【手続補正書】
【提出日】平成24年10月25日(2012.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
本発明の様々な修正形態及び変更形態が、当業者には、本発明の範囲及び趣旨から逸脱することなく明らかとなろう。また、理解されたいこととして、本発明は、本明細書に記載した例示的な実施形態に不当に限定されるものではない。
本発明はまた、以下の内容を包含する。
（１）薄膜半導体デバイスを作製する方法であって、
ａ）第１及び第２の導電性ゾーンを支持する基板を用意する工程であって、前記第１及び第２の導電性ゾーンは、それらの間にチャネルを画定し、該チャネルは、いずれの導電性ゾーンの周囲の７５％超とも境界を画さない、工程と、
ｂ）有機半導体を含有する溶液の個別のアリコートを、前記チャネルに隣接してあるいは前記チャネル上に堆積させる工程であって、前記アリコートは、単一の薄膜半導体デバイスに有機半導体を与え、前記溶液の大部分は、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に堆積される、工程と、を含む、方法。
（２）前記チャネルは、いずれの導電性ゾーンの周囲の５０％以上とも境界を画さない、項目（１）に記載の方法。
（３）前記チャネルと前記導電性ゾーンの各々との境界は、実質的に直線状であり、かつ実質的に平行である、項目（１）に記載の方法。
（４）前記薄膜半導体デバイスはトランジスタであり、前記第１の導電性ゾーンはソースであり、前記第２の導電性ゾーンはドレインである、項目（１）に記載の方法。
（５）前記溶液の７０％超が、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に堆積される、項目（１）に記載の方法。
（６）前記溶液の９０％超が、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に堆積される、項目（１）に記載の方法。
（７）前記溶液のすべてが、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に堆積される、項目（１）に記載の方法。
（８）前記個別のアリコートは、複数の小滴の形態で堆積される、項目（１）に記載の方法。
（９）前記小滴はインクジェット印刷で堆積される、項目（８）に記載の方法。
（１０）前記小滴の少なくとも７０％が、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に堆積される、項目（９）に記載の方法。
（１１）前記小滴の少なくとも９０％が、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に堆積される、項目（９）に記載の方法。
（１２）前記小滴のすべてが、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に堆積される、項目（９）に記載の方法。
（１３）前記チャネルは、あるチャネル長さを有し、前記有機半導体を含有する溶液の個別のアリコートは、堆積後に湿潤され、次いで、前記チャネル長さの１０倍以下の長さを有する、項目（１）に記載の方法。
（１４）前記チャネルは、あるチャネル長さを有し、前記有機半導体を含有する溶液の個別のアリコートは、前記チャネル長さ未満の長さを有するバンド内に堆積される、項目（１）に記載の方法。
（１５）前記チャネルは、あるチャネル長さを有し、前記有機半導体を含有する溶液の個別のアリコートは、前記チャネル長さ未満の長さを有するバンド内に堆積され、前記溶液のすべてが、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に堆積される、項目（１）に記載の方法。
（１６）薄膜半導体デバイスであって、
ａ）第１及び第２の導電性ゾーンを支持する基板であって、前記第１及び第２の導電性ゾーンは、それらの間にチャネルを画定し、該チャネルは、いずれの導電性ゾーンの周囲の７５％超とも境界を画さない、基板と、
ｂ）前記チャネル上にかつ前記チャネルに隣接して位置する有機半導体を備える個別の半導体層であって、単一の薄膜半導体デバイスとして働き、前記個別の半導体層の大部分は、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に存在する、個別の半導体層と、を備える、薄膜半導体デバイス。
（１７）前記チャネルは、いずれの導電性ゾーンの周囲の５０％以上とも境界を画さない、項目（１６）に記載のデバイス。
（１８）前記チャネルと前記導電性ゾーンの各々との境界は、実質的に直線状であり、かつ実質的に平行である、項目（１６）に記載のデバイス。
（１９）前記薄膜半導体デバイスはトランジスタであり、前記第１の導電性ゾーンはソースであり、前記第２の導電性ゾーンはドレインである、項目（１６）に記載のデバイス。
（２０）ゲートと誘電層とを更に備える、項目（１９）に記載のデバイス。
（２１）前記個別の半導体層の５５％超が、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に存在する、項目（１６）に記載の方法。
（２２）前記個別の半導体層の６０％超が、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に存在する、項目（１６）に記載の方法。
（２３）前記個別の半導体層の７０％超が、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に存在する、項目（１６）に記載の方法。
（２４）前記個別の半導体層の８０％超が、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に存在する、項目（１６）に記載の方法。
（２５）前記チャネルがあるチャネル長さを有し、前記個別の半導体層は、前記チャネル長さの１０倍以下の長さを有する、項目（１６）に記載のデバイス。
（２６）薄膜半導体デバイスの対を作製する方法であって、
ａ）基板を用意する工程であって、前記基板は、
ｉ）第１及び第２の導電性ゾーンであって、それらの間に第１のチャネルを画定する、第１及び第２の導電性ゾーンと、
ｉｉ）第３及び第４の導電性ゾーンであって、それらの間に第２のチャネルを画定する、第３及び第４の導電性ゾーンと、を支持する、工程と、
ｂ）有機半導体を含有する溶液の個別のアリコートを、前記第１及び第２のチャネルに隣接してあるいは前記第１及び第２のチャネル上に堆積させる工程であって、前記アリコートは、正確に２つの単一の薄膜半導体デバイスに有機半導体を与え、前記溶液の大部分は、前記第１のチャネル上ではなく前記第１のチャネルの片側に堆積され、前記溶液の大部分は、前記第２のチャネル上ではなく前記第２のチャネルの片側に堆積される、工程と、を含む、方法。
（２７）薄膜半導体デバイスの対であって、
ａ）基板であって、
ｉ）第１及び第２の導電性ゾーンであって、それらの間に第１のチャネルを画定する、第１及び第２の導電性ゾーンと、
ｉｉ）第３及び第４の導電性ゾーンであって、それらの間に第２のチャネルを画定する、第３及び第４の導電性ゾーンと、を支持する基板と、
ｂ）前記第１及び第２のチャネル上にかつ前記第１及び第２のチャネルに隣接して位置する有機半導体を備える個別の半導体層であって、正確に２つの単一の薄膜半導体デバイスとして働き、前記個別の半導体層の大部分は、前記第１のチャネル上ではなく前記第１のチャネルの片側に存在し、前記個別の半導体層の大部分は、前記第２のチャネル上ではなく前記第２のチャネルの片側に存在する、個別の半導体層と、を備える、薄膜半導体デバイスの対。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜半導体デバイスを作製する方法であって、
ａ）第１及び第２の導電性ゾーンを支持する基板を用意する工程であって、前記第１及び第２の導電性ゾーンは、それらの間にチャネルを画定し、該チャネルは、いずれの導電性ゾーンの周囲の７５％超とも境界を画さない、工程と、
ｂ）有機半導体を含有する溶液の個別のアリコートを、前記チャネルに隣接してあるいは前記チャネル上に堆積させる工程であって、前記アリコートは、単一の薄膜半導体デバイスに有機半導体を与え、前記溶液の大部分は、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に堆積される、工程と、を含む、方法。
【請求項２】
薄膜半導体デバイスであって、
ａ）第１及び第２の導電性ゾーンを支持する基板であって、前記第１及び第２の導電性ゾーンは、それらの間にチャネルを画定し、該チャネルは、いずれの導電性ゾーンの周囲の７５％超とも境界を画さない、基板と、
ｂ）前記チャネル上にかつ前記チャネルに隣接して位置する有機半導体を備える個別の半導体層であって、単一の薄膜半導体デバイスとして働き、前記個別の半導体層の大部分は、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に存在する、個別の半導体層と、を備える、薄膜半導体デバイス。