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平成　９年特許願第　４９９３６号「中性点クランプ式電力変換装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　９月１４日出願公開、特開平１０−２４８２６４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年３月５日の出願であって、平成１４年１０月１８日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月２１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１２月１２日付で手続補正（特許請求の範囲の請求項の削除等）がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１，２に係る発明は、平成１４年８月１２日付及び同年１２月１２日付手続補正書により補正された明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲の請求項１，２に記載のとおりと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は次のとおりである。
「【請求項１】
直流正負母線間に接続され中性点出力端子を備えた直流電源と、前記直流正負母線間に直列接続された第１乃至第４のスイッチング素子と、これら第１乃至第４のスイッチング素子にそれぞれ逆並列接続された第１乃至第４のフリーホイーリングダイオードと、前記第２及び第３のスイッチング素子の直列回路に逆極性で並列接続され且つ直列接続点が前記中性点出力端子と接続される一対のクランプダイオードの直列回路と、前記第２及び第３のスイッチング素子の直列接続点から導出された交流端子と、前記第１のスイッチング素子に並列接続される第１のスナバコンデンサとスナバダイオードの直列回路及び該直列回路の直列接続点と前記中性点出力端子との間に接続される第１のスナバ抵抗から成る第１のスナバ回路と、前記第１及び第２のスイッチング素子の直列接続点にアノ一ドが接続されカソードが第２のスナバコンデンサを介して前記中性点出力端子に接続される第２のスナバダイオードと、該第２のスナバダイオードとスナバコンデンサの直列接続点と前記直流正母線間に接続される第２のスナバ抵抗から成る第２のスナバ回路と、前記第３及び第４のスイッチング素子の直列接続点にカソードが接続されアノ一ドが第３のスナバコンデンサを介して前記中性点出力端子に接続される第３のスナバダイオードと、該第３のスナバダイオードとスナバコンデンサの直列接続点と前記直列接続点と前記直流負母線間に接続される第３のスナバ抵抗から成る第３のスナバ回路と、前記第４のスイッチング素子に並列接続される第４のスナバダイオードとスナバコンデンサの直列回路及び該直列回路の直列接続点と前記中性点出力端子との間に接続される第４のスナバ抵抗から成る第４のスナバ回路と、前記第２，第３のスイッチング素子それぞれに設けられ、当該素子夫々がオフ時に印加されるサージ電圧を抑制するツェナーダイオードを含むサージ抑制回路とを具備することを特徴とする中性点クランプ式電力変換装置。」
　
３．引用例
３．１　引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用され本願出願前の平成８年６月７日に頒布された特開平８−１４９８３７号公報（以下「引用例１」という。）には、中性点クランプ式電力変換器を構成する第２のスイッチング素子と第３のスイッチング素子のスナバ回路の損失の低減を目的とした、
「【請求項１】直流正負母線間に接続され中性点出力端子を備えた直流電源と、前記直流正負母線間に直列接続された第１乃至第４のスイッチング素子と、該スイッチング素子にそれぞれ逆並列接続された第１乃至第４のフリ―ホイ―リングダイオ―ドと、前記第２第３のスイッチング素子の直列回路に逆極性で並列接続され且つ直列接続点が前記中性点出力端子と接続される一対のクランプダイオ―ドの直列回路から成り、前記第２第３のスイッチング素子の直列接続点を交流端子とした中性点クランプ式変換器において、
　前記第１のスイッチング素子に並列接続される第１のスナバコンデンサとスナバダイオ―ドの直列回路及び該直列回路の直列接続点と前記中性点出力端子との間に接続される第１のスナバ抵抗から成るスナバ回路と、
　前記第１第２のスイッチング素子の直列接続点にアノ―ドが接続されカソ―ドが第２のスナバコンデンサを介して前記中性点出力端子に接続される第２のスナバダイオ―ドと、該第２のスナバダイオ―ドとスナバコンデンサの直列接続点と前記直流正母線間に接続される第２のスナバ抵抗から成るスナバ回路と、
　前記第３第４のスイッチング素子の直列接続点にカソ―ドが接続されアノ―ドが第３のスナバコンデンサを介して前記中性点出力端子に接続される第３のスナバダイオ―ドと、該第３のスナバダイオ―ドとスナバコンデンサの直列接続点と前記直流負母線間に接続される第３のスナバ抵抗から成るスナバ回路と、
　前記第４のスイッチング素子に並列接続される第４のスナバダイオ―ドとスナバダコンデンサの直列回路及び該直列回路の直列接続点と前記中性点出力端子との間に接続される第４のスナバ抵抗から成るスナバ回路を具備した中性点クランプ式電力変換器。」の発明（特許請求の範囲参照、以下「引用発明１」という。）が記載されていると認めることができる。
　
３．２　引用例２　
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用され本願出願前の平成６年１０月２１日に頒布された特開平６−２９６３６２号公報（以下「引用例２」という。）には、図面とともに、
「【０００６】
　図１に示されるもののような構成要素は、そのドレインがそのソースに対して正でありかつ信号がそのゲートに与えられるときにのみ、オンとなるべきである。しかしながら、ドレインに高い電圧が印加されると、基板１とウェル４との間の接合はアバランシェモードへとセットされることがある。過度の電流の流れによりアバランシェモードが生成される領域の発熱を引き起こすことがあり、そのような発熱は破壊効果を有することがあるので、そのようなブレークダウンは望ましくない。」、
「【０００９】
　図２（Ａ）および図２（Ｂ）には、電力用トランジスタ２０の接続が示されており、そのソースは接地に接続され、かつドレインは負荷２１の第１の端子に接続されその第２の端子は正電源端子ＶＣＣに接続されている。トランジスタ２０の導通はゲートドライブ回路２２により制御される。回路２２は一般的に外部アクセス端子２３から制御される。
【００１０】
　図２（Ａ）には、より特定的にクランプ型保護回路が示される。ＭＯＳトランジスタ２０のドレインとゲートとの間には、アバランシェダイオード（通常ツェナーダイオードと呼ばれる）Ｚ１および逆バイアスダイオードＤ１が直列に接続される。ツェナーダイオードＺ１は、ＭＯＳトランジスタ２０のアバランシェ電圧より僅かに（通常数十ボルト）低く選択されるアバランシェ電圧を有する。ダイオードＤ１は、通常動作状態でゲート電流がトランジスタドレインへ流れることを妨げるように動作可能である。
【００１１】
　この回路では、ツェナーダイオードＺ１のアバランシェ電圧にダイオードＤ１の電圧降下ＶＦおよびトランジスタ２０のゲートソースしきい値電圧ＶＧＳを加えたものより高い振幅を有する電圧が生じると、ＭＯＳトランジスタは導通モードにセットされる。・・・（中略）・・したがって、上述のクランプ型保護モードは、低いエネルギを有する過電圧に対して保護を達成することが所望されるときだけに適用される。たとえば僅かな誘導性負荷の初期スイッチオンの後に、そのような低いエネルギの過電圧が生じる。この保護モードの利点は、過電圧がなくなるやいなやＭＯＳトランジスタの導通が妨げられることである。」の記載がある。
　上記記載及び図面の記載によれば、引用例２には、「トランジスタのアバランシェ電圧よりも低いアバランシェ電圧に設定されたツェナーダイオードとダイオードとの直列回路を、前記トランジスタのベース・コレクタ間に接続し、過電圧の際前記トランジスタを導通させてなるトランジスタの保護回路」の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
　
４．対比
　本願発明と引用発明１とを比較すると、引用発明１の「第１のスナバコンデンサとスナバダイオード・・・第１のスナバ抵抗から成るスナバ回路」〜「第４のスナバコンデンサとスナバダイオード・・・第４のスナバ抵抗から成るスナバ回路　」は、本願発明の「第１のスナバ回路」〜「第４のスナバ回路」にそれぞれ相当するから、
両者は、「直流正負母線間に接続され中性点出力端子を備えた直流電源と、前記直流正負母線間に直列接続された第１乃至第４のスイッチング素子と、これら第１乃至第４のスイッチング素子にそれぞれ逆並列接続された第１乃至第４のフリーホイーリングダイオードと、前記第２及び第３のスイッチング素子の直列回路に逆極性で並列接続され且つ直列接続点が前記中性点出力端子と接続される一対のクランプダイオードの直列回路と、前記第２及び第３のスイッチング素子の直列接続点から導出された交流端子と、前記第１のスイッチング素子に並列接続される第１のスナバコンデンサとスナバダイオードの直列回路及び該直列回路の直列接続点と前記中性点出力端子との間に接続される第１のスナバ抵抗から成る第１のスナバ回路と、前記第１及び第２のスイッチング素子の直列接続点にアノ一ドが接続されカソードが第２のスナバコンデンサを介して前記中性点出力端子に接続される第２のスナバダイオードと、該第２のスナバダイオードとスナバコンデンサの直列接続点と前記直流正母線間に接続される第２のスナバ抵抗から成る第２のスナバ回路と、前記第３及び第４のスイッチング素子の直列接続点にカソードが接続されアノ一ドが第３のスナバコンデンサを介して前記中性点出力端子に接続される第３のスナバダイオードと、該第３のスナバダイオードとスナバコンデンサの直列接続点と前記直列接続点と前記直流負母線間に接続される第３のスナバ抵抗から成る第３のスナバ回路と、前記第４のスイッチング素子に並列接続される第４のスナバダイオードとスナバコンデンサの直列回路及び該直列回路の直列接続点と前記中性点出力端子との間に接続される第４のスナバ抵抗から成る第４のスナバ回路とを具備することを特徴とする中性点クランプ式電力変換装置。」の点で一致し、以下の点で相違している。
［相違点］
　本願発明は、「第２，第３のスイッチング素子それぞれに設けられ、当該素子夫々がオフ時に印加されるサージ電圧を抑制するツェナーダイオードを含むサージ抑制回路」を備えているのに対し、引用発明１はこのような回路を備えていない点。
　
５．判断
　上記相違点について検討する。
　本願発明の目的は、 明細書の段落【００１１】、【００１２】によれば「従来の中性点クランプ式電力変換装置の中性点側の２つのスイッチング素子に適用しているＤＣクランプ形スナバ回路では、該スイッチング素子にオフ時に入力電圧相当の電圧がサージ電圧となってかかってしまい、スイッチング素子破壊の原因になる・・・」との現象を解決するため、「中性点クランプ式電力変換装置を構成する第２及び第３のスイッチング素子のＤＣクランプ形スナバ回路により該スイッチング素子に発生するサージ電圧の抑制を図る」ことにあるものと認められる。
　しかしながら、本願発明と同じ中性点クランプ式電力変換装置であって、かつ本願発明と同じ構成のスナバ回路を各スイッチング回路に付加したものにおいて、直流正母線側から数えて２番目と３番目のスイッチング素子に過電圧が生じるという現象は、本願出願前の平成８年７月１２日に頒布された特開平８−１８２３４１号公報の記載からみて公知のことにすぎないと認められる。
  すなわち、該公報には、
「【００２６】　又、スナバコンデンサＳＣＵ２，ＳＣＵ３で取りきれない非常に短いサ―ジ電圧は第５のスナバ抵抗、コンデンサの直列回路からなるスナバ回路で吸収することができる。
　尚、第５のスナバコンデンサはスナバコンデンサＳＣＵ２，ＳＣＵ３に比べて１／５〜１／１０程度であり放電形ではあるが損失は非常に少ない。」及び、
「　【００３９】
　配線インダクタンスｌ1，ｌ2のエネルギを吸収する時にスナバダイオ―ドＳＤＵ２，ＳＤＵ３が同時にオンすると、スイッチング素子ＳＵ２にはＶｄ１＋Ｖｄ２の電圧が印加されることになる。もともと配線インダクタンスｌ1は非常に少ない値なので、スナバダイオ―ドＳＤ２がオフしている時間は非常に短時間ではあるがＶｄ１＋Ｖｄ２の電圧が印加されることに変りない。」と記載されている。
　上記記載によれば、引用発明１の各スイッチング素子に付加されたスナバ回路の構成が同じである中性点クランプ式電力変換器において、第２及び第３スイッチング素子に高電圧が印加されることはスナバ回路の構成上避けられないこととして、本願出願前に公知の現象にすぎないと認められる。故に、引用例１には直接記載されていないものの、引用発明１において該異常電圧を抑制しようとすることは、本願出願前において当業者が当然解決すべき公知の技術課題にすぎないと認められる。
　一方、上記引用例２には、トランジスタに印加される電圧が過電圧になる際該トランジスタを導通させることにより保護する発明（上記３．２「引用発明２」参照）が記載されている。
　引用発明２は ツェナーダイオードを備えていて（トランジスタのオフ時に）トランジスタに加わる電圧が過電圧になる際に前記ツェナーダイオードを介して該トランジスタを導通させることにより過電圧の状態から脱するようにしているのであるから、少なくとも「トランジスタがオフ時印加される過電圧を抑制するツェナーダイオードを含む過電圧抑制回路」の構成を包含していることは明かであり、さらに、引用発明１において生じるはずの「サージ電圧」が引用発明２の「過電圧」に対応すること及び、引用発明１の「スイッチング素子」が引用発明２の「トランジスタ」に対応することも明かであるから、引用発明１において、第２及び第３スイッチング素子に発生するサージ電圧を抑制するために、引用発明２の過電圧抑制回路を前記第２及び第３スイッチング素子に設けることは、当業者が容易に考えられるものと認められる。
　そして、本願発明の作用効果も、引用発明１及び引用発明２から当業者が予測できる範囲のものである。
　　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。