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【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年7月2日(2012.7.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
現場でゴム引きされた３＋Ｎ構造の２つの層（Ｃｉ，Ｃｅ）から成る金属コードであって、前記層は、ピッチＰ1で螺旋の状態に互いに巻回されている直径ｄ1の３本のコアワイヤで形成された内側層（Ｃｉ）及び前記内側層（Ｃｉ）の周りにピッチＰ2で螺旋の状態に互いに巻回された直径ｄ2のＮ（Ｎは、６〜１２である）本のワイヤで形成された外側層（Ｃｅ）を含む、コードにおいて、ｄ1、ｄ2、Ｐ1及びＰ2の単位をｍｍで表した場合に、次の特徴を有し、即ち、
０．０８＜ｄ1＜０．３０
０．０８＜ｄ2＜０．２０
Ｐ1／Ｐ2≦１
３＜ｐ1＜３０
６＜ｐ2＜３０
前記内側層は、充填ゴムと呼ばれるジエンゴムコンパウンドで外装され、前記充填ゴムは、コードの長さが２ｃｍ以上の場合、前記３本のコアワイヤによって形成された中央チャネル内に且つ前記３本のコアワイヤと前記外側層（Ｃｅ）の前記Ｎ本のワイヤとの間にある隙間の各々の中に存在し、
前記コード中の前記充填ゴムの含有量は、コード１ｇ当たり５〜３５ｍｇである、コード。
【請求項２】
前記ジエンゴムコンパウンドは、ジエンエラストマーを含み、前記ジエンエラストマーは、ポリブタジエン、天然ゴム、合成ポリイソプレン、ブタジエンコポリマー、イソプレンコポリマー及びこれらエラストマーの配合物から成る群から選択される、請求項１に記載のコード。
【請求項３】
前記ジエンエラストマーは、天然ゴムである、請求項２に記載のコード。
【請求項４】
ｄ1及びｄ2の単位がｍｍである場合に、次の関係式、即ち、
０．１０＜ｄ1＜０．２５
０．１０＜ｄ2≦０．２０
が満たされる、請求項１に記載のコード。
【請求項５】
次の関係式、即ち、
０．５≦ｐ1／ｐ2≦１
が満たされる、請求項１に記載のコード。
【請求項６】
ｐ1＝ｐ2である、請求項１に記載のコード。
【請求項７】
ｐ2は、６〜２５ｍｍである、請求項１に記載のコード。
【請求項８】
ｐ1は、３〜２５ｍｍである、請求項１に記載のコード。
【請求項９】
前記外側層（Ｃｅ）は、飽和層である、請求項１に記載のコード。
【請求項１０】
前記外側層（Ｃｅ）は、８本、９本、又は１０本のワイヤを含む、請求項１に記載のコード。
【請求項１１】
前記外側層（Ｃｅ）の前記ワイヤは、次の関係式、即ち、
Ｎ＝８の場合、０．７≦（ｄ1／ｄ2）≦１
Ｎ＝９の場合、０．９≦（ｄ1／ｄ2）≦１．２
Ｎ＝１０の場合、１．０≦（ｄ1／ｄ2）≦１．３
を満たす、請求項１０記載のコード。
【請求項１２】
ｄ1＝ｄ2である、請求項１に記載のコード。
【請求項１３】
前記外側層（Ｃｅ）は、９本のワイヤを含む、請求項１２記載のコード。
【請求項１４】
前記充填ゴムの含有量は、コード１ｇ当たり５〜３０ｍｇである、請求項１に記載のコード。
【請求項１５】
通気度試験において、平均空気流量が２ｃｍ3／分未満である、請求項１に記載のコード。
【請求項１６】
通気度試験において、平均空気流量が０．２ｃｍ3／分未満又はせいぜいこれに等しい、請求項１５に記載のコード。
【請求項１７】
マルチストランドロープであって、ストランドのうちの少なくとも１本が請求項１に記載のコードである、マルチストランドロープ。
【請求項１８】
請求項１７に記載のマルチストランドロープであって、全部で７本の個々のストランドで作られていて、１本が中心に位置し、他の６本が前記中心回りにケーブリングされ、各ストランドが３＋Ｎ構造を有する（１＋６）（３＋Ｎ）構造のマルチストランドロープ。
【請求項１９】
請求項１７に記載のマルチストランドロープであって、全部で１２本の個々のストランドで作られていて、３本が中心に位置し、他の９本が前記中心回りにケーブリングされ、各ストランドが３＋Ｎ構造を有する（３＋９）（３＋Ｎ）構造のマルチストランドロープ。
【請求項２０】
Ｎが８又は９に等しい、請求項１８又は１９に記載のマルチストランドロープ。
【請求項２１】
前記マルチストランドロープは、それ自体、現場でゴム引きされる、請求項１７に記載のマルチストランドロープ。
【請求項２２】
請求項１に記載のコード又は請求項１７に記載のマルチストランドロープを有するタイヤ。
【請求項２３】
前記タイヤは、産業車両のタイヤである、請求項２２に記載のタイヤ。
【請求項２４】
前記コード又はロープは、前記タイヤのカーカス補強材中に存在している、請求項２２に記載のタイヤ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９０】
充填ゴムのジエンエラストマー（又は無差別の「ゴム」、二つは同義語と考えられる）は、好ましくは、ポリブタジエン（BR）、天然ゴム（NR）、合成ゴム（IR）、様々なブタジエン共重合体、様々な、イソプレン共重合体及びこれらのエラストマーの混合物からなる群から選択される。このような共重合体は、より好ましくは、エマルジョン重合（ESBR）又は溶解重合のいずれにより提供されてもよいが、スチレンブタジエン（SBR）共重合体、ブタジエンイソプレン（BIR）共重合体、スチレンイソプレン（SIR）共重合体、及びスチレンブタジエンイソプレン（SBIR）共重合体からなる群から選択される。
好ましい実施形態では、「イソプレン」エラストマー、すなわち、イソプレンホモポリマー又は共重合体、いいかえると、天然ゴム（NR）、合成ゴム（IR）、様々なイソプレン共重合体及びこれらの混合物の群から選択されたジエンエラストマーを含む。イソプレンエラストマーは、好ましくは、天然ゴム又はcis-1,4タイプの合成ポリイソプレンである。これらの合成ポリイソプレンの中で、９０％以上、より好ましくは９８％以上のcis-1,4結合の容量（mol%）のポリイソプレンを使用することが好ましい。他の好適な実施形態によれば、これらのジエンエラストマーは、例えば、BRタイプの他のエラストマーを非混合又は混合で使用したSBRなどの他のジエンエラストマーを全体又は一部に含むとよい。
充填ゴムは、一又は二以上のジエンエラストマーを含み、これらは、ジエンエラストマー以外のいかなるタイプの合成エラストマー、又はエラストマー以外のポリマーとさえ組み合わせて使用してもよい。
充填ゴムは、架橋性のタイプ、すなわち、加硫（すなわち、硬化）プロセスの間、組成が架橋できるのに適した架橋システムを概して含む。ゴムシースの架橋システムは、いわゆる加硫システム、すなわち、硫黄を基礎としたもの（さもなければ、硫黄ドナーエージェントを基礎としたもの）及び初期加硫加速剤である。様々な既知の第２加速剤又は硫化活性剤を基礎加硫システムに加えてもよい。好ましくは０．５〜１０ｐｈｒの量、より好ましくは１〜８ｐｈｒの量の硫黄が使用され、好ましくは、０．５〜１０ｐｈｒ、より好ましくは０．５〜５．０ｐｈｒの量の例えば、硫黄アミドなどの初期加硫加速剤が使用される。
しかしながら、本発明は、充填ゴムが硫黄又はそれどころか任意他の架橋系を含んでいない場合にも利用でき、本発明のコードが補強しようとするゴムマトリックス中に既に存在する架橋系又は加硫系は、それ自体の架橋に関し、十分であり、周りのマトリックスとの接触によって充填ゴム中に移動することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月23日(2012.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プレーナ型の半導体素子を半導体層の内部から上方にわたって形成するための方法において、
トレンチを第１活性領域に隣接して形成する工程と、
前記トレンチに絶縁材料を充填する工程と、
前記トレンチのうち、マスクパターンの第１側部と前記第１活性領域との間に位置する第１側部を露出させるように、マスクパターンを前記トレンチの中央部分の上に形成する工程と、
第１窪みを前記トレンチに残すために、前記トレンチの前記第１側部を掘り込むエッチングを行う工程と、
第１エピタキシャル領域が前記第１窪みを完全に充填するように前記第１エピタキシャル領域を前記第１窪みに成長させて、前記第１活性領域を延長して前記第１窪みを含むように、第１拡幅活性領域を形成する工程とを備える、方法。
【請求項２】
前記第１活性領域は、第１方向に延びる第１幅を有し、前記方法は、
プレーナ型のトランジスタを前記第１拡幅活性領域の内部から上方にわたって、前記第１方向に延在するチャネルの上にゲートを有するように形成する工程をさらに備え、前記プレーナ型のトランジスタは前記第１幅よりも広いチャネル幅を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１拡幅活性領域を化学的機械研磨する工程をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１活性領域は、第１方向に延びる第１幅を有し、前記方法は、
化学的機械研磨する前記工程の後に、プレーナ型のトランジスタを前記第１拡幅活性領域の内部から上方にわたって、前記第１方向に延在するチャネルの上にゲートを有するように形成する工程をさらに備え、前記プレーナ型のトランジスタは前記第１幅よりも広いチャネル幅を有する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
エッチングを行なう前記工程の前に、前記マスクパターンをトリミングする工程をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
トリミングする前記工程はさらに、アッシングを行う工程を含むことを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
トレンチを形成する前記工程は、トレンチを前記第１活性領域と第２活性領域との間に設けることを特徴とし、
前記マスクパターンを形成する工程は、前記トレンチのうち、前記マスクパターンの第２側部と前記第２活性領域との間に位置する第２側部を露出させることを特徴とし、
エッチングを行う工程は、前記トレンチの前記第２側部を掘り込むエッチングを行なって、第２窪みを前記トレンチに残すことを特徴とし、
成長させる工程は、第２エピタキシャル領域が前記第２窪みを完全に充填するように前記第２エピタキシャル領域を前記第２窪みに成長させて、前記第２活性領域を延長して前記第２窪みを含むように、第２拡幅活性領域を形成することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１拡幅活性領域及び前記第２拡幅活性領域を化学的機械研磨する工程をさらに備える、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
化学的機械研磨する前記工程の後に、前記第１拡幅活性領域及び前記第２活性領域の上を延在し、かつ前記第１エピタキシャル領域及び前記第２エピタキシャル領域の上にも延在するゲートを形成する工程をさらに備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記マスクパターンを形成する前記工程はさらに、前記マスクパターンがフォトレジストを含むことを特徴とし、前記方法は、エッチングを行う工程の前に、前記フォトレジストをトリミングする工程をさらに備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
プレーナ型の半導体素子を形成するために方法において、
半導体基板を設ける工程と、
トレンチを活性領域の周りに、前記活性領域の境界を画定するように形成する工程と、
前記トレンチに絶縁材料を充填して絶縁分離領域を形成する工程と、
マスクパターンが前記活性領域から離間する辺を有することにより、前記絶縁分離領域の露出領域が、前記マスクパターンの前記辺と前記活性領域との間に現われるようにするように、マスクパターンを前記絶縁分離領域の上に形成する工程と、
前記露出領域を掘り込むエッチングを行って窪みを形成する工程と、
前記窪みを完全にふさぐように前記窪みに半導体材料を充填して拡幅活性領域を、半導体材料が充填された前記窪みと前記活性領域との合体構造として形成する工程と、
前記拡幅活性領域を化学的機械研磨する工程とを備える、方法。
【請求項１２】
エッチングを行なう工程の前に、前記マスクパターンをトリミングする工程をさらに備える、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
ゲートを前記拡幅活性領域の上に形成する工程をさらに備える、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記ゲートを形成する工程は、前記ゲートが、半導体材料が充填された前記窪みの上を延在することを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記マスクパターンを形成する工程は、前記露出領域が、前記活性領域の全周に延在することを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
プレーナ型のトランジスタを前記活性領域の内部から上方にわたって形成する工程をさらに備え、前記プレーナ型のトランジスタが、半導体材料が充填され、かつ２つの異なる位置に在る前記窪みの上を延在するゲートを有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記窪みをふさぐように前記半導体材料を充填する前記工程は、前記半導体材料をエピタキシャル成長させることを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
上面を有する半導体構造と、
絶縁材料から成り、かつ前記上面から第１深さまで延在する絶縁分離領域と、
半導体材料から成り、かつ中央部分及び隣接部分を有する活性領域と、を備え、
前記中央部分は、前記上面から少なくとも前記第１深さまで延在し、
前記隣接部分は、前記上面に位置する上側部分と、第２深さにしか達しない下側部分とを有し、
前記第２深さは前記第１深さよりも浅く、
前記隣接部分は、前記中央部分と絶縁分離領域との間に在って、前記上側部分から前記下側部分にまで達し、
前記絶縁分離領域は、前記隣接部分の前記下側部分の直下に在る、
半導体素子。
【請求項１９】
前記活性領域の前記中央部分及び前記隣接部分の上にゲートをさらに備える、請求項１８に記載の半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月19日(2012.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界効果トランジスタ（２５０）のドレイン及びソース領域（２５３）であって歪誘起半導体合金（２５５）を備えているドレイン及びソース領域（２５３）をアクティブ半導体領域（２０３Ａ）内に形成することと、
前記アクティブ半導体領域（２０３Ａ）内の拡散阻害種（２５６Ａ）を前記ドレイン及びソース領域（２５３）によって形成されるＰＮ接合の少なくとも一部分に対応する空間的に制限された区域に位置させることと、
前記ドレイン及びソース領域（２５３）内のドーパントを活性化させるために前記ドレイン及びソース領域（２５３）を焼鈍することとを備えた方法。
【請求項２】
前記拡散阻害種（２５６Ａ）は炭素及び窒素の少なくとも１つを備えている、請求項１の方法。
【請求項３】
前記拡散阻害種（２５６Ａ）は注入プロセスを実行することによって前記空間的に制限された区域内に位置させられる、請求項１の方法。
【請求項４】
前記注入プロセスは前記ドレイン及びソース領域（２５３）の少なくとも深いドレイン及びソース区域を形成することよりも前に実行される、請求項３の方法。
【請求項５】
前記空間的に制限された区域は前記ＰＮ接合の全長に実質的に沿って延在するように形成される、請求項１の方法。
【請求項６】
前記ドレイン及びソース領域（２５３）内にキャビティ（２０６）を形成し、選択的エピタキシャル成長プロセスを実行して前記キャビティ（２０６）内に前記半導体合金（２５５）を埋めることによって前記歪誘起半導体合金（２５５）を形成することを更に備えた、請求項１の方法。
【請求項７】
前記キャビティを形成することは前記アクティブ半導体領域の材質の結晶軸に関して実質的に等方的なエッチング挙動を有するエッチングプロセスを実行することを備えている、請求項６の方法。
【請求項８】
結晶性の半導体領域（３０３）の一部の上方に形成されるゲート電極構造（３５１Ａ）に隣接して前記結晶性の半導体領域（３０３）内にキャビティ（３０６）を形成することと、
前記キャビティ（３０６）内に歪誘起半導体合金（３５５）を形成することと、
前記ゲート電極構造（３５１Ａ）に隣接して前記半導体領域（３０３）内にドレイン及びソース領域を形成することとを備えた方法であって、
前記結晶性の半導体領域は立方格子構造を備えており、前記キャビティ（３０６）は前記結晶性の半導体領域の表面方位によって規定される第２の結晶方向と実質的に等価な第１の結晶方向に対応する長さ方向を規定している方法。
【請求項９】
前記キャビティ（３０６）を形成することは前記半導体領域の材質の結晶方位に関して実質的に等方的なエッチング挙動を有するエッチングプロセスを実行することを備えている、請求項８の方法。
【請求項１０】
前記ドレイン及びソース領域によって前記半導体領域の中間部分と共に形成されるＰＮ接合の一部の少なくとも近傍に拡散阻害種（３５６）を位置させることを更に備えた、請求項８の方法。
【請求項１１】
前記拡散阻害種（３５６）は注入プロセスを実行することによって位置させられる、請求項１０の方法。
【請求項１２】
前記注入プロセスはドーパント種を導入して前記ドレイン及びソース領域を形成するように実行される１つ以上の更なる注入プロセスとは別個に実行される、請求項１１の方法。
【請求項１３】
前記拡散阻害種（３５６）は炭素、窒素及びフッ素の少なくとも１つを備えている請求項１２の方法。
【請求項１４】
基板の上方に形成されるトランジスタ（２５０）を備えた半導体デバイスであって、前記トランジスタは、
ドーパント種としてのホウ素に基くアクティブ領域内に形成され、前記トランジスタ（２５０）のチャネル領域と共にＰＮ接合を形成し、歪誘起半導体合金（２５５）を含むドレイン及びソース領域（２５３）と、
前記ＰＮ接合の少なくとも一部に沿って位置されられる非ドープの拡散阻害種（２５６Ａ）とを備えている半導体デバイス。
【請求項１５】
前記非ドープの拡散阻害種は炭素及び窒素の少なくとも１つを備えている、請求項１４の半導体デバイス。
【請求項１６】
前記チャネル領域における前記拡散阻害種の濃度は前記拡散阻害種の最大濃度よりも少なくとも２桁小さい、請求項１４の半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月7日(2011.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン含有基材を研磨するための化学機械研磨（ＣＭＰ）法であって、
（ａ）シリコン含有基材の表面を、研磨パッド並びに
（ｉ）水性担体、
（ｉｉ）セリア研削材、
（ｉｉｉ）４〜９のｐＫaを有する官能基を保持する研磨添加剤、及び
（ｉｖ）親水性部分及び親油性部分を有し、前記親水性部分が５００ｇ／ｍｏｌ以上の数平均分子量を有する非イオン性界面活性剤、
を含むＣＭＰ組成物と接触させるステップであって、
前記ＣＭＰ組成物のｐＨが７以下であるステップと、
（ｂ）前記基材の表面の少なくとも一部を研削するために、前記ＣＭＰ組成物の一部と前記基材との接触を維持しつつ、前記研磨パッドと前記基材との間の相対運動を引起こし、それにより前記基材を研磨するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記親水性部分が、１０００ｇ／ｍｏｌ以上の数平均分子量を有する、請求項１に記載のＣＭＰ法。
【請求項３】
前記研磨添加剤が、複素環式アミン、アミノカルボン酸、アリールアミン、脂肪族アミン、ヒドロキサム酸、環式モノカルボン酸、不飽和モノカルボン酸、置換フェノール、スルホンアミド、チオール、それらの塩、及びそれらの組合せからなる群から選択される、請求項１に記載のＣＭＰ法。
【請求項４】
前記親水性部分がポリオキシエチレン基を含む、請求項１に記載のＣＭＰ法。
【請求項５】
前記界面活性剤が、８〜２０の範囲の親水性親油性バランス（ＨＬＢ）値を有する、請求項１に記載のＣＭＰ法。
【請求項６】
前記界面活性剤が、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリジメチコンコポリマー、及びポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレンコポリマーのうち１以上を含む、請求項１に記載のＣＭＰ法。
【請求項７】
前記ｐＨが２〜７である、請求項１に記載のＣＭＰ法。
【請求項８】
前記界面活性剤が、５ｐｐｍ〜１０，０００ｐｐｍの範囲の濃度で前記ＣＭＰ組成物中に存在する、請求項１に記載のＣＭＰ法。
【請求項９】
前記ＣＭＰ組成物中の前記セリアが、０．００５質量％〜０．５質量％の濃度で存在する、請求項１に記載のＣＭＰ法。
【請求項１０】
前記セリア研削材が、１０ｎｍ〜１８０ｎｍの平均一次粒子径を有する、請求項１に記載のＣＭＰ法。
【請求項１１】
７以下のｐＨを有し、且つセリア研削材と、４〜９のｐＫaを有する官能基を保持する研磨添加剤と、親水性部分及び親油性部分を有し、前記親水性部分が５００ｇ／ｍｏｌ以上の数平均分子量を有する非イオン性界面活性剤とを含有する水性担体を含むＣＭＰ組成物。
【請求項１２】
前記界面活性剤が、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリジメチコンコポリマー、及びポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレンコポリマーのうち１以上を含む、請求項１１に記載のＣＭＰ組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月10日(2012.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の画素アレイを有する第一のセンサ層であって、前記画素の各々は入射光に応答して電荷を収集するフォトディクテクタ、電荷−電圧変換機構及び前記フォトディテクタから前記電荷−電圧変換機構まで電荷を選択的に輸送するトランスファゲートを含み、当該第一のセンサ層は第一の予め選択された領域の波長を有する光を集光する厚みを有し、当該第一のセンサ層は、当該第一のセンサ層上の前記トランスファゲートに接続された１つ以上の金属層を更に含む、第一のセンサ層；
前記第一のセンサ層の上に位置する第二のセンサ層であって、当該第二のセンサ層は第二の画素アレイを有し、前記画素の各々は入射光に応答して電荷を収集するフォトディクテクタ、電荷−電圧変換機構及び前記フォトディテクタから前記電荷−電圧変換機構まで電荷を選択的に輸送するトランスファゲートを含み、当該第二のセンサ層は第二の予め選択された領域の波長を有する光を集光する厚みを有し、当該第二のセンサ層は、当該第二のセンサ層上の前記トランスファゲートに接続された１つ以上の金属層を更に含む、第二のセンサ層；
前記第一のセンサ層の下に位置する回路層であって、当該回路層は前記第一のセンサ層及び前記第二のセンサ層の画素に対するサポート回路を有する、回路層；及び
前記第一のセンサ層及び前記第二のセンサ層の画素と、前記サポート回路との間の層間接続体：
を含む、イメージセンサ。
【請求項２】
前記回路層は、前記第一のセンサ層及び前記第二のセンサ層の電荷−電圧変換機構と結合される電荷−電圧変換機構を含む、請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項３】
前記回路層は画素アレイをさらに含み、前記画素の各々は入射光に応答して電荷を収集するフォトディテクタ、電荷−電圧変換機構及び前記フォトディテクタから前記電荷−電圧変換機構まで電荷を選択的に輸送するトランスファゲートを含む、請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項４】
複数のフォトダイオードが、共通の電荷−電圧変換機構に接続される、請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項５】
前記回路層は電荷−電圧変換機構を含み、前記層間接続体は更に、前記第一のセンサ層と前記第二のセンサ層の電荷−電圧変換機構と、前記回路層の電荷−電圧変換機構との間に接続される、請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項６】
前記層間接続体を供する行及び列選択回路をさらに含む、請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項７】
前記第二のセンサ層の上に位置するカラーフィルタアレイをさらに含む、請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項８】
前記第二のセンサ層の上に位置する第三のセンサ層をさらに含み、前記第三のセンサ層は、第三の画素アレイを有し、前記画素の各々は入射光に応答して電荷を収集するフォトディクテクタ、電荷−電圧変換機構及び前記フォトディテクタから前記電荷−電圧変換機構まで電荷を選択的に輸送するトランスファゲートを含み、前記第三のセンサ層は第三の予め選択された領域の波長を有する光を集光する厚みを有し、前記第三のセンサ層は、当該第三のセンサ層上の前記トランスファゲートに接続された１つ以上の金属層を更に含む、請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項９】
前記第三のセンサ層の上に位置する第四のセンサ層をさらに含み、前記第四のセンサ層はある厚みを有し、第四の予め選択された領域の波長を有する光を集光し、前記第一の予め選択された領域の波長、前記第二の予め選択された領域の波長、前記第三の予め選択された領域の波長又は前記第四の予め選択された領域の波長の少なくとも１つは、可視周波数領域の外側にある、請求項８に記載のイメージセンサ。
【請求項１０】
第一の画素アレイを有する第一のセンサ層であって、前記画素の各々は入射光に応答して電荷を収集するフォトディクテクタ、電荷−電圧変換機構及び前記フォトディテクタから前記電荷−電圧変換機構まで電荷を選択的に輸送するトランスファゲートを含み、当該第一のセンサ層は第一の予め選択された領域の波長を有する光を集光する厚みを有し、当該第一のセンサ層は、当該第一のセンサ層上の前記トランスファゲートに接続された１つ以上の金属層を更に含む、第一のセンサ層；
前記第一のセンサ層の上に位置する回路層であって、当該回路層は第二の画素アレイを有し、前記画素の各々は入射光に応答して電荷を収集するフォトディクテクタ、電荷−電圧変換機構及び前記フォトディテクタから前記電荷−電圧変換機構まで電荷を選択的に輸送するトランスファゲートを含み、当該回路層は前記第一の画素アレイ及び前記第二の画素アレイに対するサポート回路を有し、当該回路層は第二の予め選択された領域の波長を有する光を集光する厚みを有する、回路層；
前記第一のセンサ層及び前記回路層の画素と、前記サポート回路との間の層間接続体；及び
前記第一のセンサ層の上に位置するカラーフィルタアレイ：
を含む、イメージセンサ。
【請求項１１】
前記層間接続体は、前記第一のセンサ層の電荷−電圧変換機構と、前記回路層の電荷−電圧変換機構との間に接続される、請求項１０に記載のイメージセンサ。
【請求項１２】
前記層間接続体を供する行及び列選択回路をさらに含む、請求項１０に記載のイメージセンサ。
【請求項１３】
第一の層の中に位置する第一の画素カーネルを供する工程；
前記第一の層の上の第二の層の中に位置する第二の画素カーネルを供する工程；
前記第一の画素カーネルの画素から第一の電荷−電圧変換機構まで第一の電荷を輸送する工程；
前記第二の画素カーネルの画素から第二の電荷−電圧変換機構まで第二の電荷を輸送する工程；及び
前記第一の電荷及び前記第二の電荷を、共通の電荷−電圧変換機構まで輸送する工程：
を含む、イメージセンサの画素をビニングする方法。
【請求項１４】
前記第二の層の上の第三の層の中に位置する第三の画素カーネルを供する工程；
前記第三の画素カーネルの画素から第三の電荷−電圧変換機構まで第三の電荷を輸送する工程；
前記第一の電荷、前記第二の電荷及び前記第三の電荷を、前記共通の電荷−電圧変換機構まで輸送する工程：
をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第一の電荷を輸送する工程は、複数の画素から前記第一の電荷−電圧変換機構まで複数の電荷を輸送する工程を含む、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月21日(2012.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
本発明の前述の態様のいずれかに従って生成されるナノ粒子は、半導体ナノ粒子、たとえば、コアナノ粒子、コアシェルナノ粒子、傾斜したナノ粒子またはコアマルチシェルナノ粒子であるのが好ましい。前記ナノ粒子は、周期表の第１１、１２、１３、１４、１５または１６族など、ただしこれに限らない周期表のあらゆる好適な族から選択される１または複数のイオン、遷移金属イオン  及び／または、d-ブロック  金属イオンを含むのが好ましい。ナノ粒子コアおよび／またはシェル（必要な場合）は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＰ、ＡｌＳ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅとその組み合せから成る群から選択される１または複数の半導体物質を含んでもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月26日(2012.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子機器匡体（１００）に互いに近接して実装した複数の電子部品（１０８、１０９、１０６）を冷却するシステムにおいて：
熱を熱的に伝導し、前記電子機器匡体（１００）に実装するように構成された冷却板であって、前記複数の電子部品（１０８、１０９、１０６）に近接して実装する第１の表面と、前記複数の電子部品から離れて実装する第２の表面を有する冷却板と；
一またはそれ以上のヒートライザ（１０２、１０４、１１２）であって、当該一またはそれ以上のヒートライザ（１０２、１０４、１１２）の各々が前記複数の電子部品（１０８、１０９、１０６）の少なくとも一つに熱的に接合された第１および第２の端部を有するヒートライザと；
前記冷却板の第１の表面に熱的に接合された第１の熱インターフェース層（１０１、１０３）と；
前記第１の熱インターフェース層に連結され、前記一またはそれ以上のヒートライザ（１０２、１０４、１１２）に熱的に接合された第２の熱インターフェース層（１０１、１０３）と；
を具えることを特徴とするシステム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムにおいて、前記電子機器匡体（１００）が標準１Ｕタイプの電子機器匡体（１００）であることを特徴とするシステム。
【請求項３】
請求項１または２に記載のシステムにおいて、前記冷却板が熱伝導材料で作られており、前記電子機器匡体（１００）の蓋（１１１）を形成していることを特徴とするシステム。
【請求項４】
請求項１乃至３に記載のシステムにおいて、前記一またはそれ以上のヒートライザ（１０２、１０４、１１２）の少なくとも一つが、前記複数の電子部品（１０８、１０９、１０６）の少なくとも一つに熱的に接合する第１の表面を有し、当該第１の表面が第１の表面積を有し、前記一またはそれ以上のヒートライザ（１０２、１０４、１１２）の少なくとも一つが前記冷却板に熱的に接合する第２の表面を有し、当該第２の表面が前記第１の表面積より約２乃至２０倍大きい第２の表面積を有することを特徴とするシステム。
【請求項５】
請求項１乃至４に記載のシステムにおいて、前記一またはそれ以上のヒートライザ（１０２、１０４、１１２）の少なくとも一つが、第１の熱伝導プレート（３０２）と第２の熱伝導プレート（３０３）に固定された複数のヒートパイプ（３０１）でできており、前記第１の熱伝導プレート（３０２）が前記複数のヒートパイプ（３０１）の各端部に熱的に接合されており、前記第２の熱伝導プレート（３０３）が前記複数のヒートパイプ（３０１）の別の部分に熱的に接合されていることを特徴とするシステム。
【請求項６】
請求項１乃至４に記載のシステムにおいて、前記一又はそれ以上のヒートライザ（１０２、１０４、１１２）の少なくとも一つが、第１の熱伝導プレート（３０２）と第２の熱伝導プレート（３０３）に固定された平坦なヒートパイプ（４０１）でできており、前記第１の熱伝導プレートが当該平坦なヒートパイプ（４０１）の各端部に熱的に接合されており、前記第２の熱伝導プレートが前記平坦なヒートパイプ（４０１）の別の部分に熱的に接合されていることを特徴とするシステム。
【請求項７】
請求項１乃至４に記載のシステムにおいて、前記一またはそれ以上のヒートライザ（１０２、１０４、１１２）の少なくとも一つが、フレキシブル熱伝導材料でできたスプリングライザ（５００）であることを特徴とするシステム。
【請求項８】
請求項１乃至７に記載のシステムにおいて、第１および第２の熱インターフェース層（８０１、８０２）が、熱伝導流体で満たされたバッグを形成することを特徴とするシステム。
【請求項９】
請求項８に記載のシステムにおいて、前記バッグがＥＭＩシールドを提供するよう金属化されていることを特徴とするシステム。
【請求項１０】
請求項１乃至９に記載のシステムにおいて、前記冷却板が柔軟な蒸気チャンバであり、当該柔軟な蒸気チャンバが弾性のある熱伝導材料で作られて熱伝導流体を封入しており、前記冷却板の第１の表面に発生した熱は、前記熱伝導流体を利用することによって前記冷却板内の閉回路蒸気サイクルにより前記冷却板の第２の表面に移動することを特徴とするシステム。
【請求項１１】
請求項１乃至１０に記載のシステムがさらに：
前記電子機器匡体（１００）上に実装するように構成された蓋（１１１）であって、前記複数の電子部品（１０８、１０９、１０６）の近位側に実装する第１の表面と、前記複数の電子部品（１０８、１０９、１０６）から離れて実装する第２の表面とを有し、更に、前記一またはそれ以上のヒートライザ（１０２、１０４、１１２）を前記蓋を通して収納するように配置された孔を有する蓋を具えており、
前記第１および第２の熱インターフェース層（１０１、１０３）が前記一またはそれ以上のヒートライザ（１０２、１０４、１１２）の第２の端部を前記冷却板に熱的に接合することを特徴とするシステム。
【請求項１２】
電子機器匡体（１００）中の複数の発熱部品（１０８、１０９、１０６）を冷却板に熱的に接続する方法において：
前記複数の発熱部品（１０８、１０９、１０６）の各々の電力放散を計算するステップと；
前記冷却板と前記複数の発熱部品（１０８、１０９、１０６）間の許容できる熱の上昇を決定するステップと；
前記許容できる熱の上昇を維持する許容できる熱インピーダンスを決定するステップと；
前記複数の発熱部品（１０８、１０９、１０６）の各々から前記冷却板へ熱を伝達するための前記冷却板の表面積を計算するステップと；
前記熱インピーダンスに基づいて複数のヒートライザ（１０２、１０４、１１２）の各々のタイプを選択するステップであって、前記複数のヒートライザ（１０２、１０４、１１２）の少なくとも一つが前記複数の発熱部品（１０８、１０９、１０６）の各々と関連しているステップと；
を具えることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１１に記載のシステムにおいて、前記第２の熱インターフェース層（１０１、１０３；８０１、８０２）に連結された前記第１の熱インターフェース層（１０１、１０３；８０１、８０２）が前記冷却板に対してキャビティを形成し、熱伝導流体は前記キャビティ内に封入されることを特徴とするシステム。
【請求項１４】
請求項１乃至１１および１３に記載のシステムにおいて、前記第１の熱インターフェース層（１０１、１０３；８０１、８０２）が実質的にアルミニウムで構成されており、前記第２の熱インターフェース層（１０１、１０３；８０１、８０２）が実質的にポリエステルで構成されていることを特徴とするシステム。
【請求項１５】
請求項１乃至１１および１３乃至１４に記載のシステムにおいて、熱伝導流体で満たされたキャビティを形成するために前記第１の熱インターフェース層（１０１、１０３；８０１、８０２）が前記第２の熱インターフェース層（１０１、１０３；８０１、８０２）に連結されており、前記第１の熱インターフェース層（１０１、１０３；８０１、８０２）は電子機器匡体（１００）の蓋（１１１）であることを特徴とするシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月18日(2012.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
充電式電池のカソード活性材料としてのリチウム金属ホスフェート／炭素ナノコンポジットを合成するための方法であって、リチウム、遷移金属（複数可）およびホスフェートの前駆体をリン酸化炭素と混合し反応させることを含む方法。
【請求項２】
以下のステップ：
ａ）リン酸またはリン酸塩またはリン酸エステルを含む活性化剤をセルロース質前駆体に含浸するステップ、
ｂ）含浸セルロース質前駆体を加熱することによって大比表面積のリン酸化炭素を生成するステップ、
ｃ）こうして得られたリン酸化炭素をリチウム、遷移金属、任意選択のドーパントおよび必要であれば追加のホスフェートの前駆体と混合するステップ、
ｄ）ステップｃ）の混合物を加熱することによってリチウム金属ホスフェートと炭素のナノコンポジットを生成するステップ
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
セルロース質前駆体が、木材（例えば、広葉樹材、針葉樹材、木材チップ、木材粉、鋸くず）、麦わらのような農業残渣、ナッツ殻（例えば、ココナツ、アーモンドもしくはパームナッツ殻）、ナッツ種、果実核（例えば、オリーブ、サクランボもしくは桃の核）、木綿、麻、ジュート、樹皮、コルク、セルロースパルプ、紙またはそれらの混合物などの植物性材料である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
セルロース質前駆体が、セルロースパルプ、紙もしくは木綿またはそれらの混合物である、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
セルロース質前駆体が、約０．１から５．０、好ましくは、約０．５から約２．０の範囲の含浸比（ホスフェートまたはリン酸とセルロース質前駆体の乾燥基準の重量比）で、リン酸またはリン酸塩またはリン酸エステルの溶液、好ましくは、オルトリン酸Ｈ３ＰＯ４を用いて含浸される、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
金属化合物などのグラファイト化触媒がステップａ）で添加される、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
ステップａ）の含浸セルロース質前駆体が、約４５０℃から約１０００℃の範囲の温度まで加熱される、請求項２に記載の方法。
【請求項８】
加熱速度が、十分に速く、発泡によって材料の構造をゆるくする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ホスフェート前駆体が、Ｈ３ＰＯ４、ＨＰＯ３、Ｐ２Ｏ５、ＬｉＨ２ＰＯ４、Ｌｉ２ＨＰＯ４、Ｌｉ３ＰＯ４、リチウム金属ホスフェートもしくはポリリン酸リチウム、ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４、（ＮＨ４）２ＨＰＯ４、または主生成物を劣化させる副生物を生成しない任意のホスフェート化合物、あるいはそれらの混合物である、請求項２に記載の方法。
【請求項１０】
炭素が、炭素−酸素−リン（Ｃ−Ｏ−Ｐ）ブリッジを介してリチウム金属ホスフェートと共有結合している、請求項１に従って得られるリチウム金属ホスフェート／炭素ナノコンポジット。
【請求項１１】
リチウム金属ホスフェートが、他の元素を場合によりドープした、リチウム鉄ホスフェートＬｉＸＦｅＰＯ４である、請求項１に従って得られるリチウム金属ホスフェート／炭素ナノコンポジット。
【請求項１２】
リチウム金属ホスフェートが、他の元素を場合によりドープした、リチウムマンガン鉄ホスフェートＬｉｘＭｎｙＦｅ１−ｙＰＯ４である、請求項１に従って得られるリチウム金属ホスフェート／炭素ナノコンポジット。
【請求項１３】
カソード、アノードおよび電解質を含み、前記カソードが、請求項１０から１２のいずれか１項に記載のリチウム金属ホスフェート／炭素ナノコンポジットを含む充電式電池。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月26日(2012.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低誘電率膜を堆積させる方法であって、
一般構造：
2011530174.tif 000001
（式中、Ｒ５はそれぞれ、独立に、ＣＨ３、ＣＨ＝ＣＨ２、ＯＣＨ３、ＯＣ２Ｈ５、Ｈ、およびＯＨからなる群から選択され、且つｅが１から３である）
を有する化合物を含む１種または複数の有機ケイ素化合物をチャンバに導入するステップと、
ポロゲンをチャンバに導入するステップと、
１種または複数の有機ケイ素化合物とポロゲンをＲＦ出力の存在下で反応させて、チャンバ中において低誘電率膜を基板上に堆積させるステップと、次いで
低誘電率膜を後処理して、低誘電率膜からポロゲンを実質的に除去するステップと
を含む方法。
【請求項２】
後処理した低誘電率膜がＳｉ−Ｃｘ−Ｓｉ結合を含み、ｘが１から４である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
１種または複数の有機ケイ素化合物が、テトラメチル−２，５−ジシラ−１−オキサシクロペンタン、またはテトラメチルジシラフランを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
１種または複数の有機ケイ素化合物をチャンバに導入するステップが、１種または複数の有機ケイ素化合物を第１の流量で導入し、第２の流量に増加させるステップを含み、ポロゲンをチャンバに導入するステップが、ポロゲンを第３の流量で導入し、第４の流量に増加させるステップを含み、１種または複数の有機ケイ素化合物が、ポロゲンが第４の流量に増加される前に、第２の流量に増加される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
後処理するステップが、紫外線（ＵＶ）処理、電子ビーム（ｅ−ビーム）処理、または熱アニール処理を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
ポロゲンが、環状炭化水素化合物を含む、請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月6日(2012.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つのシートと、
少なくとも一つの巻線と、を備え、
前記少なくとも一つのシートは略平面であり、
前記少なくとも一つの巻線の少なくとも一部分は前記少なくとも一つのシートと結合され、
前記少なくとも一つのシートは前記少なくとも一つの巻線の少なくとも一部分に対して積層される、磁性部品。
【請求項２】
前記少なくとも一つの巻線は、予め形成されたコイル、導体箔、導電性の配線及びクリップのうちの一つを備える、請求項１に記載の磁性部品。
【請求項３】
前記少なくとも一つの巻線は、化学的エッチング、フォトエッチング、レーザーエッチング及びめっきのうちの一つにより前記少なくとも一つのシートの面上で形成される導電性の配線を備える、請求項１に記載の磁性部品。
【請求項４】
前記少なくとも一つのシートは磁性粉シートである、請求項１に記載の磁性部品。
【請求項５】
前記少なくとも一つの巻線は複数の巻線からなり、
前記複数の巻線は直列に形成される、請求項１に記載の磁性部品。
【請求項６】
前記少なくとも一つの巻線は複数の巻線からなり、
前記複数の巻線は並列に形成される、請求項１に記載の磁性部品。
【請求項７】
前記少なくとも一つの巻線と結合される、少なくとも一つの表面実装の終端をさらに備える、請求項１に記載の磁性部品。
【請求項８】
前記少なくとも一つのシートは複数のシートからなり、
前記複数のシートは互いの上で位置合わせされる、請求項１に記載の磁性部品。
【請求項９】
前記少なくとも一つの巻線は第１のシートの面と結合され、
前記少なくとも一つの巻線は前記面上のパターンを形成する、請求項８に記載の磁性部品。
【請求項１０】
電流が前記少なくとも一つの巻線を通って流れるときに形成される磁場をさらに有し、
前記磁場は、前記少なくとも一つの巻線によって形成される穴を通って垂直方向に生成される、請求項９に記載の磁性部品。
【請求項１１】
前記少なくとも一つの巻線の第１の部分が第１のシート上に形成され、
前記少なくとも一つの巻線の第２の部分が第２のシート上に形成され、
前記第１の部分及び前記第２の部分はパターンを形成するように相互に結合される、請求項８に記載の磁性部品。
【請求項１２】
前記第１の部分は複数のビアを通って前記第２の部分と結合される、請求項１１に記載の磁性部品。
【請求項１３】
電流が前記少なくとも一つの巻線を通って流れるときに形成される磁場をさらに有し、
前記磁場は、前記少なくとも一つの巻線によって形成される穴を通って水平方向に生成される、請求項１１に記載の磁性部品。
【請求項１４】
前記少なくとも一つの巻線は平行に配向された複数の巻線からなる、請求項１１に記載の磁性部品。
【請求項１５】
電流が前記複数の巻線を通って流れるときに形成される磁場をさらに有し、
前記磁場は、前記複数の巻線によって形成される穴を通って水平方向に生成される、請求項１４に記載の磁性部品。
【請求項１６】
電流が前記複数の巻線を通って流れるときに形成される磁場をさらに有し、
前記磁場は、前記複数の巻線によって形成される複数の平行する穴を通って水平方向に生成される、請求項１４に記載の磁性部品。
【請求項１７】
前記少なくとも一つの巻線は単一の巻線であり、
前記パターンは蛇行している、請求項１１に記載の磁性部品。
【請求項１８】
電流が前記単一の巻線を通って流れるときに形成される磁場をさらに有し、
前記磁場は、前記単一の巻線によって形成される複数の平行する穴を通って水平方向に生成される、請求項１７に記載の磁性部品。
【請求項１９】
前記パターンはドーナッツ形である、請求項１１に記載の磁性部品。
【請求項２０】
電流が前記少なくとも一つの巻線を通って流れるときに形成される複数の磁場をさらに有する、請求項１９に記載の磁性部品。
【請求項２１】
第１の磁場が垂直方向に生成され、
第２の磁場が、前記少なくとも一つの巻線によって形成される穴を通って第２の方向に生成される、請求項２０に記載の磁性部品。
【請求項２２】
プリント基板をさらに備え、
前記少なくとも一つの巻線の第１の部分が前記プリント基板上に形成され、
前記少なくとも一つの巻線の第２の部分が第２のシート上に形成され、
前記第１の部分及び前記第２の部分は渦巻き状のパターンを形成するように相互に結合される、請求項８に記載の磁性部品。
【請求項２３】
前記少なくとも一つの巻線は、前記少なくとも一つのシートの一つのエッジから前記少なくとも一つのシートの相対するエッジへ、略直線方向に進む、請求項１に記載の磁性部品。
【請求項２４】
前記少なくとも一つの巻線は複数の巻線からなり、
前記複数の巻線は並列に形成される、請求項２３に記載の磁性部品。
【請求項２５】
前記少なくとも一つの巻線は、相対する端を有する少なくとも一つのクリップを備え、
前記少なくとも一つのクリップは、前記少なくとも一つのシートの相対するエッジを越えて、略直線方向に伸び、
前記少なくとも一つのクリップの前記相対する端は表面実装の複数の端子を形成する、請求項２３に記載の磁性部品。
【請求項２６】
前記少なくとも一つのクリップは複数のクリップからなり、
前記複数のクリップは並列に形成される、請求項２５に記載の磁性部品。
【請求項２７】
前記少なくとも一つのシートは単一のシートであり、
前記単一のシートは前記少なくとも一つのクリップの周りに巻かれる、請求項２５に記載の磁性部品。
【請求項２８】
前記少なくとも一つの巻線及び前記少なくとも一つのシートは間に隙間なく相互に隣接して配置される、請求項１に記載の磁性部品。
【請求項２９】
少なくとも一つのシートを提供することと、
少なくとも一つの巻線の少なくとも一部分を前記少なくとも一つのシートと結合することと、
前記少なくとも一つのシートを前記少なくとも一つの巻線の少なくとも一部分に重ねて積層することと、を含み、
前記少なくとも一つのシートは略平面である、磁性部品の形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月1日(2012.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷却体（２）を有する照明器具（１）であって、
前記冷却体（２）は、蓋面（２１）と底部面（２２）と２つの区分（２３）とを有し、
前記区分（２３）は相互に重なって配置されており、
前記区分（２３）はそれぞれ、前記蓋面（２１）および前記底部面（２２）に対して横方向に配置された側面（２３１）を有し、該側面（２３１）に少なくとも１つの発光ダイオード（３）が取り付けられ、
少なくとも１つの区分（２３）の側面（２３１）が、回転軸（５）を中心として回転可能である
ことを特徴とする、照明器具。
【請求項２】
前記蓋面（２１）の面積は前記底部面（２２）の面積より大きく、
前記蓋面（２１）に近い区分の底面の面積は、該蓋面（２１）から遠い区分（２３）の底面の面積より大きい、請求項１記載の照明器具。
【請求項３】
前記区分（２３）は３つ以上であり、
前記区分（２３）の幾何学的形状は相互に類似し、
前記区分（２３）の底面の面積は、前記冷却体（２）の蓋面（２１）に近いほど大きい、請求項１または２記載の照明器具。
【請求項４】
前記冷却体（２）は少なくとも局所的に、角錐台形または円錐台形の包絡線を有し、
前記区分（２３）は階段状に配置されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の照明器具。
【請求項５】
前記冷却体（２）は少なくとも局所的に円柱形の包絡線を有する、請求項１から４までのいずれか１項記載の照明器具。
【請求項６】
前記区分（２３）の底面はそれぞれｎ角形であり、各区分（２３）はｎ個の側面を有する、ただし、ｎは２より大きい自然数である、請求項１から５までのいずれか１項記載の照明器具。
【請求項７】
前記区分（２３）の各底面は丸い、請求項１から６までのいずれか１項記載の照明器具。
【請求項８】
前記区分（２３）は、前記冷却体（２）の中心軸（４）を基準として対称的に配置されているか、または実質的に対称的に配置されている、請求項１から７までのいずれか１項記載の照明器具。
【請求項９】
前記区分（２３）は、相互に結合されて前記冷却体（２）を構成する該冷却体（２）の構成要素である、請求項１から８までのいずれか１項記載の照明器具。
【請求項１０】
前記回転軸（５）は、前記蓋面（２１）および／または前記冷却体の底部面（２２）に対して平行であるか、または実質的に平行である、請求項１記載の照明器具。
【請求項１１】
少なくとも１つの区分（２３）の側面（２３１）のうち少なくとも１つの側面（２３１）に、該側面（２３１）に配置された前記発光ダイオード（３）を電気的にコンタクトするための接続用支持体（６）が取り付けられている、請求項１から１０までのいずれか１項記載の照明器具。
【請求項１２】
前記蓋面（２１）に、前記発光ダイオード（３）に通電するための少なくとも１つの制御装置（７）および／または調整装置（７）が取り付けられている、請求項１から１１までのいずれか１項記載の照明器具。
【請求項１３】
街灯の光源としての、請求項１から１２までのいずれか１項記載の照明器具の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月29日(2012.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光起電装置の少なくとも１つのパターン化粒子層を製造する方法であって、
ａ．流動化ユニットに乾燥粉体を供給する工程、
ｂ．前記粉体を流動化して流体流れを形成する工程、
ｃ．可変量の前記流体流れをノズルを通じて基材に向ける手段を含む印刷ユニットに前記流体流れを搬送する工程、及び
ｄ．前記基材に向けられなかった流体流れを前記流動化ユニットに再循環させる工程、を含み、前記流体流れが連続的に再循環される、方法。
【請求項２】
前記ノズルと前記基材との間の距離が１ｍｍ〜４０ｍｍである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
それぞれ少なくとも１つのノズルを有する複数の印刷ユニットを使用する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
ロール・トゥー・ロール製造方法の一部である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法により製造されたパターン化粒子層を有する光起電装置。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法により製造されたパターン化粒子層を有する色素増感太陽電池。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月16日(2011.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サンプルを画像化するために電子ビームとともに使用される装置であって、
前記サンプルに入射する前記電子ビームによって発生した電子顕微鏡信号を検出するように構成されたダウンコンバージョン検出器と、
前記ダウンコンバージョン検出器に隣接し、前記電子顕微鏡信号を検出するように構成された直接衝撃検出器であって、複数の能動画素センサーを含む直接衝撃検出器と、
前記直接衝撃検出器を前記電子顕微鏡信号に選択的に暴露する機構と、
を備える装置。
【請求項２】
前記ダウンコンバージョン検出器はシンチレータを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記機構は、前記直接衝撃検出器の上流の前記電子顕微鏡信号の伝播経路に定置可能なシャッターを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記ダウンコンバージョン検出器および前記直接衝撃検出器は単一カメラ内に組み込まれる、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記ダウンコンバージョン検出器に結合された光ファイバープレートをさらに備える請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記電子顕微鏡信号の全累積線量を測定するように構成されたファラディプレートをさらに備える請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記電子顕微鏡信号の瞬時線量を測定するように構成されたファラディプレートをさらに備える請求項１に記載の装置。
【請求項８】
電子ビームを用いてサンプルの画像を生成する方法であって、
ａ）電子顕微鏡信号を発生するために前記サンプルに前記電子ビームを印加するステップと、
ｂ）ダウンコンバージョン検出器によって前記電子顕微鏡信号を検出して検出結果を得るステップと、
ｃ）前記ダウンコンバージョン検出器の検出結果に基づいて少なくとも１つの検出パラメータを決定するステップと、
ｄ）前記検出パラメータを用いて、複数の能動画素センサーを含む直接衝撃検出器によって前記電子顕微鏡信号を検出するステップと、
を備える方法。
【請求項９】
前記サンプルは生物学的物質を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記検出パラメータが決定される前に前記直接衝撃検出器が前記電子顕微鏡信号に暴露されることを阻止するステップをさらに備える請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記ダウンコンバージョン検出器を周囲温度以下に冷却するステップをさらに備える請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記直接衝撃検出器を周囲温度以下に冷却するステップをさらに備える請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
サンプルを画像化すために電子ビームとともに使用される装置であって、
前記サンプルに入射する前記電子ビームによって発生した電子顕微鏡信号を検出するように構成された直接衝撃検出器であって、複数の能動画素センサーを含む直接衝撃検出器と、
前記直接衝撃検出器に隣接して設置されるビーム電流測定デバイスと、
前記電子顕微鏡信号が前記直接衝撃検出器に入射することを選択的に防止するように構成された機構と、
を備える装置。
【請求項１４】
電子ビームおよび直接衝撃検出器を用いてサンプルの画像を生成する方法であって、
ａ）電子顕微鏡信号を発生するために前記サンプルに前記電子ビームを印加するステップと、
ｂ）ビーム電流検出器によって前記電子顕微鏡信号を検出して検出結果を得るステップと、
ｃ）前記ビーム電流検出器の検出結果に基づいて少なくとも１つの検出パラメータを決定するステップと、
ｄ）前記検出パラメータを用いて、複数の能動画素センサーを含む前記直接衝撃検出器によって前記電子顕微鏡信号を検出するステップと、
を備える方法。