【手続補正書】
【提出日】平成26年1月17日(2014.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスであって、
第１接地ノードと、
第２接地ノードと、
論理接地出力を有する論理回路であって、前記論理接地出力は前記第１接地ノードに電気的に接続され、前記論理回路は、前記電子デバイスが静止電流（ＩＤＤＱ）評価状態である場合に前記第１接地ノードと前記第２接地ノードとの間に流れる静止電流（ＩＤＤＱ）を生成する、前記論理回路と、
前記第１接地ノードと前記第２接地ノードとの間に電気的に接続されたスイッチング素子であって、前記電子デバイスが静止電流評価状態である場合に前記スイッチング素子は非導通状態で構成可能であり、前記電子デバイスが前記静止電流評価状態ではない場合に前記スイッチング素子は導通状態に構成可能である、前記スイッチング素子と、
前記第１接地ノードと前記第２接地ノードとの間に電気的に接続された静止電流評価回路であって、前記電子デバイスが前記静止電流評価状態である場合に静止電流評価回路は、前記第１接地ノードと前記第２接地ノードとの間に生じる静止電流指示電圧が基準電圧を超えるときに第１出力信号を供給するように構成される、前記静止電流評価回路とを備え、
前記静止電流指示電圧は、前記第１接地ノードと前記第２接地ノードとの間に流れる静止電流に対応する、電子デバイス。
【請求項２】
電子デバイスであって、
第１接地ノードと、
第２接地ノードと、
論理接地出力を有する論理回路であって、前記論理接地出力は前記第１接地ノードに電気的に接続される、前記論理回路と、
前記第１接地ノードと前記第２接地ノードとの間に電気的に接続されたスイッチング素子であって、前記電子デバイスが静止電流（ＩＤＤＱ）評価状態である場合に前記スイッチング素子は非導通状態で構成可能であり、前記電子デバイスが前記静止電流評価状態ではない場合に前記スイッチング素子は導通状態に構成可能である、前記スイッチング素子と、
前記第１接地ノードと前記第２接地ノードとの間に電気的に接続された静止電流評価回路であって、前記電子デバイスが前記静止電流評価状態である場合に静止電流評価回路は、前記第１接地ノードと前記第２接地ノードとの間に生じる静止電流指示電圧が基準電圧を超えるときに第１出力信号を供給するように構成される、前記静止電流評価回路とを備え、
前記静止電流評価回路は、
前記第１接地ノードと前記第２接地ノードとの間に電気的に接続された抵抗素子と、
前記第１接地ノードに電気的に接続された第１入力と、前記第２接地ノードに電気的に接続された第２入力と、基準ノードに接続された第３入力と、出力とを有する比較回路であって、前記静止電流指示電圧は、前記第１入力と前記第２入力との間に生じ、前記基準電圧が前記第３入力と前記第２入力との間に生じ、前記比較回路は、前記基準電圧を、前記静止電流指示電圧と比較して、前記静止電流指示電圧が前記基準電圧を超える場合に前記出力に前記第１出力信号を供給するように構成される、前記比較回路とを含む、電子デバイス。
【請求項３】
前記静止電流評価回路の出力は、前記電子デバイスの外部接触部に電気的に接続され、前記第１出力信号は前記静止電流評価回路の前記出力を介して前記外部接触部に供給される、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記静止電流評価回路は、基準ノードに電気的に接続され、前記基準電圧は前記基準ノードと前記第２接地ノードとの間に生じ、
前記静止電流評価回路は、前記基準ノードと前記第２接地ノードとの間に電気的に接続された基準抵抗素子を含み、
前記電子デバイスは、前記基準ノードに電気的に接続され、前記基準電圧を生成するために前記基準抵抗素子を介して電流を供給するように構成される電流源を備える、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項５】
電子デバイスであって、
第１接地ノードと、
第２接地ノードと、
論理接地出力を有する論理回路であって、前記論理接地出力は前記第１接地ノードに電気的に接続される、前記論理回路と、
前記第１接地ノードと前記第２接地ノードとの間に電気的に接続されたスイッチング素子であって、前記電子デバイスが静止電流（ＩＤＤＱ）評価状態である場合に前記スイッチング素子は非導通状態で構成可能であり、前記電子デバイスが前記静止電流評価状態ではない場合に前記スイッチング素子は導通状態に構成可能である、前記スイッチング素子と、
前記第１接地ノードと前記第２接地ノードとの間に電気的に接続された静止電流評価回路であって、前記電子デバイスが前記静止電流評価状態である場合に静止電流評価回路は、前記第１接地ノードと前記第２接地ノードとの間に生じる静止電流指示電圧が基準電圧を超えるときに第１出力信号を供給するように構成される、前記静止電流評価回路と、
前記基準電圧を生成するように構成される基準電圧生成回路と、
前記基準電圧生成回路に電気的に接続され、デバイス温度が所定温度閾値を超えるかどうかを示す第２出力信号を供給するように構成された温度検出回路をさらに備え、
前記基準電圧生成回路は、前記第２出力信号が前記デバイス温度が前記所定温度閾値を超えないことを示す場合に第１のレベルの基準電圧を生成し、前記第１出力信号が前記デバイス温度が前記所定温度閾値を超えることを示す場合に前記第１のレベルよりも高い第２のレベルの基準電圧を生成するように構成される、電子デバイス。
【請求項６】
前記電流源は、電流ミラー回路を含む、請求項４に記載の電子デバイス。
【請求項７】
電子デバイスであって、
第１接地ノードと、
第２接地ノードと、
論理接地出力を有する論理回路であって、前記論理接地出力は前記第１接地ノードに電気的に接続される、前記論理回路と、
前記第１接地ノードと前記第２接地ノードとの間に電気的に接続されたスイッチング素子であって、前記電子デバイスが静止電流（ＩＤＤＱ）評価状態である場合に前記スイッチング素子は非導通状態で構成可能であり、前記電子デバイスが前記静止電流評価状態ではない場合に前記スイッチング素子は導通状態に構成可能であり、前記スイッチング素子は、制御信号に応答して前記スイッチング素子を導通状態または非導通状態に遷移する、前記スイッチング素子と、
前記第１接地ノードと前記第２接地ノードとの間に電気的に接続された静止電流評価回路であって、前記電子デバイスが前記静止電流評価状態である場合に静止電流評価回路は、前記第１接地ノードと前記第２接地ノードとの間に生じる静止電流指示電圧が基準電圧を超えるときに第１出力信号を供給するように構成される、前記静止電流評価回路と、
前記スイッチング素子に電気的に接続された静止電流試験イネーブル回路であって、前記静止電流試験イネーブル回路は、前記電子デバイスが前記静止電流評価状態に遷移させるべきかどうかを判定し、前記電子デバイスが前記静止電流評価状態に遷移させるべきと判定した場合に、前記スイッチング素子を非導通状態に遷移させるように制御信号を供給するように構成される、前記静止電流試験イネーブル回路とを備える、電子デバイス。
【請求項８】
前記静止電流試験イネーブル回路は、
前記電子デバイスの第１外部接触部を介して外部信号を受信し、前記判定するための前記外部信号を評価し、前記判定されるかどうかを示す静止電流試験イネーブル信号を供給するように構成される状態判定回路を含む、請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項９】
前記静止電流試験イネーブル回路は、
第１入力、第２入力および出力を有する論理素子であって、前記第１入力は前記状態判定回路に電気的に接続され、前記第２入力は前記電子デバイスの第２外部接触部に電気的に接続され、前記制御信号は、前記論理素子によって実行される論理動作の結果として前記出力に生成される、前記論理素子を含む、請求項８に記載の電子デバイス。
【請求項１０】
前記論理素子が、論理ＮＡＮＤ動作を実行するゲートを含む、請求項９に記載の電子デバイス。
【請求項１１】
前記静止電流試験イネーブル信号が前記制御信号に相当する、請求項８に記載の電子デバイス。  
【請求項１２】
前記スイッチング素子は、制御信号に応答して前記スイッチング素子を導通状態または非導通状態に遷移し、前記スイッチング素子が、ソース、ドレインおよびゲートを有する金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を含み、前記ソースおよび前記ドレインは前記第１接地ノードと前記第２接地ノードとの間に接続され、前記ゲートは、前記ＭＯＳＦＥＴを電気的に導通状態または非導通状態に遷移させるための制御信号に応答する、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項１３】
電子デバイスの静止電流（ＩＤＤＱ）の指示子を生成する方法であって、
前記電子デバイスの論理回路を試験状態に設定することであって、前記論理回路の論理接地出力は前記電子デバイスの第１接地ノードに電気的に接続され、前記論理回路は、静止電流（ＩＤＤＱ）を生成し、前記静止電流は、前記第１接地ノードと第２接地ノードとの間に流れる、前記論理回路を試験状態に設定すること、
前記電子デバイスのスイッチング素子を電気的に非導通状態に制御することであって、前記スイッチング素子は前記電子デバイスの前記第１接地ノードと第２接地ノードとの間に電気的に接続される、前記スイッチング素子を非導通状態に制御すること、
前記スイッチング素子は非導通状態中に、前記電子デバイス内に一体化される比較回路によって基準電圧を、前記第１接地ノードと前記第２接地ノードとの間に生じる静止電流指示電圧と比較することであって、前記静止電流指示電圧は、前記第１接地ノードと前記第２接地ノードとの間に流れる静止電流に対応する、前記比較すること、
前記静止電流指示電圧が前記基準電圧を超える場合、前記電子デバイスの第１外部接触部に出力信号を生成することであって、前記出力信号は、前記静止電流が相対的に高いことを示す、前記出力信号を生成することを備える、方法。
【請求項１４】
前記出力信号を生成することは、第１論理レベルが、前記静止電流指示電圧が前記基準電圧を超えたことを示し、第２論理レベルが、前記静止電流指示電圧が前記基準電圧を超えていないことを示すためのバイナリ信号を生成することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記スイッチング素子を制御することは、
前記電子デバイスの第２外部接触部を介して受信される外部信号に基づいて、前記電子デバイスは静止電流評価状態に設定するべきかどうかを判定すること、
前記電子デバイスは前記静止電流評価状態に設定するべきと判定された場合に、前記スイッチング素子を電気的に非導通状態に設定させるための制御信号を前記スイッチング素子に供給することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記電子デバイスは、
前記第１接地ノードと前記第２接地ノードとの間に電気的に接続された第１抵抗素子と、
基準ノードと前記第２接地ノードとの間に電気的に接続された第２抵抗素子とを含み、
前記基準電圧を前記静止電流指示電圧と比較することは、前記第１抵抗素子にわたって生成される前記静止電流指示電圧を前記第２抵抗素子にわたって生成される前記基準電圧と比較することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
電子デバイスの静止電流（ＩＤＤＱ）の指示子を生成する方法であって、
前記電子デバイスの論理回路を試験状態に設定することであって、前記論理回路の論理接地出力は前記電子デバイスの第１接地ノードに電気的に接続される、前記論理回路を試験状態に設定すること、
デバイス温度が閾値を超えるかどうかを判定すること、
前記デバイス温度が閾値を超える場合に、基準電圧を相対的に高い電圧レベルに設定すること、
前記デバイス温度が閾値を超えない場合に、前記基準電圧を相対的に低い電圧レベルに設定すること、
前記電子デバイスのスイッチング素子を電気的に非導通状態に制御することであって、前記スイッチング素子は前記電子デバイスの前記第１接地ノードと第２接地ノードとの間に電気的に接続される、前記スイッチング素子を非導通状態に制御すること、
前記スイッチング素子は非導通状態中に、前記電子デバイス内に一体化される比較回路によって基準電圧を、前記第１接地ノードと前記第２接地ノードとの間に生じる静止電流指示電圧と比較すること、
前記静止電流指示電圧が前記基準電圧を超える場合、前記電子デバイスの第１外部接触部に出力信号を生成することであって、前記出力信号は、前記静止電流が相対的に高いことを示す、前記出力信号を生成することを備える、方法。
【請求項１８】
電子デバイスを製造する方法であって、
基板を提供すること、
前記基板に論理回路を製造することであって、前記論理回路が論理接地出力を含み、前記論理接地出力は第１接地ノードに電気的に接続され、前記論理回路は、前記電子デバイスが静止電流（ＩＤＤＱ）評価状態である場合に前記第１接地ノードと第２接地ノードとの間に流れる静止電流（ＩＤＤＱ）を生成する、前記論理回路を製造すること、
前記第１接地ノードと第２接地ノードとの間に電気的に接続され、前記基板にスイッチング素子を製造することであって、前記電子デバイスが静止電流評価状態である場合に、前記スイッチング素子は電気的に非導通状態に構成可能であり、前記電子デバイスが静止電流評価状態でない場合に、前記スイッチング素子は電気的に導通状態に構成可能である、前記スイッチング素子を製造すること、
前記第１接地ノードと前記第２接地ノードとの間に電気的に接続され、前記基板に静止電流評価回路を製造することであって、前記電子デバイスが前記静止電流評価状態である場合に、前記静止電流評価回路は、前記第１接地ノードと前記第２接地ノードとの間に生じる静止電流指示電圧が基準電圧を超える場合に、第１出力信号を提供するように構成される、前記静止電流評価回路を製造することを備え、
前記静止電流指示電圧は、前記第１接地ノードと前記第２接地ノードとの間に流れる静止電流に対応する、方法。
【請求項１９】
前記静止電流評価回路を製造することは、
前記第１接地ノードと前記第２接地ノードとの間に電気的に接続された抵抗素子を製造すること、
前記第１接地ノードに電気的に接続された第１入力、前記第２接地ノードに電気的に接続された第２入力、基準ノードに電気的に接続された第３入力、および出力を有する比較回路を製造することであって、前記静止電流指示電圧が前記第１入力と前記第２入力との間に生じ、前記基準電圧が前記第３入力と前記第２入力との間に生じ、前記比較回路は、前記基準電圧を前記静止電流指示電圧と比較し、前記静止電流指示電圧が前記基準電圧を超えた場合に、前記第１出力信号を前記出力に供給するように構成される、前記比較回路を製造することを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記静止電流評価回路は、基準ノードに電気的に接続され、
前記基準電圧は、前記基準ノードと前記第２接地ノードとの間に生じ、
前記静止電流評価回路を製造することは、
前記基準ノードと前記第２接地ノードとの間に電気的に接続された基準抵抗素子を製造することを含み、
前記方法は、
前記基準ノードに接続され、且つ前記基準電圧を生成するために前記基準抵抗素子を通して電流を供給するように構成された電流源を製造すること、
前記電流源に電気的に接続され、且つデバイス温度が所定温度閾値を超えるかまたは超えないかを示す第２出力信号を供給するように構成された温度検出回路を製造することを備え、
前記電流源は、前記第２出力信号が前記デバイス温度が所定温度閾値を超えないことを示す場合に第１レベルの前記電流を供給し、前記第２出力信号が前記デバイス温度が前記所定温度閾値を超えないことを示す場合に、前記第１レベルよりも高い第２レベルの前記電流を供給するようにさらに構成される、請求項１８に記載の方法。