Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年4月3日(2012.4.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
溶媒に精製処理を施すべく本発明の方法において使用されている原理は、ポリイソシアネートを製造するための多段階プロセスに対して特に適しており、下記のような個別の工程を含む：
(a)  (i)ポリイソシアネート（単数または複数）の基となるポリアミン（単数または複数）を不活性溶媒中に溶解して得られる溶液と、(ii)ホスゲンを必要に応じて不活性溶媒中に溶解して得られる溶液とを、一段階もしくは多段階のホスゲン化反応にて反応させる工程；
(b)  (a)によって得られる液体反応混合物から、過剰のホスゲンと形成された塩化水素を分離する工程；
(c)  (b)において得られた溶液から、溶媒と易揮発性化合物（単数または複数）を蒸発によって一緒に分離し、プロセスの生成物を蒸発残留物として回収し、次いで必要に応じて蒸発残留物を、蒸留のさらなるプロセスにて処理する工程；
(d)  (c)において得られた蒸気を凝縮することによって揮発性化合物を含有する溶媒を回収し、アミン溶液(i)を調製するために凝縮液の一部分を再使用し、そして必要に応じてホスゲン溶液(ii)を調製するために凝縮液の別の部分を再使用する工程；および
(e)  イソシアネート基非含有の揮発性芳香族汚染物質が濃縮された溶媒ストリームをポリイソシアネート製造プロセスから除去する工程。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イソシアネート基非含有の揮発性芳香族汚染物質の含有量がトータルで５０ｐｐｍ未満であるポリイソシアネートの製造法であって、
(a)  (i)一つまたは複数のポリイソシアネートの基となる一つまたは複数のポリアミンを不活性溶媒中に溶解して得られる溶液と、(ii)ホスゲンを必要に応じて不活性溶媒中に溶解して得られる溶液とを、一段階もしくは多段階のホスゲン化反応にて反応させる工程；
(b)  (a)によって得られる液体反応混合物から、過剰のホスゲンと形成された塩化水素を分離する工程；
(c)  (b)において得られた溶液から、溶媒と易揮発性化合物を蒸発によって一緒に分離し、生成物を蒸発残留物として回収し、次いで必要に応じて蒸発残留物をさらなる蒸留プロセスにて処理する工程；
(d)  (c)において得られた蒸気を凝縮することによって一つまたは複数の揮発性化合物を含有する溶媒を回収し、ここで、この凝縮液が、イソシアネート基非含有の揮発性芳香族汚染物質が濃縮された溶媒ストリームとなり、イソシアネート基非含有の揮発性芳香族汚染物質を除去処理した溶媒ストリームを、一つまたは複数のアミン溶液および／またはホスゲン溶液を調製するために再使用する工程；および
(e)  イソシアネート基非含有の揮発性芳香族汚染物質が濃縮された溶媒ストリームをポリイソシアネート製造プロセスから除去する工程；
を含む、上記製造法。
【請求項２】
工程(d)における凝縮液の一部分を再使用する前に、さらにイソシアネート基非含有の揮発性芳香族化合物を溶媒から除去する、請求項１に記載の製造法。
【請求項３】
ポリイソシアネートがジフェニルメタン系列のポリイソシアネートである、請求項１または２に記載の製造法。
【請求項４】
汚染物質がｐ−ジクロロベンゼンを含む、請求項１〜３のいずれかに記載の製造法。
【請求項５】
不活性溶媒がモノクロロベンゼンを含む、請求項１〜４のいずれかに記載の製造法。
【請求項６】
ポリイソシアネートがジフェニルメタン系列のポリイソシアネートであり、汚染物質がｐ−ジクロロベンゼンを含み、不活性溶媒がモノクロロベンゼンを含む、請求項１〜５のいずれかに記載の製造法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月20日(2010.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホログラフィック・ディスプレイ装置であって、
第１の電気的にアドレス指定された空間光変調器（ＥＡＳＬＭ）と、第２のＥＡＳＬＭとを備え、
前記第１のＥＡＳＬＭ及び前記第２のＥＡＳＬＭの組は、位相及び振幅の独立した変更を可能とし、
ホログラフィック再構成が１つ以上の仮想観察者ウィンドウを通じて可視化されることを特徴とするホログラフィック・ディスプレイ装置。
【請求項２】
前記ディスプレイは、バックライトとマイクロレンズ・アレイで照明されることと、光源が発光ダイオードであることとの少なくとも一方であることを特徴とする請求項１に記載のホログラフィック・ディスプレイ装置。
【請求項３】
所定のＥＡＳＬＭが位相を変更し、他のＥＡＳＬＭが振幅を変更するか、又は、
所定のＥＡＳＬＭが位相及び振幅の組み合わせを変更し、他のＥＡＳＬＭが位相及び振幅の異なる組み合わせを変更することを特徴とする請求項１又は２に記載のホログラフィック・ディスプレイ装置。
【請求項４】
複数のＥＡＳＬＭの間に中間的な光部材が存在しないことと、複数のＥＡＳＬＭが小さな又は最小の分離部とともに調整レイヤを形成することとの少なくとも一方であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のホログラフィック・ディスプレイ装置。
【請求項５】
複数のＥＡＳＬＭが、直接的に又は物理的な接着部材を挟んで間接的に固定されることと、光源が、直接的に又は物理的な接着部材を挟んで間接的に、前記ＥＡＳＬＭに固定されることとの少なくとも一方であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載のホログラフィック・ディスプレイ装置。
【請求項６】
前記複数のＥＡＳＬＭは、複数の前記仮想観察者ウィンドウに対してアライン画素を有することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載のホログラフィック・ディスプレイ装置。
【請求項７】
前記第１のＥＡＳＬＭから前記第２のＥＡＳＬＭへの光の回折は、Fraunhofer回折レイジームを除く、Fresnel回折レイジームであるか、又は、
前記第１のＥＡＳＬＭの各画素によって透過される強度の９０％以上が、２次元横断面を考慮して、前記第２のＥＡＳＬＭの対応する画素に入射されることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載のホログラフィック・ディスプレイ装置。
【請求項８】
分離レイヤは、所定のＥＡＳＬＭが隣接するＥＡＳＬＭの性能に悪影響を与える電磁場を最小化するために、前記複数のＥＡＳＬＭを分離することを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載のホログラフィック・ディスプレイ装置。
【請求項９】
レンズ・アレイは、クロストークを最小化するために前記複数のＥＡＳＬＭ間に配置されることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のホログラフィック・ディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記第１のＥＡＳＬＭにおける画素のアパーチャは、クロストークを最小化するために縮小されることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載のホログラフィック・ディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記仮想観察者ウィンドウは、空間多重化又は時間多重化を用いてタイル化されることを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載のホログラフィック・ディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記ディスプレイは、観察者の左目及び右目用のホログラム・ベアリング媒体上で、ホログラムを時系列的に再エンコードするように動作可能であるか、又は、
ホログラフィック画像は、ビーム・スプリッタを用いて観察者の各目に届けられることを特徴とする請求項１乃至１１の何れか１項に記載のホログラフィック・ディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記ディスプレイが、投影レンズを必要とせず、光学遠視野における前記ホログラフィック・ディスプレイ装置からスクリーンまでの距離から独立したスクリーン焦点を合わせられる２Ｄ画像を生成することと、複数のＥＡＳＬＭが、光源の３０ｍｍ範囲内に位置するとともに、携帯ケース内に取り付けられることとの少なくとも一方であることを特徴とする請求項１乃至１２の何れか１項に記載のホログラフィック・ディスプレイ装置。
【請求項１４】
ビーム・ステアリング・エレメントは、仮想観察者ウィンドウ（ＶＯＷ）のトラッキングを提供するとともに、プリズム・エレメントを有する制御可能なプリズム・アレイを備え、
前記プリズム・アレイは、エレクトロウェッティング・プリズム・アレイの形式であり、
プリズム・エレメントは、電極と、２つの区分された液体で満たされた空洞とを備え、
前記液体間のインタフェースの傾斜は、電圧を前記電極に加えることによって電気的に制御可能であることを特徴とする請求項１乃至１３の何れか１項に記載のホログラフィック・ディスプレイ装置。
【請求項１５】
ビーム・ステアリング・エレメントは、ＶＯＷのトラッキングを提供するとともに、等方性の母材内部の液晶領域からなり、
前記液晶領域とマトリックスとの間のインタフェースは、プリズム形状、球面部分を有する形状、又は、円柱部分を有する形状であり、
液晶の配向性は、前記ビーム・ステアリング・エレメントの屈折特性又は回折特性を変化させるように、外部的に適用される電場を用いて制御されることを特徴とする請求項１乃至１４の何れか１項に記載のホログラフィック・ディスプレイ装置。
【請求項１６】
前記光源に整列された前記複数のＥＡＳＬＭ、光源及びレンズ・アレイは、全て携帯ケース内に取り付けられ、
前記光源は、前記レンズ・アレイによって１０倍から６０倍の間で拡大されることを特徴とする請求項１乃至１５の何れか１項に記載のホログラフィック・ディスプレイ装置。
【請求項１７】
請求項１乃至１６の何れか１項に記載のホログラフィック・ディスプレイ装置を使用するステップを含むホログラフィック再構成を生成する方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年12月2日(2011.12.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線周波数電力増幅器でスイッチ変調する方法であって、入力信号を複素成分（Ｉ＋ｊ・Ｑ）のＩ信号とＱ信号とで表し、
前記Ｉ信号と前記Ｑ信号とを個別にサンプリングしてサンプリングした信号の振幅をパルス系列中のパルスの幅にマッピングすることでパルス幅変調し（１４２）、変調したＩ信号パルス系列と変調したＱ信号パルス系列とを生成するステップと、
正のサンプル値に対応する前記パルスに対して負のサンプル値の対応する前記パルスを時間シフトするステップと、
遅延時間シフトを導入して前記Ｉ信号パルス系列の各パルスを遅延させるステップとを有し、
前記正のサンプル・パルスに対する前記負のサンプル・パルスの前記時間シフトには、前記正のサンプル・パルスをサンプル区間の一方の半分に置き、前記負のサンプル・パルスを前記サンプル区間のもう一方の半分に置くことを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記時間シフトしたパルスにマッピングするよう新しいサンプル値が補間されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記Ｉ信号パルス系列と前記Ｑ信号パルス系列とを個別に電力増幅するステップと（１４５）、
前記増幅したＩ信号パルス系列と前記増幅したＱ信号パルス系列とを合成するステップと（１４６）、
前記増幅し、合成したパルス系列にフィルタを掛けて正しい出力信号を生成するステップ（１４７）と
を更に有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記振幅を修正して線形関数を得ることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記Ｉ成分の前記遅延時間シフトが、９０度位相シフトに対応する０．２５Ｔsであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記正のサンプル・パルスに対する前記負のサンプル・パルスの前記時間シフトには、前記負のサンプル・パルスを前記サンプル区間Ｔsの第二の半分に置き、前記正のサンプル・パルスを前記サンプル区間の第一の半分に置くことを含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記補間には２個の隣接サンプル間の線形補間を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項８】
前記補間には３次スプライン補間を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項９】
入力信号の複素成分（Ｉ＋ｊ・Ｑ）のＩ信号とＱ信号の個別変調により無線周波数電力増幅器をスイッチ変調する装置であって、
前記Ｉ信号と前記Ｑ信号とを個別にサンプリングし、サンプリングした信号の振幅をパルス系列中のパルスの幅にマッピングすることで変調して、変調したＩ信号パルス系列（３ａ）と変調したＱ信号パルス系列（３ｂ）とを生成するパルス幅変調器（２ａ、２ｂ）と、
サンプル区間内で、正のサンプル値に対応する前記パルスに対して負のサンプル値に対応する前記パルスを時間シフトさせる時間シフタ（１４ａ、１４ｂ）と、
遅延時間シフトを前記Ｉ信号パルス系列に導入する遅延ユニット（１２）とを備え、
前記正のサンプル・パルスに対する前記負のサンプル・パルスの前記時間シフトには、前記正のサンプル・パルスを前記サンプル区間の一方の半分に置き、前記負のサンプル・パルスを前記サンプル区間のもう一方の半分に置くことを含むことを特徴とする装置。
【請求項１０】
前記時間シフトしたパルスの各々の前記幅にマッピングするよう新しいサンプル振幅を補間する補間器（１５ａ、１５ｂ）をさらに備えることを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記Ｉ信号パルス系列と前記Ｑ信号パルス系列とを個別に増幅する２個の電力増幅器（４ａ、４ｂ）と、
前記増幅したＩ信号パルス系列と前記増幅したＱ信号パルス系列との合成器（１３）と、
前記合成したパルス系列を帯域通過フィルタに掛けて増幅した正しい出力信号（７）を生成するフィルタ（６）と
をさらに備える
ことを特徴とする請求項９または１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記パルス幅と前記サンプリングした信号の振幅との間の線形関係を得るよう修正計算器（１１）をさらに備えることを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１３】
前記遅延時間シフトが、前記変調したＩ信号パルス系列の９０度位相シフトに対応する０．２５Ｔsであることを特徴とする請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】
前記補間器（１５ａ、１５ｂ）には３次スプライン補間器を備えることを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１５】
前記電力増幅器（４ａ、４ｂ）がＤ級増幅器またはＥ級増幅器であることを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月10日(2011.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の視点からの画像、第二の視点からの画像、及び前記第一の視点からの画像について１以上の視点間の依存の関係を示す依存情報にアクセスする手段と、
前記依存情報に基づいて、前記第一の視点からの画像が前記第二の視点からの画像にとっての参照画像であるかを判定する手段とを備える装置であって、
前記依存情報は、視点間の参照の指示と、ある画像が時間参照のために使用されるかを示すシンタックスエレメントとを含み、前記視点間の参照の指示及びシンタックスエレメントは、前記第一の視点からの画像が、視点間の参照にのみ使用されるか、時間参照に使用されるか、又は、視点間の参照と時間参照の両者のために使用されるかを判定するために使用される、
ことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記アクセスする手段はエンコーダを有し、
前記アクセスする手段は、前記第一の視点からの画像、前記第二の視点からの画像をエンコードし、前記依存情報をフォーマット化する、
請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記アクセスする手段はデコーダを有し、
前記アクセスする手段は、前記第一の視点からの画像、前記第二の視点からの画像及び前記依存情報を受信する、
請求項１記載の装置。
【請求項４】
第一の視点からの画像、第二の視点からの画像、及び前記第一の視点からの画像について１以上の視点間の依存関係を示す依存情報にアクセスするステップと、
前記依存情報に基づいて、前記第一の視点からの画像が前記第二の視点からの画像にとって参照画像であるかを判定するステップとを含む方法であって、
前記依存情報は、視点間の参照の指示と、ある画像が時間参照のために使用されるかを示すシンタックスエレメントとを含み、前記視点間の参照の指示及びシンタックスエレメントは、前記第一の視点からの画像が、視点間の参照にのみ使用されるか、時間参照に使用されるか、又は、視点間の参照と時間参照の両者のために使用されるかを判定するために使用される、
ことを特徴とする方法。
【請求項５】
前記第一の視点からの画像が前記第二の視点からの画像にとって参照画像であるかを判定するステップは、エンコーダにより実行される再構成プロセスの間に前記エンコーダにより実行される、
請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記依存情報の視点間の参照の指示は、高水準のシンタックスエレメントを含み、
前記高水準のシンタックスエレメントは、シーケンスパラメータセットデータを含み、
前記第一の視点からの画像が参照画像であるかを判定するステップは、前記シーケンスパラメータセットデータを評価することを含む、
請求項４記載の方法。
【請求項７】
前記第一の視点からの画像の依存情報は、（１）前記第一の視点からの画像のアンカーリファレンスの数、（２）前記第一の視点からの画像のノンアンカーリファレンスの数、（３）前記第一の視点からの画像の前記アンカーリファレンスの視点の数、及び（４）前記第一の視点からの画像のノンアンカーリファレンスの視点の数、を示すシンタックスエレメントに含まれる、
請求項４記載の方法。
【請求項８】
コンピュータに、
第一の視点からの画像、第二の視点からの画像、及び前記第一の視点からの画像について１以上の視点間の依存関係を示す依存情報にアクセスするステップと、
前記依存情報に基づいて、前記第一の視点からの画像が前記第二の視点からの画像にとって参照画像であるかを判定するステップと、
を含む方法を実行させるための命令を含むプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、
前記依存情報は、視点間の参照の指示と、ある画像が時間参照のために使用されるかを示すシンタックスエレメントとを含み、前記視点間の参照の指示及びシンタックスエレメントは、前記第一の視点からの画像が、視点間の参照にのみ使用されるか、時間参照に使用されるか、又は、視点間の参照と時間参照の両者のために使用されるかを判定するために使用される、
ことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項９】
当該装置は、ビデオデータデコーダを備え、
前記ビデオデータデコーダは、前記アクセスする手段と前記判定する手段とを含む、
請求項１記載の装置。
【請求項１０】
当該装置は、
高水準のシンタックスにアクセスし、前記高水準のシンタックスに基づいて、前記依存情報を生成する高水準シンタックスリーダと、
前記アクセスする手段と前記判定する手段とを含み、前記高水準シンタックスリーダに結合されるビデオデータデコーダであって、前記依存情報を受け、前記第一の視点からの画像にアクセスし、第二の視点からの画像にアクセスし、前記依存情報に基づいて、前記第一の視点からの画像が前記第二の視点からの画像にとって参照画像であるかを判定するビデオデータデコーダとを備える、
ことを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項１１】
ある画像が時間参照のために使用されるかを示す前記シンタックスエレメントは、nal_ref_idcシンタックスエレメントを含む、
請求項８記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項１２】
ある画像が時間参照のために使用されるかを示す前記シンタックスエレメントは、nal_ref_idcシンタックスエレメントを含む、
請求項４乃至７の何れか記載の方法。
【請求項１３】
ある画像が時間参照のために使用されるかを示す前記シンタックスエレメントは、nal_ref_idcシンタックスエレメントを含む、
請求項１乃至３，９乃至１０の何れか記載の装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年4月4日(2012.4.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
第３ステップでは、データブロック（ＴＰＭＳデータ・ブロック）が再構築されても良い。有効なフレームおよび再構築されたフレームから得られた情報を用い、ブロックのための正しい情報が解読されてもよい。更に、アルゴリズムが、データの一貫性(consistency）、マジョリティ(majority)、妥当性(plausibility)等のチェックに使用されても良い。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年7月13日(2012.7.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィラメントおよび／またはステープル繊維を含む耐切創糸であって、前記フィラメントおよび／またはステープル繊維が、前記糸の耐切創性を改善するための硬質成分を含む糸において、
前記硬質成分が、平均径が最大２５μｍの複数の硬質繊維であり、前記硬質繊維が、ガラス、鉱物、または金属から製造されており、前記硬質繊維の少なくとも一部のアスペクト比が少なくとも３である、糸。
【請求項２】
前記硬質繊維の平均径が、最大２０μｍであることを特徴とする、請求項１に記載の糸。
【請求項３】
前記糸が、前記硬質繊維を０．１〜２０体積％含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の糸。
【請求項４】
前記硬質繊維が、紡糸繊維であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の糸。
【請求項５】
前記糸を製造するためのポリマーとして、超高分子量ポリエチレンが使用されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の糸。
【請求項６】
前記硬質繊維の製造に使用される材料が、少なくとも２．５のモース硬度を有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の糸。
【請求項７】
前記フィラメントおよび／またはステープル繊維の繊度が、フィラメント１本当たり１５ｄｔｅｘ未満である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の糸。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の糸の一本以上の単糸、及びさらにガラス、金属もしくはセラミックの糸、線もしくは撚り糸の一本以上の単糸を含む複合糸。
【請求項９】
金属線からなる芯の周囲に撚られた請求項１〜７のいずれか一項に記載の糸の単糸を含む、請求項８に記載の複合糸。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の糸、または請求項８もしくは９に記載の複合糸を含む布帛。
【請求項１１】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の糸、または請求項８もしくは９に記載の複合糸を含む製品。
【請求項１２】
前記製品が、人体を切創から防護するための衣類である、または突刺しによる負傷から防護するために用いられることを特徴とする、請求項１１に記載の製品。
【請求項１３】
前記製品が、手袋、前掛け、ズボン、手首カバー、腕カバー、トラックのサイドカーテンおよびターポリン、ソフトタイプの旅行かばん、家具用布地、空輸貨物コンテナ用仕切り及び消防用ホースの外被からなる群より選択される、請求項１１に記載の製品。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
本発明の範囲には、いわゆる複合糸およびこのような糸を含む製品も包含される。このような複合糸は、例えば、複数の硬質繊維を含むフィラメントおよび／またはステープル繊維を含む１本以上の単糸、ならびにガラス、金属、もしくはセラミックの糸（ｙａｒｎ）、線（ｗｉｒｅ）もしくは撚り糸（ｔｈｒｅａｄ）の１本以上のさらなる単糸を含む。複合糸の例としては、金属線からなる芯の周囲に撚られた本発明による単糸を含む糸がある。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月10日(2012.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
脂肪族ポリエステルポリマーと；
リン酸緩衝剤の塩、クエン酸緩衝剤の塩及び塩化ナトリウムからなる群から選択される塩；を含む、
生分解性ポリマーステントであって、塩が存在しない該ステントに較べ、分解速度が増加するだけの充分な量の塩が存在する、生分解性ポリマーステント。
【請求項２】
前記塩が、ステントの０．０１％から１５％までの重量％含まれる、請求項１に記載のステント。
【請求項３】
前記塩が、ステントの２％から８％までの重量％含まれる、請求項１に記載のステント。
【請求項４】
前記塩が、リン酸塩である、請求項１に記載のステント。
【請求項５】
前記ポリマーが、ポリ−Ｌ−乳酸又はポリ−Ｄ，Ｌ−乳酸を含む、請求項１に記載のステント。
【請求項６】
前記ポリマーが、単一のポリマーである、請求項１に記載のステント。
【請求項７】
前記ポリマーが、コポリマーである、請求項１に記載のステント。
【請求項８】
脂肪族ポリエステルポリマーと；
リン酸緩衝剤の塩、クエン酸緩衝剤の塩及び塩化ナトリウムからなる群から選択される塩；を含む、
生分解性ポリマーステントの、生分解性速度を増加させる方法であって、
ｉ）塩が存在しない該ステントに較べ、分解速度が増加するだけの充分な量の塩とポリマーを結合させるステップ、及び
ｉｉ）ポリマーをステントに形成するステップ
を含む方法。
【請求項９】
前記塩が、ステントの０．０１％から１５％までの重量％含まれる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記塩が、ステントの２％から８％までの重量％含まれる、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記塩が、リン酸塩である、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記ポリマーが、ポリ−Ｌ−乳酸又はポリ−Ｄ，Ｌ−乳酸を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記ポリマーが、単一のポリマーである、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記ポリマーが、コポリマーである、請求項８に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年7月13日(2012.7.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
別の実施態様では、２つのヒータが使用されることもできる。例えば、ヒータは、プランジャー１１５０内にあり、かつ、ノズル部１１３０にあることもできる。これにより、（ノズル部１１３０に配置されたヒータの場合）熱はノズル部１１３０を通して間接的にＩＯＬへ転送され、かつ、（プランジャー１１０５に配置されたヒータの場合）熱は直接的にＩＯＬへ転送される。その他多くの類似の配置は本発明の範囲にある。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
図１５の実施態様において、コントローラ１５０５は、入力装置１５１５からインターフェイス１５３５を介して入力を受信できる集積回路である。コントローラは、その電力をインターフェイス１５２５を介して電源１５２０から受け取る。コントローラ１５０５は、情報もインターフェイス１５４０を介してヒータ（図示しない）から受け取る。この実施態様では、コントローラ１５０５は、２つの制御出力を有する。コントローラ１５０５は、インターフェイス１５３０を介して制御出力をモータ１５１０に送信する。コントローラ１５０５は、インターフェイス１５４０を介して制御出力をヒータ（図示しない）に送信する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５６】
コントローラ１５０５は、ヒータ１３０５又はヒータ１３１０を制御する異なるアルゴリズムをいくつでも使用することができる。本発明の原理と整合する１つの実施態様において、コントローラ１５０５は、ＩＯＬをある所望の温度範囲内に維持するためにヒータのスイッチをＯＮ／ＯＦＦする、ＯＮ／ＯＦＦ制御アルゴリズムを使用する。別の実施態様では、コントローラ１５０５は、その温度を安定化するためにヒータ１３０５又はヒータ１３１０に流す電流の量を制御する。この方法では、ヒータは、ＩＯＬが所望の温度範囲内に維持されることを確実なものとすべく所定の温度範囲内に維持される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７１】
図２２は、本発明の別の実施態様にしたがった、眼球内レンズ注入システムの別の作動方法のフローチャートである。ステップ２２１０でヒータが作動させられるべきことを示す入力信号が受信され、ステップ２２２０でヒータが作動させられる。ステップ２２３０でＩＯＬが加熱される。ステップ２２４０でＩＯＬがその所望温度範囲に達していない場合、その後、ステップ２２５０でコントローラにフィードバックがかけられ、ステップ２２３０でＩＯＬが加熱され続ける。ステップ２２４０でＩＯＬが所望温度範囲に達していた場合、その後、２２６０でＩＯＬが所望温度範囲内にあることが示される。ステップ２２７０でＩＯＬの温度がその所望温度範囲内に維持される。ステップ２２８０で信号が送信されてプランジャーを作動する。ステップ２２９０でその所望温度範囲内にある間にＩＯＬは眼の中に送達される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＯＬ送達システムの作動方法であって、
前記ＩＯＬ送達システムは、眼球内レンズを加熱するためのヒータを備え、
当該ＩＯＬ送達システムの作動方法は、
前記ＩＯＬ送達システムが前記ヒータを作動させて前記眼球内レンズを加熱する工程と、
前記ＩＯＬ送達システムが前記ヒータを制御して前記眼球内レンズを所望の温度範囲に維持する工程と、
前記眼球内レンズが前記所望の温度範囲にないとき、前記ＩＯＬ送達システムが前記眼球内レンズの眼の中への送達を禁止する工程とを含む、ＩＯＬ送達システムの作動方法。
【請求項２】
さらに、前記眼球内レンズが前記所望の温度範囲にあることを前記ＩＯＬ送達システムが示す工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＩＯＬ送達システムが前記ヒータを制御して前記眼球内レンズを所望の温度範囲に維持する前記工程は、前記眼球内レンズを前記眼球内レンズが圧縮されることのできる所定の温度範囲に維持することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
さらに、前記ＩＯＬ送達システムが温度フィードバック信号を使用して前記ヒータを制御する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ＩＯＬ送達システムが前記ヒータを制御して前記眼球内レンズを所望の温度範囲に維持する前記工程は、前記ＩＯＬ送達システムが前記ヒータを所定の温度範囲に維持することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
さらに、前記ヒータのスイッチが入れられるべきであることを示す入力信号を前記ＩＯＬ送達システムが受信する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ＩＯＬ送達システムの作動方法であって、
前記ＩＯＬ送達システムは、眼球内レンズを加熱するためのヒータを備え、
当該ＩＯＬ送達システムの作動方法は、
前記ヒータのスイッチが入れられるべきであることを示す入力信号を前記ＩＯＬ送達システムが受信する工程と、
前記ＩＯＬ送達システムが前記ヒータを作動させて前記眼球内レンズを加熱する工程と、
前記ヒータを制御するための温度フィードバック信号を前記ＩＯＬ送達システムが受信する工程と、
前記ＩＯＬ送達システムが前記ヒータを制御して前記眼球内レンズを所望の温度範囲に維持する工程と、
前記眼球内レンズが前記所望の温度範囲にないとき、前記ＩＯＬ送達システムが前記眼球内レンズの眼の中への送達を禁止する工程とを含む、ＩＯＬ送達システムの作動方法。
【請求項８】
さらに、前記眼球内レンズが前記所望の温度範囲にあることを前記ＩＯＬ送達システムが示す工程を含む、請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月1日(2012.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
管状加工部品のための溶接システムであって、
溶接機電源であって、該溶接機電源は、溶接動作中に電力を提供するための軌道溶接ヘッドに接続可能である、溶接機電源と、
パージガスのための少なくとも１つの自動流量制御部であって、該自動流量制御部は、パージガスの供給源に接続可能な入口と、該軌道溶接ヘッド内の管状加工部品に対する溶接部位の外径領域にパージガスの流れを提供するための出口とを有し、該自動流量制御部は、溶接動作中に該溶接部位の該外径領域への該パージガスの流量を制御する、少なくとも１つの自動流量制御部と
を備える、溶接システム。
【請求項２】
十分なパージガスの流れが前記溶接部位に存在する場合にのみ、前記溶接機電源の動作を可能にする制御システムを備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
自動ＯＤパージ制御部を備え、該自動ＯＤパージ制御部は、溶接動作前の増加したパージ流量と、溶接動作中の減少したパージ流量と、溶接動作後の増加したパージ流量とを含む動的パージ流量順序を実行する、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記自動流量制御部は、質量流量制御器を備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
溶接動作中に所定のＩＤパージガス圧力を維持する自動ＩＤパージ制御部を備え、該ＩＤパージ制御部は、ＩＤ圧力を検出する圧力センサを備え、該ＩＤパージ制御部は、溶接動作中に所望のＩＤ圧力を維持するために、前記軌道溶接ヘッド内の管状加工部品に対する溶接部位において、内径領域に対するパージガスの流量を調節する、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記溶接機電源は、前記自動流量制御部の出口から前記軌道溶接ヘッドまでのパージガスの流れを感知することによって、パージガスが前記溶接部位に存在することの確認がない場合には、溶接動作のための電力を提供することが阻止される、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記自動ＩＤパージ制御部は、前記溶接部位におけるパージガス圧力を制御するために、管状加工部品に対する該溶接部位における前記内径領域へのパージガスの流量を調節する、請求項５に記載のシステム。
【請求項８】
前記自動ＩＤパージ制御部は、質量流量制御器を備える、請求項５に記載のシステム。
【請求項９】
軌道溶接機を備え、該軌道溶接機は、前記溶接機電源と、パージガスのための前記少なくとも１つの自動流量制御部と共に動作可能である、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
自動ＯＤパージ制御部と自動ＩＤパージ制御部とを備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
軌道溶接機内の管状加工部品の前記溶接部位に対するＩＤパージガス流量およびＯＤパージガス流量の一方または両方を調節するための制御システムを備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
パージ動作中の前記内径領域内の前記パージガスの圧力を検出するための圧力センサを含む制御システムを備え、該制御システムは、溶接動作中に所定のＩＤ圧力を維持するために該検出された圧力に基づいてパージガスの流量を調節する、請求項７に記載のシステム。
【請求項１３】
前記ＩＤパージ制御部は、質量流量制御器を備える、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
管状加工部品のための溶接システムであって、
軌道溶接ヘッドと、
溶接機電源であって、該溶接機電源は、溶接動作中に電力を提供するために、該軌道溶接ヘッドに接続可能である、溶接機電源と、
パージガスのための第１の自動流量制御部と、
パージガスのための該第１の自動流量制御部に連結された、該軌道溶接ヘッド内の管状加工部品のための溶接部位の外径領域へのパージガスの流量を制御するための制御システムと
を備え、
該制御システムは、該溶接部位の内径領域へのパージガスの流量を制御するためのパージガスのための第２の自動流量制御部に連結され、該制御システムは、溶接動作中に、該内径領域において所定の圧力を維持するために、該内径領域へのパージガスの流量を調節する、溶接システム。
【請求項１５】
前記電源と前記少なくとも１つの自動流量制御部と前記制御システムとを囲む筐体を備え、前記溶接システムは、手で搬送可能である、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記制御システムは前記溶接機電源に連結され、パージ動作が開始するまで溶接動作を阻止する、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１７】
溶接動作中にパージを制御する方法であって、
軌道溶接機を用いて端と端とを当接した管状加工部品において突き合わせ溶接動作を行うことと、
溶接動作中に、溶接部位における外径領域に、パージガスに対する流量プロファイルを適用することと
を包含し、
該流量プロファイルは、少なくとも、溶接動作が開始する前の第１の流量と、該溶接動作中の第２の流量であって、該第２の流量は該第１の流量より小さい、第２の流量と、該溶接動作が終了した後の第３の流量であって、該第３の流量は、該第２の流量よりも大きい、第３の流量とを含む、方法。
【請求項１８】
前記流量プロファイルを適用するステップは、電子的な自動パージ制御を用いることを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
溶接動作は、パージガスが前記溶接部位に流れ込むまで自動的に阻止される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記流量プロファイルを適用するステップは、質量流量制御器を用いることを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記筐体は、手で握ることが可能なハンドルを備える、請求項１４に記載のシステム。
【請求項２２】
パージガスのための前記第１および第２の自動流量制御部は、それぞれ、質量流量制御器を備える、請求項１４に記載のシステム。
【請求項２３】
パージガスは、流路に沿って前記内径領域まで流れ、該流路は、該流路に沿った流動抵抗を含む、請求項１４に記載のシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年10月3日(2012.10.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１２】
〔実施例２０〕
３．２ｋｇのシュードベーマイトを１２．０ｋｇの脱カチオン水に加え、スラリーにした。塩酸でスラリーのｐＨを３に調整し、均一に攪拌して、５５℃で６時間にわたって放置することにより熟成させた。２１．９ｋｇのシリカゾルおよび２．３ｋｇのアルミナゾル（熟成の前および後に加える熱耐性無機酸化物（またはその前躯体）の重量比は１：２である）をそこに加え、均一に攪拌した。次いで、１．０ｋｇ（無水ベース）の改質ゼオライトベータＢ９と、３．０ｋｇ（無水ベース）のＭＦＩ構造を有するゼオライトＺＲＰ−５との混合物を、水でスラリーにすることによって得られた１１．４ｋｇのスラリーを加え、均一に攪拌した。このようにして、１９．７重量％の固形分を有するスラリーを得た。生じたスラリーを噴霧乾燥し、２０〜１５０μｍの直径を有する粒子に２５０℃で成形した。次いで、得られた粒子を５５０℃で２時間にわたってか焼し、触媒Ｃ１０を得た。Ｃ１０の組成を表２に示す。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１３】
【表２】
2010501341.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月8日(2012.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
改善された品質のデバイスを成長させるための方法であって、
（ａ）インジウム（Ｉｎ）含有の窒化物ベースの１つ以上の量子井戸層を成長温度において堆積させることと、
（ｂ）該インジウム含有の窒化物ベースの量子井戸層の該成長温度を１５０℃超えることがない成長基板温度において、窒化物半導体膜を該量子井戸層の上に堆積させることと
を包含する、方法。
【請求項２】
前記窒化物半導体膜は、マグネシウム（Ｍｇ）によってドーピングされる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記窒化物半導体膜は、５０ｎｍより大きい厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記窒化物半導体膜は、意図的にドーピングされた材料か、または、意図的ではなくドーピングされた材料の１つ以上の層を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記窒化物半導体膜は、可変組成か、または、傾斜組成を有する複数の層を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記窒化物半導体膜は、異なる（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ組成の層を含むヘテロ構造を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記窒化物半導体膜は、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮまたはＡｌＩｎＮを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記窒化物半導体膜は、従来のｃ面配向の窒化物半導体の結晶上か、または、ａ面またはｍ面などの無極性の面上か、または、任意の半極性の面上で、窒化物結晶の任意の方向において成長させられる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記成長基板温度は、前記成長温度に実質的に等しい、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記成長基板温度は、前記インジウム含有の窒化物ベースの量子井戸層の前記成長温度を５０℃超えることがない、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記窒化物半導体膜と前記インジウム含有の窒化物ベースの量子井戸層とは、水素化物気相エピタキシー（ＨＶＰＥ）、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）、または、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）によって成長させられる、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法を用いて製造される向上した出力パワーを有するデバイス。
【請求項１３】
発光ダイオード（ＬＥＤ）であって、
（ａ）インジウム（Ｉｎ）含有の窒化物ベースの１つ以上の量子井戸層と、
（ｂ）該インジウム含有の窒化物ベースの量子井戸層にｎ型キャリアを注入するための、該インジウム含有の窒化物ベースの量子井戸層の１つの側に堆積されたｎ型層と、
（ｃ）マグネシウム（Ｍｇ）含有であり、かつ、該インジウム含有の窒化物ベースの量子井戸層に堆積された、ｐ型層として作用する窒化物半導体層であって、少なくとも５０ｎｍの厚さを有する窒化物半導体層と
を備える、発光ダイオード。
【請求項１４】
前記窒化物半導体層は、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮまたはＡｌＩｎＮを含んでいる、請求項１３に記載のＬＥＤ。
【請求項１５】
前記窒化物半導体層は、ＧａＮを含んでいる、請求項１３に記載のＬＥＤ。
【請求項１６】
前記窒化物半導体層は、可変組成または傾斜組成を有する複数の層を含んでいる、請求項１３に記載のＬＥＤ。
【請求項１７】
前記窒化物半導体層は、異なる（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ組成の層を含むヘテロ構造を含んでいる、請求項１３に記載のＬＥＤ。
【請求項１８】
前記窒化物半導体層は、無極性の面上か、または、任意の半極性の面上で成長させられる、請求項１３に記載のＬＥＤ。
【請求項１９】
前記量子井戸は、成長温度で成長した多重量子井戸であり、前記窒化物半導体層は、（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ層上で直接、かつ（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ層に接触して成長させられる、請求項１３に記載のＬＥＤ。
【請求項２０】
ステップ（ａ）および（ｂ）を連続的に行うことをさらに包含し、前記量子井戸は、前記成長温度で成長した多重量子井戸である、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記窒化物半導体膜は、ＧａＮを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月8日(2012.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つのプラスチックの粒子および少なくとも一つの熱可塑性エラストマーの粒子の焼結混合物を含む焼結多孔質高分子材料を含む組成物であって、該焼結多孔質高分子材料が２．３ｋｇ（５ポンド）未満のASTM D747に準拠する剛性を有し、該少なくとも一つのプラスチックがポリオレフィン、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエーテルスルホン、ポリスチレン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、およびポリスルホン、ならびにその組み合わせからなる群より選択される、組成物。
【請求項２】
少なくとも一つのプラスチックがポリエチレン、ポリプロピレンおよび／またはその共重合体を含むポリオレフィンである、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
少なくとも一つのプラスチックが高密度ポリエチレンまたは超高分子量ポリエチレンを含む、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項４】
少なくとも一つの熱可塑性エラストマーが熱可塑性ポリウレタン、イソプレンまたは１，３−ブタジエンとスチレンとのブロック共重合体、ポリエチレン-プロピレン共重合体、ポリエチレン-ブテン共重合体、ポリエチレン-オクテン共重合体、ポリエチレン-ヘキセン共重合体、またはそれらの組み合わせを含む請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
少なくとも一つの熱可塑性エラストマーがスチレン−エチレン−ブタジエン−スチレン（ＳＥＢＳ）を含む、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
少なくとも一つの熱可塑性エラストマーが、10重量パーセントから90重量パーセントの範囲の量で存在する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項７】
焼結多孔質高分子材料が1μmから200μmの範囲の平均細孔径を有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項８】
さらに少なくとも一つの超吸収性材料を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項９】
柔軟領域および硬質領域を含む連続焼結多孔質高分子材料を含む請求項１〜８のいずれか１項に記載の組成物であって、
該柔軟領域が第一のプラスチックの粒子および少なくとも一つの熱可塑性エラストマーの粒子の焼結混合物を含み、
該硬質領域が第二のプラスチックの焼結粒子を含み、
該第一のプラスチックおよび該第二のプラスチックは独立して、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエーテルスルホン、ポリスチレン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、およびポリスルホン、ならびにその組み合わせからなる群より選択される、組成物。
【請求項１０】
柔軟領域が1μmから200μmの範囲の平均細孔径を有する、請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
少なくとも一つの熱可塑性エラストマーが熱可塑性ポリウレタン、イソプレンまたは１，３ブタジエンとスチレンとのブロック共重合体、ポリエチレン-プロピレン共重合体、ポリエチレン-ブテン共重合体、ポリエチレン-オクテン共重合体、ポリエチレン-ヘキセン共重合体、またはそれらの組み合わせを含む請求項９または１０に記載の組成物。
【請求項１２】
少なくとも一つの熱可塑性エラストマーがスチレン−エチレン−ブタジエン−スチレン（ＳＥＢＳ）を含む、請求項１１に記載の組成物。
【請求項１３】
請求項１に記載の焼結多孔質高分子材料、および請求項１に記載の焼結多孔質高分子材料と結合された繊維性部品を含むアプリケータ。
【請求項１４】
さらに繊維性部品と結合された貯留槽を含むか、または、繊維性部品が貯留槽である、請求項１３に記載のアプリケータ。
【請求項１５】
筐体、および
該筐体に配置された少なくとも一つのろ過媒体または少なくとも一つのバリア媒体を含む装置であって、
該少なくとも一つのろ過媒体および該少なくとも一つのバリア媒体が請求項１に記載の焼結多孔質高分子材料を含む、装置。
【請求項１６】
筐体が真空ろ過筐体、クロマトグラフィーカラム、ロート、シリンジ、カテーテル、管、ダクト、またはピペットチップを含む請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
少なくとも一つの熱可塑性エラストマーの粒子を準備する工程、
少なくとも一つのプラスチックの粒子を準備する工程であって、該少なくとも一つのプラスチックがポリオレフィン、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエーテルスルホン、ポリスチレン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、およびポリスルホン、ならびにその組み合わせからなる群より選択される、工程、
該プラスチックの粒子および熱可塑性エラストマーの粒子を均一に混合する工程、及び
該プラスチックの粒子および熱可塑性エラストマーの粒子を焼結する工程を含む、
請求項１に記載の焼結多孔質高分子材料の製造方法。
【請求項１８】
少なくとも一つの熱可塑性エラストマーが熱可塑性ポリウレタン、イソプレンまたは１，３−ブタジエンとスチレンとのブロック共重合体、ポリエチレン-プロピレン共重合体、ポリエチレン-ブテン共重合体、ポリエチレン-オクテン共重合体、ポリエチレン-ヘキセン共重合体、またはそれらの組み合わせを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
少なくとも一つの熱可塑性エラストマーがスチレン−エチレン−ブタジエン−スチレン（ＳＥＢＳ）を含む、請求項１８に記載の組成物。
【請求項２０】
第一のプラスチックの粒子と少なくとも一つの熱可塑性エラストマーの粒子を混合したものを型の第一の部分に配置する工程、
第二のプラスチックの粒子を、型の第一の部分に隣接する型の第二の部分に配置する工程、
第一のプラスチックの粒子、熱可塑性エラストマーの粒子、および第二のプラスチックの粒子を焼結して、第一のプラスチックの粒子および少なくとも一つの熱可塑性エラストマーの粒子の焼結混合物を含む柔軟領域ならびに第二のプラスチック焼結粒子を含む硬質領域を製造する工程、
を含む請求項９の焼結多孔質高分子材料を製造する方法。
【請求項２１】
請求項１または９の焼結多孔質高分子材料を含むろ過媒体またはバリア媒体を準備する工程、
筐体を準備する工程、および、
筐体にろ過媒体またはバリア媒体を配置する工程を含む装置の製造方法。
【請求項２２】
前記筐体がピペットチップを含む請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
さらに、柔軟領域と筐体との間に密閉性を形成することを含む請求項２１または２２に記載の方法。
【請求項２４】
アプリケータ、ろ過媒体、またはバリア媒体としての請求項１〜８のいずれか１項に記載の組成物の使用。