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【手続補正書】
【提出日】平成24年8月9日(2012.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
累層を横断する坑井内のダウンホールで摂氏約１１５°を超える高温で作動するように構成された地下工具であって、
摂氏約１１５°を超える温度のダウンホール用途に対して構成又は設計された光学装置と、
前記光学装置に入力光を供給するために該光学装置に光学的に接続された少なくとも１つの光源と、
を含み、
前記光源は、１つ又はそれよりも多くのレーザダイオードを含み、該レーザダイオードは、能動冷却なしで摂氏約１１５°を超える温度のボアホール内のダウンホールの作動に向けて構成又は設計される、
ことを特徴とする工具。
【請求項２】
前記光学装置は、アップリンク電気−光（ＥＯ）変調器とボアホール内のダウンホールの前記レーザダイオードとを含むダウンホール光学遠隔測定カートリッジを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の地下工具。
【請求項３】
前記光学装置は、ボアホール内のダウンホールの前記レーザダイオードを含むダウンホール送信機を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の地下工具。
【請求項４】
前記光学装置は、光センサとボアホール内のダウンホールの前記レーザダイオードとを含むダウンホール光センサカートリッジを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の地下工具。
【請求項５】
前記光学装置は、光電池とボアホール内のダウンホールの前記レーザダイオードとを含むダウンホール電力カートリッジを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の地下工具。
【請求項６】
前記光学装置は、コリメータとボアホール内のダウンホールの前記レーザダイオードとを含むダウンホール流量計を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の地下工具。
【請求項７】
前記光学装置は、カメラとボアホール内のダウンホールの前記レーザダイオードとを含むダウンホール撮像器を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の地下工具。
【請求項８】
前記光学装置は、格子分光計とボアホール内のダウンホールの前記レーザダイオードとを含むダウンホール分光計を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の地下工具。
【請求項９】
前記光学装置は、ラマン分光計とボアホール内のダウンホールの前記レーザダイオードとを含むダウンホール分光計を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の地下工具。
【請求項１０】
前記光学装置は、感知要素とボアホール内のダウンホールの前記レーザダイオードとを含む干渉計光センサを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の地下工具。
【請求項１１】
前記光学装置は、光感応検出器とボアホール内のダウンホールの前記レーザダイオードとを含む電気−光学アイソレータ回路を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の地下工具。
【請求項１２】
前記光学装置は、少なくとも１つの光感応検出器とボアホール内のダウンホールの前記レーザダイオードとを含んでデータ伝送に向けて構成又は設計された光コネクタを含む、  ことを特徴とする請求項１に記載の地下工具。
【請求項１３】
前記レーザダイオードは、ＧａＩｎＡｓ−ＧａＡｓを有する縁部発光レーザダイオード又はＧａＩｎＡｓ−ＧａＡｓを有する垂直キャビティ面発光レーザダイオード（ＶＣＳＥＬ）含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の地下工具。
【請求項１４】
前記レーザダイオードは、約１．０から約１．２μｍの波長で作動するように構成又は設計される、
ことを特徴とする請求項１に記載の地下工具。
【請求項１５】
前記光学装置と光学的に接続した光ファイバ、
を更に含み、
前記光ファイバは、単一モード光ファイバ及びマルチモード光ファイバのうちの１つ又はそれよりも多くを含み、該光ファイバは、ダウンホール電子機器及び地表データ取得システムへ及びそこからデータを伝送する、
ことを特徴とする請求項１に記載の地下工具。
【請求項１６】
地表遠隔測定ユニットを含む地表データ取得ユニットと、
ダウンホール電気−光学ユニットを含むダウンホール光学遠隔測定カートリッジと、
前記地表データ取得ユニットと前記ダウンホール光学遠隔測定カートリッジの間の光ファイバインタフェースと、
ダウンホール工具と、
前記ダウンホール電気−光学ユニットと前記ダウンホール工具の間に作動的に接続されたダウンホール電動工具バスと、
を含み、
前記ダウンホール電気−光学ユニットは、
電気−光（ＥＯ）変調器と、
能動冷却なしで摂氏約１１５°を超える温度でボアホール内のダウンホールを作動するように構成又は設計されたレーザダイオードと、
を含む、
ことを特徴とするダウンホール遠隔測定システム。
【請求項１７】
累層を横断する坑井内で摂氏約１１５°を超える高温でダウンホールを作動するように構成された流体解析システムであって、
広い連続スペクトル範囲にわたってボアホール内のダウンホールの入力光を発生させる少なくとも第１の光源と、
前記第１の光源に光学的に接続され、かつ該光源によって発生された前記入力光によって作動し、関連の信号を測定してボアホール内のダウンホールの累層流体の特性を判断する光センサと、
を含み、
前記第１の光源は、１つ又はそれよりも多くのレーザダイオードを含み、該レーザダイオードは、能動冷却なしの摂氏約１１５°を超える温度のボアホール内のダウンホールの作動に向けて構成又は設計される、
ことを特徴とするシステム。
【請求項１８】
前記ダウンホール光センサは、光ファイバに取り付けられる、
ことを特徴とする請求項１７に記載の流体解析システム。
【請求項１９】
アップホールのセンサデータを通信するために前記光ファイバに光学的に接続された第２のレーザダイオード、
を更に含むことを特徴とする請求項１８に記載の流体解析システム。
【請求項２０】
各ダウンホールセンサが単一モード及びマルチモード光ファイバ線のうちの少なくとも一方に光学的に結合された複数のセンサを含む、
ことを特徴とする請求項１７に記載の流体解析システム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月24日(2012.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に被覆を塗布する装置であって、
酸素が実質的にない雰囲気（但し、酸素が実質的にない雰囲気とは、大気中の酸素も金属の酸化物も、溶融塩電解浴内に実質的に存在しない雰囲気を意味する）と、
前記雰囲気内の溶融塩電解浴と、
前記浴内に浸漬された表面を有する陰極を形成する導電性基板と、
２つ以上の別個の陽極として形成された２つ以上の別個の要素であって、各要素は導電性であり、各々互いに別個の組成を有すると共に、各々前記浴内に一斉に浸漬された表面を有する、該２つ以上の別個の要素と、
前記基板及び前記２つ以上の別個の要素の各要素と共に作動可能な電源であって、別個の電流密度を前記各要素及び前記基板に独立に供給して、独立に印加される前記電流密度に比例して前記浴内の前記２つ以上の要素の各要素からの材料により前記基板が被覆される、該電源と、
を備える該装置。
【請求項２】
前記２つ以上の要素のうちの少なくとも１つは、金属、非金属材料、及び合金のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記２つ以上の要素は、ケイ素（Ｓｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、ホウ素（Ｂ）、及びタンタル（Ｔａ）よりなる原子群から選択される、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記２つ以上の要素は、ホウ素である第１の要素と、ニオブである第２の要素とを含む２つの要素を有し、前記第１及び第２の要素に印加される前記電流密度は、ホウ化ニオブの合金被覆を前記基板に付与する、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記基板は鋼を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記電解浴はフッ化物塩を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記フッ化物塩は、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、及びセシウムのフッ化物よりなる群から選択される、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記雰囲気は、不活性雰囲気を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記雰囲気は、真空を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
基板に被覆を塗布する方法であって、
酸素が実質的にない雰囲気（但し、酸素が実質的にない雰囲気とは、大気中の酸素も金属の酸化物も、溶融塩電解浴内に実質的に存在しない雰囲気を意味する）及び前記雰囲気内の溶融塩電解浴を供給する工程、
陰極として形成された導電性基板を前記浴内に浸漬する工程、
各要素は互いに別個の組成を有する２つ以上の導電性要素を前記浴内に浸漬して２つ以上の別個の陽極を形成する工程、
別個の電流密度を前記２つ以上の要素の各要素に独立に印加する工程、及び
前記２つ以上の要素の各要素に印加される別個の電流密度に比例して、前記浴内で前記２つ以上の要素の各要素からの材料で前記基板を被覆するのに十分な電流密度であって、前記２つ以上の要素に独立に印加される別個の該電流密度を印加する工程、
を含む前記方法。
【請求項１１】
前記２つ以上の要素の各要素を、金属、非金属材料、及び合金のうちの少なくとも１つから選択する工程を更に含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記電解浴は溶融フッ化物塩を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記陰極は金属タービン式ブレード及びシングルブレードのうちの少なくとも一方を含み、前記２つ以上の別個の陽極を形成する前記２つ以上の導電性要素は、ニオブを含む第１の陽極と、ホウ素を含む第２の陽極とを含み、こうして前記方法は、前記金属ブレードにニオブとホウ素との合金を被覆する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記陰極はシングルブレードを含み、前記２つ以上の別個の陽極を形成する前記２つ以上の導電性要素は、ニオブを含む第１の陽極と、ホウ素を含む第２の陽極とを含み、こうして前記方法は、前記金属ブレードにニオブとホウ素との合金を被覆する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
（旧請求項２１）
前記２つ以上の要素は、ホウ素である第１の要素と、ニオブである第２の要素とを含み、前記電流密度を印加する工程は、前記第１及び第２の各要素に電流密度を印加して、前記基板にホウ化ニオブの合金を被覆する工程を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
ホウ素である前記第１の要素に印加される電流密度は、ニオブである前記第２の要素に印加される電流密度に等しく、これにより、前記基板にＮｂＢである合金被覆を形成する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
ホウ素である前記第１の要素に印加される電流密度は、ニオブである前記第２の要素に印加される電流密度の２倍であり、これにより、前記基板にＮｂＢ２である合金被覆を形成する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記電流密度を印加する工程中に、前記電解浴を加熱すると共に前記電解浴の温度を制御する工程を更に含む、請求項１０に記載の方法。+
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月13日(2012.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１部と第２部とを有する二液型接着剤組成物であって、
前記第１部に少なくとも１種の芳香族エポキシ樹脂と、
前記第２部に少なくとも１種のアミン硬化剤と、
前記第１部及び／又は前記第２部の少なくとも一方に少なくとも１種のエステルと、を含み、前記エステルが一般式：
Ｒ２−ＣＯ−ＯＲ１
（式中、
Ｒ１は、
（ｉ）少なくとも１種のエポキシ基、又は
（ｉｉ）少なくとも１種のアクリル基、のうちの少なくとも１つを含む有機部分であり、
Ｒ２は、分岐アルキル基である）に相当する、組成物。
【請求項２】
請求項１に記載の前記二液型接着剤組成物の前記第１部及び前記第２部の硬化した組み合わせを含む硬化した組成物。
【請求項３】
請求項１に記載の前記二液型接着剤組成物を表面に塗布する工程と、
前記二液型接着剤組成物を硬化させて、複合物品を形成する工程とを含む、複合物品を作製する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月24日(2012.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン含有基板を備えた半導体デバイスを形成するための方法であって、
前記シリコン含有基板を覆う多結晶シリコン層を堆積させるステップと、
前記多結晶シリコン層をアモルファス化するステップと、
前記アモルファス化された多結晶シリコン層をエッチングしてゲート電極を形成するステップと、
前記ゲート電極を覆う応力誘起層を堆積させるステップと、
前記シリコン含有基板を焼鈍して前記ゲート電極を再結晶化するステップと、
前記応力誘起層を除去するステップと、
前記応力誘起層を除去した後に前記ゲート電極をエッチングマスクとして用いて前記基板内へ凹部をエッチングするステップと、
前記凹部内に不純物ドープのシリコン含有領域をエピタキシャル成長させるステップとを備えた方法。
【請求項２】
前記多結晶シリコン層をアモルファス化するステップは、イオン注入プロセスを用いて前記多結晶シリコン層をアモルファス化するステップを備えている請求項１の方法。
【請求項３】
第１の表面を有するシリコン含有基板上及びその内部にＭＯＳトランジスタを製造する方法であって、
前記シリコン含有基板の前記第１の表面を覆う多結晶シリコン層を堆積させるステップと、
前記多結晶シリコン層をアモルファス化するステップと、
前記多結晶シリコン層から製造されるゲート電極を備え、側壁を有し、前記シリコン含有基板の前記第１の表面を覆うように配置されるゲート積層物を形成するステップと、
前記ゲート電極の前記側壁に隣接するオフセットスペーサを形成するステップと、
前記ゲート積層物、前記オフセットスペーサ、及び前記第１の表面を覆う応力誘起シリコン窒化物層を堆積させるステップと、
前記シリコン含有基板を焼鈍するステップと、
前記応力誘起シリコン窒化物層を除去するステップと、
前記除去するステップの後に前記ゲート積層物及び前記オフセットスペーサをエッチングマスクとして用いて前記シリコン含有基板の前記第１の表面をエッチングして前記シリコン含有基板内に凹部を形成するステップと、
前記凹部内に不純物ドープのシリコン含有領域をエピタキシャル形成させるステップとを備えた方法。
【請求項４】
第１の表面を有するシリコン含有基板上及びその内部にＭＯＳトランジスタを製造する方法であって、
前記シリコン含有基板の前記第１の表面を覆う多結晶シリコン層を堆積させるステップと、
前記多結晶シリコン層をアモルファス化するステップと、
前記多結晶シリコン層から製造されるゲート電極を備え、側壁を有し、前記シリコン含有基板の前記第１の表面を覆うように配置されるゲート積層物を形成するステップと、
前記ゲート電極の前記側壁に隣接するオフセットスペーサを形成するステップと、
前記ゲート積層物及び前記オフセットスペーサをエッチングマスクとして用いて前記シリコン含有基板の前記第１の表面をエッチングして、前記シリコン含有基板の第２の表面を露出させる凹部を前記シリコン含有基板内に形成するステップと、
前記ゲート積層物、前記オフセットスペーサ、及び前記第２の表面を覆う応力誘起シリコン窒化物層を堆積させるステップと、
前記シリコン含有基板を焼鈍するステップと、
前記応力誘起シリコン窒化物層を除去するステップと、
前記応力誘起シリコン窒化物層を除去した後に前記凹部内に不純物ドープのシリコン含有領域をエピタキシャル形成させるステップとを備えた方法。
【請求項５】
応力誘起層を堆積させる前記ステップは、引張り応力誘起シリコン窒化物層又は圧縮応力誘起シリコン窒化物層を堆積させることを備えている請求項１、３又は４の何れか１項の方法。
【請求項６】
応力誘起層を堆積させる前記ステップは、約３０ｎｍ乃至約７０ｎｍの範囲にある厚みを有する応力誘起層を堆積させることを備えている請求項１、３又は４の何れか１項の方法。
【請求項７】
前記第１の表面をエッチングすることは、約５０ｎｍ乃至約１００ｎｍの範囲にある深さを有する凹部を形成するように前記第１の表面をエッチングすることを備えている請求項１、３又は４の何れか１項の方法。
【請求項８】
不純物ドープのシリコン含有領域をエピタキシャル成長させる前記ステップは、炭素又はゲルマニウムを更に含有している不純物ドープのシリコン含有領域をエピタキシャル成長させることを備えている請求項１、３又は４の何れか１項の方法。
【請求項９】
シリコン含有基板を備えた半導体デバイスを形成するための方法であって、
前記シリコン含有基板を覆う多結晶シリコン層を堆積させるステップと、
前記多結晶シリコン層をアモルファス化するステップと、
前記アモルファス化された多結晶シリコン層をエッチングしてゲート電極を形成するステップと、
前記ゲート電極をエッチングマスクとして用いて前記基板内へ凹部をエッチングするステップと、
前記基板内へ凹部をエッチングした後に前記ゲート電極を覆う応力誘起層を堆積させるステップと、
前記シリコン含有基板を焼鈍するステップと、
前記応力誘起層を除去するステップと、
前記応力誘起層を除去した後に前記凹部内に不純物ドープのシリコン含有領域をエピタキシャル成長させるステップとを備えた方法。
【請求項１０】
第１の表面を有するシリコン含有基板上及びその内部にＭＯＳトランジスタを製造する方法であって、
前記シリコン含有基板の前記第１の表面を覆う多結晶シリコン層を堆積させるステップと、
前記多結晶シリコン層をアモルファス化するステップと、
前記多結晶シリコン層から製造されるゲート電極を備え、側壁を有し、前記シリコン含有基板の前記第１の表面を覆うように配置されるゲート積層物を形成するステップと、
前記ゲート電極の前記側壁に隣接するオフセットスペーサを形成するステップと、
前記ゲート積層物及び前記オフセットスペーサをエッチングマスクとして用いて前記シリコン含有基板の前記第１の表面をエッチングして前記シリコン含有基板内に凹部を形成するステップと、
前記ゲート積層物、前記オフセットスペーサ、及び前記凹部を覆う応力誘起シリコン窒化物層を堆積させるステップと、
前記シリコン含有基板を焼鈍するステップと、
前記応力誘起シリコン窒化物層を除去するステップと、
前記応力誘起シリコン窒化物層を除去した後に前記凹部内に不純物ドープのシリコン含有領域をエピタキシャル形成させるステップとを備えた方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月6日(2012.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】
前記ＥＰＳのＳＤＦの活性化の際に、ベアラ・リソースの活性化に関するメッセージを送信するステップ、或いは、
前記ＥＰＳのＳＤＦの非活性化の際に、ベアラ・リソースの解放に関するメッセージを送信するステップを含む、
ことを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月18日(2012.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
ベースバンド信号をＲＦ信号に変換する少なくとも１つの変調器（316, 320）を備え、ベースバンド周波数で動作するベースバンド信号処理ステージ（301）と、前記ＲＦ信号を増幅する少なくとも１つの増幅器（330）を備え、ＲＦで動作するＲＦ信号処理ステージ（302）と、を備える送信装置（300）における雑音を抑圧する方法（900）であって、
前記方法は、前記少なくとも１つの増幅器（330）の回りに接続されたフィードバックループ（333, 810, 336, 820）において実行され、
前記方法は、
ベースバンド信号成分と雑音成分とを含む増幅されたＲＦ信号を取得するために、前記少なくとも１つの増幅器（330）の下流で前記ＲＦ信号処理ステージ（302）をタップするステップ（905）と、
前記タップされたＲＦ信号をベースバンド周波数にダウンコンバートするステップ（910）と、
前記雑音成分を実質的に含む信号を取得するために、前記ダウンコンバートされた信号から前記ベースバンド信号成分を除去するステップ（920）と、
前記雑音成分を実質的に含む前記信号を、前記少なくとも１つの変調器（316, 320）の上流で前記ベースバンド信号処理ステージ（301）にフィードバックすることにより、前記雑音成分を抑圧するステップ（930）と
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月24日(2012.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスのトランジスタのゲート電極構造に隣接するシリコン含有結晶性半導体領域内にキャビティを形成するステップであって、前記ゲート電極構造はその側壁に隣接して形成されるオフセットスペーサを備えており、前記キャビティは少なくとも前記オフセットスペーサの下に延びるアンダーエッチングされた領域を備えているところのステップと、
前記アンダーエッチングされた領域を備えている前記キャビティを形成した後に、前記キャビティの露出させられた全ての表面上に保護層を形成するステップと、
前記保護層を形成した後に、昇温された第１の温度でのプロセス環境内に前記半導体デバイスを導入するステップと、
前記プロセス環境がより低い第２の温度を有するように調節するステップと、
前記プロセス環境内で前記保護層を除去するステップと、
前記第２の温度にある前記プロセス環境内で前記キャビティ内に半導体合金を形成するステップとを備えた方法。
【請求項２】
前記キャビティを形成するステップは、プラズマ環境を備えている第１のエッチングプロセスを実行することと、ウエットエッチング薬品を備えている第２のエッチングプロセスを実行することとを備えている、請求項１の方法。
【請求項３】
前記ウエットエッチング薬品は結晶学的に異方性の除去速度を有している、請求項２の方法。
【請求項４】
前記ウエットエッチング薬品はテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）を備えている、請求項３の方法。
【請求項５】
前記保護層を形成することは前記キャビティの前記露出させられた表面上に酸化物層を形成することを備えている、請求項１の方法。
【請求項６】
前記酸化物層は概ね７５０℃未満の温度の酸化性ガス雰囲気内で形成される、請求項５の方法。
【請求項７】
前記酸化物層はウエット化学的酸化プロセスを実行することによって形成される、請求項５の方法。
【請求項８】
前記半導体合金内に少なくとも部分的にドレイン及びソース領域を形成するステップを更に備えた、請求項１の方法。
【請求項９】
前記半導体合金は前記トランジスタのチャネル領域内に圧縮歪を誘起するように形成される、請求項１の方法。
【請求項１０】
前記半導体合金はシリコン及びゲルマニウムから構成される、請求項９の方法。
【請求項１１】
前記昇温された第１の温度は概ね８００℃以上である、請求項１の方法。
【請求項１２】
プラズマ環境を備えている第１のエッチングプロセス及びウエットエッチング薬品を備えている第２のエッチングプロセスを実行することによってトランジスタのゲート電極構造に対して横方向にオフセットされるキャビティを結晶性半導体領域内に形成するステップであって、前記キャビティは少なくとも前記ゲート電極構造の側壁スペーサ構造の下に延びるアンダーエッチングされた領域を備えているところのステップと、
前記キャビティの露出させられた全ての表面上に保護層を形成するステップと、
前記保護層を形成した後に、歪誘起半導体合金を形成するために用いられるプロセス環境内に前記トランジスタを導入するステップと、
前記プロセス環境内で前記保護層を除去するステップと、
前記キャビティ内に前記歪誘起半導体合金を形成するステップと、
前記半導体領域内にドレイン及びソース領域を形成するステップとを備えた方法。
【請求項１３】
前記保護層を除去するのに先立ち前記プロセス環境内の堆積温度を確立することを更に備えた、請求項１２の方法。
【請求項１４】
前記堆積温度は概ね７５０℃以下である、請求項１３の方法。
【請求項１５】
前記保護層は二酸化シリコン材質として形成される、請求項１２の方法。
【請求項１６】
前記第２のエッチングプロセスの前記ウエットエッチング薬品は結晶学的に異方性のエッチング挙動を有している、請求項１２の方法。
【請求項１７】
前記半導体合金はゲルマニウム及び錫の少なくとも一方を備えている、請求項１２の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月24日(2012.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン含有結晶性半導体領域の上方に形成されるトランジスタのゲート電極構造の露出させられた表面区域上に誘電体エッチング停止材質を形成することと、
前記シリコン含有結晶性半導体領域の特定の深さにおいてエッチング制御種を中心に置くことと、
前記結晶性半導体領域の少なくとも２つの異なる結晶方位において異なる除去速度を有するウエット化学的エッチングプロセスを実行することによって前記ゲート電極構造に隣接する前記結晶性半導体領域内にキャビティを形成することと、
選択的エピタキシャル成長プロセスを実行することによって少なくとも前記キャビティ内に歪誘起半導体合金を形成することと、
前記歪誘起半導体合金の少なくとも一部分内にドレイン及びソース領域を形成することとを備えた方法。
【請求項２】
前記ウエット化学的エッチングプロセスはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）に基いて実行される、請求項１の方法。
【請求項３】
前記誘電体エッチング停止材質を形成することは前記ゲート電極構造の少なくとも側壁表面上に二酸化シリコン層を形成することを備えている、請求項１の方法。
【請求項４】
前記二酸化シリコン層の厚みは概ね５ナノメートル以下である、請求項３の方法。
【請求項５】
前記特定の深さにおいて前記エッチング制御種を中心に置くことは、ｎ型ドーパント種を前記特定の深さに位置させることと、前記ｎ型ドーパント種を用いて前記結晶性半導体領域のエッチング速度を小さくすることにより前記ウエット化学的エッチングプロセスを制御することとを更に備えた、請求項１の方法。
【請求項６】
前記ｎ型ドーパント種はイオン注入プロセスを実行することによって前記特定の深さに位置させられる、請求項５の方法。
【請求項７】
前記イオン注入プロセスは前記ゲート電極構造を形成することに先立ち実行される、請求項６の方法。
【請求項８】
前記イオン注入プロセスは前記ゲート電極構造を形成することの後に実行される、請求項６の方法。
【請求項９】
前記結晶性半導体領域はエピタキシャル成長プロセスによって形成され、
前記ｎ型ドーパント種は前記エピタキシャル成長プロセスの間に前記特定の深さに位置させられる、請求項５の方法。
【請求項１０】
前記半導体合金は前記トランジスタのチャネル領域内に圧縮歪を誘起するように形成される、請求項５の方法。
【請求項１１】
前記半導体合金はシリコン及びゲルマニウムから構成されている、請求項１０の方法。
【請求項１２】
前記半導体合金は錫を備えている、請求項１０の方法。
【請求項１３】
結晶性半導体領域の特定の深さにおいてエッチング制御種を中心に置くことと、
前記結晶性半導体領域の前記特定の深さの実質的に上方に形成されるトランジスタのゲート電極構造に隣接する前記結晶性半導体領域内に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）に基くウエット化学的エッチングプロセスを実行することによってキャビティを形成することと、
前記キャビティ内に歪誘起半導体合金を形成することと、
前記ゲート電極構造に隣接する前記半導体領域内にドレイン及びソース領域を形成することとを備えた方法。
【請求項１４】
前記エッチング制御種を中心に置くことは、ｎ型ドーパント種を前記半導体領域内の前記特定の深さに位置させることと、前記ｎ型ドーパント種を用いて前記ウエット化学的エッチングプロセスを制御することとを更に備えている、請求項１３の方法。
【請求項１５】
前記キャビティを形成することに先立ちゲート電極材質の少なくとも側壁上にエッチング停止材質を形成することを更に備えた、請求項１３の方法。
【請求項１６】
前記エッチング停止材質は概ね５ナノメートル以下の厚みを有している、請求項１５の方法。
【請求項１７】
前記ドレイン及びソース領域を形成することは前記キャビティ内に半導体合金を形成することを備えており、
前記半導体合金は前記トランジスタのチャネル領域内に圧縮歪を誘起する、請求項１３の方法。
【請求項１８】
前記キャビティを形成し、そして前記キャビティ内に前記半導体合金を形成する間に第２のトランジスタの上方にマスク層を設けることを更に備えた、請求項１７の方法。
【請求項１９】
前記半導体合金はゲルマニウム及び錫の少なくとも一方を備えている、請求項１７の方法。
【請求項２０】
基板の上方に形成されるトランジスタを備えた半導体デバイスであって、
前記トランジスタは、
結晶性半導体領域の上方に形成され、ゲート電極材質を備えているゲート電極構造と、
前記結晶性半導体領域の特定の深さにおいて中心に置かれたエッチング制御種と、
概ね３０°以上の側壁角度で先細になる様態で深さ方向に沿って延びるように前記結晶性半導体領域内に形成される歪誘起半導体合金と、
前記結晶性半導体領域内に且つ少なくとも部分的に前記半導体合金内に形成されるドレイン及びソース領域とを備えている半導体デバイス。
【請求項２１】
前記エッチング制御種は前記半導体合金の底を中心として増加させられたｎ型ドーパント濃度を更に備えた、請求項２０の半導体デバイス。
【請求項２２】
前記ゲート電極材質からの前記半導体合金の最小横方向オフセットは概ね５ナノメートル以下である、請求項２０の半導体デバイス。
【請求項２３】
前記ゲート電極材質からの前記半導体合金の最小横方向オフセットは概ね２ナノメートル以下である、請求項２２の半導体デバイス。
【請求項２４】
前記半導体合金は前記トランジスタのチャネル領域内に圧縮歪を誘起する、請求項２０の半導体デバイス。
【請求項２５】
前記ゲート電極材質のゲート長は概ね５０ナノメートル以下である、請求項２４の半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月11日(2012.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
マイクロリソグラフィ投影露光装置（１０）の照明システムであって、
ａ）一次光源（３０）と、
ｂ）システム瞳面（７０）と、
ｃ）ミラーアレイ（４６）であって、
ｉ）前記一次光源（３０）と前記システム瞳面（７０）との間に配置され、
ｉｉ）複数のアダプティブミラー素子（Ｍｉｊ）を含み、該ミラー素子（Ｍｉｊ）はそれぞれ、
ミラー支持体（１００）及び反射性コーティング（１０２）を含むと共に、
前記一次光源（３０）により生成される光（３４）を前記システム瞳面（７０）に向けるように構成される、
ミラーアレイ（４６）と、
を備え、前記ミラー素子（Ｍｉｊ）は、異なる熱膨張係数を有し互いに取り付け固定される構造（１００、１０２）を含み、
該照明システム（１２）は、前記ミラー素子（Ｍｉｊ）の形状を個別に変えるために前記構造内の温度分布を可変に変更するように構成される温度制御デバイス（９０）を備える、照明システム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月21日(2012.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜（１０；１１０；２１０）表面上の物質パターンを硬化せしめるための装置（２０；１２０；２２０）であり：
−     目的平面（Ｏ）内で該薄膜を輸送するための輸送手段（３２，３４；１３５；２３６，２３８）と；
−     該目的平面の第１の側に配置され、該薄膜が透明であるような波長領域の光子線を放射する光子放射源（４０；１４０；２４０）と；
−     該光子放射源から放射される該光子線を該目的平面中にマッピングするために該目的平面の互に相反する側に配置された第１及び第２の凹面をなす反射面（５２，５４；１５２，１５４；２５２，２５４）であって、該光子放射源が第１の凹面をなす該反射面と該目的平面の間に配置されている反射面と、を含んで構成され、
該光子放射源から放射された該光子線が第１及び第２の凹面をなす該反射面（５２，５４；１５２，１５４；２５２，２５４；３５２、３５４）によって該目的平面中に集束され、
該光子放射源が１個の長軸（Ｌ）を有する管状の発光体（４０；１４０；２４０；３４０）であり、第１及び第２の凹面をなす該反射面（５２，５４；１５２，１５４；２５２，２５４；３５２，３５４）が該長軸（Ｌ）に沿って拡がる筒形面であり、
第１及び第２の凹面をなす該反射面（３５２，３５４）のそれぞれが第１及び第２の焦点線（３５２ａ，３５２ｂ，３５４ａ，３５４ｂ）を有し、
第１及び第２の凹面をなす該反射面の第２の該焦点線（３５２ｂ、３５４ｂ）が、該目的平面（Ｏ）内で少なくとも実質的に相互一致し、
該管状発光体（３４０）が第１及び第２の凹面をなす該反射表面（３５２，３５４）のいずれか１つ（３５２）の第１の該焦点線（３５２ａ）と少なくとも実質的に相互一致すること、を特徴とする装置。
【請求項２】
該筒形面（５２，５４；１５２，１５４；２５２，２５４；３５２，３５４）が楕円筒形面であることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
第１及び第２の凹面をなす該反射面（３５２，３５４）のもう一方（３５４）の第１の該焦点線（３５４ａ）と少なくとも実質的に一致する、さらに１個の管状の発光体（３４０ａ）を有することを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
該筒形表面（５２，５４；１５２，１５４；２５２，２５４）が管（５０；１５０；２５０）の内側表面によって形成されることを特徴とする、前出請求項のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
該筒形表面が、それらの末端で末端部品（５６，５７）によって連結されており、該筒形表面及び該末端部品が実質的に閉鎖された環境を形成することを特徴とする、前出請求項のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
該管が、該長軸（Ｌ）方向に伸びる少なくともひとつの第１のスリット形の開口（１５８）を備え、該輸送手段が、該目的平面（Ｏ）に沿って少なくとも該スリット形の開口を通し、該薄膜（１１０）をガイドする案内手段（１３５）を形成することを特徴とする、前出請求項１または３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
第１及び第２のスリット形の開口（２５８，２５９；３５８，３５９）が第１及び第２の該反射面（２５２，２５４；３５３，３５４）の間に定義されており、第１及び第２のスリット形の該開口（２５８，２５９；３５８，３５９）は互に反対側の位置に長軸の方向に伸び、該輸送手段は運転状態中、第１のスリット形の該開口（２５８；３５８）を経由して第１及び第２の該反射面の間にある該目的平面（Ｏ）へと該薄膜をガイドし、そこから第２のスリット形の該開口（２５９；３５９）を経由して送り出される案内手段（２３６、２３８）を形成することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
第１及び第２の凹面をなす該反射面が、第１及び第２のスリット形の該開口によって形成される面積の少なくとも５倍の総面積を有することを特徴とする、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
該末端部品（２５６，２５７）が、それぞれ１個の通気手段（２６１，２６２）を備えていることを特徴とする、請求項４に記載の装置。
【請求項１０】
基板の物質が被着されている側と反対側の基板の側に配置されている１個の単一光子放射源を有することを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前出請求項のいずれか１項に記載の装置１基を含み、さらに少なくとも該光子放射源を制御するための１基の制御装置を含むことを特徴とするシステム。
【請求項１２】
薄膜表面上の物質パターンを硬化せしめる方法であって：
−     薄膜を１個の目的平面内で輸送する工程と；
−     該目的平面の一方の側から、該薄膜が透明である波長領域の光子線を、１個の長軸を有する管状発光体によって放射する工程と；
−     放射された該光子線の第１の部分を、該長軸に沿って拡がる第１の凹面をなす筒形反射面で直接該目的平面に向けて反射することによりマッピングする工程と；
−     該薄膜を透過した該光子線の第２の部分を、該長軸に沿って拡がる第２の凹面をなす筒形反射面で該目的平面に向けて反射することによりマッピングする工程と、を含んで構成され、
マッピングされる該光子放射源の該光子線の該第１部分と該第２部分が該目的平面内に集束され、
第１及び第２の凹面をなす該反射面のそれぞれが第１及び第２の焦点線を有し、
第１及び第２の凹面をなす該反射面の第２の該焦点線が、該目的平面内で少なくとも実質的に相互一致し、
該管状発光体が第１及び第２の凹面をなす該反射面の第１の該焦点線と少なくとも実質的に相互一致することを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月30日(2012.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２５】
１つまたは複数の障壁層が、Ｇａ、ＩｎおよびＰを含む半導体材料から形成される、請求項２３または２４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月26日(2012.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒト個体において前立腺がんの有無を確定する方法であって、
ａ）前記ヒト個体を起源とする試料においてＨＯＸＤ１０遺伝子の発現を決定するステップと、
ｂ）前立腺腫瘍細胞若しくは前立腺腫瘍組織を含まない前記ヒト個体、又は前立腺がんを患っていない個体を起源とする試料における前記ＨＯＸＤ１０遺伝子の発現と比較して、前記ＨＯＸＤ１０遺伝子の発現のダウンレギュレーションを確定するステップと、
ｃ）前記ＨＯＸＤ１０遺伝子のダウンレギュレーションの確定に基づき前立腺がんの有無を確定するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記方法が更に、
ｄ）前記ヒト個体を起源とする試料においてＨＯＸＣ６、ＴＧＭ４、ＲＯＲＢ、ＲＲＭ２、ＳＦＲＰ２及びＳＮＡＩ２からなる群から選択される１以上の遺伝子の発現を決定するステップと、
ｅ）前立腺腫瘍細胞若しくは前立腺腫瘍組織を含まない前記ヒト個体、又は前立腺がんを患っていない個体を起源とする試料における前記１以上の遺伝子それぞれの発現と比較して、前記１以上の遺伝子の発現のアップレギュレーション又はダウンレギュレーションを確定するステップと、
ｆ）前記１以上の遺伝子のアップレギュレーション又はダウンレギュレーションの確定に基づき前立腺がんの有無を確定するステップと
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記方法がｅｘ  ｖｉｖｏ及び／又はｉｎ  ｖｉｔｒｏでの方法である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記発現を決定するステップがｍＲＮＡ発現を決定することを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記発現を決定するステップがタンパク質レベルを決定することを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記１以上が、２以上、３以上、４以上、５以上及び６からなる群から選択される、請求項２〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
ヒト個体において前立腺がんの有無を確定するステップが、低悪性度ＰｒＣａ（ＬＧ）、高悪性度ＰｒＣａ（ＨＧ）、ＰｒＣａ  Ｍｅｔ及び／又はＣＲＰＣ、好ましくはＣＲＰＣを同定又は診断することをさらに含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
ヒト個体において前立腺がんの有無を確定するための、少なくともＨＯＸＤ１０遺伝子の発現分析の使用。
【請求項９】
ヒト個体において前立腺がんの有無を確定することが、低悪性度ＰｒＣａ（ＬＧ）、高悪性度ＰｒＣａ（ＨＧ）、ＰｒＣａ  Ｍｅｔ及び／又はＣＲＰＣ、好ましくはＣＲＰＣを同定又は診断することをさらに含む、請求項８に記載の使用。
【請求項１０】
前記発現分析がｅｘ  ｖｉｖｏ及び／又はｉｎ  ｖｉｔｒｏである、請求項８又は９に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月8日(2012.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
加えて、ワイヤーボンディング装置の様々なサブシステムは、ボンドサイト領域におけるボンディングワイヤーの酸化の可能性を軽減する目的で、カバーガスを前記ワイヤーボンディング装置の前記ボンドサイト領域に提供するために使用される。前記ボンドサイト領域にカバーガスを提供する典型的なサブシステムとは、米国特許出願番号第２００７／０２８４４２１号、及び第２００７／０２５１９８０号と、米国特許番号第５，２６５，７８８号、第５，３９５，０３７号、第６，８６６，１８２号、及び第７，１８２，７９３号を含む。
ワイヤーボンディングにおいて、酸化を軽減するような、改良済みの構造を提供することが望まれる。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【特許文献１】  米国特許第６２６７２９０号明細書
【特許文献２】  米国特許第７１０３９５９号明細書
【特許文献３】  米国特許第７５７８４２３号明細書
【特許文献４】  米国特許第４５７２７７２号明細書
【特許文献５】  米国特許第６２３４３７６号明細書
【特許文献６】  米国特許第５２６５７８８号明細書
【特許文献７】  米国特許第５３９５０３７号明細書
【特許文献８】  米国特許第６８６６１８２号明細書
【特許文献９】  米国特許第７１８２７９３号明細書
【特許文献１０】  米国特許第７６５８３１３号明細書
【特許文献１１】  米国特許第６１８０８９１号明細書
【特許文献１２】  米国特許第７６２８３０７号明細書
【特許文献１３】  米国特許第５６１６２５７号明細書
【特許文献１４】  米国特許出願公開第２００８／００９９５３１号明細書
【特許文献１５】  米国特許出願公開第２００３／０１７３６５９号明細書
【特許文献１６】  米国特許出願公開第２００７／０２８４４２１号明細書
【特許文献１７】  米国特許出願公開第２００７／０２５１９８０号明細書
【特許文献１８】  特開２００８−１３０８２５号公報
【特許文献１９】  特開平０７−１８３３２３号公報
【特許文献２０】  特開平０７−２７３１３８号公報
【特許文献２１】  特開昭６０−２４４０３４号公報
【特許文献２２】  特開昭６０−０５４４４６号公報
【特許文献２３】  特開昭５９−１５０４３７号公報
【特許文献２４】  特開昭５９−１５０４４０号公報
【特許文献２５】  特開昭６１−０７６１３１号公報
【特許文献２６】  特開２００７−２９４９７５号公報
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月21日(2012.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の動作状態で、マスクの第１の部分領域（６０４ａ、７０４ａ）が、該第１の部分領域（６０４ａ、７０４ａ）の各点において第１の重心方向ベクトルを有する割り当てられた第１の重心方向を有する第１の放射線によって照明され、
第２の動作状態で、前記マスクの第２の部分領域（６０４ｂ、７０４ｂ）が、該第２の部分領域の各点において第２の重心方向ベクトルを有する割り当てられた第２の重心方向を有する第２の放射線によって照明され、
前記第１の部分領域と該第２の部分領域（６０４ａ，７０４ａ，６０４ｂ，７０４ｂ）が、共通の重ね合わせ領域（６４１，７４１）を有する、
物体平面（５，８０５）内に反射マスクを含み、少なくとも２つの動作状態を有するマイクロ電子構成要素を生成するためのマイクロリソグラフィ投影露光装置であって、
重ね合わせ領域（６４１，７４１）の少なくとも１つの部分領域の各点で、第１の正規化重心方向ベクトルと、第２の正規化重心方向ベクトルと、マスクに対して垂直な正規化ベクトルとのスカラー三重積が、０．０５よりも小さい、
ことを特徴とするマイクロリソグラフィ投影露光装置。
【請求項２】
前記重ね合わせ領域（６４１，７４１）の少なくとも１つの部分領域の各点で、前記第１の正規化重心方向ベクトルと、前記第２の正規化重心方向ベクトルと、前記マスクに対して垂直な正規化ベクトルとのスカラー三重積が、０．０３よりも小さい、
ことを特徴とする請求項１に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
【請求項３】
前記重ね合わせ領域（６４１，７４１）の少なくとも１つの部分領域の各点で、前記第１の正規化重心方向ベクトルと、前記第２の正規化重心方向ベクトルと、前記マスクに対して垂直な正規化ベクトルとのスカラー三重積が０．０１よりも小さい、
ことを特徴とする請求項１に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
【請求項４】
前記重ね合わせ領域（６４１，７４１）の少なくとも１つの部分領域の各点で前記第１の重心方向と前記マスクに対して垂直な前記正規化ベクトルとの間の角度が、３°又はそれよりも大きい、
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
【請求項５】
前記重ね合わせ領域（６４１，７４１）は、前記第１の部分領域（６０４ａ，６０４ａ）よりも小さく、かつ前記第２の部分領域（６０４ｂ、７０４ｂ）よりも小さい、
ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
【請求項６】
前記第１の動作状態における前記反射マスクの向きが、前記第２の動作状態における該マスクの向きから前記物体平面（５）に対して垂直な軸の回りに１８０°の回転だけ異なる、
ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
【請求項７】
物体平面（５）内に反射マスクを含み、少なくとも２つの動作状態を有するマイクロ電子構成要素を生成するためのマイクロリソグラフィ投影露光装置であって、
第１の動作状態における反射マスクの向きが、第２の動作状態における該マスクの向きから物体平面（５）に対して垂直な軸の回りに１８０°の回転だけ異なる、
ことを特徴とするマイクロリソグラフィ投影露光装置。
【請求項８】
物体視野を像視野内に結像するための投影光学ユニット、
を含み、
前記像視野は、１３ｍｍの最大広がりを有する、
ことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
【請求項９】
５ｎｍと１５ｎｍの間の波長を有する放射線で作動させることができる、
ことを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
【請求項１０】
第１の部分領域（６０４ａ、７０４ａ）が、該第１の部分領域の各点において第１の重心方向ベクトルを有する第１の重心方向を有する第１の放射線による第１の露光状況において露光され、
第２の露光状況で、マスクの第２の部分領域（６０４ｂ、７０４ｂ）が、該第２の部分領域の各点において第２の重心ベクトルを有する第２の重心方向を有する第２の放射線によって露光され、
前記第１の部分領域と前記第２の部分領域は、共通の重ね合わせ領域（６４１，７４１）を有する、
物体平面内の反射構造担持マスクが像平面内の基板上に結像されるリソグラフィを用いてマイクロ電子構成要素を生成する方法であって、
重ね合わせ領域（６４１，７４１）の各点で、第１の正規化重心方向ベクトルと、第２の正規化重心方向ベクトルと、マスクに対して垂直な正規化ベクトルとのスカラー三重積が、０．０５よりも小さい、
ことを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記重ね合わせ領域（６４１，７４１）の各点で、前記第１の正規化重心方向ベクトルと、前記第２の正規化重心方向ベクトルと、前記マスクに対して垂直な正規化ベクトルとのスカラー三重積が、０．０３よりも小さい、
ことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記重ね合わせ領域（６４１，７４１）の各点で、前記第１の正規化重心方向ベクトルと、前記第２の正規化重心方向ベクトルと、前記マスクに対して垂直な正規化ベクトルとのスカラー三重積が、０．０１よりも小さい、
ことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記重ね合わせ領域（６４１，７４１）の少なくとも１つの部分領域の各点で前記第１の重心方向と前記マスクに対して垂直な前記正規化ベクトルとの間の角度が、３°又はそれよりも大きい、
ことを特徴とする請求項１０から請求項１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記放射線は、５ｎｍと１５ｎｍの間の波長を有する、
ことを特徴とする請求項１０から請求項１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
第１及び第２の露光が、前記マスクが照明視野を通じて該第１の露光中に第１の走査方向に沿って移動され、かつ該第２の露光中に第２の走査方向に沿って移動される走査処理を用いて行われる、
ことを特徴とする請求項１０から請求項１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
第１及び第２の走査方向が、平行又は反平行である、
ことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
２つの任意の第１の重心方向ベクトル（２３５，３３５）の間又は２つの任意の第２の重心方向ベクトル（２３５，３３５）の間の最大角度が、１°よりも小さい、
ことを特徴とする請求項１０から請求項１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
前記重ね合わせ領域の各点で、第１及び第２の重心方向ベクトルの間の角度が、１°よりも小さい、
ことを特徴とする請求項１０から請求項１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
前記重ね合わせ領域（６４１，７４１）の各点で、前記第１及び第２の重心方向ベクトルによって形成される平面と前記マスクに対して垂直な前記正規化ベクトルとの間の角度が、１°よりも小さい、
ことを特徴とする請求項１０から請求項１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１及び前記第２の露光の間に、前記構造担持マスクは、前記物体平面（５）内で１８０°だけ回転される、
ことを特徴とする請求項１０から請求項１６又は請求項１９のいずれか１項に記載の方法。