【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年8月2日(2011.8.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケイ素含有接着性物質および電子受容部分を含む、電子注入層を含む、エレクトロルミネッセントデバイス（ＥＬＤ）。
【請求項２】
前記ケイ素含有接着性物質は、金属もしくは金属酸化物の表面に、酸素連結を介して共有結合されており、そして前記電子受容部分は、該ケイ素含有接着性物質に共有結合されている、請求項１に記載のＥＬＤ。
【請求項３】
前記電子受容部分は、式（Ｉｄ）の構造：
【化１４】
2010537427.tif 000001
を有し、ここで：
Ｒ１ａは、Ｈおよび結合から選択されるが、ただしＲ１ａが結合である場合、Ｒ１ａおよびＲ２は一緒になって、環を形成し；
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６は、Ｈ、ヒドロカルビル、および官能基から独立して選択され；そして
波線は、該ケイ素含有接着性物質への有機種の結合点を示す、請求項２に記載のＥＬＤ。
【請求項４】
前記電子受容部分は、金属ジケトネートである、請求項２に記載のＥＬＤ。
【請求項５】
前記ケイ素含有接着性物質は、式（ＩＩＩａ）の構造：
【化１５】
2010537427.tif 000002
を有するポリマー反復単位を含み、ここでＲ１２は、ヒドロカルビルであり、そして波線は、カソード表面への結合点を表す、請求項２に記載のＥＬＤ。
【請求項６】
前記ＥＬＤは、前記電子注入層上に配置されるエレクトロルミネッセント（ＥＬ）層をさらに含み、前記電子受容部分のＬＵＭＯと前記ＥＬ物質のＬＵＭＯとの間のエネルギー差は、前記金属のＬＵＭＯと該ＥＬ物質のＬＵＭＯとの間のエネルギー差より小さい、請求項２に記載のＥＬＤ。
【請求項７】
エレクトロルミネッセントデバイスにおける電子注入層を形成するための方法であって、該方法は、露出されたヒドロキシル基を有する金属もしくは金属酸化物の表面を提供する工程、ならびに該表面上にコーティング層を形成する工程を包含し、ここで該コーティング層は、該表面に共有結合され、電子受容基を含む、方法。
【請求項８】
前記コーティング層は、前記金属もしくは金属酸化物の表面と、前記電子受容基を含むケイ素含有物質とを接触させることによって形成される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記コーティング層は、前記金属もしくは金属酸化物の表面と、官能化ケイ素含有物質とを接触させて、官能化コーティングを形成すること、および該官能化コーティングと、電子受容基および該官能化コーティングと反応することができる基を含む化合物とを接触させることによって形成される、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記コーティング層は、前記表面と、プレセラミック物質および金属ジケトネートを含む組成物とを接触させることによって形成される、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
エレクトロルミネッセントデバイスにおける使用のための層状基材を調製するための方法であって、該方法は、露出されたヒドロキシル基を有する、金属もしくは金属酸化物の表面を提供する工程；および電子受容部分を含む架橋セラミック層を形成する工程を包含し、ここで該架橋セラミック層は、該表面に、酸素連結を介して共有結合される、方法。
【請求項１２】
前記方法は、前記架橋セラミック層上に発光ポリマー（ＬＥＰ）層を沈着させる工程をさらに包含し、前記電子受容部分のＬＵＭＯと該ＬＥＰ層のＬＵＭＯとの間のエネルギー差は、前記金属もしくは金属酸化物のＬＵＭＯと、該ＬＥＰ層のＬＵＭＯとの間のエネルギー差より小さい、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記架橋セラミック層は、前記表面の中間化合物を共有結合および架橋して、架橋中間層を形成する工程であって、ここで該中間化合物は、架橋可能な部分および第１の官能基を含む、工程；前記電子受容部分および第２の官能基を含む化合物を提供する工程であって、ここで該第２の官能基は、該第１の官能基と反応して、共有結合を形成することができる、工程；ならびに該電子受容部分を該架橋中間層に共有結合する工程を包含する、複数工程プロセスにおいて形成される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記電子受容部分および第２の官能基を含む前記化合物は、式（Ｉ）の構造：
【化１７】
2010537427.tif 000003
を有し、ここで式（Ｉ）において：
Ｒ１は、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ１であり、ここでＸ１は、−ＯＸ２およびハライドから選択され；
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６は、Ｈ、ヒドロカルビル、および官能基から独立して選択され；そして
Ｘ２は、結合、Ｈもしくはヒドロカルビル基から選択されるが、ただしＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６から選択されるいずれか２個以上の隣接する基は一緒になって、環式基を形成する、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
層状デバイスを調製するための方法であって、該方法は、露出されたヒドロキシル基を有する表面を提供する工程、該表面に、金属ジケトネートおよびプレセラミック物質を含む組成物を適用する工程、ならびに該プレセラミック物質が、該表面に共有結合された架橋ネットワークを形成するようにエネルギーを印加する工程、を包含する、方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の詳細な説明】
【発明の名称】有機カソードを用いるエレクトロルミネッセントデバイス
【技術分野】
【０００１】
関連する出願への相互参照
本願は、２００７年８月２３日に出願された米国仮特許出願第６０／９５７，４８１号に対して米国特許法１１９（ｅ）のもとに優先権を主張する。米国仮特許出願第６０／９５７，４８１号の開示は、参照として本明細書中に援用される。
【０００２】
本開示は、電子受容単位と接着性物質との組み合わせを含む層でコーティングされた金属カソードを有するエレクトロルミネッセントデバイスに関する。このようなデバイスを作製するための方法が、さらに提供される。本開示は、例えば、エレクトロニクスの分野において、有用性を見いだす。
【背景技術】
【０００３】
（背景）
エレクトロルミネッセントデバイス（例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ））は、近年において、デバイス成分のうちの１つ以上として有機物質の使用を含んでいた。有機物質は、それらが軽量および低コストであるために望ましい。不運なことに、多くの有機物質は、金属物質と比較して、低い安定性および低い耐久性を欠点としてもっている。
【０００４】
エレクトロルミネッセントデバイス（ＥＬＤ）は、代表的には、２つの電極で構築される。エレクトロルミネッセント物質は、両方の電極と電気的に接触した状態にあり、そして上記電極間で伝導経路を形成する。一方の電極は、電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）として機能する一方で、他方の電極は、正孔注入層（ｈｏｌｅ−ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）として機能する。
【０００５】
高効率ＰＬＥＤ／ＯＬＥＤデバイスは、電子が上記ポリマーに容易に注入され得るように、十分に低い仕事関数を有するカソードに依存する。伝統的なアプローチは、低い仕事関数の金属（例えば、カルシウムおよびバリウム金属）を利用して、上記発光ポリマーへの効率的電子注入を容易にする。これら金属は、化学的に非常に反応性であるので、これらは、空気からの微量の水分によって容易に破壊され得る。上記デバイスが合理的に長い寿命を有するようにするために、これらデバイスは、不活性ガス環境中で製造かつ包まれる必要があるだけでなく、乾燥剤が、通常、デバイスの寿命を延ばすために、内部に梱包される（以下の図面を参照のこと）。けれども、フルカラーＯＬＥＤディスプレイの現在の寿命は、今なお＜１０，０００時間であり、これは、多くの適用には不十分である。カソードの崩壊は、上記デバイスの寿命に対して重大な影響を有するいくつかの重要な因子のうちの１つであることが判明している。従って、ＯＬＥＤのための環境に安定で、低い仕事関数のカソードを開発することは、ＯＬＥＤ産業において未だに重要なトピックである。
【０００６】
さらに、内部乾燥剤の使用は、複雑性および製造コストを増すのみならず、上記ディスプレイ製品の重量および寸法も大きくする。過酷な環境および／もしくは強い機械的振動を要する特定の適用において、上記乾燥剤アプローチは、実現性がない可能性がある。これは、大きな温度変化および／もしくは強い振動が、上記デバイスの不良を生じ得る上記乾燥剤の剥がれ（ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ）を引き起こし得るからである。従って、より安定なカソードの開発は、未だに、ＯＬＥＤディスプレイの商品化に対して重要な論点のうちの１つである。
【０００７】
より安定な金属（例えば、アルミニウム、銅、金など）の使用は、水分および酸素に対する上記カソードの耐性を改善し得、従って、乾燥剤の必要性を潜在的に排除し、密閉して包む必要性を減らす。しかし、これら金属の仕事関数は、上記発光ポリマー（ＬＥＰ）のＬＵＭＯ軌道にマッチさせるには、通常高すぎ、上記ＬＥＰのＬＵＭＯへの電子注入のための大きなエネルギーギャップを生じる。
【０００８】
当該分野では、未だにこれら欠点を克服し、一般に、ＥＬＤのための新たな方法および物質を開発する必要がある。理想的なＥＬＤは、強く効率的であり、長い操作寿命を有する。ＥＬＤを調製するための理想的方法は、容易に利用可能であるかもしくは容易に調製され、プロセス工程の数が最小であり、再現性の高い結果を提供する物質を利用する。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、例えば、以下を提供する：
（項目１）
ケイ素含有接着性物質および電子受容部分を含む、電子注入層を含む、エレクトロルミネッセントデバイス（ＥＬＤ）。
（項目２）
上記ケイ素含有接着性物質は、金属もしくは金属酸化物の表面に、酸素連結を介して共有結合されている、項目１に記載のＥＬＤ。
（項目３）
上記電子受容部分は、上記ケイ素含有接着性物質に共有結合されている、項目２に記載のＥＬＤ。
（項目４）
上記電子受容部分は、式（Ｉｄ）の構造：
【化１４】
2010537427.tif 000004
を有し、ここで：
Ｒ１ａは、Ｈおよび結合から選択されるが、ただしＲ１ａが結合である場合、Ｒ１ａおよびＲ２は一緒になって、環を形成し；
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６は、Ｈ、ヒドロカルビル、および官能基から独立して選択され；そして
波線は、該ケイ素含有接着性物質への有機種の結合点を示す、項目３に記載のＥＬＤ。
（項目５）
上記電子受容部分は、金属ジケトネートである、項目２に記載のＥＬＤ。
（項目６）
上記金属ジケトネートは、ケイ素含有接着性物質と錯体を形成し、そしてリチウムアセチルアセトネート、バリウムアセチルアセトネート、ベリリウムアセチルアセトネート、カルシウムアセチルアセトネート、マグネシウムアセチルアセトネート、ナトリウムアセチルアセトネート、カリウムアセチルアセトネート、セシウムアセチルアセトネート、ストロンチウムアセチルアセトネート、ホウ素アセチルアセトネート、アルミニウムアセチルアセトネート、ガリウムアセチルアセトネート、インジウムアセチルアセトネート、銀アセチルアセトネート、およびこれらの組み合わせから選択される、項目５に記載のＥＬＤ。
（項目７）
上記ケイ素含有接着性物質は、式（ＩＩＩａ）の構造：
【化１５】
2010537427.tif 000005
を有するポリマー反復単位を含み、ここでＲ１２は、ヒドロカルビルであり、そして波線は、カソード表面への結合点を表す、項目６に記載のＥＬＤ。
（項目８）
上記ＥＬＤは、上記電子注入層上に配置されるエレクトロルミネッセント（ＥＬ）層をさらに含む、項目２に記載のＥＬＤ。
（項目９）
上記電子受容部分のＬＵＭＯと上記ＥＬ物質のＬＵＭＯとの間のエネルギー差は、上記金属のＬＵＭＯと上記ＥＬ物質のＬＵＭＯとの間のエネルギー差より小さい、項目８に記載のＥＬＤ。
（項目１０）
エレクトロルミネッセントデバイスにおける電子注入層を形成するための方法であって、該方法は、露出されたヒドロキシル基を有する金属もしくは金属酸化物の表面を提供する工程、ならびに該表面上にコーティング層を形成する工程を包含し、ここで該コーティング層は、該表面に共有結合され、電子受容基を含む、方法。
（項目１１）
上記コーティング層は、上記金属もしくは金属酸化物の表面と、上記電子受容基を含むケイ素含有物質とを接触させることによって形成される、項目１０に記載の方法。
（項目１２）
上記コーティング層は、上記金属もしくは金属酸化物の表面と、官能化ケイ素含有物質とを接触させて、官能化コーティングを形成すること、および該官能化コーティングと、電子受容基および該官能化コーティングと反応することができる基を含む化合物とを接触させることによって形成される、項目１０に記載の方法。
（項目１３）
上記コーティング層は、上記表面と、プレセラミック物質および金属ジケトネートを含む組成物とを接触させることによって形成される、項目１０に記載の方法。
（項目１４）
上記プレセラミック物質は、式（ＩＩＩ）の構造を有する化合物：
【化１６】
2010537427.tif 000006
を含み、ここでＲ１２は、ヒドロカルビルであり、ｎは、整数である、項目１３に記載の方法。
（項目１５）
エレクトロルミネッセントデバイスにおける使用のための層状基材を調製するための方法であって、該方法は、露出されたヒドロキシル基を有する、金属もしくは金属酸化物の表面を提供する工程；および電子受容部分を含む架橋セラミック層を形成する工程を包含し、ここで該架橋セラミック層は、該表面に、酸素連結を介して共有結合される、方法。
（項目１６）
上記方法は、上記架橋セラミック層上に発光ポリマー（ＬＥＰ）層を沈着させる工程をさらに包含する、項目１５に記載の方法。
（項目１７）
上記電子受容部分のＬＵＭＯと上記ＬＥＰ層のＬＵＭＯとの間のエネルギー差は、上記金属もしくは金属酸化物のＬＵＭＯと、上記ＬＥＰ層のＬＵＭＯとの間のエネルギー差より小さい、項目１６に記載の方法。
（項目１８）
上記電子受容部分は、上記架橋セラミック層に共有結合されている、項目１５に記載の方法。
（項目１９）
上記電子受容部分は、上記架橋セラミック層と錯体を形成する金属ジケトネート化合物である、項目１５に記載の方法。
（項目２０）
上記架橋セラミック層は、上記表面の中間化合物を共有結合および架橋して、架橋中間層を形成する工程であって、ここで該中間化合物は、架橋可能な部分および第１の官能基を含む、工程；上記電子受容部分および第２の官能基を含む化合物を提供する工程であって、ここで該第２の官能基は、該第１の官能基と反応して、共有結合を形成することができる、工程；ならびに該電子受容部分を該架橋中間層に共有結合する工程を包含する、複数工程プロセスにおいて形成される、項目１８に記載の方法。
（項目２１）
上記電子受容部分および第２の官能基を含む上記化合物は、式（Ｉ）の構造：
【化１７】
2010537427.tif 000007
を有し、ここで式（Ｉ）において：
Ｒ１は、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ１であり、ここでＸ１は、−ＯＸ２およびハライドから選択され；
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６は、Ｈ、ヒドロカルビル、および官能基から独立して選択され；そして
Ｘ２は、結合、Ｈもしくはヒドロカルビル基から選択されるが、ただしＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６から選択されるいずれか２個以上の隣接する基は一緒になって、環式基を形成する、
項目２０に記載の方法。
（項目２２）
上記架橋セラミック層は、化合物を上記表面に共有結合させ、得られた層を硬化することによって形成され、ここで該化合物は、上記電子受容部分および上記露出されたヒドロキシル基と架橋ネットワークを形成することができる部分を含む、項目１８に記載の方法。
（項目２３）
層状デバイスを調製するための方法であって、該方法は、露出されたヒドロキシル基を有する表面を提供する工程、該表面に、金属ジケトネートおよびプレセラミック物質を含む組成物を適用する工程、ならびに該プレセラミック物質が、該表面に共有結合された架橋ネットワークを形成するようにエネルギーを印加する工程、を包含する、方法。
（項目２４）
上記プレセラミック物質は、架橋可能なシロキサン物質である、項目２３に記載の方法。
（項目２５）
上記金属ジケトネートは、上記架橋されたシロキサン物質と錯体を形成し、リチウムアセチルアセトネート、バリウムアセチルアセトネート、ベリリウムアセチルアセトネート、カルシウムアセチルアセトネート、マグネシウムアセチルアセトネート、ナトリウムアセチルアセトネート、カリウムアセチルアセトネート、セシウムアセチルアセトネート、ストロンチウムアセチルアセトネート、ホウ素アセチルアセトネート、アルミニウムアセチルアセトネート、ガリウムアセチルアセトネート、インジウムアセチルアセトネート、銀アセチルアセトネート、およびこれらの組み合わせから選択される、項目２４に記載の方法。
（項目２６）
エレクトロルミネッセントデバイスを調製する方法において、改善は、カソード表面に共有結合された架橋されたケイ素含有コーティング層を形成することを包含し、ここで該コーティング層は、該コーティング層に共有結合される有機部分から選択される電子受容部分および該コーティング層と錯体化される金属ジケトネートを含む、改善。
（項目２７）
エレクトロルミネッセントデバイスを調製するための方法において、改善は、プレセラミックシロキサン物質と金属ジケトネートとを合わせて、混合物を形成すること、および該混合物を、露出されたヒドロキシル基を有するカソード表面に適用して、セラミックコーティングに共有結合した表面を形成することを含む、改善。
本開示は、上述の欠点のうちの１つ以上に対処し、そしてＥＬＤおよび上記の望ましい特徴のうちの１つ以上を満たすこのようなデバイスを調製するための方法を提供することに関する。
【００１０】
次いで、一実施形態において、本開示は、ケイ素含有接着性物質および電子受容部分を含む電子注入層を含む、エレクトロルミネッセントデバイス（ＥＬＤ）を提供する。
【００１１】
別の実施形態において、本開示は、エレクトロルミネッセントデバイスにおいて電子注入層を形成するための方法を提供する。上記方法は、露出されたヒドロキシル基を有する金属もしくは金属酸化物の表面を提供する工程；および上記表面上にコーティング層を形成する工程を包含し、ここで上記コーティング層は、上記表面に共有結合され、電子受容基を含む。
【００１２】
別の実施形態において、本開示は、エレクトロルミネッセントデバイスにおける使用のための層状基材を調製するための方法を提供する。上記方法は、露出されたヒドロキシル基を有する金属もしくは金属酸化物の表面を提供する工程；および電子受容部分を含む架橋セラミック層を形成する工程を包含し、ここで上記架橋セラミック層は、酸素結合を介して上記表面に共有結合される。
【００１３】
別の実施形態において、本開示は、層状デバイスを調製するための方法を提供する。上記方法は、露出されたヒドロキシル基を有する表面を提供する工程、上記表面に、金属ジケトネートおよびプレセラミック物質を含む組成物を適用する工程、ならびに上記プレセラミック物質が上記表面に共有結合された架橋ネットワークを形成するように、エネルギーを印加する工程を包含する。
【００１４】
別の実施形態において、本開示は、エレクトロルミネッセントデバイスを調製するための改善された方法を提供する。上記改善は、カソード表面に共有結合された架橋ケイ素含有コーティング層を形成することを含み、ここで上記コーティング層は、上記コーティング層に共有結合される有機部分および上記コーティング層と錯体化される金属ジケトネートから選択される電子受容部分を含む。
【００１５】
別の実施形態において、本開示は、エレクトロルミネッセントデバイスを調製するための改善された方法を提供する。上記改善は、プレセラミックシロキサン物質と、金属ジケトネートとを合わせて、混合物を形成し、そして上記混合物を露出されたヒドロキシル基を有するカソード表面に適用して、セラミックコーティングに共有結合された基材を形成することを包含する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１ａ、１ｂ、および１ｃは、本開示に従うエレクトロルミネッセントデバイスの例を示す。
【図２ａ】図２ａおよび２ｂは、本開示に従うエレクトロルミネッセントデバイスの電流−電圧−明るさ（ＩＶＢ）曲線を提供する。
【図２ｂ】図２ａおよび２ｂは、本開示に従うエレクトロルミネッセントデバイスの電流−電圧−明るさ（ＩＶＢ）曲線を提供する。
【図３】図３は、２つのエレクトロルミネッセントデバイスの電流密度−電圧−明るさ曲線を提供する。
【図４】図４は、２つのエレクトロルミネッセントデバイスの電流密度−電圧−明るさ曲線を提供する。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
（開示の詳細な説明）
本発明を詳細に記載する前に、別段示されなければ、本発明は、本明細書で記載されるいかなる特定のデバイスにも、構成にも、物質にも、調製方法にも限定されず、よって変動し得ることが理解されるべきである。本明細書において使用される用語は、特定の実施形態を記載する目的に過ぎず、限定することを意図しないこともまた、理解されるべきである。
【００１８】
本明細書および特許請求の範囲において使用される場合、単数形「１つの、ある（ａ）」、「１つの、ある（ａｎ）」および「上記、その（ｔｈｅ）」は、文脈が明らかに他のことを示さなければ、複数形への言及を含むことに注意すべきである。従って、例えば、「金属（ａ  ｍｅｔａｌ）」とは、単一の金属に言及するのみならず、２種以上の金属の組み合わせ（例えば、混合物もしくは合金）にも言及し、「電極（ａｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）」とは、電極の組み合わせならびに単一の電極などに言及する。
【００１９】
別段規定されなければ、本明細書で使用される全ての技術的および科学的用語は、本発明が属する分野の当業者によって一般に理解される意味を有する。本明細書で記載される方法および物質に類似もしくはそれらと等価な任意の方法および物質が、本発明の実施もしくは試験において有用であり得るが、好ましい方法および物質は、以下に記載される。
【００２０】
用語「アルキル」とは、本明細書において使用される場合、代表的には、必須ではないが、１〜約２４個の炭素原子を含む分枝状もしくは非分枝状の飽和炭化水素基（例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、オクチル、デシルなど）ならびにシクロアルキル基（例えば、シクロペンチル、シクロヘキシルなど）をいう。一般に、繰り返すと、必須ではないが、アルキル基は、本明細書において、１〜約１８個の炭素原子を含み得、このような基は、１〜約１２個の炭素原子を含み得る。用語「低級アルキル」とは、１〜６個の炭素原子のアルキル基を意図する。「置換されたアルキル」とは、１個以上の置換基で置換されたアルキル基をいい、用語「ヘテロ原子含有アルキル」および「ヘテロアルキル」とは、少なくとも１個の炭素原子が、ヘテロ原子（以下にさらに詳細に記載される）で置換されているアルキル置換基をいう。別段示されなければ、用語「アルキル」および「低級アルキル」は、それぞれ、直線状の、分枝鎖の、環状の、置換されていない、置換された、および／もしくはヘテロ原子含有のアルキルもしくは低級アルキルを含む。
【００２１】
用語「アルケニル」とは、本明細書において使用される場合、少なくとも１個の二重結合を含む２〜約２４個の炭素原子の直線状の、分枝状のもしくは環状の炭化水素基(例えば、エテニル、ｎ−プロペニル、イソプロペニル、ｎ−ブテニル、イソブテニル、オクテニル、デセニル、テトラデセニル、ヘキサデセニル、エイコセニル、テトラコセニルなど)をいう。繰り返すと、必須ではないが、一般に、アルケニル基は、本明細書において、２〜約１８個の炭素原子を含み得、例えば、２〜１２個の炭素原子を含み得る。用語「低級アルケニル」とは、２〜６個の炭素原子のアルケニル基である。用語「置換されたアルケニル」とは、１個以上の置換基で置換されたアルケニルをいい、用語「ヘテロ原子含有アルケニル」および「ヘテロアルケニル」とは、少なくとも１個の炭素原子がヘテロ原子で置換されているアルケニルをいう。別段示されなければ、用語「アルケニル」および「低級アルケニル」は、それぞれ、直線状の、分枝状の、環状の、置換されていない、置換された、および／もしくはヘテロ原子含有のアルケニルおよび低級アルケニルを含む。
【００２２】
用語「アルキニル」とは、本明細書において使用される場合、少なくとも１個の三重結合を含む、２〜２４個の炭素原子の直線状もしくは分枝状の炭化水素基（例えば、エチニル、ｎ−プロピニルなど）をいう。繰り返すと、必須ではないが、一般に、アルキニル基は、本明細書において、２〜約１８個の炭素原子を含み得、このような基は、さらに、２〜１２個の炭素原子を含み得る。用語「低級アルキニル」とは、２〜６個の炭素原子のアルキニル基を意図する。用語「置換されたアルキニル」とは、１個以上の置換基で置換されたアルキニルをいい、用語「ヘテロ原子含有アルキニル」および「ヘテロアルキニル」とは、少なくとも１個の炭素原子がヘテロ原子で置換されているアルキニルをいう。別段示されなければ、用語「アルキニル」および「低級アルキニル」は、それぞれ、直線状の、分枝状の、置換されていない、置換されている、および／もしくはヘテロ原子含有のアルキニルおよび低級アルキニルを含む。
【００２３】
別段示されなければ、用語「不飽和アルキル」とは、アルケニルおよびアルキニル、ならびにこれらの組み合わせを含む。
【００２４】
用語「アルコキシ」とは、本明細書において使用される場合、単一の、末端エーテル結合を介して結合されたアルキル基を意図する；すなわち、「アルコキシ」基とは、−Ｏ−アルキル（ここでアルキルは、上記で定義されるとおりである）として表され得る。「低級アルコキシ」基とは、１〜６個の炭素原子を含むアルコキシ基を意図し、例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブチルオキシなどを含む。「Ｃ１−Ｃ６アルコキシ」もしくは「低級アルコキシ」として本明細書中において同定される置換基は、例えば、１〜３個の炭素原子を含み得、そしてさらなる例としては、このような置換基は、１もしくは２個の炭素原子（すなわち、メトキシおよびエトキシ）を含み得る。
【００２５】
用語「アリール」とは、本明細書において使用される場合、および別段特定されなければ、必須ではないが、一般に、５〜３０個の炭素原子を含み、かつ一緒に縮合されているか、直接連結されているか、もしくは間接的に連結されている（異なる芳香族環が共通する基（例えば、メチレンもしくはエチレン部分）に結合されるように）単一の芳香族環もしくは複数の芳香族環（例えば、１〜３個の環）を含む芳香族置換基をいう。アリール基は、例えば、５〜２０個の炭素原子を含み得、さらなる例としては、アリール基は、５〜１２個の炭素原子を含み得る。例えば、アリール基は、１個の芳香族環または２個の縮合もしくは連結された芳香族環（例えば、フェニル、ナフチル、ビフェニル、ジフェニルエーテル、ジフェニルアミン、ベンゾフェノンなど）を含み得る。「置換されたアリール」とは、１個以上の置換基で置換されたアリール部分をいい、用語「ヘテロ原子含有アリール」および「ヘテロアリール」とは、少なくとも１個の炭素原子がヘテロ原子（以下でさらに詳細に記載される）で置換されたアリール置換基をいう。別段示されなければ、用語「アリール」は、置換されていない、置換された、および／もしくはヘテロ原子含有アリール置換基を含む。
【００２６】
用語「アラルキル」とは、アリール置換基を有するアルキル基をいい、用語「アルカリール」とは、アルキル置換基を有するアリール基をいい、ここで「アルキル」および「アリール」は、上記で定義されるとおりである。一般に、アラルキルおよびアルカリールは、本明細書において、６〜３０個の炭素原子を含む。アラルキルおよびアルカリール基は、例えば、６〜２０個の炭素原子を含み得、さらなる例としては、このような基は、６〜１２個の炭素原子を含み得る。
【００２７】
用語「オレフィン基（ｏｌｅｆｉｎｉｃ  ｇｒｏｕｐ）」とは、２〜１２個の炭素原子の一不飽和もしくは二不飽和の炭化水素基を含む。この場合における好ましいオレフィン基は、ときおり本明細書において「低級オレフィン基」と表され、１個の末端二重結合を含む２〜６個の炭素原子の炭化水素部分を意図する。この後者の部分は、「低級」アルケニルともいわれる。
【００２８】
用語「アルキレン」とは、本明細書において使用される場合、１〜２４個の炭素原子を含む、二官能性の飽和した分枝状もしくは非分枝状の炭化水素鎖をいう。「低級アルキレン」とは、１〜６個の炭素原子を含むアルキレン連結をいい、例えば、メチレン（−ＣＨ２−）、エチレン（−ＣＨ２ＣＨ２−）、プロピレン（−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−）、２−メチルプロピレン（−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）−ＣＨ２−）、ヘキシレン（−（ＣＨ２）６−）などを含む。
【００２９】
用語「アミノ」とは、基−ＮＺ１Ｚ２をいうために本明細書において使用され、Ｚ１およびＺ２は、水素もしくは非水素置換基であり、非水素置換基としては、例えば、アルキル、アリール、アルケニル、アラルキル、ならびに置換されたおよび／もしくはヘテロ原子含有のこれらの改変体が挙げられる。
【００３０】
用語「ヘテロ原子含有」とは、「ヘテロ原子含有アルキル基」（「ヘテロアルキル」基ともいわれる）もしくは「ヘテロ原子含有アリール基」（「ヘテロアリール」基ともいわれる）におけるように、１個以上の炭素原子が炭素以外の原子（例えば、窒素、酸素、硫黄、リンもしくはケイ素、代表的には、窒素、酸素もしくは硫黄）で置換されている分子、連結もしくは置換基をいう。同様に、用語「ヘテロアルキル」とは、ヘテロ原子含有であるアルキル置換基をいい、用語「複素環式」とは、ヘテロ原子含有である環式置換基をいい、用語「ヘテロアリール」および「ヘテロ芳香族」とは、それぞれ、ヘテロ原子含有である「アリール」および「芳香族」置換基をいうなどである。ヘテロアルキル基の例としては、アルコキシアリール、アルキルスルファニル置換されたアルキル、Ｎ−アルキル化アミノアルキルなどが挙げられる。ヘテロアリール置換基の例としては、ピロリル、ピロリジニル、ピリジニル、キノリニル、インドリル、フリル、ピリミジニル、イミダゾリル、１，２，４−トリアゾリル、テトラゾリルなどが挙げられ、ヘテロ原子含有脂環式基の例は、ピロリジノ、モルホリノ、ピペラジノ、ピペリジノ、テトラヒドロフラニルなどである。
【００３１】
「ヒドロカルビル」とは、１〜約３０個の炭素原子（１〜約２４個の炭素原子が挙げられ、さらには、１〜約１８個の炭素原子が挙げられ、そしてさらには、約１〜１２個の炭素原子が挙げられ、直鎖状の、分枝状の、環状の、飽和の、および不飽和の種（例えば、アルキル基、アルケニル基、アリール基など）が挙げられる）を含む一価のヒドロカルビルラジカルをいう。「置換されたヒドロカルビル」とは、１個以上の置換基で置換されたヒドロカルビルをいい、用語「ヘテロ原子含有ヒドロカルビル」とは、少なくとも１個の炭素原子がヘテロ原子で置換されているヒドロカルビルをいう。別段示されなければ、用語「ヒドロカルビル」は、置換されていない、置換された、ヘテロ原子含有の、および置換されたヘテロ原子含有のヒドロカルビル部分を含むと解釈されるべきである。
【００３２】
「ハロ」もしくは「ハロゲン」とは、フルオロ、クロロ、ブロモもしくはヨードをいい、通常、有機化合物中の水素原子の代わりに、ハロ置換が使用されることに関する。上記ハロのうち、クロロおよびフルオロは、一般に好ましい。
【００３３】
「置換された」とは、「置換されたヒドロカルビル」、「置換されたアルキル」、「置換されたアリール」などにおけるように、上記の定義のうちのいくつかにおいて言われる場合、上記ヒドロカルビル、アルキル、アリールもしくは他の部分において、炭素（もしくは他の）原子に結合された少なくとも１個の水素原子が、１個以上の非水素置換基で置換されていることを意味する。このような置換基の例としては、以下が挙げられるが、これらに限定されない：官能基（例えば、ハロ、ヒドロキシル、スルフヒドリル、Ｃ１−Ｃ２４アルコキシ、Ｃ２−Ｃ２４アルケニルオキシ、Ｃ２−Ｃ２４アルキニルオキシ、Ｃ５−Ｃ２０アリールオキシ、アシル（Ｃ２−Ｃ２４アルキルカルボニル（−ＣＯ−アルキル）およびＣ６−Ｃ２０アリールカルボニル（−ＣＯ−アリール）を含む）、アシルオキシ（−Ｏ−アシル）、Ｃ２−Ｃ２４アルコキシカルボニル（−（ＣＯ）−Ｏ−アルキル）、Ｃ６−Ｃ２０アリールオキシカルボニル（−（ＣＯ）−Ｏ−アリール）、ハロカルボニル（−ＣＯ）−Ｘ（ここでＸはハロである））、Ｃ２−Ｃ２４アルキルカルボナト（ａｌｋｙｌｃａｒｂｏｎａｔｏ）（−Ｏ−（ＣＯ）−Ｏ−アルキル）、Ｃ６−Ｃ２０アリールカルボナト（−Ｏ−（ＣＯ）−Ｏ−アリール）、カルボキシ（−ＣＯＯＨ）、カルボキシラート（ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｏ）（−ＣＯＯ−）、カルバモイル（−（ＣＯ）−ＮＨ２）、モノ置換Ｃ１−Ｃ２４アルキルカルバモイル（−（ＣＯ）−ＮＨ（Ｃ１−Ｃ２４アルキル））、ジ置換アルキルカルバモイル（−（ＣＯ）−Ｎ（Ｃ１−Ｃ２４アルキル）２）、モノ置換アリールカルバモイル（−（ＣＯ）−ＮＨ−アリール）、チオカルバモイル（−（ＣＳ）−ＮＨ２）、カルバミド（−ＮＨ−（ＣＯ）−ＮＨ２）、シアノ（−Ｃ≡Ｎ）、イソシアノ（−Ｎ＋≡Ｃ−）、シアナト（−Ｏ−Ｃ≡Ｎ）、イソシアナト（−Ｏ−Ｎ＋≡Ｃ−）、イソチオシアナト（−Ｓ−Ｃ≡Ｎ）、アジド（−Ｎ＝Ｎ＋＝Ｎ−）、ホルミル（−（ＣＯ）−Ｈ）、チオホルミル（−（ＣＳ）−Ｈ）、アミノ（−ＮＨ２）、モノおよびジ（Ｃ１−Ｃ２４アルキル）置換アミノ、モノおよびジ（Ｃ５−Ｃ２０アリール）置換アミノ、Ｃ２−Ｃ２４アルキルアミノ（−ＮＨ−（ＣＯ）−アルキル）、Ｃ５−Ｃ２０アリールアミド（−ＮＨ−（ＣＯ）−アリール）、イミノ（−ＣＲ＝ＮＨ（ここでＲ＝水素、Ｃ１−Ｃ２４アルキル、Ｃ５−Ｃ２０アリール、Ｃ６−Ｃ２０アルカリール、Ｃ６−Ｃ２０アラルキルなど））、アルキルイミノ（−ＣＲ＝Ｎ（アルキル）（ここでＲ＝水素、アルキル、アリール、アルカリールなど））、アリールイミノ（−ＣＲ＝Ｎ（アリール）（ここでＲ＝水素、アルキル、アリール、アルカリールなど））、ニトロ（−ＮＯ２）、ニトロソ（−ＮＯ）、スルホ（−ＳＯ２−ＯＨ）、スルホナト（−ＳＯ２−Ｏ−）、Ｃ１−Ｃ２４アルキルスルファニル（−Ｓ−アルキル；「アルキルチオ」ともいう）、アリールスルファニル（−Ｓ−アリール；「アリールチオ」ともいう）、Ｃ１−Ｃ２４アルキルスルフィニル（−（ＳＯ）−アルキル）、Ｃ５−Ｃ２０アリールスルフィニル（−（ＳＯ）−アリール）、Ｃ１−Ｃ２４アルキルスルホニル（−ＳＯ２−アルキル）、Ｃ５−Ｃ２０アリールスルホニル（−ＳＯ２−アリール）、ホスホノ（−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２）、ホスホナト（−Ｐ（Ｏ）（Ｏ−）２）、ホスフィナト（−Ｐ（Ｏ）（Ｏ−））、ホスホ（−ＰＯ２）、およびホスフィノ（−ＰＨ２）、モノおよびジ（Ｃ１−Ｃ２４アルキル）置換ホスフィノ、モノおよびジ（Ｃ５−Ｃ２０アリール）置換ホスフィノ；ならびにヒドロカルビル部分Ｃ１−Ｃ２４アルキル（Ｃ１−Ｃ１８アルキルが挙げられ、さらにはＣ１−Ｃ１２アルキルが挙げられ、さらにはＣ１−Ｃ６アルキルが挙げられる）、Ｃ２−Ｃ２４アルケニル（Ｃ２−Ｃ１８アルケニルが挙げられ、さらにはＣ２−Ｃ１２アルケニルが挙げられ、そしてさらにはＣ２−Ｃ６アルケニルが挙げられる）、Ｃ２−Ｃ２４アルキニル（Ｃ２−Ｃ１８アルキニルが挙げられ、さらにはＣ２−Ｃ１２アルキニルが挙げられ、そしてさらにはＣ２−Ｃ６アルキニルが挙げられる）、Ｃ５−Ｃ３０アリール（Ｃ５−Ｃ２０アリールが挙げられ、そしてさらにはＣ５−Ｃ１２アリールが挙げられる）、およびＣ６−Ｃ３０アラルキル（Ｃ６−Ｃ２０アラルキルが挙げられ、そしてさらにはＣ６−Ｃ１２アラルキルが挙げられる）。さらに、上記の官能基は、特定の基が許容される場合、１個以上のさらなる官能基、または１個以上のヒドロカルビル部分（例えば、上記で具体的に挙げたもの）でさらに置換され得る。同様に、上記のヒドロカルビル部分は、１個以上の官能基もしくはさらなるヒドロカルビル部分（例えば、具体的に挙げられたもの）でさらに置換され得る。
【００３４】
用語「置換された」が、考えられる置換された基の列挙の前に現れる場合、その用語は、その基のあらゆるメンバーに適用されることが意図される。例えば、語句「置換されたアルキルおよびアリール」とは、「置換されたアルキルおよび置換されたアリール」と解釈されるべきである。
【００３５】
別段特定されなければ、原子への言及は、その原子の同位体を含むことが意味される。例えば、Ｈへの言及は、１Ｈ、２Ｈ（すなわち、Ｄ）および３Ｈ（すなわち、Ｔ）を含むことが意味され、Ｃへの言及は、１２Ｃおよび炭素の全ての同位体（例えば、１３Ｃ）を含むことが意味される。
【００３６】
次いで、一実施形態において、カソードとＥＬＤのエレクトロルミネッセント（ＥＬ）物質との間の中間層において電子受容部分を提供するための方法が開示される。理論に拘束されることは望まないが、上記電子受容部分は、上記カソードと上記ＥＬ物質との間のエネルギーマッチ界面（ｅｎｅｒｇｙ−ｍａｔｃｈｉｎｇ  ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）を提供すると考えられる。上記電子受容部分は、上記ＥＬ物質のＬＵＭＯに対してエネルギーで類似したＬＵＭＯを有するように選択され得る。さらに、上記電子受容部分は、電子移動からのエネルギーの損失を最小にして、上記カソード物質からの電子を引っ張り、そして／または受容する。従って、上記中間層は、上記カソードと上記ＥＬ物質との間の接合点を横断するエネルギー移動の効率を高めるための機構を提供する。好ましい実施形態において、上記中間層は、上記カソード物質上に薄い層で沈着させられ、続いて、上記ＥＬ層が沈着させられる。好ましい実施形態において、上記ＥＬ物質は、発光ポリマー（ＬＥＰ）である。
【００３７】
いくつかの好ましい実施形態において、電子受容基を含む有機種は、上記カソードとＥＬ物質との間の中間コーティング層において使用される。上記有機種（従って、上記電子受容基）は、上記カソードに共有結合される。上記中間コーティング層と上記カソードとの組み合わせは、ＥＬＤにおける電子注入層として適している。
【００３８】
第１の例において、上記中間層は、段階的様式において構築される。ある表面を有するカソードが提供される。上記カソードは、上記カソードの上記表面上に露出されたヒドロキシル基を含む。上記カソード表面は、上記露出されたヒドロキシル基と、連結化合物とを反応させることによって、官能化される。上記連結化合物は、電子受容部分（これは、以下でより詳細に記載される）のための接着物質（ａｄｈｅｓｉｖｅ）として作用する層を上記カソード上に形成する。上記連結化合物は、上記カソードの上記露出されたヒドロキシル基と反応する連結基を含む。好ましい実施形態において、上記連結化合物は、シラン誘導体である。トリアルコキシシラン誘導体（例えば、トリメトキシシランおよびトリエトキシシラン誘導体）は、特に好ましい。このような化合物は、上記カソードの上記露出されたヒドロキシル基と反応することによって、架橋ネットワークを形成する。
【００３９】
上記連結化合物は、第１の官能基をさらに含み、その結果、上記連結化合物は、上記カソードに結合された場合に、官能化表面を形成する。上記第１の官能基は、上記カソード表面上の上記ヒドロキシル基と反応せず、さらに、上記連結化合物の上記連結基と反応しない任意の基であり得る。あるいは、上記第１の官能基は、上記連結基の保護された形態であり得る。あるいは、上記第１の官能基は、上記連結基の反応性と比較して、上記露出されたヒドロキシル基とそれほど優先的には反応しない可能性がある。これらの場合の全てにおいて、上記連結化合物と上記露出されたヒドロキシル基との間の反応の大部分もしくは全ては、上記連結基を介して生じることが好ましい。好ましい官能基としては、アミン基および保護されたアミン基が挙げられる。上記連結化合物は、上記連結基を介して、上記カソードに共有結合されるので、上記連結化合物は、上記カソードに表面結合される官能基を提供する。いくつかの実施形態において、一旦上記連結化合物が、上記表面に共有結合されたら、上記第１の官能基から保護基を除去することが必要であり得る。
【００４０】
上記中間層は、電子受容基および上記連結化合物の上記第１の官能基と反応することができる反応性基を含む有機種を提供することによって、完成される。上記有機種上の反応基の正体は、上記第１の官能基の反応性に応じて変動することが認識される。上記連結化合物の上記第１の官能基と反応することができる好ましい有機種としては、ジカルボン酸および／もしくは対応する無水部分、このようなカルボン酸化合物／誘導体のアシルハライド（例えば、アシルクロリド）、またはこのような化合物のエステルを有する化合物が挙げられる。このような化合物（例えば、アシルハライド）の活性化形態は、より穏和な条件および低温下での上記官能基との反応を可能にする。好ましい有機種は、電子移動を補助する（すなわち、電子受容特性を提供する）芳香族および／もしくは結合体化された基をさらに含む。
【００４１】
例えば、好ましい有機種は、式（Ｉ）の構造：
【００４２】
【化１】
2010537427.tif 000008
を有し得、ここで式（Ｉ）において：
Ｒ１は、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ１であり、ここでＸ１は、−ＯＸ２およびハライドから選択され；
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６は、Ｈ、ヒドロカルビル、および官能基から独立して選択され；そして
Ｘ２は、結合、Ｈもしくはヒドロカルビル基から選択される。
【００４３】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６から選択される任意の２個以上の隣接する基は一緒になって、環式基を形成し得る。上記環式基は、１個以上の環を含み得、そのうちのいずれかは、芳香族もしくは脂肪族であり得る。上記環式基は、環状の環（ａｎｎｕｌａｔｅｄ  ｒｉｎｇ）の系をさらに含み得る。
【００４４】
式（Ｉ）のいくつかの好ましい実施形態において、Ｒ１およびＲ２は、ともにカルボン酸基であるか、またはカルボン酸基で置換されたヒドロカルビル基である。
【００４５】
式（Ｉ）のいくつかの好ましい実施形態において、Ｒ１およびＲ２は一緒になって、環を形成する。例えば、一実施形態において、Ｒ１およびＲ２は一緒になって、式−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−を有し、その結果、上記有機種は、式（Ｉａ）の構造：
【００４６】
【化２】
2010537427.tif 000009
を有し、ここでＲ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６は、先に定義されたとおりである。
【００４７】
式（Ｉ）のいくつかの好ましい実施形態において、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３は一緒になって、環式基を形成し、その結果、上記有機種は、式（Ｉｂ）の構造：
【００４８】
【化３】
2010537427.tif 000010
を有し、ここでＲ４、Ｒ５、およびＲ６は、先に定義されたとおりであり、Ｒ７、Ｒ８、およびＲ９は、Ｒ２〜Ｒ６について定義されるとおりである。
【００４９】
式（Ｉ）、（Ｉａ）、および（Ｉｂ）のいくつかの好ましい実施形態において、上記有機種は対称であるか、または対称性のコアに基づく。例えば、式（Ｉａ）において、対称化合物は、Ｒ４およびＲ５が一緒になって式−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−を有する場合に生じ得る。さらなる例として、式（Ｉｂ）において、対称化合物は、Ｒ４およびＲ９が一緒になって、式−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−を有する場合に得られ得る。
【００５０】
いくつかの好ましい実施形態において、Ｒ１およびＲ２は一緒になって、環を形成し得、Ｒ３〜Ｒ９は、Ｈ、低級アルキル、低級アルケニル、低級アルキニル、Ｃ５−Ｃ３０アリール、Ｃ６−Ｃ３０アラルキル、Ｃ６−Ｃ３０アルカリール、および官能基から独立して選択される。例えば、Ｒ３〜Ｒ９は、電子求引性基から独立して選択され、電子求引性基としては、ハロ基（フッ素を含む）、ニトロ基、およびアリールが挙げられるが、これらに限定されない。
【００５１】
式（Ｉ）のいくつかの好ましい実施形態において、Ｒ２〜Ｒ６から選択される２個の隣接する置換基は一緒になって、環を形成し、ここで上記環は、１個以上のヘテロ原子を含む。例えば、Ｒ４およびＲ５は一緒になって、式−ＮＨ−ＣＨ＝Ｎ−を有し得、その結果、上記有機種は、式（Ｉｃ）の構造：
【００５２】
【化４】
2010537427.tif 000011
を有し、ここでＲ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ６は、先に定義されたとおりである。
【００５３】
例の好ましい有機種としては、非限定的例として、化合物（３）〜（１５）が挙げられる。
【００５４】
【化５】
2010537427.tif 000012
上記連結化合物上の上記官能基がアミン基である好ましい実施形態において、上記有機種は、上記アミン基と反応し、上記カソードに結合する。このような実施形態において、上記有機カソードは、式（Ｉｄ）の構造：
【００５５】
【化６】
2010537427.tif 000013
を有する電子受容部分を含む中間層を含み、ここで式（Ｉｄ）において：
Ｒ１ａは、Ｈおよび結合から選択されるが、ただしＲ１ａが結合である場合、Ｒ１ａおよびＲ２は一緒になって、環を形成し；
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６は、先に定義されたとおりであり；そして
上記波線は、上記連結化合物への上記有機種の結合点を表す。好ましい実施形態において、Ｒ１ａは、結合であり、Ｒ２はアシルであり、Ｒ１ａおよびＲ２は一緒になって環を形成し、その結果、上記有機カソードは、式（Ｉｅ）の構造：
【００５６】
【化７】
2010537427.tif 000014
を有する電子受容部分を有する中間層を含み、ここでＲ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、および上記波線は、先に定義されたとおりである。
【００５７】
上記中間層を調製するための段階的様式の手順は、スキーム１によって例示され、これは、例示目的で提供されるに過ぎず、限定ではない。スキーム１に示される例において、ヒドロキシル官能化表面を有するカソードは、（ａ）で提供される。上記ヒドロキシル官能化基材は、アミノフェニルトリメトキシシラン（化合物１）と反応させられて、（ｂ）で示される官能化表面を形成する。その後、スキーム１に示される一実施形態において、上記官能化表面は、５−ベンゾイミダゾールカルボン酸（化合物２）と反応させられて、（ｃ）で示されるように、共有結合された中間層を有するカソードを形成する。あるいは、上記官能化表面は、フタル酸無水物と反応させられて、（ｄ）で示される表面を提供する。熱を適用すると、環化反応は、（ｅ）で示されるように、共有結合された中間層において最終的な電子受容部分を提供する。
【００５８】
【化８】
2010537427.tif 000015
化合物８を使用して構築されるデバイスについては、例えば、上記形成される有機カソードは、上記有機カソード鎖の垂直方向の考えられるさらなる伸長のために、さらなる反応性部位（上記ＮＨ２基）を提供する。例えば、スキームＩＩにおいて、官能化表面（（ａ）で示される）は、化合物（８）と反応させられ、続いて、加熱されて、（ｂ）で示される官能化中間表面を提供する。次いで、上記官能化中間表面は、化合物（例えば、化合物３〜１５のうちのいずれか１つ）と反応させられ、続いて、加熱されて、（ｃ）で示される伸長した中間層を形成する。上記有機カソード鎖をさらに伸長するための反応は、適切な場合、本明細書で開示される有機種のうちのいずれか（例えば、化合物３〜１５のうちのいずれかまたは上記カルボン酸もしくは酸無水物基を含む任意の化合物）を使用し得る。この鎖伸長法は、さらなる反応性部位を含むように適切に改変された場合に、本明細書で開示される化合物のうちのいずれかとともに使用し得る。
【００５９】
【化９】
2010537427.tif 000016
第２の無水物基を含む化合物（例えば、化合物９〜１０および１４〜１５）については、上記第２の無水物基は、伸長のための反応部位として使用され得る。従って、スキームＩＩＩにおいて示されるように、（ａ）に示される官能化表面は、２個の無水物基を有する化合物と反応させられて、（ｂ）に示される上記官能化中間表面を提供する。上記官能化中間表面は、（ｃ）に示される「平面の（ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ）」有機カソードを形成するように、内部反応を受け得るか、または代わりに、別のアミン含有化合物との反応を介して伸長されて、（ｄ）に示される表面を提供し得る。スキームＩＩＩに示される内部反応（すなわち、表面（ｃ）を調製するための）が、例えば、高密度の表面結合アミン基を有する中間層を形成するか、または大きな可撓性の芳香族部分を有する無水化合物を使用することによって、促進され得ることが認識される。
【００６０】
【化１０】
2010537427.tif 000017
上記中間層を調製するための方法は、硬化工程をさらに包含し得る。例えば、上記連結部分が（スキーム１に例示されるように）Ｓｉ−Ｏ結合である場合、上記プロセスは、上記基材を加熱して、架橋セラミックネットワークを提供することによって硬化する工程を包含し得る。段階的様式の方法が、上記中間層を提供するために使用される場合、上記硬化は、上記電子受容基を含む上記有機種を結合する前もしくは後に達成され得ることが認識される。いくつかの場合において、上記硬化反応（例えば、熱を適用することによって）を誘導することは必要ないことがさらに認識される。なぜならこのような反応は、自発的に生じるからである。好ましい実施形態において、上記硬化反応から生じる任意の副生成物は、溶媒洗浄によって都合よく除去される低分子（例えば、水、メタノールなど）である。
【００６１】
第２の例において、上記中間層は、電子受容基、ならびに上記カソード表面上の露出されたヒドロキシル基と共有結合を形成することができる連結基の両方を含む有機種から直接構築される。上記段階的様式の例のように、ある表面を有するカソードが提供される。上記カソードは、上記カソードの表面上に露出されたヒドロキシル基を含む。上記中間層は、上記露出されたヒドロキシル基と、上記有機種の連結基との間の反応を介して、上記カソード上に形成される。
【００６２】
上記有機種は、電子受容基、ならびに連結基の両方を含む。上記の好ましい連結基は、上記表面の露出されたヒドロキシル基と共有結合を形成することができるもの（例えば、シラン誘導体（たとえば、トリアルコキシシラン基）である。好ましい電子受容基はまた、上記に記載される。いくつかの好ましい実施形態において、上記有機種は、式（ＩＩ）の構造：
【００６３】
【化１１】
2010537427.tif 000018
を有し、ここで式ＩＩにおいて、Ｒ２〜Ｒ６は、先に定義されたとおりであり、Ｒ１０は、上記カソード表面上の露出されたヒドロキシル基と共有結合を形成することができる連結基を含むヒドロカルビル基である。さらに、Ｒ１０は、Ｒ２〜Ｒ６のうちの１個以上と一緒になって、環状構造を形成し得る。
【００６４】
式（ＩＩ）のいくつかの好ましい実施形態において、Ｒ１０は、トリアルコキシシラン基を含む。例えば、Ｒ１０は、トリメトキシシラン基を含む。さらに、式（ＩＩ）のいくつかの好ましい実施形態において、Ｒ１０およびＲ２は一緒になって、環を形成する。例えば、Ｒ１０およびＲ２は一緒になって、構造−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ１１−Ｃ（＝Ｏ）−を有し、ここでＲ１１は、上記カソード表面上の露出されたヒドロキシル基と共有結合を形成することができる官能基であるか、またはＲ１１は、上記連結基を含むヒドロカルビル基である。例えば、Ｒ１１は、−Ｃ６Ｈ４−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３であり得る。さらに有機種の非限定的な例としては、化合物（３）〜（１５）の改変形態を含み、ここで上記化合物は、本明細書中に記載される連結基を含むように改変される。
【００６５】
連結部分および電子受容基の両方を含む有機種を使用して中間層を形成する場合、いくつかの場合に、硬化工程は、より強くかつ安定な中間層を形成するために必要であることが繰り返して、認識される。段階的様式の方法について上記で記載されるように、上記硬化反応は、上記有機種の、上記基材への共有結合の際に生じる自発的な反応であり得るか、または開始（例えば、熱の適用）を要し得る。
【００６６】
他の好ましい実施形態において、有機金属錯体は、上記電子受容基を提供する。上記有機金属錯体は、プレ接着性（ｐｒｅ−ａｄｈｅｓｉｖｅ）物質と混合され、ついで、上記カソードに適用される。上記プレ接着性物質は、上記カソード表面において上記ヒドロキシル基に共有結合し、それによって、上記カソードに共有結合されかつ上記電子受容基を含む中間層を形成する。上記カソードと中間層との組み合わせは、ＥＬＤにおいて電子注入層として適している。
【００６７】
上記プレ接着性物質（本明細書においてプレセラミック物質としても言及される）は、記基材上の露出されたヒドロキシル基と共有結合を形成する任意の適切な物質であり得る。好ましい実施形態において、上記プレ接着性物質は、上記基材への共有結合を含む架橋ネットワークを形成する。
【００６８】
例として、上記プレ接着性物質は、米国特許第５，２４６，７３８号（Ｂｌｕｍ、１９９３年９月２１日発行（「Ｈｙｄｒｉｄｏｓｉｌｏｘａｎｅｓ  ａｓ  Ｐｒｅｃｕｒｓｏｒｓ  ｔｏ  Ｃｅｒａｍｉｃ  Ｐｒｏｄｕｃｔｓ」）（その開示は、本明細書中に参考として援用される）に記載されるプレセラミック物質の構造を有し得る。
【００６９】
さらなる例として、上記プレ接着性物質は、式（ＩＩＩ）の構造：
【００７０】
【化１２】
2010537427.tif 000019
を有し得、ここでＲ１２は、ヒドロカルビルである。好ましい実施形態において、Ｒ１２は、Ｃ１−Ｃ２０アルキル、Ｃ２−Ｃ２０アルケニル、Ｃ２−Ｃ２０アルキニル、Ｃ５−Ｃ２０アリール、Ｃ６−Ｃ２０アラルキル、およびＣ６−Ｃ２０アルカリールから選択される。さらに好ましい実施形態において、Ｒ１２は、置換されたかもしくは置換されていないＣ１−Ｃ２０アルキル、置換されたかもしくは置換されていないヘテロ原子含有Ｃ１−Ｃ２０アルキル、置換されたかもしくは置換されていないＣ２−Ｃ２０アルケニル、置換されたかもしくは置換されていないヘテロ原子含有Ｃ２−Ｃ２０アルケニル、置換されたかもしくは置換されていないＣ２−Ｃ２０アルキニル、置換されたかもしくは置換されていないヘテロ原子含有Ｃ２−Ｃ２０アルキニル、置換されたかもしくは置換されていないＣ５−Ｃ２０アリール、置換されたかもしくは置換されていないＣ５−Ｃ２０ヘテロアリール、置換されたかもしくは置換されていないＣ５−Ｃ２０アラルキル、置換されたかもしくは置換されていないヘテロ原子含有Ｃ５−Ｃ２０アラルキル、置換されたかもしくは置換されていないＣ６−Ｃ２０アルカリール、および置換されたかもしくは置換されていないヘテロ原子含有Ｃ５−Ｃ２０アルカリールから選択される。好ましい実施形態において、Ｒ１２は、低級アルキル（例えば、メチル）である。さらに、式（ＩＩＩ）において、ｎは、１以上の整数である。従って、モノマー、ダイマー、トリマー、およびより高次の物質（例えば、プレポリマーおよびポリマー）が考えられる。上記プレ接着性物質は、式（ＩＩＩ）の構造を有するが、ｎの種々の値を有する異なる化合物の混合物を含み得ることが認識される。
【００７１】
式（ＩＩＩ）の構造を有する上記プレ接着性物質と上記カソードの露出されたヒドロキシル基との反応の際に、上記電子注入層は、上記カソード表面に結合される中間層を含み、ここで上記中間層は、式（ＩＩＩａ）の構造：
【００７２】
【化１３】
2010537427.tif 000020
を有するポリマー単位を含み、ここでＲ１２は、先に定義されたとおりであり、そして上記波線は、上記カソード表面への結合点を示す。
【００７３】
好ましい有機金属錯体は、金属ジケトネートである。特に好ましい金属ジケトネートとしては、リチウムアセチルアセトネート、バリウムアセチルアセトネート、ベリリウムアセチルアセトネート、カルシウムアセチルアセトネート、マグネシウムアセチルアセトネート、ナトリウムアセチルアセトネート、カリウムアセチルアセトネート、セシウムアセチルアセトネート、ストロンチウムアセチルアセトネート、ホウ素アセチルアセトネート、アルミニウムアセチルアセトネート、ガリウムアセチルアセトネート、インジウムアセチルアセトネート、銀アセチルアセトネート、およびこれらの組み合わせが挙げられる。
【００７４】
上記カソードは、露出されたヒドロキシル基を含むかもしくはこれを含むように改変され得る任意の適切な物質から形成され得る。好ましいカソードは、金属（例えば、アルミニウム、チタン、銅、タングステン、銀など）、ならびに他の物質（例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ））である。露出されたヒドロキシル基は、任意の適切な様式で上記カソードの表面上に提供され得る。いくつかの実施形態において、例えば、上記露出されたヒドロキシル基は、上記カソード物質が周囲条件（すなわち、空気）に曝される場合に、酸化から生じる。他の実施形態において、上記露出されたヒドロキシル基は、上記中間コーティング層の沈着の前に行われる化学的酸化反応から生じる。従って、いくつかの実施形態において、上記カソードは、金属酸化物の層でコーティングされた金属を含む。上記金属酸化物は、上記カソードの金属を酸化させることによって形成され得るか、または別個の金属酸化物層を上記カソード物質の上に沈着させることによって形成され得る。好ましい実施形態において、上記金属酸化物の層は、例えば、約１０μｍ未満、もしくは約１μｍ未満、または約０．１μｍ未満の単層の間の薄層である。
【００７５】
上記カソード層は、電極および構造支持体（すなわち、基材）の両方として機能し得る。しかし、いくつかの実施形態において、上記カソード物質は、構造支持体を提供する別個の基材物質上に沈着させられる。任意の適切な基材物質が使用され得る。
【００７６】
上記有機カソードの合成において、上記連結化合物もしくはプレセラミック物質の、上記表面への結合反応は、一般に、上記金属電極表面上に沈着させた上記中間層（例えば、シラン層）の厚みに影響を及ぼし、従って、デバイス性能（例えば、デバイスの明るさ、操作電圧、および効率）に影響を及ぼす。より薄い、より密な層が、操作電圧を下げかつ効率を上げるために好ましい。
【００７７】
種々のＥＬＤ構造は、本開示の物質および方法とともに使用され得る。例えば、従来の層状（「サンドイッチ」）デバイスは、適切である。このようなデバイス（その例は、図１ａにおいて示される）において、基材１０は、カソード物質２０によって覆われる。中間コーティング３０は、基材１０に共有結合される。エレクトロルミネッセント層４０は、中間コーティング３０上に沈着させられかつこれに接触した状態であり、アノード層５０は、エレクトロルミネッセント層４０と接触した状態である。上記種々の構成要素層（すなわち、アノード、ＥＬ物質、中間体、およびカソード）は、基材全体にわたって実質的に均一である。米国特許第６，５９３，６８７号（２００３年７月１５日発行、および発明の名称「Ｃａｖｉｔｙ−ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  ｄｅｖｉｃｅ  ａｎｄ  ｍｅｔｈｏｄ  ｆｏｒ  ｆｏｒｍｉｎｇ  ｔｈｅ  ｄｅｖｉｃｅ」）（その開示は、その全体が本明細書において参考として援用される）に開示されるデバイス構造もまた、適している。
【００７８】
米国特許出願第１１／９００，４７８号（２００７年９月１１日出願、発明の名称「Ｃａｖｉｔｙ  ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  ｄｅｖｉｃｅｓ  ａｎｄ  ｍｅｔｈｏｄ  ｆｏｒ  ｐｒｏｄｕｃｉｎｇ  ｔｈｅ  ｓａｍｅ」）（その開示は、その全体が本明細書において参考として援用される）に開示されるデバイス構造もまた、適している。
【００７９】
例として、空洞発光（ｃａｖｉｔｙ−ｅｍｉｓｓｉｏｎ）ＥＬＤ構造は、本明細書で開示される方法および構造に適している。従って、本開示のデバイスは、正孔注入電極層、電子注入電極層、および上記正孔注入電極層と電子注入電極層との間に挟まれた誘電層を含む層状構造を含み得る。空洞は、少なくとも上記誘電層および上記電極層のうちの一方を介して伸長し、正孔注入電極領域、電子注入電極領域および誘電領域を含む内部空洞表面を有する。いくつかの好ましい実施形態において、上記空洞は、両方の電極層および上記誘電層を介して伸長する。エレクトロルミネッセントコーティング物質は、上記内部空洞表面の上記正孔注入電極領域および電子注入電極領域と電気的に接触した状態で提供される。本開示に従う中間層は、エレクトロルミネッセントコーティング物質と上記電子注入層との間に提供される。
【００８０】
空洞発光ＥＬＤ構造の例は、図１ｂに示される。上記デバイス１００は、空洞１１を有する基材１０上の層状構造から構築され、上記空洞１１は、上記層状構造を貫通して伸長する。上記層状構造は、電子注入電極層２０、中間物質（すなわち、本開示に従う電子受容部分を含む）３０、誘電層３５、および正孔注入電極層５０を含み、ここで上記誘電層は、上記正孔注入電極層と電子注入電極層との間に挟まれる。上記空洞１１は、上記層状構造を貫通して開口部１２から伸長し、上記基材１０において終わる。上記空洞１１は、例えば、円筒の形状で存在し得る。すなわち、上記空洞の断面領域は、その長手軸に沿って一定である。エレクトロルミネッセント物質４０は、上記内部空洞表面の各領域と概してコンフォーマルに接触した状態で示される。上記内部空洞の各領域とコンフォーマルの接触が好ましい。しかし、少なくとも上記エレクトロルミネッセントコーティング物質は、上記内部空洞表面の両方に電極領域と電子的接触を提供するはずである。
【００８１】
空洞発光ＥＬＤ構造の別の例は、図１ｃに示される。デバイス２００は、空洞１１を有する基材１０上の層状構造から構築され、上記空洞１１は、上記層状構造の一部を通って伸長する。上記層状構造は、電子注入電極層２０、中間物質（すなわち、本開示に従う電子受容部分を含む）３０、誘電層３５、正孔注入電極層５０、およびエレクトロルミネッセント物質層４０を含む。上記誘電層は、空洞１１を通って電子を方向付けるように、上記電子注入電極と上記エレクトロルミネッセント物質との間に挟まれる。
【００８２】
本明細書で開示される方法およびデバイスは、以前から公知のものを超える１つ以上の利点を有する。このような利点としては、例えば、増大した耐久性が挙げられる。上記中間層の接着性物質は、上記金属表面に化学的に結合されるので、上記カソード金属と上記ＥＬ層との間の界面は、より耐久性が高い。このことは、例えば、より長いデバイス寿命を有するデバイスの製造を可能にする。別の利点は、上記中間層が、スピンコーティング（ｓｐｉｎ−ｃｏａｔｉｎｇ）を使用して層を形成するための伝統的な方法ではなく、液相反応化学を使用して、上記カソード基材に結合されうるということである。特に、空洞発光ＥＬＤにおいて、この方法は、本明細書で開示されるデバイスを形成することにおけるより高い融通性を可能にする。他の利点としては、以下が挙げられる：環境的に感受性の金属の使用の排除（このことは、デバイスにより長い寿命を提供し得る）；上記カソードとＥＬ層との間の界面の改善された安定性（従って、操作電圧を下げ、かつ電力効率および寿命を改善する）；単純化ＯＬＥＤディスプレイ製造プロセスおよびコストの低減；上記中間化学種に依存するが、上記電極金属の特性から独立した電子注入（上記カソードの性能に影響を及ぼすことなく、個々の要求に従ってあわせられ得る金属導体の選択を可能にする）；上記中間種の化学的構造を改変して、種々のＬＥＰについての異なる要求を満たすことによる上記有機電極の仕事関数の単純なチューニング；高相対量子効率。
【実施例】
【００８３】
（実施例１）
有機カソード構造を有するＥＬＤの調製のための方法は、以下のように提供される。シラン誘導体（すなわち、アミノフェニルトリメトキシシラン）を、上記金属表面の酸化物と反応させて、上記金属表面上にシランコーティングの単一層を形成した。その後、５−ベンゾイミダゾールカルボン酸を、その露出されたアミン基と反応させることによって、上記表面に結合させた。この方法で処理した空洞ＯＬＥＤは、高い量子効率を有することがわかった。このプロセスで処理したＩＴＯ表面は、上記伝統的なサンドイッチＯＬＥＤ構造においてカソードとして機能し得る。
【００８４】
アノードとしてＰｔを、上記カソードとしてＡｌを使用し、このプロセスに従って調製された空洞ＯＬＥＤは、量子効率において＞４０，０００倍の増大を示した。このようなデバイスの上記電流−電圧−明るさ（ＩＶＢ）曲線を、図２ａに示す。上記デバイス量子効率における改善は有意である。
【００８５】
別の実験において、上記カソードとして上記方法で処理したＩＴＯを、および上記アノードとしてＡｌを使用するサンドイッチＯＬＥＤ構造を、製造した。上記デバイスは、逆バイアス（ｒｅｖｅｒｓｅｄ  ｂｉａｓ）下で（カソードとして改変ＩＴＯを、アノードとしてＡｌ）、中程度の発光を示した。上記の表面処理なしでは、このようなデバイスは、「正孔のみ（ｈｏｌｅ−ｏｎｌｙ）」デバイスであり、これは、同じ条件下で、いかなる可視光発光をも与えない。このデバイスのＩＶＢ曲線を、図２ｂに示す。
【００８６】
（実施例２）
一般的事項。バリウムアセチルアセトネート（Ｂａ（ａｃａｃ）２）を、電子注入体として使用した。Ｂａ（ａｃａｃ）２を、シロキサンタイプ物質（例えば、上記プレセラミックポリマー）と混合する。上記混合物を、金属電極表面（例えば、Ａｌの薄膜）にその後適用する。上記シロキサン物質は、上記電子注入体（Ｂａ（ａｃａｃ）２）を、上記選択された金属表面に結合して、安定なカソード層を形成する接着物質として機能する。
【００８７】
基材およびデバイス。ＣＯＬＥＤ−Ａタイプデバイスを調製した。上記基材は、１５０ｎｍのＭｇ−Ａｌカソード層である。上記中間層に加えて、上記デバイスは、２００ｎｍ  Ｓｉ３Ｎ４  誘電層、および２５ｎｍ  Ｔｉ（接着物質層）＋１５０ｎｍ  Ｐｔ上部電極（ｔｏｐ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）を含む。空洞発光ＥＬＤを、空洞直径／間隔＝５／２および７／３  μｍ／μｍで作製した。
【００８８】
手順。米国特許第５，２４６，７３８号に従う手順を使用して、ポリヒドリドメチルシロキサンを、ポリヒドロキシメチルシロキサン（ＰＨＭＳ−ＯＨ）に変換した。約１５ｍｇのＢａ（ａｃａｃ）２を、３ｍＬの２−エトキシエタノール中に溶解し；次いで、０．１ｍＬのプレセラミックポリマー（ＰＨＭＳ−ＯＨ）溶液（１−ＭｅＯ−２−プロパノールアセテート中、５ｗｔ％）を添加した。上記混合物を、シリンジフィルタを介して、ＣＯＬＥＤ−Ａ基材を含む２０ｍＬのバイアルへと濾過した。上記バイアルにふたをし、超音波バスへと入れ、そして１．５分間にわたって超音波処理した。次いで、上記ＣＯＬＥＤ−Ａ基材を、上記バイアルから取り出し、イソプロパノールで洗浄した；次いで、Ｎ２ガンで風乾した。上記基材を、１６０℃で１０分間にわたってＮ２環境中で焼き固めた。その後、発光ポリマー溶液を、上記基材上にスピンコーティングし、次いで、これを、１００℃で１０分間焼き固めた。上記デバイス電流密度−電圧−明るさを、このデバイス（「Ｇｅｎ−４有機カソード」）について決定し、上記有機カソードを使用しないＣＯＬＥＤ−Ａデバイス（「Ｍｇ−Ａｌカソード」）と比較した。図３を参照のこと。
【００８９】
上記有機カソードを使用する上記ＣＯＬＥＤ−Ａデバイスは、上記有機カソードを使用しないデバイスと比較して、約１０Ｖ低い電源を入れる電圧（ｔｕｒｎ  ｏｎ  ｖｏｌｔａｇｅ）、１００倍明るい明るさ、および２．５倍高い量子効率を有した。このアプローチは、上記Ｐｔアノードを汚染することなく、上記有機カソードの選択的沈着を可能にする。このアプローチはまた、上記伝統的な平坦ＯＬＥＤ構造に適用され得る（すなわち、上記有機カソードを、ＩＴＯに沈着させて、ＩＴＯを、低い仕事関数を有するカソードに変換する（および高仕事関数アノード（例えば、Ａｕ）をエバポレートする）こと；もしくは有機カソードを、ＩＴＯ上部電極（上部発光コンフィギュレーション（ｔｏｐ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ））を使用して、不透明金属上に沈着させること）を可能にする。
【００９０】
（実施例３）
化合物３〜１５を、上記方法を使用して、ＩＴＯ／ガラス基材上に沈着させ、ＰＬＥＤデバイスを、得られた有機カソードを使用して製造した。上記アノードを、Ａｕの熱蒸発（ｔｈｅｒｍａｌ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）によって沈着させた。Ｇｒｅｅｎ−Ｋ発光ポリマー、有機カソード（化合物４から合成）、および金アノード（エバポレートした）を使用する、これらデバイスの代表的な電流密度−電圧−明るさ（ＪＶＢ）特徴を、図４に示す。上記有機カソードは、Ｃａ（すなわち、カルシウム金属）カソードより遙かに良好な化学的安定性を有した。上記デバイスは、いかなる閉じこめがなくても、空気中で操作し得る。対照的に、通常のＣａカソードを使用するＰＬＥＤは、閉じこめられなければ、秒単位で作動しなくなる。
【００９１】
このデバイスが合理的に強い発光を生じうるという事実は、上記ＩＴＯの仕事関数が、上記有機分子を結合することによって低くなり、その理由は、上記有機カソードを使用しなくても、ＩＴＯをカソードとしておよびＡｕをアノードとして使用するＰＬＥＤデバイスが、類似の条件下でいかなる光子をも生じない正孔のみのデバイスであるからであることを示唆する。