【事件の表示】
　平成４年特許願第３４５８８９号「半導体製造ラインにおける基板の検査方法およびその装置」拒絶査定不服審判事件〔平成６年７月１５日出願公開、特開平６−１９４３２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成４年１２月２５日の出願であって、その請求項１ないし１３に係る発明は、平成１３年７月９日付け手続補正書、および平成１３年９月２８日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載されたとおりのものであるところ、そのうち請求項１、５および７に係る発明は請求項１、５および７に記載された次のとおりのものである
「【請求項１】半導体の製造ラインの所定の処理装置から基板を内部が清浄な状態に維持された検査装置へ局所的に清浄な状態に維持された雰囲気中で搬送し、該搬送した基板の表面の異物を前記検査装置で検査する方法であって、前記検査装置に搬送された基板の表面にレーザ光を斜方から照明し、該照明による前記基板からの散乱光の像を結像光学系を介して光電子増倍管を備えた光電変換手段で前記光電子増倍管の電子加速電圧を変えた複数の条件で検出し、該検出した信号を処理することにより前記基板上に付着した大きさが０．３μｍ〜０．０１μｍの微粒子を検出し、該検出した微粒子の前記基板上の位置の情報と検出した微粒子の数の情報とを画面上に表示することを特徴とする半導体製造ラインにおける基板の検査方法。
【請求項５】基板の表面の異物を検査する方法であって、半導体の製造ラインの所定の処理装置で基板に所定の処理を施し、該所定の処理を施した基板を前記処理装置から内部が清浄な状態に維持された検査装置へ局所的に清浄な状態に維持された雰囲気中で搬送し、該搬送した基板を前記検査装置の内部に搬入して該検査装置のテーブル上に載置し、該テーブル上に載置されたの表面の表面にレーザ光を斜方から照明し、該照明による前記基板からの散乱光の像を結像光学系を介してマルチチャンネルプレートを備えた光電変換手段で検出し、該検出した信号を処理することにより前記基板上に付着した大きさが０．３μｍ〜０．０１μｍの微粒子を検出し、該微粒子を検出した基板を前記半導体の製造ラインに戻して前記所定の処理以降の処理を施すことを特徴とする半導体製造ラインにおける基板の検査方法。
【請求項７】半導体の製造ラインの所定の処理工程で処理した基板を内部が清浄な状態に維持された検査装置へ局所的に清浄な状態に維持された雰囲気中で搬送し、該搬送した基板の表面の異物を前記検査装置で検査する方法であって、前記検査装置に搬送された基板の表面にレーザ光を斜方から照明し、該照明による前記基板からの散乱光の像を結像光学系を介して光電子増倍管を備えた光電変換手段で検出し、該検出した信号を処理することにより前記基板上に付着した微粒子を前記基板の表面の微小な凹凸から弁別して検出し、該微粒子を検出した前記基板を前記半導体の製造ラインに戻して前記所定の処理工程の次の処理を施すことを特徴とする半導体製造ラインにおける基板の検査方法。」
　
２．引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願日前に刊行された特開平２−２１６０３５号公報（以下、「刊行物１」という。）には、以下の事項が記載されている。
(1a）「本発明は微粒子の検出方法に係り、特に基板表面に付着する微粒子の検出方法に関する。半導体装置の微細なパターンを製造する工程において、雰囲気の清浄度を監視することはきわめて重要である。パターン幅が１μｍ以下になると、０．１μｍ以下の径の微粒子の存在が製品の歩留りに大きな影響を与える。このため、半導体基板に付着する０．１μｍ以下の径の微粒子を検出し、監視する必要がある。」（第1頁右下欄3〜11行）
(1b）「従来、Ｈｅ−Ｎｅレーザ（波長6328Å）を用いて微粒子からの散乱光を光電子増倍管で検出し、半導体基板上の微粒子の付着数を計数することが行われてきた。そしてこの方法により、０．３μｍ程度の径の微粒子の検出が可能になっている。」（第1頁右下欄13〜17行）
(1c）「現在研究開発が進められている１６Ｍｂメモリでは、０．５μｍのパターン幅を利用することになるので、その１／１０のレベル、即ち、０．０５μｍ程度の径の微粒子が製品の歩留り或いは性能に大きく影響する。」（第2頁左上欄5〜9行）
(1d）「波長λとして４５０ｎｍ以下の紫外光を用いることにより、従来のＨｅ−Ｎｅレーザ（波長6328Å）では検出が困難だった０．１μｍ以下の径の微粒子の検出が可能となる。」（第2頁左下欄7〜10行）
(1e）「第１図は本発明の実施例で、シリコンウエハ表面に付着している微粒子を検出するための装置構成を示す。第１図において、１は基板であってシリコンウエハ、２は移動台、３は光源であって、Ａｒ＋レーザ、４は集光レンズ、５はフィルタ、６は検出器であって光電子増倍管、７は信号処理装置、８はディスプレイを表す。
　シリコンウエハ１は主面を水平にして移動台２に搭載される。
　光源としてＡｒ＋レーザ３の第２高調波（波長257ｎｍ）を用いる。Ａｒ＋レーザ３からの光はシリコンウエハ１に斜め上から入射する。そして集光レンズ４はシリコンウエハ１の主面から垂直方向に散乱してくる光を集める。
　フィルタ５はＡｒ＋レーザの第２高調波（波長257ｎｍ）の帯域を通過させる。フィルタ５を通過した散乱光は光電子増倍管６に入り増幅され、その信号は信号処理装置７により処理されてディスプレイ８に表示される。
　Ａｒ＋レーザ３からの光があたったシリコンウエハ１表面の部分に微粒子が存在しなければ、光はシリコンウエハ１表面で鏡面反射して集光レンズ４には入らない。Ａｒ＋レーザ３からの光があたったシリコンウエハ１表面の部分に微粒子が存在するときだけ、微粒子からの散乱光が集光レンズ４に入る。
　シリコンウエハ１を搭載した移動台２は水平方向に移動することができる。したがって、Ａｒ＋レーザ３からの光があたるシリコンウエハ１上の位置を順次移動させて、シリコンウエハ１の全面を走査することにより、さらに移動量を信号処理装置７に入力してシリコンウエハ１全面をディスプレイ８に表示するようにすることにより、ディスプレイ８にシリコンウエハ１上の微粒子の存在を輝点として表示することができる。」（第2頁右下欄2行〜3頁左上欄17行）
(1f）「第１図は暗視野系の観測系であるが、明視野系の観測系とすることもできる。即ち、基板１表面に対して入射光が鏡面反射する方向に集光レンズ４を設定する。この場合は明視野の中に微粒子の存在する位置が暗点として表示される。」（第3頁右上欄5〜9行）
(1g）「本発明の方法は、半導体装置の極微細パターンの形成時の雰囲気の清浄度をモニタする手段として効果が大きい。」（第3頁左下欄4〜6行）
(1h）「１は基板であってシリコンウエハ」（第3頁左下欄10行）
が、それぞれ図面とともに記載されており、
これらの記載から刊行物１には
「半導体装置を製造する行程の途中において基板の表面の微粒子を検査装置で検査する方法であって、前記検査装置では、前記基板を移動台に搭載し、前記移動台上に搭載された基板の表面にレーザ光を斜方から照明し、該照明による前記基板からの散乱光の像を集光レンズおよびフィルタを介して光電子増倍管を備えた検出器で検出し、該検出した信号を処理することにより前記基板上に付着した大きさが０．１μｍ以下の微粒子を前記基板の表面から弁別して検出し、該検出した微粒子の前記基板上の位置の情報を画面上に表示する半導体装置の製造行程における基板表面に付着する微粒子の検出方法。」
が記載されているものと認められる。　
　
３．対比・判断
３．１　請求項７について
　そこで本願請求項７に係る発明（以下、「本願発明７」という。）と刊行物１に記載の発明（以下、「引用発明」という。）とを対比すると、
　引用発明における「基板」、「微粒子」、「集光レンズおよびフィルタ」、「光電子増倍管を備えた検出器」、および「半導体装置の製造行程における基板表面に付着する微粒子の検出方法」が、それぞれ本願発明７における「基板」、「異物」、「結像光学系」、「光電子増倍管を備えた光電変換手段」、および「半導体製造ラインにおける基板の検査方法」に相当し、引用発明において、基板を検査装置の移動台に搭載するには基板を搬送することが必要であるから、
両者は、表現は相違するものの
「基板の表面の異物を検査装置で検査する方法であって、前記検査装置に搬送された基板の表面にレーザ光を斜方から照明し、該照明による前記基板からの散乱光の像を結像光学系を介して光電子増倍管を備えた光電変換手段で検出し、該検出した信号を処理することにより前記基板上に付着した微粒子を前記基板の表面から検出する半導体製造ラインにおける基板の検査方法。」
の点で一致し、以下の点で相違する。
　
〈相違点ａ〉：検査装置で検査される基板が、本願発明では、「半導体の製造ラインの所定の処理工程で処理した基板を内部が清浄な状態に維持された検査装置へ局所的に清浄な状態に維持された雰囲気中で搬送し、該搬送した基板」を検査の対象としているのに対し、引用発明では、検査の対象とされる基板と半導体の製造ラインとの関係については明記されていない点。
〈相違点ｂ〉：本願発明では、検査装置において基板上に付着した微粒子を前記基板の表面の微小な凹凸から弁別して検出しているのに対し、引用発明では基板上に付着した微粒子を前記基板の表面から検出している点。
〈相違点ｃ〉：本願発明では、微粒子を検出した前記基板を前記半導体の製造ラインに戻して前記所定の処理工程の次の処理を施しているのに対し、引用発明では、微粒子を検出した基板のその後の処置については明記されていない点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
〈相違点ａおよびｃについて〉
　本願発明７の上記相違点ａおよびｃに係る構成は、本願発明７においては、検査の対象とされる基板が半導体の製造ラインの途中で検査のために取り出され、検査が終了したのちには再び製造ラインに戻されることを明示したものであって、相違点ａは半導体の製造ラインから基板を取り出して検査装置に搬送するまでの行程を示し、相違点ｃでは、検査の終了した基板を製造ラインに戻して、その後の処理を施すことを示したものと理解される。
　一方、刊行物１には、半導体の製造工程と基板との関係については、半導体を製造する工程においては雰囲気の清浄度を監視することが重要であること（摘記事項(1a））、および引用発明が半導体装置の製造工程における微細パターンの形成時の雰囲気の清浄度をモニタする手段として用いられること（摘記事項(1g））が記載されている。
　ここで、微細パターンの形成行程における雰囲気の清浄度をモニタするためには、該行程内での雰囲気に接してその雰囲気中の微粒子が付着した基板を検査することになるが、そのためには該基板を、該行程から検査装置に搬送しなければならない。そして、その際には、検査装置内で新たな微粒子が付着しないように検査装置の内部が清浄な状態に維持されていることは言うまでもないことであるが、前記基板を検査装置に搬送する間にも新たな微粒子が付着しないように、前記基板の周囲を局所的に清浄な状態に維持された雰囲気中で搬送することも当然のことである。
　したがって、相違点ａに係る本願発明７の構成は、技術常識から見て当然に行われなければならない処置を明記しただけに過ぎず、引用発明においても当業者が必要に応じて当然に採用すべきことであって、実質的な相違点とは認められない。
　また、微細パターンの形成行程における雰囲気の清浄度のモニタが終わった時点で、前記基板をどうするかは適宜決められることであって、前記基板をその時点で廃棄することも、前記基板をさらに使用しようとするなら、前記基板を半導体の製造ラインに戻して、その後の処理を続行することも、いずれとするかは適宜選択されることに過ぎない。
　よって、相違点ｃについても、当業者が適宜選択する程度のことに過ぎない。
　
〈相違点ｂについて〉
　本願発明７における「基板の表面の微小な凹凸」とは、基板の表面を鏡面仕上げしたときに研磨によって発生したものと考えられるところ、引用発明においても、鏡面仕上げされた基板の表面に付着した微粒子を検出しているのであるから、本願発明７の場合と同様に鏡面仕上げの際の研磨による凹凸があるものを前提とした表面から微粒子を検出しているものとして把握される。
　よって、前記相違点ｂは実質的な相違点とはいえない。
　
　以上のとおり、相違点ａないしｃは、いずれも格別の相違とはいえず当業者が適宜なし得た程度のものにすぎない。
　また、本願発明７の奏する明細書記載の効果も、刊行物１の記載および技術常識に基づいて容易に予測できた程度のものにすぎない。
　
３．２　請求項１に係る発明について
　請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）と引用発明とを対比すると、上記３．１で本願発明７と対比したと同様に、以下の一致点および相違点を有する。
〈一致点〉
「基板の表面の異物を前記検査装置で検査する方法であって、前記検査装置に搬送された基板の表面にレーザ光を斜方から照明し、該照明による前記基板からの散乱光の像を結像光学系を介して光電子増倍管を備えた光電変換手段で検出し、該検出した信号を処理することにより前記基板上に付着した大きさが０．３μｍ〜０．０１μｍの微粒子を検出し、該検出した微粒子の前記基板上の位置の情報を画面上に表示する半導体製造ラインにおける基板の検査方法。」
　
〈相違点ａ’〉：検査装置で検査される基板が、本願発明１では、「半導体の製造ラインの所定の処理装置から基板を内部が清浄な状態に維持された検査装置へ局所的に清浄な状態に維持された雰囲気中で搬送し、該搬送した基板」を検査の対象としているのに対し、引用発明では、検査の対象とされる基板と半導体の製造ラインとの関係については明記されていない点。
〈相違点ｄ〉：光電子増倍管を備えた光電変換手段での検出が、本願発明１では、光電子増倍管の電子加速電圧を変えた複数の条件で検出しているのに対し、引用発明では、光電子増倍管の電子加速電圧を変えたことについては明記されていない点。
〈相違点ｅ〉：本願発明１では、検出した微粒子の基板上の位置の情報とともに検出した微粒子の数の情報を画面上に表示するのに対し、引用発明では、検出した微粒子の位置の情報を画面上に表示することしか明記されていない点。
　
　上記相違点について検討する。
　相違点ａ’については、上記３．１で述べた請求項７の場合の相違点ａと表現が一部異なるだけで実質的には同じ内容であるから、上記３．１の相違点ａについての説示が当てはまる。
　
〈相違点ｄについて〉
　光電子増倍管で検出する場合には、検出対象に応じて電子加速電圧を変えて感度調整することは常套手段であるから、検出対象として複数のものが想定される場合には、それぞれの場合に応じた感度設定のために電子加速電圧を変えた複数の条件で検出することは当業者が必要に応じて容易になし得たことと認められる。
〈相違点ｅについて〉
　刊行物１には、基板上の微粒子を検出してその付着数を計数することが従来技術として行われてきたことが記載されている（摘記事項(1b））。
　そのことから、引用発明においても、検出した微粒子の位置の情報を画面上に表示することに加えて、検出した微粒子の数の情報を画面上に表示することは上記従来技術を用いることにより当業者が容易になし得たことに過ぎない。
　
　以上のとおり、相違点ａ’、ｄおよびｅは、いずれも格別の相違とはいえず当業者が容易になし得た程度のものにすぎない。
　また、本願発明１の奏する明細書記載の効果も、刊行物１の記載および技術常識に基づいて容易に予測できた程度のものにすぎない。
　
３．３　請求項５に係る発明について
　請求項５の記載中の「該テーブル上に載置されたの表面の表面にレーザ光を斜方から照明し、」の記載は、他の請求項の記載および発明の詳細な説明の記載を参酌すると「該テーブル上に載置された基板の表面にレーザ光を斜方から照明し、」の誤記であることが明らかであるから、請求項５を
「【請求項５】基板の表面の異物を検査する方法であって、半導体の製造ラインの所定の処理装置で基板に所定の処理を施し、該所定の処理を施した基板を前記処理装置から内部が清浄な状態に維持された検査装置へ局所的に清浄な状態に維持された雰囲気中で搬送し、該搬送した基板を前記検査装置の内部に搬入して該検査装置のテーブル上に載置し、該テーブル上に載置された基板の表面にレーザ光を斜方から照明し、該照明による前記基板からの散乱光の像を結像光学系を介してマルチチャンネルプレートを備えた光電変換手段で検出し、該検出した信号を処理することにより前記基板上に付着した大きさが０．３μｍ〜０．０１μｍの微粒子を検出し、該微粒子を検出した基板を前記半導体の製造ラインに戻して前記所定の処理以降の処理を施すことを特徴とする半導体製造ラインにおける基板の検査方法。」と認定して検討する。
　請求項５に係る発明（以下、「本願発明５」という。）と引用発明とを対比すると、上記３．１で述べた本願発明７との対比に加えて、引用発明の「移動台」が本願発明５の「テーブル」に相当するから、以下の一致点および相違点を有する。
〈一致点〉
「基板の表面の異物を検査する方法であって、基板を前記検査装置の内部に搬入して該検査装置のテーブル上に載置し、該テーブル上に載置された基板（の表面）の表面にレーザ光を斜方から照明し、該照明による前記基板からの散乱光の像を結像光学系を介して光電変換手段で検出し、該検出した信号を処理することにより前記基板上に付着した大きさが０．３μｍ〜０．０１μｍの微粒子を検出する半導体製造ラインにおける基板の検査方法。」
　
〈相違点ａ”〉：検査装置で検査される基板が、本願発明では、「半導体の製造ラインの所定の処理装置で基板に所定の処理を施し、該所定の処理を施した基板を前記処理装置から内部が清浄な状態に維持された検査装置へ局所的に清浄な状態に維持された雰囲気中で搬送し、該搬送した基板」を検査の対象としているのに対し、引用発明では、検査の対象とされる基板と半導体の製造ラインとの関係については明記されていない点。
〈相違点ｆ〉：光電変換手段が、本願発明では、マルチチャンネルプレートを備えた光電変換手段であるのに対し、引用発明では、光電子増倍管である点。
〈相違点ｃ’〉：本願発明では、微粒子を検出した前記基板を前記半導体の製造ラインに戻して前記所定の処理工程の次の処理を施しているのに対し、引用発明では、微粒子を検出した基板のその後の処置については明記されていない点。
　
　上記相違点について検討する。
〈相違点ａ”およびｃ’について〉
　相違点ａ’およびｃ’については、上記３．１で述べた請求項７の場合の相違点ａおよびｃと表現が一部異なるだけで実質的には同じ内容であるから、上記３．１の相違点ａおよびｃについての説示が当てはまる。
　
〈相違点ｆについて〉
　結像光学系と共に用いられるマルチチャンネルプレートを備えた光電変換手段自体は周知であるから（例えば、原査定の拒絶理由通知書に示された特開昭６３−２９４６５７号公報参照）、引用発明における光電子増倍管を用いた検出手段に変えて前記周知のマルチチャンネルプレートを備えた光電変換手段を用いて、相違点ｆに係る本願発明５の構成とすることは適宜なし得たことである。
　
　以上のとおり、相違点ａ”、ｃ’およびｆは、いずれも格別の相違とはいえず当業者が適宜なし得た程度のものにすぎない。
　また、本願発明７の奏する明細書記載の効果も、刊行物１の記載および技術常識に基づいて容易に予測できた程度のものにすぎない。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願請求項１、５および７に係る発明は、刊行物１に記載の発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。