Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月16日(2012.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
この目的は、請求項１の特徴を備えているオプトエレクトロニクス部品と、請求項１２の特徴を備えている方法とによって、達成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−  放射を放出するように設計されている活性層（１１０）と、主領域（１１１）とを有する、第１の半導体積層体（１０１）と、
−  前記第１の半導体積層体の前記主領域（１１１）の上に配置され、半透過性のミラーを形成している、分離層（１０３）と、
−  放射を放出するように設計されているさらなる活性層（１２０）と、主領域（１２１）とを有し、前記分離層（１０３）に配置されている、第２の半導体積層体（１０２）と、
備え、
前記分離層（１０３）が、導電性材料によって満たされる少なくとも１つの切欠部（１０４）、を備えている、
オプトエレクトロニクス部品（１００）。
【請求項２】
前記第１の半導体積層体（１０１）の前記活性層（１１０）によって放出される前記放射が、前記第２の半導体積層体（１０２）に取り込まれ、前記第１の半導体積層体（１０１）の前記活性層（１１０）によって放出される前記放射と、前記第２の半導体積層体（１０２）の前記活性層（１２０）によって放出される前記放射とが、前記第２の半導体積層体の前記主領域（１２１）から放出される、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項３】
前記第１の半導体積層体の前記活性層（１１０）が、第１の波長範囲の放射を放出するように設計され、前記第２の半導体積層体の前記活性層（１２０）が、第２の波長範囲の放射を放出するように設計されている、
請求項１または２のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項４】
前記分離層（１０３）が、前記第１の波長範囲の放射を透過し、前記第２の波長範囲の放射を反射する、
請求項３に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項５】
前記分離層（１０３）が少なくとも２つの層を備え、前記層が少なくとも２つの異なる屈折率を有する、
請求項１〜４のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項６】
前記分離層（１０３）が誘電体を備えている、
請求項１〜５のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項７】
前記分離層（１０３）が構造化部を有する、
請求項１〜６のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項８】
−  前記主領域（１１１）とは反対側に位置している前記第１の半導体積層体のさらなる主領域（１１３）の上に配置されている、第１のコンタクト要素（１１２）と、
−  前記主領域（１１１）と前記さらなる主領域（１１３）との間に配置されている前記第１の半導体積層体のさらに別の主領域（１１５）の上に配置され、前記第１の半導体積層体の前記活性層（１１０）との電気的接続を前記第１のコンタクト要素（１１２）とともに提供する、第２のコンタクト要素（１１４）と、
をさらに備えている、請求項１〜７のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項９】
−  前記第２の半導体積層体に配置されている第１のコンタクト要素と、
−  前記第２の半導体積層体に配置され、前記第２の半導体積層体の前記活性層との電気的接続を前記第１のコンタクト要素とともに提供する、第２のコンタクト要素と、
をさらに備えている、請求項１〜７のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１０】
前記異なる半導体積層体（１０１，１０２）のそれぞれが個別に駆動可能である、
請求項１〜９のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１１】
前記第２の半導体積層体の前記主領域（１２１，２２１）に配置され、放射の波長の一部分を変換する変換物質（２０４）、
をさらに備えている、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１２】
オプトエレクトロニクス部品を製造する方法であって、
−  第１の基板（５００）を形成するステップと、
−  放射を放出するように設計されている活性層（５０３）を有する第１の半導体積層体（５０１）を、前記第１の基板の上に形成するステップと、
−  前記第１の半導体積層体から前記基板（５００）を除去するステップと、
−  第２の基板（５１０）を形成するステップと、
−  放射を放出するために適している活性層（５１３）を有する第２の半導体積層体（５１１）を、前記第２の基板の上に形成するステップと、
−  前記第２の半導体積層体から前記第２の基板（５１０）を除去するステップと、
−  半透過性のミラーを形成する分離層（５０５）を、前記半導体積層体の少なくとも一方の上に形成するステップと、
−  前記分離層（１０３）の少なくとも１つの切欠部（１０４）を形成するステップと、
−  前記分離層（１０３）の前記切欠部（１０４）を導電性材料によって満たすステップと、
−  前記分離層（５０５）が前記第１の半導体積層体（５０１）と前記第２の半導体積層体（５１１）との間に配置されるように、前記第２の半導体積層体を前記第１の半導体積層体に結合するステップと、
を含んでいる、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月24日(2012.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−  基板（１０）、
−  熱可塑性接着剤層（５）、
−  少なくとも２つの相互接続されたセル（４）、および
−  スーパーストレート、
を含む、一段階過程で積層された集積化光起電力モジュール（１１０）であって、
前記基板（１０）が、少量のエクステンションオイルを含む、可撓性のポリプロピレンまたは熱可塑性の加硫物またはそれらのブレンドをベースとする熱可塑性ポリオレフィンの膜または層を含み、そして前記接着剤層（５）が、ポリオレフィンコポリマーをベースとするタイ層を含むことを特徴とする、上記の集積化光起電力モジュール（１１０）。
【請求項２】
前記熱可塑性の接着層（５）が、同時押出されたタイ−層／熱可塑性ポリオレフィンを含み、その際、該熱可塑性ポリオレフィン層が、可撓性ポリプロピレン、ＬＬＤＰＥ、ＶＬＤＰＥ、ＯＢＣ等またはそれらのブレンドをベースとし、そしてその際、前記タイ−層／熱可塑性ポリオレフィンの熱可塑性ポリオレフィンが、前記基板（１０）の熱可塑性ポリオレフィンの膜または層の少なくとも下層よりも高いＭＦＩおよび／または低い融点を有する、請求項１に記載の集積化光起電力モジュール（１１０）。
【請求項３】
前記相互接続されたセル（４）が、フィルム（３）上に構築されるかまたは該フィルムに転写される、請求項１または２に記載の集積化光起電力モジュール（１１０）。
【請求項４】
前記相互接続されたセル（４）が、透明接着剤層（２）および可撓性フッ素重合体前面シート（１）からなるスーパーストレートによって保護される、請求項３に記載の集積化光起電力モジュール（１１０）。
【請求項５】
前記接着剤層（５）および前記基板（１０）が、同時押出された、または押出積層された複合体（５／１０）である、請求項１、２、３または４に記載の集積化光起電力モジュール（１１０）。
【請求項６】
前記セルの基板（４）の下に、少なくとも５０ｇ／ｍ２、好ましくは少なくとも１００ｇ／ｍ２のハロゲン化難燃剤、好ましくは臭素化難燃剤を含む、請求項１、２、３、４または５に記載の集積化光起電力モジュール（１１０）。
【請求項７】
前記接着剤層（５）が、少なくとも５０ｇ／ｍ２、好ましくは少なくとも１００ｇ／ｍ２のハロゲン化難燃剤、好ましくは臭素化難燃剤を含むタイ−層／熱可塑性ポリオレフィンである、請求項６に記載の集積化光起電力モジュール（１１０）。
【請求項８】
前記ＰＶセル（４）の上の前記接着剤層（２）が、透明なタイ−層／熱可塑性ポリオレフィン／タイ−層の接着剤であることを特徴とする、請求項１から７のいずれか一つに記載の集積化光起電力モジュール（１１０）。
【請求項９】
ダブルベルトプレス機中で製造された、請求項１から８のいずれか一つに記載の集積化光起電力モジュール（１１０）。
【請求項１０】
封止された端部（６）を有する、請求項１から９のいずれか一つに記載の集積化光起電力モジュール（１１０）。
【請求項１１】
熱可塑性ポリオレフィンコア層が酸捕捉剤を含む、請求項１から１０のいずれか一つに記載の集積化光起電力モジュール（１１０）。
【請求項１２】
少なくとも一つのタイ−層が、積層化の間にかつその場で、隣接する層からの移動によって、ＨＡＬＳおよび／またはＵＶ吸収剤および／または酸捕捉剤を含む、請求項１から１１のいずれか一つに記載の集積化光起電力モジュール（１１０）。
【請求項１３】
前記防水膜（１０）が、前記端部（６）の安定性を向上させるために、移動するＵＶ吸収剤および移動するＨＡＬＳを含む、請求項１から１２のいずれか一つに記載の集積化光起電力モジュール。
【請求項１４】
前記基板（１０）がガラス強化プラスチックシートを含み、その際前記相互接続されたセル（４）が、透明接着剤層（２）および可撓性前面シート（１）からなるスーパーストレートによって保護される、請求項１または２に記載の集積化光起電力モジュール。
【請求項１５】
前記接着剤層（５）が、少なくとも５０ｇ／ｍ２、好ましくは少なくとも１００ｇ／ｍ２のハロゲン化難燃剤、好ましくは臭素化難燃剤を含むタイ−層／熱可塑性ポリオレフィンである、請求項１４に記載の集積化光起電力モジュール。
【請求項１６】
フィルム、特に内部層に接着促進剤（シラン、…）が添加される、および／またはシラン架橋剤または過酸化物架橋剤が添加されるか、または他の架橋技術（ガンマ線、Ｘ−線、ＥＢＣ、ＵＶ光、太陽光、…）ならびに適合した架橋剤および開始剤が使用される、請求項１から１５のいずれか一つに記載の集積化光起電力モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月12日(2011.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ（１）と、該半導体チップの外部に配置された外部共振器鏡（９）とが設けられており、
前記半導体チップが、基板（２）と、該基板上に被着されたＤＢＲ鏡（３）と、該ＤＢＲ鏡上に被着された、光形成用の活性層（５）を含むエピタキシ層列（４）とを備えている、
面発光型半導体レーザーにおいて、
前記ＤＢＲ鏡および前記基板は前記活性層から放出される光（６）に対して部分的に透過性を有しており、
前記基板のうち前記ＤＢＲ鏡から遠い側の後面（１４）は前記活性層から放出される光に対して反射性を有しており、
前記基板の反射性後面に高反射性層（７）が設けられており、該高反射性層を備えた前記基板の反射性後面の反射率は３０％より大きく、
前記ＤＢＲ鏡は前記活性層から放出された光に対して０．１％より大きい透過率を有する
ことを特徴とする面発光型半導体レーザー。
【請求項２】
前記ＤＢＲ鏡および前記基板の反射性後面によって形成されるキャビティは前記活性層から放出される光の波長に反共振性を有する、請求項１記載の面発光型半導体レーザー。
【請求項３】
前記高反射性層は金属または金属合金を含む、請求項１または２記載の面発光型半導体レーザー。
【請求項４】
前記ＤＢＲ鏡および前記基板の反射性後面によって形成される前記キャビティは９９．９％より大きい反射率を有する、請求項１から３までのいずれか１項記載の面発光型半導体レーザー。
【請求項５】
前記外部共振器鏡に唯一のエタロン（１３）が含まれている、請求項１から４までのいずれか１項記載の面発光型半導体レーザー。
【請求項６】
前記エタロンはコーティングされていないエタロンである、請求項５記載の面発光型半導体レーザー。
【請求項７】
前記エタロンはコーティングされていないガラスプレートである、請求項６記載の面発光型半導体レーザー。
【請求項８】
前記基板はＧａＡｓ，ＩｎＰ，ＳｉＣまたはサファイアを含む、請求項１から７までのいずれか１項記載の面発光型半導体レーザー。
【請求項９】
当該の面発光型半導体レーザーは光ポンピング半導体レーザーである、請求項１から８までのいずれか１項記載の面発光型半導体レーザー。
【請求項１０】
当該の面発光型半導体レーザーは前記半導体チップの外部に配置されたポンピング光源（１０）を有する、請求項９記載の面発光型半導体レーザー。
【請求項１１】
当該の面発光型半導体レーザーは前記エピタキシ層列にモノリシックに組み込まれたポンピングレーザー（１５）を有する、請求項９記載の面発光型半導体レーザー。
【請求項１２】
当該の面発光型半導体レーザーは前記活性層から放出された光の周波数を変換する周波数変換素子（１２）を有する、請求項１から１１までのいずれか１項記載の面発光型半導体レーザー。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月13日(2011.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射を検出するためにそれぞれ設けられている第１の活性領域（２１０）および第２の活性領域（２２０）を備えている半導体ボディ（２）を有し、
−  前記第１の活性領域（２１０）および前記第２の活性領域（２２０）が一垂直方向に互いに隔てられ、
−  垂直方向に前記第１の活性領域（２１０）と前記第２の活性領域（２２０）との間に、相互に異なる導電型を有する２つのトンネル層（２４１，２４２）を備えたトンネル領域（２４）が配置され、
−  前記トンネル領域（２４）がランド（３１）に導電接続され、
−  前記ランド（３１）が、前記半導体ボディ（２）に外部から電気的に接触するために、前記第１の活性領域（２１０）と前記第２の活性領域（２２０）との間に設けられている、
放射受光器（１）。
【請求項２】
前記半導体ボディ（２）が、前記第１の活性領域（２１０）とは反対の、前記第２の活性領域（２２０）の側に、第３の活性領域（２３０）を備え、
さらなるトンネル領域（２５）が、前記第２の活性領域（２２０）と前記第３の活性領域（２３０）との間に配置され、さらなるランド（３２）に導電接続されている、
請求項１に記載の放射受光器。
【請求項３】
前記放射受光器が積み重ねられたダイオードの構造を有し、前記ダイオードの極性が放射主方向に対してそれぞれ同様である、
請求項１または２に記載の放射受光器。
【請求項４】
前記半導体ボディ（２）の放射入射主面（１０）が階段状構造であり、この放射入射主面が前記半導体ボディ（２）を垂直方向で制限し、
前記放射入射主面（１０）の１つの階段面（１１，１２，１３）が活性領域（２１０，２２０，２３０）のそれぞれに関連付けられ、
階段面（１１，１２，１３）のそれぞれが、隣接する２つの活性領域（２１０，２２０，２３０）の間に形成されている、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射受光器。
【請求項５】
上から見たときに、少なくとも２つの階段面（１１，１２，１３）が二次元的に横に並んで配置されている、
請求項４に記載の放射受光器。
【請求項６】
上から見たときに、少なくとも２つの階段面（１１，１２，１３）が部分的に互いに交わっている、
請求項４に記載の放射受光器。
【請求項７】
前記第１の活性領域（２１０）が、放射入射主方向において前記第２の活性領域（２２０）の上流に配置され、
前記第１の活性領域（２１０）に関連付けられている前記第１の階段面（１１）が連続的な構造である、
請求項１〜６のいずれか１項に記載の放射受光器。
【請求項８】
前記活性領域（２１０，２２０，２３０）のそれぞれが、ピーク波長にて最大の検出値を呈し、
前記ピーク波長が互いに隔てられ、
前記ピーク波長が前記放射入射主方向に高くなっている、
請求項１〜７のいずれか１項に記載の放射受光器。
【請求項９】
前記活性領域（２１０，２２０，２３０）のそれぞれが、ピーク波長にて最大の検出値を備え、
前記ピーク波長が互いに隔てられ、
少なくとも１つの活性領域（２１０，２２０，２３０）が、前記放射入射主方向において上流に配置されている活性領域（２１０，２２０，２３０）よりも低いピーク波長を有する、
請求項１〜７のいずれか１項に記載の放射受光器。
【請求項１０】
前記活性領域（２１０，２２０，２３０）の少なくとも１つの上流に受動領域（２１３，２２３，２３３）が配置され、
前記受動領域が、その活性領域（２１０，２２０，２３０）に関連付けられている検出スペクトル範囲の短波エッジ部を形成するために設けられている、
請求項１〜９のいずれか１項に記載の放射受光器。
【請求項１１】
前記活性領域（２１０，２２０，２３０）の少なくとも１つがＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料を含んでいる、
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の放射受光器。
【請求項１２】
カラーセンサ（５）における動作のために設けられ、
前記カラーセンサ（５）が複数のカラーチャネルを備えている、
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の放射受光器。
【請求項１３】
放射受光器（１）を製造する方法であって、
（ａ）第１の活性領域（２１０）および第２の活性領域（２２０）を備えている半導体ボディ（２）であって、前記活性領域（２１０，２２０）のそれぞれが、放射を検出するために設けられ、前記第１の活性領域（２１０）と前記第２の活性領域（２２０）との間に、相互に異なる導電型を有する２つのトンネル層（２４１，２４２）を備えたトンネル領域（２４）が配置されている、半導体ボディ（２）を形成するステップと、
（ｂ）前記第１の活性領域（２１０）を部分的に除去し、前記トンネル領域（２４）を露出させるステップと、
（ｃ）前記トンネル領域（２４）の上にランドを形成するステップと、
を含んでいる、方法。
【請求項１４】
前記半導体ボディ（２）が成長基板（２０）の上にエピタキシャルに形成する、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の放射受光器（１）が製造される、
請求項１３または１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月6日(2012.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセスパラメータの関数であるプロセス信号を生成するためのセンサと、
前記プロセス信号がその中でデジタル的に補償される第１の信号経路と、
前記プロセス信号の遅延が前記第１の信号経路よりも少ない第２の信号経路と、
前記第１の信号経路および前記第２の信号経路から受信された信号の関数として、トランスミッタ出力を生成するための出力回路と、を備えるプロセストランスミッタ。
【請求項２】
前記出力回路が、前記第１の信号経路および前記第２の信号経路から前記信号を送信する、請求項１に記載されるプロセストランスミッタ。
【請求項３】
前記第２の信号経路がバンドパスフィルタを含む、請求項１に記載されるプロセストランスミッタ。
【請求項４】
前記バンドパスフィルタのパラメータが、トランスミッタレンジダウンファクタの関数として制御され、好適には、トランスミッタレンジダウンファクタの関数として制御された前記バンドパスフィルタの前記パラメータが、スケーリングパラメータである、請求項３に記載されるプロセストランスミッタ。
【請求項５】
前記バンドパスフィルタのパラメータが、ユーザ選択可能なダンピングの関数として制御される、請求項１に記載されるプロセストランスミッタ。
【請求項６】
前記第２の信号経路が、前記センサと前記出力回路との間に選択可能に接続できる、請求項１に記載されるプロセストランスミッタ。
【請求項７】
前記プロセス信号をアナログからデジタルに変換するためのアナログ−デジタルコンバータをさらに備える、請求項１に記載されるプロセストランスミッタ。
【請求項８】
前記第１および第２の信号経路が、前記アナログ−デジタルコンバータと前記出力回路との間に接続され、
好適には、前記第１の信号経路が、デジタルローパスフィルタおよびデジタルプロセッサを含み
さらに好適には、前記デジタルプロセッサが、周囲温度、線形性およびライン圧力のうち少なくとも１つについて前記プロセス信号を補償し、前記プロセス信号をスケーリングする、請求項７に記載されるプロセストランスミッタ。
【請求項９】
前記プロセス信号をデジタル化するためのアナログ−デジタルコンバータと、
前記デジタル化されたプロセス信号をデジタル的に補償するための、前記第１の信号経路としてのデジタルプロセッサと、
前記アナログ−デジタルコンバータからの前記デジタル化されたプロセス信号をフィルタリングするための、前記第２の信号経路としてのバンドパスフィルタと、
を備える請求項１に記載されるプロセストランスミッタ。
【請求項１０】
前記出力回路が、前記デジタル的に補償されたプロセス信号と前記フィルタリングされたプロセス信号とを合計する、請求項９に記載されるプロセストランスミッタ。
【請求項１１】
前記出力回路が、前記トランスミッタ出力としてアナログ出力信号を生成する、請求項９に記載されるプロセストランスミッタ。
【請求項１２】
前記デジタルプロセッサが、前記バンドパスフィルタの１つまたは複数のパラメータを制御する、請求項９に記載されるプロセストランスミッタ。
【請求項１３】
前記デジタルプロセッサが、トランスミッタレンジダウンファクタの関数として前記バンドパスフィルタのスケーリングパラメータを制御するか、あるいは、
ユーザ選択可能なダンピングの関数として前記バンドパスフィルタのパラメータを制御する、請求項１２に記載されるプロセストランスミッタ。
【請求項１４】
前記デジタルプロセッサが、前記バンドパスフィルリングされたプロセス信号が前記出力回路に供給されるかどうかを制御する、請求項９に記載されるプロセストランスミッタ。
【請求項１５】
前記アナログ−デジタルコンバータと前記デジタルプロセッサとの間に接続されるデシメーティングデジタルローパスフィルタをさらに備える、請求項９に記載されるプロセストランスミッタ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月3日(2012.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図２に示される態様例において、オープンモード210で動作するセキュアステートマシン200は、セキュアエントリーモード220 (遷移202を介して)にのみ遷移してもよい。オープンモード210からセキュアモード230への直接経路はない。
オープンモード210からセキュアエントリーモード220への遷移は、プロセッサの実行の対象がファームウェア170内の認証ソフトウェアに向けられた場合にトリガーされてもよい。いくつかの態様では、プログラムカウンター122を認証ソフトウェアの第一アドレスへ向けることにより、プロセッサの実行をファームウェア170に向けてもよい。いくつかの態様では、ノンマスカブル割り込み（NMI）もまたアクティブであることが要求される。セキュアエントリーモード220への遷移は、例えば、コード実行、ユーザー入力、または他の任意の適切な手段によりトリガーされてもよい。
セキュアエントリーモード220において、ファームウェア170内の認証ソフトウェアは、CPU110により実行されてもよい。認証ソフトウェアは、セキュアステートマシンが遷移204に従ってセキュアモード230に移行するか、または遷移203に従ってオープンモードに戻るかを決定してもよい。いくつかの態様では、認証ソフトウェアは、決定を行うためのセキュアエントリーサービスルーチン（SESR）を含んでもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
ステップ412において、ステップ408で作成されたハッシュ値、およびステップ410でデジタル署名を復号することにより決定されたハッシュ値が比較されてもよい。復号されたハッシュが、計算されたハッシュと一致する場合に、署名が有効でメッセージが無傷であるとしてもよい。
ステップ414において、一度署名の検証が成功すると、セキュアステートマシン200は、セキュアエントリーモード230に入ってもよい。セキュアモード230に入ると、プライベートメモリ150へのアクセスは選択的に有効にしてもよい。いくつかの態様では、セキュアモード230においてプライベートメモリ150へアクセス可能かどうかの決定は、レジストリフィールドまたは任意の他の適切な指標に基づいて利用可能であってもよい。また、セキュアモード230へ入ると、エミュレーション命令（例えば、プライベートのJTAG命令）の実行は、選択的に無効にしてもよい。いくつかの態様では、セキュアモード230においてエミュレーション命令が実行されるかどうかの決定は、レジストリフィールドまたは任意の他の適切な指標に基づいて行われてもよい。いくつかの態様では、認証されたメッセージは、CPU110において実行可能なコードであってよい。いくつかの態様では、認証されたコードは、セキュアモード230において実行可能であってもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
いくつかの態様では、エミュレーション制御モジュール750は、例えば、デバッグポート134により受信されるエミュレーション命令が、実行されるかどうかを決定する。エミュレーション制御モジュール750は、システムスイッチレジスタ124内のEMUDABLフィールド641およびEMUOVRフィールド642を介して実行されてもよい。いくつかの態様では、エミュレーション命令は、JTAGエミュレーション命令であってもよい。
セキュアアクセスモジュールが、メッセージおよびデジタル署名の組が本物でないことを決定、または任意の人物（例えば、割り込みを実行するために）のために認証プロセスを中止する場合、動作モジュール705は、セキュアエントリーモード220からオープンモード210へスイッチしてもよい。いくつかの態様では、セキュアアクセスモジュール725は、認証プロセスが失敗した場合、AFVALID、状態レジスタ128のフィールド683をクリアする。クリアされたAFVALIDは、動作モジュール705に対して、オープンモード210へ戻ることを示してもよい。
セキュアアクセスモジュール725、ハッシュモジュール730および復号モジュール735は、ファームウェア740の一部であってもよい。いくつかの態様では、ファームウェア740は、これらのモジュールと共に改ざんを防止するリードオンリーメモリ（ROM）である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
【表１−２】
2011511383.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
【表１−５】
2011511383.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月16日(2012.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像強調出力プロダクトを生成する方法であって：
複数の画像が供給される有形表面を有する画像強調可能プロダクトを識別するステップ；
少なくとも、ウィンドウ形状と、前記有形表面に対してウィンドウ領域の位置を規定する位置情報とにより規定される各々のウィンドウを用いて、画像が画像受け入れ媒体にプリントされるようになっている複数のウィンドウ領域を規定するプリンティングマップを決定するステップ；
前記画像強調可能プロダクト及び前記プリンティングマップに基づいて、前記画像強調プロダクトについて少なくとも１つの所望の視覚的影響特徴を自動的に決定するステップ；
前記画像プロダクトで用いるために利用可能である複数のディジタル画像の選択を受け入れるステップ；
前記画像強調プロダクトについての前記決定された視覚的影響特徴に基づいて、前記画像強調プロダクトに含まれる前記複数のディジタル画像の少なくとも１つの画像を処理するための少なくとも１つの画像処理方法を自動的に選択するステップ；
前記自動的に選択された画像処理方法に従って前記複数のディジタル画像の少なくとも１つの画像を自動的に処理するステップ；並びに
前記画像強調出力プロダクトを生成するのに用いられる形態の前記プリンティングマップに従った前記有形表面に、前記自動的に処理された画像を含む前記複数のディジタル画像の少なくとも一部を供給するステップ；
を有する方法。
【請求項２】
画像強調出力プロダクトで用いる画像を生成する画像処理システムを動作させる方法であって：
画像強調可能プロダクトと関連付けられる有形表面を有する画像強調可能プロダクトを識別するステップ；
画像が前記有形表面にプリントされるようになっている複数のウィンドウ領域を規定するプリンティングマップを規定するステップ；
前記画像強調可能プロダクトの外観及び前記プリンティングマップに基づいて、所望の視覚的影響特徴を決定するステップ；
前記画像強調可能プロダクトの形成で用いる複数のディジタル画像の選択についての選択を受け入れるステップ；
前記決定された視覚的影響特徴に基づいて画像処理方法を選択するステップ；
前記選択された画像処理方法に従って前記複数のディジタル画像の少なくとも１つの画像を自動的に処理するステップ；並びに
前記プリンティングマップに従って前記有形表面に、前記自動的に処理された画像を含む、前記複数のディジタル画像の少なくとも一部を供給するステップ；
を有する方法。
【請求項３】
画像強調出力プロダクトを生成するシステムであって：
画像が得られるコンテンツデータファイルソース；
複数の画像が供給される有形表面を有する画像強調可能プロダクトを識別するユーザ入力アクションを検知し、前記画像強調可能出力プロダクトで用いるために利用可能である複数のディジタル画像の選択を受け入れるように設定されたユーザ入力システム；並びに
少なくとも、ウィンドウ形状と、前記有形表面に対するウィンドウ領域の位置を決定する位置情報と、により規定される各々のウィンドウを用いて画像受け入れ媒体に画像をプリントするようになっている複数のウィンドウ領域を規定するプリンティングマップを決定して、前記画像強調可能プロダクトの外観及び前記プリンティングマップに基づいて、前記画像強調プロダクトについて少なくとも１つの所望の視覚的影響特徴を自動的に決定するように、前記画像強調プロダクトについて前記決定された視覚的影響特徴に基づいて前記画像強調プロダクトに含まれる前記複数のディジタル画像の少なくとも１つのディジタル画像を処理する少なくとも１つの画像処理方法を選択して、前記自動的に選択された画像処理方法に従って前記複数のディジタル画像の少なくとも１つのディジタル画像を自動的に処理するように設定されたプロセッサであって、該プロセッサは更に、前記画像強調出力プロダクトを生成するように用いられる形態の前記プリンティングマップに従って前記有形表面に前記自動的に処理された画像を有する、前記複数のディジタル画像の少なくとも一部を出力システムが供給するように設定されている、プロセッサ；
を有するシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月17日(2012.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像と、その画像と関連する位置情報とから前記画像の環境を認識する方法であって、
（ａ）前記画像とそれに関連する位置情報とを取得する段階と、
（ｂ）前記位置情報を用いて前記位置情報に関連する空間像を取得する段階と、
（ｃ）前記関連する空間像から前記画像の環境を特定する段階と、
（ｄ）後で使用するために前記画像と関連付けて前記画像の環境を記憶する段階とを有する方法。
【請求項２】
画像と、その画像と関連する位置情報とから前記画像の環境を認識するシステムであって、
（ａ）前記画像とそれに関連する位置情報とをメモリに格納する手段と、
（ｂ）空間像サーバと通信し、前記位置情報を用いて前記位置情報に関連する空間像を取得する手段と、
（ｃ）取得した空間像に応じて、分類子を用いて、取得した空間像から前記画像の環境を特定するインデックスサーバと、
（ｄ）後で使用するために前記画像と関連付けて前記画像の環境を記憶する手段とを有するシステム。
【請求項３】
画像と、その画像と関連する位置情報とから前記画像の環境を認識する方法であって、
（ａ）前記画像とそれに関連する位置情報とを取得する段階と、
（ｂ）前記位置情報を用いて前記位置情報に関連する空間像を取得する段階と、
（ｃ）異なる環境の特徴を特定する少なくとも１つの分類子を提供して、取得した空間像から前記画像の環境を特定する段階と、
（ｄ）後で使用するために前記画像と関連付けて前記画像の環境を記憶する段階とを有する方法。
【請求項４】
前記環境には、野球場、フットボール場、テニスコート、ゴルフコース、居住エリア、商業施設、学校、ショッピングモール、遊び場、公園、海岸、森林、またはテーマパークを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項５】
格納された前記画像の環境から、前記画像に関連するイベントまたはアクティビティの潜在的な性質に関する推論を行う段階と、
前記イベントの画像を検索する段階とをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月27日(2012.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンソールと使用されるコピー防止機能付き記録媒体であって、
前記コンソールで実行可能なアプリケーションの少なくとも１部を記憶するデータ記憶領域と、
前記コンソールのインタフェースを介して前記データ記憶領域から読取られたアプリケーションデータを前記コンソールに送出し、前記コンソールのインタフェースからアプリケーションのパラメータデータを受信するインタフェースとを有し、
当該記録媒体は、
暗号化ユニットから受信された暗号化されたアプリケーションのパラメータデータを記憶するメモリと、
前記インタフェースからアプリケーションのパラメータデータを受信し、受信されたアプリケーションのパラメータデータを暗号化し、前記暗号化されたアプリケーションのパラメータデータを前記メモリに記憶する前記暗号化ユニットとを更に有し、
前記インタフェースは、前記メモリから暗号化されたアプリケーションのパラメータデータを読取り、前記コンソールの前記インタフェースを介して、読取られた暗号化されたアプリケーションのパラメータデータを前記コンソールで実行されるアプリケーションに伝達する、
ことを特徴とするコピー防止機能付き記録媒体。
【請求項２】
コンソールと使用されるコピー防止機能付き記録媒体であって、
前記コンソールで実行可能なアプリケーションの少なくとも１部を記憶するデータ記憶領域と、
前記コンソールのインタフェースを介して前記データ記憶領域から読取られたアプリケーションデータを前記コンソールに送出し、前記コンソールのインタフェースから暗号化されたアプリケーションのパラメータデータを受信するインタフェースと、
当該記録媒体は、
復号ユニットから受信されたアプリケーションのパラメータデータを記憶するメモリと、
前記インタフェースから暗号化されたアプリケーションのパラメータデータを受信し、受信された暗号化されたアプリケーションのパラメータデータを復号し、復号されたアプリケーションのパラメータデータを前記メモリに記憶する前記復号ユニットとを更に有し、
前記インタフェースは、前記メモリからアプリケーションのパラメータデータを読取り、読み取られたアプリケーションのパラメータデータを前記コンソールで実行されるアプリケーションに伝達する、
ことを特徴とするコピー防止機能付き記録媒体。
【請求項３】
コンソールと使用されるコピー防止機能付き記録媒体であって、
前記コンソールで実行可能なアプリケーションの少なくとも１部を記憶するデータ記憶領域と、
前記コンソールのインタフェースを介して前記データ記憶領域から読取られたアプリケーションデータを前記コンソールに送出し、前記コンソールのインタフェースを介して前記コンソールで実行されるアプリケーションからアプリケーションのパラメータデータを受信し、受信されたアプリケーションのパラメータデータをメモリに記憶するインタフェースとを有し、前記メモリは、前記コンソールで実行されるアプリケーションから前記インタフェースにより受信されたアプリケーションのパラメータデータを記憶し、
当該記録媒体は、
前記メモリからアプリケーションのパラメータデータを受信し、受信されたアプリケーションのパラメータデータを暗号化し、暗号化されたアプリケーションのパラメータデータを前記インタフェースに送出する暗号化ユニットを更に有し、
前記インタフェースは、前記コンソールのインタフェースを介して前記暗号化されたアプリケーションのパラメータデータを前記コンソールで実行されるアプリケーションに送出する、
ことを特徴とするコピー防止機能付き記録媒体。
【請求項４】
コンソールと使用されるコピー防止機能付き記録媒体であって、
前記コンソールで実行可能なアプリケーションの少なくとも１部を記憶するデータ記憶領域と、
前記コンソールのインタフェースを介して前記データ記憶領域から読取られたアプリケーションデータを前記コンソールに送出し、前記コンソールのインタフェースを介して前記コンソールで実行されるアプリケーションから暗号化されたアプリケーションのパラメータを受信し、受信された暗号化されたアプリケーションのパラメータデータをメモリに記憶するインタフェースとを有し、前記メモリは、前記コンソールで実行されるアプリケーションから前記インタフェースにより受信された暗号化されたアプリケーションのパラメータデータを記憶し、
当該記録媒体は、
前記メモリから暗号化されたアプリケーションのパラメータデータを受信し、受信された暗号化されたアプリケーションのパラメータデータを復号し、復号されたアプリケーションのパラメータデータを前記インタフェースに送出する復号ユニットを更に有し、
前記インタフェースは、前記コンソールのインタフェースを介して前記コンソールで実行されるアプリケーションに前記アプリケーションのパラメータデータを送出する、
ことを特徴とするコピー防止機能付き記録媒体。
【請求項５】
当該記録媒体はカートリッジであり、前記データ記憶領域はメモリである、
請求項１又は２記載の記録媒体。
【請求項６】
当該記録媒体は、前記データ記憶領域を実施する光記憶媒体であり、前記光記憶媒体には、前記インタフェース、前記メモリ及び前記暗号化回路を実現するRFID（Radio  Frequency  Identification）回路が設けられる、
請求項１又は２記載の記録媒体。
【請求項７】
前記データを暗号化するために使用されるアルゴリズムは、非対称暗号化に基づく、
請求項１又は２記載の記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月5日(2011.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のマイクロリフレクタがランダムに分布される少なくとも一層の透明層を含むセキュリティエレメントであって、
少なくとも所定数のマイクロリフレクタは、透明層の表面インプット平行ではない少なくとも一つの反射表面を有することを特徴とする
セキュリティエレメント。
【請求項２】
請求項１に記載のセキュリティエレメントによって、目的物を認証する及び／又は識別するプロセスであって、
（Ａ）少なくとも所定数のマイクロリフレクタに対して、電磁波放射のソース、反射表面、及び少なくとも一つの電磁波放射検出器を含む構成が反射の法則に従うように、電磁波放射のソース及び少なくとも一つの電磁波放射検出器に関連させて、セキュリティエレメントを配置するステップと、
（Ｂ）セキュリティエレメントの少なくとも一部分を電磁波放射で照射するステップと、
（Ｃ）マイクロリフレクタから反射された放射を検出するステップと、
（Ｄ）異なる部位のマイクロリフレクタに対して反射の法則が満たされるように、放射のソース及び／又は少なくとも一つの検出器に対する、セキュリティエレメントの相対的位置を選択的に変更するステップと、
（Ｅ）十分な数の反射マイクロリフレクタが検出されるまで、ステップ（Ｂ）と（Ｃ）、必要であればステップ（Ｄ）と（Ｅ）を選択的に繰り返すステップと、
（Ｆ）相対的位置の関数として検出される反射パターンを少なくとも一つのターゲットパターンと比較するステップと、
（Ｇ）ステップ（Ｆ）で実行された比較の結果に依存して、目的物の認証及び／又は識別に関するメッセージを発するステップと
を含むプロセス。
【請求項３】
請求項１に記載のセキュリティエレメントにより目的物を識別する及び／又は認証する装置であって、
少なくとも一つの電磁波放射のソースと、
電磁波放射の検出器と、
目的物を受けるキャリアと、
コントロールユニットと、
メッセージがユーザに伝えられるアウトプットと
を含む装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月2日(2012.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オンライン代価交換取引を容易にする方法であって、
参加者からオンライン代価交換コンピュータによって代価交換の条件を受信するステップと、
前記コンピュータによって、前記代価交換の条件に基づくリンクを生成するステップと、
前記コンピュータによって、サービス・プロバイダにより前記参加者へ表示するためのリンクであって、交換ファシリテータとアフィリエイト設定され、かつ前記サービス・プロバイダとアフィリエイト設定されないリンクを供給するステップと、
前記コンピュータによって、前記サービス・プロバイダのユーザによる前記リンクの選択に応じて、前記リンクに基づく前記代価交換の条件を決定し、前記ユーザが前記交換ファシリテータのオンライン・インタフェースに向け直されるステップと、
前記コンピュータによって、前記インタフェースを介して、前記ユーザの支払方法に関する情報を受信するステップと、
前記コンピュータによって、前記ユーザに１つまたは複数の前記代価交換の条件の承諾を要求するステップと、
前記コンピュータによって、前記ユーザから交渉条件を受信するステップと、
前記コンピュータによって、前記参加者に前記交渉条件を通知するステップと、
前記コンピュータによって、前記参加者から前記交渉条件の承諾を受信し、
前記コンピュータによって、前記支払方法に基づいて、前記ユーザにより承諾された前記ユーザから前記参加者への前記１つまたは複数の前記代価交換の条件の少なくとも１つ及び前記交渉条件に従って、電子転送を実行するステップと、
を包含する方法。
【請求項２】
前記加入者はオンライン小売業者である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記代価交換の前記１つまたは複数の条件は価格条件を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
さらに、前記代価交換の前記１つまたは複数の条件に関係する交渉機能を提供するステップを包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
さらに、前記ユーザが前記交換ファシリテータの参加者か否かを決定するステップを包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
さらに、前記ユーザが前記交換ファシリテータの参加者でないとの決定し、前記ユーザに関する追加の情報を獲得するステップを包含する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
追加の情報を獲得するステップは、銀行口座情報の獲得を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
追加の情報を獲得するステップは、前記交換ファシリテータへ前記ユーザを加入させることを包含する請求項６に記載の方法。
【請求項９】
電子転送を実行するステップは、前記ユーザから前記参加者への財務の転送を包含する請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記リンクは、前記ユーザに対する表示のために前記参加者によって選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
オンライン代価交換取引を容易にするためのシステムであって、
メモリと通信するネットワーク・インタフェースを有し、
前記メモリは、代価交換促進プロセッサと通信し、
前記プロセッサは、コンピュータプログラムを実行するとき、以下を含むオペレーションを実行し、
前記プロセッサによって、前記参加者から代価交換の条件を受信し、
前記プロセッサによって、前記代価交換の条件に基づくリンクを生成し、
前記プロセッサによって、サービス・プロバイダにより前記参加者へ表示するためのリンクであって、交換ファシリテータとアフィリエイト設定され、かつ前記サービス・プロバイダとアフィリエイト設定されないリンクを供給し、
前記プロセッサによって、前記サービス・プロバイダのユーザによる前記リンクの選択に応じて、前記リンクに基づく前記代価交換の条件を決定し、前記ユーザが前記交換ファシリテータのオンライン・インタフェースに向け直され、
前記プロセッサによって、前記インタフェースを介して、前記ユーザの支払方法に関する情報を受信し、
前記プロセッサによって、前記ユーザに１つまたは複数の前記代価交換の条件の承諾を要求し、
前記プロセッサによって、前記ユーザから交渉条件を受信し、
前記プロセッサによって、前記参加者に前記交渉条件を通知し、
前記プロセッサによって、前記参加者から前記交渉条件の承諾を受信し、
前記プロセッサによって、前記支払方法に基づいて、前記ユーザにより承諾された前記ユーザから前記参加者への前記１つまたは複数の前記代価交換の条件の少なくとも１つ及び前記交渉条件に従って、電子転送を実行するシステム。
【請求項１２】
財務サーバは、プロセッサを有する、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記サービス・プロバイダはオンライン販売管理システムである、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記代価交換の前記１つまたは複数の条件は価格条件を含む請求項１１に記載のシステム。
【請求項１５】
前記加入者はオンライン小売業者である、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１６】
オンライン代価交換取引において支払を獲得する方法であって、
参加者のコンピュータから交換ファシリテータへ代価交換の条件を送信するステップと、
前記コンピュータによって、前記交換ファシリテータから、前記代価交換の条件に基づくリンクを受信するステップと、
前記コンピュータによって、サービス・プロバイダによりホストされる提案取引に対するリンクであって、前記交換ファシリテータとアフィリエイト設定され、かつ前記サービス・プロバイダとアフィリエイト設定されないリンクを割り当てるステップと、
前記コンピュータによって、前記サービス・プロバイダのユーザによる前記リンクの選択に応じて、交渉条件を提示することにより、前記交換ファシリテータを介して１つまたは複数の代価交換の条件を交渉するステップと、
を包含し、
前記交換ファシリテータは、前記参加者へ前記交渉条件を通知し、前記参加者から前記交渉条件の承諾を受信し、
前記ユーザから前記参加者へ前記交換ファシリテータを介して財務が転送され、前記財務の転送は、前記１つまたは複数の前記代価交換の条件の少なくとも１つ及び前記交渉条件に対応する方法。
【請求項１７】
前記サービス・プロバイダはオンライン・オークション・ウェブ・サイトである請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
リンクを割当てるステップは、オンライン・オークションの中にハイパーリンクを組み込むことを包含する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
代価交換の１つまたは複数の条件を交渉するステップは、オンライン・オークションにおいてもっとも高い落札価格を承諾することを包含する、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
サービスへ加入するステップは、ユーザ情報の提供および前記交換ファシリテータを伴う口座の開設を包含する請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月8日(2012.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリンタで印刷可能な複数のリストバンド／ラベル組立体のストリップであって、前記リストバンド／ラベル組立体がその両端部で隣接のリストバンド／ラベル組立体につながれて、隣接の組立体を切り離すための弱化線を有するストリップを形成し、前記リストバンド／ラベル組立体の各々が、全長が組立体の全長に伸びてリストバンド領域のほぼ全体を構成するリストバンドを備えるリストバンド領域と、ラベル領域が組立体のほぼ全長に伸びるラベル領域との２つの領域を備え、前記２つの領域を切り離すための弱化線がそれによって互いから切り離しやすくする、リストバンド／ラベル組立体のストリップ。
【請求項２】
ラベル領域の少なくとも一部が、前記ラベル領域から１つ以上のラベルを切り離しやすくするための弱化点を有する、請求項１に記載のストリップ。
【請求項３】
前記弱化点の少なくともいくつかが、ラベル領域の上縁から下縁に伸びる複数のダイカットを有する、請求項２に記載のストリップ。
【請求項４】
前記弱化点の少なくともいくつかが、一体化された組立体から別個に切り離すために、別個に形成された複数のラベルを画定するダイカットを有する、請求項２に記載のストリップ。
【請求項５】
前記弱化点の少なくともいくつかが、一体化されているラベル領域の上縁および下縁に沿って位置決めされたほぼ整列した切り目の組を含み、使用者がラベルのサイズにするために切り目の組の間のラベル領域を引きちぎりやすいようにすることができる、請求項２に記載のストリップ。
【請求項６】
前記切り目の組の少なくともいくつかが、ラベル領域に沿って不規則に離間され、それによって不規則なサイズのラベルを形成しやすくする、請求項５に記載のストリップ。
【請求項７】
リストバンドがリストバンド領域のほぼ全体を含み、ラベル領域がラベル領域のほぼ全体を含み、それにより廃棄物を減らすことができる、請求項２に記載のストリップ。
【請求項８】
ラベル領域がラベル領域の全体を含む、請求項７に記載のストリップ。
【請求項９】
前記リストバンド領域および前記ラベル領域の各々が、感熱式印刷に適した材料で構成され、前記組立体の各々の幅が、感熱式プリンタの一般的な開口部に適合するサイズである、請求項２に記載のストリップ。
【請求項１０】
前記ストリップの幅が、公称２インチである、請求項９に記載のストリップ。
【請求項１１】
リストバンド領域およびラベル領域の各々が、ストリップ幅全体のうちほぼ１インチを占める、請求項１０に記載のストリップ。
【請求項１２】
前記組立体の少なくともいくつかのリストバンド領域が、組立体の全長に伸び、装着者の手首にリストバンドを固定するための接着剤塗布端部を含む、請求項１に記載のストリップ。
【請求項１３】
フォームが２層からなる、請求項１に記載のストリップ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月9日(2011.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成された要素を製造する方法であって、
Ａ）ポジ型画像形成性要素を３００ｍＪ／ｃｍ2 未満のエネルギーを使用して像様露光して、露光領域および非露光領域をもたらす工程、および
Ｂ）像様露光された前記要素を、炭酸塩を含むシリケートフリーのアルカリ性溶液により現像して主に露光領域のみを除去して、露光され現像された前記要素に画像をもたらす工程、
を含み、前記画像形成性要素が、基材と輻射線吸収性化合物とを含み、かつ、現像性向上化合物とポリ（ビニルアセタール）とを含む画像形成性層を基材上に有し、ポリ（ビニルアセタール）の反復単位の少なくとも２５モル％がペンダントニトロ置換フェノール基を含むことを特徴とする、画像形成された要素を製造する方法。
【請求項２】
前記炭酸塩含有溶液が９．５〜１１のｐＨを有し、少なくとも０．５質量％かつ５質量％以下の炭酸イオンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記像様露光が１００〜２５０ｍＪ／ｃｍ2 のエネルギーで実施される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記現像が３５℃以下で３分間以内で実施される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記ポリ（ビニルアセタール）が、下記構造（Ｉｃ）：
【化１】
2011511317.tif 000001
により表される反復単位を少なくとも２５モル％かつ８０モル％以下含み、ここで、ＲおよびＲ’は独立に、水素、あるいは置換もしくは非置換アルキル、置換もしくは非置換シクロアルキル、またはハロ基であり、Ｒ3 はニトロ置換フェノール、ニトロ置換ナフトール、またはニトロ置換アントラセノール基である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記ポリ（ビニルアセタール）が下記構造（Ｉ）：
【化２】
2011511317.tif 000002
により表され、ここで、Ａは、下記構造（Ｉａ）：
【化３】
2011511317.tif 000003
により表される反復単位を表し、
Ｂは、下記構造（Ｉｂ）：
【化４】
2011511317.tif 000004
により表される反復単位を表し、
Ｃは先に定義した構造（Ｉｃ）により表される反復単位を表し、
Ｄは、下記構造（Ｉｄ）：
【化５】
2011511317.tif 000005
により表される反復単位を表し、
ｋは１〜２０モル％、ｌは５〜５０モル％、ｍは２５〜８０モル％、ｎは０〜４０モル％であり、
ＲおよびＲ’は独立に、水素、あるいは置換もしくは非置換アルキル、置換もしくは非置換シクロアルキル、またはハロ基であり、
Ｒ1 は置換または非置換のアルキルカルボン酸エステルまたはアリールカルボン酸エステルであり、
Ｒ2 はヒドロキシ基であり、
Ｒ4 は置換もしくは非置換アルキル、置換もしくは非置換シクロアルキル、または置換もしくは非置換アリール基である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ｋが２〜１２モル％であり、ｌが２０〜３５モル％であり、ｍが３５〜７０モル％であり、ｎが１０〜３０モル％である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記画像形成性要素が７００〜１４００ｎｍの波長で画像形成され、前記画像形成性要素が前記画像形成性層中に赤外線吸収性化合物を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記ポリ（ビニルアセタール）が、下記構造：
【化６】
2011511317.tif 000006
により表される反復単位を少なくとも２５モル％かつ８０モル％以下含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法により得られる画像形成された要素。