【手続補正書】
【提出日】平成26年9月22日(2014.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物品の表面を流体で処理するための装置であって、
物品を所定の向きに配置するよう構成されたホルダと、
前記物品に隣接する流体媒体を振動させるために配置された超音波またはメガソニックエネルギ源と、
前記液体に予め溶解された気体が気泡の形態で溶液から出てくるように、処理流体の圧力を低下させた後に前記超音波またはメガソニックエネルギ源の近くに前記処理流体を放出するよう構成された処理流体生成器と、を備え、
前記超音波またはメガソニックエネルギ源は、前記処理流体および前記物品の界面に圧力振幅最小および最大の領域を含む前記処理流体の干渉パターンを生成するよう構成されており、
前記処理流体生成器は、さらに、前記圧力振幅最小および最大の領域に平行に、または最大６０度の角度で、前記処理流体を注入するように構成されており、
前記超音波またはメガソニックエネルギ源は、約０．１ｍｍから約１０ｍｍの幅ｗを有するギャップが形成されるように、前記物品が占めるべき空間に隣接して配置された共振器を備える、装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記処理流体生成器は、
流入口を設けられた本体ハウジングと、
前記本体ハウジングに設けられた複数の注入口または注入スリットと、
前記流入口に結合された外部の液体媒体供給ユニットと、を備える、装置。
【請求項３】
請求項１に記載の装置であって、
前記超音波またはメガソニックエネルギ源は、前記超音波またはメガソニックエネルギを方向付けて前記干渉パターンを生成する一連の三角溝を有する共振器を備える、装置。
【請求項４】
請求項１に記載の装置であって、
前記超音波またはメガソニックエネルギ源は、モノリシックの本体上に取り付けられた複数の圧電素子を有すると共に、前記ホルダに載置された物品に対して斜めに向くように配置された共振器を備える、装置。
【請求項５】
請求項１に記載の装置であって、
前記超音波またはメガソニックエネルギ源は、前記処理流体とインピーダンスの異なる液体を含む少なくとも１つの内部空間を有する共振器を備える、装置。
【請求項６】
請求項１に記載の装置であって、
前記装置は、半導体ウエハを処理するための枚葉式ウエハウェット処理ステーションである、装置。
【請求項７】
物品の表面を流体で処理するための装置であって、
所定の向きに前記物品を配置するよう構成されたホルダと、
前記物品に隣接する流体媒体を振動させるために配置された超音波またはメガソニックエネルギ源と、
前記超音波またはメガソニックエネルギ源の近くに、処理液体中に分散した気泡を含む処理流体を放出するように構成された処理流体生成器と、を備え、
前記気泡は１バール未満の音圧で生成され、
前記超音波またはメガソニックエネルギ源は、前記処理流体および前記物品の界面に圧力振幅最小および最大の領域を含む前記処理流体の干渉パターンを生成するよう構成されており、
前記処理流体生成器は、さらに、前記圧力振幅最小および最大の領域に平行に、または最大６０度の角度で、前記処理流体を注入するように構成されており、
前記超音波またはメガソニックエネルギ源は、約０．１ｍｍから約１０ｍｍの幅ｗを有するギャップが形成されるように、前記物品が占めるべき空間に隣接して配置された共振器を備える、装置。
【請求項８】
請求項７に記載の装置であって、
前記超音波またはメガソニックエネルギ源は、前記超音波またはメガソニックエネルギを方向付けて前記干渉パターンを生成する一連の三角溝を有する共振器を備える、装置。
【請求項９】
請求項７に記載の装置であって、
前記超音波またはメガソニックエネルギ源は、モノリシックの本体上に取り付けられた複数の圧電素子を有すると共に、前記ホルダに載置された物品に対して斜めに向くように配置された共振器を備える、装置。
【請求項１０】
請求項７に記載の装置であって、
前記装置は、半導体ウエハを処理するための枚葉式ウエハウェット処理ステーションである、装置。
【請求項１１】
物品の表面を流体で処理するための方法であって、
処理装置で処理される物品を所定の向きに配置する工程と、
前記物品に隣接する流体媒体を振動させるために超音波またはメガソニックエネルギを供給する工程と、
処理液体中に分散した気泡を含む処理流体を前記物品の表面の近くに供給する工程であって、前記気泡は１バール未満の音圧で生成される、工程と、を備え、
前記超音波またはメガソニックエネルギは、前記処理流体および前記物品の界面に圧力振幅最小および最大の領域を含む前記処理流体の干渉パターンを生成するように供給され、
前記超音波またはメガソニックエネルギ源は、約０．１ｍｍから約１０ｍｍの幅ｗを有するギャップが形成されるように、前記物品が占めるべき空間に隣接して配置された共振器を備える、方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、
前記処理装置は、半導体ウエハを処理するための枚葉式ウエハウェット処理ステーションである、方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の方法であって、
前記超音波またはメガソニックエネルギは、処理される前記物品の表面に対して斜めになった一連の傾斜面を有する共振器によって供給され、前記共振器の前記傾斜面は、前記共振器によって生成された音波を互いに干渉させる、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
本明細書に示された上述の説明および具体的な実施形態は、単に本発明およびその原理の例示であり、本発明の精神および範囲から逸脱することなく当業者によって変形および追加が容易になさうるため、本発明は添付の特許請求の範囲によってのみ限定されることを理解されたい。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例１：
物品の表面を流体で処理するための装置であって、
物品を所定の向きに配置するよう構成されたホルダと、
前記物品に隣接する流体媒体を振動させるために配置された超音波またはメガソニックエネルギ源と、
前記液体に予め溶解された気体が気泡の形態で溶液から出てくるように、処理流体の圧力を低下させた後に前記超音波またはメガソニックエネルギ源の近くに前記処理流体を放出するよう構成された処理流体生成器と、を備え、
前記超音波またはメガソニックエネルギ源は、前記処理流体および前記物品の界面に圧力振幅最小および最大の領域を含む前記処理流体の干渉パターンを生成するよう構成されている、装置。
適用例２：
適用例１の装置であって、
前記処理流体生成器は、
流入口を設けられた本体ハウジングと、
前記本体に設けられた複数の注入口または注入スリットと、
前記流入口に結合された外部の液体媒体供給ユニットと、を備える、装置。
適用例３：
適用例１の装置であって、
前記超音波またはメガソニックエネルギ源は、約０．１ｍｍから約１０ｍｍの幅ｗを有するギャップが形成されるように、前記物品が占めるべき空間に隣接して配置された共振器を備える、装置。
適用例４：
適用例１の装置であって、
前記超音波またはメガソニックエネルギ源は、前記超音波またはメガソニックエネルギを方向付けて前記干渉パターンを生成する一連の三角溝を有する共振器を備える、装置。
適用例５：
適用例１の装置であって、
前記超音波またはメガソニックエネルギ源は、モノリシックの本体上に取り付けられた複数の圧電素子を有すると共に、前記ホルダに載置された物品に対して斜めに向くように配置された共振器を備える、装置。
適用例６：
適用例１の装置であって、
前記超音波またはメガソニックエネルギ源は、前記処理流体とインピーダンスの異なる液体を含む少なくとも１つの内部空間を有する共振器を備える、装置。
適用例７：
適用例１の装置であって、
前記装置は、半導体ウエハを処理するための枚葉式ウエハウェット処理ステーションである、装置。
適用例８：
物品の表面を流体で処理するための装置であって、
所定の向きに前記物品を配置するよう構成されたホルダと、
前記物品に隣接する流体媒体を振動させるために配置された超音波またはメガソニックエネルギ源と、
前記超音波またはメガソニックエネルギ源の近くに、処理液体中に分散した気泡を含む処理流体を放出するように構成された処理流体生成器と、を備え、
前記気泡は１バール未満の音圧で生成され、
前記超音波またはメガソニックエネルギ源は、前記処理流体および前記物品の界面に圧力振幅最小および最大の領域を含む前記処理流体の干渉パターンを生成するよう構成されている、装置。
適用例９：
適用例８の装置であって、
前記超音波またはメガソニックエネルギ源は、前記超音波またはメガソニックエネルギを方向付けて前記干渉パターンを生成する一連の三角溝を有する共振器を備える、装置。
適用例１０：
適用例８の装置であって、
前記超音波またはメガソニックエネルギ源は、モノリシックの本体上に取り付けられた複数の圧電素子を有すると共に、前記ホルダに載置された物品に対して斜めに向くように配置された共振器を備える、装置。
適用例１１：
適用例８の装置であって、
前記装置は、半導体ウエハを処理するための枚葉式ウエハウェット処理ステーションである、装置。
適用例１２：
物品の表面を流体で処理するための方法であって、
処理装置で処理される物品を所定の向きに配置する工程と、
前記物品に隣接する流体媒体を振動させるために超音波またはメガソニックエネルギを供給する工程と、
処理液体中に分散した気泡を含む処理流体を前記物品の表面の近くに供給する工程であって、前記気泡は１バール未満の音圧で生成される、工程と、を備え、
前記超音波またはメガソニックエネルギは、前記処理流体および前記物品の界面に圧力振幅最小および最大の領域を含む前記処理流体の干渉パターンを生成するように供給される、方法。
適用例１３：
適用例１２の方法であって、
前記処理装置は、半導体ウエハを処理するための枚葉式ウエハウェット処理ステーションである、方法。
適用例１４：
適用例１２の方法であって、
前記超音波またはメガソニックエネルギは、処理される前記物品の表面に対して斜めになった一連の傾斜面を有する共振器によって供給され、前記共振器の前記傾斜面は、前記共振器によって生成された音波を互いに干渉させる、方法。