【手続補正書】
【提出日】平成15年12月18日(2003.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性表面波を励振するすだれ状トランスデューサと、
前記トランスデューサの一方の側に距離ｄl （但し、λ／２≦ｄl ＜λ、λは弾性表面波波長）隔てて配置され、前記弾性表面波を該トランスデューサ側へ反射させる第１の反射器と、
前記トランスデューサにおける前記一方の側に対向する他方の側に距離ｄr （但し、λ／２≦ｄr ＜λ）隔てて配置され、前記弾性表面波を該トランスデューサ側へ反射させる第２の反射器とが、圧電基板上に形成され、
前記距離ｄl とｄr を、前記第１及び第２の反射器の反射作用によって発生するスプリアスを所定の周波数帯域でかつそのレベルを低く抑えた２個のスプリアスに分散しうる異なる値に設定したことを特徴とする弾性表面波共振子。
【請求項２】
弾性表面波を励振するすだれ状トランスデューサと、
複数段に分割されて前記トランスデューサの一方の側にそれぞれ距離ｄlm（但し、λ／２≦ｄlm＜λ、λは弾性表面波波長、ｍは分割段数であって正の整数）隔てて配置され、前記弾性表面波を該トランスデューサ側へ反射させる第１の反射器と、
複数段に分割されて前記トランスデューサにおける前記一方の側に対向する他方の側にそれぞれ距離ｄrn（但し、λ／２≦ｄrn＜λ、ｎは分割段数であって正の整数）隔てて配置され、前記弾性表面波を該トランスデューサ側へ反射させる第２の反射器とが、圧電基板上に形成され、
前記距離ｄlm，ｄrnのすべてを、前記第１及び第２の反射器の反射作用によって発生するスプリアスを所定の周波数帯域でかつそのレベルを低く抑えたｍ＋ｎ個のスプリアスに分散しうる異なる値に設定したことを特徴とする弾性表面波共振子。
【請求項３】
請求項１または２の弾性表面波共振子を用いて構成した弾性表面波装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
以上のような原理に基づき、本発明のうちの請求項１の発明では、ＳＡＷ共振子において、ＳＡＷを励振するＩＤＴと、前記ＩＤＴの一方の側に距離ｄl （但し、λ／２≦ｄl ＜λ、λはＳＡＷ波長）隔てて配置され、前記ＳＡＷを該ＩＤＴ側へ反射させる第１の反射器と、前記ＩＤＴにおける前記一方の側に対向する他方の側に距離ｄr （但し、λ／２≦ｄr ＜λ）隔てて配置され、前記ＳＡＷを該ＩＤＴ側へ反射させる第２の反射器とが、圧電基板上に形成されている。そして、前記距離ｄl とｄr を、前記第１及び第２の反射器の反射作用によって発生するスプリアスを所定の周波数帯域でかつそのレベルを低く抑えた２個のスプリアスに分散しうる異なる値に設定している。
このような構成を採用することにより、高周波信号がＩＤＴの入力側に入力されると、該ＩＤＴに高周波電圧が発生し、この電極指下の圧電基板の表面が歪み、入力された高周波信号と同じ周波数のＳＡＷが励振される。励振したＳＡＷは、ＩＤＴの左右に伝搬し、該ＩＤＴの外側に向かっていくが、第１及び第２の反射器に達するとそこで反射が起こり、ＩＤＴの両側から反射されたＳＡＷが該ＩＤＴの中心に向かうようになる。この結果、第１及び第２の反射器間の領域にＳＡＷの定在波が発生し、ＩＤＴの出力側から高周波信号が出力される。この際、反射器からの反射波があるので、スプリアスが発生する。ところが、この請求項１の発明では、ＳＡＷを励振するＩＤＴとこれを挟む第１及び第２の反射器との距離ｄl ，ｄr を異なる値に設定しているので、従来の１個のスプリアスが、例えばこれより半分の大きさ程度の２個のスプリアスに分散される。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項２の発明では、ＳＡＷ共振子において、ＳＡＷを励振するＩＤＴと、複数段に分割されて前記ＩＤＴの一方の側にそれぞれ距離ｄlm（但し、λ／２≦ｄlm＜λ、λはＳＡＷ波長、ｍは分割段数であって正の整数）隔てて配置され、前記ＳＡＷを該ＩＤＴ側へ反射させる第１の反射器と、複数段に分割されて前記ＩＤＴにおける前記一方の側に対向する他方の側にそれぞれ距離ｄrn（但し、λ／２≦ｄrn＜λ、ｎは分割段数であって正の整数）隔てて配置され、前記ＳＡＷを該ＩＤＴ側へ反射させる第２の反射器とが、圧電基板上に形成されている。そして、前記距離ｄlm，ｄrnのすべてを、前記第１及び第２の反射器の反射作用によって発生するスプリアスを所定の周波数帯域でかつそのレベルを低く抑えたｍ＋ｎ個のスプリアスに分散しうる異なる値に設定している。
このような構成を採用することにより、高周波信号がＩＤＴの入力側に入力されると、該ＩＤＴ下の圧電基板の表面が歪んで入力された高周波信号と同じ周波数のＳＡＷが励振する。励振したＳＡＷは、第１及び第２の反射器によって反射され、第１及び第２の反射器間の領域にＳＡＷの定在波が発生し、ＩＤＴの出力側から高周波信号が出力される。この際、第１及び第２の反射器からの反射波があるので、スプリアスが発生する。ところが、この請求項２の発明では、各第１及び第２の反射器を必要に応じて複数段に分割し、各段とＩＤＴとの距離ｄlm，ｄrnを様々な値に設定しているので、従来の１個のスプリアスが第１及び第２の反射器の分割段数に相当する数の小さなスプリアスに分散される。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【発明の実施の形態】
第１の実施形態
本発明の第１の実施形態であるＳＡＷ共振子の（１）構成、（２）動作、及び（３）利点を説明する。
（１）  構成
図１は、本発明の第１の実施形態を示すＳＡＷ共振子の平面図である。
このＳＡＷ共振子は、従来の図２と同様に、圧電基板１１を有し、この圧電基板１１上に、入力端子１２と、出力端子１３と、複数の電極指を有する励振用ＩＤＴ１４と、ＳＡＷをＩＤＴ１４に反射するための複数の電極指を有する一方の側である左側の第１の反射器１５l 及び他方の側である右側の第２の反射器１５r と、アースのボンディングパッド１６とが形成されている。入力端子１２及び出力端子１３は、ＩＤＴ１４に接続されているが、構造上、入力端子１２を出力端子に、出力端子１３を入力端子にしてもよい。ＩＤＴ１４、左側の第１の反射器１５l 、及び右側の第２の反射器１５r は、ボンディングパッド１６で囲まれており、これらのＩＤＴ１４、反射器１５l ，１５r 及びボンディングパッド１６が、例えば膜厚が４０００Å以上のＡｌ等の薄膜で形成されている。
本実施形態のＳＷＡ共振子の構成は、基本的には従来のものと同じであるが、従来と異なる点は、左側の反射器１５l とＩＤＴ１４との距離ｄl と、右側の反射器１５r とＩＤＴ１４との距離ｄr とが、異なる値に設定されていることである。前述したように、各反射器１５l ，１５r の反射で発生するスプリアスは互いに独立しているので、例えば、左側の距離ｄl をλ／２＋λ／８とし、右側の距離ｄr を従来と同一の距離に設定する。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第２の実施形態
本発明の第２の実施形態であるＳＡＷ共振子の（１）構成、（２）動作、及び（３）利点を説明する。
（１）  構成
図７は、本発明の第２の実施形態を示すＳＡＷ共振子の平面図であり、第１の実施形態を示す図１中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
この第２の実施形態のＳＡＷ共振子は、基本的には第１の実施形態と同じであるが、該第１の実施形態をさらに発展させ、図１のＩＤＴ１４の一方の側である左側の第１の反射器１５l を分割（例えば、２等分した２個の第１の反射器１５l1，１５l2）すると共に、他方の側である右側の第２の反射器１５r を分割（例えば、２等分した２個の第２の反射器１５r1，１５r2）し、各部のＩＤＴ１４との距離を次のようにそれぞれ異なる値に設定している。
左側の２等分された第１の反射器１５l1，１５l2とＩＤＴ１４との距離をｄl1，ｄl2とし、右側の２等分された第２の反射器１５r1，１５r2とＩＤＴ１４との距離をｄr1，ｄr2とする。そして例えば、距離ｄl1をλ／２＋（２／８）λ、距離ｄl2をλ／２＋（３／８）λ、距離ｄr1を従来と同一のλ／２、及び距離ｄr2をλ／２＋λ／８にそれぞれ設定している。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、請求項１の発明によれば、ＳＡＷを励振するＩＤＴとこれを挟む第１及び第２の反射器との距離ｄl とｄr を異なる値に設定したので、第１の反射器のスプリアスと第２の反射器のスプリアスの発生する周波数帯域が異なり、従来の１個のスプリアスを、これより例えば半分の大きさ程度の２個のスプリアスに分散させることができる。従って、スプリアスの発生する周波数帯域を不要な周波数帯域に導き出すことができ、しかもスプリアスのレベルを低く抑えることができる。
請求項２の発明によれば、各第１及び第２の反射器を必要に応じて複数段に分割し、各段とＩＤＴとの距離ｄlm，ｄrnを様々な値に設定したので、従来の１個のスプリアスを、第１及び第２の反射器の分割段数に相当する数の小さなスプリアスに分散させることができる。従って、スプリアスの発生する周波数帯域を不要な周波数帯域に導き出すことができ、しかもスプリアスのレベルを低く抑えることができる。
請求項３の発明によれば、請求項１または２のＳＡＷ共振子を用いてフィルタ等のＳＡＷ装置を構成したので、スプリアスが分散されてスプリアスの悪影響が低下し、フィルタ特性等を向上できる。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１１                            圧電基板
１２                            入力端子
１３                            出力端子
１４                            ＩＤＴ
１５                            反射器
１５l ，１５l1，１５l2 第１の反射器
１５r ，１５r1，１５r2 第２の反射器
２１，２３，２５                並列腕共振子
２２，２４                      直列腕共振子