【手続補正書】
【提出日】平成24年5月21日(2012.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトレジストパターンをコーティングするための水性コーティング組成物であって、アルキルアミノ基を有する少なくとも一つの単位を含むポリマーを含み、前記単位は下記構造（１）を有する、前記組成物。
【化１】
2011524930.tif 000001
［式中、Ｒ１〜Ｒ４は、独立して、水素及びＣ１〜Ｃ６アルキルから選択され、Ｒ５はＣ１〜Ｃ６アルキルであり、そしてＷはＣ１〜Ｃ６アルキレンである］
【請求項２】
ポリマーが、以下の構造２のモノマー性単位を更に含む、請求項１のコーティング組成物。
【化２】
2011524930.tif 000002
［式中、Ｒ６〜Ｒ８は、独立して、水素及びＣ１〜Ｃ６アルキルから選択され、Ａは、単結合、Ｏ、Ｃ（Ｏ）、（Ｃ＝Ｏ）Ｏ、Ｃ１〜Ｃ４アルキルから選択され；
Ｘ、Ｙ、Ｚ及びＮは環状構造を形成し、ここで更に、Ｘは、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、不飽和Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、直接結合、及びこれらの混合物から選択され、Ｙは、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、不飽和Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、直接結合、及びこれらの混合物から選択され、Ｚは、ＣＨ２、Ｏ、Ｃ（Ｏ）、Ｎ、ＮＨ、Ｎ（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）、Ｎ＝Ｎ、及びＮ−ＣＨ＝Ｎから選択され、そしてＮは窒素である］
【請求項３】
構造（２）のモノマー性単位が、以下のものから選択される、請求項２のコーティング組成物。
【化３】
2011524930.tif 000003
［式中、Ｒ６〜Ｒ８は、独立して、水素及びＣ１〜Ｃ６アルキルから選択され、Ｘ、Ｙ、Ｚ及びＮは環状構造を形成し、ここで更に、Ｘは、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、不飽和Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、直接結合、及びこれらの混合物から選択され、Ｙは、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、不飽和Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、直接結合、及びこれらの混合物から選択され、Ｚは、ＣＨ２、Ｏ、Ｃ（Ｏ）、Ｎ、ＮＨ、Ｎ（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）、Ｎ＝Ｎ、及びＮ−ＣＨ＝Ｎから選択され、そしてＮは窒素である］
【請求項４】
ポリマーがアクリレート及び／またはカルボン酸を含まない、請求項１〜３のいずれか一つのコーティング組成物。
【請求項５】
ポリマーが以下の構造（３）のモノマー性単位を更に含む、請求項１〜４のいずれか一つのコーティング組成物。
【化４】
2011524930.tif 000004
［式中、ＢはＣ１〜Ｃ６アルキレンであり、Ｒ９はＨまたはＣ１〜Ｃ６アルキルである］
【請求項６】
組成物が水混和性溶剤を更に含む、請求項１の組成物。
【請求項７】
組成物が、界面活性剤、アミノアルコール、アミン、Ｃ１〜Ｃ８アルコール、光酸発生剤、架橋性化合物、熱酸発生剤、及び遊離酸から選択される添加剤を更に含む、請求項１〜６のいずれか一つの組成物。
【請求項８】
組成物が架橋性化合物を含まない、請求項１〜７のいずれか一つの組成物。
【請求項９】
組成物が光酸発生剤を含まない、請求項１〜８のいずれか一つの組成物。
【請求項１０】
ａ）基材にフォトレジストパターンを供し；
ｂ）フォトレジストパターンを、請求項１〜９のいずれか一つのコーティング材料でコーティングし；
ｃ）フォトレジストパターンと接触する部分のコーティング材料を反応させ；
ｄ）反応していない部分のコーティング材料を除去液で除去する、
ことを含む、微細電子デバイスの製造方法。
【請求項１１】
基材を加熱し、それによってコーティング材料とフォトレジストとの反応を引き起こす、請求項１０の方法。
【請求項１２】
除去液が、水酸化物塩基を含む水溶液である、請求項１０または１１の方法。
【請求項１３】
除去液が水混和性溶剤を更に含む、請求項１０〜１２のいずれか一つの方法。
【請求項１４】
フォトレジストがポリマー及び光酸発生剤を含む、請求項１０〜１３のいずれか一つの方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレート（ＤＭＡＥＡ）（２５．７０ｇ，０．１７９５モル）、Ｎ−ビニルピロリドン（ＮＶＰ））（１９．９５ｇ，０．１７９５モル）、６．８５ｇの開始剤としてのアゾ−ビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）及び９７．５０ｇのアセトニトリルを含む混合物を、水冷凝縮器及び窒素入口を備えた５００ｍｌ丸底フラスコに加えた。開始剤濃度は、モノマーの総重量に対し１５重量％であった。イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、２−ブタノン及びメタノールなどの他の溶剤を、アセトニトリルの変わりに使用することもできる。窒素ガスを上記溶液中に攪拌しながら室温で３０分間パージした。窒素パージの後、反応溶液を６５℃に加熱した。重合反応は６時間行った。重合の完了後、ポリマー溶液を３０℃に冷却し、そしてロータリーエバポレーターを用いて濃縮した。濃縮された溶液をジエチルエーテル中で析出させた。ジイソプロピルエーテル及びｔｅｒｔブチルメチルエーテルなどの他の溶剤も使用できる。析出用溶剤の使用量は、反応の初期体積の７倍であった。最終のコポリマーを４０℃で真空乾燥した。収率は７０％であった。コポリマー（表１のポリマー３）をＮＭＲ、ＧＰＣ及びリソグラフィー分析で特徴付けした。ポリマーの重量平均分子量は２４，８３２（Ｍｗ）であり、多分散性は４．０であった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
底面反射防止膜材料（Ｂ．Ａ．Ｒ．Ｃ．）としてのＡＺ（登録商標）ＡｒＦ−１Ｃ５Ｄ（ＡＺ（登録商標）ＥＭ  ＵＳＡ  Ｃｏｒｐ，７０  Ｍｅｉｓｔｅｒ  Ａｖｅ．，Ｓｏｍｅｒｖｉｌｌｅ，ＮＪ製）をケイ素基材上にスピンコートし、そして２００℃で６０秒間ベークして、厚さ０．０３７μｍの反射防止膜層を形成した。次いで、ＡＺ（登録商標）ＡＸ２０５０Ｐフォトレジスト溶液（ＡＺ  ＥＭ  ＵＳＡ  Ｃｏｒｐ，７０，Ｍｅｉｓｔｅｒ  Ａｖｅ．，Ｓｏｍｅｒｖｉｌｌｅ，ＮＪ製の１９３ｎｍフォトレジスト）を、底面反射防止膜（Ｂ．Ａ．Ｒ．Ｃ．）がコーティングされた前記ケイ素基材上にスピンコートした。このフォトレジストフィルムを１１０℃で６０秒間ベークして０．１５μｍの厚さを得た。次いで、このフォトレジストフィルムを、６％ハーフトーン型位相シフトマスクを用いて１９３ｎｍスキャナ（開口数０．７８及びコヒーレンス０．９）で露光した。露光後、このウェハを１１０℃で６０秒間ポスト露光ベークし、そしてＡＺ（登録商標）６２６  ＭＩＦ現像剤（ＡＺ  ＥＭ  ＵＳＡ  Ｃｏｒｐ，７０，Ｍｅｉｓｔｅｒ  Ａｖｅ．，Ｓｏｍｅｒｖｉｌｌｅ，ＮＪ製）を用いて６０秒間現像して、１８０ｎｍピッチで９０ｎｍ径のコンタクトホール（Ｃ／Ｈ）パターンを形成した（ピッチとは、一つのホールの始まりと次のホールの始まりとの間の間隔のことである）。次いで、フォトレジストパターンを、走査電子顕微鏡で観察し、そしてコンタクトホールの直径を測定した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
ポリマー４を用いて表１に記載のように調製したシュリンクコーティング材料を、フォトレジストがパターン化された上記基材上に供した。シュリンクフィルムは１００ｎｍの厚さを有していた。次いでこれを１４０℃で６０秒間、熱処理（すなわちミキシングベーク）に付した。次いで、このシュリンク材料を、ＤＩ水パドルを用いて６０秒間で除去し、そして６０秒間リンスした。欠陥の測定は、現像後の露光された領域と未露光の領域とでＫＬＡ２３６０（ピクセルサイズ０．２５μｍ（ＫＬＡ  Ｔｅｎｃｏｒ  Ｃｏ．製））を用いて行った。スマージ（ｓｍｕｄｇｅ）欠陥とは、欠陥が粒状（パーティクル）ではなく、表面上の長円形の染み様（ｓｍｕｄｇｅ−ｌｉｋｅ）の欠陥である場合を言う。比較材料に同じ方法を用い、ここではシュリンク材料としてＡＺ（登録商標）Ｒ６０７製品（ＡＺ（登録商標）ＥＭ  ＵＳＡ  Ｃｏｒｐ，７０，Ｍｅｉｓｔｅｒ  Ａｖｅ．，Ｓｏｍｅｒｖｉｌｌｅ，ＮＪ製）を使用した。欠陥データを表５に纏める。この結果は、観察された粒状欠陥は許容範囲内であったことを示す。このデータは更に、スマージ欠陥が無かったことを示した。
例７ｂ：ＡｒＦフォトレジストとしてのＡＺ  ＡＸ２０５０Ｐ（９０ｎｍ  Ｃ／Ｈ  １８０ｎｍピッチ）上のポリ（ＡＭＯＲ／ＤＭＡＥＡ／ＶＣＬ）
反射防止膜材料としてのＡＺ（登録商標）ＡｒＦ−１Ｃ５Ｄ（ＡＺ  ＥＭ  ＵＳＡ  Ｃｏｒｐ．，７０，Ｍｅｉｓｔｅｒ  Ａｖｅ．，Ｓｏｍｅｒｖｉｌｌｅ，ＮＪ製）をケイ素基材上にスピンコートし、そして２００℃で６０秒間ベークして、厚さが０．０３７μｍの反射防止膜を形成した。次いで、ＡＺ（登録商標）ＡＸ２０５０Ｐフォトレジスト溶液（ＡＺ  ＥＭ  ＵＳＡ  Ｃｏｒｐ，７０，Ｍｅｉｓｔｅｒ  Ａｖｅ．，Ｓｏｍｅｒｖｉｌｌｅ，ＮＪ製）を、底面反射防止膜（Ｂ．Ａ．Ｒ．Ｃ．）がコーティングされた前記ケイ素基材上にスピンコートした。このフォトレジストフィルムを１１０℃で６０秒間ベークして０．１５μｍの厚さを得た。次いで、このフォトレジストフィルムを、６％ハーフトーン型位相シフトマスクを用いて１９３ｎｍスキャナ（開口数０．７８及びコヒーレンス０．９）で露光した。露光後、このウェハを１１０℃で６０秒間ポスト露光ベークし、そしてＡＺ（登録商標）６２６ＭＩＦ現像剤（ＡＺＥＭ  ＵＳＡ  Ｃｏｒｐｓ，７０  Ｍｅｉｓｔｅｒ  Ａｖｅ．，Ｓｏｍｅｒｖｉｌｌｅ，ＮＪ製）を用いて６０秒間現像して、１８０ｎｍピッチで９０ｎｍ径のコンタクトホールパターンを形成した。次いで、このフォトレジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察した。