【手続補正書】
【提出日】平成24年8月3日(2012.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の電子放出面及び第二の電子放出面を備え、
前記各電子放出面は正負が交互に入れ替わる電圧を供給する電源に電気的に接続され、
前記各電子放出面は、ガスを含む空間によって隔てられ、
前記第二の電子放出面に供給される電圧は、前記第一の電子放出面に供給される電圧と位相がずれており、
電流が前記電子放出面の間に流れ、
プラズマが前記電子放出面の間に作られ、
前記プラズマは、ホール電流が実質的に存在しない状態でプラズマの長さにわたって略均一に作られる、プラズマ源。
【請求項２】
前記各電子放出面は、互いに少なくとも約１ミリメートルから少なくとも約０．５メートル離れている、請求項１に記載のプラズマ源。
【請求項３】
前記プラズマ源によって作られる前記プラズマは、長さが少なくとも約一メートルである、請求項１に記載のプラズマ源。
【請求項４】
前記各電子放出面は、少なくとも約６００℃から少なくとも約２０００℃である、請求項１に記載のプラズマ源。
【請求項５】
前記各電子放出面は、少なくとも約８００℃から少なくとも約１２００℃である、請求項４に記載のプラズマ源。
【請求項６】
前記電流は前記各電子放出面に配置されたオリフィス又は限られた開口を通って流れる、請求項１に記載のプラズマ源。
【請求項７】
前記ガスを含む空間は、前駆体ガス、反応ガス又はそれらの組み合わせを含む、請求項１に記載のプラズマ源。
【請求項８】
前記前駆体ガスは、金属、遷移金属、ホウ素、炭素、シリコンゲルマニウム、セレン、又はそれらの組み合わせを備える、請求項７に記載のプラズマ源。
【請求項９】
前記反応ガスは、酸素、窒素、ハロゲン、水素又はそれらの組み合わせを備える、請求項７に記載のプラズマ源。
【請求項１０】
前記プラズマ源は、少なくとも約０．２μｍ／秒の堆積率で被膜を生成することができる、請求項１に記載のプラズマ源。
【請求項１１】
前記プラズマ源は、少なくとも約０．３μｍ／秒の堆積率で被膜を生成することができる、請求項１に記載のプラズマ源。
【請求項１２】
前記プラズマ源は、少なくとも約０．５μｍ／秒の堆積率で被膜を生成することができる、請求項１に記載のプラズマ源。
【請求項１３】
請求項１に記載のプラズマ源によって生成される被膜。
【請求項１４】
複数対の電子放出面を備え、各対は第一の電子放出面及び第二の電子放出面を備え、
前記複数対の電子放出面は配列に隣接して配置され、
電子放出面の各対はガスを含む空間によって隔てられ、
電子放出面の各対は、正負が交互に入れ替わる電圧を供給する電源に電気的に接続され、
各対の前記第二の電子放出面に供給される前記電圧は、各対の前記第一の電子放出面に供給される前記電圧と位相がずれており、
電流が各対の前記電子放出面の間に流れ、
二次元のプラズマが各対の前記電子放出面の間に作られた前記プラズマによって形成され、
前記二次元のプラズマは、ホール電流が実質的に存在しない状態で二次元に略均一に作られる、プラズマ源。
【請求項１５】
各対の前記電子放出面は互いに少なくとも約１ミリメートルから少なくとも約０．５メートル離れている、請求項１４に記載のプラズマ源。
【請求項１６】
前記二次元のプラズマによって作られる前記プラズマ源は、長さが少なくとも約一メートルである、請求項１４に記載のプラズマ源。
【請求項１７】
各対の前記電子放出面は少なくとも約６００℃から少なくとも約２０００℃である、請求項１４に記載のプラズマ源。
【請求項１８】
各対の前記電子放出面は少なくとも約８００℃から少なくとも約１２００℃である、請求項１７に記載のプラズマ源。
【請求項１９】
前記電流は、各対の前記各電子放出面に配置されたオリフィス又は限られた開口を通って流れる、請求項１４に記載のプラズマ源。
【請求項２０】
前記ガスを含む空間は、前駆体ガス、反応ガスまたはそれらの組み合わせを含む、請求項１４に記載のプラズマ源。
【請求項２１】
前記前駆体ガスは、金属、遷移金属、ホウ素、炭素、シリコンゲルマニウム、セレン又はそれらの組み合わせを備える、請求項２０に記載のプラズマ源。
【請求項２２】
前記反応ガスは、酸素、窒素、ハロゲン、水素又はそれらの組み合わせを備える、請求項２０に記載のプラズマ源。
【請求項２３】
前記プラズマ源は、少なくとも約０．２μｍ／秒の堆積率で被膜を生成することができる、請求項１４に記載のプラズマ源。
【請求項２４】
前記プラズマ源は、少なくとも約０．３μｍ／秒の堆積率で被膜を生成することができる、請求項１４に記載のプラズマ源。
【請求項２５】
前記プラズマ源は、少なくとも約０．５μｍ／秒の堆積率で被膜を生成することができる、請求項１４に記載のプラズマ源。
【請求項２６】
請求項１４に記載のプラズマ源によって生成される被膜。
【請求項２７】
第一の電子放出面と第二の電子放出面、及び少なくとも二つの磁極を備え、
前記各電子放出面は正負が交互に入れ替わる電圧を供給する電源に電気的に接続され、
前記各電子放出面はガスを含む空間によって隔てられ、
前記第二の電子放出面に供給される前記電圧は、前記第一の電子放出面に供給される前記電圧と位相がずれており、
電流が前記電子放出面の間に流れ、
磁場が前記電子放出面の間に作られたプラズマを曲げる及び／又は高密度化するように位置する、プラズマ源。
【請求項２８】
請求項２７に記載のプラズマ源によって生成される被膜。
【請求項２９】
第一の電子放出面と第二の電子放出面、及び少なくとも一つの電極を備え、
前記電子放出面は正負が交互に入れ替わる電圧を供給する第一の電源に電気的に接続され、
前記少なくとも一つの電極は、前記第一及び第二の電子放出面に供給される前記電圧と異なる電圧を供給する第二の電源に接続され、
前記各電子放出面はガスを含む空間によって隔てられ、
前記第二の電子放出面に供給される前記電圧は、前記第一の電子放出面に供給される前記電圧と位相がずれており、
電流が前記電子放出面の間に流れ、
前記少なくとも一つの電極は、イオンを前記少なくとも一つの電極の表面に向かってあるいは表面から離れるように加速させることができる、プラズマ源。
【請求項３０】
請求項２９に記載のプラズマ源によって生成される被覆。
【請求項３１】
ａ）線状であり、ホール電流が実質的に存在しない状態でその長さにわたって略均一に作られるプラズマを提供することと、
ｂ）前記プラズマに近接して前駆体及び／又は反応ガスを提供することと、
ｃ）被覆されるべき少なくとも一つの表面を有する基板を前記プラズマに近接して提供することと、
ｄ）前記基板の前記少なくとも一つの表面上に前記ガスを堆積させて被膜を形成することと
を備える被膜を形成する方法。
【請求項３２】
前記被膜は少なくとも約０．２μｍ／秒の堆積率で堆積する、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記被膜は少なくとも約０．３μｍ／秒の堆積率で堆積する、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記被膜は少なくとも約０．５μｍ／秒の堆積率で堆積する、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
ａ）二次元であり、ホール電流が実質的に存在しない状態で二次元に略均一に作られるプラズマを提供することと、
ｂ）前記プラズマに近接して前駆体及び／又は反応ガスを提供することと、
ｃ）被覆されるべき少なくとも一つの表面を有する基板を前記プラズマに近接して提供することと、
ｄ）前記基板の前記少なくとも一つの表面上に前記ガスを堆積させて被膜を形成することと
を備える被膜を形成する方法。 
【請求項３６】
前記被膜は少なくとも約０．２μｍ／秒の堆積率で堆積する、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
前記被膜は少なくとも約０．３μｍ／秒の堆積率で堆積する、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
前記被膜は少なくとも約０．５μｍ／秒の堆積率で堆積する、請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
ａ）線状であり、ホール電流が実質的に存在しない状態でその長さにわたって略均一に作られるプラズマを提供することと、
ｂ）前記プラズマに近接した磁場を提供することと
を備え、
前記磁場は前記プラズマを曲げる及び／又は高密度化するように位置する、
プラズマを曲げる及び／又は高密度化する方法。
【請求項４０】
ａ）第一の電子放出面及び第二の電子放出面を提供することと、
ｂ）少なくとも一つの電極を提供することと、
ｃ）処置される少なくとも一つの表面を有する基板を提供することと、
ｄ）前記電子放出面を正負が交互に入れ替わる電圧を供給する第一の電源に接続することと、
ｅ）前記少なくとも一つの電極を前記第一及び第二の電子放出面に供給される前記電圧と異なる電圧を供給する第二の電源に接続することと、
ｆ）イオンが処置される前記基板の前記表面に向かって加速されるように、前記少なくとも一つの電極に電気的にバイアスをかけることと
を備える、
基板表面を処置する方法。
【請求項４１】
前記電子放出面は多孔性物質を含む、請求項１に記載のプラズマ源。
【請求項４２】
前記電子放出面は多孔性物質を含む、請求項１４に記載のプラズマ源。
【請求項４３】
前記電子放出面は多孔性物質を含む、請求項２７に記載のプラズマ源。
【請求項４４】
前記電子放出面は多孔性物質を含む、請求項２９に記載のプラズマ源。
【請求項４５】
前記プラズマは長さが少なくとも０．５メートルである、請求項１に記載のプラズマ源。
【請求項４６】
前記プラズマは線状であり、閉回路電子ドリフトが実質的に存在しない状態でプラズマの長さにわたって略均一である、請求項１に記載のプラズマ源。
【請求項４７】
前記プラズマは長さが少なくとも０．５メートルである、請求項１４に記載のプラズマ源。
【請求項４８】
前記プラズマは、閉回路電子ドリフトが実質的に存在しない状態で二次元に略均一である、請求項１４に記載のプラズマ源。
【請求項４９】
線状である前記プラズマは、長さが少なくとも０．５メートルである、請求項３１に記載の被膜を形成する方法。
【請求項５０】
前記プラズマは、閉回路電子ドリフトが実質的に存在しない状態でプラズマの長さにわたって略均一である、請求項３１に記載の被膜を形成する方法。
【請求項５１】
二次元である前記プラズマは、長さが少なくとも０．５メートルである、請求項３５に記載の被膜を形成する方法。
【請求項５２】
前記プラズマは、閉回路電子ドリフトが実質的に存在しない状態で二次元に略均一である、請求項３５に記載の被膜を形成する方法。
【請求項５３】
線状である前記プラズマは、長さが少なくとも０．５メートルである、請求項３９に記載のプラズマを曲げる及び／又は高密度化する方法。
【請求項５４】
前記プラズマは、閉回路電子ドリフトが実質的に存在しない状態でプラズマの長さにわたって略均一である、請求項３９に記載のプラズマを曲げる及び／又は高密度化する方法。
【請求項５５】
二次電場を生成する二次電極をさらに備え、前記二次電場は電流が通過する前記ガスを含む空間内に投影される、請求項１に記載のプラズマ源。
【請求項５６】
前記二次電場は、電流が通過する前記ガスを含む空間で電子運動及びイオン移動を促進する、請求項５５に記載のプラズマ源。
【請求項５７】
二次電場を生成する二次電極をさらに備え、前記二次電場は電流が通過する前記ガスを含む空間内に投影される、請求項１４に記載のプラズマ源。
【請求項５８】
前記二次電場は、電流が通過する前記ガスを含む空間で電子運動及びイオン移動を促進する、請求項５７に記載のプラズマ源。
【請求項５９】
二次電場を生成する二次電極をさらに備え、前記二次電場は電流が通過する前記ガスを含む空間内に投影される、請求項２７に記載のプラズマ源。
【請求項６０】
前記二次電場は、電流が通過する前記ガスを含む空間で電子運動及びイオン移動を促進する、請求項５９に記載のプラズマ源。
【請求項６１】
処置される前記基板表面は前記表面上に形成される被膜を有する、請求項４０に記載の方法。
【請求項６２】
前記ガスを含む空間に近接した磁場源をさらに備え、前記磁場源は、形成された前記プラズマが前記ガスを含む空間内で磁場によって高密度化されるように、磁場を前記ガスを含む空間内に投影する、前記請求項１に記載のプラズマ源。
【請求項６３】
前記ガスを含む空間に近接した磁場源をさらに備え、前記磁場源は、形成された前記プラズマが前記ガスを含む空間内で磁場によって高密度化されるように、磁場を前記ガスを含む空間内に投影する、請求項１４に記載のプラズマ源。
【請求項６４】
前記ガスを含む空間に近接した磁場源をさらに備え、前記磁場源は、形成された前記プラズマが前記ガスを含む空間内で磁場によって高密度化されるように、磁場を前記ガスを含む空間内に投影する、請求項２９に記載のプラズマ源。
【請求項６５】
第一の限られた開口及び第二の限られた開口をさらに備え、前記電流は前記第一の電子放出面から前記第一の限られた開口を通り、前記ガスを含む空間を通り、さらに前記第二の限られた開口を通って前記第二の電子放出面に流れる、請求項１に記載のプラズマ源。
【請求項６６】
第一の限られた開口及び第二の限られた開口をさらに備え、前記電流は前記第一の電子放出面から前記第一の限られた開口を通り、前記ガスを含む空間を通り、さらに前記第二の限られた開口を通って前記第二の電子放出面に流れる、請求項１４に記載のプラズマ源。
【請求項６７】
第一の限られた開口及び第二の限られた開口をさらに備え、前記電流は前記第一の電子放出面から前記第一の限られた開口を通り、前記ガスを含む空間を通り、さらに前記第二の限られた開口を通って前記第二の電子放出面に流れる、請求項２７に記載のプラズマ源。
【請求項６８】
第一の限られた開口及び第二の限られた開口をさらに備え、前記電流は前記第一の電子放出面から前記第一の限られた開口を通り、前記ガスを含む空間を通り、さらに前記第二の限られた開口を通って前記第二の電子放出面に流れる、請求項２９に記載のプラズマ源。
【請求項６９】
前記電子放出面は多孔性物質を含む、請求項１に記載の中空陰極プラズマ源。
【請求項７０】
前記電子放出面はガスに対し透過性を有する多孔性物質を含む、請求項６９に記載の中空陰極プラズマ源。
【請求項７１】
電子放出面又はイオン加速電極以外の導電性の領域を電気的に絶縁する電気絶縁体をさらに備える、請求項１に記載のプラズマ源。
【請求項７２】
電子放出面又はイオン加速電極以外の導電性の領域を電気的に絶縁する電気絶縁体をさらに備える、請求項１４に記載のプラズマ源。
【請求項７３】
電子放出面又はイオン加速電極以外の導電性の領域を電気的に絶縁する電気絶縁体をさらに備える、請求項２７に記載のプラズマ源。
【請求項７４】
電子放出面又はイオン加速電極以外の導電性の領域を電気的に絶縁する電気絶縁体をさらに備える、請求項２９に記載のプラズマ源。
【請求項７５】
電子放出面又はイオン加速電極以外の電気的に絶縁する導電性の領域をさらに備える、請求項４０に記載の基板表面を処置する方法。