【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年4月7日(2014.4.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
この発明は、基板をコートする装置に関し、内部にコートされる基板を受ける様に適応された真空チャンバーと、少なくとも一つのスパッタリングターゲットを有し、前記スパッタリングターゲットは、粒子衝撃により装置の動作中にアブレート即ち、浸食され、更に前記装置は、前記スパッタリングターゲットの浸食を判定するデバイスを有する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
この従来技術の装置は、次の様な欠点を有する。スパッタリングターゲットが消費された後、スパッタリングターゲットの下に配置されるキャリアプレート、すなわち、スパッタリングターゲットを担う位置決め装置が、プラズマからのイオン衝突によりアブレートされる。操作者が、この状態を気づかないままにすると、基板に堆積した層及び/又は前記装置を囲う真空チャンバーが、キャリアプレート又は位置決め装置の物質により汚染される。キャリアプレート又は位置決め装置に対する汚染が続くと、これら装置内を通る冷却ダクトが露出され、冷媒が真空チャンバーに入り汚染することになる。この場合、セットされる圧力の急激な上昇が真空チャンバーあるいは、電源に対して重大なダメージを招くことになる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
本発明に従うと，前記目的は，内部がコートされる基板を受ける様に設計された真空チャンバーと，粒子の衝撃により装置の動作の間にアブレートされるように意図された少なくとも一つのスパッタリングターゲットを有し，前記装置は，更にスパッタリングターゲットの浸食を判定する装置を有し， 少なくとも一つの窓が，前記真空チャンバーの壁に配置され，そして，前記スパッタリングターゲットの浸食を判定する装置が，前記真空チャンバーの外側の少なくとも一つの予め規定されたポイントと，前記スパッタリングターゲットの表面の少なくとも一つの予め規定されたポイントとの間の距離を光学的に測定する測定装置を有し，そして，前記測定装置が，更に視差エラー及び/又は幾何学的歪みを修正できる評価装置を有する基板をコーティングする装置によって解決される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
さらに、前記目的は、基板と少なくとも一つのスパッタリングターゲットが真空チャンバーの内部に導入され、スパッタリングターゲットが、粒子衝撃によりアブレートされ、その浸食が判定される方法であって、前記真空チャンバーの外側の少なくとも一つの予め規定されたポイントと前記スパッタリングターゲットの表面上の少なくとも一つの予め規定されたポイントとの間の距離が前記真空チャンバーの壁に配置された窓を通して、光学的に測定され、前記測定される距離が、評価装置に供給され、前記評価装置により少なくとも一つの視差エラー及び／又は光学歪みを修正される基板のコーティング方法によって解決される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
スパッタリングターゲットの進展する浸食は、予め規定可能の真空チャンバーの外側と、スパッタリングターゲット表面の少なくとも一つの点との間の距離を増加させる。結果として、ユーザは、予め規定された点におけるスパッタリングターゲットの厚みを、時間で判定することができる。距離におけるこの変化がスパッタリングターゲットの既知の厚み以上に大きければ、基板をコートする装置のユーザは、スパッタリングターゲットが完全に消滅したか、その浸食限界に達したことの明確な表示を受信する。このように、基板をコーティングする方法は、位置決め装置、及び／又は、スパッタリングターゲットのキャリアプレートの材料がイオン衝撃によりアブレートされ、基板に堆積される層を汚染する前に、停止することができる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
距離を光学的に測定するために使用する光ビームがターゲットの面法線と異なる角度で衝突する場合、測定値の歪み又は視差エラーが生じる。本発明のいくつかの実施例では、測定装置が視差エラー及び/又は幾何学的歪を訂正する評価装置を有するか、評価装置に接続される。この様にして、スパッタリングターゲットの厚みが相対的に高い精度で判定される。本発明のいくつかの実施例では、スパッタリングターゲットは、測定装置の前を円周パスに沿って移動される。この場合、評価装置は、測定装置により記録された測定値の放物線状の歪みを修正できる様に設計される。評価装置は、マイクロプロセッサあるいはマイクロコントローラを有してもよい。いくつかの実施例では、ソフトウエアがコンピュータ上で実行される場合、評価装置は、対応の修正方法を測定値に適用する前記ソフトウエアを有しても良い。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
コーティングシステムの動作の間、電位差が、電源１６０により基板ホルダー１２０と、操作ポジション２００におけるスパッタリングターゲット１３０との間に付与される。電位差は、直流電圧として時間で一定であり、交流電圧として時間で変化してもよい。電位差は、コートされる基板１２５の表面と操作ポジション２００に位置するスパッタリングターゲット１３０間にプラズマが形成される効果を有する。接続フランジ１７０を介して供給されるスパッタリングガスのイオンがプラズマからスパッタリングターゲット１３０の表面に加速される。少なくとも部分的に基板１２５上に堆積されている望ましいコーティングから分離される原子で、スパッタリングターゲット１３０の材料が結果としてアブレートされる。しかし、本発明は、示される実施例に制限されない。本発明の他の実施例において、プラズマは、また、電磁放射、例えば、マイクロウエーブ放射により生成できる。本発明のいくつかの実施例では、スパッタリングターゲット１３０とコーティングされる基板１２５の間の所定の空間領域にプラズマを限定するために、及び又はプラズマにおけるエネルギー密度を高めるために、電磁界を生成する少なくとも一つの装置が備えられる。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
図２は、高さ方向に図１に示される装置１を示す図である。図２は、順に、内に備えられた基板ホルダー１２０を有する真空チャンバー１００と、基板ホルダー１２０に配置されたコートされる基板１２５を示す。スパッタリングターゲット１３０は、基板１２５と反対に配置され、操作ポジション２００に位置する。装置の動作中、スパッタリングターゲット１３０は、図１に関連して説明したように、操作ポジション２００においてアブレートされる。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
測定ポイント３３０と測定装置３００間の距離が、ターゲット１３１の浸食の結果として大きさΔlだけ増加するので、面法線に対する視野角αでレーザ光の傾斜入射光が表面の測定ポイントの偏位Δxが生じる。本発明のいくつかの実施例では、この偏位は、修正し易い。この場合、偏位Δxとターゲットの現在の浸食Δyは、ターゲットの測定された浸食Δlからの入射光の角度αの関数として次の関係式で計算される。