【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年3月27日(2014.3.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
一実施例において、超電導体材料内の非磁性無秩序性の濃度は、結果として得られる平均自由行程ｌによって算定することができ、これは、下記のように、超電導材料のＢＣＳコヒーレンス長ξ０と同等であるか、または、それより小さくなければならない。
式（７）：１／３≦ξ０／ｌ≦３
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
[本発明101]
その内部に形成された磁性不純物(magnetic impurity)及び非磁性無秩序性(non-magnetic disorder)とを含む超電導材料を含み、
前記磁性不純物と前記非磁性無秩序性を含む前記超電導材料の上部臨界磁場及び臨界電流密度のうち少なくとも1つは、磁性不純物を含み且つ非磁性無秩序性を含まない超電導材料のそれより大きい、超電導体。
[本発明102]
前記超電導材料は、Nb3SnとMgB2よりなる群から選択された少なくとも1つを含む、本発明101の超電導体。
[本発明103]
前記磁性不純物は、ボルテックスピンニングセンター(vortex pinning center)として作用する、本発明101の超電導体。
[本発明104]
超電導材料としてNbと、非磁性無秩序性としてTiと、磁性不純物とを含むNb-Ti合金を含む、本発明101の超電導体。
[本発明105]
前記磁性不純物は、部分的に満たされたd-電子を有する磁性イオン、部分的に満たされたf-電子を有する磁性イオン、及び磁性粒子よりなる群から選択された少なくとも1つを含む、本発明101の超電導体。
[本発明106]
前記磁性不純物は、Mn、Fe、Ni、Cr、Co、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru及びRhよりなる群から選択された少なくとも1つの材料を含む、本発明101の超電導体。
[本発明107]
前記磁性不純物は、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びUよりなる群から選択された少なくとも1つの材料を含む、本発明101の超電導体。
[本発明108]
前記超電導材料内の磁性不純物の濃度は、0.1at.%から20at.%までの範囲である、本発明101の超電導体。
[本発明109]
前記磁性不純物と前記非磁性無秩序性とを含む前記超電導材料の超電導転移温度は、前記磁性不純物を含み且つ前記非磁性無秩序性を含まない超電導材料の超電導転移温度より大きい、本発明101の超電導体。
[本発明110]
前記非磁性無秩序性は、結晶欠陥、s-電子またはp-電子を有する非磁性イオン、及び非磁性粒子よりなる群から選択された少なくとも1つを含む、本発明101の超電導体。
[本発明111]
前記非磁性無秩序性は、空孔型欠陥、格子間型欠陥、転位、及び放射ダメージよりなる群から選択された少なくとも1つの結晶欠陥を含む、本発明110の超電導体。
[本発明112]
前記非磁性無秩序性は、沈殿物、第2相転移、ナノサイズ粒子、及び前記超電導材料の結晶粒界での析出物(segregate)よりなる群から選択された少なくとも1つの非磁性粒子を含む、本発明110の超電導体。
[本発明113]
前記非磁性無秩序性は、Zn、Al、Ti、C、B及びLiよりなる群から選択された少なくとも1つの材料を含む、本発明101の超電導体。
[本発明114]
前記超電導材料内で前記非磁性無秩序性の濃度は、ξ0/ lが1/3≦ξ0/l≦3の範囲にあるように選択され、ξ0は、前記超電導材料のBCSコヒーレンス長であり、かつlは、前記非磁性無秩序性を含む前記超電導材料内での平均自由行程である、本発明101の超電導体。
[本発明115]
前記超電導材料内の前記非磁性無秩序性の濃度は、1at.%から40at.%までの範囲である、本発明101の超電導体。
[本発明116]
超電導材料を調製する段階;
前記超電導材料内に磁性不純物を形成する段階;及び
前記超電導材料内に非磁性無秩序性を形成する段階を含む、
超電導体を製造する方法であって、
前記磁性不純物と前記非磁性無秩序性とを含む前記超電導材料の上部臨界磁場及び臨界電流密度のうち少なくとも1つは、磁性不純物を含み且つ非磁性無秩序性を含まない超電導材料のそれより大きい、方法。
[本発明117]
前記非磁性無秩序性は、前記超電導材料を調製する段階中に形成される、本発明116の方法。
[本発明118]
前記非磁性無秩序性は、前記超電導材料を調製する段階後に形成される、本発明116の方法。
[本発明119]
本発明101の超電導体を含む、MRIまたはNMR装置。
本発明のこれら及び他の様態は、添付の図面を参照する本発明の下記説明を参照することによって自明になるだろう。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
現在、高磁場の磁石を製造するために、Ｎｂ−Ｔｉ合金とＮｂ３Ｓｎを主に使用する。最近に発見された３９Ｋ超電導体ＭｇＢ２は、磁石用として大きい可能性を有していて、これに対する集中的な研究が行われている（Ｃ．  Ｂｕｚｅａ及びＴ．  Ｙａｍａｓｈｉｔａ，  "Ｒｅｖｉｅｗ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ｏｆ  ＭｇＢ２"，  Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄ．  Ｓｃｉ．  Ｔｅｃｈｎｏｌ．  １５，  Ｒ１１５−Ｒ１４６  （２００１）（非特許文献１）を参照）。送電のために、高いＴｃのクプラート（ｃｕｐｒａｔｅ）で作られた超電導ケーブルが開発中にある（Ｗ．  Ｂｕｃｋｅｌ及びＲ．  Ｋｌｅｉｎｅｒ，  "Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ"，  Ｗｉｌｅｙ−ＶＣＨ，  Ｗｅｉｎｈｅｉｍ  （２００４），  ｐ．３８２（非特許文献２）を参照）。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
磁石用途及び送電のため、超電導材料は、強いボルテックスピンニング（ｖｏｒｔｅｘ  ｐｉｎｎｉｎｇ）または磁束ピンニング（ｆｌｕｘ  ｐｉｎｎｉｎｇ）により、高磁場で高い臨界電流密度を有さなければならない。Ｎｂ−Ｔｉ合金とＮｂ３Ｓｎは、良好なピンニング特性を示す。それにもかかわらず、加速器用途のような特別な科学的な応用のために、これら材料の高磁場特性をさらに増大させる必要がある。さらに、２０Ｋ近くで使用することができるＭｇＢ２は、良好なピンニング特性を示さない。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
【００１０】
本出願は、"ＭＥＴＨＯＤ  ＯＦ  ＥＮＨＡＮＣＩＮＧ  ＨＩＧＨ  ＭＡＧＮＥＴＩＣ  ＦＩＥＬＤ  ＰＲＯＰＥＲＴＩＥＳ  ＯＦ  ＳＵＰＥＲＣＯＮＤＵＣＴＩＮＧ  ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，  ＷＩＲＥＳ，  ＡＮＤ  ＴＡＰＥＳ  ＩＮＣＬＵＤＩＮＧ  Ｎｂ−Ｔｉ，  Ｎｂ３Ｓｎ  ＡＮＤ  ＭｇＢ２"という発明の名称で、２００７年８月１日に出願した米国仮特許出願第６０／９６３，１４５号と、"ＭｇＢ２  ＭＡＧＮＥＴ−ＢＡＳＥＤ  ＭＲＩ  ＡＮＤ  ＲＥＬＡＴＥＤ  ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ"という発明の名称で、２００７年８月１０日に出願した米国仮特許出願第６０／９６４，４４１号の優先権を主張し、これらの全体内容は、参照として本明細書に取り込む。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
【００２２】
超電導体１０は、ワイヤとして提供されることができる。超電導体１０は、Ｎｂ−Ｔｉ合金、Ｎｂ３Ｓｎ、ＭｇＢ２などのような超電導材料を含むことができる。Ｎｂ−Ｔｉ合金の使用時に、Ｎｂは、超電導材料として作用し、Ｔｉは、非磁性無秩序性として作用することができる。超電導材料内に磁性不純物１１（矢印で表示）が形成されることができ、これは、ボルテックスピンニングセンターとして作用する。磁性不純物１１による全体的なＴｃ減少を（部分的にまたは完全に）補償するために、非磁性無秩序性１２（「ｘ」で表示）を付加する。一実施例において、磁性不純物１１のスピンは、図１に示されたように、任意に配向されることができる（すなわち、常磁性）。他の実施例において、磁性不純物１１のスピンは、超電導体１０内で強磁性または反強磁性に配向されることができる。一実施例において、磁性不純物は、磁性ナノ粒子として提供されることができ、この場合、高磁場特性を大きく増大させるために、ナノ粒子のサイズを制御することができる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
【００２８】
本発明の実施例は、Ｎｂ−Ｔｉ、Ｎｂ３Ｓｎ、及びＭｇＢ２を含む任意の超電導体の高磁場特性を顕著に増大させる実用的な方法を提供する。例えば、図３は、Ｌａ３Ａｌの上部臨界磁場Ｈｃ２を増大させるために、本発明の実施例をどのように適用することができるかを示すＴｃ−Ｈｃ２グラフである。０．３ａｔ．％のＧｄを付加することによって、約１ＫでＴｃが減少すると共に、Ｈｃ２の温度依存性の傾きが増加することが明らかにされた（Ｙ．  Ｋｕｗａｓａｗａ，  Ｋ．  Ｓｅｋｉｚａｗａ，  Ｎ．  Ｕｓｕｉ及びＫ．  Ｙａｓｕｋｏｃｈｉ，  "Ｅｆｆｅｃｔｓ  ｏｆ  Ｐａｒａｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ  ｏｎ  Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ｉｎ  ｔｈｅ  Ｌａ３−ｘＧｄｘＡｌ  Ｓｙｓｔｅｍ"，  Ｊ．  Ｐｈｙｓ．  Ｓｏｃ．  Ｊａｐａｎ  ２７，  ５９０  （１９６９）を参照）。この結果は、実線３０で示されている。破線３１は、傾きの増加を考慮せず、Ｔｃ減少を補償するために、Ｌａ３Ａｌに非磁性無秩序性のみ付加するときの予想結果を示す。実線３２は、Ｌａ３Ａｌに磁性不純物と非磁性無秩序性を付加するときの結果を示す。図示のように、実線３２の傾きは、破線３１の傾きに比べてさらに増加する。理論上の予測である式（４）は、磁性不純物及び非磁性無秩序性の両方ともによるＨｃ２の増大量を計算する、すなわち、線３１（ｌｓ＝３．３４９ξ０，
2010535414.tif 000001
＝０．５ξ０，及びα＝１）と線３２（ｌｓ＝２．８１７ξ０，
2010535414.tif 000002
＝０．５ξ０，及びα＝１）である。