【手続補正書】
【提出日】平成23年12月12日(2011.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
本明細書において数値を範囲で挙げた場合、その範囲には、その終点および範囲内の全ての個々の整数および分数が含まれ、これらの終点、内部整数および分数の様々な可能な全ての組み合わせにより形成される狭い範囲もそれぞれ含まれ、狭い範囲が明確に挙げられているかのように、同じ範囲まで、挙げた範囲内の値の大きなグループのサブグループを形成する。挙げた値より大きな数値範囲を、本明細書において挙げた場合、その範囲はそれでも有限であり、本明細書に記載した本発明で取り上げた中で使用可能な値によりその上端は限られる。挙げた値より小さな数値範囲を、本明細書において挙げた場合、その範囲はそれでもゼロでない値によりその下端は限られる。
本明細書において、別記しない限り、または用法の文脈により反対のことが示されない限り、
（ａ）量、サイズ、範囲、処方、パラメータ、その他量および本明細書に挙げた特性は、特に「約」という用語で修正されたときは、正確である必要はなく、規定された値について本発明、機能および／または動作等価物に取り上げられる範囲内で、公差、換算係数、丸め、測定誤差等を反映し、それらを含めて範囲外の値となる規定された値を含めて、近似、かつ／または規定したものよりも大きい、または小さくてもよい（要求に応じて）。
（ｂ）本発明の構成要素または特徴部分の存在の記載または説明に関して、「１つの」という不定冠詞の使用は、構成要素または特徴部分の存在を１つの数に限定するものではない。
（ｃ）主題の実施形態が、含む、包含する、含有する、有する、特定の特徴部分または構成要素で構成された、または構築されたという記載または説明をされた場合は、明白に記載または説明されたものに加えて、１つ以上の特徴部分または構成要素が実施形態に存在する。しかしながら、その主題の変形実施形態は、特定の特徴または構成要素から実質的になると記載または説明されていても、実施形態の動作原理または際立った特徴の原理を実質的に変更するような実施形態の特徴または構成要素は存在しない。本主題のさらなる変形実施形態は、特定の特徴または構成要素からなると記載または説明されていても、実施形態またはその実体的でない変形例において、具体的に記載または説明された特徴または構成要素のみが存在する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
以上、本発明を要約すると下記のとおりである。
１．側壁を有するスルーホールに厚膜ペーストを堆積する方法であって、
（ａ）ベース層と外側層を含む層のスタックを備える工程であって、外側層は、ベース層の表面に、または外側層とベース層との間の１つまたはそれ以上の層中間体の表面に配置され、ここで外側層は、外側層および任意の中間体層を通過して、ベース層の表面を露出する複数のスルーホールを含む、上記工程と、
（ｂ）外側層を、フォトレジスト材料でコートして、外側層およびスルーホールにフォトレジスト材料の層を備える工程と、
（ｃ）フォトレジスト材料を固化する工程と、
（ｄ）フォトレジスト材料にフラッド照射して、（ｉ）外側層の固化フォトレジスト材料および（ｉｉ）スルーホール中のフォトレジスト材料層の選択した深さに至るまでの固化フォトレジスト材料を可溶性形態に変換する工程と、
（ｅ）フォトレジスト材料を現像して、固化フォトレジスト材料を、（ｉ）外側層および（ｉｉ）層の選択した深さに至るまでのスルーホール内から除去する工程であって、ここでスルーホール内からのフォトレジスト材料の除去によって、ベース層の表面を露出させる工程と、
（ｆ）外側層を、溶剤を含む厚膜ペーストでコートして、外側層およびスルーホールに厚膜ペーストの層を備える工程と、
（ｇ）フォトレジスト材料を、厚膜ペーストがフォトレジスト材料と接触するスルーホール内の位置で、溶剤により溶解する工程と、
（ｈ）厚膜ペーストを現像して、厚膜ペーストがフォトレジスト材料と接触した位置以外の全ての位置からそれを除去する工程と
を含む、上記方法。
２．フォトレジスト材料を、スルーホール内から選択した深さに至るまで除去する工程が、スルーホールの側壁とベース層の表面の合流点にフォトレジスト材料を残したままにしておく上記１に記載の方法。
３．フォトレジスト材料を、スルーホール内から選択した深さに至るまで除去する工程が、ベース層の表面の周囲領域の内側部分からフォトレジスト材料を除去する上記１に記載の方法。
４．厚膜ペーストが、スルーホールの側壁とベース層の表面の合流点でフォトレジスト材料と接触している上記１に記載の方法。
５．層のスタックが、ベース層と外側層間にある１つまたそれ以上の中間体層を含み、そしてスルーホールが、中間体層を通過して、ベース層の表面を露出させる上記１に記載の方法。
６．層のスタックが、外側層と反対にあるベース層の側部に基板を含む上記１に記載の方法。
７．少なくとも１つの中間体層が導電体である上記５に記載の方法。
８．少なくとも１つの中間体層が誘電体である上記５に記載の方法。
９．厚膜ペーストが電子放出材料を含む上記１に記載の方法。
１０．電子放出材料がカーボンナノチューブを含む上記９に記載の方法。
１１．外側層を、可撓性膜への前駆体である材料でコートして、外側層およびホールに、前駆体材料の層を備え、前駆体材料を重合または硬化して可撓性膜を形成し、可撓性膜を除去する工程をさらに含む上記１に記載の方法。
１２．フォトレジスト材料が、フェノール樹脂、ＤＮＱ／Ｎｏｖａｌａｃレジスト、アクリルポリマー、懸垂ｔ−ブチル基を有するポリマー、ポリスチレンおよびエチルセルロースからなる群から選択される上記１に記載の方法。
１３．層のスタックを電子デバイスに装着する工程をさらに含む上記１に記載の方法。
１４．（ａ）基板、（ｂ）基板に配置された第１の導電体層、（ｃ）第１の導電体層に配置された誘電体層、（ｄ）誘電体層に配置された第２の導電体層、（ｅ）第２の導電体層および誘電体層を通過し、第１の導電体層の表面を露出する側壁をそれぞれが有する複数のスルーホール、および（ｆ）スルーホールの側壁と第１の導電体層の表面の合流点に配置された電子放出材料を含む電子放出装置。
１５．第１の導電体層の表面の周囲領域の内側部分に、電子放出材料がない、または実質的にない上記１４に記載の装置。
１６．電子放出材料がカーボンナノチューブを含む上記１４に記載の装置。
１７．層の多層スタックと、その層の表面の露出部分に、フォトレジスト材料と厚膜ペースト材料の混合物であるパターニングされた堆積物とを含む電子デバイス。
１８．堆積物のパターンが、スタックの層のスルーホールの配列中への堆積物を含む上記１７に記載のデバイス。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
側壁を有するスルーホールに厚膜ペーストを堆積する方法であって、
（ａ）ベース層と外側層を含む層のスタックを備える工程であって、外側層は、ベース層の表面に、または外側層とベース層との間の１つまたはそれ以上の層中間体の表面に配置され、ここで外側層は、外側層および任意の中間体層を通過して、ベース層の表面を露出する複数のスルーホールを含む、上記工程と、
（ｂ）外側層を、フォトレジスト材料でコートして、外側層およびスルーホールにフォトレジスト材料の層を備える工程と、
（ｃ）フォトレジスト材料を固化する工程と、
（ｄ）フォトレジスト材料にフラッド照射して、（ｉ）外側層の固化フォトレジスト材料および（ii）スルーホール中のフォトレジスト材料層の選択した深さに至るまでの固化フォトレジスト材料を可溶性形態に変換する工程と、
（ｅ）フォトレジスト材料を現像して、固化フォトレジスト材料を、（ｉ）外側層および（ii）層の選択した深さに至るまでのスルーホール内から除去する工程であって、ここでスルーホール内からのフォトレジスト材料の除去によって、ベース層の表面を露出させる工程と、
（ｆ）外側層を、溶剤を含む厚膜ペーストでコートして、外側層およびスルーホールに厚膜ペーストの層を備える工程と、
（ｇ）フォトレジスト材料を、厚膜ペーストがフォトレジスト材料と接触するスルーホール内の位置で、溶剤により溶解する工程と、
（ｈ）厚膜ペーストを現像して、厚膜ペーストがフォトレジスト材料と接触した位置以外の全ての位置からそれを除去する工程と
を含む、上記方法。
【請求項２】
（ａ）基板、（ｂ）基板に配置された第１の導電体層、（ｃ）第１の導電体層に配置された誘電体層、（ｄ）誘電体層に配置された第２の導電体層、（ｅ）第２の導電体層および誘電体層を通過し、第１の導電体層の表面を露出する側壁をそれぞれが有する複数のスルーホール、および（ｆ）スルーホールの側壁と第１の導電体層の表面の合流点に配置された電子放出材料を含む電子放出装置。
【請求項３】
層の多層スタックと、その層の表面の露出部分に、フォトレジスト材料と厚膜ペースト材料の混合物であるパターニングされた堆積物とを含む電子デバイス。