Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月28日(2014.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板の表面上に配置された第１導電性トレース層と、
前記第１トレース層上に配置されかつ前記ベース基板の前記表面に結合された第１電気絶縁材料剛性層と、
前記第１絶縁材料層内に埋め込まれた導電性の第１ビアであって、前記第１ビアの各々は、前記１トレース層の前記トレースのうちの１つに接合され、前記第１絶縁材料層の外面まで延在するワイヤスタッドのスタック又はワイヤを含み、
前記第１絶縁材料層は、前記第１ビアのワイヤスタッドの前記スタックの各々又は前記ワイヤの各々の周りに流し込まれ、前記第１ビアのワイヤスタッドの前記スタックの各々又は前記ワイヤの各々は、前記第１絶縁材料層に埋め込まれる、
多層配線基板。
【請求項２】
前記第１絶縁材料層は、硬化エポキシを含む、請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記第１ビアは、前記第１トレース層の前記トレースのうちの１つに接合されたワイヤを含む、請求項１又は２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記ワイヤの各々の本体部は、前記第１トレース層の前記トレースのうちの１つから、前記ベース基板の前記表面に対し実質的に垂直に延在する、請求項３に記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記ワイヤの各々の本体部は、前記第１トレース層の前記トレースのうちの１つから、前記ベース基板の前記表面に対して１５から７５度の角度で延在する、請求項３に記載の多層配線基板。
【請求項６】
前記第１絶縁材料層の前記外面上の第２導電性トレース層をさらに含み、前記第２トレース層の前記トレースの各々は、前記第１ビアのうちの１つに電気的に接続される、請求項１〜５のいずれかに記載の多層配線基板。
【請求項７】
前記第２トレース層及び前記第１絶縁材料層の前記外面上に配置された第２電気絶縁材料層と、
前記第２絶縁材料層内に埋め込まれた導電性の第２ビアであって、前記第２ビアの各々は、前記第２トレース層の前記トレースのうちの１つに接合されかつ前記第２絶縁材料層の外面まで延在するワイヤスタッドのスタック又はワイヤを含み、
前記第２絶縁材料層は、前記第２ビアのワイヤスタッドの前記スタックの各々又は前記ワイヤの各々の周りに流し込まれ、前記第２ビアのワイヤスタッドの前記スタックの各々又は前記ワイヤの各々は前記第２絶縁材料層に埋め込まれる、請求項６に記載の多層配線基板。
【請求項８】
前記第２絶縁材料層の外面上の第３導電性トレース層をさらに含み、前記第３トレース層の前記トレースは、前記第２ビアに電気的に接続される、請求項７に記載の多層配線基板。
【請求項９】
前記第１ビアの各々は、ワイヤスタッドの一つの前記スタック又は一つの前記ワイヤのみから構成される、請求項１〜８のいずれかに記載の多層配線基板。
【請求項１０】
前記第１ビアは、第１トレース層の前記トレースのうちの１つに接合されたワイヤスタッドのスタックを、それぞれ含む、請求項１〜９のいずれかに記載の多層配線基板。
【請求項１１】
ワイヤスタッドの各々の前記スタックは、他のワイヤスタッドの上部に積み重ねられた少なくとも三つのワイヤスタッドを含む、請求項１〜１０のいずれかに記載の多層配線基板。
【請求項１２】
前記第１絶縁材料層は、前記第１ビアのワイヤスタッドの前記スタックの各々又は前記ワイヤの各々の周りに粘性状態で流し込まれた、固められた材料である、請求項１〜１１のいずれかに記載の多層配線基板。
【請求項１３】
前記第１絶縁材料層は、シリカ粒子を含む、請求項１〜１２のいずれかに記載の多層配線基板。
【請求項１４】
前記第１絶縁材料層内の前記シリカ粒子の濃度は、５０〜９０重量％である、請求項１〜１３のいずれかに記載の多層配線基板。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月28日(2014.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
今日では、シールされたものとシールされていないものの２つのタイプのＡＣ／ＤＣ継電器、ＡＣ／ＤＣ接触器およびＡＣ／ＤＣ低電圧装置がある。シールされていないものは通常ベント機構を有している。しかしながら、標準的なベント機構は、ダイアッセンブリの製造量、ダイの大量生産の安定性、アッセンブリの質、アリの侵入を防ぐための最小のベントサイズ等で欠点を有する。図１ａ〜１ｆは標準的なベント構造体の機構を示す。図２は標準的なベント構造体を形成するためのダイの雌ダイ・インサートを示す。図３は、ダイの雄および雌のダイ・インサートとの間の係合を示す概略図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明のある好ましい態様では、ベント構造体の全体的な形態は円形状の横断面を有する。本発明の他の好ましい態様では、ベント構造体の全体的な形態は楕円、長方形、正方形(又は四角形；ｓｑｕａｒｅ)等の任意の形状、又は他の任意の定型又は非定型の形状を有していてよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
本発明のある好ましい態様では、図４Ａに示すように、ベント構造体１０の外観（全体の形状）は好ましくは円形状である。当然に、本発明の他の好ましい態様では、実際の設計条件により、ベント構造体１０の全体的な形態は楕円状、長方形状、正方形状又は任意の他の定型又は非定型形状から選択される形状を有していてよい。実際のところ、ベント構造体１０の全体的な形態は、ダイにおける（例えば図５に示すような）雌のダイ・インサートの対応する形態により決定される。本発明によれば、図４Ｄに示すように、ベント構造体１０はハウジング１に形成される第１壁１０ｂと第２壁１０ｃとの間のクリアランス１０ａにより規定される。クリアランス１０ａは第１壁１０ｂの第１表面１ｂと第２壁１０ｃの第２表面１ｃとの間に位置付けられ、第１壁１０ｂと第２壁１０ｃは同一平面にない。すなわち、本発明によれば、ベント構造体１０の第１壁１０ｂと第２壁１０ｃとの間の高さに違いがあるということである。例えば、図４Ｄに示される好ましい態様では、第１壁１０ｂの上面１ｄと第２壁１０ｃの下面１ｅは同一平面にある。それにより、第１壁１０ｂと第２壁１０ｃとの間の高さに違いが生じる。本発明のある好ましい態様によれば、第２壁１０ｃと第１壁１０ｂは互いに平行である。第２壁１０ｃの上面１ｆは第１壁１０ｂの上面１ｄよりも高く、第２壁１０ｃの下面１ｅは第１壁１０ｂの下面１ｇよりも高い。その一方で、第２壁１０ｃの上面１ｆは電気製品１のハウジングの頂面１ａよりも低い。更に、この好ましい態様では、第１壁１０ｂの第１面１ｂと第２壁１０ｃの第２面１ｃとは互いに平行であり、第１壁１０ｂと第２壁１０ｃにおおよそ垂直である。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月6日(2014.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に書き込まれる様々なサイズの離散的な特徴の多次元パターンを、複数の連続領域に分割する分割ステップと、
一意の一組の補償値を各領域に割り当てる割り当てステップと、
書込みシステムの書込みビームを用いる使用ステップあって、前記一意の一組の補償値に応じて前記基板に前記特徴を書込み、それによって、少なくとも１つの領域において共通のサイズを有する前記特徴の全てが、前記関連付けられた一意の一組からの同じ補償値を用いて書き込まれるように、前記書込みビームを用いる使用ステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記各領域に割り当てられた前記一意の一組の補償値を、前記書込みビームに結合されたコントローラーに１回のみ送信する送信ステップと、関連付けられたメモリ内に、前記１回送信された一組の補償値を格納する格納ステップと、前記複数の連続領域のそれぞれの複数のコピーを、前記１回送信された一組の補償値を用いて前記基板に書き込むために、前記書込みビームを用いる使用ステップと、を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数の連続領域は、第１の一組の特徴を有する第１の領域と、異なる第２の一組の特徴を有する第２の領域とを含み、前記使用ステップは、前記第１の領域内の前記特徴の全てを書き込むために前記割り当てステップからの第１の一組の補償値を用いる使用ステップと、前記第２の領域内の前記特徴の全てを書き込むために前記割り当てステップからの異なる第２の一組の補償値を用いる使用ステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記割り当てステップの各一意の一組の補償値は、前記関連付けられた領域に書き込まれる特徴の数を示すカウント値と、前記関連付けられた領域内の前記特徴のそれぞれに適用される少なくとも１つの記録パラメーター設定値とを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記複数の連続領域は、アドレス指定可能なセクターを含み、複数の名目上同一の追加のセクターが、前記基板の選択された次元に沿って位置合わせされた媒体に書き込まれ、前記使用ステップは、前記アドレス指定可能なセクター及び前記複数の名目上同一の追加のセクターを、前記割り当てステップからの共通の一意の一組の前記補償値を用いて前記媒体に書き込むことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記書込みビームの影響エリアに対応する幅を有する第１の領域の対向する側の、それぞれの第２の領域及び第３の領域によって境界付けられる該第１の領域を識別する識別ステップと、
前記第１の領域を少なくとも２つの部分領域に分割する分割ステップと、
一意の一組の補償値を前記少なくとも２つの部分領域のそれぞれに割り当てる割り当てステップと、
前記少なくとも２つの部分領域のそれぞれに、前記関連付けられた一意の一組の補償値を用いて前記特徴を書き込むために、前記書込みビームを用いる使用ステップと、
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
第１の領域に対応する選択された一組の補償値を有する第２の領域を識別する識別ステップと、
前記選択された一組の補償値を用いて前記第１の領域に特徴を書き込むために、第１の一組のデータを書込みシステムに送信する送信ステップと、
前記第１の一組のデータを前記書込みシステムに再送信することなく、前記第２の領域に特徴を書き込むために、前記書込みシステムによって受信された前記送信された第１の一組のデータを用いる使用ステップと、
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
符号化データセットを、前記書込みシステムの信号発生器に送信する送信ステップと、前記符号化データセットをメモリ内に格納する格納ステップと、を更に含み、前記信号発生器は、前記符号化データセットに応じて、前記書込みビームを、前記複数の連続領域のそれぞれに順番に書き込むように調整する制御信号を提供し、前記符号化データセットは、各領域に割り当てられた前記一意の一組の補償値に応じて形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
基板に書き込まれる離散的な特徴の多次元パターンの複数の異なる連続領域のそれぞれの一意の一組の補償値を提供する一組の符号化データを格納するメモリと、
前記メモリ内の前記一組の符号化データに応じて、前記多次元パターンの前記特徴を前記基板に書き込む書込みビームであって、前記符号化データセットの同じ部分を用いて、少なくとも２つの同一の領域が前記基板に書き込まれる、書込みビームと、
を備える、装置。
【請求項１０】
前記一組の符号化データは、前記メモリにロードされ、該ロードされたデータは１回目に、前記書込みビームが媒体の第１のロケーションに１回目に前記多次元パターンを書き込むのに用いられ、次に２回目に、前記書込みビームが前記媒体の第２の異なるロケーションに２回目に前記多次元パターンを書き込むのに再利用される、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記一組の符号化データは、前記メモリにロードされ、該ロードされたデータは１回目に、前記書込みビームが第１の媒体の第１のロケーションに１回目に前記多次元パターンを書き込むのに用いられ、次に２回目に、前記書込みビームが、異なる第２の媒体の前記第１のロケーションに２回目に前記多次元パターンを書き込むのに再利用される、請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
前記一組の符号化データを、前記書込みビームによる前記特徴の前記書込みの間に適用される一組の補償値として生成し、前記符号化データを、前記書込みビームによる前記基板の前記書込みのために前記メモリに１回送信するプロセッサを更に備える、請求項９に記載の装置。
【請求項１３】
選択された領域の前記一組の補償値は、前記選択された領域内の複数の特徴について前記書込みビームのビーム強度振幅を設定する書込み電力レベル値を含む、請求項９に記載の装置。
【請求項１４】
選択された領域の前記一組の補償値は、前記選択された領域内の複数の特徴について前記書込みビームのデューティーサイクルを設定するデューティーサイクル値を含む、請求項９に記載の装置。
【請求項１５】
選択された領域のための前記一組の補償値は、前記基板に対し、選択された次元で前記書込みビームを偏向する偏向信号を含む、請求項９に記載の装置。
【請求項１６】
前記連続領域のうちの少なくとも選択された１つは、前記基板上にアドレス指定可能なデータセクターを含む、請求項９に記載の装置。
【請求項１７】
前記基板は光ディスクを含む、請求項９に記載の装置。
【請求項１８】
前記基板は磁気記録ディスクを含み、前記書き込まれた特徴は、サーボビットロケーション及びデータビットロケーションを含む、請求項９に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月3日(2014.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のユーザコンピュータによって共有デジタルデータの編集を協調する方法であって、前記方法は、
協調デバイスにおいて、
独立して動作される複数のユーザコンピュータから共有デジタルデータを編集するコマンドを受信すること、
それぞれのユーザコンピュータからの前記コマンドのうち２以上が相互に排他的であることを判定すること、
前記複数のコマンドのうちの１つのコマンドをグローバルコマンドのキューに組み込んで、他のコマンドを無効にすること、
前記グローバルコマンドを全ユーザコンピュータに伝送して、前記同じ共有デジタルデータを実施するために局所的に実行させること、を備える、方法。
【請求項２】
前記ユーザコンピュータのうちの１つから受信されるコマンドは、前記協調デバイスを前記他のユーザコンピュータからのコマンドを制限するようにトリガする、請求項１の方法。
【請求項３】
前記協調デバイスにおいて、トリガコマンドと同じ前記共有デジタルデータの同じ領域の編集に関係する前記他のコンピュータからのコマンドを無効にすることを含む、請求項２の方法。
【請求項４】
前記協調デバイスにおいて、前記共有デジタルデータの一部もしくは全体を編集するための一時的な排他的許可を、前記複数のユーザコンピュータのうちの１台に付与することを含む、請求項１の方法。
【請求項５】
前記共有デジタルデータの前記一部もしくは全体を編集する排他的許可を有する前記コンピュータは、所定の期間内にドキュメントの前記一部もしくは全体を編集するコマンドを伝送する前記ユーザコンピュータのうちの最初のユーザコンピュータである、請求項４の方法。
【請求項６】
同じもしくは重複デジタルデータの編集に関係する場合、コマンドは相互に排他的であると判定される、請求項１の方法。
【請求項７】
同時にもしくは所定の時間間隔内に伝送または受信される場合、コマンドは相互に排他的であると判定される、請求項１の方法。
【請求項８】
前記複数のユーザコンピュータのそれぞれに局所的に格納されている前記共有デジタルデータの各バージョンは、前記グローバルコマンドを前記共有デジタルデータに実施する前に、独立して修正してもよい、請求項１の方法。
【請求項９】
全ユーザコンピュータは、前記共有デジタルデータの制御に対し等しい優先度を有する、請求項１の方法。
【請求項１０】
前記ユーザコンピュータは、前記共有デジタルデータの制御の優先度が異なってもよい、請求項１の方法。
【請求項１１】
前記編集することは、前記共有デジタルデータのコンテンツを修正することを含む、請求項１の方法。
【請求項１２】
前記編集することは、前記共有デジタルデータの表示を修正することを含む、請求項１の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月12日(2014.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの電解質と、
少なくとも１つのカソード電極と、
少なくとも１つのアノード電極と、
前記１つ若しくは複数のカソード電極及び／若しくは前記１つ若しくは複数のアノード電極の間、又は前記１つ若しくは複数のカソード電極及び／若しくは前記１つ若しくは複数のアノード電極の上に配置された少なくとも１つのセパレータであって、前記セパレータは、好ましくは有機基板材料に塗布された層内に存在する、少なくとも１つの多孔性セラミック材料を含んでおり、前記有機基板材料は、好ましくは不織ポリマーを含んでいるか、又は不織ポリマーであるセパレータと、
を有するリチウムイオンバッテリ用の電気化学セルであって、
電解質と電極と１つ又は複数のセパレータとが、圧力抵抗性ハウジング内で気密に閉じ込められており、前記ハウジング及び前記電気化学セルは、前記ハウジング内の圧力を減少させる手段、特にバースト装置、圧力調整弁、一方向弁、センターピン、マンドレル等を備えておらず、
前記カソード電極（基板及び活物質）の厚さと、前記アノード電極（基板及び活物質）の厚さとがそれぞれ、３００μｍよりも小さく、好ましくは２００μｍより小さく、さらに好ましくは１５０μｍよりも小さく、さらに好ましくは１００μｍよりも小さく、さらに好ましくは５０μｍよりも小さいことを特徴とする電気化学セル。
【請求項２】
前記ハウジングは、合わせホイル、特にラミネートホイルの形態で、特に「パウチセル」又は「ティーバッグ」として、又はフレーム及びカバープレートを有するフレームセルとして、又は、鉢状部品を密に組み合わせたものとして、又は、これらのあらゆる任意の組合せ若しくは変化形として構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項３】
前記カソード電極は少なくとも１つの基板を有しており、前記基板上に少なくとも１つの活物質が塗布又は堆積しており、前記活物質は、
（１）少なくとも１つのリチウム‐ポリアニオン化合物か、又は、
（２）少なくとも１つのリチウム‐ニッケル‐マンガン‐コバルト混合酸化物（ＮＭＣ）であって、スピネル構造では存在していない混合酸化物、好ましくはLi[Co1/3Mn1/3Ni1/3]O2であり、Ｌｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｏの割合はそれぞれ＋／−５％の範囲で変化しても良い混合酸化物か、又は、
（３）スピネル構造では存在していないリチウム‐ニッケル‐マンガン‐コバルト混合酸化物（ＮＭＣ）と、スピネル構造のリチウム‐マンガン酸化物（ＬＭＯ）との混合物か、又は、
（４）（１）及び（２）の混合物、若しくは（１）及び（３）の混合物、を含有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気化学セル。
【請求項４】
前記カソード電極のための前記基板が金属材料、特にアルミニウムを含んでおり、前記基板は、５μｍから１００μｍ、好ましくは１０μｍから７５μｍ、さらに好ましくは１５μｍから４５μｍの厚さを有しており、及び／又は、前記アノード電極のための前記基板が金属材料、特に銅を含んでおり、前記基板は、５μｍから１００μｍ、好ましくは１０μｍから７５μｍ、さらに好ましくは１５μｍから４５μｍの厚さを有していることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気化学セル。
【請求項５】
前記カソード電極（基板及び活物質）の厚さと、前記アノード電極（基板及び活物質）の厚さとがそれぞれ、３００μｍよりも小さく、好ましくは２００μｍより小さく、さらに好ましくは１５０μｍよりも小さく、さらに好ましくは１００μｍよりも小さいことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気化学セル。
【請求項６】
前記１つのセパレータ／前記複数のセパレータの厚さが、２μｍから５０μｍ、好ましくは５μｍから２５μｍであることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気化学セル。
【請求項７】
前記電極及び前記セパレータが、好ましくはそれらの内それぞれ少なくとも２０個ずつが、ばらばらのシートとして請求項５又は６に記載の層厚で存在し、[…]‐カソード電極‐セパレータ‐アノード電極‐セパレータ‐カソード電極‐[…]の順番で交互に堆積し、及び／又は、ラミネート加工されていることを特徴とする請求項５又は６に記載の電気化学セル。
【請求項８】
前記電解質と接触するカソード及び／又はアノードの活物質が、前記セパレータの多孔性セラミック材料を、前記活物質に添加された粒子の形態で含んでいることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気化学セル。
【請求項９】
前記電気化学セル内に存在する前記電解質の少なくとも５０％、好ましくは少なくとも７０％、さらに好ましくは少なくとも９０％は、前記セパレータの多孔性セラミック材料によって受容されていることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電気化学セル。
【請求項１０】
前記カソード電極及び／又は前記アノード電極の前記活物質が、前記セパレータの前記多孔性セラミック材料を、それぞれ前記カソード電極又は前記アノード電極の前記基板上に塗布される材料の総重量に関連して、１重量％から５重量％まで、さらに好ましくは１重量％から２．５重量％までの重量比で含んでいることを特徴とする請求項８又は９に記載の電気化学セル。
【請求項１１】
各電極は基板を有しており、各基板は前記電気化学セルの内部から熱を排出するために用いられることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気化学セル。
【請求項１２】
前記セパレータには、片面又は両面に、ポリエーテルイミドがコーティングされていることを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の電気化学セル。
【請求項１３】
前記セラミック材料は、少なくとも１つの金属イオンの酸化物、リン酸塩、硫酸塩、チタン酸塩、ケイ酸塩、アルミノケイ酸塩、又はホウ酸塩の群から選択されていることを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の電気化学セル。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか一項に記載の電気化学セルの、リチウムイオンバッテリ内における、電動工具を運転するための使用、及び、車両を駆動するための使用、特に完全若しくは専ら電気によって駆動される車両、又はいわゆる「ハイブリッド」駆動の車両、すなわち内燃機関若しくは燃料セルと共に駆動される車両を駆動するための使用、並びに、バッテリの定置利用における使用。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月24日(2014.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の群から選択される繰り返し構造単位を含む、反射防止ハードマスク組成物。
【化１】
2013522654.tif 000001
（式中、ｘは少なくとも１であり、ｙは少なくとも１であり、Ｒは、１つ又は複数の発色団部分、透明部分、及び架橋成分から選択される有機官能基ユニットであり、前記無機ユニットは、下記群から選択され、
【化２】
2013522654.tif 000002
式中、ｘ及びｙは前記の意味を有し、ＭｄはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ及びランタニド希土類金属から選択され、Ｒ１は同じ又は異なるものでＣ１−Ｃ６アルキル、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ、フェニル及びフェノキシから選択され、Ｒ２は同じ又は異なるものでＣ１−Ｃ６アルキル及びＣ１−Ｃ６アルコキシから選択され、Ｒ３は同じ又は異なるものでＣ１−Ｃ６アルキル及びフェニルから選択される。）
【請求項２】
前記ポリマーは、酸発生剤をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記ポリマーは、追加の架橋成分をさらに含む、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
前記追加の架橋成分は、グリコールウリル、メトキシル化グリコールウリル、ブチル化グリコールウリル、テトラメトキシメチルグリコールウリル、メチルプロピルテトラメトキシメチルグリコールウリル、２，６−ビス（ヒドロキシメチル）−ｐ−クレゾール、エステル化アミノ樹脂、メチル化メラミン樹脂、Ｎ−メトキシメチルメラミン、ブチル化メラミン樹脂、Ｎ−ブトキシメチルメラミン、ビスエポキシ、ビスフェノール、ビスフェノールＡ、及びそれらの混合物から選択される、請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
前記追加の架橋成分は、固形分ベースで約１重量％と約２０重量％との間の濃度で存在する、請求項３に記載の組成物。
【請求項６】
前記酸発生剤は、２，４，４，６−テトラブロモシクロヘキサジエノン、ベンゾイントシラート、２−ニトロベンジルトシラート、有機スルホン酸のアルキル又はペルフルオロアルキルエステル、及びそれらの混合物から選択される、請求項２に記載の組成物。
【請求項７】
前記酸発生剤は、固形分ベースで約１重量％と約２０重量％との間の濃度で存在する、請求項２に記載の組成物。
【請求項８】
固形分ベースで約５重量％と約２０重量％との間の濃度で存在する有機溶媒を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
前記組成物は、約３０ｎｍと約５００ｎｍとの間の厚さを有する層の形態をとる、請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
前記ポリマーは、少なくとも約５００の重量平均分子量を有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項１１】
前記重量平均分子量は、約１，０００と約１０，０００との間の範囲にある、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１２】
板上のパターン化材料を形成する方法であって、
（ａ）基板上に材料層を設けるステップと、
（ｂ）前記材料層の上に反射防止ハードマスク組成物を形成するステップと、
（ｃ）前記反射防止ハードマスク組成物の上に放射線感受性画像形成層を形成するステップと、
（ｄ）前記画像形成層を放射線にパターン様式で露光することにより前記画像形成層内に放射線露光領域のパターンを作成するステップと、
（ｅ）前記画像形成層及び下層の前記反射防止ハードマスク組成物の部分を選択的に除去して、前記材料層の部分を露出させるステップと、
（ｆ）前記材料層の前記露出された部分をエッチングすることによりパターン化材料構造部を形成するステップと
を含み、
前記反射防止ハードマスク組成物が、下記の群から選択される繰り返し構造単位を含む、方法。
【化３】
2013522654.tif 000003
（式中、ｘは少なくとも１であり、ｙは少なくとも１であり、Ｒは、１つ又は複数の発色団部分、透明部分、及び架橋成分から選択される有機官能基ユニットであり、前記無機ユニットは、下記群から選択され、
【化４】
2013522654.tif 000004
式中、ｘ及びｙは前記の意味を有し、ＭｄはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ及びランタニド希土類金属から選択され、Ｒ１は同じ又は異なるものでＣ１−Ｃ６アルキル、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ、フェニル及びフェノキシから選択され、Ｒ２は同じ又は異なるものでＣ１−Ｃ６アルキル及びＣ１−Ｃ６アルコキシから選択され、Ｒ３は同じ又は異なるものでＣ１−Ｃ６アルキル及びフェニルから選択される。）
【請求項１３】
前記材料層は、導電性材料、半導体材料、磁性材料、絶縁性材料、金属、誘電体材料、又はそれらの組合せである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記材料層は、酸化シリコン、窒化シリコン、多結晶シリコン、並びに、シリコン、炭素及び酸素を含む低ｋ誘電体材料から選択される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記放射線は、２００ｎｍ未満の波長を有する紫外放射線、及び電子ビーム放射線から選択される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記エッチングは、炭素、フッ素、塩素、臭素、イオウ、水素、酸素又はそれらの混合物を含むプラズマ中の反応性イオン・エッチングによって行われる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記ステップ（ｅ）は、前記基板と、有機溶媒、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液、水酸化アンモニウム水溶液、及びそれらの混合物から選択される現像液との接触によって行われる、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記無機ユニットが、下記式を有する、請求項１に記載の組成物。
【化５】
2013522654.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月20日(2014.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象における乳癌の再発の指標である複数の所定の代謝物バイオマーカーのパネルを検出するための方法であって、
血液、血漿、血清、汗、唾液、喀痰または尿である体液のサンプルを前記対象から得る工程と、
前記サンプルを分析して、前記パネルにおける代謝物バイオマーカーの各々の存在および量を決定する工程とを包含し、
前記パネルが、３−ヒドロキシ酪酸塩、アセト酢酸塩、アラニン、アルギニン、アスパラギン、コリン、クレアチニン、グルコース、グルタミン酸、グルタミン、グリシン、ギ酸塩、ヒスチジン、イソ酪酸塩、イソロイシン、乳酸塩、リシン、メチオニン、Ｎ−アセチルアスパラギン酸塩、プロリン、トレオニン、チロシン、バリン、２−ヒドロキシブタン酸、ヘキサデカン酸、アスパラギン酸、３−メチル−２−ヒドロキシ−２−ペンテン酸、ドデカン酸、１，２，３，トリヒドロキシプロパン、β−アラニン、フェニルアラニン、３−ヒドロキシ−２−メチル−ブタン酸、９，１２−オクタデカジエン酸、酢酸、Ｎ−アセチルグリシン、グリシン、ノナン二酸、ノナン酸、およびペンタデカン酸からなる群より選択される少なくとも７つの化合物からなり、
前記パネル中の前記代謝物バイオマーカーの各々の存在および量が、全体として、対象における乳癌の再発の指標である、方法。
【請求項２】
前記パネルが、３−ヒドロキシ酪酸塩、アセト酢酸塩、アラニン、アルギニン、コリン、クレアチニン、グルタミン酸、グルタミン、ギ酸塩、ヒスチジン、イソ酪酸塩、乳酸塩、リシン、プロリン、トレオニン、チロシン、バリン、ヘキサデカン酸、アスパラギン酸、ドデカン酸、フェニルアラニン、３−ヒドロキシ−２−メチル−ブタン酸、９，１２−オクタデカジエン酸、酢酸、Ｎ−アセチルグリシン、ノナン二酸、およびペンタデカン酸からなる、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記パネルが、３−ヒドロキシ酪酸塩、コリン、グルタミン酸、ギ酸塩、ヒスチジン、乳酸塩、プロリン、チロシン、３−ヒドロキシ−２−メチル−ブタン酸、Ｎ−アセチルグリシン、およびノナン二酸からなる、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記パネルが、コリン、グルタミン酸、ギ酸塩、ヒスチジン、プロリン、３−ヒドロキシ−２−メチル−ブタン酸、Ｎ−アセチルグリシン、およびノナン二酸からなる、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記パネルが、３−ヒドロキシ酪酸塩、コリン、ギ酸塩、ヒスチジン、乳酸塩、プロリンおよびチロシンからなる、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
哺乳動物対象において二次的な腫瘍細胞増殖を検出する方法であって、
血液、血漿、血清、汗、唾液、喀痰または尿である体液のサンプルを前記対象から得る工程と、
前記サンプルを分析して、所定のバイオマーカーのパネルにおいて各々の代謝物バイオマーカーの存在および量を決定する工程とを包含し、
前記パネルが、３−ヒドロキシ酪酸塩、アセト酢酸塩、アラニン、アルギニン、アスパラギン、コリン、クレアチニン、グルコース、グルタミン酸、グルタミン、グリシン、ギ酸塩、ヒスチジン、イソ酪酸塩、イソロイシン、乳酸塩、リシン、メチオニン、Ｎ−アセチルアスパラギン酸塩、プロリン、トレオニン、チロシン、バリン、２−ヒドロキシブタン酸、ヘキサデカン酸、アスパラギン酸、３−メチル−２−ヒドロキシ−２−ペンテン酸、ドデカン酸、１，２，３，トリヒドロキシプロパン、β−アラニン、フェニルアラニン、３−ヒドロキシ−２−メチル−ブタン酸、９，１２−オクタデカジエン酸、酢酸、Ｎ−アセチルグリシン、グリシン、ノナン二酸、ノナン酸、およびペンタデカン酸からなる群より選択される少なくとも７つの化合物からなり、
前記パネル中の前記代謝物バイオマーカーの各々の存在および量が、全体として、哺乳動物対象における二次的な腫瘍細胞増殖の指標である、方法。
【請求項７】
前記パネルが、３−ヒドロキシ酪酸塩、アセト酢酸塩、アラニン、アルギニン、コリン、クレアチニン、グルタミン酸、グルタミン、ギ酸塩、ヒスチジン、イソ酪酸塩、乳酸塩、リシン、プロリン、トレオニン、チロシン、バリン、ヘキサデカン酸、アスパラギン酸、ドデカン酸、フェニルアラニン、３−ヒドロキシ−２−メチル−ブタン酸、９，１２−オクタデカジエン酸、酢酸、Ｎ−アセチルグリシン、ノナン二酸、およびペンタデカン酸からなる、
請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記パネルが、３−ヒドロキシ酪酸塩、コリン、グルタミン酸、ギ酸塩、ヒスチジン、乳酸塩、プロリン、チロシン、３−ヒドロキシ−２−メチル−ブタン酸、Ｎ−アセチルグリシン、およびノナン二酸からなる、
請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記パネルが、コリン、グルタミン酸、ギ酸塩、ヒスチジン、プロリン、３−ヒドロキシ−２−メチル−ブタン酸、Ｎ−アセチルグリシン、およびノナン二酸からなる、
請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記パネルが、３−ヒドロキシ酪酸塩、コリン、ギ酸塩、ヒスチジン、乳酸塩、プロリンおよびチロシンからなる、
請求項６に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年9月22日(2014.9.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２】
それぞれ該エフェクターがSptPおよびSipA-Flagから選択され、該シャペロンがSicPおよびInvBから選択される請求項1記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月11日(2014.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象における妊娠損失のリスクを予測する方法であって、
（ａ）上記対象に由来する血清を含有するサンプルを準備する工程、および、
（ｂ）フィブロネクチンに対する抗体及びα２−マクログロブリン（α２Ｍ）に対する抗体の上記サンプル中でのレベルを検出する工程を含み、
上記サンプル中のフィブロネクチンに対する抗体のレベルが、コントロール中のフィブロネクチンに対する抗体のレベルと比較して上昇、あるいは、上記サンプル中のα２Ｍに対する抗体のレベルが、コントロール中のα２Ｍに対する抗体のレベルと比較して上昇することによって、上記対象の妊娠損失のリスクが増大していることが示されることを特徴とする方法。
【請求項２】
上記対象は、過去に妊娠損失を少なくとも１回経験している、または過去に妊娠損失を少なくとも１回経験していると疑われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記対象は、現在妊娠していないが将来的に妊娠することを計画または検討していることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
上記対象は、現在妊娠していることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
上記（ａ）にて準備した上記サンプルは、妊娠２０週以内、妊娠１３週以内、または妊娠１２週以内の対象から得られるものであることを特徴とする請求項１、２、または４に記載の方法。
【請求項６】
上記（ｂ）のレベルを検出する工程は、フィブロネクチン、およびα２Ｍから選択される抗原を、またはそれらの抗原性フラグメントを上記サンプルに接触させる工程、および、上記抗原に対する上記サンプル中の抗体の結合を検出する工程を含むことを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の方法。
【請求項７】
上記対象はヒトであることを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の方法。
【請求項８】
主成分として、フィブロネクチン、およびα２Ｍ、または、それらの抗原性フラグメントを含有するアレイ。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年9月17日(2014.9.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロカルシトニン濃度が患者の尿試料中で決定されるステップを含む、尿管感染症の診断及び/又はモニタリングのためのインビトロでの方法であって、
尿中の前記プロカルシトニン濃度を閾値と比較し、それによって、0.05 ng/ml未満の濃度を尿管感染症の非存在と予測し、及び/又は0.3 ng/ml超の濃度を尿管感染症の存在と予測する、更なるステップを含み、
前記患者は、発熱又は低体温症、白血球増加症／白血球減少症、腰痛及び／又は排尿困難、全身性炎症反応症候群（SIRS）の兆候、原因不明の発熱性症候群（FUO）、及び再発する尿管感染症からなる群より選ばれる少なくとも１つの症状を有する、方法。
【請求項２】
前記患者の血漿中のプロカルシトニン濃度を決定するためのステップを更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
プロカルシトニン濃度が、プロカルシトニンに特異的な一次抗体によって決定される、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記一次抗体が、ヒドロキシクマリン、アミノクマリン、メトキシクマリン、ユーロピウム、サマリウム、FITC、Cy3、Cy5、Cy2、Cy7、XL665を含む群より選択される蛍光色素で直接的に標識される、請求項３記載の方法。
【請求項５】
プロカルシトニン濃度が、ヒドロキシクマリン、アミノクマリン、メトキシクマリン、ユーロピウム、サマリウム、FITC、Cy3、Cy5、Cy2、Cy7、XL665を含む群より選択される化合物で標識された二次抗体によって決定される、請求項３記載の方法。
【請求項６】
前記二次抗体が前記一次抗体に特異的である、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記尿管感染症が導尿カテーテル使用に関連する、請求項１〜６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
尿中のプロカルシトニン濃度の値が血漿中のプロカルシトニン濃度の値と比較され、それによって、尿中の前記プロカルシトニン濃度と血漿中の前記プロカルシトニン濃度との比が、尿管感染症の存在の予測である、更なるステップを含む、請求項２〜７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
尿試料、場合により血漿試料中のプロカルシトニン濃度を決定するために必要とされる試薬のアリコートを含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法で使用するためのキット。
【請求項１０】
プロカルシトニンに特異的な一次抗体の１以上のアリコートを含む、請求項９記載のキット。
【請求項１１】
前記一次抗体が、ヒドロキシクマリン、アミノクマリン、メトキシクマリン、ユーロピウム、サマリウム、FITC、Cy3、Cy5、Cy2、Cy7、XL665を含む群より選択される化合物で直接的に標識された抗体である、請求項１０記載のキット。
【請求項１２】
ヒドロキシクマリン、アミノクマリン、メトキシクマリン、ユーロピウム、サマリウム、FITC、Cy3、Cy5、Cy2、Cy7、XL665を含む群より選択される化合物で標識された二次抗体の１以上のアリコートを更に含む、請求項１１記載のキット。
【請求項１３】
前記試薬が、バッファ溶液の１以上のアリコート、及び/又は結合溶液の１以上のアリコート、及び/又は標識された抗体を検出するための試薬の１以上のアリコートを含む、請求項９〜１２のいずれか１項記載のキット。
【請求項１４】
陰性対照の１以上のアリコート及び/又は陽性対照の１以上のアリコートを更に含む、請求項９〜１３のいずれか１項記載のキット。
【請求項１５】
前記陰性対照が0.05 ng/ml未満のプロカルシトニン濃度を有する尿試料であり、前記陽性対照が0.3 ng/ml超のプロカルシトニン濃度を有する尿試料である、請求項１４記載のキット。
【請求項１６】
尿管感染症の診断及び/又はモニタリングのためのプロカルシトニンの使用であって、 ここで、尿中の前記プロカルシトニン濃度を閾値と比較し、それによって、0.05 ng/ml未満の濃度が尿管感染症の非存在の予測であり、及び/又は0.3 ng/ml超の濃度が尿管感染症の存在の予測であり、
前記尿は、発熱又は低体温症、白血球増加症／白血球減少症、腰痛及び／又は排尿困難、全身性炎症反応症候群（SIRS）の兆候、原因不明の発熱性症候群（FUO）、及び再発する尿管感染症からなる群より選ばれる少なくとも１つの症状を有する患者由来である、使用。
【請求項１７】
前記尿管感染症が導尿カテーテル使用に関連する、請求項１６記載のプロカルシトニンの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月18日(2014.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レンズ前駆体を形成する方法であって、
化学線を用いて高分子反応性混合物を重合させることにより、該レンズ前駆体の第１の部分を調製することであって、該第１の部分が、第１の凹状光学品質表面、及び反対側の非光学品質の第２の表面を有する、ことと、
該第１の部分の少なくとも一部に隣接して流動性レンズ反応性媒体を設けることと、
気相環境を封じ込めるチャンバ内に、第１の部分と流動性レンズ反応性媒体との組み合わせを入れることであって、該流動性レンズ反応性媒体が、該チャンバ内で蒸気に暴露される、ことと、
該気相環境内に材料を導入することと、
該気相環境内の該材料を該レンズ反応性媒体と相互作用させることにより、該レンズ反応性媒体の少なくとも一部の特性を変化させることと、
該特性が変化した後で、該レンズ反応性媒体を重合させて第２の凹状光学品質表面を形成することと、
を含む、方法。
【請求項２】
変化する前記特性が、物理的特性又は化学的特性である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
変化する前記特性が、表面の湿潤性である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記材料が、染料であり、変化する前記特性が、色である、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記材料が、前記レンズ反応性媒体の構成成分ではない新しい化学種である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
導入される前記材料が、前記レンズ反応性媒体の構成成分である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記材料が、気体である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記気体が、不活性ガスである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記気体が、前記レンズ反応性媒体と反応するための触媒を含む、請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月4日(2014.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレイ組立体を作製する方法であって、
（ａ）光学的に透明な熱活性化接着剤で第１の基板と第２の基板とを貼合させて積層体を形成する工程であって、
前記第１の基板及び前記第２の基板の各々が、対向する主表面を有し、
前記第１の基板と前記第２の基板の少なくとも一方が、その主表面の一つの少なくとも一部分を被覆する３次元の表面トポグラフィーを有し、
熱活性化温度において、前記接着剤は感圧性である、工程と、
（ｂ）前記積層体を前記接着剤の前記熱活性化温度まで加熱して、前記接着剤を流動させる工程であって、前記活性化温度が、４０℃超でかつ１２０℃未満であり、
前記接着剤が、熱可逆性架橋接着剤、及び照射、熱硬化又は湿分硬化を用いて後架橋が可能である接着剤からなる群から選択され、
前記積層体を加熱した後で、前記接着剤が前記表面トポグラフィーの少なくとも一部分を被覆する、工程と、を含む方法。
【請求項２】
加熱後に前記接着剤を架橋させる工程を更に含み、架橋させる工程が、熱架橋させること、放射線架橋させること、及び電子ビーム架橋させることのうちの１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ディスプレイ組立体を作製する方法であって、
（ａ）積層体を形成するために、光学的に透明な熱活性化接着剤で第１の基板と第２の基板とを貼合させる工程であって、
前記第１の基板及び前記第２の基板の各々が、対向する主表面を有し、
前記第１の基板と前記第２の基板の少なくとも一方が狂いを起こしやすく、
熱活性化温度において、前記接着剤が感圧性である、工程と、
（ｂ）前記積層体を前記接着剤の前記熱活性化温度まで加熱して、前記接着剤を流動させる工程であって、前記活性化温度が、４０℃超でかつ１２０℃未満であり、
前記接着剤が、熱可逆性架橋接着剤、及び照射、熱硬化又は湿分硬化を用いて後架橋が可能である接着剤からなる群から選択され、
前記積層体を加熱した後、前記接着剤が、前記狂いを起こしやすい基板の少なくとも一部分を被覆する、工程と、を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月12日(2014.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の仮想マシンを実装する１つ以上のプロセッサを備えるシステムにおいて、
前記複数の仮想マシンのうちの対応する仮想マシンに関連して実行されるオペレーティングシステムの第１の識別子を表す第１の検索キーと、前記オペレーティングシステムによって管理される仮想アドレス空間の第２の識別子を表す第２の検索キーとを使用して、トランスレーションルックアサイドバッファ（ＴＬＢ）ルックアップを実施することを含み、
前記第１の検索キーが前記第１の識別子よりも少ないビットを有し、
前記第２の検索キーが前記第２の識別子よりも少ないビットを有する、方法。
【請求項２】
複数のエントリを含み、各エントリが、対応する経路に関連し、仮想マシンによって実行されるオペレーティングシステムの識別子を記憶するように構成される、第１のテーブルに、前記第１の識別子に基づいてアクセスすることと、
前記第１の識別子を記憶する前記第１のテーブルの選択エントリの第１の経路に基づいて、前記第１の検索キーを判定することと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
その各エントリが、対応する経路を有し、対応するオペレーティングシステムによって管理される仮想アドレス空間の識別子を記憶するように構成される、第２のテーブルの複数のインデックスのうちの選択インデックスを、前記第１の経路に基づいて判定し、前記第２の識別子に基づいて前記選択インデックスにアクセスすることと、
第２の識別子を記憶する前記選択インデックスの選択エントリの第２の経路に基づいて、前記第２の検索キーを判定することと、
をさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の検索キーが、前記第１の経路によって判定され、前記第２の検索キーが、前記第２の経路によって判定される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のテーブルの前記選択エントリに対する前記第１の識別子を記憶することと、
前記第２のテーブルの前記選択インデックスの前記エントリをフラッシュし、前記選択インデックスの前記選択エントリに対する前記第２の識別子を記憶することと、
をさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記ＴＬＢルックアップを実施することが、
前記第１の検索キーを有し、かつ前記第２の識別子または設定グローバルビットのうちの少なくとも１つを有する、前記ＴＬＢの選択エントリを識別するために、ＴＬＢにアクセスすることと、
前記ＴＬＢの前記選択エントリに記憶されたページ番号に基づいて、物理アドレスを生成することと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
複数の仮想マシンを実装する１つ以上のプロセッサを備えるシステムにおいて、
前記複数の仮想マシンのうちの選択仮想マシンに関連して実行されるオペレーティングシステムの第１の識別子を判定し、前記オペレーティングシステムによって管理される仮想アドレス空間の第２の識別子を判定することと、
複数のエントリを含み、各エントリが、対応する経路を有し、前記システムの対応する仮想マシンに関連するオペレーティングシステムの識別子を記憶するように構成される、第１のテーブルに、前記第１の識別子に基づいてアクセスすることと、
前記第１の識別子を記憶する前記第１のテーブルの選択エントリの第１の経路に基づいて、前記第１の検索キーを判定することと、
その各エントリが、対応する経路を有し、対応する仮想マシンのオペレーティングシシステムによって管理される仮想アドレス空間の識別子を記憶するように構成される、第２のテーブルの複数のインデックスのうちの選択インデックスを、前記第１の経路に基づいて判定し、前記第２の識別子に基づいて、前記選択インデックスにアクセスすることと、
前記第２の識別子を記憶する前記選択インデックスの選択エントリの第２の経路に基づいて、前記第２の検索キーを判定することと、
を含む、方法。
【請求項８】
ページオフセットを判定するために、前記第１の検索キーおよび前記第２の検索キーを使用して、トランスレーションルックアサイドバッファ（ＴＬＢ）ルックアップを実施することと、
前記ページオフセットおよび前記仮想アドレスに基づいて、物理アドレスを生成することと、
をさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
処理システムであって、
トランスレーションルックアサイドバッファ（ＴＬＢ）と、
前記処理システムによって実装される複数の仮想マシンのうちの仮想マシンに関連して実行されるオペレーティングシステムの第１の識別子を表す第１の検索キーと、前記オペレーティングシステムによって管理される仮想アドレス空間の第２の識別子を表す第２の検索キーとを使用して、ＴＬＢルックアップを実施するためのハードウェアコントローラであって、前記第１の検索キーが前記第１の識別子よりも少ないビットを有し、前記第２の検索キーが前記第２の識別子よりも少ないビットを有する、ハードウェアコントローラと、
を備える、処理システム。
【請求項１０】
複数のエントリを含む第１のテーブルであって、各エントリが、対応する経路を有し、対応する仮想マシンによって実行されるオペレーティングシステムの識別子を記憶するように構成される、第１のテーブルをさらに備え、
前記ハードウェアコントローラが、前記第１の識別子を記憶する前記第１のテーブルの選択エントリの第１の経路に基づいて、前記第1の検索キーを判定するためのものである、請求項９に記載の処理システム。
【請求項１１】
複数のインデックスを含む第２のテーブルであって、各インデックスが、前記第１のテーブルの対応するエントリに関連し、各インデックスが、複数のエントリを含み、前記第２のテーブルの各エントリが、対応する経路を有し、対応する仮想マシンのオペレーティングシステムによって管理される仮想アドレス空間の識別子を記憶するように構成される、第２のテーブルをさらに備え、
前記ハードウェアコントローラが、前記第1の経路に基づいて前記複数のインデックスのうちの選択インデックスを判定し、前記第２の識別子を記憶する前記選択インデックスの選択エントリの第２の経路に基づいて前記第２の検索キーを判定するためのものである、請求項１０に記載の処理システム。
【請求項１２】
前記第１の検索キーが、前記第１の経路であり、前記第２の検索キーが、前記第２の経路である、請求項１１に記載の処理システム。
【請求項１３】
前記ハードウェアコントローラが、前記第１の検索キーを有し、かつ前記第２の識別子または設定グローバルビットのうちの少なくとも１つを有する、前記ＴＬＢの選択エントリを識別するために、前記ＴＬＢにアクセスすることによって、前記ＴＬＢルックアップを実施するためのものであり、
前記ハードウェアコントローラがさらに、前記ＴＬＢの前記選択エントリに記憶されたページ番号に基づいて、物理アドレスを生成するためのものである、請求項９に記載の処理システム。