【事件の表示】
　上記当事者間の特許第３１７６６１４号発明「透明なダイヤモンド薄膜およびそれの製造方法」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第３１７６６１４号の請求項１〜６に係る発明についての特許を無効とする。
　審判費用は、被請求人の負担とする。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
本件特許第３１７６６１４号は、平成２年９月１１日（パリ条約の優先権主張１９８９年９月１４日、米国）に出願され、平成１３年４月６日にその特許の設定登録がなされ、平成１５年５月２３日付けで住友電気工業株式会社（請求人）よりその特許の無効審判が請求されたものであり、その後、その無効審判請求書の副本を特許権者（被請求人）に送付して期間を指定して答弁書を提出する機会を与えたところ、特許権者より何らの応答もなかったものである。
　
II．本件発明
　本件明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６には、以下の事項が記載されている（以下、必要に応じて、それぞれ、「請求項１に係る発明」〜「請求項６に係る発明」、又は、「本件発明１」〜「本件発明６」という）。
【請求項１】薄膜の底面に対して垂直な〈１１０〉方向を有する実質的に直立した柱状ダイヤモンド結晶、ダイヤモンド結晶同士を隔離するダイヤモンド結晶粒界およびダイヤモンド結晶粒界、炭素転位および炭素空位の位置に存在するダングリング炭素結合を実質的に飽和させるのに十分な１００００ｐｐｍまでの化学結合した水素を含み、ダイヤモンド結晶粒界がダイヤモンド結晶底面に対して７０〜９０°の方位を有する、少なくとも５０ミクロンの厚さを有する連続しかつ独立した透明または実質的に透明な多結晶質ダイヤモンド薄膜。
【請求項２】薄膜の厚さが少なくとも２００ミクロンである請求項１記載の透明または実質的に透明な多結晶質ダイヤモンド薄膜。
【請求項３】薄膜の厚さが５００ミクロンより厚い請求項１記載の透明または実質的に透明な多結晶質ダイヤモンド薄膜。
【請求項４】薄膜の厚さが５００ミクロンより厚く５０００ミクロンまでである請求項１記載の透明または実質的に透明な多結晶質ダイヤモンド薄膜。
【請求項５】活性の炭素−水素化学種を生成しそして加熱されたフィラメントから０．３〜１ｃｍの距離に維持された基体の表面に６００〜１０００℃の温度を提供するのに十分な加熱フィラメント反応域に水素およびメタンの全容積を基準として１．５〜２容量％のメタンを含有する水素−メタン混合ガスを０．４〜３．２ｋｐａ（３〜２４Ｔｏｒｒ）の圧力の下で前記加熱フィラメント反応域内に導入することからなる、請求項１記載の透明または実質的に透明な多結晶質ダイヤモンド薄膜の製造方法。
【請求項６】基体がモリブデン基体である請求項５記載の方法。
　
III．請求人の求めた審決及び主張
　請求人は、特許第３１７６６１４号の請求項１〜６に係る発明についての特許を無効とする、審判費用は被請求人の負担とする、との審決を求め、証拠方法として下記の書証をもって、以下に示す無効理由により本件請求項１〜６に係る発明の特許は無効にされるべきであると主張する。
III−１．証拠方法
甲第１号証：加茂睦和博士が作成したダイヤモンド薄膜を撮影した「写真」
甲第２−１号証：平成15年3月12日、独立行政法人物質・材料研究機構
　　　　　　　　理事　理学博士加茂睦和の作成による「意見書」
甲第２−２号証：1988年10月27及び28日、研究交流センターにて開催
　　　　　　　　された筑波ダイヤモンド国際シンポジウム参加者名簿
甲第３号証：The　Diamond　and　Related　Materials　Consortium　
　　　　　　Ｎｅｗｓｌｅｔｔｅｒ、１９８９年１月、p．１〜９
           (抄訳添付)
甲第４号証：2003年1月30日、住友電気工業株式会社伊丹研究室コアテク
　　　　　　第一研究部　関裕一郎作成による「測定結果報告書」
甲第５号証：「化学辞典」、株式会社東京化学同人、1994年10月1日、
　　　　　　第816及び817頁
甲第６号証：小畑龍夫著、「ＣＶＤダイヤモンド部品」、NEW　DIAMOND
　　　　　　、1987年10月、Vol．３、No．３、第50及び５１頁
甲第７−１号証：1999年8月20日、Seiichiro　MATSUMOTO作成による
　　　　　　　　「宣誓供述書」
甲第７−２号証：Ch．Wild，N．Herres，j．Wagner，P．Koidl　and
　　　　　　　　T．R．Anthony、「OPTICAL　AND　STRUCTURAL　CHARA
　　　　　　　　CTERIZATION　OF　CVD　DIAMOND」、Proc．First　Int．
　　　　　　　　ECS　Symp．on　Diamond　and　Diamondlike　Filn
　　　　　　　　Los　Angeles，May7-12，1989（抄訳添付）
甲第７−３号証：1989年2月22日付けDr．Seiichiro　Matsumoto宛の
　　　　　　　　Dr．P．Koidlの書簡
甲第７−４号証：1989年6月14日付けDr．Peter　Koidl宛のSeiichiro　
　　　　　　　　Matsumotoの書簡
甲第８−１号証：1996年8月26日付けProf．Dr．Peter　Koidl作成による
　　　　　　　　「宣誓供述書」（抄訳添付）
甲第８−２号証：〈ENCLOSURE　１〉
　　　　　　　　Ch．Wild，N．Herres，j．Wagner，P．Koidl　and
　　　　　　　　T．R．Anthony、「Optical　and　Structural　Chara
　　　　　　　　cterization　of　CVD　Diamond」、EXTENDED　ABSTRAC
　　　　　　　　TS、VOLUME89-1、p．140-141、SPRING　MEETING、LOS
　　　　　　　　ANGELES、CALIFORNIA　MAY7-12、1989
甲第８−３号証：〈ENCLOSURE　２〉
　　　　　　　　1988年12月16日付けDr．Peter　Koidl宛の
　　　　　　　　Tom　Anthonyの書簡
甲第８−４号証：〈ENCLOSURE　３〉
　　　　　　　　1989年4月13日付けDr．Peter　Koidl宛のDr．Thomas
　　　　　　　　R.Anthonyの書簡
甲第９号証：KojiKobashi外「Synthesis　of　diamonds　by　use　of
　　　　　　microwave　plasma　chemical-vapor　deposition：
　　　　　　Morphology　and　growth　of　diamond　films」、The
　　　　　　American　Physical　Society　PHYSICAL　REVIEW　B、
　　　　　　VOLUME38，NUMBER6，1988年8月、p．4067-4084
甲第１０号証：B．Singh外「Effects　of　filament　and　reactor　
　　　　　　　wall　materials　in　low-pressure　chemical　vapor
　　　　　　　deposition　synthesis　of　diamond」、Appl．Phys．
　　　　　　　Lett．，Vol．52,No．6，1988年2月8日，p．451-452
甲第１１号証：J.E.Butler外「VAPOR　PHASE　DIAGNOSTICS　IN　CVD
　　　　　　　DIAMOND　DEPOSITION」、EXTENDED　ABSTRACTS、
　　　　　　　VOLUME89-1、p．146、SPRING　MEETING　LOS　ANGELES
　　　　　　　、CALIFORNIA　MAY7-12、1989
甲第１２号証：KarlE．Spear「Diamond−Ceramic　Coating　of　the
　　　　　　　Future」、J．Am．Ceram．Soc．，72[2]，1989年2月、
　　　　　　　p．171-191（抄訳添付）
甲第１３号証：1998年11月18日付け住友電気工業株式会社伊丹研究所
　　　　　　　電子部品研究部主任研究員　今井貴浩作成による
　　　　　　　「実験報告書」
甲第１４号証：1998年10月27日、昭和電工株式会社大町工場主席研究員
　　　　　　　工学博士　小畑龍夫作成による「意見書」及び添付資料
甲第１５号証：特開昭５９−１８４７９１号公報
甲第１６号証：特開昭６３−１８５８９２号公報
甲第１７号証：特開昭６０−１８６５００号公報
甲第１８−１号証：2001年10月2日付けDr.W.M.Sebert作成による宣誓
　　　　　　　　　供述書
甲第１８−２号証：2001年10月2日付けDr.C.Wild作成による宣誓供述書
甲第１８−３号証：1999年11月11日付けDr.W.M.SebertとDr.C.Wildに
　　　　　　　　　よる報告書
甲第１９号証：米国特許第５２６４０７１号明細書
甲第２０号証：Shuji　Yazu外「Some　Properties　of　Synthetic
　　　　　　　Single　Crystal　and　Thin　Film　Diamonds」、
　　　　　　　SPIE　Vol．969　Diamond　Optics、1988年、
　　　　　　　p．117-123
　
III−２．無効理由
【理由−１】本件発明１〜５は、本件出願前に日本国内において公然知られた発明であるから、特許法第２９条第１項第１号の発明に該当する。
　したがって、本件発明１〜５の特許は特許法第１２３条第１項第１号に該当し、無効とされるべきものである。
【理由−２】本件発明１〜５は、本件出願前に日本国内において頒布された刊行物に該当する甲第６号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の発明に該当する。
　したがって、本件発明１〜５の特許は特許法第１２３条第１項第１号に該当し、無効とされるべきものである。
【理由−３】本件発明１〜５は、本件出願前に日本国内において公然知られた発明、及び、本件出願前に日本国内において頒布された刊行物に該当する甲第５、６、１２、１６、１７号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本件発明１〜５の特許は特許法第１２３条第１項第１号に該当し、無効とされるべきものである。
【理由−４】本件発明１〜６に係る特許は特許法第３６条第３項又は第４項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものである。
　したがって、本件発明１〜６の特許は特許法第１２３条第１項第３号に該当し、無効とされるべきものである。
　
IV．甲号各証の記載
IV−イ．甲第５号証
　甲第５号証には、以下のことが記載されている。
（イ−１）「ダングリングボンド［dangling　bond］　共有結合では，二つの原子がそれぞれ一つずつ電子を出し合い，その電子対が形成した結合軌道を二つの電子が占めることにより強い安定な結合が生じている．共有結合性の物質中での格子欠陥近傍の原子，あるいは結晶表面にある原子は，結合の相手を失った状態になり，反応性に富んだ不対電子が占める結合をもつ．この結合をダングリングボンドという．ここには不純物が捕らわれやすいし，強い吸着が起こりやすい．Ｓｉ，Ｇｅなどの半導体表面でみられる表面原子再配列では，ダングリングボンドどうしが結合する．」（第８１６頁右欄下から第４行〜第８１７頁左欄第６行）
　
IV−ロ．甲第６号証
　甲第６号証には、「ＣＶＤダイヤモンド部品」と題し、以下のことが記載されている。
（ロ−１）「作製手段としては，マイクロ波プラズマＣＶＤ法と熱フィラメントＣＶＤ法の二つを検討した．前者は，基材の先端が鋭利な部分にマイクロ波のパワーが集中しやすいため，均一な析出が難しい．一方，熱フィラメント法の場合はダイヤモンドの微結晶がフィラメントに沿って析出するので，軸対称基材をフィラメント近傍で回転させることにより，曲面成形体を得ることができる．析出後，基材を強酸などで溶解除去すると自立体の作製も可能である．」（第５０頁左欄下から第３行〜中欄第９行）
（ロ−２）「ダイヤモンド部品製造炉は図１に示すように，熱フィラメントＣＶＤ装置に基材の回転機構を加えた構造になっている．原料ガスはメタンなどの炭化水素ガスを水素で約２ｖｏｌ％に希釈した混合ガスであり，マスフローコントローラで所定量が供給される．排気には油回転ポンプを用い，析出中の圧力は３０Ｔｏｒｒとした．
　基材は垂直に保持され，回転軸と平行にタングステンフィラメントがセットされる．基材はダイヤモンドとの熱膨張係数との適合性，ダイヤモンドとの密着性，加工性に優れていることが必要である．フィラメントと基材との距離は２〜３ｍｍである．この距離を一定に保つようにフィラメントの形状を工夫することにより，ダイヤモンドのパイプのほか，ロートやるつぼのように複雑な断面形状の部品も作製できる．何れの場合においても基材温度を約８５０℃に保つ必要がある．」（第５０頁中欄第１０行〜右欄第２行）
（ロ−３）「試作品の例を写真１に示す．これらはシリコンの基材上に析出させたのち，フッ硝酸で基材を除去したダイヤモンド膜の自立体である．パイプの大きさは直径１０ｍｍ，長さ３０ｍｍ，厚さ２０μｍである．るつぼの大きさは直径３０ｍｍ，深さ２０ｍｍ，厚さ２０μｍである．パイプについてはこのほかに長さ３０ｍｍ，膜厚１５〜５０μｍ，直径０．５〜１０ｍｍの自立体の試作にも成功している．試作品の，強度に関する詳細なデータはまだそろっていないが，何れも軽く指でつまむには十分な強度がある．」（第５０頁右欄第３〜１５行）
（ロ−４）「気体や液体に対する不浸透性（ピンホールフリー）の確保はＣＶＤダイヤモンド膜の応用上重要な課題である．そこで，るつぼについて，不浸透性を確保するため，るつぼ内部に濃硫酸を入れて純水に浮かべ，純水のｐＨ変化を調べたところ，１時間放置しても有意な変化はなかった．パイプについても同様の不浸透性があるものと考えられる．」（第５０頁右欄第１６〜２４行）
（ロ−５）「試作ダイヤモンドパイプ表面の走査型電子顕微鏡写真を写真２に示す。粒径２〜１２μｍのダイヤモンド微結晶が観察される．」（第５０頁右欄第２５行〜第５１頁左欄第１行）
（ロ−６）「パイプ表面のラマンスペクトルを図２に示す．１３３２ｃｍ−１にダイヤモンドの強いピークが観察される．佐藤らは，マイクロ波プラズマＣＶＤ法でダイヤモンドを作製する場合，条件しだいでは黒鉛成分（１３６０ｃｍ−１，１６００ｃｍ−１）のほかに，１５５０ｃｍ−１付近に幅広い帰属不明のピーク（いわゆるｉ−カーボン）が観察されることを報告している．析出条件を選べば，このようなダイヤモンド以外の結合成分がほとんど検出されないパイプを作製することができる．」（第５１頁左欄第１０行〜中欄第４行）
　
IV−ハ．甲第７−２号証には、「ＣＶＤダイヤモンドの光学的及び構造的特性決定」と題し、以下のことが記載されている。
（ハ−１）「フィルムの製造
　ホットフィラメントアシストＣＶＤ（サンプル：ＩＡＦ）と、この技術とマイクロウエーブプラズマとを組み合わせたＣＶＤ（サンプル：ＧＥ）を用いてシリコン基板の上に薄膜を析出させた。後者の場合には、基板が取り除かれて自立性のダイヤモンドウエハーを得た。
　代表的な析出パラメータは次のとおりである。
　　　　　　　　　　　　　ＩＡＦ　　　　　　　ＧＥ
プロセスガス　　　　０．５−１ｖｏｌ％　　　１．５ｖｏｌ％
　　　　　　　　　　ＣＨ４ｉｎＨ２　　　　　ＣＨ４ｉｎＨ２圧　力　　　　　　　６０ｍｂａｒ　　　　　１３ｍｂａｒ
析出温度　　　　　　６５０−８００℃　　　９００℃
フィラメント　　　２０００℃タングステン　２０５０℃タングステン
マイクロウエーブ　　　　−　　　　　　　７６０Ｗ　２．４５ＧＨｚ
サンプル型　　　　Ｓｉ基板上のフィルム　自立性ダイヤモンドウエハー
厚　み　　　　　　０．５−１０μｍ　　　　４００μｍ」旨
（第２頁第１６〜２９行）
（ハ−２）「赤外吸収スペクトル分析
　赤外吸収スペクトル分析はダイヤモンドに似た、アモルファス炭素（ａ−Ｃ：Ｈ）における結合と構造の調査のために有効であることが分っており、広く用いられている。多結晶ダイヤモンドフィルムにおいては、透明性の決定は、内部粒界又は粗い表面での散乱のほうが、吸収によるものよりも支配的であるという問題が生ずる。従来のスペクトロメータによれば、これらの二つの寄与を区別するのが難しく、定量的な吸収係数を決定する直接的な方法はなかった。積分球又はビームコンデンサーを用いることにより光がそこに集められる立体角が顕著に増大し、こうして散乱の寄与を減少させる。波長の関数である散乱光の強度はスムースな特色のない曲線であるので、吸収バンドは相対的にシャープである一方、吸収スペクトルは、測定された透過曲線にスムーズな曲線（例えば、三次スプライン関数）を合わせ、この曲線を１００％透過標準とみなすことによって得られる。
　この手法によって、４００μｍ厚で自立性のダイヤモンドウエーハ（ＧＥ）の吸収スペクトルを決定することができた。」旨（第３頁第１〜１９行）
（ハ−３）「２９００ｃｍ−１の辺りにＣ−Ｈ結合からの吸収バンドが観察され、これはｍ＝１、２、３のＣＨｍ基及び炭素原子のｓｐ３混成軌道によるものである。ａ−Ｃ：Ｈフィルムのデータと比較すると、１ａｔ％以下の水素濃度が吸収強度（４）から評価できる。」旨（第３頁第２３〜２７行）
（ハ−４）「このように、ＧＥダイヤモンドサンプルはサンプル表面に平行な｛１１０｝面の選択的配向を持った明確な繊維組織を示す。」旨（第７頁第１２〜１４行）
（ハ−５）「４００μｍ厚のダイヤモンドサンプルはこの明確な繊維組織を示したので、ほとんど二次的核生成は成長の間起こっていないと結論できる。このことは、サンプルの劈開端のＳＥＭ写真における円柱状構造によって確かめられる。」旨（第７頁下から第２行〜第８頁第２行）
　
IV−ニ．甲第９号証には、「マイクロウエーブプラズマ化学蒸着法によるダイヤモンドの合成：ダイヤモンド膜の組織と成長」と題し、以下のことが記載されている。
（ニ−１）「図２（ａ）はホット−フィラメント法の装置の概略を示す。タングステンフィラメントは基板の上、約１０ｍｍに位置させられて、約２０００℃に熱せられる。」旨（第４０６９頁左欄末行〜第４０７０頁左欄第３行）
　
IV−ホ．甲第１０号証には、「ダイヤモンドの低圧化学蒸着合成におけるフィラメント及び反応器壁材料の効果」と題し、以下のことが記載されている。
（ホ−１）「我々の研究で用いたシステムが図１に示される。・・・。Ｈ２中ＣＨ４１％からなるガス混合物がその合成に用いられた。そのガスは加熱フィラメントに近接した石英筒を通って導入された。そのフィラメントはタングステン、タンタル又は白金のいずれかからなる。そのフィラメントはホルダー内に載置された基体の上、約８ｍｍに位置させられた。」旨（第４５１頁左欄下から第２０行〜下から第１２行）
　
IV−ヘ．甲第１１号証には、「ＣＶＤダイヤモンド沈積における気相診断学」と題し、以下のことが記載されている。
（ヘ−１）「ダイヤモンドのフィラメント−アシストＣＶＤを調べるため、本来の場所でのレーザー診断学が用いられた。・・・水素中メタンの反応混合物（０．１−２．０％メタン、２０−３０ｔｏｒｒ全圧、５０−１００ｓｃｃｍ全フロー）が、基体（約９００℃）の上３〜１５ｍｍの位置に懸下された加熱タングステンフィラメント（約１８００−２２００℃）を横切って通過した。」（第１４６頁左欄本文第３０〜４７行）
　
IV−ト．甲第１２号証には、「将来のダイヤモンド−セラミックス被覆」と題し、以下の事項が記載されている。
（ト−１）「典型的なプロセスは、大気圧よりも低い反応物ガスと＞９５％水素とからなる。その水素は、その上にダイヤモンドが沈積される８００−９００℃の基体に接する前に、プラズマを通り抜けることにより活性化され、又は、〜２０００℃のフィラメントに通される。」（第１７１頁中欄第２１〜２８行）
（ト−２）「Ｖ．気体−固体の成長界面のエネルギー論
　図８に示した炭素の圧力−温度状態図は、結晶ダイヤモンドを気相析出する際の条件下ではグラファイトが炭素の安定形であることを明りょうに示している。それなら、何故、ダイヤモンドを大気圧以下で７５０〜１１００℃の温度範囲で育成することができるのか。
　この質問に対する確立されたメカニズムからなる回答はまだ得られていないが、報告されている実験的事実と矛盾しない一つの回答が得られている。準安定ダイヤモンド成長についての仮説の核心は、ダイヤモンド成長プロセスが炭素−水素系における気体−固体界面で起こるという事実に基づいている。気相成長プロセスは状態図で表される成分である元素状炭素を含まず、しかし、そしてそのうえ水素を含む。ｓｐ３Ｃ−Ｈ結合によって飽和されているダイヤモンド炭素表面は水素のない炭素表面より安定である。一旦表面の炭素が他のダイヤモンド成長層により覆われると、その覆われた４つのｓｐ３Ｃ−Ｈ結合を有する炭素はグラファイト炭素に関して準安定である。このようにして、ダイヤモンドの気相成長のための上限温度はダイヤモンドからグラファイトへの固体状態転移の速度論（そして、これらのこれらの速度論が構造的欠陥によりどのように影響されるか）によって決定される。
　ダイヤモンド、ロンスデール石及びグラファイトの結晶構造間の密接な関係は付録Ａに記述されている。・・・。ダイヤモンドの（１１１）面はグラファイト構造とダイヤモンド構造との関係を強調するために誇張されて描かれている。水素原子は最上部のダイヤモンド面上の炭素のダングリングｓｐ３結合を満たすように示されている。LanderとMorrisonは、水素が表面炭素とｓｐ３Ｃ−Ｈ結合を形成することによりダイヤモンド表面を安定化することができるという仮説を立てた最初の人である。これらの表面炭素のそのｓｐ３特性を保持する水素がないと、（１１１）ダイヤモンド面が成長プロセスの間に安定な平面的グラファイト構造へと崩壊することは容易に想像できる。事実、水素がないと、清浄なバルクのダイヤモンド結晶の表面原子は約９００〜１０００℃でバルクの関連する表面サイトから再構築することになる。しかし、水素中ではその再構築は、Ｃ−Ｈ結合によって表面ｓｐ３結合に逆戻りする。
　それなら、ダイヤモンド表面上にエピタキシャル成長させるために水素−メタン混合物を用いる初期の熱ＣＶＤ研究では、何故、成功が非常に限られるのかという質問が生まれる。」旨（第１７８頁右欄第４３行〜第１７９頁左欄第４８行）
　
IV−チ．甲第１３号証では、追試験につき次のとおり報告されている。
（チ−１）「２、ダイヤモンドの合成
　文献１に記載の方法にしたがって、ダイヤモンドの成長を行った。・・・・・・用いた装置は、文献１の図１の装置と同様の熱フィラメントＣＶＤ装置であったが、基材を回転する機構がないこととフィラメントを水平に張るという点で図１とは異なっている。これは成長するダイヤに差を及ぼす相違点ではなく、・・・〈中　略〉・・・当時として最も一般的な熱フィラメント装置である。
　４個のＳｉ基材を、熱フィラメント装置の水平に置かれた基板支持台に設置し、基板面と平行に、０．３ｍｍ径のタングステンフィラメントを基板表面から３ｍｍ離れたところに設置した。ここで装置内に、水素５００ｓｃｃｍとメタン１０ｓｃｃｍを混合して供給し、装置内でメタンが２％の濃度に達するようにした。この原料ガスを供給しながらロータリーオイルポンプで装置内の排気を行い、装置内のガス圧力が３０Ｔｏｒｒに維持されるよう排気量を調節した。
　こうした後に、タングステンフィラメントに電流を流して、フィラメントの温度が２０００℃から２１００℃の間に保てるように電流量を調節した。この時にＳｉ基材の表面が８５０℃を中心に、８２０℃から８８０℃の温度範囲に保たれるように、基材支持台の放熱効果をあらかじめ調整した。
　こうして基材温度を約８５０℃に保ったまま、計１２０時間の成長を行った。そして、厚さ約６２μｍ（４枚の平均値）のダイヤモンド膜が基板上に成長していることが判明した。
　上記フィラメント温度は、特開昭５９−１８４７９１号公報（・・・）に示されていた当時一般的であった条件を選択した。」（第１頁第１０〜末行）
（チ−２）「３．ダイヤモンドの特性
　得られたダイヤモンド膜は、表面に数μｍから十数μｍの微細な凹凸があるので、光が表面で散乱されて、灰色に見えた。このダイヤモンド膜は、Ｓｉ基材を強い弗硝酸（・・・）で溶かすと、ダイヤモンド膜は薄膜となり、Free　Standingであり、Cotinuousであった。
　Ｘ線回折によって、その結晶配向性を評価したところ、配向性のない多結晶ダイヤモンドであれば、（１１１）面と（２２０）面からの回折強度の比が１００：２７であるのに対し、このダイヤモンド膜では図１のチャートに示すように１００：５４であり、（１１０）面に強く配向していることが明らかになった。またこのダイヤモンド膜の一部を破断して、断面をＳＥＭで観察したところ、図２のようにＳｉ基板面に対して粒界が７５度前後の角度であることが確認された。すなわち、ダイヤモンド結晶が、逆円錐状に成長し円錐面の傾きが７５度前後の角度になっている。
　光学的な性質を調べるためには、表面を研磨して平坦にしなければならない。そこでダイヤモンド砥石で合成したダイヤモンド膜の表面を研磨して表面粗さＲａが０．１μｍ以下の平滑な表面にした。研磨後のダイヤモンド膜の厚さは５２μｍであった。このように表面を平滑にすると、可視光を散乱せずに透過するので、図３の写真に示すように、ダイヤモンド膜の下の文字が透けて見えるようになり、明らかに可視光に透明であることが見て取れる。
　この研磨したダイヤモンド膜の、紫外可視光域および赤外域の透過スペクトルを、図４および図５に示す。４００ｎｍから８００ｎｍの可視光域では、全域で５％以上の透過率があり可視光で透明であることを裏づけている。また赤外域では、少なくとも２０％以上の透過率がある。赤外域の２８００ｃｍ−１から３０００ｃｍ−１の波数範囲に見られる小さい吸収帯は、ダイヤモンド中に含まれるＣ−Ｈ結合によるもので、この吸収帯からダイヤモンド中のdngling　bondをsaturateしている水素の量を計算することができ、このダイヤモンド膜では、約２６００ｐｐｍであった。ダングリングボンドは、結晶の中には存在せず、粒界や、結晶欠陥に存在することは、結晶学上の常識である。」（第２頁第１〜２８行）
（チ−３）「４．結論
　・・・〈中　略〉・・・
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　以上
１）ＣＶＤダイヤモンド部品，NEW　DIAMOND，３（３），（１９８７），ｐ５０〜」（第２頁第２９〜末行）
　
IV−リ．甲第１５号証には、以下のことが記載されている。
（リ−１）「元素周期律表の４ａ，５ａ，および６ａ族金属のうちのいずれか、またはこられ金属を主成分とする合金で構成され、かつ炭素，窒素，および硼素のうちの１種または２種以上を拡散させた表面拡散層を有する表面処理基体部材を反応炉内に装入し、前記基体部材の表面拡散層と、Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，あるいは黒鉛からなるフィラメントとの間隔を０．５〜３ｃｍに保持した状態で、ＣＨ４／Ｈ２の割合を０．００１〜０．０５の範囲内に調整した混合反応ガスを反応炉内に流しながら、前記表面拡散層の温度：５００〜１２００℃、およびフィラメント温度：１８００〜２５００℃の条件で気相合成反応を行なわしめることにより前記表面拡散層上にダイヤモンドを粒状あるいは膜状に析出せしめることを特徴とするダイヤモンドの気相合成法。」（特許請求の範囲）
　
IV−ヌ．甲第１６号証には、以下のことが記載されている。
（ヌ−１）「気相合成法により基板材上にフィルム状ダイヤモンドを形成した後、該基板材の一部分を除去してフィルム状ダイヤモンド単層とした事を特徴とする光学用窓材及びその製造方法。」（特許請求の範囲）
（ヌ−２）「本発明は、これらの問題点を解決し、安価でしかも大面積化が可能な、光透過特性の良いダイヤモンドから成る光学用窓材を製造する方法を提供することを目的としたものである。」（第２頁左上欄第４〜７行）
（ヌ−３）「第２図（Ａ）に示す様に、厚さ５００μｍのＳｉ基板材１を用意し、・・・充分に洗浄した後、マイクロ波プラズマＣＶＤ法により、ＣＨ４＋Ｈ２の混合ガス中でＳｉ基板材上に厚さ２０μｍのフィルム状ダイヤモンド２を析出させる。
　フィルム状ダイヤモンドの気相合成法としては、前述した様にその他の気相法を用いても良く、又、基板材も他の材質例えば金属，セラミックス等を用いても良い。」（第２頁右上欄末行〜左下欄第９行）
　
IV−ル．甲第１７号証には、以下のことが記載されている。
（ル−１）「本発明の目的は、このような従来の欠点を除去せしめて、平坦な表面を有し、基板との付着力も強固な、透明な、ダイヤモンド薄膜を室温で製造するダイヤモンド合成法を提供することにある。」（第２頁左下欄第１６〜末行）
（ル−２）「（実施例１）
　基板にシリコン、炭素源にメタンガス、キャリアガスに水素を用い、基板温度を室温、圧力を０．５トール、直流放電電流密度を０．１ｍＡ／ｃｍ３、高周波周波数を１３．５６ＭＨｚ、高周波出力を１００Ｗとして３０分間反応させると、基板上に、透明膜を得た。エリプソメーターで膜厚、屈折率を評価すると、それぞれ〜５２００Å、２．４０（波長６３２８Å）であった。更に透過型電子顕微鏡で分析すると、この膜はダイヤモンドであることが判明した。」（第４頁右上欄第１〜１１行）
　
Ｖ．当審の判断
Ｖ−１．理由−２及び理由３について
Ｖ−１−１．本件発明１
　甲第６号証には、その前記（ロ−３）の摘示箇所によれば、長さ３０ｍｍ，膜厚１５〜５０μｍ，直径０．５〜１０ｍｍのパイプの自立体の試作に成功していることが記載されている。
　そして、当該パイプの自立体は、前記（ロ−１）によれば、軸対称基材をフィラメント近傍で回転させることにより得ることができる曲面成形体に該当するものであるから、熱フィラメントＣＶＤ法により製造されたものと認められるものであり、その熱フィラメントＣＶＤ法は、具体的は、前記（ロ−２）と図１の記載によれば、「基材とタングステンフィラメントとの距離が２〜３ｍｍを保つようにして基材及びタングステンフィラメントを設けた熱フィラメントＣＶＤ装置に、メタンなどの炭化水素ガスを水素で約２ｖｏｌ％に希釈した混合ガスを供給し、ダイヤモンドの析出中の圧力は３０Ｔｏｒｒとして、基材温度を約８５０℃に保ち、ダイヤモンド部品を製造する」ものである。
　更に、当該パイプの自立体は、前記（ロ−４）によれば、液体に対して不浸透性（ピンホールフリー）であり、また、前記（ロ−５）及び（ロ−６）によれば、微結晶ダイヤモンドからなるものである。
　以上のことから、甲第６号証には、
「基材とタングステンフィラメントとの距離が２〜３ｍｍを保つようにして基材及びタングステンフィラメントを設けた熱フィラメントＣＶＤ装置に、メタンなどの炭化水素ガスを水素で約２ｖｏｌ％に希釈した混合ガスを供給し、ダイヤモンドの析出中の圧力を３０Ｔｏｒｒ、基材温度を約８５０℃に保って製造してなる、微結晶ダイヤモンドからなる液体不浸透性の膜厚１５〜５０μｍのパイプの自立体」に関する発明が記載されている。
　そこで、本件発明１と甲第６号証に記載の発明とを対比する。
　まず、甲第６号証の発明のパイプの自立体は、膜厚１５〜５０μｍの壁を有するので薄膜から形成されているということができ、また、それは微結晶ダイヤモンドからなるものであるので多結晶質ダイヤモンドであるということができる。したがって、当該パイプの自立体は、本件発明１のように「多結晶質ダイヤモンド薄膜」から形成されているものである。
　次いで、そのパイプの自立体の壁（薄膜）は、自立できるものであるから本件発明１のように「独立」しており、また、液体不浸透性であるから本件発明１のように「連続」しているということができる。
　そして、そのパイプの自立体の壁（薄膜）は、その膜厚が５０μｍの場合を含むものであるから、本件発明１と同じように「少なくとも５０ミクロンの厚さを有する」ものであるということができる。
　よって、両者は、
「少なくとも５０ミクロンの厚さを有する連続しかつ独立した多結晶質ダイヤモンド薄膜」である点で一致し、以下の点で相違する。
【相違点１】当該多結晶質ダイヤモンド薄膜が、本件発明１では、「薄膜の底面に対して垂直な〈１１０〉方向を有する実質的に直立した柱状ダイヤモンド結晶、及び、ダイヤモンド結晶同士を隔離するダイヤモンド結晶粒界」を含むものであるのに対し、甲第６号証に記載の発明ではそのことが明示されない点
【相違点２】当該多結晶質ダイヤモンド薄膜が、本件発明１では、「ダイヤモンド結晶粒界、炭素転位および炭素空位の位置に存在するダングリング炭素結合を実質的に飽和させるのに十分な１００００ｐｐｍまでの化学結合した水素」を含むものであるのに対し、甲第６号証に記載の発明ではそのことが明示されない点
【相違点３】当該多結晶質ダイヤモンド薄膜につき、本件発明１では、「ダイヤモンド結晶粒界がダイヤモンド結晶底面に対して７０〜９０°の方位を有する」ものであるのに対し、甲第６号証に記載の発明ではそのことが明示されない点
【相違点４】当該多結晶質ダイヤモンド薄膜が、本件発明１では、「透明または実質的に透明な」ものであるのに対し、甲第６号証に記載の発明ではそのことが明示されない点
　以下、上記相違点につき検討する。
【相違点１について】
　甲第１３号証では、その摘示箇所である前記（チ−１）〜（チ−３）によれば、甲第６号証に記載される発明を追試験して得たダイヤモンド膜（パイプの自立体の壁）の特性が報告されるといえる。
　すなわち、甲第１３号証には文献１に記載される方法にしたがって試験したことが記載されるだけで、必ずしも甲第６号証に記載される発明を追試したことが、直接、記載されるものではないが、前記（チ−１）によれば、その追試験条件が甲第６号証に記載の発明のものと実質上一致すること、並びに、前記（チ−３）によれば、報告の末尾に甲第６号証の文献名が表示されることからみて、当該追試験は甲第６号証に記載される発明につき実施されたものであり、したがって、当該追試験で製造されたダイヤモンド膜の特性は、甲第６号証に記載される発明のダイヤモンド膜（パイプの自立体の壁）につき報告されたものと認める。
　そこで、甲第１３号証の記載をみると、まず、その前記（チ−２）によれば、そのダイヤモンド膜をＸ線回折によってその結晶配向性を評価したところ（１１０）面に強く配向していることが判り、次いで、甲第１３号証に図２として添付されるダイヤモンド膜の一部を破断してその断面を観察した断面ＳＥＭの写真によれば、そのダイヤモンド膜は、多数のダイヤモンド結晶が基板面に対して略垂直方向に逆円錐状に成長しており、かつ、その逆円錐状のダイヤモンド結晶の間には結晶粒界が存在することが判る。
　そうすると、甲第１３号証で報告されるダイヤモンド膜は、実質上、「薄膜の底面に対して垂直な〈１１０〉方向を有する実質的に直立した柱状ダイヤモンド結晶、及び、ダイヤモンド結晶同士を隔離するダイヤモンド結晶粒界」を具備するということができるものであり、そして、この甲第１３号証の報告は甲第６号証に記載の発明を追試験したものであるから、当然のこととして、甲第６号証のパイプの自立体の壁は、当該相違点に関する上記構成の構造を保有するはずである。
　してみれば、当該相違点１は、実質上の相違点とはなり得ないものであり、この点では、両者は同一である。
【相違点２について】
　同じく、甲第１３号証では、その前記（チ−２）によれば、添付された第５図における研磨したダイヤモンド膜の２８００ｃｍ−１から３０００ｃｍ−１の波長範囲にみられる吸収帯からダイヤモンド中の水素の量を計算すると、約２６００ｐｐｍであることが教示される。
　一方、甲第５号証には、「共有結合性の物質中での格子欠陥近傍の原子，あるいは結晶表面にある原子は，結合の相手を失った状態になり，反応性に富んだ不対電子が占める結合をもつ．この結合をダングリングボンドという」と記載され、かつ、ダイヤモンドは典型的な共有結合からなる物質であることからみると、甲第１３号証で報告されるダイヤモンド膜においても、その製造時のいずれかの段階で、その結晶の格子欠陥近傍あるいは結晶表面の位置に、反応性に富むダングリング結合が存在するものである。
　そして、甲第１３号証で報告されるダイヤモンド膜の製造に際しては水素ガスが供給されるものであり、かつ、上記するとおりその製造品であるダイヤモンド膜には水素が約２６００ｐｐｍ含まれるものである。
　そうすると、甲第１３号証で報告されるダイヤモンド薄膜につき、その格子欠陥近傍あるいは結晶表面の位置、すなわち、ダイヤモンド結晶粒界、炭素転位及び炭素空位の位置に存在した反応性のダングリング結合は、約２６００ｐｐｍの比率で存在する水素と優先的に化学結合することにより飽和されていることは明白なことである。このことは、甲第１２号証の前記摘示箇所（ト−２）において、気相成長（甲第６号証の発明もこれに含まれる）におけるダイヤモンドの成長は結晶表面（結晶粒界もこれに含まれる）のｓｐ３Ｃ−Ｈ結合によって飽和されることに依るものである旨示されることと、符合する。そしてまた、甲第１３号証で報告されるダイヤモンド膜は、透明なものであり、また、特段不安定といえるものではなく、当然のこととして、その水素の存在量はダイヤモンド結晶粒界、炭素転位及び炭素空位の位置に存在するダングリング炭素結合を飽和するに足るものと認められる。
　してみれば、甲第１３号証で報告されるダイヤモンド膜は、実質上、「ダイヤモンド結晶粒界、炭素転位および炭素空位の位置に存在するダングリング炭素結合を実質的に飽和させるのに十分な１００００ｐｐｍまでの化学結合した水素」を含むとの構成を具備するということができるものであり、そして、この甲第１３号証の報告は甲第６号証に記載の発明を追試験したものであるから、当然のこととして、甲第６号証のパイプの自立体の壁は、当該相違点に関する上記構成の構造を保有するはずである。
　してみれば、当該相違点２は、実質上の相違点とはなり得ないものであり、この点では、両者は同一である。
【相違点３について】
　同じく、甲第１３号では、その前記（チ−２）によれば、甲第１３号証に図２として添付されるダイヤモンド膜の一部を破断してその断面を観察した断面ＳＥＭの写真によれば、そのダイヤモンド膜では基板面に対して粒界が７５度前後の角度で存在することが確認される。
　そうすると、甲第１３号証で報告されるダイヤモンド膜については、実質上、「ダイヤモンド結晶粒界がダイヤモンド結晶底面に対して７０〜９０°の方位を有する」との構成を具備するものであり、そして、この甲第１３号証の報告は甲第６号証に記載の発明を追試験したものであるから、当然のこととして、甲第６号証のパイプの自立体の壁は、当該相違点に関する上記構成の構造を保有するはずである。
　してみれば、当該相違点３は、実質上の相違点とはなり得ないものであり、この点では、両者は同一である。
【相違点４について】
　同じく、甲第１３号では、その前記（チ−２）によれば、甲第１３号証に図３として添付される写真に示されるように、そこで報告されるダイヤモンド膜は、下の文字が透けて見え、明らかに可視光に透明であることが教示される。
　そうすると、甲第１３号証で報告されるダイヤモンド膜については、実質上、「透明または実質的に透明な」ものであるとの構成を具備するものであり、そして、この甲第１３号証の報告は甲第６号証に記載の発明を追試験したものであるから、当然のこととして、甲第６号証のパイプの自立体の壁は、当該相違点に関する上記構成の物性を有するはずである。
　してみれば、当該相違点４は、実質上の相違点とはなり得ないものであり、この点では、両者は同一である。
　以上のとおり、上記相違点１〜４に係る本件発明１の構成は、甲第６号証に記載される発明においても具備するものであり、これらの相違点は、実質上の相違点とはならない。
　よって、本件発明１は、甲第６号証に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当する。
　
Ｖ−１−２．本件発明２
　本件発明２は、本件発明１において、少なくとも５０ミクロンの厚さを有する透明または実質的に透明な多結晶質ダイヤモンド薄膜につき、当該薄膜の厚さを、「少なくとも２００ミクロンである」と更に限定するものである。
　一方、甲第６号証に記載の発明では、パイプの自立体の壁につき、その膜厚を少なくとも２００ミクロンとすることについては示されない。
　しかし、透明な多結晶質ダイヤモンド薄膜からなる甲第６号証の発明のパイプの自立体の壁は、その膜厚が厚くなれば強度等が増しそれだけ多種用途に用いることができるものであり、このことは自明なことである。
　また、甲第６号証の発明は、熱フィラメントＣＶＤ装置によりパイプの自立体の壁を作製するものであり、原理的には、その壁は化学反応により生じた物質を基板上に、順次、蒸着させることから形成されるものであって、その熱フィラメントＣＶＤ装置による蒸着をより長時間持続すれば、当然のこととして、形成される壁の膜厚はそれに伴いより増大することは明白なことである。
　してみれば、透明な多結晶質ダイヤモンド薄膜からなる甲第６号証の発明のパイプの自立体の壁につき、その膜厚を厚くして、少なくとも２００ミクロン程度にすることは、当業者が容易に着想できるものである。
　そして、前記したとおり、ここで引用する本件発明１は、甲第６号証に記載された発明であって、両者の構成は一致するものである。
　してみれば、本件発明２は、甲第６号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
Ｖ−１−３．本件発明３
　本件発明３は、本件発明１において、少なくとも５０ミクロンの厚さを有する透明または実質的に透明な多結晶質ダイヤモンド薄膜につき、当該薄膜の厚さを、「５００ミクロンより厚い」と更に限定するものである。
　一方、甲第６号証に記載の発明では、パイプの自立体の壁につき、その膜厚を５００ミクロンより厚いものとすることについては示されない。
　しかし、Ｖ−１−２．で説示した理由と同じ理由により、その薄膜の膜厚を５００ミクロンより厚いものとすることは、当業者が容易に着想できるものである。
　そして、前記したとおり、ここで引用する本件発明１は、甲第６号証に記載された発明であって、両者の構成は一致するものである。
　してみれば、本件発明３は、甲第６号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
Ｖ−１−４．本件発明４
　本件発明４は、本件発明１において、少なくとも５０ミクロンの厚さを有する透明または実質的に透明な多結晶質ダイヤモンド薄膜につき、当該薄膜の厚さを、「５００ミクロンより厚く５０００ミクロンまでである」と更に限定するものである。
　一方、甲第６号証に記載の発明では、パイプの自立体の壁につき、その膜厚を５００ミクロンより厚く５０００ミクロンまでであるとすることについては示されない。
　しかし、Ｖ−１−２．で説示した理由と同じ理由により、その薄膜の膜厚を５００ミクロンより厚く５０００ミクロンまでであるとすることは、当業者が容易に着想できるものである。
　そして、前記したとおり、ここで引用する本件発明１は、甲第６号証に記載された発明であって、両者の構成は一致するものである。
　してみれば、本件発明４は、甲第６号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
Ｖ−１−５．本件発明５
　前記Ｖ−１−１．で説示したとおり、甲第６号証には、
「基材とタングステンフィラメントとの距離が２〜３ｍｍを保つようにして基材及びタングステンフィラメントを設けた熱フィラメントＣＶＤ装置に、メタンなどの炭化水素ガスを水素で約２ｖｏｌ％に希釈した混合ガスを供給し、ダイヤモンドの析出中の圧力を３０Ｔｏｒｒ、基材温度を約８５０℃に保って製造してなる、微結晶ダイヤモンドからなる、液体不浸透性の膜厚１５〜５０μｍのパイプの自立体の製造方法」に関する発明が記載されている。
　そこで、本件発明５と甲第６号証に記載の発明とを対比する。
　甲第６号証の発明の「基材」、「タングステンフィラメント」、「熱フィラメントＣＶＤ装置の内部」は、本件発明５の「基体」、「加熱されたフィラメント」及び「熱フィラメント」、「反応域」にそれぞれ相当するので、これを基に以下に検討を進める。
　甲第６号証の発明のダイヤモンドの製造においては、低圧下に、メタンを熱により反応処理してダイヤモンド化するものであるから、そこにおいては、何らかの活性の炭素−水素化学種が生成するはずであり（必要ならば、甲第１２号証の摘示記載を参照）、したがって、その反応域では、本件発明５と同じように、「活性の炭素−水素化学種が生成する」ものである。　
　甲第６号証の発明は、熱フィラメントと基材との距離が２〜３ｍｍであり、これは、本件発明の同距離の数値を満たし、また、甲第６号証の発明は、基材の表面温度が約８５０℃に保たれるのであるから、本件発明５の「基体の表面に６００〜１０００℃の温度を提供する」との構成を満たす。次に、甲第６号証の発明は、メタンを水素で約２ｖｏｌ％に希釈した混合ガスを供給するのであるから、本件発明５の「水素およびメタンの全容積を基準として１．５〜２容量％のメタンを含有する水素−メタン混合ガスを導入する」との構成を満たす。
　そして、甲第６号証の発明は、本件発明５で引用する本件請求項１に係る発明（本件発明１）の透明または実質的に透明な多結晶質ダイヤモンド薄膜と同一であることは、前記Ｖ−１−１．で説示したとおりである。
　よって、両者は、
「活性の炭素−水素化学種を生成し、そして加熱されたフィラメントから０．３〜１ｃｍの距離に維持された基体の表面に６００〜１０００℃の温度を提供するのに十分な加熱フィラメント反応域に水素およびメタンの全容積を基準として１．５〜２容量％のメタンを含有する水素−メタン混合ガスを一定の圧力の下で前記加熱フィラメント反応域内に導入することからなる、本件請求項１記載の透明または実質的に透明な多結晶質ダイヤモンド薄膜の製造方法」である点で一致し、以下の点で相違する。
【相違点５】前記一定の圧力が、本件発明５では「０．４〜３．２ｋｐａ（３〜２４Ｔｏｒｒ）」であるのに対して、甲第６号証に記載の発明ではその圧力が３０Ｔｏｒｒとなっており、その数値が一致しない点
　以下、この相違点につき検討する。
【相違点５について】
　甲第６号証に記載の発明は、熱フィラメント反応域に水素及びメタン等の炭化水素の混合ガスを供給し、ダイヤモンドを化学的に蒸着させるものである。
　そして、このようにフィラメント反応域に水素及びメタン等の炭化水素の混合ガスを供給し、ダイヤモンドを化学的に蒸着させる場合には、そのフィラメント反応域の圧力として５〜１００Ｔｏｒｒ程度に設定することは当分野における周知・慣用技術〔必要ならば、甲第１１号証の前記（ヘ−２）、甲第１５号証の前記（リ−１）、特開平１−２１６５６０号公報の第３頁左上欄第１〜１３行、特開昭６３−２８５１９２号公報の特許請求の範囲及び第５頁左上欄第１２〜１８行、等を参照〕となっている。
　してみれば、甲第６号証に記載の発明において、その反応域である熱フィラメントＣＶＤ装置の内部の圧力を、上記周知・慣用の数値を基に、３０Ｔｏｒｒからその近辺の５〜２４Ｔｏｒｒ程度に置き換えることにより本件発明５のようにすることは、当業者が困難なく適宜なし得るものである。
　また、引用例６に記載の発明において、熱フィラメントＣＶＤ装置の内部の圧力を、上記の数値に置き換えて本件発明５のようにすることによって格別予想し難い効果を奏したということもできない。
　したがって、本件発明５は、甲第６号証に記載の発明及び周知・慣用技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
Ｖ−１−６．理由−２及び理由３についての結論
　本件発明１は、甲第１３号証に記載の発明及び当分野の周知・慣用技術（甲第５号証及び甲第１２号証に記載の技術を含む）を参照すれば、甲第６号証に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当する。
　本件発明２〜５は、甲第１３号証に記載の発明を参照すれば甲第６号証に記載の発明及び周知・慣用技術（甲第５号証及び甲第１２号証に記載の技術を含む）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
Ｖ−２．理由−１及び理由−３について
Ｖ−２−Ａ．その１（公知事実その１に基づく請求人の主張について）
Ｖ−２−Ａ−１．本件発明１
〈甲第１号証に記載されるダイヤモンド薄膜Ａの公知性〉
　請求人は、甲第１号証を提示して、これが、独立行政法人物質・材料研究機構理事　理学博士加茂睦和が１９８８年１０月に旧科学技術庁無機材質研究所において合成したダイヤモンド薄膜（以下、必要に応じて、「ダイヤモンド膜Ａ」という）の写真である旨主張する。
　そして、甲第２−１号証の理学博士加茂睦和の主張によれば、１９８８年１０月２７〜２８日に「筑波ダイヤモンドシンポジウム」が開催され、その参加者が旧無機材質研究所を見学し、その場においてその参加者に、１９８８年１０月に旧科学技術庁無機材質研究所において合成したダイヤモンド薄膜を、見せると共にその製作条件及び特性などを説明したというものである。この時の参加者名簿は、甲第２−２号証として提出されており、これをみると、参加者数は約１００名であって、日本国内外を問わず各分野の者が参加している。
　そうすると、当該ダイヤモンド薄膜Ａは、本件出願前に日本国内において公然知られたものであると認めることができる。
〈対比、判断〉
　次に、ダイヤモンド薄膜Ａの構成につき、当該ダイヤモンド薄膜Ａを合成した加茂睦和作成による意見書である甲第２−１号証の記載、及び、当該ダイヤモンド薄膜Ａを測定した結果を記す甲第４号証の記載をみると、ダイヤモンド薄膜Ａは、
「化学蒸着薄膜をＳｉ基板上に形成した後、基板を溶解除去して得たダイヤモンド薄膜であって、
　厚みが２２μｍであり、
　結晶の配向が（１１０）配向であり、
　結晶性がダイヤモンド結晶であり、
　水素含有量が９６００ｐｐｍであり、
　結晶構造が、薄膜の底面に対して多数の垂直な柱状結晶と、薄膜の底面に対して７０〜９０°の方位を有している粒界とからなる、ダイヤモンド薄膜」に関するものであることが解る。
　そこで、本件発明１と上記のダイヤモンド薄膜Ａとを対比する。
　甲第５号証の前掲した記載によれば、ダイヤモンド薄膜Ａにおいては、その製造時のいずれかの段階で、その結晶の格子欠陥近傍あるいは結晶表面の位置に、反応性に富むダングリング結合が存在するものである。また、甲第１２号証には、その前記（ト−１）及び（ト−２）によれば、大気圧以下の条件で形成される、すなわち、化学蒸着により形成されるダイヤモンドは、水素が炭素とｓｐ３Ｃ−Ｈ結合を形成することにより得ることができることが示される。そして、ダイヤモンド薄膜Ａは水素を９６００ｐｐｍの比率で含むものである。
　そうすると、ダイヤモンド薄膜Ａにあっても、その格子欠陥近傍あるいは結晶表面の位置、すなわち、ダイヤモンド結晶粒界、炭素転位及び炭素空位の位置に存在した反応性のダングリング結合は、９６００ｐｐｍの比率で存在する水素と優先的に化学結合することにより飽和されていることは明白なことである。そして、当該ダイヤモンド膜Ａは、透明なものであり、また、特段不安定といえるものではなく、当然のこととして、その水素の存在量はダイヤモンド結晶粒界、炭素転位及び炭素空位の位置に存在するダングリング炭素結合を飽和するに足るものと認められる。　
　また、ダイヤモンド薄膜Ａは、薄膜の底面に対して多数の垂直な柱状結晶からなり、その結晶の配向は（１１０）であるから、本件発明１と同じように、「薄膜の底面に対して垂直な〈１１０〉方向を有する実質的に直立した柱状ダイヤモンド結晶」を有するといえる。
　よって、両者は、
「薄膜の底面に対して垂直な〈１１０〉方向を有する実質的に直立した柱状ダイヤモンド結晶、ダイヤモンド結晶同士を隔離するダイヤモンド結晶粒界およびダイヤモンド結晶粒界、炭素転位および炭素空位の位置に存在するダングリング炭素結合を実質的に飽和させるのに十分な１００００ｐｐｍまでの化学結合した水素を含み、ダイヤモンド結晶粒界がダイヤモンド結晶底面に対して７０〜９０°の方位を有する、連続しかつ独立した透明または実質的に透明な多結晶質ダイヤモンド薄膜」である点で共通し、以下の点のみで相違する。
【相違点ａ】透明または実質的に透明な多結晶質ダイヤモンド薄膜の厚みにつき、本件発明１では、「少なくとも５０ミクロンの厚さを有する」とするのに対し、ダイヤモンド薄膜Ａではその厚みが２２μｍであって、その数値が一致しない点
　以下、この相違点ａにつき検討する。
　透明なダイヤモンド薄膜Ａはその膜厚が厚くなれば強度等が増しそれだけ多種用途に用いることができることは自明なことである。
　また、当該ダイヤモンド薄膜は、化学反応により生じた物質を基板上に、順次、蒸着させることから形成されるものであって、その蒸着をより長時間持続すれば、当然のこととして、形成される膜厚はそれに伴いより増大することは明白なことである。
　してみれば、ダイヤモンド薄膜Ａにおいて、その２２μｍである膜厚を厚くして、少なくとも５０ミクロン程度にすることは、当業者が容易に着想できるものである。
　また、そのことにより予想し難い顕著な効果を奏するものでもない。
　したがって、本件発明１はダイヤモンド薄膜Ａに係る発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
Ｖ−２−Ａ−２．本件発明２〜４
　本件発明２〜４は、その膜厚を、少なくとも２００ミクロン、５００ミクロンより厚い、又は、５００ミクロンより厚く５０００ミクロンまでであると限定するものであるが、上記する理由と同じ理由により、そのように膜厚を厚くすることは、当業者が容易に着想できるものであり、また、そのことにより予想し難い効果を奏するものであるということもできない。
　そして、本件発明２〜４で引用するところの本件発明１は、上記するように、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本件発明１はダイヤモンド薄膜Ａに係る発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
Ｖ−２−Ａ−３．理由−１及び理由−３についての〈その１〉の結論
　甲第２−１、及び２−２号証号証により、甲第１号証に記載されたダイヤモンド薄膜Ａに係る発明が本出願前に公然知られた発明であると認められ、そして、本件発明１〜４は、甲第２−１及び４号証に記載の発明を参照することにより、本出願前に公然知られたそのダイヤモンド薄膜Ａに係る発明、本件出願前に頒布された刊行物に該当する甲第６、１２、１６、１７号証に記載の発明、及び、当該分野の周知・慣用技術（甲第５号証に記載される技術を含む）に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
Ｖ−２−Ｂ．その２（公知事実その２に基づく請求人の主張について）
Ｖ−２−Ｂ−１．本件発明１
〈甲第７−２号証に記載される発明の公知性〉
　甲第７−１号証は、無機材料研究所のSeiichiro　MATSUMOTOの宣誓供述書でありであり、そこには、「１９８９年５月７日〜１２日にロサンゼルス市で開催された電気化学学会の年会において、C．Wild，N．Herres，J．Wagner，P．Koidl，andT．R．Anthonyによる「OPTICAL　AND　STRUCTURAL　CHARACTERIZATION　OF　CVD　DIAMOND」という論文の発表をC．Wildから聞いた。１９８９年５月２２日〜６月１４日の間に、私の求めに応じて、Peter　Koidl教授が送付した上記論文の前刷りをエアメールで受け取った。
　以上のことを証明するために、次の資料を添付した。
　同封１：Koidl教授により私に送られた前刷りのコピー
　同封２：前刷りに添付された１９８９年５月２２日付けの書簡のコピー
　同封３：前刷りの受領を知らせる１９８９年６月１４日付けのKoidl教授への書簡のコピー」旨、記載される。
　そして、上記同封１の「論文の前刷りのコピー」に該当するものとして甲第７−２号証が提示されており、上記同封２に該当するものとして甲第７−３号証及び上記同封３に該当するものとして甲第７−４号証が提示されている。
　このように、この論文の前刷り（甲第７−２号証）は、その内容が１９８９年５月７日〜１２日にロサンゼルス市で開催された電気化学学会の年回で発表されたものであることがわかり、その要約（甲第１１号証）も発表当日には発行されているものであり、更に、前刷りに添付された甲第７−３号証には、当該前刷りの記載内容を秘密にする旨を要請した記載はないものである。
　以上のことからみると、無機材料研究所のSeiichiro　MATSUMOTOは当該論文の前刷りに記載される内容につき守秘義務を負っていなかったものと認められる。
　そしてまた、甲第７−４号証においては、無機材料研究所のSeiichiro　MATSUMOTOは当該論文の前刷りの受領を、１９８９年６月１４日付けで知らせるものである。
　してみれば、無機材料研究所のSeiichiro　MATSUMOTOが甲第７−２号証（前刷り）を受取った段階、すなわち、少なくとも前刷りの受領を知らせる１９８９年６月１４日以降においては、甲第７−２号証に記載される発明は、日本国内において公然知られる発明になったといえる。
〈対比、判断〉
　甲第７−２号証には、前記摘示箇所（ハ−１）によれば、シリコン基板上に、ホットフィラメントを用いたマイクロウエーブプラズマ蒸着により、薄膜を析出し、その後、基板を取り除いて、ＧＥサンプルであるダイヤモンド薄膜（ダイヤモンドウエハー）を得たことが記載され、
具体的には、前記摘示箇所（ハ−１）によれば、
「１．５ｖｏｌ％のメタンを含む水素ガスをプロセスガスとして用い、圧力を１３ｍｂａｒとなし、析出温度を９００℃とし、タングステンフィラメントの温度を２０５０℃としてなる」との析出条件を採用し、そして、前記摘示箇所（ハ−１）〜（ハ−５）によれば、その結果、
「サンプル表面に平行な（１１０）面の選択的配向を持った繊維組織を有するものであって、その繊維は円柱状構造を示し、そして、Ｃ−Ｈ結合を形成する水素の濃度が１ａｔ％以下であり、厚さが４００μｍであり、基板が取り除かれてなる自立性多結晶ダイヤモンド薄膜」を得たとの発明が記載されているものである。
　そこで、本件発明１と上記の甲第７−２号証に記載の発明とを対比する。
　甲第７−２号証の発明の多結晶ダイヤモンド薄膜は、円柱状構造である繊維からなる繊維組織を有するものであって、当該繊維組織の繊維は柱状ダイヤモンド結晶に相当し、当該繊維組織の繊維の隙間には通常結晶粒界が存在することは明らかであるので、当該多結晶ダイヤモンド薄膜は、本件発明１と同じように、「柱状ダイヤモンド結晶、そのダイヤモンド結晶同士を隔離するダイヤモンド結晶粒界」を有する。そして、その多結晶ダイヤモンド薄膜は基板面に垂直に成長するものであり、かつ、その繊維組織は、サンプル表面に平行な（１１０）面の選択的配向を持つものであって、この場合〈１１０〉方向とは（１１０）面の法線方向を指すものであるので、その繊維組織の繊維は、本件発明１と同じように、「薄膜の底面に対して垂直な〈１１０〉方向を有する実質的に直立した」柱状ダイヤモンド結晶を持つものであるといえる。
　また、甲第７−２号証の発明の多結晶ダイヤモンド薄膜は、上記したとおり、その繊維（柱状ダイヤモンド結晶）は、薄膜の底面に対して垂直な〈１１０〉方向を有し実質的に直立しているので、その繊維間に存在す結晶粒界は同じく薄膜の底面に対して垂直となり、これにより、本件発明１の「ダイヤモンド結晶粒界がダイヤモンド結晶底面に対して７０〜９０°の方位を有する」との構成を満たす。そしてまた、当該多結晶ダイヤモンド薄膜は、膜を構成しているので「連続した」ものであるといえ、また、基板が取り除かれて自立できるのであるから「独立した」ものであるといえる。
　よって、両者は、
「薄膜の底面に対して垂直な〈１１０〉方向を有する実質的に直立した柱状ダイヤモンド結晶、ダイヤモンド結晶同士を隔離するダイヤモンド結晶粒界を含み、ダイヤモンド結晶粒界がダイヤモンド結晶底面に対して７０〜９０°の方位を有する、少なくとも５０ミクロンの厚さを有する連続しかつ独立した多結晶質ダイヤモンド薄膜」というものである点で共通し、以下の点で相違する。
【相違点イ】当該ダイヤモンド薄膜につき、本件発明１では、「ダイヤモンド結晶粒界、炭素転位および炭素空位の位置に存在するダングリング炭素結合を実質的に飽和させるのに十分な１００００ｐｐｍまでの化学結合した水素を含む」ものであるのに対し、甲第７−２号証に記載の発明ではそのことが明示されない点
【相違点ロ】当該ダイヤモンド薄膜につき、本件発明１では、「透明または実質的に透明な」ものであるというのに対し、甲第７−２号証に記載の発明ではそのことが明示されない点
　以下、これら相違点につき検討する。
【相違点イについて】
　甲第５号証には、「共有結合性の物質中での格子欠陥近傍の原子，あるいは結晶表面にある原子は，結合の相手を失った状態になり，反応性に富んだ不対電子が占める結合をもつ．この結合をダングリングボンドという．」と記載され、かつ、ダイヤモンドは典型的な共有結合からなる物質であることからみると、甲第７−２号証の発明のダイヤモンド膜においても、その製造時のいずれかの段階で、その結晶の格子欠陥近傍あるいは結晶表面の位置に、反応性に富むダングリング結合が存在するものである。
　そして、甲第７−２号証の発明では、その製造段階で水素ガスをプロセスガスとして用い、かつ、そのダイヤモンド薄膜にはＣ−Ｈ結合を形成する水素の濃度が１ａｔ％以下、すなわち、１００００ｐｐｍ以下であるというものである。
　そうすると、甲第７−２号証の発明のダイヤモンド薄膜においては、その格子欠陥近傍あるいは結晶表面の位置、すなわち、ダイヤモンド結晶粒界、炭素転位及び炭素空位の位置に存在した反応性のダングリング結合は、１ａｔ％以下の比率で存在する水素と優先的に化学結合することにより飽和されてＣ−Ｈ結合を形成していることは明白なことである。このことは、甲第１２号証の前記摘示箇所（ト−２）において、気相成長（甲第７−２号証の発明もこれに含まれる）におけるダイヤモンドの成長は結晶表面（結晶粒界もこれに含まれる）のｓｐ３Ｃ−Ｈ結合によって飽和されることに依るものである旨示されることと、符合する。
　そしてまた、甲第７−２号証の発明のダイヤモンド膜は特段不安定といえるものではなく、当然のこととして、その水素の存在量はダイヤモンド結晶粒界、炭素転位及び炭素空位の位置に存在するダングリング炭素結合を飽和するに足るものと認められる。
　してみれば、甲第７−２号証に記載されるダイヤモンド膜は、実質上、「ダイヤモンド結晶粒界、炭素転位および炭素空位の位置に存在するダングリング炭素結合を実質的に飽和させるのに十分な１００００ｐｐｍまでの化学結合した水素」を含むとの構成を具備するということができるものである。
　したがって、当該相違点イは、実質上の相違点とはなり得ないものであり、この点では、両者は同一である。
【相違点ロについて】
　本件発明１でいう「透明または実質的に透明な」とは、後記（Ｖ−３−２−３．）するように、その意味するところが不明瞭なものであって、赤外線領域、紫外線領域等の電磁波を透過させる態様を含み得るものである。そして、甲第７−２号証の図２にはＣＶＤダイヤモンド（ＧＥ）につき赤外線吸収スペクトルが示されるが、このスペクトルでは、当該ダイヤモンドが断続的にではあるが広い波数の範囲にわたり赤外光を殆ど吸収せず、すなわち、透過するものである。してみれば、甲第７−２号証の発明のダイヤモンド薄膜は、実質上、透明であるといえるものである。
　また、加茂睦和の意見書である甲第２−１号証の第２頁目第１７〜２５行の記載「私が開発した、マイクロ波ＰＡＣＶＤ法によって成長させると不純物の混入がほとんどなく透明なダイヤモンドを得ることができる。・・・。ダイヤモンド以外の基板上に成長したダイヤモンドの表面は、結晶成長したダイヤモンドの細かい粒子のために磨りガラス状になり、得られたダイヤモンドが透明かどうかは、時間をかけて研磨しないとわからない。ただし、その白さから透明度は推定できた。」及び小畑龍夫の意見書である甲第１４号証第２頁第５〜８行の記載「第１発表の製造条件は、析出中の圧力が３０Ｔｏｒｒであるのに対し、ＧＥ特許の製造条件は、２４Ｔｏｒｒである点のみが異なります。・・・私たちが作製したダイヤモンド膜は、・・・。成長面はダイヤモンド粒の成長により凹凸ができ、光の散乱が起こるので外観はすりガラス状態になります。このようなダイヤモンド膜を研磨すると透明になるであろうことは、当時の研究者たちにも予見されていました。」等における報告で明らかなように、化学蒸着により得られたダイヤモンド薄膜は、通常、その表面は摺りガラス状であるが、これを研磨すると可視光で透明になるものである。そして、甲第７−２号証の発明のダイヤモンド薄膜の製造方法は本件明細書に記載される製造方法とその製造条件において極めて類似するものである。してみれば、甲第７−２号証の発明のダイヤモンド薄膜についても、それを研磨することにより、本件発明１のものと同様に透明性が発現するものといえる。
　以上のことから、甲第７−２号証の発明は、そのダイヤモンド薄膜が本件発明１と同じように実質的に透明であると認められ、したがって、この相違点は実質上の相違点とはならない。
　また、仮に、甲第７−２号証の発明のそのダイヤモンド薄膜が透明または実質的に透明なものであると断定できないとしても、これを、本件発明１と同じように透明または実質的に透明なものとすることは当業者が容易に想到できるものである。すなち、薄膜状のダイヤモンドが透明である、ないしは、それを透明とすることができることは周知・慣用の事項である〔必要ならば、甲第１４号証、甲第１６号証、甲第１７号証、甲第２０号証の図８、等を参照〕。そして、ダイヤモンド薄膜を透明とすることができるならば、その用途が広がることはいうまでもない。してみれば、甲第７−２号証の発明のダイヤモンド薄膜につき、それを、本件発明１のように透明にしようと着想することは当業者が容易になしうるものである。
　そうすると、当該相違点に関する構成は、甲第７−２号証に記載の発明においても具備するものであって、当該相違点が実質的な相違点とはならないものであり、また、そうでないとしても、当該相違点に関する構成については当業者が容易に想到できるものである。
　したがって、本件発明１は、本件出願前に日本国内において公然知られた甲第７−２号証に記載の発明であって、特許法第２９条第１項第１号に該当する。そうでないとしても、本件発明１は、本件出願前に日本国内において公然知られた甲第７−２号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
Ｖ−２−Ｂ−２．本件発明２
　本件発明２は、本件発明１において、そのダイヤモンド薄膜の厚さを、「少なくとも２００ミクロンである」と更に限定するものである。
　しかし、甲第７−２号証に記載の発明は、そのダイヤモンド薄膜の厚みが４００μｍであり、当該構成を満たすものである。
　そして、前記したとおり、この発明で引用する本件発明１は甲第７−２号証の発明と同一であり、又は、そうでないとしても甲第７−２号証等に記載の発明に基づいて当業者が容易に想到できたものである。
　してみれば、本件発明２は、本件出願前に日本国内において公然知られた甲第７−２号証に記載の発明であって、特許法第２９条第１項第１号に該当し、又は、本件出願前に日本国内において公然知られた甲第７−２号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
Ｖ−２−Ｂ−３．本件発明３及び４
　本件発明３及び４は、本件発明１において、そのダイヤモンド薄膜の厚さを、「５００ミクロンより厚い」及び「薄膜の厚さが５００ミクロンより厚く５０００ミクロンまでである」と更に限定するものである。
　一方、甲第７−２号証に記載の発明では、そこでのダイヤモンド薄膜の厚みは４００μｍであり、上記膜厚を有していない。
　しかし、甲第７−２号証に記載の発明のダイヤモンド薄膜は、その膜厚が厚くなればそれに応じて強度が増し、それだけ多種の用途に用いることができるようになるものであり、このことは当業者にとって自明なことである。
　また、甲第７−２号証の発明は、原理的には、化学反応により生じた物質を基板上に、順次、蒸着させるさせることからダイヤモンド薄膜が形成されるものであって、その蒸着を長時間持続すれば形成される膜厚はそれに伴い増大することは明白なことである。
　してみれば、甲第７−２号証の発明のダイヤモンド薄膜につき、その膜厚を厚くして、少なくとも５００ミクロン程度にすること、また、５００ミクロンより厚く５０００ミクロン程度とすることは、当業者が容易に着想できるものである。
　そして、前記したとおり、これらの発明で引用する本件発明１は甲第７−２号証の発明と同一であり、又は、そうでないとしても甲第７−２号証等に記載の発明に基づいて当業者が容易に想到できたものである。
　してみれば、本件発明３及び４は、本件出願前に日本国内において公然知られた甲第７−２号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
Ｖ−２−Ｂ−４．本件発明５
　甲第７−２号証に記載される発明は、前記Ｖ−２−Ｂ−１．〈対比、判断〉で説示したとおりの構成を具備するものである。
　そこで、本件発明５と甲第７−２号証に記載の発明とを対比する。
　甲第７−２号証の発明のＧＥサンプルである自立性ダイヤモンド薄膜（ダイヤモンドウエハー）はホットフィラメントを用いたマイクロウエーブプラズマ蒸着により析出されるのであるから、そのダイヤモンド薄膜は、ホットフィラメント反応域内で製造されることは明らかなことであり、また、そのような反応域では圧力は定圧に保たれることはいうまでもない。
　そして、甲第７−２号証の発明の「基板」、及び、「タングステンフィラメント」又は「ホットフィラメント」は、本件発明５の「基体」、及び、「加熱されたフィラメント」又は「熱フィラメント」にそれぞれ相当するので、以上のことを基に以下に検討を進める。
　甲第７−２号証の発明においては、低圧下にメタンを熱により、また、プラズマ下に反応処理することによりダイヤモンド薄膜を析出させるものであり、そこにおいては、何らかの活性の炭素−水素化学種が生成するはずであり、したがって、そのホットフィラメント反応域には、本件発明５と同じように、「活性の炭素−水素化学種が生成する」ものである。
　甲第７−２号証の発明では、析出温度が９００℃ということから、その基板の表面温度が９００℃であると認められ、これは、本件発明５の「基体の表面が６００〜１０００℃の温度」との構成を満たし、そして、この表面温度は少なくともホットフィラメントの加熱により提供されるものである。また、甲第７−２号証の発明では、１．５ｖｏｌ％のメタンを含む水素ガスを用いるというのであり、これは、本件発明５の「水素およびメタンの全容積を基準として１．５〜２容量％のメタンを含有する水素−メタン混合ガス」との構成を満たす。更に、甲第７−２号証の発明では、圧力を１３ｍｂａｒとするが、これは、反応域であるホットフィラメント反応領域の圧力が１３ｍｂａｒ（換算によると、１．３ＫＰａ又は９．７５Ｔｏｒｒ）であることを指すことが明らかであり、かつ、メタンを含む水素ガスをプロセスガスとして用いるのであるから、甲第７−２号証の発明は、本件発明５の「加熱フィラメント反応域に水素−メタン混合ガスを０．４〜３．２ｋｐａ（３〜２４Ｔｏｒｒ）の圧力の下で前記加熱フィラメント反応域内に導入する」との構成を満たす。
　また、本件発明５で引用する請求項１に記載されるダイヤモンド薄膜については、本件発明１について対比した前記Ｖ−２−Ｂ−１．で説示したとおりである。
　よって、両者は、
「活性の炭素−水素化学種を生成し、そして基体の表面に６００〜１０００℃の温度を提供するのに十分な加熱フィラメント反応域に水素およびメタンの全容積を基準として１．５〜２容量％のメタンを含有する水素−メタン混合ガスを０．４〜３．２ｋｐａ（３〜２４Ｔｏｒｒ）の圧力の下で前記加熱フィラメント反応域内に導入することからなる、本件請求項１記載（但し、下記相違点イ及びロの構成を除く）の多結晶質ダイヤモンド薄膜の製造方法」である点で共通し、以下の点で相違する。
【相違点イ】製造されるダイヤモンド薄膜につき、本件発明５では、「ダイヤモンド結晶粒界、炭素転位および炭素空位の位置に存在するダングリング炭素結合を実質的に飽和させるのに十分な１００００ｐｐｍまでの化学結合した水素を含む」ものであるのに対し、甲第７−２号証に記載の発明ではそのことが明示されない点
【相違点ロ】製造されるダイヤモンド薄膜につき、本件発明５では、「透明または実質的に透明な」ものであるというのに対し、甲第７−２号証に記載の発明ではそのことが明示されない点
【相違点ハ】基体の表面が、「加熱されたフィラメントから０．３〜１ｃｍの距離に維持された」ものであるのに対し、甲第７−２号証に記載の発明では基板（基体）とホットフィラメント（加熱されたフィラメント）を用いるものの、その基板とホットフィラメントとの距離が示されず、したがって、当該構成を具備しない点。
　以下、これらの相違点につき検討する。
　まず、相違点イ及びロについては、本件発明１について判断した前記Ｖ−２−Ｂ−１．で説示したとおりであり、相違点イ及びロについては実質的な相違点とはならず、又は、当業者が容易に想到できるものである。
【相違点ハについて】
　甲第７−２号証に記載の発明は、フィラメント反応域に水素及びメタンの混合ガスを供給し、ダイヤモンドを化学的に蒸着させるものである。
　そして、そのように、フィラメント反応域に水素及びメタン等の炭化水素の混合ガスを供給し、ダイヤモンドを化学的に蒸着させる場合には、そのフィラメントと基材の距離を０．３〜３ｃｍ程度に設定することは当分野における周知・慣用技術〔必要ならば、甲第９号証の前記（ニ−１）、甲第１０号証の前記（ホ−１）、甲第１１号証の前記（ヘ−１）、甲第１５号証の前記（リ−１）、等を参照〕となっている。
　してみれば、甲第７−２号証に記載の発明において、そのタングステンフィラメントの基材に対する距離を、上記周知・慣用の数値を基に、０．３〜１ｍｍ程度に設定して本件発明５のようにすることは、当業者が困難なく適宜なし得るものである。
　したがって、本件発明５は、本件出願前に日本国内において公然知られた甲第７−２号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
Ｖ−２−Ｂ−５．理由−１及び理由−３についての〈その２〉の結論
　甲第７−１号証、甲第７−３号証、及び甲第７−４号証を参照することにより甲第７−２号証に記載の発明は本件出願前に日本国内において公然知られた発明であると認められ、本件発明１及び２は、甲第５及び１２号証の記載を参照すれば、その公然知られた発明と同一であって、特許法第２９条第１項第１号に該当する。そうでないとしても、本件発明１及び２は、甲第７−２号証に記載され本件出願前に日本国内において公然知られた発明、本件出願前に頒布された刊行物である甲第６、１２、１６、１７号証に記載の発明、及び、当該分野の周知・慣用技術（甲第５号証に記載される技術を含む）に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　また、本件発明３〜５は、甲第７−２号証に記載され本件出願前に日本国内において公然知られた発明、本件出願前に頒布された刊行物に該当する甲第６、１２、１６、１７号証に記載の発明、及び、当該分野の周知・慣用技術（甲第５号証に記載される技術を含む）に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
Ｖ−３．理由−４について
Ｖ−３−１．理由−４の概要
　ここでの請求人の主張の概要は、本件明細書は、下記の（ａ）及び（ｂ）の点で特許法第３６条第３項に規定する要件を満たしておらず、また、下記（ｃ）の点で特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていないというものである。
（ａ）本件特許出願の優先権主張の基礎となった米国特許出願ＵＳ０７／４０７１７９号を優先権主張の基礎として欧州特許庁に出願され特許にされた欧州特許第６７６３８４号明細書に記載された実施例につき、Albert博士とWild博士が行った追試実験結果（甲第１８−１号証及び甲第１８−２号証の宣誓書添付）が、甲第１８−３号証に記載されている。
　そして、当該欧州特許第６７６３８４号明細書の実施例と、本件明細書の実施例とにおけるダイヤモンド薄膜の製造条件は同じものである。
　そうすると、甲第１８−３号証に記載のものは、本件明細書記載の実施例を追試したことになるが、そこでは、本件明細書の実施例に記載されているような自立性ダイヤモンドが得られない。
　すなわち、本件明細書の実施例には、冷却する過程でダイヤモンドと基板とが分離する旨記載されているが、本件発明者は、甲第１９号証に記載されるように、ある特定の条件を付与しなければうまくダイヤモンドと基板とが分離しないことを記載している。
　また、本件明細書の実施例で用いるようなタングステンフィラメントは、反応系において炭化されるので破損しやすく、また、熱ストレスにより反応系において焼き切れてしまい、同実施例に記載されるような３０日間の蒸着は不可能である。
　したがって、甲第１８−３号証及び甲第１９号証の記載からすると、本件明細書には当業者が本件発明１〜６を当業者が容易に実施することができる程度に発明の構成が記載されていない（理由−４−ａ）。
（ｂ）本件発明１は、「少なくとも５０ミクロンの厚さを有する・・・透明または実質的に透明な」を構成要件とするので、例えば、１ｍｍ、１ｃｍ、１０ｃｍ厚の透明なダイヤモンド薄膜をも包含することになる。
　しかし、本件明細書には、約５００ミクロン厚のダイヤモンド薄膜を製造する方法が記載されているのみで、上記のような１ｃｍ、１０ｃｍ厚の透明なダイヤモンド薄膜の製造方法についてはなんらの開示がない。
　そして、甲第２０号証に記載されるようにダイヤモンド薄膜の透過率はダイヤモンド薄膜の厚さが増すにしたがって低下することは自明なことである。
　したがって、本件明細書には、本件発明１及びこれを直接又は間接的に引用する本件発明２〜６につき、当業者が容易に実施することができる程度に発明の構成が記載されていない（理由−４−ｂ）。
（ｃ）本件請求項１〜４に記載される発明は、「透明又は実質的に透明な」という構成を有しているが、本件明細書には、可視光、赤外光及び紫外光のいずれの光に対して透明であるか、また、厚みに対する透過量がどの程度のものかが記載されない。
　そうすると、本件請求項１〜４に記載される発明は、透明という構成を具備する点で、その外延が不明確となっており、本件明細書の特許請求項の範囲のは、発明の構成に欠くことができない事項のみが記載されていない（理由−４−ｃ）。
　
Ｖ−３−２．理由−４の判断
Ｖ−３−２−１．理由−４−ａについて
　本件発明１〜６は、そのダイヤモンド薄膜が、「少なくとも５０ミクロンの厚さを有する、ないしは、厚さが少なくとも２００ミクロンの、ないしは、厚さが５００ミクロンより厚い、ないしは、厚さが５００ミクロンより厚く５０００ミクロンまでであり、かつ、透明または実質的に透明な」ものであるとの構成を具備するものである。この場合、更に、本件発明１、５及び６は、その請求項の記載及び発明の詳細な説明の記載からみて、そのダイヤモンド薄膜は、２００〜５０００ミクロンの厚みを有し透明または実質的に透明なものである、という態様を含むものである。
　ところが、甲第１８号証では、本件明細書の請求項５に記載の製造条件及び実施例に記載される製造条件を満たす条件により、ダイヤモンド薄膜を製造する試験を実施したところ、「蒸着期間が７日間で、より長い時間蒸着することは不可能（カーボン沈着のためフィラメントが破損）」旨（第５頁、表のDeposition　timeの欄）示され、また、試験により製造された薄膜は、「薄膜の外観：基板から分離した細かい断片、薄膜の横方向の大きさ：裂けた断片で１ｃｍ、薄膜の透明性：不透明、薄膜の厚さ：３０−１２０μｍ」であった旨（第７頁、表の右段）示されるものであり、このように、本件明細書で開示されるダイヤモンド薄膜の製造条件では、フィラメント（タングステンフィラメント）が早期に破損し約３０日間にわたって蒸着することができないので厚みのあるダイヤモンド薄膜が得られず、また、得られたダイヤモンド膜も不透明なものであったというものである。そうすると、本件明細書の請求項５及び実施例に記載される製造条件のものからは、本件発明１〜６でいうような、厚みが５０ミクロン〜５０００ミクロンであり又は厚みが２００〜５０００ミクロンであり、かつ、透明なまたは実質的に透明なダイヤモンド薄膜は得られていないものである。
　そして、本件明細書中、他に、上記所定の厚みを有し透明又は実質的に透明なダイヤモンド薄膜を製造する条件につき説明する記載もない。
　してみれば、本件明細書には、厚みが５０ミクロン〜５０００ミクロンであり又は厚みが２００〜５０００ミクロンであり、かつ、透明なまたは実質的に透明なダイヤモンド薄膜を製造するための具体的な構成が記載されていないことになる。
　したがって、本件発明１〜６についての特許は、本件明細書に当業者が容易に実施できる程度にそれら発明の構成が記載されておらず、特許法第３６条第３項に規定する要件を満たしていない出願に対してなされたものである。
　
Ｖ−３−２−２．理由−４−ｂについて　
　請求人は、前記したとおり、本件発明１は、「少なくとも５０ミクロンの厚さを有する・・・透明または実質的に透明な」ダイヤモンド薄膜を構成要件とするので、本件請求項に係る発明は、１ｍｍ、１ｃｍ、１０ｃｍ厚の透明なダイヤモンド薄膜をも包含することになるところ、本件明細書には、上記のような１ｃｍ、１０ｃｍ厚の透明なダイヤモンド薄膜の製造方法についてはなんらの開示がない旨主張する。
　確かに、本件発明１〜６は、ダイヤモンド薄膜の厚みにつき、上限の数値が示されない。
　しかし、この分野の技術常識、とりわけ、甲第２０号証で示されるようにダイヤモンド薄膜の透過率はダイヤモンド薄膜の厚さが増すにしたがって低下するということ、また、蒸着速度は一般的に低いということからみると、際限なく厚いダイヤモンド薄膜を得ることができるものではない。
　そこで、ダイヤモンド薄膜の厚みにつき本件明細書を見ると、そこには、「蒸着技術に従って多結晶質ダイヤモンド薄膜を製造するために各種の方法が開発されているとは言え、５０〜５０００ミクロンの厚さおよび１０ｍｍを越える横寸法を有する独立した透明な多結晶質ダイヤモンド薄膜から成る窓材を得ることは今なお要望されている。」（特許公報第３欄第３６〜４０行）及び「発明の要約　本発明は、・・・水素−メタン混合ガスを導入することにより、５０ミクロン以上の厚さを有する透明な多結晶ダイヤモンド薄膜を基体上に蒸着させ得るという発見に基づいている。このようにすれば、意外にも、・・・非付着性の透明な多結晶質ダイヤモンド薄膜を毎時０．４〜１．０ミクロンの成長速度で形成することができる。こうして得られた多結晶質ダイヤモンド薄膜は、２５ｃｍを越える横方向寸法と共に、少なくとも５０ミクロンから５０００ミクロン以上にも達する厚みを有しうる。」（特許公報第３欄第４１行〜第４欄第４行）と記載され、このように、発明の課題として、５０〜５０００ミクロンの厚さを有する透明な多結晶質ダイヤモンド薄膜を得ることを挙げ、そして、ここでの発明では、５０ミクロンから５０００ミクロン以上にも達し得る、すなわち、５０００ミクロンを越えた程度までの厚みを有し得る透明な多結晶質ダイヤモンド薄膜を得ることができる旨示されるだけである。
　このように、本件明細書の記載からみると、本件発明１でいう「少なくとも５０ミクロンの厚さを有する」とは、実質上、５０ミクロンから５０００ミクロンを超えたその程度の厚みをいうものであり、請求人の主張するような、１ｃｍ、１０ｃｍ厚のものは本件発明１では想定していないというべきである。
　してみれば、本件明細書において１ｃｍ、１０ｃｍ厚の透明なダイヤモンド薄膜の製造方法が開示されておらず、また、他に、甲第２０号証にはダイヤモンド薄膜の透過率はダイヤモンド薄膜の厚さが増すにしたがって低下する例が示されているとしても、本件発明１はそもそもそのような膜厚が極めて大きいダイヤモンド薄膜を想定していない以上、請求人のここでの主張により本件明細書には本件発明１につき当業者が容易に実施できる程度に発明の構成が記載されていないとまでいうことはできない。
　また、このことは、本件発明１を直接又は間接的に引用する本件発明２〜６の場合にも当てはまるものである。
　したがって、請求人が主張するように、本件明細書には、本件発明１〜６につき、当業者が容易に実施することができる程度に発明が記載されていないとまではいえない。
　
Ｖ−３−２−３．理由−４−ｃについて
　本件明細書には、「蒸着技術に従って多結晶質ダイヤモンド薄膜を製造するために各種の方法が開発されているとは言え、５０〜５０００ミクロンの厚さおよび１０ｍｍを越える横寸法を有する独立した透明な多結晶質ダイヤモンド薄膜からなる窓材を得ることは今なお要望されている。」（特許公報第３欄第３６〜４０行）と記載されるように、蒸着技術に従って透明な厚膜のダイヤモンド薄膜を製造することを発明の目的とするものであって、本件発明１〜４の「透明または実質的に透明な」とする事項は発明の主要な構成をなすものである。
　しかし、ダイヤモンド薄膜のような媒質が透明または実質的に透明であるという場合には、媒質を通して物体を明りょうに見ることができる状態から、媒質を通して物体の存在をかろうじて認識できる半透明の状態、赤外線領域、紫外線領域等の特定の電磁波を透過させる状態など、種々の状態〔必要ならば、「物理学大事典」、丸善株式会社、平成元年６月２５日、第８５９頁左欄下から第１４行〜右欄下から第７行、等を参照〕を採り得ることが想定できるところ、本件明細書には、その「透明または実質的に透明な」につき、説明ないしは定義されるものはない。
　すなわち、本件明細書では、媒質であるダイヤモンド薄膜が、どの種類の光線をどの程度透過することにより透明または実質的に透明なものと定義できるのか、説明されないことはもとより、その実施例においてもその透明性が客観的データを以って示されるものでもなく、また、比較例との対比によりその透明性が説明されるものでもない。
　そうすると、本件発明１〜４でいう「透明または実質的に透明な」との解釈に際しては、上記するような種々の解釈が成り立つものであり、その結果、これら発明の外延が一義的に定まらないことになる。
　してみれば、本件発明１〜４のダイヤモンド薄膜の「透明または実質的透明な」との構成については、その構成の意味するところが不明瞭という外はない。
　したがって、本件明細書の特許請求項の範囲の請求項１〜４には、この理由により、発明の構成に欠くことができない事項のみが記載されているといえず、それらの特許は、特許法第３６条第４項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものである。
　
VI．まとめ
　本件請求項１及び２に係る発明の特許は特許法第２９条第１項第１号の規定に違反してなされたものであり、本件請求項１に係る発明の特許は同法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものであり、本件請求項１〜５に係る発明の特許は同法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであり、本件請求項１〜６に係る発明の特許は同法第３６条第３項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであり、また、本件請求項１〜４に係る発明の特許は同法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであり、したがって、本件請求項１〜６に係る発明の特許は、同法第１２３条第１項第１号及び第３号の規定に該当する。
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第１項で準用する同条第２項で、更に準用する民事訴訟法第６１条の規定により、被請求人で負担すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。