(57)【要約】【課題】最終製品の多彩なデザインに対しても自由に電子装置の配置を可能とする、電子素子の構造およびその電子素子を用いた電子装置を提供する。【解決手段】配線基盤２は、半導体チップ１を包み込むように設けられ、配線基盤２の外面側には、その上面、側面、および、底面において三次元的に配置され、外部と電気接続を行なうため、配線基盤２に設けられる配線パターンの電極領域に接続される複数の外部端子８が取付けられている。【選択図】　　　　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品と、
柔軟性材料からなり、前記電子部品を取囲むように配置され、その外面側に所定の配線パターンが設けられ、前記電子部品の電極領域と電気的に接続される配線基板と、
前記配線基板の外面側に三次元的に配置され、外部と電気接続を行なうため、前記配線パターンの電極領域に接続される複数の外部端子と、
を備える、電子素子。
【請求項２】
前記電子部品に設けられる電極領域と前記配線基板の所定の電極領域とを接続するための接続手段と、
前記電子部品と前記配線基板との間に設けられる接着層と、を備え、
少なくとも前記電極領域と前記接続手段とが樹脂封止される、請求項１に記載の電子素子。
【請求項３】
前記配線基板の所定の電極領域は、前記配線基板の外面側に設けられる、請求項２に記載の電子素子。
【請求項４】
前記配線基板の所定の電極領域は、前記配線基板の内面側に設けられる、請求項２に記載の電子素子。
【請求項５】
前記電子部品を包み込むようにして、前記電子部品の前記電極領域が設けられる側と同一面側に前記配線基板の端部同士の突合部が配置される、請求項１から４のいずれかに記載の電子素子。
【請求項６】
前記電子部品を包み込むようにして、前記電子部品の前記電極領域が設けられる側とは反対面側に前記配線基板の端部同士の突合部が配置される、請求項１から４のいずれかに記載の電子素子。
【請求項７】
前記配線基板と前記外部端子との間に配線層が介在するように設けられる、請求項１から６のいずれかに記載の電子素子。
【請求項８】
前記配線基板の内面側に、所定の電極領域が設けられ、
前記電子部品に設けられる電極領域と前記配線基板の所定の電極領域とが直接接続され、
前記配線基板の内部において、前記電子部品が樹脂封止される、請求項１に記載の電子素子。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の電子素子を用い、前記電子素子のそれぞれの選択された外部端子同士を接続することにより構成される、電子装置。
【請求項１０】
それぞれの選択された前記外部端子同士を直接接続することを特徴とする、請求項９に記載の電子装置。
【請求項１１】
それぞれの選択された前記外部端子同士の間に、導体部材を介在させることを特徴とする、請求項９に記載の電子装置。
【請求項１２】
外表面および内表面にそれぞれ対応する外部電極および内部電極を備える筒状基板の内部に、請求項９から１１のいずれかに記載の電子装置を実装し、前記外部端子を所定の前記内部電極に接続させた状態で、筒状基板の内部に前記電子装置を樹脂封止した構造を備える、電子装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、電子素子およびその電子素子を用いた電子装置に関し、より特定的には、三次元実装が可能な構造を有する電子素子およびその電子素子を用いた電子装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図４５に示すように、従来の電子素子（半導体素子など）２００の外部端子２０１は、プリント基板２１０のような平面的（二次元的）な基板上への配置に適するように、電子素子２００の側面部において同一線上に一列に配置されていることが多い。また、外部端子の他の形態として、電子部品のプリント基板に面する側に、バンプ電極と呼ばれる略球状の電極が、同一平面上に設けられるものがある。
【０００３】
また、図４５に示すように、電子装置（半導体素子が複合的に実装された半導体装置など）３００においては、プリント基板２１０へ電子素子２００を実装する場合、プリント基板２１０の表面において二次元的に配置され、プリント基板２１０の端辺に設けられた外部接続端子２２０により、他の電子デバイスとの接続が行なわれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記電子素子を用いた電子装置の場合、空間が二次元的にしか利用できない平板状の基板を多く使用しているが、最終製品の多彩なデザイン上の制約に基づき、平板状の基板を効率良く配置するための設計上の労力が必要であった。また、時には、最終製品のデザインの変更が要求される場合もあった。
【０００５】
したがって、この発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、最終製品の多彩なデザインに対しても自由に電子装置の配置を可能とする、電子素子の構造およびその電子素子を用いた電子装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するためこの発明に基づいた電子素子においては、電子部品と、柔軟性材料からなり、上記電子部品を取囲むように配置され、その外面側に所定の配線パターンが設けられ、上記電子部品の電極領域と電気的に接続される配線基板と、上記配線基板の外面側に三次元的に配置され、外部と電気接続を行なうため、上記配線パターンの電極領域に接続される複数の外部端子とを備える。なお、上記電子部品としては、半導体チップのような能動素子や、コンデンサ、抵抗等の受動素子を含むものとする。
【０００７】
この構成により、配線基板の外面側に三次元的に外部端子が設けられていることから、電子素子のレイアウトにおいて、従来の二次元的な配置だけでなく、三次元的な配置を実現させることが可能になる。その結果、複数の電子素子からなる電子装置を設計する場合、電子装置の形状を従来の形状よりも自由に決定することが可能になり、電子装置の設計の自由度を大幅に向上させることが可能になる。
【０００８】
また、上記電子素子において、より好ましい状態で実現させるため、以下に示すようような形態が採用される。
【０００９】
たとえば、上記電子素子において好ましくは、上記電子部品に設けられる電極領域と上記配線基板の所定の電極領域とを接続するための接続手段と、上記電子部品と上記配線基板との間に設けられる接着層とを備え、少なくとも上記電極領域と上記接続手段とが樹脂封止される。このように、電極領域と接続手段とが樹脂封止されることにより、外部の他の電気的な端子との短絡、電極領域と接続手段との接続領域における破損が防止され、電子部品の信頼性の向上を図ることが可能になる。
【００１０】
また、上記電子素子において好ましくは、上記配線基板の所定の電極領域は、上記配線基板の外面側、または、内面側に設けられる。
【００１１】
また、上記電子素子において好ましくは、上記電子部品を包み込むようにして、上記電子部品の上記電極領域が設けられる側と同一面側に上記基板の端部同士の突合部が配置される。
【００１２】
また、上記電子素子において好ましくは、上記電子部品を包み込むようにして、上記電子部品の上記電極領域が設けられる側とは反対面側に上記基板の端部同士の突合部が配置される。
【００１３】
また、上記電子素子において好ましくは、上記基板と上記外部端子との間に配線層が介在するように設けられる。
【００１４】
また、上記電子素子において好ましくは、上記配線基板の内面側に、所定の電極領域が設けられ、上記電子部品に設けられる電極領域と上記配線基板の所定の電極領域とが直接接続され、上記配線基板の内部において、上記電子部品が樹脂封止される。
【００１５】
また、本発明に基づく電子装置によれば、上述した電子素子の、それぞれの選択された外部端子同士を接続することにより構成される。この構成により、電子素子が三次元的に配置されることから、複数の電子素子からなる電子装置を設計する場合、電子装置の形状を従来の形状よりも自由に決定することが可能になり、電子装置の設計の自由度を大幅に向上させることが可能になる。また、信号の数を飛躍的に増加させることも可能になる。
【００１６】
また、上記電子装置において好ましくは、それぞれの選択された上記外部端子同士を直接接続することを特徴とする。
【００１７】
また、上記電子装置において好ましくは、それぞれの選択された上記外部端子同士の間に、導体部材を介在させることを特徴とする。
【００１８】
また、上記電子装置において好ましくは、外表面および内表面にそれぞれ対応する外部端子および内部電極を備える筒状基板の内部に、上記電子装置を実装し、上記外部端子を所定の上記内部電極に接続させた状態で、筒状基板の内部に上記電子装置を樹脂封止した構造を備える。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、この発明に基づいた電子素子およびその電子素子を用いた電子装置の構造について、図を参照しながら説明する。
【００２０】
（実施の形態１）
図１から図４を参照して、本実施の形態における電子素子の一例である半導体素子１１１の構造について説明する。なお、図１は、本実施の形態における半導体素子１１１の構造を示す全体斜視図であり、図２は、本実施の形態における半導体素子１１１の内部構造のみを示す斜視図であり、図３は、図１中ＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視断面図であり、図４は、図１中ＩＶ−ＩＶ線矢視断面図である。
【００２１】
（半導体素子１１１の構造）
図１〜図４を参照して、この半導体素子１１１は、内部に電子部品としての半導体チップ１を備える。この半導体チップ１の上面部の長手方向の両側部には、複数の電極領域３が設けられている。
【００２２】
半導体チップ１を取囲むように、柔軟性材料から形成される配線基板２が設けられている。配線基板２の材質としては、ポリイミド、ガラスエポキシ等が挙げられる。
【００２３】
配線基板２は、半導体チップ１を包み込むようにして、半導体チップ１の電極領域３が設けられる側と同一面側に配線基板２の端部同士の突合部２Ａが配置されている。
【００２４】
配線基板２の外面側には、所定の配線パターン（図示省略）が設けられおり、配線基板２の外面側に設けられた電極領域２Ｂと、半導体チップ１に設けられた電極領域３とは、ワイヤ４により電気的に接続されている。配線基板２は、半導体チップ１に対して、接着層５，６を介在して、半導体チップ１に接着固定されている。
【００２５】
電極領域２Ｂ，３、およびワイヤ４を覆うとともに、半導体チップ１と配線基板２との隙間を埋めるように、封止用の封止樹脂７が形成されている。この封止樹脂７により、電極領域２Ｂ，３、およびワイヤ４の外部の他の電気的な端子との短絡、電極領域２Ｂ，３とワイヤ４との接続領域における破損が防止され、半導体素子１１１の信頼性の向上が図られる。
【００２６】
配線基板２の外面側には、その上面、側面、および、底面において三次元的に配置され、外部と電気接続を行なうため、配線パターンの電極領域に接続される複数の外部端子８が設けられている。この外部端子８は金属材料等からなり、略球形形状を有している。
【００２７】
（他の形態）
上記半導体素子１１１と同様の構成からなり、他の外径形状を有する半導体素子として、図５および図６に示す半導体素子１１２、図７および図８に示す半導体素子１１３、図９および図１０に示す半導体素子１１４が挙げられる。
【００２８】
図５、図７、および図９は、いずれも、半導体素子１１２，１１３，１１４の構造を示す全体斜視図であり、図６、図８、および図１０は、いずれも、半導体素子１１２，１１３，１１４の内部構造のみを示す斜視図である。なお、上記半導体素子１１１と同一または相当部分には、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰返さないこととする。
【００２９】
図５および図６に示す半導体素子１１２は以下の構成を備える。半導体チップ１の中央部において横断するように電極領域３が設けられている。配線基板２には、図３に対応する、上面、側面、および底面に外部端子８が設けられている（図４に対応する側面には外部端子８が設けられていない）。
【００３０】
また、図７および図８に示す半導体素子１１３は以下の構成を備える。半導体チップ１の対角線上には、電極領域３が設けられている。配線基板２は、半導体チップ１の四辺に沿って折返すように配置されている。配線基板２の上面、側面、底面のすべての面に外部端子８が設けられている。
【００３１】
また、図９および図１０に示す半導体素子１１４は以下の構成を備える。半導体チップ１の四辺に沿って電極領域３が設けられている。配線基板２にはワイヤ４を通過させるための開口部２Ｃが半導体チップ１の四辺に沿って４箇所に設けられている。配線基板２は、半導体チップ１の四辺に沿って折返すように配置され、配線基板２の上面、側面、底面のすべての面に外部端子８が設けられている。
【００３２】
以上、上記構造からなる半導体素子１１１，１１２，１１３，１１４によれば、配線基板２の外面側に三次元的に外部端子８が設けられていることから、半導体素子のレイアウトにおいて、従来の二次元的な配置だけでなく、三次元的な配置を実現させることが可能になる。その結果、複数の半導体素子からなる電子装置を設計する場合、電子装置の形状を従来の形状よりも自由に決定することが可能になり、電子装置の設計の自由度を大幅に向上させることが可能になる。
【００３３】
なお、外部端子８を設ける位置は、上面、底面、およびいずれかの側面の中から選択的に選ばれる３つの面上に設けられていれば、外部端子８は三次元的に配置されることになり、上述した作用効果を得ることができる。したがって、すべての面上に、必ずしも外部端子８を設ける必要はない。以下に示す、実施の形態においても同様である。
【００３４】
（実施の形態２）
次に、図１１から図１４を参照して、本実施の形態における電子素子の一例である半導体素子１２１の構造について説明する。なお、図１１は、本実施の形態における半導体素子１２１の構造を示す全体斜視図であり、図１２は、本実施の形態における半導体素子１２１の内部構造のみを示す斜視図であり、図１３は、図１１中ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線矢視断面図であり、図１４は、図１１中ＸＩＶ−ＸＩＶ線矢視断面図である。なお、上記半導体素子１１１と同一または相当部分には、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰返さないこととする。
【００３５】
（半導体素子１２１の構造）
図１１〜図１４を参照して、実施の形態１における半導体素子１１１と比較した場合、この半導体素子１２１は、配線基板２の端部同士の突合部２Ａが、半導体チップ１の電極領域３が設けられる側とは反対面側に配置されている点のみが異なる。その他の構成は、実施の形態１における半導体素子１１１と同じである。
【００３６】
（他の形態）
上記半導体素子１２１と同様の構成からなり、他の外径形状を有する半導体素子として、図１５および図１６に示す半導体素子１２２、図１７および図１８に示す半導体素子１２３、図１９および図２０に示す半導体素子１２４が挙げられる。
【００３７】
図１５、図１７、および図１９は、いずれも、半導体素子１２２，１２３，１２４の構造を示す全体斜視図であり、図１６、図１８、および図２０は、いずれも、半導体素子１２２，１２３，１２４の内部構造のみを示す斜視図である。なお、上記半導体素子１２１と同一または相当部分には、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰返さないこととする。
【００３８】
図１５および図１６に示す半導体素子１２２は、半導体チップ１の中央部において横断するように電極領域３が設けられている。また、配線基板２にはワイヤ４を通過させるための開口部２Ｄが半導体チップ１の中央部の対向する位置に設けられている。その他の構成については、配線基板２の端部同士の突合部２Ａが、半導体チップ１の電極領域３が設けられる側とは反対面側に配置されている点を除き、図５に示す半導体素子１１２と同様である。
【００３９】
また、図１７および図１８に示す半導体素子１２３、および図１９および図２０に示す半導体素子１２４についても、配線基板２の端部同士の突合部２Ａが、半導体チップ１の電極領域３が設けられる側とは反対面側に配置されている点を除き、図７に示す半導体素子１１３、および図９に示す半導体素子１１４と同様である。
【００４０】
以上、上記構造からなる半導体素子１２１，１２２，１２３，１２４によっても、配線基板２の外面側に三次元的に外部端子８が設けられていることから、半導体素子のレイアウトにおいて、従来の二次元的な配置だけでなく、三次元的な配置を実現させることが可能になる。その結果、複数の半導体素子からなる電子装置を設計する場合、電子装置の形状を従来の形状よりも自由に決定することが可能になり、電子装置の設計の自由度を大幅に向上させることが可能になる。
【００４１】
（実施の形態３〜７）
ここで、上記実施の形態２の図１９に示される構造の半導体素子１２４の他の形態を、図２１〜図２５を参照して説明する。なお、図２１、図２３、図２５は、いずれも図９中のＸＸＩ−ＸＸＩ線矢視断面に対応する断面図であり、図２２、図２４は、いずれも図１９中のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線矢視断面に対応する断面図である。また、それぞれに示される断面構造は、図９および図１９に示す構造にのみ適用されるものでなく、上述した、実施の形態１における半導体素子１１１，１１２，１１３，１１４、および実施の形態２における半導体素子１２１，１２２，１２３，１２４に適用することが可能である。
【００４２】
（実施の形態３）
まず、図２１を参照して、本実施の形態における半導体素子１３１の構造について説明する。この半導体素子１３１の構造的特徴は、上述した各実施の形態において用いていたワイヤ４に代わり、配線基板２の外面側に直接設けられた配線突起部９を用い、この配線突起部９を半導体チップ１に設けられた電極領域３に接続する構成を採用した点にある。この構成によっても、上記各実施の形態と同様の作用効果を得ることが可能となる。
【００４３】
（実施の形態４）
次に、図２２を参照して、本実施の形態における半導体素子１４１の構造について説明する。この半導体素子１４１の構造的特徴は、上記半導体素子１３１と比較した場合、この半導体素子１４１は、配線基板２の端部同士の突合部２Ａが、半導体チップ１の電極領域３が設けられる側とは反対面側に配置されている点のみが異なる。その他の構成は、実施の形態３における半導体素子１３１と同じである。この構成によっても、上記各実施の形態と同様の作用効果を得ることが可能となる。
【００４４】
（実施の形態５）
次に、図２３を参照して、本実施の形態における半導体素子１５１の構造について説明する。この半導体素子１５１の構造的特徴は、上記半導体素子１３１と比較した場合、配線基板２の電極領域２Ｂが配線基板２の内面側に設けられ、この電極領域２Ｂと、半導体チップ１に設けられた電極領域３とが、導電体バンプ１０により接続されている点にある。この構成によっても、上記各実施の形態と同様の作用効果を得ることが可能となる。
【００４５】
（実施の形態６）
次に、図２４を参照して、本実施の形態における半導体素子１６１の構造について説明する。この半導体素子１６１の構造的特徴は、上記半導体素子１５１と比較した場合、この半導体素子１６１は、配線基板２の端部同士の突合部２Ａが、半導体チップ１の電極領域３が設けられる側とは反対面側に配置されている点のみが異なる。その他の構成は、実施の形態５における半導体素子１５１と同じである。この構成によっても、上記各実施の形態と同様の作用効果を得ることが可能となる。
【００４６】
（実施の形態７）
まず、図２５を参照して、本実施の形態における半導体素子１７１の構造について説明する。この半導体素子１７１の構造的特徴は、上述した各実施の形態における構造において、さらに、配線基板２の外面側に配線総数を増加させるための配線層２Ｅを設けるようにしたものである。この構成によっても、上記各実施の形態と同様の作用効果を得ることが可能となる。なお、配線基板２の端部同士の突合部２Ａが、半導体チップ１の電極領域３が設けられる側とは反対面側に配置される構造であっても、同様の作用効果を得ることが可能である。
【００４７】
（実施の形態８）
上述した実施の形態１〜７は、すべて能動素子としての半導体チップ１を用いた半導体素子に関するものであるが、本実施の形態は、図２６の断面図に示すように、示すコンデンサ、抵抗等の受動素子１１，１２を配線基板２により覆うようにした電子素子１８１に関するものである。その他の構造は、上記実施の形態１〜７の半導体チップ１を受動素子１１，１２に置換えたものと同様である。
【００４８】
この構成によっても、配線基板２の外面側に三次元的に外部端子８が設けられていることから、受動素子のレイアウトにおいて、従来の二次元的な配置だけでなく、三次元的な配置を実現させることが可能になる。その結果、複数の受動素子からなる電子装置を設計する場合、電子装置の形状を従来の形状よりも自由に決定することが可能になり、電子装置の設計の自由度を大幅に向上させることが可能になる。
【００４９】
（実施の形態９〜１１）
上記実施の形態１〜８はすべて、電子素子の構造に関するものであったが、以下に示す実施の形態９〜１１においては、実施の形態１〜８に示す電子素子を用いた電子装置の構造に関するものである。なお、例示として、実施の形態７における半導体素子１７１を用いた場合について説明しているが、この半導体素子１７１に限定されるものでなく、実施の形態１〜６に示す半導体素子１１１，１１２，１１３，１１４，１２１，１２２，１２３，１２４，１３１，１４１，１５１，１６１、および電子素子１８１を適用することも可能である。
【００５０】
（実施の形態９）
本実施の形態における電子装置２０１の構造について、図２７を参照して説明する。なお、図２７は、電子装置２０１の全体構造を示す断面構造図である。この電子装置２０１は、半導体素子１７１に設けられた外部端子８の中から、選択された外部端子８同士を直接接続させて、三次元構造を構築させたものである。
【００５１】
この構成により、半導体素子１７１が三次元的に配置されることから、複数の半導体素子１７１からなる電子装置２０１を設計する場合、電子装置２０１の形状を従来の形状よりも自由に決定することが可能になり、電子装置２０１の設計の自由度を大幅に向上させることが可能になる。また、信号の数を飛躍的に増加させることも可能になる。
【００５２】
（実施の形態１０）
本実施の形態における電子装置２０２の構造について、図２８を参照して説明する。なお、図２８は、電子装置２０２の全体構造を示す断面構造図である。この電子装置２０２は、上記電子装置２０１の構造と比較した場合、外部端子８同士の接続に、導体部材を介在させていることを特徴としている。この導体部材としては、導体片２１を用いたり、受動素子２２を用いることが可能である。以上、本構成においても、上記実施の形態９の場合と同様の作用効果を得ることが可能になる。
【００５３】
（実施の形態１１）
本実施の形態における電子装置２０３の構造について、図２９および図３０を参照して説明する。なお、図２９は、電子装置２０３の内部構造を示す斜視図であり、図３０は、電子装置２０３の外部構造を示す全体斜視図である。この電子装置２０３は、複数の外部電極３１と、複数の内部電極３２を所定位置に備える筒状基板３０の内部に、半導体素子１７１を複数配置し、半導体素子１７１の設けられた外部端子８同士を選択的に接続させて電子装置２０３を構成するようにしたものである。本実施の形態においては、半導体素子１７１を螺旋状に複数配置する場合を図示しているが、螺旋状に限定されず、任意の積層構造からなる三次元構造を適用することが可能である。図３０に示すように、筒状基板３０の内部は、樹脂３２を充填することにより、樹脂封止されている。以上、本構成においても、上記実施の形態９の場合と同様の作用効果を得ることが可能になる。
【００５４】
（実施の形態１２）
次に、上記半導体素子の製造方法について、図７に示す実施の形態１の半導体素子１１３を一例にして、図３１から図３７を参照して説明する。まず、図３１に示すように、帯状配線基板２Ｆを準備し、この帯状配線基板２Ｆに、所定形状の開口部２Ｈを４箇所打ち抜きにより形成し、略四辺形の底面領域２ａ、底面領域２ａの四辺から放射状に延びる略三角形状の折り曲げ領域２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅを形成する。作業性のため、底面領域２ａは、フレーム２Ｋにより帯状配線基板２Ｆに連結された状態とする。次に、予め、底面領域２ａと、折り曲げ領域２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅとの連結部分の外面側側の所定位置に、外部端子８を取付ける。
【００５５】
次に、図３２を参照して、半導体チップ１を接着テープ（接着層）５により底面領域２ａに固定する。また、折り曲げ領域２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅにもそれぞれ接着テープ（接着層）６をあらかじめ貼り付ける。その後、図３３を参照して、折り曲げ領域２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅを、半導体チップ１を包み込むように折り曲げ、折り曲げ領域２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅを半導体チップ１の表面側に固定する。
【００５６】
次に、図３４を参照して、配線基板２の外面側に設けられた電極領域２Ｂと、半導体チップ１に設けられた電極領域３とをワイヤ４により接続する（ワイヤボンディング）。その後、図３５および図３６を参照して、ワイヤ４による電極領域２Ｂと電極領域３との接続領域を覆うとともに、半導体チップ１と配線基板２との間に生じる隙間領域を埋め込むように、樹脂注入装置７０により樹脂７の注入を行なう（樹脂封止）。
【００５７】
次に、図３７を参照して、底面領域２ａおよび折り曲げ領域２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅの外面側の所定位置に、複数の外部端子８を取付ける。その後、帯状配線基板２Ｆのフレーム２Ｋを切断することにより、半導体素子１１３が完成する。
【００５８】
このように、帯状配線基板２Ｆを利用して、半導体素子１１３を形成することにより、半導体チップ１を取囲むように配線基板２を配置し、配線基板２の外面側に外部端子８を取付けることを可能とする。また、量産ラインに適用することも可能であるため、生産性の向上を図ることも可能とする。
【００５９】
（実施の形態１３）
次に、上記半導体素子の製造方法について、図９に示す半導体素子１１４を一例にして、図３８から図４４を参照して説明する。まず、図３８に示すように、帯状配線基板２Ｆを準備し、この帯状配線基板２Ｆに、所定形状の開口部２Ｈを４箇所打ち抜きにより形成し、略四辺形の底面領域２ａ、底面領域２ａの四辺から放射状に延びる折り曲げ領域２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅを形成する。折り曲げ領域２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅには、それぞれ開口部２Ｃが形成されている。なお、作業性のため、底面領域２ａは、フレーム２Ｋにより帯状配線基板２Ｆに連結された状態とする。次に、予め、底面領域２ａと、折り曲げ領域２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅとの連結部分の外面側側の所定位置に、外部端子８を取付ける。
【００６０】
次に、図３９を参照して、半導体チップ１を接着テープ（接着層）５により底面領域２ａに固定する。また、折り曲げ領域２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅにもそれぞれ接着テープ（接着層）６をあらかじめ貼り付ける。なお、接着テープ（接着層）６により開口部２Ｃが覆われないように注意する。その後、図４０を参照して、折り曲げ領域２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅを、半導体チップ１を包み込むように折り曲げ、折り曲げ領域２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅを半導体チップ１の表面側に固定する。
【００６１】
次に、図４１を参照して、開口部２Ｃを貫通するようにワイヤ４を配線し、配線基板２の外面側に設けられた電極領域２Ｂと、半導体チップ１に設けられた電極領域３とをワイヤ４により接続する（ワイヤボンディング）。その後、図４２および図４３を参照して、ワイヤ４による電極領域２Ｂと電極領域３との接続領域が露出する開口部２Ｃを覆うとともに、半導体チップ１と配線基板２との間に生じる隙間領域を埋め込むように、樹脂注入装置７０により樹脂７の注入を行なう（樹脂封止）。
【００６２】
次に、図４４を参照して、底面領域２ａおよび折り曲げ領域２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅの外面側の所定位置に、複数の外部端子８を取付ける。その後、帯状配線基板２Ｆのフレーム２Ｋを切断することにより、半導体素子１１４が完成する。
【００６３】
このように、帯状配線基板２Ｆを利用して、半導体素子１１４を形成することにより、半導体チップ１を取囲むように配線基板２を配置し、配線基板２の外面側に外部端子８を取付けることを可能とする。また、量産ラインに適用することも可能であるため、生産性の向上を図ることも可能とする。
【００６４】
なお、上記実施の形態１２および１３は、実施の形態１において示した半導体素子１１３および１１４の場合について製造方法を示しているが、同様の製造方法を適用することにより、実施の形態２から７に示す半導体素子および実施の形態８に示す電子素子も同様の製造方法を適用することにより製造することが可能である。
【００６５】
したがって、上述した各実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００６６】
【発明の効果】
この発明に基づいた電子素子および電子装置によれば、配線基板の外面側に三次元的に外部端子が設けられていることから、電子素子のレイアウトにおいて、従来の二次元的な配置だけでなく、三次元的な配置を実現させることが可能になる。その結果、複数の電子素子からなる電子装置を設計する場合、電子装置の形状を従来の形状よりも自由に決定することが可能になり、電子装置の設計の自由度を大幅に向上させることが可能になる。その結果、複数の電子素子からなる電子装置を設計する場合、電子装置の形状を従来の形状よりも自由に決定することが可能になり、電子装置の設計の自由度を大幅に向上させることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１における半導体素子の構造を示す全体斜視図である。
【図２】実施の形態１における半導体素子の内部構造のみを示す斜視図である。
【図３】図１中ＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視断面図である。
【図４】図１中ＩＶ−ＩＶ線矢視断面図である。
【図５】実施の形態１における他の外径形状を有する半導体素子の構造を示す全体斜視図である。
【図６】図５に示す半導体素子の内部構造のみを示す斜視図である。
【図７】実施の形態１における他の外径形状を有する半導体素子の構造を示す全体斜視図である。
【図８】図７に示す半導体素子の内部構造のみを示す斜視図である。
【図９】実施の形態１における他の外径形状を有する半導体素子の構造を示す全体斜視図である。
【図１０】図９に示す半導体素子の内部構造のみを示す斜視図である。
【図１１】実施の形態２における半導体素子の構造を示す全体斜視図である。
【図１２】実施の形態２における半導体素子の内部構造のみを示す斜視図である。
【図１３】図１１中ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線矢視断面図である。
【図１４】図１１中ＸＩＶ−ＸＩＶ線矢視断面図である。
【図１５】実施の形態２における他の外径形状を有する半導体素子の構造を示す全体斜視図である。
【図１６】図１５に示す半導体素子の内部構造のみを示す斜視図である。
【図１７】実施の形態２における他の外径形状を有する半導体素子の構造を示す全体斜視図である。
【図１８】図１７に示す半導体素子の内部構造のみを示す斜視図である。
【図１９】実施の形態２における他の外径形状を有する半導体素子の構造を示す全体斜視図である。
【図２０】図１９に示す半導体素子の内部構造のみを示す斜視図である。
【図２１】実施の形態３における半導体素子の構造を示す断面図である。
【図２２】実施の形態４における半導体素子の構造を示す断面図である。
【図２３】実施の形態５における半導体素子の構造を示す断面図である。
【図２４】実施の形態６における半導体素子の構造を示す断面図である。
【図２５】実施の形態７における半導体素子の構造を示す断面図である。
【図２６】実施の形態８における電子素子の構造を示す断面図である。
【図２７】実施の形態９における半導体装置の全体構造を示す断面構造図である。
【図２８】実施の形態１０における半導体装置の全体構造を示す断面構造図である。
【図２９】実施の形態１１における半導体装置の全体構造を示す断面構造図である。
【図３０】実施の形態１１における半導体装置の全体構造を示す斜視図である。
【図３１】実施の形態１２における半導体素子の製造方法を示す第１工程図である。
【図３２】実施の形態１２における半導体素子の製造方法を示す第２工程図である。
【図３３】実施の形態１２における半導体素子の製造方法を示す第３工程図である。
【図３４】実施の形態１２における半導体素子の製造方法を示す第４工程図である。
【図３５】実施の形態１２における半導体素子の製造方法を示す第５工程図である。
【図３６】実施の形態１２における半導体素子の製造方法を示す第６工程図である。
【図３７】実施の形態１２における半導体素子の製造方法を示す第７工程図である。
【図３８】実施の形態１３における他の半導体素子の製造方法を示す第１工程図である。
【図３９】実施の形態１３における他の半導体素子の製造方法を示す第２工程図である。
【図４０】実施の形態１３における他の半導体素子の製造方法を示す第３工程図である。
【図４１】実施の形態１３における他の半導体素子の製造方法を示す第４工程図である。
【図４２】実施の形態１３における他の半導体素子の製造方法を示す第５工程図である。
【図４３】実施の形態１３における他の半導体素子の製造方法を示す第６工程図である。
【図４４】実施の形態１３における他の半導体素子の製造方法を示す第７工程図である。
【図４５】従来の電子素子（半導体装置など）の構造を示す全体斜視図である。
【符号の説明】
１　半導体チップ、２　配線基板、２Ａ　突合部、２Ｂ　電極領域、２Ｄ　開口部、２Ｆ　帯状配線基板、２Ｋ　フレーム、２ａ　底面領域、２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ　折り曲げ領域、３　電極領域、４　ワイヤ、５，６　接着層、７　封止樹脂、８　外部端子、１１，１２　受動素子、３０　筒状基板、３１　外部電極、３２　内部電極、８１　電子素子、２０１，２０２，２０３　電子装置、１１１，１１２，１１３，１１４，１２１，１２２，１２３，１２４，１３１，１４１，１５１，１６１，１７１　半導体素子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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