【事件の表示】
　平成　３年特許願第１８０７４６号「半導体光集積素子及びその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年　２月　５日出願公開、特開平　５−　２９６０２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願の請求項１、２に係る発明についての出願は、平成３年７月２２日に特許出願したものであって、その請求項に係る発明は、平成１０年７月９日付け、平成１３年４月２０日付け及び平成１３年１１月２１日付け手続補正書により補正された明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１、２に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項２に係る発明は次のものと認める。
「同一半導体基板上に半導体レーザ、吸収型光変調器およびその両者間を接続する部分が設けられ、前記半導体レーザおよび吸収型光変調器のそれぞれの活性層は量子井戸構造を有し、かつ、前記量子井戸構造はＩｎＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓＰを有することを特徴とする半導体光集積素子。」（以下、「本願発明」という。）
　なお、請求項２には、「活性層」は一箇所しか記載がないので、「前記活性層」の「前記」は誤記と認め、上記のとおり認定した。
　
２．先願明細書記載の発明
　原審において、平成１０年７月９日付け手続補正書により補正された明細書における、半導体光集積素子に関する発明である請求項１，２に対する拒絶理由（理由３）として引用された、本願の出願日前の特許出願であって、その出願後に出願公開がされた特願平２−２１８６２１号の出願の願書に最初に添付した明細書または図面（特開平４−１００２９１号公報参照。以下、「先願明細書」という。）には、下記の記載が認められる。
「本発明は、レーザ領域の量子井戸構造６ａと変調器領域の量子井戸構造６ｂを同時にエピタキシャル成長することにより成長回数を減らし、かつ波長の制御性を向上させる歩留りのよい製造方法を提供することを目的とする。」（特開平４−１００２９１号公報３頁右上欄２〜６行）、
「［実施例］・・・
　第２図（ａ）参照
　半導体基板１として、ｎ＋−ＩｎＰ基板を用いる。・・・第２の領域１ｂは変調器を形成する領域である。・・・第１の領域１ａはレーザを形成する領域である。・・・
　第２図（ｃ）参照　
　ＭＯＣＶＤ法により、・・・帯状の第１の領域１ｃと第２の領域１ｂに同時に連続的にエピタキシャル成長を行う。第２図（ｃ）は成長後のＡ−Ａ断面図を示す。・・・
（４ａ）４ｂ　バッファ層・・・
（５ａ）５ｂ　導波層・・・
（６ａ）６ｂ　多重量子井戸構造（発光波長１．３μｍ）
　　　　アンドープＩｎＧａＡｓＰ　６０Å　６層　
　　　　アンドープＩｎＧａＡｓ　６０Å　５層
（７ａ）７ｂ　導波層・・・
　・・・このようにして、モノリシック型外部変調器付分布帰還型レーザが作製できた。」（同じく、４頁右上欄１７行〜５頁左下欄１３行）、
「本発明によれば、モノリシック型外部変調器付分布帰還型レーザを歩留りよく製造することができる。初めに半導体基板に段差を設け、段差の両側に作るレーザ発光部と光変調部に同時にエピタキシャル成長を行うことにより、レーザ発光部と光変調部の光結合をよくすることができる。」（同じく、６頁左上欄９〜１５行）。
　また、第１図及び第２図から、モノリシック型光半導体装置において、同一半導体基板１上に、レーザ領域（第１の領域１ａ）及び変調器領域（第２の領域１ｂ）が設けられ、両領域のそれぞれは量子井戸構造６ａ，６ｂを有するとともに、両領域を構成する各層はそれぞれの領域をまたがって連続的に形成され、両領域が接する部分には、層厚が単調に変化する部分のあることが見てとれる。
　
　上記によれば、先願明細書には、
「同一半導体基板上に、レーザ領域及び光変調器領域が設けられ、両領域のそれぞれにＩｎＧａＡｓＰ及びＩｎＧａＡｓからなる量子井戸構造を有するとともに、両領域を構成する各層はそれぞれの領域をまたがって連続的に形成され、両領域が接する部分には、層厚が単調に変化する部分のあるモノリシック型外部変調器付分布帰還型レーザ」の発明（以下、「先願発明」という。）が記載されている。
　
３．対比
　本願発明と先願発明とを対比する。
　先願発明の「レーザ領域」、「光変調領域」、「モノリシック型外部変調器付分布帰還型レーザ」は、本願発明の「半導体レーザ」、「光変調器」、「半導体光集積素子」に各々相当し、先願発明の「量子井戸構造」が活性層であることは当業者に明らかである。
　よって、両者は、
「同一半導体基板上に半導体レーザ、光変調器が設けられ、前記半導体レーザおよび光変調器のそれぞれの活性層は量子井戸構造を有し、かつ、前記量子井戸構造はＩｎＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓを有する半導体光集積素子」である点で一致し、下記の点で一応相違する。
　
（相違点１）本願発明は、半導体レーザと光変調器の「両者間を接続する部分」が設けられているのに対して、先願発明は、上記部分を有するものであることが明らかでない点。
（相違点２）光変調器が、本願発明は、「吸収型」光変調器であるのに対して、先願発明では、吸収型であることが明らかでない点。
　
４．判断
　上記相違点に付き検討する。
（相違点１）について
　まず、本願発明の「両者間を接続する部分」については、本願明細書に直接的な記載及び詳細な説明はない。
　念のため、本願の願書に最初に添付した明細書または図面（以下、「出願当初明細書」という。）の記載を参酌すると、特許請求の範囲の【請求項１】には、「化合物半導体からなる第１の光導波層を有する第１の光機能部と、化合物半導体からなる第２の光導波層を有する第２の光機能部と、これらの光導波層を光学的に結合するための結合部とを有し、この結合部の層厚若しくは元素組成が単調に変化して上記第１及び第２の光導波層の層厚若しくは元素組成にそれぞれ接続する半導体光集積素子。」と記載されているが、発明の詳細な説明をみても、結合部についてこれ以上の具体的な説明はない。また、図面にも「結合部」に対応する符号などは示されておらず、図３Ｂ及び図５Ｂにおいて、領域ａと領域ｂの接する部分に層厚が単調に変化する活性層７又は量子井戸構造９が示されている。
　そうしてみると、本願発明の「半導体レーザ、吸収型光変調器およびその両者間を接続する部分」は、格別の技術的意義を有するものではなく、単に、「半導体レーザ、吸収型光変調器およびその両者間の層厚等が単調に変化する部分」を意味する程度のものと解されるが、先願発明が、「半導体レーザ領域及び光変調器領域が接する部分に層厚が単調に変化する部分」を有していることは上記のとおりであるから、先願発明は、相違点２の点で相違するものではない。
　
（相違点２）について
　光変調器として、吸収型の光変調器は周知技術（例えば、特開平２−２６７９８８号公報、「光用語事典」（昭５６−１１−３０、オーム社）”光変調器”項、参照）のものであるから、この点は単なる周知技術の限定に過ぎない。したがって、相違点２も実質的な相違ではない。
（なお、請求人が、吸収型光変調器は周知でない、と主張するとすれば、本願の出願当初明細書には、請求人も認めるとおり、「光変調器」の記載があるのみで、「吸収型光変調器」の文言はないから、明細書の要旨を変更するものとなる。
　また、これに関連して、請求人は、平成１３年４月２０日付け意見書の１頁１０〜１７行において「半導体レーザと吸収型光変調器の動作原理は互いに逆の物理過程であるから、両者の好ましい層構成は互いに類似した構成となるので、本願明細書に開示された変調器は吸収型であることは明らかである」旨、主張する。そして、先願明細書記載のものにおいても、前掲のとおり、ＭＯＣＶＤ法により、帯状の第１の領域１ｃと第２の領域１ｂに同時に連続的にエピタキシャル成長を行い、バッファ層、導波層、ＩｎＧａＡｓＰ及びＩｎＧａＡｓからなる多重量子井戸構造等を形成するものであり、それによって形成されるレーザ領域及び光吸収領域の層構造は互いに類似した構成となるものである。したがって、本願の出願当初明細書に開示された光変調器が吸収型であることが明らかであるとすれば、先願明細書に記載された光変調領域も吸収型であることは明らかである。）
　
　なお、請求人は、審判請求の日から３０日以内に提出された手続補正書と同日の、平成１３年１１月２１日付けで、本願に付き拒絶すべき旨の審決をすべき心証を持った場合には、事前に審判官との面談を希望する、旨の上申書を提出している。
　しかし、審理結果如何によって、審判合議体との面談を申し出ることは審理結果を事前に通知することになり、このようなことは法律の想定するところではない。
　また、このような申し出を受けることは、審判請求時に、原審における全ての拒絶理由を解消するように十分に検討して補正書を提出する通常の審判請求人に比し、公平さを欠くことになる。
　よって、上記上申書のような審理結果を前提とした面談は、受けることができない。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、先願明細書に記載された発明と実質的に同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。