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　平成５年特許願第３５３４７６号「セラミックスと金属との接合体及びその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成６年１２月２０日出願公開、特開平６−３４４２２８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成５年１２月３０日（優先権主張平成５年４月１６日）の出願であって、その請求項１、２に係る発明は、平成１４年１０月１８日受付の手続補正書及び平成１５年１月６日受付の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１、２にそれぞれ記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、以下のとおりのものである。
「セラミックスと金属とを、活性金属入りの接合材料にて接合したものにおいて、Ｃｕを４０重量％以上含むＣｕに富む層がセラミックスと金属との間に介在し、Ｃｕに富む層の厚さが、セラミックスと金属との間隔の２％以上１３％以下であることを特徴とするセラミックスと金属との接合体。」
　
２．引用発明
　一方、原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に国内で頒布された刊行物である特開平４−９２８７１号公報（以下、「引用例」という。）には、次のとおり記載されている。
（イ）第２頁右上欄８行〜１３行
「そこで、本発明は、これらの問題を解消すべく案出されたものであり、Ｔｉ箔、Ｃｕ箔及びＦｅＮｉ合金箔を組合せてインサートとして使用することにより、簡単な方法で製造され、しかも優れた接合強度をもったセラミックスー金属接合体を提供することを目的とする。」
（ロ）第２頁左下欄６行〜同頁右下欄１２行
「［作用］　本発明の接合体においては、セラミックス側表面にＴｉ層が形成される。このＴｉ層は、セラミックスとの親和性が高く、且つセラミックス表面を接合に適した活性状態にするものである。しかも、Ｔｉ層は、固相拡散接合時にセラミックスを構成する原子との間で拡散し、セラミックスに対して強固に接着する。・・・更に、Ｔｉ層とＦｅＮｉ合金層との間に、Ｃｕ層を介在させる。このＣｕ層は、固相拡散接合時及び接合体が高温雰囲気に長時間晒された際、Ｔｉ層とＦｅＮｉ合金層との間で有害な金属間化合物が生成されることを防止するインヒビターとして働く。」
（ハ）第３頁右上欄６行〜同頁左下欄７行
「［実施例］　以下、実施例によって、本発明を具体的に説明する。セラミックス材料と金属材料とを、第１図に示すように積層して固相拡散接合した。セラミックス材料１としては、厚さ３ｍｍのアルミナセラミックスを使用した。そして、セラミックス材料１の両面に、金属材料２として構造用鋼ＳＭ５０を配置した。また、セラミックス材料１と金属材料２との間には、セラミックス材料１側に厚さ１μｍのＴｉ箔３を、金属材料２側に厚さ１ｍｍのＦｅＮｉ合金箔４を配置した。そして、チタン箔３とＦｅＮｉ合金箔４との間に、厚さ１００μｍのＣｕ箔５を挟み込んだ。この積層体を真空チャンバー内に装入し、積層体全体にラム６で１ｋｇｆ／ｍｍ２の圧力を加えながら、真空度４×１０−４トールの真空雰囲気中で高周波加熱コイル７によって８６０℃に３０分間加熱した。この加熱によって各層の間で拡散が十分に行われ、金属材料２に対してセラミックス材料１が強固に接合した接合体が得られた。」
（ニ）第３頁右下欄８行〜２０行
「［発明の効果］　・・・インサート又は金属材料の耐用限界までの高温使用環境に耐える接合体が得られる。・・・しかも、メタライジング−ロウ付け法に比較して、接合工程が加圧・加熱という一つの工程ですむため、製造コストの低減も図られる。」
　上記の摘記事項（イ）〜（ハ）からみて、引用例には、実施例として、
「セラミックス材料１と金属材料２とを、セラミックス表面を活性状態にする厚さ１μｍのＴｉ箔３、厚さ１００μｍのＣｕ箔５及び厚さ１ｍｍのＦｅＮｉ合金箔４を組合せたインサートにて固相拡散接合したものにおいて、固相拡散接合後のＣｕ層がセラミックス材料１と金属材料２との間に介在するセラミックス材料１と金属材料２との接合体」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
３．対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると、後者の「セラミックス材料１」が前者の「セラミックス」に、後者の「金属材料２」が前者の「金属」に、後者の「固相拡散接合」が前者の「接合」に、それぞれ相当することは明らかである。また、後者の「Ｔｉ箔」は「セラミックス表面を活性状態にする」ものであるから、前者の「活性金属」に相当し、したがって、当該「セラミックス表面を活性状態にする厚さ１μｍのＴｉ箔３」を含み、「固相拡散接合時のインサート」の機能を発揮する、後者の「セラミックス表面を活性状態にする厚さ１μｍのＴｉ箔３、厚さ１００μｍのＣｕ箔５及び厚さ１ｍｍのＦｅＮｉ合金箔４を組合せたインサート」は前者の「活性金属入りの接合材料」に相当する（なお、社団法人溶接学会編「第２版溶接・接合便覧」丸善株式会社、平成１５年２月２５日発行、第４３６頁右欄２４行〜３３行には、「インサート」が接合性を改善する材料である旨記載されている。）。そして、後者の「固相拡散接合後のＣｕ層」と前者の「Ｃｕを４０重量％以上含むＣｕに富む層」とは、「接合後のＣｕ層」の限りで共通する。
　してみると、両発明の一致点及び相違点は、以下のとおりである。
〈一致点〉セラミックスと金属とを、活性金属入りの接合材料にて接合したものにおいて、接合後のＣｕ層がセラミックスと金属との間に介在するセラミックスと金属との接合体。
〈相違点〉前者では、接合後のＣｕ層がＣｕを４０重量％以上含むものであって、その厚さが、セラミックスと金属との間隔の２％以上１３％以下であるのに対して、後者では、接合後のＣｕ層のＣｕ含有量及び厚さが明らかではない点。
　
４．当審の判断
　そこで、上記相違点について、以下検討する。
　本願発明１の接合体の接合方法に関して、本願明細書の段落【００１４】〜【００１５】には、「【実施例】・・・金属３は、外径１６×厚さ１ｍｍのコバール製円板で、接合材料２との対向面には表１に示す厚さのＣｕメッキが施されている。・・・上記の状態から、金属３を接合材料２に当接させ、厚さ方向に荷重を加えながら真空雰囲気中８８０℃で１５分間保持することによって、セラミックスと金属３とを接合した試料Ａ〜Ｒを製作した。」と記載されている。一方、引用発明の接合体に関して、「チタン箔３とＦｅＮｉ合金箔４との間に、厚さ１００μｍのＣｕ箔５を挟み込んだ。この積層体を真空チャンバー内に装入し、積層体全体にラム６で１ｋｇｆ／ｍｍ２の圧力を加えながら、真空度４×１０−４トールの真空雰囲気中で高周波加熱コイル７によって８６０℃に３０分間加熱した。この加熱によって各層の間で拡散が十分に行われ、金属材料２に対してセラミックス材料１が強固に接合した接合体が得られた。」と記載されている（上記の摘記事項（ハ）を参照）。すなわち、本願発明１の接合体と引用発明の接合体とは、ともに固相拡散接合によって得られたものであり、その接合雰囲気、加熱温度等からみて、その接合条件もほぼ同等のものであると云うことができる。また、引用発明の「接合後のＣｕ層」は、固相拡散接合時の加熱によって「各層の間で拡散が十分に行われ」て得られたものであるが（上記の摘記事項（ハ）を参照）、その固相拡散接合前は、Ｃｕ箔であって、本願発明１の「Ｃｕメッキ」と同様に、Ｃｕを１００％含有するものである。そうすると、固相拡散接合前のＣｕ含有割合及び固相拡散接合条件が本願発明１のものと同様の引用発明において、固相拡散接合後のＣｕ層のＣｕ含有割合を本願発明１のようにすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　また、引用発明の固相拡散接合前におけるセラミックスと金属との間には、厚さ１μｍのＴｉ箔３、厚さ１００μｍのＣｕ箔５及び厚さ１ｍｍのＦｅＮｉ合金箔４が存在するから、セラミックスと金属との間隔は１１０１μｍとなり、Ｃｕ箔５の厚さは、セラミックスと金属との間隔の１００／１１０１＝約９％である。したがって、固相拡散接合によってその厚みが若干変化するとしても、引用発明の固相拡散接合後のＣｕに富む層の厚さを、セラミックスと金属との間隔に対して、上記約９％を含む本願発明１程度の割合とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　そして、本願発明１の作用効果は、引用発明から当業者が予測可能な範囲内のものであって、格別のものではない。
　したがって、本願発明１は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２に係る発明について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。