【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年3月19日(2014.3.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（i）陽極、
（ii）陰極、及び
（iii）少なくとも一つの式（I）若しくは（II）の錯体を含む、陽極と陰極の間で、陽極と陰極と直接或いは間接的に接触して配置されたエミッター層を含む発光素子。
【化１】
2010506411.tif 000001
（ここで、
Ｌｎ＝Ｃｅ３＋、Ｐｒ３＋、Ｎｄ３＋、Ｐｍ３＋、Ｓｍ３＋、Ｅｕ３＋、Ｇｄ３＋、Ｔｂ３＋、Ｄｙ３＋、Ｈｏ３＋、Ｅｒ３＋、Ｔｍ３＋、Ｙｂ３＋若しくはＬｕ３＋、Ｒ１＝置換されても、非置換でもよいピラゾリル、トリアゾリル及びヘテロアリール又はＲ５＝Ｒ１及びＲ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ７＝Ｈ、ハロゲン若しくはヘテロ原子を含んでもよく又は/及び置換されてもよい炭化水素基。）
【請求項２】
更に、正孔伝導層又は/及び電子伝導層を含むことを特徴とする、請求項１記載の発光素子。
【請求項３】
更に、ＣｓＦ若しくはＬｉＦ中間層を含むことを特徴とする、請求項１又は２記載の発光素子。
【請求項４】
基板上、特に、ガラス基板上に配置されることを特徴とする、請求項１〜３何れか１項記載の発光素子。
【請求項５】
エミッター層中に存在する錯体が、ランタノイドエミッターであることを特徴とする、請求項１〜４何れか１項記載の発光素子。
【請求項６】
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６及びＲ７は、夫々、互いに独立して、水素若しくはハロゲンを表すことを特徴とする、請求項１〜５何れか１項記載の発光素子。
【請求項７】
エミッター層が、エミッター層の合計重量を基礎として、１〜１００重量％の濃度で、式（I）又は/及び（II）の錯体を含むことを特徴とする、請求項１〜６何れか１項記載の発光素子。
【請求項８】
エミッター層中の式（I）又は/及び（II）の錯体の割合は、エミッター層の合計重量を基礎として、８０重量％より大であることを特徴とする、請求項１〜７何れか１項記載の発光素子。
【請求項９】
エミッター層中の式（I）又は/及び（II）の錯体の割合は、エミッター層の合計重量を基礎として、１０重量％より大であり、８０重量％までであることを特徴とする、請求項１〜８何れか１項記載の発光素子。
【請求項１０】
エミッター層中の式（I）又は/及び（II）の錯体の割合は、エミッター層の合計重量を基礎として、２重量％より大であり、１０重量％までであることを特徴とする、請求項１〜７何れか１項記載の発光素子。
【請求項１１】
エミッター層中の式（I）若しくは（II）の錯体は、モノマーの形態であることを特徴とする、請求項１０記載の発光素子。
【請求項１２】
式（I）若しくは（II）の錯体を含む結晶性又は/及び準結晶性層を有することを特徴とする、請求項１〜１１何れか１項記載の発光素子。
【請求項１３】
表示素子及び/又は照明素子であることを特徴とする、請求項１〜１２何れか１項記載の発光素子。
【請求項１４】
請求項１で定義されるとおりの式（I）若しくは（II）の錯体の、発光素子でのエミッターとしての使用。
【請求項１５】
てＬｎ＝Ｃｅ３＋である式（I）若しくは（II）の錯体の、短い発光減衰時間を有する蛍光エミッターとしての、請求項１４記載の使用。
【請求項１６】
少なくとも一つの式（I）若しくは（II）の錯体が、真空昇華によりエミッター層中に導入されることを特徴とする、請求項１〜１３何れか１項記載の発光素子の製造方法。
【請求項１７】
少なくとも一つの式（I）若しくは（II）の錯体が、湿式化学法によりエミッター層中に導入されることを特徴とする、請求項１〜１３何れか１項記載の発光素子の製造方法。
【請求項１８】
白色光生成のための、同じエミッター層中での、２或いは３以上の異なる請求項１で定義されるとおりの式（I）若しくは（II）のエミッター錯体の使用。
【請求項１９】
青色発光ＯＬＥＤの製造のための請求項１で定義されるとおりの式（I）若しくは（II）のＣｅ（III）錯体の使用。
【請求項２０】
赤外発光ＯＬＥＤの製造のための請求項１で定義されるとおりの式（I）若しくは（II）のＮｄ（III）錯体の使用。
【請求項２１】
高い電流密度で低損失でそれゆえまた高効率でＯＬＥＤを駆動することができるように、非常に短い発光減衰時間を有する請求項１で定義されるとおりの式（I）若しくは（II）のＣｅ（III）錯体の使用。
【請求項２２】
式（I）若しくは（II）の錯体を含む正孔ブロック層。
【化２】
2010506411.tif 000002
（ここで、
Ｌｎ＝Ｃｅ３＋若しくはＧｄ３＋、Ｒ１＝置換されても、非置換でもよいピラゾリル、トリアゾリル、ヘテロアリール、アルキル、アリール、アルコキシ、フェノラート、アミン若しくはアミド基又は
Ｒ５＝Ｒ１若しくはＨ及び
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ７＝Ｈ、ハロゲン若しくはヘテロ原子を含んでもよく又は/及び置換されてもよい炭化水素基。）
【請求項２３】
少なくとも一つの式（I）若しくは（II）の錯体を含むエミッター層のためのマトリックス材料。
【化３】
2010506411.tif 000003
（ここで、
Ｌｎ＝Ｃｅ３＋若しくはＧｄ３＋、Ｒ１＝置換されても、非置換でもよいピラゾリル、トリアゾリル及びヘテロアリール基又は
Ｒ５＝Ｒ１及び
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ７＝Ｈ、ハロゲン若しくはヘテロ原子を含んでもよく又は/及び置換されてもよい炭化水素基。）
【請求項２４】
エミッター錯体でドープされた、請求項２３記載のマトリックス材料。
【請求項２５】
（i）少なくとも一つの式（I）若しくは（II）の錯体を含むマトリックス材料、
【化４】
2010506411.tif 000004
（ここで、
Ｌｎ＝Ｃｅ３＋若しくはＧｄ３＋、Ｒ１＝置換されても、非置換でもよいピラゾリル、トリアゾリル及びヘテロアリール基又は
Ｒ５＝Ｒ１及び
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ７＝Ｈ、ハロゲン若しくはヘテロ原子を含んでもよく又は/及び置換されてもよい炭化水素基。）及び
（ii）エミッターとして、少なくとも一つの式（I）若しくは（II）の錯体
【化５】
2010506411.tif 000005
（ここで、
Ｌｎ＝Ｃｅ３＋若しくはＧｄ３＋、Ｒ１＝置換されても、非置換でもよいピラゾリル、トリアゾリル及びヘテロアリール基又は
Ｒ５＝Ｒ１及び
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ７＝Ｈ、ハロゲン若しくはヘテロ原子を含んでもよく又は/及び置換されてもよい炭化水素基。）
を含む、特に、発光素子のためのエミッター層、
【請求項２６】
式（I）若しくは（II）の錯体。
【化６】
2010506411.tif 000006
（ここで、
Ｌｎ＝Ｃｅ３＋若しくはＧｄ３＋、Ｒ１＝置換されても、非置換でもよいピラゾリル、トリアゾリル及びヘテロアリール基又は
Ｒ５＝Ｒ１及び
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ７＝Ｈ、ハロゲン若しくはヘテロ原子を含んでもよく又は/及び置換されてもよい炭化水素基。）
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
陰極への正孔流により発生しうる抵抗損を減少する正孔ブロック層は、好ましくは、エミッター層に適用される。この正孔ブロック層は、好ましくは、１０〜５０ｎｍ、特に、１５〜２５ｎｍの厚さである。この目的のために適切な材料は、例えば、ＢＣＰ（バソクプロインとしても知られる、4,7-ジフェニル-2,9-ジメチルフェナントロリン）である。電子輸送材料を含む電子輸送層（ＥＴＬ）は、好ましくは、正孔ブロック層に、またこの層と陰極との間に適用される。この層は、好ましくは、１０〜１００ｎｍ、特に、３０〜５０ｎｍの厚さを有する蒸着可能なＡｌｑ３から成る。例えば、ＣｓＦ或いはＬｉＦを含む中間層は、
好ましくは、ＥＴＬと陰極との間に適用される。この中間層は、電子注入バリヤを減少し、ＥＴＬを保護する。この層は、一般的に蒸着により適用される。中間層は、好ましくは、非常に薄く、特に、０．５〜２ｎｍ、より好ましくは、０．８〜１．０ｎｍの厚さである。最後に、電導性陰極層は、蒸着により適用され、特に、５０〜５００ｎｍ、より好ましくは、１００〜２５０ｎｍの厚さを有する。陰極層は、好ましくは、Ａｌ、Ｍｇ/Ａｇ（特に、１０：１の比で）若しくは他の金属から成る。３〜１５Ｖの電圧が、好ましくは、本発明による昇華可能なエミッターのために記載されるＯＬＥＤ構造に適用される
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６０】
それらのエミッター特性に加えて、本発明による錯体は、更に興味のある用途に役立つ。こうして、Ｌｎ＝Ｃｅ３＋若しくはＧｄ３＋である式（I）若しくは（II）の錯体が、電子基底状態と最低励起状態との間の非常に高いエネルギー差を有することが観察された。更に、そのような錯体でのＨＯＭＯのエネルギー位置は、多くの他の化合物のそれに比べて非常に低いエネルギーである。したがって、特に、＞９０％、より好ましくは、＞９０％の及び完全に、Ｌｎ＝Ｃｅ３＋若しくはＧｄ３＋である式（I）若しくは（II）の化合物から主に成る層は、正孔ブロック層として、若しくはエミッター層構築のためのマトリックス材料として、使用されることもできる。非常に低いＨＯＭＯ位置により、これらの錯体は、正孔ブロック層として、使用されることもできる
したがって、本発明は、さらに、式（I）若しくは（II）の錯体を含む正孔障ブロックに関する。
【化３】
2010506411.tif 000007