【手続補正書】
【提出日】平成24年9月26日(2012.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の平行電極と、
該一対の電極間に配置される高誘電率材料であって、該高誘電率材料は、有機ポリマーと、ホウ素化合物を含む無機塩とを含む混合物から形成される、高誘電率材料と
を備える、高誘電率キャパシタ。
【請求項２】
前記無機塩は、水素化ホウ素ナトリウム（ＮａＢＨ４）およびホウ砂から成る群より選択される、請求項１に記載の高誘電率キャパシタ。
【請求項３】
前記高誘電率材料を形成する混合物は、水酸化アンモニウムをさらに含む、請求項２に記載の高誘電率キャパシタ。
【請求項４】
前記無機塩と有機ポリマーとの混合物は、不均一である、請求項１に記載の高誘電率キャパシタ。
【請求項５】
前記無機塩は、Ｇｄ、Ｓｒ、Ｓｎ、およびＦｅから成る群より選択される遷移金属を含む、請求項１に記載の高誘電率キャパシタ。
【請求項６】
前記高誘電率材料は、５００℃未満の低温で形成される、請求項１に記載の高誘電率キャパシタ。
【請求項７】
前記高誘電率材料は、１５０℃〜３００℃の温度で形成される、請求項６に記載の高誘電率キャパシタ。
【請求項８】
前記高誘電率材料は、６０℃未満の温度で形成される、請求項６に記載の高誘電率キャパシタ。
【請求項９】
前記有機ポリマーは、シェラック、シリコーンオイル、およびゼインから成る群より選択される、請求項１に記載の高誘電率キャパシタ。
【請求項１０】
前記高誘電率材料は、Ｙ、Ｎｉ、Ｓｍ、Ｓｃ、Ｔｂ、Ｙｂ、Ｌａ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｎｂ、およびＢｉから成る群より選択される誘電率増加材料をさらに含む、請求項１に記載の高誘電率キャパシタ。
【請求項１１】
高誘電率誘電体材料を作製するための方法であって、
スラリー溶液を形成するように有機ポリマーを溶媒に溶解することと、
該スラリー溶液に、ホウ素化合物を含む無機塩を添加することと、
該スラリー溶液を５００℃未満の温度まで加熱して、該高誘電率誘電体材料を形成することと
を含む、方法。
【請求項１２】
前記スラリー溶液に水酸化アンモニウムを添加することをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記無機塩を添加するステップの前に、前記スラリー溶液から不溶解有機ポリマーを除去することをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記無機塩は、Ｇｄ、Ｓｒ、Ｓｎ、およびＦｅから成る群より選択される遷移金属を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記有機ポリマーは、シェラック、シリコーンオイル、およびゼインから成る群より選択される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記スラリー溶液に、Ｙ、Ｎｉ、Ｓｍ、Ｓｃ、Ｔｂ、Ｙｂ、Ｌａ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｎｂ、およびＢｉから成る群より選択される誘電率増加材料を添加することをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
加熱前に、前記スラリー溶液にジメチルスルホキシドを添加することをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
加熱前に、前記スラリー溶液にジメチルホルムアミドを添加することをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１９】
前記スラリー溶液を６０℃未満の温度に加熱することをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項２０】
高誘電率キャパシタを作製する方法であって、
第１のキャパシタプレートを、ホウ素化合物を含む無機塩と、有機ポリマーと、溶媒とを含む誘電体溶液で被覆することと、
第２のキャパシタプレートを該誘電体溶液に押し付けている間に、該第１のキャパシタプレート上に被覆された該誘電体溶液を、５００℃未満の温度まで加熱することであって、その結果、該誘電体溶液が、第１の誘電体プレートと第２の誘電体プレートとの間に形成される、ことと
を含む、方法。
【請求項２１】
前記無機塩は、水素化ホウ素ナトリウム（ＮａＢＨ４）およびホウ砂から成る群より選択され、Ｇｄ、Ｓｒ、Ｓｎ、およびＦｅから成る群より選択される遷移金属をさらに含み、前記有機ポリマーは、シェラック、シリコーンオイル、およびゼインから成る群より選択される、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記誘電体溶液は、水酸化アンモニウムをさらに含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
第１のキャパシタであって、該第１のキャパシタは、該第１のキャパシタが充電または放電されていないときに漏洩電流を有する、第１のキャパシタと、
該第１のキャパシタからの該漏洩電流を収集するために、該第１のキャパシタに連結される、第２のキャパシタと、
該第１のキャパシタが充電または放電されていないときに、該第１のキャパシタから該第２のキャパシタへの該漏洩電流の流れを制御するための、該第１のキャパシタおよび該第２のキャパシタに連結される、制御手段であって、電荷が、該第１のキャパシタから受け取られた該漏洩電流に対応して該第２のキャパシタに蓄積される、制御手段と
を備え、該制御手段は、該第１のキャパシタおよび該第２のキャパシタにさらに連結され、該第２のキャパシタの放電から生成された電流を該第１のキャパシタに戻すように送達して、該第１のキャパシタの効率を増加させ、性能を強化する、蓄積デバイス。
【請求項２４】
前記制御手段は、複数のスイッチを備え、該複数のスイッチは、前記第１のキャパシタおよび前記第２のキャパシタに選択的に電気的に連結する、請求項２３に記載の蓄積デバイス。
【請求項２５】
前記制御手段は、前記第２のキャパシタから放電された電流を受け取り、前記第１のキャパシタに電荷を戻すように送達するために十分な出力電圧を生成するために、該第１のキャパシタと該第２のキャパシタとの間に連結された変圧器を備え、その結果、該第１のキャパシタによって出力された該漏洩電流の特定の一部が、該第２のキャパシタおよび変圧器を介して該第１のキャパシタに戻るように伝送される、請求項２４に記載の蓄積デバイス。
【請求項２６】
前記制御手段は、前記変圧器と前記第１のキャパシタとの間に配置されるダイオードを含む、請求項２４に記載の蓄積デバイス。
【請求項２７】
前記制御手段は、コンパレータを含み、該コンパレータは、前記第２のキャパシタに蓄積された電荷と所定の電圧とを比較し、該蓄積された電荷が該所定の電圧に達したとき、該第２のキャパシタに、該蓄積された電荷を放電させる、請求項２３に記載の蓄積デバイス。
【請求項２８】
前記第２のキャパシタは、前記第１のキャパシタの漏洩電流より低い漏洩電流を有する、請求項２３に記載の蓄積デバイス。
【請求項２９】
キャパシタからの漏洩電流を回収および再生するための方法であって、
第１のキャパシタに電圧を印加することと、
該第１のキャパシタに、該印加された電圧に対応する電荷を蓄積することと、
漏洩電流が該第１のキャパシタから第２のキャパシタに流れることを可能にするように、第１のスイッチを制御することと、
該第２のキャパシタに、該第１のキャパシタの該漏洩電流に対応する電荷を蓄積することと、
該第１のキャパシタの該漏洩電流に対応する該第２のキャパシタから放電された電荷が該第１のキャパシタに戻るように流れることを可能にして、該第１のキャパシタの効率を増加させ、性能を向上させるように、第２のスイッチを制御することと
を含む、方法。
【請求項３０】
前記第１のキャパシタが充電または放電されていないときに、漏洩電流が、該第１のキャパシタから前記第２のキャパシタに流れることを可能にするように前記第１のスイッチを制御することをさらに含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記第２のキャパシタに蓄積された電荷を所定の電圧と比較することと、該蓄積された電荷が該所定の電圧に達したとき、該第２のキャパシタに蓄積された電荷を放電させることとをさらに含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】
前記第２のキャパシタによる放電によって生成された電流を、前記第１のキャパシタと該第２のキャパシタとの間に連結された変圧器を通過させることと、該変圧器に電圧を誘起することと、該誘起された電圧を該第１のキャパシタに戻すように電荷を送達するために十分な値まで増大させることとをさらに含む、請求項３１に記載の方法。