【事件の表示】
　平成　４年特許願第３３５２１３号「半導体装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年　６月１０日出願公開、特開平　６−１６３８７７］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成４年１１月１９日の出願であって、その請求項１ないし３に係る発明は、平成１５年１０月１６日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その請求項１ないし３に記載されたとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「【請求項１】　半導体基板、当該半導体基板上に形成された絶縁層、当該絶縁層に形成されたコンタクト孔、および当該コンタクト孔内を含んで前記絶縁層上に形成された高融点金属複合膜とアルミ合金層との積層配線を有する半導体装置において、
　前記積層配線の直下部の全ての領域には、前記コンタクト孔の内壁および底部を含んで多結晶シリコン膜が形成され、
　前記コンタクト孔の底部以外の前記多結晶シリコン膜の直下部の全ての領域には、前記絶縁層に含まれる不純物が前記多結晶シリコン膜に拡散するのを防止する不活性層が形成されていることを特徴とする半導体装置。」
　
２．引用例
　当審における拒絶の理由で引用された特開昭６３−２２９８５２号公報（以下、「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。
「半導体装置の電極配線に、第１層にポリシリコンを、第２層のバリア層に窒化チタン（TiN）とTi或いはTiNとTiシリサイドを、第３層にアルミニウムを使用することにより、コンタクト抵抗の低い、導電性のよい、断線の少ない電極配線を得ることが出来る。」（第１頁左下欄第１５行〜同頁右下欄第２行）、
「第１図（ａ）、（ｂ）は本発明における電極配線構造を説明するための断面模式図である。」（第２頁左下欄第２，３行）
「１はSi基板で、この表面層に、例えばＮ型の拡散領域２が形成されている。
　このSi基板１の表面にSiO2膜或いはＰＳＧ（Phospho-Silicate Glass）等の絶縁膜３を形成し、これにコンタクト孔を窓開けした後、不純物をドープしたポリSiの第１層４をＣＶＤ法で約１０００〜２０００Å被着する。ついで、この上に第２層の下側層としてTi５−１をスパッタリング法で約２００Å被着する。
　更に、この上に第２層の上側層としてTiN　５−２の層をスパッタリング法で約１５００Å形成する。…。
　第３層としてのAl６を厚さ約１μｍ、スパッタリングで被着する。ついで、異方性ドライエッチングにより電極配線パターニングを行う。」（第２頁左下欄第７行〜同頁右下欄第３行）、
　
　以上、第１図（ａ）及び電極配線の上記製造工程を参酌してまとめると、引用例１には、
「Si基板、当該Si基板上に形成された絶縁膜、当該絶縁膜に形成されたコンタクト孔、および当該コンタクト孔内を含んで前記絶縁膜上に形成された第２層(Ti)及び(TiN)と、第３層（Al）との電極配線を有する半導体装置において、
　前記電極配線の直下部の全ての領域には、前記コンタクト孔の内壁および底部を含んで第１層（ポリSi)が形成されている半導体装置。」
が記載されているものと認められる。
　
　また、当審における拒絶の理由で引用された特開平３−７１６５７号公報（以下、「引用例２」という。）には、Ａｌ配線に先だってコンタクト孔にポリシリコンを埋め込んだコンタクト方式の半導体装置に関して、次の事項が記載されている。
「今日、最も一般的な絶縁膜構造は第２図（１）に示されるような、減圧気相成長装置による…ＢＰＳＧ（ボロン・ホスホラス・シリケート・グラス　以下、ＢＰＳＧと称する）（24）の２層構造であって…」（第２頁左上欄第２行〜第８行）
「コンタクトホール側壁部をＳｉ3Ｎ4膜で被覆する工程は、ＢＰＳＧから埋め込みポリシリコン層への逆導電型の不純物の拡散によるポリシリコン層の不純物コンペンセーションを防止する。」（第２頁右下欄第１８行〜第３頁左上欄第１行）
「１．コンタクト孔エッチ
　…ＢＰＳＧ(４)からなる絶縁膜にホトリソグラフィと酸化膜エッチングを使用して…コンタクト孔(６)をあける。なお、領域(２)はコンタクトのために格別に形成された高濃度のコンタクト領域である。
２．Ｓｉ3Ｎ4膜デポジション
　…コンタクト孔(６)の側壁部を含むウェハ(１)の全面に５００Å厚のＳｉ3Ｎ4膜を成長させる。
３．Ｓｉ3Ｎ4膜エッチ
　…異方性エッチングを行い、コンタクト孔(６)の側壁部のＳｉ3Ｎ4膜のみを残す。
４．ポリシリコンデポジション
　減圧気相成長装置により１２０００Å厚のポリシリコン層(８)を成長させる。
５．ポリシリコンエッチバック
　…等方性エッチングを行い、コンタクト孔(６)内のポリシリコン(８)のみを残す。」（第３頁左上欄第１６行〜同頁右上欄第２０行）
　
　以上まとめると、引用例２には、ＢＰＳＧ（絶縁膜）からポリシリコンへの不所望な不純物の拡散を防止するために、ポリシリコンとＢＰＳＧとの間の全ての領域にＳｉ3Ｎ4からなる拡散防止膜を設ける技術が示唆されている。
　
３．対比
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　引用例１に記載された発明における「Si基板」、「絶縁膜」、「第２層(Ti)及び(TiN)」、「電極配線」、「第１層（ポリSi)」は、それぞれ本願発明の「半導体基板」、「絶縁層」、「高融点金属複合膜」、「積層配線」、「多結晶シリコン膜」に相当する。
　よって、両者は、
「半導体基板、当該半導体基板上に形成された絶縁層、当該絶縁層に形成されたコンタクト孔、および当該コンタクト孔内を含んで前記絶縁層上に形成された高融点金属複合膜と金属層との積層配線を有する半導体装置において、
　前記積層配線の直下部の全ての領域には、前記コンタクト孔の内壁および底部を含んで多結晶シリコン膜が形成されている半導体装置。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（１）金属層が、本願発明では「アルミ合金層」であるのに対して、引用例１に記載された発明では「Al層」である点（以下、「第１の相違点」という。）、
（２）本願発明の半導体装置は、「前記コンタクト孔の底部以外の前記多結晶シリコン膜の直下部の全ての領域には、前記絶縁層に含まれる不純物が前記多結晶シリコン膜に拡散するのを防止する不活性層が形成されている」のに対して、引用例１には、この点が記載されていない点（以下、「第２の相違点」という。）
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　
（第１の相違点）
　半導体装置の配線として、アルミニウム及びアルミ合金を使用することは慣用手段である。また、引用例１に記載の発明において、Al層をアルミ合金層に代えることにより格別な効果を奏するものとも認められない。
　したがって、引用例１に記載の発明において、金属層として、Al層に代えてアルミ合金層を採用することは当業者が適宜選択しうるものと認められる。
　
（第２の相違点）
　コンタクト孔が形成された絶縁層を有する半導体装置において、絶縁層材料の特性、電極・配線の材料等を考慮して、前記絶縁層としてＳｉＯ２、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ等を適宜選択して使用することは当該技術の分野における慣用手段である。
　また、引用例２には、絶縁膜としてのＢＰＳＧから多結晶シリコンへの不所望な不純物の拡散を防止するために、多結晶シリコンとＢＰＳＧとの間の全ての領域にＳｉ3Ｎ4からなる拡散防止膜を設ける技術が示唆されている。
　そして、引用例１に記載の半導体装置において、ＢＰＳＧのような絶縁層を採用するに当たって、該絶縁層からの不所望な不純物の拡散を防止するためのＳｉ3Ｎ4のような不活性層を介在させなければならないことは、当業者であれば格別の困難性なく想到できる技術事項である。
　しかも、引用例１，２に記載の半導体装置は、半導体基板、当該半導体基板上に形成された絶縁層、当該絶縁層に形成されたコンタクト孔、及び当該コンタクト孔内を含んで形成された多結晶シリコン膜からなる配線を有する半導体装置である点で共通するものであり、他に引用例２に記載の技術を引用例１に記載の半導体装置に適用する際して阻害要因となる事項も認められない。
　
　よって、本願請求項１に係る発明は、引用例１および引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願請求項２，３に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。