【手続補正書】
【提出日】平成24年9月10日(2012.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学基板と、薄膜または積層体とを備えた装置であって、
前記薄膜または積層体が前記光学基板上のコーティングを形成しており、
前記薄膜または積層体が、少なくとも一つのハフニウムおよび／またはジルコニウムオキシヒドロキシ硫酸塩（ＭＯ２−ｘ−ｚ／２（ＯＨ）ｚ（ＳＯ４）ｘ）化合物、ハフニウムおよび／またはジルコニウムオキシヒドロキシタングステン酸塩（ＭＯ２−ｘ−ｚ／２（ＯＨ）ｚ（ＷＯ４）ｘ）化合物、ハフニウムおよび／またはジルコニウムオキシヒドロキシホウ酸塩（ＭＯ２−３ｘ／２−ｚ／２（ＯＨ）ｚ（ＢＯ３）ｘ）化合物、ハフニウムおよび／またはジルコニウムオキシヒドロキシリン酸塩（ＭＯ２−３ｘ／２−ｚ／２（ＯＨ）ｚ（ＰＯ４）ｘ）化合物、および／またはハフニウムおよび／またはジルコニウムオキシヒドロキシケイ酸塩（ＭＯ２−２ｘ−ｚ／２（ＯＨ）ｚ（ＳｉＯ４）ｘ）化合物で、Ｍがハフニウムまたはジルコニウム、ｘおよびｚが固定もしくは可変で、ｘが約０．１〜約３．５／（多原子イオン電荷）の範囲のいずれかの値を取り、ｚが０．０〜３．８の範囲のいずれかの値を取る化合物を含む、
装置。
【請求項２】
前記コーティングが反射防止コーティングであり、および／または前記コーティングが可視光または紫外光を通す請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記コーティングを選択的にドーピングして、Ｍｎ２＋，Ｓｂ３＋，Ｓｎ２＋，Ｂｉ３＋，Ｅｕ３＋，Ｔｂ３＋，Ｅｕ２＋，Ｇｄ３＋，Ｔｍ２＋およびその組み合わせから選択した発光イオンを有するドーピングした発光層を付与する請求項２に記載の光学的装置。
【請求項４】
前記光学基板およびコーティングが誘電体ミラー、Ｘ線ミラー、干渉フィルター、回折格子および／または導波管を画成する請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記薄膜または積層体が、約９〜１２の誘電率値、少なくとも６ＭＶｃｍ−１までの破壊電界強度、電界強度１ＭＶｃｍ−１で１ｎＡｃｍ−２近くの漏洩電流を有する請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記化合物がさらにランタンを含み、式Ｍ１−ｚＬａｚＯ２−ｘ−ｚ／２（ＳＯ４）ｘ（ＭＳＯｘ：Ｌａ）を有し、Ｍがハフニウムまたはジルコニウムであり、ｘおよびｚが固定または可変で、ｘが約０．１〜約３．５／（多原子イオン電荷）の範囲におけるいずれかの値を取り、ｚが０．０〜約３．８の範囲におけるいずれかの値を取る請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記化合物がＨａｆＳＯｘ，ＨａｆＳＯｘ／Ｌａ，ＺｉｒｃＳＯｘ，ＺｉｒｃＳＯｘ：Ｌａ，ＨａｆＳＯｘ：Ｃｅ，またはＺｉｒｃＳＯｘ：Ｃａであり、前記装置が５０ｎＡｃｍ−２未満の漏洩電流と、約９〜約１２の誘電率値を有する請求項１に記載の装置。
【請求項８】
薄膜または積層構造体を設け、該構造体が光学基板と該光学基板上に堆積した１個またはそれ以上の層とを備え、
前記１個またはそれ以上の層の少なくとも一つが、ハフニウムおよび／またはジルコニウムオキシヒドロキシ硫酸塩（ＭＯ２−ｘ−ｚ／２（ＯＨ）ｚ（ＳＯ４）ｘ）化合物、ハフニウムおよび／またはジルコニウムオキシヒドロキシタングステン酸塩（ＭＯ２−ｘ−ｚ／２（ＯＨ）ｚ（ＷＯ４）ｘ）化合物、ハフニウムおよび／またはジルコニウムオキシヒドロキシホウ酸塩（ＭＯ２−３ｘ／２−ｚ／２（ＯＨ）ｚ（ＢＯ３）ｘ）化合物、ハフニウムおよび／またはジルコニウムオキシヒドロキシリン酸塩（ＭＯ２−３ｘ／２−ｚ／２（ＯＨ）ｚ（ＰＯ４）ｘ）化合物、および／またはハフニウムおよび／またはジルコニウムオキシヒドロキシケイ酸塩（ＭＯ２−２ｘ−ｚ／２（ＯＨ）ｚ（ＳｉＯ４）ｘ）化合物からなり、Ｍがハフニウムまたはジルコニウム、ｘおよびｚが固定もしくは可変であり、ｘが約０．１〜約３．５／（多原子イオン電荷）の範囲のいずれかの値を取り、ｚが０．０〜３．８の範囲のいずれかの値を取り、
前記構造体をエネルギー源に露出することを備えることを特徴とする装置の製造方法。
【請求項９】
前記薄膜または積層構造体が、光学基板と、パターン化用の第１層と、ハフニウムおよび／またはジルコニウムオキシヒドロキシ化合物からなる第２層とを備え、前記第２層がポジ型レジスト層で、エネルギー源への露出により該レジスト層の材料を現像液に可溶な材料に変換し、前記方法がさらに、前記レジスト層を現像液で処理することにより前記エネルギー源に露出したレジスト層の材料を除去して前記構造体をパターン化することを備える請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記薄膜または積層構造体が、光学基板と、パターン化用の第１層と、ハフニウムおよび／またはジルコニウムオキシヒドロキシ化合物からなる第２層とを備え、前記第２層がネガ型レジスト層で、エネルギー源への露出により該レジスト層を重合化し、前記方法がさらに、前記構造体を現像液で処理してエネルギー源に未露出の材料を除去することによって前記構造体をパターン化することを備える請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記ポジ型レジストが二重層からなり、該二重層の第２層が不溶性酸化ハフニウム硫酸塩（ＨａｆＳＯｘ）膜上に堆積した酸可溶のＣｕドープ酸化ジルコニウム硫酸塩（ＺｉｒｃＳＯｘ：Ｃｕ）膜を備え、光または電子ビームからなるエネルギー源へのマスクを介した露出によりＺｉｒｃＳＯｘ：Ｃｕ膜およびＨａｆＳＯｘ膜を露出領域で相互拡散させて、前記ＨａｆＳＯｘ膜を可溶性にする請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記ハフニウムおよび／またはジルコニウムオキシヒドロキシ化合物が硫酸塩からなり、該硫酸塩をその後塩基水溶液でのイオン交換によって除去し、前記塩基水溶液がＩ族金属の水酸化物、可溶性のII族金属の水酸化物、可溶性のIII族金属の水酸化物、可溶性のランタニド水酸化物、水酸化アンモニウムおよび／または水性第３アミン、またはその組合せからなる請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
半導体材料、金属、ガラス、シリカ、高分子材料またはその組合せからなる適当な光学基板を用意し、
前記光学基板に第１のＨａｆＳＯｘ膜を溶液堆積し、
第２のＺｉｒｃＳＯｘ：Ｃｕ膜を前記第１膜上に溶液堆積して積層構造体を形成し、
前記積層構造体をエネルギー源に露出して、前記ＨａｆＳＯｘ膜および前記ＺｉｒｃＳＯｘ：Ｃｕ膜を露出領域で相互拡散させ、これにより予め未ドープのＨａｆＳＯｘ膜を可溶性にし、
前記露出した構造体を現像してＨａｆＳＯｘ膜を除去することを備える請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記薄膜または積層構造体が、光学基板と、該光学基板上に堆積した不溶性の酸化ハフニウム硫酸塩（ＨａｆＳＯｘ）の第１層と、前記第１層上に堆積したギ酸銅からなる第２層とを備え、前記第１層および第２層を備える積層構造体を約５０℃〜約２００℃の温度に加熱してギ酸銅を分解し、ＨａｆＳＯｘ層と相互拡散させて可溶性の生成物を生成し、該可溶性の生成物を除去する請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
前記薄膜または積層構造体が、光学基板と、固体無機酸もしくは塩基を含む第１層とを備え、前記固体無機酸もしくは塩基が原子番号２１〜７８を有する金属を含み、前記第１層がさらにペルオキシドまたは他の配位アニオンを含み、前記第１層が酸または塩基に可溶で、該第１層を約５０℃〜約１２５℃まで加熱して構造的に硬い膜を生成し、マスクを介してレーザー、電子ビームおよび／または光に露出して膜の露出領域を未露出領域より低い可溶性とし、前記未露出領域を除去してパターンを膜に画成する請求項８に記載の方法。
【請求項１６】
前記膜に電子ビームを０μＣ／ｃｍ２より大きく少なくとも４００μＣ／ｃｍ２、より一般的には約２μＣ／ｃｍ２から約４００μＣ／ｃｍ２の線量レベルで露出させてパターンを膜に画成する請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記パターン化膜の構造的完全性が約３ｎｍ未満である請求項１５に記載の方法。