Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月1日(2014.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の式(I)に相応する成分を少なくとも含む複数の基本構造単位を含むことを特徴とする、トリアジンポリマー：
【化１】
2013533364.tif 000001
(式中、
符号X1およびX2は、同一または異なるものであって、S、SOまたはSO2を示し；
符号Ar1およびAr2は、同一または異なるものであって、置換または非置換のフェニレン基を示し；
符号Ar3は、置換または非置換のフェニル基を示し；
符号Tzは、1,3,5‐トリアジン核を示す)。
【請求項２】
前記基本構造単位の前記成分が、下記の特定の式(I‐A)に相応する、請求項１記載のトリアジンポリマー：
【化２】
2013533364.tif 000002
(式中、符号Ar4およびAr5は、同一または異なるものであって、置換または非置換のフェニレン基を示す)。
【請求項３】
前記基本構造単位の前記成分が、下記の式(I‐B)に相応する、請求項１記載のトリアジンポリマー：
【化３】
2013533364.tif 000003
(式中、符号Y1およびY2は、同一または異なるものであって、過フッ素化炭化水素結合を示す)。
【請求項４】
前記過フッ素化炭化水素結合が、式(CF2)mのペルフルオロアルキレンであり、式中、mは1〜20の範囲にある、請求項３記載のトリアジンポリマー。
【請求項５】
前記過フッ素化炭化水素結合が、ペルフルオロシクロブチレンである、請求項３記載のトリアジンポリマー。
【請求項６】
下記の式(II‐A)、(II‐B)または(II‐C)のさらなる構造単位をさらに含む、請求項１〜５のいずれか１項記載のトリアジンポリマー：
(II-A)      - Ar6 - X3 - Ar7 -
(II-B)      - Ar8 - X4 - (CF2)m - X5 - Ar9 -
(II-C)      - Ar10 - CO - Ar11 - (CF2)m - Ar12 - CO - Ar13 -
(式中、符号Ar6、Ar7、Ar8、Ar9、Ar10、Ar11、Ar12およびAr13は、同一または異なるものであって、置換または非置換のフェニレン基を示し；
符号X3、X4およびX5は、同一または異なるものであって、S、SOまたはSO2を示し；そして、
mは、1〜20の範囲にある)。
【請求項７】
前記トリアジンポリマーの前記基本構造単位と、可能な場合には、前記さらなる構造単位の少なくとも１部が、エーテル(-O-)結合、チオエーテル(-S-)結合、スルホキシド(-SO-)結合、スルホン(-SO2-)結合およびそのような結合の組み合わせからなる群から選ばれるブリッジによって互いに結合している、請求項１〜６のいずれか１項記載のトリアジンポリマー。
【請求項８】
前記トリアジンポリマーの鎖末端がブロックされている、請求項１〜７のいずれか１項記載のトリアジンポリマー。
【請求項９】
前記トリアジンポリマーの鎖末端が、芳香族保護基によってブロックされている、請求項８記載のトリアジンポリマー。
【請求項１０】
前記芳香族保護基が、置換フェニル、置換ベンゾフェノン、置換ジフェニルスルホン、置換フェニルペルフルオロアルキルスルホンおよびそのような基の混合物からなる群から選ばれる、請求項９記載のトリアジンポリマー。
【請求項１１】
符号X1、X2、X3、X4およびX5の全てが、SO2基を示す、請求項１〜１０のいずれか１項記載のトリアジンポリマー。
【請求項１２】
前記ポリマーが、１個以上のスルホン基またはスルホネート基を含む、請求項１〜１１のいずれか１項記載のトリアジンポリマー。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項記載のトリアジンポリマーの、燃料電池内の膜としての使用。
【請求項１４】
請求項１〜１２のいずれか１項記載のトリアジンポリマーを含む燃料電池膜。
【請求項１５】
請求項１〜１２のいずれか１項記載のトリアジンポリマーを含み、且つ発泡微小孔質ポリテトラフルオロエチレンの層によって補強されている複合膜からなる、請求項１４記載の膜。
【請求項１６】
請求項１４または１５記載の膜を含む燃料電池。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月13日(2014.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＴＶホワイトスペースにおいて、ネットワークにおけるマルチバンドダイナミック通信局を動作させるための方法であって、
イネーブリング装置で使用されているチャネル情報を有する８０２．１１管理フレームを前記イネーブリング装置から受信するステップと、
要求元のＭＡＣアドレスと使用可能な規制クラスとを有するイネーブルメントリクエストを、前記イネーブリング装置に送信するステップと、
要求元のＭＡＣアドレスと、イネーブリング装置のＭＡＣアドレスと、イネーブルメントリクエストの結果と、イネーブルメント識別子と、規制クラスと、使用されるチャネル番号とを有し、ネットワークにおけるイネーブルメントが許可されるか否かを示すイネーブルメントレスポンスを前記イネーブリング装置から受信するステップと
を有する方法。
【請求項２】
ＴＶホワイトスペースにおいて、ネットワークにおけるマルチバンドダイナミック通信局を動作させるための装置であって、
イネーブリング装置で使用されているチャネル情報を有する８０２．１１管理フレームを前記イネーブリング装置から受信する第１の受信部と、
要求元のＭＡＣアドレスと使用可能な規制クラスとを示すイネーブルメントリクエストを、前記イネーブリング装置に送信する送信部と、
要求元のＭＡＣアドレスと、イネーブリング装置のＭＡＣアドレスと、イネーブルメントリクエストの結果と、イネーブルメント識別子と、規制クラスと、使用されるチャネル番号とを有し、ネットワークにおけるイネーブルメントが許可されるか否かを示すイネーブルメントレスポンスを前記イネーブリング装置から受信する第２の受信部と
を有する装置。
【請求項３】
前記データ要素がＩＥＥＥ８０２．１１ＤＳＥ登録ロケーション要素である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記データ要素が、規制クラス及びチャネル番号の情報を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記イネーブルメントリクエストが、マルチバンドダイナミック通信局のイネーブルメントリクエストである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記イネーブルメントレスポンスが、マルチバンドダイナミック通信局のイネーブルメントレスポンスである、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
イネーブルメントリクエスト及びイネーブルメントレスポンスが、イネーブルメントが許可されているチャネルとは異なる別のチャネルで送受信される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記イネーブルメントリクエスト及び前記イネーブルメントレスポンスが８０２．１１パブリックアクションフレームである、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記イネーブルメントレスポンスは、要求側の装置及びイネーブリング装置のＭＡＣアドレスと、規制クラスと、前記要求側の装置で使用されているチャネル番号とを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ＴＶホワイトスペースにおいて、ネットワークのイネーブリング装置によるマルチバンドダイナミック通信局を動作させるための方法であって、
前記イネーブリング装置により使用されているチャネル情報が含まれておりかつイネーブルにされることを求めている装置が受信する８０２．１１管理フレームを送信するステップと、
イネーブルにされることを求めている前記装置から、要求元のＭＡＣアドレスと使用可能な規制クラスとを有するイネーブルメントリクエストを受信するステップと、
要求元のＭＡＣアドレスと、イネーブリング装置のＭＡＣアドレスと、イネーブルメントリクエストの結果と、イネーブルメント識別子と、規制クラスと、イネーブルにされることを求めている前記装置により使用されるチャネル番号とを有し、ネットワークにおけるイネーブルメントが許可されるか否かを示すイネーブルメントレスポンスを送信するステップと
を有する方法。
【請求項１１】
前記データ要素がＩＥＥＥ８０２．１１ＤＳＥ登録ロケーション要素である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
ＴＶホワイトスペースにおいて、ネットワークのイネーブリング装置によるマルチバンドダイナミック通信局を動作させるための装置であって、
前記イネーブリング装置により使用されているチャネル情報が含まれておりかつイネーブルにされることを求めている装置が受信する８０２．１１管理フレームを送信する第１の送信部と、
イネーブルにされることを求めている前記装置から、要求元のＭＡＣアドレスと使用可能な規制クラスとを有するイネーブルメントリクエストを受信する受信部と、
要求元のＭＡＣアドレスと、イネーブリング装置のＭＡＣアドレスと、イネーブルメントリクエストの結果と、イネーブルメント識別子と、規制クラスと、イネーブルにされることを求めている前記装置により使用されるチャネル番号とを有し、ネットワークにおけるイネーブルメントが許可されるか否かを示すイネーブルメントレスポンスを送信する第２の送信部と
を有する装置。
【請求項１３】
前記データ要素は、規制クラス及びチャネル番号の情報を含む、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記イネーブルメントレスポンスは、要求側の装置及びイネーブリング装置のＭＡＣアドレスと、規制クラスと、前記要求側の装置で使用されているチャネル番号とを含む、請求項１２に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】マルチバンドダイナミック通信局のための方法及び装置
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月9日(2014.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオード（LED）のデバイスであって、
-    LEDチップであって、成長基板上にエピタキシャルに成長させられ且つ前記LEDチップの略全体に延在する発光半導体層を有する、電流伝播層を有する上面をもつLEDチップと、
-    前記LEDを励起するために当該LED中を流れる電流を管理するための、前記上面の一部のみにある金属の電極パターンと、
を有し、当該電極パターンは、
-    前記上面の上にある複数の金属接点であって、同接点の転送長Ltの約2倍乃至10倍の幅を同接点がもち、当該転送長Ltは、
2013533643.tif 000001
で規定され、
ここでRsはΩ/□で表された電流伝播層のシート抵抗値であり、ρcは接点及び電流伝播層のインタフェース部分のΩ/m2にて表された接触抵抗値であり、前記発光半導体層により発せられる光を略遮断する金属接点と、
-    複数の前記接点を一緒に接続していて、2 Lt未満の幅をもつ金属の接続部と、
を有することを特徴とする、発光ダイオードのデバイス。
【請求項２】
前記上面にある複数の前記金属接点が、当該接点の前記転送長Ltの約2倍乃至5倍の幅を有することを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記接点の総面積が前記LEDチップの発光面の2％未満であることを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記接点の総面積が前記LEDチップの発光面の5％未満であることを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記接点の総面積が前記LEDチップの発光面の10％未満であることを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記接点が実質的に円形であり、且つ前記幅が当該接点の直径であることを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記接点が多角形であることを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
前記金属の接続部のうちの少なくとも一つによって前記接点と接続しているワイヤ接合された電極を更に有することを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
前記金属の接続部が、平行且つ直交する当該接続部のグリッドを形成することを特徴とする、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記金属の接続部が、前記ワイヤ接合された電極から放射状に延在することを特徴とする、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１１】
少なくとも複数の接点の大きさが、当該接点が前記ワイヤ接合された電極から遠ざかるにつれて増すことを特徴とする、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記接点の密度が、当該接点が前記ワイヤ接合された電極から遠ざかるにつれて増すことを特徴とする、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記ワイヤ接合された電極と前記電流伝播層との間の電流密度を減じるために、当該ワイヤ接合された電極と当該電流伝播層との間に誘電層を更に有することを特徴とする、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記ワイヤ接合された電極が、前記誘電層の周囲において距離Wxだけ当該誘電層の縁を超えて延在し、Wxが0.5 Lt＜Wx＜1 Ltであることを特徴とする、請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記ワイヤ接合された電極の周辺部の下及び同電極の周囲の電流のむらを減じるために、前記ワイヤ接合された電極を特定の距離で囲む同心状の分路リングを更に有し、当該分路リングと前記ワイヤ接合された電極との間には金属接触がないことを特徴とする、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記分路リングの幅が0.1 Ltと1 Ltとの間にあることを特徴とし、当該分路リングの直径が前記ワイヤ接合された電極の直径よりも少なくとも20％大きいことを特長とする、請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記LEDチップ上面の周囲に金属の分路を有し、当該分路は縁に沿って第1の幅をもち、同チップの角部では同チップの当該角部での電流密度を減じるために、当該分路はより狭い幅を更にもつことを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記チップの縁に沿った前記分路の前記第1の幅が1 Ltよりも大きく、前記チップの角部での電流密度を減じるために、当該チップの角部にある前記分路のより狭い幅が0.1 Lt未満であることを特徴とする、請求項１７に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月23日(2014.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホワイトスペースを使用する無線ネットワークを介してデータを通信するために無線装置が実行する方法であって、
複数のモバイルクライアントデバイスとの通信のために１つ以上のホワイトスペース通信チャネルを判定するステップであって、前記ホワイトスペース通信チャネルの品質と、前記ホワイトスペース通信チャネルにおいて前記モバイルクライアントデバイスが通信を行うためのチャネル切替オーバーヘッドと、前記モバイルクライアントデバイスが乗り物により移動しているか否かとに基づいて、前記１つ以上のホワイトスペース通信チャネルを判定するステップと、
前記複数のホワイトスペース通信チャネルのうちの異なるチャネルにより、第１のモバイルクライアントデバイスおよび前記第２のモバイルクライアントデバイスと通信するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
前記判定するステップにおいて、前記ホワイトスペース通信チャネルにおいて別のモバイルクライアントデバイスが現在通信していた場合、該通信が妨害されないように前記１つ以上のホワイトスペース通信チャネルを判定する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ホワイトスペース通信チャネルは、前記無線装置と通信する際に使用可能な周波数が前記複数のモバイルクライアントデバイスの各々に対して異なるローカルスペクトル非対称（ＬＳＡ）環境に基づいて決定される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のモバイルクライアントデバイスとの通信は、通信フレームの特定のタイムスロット中に行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記特定のタイムスロットは、時分割多元接続（ＴＤＭＡ）プロトコルを使用して決定される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のモバイルクライアントデバイスが前記乗り物により移動している場合には、第１のホワイトスペース通信チャネルがＶＨＦチャネルであり、前記第１のモバイルクライアントデバイスが前記乗り物によっては移動していない場合には、前記第１のホワイトスペース通信チャネルがＵＨＦチャネルである、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記複数のホワイトスペース通信チャネルのうちの何れかの帯域幅を選択するステップを含み、該帯域幅は複数のテレビジョンチャネルを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
請求項１−７のうち何れか１項に記載の方法を前記無線装置に実行させるコンピュータプログラム。
【請求項９】
請求項８に記載のコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体。
【請求項１０】
ホワイトスペースを使用する無線ネットワークを介してデータを通信する無線装置であって、
複数のモバイルクライアントデバイスとの通信のために１つ以上のホワイトスペース通信チャネルを判定するモジュールであって、前記ホワイトスペース通信チャネルの品質と、前記ホワイトスペース通信チャネルにおいて前記モバイルクライアントデバイスが通信を行うためのチャネル切替オーバーヘッドと、前記モバイルクライアントデバイスが乗り物により移動しているか否かとに基づいて、前記１つ以上のホワイトスペース通信チャネルを判定するモジュールと、
前記複数のホワイトスペース通信チャネルのうちの異なるチャネルにより、第１のモバイルクライアントデバイスおよび前記第２のモバイルクライアントデバイスと通信するモジュールと、
を有する無線装置。
【請求項１１】
ホワイトスペースを使用してデータを送受信するモバイルクライアントデバイスであって、第１のホワイトスペース通信チャネルが主ユーザによって使用されていない場合には前記第１のホワイトスペース通信チャネルにより無線基地局と通信し、前記第１のホワイトスペース通信チャネルが前記主ユーザによって使用されている場合には第２のホワイトスペース通信チャネルを介して前記無線基地局と通信するモジュールを有し、
前記第１のホワイトスペース通信チャネル及び前記第２のホワイトスペース通信チャネルは、
前記ホワイトスペース通信チャネルの品質と、
前記ホワイトスペース通信チャネルにおいて前記モバイルクライアントデバイスが通信を行うためのチャネル切替オーバーヘッドと、
前記モバイルクライアントデバイスが乗り物により移動しているか否かと、
前記無線基地局と通信する際に使用可能な周波数が複数のモバイルクライアントデバイスの各々に対して異なるローカルスペクトル非対称（ＬＳＡ）環境と
に基づいて決定されている、モバイルクライアントデバイス。
【請求項１２】
前記主ユーザは、前記主ユーザの通信範囲外に位置する第２のモバイルクライアントデバイスが行う前記第１のホワイトスペース通信チャネルによる通信とは干渉しない、請求項１１に記載のモバイルクライアントデバイス。
【請求項１３】
前記無線基地局が無線マイクロホンを有する、請求項１１に記載のモバイルクライアントデバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】通信方法、無線装置及びモバイルクライアントデバイス
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月30日(2014.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電チャックであって：
電極と；
前記電極における電圧によって作動して電荷を形成して、基板を前記静電チャックに静電的にクランプする表面層とを含み、前記表面層が、約１×１０１１Ω／□〜約１×１０１６Ω／□の表面抵抗率を有する電荷制御層を含む、静電チャック。
【請求項２】
前記電荷制御層が約１×１０１２Ω／□〜約１×１０１６Ω／□の表面抵抗率を有する、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項３】
前記電荷制御層が約１×１０１３Ω／□〜約１×１０１６Ω／□の表面抵抗率を有する、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項４】
前記電荷制御層がポリマーを含む、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項５】
前記ポリマーがポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリイミド、およびポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）の少なくとも１つを含む、請求項４に記載の静電チャック。
【請求項６】
前記電荷制御層が、ケイ素を含有する窒化物、ケイ素を含有する酸化物、ケイ素を含有する炭化物、非化学量論量のケイ素を含有する窒化物、非化学量論量のケイ素を含有する酸化物、非化学量論量のケイ素を含有する炭化物、炭素、および炭素の窒化物化合物の少なくとも１つを含む、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項７】
前記電荷制御層がＳｉＯｘＮｙ（ここで、あらゆる水素は無視され、ｘは０〜２の数であり、ｙは０〜１．４の数である）、窒化ケイ素、酸化ケイ素、炭化ケイ素、およびダイヤモンド状炭素の少なくとも１つを含む、請求項６に記載の静電チャック。
【請求項８】
複数のポリマー突出部であって、前記複数のポリマー突出部を取り囲む前記電荷制御層の部分を超える高さまで延在して、前記基板の静電的なクランプ中に前記複数のポリマー突出部上で基板を支持する複数のポリマー突出部を、前記表面層が含む、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項９】
前記複数のポリマー突出部を形成するポリマーが、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリイミド、およびポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）の少なくとも１つを含む、請求項８に記載の静電チャック。
【請求項１０】
前記複数のポリマー突出部を形成するポリマーがポリエーテルイミド（ＰＥＩ）を含み、前記電荷制御層がポリエーテルイミド（ＰＥＩ）から形成され、前記電荷制御層が約１×１０１３Ω／□〜約１×１０１６Ω／□の表面抵抗率を有する、請求項８に記載の静電チャック。
【請求項１１】
前記電荷制御層が、ケイ素を含有する窒化物、ケイ素を含有する酸化物、ケイ素を含有する炭化物、非化学量論量のケイ素を含有する窒化物、非化学量論量のケイ素を含有する酸化物、非化学量論量のケイ素を含有する炭化物、炭素、および炭素の窒化物化合物の少なくとも１つを含み、前記電荷制御層が約１×１０１３Ω／□〜約１×１０１６Ω／□の表面抵抗率を有する、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項１２】
静電チャックの製造方法であって：
前記静電チャックにおける電荷制御層を形成するステップであって、前記電荷制御層が約１×１０１１Ω／□〜約１×１０１６Ω／□の表面抵抗率を有するステップを含む、方法。
【請求項１３】
前記電荷制御層がポリマーを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ポリマーが、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリイミド、およびポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）の少なくとも１つを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記電荷制御層が、ケイ素を含有する窒化物、ケイ素を含有する酸化物、ケイ素を含有する炭化物、非化学量論量のケイ素を含有する窒化物、非化学量論量のケイ素を含有する酸化物、非化学量論量のケイ素を含有する炭化物、炭素、および炭素の窒化物化合物の少なくとも１つを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記電荷制御層がＳｉＯｘＮｙ（ここで、あらゆる水素は無視され、ｘは０〜２の数であり、ｙは０〜１．４の数である）、窒化ケイ素、酸化ケイ素、炭化ケイ素、およびダイヤモンド状炭素の少なくとも１つを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記静電チャックの電源、電極構造、誘電体厚さ、機械的性質、およびクランプ力の少なくとも１つを変更しないことを含む、前記静電チャックの機能を変更することなく、前記静電チャックの使用中のウエハ固着の頻度を低下させるステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記電荷制御層を形成するステップが、すでに作製された表面層の表面抵抗率を変化させるステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
前記表面抵抗率を変化させるステップが、反応性イオンエッチング法を用いて、すでに作製された前記表面層を処理するステップを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記表面抵抗率を変化させるステップが、すでに作製された前記表面層に対してプラズマ処理、化学処理、および再水素化処理の少なくとも１つを行うステップを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記表面抵抗率を変化させるステップによって、処理前の表面抵抗率の±２５％の表面抵抗率が処理後に得られる、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記電荷制御層を形成するステップの前に：
前記静電チャックの誘電体層を前記静電チャックの絶縁層に接合するステップと；
ケイ素を含有する窒化物、ケイ素を含有する酸化物、ケイ素を含有する炭化物、非化学量論量のケイ素を含有する窒化物、非化学量論量のケイ素を含有する酸化物、非化学量論量のケイ素を含有する炭化物、炭素、および炭素の窒化物化合物の少なくとも１つを含む接着コーティング層を前記静電チャックの前記誘電体層にコーティングするステップと；
電荷制御層ポリマーを含む電荷制御層を前記静電チャックの前記表面に接合するステップであって、前記電荷制御層ポリマーが、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリイミド、およびポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）の少なくとも１つを含むステップと；
前記電荷制御層上にフォトレジストを堆積するステップと；
前記電荷制御層に対して反応性イオンエッチングを行って、前記電荷制御層に形成される複数のポリマー突出部を取り囲む、前記電荷制御層の一部を除去するステップと、
前記静電チャックから前記フォトレジストを除去し、それによって前記電荷制御層と同じ電荷制御層ポリマーから形成される前記複数のポリマー突出部を露出させるステップと
を含む、請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月2日(2014.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物品であって、
基材層を有するフレキシブル回路と、
前記基材層上のパターン化導電回路と、
前記導電回路に接着層で接着されるカバーフィルムを備える、前記導電回路上のカバー層であって、前記接着層と反対側の前記カバーフィルムの表面が非平滑化される、カバー層と、を備える、物品。
【請求項２】
基材層と、前記基材層上のパターン化導電回路とを有するフレキシブル回路を提供する工程と、
前記導電回路上にカバー層を適用する工程であって、前記カバー層が前記導電回路に接着層で接着されるカバーフィルムを備え、前記接着層と反対側の前記カバーフィルムの表面が非平滑化される、工程と、を含む、方法。
【請求項３】
物品であって、
基材層を有するフレキシブル回路と、
前記基材層上のパターン化導電回路と、
前記導電回路に接着層で接着されるカバーフィルムを備える、前記導電回路上のカバー層であって、前記接着層と反対側の前記カバーフィルムの表面が、熱可塑性ポリイミド材料を含む、カバー層と、を備える、物品。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月16日(2014.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法であって、
ビデオフレームを含む複数の第１のビデオ時間区間毎に重要度値を、コンピュータ装置によって求めるステップであって、ビデオは、時間的順序における前記複数の第１のビデオ時間区間を含むステップと、
前記重要度値に少なくとも部分的に基づいて前記第１のビデオ時間区間の少なくとも１つの継続時間を修正することにより、前記ビデオの歪み時間表現を前記コンピュータ装置によって形成するステップと、
前記ビデオの前記歪み時間表現を第２のビデオ時間区間に前記コンピュータ装置によって分割するステップと、
第２のビデオ時間区間毎にキービデオフレームを前記コンピュータ装置によって選択するステップと、
第２のビデオ時間区間毎に前記キービデオフレームを示す情報を前記コンピュータ装置によって格納するステップと
を含む方法。
【請求項２】
請求項1記載の方法であって、前記重要度値を求める工程は全体動きを検出する工程を含む方法。
【請求項３】
請求項1記載の方法であって、前記重要度値を求める工程は局所動きを検出する工程を含む方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法であって、前記重要度値を求める工程は、複数のビデオフレーム分類の少なくとも１つに前記ビデオフレームを分類するステップを含む方法。
【請求項５】
請求項４記載の方法であって、前記複数のビデオフレーム分類は、「ズーム」、「高速パン」、「興味深い」、又は「不活発」を含む方法。
【請求項６】
請求項４記載の方法であって、前記複数のビデオフレーム分類それぞれは重要度値と関連付けられる方法。
【請求項７】
請求項１記載の方法であって、前記キービデオフレームを選択するステップは、第２のビデオ時間区間それぞれにおける複数の第２のビデオ時間区間フレーム毎に選択スコアを求める工程を含む方法。
【請求項８】
請求項７記載の方法であって、前記選択スコアを求めるステップは、全体動き及び局所動きに少なくとも部分的に基づく方法。
【請求項９】
請求項１記載の方法であって、前記キービデオフレームを選択するステップは、第２のビデオ時間区間それぞれにおける前記キービデオフレームとして、独立に符号化されたビデオフレームを選択するステップを含む方法。
【請求項１０】
請求項１記載の方法であって、前記キービデオフレームを示す情報を格納するステップは、前記キービデオフレームを別々のファイルとして抽出するステップを含む方法。
【請求項１１】
請求項１記載の方法であって、前記キービデオフレームを示す情報を格納するステップは、キービデオフレームのリストを、前記ビデオに関連付けられたメタデータとして格納するステップを含む方法。
【請求項１２】
請求項１記載の方法であって、前記キービデオフレームを示す情報を格納するステップは、前記キービデオフレームについてのサムネイル画像を、前記ビデオに関連付けられたメタデータとして格納するステップを含む方法。
【請求項１３】
請求項１記載の方法であって、前記ビデオの前記歪み時間表現を形成するステップは、低い重要度を示す重要度値を有するビデオフレームに、短い時間的長さを割り当てるステップを含む方法。
【請求項１４】
請求項１記載の方法であって、前記ビデオの前記歪み時間表現を形成するステップは、高い重要度を示す重要度値を有するビデオフレームに、長い時間的長さを割り当てるステップを含む方法。
【請求項１５】
請求項１記載の方法であって、前記第２のビデオ時間区間の数がユーザ指定である方法。
【請求項１６】
請求項1記載の方法であって、
基準に少なくとも部分的に基づいて前記キービデオフレームを前記コンピュータ装置によってランク付けするステップと、
最高ランクのキービデオフレームに対応するキービデオスニップレットを前記コンピュータ装置によって形成するステップと、
前記キービデオスニップレットを組み立てることにより、ビデオサマリーを前記コンピュータ装置によって形成するステップと、
前記ビデオサマリーの表現を前記コンピュータ装置によって格納するステップと
を更に含む方法。
【請求項１７】
システムであって、
画像センサと、
前記画像センサ上にシーンの画像を形成するよう構成された光学系と、
データ処理システムと、
前記データ処理システムに対して通信可能に接続され、前記データ処理システムに、
前記画像センサを用いてビデオを撮像するステップであって、前記ビデオは、時間的順序における複数の第１のビデオ時間区間を含み、前記複数の第１のビデオ時間区間それぞれがビデオフレームを含むステップと、
ビデオフレームを含む前記複数の第１のビデオ時間区間毎に重要度値を求めるステップと、
前記ビデオフレームの時間的順序を修正することなく、前記重要度値に少なくとも部分的に基づいて前記第１のビデオ時間区間の少なくとも１つの継続時間を修正することにより、歪み時間表現を形成するステップと、
前記歪み時間表現を時間区間に分割するステップと、
時間区間毎にキービデオフレームを選択するステップと、
前記キービデオフレームを示す情報を格納するステップと
を行わせる命令を格納するメモリシステムと
を有するシステム。
【請求項１８】
請求項１記載の方法であって、前記複数の第１のビデオ時間区間の前記時間的順序が、前記ビデオの前記歪み時間表現において維持される方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月16日(2014.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法であって、
複数個のビデオフレームを有するディジタルビデオ時系列をディジタルビデオ撮影装置で撮影するステップと、
前記ディジタルビデオ時系列をプロセッサ可アクセスメモリ内に格納するステップと、
格納済ディジタルビデオ時系列から一群のビデオフレームにそれぞれが対応する１個又は複数個のキービデオ断片を、プロセッサを使用して特定するステップと、
前記１個又は複数個のキービデオ断片を結合させることでビデオサマリを形成するステップと、
前記ビデオサマリをメタデータとして表すステップであって、前記メタデータは、前記ビデオサマリに対応する前記ディジタルビデオ時系列におけるビデオフレームを指し示すフレーム特定メタデータを含むステップと、
前記ビデオサマリを表す前記メタデータを格納済ディジタルビデオ時系列に関連付けて前記プロセッサ可アクセスメモリ内に格納するステップであって、前記ビデオサマリを表す格納済メタデータは、前記１個又は複数個のキービデオ断片間の境界に適用されるビデオトランジション効果を指し示すステップと、
を有する方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法であって、前記ビデオサマリを表す前記格納済メタデータは更に、前記ビデオサマリに対応するオーディオサンプルを指し示す方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法であって、前記ビデオサマリを表す前記格納済メタデータは、前記１個又は複数個のキービデオ断片間の境界に適用されるオーディオトランジション効果を指し示すメタデータを含む方法。
【請求項４】
システムであって、
ビデオフレームを表示するソフトコピーディスプレイと、
プロセッサと、
を備え、前記プロセッサが、
格納済ディジタルビデオ時系列に関連付けられたメタデータを読み込む読込ステップであって、前記メタデータがビデオサマリの表現を格納し、前記メタデータは前記ビデオサマリに対応する前記ディジタルビデオ時系列におけるビデオフレームを指し示すフレーム特定メタデータを含み、前記ビデオサマリを表す前記メタデータは前記ビデオサマリのビデオトランジション効果を指し示すメタデータを含む読込ステップと、
前記ビデオサマリに対応する前記ビデオフレームを前記格納済ディジタルビデオ時系列から抽出する抽出ステップと、
前記ソフトコピーディスプレイ上に、前記ビデオサマリに対応する前記ビデオフレームを前記ソフトコピーディスプレイ上に表示させる表示ステップと、
を実行するシステム。
【請求項５】
請求項4記載のシステムであって、前記ビデオサマリを表す前記メタデータは、前記ビデオサマリに対応するオーディオサンプルを指し示すメタデータを含むシステム。
【請求項６】
請求項５記載のシステムであって、前記プロセッサは、前記ビデオサマリに対応する前記オーディオサンプルを前記格納済ディジタルビデオ時系列から抽出するよう更に構成されたシステム。
【請求項７】
請求項４記載のシステムであって、前記プロセッサは、表示前に前記ビデオフレームにビデオトランジション効果を適用するよう更に構成されたシステム。
【請求項８】
請求項４記載のシステムであって、前記ビデオサマリを表す前記メタデータは前記格納済ディジタルビデオ時系列と同じファイルに格納されるシステム。
【請求項９】
請求項４記載のシステムであって、前記ビデオサマリを表す前記メタデータは前記格納済ディジタルビデオ時系列と別個のファイルに格納されるシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月30日(2014.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置される裏面電極層と、
前記裏面電極層上に配置される光吸収層と、
前記光吸収層上に配置されて、第１酸化物を含む第１ウィンドウ層と、及び
前記第１ウィンドウ層上に配置されて、前記第１酸化物より酸素組成比がさらに高い第２酸化物を含む第２ウィンドウ層とを含む太陽光発電装置。
【請求項２】
前記第１酸化物は以下の化学式１で表され、前記第２酸化物は以下の化学式２で表されることを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電装置。
化学式１：（Ｍ、Ｎ）ＯＸ
化学式２：（Ｍ、Ｎ）ＯＹ
ここで、Ｍ及びＮは金属であり、０＜Ｘ＜１、０＜Ｙ＜１であり、ＸはＹより小さい。
【請求項３】
第１ウィンドウ層の厚さは、４０ｎｍ乃至１２０ｎｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の太陽光発電装置。
【請求項４】
前記第１酸化物及び前記第２酸化物はジンクオキサイド、インジウムスズ酸化物及びインジウム亜鉛酸化物で構成されるグループから選択されて、前記第１酸化物及び前記第２酸化物は導電型不純物がドーピングされることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の太陽光発電装置。
【請求項５】
前記ウィンドウ層から延長されて前記裏面電極層に接続される接続部を含み、
前記光吸収層には前記裏面電極層を露出する第１貫通溝が形成されて、
前記接続部は前記第１貫通溝に配置されることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の太陽光発電装置。
【請求項６】
前記接続部は、
前記第１ウィンドウ層と一体で形成されて、前記裏面電極層に直接接続される第１導電層と、
前記第２ウィンドウ層と一体で形成されて、前記第１導電層上に配置される第２導電層を含むことを特徴とする請求項５に記載の太陽光発電装置。
【請求項７】
前記第１導電層は前記第１酸化物を含み、前記第２導電層は前記第２酸化物を含むことを特徴とする請求項６に記載の太陽光発電装置。
【請求項８】
前記第２ウィンドウ層の透過率は前記第１ウィンドウ層の透過率より高いことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項に記載の太陽光発電装置。
【請求項９】
前記第１ウィンドウ層の抵抗は前記第２ウィンドウ層の抵抗より低いことを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一項に記載の太陽光発電装置。
【請求項１０】
前記第１ウィンドウ層は以下の化学式３で表される物質を含み、前記第２ウィンドウ層は以下の化学式４で表される物質を含むことを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一項に記載の太陽光発電装置。
化学式３：（Ｚｎ、Ａｌ）ＯＸ、ここで、０.９０＜Ｘ＜０.９５である。
化学式４：（Ｚｎ、Ａｌ）ＯＹ、ここで、０.９６＜Ｙ＜１である。
【請求項１１】
基板と、
前記基板上に配置される裏面電極層と、
前記裏面電極層上に配置される光吸収層と、
前記光吸収層上に配置されるウィンドウ層と、
前記ウィンドウ層から延長されて前記光吸収層を貫通して前記裏面電極層に接続される接続部を含み、
前記接続部は、
前記裏面電極層に直接接続されて第１酸化物を含む第１導電層と、
前記第１導電層上に配置されて前記第１酸化物より酸素組成比が高い第２酸化物を含む第２導電層を含む太陽光発電装置。
【請求項１２】
前記ウィンドウ層は、
前記第１酸化物を含んで前記第１導電層と一体で形成される第１ウィンドウ層と、
前記第２酸化物を含み、前記第２導電層と一体で形成される第２ウィンドウ層を含むことを特徴とする請求項１１に記載の太陽光発電装置。
【請求項１３】
前記第１酸化物は以下の化学式１で表され、前記第２酸化物は以下の化学式２で表されることを特徴とする請求項１１または１２に記載の太陽光発電装置。
化学式１：（Ｍ、Ｎ）ＯＸ
化学式２：（Ｍ、Ｎ）ＯＹ
ここで、Ｍ及びＮは金属であり、０＜Ｘ＜１、０＜Ｙ＜１であり、ＸはＹより小さい。
【請求項１４】
前記第１酸化物は前記第２酸化物より低い抵抗を有することを特徴とする請求項１１ないし１３のいずれか一項に記載の太陽光発電装置。
【請求項１５】
第１導電層の厚さは４０ｎｍ乃至１２０ｎｍであることを特徴とする請求項１１ないし１３のいずれか一項に記載の太陽光発電装置。
【請求項１６】
基板上に裏面電極層を形成する段階と、
前記裏面電極層上に光吸収層を形成する段階と、
前記光吸収層上に第１酸化物を含む第１ウィンドウ層を形成する段階と、
前記第１ウィンドウ層上に前記第１酸化物より酸素組成比が高い第２酸化物を含む第２ウィンドウ層を形成する段階と、を含む太陽光発電装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１ウィンドウ層を形成する段階及び前記第２ウィンドウ層を形成する段階で同一ターゲットが使用されて、
前記第２ウィンドウ層を形成する段階は酸素雰囲気で前記ターゲットを使用して、前記第２酸化物を前記第１ウィンドウ層上に蒸着する段階を含むことを特徴とする請求項１６に記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第２ウィンドウ層を形成する段階において、
前記酸素の割合は、前記第２ウィンドウ層が形成されるチャンバーの全体気体の約０．０５ｖｏｌ％乃至約１．５ｖｏｌ％であることを特徴とする請求項１６または１７に記載の太陽光発電装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月28日(2014.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバ内において基板支持体上部に配置された処理空間と、処理チャンバ内において基板支持体下部に配置された吐出空間とを有する、処理チャンバ内のガスの流れを制御するための装置であって、
前記基板支持体の基板支持体表面の高さに近接して前記基板支持体に接続され、かつ、前記基板支持体を囲む環状プレートを備え、
前記環状プレートは、前記基板の下で前記処理チャンバの内周面に向かって半径方向外向きに延びて、前記環状プレートの外縁と前記内周面との間に均一なギャップを規定しており、
前記均一ギャップは、前記処理空間から前記吐出空間への均一な流路を形成するようにされたことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記環状プレートの前記外縁と前記処理チャンバの前記内周面との間の前記均一なギャップは、前記処理空間から前記吐出空間へガスが流れるとき、閉塞された流れ条件を維持するように、前記処理空間から前記吐出空間への流れを十分に制限するものである、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記基板支持体は静電チャックを備える、請求項１又は請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記処理チャンバは、非対称なガス流れを前記処理チャンバ内にもたらすように前記処理チャンバ側部に配置されたポンプポートを備える、請求項１又は請求項２に記載の装置。
【請求項５】
処理チャンバ内において基板支持体上部に配置された処理空間と前記処理チャンバ内において基板支持体下部に配置された吐出空間とを有し、前記基板支持体が静電チャックを含む処理チャンバと、
前記基板支持体の基板支持体表面の高さに近接して前記基板支持体に接続され、かつ前記基板支持体を囲む環状プレートと、を備え、
前記環状プレートは、前記基板の下で前記処理チャンバの壁に向かって半径方向外向きに延びて、前記処理空間から前記吐出空間へガスが流れるとき閉塞した流れ条件を維持するように、前記処理空間から前記吐出空間への流れを十分に制限する均一なギャップを前記環状プレートの外縁と前記処理チャンバの内周面との間に規定しており、
前記吐出空間における非対称の圧力勾配をもたらすようにポンプポートが前記処理チャンバ側部に配置された、ことを特徴とする、処理チャンバ内のガスの流れを制御するための装置。
【請求項６】
前記均一ギャップは、前記処理空間から前記吐出空間への均一流路を提供するものである、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記均一ギャップは、約０．０９インチから約１．２４インチの幅を有する、請求項１、請求項２又は請求項５に記載の装置。
【請求項８】
前記処理チャンバは、前記処理チャンバ内の壁の内周に近接配置されたライナーを含み、前記ライナーは少なくとも前記内周面の一部を規定し、そのため均一ギャップは環状プレートの外縁とライナーにより規定される、請求項１、請求項２又は請求項５に記載の装置。
【請求項９】
前記均一な流路を通るガス流の圧力低下は、約４０ｍＴｏｒｒまでであることを特徴とする、請求項１、請求項２又は請求項５に記載の装置。
【請求項１０】
前記環状プレートは、石英、イットリウム又はセラミックから構成される、請求項１、請求項２又は請求項５に記載の装置。
【請求項１１】
前記基板支持体は、基板支持体を垂直方向に移動させるように構成されたリフトを備える、請求項１、請求項２又は請求項５に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月20日(2014.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子装置であって：
下部壁をもつ筐体と；
前記下部壁に沿って形成された少なくとも一つの開口と；
前記少なくとも一つの開口に係合される少なくとも一つのゴム脚とを有しており、
前記少なくとも一つのゴム脚はネック部を通じて上部に接続された輪郭付けされた下部をもち、
前記上部は円錐状に形成され、前記上部は内向きの細い端部および外向きのショルダー領域をもつ広い端部をもち、
前記上部は、前記ショルダー領域が前記少なくとも一つの開口の内縁を過ぎたところで延在するよう前記開口に挿入され、それにより前記少なくとも一つのゴム脚が前記筐体中にロックされ、
前記輪郭付けされた下部は外部支持表面に接する底面および前記下部壁のほうに向けられ、前記ネック部に接続される上面をもち、
前記上面は中央領域および周縁領域をもち、前記周縁領域は前記中央領域から広がり、前記下部壁のほうに屈曲し、それにより前記周縁領域の一部が前記筐体の外側部分に接触する、
電子装置。
【請求項２】
請求項１記載の電子装置であって、前記少なくとも一つのゴム脚に、前記ネック部から前記上部の中まで延在する細長い開口をさらに有しており、前記細長い開口は前記ショルダー領域が内向きにたわんで前記少なくとも一つの開口を通ることを許容する、電子装置。
【請求項３】
前記輪郭付けされた下部、前記上部および前記ネック部はそれぞれ中心垂直軸をもち、それらの中心垂直軸は同一直線上である、請求項２記載の電子装置。
【請求項４】
前記上部の広い端部が前記輪郭付けされた下部の幅より小さな幅をもつ、請求項３記載の電子装置。
【請求項５】
前記下部壁から丸まった周縁底部まで外向きに延びる少なくとも一つの輪郭付けされた開口集合体と；
前記下部壁のほうに内向きに、前記開口を囲む平坦な水平桟まで延びる、前記丸まった周縁底部内の凹部とを有する、
請求項４記載の装置。
【請求項６】
前記輪郭付けされた下部は、前記周縁領域が前記水平桟に接するよう、前記凹部内に位置され、前記水平桟が前記筐体の前記外側部分である、請求項５記載の電子装置。
【請求項７】
前記下部の一部が前記丸まった周縁底部を過ぎて突出する、請求項６記載の電子装置。
【請求項８】
前記ネック部が円筒状に形成され、前記開口を囲む壁の高さより大きな垂直方向高さをもつ、請求項７記載の電子装置。
【請求項９】
前記周縁領域が前記水平桟に対して上の力を加える、請求項８記載の電子装置。
【請求項１０】
少なくとも四つのゴム脚を有する、請求項９記載の電子装置。
【請求項１１】
前記ネック部は、前記ゴム脚が前記下部壁にロックされたまま、前記開口の前記壁に沿って垂直方向に自由に滑動するよう適応される、請求項１ないし１０のうちいずれか一項記載の電子装置。
【請求項１２】
前記下部壁から周縁底部まで外向きに延びる少なくとも一つの輪郭付けされた開口集合体と；
前記開口を囲む平坦な水平桟まで前記下部壁に向かって内向きに延びる前記周縁底部内の凹部とを有する、
請求項１記載の電子装置。
【請求項１３】
前記輪郭付けされた下部は、前記周縁領域が前記水平桟に接触するよう前記凹部内に位置され、前記水平桟が前記筐体の前記外側部分である、請求項１２記載の電子装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月2日(2014.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１又は複数の機能薄膜層で被覆された基板である対象物をパターニングする方法であって、前記１又は複数の機能薄膜層は第１材料からなる第１薄膜層を含んでおり、前記第１薄膜層の第１主面は、第２の異なる材料からなる第２薄膜層の第１主面の一部または全部と密接に接触しており、前記方法は、前記第１材料に対して溶解性のある第１種を担持する第１スレッドを提供し、前記第１スレッドに整列して隣接しており、かつ前記第１材料に対して溶解性のある第２種を担持している第２スレッドを提供し、ここで、前記第１薄膜層に隣接する前記第２薄膜層は、第２溶剤での溶解度が比較的高い第２材料を含み、前記第１および第２スレッドを前記第１薄膜層に接触させて、前記第１薄膜層の少なくとも一部を除去し、前記第２スレッドを前記第２薄膜層に接触させて、前記第２薄膜層の少なくとも一部を除去することを含む、方法。
【請求項２】
前記第２スレッドを前記対象物との接触から取り除くこと、前記対象物に第３の異なる材料を堆積して、前記第１層に隣接して第３層を生成すること、前記第１スレッドを除去して、前記第１および第３層を貫通する溝を残すことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第３材料は、スプレー塗布、超音波スプレー塗布、インクジェット印刷、ブレード塗布、スクリーン印刷、リバースグラビア塗布、グラビア印刷、オフセット印刷、スライド塗布、カーテン塗布、ディップ塗布から選択される方法によって堆積される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第３材料は、金属、金属酸化物、半導体（ドープもしくはアンドープ）、または前駆体、ナノ粒子もしくはそのマイクロ粒子、グラフェン、カーボンブラック、カーボンナノチューブから選択される材料を含む、請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
そのように形成された溝に保護材料を付することをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記保護材料を付して、露出した下電極を被覆することを含み、前記下電極は、好ましくは導体層に加えて電荷注入層を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記保護材料は、誘電材料および酸化剤のうちの少なくとも一方である、請求項５または６に記載の方法。
【請求項８】
そのように形成された溝に導電性材料を付すことを含む、請求項５、６または７に記載の方法。
【請求項９】
そのように形成された溝の両側の層の間に導電性パスを提供するように、前記導電性材料を付すことを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記溝の両側のセル素子の上電極と一つの隣接する下電極との間に電気コンタクトを提供して、これらセル素子の直列相互接続を形成することを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記導電性材料は、金属、メタルインク、高ドープ有機もしくは無機導体または前駆体、ナノ粒子もしくはそのマイクロ粒子、グラフェン、カーボンブラック、カーボンナノチューブから選択される材料を含む、請求項８、９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２溶剤が、第２スレッドの複数の第２部分に付される、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
第１部分および第２部分は交互に並べることができ（例、接して）、もしくは１又は複数の別の部分で隔てることもでき、またはその組み合わせとすることもできる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
電子デバイスをパターニングする装置であって、前記装置は、第１スレッドと、前記第１スレッドを装着して、１又は複数の機能薄膜層で被覆された基板である対象物に接触させるための前記第１スレッドの領域を提供する少なくとも２つのガイドとを備えており、前記対象物は、第１材料からなる第１薄膜層を含んでおり、前記第１薄膜層の第１主面は、第２の異なる材料からなる第２薄膜層の第１主面の一部または全部と密接に接触しており、第１および第２のガイドは、前記第１スレッドを長手方向に案内するように動作可能であり、前記第１ガイドもしくは第４ガイドと協調して、第２スレッドを装着して長手方向に案内すること、および前記対象物を接触させるための前記第２スレッドの領域を提供することの少なくとも一方を行なう手段を提供する第３ガイドをさらに備え、装置はさらに、前記第１スレッドが対象物に接触する前に、前記第１材料を溶解できる位置において、前記第１スレッドに第１種を付す手段と、前記第２スレッドが対象物に接触する前に、前記第１材料を溶解できるポイントにおいて、前記第２スレッドに第２種を付す手段とを備え、前記第１薄膜層に隣接する前記第２薄膜層は、第２溶剤での溶解度が比較的高い第２材料を含む、装置。
【請求項１５】
前記ガイドは、前記もしくは各スレッドの前記対象物との接触位置を調整するように、移動可能である、好ましくは連続的におよび自動的に、あるいは連続的にまたは自動的に移動可能である、請求項１４に記載の装置。