【事件の表示】
　平成４年特許願第５９３１３号「差動論理回路」拒絶査定に対する審判事件［平成５年９月３日出願公開、特開平５−２２７００５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成４年２月１２日の出願であって、特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１４年１２月２５日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものと認める。
「ソースを共通化したトランジスタ対からなる差動回路と、
この差動回路の出力を取り出すソースフォロア回路に、順方向に接続された複数のダイオードからなる第１のダイオード直列回路と、この第１のダイオード直列回路より多い数のダイオードを順方向に接続した第２のダイオード直列回路とを並列に接続し、前記第２のダイオード直列回路側から論理出力を取り出すレベルシフト回路と、
を備えたことを特徴とする差動論理回路。」
　
２．引用例
（１）これに対して、当審の拒絶理由に引用された特開昭５５−１２３２１０号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　イ．「定電圧素子を用いたレベルシフト回路において、上記定電圧素子の両端に分圧抵抗を設けて、この分圧出力をレベルシフト出力としたことを特徴とするレベルシフト回路。」（１頁左下欄、特許請求の範囲）
　ロ．「第１図はこの発明の一実施例を示す回路図である。
　エミッタフォロトランジスタ（Ｑ１）は、入力信号源としてのトランジスタであり、エミッタ側に設けられた抵抗（ＲＬ）は、その負荷抵抗である。
　この実施例においては、上記トランジスタ（Ｑ１）のエミッタ出力信号のうち、交流成分を減衰させることなく、直流成分を２ＶＦ（ダイオードの順方向定電圧）の範囲にわたって任意のレベルシフト量を得るにあたり、上記トランジスタ（Ｑ１）のエミッタと負荷抵抗（ＲＬ）との間に順方向直列ダイオード又はダイオード接続したトランジスタ（Ｄ１，Ｄ２）を設けるとともに、このダイオード回路の両端に分圧抵抗（Ｒ１，Ｒ２）を設けて、この分圧出力端子からレベルシフト出力（ＶＯＵＴ）を得るものである。」（１頁右下欄８行目〜２頁左上欄４行目）
　ハ．「従来のダイオードのみによるレベルシフト回路では、直流レベルは、２ＶＦまたはＶＦにしか設定できないが、この実施例に示すように、上記同調増幅出力をエミッタフォロワ回路を構成するトランジスタ（Ｑ１）と、エミッタ抵抗（ＲＬ）との間にレベルシフトダイオード（Ｄ１）を設けるとともに、このダイオード（Ｄ１）の両端に分圧抵抗（Ｒ１，Ｒ２）を設けて、その比（Ｒ１／Ｒ２）を５：１に設定すれば、コンデンサを用いることなく、上記１．２ＶＦにレベルシフトした直流成分を得ることができる。」（２頁右上欄１５行目〜左下欄５行目）
　
　上記引用例の記載及び添付図面ならびにこの分野における技術常識を考慮すると、添付図面第２図に記載された回路は「同調増幅回路」の出力をレベルシフトする「レベルシフト回路付同調増幅回路」である。
　したがって、上記引用例には以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「同調増幅回路と、
　この同調増幅回路の出力を取り出すエミッタフォロワ回路に、順方向に接続された複数のダイオードからなるダイオード直列回路と、分圧抵抗回路とを並列に接続し、前記分圧抵抗回路側から出力を取り出すレベルシフト回路と、
を備えたことを特徴とするレベルシフト回路付同調増幅回路。」
　
（２）また、同じく当審の拒絶理由に引用された特開平１−２０２０２３号公報（以下、「周知例１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　イ．「本発明はかかる課題を解決するためになされたもので、上述したようなレベルシフト素子の代りに負荷素子として分圧抵抗を使うことにより、特にロウレベル側のレベルシフト量のばらつきをなくすとともに、任意にレベルシフトされたロウレベル出力がえられるようにしたものである。
　・・・
　かかる課題を解決するために本発明においては、論理ゲートの出力部と電源間に抵抗素子を接続し、その途中からレベルシフトした出力をとり出すようにした論理レベル制御回路が提供される。
　なお、該抵抗素子としては、ドレイン−ゲート間を短絡したディプリーション型ＦＥＴを、電源電圧に応じて複数個直列に接続したものを使用するのが好適である。」（２頁右下欄２〜１７行目）
　ロ．「負荷素子としてのＦＥＴにＧａＡｓ・ＭＥＳ・ＦＥＴやＨＥＭＴなどを用いた場合、そのゲートにショットキー接合が用いられているため、ゲート−ソース間の電圧が例えば０．８Ｖを越えるようになると、ゲート−ソース電流（ショットキーゲートを流れる電流）が過大になるため、上記第２図に示される回路（正側の電源電圧０Ｖ、負側の電源電圧ＶＥＥを−２Ｖとする）では、該ショットキーゲートを流れる電流が過大にならないよう、各ＦＥＴ（抵抗素子）の両端にかかる電圧が例えば０．６Ｖ程度となるように４個のＦＥＴＱ２乃至Ｑ５が直列接続される。
　すなわち本発明では第６図に示される電流電圧特性のうち、ＶＤＳ（各抵抗素子のドレイン−ソース間電圧）が約０．８Ｖ以下となる領域が使用されることになる。」（３頁左下欄１〜１６行目）
　
　上記周知例１の記載及び添付図面ならびにこの分野における技術常識を考慮すると、「レベルシフト用分圧抵抗として、ドレイン−ゲート間を短絡したディプリーション型ＧａＡｓ・ＭＥＳ・ＦＥＴを複数個直列に接続して使用する」ことは単なる慣用手段である。
　
（３）また、例えば特開平１−２２８３２０号公報（以下、「周知例２」という。）には、図面とともに、次の事項イ．が記載されており、また、例えば特開平３−１６３１６号公報（以下、「周知例３」という。）には、図面とともに、次の事項ロ．〜ホ．が記載されている。
　イ．「一般にガリウム砒素ＭＥＳＦＥＴにおいては、ゲート・ソース間及びゲート・ドレイン間に寄生的にショットキダイオードが形成されるため、ノード１１の入力の”Ｈ”レベルはノーマリオン型ＭＥＳＦＥＴ２のゲートソース間に形成されるショットキダイオードのショットキバリア高さで制限され、およそ０．６Ｖ程度の値となる。」（２頁左上欄１７〜右上欄４行目）
　ロ．「本発明は電解効果トランジスタを有する集積回路に関し、特にＧａＡｓを用いたショトキー接合型電界効果トランジスタから構成される論理集積回路に関する。」（３頁左上欄１１〜１４行目）
　ハ．「従来の集積回路では、すべてディプレション型のＦＥＴが使用されている。」（２頁左上欄２０行目〜右上欄２行目）
　ニ．「クランプ回路１５は、直列接続された２個のショトキーダイオードをクランプダイオード１５Ａおよび１５Ｂとして有している。」（３頁右下欄１１〜１４行目）
　ホ．「第２図を参照すると、・・・
　さらに、クランプ回路１５の代わりに、ダイオード接続されたＦＥＴ２７Ａおよび２７Ｂが直列に接続されたクランプ回路２７が設けられている。クランプ回路２７においては、ダイオード接続されたＦＥＴ２７Ａおよび２７Ｂをのショットキー接合特性を利用して、クランプ電圧が発生される。・・・また、ＦＥＴにおけるショトキー接合の順方向アノード・カソード間電圧は、ショトキーダイオードの順方向アノード・カソード間電圧とはぼ同一であるので、・・・。」（５頁左下欄２行目〜右下欄２行目）
　
　上記周知例２、３の記載及び添付図面ならびにこの分野における技術常識を考慮すると、「ドレイン−ゲート間を短絡したディプリーション型ＧａＡｓ・ＭＥＳ・ＦＥＴはショットキーダイオードそのもの」である。
　
（４）また、当審の拒絶理由に引用された特開平１−１７５３１９号公報（以下、「周知例４」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「第３図において、ＡＮＤゲート回路４は、一つのＦＥＴ５および負荷抵抗６を直列に接続した第１の回路７と、二つのＦＥＴ８、９および負荷抵抗１０を直列に接続した第２の回路１１と、このＦＥＴ８、２１および負荷抵抗６を直列に接続した回路（ｎ）と、上記第１の回路７および第２の回路１１と第３の回路（ｎ）の共通の電流源として機能するＦＥＴ１２と、出力部１３と、を含んで構成されている。ただし、第３の回路の負荷抵抗６は、第１の回路と共通、ＦＥＴ８は第２の回路と共通である。
　出力部１３はそれぞれソースフォロアーを構成する二つのＦＥＴ１６、１７と、三つのダイオードが、シリーズ接続された二つのダイオード群１４、１５と、電流源として機能するＦＥＴ２２、２３と、を有して、上記第１の回路７または第３の回路（ｎ）および第２の回路１１の負荷抵抗６、１０に生じた電位をダイオード群１４、１５の各接続点からレベルシフトして取り出し、出力論理信号ＯＵＴｘ、バーＯＵＴｘ、ＯＵＴｙ、バーＯＵＴｙ、ＯＵＴｚ、バーＯＵＴｚ、として出力する。なお、第３図中、１８〜２０は抵抗、２１〜２３はＦＥＴを示し、また、略号Ｖｃｓは電流安定化用基準電源、Ｖｓｓはマイナス定電圧電源である。」（２頁左下欄２０行目〜３頁左上欄２行目）
　
　上記周知例４の記載及び第３図ならびにこの分野における技術常識を考慮すると、例えば上記「ＦＥＴ９」と「ＦＥＴ２１」は「ソースを共通化したトランジスタ対からなる差動回路」を構成しており、「ＦＥＴ１７」と「ダイオード群１５」からなる「出力部１３」は「前記差動回路の出力を取り出すソースフォロア回路」である。また、前記「ダイオード群１５」は「順方向に接続された複数のダイオードからなるダイオード直列回路」である。
　したがって、上記周知例４には以下の周知回路が記載されている。
「ソースを共通化したトランジスタ対からなる差動回路と、この差動回路の出力を取り出すソースフォロア回路に、順方向に接続された複数のダイオードからなるダイオード直列回路と、前記ダイオード直列回路から論理出力を取り出すレベルシフト回路と、を備えたことを特徴とする差動論理回路。」
　
３．対比
　そこで、本願発明と引用発明とを対比するに、本願発明の「この第１のダイオード直列回路より多い数のダイオードを順方向に接続した第２のダイオード直列回路」と引用発明の「分圧抵抗回路」は何れの回路も「分圧回路」であるという点で一致している。
　また、本願発明の「ソースフォロア回路」と引用発明の「エミッタフォロワ回路」は何れの回路も「フォロア回路」であるという点で一致している。
　また、本願発明の「論理出力」と引用発明の「出力」は何れも「レベルシフト出力」であるという点で一致している。
　また、本願発明の「ソースを共通化したトランジスタ対からなる差動回路」はいわゆる「差動増幅回路」であるから当該構成と引用発明の「同調増幅回路」は何れの回路も「増幅回路」であるという点で一致しており、本願発明の「差動論理回路」と引用発明の「レベルシフト回路付同調増幅回路」はいずれの回路も「レベルシフト回路付増幅回路」であるという点で一致している。
　したがって、本願発明と引用発明は、
「増幅回路と、
この増幅回路の出力を取り出すフォロワ回路に、順方向に接続された複数のダイオードからなるダイオード直列回路と、分圧回路とを並列に接続し、前記分圧回路側からレベルシフト出力を取り出すレベルシフト回路と、
を備えたことを特徴とするレベルシフト回路付増幅回路。」
の点で一致し、以下の点で相違する。
＜相違点＞
（１）「分圧回路」の構成に関し、本願発明の構成は「この第１のダイオード直列回路より多い数のダイオードを順方向に接続した第２のダイオード直列回路」であるのに対し、引用発明の構成は「分圧抵抗回路」である点。
（２）「増幅回路」の構成に関し、本願発明の構成は「ソースを共通化したトランジスタ対からなる差動回路」であるのに対し、引用発明の構成は「同調増幅回路」である点。
（３）「レベルシフト回路付増幅回路」の構成に関し、本願発明の構成は「差動論理回路」であるのに対し、引用発明の構成は「レベルシフト回路付同調増幅回路」である点。
（４）「フォロア回路」の構成に関し、本願発明の構成は「ソースフォロア回路」であるのに対し、引用発明の構成は「エミッタフォロワ回路」である点。
（５）「レベルシフト出力」の構成に関し、本願発明の構成は「論理出力」であるのに対し、引用発明の構成は単に「出力」である点。
　
４．当審の判断
　そこで、上記相違点（１）について検討するに、上記周知例１には「レベルシフト用分圧抵抗として、ドレイン−ゲート間を短絡したディプリーション型ＧａＡｓ・ＭＥＳ・ＦＥＴを複数個直列に接続して使用する」技術が開示されている。そして、上記周知例２、３によれば、「ドレイン−ゲート間を短絡したディプリーション型ＧａＡｓ・ＭＥＳ・ＦＥＴはショットキーダイオードそのもの」である。
　してみれば、上記周知例１に記載された「ドレイン−ゲート間を短絡したディプリーション型ＧａＡｓ・ＭＥＳ・ＦＥＴ」は「ショットキーダイオード」そのものであるから、上記周知例１に記載されている「ドレイン−ゲート間を短絡したディプリーション型ＧａＡｓ・ＭＥＳ・ＦＥＴを複数個直列に接続し」た分圧抵抗は「複数のダイオードを直列接続したダイオード群」に他ならない。そして、その個数は「各ＦＥＴの両端にかかる電圧が例えば０．６Ｖ程度となるように」選ばれるのであるから、上記引用例記載の分圧抵抗を、上記周知例１ないし３に記載された技術手段に基づいて「この第１のダイオード直列回路より多い数のダイオードを順方向に接続した第２のダイオード直列回路」として構成する程度のことは当業者であれば容易なことである。
　ついで上記相違点（２）〜（５）について検討するに、例えば上記周知例４に開示されているように、「ソースを共通化したトランジスタ対からなる差動回路と、この差動回路の出力を取り出すソースフォロア回路に、順方向に接続された複数のダイオードからなるダイオード直列回路と、前記ダイオード直列回路から論理出力を取り出すレベルシフト回路と、を備えたことを特徴とする差動論理回路」は周知の回路であるから、引用例記載のレベルシフト回路の用途を「レベルシフト回路付同調増幅回路」から上記周知の「差動論理回路」に変更するとともに、「同調増幅回路」を「ソースを共通化したトランジスタ対からなる差動回路」に変更し、「エミッタフォロワ回路」を「ソースフォロア回路」に変更し、「出力」を「論理出力」に変更する程度のことは、単なる用途の変更および用途の変更に伴う単なる構成の変更に過ぎず、当業者であれば設計的事項である。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、上記引用例に記載された発明及び周知例１〜４に記載された慣用手段ないしは周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。