Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月4日(2012.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
標的物体の領域のイメージデータを提供するコンピュータで実行される方法であって、
前記標的物体の前記領域の第１のサブ領域（５０１、５０３）の少なくとも１つの特徴を示す第１の中間的な物体関数を推定するステップ（７０６）と、
前記標的物体の前記領域の第２のサブ領域（５０１、５０３）の少なくとも１つの特徴を示す第２の中間的な物体関数を推定するステップ（７０６）と、
前記標的物体の前記領域の各サブ領域は、前記標的物体の複数の選択されたエリア（５０１、５０２、５０３、５０４）に関連する情報を含み、
前記第１及び第２の中間的な物体関数を組み合わせて（７０７）、前記標的物体の前記領域の少なくとも１つの特徴を示す組み合わされた物体関数を形成するステップと、によって特徴付けられたことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記標的物体の前記エリアは、前記標的物体に対する入射放射線又は開口部のうちの一方を再配置することによって選択されることを特徴とする請求項１に記載のコンピュータで実行される方法。
【請求項３】
前記標的物体の前記選択されたエリア（５０１、５０２、５０３、５０４）を前記サブ領域に割り当てるステップを含む請求項１又は２に記載のコンピュータで実行される方法。
【請求項４】
前記標的物体の前記エリア（５０１、５０２、５０３、５０４）は、各サブ領域は等しい数のエリアを含むように、前記サブ領域に割り当てられることを特徴とする請求項３に記載のコンピュータで実行される方法。
【請求項５】
前記標的物体の前記エリア（５０１、５０２、５０３、５０４）を前記サブ領域に再度割り当てるステップを含む請求項３又は４に記載のコンピュータで実行される方法。
【請求項６】
前記中間的な物体関数は、少なくとも部分的に並列して推定されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のコンピュータで実行される方法。
【請求項７】
各中間的な物体関数の前記推定を、それぞれの計算ユニット（６０１、６０２、６０３）に割り当てるステップを含む請求項１乃至６のいずれかに記載のコンピュータで実行される方法。
【請求項８】
計算ユニット（６０１、６０２、６０３）の間に少なくとも一つの中間的な物体関数を転送して、少なくとも１つの他の中間的な物体関数に組み合わせるステップを含む請求項１乃至７のいずれかに記載のコンピュータで実行される方法。
【請求項９】
各々が前記標的物体の他のサブ領域に関連する他の中間的な物体関数を推定するステップを含み、
前記他の中間的な物体関数は、前記第１及び第２の物体関数と組み合わせられて、前記組み合わされた物体関数を形成することを特徴する請求項１乃至８のいずれかに記載のコンピュータで実行される方法。
【請求項１０】
中間的な物体関数の数は予め定められていることを特徴とする請求項９に記載のコンピュータで実行される方法。
【請求項１１】
標的物体の領域のイメージデータを提供する装置であって、
前記標的物体の前記領域の第１のサブ領域（５０１、５０３）の少なくとも１つの特徴を示す第１の中間的な物体関数を推定する（７０６）ように配置された第１の計算ユニット（６０２）と
前記標的物体の前記領域の第２のサブ領域の少なくとも１つの特徴を示す第２の中間的な物体関数を推定する（７０６）ように配置された第２の計算ユニット（６０３）と、によって特徴付けられ、
前記標的物体の前記領域の各サブ領域は、前記標的物体の複数の選択されたエリア（５０１、５０２、５０３、５０４）に関連する情報を含み、
計算ユニット（６０１）は、前記第１及び第２の中間的な物体関数を組み合わせて（７０７）、前記標的物体の前記領域の少なくとも１つの特徴を示す組み合わされた物体関数を形成するよう配置されていることを特徴とする装置。
【請求項１２】
第１及び第２の計算ユニット（６０２、６０３）はそれぞれのプロセッサ又は１つ以上のマルチコアプロセッサのコアであることを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記第１及び第２の計算ユニットは、前記中間的な物体関数を少なくとも部分的に並列して推定するように配置されていることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記計算ユニットのうちの１つは、前記標的物体の前記選択されたエリアを前記サブ領域に割り当てるよう配置されていることを特徴とする請求項１１、１２又は１３に記載の装置。
【請求項１５】
コンピュータ可読データ記憶媒体であって、
前記コンピュータ可読データ記憶媒体は、自身に記憶された命令を有し、
前記命令は、コンピュータによって実行されると、請求項１乃至１０のいずれかに記載の方法を実行することを特徴するコンピュータ可読データ記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月19日(2012.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のプロセッサおよび前記プロセッサによる実行のためのプログラムを記憶するメモリを含むサーバにおいて、
同期に先立ちアプリケーションデータに検索を行うために使用される１つ以上の検索基準を決定するステップであって、前記１つ以上の検索基準はクライアントによって提供される、ステップと、
前記１つ以上の検索基準に従い、前記サーバにおける検索機構を使用して前記サーバにおける全てのアプリケーションデータから情報を選択するステップであって、前記選択された情報内のデータは、前記検索基準に従い優先度が付けられる、ステップと、
前記選択された情報を同期のために前記クライアントに伝送するステップと、
前記クライアントに正常に同期された前記伝送された情報のレコードを付けるステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記クライアントからクライアントアプリケーションデータ変更およびクライアントアプリケーションデータを受信するステップをさらに含み、前記クライアントアプリケーションデータを受信するステップは、前記選択された情報を前記クライアントに前記伝送することから独立して、かつ、これと同時に行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記選択された情報は、前記サーバにおけるデータおよびデータへの変更オペレーションを含み、前記データは、高い優先度から低い優先度に並べられ、かつ前記クライアントに同期され、前記変更オペレーションは、前記サーバにおいて各変更オペレーションが発生したときに基づき古いものから新しいものに時系列で並べられ、かつ前記クライアントに同期される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記伝送するステップは、同時に動作する２つの独立した同期機構をさらに含み、第１の同期機構が、優先度の順に前記情報の第１の部分を同期させ、第２の同期機構が、時系列で前記情報の第２の部分を同期させる、請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
前記検索基準は、前記クライアントのユーザによって指定される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記検索基準は、前記データコンテンツのラベルおよびフィールドのうちの少なくとも１つに関する、請求項１または５に記載の方法。
【請求項７】
前記ラベルは、ユーザによって変更不能な属性ラベルおよび前記ユーザによって変更可能な非属性ラベルをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
１つ以上のプロセッサと、
前記１つ以上のプロセッサに接続されたメモリと、
前記メモリに記憶され、前記１つ以上のプロセッサによる実行のために構成された１つ以上のプログラムであって、請求項１乃至7のいずれか１項に記載の方法を行う命令を含む前記１つ以上のプログラムと、
を含む、サーバ。
【請求項９】
コンピュータシステムの１つ以上のプロセッサによる実行のために構成された１つ以上のプログラムであって、請求項１乃至7のいずれか１項に記載の方法を行うために前記１つ以上のプロセッサによって実行される命令を含む前記１つ以上のプログラムを記憶する記憶装置。
【請求項１０】
プロセッサおよび前記プロセッサによる実行のためのプログラムを記憶するメモリを有するクライアントにおいて、
サーバから通信を受信して、前記クライアントと前記サーバとの間で情報を同期させるステップと、
前記サーバから前記情報を受信するステップであって、前記情報は、前記クライアントによって提供された１つ以上の検索基準に従い、検索機構によって、前記サーバにおけるアプリケーションデータから選択され、前記選択された情報内のデータは、前記検索基準に従い優先度が付けられる、ステップと、
前記サーバから受信した前記情報の少なくとも一部に従い、前記クライアントにおけるアプリケーションデータを同期させる動作を行うステップと、
を含む、方法。
【請求項１１】
前記情報は、前記クライアントにおけるアプリケーションデータに追加、削除または修正オペレーションのうち少なくとも１つを行う命令を含み、前記情報は、前記クライアントへの伝送前に、前記サーバにおいて高い優先度から低い優先度に並べられる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記受信するステップが、同時に動作する２つの独立した同期機構をさらに含み、第１の同期機構が、優先度の順に前記情報の第１の部分を同期させ、第２の同期機構が、時系列で前記情報の第２の部分を同期させる、請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１３】
未同期のクライアントアプリケーションデータ変更および未同期のクライアントアプリケーションデータを前記サーバに同時に送信するステップをさらに含み、前記送信するステップが、前記情報を受信するステップから独立して、かつこれと同時に行われる、請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１４】
１つ以上のプロセッサと、
前記１つ以上のプロセッサに接続されたメモリと、
前記メモリに記憶され、前記１つ以上のプロセッサによる実行のために構成された１つ以上のプログラムであって、請求項１０乃至１３のいずれか１項に記載の方法を行う命令を含む前記１つ以上のプログラムと、
を含む、クライアント。
【請求項１５】
コンピュータシステムの１つ以上のプロセッサによる実行のために構成された１つ以上のプログラムであって、請求項１０乃至１３のいずれか１項に記載の方法を行うために前記１つ以上のプロセッサによって実行される命令を含む前記１つ以上のプログラムを記憶する記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月2日(2012.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シミュレーションおよび／又は解析モデルであって、
さらなるデータオブジェクトへのアクセスを制御する第１データオブジェクト、
当該シミュレーションおよび／又は解析モデルの外部インターフェースを形成する第２データオブジェクト、
当該シミュレーションおよび／又は解析モデルのコンテンツをさらなる処理が可能なデータとして有する第３データオブジェクト、および
前記第３データオブジェクトのシミュレーションおよび／又は解析モデルをシミュレーション実行可能に形成された形式で有する第４データオブジェクト
を有し、
前記第１データオブジェクトは、当該シミュレーションおよび／又は解析モデルのユーザの、前記第３データオブジェクトのさらなる処理が可能な前記データおよび前記第４データオブジェクトの実行可能に形成された前記データへのアクセスを制御することを特徴とするシミュレーションおよび／又は解析モデル。
【請求項２】
請求項１に記載のシミュレーションおよび／又は解析モデルであって、
前記第１データオブジェクトは、所与のアクセス認証情報を考慮して前記ユーザのアクセスを制御することを特徴とするシミュレーションおよび／又は解析モデル。
【請求項３】
請求項２に記載のシミュレーションおよび／又は解析モデルであって、
前記所与のアクセス認証情報は、前記第１データオブジェクトおよび／又はライセンスドングルに記憶されることを特徴とするシミュレーションおよび／又は解析モデル。
【請求項４】
請求項３に記載のシミュレーションおよび／又は解析モデルであって、
前記第３データオブジェクトのさらなる処理が可能な前記データの前記アクセス認証情報および前記第４データオブジェクトの実行可能に形成されたシミュレーションの少なくとも１つがエンコードされていることを特徴とするシミュレーションおよび／又は解析モデル。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載のシミュレーションおよび／又は解析モデルであって、
前記第１データオブジェクトは、前記ユーザの前記第３データオブジェクトのさらなる処理が可能な前記データへのアクセスを拒絶する一方で、前記ユーザの前記第４データオブジェクトの実行可能に形成された前記データへのアクセスを許可し、これにより当該シミュレーションおよび／又は解析モデルは、前記ユーザにおいて、秘匿および／又はさらなる処理が不可能である一方で、実行が可能であることを特徴とするシミュレーションおよび／又は解析モデル。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載のシミュレーションおよび／又は解析モデルであって、
前記第３データオブジェクトの当該シミュレーションおよび／又は解析モデルのさらなる処理が可能な前記データの少なくとも一部が、当該シミュレーションおよび／又は解析モデルの時間挙動を記述することを特徴とするシミュレーションおよび／又は解析モデル。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載のシミュレーションおよび／又は解析モデルであって、
前記第３データオブジェクトのさらなる処理が可能な前記データはソースコードを有し、前記第４データオブジェクトの実行可能に形成された前記シミュレーションは、前記第３データオブジェクトの前記ソースコードからのシミュレーションモデルの生成によって生成されることを特徴とするシミュレーションおよび／又は解析モデル。
【請求項８】
請求項７に記載のシミュレーションおよび／又は解析モデルであって、
前記第３データオブジェクトの前記ソースコードは、ＸＭＬ、ＵＭＬ、Ｃ、Ｃ＋＋、Ｍａｔｌａｂ／Ｓｉｍｕｌｉｎｋ−Ｓｃｒｉｐｔ、Ｐｙｔｈｏｎ、Ｐａｓｃａｌ、Ｆｏｒｔｒａｎ、もしくはＢａｓｉｃ形式であることを特徴とするシミュレーションおよび／又は解析モデル。
【請求項９】
請求項７又は８に記載のシミュレーションおよび／又は解析モデルであって、
前記第４データオブジェクトの実行可能な前記データは、中間表現またはプレコンパイルが実行された形式であることを特徴とするシミュレーションおよび／又は解析モデル。
【請求項１０】
請求項７から１０のいずれかに記載のシミュレーションおよび／又は解析モデルであって、
前記第４データオブジェクトの実行可能に形成された前記シミュレーションは実行可能な包括的モデルの、前記ユーザのソフトウエア環境に組み込まれていることを特徴とするシミュレーションおよび／又は解析モデル。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれかに記載のシミュレーションおよび／又は解析モデルであって、
上位シミュレーションおよび／又は解析モデルの階層部分を形成することを特徴とするシミュレーションおよび／又は解析モデル。
【請求項１２】
請求項２から１１のいずれかに記載のシミュレーションおよび／又は解析モデルであって、
組み込みシステムのモデル又はサブモデルを形成することを特徴とするシミュレーションおよび／又は解析モデル。
【請求項１３】
請求項１２に記載のシミュレーションおよび／又は解析モデルであって、
前記第３データオブジェクトのさらなる処理が可能な前記データおよび前記第４データオブジェクトの実行可能に形成された前記シミュレーションの少なくとも一部が制御デバイスのタスクに割り当てられることを特徴とするシミュレーションおよび／又は解析モデル。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれかに記載のシミュレーションおよび／又は解析モデルであって、
実時間解析に使用されることを特徴とするシミュレーションおよび／又は解析モデル。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月24日(2012.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホストマシン上で操作する子パーティションにおいて作成されるゲストマシンを操作するための方法であって、
前記ホストマシンの前記子パーティション上の前記ゲストマシンのブート処理を初期化するステップと、
準拠ポリシーへの前記ホストマシンの準拠を判定するために、前記ホストマシン上のルートパーティションと通信するステップであって、前記準拠ポリシーは、前記ゲストマシンが中断または危険にさらされるセキュリティを有することなく、前記ホストマシン上で動作可能であることを示す、ステップと、
前記ブート処理中に、前記ホストマシンが前記準拠ポリシーに準拠していると判定された場合に、仮想化環境を作成するために前記子パーティションにおける前記ゲストマシンの前記ブート処理を完了するステップと、
前記ホストマシンが前記準拠ポリシーに準拠していないと判定される場合に、前記子パーティションにおける前記ゲストマシンの前記ブート処理を終了するステップと
を備えたことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記ルートパーティションとの前記通信のために前記ゲストマシン上で操作可能なゲストのヘルスエージェントを利用するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ゲストのヘルスエージェントと通信するために前記ホストマシンの前記ルートパーティション上で操作可能なホストのヘルスエージェントを利用するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ホストのヘルスエージェントは、前記ホストマシンのヘルスを示す１つ又は複数の要素を検査するために構成されることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記１つ又は複数の要素は、セキュリティパッチ状態、アンチウイルスのソフトウェアの存在、アンチマルウェアソフトウェアの存在、ウイルスの署名の状態、マルウェアの署名の状態、前記ホストマシンが前記ゲストマシンを実行するために認証されることを示す証明書又はファイルのレジストリー鍵の存在、ファイヤーウォールの存在、又は前記ファイヤーウォールの設定状態の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
コンピューター読み取り可能な媒体に格納された命令を受け取るステップをさらに含み、前記ホストマシン上に配置された１つ又は複数のプロセッサーにより実行されるとき、前記ホストのヘルスエージェント又は前記ゲストのヘルスエージェントを実装することを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記コンピューター読み取り可能な媒体は、前記仮想化環境において使用されるデスクトップ画像をさらに含む記憶媒体であることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記デスクトップ画像は、前記準拠ポリシー、データー、ユーザー設定、ユーザー優先権又はアプリケーションの１つもしくは複数を含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
i）セキュリティ評価についての発行及び登録が操作される通信チャネルに接続される前記ゲストマシンを構成するステップであって、各セキュリティ評価が前記ネットワーキング環境においてオブジェクトに付随するセキュリティ事故への文脈上の意味を提供するために編成され、前記通信チャネルが複数のセキュリティエンドポイント間で共有され、前記セキュリティ評価が前記複数のエンドポイントにより共通に理解される分類を使用する、前記ゲストマシンを構成するステップと、ii）前記通信チャネルで、セキュリティエンドポイントにより検知される前記ホストマシン上の潜在的なセキュリティ事故を記述するセキュリティ評価を受け取るステップと、iii）前記受け取られたセキュリティ評価に応答して、前記ホストマシンのヘルス検査を実行するために前記ホストマシン上のコンポーネントへの要求を引き起こすステップとをさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記ホストマシンが準拠していないと判定されるとき、エラーメッセージを表示するステップをさらに含み、前記エラーメッセージが前記ホストマシンの前記準拠ポリシーに準拠しないことを示し、前記準拠しないことの修正が実行される可能性があることの通知を提供することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月3日(2012.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
前記推定器は、
最小の平均干渉をもたらす前記仮説設定されたプリコーダを、前記推定されたプリコーダとして選択することを特徴とする請求項１５に記載の受信端末。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２３】
前記復調器は、
前記所望のデータストリーム用の前記既知のプリコーダと前記干渉データストリーム用の前記推定されたプリコーダとを使用して、前記所望のデータストリームと前記干渉データストリームとを一緒に復調することを特徴とする請求項１３に記載の受信端末。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月22日(2012.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原則的に、中空の石英ピースからなるエピタキシャル反応器（ｅｐｉｔａｘｉａｌ  ｒｅａｃｔｏｒ）の反応室（ｒｅａｃｔｉｏｎ  ｃｈａｍｂｅｒ）において、前記中空の石英ピースは、円柱型、角柱型、錐体型、あるいはピラミッド型の石英ピースの部分（１；１１）と、前記石英ピースの部分（１；１１）の中の軸が通る穴（２；１２）とを備え、前記石英ピースの部分（１；１１）は、三方向のうち二方向に準じて、反応沈着ゾーン（３；１３）を定め、前記軸が通る穴（２；１２）の中に、熱せられる少なくとも一つのサセプター（４；１４）を収容し、前記反応室は、前記サセプター（４；１４）によって放射される、１０００ｎｍと１００００ｎｍの間、好ましくは、１５００ｎｍと３０００ｎｍの間の波長を持つ赤外線放射を反射し返すように適合された反射層（５；１５）を備えることを特徴とし、前記反射層（５；１５）は、石英に基づく物質から作られており、前記石英ピースの部分（１；１１）、及び／または、前記反応室の石英の構成要素に塗布され、
前記反射層（５；１５）が、前記石英ピースの部分（１；１１）を完全に被覆することを特徴とする、エピタキシャル反応器の反応室。
【請求項２】
前記反射層（５；１５）が、前記石英ピースの部分（１；１１）の内側、及び／または、外側に位置する、請求項１に記載の反応室。
【請求項３】
前記反射層が、ガラス化した（ｖｉｔｒｉｆｉｅｄ）石英の層に、部分的に、または、完全に被覆されている請求項１又は２に記載の反応室。
【請求項４】
前記石英ピースの部分（１）に、前記サセプター（４）によって放射される赤外線放射を反射し返すように適合された、他の反射層（６）を備え、前記他の反射層（６）は、金に基づく物質から出来ていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の反応室。
【請求項５】
前記反射層（５、６）が、前記石英ピースの部分（１）の別個の領域を被覆していることを特徴とする、請求項４に記載の反応室。
【請求項６】
前記石英ピースの部分（１；１１）が、透明な石英（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｑｕａｒｔｓ）から作られていることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の反応室。
【請求項７】
前記中空の石英ピースの端部にフランジ（ｆｌａｎｇｅ）（７；１７）を備え、前記フランジ（７；１７）は、不透明な石英（ｏｐａｑｕｅ  ｑｕａｒｔｓ）から作られていることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の反応室。
【請求項８】
少なくとも一つのガスフロー（ｇａｓ  ｆｌｏｗ）、あるいは液流（ｌｉｑｕｉｄ  ｆｌｏｗ）によって冷却されるよう適合されていることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の反応室。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の反応室を備えることを特徴とする、エピタキシャル反応器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月25日(2012.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
経路の少なくとも一部が線形軸に沿って整列したビーム経路に沿って進むレーザビームと、
ＥＵＶ光放射プラズマを生成するために照射部位で前記レーザビームと相互作用する材料と、
焦点を有し、該焦点が前記線形軸上にあるように位置決めされ、前記ビーム経路に沿ってレーザ光を受け取る第１の反射器と、
前記第１の反射器によって反射されたレーザ光を受け取って前記照射部位に向けて該レーザ光を誘導する第２の反射器と、
前記第１の反射器での前記レーザビームのビーム幅及び発散を選択的に変えるように調節可能な適応光学系と、
を含むことを特徴とするＵＶ光源。
【請求項２】
容器を更に含み、
前記照射部位は、前記容器内にあり、前記第１の反射器は、該容器に位置決めされ、かつ該照射部位と流体連通している、
ことを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶ光源。
【請求項３】
前記照射部位の第１の焦点、及び第２の焦点を有するＥＵＶ反射ミラーを更に含み、
前記ＥＵＶ反射ミラーは、前記線形軸に沿って前記第１の反射器と前記照射部位の間に該ＥＵＶ反射ミラーを挿入するように位置決めされる、
ことを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶ光源。
【請求項４】
前記レーザビームを発生するレーザデバイスを更に含み、
前記レーザデバイスは、前記照射部位を通るビーム経路を確立する少なくとも１つの反射光学系を含み、
前記材料は、該材料が前記照射部位にある時に前記光学系と協働してその間に光キャビティを確立し、
前記レーザデバイスは、前記材料を照射するレーザビームを発生させるために前記キャビティにおける光損失を超える光学利得を確立するように励起可能な利得媒体を更に含む、
ことを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶ光源。
【請求項５】
前記反射光学系は、波長λの光を透過し、
波長λを有するアラインメントレーザビームを前記反射光学系に通すアラインメントレーザ、及び前記第２の反射器からの反射後に該アラインメントレーザビームを受け取るモニタ、
を更に含むことを特徴とする請求項４に記載のＥＵＶ光源。
【請求項６】
前記第２の反射器は、先端／傾斜アクチュエータ上に取り付けられることを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶ光源。
【請求項７】
前記第１の反射器は、補正された放物面形状を有することを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶ光源。
【請求項８】
前記第２の反射器は、平坦な反射面を用いて形成されることを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶ光源。
【請求項９】
前記第２の反射器は、湾曲反射面を用いて形成されることを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶ光源。
【請求項１０】
前記レーザデバイスは、ＣＯ2を含む利得媒体を有し、前記材料は、錫を含むことを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶ光源。
【請求項１１】
λ1≠λ2の時に波長λ1の光を反射して波長λ2の光を透過する光学系と、
材料が照射部位にある時に前記光学系と協働してその間に光キャビティを確立する材料と、
前記材料を照射してＥＵＶ光放射を生成するためのレーザビームを発生させるために前記キャビティにおける光損失を超える光学利得を確立するように励起可能な利得媒体と、  波長λ2を有するアラインメントレーザビームを前記反射光学系に通すように位置決めされたアラインメントレーザと、
前記キャビティにおける少なくとも１つの光学系のアラインメントを検証するために前記アラインメントレーザビームを受け取るモニタと、
を含むことを特徴とするＥＵＶ光源。
【請求項１２】
前記材料は、液滴であることを特徴とする請求項１１に記載のＥＵＶレーザ光源。
【請求項１３】
λ1＞５μｍかつλ2＜１μｍであることを特徴とする請求項１１に記載のＥＵＶレーザ光源。
【請求項１４】
ビーム経路に沿って進むレーザビームと、
前記ビーム経路上の照射部位に前記レーザビームを集束させる光学系と、
ＥＵＶ光放射プラズマを生成するために前記照射部位で前記レーザビームと相互作用する材料と、
ビームパラメータを測定してそれを示す信号を出力するモニタと、
前記信号に応答して、前記集束光学系で予め選択されたビーム発散及びビーム幅を有するように前記レーザビームを修正するための適応光学系と、
を含むことを特徴とするＥＵＶ光源。
【請求項１５】
前記適応光学系は、第１及び第２の光学構成要素を含み、該第１の光学構成要素は、該第２の光学構成要素に対して移動可能であることを特徴とする請求項１４に記載のＥＵＶレーザ光源。
【請求項１６】
前記適応光学系は、少なくとも１つの変形可能な光学構成要素を含むことを特徴とする請求項１４に記載のＥＵＶレーザ光源。
【請求項１７】
前記ビームパラメータは、発散であることを特徴とする請求項１４に記載のＥＵＶレーザ光源。
【請求項１８】
前記ビームパラメータは、波面であることを特徴とする請求項１４に記載のＥＵＶ光源。
【請求項１９】
前記ビームパラメータは、ビーム幅であることを特徴とする請求項１４に記載のＥＵＶ光源。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月6日(2012.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
図面
図１は、非オームコンタクト（フェルミ準位が価電子帯または伝導帯と整列していない）およびオームコンタクト（フェルミ準位が整列している）に関連したバンド図を示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
図２の（ａ）は、本発明に適用可能な注入障壁の一部の断面を示す。白部分において、図２の（ａ）は、半導体材料（すなわち、エレクトロルミネッセンス半導体材料）と強誘電体材料（言葉で示された）の混合物の一部を示す。灰色部分において、図２の（ａ）は、電極の一部を示す。図示のように、強誘電体材料の分極は、強誘電体材料と反対電荷の電極との境界でもたらされる（強誘電体側の負電荷（−）および電極側の正電荷（＋）として示されている）。電極から半導体材料の方向を指す矢印は、（言葉で示されているように）半導体材料への電荷の注入を示す。図には、また、図２の（ｂ）および２の（ｃ）で示されているようなバンド図用のソースを示すための破線が含まれる。図２の（ｂ）および２の（ｃ）は、図２の（ａ）で引かれた破線の位置に当てはまるバンド図を示す。水平ラインは、（より大きなバンドギャップを備えた）左側の強誘電体および（より小さなバンドギャップを備えた）右側の半導体の価電子帯（低）および伝導帯（高）を表し、灰色は電極である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
図２の（ｂ）に示すバンド図は、強誘電体の非分極状態に当てはまる。電極から強誘電体方向への矢印は、（「低注入」として示された）半導体材料に注入されるキャリアの不十分さを表す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
図２の（ｃ）に示すバンド図は、強誘電体の分極状態、すなわち図２の（ａ）に示す状況に当てはまる。強誘電体の分極は、半導体材料に対するエネルギ障壁を乗り越えるための、電極における十分な逆電荷に帰着し、電荷キャリアが（「効率的な注入」として示された）半導体材料に流入できるようにする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
図３のＡは、以下の実施例の調整可能なＬＥＤにおける電流密度が、印加電圧に対してプロットされた図である。一方向における電圧掃引（ここでは負電圧）が無視できる電流密度（これは「不良」コンタクトを反映する）につながり、もう一方の方向における電圧掃引（ここでは正電圧）が、高電流密度（これは「正常」コンタクトを反射する）に帰着することが示されている。すなわち、デバイスの電圧掃引において、効率的な電荷注入への切り換えは、強誘電体の保磁場（５０〜６０ｍＶ／ｍ）より高い電圧で生じる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
図３のＢは、デバイスのエレクトロルミネセンス用の同様の図を示す。上記の負電圧では、ほとんどどんなエレクトロルミネセンスも生じない（すなわち、調整可能なＬＥＤが「オフ」である）のに対して、右方向における電圧が十分に高い場合には、エレクトロルミネッセンスが生じる（すなわち、調整可能なＬＥＤが「オン」である）。したがって、低輝度から高輝度への切り換えは、デバイス上の電界が強誘電体の保磁場に等しい場合に行われる。図３のＣは、デバイス特性におけるオン／オフ比が、調整可能なＬＥＤを１０回オンおよびオフで切り換えた後で持続することを示す。図３のＤは、デバイスの動作機構を表すが、この動作機構は、アノードにおける電荷注入を調整することに基づいている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
【図１】非オームコンタクト（フェルミ準位が価電子帯または伝導帯と整列していない）およびオームコンタクト（フェルミ準位が整列している）に関連したバンド図を示す。
【図２】（ａ）は、本発明に適用可能な注入障壁の一部の断面を示す。（ｂ）は、図２の（ａ）で引かれた破線の位置に当てはまるバンド図を示す。（ｃ）は、図２の（ａ）で引かれた破線の位置に当てはまるバンド図を示す。
【図３】Ａは、実施例の調整可能なＬＥＤにおける電流密度が、印加電圧に対してプロットされた図を示す。Ｂは、デバイスのエレクトロルミネセンス用の同様の図を示す。Ｃは、デバイス特性におけるオン／オフ比が、調整可能なＬＥＤを１０回オンおよびオフで切り換えた後で持続することを示す。Ｄは、デバイスの動作機構を表す。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
結果として得られるデバイスにおいて、金は、ＳＹとの、注入が制限されたコンタクトを形成する。注入障壁は、正孔電荷キャリアに対して約０．６〜０．７ｅＶである。したがって、金アノードを備えたデバイスの発光は、たとえ検出可能であっても非常に弱い。デバイスの電圧掃引に際して、効率的な電荷注入への切り換えが、強誘電体保磁場（５０〜６０ｍＶ／ｍ）より高い電圧で生じる（図３Ａ）。ここで、デバイスは、電気的に双安定要素として動作する。低輝度から高輝度への切り換えは、デバイス上の電界が強誘電体の保磁場と等しい場合に行われる。低および高輝度は、オフおよびオン状態において、ＯＬＥＤとしてそれぞれ指定することができる。電圧掃引中のデバイスのエレクトロルミネセンスは、ヒステリシスを示す（図３Ｂ）。したがって、調整可能なＬＥＤは不揮発性である。すなわち、調整可能なＬＥＤは、デバイス上の電圧を除去する際に、それ自体の前の放射状態を保持する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2012510177.tif 000001
【図２】
2012510177.tif 000002
【図３】
2012510177.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月20日(2012.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号を増幅するための高パワー増幅器導波路システムにおいて、
ａ）波長λｐｕｍｐで動作し、１００Ｗを超えるポンプパワーを有するダイオードバーアレイポンプレーザと、
ｂ）カップリングデバイスと、
ｃ）クラッドポンプ増幅器導波路と、
ｄ）出力送達ファイバと、を備え、
波長λｐｕｍｐは希土類ドーピングの吸収帯と共振し、
前記クラッドポンプ増幅器導波路は、
ａ）信号波長λｓｉｇｎａｌの光信号を導くように適合されており、有効屈折率ｎｃｏｒｅ−１を有する信号コアと、
ｂ）ポンプ光を導くための内部クラッド領域であって、有効屈折率ｎｉｎｎｅｒ−ｃｌａｄ−１を有する第１の内部クラッドを備え、第１の内部クラッドはイッテルビウム（Ｙｂ）を含む１つ以上の希土類元素でドープされている、内部クラッド領域と、を備え、
ｎｃｏｒｅ−１＞ｎｉｎｎｅｒ−ｃｌａｄ−１であり、信号コアの面積は５０μｍ２より大きく、光信号の信号波長λｓｉｇｎａｌは１０５０ｎｍ〜１０９０ｎｍの間隔内である、システム。
【請求項２】
導波路レーザシステムである、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
カップリングデバイスとクラッドポンプ増幅器導波路との間には第１のファイバブラッグ格子が形成されており、クラッドポンプ増幅器導波路と出力送達ファイバとの間には第２のファイバブラッグ格子が形成されている、請求項１又は２に記載のシステム。
【請求項４】
第１および第２のブラッグ格子は増幅器導波路に直接的に書き込まれている、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記導波路は、内部クラッド領域を包囲する外部クラッド領域をさらに備え、外部クラッド領域は有効屈折率ｎｏｕｔｅｒ−ｃｌａｄ−１を有する１つ以上の第１の外部クラッドを備える、請求項１〜４のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項６】
信号コアは１つ以上の感光性元素を含む１つ以上の感光性領域を含み、前記感光性元素は、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ホウ素（Ｂ）、またはそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１〜５のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項７】
前記１つ以上の感光性領域は、ダウンドープしたシリカ領域に包囲されており、ダウンドープしたシリカ領域は、フッ素（Ｆ）、ホウ素（Ｂ）、またはそれらの組み合わせの群から選択される屈折率低下元素を含む、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
第１の内部クラッドは１つ以上の希土類元素でドープされている希土類ドープシリカ領域を備える、請求項１〜７のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項９】
希土類ドープシリカ領域のうちの１つ以上の部分はダウンドープしたダウンドープシリカ領域によって包囲されており、ｎｉｎｎｅｒ−ｃｌａｄ−１は、希土類ドープシリカ領域およびダウンドープシリカ領域の平均屈折率によって与えられる、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
ｎｉｎｎｅｒ−ｃｌａｄ−１−ｎｉｎｎｅｒ−ｃｌａｄ−２は、１×１０−３未満である、請求項１〜９のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１１】
光信号の有効モード面積は、１５０μｍ２より大きい、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１２】
希土類ドープシリカ領域に対する導かれる光信号の重なり合いは、２５％以下である、請求項８または９に記載のシステム。
【請求項１３】
第１の内部クラッドの面積は、１００μｍ２より大きい、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１４】
第１の内部クラッドの面積と信号コアの面積との間の比は、４〜５００の範囲である、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１５】
内部クラッド領域における光信号のモードフィールド強度は、０．５％〜５％の範囲である、請求項１〜１４のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１６】
内部クラッドフィーチャは、第１及び第２の内部クラッドバックグラウンド材料のうちの一方又は両方の屈折率未満の屈折率を有する領域を含む、請求項１〜１５のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか一項に記載の高パワー増幅器導波路システムにおけるクラッドポンプ増幅器導波路を製造する方法であって、前駆体元素をプリフォームに配置し、該プリフォームを増幅器導波路へと延伸する工程を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月6日(2012.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
最後に、独国特許出願公開第１０  ２００６  ０３７  １５９号明細書では有線電気部品アセンブリおよびその製造方法について記載されている。当該発明では、収容される部品が部品収容体の床領域上または床領域内に固定されている部品収容体が開示されている。前記床領域に亘って配線される回路導線は前記部品の接続領域に固定されている。回路導線に覆われている空き領域はシーリング材で充填されている。前記シーリング材は前記部品収容体に保持および収容される電気／電子部品の接点または接点接続部を実質的に保護する。また、前記充填材は、組み立てられた部品収容体に必要とされる安定性を提供する。
当該製造方法によると、前記シーリング材を適用する前に電気的および／または機械的接続を確立する必要があるため、上記で形成された部品収容体を比較的幅広に設計することは避けられない。これは、はんだ付け、接着、接合などの接続技術を用いるために、充填される部品収容体に十分なスペースを設ける必要があることを意味する。現時点ではいずれの場合にせよ、埋め込み用槽状部の大きさは相当なものである。このため、当該埋め込み用槽状部を充填し、当該槽状部に収容された電気的／機械的接続部をシールする際、相当量のシーリング材を必要とする。これは結果的に、一方では必要とされるシーリング材の量のため、他方では前記埋め込み用槽状部を充填するのに相当な時間が掛るため、非常にコスト高になる。本発明はこの課題に対して解決手段を提供するものである。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【特許文献１】  実公平０１―１２３３５１号公報
【特許文献２】  米国特許第７１４２４３３号明細書
【特許文献３】  西独国実用新案第２０２００７００１７９５号明細書
【特許文献４】  特開２００２−２５２４８２号公報
【特許文献５】  特開昭４８−０１２６９８号公報
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月23日(2012.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターミナルサーバまたは仮想マシンへのリモートアクセスを提供するコンピューティングシステムにおいて、前記コンピューティングシステムの１つまたは複数の処理タスクをネットワーク周辺機器にオフロードする方法であって、前記方法は、
前記ネットワーク周辺機器が、前記処理タスクを実行するためのタスクオフロード機能を含むことを判定することと、
後続のデータパケットと共に使用されるコンテキスト情報を含む、前記ネットワーク周辺機器が前記処理タスクを実行するという指示を、前記ネットワーク周辺機器に送信することと、
前記処理タスクを前記ネットワーク周辺機器に実行させることと
を備えたことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記処理タスクは、部分的なリモートアクセス処理を提供することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記処理タスクは、完全なリモートアクセス処理を提供することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記処理タスクは、ビットマップ圧縮を備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記処理タスクは、大量圧縮を備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記処理タスクは、キャッシングを備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記処理タスクは、前記コンピューティングシステム、ネットワーク接続タイプ、およびリモートクライアントのうちの少なくとも１つの進行中の要求に応じて、前記ネットワーク周辺機器に選択的にオフロードされることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記方法は、前記タスクオフロード機能を使用可能にするために、前記ネットワーク周辺機器に関連付けられたタスクオフロードバッファ内の少なくとも１つのフラグインジケータを設定するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記ネットワーク周辺機器は、ネットワークインタフェースカード（ＮＩＣ）であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記データパケットは、階層化ネットワークモデルを介して転送され、前記データパケットは、ネットワークデータおよびパケット拡張データを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記データパケットは、前記ネットワーク周辺機器が前記処理タスクのバッチを実行することを指示し、前記パケット拡張データは、前記ネットワーク周辺機器によって実行されるために、少なくとも１つの前記処理タスクを示す少なくとも１つのデータフィールドを含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
ターミナルサーバまたは仮想マシンへのリモートアクセスを提供するコンピューティングシステムであって、前記コンピューティングシステムは、１つまたは複数の処理タスクをネットワーク周辺機器にオフロードするように適合され、前記コンピューティングシステムは、
少なくとも１つのプロセッサと、
前記少なくとも１つのプロセッサに通信できるように結合された少なくとも１つのメモリとを含み、前記メモリは、前記プロセッサに、
前記ネットワーク周辺機器によってビットマップ圧縮、大量圧縮、またはキャッシングのうちの１つを備える前記処理タスクを実行させることを指示するデータパケットを、前記ネットワーク周辺機器に送信させ、
前記ネットワーク周辺機器に前記処理タスクを実行するためのタスクオフロード機能が含まれないと判定されたことに応答して、前記処理タスクを実行させる
コンピュータ実行可能命令を格納していることを特徴とするコンピューティングシステム。
【請求項１３】
ターミナルサーバまたは仮想マシンへのリモートアクセスを提供するコンピューティングシステムの処理タスクをネットワーク周辺機器にオフロードする方法を実行させるコンピュータ実行可能命令を格納するコンピュータ可読記憶媒体であって、前記方法は、
前記ネットワーク周辺機器が、前記処理タスクを実行するためのタスクオフロード機能を含むことを判定することと、
後続のデータパケットと共に使用されるコンテキスト情報を含む、前記ネットワーク周辺機器が前記処理タスクを実行するという指示を、前記ネットワーク周辺機器に送信することと、
前記処理タスクを前記ネットワーク周辺機器に実行させることと
を備えたことを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１４】
前記処理タスクは、キャッシングおよび大量圧縮を備えることを特徴とする請求項１３に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１５】
前記タスクオフロード機能は、多重化／フレーム化、暗号化、およびコマンド命令符号化のうちの１つをさらに備えることを特徴とする請求項１３に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月14日(2012.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
表示された前記一つ以上のラインは、第１の方向に延在し、前記プロジェクトリソースデータに基づいて、第１の方向に垂直な二つの方向に時間的に対称に幅が変動する請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月4日(2012.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１端子と第２端子とを含む電池であって、前記第１端子が、ルテニウムでドープしたリチオ化酸化マンガンを含み、前記リチオ化酸化マンガンが、リチウムおよびマンガンを含み、スピネル結晶構造を有する、電池。
【請求項２】
スピネル構造を有する前記リチオ化酸化マンガンが遷移金属をさらに含む、請求項１に記載の電池。
【請求項３】
前記ルテニウムが、前記遷移金属に対する位置、前記結晶構造内のリチウムに対する位置、ならびに前記遷移金属の位置および前記リチウムに対する位置のうちの１つに存在する、請求項２に記載の電池。
【請求項４】
前記遷移金属が、Ｃｒ、Ｎｉ、およびＣｕからなる群から選択される、請求項３に記載の電池。
【請求項５】
前記遷移金属が、Ｎｉであり、ルテニウムが、式Ｌｉ1+2xＲｕxＮｉ0.5-3xＭｎ1.5Ｏ4の前記結晶構造内でＮｉ位置に存在し、ここで、ｘが、０．０００１〜０．１６６６の範囲の数である、請求項３に記載の電池。
【請求項６】
前記遷移金属が、Ｎｉであり、ルテニウムが、式Ｌｉ1-4xＲｕxＮｉ0.5Ｍｎ1.5Ｏ4の前記結晶構造内でリチウムの位置に存在し、ここで、ｘが、０．０００１〜０．１２５の範囲の数である、請求項３に記載の電池。
【請求項７】
前記遷移金属が、Ｎｉであり、ルテニウムが、式ＬｉＲｕxＮｉ0.5-2xＭｎ1.5Ｏ4の前記結晶構造内でＮｉ位置に存在し、ここで、ｘが０．０００１〜０．２５の範囲の数である、請求項３に記載の電池。
【請求項８】
前記遷移金属が、Ｎｉであり、ルテニウムが、Ｎｉ原子を部分的に置き換えている、請求項３に記載の電池。
【請求項９】
前記遷移金属が、Ｎｉであり、ルテニウムが、リチウム原子を部分的に置き換えている、請求項１に記載の電池。
【請求項１０】
前記遷移金属が、Ｎｉであり、ルテニウムが、リチウム原子を部分的に置き換え、ニッケル原子を部分的に置き換えている、請求項１に記載の電池。
【請求項１１】
スピネル結晶構造を有するルテニウムでドープしたリチオ化酸化マンガン材料の合成の方法であって、
リチウム化合物、遷移金属化合物、マンガン化合物、およびルテニウム化合物を混合することによって、混合物を得るステップと、
前記混合物をか焼するステップと、
前記か焼した混合物を焼成するステップと
を含む方法。
【請求項１２】
前記リチウム化合物が、Ｌｉ2ＣＯ3、Ｌｉ2Ｏ、ＬｉＯＨ、ならびにリチウムおよび少なくとも別の元素を含む化合物からなる群から選択される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記遷移金属化合物が、ＮｉＯ、ＮｉＣＯ3、Ｎｉ（ＯＨ）2、ならびにニッケルおよび少なくとも別の元素を含む化合物からなる群から選択される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記マンガン化合物が、ＭｎＯ2、Ｍｎ（ＯＨ）4、ならびにマンガンおよび少なくとも別の元素を含む化合物からなる群から選択される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記ルテニウム化合物が、ＲｕＯ2、またはルテニウムおよび少なくとも別の元素を含む化合物である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記か焼および前記焼成が、前記混合物の断続的な粉砕と共に行われる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記か焼が、２００〜７００℃の範囲の温度で、１〜５０時間の範囲の時間にわたり行われる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記焼成が、６００〜１４００℃の範囲の温度で１〜５０時間の範囲の時間にわたり行われる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１９】
前記化合物の量が、前記ルテニウムでドープしたリチオ化酸化マンガンが、電荷中性であるように選択される、請求項１１に記載の方法。