【手続補正書】
【提出日】平成23年11月25日(2011.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つまたは複数の基板素子を形成するための方法であって、
（a）  支持層の上に配置された基板層を提供する工程と、
（b）  前記基板層の少なくとも一部を覆うために、前記基板層の上に１つまたは複数のマスキング領域を配置する工程と、
（c）  覆われていない１つまたは複数の基板層セクションを除去する工程と、
（d）  前記基板層の下方の前記支持層を完全に除去し、それにより支持層の上方のブリッジとして懸垂された１つまたは複数の懸垂基板素子を形成する工程であって、前記懸垂基板素子が、懸垂基板素子の一方の末端または両方の末端でのみ前記基板層に取り付けられた状態を維持し、除去に先立って処理することができる工程と、
（e）  前記基板素子を除去する工程と
を含む方法。
【請求項２】
前記提供工程が、半導体を備えた基板層、および半導体酸化物または半導体合金を備えた支持層を提供する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記提供工程が、Ｓｉを備えた基板層、およびＳｉＯ２またはＳｉＧｅを備えた支持層を提供する工程を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
（b）における前記配置工程が、フォトリソグラフィマスクを配置する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
（c）における前記除去工程がエッチング工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記エッチング工程が異方性エッチング工程を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
（d）における前記除去工程がエッチング工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記エッチング工程が等方性エッチング工程を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
（e）における前記除去工程が、
ｉ．  前記懸垂基板素子の上に１つまたは複数のマスキング領域を配置する工程と、
ｉｉ．  前記懸垂基板素子および／または前記基板層の少なくとも一部を除去し、それにより前記懸垂基板素子を前記基板層から分離する工程と、
ｉｉｉ．  前記マスキング領域を除去する工程と
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ｉ．における前記配置工程が、フォトリソグラフィマスクを配置する工程を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
ｉｉ．における前記除去工程がエッチング工程を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記エッチング工程が異方性エッチング工程を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
（e）における前記除去工程が、前記基板素子を前記基板層から分離するために前記懸垂基板素子を超音波処理する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
（e）における前記除去工程が、前記基板素子を前記基板層から分離するために前記懸垂基板素子を機械的に切断する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
（d）における前記除去工程によって１つまたは複数の懸垂基板素子が形成され、前記懸垂基板素子が１つまたは複数の横方向の支持タブを介して前記基板層に取り付けられた状態を維持する、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
１つまたは複数の基板素子を形成するための方法であって、
（a）  支持層の上に配置された基板層を提供する工程と、
（b）  前記基板層の少なくとも一部を覆うために、前記基板層の上に１つまたは複数のマスキング領域を配置する工程と、
（c）  覆われていない１つまたは複数の基板層セクションを除去する工程と、
（d）  前記基板層の下方の前記支持層を完全に除去し、それにより支持層の上方のブリッジとして懸垂された１つまたは複数の懸垂基板素子を形成する工程であって、前記懸垂基板素子が、懸垂基板素子の一方の末端または両方の末端でのみ前記基板層に取り付けられた状態を維持する工程と、
（e）  前記懸垂基板素子を処理する工程と、
（f）  前記基板素子を除去する工程と
を含む方法。
【請求項１７】
（a）  支持層の上に配置された基板層を提供する工程と、
（b）  前記基板層の少なくとも一部を覆うために、前記基板層の上に１つまたは複数のマスキング領域を配置する工程と、
（c）  覆われていない１つまたは複数の基板層セクションを除去する工程と、
（d）  前記基板層の下方の前記支持層を完全に除去し、それにより支持層の上方のブリッジとして懸垂された１つまたは複数の懸垂基板素子を形成する工程であって、前記懸垂基板素子が、懸垂基板素子の一方の末端または両方の末端でのみ前記基板層に取り付けられた状態を維持し、除去に先立って処理することができる工程と、
（e）  前記基板素子をナノワイヤとして除去する工程と
を含む方法によって用意されたナノワイヤ。
【請求項１８】
（a）  支持層の上に配置された基板層を提供する工程と、
（b）  前記基板層の少なくとも一部を覆うために、前記基板層の上に１つまたは複数のマスキング領域を配置する工程と、
（c）  覆われていない１つまたは複数の基板層セクションを除去する工程と、
（d）  前記マスキング領域を除去する工程と、
（e）  前記基板層の下方の前記支持層を完全に除去し、それにより支持層の上方のブリッジとして懸垂された１つまたは複数の懸垂基板素子を形成する工程であって、前記懸垂基板素子が、懸垂基板素子の一方の末端または両方の末端でのみ前記基板層に取り付けられた状態を維持する工程と、
（f）  前記懸垂基板素子を処理する工程と、
（g）  前記基板素子をナノワイヤとして除去する工程と
を含む方法によって用意されたナノワイヤ。
【請求項１９】
１つまたは複数の基板素子を形成するための方法であって、
（a）  支持層の上に配置された基板層を提供する工程と、
（b）  前記基板層の少なくとも一部を覆うために、前記基板層の上に１つまたは複数のマスキング領域を配置する工程と、
（c）  覆われていない１つまたは複数の基板層セクションを除去する工程と、
（d）  前記マスキング領域を除去する工程と、
（e）  前記基板層の下方の前記支持層を除去し、それにより支持層の上方のブリッジとして懸垂された１つまたは複数の懸垂基板素子を形成する工程であって、前記懸垂基板素子が、懸垂基板素子の一方の末端または両方の末端で前記基板層に取り付けられた状態を維持する工程と、
（f）  前記懸垂基板素子の上に絶縁体層を配置する工程と、
（g）  前記絶縁体層の上にゲート層を配置する工程と、
（h）  前記ゲート層の少なくとも一部を覆うために、前記ゲート層の上に１つまたは複数のマスキング領域を配置する工程と、
（i）  覆われていないゲート層の少なくとも一部を除去し、それにより前記絶縁体層の１つまたは複数の部分を露出させ、かつ、１つまたは複数のゲート領域を形成する工程と、
（j）  （h）で蒸着された前記マスキング領域を除去する工程と、
（k）  前記絶縁体層および前記ゲート領域の上に保護層を配置する工程と、
（l）  前記絶縁体層の少なくとも一部の上に１つまたは複数のマスキング領域を配置する工程と、
（m）  覆われていない保護層の少なくとも一部を除去し、それにより前記絶縁体層の１つまたは複数の部分を露出させる工程と、
（n）  （l）で配置された前記マスキング領域を除去する工程と、
（o）  前記懸垂基板素子を除去する工程と
を含む方法。
【請求項２０】
１つまたは複数の基板素子を形成するための方法であって、
（a）  支持層の上に配置された基板層を提供する工程と、
（b）  前記基板層の少なくとも一部を覆うために、前記基板層の上に１つまたは複数のマスキング領域を配置する工程と、
（c）  覆われていない１つまたは複数の基板層セクションを除去する工程と、
（d）  前記マスキング領域を除去する工程と、
（e）  前記基板層の下方の前記支持層を除去し、それにより基板層の上方のブリッジとして懸垂された１つまたは複数の懸垂基板セクションを形成する工程であって、前記懸垂基板セクションが、懸垂基板セクションの一方の末端または両方の末端で前記基板層に取り付けられた状態を維持する工程と、
（f）  前記懸垂基板セクションの上に絶縁体層を配置する工程と、
（g）  前記絶縁体層の上にゲート層を配置する工程と、
（h）  前記ゲート層の少なくとも一部を覆うために、前記ゲート層の上に１つまたは複数のマスキング領域を配置する工程と、
（i）  覆われていないゲート層の少なくとも一部を除去し、それにより前記絶縁体層の１つまたは複数の部分を露出させ、かつ、１つまたは複数のゲート領域を形成する工程と、
（j）  （h）で蒸着された前記マスキング領域を除去する工程と、
（k）  前記ゲート領域によって覆われていない前記絶縁体層の少なくとも一部を除去し、それにより１つまたは複数の基板層領域を露出させる工程と、
（l）  前記ゲート領域および前記基板層領域の上に保護層を配置する工程と、
（m）  前記ゲート領域を少なくとも覆うために、前記保護層の少なくとも一部の上に１つまたは複数のマスキング領域を配置する工程と、
（n）  覆われていない保護層および前記基板層の少なくとも一部を除去する工程と、
（o）  （m）で配置された前記マスキング領域を除去する工程と、
（p）  前記保護ゲート領域を覆って保護するために１つまたは複数のマスキング領域を配置する工程と、
（q）  前記覆われていない保護層を除去する工程と、
（r）  （p）で配置された前記マスキング領域を除去する工程と、
（s）  前記基板層の下方の前記支持層の少なくとも一部を除去し、それにより１つまたは複数の懸垂基板素子を形成する工程であって、前記懸垂基板素子が前記基板層に取り付けられた状態を維持する工程と、
（t）  前記基板素子を除去する工程と
を含む方法。
【請求項２１】
１つまたは複数の基板素子を形成するための方法であって、
（a）  支持層の上に配置された基板層を提供する工程と、
（b）  前記基板層の少なくとも一部を覆うために、前記基板層の上に１つまたは複数のマスキング領域を配置する工程と、
（c）  覆われていない１つまたは複数の基板層セクションを完全に除去し、それにより支持層の上方のブリッジとして懸垂された１つまたは複数の基板素子を形成する工程であって、前記懸垂基板素子が、懸垂基板素子の一方の末端または両方の末端でのみ前記基板層に取り付けられた状態を維持する工程と、
（d）  前記基板素子を処理する工程と、
（e）  前記基板素子を除去する工程と
を含む方法。