される、％単位の相対屈折率％プロファイル,Δ２(ｒ)を有しており、最小相対屈折率％,Δ２最小が、
Δ２最小＜Δ１(ｒ＝２.５μｍ)及び−０.５％＜Δ２最小＜−０.２７％，
である、フッ素がドープされた第２の環状コア領域と、
を有する無Ｇｅコア、及び
(ii)前記コアを囲み、純シリカに対して測定される、％単位の相対屈折率％プロファイル,ΔＣ(ｒ)を有し、ΔＣ(ｒ)＝Δ２最小±０.３％である、クラッド層、
を有し、
前記光ファイバの相対屈折率プロファイルは波長１５５０ｎｍにおいて０.１７５ｄＢ/ｋｍをこえない減衰を与えるように選ばれ、
前記光ファイバが、
(ａ)１.０ＭＰａより小さいヤング率を有する一次被覆、及び
(ｂ)１２００ＭＰａより大きいヤング率を有する二次被覆、
をさらに有し、
前記光ファイバが１１５μｍ２より大きい有効面積を有する、
ことを特徴とする光導波路ファイバ。
【請求項２】
(ｉ)前記中央コア領域の少なくとも一部が純シリカで作製される、または
(ii)前記無Ｇｅコアが１００μｍ２と１６０μｍ２の間の有効面積を有し、前記フッ素がドープされた第２の環状コア領域が０.０７重量％から１.６重量％のフッ素を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の光導波路ファイバ。
【請求項３】
(ｉ)−０.５％＜Δ２最小＜−０.２５％，及び／または
(ii)−０.１％＜Δ１(ｒ＝２.５μｍ)＜０％，
であることを特徴とする請求項１に記載の光導波路ファイバ。
【請求項４】
前記光ファイバが、２０ｍｍ径マンドレル上２０ターンに対して、１０ｄＢ/ｍ未満の１５５０ｎｍにおけるマイクロベンド損失を有することを特徴とする請求項１に記載の光導波路ファイバ。
【請求項５】
(ｉ)前記フッ素がドープされた第２の環状コア領域が０.０１重量％から１.６重量％のフッ素を有する、及び／または
(ii)前記光ファイバが、前記コアに５００ｐｐｍより多くの塩素を有し、前記クラッド層に１００００ｐｐｍより多くの塩素を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の光導波路ファイバ。
【請求項６】
前記コアが、
中心線から径方向に外側に半径０＜ｒ０＜２μｍまで拡がる前記中央コア領域、
を有し、
前記光ファイバの前記相対屈折率プロファイルが、波長１５５０ｎｍにおいて０.１５ｄＢ/ｋｍと０.１７５ｄＢ/ｋｍの間の減衰を与えるように選ばれ、
Δ０＝０，−０.０７％＜Δ１(ｒ＝２.５μｍ)＜０％，ｒ２/ｒ１が２.７＜ｒ２/ｒ１＜５.７，及びｒ２＜３０であり、
前記光導波路ファイバが、１８ｐｓ/ｎｍ/ｋｍ＜Ｄ＜２５ｐｓ/ｎｍ/ｋｍの波長１５５０ｎｍにおける分散,Ｄ、１２４５ｎｍ＜λ０＜１２９０ｎｍのλ０及び、２０ｍｍ径マンドレル上２０ターンに対して、１０ｄＢ/ｍ未満の１５５０ｎｍにおけるマイクロベンド損失を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の光導波路ファイバ。
【請求項７】
前記コアの少なくとも一部がアルカリ元素を含むことを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の光導波路ファイバ。
【請求項８】
前記アルカリ元素がＮａ，ＫまたはＲｂを含むことを特徴とする請求項７に記載の光導波路ファイバ。
【請求項９】
前記光ファイバが、
(ｉ)１８＜Ｄ＜２５ｐｓ/ｎｍ/ｋｍの波長１５５０ｎｍにおける分散,Ｄ、及び
(ii)１２４５ｎｍ＜λ０＜１２９０ｎｍの、ゼロ分散波長,λ０、
の内の少なくとも１つを有することを特徴とする請求項１または７に記載の光導波路ファイバ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月21日(2014.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）不透水性の熱可逆性架橋ポリマーコーティングでコートされた１５０〜１２０００ｄｔｅｘの線密度、１０〜６５ｇ／ｄｔｅｘの靭性、１５０〜２７００ｇ／ｄｔｅｘの弾性率、および１〜８パーセントの破断点伸びを有する第１の強化糸を、保護コーティングを結合切断によって水膨潤性高吸収性ポリマーに変換するために十分な時間の間４５〜２００℃の温度にかける工程と、
（ｂ）工程（ａ）からの前記第１の強化糸の１つまたは複数を１つまたは複数の光ガラスファイバー伝送媒体と組み合わせる工程と、
（ｃ）保護スリーブを工程（ｂ）の少なくとも１つのアセンブリの上に適用する工程とを含む、ファイバー光ケーブルアセンブリを形成するための方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法によって製造されたファイバー光ケーブル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
比較例Ａと比較したとき、実施例１の膨潤度がほとんど１０倍増加したことは、権利請求された方法の有効性を示す。
以下、本発明の態様を示す。
１．（ａ）不透水性の熱可逆性架橋ポリマーコーティングでコートされた１５０〜１２０００ｄｔｅｘの線密度、１０〜６５ｇ／ｄｔｅｘの靭性、１５０〜２７００ｇ／ｄｔｅｘの弾性率、および１〜８パーセントの破断点伸びを有する第１の強化糸を、保護コーティングを結合切断によって水膨潤性高吸収性ポリマーに変換するために十分な時間の間４５〜２００℃の温度にかける工程と、
（ｂ）工程（ａ）からの前記第１の強化糸の１つまたは複数を１つまたは複数の光ガラスファイバー伝送媒体と組み合わせる工程と、
（ｃ）保護スリーブを工程（ｂ）の少なくとも１つのアセンブリの上に適用する工程とを含む、ファイバー光ケーブルアセンブリを形成するための方法。
２．少なくとも１つの第２の強化糸が工程（ｂ）において前記第１の強化糸およびガラスファイバー伝送媒体と組み合わせられていてもよい、上記１に記載の方法。
３．前記第１の強化糸の前記ポリマーが、ｐ−アラミド、ポリベンザゾール、ポリピリダゾールまたはそれらの混合物からなる群から選択される、上記１に記載の方法。
４．前記熱可逆性コーティングの熱可逆性架橋剤が、第１の強化糸とコーティングとの総重量に基づいて０．００１重量％〜０．５重量％の量で存在する、上記１に記載の方法。
５．前記熱可逆性架橋コーティングが、前記第１の強化糸とコーティングとの総重量に基づいて０．１重量％〜１０重量％の量で存在する、上記１に記載の方法。
６．前記ｐ−アラミドがポリ（パラフェニレンテレフタルアミド）である、上記３に記載の方法。
７．上記１に記載の方法によって製造されたファイバー光ケーブル。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月24日(2014.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
オッズ屋は、一般大衆が特定のチーム（またはその他の賭けの選択肢）をいつ過大評価したり過小評価するかを知っており、これに従ってゲーミングマーカーを調節する。一般大衆の知覚に基づいてチームが過大評価されればされるほど、平均回帰（例えば、その「価格」でチームを「売る」ことにより利益を得ること）の可能性が大きくなり、その反対についても同様のことが言える。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
（先行技術文献）
（特許文献）
（特許文献１）  韓国公開特許第１０−２００１−００６７６９４号公報
（特許文献２）  米国特許出願公開第２００８／００４５２８８号明細書
（特許文献３）  米国特許出願公開第２００７／００７２６７９号明細書
（特許文献４）  米国特許第６，１１２，１２８号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月24日(2014.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下のＡ）〜Ｄ）から成るＵＶ硬化性ボンダ材料を含有するポリカーボネートから製造されるディスクからなるＤＶＤ：
Ａ）以下のi)とii)の反応生成物である、バインダーとしてのウレタンアクリレートオリゴマー、
i)１種以上のポリイソシアネートおよび
ii)２００ｇ/モル〜２０００ｇ/モルの数平均分子量を有し、および以下の式を有する１種以上のヒドロキシ官能性ラクトンエステルアクリレート：
【化１】
2013518358.tif 000001
[式中、ｎは１〜５の整数であり、Ｒ１は水素またはメチルであり、Ｒ２は２〜１０個の炭素原子を有する置換アルキレン基またはアルキレン基を示し、およびＲ３は３〜８の炭素原子の直鎖または分岐鎖アルキレン基を表わし、また該基は、１〜１２個の炭素原子を有する１つ以上のアルキル基で置換されてもよい]
Ｂ）単官能性（メタ）アクリレートを含有する、反応性シンナー、
Ｃ）光開始剤および
Ｄ）所望による添加剤。
【請求項２】
ウレタンアクリレートＡ）のポリイソシアネート成分ｉ）が、ヘキサメチレンジイソシアネートおよび/またはジシクロヘキシルメタンジイソシアネートのオリゴマーである、請求項１に記載のポリカーボネートから製造されるディスクからなるＤＶＤ。
【請求項３】
ウレタンアクリレートＡ）のヒドロキシル含有成分ii)が、ヒドロキシキシエチルアクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレートまたはヒドロキシブチルアクリレートと、ε-カプロラクトンの反応生成物である、請求項１または２に記載のポリカーボネートから製造されるディスクからなるＤＶＤ。
【請求項４】
成分Ｂ）が、アルコキシル化アルキル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸およびアルコキシル化フェノールの単官能性エステル、アルキル（メタ）アクリレート、脂環式（メタ）アクリレートおよび複素環式（メタ）アクリレートを含有する群から選択される、請求項１から３のいずれかに記載のポリカーボネートから製造されるディスクからなるＤＶＤ。
【請求項５】
ＤＶＤを製造するためのボンダ材料としての、以下のＡ）〜Ｄ）から成るＵＶ硬化性ボンダ材料の使用：
Ａ）以下のi)とii)の反応生成物である、バインダーとしてのウレタンアクリレートオリゴマー、
i)１種以上のポリイソシアネートおよび
ii)２００ｇ/モル〜２０００ｇ/モルの数平均分子量を有し、および以下の式を有する１種以上のヒドロキシ官能性ラクトンエステルアクリレート：
【化２】
2013518358.tif 000002
[式中、ｎは１〜５の整数であり、Ｒ１は水素またはメチルであり、Ｒ２は２〜１０個の炭素原子を有する置換アルキレン基またはアルキレン基を示し、およびＲ３は３〜８の炭素原子の直鎖または分岐鎖アルキレン基を表わし、また該基は、１〜１２個の炭素原子を有する１つ以上のアルキル基で置換されてもよい]
Ｂ）単官能性アクリレートを含有する、反応性シンナー、
Ｃ）光開始剤および
Ｄ）所望による添加剤。
【請求項６】
工程１において、所望により染料層および反射層を含有する、第１ポリカーボネートディスク基板上に、以下のＡ）〜Ｄ）から成るＵＶ硬化性ボンダ組成物を施し；
Ａ）以下のi)とii)の反応生成物である、バインダーとしてのウレタンアクリレートオリゴマー、
i)１種以上のポリイソシアネートおよび
ii)２００ｇ/モル〜２０００ｇ/モルの数平均分子量を有し、および以下の式を有する１種以上のヒドロキシ官能性ラクトンエステルアクリレート：
【化３】
2013518358.tif 000003
[式中、ｎは１〜５の整数であり、Ｒ１は水素またはメチルであり、Ｒ２は２〜１０個の炭素原子を有する置換アルキレン基またはアルキレン基を示し、およびＲ３は３〜８の炭素原子の直鎖または分岐鎖アルキレン基を表わし、また該基は、１〜１２個の炭素原子を有する１つ以上のアルキル基で置換されてもよい]
Ｂ）単官能性アクリレートを含有する、反応性シンナー、
Ｃ）光開始剤および
Ｄ）所望による添加剤、
次いで、工程２において第２ポリカーボネートディスク基板を、工程１で得られた被覆基板の上に配置し、次いで、工程３において工程２からの製造品をＵＶ放射により硬化させることによる、ポリカーボネートから製造されるディスクからなるＤＶＤの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月9日(2013.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セルロース、ヘミセルロース、およびリグニン分画を含むリグノセルロースバイオマスの処理方法であって、
水と少なくとも５０重量パーセントの１種以上の有機酸とを含有する濃有機酸蒸気処理用材料を形成する工程;
前記工程の後、前記バイオマス中の前記ヘミセルロースおよびリグニン物質を少なくとも部分的に解重合するために、前記濃有機酸蒸気処理用材料をバイオマスに十分な時間及び条件で適用する工程；および
前記濃有機酸蒸気で処理された物質をペレット化する工程
を含む方法。
【請求項２】
セルロース、ヘミセルロース、およびリグニン分画を含むリグノセルロースバイオマスの処理方法であって、
水と少なくとも５０重量パーセントの１種以上の有機酸とを含有する濃有機酸蒸気処理用材料を形成する工程;
前記工程の後、前記バイオマス中の前記ヘミセルロースおよびリグニン物質を少なくとも部分的に解重合するために、前記濃有機酸蒸気処理用材料をバイオマスに十分な時間及び条件で適用する工程；
ペレット化するのに十分な固体含有量の物質を提供するために前記弱酸処理したバイオマスを乾燥する工程；および
前記濃有機酸蒸気で処理された物質をペレット化する工程
を含む方法。
【請求項３】
前記ペレット化した物質を反芻動物の飼料に使用する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記セルロース質固体生成物を、前記ペレット化した物質から、前記ペレット化した物質の溶剤洗浄を濾過と共に１回以上繰り返すことにより回収し、それにより、前記ペレット化した物質からの前記少なくとも部分的に解重合したヘミセルロースおよびリグニン物質を、残留する前記セルロース質固体から共に分離する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも部分的に解重合したヘミセルロースおよびリグニン物質の洗浄を濾過と共に１回以上繰り返して、水不溶性リグニン固体を水溶性ヘミセルロース物質から分離する工程をさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも部分的に解重合したヘミセルロース物質を、前記ペレット化した物質から、前記ペレット化した物質の水による洗浄を濾過と共に１回以上繰り返すことにより分離し、その後、前記リグニンを、前記ペレット化した物質の残りから、異なる溶媒洗浄を濾過と共にまた１回以上繰り返すことにより分離する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項７】
前記少なくとも部分的に解重合したヘミセルロース物質に対し、これを前記リグニンおよび前記ペレット化した物質の残りから分離した後に、さらなる酸加水分解工程を含む、請求項５または６に記載の方法。
【請求項８】
前記リグノセルロースバイオマスが、乾燥重量基準で６重量パーセント以上の酸性デタージェントに不溶なリグニンの含有量を有することを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項９】
処理された前記リグノセルロースバイオマスが、トウモロコシの茎葉およびトウモロコシの繊維を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
処理された前記リグノセルロースバイオマスが、サイロに貯蔵された植物全体としてのトウモロコシであり、かつ前記濃有機酸蒸気処理用材料を適用する前に、前記サイロに貯蔵された植物全体としてのトウモロコシの少なくとも１成分を分離し除去するために前記バイオマスを前処理する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記サイロに貯蔵された植物全体としてのトウモロコシバイオマスを前記濃有機酸蒸気処理用材料と接触させる前に、前記トウモロコシバイオマスからコーン油を回収する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記濃有機酸蒸気処理用材料を、摂氏５０度以上の高温で前記バイオマスに適用する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項１３】
前記濃有機酸蒸気処理用材料が、酢酸、プロピオン酸、リンゴ酸、コハク酸、ギ酸、および乳酸の１種以上と水との組合せからなり、かつ前記濃有機酸蒸気処理用材料を摂氏５０度〜摂氏１６０度の温度、大気圧〜３．５ＭＰａゲージ圧の圧力で、かつ３０分以上の時間、適用する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記濃有機酸蒸気処理用材料は５０重量パーセント以上のギ酸もしくは酢酸またはギ酸と酢酸との組み合わせを含み、残部が水である請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記濃有機酸蒸気処理用材料が、７０重量パーセント以上の前記１種以上の酸を含み、残部が水である、請求項１３または１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記濃有機酸蒸気処理したバイオマスを１０重量パーセント以下の水分含有量にまで乾燥させる、請求項１または２に記載の方法。
【請求項１７】
前記乾燥させたバイオマスをさらなるバインダーを加えずにペレット化する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
共通の第２の場所へペレット化した物質を搬送するために、前記濃有機酸蒸気処理、乾燥、およびペレット化工程を複数の場所で適用する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項１９】
前記複数のサイトが、前記共通の第２の場所から平均して５０キロメートル以上の距離にある、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記複数のサイトが、前記共通の第２の場所から平均して８０キロメートル以上の距離にある、請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月21日(2014.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉの化合物：
【化１】
2013518882.tif 000001
または薬学的に許容できるその塩（式中、Ｒ１は、Ｈまたは−Ｃ１〜４アルキルであり、Ｒ２は、−ＯＨまたは−ＯＣＨ３によって置換されていてもよいチアジアゾール基である）。
【請求項２】
式ＩＡの化合物
【化２】
2013518882.tif 000002
または薬学的に許容できるその塩である、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ｒ１が、メチルである、請求項１または２に記載の化合物または薬学的に許容できるその塩。
【請求項４】
Ｒ２が、１，３，４−チアジアゾール−２−イルである、請求項１または２に記載の化合物または薬学的に許容できるその塩。
【請求項５】
Ｒ２が、３−メトキシ−１，２，４−チアジアゾール−５−イルである、請求項１または２に記載の化合物または薬学的に許容できるその塩。
【請求項６】
（３Ｒ，４Ｒ）−４−メチル−３−［メチル（７Ｈ−ピロロ［２，３−ｄ］ピリミジン−４−イル）アミノ］−Ｎ−（１，３，４−チアジアゾール−２−イル）ピペリジン−１−カルボキサミドである、請求項１に記載の化合物または薬学的に許容できるその塩。
【請求項７】
（３Ｒ，４Ｒ）−Ｎ−（３−メトキシ−１，２，４−チアジアゾール−５−イル）−４−メチル−３−［メチル（７Ｈ−ピロロ［２，３−ｄ］ピリミジン−４−イル）アミノ］ピペリジン−１−カルボキサミドである、請求項１に記載の化合物または薬学的に許容できるその塩。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の化合物、または薬学的に許容できるその塩、および薬学的に許容できる担体を含む医薬組成物。
【請求項９】
哺乳動物におけるアレルギー反応、アレルギー性皮膚炎、アトピー性皮膚炎、湿疹、またはそう痒症を治療するための医薬であって、治療有効量の請求項１〜７のいずれか１項に記載の化合物または薬学的に許容できるその塩を含む医薬。
【請求項１０】
前記治療有効量が、０．０１ｍｇ／ｋｇ体重／日〜１００ｍｇ／ｋｇ体重／日である、請求項９に記載の医薬。
【請求項１１】
前記治療有効量が、０．１ｍｇ／ｋｇ体重／日〜１０ｍｇ／ｋｇ体重／日である、請求項９に記載の医薬。
【請求項１２】
前記治療有効量が、０．２ｍｇ／ｋｇ体重／日〜１．５ｍｇ／ｋｇ体重／日である、請求項９に記載の医薬。
【請求項１３】
前記哺乳動物が、愛玩動物を含む、請求項９に記載の医薬。
【請求項１４】
前記愛玩動物が、イヌである、請求項１３に記載の医薬。
【請求項１５】
前記哺乳動物が、家畜を含む、請求項９に記載の医薬。
【請求項１６】
経口、非経口、または局所的に投与される、請求項９に記載の医薬。
【請求項１７】
哺乳動物における神経変性疾患、角結膜炎、慢性呼吸器疾患、自己免疫疾患、炎症性腸疾患、新形成、および関節炎状態を治療するための医薬であって、治療有効量の請求項１〜７のいずれか１項に記載の化合物または薬学的に許容できるその塩を含む医薬。