Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月19日(2012.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】流体流量システムの利得調節装置および流体流量調整装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本開示は、概して、流体流量の安定性を改善するための自己調節流体増幅器を含む、流体流量システムの利得調節装置および流体流量調整装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
調整された流体流量システムの利得を調節するための流体流量システムの利得調節装置であって、
調整弁の入口に関連する流体流量を受容し、弁機構に、および前記調整弁の弁部材の片側に、調節された流体流量を提供するための流体増幅弁であって、前記流体増幅弁は、増幅器の開口部に流量ピンを有し、前記流量ピンは、前記調整弁の前記弁部材に接続され、前記調整弁の出口での流体流量の変化は、前記弁機構に、前記調節された流体流量を調整させ、前記弁部材および前記流量ピンを同時に移動させ、前記調整された流体流量システムの前記利得を変化させる、流体増幅弁を備える、流体流量システムの利得調節装置。
【請求項２】
自動的に前記利得を調整するために流体流量の変化に応じて自動的に作動する、請求項１に記載の流体流量システムの利得調節装置であって、
前記流体増幅弁は、自動調整になっており、前記調整弁の出口との継続的な流体連通をとりながら、前記調整弁の出口での流体流量の変化に応じて、前記弁機構に、および前記調整弁の弁部材の片側に、調整された流体流量を提供する、請求項１に記載の流体流量システムの利得調節装置。
【請求項３】
前記流体増幅弁は、前記調整弁の一部である、請求項１に記載の流体流量システムの利得調節装置。
【請求項４】
前記流体増幅弁は、前記弁機構の一部である、請求項１に記載の流体流量システムの利得調節装置。
【請求項５】
前記流体増幅弁は、前記調整弁に接続される筐体を含む、請求項１に記載の流体流量システムの利得調節装置。
【請求項６】
前記弁部材および前記流量ピンが、前記弁機構によって同時に移動する際、同量だけ移動する、請求項１に記載の流体流量システムの利得調節装置。
【請求項７】
前記弁部材および前記流量ピンは、固定長の移動コネクタによって接続される、請求項１に記載の流体流量システムの利得調節装置。
【請求項８】
流体流量を調整するための流体流量調整装置であって、
弁入口および弁出口と、弁通路にある筐体弁座と、片側で負荷流圧に供され、前記筐体弁座で流体流量を調整するように移動可能な弁部材と、を有する、制御弁と、
前記弁入口および前記弁出口と連通するための流体接続部と、
前記弁入口と関連する流体流量を受容するように、前記流体接続部に配置され、かつ、増幅器の開口部と、前記増幅器の開口部にあり、前記弁部材に接続される流量ピンと、前記負荷流圧を前記弁部材の片側に連通するための増幅器出口と、を含む、流体増幅器と、
前記増幅器出口から受容した負荷流圧を調整し、前記調整された負荷流圧を、前記弁出口へ連通するように、前記流体接続部に配置される弁機構であって、前記弁出口での流体流量の変化は、前記筐体弁座での流体流量を調整するように、弁機構に、前記弁部材に連通された前記調整された負荷流圧を変化させる、弁機構と、を備える、流体流量調整装置。
【請求項９】
前記制御弁は、ガスの流量を調整する調整弁である、請求項８に記載の流体流量調整装置。
【請求項１０】
前記流体増幅器は、前記制御弁の一部である、請求項８に記載の流体流量調整装置。
【請求項１１】
前記流体増幅器は、前記弁機構の一部である、請求項８に記載の流体流量調整装置。
【請求項１２】
前記流量ピンは、前記弁部材を係合するように延在する、請求項８に記載の流体流量調整装置。
【請求項１３】
前記弁部材および前記流量ピンが、前記弁機構によって同時に移動する際、同量だけ移動する、請求項８に記載の流体流量調整装置。
【請求項１４】
流体流量を調整するための流体流量調整装置であって、
前記流体流量を調整するための弁部材を有する制御弁と、
前記制御弁の入口と出口との間の流体流量を連通するための流体接続部と、
前記流体接続部に配置され、固定長の移動コネクタによって、前記弁部材へ接続される流量ピンを有する、増幅器弁であって、前記制御弁に負荷流体流量を提供する、増幅器弁と、
前記負荷流体流量を調整し、前記調整された負荷流体流量を前記出口に連通させる、弁機構であって、前記出口での流体流量の変化は、前記弁機構に、前記調整された負荷流体流量を変化させ、前記弁部材および前記流量ピンを同時に移動させ、前記出口で前記流体流量を提供する、弁機構と、を備える、流体流量調整装置。
【請求項１５】
前記弁部材および前記流量ピンが、前記弁機構によって同時に移動する際、同量だけ移動する、請求項１４に記載の流体流量調整装置。
【請求項１６】
前記増幅弁および前記制御弁は、筐体内に包含される、請求項１４に記載の流体流量調整装置。
【請求項１７】
前記増幅弁および前記弁機構は、筐体内に包含される、請求項１４に記載の流体流量調整装置。
【請求項１８】
前記増幅弁は、前記制御弁によって支持される、請求項１４に記載の流体流量調整装置。
【請求項１９】
前記同時移動は、前記出口で前記流体流量の量に従って前記弁機構の前記利得を調節するステップをさらに含む、請求項１４に記載の流体流量調整装置。
【請求項２０】
前記制御弁は、調整弁であり、前記固定長の移動コネクタは、自動調節増幅弁の少なくとも一部を提供する、請求項１４に記載の流体流量調整装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月15日(2012.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の一般式：
[ＤII3n(1-x)ＴIII3nxＯ6nＨn(7-3x)]n+[Ａn-,ｍＨ2Ｏ]n-      （Ｉ）
（式中、Ａn-はｎが値１、２または３、特に２である電荷ｎのアニオンであり、ｍは１〜１０、特に１〜４の範囲の整数、有利には３であり、かつｘは０〜１である）
の、少なくとも１つの二価のカチオンＤIIおよび少なくとも１つの三価のカチオンＴIIIを有する、第一第二鉄の層状複水酸化物（ＬＤＨ）に関する化合物を少なくとも１つ含む材料の１６０Ａｈ／ｋｇ、特に２４５Ａｈ／ｋｇより大きいか等しい理論的な電気エネルギー容量を有する電極形成への使用。
【請求項２】
次の一般式（II）：
[ＦｅII3n(1-x)ＦｅIII3nxＯ6nＨn(7-3x)]n+[Ａn-,ｍＨ2Ｏ]n-      （II）
（式中、Ａn-はｎが値１、２または３、特に２である電荷ｎのアニオンであり、ｍは１〜１０、特に１〜４の範囲の整数、有利には３であり、かつｘは０〜１である）
の、少なくとも１つの成分の部分もしくは全置換により部分的に改質され得る、非汚染性の第一第二鉄のオキシヒドロキシ塩を少なくとも１つ含む材料の、請求項１による電極形成への使用。
【請求項３】
電気的セル、バッテリー、アキュムレーターまたはスーパーキャパシターのようなエネルギー蓄積装置に用いることができる請求項１または２による材料の使用。
【請求項４】
Ａn-が、次の式：
[ＦｅII6(1-x)ＦｅIII6xＯ12Ｈ2(7-3x)]2+[ＣＯ32-,３Ｈ2Ｏ]2-      （III）
（式中、ｘは０〜１である）
を導く、ＣＯ32-を表わすことで特徴付けられる請求項１〜３のいずれか１つによる材料の使用。
【請求項５】
ＯＨ-基の有効なプロトンＨ+が、一価のカチオン、特にＬｉ+で部分的にもしくは完全に置換され、プロトンがリチウムで置換された炭酸塩の場合に、次の一般式（IV）：
[ＦｅII6(1-x)ＦｅIII6xＯ12Ｈ8+6(1-y)ＬｉI6(y-x)]2+[ＣＯ32-,３Ｈ2Ｏ]2-
（IV）
（式中、ｘは０〜１であり、かつ１≧ｙ≧ｘである）
の化学構造が与えられること、および任意に
ＦｅIIが、二価のカチオン、特にＮｉ2+および／またはＣＯ2+で部分的に置換され、ＦｅIIがＮｉ2+で置換されかつプロトンＨ+が置換されていない炭酸塩の場合に、次の一般式（Ｖ）：
[ＦｅII6(1-y-x)ＮｉII6yＦｅIII6xＯ12Ｈ2(7-3x)]2+[ＣＯ32-,３Ｈ2Ｏ]2-
（Ｖ）
（式中、ｘは０〜１であり、かつ０＜ｙ≦１−ｘである）
の化学構造が与えられることおよび／または
ＦｅIIIが、三価のカチオン、特にＡｌ3+および／またはＣｏ3+で部分的にもしくは完全に置換され、ＦｅIIIがＡｌ3+で置換され、かつＦｅIIおよび／またはプロトンＨ+が置換されていない炭酸塩の場合に、次の一般式（VI）：
[ＦｅII6(1-x)ＦｅIII2(3x-z)ＡｌIII2zＯ12Ｈ2(7-3x)]2+[ＣＯ32-,３Ｈ2Ｏ]2-
（VI）
（式中、ｘは０〜１であり、かつ０＜ｚ≦３ｘである）
の化学構造が与えられること
で特徴付けられる請求項１〜４のいずれか１つによる材料の使用。
【請求項６】
前記材料が、前記エネルギー蓄積装置に存在する対応する対極に関連してカソードまたはアノードを構成し、前記対極が、前記第一第二鉄のオキシヒドロキシ塩を含む電極に対して、１Ｖよりも大きな電位差を有する活性レドックス対を有することで特徴付けられる請求項１〜５のいずれか１つによる材料の使用。
【請求項７】
前記材料が、複合材料の形態でありかつ第一第二鉄のオキシヒドロキシ塩が混合された炭素マトリックスを構成し、
第一第二鉄のオキシヒドロキシ塩／炭素比率（ｗ／ｗ）が約０．１〜約１００、好ましくは約０．１〜約１０、好ましくは約１〜約１０、有利には８〜１０であり、かつ第一第二鉄のオキシヒドロキシ塩／油比率（ｗ／ｗ）が約１〜約１０、有利には約８〜約１０である油、または第一第二鉄のオキシヒドロキシ塩／パラフィン比率（ｗ／ｗ）が約１〜約１０、有利には約８〜約１０であるパラフィンのようなバインダーをさらに含むことで特徴付けられる請求項１〜６のいずれか１つによる使用。
【請求項８】
前記蓄積装置のセルが、炭酸塩または硫酸塩の場合に、電解液、特に硫酸または塩酸のような酸を含むことで特徴付けられる請求項１〜７のいずれか１つによる使用。
【請求項９】
前記蓄積装置の前記セルの電位差（ＰＤ）が、約１Ｖ〜約４Ｖ、好ましくは約３Ｖ〜約４Ｖ、特に１．８Ｖであることで特徴付けられる請求項８による使用。
【請求項１０】
請求項１、２および４〜７でそれぞれ定義された一般式（Ｉ）、（II）、（III）、（IV）、（Ｖ）または（VI）（式中、Ａn-はｎが値１、２または３、特に２である電荷ｎのアニオンであり、ｍは１〜１０、特に１〜４の範囲の整数、有利には３であり、かつｘは０〜１である）の第一第二鉄のオキシヒドロキシ塩を少なくとも１つ含み、
第一第二鉄のオキシヒドロキシ塩／炭素比率（ｗ／ｗ）が約０．１〜約１００、好ましくは約０．１〜約１０、好ましくは約１〜約１０、有利には８〜１０であり、かつ第一第二鉄のオキシヒドロキシ塩／油比率（ｗ／ｗ）が約１〜約１０、有利には約８〜約１０である油、または第一第二鉄のオキシヒドロキシ塩／パラフィン比率（ｗ／ｗ）が約１〜約１０、有利には約８〜約１０であるパラフィンのようなバインダーをさらに含む複合材料。
【請求項１１】
Ａn-が、ＣＯ32-を表わすことで特徴付けられる請求項１０による複合材料。
【請求項１２】
対極の選択に応じて、エネルギー蓄積装置のカソードまたはアノードとして用いられる請求項１０または１１による複合材料。
【請求項１３】
請求項１０〜１２のいずれか１つによる複合材料により構成されるカソードまたはアノードを含む、セル、バッテリー、アキュムレーターまたはスーパーキャパシターのようなエネルギー蓄積装置。
【請求項１４】
炭酸塩または硫酸塩の場合に、電解液、特に硫酸または塩酸のような酸をさらに含む請求項１３によるセル、バッテリー、アキュムレーターまたはスーパーキャパシターのようなエネルギー蓄積装置。
【請求項１５】
ａ．アニオンが二価であり、特に硫酸塩または炭酸塩である第一第二鉄のオキシヒドロキシ塩により構成されるアノード、
ｂ．金属鉄のカソード、
ｃ．５未満のｐＨ、特に２または３のｐＨでの、特にゲルまたは溶液の形態の電解液を含む請求項１３または１４によるセル、バッテリー、アキュムレーターまたはスーパーキャパシターのようなエネルギー蓄積装置。
【請求項１６】
以下の：
ａ．炭素マトリックス中で、請求項１、２、４および５でそれぞれ定義された一般式（Ｉ）、（II）、（III）、（IV）、（Ｖ）または（VI）の第一第二鉄のオキシヒドロキシ塩を混合して、マトリックス−第一第二鉄のオキシヒドロキシ塩混合物を得る工程、
ｂ．前記混合物を油またはパラフィンと共に、約３０℃〜９０℃、好ましくは約４５℃〜８０℃、好ましくは約６０℃〜７０℃、特に６０℃の温度で加熱して、複合材料を得る工程
を含む、請求項１０〜１２のいずれか１つに定義されたような複合材料の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月9日(2012.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上のデジタルフィルタを有する処理システム内のプロセッサの動作を最適化するための方法であって、
前記１つ以上のデジタルフィルタの初期のフィルタ係数を作成することと、
前記１つ以上のデジタルフィルタのうちの少なくとも１つのデジタルフィルタの除去し得る１つ以上の初期のフィルタ係数を求めることと、
前記１つ以上の初期のフィルタ係数を除去することと、を有しており、
前記１つ以上の初期のフィルタ係数を除去することが、前記処理システムにより用いられるフィルタ係数の総数を減らす、方法。
【請求項２】
残りのフィルタ係数を前記処理システムにプログラミングする次のステップをさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記除去することが、１つ以上のあらかじめ定められたデジタルフィルタから前記１つ以上の初期のフィルタ係数を除去することをさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記１つ以上のデジタルフィルタのうちの１つのデジタルフィルタが非対称なフィルタ係数を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記１つ以上のデジタルフィルタのうちの１つのデジタルフィルタが対称なフィルタ係数を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記１つ以上のデジタルフィルタのうちの１つデジタルフィルタが対称なフィルタ係数を有しており、対称なフィルタ係数が単独で又は対で除去される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
動作中、１つ以上の処理システム測定値をあらかじめ定められた電力使用量しきい値と比較することと、
前記１つ以上の処理システム測定値が前記あらかじめ定められた電力使用量しきい値を超えている場合、前記１つ以上のデジタルフィルタのうちの少なくとも１つのデジタルフィルタの除去し得る１つ以上の動作中のフィルタ係数を求めることと、
前記１つ以上の動作中のフィルタ係数を除去することと、を有しており、
前記１つ以上のフィルタ係数を除去することが、少なくとも現行のメインループ処理の繰り返し中、前記処理システムにより用いられるフィルタ係数の総数を減らす、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
１つ以上のデジタルフィルタを有する処理システム内のプロセッサの動作を適応的に最適化するための方法であって、
動作中、１つ以上の処理システム測定値をあらかじめ定められた電力使用量しきい値と比較することと、
前記１つ以上の処理システム測定値が前記あらかじめ定められた電力使用量しきい値を超えている場合、前記１つ以上のデジタルフィルタのうちの少なくとも１つのデジタルフィルタの除去し得る１つ以上のフィルタ係数を求めることと、
前記１つ以上のフィルタ係数を除去することと、を有しており、
前記１つ以上のフィルタ係数を除去することが、前記処理システムにより用いられるフィルタ係数の総数を減らす、方法。
【請求項９】
前記除去することが、１つ以上のあらかじめ定められたデジタルフィルタから１つ以上のフィルタ係数を除去することをさらに有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記比較ステップ、前記求めるステップ及び前記処理ステップを繰り返して実行する、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記１つ以上のデジタルフィルタのうちの１つのデジタルフィルタが非対称なフィルタ係数を有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記１つ以上のデジタルフィルタのうちの１つのデジタルフィルタが対称なフィルタ係数を有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記１つ以上のデジタルフィルタのうちの１つデジタルフィルタが対称なフィルタ係数を有しており、対称なフィルタ係数が単独で又は対で除去される、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記１つ以上の処理システム測定値が前記あらかじめ定められた電力使用量しきい値を超えた量に基づいて、除去される動作中のフィルタ係数の数を求めることをさらに有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
準備ステップをさらに備え、
前記準備ステップは、
前記１つ以上のデジタルフィルタの初期のフィルタ係数を作成することと、
前記１つ以上のデジタルフィルタのうちの少なくとも１つのデジタルフィルタの除去し得る１つ以上の初期のフィルタ係数を求めることと、
前記１つ以上の初期のフィルタ係数を除去することと、を有しており、
前記１つ以上の初期のフィルタ係数を除去することが、前記処理システムにより用いられるフィルタ係数の総数を減らす、請求項８に記載の方法。
【請求項１６】
１つ以上のデジタルフィルタを有する処理システム内のプロセッサの動作を最適化するための方法であって、
前記方法が、
前記１つ以上のデジタルフィルタのフィルタ係数を作成することと、
前記１つ以上のデジタルフィルタのうちの１つ以上のデジタルフィルタの除去し得る１つ以上の初期のフィルタ係数及び１つ以上の動作中のフィルタ係数を求めることと、 
前記１つ以上の初期のフィルタ係数を除去することと、を有しており、
前記１つ以上の初期のフィルタ係数を除去することが、前記処理システムにより用いられるフィルタ係数の総数を減らし、
さらに、前記方法が、
前記処理システムの中へ前記フィルタ係数をプログラミングすることと、
動作中、１つ以上の処理システム測定値をあらかじめ定められた電力使用量しきい値と比較することと、
前記１つ以上の処理システム測定値が前記あらかじめ定められた電力使用量しきい値を超えている場合、前記１つ以上の動作中のフィルタ係数を除去することと、を有しており、 
前記１つ以上のフィルタ係数を除去することが、前記処理システムにより用いられるフィルタ係数の総数を減らす、方法。
【請求項１７】
前記除去することが、１つ以上のあらかじめ定められたデジタルフィルタから前記１つ以上の初期のフィルタ係数を除去することをさらに有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記１つ以上のデジタルフィルタのうちの１つのデジタルフィルタが非対称なフィルタ係数を有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記１つ以上のデジタルフィルタのうちの１つのデジタルフィルタが対称なフィルタ係数を有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記１つ以上のデジタルフィルタのうちの１つデジタルフィルタが対称なフィルタ係数を有しており、対称なフィルタ係数が単独で又は対で除去される、請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
前記１つ以上の動作中のフィルタ係数に対して前記比較ステップ及び前記除去ステップを繰り返して行なう、請求項１６に記載の方法。
【請求項２２】
前記１つ以上の処理システム測定値が前記あらかじめ定められた電力使用量しきい値を超えた量に基づいて、除去される動作中のフィルタ係数の数を求めることをさらに有する、請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月6日(2012.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一のアナログ信号を受信し、
前記第一のアナログ信号をデジタル信号に変換し、
前記デジタル信号を電気バリアを越えて送信し、
前記デジタル信号に基づいて、スケーリングされたパルス幅変調信号を生成し、
前記スケーリングされたパルス幅変調信号を第二のアナログ信号へ変換するように構成されてなる、信号処理装置（３０）。
【請求項２】
前記スケーリングされたパルス幅変調信号は、第一のアナログ信号符号化と第二のアナログ信号符号化との間の差異に基づくものである、請求項１に記載の信号処理装置（３０）。
【請求項３】
前記第一のアナログ信号符号化は、前記信号処理装置（３０）の入力部に結合されているバス装置（１０）によって用いられるものであり、前記第二のアナログ信号符号化は、前記信号処理装置（３０）の出力部に結合されているバスループ（４）によって用いられるものである、請求項１に記載の信号処理装置（３０）。
【請求項４】
前記電気バリアがオプトカプラー（１１５）である、請求項１に記載の信号処理装置（３０）。
【請求項５】
前記デジタル信号がシリアルビットストリームである、請求項１に記載の信号処理装置（３０）。
【請求項６】
信号処理装置（３０）によってバスループ（４）から電気的に絶縁されたバス装置（１０）を有するバスループシステム（１００）であって、
前記バス装置によって受信される第一のアナログ信号をデジタル信号へ変換するように構成されているアナログ−デジタル変換器（２４０）と、
前記デジタル信号を信号スケーラ（２５０）へ送信するように構成されている信号送信器（１１５）とを備えており、
前記信号スケーラ（２５０）が、前記デジタル信号を、スケーリングされたパルス幅変調信号へ変換し、該スケーリングされたパルス幅変調信号をスケーリングされた第二のアナログ信号へ変換するように構成されてなる、バスループシステム（１００）。 
【請求項７】
前記信号送信器（１１５）は、前記バス装置（１０）を前記バスループ（４）から電気的に絶縁するように構成されているオプトカプラーである、請求項６に記載のバスループシステム（１００）。
【請求項８】
第一のアナログ信号符号化が第二のアナログ信号符号化とは異なるものである、請求項６に記載のバスループシステム（１００）。
【請求項９】
第一のアナログ信号を受信し、
前記第一のアナログ信号をデジタル信号に変換し、
前記デジタル信号に基づいて、パルス幅変調信号を生成し、
前記パルス幅変調信号を電気バリアを越えて送信し、
前記パルス幅変調信号を、スケーリングされた第二のアナログ信号へ変換するように構成されてなる、信号処理装置（３０）。
【請求項１０】
前記信号処理装置（３０）の入力部に結合されているバス装置（１０）によって用いられる第一のアナログ信号符号化と、前記信号処理装置（３０）の出力部へ結合されているバスループ（４）によって用いられる第二のアナログ信号符号化との間の差異に基づいて、前記デジタル信号をスケーリングするようにさらに構成されてなる、請求項９に記載の信号処理装置（３０）。
【請求項１１】
アナログ信号生成器からの信号をアナログ信号受信器へ送信する方法であって、
第一のアナログ信号を生成するステップと、
前記第一のアナログ信号をデジタル信号に変換するステップと、
前記デジタル信号を電気バリアを越えて送信するステップと、
前記デジタル信号に基づいて、スケーリングされたパルス幅変調信号を生成するステップと、
前記スケーリングされたパルス幅変調信号をスケーリングされた第二のアナログ信号へ変換するステップと
を有している、方法。
【請求項１２】
オプトカプラーを用いて前記デジタル信号を送信することをさらに含んでいる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記スケーリングされた第二のアナログ信号が、アナログ信号生成器によって用いられる第一のアナログ信号符号化と、前記アナログ信号受信器によって用いられる第二のアナログ信号符号化との間の差異に基づいている、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
アナログ信号生成器からの信号をアナログ信号受信器へ送信するための方法であって、
第一のアナログ信号を受信するステップと、
前記第一のアナログ信号をデジタル信号に変換するステップと、
前記デジタル信号に基づいて、パルス幅変調信号を生成するステップと、
前記パルス幅変調信号を電気バリアを越えて送信するステップと、
前記パルス幅変調信号を、スケーリングされた第二のアナログ信号へ変換するステップと
を有している、方法。
【請求項１５】
オプトカプラーを用いて前記デジタル信号を送信することをさらに含んでいる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記スケーリングされた第二のアナログ信号が、前記アナログ信号生成器によって用いられる第一のアナログ信号符号化と、前記アナログ信号受信器によって用いられる第二のアナログ信号符号化との間の差異に基づいている、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月28日(2012.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気機械（１）における同期機（１）のための回転子において、
前記回転子が、回転子軸線（６）を規定する回転子軸（４）を有し、
前記回転子が、前記回転子軸（４）上に回転不能に配置された巻線担体（７）を有し、前記回転子軸（４）を前記回転子軸線(６)に関して中心範囲（８）において囲み、
巻線担体（７）が、超電導回転子巻線（９）を担持し、
前記回転子が、スリーブ（１０）を有し、当該スリーブが、前記回転子軸線（６）に関して前記巻線担体（７）と前記超電導回転子巻線（９）を少なくとも半径方向に囲み、
前記スリーブ（１０）が、少なくとも前記巻線担体（７）と前記超電導回転子巻線（９）を半径方向に囲む範囲（スリーブ１０の外套面１０'）において単一的に、最大で２．０質量％のクロムと、少なくとも０．１および最大で０．５質量％のジルコニウムと、残り銅を含む銅合金とから成る
ことを特徴とする回転子。
【請求項２】
前記銅合金が、少なくとも０．１および最大で０．３質量％のジルコニウムを含む
ことを特徴とする請求項１記載の回転子。
【請求項３】
前記銅合金が、少なくとも０．５質量％のクロムを含む
ことを特徴とする請求項１又は２記載の回転子。
【請求項４】
前記銅合金が、硬化された金属合金である
ことを特徴とする請求項１から３の１つに記載の回転子。
【請求項５】
前記硬化された金属合金が、析出硬化された銅合金である
ことを特徴とする請求項４記載の回転子。
【請求項６】
前記硬化された金属合金が、酸化−分散硬化された銅合金である
ことを特徴とする請求項４又は５記載の回転子。
【請求項７】
前記外套面（１０'）が、継ぎ目のない筒として形成されたものである
ことを特徴とする請求項１から６の１つに記載の回転子。
【請求項８】
機械ハウジング（２）を有し、
前記機械ハウジング(２)内に、請求項１から７の１つに記載の回転子（３）が回転可能に支承され、
前記機械ハウジング(２)内に、回転不能に固定子（１１）が配置され、当該固定子（１１）が、前記回転子軸線(６)に関して前記回転子（３）を半径方向に囲み、
前記固定子（１１）が、電圧供給源（１３）に接続可能な固定子巻線（１２）を担持する
ことを特徴とする電気機械。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この課題は請求項１の特徴を備えた回転子により解決される。本発明によれば、スリーブは少なくとも巻線担体および超電導回転子巻線を半径方向に囲む範囲において、（スリーブの外套面）単一的に銅合金から成り、この合金は、当初明細書の請求項１に記載のとおり、銅に若干量のクロム（２質量％迄）およびジルコニウム（０．１〜０．５質量％）を混合したものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
機械的強度、従って必要な引張強さおよび必要な伸び限界を得るには、適当な金属合金が選ばれなければならない。特に銅にクロムとジルコニウムを混合した銅合金が挙げられる。銅合金は、この場合、２．０質量％迄のクロムと、０．５質量％迄のジルコニウム、さらに望ましくは０．３質量％迄のジルコニウムを含むことができる。下限はクロムが０．０質量％、ジルコニウムが０．１質量％である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月19日(2012.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
前記オーディオシステムは、サラウンドサウンドオーディオシステムであり、前記マルチチャネル信号の複数のチャネルがサラウンドサウンド空間チャネルである、請求項１に記載のオーディオシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月26日(2012.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）配列番号２に記載のアミノ酸配列をコードする核酸分子；
（ｂ）０．１×ＳＳＣ、０．１％ＳＤＳで６５℃、および２×ＳＳＣ、０．１％ＳＤＳで洗浄後、０．１×ＳＳＣ、０．１％ＳＤＳというハイブリダイゼーション条件下で（ａ）とハイブリダイズする核酸分子；または
（ａ）または（ｂ）と完全に相補的な核酸分子
からなる群から選択される、Δ６デサチュラーゼ酵素をコードするヌクレオチド配列を含んでなる核酸分子。
【請求項２】
ＢＬＡＳＴＰアラインメント法に基づいて配列番号２に記載の配列を有するポリペプチドと比較すると、少なくとも８０％の同一性を有する少なくとも４７１個のアミノ酸のΔ６デサチュラーゼ酵素をコードする第１のヌクレオチド配列；または
前記第１のヌクレオチド配列の相補配列を含んでなる第２のヌクレオチド配列
を含んでなる核酸分子。
【請求項３】
配列番号２に記載のΔ６デサチュラーゼ酵素をコードするポリペプチド。
【請求項４】
少なくとも１つの制御配列と作動的に連結する、請求項１または２に記載の核酸分子を含んでなるキメラ遺伝子。
【請求項５】
請求項１または２に記載の核酸分子を含んでなる微生物宿主細胞。
【請求項６】
ａ）請求項１または２に記載の核酸分子を発現する微生物宿主細胞を提供するステップと、
ｂ）γ−リノレン酸が生成する条件下においてリノール酸源存在下で（ａ）の宿主細胞を増殖させるステップと
を含んでなる、γ−リノレン酸を生成する方法。
【請求項７】
ａ）請求項１または２に記載の核酸分子を発現する微生物宿主細胞を提供するステップと、
ｂ）ステアリドン酸が生成する条件下において、α−リノレン酸源存在下で（ａ）の宿主細胞を増殖させるステップと
を含んでなる、ステアリドン酸を生成する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２０】
当業者はｐＰｃＤ６Ｓ中に含有されるＰｃＤ６Ｓ遺伝子（配列番号４６）を取り出して、それを適切な制御配列（例えばｐＹ９１、配列番号３４に記載）を含んでなる適切な発現ベクターにライゲートし、ＰｃＤ６Ｓを適切なヤロウィア・リポリティカ（Ｙａｒｒｏｗｉａ  ｌｉｐｏｌｙｔｉｃａ）株中で発現できるであろう。ＰｃＤ６ＳのΔ６デサチュラーゼ転換効率はＰｃＤ６（配列番号１および２）と比較でき、またはそれを超えることが予測される。
本発明の例示的実施態様を以下に列挙する。
（１）（ａ）配列番号２に記載のアミノ酸配列をコードする核酸分子；
（ｂ）０．１×ＳＳＣ、０．１％ＳＤＳで６５℃、および２×ＳＳＣ、０．１％ＳＤＳで洗浄後、０．１×ＳＳＣ、０．１％ＳＤＳというハイブリダイゼーション条件下で（ａ）とハイブリダイズする核酸分子；または
（ａ）または（ｂ）と完全に相補的な核酸分子
からなる群から選択される、Δ６デサチュラーゼ酵素をコードするヌクレオチド配列を含んでなる核酸分子。
（２）少なくとも２２７個のコドンがヤロウィア（Ｙａｒｒｏｗｉａ）中での発現のためにコドン最適化された、（１）に記載の核酸分子。
（３）配列番号１および配列番号４６からなる群から選択される、（１）に記載の核酸分子。
（４）ＢＬＡＳＴＰアラインメント法に基づいて配列番号２に記載の配列を有するポリペプチドと比較すると、少なくとも８０％の同一性を有する少なくとも４７１個のアミノ酸のΔ６デサチュラーゼ酵素をコードする第１のヌクレオチド配列；または
前記第１のヌクレオチド配列の相補配列を含んでなる第２のヌクレオチド配列
を含んでなる核酸分子。
（５）配列番号２に記載のΔ６デサチュラーゼ酵素をコードするポリペプチド。
（６）少なくとも１つの制御配列と作動的に連結する、（１）または（４）に記載の核酸分子を含んでなるキメラ遺伝子。
（７）（１）または（４）に記載の核酸配列を含んでなる微生物宿主細胞。
（８）微生物宿主細胞が、酵母、藻類、細菌、ユーグレナ属、ストラメノパイル、卵菌綱、および真菌からなる群から選択される（７）に記載の微生物宿主細胞。
（９）細胞が、モルティエラ（Ｍｏｒｔｉｅｒｅｌｌａ）、スラウストキトリウム（Ｔｈｒａｕｓｔｏｃｈｙｔｒｉｕｍ）、およびシゾキトリウム（Ｓｃｈｉｚｏｃｈｙｔｒｉｕｍ）からなる群から選択される属のメンバーである、（８）に記載の微生物宿主細胞。
（１０）細胞が油性酵母である、（８）に記載の微生物宿主細胞。
（１１）油性酵母が、ヤロウィア（Ｙａｒｒｏｗｉａ）、カンジダ（Ｃａｎｄｉｄａ）、ロドトルラ（Ｒｈｏｄｏｔｏｒｕｌａ）、ロドスポリジウム（Ｒｈｏｄｏｓｐｏｒｉｄｉｕｍ）、クリプトコッカス（Ｃｒｙｐｔｏｃｏｃｃｕｓ）、トリコスポロン（Ｔｒｉｃｈｏｓｐｏｒｏｎ）、およびリポマイセス（Ｌｉｐｏｍｙｃｅｓ）からなる群から選択される属のメンバーである（１０）に記載の微生物宿主細胞。
（１２）ａ）（１）または（４）に記載の核酸配列を発現する微生物宿主細胞を提供するステップと、
ｂ）γ−リノレン酸が生成する条件下においてリノール酸源存在下で（ａ）の宿主細胞を増殖させるステップと
を含んでなる、γ−リノレン酸を生成する方法。
（１３）ａ）（１）または（４）に記載の核酸配列発現する微生物宿主細胞を提供するステップと、
ｂ）ステアリドン酸が生成する条件下において、α−リノレン酸源存在下で（ａ）の宿主細胞を増殖させるステップと
を含んでなる、ステアリドン酸を生成する方法。
（１４）ａ）核酸分子が前記配列番号１および配列番号４６からなる群から選択される核酸配列を有し、
ｂ）宿主細胞がヤロウィア・リポリティカ（Ｙａｒｒｏｗｉａ  ｌｉｐｏｌｙｔｉｃａ）である、
（１２）または（１３）に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月6日(2012.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）セルロースを含むバイオマスを提供するステップと、
（ｂ）前記バイオマスとリン酸および硫酸を含む酸混合物とを接触させてバイオマス／酸混合物を形成するステップと、
（ｃ）前記バイオマス／酸混合物を、脱結晶化バイオマス生成物を生成するのに十分な反応時間と温度に保つステップと
を含み、
（ｉ）前記酸混合物中のリン酸と硫酸とのモル比が約３．３９：１〜約０．２１：１であり、
（ｉｉ）前記バイオマスの質量と前記酸混合物の質量との比率が約１：０．５〜約１：５である、
バイオマス中のセルロースを脱結晶化する方法。
【請求項２】
（ａ）セルロースを含むバイオマスを提供するステップと、
（ｂ）前記バイオマスとリン酸および硫酸を含む酸混合物とを接触させてバイオマス／酸混合物を形成するステップと、
（ｃ）前記バイオマス／酸混合物を脱結晶化バイオマス生成物を生成するのに十分な第１の反応時間と第１の温度に保つステップと、
（ｄ）前記脱結晶化バイオマス生成物に、前記バイオマスおよび前記酸混合物を合わせた質量に基づいて約２０質量％〜約２００質量％の水を添加するステップと、
（ｅ）前記水および前記脱結晶化バイオマス生成物を、糖化生成物を生成するのに十分な第２の反応時間と第２の温度に保つステップと
を含み、
（ｉ）前記酸混合物中のリン酸と硫酸とのモル比が約３．３９：１〜約０．２１：１であり、
（ｉｉ）前記バイオマスの質量と前記酸混合物の質量との比率が約１：０．５〜約１：５である、
バイオマスを糖化する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
前述の説明では本発明の特定の実施態様について記載したが、当業者は、本発明の本質的特性の精神を逸脱することなく、本発明に多数の変更、置き換え、および再編成を加えることができるものと理解するであろう。本発明の範囲を示唆するものとしては、前述の明細書でなく添付の特許請求の範囲を参照すべきである。
以下は本発明の実施態様の例である。
１）（ａ）セルロースを含むバイオマスを提供するステップと、
（ｂ）前記バイオマスとリン酸および硫酸を含む酸混合物とを接触させてバイオマス／酸混合物を形成するステップと、
（ｃ）前記バイオマス／酸混合物を、脱結晶化バイオマス生成物を生成するのに十分な反応時間と温度に保つステップと
を含み、
（ｉ）前記酸混合物中のリン酸と硫酸とのモル比が約３．３９：１〜約０．２１：１であり、
（ｉｉ）前記バイオマスの質量と前記酸混合物の質量との比率が約１：０．５〜約１：５である、
バイオマス中のセルロースを脱結晶化する方法。
２）酸混合物中のリン酸と硫酸とのモル比が約１．９８：１〜約０．３６：１である、１）に記載の方法。
３）脱結晶化バイオマス生成物が水を含有し、前記水の質量％が、前記バイオマス、前記酸混合物、および前記水の総質量に基づいて約３質量％〜約３０質量％である、１）に記載の方法。
４）水の質量％が約５質量％〜約２０質量％である、３）に記載の方法。
５）バイオマス質量と酸混合物質量との比率が約１：０．５〜約１：２である、１）に記載の方法。
６）温度が約０℃〜約５０℃である、１）に記載の方法。
７）反応時間が約７２時間までである、１）に記載の方法。
８）（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、またはその組み合わせが少なくとも１回繰り返される、１）に記載の方法。
９）提供されたバイオマス中の少なくとも約５０％のセルロースが、脱結晶化バイオマス生成物中で脱結晶化される、１）に記載の方法。
１０）提供されたバイオマス中の少なくとも約７０％のセルロースが、脱結晶化バイオマス生成物中で脱結晶化される、１）に記載の方法。
１１）バイオマスがバイオエネルギー作物、農業残渣、都市固体廃棄物、工業固体廃棄物、庭ごみ、木材および林業廃棄物またはその組み合わせからなる群から選択される、１）に記載の方法。
１２）（ａ）の前または最中に、（ｂ）の前または最中に、（ｃ）の前または最中に、またはそれらの組み合わせでエネルギーを加えるステップをさらに含む、１）に記載の方法。
１３）エネルギーが製粉、破砕、粉砕、細断、細切、ディスク叩解、超音波、およびマイクロ波からなる群から選択される、１２）に記載の方法。
１４）（ａ）セルロースを含むバイオマスを提供するステップと、
（ｂ）前記バイオマスとリン酸および硫酸を含む酸混合物とを接触させてバイオマス／酸混合物を形成するステップと、
（ｃ）前記バイオマス／酸混合物を脱結晶化バイオマス生成物を生成するのに十分な第１の反応時間と第１の温度に保つステップと、
（ｄ）前記脱結晶化バイオマス生成物に、前記バイオマスおよび前記酸混合物を合わせた質量に基づいて約２０質量％〜約２００質量％の水を添加するステップと、
（ｅ）前記水および前記脱結晶化バイオマス生成物を、糖化生成物を生成するのに十分な第２の反応時間と第２の温度に保つステップと
を含み、
（ｉ）前記酸混合物中のリン酸と硫酸とのモル比が約３．３９：１〜約０．２１：１であり、
（ｉｉ）前記バイオマスの質量と前記酸混合物の質量との比率が約１：０．５〜約１：５である、
バイオマスを糖化する方法。
１５）糖化生成物が、グルコース、セロビオース、およびキシロースまたはその組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの糖を含む、１４）に記載の方法。
１６）糖化生成物中の液体を固形物から分離するステップと、任意選択的に前記液体を水で洗浄するステップとをさらに含む、１４）に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月11日(2012.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタル画像内の顔の外観を向上させる方法は、プロセッサを使用して、
(a)レンズとイメージセンサを使用して前記イメージを取り込むことを含み、顔を含むシーンのデジタル画像を獲得し、或いは、レンズとイメージセンサ、或いは、それらの組合せを含む装置によるキャプチャーに続いて前記イメージを受け取り、
(b)前記デジタル画像内の前記顔を識別し、
(c)1又は2つの目又は1つの口又はそれらの組合せを含む、顔特徴からの前記顔の肌トーン部分を分割し、
(d)前記顔の前記肌トーン部分内に、輝度中で、汚されていない肌トーン部分から少なくとも1つのしきい値変化する、1つ以上の汚れ領域を識別し、
(e)平滑化された輝度データを生成するために、前記1つ以上の汚れ領域の輝度データを平滑化し、
(f)前記平滑化された輝度データと置換され、オリジナルの汚されていない肌トーン部分と結合した、前記1つ以上の汚れ領域のオリジナルの輝度データを有する、前記顔の向上させられたバージョンを含む、向上させられたイメージを生成し、
(g)前記向上させられたイメージ、或いはさらに処理されたバージョン、或いはそれらの組合せを、表示し、送信し、通信し、デジタルで格納し、或いは他の方法で出力する
ことを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記局所的な輝度平滑化は、輝度データをぼかす又は平均化すること、或いはそれの組合せを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記局所的な輝度平滑化は、前記1つ以上の汚れ領域の輝度データのための、1つ以上の局所的な輝度平滑化カーネルを適用することを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記1以上のサブ領域のための、1以上の局所的色平滑化カーネルを適用することをさらに含み、前記補正するイメージの前記1つ以上の向上させられたサブ領域は、さらに少なくとも局所的な色平滑化によって前記顔のオリジナルのピクセルから修正されたピクセルを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記1つ以上のサブ領域に、ノイズ低下か向上、又は両方を適用することをさらに含み、前記補正するイメージの前記1つ以上の向上させられたサブ領域はさらに、少なくとも局所的なノイズ低下又は向上、又は両方による前記顔のオリジナルのピクセルから修正されたピクセルを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項６】
しきい値肌トーンを含まない、前記1以上のサブ領域内の所定の非肌トーン・ピクセルを決定することをさらに含み、前記所定の非肌トーン・ピクセルの強度を、置換し、除去し、減らし、或いは 前記所定の非肌トーン・ピクセルの色を修正し、或いはそれらの組合せであることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記平滑化は、汚れ領域の中の少なくとも1つの肌ピクセルをその隣接値の平均値に置換することを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記顔の中に、1以上の口か目領域、又はそれの組合せを検知することをさらに含み、
1以上の歯、唇、舌、目の白、目のまゆ、虹彩、目のまつげ、又は、瞳、或いはそれらの組合せを含む、前記1以上の口又は目の領域内の、1以上のサブ領域の自然色を識別し向上させることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記ステップ(b)及び(c)の少なくとも１つは、前記レンズとイメージセンサによって取り込まれた、少なくとも1つの相対的に低い解像度画像上で実行されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
レンズと、イメージセンサと、プロセッサと、前記請求項1から9のうちのいずれかの方法を実行するために、前記プロセッサのプログラムのためにそこにコードを埋め込まれたプロセッサが読取り可能な媒体と、を含む装置。
【請求項１１】
前記請求項1から10のうちのいずれかの方法を実行するための、前記プロセッサのプログラムのためにそこにコードが埋め込まれたコンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月23日(2012.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表面のナノトポグラフィを決定する工程と、
第２の表面に関する所望の形状特性を決定する工程と、
滴下パターンを生成するために、前記第１の表面の前記ナノトポグラフィおよび前記第２の表面に関する前記所望の形状特性を評価する工程と、
前記滴下パターンに従って、テンプレートと前記第１の表面との間に重合可能物質を堆積する工程と、
前記重合可能物質に前記テンプレートを接触させる工程と、
前記重合可能物質を固化させる工程と、
前記所望の形状特性を有する前記第２の表面を形成するために、前記重合可能物質をエッチングする工程と、
から構成されることを特徴とする、インプリント・リソグラフィ・システムを使用して所望の形状特性を有する表面を形成する方法。
【請求項２】
少なくとも１つの寄生効果を決定し、前記寄生効果を補正するために前記滴下パターンを調整する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記寄生効果は前記重合可能物質の蒸発であることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記寄生効果はパターン密度のばらつきであることを特徴とする請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記寄生効果はエッチングの不均一性であることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記寄生効果はポリシングの不均一性であることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記寄生効果は体積収縮であることを特徴とする請求項２乃至６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記所望の形状特性を有する前記第２の表面を形成するために、前記重合可能物質をエッチングする工程は、前記第１の表面のナノトポグラフィおよびラフネスを修正することを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記第２の表面の前記所望の形状特性は、平坦であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２の表面の前記所望の形状特性は平坦でないことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記滴下パターンに従って、テンプレートと前記第１の表面との間に重合可能物質を堆積する工程は、
第１のエッチ速度を有する第１の重合可能物質を堆積し、第２のエッチ速度を有する第２の重合可能物質を堆積する工程と、
前記第１のエッチ速度および前記第２のエッチ速度を補正するために、前記滴下パターンを調整する工程と
をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１のエッチ速度および前記第２のエッチ速度は異なることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記滴下パターンを生成するために、前記第１の表面の前記ナノトポグラフィおよび前記第２の表面に関する前記所望の形状特性を評価する工程は、
高さ補正マップを生成するために、前記第１の表面の前記ナノトポグラフィと前記第２の表面に関する前記所望の形状特性との間の差異を評価する工程と、
前記高さ補正マップに基づいて密度マップを生成する工程と、
前記滴下パターンを決定するために前記密度マップを使用する工程と
をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
表面のナノトポグラフィを決定する工程と、
所望のナノトポグラフィと比較して前記表面の前記ナノトポグラフィとの間の高さ補正を決定するために、前記表面の前記ナノトポグラフィを評価する工程と、
前記所望のナノトポグラフィと比較して前記表面の前記ナノトポグラフィとの間の前記高さ補正に基づいて密度マップを生成する工程と、
前記密度マップに基づいて滴下パターンを決定する工程と、
前記滴下パターンに従って、インプリント・リソグラフィ・テンプレートと前記表面との間に重合可能物質を堆積する工程と、
前記重合可能物質に前記テンプレートを接触させる工程と、
前記重合可能物質を固化させる工程と、
前記所望のナノトポグラフィを有する前記表面を形成するために、前記重合可能物質をエッチングする工程と
を含むことを特徴とする、インプリント・リソグラフィ・システムを使用して所望のナノトポグラフィを有する表面を形成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月31日(2012.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒートシンクと、
前記ヒートシンクと熱的に結合する負温度係数サーミスタアレイと、
前記サーミスタアレイに電気的に接続する電源と、
前記電源と前記サーミスタアレイに電気的に直列に接続する冷却装置と
を備える発光ダイオードの熱制御システムであって、
前記冷却装置を駆動するために使用する電流は、前記電源から前記サーミスタアレイを通り前記冷却装置に流れ、前記サーミスタアレイは、前記電源から前記冷却装置に流れる前記電流を、前記サーミスタアレイに熱的に結合した前記ヒートシンクの温度に基づいて、制御し、それにより前記ヒートシンクの温度に基づいて前記冷却装置の出力を制御する、熱制御システム。
【請求項２】
前記サーミスタアレイと前記電源との間に電気的に直列に接続するレオスタットを更に含む、請求項１に記載の熱制御システム。
【請求項３】
前記発光ダイオードと前記ヒートシンクとの間に配置する熱伝導部材を更に含み、前記サーミスタアレイを前記熱伝導部材内に配置する、請求項１に記載の熱制御システム。
【請求項４】
熱制御システムを備える発光ダイオードの取付装置であって、該取付装置は、
発光ダイオードと、
前記発光ダイオードと熱的に結合するヒートシンクと、
前記ヒートシンクと熱的に結合する負温度係数サーミスタアレイと、
前記発光ダイオードと前記サーミスタアレイに電気的に接続する電源と、
前記電源と前記サーミスタアレイに電気的に直列に接続する冷却装置とを備え、
前記冷却装置を駆動するために使用する電流は、前記電源から前記サーミスタアレイを通り前記冷却装置に流れ、前記サーミスタアレイは、前記電源から前記冷却装置に流れる前記電流を、前記サーミスタアレイに熱的に結合した前記ヒートシンクの温度に基づいて、制御し、それにより前記ヒートシンクの温度に基づいて前記冷却装置の出力を制御する、取付装置。
【請求項５】
前記サーミスタアレイと前記冷却装置との間に電気的に直列に接続するレオスタットを更に含む、請求項４に記載の取付装置。
【請求項６】
前記発光ダイオードと前記ヒートシンクとの間に配置する熱伝導部材を更に含み、前記サーミスタアレイを前記熱伝導部材内に配置する、請求項４に記載の取付装置。
【請求項７】
ハウジングを更に含み、前記ヒートシンクを前記ハウジングと一体化させる、請求項４に記載の取付装置。
【請求項８】
前記発光ダイオードをＬＥＤアレイの一部とする、請求項４に記載の取付装置。
【請求項９】
前記ＬＥＤアレイを直列に接続する、請求項８に記載の取付装置。
【請求項１０】
前記ＬＥＤアレイを並列に接続する、請求項８に記載の取付装置。
【請求項１１】
前記サーミスタアレイを直列に接続する、請求項１０に記載の取付装置。
【請求項１２】
前記サーミスタアレイを並列に接続する、請求項１０に記載の取付装置。
【請求項１３】
熱制御システムを備える発光ダイオードの取付装置であって、前記取付装置は、
発光ダイオードと、
前記発光ダイオードと熱的に結合するヒートシンクと、
前記ヒートシンクと熱的に結合する負温度係数サーミスタアレイと、
前記サーミスタアレイと電気的に接続する冷却装置と、
前記発光ダイオードと前記サーミスタアレイの両方に電気的に接続する単一のＤＣ電源であって、該ＤＣ電源の正極端子を前記発光ダイオードの正極端子と電気的に接続し、前記電源の正極端子を前記サーミスタアレイの入力端子に電気的に接続する前記ＤＣ電源とを備え、
前記サーミスタアレイの出力端子を、レオスタットを介して前記冷却装置の正極端子と接続し、前記電源の負極端子を、前記発光ダイオードの負極端子と前記冷却装置の負極端子の両方に接続する、取付装置。