【事件の表示】
　平成１０年特許願第３４３２８１号「半導体レーザ」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　６月２３日出願公開、特開２０００−１７４３９４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年１２月２日の出願であって、平成１２年１１月２９日付の拒絶理由通知に対し、平成１３年２月５日付で意見書及び手続補正書が提出され、同年９月５日付で再度拒絶理由が通知されたが、それに対する出願人からの応答がなく、平成１４年４月９日付で拒絶査定がなされた。これに対し、同年５月１７日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１、２に係る発明は、平成１３年２月５日付手続補正書における特許請求の範囲の請求項１、２に記載されたとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のものである。
　「ｐ型クラッド層とｎ型クラッド層とにはさまれた歪多重量子井戸を有する半導体レーザであって、
前記ｎ型クラッド層の内部に、多重量子井戸から構成される光フィールド制御層を有し、かつ該量子井戸の厚さが電子の第一量子準位が存在しない厚さであって、
該光フィールド制御層の屈折率が、前記ｎ型クラッド層の屈折率よりも大きく、かつ前記多重量子井戸を構成する障壁層のバンドギャップエネルギーが、レーザ発振光のエネルギーより大きいことを特徴とする半導体レーザ。」
　
３．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された、特開平５−２４３６６９号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面と共に以下の記載がある。
　「【請求項１】半導体基板上に設けたAlGaInP活性層およびその両側を活性層よりもバンドギャップの大きいAlGaInPからなる光ガイド層ではさんだ光-キャリア分離閉じ込め(Separate Confinement Heterostructure:以下、ＳＣＨと略す)構造において、・・ｎクラッド層内部にクラッド層よりも屈折率の高いAlGaInPからなる高屈折率層を設け、・・たことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ素子において、・・(AlxGa1-x)1-αInαP活性層においてIn組成αを0.5以上としてGaAs基板と格子不整となる圧縮歪を導入し、その歪量を0.8〜2.5%の範囲で設定したことを特徴とする。」
　「【請求項３】特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ素子において、活性層構造は、ダブルヘテロ(Double Heterostructure：以下、ＤＨと略す)構造で活性層厚daを10≦ da ≦ 40nmとするか、多重量子井戸構造で井戸幅Lzを3 ≦ Lz ≦ 10nmでかつ全膜厚daを20 ≦ da ≦ 50nmとすることを特徴とする。」
　「【０００５】
【作用】・・本発明における構造を用いた場合、レーザ内部の光強度分布は図３(ｂ)のようになる。・・さらにｎクラッド層内部に高屈折率層を設け非対称導波構造とすることによって、導波モードの中心をｎ側の光ガイド層内部にシフトさせることができ、活性層よりも禁制帯幅が広くレーザ光に対して透明な光ガイド層を中心に導波することとなる。」
　「【０００８】また、本発明における構造を用い、高屈折率層を設けて導波モードをｎクラッド層側にシフトさせることは素子抵抗低減にも効果がある。ｎクラッド層側に導波モードをシフトさせたことによってｐクラッド層への光の漏れは小さくなり、ｐクラッド層を0.8μmまで薄くしてもGaAs埋込層での光吸収による導波損失の増大は起こらない。」
　「【００１２】実施例２
図２は、本発明の半導体レーザ素子の第２の実施例を示す構成図である。第１の実施例における高屈折率層４を多重量子井戸構造４’に置き換えた構造である。」
　「【００１３】高屈折率層のAl組成ｘを小さくすれば屈折率を高く出来るが、Al組成を小さくするとキャリアに対して深い井戸を形成し、キャリアをトラップする可能性がある。そのため、量子サイズ効果を利用して実効的な井戸の深さを浅くし、キャリアを高屈折率層内に蓄積しないように多重量子井戸構造を用いた。」
　これらの記載から、引用例１には、
　「ｐ型クラッド層とｎ型クラッド層とにはさまれた多重量子井戸を有する半導体レーザであって、前記ｎ型クラッド層の内部に多重量子井戸から構成される高屈折率層を有し、該高屈折率層は前記ｎ型クラッド層の屈折率よりも大きいことによって、導波モードの中心をｎ側の光ガイド層内部にシフトさせたことを特徴とする半導体レーザ」との発明（以下、「引用例１発明」という。）が開示されている。
　
４．対比・判断
　そこで本願発明と引用例１発明とを対比すると、引用例１発明の「高屈折率層」は本願発明の「光フィールド制御層」に相当することから、両者は、
　「ｐ型クラッド層とｎ型クラッド層とにはさまれた多重量子井戸を有する半導体レーザであって、前記ｎ型クラッド層の内部に多重量子井戸から構成される光フィールド制御層を有し、該光フィールド制御層は前記ｎ型クラッド層の屈折率よりも大きいことを特徴とする半導体レーザ」である点で一致し、以下の点で相違する。
　[相違点１]
　本願発明は、多重量子井戸が「歪多重量子井戸」であるのに対し、引用例１発明はそのような限定がない点。
　[相違点２]
　本願発明は、「多重量子井戸から構成される光フィールド制御層の量子井戸の厚さが電子の第一量子準位が存在しない厚さ」であるのに対し、引用例１発明には上記厚みを特定する記載が明記されていない点。
　[相違点３]
　本願発明は、「光フィールド制御層の多重量子井戸を構成する障壁層のバンドギャップエネルギーが、レーザ発振光のエネルギーより大きい」ものであるのに対し、引用例１発明には上記事項が明記されていない点。
　
　そこで上記相違点について検討する。
　[相違点１]
　従来、多重量子井戸構造の量子井戸層に歪を導入してなる歪多重量子井戸を半導体レーザの活性層に使用することは周知技術に過ぎず（必要に応じ例えば特開平５−１９８８９１号公報、特開平７−２２６９６号公報、特開平９−６４４７４号公報等参照）、また引用例１においても活性層に圧縮歪を導入する記載もあることから、引用例１発明において多重量子井戸に歪を与え歪多重量子井戸とすることは単なる設計事項に過ぎない。
　[相違点２]
　引用例１においても、「高屈折率層のAl組成ｘを小さくすれば屈折率を高く出来るが、Al組成を小さくするとキャリアに対して深い井戸を形成し、キャリアをトラップする可能性がある」という問題意識、及び「量子サイズ効果を利用して実効的な井戸の深さを浅くし、キャリアを高屈折率層内に蓄積しないように」するという解決手段が開示されており（引用例１【００１３】参照）、一方、かかる量子井戸へのキャリアトラップという課題に対して、当該量子井戸の厚さを、その中に電子の第一量子順位が存在しないよう設定することで解決することは、一般に周知事項であることから（例えば、原査定で引用された特開平７−１３１１０５号公報（「・・InGaAsはこの物質系で最もバンドギャップが小さいため、InGaAsPやInPとの組み合わせでは量子井戸層となってしまい注入されたキャリアが消費されてしまう。」（【００１０】）、「しかしながら、InGaAsの層厚を十分薄くすれば電子の量子準位は存在することが出来ないので、InGaAs層でのキャリア再結合を防ぐことができる。」（【００１１】））、及び特開平７−２４５４４７号公報（「しかしながら、ＩｎＧａＡｓやＩｎＧａＡｓＰはＩｎＰよりもバンドギャップが小さいために、そのままではレーザ光を吸収してしまい、レーザの特性を悪化させてしまう。そこで、ＩｎＧａＡｓやＩｎＧａＡｓＰ拡散阻止層とＩｎＰクラッド層との間で量子井戸を形成させ、その量子準位間エネルギーがレーザの発振波長のエネルギーより大きくなるように、ＩｎＧａＡｓやＩｎＧａＡｓＰ拡散阻止層の層厚を決めると、その部分でのレーザ光の吸収は抑制できる。さらに、ＩｎＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓＰ拡散阻止層の層厚を、電子の第一量子順位が存在しなくなるほど薄くすると、ＩｎＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓ拡散阻止層でのレーザー光の吸収が防止でき、それに加えてそこでのキャリアのトラップを防止して活性層へのキャリア注入を容易にする。」（【０００５】））参照）、引用例１発明において、多重量子井戸から構成される高屈折率層の量子井戸の厚さを電子の第一量子準位が存在しない厚さとすることには何ら困難性は存在しない。
　[相違点３]
　活性層の周辺に存在する層のバンドギャップエネルギーをレーザ発振光エネルギーより大きくして、吸収を防ぎ導波効率を高めることは自明の事項であり（例えば引用例１「活性層よりも禁制帯幅が広くレーザ光に対して透明な光ガイド層を中心に導波することとなる。」（【０００５】）参照）、引用例１発明の多重量子井戸を構成する高屈折率層もクラッド層中にある以上、伝搬するレーザ光の損失を回避すべく、多重量子井戸を構成する障壁層のバンドギャップエネルギーをレーザ発振光のエネルギーより大きくすることは、当業者が適宜設計し得る事項に過ぎない。
　
　また、本願発明の奏する効果も引用例１及び周知技術から予測される程度のものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることが出来たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。