(57)【要約】【課題】ショート不良を生じることなく低抵抗で狭ピッチ化が可能な配線基板を提供する。【解決手段】基板１上又は基板１に設けた絶縁層６上に形成された電極パターン３，１４と、この電極パターン３，１４の外側に被着した導体層１Ａ，９と、から成る配線パターン４，１０の縦断面形状を、この配線パターン４，１０と前記基板１又は前記絶縁層６とが接する接触部分の幅Ｗｂ１ａを接触部分の反対側端部の幅Ｗｔ１ａよりも大きい幅にすると共に接触部分の幅Ｗｂ１ａ及び反対側端部の幅Ｗｔ１ａよりも大きな幅Ｗｍ１ａを有する形状にした。【選択図】　　　図１
2004096072.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上又は前記基板に設けた絶縁層上に形成された電極パターンと、前記電極パターンの外側に被着した導体層と、から成る所定の縦断面形状を有する配線パターンを備えた配線基板において、
前記配線パターンの前記所定の縦断面形状を、前記配線パターンと前記基板又は前記絶縁層とが接する接触部分の幅を前記接触部分の反対側端部の幅よりも大きい幅にすると共に、前記接触部分の幅よりも大きな幅を有する形状にしたことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
基板上又は前記基板に設けた絶縁層上に形成された電極パターンと、前記電極パターンの外側に被着した導体層と、から成る所定の縦断面形状を有する配線パターンを備えた配線基板において、
前記電極パターンの縦断面形状を、前記電極パターンが前記基板又は前記絶縁層と接する接触部分の幅、及び、前記接触部分の反対側端部の幅よりも大きな幅を有する形状にすると共に、
前記配線パターンの前記所定の縦断面形状を、前記配線パターンが前記基板又は前記絶縁層と接する接触部分の幅、及び、前記接触部分の反対側端部の幅よりも大きな幅を有する形状にしたことを特徴とする配線基板。
【請求項３】
前記配線パターン上に他の絶縁層を形成し、前記他の絶縁層上に他の導体層を積層して多層構造にしたことを特徴とする請求項１または請求項２記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板、特に狭ピッチの配線パターンを有する配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
小型モータに使用するコイルパターンを有するコイル基板や、ＩＣを搭載するための配線パターンを有するＢＧＡ（Ｂａｌｌ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ）基板等の配線基板に対しては、より高密度に配線パターンを形成することが求められている。
その要求に応えるため、従来、これらの配線基板に形成する配線パターンをめっきによって形成する方法が検討されてきた。
【０００３】
その一例として、特開平６−３５０２２４号公報に記載されたものがある（以下、従来例１と記す）。
これは、図５に示すように、金属薄板１０１の表面における、回路を形成する部分以外にレジスト１０２を塗布し、塗布しない部分に銅メッキにより所定の厚さの配線パターン１０３を形成した後、金属薄板１０１を除去してなる回路基板である。
この方法により、導体パターンピッチＰを狭くしても低抵抗となる配線パターン１０３を有する配線基板を得ることができる。
【０００４】
また、他の例として、特公平７−１９９５０号公報に記載されたものがある（以下、従来例２と記す）。
これは、図６に示すように、銅張り基板１１１表面における、回路以外の部分の銅膜をエッチングにより除去する、いわゆるサブトラクティブ法を用い、このエッチングをオーバーエッチングにして山型または略Ｉ型の断面形状の基本配線パターン１１２を形成する。
そして、その基本配線パターン１１２の周囲に電解めっきによって銅層を被着して所定の断面形状の配線パターン１１３を形成する配線基板である。
この方法によっても高密度で低抵抗の配線パターン１１３を有する配線基板を得ることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、配線パターンをより狭ピッチ化して配線密度を高める場合には、隣接する配線パターン間の間隔をできるだけ狭くし、かつ、配線パターンを低抵抗にすることが重要である。
【０００６】
しかしながら、従来例１においては、配線パターン１０３の断面形状において、レジスト１０２が配線パターン１０３の内側に入り込んだ部分、すなわちパターン幅Ｗ１０３が金属薄板１０１の表面に占める投影面積に対して厚さ方向に導体として利用できない空間１０２Ａを有する。
【０００７】
また、形成されるパターンも略半円状の断面となる。そのため、パターン幅Ｗ１０３とパターン高さＨ１０３を乗じた有効断面積に対するパターンが占める断面積は約６０％程度しか得ることができず、狭ピッチにおける低抵抗化に限界があるという問題があった。
【０００８】
さらに、レジスト１０２が金属薄板１０１を除去した後の基体となるので、強度を確保する必要からこのレジスト１０２を小さくすることは困難であり、配線パターン１０３の狭ピッチ化に限界があるという問題があった。
【０００９】
一方、従来例２においてはオーバーエッチングを行うが、オーバーエッチングでは削り量のばらつきが大きく、そのためレジスト１１４は余裕を持たせた幅Ｗ５で塗布する必要があり、配線パターン１１３の狭ピッチ化に限界があるという問題があった。
【００１０】
また、エッチングにより形成した基本配線パターン１１２の基板上の輪郭１１５は、エッチング残りが発生して直線状にならない。
そのため、従来例２を斜視的に表した断面図７に示すように、この基本配線パターン１１２にめっきによって銅層を被着して形成する配線パターン１１３の基板面上の輪郭も直線状にはならず、隣接するパターン間隔が一定に形成されず、特に狭ピッチの場合には隣接パターン同士が連結した連結部１１６が形成されてしまう。
そして、この連結部１１６で回路がショートするため、連結部１１６の発生を防ぐために、余裕を持たせたパターンピッチにする必要があり更なる狭ピッチ化が難しいという問題があった。
【００１１】
そこで本発明が解決しようとする課題は、ショート不良を生じることなく低抵抗で狭ピッチ化が可能な配線基板を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本願発明は手段として次の構成を有する。
即ち、請求項１は、基板１上又は前記基板１に設けた絶縁層６上に形成された電極パターン３，１４と、前記電極パターン３，１４の外側に被着した導体層１Ａ，９と、から成る所定の縦断面形状を有する配線パターン４，１０を備えた配線基板において、
前記配線パターン４，１０の前記所定の縦断面形状を、前記配線パターン４，１０と前記基板１又は前記絶縁層６とが接する接触部分の幅Ｗｂ１ａを前記接触部分の反対側端部の幅Ｗｔ１ａよりも大きい幅にすると共に、前記接触部分の幅Ｗｂ１ａよりも大きな幅Ｗｍ１ａを有する形状にしたことを特徴とする配線基板であり、
請求項２は、基板１上又は前記基板１に設けた絶縁層６上に形成された電極パターン３，１４と、前記電極パターン３，１４の外側に被着した導体層１Ａ，９と、から成る所定の縦断面形状を有する配線パターン４，１０を備えた配線基板において、
前記電極パターン３，１４の縦断面形状を、前記電極パターン３，１４が前記基板１又は前記絶縁層６と接する接触部分の幅Ｗｂ１１、及び、前記接触部分の反対側端部の幅Ｗｔ１よりも大きな幅Ｗｍ１を有する形状にすると共に、前記配線パターン４，１０の前記所定の縦断面形状を、前記配線パターン４，１０が前記基板１又は前記絶縁層６と接する接触部分の幅Ｗｂ１ａ、及び、前記接触部分の反対側端部の幅Ｗｔ１ａよりも大きな幅Ｗｍ１ａを有する形状にしたことを特徴とする配線基板であり、
請求項３は、前記配線パターン４上に他の絶縁層６を形成し、前記他の絶縁層上に他の導体層９を積層して多層構造にしたことを特徴とする請求項１または請求項２記載の配線基板である。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を、好ましい実施例により図１乃至図５により説明する。
図１は、本発明の配線基板の実施例における製造方法を示す概略断面図であり、
図２は、本発明の配線基板の実施例における要部を説明する概略断面図であり、
図３は、本発明の配線基板の実施例を要部を説明する斜視的断面図であり、
図４は、本発明の配線基板の効果を説明する模式的断面図である。
【００１４】
本発明の実施例における配線基板と、工程（ａ）〜工程（ｉ）を有するその製造工程を図１（ａ）〜図１（ｊ）を用いて説明する。
この実施例では、基板（コア材）として基体１Ｂと厚さ３５μｍの銅層１Ａとを有する両面銅張り積層板（ＦＲ−４）１を用いている。
【００１５】
図１においては、簡単のために、両面銅張り積層板の片面側について示しているが、反対面についても同様に配線パターンが形成されるものである。
また、以下の説明で断面とは特に記載がない限り縦断面を示すものである。さらに、配線パターンの断面形状を表すために各寸法の符号を以下のように定義し、説明はこの符号に添字を付して行う（例えばＰについてはＰ１，Ｐ１ａ等）。
Ｐ：配線パターン間ピッチ（パターンピッチ）
Ｗｂ：配線パターンの断面形状において、その外形が基板に接する接点部分の幅（ボトム幅）
Ｗｔ：配線パターンの断面形状において、基板と反対側端部の幅（トップ幅）
Ｗｍ：配線パターンの断面形状における最大幅
Ｔ：配線パターンの断面形状における厚さ
Ｓ：隣接配線パターンとの距離（スペース）
次に、各工程について順次詳述する。
【００１６】
（１）工程Ａ：フォトレジストの塗布（図１（ａ）参照）
両面銅張り積層板１の表面上の配線（引き出し線を含む）を形成しない部分にフォトレジスト２を塗布する。
【００１７】
（２）工程Ｂ：エッチング（図１（ｂ）参照）
エッチングによりフォトレジスト２が塗布されていない部分の銅層１Ａを除去して基本配線パターン３を形成する。
この際、エッチングの特徴として基本配線パターン３はフォトレジスト２側が若干多く削れてすぼまった略山形に形成される。
【００１８】
（３）工程Ｃ：フォトレジストの剥離（図１（ｃ）参照）
フォトレジスト２を除去する。
これにより得られた基本配線パターン３の断面の詳細を図２（ａ）に示す。
この基本配線パターン３は、後工程の電解めっきにおいて電極となる電極パターンであり、その断面形状は、各寸法を以下に示す山形形状である。
Ｐ１＝１８０μｍ，Ｓ１＝１００μｍ，Ｗｂ１＝８０μｍ，
Ｗｔ１＝６０μｍ，Ｔ１＝３５μｍ
【００１９】
（４）工程Ｄ：ソフトエッチング（図１（ｄ）参照）
硫酸過水系のソフトエッチング液により削り量を約１μｍとしたソフトエッチングを施す。
このソフトエッチングは、薄肉部を厚肉部よりも多くエッチングする作用があるので、基本配線パターン３の外形が基材１Ａに接する部分近傍の薄肉部が多く削られて内側にすぼまった逆傾斜面部３Ａが形成される（図２（ｂ）参照）。
従って、略山形形状の側面に頂部３Ｂが形成されてそこが幅方向の最大外形Ｗｍ１となる。ソフトエッチング液としては、上記の他、過硫酸系のソフトエッチング液を使用することができる。
【００２０】
（５）工程Ｅ：電解めっき（図１（ｅ）参照）
陽極となる硫酸銅めっき液中に、基本配線パターン３を陰極として通電しながら基板１全体を浸漬させて電解めっきを施す。
陰極電流密度を３Ａ／ｄｍ２，得られる配線パターンの厚さが７０μｍとなるようにめっき条件を設定した。
この電解めっきにより得られた配線パターン４の断面を図２（ｃ）に示す。
この工程で得られた配線パターン４の断面形状は、各寸法を以下に示すように、ボトム幅Ｗｂ１ａがトップ幅Ｗｔ１ａより大きく、さらにそれらより大きい最大幅Ｗｍ１ａを有する基板側がすぼまった略山形形状である。
Ｐ１ａ＝１８０μｍ，Ｗｍ１ａ＝１５０μｍ，Ｓ１ａ＝３０μｍ，
Ｗｂ１ａ＝１１５μｍ，Ｗｔ１ａ＝７０μｍ，Ｔ１ａ＝７２μｍ
【００２１】
配線パターンを単層とする場合は、以上説明した工程Ａ〜工程Ｅを実施し、最後に必要に応じてＰＳＲ（フォトソルダーレジスト）５等の保護層を表面に形成して配線基板は完成する（図１（ｅ１）参照）。
配線パターンを多層にする場合は、工程Ｅの後に、以下に説明するビルドアップ工程Ｆ〜工程Ｉを実施して多層化する。
【００２２】
（６）工程Ｆ：絶縁層の形成（図１（ｆ）参照）
工程Ｅで得られた単層の配線板に表面粗化処理である黒化処理を施した後、インク状の絶縁材料を塗布して絶縁層６を形成する。表面粗化処理としてはＣＺ処理でもよい。絶縁層６の塗布厚さは基体１Ｂの面から１００μｍとした。
また、絶縁材料としてガラスクロスを含まない絶縁シートを用い、真空ラミネートにより絶縁層を形成してもよい。いずれも、薄層に形成しても配線パターン間の比較的深くて狭い空間に完全に充填することができるものである。
【００２３】
（７）工程Ｇ：ＴＨ（スルーホール），ＬＢＨ（レーザービアホール）等の形成（図１（ｇ）参照）
必要に応じて所定の位置にＴＨ７あるいはＬＢＨ８を形成する。
【００２４】
（８）工程Ｈ：第２の銅層形成（図１（ｈ）参照）
絶縁層６の外側に厚さ３５μｍの第２の銅層９を無電解めっき及び電解めっきにより形成する。
ＴＨやＬＢＨはこのめっきにより銅が充填される。
【００２５】
（９）工程Ｉ：外層配線パターンの形成（図１（ｉ）参照）
工程Ａ〜工程Ｅを再度実施し、絶縁層６の外側に第２の配線パターン１０を形成する。
【００２６】
以上の工程Ｆ〜工程Ｉにより２層に積層された第１，第２の配線パターン４，１０が形成される。
この第２の配線パターン１０の断面形状は、各寸法を以下に示すように、ボトム幅Ｗｂ１ｂがトップ幅Ｗｔ１ｂより大きく、さらにそれらより大きい最大幅Ｗｍ１ｂを有する基板側がすぼまった略山形形状である。
Ｐ１ｂ＝１８０μｍ，Ｗｂ１ｂ＝１１２μｍ，Ｗｔ１ｂ＝７２μｍ，
Ｗｍ１ｂ＝１５３μｍ，Ｔ１ｂ＝７２μｍ，Ｓ１ｂ＝２７μｍ
この後、工程Ａ〜工程Ｉを同様に繰り返すことでさらに多層化が可能となる。
最終層の配線パターンが形成されたら、必要に応じてＰＳＲ（フォトソルダーレジスト）５等の保護層を表面に形成して多層の配線基板は完成する（図１（ｅｊ）参照）。
【００２７】
以上の工程によって得られた配線パターンの低抵抗化の評価をするために、以下に示すような有効断面積率を算出した。
具体的には、配線パターンの実際の断面積ＳＺと、そのパターンの断面形状における最大幅とパターン厚みとを乗じた理想断面積ＳＲとから、有効断面積率ＳＹ＝（ＳＺ／ＳＲ）＊１００を算出するものである。
この有効断面積率はＳＹは、その値が１００％に近い程配線パターンの空間的利用率が高く、配線パターンが高密度でより低抵抗化して優れたパターンであることを示し、配線パターンの低抵抗化を評価する場合に有効な指標である。
【００２８】
その結果、実施例における第１，第２の配線パターン４，１０の断面積ＳＺは、それぞれ９６００μｍ２，１００００μｍ２であり、理想断面積はそれぞれ１０８００μｍ２，１１３２２μｍ２であるので、有効断面積率ＳＹはそれぞれ８９％，８８％という高率で形成されている。
従って、実施例のように電解めっきとソフトエッチングとを併用して裾がすぼまった略山形に配線パターンを形成することにより、高密度で低抵抗の配線パターンが得られることが確認された。
【００２９】
さらに、上述したように、第１，第２の配線パターン４，１０の外形と基体１Ｂあるいは絶縁層６との接点部分がソフトエッチング（工程Ｄ）により削られて、内側にすぼまった逆傾斜面部４Ａ，１０Ａが形成されるので、エッチング（工程Ｂ）で発生するエッチング残りが除去される。
そのため、実施例の配線パターンを斜視的断面で表した図３に示すように、第１，第２の配線パターン４，１０の基体１Ｂあるいは絶縁層６状の輪郭は直線状になるので安定してスペースＳを確保することができ、ショート不良が大幅に低減する。
【００３０】
次に、実施例の配線パターンと、配線パターンが基板と接する幅を断面形状の最大幅とする例えば従来例２に示すような山形断面パターンとその断面積を比較する。
【００３１】
図４は、最大幅Ｗｂ０を同一にした場合の実施例の配線パターンの断面形状を実線で示し、従来例２の配線パターン４０Ａ，４０Ｂの断面形状を破線で示した概略断面図である。
実施例の配線パターン４，１０の断面形状における最大外形幅は、基板と接している部分ではなく、略山形形状の側面に形成された頂部４Ｂ，１０Ｂの間隔である。
従って、ほぼ当図の斑点を付した範囲の面積だけ実施例の配線パターン４，１０方が断面積が広いことがわかる。
【００３２】
すなわち、実施例によれば、隣接パターンとのスペースが同じであっても断面積が大きいので低抵抗の配線パターンを有する配線基板を得ることができる。
逆に、同じ抵抗値とするならば、従来の配線パターンよりも狭ピッチ化が可能な高密度配線を可能にする配線基板を得ることができる。
【００３３】
この実施例の効果について比較例を用いて評価したので詳述する。
評価に供した配線基板は、片面２層の両面４層で作成し、実施例は前述した工程により、また、比較例は実施例に対して、第１，第２の配線パターンの形成方法と積層時の絶縁層６の形成方法が異なるものとして２種類作成した。
比較例の作成方法について以下に説明する。
【００３４】
＜比較例１＞
比較例１の配線基板の製作工程は、実施例の工程に対してソフトエッチング（工程Ｆ）を行わないものであり、さらに、積層時の絶縁層の形成方法も異なるものである。
後者について具体的には、実施例がインク状の絶縁材料をを塗布するのに対して、比較例１ではプリプレグと銅箔とを圧着プレスにより積層している。
【００３５】
１−▲１▼：基体１Ｂと厚さ３５μｍの銅層１Ａとを有する両面銅張り積層板（ＦＲ−４）１の表面上の配線（引き出し線を含む）を形成しない部分にエッチングレジスト層２を形成する（図８（ａ）参照）。
【００３６】
１−▲２▼：エッチングによりエッチングレジスト層２が形成されていない部分の銅層１Ａを除去して基本配線パターン３０Ａを形成する（図８（ｂ）参照）。
この際、エッチングの特徴として基本配線パターン３０Ａはフォトレジスト層２側が若干多く削れてすぼまった略山形に形成される。
【００３７】
１−▲３▼：エッチングレジスト層２を除去する（図８（ｃ）参照）。
【００３８】
１−▲４▼：陽極となる硫酸銅めっき液中に、基本配線パターン３０Ａを陰極として通電しながら基板全体を浸漬させ電解めっきを施す（図８（ｄ）参照）。
陰極電流密度を３Ａ／ｄｍ２，最終パターン厚さが７０μｍとなるように条件設定した。
この電解めっきにより得られた第１の配線パターン４０Ａは各寸法を以下に示すような略山形形状である。
Ｐ２ａ＝１８０μｍ，Ｗｍ２ａ＝Ｗｂ２ａ＝１５０μｍ，Ｓ２ａ＝３０μｍ，
Ｗｔ２ａ＝７０μｍ，Ｔ２ａ＝６９μｍ
【００３９】
１−▲５▼：次に黒化処理を行い、その後、厚さ１００μｍのプリプレグ１１と厚さ３５μｍの銅箔１２とを積層プレスにより基板に積層した（図８（ｅ）参照）。
【００４０】
１−▲６▼：前述１−▲１▼〜１−▲４▼を再度実施して第２の配線パターン４０Ａを形成した。
この第２の配線パターン４０Ａは、各寸法を以下に示すような略山形形状で形成された。
Ｐ２ｂ＝１８０μｍ，Ｗｍ２ｂ＝Ｗｂ２ｂ＝１５０μｍ，Ｓ２ｂ＝３０μｍ，
Ｗｔ２ｂ＝７０μｍ，Ｔ２ｂ＝６９μｍ
【００４１】
＜比較例２＞
比較例２の配線基板の配線パターンの形成方法は比較例１と同一であり、積層時の絶縁層の形成方法が実施例と同じものである。以下に図９を用いてこの比較例２の詳細を説明する。
【００４２】
２−▲１▼：基体１Ｂと厚さ３５μｍの銅層１Ａとを有する両面銅張り積層板（ＦＲ−４）１の表面上の配線（引き出し線を含む）を形成しない部分にエッチングレジスト層２を形成する（図９（ａ）参照）。
【００４３】
２−▲２▼：エッチングによりエッチングレジスト層２が形成されていない部分の銅層１Ａを除去して基本配線パターン３０Ｂを形成する（図９（ｂ）参照）。
この際、エッチングの特徴として基本配線パターン３０Ｂはエッチングレジスト層２側が若干多く削れてすぼまった略山形に形成される。
【００４４】
２−▲３▼：エッチングレジスト２を除去する（図９（ｃ）参照）。
【００４５】
２−▲４▼：陽極となる硫酸銅めっき液中に、基本配線パターン３０Ｂを陰極として通電しながら基板全体を浸漬させ電解めっきを施す（図９（ｄ）参照）。
陰極電流密度を３Ａ／ｄｍ２，最終パターン厚さが７０μｍとなるように条件設定した。
この電解めっきにより得られた第１の配線パターン４０Ｂは各寸法を以下に示すような略山形形状である。
Ｐ３ａ＝１８０μｍ，Ｗｍ３ａ＝Ｗｂ３ａ＝１４９μｍ，Ｓ３ａ＝３１μｍ，
Ｗｔ３ａ＝７０μｍ，Ｔ３ａ＝７１μｍ
【００４６】
２−▲５▼：次に黒化処理を行い、その後、インク状の絶縁材料を塗布して絶縁層６を形成する。塗布厚さは基体１Ｂの面から１００μｍとした。
【００４７】
２−▲６▼：絶縁層６の外側に厚さ３５μｍの第２の銅層９を無電解めっき及び電解めっきにより形成する（図９（ｅ）参照）。
【００４８】
２−▲７▼：そして、２−▲１▼〜２−▲４▼の工程を再度実施して第２の配線パターン４０Ｂを形成した。
この第２の配線パターン４０Ｂは各寸法を以下に示すような略山形形状である。
Ｐ３ｂ＝１８０μｍ，Ｗｍ３ｂ＝Ｗｂ３ｂ＝１４９μｍ，
Ｗｔ３ｂ＝７１μｍ，Ｔ３ｂ＝７２μｍ，Ｓ２ｂ＝３０μｍ
【００４９】
以上のように作成した実施例，比較例１及び比較例２の配線基板の仕様をまとめたものを表１に示す。
【表１】
2004096072.tif 000003
【００５０】
＜評価＞
上述した実施例，比較例１及び比較例２の配線基板を供試品として、ホットオイル試験とショート不良試験という２つの方法で評価した。
この結果について表２に示して詳述する。
【表２】
2004096072.tif 000004
【００５１】
（Ａ）ホットオイル試験
ホットオイル試験は、供試品を２６０℃のオイルに１０秒間浸した後、常温空気中に２０秒放置する処理を１回として、これを１００回実施するものである。１００回実施して尚接続を維持しているものを良好とした。
その結果、実施例及び比較例２は良好であったのに対し、比較例１は７０回で接続が維持できなくなり不良となった。
【００５２】
これは、プリプレグ１１の圧着において、第１の配線パターン４０Ａ間の厚さ方向約７０μｍ、幅方向約３０μｍの空間にプリプレグ１１が充分に充填せずボイド１３を生じ、その状態で温度負荷が加わることでボイド１３からクラックが発生して層間剥離を生じたためである。
従って、多層化する場合の層間絶縁層の形成方法としては、狭ピッチ化によって狭くなる配線パターン間に確実に充填できる絶縁層の材料としては、プリプレグではなくインク状の絶縁材あるいはガラスクロスを含まない絶縁シートを用いるのが有効であり、それによって積層厚さをより薄くして高密度することも可能となる。
【００５３】
（Ｂ）ショート不良評価
ショート不良評価は、供試品のインダクタンスを測定し、規格値に対して±１０％以上の差がある場合に不良とするものである。そして、このショート不良の発生率が１％以下となる例を良好と評価した。
その結果、実施例と比較例２が良好であったのに対し、比較例１が８０％の不良発生率となった。
これは、前述のように、エッチングによる配線パターン形成においてパターンと基板との境界部にエッチング残りが生じ、隣接パターンとの所定のスペース約３０μｍが確保できていない部分や連結してしまっている部分があることによる。
このエッチング残りを除去するソフトエッチングにより、３０μｍのスペースでショート不良を良好に防止できることが明らかになった。
【００５４】
さて、本発明の実施例は、上述した構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において例えば下記のように変更が可能である。
基板は両面基板でなくても片面基板でもよい。また、単層でも多層でもよく、ＴＨやＬＢＨも自由に設けてよいものである。
フォトレジスト，エッチング液及びソフトエッチング液も限定されるものではなく、またエッチング条件も使用する液に応じて最適となるように設定してよいものである。
【００５５】
【発明の効果】
以上詳述したように、本願発明によれば、エッチング残りによるショート不良を生じることがなく配線パターンをより狭ピッチ化した配線基板が得られる。
また、隣接パターンとのスペースが同じであっても断面積が大きくなるのでより低抵抗の配線パターンを有する配線基板が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板の実施例における製造方法を示す概略断面図である。
【図２】本発明の配線基板の実施例における要部を説明する概略断面図である。
【図３】本発明の配線基板の実施例を要部を説明する斜視的断面図である。
【図４】本発明の配線基板の効果を説明する模式的断面図である。
【図５】従来の配線基板の例を示す断面図である。
【図６】従来の配線基板の他の例を示す断面図である。
【図７】従来の配線基板の他の例を説明する斜視的断面図である。
【図８】比較例１の製作工程を説明する概略断面図である。
【図９】比較例２の製作工程を説明する概略断面図である。
【符号の説明】
１　銅張り積層板（基板）
１Ａ　銅層（導体層）
１Ｂ　基体
２　フォトレジスト
３，１４　基本配線パターン（電極パターン）
３Ａ　逆傾斜面部
３Ｂ，４Ｂ，１０Ｂ　頂部
４　（第１の）配線パターン
４Ａ，１０Ａ　逆傾斜面部
５　フォトソルダーレジスト（ＰＳＲ）
６　絶縁層
７　スルーホール（ＴＨ）
８　レーザービアホール（ＬＶＨ）
９　第２の銅層（第２の導体層）
１０　第２の配線パターン
１１　プリプレグ
１２　銅箔
１３　ボイド
Ｐ１，Ｐ１ａ，Ｐ１ｂ　パターンピッチ
Ｗｂ１，Ｗｂ１ａ，Ｗｂ１ｂ，Ｗｂ１１　ボトム幅
Ｗｔ１，Ｗｔ１ａ，Ｗｔ１ｂ　トップ幅
Ｗｍ１，Ｗｍ１ａ，Ｗｍ１ｂ，Ｗｂ０　最大外形（幅）
Ｔ１，Ｔ１ａ，Ｔ１ｂ　厚さ
Ｓ１，Ｓ１ａ，Ｓ１ｂ　距離（スペース）
ＳＺ　断面積
ＳＲ　理想断面積
ＳＹ　有効断面積率
【図１】
2004096072.tif 000005
【図２】
2004096072.tif 000006
【図３】
2004096072.tif 000007
【図４】
2004096072.tif 000008
【図５】
2004096072.tif 000009
【図６】
2004096072.tif 000010
【図７】
2004096072.tif 000011
【図８】
2004096072.tif 000012
【図９】
2004096072.tif 000013