【事件の表示】
　平成　６年特許願第１２８９５９号「半導体シリコンウェハおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年　３月３１日出願公開、特開平　７−　８６２８９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、特許法第４１条に基づく優先権を伴う平成６年６月１０日（優先日、平成５年７月２２日）の出願であって、平成１３年６月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１３年７月１９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年７月３０日付けで手続補正がなされたものである。
２．平成１３年７月３０日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１３年７月３０日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）本件補正の内容
　本件補正の内容は、特許請求の範囲を次のとおりに補正するとともに、発明の詳細な説明を補正するものである。
「【請求項１】
　半導体シリコンウェハの一方の面のみに多結晶シリコン堆積層を設け他方の面を外方へ露出する工程と、その後前記半導体シリコンウェハを不活性ガスまたは還元性ガスまたはこれらの混合ガス中で熱処理して多結晶シリコン堆積層が設けられていない他方の面から酸素を放出する工程と、を備えたことを特徴とする半導体シリコンウェハの製造方法。」（以下、「補正発明１」という。）
「【請求項２】
　半導体シリコンウェハの一方の面に厚さ約２ｎｍの酸化膜を形成する工程と、この酸化膜形成後に前記半導体シリコンウェハの一方の面に多結晶シリコン堆積層を設ける工程と、前記半導体シリコンウェハを不活性ガスまたは還元性ガスまたはそれらの混合ガス中で熱処理する工程と、を備えたことを特徴とする半導体シリコンウェハの製造方法。」（以下、「補正発明２」という。）
「【請求項３】
　半導体シリコンウェハの一方の面に厚さ約２ｎｍの酸化膜を形成する工程と、この酸化膜形成後に前記半導体シリコンウェハの一方の面に多結晶シリコン堆積層を設ける工程と、前記半導体シリコンウェハを不活性ガスまたは還元性ガスまたはそれらの混合ガス中で熱処理して、前記半導体シリコンウェハの他方の面を前記ガス中に露出させ、前記半導体シリコンウェハの他方の面から酸素が放出されて他方の面に酸素除去領域を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体シリコンウェハの製造方法。」（以下、「補正発明３」という。）
「【請求項４】
　酸化膜はＨ2 Ｏ2 ／Ｈ2 ＳＯ4 、ＨＦ：Ｈ2 Ｏ、Ｈ2 Ｏ2 ／ＨＣｌ／Ｈ2 Ｏ、またはコリン／Ｈ2 Ｏ2 ／Ｈ2 Ｏからなる薬液を用い、約７０℃の温度で約２０分間薬液処理して形成されることを特徴とする請求項２または３のいずれか記載の半導体シリコンウェハの製造方法。」（以下、「補正発明４」という。）
「【請求項５】
　熱処理温度は１１００℃以上であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか記載の半導体シリコンウェハの製造方法。」（以下、「補正発明５」という。）
「【請求項６】
　多結晶シリコン堆積層は、気相成長法により形成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか記載の半導体ウェハの製造方法。」（以下、「補正発明６」という。）
「【請求項７】
　半導体シリコンウェハの一方の面に形成された厚さ約２ｎｍの酸化膜と、上記酸化膜の表面に形成された多結晶シリコン堆積層とを備えたことを特徴とする半導体シリコンウェハ。」（以下、「補正発明７」という。）
　
（２）本件補正についての検討
（２−１）補正事項の整理
　本件補正は、特許請求の範囲について、請求項１ないし請求項８を補正し、発明の詳細な説明の段落【００１１】【００１２】を補正するものである。
　補正事項を整理すると、次のとおりである。
（補正事項１）
　旧請求項１を次のように補正する。
　「半導体シリコンウェハの一方の面のみに多結晶シリコン堆積層を設け他方の面を外方へ露出する工程と、その後前記半導体シリコンウェハを不活性ガスまたは還元性ガスまたはこれらの混合ガス中で熱処理して多結晶シリコン堆積層が設けられていない他方の面から酸素を放出する工程と、を備えたことを特徴とする半導体シリコンウェハの製造方法。」
（補正事項２）
　旧請求項２を削除する。
（補正事項３）
　旧請求項３，４，５，６，７，８を、それぞれ請求項２，３，４，５，６，７として、項番号を繰り上げる。
（補正事項４）
　旧請求項５を次のように補正する。
　「酸化膜はＨ2 Ｏ2 ／Ｈ2 ＳＯ4 、ＨＦ：Ｈ2 Ｏ、Ｈ2 Ｏ2 ／ＨＣｌ／Ｈ2 Ｏ、またはコリン／Ｈ2 Ｏ2 ／Ｈ2 Ｏからなる薬液を用い、約７０℃の温度で約２０分間薬液処理して形成されることを特徴とする請求項２または３のいずれか記載の半導体シリコンウェハの製造方法。」
（補正事項５）
　旧請求項６を次のように補正する。
　「熱処理温度は１１００℃以上であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか記載の半導体シリコンウェハの製造方法。」
（補正事項６）
　旧請求項７を次のように補正する。
　「多結晶シリコン堆積層は、気相成長法により形成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか記載の半導体ウェハの製造方法。」
（補正事項７）
　発明の詳細な説明の欄の段落【００１１】を変更し、段落【００１２】を削除する。
　
（２−２）補正の適否についての検討
　以下、補正事項１ないし７について順次検討する。
（２−２−１）補正事項１
　補正事項１は、旧請求項１の「半導体シリコンウェハの一方の面に多結晶シリコン堆積層を設ける工程」を「半導体シリコンウェハの一方の面のみに多結晶シリコン堆積層を設け他方の面を外方へ露出する工程」と、旧請求項１の「その後前記半導体シリコンウェハを不活性ガスまたは還元性ガスまたはこれらの混合ガス中で熱処理する工程」を「その後前記半導体シリコンウェハを不活性ガスまたは還元性ガスまたはこれらの混合ガス中で熱処理して多結晶シリコン堆積層が設けられていない他方の面から酸素を放出する工程」とそれぞれ補正するものであって、特許法第１７条の２第２項で準用する同法第１７条第２項の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内におけるものであって、かつ、同法第１７条の２第３項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（２−２−２）補正事項２
　旧請求項２を削除する補正は、請求項の削除を目的とする補正に当たる。
（２−２−３）補正事項３
　旧請求項２の削除に伴い請求項の項番号を繰り上げることは、請求項の削除に伴い他の請求項を形式的に補正することであり、請求項の削除を目的とする補正に当たる。
（２−２−４）補正事項４
　補正事項４は、旧請求項５が引用する請求項「請求項１乃至４のいずれか」を「請求項２または３のいずれか」と補正するものであり、引用する請求項として請求項１及び請求項２を削除するとともに、上記請求項の項番号の変更に伴い、引用する請求項の項番号を変更するものであるから、特許請求の範囲の減縮及び請求項の削除を目的とする補正に当たる。
（２−２−５）補正事項５
　補正事項５は、旧請求項６が引用する請求項「請求項１乃至４のいずれか」を「請求項１乃至４のいずれか」と補正するものであり、上記請求項の項番号の変更に伴い、引用する請求項の項番号を変更するとともに、引用する請求項として、請求項２または３のいずれかを引用する請求項４を新たに追加したものであるから、請求項の削除及び特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に当たる。
（２−２−６）補正事項６
　補正事項６は、旧請求項７が引用する請求項「請求項１乃至４のいずれか」を「請求項１乃至５のいずれか」と補正するものであり、上記請求項の項番号の変更に伴い、引用する請求項の項番号を変更するとともに、引用する請求項として、請求項２または３のいずれかを引用する請求項４，及び請求項１乃至４のいずれかを引用する請求項５を新たに追加したものであるから、請求項の削除及び特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に当たる。
（２−２−７）補正事項７
　発明の詳細な説明の上記段落の補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面の記載から自明の事項の範囲内におけるものであるから、特許法第１７条の２第２項で準用する同法第１７条第２項の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内におけるものである。
　
（２−３）独立特許要件について
（２−３−１）本件補正後の発明
　本件補正後のその請求項１ないし７に係る発明は、本件補正後における特許請求の範囲に記載されているとおりの上記補正発明１ないし補正発明７である。
（２−３−２）刊行物に記載された発明
　刊行物１：特開平４−１６３９２０号公報
　刊行物１は、「Ｓｉ基板の製造方法（発明の名称）」に関するものであって、第１図及び第２図とともに以下の点が記載されている。
　「Ｓｉ基板のゲッタリング手法としては、ＥＧ以外に、Ｓｉ基板中に含有される格子間酸素（Ｏｉ）の析出による結晶欠陥を利用するイントリンシック・ゲッタリング（Intrinsic Gettering、以下ＩＧと略す）が知られている。…Ｏｉ析出起因の結晶欠陥が素子形成領域（Ｓｉ基板表面）にまで発生しやすくなる。このようなＯｉ析出起因の表面欠陥の発生を抑えるため、Ｓｉ基板中に含有されるＯｉ濃度は、低く抑えられている」（第２頁左上欄第９行〜同頁右上欄第６行）
　「本発明の目的は、Ｏｉ析出起因の結晶欠陥発生を抑制するＳｉ基板の製造方法を提供することにある。」（第２頁左下欄第１５〜１７行）
　「第１図は本発明の実施例１の製造工程を示す概略図である。」（第３頁左上欄第４，５行）
　「この粗研磨Ｓｉ基板２に、化学気相成長法により…多結晶Ｓｉ４を厚さ１．２μｍに堆積する。…続いて、片面を機械的・化学的研磨法により鏡面状態に仕上げ、素子形成面６を形成した後、１１８０℃４時間の高温熱処理を施すことにより、基板内のＯｉ析出核５は、縮小したＯｉ析出核７に変化すると共に、基板表面にはＯｉの外方拡散領域８が形成され、Ｏｉ濃度はＯｉ析出を生じない濃度まで低下する。」（第３頁左上欄第１２行〜同頁右上欄第４行）
　上記記載を参照すると、高温熱処理して、Ｓｉ基板中の格子間酸素（Ｏｉ）析出核を縮小・消滅させると共に、鏡面状態に仕上げたＳｉ基板表面からＯｉをＳｉ基板外へ拡散させ、基板表面にＯｉの外方拡散領域を形成しているから、刊行物１には、「高温熱処理して鏡面状態に仕上げたＳｉ基板表面から酸素を放出する工程」を備える点が記載されている。
　刊行物１に記載の発明を、第１図、第２図及びその説明の欄の記載を参照してまとめると、刊行物１には、
　「粗研磨Ｓｉ基板の全面に多結晶Ｓｉを堆積し、一方の面に多結晶Ｓｉを残し、片面を機械的・化学的研磨法により鏡面状態に仕上げ、素子形成面を形成する工程と、その後前記Ｓｉ基板を１１８０℃で高温熱処理して鏡面状態に仕上げたＳｉ基板表面から酸素を放出する工程と、を備えたＳｉ基板の製造方法。」が記載されている。
　
　刊行物２：特開昭６０−２４７９３５号公報
　刊行物２は、「半導体ウエハの製造方法（発明の名称）」に関するものであって、第１図ないし第４図とともに以下の点が記載されている。
　「本発明は半導体ウェハの製造方法に関し、特にイントリンシック・ゲッタリングの改良に係る。」（第１頁左下欄第１０，１１行）
　「このイントリンシック・ゲッタリングは…高温熱処理（１０００〜１２５０℃）でウェハ内部の酸素析出核が微小欠陥に成長するとともにウェハ表面の酸素及び析出核が外方拡散することを利用し、ウェハ表面を無欠陥層とし、ウェハ内部に微小欠陥を形成するものである。
・・・
　…なお、上記高温熱処理は酸化性又は不活性雰囲気中で行われている。」（第１頁右下欄第４〜１９行）
　「本発明者らは研究を重ねた結果、イントリンシック・ゲッタリングの高温熱処理の雰囲気を選択することによりウェハ表面の無欠陥層とウェハ内部の微小欠陥層とを制御性よく形成し得ることを見出し、本発明をなすに至った。
　すなわち、本発明の半導体ウェハの製造方法は、半導体ウェハを５００〜９００℃で０．５〜１８時間熱処理した後、水素ガス又は水素含有不活性ガス中において１０００℃以上の高温で熱処理することを特徴とするものである。
・・・
　更に、本発明において高温熱処理の温度を１０００℃以上としたのは、１０００℃未満では表面の酸素及び析出核の外方拡散が困難となるためである。」（第２頁左上欄第２０行〜同頁左下欄第４行）
　「シリコンウェハ１１を、水素含有不活性ガスを　２〜２３０　ｌ／min　の流量で流している還元雰囲気中において１１００℃以上の温度で熱処理した。この結果、上述した２種のシリコンインゴットから得られたウェハのいずれにもウエハ１１表面に無欠陥層１３、１３が、ウェア１１内部に微小欠陥１４、…が形成された（同図(b)図示）。」（第２頁左下欄第２０行〜同頁右下欄第７行）
　上記記載を参照すると、高温熱処理でシリコンウェハ表面の酸素及び析出核が外方拡散されてウェハ表面が無欠陥層とされており、還元性ガス、又は還元性ガスと不活性ガスの混合ガス中で高温熱処理が行われているから、刊行物２には、シリコンウェハの製造方法において、「シリコンウェハを還元性ガス中で１０００℃以上で、または不活性ガスと還元性ガスの混合ガス中で１１００℃以上で熱処理して前記シリコンウェハの面から酸素を放出する工程」を備えたものが記載されている。
　
（２−２−３）対比・判断
　補正発明１と刊行物１に記載された発明とを対比する。
　刊行物１に記載された発明の「粗研磨Ｓｉ基板」、「多結晶Ｓｉ」は、それぞれ補正発明１の「半導体シリコンウェハ」、「多結晶シリコン堆積層」に相当する。
　刊行物１に記載された「粗研磨Ｓｉ基板の全面に多結晶Ｓｉを堆積し、一方の面に多結晶Ｓｉを残し、片面を機械的・化学的研磨法により鏡面状態に仕上げ、素子形成面を形成する工程」では、「一方の面のみに多結晶Ｓｉを残し」ており、「他方の面を外方に露出して」素子形成面を形成していることが明らかであることから、刊行物１に記載された上記工程は、補正発明１の「半導体シリコンウェハの一方の面のみに多結晶シリコン堆積層を設け他方の面を外方へ露出する工程」に相当する。
　したがって、両者は
「半導体シリコンウェハの一方の面のみに多結晶シリコン堆積層を設け他方の面を外方へ露出する工程と、その後前記半導体シリコンウェハを熱処理して多結晶シリコン堆積層が設けられていない他方の面から酸素を放出する工程と、を備えた半導体シリコンウェハの製造方法。」の点で一致し、次の点で相違する。
　「前記半導体シリコンウェハを熱処理して多結晶シリコン堆積層が設けられていない他方の面から酸素を放出する工程」で、前者は「不活性ガスまたは還元性ガスまたはこれらの混合ガス中で熱処理」しているのに対して、後者は「１１８０℃で高温熱処理して鏡面状態に仕上げたＳｉ基板表面から酸素を放出する工程」の雰囲気が不明である点。
　
　上記相違点について検討する。
　刊行物２には、シリコンウェハの製造方法において、「シリコンウェハを還元性ガス中で１０００℃以上で、または不活性ガスと還元性ガスの混合ガス中で１１００℃以上で熱処理して前記シリコンウェハの面から酸素を放出する工程」を備える点が記載されており、刊行物１に記載の発明と刊行物２に記載の発明とは、共にイントリンシック・ゲッタリングの改良に係る半導体シリコンウェハの製造方法に関する発明で、共に１０００℃以上の高温熱処理でウェハ表面の酸素を外方拡散させるものである。したがって、刊行物１に記載の発明において、高温熱処理の雰囲気を、刊行物２に記載されるように「還元性ガス、または不活性ガスと還元性ガスの混合ガス中」とすることは当業者にとって格別困難なものではない。
　よって、補正発明１は、上記刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができるものではない。
　
（３）むすび
　したがって、補正発明２ないし補正発明７について検討するまでもなく、適法でない補正を含む本件補正は特許法第１７条の２第４項で準用する同法第１２６条第３項の規定に適合しないものであり、本件補正は特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明
　平成１３年７月３０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１乃至７に係る発明は、平成１２年８月２９日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載されたとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、その請求項１に記載された、以下のとおりのものである。
　「半導体シリコンウェハの一方の面に多結晶シリコン堆積層を設ける工程と、その後前記半導体シリコンウェハを不活性ガスまたは還元性ガスまたはこれらの混合ガス中で熱処理する工程と、を備えたことを特徴とする半導体シリコンウェハの製造方法。」
　
４．引用例
　刊行物１：特開平４−１６３９２０号公報　（上記「２．平成１３年７月３０日付けの手続補正について」の「（２−３−２）刊行物に記載された発明」で提示した「刊行物１」）
　刊行物１は、「Ｓｉ基板の製造方法（発明の名称）」に関するものであって、第１図及び第２図とともに以下の点が記載されている。
　「Ｓｉ基板のゲッタリング手法としては、ＥＧ以外に、Ｓｉ基板中に含有される格子間酸素（Ｏｉ）の析出による結晶欠陥を利用するイントリンシック・ゲッタリング（Intrinsic Gettering、以下ＩＧと略す）が知られている。…Ｏｉ析出起因の結晶欠陥が素子形成領域（Ｓｉ基板表面）にまで発生しやすくなる。このようなＯｉ析出起因の表面欠陥の発生を抑えるため、Ｓｉ基板中に含有されるＯｉ濃度は、低く抑えられている」（第２頁左上欄第９行〜右上欄第６行）
　「本発明の目的は、Ｏｉ析出起因の結晶欠陥発生を抑制するＳｉ基板の製造方法を提供することにある。」（第２頁左下欄第１５〜１７行）
　「第１図は本発明の実施例１の製造工程を示す概略図である。」（第３頁左上欄第４，５行）
　「この粗研磨Ｓｉ基板２に、化学気相成長法により…多結晶Ｓｉ４を厚さ１．２μｍに堆積する。…続いて、片面を機械的・化学的研磨法により鏡面状態に仕上げ、素子形成面６を形成した後、１１８０℃４時間の高温熱処理を施す」（第３頁左上欄第１２〜２０行）
　刊行物１に記載の発明を、第１図、第２図及びその説明の欄の記載を参照してまとめると、刊行物１には、
　「粗研磨Ｓｉ基板の全面に多結晶Ｓｉを堆積し、一方の面に多結晶Ｓｉを残し、片面を機械的・化学的研磨法により鏡面状態に仕上げ、素子形成面を形成する工程と、その後前記Ｓｉ基板を１１８０℃で高温熱処理する工程と、を備えたＳｉ基板の製造方法。」が記載されている。
　
　刊行物２：特開昭６０−２４７９３５号公報（上記「２．平成１４年３月１４日付けの手続補正について」の「（２−３−２）刊行物に記載された発明」で提示した「刊行物２」）
　刊行物２は、「半導体ウエハの製造方法（発明の名称）」に関するものであって、第１図ないし第４図とともに以下の点が記載されている。
　「本発明は半導体ウェハの製造方法に関し、特にイントリンシック・ゲッタリングの改良に係る。」（第１頁左下欄第１０，１１行）
　「このイントリンシック・ゲッタリングは…高温熱処理（１０００〜１２５０℃）でウェハ内部の酸素析出核が微小欠陥に成長するとともにウェハ表面の酸素及び析出核が外方拡散することを利用し、ウェハ表面を無欠陥層とし、ウェハ内部に微小欠陥を形成するものである。
・・・
　…なお、上記高温熱処理は酸化性又は不活性雰囲気中で行われている。」（第１頁右下欄第４〜１９行）
　「本発明者らは研究を重ねた結果、イントリンシック・ゲッタリングの高温熱処理の雰囲気を選択することによりウェハ表面の無欠陥層とウェハ内部の微小欠陥層とを制御性よく形成し得ることを見出し、本発明をなすに至った。
　すなわち、本発明の半導体ウェハの製造方法は、半導体ウェハを５００〜９００℃で０．５〜１８時間熱処理した後、水素ガス又は水素含有不活性ガス中において１０００℃以上の高温で熱処理することを特徴とするものである。」（第２頁左上欄第２０行〜同頁右上欄第９行）
　「シリコンウェハ１１を、水素含有不活性ガスを　２〜２３０　ｌ／min　の流量で流している還元雰囲気中において１１００℃以上の温度で熱処理した。」（第２頁左下欄第２０行〜同頁右下欄第３行）
　
５．対比・判断
　本願発明１と刊行物１に記載された発明とを対比する。
　刊行物１に記載された発明の「粗研磨Ｓｉ基板」、「多結晶Ｓｉ」は、それぞれ本願発明１の「半導体シリコンウェハ」、「多結晶シリコン堆積層」に相当する。
　刊行物１に記載された「粗研磨Ｓｉ基板の全面に多結晶Ｓｉを堆積し、一方の面に多結晶Ｓｉを残し、片面を機械的・化学的研磨法により鏡面状態に仕上げ、素子形成面を形成する工程」では、「一方の面に多結晶Ｓｉを残し」て素子形成面を形成していることが明らかであることから、刊行物１に記載された上記工程は、本願発明１の「半導体シリコンウェハの一方の面に多結晶シリコン堆積層を設ける工程」に相当する。
　したがって、両者は
「半導体シリコンウェハの一方の面に多結晶シリコン堆積層を設ける工程と、その後前記半導体シリコンウェハを熱処理する工程と、を備えた半導体シリコンウェハの製造方法。」の点で一致し、次の点で相違する。
　「前記半導体シリコンウェハを熱処理する工程」で、前者は「不活性ガスまたは還元性ガスまたはこれらの混合ガス中で熱処理」しているのに対して、後者は「１１８０℃で高温熱処理する工程」の雰囲気が不明である点。
　
　上記相違点について検討する。
　イントリンシック・ゲッタリング効果を得る等のような目的で半導体シリコンウェハを熱処理する工程を備えた半導体シリコンウェハの製造方法において、該熱処理する工程における雰囲気を、「不活性ガスまたは還元性ガスまたはこれらの混合ガス」とすることは慣用手段に過ぎず、例えば、刊行物２には、シリコンウェハの製造方法において、「シリコンウェハを還元性ガス中で１０００℃以上で、または不活性ガスと還元性ガスの混合ガス中で１１００℃以上で熱処理する工程」を備える点が記載されている。そして、刊行物１に記載の発明と刊行物２に記載の発明とは、共にイントリンシック・ゲッタリングの改良に係る半導体シリコンウェハの製造方法に関する発明で、共に１０００℃以上の高温熱処理をするものである。
　したがって、刊行物１に記載の発明において、高温熱処理の雰囲気を、刊行物２に記載されるように「還元性ガス、または不活性ガスと還元性ガスの混合ガス中」とすることは当業者にとって格別困難なものではない。
　よって、本願発明１は、上記刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、請求項２ないし請求項８に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。