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【手続補正書】
【提出日】平成15年10月31日(2003.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周辺装置とコンピュータ・ネットワークとの間のインタフェースにおける共用メモリの競合を削減する装置であって、当該インタフェースは、パケットデータが当該インタフェースを介して当該共用メモリへ順次伝送されるようにデータ転送プロトコルを実施し、当該パケットの制御メカニズムは、共用メモリの所定の場所に常駐し、
共用メモリと、共用メモリ・アービトレータと、前記周辺装置と前記共用メモリ・アービトレータの間に置かれ、当該パケットデータに関する読取りオペレーションにおいて次に要求されるデータを先取りする先取りモジュールとを備え、
当該先取りモジュールは、周辺装置共用メモリ要求を処理するアクセス状態マシーンと、少なくとも１つの先取りアドレス・レジスタと、少なくとも１つの有効フラグを有する少なくとも１つの先取りバッファと、先取りフェンス・レジスタと、を備える装置。
【請求項２】
前記共用メモリが、ページ・モード・ダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）アレイをさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記アクセス状態マシーンが、前記共用メモリをアクセスするために、バイト書込み、バイト読取り、及びロング・ワード読取りモードのいずれかを使用する、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
共用メモリ要求が書込要求であるならば、前記アクセス状態マシーンが、前記共用メモリ・アービトレータから前記共用メモリへ１バイト書込みを要求し、前記アクセス状態マシーンが肯定応答を出す、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記共用メモリ要求が読取りオペレーションであり、要求された共用メモリ・アドレスが先取りアドレス・フェンス・レジスタより下位にあるならば、前記アクセス状態マシーンが前記共用メモリ・アービトレータからの１バイト読取りを要求する、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
要求された共用メモリ・アドレスが先取りアドレス・フェンス・レジスタより上位にあり、ワード・アラインされた前記メモリ・アドレスが先取りアドレス・レジスタ０（ＰＡＲ０）又は先取りアドレス・レジスタ１（ＰＡＲ１）とマッチしないならば、前記アクセス状態マシーンが、前記共用メモリ・アービトレータから単一ロング・ワード読取りを要求する、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
周辺装置とコンピュータ・ネットワークとの間のインタフェースにおける共用メモリの競合を削減する方法であって、当該インタフェースは、パケットデータが当該インタフェースを介して当該共用メモリへ順次伝送されるようにデータ転送プロトコルを実施し、当該パケットの制御メカニズムは、共用メモリの所定の場所に常駐し、当該方法は、
共用メモリにデータを記憶するステップと、
当該共用メモリにおいて次に要求されるデータを先取りするステップと、を含み、
当該先取りオペレーションは、共用メモリ競合の可能性を削減し、当該共用メモリに関する周辺装置読取りオペレーションのメモリ・アクセス時間を削減し、当該先取りステップは、
周辺装置共用メモリ要求を処理するアクセス状態マシーンと、少なくとも１つの先取りアドレス・レジスタと、少なくとも１つの有効フラグを有する少なくとも１つの先取りバッファと、先取りフェンス・レジスタと、を備える当該先取りモジュールによって行われる方法。
【請求項８】
バイト書込み、バイト読取り、及びロング・ワード読取りモードのいずれかにより、前記共用メモリにアクセスするステップをさらに含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記アクセス状態マシーンが、共用メモリ・アービトレータから前記共用メモリへ１バイト書込みを要求するステップと、前記共用メモリ要求が書込要求であるならば、前記アクセス状態マシーンが肯定応答を出すステップと、をさらに含む請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記共用メモリ要求が読取りオペレーションであり、要求された共用メモリ・アドレスが先取りアドレス・フェンス・レジスタより下位にあるならば、前記アクセス状態マシーンが前記共用メモリ・アービトレータからの１バイト読取りを要求するステップをさらに含む請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
周辺装置とＩ／Ｏカード装置との間のＭＩＯデータ転送プロトコルを実施するインタフェースにおける共用メモリの競合を削減する方法であって、
共用メモリにデータを順次記憶するステップと、
プログラマブル・レジスタに、先取りオペレーションが開始する、所定の数Ｎを加えた共用メモリ・アドレスを記憶するステップと、
当該プログラマブル・レジスタのアドレスよりも大きい、共用メモリ・アドレスを有する、どのような周辺装置読取り要求に対しても、当該共用メモリにおいて、次に要求されるデータを先取りするステップと、を含み、
当該先取りステップは、
周辺装置共用メモリ要求を処理するアクセス状態マシーンと、少なくとも１つの先取りアドレス・レジスタと、少なくとも１つの有効フラグを有する少なくとも１つの先取りバッファと、先取りフェンス・レジスタと、を備える先取りモジュールによって行われる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月25日(2003.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の渦巻状スクロールラップを有する旋回スクロールと、第２の渦巻状スクロールラップを有する固定スクロールと、前記旋回スクロールにクランクシャフトが貫通して設けられ、該クランクシャフトにより前記旋回スクロールを公転運動させることで、前記旋回スクロールと前期固定スクロールとの間の流体を順次圧縮させるスクロール形真空ポンプにおいて、前記クランクシャフトの表面が耐蝕性層から成ることを特徴とするスクロール形真空ポンプ。
【請求項２】
前記クランクシャフトは、ステンレスから成り、該ステンレスに含有するクロムが酸化した酸化クロムが前記耐蝕性層であることを特徴とする請求項１記載のスクロール形真空ポンプ。
【請求項３】
前記耐蝕性層は、金、銀、無電解ニッケル、無電解リン皮膜、窒化チタン皮膜、或は炭化チタン皮膜であることを特徴とする請求項１記載のスクロール形真空ポンプ。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月10日(2003.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一部に欠歯部を有し、駆動歯車と噛み合い可能な欠歯歯車と、該欠歯歯車と一体回転可能なカムと、該欠歯歯車を駆動歯車に係合させるために該欠歯歯車と該カムに初期回転力を与えるための初期回転付勢手段と、該カムの係止段部に係合して該カムの回転を停止するレバーと、該レバーをカムの係止段部との係合から解除する解除手段と、該レバーをカムに接触する方向に復帰させる復帰手段とを備え、
前記カムは、前記係止段部よりカム回転方向下流部で該係止段部に隣接するカム解除面と、該カム解除面より下流部に配置され前記解除手段により解除された前記レバーが復帰するカム復帰面を備え、前記カム復帰面の高さを、前記カム解除面の高さよりも高く設定したことを特徴とするクラッチ装置。
【請求項２】
請求項１において、前記レバーの解除作動時又は復帰作動時における該レバーによる衝撃を緩和する緩衝手段を有することを特徴とするクラッチ装置。
【請求項３】
請求項２において、前記緩衝手段は、前記解除手段により移動される側の前記レバーの面に当接するように配設された弾性部材であることを特徴とするクラッチ装置。
【請求項４】
請求項３において、前記弾性部材は、軟質樹脂材で形成されていることを特徴とするクラッチ装置。
【請求項５】
請求項２において、前記緩衝手段は、前記レバーの少なくとも一部をなす弾性部材であることを特徴とするクラッチ装置。
【請求項６】
請求項５において、前記レバーは、全体が弾性金属板で形成されていることを特徴とするクラッチ装置。
【請求項７】
請求項５において、前記緩衝手段は、前記カムの係止段部に係合する前記レバーの係止部に設けられた弾性部材であることを特徴とするクラッチ装置。
【請求項８】
請求項７において、前記弾性部材は、ゴム部材であることを特徴とするクラッチ装置。
【請求項９】
請求項１において、前記カム面は、前記レバーと係合する係止段部以外は、滑らかな連続面で形成されていることクラッチ装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１つに記載のクラッチ装置において、前記解除手段はソレノイドであり、前記復帰手段はスプリングであることを特徴とするクラッチ装置。
【請求項１１】
シートを積載するシート積載手段と、請求項１乃至１０のいずれか１つに記載のクラッチ装置を介して駆動歯車により駆動され、前記シート積載手段からシートを給送する給紙ローラとを有することを特徴とする給紙装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の給紙装置と、該給紙装置により給送されるシートに画像を形成する画像形成手段を有することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、従来の前記課題を解決するものであり、本発明の目的は、解除手段によりレバーとカムの係止段部との係合が解除される際、または、レバーがカム面に復帰する際に生じる騒音の発生を抑制可能なクラッチ装置を提供することである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の代表的な手段は、一部に欠歯部を有し、駆動歯車と噛み合い可能な欠歯歯車と、該欠歯歯車と一体回転可能なカムと、該欠歯歯車を駆動歯車に係合させるために該欠歯歯車と該カムに初期回転力を与えるための初期回転付勢手段と、該カムの係止段部に係合して該カムの回転を停止するレバーと、該レバーをカムの係止段部との係合から解除する解除手段と、該レバーをカムに接触する方向に復帰させる復帰手段とを備え、前記カムは、前記係止段部よりカム回転方向下流部で該係止段部に隣接するカム解除面と、該カム解除面より下流部に配置され前記解除手段により解除された前記レバーが復帰するカム復帰面を備え、前記カム復帰面の高さを、前記カム解除面の高さよりも高く設定したことを特徴とする。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１の発明によれば、レバーがカム面に復帰する際のカム復帰面の高さを、レバーとの係合を解除する際のカム解除面の高さよりも高く設定することにより、レバーがカム面に復帰する際に該カム面に衝突せず、騒音の発生を抑制することができる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
また、請求項２乃至４の発明によれば、レバーの解除作動時又は復帰作動時におけるレバーによる衝撃を緩和する緩衝手段が備えられることにより、レバーの解除又はレバー復帰の際の騒音をより効果的に抑制することが可能となり、装置全体の騒音低下につながる。さらに、各々の部品精度や組立精度による部品緩衝といった不良を未然に防ぐことも可能となり、給紙不良の少ない信頼性を高めることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月11日(2003.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
複数の絶縁膜の最終の絶縁膜の形成後、該最終の絶縁膜上にオンチップレンズ形成用の膜を形成し、該膜をオンチップレンズ状に形成し、その後、上記１回のエッチング処理を上記オンチップレンズ状に形成した膜及び上記複数の絶縁膜に施すことにより、パッド電極を露出するための窓開けと共に、上記最終の絶縁膜によるオンチップレンズの形成を行う
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図２は、本発明を、オンチップレンズの形成をレジストエッチバックによる形状転写で行う場合に適用した方法を示す断面図である。本例は、オンチップレンズ材を兼ねるオーバーパッシベーション膜（オンチップレンズ材兼オーバーパッシベーション膜）１０上にオンチップレンズ形状を有するオンチップレンズ形状材１１を塗布した後、パッド電極３の上方のオンチップレンズ材兼オーバーパッシベーション膜１０に窓開けを行って、オンチップレンズ形状材１１のパターニング後のレジストエッチバックをする時に、パッド電極３上のパッシベーション膜５及び平坦化膜８に窓開けもするものである。なお、１２はオンチップカラーフィルタ、１３は受光面を示している。
本発明固体撮像素子の製造方法によれば、パッド電極３上にパッシベーション膜５、上層膜となる平坦化膜８及びオーバーパッシベーション膜９を積層し、最終のオーバーパッシベーション膜９を形成した後に、１回のエッチング処理を施して複数の絶縁膜にパッド電極３を露出するための窓開けを行うので、パッド電極３を露出するための窓開けを１回の工程で行うことができる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
1998321828.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月11日(2003.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板本体部と、
上記基板本体部上に形成された絶縁膜と、
上記絶縁膜上に形成された基板表面部と、
上記基板表面部に形成された素子分離領域としての溝と、
上記溝の側面上に直接的に形成された多結晶シリコン層と、
間に置かれた上記多結晶シリコン層と共に上記溝内に埋め込まれて形成された絶縁層と
を有する半導体装置。
【請求項２】
上記多結晶シリコン層がリン又はボロンを含有する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
上記溝が上記基板表面部を貫通して上記絶縁膜に達する深さを有する請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
上記溝内に埋め込まれて上記絶縁層に囲まれた多結晶シリコン層を更に有する請求項１、２又は３に記載の半導体装置。
【請求項５】
上記基板表面部の上記素子分離領域によって囲まれた素子形成領域に形成されたＭＯＳトランジスタを有する請求項１、２、３又は４に記載の半導体装置。
【請求項６】
上記ＭＯＳトランジスタのドレイン拡散層が上記ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜よりも厚い前記絶縁層と同時に形成された絶縁層の下方の前記基板表面部に形成されている請求項５に記載の半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、トレンチ分離により素子間分離を行う半導体装置に関し、例えば、ＳＯＩ（Silicon On Insulator又はSemiconductor On Insulator）基板におけるトレンチ分離に適用して特に好適なものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
そこで、本発明の目的は、各素子形成領域に侵入した金属汚染物等を効果的にゲッタリングすることができて、それらの金属汚染物等による素子特性の劣化を軽減することができるトレンチ型素子分離構造を有する半導体装置を提供することである。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決する本発明の半導体装置は、半導体基板本体部と、上記基板本体部上に形成された絶縁膜と、上記絶縁膜上に形成された基板表面部と、上記基板表面部に形成された素子分離領域としての溝と、上記溝の側面上に直接的に形成された多結晶シリコン層と、間に置かれた上記多結晶シリコン層と共に上記溝内に埋め込まれて形成された絶縁層とを有する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月20日(2003.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
このような画質の劣化の低減を図る方法として図４に示すように、蛍光面３上において、画素ごとに蛍光体を取り囲む立体的な隔壁２０を形成する方法が提案されている（米国特許：第５４７７１０５号、米国特許：第５５６５５９６号等参照)。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月15日(2003.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
排ガス中の各成分間の酸化還元化学量論関係において還元剤に対して酸化剤が多い状態でＮＯｘを化学吸着し、酸化剤に対し還元剤が同量以上の状態で吸着したＮＯｘを接触還元するＮＯｘ吸着触媒を排ガス流路に配置してなる排ガス浄化装置であって、前記ＮＯｘ吸着触媒としてカリウム，ナトリウム，ストロンチウム及びカルシウムから選ばれる少なくとも一種と、セリウム等の希土類から選ばれる少なくとも一種と、白金，ロジウム，パラヂウム等の貴金属から選ばれる少なくとも一種と、チタン及びシリコンから選ばれる少なくとも一種の元素を含む、金属及び金属酸化物もしくは複合酸化物からなる組成物を多孔質耐熱性金属酸化物に担持してなる触媒を備え、ＥＣＵの判定及び制御信号によりリーン運転時には前記ＮＯｘ吸着触媒のＮＯｘ吸着能力を常時判定して、ＮＯｘ浄化能力が低下した場合に空燃比をリッチ側にシフトして前記吸着触媒の吸着能を回復させることを特徴とする内燃機関の排ガス浄化装置。
【請求項２】
請求項１において、前記リーン運転時にＮＯｘ吸着量の推定演算を行い該推定ＮＯｘ吸着量が所定限界量であるか否かを判定し、ＮＯｘ吸着能がない場合に前記リッチ側へのシフトを行うことを特徴とする内燃機関の排ガス浄化装置。
【請求項３】
請求項１において、前記リーン運転時にＮＯｘ吸着量の推定演算を行い該推定ＮＯｘ吸着量が所定限界量であるか否かを判定し、ＮＯｘ吸着能がある場合には前記ＥＣＵの指示通りの設定空燃比を行うことを特徴とする内燃機関の排ガス浄化装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月12日(2003.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自動取引装置からの取引情報の時系列データを入力する第１の入力手段と、
前記自動取引装置の取引発生時の環境情報を入力する第２の入力手段と、
前記第１の入力手段で入力された時系列データと前記第２の入力手段で入力された環境情報とを対応させて記憶する第１の記憶手段と、
この第１の記憶手段に記憶された時系列データをクラスタリングすることにより時系列パターンを得るクラスタリング手段と、
このクラスタリング手段で得られた時系列パターンを前記第２の入力手段で入力された環境情報とともに記憶する第２の記憶手段と、
前記第２の入力手段で入力された環境情報を用いて予測期間の環境情報を指定する指定手段と、
この指定手段で指定された予測期間の環境情報を用いて予測期間に対応する過去の時系列パターンとその環境情報を前記第２の記憶手段から検索する検索手段と、
この検索手段で検索された時系列パターンと環境情報を用いて予測期間の必要資金量を予測する第１の予測手段と、
前記自動取引装置の配置構成が変更されたとき、その配置構成の変更情報を入力する第３の入力手段と、
この第３の入力手段で入力された配置構成の変更情報に基づき、配置構成変更後の予測期間の必要資金量を予測するための予測手法を選択する選択手段と、
この選択手段で選択された予測手法により予測期間の必要資金量を予測する第２の予測手段と、
を具備したことを特徴とする自動取引装置の資金運用支援装置。
【請求項２】
複数の自動取引装置からの取引情報の時系列データを入力する第１の入力手段と、
前記自動取引装置の取引発生時の日付、曜日、天候などの環境情報を入力する第２の入力手段と、
前記第１の入力手段で入力された時系列データと前記第２の入力手段で入力された環境情報とを対応させて記憶する第１の記憶手段と、
この第１の記憶手段に記憶された時系列データをクラスタリングすることにより時系列パターンを得るクラスタリング手段と、
このクラスタリング手段で得られた時系列パターンを前記第２の入力手段で入力された環境情報とともに記憶する第２の記憶手段と、
前記第２の入力手段で入力された環境情報を用いて予測期間の環境情報を指定する指定手段と、
この指定手段で指定された予測期間の環境情報を用いて予測期間に対応する過去の時系列パターンとその環境情報を前記第２の記憶手段から検索する検索手段と、
この検索手段で検索された時系列パターンと環境情報を用いて予測期間の必要資金量を予測する第１の予測手段と、
この第１の予測手段で予測された予測期間の必要資金量に関する情報を出力する第１の出力手段と、
前記複数の自動取引装置の配置構成が変更されたとき、その配置構成の変更情報を入力する第３の入力手段と、
この第３の入力手段で入力された配置構成の変更情報を記憶する第３の記憶手段と、
この第３の記憶手段に記憶された配置構成の変更情報に基づき、配置構成変更後の予測期間の必要資金量を予測するための予測手法を選択する選択手段と、
この選択手段で選択された予測手法により予測期間の必要資金量を予測する第２の予測手段と、
この第２の予測手段で予測された予測期間の必要資金量に関する情報を出力する第２の出力手段と、
を具備したことを特徴とする自動取引装置の資金運用支援装置。
【請求項３】
前記選択手段で選択される予測手法は、配置構成変更前には、自動取引装置の過去の取引量の合計を配置構成変更後の自動取引装置の台数で平均することにより配置構成変更後の必要資金量の予測を行なうか、あるいは、自動取引装置の過去の取引量の合計を配置構成変更後の自動取引装置の配置構成に応じて加重平均することにより配置構成変更後の必要資金量の予測を行ない、配置構成変更後には、個々の自動取引装置の取引情報そのものを用いることにより配置構成変更後の必要資金量の予測を行なうことを特徴とする請求項２記載の自動取引装置の資金運用支援装置。
【請求項４】
前記選択手段で選択される予測手法は、前記第１の記憶手段から取得した取引情報を基に、配置構成変更前の情報から配置構成変更後の情報を推定したものと配置構成変更後の情報とを組合わせて推定時系列情報を生成し、この生成した推定時系列情報をクラスタリングすることにより配置構成変更後の必要資金量の予測を行なうことを特徴とする請求項２記載の自動取引装置の資金運用支援装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月28日(2003.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置外に過剰硬貨を排出する過剰硬貨排出手段と、
装置外からの補充硬貨を受け入れる補充硬貨受入手段と、
この補充硬貨受入手段および前記過剰硬貨排出手段のそれぞれと装置外部とを接続する通路内に配置され、前記過剰硬貨排出手段から装置外に排出される硬貨および装置外から前記補充硬貨受入手段に投入される硬貨を、一時的に保持する一時保留手段と、
を具備したことを特徴とする硬貨処理装置。
【請求項２】
前記一時保留手段は、前記過剰硬貨排出手段と前記補充硬貨受入手段とが合流する交差部に位置されることを特徴とする請求項１記載の硬貨処理装置。
【請求項３】
装置の上方部に位置され、装置内で発生した過剰硬貨を装置外に排出する過剰硬貨排出手段と、
この過剰硬貨排出手段に接続され、過剰硬貨を過剰硬貨排出手段から落下させて装置外へ案内する第１のシュート機構と、
前記過剰硬貨排出手段に比較して装置内部で相対的に下方に位置され、装置外からの補充硬貨を装置内に受け入れる補充硬貨受入手段と、
この補充硬貨受入手段に接続され、前記第１のシュート機構と所定位置で交差かつ合流するよう形成され、装置外部からの補充硬貨を受け入れ、落下により、装置内部に取り込む第２のシュート機構と、
前記第１のシュート機構と前記第２のシュート機構とが相互に接続される合流部に配置され、前記過剰硬貨排出手段から前記第１のシュート機構を介して装置外に向けて排出される過剰硬貨および前記補充硬貨受入手段に向けて前記第２のシュート機構を経由して装置外から供給される補充硬貨を一時的に保持する一時保留手段と、
を具備したことを特徴とする硬貨処理装置。
【請求項４】
前記一時保留手段は、前記過剰硬貨排出手段により装置外に向けて排出される硬貨を、装置内部および装置外部のいづれの方向にも放出可能であることを特徴とする請求項２又は３記載の硬貨処理装置。
【請求項５】
前記一時保留手段は、前記補充硬貨受入手段に向けて外部から投入される硬貨を装置内部および装置外部のいづれの方向にも放出可能であることを特徴とする請求項２又は３記載の硬貨処理装置。
【請求項６】
前記一時保留手段は、前記過剰硬貨排出手段により装置外へ排出される硬貨を一時的に保持し、排出動作が正常に終了した場合には、現在保持している硬貨を装置本体と接続される群管理用回収パスに排出し、排出動作中に異常が発生した場合には、現在保持している硬貨を前記補充硬貨受入手段に向けて放出することを特徴とする請求項１又は３記載の硬貨処理装置。
【請求項７】
前記一時保留手段は、前記過剰硬貨排出手段により装置外へ排出される硬貨を一時的に保持し、排出動作が正常に終了した場合には、現在保持している硬貨を装置本体と接続される群管理用回収パスに排出し、排出動作中に異常が発生した場合には、現在保持している硬貨を前記補充硬貨受入手段に向けて放出して過剰硬貨の排出動作を少なくとも一度繰り返すことを特徴とする請求項１又は３記載の硬貨処理装置。
【請求項８】
装置の上方部に位置され、装置内で発生した過剰硬貨を装置外に排出する過剰硬貨排出手段と、この過剰硬貨排出手段に接続され、過剰硬貨を過剰硬貨排出手段から落下させて装置外へ案内する排出シュートと、前記過剰硬貨排出手段に比較して装置内部で相対的に下方に位置され、装置外からの補充硬貨を装置内に受け入れる補充硬貨受入手段と、この補充硬貨受入手段に接続され、前記排出シュートと所定位置で交差かつ合流するよう形成され、装置外部からの補充硬貨を受け入れ、落下により、装置内部に取り込む投入シュートと、前記排出シュートと前記投入シュートとが相互に接続される合流部に配置され、前記過剰硬貨排出手段から前記排出シュートを介して装置外に向けて排出される過剰硬貨および前記補充硬貨受入手段に向けて装置外から前記投入シュートを経由して供給される補充硬貨を一時的に保持する一時保留手段とを有する硬貨処理装置と、
複数の硬貨処理装置の前記投入シュートおよび前記排出シュートのそれぞれと相互に接続された硬貨パスと、
複数の硬貨処理装置との間の通信を制御する制御手段と、
を有する群管理型の硬貨処理システム。
【請求項９】
前記一時保留手段は、対応する硬貨処理装置において、前記過剰硬貨排出手段により装置外へ排出される硬貨を一時的に保持し、排出動作が正常に終了した場合には、現在保持している硬貨を装置本体と接続される群管理用回収パスに排出し、排出動作中に異常が発生した場合には、現在保持している硬貨を前記補充硬貨受入手段に向けて放出することを特徴とする請求項８記載の群管理型の硬貨処理システム。
【請求項１０】
前記一時保留手段は、前記過剰硬貨排出手段により装置外へ排出される硬貨を一時的に保持し、排出動作が正常に終了した場合には、現在保持している硬貨を装置本体と接続される群管理用回収パスに排出し、排出動作中に異常が発生した場合には、現在保持している硬貨を前記補充硬貨受入手段に向けて放出して過剰硬貨の排出動作を少なくとも一度繰り返すことを特徴とする請求項８記載の群管理型の硬貨処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月24日(2003.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
隔壁貫通孔を有する電槽隔壁の両側に配した接続板同士を一対の抵抗溶接用電極を用いて溶接する蓄電池のセル間接続法において、
前記一対の溶接用電極は、各々、前記貫通孔に向かって突出する第一の突起であって、先端平面が前記貫通孔の径より大きなものと、前記先端平面から前記貫通孔に向かって突出する第二の突起であって、先端部の直径が前記貫通孔の直径よりも小さいものとを備え、
前記一対の溶接用電極のうちの少なくとも一方は、抵抗溶接の際の溶接用電極と接続板との電気的導通が第二の突起部分のみで保たれるよう構成されたことを特徴とする、蓄電池のセル間接続法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる蓄電池のセル間接続法は、隔壁貫通孔を有する電槽隔壁の両側に配した接続板同士を一対の抵抗溶接用電極を用いて溶接する蓄電池のセル間接続法において、
前記一対の溶接用電極は、各々、前記貫通孔に向かって突出する第一の突起であって、先端平面が前記貫通孔の径より大きなものと、前記先端平面から前記貫通孔に向かって突出する第二の突起であって、先端部の直径が前記貫通孔の直径よりも小さいものとを備え、
前記一対の溶接用電極のうちの少なくとも一方は、抵抗溶接の際の溶接用電極と接続板との電気的導通が第二の突起部分のみで保たれるよう構成されたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月10日(2003.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に隔壁材料層を形成し、この隔壁材料層上に隔壁形成用のマスキングパターンを形成し、このマスキングパターンを介して切削媒体を吹きつけることにより隔壁材料層を切削して隔壁層を形成し、その隔壁層を焼成して隔壁を形成する方法であって、
前記焼成の前に、隔壁層の端部近傍部分の上面に、隔壁層の幅方向に切り欠き部を形成する工程を含んでなることを特徴とする表示パネルの隔壁形成方法。
【請求項２】
前記切り欠き部が、前記マスキングパターンにスリット状の切れ目を設けることにより形成されることを特徴とする請求項１記載の表示パネルの隔壁形成方法。
【請求項３】
前記切り欠き部の形成後、その切り欠き部よりも端縁側に位置する部分を取り除き、それにより隔壁層の端部近傍部分に裾広がりのテーパ部を形成することを特徴とする請求項１記載の表示パネルの隔壁形成方法。
【請求項４】
前記テーパ部が、切り欠き部よりも端縁側に位置する部分を機械的に除去することにより形成されることを特徴とする請求項３記載の表示パネルの隔壁形成方法。
【請求項５】
前記テーパ部が、マスキングパターンのスリット状の切れ目の大きさを隔壁材料層の切削の際に切り欠き部よりも長手方向の端縁側に位置する部分が自動的にリフトオフされるように設定することにより形成されることを特徴とする請求項３記載の表示パネルの隔壁形成方法。
【請求項６】
基板上に隔壁材料層を形成し、この隔壁材料層上に隔壁形成用のマスキングパターンを形成し、このマスキングパターンを介して切削媒体を吹きつけることにより隔壁材料層を切削して隔壁層を形成し、その隔壁層を焼成して隔壁を形成する方法であって、
前記焼成の前に、隔壁層の端部近傍部分の上面に、隔壁層の幅方向に第１の切り欠き部を形成する工程と、平行に形成された隔壁層の最も外側に位置する隔壁層の短手方向の端部近傍部分の上面に、隔壁の長手方向と平行する第２の切り欠き部を形成する工程とを含んでなることを特徴とする表示パネルの隔壁形成方法。
【請求項７】
前記第２の切り欠き部の形成後、その切り欠き部よりも短手方向の端側に位置する部分を取り除き、それにより最も外側に位置する隔壁層の短手方向の端部近傍部分に裾広がりのテーパ部を形成することを特徴とする請求項６記載の表示パネルの隔壁形成方法。
【請求項８】
基板上に隔壁材料層を形成し、この隔壁材料層上に複数の帯状のマスキングパターンを平行に形成し、このマスキングパターンを介して切削媒体を吹きつけることにより隔壁材料層を切削して複数の帯状の隔壁層を形成し、その隔壁層を焼成することにより隔壁を形成する方法であって、
前記マスキングパターンとして、隔壁の長手方向の端部近傍部分が蛇行したマスキングパターンを使用し、それにより長手方向の端部近傍部分が蛇行した隔壁層を形成することを特徴とする表示パネルの隔壁形成方法。
【請求項９】
基板上に隔壁パターンの隔壁層を形成後、焼成して隔壁を形成する方法であって、
前記隔壁層を形成する際に、隔壁層の端部に裾広がりのテーパ部を形成することを特徴とする表示パネルの隔壁形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月28日(2003.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
行列方向に配列されたメモリセルと、前記メモリセルにデータ又は選択信号を伝送するビット線又はワード線であるメモリー線と、故障した前記メモリ線に代替できる冗長メモリセルを有する冗長メモリ線と、前記ビット線と外部回路とデータの入出力をするデータ線と、前記メモリセルの書込時データと記憶データとを比較して故障メモリセルの有無を示す比較データを出力する比較回路と、前記比較データを記憶する前記メモリ線ごとに設けられたメモリ線故障記憶回路と、前記メモリ線故障記憶回路の出力に基づき前記メモリ線又は前記冗長メモリ線のいずれかを選択する前記メモリ線ごとに設けられたメモリ線選択回路とを備える半導体記憶装置において、
比較回路が比較データを一時保持して比較保持データを出力する比較レジスタであって、データ線を介して前記比較保持データをメモリ線故障記憶回路に記憶することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
複数個のメモリ線に並列的にデータの入出力が可能な複数個のデータ線と、前記複数個のメモリ線に対応して複数個の比較レジスタを設け、前記比較レジスタの比較保持データを対応するデータ線を介して対応するメモリ線故障記憶回路に記憶することを特徴とする請求項１記載の半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明の請求項１に記載の半導体記憶装置は、行列方向に配列されたメモリセルと、メモリセルにデータ又は選択信号を伝送するビット線又はワード線であるメモリー線と、故障した前記メモリ線に代替できる冗長メモリセルを有する冗長メモリ線と、ビット線と外部回路とデータの入出力をするデータ線と、メモリセルの書込時データと記憶データとを比較して故障メモリセルの有無を示す比較データを出力する比較回路と、比較データを記憶するメモリ線ごとに設けられたメモリ線故障記憶回路と、メモリ線故障記憶回路の出力に基づきメモリ線又は冗長メモリ線のいずれかを選択するメモリ線ごとに設けられたメモリ線選択回路とを備える半導体記憶装置において、比較回路が比較データを一時保持して比較保持データを出力する比較レジスタであって、データ線を介して比較保持データをメモリ線故障記憶回路に記憶するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この発明の請求項２に記載の半導体記憶装置は、複数個のメモリ線に並列的にデータの入出力が可能な複数個のデータ線と、複数個のメモリ線に対応して複数個の比較レジスタを設け、比較レジスタの比較保持データを対応するデータ線を介して対応するメモリ線故障記憶回路に記憶するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
【発明の効果】
この発明の請求項１に記載の半導体記憶装置は、メモリ線の故障の有無を記憶するメモリ線故障記憶回路をメモリ線ごとに備えたので、高価なレーザ装置を用いることなく、製造コストを増加することなく故障メモリセルを冗長メモリセルに置替えができる。さらに、比較回路を比較レジスタとしたので、比較データをメモリ線故障記憶回路に書込む専用配線が不要となり、チップ面積を小さくすることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
この発明の請求項２に記載の半導体記憶装置は、複数個のメモリ線に並列にデータの入力が可能な複数個のデータ線と、複数個のメモリ線に対応して複数個の比較レジスタを設けたので、チップ面積を小さくすると共に、故障メモリセルの冗長メモリセルへの置換を高速化することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月26日(2003.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
所定のプログラムデータを記憶する記憶手段と、スタンプ押し具の購入者がスイッチ操作を行うための操作手段と、この操作手段の操作と上記記憶手段に記憶されているプログラムデータとに基づいて上記カメラ、画像データ処理手段、プリンタ、およびスタンプ部品払出し手段のそれぞれを制御する制御手段とを具備している、請求項１ないし４のいずれかに記載のスタンプ押し具の払出し装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
上記制御盤３Ａは、パーソナルコンピュータ３による各部の動作制御を補助するためのものである。すなわち、たとえば汎用のパーソナルコンピュータによってストロボランプ４２を直接オン・オフ制御させることは難しいが、制御盤３Ａはそのような制御を補助するための機能を有するものであり、この制御盤３Ａを用いることにより、上記パーソナルコンピュータ３としては汎用のものを使用することができる。上記制御盤３Ａは、ＲＯＭやＲＡＭなどの記憶手段を備えたＣＰＵを有するものであり、プロセサ３０から送信されてくる制御コマンドの内容に応じて、この制御盤３Ａに接続されているストロボランプ４２やその他の各部の動作制御を実行する。上記制御盤３Ａおよびパーソナルコンピュータ３が、本願発明にいう制御手段の一例に相当するものである。また、上記パーソナルコンピュータ３のプロセサ３０は、スタンプ用の画像データを作成するデータ処理も実行するものであり、本願発明でいう画像データ処理手段の一例に相当する。むろん、本願発明にいう制御手段や画像データ処理手段はこれに限定されず、パーソナルコンピュータを用いることなく、他の手段によって各部の動作制御やデータ処理を実行させるようにしてもよい。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１  印判
３  パーソナルコンピュータ
３Ａ  制御盤
５  印判ベンダー
６  スタンプホルダベンダー
１０  ベース部材
２０  スタンプホルダ
２１  ホルダ本体
２２  蓋体
２３  紙箱
２４  パッケージ
２５  インク容器
２８  インク充填室
３０  プロセサ
３１  ＲＯＭ
３２  ＲＡＭ
３５  ハードディスク装置
４０  カメラ
４１  ＣＲＴ
４４  操作部
４７  プリンタ
４７ａ  サーマルヘッド
５０  第１ストッカ
６０  第２ストッカ
ＳＰ  スピーカ
Ａ  スタンプ押し具
Ｂ  スタンプ押し具の払出し装置
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月10日(2003.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記感光膜は、高分子材料としてのポリビニルピロリドンと架橋剤としてのジアジドスチルベンゼン−２，２´−ジスルホン酸ジナトリウムとを含むことを特徴とする請求項１記載の蛍光面の形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記感光膜は、高分子材料としてのポリビニルピロリドンと架橋剤としてのジアジドスチルベンゼン−２，２´−ジスルホン酸ジナトリウムとを含み、
前記感光膜の重量膜厚は、０．１８ｍｇ／ｃｍ2 ないし０．０５ｍｇ／ｃｍ2 であり、
前記選択露光工程における露光照度は、０．１５ｍＷ／ｃｍ2 ないし１．５０ｍＷ／ｃｍ2 であることを特徴とする請求項３記載の蛍光面の形成方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記感光膜は、高分子材料としてのポリビニルピロリドンと架橋剤としてのジアジドスチルベンゼン−２，２´−ジスルホン酸ジナトリウムとを含み、
前記感光膜の重量膜厚は、０．１０ｍｇ／ｃｍ2 ないし０．０８ｍｇ／ｃｍ2 であり、
前記選択露光工程における露光照度は、０．６ｍＷ／ｃｍ2 ないし１．２ｍＷ／ｃｍ2 であることを特徴とする請求項３記載の蛍光面の形成方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記感光膜は、高分子材料としてのポリビニルピロリドンと架橋剤としてのジアジドスチルベンゼン−２，２´−ジスルホン酸ジナトリウムとを含み、
前記感光膜中の前記架橋剤の重量濃度は、４％ないし９％であることを特徴とする請求項７記載の蛍光面の形成方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
従来より、上記の感光材料としては、一般的にポリビニルアルコール−重クロム酸アンモニウム系（以下、ＰＶＡ−ＡＤＣ系と記す。）等の相反則特性を有する材料が用いられているが、ＨＤＴＶ(High Density Television) 用あるいは業務用のカラーＣＲＴ（陰極線管）等のような特に高精細な蛍光体パターン（言い換えると、高精細な光吸収物質膜パターン）を必要とする用途においては、ポリビニルピロリドン−ジアジドスチルベンゼン−２，２´−ジスルホン酸ジナトリウム系（以下、ＰＶＰ−ＤＡＳ系と記す。）等の相反則不軌特性を有する材料が用いられることがある。これらの感光材料は、いずれも、光照射によってそれに含まれている架橋剤が架橋反応を引き起こして各高分子の間を結合させ、その後の化学的あるいは物理的な方法による現像工程においても除去されることのない感光膜パターンを形成し得るものである。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る蛍光面の形成方法は、基板上に、高分子材料と架橋剤とを含み相反則不軌特性を有する感光材料からなる感光膜を形成する工程と、感光膜に対して選択露光を行う工程と、露光後の感光膜を現像して、感光膜パターンを形成する工程と、感光膜パターンを覆うようにして基板上に光吸収物質膜を形成した後、感光膜パターンをその上を覆う光吸収物質膜と共に選択的に除去し、光吸収物質膜パターンを形成する工程と、光吸収物質膜パターンの間に蛍光体パターンを形成する工程とを含む蛍光面の形成方法であって、上記の感光膜の露光感度を相対的に低く設定すると共に、選択露光工程における露光照度を相対的に高く設定するようにしたものである。ここで、感光膜としては、例えば、高分子材料としてのポリビニルピロリドンと架橋剤としてのジアジドスチルベンゼン−２，２´−ジスルホン酸ジナトリウムとを含む感光材料を用いることができる。感光膜の感度を相対的に低く設定するには、例えば、感光膜の膜厚を相対的に薄く形成する方法、選択露光工程における感光膜の温度を相対的に高く設定する方法、または、感光膜中の架橋剤の濃度を相対的に低くする方法等がある。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
［第１の実施の形態］
図１〜図３は本発明の一実施の形態に係る蛍光面の形成方法の主要工程を表すものである。本実施の形態では、ストライプ状の蛍光体パターンを形成する場合について説明する。まず図１（ａ）に示したように、パネルガラス板１をよく洗浄し乾燥させたのち、パネルガラス板１の蛍光面形成領域に感光材料を塗布、乾燥させて感光膜２を形成する。この感光材料としては、相反則不軌特性を有する材料を用いるが、本実施の形態では、例えばＰＶＰ−ＤＡＳ系（ポリビニルピロリドン−ジアジドスチルベンゼン−２，２´−ジスルホン酸ジナトリウム系）の感光材料を用いるものとする。感光膜２の膜厚は、従来用いられていた値（重量膜厚で０．１３ｇ／ｃｍ2 〜０．１８ｍｇ／ｃｍ2 程度）に比較して相対的に薄く形成するが、その詳細は後述する。また、乾燥後の状態で感光膜２に含まれる架橋剤（ここでは、ＤＡＳ）の濃度は、例えば９％〜１１％程度とする。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
このように、本実施の形態では、感光膜２を薄膜化して感光膜中の酸素濃度を増加させることにより感光膜自体の感度を低下させ、相反則不軌特性の発現する領域を高露光照度の方向に拡大すると共に、感光膜２の薄膜化に伴って生ずる感度低下を露光照度を高くすることで補償するようにしたので、露光時間を短くしても相反則不軌特性を十分に利用することができる。したがって、露光時間を短縮しつつ、シャープな露光エッジを得ることができる。このため、高精細な感光膜パターン３′の形成が可能となり、その反転パターンである光吸収物質膜パターン５の高精細化も可能となる。また、感光膜２自体の膜厚制御は比較的容易であるから、露光プロセスが複雑化することもない。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月23日(2004.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を該基板のエッジを露出させて保持する回転自在な基板保持部と、
前記基板保持部で保持した基板のエッジに対向する円周方向に沿った位置に配置され該基板との対向面を研磨面とした複数の研磨盤を有する研磨部と、
前記基板保持部と前記研磨部とを相対的に接離させる接離機構とを有することを特徴とする基板エッジ研磨装置。
【請求項２】
前記研磨部は、前記基板保持部で保持した基板を挟んだ両側に設けられていることを特徴とする請求項１記載の基板エッジ研磨装置。
【請求項３】
前記研磨盤の研磨面は、弧状としているか、または前記基板保持部で保持した基板のなす面に対して、外方に向け徐々に近づく方向に傾斜していることを特徴とする請求項１または２記載の基板エッジ研磨装置。
【請求項４】
円筒状で内周面を研磨面とした端面研磨部を前記基板の端面に接離自在に配置したことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の基板エッジ研磨装置。
【請求項５】
基板のノッチ部端面を研磨する機構を更に有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の基板エッジ研磨装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、基板を該基板のエッジを露出させて保持する回転自在な基板保持部と、前記基板保持部で保持した基板のエッジに対向する円周方向に沿った位置に配置され該基板との対向面を研磨面とした複数の研磨盤を有する研磨部と、前記基板保持部と前記研磨部とを相対的に接離させる接離機構とを有することを特徴とする基板エッジ研磨装置である。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
これにより、基板のエッジをその円周方向に沿ったほぼ全長に亘って研磨盤の研磨面に接触させながら、基板を回転させてエッジを研磨することで、研磨盤の研磨面をその全面に亘ってより有効に利用しつつ、低い面圧で基板のエッジを効率良く研磨することができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項３に記載の発明は、前記研磨盤の研磨面は、弧状としているか、または前記基板保持部で保持した基板のなす面に対して、外方に向け徐々に近づく方向に傾斜していることを特徴とする請求項１または２記載の基板エッジ研磨装置である。これにより、研磨の際に基板のエッジの半分を確実に研磨面に当接させるようにしたり、任意のエッジカット幅を設定することができる。この傾斜角度は、例えば研磨面を構成する素材の硬さ、基板のエッジ形状、エッジカット幅、研磨の際に加えられる荷重等によって任意に決められる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項４に記載の発明は、円筒状で内周面を研磨面とした端面研磨部を前記基板の端面に接離自在に配置したことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の基板エッジ研磨装置である。基板の種類によっては、このエッジに基板の表面と垂直で平坦な端面を有するものもあるが、このような場合に、基板を基板保持部で保持したまま、エッジの片面或いは両面の他に、この端面を端面研磨部で研磨することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月23日(2003.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
印刷用紙２００に関してノズル穴３１と反対側には、少なくともノズル穴３１に対向する位置近傍において背面電極４が設けられる。例えばインクジェットヘッド１０１と背面電極４との配置関係は固定されており、両者の間で印刷用紙２００がこれらと相対的な移動を行うこととしてもよい。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
ノズルプレート３と背面電極４とには、直流電圧源５によって異なる電位が供給される。図１では、ノズルプレート３に正電位を、背面電極４に接地電位をそれぞれ供給している場合が例示されている。これにより等電位面群５１（図では等電位線として現れる）が示すように、ノズルプレート３と印刷用紙２００との間には電位の勾配（電界）が生じる。ノズルプレート３は導電体であり、インク２１も導電性を有しているため、噴出する液体微粒子群７は帯電している。この帯電した液体微粒子群７がノズルプレート３と背面電極４との間に形成される電界により付勢され、加速されながら印刷用紙２００に付着する。従って、単に超音波発生手段１によって加振されてノズル穴３１から噴出する場合と比較して、インク２１の浮遊を軽減して印刷用紙２００に付着させることができる。図１中、白抜きの矢印は液体微粒子群７の大まかな進行方向を示している。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
実施の形態４．
図１１は本発明の実施の形態４にかかる液体噴出装置たるインクジェットヘッド１０４の構成を模式的に示す断面図である。インクジェットヘッド１０４はインクジェットヘッド１０３において、ノズル穴３７に実施の形態１の凹部３２１と同様の凹部を設けた点で特徴的に異なっている。負イオン８３は実施の形態３と同様にしてノズル穴３７をも帯電させる。