【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年3月8日(2012.3.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
図１は、例示的な観点から見た場合の、多層薄膜電気化学デバイスを作るための超高速パルスレーザ堆積システムの模式図である。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
図２は、例示的な観点から見た場合の、様々な温度でステンレススチールの上に堆積されたスズ酸化物薄膜のＸ線回折パターンと、スズ酸化物のＪＣＰＤＳリファレンスと一緒のステンレススチール基板のＸ線回折パターンと、を示すグラフである。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
図３は、例示的な観点から見た場合の、様々な温度でステンレススチールとシリコン基板の上に堆積されたスズ酸化物薄膜の[O]:[Sn]原子比を示すグラフである。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
図４は、例示的な観点から見た場合の、シリコン基板上に堆積されたスズ酸化物薄膜の断面のSEM像である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
図５は、例示的な観点から見た場合の、スズ酸化物のＪＣＰＤＳリファレンスと一緒のシリコン基板上に堆積された模範的なスズ酸化物薄膜のＸ線回折パターンを示すグラフである。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
図６は、例示的な観点から見た場合の、５０μＡの電流で０．０２Ｖと２．５０Ｖの間で測定された模範的な電子デバイスの電荷−放電性能（時間対電圧）を示すグラフである。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
図７は、例示的な観点から見た場合の、ステンレススチール基板上に堆積されたスズ酸化物薄膜電極のサイクル数対放電キャパシティを示すグラフである。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
図８Ａから８Ｃは、例示的な観点から見た場合の、カソード、アノード、固体電解質及び電流コレクタ薄膜の模範的な配置を示す。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
断続レーザビームは、今後“パルス”と呼ぶ複数の離れたレーザビーム放射を有する。各パルスの持続時間は、今後“パルス持続時間”と呼ばれる。断続レーザビームのパルスのパルス持続時間は、実質的に固定された長さを有しているか或いは所定の範囲内で変えられ、好ましくは実質的に固定された長さを有している。さらに、連続するパルス間の時間周期は、実質的に固定された長さを有しているか或いは所定の範囲内で変えられ、好ましくは実質的に固定された長さを有している。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
理論的認識はともかく、そのような上記パルス持続時間範囲の断続レーザビームの使用は、プラズマ生成中に望ましくない溶融小滴及び／或いは粒子の発生を減らす或いは無くすことができると思われる。例えば、そのような望ましくない溶融小滴及び／或いは粒子は約１μｍ以上の大きさをもつことがある。断続レーザビームの使用は、実質的にそのような溶融小滴及び／或いは粒子フリーであるプラズマの生成を可能にする。溶融小滴及び／或いは粒子の生成の減少或いは実質的な阻止は、電気化学デバイスの任意の薄膜形成中、好ましくは少なくともカソード、アノード及び／或いは固体電解質薄膜の形成中に起きることができる。それに比べて、実質的に長いパルス持続時間（ナノ秒以上のような）をもつ通常のレーザビームの使用は、通常溶融小滴及び／或いは粒子の生成をもたらし、これらは、次々に堆積薄膜のエネルギ変換特性に悪影響を与える。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
理論的認識はともかく、そのような上記パルス持続時間範囲の断続レーザビームの使用は、望ましい化学量論及び／或いは構造特性を持つ薄膜を提供できるとも思われる。薄膜の化学量論は、エネルギ変換特性に影響を及ぼす。例えば、スズ酸化物アノード薄膜の場合、高いスズ原子比は、一般に充電−放電キャパシティ特性を改善し、高い酸素原子比は、一般的に繰り返し安定性を改善する。従って、スズ酸化物薄膜の酸素対スズ原子比をバランスさせることは有益である。断続レーザビームの使用は、有益な酸素：スズ原子比、例えば、約０．５：１から約２：１、好ましくは約１：１から約２：１、より好ましくは約１．５：１から２：１をもたらすことができる。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
理論的認識はともかく、薄膜の結晶構造の程度が薄膜の充電／放電サイクル特性に影響を及ぼすことができるとさらに思われる。一実施例において、薄膜の構造は完全に非晶質でも、完全に結晶でもなく様々なサイズのグレインを含む“ナノ結晶”構造から成り立っている。例えば、薄膜は、約５から約５００ｎｍ、好ましくは約１０から約１００ｎｍ、より好ましくは約１０から５０ｎｍの範囲のグレインサイズをもつ結晶グレインを有することができる。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
減少されたサイズの薄膜電気化学エネルギ変換デバイスは、マイクロチップ上に、例えば、パワーを与える部品に接して、或いはパワーを与える部品に近接して薄膜電気化学エネルギ変換デバイスを配置することができる。そのような配置は、例えば、パワー配線中の漏れキャパシタンス、パワーラインと信号ライン間のクロストーク、及び／或いはオーミック損失、によって引き起こされるノイズを減少させることができる。薄膜電気化学エネルギ変換デバイスは、特定の用途に依存するが、例えば、約１０から約１００Ｖと約１nAから約１μAの量のパワーを供給することができる。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
図３は、ステンレススチール基板とシリコン基板に成長した薄膜に対する、堆積温度を関数とする薄膜の酸素対シリコン原子比（〔Ｏ〕：〔Ｓｎ〕）を示している。約２５℃から約７００℃までの堆積温度の変化で、原子比が１．５から２．０の範囲であることがわかった。この結果は、薄膜が相対的に低い堆積温度で一酸化スズ（ＳｎＯ）と二酸化スズ（ＳｎＯ２）の混合する非晶質であったことを示している。ＳｎＯの割合は、一般的に高い堆積温度で減少し、温度が約６００℃に達すると、化学量論は、実質的にＳｎＯ２のそれになった。基板のタイプ（すなわち、ステンレススチールかシリコンか）が、二つの基板上にそれぞれ成長した薄膜の化学量論的類似性の観点から、それぞれの薄膜の化学量論に明確な効果を持つようには見えない。上記からわかるように、薄膜の化学量論は、堆積温度を変えることで制御される。
［実施例４］薄膜の表面形態