(57)【要約】【課題】櫛形電極の腐食を効率よく防止することが可能な弾性表面波素子及びそれを有する弾性表面波デバイスを提供する。【解決手段】１％の銅（Ｃｕ）を含むアルミニウム（Ａｌ）で形成された金属パターンは、標準電極電位の違いからダイシング時に腐食が生じる。そこで、圧電基板２上で分離している金属パターンそれぞれに少なくとも１つずつ金属膜３を形成する。金属膜３は第１の層３Ｂと第２の層３Ａとを有して構成される。第２の層３Ａは例えば金（Ａｕ）で形成され、第１の層３Ｂは例えばチタン（Ｔｉ）で形成される。金（Ａｕ）とチタン（Ｔｉ）とで標準電極電位に大きく差があるため、金属膜３での電池効果による溶けだしを抑制することができる。【選択図】          図２
2004356671.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
標準電極電位の異なる金属材料の第１の合金又は多層膜で形成された櫛型電極を含む金属パターンを有する弾性表面波素子において、
前記第１の合金又は多層膜を形成する金属材料とは標準電極電位が異なる金属材料を含む第２の合金又は多層膜で形成した金属膜を、電気的に分離した全ての前記金属パターン上であって前記櫛形電極に含まれる電極指以外の領域の少なくとも一部に有することを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項２】
前記金属パターンは第１及び第２の金属材料を含んで形成され、
前記金属膜は第３及び第４の金属材料を含んで形成され、
前記第１の金属材料は前記第２の金属材料よりも標準電極電位が小さく、
前記第３の金属材料は前記第２の金属材料よりも標準電極電位が大きく、
前記第４の金属材料は、前記第２の金属材料と標準電極電位が等しいか、又は前記第２の金属材料よりも標準電極電位が大きく且つ前記第３の金属材料よりも標準電極電位が小さいことを特徴とする請求項１記載の弾性表面波素子。
【請求項３】
前記第３の金属材料と前記第４の金属材料との標準電極電位の差が前記第１の金属材料と前記第２の金属材料との標準電極電位の差以上であることを特徴とする請求項２記載の弾性表面波素子。
【請求項４】
前記第１の金属材料はアルミニウムであり、
前記第２の金属材料は銅又はチタンであり、
前記第３の金属材料は金であり、
前記第４の金属材料はチタン又はクロムであることを特徴とする請求項２記載の弾性表面波素子。
【請求項５】
前記金属膜は、前記金属パターン上に前記第４の金属材料で形成された第１の層と、該第１の層上に前記第３の金属材料で形成された第２の層とを含み、
前記第２の層の膜厚は前記第１の層の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項２記載の弾性表面波素子。
【請求項６】
標準電極電位の異なる金属材料の合金又は多層膜で形成された櫛型電極を含む金属パターンを有する弾性表面波素子において、
前記金属材料のうち主成分となる金属材料よりも小さい標準電極電位を持つ金属材料を含む金属膜を、電気的に分離した全ての前記金属パターン上であって前記櫛形電極に含まれる電極指以外の領域の少なくとも一部に有することを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項７】
前記主成分となる金属材料はアルミニウムであり、
前記主成分となる金属材料よりも小さい標準電極電位を持つ金属材料はマグネシウムであることを特徴とする請求項６記載の弾性表面波素子。
【請求項８】
前記金属膜は前記金属パターン上であってワイヤ又はバンプでボンディングされた部分以外の領域に形成されていることを特徴とする請求項１から７の何れか１項に記載の弾性表面波素子。
【請求項９】
請求項１から８の何れか１項に記載の前記弾性表面波素子と、
前記弾性表面波素子を収納するパッケージとを有し、
前記弾性表面波素子が前記パッケージにフェイスアップ状態でワイヤボンディングされていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項１０】
請求項１から８の何れか１項に記載の前記弾性表面波素子と、
前記弾性表面波素子を収納するパッケージとを有し、
前記弾性表面波素子が前記パッケージにフェイスアップ状態でフリップチップ実装されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、弾性表面波素子及びそれを有する弾性表面波デバイスに関し、特にダイシング時の腐食を防止できる弾性表面波素子及びそれを有する弾性表面波デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、弾性表面波（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ  Ｄｅｖｉｃｅ：以下、ＳＡＷと略す）素子を利用したフィルタや共振器のＳＡＷデバイスは小型で安価といった特徴があり、携帯電話機のバンドパスフィルタ等に幅広く用いられている。
【０００３】
このような中、携帯電話機等の更なる高性能化に伴い、ＳＡＷ素子を用いたフィルタ（以下、ＳＡＷフィルタという）にも、より一層の高性能化が求められている。特に、デュプレクサやアンテナフィルタには、小型化及び耐電力性の向上が強く求められている。
【０００４】
一般に、ＳＡＷフィルタの櫛型電極（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ：以下、ＩＤＴという）には、耐電力性を鑑みて、軽くて抵抗の小さいアルミニウム（Ａｌ）系の合金が用いられていた。例えばデュプレクサやアンテナフィルタでは、チタン（Ｔｉ），鉛（Ｐｂ），銅（Ｃｕ），ニオブ（Ｎｂ），マグネシウム（Ｍｇ）等の元素をアルミニウムに添加したアルミニウム合金等を使用したり（例えば以下に示す特許文献１参照）、アルミニウム（Ａｌ）とその他の金属とで形成した多層膜等を使用することで（例えば以下に示す特許文献２又は３参照）、挿入損失の低減化がなされていた。
【０００５】
また、ＳＡＷ素子では、素子とパッケージとを電気的に接続する方法として、アルミニウム（Ａｌ）等のワイヤを用いてボンディングすることが一般的であったが、近年では小型化を目的として、バンプや半田ボール等を用いてフリップチップ実装する方法が採用されるようになってきた（例えば以下に示す特許文献４参照）。
【０００６】
図１に従来技術によるＳＡＷ素子１００の構成例を示す。図１に示すように、ＳＡＷ素子１００は、リチウムタンタレート（以下、ＬＴという）やリチウムナイオベート（以下、ＬＮという）や水晶等の圧電性材料を用いて作製した素子基板（以下、圧電基板という）１０２上に、ＩＤＴ１１１と該ＩＤＴ１１１をＳＡＷの伝搬方向において挟み込むように配置された反射器１１２とを含んでなる１端子対の共振器１１０を、配線１１４における直列碗と並列碗とにそれぞれ２つずつ配置した２段構成のラダー型ＳＡＷフィルタである。
【０００７】
各ＩＤＴ１１１と配線１１４とは同一の電極材料で一体形成されている。また、各ＩＤＴ１１１には、信号を入出力するための電極パッド１１３が同様に同一の電極材料で一体形成されている。電極材料としては、略１％程度の銅（Ｃｕ）が混入されたアルミニウム（Ａｌ）を用いることが可能である。尚、例えばＳＡＷフィルタ１００を１．９ＧＨｚ帯として作製する場合、ＩＤＴ１１１の膜厚は、例えば１８０ｎｍ程度となる。但し、この膜厚はＳＡＷフィルタの周波数によって種々変形されるものである。
【０００８】
このような構成では、ワイヤ又はバンプや半田ボール等とが接続される電極パッド１１３の強度を向上させるために、電極パッド１１３の接合面（ボンディング面）に電気抵抗の小さな金属膜（例えば金（Ａｕ））膜を積層することが行われていた。特に、金（Ａｕ）膜をパッドのボンディング面に形成することは半田漏れを防止する効果も得られ、有用な手段の１つとされている。
【０００９】
しかしならが、金（Ａｕ）膜をパッド上に積層した場合、アルミニウム（Ａｌ）と金（Ａｕ）とで金属間接合が形成されるため、長期間使用した場合、接合部分での電気抵抗が増加し、耐電力性が低下し、更に挿入損失が増加してしまうという問題が発生する。
【００１０】
このような問題を解決する方法としては、いわゆるバリアメタルとして、アルミニウム（Ａｌ）膜（パッド）と金（Ａｕ）膜との間にチタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）等の金属膜を形成し、アルミニウム（Ａｌ）と金（Ａｕ）とが直接接合されないように構成する方法が存在する。とりわけ、チタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）を用いた場合では、アルミニウム（Ａｌ）と金（Ａｕ）との密着性を改善することも可能となるため、有用な手段の１つであった。
【００１１】
以上のように、ＳＡＷ素子では、耐電力性向上のため、圧電基板１０２の少なくとも電極パッド１１３上に、アルミニウム（Ａｌ）系の合金で形成された単層膜、又は、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とした膜とその他の金属を主成分とした膜とを含んでなる多層膜が用いられていた。
【００１２】
しかしながら、アルミニウム（Ａｌ）とこれ以外の金属とを含む単層膜又は多層膜を使用した場合、多面取り構造として作製したウエハから個々のＳＡＷ素子をチップサイズにカッティング（個片化）する際、ダイシングに使用される切削水（通常では純水）中で、アルミニウム（Ａｌ）と上記その他の金属との間で電池効果による腐食が発生してしまう。これは、アルミニウム（Ａｌ）の標準電極電位が−１．６６Ｖ（但し、Ａｌ３＋）と、他の金属（例えば銅（Ｃｕ：Ｃｕ２＋／Ｃｕ＋の標準電極電位＋０．３４Ｖ／＋０．５２Ｖ）と比べてかなり小さく、ほとんどの金属に対してアルミニウム（Ａｌ）のイオン化、つまり、溶け出しが起きるためである。
【００１３】
このような問題を回避する方法としては、ダイシングの前工程として、有機系の膜をスピンコートしたり、，酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮ）等の絶縁膜等を保護膜として、特に腐食を防止すべきＩＤＴ上に、スパッタや蒸着法等を用いて成膜する方法が存在した。
【００１４】
【特許文献１】
特開平５−２０６７７６号公報
【特許文献２】
特開平７−１２２９６１号公報
【特許文献３】
特開平６−３５０３７７号公報
【特許文献４】
特開平７−９９４２０号公報
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＳＡＷデバイスは、表面の状態により特性が著しく変化する。特に、重たい膜が付加されている場合では挿入損失が増加し、フィルタ特性が劣化する。従って、ダイシング時の電池効果を防止するために上記のように有機系の膜をつける方法を採用した場合、ダイシング後に洗浄液等で１チップずつ有機膜を除去する工程が必要となり、製造プロセスが煩雑化し、１チップあたりの製造コストが高くなるという問題が発生する。
【００１６】
また、ＩＤＴ上に保護膜として絶縁膜をつけた場合、ＳＡＷ素子の周波数帯域が高くなるほど絶縁膜によりＳＡＷ素子に与えられる影響が大きくなるため、これを抑えるために、絶縁膜の厚さを可能な限り薄くする必要がある。しかしながら、絶縁膜を薄く形成する場合、絶縁膜に穴などが発生し、ＩＤＴのカバレッジが悪くなってしまう可能性が存在する。ＩＤＴが完全にカバーされてないと、水との接触が起き、これが腐食してしまうという問題が発生する。これを防止するために、従来ではフィルタ特性をある程度犠牲にしてでも絶縁膜を厚くする必要があった。
【００１７】
本発明は、以上のような問題に鑑みてなされたもので、櫛形電極の腐食を効率よく防止することが可能な弾性表面波素子及びそれを有する弾性表面波デバイスを提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するために、本発明は、請求項１記載のように、標準電極電位の異なる金属材料の第１の合金又は多層膜で形成された櫛型電極を含む金属パターンを有する弾性表面波素子において、前記第１の合金又は多層膜を形成する金属材料とは標準電極電位が異なる金属材料を含む第２の合金又は多層膜で形成した金属膜を、電気的に分離した全ての前記金属パターン上であって前記櫛形電極に含まれる電極指以外の領域の少なくとも一部に有する。例えばダイシング時の電極指の溶けだしによる腐食は、これを形成する金属材料間の標準電極電位の差により生じる電池効果が原因である。そこで、別の電池効果を起こさせるような金属膜を電池効果を起こさせたくない金属パターンに形成することで、この金属パターンに起こる電池効果を抑制することができる。これにより、この金属パターンの溶けだしによる腐食が防止でき、安定して良好なフィルタ特性を実現することが可能となる。尚、フィルタ特性に大きく寄与する金属パターンは櫛型電極における電極指部分である。そこで本発明は、少なくとも電極指に接続された金属パターンに、これの腐食を防止するための金属膜を形成することとした。また、電極指上に金属膜等の重たい膜を形成すると、挿入損失が増加してフィルタ特性が劣化してしまう。そこで本発明では、電極指以外の領域にのみ、金属膜を形成するように構成した。これにより、フィルタ特性の劣化を防止でき、良好なフィルタ特性を実現することが可能となる。
【００１９】
また、請求項１記載の前記弾性表面波素子は、請求項２記載のように、前記金属パターンは第１及び第２の金属材料を含んで形成され、前記金属膜が第３及び第４の金属材料を含んで形成され、前記第１の金属材料が前記第２の金属材料よりも標準電極電位が小さく、前記第３の金属材料が前記第２の金属材料よりも標準電極電位が大きく、前記第４の金属材料が、前記第２の金属材料と標準電極電位が等しいか、又は前記第２の金属材料よりも標準電極電位が大きく且つ前記第３の金属材料よりも標準電極電位が小さくなるように構成されることが好ましい。これにより、第３及び第４の金属材料で形成される金属膜での電池効果が効率よく生じるため、第１及び第２の金属材料で形成される金属パターンの溶けだしを効率よく抑制することが可能となる。
【００２０】
また、請求項２記載の前記弾性表面波素子は、請求項３記載のように、前記第３の金属材料と前記第４の金属材料との標準電極電位の差が前記第１の金属材料と前記第２の金属材料との標準電極電位の差以上であることが好ましい。これにより、第３及び第４の金属材料で形成される金属膜での電池効果の方が強く現れるため、第１及び第２の金属材料で形成される金属パターンの溶けだしをより抑制することが可能となる。
【００２１】
また、請求項２記載の前記弾性表面波素子は、請求項４記載のように、前記第１の金属材料がアルミニウムであり、前記第２の金属材料が銅又はチタンであり、前記第３の金属材料が金であり、前記第４の金属材料がチタン又はクロムであることが好ましい。一般的に金属パターンは、アルミニウム（Ａｌ）と銅（Ｃｕ）又はチタン（Ｔｉ）との合金又は多層膜で形成されることが多い。ここで、アルミニウム（Ａｌ）の標準電極電位は−１．６６Ｖ（Ａｌ３＋）であり、チタン（Ｔｉ）の標準電極電位は−１．６１Ｖ（Ｔｉ２＋）及び−１．２１Ｖ（Ｔｉ＋）であり、又は、銅（Ｃｕ）の標準電極電位は＋０．３４Ｖ（Ｃｕ２＋）及び＋０．５２Ｖ（Ｃｕ＋）である。また、特に金属パターンにおける電極パッドには、ワイヤやバンプとの接合強度を向上させるためのメッキとして、金（Ａｕ）膜が形成されることが多い。従って、金属パターンと金（Ａｕ）膜との接合強度を向上させつつ、金属パターンの電池効果を効率よく抑制するために、標準電極電位が−１．６１Ｖ（Ｔｉ２＋）及び−１．２１Ｖ（Ｔｉ＋）であるチタン（Ｔｉ）か、若しくは標準電極電位が−０．９１Ｖ（Ｃｒ２＋）であるクロム（Ｃｒ）を金（Ａｕ）膜に添付又は積層することが好ましい。
【００２２】
また、請求項２記載の前記金属膜は、請求項５記載のように、前記金属パターン上に前記第４の金属材料で形成された第１の層と、該第１の層上に前記第３の金属材料で形成された第２の層とを含み、前記第２の層の膜厚が前記第１の層の膜厚よりも厚くなるように構成されることが好ましい。金属パターンとボンディング部分との間に介在させる第１の層を形成する第４の金属材料にチタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）等を適用した場合、この部分の抵抗値が大きくなり、挿入損失が増加する場合が存在する。そこで、第２の層を少なくとも例えば金（Ａｕ）等で形成される第１の層よりも薄く形成することで、挿入損失を低減することが可能となり、フィルタ特性が劣化することを防止できる。
【００２３】
また、本発明は、請求項６記載のように、標準電極電位の異なる金属材料の合金又は多層膜で形成された櫛型電極を含む金属パターンを有する弾性表面波素子において、前記金属材料のうち主成分となる金属材料よりも小さい標準電極電位を持つ金属材料を含む金属膜を、電気的に分離した全ての前記金属パターン上であって前記櫛形電極に含まれる電極指以外の領域の少なくとも一部に有する。例えばダイシング時の電極指の溶けだしによる腐食は、これを形成する金属材料間の標準電極電位の差により生じる電池効果が原因である。そこで、腐食させたくない金属パターンを形成する金属材料の主成分よりも標準電極電位が小さい、すなわち、イオン化傾向が大きい金属材料で形成された金属膜を、この金属パターン上に形成する。これにより、金属パターンを形成する主成分でなく、これよりも標準電極電位の小さい金属膜が溶けだすため、金属パターンの腐食を防止でき、安定して良好なフィルタ特性を実現することが可能となる。尚、フィルタ特性に大きく寄与する金属パターンは櫛型電極における電極指部分である。そこで本発明は、少なくとも電極指に接続された金属パターンに、これの腐食を防止するための金属膜を形成することとした。また、電極指上に金属膜等の重たい膜を形成すると、挿入損失が増加してフィルタ特性が劣化してしまう。そこで本発明では、電極指以外の領域にのみ、金属膜を形成するように構成した。これにより、フィルタ特性の劣化を防止でき、良好なフィルタ特性を実現することが可能となる。
【００２４】
また、請求項６記載の前記弾性表面波素子は、請求項７記載のように、前記主成分となる金属材料がアルミニウムであり、前記主成分となる金属材料よりも小さい標準電極電位を持つ金属材料はマグネシウムであることが好ましい。一般的に金属パターンは、アルミニウム（Ａｌ）を主成分といて形成されることが多い。ここで、アルミニウム（Ａｌ）の標準電極電位は−１．６６Ｖ（Ａｌ３＋）である。従って、これよりも小さい標準電極電位（Ｍｇ２＋の標準電極電位−２．３７Ｖ）を含む金属膜を金属パターン上に形成することで、効率よくアルミニウム（Ａｌ）の溶けだしを抑制でき、フィルタ特性の劣化を防止できる。
【００２５】
また、請求項１から７の何れか１項に記載の前記金属膜は、請求項８記載のように、前記金属パターン上であってワイヤ又はバンプでボンディングされた部分以外の領域に形成されていることが好ましい。金属膜を例えばチタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）等を含んで形成した場合、この部分の抵抗値が大きくなり、挿入損失が増加する場合が存在する。そこで本発明では、金属膜を介することなく、ワイヤ又はバンプが金属パターンに直接接続されるように構成した。これにより、挿入損失の増加を回避でき、フィルタ特性が劣化することを防止できる。
【００２６】
また、本発明は、請求項９記載のように、請求項１から８の何れか１項に記載の前記弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子を収納するパッケージとを有し、前記弾性表面波素子が前記パッケージにフェイスアップ状態でワイヤボンディングされた構成を有する。これにより、上記した作用により櫛形電極の腐食が効率よく防止された弾性表面波デバイスを実現することができる。この際、弾性表面波素子をフェイスアップ状態でワイヤボンディングした構成とすることが可能である。
【００２７】
また、本発明は、請求項１０記載のように、請求項１から８９の何れか１項に記載の前記弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子を収納するパッケージとを有し、前記弾性表面波素子が前記パッケージにフェイスアップ状態でフリップチップ実装された構成を有する。これにより、上記した作用により櫛形電極の腐食が効率よく防止された弾性表面波デバイスを実現することができる。この際、弾性表面波素子をフェイスダウン状態でフリップチップ実装した構成とすることが可能である。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を好適に実施した形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００２９】
〔第１の実施形態〕
まず、本発明の第１の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。図２は、本実施形態によるＳＡＷ素子１の構成を示す図であり、（ａ）はその上面図であり、（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図（一部）である。
【００３０】
図２（ａ）に示すように、ＳＡＷ素子１は、例えばリチウムタンタレート（ＬＴ）やリチウムナイオベート（ＬＮ）や水晶等で作製された圧電基板２の主面上に、櫛型電極（ＩＤＴ）１１，反射器１２，電極パッド１３及び配線１４を含む金属パターンが形成された構成を有する。
【００３１】
金属パターンにおいて、１つのＩＤＴ１１と、これをＳＡＷの伝搬方向において挟み込むように配置された２つの反射器１２との組は、圧電基板２の表層と共に共振器１０ａ〜１０ｄをそれぞれ形成する。共振器１０ａ及び１０ｂは配線１４における直列碗に接続される。この共振器（１０ａ，１０ｂ）を直列共振器ともいう。また、共振器１０ｃ及び１０ｄは配線１４における並列碗に接続される。この共振器（１０ｃ，１０ｄ）を並列共振器ともいう。図２（ａ）では、直列共振子と並列共振子とを２つずつ含む２段構成のラダー型フィルタとして作製されたＳＡＷ素子１を例に挙げている。
【００３２】
共振子１０ａ〜１０ｄにおいて、信号の入出力段及びグランドの入出力段に位置する共振子（図２では全ての共振子１０ａ〜１０ｄ）には、電極パッド１３が設けられ、これが図示しないパッケージ側に設けられた信号パッド及びグランドパッド等にワイヤボンディング又はフリップチップ接続等されることで、ＳＡＷ素子１とパッケージとが電気的に接続される。
【００３３】
共振器１０ａ〜１０ｄにおけるＩＤＴ１１と電極パッド１３と配線１４とは、同一の金属材料を用いて同一の層として一体形成される。本実施形態では、例として１％程度の銅（Ｃｕ）を含有するアルミニウム（Ａｌ）を用いた。但し、この他にも、チタン（Ｔｉ），鉛（Ｐｂ），ニオブ（Ｎｂ），マグネシウム（Ｍｇ）等の元素をアルミニウム（Ａｌ）に添加したアルミニウム合金等を使用したり、アルミニウム（Ａｌ）層とその他の金属層とで形成した多層膜等を使用することも可能である。このような層で形成した金属パターンは軽くて抵抗が小さいため、耐電力性を向上させることが可能であり、挿入損失の低減を図ることができる。
【００３４】
また同様に、反射器１２も同一の金属材料を用いて形成した。これにより、ＩＤＴ１１と反射器１２と電極パッド１３と配線１４とを、フォトリソグラフィ等のプロセス技術を用いて同一の工程で成膜することが可能となる。
【００３５】
但し、以上のようにＩＤＴ１１を含む金属パターンを銅（Ｃｕ）を含むアルミニウム（Ａｌ）で形成した場合、アルミニウム（Ａｌ）の標準電極電位（Ａｌ３＋の標準電極電位−１．６６Ｖ）と銅（Ｃｕ）の標準電極電位（Ｃｕ：Ｃｕ２＋／Ｃｕ＋の標準電極電位＋０．３４Ｖ／＋０．５２Ｖ）との差分から、電池効果に基づくアルミニウム（Ａｌ）の溶けだしが生じる。これを防止するために、本実施形態では、アルミニウム（Ａｌ）と銅（Ｃｕ）との間で生じる電池効果（起電力＝１．６６＋０．３４（又は０．５２）＝２．００（又は２．１８）Ｖ）とは別の電池効果を発生する構造を、金属パターンに対して電気的に接続する。
【００３６】
具体的には、上述のような標準電極電位の異なる金属材料（Ａｌ及びＣｕ）の合金又は多層膜で形成された金属パターン（特にＩＤＴ１１）に対して、この合金又は多層膜を形成する金属材料とは標準電極電位が異なる金属材料を含む合金又は多層膜で形成した金属膜を形成する。例えばダイシング時の電極指の溶けだしによる腐食は、これを形成する金属材料間の標準電極電位の差により生じる電池効果が原因である。そこで、別の電池効果を起こさせるような金属膜を電池効果を起こさせたくない金属パターンに形成することで、この金属パターンに起こる電池効果を抑制することができる。これにより、この金属パターンの溶けだしによる腐食が防止でき、安定して良好なフィルタ特性を実現することが可能となる。尚、フィルタ特性に大きく寄与する金属パターンは櫛型電極における電極指部分である。そこで本発明は、少なくとも電極指に接続された金属パターンに、これの腐食を防止するための金属膜を形成することとした。
【００３７】
この際、電気的に分離した全ての金属パターン上であってＩＤＴ１１に含まれる電極指以外の領域の少なくとも一部にのみ金属膜を形成することが好ましい。
電極指上に金属膜等の重たい膜を形成すると、挿入損失が増加してフィルタ特性が劣化してしまう。そこで本発明では、電極指以外の領域にのみ、金属膜を形成するように構成した。これにより、フィルタ特性の劣化を防止でき、良好なフィルタ特性を実現することが可能となる。
【００３８】
ここで、例えば金属ワイヤや半田ボール等との接合強度の向上や半田漏れの防止等を目的として使用される金（Ａｕ）は、標準電極電位がアルミニウム（Ａｌ）と比較して非常に大きい（Ａｕ＋／Ａｕ３＋の標準電極電位＋１．６９Ｖ／＋１．５０Ｖ）。そこで本実施形態では、金（Ａｕ）と、金（Ａｕ）よりも標準電極電位が小さく且つアルミニウム（Ａｌ）よりも標準電極電位が大きい金属とを含んで構成された層（単層又は多層）を、金属パターンの一部（少なくとも電極指以外の領域）に接触するように形成する。この際、金（Ａｕ）と上記その他の金属との間に生じる起電力が、アルミニウム（Ａｌ）と銅（Ｃｕ）との間に生じる起電力よりも大きくなることが好ましい。これにより、アルミニウム（Ａｌ）の溶けだしを抑制でき、金属パターン（特にＩＤＴ１１における電極指）の腐食によるフィルタ特性の劣化を防止することができる。
【００３９】
金（Ａｕ）に積層する又は混在させる金属材料としては、例えばチタン（Ｔｉ：Ｔｉ２＋／Ｔｉ＋の標準電極電位−１．６１Ｖ／−１．２１Ｖ）や銅（Ｃｕ：Ｃｕ２＋／Ｃｕ＋の標準電極電位＋０．３４Ｖ／＋０．５２Ｖ）や鉛（Ｐｂ：Ｐｂ２＋の標準電極電位−０．１３Ｖ）やニオブ（Ｎｂ：Ｎｂ２＋の標準電極電位−１．１０Ｖ）等を適用することが可能であるが、上述のように、金（Ａｕ）よりも標準電極電位が小さく且つアルミニウム（Ａｌ）よりも標準電極電位が大きい金属であれば如何なるものも適用することができる。尚、例えば耐電力性の高いチタン（Ｔｉ）や銅（Ｃｕ）を用いることで、ＳＡＷ素子１の耐電力性も向上することが可能である。以下では、例としてチタン（Ｔｉ）を使用し、これと金（Ａｕ）との多層膜（以下に示す金属膜３）を用いて金属パターンの腐食を防止するように構成した場合について例を挙げて説明する。
【００４０】
本実施形態による金（Ａｕ）とチタン（Ｔｉ）との多層構造を有する金属膜（３）の構成を図２（ｂ）に示す。図２（ｂ）に示すように、金属膜３は、標準電極電位が小さい方の金属層、すなわち。チタン（Ｔｉ）による第１の層３Ｂが金属パターン（図２（ｂ）では電極パッド１３）上に形成され、この上に標準電極電位が大きい方の金属層、すなわち金（Ａｕ）による第２の層３Ａが形成された構成を有する。このように、金（Ａｕ）層の上面が露出され、チタン（Ｔｉ）層が金属パターンとの接合界面に介在するように構成することで、例えばこれを電極パッド１３上に形成した場合、金属ワイヤや半田ボール等との接合強度の向上や半田漏れの防止等を達成しつつ、第２の層３Ａと電極パッド１３との接合強度を向上する利点も得られる。但し、例えばチタン（Ｔｉ）を用いた場合では、チタン（Ｔｉ）の抵抗率が金（Ａｕ）やアルミニウムや半田等と比較して大きいため、この層（第１の層３Ｂ）における抵抗損が大きくなる場合が存在する。このような場合では、電極パッド１３及びこれに形成する金属膜３の形状をできる限り大きくする。これにより、第１の層３Ｂにおける抵抗を小さくでき、挿入損失を低減することが可能となる。
【００４１】
また、上記した金属膜３は、本実施形態において電極パッド１３上だけでなく、配線１４上及び各反射器１２の電極指以外の領域（バスバー部）に、それぞれ少なくとも１つずつ設けられる。但し、図３に示すＳＡＷ素子１の拡大図（但し、共振子１０ａ〜１０ｄの何れかに着目する）に示すように、金属膜３は、ＩＤＴ１１及び反射器１２における電極指１１ａ−１，１１ａ−２及び１２ａ以外の領域上に形成されることが好ましい。これは、電極指１１ａ−１，１１ａ−２及び１２ａ上に金属膜等の重たい膜を形成すると、挿入損失が増加してフィルタ特性が劣化するためである。そこで、本実施形態では、金属膜３を形成する領域を、電極パッド１３（但し、電極指をつなぐバスバー１１ｂ−１を含んでも良い）上，配線１４（但し、電極指をつなぐバスバー１１ｂ−２を含んでも良い）上，及び反射器１２におけるバスバー１２ｂ上に限定する。換言すれば、電極指１１ａ−１，１１ａ−２及び１２ａを含まない金属パターン上の領域に限定する。
【００４２】
以上のように構成することで、圧電基板２上で分離している金属パターンそれぞれに少なくとも１つずつ金属膜３が形成されるため、全ての金属パターンに対して電池効果による腐食を防止することが可能となり、安定したフィルタ特性を実現することが可能となる。
【００４３】
次に、上記したＳＡＷ素子１の効果を図面に基づいて詳細に説明する。尚、以下の説明では、比較例として、図４に示すＳＡＷ素子１’を例に挙げる。
【００４４】
図４に示すＳＡＷ素子１’は、図２に示すＳＡＷ素子１と比較して、反射器１２及び配線１４上に金属膜３が形成されていない。これ以外の構成はＳＡＷ素子１と同様である。尚、金属膜３は、膜厚が４００ｎｍである金（Ａｕ）による第２の層３Ａと、膜厚が５０ｎｍであるチタン（Ｔｉ）による第１の層３Ｂとの多層膜として形成した。これの成膜には例えば蒸着法を用いることが可能である。
この際、予めリフトオフ用のレジストパターンを形成しておくことで、金属膜３をパターン形成した。
【００４５】
図４に示すＳＡＷ素子１’をダイシングして切り出した後の腐食の度合い（主にＩＤＴ１１）を図５に示す。また、図２に示すＳＡＷ素子１を同様にダイシングして切り出した後の腐食の度合い（主にＩＤＴ１１）を図６に示す。尚、ＳＡＷ素子１の金属膜３は、上記と同様に、膜厚が４００ｎｍである金（Ａｕ）による第２の層３Ａと、膜厚が５０ｎｍであるチタン（Ｔｉ）による第１の層３Ｂとの多層膜として形成した。また、ダイシングの際には切削水として純水を用いた。
【００４６】
図５を参照すると明らかなように、ダイシング時に切削水に浸した場合、金属膜３が形成された一連の（＝電気的に連続した）金属パターン（電極パッド１３，バスバー１１ｂ−１及び電極指１１ａ−１）には、アルミニウム（Ａｌ）の溶けだしによる腐食が生じていないが、金属膜３が形成されていない一連の（＝電気的に連続した）金属パターン（配線１４，バスバー１１ｂ−２及び電極指１１ａ−２）には、アルミニウム（Ａｌ）が溶けだして腐食が生じている。これは、電池効果によりアルミニウム（Ａｌ）とこれに混合された銅（Ｃｕ）との間で起電力が発生したためである。これに対し、金属膜３を形成した金属パターンでは、アルミニウム（Ａｌ）の代わりに第１の層３Ｂを形成するチタン（Ｔｉ）が溶けだすため、図５に示すように、アルミニウム（Ａｌ）における特に電極指１１ａ−１に腐食が発生していない。また、全ての金属パターンに金属膜３が形成されたＳＡＷ素子１では、図６に示すように、アルミニウム（Ａｌ）の腐食が発生していない。これらのことから、全ての金属パターンに金属膜３を形成することで、良好なフィルタ特性を得られることがわかる。尚、上述における一連（＝電気的に連続した）１つの金属パターンを１つの島状領域ともいう。
【００４７】
次に、本実施形態によるＳＡＷ素子１の製造方法について、以下に図面を用いて詳細に説明する。
【００４８】
図７は、本製造方法を説明するためのプロセス図である。図７において、先ず（ａ）に示すように、ＬＴ又はＬＮ等の圧電材料を用いて作製した圧電基板２上に金属膜８１を成膜する。次に（ｂ）に示すように、金属膜８１上に、これを所定の金属パターンにエッチングするためのマスク８２を形成し、この上からエッチングを行う（ｃ）。尚、マスク８２の形状は、例えば図２（ａ）に示す金属パターンを形成するための形状とする。
【００４９】
金属膜８１のエッチングが完了すると、マスク８２を除去した後（ｄ）、金属膜３を形成するためのリフトオフ用のレジストパターン８３を形成し（ｅ）、この上からチタン（Ｔｉ）膜及び金（Ａｕ）膜を順次成長した後（ｆ）、レジストパターン８３を除去する。これにより、レジストパターン８３が形成されていなかった所定の領域上のみに第１の層３Ｂ及び第２の層３Ａが残り、金属膜３が形成される（ｇ）。尚、レジストパターン８３の形状は、例えば図２（ａ）に示す金属膜３を形成するための形状とする。
【００５０】
このように、圧電基板２上に２次元配列した電極パターン（ＩＤＴ１１，反射器１２，電極パッド１３及び配線１４：但し、図７では電極パッド１３のみ図示する）及び金属膜３が形成された多面取り構造のベース基板を作製すると、次に、この多面取り構造のベース基板をダイシングブレード８４を用いて、個々のＳＡＷ素子１に個片化する（ｈ）。この際、切削水として例えば純水を用いる。これにより、上述したような効果が得られるＳＡＷ素子１を作製できる（ｉ）。
【００５１】
尚、上記では、第２の層３Ａの金属材料として金（Ａｕ）を例に挙げ、第１の層３Ｂの金属材料としてチタン（Ｔｉ）を例に挙げたが、本発明はこれに限定されず、ＩＤＴ１１の主成分であるアルミニウム（Ａｌ）よりも標準電極電位が大きい金属材料であれば如何なるものも第２の層３Ａの形成材料として使用することが可能であり、第２の層３Ａの金属材料よりも標準電極電位が小さく且つアルミニウム（Ａｌ）よりも標準電極電位が大きい金属材料であれば如何なるものも第１の層３Ｂの形成材料として使用することが可能である。この際、上述にもあるように、第２の層３Ａと第１の層３Ｂとの間に生じる起電力が、アルミニウム（Ａｌ）と銅（Ｃｕ）との間に生じる起電力よりも小さくなるように構成することが好ましい。
【００５２】
更に上記では、アルミニウム（Ａｌ）よりも標準電極電位が大きい金属材料（これを金属材料Ａとする）による層（第２の層３Ａ）と、第２の層３Ａの金属材料よりも標準電極電位が小さく且つアルミニウム（Ａｌ）よりも標準電極電位が大きい金属材料（これを金属材料Ｂとする）による層（第１の層３Ｂ）との積層体（金属膜３）を用いて本発明による効果を奏するように構成した場合を例に挙げたが、本実施形態ではこれに限定されず、例えば金属材料Ａに対して金属材料Ｂを混合した合金又は金属材料Ｂに対して金属材料Ａを混合した合金等を金属パターン上に形成したように構成しても、同様に上記の効果を奏することが可能である。
【００５３】
〔第２の実施形態〕
次に、本発明の第２の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。図８は、本実施形態によるＳＡＷ素子１ａの構成を示す上面図である。
【００５４】
図８に示すように、本実施形態によるＳＡＷ素子１ａは、第１の実施形態によるＳＡＷ素子１と比較して、電極パッド１３上に形成する金属膜（本実施形態では金属膜２３）の形状が異なる。すなわち、金属膜２３の中央部が開口された構成とすることで、例えば金属ワイヤや半田バンプや金バンプ等を用いてパッケージと電極パッド１３とが直接ボンディングされるように構成されている。尚、本実施形態による金属膜２３の積層構造は、金属膜３と同様のものとし、その金属材料も同様のものを用いた場合について例を挙げる。
【００５５】
例えば、第１の層２３Ｂ（第１の実施形態では第１の層３Ｂ）を、チタン（Ｔｉ）等のような、第２の層２３Ａ（第１の実施形態では第２の層３Ａ）や電極パッド１３や金属ワイヤや半田バンプや金バンプ等よりも抵抗値の大きい金属材料で形成した場合、この第１の層２３Ｂによる抵抗ロスが大きくなり、フィルタ特性が劣化する場合が存在する。そこで本実施形態では、金属膜（第１の実施形態では金属膜３）を介さずに電極パッド１３と金属ワイヤや半田バンプや金バンプ等とが接続されるように構成した。尚、他の構成及び製造方法は、第１の実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００５６】
〔第３の実施形態〕
次に、本発明の第３の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。図９は、本実施形態によるＳＡＷ素子１ｂの構成を示す上面図である。
【００５７】
図９に示すように、本実施形態によるＳＡＷ素子１ｂは、第１の実施形態によるＳＡＷ素子１と比較して、フィルタ特性に影響を及ぼさない反射器（第１の実施形態では反射器１２）のバスバー部が、ＩＤＴ（第１の実施形態ではＩＤＴ１１）のバスバー部と一体形成された構成（ＩＤＴ２１）を有する。
【００５８】
このような構成は、例えば配線１４における並列碗に接続された共振器１０ｃ，１０ｄに対して適用することが可能であり、これにより、金属膜３を形成する箇所及び領域を縮小でき、製造及び設計効率並びに製造コストを削減することができる。尚、他の構成及び製造方法は、第１の実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００５９】
〔第４の実施形態〕
次に、本発明の第４の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。上記した各実施形態では、ＩＤＴ１１，反射器１２，電極パッド１３及び配線１４を含む金属パターンを形成した金属材料（例えば１％の銅（Ｃｕ）が添加されたアルミニウム（Ａｌ）：これを金属材料Ｃとする）の標準電極電位よりも大きな標準電極電位を持つ金属材料（例えば金（Ａｕ）：金属材料Ａ）と、この金属材料Ａよりも標準電極電位が小さく且つ金属材料Ｃよりも標準電極電位が大きい、又は、金属材料Ｃと同程度の標準電極電位を持つ金属材料（例えばチタン（Ｔｉ）：金属材料Ｂ）との合金又は積層体を金属パターンに形成することで、金属材料Ｃの溶けだしを抑制していた。これに対し、本実施形態では、金属パターンを形成する金属材料Ｃよりも標準電極電位が小さい（すなわち、イオン化傾向が大きい）金属材料（これを金属材料Ｄとする）を金属パターンに形成することで、金属材料Ｃが溶けだすことを防止するように構成した場合について例を挙げて説明する。
【００６０】
図１０は、本実施形態によるＳＡＷ素子１ｃの構成を示す図であり、（ａ）はその上面図であり、（ｂ）はそのＢ−Ｂ断面図である。
【００６１】
図１０（ａ）に示すように、本実施形態によるＳＡＷ素子１ｃは、第１の実施形態によるＳＡＷ素子１と同様の構成において、金属膜３が金属膜４３に置き換えられた構成を有している。金属膜４３の断面形状を図１０（ｂ）に示す。図１０（ｂ）に示すように、金属膜４３は例えば金属材料Ｄを用いた形成された単層体として形成することが可能である。
【００６２】
金属膜４３は、上述したように、金属材料Ｃ（例えばアルミニウム（Ａｌ））よりも標準電極電位が小さい金属材料を用いて形成される。この金属材料Ｄとしては、例えばマグネシウム（Ｍｇ：Ｍｇ２＋の標準電極電位−２．３７Ｖ）やルビジウム（Ｒｂ：Ｒｂ＋の標準電極電位−２．９３Ｖ）やストロンチウム（Ｓｒ：Ｓｒ２＋の標準電極電位−２．８９Ｖ）や銀（Ａｇ：Ａｇ２＋の標準電極電位−１．９８Ｖ）等を使用することができるが、上述のように、金属パターンを形成する金属材料よりも標準電極電位が小さい金属であれば如何なるものも適用することができる。
【００６３】
このように、金属パターン（特にＩＤＴ１１における電極指）を形成する金属材料よりも小さい標準電極電位を持つ金属材料で形成された金属膜４３を、一連（＝電気的に連続した）金属パターンそれぞれに対して表面に露出するように形成することで、この金属膜４３の方が溶けだすように構成されるため、金属パターンの腐食を抑制でき、フィルタ特性が劣化することを防止できる。これは、例えばダイシングの際の腐食が、標準電極電位の低い金属（卑な金属）で起きるためである。尚、他の構成及び製造方法は、上述した各実施形態から容易に相当できるため、ここでは説明を省略する。
【００６４】
〔第５の実施形態〕
次に、上記した各実施形態によるＳＡＷ素子（１，１ａ，１ｂ，１ｃ）を用いてＳＡＷデバイス（例えばＳＡＷフィルタデバイス）を作製した場合について図面を用いて詳細に説明する。
【００６５】
図１１は、本実施形態によるＳＡＷデバイス１Ａの構成を示す図であり、（ａ）はその斜視図であり、（ｂ）はそのＣ−Ｃ断面図である。但し、以下の説明では、例として第１の実施形態によるＳＡＷ素子１を用いた場合について説明する。
【００６６】
図１１に示すように、本実施形態では、３つの層（５１ａ，５１ｂ，５１ｃ）で構成されたパッケージ５１の内部に形成されたキャビティ５３内に、ＩＤＴ１１，反射器１２，電極パッド１３及び配線１４を含む金属パターンが形成された面を上側に向けた状態（これをフェイスアップ状態という）でＳＡＷ素子１が実装されている。パッケージ５１内部のキャビティ５３には、ＳＡＷ素子１と接続するための電極パッド５６が形成されている。この電極パッド５６は、例えばパッケージ５１の外部側壁に形成されたキャスタレーション５７を介して、パッケージ５１の裏面（キャビティ５３が開口された側と反対側）に形成されたフットパターン５８と電気的に接続されている。ＳＡＷ素子１における金属膜３，４３又は電極パッド１３とパッケージ５１における電極パッド５６とは金属ワイヤ５５等によりボンディングされる。また、キャビティ５３は、ＳＡＷ素子１を実装後、例えば金属キャップ５２等で気密性よく封止される。この際、パッケージ５１と金属キャップ５２との接合には、樹脂等のワッシャ５４を用いてもよい。
【００６７】
以上のように、本発明によるＳＡＷ素子をフェイスアップ状態でパッケージのキャビティに収納し、これをワイヤボンディングすることで、良好なフィルタ特性を奏するＳＡＷデバイス１Ａを作製することが可能である。
【００６８】
〔第６の実施形態〕
また、第５の実施形態では、上記した各実施形態によるＳＡＷ素子（１，１ａ，１ｂ，１ｃ）をフェイスアップ状態でワイヤボンディングして作製したＳＡＷデバイス１Ａを例に挙げたが、この他、例えば図１２に示すＳＡＷデバイス１Ｂのように、ＳＡＷ素子（１，１ａ，１ｂ，１ｃ）をフェイスダウン状態でパッケージ６１のキャビティ６３内にフリップチップ実装するように構成することも可能である。この際、ＳＡＷ素子（１，１ａ，１ｂ，１ｃ）上の金属膜３，４３又は電極パッド１３と、キャビティ５３底面（ダイアタッチ面ともいう）に形成された電極パッド６６とは、例えば半田バンプや金バンプ等のバンプ６５でボンディングされる。尚、電極パッド６６は、パッケージ６１内部を貫通するビア配線６７を介してパッケージ６１裏面に形成されたフットパターン６８と電気的に接続されている。また、キャビティ６３は、ＳＡＷ素子（１，１ａ，１ｂ，１ｃ）を実装後、例えば金属キャップ６２等で気密性よく封止される。この際、パッケージ６１と金属キャップ６２との接合には、樹脂等のワッシャ６４を用いてもよい。
【００６９】
以上のように、本発明によるＳＡＷ素子をフェイスダウン状態でパッケージのキャビティにフリップチップ実装し、これをバンプによりボンディングすることで、良好なフィルタ特性を奏するＳＡＷデバイス１Ｂを作製することが可能である。
【００７０】
〔他の実施形態〕
以上、説明した実施形態は本発明の好適な一実施形態にすぎず、本発明はその趣旨を逸脱しない限り種々変形して実施可能である。
【００７１】
【発明の効果】
以上説明したように、ダイシングの際に発生する櫛形電極の電池効果による腐食を、低コストで効率よく防止し、良好なフィルタ特性を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の技術によるＳＡＷ素子１００の構成を示す上面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態によるＳＡＷ素子１の構成を示す図であり、（ａ）はその上面図であり、（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。
【図３】ＳＡＷ素子１における共振子（１０ａ〜１０ｄの何れか）を拡大した図である。
【図４】ＳＡＷ素子１に対する比較例であるＳＡＷ素子１’の構成を示す上面図である。
【図５】比較例であるＳＡＷ素子１’によるダイシング後の腐食の度合いを示す図である。
【図６】ＳＡＷ素子１によるダイシング後の腐食の度合いを示す図である。
【図７】本発明の第１の実施形態によるＳＡＷ素子１の製造方法を示すプロセス図である。
【図８】本発明の第２の実施形態によるＳＡＷ素子１ａの構成を示す上面図である。
【図９】本発明の第３の実施形態によるＳＡＷ素子１ｂの構成を示す上面図である。
【図１０】本発明の第４の実施形態によるＳＡＷ素子１ｃの構成を示す図であり、（ａ）はその上面図であり、（ｂ）はそのＢ−Ｂ断面図である。
【図１１】本発明の第５の実施形態によるＳＡＷデバイス１Ａの構成を示す図であり、（ａ）はその斜視図であり、（ｂ）はそのＣ−Ｃ断面図である。
【図１２】本発明の第６の実施形態によるＳＡＷデバイス１Ｂの構成を示す図であり、（ａ）はその斜視図であり、（ｂ）はそのＤ−Ｄ断面図である。
【符号の説明】
１、１ａ、１ｂ、１ｃ  ＳＡＷ素子
１Ａ、１Ｂ  ＳＡＷデバイス
２  圧電基板
３、２３、４３  金属膜
３Ａ、２３Ａ  第２の層
３Ｂ、２３Ｂ  第１の層
１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ  共振器
１１、２１  ＩＤＴ
１１ａ−１、１１ａ−２、１２ａ  電極指
１１ｂ−１、１１ｂ−２、１２ｂ  バスバー
１２  反射器
１３  電極パッド
１４  配線
５１、６１  パッケージ
５１ａ、５１ｂ、５１ｃ  層
５２、６２  金属キャップ
５３、６３  キャビティ
５４、６４  ワッシャ
５５  金属ワイヤ
５６、６６  電極パッド
５７  キャスタレーション
５８、６８  フットパターン
６５  バンプ
６７  ビア配線
８１  金属膜
８２  マスク
８３  レジストパターン
８４  ダイシングブレード
【図１】
2004356671.tif 000003
【図２】
2004356671.tif 000004
【図３】
2004356671.tif 000005
【図４】
2004356671.tif 000006
【図５】
2004356671.tif 000007
【図６】
2004356671.tif 000008
【図７】
2004356671.tif 000009
【図８】
2004356671.tif 000010
【図９】
2004356671.tif 000011
【図１０】
2004356671.tif 000012
【図１１】
2004356671.tif 000013
【図１２】
2004356671.tif 000014
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月19日(2004.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
請求項１から８の何れか１項に記載の前記弾性表面波素子と、
前記弾性表面波素子を収納するパッケージとを有し、
前記弾性表面波素子が前記パッケージにフェイスダウン状態でフリップチップ実装されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
このような構成では、ワイヤ又はバンプや半田ボール等とが接続される電極パッド１１３の強度を向上させるために、電極パッド１１３の接合面（ボンディング面）に電気抵抗の小さな金属膜（例えば金（Ａｕ））膜を積層することが行われていた。特に、金（Ａｕ）膜をパッドのボンディング面に形成することは半田の濡れ性を改善できる有用な手段の１つとされている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、本発明は、請求項１０記載のように、請求項１から８の何れか１項に記載の前記弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子を収納するパッケージとを有し、前記弾性表面波素子が前記パッケージにフェイスダウン状態でフリップチップ実装された構成を有する。これにより、上記した作用により櫛形電極の腐食が効率よく防止された弾性表面波デバイスを実現することができる。この際、弾性表面波素子をフェイスダウン状態でフリップチップ実装した構成とすることが可能である。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
ここで、例えば金属ワイヤや半田ボール等との接合強度の向上や半田濡れ性の向上を目的として使用される金（Ａｕ）は、標準電極電位がアルミニウム（Ａｌ）と比較して非常に大きい（Ａｕ+／Ａｕ3+の標準電極電位＋１．６９Ｖ／＋１．５０Ｖ）。そこで本実施形態では、金（Ａｕ）と、金（Ａｕ）よりも標準電極電位が小さく且つアルミニウム（Ａｌ）よりも標準電極電位が大きい金属とを含んで構成された層（単層又は多層）を、金属パターンの一部（少なくとも電極指以外の領域）に接触するように形成する。この際、金（Ａｕ）と上記その他の金属との間に生じる起電力が、アルミニウム（Ａｌ）と銅（Ｃｕ）との間に生じる起電力よりも大きくなることが好ましい。これにより、アルミニウム（Ａｌ）の溶けだしを抑制でき、金属パターン（特にＩＤＴ１１における電極指）の腐食によるフィルタ特性の劣化を防止することができる。