【手続補正書】
【提出日】平成24年8月31日(2012.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路の作製方法であって：
基板表面を有する基板を供する工程；
前記基板表面上に少なくともトランジスタ又はキャパシタを有する電気部品を作製する工程；
前記基板表面及び電気部品を、厚さが50〜2000Åの範囲のアルミナで作られた第1保護誘電膜でコーティングする工程；
前記基板表面又は前記電気部品から前記第1保護誘電膜の一部をエッチングにより除去してコンタクト表面を形成する工程；
前記コンタクト表面上にエアブリッジを作製する工程；
前記第1保護誘電膜、前記電気部品、及び前記エアブリッジを、厚さが50〜2000Åの範囲のアルミナで作られた第2保護誘電膜でコーティングする工程；
前記第2保護誘電膜に結合促進剤を塗布する工程；並びに
前記第2保護誘電膜を、アルミナ、シリカ、パリレンF、芳香族フッ化VT-4、又はパリレンHT（登録商標）で作られた厚さが100〜1000Åの範囲の第3保護誘電膜でコーティングする工程；
を有する方法。
【請求項２】
前記の結合促進剤を塗布する工程が、γ-メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランと独立して用いられ又は併用される二酸化シリコン膜を塗布する工程を有する、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記の基板を供する工程が、シリコン(Si)、ガリウムヒ素(GaAs)、窒化ガリウム(GaN)、ゲルマニウム(Ge)、シリコンカーバイド(SiC)、又はインジウム燐(InP)からなる群から選ばれた材料で作られた基板を供する工程を有する、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
基板表面を有する基板を供する工程；
前記基板表面上に電気部品を作製する工程；並びに
前記基板表面及び電気部品を第1保護誘電膜でコーティングする工程；
を有する方法であって、
前記第1保護誘電膜は概して、透湿性が0.01g/m2/日、吸湿率が0.04%未満、誘電率が10未満、誘電損失が0.005未満、絶縁破壊電圧強度が8×106V/cmよりも大きく、シート抵抗が1015Ω・cmで、かつ欠陥密度が0.5/cm2未満である、水蒸気に溶けない材料で作られる、
方法。
【請求項５】
前記の基板表面及び電気部品を第1保護誘電膜でコーティングする工程が、基板表面及び電気部品をアルミナで作られた第1保護誘電膜でコーティングする工程をさらに有する、請求項4に記載の方法。
【請求項６】
前記の基板表面及び電気部品をアルミナで作られた第1保護誘電膜でコーティングする工程が、基板表面及び電気部品を厚さが50〜2000Åの範囲のアルミナで作られた第1保護誘電膜でコーティングする工程をさらに有する、請求項5に記載の方法。
【請求項７】
前記の基板表面及び電気部品を第1保護誘電膜でコーティングする工程が、基板表面及び電気部品を、高密度シリコン窒化物、酸化タンタル、酸化ベリリウム、酸化ハフニウム、及びアルミナからなる群から選ばれた第1保護誘電膜でコーティングする工程をさらに有する、請求項4に記載の方法。
【請求項８】
前記基板表面又は前記電気部品から前記第1保護誘電膜の一部をエッチングにより除去してコンタクト表面を形成する工程；
前記コンタクト表面上に追加部品を作製する工程；並びに
前記第1保護誘電膜、前記電気部品、及び前記追加部品を、第2保護誘電膜でコーティングする工程；
を有する、請求項4に記載の方法。
【請求項９】
前記第2保護誘電膜は、3.5ギガパスカル(GPa)未満の弾性モジュラス、3.0未満の誘電率、0.008未満の誘電損失、2×106ボルト/センチメートル(MV/cm)を超える破壊電圧強度、及び300℃の温度安定性、50Åを超える膜中の接続していないピンホールを有し、濡れ角が45°よりも大きくなる疎水性で、かつ厚さの均一性が30%以下となるように3次元(3D)構造全体にわたってかつ前記3D構造の下でコンフォーマルに堆積可能な誘電材料で構成される、請求項8に記載の方法。
【請求項１０】
前記第2保護誘電膜が、アルミナ、シリカ、パリレンF、芳香族フッ化VT-4、パリレンHT（登録商標）、アクリル、及び気相成長したポリテトラフルオロエチレン(PTFE)からなる群から選ばれる材料で作られる、請求項8に記載の方法。
【請求項１１】
前記第2保護誘電膜が、アルミナ、シリカ、パリレンF、芳香族フッ化VT-4、パリレンHT（登録商標）、アクリル、及び気相成長したポリテトラフルオロエチレン(PTFE)からなる群から選ばれるナノ積層体材料を交互に組み合わせたものを有するナノ積層体である、請求項8に記載の方法。
【請求項１２】
前記第2保護誘電膜を第3誘電膜でコーティングする工程をさらに有する、請求項8に記載の方法。
【請求項１３】
前記の第2保護誘電膜を第3誘電膜でコーティングする工程が、前記第2保護誘電膜をパリレンで作られた第3誘電膜でコーティングする工程をさらに有する、請求項12に記載の方法。
【請求項１４】
前記の第2保護誘電膜を第3誘電膜でコーティングする工程が、前記第2保護誘電膜をシリカで作られた第3誘電膜でコーティングする工程をさらに有する、請求項12に記載の方法。
【請求項１５】
前記の第2保護誘電膜を第3誘電膜でコーティングする工程が、前記第2保護誘電膜を、アルミナ、シリカ、パリレンF、芳香族フッ化VT-4、及びパリレンHT（登録商標）で作られた第3誘電膜でコーティングする工程をさらに有する、請求項12に記載の方法。
【請求項１６】
前記の第2保護誘電膜を第3誘電膜でコーティングする工程が、
アルミナと二酸化シリコン、酸化ベリリウム、酸化ハフニウム、及びシリカ
酸化タンタルとシリカ、
アルミナと、パリレンF又はパリレンHT（登録商標）、
アルミナとアクリル、並びに
アルミナと気相成長テフロン(PFTE)、
からなる群から選ばれたナノ積層体材料を交互に組み合わせたものを有するナノ積層体で作られた第3誘電膜で前記第2保護誘電膜をコーティングする工程をさらに有する、
請求項12に記載の方法。
【請求項１７】
前記の第2保護誘電膜を、アルミナ、酸化タンタル、酸化ベリリウム、酸化ハフニウム、又はシリコン窒化物で作られた第3誘電膜でコーティングする工程が、厚さが100〜1000Åの範囲のアルミナ、酸化タンタル、酸化ベリリウム、酸化ハフニウム、又はシリコン窒化物で作られた第3誘電膜でコーティングする工程をさらに有する、請求項15に記載の方法。
【請求項１８】
前記第2保護誘電膜を第3誘電膜でコーティングする前に、前記第2保護誘電膜に結合促進剤を塗布する工程をさらに有する、請求項12に記載の方法。
【請求項１９】
前記の結合促進剤を塗布する工程が、γ-メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランと独立して用いられ又は併用される二酸化シリコン膜を塗布する工程を有する、請求項17に記載の方法。
【請求項２０】
前記基板表面及び電気部品を第1保護誘電膜でコーティングする工程の前に、前記基板表面及び前記電気部品全体にわたって厚さが25〜400Åの範囲のシリコン窒化物又は二酸化シリコンの初期膜を堆積する工程をさらに有する、請求項4に記載の方法。
【請求項２１】
前記の電気部品を作製する工程が少なくともトランジスタ又はキャパシタを前記基板上に作製する工程を有する、請求項4に記載の方法。
【請求項２２】
前記の追加部品を作製する工程が前記基板表面及び前記電気部品上にエアブリッジを作製する工程を有する、請求項8に記載の方法。
【請求項２３】
基板表面を有する基板；
前記基板上に作製された少なくとも1つの電気部品；並びに
前記少なくとも1つの電気部品上に形成された第1保護誘電膜；
を有する回路素子であって、
前記第1保護誘電膜は概して、透湿性が0.01g/m2/日、吸湿率が0.04%未満、誘電率が10未満、誘電損失が0.005未満、絶縁破壊電圧強度が8×106V/cmよりも大きく、シート抵抗が1015Ω・cmで、かつ欠陥密度が0.5/cm2未満である、水蒸気に溶けない材料で作られる、
回路素子。
【請求項２４】
前記第1保護誘電膜がアルミナで作られている、請求項23に記載の回路素子。
【請求項２５】
前記第1保護誘電膜の厚さが50〜2000Åである、請求項23に記載の回路素子。
【請求項２６】
前記第1保護誘電膜が、高密度シリコン窒化物、酸化タンタル、酸化ベリリウム、酸化ハフニウム、及びアルミナからなる群から選ばれた材料作られる、請求項23に記載の回路素子。
【請求項２７】
前記基板又は前記少なくとも1つの電気部品上に作製される少なくとも1つの追加部品；並びに
前記基板表面、前記第1保護誘電膜、及び前記少なくとも1つの電気部品上に作製される第2保護誘電膜；
を有する、請求項23に記載の回路素子。
【請求項２８】
前記第2保護誘電膜が、アルミナと二酸化シリコン、酸化ベリリウムとシリカ、酸化ベリリウムとパリレンF又はパリレンHT（登録商標）、アルミナとフッ化パリレン、アルミナとアクリル、及びアルミナと気相成長テフロン(PFTE)からなる群から選ばれたナノ積層体材料を交互に組み合わせたものを有するナノ積層体である、請求項27に記載の回路素子。
【請求項２９】
前記第2保護誘電膜上に形成される第3誘電膜をさらに有する、請求項27に記載の回路素子。
【請求項３０】
前記第3誘電膜がパリレンで作られる、請求項29に記載の回路素子。
【請求項３１】
前記第3誘電膜が、アルミナ、酸化タンタル、酸化ベリリウム、酸化ハフニウム、又はシリコン窒化物で作られる、請求項29に記載の回路素子。
【請求項３２】
前記基板表面と前記第1保護誘電膜との間に初期膜をさらに有する回路素子であって、前記初期膜はシリコン窒化物及び二酸化シリコンからなる群から選ばれる、請求項23に記載の回路素子。
【請求項３３】
前記第1保護誘電膜と前記基板表面及び前記電気部品との間に設けられた50〜2000Åの範囲の厚さであるシリコン窒化物の薄い膜をさらに有する、請求項23に記載の回路素子。
【請求項３４】
前記少なくとも1つの電気部品がトランジスタ及びキャパシタからなる群から選ばれる、請求項23に記載の回路素子。
【請求項３５】
前記追加部品がエアブリッジである、請求項23に記載の回路素子。
【請求項３６】
前記第1保護誘電膜と前記第2保護誘電膜との間に結合促進剤をさらに有する、請求項23に記載の回路素子。
【請求項３７】
前記結合促進剤がγ-メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランである、請求項36に記載の回路素子。
【請求項３８】
前記基板表面と前記第1保護誘電膜との間に50〜2000Åの範囲の厚さであるシリコン窒化物又は二酸化シリコンの初期膜をさらに有する、請求項23に記載の回路素子。