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【手続補正書】
【提出日】平成15年12月15日(2003.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式
Ｘ（ＣａＯ）・ＳｉＯ2・Ｙ（Ｈ2Ｏ）
（式中、Ｘは５／６から３／２であり、Ｙはゼロでない）
で示される１又は２以上の化合物を含有し、又は
式
Ｘ（Ｎａ2Ｏ）・Ｙ（ＣａＯ）・ＳｉＯ2
（式中、Ｘは１／６から１／１であり、Ｙは１／３から１／１である）
で示される１又は２以上の化合物を含有する前駆ケイ酸カルシウム物質がシリカ源と混合されて、溶融ガラスが製造される条件下におかれる溶融ガラスの製造方法。
【請求項２】
前記前駆ケイ酸カルシウム物質が、更に
式
Ｗ（Ｎａ2Ｏ）・Ｖ（ＭｇＯ）・ＳｉＯ2
（式中、Ｗは１／６から１／１であり、Ｖは１／３から１／１である）
で示される化合物を含有する請求項１記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前駆ケイ酸カルシウム物質から溶融ガラスを製造する方法を提供する。即ち、本発明は、式Ｘ（ＣａＯ）・ＳｉＯ2・Ｙ（Ｈ2Ｏ）（式中、Ｘは５／６から３／２であり、Ｙはゼロでない）で示される１又は２以上の化合物を含有し、又は式Ｘ（Ｎａ2Ｏ）・Ｙ（ＣａＯ）・ＳｉＯ2（式中、Ｘは１／６から１／１であり、Ｙは１／３から１／１である）で示される１又は２以上の化合物を含有する前駆ケイ酸カルシウム物質、又は上記物質に更にＷ（Ｎａ2Ｏ）・Ｖ（ＭｇＯ）・ＳｉＯ2（式中、Ｗは１／６から１／１であり、Ｖは１／３から１／１である）で示される化合物を含有する前駆ケイ酸カルシウム物質がシリカ源と混合されて、溶融ガラスが製造される条件下におかれる溶融ガラスの製造方法である。この方法は、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、水及びケイ酸ナトリウムの反応からガラスを製造する際に有用な物質を提供する点において、有利である。ガラス形成を通常より低温で行うことができ、揮発性ガスの放出量を減少させることができる。ガラス中のクリストバライトの形成が減少する。本発明方法は、前駆ケイ酸カルシウム物質を生成するために、カルシウム源、マグネシウム源と可溶性ケイ酸塩とを混合する工程（ここで、前記カルシウム源は、その消和が完了した後に混合されるか、あるいは混合と同時に消和される）を含む。この前駆物質は、所望により、遊離している水を含有する。この遊離している水は、消和されたカルシウム源を生成するための消和(slaking)プロセスから残留しているものであってもよい。本発明方法は、ガラス製品を製造するために、前記前駆ケイ酸カルシウム物質とシリカ源とを混合する工程を更に含む。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月31日(2003.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下に、この発明の第１の実施形態を図１に基づいて詳細に説明する。図１に示す装置は、周波数掃引されたパルス電波を発射するための送信系と、そのパルス電波と同じ周波数の電波を受信する、ほぼ垂直のループアンテナ３をもつ受信系と、ループアンテナ面に平行な面内で相互に直交するダイポールアンテナ１、２を有する２つの受信系の、計３系統のアンテナ受信系により、到来電波のほぼ水平の磁界Ｈｚの強度と、Ｈｚと直交し、且つ相互に直交する電界Ｅｘ，Ｅｙの強度とを計測し、それらの計測値（振幅と位相を含む）から、受信電波の到来方向を算出するイオノゾンデ装置のブロック図である。このために、アンテナ１、２、および３で電波を受信し、その電波の電界と磁界のそれぞれの（ｘ、ｙ、ｚ）成分からなる６成分のうちの３成分をアンテナの出力信号とし、各信号を広帯域増幅器で増幅し、その信号を局部発振器（ＶＦＯ＝可変周波数発振器）からの信号とミキサ回路により混合して２ＭＨｚ程度の中間周波信号に変換したあと、その信号をさらに１０乃至５０ｋＨｚ程度の周波数帯に変換する。このように変換された３成分の信号を、ＡＤ変換部４で同時サンプリングによりＡＤ変換して、ディジタル信号とする。イオノグラム処理部５では、それらの３成分の信号強度からイオノグラムを作成して、表示部７へ送る。ここで、イオノグラムとは、図３に示すように、イオノゾンデによる観測記録であり、周波数を連続的に掃引したパルス電波を上空に発射し電離層で反射された電波を地上で再び受信し、その遅れ時間から電離層の見かけの高さを測定した記録である。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月31日(2003.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記第１の高周波回路は、高周波信号を処理する回路であり、
前記第２の高周波回路は、前記高周波信号の送受信の入出力を切換えるスイッチ回路である、請求項１から７のいずれかに記載の半導体集積回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記第２の高周波回路が、外部から入力された高周波信号を増幅する高周波低雑音増幅回路である、請求項１から７のいずれかに記載の半導体集積回路。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
前記第２の高周波回路が、この半導体集積回路中に流れ込むサージ電流による素子の破損を防止するＥＳＤ保護回路である、請求項１から７のいずれかに記載の半導体集積回路。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
上記本発明の半導体集積回路は、たとえば、第１の高周波回路が高周波信号を処理する回路であり、第２の高周波回路が高周波信号の送受信の入出力を切換えるスイッチ回路であることが好ましい。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
上記本発明の半導体集積回路は、たとえば、第２の高周波回路が外部から入力された高周波信号を増幅する高周波低雑音増幅回路であることが好ましい。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
上記本発明の半導体集積回路は、たとえば、第２の高周波回路がこの半導体集積回路中に流れ込むサージ電流による素子の破損を防止するＥＳＤ保護回路であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月6日(2003.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円板状をなし周部に入力端子と出力端子が複数対取りつけられそれぞれの対の入出力端子間に抵抗を含む電子部品が接続された端子基板と、該端子基板の面に対して直角方向をなすようにハウジング内で該端子基板の中心に連結されかつ回転自在に支持された駆動軸と、複数対のうち一対の入力端子及び出力端子と摺動自在にそれぞれ弾性接触する入力接触子及び出力接触子と、ハウジングにより支持されハウジング内にまで及んで位置する中心導体を有する入力同軸コネクタ及び出力同軸コネクタとを備えたロータリアッテネータ装置において、端子基板の一方の面の側で入力接触子がそして他方の面の側で出力接触子がそれぞれ対応せる入力端子そして出力端子と接触するように取りつけられていることを特徴とするロータリアッテネータ装置。
【請求項２】
入力接触子及び出力接触子は端子基板の半径方向に延びる片持梁状のそれぞれの弾性腕体の一端に設けられ、該弾性腕体が他端で同軸コネクタの中心導体と接続かつ保持されていることとする請求項１に記載のロータリアッテネータ装置。
【請求項３】
ハウジングは互いに平行に対向せる一対の平坦外面を有し、駆動軸、入力同軸コネクタそして出力同軸コネクタのそれぞれの軸線は、一対の外面と平行な面内に位置していることとする請求項１に記載のロータリアッテネータ装置。
【請求項４】
入力接触子及び出力接触子は端子基板の半径方向に延びる片持梁状のそれぞれの弾性腕体の一端に設けられ、該弾性腕体が他端で同軸コネクタの中心導体と接続かつ保持され、ハウジングは互いに平行に対向せる一対の平坦外面を有し、駆動軸、入力同軸コネクタそして出力同軸コネクタのそれぞれの軸線は、一対の外面と平行な面内に位置していることとする請求項１に記載のロータリアッテネータ装置。
【請求項５】
円板状をなし周部に入力端子と出力端子が複数対取りつけられそれぞれの対の入出力端子間に抵抗を含む電子部品が接続された端子基板と、該端子基板の面に対して直角方向をなすように一端側が該端子基板の中心に連結され他端側がハウジング外に突出しかつ中間部で回転自在に支持された駆動軸と、複数対のうち一対の入力端子及び出力端子と摺動自在にそれぞれ弾性接触する入力接触子及び出力接触子と、ハウジングにより支持されハウジング内にまで及んで位置する中心導体を有する入力同軸コネクタ及び出力同軸コネクタとを備えたロータリアッテネータ装置において、ハウジングは互いに平行に対向せる一対の平坦外面を有し、駆動軸、入力同軸コネクタそして出力同軸コネクタのそれぞれの軸線は、一対の外面と平行な一つの面内に位置していることを特徴とするロータリアッテネータ装置。
【請求項６】
入力接触子及び出力接触子は端子基板の半径方向に延びる片持梁状のそれぞれの弾性腕体の一端に設けられ、該弾性腕体が他端で同軸コネクタの中心導体と接続かつ保持されていることとする請求項５に記載のロータリアッテネータ装置。
【請求項７】
円板状をなし周部に入力端子と出力端子が複数対取りつけられそれぞれの対の入出力端子間に抵抗を含む電子部品が接続された端子基板と、該端子基板の面に対して直角方向をなすように一端側が該端子基板の中心に連結され他端側がハウジング外に突出しかつ中間部で回転自在に支持された駆動軸と、複数対のうち一対の入力端子及び出力端子と摺動自在にそれぞれ弾性接触する入力接触子及び出力接触子と、ハウジングにより支持されハウジング内にまで及んで位置する中心導体を有する入力同軸コネクタ及び出力同軸コネクタとを備えたロータリアッテネータ装置において、ハウジングは、略直方体外形のブロック体をなしており、互いに直交する二つのハウジング外面のそれぞれに入力同軸コネクタそして出力同軸コネクタが取り付けられていることを特徴とするロータリアッテネータ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
第二発明においても、入力接触子及び出力接触子は端子基板の半径方向に延びる片持梁状のそれぞれの弾性腕体の一端に設けられ、該弾性腕体が他端で同軸コネクタの中心導体と接続かつ保持されているようにすることができる。
又、第三の発明としては、ハウジングは、略直方体外形のブロック体をなしており、互いに直交する二つのハウジング外面のそれぞれに入力同軸コネクタそして出力同軸コネクタが取り付けられていることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
端子基板３は、図２(Ａ)，(Ｂ)に見られるごとく、円板状をなし、中央には駆動軸１３の貫通のためＤ字状の軸孔３Ａが形成されていて、その直線縁部３Ａ１で駆動軸１３との周方向係止がなされる。上記端子基板３は上記軸孔３Ａの周部の周面に、複数の孔１８が形成されており、必要時に基板の両面における電線の通しに供する。上記端子基板３の周部の外周部には、複数対の端子孔１９Ａ，１９Ｂが形成されており、一方の端子孔１９Ａには端子基板３の一方の側の面に突出して端子２０Ａが、そして他方の端子孔１９Ｂには他方の面に突出して端子２０Ｂに取りつけられている。


【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2003133106.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月8日(2003.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多次元信号をサブバンド化する方法において、
多次元信号の複数の処理領域を定義するためのプロトタイプを利用するステップと、
前記多次元信号の前記複数の処理領域の少なくとも１つのサブセットにおいて、繰り返しの値を実質的に削減することにより情報の冗長度を低減させるステップと、
前記処理領域の少なくとも１つを異なる周波数領域へと変調し、それによって前記多次元信号のサブバンド化を実行するステップとを含み、
前記サブバンド化する方法が少なくとも１つの分離不可能な、多次元フィルタによって実行されることを特徴とする多次元信号をサブバンド化する方法。
【請求項２】
前記変調のステップが、非正弦波関数に基づいた変調回路によって実行されることを特徴とする、請求項１に記載の多次元信号をサブバンド化する方法。
【請求項３】
多次元信号をサブバンド化する方法において、
多次元信号の複数の処理領域を定義するためのプロトタイプを利用するステップと、
前記多次元信号の前記複数の処理領域の少なくとも１つのサブセットにおいて、繰り返しの値を実質的に削減することにより情報の冗長度を低減させるステップと、
前記処理領域の少なくとも１つを異なる周波数領域へと変調し、それによって前記多次元信号のサブバンド化を実行するステップとを含み、
前記サブバンド化する方法が少なくとも１つの分離可能フィルタによって実行され、そして前記変調のステップが非正弦波関数に基づいた回路によって実行されることを特徴とする多次元信号をサブバンド化する方法。
【請求項４】
前記プロトタイプが回路Ｗであって、ＷがＷ＝ｄｉａｇ (Ｗij)の関係によって定義されることを特徴とする請求項１に記載の多次元信号をサブバンド化する方法。
【請求項５】
前記縮小のステップがブロックの対角行列Ｋの回路実装によって実行されることを特徴とする請求項１に記載の多次元信号をサブバンド化する方法。
【請求項６】
前記変調のステップが、関係Ｇ−１＊Ｇ＝Ｉによって定義される変調行列Ｇの回路実装によって実行されることを特徴とする請求項１に記載の多次元信号をサブバンド化する方法。
【請求項７】
前記方法が解析システムの中に実装されることを特徴とする請求項１に記載の多次元信号をサブバンド化する方法。
【請求項８】
請求項１の方法によってサブバンド化された多次元信号を復元する方法において、
前記処理領域の各々を復調するステップと、
前記繰り返しの値を前記処理領域の各々に挿入し戻すステップと、
プロトタイプを適用して、連続した順序で前記処理領域を戻し、それによって前記多次元信号を復元するステップとを含み、
前記復元するステップが少なくとも１つの分離不可能な多次元フィルタにより実行される方法。
【請求項９】
請求項８に記載の復元の方法において、前記復調ステップが、非正弦波関数の逆関数に基づいて、変調回路により実行される方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の復元の方法において、前記プロトタイプが、Ｗ−１によって定義される回路であり、Ｗ−１は、ウィンドウ行列Ｗの逆行列である方法。
【請求項１１】
請求項８に記載の復元の方法において、縮小ステップが、関係Ｗ−１に定義される回路によって実行され、Ｗ−１は、縮小行列Ｋの逆行列である方法。
【請求項１２】
請求項８に記載の復元の方法において、前記復調ステップが、Ｇ−１に定義される回路によって実行され、Ｇ−１は、変調行列Ｇの逆行列である方法。
【請求項１３】
請求項８に記載されている多次元信号をサブバンド化する方法であって、前記方法が合成システムの中に実装されていることを特徴とする方法。
【請求項１４】
通信システムが、
多次元信号を処理するための分析システムを含み、前記分析システムは、少なくとも１つのフィルタを含み、前記フィルタは、さらに、前記多次元信号を処理するためのプロトタイピング手段、縮小手段、および変調手段を含み、
該通信システムが、さらに、
前記多次元信号をサンプリングするための第１のサンプラと、
前記多次元信号を符号化するための符号化手段と、
前記多次元信号を送信するための送信手段と、
前記多次元信号を復号するための復号化手段と、
前記多次元信号を再サンプリングするための第２のサンプラと、
前記多次元信号を合成するための合成システムとを含み、前記合成システムは、少なくとも１つのフィルタを含み、前記フィルタは、さらに、逆プロトタイピング手段、逆縮小手段、及び逆変調手段を含み、
前記分析システムが、関係Ｙ＝ＨＴ＊Ｘにより定義される回路によって実装され、ＨＴ＝Ｗ＊Ｋ＊Ｇであり、Ｗはウィンドウ行列、Ｋは縮小行列、Ｇは変調行列である通信システム。
【請求項１５】
ウィンドウ行列、縮小行列、及び変調行列によって特徴付けられるフィルタを使用して多次元信号をサブバンド化する方法において、該方法が：
前記ウィンドウ行列に従って前記多次元信号の全体をパースし、それによって窓かけされた信号を生成するステップと、
前記縮小行列に従って前記窓かけされた信号の中の類似性を低減させ、それによって縮小された信号を生成するステップと、
前記変調行列にしたがって前記縮小された信号を変調し、それによって前記多次元信号をサブバンド化するステップとを含み、
前記変調ステップが、非正弦波関数に基づく回路によって実行される方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月8日(2004.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
走査型電子顕微鏡の視野のＸ方向あるいはＹ方向の少なくとも一方の寸法をダイシングラインの幅よりも大きくなるように設定するステップと、
ローディング精度を所定の範囲内にするステップとを備え、
前記ダイシングラインあるいは該ダイシングライン近傍のパターンを利用してアライメントを行うことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月24日(2003.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第一の態様におけるフィニッシング層とカーカス層間のフィルムの切り欠き１６は、少なくとも針刺し（プリッキング）による切り欠き１６が施されていれば、フィニッシング層は剥がれないが、フィニッシング層とフィルムが重なる面積に対し、単位面積当りの平均の切り欠き率が少なくとも５％以上であれば、剥離が抑えられるので好ましく、３０％以上であると更に好ましい。この切り欠き率が、図４に示すように、逆に８０％を越えると、成形は可能であるものの、フィルムに「こし」がなくなることにより成形機のガイド機構が正常に働かなくなり、センタリングができにくくなくなるので、フィルムの単位面積当りの平均の切り欠き率は８０％以下であることが望ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月18日(2003.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
織布または不織布からなる表面層と、該表面層に積層された、ポリアミドエラストマーを主成分とする、非多孔で耐水性能に優れた透湿性フィルム層とを有する複合シート。
【請求項２】
前記ポリアミドエラストマーが、ポリアミドに由来する構造単位と、脂肪族ポリエーテルに由来する構造単位とを有する重合体である請求項１に記載の複合シート。
【請求項３】
前記透湿性フィルム層が、ポリオレフィン樹脂を含有し、前記不織布が、ポリオレフィン樹脂からなるものである請求項１または２に記載の複合シート。
【請求項４】
前記透湿性フィルム層が、ポリオレフィン樹脂と極性基含有ポリオレフィン樹脂とを含有するものである請求項１ないし３のいずれかに記載の複合シート。
【請求項５】
前記ポリオレフィン樹脂が、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン樹脂およびエチレン−α−オレフィン共重合体樹脂から選ばれる少なくとも１種の樹脂である請求項３または４に記載の複合シート。
【請求項６】
前記のポリオレフィン樹脂からなる不織布が、表面処理を施したものである請求項３ないし５のいずれかに記載の複合シート。
【請求項７】
透湿度が５０００ｇ／ｍ2 ・日以上であり、かつ耐水圧が１７０ｃｍ以上である請求項１〜６のいずれかに記載の複合シート。
【請求項８】
前記表面層が、目付量が３〜４０ｇ／ｍ2 、かつ厚さ３〜４０μｍであるものである請求項１〜７のいずれかに記載の複合シート。
【請求項９】
前記不織布層と透湿性フィルム層とを、押出ラミネーションによって積層してなる請求項１〜８のいずれかに記載の複合シート。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の複合シートの製造方法であって、織布または不織布の上部に、ポリアミドエラストマーを主成分とする透湿性フィルムを押出しラミネーション成形して一体的に積層成形する工程を含む複合シートの製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれかに記載の複合シートからなる透湿・耐水性シート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明は、前記複合シートを製造する方法として、織布または不織布の上部に、ポリアミドエラストマーを主成分とする透湿性フィルムを押出しラミネーション成形して一体的に積層成形する工程を含む複合シートの製造方法をも提供するものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
この式（１）、（２）または（３）で表されるジオール化合物の具体例としては、ビスフェノールＡのエチレンオキシド付加物、ビスフェノールＡのプロピレンオキシド付加物、ビスフェノールＳのエチレンオキシド付加物、ビスフェノールＳのプロピレンオキシド付加物、臭素化ビスフェノールＡのエチレンオキシド付加物、臭素化ビスフェノールＡのプロピレンオキシド付加物等のビスフェノール類のエチレンオキシドおよび／またはプロピレンオキシド付加物、ジヒドロキシナフタレンのエチレンオキシドおよび／またはプロピレンオキシド付加物、ならびにそれらのブロック（共）重合体、４，４’−（ヒドロキシ）ビフェニルのエチレンオキシド付加物、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィドのエチレンオキシド付加物、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィドのプロピレンオキシド付加物、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホキシドのエチレンオキシド付加物、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホキシドのプロピレンオキシド付加物、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタンのエチレンオキシド付加物、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタンのプロピレンオキシド付加物、ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテルのエチレンオキシド付加物、ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテルのプロピレンオキシド付加物、ビス（４−ヒドロキシフェニル）アミンのエチレンオキシド付加物、ビス（４−ヒドロキシフェニル）アミンのプロピレントキシド付加物、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタンのエチレンオキシド付加物、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタンのプロピレンオキシド付加物、４，４’−ジヒドロキシベンゾフィノンのエチレンオキシド付加物、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンのエチレンオキシド付加物、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサンのプロピレンオキシド付加物等のビスフェノール類を挙げることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月7日(2004.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
そこで、本発明は、医療用ネームプレートを必要に応じて簡単に取り替えできる着脱式ネームプレート付き収納容器を提供することを課題とする。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明に係る着脱式ネームプレート付き収納容器によれば、側壁又は内部を分割する仕切板に、着脱式ネームプレートの係合部が着脱可能に係合される係合受部を備えたので、医療用ネームプレートを必要に応じて簡単に取り替えでき、非常に便利である。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月17日(2003.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タイヤ用又はタイヤの環状トレッド用の金型（１）において、
前記トレッドの外面を成形するために半径方向に移動する複数のセクタ（２）であって、該セクタ（２）の半径方向外側に配設された截頭円錐形座部（２１）に作用し、かつ、金型（１）内の閉鎖位置からセクタ（２）の後退を可能にするクラウン（６）の軸方向移動により閉鎖される複数のセクタ（２）と、
前記セクタ（２）と前記クラウン（６）との間にある少なくとも１つの環状要素（７、８）であって、半径方向内側に位置して金型（１）の閉鎖時に固定係合状態でセクタ（２）の截頭円錐形座部（２１）に押しつけられるようになった截頭円錐形の第１の支持面（７１、８１）と、制御された軸方向力で当接するクラウン（６）の対応面（６２）の支持部を非固定係合状態で支持するようになった截頭円錐形の第２の支持面（７２、８２）とを有する環状要素と、
を含む、ことを特徴とするタイヤ用又はタイヤの環状トレッド用の金型（１）。
【請求項２】
環状要素（７、８）が、金型（１）の閉鎖時に環状要素（７、８）とクラウン（６）との間の軸方向相対移動を阻止するためにクラウン（６）の対応面（６３）にぴったり合うようになった第３の支持面（７３、８３）を更に含む、ことを特徴とする請求項１記載のタイヤ用又はタイヤの環状トレッド用の金型（１）。
【請求項３】
環状要素（７、８）の第２の支持面（７２、８２）とクラウン（６）の対応支持面（６２）とが、截頭円錐形であり、金型の軸線に対して最小で約１６度の傾斜角を成す、ことを特徴とする請求項１又は２に記載のタイヤ用又はタイヤの環状トレッド用の金型（１）。
【請求項４】
タイヤの又は又はタイヤの環状トレッドの半径方向内側底面の成形が、剛性ハブ（４）上で行われる、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のタイヤ用又はタイヤの環状トレッド用の金型（１）。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の金型（１）を使用する、ことを特徴とするタイヤ又はタイヤ用トレッドの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月22日(2003.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】相変化型情報記録媒体、その初期化方法及び装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相変化型情報記録媒体に半導体レーザー光を照射して初期化する方法において、該相変化型情報記録媒体の記録溝方向に対して垂直方向の該半導体レーザー光の強度分布は、最大強度の５０％に当たる強度を示す幅（半値幅）のそれぞれの両端部から１０％までの部分の平均強度が、該半値幅内の平均強度より小さいことを特徴とする相変化型情報記録媒体の初期化方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体レーザー光の強度分布を得るために、半導体レーザーの活性化層または反射層において、半導体レーザーの発光面に対して垂直方向の側面を研摩することを特徴とする相変化型情報記録媒体の初期化方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体レーザー光の強度分布を得るために、初期化装置の光学系に、相変化型情報記録媒体の記録溝方向に対して垂直の強度分布の両端部に当たる部分のレーザー光強度を減衰させるためのフィルターを付加したことを特徴とする、相変化型情報記録媒体の初期化方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体レーザーの強度分布を得るために、半導体レーザーに前もって許容電力の８０％以上の電力をかけて、６時間以上の通電を行なってから使用することを特徴とする相変化型情報記録媒体の初期化方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の初期化方法において、相変化型情報記録媒体が１回転する間にその記録溝に対して垂直に及び相対的に移動する初期化のためのヘッド送り量が、半導体レーザー光の記録溝に対して垂直の強度分布では半値幅の２分の１以上で、かつ半値幅以内であることを特徴とする相変化型情報記録媒体の初期化方法。
【請求項６】
請求項５記載の初期化方法において、記録溝に対して垂直方向の強度分布で、半値幅が８０μｍ以上である半導体レーザー光を使用することを特徴とする相変化型情報記録媒体の初期化方法。
【請求項７】
半導体レーザーを有し相変化型情報記録媒体に半導体レーザー光を照射して初期化する装置であって、該半導体レーザーは、該相変化型情報記録媒体の記録溝方向に対して垂直方向の該半導体レーザー光の強度分布において、最大強度の５０％に当たる強度を示す幅（半値幅）のそれぞれの両端部から１０％までの部分の平均強度が、該半値幅内の平均強度より小さい強度分布を得ることのできるものであり、かつ、該半導体レーザーの活性化層または反射層において、該半導体レーザーの発光面に対して垂直方向の側面が研磨されていることを特徴とする相変化型情報記録媒体の初期化装置。
【請求項８】
請求項７記載の初期化装置を用いて初期化されたことを特徴とする相変化型情報記録媒体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
第六に、上記第五の方法において、記録溝に対して垂直方向の強度分布で、半値幅が８０μｍ以上である半導体レーザー光を使用することを特徴とする相変化型情報記録媒体の初期化方法が提供される。
第七に、半導体レーザーを有し相変化型情報記録媒体に半導体レーザー光を照射して初期化する装置であって、該半導体レーザーは、該相変化型情報記録媒体の記録溝方向に対して垂直方向の該半導体レーザー光の強度分布において、最大強度の５０％に当る強度を示す幅（半値幅）のそれぞれの両端部から１０％までの部分の平均強度が、該半値幅内の平均強度より小さい強度分布を得ることのできるものであり、かつ、該半導体レーザーの活性化層または反射層において、該半導体レーザーの発光面に対して垂直方向の側面が研磨されていることを特徴とする相変化型情報記録媒体の初期化装置が提供される。
第八に、上記第７の初期化装置を用いて初期化されたことを特徴とする相変化型情報記録媒体が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月25日(2003.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の製剤組成物に配合する有機酸としては、クエン酸、コハク酸、酒石酸、アスパラギン酸、乳酸、リンゴ酸、マロン酸、フマル酸、マレイン酸などを挙げることができる。これらの有機酸中で、殊にクエン酸、酒石酸、フマル酸、マレイン酸、アスパラギン酸およびリンゴ酸が好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月26日(2003.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
（実施例２）
実施例１と同様の多層膜１１が形成されたガラスパネル１０に対し、超音波振動を付与された半田ごてを用いて、最外層の絶縁膜１３上にＩｎ９５重量％、Ａｌ５重量％よりなる合金半田１４を塗布して半田付けし、前記合金半田１４を最外層の絶縁膜１３から内層の導電膜１２に浸透到達させてアース用電極部１５を形成した。アース用電極部１５は、多層膜１１が形成されたガラスパネル１０の短辺側中央に２箇所形成した。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月20日(2003.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線にて結線された複数の電子放出素子を有する第１の基板と、第１の基板に対向して設けられる第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間隔を維持するスペーサと、ガスを吸着する非蒸発型ゲッタとを有する電子線装置において、
第１の基板または第２の基板上のスペーサが当接する位置に、非蒸発型ゲッタが設けられていることを特徴とする電子線装置。
【請求項２】
前記複数の電子放出素子は第１の基板上の第１の領域内に設けられており、前記非蒸発型ゲッタは第１の領域内または複数の電子放出素子から放出された電子が到達する第２の基板上の第２の領域に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電子線装置。
【請求項３】
前記第１の基板または第２の基板上には、電位規定部材が設けられており、前記非蒸発型ゲッタは電位規定部材と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の電子線装置。
【請求項４】
前記非蒸発型ゲッタは、電位規定部材上に設置されていることを特徴とする請求項３に記載の電子線装置。
【請求項５】
前記複数の電子放出素子は配線にて結線され、前記電位規定部材が配線であることを特徴とする請求項３または４に記載の電子線装置。
【請求項６】
前記第２の基板上には複数の電子放出素子から放出された電子を加速する加速電極が設けられており、前記電位規定部材が加速電極であることを特徴とする請求項３または４に記載の電子線装置。
【請求項７】
前記非蒸発型ゲッタは、第１の基板及び第２の基板に垂直な方向からみて、前記電位規定部材よりも面積、長さ、または幅が狭いことを特徴とする請求項４〜６のいずれかに記載の電子線装置。
【請求項８】
前記非蒸発型ゲッタは、第１の基板と第２の基板との間隔を基準にして、第１の基板側に設置された場合は第１の基板上からみて１０％以内、第２の基板側に設置された場合は第１の基板上からみて４０％以内の位置まで高さを有することを特徴とする請求項４〜７のいずれかに記載の電子線装置。
【請求項９】
前記スペーサは、前記非蒸発型ゲッタと当接する側に対して反対側の第１の基板または第２の基板と当接する位置において、第１の基板または第２の基板に接着されていることを特徴とする請求項１に記載の電子線装置。
【請求項１０】
前記スペーサが接着された第１の基板または第２の基板とスペーサとの間には接着剤があることを特徴とする請求項９に記載の電子線装置。
【請求項１１】
前記接着剤は導電性を有しており、第１の基板と第２の基板との間隔を基準にして、第１の基板側に設置された場合は第１の基板上からみて１０％以内、第２の基板側に設置された場合は第１の基板上からみて４０％以内の位置まで高さを有することを特徴とする請求項１０に記載の電子線装置。
【請求項１２】
前記第１の領域内に対応するスペーサの真空中に表出する表面には、該スペーサをなす基板材表面よりも帯電の少ない膜が形成されていることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の電子線装置。
【請求項１３】
前記帯電の少ない膜の少なくとも一部は、２以下の２次電子放出係数を有することを特徴とする請求項１に記載の電子線装置。
【請求項１４】
前記帯電の少ない膜は、第１の基板及び／または第２の基板と電気的に接続されている導電性膜であることを特徴とする請求項１２または１３に記載の電子線装置。
【請求項１５】
前記導電性膜は、１０7Ω／□以上の高抵抗膜を含むことを特徴とする請求項１４に記載の電子線装置。
【請求項１６】
前記高抵抗膜は、１０14Ω／□以下であることを特徴とする請求項１５に記載の電子線装置。
【請求項１７】
第１の基板及び／または第２の基板と電気的に接続する領域において、前記帯電の少ない膜は、前記高抵抗膜より少なくとも１桁小さいシート抵抗の低抵抗膜を有することを特徴とする請求項１４〜１６のいずれかに記載の電子線装置。
【請求項１８】
前記低抵抗膜は、第１の基板と第２の基板との間隔を基準にして、第１の基板側に設置された場合は第１の基板上からみて１０％以内、第２の基板側に設置された場合は第２の基板上からみて４０％以内の位置まで高さを有することを特徴とする請求項１７に記載の電子線装置。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれかに記載の電子線装置と、複数の電子放出素子から放出された電子の衝突により画像が形成される画像形成部材とを有することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月7日(2003.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基体の主表面上の一対の電極部材間に、間隙によって互いに対向する端部を有しかつ前記一対の電極部材にそれぞれ電気的に接続される第一及び第二の炭素含有膜部材を有し、
前記間隙を有して対向する前記第一及び第二の炭素含有膜部材は、πプラズモン損失エネルギーが単結晶グラファイトのπプラズモン損失エネルギーの約７０％以上、約９０％以下の範囲にあり、かつπプラズモン損失ピークの強度が単結晶グラファイトのπプラズモン損失ピーク強度の約７０％以上であることを特徴とする電子放出素子。
【請求項２】
ガラス材料から形成された基体と、
該基体の主表面上に設けられた一対の電極部材と、
該一対の電極部材にそれぞれ電気的に接続され、かつ第一の間隙によって互いに対向する端部を有する第一及び第二の導電性膜部材と、
前記第一の間隙より小さい間隔寸法でありかつ電子放出部を形成するための第二の間隙を有して前記第一及び第二の導電性膜部材の少なくとも対向端部近傍にそれぞれ設けられた第一及び第二の炭素含有膜部材とを備え、
前記第二の間隙を有して対向する前記第一及び第二の炭素含有膜部材は、πプラズモン損失エネルギーが単結晶グラファイトのπプラズモン損失エネルギーの約７０％以上、約９０％以下の範囲にあり、かつπプラズモン損失ピークの強度が単結晶グラファイトのπプラズモン損失ピーク強度の約７０％以上であることを特徴とする電子放出素子。
【請求項３】
前記第一及び第二の炭素含有膜部材の前記πプラズモン損失エネルギー及び前記πプラズモン損失ピークの強度が、反射型の電子エネルギー損失分光分析により求められることを特徴とする請求項１または２記載の電子放出素子。
【請求項４】
前記第一及び第二の炭素含有膜部材の前記πプラズモン損失エネルギー及び前記πプラズモン損失ピークの強度が、約２００ｅＶ〜３ｋｅＶの範囲のエネルギーを有する１次電子線を用い、かつ弾性散乱ピークの半値幅が約１ｅＶ以下となる条件で、反射型の電子エネルギー損失分光分析装置により測定されることを特徴とする請求項３記載の電子放出素子。
【請求項５】
前記第一及び第二の炭素含有膜部材は炭素を主成分とする堆積物であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の電子放出素子。
【請求項６】
基体上に複数の電子放出素子を配列形成した電子源において、
前記電子放出素子が請求項１乃至５のいずれかに記載の電子放出素子であることを特徴とする電子源。
【請求項７】
電子源と、該電子源から放出された電子を照射することで画像を形成する画像形成部材とを有する画像形成装置において、
前記電子源が請求項６に記載の電子源であることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の電子放出素子は、絶縁性基体の主表面上の一対の電極部材間に、間隙によって互いに対向する端部を有しかつ前記一対の電極部材にそれぞれ電気的に接続される第一及び第二の炭素含有膜部材を有し、前記間隙を有して対向する前記第一及び第二の炭素含有膜部材は、πプラズモン損失エネルギーが単結晶グラファイトのπプラズモン損失エネルギーの約７０％以上、約９０％以下の範囲にあり、かつπプラズモン損失ピークの強度が単結晶グラファイトのπプラズモン損失ピーク強度の約７０％以上である構成である。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明の別の構成の電子放出素子は、ガラス材料から形成された基体と、該基体の主表面上に設けられた一対の電極部材と、該一対の電極部材にそれぞれ電気的に接続され、かつ第一の間隙によって互いに対向する端部を有する第一及び第二の導電性膜部材と、前記第一の間隙より小さい間隔寸法でありかつ電子放出部を形成するための第二の間隙を有して前記第一及び第二の導電性膜部材の少なくとも対向端部近傍にそれぞれ設けられた第一及び第二の炭素含有膜部材とを備え、前記第二の間隙を有して対向する前記第一及び第二の炭素含有膜部材は、πプラズモン損失エネルギーが単結晶グラファイトのπプラズモン損失エネルギーの約７０％以上、約９０％以下の範囲にあり、かつπプラズモン損失ピークの強度が単結晶グラファイトのπプラズモン損失ピーク強度の約７０％以上である。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月30日(2003.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが、式（１）：
【化１】
1997025421.tif 000001
（式中、
Ｘは、フェニル（これは、非置換又はＣ１−Ｃ４アルキル、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ若しくはハロゲンで置換されている）、モルホリノ、又は基：−ＳＲ３であり、
Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、それぞれ水素又は基：−ＮＨＣＯ−Ｃ６Ｈ５であり、そして
Ｒ３は、Ｃ１−Ｃ４アルキル、又はフェニル（これは、非置換又はＣ１−Ｃ４アルキル若しくはハロゲンで置換されている）である）で示される、少なくとも二種の構造的に異なる染料からなるバット染料混合物。
【請求項２】
式（２）：
【化２】
1997025421.tif 000002
の染料、及び式（３）：
【化３】
1997025421.tif 000003
の染料からなる、請求項１記載のバット染料混合物。
【請求項３】
式（４）：
【化４】
1997025421.tif 000004
の染料、及び式（５）：
【化５】
1997025421.tif 000005
の染料からなる、請求項１記載のバット染料混合物。
【請求項４】
請求項２記載のバット染料混合物を製造するための方法であって、
２−フェニル−４，６−ジクロロトリアジンを１−アミノアントラキノン及び１−アミノ−５−ベンゾイルアミノアントラキノンと反応させることよりなり、１−アミノ−５−ベンゾイルアミノアントラキノンに対する１−アミノアントラキノンの比が、バット染料混合物中の二種のそれぞれの染料の所望の含量に従い選択されることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項２記載のバット染料混合物を製造するための方法であって、
まず２−フェニル−４，６−ジクロロトリアジンと１−アミノアントラキノン及び１，５−ジアミノアントラキノンを反応させ、１，５−ジアミノアントラキノンに対する１−アミノアントラキノンの比が、バット染料混合物中の二種のそれぞれの染料の所望の含量に従い選択され、次いで得られた中間体をベンゾイルクロリドと反応させることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項３記載のバット染料混合物を製造するための方法であって、
まずシアヌル酸クロリドと１−アミノアントラキノン及び１−アミノ−５−ベンゾイルアミノアントラキノンを反応させ、１−アミノ−５−ベンゾイルアミノアントラキノンに対する１−アミノアントラキノンの比が、バット染料混合物中の二種のそれぞれの染料の所望の含量に従い選択され、次いで得られた中間体をモルホリンと反応させることを特徴とする方法。
【請求項７】
セルロース性繊維材料を染色するための、請求項１記載のバット染料混合物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明のバット染料混合物は、好都合には、有機溶媒、例えば高沸点脂肪族炭化水素、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、テトラメチル尿素、ジメチルホルムアミド、キシレン、フェノール、トリクロロベンゼン、ニトロベンゼン又はメチルベンゾアート中で製造される。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
染料浴に加えられるバット染料の量は、所望の着色強度に依存する。一般に、適用されるセルロース性繊維材料の重量に基づいて０．００１〜１０重量％、好適には０．０１〜３重量％の量が、適当である。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
【実施例】
実施例１．
９８．２％２−フェニル−４，６−ジクロロトリアジン４３．３ｇ、
９８．６％１−アミノアントラキノン２９．７ｇ、
９０．６％１−アミノ−５−ベンゾイルアントラキノン８２．６ｇ及びニトロベンゼン１，０５０ｍｌを、初めに、窒素雰囲気下に２リットル反応容器に導入し、１００〜１０５℃の温度まで加熱し、６時間攪拌した。暗色溶液を経て橙色懸濁液に移行したこの反応混合物を、１４０〜１４５℃まで加熱し、続いてこの温度で１５時間攪拌した。形成した橙−赤色懸濁液を室温まで冷却し、濾過した。この沈殿物を、まず淡色濾液が得られるまでニトロベンゼンで洗浄し、次いで濾液にニトロベンゼンゼンがなくなるまで、エチルアルコールで洗浄し、水で洗浄した。その後、ｐＨが中性になり、水が透明になるまで、この沈殿を水で洗浄した。式（２）の染料約７５％及び式（３）の染料約２５％を含む縮合生成物１３８．７ｇを得た。融点３４９〜３９５℃
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月16日(2003.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レフィル容器及び化粧品
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化粧料が装填された中皿の該化粧料の露出した露出面を覆うよう前記中皿に装着される構成とされており、装着状態において前記露出面と対向しこれを保護する蓋部と、前記装着状態において前記中皿の底面が露出された状態で該中皿を保持する保持部とを有する装着部と、
前記中皿が前記装着部に装着された状態において前記中皿と係合し、前記装着部からの前記中皿の離脱を防止する係合部と、
前記保持部の外周位置に、該保持部から連続して折り返すように形成された折り返し部とを具備するレフィル容器であって、
前記蓋部と前記保持部との間に、前記中皿の上端部と当接する段部を形成したことを特徴とするレフィル容器。
【請求項２】
化粧料が装填された中皿の該化粧料の露出した露出面を覆うよう前記中皿に装着される構成とされており、装着状態において前記露出面と対向しこれを保護する蓋部と、前記装着状態において前記中皿の底面が露出された状態で該中皿を保持する保持部とを有する装着部と、
前記中皿が前記装着部に装着された状態において前記中皿と係合し、前記装着部からの前記中皿の離脱を防止する係合部と、
前記保持部の外周位置に、該保持部から連続して折り返すように形成された折り返し部とを具備するレフィル容器であって、
前記蓋部を前記中皿の化粧料の露出面に対して離間させた構成としたこと特徴とするレフィル容器。
【請求項３】
化粧料が装填された中皿の該化粧料の露出した露出面を覆うよう前記中皿に装着される構成とされており、装着状態において前記露出面と対向しこれを保護する蓋部と、前記装着状態において前記中皿の底面が露出された状態で該中皿を保持する保持部とを有する装着部と、
前記中皿が前記装着部に装着された状態において前記中皿と係合し、前記装着部からの前記中皿の離脱を防止する係合部と、
前記保持部の外周位置に、該保持部から連続して折り返すように形成された折り返し部とを具備するレフィル容器であって、
前記装着部に、前記中皿を前記装着部から取り外す際に前記中皿を取り出し操作するための指掛け部を設けたことを特徴とするレフィル容器。
【請求項４】
請求項３記載のレフィル容器において、
前記装着状態において、前記中皿の側面が指掛け部に露出するよう構成したことを特徴とするレフィル容器。
【請求項５】
請求項３または４記載のレフィル容器において、
前記指掛け部は、前記装着部を前記保持部に向け切り込んだ構成であることを特徴とするレフィル容器。
【請求項６】
請求項３乃至５のいずれか１項に記載のレフィル容器において、
前記指掛け部を１個のみ配設したことを特徴とするレフィル容器。
【請求項７】
請求項３乃至６のいずれか１項に記載のレフィル容器において、
前記装着部の前記指掛け部の配設面と異なる面に、外側に向け延出し前記中皿を前記装着部から取り外す際に把持されるつまみ部を形成したことを特徴とするレフィル容器。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載のレフィル容器において、
前記装着部は、透明または半透明な樹脂により形成されていることを特徴とするレフィル容器。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載のレフィル容器において、
前記装着部は、再生アモルファス−ポリエチレンテレフタレート、ポリスチレン、ポリプロピレン、及び塩化ビニル樹脂からなる群から選択される一の樹脂により形成されていることを特徴とするレフィル容器。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載のレフィル容器に中皿を収納した化粧品。
【請求項１１】
請求項１０記載の化粧品において、
前記中皿の側面に前記係合部と係合する係合溝を形成したことを特徴とする化粧品。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はレフィル容器及び化粧品に係り、特に化粧料が装填された中皿を収納し保護するレフィル容器及び化粧品に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、小型化を図り得ると共に中皿の装着性の向上を図り得るレフィル容器及び化粧品を提供することを目的とする。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、請求項９記載の発明は、
請求項１乃至７のいずれか１項に記載のレフィル容器において、
前記装着部は、再生アモルファス−ポリエチレンテレフタレート、ポリスチレン、ポリプロピレン、及び塩化ビニル樹脂からなる群から選択される一の樹脂により形成されていることを特徴とするものである。
また、請求項１０記載の発明に係る化粧品は、
請求項１乃至９のいずれか１項に記載のレフィル容器に中皿を収納したことを特徴とするものである。
また、請求項１１記載の発明は、
請求項１０記載の化粧品において、
前記中皿の側面に前記係合部と係合する係合溝を形成したことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月8日(2004.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
耕起した土壌を火炎によって雑草を焼却し、害虫、雑菌の消毒処理する焼土機であって、先端に、ラインプレート（２）と耕土刃（３）を有し、後端にハンドル（４）を有する装置本体（１）を設け、該本体の中間部付近には車輪（５）を設け、車輪の内側には、脱着自在のホイールガードプレート（６）をそれぞれ設け、前記耕土刃（３）の両側には、必要に応じて、ファイアーガードプレート（７）をそれぞれ設けると共に、バーナー（８）を臨ませて設け、該バーナーの燃料を入れたタンク（９）を設けたことを特徴とする耕起焼土機。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月27日(2003.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光束圧縮ユニット、光学エンジン及びこれを用いた映像表示装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源ユニットからの所定範囲の出射光Ａを透過光軸に沿い透過させる、透過光軸の直交面に対しθ１の傾きの第１の傾斜面を有する透過プリズム手段と、
前記光源ユニットからの前記所定範囲以外の出射光Ｂの光軸を出射光Ａの光軸側に折り曲げる、入射光の光軸の直交面に対しθ２の傾きを持つ第２の傾斜面を有する反射手段と、
前記出射光Ａを透過させると共に、前記第１の傾斜面と略々平行に設けられ、前記透過プリズム手段の透過光軸の直交面となす角度がθ４である第３の傾斜面を有し、前記反射手段により反射した前記出射光Ｂを、前記第３の傾斜面の法線に対し角度θ３で入射および反射させ、前記出射光Ａと略々同等の光軸方向に前記出射光Ｂの光軸を再び揃える反射合成手段と、を備え、
照明系の光軸に対し直交する所定方向に光を圧縮するようにしたことを特徴とする光束圧縮ユニット。
【請求項２】
請求項１に記載の光束圧縮ユニットにおいて、第１の傾斜面の傾きである透過光軸の直交面となす角度θ１を、前記透過プリズムの光学部材の臨界角度θ０１に対し、θ１＜θ０１としたことを特徴とする光束圧縮ユニット。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の光束圧縮ユニットにおいて、前記第３の傾斜面と、前記透過プリズムの透過光軸の直交面とのなす角度であるθ４を、θ１＝θ４とし、かつ、前記第３の傾斜面の法線と入射光軸および法線と反射光軸のなす角度であるθ３を、前記反射合成手段の光学部材の臨界角度θ０２に対し、θ３＞θ０２としたことを特徴とする光束圧縮ユニット。
【請求項４】
請求項１、２または３に記載の光束圧縮ユニットにおいて、前記反射合成手段の第２の傾斜面の傾きθ２は、前記反射合成手段に入射する前記出射光Ｂの光軸の直交面となす角度であり、かつ、θ２＝（θ１＋θ３）／２である光束圧縮ユニット。
【請求項５】
請求項４の光束圧縮ユニットにおいて、θ３＝±４１°、θ２が略±４１．５°の範囲としたことを特徴とする光束圧縮ユニット。
【請求項６】
請求項１、２、３、４または５に記載の光束圧縮ユニットにおいて、前記光束圧縮ユニットの反射手段をプリズム構成とし、該プリズム硝材を、透過プリズムの硝材と異なる屈折率の硝材とし、臨界角度においてθ０１≠θ０２となるようにしたことを特徴とする光束圧縮ユニット。
【請求項７】
少なくとも１つ以上の光源ユニットの出射光から映像信号に応じた光学像を形成するライトバルブ手段の反射型映像表示素子と、該反射型映像表示素子の上に光を照射させる照明光学系と、該反射型映像表示素子から出射した光を投射する投射手段とを有する光学エンジンであって、
前記照明光学系が、前記偏光変換素子または前記色分離合成手段の光軸面に対する垂直方向の上下方向f値と、それと直交関係にある左右方向ｆ値とが、上下方向のf値＞左右方向ｆ値  の関係を満たすことを特徴とする光学エンジン。
【請求項８】
請求項７に記載の光学エンジンを用いて構成した映像表示装置。
【請求項９】
光源ユニットの出射光から映像信号に応じた光学像を形成する反射型映像表示素子と、
該反射型映像表示素子の上に光を照射する照明光学系と、
該反射型映像表示素子から出射した光を投射する投射手段とを有する光学エンジンであって、
シリンドリカルレンズの組合せ、偏心レンズの組合せ、プリズムあるいはミラーの組合せ、レンズアレイあるいはシリンドリカルレンズアレイと偏光変換素子の組合せの何れかから成り、照明光学系の光軸面に対し垂直方向の光束圧縮ユニット、または該光軸面に対し水平方向の光束圧縮ユニットを有して構成したことを特徴とする光学エンジン。
【請求項１０】
請求項１、２、３、４、５または６に記載の光束圧縮ユニットを用いて構成した光学エンジン。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０に記載の光学エンジンを用いて構成した映像表示装置。