【手続補正書】
【提出日】平成24年2月24日(2012.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種類の高フッ素化酸ポリマーでドープした少なくとも１種類の導電性ポリマーの水性分散体と、
無機ナノ粒子と
を含む、組成物。
【請求項２】
前記導電性ポリマーが、ポリチオフェン類、ポリ（セレノフェン）類、ポリ（テルロフェン）類、ポリピロール類、ポリアニリン類、多環式芳香族ポリマー類、それらのコポリマー、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記導電性ポリマーが、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、縮合多環式複素環式芳香族ポリマー、それらのコポリマー、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
前記導電性ポリマーが、非置換ポリアニリン、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、非置換ポリピロール、ポリ（チエノ（２，３−ｂ）チオフェン）、ポリ（チエノ（３，２−ｂ）チオフェン）、およびポリ（チエノ（３，４−ｂ）チオフェン）からなる群から選択される、請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
前記高フッ素化酸ポリマーが少なくとも９５％フッ素化されている、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記高フッ素化酸ポリマーがスルホン酸およびスルホンイミドから選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
前記高フッ素化酸ポリマーが、パーフルオロ−エーテル−スルホン酸側鎖を有するパーフルオロオレフィンである、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
前記高フッ素化酸ポリマーが、１，１−ジフルオロエチレンと２−（１，１−ジフルオロ−２−（トリフルオロメチル）アリルオキシ）−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホン酸とのコポリマー、およびエチレンと２−（２−（１，２，２−トリフルオロビニルオキシ）−１，１，２，３，３，３−ヘキサフルオロプロポキシ）−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホン酸とのコポリマー、からなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
前記高フッ素化酸ポリマーが、テトラフルオロエチレンとパーフルオロ（３，６−ジオキサ−４−メチル−７−オクテンスルホン酸）とのコポリマー、およびテトラフルオロエチレンおよびパーフルオロ（３−オキサ−４−ペンテンスルホン酸）とのコポリマーから選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
前記無機ナノ粒子が半導体である、請求項１に記載の組成物。
【請求項１１】
前記無機ナノ粒子が、金属硫化物類、金属酸化物類、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１２】
前記金属酸化物が、アンチモン酸亜鉛類、インジウムスズ酸化物、酸素欠乏型三酸化モリブデン、五酸化バナジウム、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１１に記載の組成物。
【請求項１３】
前記無機ナノ粒子が絶縁性である、請求項１に記載の組成物。
【請求項１４】
前記ナノ粒子が、酸化ケイ素、酸化チタン類、酸化ジルコニウム、三酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化サマリウム、酸化イットリウム、酸化セシウム、酸化第二銅、酸化第二スズ、酸化アンチモン、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１３に記載の組成物。
【請求項１５】
前記無機ナノ粒子が、硫化カドミウム、硫化銅、硫化鉛、硫化水銀、硫化インジウム、硫化銀、硫化コバルト、硫化ニッケル、硫化モリブデン、Ｎｉ／Ｃｄ硫化物類、Ｃｏ／Ｃｄ硫化物類、Ｃｄ／Ｉｎ硫化物類、Ｐｄ−Ｃｏ−Ｐｄ硫化物類、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５９】
本明細書において明記される種々の範囲内の数値が使用される場合、記載の範囲内の最小値および最大値の両方の前に単語「約」が付けられているかのように近似値として記載されている。この方法では、記載の範囲よりもわずかに上およびわずかに下のばらつきを使用して、その範囲内の値の場合と実質的に同じ結果を得ることができる。また、これらの範囲の開示は、ある値の一部の成分を異なる値の一部の成分と混合した場合に生じうる分数値を含めて、最小平均値と最大平均値との間のすべての値を含む連続した範囲であることを意図している。さらに、より広い範囲およびより狭い範囲が開示される場合、ある範囲の最小値を別の範囲の最大値と一致させること、およびその逆のことが本発明の意図の範囲内となる。
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
１．少なくとも１種類の高フッ素化酸ポリマーでドープした少なくとも１種類の導電性ポリマーの水性分散体と、
無機ナノ粒子と
を含む、組成物。
２．前記導電性ポリマーが、ポリチオフェン類、ポリ（セレノフェン）類、ポリ（テルロフェン）類、ポリピロール類、ポリアニリン類、多環式芳香族ポリマー類、それらのコポリマー、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、前記１に記載の組成物。
３．前記導電性ポリマーが、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、縮合多環式複素環式芳香族ポリマー、それらのコポリマー、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、前記２に記載の組成物。
４．前記導電性ポリマーが、非置換ポリアニリン、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、非置換ポリピロール、ポリ（チエノ（２，３−ｂ）チオフェン）、ポリ（チエノ（３，２−ｂ）チオフェン）、およびポリ（チエノ（３，４−ｂ）チオフェン）からなる群から選択される、前記３に記載の組成物。
５．前記高フッ素化酸ポリマーが少なくとも９５％フッ素化されている、前記１に記載の組成物。
６．前記高フッ素化酸ポリマーがスルホン酸およびスルホンイミドから選択される、前記１に記載の組成物。
７．前記高フッ素化酸ポリマーが、パーフルオロ−エーテル−スルホン酸側鎖を有するパーフルオロオレフィンである、前記１に記載の組成物。
８．前記高フッ素化酸ポリマーが、１，１−ジフルオロエチレンと２−（１，１−ジフルオロ−２−（トリフルオロメチル）アリルオキシ）−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホン酸とのコポリマー、およびエチレンと２−（２−（１，２，２−トリフルオロビニルオキシ）−１，１，２，３，３，３−ヘキサフルオロプロポキシ）−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホン酸とのコポリマー、からなる群から選択される、前記１に記載の組成物。
９．前記高フッ素化酸ポリマーが、テトラフルオロエチレンとパーフルオロ（３，６−ジオキサ−４−メチル−７−オクテンスルホン酸）とのコポリマー、およびテトラフルオロエチレンおよびパーフルオロ（３−オキサ−４−ペンテンスルホン酸）とのコポリマーから選択される、前記１に記載の組成物。
１０．前記無機ナノ粒子が半導体である、前記１に記載の組成物。
１１．前記無機ナノ粒子が、金属硫化物類、金属酸化物類、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、前記１０に記載の組成物。
１２．前記金属酸化物が、アンチモン酸亜鉛類、インジウム・スズ酸化物、酸素欠乏型三酸化モリブデン、五酸化バナジウム、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、前記１１に記載の組成物。
１３．前記無機ナノ粒子が絶縁性である、前記１に記載の組成物。
１４．前記ナノ粒子が、酸化ケイ素、酸化チタン類、酸化ジルコニウム、三酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化サマリウム、酸化イットリウム、酸化セシウム、酸化第二銅、酸化第二スズ、酸化アンチモン、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、前記１３に記載の組成物。
１５．前記無機ナノ粒子が、硫化カドミウム、硫化銅、硫化鉛、硫化水銀、硫化インジウム、硫化銀、硫化コバルト、硫化ニッケル、硫化モリブデン、Ｎｉ／Ｃｄ硫化物類、Ｃｏ／Ｃｄ硫化物類、Ｃｄ／Ｉｎ硫化物類、Ｐｄ−Ｃｏ−Ｐｄ硫化物類、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、前記１に記載の組成物。
１６．ナノ粒子対導電性ポリマーの重量比が０．１〜１０．０の範囲内である、前記１に記載の組成物。
１７．前記１に記載の組成物から作製されたフィルム。
１８．ｐ−キシレンに対して５０°未満の接触角を有する、前記１７に記載のフィルム。
１９．４６０ｎｍにおいて１．４を超える屈折率を有する、前記１７に記載のフィルム。
２０．前記１に記載の組成物から作製された少なくとも１つの層を含む電子デバイス。
２１．前記層が緩衝層である、前記２０に記載のデバイス。
２２．アノード、緩衝層、電気活性層、およびカソードを含む、前記２１に記載のデバイス。