【事件の表示】
　平成５年特許願第７３２８２号「薄膜形成装置」拒絶査定不服審判事件〔平成６年１０月１８日出願公開、特開平６−２９１０４９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成５年３月３１日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成１６年５月１０日付けの手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「半導体ウェハなどの基板表面上に、二極放電形プラズマＣＶＤ法により加熱状態下にて薄膜を形成させる装置であって、上記基板の加熱手段が、焼結助剤を含まず、陽イオン不純物が０．１重量％以下であって、平均結晶粒径５〜５０μｍの高純度窒化アルミニウム質セラミックスからなることを特徴とする薄膜形成装置。」（以下、「本願発明」という。）
　
２．当審の拒絶理由
　一方、当審において平成１６年３月３日付けで通知した拒絶の理由の概要は、本願発明は、本願の出願前に頒布された特開昭６３−１４００８５号公報（以下「引用例１」という。）、特開平３−２７９２６４号公報（以下「引用例２」という。）、特開昭６３−８５０５５号公報（以下「引用例３」という。）に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　
３．引用例
　そして、上記各引用例には、以下の事項が記載されている。
（１）引用例１
（１ａ）「(1)半導体ウェハー、単結晶サファイアなどの板状体を載置し、該板状体表面に膜を被着する装置であって、上記板状体を載置する台座が２０Ｗ／ｍ・ｋ以上の熱伝導係数をもったセラミック材から成ることを特徴とする成膜装置。
 (2)上記セラミック材がアルミナ、炭化珪素系焼結体、窒化アルミ焼結体である特許請求の範囲第１項記載の成膜装置。」（特許請求の範囲）
（１ｂ）「このうち、例えば第１図には成膜装置としてのプラズマＣＶＤ装置の概略図を示すが、これにおいてチャンバーＣ中にアルゴン、酸素、窒素、アンモニア等のキャリアガスの導入のもとに、放電電極Ｅと基板電極Ｓとの間に高周波電圧を印加してプラズマ放電を発生せしめるが、このうち基板電極Ｓは例えば４８０〜５００℃（成膜材料などによって異なる）にヒータＨでもって加熱してあり、この基板電極Ｓ上に載置台Ｄをセットし、この載置台Ｄ上に膜を形成する板状体Ｐを設置した後、該板状体を上記温度に加熱状態のもとに揮発性の金属化合物を送り込み板状体Ｐの表面での化学反応によって結晶質又は非結晶質を析出させ板状体表面に薄膜を形成している。」（第１頁右欄第４−１７行）
（１ｃ）「第３図は熱伝導率１８０〜２５０Ｗ／ｍ・ｋの窒化アルミニウムで載置台１を構成したもの」（第２頁左下欄第９−１０行）
（１ｄ）「本発明成膜装置によれば熱伝導にすぐれ、熱膨張係数が小さく、かつ耐蝕、耐熱性をもったセラミック材製の載置台で構成したことから、膜厚が均一で、歪のないすぐれた物性をもった薄膜を備えた半導体素子等を提供することができる。」（第２頁右下欄第１９行−第３頁左上欄第４行）
　
（２）引用例２
（２ａ）「窒化アルミニウム粉末を成形し、助剤を添加しないで焼結した焼結体を、還元雰囲気中の減圧下を含む雰囲気圧下で焼成し、窒化アルミニウム結晶粒中の酸素量を低減することを特徴とした高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造方法。」（特許請求の範囲）
（２ｂ）「窒化アルミニウム（ＡｌＮ）は高温で強度低下が少なく、化学的耐性にも優れているため、耐熱材料として用いられる一方、熱伝導性が優れ、熱膨張率がＳｉと近い等を利用して半導体装置の放熱板材料、回路基板用絶縁材料としても有望視されている。」（第１頁左欄第１８行−右欄第４行）
（２ｃ）「この事実に基づいて検討した結果が本発明であり、・・・助剤を添加しないで焼結した焼結体（この焼結体は、酸素含有量が２重量％以下でかつＦｅ、Ｓｉ等の金属不純物が０．１重量％以下であることが望ましい。）」（第２頁左下欄第７−１３行）
（２ｄ）「以上説明したように本発明によれば、無添加で高熱伝導性の窒化アルミニウム焼結体を生成することができる。この方法によれば高純度かつ高強度で、高温でも変形しにくい焼結体が得られる。　粒界相の存在がないため焼結体の色ムラがなく、」（第２頁右下欄第１６−２０行）
（２ｅ）第１表の焼結体特性の粒径及び熱伝導率の欄には、実施例１：１５μｍ、２２０Ｗ／ｍ・Ｋ、実施例２：１０μｍ、１９０Ｗ／ｍ・Ｋ、実施例３：１８μｍ、２１５Ｗ／ｍ・Ｋ、実施例４：３０μｍ、１８０Ｗ／ｍ・Ｋ、実施例５：１９μｍ、１８５Ｗ／ｍ・Ｋ、実施例６：２０μｍ、２１５Ｗ／ｍ・Ｋ、実施例７：１２μｍ、２００Ｗ／ｍ・Ｋである助剤を添加しないで焼結したＡｌＮ焼結体が記載されている。
　
（３）引用例３
（３ａ）「アルミニウムを除く金属の総量が１０００ｐｐｍ以下であり、相対密度が９８％以上であることを特徴とする高密度窒化アルミニウム常圧焼結体。」（特許請求の範囲第１項）
（３ｂ）「ＡｌＮは周期律表のIII族に属するＡｌとＶ族に属するＮとの化合物であり、その焼結体が高強度、高熱伝導率を備えるという特徴を利用してＧａＡｓなどのIII−Ｖ族化合物半導体の製造装置用部品をこのＡｌＮ焼結体でつくることが望まれている。」（第１頁右欄第３−８行）
（３ｃ）「こうした焼結助剤は一般に高温における蒸気圧が比較的高く、・・・かかるＡｌＮ常圧焼結体製としても、得られるIII−Ｖ族化合物半導体単結晶は充分な物性を備えるものではなかった。」（第２頁左上欄第１３行−右上欄第１行）
（３ｄ）「ＡｌＮ常圧焼結体を得るにあたって常用されているアルカリ土類元素や希土類元素の化合物といった焼結助剤は本発明焼結体製造にあたっては一切配合しない。」（第３頁右上欄第１１−１４行）
（３ｅ）「本発明によれば、従来技術によっては得られなかった高密度にして、かつ、高純度のＡｌＮ常圧焼結体が得らる。このＡｌＮ常圧焼結体は焼結助剤を含んでなく、しかも焼結助剤以外にも金属不純物はきわめて少量しか含んでいない高純度品であるため、微量金属不純物による汚染を嫌う用途にはきわめて好適である。・・・本発明焼結体は、半導体・・・の製造装置部品用として好適である。」（第５頁左上欄第１７行−右上欄第８行）
（３ｆ）「さらに本発明焼結体は焼結剤を含有していないため長期間使用中にも焼結助剤が析出・浸潤・揮散するようなことがなく、」（第５頁右上欄第１８−２０行）
　
３．対比・判断
　摘記事項（１ａ）には、「半導体ウェハー、単結晶サファイアなどの板状体を載置し、該板状体表面に膜を被着する装置であって、上記板状体を載置する台座が２０Ｗ／ｍ・ｋ以上の熱伝導係数をもったセラミック材から成ることを特徴とする成膜装置。」及びそのセラミック材として窒化アルミ焼結体が例示されており、摘記事項（１ｃ）には、「熱伝導率１８０〜２５０Ｗ／ｍ・ｋの窒化アルミニウムで載置台」が形成されていることが示されている。
　また、摘記事項（１ｂ）には、「第１図には、成膜装置としてのプラズマＣＶＤ装置の概略図を示す」として、「放電電極Ｅと基板電極Ｓとの間に高周波電圧を印加してプラズマ放電を発生せしめる」「基板電極Ｓは・・・ヒータＨでもって加熱してあり、この基板電極Ｓ上に載置台Ｄをセットし、この載置台Ｄ上に膜を形成する板状体Ｐを設置した後、該板状体を上記温度に加熱状態のもとに・・・板状体表面に薄膜を形成している」ことが示されており、放電電極Ｅと基板電極Ｓとの間にプラズマ放電を形成する、二極放電形プラズマＣＶＤ法により加熱状態下にて薄膜を形成させる装置が示されているといえるので、これらの事項を総合すると、引用例１には、「半導体ウェハー、単結晶サファイアなどの板状体表面に、二極放電形プラズマＣＶＤ法により加熱状態下にて薄膜を形成させる装置であって、上記板状体を載置する台座が窒化アルミニウムセラミック材から成る成膜装置。」の発明（以下、「引用例１の発明」という。）が記載されている。
  そして、本願発明と引用例１の発明とを対比すると、本願発明の基板の「加熱手段」とは、基板へ熱を伝導させて加熱する構成である基板の「支持部材（サセプタ）」を少なくとも概念として含んでおり、引用例１の発明における「載置する台座」は、本願発明における基板の「加熱手段」に相当している。
　また、引用例１の発明の「半導体ウェハー、単結晶サファイアなどの板状体」「窒化アルミニウムセラミックス材」「成膜装置」は、それぞれ本願発明の「半導体ウェハなどの基板」「窒化アルミニウム質セラミックス」「薄膜形成装置」に相当するので、両者は、「半導体ウェハなどの基板表面上に、二極放電形プラズマＣＶＤ法により加熱状態下にて薄膜を形成させる装置であって、上記基板の加熱手段が窒化アルミニウム質セラミックスからなる薄膜形成装置」の点で一致し、本願発明の窒化アルミニウム質セラミックスが、焼結助剤を含まず、陽イオン不純物が０．１重量％以下の高純度であって、平均結晶粒径５〜５０μｍであるのに対して、引用例１の発明がそのような記載のない点で相違する。
　
　上記相違点について検討する。
　摘記事項（２ｃ）における「Ｆｅ、Ｓｉ等の金属不純物が０．１重量％以下」とは、「鉄やシリコンなどの陽イオン不純物が０．１重量％以下」であることを示しており、摘記事項（２ｅ）には、平均結晶粒径１０〜３０μｍのものが示されているといえるので、摘記事項（２ａ）〜（２ｅ）全体からみて引用例２には、「焼結助剤を含まず、陽イオン不純物が０．１重量％以下の高純度であって、平均結晶粒径１０〜３０μｍである高強度、高熱伝導率の窒化アルミニウム焼結体」が記載されているといえる。
　また、引用例３には、摘記事項（３ａ）の「アルミニウムを除く金属の総量が１０００ｐｐｍ以下であり、」との記載、及び摘記事項（３ｅ）の「このＡｌＮ常圧焼結体は焼結助剤を含んでなく、しかも焼結助剤以外にも金属不純物はきわめて少量しか含んでいない高純度品であるため、微量金属不純物による汚染を嫌う用途にはきわめて好適である。・・・本発明焼結体は、半導体・・・の製造装置部品用として好適である。」との記載により、窒化アルミニウム焼結体は、「焼結助剤を含まず、アルミニウムを除く金属の総量が１０００ｐｐｍ以下」の高純度であれば、微量金属不純物による汚染を嫌う半導体の製造装置部品用として好適に使用できることが示唆されているし、一方、引用例１の発明における、半導体ウェハーを載置する台座の窒化アルミニウムセラミック材は、微量金属不純物による汚染を嫌う半導体の製造装置部品の一つであることが明らかである。
　してみると、引用例１の発明における窒化アルミニウムセラミック材として、引用例２に記載された、焼結助剤を含まず、陽イオン不純物が０．１重量％以下の高純度である高強度、高熱伝導率の窒化アルミニウム焼結体をその平均結晶粒径を含めて採用することは、当業者が容易に想到し得ることである。
　そして、本願発明の効果も引用例１−３の記載から予測できるもので、顕著でない。
　よって、本願発明は、引用例１−３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明することができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。