Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月2日(2003.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抗微生物活性の検出方法であって、以下の工程、すなわち；
被験試料用容器および供試微生物培養手段の出し入れが可能な開口部を備えた容器本体が内包する、容積５〜２００Ｌの空間に、供試微生物が接種された微生物培養手段および被験試料を並置し、
該空間を実質的に外気と遮断して所定時間静置し、および
該微生物の発育状態から、被験試料から発生する蒸気が有する抗微生物活性を判定する、
工程を含む、ことを特徴とする抗微生物活性の検出方法。
【請求項２】
前記判定の後、微生物培養手段により前記微生物を培養して観察し、被験試料の有する静菌および／または殺菌活性を判定する工程をさらに含む請求項１に記載の検出方法。
【請求項３】
前記空間に乾燥防止のための水蒸気供給手段を併設する工程をさらに含む請求項１または２に記載の検出方法。
【請求項４】
前記微生物培養手段が、供試微生物が生育可能な培地および該培地に接種された微生物を内包し、かつ接種面が前記空間に接触しうるシャーレである請求項１乃至３のいずれかに記載の検出方法。
【請求項５】
前記被験試料が、香料、精油およびそれらの混合物よりなる群から選択される請求項１乃至４のいずれかに記載の検出方法。
【請求項６】
前記被験試料が、前記容器本体の空間１Ｌに対して１〜５０μＬの量で用いられる請求項５に記載の検出方法。
【請求項７】
前記供試微生物が、カビである請求項１乃至６のいずれかに記載の検出方法。
【請求項８】
前記供試微生物が、細菌である請求項１乃至６のいずれかに記載の検出方法。
【請求項９】
前記細菌が、ブドウ球菌、緑膿菌および大腸菌よりなる群から選択される請求項８に記載の検出方法。
【請求項１０】
被験試料の抗微生物活性を検出するためのキットであって、被験試料用容器および供試微生物培養手段の出し入れが可能な開口部を備え、かつ容積５〜２００Ｌの空間を内包する容器本体、被験試料を前記容器本体の空間内に蒸散させうる該被験試料用容器、供試微生物培養手段および／または水蒸気供給手段を含む、被験試料から発生する蒸気が有する抗微生物活性を検出するためのキット。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれかに記載の抗微生物活性検出方法によって抗微生物活性を有する蒸気を発生することが示された試料。
【請求項１２】
請求項９に記載の抗微生物活性検出方法によって抗菌性を有する蒸気を発生することが示された抗菌香料。
【請求項１３】
前記抗菌香料が、ヘキシルアセテート、ヘキセニルアセテート、ヘキシルシンナミックアルデヒドまたはゲラニルニトリルである請求項12に記載の抗菌香料。
【請求項１４】
前記抗菌香料が、デセナールである請求項12に記載の抗菌香料。
【請求項１５】
前記抗菌香料が、ベンズアルデヒド、ヘキシルシンナミックアルデヒドまたはベンジルアセテートである請求項12に記載の抗菌香料。
【請求項１６】
請求項12乃至15のいずれかに記載の抗菌香料を一つ以上含有する組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月25日(2003.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
この電源回路６３から抵抗Ｒ4 を介してワンチップＩＣ６１の０ＳＣ端子に電圧が供給される。また、電池２９から電源スイッチ７１を介してスピーカ３５及びモータ２７に電源電圧が供給される。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月29日(2003.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発射レールの玉発射位置に供給された球を遊技盤に向けて発射するパチンコ機の発射装置であって、
前記発射レールの延長線から上方に離れた位置に発射ソレノイドが設けられ、前記発射ソレノイドのプランジャーと前記発射レールの玉発射位置との間には、前記プランジャーによって変位されることで前記玉発射位置にある球を叩打して発射する発射槌が設けられていることを特徴とするパチンコ機の発射装置。
【請求項２】
請求項１に記載のパチンコ機の発射装置において、発射槌は、その略中央部を中心として回動可能で、同発射槌の一端部には発射ソレノイドのプランジャーによって打撃される打撃受部が設けられ、他端部には玉発射位置にある球を叩打する叩打部が形成されていることを特徴とするパチンコ機の発射装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、請求項１の発明に係るパチンコ機の発射装置は、発射レールの玉発射位置に供給された球を遊技盤に向けて発射するパチンコ機の発射装置であって、
前記発射レールの延長線から上方に離れた位置に発射ソレノイドが設けられ、前記発射ソレノイドのプランジャーと前記発射レールの玉発射位置との間には、前記プランジャーによって変位されることで前記玉発射位置にある玉を叩打して発射する発射槌が設けられていることを特徴とする。
したがって、発射レールの延長線から上方に離れた位置に発射ソレノイドが設けられるため、発射レールの玉発射位置をパチンコ機の中心側に寄せる必要性を解消することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月11日(2003.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上述のように、ラインメモリ222 を経由して時間軸圧縮することができるが、時間軸圧縮された時、映像信号の無い個所が水平ブランキング以外の部分にも生じる。その部分の信号レベルは、通常、Ｙ信号はペデスタルレベル（映像クランプレベル) である。また、R-Y, B-Y信号は色差信号センターレベル（クランプレベル) に固定される。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図４は図３に示すシャープネス回路の詳細ブロック図であり、図５は図４の回路の各点における信号波形図である。図４において、271 及び272 は遅延要素（伝達関数Ｚ）である。また、273, 275, 277 は加算回路、274, 276は乗算回路である。なお、乗算回路274 は固定1/2 倍であり、乗算回路276 は係数Ｇを与え、この値はユーザの制御で決まる量である。さらに、伝達関数Ｚ＝ｅ-Stdと表される。また、遅延量ｔd はNTSC方式のＹ信号の場合、ｔd = 150 〜180 nsが画面鮮明度の点で有効とされる。なお、ｅは自然対数、Ｓはラプラス変換の演算子である。入力Yin 及びYoutは図２のシャープネス回路270 のそれに対応する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
【発明の実施の形態】
図７は図６の表示における従来（ｂ，ｅ，ｆ）と本発明（ｇ，ｄ’，ｆ’）の信号波形図である。波形ｂ（Yin') は図５の波形ｂに対応しており、図５の入力信号Yin を遅延量td(td=150 〜180 ns) 遅延させた信号である。波形ｅは波形ｂの２次微分波形であり、図５の波形ｅに対応する。また、波形ｆは輝度信号出力Youtであり、図５の波形ｆに対応する。波形ｆから明らかなように左右端に２次微分波形が加算される結果、画面両端部のオーバーシュート分が表示されることになる。一方、アンダーシュート分は黒より黒の加算なので目立たないことになる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、シャープネス・ブランキング信号を与えることにより画面両端のシャープネス制御を行うことができるので、従来、画面品質を低下させていた画面両端の白縦線を効果的に除去することができる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】横長ＴＶの表示モードの説明図であり、（Ａ）はフルモード表示、（Ｂ）はノーマルモード表示、（Ｃ）はＰＩＰ／ＰＯＰ表示の説明図である。
【図２】横長ＴＶ信号処理系のブロック図（その１）である。
【図３】横長ＴＶ信号処理系のブロック図（その２）である。
【図４】図３に示すシャープネス回路の詳細ブロック図である。
【図５】図４の回路の各点における信号波形図である。
【図６】ノーマルモード表示の画面説明図である。
【図７】図６の表示における従来（ｂ，ｅ，ｆ）と本発明の信号波形図( ｇ，ｄ’，ｆ’）の説明図である。
【図８】本発明による一実施形態によるシャープネス・ブランキング作成回路の詳細ブロック図である。
【図９】図８に示すシャープネス・ブランキング作成回路の各部波形図である。
【符号の説明】
100 …RF入力用アンテナ
110 …アンテナ分配器(DV)
120 …メインチューナ(I/F検波:IF1)
130 …サブチューナ(I/F検波:IF2)
140 …メインビデオ信号用セレクタ(SEL1)
150 …サブビデオ信号用セレクタ(SEL2)
SS…選択信号
155 …外部ビデオ入力端子(EXT)
160 …メインビデオY/C 分離回路(Y/C1)
170 …サブビデオY/C 分離回路(Y/C2)
180 …メイン・カラーデコーダ(D1)
190 …メイン同期分離AFC 回路(AFC1)
200 …サブ・カラーデコーダ(D2)
210 …サブ同期分離AFC 回路(AFC2)
220 …メイン・アスペクト比変換器(ARC)
230 …PIP/POP 回路
240 …ビデオ切換回路
250 …遅延線/LPF(DLY)
260 …Y/色差マトリクス回路
270 …シャープネス回路(SHP)
275 …シャープネス制御回路(SHPC)
280 …シャープネス・ブランキング作成回路(SHPB)
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月9日(2003.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上にゲ−ト絶縁膜を介して形成されたゲ−ト電極と、
前記ゲ−ト電極の両端部から素子分離膜間に形成されたソ−ス・ドレイン領域と、
メモリセル用と同一層であり、かつ同構造のキヤパシタとを具備したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体基板上のゲ−ト絶縁膜を介して形成されたゲ−ト電極から成る第１の遅延用容量部と、
前記第１の遅延用容量部となるゲ−ト電極の上部にメモリセル用と同一層であり、かつ同構造のキヤパシタから成る第２の遅延用容量部とを具備したことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記キヤパシタの対向電極は、１／２ＶＣＣに接続されるか、またはＧＮＤに接続されることを特徴する半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
そこで、本発明の半導体装置は、半導体基板上にゲ−ト絶縁膜を介して形成されたゲ−ト電極と、前記ゲ−ト電極の両端部から素子分離膜間に形成されたソ−ス・ドレイン領域と、メモリセル用と同一層であり、かつ同構造のキヤパシタとを具備したことを特徴とするものである。
また、本発明の半導体装置は、半導体基板上のゲ−ト絶縁膜を介して形成されたゲ−ト電極から成る第１の遅延用容量部と、前記第１の遅延用容量部となるゲ−ト電極の上部にメモリセル用と同一層であり、かつ同構造のキヤパシタから成る第２の遅延用容量部とを具備したことを特徴とするものである。
そして、前記キヤパシタの対向電極は、１／２ＶＣＣに接続されるか、またはＧＮＤに接続されることを特徴するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月13日(2003.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶シリコン基板上の絶縁層上に形成された結晶半導体に形成されたソース領域、ドレイン領域およびチャネル形成領域と、
前記チャネル形成領域上に形成されたゲイト絶縁膜およびゲイト電極と、
を少なくとも有するＳＯＩ構造で構成される絶縁ゲイト型半導体装置であって、
前記チャネル形成領域はキャリアが移動する領域と、
前記ドレイン領域より前記チャネル形成領域およびソース領域に向かって広がる空乏層をピニングするために局部的に形成された不純物領域と、
を有し、
前記不純物領域には電子の移動を妨げる方向にエネルギーバンドをシフトさせる不純物元素を含むことを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。
【請求項２】
単結晶シリコン基板上の絶縁層上に形成された結晶半導体に形成されたソース領域、ドレイン領域およびチャネル形成領域と、
前記チャネル形成領域上に形成されたゲイト絶縁膜およびゲイト電極と、
を少なくとも有するＳＯＩ構造で構成される絶縁ゲイト型半導体装置であって、
前記チャネル形成領域はキャリアが移動する領域と、
前記ドレイン領域より前記チャネル形成領域およびソース領域に向かって広がる空乏層をピニングするために局部的に形成された不純物領域と、
を有し、
前記不純物領域には正孔の移動を妨げる方向にエネルギーバンドをシフトさせる不純物元素を含むことを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。
【請求項３】
単結晶シリコン基板上の絶縁層上に形成された結晶半導体に形成されたソース領域、ドレイン領域およびチャネル形成領域と、
前記チャネル形成領域上に形成されたゲイト絶縁膜およびゲイト電極と、
を少なくとも有するＳＯＩ構造で構成される絶縁ゲイト型半導体装置であって、
前記チャネル形成領域はキャリアが移動する領域と、
不純物元素の添加により所定のしきい値電圧に制御するために局部的に形成された不純物領域と、
を有し、
前記不純物領域には電子の移動を妨げる方向にエネルギーバンドをシフトさせる不純物元素がを含むことを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。
【請求項４】
単結晶シリコン基板上の絶縁層上に形成された結晶半導体に形成されたソース領域、ドレイン領域およびチャネル形成領域と、
前記チャネル形成領域上に形成されたゲイト絶縁膜およびゲイト電極と、
を少なくとも有するＳＯＩ構造で構成される絶縁ゲイト型半導体装置であって、
前記チャネル形成領域はキャリアが移動する領域と、
不純物元素の添加により所定のしきい値電圧に制御するために局部的に形成された不純物領域と、
を有し、
前記不純物領域には正孔の移動を妨げる方向にエネルギーバンドをシフトさせる不純物元素を含むことを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記不純物元素とは前記チャネル形成領域内において局部的にビルトイン電位差を形成するための元素であることを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。
【請求項６】
請求項１または請求項３において、
前記不純物元素とは１３族の元素であることを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記１３族の元素とはボロンであることを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。
【請求項８】
請求項２または請求項４において、
前記不純物元素とは１５族の元素であることを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記１５族の元素とはリンまたは砒素であることを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記キャリアが移動する領域は真性または実質的に真性な領域であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
実質的に真性な領域であるとは前記結晶半導体表面近傍における一導電性を付与する不純物元素の濃度が ５×１０15atoms/cm3以下であり、酸素濃度が ２×１０18atoms/cm3以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１０において、
実質的に真性な領域であるとは前記結晶半導体表面近傍における一導電性を付与する不純物元素の濃度が ５×１０15atoms/cm3以下であり、酸素濃度が １×１０17atoms/cm3以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記チャネル形成領域の幅Wに対して前記不純物領域および前記不純物領域間の幅が占有する割合をそれぞれWpi、Wpaとする時、前記W、WpiおよびWpaとの間には、Wpi／W＝0.1〜0.9 、Wpa／W＝0.1 〜0.9 、Wpi／Wpa＝1/9 〜9 の関係式が成り立つことを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記チャネル形成領域のチャネル方向に垂直な少なくとも一断面は、実質的に前記不純物領域により区切られた複数のチャネル形成領域の集合体と見なせることを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記チャネル形成領域において駆動時に生じる短チャネル効果に伴うしきい値電圧の低下は、前記不純物領域を利用することで得られる狭チャネル効果に伴うしきい値電圧の増加により緩和されることを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記不純物領域は前記結晶半導体に発生する応力を緩和する緩衝領域としての機能を有することを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記キャリアが移動する領域の幅は30〜3000Åの範囲で制御されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記不純物領域はドットパターン形状を有していることを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。
【請求項１９】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記不純物領域はチャネル方向と概略平行に形成された線状パターンであることを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。
【請求項２０】
請求項３または請求項４において、
しきい値電圧の制御は前記キャリアが移動する領域の幅を制御することで行われることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月11日(2003.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】通信方法及び電子機器


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御信号と情報信号とを混在させて伝送できる通信制御バスによって複数の電子機器が接続され、該電子機器間でＡＲＰ（Address Resolution Protocol）通信する通信方法において、
一の電子機器から他の電子機器に上記制御信号を送信し、
上記制御信号は、上記一の電子機器を固有に識別可能な電子機器識別情報と、上記一の電子機器を特定するＩＰアドレス情報と、上記他の電子機器を特定するＩＰアドレス情報と、上記一の電子機器内のメモリにおいてＩＰ通信に利用されるオフセット情報とが含まれていることを特徴とする通信方法。
【請求項２】
上記通信制御バスは、ＩＥＥＥ１３９４シリアルバスであることを特徴とする請求項１記載の通信方法。
【請求項３】
制御信号と情報信号とを混在させて伝送できる通信制御バスによって複数台接続され、ＡＲＰ（Address Resolution Protocol）通信する電子機器において、
上記通信制御バス上に接続されている一の電子機器は、
上記一の電子機器を固有に識別可能な電子機器識別情報と、上記一の電子機器を特定するＩＰアドレス情報と、上記通信制御バス上に接続されている他の電子機器を特定するＩＰアドレス情報と、上記一の電子機器内のメモリにおいてＩＰ通信に利用されるオフセット情報とが含まれている上記制御信号を生成する生成手段と、
上記生成手段で生成した上記制御信号を上記通信制御バスを介して上記他の電子機器に送信する送信手段とを備えることを特徴とする電子装置。
【請求項４】
上記通信制御バスは、ＩＥＥＥ１３９４シリアルバスであることを特徴とする請求項３記載の電子機器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばＩＥＥＥ−１３９４シリアルバス（以下１３９４バスという。）で複数の電子機器を接続し、これらの電子機器（以下ノードという。）間で通信を行う通信方法に関し、詳細にはＡＲＰ（Address Resolution Protocol）及びＲＡＲＰ（Reverse Address Resolution Protocol）に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明は、制御信号と情報信号とを混在させて伝送できる通信制御バスによって複数の電子機器が接続され、該電子機器間でＡＲＰ（Address Resolution Protocol）通信する通信方法において、一の電子機器から他の電子機器に上記制御信号を送信し、上記制御信号は、上記一の電子機器を固有に識別可能な電子機器識別情報と、上記一の電子機器を特定するＩＰアドレス情報と、上記他の電子機器を特定するＩＰアドレス情報と、上記一の電子機器内のメモリにおいてＩＰ通信に利用されるオフセット情報とが含まれていることを特徴とするものである。
また、前記課題を解決するために、本発明は、制御信号と情報信号とを混在させて伝送できる通信制御バスによって複数台接続され、ＡＲＰ（Address Resolution Protocol）通信する電子機器において、上記通信制御バス上に接続されている一の電子機器は、上記一の電子機器を固有に識別可能な電子機器識別情報と、上記一の電子機器を特定するＩＰアドレス情報と、上記通信制御バス上に接続されている他の電子機器を特定するＩＰアドレス情報と、上記一の電子機器内のメモリにおいてＩＰ通信に利用されるオフセット情報とが含まれている上記制御信号を生成する生成手段と、上記生成手段で生成した上記制御信号を上記通信制御バスを介して上記他の電子機器に送信する送信手段とを備えることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月1日(2003.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装着された記録媒体に記録されている任意の映像信号を検索し、検索された映像信号を再生し、他の装置に出力する再生手段と、
前記再生手段より出力される映像信号が示す映像を表示する表示手段と、
少なくとも１つ以上の編集プログラムの設定が可能で、設定された編集プログラムを記憶しておき、前記記憶された編集プログラムに従って前記記録媒体に記録されている映像信号を検索し再生するよう前記再生手段を制御すると共に、前記編集プログラムに従った編集記録動作を実行させるよう前記他の装置を制御する制御手段と、
前記編集動作の実行中において、前記編集プログラムにて指定された映像信号を検索して再生を開始するまでの間前記表示手段と前記他の装置とに対して前記編集プログラムに関する情報を示す情報映像信号を出力すると共に、前記検索した映像信号の再生中は前記表示手段に対して前記情報映像信号と前記再生された映像信号とを出力し、前記他の装置に対しては前記情報映像信号を出力せずに前記再生された映像信号を出力する情報映像信号出力手段とを備える編集機能内蔵再生装置。
【請求項２】
記録媒体に記録されている任意の映像信号を検索し、検索された映像信号を再生して他の装置に出力する再生手段と、
表示手段と、
少なくとも１つ以上の編集プログラムの設定が可能で、設定された編集プログラムを記憶しておき、前記記憶された編集プログラムに従って前記記録媒体に記録されている映像信号を検索し再生するよう前記再生手段を制御する制御手段と、
前記編集動作の実行中において、前記編集プログラムにて指定された映像信号を検索して再生を開始するまでの間前記表示手段と前記他の装置とに対してオンスクリーン用の文字信号を出力すると共に、前記検索した映像信号の再生中は前記表示手段に対して前記文字信号と前記再生された映像信号とを出力し、前記他の装置に対しては前記文字信号を出力せずに前記再生された映像信号を出力するオンスクリーン制御手段とを備える編集機能内蔵再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、装着された記録媒体に記録されている任意の映像信号を検索し、検索された映像信号を再生し、他の装置に出力する再生手段と、前記再生手段より出力される映像信号が示す映像を表示する表示手段と、少なくとも１つ以上の編集プログラムの設定が可能で、設定された編集プログラムを記憶しておき、前記記憶された編集プログラムに従って前記記録媒体に記録されている映像信号を検索し再生するよう前記再生手段を制御すると共に、前記編集プログラムに従った編集記録動作を実行させるよう前記他の装置を制御する制御手段と、前記編集動作の実行中において、前記編集プログラムにて指定された映像信号を検索して再生を開始するまでの間前記表示手段と前記他の装置とに対して前記編集プログラムに関する情報を示す情報映像信号を出力すると共に、前記検索した映像信号の再生中は前記表示手段に対して前記情報映像信号と前記再生された映像信号とを出力し、前記他の装置に対しては前記情報映像信号を出力せずに前記再生された映像信号を出力する情報映像信号出力手段とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月2日(2003.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属材料を、粒径が５μm以下の２価または３価の金属にかかる１種以上のりん酸塩粒子と促進成分とを含有する表面調整液に接触させた後、亜鉛イオンを０．５〜５ｇ／Ｌ、りん酸イオンを５〜３０ｇ／Ｌ含有するりん酸塩化成処理液に接触させることを特徴とする金属材料のりん酸塩化成処理方法。
【請求項２】
前記りん酸塩化成処理液が、マグネシウムイオン、コバルトイオン、マンガンイオン、カルシウムイオン、タングステン酸イオン及びストロンチウムイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種以上の金属イオンを０．１〜３．０ｇ／Ｌ含有するものである請求項１に記載の金属材料のりん酸塩化成処理方法。
【請求項３】
前記りん酸塩化成処理液がニッケルイオンを含まないものである請求項１または２いずれか１項に記載の金属材料のりん酸塩化成処理方法。
【請求項４】
前記促進成分が、単糖類、多糖類およびその誘導体から選ばれる１種以上である請求項１から３いずれか１項に記載の金属材料のりん酸塩化成処理方法。
【請求項５】
前記促進成分が、正りん酸、ポリりん酸または有機ホスホン酸化合物の１種以上である請求項１から３いずれか１項に記載の金属材料のりん酸塩化成処理方法。
【請求項６】
前記促進成分が、酢酸ビニルの重合体またはその誘導体もしくは酢酸ビニルと共重合可能な単量体と酢酸ビニルとの共重合体からなる水溶性高分子化合物の１種以上である請求項１から３いずれか１項に記載の金属材料のりん酸塩化成処理方法。
【請求項７】
前記促進成分が、下記化学式１に示される単量体もしくはα、β不飽和カルボン酸単量体の中から選ばれる少なくとも１種以上と、前記単量体と共重合可能な単量体50重量％以下とを重合して得られる重合体または共重合体の１種以上である請求項１から３いずれか１項に記載の金属材料のりん酸塩化成処理方法。
【化１】
Ｈ2Ｃ＝Ｃ(Ｒ1)−ＣＯＯＲ2 ………………化学式１
(式中R1はHまたはCH3、R2はH、Cが1〜5のアルキル基またはCが1〜5のヒドロキシアルキル基)
【請求項８】
前記粒径が５μm以下の２価または３価の金属にかかる１種以上のりん酸塩粒子の濃度が0.001-30g/Lである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の金属材料のりん酸塩化成処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
次に本発明の表面調整工程について詳細に説明する。本発明表面調整液中に含まれる２価もしくは３価の金属のりん酸塩粒子は、粒径が５μm以下である事が必要である。この適用外では、水溶液中に不溶性物質が安定に存在できない場合があるので好ましくない。このりん酸塩粒子は、りん酸塩の結晶が析出する際の核となるばかりでなく析出反応そのものを促進する効果を担っている。すなわち表面調整工程において金属表面に吸着した２価もしくは３価の金属のりん酸塩粒子の一部はりん酸塩化成処理浴中で溶解することによって、金属表面のごく近傍にりん酸塩結晶の主成分を供給するため、りん酸塩結晶の初期析出反応を著しく促進するのである。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月16日(2003.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
ここで、本発明の特徴的な構成要素である紫外線透過防止膜６の形成方法を詳細に説明する。本実施形態では、スピンコートにより紫外線透過防止膜６を形成している。用いたコーティング剤は日産化学工業株式会社製である。このコーティング剤は紫外線に対する反射及び吸収機能を備えたＴｉＯ2 を含有している。薄板ガラス３の表面に所定の回転速度でこのコーティング剤をスピンコートし、高圧ランプ（１４０ｍＷ）を用いて５分程度紫外線照射を行ない仮硬化させた。この後、３００℃の温度で３０分間加熱処理を行ない、スピンコートされた塗膜を焼成した。この結果、７０ｎｍ程度の厚みを有する紫外線透過防止膜６を安定的に形成することができた。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月8日(2003.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
撮像光学系１０２のピント調節は絞り５以降の光学系６で行っている。これは絞り５以降の小さな光学系６を用いてピント調節をしやすくしている。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
図５の実施形態５の表示光学系１０１と撮像光学系１０２の光の順路は図３の実施形態３と同じである。ただ、両光学系１０１，１０２のプリズム体９ａ，９ｃの間に接合体１０を設けている点が異なっている。接合体１０は接着剤又は接合レンズ等から成っている。このとき両プリズム体９ａ，９ｃと接合体１０の材質の屈折率を同じくし、撮像光学系１０２の光路分離手段４と表示光学系１０１の反射面８ａをハーフミラーにするとシースルー光学系が成り立つ。シースルー光学系の光路は外界からの光束が撮像光学系１０２のプリズム体９ｃの入射面Ｅ３に入射し、光路分離手段４（ハーフミラー）を透過し、接合体１０を通り、表示光学系１０１のプリズム体９ａの反射面８ａを透過し、射出面Ｅ２に臨界角度以下の入射角で入射して、透過して眼球１に入射している。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月17日(2003.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリカルボン酸類（Ａ）とポリオール類（Ｂ）と芳香環を含有するモノオール（ｃ）のオキシアルキレンエーテル（Ｃ）からなるポリエステル樹脂であることを特徴とする静電荷像現像用トナーバインダー。
【請求項２】
該モノオール（ｃ）が、フェノール、アルキル基置換フェノールおよびアルコキシ基置換フェノールからなる群より選ばれる１種以上のフェノール類（ｃ１）である請求項１記載のトナーバインダー。
【請求項３】
該モノオール（ｃ）が、アラルキルアルコール、アルキル基置換アラルキルアルコールおよびアルコキシ基置換アラルキルアルコールからなる群より選ばれる１種以上のアラルキルアルコール類（ｃ２）である請求項１記載のトナーバインダー。
【請求項４】
該ポリカルボン酸類（Ａ）の少なくとも一部が３価以上のカルボン酸類（Ａ２）である請求項１〜３のいずれか記載のトナーバインダー。
【請求項５】
該ポリオール類（Ｂ）の少なくとも一部が３価以上のアルコール類（Ｂ２）である請求項１〜４のいずれか記載のトナーバインダー。
【請求項６】
該オキシアルキレンエーテル（Ｃ）の常圧での沸点が、２２０℃以上である請求項１〜５のいずれか記載のトナーバインダー。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月25日(2003.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
シラン、ジシラン、これらのハロゲン化物、更には四塩化珪素、四弗化珪素等の珪素化合物ガスは半導体製造において、エピタキシャル成長や珪素の酸化膜および窒化膜の成長の際の原料として有効に使用されている。これらの珪素化合物ガス中には製造される半導体の品質に悪影響を及ぼすシロキサンが混在しているのが実状であり、これを除去して使用している。そして半導体の高集積化に伴いそのシロキサン含有量を極力低減した高純度の珪素化合物ガスの出現が望まれてきている。これと共に当該珪素化合物ガス中のシロキサンの検出の下限感度が益々微少（数ｐｐｂ以下）である分析技術の開発が必要不可欠となってきている。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
しかるに、従来の珪素化合物ガス中のシロキサンは、熱伝導度型ガスクロマトグラフィ（以下「ＴＣＤ−ＧＣ」という。）を検出器として使用して分析されている。そしてこの方法では、分離カラムとしてステンレス鋼製の管にジビニルベンゼン（ＤＶＢ）等の多孔質高分子剤よりなるポラパックＰやポラパックＱ（いずれも米国Ｗａｔｅｒｓ社製商品名）を充填して、これにより各成分を分離して測定するものである。この方法によるとシロキサンの検出感度はせいぜい０．５〜１ｐｐｍ（５００〜１０００ｐｐｂ）であって、上記した必要とされる数ｐｐｂの検出は不可能であった。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
このような状態でキャリアーガス導入管７より質量分析計６にキャリアーガス源Ｈｅからヘリウムガスを流し、一方試料採取管２を１００℃以上の温度に加熱器４で加熱すると共に、管２０より弁２１を介して試料導入管１１にヘリウムガスや窒素ガスの如き不活性ガスを供給し、そしてこの不活性ガスを試料採取管２内に流通せしめて流量計Ｆを介して大気放出する。このようにして試料採取管２内を充分加熱洗浄した後、加熱を停止しついで冷却器３に管端３Ａより弁３Ｃを介して液体窒素の如き冷媒を流して試料採取管２を冷却する。冷却温度は分析対象であるシロキサンを完全に捕獲することが必要であることから、シロキサンの沸点であるー１５℃と融点ー１４４℃の間の温度が好ましい。ー１５℃以上の温度ではシロキサンが凝縮せずガス状で試料採取管２を流通して大気に放出され真値が得られない。またー１４４℃以下の温度ではシロキサンが凝固し、次工程の分析時にこれを気化するのに時間を要するばかりか、冷却のための費用も嵩む等の不都合が生じる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
所定の流量を流した後、６方位置切り替え弁９を回転操作（例えば時計と同方向）して、図２に図示した如く９３ａ−８Ａ、９３ｂー１１Ａ、９３ｃー１２Ａ、９３ｄー１３Ａ、９３ｅ−７Ａ、９３ｆー１４Ａ等の位置に弁体９２の各連結口と弁箱９１の各管端開口とを係合せしめる。その結果、貯蔵容器１ー流量計Ｆー大気放出の流通管路とキャリアガス源Ｈｅー試料採取管２ー質量分析計６の流通管路との２つの流通管路を形成するように切り替えられ、試料採取管２に導入されていた珪素化合物ガスは容器１より流量計Ｆを通り管端開口８Ｂより除害筒で除害された後大気に放出される。一方キャリアーガス源Ｈｅからヘリウムガスがキャリアーガス導入管７より管１４を経て試料採取管２に導入され、該採取管２を流通して管１２、管１３を経て質量分析計６に導入される。そして弁３Ｃを閉じて冷却器３への冷媒の供給を停止して、試料採取管２の冷却を止めるとともに、加熱器４を作動して試料採取管２加熱する。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
表１に示したようにシロキサンの沸点はー１５℃であり、他の珪素化合物ガスの沸点はシロキサンより低温度であったり、高い温度であったりして、その沸点温度にシロキサンと差がある。従って、シロキサンの沸点（ー１５℃）より低い沸点温度の組成分は先の工程での冷却温度ー１４４℃より加熱して温度を徐々に上昇させて行く間にシロキサンの沸点に達するまでに既に気化し、試料採取管に導入されるキャリアガスに同伴されて先んじて質量分析計６に搬送される。また一方、シロキサンの沸点（ー１５℃）より高い沸点の組成分はシロキサンの気化するー１５℃の温度近辺の温度では未だ気化せず液体状態を保持している。従ってー１０〜ー１５℃の温度に達すると試料採取管２内に保持されているシロキサンの凝縮液のみが気化し始め、この気化したシロキサンは試料採取管２に導入されているキャリアーガスに同伴されて質量分析計６に搬送される。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ついで、６方位置切り替え弁９を操作して図２に示す如く管路を質量分析計６による分析測定工程に切り替えるとともに、冷却器３による冷却を停止し加熱器４を作動せしめて試料採取管２を約１０℃／分の昇温速さで徐々に昇温した。この結果、キャリアーガス導入管７より供給されるキャリアーガス源Ｈｅからヘリウムガスが試料採取管２に導入され、そして前記徐々なる試料採取管２の昇温により、その温度が特定成分の固有の沸点に達するとこれに相当する沸点を有する成分が気化し、しかも低い沸点の成分の順に気化し、ヘリウムガスに同伴されて質量分析計６に搬送される。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
ついで、冷却を停止し、加熱器４を作動して試料採取管２を１０℃／分の昇温速度で加熱するとともに試料採取管２に備え付けの開閉弁Ｖsを開く。するとキャリアーガス導入管７から供給されているキャリアーガス源Ｈｅからヘリウムガスが試料採取管２に導入され、該管２内で気化したガスはヘリウムガスに同伴されて質量分析計６に搬送される。この実施例２では、ー９５℃の温度になると固化した四弗化珪素が融解することなしに昇華現象を起こし直ちに気化し、ヘリウムガスに同伴されて質量分析計６を経て大気に排除される。そして更に昇温を続けるとー１５℃の温度になると凝縮していたシロキサンが気化し始めヘリウムガスに伴われて質量分析計６に搬送され質量数７７の質量数位置でシロキサンの含量が測定される。この結果を図５にグラフで図示する。ここで質量分析計６の質量数をシロキサンに質量数７７に固定し、試料採取管２の開閉弁Ｖs開いてー１１０℃から１０℃／分の昇温速度で昇温し始めてからの昇温時間（分）に伴う質量数７７の相対的検出量を表示した。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月22日(2003.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式〔Ｉ〕で表されるエステル基を分子内に有し、且つ酸の作用により分解しアルカリ溶液に対する溶解性が増加する樹脂と、活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
【化１】
1998239846.tif 000001
（式中、Ｒ1 〜Ｒ4 は、同じでも異なってもよく、水素原子又はアルキル基を表す。ｍは１又は２を表す。
【請求項２】
前記樹脂が、下記一般式〔II〕で示される単量体に相当する繰り返し構造単位を含み、且つ酸の作用により分解しアルカリ溶液に対する溶解性が増加する樹脂であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【化２】
1998239846.tif 000002
（式中、Ｒ1 〜Ｒ4 及びｍは請求項１に記載のものと同義である。Ｒ5 は水素原子またはメチル基を表す。Ａは単結合、アルキレン基、置換アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフォンアミド基、ウレタン基、ウレア基の中から選ばれる１つの基もしくはそれら２つ以上を組み合わせた基を表す。）
【請求項３】
前記樹脂が、更に脂肪族環状炭化水素部位を有する繰り返し構造単位を含むことを特徴とする請求項１または２に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項４】
前記樹脂が、更に酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を有する繰り返し構造単位を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするポジ型パターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月22日(2003.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び
（Ｂ）下記一般式（Ｉ）、（II）又は(III）で表されるアダマンチル基を有する繰り返し構造単位の少なくとも一つと、酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基の少なくとも一つを有する樹脂を含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。
【化１】
1998239847.tif 000001
式（Ｉ）〜(III）中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ5 、Ｒ8 、Ｒ9 は、同じでも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基又はハロアルキル基を表す。
Ｒ4 、Ｒ7 、Ｒ10は、同じでも異なってもよく、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有していても良い、アルキル基、アルケニル基もしくはアルキニル基、又は−ＣＯ−Ｏ−Ｒ11基を表す。
Ｒ3 、Ｒ6 、Ｒ11は、同じでも異なってもよく、水素原子、置換基を有していても良い、アルキル基、単環あるいは多環のシクロアルキル基もしくはアルケニル基、又は酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を表す。
Ｘ1 〜Ｘ5 は、同じでも異なってもよく、単結合、２価のアルキレン基、シクロアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、又は−Ｎ（Ｒ12）−Ｒ13−基を表す。
Ｒ12は水素原子、アルキル基、単環あるいは多環のシクロアルキル基又はアルケニル基を表す。
Ｒ13は単結合あるいは、エーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基を有しても良い、２価のアルキレン基、シクロアルキレン基又はアルケニレン基を表す。
ｌ、ｍ、ｎは、同じでも異なってもよく、０又は１〜３の整数を示す。
ｌ、ｍ、ｎが２以上の場合は、各複数個のＲ4 、Ｒ7 、Ｒ10は同一でも異なっても良い。
【請求項２】
（Ｂ）成分の樹脂が、請求項１に記載の一般式（Ｉ）、（II）又は(III）で表される繰り返し構造単位のうち少なくとも一つと、下記一般式（IV）、（Ｖ）又は（VI）で表される繰り返し構造単位のうち少なくとも一つを有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解性が増大する樹脂であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型感光性組成物。
【化２】
1998239847.tif 000002
式（IV）〜（VI）中、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ17〜Ｒ19は、同一でも異なっても良く、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基又はハロアルキル基を表す。
Ｒ16はシアノ基、−ＣＯ−ＯＲ20又は−ＣＯ−Ｎ（Ｒ21）（Ｒ22）を表す。
Ｘ6 〜Ｘ8 は、同一でも異なっても良く、単結合、−Ｏ−、−ＳＯ2 −、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ23−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ24−、−ＣＯ−Ｎ（Ｒ25）−Ｒ26−、置換基を有していても良い、２価のアルキレン基、アルケニレン基又はシクロアルキレン基を表す。
Ｒ20は、水素原子、置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基もしくはアルケニル基、又は酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を表す。
Ｒ21、Ｒ22、Ｒ25は、同一でも異なっても良く、水素原子、置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表し、Ｒ21とＲ22が結合して環を形成しても良い。
Ｒ23、Ｒ24、Ｒ26は、同一でも異なっても良く、単結合あるいは、エーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基を有しても良い、２価のアルキレン基、アルケニレン基又はシクロアルキレン基を表す。
Ｂは酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を表す。
【請求項３】
（Ｂ）成分の樹脂が、更にカルボキシル基を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型感光性組成物。
【請求項４】
（Ｂ）成分の樹脂が、カルボキシル基を有する一般式（VII)、（VIII）又は（IX）で表される繰り返し構造単位のうち少なくとも一つを有することを特徴とする請求項３に記載のポジ型感光性組成物。
【化３】
1998239847.tif 000003
式（VII)〜（IX）中、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ30〜Ｒ32は、同じでも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基又はハロアルキル基を表す。
Ｒ29はシアノ基、−ＣＯ−ＯＲ33、−ＣＯ−Ｎ（Ｒ34）（Ｒ35）を表す。
Ｘ9 〜Ｘ11は、同じでも異なってもよく、単結合、−Ｏ−、−ＳＯ2 −、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ36−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ37−、−ＣＯ−Ｎ（Ｒ38）−Ｒ39−、置換基を有していても良い２価のアルキレン基、アルケニレン基又はシクロアルキレン基を表す。
Ｒ33は水素原子、置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。
Ｒ34、Ｒ35、Ｒ38は、同じでも異なってもよく、水素原子、置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表し、またＲ34とＲ35が結合して環を形成しても良い。
Ｒ36、Ｒ37、Ｒ39は、同じでも異なってもよく、単結合あるいは、エーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基を有しても良い、２価のアルキレン基、アルケニレン基又はシクロアルキレン基を表す。
【請求項５】
酸の作用により分解し得る基を有し、アルカリ現像液中での溶解性が酸の作用により増大する、分子量３，０００以下の低分子酸分解性溶解阻止化合物を含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型感光性組成物。
【請求項６】
露光光源として、２５０ｎｍ以下の波長の遠紫外光を使用することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のポジ型感光性組成物。
【請求項７】
露光光源として、２２０ｎｍ以下の波長の遠紫外光を使用することを特徴とする請求項６に記載のポジ型感光性組成物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載のポジ型感光性組成物により膜を形成し、該膜を露光、現像することを特徴とするポジ型パターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月12日(2003.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
製造例２．固定化ヘパリン懸濁液の調製
固定化ヘパリン液１容を、０．０５Ｍグリシン緩衝液（pH８）４容に懸濁することにより固定化ヘパリン懸濁液を得た。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月5日(2003.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光吸収強度が１００以上のハロゲン化銀粒子を含むことを特徴とするハロゲン化銀写真乳剤。
【請求項２】
請求項１記載のハロゲン化銀写真乳剤を含有したハロゲン化銀写真乳剤層を少なくとも一層有することを特徴とするハロゲン化銀写真感光材料。
【請求項３】
分光吸収極大波長が５００ｎｍ以下であり、かつ光吸収強度が６０以上１００未満のハロゲン化銀粒子を含むことを特徴とするハロゲン化銀写真乳剤。
【請求項４】
請求項３記載のハロゲン化銀写真乳剤を含有したハロゲン化銀写真乳剤層を少なくとも一層有することを特徴とするハロゲン化銀写真感光材料。
【請求項５】
一般式１または一般式２で表される色素のうちの少なくとも一つを飽和被覆量の８０％以上に相当する量を添加し、かつ増感色素の添加量の合計が飽和被覆量の１６０％以上に相当することを特徴とするハロゲン化銀写真乳剤。
一般式１
【化１】
1998239789.tif 000001
【化２】
1998239789.tif 000002
一般式１中Ｒ11およびＲ12はアルキル基を表し、Ｒ11およびＲ12の少なくとも一方はＲ13で表されるアルキル基である。Ｒ13においてＲ14は単に結合を表すか、または２価の連結基であり、Ｙ11はアリール基または複素芳香環基である。Ｒ11、Ｒ12はいずれもアニオン性の置換基を持たない。Ｚ11及びＺ12は、同一でも異なっていてもよく、５員または６員の含窒素複素環核形成原子群を表し、Ｌ11、Ｌ12、Ｌ13、Ｌ14、Ｌ15、Ｌ16、及びＬ17はメチン基を表す。ｐ11及びｐ12は０または１を表し、ｎ11は０、１、２または３を表す。
Ｘ11は電荷均衡対イオンを表し、ｍ11は分子の電荷を中和するのに必要な０以上８以下の数を表す。
一般式２
【化３】
1998239789.tif 000003
【化４】
1998239789.tif 000004
一般式２中Ｒ21およびＲ22はアルキル基を表し、Ｒ21およびＲ22の少なくとも一方はＲ23で表されるアルキル基である。Ｒ23においてＲ24は単に結合を表すか、または２価の連結基であり、Ｙ21はアリール基または複素芳香環基である。Ｒ21及びＲ22はいずれもアニオン性の置換基を有する。Ｚ21及びＺ22は、同一でも異なっていてもよく、５員または６員の含窒素複素環核形成原子群を表し、Ｌ21、Ｌ22、Ｌ23、Ｌ24、Ｌ25、Ｌ26、及びＬ27はメチン基を表す。ｐ21及びｐ22は０または１を表し、ｎ21は０、１、２または３を表す。
Ｘ21は電荷均衡対イオンを表し、ｍ21は分子の電荷を中和するのに必要な０以上８以下の数を表す。
【請求項６】
請求項５記載のハロゲン化銀写真乳剤を含有したハロゲン化銀写真乳剤層を少なくとも一層有することを特徴とするハロゲン化銀写真感光材料。
【請求項７】
請求項５記載の一般式１で表される色素のうちの少なくとも一つ及び一般式２で表される色素のうちの少なくとも一つを含有することを特徴とするハロゲン化銀写真乳剤。
【請求項８】
請求項７記載のハロゲン化銀写真乳剤を含有したハロゲン化銀写真乳剤層を少なくとも一層有することを特徴とするハロゲン化銀写真感光材料。
【請求項９】
光吸収強度が１００以上であることを特徴とする分光増感されたハロゲン化銀粒子。
【請求項１０】
光吸収強度が１００以上である多層状の増感色素により分光増感されたハロゲン化銀写真乳剤。
【請求項１１】
前記増感色素の総添加量のうち３０％以上がアニオン性のシアニン色素であり、かつ、３０％以上がカチオン性のシアニン色素である請求項５、７または１０に記載のハロゲン化銀写真乳剤。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月27日(2004.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
写真フイルムをカメラ本体に装填して使用するスチルカメラにおいて、
写真フイルムに撮影される被写体像を撮像するイメージセンサと、このイメージセンサからの撮像信号に基づいてファインダ画像を表示する液晶表示モニタと、写真フイルムに撮影される被写体像を光学的に観察する光学ファインダとを備えたことを特徴とするスチルカメラ。
【請求項２】
前記光学ファインダの光学系は、前記イメージセンサに被写体像を結像させる光学系の一部を共用している又は前記イメージセンサに被写体像を結像させる光学系と一部が切り換え可能であることを特徴とする請求項１記載のスチルカメラ。
【請求項３】
前記イメージセンサを駆動して撮像し、かつ液晶表示モニタにファインダ画像を表示する撮像・表示部の最低駆動電圧とカメラ本体の電源電圧とを比較して、これらの高低を判別する判別手段により、前記カメラ本体の電源電圧が撮像・表示部の最低駆動電圧より低いと判断されるときには、前記撮像・表示部の駆動を禁止することを特徴とする請求項１または２記載のスチルカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明のスチルカメラは、写真フイルムをカメラ本体に装填して使用するスチルカメラにおいて、写真フイルムに撮影される被写体像を撮像するイメージセンサと、このイメージセンサからの撮像信号に基づいてファインダ画像を表示する液晶表示モニタと、写真フイルムに撮影される被写体像を光学的に観察する光学ファインダとを備えたものである。また、前記光学ファインダの光学系は、前記イメージセンサに被写体像を結像させる光学系の一部を共用している又は前記イメージセンサに被写体像を結像させる光学系と一部が切り換え可能であるものである。また、前記イメージセンサを駆動して撮像し、かつ液晶表示モニタにファインダ画像を表示する撮像・表示部の最低駆動電圧とカメラ本体の電源電圧とを比較して、これらの高低を判別する判別手段により、前記カメラ本体の電源電圧が撮像・表示部の最低駆動電圧より低いと判断されるときには、前記撮像・表示部の駆動を禁止するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月21日(2004.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
又、テスト番号を全ての組み合わせについて１からＮまで定め、第１パターン発生回路２８ａと第１パターン検出回路３０ａと第１出力変換回路３２ａとの組み合わせをテスト１、第２パターン発生回路２８ｂと第１パターン検出回路３０ａと第１出力変換回路３２ａとの組み合わせをテスト２、第３パターン発生回路２８ｃと第１パターン検出回路３０ａと第１出力変換回路３２ａとの組み合わせをテスト３、……第３パターン発生回路２８ｃと第２パターン検出回路３０ｂと第３出力変換回路３２ｃとの組み合わせをテストＮとする。それ故、各テスト番号に対応する条件フラグを立てたスイッチ制御命令ＪＯＫＥＮ＿Ｆ（Ｉ）は表１のようになる。
【表１】