【手続補正書】
【提出日】平成23年11月15日(2011.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光を偏光し、一偏光を選択的に吸収するための選択吸収性ワイヤーグリッド偏光機器であって、
ａ）基体と、
ｂ）前記基体の上側に配設され、互いに異なる屈折率を有する少なくとも２つの薄い膜層と、
ｃ）前記少なくとも２つの膜層のうち少なくとも１つの屈折率が、前記基体の屈折率よりも大きいものであり、
ｄ）前記基体の上側に配設され、前記入射光の波長よりも長い長さと、前記入射光の波長の半分よりも短い周期とを有する延設金属素子の配列からなるワイヤーグリッド層と、
ｅ）前記少なくとも２つの膜層のうち少なくとも１つが、前記入射光に対して光学的吸収性を有する材料を含むことにより一偏光を実質的に吸収する吸収層を画定する、
ことを特徴とする選択吸収性ワイヤーグリッド偏光機器。
【請求項２】
前記少なくとも２つの膜層は、前記基体と前記ワイヤーグリッド層の間に配設された少なくとも３枚の連続膜層であることを特徴とする請求項１に記載の機器。
【請求項３】
前記少なくとも２つの膜層は、前記基体と前記ワイヤーグリッド層の間に配設されて誘電体リブの配列を伴った誘電体グリッドであり、前記ワイヤーグリッド層の前記金属素子と、前記誘電体グリッドの前記誘電体リブは、実質的に互いに平行に配向され、実質的に等しい周期を有しいていることを特徴とする請求項１に記載の機器。
【請求項４】
前記少なくとも２つの膜層は、前記ワイヤーグリッド層の上側に配設されて誘電体リブの配列を伴った誘電体層と、前記ワイヤーグリッド層と前記誘電体層の間に配設され、前記リブに直交する方向に連続した連続膜層と、からなることを特徴とする請求項１に記載の機器。
【請求項５】
前記少なくとも２つの膜層は、前記ワイヤーグリッド層の素子に対して平行に配向された平行リブの配列を形成するように不連続であることを特徴とする請求項１に記載の機器。
【請求項６】
前記少なくとも２つの膜層は、非化学量論的に成膜された金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物、金属セレン化物、及び金属硫化物と、それらの組み合わせからなるグループから選択される材料を含んでいることを特徴とする請求項１に記載の機器。
【請求項７】
前記吸収層は、非金属素子の配列からなる誘電体グリッドを有し、前記非金属及び金属の素子の配列は、実質的に互いに平行に配向され、実質的に等しい周期を有することを特徴とする請求項１に記載の機器。
【請求項８】
前記誘電体グリッドの非金属素子は、前記ワイヤーグリッド層の前記金属素子の下側に揃っていることを特徴とする請求項７に記載の機器。
【請求項９】
前記誘電体グリッドの非金属素子は、前記ワイヤーグリッド層の前記金属素子の上側にオフセットされていることを特徴とする請求項７に記載の機器。
【請求項１０】
前記吸収層の材料は、窒化ケイ素、窒化チタン、炭化チタン、炭化ケイ素、タンタル、酸化第二銅、亜酸化銅、塩化第二銅、亜塩化銅、亜硫化銅、チタン、タングステン、酸化ニオビウム、ケイ酸アルミナ、窒化ボロン、酸化ボロン、酸化タンタル、炭素、及びそれらの組み合わせからなるグループから選択されることを特徴とする請求項７に記載の機器。
【請求項１１】
前記吸収層の材料は、０．１と４．５の間の光学的パラメーターｋ値を有することを特徴とする請求項７に記載の機器。
【請求項１２】
吸収層は、１００ｎｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の機器。
【請求項１３】
前記ワイヤーグリッド層と前記少なくとも２つの膜層とは、組み合わされてリブの配列を画定し、
個々のリブの幅は、当該個々のリブの底面での幅が、当該個々のリブの上面での幅と概ね同じであることを特徴とする請求項１に記載の機器。
【請求項１４】
前記ワイヤーグリッド層と前記少なくとも２つの膜層とは、組み合わされて間に空隙を有するリブの配列を画定し、
個々のリブの幅は、当該個々のリブの底面での幅が、当該個々のリブの上面での幅と概ね同じであることを特徴とする請求項１に記載の機器。
【請求項１５】
前記延設金属素子は、アルミニウムを有し、
前記少なくとも２つの膜層は、少なくとも３つの膜層を有し、
前記少なくとも３つの膜層の少なくとも１つは、二酸化ケイ素を有し、
前記少なくとも３つの膜層の他の少なくとも１つは、ケイ素を有し、
前記少なくとも３つの膜層の他の少なくとも１つは、タンタルを有することを特徴とする請求項１に記載の機器。
【請求項１６】
入射光を偏光し、一偏光を選択的に吸収するための選択吸収性ワイヤーグリッド偏光機器であって、
ａ）ある屈折率を有する基体と、
ｂ）前記基体の上側に配設され、前記入射光の波長の半分よりも短い周期を有する平行金属配線の配列を有する偏光ワイヤーグリッド層と、
ｃ）前記基体の上側に配設され、誘電体材料が含まれる誘電体層と、
ｄ）前記基体の上側に配設され、一偏光を実質的に吸収するというような前記入射光の光学的吸収性を有する材料を含み、前記誘電体層の屈折率と異なる屈折率を有する吸収性の薄い膜層と、
を備えることを特徴とする選択吸収性ワイヤーグリッド偏光機器。
【請求項１７】
前記基体と前記ワイヤーグリッド層の間に配設された少なくとも３枚の連続膜層を更に備え、当該連続膜層は、前記配線に直交する方向に連続的であることを特徴とする請求項１６に記載の機器。
【請求項１８】
前記誘電体層は、前記基体と前記ワイヤーグリッド層の間に配設されて誘電体リブの配列を伴った誘電体グリッドを有し、前記ワイヤーグリッド層の前記金属素子と、前記誘電体グリッドの前記誘電体リブは、実質的に互いに平行に配向され、実質的に等しい周期を有しいていることを特徴とする請求項１６に記載の機器。
【請求項１９】
前記誘電体層は、誘電体リブの配列を伴って前記ワイヤーグリッド層の上側に配設され、前記ワイヤーグリッド層と前記誘電体層の間に配設され、前記リブに直交する方向に連続した連続膜層を更に備えることを特徴とする請求項１６に記載の機器。
【請求項２０】
前記機器は、可視スペクトル内の光を選択的に吸収し、前記ワイヤーグリッド層の素子の配列の周期は、３５０ｎｍ未満であり、前記吸収層の材料は、前記可視スペクトル内の光について光学的吸収性を有する材料であることを特徴とする請求項１６に記載の機器。
【請求項２１】
前記機器は、紫外スペクトル内の光を選択的に吸収し、前記ワイヤーグリッド層の素子の配列の周期は、２００ｎｍ未満であり、前記吸収層の材料は、前記紫外スペクトル内の光について光学的吸収性を有する材料であることを特徴とする請求項１６に記載の機器。
【請求項２２】
前記機器は、赤外スペクトル内の光を選択的に吸収し、前記ワイヤーグリッド層の素子の配列の周期は、５００ｎｍ未満であり、前記吸収層の材料は、前記赤外スペクトル内の光について光学的吸収性を有する材料であることを特徴とする請求項１６に記載の機器。
【請求項２３】
前記誘電体層及び前記吸収層の各々は、前記ワイヤーグリッド層の配線と平行に揃っているリブの配列を形成するように不連続であることを特徴とする請求項１６に記載の機器。
【請求項２４】
前記吸収層の材料は、窒化ケイ素、窒化チタン、炭化チタン、炭化ケイ素、タンタル、酸化第二銅、亜酸化銅、塩化第二銅、亜塩化銅、亜硫化銅、チタン、タングステン、酸化ニオビウム、ケイ酸アルミナ、窒化ボロン、酸化ボロン、酸化タンタル、炭素、及びそれらの組み合わせからなるグループから選択されることを特徴とする請求項１６に記載の機器。
【請求項２５】
前記吸収層の材料は、０．１と４．５の間の光学的パラメーターｋ値を有することを特徴とする請求項１６に記載の機器。
【請求項２６】
入射光を偏光し、一偏光を選択的に吸収するための選択吸収性ワイヤーグリッド偏光機器であって、
ａ）ある屈折率を有する基体と、
ｂ）前記基体の上側に配設された以下に列挙の少なくとも３枚の異なる薄い膜層と、
i）導電性材料を含んだ偏光層、
ii）前記基体の屈折率よりも大きい屈折率を有し、前記入射光に対して光学的吸収性を有する材料を含む吸収層、
iii）前記吸収層の屈折率とは異なる屈折率を有する誘電体層、
を備え、
ｃ）前記少なくとも３枚の層は、前記入射光の波長よりも短い周期を有する平行リブの配列を形成するように不連続であることを特徴とする選択吸収性ワイヤーグリッド偏光機器。
【請求項２７】
前記吸収層の材料は、窒化ケイ素、窒化チタン、炭化チタン、炭化ケイ素、タンタル、酸化第二銅、亜酸化銅、塩化第二銅、亜塩化銅、亜硫化銅、チタン、タングステン、酸化ニオビウム、ケイ酸アルミナ、窒化ボロン、酸化ボロン、酸化タンタル、炭素、及びそれらの組み合わせからなるグループから選択されることを特徴とする請求項２６に記載の機器。
【請求項２８】
前記吸収層の材料は、０．１と４．５の間の光学的パラメーターｋ値を有することを特徴とする請求項２６に記載の機器。