(57)【要約】【課題】シリサイド化プロセスにおいて“せりあがり”現象がおきても、狭い電極の間で耐圧不良や電極間のショートが起こることのない電荷転送素子を提供する。また、製造が容易で信頼性の高い固体撮像素子の製造方法を提供する。【解決手段】、電極間絶縁膜で囲まれ、ゲート酸化膜の形成された半導体基板表面に、前記電極間絶縁膜の上端よりも下方に上端が位置するように絶縁分離される多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記多結晶シリコン膜上に金属膜を形成する工程と、前記金属膜を加熱し、シリサイド化を行う工程と、シリサイド化されずに残った金属膜を選択的に除去する工程とを含み、前記電極間絶縁膜の上端が突出するように金属シリサイド層を形成するようにしたことを特徴とする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体撮像素子の電荷転送電極が、
半導体基板表面に、起立するように形成された壁状の電極間絶縁膜で囲まれた領域に、前記電極間絶縁膜の上端よりも上端が下方に位置するように形成されたシリコン系導電性膜と、前記シリコン系導電性膜上に形成された金属シリサイド層とから構成されることを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
電極間絶縁膜で囲まれ、ゲート酸化膜の形成された半導体基板表面に、前記電極間絶縁膜の上端よりも下方に上端が位置するようにシリコン系導電性膜を形成する工程と、
前記シリコン系導電性膜上に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜を加熱し、シリサイド化を行う工程と、
シリサイド化されずに残った金属膜を選択的に除去する工程とを含み、シリコン系導電性膜と金属シリサイド層とからなる電荷転送電極を形成することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【請求項３】
前記電荷転送電極は、単層構造であり、同一のプロセスで電極間絶縁膜で囲まれた領域全体に形成されることを特徴とする請求項２に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項４】
前記シリコン系導電性膜を形成する工程は、第１層シリコン系導電性膜のパターンを形成する工程と、前記第１層シリコン系導電性膜のパターンの側壁に、前記第１層シリコン系導電性膜の上端よりも上方に上端が位置するように電極間絶縁膜を形成し、これら第１層シリコン系導電性膜のパターンの間から絶縁膜を介して前記第１層シリコン系導電性膜上にのりあげるように形成された第２層シリコン系導電性膜のパターンを形成する工程とを具備したことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項５】
さらに、第１層シリコン系導電性膜および第２層シリコン系導電性膜のパターンおよび電極間絶縁膜を形成した後、
金属膜を形成し、加熱して、第１層シリコン系導電性膜および第２層シリコン系導電性膜上に金属シリサイド層を形成することを特徴とする請求項４に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項６】
さらに、前記シリコン系導電性膜あるいは、第１層シリコン系導電性膜および第２層シリコン系導電性膜の表面をエッチングし、凹部を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体撮像素子およびその製造方法にかかり、特に電荷転送電極のシリサイド化に関する。
【０００２】
【従来の技術】
エリアセンサ等に用いられるＣＣＤ固体撮像素子は、光電変換部からの信号電荷を転送するための電荷転送電極を有する。電荷転送電極は、半導体基板に形成された電荷転送路上に複数個隣接して配置され、順次駆動される。
【０００３】
固体撮像素子においては、撮像画素数の増加が進んでいるが、画素数の増加に伴い信号電荷の高速転送、すなわち電荷転送電極の高速パルスによる駆動が必要となるため、電荷転送電極の低抵抗化が求められている。低抵抗化の方法として、電荷転送電極を多結晶シリコンなどのシリコン系導電性材料と金属シリサイドとの２層構造とすることが提案されている。
【０００４】
しかし、多結晶シリコン電極と異なり、金属電極の加工は技術的に難しい。例えば電極用金属材料の表面は多結晶シリコンに比べ表面反射率が高くパターニングする際にハレーションの問題が生じたり、金属材料を加工するため新たに技術や装置が必要となる。
そこでロジックなどで実用化している、選択的、自己整合的にソースドレインや電極加工を行うプロセスであるサリサイドプロセスが注目されている。この技術を用いることにより、最初に多結晶シリコンだけで電極加工を行うため表面反射によるハレーションの問題もなくまた、新たに金属加工するための技術や装置を必要としない。
しかしながら、電荷転送素子の場合電極間距離が狭いことから、シリサイド化に際していわゆる“せりあがり”現象により、電極間のショートや耐圧不良が問題となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、シリサイド化プロセスにおいて“せりあがり”現象がおきても、狭い電極の間で耐圧不良や電極間のショートが起こることのない電荷転送素子を提供することを目的とする。
【０００６】
また、製造が容易で信頼性の高い固体撮像素子の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明では、固体撮像素子の電荷転送電極が、半導体基板表面に、起立するように形成された壁状の電極間絶縁膜で囲まれた領域に、前記電極間絶縁膜の上端よりも上端が下方に位置するように形成されたシリコン系導電性膜と、前記シリコン系導電性膜上に形成された金属シリサイド層とから構成されることを特徴とする。
【０００８】
かかる構成によれば、せり上がり現象の影響を受けないようにするため、シリコン系導電性を落とし込み電極間絶縁膜を上方に突出せしめているため、シリサイド化工程においてもせりあがりによる耐圧不良や短絡が防止され、低抵抗で信頼性の高い固体撮像素子を形成することが可能となる。
【０００９】
また本発明の方法では、電極間絶縁膜で囲まれ、ゲート酸化膜の形成された半導体基板表面に、前記電極間絶縁膜の上端よりも下方に上端が位置するように絶縁分離されるシリコン系導電性膜を形成する工程と、前記シリコン系導電性膜上に金属膜を形成する工程と、前記金属膜を加熱し、シリサイド化を行う工程と、シリサイド化されずに残った金属膜を選択的に除去する工程とを含み、前記電極間絶縁膜の上端が突出するように金属シリサイド層を形成するようにしたことを特徴とする。
【００１０】
かかる構成によれば、自己整合的に低抵抗電極を形成することができるため、フォトリソ工程での合わせずれやメタル材料特有の表面での反射によるハレーションの影響を受けることなく電極の低抵抗化をはかることが可能となる。
また、シリコン系導電性膜はその上端が、前記電極間絶縁膜の上端よりも一定高さ分だけ下方に位置するように形成し、その上に金属膜を形成しているため、シリサイド化に際してせり上がりが生じても短絡を生じることなく自己整合的にシリサイド膜の形成を行なうことが可能となる。上記一定高さ分とは、金属シリサイド膜の形成によってせり上がりが生じても短絡を生じない程度の高さである。またせりあがりとは、Ｓｉが　金属膜中に拡散してシリサイドが形成される場合、Ｓｉが露出した領域が全てシリサイド化したあと、その周辺の金属中までＳｉが拡散しシリサイド化が進行し、いわゆる横方向成長がおこり、これが電極間絶縁膜側壁に沿って伸長するものをいう。
また、金属層などの低抵抗層の形成に必要なフォトリソ工程やエッチング工程が不要となり、工程数削減による歩留まりの向上が可能となる。
【００１１】
前記電荷転送電極が単層構造である場合は同一の工程で形成でき、電極パターンの形成については１回のフォトリソグラフィプロセスでシリコン系導電性膜のパターンを形成し、このパターン上に金属シリサイドを形成することにより自己整合的に、金属シリサイド膜を含む低抵抗の電荷転送電極を形成することが可能となる。
【００１２】
電荷転送電極が２層構造である場合は、前記シリコン系導電性膜を形成する工程は、第１層シリコン系導電性膜のパターンを形成する工程と、前記第１層シリコン系導電性膜のパターンの側壁に突出するように電極間絶縁膜を形成し、これら第１層シリコン系導電性膜のパターンの間から絶縁膜を介して前記第１層シリコン系導電性膜のパターン上にのりあげるように形成された第２層シリコン系導電性膜のパターンを形成する工程とにより形成することができる。
【００１３】
またシリサイド化に際しては、さらに、第１層シリコン系導電性膜および第２層シリコン系導電性膜のパターン及び電極間絶縁膜を形成後、金属膜を形成し、加熱して、この金属膜と第１層シリコン系導電性膜および第２層シリコン系導電性膜との界面反応により金属シリサイド層を形成することにより、１回の加熱工程で２層のシリサイドを形成することができ、熱処理を低減することが可能となる。
【００１４】
また、さらにシリコン系導電性膜あるいは、第１層シリコン系導電性膜および第２層シリコン系導電性膜の表面をエッチングし、凹部を形成するようにすれば、せり上がりが生じても短絡を招くおそれもない。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態について図面を参照しつ説明する。
（第１の実施の形態）
図１に、本発明の第１の実施の形態の固体撮像素子の概略構成を示す。図１（ａ）は、その光電変換部から電荷転送電極までを示す概略平面図であり、図１（ｂ）は、Ａ−Ａ断面図である。
この固体撮像素子は、図１（ｂ）に要部断面図を示すように、所望の素子領域の形成されたシリコン基板１表面に、ゲート酸化膜２を介して配列形成される多結晶シリコン膜とチタンシリサイドとの２層構造膜からなる複数の電荷転送電極４０が、多結晶シリコン膜の上端よりも高い位置まで起立する壁状のパターンをなす酸化シリコン膜からなる電極間絶縁膜３で囲まれており、耐圧不良や短絡のない固体撮像素子を形成したことを特徴とする。ここで壁状のパターンは、幅０．１μｍ程度となるように形成されている。
【００１６】
この固体撮像素子は、図１（ｂ）に、電荷転送部の要部断面図を示すように、所望の素子領域の形成されたシリコン基板１表面に、ゲート酸化膜２を介して配列形成される２層構造の電荷転送電極４０が、前記電極間絶縁膜の上端よりも下方に上端が位置するように形成された多結晶シリコン膜４ａ、４ｂ上にチタン膜４Ｓを形成し、シリサイド化を行い、シリサイド化されずに残ったチタン膜を選択的に除去することにより、自己整合的に、電極間絶縁膜の上端が突出するように金属シリサイド層を形成される。
【００１７】
またこの電極間絶縁膜３は、第１層電極である第１層多結晶シリコン膜のパターン上に形成した酸化シリコン膜を異方性エッチングによって側壁にのみ残したいわゆる側壁酸化膜で構成されており、リソグラフィ工程を経ることなく微細パターンを得るようにしたものである。
【００１８】
またこの第１層電極を構成する第１層多結晶シリコン膜４ａの間から第２層多結晶シリコン膜４ｂが前記第１層多結晶シリコン膜４ａ上に絶縁膜６を介して乗り上げるように形成されている。
【００１９】
なお図１に示すように、シリコン基板１には、複数のフォトダイオード３０が形成され、フォトダイオードで検出した信号電荷を転送するための電荷転送電極４０が、フォトダイオード３０の間に蛇行形状を呈するように形成される。
電荷転送電極４０によって転送される信号電荷が移動する電荷転送チャネル３１は、図１（ａ）では図示していないが、電荷転送電極４０が延在する方向と交差する方向に、やはり蛇行形状を呈するように形成される。なお、図１（ａ）においては、電極間絶縁膜３の内、フォトダイオード領域と電荷転送電極４０との境界近傍に形成されるものの記載を省略してある。
【００２０】
図１（ｂ）に示すように、シリコン基板１内には、フォトダイオード３０、電荷転送チャネル３１、チャネルストップ領域３２、電荷読み出し領域３３が形成され、シリコン基板１表面には、ゲート酸化膜２が形成される。ゲート酸化膜２表面には、酸化シリコン膜からなる電極間絶縁膜３と電荷転送電極４０が形成される。
【００２１】
電荷転送電極４０は、上述したとおりであるが、電荷転送電極４０の上面には層間絶縁膜としての、酸化シリコン膜（図示せず）が形成される。
【００２２】
固体撮像素子の上方には、フォトダイオード３０部分を除いて遮光膜５０が設けられ、さらにカラーフィルタ６０、マイクロレンズ７０が設けられる。また、電荷転送電極４０と遮光膜５０との間、および遮光膜５０とカラーフィルタ６０との間は、絶縁性の透明樹脂等が充填される。電荷転送電極４０および電極間絶縁膜３を除いて通例のものと同様であるので説明を省略する。また、図１では、いわゆるハニカム構造の固体撮像素子を示しているが、インターライン型の固体撮像素子にも適用可能であることはいうまでもない。
【００２３】
次にこの固体撮像素子の製造工程について説明する。
まず、ｎ型のシリコン基板１表面に、膜厚１５ｎｍの酸化シリコン膜と、膜厚５０ｎｍの窒化シリコン膜と、膜厚１０ｎｍの酸化シリコン膜を形成し、３層構造のゲート絶縁膜２を形成する。
【００２４】
続いて、図２（ａ）に示すように、このゲート絶縁膜２上に、Ｈｅで希釈したＳｉＨ４を反応性ガスとして用いた減圧ＣＶＤ法により、膜厚０．４μｍの第１層多結晶シリコン膜４ａを形成する。このときの基板温度は６００〜７００℃とする。この後ＰＯＣｌ３とＮ２とＯ２との混合ガス雰囲気中で９００℃の熱処理を行い第１層多結晶シリコン膜４ａをドーピングする（リン酸処理）。
【００２５】
続いて、そしてこの上層にポジレジストを厚さ０．５〜１．４μｍとなるように塗布する。
【００２６】
そして、フォトリソグラフィにより所望のマスクを用いて露光し、現像、水洗を行い、図２（ｂ）に示すように、パターン幅０．３から数μｍのレジストパターンＲを形成する。
【００２７】
この後、図２（ｃ）に示すように、ＨＢｒとＯ２との混合ガスを用いた反応性イオンエッチングによりレジストパターンＲをマスクとし、ゲート絶縁膜２をエッチングストッパとして第１層多結晶シリコン膜４ａを選択的にエッチング除去したのち、レジストパターンＲを剥離除去する。ここではＥＣＲあるいはＩＣＰなどのエッチング装置を用いるのが望ましい。
【００２８】
続いて、図３（ｄ）に示すように、熱酸化により第１層多結晶シリコン膜４ａの表面に膜厚８０ｎｍの酸化シリコン膜からなる第２の絶縁膜３、６を形成する。ここでは第１層多結晶シリコン膜４の上面の酸化シリコン膜（上部絶縁膜）を６とする。
【００２９】
このようにして、第１層多結晶シリコン膜４の側壁絶縁膜である電極間絶縁膜３及び上部絶縁膜６を形成する。
【００３０】
次に、図３（ｅ）に示すように、ＳｉＨ４ガスを用いた減圧ＣＶＤ法により膜厚０．４〜０．７μｍの第２層多結晶シリコン膜４ｂを形成し、第１層多結晶シリコン膜４ａの場合と同様にフォトリソグラフィによりパターニングする。ここでも第１層多結晶シリコン膜と同様にリン酸処理を行う。
【００３１】
そして、図３（ｆ）に示すように、この上層に熱酸化による酸化シリコン膜７を形成する。
【００３２】
この後、図４（ｇ）に示すように、減圧ＣＶＤ法により酸化シリコン膜８を形成する。
【００３３】
さらに、図４（ｈ）に示すように、厚いレジストＲを塗布し、フォトダイオード形成領域などを被覆するようにパターニングする。
【００３４】
そしてさらに、図４（ｉ）に示すように、厚いレジストＲで周辺部を被覆した状態で、異方性エッチングにより、第１層及び第２層の多結晶シリコン膜を露出させ、また第１層及び第２層多結晶シリコン膜４ａ、４ｂの側壁に酸化シリコン膜７，８を残留せしめる。これが第２層多結晶シリコン膜からなる第２層電極の電極間絶縁膜となる。
【００３５】
この後、図５（ｊ）に示すように、レジストＲを除去し、図５（ｋ）に示すように、ＨＢｒとＯ２との混合ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、第１層多結晶シリコン膜４ａ、第２層多結晶シリコン膜４ｂの表面をエッチング除去する。この工程で第１層多結晶シリコン膜４ａの表面は電極間絶縁膜３の上端面よりも低く、第２層多結晶シリコン膜４ｂの表面は酸化シリコン膜７，８の上端面よりも低くなっている。
【００３６】
そして、図５（ｌ）に示すように、多結晶シリコン膜４ａ、４ｂの上層に、スパッタリング法などにより、膜厚５０〜３００ｎｍのチタン膜９を形成する。
【００３７】
続いて、図６（ｍ）に示すように、８００℃９０秒のＲＴＡ（急速熱処理）を行い、第１及び第２層多結晶シリコン膜４ａ、４ｂとチタン膜９との界面に同時にチタンシリサイド４Ｓを形成する。
【００３８】
この後、図６（ｎ）に示すように、ＳＣ−１処理を行い、未反応のチタン膜を除去し、多結晶シリコン膜とチタンシリサイドとの２層構造の電荷転送電極が形成される。
そしてこの上層に絶縁膜、遮光膜などを形成して、図１に示したような固体撮像素子を得る。
【００３９】
この方法によれば、第１層及び第２層多結晶シリコン膜の表面をエッチングして、電極間絶縁膜３および第２層の電極間絶縁膜としての酸化シリコン膜７，８の上端よりも低くなるようにしているため、シリサイド化に際して、せり上がり現象が生じても、耐圧不良や短絡が生じることはない。従って信頼性の高い固体撮像素子を得ることが可能となる。
【００４０】
また、表面反射率が高く、ハレーションなどにより加工が難しい金属膜のパターニングが不要となる。すなわち、表面反射の影響により精度が低下したりすることなく、多結晶シリコン膜のパターンを形成し、このパターン上でのみシリサイド化を生ぜしめ、金属シリサイド膜を選択的に形成することにより、２層構造の電荷転送電極を自己整合的に形成することができる。また２層構造の電荷転送電極を１回のシリサイド化工程でシリサイド化しているため、高温工程の回数を少なくすることができる。従って、マスクずれもなく高精度で信頼性の高い電荷転送電極を持つ固体撮像素子を形成することが可能となる。
【００４１】
さらに、フォトダイオード形成時に、シリコン面が露出した際に金属が触れると汚染の原因となるが、この例では、金属膜の形成もシリサイド化のための熱処理も１回ですむ上ＲＴＡを用いるため短時間ですむ。従って、フォトダイオード形成後に電極形成を行うようにしても、拡散長の伸びによる接合面のずれも少なく高品質の固体撮像素子を形成することができる。従って金属イオンによるフォトダイオードの汚染を防止することができ、信頼性の向上をはかることができる。
【００４２】
また、前記実施の形態ではシリサイド化のための熱処理温度を８００℃とし一挙にＣ５４構造のチタンシリサイド膜を形成したが、せり上がりによる短絡もなく高信頼性を維持することができた。熱処理温度を高くするとせり上がりが生じ易いが、本実施の形態の場合は、耐圧不良も短絡もなかった。これは第１層及び第２層多結晶シリコン膜の表面をエッチングして、電極間絶縁膜３および第２層の電極間絶縁膜としての酸化シリコン膜７，８の上端よりも低くなるようにしているためと考えられる。
なお、前記実施の形態では、シリサイド化のための熱処理温度を８００℃とし一挙にＣ５４構造のチタンシリサイド膜を形成したが、一旦７００℃９０秒程度のＲＴＡによりＣ４９構造にし、ＳＣ−１処理を行い、不要部のチタン膜を除去した後、８００℃９０秒程度の熱処理を行いＣ５４構造にして低抵抗化するというプロセスを用いてもよい。
【００４３】
なおここで用いる金属膜としては、チタンシリサイドのほか、また、タンタル、タングステン、モリブデン、ニッケル、コバルト、白金のシリサイドなどが適用可能である。
【００４４】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。第１の実施の形態では、第２層目が第１層目の上に乗り上げるように形成した２層構造の電荷転送電極について説明したが、単層構造の電荷転送電極について説明する。
【００４５】
図７に、本発明の第２の実施の形態の固体撮像素子の製造工程を示す。
図７では電荷転送電極部分のみを示しているが、他部については、前記第１の実施の形態と同様であるので、説明を省略する。
【００４６】
この例では、シリコン基板１の表面に形成されたゲート酸化膜２上に電極間絶縁膜３が形成され、この電極間絶縁膜３で囲まれた領域内に多結晶シリコン膜４ａとチタンシリサイド膜４Ｓとからなる電荷転送電極が形成される。そして、シリサイド化前の多結晶シリコン膜上面に対し、電極間絶縁膜の上端が十分に高く突出するように形成されており、シリサイド化によりせり上がり現象が生じても、十分に電極間絶縁膜がシリサイド膜よりも高くなるように構成されている。
【００４７】
図７（ａ）乃至（ｄ）にその工程図を示す。
まず、ｎ型のシリコン基板１表面に、膜厚１５ｎｍの酸化シリコン膜と、膜厚５０ｎｍの窒化シリコン膜と、膜厚１０ｎｍの酸化シリコン膜を形成し、３層構造のゲート酸化膜２を形成する。続いてこのゲート酸化膜２上に、ＳｉＨ４ガスを反応性ガスとして用いた減圧ＣＶＤ法により、膜厚０．４〜０．７μｍの多結晶シリコン膜４ａを形成し、これを、ＨＢｒとＯ２との混合ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、パターニングし図７（ａ）に示すように、電極パターンを形成する。ここで多結晶シリコン膜は前記第１の実施の形態の場合と同様にパターニング前または後にＰＯＣｌ３とＮ２とＯ２との混合ガス雰囲気中で９００℃の熱処理が施され、ドーピングされる（リン酸処理）。
【００４８】
そして図７（ｂ）に示すように熱酸化により多結晶シリコン膜の周りを酸化し、上面をエッチングして側壁にのみ酸化シリコン膜を残留せしめ電極間絶縁膜３を形成する。なおここで熱酸化に代えてＣＶＤ法により絶縁膜を形成するようにしてもよい。
この後、図７（ｃ）に示すようにこの多結晶シリコン膜の表面をＨＢｒとＯ２との混合ガスを用いた反応性イオンエッチングによりエッチング除去する。この工程で多結晶シリコン膜４ａの表面は電極間絶縁膜３の上端面よりも一定高さ分だけ低くなっている。
【００４９】
そして、多結晶シリコン膜４ａの上層に、スパッタリング法などにより、膜厚５０〜２００ｎｍのチタン膜を形成し、７００℃２分のＲＴＡ（急速熱処理：第１アニール）を行い、多結晶シリコン膜４ａとチタン膜との界面にチタンシリサイド４Ｓを形成する。ここではＣ４９構造となっている。
【００５０】
この後、ＳＣ−１処理を行い、未反応のチタン膜を除去し、最後に７５０〜８５０℃の温度範囲、３０〜１２０秒間の熱処理（第２アニール）を行いチタンシリサイド膜をＣ５４構造にすることにより、図７（ｄ）に示すように、多結晶シリコン膜とチタンシリサイドとの２層構造の電荷転送電極が形成される。
そしてこの上層に絶縁膜、遮光膜などを形成して、固体撮像素子を得る。
【００５１】
この方法によっても前記第１の実施の形態と同様に耐圧不良のない電荷転送電極を形成することが可能となる。
【００５２】
この方法によれば、電極間絶縁膜としての絶縁膜のパターンを形成する際に
ダミーパターンの側壁に形成した絶縁膜を異方性エッチングによる側壁残しにより、行っており、微細でかつ信頼性の高い電極間絶縁膜が容易に形成される。
【００５３】
なお、前記実施の形態ではシリサイド化のための第１アニール工程としてのＲＴＡを７００℃９０秒としたが、６５０〜７５０℃の範囲、３０〜１２０秒の範囲であればよい。ここではチタンシリサイド膜はＣ４９構造となっている。
そして、最終的には、第２アニール工程として、７５０〜８５０℃の温度範囲、３０〜１２０秒間の熱処理を行い、チタンシリサイド膜をＣ５４構造にすることにより、低抵抗化をはかることができる。
【００５４】
また、第２の実施の形態においても、１回のアニール工程（７５０〜８５０℃の温度範囲、３０〜１２０秒間）で一挙に熱処理を行い、チタンシリサイド膜をＣ５４構造にすることも可能である。この場合せり上がりはより生じ易いが、多結晶シリコン膜の上端を電極間絶縁膜の上端よりも十分に低く形成しているため、耐圧不良や短絡が発生することはない。
【００５５】
また前記実施の形態では多結晶シリコン膜と金属膜との界面反応によりシリサイドを形成したが、多結晶シリコン膜に限定されることなく、アモルファスシリコン、マイクロクリスタルシリコンなどシリコン系導電膜であればよい。
【００５６】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明によれば、自己整合的に低抵抗層を形成することができるため、フォトリソ工程での合わせずれやメタル材料特有の表面反射によるハレーションなどの影響を受けることなく電極の低抵抗化をはかることができる。
またフォトリソ工程やエッチング工程が不要となり工程数の削減による歩留まり、製造期間の短縮および製造コストの低減の向上をはかることが可能となる。
また本発明によれば、低抵抗で信頼性の高い電荷転送電極をもつ固体撮像素子を提供することが可能となる。
また、配線配線抵抗が小さく、高速転送の可能な低消費電力の固体撮像素子を提供することが可能となる。
また電荷転送電極の低抵抗化により電極の高さをさらに低くすることができ、かつ表面の平坦化をはかることができるため、感度の向上やけられの低減をはかることができる。
また、高速転送が可能となるためスミアなどの光学特性を改善することが出来、高品質で信頼性の高い固体撮像素子を得ることが可能となる。
加えて、本発明によれば、平坦な表面を得ることができ感度低下のない単層電極構造の固体撮像素子を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の固体撮像素子を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の固体撮像素子の製造工程を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の固体撮像素子の製造工程を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態の固体撮像素子の製造工程を示す図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態の固体撮像素子の製造工程の一部を示す図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態の固体撮像素子の製造工程の一部を示す図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態の固体撮像素子の製造工程の一部を示す図である。
【符号の説明】
１　シリコン基板
２　ゲート酸化膜
３　電極間絶縁膜
４ａ　（第１層）多結晶シリコン膜
４ｂ　第２層多結晶シリコン膜
４Ｓ　チタンシリサイド膜
５　酸化シリコン膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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