【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年5月16日(2012.5.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  活性帯域（１９）、ｎ−ドーピング層（４）およびｐ−ドーピング層（５）を有する、放射線を放出するＧａＮを基礎とするエピタキシー連続層（３）、および
放射線透過性接触層（１５）および反射層（１６）を有する、ｐ−ドーピング層（５）に配属される反射性接触金属被覆（６）
を有し、その際放射線透過性接触層（１５）がｐ−ドーピング層（５）および反射層（１６）の間に配置されており、
前記反射層（１６）はＡｇを含有し、
前記反射層（１６）は、ｐ−ドーピング層（５）の活性帯域（１９）から離れた主要平面（９）の５０％より多くを覆い、
前記接触層（１５）は、材料としてのインジウム−錫−酸化物（ＩＴＯ）およびＺｎＯを含む材料群からの少なくとも１種の材料を含み、
前記エピタキシー連続層（３）のエピタキシー成長後、成長基板（２）が除去されていることを特徴とする、
ルミネセンスダイオードチップ（１）。
【請求項２】  接触層（１５）がＰｔ、ＰｄおよびＣｒの金属の少なくとも１種を有するか、これらの金属の１種からなるかまたはこれらの金属の少なくとも２種の合金からなる請求項１記載のルミネセンスダイオードチップ（１）。
【請求項３】  接触層（１５）の厚さが１０ｎｍに等しいかまたはこれより小さい請求項１記載のルミネセンスダイオードチップ（１）。
【請求項４】  接触層（１５）が閉鎖されていない層である、請求項１から３までのいずれか１項記載のルミネセンスダイオードチップ（１）。
【請求項５】  接触層（１５）が材料としてのインジウム−錫−酸化物（ＩＴＯ）から成る請求項１記載のルミネセンスダイオードチップ（１）。
【請求項６】  接触層（１５）の厚さが１０ｎｍに等しいかまたはこれより大きい請求項１記載のルミネセンスダイオードチップ（１）。
【請求項７】  反射層（１６）がＡｇから成る請求項１から６までのいずれか１項記載のルミネセンスダイオードチップ（１）。
【請求項８】  反射層（１６）が少なくとも部分的に材料ＰｔＡｇ合金およびＰｄＡｇ合金を含む材料群からの１種の材料からなる請求項７記載のルミネセンスダイオードチップ（１）。
【請求項９】  反射層（１６）がｐ−ドーピング層（５）の活性帯域（１９）から離れた主要平面（９）の１００％より多くを覆う請求項１から８までのいずれか１項記載のルミネセンスダイオードチップ（１）。
【請求項１０】  反射層（１６）がｐ−ドーピング層（５）の活性帯域（１９）から離れた主要平面（９）の全部を覆う請求項９記載のルミネセンスダイオードチップ（１）。
【請求項１１】  反射性接触金属被覆（６）が、放射線を放出するエピタキシー連続層（３）から離れた側に他の金属層（２０）を有し、この金属層が特に本質的にＡｕまたはＡｌを有する請求項１から１０までのいずれか１項記載のルミネセンスダイオードチップ（１）。
【請求項１２】  ｎ−ドーピング層（４）がｐ−導電性層（５）から離れた主要平面（８）にｎ−接触層（７）を有し、この接触層がこの主要平面の一部のみを覆い、チップ（１）からの光の出射をｎ−ドーピング層（４）の主要平面（８）の自由な領域にわたっておよびチップ側面（１４）にわたって行う請求項１から１１までのいずれか１項記載のルミネセンスダイオードチップ（１）。
【請求項１３】  チップ（１）が反射性接触金属被覆（６）および他の接触金属被覆（７）を有するエピタキシー連続層（４，５，１９）のみを有する請求項１２記載のルミネセンスダイオードチップ（１）。
【請求項１４】  エピタキシー連続層の厚さが３０μｍに等しいかまたはこれより小さい請求項１３記載のルミネセンスダイオードチップ（１）。
【請求項１５】  エピタキシー連続層の厚さは３０μｍに等しいかまたはそれよりも小さく、
チップ（１）は反射性接触金属被覆（６）および他の接触金属被覆（７）を有するエピタキシー連続層（４，５，１９）を備えており、
接触層の厚さは１０ｎｍまたはそれよりも厚い、
請求項１記載のルミネセンスダイオードチップ（１）。
【請求項１６】  エピタキシー連続層（３、４，５、１９）が反射性接触金属被覆（６）を介してヒートシンクに熱伝導性に接続している請求項１から１５までのいずれか１項記載のルミネセンスダイオードチップを有するルミネセンスダイオード構造素子。
【請求項１７】  チップ（１）が発光ダイオード（ＬＥＤ）ケーシング（２１）の熱伝導性チップ取り付け領域（１２）に、特に発光ダイオード（ＬＥＤ）ケーシング（２２）のリードフレーム（１１）または導体路（２２）に取り付けられ、反射性接触金属被覆（６）がチップ取り付け面（１２）に配置されている請求項１から１５までのいずれか１項記載のルミネセンスダイオードチップを有するルミネセンスダイオード構造素子。
【請求項１８】  （ａ）ｐ−ドーピング層（５）が成長基板（２）から離れているように、成長基板（２）にエピタキシー連続層（４，５，１９）を成長させ、（ｂ）ｐ−ドーピング層（５）に反射性接触金属被覆（６）を付着し、かつ（ｃ）成長基板（２）を除去する請求項１から１７までのいずれか１項記載のルミネセンスダイオードチップを製造する方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
ＧａＮを基礎とするルミネセンスダイオードチップを製造する場合に、ｐ−ドーピング層、特にｐ−ドーピングＧａＮ層またはＡｌＧａＮ層の達成可能な最大導電率が、他の材料系のルミネセンスダイオードチップから公知である従来の表側の接触金属被覆（これはできるだけ高い放射線の出射のために表側の破断部分のみを覆う）を使用してチップの全部の側面に電流の拡大を達成するために十分でないという基本的な問題が存在する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
接触金属被覆は、有利には一方でエピタキシー連続層のための低い電気的遷移抵抗を有する良好な抵抗の接触を生じる。他方でこの金属被覆は有利には高い反射能力および前記のスペクトル領域で低い吸収を示す。これから金属被覆に当たる電磁線のチップへの高い逆反射が生じる。この逆反射された電磁線は引き続きチップの自由な側面でチップから出射することができる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
本発明による他のルミネセンスダイオードチップにおいてはチップがエピタキシー層のみを有し、その全部の厚さは合わせて３０μｍに等しいかまたはこれより小さい。そのためにエピタキシー連続層のエピタキシャル成長の後に成長基板を除去する。ｐ−ドーピングエピタキシー層はｎ−ドーピングエピタキシー層から離れた主要平面に本質的に全面に反射性接触金属被覆を備えている。ｐ−ドーピングエピタキシー層から離れたｎ−ドーピングエピタキシー層の主要平面にｎ−接触金属被覆が存在し、この金属被覆はこの主要平面の一部のみを覆っている。チップからの光の出射はｎ−導電性エピタキシー層の主要平面の自由な領域にわたっておよびチップ側面にわたって実施する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
成長基板は、この種のルミネセンスダイオードチップにおいては電気的に絶縁されていてもよく、放射線不透過性であってもよく、それゆえ有利には最適な成長条件に関して単独に選択されてもよい。この種のいわゆる薄膜ルミネセンスダイオードチップの特別の利点は、基板内で光の損失が生じることがなく、改良された放射線の出射が達成されることである。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
本発明によるルミネセンスダイオードチップにおいては全面の接触により有利に順方向電圧が減少する。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
チップ１からの光の出射はＳｉＣ基板２の主要平面１０の自由な領域にわたっておよびチップの側面１４にわたって行う。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
場合により放射線の吸収および放射線の出射に関して基板２の厚さを最適にするために、チップ１はエピタキシー連続層３の成長後に薄くされたＳｉＣ基板２を有する。