【事件の表示】
　平成１０年特許願第１６３６７６号「薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１２月２４日出願公開、特開平１１−３５３６１６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　本願は、平成１０年６月１１日の出願であって、平成１４年９月１９日付け拒絶理由通知に対して、平成１４年１１月２２日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成１４年１２月１０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１５年１月１４日に拒絶査定不服の審判が請求されるとともに、平成１５年２月１０日に明細書について手続補正書が提出されたものである。
　
２．平成１５年２月１０日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
〔補正却下の決定の結論〕
　平成１５年２月１０日付けの手続補正（以下、「本件手続補正」という。）を却下する。
　
〔理　由〕
（１）本件手続補正前及び本件手続補正後の本願発明
　本件手続補正は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明についてするもので、特許請求の範囲については、本件手続補正前には、
「【請求項１】　磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が記録ギャップ層を介して対向する第１の磁極および第２の磁極を含む少なくとも２つの磁性層と、磁束を発生させるための１層あるいは２層以上の薄膜コイルとを有する薄膜磁気ヘッドであって、
　前記第１の磁極を含む第１の磁性層と、
　前記第２の磁極を構成する磁極先端部と、
　前記磁極先端部および前記記録ギャップ層に隣接した空間領域により構成されるコイル形成領域と、
　　少なくとも、前記コイル形成領域内の、前記磁極先端部および前記記録ギャップ層の前記記録媒体に対向する側の反対面から前記第１の磁性層の一方の面に沿って連続的に形成された第１の絶縁層と、
　前記コイル形成領域内に形成された薄膜コイルと、
　少なくとも、前記薄膜コイルの巻線間に形成された第２の絶縁層と、
　前記磁極先端部の前記記録ギャップ層との隣接面の反対面の少なくとも一部に接続されると共に、前記薄膜コイルの少なくとも一部を覆うように形成された第２の磁性層と
　を備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項２】　前記第１の絶縁層は、更に、前記磁極先端部の前記記録媒体に対向する側の端面を除く両側面に沿って形成されていることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項３】　前記第１の絶縁層は、更に、前記磁極先端部の前記記録媒体に対向する側の反対面から前記第２の磁性層の前記記録媒体に対向する側の反対面まで連続的に形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項４】　前記薄膜コイルの膜厚方向の全部が、前記コイル形成領域内に埋設されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項５】　前記薄膜コイルの前記第１の絶縁層との隣接面の反対面が、前記磁極先端部の前記記録ギャップ層との隣接面の反対面と実質的に同一面となるように形成されると共に、前記薄膜コイルと前記第２の磁性層との間に前記第２の絶縁層が介在していることを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項６】　前記第１の絶縁層は、無機系の絶縁材料により形成されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項７】　前記第１の磁性層上に前記コイル形成領域に隣接して前記第１の磁極と第２の磁極を接続するための接続部を有し、前記第１の絶縁層が前記接続部の前記磁極先端部に対向する面にも延在して形成されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項８】　前記コイル形成領域は、前記磁極先端部と前記接続部との間において前記第１の磁性層に形成された凹部を含み、前記第１の絶縁層は前記磁極先端部の側面、前記凹部の側面および底面、更に前記接続部の側面に沿って連続的に形成されていることを特徴とする請求項７記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項９】　前記コイル形成領域内の、前記第１の磁性層と前記第１の絶縁層との間の一部領域に、前記記録ギャップ層が残存していることを特徴とする請求項８に記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項１０】　前記第２の絶縁層が、前記磁極先端部の前記記録ギャップ層との隣接面の反対面と実質的に同一面となるように形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項１１】　前記第２の絶縁層が、前記第１の絶縁層と前記薄膜コイルとの間にも形成されていることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項１２】　前記第２の絶縁層と前記第２の磁性層との間に、更に、前記第１および第２の絶縁層とは異なる他の絶縁層に覆われて形成された少なくとも１層の薄膜コイルを備えたことを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項１３】　前記薄膜コイルのうち、前記第２の磁性層の最も近くに形成された最外部の薄膜コイルの巻数が、これ以外の薄膜コイルの巻数よりも少なく、前記最外部の薄膜コイルを覆いエイペックスアングルを規定する絶縁層の傾斜面がなだらかであることを特徴とする請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項１４】　前記第１の絶縁層および前記第２の絶縁層に覆われた前記薄膜コイルと前記他の絶縁層に覆われた前記薄膜コイルとが、前記第２の絶縁層と前記他の絶縁層との境界面において電気的に接続されていることを特徴とする請求項１２に記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項１５】　前記磁極先端部の記録媒体に対向する側の反対面側の幅が、記録媒体に対向する側の幅よりも広くなるように形成されていることを特徴とする請求項１ないし１４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項１６】　更に、読み出し用の磁気抵抗素子を備えたことを特徴とする請求項１ないし１５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項１７】　磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が記録ギャップ層を介して対向する第１の磁極および第２の磁極を含む少なくとも２つの磁性層と、磁束を発生させるための１層あるいは２層以上の薄膜コイルとを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
　第１の磁極を含む第１の磁性層を形成した後、前記第１の磁性層の少なくとも第１の磁極の上に記録ギャップ層を介して第２の磁極を構成する磁極先端部を選択的に形成する共に、前記磁極先端部および前記記録ギャップ層に隣接した空間領域にコイル形成領域を形成する工程と、
　少なくとも、前記コイル形成領域の、前記磁極先端部および前記記録ギャップ層の前記記録媒体に対向する側の反対面から前記第１の磁性層の一方の面に沿って、第１の絶縁層を連続的に形成する工程と、
　前記コイル形成領域内に薄膜コイルを形成する工程と、
　第２の絶縁層を、少なくとも、前記薄膜コイルの巻線間に形成する工程と、
　前記磁極先端部の前記記録ギャップ層との隣接面の反対面の少なくとも一部に接続し、且つ、前記薄膜コイルの少なくとも一部を覆うように第２の磁性層を形成する工程と
　を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　　【請求項１８】　前記磁極先端部および前記薄膜コイルを含む全面を前記第２の絶縁層により覆った後、前記薄膜コイルの前記第１の絶縁層との隣接面の反対面が、前記磁極先端部の前記記録ギャップ層との隣接面の反対面と実質的に同一面となるように平坦化することを特徴とする請求項１７記載の薄膜磁気ヘッド
の製造方法。
　　【請求項１９】　前記第１の絶縁層を無機系の絶縁材料により形成することを特徴とする請求項１７または１８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  　【請求項２０】　前記第１の磁性層の上の全面に記録ギャップ層を形成し、
この記録ギャップ層上に前記磁極先端部を選択的に形成した後、前記磁極先端部をマスクとして前記記録ギャップ層および前記第１の磁性層の表面を選択的にエッチングすることにより前記第１の磁性層に前記コイル形成部を構成する凹部を形成することを特徴とする請求項１７ないし１９のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　　【請求項２１】　前記磁極先端部をマスクとして前記記録ギャップ層をエッチングする際に、前記記録ギャップ層の前記コイル形成部内の一部を残存させることを特徴とする請求項２０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　　【請求項２２】　前記平坦化された第２の絶縁層の上に、更に、第１および第２の絶縁層とは異なる他の絶縁層で覆われた少なくとも１層の薄膜コイルを形成することを特徴とする請求項１８ないし２１のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　　【請求項２３】　前記薄膜コイルのうち、前記第２の磁性層の最も近くに形成された最外部の薄膜コイルの巻数を、これ以外の薄膜コイルの巻数よりも少なくし、前記最外部の薄膜コイルを覆いエイペックスアングルを規定する絶縁層の傾斜面をなだらかにすることを請求項１８ないし２２のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　　【請求項２４】　前記磁極先端部の表面を選択的にエッチングし、前記磁極先端部の側面に形成された第１の絶縁層の端面よりも低くした後、前記磁極先端部および前記第２の絶縁層の上に前記第２の磁性層を形成することを特徴とする請求項１７または１９ないし２３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　　【請求項２５】　更に、読み出し用の磁気抵抗素子を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１７ないし２４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。」
とあったものを、
　
「【請求項１】　磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が記録ギャップ層を介して対向する第１の磁極および第２の磁極を含む少なくとも２つの磁性層と、磁束を発生させるための１層あるいは２層以上の薄膜コイルとを有する薄膜磁気ヘッドであって、
　前記第１の磁極を含む第１の磁性層と、
　前記第２の磁極を構成する磁極先端部と、
　前記磁極先端部および前記記録ギャップ層に隣接した空間領域により構成されるコイル形成領域と、
　少なくとも、前記コイル形成領域内の、前記磁極先端部および前記記録ギャップ層の前記記録媒体に対向する側の反対面から前記第１の磁性層の一方の面に沿って連続的に形成されると共に、前記磁極先端部の前記記録媒体に対向する側の端面を除く両側面に形成された第１の絶縁層と、
　前記コイル形成領域内に形成された薄膜コイルと、
　少なくとも前記薄膜コイルの巻線間に形成された第２の絶縁層と、
　前記磁極先端部の前記記録ギャップ層との隣接面の反対面の少なくとも一部に接続されると共に、前記薄膜コイルの少なくとも一部を覆うように形成された第２の磁性層とを備え、
　前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層と共に前記磁極先端部の前記記録ギャップ層との隣接面の反対面と実質的に同一面となるように平坦化され、かつ前記薄膜コイルの少なくとも１層目の前記第１の絶縁層との隣接面の反対面が、前記磁極先端部の前記記録ギャップ層との隣接面の反対面と実質的に同一面若しくはそれ以下となるように形成されている
　ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項２】　前記第１の絶縁層は、更に、前記磁極先端部の前記記録媒体に対向する側の反対面から前記第２の磁性層の前記記録媒体に対向する側の反対面まで連続的に形成されている
　ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項３】　前記第１の絶縁層は、無機系の絶縁材料により形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項４】　前記第１の磁性層上に前記コイル形成領域に隣接して前記第１の磁極と第２の磁極を接続するための接続部を有し、前記第１の絶縁層が前記接続部の前記磁極先端部に対向する面にも延在して形成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項５】　前記コイル形成領域は、前記磁極先端部と前記接続部との間において前記第１の磁性層に形成された凹部を含み、前記第１の絶縁層は前記磁極先端部の側面、前記凹部の側面および底面、更に前記接続部の側面に沿って連続的に形成されていることを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項６】　前記コイル形成領域内の、前記第１の磁性層と前記第１の絶縁層との間の一部領域に、前記記録ギャップ層が残存していることを特徴とする請求項５に記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項７】　前記第２の絶縁層が、前記第１の絶縁層と前記薄膜コイルとの間にも形成されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項８】　前記第２の絶縁層と前記第２の磁性層との間に、更に、前記第１および第２の絶縁層とは異なる他の絶縁層に覆われて形成された少なくとも１層の薄膜コイルを備えたことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項９】　前記薄膜コイルのうち、前記第２の磁性層の最も近くに形成された最外部の薄膜コイルの巻数が、これ以外の薄膜コイルの巻数よりも少なく、前記最外部の薄膜コイルを覆いエイペックスアングルを規定する絶縁層の傾斜面がなだらかであることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項１０】　前記第１の絶縁層および前記第２の絶縁層に覆われた前記薄膜コイルと前記他の絶縁層に覆われた前記薄膜コイルとが、前記第２の絶縁層と前記他の絶縁層との境界面において電気的に接続されていることを特徴とする請求項９に記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項１１】　前記磁極先端部の記録媒体に対向する側の反対面側の幅が、記録媒体に対向する側の幅よりも広くなるように形成されていることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項１２】　更に、読み出し用の磁気抵抗素子を備えたことを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
　　【請求項１３】　磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が記録ギャップ層を介して対向する第１の磁極および第２の磁極を含む少なくとも２つの磁性層と、磁束を発生させるための１層あるいは２層以上の薄膜コイルとを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
　第１の磁極を含む第１の磁性層を形成した後、前記第１の磁性層の少なくとも第１の磁極の上に記録ギャップ層を介して第２の磁極を構成する磁極先端部を選択的に形成する共に、前記磁極先端部および前記記録ギャップ層に隣接した空間領域にコイル形成領域を形成する工程と、
　少なくとも、前記コイル形成領域の、前記磁極先端部および前記記録ギャップ層の前記記録媒体に対向する側の反対面から前記第１の磁性層の一方の面に沿って、かつ前記磁極先端部の前記記録媒体に対向する側の端面を除く両側面に第１の絶縁層を連続的に形成する工程と、
　前記コイル形成領域内の第１の絶縁層上に薄膜コイルをその少なくとも１層目が、前記磁極先端部の前記記録ギャップ層との隣接面の反対面と実質的に同一面若しくはそれ以下となるように形成する工程と、
　前記磁極先端部および前記薄膜コイルを含む全面を前記第２の絶縁層により覆った後、前記第１の絶縁層を、前記第２の絶縁層と共に前記磁極先端部の前記記録ギャップ層との隣接面の反対面と実質的に同一面となるように平坦化する工程と、
　前記磁極先端部の前記記録ギャップ層との隣接面の反対面の少なくとも一部に接続し、且つ、前記薄膜コイルの少なくとも一部を覆うように第２の磁性層を形成する工程と
　を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　　【請求項１４】　前記第１の絶縁層を無機系の絶縁材料により形成することを特徴とする請求項１３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  　【請求項１５】　前記第１の磁性層の上の全面に記録ギャップ層を形成し、この記録ギャップ層上に前記磁極先端部を選択的に形成した後、前記磁極先端部をマスクとして前記記録ギャップ層および前記第１の磁性層の表面を選択的にエッチングすることにより前記第１の磁性層に前記コイル形成部を構成する凹部を形成することを特徴とする請求項１３または１４に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　　【請求項１６】　前記磁極先端部をマスクとして前記記録ギャップ層をエッチングする際に、前記記録ギャップ層の前記コイル形成部内の一部を残存させることを特徴とする請求項１５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　　【請求項１７】　前記平坦化された第２の絶縁層の上に、更に、第１および第２の絶縁層とは異なる他の絶縁層で覆われた少なくとも１層の薄膜コイルを形成することを特徴とする請求項１３ないし１６のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　　【請求項１8 】　前記薄膜コイルのうち、前記第２の磁性層の最も近くに形成された最外部の薄膜コイルの巻数を、これ以外の薄膜コイルの巻数よりも少なくし、前記最外部の薄膜コイルを覆いエイペックスアングルを規定する絶縁層の傾斜面をなだらかにすることを請求項１3 ないし１７のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　　【請求項１９】　前記磁極先端部の表面を選択的にエッチングし、前記磁極先端部の側面に形成された第１の絶縁層の端面よりも低くした後、前記磁極先端部および前記第２の絶縁層の上に前記第２の磁性層を形成することを特徴とする請求項１３または１４ないし１８のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　　【請求項２０】　更に、読み出し用の磁気抵抗素子を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１３ないし１５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。」
と補正しようとするものである。
　
　本件手続補正の補正内容を整理すると、次のとおりである。
１）補正前にあった請求項２，４，５，１０、及び１８を削除する。
２）補正前の請求項１に対して、
発明特定事項である「第１の絶縁層」に対し、
i)「前記磁極先端部の前記記録媒体に対向する側の端面を除く両側面に形成された」こと、及び
ii)「前記第２の絶縁層と共に前記磁極先端部の前記記録ギャップ層との隣接面の反対面と実質的に同一面となるように平坦化され、」との限定を加え、
同様に「薄膜コイル」に対し、
iii)「少なくとも１層目の前記第１の絶縁層との隣接面の反対面が、前記磁極先端部の前記記録ギャップ層との隣接面の反対面と実質的に同一面若しくはそれ以下となるように形成されている」との限定を加える。
３）補正前の請求項１７に対して、
発明特定事項である「第１の絶縁層を連続的に形成する工程」に対し、
iv)「かつ前記磁極先端部の前記記録媒体に対向する側の端面を除く両側面に」との限定を加え、
同様に「薄膜コイルを形成する工程」に対し、
v)「第１の絶縁層上に」「その少なくとも１層目が、前記磁極先端部の前記記録ギャップ層との隣接面の反対面と実質的に同一面若しくはそれ以下となるように」との限定を加え、
同様に「第２の絶縁層を形成する工程」を、
vi)「前記磁極先端部および前記薄膜コイルを含む全面を前記第２の絶縁層により覆った後、前記第１の絶縁層を、前記第２の絶縁層と共に前記磁極先端部の前記記録ギャップ層との隣接面の反対面と実質的に同一面となるように平坦化する」と限定する。
４）前記請求項を削除したことに対応して、請求項番号及び請求項において引用する請求項の番号を整理した。
　以上のとおりであるから、本件手続補正の特許請求の範囲についての補正は、特許法第１７条の２第４項の第１号に規定する請求項の削除または第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本件手続補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）否かを、本件手続補正により発明特定事項を限定することで減縮された請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）について以下に検討する。
　
（２）引用例
１）　第１引用例
　原審で引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開昭６０−１１９６１３号公報（以下、「第１引用例」という）には、図面とともに以下の技術事項が記載されている。
（ａ）
「第３図は本発明の一実施例を示す薄膜ヘッドの構造を示すもので１は非磁性基板で１３は下部ヘッドコアとなるセンダスト膜、６はギャップスペーサ膜、１４，１４′は上部ヘッドコアの一部となるセンダスト膜、５は絶縁膜、４は薄膜コイルで７は薄膜コイル部を平担化するためのＳｉ０２層、１５はセンダスト膜と共に上部ヘッドコアを構成するパーマロイ膜、１６は保護膜である。
　第４図は第３図に示した薄膜へッドの作成手順である。鏡面仕上げされ十分に洗浄された非磁性基板１上に所定厚さのセンダスト膜１３をスパッタリンク法で付着させ所定形状にパターンエッチングして多数個分のヘッドチップを作成する（第４図Ａ）。然る後に動作ギャップを形成する部分に所定厚さのギャップスベーサ膜（Ｓｉ０２膜）６を付着させる。次に薄膜コイル作成部をマスクして上部ヘッドコアの一定となるセンダスト膜１４，１４′を所定の厚さだけスパッタリング法により付着させ、不要部分をエッチングで除去してセンダスト膜を成形する（第４図Ｂ）。この段階に致ったらセンダスト膜８，９，９′の磁気特性改善のための熱処理を６００℃〜６５０℃で１時間程度行う。なお非磁性基板としては熱膨張係数が１０−５／℃以上というセンダストに近い材質のものを使用する。
　上述したセンダスト膜の熱処理が完了した後、薄膜コイル形成部に絶縁膜５を所定の厚さ付着させ薄膜コイル材のＡｌを蒸着し、所定形状にパ夕ーンニングする。然る後、薄膜コイル４による凹凸を解消するために薄膜コイル形成部に、Ｓｉ０２を基板電極にＲＦバイアスを印加してスパッタリングする（第４図Ｃ）。薄膜コイル部分の平担化が完了した後、既に上部ヘッドコアの一部となるセンダスト膜１４，１４′を接続しへッド磁路を形成するためのパーマロイ膜１５を薄膜コイル形成部の上部と上記センダスト膜１４，１４′の一部に重るようにスパッタリング法で所定の厚さ形成し所定形状にパターンニングを行う。次に保護膜１６を所定厚さだけスパッタリング法によって形成し薄膜ヘッドの基本的な構成要素の作成が完了する。」
（３頁左下欄第１１行〜４頁左上欄第１１行）
　
　上記第１引用例記載事項及び図面の記載事項を総合勘案すると、第１引用例には、結局、次の発明（以下、「引用発明」という）が記載されている。
「非磁性基板１、
下部ヘッドコアとなるセンダスト膜１３、
ギャップスペーサ膜６、
上部ヘッドコアの一部となるセンダスト膜１４，１４′、
センダスト膜１４，１４′形成時にマスクされ、後に薄膜コイルが形成される薄膜コイル形成部、
薄膜コイル形成部に所定の厚さ付着される絶縁膜５、
Ａｌを蒸着し、所定形状にパ夕ーンニングして形成される薄膜コイル４、
薄膜コイル４による凹凸を解消するために形成され、薄膜コイル部を平担化するＳｉ０２層７、
薄膜コイル部分の平坦化が完了した後に、センダスト膜１４，１４′を接続しヘッド磁路を形成するため、薄膜コイル形成部の上部と上記センダスト膜１４，１４′の一部に重るように形成し、センダスト膜と共に上部ヘッドコアを構成するパーマロイ膜１５、
保護膜１６、
からなる薄膜ヘッド」
　
２）第２引用例
　同じく原審で引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平２−２４７８０９号公報（以下、「第２引用例」という）には、図面とともに以下の技術事項が記載されている。
（ｂ）
「第１４図に、本発明の一実施例としての薄膜磁気へツドの製造方法を表わす断面図を示す。
（１）（注：原文はマル付き数字、以下（５）まで同様）第１４図（ａ）に示したように、基板２１の上部に下部磁性膜パターン２２，第１層絶縁膜パターン９１及びギヤツプ膜パターン２５を形成した。
（２）第９図（ｂ）に示したように、厚さ２μｍの磁性膜をスパッタリングした後、イオンミリング法を用いて上部磁性膜先端部１２を形成した．
（３）第９図（ｃ）に示したように厚さ１μｍのアルミナ膜をスパッタリングして保護膜１３とした後、第１層導体コイル９２，第２層絶縁膜９３，第２層導体コイル９４及び第３層絶縁膜９５を形成した。
（４）第９図（ｄ）に示したように、ホトレジストパターン９６を形成し、このホトレジストパターン９６及び第２層絶縁膜９３をマスク材として保護膜１３をエッチングし、コンタクトホール１６を形成した．
（５）ホトレジストバターン９６を除去した後、第９図（ｅ）に示したように、厚さ４μｍの磁性膜をスパッタリングした後、イオンミリング法を用いて上部磁性膜後部１５を形成し、磁気へッド構造の主要部分を得た。」
　ここで、上記摘記部分のうち、「第９図（ｂ）」、「第９図（ｃ）」、「第９図（ｄ）」及び「第９図（ｅ）」とあるところは、明らかにそれぞれ「第１４図（ｂ）」、「第１４図（ｃ）」、「第１４図（ｄ）」及び「第１４図（ｅ）」の誤記であると認められる。
　また、第１４図以外も、第７図、第９図〜第１３図、及び第１５図にも実施例として薄膜磁気ヘッドの断面図または平面図が描かれている。
　
（３）対比
　本願補正発明を、引用発明と比較すると、引用発明における「下部ヘッドコア」及び「センダスト膜１３」は、それぞれ本願補正発明における「第１の磁極」及び「第１の磁性層」に相当する。
　引用発明における「ギャップスペーサ膜６」は、本願補正発明における「記録ギャップ層」に相当する。
　
　引用発明における「上部ヘッドコア」及び「センダスト膜１４」は、それぞれ本願補正発明における「第２の磁極」及び「磁極先端部」に相当する。
　引用発明における「薄膜コイル形成部」は、本願補正発明における「コイル形成領域」に相当する。
　引用発明における「絶縁膜５」は、薄膜コイル形成部に当たる領域に形成されるものであり、センダスト膜１３に沿って形成されることが明らかであるから、その点に限り本願補正発明における「第１の絶縁層」に相当する。
　引用発明における「薄膜コイル４」は、本願補正発明における「薄膜コイル」に相当する。
　引用発明における「パーマロイ膜１５」は、本願補正発明における「第２の磁性層」に相当する。
　引用発明における「Ｓｉ０２層７」は、本願補正発明における「第２の絶縁層」に相当する。
　また、引用発明において、前記パーマロイ膜１５が、薄膜コイル部分の平坦化が完了した後に、薄膜コイル形成部の上部と上記センダスト膜１４，１４′の一部に重るように形成されるものであることからすると、前記平坦化された薄膜コイル部分において、薄膜コイルの上部はセンダスト膜との短絡を避ける必要上、前記Ｓｉ０２層７に覆われるようになすことは当業者にとって自明な構造にすぎず、このことは、本願補正発明において「前記薄膜コイルの少なくとも１層目の前記第１の絶縁層との隣接面の反対面が、前記磁極先端部の前記記録ギャップ層との隣接面の反対面と実質的に同一面若しくはそれ以下となるように形成されている」ことに相当する。
　引用発明の「薄膜ヘッド」は、本願補正発明の「磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が記録ギャップ層を介して対向する第１の磁極および第２の磁極を含む少なくとも２つの磁性層と、磁束を発生させるための１層あるいは２層以上の薄膜コイルとを有する薄膜磁気ヘッド」に相当する。
　
　すると、本願補正発明と、第１引用例に記載された発明とは、次の点で一致する。
＜一致点＞
「磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が記録ギャップ層を介して対向する第１の磁極および第２の磁極を含む少なくとも２つの磁性層と、磁束を発生させるための１層あるいは２層以上の薄膜コイルとを有する薄膜磁気ヘッドであって、
　前記第１の磁極を含む第１の磁性層と、
　前記第２の磁極を構成する磁極先端部と、
　前記磁極先端部および前記記録ギャップ層に隣接した空間領域により構成されるコイル形成領域と、
　前記コイル形成領域内の、前記第１の磁性層の一方の面に沿って形成された第１の絶縁層と、
　前記コイル形成領域内に形成された薄膜コイルと、
　少なくとも前記薄膜コイルの巻線間に形成された第２の絶縁層と、
　前記磁極先端部の前記記録ギャップ層との隣接面の反対面の少なくとも一部に接続されると共に、前記薄膜コイルの少なくとも一部を覆うように形成された第２の磁性層とを備え、
　前記薄膜コイルの少なくとも１層目の前記第１の絶縁層との隣接面の反対面が、前記磁極先端部の前記記録ギャップ層との隣接面の反対面と実質的に同一面若しくはそれ以下となるように形成されている
　薄膜磁気ヘッド。」
　
　一方で、以下の点で相違する。
（相違点１）
　本願補正発明では、第１の絶縁層が、磁極先端部および前記記録ギャップ層の前記記録媒体に対向する側の反対面にも前記第１の磁性層の一方の面に沿って連続的に形成されると共に、前記磁極先端部の前記記録媒体に対向する側の端面を除く両側面にも形成されているのに対し、引用発明では、薄膜コイル形成部に形成されている点。
（相違点２）
　本願補正発明では、第１の絶縁層が、第２の絶縁層と共に前記磁極先端部の前記記録ギャップ層との隣接面の反対面と実質的に同一面となるように平坦化されているのに対し、引用発明ではそのようにはなっていない点。
　
（４）判断
１）相違点１について
　第２引用例に記載された薄膜磁気ヘッドの「保護膜１３」は、その面上に薄膜コイルが形成されるのであるから、換言すると「少なくとも、コイル形成領域内」に形成されるものであるとすることができ、したがってその点において本願補正発明の第１の絶縁層と一致するものである。そして、第１４図（ｃ）を参照すると明らかなように、本願補正発明の「磁極先端部」に明らかに相当する「上部磁性膜先端部１２」の前方から上側を越えて後方を覆い、前記コイル形成領域を経て前記上部磁性膜先端部１２の後端、さらにはギャップ層後端を越えて、下部磁性膜パターンの後端部にまで延びていることが明らかである。さらには、明細書及び図面には明記されていないが、特にマスクも形成せず、このような膜を形成している以上、前記上部磁性膜先端部１２に関しては、その両側部にまで保護層が形成されると考えるのが技術上妥当である。
　引用発明では、薄膜コイル形成部は、コイル形成後絶縁体であるＳｉＯ２層により平坦化するものであるから、絶縁層５がコイル形成部以外に付着したとしても製造方法上はともかく、物の発明である薄膜ヘッドとしては、作用効果の点からは特段の技術的意義を見出すことができない。また、薄膜ヘッドにおいては、磁極先端部のトラック幅方向両側面は、絶縁材料によって保護する構造とすることがこの分野の常識である（第２引用例の第２図を参照すると、保護膜２８が、磁極先端部の幅方向両側面側も覆っていることが明らかである）ことからすると、磁極先端部の両側面についても、絶縁層５が付着したとしても製造方法上はともかく、物の発明である薄膜ヘッドとしては、作用効果の点からは特段の技術的意義を見出すことができない。すなわち、絶縁膜５を、マスク形成等の手間を省いて、第２引用例に記載された保護膜のように、広くセンダスト膜１４，１４′を覆うように形成しても、後の工程で絶縁層を形成する部分に予め薄膜として付着するだけであるから、厳密にマスクを用いて薄膜コイル形成部にのみ形成する必要性は特に認められず、逆に、物の発明としては絶縁層乃至は絶縁体で充填される部分に絶縁薄膜が付け加わることで格別の作用効果があると認めることもできないから、引用発明において、第２引用例に記載されたような形態の保護膜を形成することで、相違点１について本願補正発明のようにすることは当業者が容易に想到しうるものである。
　
２）相違点２について
　引用発明では、薄膜コイル部分の平坦化工程を有しており、周知のＣＭＰにより、センダスト膜１４，１４′、ＳｉＯ２層が同一平面に揃うように加工することは当業者が適宜なし得る選択肢にすぎない。絶縁膜５が広く形成された場合には、前記ＳｉＯ２層とともにセンダスト膜１４，１４′と実質的に同一面となるように加工することは当然の帰結にすぎないから、周知の平坦化工程を考慮すると、相違点２について本願補正発明のようにすることは第２引用例及び前記周知の平坦化工程に基づいて当業者が容易に想到しうるものである。
　
（５）本件手続補正についての結び
　以上のとおり、本願補正発明は、引用例に記載された発明及び周知事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件手続補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項に規定する要件を満たさないものであり、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１５年２月１０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１乃至２５に係る発明は、平成１４年１１月２２日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至２５に記載されたとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という）は、上記２．（１）に本件手続補正前の請求項１として掲げたとおりのものである。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断
　本願発明は、上記２．で検討した本願補正発明から、
「第１の絶縁層」に対し、
i)「前記磁極先端部の前記記録媒体に対向する側の端面を除く両側面に形成された」こと、及び
ii)「前記第２の絶縁層と共に前記磁極先端部の前記記録ギャップ層との隣接面の反対面と実質的に同一面となるように平坦化され」たこと、
同じく発明特定事項である「薄膜コイル」に対し、
iii)「少なくとも１層目の前記第１の絶縁層との隣接面の反対面が、前記磁極先端部の前記記録ギャップ層との隣接面の反対面と実質的に同一面若しくはそれ以下となるように形成されている」と限定のあるところを、削除したものにあたる。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、更に他の要件を付加したものに相当する本願補正発明が前記「２．（４）」に記載したとおり、引用例に記載された発明及び周知事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。。
　
　よって、結論のとおり審決する。