【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年7月22日(2014.7.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成長用基板の完全性を保持する方法であって、以下：
少なくとも一の成長用表面のある成長用基板；電池；犠牲層；第一の保護層；および第二の保護層を有する構造を提供する工程、ここで、前記第一の保護層は前記成長用基板上に配置され、前記第二の保護層は前記第一の保護層上に配置され、前記犠牲層は前記第二の保護層上に配置され、前記犠牲層、前記第一の保護層および第二の保護層は前記成長用基板および前記電池の間に配置される；
エッチング液で前記犠牲層をエッチングすることにより前記電池を遊離する工程；
エッチング液で前記第二の保護層をエッチングすることにより前記第二の保護層を除去する工程；および
エッチング液で前記第一の保護層をエッチングすることにより、前記第一の保護層を除去する工程、を含む。
【請求項２】
前記成長用基板および前記第二の保護層が同じ材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記成長用基板が単結晶ウエハー材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記成長用基板が、Ｇｅ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＳｂ、ＧａＮ、ＡｌＮおよびそれらの組み合わせから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記同じ材料がＩｎＰを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記同じ材料がＧａＡｓを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記第一の保護層が、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ、（ＡｌＧａ）ＡｓＳｂ、およびそれらの組み合わせから選択される、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記第一の保護層が、ＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＡｌＰ、およびそれらの組み合わせから選択される、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記犠牲層がＡＩＡｓを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記犠牲層が超格子を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記超格子がＩｎＡｓ／ＡｌＡｓを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
各エッチング液が、それぞれ独立に、ＨＦ、Ｈ３ＰＯ４、ＨＣｌ、Ｈ２ＳＯ４、ＨＮＯ３、Ｃ６Ｈ８Ｏ７（クエン酸）、Ｈ２Ｏ２、およびそれらの組み合わせから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記電池を遊離するための前記エッチング液がＨＦを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第二の保護層を除去するための前記エッチング液がＨＣｌ：Ｈ３ＰＯ４を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項１５】
前記第二の保護層を除去するための前記エッチング液がＨ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１６】
前記第一の保護層を遊離するための前記エッチング液が、Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２、Ｃ６Ｈ８Ｏ７：Ｈ２Ｏ２、Ｈ３ＰＯ４：Ｈ２Ｏ２、およびそれらの組み合わせから選択される、請求項７に記載の方法。
【請求項１７】
前記第一の保護層を除去するための前記エッチング液が、ＨＣｌ：Ｈ３ＰＯ４を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１８】
前記構造が、前記電池および前記成長用基板の間に配置されるバッファ層をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記バッファ層が前記成長用基板および前記第一の保護層の間に配置される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記成長用基板、前記バッファ層および前記第二の保護層が同じ材料を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記同じ材料がＩｎＰを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記第一の保護層を除去するためのエッチング液が、Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏおよび／またはクエン酸：Ｈ２Ｏを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記少なくとも一の成長用表面を研磨せずに、エピタキシャル成長のための前記成長用基板を再利用する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
成長用基板の完全性を保持する方法であって、以下：
少なくとも一の成長用表面のある成長用基板を提供する工程；
第一の保護層、第二の保護層、犠牲層および電池を、前記成長用基板上に堆積する工程、ここで、前記第一の保護層は前記成長用基板上に配置され、前記第二の保護層は前記第一の保護層上に配置され、前記犠牲層は前記第二の保護層上に配置され、前記犠牲層、前記第一の保護層および前記第二の保護層は前記成長用基板および前記電池の間に配置される；
エッチング液で前記犠牲層をエッチングすることにより、前記電池を遊離する工程；
エッチング液で前記第二の保護層をエッチングすることにより、第二の保護層を除去する工程；および
エッチング液で前記第一の保護層をエッチングすることにより、前記第一の保護層を除去する工程、を含む。
【請求項２５】
成長用表面を有するバッファ層を堆積する工程をさらに含み、前記バッファ層は前記成長用基板および前記電池の間に配置される、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記バッファ層が前記成長用基板および前記第一の保護層の間に配置される、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記バッファ層が前記成長用基板の前記少なくとも一の成長用表面上に直接配置される、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記バッファ層の前記少なくとも一の成長用表面が、前記第一の保護層の除去後に、前記第一の保護層の堆積前の前記成長用基板の前記少なくとも一の成長用表面よりも平滑である、請求項２５に記載の方法。
【請求項２９】
前記成長用基板の前記少なくとも一の成長用表面が、前記第一の保護層の堆積前に、約０．２５ｎｍ〜約０．３５ｎｍのＲＭＳ値を示す、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記ＲＭＳ値が約０．３２ｎｍである、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記バッファ層の前記少なくとも一の成長用表面が、前記第一の保護層の除去後に、約０．１０ｎｍ〜約０．２０ｎｍのＲＭＳ値を示す、請求項２８に記載の方法。
【請求項３２】
前記ＲＭＳ値が約０．１６ｎｍである、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
第三の保護層および第四の保護層を堆積する工程をさらに含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項３４】
前記第三の保護層および第四の保護層が、前記犠牲層および前記電池の間に堆積される、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
ＰＶデバイスを製造する方法であって、以下：
成長用基板を提供する工程；
第一の保護層、第二の保護層、犠牲層および少なくとも一のエピ層を前記成長用基板上に堆積する工程、ここで、前記第一の保護層は前記成長用基板上に配置され、前記第二の保護層は前記第一の保護層上に配置され、前記犠牲層は前記第二の保護層上に配置され、前記犠牲層、前記第一の保護層および前記第二の保護層が前記成長用基板および前記エピ層の間に配置される；
少なくとも一の金属または合金を少なくとも一部の前記エピ層上に堆積し、接触層を形成する工程；
前記接触層を金属または合金被覆したホスト基板に接合する工程；および
エッチング液で前記犠牲層をエッチングすることにより、前記少なくとも一のエピ層を遊離する工程、を含む。
【請求項３６】
バッファ層を堆積する工程をさらに含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
前記バッファ層が、前記成長用基板および前記第一の保護層の間に配置される、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
エッチング液で前記第二の保護層をエッチングすることにより、第二の保護層を除去する工程をさらに含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項３９】
エッチング液で前記第一の保護層をエッチングすることにより、前記第一の保護層を除去する工程をさらに含む、請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
第三の保護層および第四の保護層を堆積する工程をさらに含み、ここで、前記第三の保護層および前記第四の保護層が前記犠牲層および前記少なくとも一のエピ層の間に配置される、請求項３５に記載の方法。
【請求項４１】
前記成長用基板および前記第二の保護層が同じ材料を含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項４２】
前記成長用基板が単結晶ウエハー材料を含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項４３】
前記成長用基板が、Ｇｅ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＡｌＮ、およびそれらの組み合わせから選択される、請求項３５に記載の方法。
【請求項４４】
前記同じ材料がＩｎＰである、請求項４１に記載の方法。
【請求項４５】
前記同じ材料がＧａＡｓである、請求項４１に記載の方法。
【請求項４６】
前記第一の保護層が、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ、（ＡｌＧａ）ＡｓＳｂおよびそれらの組み合わせから選択される、請求項４４に記載の方法。
【請求項４７】
前記第一の保護層が、ＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＡｌＰ、およびそれらの組み合わせから選択される、請求項４５に記載の方法。
【請求項４８】
前記犠牲層がＡＩＡｓを含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項４９】
前記エッチング液が、それぞれ独立に、ＨＦ、Ｈ３ＰＯ４、ＨＣｌ、Ｈ２ＳＯ４、ＨＮＯ３、Ｃ６Ｈ８Ｏ７（クエン酸）、Ｈ２Ｏ２およびそれらの組み合わせから選択される、請求項３５に記載の方法。
【請求項５０】
前記エピ層を遊離するための前記エッチング液がＨＦを含む、請求項４９に記載の方法。
【請求項５１】
前記第二の保護層を除去するための前記エッチング液がＨＣｌ：Ｈ３ＰＯ４を含む、請求項３８に記載の方法。
【請求項５２】
前記第二の保護層を除去するための前記エッチング液がＨ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２を含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項５３】
前記第一の保護層を除去するための前記エッチング液が、Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２、Ｃ６Ｈ８Ｏ７：Ｈ２Ｏ２、Ｈ３ＰＯ４：Ｈ２Ｏ２およびそれらの組み合わせから選択される、請求項４６に記載の方法。
【請求項５４】
前記第一の保護層を除去するための前記エッチング液が、ＨＣｌ：Ｈ３ＰＯ４を含む、請求項４７に記載の方法。
【請求項５５】
バッファ層を堆積する工程をさらに含み、ここで、前記バッファ層が前記成長用基板および前記第一の保護層の間に配置される、請求項３５に記載の方法。
【請求項５６】
前記成長用基板、前記バッファ層、および前記第二の保護層が同じ材料を含む、請求項５５に記載の方法。
【請求項５７】
前記同じ材料がＩｎＰである、請求項５６に記載の方法。
【請求項５８】
前記第一の保護層を除去するためのエッチング液が、Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏおよび／またはクエン酸：Ｈ２Ｏを含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項５９】
前記少なくとも一のエピ層が少なくとも一のＩＩＩ−Ｖ材料を含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項６０】
前記接合が冷間圧接を含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項６１】
前記ホスト基板がポリエステルおよびポリイミドから選択される少なくとも一のポリマーを含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項６２】
前記バッファされた成長用基板に少なくとも一の超音波処理工程を行う、請求項１に記載の方法。
【請求項６３】
前記超音波処理工程は酸溶液中で行う、請求項６２に記載の方法。
【請求項６４】
前記酸溶液はクエン酸：Ｈ２Ｏ２を含む、請求項６３に記載の方法。
【請求項６５】
成長用構造であって、以下：
成長用基板、犠牲層、バッファ層、第一の保護層、第二の保護層、第三の保護層、第四の保護層、少なくとも一のエピ層、少なくとも一の接触、および、金属または合金被覆したホスト基板を含み、
ここで、前記犠牲層が前記成長用基板および前記少なくとも一のエピ層の間に位置し、前記第一の保護層および前記第二の保護層が前記成長用基板および前記犠牲層の間に配置され、かつ、前記第三の保護層および前記第四の保護層が前記犠牲層および前記エピ層の間に配置される。
【請求項６６】
前記バッファ層が前記第一の保護層および前記成長用基板の間に配置される、請求項６５に記載の構造。
【請求項６７】
前記成長用基板および前記第二の保護層が同じ材料を含む、請求項６５に記載の構造。
【請求項６８】
前記成長用基板が単結晶ウエハー材料を含む、請求項６５に記載の構造。
【請求項６９】
前記成長用基板が、Ｇｅ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＡｌＮ、およびそれらの組み合わせから選択される、請求項６８に記載の構造。
【請求項７０】
前記同じ材料がＩｎＰである、請求項６７に記載の構造。
【請求項７１】
前記同じ材料がＧａＡｓである、請求項６７に記載の構造。
【請求項７２】
前記第一の保護層がＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓＳｂ、ＩｎＡｌＡｓ、ＡｌＡｓＳｂおよびそれらの混合物から選択される、請求項７０に記載の構造。
【請求項７３】
前記第一の保護層が、ＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＡｌＰおよびそれらの混合物から選択される、請求項６８に記載の構造。
【請求項７４】
前記成長用基板、前記バッファ層、および前記第二の保護層が同じ材料を含む、請求項６５に記載の構造。
【請求項７５】
前記同じ材料がＩｎＰを含む、請求項７４に記載の構造。
【請求項７６】
前記少なくとも一のエピ層が少なくとも一のＩＩＩ−Ｖ材料を含む、請求項６５に記載の構造。
【請求項７７】
前記ホスト基板が、ポリエステルおよびポリイミドから選択される少なくとも一のポリマーを含む、請求項６５に記載の構造。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】エピタキシャルリフトオフを用いたフレキシブル光起電力デバイスの製造方法、およびエピタキシャル成長に用いる成長用基板の完全性を保持する方法
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
いくつかの例では、所望の光学的、機械的または熱的性質を示すホスト基板にエピ層を移動することが望ましい場合がある。例えば、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）エピ層はシリコン（Ｓｉ）基板上で成長させ得る。しかしながら、得られた物質の電子的な品質は、特定のエレクトロニクス分野への応用には不十分な場合がある。したがって、他の基板中でこれらのエピ層の完全性（ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）を保ちながら、格子整合したエピ層の高品質な物性を維持することが望ましい。このことは、エピタキシャルリフトオフとして知られる方法により実現され得る。エピタキシャルリフトオフ工程においては、エピ層は成長基板から持ち上げられ（ｌｉｆｔｅｄ  ｏｆｆ）（例えば、接合または接着により）新しいホスト基板に再接合され得る。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
米国特許出願公開第２０１０／００４７９５９号明細書は、単結晶基板からエピタキシャル層を選択的に遊離する方法を記載している。記載されている方法は、第一のバッファ層、エッチング停止層、第二のバッファ層および分離層の堆積を含む。分離層上に、電池を形成する一連の半導体層が堆積される。この方法は分離層のエッチングを含み、それにより半導体層は、基板並びにそれに伴うバッファ層およびエッチング停止層から引きはがされる。しかしながら、その明細書は、例えば、バッファ層および／またはエッチング停止層を選択的にエッチングして除く等の、遊離した基板を再利用のために準備する方法は記載していない。したがって、成長用基板の完全性（ｉｎｔｅｇｒｉｔｙ）を再利用のために保持する方法を開発する必要性が残っている。
【発明の概要】
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
概要
本開示は、より効率的、軽量、かつフレキシブルなＰＶデバイスをさらに開発する要求に取り組んだものである。本開示は、加えてエピタキシャル成長層を成長用基板から非破壊的に取り除き、研磨または次の使用に先立って表面を破壊的な方法で準備する必要なしに、再利用のために成長用基板の完全性を保持する方法を開発する要求に取り組んだものである。ある場合には、この目的は、成長用基板を含む構造から、活性エピ層をより軽いフレキシブルなホスト基板に移動することにより達成される。場合によっては、エピ層移動のためのエッチング方法は、犠牲層の選択的エッチング、それに続く二以上の保護層の選択的エッチングを含むエピタキシャルリフトオフ法の使用を含み得る。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
一実施形態では、
少なくとも一の成長用表面を有する成長用基板；電池；犠牲層；第一の保護層；および第二の保護層を有する構造を提供する工程、ただし、前記犠牲層、第一の保護層および第二の保護層は前記成長用基板および電池の間に位置する；
前記犠牲層をエッチング液でエッチングすることにより電池を遊離する工程；
第二の保護層をエッチング液でエッチングすることにより、第二の保護層を除去する工程；および
第一の保護層をエッチング液でエッチングすることにより、第一の保護層を除去する工程を含む、成長用基板の完全性を保持する方法が開示される。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
一実施形態では、
少なくとも一の成長用表面を有する成長用基板を提供する工程；
第一の保護層、第二の保護層、犠牲層および電池を成長用基板上に堆積する工程、その際前記犠牲層、第一の保護層および第二の保護層は成長用基板および電池の間に配置される；
前記犠牲層をエッチング液でエッチングすることにより前記電池を遊離する工程；
第二の保護層をエッチング液でエッチングすることにより、第二の保護層を除去する工程；および
第一の保護層をエッチング液でエッチングすることにより、第一の保護層を除去する工程、を含む、成長用基板の完全性を保持する方法が開示される。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
【図１】図１は、本明細書に記載する実施形態によるフレキシブルＰＶデバイスを製造する異なる方法を示す、デバイスの概略断面図である。
【図２】図２は、本明細書に記載する実施形態によるフレキシブルＰＶデバイスを製造する、本明細書に従う追加の方法を示す、デバイスの概略断面図である。
【図３】図３は、本明細書に記載する実施形態によるフレキシブルＰＶデバイスを製造する、本明細書に従う追加の方法を示す、デバイスの概略断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、例示的なコントロールデバイスの概略断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、本明細書に記載する方法に一致する方法で製造された、フレキシブルＰＶデバイスの概略断面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、図４Ａのコントロールデバイスの、光強度（ｓｕｎ）に対する電力効率（％）を表している。
【図５Ｂ】図５Ｂは、図４ＢのフレキシブルＰＶデバイスの光強度（ｓｕｎ）に対する電力効率（％）を表している。
【図６Ａ】図６Ａは、図４Ａのコントロールデバイスの、光強度（ｓｕｎ）に対する開回路電圧（ＶＯＣ）を表している。
【図６Ｂ】図６Ｂは、図４ＢのフレキシブルＰＶデバイスの、光強度（ｓｕｎ）に対する開回路電圧（ＶＯＣ）を表している。
【図７Ａ】図７Ａは、図４Ａのコントロールデバイスの、光強度（ｓｕｎ）に対する曲線因子（％）を表している。
【図７Ｂ】図７Ｂは、図４ＢのフレキシブルＰＶデバイスの光強度（ｓｕｎ）に対する曲線因子（％）を表している。
【図８Ａ】図８Ａは、例示的なコントロールウエハーを示す概略断面図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、本明細書に記載する方法と一致する方法で製造されたフレキシブルＰＶデバイスの概略断面図である。
【図８Ｃ】図８Ｃは、コントロールウエハーの例を示す概略断面図である。
【図８Ｄ】図８Ｄは、ここに記載する方法と一致する方法で製造されたフレキシブルＰＶデバイスの概略断面図である。
【図９Ａ】図９Ａは、室温下、ＡＭ１．５Ｇの太陽スペクトルのシミュレーション１ｓｕｎ強度（１００ｍＷ／ｃｍ２）での、図８Ａのコントロールウエハー（ＩＴＯ／ＩｎＰ  コントロールＰＶ）および図８ＢのフレキシブルＰＶデバイス（ＩＴＯ／ＩｎＰ  薄膜ＰＶ）の両方の電流密度／電圧  特性を示す。
【図９Ｂ】図９Ｂは、室温下、ＡＭ１．５Ｇの太陽スペクトルのシミュレーション１ｓｕｎ強度（１００ｍＷ／ｃｍ２）での、図８Ｃのコントロールウエハー（ＩＴＯ／ＩｎＰ  コントロールＰＶ）および図８ＤのフレキシブルＰＶデバイス（ＩＴＯ／ＩｎＰ  薄膜ＰＶ）両方の電流密度／電圧  特性を示す。
【図１０Ａ】図１０は、波長６５０ｎｍおよび１１００ｎｍの間の、図８Ａのコントロールウエハー（ＩＴＯ／ＩｎＰ  コントロールＰＶ）および図８ＢのフレキシブルＰＶデバイス（ＩＴＯ／ＩｎＰ  薄膜ＰＶ）両方のＥＱＥ特性を示す。
【図１０Ｂ】図１０は、波長６５０ｎｍおよび１１００ｎｍの間の、図８Ａのコントロールウエハー（ＩＴＯ／ＩｎＰ  コントロールＰＶ）および図８ＢのフレキシブルＰＶデバイス（ＩＴＯ／ＩｎＰ  薄膜ＰＶ）両方のＥＱＥ特性を示す。
【図１１Ａ】図１１Ａは、多様な太陽光強度下での図８Ａのコントロールウエハー（ＩＴＯ／ＩｎＰ  コントロールＰＶ）および図８ＢのフレキシブルＰＶデバイス（ＩＴＯ／ＩｎＰ  薄膜ＰＶ）両方の曲線因子を示す。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、多様な太陽光強度下での、図８Ａのコントロールウエハー（ＩＴＯ／ＩｎＰ  コントロールＰＶ）および図８ＢのフレキシブルＰＶデバイス（ＩＴＯ／ＩｎＰ  薄膜ＰＶ）両方のＶＯＣを示す。
【図１１Ｃ】図１１Ｃは、多様な太陽光強度下での、図８Ａのコントロールウエハー（ＩＴＯ／ＩｎＰ  コントロールＰＶ）および図８ＢのフレキシブルＰＶデバイス（ＩＴＯ／ＩｎＰ  薄膜ＰＶ）両方の電流密度を示す。
【図１１Ｄ】図１１Ｄは、多様な太陽光強度下での、図８Ａのコントロールウエハー（ＩＴＯ／ＩｎＰ  コントロールＰＶ）および図８ＢのフレキシブルＰＶデバイス（ＩＴＯ／ＩｎＰ  薄膜ＰＶ）両方の電力効率を示す。
【図１１Ｅ】図１１Ｅは、図８ＤのフレキシブルＰＶデバイスの曲線因子、ＶＯＣ、電流密度、および電力効率を示す。
【図１１Ｆ】図１１Ｆは、図８Ｃのコントロールウエハーの曲線因子、ＶＯＣ、電流密度および電力効率を示す。
【図１２Ａ】図１２Ａは、圧縮応力下での、図８ＢのフレキシブルＰＶデバイスの電力効率対曲げ半径を示す。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、引張応力下での、図８ＢのフレキシブルＰＶデバイスの電力効率対曲げ半径を示す。
【図１２Ｃ】図１２Ｃは、圧縮応力下での、図８ＢのフレキシブルＰＶデバイスの電流密度対曲げ半径を示す。
【図１２Ｄ】図１２Ｄは、引張応力下での、図８ＢフレキシブルＰＶデバイスの電流密度対曲げ半径を示す。
【図１３Ａ】図１３Ａは、引張応力下での、図８ＢのフレキシブルＰＶデバイスの電力効率対太陽光強度を示す。
【図１３Ｂ】図１３Ｂは、圧縮応力下での、図８ＢのフレキシブルＰＶデバイスの電力効率対太陽光強度を示す。
【図１４Ａ】図１４Ａは、引張応力下での、図８ＢのフレキシブルＰＶデバイスのＶＯＣ対太陽光強度を示す。
【図１４Ｂ】図１４Ｂは、圧縮応力下での、図８ＢのフレキシブルＰＶデバイスのＶＯＣ対太陽光強度を示す。
【図１５Ａ】図１５Ａは、引張応力下での、図８ＢのフレキシブルＰＶデバイスの曲線因子対太陽光強度を示す。
【図１５Ｂ】図１５Ｂは、圧縮応力下での、図８ＢのフレキシブルＰＶデバイスの曲線因子対太陽光強度を示す。
【図１６Ａ】図１６Ａは、引張応力下での、図８ＢのフレキシブルＰＶデバイスの応答性対太陽光強度を示す。
【図１６Ｂ】図１６Ｂは、圧縮応力下での、図８ＢのフレキシブルＰＶデバイスの応答性対太陽光強度を示す。
【図１７Ａ】図１７Ａは、図１３〜１６で示される引張応力すべてを印加した後の図８ＢのフレキシブルＰＶデバイスの画像である。
【図１７Ｂ】図１７Ｂは、図１３〜１６で示される圧縮応力すべてを印加した後の図８ＢフレキシブルＰＶデバイスの画像である。
【図１８】図１８は、引張および圧縮応力を印加した後の、図８Ｄで表されるフレキシブルＰＶデバイスの性能を示す。
【図１９】図１９は、図８Ｄで表されるフレキシブルＰＶデバイスの、他のデバイスとの性能の比較である。
【図２０】図２０は、構造の概略断面図であり、本明細書に記載する実施形態による、成長用基板から電池を除去する方法を示す。
【図２１】図２１は、構造の概略断面図であり、本明細書に記載する実施形態による、成長用基板から電池を除去する方法を示す。
【図２２】図２２は、ＡｌＡｓ犠牲層を用いたエピタキシャルリフトオフ後のＧａＡｓ基板の完全性を保持する方法の例を示す。
【図２３】図２３は、犠牲層としてのＩｎＡｓ／ＡｌＡｓ超格子を用いたエピタキシャルリフトオフ後のＩｎＰ基板の完全性を保持する方法の例を示す。
【図２４】図２４は、本明細書に記載する実施形態による、成長用構造の例および層構成の断面を示す。
【図２５Ａ】図２５Ａは、図２４の成長用構造の製造前の、ＩｎＰウエハー表面の原子間力顕微鏡像である。
【図２５Ｂ】図２５Ｂは、本明細書に記載する実施形態による方法で図２４の構造をエピタキシャルリフトオフ（ＥＬＯ）およびエッチングした後の表面の原子間力顕微鏡像である。
【図２６Ａ】図２６Ａは、新しいＩｎＰウエハー上に成長させた第一のデバイスおよび本明細書に記載する実施形態による方法で再利用したＩｎＰウエハー上に成長させた第二のデバイスのＩＶプロットを示す。
【図２６Ｂ】図２６Ｂは、図２６Ａのデバイスに対応する電気的量子効率（ＥＱＥ）プロットを示す。
【図２７Ａ】図２７Ａは、図２６Ａのデバイスに対応する短絡回路電流（ＩＳＣ）を示す。
【図２７Ｂ】図２７Ｂは、図２６Ａのデバイスに対応する開回路電圧（ＶＯＣ）を示す。
【図２７Ｃ】図２７Ｃは、図２６Ａのデバイスに対応する曲線因子（ＦＦ）を示す。
【図２７Ｄ】図２７Ｄは、図２６Ａのデバイスに対応する電力変換効率を示す。
【図２８】図２８は構造の概略断面図であり、本明細書に記載する実施形態によるＰＶデバイスの製造方法を示す。
【図２９Ａ】図２９Ａは、新しいＩｎＰ基板のＲＭＳ値、続いて図２６Ａの第一および第二のデバイスのＥＬＯリフトオフ後のＲＭＳ値、保護バッファ層を使用しないＥＬＯ後のデバイスのＲＭＳ値を報告する原子間力顕微鏡像を示す。
【図２９Ｂ】図２９Ｂは、５０μｍ厚さのＫａｐｔｏｎ（登録商標）シートとして冷間溶接およびＥＬＯの組み合わせにより製造したＩＴＯ／ＩｎＰ薄膜太陽電池の配列を含む、リフトオフされた２ｉｎｃｈ直径のエピタキシャル層のイメージである。
【図３０】図３０は、その後の製造およびＥＬＯのＩｎＰウエハーと比較した、図２４の成長用構造の製造前の新しいＩｎＰウエハーのＸ線電子スペクトル強度（ｋｃｏｕｎｔｓ）対接合エネルギー（ｅＶ）を示す。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
詳細な説明
本明細書に記載する感光性デバイスは、これに限定されないが、太陽電池、光検出器、光センサー、光伝導体、化学センサーおよび生物学的センサーが含まれる。感光性デバイスの例には、ＰＶセルおよび／またはデバイスが含まれる。本明細書にはそれらの製造方法もまた記載されるが、その製造方法は、成長用基板上のエピタキシャル層成長および得られた電池の成長用基板からの移動が含まれ、前記基板の完全性は続けて再利用するために保持される。