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【手続補正書】
【提出日】平成26年11月7日(2014.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つ以上の核酸を検出するための方法において、前記方法が、
（ａ）前記核酸を含む細胞を含む試料を準備する工程と、
（ｂ）前記核酸の派生体を結合することができる成分を含むコンパートメントの中に前記細胞を空間分離する工程と、
（ｃ）前記細胞から前記核酸を放出させる工程と、
（ｄ）前記核酸の派生体を生成させる工程と、
（ｅ）前記核酸の派生体が、前記核酸の派生体を結合することができる成分に結合することを可能にする工程と、
（ｆ）前記核酸の派生体を検出または同定する工程と
を含み、前記試料が少なくとも１０３の細胞を含み、前記成分が固相粒子であり、かつ前記細胞のそれぞれにおいて、少なくとも２つの核酸が検出されることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記核酸のそれぞれが、多量体のタンパク質または酵素の一部であるポリペプチドをコードすることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法において、前記多量体タンパク質が、免疫グロブリンまたはその機能性断片であることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか１項に記載の方法において、前記生体分子が、免疫グロブリンまたはその機能性断片の可変重鎖および可変軽鎖をコードする遺伝子であることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか１項に記載の方法において、前記試料が、血液、骨髄、腫瘍、単一細胞生物、原核生物、または体液であるか、またはそれらに由来すること、もしくは前記試料が患者に由来する試料であり、前記患者が健常患者、免疫患者、感染患者、または疾患もしくは障害を有する患者であることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか１項に記載の方法において、前記コンパートメントが、キャビティー、ウェル、エマルション、相境界システム、疎水性スポット、粒子、物理力、または化学的架橋により形成されることを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか１項に記載の方法において、前記核酸の派生体を結合することができる前記成分が、ビーズ、スライドガラス、マイクロタイタープレート、ピコタイタープレート、または前述のいずれかの蓋であることを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか１項に記載の方法において、工程（ｃ）が化学的または物理的条件の変化により行われることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか１項に記載の方法において、工程（ｄ）が、前記核酸のレプリケートまたは派生体の生成をもたらす増幅反応を含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法において、前記増幅反応がＰＣＲまたはＲＴ−ＰＣＲであり、前記ＰＣＲまたはＲＴ−ＰＣＲの間に、前記レプリケートまたは派生体が、前記核酸の派生体に結合することができる成分に結合することを可能にする［第１の］タグが加えられることを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法において、前記ＰＣＲまたはＲＴ−ＰＣＲの間に、前記ＰＣＲ産物またはＲＴ−ＰＣＲ産物のその後のシークエンシングを可能にする第２のタグが加えられることを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１の何れか１項に記載の方法において、工程（ｆ）がＤＮＡシークエンシングにより行なわれることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２の何れか１項に記載の方法において、前記核酸が前記核酸を結合することができる成分にハイブリダイゼーションにより結合し、前記成分が固相粒子であり、かつ前記固相粒子が工程（ｆ）のシークエンシングために使用されることを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３の何れか１項に記載の方法において、工程前記試料が、少なくとも１０６、少なくとも１０９、または少なくとも１０１２の細胞、かつ前記細胞のそれぞれにおいて、少なくとも２つの核酸が検出されることを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１４の何れか１項に記載の方法またはイムノアッセイを実施することを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月10日(2014.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
汚れた基質のクリーニング法であって、湿らせた基質を複数のポリマー粒子を含む調製物で処理することを含み、該ポリマー粒子は、少なくとも１種類の抗微生物剤を含み、前記基質は、皮革、織物用繊維または織物を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記抗微生物剤は、固体クロロフェノール誘導体または銀含有材料を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記固体クロロフェノール誘導体は、５−クロロ−２−（２，４−ジクロロフェノキシ）フェノールまたはその誘導体類を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記銀含有材料は、銀含有ゼオライト材料を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記ポリマーの押し出し中に前記ポリマー粒子内に前記抗微生物剤を導入するか、または、押し出し後に前記抗微生物剤で前記ポリマー粒子表面を被覆することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかの請求項に記載の方法。
【請求項６】
前記抗微生物剤は、前記ポリマーに対して０．１〜５．０％（ｗ／ｗ）となるように添加することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかの請求項に記載の方法。
【請求項７】
前記織物用繊維または織物は、天然または合成の繊維または織物であることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかの請求項に記載の方法。
【請求項８】
前記基質は、給水本管から引いた、または蛇口から出した水と直接接触させることによって湿らせて、基質に対する水の比を１：０．１〜１：５（ｗ／ｗ）の範囲にすることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかの請求項に記載の方法。
【請求項９】
前記粒子に対する基質の比が０．１：１〜１０：１（ｗ／ｗ）の範囲であることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１０】
前記調製物は、少なくとも１種類の追加のクリーニング剤を追有することを特徴とする請求項１から請求項９のいずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１１】
前記少なくとも１種類の追加のクリーニング剤が、少なくとも１種類の界面活性剤を含み、前記界面活性剤は、少なくとも１種類の陰イオン性、非イオン性、陽イオン性、両イオン性、二極性、および／または半極性非イオン性の界面活性剤を含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記少なくとも１種類の界面活性剤は、洗剤としての特性を有する少なくとも１種類の界面活性剤を含み、前記少なくとも１種類の追加のクリーニング剤は、少なくとも１種類の洗剤調製物を含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記少なくとも１種類の追加のクリーニング剤が、少なくとも１種類の酵素および／または漂白剤を追有することを特徴とする請求項１０から請求項１２のいずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１４】
前記少なくとも１種類の追加のクリーニング剤が、前記ポリマー粒子と混合されているか、または前記ポリマー粒子が、前記少なくとも１種類の追加のクリーニング剤で被覆されていることを特徴とする請求項１０から請求項１３のいずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１５】
前記洗剤調製物が、抗再付着作用を有する物質、蛍光増白剤、香料、柔軟剤、デンプン、ビルダー、キレート剤、移染抑制剤、分散剤、酵素安定剤、触媒作用物質、漂白活性化剤、ポリマー分散剤、粘土状汚れの除去剤、泡立ち抑制剤、染料、弾力性付与剤、織物用柔軟剤、でんぷん、キャリヤー、向水性物質、加工助剤、および／または色素剤から選択される少なくとも１種類の添加剤を追有することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記ポリマー粒子が、ポリアルケン類、ポリエステル類、ポリアミド類もしくはポリウレタン類、またはそれらのコポリマーから構成される粒子を含むことを特徴とする請求項１から請求項１５のいずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１７】
前記ポリマー粒子が球形、立方形または円柱形をしており、中が詰まっているかまたは中空であることを特徴とする請求項１から請求項１６のいずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１８】
前記粒子の平均質量は１〜５０ｍｇであることを特徴とする請求項１から請求項１７のいずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１９】
前記ポリマー粒子が発泡性または非発泡性ポリマー性材料を含んでおり、さらに、前記ポリマーは直鎖状または架橋状であることを特徴とする請求項１から請求項１８のいずれかの請求項に記載の方法。
【請求項２０】
バッチ法または連続法を含む方法であって、前記処理が、５〜３５℃の温度範囲、および／または５〜４５分間で行うことを特徴とする請求項１から請求項１９のいずれかの請求項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月13日(2014.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
手術器具であって、前記器具は、
上部分、遠位端、近位端および底部分を有する架台本体と、
前記架台本体の遠位端部分に枢動可能に取り付けられた接合本体と、
前記接合本体から遠位に伸びるアームと、
前記アームの遠位端部分に取り付けられた作用末端と、を備え、
前記接合本体は、前記アームの近位部分の位置決めを可能にし、かつ、
第一の平面に対する前記接合本体の動きを制約するように前記架台本体に取り付けられた第一の接合部材と、
前記架台本体に隣接し、かつ前記第一の接合部材の末端から遠位に伸びる第二の接合部材であって、前記アームの近位端は、前記第一の平面に対して垂直な第二の平面内で前記アームの近位部分の制御された枢動を可能にするように前記第二の接合部材に枢動可能に取り付けられる、第二の接合部材と、
を備える、器具。
【請求項２】
前記第一の平面内での前記接合本体の動きが、前記架台本体に対する前記アームの近位部分の偏揺を結果的にもたらし、かつ、前記第二の平面内での前記アームの近位部分の動きが、前記接合本体に対する前記アームの近位部分の縦揺れを結果的にもたらす、請求項１に記載の器具。
【請求項３】
前記第一の接合部材が、前記架台本体の遠位端部分に枢動可能に取り付けられたディスクを備える、請求項１〜２の何れか一項に記載の器具。
【請求項４】
前記第二の接合部材がスロット付きボールを備える、請求項１〜３の何れか一項に記載の器具。
【請求項５】
前記第一の接合部材がディスクを備え、かつ、前記第二の接合部材が、前記ディスクに連結されたスロット付きボールを備える、請求項１に記載の器具。
【請求項６】
前記器具が、前記架台本体に対して回転自在に取り付けられたアクチュエータと、前記アクチュエータから前記架台本体、前記ディスク、前記スロット付きボールおよび前記アームを通じて伸びるケーブルとを備え、前記アクチュエータおよび前記ケーブルは、前記アームの状態を可塑性状態から硬質状態へ、前記アクチュエータの第一の方向の動きによって変化するように構成されており、前記アクチュエータの動きによる硬質状態から可塑性状態へは、前記第一の方向と反対の第二の方向である、請求項５に記載の器具。
【請求項７】
前記ディスクの上面および下面が、前記架台本体の上部分と平行に伸び、前記スロット付きボールが、前記ディスクの上面および下面に対して平行な面から角度的に下向きの位置に旋回することができる、請求項５に記載の器具。
【請求項８】
前記器具が、前記作用末端と液体連絡されている真空チューブをさらに備え、前記作用末端は、ヒトの心臓の外面に対して可逆的に結合されるように構成される、請求項１〜７の何れか一項に記載の器具。
【請求項９】
前記器具が、前記架台本体の近位端で前記架台本体に対して回転自在に取り付けられたアクチュエータをさらに備え、前記アクチュエータは、前記アクチュエータの第一の回転方向での回転によって可塑性状態から硬質状態へ、および前記アクチュエータの反対回転方向での回転によって硬質状態から可塑性状態へ、前記アームの状態を変化するように構成される、請求項１〜５および８の何れか一項に記載の器具。
【請求項１０】
前記器具が臓器スタビライザーであり、かつ、前記作用末端が、組織表面を安定化するために前記組織表面に対して影響を与えるように構成された少なくとも１つの接触部材を備える、請求項１〜９の何れか一項に記載の器具。
【請求項１１】
前記器具が臓器ポジショナーであり、かつ、前記作用末端がその中に真空空間を規定する吸引部材を備え、前記吸引部材がヒトの心臓の心尖を受容するように構成される、請求項１〜９の何れか一項に記載の器具。
【請求項１２】
前記底部分が、固定物に対して前記器具を可逆的にクランプするように構成された取り付け機構を備える、請求項１〜１１の何れか一項に記載の器具。
【請求項１３】
前記取り付け機構が、前記架台本体と一体的に形成される固定ジョーと、前記架台本体に対して可動式に係合される可動式ジョーとを備える、請求項１２に記載の器具。
【請求項１４】
前記器具が、前記架台本体、前記接合本体、および前記アームを通じて伸びるケーブルをさらに備え、前記アームは第一の状態で可塑性であり、かつ、前記アームは、前記ケーブルが張力下にあるときに第二の状態で硬質である、請求項１〜５および７〜１３の何れか一項に記載の器具。
【請求項１５】
手術器具を操作する方法であって、前記方法は、
前記器具の架台本体が固定物に対して動けないようにするように、前記架台本体を前記固定物に対して装着する段階と、
接合本体を介して前記架台本体の遠位端から伸びるアームの方向を調節する段階であって、前記調節する段階は、第一の平面内で前記アームの近位端を動かすように前記第一の平面内の前記接合本体の動きを制約する段階と、前記第一の平面に対して垂直な第二の平面内の前記接合本体の表面に対する前記アームの近位部分の枢動を制御する段階とを含む、段階と、
前記架台本体に取り付けられたアクチュエータを介して、前記架台本体に対して前記第一の平面および前記第二の平面内の前記アームの方向を固定する段階と、
を含む、方法。
【請求項１６】
手術器具であって、前記器具は、
上部分、遠位端、近位端および底部分を有する架台本体と、
前記底部分によって形成されるか、またはそれに連結される架台本体ジョーと、
接合部材から遠位に伸びており、かつ前記アームの遠位端部分に取り付けられた作用末端で終わるアームであって、前記接合部材は、前記架台本体の遠位端部分に枢動可能に取り付けられる、アームと、
前記アームを通じて前記作用末端に向かって伸びるケーブルと、
前記ケーブル内の張力を増加または減少させるように構成された作動機構と、を備え、
前記接合部材は、（ａ）（ｉ）前記架台本体ジョーの上でかつ（ｉｉ）前記架台本体の上部分に対してすぐ背側に位置する第一の空間と、（ｂ）前記架台本体の遠位端に隣接しかつそれに対して中央寄りの遠位に位置する第二の空間とに干渉することなく、前記架台本体の左または右の遠位領域に向かって前記アームを位置決めすることができる、器具。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月5日(2014.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動静脈（ＡＶ）フィステルを作るためのデバイスであって、前記デバイスは、
遠位テーパ面を含む細長部材；
前記細長部材に接続され、かつ前記細長部材に対して移動可能である遠位部材であって、該遠位部材は、細長部材の遠位テーパ面にほぼ整列している近位テーパ面を含む、遠位部材；
前記遠位部材と前記細長部材とを接続するためのシャフトであって、該シャフトは、前記細長部材に対して前記遠位部材を伸長し、かつ後退させるために、伸長可能であり、かつ後退可能であり、ここで、遠位部材が後退すると、細長部材に対して、遠位テーパ面と近位テーパ面は、その間に組織を固定するようにほぼ係合する、シャフト；及び
遠位部材の前記近位テーパ面及び細長部材の前記遠位テーパ面の少なくとも１つに配置された発熱部材
を備え、
前記発熱部材が前記フィステルを作るため固定した組織を切り開くのに適している
ことを特徴とするデバイス。
【請求項２】
前記細長部材が、細長いアウターチューブを備えてなる請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記発熱部材が前記近位テーパ面に配置されている請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記遠位テーパ面に配置された第２の発熱部材をさらに備えてなる請求項３に記載のデバイス。
【請求項５】
前記発熱部材と前記第２の発熱部材の少なくとも１つが、起動されたヒーターと、前記ヒーターから熱を遠ざけ、拡散し、温度勾配を作るために、前記起動されたヒーターの下に配されたヒートスプレッダーとを備えてなる請求項４に記載のデバイス。
【請求項６】
前記ヒートスプレッダーが熱伝導性材料を含み、前記発熱部材の下の前記テーパ面に配されてなる請求項５に記載のデバイス。
【請求項７】
前記遠位部材がテーパ状であり、柔軟性を有してなる請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
動静脈（ＡＶ）フィステルを作るためのデバイスであって、前記デバイスは、
細長部材；
前記細長部材に接続され、かつ前記細長部材に対して移動可能である遠位部材であって、該遠位部材は、細長部材に対して軸となるトグル部材を含む、遠位部材；及び
前記移動可能な遠位部材及び前記細長部材の少なくとも１つに配置された発熱部材
を備え、
前記遠位部材が、前記フィステルを作るために切断される組織を捕捉するための構造体を備え、前記発熱部材が前記フィステルを作るために前記組織を切り開くのに適している
ことを特徴とするデバイス。
【請求項９】
前記トグル部材と前記細長部材とを接続するためのシャフトをさらに備え、前記シャフトが、前記トグル部材を前記細長部材に対して伸長し、かつ後退するために、伸長可能であり、かつ後退可能であり、前記トグル部材が前記シャフトに旋回可能に接続されてなる請求項８に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記発熱部材が前記細長部材の前記遠位テーパ面上に配されてなる請求項１に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記発熱部材に関連付けられた組織受取キャビティをさらに含む請求項１に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記発熱部材が、起動されたヒーター、前記ヒーターから熱を遠ざけ、拡散し、温度勾配を作るために前記起動されたヒーターの下に配されたヒートスプレッダーを備えてなる請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記ヒートスプレッダーが熱伝導性材料を含む請求項１２に記載のデバイス。
【請求項１４】
隣接した第１の血管と第２の血管の間にＡＶフィステルを作るための方法であって、前記方法は、
前記第１の血管から、前記第２の血管にガイドワイヤを挿入する工程、
前記遠位部材のテーパ状の遠位先端が選択された吻合位置と接触するように、近位細長部材と遠位部材を含むカテーテルを前記ガイドワイヤ上に挿入する工程、
前記細長部材が前記第１の血管内に留まっている間に、前記遠位部材を前記第２の血管内に前進させ、それによって前記２つの血管の間の隙間を拡大する工程、
前記遠位部材と前記細長部材の各々の上の対向する面の間の隙間を囲む組織を固定するために、前記遠位部材を前記細長部材に向かって後退させる工程、及び
切断して隙間を形成するために、かつ前記２つの血管の間に所望のフィステルを作るためにそれらの縁を溶着するために、前記遠位部材と前記細長部材の１つの上の発熱部材にエネルギーを加える工程を含んでなる
ことを特徴とする方法。
【請求項１５】
前記遠位部材と前記細長部材の各々の上の前記対向する面が整列した面を備え、整列した面の間に組織が固定され、発熱部材が前記２つの整列したテーパ面の少なくとも１つの上に配されてなる請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記発熱部材に隣接して配されたキャビティ内で切断された組織を捕捉する工程をさらに含んでなる請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記発熱部材の下の前記テーパ面上に配された伝導性材料を含むヒートスプレッダーを用いて、前記発熱部材から熱を拡散する工程をさらに含む請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月10日(2014.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中胚葉系列、内胚葉系列、または外胚葉系列に関する複数の系列マーカーのmRNAまたはcDNAを増幅するオリゴヌクレオチドまたはオリゴヌクレオチド対を含む、細胞を特徴決定するための組成物。
【請求項２】
複数の中胚葉系列マーカー、複数の内胚葉系列マーカー、または複数の外胚葉系列マーカーのうち少なくとも2つのmRNAまたはcDNAを増幅するオリゴヌクレオチドまたはオリゴヌクレオチド対を含む、請求項1記載の組成物。
【請求項３】
複数の中胚葉系列マーカー、複数の内胚葉系列マーカー、および複数の外胚葉系列マーカーのmRNAまたはcDNAを増幅するオリゴヌクレオチドまたはオリゴヌクレオチド対を含む、請求項2記載の組成物。
【請求項４】
少なくとも1つの中胚葉系列マーカーが、CDH5、CDX2、HAND1、NKX2-5、PDGFRA、SNAI2、SST、TBX3から選択され；少なくとも1つの内胚葉系列マーカーが、COL2A1、EN1、LMX1A、MAP2、NR2F1/NR2F2、PAX6、SOX1、ZBTB16から選択され；ならびに少なくとも1つの外胚葉系列マーカーが、AFP、FOXA2、GATA4、GATA6、HHEX、HNF1BおよびLEFTY2から選択される、請求項1〜3のいずれか一項記載の組成物。
【請求項５】
多能性マーカーのセットおよび／または中内胚葉系列マーカーのセットのmRNAまたはcDNAを増幅するオリゴヌクレオチドまたはオリゴヌクレオチド対をさらに含む、請求項1〜4のいずれか一項記載の組成物。
【請求項６】
多能性マーカーのセットおよび／または中内胚葉系列マーカーのセットが、CXCL5、NANOG、POU5F1、SOX2から選択される少なくとも1つの多能性マーカーを含み、ならびに／またはEOMES、NODALおよびTから選択される少なくとも1つの中内胚葉系列マーカーをさらに含む、請求項5記載の組成物。
【請求項７】
少なくとも1つの制御遺伝子に対応する配列を増幅する少なくとも1つのオリゴヌクレオチドまたは少なくとも1つのオリゴヌクレオチド対をさらに含む、請求項1〜6のいずれか一項記載の組成物。
【請求項８】
オリゴヌクレオチドが、固相支持体の表面に固定または付着される、請求項1〜7のいずれか一項記載の組成物。
【請求項９】
固相支持体がマイクロタイタープレートである、請求項8記載の組成物。
【請求項１０】
マイクロタイタープレートが、96または384以下のウェルを有し、各ウェルが、系列マーカーのためのオリゴヌクレオチドまたはオリゴヌクレオチド対を有する、請求項9記載の組成物。
【請求項１１】
オリゴヌクレオチドまたはオリゴヌクレオチド対が蛍光標識されている、請求項1〜10のいずれか一項記載の組成物。
【請求項１２】
細胞系の分化能を決定するための方法における請求項1記載の組成物の使用であって、該方法が、
細胞由来の核酸を用いて増幅を行う段階；
細胞系における中胚葉系列、内胚葉系列、または外胚葉系列に関する複数の系列マーカーの発現を検出し、該発現を、少なくとも1つまたは複数の参照多能性幹細胞試料における中胚葉系列、内胚葉系列、または外胚葉系列に関する同じ複数の系列マーカーの発現と比較する段階、およびこの比較に基づき；
中胚葉系列、内胚葉系列、または外胚葉系列へ分化するための細胞系の分化能を決定する段階
を含む、使用。
【請求項１３】
アレイ増幅を行った後に、データをウェブサーバー上に位置するソフトウェアを用いて解析する、請求項12記載の使用。
【請求項１４】
ソフトウェアが、中胚葉系列、内胚葉系列、および外胚葉系列から選択される系列に分化する可能性があることを示すシグナルを出力する、請求項13記載の使用。
【請求項１５】
ソフトウェアが、多能性幹細胞の多能性を示すシグナルを出力する、請求項14記載の使用。
【請求項１６】
増幅が、ポリメラーゼ連鎖反応（PCR）；逆転写ポリメラーゼ連鎖反応（RT-PCR）、定量的RT-PCRを含む方法にょって行われる、請求項12記載の使用。
【請求項１７】
細胞の分化能を特徴決定することによって、中胚葉系列、内胚葉系列、または外胚葉系列から選択される系列へ分化する細胞系を選択するためのアッセイ法であって、
i．中胚葉系列マーカー、内胚葉系列マーカー、または外胚葉系列マーカーのセットの発現レベルを測定する段階；および細胞における中胚葉系列マーカー、内胚葉系列マーカー、または外胚葉系列マーカーのセットの遺伝子発現レベルを、同じセットの系列マーカーの参照遺伝子発現レベルと比較する段階；ならびに
ii．測定された中胚葉系列マーカー、内胚葉系列マーカー、または外胚葉系列マーカーのセットの遺伝子発現レベルが、同じセットの中胚葉系列マーカー、内胚葉系列マーカー、または外胚葉系列マーカーの参照遺伝子発現レベルと比較して統計学的に有意な差がないことに基づき、細胞系を選択する段階；または中胚葉系列マーカー、内胚葉系列マーカー、または外胚葉系列マーカーのうち少なくとも1つの発現レベルが、同じセットの中胚葉系列マーカー、内胚葉系列マーカー、または外胚葉系列マーカーの参照発現レベルと比較して統計学的に有意な差があることに基づき、細胞系を選択する段階
を含む、アッセイ法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月8日(2014.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特に１つ以上の発光ダイオードを有する発光ダイオードユニットのような負荷を駆動するための駆動装置であって、
外部電源から入力電圧を受け取り、整流供給電圧を供給するための、電源入力ユニットと、
前記供給電圧を前記負荷に電力供給するための負荷電流に変換するための、電源変換ユニットと、
電荷を蓄える、及び所与の時間において前記外部電源から前記負荷に電力供給するのに不十分なエネルギーしか引き出されていない場合に前記電源変換ユニットによって直接的に又は間接的に前記負荷に電力供給するように放電する充電コンデンサと、
前記供給電圧のピーク電圧よりもかなり高いものであり得るコンデンサ電圧まで、前記供給電圧による前記充電コンデンサの充電を制御する、及び前記充電コンデンサの放電を制御する制御ユニットと、
を有する駆動装置であって、
前記制御ユニットは、前記充電コンデンサに直列に結合されている、請求項１に記載の駆動装置。
【請求項２】
前記制御ユニットは、前記充電コンデンサと、前記電源入力ユニットと前記電源変換ユニットとの間のノードと、の間に結合され、前記制御ユニットは、
前記供給電圧のピーク電圧よりもかなり高いコンデンサ電圧にまで、前記供給電圧により前記充電コンデンサの充電を制御するための、前記電源入力ユニットに結合された、充電制御ユニットと、
前記充電コンデンサに蓄えられたエネルギーを前記電源変換ユニットに供給するため、前記充電コンデンサを、前記電源入力ユニットと前記電源変換ユニットとの間のノードに切り換え可能に接続するための、前記充電制御ユニットと並列に結合された、スイッチと、
前記スイッチを制御するための、スイッチ制御ユニットと、
を有する、請求項１に記載の駆動装置。
【請求項３】
前記制御ユニットは、前記電源変換ユニットの出力部に接続され、前記制御ユニットは、
前記負荷電圧よりもかなり高いコンデンサ電圧にまで、前記負荷の両端の負荷電圧により前記充電コンデンサの充電を制御するための、前記電源変換ユニットの出力部に結合された充電制御ユニットと、
前記充電コンデンサに蓄えられたエネルギーを前記電源変換ユニットに供給するため、前記充電コンデンサを、前記電源入力ユニットと前記電源変換ユニットとの間のノードに切り換え可能に接続するためのスイッチと、
前記スイッチを制御するための、スイッチ制御ユニットと、
を有する、請求項１に記載の駆動装置。
【請求項４】
前記スイッチ制御ユニットは、前記供給電圧が切り換え閾値を下回った場合に、前記負荷に電力供給するため、前記充電コンデンサを前記電源変換ユニットに接続し、前記コンデンサ電圧が前記切り換え閾値を下回った場合に、前記充電コンデンサを前記電源変換ユニットから切断するように構成された、請求項２又は３に記載の駆動装置。
【請求項５】
前記切り換え閾値は、前記負荷の両端の前記負荷電圧に対応するか、又は前記負荷電圧よりも僅かに高い電圧に対応する、請求項４に記載の駆動装置。
【請求項６】
前記制御ユニットは、前記電源変換ユニットの出力部に接続され、前記制御ユニットは、前記負荷電圧よりもかなり高いコンデンサ電圧にまで、前記負荷の両端の負荷電圧により、前記充電コンデンサを充電するための、双方向充電制御ユニットを有する、請求項１に記載の駆動装置。
【請求項７】
前記充電制御ユニットは、前記充電コンデンサの充電のタイミング、特に開始時間、終了時間及び継続時間を制御するように構成された、請求項３、４又は６に記載の駆動装置。
【請求項８】
前記充電制御ユニットは、前記供給電圧が充電閾値よりも高い充電期間の間、充電コンデンサが充電されるように、前記充電コンデンサの充電のタイミングを制御するように構成された、請求項２、３又は６に記載の駆動装置。
【請求項９】
前記充電制御ユニットは、前記充電コンデンサの充電の速度、形態及び／又は度合い制御するように構成された、請求項２、３又は６に記載の駆動装置。
【請求項１０】
前記充電制御ユニットはブーストコンバータを有する、請求項２又は３に記載の駆動装置。
【請求項１１】
前記電源入力ユニットは、供給された直流入力電圧を整流された周期的な供給電圧に整流させるための整流ユニットを有する、請求項１に記載の駆動装置。
【請求項１２】
特に１つ以上の発光ダイオードを有する発光ダイオードユニットのような負荷を駆動するための方法であって、
外部電源から入力電圧を受け取るステップと、
整流供給電圧を供給するステップと、
前記供給電圧を前記負荷に電力供給するための負荷電流に変換するステップと、
前記充電コンデンサにおいて充電する及び電荷を蓄えるステップと、
所与の時間において前記外部電源から前記負荷及び／又は前記電源変換ユニットに電力供給するのに不十分なエネルギーしか引き出されていない場合に、前記充電コンデンサを放電させるステップと、
前記供給電圧のピーク電圧よりもかなり高いものであり得るコンデンサ電圧まで、前記供給電圧による前記充電コンデンサの充電を制御するステップと、
前記充電コンデンサの放電を制御するステップと、
を有する方法。
【請求項１３】
特に１つ以上の発光ダイオードを有する発光ダイオードユニットのような、１つ以上の照明ユニットを有する、照明アセンブリと、
前記照明アセンブリを駆動するための、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の駆動装置と、
を有する照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月4日(2014.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピューティングデバイスを動作させる方法であって、
前記コンピューティングデバイスをスタートアップするためのコマンドを受け取るステップと、
前記コンピューティングデバイスの条件を判定するステップと、
前記判定された条件に基づいて、前記受け取られたスタートアップコマンドを条件付きで処理するステップとを含み、前記判定された条件に基づいて、前記受け取られたスタートアップコマンドを条件付きで処理するステップが、
前記判定された条件が前記第１の条件であるとき、完全スタートアップシーケンスを実行することなく、状態情報を不揮発性記憶装置から揮発性記憶装置にコピーすることによって前記スタートアップコマンドに応答するとともに、前記スタートアップコマンドに応答する時間の指標を記録するステップ、および
前記判定された条件が第２の条件であるとき、前記完全スタートアップシーケンスを実行することによって前記スタートアップコマンドに応答するとともに、前記スタートアップコマンドに応答する時間の指標を記録するステップを含み、
シャットダウンコマンドに応答して、
前記完全スタートアップシーケンスを実行することなく、状態情報を不揮発性記憶装置から揮発性記憶装置にコピーすることによって以前に記録された前記スタートアップコマンドに応答する時間の指標が、前記完全スタートアップシーケンスを実行することによって以前に記録された前記スタートアップコマンドに応答する時間の指標よりも小さいときに、新たな休止状態ファイルを選択的に記憶するステップ
を含む方法。
【請求項２】
前記コンピューティングデバイスの条件を判定するステップが、前記休止状態ファイルが作成後に修正されなかったことを検出したときに、前記第１の条件であることを判定する、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記コンピューティングデバイスの条件を判定するステップが、前記休止状態ファイルを含むボリュームが前記休止状態ファイルの作成後にマウントされなかったことを検出したときに、前記第１の条件であることを判定する、
請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記コンピューティングデバイスをシャットダウンするためのコマンドを受け取るステップと、
前記コンピューティングデバイスをシャットダウンするためのコマンドを受け取るステップに応答して、完全シャットダウンシーケンスを実行することなく、揮発性記憶装置における状態情報を不揮発性記憶装置にコピーするステップと、
不揮発性記憶装置における前記状態情報に関連して、不揮発性記憶装置における前記コピーされた状態情報を含むボリュームのマウントに関連するシーケンス番号を記録するステップと
をさらに含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記判定された条件に基づいて、前記受け取られたスタートアップコマンドを条件付きで処理するステップが、前記記録されたシーケンス番号に対する、前記ボリュームに関連する現在のシーケンス番号の変更を判定するステップを含む、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法を実行するためのプログラム。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法を実行するためのプログラムを記録した記録媒体。
【請求項８】
コンピューティングデバイスであって、
前記コンピューティングデバイスをスタートアップするためのコマンドを受け取る手段と、
前記コンピューティングデバイスの条件を判定する手段と、
前記判定された条件に基づいて、前記受け取られたスタートアップコマンドを条件付きで処理する手段であって、前記判定された条件に基づいて、前記受け取られたスタートアップコマンドを条件付きで処理する条件付きで処理する手段が、
前記判定された条件が前記第１の条件であるとき、完全スタートアップシーケンスを実行することなく、状態情報を不揮発性記憶装置から揮発性記憶装置にコピーすることによって前記スタートアップコマンドに応答するとともに、前記スタートアップコマンドに応答する時間の指標を記録する手段、および
前記判定された条件が第２の条件であるとき、前記完全スタートアップシーケンスを実行することによって前記スタートアップコマンドに応答するとともに、前記スタートアップコマンドに応答する時間の指標を記録する手段を含み、
シャットダウンコマンドに応答して、
前記完全スタートアップシーケンスを実行することなく、状態情報を不揮発性記憶装置から揮発性記憶装置にコピーすることによって以前に記録された前記スタートアップコマンドに応答する時間の指標が、前記完全スタートアップシーケンスを実行することによって以前に記録された前記スタートアップコマンドに応答する時間の指標よりも小さいときに、新たな休止状態ファイルを選択的に記憶する手段
を含むコンピューティングデバイス。
【請求項９】
前記コンピューティングデバイスの条件を判定する手段が、前記休止状態ファイルが作成後に修正されなかったことを検出したときに、前記第１の条件であることを判定する、
請求項８に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項１０】
前記コンピューティングデバイスの条件を判定する手段が、前記休止状態ファイルを含むボリュームが前記休止状態ファイルの作成後にマウントされなかったことを検出したときに、前記第１の条件であることを判定する、
請求項８又は９に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項１１】
前記コンピューティングデバイスをシャットダウンするためのコマンドを受け取る手段と、
前記コンピューティングデバイスをシャットダウンするためのコマンドを受け取る手段がシャットダウンするためのコマンドを受け取ったことに応答して、完全シャットダウンシーケンスを実行することなく、揮発性記憶装置における状態情報を不揮発性記憶装置にコピーする手段と、
不揮発性記憶装置における前記状態情報に関連して、不揮発性記憶装置における前記コピーされた状態情報を含むボリュームのマウントに関連するシーケンス番号を記録する手段と
をさらに含む、請求項８〜１０のいずれか一項に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項１２】
前記判定された条件に基づいて、前記受け取られたスタートアップコマンドを条件付きで処理する手段が、前記記録されたシーケンス番号に対する、前記ボリュームに関連する現在のシーケンス番号の変更を判定する手段を含む、
請求項８〜１１のいずれか一項に記載のコンピューティングデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月17日(2014.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の導電型を有する半導体の基板と、
前記基板の上に形成され、前記第一の導電型を有し、前記基板よりも低濃度ドープされた第一の層と、
前記基板の上に形成され、前記第一の導電型とは逆の第二の導電型を有する第二の層と、
前記第二の層の上に直接配置された金属層と、
前記金属層の上に形成された第一の電極及び前記基板の裏面に形成された第二の電極と、
前記第一の層の中に形成された少なくとも一つのトレンチと、
前記少なくとも一つのトレンチの底部及び側壁の内側を覆う誘電体層と、
前記少なくとも一つのトレンチを充填する導体とを備え、
前記金属層と前記第二の層との間にショットキーコンタクトが形成されるように前記第二の層が低濃度ドープされていて、
前記少なくとも一つのトレンチが、前記第一の層の中に形成された複数のトレンチを備え、前記第二の層が、全てのトレンチの対ではなくて、選択されたトレンチの対の間においてのみ前記第一の層の中に形成されている、半導体整流器。
【請求項２】
前記第二の層が、前記金属層と前記第二の層との間にオームコンタクトを形成するのに必要なドーピング濃度よりも低いドーピング濃度を有する、請求項１に記載の半導体整流器。
【請求項３】
前記第二の層が前記第一の層の中に形成されていて、前記トレンチの少なくとも一つの面に隣接している、請求項１に記載の半導体整流器。
【請求項４】
前記第二の層が前記トレンチの両面に隣接している、請求項３に記載の半導体整流器。
【請求項５】
シリサイド層が、前記金属層と前記第二の層との間の界面に形成されている、請求項１に記載の半導体整流器。
【請求項６】
前記第二の層が、隣接するＭＯＳトレンチの一部の対の間にのみ形成されている、請求項１に記載の半導体整流器。
【請求項７】
ＴＭＢＳが、前記第二の層を含まないデバイスの部分に存在している、請求項６に記載の半導体整流器。
【請求項８】
前記複数のトレンチが、従来のＴＭＢＳセルを有する整流器の一部にのみ存在していて、前記第二の層が、デバイスの残りの活性領域に平坦構造として存在している、請求項１に記載の半導体整流器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月9日(2014.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パワートランジスタのための終端構造であって、
前記終端構造は、
半導体基板が、活性領域及び終端領域を有し、前記基板が第一のタイプの伝導性を有し、
終端トレンチが、前記終端領域に位置し、前記活性領域の境界から前記半導体基板の端の一定距離内へと伸び、メサが、前記終端トレンチの端と前記基板の端との間に画定され、
ドープされた領域が、第二のタイプの伝導性を有し、前記終端トレンチの下で前記基板に配置され、
ＭＯＳゲートが、前記境界に隣接する側壁上に形成され、前記ドープされた領域は前記境界から離隔された前記ＭＯＳゲートの一部の下から前記終端トレンチの離れた側壁へ向かって伸び、
終端構造酸化膜が、前記終端トレンチ上に形成され、前記ＭＯＳゲートの一部を覆い、前記基板の端へ向かって伸び、前記終端構造酸化膜、及び前記ドープされた領域が、互いに接触し、それらの間に界面を画定し、
第一の導電層が、前記半導体基板の裏面上に形成され、
第二の導電層が、前記活性領域、前記ＭＯＳゲートの露出した部分上に形成され、前記終端構造酸化膜の少なくとも一部を覆うために伸びる、ことを含むパワートランジスタのための終端構造。
【請求項２】
前記半導体基板の前記活性領域で互いに離隔されて形成された複数のトレンチＭＯＳデバイスをさらに含む請求項１に記載の終端構造。
【請求項３】
前記ＭＯＳゲートが、導電層、及び前記終端トレンチの底部と前記導電層との間に形成されたゲート酸化膜、を含む請求項１の終端構造。
【請求項４】
前記トレンチＭＯＳデバイスがショットキーダイオードである請求項１に記載の終端構造。
【請求項５】
前記ショットキーダイオードが、前記基板の前記活性領域に少なくとも一つのトレンチを含むＴＭＢＳショットキーダイオードである請求項４に記載の終端構造。
【請求項６】
前記パワートランジスタが、ショットキーダイオード、ＤＭＯＳｓ及びＩＧＢＴｓから成る群から選択されるデバイスである請求項１に記載の終端構造。
【請求項７】
前記終端構造酸化膜に位置し、且つ前記第二の導電層から離隔された一以上のセグメント化された金属領域をさらに含む請求項１に記載の終端構造。
【請求項８】
前記ドープされた領域が、埋め込み又は拡散によって形成される請求項１に記載の終端構造。
【請求項９】
前記ドープされた領域が、略１×１０１１ａｔｏｍｓ／ｃｍ２〜１×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ２の注入量での注入によって形成される請求項１に記載の終端構造。
【請求項１０】
半導体基板が、前記半導体基板の活性領域において互いに離隔されて形成された複数のトレンチＭＯＳデバイスを有し、前記基板が第一のタイプの伝導性を有し、
終端トレンチが、終端領域に位置し、前記活性領域の境界から前記半導体基板の端の一定距離内まで伸び、メサが、前記終端トレンチの端と前記基板の端との間に画定され、
ドープされた領域が、第二タイプの伝導性を有し、前記終端トレンチの下で前記基板に配置され、
ＭＯＳゲートが、前記境界に隣接する側壁に形成され、前記ドープされた領域が、前記境界から離隔された前記ＭＯＳゲートの一部の下から前記終端トレンチの離れた側壁まで伸び、
終端構造酸化膜が、前記終端トレンチ上に形成され、前記ＭＯＳゲートの一部を覆い、前記基板の端まで伸び、前記終端構造酸化膜、及び前記ドープされた領域が、互いに接触し、それらの間に界面を画定し、
第一の導電層が、前記半導体基板の裏面に形成され、
第二の導電層が、前記活性領域上に形成され、隣接する一以上の前記トレンチＭＯＳデバイスの間に位置し、前記基板の一以上の部分を備える一以上のショットキーバリアを形成し、
電界プレートが、前記ＭＯＳゲートの露出された一部及び前記終端構造酸化膜の少なくとも一部上に伸びる、ことを含むショットキーダイオード。
【請求項１１】
前記電界プレートが、前記終端トレンチ内への又は前記終端トレンチを覆う前記第二の導電層の拡張を含む請求項１０に記載のショットキーダイオード。
【請求項１２】
前記半導体基板が、第一の層及びベース基板を含み、前記第一の層が低濃度にドープされた第一のタイプの導電性不純物を有し、前記ベース基板が高濃度にドープされた前記第一のタイプの導電性不純物を有する請求項１０に記載のショットキーダイオード。
【請求項１３】
前記トレンチＭＯＳデバイス及び前記終端トレンチが、前記第一の層に形成され、略１μｍ〜１５μｍの深さを有する請求項１２に記載のショットキーダイオード。
【請求項１４】
前記終端トレンチが、略１０μｍ〜２００μｍの幅を有する請求項１３に記載のショットキーダイオード。
【請求項１５】
前記終端トレンチが、前記活性領域の前記境界から形成され、前記半導体基板の端の一定距離内まで伸び、前記終端トレンチが少なくとも一つの側壁を有する請求項１０に記載のショットキーダイオード。
【請求項１６】
前記トレンチＭＯＳデバイス及び前記ＭＯＳゲートが、金属、多結晶シリコン及びアモルファスシリコンから成る群から選択される材料を含む請求項１０に記載のショットキーダイオード。
【請求項１７】
前記終端構造酸化膜上に位置し、前記電界プレートから離隔された一以上のセグメント化された金属領域をさらに含む請求項１０に記載のショットキーダイオード。
【請求項１８】
互いに略０．３μｍ〜５０μｍで離隔された少なくとも二つのセグメント化された金属領域をさらに含む請求項１７に記載のショットキーダイオード。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月8日(2014.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の波長の光を放つ光源と、
前記第１の波長の光を受け、受けた光の少なくとも一部を第２の波長の光に変換する波長変換材料を有する波長変換部材と、
少なくとも前記波長変換部材を有し、制御された雰囲気を有する封止キャビティを形成するために、前記波長変換部材を少なくとも部分的に囲む封止構造と、
前記封止キャビティ内に配置されたゲッタ材料と、を有し、
前記ゲッタ材料は、酸素との反応が、水の存在を必要とする又は水の存在によって促進される材料を有している、及び／又は、反応生成物として水を作り出す、発光装置。
【請求項２】
前記ゲッタ材料は、前記封止キャビティ内の制御された雰囲気から酸素を取り除く、請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記ゲッタ材料は、被酸化性金属、少なくとも１つのプロトン性溶媒加水分解性ハロゲン化合物、及び／又は、プロトン性溶媒加水分解性ハロゲン化合物の付加物、を含む粒子を有する、請求項１記載の発光装置。
【請求項４】
前記プロトン性溶媒加水分解性ハロゲン化合物、及び／又は、プロトン性溶媒加水分解性ハロゲン化合物の付加物は、被酸化性金属を有する粒子の上に置かれる、請求項３記載の発光装置。
【請求項５】
前記ハロゲン化合物は、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、四塩化チタン（ＴｉＣｌ４）、四塩化スズ（ＳｎＣｌ４）、塩化チオニル（ＳＯＣｌ２）、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）、塩化ホスホリル（ＰＯＣｌ３）、ｎ−ブチル塩化スズ、塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ３）、臭化アルミニウム（ＡｌＢｒ３）、塩化鉄（III）、塩化鉄（II）、臭化鉄（II）、三塩化アンチモン（ＳｂＣｌ３）、五塩化アンチモン（ＳｂＣｌ５）、及び、ハロゲン化酸化アルミニウム（aluminium halide oxide）を含むグループから選択される、請求項３記載の発光装置。
【請求項６】
前記ゲッタ材料は、被酸化性金属及び電解物を有する、請求項１記載の発光装置。
【請求項７】
前記電解物は、塩化ナトリウムを有する、請求項６記載の発光装置。
【請求項８】
前記ゲッタ材料は、非電解酸性化成分を更に有する、請求項６記載の発光装置。
【請求項９】
前記被酸化性金属は、鉄である、請求項３又は６に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記ゲッタ材料は、水含有化学物質を更に有する、請求項３又は６に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記封止構造は、前記キャビティを封止するシールを有し、前記シールは、酸素に対して非密封性且つ透過性を持つ、請求項１記載の発光装置。
【請求項１２】
前記波長変換部材及び前記光源は、互いに離れて置かれる、請求項１記載の発光装置。
【請求項１３】
前記波長変換材料は、有機波長変換化合物を有する、請求項１記載の発光装置。
【請求項１４】
前記光源は、少なくとも１つのＬＥＤを有する、請求項１記載の発光装置。
【請求項１５】
前記少なくとも１つのＬＥＤは、無機ＬＥＤである、請求項１４記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月25日(2014.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽エネルギ及び力学的エネルギを電気エネルギに変換する圧電−光起電力構造体であって、光起電力層及び圧電性ポリマからなる圧電基材を含む、複数の重ね合わされた層を備えていることを特徴とする圧電−光起電力構造体。
【請求項２】
前記圧電基材が、上部電極及び下部電極の間に挟まれている請求項１に記載の圧電−光起電力構造体。
【請求項３】
前記光起電力層が、外側のアノード層及び内側のカソード層の間に挟まれている請求項１または２に記載の圧電−光起電力構造体。
【請求項４】
前記光起電力層が、透明な電子遮断（正孔抽出）ポリマの外側副層の電子遮断ポリマ層並びに電子ドナー及び電子アクセプタ（ドナー・アクセプタ）ポリマの内側副層の電子ドナー・アクセプタポリマ層を備えている請求項１乃至３のいずれか１項に記載の圧電−光起電力構造体。
【請求項５】
同心的に重ね合わされた前記複数の層を備えた、細長い実質的に円柱状の本体部を備えている請求項１乃至４のいずれか１項に記載の圧電−光起電力構造体。
【請求項６】
前記複数の層が、実質的に平行に重ね合わされた平らな本体部を備えている請求項１乃至４のいずれか１項に記載の圧電−光起電力構造体。
【請求項７】
前記圧電基材が、分散圧電セラミック粒子を含む請求項１乃至６のいずれか１項に記載の圧電−光起電力構造体。
【請求項８】
圧電性ポリマからなる圧電基材を準備するステップと、前記圧電基材の上に光起電力層を重ね合わせるステップとを含む圧電−光起電力構造体の形成方法。
【請求項９】
前記光起電力層を重ね合わせるステップの前に、前記圧電基材上に上部電極及び下部電極を形成するステップを含む請求項８に記載の圧電−光起電力構造体の形成方法。
【請求項１０】
前記光起電力層を重ね合わせるステップの前に、前記圧電基材上に絶縁層を重ね合わせるステップを含む請求項８または９に記載の圧電−光起電力構造体の形成方法。
【請求項１１】
前記光起電力層を重ね合わせるステップが、
カソード層をオーバーレイするステップと、
前記カソード層上に電子ドナー及び電子アクセプタポリマを含む電子ドナー・アクセプタポリマ層をオーバーレイするステップと、
前記電子ドナー・アクセプタポリマ層上に透明な電子遮断（正孔抽出）ポリマ層を形成するステップと、
前記透明な電子遮断ポリマ層上にアノード層を形成するステップとを含む請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の圧電−光起電力構造体の形成方法。
【請求項１２】
前記圧電基材を準備するステップは、前記圧電基材を押出プロセスにより形成することを含む請求項８乃至１１のいずれか１項に記載の圧電−光起電力構造体の形成方法。
【請求項１３】
太陽エネルギ及び力学的エネルギを電気エネルギに変換するパワー変換システムであって、
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の圧電−光起電力構造体と、
前記圧電基材の上部電極及び下部電極に接続された第１の回路と、
前記光起電力層のアノード及びカソードに接続された第２の回路とを備えていることを特徴とするパワー変換システム。
【請求項１４】
力学的エネルギまたは太陽エネルギを電気エネルギに変換するために、請求項１３に記載のパワー変換システムを用いるステップと、
前記第１及び第２の回路の一方または両方を、配電回路、配電ネットワーク、電気負荷、または、エネルギ貯蔵デバイスに接続するステップとを含む電気エネルギを発生、貯蔵、配給または消費する方法。
【請求項１５】
太陽エネルギ及び力学的エネルギを電気エネルギに変換するパワー変換システムであって、
光起電力素子及び圧電素子を有する請求項１乃至７のいずれか１項に記載の圧電−光起電力構造体と、
前記圧電基材に接続された第１の回路と、
前記光起電力層に接続された第２の回路とを備え、
前記第１及び第２の回路の一方または両方が、ＤＣ−ＤＣコンバータに接続されていることを特徴とするパワー変換システム。