【事件の表示】
　平成　７年特許願第２４３０９６号「薄膜磁気ヘッド」拒絶査定に対する審判事件［平成　９年　４月　４日出願公開、特開平　９−　９１６２９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　経緯
　
　特許出願　　　　　　　　　　　　　　　　平成　７年　９月２１日
　手続補正書１　　　　　　　　　　　　　　平成１１年１０月１８日
　拒絶理由通知　　　　　　　　　　　　　　平成１２年１２月　１日
　意見書・手続補正書２　　　　　　　　　　平成１３年　２月　８日
　拒絶査定　　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年　４月　９日
　審判請求　　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年　５月１６日
　手続補正書３　　　　　　　　　　　　　　平成１３年　６月１１日
　手続補正書４　　　　　　　　　　　　　　平成１３年　６月１４日
　前置報告　　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年　８月１４日
　審尋　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１５年　１月１６日
　回答書　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１５年　３月２４日
　
２　平成１３年６月１４日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１３年６月１４日付けの手続補正を却下する。　
［理由］
（１）補正後の本願発明
　平成１３年６月１４日付の手続補正は、審判請求から３０日以内になされたものであり、特許法第１７条の２第１項第４号に該当する。
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、平成１３年６月１１日付の手続補正３で補正された請求項１
　「磁気抵抗層に、縦バイアス磁界を与えるための縦バイアス層が設けられた薄膜磁気ヘッドにおいて、
　前記縦バイアス層は、絶縁層上にトラック幅方向に間隔を開けて形成され、前記磁気抵抗層は前記間隔内に露出した前記絶縁層上に形成されるとともに、前記縦バイアス層上にかけて形成され、
　前記縦バイアス層はα−Ｆｅ２Ｏ３で形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。（以下、本件補正３発明という。）」を、
  「磁気抵抗層に、縦バイアス磁界を与えるための縦バイアス層が設けられた薄膜磁気ヘッドにおいて、
　前記縦バイアス層は、絶縁層上にトラック幅方向に間隔を開けて形成され、前記磁気抵抗層は前記間隔内に露出した前記絶縁層上に形成されるとともに、前記縦バイアス層上にかけて形成され、
　前記縦バイアス層はα−Ｆｅ２Ｏ３で形成されて
おり、前記縦バイアス層が接する前記磁気抵抗層に交換異方性磁界が与えられるとともにこの磁気抵抗層の保磁力が高くされ
と補正された。                  
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「前記縦バイアス層」について「前記縦バイアス層が接する前記磁気抵抗層に交換異方性磁界が与えられるとともにこの磁気抵抗層の保磁力が高くされる」との限定を付加するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正４発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。 
　
（２）引用例
（２−１）　引用例１
　上記審尋で引用された特開平５−２６６４３４号公報（以下、引用例１という。）には、図面（特に図１）とともに、次の記載がある。
ａ　【特許請求の範囲】に、
「【請求項１】中央部感磁領域と端部磁区制御領域を有する磁気抵抗層、この両端に接続された電極、該磁気抵抗層に横方向バイアスを発生するためのパターン、該磁気抵抗層を磁気シールドするために両側に設けた軟磁性膜、およびこれを支持する基体からなる磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、該中央部感磁領域の長さ（該端部磁区制御領域内端面間距離）が、該電極の内端面間距離よりも小さく、実質的に磁区制御領域内端面間隔距離が再生トラック幅となることを特徴とする磁気抵抗効果再生ヘッド。
【請求項２】前記磁気抵抗層において、該端部磁区制御領域の保磁力が該中央部感磁領域の保磁力よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果再生ヘッド。
【請求項６】前記磁気抵抗層の端部磁区制御領域に直接接した反強磁性体層を備え、前記磁気抵抗層の中央部感磁領域を単磁区状態に維持するため、反強磁性交換結合による縦バイアスを発生させる手段を含む請求項１または請求項２記載の磁気抵抗効果再生ヘッド。」
ｂ　【０００１】に、
「【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体から情報信号を読み取るための再生ヘッドに関するものであり、特に、改良された磁気抵抗効果型再生ヘッドに関する。」、
ｃ　【００１４】に、
「【００１４】
【作用】本発明によれば、端部磁区制御領域の内端面間距離を電極の内端面間距離以下にすることにより、作成プロセスにおいて、硬磁性体層内端面間の中心位置と電極内端面間の中心位置がずれても、硬磁性体層の両端部とも電極端部位置と一致するか内側にあり、電極端部で発生する磁壁を抑えるのに十分な縦バイアスを電極近傍に印加できる。したがって、バルクハウゼンノイズの発生しない磁気抵抗効果再生ヘッドを歩留まり良く得ることができる。さらに、実質的に端部磁区制御領域の内端面間距離によってトラック幅が決まっており、オフトラック特性の良好な磁気抵抗効果型再生ヘッドを得ることができる。
ｄ　【００１５】〜【００１７】に、
「【００１５】【実施例】以下、実施例に基づき詳細に説明する。
【００１６】［実施例１］本発明による代表的な磁気抵抗効果（ＭＲ）再生ヘッドは、第１図に示すように、磁気抵抗層１０、横方向バイアス印加用シャント膜２０、ＳＡＬ膜２１、縦方向バイアス印加用硬磁性体層３０、電極層４０から構成される。また、磁気抵抗層１０は、媒体からの情報磁界を検出する中央部感磁領域１１および中央部感磁領域の磁区構造を制御し、バルクハウゼンノイズの発生を抑制するための端部磁区制御領域１２に分けられる。本発明は特開昭６０−５９５１８および特開平２−２２０２１３で開示された方法とは異なる方法で磁気抵抗層１０をバイアスとする。すなわち、縦方向バイアスおよび、横方向バイアス共に中央感磁領域１１をバイアスするものである。
【００１７】ここで、縦方向バイアスは、磁気抵抗層１０に平行とし、端部磁区制御領域１２に直接接する硬磁性体層３０によって発生させる。また、横方向バイアスは、磁気抵抗層１０に平行するシャント膜２０およびＳＡＬ膜２１によって発生させる。電極層４０は、信号検出電流およびバイアス電流を磁気抵抗層１０およびシャント膜２０に伝え、出力信号を外部電気回路に伝えるための電気経路である。また、電極内端面間距離をＴ，硬磁性体内端面間距離をＷとした場合、Ｔ≧Ｗとした。さらに、硬磁性体の内端面の両内端面とも電極内端面の電極内端面と一致するか内側にあるようにした。」。
　図１を参照すると、縦バイアス層はトラック幅方向に間隔を開けて形成されており、前記縦バイアス層上にかけて形成されている。そして、図示されていないが、前記磁気抵抗層が前記間隔内に露出した絶縁層上に形成されることは周知である。
　
　即ち、引用例１には、
「　中央部感磁領域と端部磁区制御領域を有する磁気抵抗層、この両端に接続された電極、該磁気抵抗層に横方向バイアスを発生するためのパターン、該磁気抵抗層を磁気シールドするために両側に設けた軟磁性膜、およびこれを支持する基体からなる磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、該中央部感磁領域の長さ（該端部磁区制御領域内端面間距離）が、該電極の内端面間距離よりも小さく、実質的に磁区制御領域内端面間隔距離が再生トラック幅となり、
　縦方向バイアス印加用硬磁性体層はトラック幅方向に間隔を開けて形成され、
　磁気抵抗層は、前記間隔内に露出した絶縁層上に形成されるとともに、前記縦方向バイアス印加用硬磁性体層上にかけて形成され、
　該端部磁区制御領域の保磁力が該中央部感磁領域の保磁力よりも大きく、
　前記磁気抵抗層の端部磁区制御領域に直接接した反強磁性体層を備え、前記磁気抵抗層の中央部感磁領域を単磁区状態に維持するため、反強磁性交換結合による縦バイアスを発生させることを特徴とする磁気抵抗効果再生ヘッド。」
が記載されている。
　
（２−２）　引用例２
　上記審尋で引用された特開平６−２０３３３３号公報（拒絶の理由に用いられた引用例１。以下、引用例２という。）には、図面とともに、次の記載がある。
【特許請求の範囲】
【請求項１】　非磁性中間層（１４）を介して軟磁性層（２１）が積層され、両端部の一対の引出し導体（１３ａ，１３ｂ）により中央部に画定された信号検出領域（１２）を有し、その両端部に磁区制御用磁性膜（１６ａ，　１６ｂ）を接合してなる磁気抵抗効果素子（１１）と、その両側にそれぞれ非磁性絶縁膜とシールド磁性体とを配置した磁気抵抗効果型薄膜ヘッドにおいて、前記軟磁性層（２１）は、少なくとも非磁性膜（２３）を介在した２層の軟磁性膜（２２，２４）　からなることを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜ヘッド。
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置、或いは磁気テープ装置等に用いられる磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（以下ＭＲヘッドと称する）に係り、特に磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と称する）を用いたＭＲヘッドに関するものである。
【０００３】
【従来の技術】従来のＭＲヘッドは図３（ａ）　の概略斜視図及び図３（ｂ）の要部横断面図に示すように、一方の面にＴｉ膜からなる非磁性中間層１４を介して再生出力を線形化するためのＮｉＦｅＣｒ膜からなる横バイアス磁界印加用の軟磁性層１５が積層され、他方の面の両端部に磁区制御用磁性膜１６ａ，１６ｂが接合され、その中央部に信号検出領域１２を画定するようにＡｕ膜、Ｃｕ膜、或いはＡｌ膜等からなる一対の引出し導体１３ａ，１３ｂが接合されているＮｉ−Ｆｅ膜からなるＭＲ素子１１の両側に、それぞれＡｌ２Ｏ３等からなる図示しない非磁性絶縁膜を介して、例えばＮｉＺｎフェライト等からなるシールド磁性体１７とＮｉ−Ｆｅ膜からなるシールド磁性膜１８とが配設された構成からなっている。
【０００４】なお、前記磁区制御用磁性膜１６ａ，１６ｂはＦｅＭｎ膜からなり、この磁区制御用磁性膜１６の配設によりＭＲ素子１１にセンス電流Ｉｓの向きと同様な矢印Ｂの方向に縦バイアス磁界を印加して該ＭＲ素子１１を単磁区化して、磁壁の不規則な移動に起因するバルクハウゼン雑音の発生を防止している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような構成のＭＲヘッドにおいて、前記磁区制御用磁性膜１６ａ，１６ｂによりＭＲ素子１１に印加される縦バイアス磁界は、図３（ｂ）に示すように該磁区制御用磁性膜１６ａと１６ｂが接したＭＲ素子１１の両部分に生じる＋磁荷と−磁荷による漏洩磁界であり、この場合、該ＭＲ素子１１に非磁性中間層１４を介して配設された軟磁性層１５における前記ＭＲ素子１１の＋磁荷と−磁荷が生じる両部分と対応する部分にも前記した磁荷と逆の極性を有する磁荷が生じ、該ＭＲ素子１１に印加される縦バイアス磁界の大半は該軟磁性層１５に矢印Ｄで示すように漏洩してしまうことから、ＭＲ素子１１に単磁区化するに十分な大きさの縦バイアス磁界が印加されず、バルクハウゼン雑音が発生するという問題があった。
【０００８】本発明は上記した従来の問題点に鑑み、ＭＲ素子に印加される縦バイアス磁界の軟磁性層への漏洩を防止して、該ＭＲ素子に単磁区化するに十分な縦バイアス磁界を印加することが可能な新規な磁気抵抗効果型薄膜ヘッドを提供することを目的とするものである。
【００１３】
【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明する。図１（ａ），（ｂ）は本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドにおける磁気抵抗効果素子の一実施例を示す図であり、図（ａ）は概略斜視図、図（ｂ）はその要部横断面図である。なお、図３（ａ），（ｂ）と同等部分には同一符号を付している。
【００１４】これらの図で示す実施例では、図示しないシールド磁性体とシールド磁性層との間にＳｉＯ２膜、或いは　Ａｌ２Ｏ３膜等からなる非磁性絶縁膜をそれぞれ介在して配置した磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）１１として、一方の面の両端部にＦｅＭｎ膜等からなる３００Åの膜厚の磁区制御用磁性膜１６ａ，１６ｂが接合され、またＡｕ膜、或いはＣｕ膜等からなる一対の引出し導体１３ａ，１３ｂにより中央部に信号検出領域１２が画定されたＮｉＦｅ膜からなる５００Åの膜厚のＭＲ素子１１の他方の面に、Ｔｉ膜等からなる２００Åの膜厚の非磁性中間層１４を介して配設する軟磁性層として、ＮｉＦｅＣｒ膜等からなる　２００Åの膜厚の軟磁性膜２２と２４との間に前記非磁性中間層１４の膜厚よりも薄いＴｉ膜等からなる２０〜１００Åの膜厚の非磁性膜２３を介在した構成の軟磁性層２１が配設されている。
【００１５】このような構成のＭＲヘッドにおいては、ＭＲ素子１１が前記磁区制御用磁性膜１６ａ，１６ｂにより矢印Ｂの方向に縦バイアス磁界が印加されて磁化されると共に、そのＭＲ素子１１に非磁性中間層１４を介して配設された軟磁性層２１を構成する２つの軟磁性膜２２と２４も磁化され、その各軟磁性膜２２と２４との磁化方向が互いに逆向きになって各軟磁性膜２２と２４に生じる極性の異なる磁荷が互いに打ち消し合って反強磁性的結合　（負の結合）状態になり、前記ＭＲ素子１１との磁気的な相互作用が無くなる。
【００２２】また、以上の実施例では磁区制御用磁性膜としてＦｅＭｎからなる反強磁性膜を用いた場合の例について説明しているが、この例の他に例えばα−Ｆｅ２Ｏ３等からなるフェリ磁性膜、或いはＳｍＣｏ等からなる永久磁石膜などを用いることもできる。」
　
（２−３）　引用例３
　上記審尋に引用された特開昭６０−５９５１８号公報（拒絶の理由に用いられた引用例２。以下、引用例３という。）には、図面とともに、従来例として次の記載がある。
　第２頁左下欄第１３行〜右下欄第４行に、
「従来からこのＢ−ｊｕｍｐを制御するためには、ＭＲ素子の容易軸方向（ストライブ長手方向）に数［Ｏｅ］の弱い磁界を加えることによって、ＭＲ素子を単磁区状態にすればよいことが知られている。そして、この容易軸方向への磁界の印加方法については（１）ヘッド外部のコイルによる印加方法、（２）ヘッド外部の永久磁石による印加方法、（３）ＭＲ素子と反強磁性薄膜との反強磁性結合による印加方法等が従来提案されている。第４図は上記（３）の方法を用いたヘッド構造を示すものである。同図で６はＭＲ素子、７は反強磁性体薄膜、８は導体部である。」と記載されている。
　第４頁左下欄第２０行〜右下欄第３行に、
「第１０図のようにＭＲ素子２１と保持力の大きな磁性体２２をリード２３に対して逆転したような構造で同様の効果を生ぜしめることが可能である。」と記載されている。
　
（３）対比
　そこで、本件補正４発明と引用例１発明とを比較すると、
引用例１の「磁気抵抗効果再生ヘッド」、「縦方向バイアス印加用硬磁性体層」は、本件補正４発明の「薄膜磁気ヘッド」、「縦バイアス層」に相当するから、両者は、
「磁気抵抗層に、縦バイアス磁界を与えるための縦バイアス層が設けられた薄膜磁気ヘッドにおいて、
　前記縦バイアス層は、絶縁層上にトラック幅方向に間隔を開けて形成され、前記磁気抵抗層は前記間隔内に露出した前記絶縁層上に形成されるとともに、前記縦バイアス層上にかけて形成され、
　縦バイアス層が接する前記磁気抵抗層に交換異方性磁界が与えられることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。」 の点で一致し、
以下の点で相違している。
［相違点１］
　本件補正４発明は「縦バイアス層はα−Ｆｅ２Ｏ３で形成されて」いるのに対して、引用例１のものは「反強磁性体層」とのみ示され材料は明示されていない点、
［相違点２］
　本件補正４発明は「縦バイアス層が接する前記磁気抵抗層に交換異方性磁界が与えられるとともにこの磁気抵抗層の保磁力が高くされる」のに対して、引用例１のものは、「該端部磁区制御領域の保磁力が該中央部感磁領域の保磁力よりも大きくし、磁気抵抗層の中央部感磁領域を単磁区状態に維持する」ものである点。
　
　なお、請求人は、審尋に対する回答書において、
「確かに請求項６には反強磁性層を用いる記載がありますが、これは請求項のみにそのような記載があるだけで発明の詳細な説明欄には、縦バイアス層に反強磁性層を用いた点について全く記載がありません。
　このため引用例１では具体的な構造として反強磁性層をどのように使用するのか不明で、当然、縦バイアス層に反強磁性層を用いるとともに、前記反強磁性層が磁気抵抗層の下にあるとする実施例も、前記反強磁性層を如何なる材質で形成するかについても記載がありません。そうすると引用例１において、そもそも縦バイアス層として反強磁性層を用いることを想定していたのか否か不明であり、請求項６は未完成な発明であるとも言え、かかる公知文献を進歩性の判断材料に使用することには承服しかねます。
　また請求項だけに着目しても、請求項６記載の発明は請求項１又は２記載の発明の従属項であり、請求項１、２及び６記載の発明では、反強磁性層が磁気抵抗層の端部磁区領域の下に設けられているとする構成要件はなく、そうすると前記構成要件を請求項の記載から導き出すこともできません。」
と主張している。
　しかしながら、引用例１の実施例１および図１の記載から、縦方向バイアス印加用硬磁性体層３０が磁気抵抗層１０の一部である端部磁区制御層の下に形成されていることが示され、請求項６には、「端部磁区制御領域に直接接した反強磁性体層を備え、前記磁気抵抗層の中央部感磁領域を単磁区状態に維持するため、反強磁性交換結合による縦バイアスを発生させる手段」と示されている。縦方向バイアス印加用硬磁性体層３０も端部磁区制御領域に直接接しており、磁気抵抗層の中央部感磁領域を単磁区状態に維持するため、磁性交換結合による縦バイアスを発生させるものであるから、縦方向バイアス印加用硬磁性体層３０に代えて、反強磁性層を用いるとすることが常識的である。
　しかも、引用例３に示されていることと反対の、反強磁性では縦バイアスを与えることができないとする技術常識が有るとも認められないので、請求人の主張は失当である。
　
（４）判断
［相違点１］について
　引用例２には、「磁区制御用磁性膜としてＦｅＭｎからなる反強磁性膜を用いた場合の例について説明しているが、この例の他に例えばα−Ｆｅ２Ｏ３等からなるフェリ磁性膜」を用いることが示されている。従って、具体的な材料として、α−Ｆｅ２Ｏ３を用いることは、当業者が容易に想到することができたものである。
［相違点２］について
　本件補正４発明の「縦バイアス層が接する前記磁気抵抗層に交換異方性磁界が与えられるとともにこの磁気抵抗層の保磁力が高くされる」における「この磁気抵抗層」は「縦バイアス層が接する前記磁気抵抗層」であると認められるところ、引用例１においても縦バイアス層が接する前記磁気抵抗層に交換異方性磁界が与えられるのであるから、該端部磁区制御領域の保磁力が該中央部感磁領域の保磁力よりも大きくなり、バイアスを与えることの意味から、もともとの磁気抵抗層より保持力が高くなっていることは明らかであるので、この相違点２は、言語表現上は異なっていても、実質的には同じ技術的な現象を言っており、相違点とはいえない。
　
　したがって、本件補正４発明は、引用例１〜３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正４は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３　平成１３年６月１１日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１３年６月１１日付けの手続補正を却下する。　
［理由］
（１）補正後の本願発明
　平成１３年６月１１日付けの手続補正は、審判請求から３０日以内になされたものであり、特許法第１７条の２第１項第４号に該当する。
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、平成１３年２月８日付の手続補正２で補正された請求項１
　「磁気抵抗層に、縦バイアス磁界を与えるための縦バイアス層が設けられた薄膜磁気ヘッドにおいて、
　前記縦バイアス層は、トラック幅方向に間隔を開けて形成され、前記磁気抵抗層は前記縦バイアス層上から前記間隔内にかけて形成されており、前記縦バイアス層はα−Ｆｅ２Ｏ３で形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。（以下、本願発明という。）」を、本件補正３発明に、即ち
  「磁気抵抗層に、縦バイアス磁界を与えるための縦バイアス層が設けられた薄膜磁気ヘッドにおいて、
　前記縦バイアス層は、
絶縁層上に
前記絶縁層上に
　前記縦バイアス層はα−Ｆｅ２Ｏ３で形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。」と補正された。                  
　この補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「磁気抵抗層の形成」について「絶縁層上にも形成する」との限定を付加するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正３発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。 
　
（２）引用例
　上記審尋で引用された特開平５−２６６４３４号公報（以下、引用例１という。）、特開平６−２０３３３３号公報（拒絶の理由に用いられた引用例１。以下、引用例２という。）、特開昭６０−５９５１８号公報（拒絶の理由に用いられた引用例２。以下、引用例３という。）には、上記２に記載したものが記載されている。
　
（３）対比
　本件補正３発明は、本件補正４発明の、発明を特定するために必要な事項である「前記縦バイアス層」について「前記縦バイアス層が接する前記磁気抵抗層に交換異方性磁界が与えられるとともにこの磁気抵抗層の保磁力が高くされる」との限定がなされていないものであって、本件補正４発明が引用例１〜３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである以上、本件補正３発明も引用例１〜３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正３は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
４　本願発明について
（１）　本願発明
　平成１３年６月１１日付けおよび平成１３年６月１４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成１３年２月８日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「磁気抵抗層に、縦バイアス磁界を与えるための縦バイアス層が設けられた薄膜磁気ヘッドにおいて、
　前記縦バイアス層は、トラック幅方向に間隔を開けて形成され、前記磁気抵抗層は前記縦バイアス層上から前記間隔内にかけて形成されており、前記縦バイアス層はα−Ｆｅ２Ｏ３で形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。。」
　
（２）　引用例
　拒絶の理由に引用された引用例２、３には、２で記載した事項が記載されている。
　即ち、引用例２には、
「磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）の一方の面の両端部にα−Ｆｅ２Ｏ３等からなる磁区制御用磁性膜が接合された磁気抵抗効果型薄膜ヘッド。」が記載されている。
　
（３）　対比
　引用例２において、磁区制御用磁性膜は、磁気抵抗効果素子の両端部に接合されているのであるから、トラック幅方向に間隔を開けて形成されていることは明らかであり、引用例２の「磁区制御用磁性膜」は、本願発明の「磁気抵抗層に、縦バイアス磁界を与えるための縦バイアス層」に相当するから、
（一致点）
両者は、
「磁気抵抗層に、縦バイアス磁界を与えるための縦バイアス層が設けられた薄膜磁気ヘッドにおいて、
　前記縦バイアス層は、トラック幅方向に間隔を開けて形成され、前記縦バイアス層はα−Ｆｅ２Ｏ３で形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド」
である点で一致する。
（相違点）
　そして、本願発明が、「前記磁気抵抗層は前記縦バイアス層上から前記間隔内にかけて形成されている」のに対して、引用例２のものは、実施例を見ると縦バイアス層は電極側に有り、磁気抵抗層が縦バイアス層上に形成されているとはいえない点で相違する。
　
（４）　判断
　引用例３には、「保持力の大きな磁性体２２をリード２３に対して逆転したような構造」が示されており、引用例２の縦バイアス層の構造を、引用例３のように、磁気抵抗層を縦バイアス層上に間隔内にかけて形成するようにすることは、当業者が容易になしえたことであると認められる。
　従って、相違点は格別のものではない。
　
（５）　まとめ
　本願発明は、 引用例２、３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
５　まとめ
　上記４（５）で述べたように、本願発明は、 引用例２、３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　請求項１に係る発明が特許を受けることができないものであるので、他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。