【事件の表示】
　平成　６年特許願第１２４０１１号「半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年１２月２２日出願公開、特開平　７−３３５７５３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成６年６月６日の出願であって、平成１３年１１月２６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１３年１２月２８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１４年１月１６日付けで手続補正がなされたものである。
２．平成１４年１月１６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１４年１月１６日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）本件補正の内容
　本件補正の内容は、特許請求の範囲を次のとおりに補正するものである。
「【請求項１】　第１配線層を有する半導体基板に、シリコン窒化膜及びＯ3ガスを使用しないプラズマＣＶＤ法により形成される第１シリコン酸化膜をこの順で有し、該第１シリコン酸化膜上にテトラエチルオルソシリケート、シロキサン或いはジシラザンを原料とする常圧ＣＶＤ法により形成された第２シリコン酸化膜を有し、該第２シリコン酸化膜上に第２配線層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】　シリコン窒化膜及び第１シリコン酸化膜が、それぞれ１００〜２０００Å及び１００〜１０００Åの厚さを有する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】　第１配線層及び第２配線層がアルミニウム又はその合金からなり、シリコン窒化膜がプラズマＣＶＤ法により形成され、第２シリコン酸化膜上に、第３シリコン酸化膜が積層されてなる請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】　第１配線層を有する半導体基板に、シリコン窒化膜を成膜し、次いでＯ3ガスを使用しないプラズマＣＶＤ法により第１シリコン酸化膜を成膜する工程、該第１シリコン酸化膜上にテトラエチルオルソシリケート、シロキサン或いはジシラザンを原料として常圧ＣＶＤ法により第２シリコン酸化膜を堆積する工程、該第２シリコン酸化膜上に第２配線層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（２）本件補正についての検討
（２−１）補正事項の整理
　補正事項を整理すると次のとおりである。
（補正事項１）
　旧請求項１の「プラズマＣＶＤ法により形成される第１シリコン酸化膜」を「Ｏ3ガスを使用しないプラズマＣＶＤ法により形成される第１シリコン酸化膜」と補正する。
（補正事項２）
　旧請求項４の「プラズマＣＶＤ法により第１シリコン酸化膜を成膜する工程」を「Ｏ3ガスを使用しないプラズマＣＶＤ法により第１シリコン酸化膜を成膜する工程」と補正する。
　
（２−２）補正の適否についての検討
　以下、補正事項１及び補正事項２について順次検討する。
（補正事項１について）
　先ず、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正発明１」という。）の「Ｏ3ガスを使用しないプラズマＣＶＤ法により形成される第１シリコン酸化膜」とする構成が、願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「当初明細書」又は「当初図面」という。）に記載されているかについて検討する。
　当初明細書には、「第１シリコン酸化膜がプラズマＣＶＤ法により形成されてなる」（請求項２）、「第１シリコン酸化膜の形成方法としては、プラズマＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法等が挙げられる。ここで第１配線層がＡｌからなる場合は、プラズマＣＶＤ法により第１シリコン酸化膜を形成することが低温形成できる点で好ましい。プラズマＣＶＤ法での第１シリコン酸化膜の成膜条件は、ＲＦパワー６００〜９００Ｗ、圧力３〜１２ｔｏｒｒ、温度３６０〜４００℃とし、シリコン原料ガスの流量が６〜２０ｓｃｃｍ、Ｏ2 等の酸素原料ガスの流量が３５０〜９５０ｓｃｃｍである。シリコン原料ガスとして、例えば、液温約５０℃のＴＥＯＳをＮ2 でバブリングすることより生じるガスを使用することができる。」（段落【００２７】）、「次に、シリコン窒化膜６上に、第１シリコン酸化膜７を膜厚１０００Åで、プラズマＣＶＤ法により形成した。形成条件は、ＲＦパワー６３０Ｗ、圧力８ｔｏｒｒ、ＴＥＯＳ（液温５０℃）中でのＮ2 のバブリングガス流量８５０ｓｃｃｍ、Ｏ2 ガス流量６００ｓｃｃｍ、温度３９０℃とした。」（段落【００３７】）と記載されている。
　そして、補正発明１の上記構成は、当初明細書又は当初図面に記載のない、Ｏ3ガスを使用せず、Ｏ2 等の酸素原料ガスを使用しないプラズマＣＶＤ法により形成される第１シリコン酸化膜も含むものであるから、補正発明１の上記構成は、当初明細書又は当初図面に記載されていない。
　次に、補正発明１の上記構成が、当初明細書又は当初図面の記載からみて自明な事項といえるかについて検討する。
　当初明細書には、「Ｏ2 等の酸素原料ガスを使用するプラズマＣＶＤ法により形成される第１シリコン酸化膜」が開示されており、Ｏ2 等の酸素原料ガスを使用しないプラズマＣＶＤ法に関しては示唆されていないから、「Ｏ3ガスを使用せず、Ｏ2 等の酸素原料ガスを使用しないプラズマＣＶＤ法により形成される第１シリコン酸化膜」が当初明細書又は当初図面の記載から自明な事項であると認めることができない。
（補正事項２について）
　上記補正発明１についての検討と同様な理由で、本件補正後の請求項４に係る発明の「Ｏ3ガスを使用しないプラズマＣＶＤ法によりる第１シリコン酸化膜を成膜する工程」とする構成は、当初明細書又は当初図面に記載されておらず、また、当初明細書又は当初図面の記載から自明な事項であると認めることができない。
　
（３）むすび
　よって、補正事項１及び補正事項２を含む本件補正は、特許法第１７条の２第２項で準用する同法第１７条第２項の規定に違反するから、本件補正は、特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　平成１４年１月１６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１乃至４に係る発明は、平成１３年１月１２日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載されたとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された、以下のとおりのものである。
　「第１配線層を有する半導体基板に、シリコン窒化膜及びプラズマＣＶＤ法により形成される第１シリコン酸化膜をこの順で有し、該第１シリコン酸化膜上にテトラエチルオルソシリケート、シロキサン或いはジシラザンを原料とする常圧ＣＶＤ法により形成された第２シリコン酸化膜を有し、該第２シリコン酸化膜上に第２配線層を有することを特徴とする半導体装置。」
　
４．引用例
　刊行物１：特開平６−１０４２４９号公報
　
　刊行物１は、「半導体装置」（発明の名称）に関するものであって、図２とともに以下の点が記載されている。
　「本発明は多層配線のための層間絶縁膜として、有機シラン化合物とオゾンとを原料ガスとする化学気相反応により形成される酸化膜を有する半導体装置に関するものである。」（段落【０００１】）
　「O3-TEOS-NSG 膜は下地により成膜速度および膜質が変化するいう問題があり、このような下地依存性によって膜にクラックが発生するという問題があった。」（段落【０００２】）
  「このような欠点を解消するために、TEOSを原料としてプラズマCVD 法によって酸化膜を薄く、通常3000Å以下の厚さに形成し、次いで常圧O3-TEOS-CVD 法によって平坦性に優れた常圧O3-TEOS-NSG 膜を厚く形成する方法が提案されている。」（段落【０００３】）
  「【発明が解決しようとする課題】上述した方法によれば、常圧O3-TEOS-NSG 膜の下側にP-TEOS-NSG膜が存在するため、O3-TEOS-NSG 膜の下地依存性を解消し、したがってクラックの発生を防止することができるが、層間絶縁膜としてTEOSに代表される有機シラン化合物を原料としたCVD 酸化膜を用いると、TEOS膜中の水分がその下側の絶縁膜、例えはBPSG膜を通過し、さらに下方にある半導体基板表面にまで拡散し、界面準位を変化させ、トランジスタ特性、例えばホットキャリア耐性やｇm を劣化させるという問題がある。」（段落【０００４】）
　「本発明の目的は上述した問題を解決し、有機シランおよびオゾンを原料ガスとする埋め込み性および平坦性に優れたO3-TEOS-NSG 酸化膜の下地依存性を解消し、したがってクラックの発生を防止することができ、しかも絶縁膜中に含まれる水分の拡散による素子特性の劣化をも防止するようにした半導体装置を提供しようとするものである。」（段落【０００５】）
　「このような本発明による半導体装置においては、層間絶縁膜を例えば、P-SiH4-NGS/P-TEOS-NSG/常圧O3-TEOS-NSG の多層構造としているため、上層のTEOS系の絶縁膜に含まれた水分が、下層のP-SiH4-NGS膜のダングリングボンドにトラップされ、絶縁膜の下側にある半導体基板には到達しないので、素子特性が劣化するようなことはない。勿論、常圧O3-TEOS-NSG 膜の下側にP-TEOS-NSG膜が存在しているためO3-TEOS-NSG 膜を形成する際の下地依存性はなくなり、したがってクラックの発生もない。」（段落【０００７】）
　「P-TEOS-NSG膜15の上に、常圧O3-TEOS-CVD法によって常圧O3-TEOS-NSG 膜16を8000Åの膜厚に形成する。この常圧O3-TEOS-NSG 膜16の形成条件は以下の通りである。
【表４】
  TEOSバブリングN2流量: 　　　　　　 1.5 l/min
　・・・」（段落【００１１】）
　「図２は本発明による半導体装置の他の実施例の構成を示す断面図である。本例において、図１に示す第１の実施例と同様の部分には同じ符号を付けて示した。本例では、所定の領域を形成したシリコン基板11の上に6000Åの膜厚のBPSG膜12を形成した後、アルミ配線14を形成する。…。このアルミ配線14の上に、プラズマCVD-SiH4ベース酸化膜(P-SiH4-NSG 膜)13 を1000Åの膜厚に形成し、さらにその上にTEOSとO2を原料とするプラズマCVD 法によってP-TEOS-NSG膜15を2000Åの膜厚に形成し、さらにその上に常圧O3-TEOS-NSG 膜16を8000Åの膜厚に形成する。これらのP-SiH4-NSG膜13、P-TEOS-NSG膜15および常圧O3-TEOS-NSG 膜16の形成条件は前例と同様である。本例においてもアルミ配線14間への埋め込み性に優れしかもクラックの発生のない層間絶縁膜が得られる。」（段落【００１２】）
　
　刊行物１に記載の発明を、図２及びその説明の欄の記載を参照してまとめると、刊行物１には、
　「アルミ配線を有するシリコン基板に、プラズマCVD-SiH4ベース酸化膜及びプラズマCVD 法により形成されるP-TEOS-NSG膜をこの順で有し、該P-TEOS-NSG膜上に常圧ＣＶＤ法により形成されたO3-TEOS-NSG 膜を有することを特徴とする半導体装置。」が記載されている。
　
　刊行物２：特開平５−１９８６９０号公報
　
　刊行物２は、「半導体装置の製造方法」（発明の名称）に関するものであって、図１乃至図７とともに以下の点が記載されている。
　「塗布方法およびＴＥＯＳ−ＣＶＤ法により形成された絶縁膜は、膜中に多量の水分を含んでおり、この水分がゲ−ト酸化膜中にまで拡散すると、ゲ−ト酸化膜中にＯＨ基やＨ基を形成するため、ホットキャリアによる素子劣化を加速する可能性がある。」（段落【０００５】）
　「本発明は、前述した従来の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、層間絶縁膜からの水分をブロッキングし、半導体素子のホットキャリア劣化を与えることのない半導体装置の製造方法を提供することにある。」（段落【０００８】）
　「図３はオゾンＴＥＯＳ−ＳｉＯ2 膜上にＥＣＲプラズマＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜の有無をパラメータとした時の水分量の分析結果を示したものである。図３に示すようにＥＣＲ−ＳｉＯ2 膜がある場合、すなわち（ＥＣＲ−ＳｉＯ2 ／ＴＥＯＳ−ＳｉＯ2 ）膜ＥＴは４４０℃から水がでている。また、ＥＣＲ−ＳｉＯ2 膜がない場合、すなわちオゾンＴＥＯＳ−ＳｉＯ2 膜Ｔは、７０℃から水がでている。すなわちＥＣＲプラズマＣＶＤ法によるＳｉＯ2 膜が水分に対してブロッキング効果があることが理解できる。」（段落【００１５】）
　「なお、前述した実施例では、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によるＳｉＯ2 膜としたが、窒化膜やオキシナイトライド膜などでも良いことは言うまでもないことであり、水をブロッキングし得る絶縁膜であれば特に限定されるものではない。」（段落【００１９】）
　
　刊行物３：特開昭６３−２０７１６８号公報
　
　刊行物３は、「ＭＯＳ型半導体集積回路装置」（発明の名称）に関するものであって、第１図乃至第６図とともに以下の点が記載されている。
　「下層のＡＬ配線上に水分及び酸素等を通さないＳｉ3Ｎ4膜を形成し、その上にＣＶＤＳｉＯ2膜を薄く（１０００〜６０００Å）形成して、その上にＳＯＧ膜を塗布する。」（第２頁左下欄第１２〜１５行）
　「第１図〜第３図に本発明によるＭＯＳ型半導体集積回路装置の断面略図を示し、以下に本発明について説明する。第１図に示すように、ＭＯＳ型半導体素子等をつくりこんだ基板１１上に…第一層目のＡＬ配線１３を形成した後、プラズマＳｉ3Ｎ4膜１４を５００Å程度形成する。その上に、ＣＶＤＳｉＯ2１５を２０００Å程度形成する。…
　・・・
　第３図に示すように、その上に第二層目のＡＬ配線１７を形成する。」（第２頁左下欄第１８行〜右下欄第１５行）
　上記記載及び第１図乃至第３図を参照すると、刊行物３には、「ＡＬ配線を有する基板に、Ｓｉ3Ｎ4膜を有し、該Ｓｉ3Ｎ4膜上に形成されたＣＶＤＳｉＯ2膜を有し、該ＣＶＤＳｉＯ2膜上に第二層目のＡＬ配線を有する半導体装置」が記載されている。
　
５．対比・判断
　本願発明と上記刊行物１に記載された発明とを対比する。
　刊行物１に記載された発明の「アルミ配線」、「シリコン基板」、「プラズマCVD 法により形成されるP-TEOS-NSG膜」は、それぞれ本願発明の「第１配線層」、「半導体基板」、「プラズマＣＶＤ法により形成される第１シリコン酸化膜」に相当する。
　刊行物１に記載された発明の「プラズマCVD-SiH4ベース酸化膜」及び本願発明の「シリコン窒化膜」は、ともに絶縁膜である。
　TEOS膜とはTEOS（テトラエチルオルソシリケート）を原料ガスとする膜であるから、刊行物１に記載された発明の「常圧ＣＶＤ法により形成されたO3-TEOS-NSG膜」は、本願発明の「テトラエチルオルソシリケートを原料とする常圧ＣＶＤ法により形成された第２シリコン酸化膜」に相当する。
　したがって、両者は
「第１配線層を有する半導体基板に、絶縁膜及びプラズマＣＶＤ法により形成される第１シリコン酸化膜をこの順で有し、該第１シリコン酸化膜上にテトラエチルオルソシリケートを原料とする常圧ＣＶＤ法により形成された第２シリコン酸化膜を有することを特徴とする半導体装置。」の点で一致し、次の点で相違する。
　
　「絶縁膜」が、前者は「シリコン窒化膜」であるのに対して、後者は「プラズマCVD-SiH4ベース酸化膜」である点。（以下、「第１の相違点」という。）
　前者は、「該第２シリコン酸化膜上に第２配線層を有する」ものであるのに対して、後者は、その点について記載されていない点。（以下、「第２の相違点」という。）
　「第２シリコン酸化膜」が、前者は「テトラエチルオルソシリケート、シロキサン或いはジシラザンを原料とする常圧ＣＶＤ法により形成された」ものであるのに対して、後者は「テトラエチルオルソシリケートを原料とする常圧ＣＶＤ法により形成された」ものである点。（以下、「第３の相違点」という。）
　
　上記相違点について検討する。
（第１の相違点について）
　刊行物１には、「上層TEOS系の絶縁膜に含まれた水分が下層のP-SiH4-NSG膜のダングリングボンドにトラップされ、絶縁膜の下側にある半導体基板には到達しないので、素子特性が劣化するようなことはない。」と記載されており、また、配線層を有する半導体基板に、水分を通さない膜として窒化膜を有するものは、刊行物２及び刊行物３に記載されているように周知技術であるから、刊行物１に記載の発明において、P-SiH4-NSG 膜に代えて、上記周知技術を採用することは当業者にとって格別困難なことではない。
　また、本願発明により、シリコン窒化膜及び第１シリコン酸化膜の２層構造にすることにより、Ｏ3／ＴＥＯＳの流量比が異なっても、第２シリコン酸化膜の堆積速度が、Ｓｉウエハ上の堆積速度に近づき、下地依存性がなくなるから、第２シリコン酸化膜の膜質が良好となるＯ3／ＴＥＯＳの比が高い条件でも形成できることとなるという明細書記載の効果を有するとしても、刊行物１には、O3-TEOS-NSG 膜は下地により成膜速度および膜質が変化するという問題があり、常圧O3-TEOS-NSG 膜の下側にプラズマＣＶＤ法によってP-TEOS-NSG膜（本願発明の「第１シリコン酸化膜」に相当。）を存在させることで、O3-TEOS-NSG 膜の下地依存性を解消できるが、TEOS膜中の水分がその下側まで拡散するという問題がある旨記載されているから、結果として得られる本願明細書記載の効果は当業者が予測し得る程度の効果に過ぎないと認められる。
（第２の相違点について）
　刊行物１には、「本発明は多層配線のための層間絶縁膜として、有機シラン化合物とオゾンとを原料ガスとする化学気相反応により形成される酸化膜を有する半導体装置に関するものである。」と記載されている。また、刊行物３には、「ＡＬ配線を有する基板に、Ｓｉ3Ｎ4膜を有し、該Ｓｉ3Ｎ4膜上に形成されたＣＶＤＳｉＯ2膜を有し、該ＣＶＤＳｉＯ2膜上に第二層目のＡＬ配線を有する半導体装置」が記載されており、刊行物３に記載の発明の上記「Ｓｉ3Ｎ4膜」及び上記「ＣＶＤＳｉＯ2膜」は「多層配線のための層間絶縁膜」であるといえる。
　そして、刊行物１に記載のような多層配線のための層間絶縁膜を有する半導体装置において、前記層間絶縁膜上に第二層目の配線を有するように構成することは慣用手段に過ぎず、しかも、刊行物１に記載の発明と刊行物３に記載の発明とは、ともに「配線層を有する基板に、多層構造の層間絶縁膜を有する半導体装置」であるから、刊行物１に記載の発明において、多層構造の層間絶縁膜の最上層絶縁膜である第２シリコン酸化膜上に、第２配線層を有する構成を採用することは当業者にとって格別困難なものではない。
（第３の相違点について）
　本願発明の構成要件である「テトラエチルオルソシリケート、シロキサン或いはジシラザンを原料とする」ことは、形式上の選択肢を有するものであるから、当該選択肢中のいずれかの一の選択肢のみを構成要素とすると仮定したときの発明である「テトラエチルオルソシリケートを原料とする常圧ＣＶＤ法により形成された」ものと、刊行物１に記載された発明の「テトラエチルオルソシリケートを原料とする常圧ＣＶＤ法により形成された」ものとを対比すると、両者は相違しない。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、上記刊行物１乃至刊行物３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。