【手続補正書】
【提出日】平成26年1月24日(2014.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品のパッケージにおいて、
金属基板およびこの金属基板に結合した端子チップを有し、
前記端子チップが、取り付けパッドとダイ接触パッドとを設け、
前記ダイ接触パットが前記取り付けパッドと前記電子部品とを電気的に接続して且つ前記ダイ接触パットが前記金属基板と電気的に分離されたことを特徴とする電子部品のパッケージ。
【請求項２】
前記金属基板を折りたたんで成形用キャビティを形成した請求項１に記載のパッケージ。
【請求項３】
成形用キャビティウインドを形成した金属ストリップからなり、この金属ストリップを前記金属基板に積層して成形用キャビティを形成した請求項１に記載のパッケージ。
【請求項４】
前記パッケージの一体的部分としてヒートシンク素子を形成した請求項１に記載のパッケージ。
【請求項５】
前記金属基板が、少なくとも一つの金属処理層を有する請求項１に記載のパッケージ。
【請求項６】
さらに、前記金属基板に結合した発光ダイオード（ＬＥＤ）からなる請求項１に記載のパッケージ。
【請求項７】
共融ボンドを介して前記ＬＥＤを前記金属基板に結合した請求項６に記載のパッケージ。
【請求項８】
さらに、前記金属基板に結合した静電放電（ＥＳＤ）保護装置からなる請求項６に記載のパッケージ。
【請求項９】
さらに、前記金属基板に一体化した複数の角度の付いたダイ平面からなり、これら角度の付いたダイ平面について複数の発光ダイオードを取り付けることができるように構成した請求項１に記載のパッケージ。
【請求項１０】
前記端子チップが、さらに複数の埋設回路成分からなる請求項１に記載のパッケージ。
【請求項１１】
電子部品のパッケージを形成する方法であって、
金属基板に端子チップを結合する工程を有し、
この端子チップが、ダイ接触パッドおよび取り付けパッドを有し、
前記ダイ接触パットを前記取り付けパットおよび前記電子部品に電気的に接続し、前記ダイ接触パットが前記金属基板と電気的に分離することを特徴とする方法。
【請求項１２】
前記金属基板を折りたたんで成形用キャビティを形成する請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
さらに、成形用キャビティウインドを形成した金属ストリップを前記金属基板に積層して成形用キャビティを形成する請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
さらに前記パッケージの一体的部分としてヒートシンク機能部を形成する請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
さらに前記金属基板を少なくとも一つのメッキ層でメッキすることからなる請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
さらに前記金属基板に発光ダイオード（ＬＥＤ）を取り付けることからなる請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
さらに共融ボンドを介して前記ＬＥＤを前記金属基板に結合することからなる請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
さらに前記金属基板に静電放電（ＥＳＤ）保護装置に取り付けることからなる請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
さらに前記金属基板に複数の角度の付いたダイ平面を形成することからなり、これら角度の付いたダイ平面について複数の発光ダイオードを取り付けることができるように構成した請求項１１に記載の方法。
【請求項２０】
前記端子チップが、さらに複数の埋設回路成分からなる請求項１１に記載の方法。
【請求項２１】
前記金属基板が第１及び第２端子を有し、前記第１端子が前記ダイ接触パッドを設け、前記第２端子がワイヤボンディングパッドを設けた請求項１に記載のパッケージ。
【請求項２２】
さらに、前記端子に確実に固定するためにパッケージトップを設け、前記ダイ接触パッドおよびワイヤボンディングパッドが露出するキャビティを形成する請求項２１に記載のパッケージ。
【請求項２３】
前記パッケージトップが凸部を形成し、そして前記金属基板には、この凸部を受け取る形状のスロットを形成する請求項２２に記載のパッケージ。
【請求項２４】
前記凸部により前記第１及び第２端子を電気的に分離する請求項２３に記載のパッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】金属基板の電子部品パッケージ、およびその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
本発明は、電子部品パッケージング（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ ｐａｃｋａｇｉｎｇ）に関する。特に、本発明は、半導体パッケージングに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
熱管理は、設計者にとって最も大きな課題の一つである。多くの電子部品にとってパッケージングは有利であり、熱的性能の向上を担保するものである。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイパフォーマンスの場合、温度感受性が極端である。ＬＥＤ接合温度が高くなると、ＬＥＤ効率が下がり、ＬＥＤの耐久年数が短くなり、ＬＥＤから発光される全光束が減る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明は、電子部品のパッケージ、および電子部品のパッケージを形成する方法に関する。このパッケージは金属基板（ｍｅｔａｌ ｂａｓｅ）およびこの金属基板に結合した端子チップを有するものである。端子チップは取り付けパッドに電気的に結合したダイ接触パッド、および金属基板とダイ接触パッドとの間を電気的に分離するように構成した分離機能部（ｉｓｏｌａｔｉｎｇ ｆｅａｔｕｒｅ）を有する。接触は、電子部品に電気的に接続するように構成することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明パッケージの金属基板には、第１端子および第２端子を形成することができる。第１端子にはダイ接触パッドを形成することができる。第２端子には、ワイヤボンディングパッドを形成することができる。このパッケージのパッケージトップについては、端子を設け、固定できるように構成してもよい。このパッケージトップには、ダイ接触パッドおよびワイヤボンディングパッドが露出するキャビティを形成することができる。なお、ダイ接触パッドについては、電子部品に電気的に接続するように構成すればよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【図１】パッケージ製造を容易にする機械加工の金属基板を示す図である。
【図２】共融ボンドによってダイの組み立てを可能にする第１金属処理層を有する金属基板を示す図である。
【図３】パッケージＳＭＴの組み立てを可能にする、後ろ側に第２金属処理層を有する金属基板を示す図である。
【図４】折りたたんで成形キャビティを形成した金属基板を示す図である。
【図５Ａ】メッキビア（ｐｌａｔｅｄ ｖｉａ）を使用してアルミナに両面銅を形成したセラミック基体上に製造した端子チップを示す図である。
【図５Ｂ】メッキビア（ｐｌａｔｅｄ ｖｉａ）を使用してアルミナに両面銅を形成したセラミック基体上に製造した端子チップを示す図である。
【図６】挿入体キャビティ内に設けられた端子チップを示す図である。
【図７Ａ】金属基板ストリップから分離した個々のパッケージを示す図である。
【図７Ｂ】ダイ、ワイヤボンド、およびカプセル化化合物を有する組み立て状態のパッケージを示す図である。
【図８】パッケージ内に取り付けた３端子式電子部品を示す図である。
【図９】端子を形成する金属ストリップを示す図である。
【図１０】パッケージ本体を示す図である。
【図１１】金属ストリップに取り付けたいくつかのパッケージ本体を示す図である。
【図１２】組み立て状態にある金属パッケージを示す図である。
【図１３Ａ】角度の付いたダイ平面を備えたパッケージを示す挿絵風の図である。
【図１３Ｂ】角度の付いたダイ平面を備えたパッケージを示す側面図である。
【図１４Ａ】角度のないダイ平面を備えたパッケージ内に取り付けたＬＥＤを示す図である。
【図１４Ｂ】角度の付いたダイ平面を備えたパッケージ内に取り付けたＬＥＤを示す図である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
以下、金属基板ストリップから発光ダイオード（ＬＥＤ）などの電子部品を製造することについて説明する。このような構造体を使用すると、熱管理を強化した電子部品パッケージの製造に有利な作用効果を与える。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
以下、金属基板電子部品パッケージ、および以下の製造方法の組み合わせによってこのパッケージを製造する方法について説明する。なお、以下に示す製造工程を実施する順には制限がなく、また一部の工程を組み合わせて実施してもよく、あるいは実施を省略してもよい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図７Ａに、金属基板５から分離した個々のパッケージを示す。パッケージを分離すると、電子部品の金属基板パッケージが得られる。図７Ｂに、ダイ（１５、１６）、ワイヤボンド（１７）およびカプセル化用化合物（１８）を有する組み立て状態のパッケージ４０を示す。本実施例では、この方法でハイパワーＬＥＤ１５およびＥＳＤ保護ダイオード１６をパッケージ化する。ワイヤボンド（１７）を使用して、電気的な接続性を確保する。共融ボンドを介して、ＬＥＤ１５および/またはＥＳＤ保護ダイオード１６を金属基板５に実装できる。透明な成形用化合物（１８）を最後に成形用キャビティに設けると、パッケージ装置が完成する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
上記に示した実施例は、２端子電子部品のパッケージに関する。なお、このパッケージは端子数が３以上の電子部品に使用できる。図８に、パッケージ４２内に実装した３端子電子部品を示す。この実施例では端子チップ５０に、例えば上記のようにセラミック製の非導電性基体５２を形成する。端子チップの上面は、第１ダイ接触パッド５４および第２ダイ接触パッド５６を有し、そして端子チップ５０の下面は、ダッシュ符号線５８、６０で示すように対応する第１および第２の取り付けパッドを有する。導電性サイドラップ６２を介して第１取り付けパッド５８に第１ダイ接触パッド５４を電気的に接続し、そして導電性サイドトラップ６４を介して第２取り付けパッド６０に第２ダイ接触パッド５６に電気的に接続する。サイドトラップ６２、６４は、箔など各種材料から形成できる。なお、ダイ接触パッドと取り付けパッドとの間の電気的接続は、上記のようにビアによって実現できる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
金属酸化物半導体（ＭＯＳ）電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）６６などの３端子素子を成形用キャビティ６８内に取り付ける。金属基板７０に結合したＭＯＳＦＥＴの本体が、ソース端子として機能する。ワイヤボンド７２によりＭＯＳＦＥＴドレイン端子を電気的に第１ダイ接触パッド５４に結合し、そしてワイヤボンド７４によりＭＯＳＦＥＴゲート端子を電気的に第２ダイ接触パッド５６に結合する。なお、本発明のパッケージ内には、本明細書に開示した範囲から逸脱せずに、広範な多端子電子部品を取り付けることができ、またボンドワイヤ以外の技術を使用してもダイとパッケージとの間に電気的な接続を確保できる。例えば、正面を反転させた状態で、ダイ接触パッドに直接接続できる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
上記の実施例は、電子部品を取り付ける平坦面を備えたパッケージ構造体に関する（例えば、ダイを取り付け面に平行に取り付ける）。ダイ取り付け面に角度を付けることが望ましい場合もある。図１３Ａは、組み立て平面８４に対して角度のあるダイ平面８２を形成したパッケージ８０を示す挿絵風の図であり、そして図１３Ｂは、組み立て平面８４に対して角度のあるダイ平面８２を形成したパッケージ８０を示す側面図である。角度の付いたダイ平面は、スタンピング、グライディングなどの各種の方法によって形成できる。容易に理解できることだが、本開示の範囲から逸脱することなく、このようなパッケージ８０には複数の角度のあるダイ平面を形成できる。