【事件の表示】
　平成８年特許願第１２２９３８号「低温焼成セラミック基板」拒絶査定に対する審判事件［平成９年１１月２８日出願公開、特開平９−３０７２０５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成８年５月１７日の出願であって、本願の請求項１，２に係る発明は、平成１２年１０月１０日付けの手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１，２に記載された事項によって特定される、次のとおりのものと認める。
【請求項１】
　１０００℃以下で焼成されて成る低温焼成セラミック基板において、
　基板表層に形成する表層導体のうちの少なくとも半田付けの対象となる電極部を、下層をＡｇ／Ｐｄ層、上層をＡｇ／Ｐｔ層とする二層構造とし、
　前記Ａｇ／Ｐｔ層の厚みを３〜１５μｍとし、且つ、前記Ａｇ／Ｐｔ層のＰｔ含有量を０．５〜１．５％としたことを特徴とする低温焼成セラミック基板。
【請求項２】
　前記Ａｇ／Ｐｄ層の厚みを７〜１３μｍとしたことを特徴とする請求項１に記載の低温焼成セラミック基板。
　
２．引用例とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前に頒布された刊行物は、以下のとおり。
（１）特開昭５２−１１０４６９号公報　（以下、第１引用例という）    
（２）特開平　６−１３９８１３号公報　（以下、第２引用例という）
（３）実願平　２−１１２４０５号　（実開平４−６８５７６号）の
　　　マイクロフィルム　　　　　　　　（以下、第３引用例という）
（４）特開平　５−　２１９３４号公報　（以下、第４引用例という）
　
　第１引用例には、第２頁左上欄１５行〜右上欄１６行には、「第２図に於いて、１１はセラミックなどの絶縁体材料で構成された厚膜電子回路基板、１２は銀パラジウムなどの導電体材料で構成された回路パターンを形成する導電部、１３は上記基板１１にマウントされる電子部品（図ではコンデンサ）、１４は被半田付導電部となるこの電子部品１３の電極、１５は錫鉛等を主成分とした半田である。また１６はこの発明の要部構成をなす拡散防止層であり、この拡散防止層１６は白金パラジウム（Ｐｔ−Ｐｄ）を主成分とし、半田付を良好にするために若干の銀などを加えた導電材料で構成されるもので、半田付を施す導電部１２の表面に被着形成される。このような拡散防止層を設けてなる厚膜電子回路装置に於いては、厚膜回路基板１１上に電子部品１３をマウントする際、その電子部品１３の電極１４と上記拡散防止層１６との間で半田付がなされ、この際半田１５による導電部１２への侵食は拡散防止層１６により確実に防止される。従って、導電部１２と電子部品１３の電極１４とは拡散防止層１６を介し、低抵抗を保った状態で安定した電気的接続を維持する。」と記載されている。　
　第２図と共に前記記載事項を参酌すると、第１引用例には、
「セラミック基板１１において、基板表層に形成する表層導体のうちの少なくとも半田付けの対象となる電極部を、下層を銀パラジウム（Ａｇ／Ｐｄ）１２、上層を白金パラジウム（Ｐｔ／Ｐｄ）１６とする二層構造としたセラミック基板」に関する発明が記載されているものと認められる。
　
３．当審における検討
［本願請求項１に係る発明について］
　本願請求項１に係る発明（以下、本願発明という）と第１引用例に記載された発明（以下、引用発明という）とを対比すると、本願発明における「Ａｇ／Ｐｄ層」は、引用発明における「銀パラジウム導電部１２」に相当するから、両者は、
『セラミック基板において、基板表層に形成する表層導体のうちの少なくとも半田付けの対象となる電極部を、下層をＡｇ／Ｐｄ層とした、上層と下層の二層構造としたセラミック基板』
で一致し、次の点で相違しているものと認められる。
（相違点１）
　セラミック基板が、本願発明では、１０００℃以下で焼成されて成る低温焼成セラミック基板であるのに対して、引用発明では、セラミック基板ではあるが、１０００℃以下で焼成されて成る低温焼成セラミック基板であるかどうかは不明である点
（相違点２）
　表層導体のうちの半田付けの対象となる電極部を二層構造とするにあたり、本願発明では、下層をＡｇ／Ｐｄ層とし、上層をＡｇ／Ｐｔ層の二層構造としたのに対して、引用発明では、下層をＡｇ／Ｐｄ層とし、上層をＰｔ／Ｐｄ層の二層構造とした点
（相違点３）
　本願発明では、Ａｇ／Ｐｔ層の厚みを３〜１５μｍとし、且つ、前記Ａｇ／Ｐｔ層のＰｔ含有量を０．５〜１．５％としたのに対して、引用発明のものは、そもそも上層にＡｇ／Ｐｔ層を用いていない点
　これらの相違点につき検討すると、
（相違点１について）
　第２引用例には、セラミック基板としてグリーンシートを低温焼成してなる低温焼成セラミック基板を用いたものが記載されているので、この低温焼成セラミック基板を引用発明のセラミック基板として用いることは容易に想到できることである。
（相違点２、相違点３について）
　第２引用例には、低温焼成セラミック基板上に単層の導体用ペーストとして銀−パラジウム系導体、又は銀−白金系導体を採用する点が記載されている。また、第３引用例にも、銀−白金系導体の代わりに銀−パラジウム系導体を採用できることが記載されている。そこで、本願発明と引用発明とを対比すると、両者は、上層の導体の組成は異なるものの、第２引用例及び第３引用例のいずれにも、銀−パラジウム系導体、又は銀−白金系導体について、択一的に記載されていることから、これらは導体ペーストとしては単純に選択可能な等価なものであるので、引用発明において、その上層の導体ペーストとして白金−パラジウム（Ｐｔ／Ｐｄ）導体に代えて第２引用例及び第３引用例に記載されている銀−白金（Ａｇ−Ｐｔ）系導体を単純に採用する（単純に置換して採用することに阻害要因はないものと思量される。その根拠として、後述の「４．審判請求人の主張」でいう、各種の半田効果は上層と下層との相乗効果によるものではなく、上層のみによる単独効果によるものと推認されるため。）ことにより前記相違点２の構成とすることは当業者にとって容易に想到しえた程度のものというべきである。
　そして、上層に銀−白金（Ａｇ−Ｐｔ）系導体を採用する際に、銀−白金（Ａｇ−Ｐｔ）導体層の厚みを３〜１５μｍとし、且つ、銀−白金（Ａｇ−Ｐｔ）層のＰｔ含有量を０．５〜１．５％とすることは、第３引用例の第４頁に銀−白金（Ａｇ−Ｐｔ）導体層の厚みを１０±２μｍとしたものが記載されており、また、第４引用例の段落【００１４】に銀−白金（Ａｇ−Ｐｔ）系導体の重量比をＡｇ：Ｐｔ＝９９：１とすることが記載されているので、これらの技術事項を参酌することにより当業者が容易に想到し得ることである。
　
［本願請求項２に係る発明について］
　本願請求項２に係る発明は、本願発明においてＡｇ／Ｐｄ層の厚みを７〜１３μｍとしたことに限定したものであるが、第３引用例の第４頁に銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）導体層の厚みを１０±２μｍとしたものが記載されているので、この技術事項を参酌することにより本願請求項２に係る発明における前記の限定事項の構成とすることは当業者が容易に想到し得ることである。
　
　なお、本願発明及び本願請求項２に係る発明の効果は、引用発明及び第２〜４引用例に記載された技術事項から予測できる程度のものであって、格別なものとはいえない。
　　
４．審判請求人の主張
　審判請求人は、審判請求書の第４頁「（３）本願発明と引用文献との対比」から第８頁（最終頁）で縷々主張しているが、このような主張が事実なのか否か疑問があったので、平成１５年５月２１日付けで当審合議体は請求人宛に審尋を発した。審尋の内容を抜粋すると、「上下の二層とし、下層をＡｇ／Ｐｄ層、上層をＡｇ／Ｐｔ層としたことによって、二層としたことによる相乗効果によって半田に対する耐半田性、半田濡れ性及び半田食われ性に優れたものになるかとも思料されるが、このような効果は二層にしたことによる相乗効果なのか、上層のみによる単独効果なのかが不明である。・・・（中略）・・・二層としたことによる特有の効果（相乗効果）であるなら、上層だけでなく下層が半田付けにどのように関与しているのか釈明されたい。」というものである。
　これに対して、指定期間内に請求人からは何の回答もなかったので、請求人の前記主張には、依然として疑義が残ったままであり、効果も疑わしく信憑性がなく、到底、請求人の前記主張は採用できるものではない。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明及び本願請求項２に係る発明は、引用発明に第２〜４引用例に記載された技術事項を採用することにより当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。