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【手続補正書】
【提出日】平成26年3月26日(2014.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アッパーと前記アッパーに固定されているソール構造とを有する履物製品であって、前記アッパーは、
一体ニット構造で形成されている筒状構造を画成するニット構成要素と、
一次元材料の構成を有しており、前記筒状構造の長さの少なくとも一部を通って延びているストランドと、
前記ニット構成要素に接着されて、前記アッパーの外面の大部分を形成しているポリマー層とを備えている履物製品。
【請求項２】
前記ニット構成要素および前記ポリマー層は、前記アッパーの外側側部に沿って、前記アッパーの内側側部に沿って、前記アッパーの足先領域の上に、さらに前記アッパーのかかと領域の周りに延びていることを特徴とする、請求項１に記載の履物製品。
【請求項３】
前記筒状構造は、前記アッパーの前記外側側部上に配置されて、前記ソール構造に近接した区域から上方に延びるように配向されており、
前記ストランドは、前記筒状構造の一端から外側に延びて締めひもを受けるループを形成することを特徴とする、請求項１または２に記載の履物製品。
【請求項４】
前記ループは、前記ニット構成要素と前記ポリマー層との間に配置されていることを特徴とする、請求項３に記載の履物製品。
【請求項５】
前記ニット構成要素は、前記ループに隣接して位置付けられている開口を画成し、
前記締めひもは、前記開口を通って延びていることを特徴とする、請求項３または４に記載の履物製品。
【請求項６】
前記ポリマー層は、熱可塑性ポリマー材料から形成されていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の履物製品。
【請求項７】
前記ポリマー層は、熱可塑性ポリマー材料から形成されている不織布地であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の履物製品。
【請求項８】
前記ニット構成要素の第１区域は第１ニット種類を有し、前記ニット構成要素の第２区域は第２ニット種類を有しており、
前記第１ニット種類は、前記第２ニット種類とは異なることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の履物製品。
【請求項９】
前記ニット構成要素の第１区域は第１ストランド種類を有し、前記ニット構成要素の第２区域は第２ストランド種類を有しており、
前記第１ストランド種類は、前記第２ストランド種類とは異なることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の履物製品。
【請求項１０】
アッパーと前記アッパーに固定されているソール構造とを有する履物製品であって、前記アッパーは、
一体ニット構造で形成されており、前記アッパーの外側側部に沿って、前記アッパーの内側側部に沿って、前記アッパーの足先領域の上に、さらに前記アッパーのかかと領域の周りに延びているニット構成要素と、
前記外側側部および前記内側側部の前記ニット構成要素内に配置されており、前記ソール構造に近接した区域から上方に延びているとともに前記ニット構成要素から外側に延びて、前記外側側部に外側ループおよび前記内側側部に内側ループを形成している少なくとも１本のストランドと、
前記外側ループおよび前記内側ループを通って延びている締めひもと、
前記ニット構成要素に接着されて、前記アッパーの外面の大部分を形成しているポリマー層とを備えている履物製品。
【請求項１１】
前記外側ループおよび前記内側ループは、前記ポリマー層と前記ニット構成要素との間に配置されていることを特徴とする、請求項１０に記載の履物製品。
【請求項１２】
前記ニット構成要素は、前記外側ループおよび前記内側ループに隣接して位置付けられている開口を画成し、
前記締めひもは、前記開口を通って延びていることを特徴とする、請求項１０または１１に記載の履物製品。
【請求項１３】
前記ニット構成要素は、互いに少なくとも部分的に同一の広がりをもって一体ニット構造で形成されている第１ニット層および第２ニット層を形成しており、
前記ストランドは、前記第１ニット層と前記第２ニット層との間に延びていることを特徴とする、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の履物製品。
【請求項１４】
前記ポリマー層は、熱可塑性ポリマー材料から形成されていることを特徴とする、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の履物製品。
【請求項１５】
前記ポリマー層は、熱可塑性ポリマー材料から形成されている不織布地であることを特徴とする、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の履物製品。
【請求項１６】
前記ニット構成要素の第１区域は第１ニット種類を有し、前記ニット構成要素の第２区域は第２ニット種類を有しており、
前記第１ニット種類は、前記第２ニット種類とは異なることを特徴とする、請求項１０〜１５のいずれか一項に記載の履物製品。
【請求項１７】
前記ニット構成要素の第１区域は第１ストランド種類を有し、前記ニット構成要素の第２区域は第２ストランド種類を有しており、
前記第１ストランド種類は、前記第２ストランド種類とは異なることを特徴とする、請求項１０〜１５のいずれか一項に記載の履物製品。
【請求項１８】
アッパーと前記アッパーに固定されているソール構造とを有する履物製品であって、前記アッパーは、
一体ニット構造で形成されており、前記アッパーの外側側部に沿って、前記アッパーの内側側部に沿って、前記アッパーの足先領域の上に、さらに前記アッパーのかかと領域の周りに延びているニット構成要素と、
前記ニット構成要素に接着されて、前記アッパーの外面の大部分を形成しており、熱可塑性ポリマー材料から形成されているポリマー層とを備えている履物製品。
【請求項１９】
前記ニット構成要素および前記ポリマー層は複数の開口を画成し、締めひもが前記開口を通って延びていることを特徴とする、請求項１８に記載の履物製品。
【請求項２０】
前記ポリマー層は、熱可塑性ポリマー材料から形成されている不織布地であることを特徴とする、請求項１８または１９に記載の履物製品。
【請求項２１】
前記ニット構成要素の第１区域は第１ニット種類を有し、前記ニット構成要素の第２区域は第２ニット種類を有しており、
前記第１ニット種類は、前記第２ニット種類とは異なることを特徴とする、請求項１８〜２０のいずれか一項に記載の履物製品。
【請求項２２】
前記ニット構成要素の第１区域は第１ストランド種類を有し、前記ニット構成要素の第２区域は第２ストランド種類を有しており、
前記第１ストランド種類は、前記第２ストランド種類とは異なることを特徴とする、請求項１８〜２０のいずれか一項に記載の履物製品。
【請求項２３】
履物製品を製造する方法であって、前記方法は、
横編みプロセスを利用して、第１面と反対側の第２面とを有するニット構成要素を形成するステップと、
前記ニット構成要素の前記第１面にポリマー層を接着するステップと、
前記ニット構成要素および前記ポリマー層を前記履物製品のアッパーに組み込むステップであって、前記ポリマー層は前記アッパーの外面の大部分を形成している、前記組み込むステップとを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月28日(2014.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の非平行支持脚を含む下部フレームを備え、
各支持脚は、上部、下部前方部、下部後端を含み、
各支持脚は、前記上部の間の距離及び前記下部前方部の間の距離の各距離が、前記下部後端の間の距離よりも小さくなるように、垂直方向及び前後方向に対して傾いている調節可能な座席。
【請求項２】
さらに、一対の支持アームを含む上部フレームと、
上部ロッド及び下部ロッドを含む連結システムとを備え、
上部ロッド及び下部ロッドは前記一対の支持アームと前記一対の支持脚のそれぞれに回動可能に連結されている請求項１に記載の調節可能な座席。
【請求項３】
前記回動可能な連結により、前記上部フレームが前記下部フレームに対して、広い位置範囲内で垂直方向に調節される請求項２に記載の調節可能な座席。
【請求項４】
前記下部後端の間の距離が、前記調節可能な座席に十分な支持を与えるように構成されている請求項１〜３のいずれか一項に記載の調節可能な座席。
【請求項５】
床変形による影響を制限するように、前記下部前方部の間の距離が前記下部後端の間の距離よりも小さい請求項１〜４のいずれか一項に記載の調節可能な座席。
【請求項６】
さらに、前記上部フレームに連結されたリニアアクチュエータと、前記下部フレームに連結された軌道部とを備え、
前記リニアアクチュエータは、前記軌道部に沿って移動して、前記上部フレームを前記下部フレームに対して広い位置範囲内で垂直方向に調節するよう構成されている請求項３〜５のいずれか一項に記載の調節可能な座席。
【請求項７】
さらに第１端及び第２端を備えるリニアアクチュエータを備え、前記第１端は前記下部フレーム上の連結箇所に連結され、前記第２端は前記連結システム上の連結箇所に連結される請求項２〜５のいずれか一項に記載の調節可能な座席。
【請求項８】
前記連結システム上の前記連結箇所は、前記上部ロッド又は下部ロッド上に位置づけられたクロスバーを含む請求項７に記載の調節可能な座席。
【請求項９】
前記リニアアクチュエータが前記軌道部の上端部に最も近く位置づけられているとともに前記上部ロッド及び前記下部ロッドが前方向において上向きの角度を付けられているときに前記上部フレームは高位置にあり、前記リニアアクチュエータが前記軌道部の下端部に最も近く位置づけられているとともに前記上部ロッド及び前記下部ロッドが前方向において下向きの角度を付けられているときに前記上部フレームは低位置にある請求項６に記載の調節可能な座席。
【請求項１０】
前記支持脚は前方クロスバー及び後方クロスバーに摺動可能に連結されている請求項１〜９のいずれか一項に記載の調節可能な座席。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2014509989.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2014509989.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2014509989.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月22日(2014.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
触媒化微粒子フィルターを製造する方法であって、
ａ）煤の燃焼除去において活性な第一の触媒と、窒素酸化物の選択接触還元において活性な第二の触媒とを組み合わせて含む、単一のウォッシュコート懸濁物から得られる単一の触媒ウォッシュコートを提供する工程；
ｂ）微粒子フィルター本体を、該フィルター本体の分散側及び透過側に、かつ、該フィルター本体の隔壁内に該触媒ウォッシュコートで被覆する工程；及び
ｃ）該被覆されたフィルター本体を乾燥及び熱処理して、触媒化微粒子フィルターを得る工程であって、その際、前記ウォッシュコートの懸濁物中の該第一又は第二の触媒が、フィルター壁の平均細孔径に等しいか又はそれより大きく、前記第二の触媒が、少なくとも一種の、ゼオライト、シリカリン酸アルミニウム、イオン交換ゼオライト、鉄及び／又は銅で促進されたシリカリン酸アルミニウム、一種又は多種の卑金属酸化物、及び酸化チタン支持体、アルミナ支持体、酸化ジルコニウム支持体又はシリカ支持体上の酸化セリウムタングステンのうちの少なくとも一つの触媒支持体を含み、そして、前記第一の触媒が、一種又は多種の希土類金属酸化物を含み、その際、前記ウォッシュコート懸濁物中の触媒のうちの一つの粒度が、前記フィルター壁の平均細孔径に等しいか又はそれより大きい、上記の方法。
【請求項２】
前記第二の触媒が、鉄及び／又は銅の促進剤をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第二の触媒が、アルミナ上に担持された、酸化タングステン及び酸化セリウムを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記フィルター本体が、流路を境界付けしかつ画定する、長手方向に延在する壁によって形成される、長手方向に延在する複数の経路を有するウォールフローモノリスの形態の形にされ、その際、経路の分散側は開放インレット端及び栓で塞がれる（ｐｌｕｇｇｅｄ  ｗｉｔｈ  ｐｌｕｇｓ）アウトレット端を有し、そしてその際、経路の透過側は、栓で塞がれるインレット端及び開放アウトレット端を有する、請求項１〜３のいずれか一つに記載の方法。
【請求項５】
前記ウォールフローモノリスのフィルター本体が、該分散側のアウトレット端及び該透過側のインレット端が栓で塞がれる前にウォッシュコートされる、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
触媒化微粒子フィルターであって、該フィルターの分散側及びその透過側が、かつ、該フィルターの隔壁内が単一のウォッシュコートで被覆され、該単一のウォッシュコートが、煤の燃焼除去において活性な第一の触媒と、窒素酸化物の選択接触還元において活性な第二の触媒とを一緒に含む単一のウォッシュコート懸濁物から得られ、その際、該ウォッシュコート懸濁物中の触媒のうちの一つが、該フィルター壁の平均細孔径に等しいか又はそれより大きい粒度を有する、上記の触媒化微粒子フィルター。
【請求項７】
前記フィルターが、流路を境界付けしかつ画定する、長手方向に延在する壁によって形成される、長手方向に延在する複数の経路を有するウォールフローモノリスの形態であり、その際、経路の分散側は開放インレット端及び栓で塞がれる（ｐｌｕｇｇｅｄ  ｗｉｔｈ  ｐｌｕｇｓ）アウトレット端を有し、そしてその際、経路の透過側は、栓で塞がれるインレット端及び開放アウトレット端を有する、請求項６に記載の触媒化微粒子フィルター。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年8月4日(2014.8.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
図１ａは、ベース１２と加熱ブロック１４とが互いに結合される従来技術に係る静電クランプ１０の構成を示す。静電クランプ１０は加熱ブロック１４により支持される基板を抵抗加熱するのに用いられ得る加熱器（図示せず）を含む。静電クランプ１０は基板に対し１以上の処理を行う低圧力チャンバなどの処理チャンバ内の基板ホルダとして動作してもよい。そのような低圧力チャンバの例としては、例えば基板の処理の前に１０−７トル以下の圧力へ減圧を行い、１０−７〜１００トルの範囲の環境ガス圧において動作し得るプラズマおよびイオンビームツールが挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月10日(2014.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
参照ピクチャを格納するための参照ピクチャバッファと、
前記参照ピクチャ及び前記参照ピクチャの動きベクトルを利用して、予測ブロックを生成するための動き補償部と、
を含み、
前記参照ピクチャの前記動きベクトルは、所定のレンジでクリップされることを特徴とする映像復号化装置。
【請求項２】
前記参照ピクチャの前記動きベクトルは、大きさ調整され、前記レンジでクリップされることを特徴とする請求項１に記載の映像復号化装置。
【請求項３】
前記動きベクトルは、所定の固定値レンジでクリップされることを特徴とする請求項１に記載の映像復号化装置。
【請求項４】
前記参照ピクチャの前記動きベクトルは、所定のブロック単位に格納され、
前記動き補償部は、前記所定のブロック単位に格納された前記参照ピクチャの前記動きベクトルを利用して、前記予想ブロックを生成することを特徴とする請求項１に記載の映像復号化装置。
【請求項５】
前記動きベクトルのＸ成分およびＹ成分は、前記固定値レンジでクリップされることを特徴とする請求項３に記載の映像復号化装置。
【請求項６】
前記動きベクトルは、インター予測モードで復号化されたブロックの動きベクトルであることを特徴とする請求項１に記載の映像復号化装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月20日(2014.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シーンからのゲーテッド光及びアンゲーテッド光を同じ画像フレーム期間中に取り込むように感光面を制御するためのシステムであって、前記画像フレーム期間は画像フレームを取り込むための時間であり、
画像センサーの感光面と、
前記感光面の第１の画像取り込み領域と、
前記同じ感光面の第２の画像取り込み領域と、
前記フレーム期間内のゲーテッド期間中の前記第１の画像取り込み領域によるゲーテッド光の画像データとしての取り込みを制御するための制御回路と
を備え、
前記第２の画像取り込み領域は、前記ゲーテッド期間中、画像データが取り込まれないオフ状態であり、
前記制御回路は、前記同じフレーム期間内のアンゲーテッド期間中の前記第２の画像取り込み領域によるアンゲーテッド光の画像データとしての取り込みを制御し、
前記第１の画像取り込み領域は、前記アンゲーテッド期間中、画像データが取り込まれないオフ状態である、システム。
【請求項２】
前記ゲーテッド期間とアンゲーテッド期間は、前記同じフレーム期間中にインターリーブされる、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記ゲーテッド期間は１つ又は複数の短い取り込み期間を含み、各々の短い取り込み期間は１００ナノ秒未満の光パルスのパルス幅程度持続し、
前記制御回路は、前記第１の画像取り込み領域を、画像データが各々の短い取り込み期間中に取り込まれるオン状態と画像データが取り込まれない前記オフ状態との間でゲーティングすることによって、前記第１の画像取り込み領域による取り込みを制御し、
前記アンゲーテッド期間は１つ又は複数の長い取り込み期間を含み、各々の長い取り込み期間は、前記ゲーテッド期間中に取り込まれた前記画像データの正規化のためにシーンからより多くの反射された光を取り込むため、各々の短い取り込み期間より長く、各々の長い取り込み期間は１００ナノ秒未満持続し、
前記制御回路は、前記第２の画像取り込み領域を、各々の長い取り込み期間の前記オン状態と前記オフ状態との間でゲーティングすることによって、前記第２の画像取り込み領域による取り込みを制御することをさらに含む、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記第１の画像取り込み領域はピクセルの交互のラインの領域を備え、前記第２の画像取り込み領域はピクセルの異なる交互のラインの領域を備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記感光面は、
電荷結合素子（ＣＣＤ）、又は、
相補型金属酸化物シリコン（ＣＭＯＳ）装置
から構成されるグループの１つである、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
シーンからのインターリーブされたゲーテッド光及びアンゲーテッド光を同じビデオ画像フレーム期間中に同じ感光面上に取り込むための方法であって、
画像センサーの感光面の第１の画像取り込み領域によってフレーム期間内のゲーテッド期間中にゲーテッド光を画像データとして取り込むステップと、
前記同じ感光面の第２の画像取り込み領域によって前記同じフレーム期間内のアンゲーテッド期間中にアンゲーテッド光を画像データとして取り込むステップと、
前記第２の画像取り込み領域を、前記ゲーテッド期間中に前記第２の画像取り込み領域によって画像データが取り込まれないオフ状態にするステップと、
前記第１の画像取り込み領域を、前記アンゲーテッド期間中に前記第１の画像取り込み領域によって画像データが取り込まれないオフ状態にするステップと、
前記同じ感光面上での、ゲーテッド光を取り込む前記ステップとアンゲーテッド光を取り込む前記ステップが、２マイクロ秒未満内に交互にするステップと
を含む、方法。
【請求項７】
前記ゲーテッド期間が１つ又は複数の短い取り込み期間を含み、各々の短い取り込み期間は持続時間が５０ナノ秒未満であり、
第１の画像取り込み領域によって前記フレーム期間内のゲーテッド期間中に画像データとしてゲーテッド光を取り込む前記ステップが、前記第１の画像取り込み領域を、画像データが取り込まれる各々の短い取り込み期間中のオン状態と画像データが取り込まれない前記オフ状態との間でゲーティングするステップを備え、
前記アンゲーテッド期間が、１つ又は複数の長い取り込み期間を含み、各々の長い取り込み期間は、各々の短い取り込み期間より長く、持続時間が１００ナノ秒未満であり、
第２の画像取り込み領域によって前記同じフレーム期間内のアンゲーテッド期間中に画像データとしてアンゲーテッド光を取り込む前記ステップが、前記第２の画像取り込み領域を、各々の長い取り込み期間中の前記オン状態と前記オフ状態との間でゲーティングするステップを備えること
をさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
第１の画像取り込み領域によって前記フレーム期間内のゲーテッド期間中に画像データとしてゲーテッド光を取り込むステップは、前記フレームの各々のゲーテッド期間中の前記１つ又は複数の短い取り込み期間中に、前記第１の画像取り込み領域に関係付けられた画像記憶媒体内に画像データを格納するステップをさらに含み、
前記第２の画像取り込み領域によって前記フレーム期間内の前記アンゲーテッド期間中に画像データとしてアンゲーテッド光を取り込むステップは、前記フレームの各々のアンゲーテッド期間中の前記１つ又は複数の長い取り込み期間中に、前記第２の画像取り込み領域に関係付けられた画像記憶媒体内に画像データを格納するステップをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
三次元（３Ｄ）飛行時間カメラシステムにおける、同じビデオ画像フレーム期間中にシーンからのゲーテッド光及びアンゲーテッド光を取り込むように感光面を制御するためのシステムであって、前記ビデオ画像フレーム期間は画像データのフレームを取り込むための時間であり、
前記フレーム期間内のゲーテッド期間中に画像データとしてゲーテッド光を取り込むための、フォトピクセルのラインの第１の組及び画像データ記憶媒体を備える第１の画像取り込み領域、並びに、前記同じフレーム期間内のアンゲーテッド期間中に画像データとしてアンゲーテッド光を取り込むための、フォトピクセルのラインの第２の組及び画像データ記憶媒体を備える第２の画像取り込み領域を備える同じ感光面と、
前記画像取り込み領域に電気的に接続された制御回路であって、前記ゲーテッド期間中、前記フォトピクセルのラインの第１の組によって感知された画像データの前記第１の取り込み領域のそれぞれの画像データ記憶媒体への格納を生じさせ、前記第２の画像取り込み領域を、前記ゲーテッド期間全体の間、前記フォトピクセルのラインの第２の組に関して画像データが前記それぞれの画像データ記憶媒体内に格納されないオフ状態にし、前記アンゲーテッド期間中、前記フォトピクセルのラインの第２の組によって感知された画像データの前記第２の取り込み領域のそれぞれの画像データ記憶媒体への格納を生じさせ、前記第１の画像取り込み領域を、前記アンゲーテッド期間全体の間、前記フォトピクセルのラインの第１の組に関して画像データが前記それぞれの画像データ記憶媒体内に格納されないオフ状態にする、制御回路と
を備える、システム。
【請求項１０】
前記ゲーテッド期間とアンゲーテッド期間は、前記同じフレーム期間中にインターリーブされる、請求項９に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月3日(2014.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに隣接して配置された複数の発光素子であって、前記複数の発光素子のそれぞれが、主面である前面及び後面、並びに端面を持つ板状の導光部を有する複数の発光素子と、
前記複数の発光素子に対して、生成される光が、前記板状の導光部に入り、前記前面と平行な伝播方向に略伝播するような位置に、配置された１つ以上の光源と、
を有する発光システムであって、
各板状の導光部の少なくとも一部は、前記前面及び後面の少なくとも一方、並びに前記端面の少なくとも１つを通る、制御された光出射を提供するように配置された、３次元表面構造を有し、
前記制御された光出射は、光出射特性が制御された、発光システム。
【請求項２】
前記発光素子はストリップ型であり並べて配置された、請求項１に記載の発光システム。
【請求項３】
前記発光素子のそれぞれについて、少なくとも隣接する発光素子の端面に隣接して配置された端面を通して制御された光出射が提供され、前記発光素子の端部におけるコントラストを低減させる、請求項１又は２に記載の発光システム。
【請求項４】
前記３次元表面構造は１つ以上の突起部を有する、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発光システム。
【請求項５】
前記３次元表面構造は凹部を有する、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光システム。
【請求項６】
前記発光システムは、前記発光システムが使用される部屋内に雰囲気を生成するように構成された、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発光システム。
【請求項７】
前記１つ以上の光源のそれぞれは、前記板状の導光部の端面の１つに配置され、当該端面を通って前記板状の導光部に入る光を生成する、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発光システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月12日(2014.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
最初のステップＳ１では、制御ユニット１２０は、保護デバイス１００の出力部１０３および１０４において低い電圧Ｕｓを提供する。  
この低い電圧Ｕｓのレベルは、ＤＣ電圧についての安全値を超えず、入力電圧Ｕｉとは無関係である。  
この低い電圧Ｕｓは、例えば数ボルトから数十ボルトまででもよい。  
低い電圧Ｕｓが、いわゆる保護電圧の範囲内にあることが重要である。  
ＤＣ電圧について約１２０ボルトまでにおよぶこの範囲の電圧は、接触の際に生命への危険性がないと想定されている。  
図５の例を参照すると、いくつかの直列接続の保護デバイス１００の場合には、個々の保護デバイス１００の低い電圧Ｕｓの合計が保護電圧の範囲に入っている必要があることが考慮されなければならないことに、あらかじめ言及しておく。  
この低い電圧Ｕｓは、ＤＣライン３と、インバータ４とに出力電圧Ｕｏとして供給される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
ダイオード１１１は、スイッチングデバイス１１０のスイッチング経路と並列に配置されている。  
ダイオード１１１は、出力部１０３、１０４に電圧がかかっている間にＰＶ発生器１が陰になった場合に、インバータのＤＣ入力回路におけるキャパシタ等に起因して生じ得る極めて高い阻止電圧に対して、半導体スイッチによって実現されているスイッチングデバイス１１０を保護する。  
用いられる半導体スイッチ１１０の種類によっては、このダイオードは、半導体の内部構造により半導体スイッチに既に組み込まれている。  
この場合、このダイオードは、固有ダイオード（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ  ｄｉｏｄｅ）とも呼ばれる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
図３における実施形態では、低い電圧Ｕｓは、ＤＣ−ＤＣコンバータ１４０によって入力電圧Ｕｉから生成される。  
この低い電圧Ｕｓは、負極によって基準電位ＧＮＤに接続されており、また正極によって直列抵抗器１４１およびダイオード１４２を介して出力部１０４に接続されている。  
ダイオード１４２は、スイッチングデバイス１１０がスイッチオンされる場合など、低い電圧Ｕｓを超える電圧が出力部１０４に印加される場合に、ＤＣ−ＤＣコンバータ１４０への逆電流を防ぐ。  
直列抵抗器１４１は、低い電圧Ｕｓによって生じる電流を制限するために用いられる。  
当然ながら、この直列抵抗器１４１は、低い所定レベルの電圧Ｕｓに対してしきい値Ｉｓより大きい電流が得られないように、大きいものが選ばれてはならない。  
直列抵抗器１４１は、複数の相互接続された、特に並列接続された保護デバイスとの組み合わせにおいて、また、図７に関して説明されるように、アーク消滅との組み合わせにおいて特別な重要性を有する。  
ＤＣ−ＤＣコンバータ１４０は、直列抵抗器１４１の代わりに、またはそれに加えて、能動的に制御された電流制限（ｃｕｒｒｅｎｔ−ｌｉｍｉｔｉｎｇ）となるように設計されてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月7日(2014.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステビア抽出物であって、該ステビア抽出物の１０重量％〜約９０重量％の範囲の濃度でレバウディオサイドＢを含む、ステビア抽出物。
【請求項２】
レバウディオサイドＢの濃度が、前記ステビア抽出物の約２０重量％〜約６０重量％の範囲である、請求項１に記載のステビア抽出物。
【請求項３】
レバウディオサイドＢの濃度が、前記ステビア抽出物の約１５重量％〜約３０重量％の範囲である、請求項１に記載のステビア抽出物。
【請求項４】
レバウディオサイドＢの濃度が、前記ステビア抽出物の約２０重量％〜約２５重量％の範囲である、請求項１に記載のステビア抽出物。
【請求項５】
更に、前記ステビア抽出物の約２０重量％〜約９０重量％の範囲の濃度でレバウディオサイドＡを含む、請求項１〜４のいずれかに記載のステビア抽出物。
【請求項６】
レバウディオサイドＡの濃度が、前記ステビア抽出物の約４０重量％〜約８０重量％の範囲である、請求項５に記載のステビア抽出物。
【請求項７】
甘味ステビオール配糖体化合物を含む甘味組成物であって、該甘味ステビオール配糖体化合物が、該甘味組成物中の甘味ステビオール配糖体化合物の総量の１０重量％〜約９０重量％の範囲の濃度でレバウディオサイドＢを含む、甘味組成物。
【請求項８】
前記レバウディオサイドＢの濃度が、前記甘味組成物中の甘味ステビオール配糖体化合物の総量の約２０重量％〜約６０重量％の範囲である、請求項７に記載の甘味組成物。
【請求項９】
前記レバウディオサイドＢの濃度が、前記甘味組成物中の甘味ステビオール配糖体化合物の総量の少なくとも約１５重量％かつ約３０重量％以下である、請求項７に記載の甘味組成物。
【請求項１０】
前記レバウディオサイドＢの濃度が、前記甘味組成物中の甘味ステビオール配糖体化合物の総量の少なくとも約２０重量％かつ約２５重量％以下である、請求項７に記載の甘味組成物。
【請求項１１】
更に、前記甘味組成物中の甘味ステビオール配糖体化合物の総量の約２０重量％〜約９０重量％の範囲の濃度でレバウディオサイドＡを含む、請求項７〜１０のいずれかに記載の甘味組成物。
【請求項１２】
レバウディオサイドＡの濃度が、前記甘味組成物中の甘味ステビオール配糖体化合物の総量の約４０重量％〜約８０重量％の範囲である、請求項１１に記載の甘味組成物。
【請求項１３】
請求項７〜１２のいずれかに記載の甘味組成物を含む消耗品。
【請求項１４】
前記甘味ステビオール配糖体の総濃度がその甘味閾値未満である、請求項１３に記載の消耗品。
【請求項１５】
前記甘味ステビオール配糖体の総濃度が約５０ｐｐｍ〜約２０００ｐｐｍの範囲であり、前記レバウディオサイドＢの総濃度が少なくとも約２０ｐｐｍである、請求項１３に記載の消耗品。
【請求項１６】
前記レバウディオサイドＢの総濃度が少なくとも約５０ｐｐｍかつ約５００ｐｐｍ以下である、請求項１５に記載の消耗品。
【請求項１７】
前記レバウディオサイドＢの総濃度が少なくとも約１００ｐｐｍかつ約４００ｐｐｍ以下である、請求項１５に記載の消耗品。
【請求項１８】
前記レバウディオサイドＢの総濃度が少なくとも約２００ｐｐｍかつ約３００ｐｐｍ以下である、請求項１５に記載の消耗品。
【請求項１９】
前記消耗品が、炭酸清涼飲料、粉末清涼飲料、缶やペットボトルの茶飲料、スポーツドリンク、乳飲料、ヨーグルト含有飲料、アルコール飲料、栄養飲料、フレーバーウォーター、ビタミン飲料、果実飲料及び果汁飲料からなる群から選択される飲料と、焼き菓子、スープ、ソース、加工食肉、果実の缶詰、野菜の缶詰、乳製品、冷凍菓子、砂糖菓子、チューインガム、ケーキ、クッキー、バー及び他の菓子パン類、シリアル、シリアルバー、ヨーグルト、エナジーバー、グラノーラバー、ハードキャンディ、ゼリーキャンディ、チョコレートキャンディ及び他の糖菓類からなる群から選択される食料品と、歯磨き粉、洗口液及びオーラルリンスからなる群から選択されるオーラルケア用品と、嗅ぎタバコ及び噛みタバコからなる群から選択されるタバコ製品と、錠剤、舐剤及び懸濁剤からなる群から選択される医薬品と、サプリメント及びビタミンからなる群から選択される栄養補助食品と、からなる群から選択される、請求項１３〜１８のいずれかに記載の消耗品。
【請求項２０】
消耗品を甘くする方法であって、有効量の請求項７〜１２のいずれかに記載の甘味組成物を該消耗品に加えることを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月2日(2014.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直列に連結された複数の発光ダイオードを含む少なくとも１つの発光部と、
前記発光部に直流電源を供給する電源部と、
前記発光部の発光ダイオードのうち、少なくとも１つの発光ダイオードの両端から検出された電圧により基準電位を可変させるオープン状態検出回路と、
前記オープン状態検出回路の基準電位によって前記電源部の出力電流を制御するためのフィードバック制御部と、
を含むことを特徴とする電源供給装置。
【請求項２】
前記オープン状態検出回路は、
前記少なくとも１つの発光ダイオードの両端に連結された電圧検出部と、
直流電圧を出力する基準電圧調整部と、
前記電圧検出部から検出された電圧により前記基準電圧調整部及び前記電圧検出部の出力のうち、少なくとも１つを出力する電圧比較部と、
前記電圧比較部の出力によりオン／オフ動作するスイッチング部と、
前記スイッチング部の動作状態によって前記フィードバック制御部に互いに異なる基準電位を出力する負荷検出部と、
を含むことを特徴とする、請求項１に記載の電源供給装置。
【請求項３】
前記電圧検出部は最後の発光ダイオードの両端に連結され、前記基準電圧調整部は前記発光部の入力端に連結されることを特徴とする、請求項２に記載の電源供給装置。
【請求項４】
前記電圧比較部は、
前記電圧検出部から検出された第１レベルの電圧により第１電圧を出力して前記スイッチング部を駆動させる第１電圧出力部と、
前記電圧検出部から検出された第２レベルの電圧により前記基準電圧調整部から入力された第２電圧を出力して前記スイッチング部を駆動させるスイッチング素子と、
を含むことを特徴とする、請求項２または３に記載の電源供給装置。
【請求項５】
前記第１電圧出力部は前記少なくとも１つの発光ダイオードの回路オープンにより第１電圧を出力し、前記スイッチング素子は前記発光ダイオードのうち、他の発光ダイオードの回路オープンにより第２電圧を出力することを特徴とする、請求項４に記載の電源供給装置。
【請求項６】
前記負荷検出部は、前記スイッチング部のオンまたはオフにより基準電位を異なるように出力する負荷抵抗を含むことを特徴とする、請求項２乃至５のいずれか１項に記載の電源供給装置。
【請求項７】
前記発光部及びオープン状態検出回路は複数個であり、前記負荷検出部は各オープン状態検出回路に配置され、互いに並列に連結された複数の負荷抵抗を含むことを特徴とする、請求項６に記載の電源供給装置。
【請求項８】
前記スイッチング部は、
前記電圧比較部によりオン／オフされる第１スイッチング素子と、
前記第１スイッチング素子の動作と反対に動作して前記負荷検出部の基準電位を変化させる第２スイッチング素子と、
を含むことを特徴とする、請求項７に記載の電源供給装置。
【請求項９】
前記フィードバック制御部は、前記オープン状態検出回路の基準電位が変化されれば前記電源部の出力電流を遮断させることを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電源供給装置。
【請求項１０】
前記フィードバック制御部は、前記オープン状態検出回路の基準電位の変化によって前記電源部の出力電流を遮断、増加、及び減少のうちのいずれか１つにより制御することを特徴とする、請求項７乃至９のいずれか１項に記載の電源供給装置。
【請求項１１】
前記フィードバック制御部は、前記オープン状態検出回路の基準電位と前記発光部の出力端の電位とを比較して出力する比較器を含むことを特徴とする、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の電源供給装置。
【請求項１２】
前記第１電圧出力部は、第２スイッチング素子のコレクタに連結された抵抗、前記抵抗にアノードが連結されたツェナーダイオード、前記ツェナーダイオードのカソードにカソードが連結されたダイオード、前記ダイオードのアノードに抵抗の一端が連結されることを特徴とする、請求項８乃至１１のいずれか１項に記載の電源供給装置。
【請求項１３】
前記電圧比較部の出力端には抵抗及びキャパシタが並列に連結されることを特徴とする、請求項２乃至１２のいずれか１項に記載の電源供給装置。
【請求項１４】
前記スイッチング部は第３及び第４スイッチング素子を含み、前記第３スイッチング素子のゲート端には電圧比較部が連結され、ドレイン端には基準電圧調整部の第１スイッチング素子のベース側に連結され、ソース端は接地端に連結され、前記第４スイッチング素子のゲート端は第３スイッチング素子のドレイン端及び前記第１スイッチング素子のベース端に連結され、ドレイン端は負荷抵抗に連結され、ソース端は接地端に連結されることを特徴とする、請求項２乃至１３のいずれか１項に記載の電源供給装置。
【請求項１５】
前記電圧比較部は第２スイッチング素子のベースに抵抗が連結され、前記抵抗にダイオードのアノードが連結され、前記ダイオードのカソードは電圧検出部の抵抗一端に連結されることを特徴とする、請求項２乃至１４のいずれか１項に記載の電源供給装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年3月26日(2014.3.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
本発明は、（Ａ）下記式（Ｉ）：
【化１】
2014509668.tif 000001
〔式中、ｎは３、４または５である〕
で示される少なくとも１つのオルガノシクロシロキサン；
（Ｂ）式（ＩＩ）：
（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）Ｍ・（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）Ｄ・（Ｒ６ＳｉＯ３／２）Ｔ・（ＳｉＯ４／２）Ｑ    （ＩＩ）
〔式中、Ｒ１〜Ｒ５は、有機基および水素原子から選択される同一または異なる基であり、Ｒ１〜Ｒ５の少なくとも１つはケイ素原子に直接結合した水素原子であり、ケイ素原子に直接結合した平均して少なくとも２つの水素原子が１つのヒドロシリコーン樹脂分子に含まれており、Ｒ６は、Ｒ１〜Ｒ５と同一若しくは異なる有機基であり、有機基Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立して、それぞれ１〜２０個の炭素原子を有する直鎖若しくは分枝アルキル基またはアルケニル基、あるいはそのようなアルキル基若しくはアルケニル基のハロゲン化物、またはそれぞれ５〜２５個の炭素原子を有するシクロアルキル基若しくはシクロアルケニル基、あるいはそのようなシクロアルキル基若しくはシクロアルケニル基のハロゲン化物であり；
Ｍ、ＴおよびＱは、それぞれ、０から１未満の範囲の数であり、０＜Ｄ＜１、Ｍ＋Ｄ＋Ｔ＋Ｑ＝１、およびＴ＋Ｑ＞０である〕で示される少なくとも１つのヒドロシリコーン樹脂；および
（Ｃ）少なくとも１つの触媒量の硬化触媒
を含むシロキサン樹脂組成物に関する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
本発明によれば、シリコーン樹脂は、メチルビニルシクロシロキサンをヒドロシリコーン樹脂と均一に混合し、その後、触媒の存在下でこの混合物にヒドロシリル化反応を施すことにより得られる。本発明で使用するオルガノシクロシロキサンは、例えばＧｅｌｅｓｔ  ｃｏｍｐａｎｙから商業的に入手可能である。好ましくは、式（Ｉ）中のｎは３または４である。ｎが３または４である式（Ｉ）のメチルビニルシクロシロキサンに基づくシロキサン樹脂は、硬化後の光安定性および熱安定性に関して特に有利である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）下記式（Ｉ）：
【化１】
2014509668.tif 000002
〔式中、ｎは３、４または５である〕
で示される少なくとも１つのオルガノシクロシロキサン；
（Ｂ）式（ＩＩ）：
（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）Ｍ・（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）Ｄ・（Ｒ６ＳｉＯ３／２）Ｔ・（ＳｉＯ４／２）Ｑ    （ＩＩ）
〔式中、Ｒ１〜Ｒ５は、有機基および水素原子から選択される同一または異なる基であり、Ｒ１〜Ｒ５の少なくとも１つはケイ素原子に直接結合した水素原子であり、ケイ素原子に直接結合した平均して少なくとも２つの水素原子が１つのヒドロシリコーン樹脂分子に含まれており、Ｒ６は、Ｒ１〜Ｒ５と同一若しくは異なる有機基であり、有機基Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立して、それぞれ１〜２０個の炭素原子を有する直鎖若しくは分枝アルキル基またはアルケニル基、あるいはそのようなアルキル基若しくはアルケニル基のハロゲン化物、またはそれぞれ５〜２５個の炭素原子を有するシクロアルキル基若しくはシクロアルケニル基、あるいはそのようなシクロアルキル基若しくはシクロアルケニル基のハロゲン化物であり；
Ｍ、ＴおよびＱは、それぞれ、０から１未満の範囲の数であり、０＜Ｄ＜１、Ｍ＋Ｄ＋Ｔ＋Ｑ＝１、およびＴ＋Ｑ＞０である〕で示される少なくとも１つのヒドロシリコーン樹脂；および
（Ｃ）少なくとも１つの触媒量の硬化触媒
を含むシロキサン樹脂組成物。
【請求項２】
Ｓｉ−Ｈ／Ｓｉ−ビニルのモル比が０．５〜２．５、好ましくは１．０〜２．０である、請求項１に記載のシロキサン樹脂組成物。
【請求項３】
ヒドロシリコーン樹脂の重量平均分子量が１０，０００〜３００，０００ｇ／ｍｏｌ、好ましくは１０，０００〜１００，０００ｇ／ｍｏｌである、請求項１に記載のシロキサン樹脂組成物。
【請求項４】
ヒドロシリコーン樹脂の水素含量が０．１〜１．０重量％、好ましくは０．２〜０．６重量％である、請求項１に記載のシロキサン樹脂組成物。
【請求項５】
シリコーン−ビニル成分およびＳｉ−Ｈ成分のヒドロシリル化において用いられる触媒が、塩化白金酸、アリルシロキサン−白金複合触媒、担持白金触媒、メチルビニルシロキサン−白金複合触媒、ジカルボニルジクロロプラチナと２，４，６−トリエチル−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサンの反応生成物から選択される１種以上の触媒である、請求項１に記載のシロキサン樹脂組成物。
【請求項６】
白金含量がシロキサン樹脂組成物の総重量に基づいて１〜５００ｐｐｍ、より好ましくは２〜１００ｐｐｍである、請求項１に記載のシロキサン樹脂組成物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載のシロキサン樹脂組成物を加熱することにより得られる硬化シリコーン樹脂。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれかに記載のシロキサン樹脂組成物の半導体封入材料および／または電子素子パッケージング材料としての使用。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月12日(2014.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シクロトリホスファゼン、トリアジン、ベンゼン、ジフェニルエーテル、ポリフェニルエーテル、環状炭化水素またはそれらの誘導体から選択される中核と、
前記中核から延在する１〜６のアームとを含み、
前記アームは、下記分子式１を有しまたは分子式１の誘導体であり、
−（ＣｍＦ２ｍＯ）ｓ（ＣｎＦ２ｎＯ）ｔ− 分子式１
式中、ｍは２以上の整数、ｎは１以上の整数、ｓは１〜１０００の整数、ｔは０〜１０００の整数である、組成物。
【請求項２】
基板と、
前記基板に設けられ、情報を記録するための磁性層と、
前記磁性層を保護するための保護膜と、
請求項１に記載の潤滑性組成物とを含む、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月31日(2013.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス材料を金型の中に連続的に導入することであって、前記マトリクス材料が、複数の活性粒子および複数の結合粒子を含む導入と、
前記マトリクス材料を複数の接触点で結合し、それによって長尺多孔質体を形成するように、前記マトリクス材料の少なくとも一部を加熱することであって、前記加熱は前記マトリクス材料の前記少なくとも一部に電磁放射線を照射することを含む加熱と、
長尺多孔質体を放射状に切断し、それによって多孔質体がもたらされることと、
を含む方法
【請求項２】
前記マトリクス材料は、約５ｗｔ％以下の含水量を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記多孔質体は約８００ｍ／分以下の線速度にて生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
約１０秒以下の滞留時間内に電磁放射線を照射することが起こる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
連続的に結合することは、前記マトリクス材料を前記紙ラッパー内へ供給する高密度の空気相（ｐｎｅｕｍａｔｉｃ  ｄｅｎｓｅ  ｐｈａｓｅ  ｆｅｅｄｉｎｇ）を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
加熱することは、前記金型内の前記マトリクス材料の前記少なくとも一部を軟化する以上の温度への加熱である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記結合粒子は、超高分子量ポリエチレン（ｕｌｔｒａｈｉｇｈ  ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  ｗｅｉｇｈｔ  ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ）、超高分子量ポリエチレン（ｖｅｒｙ  ｈｉｇｈ  ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  ｗｅｉｇｈｔ  ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ）、高分子量ポリエチレン、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリアミド、ナイロン、ポリアクリル酸、ポリスチレン、ポリビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエーテルエーテルケトン、非繊維質可塑化セルロース、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブチレン、ポリメチルペンテン、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、テレフタル酸ポリエチレン、テレフタル酸ポリブチレン、テレフタル酸ポリシクロヘキシレンジメチレン、テレフタル酸ポリトリメチレン、メタクリル酸ポリメチル、ポリスチレン、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン、スチレン−アクリロニトリル、スチレン−ブタジエン、スチレン無水マレイン酸、エチレン酢酸ビニル、エチレンビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、酢酸セルロース、酢酸酪酸セルロース、可塑化セルロース誘導体、プロピオン酸セルロース、エチルセルロース、そのあらゆる派生物、そのあらゆる共重合体、およびそのあらゆる組合せからなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記活性粒子は、活性炭素、イオン交換樹脂、デシカント、ケイ酸塩、分子篩、シリカゲル、活性アルミナ、ゼオライト、パーライト、セピオライト、酸性白土、ケイ酸マグネシウム、金属酸化物、酸化鉄、およびそのあらゆる組合せからなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記活性粒子は、ナノスケール炭素粒子、少なくとも１つの壁を有するカーボンナノチューブ、カーボンナノホーン、竹状カーボンナノ構造体、フラーレン、フラーレン凝集体、グラフェン、数層グラフェン、酸化グラフェン、酸化鉄ナノ粒子、ナノ粒子、金属ナノ粒子、金ナノ粒子、銀ナノ粒子、金属酸化物ナノ粒子、アルミナナノ粒子、磁性ナノ粒子、常磁性ナノ粒子、超常磁性ナノ粒子、酸化ガドリニウムナノ粒子、ヘマタイトナノ粒子、マグネタイトナノ粒子、ガドナノチューブ、エンドフラーレン、Ｇｄ＠Ｃ６０、コアシェルナノ粒子、玉ねぎ状ナノ粒子、ナノシェル、玉ねぎ状酸化鉄ナノ粒子、およびそのあらゆる組合せからなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記マトリクス材料は、前記結合粒子に対する前記活性粒子の割合が、約１ｗｔ％の活性粒子および約９９ｗｔ％の結合粒子から約９９ｗｔ％の活性粒子および約１ｗｔ％の結合粒子であることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記多孔質体は、約４０％〜約９０％の空隙容量を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記多孔質体は、少なくとも約１ｍｇ／ｍｍの活性粒子が添加され、および多孔質体のｍｍ長さ当たり約２０ｍｍＨ２Ｏ未満のカプセル化された圧力低下を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記多孔質体は、少なくとも約６ｍｇ／ｍｍの炭素が添加され、およびｍｍ長さ当たり約２０ｍｍＨ２Ｏ以下のカプセル化された圧力低下を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記活性粒子は、活性炭素を含み、前記結合粒子がポリエチレンを含み、前記マトリクス材料が、約５０：５０から約９０：１０の重量比の前記活性粒子および前記結合粒子を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
所望の断面形状を形成するために、マトリクス材料および紙ラッパーを連続的に結合することであって、前記マトリクス材料は、前記紙ラッパーにより制限され、前記マトリクス材料は結合粒子および活性粒子を含む混合と、
前記マトリクス材料を複数の接触点で結合し、それによって長尺多孔質体を形成するように、前記マトリクス材料の少なくとも一部を加熱することであって、前記加熱は前記マトリクス材料の前記少なくとも一部に電磁放射線を照射することを含む加熱と、
前記長尺多孔質体を冷却することと、
前記長尺多孔質体を放射状に切断し、それによって、多孔質体を生成することと
を含む、方法。
【請求項１６】
前記紙ラッパーは、前記多孔質体から除去可能である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記多孔質体は、約８００ｍ／分以下の線速度にて生成される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
約１０秒以下の滞留時間内に電磁放射線を照射することが起こる、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
連続的に結合することは、前記紙ラッパー内へ前記マトリクス材料を供給する高密度の空気相（ｐｎｅｕｍａｔｉｃ  ｄｅｎｓｅ  ｐｈａｓｅ  ｆｅｅｄｉｎｇ）を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
加熱することは、前記マトリクス材料の少なくとも一部を軟化する以上の温度である、請求項１５に記載の方法。
【請求項２１】
前記活性粒子は、活性炭素を含み、前記結合粒子がポリエチレンを含み、前記マトリクス材料が、約５０：５０から約９０：１０の重量比の前記活性粒子および前記結合粒子を備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項２２】
所望の断面形状を形成するために、マトリクス材料および紙ラッパーを連続的に結合することであって、前記マトリクス材料は、前記紙ラッパーにより制限され、前記マトリクス材料は結合粒子および活性粒子を含み、前記活性粒子は炭素粒子を含む混合と、
前記マトリクス材料を複数の接触点で結合し、それによって長尺多孔質体を形成するように、前記マトリクス材料の少なくとも一部を加熱することであって、前記加熱が、前記マトリクス材料の前記少なくとも一部に電磁放射線を照射することを含み、前記電磁放射線を照射することは、約１０秒以下の滞留時間内に起こり、前記長尺多孔質体は、約８００ｍ／分以下の線速度にて生成される加熱と、
を含む方法。