【事件の表示】
　平成１０年特許願第５０５０９３号「半導体基質を無接触的に処理する方法及び装置」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年　１月１５日国際公開、ＷＯ９８／０１８９０、平成１１年１１月３０日国内公表、特表平１１−５１４１５４］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、１９９７年７月８日（パリ条約による優先権主張１９９６年７月８日　オランダ国）を国際出願日とする出願であって、平成１３年９月６日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成１３年１２月１７日付けで本件審判請求がなされるとともに、平成１４年１月１６日付けで手続補正書が提出されたものである。
　
第２　平成１４年１月１６日付け手続補正書による補正について
１　補正発明
　平成１４年１月１６日付け手続補正書による補正は、特許請求の範囲についての補正であり、当該補正後の請求項１〜１３に係る発明は、平成１３年７月１２日付け手続補正書、平成１４年１月１６日付け手続補正書により補正された明細書及び願書に添付された図面の記載からみて、一部明らかな誤記を除いて、その特許請求の範囲の請求項１〜１３に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　半導体基質を、第１及び第２の側方部分の２つの相対する平面の間に配置し、
　互いに相対して配置された第１および第２の側方部分から該半導体基質の二つの相対する平坦な側へと二つのガス流を反対方向で流し、該第１および第２の側方部分の各々と半導体基質との間の空隙を最大約１ｍｍに設定し、
　該側方部分の少なくとも一つを約２００℃より高い温度に加熱する半導体基質を無接触的に処理する方法において、
　側方部分を、所定位置において、相互に離れるように移動せしめて、半導体基質を２つの側方部分の間に比較的低温で導入し、しかる後、側方部分を、相互に移動せしめて、２つの側方部分の間に半導体基質を囲み、
　加熱すべき半導体基質の平面の上に均一に分布するように、側方部分の各々からガス流を供給することを特徴とする方法。
　なお、「側部部分」、「半導体ウエーファー」は、それぞれ、「側方部分」、「半導体基質」を指すことは明らかであり、「移動せして」は「移動せしめて」の誤りであることは明らかであるので、上記のとおり補正発明を認定した。
　
２　補正の目的
　平成１４年１月１６日付け手続補正書による補正は、補正前の請求項１〜１４に記載した発明を特定するために必要な事項である「側方部分」について、「所定位置において、相互に離れるように移動せしめて、半導体基質を２つの側方部分の間に比較的低温で導入し、しかる後、側方部分を、相互に移動せしめて、２つの側方部分の間に半導体基質を囲」むものであるとの技術的限定を付加するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　
３　独立特許要件
　そこで、補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下検討する。
（１）引用例記載の発明乃至技術的事項
ア　引用例１記載の発明乃至技術的事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本件出願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開昭５９−２１５７１８号公報（以下「引用例１」という。）には、以下のとおり記載されている。
（ア）特許請求の範囲
「１．半導体基板を赤外線で加熱する熱処理装置において、半導体基板を浮揚状態で水平に保持するようにガスを噴出せしめる噴出口を設けかつ前記赤外線を透過する保持板と、この保持板上に浮揚状態で保持されている前記半導体基板を内部に収納するように前記保持板の上側を被いかつ前記赤外線を透過する上蓋と、前記保持板の下側および前記上蓋の上側から浮揚状態で保持された前記半導体基板にそれぞれ赤外線を照射する赤外線照射装置からなり、前記保持板には前記半導体基板を浮揚状態で保持する位置の中心点に前記浮揚状態を維持したガスの排出口と、この排出口を中心として前記半導体基板の外径よりわずかに大きい円周上に分散配置しかつ前記保持板に対する垂線より一定角度だけ前記排出口側に傾斜した方向に設けられた複数の位置決めガス噴出口と、この位置決めガス噴出口を通る前記円周と前記ガス排出口との中間の位置にある同心円上に均等に分散配置されかつ一定方向に設けられた複数の浮揚ガス噴出口と、この浮揚ガス噴出口を通る前記円周と前記ガス排出口との中間の位置にある同心円上に均等に分散配置されてこの同心円の切線方向に一定角度にかつ前記ガス排出口の位置から見て同一方向に傾斜して設けられた回転ガス用噴出口とを具備したことを特徴とする半導体基板の赤外線熱処理装置。・・・」
（イ）第３頁左上欄第８〜１３行
「第１図は本発明の一実施例の装置で・・・である。石英などの赤外線を透過し易い材料で作られた保持板１には・・・設けられている。」
（ウ）第３頁右上欄第１２〜１５行
「また保持板１の上側は浮揚状態で保持されているウェーハ２を収納する形でかつ石英などの赤外線を透過し易い材料で作られた上蓋７で被われている。」
（エ）第４頁左上欄第２行〜右上欄第７行
「つぎに本発明の装置の動作について説明する。まず、第１の実施例について説明する。この実施例の場合は保持板１にはウェーハを搬送する機能はなく、一定の場所に浮揚保持して赤外線による加熱を行うものである。ウェーハ２を載置する前に各噴出口から必要量のガス（例えば窒素ガスなど）を噴出させておく。・・・このような状態のときにウェーハ２を所定の位置に置くと、５から噴出する浮揚ガスにより保持板１上に浮揚状態で保持される。浮揚する高さは浮揚ガスの噴出量によって調節出来るので、０．５ｍｍ以下の浮揚で十分である。さらに４から噴出する位置決めガスにより、ウェーハ２にはそれぞれの位置決めガス噴出口４からウェーハ２の中心方向に押されている。したがってこの噴出口が分散配置してあるので、ウェーハ２は各方向から中心部に押され、これらの力のバランスの取れた所で静止する。この静止点が排出口３を中心とする円と同心円となるように噴出口が配置されて居れば良いので、第１の実施例の場合は均等に分散配置されてあれば良い。」
（オ）第４頁右上欄第８行〜左下欄第６行
「つぎにウェーハ２の回転について説明する。・・・
　このような状態で上蓋７を閉じ、赤外線照射装置８を点灯すれば、ウェーハ２は上下から赤外線の照射を受け、急速に加熱される。実施例では赤外線のエネルギー照射密度を２０〜３０Ｗ／ｃｍ２程度とするとウェーハ２は約１０秒で常温から１０００℃以上の高温にすることが出来る。またウェーハ２の上下両面の温度差は上下の赤外線照射装置８へ供給する電力を調節することにより、容易に均衡を保たせることが出来る。さらにウェーハ２を回転させているので、赤外線照射装置８の配置および赤外線照射量のばらつきによるウェーハ２の同一表面上の温度差もなくして、均一に加熱することが出来る。」
　また、第１図には、以下の技術的事項が記載されていると認める。
　上蓋７が保持板１に被いかぶさるような形状であり、上蓋７と保持板１とを相互に離間させた状態でなければ、ウェーハ２を上蓋７と保持板１の間に挿入できないこと。
　上記記載及び図面の記載からすると、引用例１には以下の発明が記載されていると認める。
　半導体基板を、石英などの赤外線を透過する材料で作られた上蓋及び石英などの赤外線を透過する材料で作られた保持板の２つの相対する平面の間に配置し、
　互いに相対して配置された上蓋および保持板の内の保持板から該半導体基板の下面の平坦な側へガス流を流し、その際、該半導体基板の平面の上に均一に分布するようにガス流を供給して該半導体基板を０．５ｍｍ以下の空隙で浮揚させ、
　該上蓋の上方及び該保持板の下方から赤外線照射装置により該半導体基板を無接触的に加熱処理する方法。
　
イ　引用例２記載の技術的事項
　原査定の拒絶の理由において引用された本件出願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特公平３−３８７４０号公報（以下「引用例２」という。）には、以下のとおり記載されている。
（ア）特許請求の範囲
「１　基板を水平方向に搬送する通路の搬送方向に沿って、供給チャンネルと搬出チャンネルとを互いに交互に近接させながら一連に設置し、かつ前記供給チャンネルから流体媒体を基板の表裏面の少なくとも一面に向け加圧状態で供給するとともに、この供給チャンネルから供給される流体媒体が前記基板の表面に沿つて流れるように減圧吸引しながら前記排出チャンネルから流体媒体を排出させて、前記基板を浮上搬送させながら表面に流体媒体層を形成してなることを特徴とする薄形基板の搬送処理方法。
２　前記供給チャンネルと排出チャンネルとを、通路内に搬送される基板が間に挟まれるように上下に対設させて設置してなることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の薄形基板の搬送処理方法。・・・
６　前記基板を乾燥ステーションに通過させてなることを特徴とする特許請求の範囲第４項もしくは第５項のいずれかに記載の薄形基板の搬送処理方法。・・・」　
（イ）第１頁右下欄第１９行〜第２頁左欄第４行
「本発明は、例えばマイクロエレクトロニクスにおけるシリコンウエハ等の薄形基板の表面に微小濾過した基体雰囲気で流体媒体膜を形成する適用される薄形基板の搬送処理方法に関するものである。」
（ウ）第６頁右欄第１５〜２２行
「第２４図に於いて、基板はセグメントパッケージ２８６からなる乾燥ステーションに入っており、そこではガス媒体２８０用供給チャンネル２７８と真空チャンネル２８２との多数の結合体がこれらのパッケージの中に配置されている。基板１８の乾燥は、基板に沿って通路部２８４を通して流れている高温ガス２８０によつて実施される。」
　上記記載及び図面の記載からすると、引用例２には以下の技術的事項が記載されていると認める。
　ガス流をシリコンウェハ等の薄形基板の両面に供給することによって、該基板を通路から浮上させて搬送すること。
　
ウ　参考文献記載の技術的事項
　本件出願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開平５−１３３５５号公報（以下「参考文献」という。）には、以下のとおり記載されている。
（ア）項目【０００１】
「【産業上の利用分野】本発明は半導体製造プロセスにおいて酸化や不純物拡散、アニール等に利用されるランプアニール装置に係り、特にウエハ面内の温度を均一に処理するに好適な構造を有するランプアニール装置に関する。」
（イ）項目【０００５】
「（２）ウエハの支持
・・・例えば、支持具の材料として最も一般的に使用される石英は、可視〜４μｍの波長の赤外線をほとんど透過するためシリコンウエハに比べて温まりにくい。・・・」
（ウ）項目【０００８】
「前者はランプがウエハよりかなり高温になっていること（例えばランプは１５００〜２０００℃、ウエハは約１０００℃）から、後者は種々のプロセスでウエハの表面状態が違うため放射率が異なることから必要になる。これらの問題を解決するための従来方法は、電子材料１９９０年３月号、あるいは特開平１−２９６６１７号、特開昭６０−１３１４３０号の各公報に開示されている。すなわち、ランプから放射される波長４μｍ以上の赤外線を石英窓の吸収を利用して取り除き、波長４μｍ以上の赤外線を感知する放射温度計を用いてウエハの温度を測定するという方法である。石英窓の温度が上昇すると、そこから再放射された赤外線の影響がでるので、再放射しないように石英窓を例えば５００℃以下に冷却する。特開昭６０−１３１４３０号公報に記載の技術は正にこの方法でランプ光の影響を排除することを特徴とした発明である。特開平１−２９６６１７号公報に記載の発明は石英窓を２重にすることによって冷却を容易にするとともに、上記の効果がより顕著になるように工夫したものである。」
　上記記載からすると、参考文献には以下の技術的事項が記載されていると認める。
　シリコンウェハを赤外線を放射するランプにより約１０００℃に加熱する場合に、石英窓は、可視〜４μｍの波長の赤外線をほとんど透過するためシリコンウエハに比べて温まりにくいものの、ランプから放射される波長４μｍ以上の赤外線を吸収するため、特別に冷却を施さなければ５００℃以上の温度に上昇すること。
　
（２）対比
　補正発明と引用例１記載の発明を対比するに、引用例１記載の発明における「半導体基板」、「石英などの赤外線を透過する材料で作られた上蓋」、「石英などの赤外線を透過する材料で作られた保持板」は、それぞれ、補正発明における「半導体基質」、「第１の側方部分」、「第２の側方部分」に相当する。
　また、引用例１記載の発明における「赤外線照射装置」は、「半導体基板」を加熱するためのものであるが、「保持板」、「上蓋」も結果的に加熱していることは明らかである。
　さらに、引用例１記載の発明における「加熱処理方法」は「処理方法」の一種ということができる。
　よって、両者は以下の点で一致する。
　半導体基質を、第１及び第２の側方部分の２つの相対する平面の間に配置し、
　互いに相対して配置された第１および第２の側方部分の内の第２の側方部分から該半導体基質の平坦な側へとガス流を流し、その際、該半導体体基質の平面の上に均一に分布するようにガス流を供給して、該第２の側方部分と半導体基質との間に空隙を設け、
　該側方部分の少なくとも一つを加熱する半導体基質を無接触的に処理する方法。
　そして、以下の点で相違する。
相違点１：補正発明では、半導体基質が第１及び第２の側方部分の各々との空隙が最大約１ｍｍとなるように、第１及び第２の側方部分の両方からガス流が半導体基質の平面の上に均一に分布するように半導体基質に向けて供給されているのに対し、引用例１記載の発明では、半導体基質と第２の側方部分の間の空隙が０．５ｍｍ以下となるように、第２の側方部分のみからガス流が半導体基質の平面の上に均一に分布するように半導体基質に向けて供給されている点。
相違点２：補正発明では、側方部分の少なくとも一つを約２００℃より高い温度に加熱しているのに対し、引用例１記載の発明では、どの程度まで加熱しているのか明らかでない点。
相違点３：補正発明では、側方部分を、所定位置において、相互に離れるように移動せしめて、半導体基質を２つの側方部分の間に比較的低温で導入し、しかる後、側方部分を、相互に移動せしめて、２つの側方部分の間に半導体基質を囲むことにより、２つの側方部分の間に半導体基質を配置させているのに対し、引用例１記載の発明では、どのようにして、２つの側方部分の間に半導体基質を配置させているのか明らかでない点。
　
（３）当審の判断
　そこで、上記相違点について検討する。
相違点１について：シリコンウェハ等の薄形基板（「半導体基質」に相当する。）の両面にガス流を供給して、該基板を浮上させることが引用例２に記載されていることから、引用例１記載の発明において、第２の側方部分からだけでなく、第１の側方部分からもガス流を半導体基質の平面の上に均一に分布するように供給することは、当業者であれば容易に想到したことである。また、その際に、第１の側方部分と半導体基質の間の空隙を第２の側方部分と半導体基質の間の空隙と同程度の０．５ｍｍ以下（「最大約１ｍｍ」に含まれる。）とすることも当業者であれば容易に想到したことである。
相違点２について：引用例１記載の発明において、半導体基質は赤外線照射装置により１０００℃以上の高温に加熱されているが、シリコンウエハ（「半導体基質」に相当する。）を赤外線照射装置により同程度の温度（約１０００℃）まで加熱した場合に、特に冷却を施さなければ石英窓の温度が５００℃以上になることが参考文献に記載されていることから、特に冷却を施していない引用例１記載の発明の場合でも、石英で作られた第２の側方部分の温度は、少なくとも約２００℃より高い温度になっているといえる。したがって、この相違点２は、実質的な相違点とはいえない。
相違点３について：引用例１記載の発明において、第１の側方部分と第２の側方部分の間に半導体基質を配置するには、第１の側方部分と第２の側方部分とを相互に離間させた状態でなければ、半導体基質を第１の側方部分と第２の側方部分の間に挿入できないことから、一方の側方部分を他方の側方部分から離れるように相互に移動せしめ、半導体基質を２つの側方部分の間に導入し、その後、一方の側方部分を他方の側方部分の方に相互に移動せしめて、２つの側方部分の間に半導体基質を囲むようにすることは、当業者であれば容易に想到しえた方法であり、また、第１の側方部分と第２の側方部分の間に半導体基質を配置する間は、加熱をしないことは当然であるので、引用例１記載の発明において、側方部分を、所定位置において、相互に離れるように移動せしめて、半導体基質を２つの側方部分の間に比較的低温で導入し、しかる後、側方部分を、相互に移動せしめて、２つの側方部分の間に半導体基質を囲むことにより、２つの側方部分の間に半導体基質を配置させることは、当業者であれば容易に想到したことである。
　
　そして、補正発明の効果は、引用例１、２記載の発明乃至技術的事項から当業者が予測することができる程度のものであって、格別なものとはいえない。
　
　したがって、補正発明は、引用例１、２記載の発明乃至技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により独立して特許を受けることができないものである。
　
４　むすび
　以上のとおりであるから、補正後の請求項２〜１３に係る発明の独立特許要件を判断するまでもなく、平成１４年１月１６日付け手続補正書による補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、同法第１５９第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下する。
　
第３　本件発明について
１　本件発明
　平成１４年１月１６日付け手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１〜１４に係る発明は、平成１３年７月１２日付け手続補正書により補正された明細書及び願書に添付された図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本件発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「半導体基質を少なくとも部分的に収納する装置の中に該半導体基質を入れ、
　互いに相対して配置された第１および第２の側方部分から該半導体基質の二つの相対する側へと二つのガス流を反対方向で該半導体基質の両側の平坦な面に流して該半導体基質を位置付け、
　該第１および第２の側方部分の各々と半導体基質との間の間隔を最大１ｍｍに設定する半導体基質を無接触的に処理する方法において、
　該側方部分の少なくとも一つを２００℃より高い温度に加熱し、
　処理すべき半導体基質の表面の上に均一に分布するように該半導体基質の両側の平坦な面の全体を越えて延びる該側方部分からガス流を供給することを特徴とする方法。」
　
２　引用例記載の発明乃至技術的事項　
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、及び引用例に記載された発明乃至技術的事項は、上記「第２　３（１）」に記載したとおりである。
　
３　対比、当審の判断
　本件発明は、上記「第２　３」で検討した補正発明と比較して、表現上若干の相違がみられるものの結局のところ、当該補正発明から、その発明特定事項である「側方部分」について、「所定位置において、相互に離れるように移動せしめて、半導体基質を２つの側部部分の間に比較的低温で導入し、しかる後、側方部分を、相互に移動せしめて、２つの側方部分の間に半導体基質を囲」むものであるという技術的限定を省いたものである。
　そうすると、本件発明の発明特定事項を全て含み、さらに上記技術的限定が加えられた補正発明が、上記「第２　３（２）、（３）」に記載したとおり、引用例１、２記載の発明乃至技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである以上、本件発明も、同様の理由により、引用例１、２記載の発明乃至技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　したがって、本件発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないので、本件出願の請求項２〜１４に係る発明について判断するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。