【事件の表示】
　特許第３３６０６１０号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第３３６０６１０号に係る明細書を本件審判請求書に添付された訂正明細書のとおり訂正することを認める。
【理　由】
第１　請求の要旨
　本件審判の請求の要旨は、特許第３３６０６１０号発明（平成１０年６月１日特許出願、平成１４年１０月１８日設定登録）の明細書を審判請求書に添付した訂正明細書のとおり、すなわち、下記１〜２のとおり訂正することを求めるものである。
１　訂正事項ア
　設定登録時の願書に添付した明細書の特許請求の範囲に記載される
「【請求項１】　半導体装置製造工程における、デバイスパターンが存在し最上層が金属膜である複数の層を有する半導体素子表面の前記金属層の除去工程において、前記半導体素子表面の一部または全部にプローブ光を照射して得られる反射光の分光特性の信号により前記除去工程の工程終了点を検出する方法であって、前記金属層の一部または全部にプローブ光を照射する第１の段階と、　前記除去工程の進行に伴い前記金属層の少なくとも一部が除去された状態において、前記プローブ光が前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射する第２の段階とを有し、前記第２の段階では、前記反射光は、前記プローブ光が照射されているデバイスパターンの前記複数の層の各層からの光波の重ね合わせとなり、前記分光特性の信号から演算されたパラメータを利用して、工程終了点の判定を行うことを特徴とする検出方法。
【請求項２】　半導体装置製造工程における、二次元的に分布した複数の積層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層あるいは電極層の除去工程において、前記半導体素子表面の一部または全部にプローブ光を照射して得られる反射光または透過光の分光特性の信号により前記除去工程の工程終了点を検出する方法であって、前記プローブ光は前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射し、前記反射光または透過光は、前記プローブ光が照射されているデバイスパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせであり、前記分光特性の信号から演算されたパラメータを利用して、工程終了点の判定を行い、前記パラメータが、前記分光特性の信号の極大値、または極小値、または（極大値−極小値）、または（極小値／極大値）から選ばれた一つ以上であることを特徴とする検出方法。
【請求項３】　半導体装置製造工程における、二次元的に分布した複数の積層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層あるいは電極層の除去工程において、前記半導体素子表面の一部または全部にプローブ光を照射して得られる反射光または透過光の分光特性の信号により前記除去工程の工程終了点を検出する方法であって、前記プローブ光は前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射し、前記反射光または透過光は、前記プローブ光が照射されているデバイスパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせであり、前記分光特性の信号から演算されたパラメータを利用して、工程終了点の判定を行い、前記パラメータが、前記分光特性の信号の最大極大値、または最小極小値、または（最大極大値−最小極小値）、または（最小極小値／最大極大値）から選ばれた一つ以上であることを特徴とする検出方法。
【請求項４】　半導体装置製造工程における、二次元的に分布した複数の積層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層あるいは電極層の除去工程において、前記半導体素子表面の一部または全部にプローブ光を照射して得られる反射光または透過光の分光特性の信号により前記除去工程の工程終了点を検出する方法であって、前記プローブ光は前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射し、前記反射光または透過光は、前記プローブ光が照射されているデバイスパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせであり、前記分光特性の信号から演算されたパラメータを利用して、工程終了点の判定を行い、前記パラメータが、前記分光特性の信号の波長毎の信号値列の分散値であることを特徴とする検出方法。
【請求項５】　前記パラメータが、前記分光特性の信号の適当なフーリエ変換の成分であることを特徴とする請求項１記載の検出方法。
【請求項６】　半導体装置製造工程における、二次元的に分布した複数の積層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層あるいは電極層の除去工程において、前記半導体素子表面の一部または全部にプローブ光を照射して得られる反射光または透過光の分光特性の信号により前記除去工程の工程終了点を検出する方法であって、前記プローブ光は前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射し、前記反射光または透過光は、前記プローブ光が照射されているデバイスパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせであり、前記分光特性の信号と工程終了点に対応する予め記憶された参照分光特性の信号との相互相関関数を利用して、工程終了点の判定を行うことを特徴とする検出方法。
【請求項７】　請求項６に記載の検出装置において、研磨の進行に伴い変化する分光反射特性信号がｆ（λ）、参照分光反射特性信号がｇ（λ）とし、前記相互相関関数の定義式Ｒxy（τ）を、
　　【数１】
で表すことを特徴とする検出方法。
【請求項８】　請求項１〜７の検出方法から選ばれた二つ以上を併用して判定を行うことを特徴とする検出方法。
【請求項９】　半導体装置製造工程における、デバイスパターンが存在し最上層が金属膜である複数の層を有する半導体素子表面の前記金属層の除去工程の工程終了点を前記半導体素子表面の一部または全部にプローブ光を照射して得られる反射光の分光特性の信号により検出する検出装置において、前記照射光源を有し、前記照射光源から発したプローブ光を前記半導体素子表面の一部または全部に照射し、前記半導体素子表面の一部または全部にて反射された反射光の分光特性を検出する測定光学系と、前記検出された分光特性の信号が入力される信号処理部と、を備え、前記測定光学系は、前記除去工程の進行に伴い前記金属層の少なくとも一部が除去された状態において、前記プローブ光が前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射し、前記反射光が前記プローブ光が照射されているデバイスパターンの前記複数の層の各層からの光波の重ね合わせとなるように構成され、前記信号処理部は、前記分光特性の信号からパラメータを演算し、このパラメータを利用して研磨終了点を検出することを特徴とする検出装置。
【請求項１０】　半導体装置製造工程における、二次元的に分布した複数の積層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層あるいは電極層の除去工程の工程終了点を前記半導体素子表面の一部または全部にプローブ光を照射して得られる反射光の分光特性の信号により検出する検出装置において、前記照射光源を有し、前記照射光源から発したプローブ光を前記半導体素子表面の一部または全部に照射し、前記半導体素子表面の一部または全部にて反射された反射光の分光特性を検出する測定光学系と、前記検出された分光特性の信号が入力される信号処理部と、を備え、前記測定光学系は、前記プローブ光が前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射し、前記反射光が前記プローブ光が照射されているデバイスパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせとなるように構成され、前記信号処理部は、前記分光特性の信号から前記分光特性の信号の極大値、または極小値、または（極大値−極小値）、または（極小値／極大値）から選ばれた一つ以上をパラメータとして演算し、このパラメータを利用して研磨終了点を検出することを特徴とする検出装置。
【請求項１１】　半導体装置製造工程における、二次元的に分布した複数の積層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層あるいは電極層の除去工程の工程終了点を前記半導体素子表面の一部または全部にプローブ光を照射して得られる反射光の分光特性の信号により検出する検出装置において、前記照射光源を有し、前記照射光源から発したプローブ光を前記半導体素子表面の一部または全部に照射し、前記半導体素子表面の一部または全部にて反射された反射光の分光特性を検出する測定光学系と、前記検出された分光特性の信号が入力される信号処理部と、を備え、前記測定光学系は、前記プローブ光が前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射し、前記反射光が前記プローブ光が照射されているデバイスパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせとなるように構成され、前記信号処理部は、前記分光特性の信号から前記分光特性の信号の最大極大値、または最小極小値、または（最大極大値−最小極小値）、または（最小極小値／最大極大値）から選ばれた一つ以上をパラメータとして演算し、このパラメータを利用して研磨終了点を検出することを特徴とする検出装置。
【請求項１２】　半導体装置製造工程における、二次元的に分布した複数の積層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層あるいは電極層の除去工程の工程終了点を前記半導体素子表面の一部または全部にプローブ光を照射して得られる反射光の分光特性の信号により検出する検出装置において、前記照射光源を有し、前記照射光源から発したプローブ光を前記半導体素子表面の一部または全部に照射し、前記半導体素子表面の一部または全部にて反射された反射光の分光特性を検出する測定光学系と、前記検出された分光特性の信号が入力される信号処理部と、を備え、前記測定光学系は、前記プローブ光が前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射し、前記反射光が前記プローブ光が照射されているデバイスパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせとなるように構成され、前記信号処理部は、前記分光特性の信号から前記分光反射特性の信号の波長毎の信号値列の分散値をパラメータとして演算し、このパラメータを利用して研磨終了点を検出することを特徴とする検出装置。
【請求項１３】　半導体装置製造工程における、二次元的に分布した複数の積層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層あるいは電極層の除去工程の工程終了点を前記半導体素子表面の一部または全部にプローブ光を照射して得られる反射光の分光特性の信号により検出する検出装置において、前記照射光源を有し、前記照射光源から発したプローブ光を前記半導体素子表面の一部または全部に照射し、前記半導体素子表面の一部または全部にて反射された反射光の分光特性を検出する測定光学系と、前記検出された分光特性の信号が入力される信号処理部と、を備え、前記測定光学系は、前記プローブ光が前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射し、前記反射光が前記プローブ光が照射されているデバイスパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせとなるように構成され、前記信号処理部は、前記分光特性の信号と予め記憶された参照分光特性の信号との相互相関係数をパラメータとして演算し、このパラメータを利用して研磨終了点を検出することを特徴とする検出装置。
【請求項１４】　請求項９から１３のいずれか１項に記載の検出装置と研磨パッドと被研磨部材を保持する研磨ヘッドとを具え、前記研磨パッドと前記被研磨部材との間に相対運動を与えることにより前記被研磨部材を研磨する研磨装置。」を
「【請求項１】　半導体装置製造工程における、デバイスパターンが存在し最上層が金属膜である複数の層を有する半導体素子表面の前記金属層の除去工程において、前記半導体素子表面の一部または全部に連続的に複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる前記半導体素子表面からの反射光の分光特性の信号により前記除去工程の工程終了点を検出する方法であって、前記金属層の一部または全部にプローブ光を照射する第１の段階と、　前記除去工程の進行に伴い前記金属層の少なくとも一部が除去された状態において、前記プローブ光が前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射する第２の段階とを有し、前記第２の段階では、前記反射光は、前記プローブ光が照射されているデバイスパターンの前記複数の層の各層からの光波の重ね合わせとなり、前記分光特性の信号から演算されたパラメータを利用して、該パラメータが急激に変化するタイミングで工程終了点の判定を行うことを特徴とする検出方法。
【請求項２】　半導体装置製造工程における、二次元的に分布した複数の積層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層あるいは電極層の除去工程において、前記半導体素子表面の一部または全部に連続的に複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる前記半導体素子表面からの反射光の分光特性の信号により前記除去工程の工程終了点を検出する方法であって、前記プローブ光は前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射し、前記反射光は、前記プローブ光が照射されているデバイスパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせであり、前記分光特性の信号から演算されたパラメータを利用して、該パラメータが急激に変化するタイミングで工程終了点の判定を行い、前記パラメータが、前記分光特性の信号の極大値、または極小値、または（極大値−極小値）、または（極小値／極大値）から選ばれた一つ以上であることを特徴とする検出方法。
【請求項３】　半導体装置製造工程における、二次元的に分布した複数の積層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層あるいは電極層の除去工程において、前記半導体素子表面の一部または全部に連続的に複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる前記半導体素子表面からの反射光の分光特性の信号により前記除去工程の工程終了点を検出する方法であって、前記プローブ光は前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射し、前記反射光は、前記プローブ光が照射されているデバイスパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせであり、前記分光特性の信号から演算されたパラメータを利用して、該パラメータが急激に変化するタイミングで工程終了点の判定を行い、前記パラメータが、前記分光特性の信号の最大極大値、または最小極小値、または（最大極大値−最小極小値）、または（最小極小値／最大極大値）から選ばれた一つ以上であることを特徴とする検出方法。
【請求項４】　半導体装置製造工程における、二次元的に分布した複数の積層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層あるいは電極層の除去工程において、前記半導体素子表面の一部または全部に連続的に複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる前記半導体素子表面からの反射光の分光特性の信号により前記除去工程の工程終了点を検出する方法であって、前記プローブ光は前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射し、前記反射光は、前記プローブ光が照射されているデバイスパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせであり、前記分光特性の信号から演算されたパラメータを利用して、工程終了点の判定を行い、前記パラメータが、前記分光特性の信号の波長毎の信号値列の分散値であることを特徴とする検出方法。
【請求項５】　前記パラメータが、前記分光特性の信号の適当なフーリエ変換の成分であることを特徴とする請求項１記載の検出方法。
【請求項６】　半導体装置製造工程における、二次元的に分布した複数の積層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層あるいは電極層の除去工程において、前記半導体素子表面の一部または全部に連続的に複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる前記半導体素子表面からの反射光の分光特性の信号により前記除去工程の工程終了点を検出する方法であって、前記プローブ光は前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射し、前記反射光は、前記プローブ光が照射されているデバイスパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせであり、前記分光特性の信号と工程終了点に対応する予め記憶された参照分光特性の信号との相互相関関数を利用して、工程終了点の判定を行うことを特徴とする検出方法。
【請求項７】　半導体装置製造工程における、二次元的に分布した複数の積層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層あるいは電極層の除去工程において、前記半導体素子表面の一部または全部にプローブ光を照射して得られる反射光または透過光の分光特性の信号により前記除去工程の工程終了点を検出する方法であって、前記プローブ光は前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射し、前記反射光または透過光は、前記プローブ光が照射されているデバイスパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせであり、前記分光特性の信号と工程終了点に対応する予め記憶された参照分光特性の信号との相互相関関数を利用して、工程終了点の判定を行い、研磨の進行に伴い変化する分光反射特性信号がｆ（λ）、参照分光反射特性信号がｇ（λ）とし、前記相互相関関数の定義式Ｒxy（τ）を、
　　【数１】
で表すことを特徴とする検出方法。
【請求項８】　請求項１〜７の検出方法から選ばれた二つ以上を併用して判定を行うことを特徴とする検出方法。
【請求項９】　半導体装置製造工程における、デバイスパターンが存在し最上層が金属膜である複数の層を有する半導体素子表面の前記金属層の除去工程の工程終了点を前記半導体素子表面の一部または全部に連続的に複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる反射光の分光特性の信号により検出する検出装置において、前記照射光源を有し、前記照射光源から発したプローブ光を前記半導体素子表面の一部または全部に照射し、前記半導体素子表面の一部または全部にて反射された反射光の分光特性を検出する測定光学系と、前記検出された分光特性の信号が入力される信号処理部と、を備え、前記測定光学系は、前記除去工程の進行に伴い前記金属層の少なくとも一部が除去された状態において、前記プローブ光が前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射し、前記反射光が前記プローブ光が照射されているデバイスパターンの前記複数の層の各層からの光波の重ね合わせとなるように構成され、前記信号処理部は、前記分光特性の信号からパラメータを演算し、このパラメータを利用して該パラメータが急激に変化するタイミングで研磨終了点を検出することを特徴とする検出装置。
【請求項１０】　半導体装置製造工程における、二次元的に分布した複数の積層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層あるいは電極層の除去工程の工程終了点を前記半導体素子表面の一部または全部に連続的に複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる反射光の分光特性の信号により検出する検出装置において、前記照射光源を有し、前記照射光源から発したプローブ光を前記半導体素子表面の一部または全部に照射し、前記半導体素子表面の一部または全部にて反射された反射光の分光特性を検出する測定光学系と、前記検出された分光特性の信号が入力される信号処理部と、を備え、前記測定光学系は、前記プローブ光が前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射し、前記反射光が前記プローブ光が照射されているデバイスパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせとなるように構成され、前記信号処理部は、前記分光特性の信号から前記分光特性の信号の極大値、または極小値、または（極大値−極小値）、または（極小値／極大値）から選ばれた一つ以上をパラメータとして演算し、このパラメータを利用して該パラメータが急激に変化するタイミングで研磨終了点を検出することを特徴とする検出装置。
【請求項１１】　半導体装置製造工程における、二次元的に分布した複数の積層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層あるいは電極層の除去工程の工程終了点を前記半導体素子表面の一部または全部に連続的に複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる反射光の分光特性の信号により検出する検出装置において、前記照射光源を有し、前記照射光源から発したプローブ光を前記半導体素子表面の一部または全部に照射し、前記半導体素子表面の一部または全部にて反射された反射光の分光特性を検出する測定光学系と、前記検出された分光特性の信号が入力される信号処理部と、を備え、前記測定光学系は、前記プローブ光が前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射し、前記反射光が前記プローブ光が照射されているデバイスパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせとなるように構成され、前記信号処理部は、前記分光特性の信号から前記分光特性の信号の最大極大値、または最小極小値、または（最大極大値−最小極小値）、または（最小極小値／最大極大値）から選ばれた一つ以上をパラメータとして演算し、このパラメータを利用して該パラメータが急激に変化するタイミングで研磨終了点を検出することを特徴とする検出装置。
【請求項１２】　半導体装置製造工程における、二次元的に分布した複数の積層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層あるいは電極層の除去工程の工程終了点を前記半導体素子表面の一部または全部に連続的に複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる反射光の分光特性の信号により検出する検出装置において、前記照射光源を有し、前記照射光源から発したプローブ光を前記半導体素子表面の一部または全部に照射し、前記半導体素子表面の一部または全部にて反射された反射光の分光特性を検出する測定光学系と、前記検出された分光特性の信号が入力される信号処理部と、を備え、前記測定光学系は、前記プローブ光が前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射し、前記反射光が前記プローブ光が照射されているデバイスパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせとなるように構成され、前記信号処理部は、前記分光特性の信号から前記分光反射特性の信号の波長毎の信号値列の分散値をパラメータとして演算し、このパラメータを利用して研磨終了点を検出することを特徴とする検出装置。
【請求項１３】　半導体装置製造工程における、二次元的に分布した複数の積層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層あるいは電極層の除去工程の工程終了点を前記半導体素子表面の一部または全部に連続的に複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる反射光の分光特性の信号により検出する検出装置において、前記照射光源を有し、前記照射光源から発したプローブ光を前記半導体素子表面の一部または全部に照射し、前記半導体素子表面の一部または全部にて反射された反射光の分光特性を検出する測定光学系と、前記検出された分光特性の信号が入力される信号処理部と、を備え、前記測定光学系は、前記プローブ光が前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射し、前記反射光が前記プローブ光が照射されているデバイスパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせとなるように構成され、前記信号処理部は、前記分光特性の信号と予め記憶された参照分光特性の信号との相互相関係数をパラメータとして演算し、このパラメータを利用して研磨終了点を検出することを特徴とする検出装置。
【請求項１４】　請求項９から１３のいずれか１項に記載の検出装置と研磨パッドと被研磨部材を保持する研磨ヘッドとを具え、前記研磨パッドと前記被研磨部材との間に相対運動を与えることにより前記被研磨部材を研磨する研磨装置。」と訂正する。
　
２　訂正事項イ
　設定登録時の願書に添付した明細書の段落【００１１】〜【００１５】の、「半導体素子表面の一部または全部にプローブ光を照射して得られる反射光の分光特性の信号」及び「半導体素子表面の一部または全部にプローブ光を照射して得られる反射光または透過光の分光特性の信号」を「半導体素子表面の一部または全部に連続的に複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる前記半導体素子表面からの反射光の分光特性の信号」と訂正し、「反射光または透過光」を「反射光」と訂正し、「パラメータを利用して、工程終了点の判定を行」うを「パラメータを利用して、該パラメータが急激に変化するタイミングで工程終了点の判定を行」うと訂正し、「請求項６に記載の検出装置において」を「半導体装置製造工程における、二次元的に分布した複数の積層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層あるいは電極層の除去工程において、前記半導体素子表面の一部または全部にプローブ光を照射して得られる反射光または透過光の分光特性の信号により前記除去工程の工程終了点を検出する方法であって、前記プローブ光は前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射し、前記反射光または透過光は、前記プローブ光が照射されているデバイスパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせであり、前記分光特性の信号と工程終了点に対応する予め記憶された参照分光特性の信号との相互相関関数を利用して、工程終了点の判定を行い」と訂正する。
　
第２　当審の判断
１　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
（１）訂正事項アについて
　訂正事項アの請求項１〜４，６，９〜１３についての訂正は、訂正前の請求項１〜４，６，９〜１３に記載のプローブ光を、特許明細書の段落【００１７】に記載された「連続的に複数の波長成分を有する多成分波長光」と限定し、透過光の記載を削除して「半導体素子表面からの反射光」の分光特性の信号と限定し、訂正前の請求項１〜３，９〜１１に記載の「パラメータを利用して、工程終了点の判定を行」うを、特許明細書の段落【００２１】に記載された「パラメータを利用して、該パラメータが急激に変化するタイミングで工程終了点の判定を行」うと限定することを求めるものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、新規事項の追加に該当せず、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　また、訂正事項アの請求項７についての訂正は、訂正前の請求項６を引用する訂正前の請求項７に、訂正前の請求項６の記載を付加して、独立形式で記載することを求めるものであって、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当し、新規事項の追加に該当せず、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（２）訂正事項イについて
　訂正事項イは、発明の詳細な説明における課題を解決するための手段の記載について、上記訂正事項アと整合を図るものであって、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当し、新規事項の追加に該当せず、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
２　独立特許要件
２．１　訂正発明
　本件訂正後の特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載された発明（以下「訂正発明１」等という。）は、審判請求書に添付された訂正明細書及び願書に添付された図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された事項により特定されるとおりの上記第１の１に示すとおりのものである。
　
２．２　刊行物記載の発明（事項）
　本件特許に対する異議の決定において引用された特開平７−４９２１号公報（以下「刊行物１」という。）、特開平９−７９８５号公報（以下「刊行物２」という。）及び特開平７−２９４２２０号公報（以下「刊行物３」という。）には、以下の事項が記載されていると認める。
（１） 刊行物１
ア　公報第２頁右欄第２３〜３１行
「本発明は、例えば、半導体ウエハに形成された薄膜の膜厚を光学的に測定する膜厚測定装置およびその膜厚測定装置が組み込まれたポリシング装置に関する・・一般に、半導体ウエハにおいては、Ｓｉ基板上に種々の薄膜が形成されている。これらの膜厚はデバイスの諸特性に大きく影響するため、膜厚を所望の値にコントロールする技術が重要である。」
イ　公報第５頁左欄第２８〜３４行
「本実施例においては、測定光として赤外線半導体レーザ１９が用いられているが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、測定光として多波長の赤外光を用い、バンドパスフィルタによって波長を選択することも可能である。また、測定光として白色光を用いることや、光源として水銀ランプや重水素ランプ等を用いることが可能である。」
ウ　公報第７頁左欄第４５行〜第８頁左欄第１２行
「図１４は本発明の第３実施例を示しており、図中の符号７１は膜厚測定装置である。この膜厚測定装置７１においては、測定光学系７２が、赤外線半導体レーザ７３、レンズ７４、７５、７６、投受光ファイバ７７、スリット板７８、反射ミラー７９、回折格子８０、及び、一次元撮像素子８１を有している。・・薄膜として前述の各実施例と同様にＳｉＯ２膜２９が採用されており、赤外線半導体レーザ７３は波長約 1.2μｍ以上の赤外光を出力する。・・膜厚測定装置７１の作用を説明する。赤外線半導体レーザ７３から出射されたレーザ光８９は・・ウエハ１に入射する。ウエハ１に入射したレーザ光８９は、（Ｓｉ）基板２８とＳｉＯ２膜２９との界面、及び、ＳｉＯ２膜２９中で反射し、両反射光ｕ１、ｕ２が干渉する。・・干渉光９０は回折格子８０により分光され、・・一次元撮像素子８１に入射する。・・一次元撮像素子８１は入射光を光電変換し、各波長毎の光の強度に応じた信号を出力する。一次元撮像素子８１の出力信号はインタフェース８３を介して演算器８２に送られ、演算器８２は入力された信号と以下の (5)式に基づいてＳｉＯ２膜２９の厚さｄを演算する。・・図１６は、干渉光９０の波形（エネルギ反射率−波長の関係）を示している。さらに、ＳｉＯ２膜２９の厚さｄと干渉光９０との間には以下のような関係が在る。・・
【数７】
 
・・ここで、λm は図１６の干渉光９０の波形に現れた１つの反射率極大（または極小）を与える波長であり、λm-l はλm から波長の増加する方向に数えてｌ番目の反射率極大（または極小）を与える波長である。また、ｎはＳｉＯ２の屈折率、θはレーザ光８９のＳｉＯ２への入射角である。・・すなわち、この膜厚測定装置７１においても、前述の各実施例と同様に、ウエハ１をポリシングしながら膜厚をインプロセスで測定することができる。」
エ　公報第８頁左欄第２６〜４０行
「図１７乃至図２０は本発明の第４の実施例を示す。この実施例は半導体製造プロセスにおいて、図１７（ａ）〜（ｃ）に示すように半導体ウエハ１００の表面を平坦化するプロセスである。・・上記プロセスにおいては、まず図１７（ａ）に示すようにＳｉ基板２８上にＳｉＯ２からなる絶縁膜２９ａが部分的に形成される。ついで、同図（ｂ）に示すように基板２８には回路パターンを形成する、アルミニウムなどの金属膜２９ｂがたとえばＣＶＤなどの手段によって設けられる。金属膜２９ｂは基板２８の絶縁膜２９ａ以外の部分だけでなく、この絶縁膜２９ａ上にも堆積するから、同図（ｃ）に示すように上記金属膜２９ｂをポリシングによって平坦化する。」
オ　公報第８頁右欄第２３行〜第９頁左欄第１０行
「・・半導体ウエハ１００は基板２８を上側にし、しかも基板２８に形成された絶縁膜２９ａが上部回転テーブル３の窓１８に対向するよう位置決めされている。・・レーザ光２７の波長が1.2 μｍ以上であれば、そのレーザ光２７は図１８に示すように基板２８を透過し、一部が絶縁膜２９ａで反射するとともに残りの一部は上記基板２８と絶縁膜２９ａを透過し、この絶縁膜２９ａを被覆した金属膜２９ｂで反射する。・・上記絶縁膜２９ａで反射した第１の反射光２７ａと、上記金属膜２９ｂで反射した第２の反射光２７ｂとは干渉して基板２８から出射し、・・光検出器２３で検出された干渉光２７ｃの強度に対応する出力の電気信号は増幅器２５で増幅されて演算器２６に入力される。この演算器２６は、ここに予め設定された設定値と上記干渉光２７ｃの強度とを比較し、干渉光２７ｃの強度が所定値以下になったときに、上記金属膜２９ｂのポリシングを終了させるようになっている。」
　したがって、上記記載事項（１）ア及びウ、並びに、絶縁層であるＳｉＯ２膜２９のポリシング工程が、半導体装置製造工程においては、デバイスパターンが存在し複数の層を有する半導体素子表面の、絶縁層の除去工程を意味することは、当業者において技術常識であること（必要であれば、上記記載事項（１）アの「一般に、半導体ウエハにおいては、Ｓｉ基板上に種々の薄膜が形成されている。これらの膜厚はデバイスの諸特性に大きく影響する・・」、上記記載事項（１）エの「Ｓｉ基板２８上にＳｉＯ２からなる絶縁膜２９ａが部分的に形成される。（ついで、・・基板２８には回路パターンを形成する、アルミニウム等の金属膜２９ｂがたとえばＣＶＤなどの手段によって設けられる。）」、下記記載事項（２）ウの「酸化物層５２の表面造作７２、７４、７６の１組が、その下の構造体７８、８０、８２と関連して例示される。」、及び、下記記載事項（６）アの「金属線は個々のデバイスを電気的に相互接続するためのものである。接続用金属線は更に、例えば酸化物のＣＶＤによって形成される絶縁物質の薄膜により次の相互接続レベルから絶縁される。」を参照。）からみて、刊行物１には、次の発明（以下「刊行物１記載の発明」という。）が記載されているものと認める。
＜刊行物１記載の発明＞
　半導体装置製造工程における、デバイスパターンが存在し最上層がＳｉＯ２膜２９である複数の層を有するウエハ１表面の前記ＳｉＯ２膜２９のポリシング工程において、前記ウエハ１表面の一部にレーザ光８９を照射して得られる前記ウエハ１表面からの反射光を分光した各波長毎の光の強度に応じた信号により前記ポリシング工程の終点を検出する方法であって、前記ＳｉＯ２膜２９の一部にレーザ光８９を照射する第１の段階と、前記ポリシング工程の進行に伴い前記ＳｉＯ２膜２９の一部が除去された状態において、前記レーザ光８９を照射する第２の段階とを有し、前記第２の段階では、前記反射光は、前記レーザ光８９が照射されている（Ｓｉ）基板２８とＳｉＯ２膜２９との界面、及び、ＳｉＯ２膜２９中で反射した反射光ｕ１、ｕ２の干渉光９０となり、前記信号の波形に現れた反射率極大（または極小）を与える２つの波長からＳｉＯ２膜の厚さｄを演算して、終点の判定を行う検出方法。
（２）刊行物２
ア　公報第６頁右欄第２５〜３１行
「本発明は、研磨プロセスに関して正確性を向上し更に有用な情報を与えるために用いる事ができる終点の検出器及び方法を目指すものである。本発明の装置及び方法は、ＣＭＰプロセスの最中に、除去された材料の厚さ又はウエハ表面の平坦度をインシチュウに決定するための、干渉による技術を採用する。」
イ　公報第８頁左欄第２２〜３２行
「条件によっては、パターニングされたウエハ上の構造体の上の膜厚を制御することが望ましい。この膜厚は、前述の平坦化によっていつも達成できるとは限らない。しかし、データ信号をフィルタにかけて、特定の膜厚が望ましい膜の下の特定の構造体や同様のサイズが与えられた構造体のグループに関する周波数以外の周波数をカットすることにより、この制御を得ることは充分可能である。本質的には、信号が一旦フィルタにかけられれば、ブランク酸化物のＣＭＰ終点を決定するための前述したあらゆる方法を、パターニングされたウエハに対して用いることが可能である。」
ウ　公報第１３頁左欄第３２行〜第１３頁右欄第１９行
「図１１（ａ）〜（ｃ）には、酸化物層５２の表面造作７２、７４、７６の１組が、その下の構造体７８、８０、８２と関連して例示される。これらは、典型的なパターニングされたウエハ１４上に見られ、ＣＭＰプロセス中に変化していく。・・造作７２、７４、７６のそれぞれからの個々の反射の全てから部分的に成る結合された干渉信号は、前述の周期的な正弦波状信号ではなく、外見上ランダムな様式で変動するだろう。・・しかし、上述のように、造作７２、７４、７６の研磨速度は、平坦化のポイントに近付く傾向がある。従って、・・結合された干渉信号が周期的な正弦波の形態として認識できるようになる。従って、正弦波状の干渉信号が開始するときを検出することにより、パターニングされたウエハの表面が平坦化された時を決定することが可能となる。」
エ　公報第１５頁左欄第７〜２３行
「レーザー干渉計によって発生するレーザービームのビームの直径（即ちスポット）及び波長を有利なように操作することが可能であることに更に注意すべきである。図１５の（ａ）及び（ｂ）に示されているように、用いる波長に対し最小可能なスポットに合わせたビーム等の幅の狭いビーム８４は、ウエハ１４の表面に対して、フォーカスできていない広いビーム８６よりも小さな領域をカバーする。この狭いビーム８４は、広いビームに比べて、表面の不均一９０による散乱（即ちビーム８８）を生じやすく、なぜなら、この広いビーム８６はウエハ１４の表面の更に広い面積に広がり、表面の不均一９０よりも大きな部分を包含するからである。従って、広いビームは積分効果を有することとなり、ウエハ１４の表面を移動するときには、反射干渉信号に極端な変動を生じさせにくい。従って、この理由から、ビームは広い方が好ましい。レーザービームの幅を広くするためには、周知の光学装置を用いることが可能である。」
（３）刊行物３
ア　公報第３頁左欄第１５〜１８行
「本発明は、高速フーリエを変換の手法を用いて、多層膜厚の膜厚検出を高速に、かつ高精度に行うことを可能にする多層薄膜の薄膜検出方法および装置を提供することを目的とするものである。」
イ　公報第３頁右欄第１８〜４１行
「次に、動作について説明する。まず、試料１０に対し、白色光源１からの白色光を光ファイバ２を介して垂直（θ＝０）に照射し、その反射光を光ファイバ３を介して分光器４に入射し分光し、マルチチャネルディテクタ５でその強度を検出し、得られた反射スペクトルを信号処理器７に入力する。・・この反射スペクトルを高速フーリエ変換（ＦＦＴという）すると線スペクトルになる。ＦＦＴをする理由は波長変数のままでは、スペクトルはブロードになり、後の処理が困難になるからである。」
　
２．３　対比・判断
（１） 訂正発明１〜３、５、８、９〜１１、１４について
　訂正発明１と、刊行物１記載の発明とを対比すると、以下の点で相違し、その余の点で一致しているものと認める。
＜相違点１＞
　前者では、最上層が、「金属膜」であるのに対し、後者では、ＳｉＯ２膜である点。
＜相違点２＞
　前者では、プローブ光が、「連続的に複数の波長成分を有する多成分波長光」であるのに対し、後者では、そうではない点。
＜相違点３＞
　前者では、プローブ光が、「デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分」を照射し、反射光は、プローブ光が照射されているデバイスパターンの複数の層の各層からの光波の重ね合わせとなるのに対し、後者では、プローブ光を照射する範囲が不明である点。
＜相違点４＞
　前者では、パラメータを利用して、工程終了点の判定を行う際に、「パラメータが急激に変化するタイミングで」判定を行うのに対し、後者では、パラメータから膜の厚さを演算して判定を行っている点。
　そこで、上記相違点４について検討するに、上記相違点４に係る構成、すなわち、分光特性の信号から演算されたパラメータを利用して、「パラメータが急激に変化するタイミングで」工程終了点の判定を行う点については、刊行物１〜３のいずれにも、記載も示唆もされていない。
　そして、訂正発明１は、上記相違点４に係る構成を具備することにより、訂正明細書段落【００３１】記載の「分光反射特性の信号波形は、研磨前の状態である図３（ａ）から研磨終了時に図３（ｂ）のような形に変化した。ここで信号処理部１８は、適当なパラメータを演算し、このパラメータを研磨進行に対してモニターすることにより、研磨終了点の精度の良い判定が容易に可能になった。」、及び「研磨進行に伴って（研磨膜厚に対して）（最小値／最大値）の値をモニターすると、図４のように、研磨終了点（段差解消時）の前後域で最小値／最大値の値が急減し、この急減域の適当な点を検出することにより研磨終了点の精度の良い判定が容易に可能になった。」という格別な作用効果を奏するものと認められる。
　してみると、相違点１〜３について検討するまでもなく、訂正発明１は、刊行物１記載の発明及び刊行物２〜３に記載された事項から、当業者が容易に発明をすることができたものと云うことができない。
　さらに、訂正発明１の上記相違点４に係る構成を具備する訂正発明２〜３及び９〜１１、訂正発明１を引用する本件発明５及び８、訂正発明９を引用する訂正発明１４も、同様の理由により、刊行物１記載の発明及び刊行物２〜３に記載された事項から、当業者が容易に発明をすることができたものと云うことができない。
　
（２） 訂正発明４、６〜７、１２〜１３について
　訂正発明４、６は、訂正発明１の「デバイスパターンが存在し複数の層を有する半導体素子表面」を「二次元的に分布した複数の積層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面」に表現ぶりを変更し、訂正発明１の「最上層の金属膜」を「絶縁層あるいは電極層」とし、訂正発明４では、訂正発明１の分光特性の信号から演算されたパラメータを「分光特性の信号の波長毎の信号値列の分散値」に特定し、また、訂正発明６では、訂正発明１の分光特性の信号から演算されたパラメータに変えて「分光特性の信号と工程終了点に対応する予め記憶された参照分光特性の信号との相互相関関数」を利用する点を、それぞれ特定したものである。
　これに対し、訂正発明４の「分光特性の信号の波長毎の信号値列の分散値」及び訂正発明６の「分光特性の信号と工程終了点に対応する予め記憶された参照分光特性の信号との相互相関関数」については、刊行物１〜３のいずれにも、記載も示唆もされていない。
　そして、訂正発明４，６は、それぞれ上記特定事項を具備することにより、訂正発明４は、訂正明細書段落【００３２】記載の「研磨進行に伴って（研磨膜厚に対して）この分散値を追うと、図６のように、研磨終了点（段差解消時）の前後域で急増し、この急増域の適当な点を検出することにより研磨終了点の精度の良い判定が容易に可能になった。」という格別な作用効果を、また、訂正発明６は、訂正明細書段落【００３６】記載の「研磨進行に伴って（研磨膜厚に対して）この相互相関係数を追うと、研磨終了点に於いて、変化する分光反射特性信号と、記憶された分光反射特性の信号とはほぼ一致するので、相互相関係数は、研磨終了点（段差解消時）の前後域で急増し、この急増域の適当な点を検出することにより研磨終了点の精度の良い判定が容易に可能になった。」という格別な作用効果を、それぞれ奏するものと認められる。
　してみると、訂正発明４，６は、刊行物１記載の発明及び刊行物２〜３に記載された事項から、当業者が容易に発明をすることができたものと云うことができない。
　さらに、訂正発明４の上記特定事項を具備する訂正発明１２、及び訂正発明６の上記特定事項を具備する訂正発明７及び１３も、同様の理由により、刊行物１記載の発明及び刊行物２〜３に記載された事項から、当業者が容易に発明をすることができたものと云うことができない。
　
　以上のとおりであるから、訂正発明１〜１４は、特許出願の際独立して特許を受けることができない発明でもない。
　
第３　むすび
　したがって、本件審判の請求は、特許法第１２６条第１項ただし書、第２項ないし第４項の規定に適合する。
　よって、結論のとおり審決する。