Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月23日(2012.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下のもの:
(i)  Rv2386cタンパク質配列;
(ii)  Rv2386cタンパク質配列の変異体; または
(iii)  Rv2386cタンパク質配列の免疫原性断片
を含む単離されたポリペプチドを含む、結核の治療または予防のための医薬。
【請求項２】
結核の治療または予防が、潜伏結核の治療である、請求項１に記載の医薬。
【請求項３】
結核の治療または予防が、潜伏結核の予防である、請求項１に記載の医薬。
【請求項４】
結核の治療または予防が、結核の再活性化の予防である、請求項１に記載の医薬。
【請求項５】
結核の治療または予防が、結核の再活性化の遅延である、請求項１に記載の医薬。
【請求項６】
結核の治療または予防が、結核の治療である、請求項１に記載の医薬。
【請求項７】
結核の治療または予防が、結核の予防である、請求項１に記載の医薬。
【請求項８】
以下のもの:
(i)  Rv2386cタンパク質配列;
(ii)  Rv2386cタンパク質配列の変異体; または
(iii)  Rv2386cタンパク質配列の免疫原性断片
を含むポリペプチドをコードする核酸配列を含む単離されたポリヌクレオチドを含む、結核の治療または予防のための医薬。
【請求項９】
結核の治療または予防が、潜伏結核の治療である、請求項８に記載の医薬。
【請求項１０】
結核の治療または予防が、潜伏結核の予防である、請求項８に記載の医薬。
【請求項１１】
結核の治療または予防が、結核の再活性化の予防である、請求項８に記載の医薬。
【請求項１２】
結核の治療または予防が、結核の再活性化の遅延である、請求項８に記載の医薬。
【請求項１３】
結核の治療または予防が、結核の治療である、請求項８に記載の医薬。
【請求項１４】
結核の治療または予防が、結核の予防である、請求項８に記載の医薬。
【請求項１５】
以下のもの:
(a)  以下のもの:
(i)  Rv2386cタンパク質配列;
(ii)  Rv2386cタンパク質配列の変異体; もしくは
(iii)  Rv2386cタンパク質配列の免疫原性断片
を含むポリペプチド、または
(b)  (a)のポリペプチドをコードする核酸配列を含むポリヌクレオチド; および
(c)  製薬的に許容される担体または賦形剤
を含む医薬組成物。
【請求項１６】
以下のもの:
(a)  以下のもの:
(i)  Rv2386cタンパク質配列;
(ii)  Rv2386cタンパク質配列の変異体; もしくは
(iii)  Rv2386cタンパク質配列の免疫原性断片
を含むポリペプチド、または
(b)  (a)のポリペプチドをコードする核酸配列を含むポリヌクレオチド; および
(c)  非特異的免疫応答エンハンサー
を含む免疫原性組成物。
【請求項１７】
医薬が、活動性結核を有する被験体用である、請求項１または８に記載の医薬。
【請求項１８】
医薬が、潜伏結核を有する被験体用である、請求項１または８に記載の医薬。
【請求項１９】
医薬が、結核を有さない被験体用である、請求項１または８に記載の医薬。
【請求項２０】
結核の治療または予防のための医薬の製造における、以下のもの:
(i)  Rv2386cタンパク質配列;
(ii)  Rv2386cタンパク質配列の変異体; または
(iii)  Rv2386cタンパク質配列の免疫原性断片
を含むポリペプチドの、使用。
【請求項２１】
結核の治療または予防のための医薬の製造における、以下のもの:
(i)  Rv2386cタンパク質配列;
(ii)  Rv2386cタンパク質配列の変異体; または
(iii)  Rv2386cタンパク質配列の免疫原性断片
を含むポリペプチドをコードする核酸配列を含むポリヌクレオチドの、使用。
【請求項２２】
以下のもの:
(i)  Rv2386cタンパク質配列;
(ii)  Rv2386cタンパク質配列の変異体; または
(iii)  Rv2386cタンパク質配列の免疫原性断片
を含むポリペプチドを含む融合タンパク質。
【請求項２３】
以下のもの:
(i)  Rv2386cタンパク質配列;
(ii)  Rv2386cタンパク質配列の変異体; または
(iii)  Rv2386cタンパク質配列の免疫原性断片
を含むポリペプチドを含む融合タンパク質をコードするヌクレオチド配列を含むポリヌクレオチド。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月18日(2012.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
SEQ ID NO:1記載のアミノ酸配列を有するポリペプチドまたはそのポリペプチド断片であって、
該ポリペプチド断片は、リステリアの細胞壁に結合する特性を有し、該ポリペプチド断片は、もはやいずれの酵素活性細胞壁加水分解領域をも示さない、
前記ポリペプチドまたはそのポリペプチド断片。
【請求項２】
ポリペプチド断片が、SEQ ID NO:1記載のアミノ酸配列において、欠失、付加、挿入、および／または置換を有する、請求項1記載のポリペプチド。
【請求項３】
請求項1または2のいずれか一項記載のポリペプチドをコードするヌクレオチド配列を含む核酸分子。
【請求項４】
請求項3記載の核酸分子を含むベクター。
【請求項５】
請求項3記載の核酸分子または請求項4記載のベクターを含む宿主細胞。
【請求項６】
ヒトに対する医療用物質、獣医学的医療用物質、もしくは診断用物質としての、食物もしくは化粧料における抗菌剤としての、消毒剤としての、または環境分野においての使用のための、請求項1または2のいずれか一項記載のポリペプチド。
【請求項７】
食物が、乳製品、燻製魚、塩蔵魚、冷凍海産物、肉製品、サラダ、またはコンビニエンス製品である、請求項6記載の使用のためのポリペプチド。
【請求項８】
リステリアにより引き起こされる疾患の治療および／もしくは予防、またはリステリア汚染の診断を目的とした、ヒトに対する医療用物質、獣医学的医療用物質、または診断用物質としての適用のための、請求項1または2のいずれか一項記載のポリペプチド。
【請求項９】
リステリアにより引き起こされる疾患が、リステリア症、胃腸炎、髄膜炎、脳炎、敗血症、スメア（smear）感染に起因した局所創傷感染、ならびに結膜および角膜の炎症を含む、請求項8記載の使用のためのポリペプチド。
【請求項１０】
出産前管理の期間における請求項8または9のいずれか一項記載の使用のためのポリペプチド。
【請求項１１】
医学における、食品産業および食品分析における、家畜育種における、飲料水分析または環境分析におけるリステリア汚染の検出のための、請求項1または2のいずれか一項記載のポリペプチドの使用。
【請求項１２】
食物または化粧料における抗菌物質としての、消毒剤としての、または環境分野においての、請求項1または2のいずれか一項記載のポリペプチドの使用。
【請求項１３】
食物加工装置における、食物加工施設における、食物と接触する表面領域における、および食物の貯蔵または加工のために使用される施設における抗菌物質としての、請求項1または2のいずれか一項記載のポリペプチドの使用。
【請求項１４】
抗菌剤が、他の消毒剤、抗生物質、および／または酵素と組み合わせて使用される、請求項13記載の使用。
【請求項１５】
SEQ ID NO:3または4記載の配列を有するポリペプチド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本目的は、添付の特許請求の範囲において定義される主題により解決される。
[本発明1001]
SEQ ID NO:1記載のアミノ酸配列を有するポリペプチドまたはそのバリアント。
[本発明1002]
バリアントが、SEQ ID NO:1記載のアミノ酸配列において、欠失、付加、挿入、および／または置換を有する、本発明1001のポリペプチド。
[本発明1003]
本発明1001または1002のいずれかのポリペプチドをコードするヌクレオチド配列を含む核酸分子。
[本発明1004]
本発明1003の核酸分子を含むベクター。
[本発明1005]
本発明1003の核酸分子または本発明1004のベクターを含む宿主細胞。
[本発明1006]
ヒトに対する医療用物質、獣医学的医療用物質、もしくは診断用物質としての、食物もしくは化粧料における抗菌剤としての、消毒剤としての、または環境分野においての使用のための、本発明1001または1002のいずれかのポリペプチド。
[本発明1007]
食物が、乳製品、燻製魚、塩蔵魚、冷凍海産物、肉製品、サラダ、またはコンビニエンス製品である、本発明1006の使用のためのポリペプチド。
[本発明1008]
リステリアにより引き起こされる疾患の治療および／もしくは予防、またはリステリア汚染の診断を目的とした、ヒトに対する医療用物質、獣医学的医療用物質、または診断用物質としての適用のための、本発明1001または1002のいずれかのポリペプチド。
[本発明1009]
リステリアにより引き起こされる疾患が、リステリア症、胃腸炎、髄膜炎、脳炎、敗血症、スメア（smear）感染に起因した局所創傷感染、ならびに結膜および角膜の炎症を含む、本発明1008の使用のためのポリペプチド。
[本発明1010]
出産前管理の期間における本発明1008または1009のいずれかの使用のためのポリペプチド。
[本発明1011]
医学における、食品産業および食品分析における、家畜育種における、飲料水分析または環境分析におけるリステリア汚染の検出のための、本発明1001または1002のいずれかのポリペプチドの使用。
[本発明1012]
食物または化粧料における抗菌物質としての、消毒剤としての、または環境分野においての、本発明1001または1002のいずれかのポリペプチドの使用。
[本発明1013]
食物加工装置における、食物加工施設における、食物と接触する表面領域における、および食物の貯蔵または加工のために使用される施設における抗菌物質としての、本発明1001または1002のいずれかのポリペプチドの使用。
[本発明1014]
抗菌剤が、他の消毒剤、抗生物質、および／または酵素と組み合わせて使用される、本発明1013の使用。
[本発明1015]
SEQ ID NO:3または4記載の配列を有するポリペプチド。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月9日(2012.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の避雷器柱体（３、４）を有する放電電流路（２）を備え、少なくとも第１及び第２の避雷器柱体（３、４）が、それぞれ少なくとも１つの当該避雷器柱体（３、４）の端部を終端させる端末金具（５）を有する、避雷器装置（１）において、
前記端末金具（５）が、結合要素（１６）を介して、互いに接続されている
ことを特徴とする避雷器装置。
【請求項２】
前記結合要素（１６）が、互いに独立して変形可能な分岐（１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ）を有し、前記端末金具（５）が、異なる分岐（１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ）に接続されている
ことを特徴とする請求項１記載の避雷器装置。
【請求項３】
前記分岐（１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ）が、１つの板の少なくとも１つのスリットによって形成されている
ことを特徴とする請求項１又は２記載の避雷器装置。
【請求項４】
互いに接続されている前記端末金具（５）が、前記結合要素（１６）を遮蔽する肩部を有する
ことを特徴とする請求項１から３の１つに記載の避雷器装置。
【請求項５】
前記避雷器柱体（３、４）の少なくとも１つを固定するために、少なくとも１つの引張締め具（７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ）が、前記結合要素（１６）と一緒に前記端末金具（５）に取付けられている
ことを特徴とする請求項１から４の１つに記載の避雷器装置。
【請求項６】
前記結合要素（１６）を介して、前記避雷器柱体（３、４）が互いに電気的に接触させられている
ことを特徴とする請求項１から５の１つに記載の避雷器装置。
【請求項７】
前記避雷器柱体（３、４）が、カプセル容器内に配置されていて、前記結合要素（１６）の側とは反対側の端部を固定されている
ことを特徴とする請求項１から６の１つに記載の避雷器装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月19日(2012.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射放出半導体チップ（１）であって、キャリア（５）と、半導体積層体を有する半導体ボディ（２）と、を備えており、
−  前記半導体積層体が、放射を発生させるために設けられている活性領域（２０）と、第１の半導体層（２１）と、第２の半導体層（２２）と、を備えており、
−  前記活性領域（２０）は、前記第１の半導体層（２１）と前記第２の半導体層（２２）との間に配置されており、
−  前記第１の半導体層（２１）は、前記キャリア（５）とは反対側の前記活性領域（２０）の面に配置されており、
−  前記半導体ボディ（２）は、前記活性領域（２０）を貫いて延在している少なくとも１つの凹部（２５）を備えており、
−  前記第１の半導体層（２１）は第１の接続層（３１）に導電接続されており、前記第１の接続層（３１）は、前記凹部（２５）の中に前記第１の半導体層（２１）から前記キャリア（５）の方向に延在しており、
−  前記第１の接続層（３１）は、保護ダイオード（４）を介して前記第２の半導体層（２２）に電気的に接続されており、
前記活性領域（２０）は、前記半導体チップ（１）の平面視において前記保護ダイオード（４）を完全に覆っている、
放射放出半導体チップ（１）。
【請求項２】
前記第１の接続層（３１）は、前記キャリア（５）と前記第２の半導体層（２２）との間に少なくとも部分的に延在している、
請求項１に記載の放射放出半導体チップ。
【請求項３】
前記保護ダイオード（４）はショットキーダイオードとして具体化されている、
請求項１または請求項２に記載の放射放出半導体チップ。
【請求項４】
前記保護ダイオード（４）は前記第２の半導体層によって形成されている、
請求項１から請求項３のいずれかに記載の放射放出半導体チップ。
【請求項５】
前記第１の接続層（３１）と前記第２の半導体層（２２）との間に少なくとも部分的に第２の接続層（３２）が配置されており、前記第２の接続層は前記第２の半導体層（２２）に導電接続されている、
請求項１から請求項４のいずれかに記載の放射放出半導体チップ。
【請求項６】
前記保護ダイオード（４）は、前記第２の半導体層（２２）に隣接している接合層（４０）によって形成されており、前記接合層（４０）と前記第２の接続層（３２）との間に絶縁層（７）が形成されている、
請求項５に記載の放射放出半導体チップ
【請求項７】
前記保護ダイオード（４）は前記第１の接続層（３１）によって形成されている、
請求項１から請求項５のいずれかに記載の放射放出半導体チップ。
【請求項８】
前記半導体ボディ（２）の前記半導体積層体の成長基板（２００）が少なくとも部分的に除去されている、
請求項１から請求項７のいずれかに記載の放射放出半導体チップ。
【請求項９】
前記第１の接続層（３１）は、前記キャリア（５）と前記第２の半導体層（２２）との間に少なくとも部分的に延在しており、
前記半導体ボディ（２）の前記半導体積層体の成長基板が少なくとも部分的に除去されており、
前記キャリア（５）は前記半導体積層体を機械的に安定化させる、
請求項１に記載の放射放出半導体チップ。
【請求項１０】
ＬＥＤチップ、ＲＣＬＥＤチップ、またはレーザダイオードチップとして具体化されている、
請求項１から請求項９のいずれかに記載の放射放出半導体チップ。
【請求項１１】
放射放出半導体チップを製造する方法であって、
ａ）  放射を発生させるために設けられる活性領域（２０）と、第１の半導体層（２１）と、第２の半導体層（２２）と、を備えている半導体積層体、を有する半導体ボディ（２）を形成するステップと、
ｂ）  前記活性領域（２０）を貫いて前記第１の半導体層（２１）の中まで延在している凹部（２５）を前記半導体ボディ（２）に形成するステップと、
ｃ）  前記半導体ボディ（２）の上に第１の接続層（３１）を形成するステップであって、前記第１の接続層（３１）は前記凹部（２５）の中に延在しており、前記第１の接続層（３１）は保護ダイオード（４）を介して前記第２の半導体層（２２）に電気的に接続され、前記活性領域（２０）は、前記半導体チップ（１）の平面視において前記保護ダイオード（４）を完全に覆っている、前記ステップと、
ｄ）  前記半導体チップを完成させるステップと、
を含んでいる、方法。
【請求項１２】
ステップｃ）の前に、前記第２の半導体層（２２）の上に接合層（４０）を形成し、前記接合層（４０）は前記第２の半導体層（２２）に隣接している、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第２の半導体層（２２）の電気接触性を所定の方法で局所的に低下させる、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記電気接触性を、灰化もしくはスパッタリング、またはその両方によって低下させる、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の接続層（３１）と前記第２の半導体層（２２）との間に少なくとも部分的に第２の接続層（３２）が配置されており、前記第２の接続層（３２）は前記第２の半導体層（２２）に導電接続されており、
前記半導体ボディ（２）の一部分を除去することによって、前記第２の接続層（３２）を露出させる、
請求項１１から請求項１４のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月24日(2012.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光軸と、該光軸の回りに回転可能に配置された、楕円度を調節可能にするλ／４板（１０４）及び／又は該光軸（ＯＡ）の回りに回転可能に配置された、偏光方向を調節可能にするλ／２板（１０５）を有する補正配列とを有する照明デバイスと、投影対物系とを有するマイクロリソグラフィ投影露光装置における偏光分布を修正する方法であって、
ａ）投影露光装置の所定の平面における偏光分布を判断する段階、及び
ｂ）前記偏光分布の局所変動が、回転前の状態と比較して回転後に低減されるように、光軸（ＯＡ）の回りにλ／４板（１０４）及び／又はλ／２板（１０５）を回転させる段階、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記所定の平面は、視野平面の少なくとも直近に位置すること特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記視野平面は、レチクル平面又はウェーハ平面であることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記回転させる段階は、前記所定の平面における特定の偏光状態の実現度の特性であるパラメータ（ＩＰＳ）の局所分布において、該パラメータの最大値と最小値の間の差（ＩＰＳ＿ＰＶ）が、該回転させる段階の前の状態と比較して少なくとも１０％、好ましくは少なくとも２５％、より好ましくは少なくとも５０％だけ低減されるように達成されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記照明デバイスは、該照明デバイスを通過する光の角度分布を変更するための少なくとも１つのデバイスを有し、前記補正配列は、光伝播方向に該デバイスの上流に配置されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記角度分布を変更するための前記デバイスは、回折光学要素（１０７）を有することを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記角度分布を変更するための前記デバイスは、好ましくは互いに独立して調節可能な多くのミラーを有するミラー配列を有することを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項８】
更に別のリターデーション要素（１１７、５２０）が、通過する光の光ビーム断面の部分領域にわたってのみそれが延びるようにビーム経路内に導入されることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記更に別のリターデーション要素（１１７、５２０）は、第２のλ／２板であることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記更に別のリターデーション要素（１１７、５２０）によって覆われる通過する光の前記光ビーム断面の領域が、段階ａ）で判断される前記偏光分布に依存する方式で設定されることを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
光軸を有する照明デバイスと投影対物系とを有するマイクロリソグラフィ投影露光装置であって、
光軸の回りに回転可能に配置された、楕円度を調節可能にするλ／４板（１０４）及び／又は該光軸（ＯＡ）の回りに回転可能に配置された、偏光方向を調節可能にするλ／２板（１０５）を有する補正配列と、
投影露光装置の所定の平面における偏光分布を判断するための偏光測定デバイス（１７０）と、
更に別のリターデーション要素（１１７、５２０）と、
を有し、
前記更に別のリターデーション要素（１１７、５２０）によって覆われる通過する光の光ビーム断面の領域が、前記偏光測定デバイス（１７０）の測定結果に依存する方式で可変的に調節可能である、
ことを特徴とする装置。
【請求項１２】
前記リターデーション要素（１１７、５２０）は、第２のλ／２板であることを特徴とする請求項１１に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
【請求項１３】
前記更に別のリターデーション要素（１１７、５２０）は、視野平面の少なくとも直近に配置されることを特徴とする請求項１１又は請求項１２に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
【請求項１４】
前記更に別のリターデーション要素（１１７、５２０）は、瞳平面の少なくとも直近に配置されることを特徴とする請求項１１又は請求項１２に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
【請求項１５】
前記所定の平面は、視野平面の少なくとも直近に位置することを特徴とする請求項１１から請求項１４のいずれか１項に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
【請求項１６】
前記視野平面は、レチクル平面又はウェーハ平面であることを特徴とする請求項１５に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
【請求項１７】
前記照明デバイスは、該照明デバイスを通過する光の角度分布を変更するための少なくとも１つのデバイスを有し、前記補正配列は、光伝播方向に該デバイスの上流に配置されることを特徴とする請求項１から請求項１６のいずれか１項に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
【請求項１８】
前記角度分布を変更するための前記デバイスは、回折光学要素（１０７）を有することを特徴とする請求項１７に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
【請求項１９】
前記角度分布を変更するための前記デバイスは、好ましくは互い独立して調節可能な多くのミラーを有するミラー配列を有することを特徴とする請求項１７に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
【請求項２０】
微細構造構成要素をマイクロリソグラフィ的に製造する方法であって、
感光材料で構成された層が少なくとも部分的に付加された基板（１６０）を準備する段階と、
結像される構造を有するマスク（１４０）を準備する段階と、
請求項１１から請求項１９のいずれか１項に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置を準備する段階と、
前記投影露光装置を用いて前記マスク（１４０）の少なくとも一部を前記層のある一定の領域上に投影する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月20日(2012.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
管理生体認証通知システムであって、
特徴セットを含む第１コンテンツを取り込むよう適合された少なくとも１つの画像取得システムと、
前記第１コンテンツを受信するよう構成された比較モジュールであって、当該比較モジュールが少なくとも１つのプロセッサと、特徴セットを含む第２コンテンツであって、当該第２コンテンツを含む少なくとも１つのデータベースと、前記少なくとも１つの画像取得システムおよび前記少なくとも１つのデータベースに動作可能に接続される少なくとも１つの検索エンジンと、メモリとを具え、前記少なくとも１つのプロセッサが前記少なくとも１つの画像取得システムに動作可能に接続され、前記少なくとも１つの検索エンジンが前記メモリに格納された一連の命令を実行し、前記第１コンテンツの特徴セットと前記第２コンテンツの特徴セットを処理するようプログラムされている比較モジュールと、
少なくとも１つの送信データポイントを含む少なくとも１つの通知コンポーネントと、
少なくとも１つの予め選択された受信ノードと、
前記通知システムを制御および管理するためのコンテンツ管理モジュールとを具え、前記第１コンテンツと前記第２コンテンツの比較された特徴セットに応じて、前記コンテンツ管理モジュールにより判定された前記通知コンポーネントを前記少なくとも１つの予め選択された受信ノードに送信するよう前記比較モジュールが構成されることを特徴とする管理生体認証通知システム。
【請求項２】
請求項１に記載の管理生体認証通知システムにおいて、前記少なくとも１つの画像取得システムが少なくとも１つの商業環境に配置されることを特徴とする管理生体認証通知システム。
【請求項３】
請求項２に記載の管理生体認証通知システムが、少なくとも１つの商業環境に動作可能に接続される中央データベースを含むことを特徴とする管理生体認証通知システム。
【請求項４】
請求項１に記載の管理生体認証通知システムが、少なくとも１つのサーバに接続される前記少なくとも１つの画像取得システムを含むことを特徴とする管理生体認証通知システム。
【請求項５】
請求項４に記載の管理生体認証通知システムにおいて、前記少なくとも１つの画像取得システムが、メモリに格納された一連の命令を実行し、前記第１コンテンツの特徴セットを処理し、前記サーバに前記第１コンテンツを格納し、および前記第１コンテンツと前記第２コンテンツの比較された特徴セットに基づいて前記第１コンテンツを送信するようプログラムされたプロセッサを含むことを特徴とする管理生体認証通知システム。
【請求項６】
請求項１に記載の管理生体認証通知システムにおいて、前記少なくとも１つの画像取得システムがマシンビジョンカメラを含むことを特徴とする管理生体認証通知システム。
【請求項７】
請求項１に記載の管理生体認証通知システムにおいて、前記第２コンテンツが予め設定されていることを特徴とする管理生体認証通知システム。
【請求項８】
請求項１に記載の管理生体認証通知システムにおいて、前記第２コンテンツが局所的な商業環境により測定されることを特徴とする管理生体認証通知システム。
【請求項９】
請求項１に記載の管理生体認証通知システムにおいて、前記第２コンテンツが複数の関連するデータを含むことを特徴とする管理生体認証通知システム。
【請求項１０】
請求項１に記載の管理生体認証通知システムにおいて、前記第１コンテンツと前記第２コンテンツの比較にオペレータが含まれることを特徴とする管理生体認証通知システム。
【請求項１１】
請求項１に記載の管理生体認証通知システムにおいて、前記少なくとも１つの送信された通知コンポーネントと前記少なくとも１つの送信データポイントが予め選択されることを特徴とする管理生体認証通知システム。
【請求項１２】
請求項１に記載の管理生体認証通知システムにおいて、前記少なくとも１つの送信データポイントが画像を含むことを特徴とする管理生体認証通知システム。
【請求項１３】
請求項１に記載の管理生体認証通知システムにおいて、前記少なくとも１つの送信データポイントが音声情報とテキスト情報の少なくとも１つで構成されることを特徴とする管理生体認証通知システム。
【請求項１４】
請求項１に記載の管理生体認証通知システムにおいて、前記少なくとも１つの通知コンポーネントがショートメッセージサービスの通信プロトコルにより送信されることを特徴とする管理生体認証通知システム。
【請求項１５】
請求項１に記載の管理生体認証通知システムにおいて、前記少なくとも１つの通知コンポーネントがイベントを起動することを特徴とする管理生体認証通知システム。
【請求項１６】
請求項１に記載の管理生体認証通知システムにおいて、前記予め選択された受信ノードがトランシーバであることを特徴とする管理生体認証通知システム。
【請求項１７】
請求項１に記載の管理生体認証通知システムにおいて、前記予め選択された受信ノードが前記第２コンテンツを生成することを特徴とする管理生体認証通知システム。
【請求項１８】
請求項１に記載の管理生体認証通知システムにおいて、当該通知システムがネットワークにより動作可能に接続されることを特徴とする管理生体認証通知システム。
【請求項１９】
請求項１に記載の管理生体認証通知システムにおいて、前記少なくとも１つの画像取得システムが前記少なくとも１つの予め選択された受信ノードであることを特徴とする管理生体認証通知システム。
【請求項２０】
請求項１９に記載の管理生体認証通知システムにおいて、前記少なくとも１つの予め選択された受信ノードが携帯デバイスであることを特徴とする管理生体認証通知システム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月13日(2012.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが異なる複雑さのインストラクションを含む、複数のインストラクションスレッドからのインストラクションを実行する、マルチスレッド型プロセッサにおいて、
前記インストラクションスレッドからのインストラクションを実行するための複数のパイプラインと、インストラクションを発行し、各クロックサイクルにどのパイプラインでインストラクションを実行するか決定するためのインストラクションスケジューラーとを備え、前記パイプラインの少なくとも幾つかは、複雑さの低いインストラクョンを実行するための低い待ち時間を有する速い経路と、高い複雑さを有するインストラクションを実行するための高い待ち時間を有する遅い経路との、２つの経路を含み、さらに該インストラクションスケジューラーは、２つの経路のどちらでインストラクションを実行すべきか決定するための手段を含み、前記インストラクションスケジューラーは、インストラクションを発行することが、データクラッシュを生じるかどうかを判断し、データクラッシュを生じる結果となる場合には、インストラクションを発行しないようにすることを特徴とする、
マルチスレッド型プロセッサ。
【請求項２】
前記インストラクションのいくつかは、デジタル信号処理（ＤＳＰ）インストラクションセットであり、前記遅いパイプライン経路で実行されるようになっている請求項１に記載のマルチスレッド型プロセッサ。
【請求項３】
前記インストラクションセットのいくつかは、縮小インストラクションセットコンピュータ（ＲＩＳＣ）セットである、請求項１又は２のいずれかに記載のマルチスレッド型プロセッサ。
【請求項４】
２つのパイプライン経路をもつパイプライン上の前記経路は、共通のクロック信号を有するインストラクションを実行する、請求項１、２または３のいずれか１つの請求項に記載のマルチスレッド型プロセッサ。
【請求項５】
前記インストラクションには、それらが高い複雑さのものであるかどうか指示するフラグが関連付けられ、インストラクションに関連したフラグを検出するための手段と、その検出されたフラグに基づいてどの経路でインストラクションを実行すべきか決定するための手段とを備えた、請求項１から４のいずれか１つの請求項に記載のマルチスレッド型プロセッサ。
【請求項６】
前記インストラクションは、２つのパイプライン経路で同時に実行される、請求項１から５のいずれか１つの請求項に記載のマルチスレッド型プロセッサ。
【請求項７】
前記インストラクションスケジューラーは、２つのパイプライン経路が異なるクロックサイクルで実行を完了するようにそれらパイプライン経路においてインストラクションをスケジューリングする、請求項６に記載のマルチスレッド型プロセッサ。
【請求項８】
それぞれがインストラクションを含む複数のインストラクションスレッドからのインストラクションを実行し、あるいは該インストラクションスレッドからのインストラクションを実行するための複数のインストラクションパイプラインを有するマルチスレッド型プロセッサで異なる複雑さのインストラクションを実行する方法において、
どのパイプラインでインストラクションを実行するかインストラクションスケジューラーで決定するステップを備え、前記パイプラインの少なくとも幾つかは速いパイプライン経路と遅いパイプライン経路とを含み、
さらに、低い複雑化と待ち時間の前記速いパイプライン経路でインストラクションを実行し、かつ高い複雑さと待ち時間の前記遅いパイプライン経路でインストラクションを実行するステップと、前記２つの経路のどちらでインストラクションを実行すべきかインストラクションスケジューラーで判断するステップと、
インストラクションを発行することが、データクラッシュを生じるかどうかを判断し、データクラッシュを生じる結果となる場合には、インストラクションを発行しないようにするステップと、
を備えた方法。
【請求項９】
前記インストラクションの幾つかは、デジタル信号処理（ＤＳＰ）インストラクションであり、前記遅いパイプライン経路で実行される、ことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記インストラクションの幾つかは、縮小インストラクションセットコンピュータ（ＲＩＳＣ）であり、前記速いパイプライン経路で実行される、請求項８又は９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
パイプラインの前記２つのパイプライン経路を共通のクロック信号でクロックするステップを備えた、請求項８から１０のいずれか１つの請求項に記載の方法。
【請求項１２】
インストラクションが高い複雑さのものであるかどうか指示するフラグを各インストラクションに関連付けるステップと、インストラクションに関連したフラグを検出しそしてその検出されたフラグに基づいてインストラクションのどの部分を実行すべきか決定するステップとを更に備えた、請求項８から１１のいずれか１つの請求項に記載の方法。
【請求項１３】
２つのパイプライン経路上でインストラクションを同時に実行するステップを備えた、請求項８から１２のいずれか１つの請求項に記載の方法。
【請求項１４】
前記２つのパイプライン経路が異なるクロックサイクルで実行を完了するようにそれらパイプライン経路においてインストラクションをスケジューリングするステップを備えた、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月25日(2012.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子源であって、
頂端部を有するチップ、
ガス粒子を前記チップに供給するように構成した少なくとも１つのガス注入口、および
非イオン化ガス粒子を吸着し、脱着するガス粒子を導いて前記チップに向けて伝播させるように位置決めした曲面を有する素子、を備える荷電粒子源であって、
前記曲面が、該曲面の表面法線の少なくとも５０％またはそれ以上が前記チップの前記頂端部の位置で交差するように形成されてなる、
荷電粒子源。
【請求項２】
前記チップに接続され、前記チップの前記頂端部における電界を調整するように構成した界磁分流器と、
前記界磁分流器に接続され、該界磁分流器を前記チップに対して移動させるか、又は前記界磁分流器に印加する電位を調整することにより、前記チップの前記頂端部における電界を調整するように構成した電子制御装置と、
を更に備える請求項１に記載の荷電粒子源。
【請求項３】
荷電粒子源であって、
チップ、およびガス粒子を該チップに供給するように構成した少なくとも１つのガス注入口、
前記チップの頂端部における電界を変調するように構成した界磁分流器、および
前記界磁分流器に接続した電子制御装置、を備える荷電粒子源であって、
前記界磁分流器が完全収縮位置にあるとき、前記電界は第１振幅を有し、
前記界磁分流器が完全伸長位置にあるとき、前記電界は前記第１振幅よりも大きい第２振幅を有し、
前記電子制御装置は、前記完全伸長位置と前記完全収縮位置との間に前記界磁分流器を配置するように構成される、
荷電粒子源。
【請求項４】
荷電粒子源であって、
チップおよび該チップにガス粒子を供給するように構成した少なくとも１つのガス注入口、
前記チップの頂端部における電界を変調するように構成した界磁分流器、および
前記界磁分流器に接続した電子制御装置、を備える荷電粒子源であって、
動作時、前記電子制御装置は前記界磁分流器に電位を印加して前記チップの前記頂端部における前記電界を変調するように構成され、該界磁分流器は収縮位置と伸長位置との間で移動可能である、
荷電粒子源。
【請求項５】
前記界磁分流器は、前記完全収縮位置と前記完全伸長位置との間を移動するように構成した、機械的に伸縮可能な界磁分流器である、
請求項２〜４の何れか一項に記載の荷電粒子源。
【請求項６】
前記界磁分流器は、前記完全収縮位置に対して複数の異なる長さに伸縮可能である、
請求項５に記載の荷電粒子源。
【請求項７】
前記界磁分流器は円筒部分と、該円筒部分に取り付けた円錐部分とを有し、
前記円錐部分の最大内径は前記円筒部分の内径に相当し、該円錐部分の最小内径は該最大内径よりも小さく、前記最小内径に相当する前記素子の一端部を、前記チップに近接して配置した、
請求項６に記載の荷電粒子源。
【請求項８】
前記界磁分流器は、長さの異なる複数の相互交換可能な界磁分流器を含み、該界磁分流器はそれぞれ前記チップのベースに連結するように構成した、
請求項２〜７の何れか一項に記載の荷電粒子源。
【請求項９】
非イオン化ガス粒子を吸着し、脱着するガス粒子を導いて前記チップに向けて伝播させるように位置決めした曲面を有する素子、
を更に備える請求項３〜８の何れか一項に記載の荷電粒子源。
【請求項１０】
前記曲面は、１８０度より大きい角をなす角弧に対応する弧状面である、
請求項１、２、又は９の何れか一項に記載の荷電粒子源。
【請求項１１】
前記素子の前記曲面は、曲面形状を近似するように配置した複数の平面セグメントを含む、
請求項１、２、９、又は１０の何れか一項に記載の荷電粒子源。
【請求項１２】
前記素子は前記荷電粒子源からガス粒子を除去できるような位置に配置した複数の開口を備える、
請求項１、２、又は９〜１１の何れか一項に記載の荷電粒子源。
【請求項１３】
動作時、前記チップの前記頂端部の位置におけるガス粒子の濃度は、前記曲面が存在しない場合の前記チップの前記頂端部の位置におけるガス粒子の濃度よりも、５％またはそれ以上高い、
請求項１、２、又は９〜１２の何れか一項に記載の荷電粒子源。
【請求項１４】
前記チップは第１電位にあり、
前記界磁分流器は、前記第１電位とは異なる第２電位にある、
請求項２〜１３の何れか一項に記載の荷電粒子源。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月21日(2012.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ．ＬＥＤ発光を放射するための複数のＬＥＤと、
ｂ．上流出口窓面及び下流出口窓面を持つ透過性出口窓と、
ｃ．各々が上流透過窓面及び下流透過窓面を持つ、前記複数のＬＥＤの下流及び前記透過性出口窓の上流に配されるｎ個（ｎは１以上）の透過窓と、
ｄ．前記複数のＬＥＤの下流及び前記透過性出口窓の上流に配され、前記複数のＬＥＤから空間的に離れているｋ個（ｋは２以上）の発光物質層とを有する照明装置であって、
前記複数のＬＥＤ及び前記発光物質層が主色の光を生成し、前記透過性出口窓が光の少なくとも一部を透過する、照明装置。
【請求項２】
第１の透過窓を有する請求項１に記載の照明装置であって、前記上流透過窓面が第１の発光物質上流被覆層を有し、前記下流透過窓面が第１の発光物質下流被覆層を有する、照明装置。
【請求項３】
第２の透過窓を有する請求項２に記載の照明装置であって、前記上流透過窓面が第２の発光物質上流被覆層を有し、前記下流透過窓面が第２の発光物質下流被覆層を有する、照明装置。
【請求項４】
前記透過性出口窓の前記上流出口窓面が、発光物質上流出口窓被覆層を有する、請求項１乃至３の何れか一項に記載の照明装置。
【請求項５】
前記発光物質上流出口窓被覆層は赤い光を放射する発光物質を有する、請求項４に記載の照明装置。
【請求項６】
ｋが２から５の間の範囲内にあり、ｎが１から２の範囲内にある、請求項１乃至５の何れか一項に記載の照明装置。
【請求項７】
少なくとも２つの発光物質層が実質的に同一の発光物質成分を有する、請求項１乃至６の何れか一項に記載の照明装置。
【請求項８】
少なくとも２つの発光物質層が実質的に異なる発光物質成分を有する、請求項１乃至６の何れか一項に記載の照明装置。
【請求項９】
第１の発光物質層が第１の色の光を生成し、第２の発光物質層が第２の色の光を生成し、第１の色の光は第２の色の光より大きな主発光波長を持ち、第１の発光物質層が第２の発光物質層の上流に配される、請求項１乃至８の何れか一項に記載の照明装置。
【請求項１０】
第１の発光物質層が、赤い光を放射する発光物質を有する、請求項９に記載の照明装置。
【請求項１１】
センサ、特に光センサを更に有する、請求項１乃至１０の何れか一項に記載の照明装置であって、前記センサが実質的に間接光だけを受ける、照明装置。
【請求項１２】
反射モードで発光を生成する発光物質層を更に有する、請求項１乃至１１の何れか一項に記載の照明装置。
【請求項１３】
前記発光物質層の１つ以上が、パターン化された被覆層を有する、請求項１乃至１２の何れか一項に記載の照明装置。
【請求項１４】
前記透過性出口窓及び１つ以上のｎ個の透過窓からなるグループから選択される１つ以上の窓が、透過性発光出口窓及び透過発光窓として１つ以上の発光物質層を独立して有する、請求項１乃至１３の何れか一項に記載の照明装置。
【請求項１５】
１つ以上のダイクロイックフィルタを更に有し、前記ＬＥＤの下流及び前記透過性出口窓の上流に配され、前記１つ以上のダイクロイックフィルタの上流の光の少なくとも一部を透過し、前記１つ以上のダイクロイックフィルタの下流の光の少なくとも一部を反射する、請求項１乃至１４の何れか一項に記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月11日(2012.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面に銅層のガルバニック堆積のための電解質組成物であって次ぎを含む：
銅（ＩＩ）のイオン源；
ヒダントイン、ヒダントイン誘導体、あるいはこれらの組み合わせを含む第１錯化剤；
ジカルボン酸、ジカルボン酸の塩、トリカルボン酸、トリカルボン酸の塩、あるいはこれらのいかなる組み合わせをも含む第２錯化剤；および
モリブデン、タングステン、バナジウム、セリウム、およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる元素を含む金属酸塩。
【請求項２】
組成物がシアン化物を含まない請求項１の電解質組成物。
【請求項３】
ピロリン酸カリウム、ピロリン酸ナトリウム、ポリリン酸塩、ピリジンスルホン酸、ピロリン酸４カリウム、ピロリン酸２ナトリウム２水素、ピロリン酸４ナトリウム、メチルグリシン２酢酸、メチルグリシン２酢酸の塩、ニトリロ３酢酸、ニトリロ３酢酸の塩、およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれるさらなる錯化剤を含む請求項１あるいは請求項２に従う電解質組成物。
【請求項４】
第２錯化剤がクエン酸、コハク酸、リンゴ酸、アスパラギン酸、酒石酸、前記のいずれかの塩、およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる請求項１から請求項３のいずれか１項に従う電解質組成物。
【請求項５】
前記電解質がｐＨ８〜１３のｐＨを有することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に従う電解質組成物。
【請求項６】
前記銅（ＩＩ）イオン源が銅（ＩＩ）イオンの濃度５ｇ／Ｌ〜２５ｇ／Ｌで存在する請求項１から請求項５のいずれか１項に従う電解質組成物。
【請求項７】
ヒダントイン、ヒダントイン誘導体、あるいはこれらの組み合わせを含む前記第１錯化剤が０．１５ｍｏｌ／Ｌ〜２ｍｏｌ／Ｌの濃度で存在する請求項１から請求項６のいずれか１項に従う電解質組成物。
【請求項８】
モリブデン、タングステン、バナジウム、セリウム、およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる元素を含む前記金属酸塩が５ｍｍｏｌ／Ｌ〜２１ｍｍｏｌ／Ｌの濃度で存在する請求項１から請求項７のいずれか１項に従う電解質組成物。
【請求項９】
ピロリン酸カリウム、ピロリン酸ナトリウム、ポリリン酸塩、ピリジンスルホン酸、ピロリン酸４カリウム、ピロリン酸２ナトリウム２水素、ピロリン酸４ナトリウム、メチルグリシン２酢酸、メチルグリシン２酢酸の塩、ニトリロ３酢酸、ニトリロ３酢酸の塩、およびこれらの組み合わせの群から選ばれる錯化剤を０．１ｍｏｌ／Ｌ〜１．０ｍｏｌ／Ｌの濃度でさらに含む請求項３に従う電解質組成物。
【請求項１０】
メタンスルホン酸カリウム、メタンスルホン酸ナトリウム、およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる導電性塩をさらに含む請求項１から請求項９のいずれか１項に従う電解質組成物。
【請求項１１】
前記導電性塩が０．５ｍｏｌ／Ｌ〜１．０ｍｏｌ／Ｌの濃度で存在する請求項１０に従う電解組成物。
【請求項１２】
ジカルボン酸、ジカルボン酸の塩、トリカルボン酸、トリカルボン酸の塩、あるいはこれらのいずれかの組み合わせを含む前記第２錯化剤が０．０５ｍｏｌ／Ｌ〜０．５ｍｏｌ／Ｌの濃度で存在する請求項１から請求項１１のいずれか１項に従う電解質組成物。
【請求項１３】
前記第２錯化剤が酒石酸または酒石酸塩からなる請求項４に従う電解質組成物。
【請求項１４】
前記第２錯化剤が酒石酸カリウムナトリウムからなる請求項１３に従う電解質組成物。
【請求項１５】
基板の表面に銅含有層を堆積する方法であって、方法は次ぎのステップを含む：
請求項１から請求項１４の１項に従う電解質組成物に基板の表面を曝露するステップ；および
基板の表面につや消し層を堆積するために基板と陽極の間に電流を流すステップ。
【請求項１６】
基板表面が陰極として接触され、０．０５Ａ／ｄｍ２〜４Ａ／ｄｍ２である電流密度が陰極として接触さる基板表面と陽極の間に適用される請求項１５の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月12日(2012.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前掛けにおいて、
各々が第１面及び第２面を有する２枚の裏返せるフラップであって、前記第１面は外に向けることが可能であり、前記第２面は外に向けることが可能であり、前記２枚の裏返せるフラップは、編まれるときに実質的に重なるように設計されている、前記２枚の裏返せるフラップと、
前記２枚の裏返せるフラップを結合するネックブリッジであって、前記ネックブリッジは、２つの端部を有し、第１フラップが前記ネックブリッジの第１端部に取り付けられ、第２フラップが前記ネックブリッジの第２端部に取り付けられる、前記ネックブリッジと、
複数の構成において前記２枚の裏返せるフラップを互いに結合する為の留め具と、
を備える、前掛け。
【請求項２】
前記２枚の裏返せるフラップは、対称である、請求項１に記載の前掛け。
【請求項３】
前記留め具は、磁石、フック及び鳩目、スナップ、フック及び環状留め具又はボタンのうちの一つ以上を備える、請求項２に記載の前掛け。
【請求項４】
前記第１面は、撥水性材料、磁性材料、柔らかい材料のうち、一つ以上から構成される、請求項１に記載の前掛け。
【請求項５】
前記２枚の裏返せるフラップ及び前記ネックブリッジは、単体の一体化された一片の材料から形成される、請求項１に記載の前掛け。
【請求項６】
前記２枚の裏返せるフラップは、実質的に同一形状である、請求項１に記載の前掛け。
【請求項７】
前記留め具は、前記２枚の裏返せるフラップの端縁が前記前掛けの使用中に折り重なることを防止するように配置される、請求項１に記載の前掛け。
【請求項８】
前記前掛けは、前記前掛けが着用されるときに前になり得る少なくとも３つの表面を有する、請求項１に記載の前掛け。
【請求項９】
形状保持材料から構成される端縁布を更に備える、請求項１に記載の前掛け。
【請求項１０】
前記留め具は、前記端縁布に沿って配置され、前記２枚の裏返せるフラップの第１フラップに関連した外周部を、前記２枚の裏返せるフラップの第２フラップに関連した他の外周部に結合させる、請求項９に記載の前掛け。
【請求項１１】
前記端縁布は、前記第１面及び前記第２面に関連した外周部に沿って縫付けられる、請求項９に記載の前掛け。
【請求項１２】
前記前掛けの前記構成は、前記面の一つが土で汚れたとき、前記前掛けがきれいに見えるように変更可能である、請求項１に記載の前掛け。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月5日(2012.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ）フルオロエラストマーと、
Ｂ）ポリシロキサン１分子当たり１つの第１級アミン基を有するアミノシリコーン流体をフルオロエラストマー１００重量部当たり０．０５〜１０重量部と、
Ｃ）ポリヒドロキシ硬化剤をフルオロエラストマー１００重量部当たり０．１〜２０重量部と、
Ｄ）硬化促進剤をフルオロエラストマー１００重量部当たり０．１〜１０重量部と、
Ｅ）酸受容体をフルオロエラストマー１００重量部当たり０．５〜３０重量部と
を含むポリヒドロキシ硬化性フルオロエラストマー組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
【表１】
2011528401.tif 000001
なお、本発明は、特許請求の範囲を含め、以下の発明を包含する。
１．Ａ）フルオロエラストマーと、
Ｂ）ポリシロキサン１分子当たり１つの第１級アミン基を有するアミノシリコーン流体をフルオロエラストマー１００重量部当たり０．０５〜１０重量部と、
Ｃ）ポリヒドロキシ硬化剤をフルオロエラストマー１００重量部当たり０．１〜２０重量部と、
Ｄ）硬化促進剤をフルオロエラストマー１００重量部当たり０．１〜１０重量部と、
Ｅ）酸受容体をフルオロエラストマー１００重量部当たり０．５〜３０重量部と
を含むポリヒドロキシ硬化性フルオロエラストマー組成物。
２．前記フルオロエラストマーが、ｉ）フッ化ビニリデンとヘキサフルオロプロピレン、ｉｉ）フッ化ビニリデンとヘキサフルオロプロピレンおよびテトラフルオロプロピレン、ｉｉｉ）フッ化ビニリデンとパーフルオロ（メチルビニルエーテル）および２−ヒドロペンタフルオロエチレン、ｉｖ）フッ化ビニリデンとパーフルオロ（メチルビニルエーテル）、２−ヒドロペンタフルオロエチレンおよびテトラフルオロエチレン、ｖ）テトラフルオロエチレンとプロピレンおよび３，３，３−トリフルオロプロペンおよびｖｉ）エチレンとテトラフルオロエチレン、パーフルオロ（メチルビニルエーテル）および３，３，３−トリフルオロプロピレンのコポリマーからなる群から選択される１に記載のポリヒドロキシ硬化性フルオロエラストマー組成物。
３．前記アミノシリコーンが、５００〜５０，０００の数平均分子量を有する１に記載のポリヒドロキシ硬化性フルオロエラストマー組成物。
４．前記アミノシリコーンが、１０００〜１０，０００の数平均分子量を有する３に記載のポリヒドロキシ硬化性フルオロエラストマー組成物。
５．前記アミノシリコーンが、フルオロエラストマー１００重量部当たり０．１〜１重量部のレベルで存在する１に記載のポリヒドロキシ硬化性フルオロエラストマー組成物。
６．前記ポリヒドロキシ硬化剤が、ｉ）ジヒドロキシ−、トリヒドロキシ−およびテトラヒドロキシ−ベンゼン、−ナフタレンおよび−アントラセン、
ｉｉ）式
【化１】
2011528401.tif 000002
（式中、Ａは安定した二価のラジカル、ｘは０または１、ｎは１または２）のビスフェノール、ｉｉｉ）前記ビスフェノールのジアルカリ塩、ｉｖ）前記ビスフェノールの第４級アンモニウム塩、ｖ）前記ビスフェノールの第４級ホスホニウム塩、ｖｉ）前記ビスフェノールの第３級スルホニウム塩およびｖｉｉ）前記ビスフェノールのエステルからなる群から選択される１に記載の硬化性フルオロエラストマー組成物。
７．前記硬化促進剤が、第４級アンモニウム塩、第３級スルホニウム塩および第４級ホスホニウム塩からなる群から選択される１に記載の硬化性フルオロエラストマー組成物。