【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年10月10日(2012.10.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
共振器用中空体を製造する方法であって、
単結晶領域を有する基体（１）を備える工程と、
前記基体（１）を貫く切断部（２）を画定する工程と、
前記切断部（２）の両側にマーキング（３，３’）を施す工程と、
前記切断部（２）に沿って切断して２つのウェハ（４，４’）を形成し、前記ウェハ（４，４’）の全体が単結晶領域から切り出される工程と、
前記ウェハ（４，４’）を、結合部（６，６’）を有する半セル（５，５’）に成形する工程と、
前記接合部（６，６’）を互いに支えあわせ、かつ前記半セル（５，５’）上の前記マーキング（３，３’）を、前記切断部（２）の両側における向きと同様になるように、接合部（６，６’）の両側に互いに向き合わせて、前記半セル（５，５’）を接合して中空体（８）を成形する工程と
を含むことを特徴とする共振器用中空体を製造する方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項３】
前記基体（１）が超伝導性材料から成る
ことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項４】
前記基体（１）がニオブから成る
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２０】
請求項２乃至１９のいずれかに記載された、多数の中空体（８，８’，８’’・・・）を成形する工程と、
前記基体（１）において当初隣接していたウェハの半セル（５’，５’’，５’’’，５’’’’）同士を接続し、前記ウェハ（４，４’）間の前記切断部（２，２’）の両側における割り当てと同様になるように、前記端部（７，７’，７’’，７’’’，７’’’’）に隣接するマーキングをそれぞれ割り当てて、前記端部（７，７’，７’’，７’’’，７’’’’，７’’’’’）に沿って前記中空体（８，８’，８’’）を接合する工程と
を含むことを特徴とする共振器（９）を製造する方法。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
この目的は、以下の工程を含む方法によって達成される。
−前記単結晶領域を有する基体を備える工程と、
−前記基体を貫く切断部を画定する工程と、
−前記切断部の両側にマーキングを施す工程と、
−前記切断部に沿って切断することで２つのウェハを形成し、前記ウェハの全体を単結晶領域から切り出す工程と、
−前記ウェハを、接合部を有する前記半セルに形成する工程と、
−前記接合部を互いに支えあわせ、かつ前記半セル上の前記マーキングを、前記切断部の両側における向きと同様となるよう、接合部の両側に互いに向き合わせて、前記半セルを接合して中空体を成形する工程。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
本発明の方法によれば、第一の工程において、好適な実施形態における超伝導材料から成る単結晶領域を有する基体が備えられる。この場合、好ましい材料は超伝導ニオブであるが、これは、超伝導ニオブが成形しやすく、かつ、高臨界温度Ｔc≒９．２Ｋおよび高臨界磁場Ｈc≒２００ｍＴを有するからである。本明細書における「超伝導」材料は、適切な周囲条件下かつ臨界温度より低い状態で、超伝導特性を有する材料、すなわち、急激に電気抵抗を失い、内側から臨界未満の磁場を変位させる材料を意味するものとする。さらに、単結晶領域は、容易に接触可能なように、円筒状に形成されるのが好ましい。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
第二の工程においては、当該基体を貫く少なくとも１つの切断部が画定され、続く第三の工程においては、当該切断部の両側にマーキングを施される。超伝導材料は硬い表面を有する金属なので、当該マーキングは、型押し加工またはエンボス加工により施されるのが好ましい。当該マーキングは、当該基体内における隣接領域同士が、分離後も再び認識可能で、互いに対する当初の向きが再構築可能なように設定されている。この場合、当該マーキングは、当該ウェハの外側部または周縁部に施されるのが好ましい。
当該マーキングが施された後、当該切断面に沿って切り取られて２つのウェハが形成され、当該ウェハは、更に、単結晶材料のみから成るように基体から切り出される。好適な実施形態では、当該ウェハは約５ｍｍの厚さで、直径または切断部の平面の範囲が２００ｍｍとなっている。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
本方法の更なる工程においては、当該半セルを接合して中空体が形成される。ここで、当該接合部を互いに支えあわせ、当該切断部の両側における向きと同様になるように、当該マーキングを当該接合部の両側に互いに向き合わせている。これは、それぞれウェハから成る半セル同士が、当該切断部を切断する前の当該基体内における状態と同様になるように、当該接合部に沿って互いに支え合っていることを意味する。このようにして、単結晶の配向は中空体に成形される両方のウェハ内に維持される。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
上記の目的はさらに、以下の工程から成る方法により達成される。
−請求項２乃至１８に記載する多数の中空体を形成する工程と、
−当該基体において当初隣接していたウェハの半セル同士を接続し、当該ウェハ間の当該切断部の両側における割り当てと同様になるように、当該端部に隣接するマーキングをそれぞれ割り当てて、当該端部に沿って当該中空体を接合する工程。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
以下、最良の一実施形態について示す図面を参照し、本発明を説明する。図面は次のとおりである。
図１は、単結晶領域及び画定された切断部を有する基体の断面図である。
図２は、前記切断部に沿って切断する工程で形成されたウェハの断面図である。
図３は、成形によりウェハから形成された半セルの断面図である。
図４Ａは、前記切断部に沿って切断されて形成されたウェハの断面図である。
図４Ｂは、成形により最適なサイズに形成されたウェハの断面図である。
図４Ｃは、成形によりウェハから形成された円錐の断面図である。
図５は、接合された２つの半セルから成る中空体の断面図である。
図６は、多数の中空体が接合されて成る共振器の断面図である。
これらの図は、本発明による好適な実施形態の各工程を図示するものである。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
図１は、共振器の中空体形成用に用意された、単結晶領域（斜線部）を有する基体１を示す。この単結晶領域は好ましくは円筒形を有し、基体材料は好ましくは、機械加工がしやすく、高い臨界温度（Ｔc≒９．２Ｋ）および高い臨界磁場（Ｈc≒２００ｍＴ）を持つニオブからなることが望ましい。次に、それぞれ平行に並び、基体１を貫くように延びる３つの切断部２，２’，２’’が画定される。切断部２’の両側の基体１の表面には、マーキング３及び３’が施されるが、型押し加工やエンボス加工で施されるのが好ましい。マーキング３，３’は、成形後もなお目に見えるような方法で施される。切断部２，２’，２’’のひとつは基体１の端部ともなり、切断部のうちの２つのみが画定されることになる。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
ウェハ４及び４’は、画定された切断部２，２’及び２’’に沿って切断することにより形成され（図２参照）、ウェハ４，４’はその全体が単結晶領域より切り出される。これは、ウェハ４，４’が単結晶材料からのみ成り、多結晶または非結晶領域が仮にあったとしても分離されていることを意味する。マーキング３，３’は、その材料が好ましくは硬い表面を有する金属であることから、型押し加工やエンボス加工にて施されるのが好ましい。マーキング３，３’は、基体１内において隣接している領域が、分離後にも再び認識可能で、互いに対する向きも再構築できるように設定されている。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
この場合、２つの半セル５及び５’の接合部６及び６’の配置は、基体１において当初隣接していたウェハ４及び４’から成る半セル５及び５’が並んで配置され、更に、接合部６，６’に隣接するマーキング３及び３’が、ウェハ４及び４’間の切断部２の両側の場合と同じになるような位置関係で配置される。結合された半セル５及び５’から成る中空体８は、２つの端部７及び７’を有し、端部７及び７’は実質的に互いに並行となっている。前記５，５’から成る中空体８は、その全体が単結晶材料から成り、かつその接合部６，６’の領域においても、優れた電気特性を有し、循環電流が超伝導体（ニオブ）の表面層を流れて、外部磁場が内部に侵入するのを防ぐが、超伝導性は妨げられる。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
【図１】単結晶領域及び画定された切断部を有する基体の断面図である。
【図２】前記切断部に沿って切断する工程で形成されたウェハの断面図である。
【図３】成形によりウェハから形成された半セルの断面図である。
【図４】Ａは前記切断部に沿って切断されて形成されたウェハの断面図、Ｂは成形により最適なサイズに形成されたウェハの断面図、Ｃは成形によりウェハから形成された円錐の断面図である。
【図５】接合された２つの半セルから成る中空体の断面図である。
【図６】多数の中空体が接合されて成る共振器の断面図である。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
１  基体
２，２’，２’’  切断部
３，３’，３’’，３’’’，３’’’’，３’’’’’  マーキング
４，４’  ウェハ
５，５’  半セル
６，６’  接合部
７，７’，７’’，７’’’，７’’’’，７’’’’’  端部
８，８’，８’’  中空体
９  共振器