【手続補正書】
【提出日】平成26年3月11日(2014.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジスト特徴を処理する方法であって、
プラズマシースに面する基板の第１の表面に隣接する前記プラズマシースを有するプラズマをプロセスチャンバー内に生成するステップと、
前記プラズマと前記プラズマシースとの間に画定される境界の形状をプラズマシース調整器で調整するステップであって、前記境界の前記形状の一部が、前記基板の前記第１の表面により画定される平面に対して平行にならず、前記プラズマからのイオンは、前記平面に対して、ある入射角度の範囲にわたり前記基板の表面に衝突する、ステップと、
を含む、レジスト特徴の処理方法。
【請求項２】
前記調整する動作は、一対のパーツにより画定されるギャップを生成するステップを含み、前記パーツは、絶縁体、半導体及び金属のうちの１つから成り、
前記ギャップ周囲の前記境界の前記形状は、前記平面に対し凸形状である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記調整する動作は、プレート内にギャップを生成するステップを含み、前記プレートは、絶縁体、導体及び半導体のうちの１つから成り、
前記ギャップ周囲の前記境界の前記形状は、前記平面に対し凸形状である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記入射角度の範囲は、０°を中心に、＋６０°と−６０°との間である、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記基板上のパターン化レジスト特徴のライン幅ラフネス（LWR）を実質的に低減するように、イオンのエネルギー及び種をアレンジする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
レジスト特徴を前記基板に配置し、前記プラズマからのイオンの衝突は、低周波のLWRを大幅に低減するのに十分である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記プラズマからの前記イオンは、不活性ガスイオンである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
基板をパターニングする方法であって、
第１組のパターン化レジスト特徴を前記基板上に提供するステップと、
前記基板に対して、ある入射角度範囲にわたり前記基板に入射するイオンを供給するように操作可能なプラズマシース調整器から引き出されるイオンの第１の照射に、前記第１組のパターン化レジスト特徴をさらすステップと、
第２組のパターン化レジスト特徴を形成するように、前記基板にリソグラフィーパターニングプロセスを行うステップと、
を含む、基板をパターニングする方法。
【請求項９】
ダブルパターニングリソグラフィープロセスを用いて、前記第１及び第２組のパターン化レジスト特徴を形成する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記イオンの第１の照射は、前記第１組のパターン化レジスト特徴を硬化させて、前記第２組のパターン化レジスト特徴を形成するために用いられる前記リソグラフィーパターニングプロセスの間に、前記第１組のパターン化レジスト特徴を無傷のまま残すように操作可能である、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記プラズマシース調整器は、第１の絶縁体部分と第２の絶縁体部分とを備え、これらの絶縁体部分間に画定されるギャップに近接するプラズマの境界の形状が、前記基板の平面に対し凸形状となるようにする、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記イオンの第１の照射は、不活性ガスイオンの暴露を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記イオンの第１の照射のイオンエネルギーは、２０keV未満である、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１組のパターン化レジスト特徴のライン幅ラフネス（LWR）は、前記イオンの第１の照射後に実質的に低減される、請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１及び第２組のパターン化レジスト特徴を、広い角度範囲にわたり前記基板に入射するイオンを供給するように操作可能なプラズマシース調整器から取り出されるイオンの第２の照射にさらすステップをさらに含み、
前記第２組のパターン化レジスト特徴のライン幅ラフネス（LWR）が、前記イオンの第２の照射後に低減される、請求項８に記載の方法。
【請求項１６】
基板にパターン化結晶特徴を注入する方法であって、
プロセスチャンバー内に位置付ける基板の第１の面に隣接するプラズマシースを有するプラズマをプロセスチャンバー内に生成するステップと、
前記プラズマと前記プラズマシースとの間の境界の形状の一部が、前記プラズマに面する前記基板の前面により画定される平面に対して平行にならないように、前記境界の前記形状をプラズマシース調整器で調整するステップと、
前記基板と前記プラズマとの間にバイアスをかけるステップであって、イオンが、前記パターン化結晶特徴にファセッティングを生じることなく、広い入射角度範囲にわたり前記パターン化結晶特徴内に注入されるようにするステップと、
を含む、基板にパターン化結晶特徴を注入する方法。
【請求項１７】
前記パターン化結晶特徴は、シリコンベースの特徴である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
基板のホールを処理する方法であって、
プラズマシースに面する基板の第１の表面に隣接する前記プラズマシースを有するプラズマをプロセスチャンバー内に生成するステップであって、前記基板は、前記第１の表面に対しある角度を成すホールの側壁表面を含む、ステップと、
前記プラズマと前記プラズマシースとの間に画定される境界の形状をプラズマシース調整器で調整するステップであって、前記境界の前記形状の一部が、前記基板の前記第１の表面により画定される平面に対して平行にならず、前記プラズマからのイオンが、ある入射角度範囲にわたり前記ホールの側壁表面に衝突する、ステップと、
を含む、基板のホールを処理する方法。
【請求項１９】
前記イオンは、前記ホールの側壁表面上で凝縮するように配置される種を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記調整する動作は、プレート内にギャップを生成するステップを含み、前記プレートは、絶縁体、金属及び半導体のうちの１つから成り、
前記ギャップ周囲の前記境界の前記形状は、前記基板の前記第１の表面により画定される平面に対し凸形状である、請求項１８に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
図１ｃに例示するように、フォトレジストの未硬化部分１１４ｂは、はがされ、マスクのアパーチャパターンに対応する三次元フォトレジストの特徴、すなわちレリーフ（フォトレジストの硬化部分１１４ａ）が基板１１２に残る。次いで、基板１１２をエッチングして、マスクのアパーチャパターンのネガの像に対応するトレンチ１１６を形成することができる（図１ｄ）。残存するフォトレジスト１１４ａを除去して、パターニングされた基板を形成することができる（図１ｅ）。金属層をトレンチに堆積すれば、所望のパターンを有する回路を基板１１２に形成することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【図１ａ】従来の光リソグラフィープロセスのステップを例示する基板の概略断面図である。
【図１ｂ】従来の光リソグラフィープロセスのステップを例示する基板の概略断面図である。
【図１ｃ】従来の光リソグラフィープロセスのステップを例示する基板の概略断面図である。
【図１ｄ】従来の光リソグラフィープロセスのステップを例示する基板の概略断面図である。
【図１ｅ】従来の光リソグラフィープロセスのステップを例示する基板の概略断面図である。
【図２】マスクのアパーチャパターンの像を基板に投影するための従来の光リソグラフィーシステムの概略図である。
【図３ａ】本発明の一実施形態による基板処理システムの概略図である。
【図３ｂ】本発明の実施形態により提供されるような基板に入射するイオン粒子の例示的な角度分布を示す図である。
【図４】本発明の例示的特徴を示すプラズマシース調整器及びレジスト特徴の概略断面図である。
【図５】ａ〜ｄは、三次元レジストパターンを処理する実施形態の例示的な結果を示す図である。
【図６】既知のイオン注入にさらした後のパターン化シリコン特徴を示す図である。
【図７】例示の広角度範囲のイオンフラックスにさらした後のパターン化シリコン特徴を表わす図である。
【図８ａ】一実施形態による三次元処理の断面図である。
【図８ｂ】一実施形態による三次元処理の平面図である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
プラズマ３０６と基板１１２との間に、１つ以上のプラズマシース調整器（plasma sheath modifiers）３１２を配置することができる。本実施形態では、プラズマシース調整器３１２は、互いにギャップ「ｙ」だけ相隔たる一対の調整器パーツ３１２ａ及び３１２ｂを備えることができる。別の実施形態では、プラズマシース調整器３１２は、単一の調整器パーツを備えることができる。さらに他の実施形態では、プラズマシース調整器３１２は、ギャップを規定する互いに相隔たる３つ以上の調整器のパーツを備えることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
プラズマシース調整器３１２が２つ以上のパーツを備える場合、これらのパーツは同じ平面又は異なる平面に配置することができる。例えば、処理システム３００内に含まれるプラズマシース調整器３１２は、２つの調整器パーツ３１２ａ及び３１２ｂを備えることができる。調整器パーツ３１２ａ及び３１２ｂは、基板１１２と各調整器パーツとの間の垂直間隔「ｚ」が同じとなるように、同一平面内に配置することができる。別の実施形態では、プラズマシース調整器３１２は、２つの調整器パーツ３１２ａ及び３１２ｂを備えることができ、各調整器パーツ３１２ａ及び３１２ｂは、基板１１２から異なる垂直間隔「ｚ」だけ相隔てることができる。プラズマシース調整器を備える処理システムの追加の説明は、米国特許同時係属出願第１２／４１８，１２０号、２００９年４月３日に出願し米国特許番号７，７６７，９７７として発行された米国特許同時係属出願第１２／４１７，９２９号、及び米国特許同時係属出願第１２／６４４，１０３号に見いだすことができ、各々は、本明細書にその全体が参照用として組み込まれるものとする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
動作中、その場で又は遠隔地で生成されたプラズマは、プロセスチャンバー３０２内に含めることができる。プラズマ３０６は、所望の種の電子、陽子、原子イオン又は分子イオン、中性イオン及びラジカルイオンを含むフラグメントを含むことができる。本発明では、プラズマ３０６は、基板１１２上の材料をドープしたり、エッチングしたり、又は堆積したりするのに用いることができる。プラズマ３０６中に含まれる種は、１つ以上の特定の種に限定されない。種は、Ｉ族及び３Ａ〜８Ａ族からの１つ以上の元素を含むことができる。プラズマ３０６に含まれる種の例は、水素（H）、ヘリウム（He）又は他の希ガス、炭素（C）、酸素（O）、窒素（N）、ヒ素（As）、ホウ素（B）、リン（P）、アンチモン、ガリウム（Ga）、インジウム（In）、カルボランC2B10H12又は他の分子化合物を含むことができる。図３ａに例示するように、プラズマ３０６は、その周辺付近にプラズマシース３０８も含み得る。本実施形態では、プラズマシース３０８は、正に帯電したイオン３１０を含み得る。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図に示すように、プラズマシース３０８は、プラズマ３０６との境界により表される。しかしながら、プラズマシース３０８は、プラズマ３０６のエッジから、プラズマ３０６の周りの物体の表面まで、例えば、チャンバー３０２の壁及び基板１１２の表面までの有限距離を伸びることは理解されるであろう。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
プラズマシース調整器３１２は、イオン３１０の入射角度分布を制御するために、プラズマシース３０８の形状を変えることができる。例えば、プラズマシース調整器３１２は、プラズマシース３０８の電界を調整することができ、プラズマシース３０８の形状を変えることができる。本実施形態では、プラズマシース調整器３１２は、少なくともプラズマシース３０８の一部を、バルクプラズマ３０６に対して凹形のプラズマシース（調整済みシース３０８ｂ）、又は、バルクプラズマに対してドーム形の（凸形の）プラズマに変えることができる。基板１１２にバイアスがかけられている場合、基板１１２の方に引き付けられるイオン３１０は、調整器パーツ３１２ａと３１２ｂとの間のギャップ「ｙ」にわたり広範囲の入射角度で進むことができる。従来のプラズマベースの処理システムでは、基板に最も近いプラズマシースは、基板に対して平行である。基板にバイアスがかけられている場合、イオンは、プラズマシースにほぼ垂直、従って、基板にほぼ垂直な経路で進む。結果的に、従来のプラズマ処理システムにおけるイオンの入射角度範囲は、−３°〜＋３°である。しかしながら、本実施形態では、イオン３１０の入射角度は、変更した調整済みのシース３０８ｂで変更され得る。図３ａに例示するように、調整シース３０８ｂは、基板に対し多様な角度を成している。そのため、調整シース３０８ｂに垂直に進むイオン３１０は、多様な角度で進むことになる。調整シース３０８ｂの異なる部分から基板１１２に進むイオン３１０は、異なる入射角度を有することができ、従って、イオン３１０は広範囲の入射角度を有する。図３ｂに例示するように、イオン３１０の入射角度の範囲は、約０°を中心に、約＋６０°と約−６０°との間の範囲になり得る。いくつかの実施形態では、イオン３１０の入射角度は、プラズマシース調整器３１２により生成される電界により、さらに調整することもできる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
これらに限定はされないが、プラズマシース調整器３１２の構成及び特性を含む多くの要因に応じて、イオンの入射角度はさらに調整することができる。そのような要因の例は、調整器パーツ３１２ａと３１２ｂとの間の水平間隔（Ｙ）、プラズマシース調整器３１２と基板１１２との間の垂直間隔（Ｚ）、基板１１２と各調整器パーツ３１２ａ及び３１２ｂとの間の垂直間隔の差（ｚ）（図示せず）、及びプラズマシース調整器３１２の電気特性を含むことができる。イオンの入射角度及び／又は入射角度分布を調整するように、他のプラズマプロセスパラメータを調整することもできる。追加の説明は、米国特許同時係属出願第１２／４１８，１２０号、第１２／４１７，９２９号、及び第１２／６４４，１０３号に見いだすことができ、これらの各々は、本明細書にその全体が参照用により援用される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図４を参照するに、本発明の一実施形態による三次元構造を処理する技術が示される。本実施形態では、この技術は三次元のフォトレジストレリーフ（フォトレジストの硬化部分１１４ａ）に含まれるLER及びLWRを低減するのに用いることができる。前述したように、LER及びLWRは、光リソグラフィーの間で、フォトレジストの未硬化部分を除去した後に得られる三次元のフォトレジストレリーフ（フォトレジストの硬化部分１１４ａ）に、生じ得る。本実施形態では、フォトレジストレリーフ（フォトレジストの硬化部分１１４ａ）に含まれるLER及びLWRは、レリーフ（フォトレジストの硬化部分１１４ａ）の種々の面上に、プラズマシース調整器３１２を用いて、プラズマ支援ドーピング（PLAD）又はプラズマ浸漬イオン注入（PIII）プロセスを実施することにより、低減することができる。図面は必ずしも正確な縮尺ではないことを、当業者は認識するであろう。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図４に例示するように、側面１１４ａ−１及び頂面１１４ａ−２を有する三次元のフォトレジストレリーフ（フォトレジストの硬化部分１１４ａ）は、基板１１２上に配置される。基板１１２及びフォトレジストレリーフ（フォトレジストの硬化部分１１４ａ）は、プラズマシース調整器３１２を含むプラズマ処理システム内に配置し、プラズマは基板１１２の近くに配置する。その後、プラズマ内のイオン３１０は、プラズマシース調整器のパーツ３１２ａと３１２ｂとの間のギャップを通って、フォトレジストレリーフ（フォトレジストの硬化部分１１４ａ）の表面へ向かわせることができる。図に例示するように、イオン３１０は、多様な入射角度で向かわせることができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本実施形態では、イオン３１０は、フォトレジストレリーフ（フォトレジストの硬化部分１１４ａ）の側面１１４ａ−１及び頂面１１４ａ−２に注入することができる。様々なイオン種を注入することができるけれども、本発明では、ヘリウム（He）イオン又はアルゴン（Ar）イオンを注入することができる。レジストへのイオンの照射時間は、広範囲をカバーするけれども、本発明の実施形態では、照射時間は、約１秒から数分に変えることができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図４を再び参照するに、約４０ｎｍの公称限界寸法（ＣＤ）を有する一組のレジストラインに、例示の引き出しプレートを用いて３kVのHeプラズマを照射した。Heイオン３１０をフォトレジストレリーフ（フォトレジストの硬化部分１１４ａ）の頂面１１４ａ−２及び側面１１４ａ−１の両方に３〜４kVで注入することにより、LERは５．６ｎｍから３．２ｎｍに改善され、LER及びLWRで約４０％の改善が観察された。プラズマシース調整器３１２を用いてHeイオンを注入することにより、改善がフォトレジストレリーフ（フォトレジストの硬化部分１１４ａ）の複数の面（側面１１４ａ−１及び頂面１１４ａ−２）に同時に、等方的に生じた。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
さらに、フォトレジストレリーフ（フォトレジストの硬化部分１１４ａ）のごく僅かの限界寸法の収縮が観察された。特に、レジストレリーフ（フォトレジストの硬化部分１１４ａ）にHeイオン３１０を多様な入射角度で注入した場合、処理前の３９．１ｎｍの測定限界寸法（ＣＤ）は、処理後に３７．６ｎｍに収縮しただけで、僅か４％の収縮に相当した。最小限のファセッティング形成又はスパッタリングも観察された。PLAD又はPIIIプロセスは低エネルギープロセスであるので、イオン３１０が注入される深さは非常に浅い。そのため、例えば、レジストの収縮及び／又はスパッタリングのような、イオン注入により生じるフォトレジストレリーフ（フォトレジストの硬化部分１１４ａ）に対する変化は最小であり得る。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
ライン幅ラフネスを低減することに加えて、いくつかの実施形態により、フォトレジスト特徴の多数表面の同時等方的硬化を誘発することができる。再び図４を参照するに、広角度範囲のイオンフラックスにさらした後、フォトレジストレリーフ（フォトレジストの硬化部分１１４ａ）として概略的に表わすパターン化レジスト特徴に等方的な硬化が観察された。ダブルパターニングリソグラフィー（ＤＰＬ）プロセス又は自己整合のダブルパターニングリソグラフィー（ＳＡＤＰＬ）プロセスを達成するために、追加の光リソグラフィープロセスを実施する場合、フォトレジストレリーフ（フォトレジストの硬化部分１１４ａ）の同時等方的硬化は有利であり得る。ＤＰＬ又はＳＡＤＰＬでは、第１のリソグラフィープロセス中に形成された２つの元のフォトレジストレリーフの間に、追加のフォトレジストレリーフを生成するために、第２のリソグラフィープロセスを実施する。追加のフォトレジストレリーフの形成により、それらの間の距離が減少することになり、基板１１２に、さらにより短い幅のトレンチをもたらすことができる。第２のリソグラフィープロセスの間に、化学的処理を行なうことができる。この実施時に、第１のリソグラフィープロセスの間に形成されたフォトレジストレリーフの構造は、悪影響を受け得る。本実施形態では、等方的に硬化したフォトレジストレリーフ（フォトレジストの硬化部分１１４ａ）は、第２のリソグラフィープロセスに関連する化学的処理に耐えることができる。そのため、ＤＰＬ又はＳＡＤＰＬを達成するための追加のリソグラフィープロセスが可能である。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
図５ａ〜ｄは、三次元のレジストパターンを処理する実施形態の例示的な結果を表わす。本例では、例示的なレジスト硬化プロセスの動作を明確にするために、いくつかの異なるタイプのレジスト特徴には、広角度範囲のイオンを与えるため、例示の引き出しプレート（プラズマシース調整器）を用いて、イオンを照射した。図５ａを参照するに、基板５００は、プレートのような例示のプラズマシース調整器３１２を用いて、広角度分布のイオンに例示的に照射される一部５０２を含む。図５ａの例では、ｙ方向に沿って基板５００に対してスキャンすることができるアパーチャ３１４を通ってイオンが基板５００に衝突するように、アパーチャ３１４を有するプラズマシース調整器３１２を基板５００の上に配置することができる。図４も参照するに、図４に示すプラズマシース調整器３１２の図は、図５ａに例示するｙ方向に沿っている。図５ｂは、パターン化された垂直のレジストライン５０４（ｙ方向に対して平行な長軸）、水平に配置されたレジストライン５０６（ｘ方向に対して平行な長軸）及びブランケット部分５０８を含む一部５０２のより詳細な図を表す。基板の一部５０２は、レジスト特徴に例示の広角度イオンフラックス５３０を照射後、レジスト現像プロセスを模倣するために用いるエッチング液にさらされる部分を示す。図に示すレジスト特徴の構造は、イオン照射の終了後、エッチング液にさらした後に得られる構造に対応しているけれども、図にはイオンフラックス５３０を示してある。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
本例で図に例示するように、イオンフラックス５３０は、（図４及び図５に規定するように）ｙ方向に概して平行に、さらに図５ｄに例示するように、入射角度のある範囲にわたって、基板の一部５０２に衝突する。図５ｄにおいては、各レジストライン５０６には、イオンフラックス５３０が、レジストラインの頂部と、側壁５１８に沿って衝突する。様々なレジスト特徴のエッチング結果を、図５ｂに上面平面図で示し、図５ｃ及びｄそれぞれにラインＡ−Ａ′及びＢ−Ｂ′に沿った断面図を示す。明らかなように、レジスト特徴の部分の優先エッチングが生じ、パターン化レジスト特徴のエッチ耐性に及ぼす例示の広角度イオン照射の効果を例示する。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
特に、イオン照射にさらされないレジスト特徴のそれらの部分は、非常にエッチングされやすい。例えば、ブランケット部分５０８は、イオンフラックス５３０にさらされる水平エッジ５１６と、イオンフラックス５３０に対して平行に配置され、それ故、イオンフラックス５３０からの直接のイオン照射を受けない垂直エッジ５１４とを有する。図５ｂに示すように、かなりのレジストのエッチングが、保護されない（即ち、イオン照射されない）垂直エッジ５１４から内側に延びる長さＬにわたって生じる。同様に、各々が一対の保護されていない垂直エッジ５１４を有する垂直のレジストライン５０４は、その距離がエッチング長さＬより短い個々の幅Ｗにわたって、かなりエッチングされる。従って、レジストライン５０４の全体の幅は、エッチングにより、かなり浸食される。他方、全体の側壁５１８に沿ってイオン照射にさらされる水平のレジストライン５０６は、イオン照射を受けない小さい垂直ノッチ５２０のすぐ近くの領域５４０を除いて、エッチングから十分に保護される。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
本実施形態では、イオン３１０を多様な入射角度でホール８１２の側壁表面８１４に向ける。図示のように、側壁表面８１４は、基板８００の頂面８１６に対し、いくつかの実施形態では約９０度とし得る角度を成す。イオンが望ましいけれども、本発明はラジカル粒子又は中性粒子を含む他の粒子を除外しない。ホール８１２の表面に向けられるイオン３１０は、この場合、ホール８１２の表面に堆積され、それにより、第２の直径Ｒ２を有する境界層８２２を形成する。プラズマシース調整器３１２を用いることにより、イオン３１０を多様な入射角度でホール８１２の表面に向けることができる。その結果、等角で等方性の堆積が生じ、均一な厚さの境界層８２２を形成することができる。さらに、基板８００の元のホールの直径は、Ｒ１からＲ２に等角的に、且つ等方的に減少する。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３ａ】
2013527595.tif 000001
【手続補正２１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2013527595.tif 000002