【手続補正書】
【提出日】平成24年2月23日(2012.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部空間（１５）を囲む筐体（１ａ）と、
前記内部空間（１５）に配置される少なくとも一つの反射光学素子（５、６、８、９、１０、１４．１〜１４．６）と、
前記内部空間（１５）に残留ガス雰囲気を発生させる真空生成ユニット（１ｂ）と、
前記残留ガス雰囲内の少なくとも一つの汚染物質（１７ａ）を検出する残留ガス分析器（１８ａ、１８ｂ）とを備え、
前記残留ガス分析器（１８ａ、１８ｂ）は、前記汚染物質（１７ａ）を貯蔵する貯蔵デバイス（２１、２１ａ；３１、３１ａ、３１ｂ）を有し、
前記貯蔵デバイスはイオントラップである
ことを特徴とするＥＵＶリソグラフィ装置（１）。
【請求項２】
請求項１に記載のＥＵＶリソグラフィ装置において、前記貯蔵デバイス（２１、３１、３１ａ、３１ｂ）は汚染物質（１７ａ）を蓄積するように構成されることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のＥＵＶリソグラフィ装置において、前記貯蔵デバイス（２１ａ、３１、３１ａ、３１ｂ）は前記汚染物質を前記残留ガス雰囲気に含まれる他の物質から分離するように構成されることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ装置において、前記残留ガス分析器（１８ａ）は汚染物質（１７ａ）をイオン化するイオン化デバイス（２０）を有し、前記イオン化デバイスは特にレーザを有し、前記貯蔵デバイスはイオントラップ（２１、２１ａ）であることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ装置。
【請求項５】
請求項４に記載のＥＵＶリソグラフィ装置において、前記イオントラップ（２１、２１ａ）は汚染物質（１７ａ）を検出するように構成されることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５に記載のＥＵＶリソグラフィ装置において、前記残留ガス分析器（１８ａ）は前記汚染物質（１７ａ）を前記残留ガス雰囲気内の他の物質から分離する質量フィルタ（２１ａ）を有することを特徴とするＥＵＶリソグラフィ装置。
【請求項７】
請求項４〜請求項６のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ装置において、前記イオントラップは、フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴トラップ、ペニングトラップ、四極子イオントラップ、プールトラップ、リニアトラップ、オービットラップ、ＥＢＩＴ、およびＲＦバンチャーによって構成される群から選択されることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ装置。
【請求項８】
請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ装置において、前記貯蔵デバイス（３１）は、前記汚染物質（１７ａ）を凍結または凝縮する表面（３１’）を冷却する冷却ユニット（３３）と、好適には、次に表面（３１’）から汚染物質（１７ａ）を脱着するための加熱ユニット（３３）とを有することを特徴とするＥＵＶリソグラフィ装置。
【請求項９】
請求項８に記載のＥＵＶリソグラフィ装置において、前記冷却ユニット（３３）および／または前記加熱ユニット（３３）は、表面（３１’）の温度を設定する制御器（３２）に接続されることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ装置。
【請求項１０】
請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ装置において、前記汚染物質を蓄積するための貯蔵デバイスはガス結合物質（３１ａ、３１ｂ）であることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載のＥＵＶリソグラフィ装置において、前記ガス結合物質（３１ｂ）を通して前記汚染物質を吸出すポンプ機（３６）を備えることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ装置。
【請求項１２】
請求項８〜請求項１１のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ装置において、前記ガス結合物質および／または前記冷却可能面（３１’）から前記汚染物質（１７ａ）を脱着するための照射機（３５）、特に電子銃（３５）またはレーザ（３７）を備えることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ装置。
【請求項１３】
請求項１〜請求項１２のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ装置において、前記貯蔵デバイス（３１、３１ａ、３１ｂ）は、前記内部空間（１５）の外部のポンプ経路（１９）内に配置されることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ装置。
【請求項１４】
請求項１〜請求項１３のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ装置において、前記残留ガス分析器（１８ａ、１８ｂ）は、前記貯蔵デバイス（２１）への前記汚染物質（１７）の脈動的送入のための可変注入口（２２）を有することを特徴とするＥＵＶリソグラフィ装置。
【請求項１５】
請求項１〜請求項１４のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ装置において、前記内部空間（１５）の残留ガスの全圧は１０−５ｍｂａｒ（１０−３Ｐａ）を超え、好適には１０−４ｍｂａｒ（１０−２Ｐａ）を超えることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ装置。
【請求項１６】
請求項１〜請求項１５のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ装置において、前記内部空間（１５）の汚染物質（１７ａ）の分圧は１０−９ｍｂａｒ（１０−７Ｐａ）未満であり、好適には１０−１２ｍｂａｒ（１０−１０Ｐａ）未満であり、特には１０−１４ｍｂａｒ（１０−１２Ｐａ）未満であることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ装置。
【請求項１７】
少なくとも一つの反射光学素子（５、６、８、９、１０、１４．１〜１４．６）が配置される内部空間（１５）を有する筐体（１ａ）を備えるＥＵＶリソグラフィ装置の残留ガス雰囲気の残留ガス分析により少なくとも一つの汚染物質の検出方法であって、
前記残留ガス分析を実行するために、貯蔵デバイス（２１、２１ａ；３１、３１ａ、３１ｂ）に前記汚染物質（１７ａ）を貯蔵する
ことを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法において、前記汚染物質は前記貯蔵デバイス（２１、３１、３１ａ、３１ｂ）に蓄積されることを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１７または請求項１８に記載の方法において、前記汚染物質は前記貯蔵デバイス（２１ａ、３１、３１ａ、３１ｂ）の前記残留ガス雰囲気に含まれる他の物質から分離されることを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項１７〜請求項１９のいずれか１項に記載の方法において、前記汚染物質（１７ａ）は最初に貯蔵デバイス（３１）の冷却面（３１’）に蓄積され、次に検出のために前記冷却面（３１’）から脱着されることを特徴とする方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の方法において、前記表面（３１’）の温度は、汚染物質を排他的に前記冷却面（３１’）から取込めるように設定されることを特徴とする方法。
【請求項２２】
請求項１７〜請求項２１のいずれか１項に記載の方法において、前記汚染物質（１７ａ）はガス結合物質（３１ａ、３１ｂ）に蓄積され、次に、検出のために前記ガス結合物質（３１ａ、３１ｂ）から脱着されることを特徴とする方法。
【請求項２３】
請求項１７〜請求項２２のいずれか１項に記載の方法において、前記汚染物質（１７ａ）を排出する少なくとも一つの構成材（１７）が前記内部空間（１５）に配置され、前記構成材の排出率は前記残留ガス分析によって決まる前記汚染物質の量から求められることを特徴とする方法。
【請求項２４】
請求項２０〜請求項２３のいずれか１項に記載の方法において、前記汚染物質はレーザ（３７）および／または電子銃（３５）を用いた照射により前記冷却面（３１’）および／またはガス結合物質（３１ａ、３１ｂ）から脱着されることを特徴とする方法。
【請求項２５】
請求項１７〜請求項２４のいずれか１項に記載の方法において、前記残留ガス分析を実行するために、前記ＥＵＶリソグラフィ装置（１）の前記残留ガスの一部が前記ＥＵＶリソグラフィ装置（１）から空間的に分離される残留ガス分析器（１８ａ）の貯蔵デバイス（２１）に送込まれることを特徴とする方法。
【請求項２６】
請求項１７〜請求項２５のいずれか１項に記載の方法において、前記汚染物質は前記貯蔵デバイス（２１）に貯蔵される前にレーザを用いた照射により好適にイオン化されることを特徴とする方法。