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【手続補正書】
【提出日】平成15年6月25日(2003.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光用マスクに形成されたパターンの像を投影光学系を介して感光基板上に転写するのに先立ち、前記露光用マスクの位置を計測する位置計測方法において、
前記露光用マスクと異なる補正用マスクを用い、該補正用マスク上に形成された複数のマークの位置を第１の位置として計測する工程と；前記補正用マスク上の複数のマークを前記感光基板上に転写し、当該複数のマークの転写位置を第２の位置として求める工程と；前記第２の位置に対する前記第１の位置のずれ量を補正データとして求める工程と；前記第１の位置の計測する工程と同様に、前記露光用マスクに形成された複数のマークの位置を第３の位置として計測する工程と；前記第３の位置を前記補正データに基づいて補正する工程とを含むことを特徴とする位置計測方法。
【請求項２】
前記補正データは、前記補正用マスク上の複数のマークのそれぞれの位置に対応する補正マップとして記憶する工程を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の位置計測方法。
【請求項３】
前記補正マップ内に、前記露光用マスクに形成されたマークに対応する補正データが存在しない場合に、前記補正マップ内の当該マークの近傍の複数の補正データを用いて前記補正データを算出することを特徴とする請求項２に記載の位置計測方法。
【請求項４】
前記第１及び第３の位置を計測する工程は、前記感光基板側に形成されたパターンの前記投影光学系を介した像を前記補正用及び露光用マスク側において光電検出することによって行うことを特徴とする請求項１、２又は３に記載の位置計測装置。
【請求項５】
露光用マスクに形成されたパターンの像を投影光学系を介して感光基板上に転写する露光方法において、
前記露光用マスクと異なる補正用マスクを用い、該補正用マスク上に形成された複数のマークの位置を第１の位置として計測する工程と；前記補正用マスク上の複数のマークを前記感光基板上に転写し、当該複数のマークの転写位置を第２の位置として求める工程と；前記第２の位置に対する前記第１の位置のずれ量を補正データとして求める工程と；前記第１の位置の計測する工程と同様に、前記露光用マスクに形成された複数のマークの位置を第３の位置として計測する工程と；前記第３の位置を前記補正データに基づいて補正する工程と；前記補正された前記第３の位置に基づいて前記露光用マスクを位置決めする工程と；前記位置決めされた前記露光用マスクのパターンの像を前記投影光学系を介して前記感光基板上に転写する工程とを含むこと特徴とする露光方法。
【請求項６】
前記補正データは、前記補正用マスク上の複数のマークのそれぞれの位置に対応する補正マップとして記憶する工程を更に含むことを特徴とする請求項５に記載の露光方法。
【請求項７】
前記補正マップ内に、前記露光用マスクに形成されたマークに対応する補正データが存在しない場合に、前記補正マップ内の当該マークの近傍の複数の補正データを用いて前記補正データを算出することを特徴とする請求項６に記載の露光方法。
【請求項８】
前記第１及び第３の位置を計測する工程は、前記感光基板側に形成されたパターンの前記投影光学系を介した像を前記補正用及び露光用マスク側において光電検出することによって行うことを特徴とする請求項５、６又は７に記載の露光方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月11日(2003.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクと感光基板とを同期して移動することにより、前記マスクのパターン像で前記感光基板を露光する走査型露光装置の最適な露光条件を測定する方法において、
マスクと感光基板とを同期移動中に、当該感光基板に対する露光条件を変化させながら所定のパターン像で当該感光基板を露光し、
当該感光基板上に形成された前記所定パターンのレジスト像の状態に基づいて前記最適な露光条件を測定することを特徴とする露光条件測定方法。
【請求項２】
前記露光条件は、当該感光基板に対する露光量であることを特徴とする請求項１に記載の露光条件測定方法。
【請求項３】
当該感光基板に対する露光量の変化は、マスクと感光基板との同期移動速度を調整することを特徴とする請求項２に記載の露光条件測定測定方法。
【請求項４】
前記走査型露光装置は、パルス発光型の照明光をマスクに照明するための照明光学系を有し、
当該感光基板に対する露光量の変化は、前記照明光学系の単位時間当たりの発光パルス数を調整することを特徴とする請求項２に記載の露光条件測定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月17日(2003.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層と、前記半導体層上に形成され前記半導体層の一部と重なる開口を有する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された電極または配線とを有し、
前記電極または配線と前記半導体層とは、前記開口において接触し、且つ前記開口内部において同じパターンにパターニングされていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体層と、前記半導体層上に形成され前記半導体層の一部と重なる開口を有する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された電極または配線とを有し、
前記電極または配線と前記半導体層とは、前記開口において接触し、且つ前記開口内部において同じパターンにパターニングされ、
前記電極または配線と前記半導体層との接触面積より前記開口の面積の方が大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
薄膜トランジスタの活性層と、前記活性層上に形成され前記活性層の一部と重なる開口を有する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された電極または配線とを有し、
前記電極または配線と前記活性層とは、前記開口において接触し、且つ前記開口内部において同じパターンにパターニングされていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
アクティブマトリクス型の表示装置の画素に配置された薄膜トランジスタの活性層と、前記活性層上に形成され前記活性層の不純物領域の少なくとも一部と重なる開口を有する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された電極または配線とを有し、
前記電極または配線と前記活性層の不純物領域とは、前記開口において接触し、且つ前記開口内部において同じパターンにパターニングされていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、前記電極または配線と前記活性層との接触面積より前記開口の面積の方が大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１の形状の半導体層と、前記第１の形状の半導体層上の層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上の電極または配線とを有し、
前記電極または配線と前記第１の形状の半導体層とが接触した半導体装置の作製方法であって、
第２の形状の半導体層を形成し、
前記第２の形状の半導体層の一部が露呈するように前記層間絶縁膜に開口を形成し、
前記開口内部において前記第２の形状の半導体層に接触する金属膜を形成し、前記開口内部において同じパターンになるように、前記金属膜と前記第２の形状の半導体層とをパターニングし、前記電極または配線と前記第１の形状の半導体層とを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
第１の形状の半導体層と、前記第１の形状の半導体層上の層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上の電極または配線とを有し、
前記電極または配線と前記第１の形状の半導体層とが接触した半導体装置の作製方法であって、
第２の形状の半導体層を形成し、
前記第２の形状の半導体層の一部が露呈するように前記層間絶縁膜に開口を形成し、
前記開口内部において前記第２の形状の半導体層に接触する金属膜を形成し、
前記金属膜をパターニングし、前記電極または配線を形成し、
前記第２の形状の半導体層を、前記電極または配線の形状に自己整合的にパターニングし、前記第１の形状の半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
薄膜トランジスタの活性層と、前記活性層上の層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上の電極または配線とを有し、
前記電極または配線と前記活性層とが接触した半導体装置の作製方法であって、
半導体層を形成し、
前記半導体層の一部が露呈するように前記層間絶縁膜に開口を形成し、
前記開口内部において前記半導体層に接触する金属膜を形成し、
前記開口内部において同じパターンになるように、前記金属膜と前記半導体層とをパターニングし、前記電極または配線と前記活性層とを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
薄膜トランジスタの活性層と、前記活性層上の層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上の電極または配線とを有し、
前記電極または配線と前記活性層とが接触した半導体装置の作製方法であって、
半導体層を形成し、
前記半導体層の一部が露呈するように前記層間絶縁膜に開口を形成し、
前記開口内部において前記半導体層に接触する金属膜を形成し、
前記金属膜をパターニングし、前記電極または配線を形成し、
前記半導体層を、前記電極または配線の形状に自己整合的にパターニングし、前記活性層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項８または請求項９において、アクティブマトリクス型の表示装置の画素に、前記薄膜トランジスタを配置したことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月20日(2003.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデバイス製造装置を連結して構成されるデバイス製造ライン内で、搬出元格納部から搬出された複数の基板を連続的に処理する工程の中で、前記基板の搬送エラーが生じた際の当該基板の復帰処理方法において、
前記デバイス製造ライン内での前記基板の処理状況を常時監視する第１工程と；
前記搬送エラーが発生したときに、前記監視している処理状況に基づいて、前記デバイス製造ライン内に存在する全ての基板について、各々の基板が搬出された前記搬出元格納部を判別する第２工程と；
前記全ての基板を前記判別された搬出元格納部に搬送する第３工程と；
前記第３工程の後に、前記搬出元格納部に搬送された前記基板の処理を再開する第４工程とを含むことを特徴とする基板の搬送エラー復帰処理方法。
【請求項２】
前記第４工程を行う前に、前記第３工程において前記搬出元格納部に戻された前記基板の内、処理済みの基板については、処理後の基板を搬入するための搬入先格納部に搬送することを特徴とする請求項１に記載の基板の搬送エラー復帰処理方法。
【請求項３】
複数のデバイス製造装置を連結して構成されるデバイス製造ライン内で、搬出元格納部から搬出された複数の基板を連続的に処理する工程の中で、前記基板の搬送エラーが生じた際の当該基板の復帰処理方法であって、
前記搬送エラーが発生した時に、前記デバイス製造ライン内に存在する全ての基板を、各々の基板が搬出された前記搬出元格納部へ自動回収する工程と、
前記自動回収が不可能な基板が前記デバイス製造ライン内に存在するか否かを判定する工程とを含むことを特徴とする基板の搬送エラー復帰処理方法。
【請求項４】
請求項３の方法において、
前記判定結果に応じて各基板が自動回収可能か否かを表示手段に表示する工程を含むことを特徴とする基板の搬送エラー復帰処理方法。
【請求項５】
請求項３又は４の方法において、
前記デバイス製造ライン内での前記基板の位置情報を逐次監視する工程を含み、
前記自動回収が不可能な基板を手作業により回収した場合に、前記基板の位置情報を修正する工程を含むことを特徴とする基板の搬送エラー復帰処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、本発明においては、デバイス製造ライン内での基板の処理状況を常時監視し、搬送エラーが発生したときに、監視している処理状況に基づいて、デバイス製造ライン内に存在する全ての基板について、各々の基板に対応する搬出元格納部を判別する。そして、全ての基板を判別された対応する搬出元格納部に搬送した後に、搬出元格納部に戻された基板の処理を再開する。ここで、搬出元格納部に戻された基板の内、処理済みの基板については、搬入先格納部に搬送する。
又、本発明においては、搬送エラーが発生した時に、デバイス製造ライン内に存在する全ての基板を、各々の基板が搬出された搬出元格納部へ自動回収する工程を含み、さらに、前記自動回収が不可能な基板が前記デバイス製造ライン内に存在するか否かを判定する工程を含む。ここで、自動回収の可否を表示手段に表示しても良い。また、デバイス製造ライン内での基板の位置情報を逐次監視する工程を含む場合、自動回収が不可能な基板を手作業にて回収した際には、基板のデバイス製造ライン内での位置情報を修正する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【作用及び効果】上記のような本発明においては、デバイス製造ライン内での基板の処理状況を監視しているため、基板の所属するロット、すなわち、対応する搬出元格納部を容易且つ正確に特定することができる。また、監視している処理状況に基づいて、デバイス製造ライン内に存在する全ての基板をそれぞれ第１の格納部に一旦戻しているため、基板の復帰処理を画一化することができ、基板の復帰処理が容易になる。また、搬出元格納部に戻された基板の内、処理済みの基板を搬入先格納部に搬送すれば、一旦処理の終わった基板を再び処理するような２重処理を回避することができる。
また、搬送エラーが発生時に各々の基板を搬出元格納部へ自動回収する場合、自動回収が不可能な基板がデバイス製造ライン内に存在するか否かを判定するため、たとえば自動回収の可否を表示手段に表示することが可能となる。また、デバイス製造ライン内での基板の位置情報を逐次監視する場合に、自動回収が不可能な基板を手作業にて回収した際には、基板のデバイス製造ライン内での位置情報を修正することが可能であるため、基板の位置情報を常に適正なものに保つことが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月10日(2003.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両端部をその形状を板状にして封止された石英製外管の両端に口金を備え、前記石英製外管内に透光製アルミナセラミック管あるいは石英管からなる発光管を備えた両口金形高圧蒸気放電灯であって、前記両口金形高圧蒸気放電灯の両端口金端部に円柱状金属端子を有することを特徴とする両口金形高圧蒸気放電灯。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の両口金形高圧蒸気放電灯は、両端部をその形状を板状にして封止された石英製外管の両端に口金を備え、前記石英製外管内に透光製アルミナセラミック管あるいは石英管からなる発光管を備えた両口金形高圧蒸気放電灯であって、前記両口金形高圧蒸気放電灯の両端口金端部に円柱状金属端子を有する。また、円柱状金属端子棒は、ネジ止め固定によって口金端子板に取り付け、さらに、円柱状金属端子棒と口金端子板の間の隙間を融点が２４０℃以下である半田によって半田付け固定したことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月18日(2003.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性を有する基板上に形成された半導体薄膜であって、
前記半導体薄膜は実質的に単結晶と見なせる領域を有する珪素膜であり、
前記珪素膜のエネルギーバンドギャップは室温で１．３  〜１．９ｅＶ  であることを特徴とする半導体薄膜。
【請求項２】
請求項１において、エネルギーバンドギャップは、光学吸収スペクトルを測定することにより珪素膜の実効透過率の光波長依存性を求め、
前記実効透過率が減少し始める吸収端における光波長の値をＥ＝ｈｃ／λで表される式を用いてエネルギー値に変換して算出される値で定義されることを特徴とする半導体薄膜。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、珪素膜の膜厚は１０〜８５ｎｍの範囲であることを特徴とする半導体薄膜。
【請求項４】
絶縁性を有する基板上に形成された半導体装置であって、
前記半導体装置の活性層を構成する半導体薄膜は実質的に単結晶と見なせる領域を有する珪素膜であり、
前記珪素膜のエネルギーバンドギャップは室温で１．３  〜１．９ｅＶ  であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、エネルギーバンドギャップは、光学吸収スペクトルを測定することにより珪素膜の実効透過率の光波長依存性を求め、
前記実効透過率が減少し始める吸収端における光波長の値をＥ＝ｈｃ／λで表される式を用いてエネルギー値に変換して算出される値で定義されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、珪素膜の膜厚は１０〜８５ｎｍの範囲であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項４または請求項５において、半導体装置の電気特性の一つであるＳ値が８５ｍＶ／ｄｅｃ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項４乃至７のいずれか一に記載の半導体装置を用いたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項４乃至７のいずれか一に記載の半導体装置を用いたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１０】
請求項４乃至７のいずれか一に記載の半導体装置を用いたことを特徴とするエレクトロクロミックス表示装置。
【請求項１１】
請求項４乃至７のいずれか一に記載の半導体装置を用いたことを特徴とするＴＶカメラ。
【請求項１２】
請求項４乃至７のいずれか一に記載の半導体装置を用いたことを特徴とするパーソナルコンピュータ。
【請求項１３】
請求項４乃至７のいずれか一に記載の半導体装置を用いたことを特徴とするカーナビゲーション。
【請求項１４】
請求項４乃至７のいずれか一に記載の半導体装置を用いたことを特徴とするＴＶプロジェクション。
【請求項１５】
請求項４乃至７のいずれか一に記載の半導体装置を用いたことを特徴とするビデオカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】本明細書で開示する発明の構成は、絶縁性を有する基板上に形成された半導体薄膜であって、前記半導体薄膜は実質的に単結晶と見なせる領域を有する珪素膜であり、前記珪素膜のエネルギーバンドギャップは室温で１．３  〜１．９ｅＶ  であることを特徴とする。また、その珪素膜の膜厚は１０〜８５ｎｍの範囲である。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】まず第１に、本発明が示す様な構成でなる結晶性を有する珪素膜（結晶性珪素膜）の膜厚は１０〜８５ｎｍの薄膜として形成することができる点である。結晶性珪素膜を得るには、非晶質珪素膜を結晶化しても良いし、結晶性珪素膜を直接基板上に成膜しても良い。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】本発明は１０〜８５ｎｍ厚の珪素薄膜に、実質的に単結晶と見なせる領域を形成することが可能であるので、ＳＯＩ  技術における問題であった膜厚に起因するパンチスルー現象や短チャネル効果を低減することができる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】この様な半導体装置の概略の構造は図１（Ｂ）に示す様になる。半導体装置の詳細な構造の説明は実施例に譲るとして、注目すべきは活性層の膜厚が１０〜８５ｎｍの範囲である点である。勿論、それ以上の膜厚で構成することも可能なのだが、好ましくは５００  Å以下の膜厚に抑えると良い。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】この活性層はソース／ドレイン領域となるＮ型層またはＰ型層１０４、１０５とでチャネル形成領域となるＩ層１０６を挟み込んだ構造となっている。本発明が示す半導体装置は、単結晶に匹敵する結晶性を有する珪素膜を、１０〜８５ｎｍという薄さで形成して活性層とするものであるため、極めて優れた電気特性を有する特徴がある。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】本発明が示す様な図５（Ｅ）に示される半導体装置は、活性層が実質的に単結晶珪素膜で構成されており、Ｅｇが１．３  〜１．９ｅＶ  以上と単結晶珪素膜のバルクＥｇよりも大きいので、極めて優れたスイッチング機能を備えたものとなる。また、その膜厚が１０〜８５ｎｍと極めて薄いため、パンチスルーや短チャネル効果などの劣化を抑制することができる。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５９】
【発明の効果】本発明の効果としては、
（１）膜厚が１０〜８５ｎｍと薄く、かつ実質的に単結晶と見なせる領域を有する珪素膜でもって活性層を構成することができる。
（２）Ｅｇが１．３  〜１．９ｅＶ  、好ましくは１．４  〜１．７ｅＶ  であることにより、真性半導体層をチャネル形成領域としても良好なノーマリオフ特性を実現することができる。即ち、エンハンスメント型ＴＦＴを容易に作製することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月31日(2003.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
化学式(23)で表した錯体のEuの代わりに他の希土類元素の１つが入る錯体も使用し得る（一般式(22)）。また、BINAPOのフェニル基やビナフチル基上の水素原子の１つまたは複数を、同一または異なる、重水素原子、ハロゲン原子、C1〜C20の基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、スルホニル基、シアノ基、シリル基、ホスホン酸基、ジアゾ基、メルカプト基などの種々の基に置換した錯体も使用し得る。さらに、化学式(23)中のCF3のうちの１つまたは２つを、同一または異なるC1〜C20の基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、スルホニル基、シアノ基、シリル基、ホスホン酸基、ジアゾ基、メルカプト基などの種々の基に置換した錯体も使用し得る。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月13日(2003.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
搬送手段１９は、図９及び図１０に示すように、所定間隔で並設した保持板２２ａ，２２ｂ間に複数の搬送ローラ２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ，２３ｅを回転自在に配設し、３箇所の搬送ローラ２３ａ，２３ｂ，２３ｃにベルト２４を架け渡し、ベルト２４の一部に接離するようにガイド部材２５をスライド自在に配設したものである。保持板２２ａの一端側には第１モータ２６及び第２モータ２７がそれぞれ設けられている。第１モータ２６の回転軸は前記搬送ローラ２３ａに連結され、ベルト２４を循環移動させることが可能となっている。第２モータ２７の回転軸にはピニオン２８が一体化されている。ガイド部材２５は、前記ベルト２４の一部に沿う略Ｕ字形で、側部は矩形枠体２９によって補強され、底面側には前記第２モータ２７のピニオン２８が噛合するラック３０が設けられている。ガイド部材２５は、第２モータ２７を駆動することによりピニオン２８及びラック３０を介してベルト２４に対して接離する。第１モータ２６及び第２モータ２７は、包装紙１８が搬送手段１９の入口に挿入されたことが図示しないセンサによって検出されると、駆動を開始するように駆動制御されている。また、第２モータ２７は、ガイド部材２５の底面側に設けたプレート２５ａを検出するセンサ２５ｂからの検出信号に基づいてオン・オフ制御及び正逆転制御され、ガイド部材２５の移動範囲が制限される。ガイド部材２５の内面は、ベルト２４に最も接近した位置で、ベルト２４との間に包装紙１８を挟持してベルト２４・包装紙１８間の摩擦力を増大させ、ベルト２４の移動に伴って包装紙１８を搬送可能とする。なお、搬送ローラ２３ｄ，２３ｅ間には、補助シール部１００が設けられ、手動によりアーム１０１の先端に設けたローラ１０２で、包装紙１８を補助シール部１００に圧接することにより、包装紙１８の先端部分を貼着して搬送手段１９からシール手段２１への移動をスムーズに行わせることを可能としている。また、搬送ローラ２３ａ，２３ｂ間のベルト２４の上方部分には印刷装置３１（図８、図１０参照）が設けられ、包装紙１８に、収容する薬剤名や用法、用量等を適宜印刷できるようになっている。さらに、ベルト２４に沿って搬送された包装紙１８は、ガイド片１９ａによって方向変換され、ローラ１９ｂとガイド壁１９ｃとで形成される略Ｕ字形の経路を通過してホッパー部材２０及びシール手段２１へと導かれる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月18日(2003.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記判別手段は、前記記憶手段に対する記憶が正常に行われない場合に装置異常と判断することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のデジタルホルタ心電計。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
また、不用意に装置を再起動してしまうと、せっかく今まで記録した測定データに上書きされてしまい、記録された内容が残らず、今まで記録したデータをいかすことができなかった。このため、心電図情報の記録継続ができず、再生側で何等かの対処をすることもできなかった。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
それと共に、フラッシュメモリ４の記憶内容を除く各構成に対して「ＲＥＳＥＴ」信号を出力する。この「ＲＥＳＥＴ」信号により、各構成が初期化され、その後ＣＰＵ１によるパワーアップ処理が行われる。なお、このリセットがあっても、計時部ＲＴＣ５の計時はＣＰＵ等とはまったく独立して連続して行われている。そして、このパワーアップ処理実行時に、ＣＰＵ１に対して割り込み要求を行なう。ＣＰＵ１はこの割り込み信号がある場合には、フラッシュメモリ４に対して、通常と異なる再起動処理を行なう。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
その後にこの発生日時（時刻）及び発生要因を確認することができる様にするときには、例えばスイッチ回路７の特定のスイッチ（例えば「ＳＥＬＥＣＴ」スイッチを押しながら電源ＯＮスイッチを押すと一定回数（例えば１０回）上記交互点滅を行いその後に電源断とすればよい。即ち、装置は通常、自動的に電源断となることはなく、装置の電源が落ちていた場合には、装置に何等かの異常が発生たと認識することができるからである。そして、異常発生要因を確認後対応する処置を行って装置の正常な状態とした後に必要な心電図情報等の収集及び記録を行なうことになる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
一方、ステップＳ３３で途中まで記録された情報があり、装置異常で記録が中断した場合にはステップＳ３５に進み、以上発生要因等が書き込まれていない場合にはこれらの書き込み処理を行なう。そしてステップＳ３６に進む。ステップＳ３６においては、新規記録の場合にはフラッシュメモリ４の設定期間例えば最初から心電図情報の収集を行い、収集して対応するデジタル信号に変換した心電図情報を順次フラッシュメモリ４に記憶する様にフラッシュメモリ４の書き込み領域設定を行なう。また、途中で記録を中断等して再び心電図情報の収集を再開した場合には、従前に記録した内容に上書きすることなく、先の記録領域に連続して収集心電図情報の記録を実行するように様にフラッシュメモリ４の書き込み領域設定を行なう。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月27日(2003.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体内に超音波を送受信する超音波探触子と、前記超音波探触子に送波パルスを送信して超音波ビームを発生させると共に被検体内診断部位から戻るエコー信号を受信し、その反射エコーの発生した深度に応じたゲインを与えて増幅した後ビデオ信号処理する超音波回路部と、前記超音波回路部から出力されるエコー信号をディジタル変換して記憶すると共に画像表示部の走査信号に同期して記憶内容を読み出すディジタルスキャンコンバータ部と、前記ディジタルスキャンコンバータ部からの出力信号をビデオ信号に変換して超音波画像として表示する画像表示部とを備えた前記超音波画像を得る超音波映像装置において、
前記ディジタルスキャンコンバータ部に、表示された画像上で操作者が診断対象とする関心領域を設定するＲＯＩ設定器と、前記ＲＯＩ設定器で設定された関心領域に対応する映像信号レベルの分布を演算する演算処理部と、前記演算処理部の演算結果を用いて前記関心領域の受信信号レベルに対する表示輝度値カーブを制御する関心領域輝度制御手段とを備え、前記関心領域の画像を適正な輝度に制御して表示することを特徴とする超音波映像装置。
【請求項２】
前記関心領域輝度値制御手段は、受信信号レベルに応じて複数の連続した対数関数からなる受信信号レベルに対する表示輝度値カーブを制御することを特徴とする請求項１に記載の超音波映像装置。
【請求項３】
被検体内に超音波を送受信する超音波探触子と、前記探触子に送波パルスを送信して超音波ビームを発生させると共に被検体内診断部位から戻るエコー信号を受信増幅しその反射エコーの発生した深度に応じたゲインを与えて増幅した後ビデオ信号処理する超音波回路部と、前記超音波回路部から出力されるエコー信号をディジタル変換して記憶すると共に画像表示部の走査信号に同期して記憶内容を読み出すディジタルスキャンコンバータ部と、前記ディジタルスキャンコンバータ部からの出力信号をビデオ信号に変換して超音波画像として表示する画像表示部と、前記各構成要素を制御し被検体内を超音波ビームで走査して前記超音波画像を得る超音波映像装置において、前記ディジタルスキャンコンバータ部に、表示された画像上で走査者が診断対象とする関心領域を設定するＲＯＩ設定器と、前記ＲＯＩ設定器で設定された関心領域に対応する映像信号レベルの分布を演算する演算処理部と、前記演算処理部の演算結果に基いて関心領域に対応するビーム方向と深度に対しゲイン制御カーブを演算し記憶する深度ゲイン制御カーブ演算メモリと、受信信号レベルに対する表示輝度値カーブを対象のＲＯＩからの受信信号レベルに適応して補正・演算生成し、且つ／または、上記ゲイン制御カーブによって上記超音波回路部内での深度毎のゲインを制御する手段とを設けたことを特徴とする超音波映像装置。
【請求項４】
前記ゲイン制御手段は、受信信号レベルに応じて複数の連続する対数関数からなる受信信号レベルに対する表示輝度値カーブを生成することを特徴とする請求項３に記載の超音波映像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記第一の目的を達成するために、被検体内に超音波を送受信する超音波探触子と、前記超音波探触子に送波パルスを送信して超音波ビームを発生させると共に被検体内診断部位から戻るエコー信号を受信し、その反射エコーの発生した深度に応じたゲインを与えて増幅した後ビデオ信号処理する超音波回路部と、前記超音波回路部から出力されるエコー信号をディジタル変換して記憶すると共に画像表示部の走査信号に同期して記憶内容を読み出すディジタルスキャンコンバータ部と、前記ディジタルスキャンコンバータ部からの出力信号をビデオ信号に変換して超音波画像として表示する画像表示部とを備えた前記超音波画像を得る超音波映像装置において、
前記ディジタルスキャンコンバータ部に、表示された画像上で操作者が診断対象とする関心領域を設定するＲＯＩ設定器と、前記ＲＯＩ設定器で設定された関心領域に対応する映像信号レベルの分布を演算する演算処理部と、前記演算処理部の演算結果を用いて前記関心領域の受信信号レベルに対する表示輝度値カーブを制御する関心領域輝度制御手段とを備え、前記関心領域の画像を適正な輝度に制御して表示するようにしたものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明は第二の目的を達成するために、被検体内に超音波を送受信する超音波探触子と、前記探触子に送波パルスを送信して超音波ビームを発生させると共に被検体内診断部位から戻るエコー信号を受信増幅しその反射エコーの発生した深度に応じたゲインを与えて増幅した後ビデオ信号処理する超音波回路部と、前記超音波回路部から出力されるエコー信号をディジタル変換して記憶すると共に画像表示部の走査信号に同期して記憶内容を読み出すディジタルスキャンコンバータ部と、前記ディジタルスキャンコンバータ部からの出力信号をビデオ信号に変換して超音波画像として表示する画像表示部と、前記各構成要素を制御し被検体内を超音波ビームで走査して前記超音波画像を得る超音波映像装置において、前記ディジタルスキャンコンバータ部に、表示された画像上で走査者が診断対象とする関心領域を設定するＲＯＩ設定器と、前記ＲＯＩ設定器で設定された関心領域に対応する映像信号レベルの分布を演算する演算処理部と、前記演算処理部の演算結果に基いて関心領域に対応するビーム方向と深度に対しゲイン制御カーブを演算し記憶する深度ゲイン制御カーブ演算メモリと、受信信号レベルに対する表示輝度値カーブを対象のＲＯＩからの受信信号レベルに適応して補正・演算生成し、且つ／または、上記ゲイン制御カーブによって上記超音波回路部内での深度毎のゲインを制御する手段とを設けたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月18日(2003.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
直流電源から入力される大きさの変化する入力電圧を所定の大きさに昇圧する昇圧回路部と、この昇圧回路部の出力電圧を制御する昇圧制御回路と、前記昇圧回路部からの入力を交流に変換するインバータ主回路部と、を備える系統連系型インバータ装置において、
前記昇圧制御回路を、前記昇圧回路部の出力電圧が、系統連系する商用電力系統の電源電圧を検出する電圧検出手段の出力によって、該出力電圧と商用電源電圧のピーク値との差が一定となるよう制御するようにしたことを特徴とする系統連系型インバータ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１記載の系統連系型インバータ装置は、直流電源から入力される大きさの変化する入力電圧を所定の大きさに昇圧する昇圧回路部と、この昇圧回路部の出力電圧を制御する昇圧制御回路と、前記昇圧回路部からの入力を交流に変換するインバータ主回路部と、を備える系統連系型インバータ装置において、前記昇圧制御回路を、前記昇圧回路部の出力電圧が、系統連系する商用電力系統の電源電圧を検出する電圧検出手段の出力によって、該出力電圧と商用電源電圧のピーク値との差が一定となるよう制御するようにしている。これにより、昇圧回路部の出力電圧が昇圧制御回路により、系統連系する商用電力系統の電源電圧を検出する電圧検出手段の出力によって出力電圧と商用電源電圧のピーク値との差が一定となるよう制御される。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月23日(2003.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
連系線の開放，投入はルート断後、両系統の位相差が開いたことを条件に、下記とすることを特徴とする請求項１記載の系統の同期引き込み方法。
【数１】
1998014107.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係る系統の同期引き込み方法は、１ルートの連系線を介して２つの系統が連系されている前記連系線にルート断故障が発生したとき、故障発生後に当該連系線の開放，投入を少なくとも１回以上複数回繰り返すようにする。この場合、両系統間の位相が開いて３６０度となった時点で連系線の再投入をし、その後適切なタイミングで遮断器の開放，投入を繰り返せば一方の系統の蓄積エネルギーを他方の系統に放出することができ、両系統を同期に引き込むことができる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の請求項２に係る系統の同期引き込み方法は、請求項１において、連系線の開放，投入はルート断後、両系統の位相差が開いたことを条件に、下記とすることを特徴とする請求項１記載の系統の同期引き込み方法。
【数１】
（２ｎ−１）π＜θ＜２ｎπの間は開放
２ｎπ＜θ＜（２ｎ＋１）πの間は投入
但し、θは位相差
ｎは整数


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
しかし、故障直後の再投入は１秒の消イオン時間が必要となることを考慮すると実現不可能である。そこで両系統間の位相が開いて２π（３６０゜）となった時点で遮断器の再投入を行ない、その後、必要に応じて適切なタイミングで遮断器のＯＦＦ／ＯＮを繰り返して、系統Ａの蓄積エネルギーを系統Ｂに放出させるようにすれば、両系統を同時に引き込むことができるはずである。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
ＰＴを電力潮流とするとき、Ｓ０＋Ｓ１が系統Ａに蓄積されるエネルギーであり、Ｓ２が系統Ａから放出されるエネルギーである。ここで各系統Ａ，Ｂの発電機群の回転子位相角の慣性中心をθ１，θ２とすれば、これらの動作式は（１）式，（２）式で表わされる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（１）式，（２）式より系統Ａ，Ｂの慣性中心の相対運動は（３）式で表わされる。
【数３】
1998014107.tif 000002
（３）式は等価的に慣性定数Ｍ，機械入力Ｐ０，電気出力ＰＴの発電機の動揺方程式となっており、等面積法によって過渡安定度を論じることができる。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
今、調速手段（ＧＯＶ）の動作を無視し、負荷が定電力特性をもつとすれば、上記（３）式の機械入力Ｐ０は一定値となる。ここでルート断後に両系統の位相差が開き角度が２π（３６０度）となった時点で遮断器を再投入し、その後も位相が開いていく場合を考える。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
この状態において、遮断器を（４）式のように動作させれば１回のＯＦＦ／ＯＮにて、図２に示されるＳ２−Ｓ１に相当する分だけ、系統Ａの蓄積エネルギーを系統Ｂに放出できるので、両系統を同期に引き込むことができる。なお、ＯＦＦ／ＯＮの繰り返し動作は位相差が開いている場合であり、その開閉のタイミングは（４）式の通りとし減少に転じたときは後述する。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
次に開閉制御の終了条件について説明する。遮断器投入後の系統Ａ，Ｂ間の位相差が増加から減少に転じた後（即ち、両系統が同期に引き込まれた後）には（４）式の条件により遮断器のＯＦＦ／ＯＮを前記同様に繰り返すと、かえって動揺が大きくなるため制御を終了する必要がある。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
このことを図を用いて前記同様等面積法にて説明する。先ず、図３のＡ点において、系統Ａ，Ｂ間の位相差は減少に転じ、系統の状態は電力曲線に沿って左下の方向に動いていく。この時、前記した（４）式の条件によりＢ点で連系線を開放すると、系統Ｂに蓄えられた蓄積エネルギーを放出し終わるＣ点まで、ＢＣ線上を矢印に沿って位相差は減少し再び位相差が開いていく。


【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図４にほぼ理想的なタイミング（位相差３６０度）でスイッチングが行われた場合（ａ）と、スイッチングが３サイクル遅れた場合（ｂ）の発電機トルクを示す。なお、縦軸は発電機トルク［ｐｕ］を、又、横軸は時間［秒］を示す。


【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図４からわかるように、前者（ａ）では殆ど商用周波数の過渡振動分が見られないが、スイッチングが遅れた場合（ｂ）には大きな過渡振動トルクが現れている。これは、理想的なタイミングでは、母線間の位相差がなくなって、発電機出力の変化が０になっているのに対して、スイッチングが遅れると位相が開いて発電機出力がステップ上に変化しようとするためであると考えられる。又、スイッチングのタイミングが早過ぎた場合にも同様の過渡振動トルクが発生する。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月26日(2003.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
そして、図５、図６、図３２に示す様に、前記落下口６８の前部の揺動本体５１の前部下部を傾斜状に傾斜部１０６を成形し、該傾斜部１０６下面より下方にリブ１０７・１０７を突出している。該リブ１０７・１０７を用いて本発明の揺動駆動リンク１００を固定している。該揺動駆動リンク１００は、固設プレート１０１、固設リンク１０２、従動リンク１０３、揺動リンク１０４、クランク軸５３より構成されている。前記固設プレート１０１は揺動本体５１の傾斜部１０６の上面に載置する板体であり、固設プレート１０１の両端を上方に屈曲して本体５１の側面に螺装する螺合部１０１ａを形成し、前記固定プレート１０１上にはリブ１０７・１０７の軸芯に合わせる孔を開口しており、該孔よりリブ１０７内部に固定ボルト１１１を挿入し、該固定ボルト１１１下部にて固設リンク１０２を螺合している。前記固設リンク１０２は、図１１に示す様に、上面にリブ１０７・１０７と軸芯を同じくする孔を開口しており、固設リンク１０２の下面には、側面視半円状の半円部１０２ａを形設している。また、前記従動リンク１０３は、側面視略半円状の半円部１０３ａを形設し、該半円部１０３ａの一端に嵌合部１０３ｂを前下方に突出し、該嵌合部１０３ｂに軸孔１０３ｃを開口している。また、図３２、図３３に示す如く、従動リンク１０３の内側に揺動リンク１０４を配設している。該揺動リンク１０４は、前後に前リング１０４ａと後リング１０４ｂを開口し、上下に二分割に形成されている。更に、前記揺動本体５１の傾斜部１０６の側部には補強プレートを配設して、前記固設プレート１０１と固設リンク１０２の側部を螺合して、揺動による振動を受けている揺動本体５１の後部の補強を行っている。


【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
1998014376.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３２】
1998014376.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３４】
1998014376.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月26日(2003.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
そして、図５に示す様に、前記落下口６８の後部の固定チャフ８５下方の揺動本体５１の底板１０６は傾斜して配置し、該底板１０６下面より下方にリブ１０７・１０７を突出し剛性を高めており、この底板１０６に揺動駆動リンク１００を固定している。該揺動駆動リンク１００は、図５、図１１、図１２、図１３に示す様に、固設プレート１０１、固設リンク１０２、従動リンク１０３、揺動リンク１０４、クランク軸５３より構成されている。前記固設プレート１０１は揺動本体５１の底板１０６の上面に載置する板体であり、固設プレート１０１の端部を上方に屈曲して揺動本体５１の側面に螺装する螺合部１０１ａを形成し、該固設プレート１０１の底面には固設リンク１０２と固定ボルト１１１によって螺合固定するために、前記リブ１０７・１０７の間隙を埋めるためのボス１０１ｂ・１０１ｂ・１０１ｂを突設し、この固設プレート１０１と固設リンク１０２の間に底板１０６を挟んで固定することで立体的に箱状に構成して剛性を高めている。該固設リンク１０２の下面には、側面視半円状の半円部１０２ｂを形設している。また、前記従動リンク１０３は、側面視略半円状の半円部１０３ａを形設し、該半円部１０３ａの一端に嵌合部１０３ｂを前下方に突出し、該嵌合部１０３ｂに軸孔１０３ｃを開口している。また、従動リンク１０３の内側に揺動リンク１０４を配設し、該揺動リンク１０４は上下に二分割され、前後に前支持孔１０４ａと後支持孔１０４ｂを開口し、更に、前記揺動本体５１の底板１０６の側部には補強プレートを配設して、前記固設プレート１０１と固設リンク１０２の側部を螺合して、揺動による振動を受けている揺動本体５１の後部の補強を行っている。


【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
1998014378.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
1998014378.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月19日(2004.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
計量時に計量室１８１に溜めたシリコーン樹脂に、過度な圧力を付与すると計量が不正確になるなど問題が生じる。そこで、上記公報の技術では、スクリュー１０８にピストン１４１、油圧モータ１０５の軸１５１、スクリュー１０８の自重など、垂直方向下向きにかかる荷重を上向きの力で相殺せしめ、計量時に計量室内のシリコーン樹脂が加圧されないようにした訳である。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すべく本発明者は、従来の背圧制御技術を見直し過程で、圧力相殺の対象物であるピストン、軸、スクリューのうちで、ピストン重量がピストン、軸、スクリューの総重量に占める割合が格段に大きいことが分かった。このことから、ピストン、軸、スクリューの全てを制御対象とするのに比較して、軸とスクリューであれば簡単に背圧制御できることに想到した。
そこで、可塑化・計量時にピストンを軸、スクリューから分離する構造を創出し、運転したところ、良好な結果を得ることができた。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
スクリューに常時連結した背圧制御シリンダと、スクリューから分離することのできる射出シリンダとを、各々射出機構に備えたため、可塑化・計量工程では射出シリンダに影響されることなく、背圧制御シリンダで背圧制御を実施することができる。格別に複雑な制御系は必要なく、機構的には小さな背圧制御シリンダを従来装置に付加するだけで済むため、安価でコンパクトな背圧制御機能付き射出機構を提供することができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
微背圧制御では、制御弁ｓｏｌ６がＡ位置のままであるから、ピストン６７、６７の上方のシリンダ内圧力は圧力制御弁６３の作用により定まる。制御弁ｓｏｌ５をＮからＢに切替えることにより、油圧源若しくは圧縮空気源６１の圧がピストン６７、６７の下方のシリンダ内へ向うが、同時に制御弁ｓｏｌ７がＮからＡに切り替るため、ピストン６７、６７の下方のシリンダ内圧力は圧力制御弁６６により定まる。ピストン６７、６７の下方のシリンダ内圧力で、スクリュー２１、第２昇降盤２７、スプライン軸２２などの重量をキャンセルする。この結果、一般背圧より微少の微背圧制御が実施できる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月9日(2003.12.9)
【手続補正１】
【補正対象項目名】手続補正１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
土壌に水素供与体を供給し、汚水中の酸化体窒素を微生物の作用で分解する方法において、固体の水素供与体を用いることにより、水素供与体の流亡と溶出を抑制しながら、該土壌を湛水させ還元的条件を保つことによって、汚水中の酸化体窒素を分解することを特徴とする、土壌を利用した脱窒素処理方法。
【請求項２】
酸化体窒素が硝酸性窒素、亜硝酸性窒素よりなる群から選ばれる１種又は２種の物質であることを特徴とする、請求項１記載の土壌を利用した脱窒素処理方法。
【請求項３】
土壌に供給する水素供与体が炭素数１０〜１８の脂肪酸、即ち、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸のいずれか１種又は２種以上、あるいはそれらを主成分とする物質であることを特徴とする、土壌を利用した脱窒素処理方法。
【請求項４】
土壌に供給する水素供与体が、炭素数１３〜１８のアルコール、即ち、トリデシルアルコール、テトラデシルアルコール、ペンタデシルアルコール、ヘキサデシルアルコール、ヘプタデシルアルコール、オクタデシルアルコールのいずれか１種又は２種以上、あるいはそれらを主成分とする物質であることを特徴とする、土壌を利用した脱窒素処理方法。
【請求項５】
脱窒素処理前に、汚水中の窒素を不飽和重力浸透により酸化体窒素とする、土壌を利用した脱窒素処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月8日(2003.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
以上、いくつかの実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。具体的には、上記実施の形態において説明した薄膜磁気ヘッドの構成や再生時における磁気バイアスの印加方法等は、必ずしもこれに限られるものではなく、非磁性メタルピラー６０を流れるセンス電流Ｉ２により縦方向または横方向の磁気バイアスが生じ、この磁気バイアスがＣＰＰ−ＭＲピラー３０に印加されることによりその動作点が最適化され、小さな信号磁界に対して十分な線形応答を確保することが可能な限り、自由に変形可能である。本発明は、例えばハードディスクドライブなどに搭載される磁気ヘッドの他、磁気を利用した各種磁気検出装置などにも適用可能である。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】再生ヘッドに関する信号磁界の強度と抵抗値との相関（磁気バイアス印加，ＣＰＰ−ＭＲピラーと非磁性メタルピラーとの間の距離＝約１００ｎｍ）を表す図である。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドのＸＺ面に沿った断面構成を表す断面図である。


【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2002150518.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2002150518.tif 000002