【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年4月3日(2014.4.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ側壁と、底部と、前記チャンバ側壁により支持される蓋アセンブリとを有して処理領域を画定するチャンバボディと、
前記チャンバボディの前記処理領域内に配置される基板支持アセンブリと、
前記基板支持アセンブリの周縁部に配置されるシャドウフレームと、
前記シャドウフレームに接続される第１端部と、前記チャンバ側壁に接続される第２端部とを有するＲＦ復路であって、当該ＲＦ復路の前記第２端部は前記チャンバ側壁に容量結合され、前記ＲＦ復路の前記第２端部は絶縁体の中に挟まれる、ＲＦ復路と
を備える、処理チャンバ。
【請求項２】
前記ＲＦ復路が可撓性のアルミニウム製ストラップを含む、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項３】
前記絶縁体はＤＣ電流が前記ＲＦ復路を通って前記チャンバ側壁に流れるのを防止する、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項４】
前記絶縁体がセラミックであり、締結部材により前記チャンバ側壁及びＲＦ復路に取り付けられる、請求項３に記載の処理チャンバ。
【請求項５】
前記セラミック絶縁体及び前記ＲＦ復路の前記第２端部を被覆する誘電体カバーを更に備える、請求項４に記載の処理チャンバ。
【請求項６】
前記シャドウフレームと前記基板支持アセンブリとの間に配置されるセラミック絶縁体を更に備える、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項７】
前記チャンバ側壁に取り付けられ、且つ前記基板支持アセンブリが基板搬出入位置にあるときに前記シャドウフレームを支持するように配置されるシャドウフレーム支持体を更に備える、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項８】
チャンバ側壁と、底部と、前記チャンバ側壁により支持される蓋アセンブリとを有して処理領域を画定するチャンバボディと、
前記チャンバボディの前記処理領域内に配置される基板支持アセンブリと、
前記基板支持アセンブリの底面に取り付けられて、前記基板支持アセンブリの外周から外に向かって延在する延長ブロックと、
前記処理チャンバ内に配置されて、前記基板支持アセンブリが上昇位置にあるときに前記延長ブロックに係合するサイズを有する接地フレームと、
前記接地フレームに接続される第１端部と、前記チャンバ側壁に接続される第２端部とを有するＲＦ復路と
を備える、処理チャンバ。
【請求項９】
前記処理チャンバ内において前記接地フレームの下方に配置される側部ポンピングシールドを更に備える、請求項８に記載の処理チャンバ。
【請求項１０】
前記接地フレームが、前記延長ブロックに係合する第１側方部と、前記側部ポンピングシールド上に配置される第２側方部とを有している、請求項８に記載の処理チャンバ。
【請求項１１】
前記接地フレームと前記側部ポンピングシールドとの間に、前記基板支持アセンブリが上昇位置にあるときに前記接地フレームが前記延長ブロックにより支持される場合に画定されるギャップを更に備える、請求項９に記載の処理チャンバ。
【請求項１２】
前記延長ブロックの上面の、前記基板支持アセンブリの外側に配置される渦巻き型ラップを更に備える、請求項８に記載の処理チャンバ。
【請求項１３】
前記基板支持アセンブリの周縁部に配置されるシャドウフレームと前記基板支持アセンブリとの間に配置される絶縁体を更に備える、請求項９に記載の処理チャンバ。
【請求項１４】
チャンバ側壁と、底部と、前記チャンバ側壁により支持される蓋アセンブリとを有して処理領域を画定するチャンバボディと、
前記チャンバボディの前記処理領域内において、第１位置と第２位置との間を移動可能に配置される基板支持アセンブリと、
前記基板支持アセンブリの周縁部に近接配置されるシャドウフレームと、
前記チャンバボディに接続されて、前記基板支持アセンブリが前記第２位置にあるときに前記シャドウフレームを支持するサイズを有するシャドウフレーム支持体と、
前記シャドウフレームに接続される第１端部と、前記チャンバ側壁に接続される第２端部とを有するＲＦ復路と、
ＤＣ電流が、ＲＦ復路を通って前記チャンバ側壁に達するのを防止する第１絶縁体であって、前記ＲＦ復路の前記第２端部は前記第１絶縁体の中に挟まれて前記チャンバ側壁に容量結合される、第１絶縁体と
を備える、処理チャンバ。
【請求項１５】
前記シャドウフレームと前記基板支持アセンブリとの間に配置された第２絶縁体を備える、請求項１４に記載の処理チャンバ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
可動接地フレーム３０８は、基板支持アセンブリ１３０が上昇して処理位置に達するときに、接地フレーム３０８の内側３２２が延長ブロック３０６の上に載るような大きさを有する。接地フレーム３０８の外側３２４は、基板支持アセンブリ１３０が下降して搬出入位置に達するときに、側部ポンピングシールド３１０の上に載るような大きさを有する。一実施形態では、側部ポンピングシールド３１０は、処理チャンバ内に配置されて接地フレーム３０８を支持するために利用されるいずれかの支持構造とすることができる。接地フレーム３０８は、延長ブロック３０６及び側部ポンピングシールド３１０に対して移動することができる。ＲＦ復路３００は、第１締結部材３０４により接地フレーム３０８に接続される第１端部と、第２締結部材３０２によりチャンバ側壁１２６に接続される第２端部とを有する。一実施形態では、ＲＦ復路３００は、ＲＦ伝導性の可撓性ストラップの形態である。更に、任意で絶縁体２０８を利用することができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
動作状態では、図３に示すように、基板支持アセンブリ１３０が延長ブロック３０６と一緒に上昇して基板処理位置に達すると、延長ブロック３０６が接地フレーム３０８を側部ポンピングシールド３１０（或いは、他方の固定支持体）から離れるように持ち上げる。接地フレーム３０８は側部ポンピングシールド３１０に永続的に固定される又は取り付けられる訳ではないので、接地フレーム３０８が処理位置にまで持ち上がると、接地フレーム３０８と側部ポンピングシールド３１０との間にギャップ３１２が形成される。基板処理中、基板支持アセンブリ１３０内の静電荷及び／又はＲＦ電流は、締結部材３１４及び延長ブロック３０６を通って接地フレーム３０８に達し、次にＲＦ復路３００を通ってチャンバ壁１２６に達することにより、ＲＦ電源１２２に戻るＲＦ戻りループの一部を形成する。接地フレーム３０８と側部ポンピングシールド３１０との間に形成されるギャップ３１２によって、接地フレーム３０８からＲＦ復路３００に流れる電流を拘束して、電流が側部ポンピングシールド３１０に流れるのを防止することができる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
処理が完了した後、基板支持アセンブリ１３０を基板搬出入位置まで下降させる。したがって、延長ブロック３０６は基板支持アセンブリ１３０と一緒に基板搬出入位置まで下降する。それに応じて、接地フレーム３０８は側部ポンピングシールド３１０に係合し、延長ブロック３０６から離れるように持ち上がる。基板支持アセンブリ１３０が下降し続けるにつれ、シャドウフレーム１３３が接地フレーム３０８の第１側部３２２の上面に係合して当該上面に載ることにより、基板支持アセンブリ１３０から持ち上がる。一実施形態では、シャドウフレーム１３３、締結部材３１４、３０２、３０４、延長ブロック３０６、接地フレーム３０８、及びＲＦ復路３００は、アルミニウム、銅のような導電材料により、又はＲＦ電流を基板支持アセンブリ１３０からチャンバ壁１２６を通ってＲＦ電源１２２に戻るように流れ易くする他の適切な合金により作製される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
図４は、ＲＦ復路４００の別の実施形態を示している。図３に示す構成と同様に、締結部材３１４を、基板支持アセンブリ１３０内に形成された孔３２０に通し、延長ブロック４０２の第１側方部４１６内に形成されたネジ切り孔に螺合させる。延長ブロック４０２の第２側方部４１８は、基板支持アセンブリ１３０の外側周縁部を越えて延在する。延長ブロック４０２の第２側方部４１８は、延長ブロック４０２の上面に形成された溝４１４を有する。渦巻き型ラップ４０４が溝４１４内に配置されて、接地フレーム４０６と延長ブロック４０２との間の電気コンダクタンスが高まっている。一実施形態では、渦巻き型ラップ４０４は、溝４１４の近傍から部分的に延出し、多数回に亘って撓みが生じた後でも当該ラップの形状が保持されるために十分な弾性を持つ。絶縁体４２０がシャドウフレーム１３３と基板支持アセンブリ１３０の周縁段部２２６との間に配置されて、シャドウフレーム１３３が基板支持アセンブリ１３０から絶縁される。シャドウフレーム１３３と基板支持アセンブリ１３０との間の絶縁体４２０は、処理中にアーク放電が発生する可能性を防止し、無くす。接地フレーム４０６は、基板支持アセンブリ１３０が上昇すると渦巻き型ラップ４０４に接触した状態で延長ブロック４０２に載る第１側方部を有する。接地フレーム４０６は、側部ポンピングシールド４０８に接続される第２側方部を有する。ＲＦ復路４００は、第１締結部材４１０により接地フレーム４０６に接続される第１側方部と、第２締結部材４１２によりチャンバ側壁１２６に接続される第２側方部とを有する。一実施形態では、ＲＦ復路４００は、ＲＦ伝導性の可撓性ストラップの形態である。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
この特定の実施形態では、接地フレーム４０６は側部ポンピングシールド４０８に固く取り付けられる。延長ブロック４０２は、上側基板処理位置と下側基板搬出入位置との間で昇降する間に、接地フレーム４０６に対して移動可能である。基板支持アセンブリ１３０が上昇すると、基板支持アセンブリ１３０に取り付けられる延長ブロック４０２は持ち上げられて渦巻き型ラップ４０４を介して接地フレーム４０６に接触する。渦巻き型ラップ４０４は、ＲＦ電流が締結部材３１４及び延長ブロック４０２から接地フレーム４０６及びＲＦ復路４００を通ってチャンバ壁１２６まで流れ易くする良好なインターフェースを実現することにより、ＲＦ電源１２２に戻るＲＦ戻りループを形成する。側部ポンピングシールド４０８は接地フレーム４０６に固く取り付けられるので、可撓性の渦巻き型ラップ４０４は、接地フレーム４０６と延長ブロック４０２との間に良好な電気的接触及びＲＦ電流コンタクトを維持しながら、基板支持アセンブリ１３０の上昇位置のわずかな差異を吸収することができる。一実施形態では、渦巻き型ラップ４０４は、アルミニウム、銅のような導電材料により、又はＲＦ電流を流れ易くする他の適切な合金により作製される。