【手続補正書】
【提出日】平成23年11月8日(2011.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モノリシックなオプトエレクトロニクス半導体ボディであって、
−  互いに電気的に分離されている少なくとも２つのサブセグメントに分割されており、第１の主面および第２の主面を有する半導体積層体であって、各部分領域における前記半導体積層体が、電磁放射を発生させるのに適している活性層を有する、前記半導体積層体と、
−  第１のコンタクトパッド、第２のコンタクトパッド、および少なくとも１つの第３のコンタクトパッドと、
−  前記第２の主面に隣接して配置されており、前記少なくとも２つのサブセグメントのうちの第１のサブセグメントと、前記第１のコンタクトパッドとに電気的に接触している、第１の配線レベルと、
−  前記第２の主面に隣接して配置されており、前記少なくとも２つのサブセグメントのうちの第２のサブセグメントと、前記第２のコンタクトパッドとに電気的に接触している、第２の配線レベルと、
−  前記第２の主面に隣接して配置されている第３の配線レベルであって、電磁放射を発生させるため、前記第１のサブセグメントと前記第２のサブセグメントとを互いに電気的に接続しており、前記第３のコンタクトパッドに電気的に接触している、前記第３の配線レベルと、
を備えており、
−  前記半導体積層体の前記第１の主面が、前記活性層において発生する電磁放射を放出するように意図されており、
前記第１、前記第２、および前記第３の配線レベルのうちの少なくとも１つの配線レベルと、前記第１、前記第２、および前記第３の配線レベルのうちの別の配線レベルとが、重なっている、
モノリシックなオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項２】
前記第１のサブセグメントが、前記活性層によって隔てられている第１の副層および第２の副層を備えており、
前記少なくとも２つのサブセグメントのうちの前記第２のサブセグメントが、前記活性層によって隔てられている第１の副層および第２の副層を備えており、
前記第３の配線レベルが、前記第１のサブセグメントの前記第１の副層と、前記第２のサブセグメントの前記第２の副層との接続を形成している、
請求項１に記載のモノリシックなオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項３】
前記サブセグメントの少なくとも１つが開口を有し、前記開口が、前記サブセグメントの前記活性層を貫いて延在しており、前記第１の主面に面している、前記サブセグメントの副層、に接触している、
請求項２に記載のモノリシックなオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項４】
前記第１、前記第２、および前記第３のコンタクトパッドのうちの少なくとも１つのコンタクトパッドが、前記第１の主面とは反対側の前記半導体積層体の面、の上に配置されている、
請求項１から請求項３のいずれかに記載のモノリシックなオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項５】
前記少なくとも２つのサブセグメントから電気的に分離されている外側領域が、前記少なくとも２つのサブセグメントの少なくとも１つに隣接して配置されており、前記外側領域が、前記第１の主面に面している面の上に、前記第１、前記第２、および前記第３のコンタクトパッドのうちの少なくとも１つのコンタクトパッドを有する、
請求項１から請求項４のいずれかに記載のモノリシックなオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項６】
前記第１、前記第２、および前記第３の配線レベルのうちの少なくとも１つの配線レベルが、前記活性層において発生する電磁放射を前記第１の主面の方向に反射するミラー層、を備えている、
請求項１から請求項５のいずれかに記載のモノリシックなオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項７】
前記活性層において発生する電磁放射を前記第１の主面の方向に反射する目的で、前記積層体と、前記第１、前記第２、および前記第３の配線レベルのうちの少なくとも１つの配線レベルとの間に、ミラー層が配置されている、
請求項１から請求項６のいずれかに記載のモノリシックなオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項８】
前記ミラー層が、前記第１のサブセグメントもしくは少なくとも１つの前記第２のサブセグメントまたはその両方のセグメントの前記活性層からと、前記少なくとも１つの配線レベルとから、電気的に絶縁されている、
請求項７に記載のモノリシックなオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項９】
前記ミラー層が複数の開口を有し、前記少なくとも１つの配線レベルが前記開口を貫いて延在している、
請求項７または請求項８に記載のモノリシックなオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項１０】
前記ミラー層が、前記半導体積層体の前記第２の主面の５０％またはそれ以上を覆っている、
請求項６または請求項９に記載のモノリシックなオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項１１】
モノリシックなオプトエレクトロニクス半導体ボディを製造する方法であって、
−  成長基板上に半導体積層体をエピタキシャル成長させるステップであって、前記半導体積層体が、電磁放射を発生させるのに適している活性層を有する、前記ステップと、
−  前記半導体積層体の第１のサブセグメントと、前記第１のサブセグメントから電気的に分離されている少なくとも１つの第２のサブセグメントと、を画成するステップであって、前記第１のサブセグメントおよび前記第２のセグメントが、第１の主面の方向に電磁放射を放出するように意図されている、前記ステップと、
−  前記第１の主面とは反対側の前記半導体積層体の面、の上に第１の配線レベルを形成し、前記第１のサブセグメントの前記活性層との接続を形成するステップと、
−  前記第１の主面とは反対側の前記半導体積層体の前記面、の上に第２の配線レベルを形成し、前記少なくとも１つの第２のサブセグメントの前記活性層との接続を形成するステップと、
−  前記第１の主面とは反対側の前記半導体積層体の前記面、の上に少なくとも１つの第３の配線レベルを形成し、前記第１のサブセグメントの前記活性層と、前記少なくとも１つの第２のサブセグメントの前記活性層との接続を形成するステップであって、前記第３の配線レベルが、前記少なくとも２つのサブセグメントの前記活性層を互いに結合して直列回路を形成している、前記ステップと、
−  前記第１の配線レベルに接続されている第１のコンタクトパッドを形成するステップと、
−  前記第２の配線レベルに接続されている第２のコンタクトパッドを形成するステップと、
−  前記少なくとも１つの第３の配線レベルに接続されている少なくとも１つの第３のコンタクトパッドを形成するステップと、
を含んでおり、
前記第１、前記第２、および前記第３の配線レベルのうちの少なくとも１つの配線レベルと、前記第１、前記第２、および前記第３の配線レベルのうちの別の配線レベルとが、重なっている、方法。
【請求項１２】
エピタキシャル成長させる前記ステップが、
−  前記第１の主面とは反対側の前記半導体積層体の面、にミラー層を堆積させるステップ、
を含んでいる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
エピタキシャル成長させる前記ステップが、
−  成長基板を形成するステップと、
−  第１のドーパント型の第１の副層をエピタキシャル成長させるステップと、
−  第２のドーパント型の第２の副層を、前記第１の副層と前記第２の副層との間に前記活性層が形成されるように、前記第１の副層の上にエピタキシャル成長させるステップと、
を含んでいる、請求項１１または請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１、前記第２、および前記少なくとも１つの第３の配線レベルのうちの少なくとも１つの配線レベルを形成する前記ステップが、絶縁材料を堆積させ、次いで、堆積させた前記絶縁材料を構造化するステップ、を含んでいる、
請求項１１から請求項１３のいずれかに記載の方法。