【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年12月14日(2011.12.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  二次元に広がっている記憶媒体において光学的に読み取り可能なディジタル情報の光学的書き込み方法であって、光学的書き込みプロセスによって、記憶媒体の表面トポグラフィーが光学的読み取りプロセスのため適当でありそして十分に変性されており、そして更に特定的には、吸収体層に隣接した区域の劣化及び／又は物理的もしくは化学的変性から生じる検出される信号の実
質的な部分なしに変性されていることを特徴とする方法。
【請求項２】  記憶媒体としてポリマーフイルムを使用することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  記憶媒体として多層ディスクを使用し、該多層ディスクは少なくとも１つの機械的に十分に安定な基材、光活性層を形成する少なくとも１つのポリマーフイルム及び被覆層を具備することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】  記憶媒体が使用され、そして光活性層が、主として、光の作用下に配向する染料を含有するオリゴマー及び／又はポリマー、好ましくは無定形ポリマー、特に好ましくは側基ポリマーを含んでなる請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】  その質量密度が光活性層の質量密度にぴったり合っているポリマーフイルムを被覆層として使用することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】  光活性ポリマーフイルムとして側鎖ポリマー、場合によりブロックポリマー及び／又はグラフトポリマーが使用され、該ポリマーに染料がＳＴＱ−スペーサーを介して側鎖として結合しており（式Ｉ）、そして非対称性の基がＳＴＱ−スペーサーを介して同様に結合しており（式ＩＩ）、式Ｉは
構造
【化１】
2003511807.tif 000001
ここで、−Ａｒ1−は
【化２】
2003511807.tif 000002
であり、
−Ａｒ2−は、
【化３】
2003511807.tif 000003
であり、
−Ａｒ3−は、
【化４】
2003511807.tif 000004
であり、
上記式中、
ｙは１又は２を表し、
ｚは０、１又は２を表し、そして
Ｘ2′及びＡｒ2並びに／あるいはＸ3′及びＡｒ3は、もしｙ及び／又はｚが２を表すならば、異なる意味を有していてもよく、
ＡはＯ、Ｓ又はＮ−Ｃ1〜Ｃ4−アルキルを表し、
Ｑ1及びＱ2は互いに独立に−Ｏ−、−Ｓ−、−（Ｎ−Ｒ5）−、−Ｃ（Ｒ6Ｒ7）ｐ、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（Ｏ−ＣＯ）−、−（ＮＲ5−ＣＯ）−、−（ＳＯ2）−、−（Ｏ−ＳＯ2）−、−（ＮＲ5−ＳＯ2−）−、−（Ｃ＝ＮＲ8）−、−（ＣＮＲ8−ＮＲ5）−、−Ｏ−Ｃ6Ｈ5−ＣＯＯ−又は式
【化５】
2003511807.tif 000005
の二価の基を表し、
Ｔ1及びＴ2は互いに独立に−（ＣＨ2）p−、ここでこの鎖は−Ｏ−、−ＮＲ9−又は−ＯＳｉＲ102Ｏ−により中断されていてもよくそしてメチルにより置換されていてもよく、
Ｓ1及びＳ2は互いに独立に直接結合、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＲ9−を表し、
ｐは２〜１２、好ましくは２〜８、特に２〜４の整数を表し、
Ｒ9は水素、メチル、エチル又はプロピルを表し、
Ｒ10はメチル又はエチルを表し、
Ｒ11〜Ｒ12は互いに独立に水素又は非イオン性置換基を表し、
Ｘ4は水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、ＣＦ3、ＣＣｌ3、−ＣＯＯ−Ｃ1〜Ｃ4−アルキル又はＸ4′−Ｒ4を表し、
Ｘ1′、Ｘ2′、Ｘ3′及びＸ4′は直接結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−（Ｎ−Ｒ5）−、−Ｃ（Ｒ6Ｒ7）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（ＣＯ−Ｏ）−、−（ＣＯ−ＮＲ5）−、−（ＳＯ2）−、−（ＳＯ2−Ｏ）−、−（ＳＯ2−ＮＲ5）−又は−（ＣＮＲ8−ＮＲ5）−を表し、そして
Ｘ2′及びＸ3′は更に−（Ｃ＝ＮＲ8）−、−（Ｎ＝Ｎ）−を表すことができ、そして基Ｘ2′又はＸ3′の少なくとも１つは−Ｎ＝Ｎ−を表し、
Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8は互いに独立に水素、Ｃ1〜Ｃ4−アルキル又はＣ6〜Ｃ10−アリールを表し、そして
Ｒ4及びＲ5は更に互いに独立にＣ1〜Ｃ20−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ3〜Ｃ10−シクロアルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ2〜Ｃ20−アルケニル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ6〜Ｃ10−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（ＳＯ2）−、Ｃ3〜Ｃ10−シクロアルキル−（ＳＯ2）、Ｃ2〜Ｃ20−アルケニル−（ＳＯ2）−又はＣ6〜Ｃ10−アリール−（ＳＯ2）−を表し、
ここで、非イオン性置換基という用語は、ハロゲン、シアノ、ニトロ、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル、Ｃ1〜Ｃ20−アルコキシ、フェノキシ、Ｃ3〜Ｃ10−シクロアルキル、Ｃ2〜Ｃ20−アルケニル、Ｃ6〜Ｃ10−アリール、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ6〜Ｃ10−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（ＳＯ2）−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＨ−、Ｃ6〜Ｃ10−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＨ−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−ＮＨ−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ6〜Ｃ10−アリール−ＮＨ−（Ｃ＝Ｏ）−又は式
【化６】
2003511807.tif 000006
の基であると理解され、そしてアルキル、シクロアルキル、アルケニル及びアリール基は、ハロゲン、シアノ、ニトロ、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル、Ｃ1〜Ｃ20−アルコキシ、Ｃ3〜Ｃ10−シクロアルキル、Ｃ2〜Ｃ20−アルケニル又はＣ6〜Ｃ10−アリールよりなる群からの３個までの基により置換されていてもよく、そしてアルキル及びアルケニル基は直鎖状又は分岐状であることができ、そして
ハロゲンという用語は、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素、特にフッ素及び塩素であると理解される、
を有し、そして
式ＩＩは、
【化７】
2003511807.tif 000007
式中、上記置換基の定義（式Ｉ）は式ＩＩについても成り立ち、但し基Ｘ2′又はＸ3′のいずれも−Ｎ＝Ｎ−を表さなくてもよくそしてＲ11〜Ｒ22は式（ＶＩＩＩ）の基を表さなくてもよいものとする、
により表される請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】  置換基及び式が請求項６に記載の意味を有しそして更に、
Ａｒ1が式（ＩＩＩ）の基を表し、
Ａｒ2が式（ＶＩ）の基を表し、
Ａｒ3が式（ＶＩＩ）又は（Ｖ）の基を表し、
ｙが１又は２を表し、
ｚが０、１又は２を表し、
Ｘ2′及びＡｒ2並びに／あるいはＸ3′及びＡｒ3は、ｙ及び／又はｚが２を表すならば、異なる意味を有することができ、
ＡはＯ又はＳを表し、
Ｑ1及びＱ2は互いに独立に−Ｏ−、−（Ｎ−Ｒ5）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（Ｏ−ＣＯ）−、−（ＮＲ5−ＣＯ）−、−（ＳＯ2）−、−（Ｏ−ＳＯ2）−、−（ＮＲ5−ＳＯ2−）−、−Ｏ−Ｃ6Ｈ5−ＣＯＯ−又は式
【化８】
2003511807.tif 000008
の二価の基を表し、
Ｔ1及びＴ2は互いに独立に−（ＣＨ2）p−、ここでこの鎖は−Ｏ−、−ＮＲ9−又は−ＯＳｉＲ102Ｏ−により中断されていてもよくそしてメチルにより置換されていてもよく、
Ｓ1及びＳ2は互いに独立に直接結合、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＲ9−を表し、
ｐは２〜８、特に２〜４の整数を表し、
Ｒ9は水素、メチル又はエチルを表し、
Ｒ10はメチル又はエチルを表し、
Ｒ11〜Ｒ22は互いに独立に水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル、Ｃ1〜Ｃ20−アルコキシ、フェノキシ、Ｃ3〜Ｃ10−シクロアルキル、Ｃ2〜Ｃ20−アルケニル、Ｃ6〜Ｃ10−アリール、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ6〜Ｃ10−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（ＳＯ2）−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＨ−、Ｃ6〜Ｃ10−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＨ−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−ＮＨ−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ6〜Ｃ10−アリール−ＮＨ−（Ｃ＝Ｏ）−又は式
【化９】
2003511807.tif 000009
の基を表し、
Ｘ4は水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、ＣＦ3、ＣＣｌ3、−ＣＯＯ−Ｃ1〜Ｃ4−アルキル又はＸ4′−Ｒ4を表し、
Ｘ1′、Ｘ2′、Ｘ3′及びＸ4′は直接結合、−Ｏ−、−（Ｎ−Ｒ5）−、−Ｃ（Ｒ6Ｒ7）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（ＣＯ−Ｏ）−、−（ＣＯ−ＮＲ5）−、−（ＳＯ2）−又は−（ＳＯ2−Ｏ）−を表し、そして
Ｘ2′及びＸ3′は更に−（Ｎ＝Ｎ）−を表すことができ、そして基Ｘ2′又はＸ3′の少なくとも１つは−Ｎ＝Ｎ−を表し、
Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8は互いに独立に水素、Ｃ1〜Ｃ4−アルキル又はＣ〜Ｃ10−アリールを表し、そして
Ｒ4及びＲ5は更に互いに独立にＣ1〜Ｃ20−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ3〜Ｃ10−シクロアルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ2〜Ｃ20−アルケニル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ6〜Ｃ10−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（ＳＯ2）−、Ｃ3〜Ｃ10−シクロアルキル−（ＳＯ2）−、Ｃ2〜Ｃ20−アルケニル−（ＳＯ2）−又はＣ6〜Ｃ10−アリール−（ＳＯ2）−を表す、
染料側基Ｉが使用され、そして
置換基及び式が請求項６で定義された意味を有しそして更に、
Ａｒ1が式（ＩＩＩ）の基を表し、
Ａｒ2が式（ＶＩ）の基を表し、
Ａｒ3が式（ＶＩＩ）又は（Ｖ）の基を表し、
ｙが１又は２を表し、
ｚが０、１又は２を表し、そして
Ｘ2′及びＡｒ2並びに／あるいはＸ3′及びＡｒ3は、ｙ及び／又はｚが２を表すならば、異なる意味を有することができ、
ＡはＯ又はＳを表し、
Ｑ1及びＱ2は互いに独立に−Ｏ−、−（Ｎ−Ｒ5）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（Ｏ−ＣＯ）−、−（ＮＲ5−ＣＯ）−、−（ＳＯ2）−、−（Ｏ−ＳＯ2）−、−（ＮＲ5−ＳＯ2−）−、−Ｏ−Ｃ6Ｈ5−ＣＯＯ−又は式
【化１０】
2003511807.tif 000010
の二価の基を表し、
Ｔ1及びＴ2は互いに独立に−（ＣＨ2）p−を表し、ここで、この鎖は−Ｏ−、−ＮＲ9−又は−ＯＳｉＲ102Ｏ−により中断されていてもよくそしてメチルによ
り置換されていてもよく、
Ｓ1及びＳ2は互いに独立に直接結合、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＲ9−を表し、
ｐは２〜８、特に２〜４の整数を表し、
Ｒ9は水素、メチル又はエチルを表し、
Ｒ10はメチル又はエチルを表し、
Ｒ11〜Ｒ22は互いに独立に水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル、Ｃ1〜Ｃ20−アルコキシ、フェノキシ、Ｃ3〜Ｃ10−シクロアルキル、Ｃ2〜Ｃ20−アルケニル、Ｃ6〜Ｃ10−アリール、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ6〜Ｃ10−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（ＳＯ2）−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＨ−、Ｃ6〜Ｃ10−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＨ−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−ＮＨ−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ6〜Ｃ10−アリール−ＮＨ−（Ｃ＝Ｏ）−を表し、
Ｘ4は水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、ＣＦ3、ＣＣｌ3、−ＣＯＯ−Ｃ1〜Ｃ4−アルキル又はＸ4′−Ｒ4を表し、
Ｘ1′、Ｘ2′、Ｘ3′及びＸ4′は直接結合、−Ｏ−、−（Ｎ−Ｒ5）−、−Ｃ（Ｒ6Ｒ7）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（ＣＯ−Ｏ）−、−（ＣＯ−ＮＲ5）−、−（ＳＯ2）−又は−（ＳＯ2−Ｏ）−を表し、そして
Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8は互いに独立に水素、Ｃ1〜Ｃ4−アルキル又はＣ6〜Ｃ10−アリールを表し、そして
Ｒ4及びＲ5は更に互いに独立にＣ1〜Ｃ20−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ3〜Ｃ10−シクロアルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ2〜Ｃ20−アルケニル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ6〜Ｃ10−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（ＳＯ2）−、Ｃ3〜Ｃ10−シクロアルキル（ＳＯ2）−、Ｃ2〜Ｃ20−アルケニル−（ＳＯ2）−又はＣ6〜Ｃ10−アリール−（ＳＯ2）−を表す、
非対称性の側基ＩＩが使用されることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】  情報が書き込まれるべき記憶媒体が０．０５〜１０００μｍの厚さの光活性層を有する請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】  使用される記憶媒体が０．３〜２０の光活性層の書き込みレーザーの波長における光学濃度を有する請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】  使用される記憶媒体において、光活性層の表面トポグラフイーの変化として凹みが生成され、該凹みは好ましくは少なくとも１０ｎｍの深さを有する請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】  元の表面で測定された１つの方向における少なくとも１０μｍの幅を有する凹みが記憶媒体において生成されることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】  記憶媒体の表面トポグラフイーの変化が好ましくは３８０ｎｍ〜８２０ｎｍの波長を有するレーザー光により生成されることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】  光が１５０μＷ〜１００ｍＷの強度を有しそして１０ｎｍ〜８μｍの範囲の寸法（完全半価幅）を有するスポットに集光されることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】  記憶媒体のキャリア層がポリマー、好ましくは熱可塑性ポリマー、特に好ましくはポリカーボネートを含んでなる記憶媒体に情報を書き込むことができることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】  信号偏差が少なくとも２０ｄＢのキャリア／ノイズ比を有する記憶媒体に書き込まれることを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】  染料含有層と更なる層との間に、好ましくは、アルミニウム、銀、金よりなる群からの、特に好ましくはアルミニウム及び銀よりなる群からの、最も特に好ましくはアルミニウムの追加の光反射層を含む記憶媒体に情報を書き込むことができる請求項１〜１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】  情報が書き込まれるべき記憶媒体が反射層を有しない請求項１〜１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】  音響−光学モジュレータを有するレーザーにより又はレーザーダイオードの変調により生成された可変強度の偏光により光学的書き込みプロセスが行われ、そして反射された光の偏光状態が偏光光学システムにおいて検出されることを特徴とする請求項１〜１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】  式
【化１１】
2003511807.tif 000011
式中、Ｒ1は水素又はメチルを表し、そして
他の基は請求項６及び７で定義された意味を有し、そして
−（Ｘ3′−Ａｒ3）z−Ｘ4は式
【化１２】
2003511807.tif 000012
の基を表し、
Ｘ3′は−Ｎ＝Ｎ−又は−ＣＯ−ＮＨ−を表す、
のモノマー。
【請求項２０】  −（Ｘ3′−Ａｒ3）z−Ｘ4が式
【化１３】
2003511807.tif 000013
の基を表し、
Ｘ3′は−Ｏ−、−（ＳＯ2）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（Ｎ−Ｒ5）−、−（ＣＯ−ＮＲ5）−又は−Ｃ（Ｒ6Ｒ7）−を表す請求項１９に記載の式（Ｉａ）のモノマー。
【請求項２１】  −（Ｘ2′−Ａｒ2）y−が式
【化１４】
2003511807.tif 000014
の二価の基を表す請求項１９に記載の式（Ｉａ）のモノマー。
【請求項２２】  −（Ｘ1′−Ａｒ1）−Ｘ2′が式
【化１５】
2003511807.tif 000015
式中、Ｘ1′及びＸ2′はお互いに対してｍ−位置又はｐ−位置にあり、そして
Ｘ1′及びアゾ基はお互いに対してｏ−位置又はｐ−位置にある、
の二価の基を表す請求項１９に記載の式（Ｉａ）のモノマー。
【請求項２３】  式
【化１６】
2003511807.tif 000016
Ｘ2′は−Ｎ＝Ｎ−又は−ＣＯ−ＮＨ−を表し、
Ｘ4は水素、Ｃ1〜Ｃ4−アルコキシ、ジ−Ｃ1〜Ｃ4アルキルアミノ、Ｃ1〜Ｃ4−アルカノイルアミノ、ベンゾイルアミノ、シアノ又はニトロを表し、ここでＸ4は特に好ましくはアゾ基に対してｐ−位置にあり、
Ｒ15〜Ｒ22は互いに独立に水素、メチル、メトキシ又はシアノを表し、ここで基Ｒ19〜Ｒ22の１つは式
【化１７】
2003511807.tif 000017
の基を表すことができ、
該基は特に好ましくはアゾ基に対してｍ−位置又はｐ−位置にあり、
上記式において、
Ｘ4″は水素、Ｃ1〜Ｃ4−アルコキシ、ジ−Ｃ1〜Ｃ4アルキルアミノ、Ｃ1〜Ｃ4−アルカノイルアミノ、ベンゾイルアミノ、シアノ又はニトロを表しそして  Ｒ19′〜Ｒ22′は互いに独立に水素、メチル、メトキシ又はシアノを表す、
のモノマー。
【請求項２４】  前記請求項のいずれかに記載のモノマーから製造されるポリマー。
【請求項２５】  光学的記憶媒体を製造するための請求項１９〜２４の記載のモノマーの使用。
【請求項２６】  前記請求項のいずれかに従って得ることができる記憶媒体。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
本発明に従う方法において使用されるポリマー状又はオリゴマー状の有機無定形材料は、例えば式（Ｉ）の染料の外に、非対称性の基（ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｌｙ  ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  ｇｒｏｕｐｉｎｇｓ）を有することができる。これらの２つは一般にポリマーバックボーンにスペーサーを介して結合している。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
染料基（Ｉ）を有するモノマー及び／又は非対称性の基（ＩＩ）を有するモノマーは、好ましくは、式（Ｉａ）及び（ＩＩａ）を有する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
式中、Ｒ1は水素又はメチルを示し、そして  他の基は染料基及び非対称性の基について上記した意味を有する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５６】
の二価の基を表し、
Ｔ1及びＴ2は互いに独立に−（ＣＨ2）p−を表し、ここでこの鎖は−Ｏ−、−ＮＲ9−又は−ＯＳｉＲ102Ｏ−により中断されていてもよくそしてメチルにより置換されていてもよく、
Ｓ1及びＳ2は互いに独立に直接結合、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＲ9−を表し、
ｐは２〜８、特に２〜４の整数を表し、
Ｒ9は水素、メチル又はエチルを表し、
Ｒ10はメチル又はエチルを表し、
Ｒ11〜Ｒ22は互いに独立に水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル、Ｃ1〜Ｃ20−アルコキシ、フェノキシ、Ｃ3〜Ｃ10−シクロアルキル、Ｃ2〜Ｃ20−アルケニル、Ｃ6〜Ｃ10−アリール、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ6〜Ｃ10−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（ＳＯ2）−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＨ−、Ｃ6〜Ｃ10−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＨ−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−ＮＨ−（Ｃ＝Ｏ）−又はＣ6〜Ｃ10−アリール−ＮＨ−（Ｃ＝Ｏ）−を表し、
Ｘ4は水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、ＣＦ3、ＣＣｌ3、−ＣＯＯ−Ｃ1〜Ｃ4−アルキル又はＸ4′−Ｒ4を表し、
Ｘ1′、Ｘ2′、Ｘ3′及びＸ4′は直接結合、−Ｏ−、−（Ｎ−Ｒ5）−、−Ｃ（Ｒ6Ｒ7）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（ＣＯ−Ｏ）−、−（ＣＯ−ＮＲ5）−、−（ＳＯ2）−又は−（ＳＯ2−Ｏ）−を表し、そして
Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8は互いに独立に水素、Ｃ1〜Ｃ4−アルキル又はＣ6〜Ｃ10−アリールを表し、そして
Ｒ4及びＲ5は更に互いに独立にＣ1〜Ｃ20−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ3〜Ｃ10−シクロアルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ2〜Ｃ20−アルケニル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ6〜Ｃ10−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（ＳＯ2）−、Ｃ3〜Ｃ10−シクロアルキル（ＳＯ2）−、Ｃ2〜Ｃ20−アルケニル−（ＳＯ2）−又はＣ6〜Ｃ10−アリール−（ＳＯ2）−を表す、
式（ＩＩ）の非対称性の側基を含有するポリマーも本発明に従う方法において好ましく使用される。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６０】
式（Ｉ）の染料側基の外に、式（ＩＩ）において、
Ａｒ1が式（ＩＩＩ）の基を表し、該基において２つの結合はｐ−位置にあり、
Ａｒ2が式（ＶＩ）の基を表し、該基において２つの結合はｐ−位置又はｍ−位置にあり、
Ａｒ3が式（ＶＩＩ）又は（Ｖ）の基を表し、（ＶＩＩ）における２つの結合はｐ−位置にあり、
ｙが１又は２を表し、
ｚが０、１又は２を表し、そして
Ｘ2′及びＡｒ2並びに／あるいはＸ3′及びＡｒ3は、ｙ及び／又はｚが２を表すならば、異なる意味を有することができ、
ＡはＯ又はＳを表し、
Ｑ1及びＱ2は互いに独立に−Ｏ−、−（Ｎ−Ｒ5）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（ＮＲ5−ＣＯ）−又は−Ｏ−Ｃ6Ｈ5−ＣＯＯ−を表し、
Ｔ1及びＴ2は互いに独立に−（ＣＨ2）p−を表し、
Ｓ1及びＳ2は互いに独立に直接結合、−Ｏ−又は−ＮＲ9−を表し、
ｐは２〜８、特に２〜４の整数を表し、
Ｒ9は水素又はメチルを表し、
Ｒ11〜Ｒ22は互いに独立に水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、メチル、メトキシ、フェノキシ、フェニル、アセチル−、ベンゾイル−、ＣＨ3−（ＳＯ2）−、ＣＨ3−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−、ＣＨ3−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＨ−、又はＣＨ3−ＮＨ−（Ｃ＝Ｏ）−を表し、
Ｘ4は水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、ＣＦ3又はＸ4′−Ｒ4を表し、
Ｘ1′、Ｘ2′、Ｘ3′及びＸ4′は直接結合、−Ｏ−、−（Ｎ−Ｒ5）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（ＣＯ−ＮＲ5）−又は−（ＳＯ2）−を表し、
Ｒ4、Ｒ5及びＲ8は互いに独立に水素、Ｃ1〜Ｃ4−アルキル又はＣ6〜Ｃ10−アリールを表し、そして
Ｒ4及びＲ5は更に互いに独立にＣ1〜Ｃ4−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ6〜Ｃ10−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ1〜Ｃ4−アルキル−（ＳＯ2）−又はＣ6〜Ｃ10−アリール−（ＳＯ2）−を表す、
式（ＩＩ）の非対称性の側基を含有するポリマーを本発明に従う方法において使用するのも特に好ましい。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７４】
本方法で特に好ましく使用される非対称性のモノマー（ＩＩａ）は、
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９６】
グラフトポリマーは、オリゴマー又はポリマーベース系に対する式（Ｉ）の染料基を有するモノマー（Ｉａ）の遊離基結合並びに場合により更に式（ＩＩ）の非対称性基を有するモノマー（ＩＩａ）の結合及び／又は同様に更に式（ＩＩＩａ）のモノマーの結合により製造される。このようなベース系は、最も広
い可能な範囲のポリマー、例えば、ポリスチレン、ポリ（メタ）アクリレート、デンプン、セルロース及びペプチドを包含することができる。遊離基結合は光による照射により又は遊離基を生成する試薬、例えば、ｔｅｒｔ．−ブチルヒドロパーオキシド、ジベンゾイルパーオキシド、アゾジイソブチロニトリル、過酸化水素／鉄（ＩＩ）塩の使用により行うことができる。