【手続補正書】
【提出日】平成26年3月17日(2014.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ処理システムを使ってダイアタッチフィルム上に設けられた基板のシンギュレーションを行う、改良された方法であって、前記基板は、前記ダイアタッチフィルムと反対側の表面上に既定のストリートと材料層とを有し、
第１のレーザパラメータを有する第１のレーザを前記レーザ処理システムに設け、
第２のレーザパラメータを有する第２のレーザを前記レーザ処理システムに設け、
第３のレーザパラメータを有する第３のレーザを前記レーザ処理システムに設け、
前記第２のレーザパラメータを有する前記第２のレーザを用いてダイアタッチフィルムの裏面除去を可能にする、前記基板の最大表面テクスチャを決定し、
前記第１のレーザが所望の領域内の前記基板から前記材料の層の一部を除去できるようにする前記第１のレーザパラメータを、実質的に前記材料の層の全てが前記所望の領域から除去され、前記所望の領域内の表面の表面テクスチャが前記決定された最大表面テクスチャよりも小さくなるように、決定し、
前記第１のレーザパラメータを用いて、前記第１のレーザを照射して、実質的に前記ストリート内の所望の領域内の前記基板から前記材料の層を除去し、
前記第２のレーザパラメータを用いて、前記第２のレーザを照射して、前記ストリートに位置合わせされた領域において、前記ダイアタッチフィルムの一部の裏面除去を行い、
前記第３のレーザを照射して、前記ストリート内で前記第３のレーザを用いて前記基板のスルーカットを行い、それにより前記基板を個片化する、
方法。
【請求項２】
前記第１のレーザパラメータは、約２５５ｎｍ〜約５３２ｎｍの波長、約１０００ｐｓ未満のパルス幅、及び約０．１μＪを超えるパルスエネルギーを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２のレーザパラメータは、約１０００ｎｍを超える波長、約１００ｎｓを超えるパルス幅、及び約１０μＪを超えるパルスエネルギーを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第３のレーザパラメータは、約２５５ｎｍ〜約５３２ｎｍの波長、約５００ｎｓ未満のパルス幅、及び約０．１μＪを超えるパルスエネルギーを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１及び第３のレーザは固体レーザであり、前記第２のレーザはガスレーザである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１、第２及び第３のレーザは固体レーザである、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１及び第３のレーザは同じレーザである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１、第２及び第３のレーザは同じレーザである、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
レーザ処理システムを使ってダイアタッチフィルム上に設けられた基板のシンギュレーションを行う、改良されたシステムであって、前記基板は、前記ダイアタッチフィルムと反対側の表面上に既定のストリートと材料層とを有し、
第１のレーザパラメータを用いて所望の領域内の前記基板から前記材料の第１の層の一部を除去できるようにする第１のレーザであって、実質的に前記材料層のすべてが所望の領域から除去され、前記所望の領域内の表面の表面テクスチャが所定の最大表面テクスチャよりも小さくなるようにする第１のレーザと、
前記ストリートと位置合わせされた領域内で第２のレーザパラメータを用いて、前記ダイアタッチフィルムの一部の裏面除去を行うことが可能な第２のレーザと、
第３のレーザパラメータを用いて前記ストリート内で前記基板のスルーカットを行い、それによって前記基板を個片化することが可能な第３のレーザと、
を備えるシステム。
【請求項１０】
前記第１のレーザパラメータは、約２５５ｎｍ〜約５３２ｎｍの波長、約１０００ｐｓ未満のパルス幅、及び約０．１μＪを超えるパルスエネルギーを含んでいる、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記第２のレーザパラメータは、約１０００ｎｍを超える波長、約１００ｎｓを超えるパルス幅、及び約１０μＪを超えるパルスエネルギーを含んでいる、請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
前記第３のレーザパラメータは、約２５５ｎｍ〜約５３２ｎｍの波長、約５００ｎｓ未満のパルス幅、及び約０．１μＪを超えるパルスエネルギーを含んでいる、請求項９に記載のシステム。
【請求項１３】
前記第１及び第３のレーザは固体レーザであり、前記第２のレーザはガスレーザである、請求項９に記載のシステム。
【請求項１４】
前記第１、第２及び第３のレーザは固体レーザである、請求項９に記載のシステム。
【請求項１５】
前記第１及び第３のレーザは同じレーザである、請求項９に記載のシステム。
【請求項１６】
前記第１、第２及び第３のレーザは同じレーザである、請求項９に記載のシステム。
【請求項１７】
レーザ処理システムを使ってダイアタッチフィルム上に設けられた基板のシンギュレーションを行う、改良された方法であって、前記基板は、前記ダイアタッチフィルムと反対側の表面上に既定のストリートと材料層とを有し、
第１のレーザパラメータを有する第１のレーザを前記レーザ処理システムに設け、
第２のレーザパラメータを有する第２のレーザを前記レーザ処理システムに設け、
第３のレーザパラメータを有する第３のレーザを前記レーザ処理システムに設け、
前記第２のレーザパラメータを有する前記第２のレーザを用いてダイアタッチフィルムの裏面除去を可能にする、前記基板の最大表面テクスチャを決定し、
前記第１のレーザが所望の領域内の前記基板から前記材料の層の一部を除去できるようにする前記第１のレーザパラメータを、実質的に前記材料の層の全てが前記所望の領域から除去され、前記所望の領域内の表面の表面テクスチャが前記決定された最大表面テクスチャよりも小さくなるように、決定し、
前記第１のレーザパラメータを用いて、前記第１のレーザを照射して、実質的に前記ストリート内の所望の領域内の前記基板から前記材料の層を除去し、
前記第２のレーザパラメータを用いて、前記第２のレーザを照射して、前記ストリートに位置合わせされた領域において、前記ダイアタッチフィルムの一部の裏面劣化を行い、
前記第３のレーザを照射して、前記ストリート内で前記第３のレーザを用いて前記基板のスルーカットを行い、それにより前記基板を個片化する、
方法。
【請求項１８】
前記第１のレーザパラメータは、約２５５ｎｍ〜約５３２ｎｍの波長、約１０００ｐｓ未満のパルス幅、及び約０．１μＪを超えるパルスエネルギーを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記第２のレーザパラメータは、約１０００ｎｍを超える波長、約１００ｎｓを超えるパルス幅、及び約１０μＪを超えるパルスエネルギーを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記第３のレーザパラメータは、約２５５ｎｍ〜約５３２ｎｍの波長、約５００ｐｓ未満のパルス幅、及び約０．１μＪを超えるパルスエネルギーを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記第１及び第３のレーザは固体レーザであり、前記第２のレーザはガスレーザである、請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】
前記第１、第２及び第３のレーザは固体レーザである、請求項１７に記載の方法。
【請求項２３】
前記第１及び第３のレーザは同じレーザである、請求項１７に記載の方法。
【請求項２４】
前記第１、第２及び第３のレーザは同じレーザである、請求項１７に記載の方法。