Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月29日(2012.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成物であって、それを必要とする患者において実行機能、、理由づけ、問題解決、および学習機能の一つ又はそれより多くを向上させることにより行動の柔軟性を向上させるのに充分な、有効量のＣＤＤ−０１２０［５−（３−エチル−１，２，４−オキサジアゾール−５−イル）−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジン］化合物、或いは医薬的に受容可能なその塩又は水和物を含んでなる、前記組成物。
【請求項２】
前記行動の柔軟性機能が、一つ又はそれより多い：保続性の錯誤、退行性の錯誤及び未補強の錯誤を含んでなる、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記化合物の投与が、患者にＭ２、Ｍ３、Ｍ４及びＭ５受容体活性を実質的に生じることなく効果的な治療を与える、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
それを必要とする患者に投与するために、約０．００１ｍｇ／ｋｇないし約１０ｍｇ／体重ｋｇの範囲の投与量で処方される、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項５】
それを必要とする患者に投与するために、約０．０１ないし約１０ｍｇ／体重ｋｇの範囲の投与量で処方される、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項６】
それを必要とする患者に投与するために、約０．０１ｍｇ／ｋｇないし約０．１ｍｇ／体重のｋｇの範囲の投与量で処方される、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項７】
それを必要とする患者に投与するために、毎日の投与量で処方される、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項８】
それを必要とする患者に投与するために、一日当たり１ないし４回の投与計画で処方される、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項９】
それを必要とする患者において行動の柔軟性の喪失を改善及び／又は調節するための医薬組成物であって：
実行機能、理由づけ及び問題解決、記憶機能、並びに学習機能の一つ又はそれより多くを向上させることにより行動の柔軟性を向上させるのに充分な、有効量のＣＤＤ−１２０Ａ［５−（３−エチル−１，２，４−オキサジアゾール−５−イル）−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジン］化合物或いは医薬的に受容可能なその塩又は水和物を投与することを含む、前記医薬組成物。
【請求項１０】
以下の１またはそれより多くの構成：
（ｉ）前記行動の柔軟性機能が、一つ又はそれより多い：保続性の錯誤、退行性の錯誤及び未補強の錯誤を含む；
（ｉｉ）前記化合物が、患者に投与されたときに、患者にＭ２、Ｍ３、Ｍ４及び／又はＭ５サブタイプ受容体活性を実質的に生じることなく効果的な治療を与える；
（ｉｉｉ）前記精神的症状が、少なくとも部分的にＭ１受容体活性の減少によるものである；
（ｉｖ）前記患者が、一つ又はそれより多い：神経変性疾患、アルツハイマー病、パーキンソン病、統合失調症、加齢関連認知低下、及び注意集中欠陥障害からなる群から選択される精神的症状を有する；
を含む、請求項９に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
前記患者がヒトである、請求項９又は１０に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
それを必要とする患者において行動の柔軟性の喪失を改善及び／又は調節において使用するための医薬の製造における、ＣＤＤ−１２０Ａ［５−（３−エチル−１，２，４−オキサジアゾール−５−イル）−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジン］化合物、又は医薬的に受容可能なその塩若しくは水和物、或いはＣＤＤ−１２０Ａ［５−（３−エチル−１，２，４−オキサジアゾール−５−イル）−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジン］化合物、又は医薬的に受容可能なその塩若しくは水和物を含んでなる組成物の使用。
【請求項１３】
患者における行動の柔軟性に影響する精神的症状を治療するための医薬の製造における、ＣＤＤ−１０２Ａ化合物、又は医薬的に受容可能なその塩若しくは水和物、或いはＣＤＤ−１０２Ａ又は医薬的に受容可能なその塩若しくは水和物を含んでなる組成物の使用。
【請求項１４】
前記精神的症状が、一つ又はそれより多い：神経変性疾患、アルツハイマー病、パーキンソン病、統合失調症、加齢関連認知低下、及び注意集中欠陥障害からなる群より選択される、請求項５４に記載の使用。
【請求項１５】
精神的症状の治療が、症状の発生を防止すること、及び／又はこれによって症状がすでに発生し、そして患者が症状の悪化に対して保護されることを含む、請求項１３に記載の使用。
【請求項１６】
症状が、患者のＭ１受容体の機能障害からもたらされる、請求項１３に記載の使用。
【請求項１７】
症状の治療が、患者の抑制されたＭ１受容体伝達からもたらされる、請求項１３に記載の使用。
【請求項１８】
医薬が、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４及びＭ５受容体活性を実質的に生じることなく、Ｍ１ムスカリン受容体を選択的に活性化するために使用される、請求項１３に記載の使用。
【請求項１９】
患者がヒトである、請求項１３に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月11日(2012.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）：
【化１】
2011520903.tif 000001
[式中、Ｒは以下
【化２】
2011520903.tif 000002
からなる群から選択される置換基を表す］
で示される化合物またはその製薬的に許容し得る塩。
【請求項２】
Ｒが、
【化３】
2011520903.tif 000003
を表す、請求項１に記載の化合物または塩。
【請求項３】
Ｒが、
【化４】
2011520903.tif 000004
を表す、請求項２に記載の化合物または塩。
【請求項４】
Ｒが、
【化５】
2011520903.tif 000005
を表す、請求項１に記載の化合物または塩。
【請求項５】
Ｒが、
【化６】
2011520903.tif 000006
を表す、請求項４に記載の化合物または塩。
【請求項６】
［（Ｓ）−７−シアノ−４−（（２Ｒ，３Ｓ）−３−ヒドロキシ−１−メチル−ピロリジン−２−イルメチル）−１，２，３，４−テトラヒドロ−シクロペンタ［ｂ］インドール−２−イル］−カルバミン酸イソプロピルエステル、［（Ｓ）−７−シアノ−４−（３−フルオロ−２−ヒドロキシベンジル）−１，２，３，４−テトラヒドロシクロペンタ［ｂ］インドール−２−イル］−カルバミン酸イソプロピルエステル、［（Ｓ）−７−シアノ−４−（２−ヒドロキシ−ベンジル）−１，２，３，４−テトラヒドロ−シクロペンタ［ｂ］インドール−２−イル］−カルバミン酸イソプロピルエステル、および［（Ｓ）−７−シアノ−４−（５−フルオロ−２−ヒドロキシ−ベンジル）−１，２，３，４−テトラヒドロ−シクロペンタ［ｂ］インドール−２−イル］カルバミン酸イソプロピルエステルからなる群から選択される請求項１に記載の化合物、またはその製薬的に許容し得る塩。
【請求項７】
治療において使用するための、請求項１〜６のいずれか１項に記載の化合物または塩。
【請求項８】
骨量または骨密度の低減、骨粗しょう症、骨減少症、筋肉量もしくは筋力の低減、または勃起障害の処置または予防において使用するための、請求項１〜６のいずれか１項に記載の化合物または塩。
【請求項９】
勃起障害を処置または予防するための、請求項８に記載の化合物または塩。
【請求項１０】
骨量または骨密度の低減、骨粗しょう症、骨減少症、筋肉量もしくは筋力の低減、または勃起障害の処置のための薬剤の製造のための、請求項１〜６のいずれか１項に記載の化合物または塩の使用。
【請求項１１】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の化合物または塩を、１種以上の製薬的に許容し得る担体、希釈剤または賦形剤と組み合わせて含む医薬組成物。
【請求項１２】
タダラフィル、クエン酸シルデナフィルおよび塩酸バルデナフィルからなる群から選択される化合物をさらに含む、請求項１１に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月14日(2012.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
皮膚創傷の表面的外観を改善するための医薬の製造における医薬的に活性なリラキシンの使用であって、前記医薬は、これを投与した対象において未処置の対象の治癒後の創傷と比較して改善された表面的外観を有する治癒後の創傷をもたらすのに有効な量の薬学的に活性なリラキシンを含む、使用。
【請求項２】
前記治癒後の創傷が周辺の皮膚により類似した色で適合する、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
前記リラキシンは、精製、組換え型または合成のＨ１、Ｈ２もしくはＨ３ヒトリラキシンであるか、あるいはリラキシン作動薬である、請求項１に記載の使用。
【請求項４】
皮膚創傷が治癒する間に生じる瘢痕化を低減させるための医薬の製造における医薬的に活性なリラキシンの使用であって、前記医薬は、これを投与した対象において未処置の対象の治癒後の創傷と比較して瘢痕化が低減された治癒後の創傷をもたらすのに有効な量の薬学的に活性なリラキシンを含む、使用。
【請求項５】
前記リラキシンは、精製、組換え型または合成のＨ１、Ｈ２もしくはＨ３ヒトリラキシンであるか、あるいはリラキシン作動薬である、請求項４に記載の使用。
【請求項６】
創傷の治癒を促進するための医薬の製造における医薬的に活性なリラキシンの使用であって、前記医薬は、対象において前記創傷の治癒を促進するのに有効な量の薬学的に活性なリラキシンを含む、使用。
【請求項７】
前記創傷は、形成手術によるものである、請求項６に記載の使用。
【請求項８】
前記形成手術は、皺切除、眼瞼形成術、鼻形成術、耳形成術、頤形成術、頬部除皺術、額除皺術、眉毛吊り上げ術、顔面の瘢痕修正、顔面の瘢痕除去、レーザー手術、皮膚の表面修復、皺治療、プラズマ皮膚再生、顔面の脂肪移植、皮膚の引き締め、刺青除去、植毛、腹壁形成術、乳房縮小術、豊胸術、ボディリフト手技、クモ状静脈治療、皮膚線条治療、脂肪吸引、余剰皮膚切除手術、セルライト減少治療、体形矯正、体の表面修復および体内インプラントからなる群から選択される顔面または全身の形成手術である、請求項７に記載の使用。
【請求項９】
前記リラキシンは、精製、組換え型または合成のＨ１、Ｈ２もしくはＨ３ヒトリラキシンであるか、あるいはリラキシン作動薬である、請求項６に記載の使用。
【請求項１０】
前記リラキシンは、対象への全身投与および／または皮膚創傷部への局所投与に用いられるものである、請求項６に記載の使用。
【請求項１１】
皮膚創傷の表面的外観を改善するための医薬組成物であって、これを投与した対象において未処置の対象の治癒後の創傷と比較して改善された表面的外観を有する治癒後の創傷をもたらすのに有効な量の薬学的に活性なリラキシンを含む、医薬組成物。
【請求項１２】
前記治癒後の創傷が周辺の皮膚により類似した色で適合する、請求項１１に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
前記リラキシンは、精製、組換え型または合成のＨ１、Ｈ２もしくはＨ３ヒトリラキシンであるか、あるいはリラキシン作動薬である、請求項１１に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
皮膚創傷が治癒する間に生じる瘢痕化を低減させるための医薬組成物であって、これを投与した対象において未処置の対象の治癒後の創傷と比較して瘢痕化が低減された治癒後の創傷をもたらすのに有効な量の薬学的に活性なリラキシンを含む、医薬組成物。
【請求項１５】
前記リラキシンは、精製、組換え型または合成のＨ１、Ｈ２もしくはＨ３ヒトリラキシンであるか、あるいはリラキシン作動薬である、請求項１４に記載の医薬組成物。
【請求項１６】
創傷の治癒を促進するための医薬組成物であって、対象において前記創傷の治癒を促進するのに有効な量の薬学的に活性なリラキシンを含む、医薬組成物。
【請求項１７】
前記創傷は、形成手術によるものである、請求項１６に記載の医薬組成物。
【請求項１８】
前記形成手術は、皺切除、眼瞼形成術、鼻形成術、耳形成術、頤形成術、頬部除皺術、額除皺術、眉毛吊り上げ術、顔面の瘢痕修正、顔面の瘢痕除去、レーザー手術、皮膚の表面修復、皺治療、プラズマ皮膚再生、顔面の脂肪移植、皮膚の引き締め、刺青除去、植毛、腹壁形成術、乳房縮小術、豊胸術、ボディリフト手技、クモ状静脈治療、皮膚線条治療、脂肪吸引、余剰皮膚切除手術、セルライト減少治療、体形矯正、体の表面修復および体内インプラントからなる群から選択される顔面または全身の形成手術である、請求項１７に記載の医薬組成物。
【請求項１９】
前記リラキシンは、精製、組換え型または合成のＨ１、Ｈ２もしくはＨ３ヒトリラキシンであるか、あるいはリラキシン作動薬である、請求項１６に記載の医薬組成物。
【請求項２０】
前記リラキシンは、対象への全身投与および／または皮膚創傷部への局所投与に用いられるものである、請求項１６に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月18日(2012.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）
ＣnＦ2n+1（ＣＨ2）x［（ＣＦ2ＣＦ2）y（ＣＨ2ＣＨ2）z］mＧ      （Ｉ）
（式中、Ｇは、Ｉ、ＯＨ、ＯＣ（Ｏ）ＣＨ＝ＣＨ2、ＯＣ（Ｏ）ＣＣＨ3＝ＣＨ2、ＯＣ（Ｏ）ＣＣｌ＝ＣＨ2、ＮＲ1Ｈ、Ｎ3、ＮＣＯ、ＳＱ、式中、ＱはＨ、アルキル、（ＣＨ2）nＯＨ、（ＣＨ2）nＮＨ2、（ＣＨ2）nＯＣ（Ｏ）Ｃ（Ｍｅ）＝ＣＨ2または（ＣＨ2）nＮＨＣ（Ｏ）Ｃ（Ｍｅ）＝ＣＨ2、ＳＣＮ、ＣＯＯＨ、ＳＯ3Ｈ、ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ2、ＮＨＣＯＣ（ＣＨ3）＝ＣＨ2）、ＯＣ（Ｏ）ＮＨＣＨ2ＣＨ2ＯＣ（Ｏ）Ｃ（ＣＨ3）＝ＣＨ2またはＯＣ（Ｏ）ＮＨＣＨ2ＣＨ2ＯＣ（Ｏ）Ｃ（ＣＨ3）＝ＣＨ2であり、
下付きｎは、１〜約６の整数であり、
下付きｘは、１〜約６の整数であり、
下付きｙ、ｚおよびｍは、それぞれ、独立して、１、２または３またはこれらの組み合わせであり、
Ｇを除いた前記式（Ｉ）中の炭素の総数は、約８〜約２２の範囲である）
の化合物。
【請求項２】
ヨウ化パーフルオロアルキル、ヨウ化パーフルオロアルキルエチルまたはヨウ化パーフルオロアルキルメチルを、気相中、テトラフルオロエチレンおよびエチレンの混合物とオリゴマー化することを含み、ヨウ化物対テトラフルオロエチレンおよびエチレンの混合物の比率が、約１：３〜約２０：１である請求項１に記載の化合物の調製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
実施例２７
０℃に保たれた塩化メチレン（２０ｍＬ）中、オリゴマーアミン（実施例２２、Ｆ（ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ2）nＳＣＨ2ＣＨ2ＮＨ2（式中、ｎ＝２，３は、約２：１の比率での主成分であった）（０．７００ｇ）およびトリエチルアミン（０．１６６）の混合物に、塩化メチレン（１０ｍＬ）中、塩化メタクリロイル（０．２２８ｇ）の溶液を滴下して添加した。反応混合物を８時間、周囲温度で攪拌した。水（２０ｍＬ）を反応混合物に添加し、有機層を分離し、１Ｎ  ＨＣｌ（２×２０ｍＬ）、飽和ＮａＨＣＯ3（２×２０ｍＬ）および塩水（１×２０ｍＬ）で洗った。有機層を分離し、無水ＭｇＳＯ4で乾燥した。減圧下での溶媒除去後、固体生成物の、冷塩化メチレンおよびヘキサン（１：４）の混合物による繰り返しの洗浄により、オリゴマーアクリロイルアミドＦ（ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ2）nＳＣＨ2ＣＨ2ＮＨＣ（Ｏ）Ｃ（Ｍｅ）＝ＣＨ2の混合物が、白色固体（０．５３０ｇ）として得られた。1Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ６．２（ｂｓ，ＮＨ），５．７９（ｓ，＝ＣＨ），５．３８（ｑ，Ｊ＝１．２Ｈｚ，＝ＣＨ），３．５６（ｑ，Ｊ＝６．０Ｈｚ，ＮＣＨ2），２．７９（ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，ＳＣＨ2），２．７７（ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，ＳＣＨ2），２．３７（ｂｍ，ＣＦ2ＣＨ2’ｓ），２．０（ｓ，ＣＨ3）。
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
１．式（Ｉ）
ＣnＦ2n+1（ＣＨ2）x［（ＣＦ2ＣＦ2）y（ＣＨ2ＣＨ2）z］mＧ      （Ｉ）
（式中、Ｇは、Ｉ、ＯＨ、ＯＣ（Ｏ）ＣＨ＝ＣＨ2、ＯＣ（Ｏ）ＣＣＨ3＝ＣＨ2、ＯＣ（Ｏ）ＣＣｌ＝ＣＨ2、ＮＲ1Ｈ、Ｎ3、ＮＣＯ、ＳＱ、式中、ＱはＨ、アルキル、（ＣＨ2）nＯＨ、（ＣＨ2）nＮＨ2、（ＣＨ2）nＯＣ（Ｏ）Ｃ（Ｍｅ）＝ＣＨ2または（ＣＨ2）nＮＨＣ（Ｏ）Ｃ（Ｍｅ）＝ＣＨ2、ＳＣＮ、ＣＯＯＨ、ＳＯ3Ｈ、ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ2、ＮＨＣＯＣ（ＣＨ3）＝ＣＨ2）、ＯＣ（Ｏ）ＮＨＣＨ2ＣＨ2ＯＣ（Ｏ）Ｃ（ＣＨ3）＝ＣＨ2またはＯＣ（Ｏ）ＮＨＣＨ2ＣＨ2ＯＣ（Ｏ）Ｃ（ＣＨ3）＝ＣＨ2であり、
下付きｎは、１〜約６の整数であり、
下付きｘは、１〜約６の整数であり、
下付きｙ、ｚおよびｍは、それぞれ、独立して、１、２または３またはこれらの組み合わせであり、
Ｇを除いた前記式（Ｉ）中の炭素の総数は、約８〜約２２の範囲である）
の化合物。
２．ｘは２であり、ｙおよびｚはそれぞれ１であり、ｍは１または２である前記１に記載の化合物。
３．Ｇがヨウ化物で、
１，１，２，２，５，５，６，６−オクタヒドロパーフルオロ−１−ヨードオクタン、１，１，２，２，５，５，６，６，９，９，１０，１０−ドデカヒドロパーフルオロ−１−ヨードドデカン、１，１，２，２，５，５，６，６−オクタヒドロパーフルオロ−１−ヨードデカン、１，１，２，２，５，５，６，６，９，９，１０，１０−ドデカヒドロパーフルオロ−１−ヨードテトラデカン、またはこれらの混合物である前記１に記載の化合物。
４．Ｇがヒドロキシルで、
１，１，２，２，５，５，６，６−オクタヒドロパーフルオロ−１−オクタノール、１，１，２，２，５，５，６，６，９，９，１０，１０−ドデカヒドロパーフルオロ−１−ドデカノール、１，１，２，２，５，５，６，６−オクタヒドロパーフルオロ−１−デカノール、１，１，２，２，５，５，６，６，９，９，１０，１０−ドデカヒドロパーフルオロ−１−テトラデカノール、またはこれらの混合物である前記１に記載の化合物。
５．Ｇがアクリレートで、
１，１，２，２，５，５，６，６−オクタヒドロパーフルオロオクチルアクリレート、１，１，２，２，５，５，６，６，９，９，１０，１０−ドデカヒドロパーフルオロドデシルアクリレート、１，１，２，２，５，５，６，６−オクタヒドロパーフルオロデシルアクリレート、１，１，２，２，５，５，６，６，９，９，１０，１０−ドデカヒドロパーフルオロテトラデシルアクリレート、またはこれらの混合物である前記１に記載の化合物。
６．Ｇがメタクリレートで、
１，１，２，２，５，５，６，６−オクタヒドロパーフルオロオクチルメタクリレート、１，１，２，２，５，５，６，６，９，９，１０，１０−ドデカヒドロパーフルオロドデシルメタクリレート、１，１，２，２，５，５，６，６−オクタヒドロパーフルオロデシルメタクリレート、１，１，２，２，５，５，６，６，９，９，１０，１０−ドデカヒドロパーフルオロテトラデシルメタクリレート、またはこれらの混合物である前記１に記載の化合物。
７．Ｇがクロロアクリレートで、
１，１，２，２，５，５，６，６−オクタヒドロパーフルオロオクチルクロロアクリレート、１，１，２，２，５，５，６，６，９，９，１０，１０−ドデカヒドロパーフルオロドデシルクロロアクリレート、１，１，２，２，５，５，６，６−オクタヒドロパーフルオロデシルクロロアクリレート、１，１，２，２，５，５，６，６，９，９，１０，１０−テトラデカヒドロパーフルオロヘキサデシルクロロアクリレート、またはこれらの混合物である前記１に記載の化合物。
８．ヨウ化パーフルオロアルキル、ヨウ化パーフルオロアルキルエチルまたはヨウ化パーフルオロアルキルメチルを、気相中、テトラフルオロエチレンおよびエチレンの混合物とオリゴマー化することを含み、ヨウ化物対テトラフルオロエチレンおよびエチレンの混合物の比率が、約１：３〜約２０：１である前記１に記載の化合物の調製方法。
９．パーフルオロヨウ化物のモル対テトラフルオロエチレンおよびエチレンの混合物のモルが、約１：２〜約５：１である前記８に記載の方法。
１０．前記化合物の最大分子量が約１０００である前記８または９に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年4月12日(2012.4.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７３】
好適な結合剤（ａ７）の例は線状かつ／または分枝鎖の、かつ／またはブロック、櫛状および／またはランダムに構成されたポリ（メタ）アクリレートまたはアクリレートコポリマー、ポリエステル、アルキド、アミノプラスト樹脂、ポリウレタン、ポリラクトン、ポリカーボネート、ポリエーテル、エポキシ樹脂−アミン付加生成物、（メタ）アクリレートジオール、部分けん化ポリビニルエステルまたはポリ尿素であり、このうち、アクリレートコポリマー、ポリエステル、ポリウレタン、ポリエーテルおよびエポキシ樹脂−アミン付加生成物が有利である。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ＳＭＣ（シート成形コンパウンド）およびＢＭＣ（バルク成形コンパウンド）をシーリングするために、熱および化学線により硬化可能な被覆材料を用いる使用において、前記被覆材料が
（ａ１）被覆材料の全量に対して５〜９０質量％のウレタン（メタ）アクリレート、当該ウレタン（メタ）アクリレートは、（メタ）アクリレート基を少なくとも２個有するものであり、および
（ａ２）遊離のイソシアネート基を有する（メタ）アクリレート官能性（メタ）アクリレートコポリマーおよび／または（メタ）アクリレート官能性ポリイソシアネート、当該コポリマーおよびポリイソシアネートはいずれも、（メタ）アクリレート基を少なくとも２個有するものであり、および
（ａ７）熱により硬化可能な結合剤および架橋剤から選択される、少なくとも１種の熱により硬化可能な成分
を含有することを特徴とする、前記使用。
【請求項２】  前記（ａ７）が、線状かつ／または分枝鎖の、かつ／またはブロック、櫛状および／またはランダムに構成されたポリ（メタ）アクリレートまたはアクリレートコポリマー、ポリエステル、アルキド、アミノプラスト樹脂、ポリウレタン、ポリラクトン、ポリカーボネート、ポリエーテル、エポキシ樹脂−アミン付加生成物、（メタ）アクリレートジオール、部分けん化ポリビニルエステルまたはポリ尿素である、請求項１に記載の使用。
【請求項３】  樹脂（ａ２）のイソシアネート基含有率が、樹脂（ａ２）に対して７〜２０質量％である、請求項１または２に記載の使用。
【請求項４】  前記被覆材料がさらに、
（ａ３）少なくとも１種の光開始剤、
（ａ４）少なくとも１種の熱による架橋の開始剤、
（ａ５）少なくとも１種の化学線および／または熱により硬化可能な反応性希釈剤、および
（ａ６）少なくとも１種のラッカー添加剤
のうち少なくとも１つを含む、請求項１から３までのいずれか１項に記載の使用。
【請求項５】  下塗層を塗布し、この下塗層を硬化させることによるＳＭＣ（シート成形コンパウンド）およびＢＭＣ（バルク成形コンパウンド）のシーリング法において、この際に請求項１から４までのいずれか１項に記載の被覆材料を使用することを特徴とする、ＳＭＣおよびＢＭＣのシーリング法。
【請求項６】  請求項５に記載の方法により製造される、下塗層でシーリングされたＳＭＣ（シート成形コンパウンド）およびＢＭＣ（バルク成形コンパウンド）。
【請求項７】  自動車部材を製造するための、請求項６に記載のＳＭＣ（シート成形コンパウンド）およびＢＭＣ（バルク成形コンパウンド）の使用。
【請求項８】  請求項６に記載のＳＭＣ（シート成形コンパウンド）およびＢＭＣ（バルク成形コンパウンド）を有する、自動車。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年2月22日(2012.2.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  超硬合金、サーメット、セラミクス、高速度鋼、立方晶窒化ホウ素、又はダイヤモンドの基体及び被膜を含む、被覆された切削工具を製造するための方法において、前記被膜が単数又は複数の耐熱化合物層の構造を含んで成り、０.１μｍ未満の粒子サイズをもつ細粒化された結晶質γ−Ａｌ2Ｏ3から成る少なくとも１つの耐熱層が、被覆されつつある工具本体の材料に応じて４００〜７００℃の範囲内の基体温度で、少なくとも１０Ｗ／cm2の、時間平均当たりのマグネトロン標的出力密度で、かつ１０〜１００ｋHzに設定されたパルス周波数で希ガス及び反応性ガスの混合物の中で反応性双極パルスマグネトロンスパッタリング技術によって被着させられる方法であって、
−  双極パルスバイアス電圧が基体に印加されること、
−  反応性ガスの流量は、マグネトロン放電のインピーダンスが、完全に酸化物被覆された標的電極の間の放電焼成のインピーダンスの１５０％〜２５０％の間にくるような値に設定されること、
−  個々の各基体上への衝突粒子の流束が繰り返し中断されること、
−  被着は、静止配置された基体を基準にして少なくとも１ｎｍ／秒の速度で発生すること、
を特徴とする方法。
【請求項２】  反応性双極パルスマグネトロンスパッタリング技術をパルス周波数２０〜５０ｋHzで行なうことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  基板温度が５００〜６００℃の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】  希ガスがアルゴンであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】  反応性ガスが酸素であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】  −  基体に印加される双極パルスバイアス周波数が０.１〜１０ｋHzに設定されること、
−  基体上の正のバイアス電圧パルスの持続時間が、負のバイアス電圧パルスの持続時間に等しいこと、
−  印加された双極バイアス電圧が、電圧レベル及びパルス持続時間といったパラメータのうちの少なくとも１つに関して両方の極性について非対称であること、
−  各パルス内のバイアス電圧の最大値が、２０Ｖ〜２００Ｖに設定されること、
を特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】  基体に印加される双極パルスバイアス周波数が１〜５ｋHzに設定されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】  基体上の正のバイアス電圧パルスの持続時間が、負のバイアス電圧パルスの持続時間の５分の１〜２０分の１以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】  各パルス内のバイアス電圧の最大値が５０Ｖ〜１００Ｖに設定されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】  基体上の衝突粒子の流束の繰り返し中断が１分あたり０.１〜１０の頻度で周期的に発生し、流束の中断持続時間が、全周期の持続時間の少なくとも１０％であることを特徴とする請求項６〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】  衝突粒子の流束の繰り返し中断が非周期的に起こることを特徴とする請求項６〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】  付加的な非アルミナ層が同様に、物理的蒸着（ＰＶＤ）プロセスによって被着させられることを特徴とする請求項６〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】  付加的な非アルミナ層が同様に、パルスマグネトロンスパッタリングによって被着させられることを特徴とする請求項６〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】  全ての層が真空中断なく同じコーティング機内で被着させられることを特徴とする請求項１２または１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月5日(2012.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ベンダムスチン；および
（ｂ）荷電した環状多糖；
を含む組成物。
【請求項２】
（ａ）ベンダムスチン；
（ｂ）荷電した環状多糖；および
（ｃ）前記環状多糖と反対の荷電を帯びた安定化剤；
を含む組成物。
【請求項３】
前記環状多糖がβ−シクロデキストリンである、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項４】
前記荷電した環状多糖がアニオン性基である荷電された基を有する、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項５】
前記アニオン性基が硫酸エステル、スルホニル、およびカルボニル基から選択される、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
前記環状多糖がスルホブチルエーテルβ−シクロデキストリンである、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記安定化剤が約５〜約５０のアミノ酸を含むポリペプチドであり、前記アミノ酸の少なくとも約５０％が正電荷を帯びている、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
前記安定化剤が約６〜約２０のアミノ酸を含むポリペプチドであり、前記アミノ酸の少なくとも約５０％が正電荷を帯びている、請求項６に記載の組成物。
【請求項９】
前記ポリペプチドが少なくとも一つの４つのアルギニンのブロック配列を含む、請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
前記安定化剤がポリアルギニンである、請求項６に記載の組成物。
【請求項１１】
前記安定化剤が低分子量プロタミンである、請求項６に記載の組成物。
【請求項１２】
前記環状多糖の荷電した基が、カチオン性基である、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項１３】
前記荷電した基が第四級アンモニウム基である、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１４】
（ａ）ベンダムスチン；
（ｂ）荷電した環状多糖；および
（ｃ）前記環状多糖と反対の荷電を帯びた安定化剤
を含むベンダムスチン製剤であり、前記製剤が、（ｂ）荷電した環状多糖；および（ｃ）前記環状多糖の荷電と反対の荷電を帯びた安定化剤と組み合わされていない（ａ）ベンダムスチンよりも血漿中で長い半減期を有する、ベンダムスチンの製剤。
【請求項１５】
非製剤化ベンダムスチンの半減期より、血漿中で少なくとも５０％長い半減期を有する、請求項１４に記載の製剤。
【請求項１６】
非製剤化ベンダムスチンの半減期より、血漿中で少なくとも１００％長い半減期を有する、請求項１５に記載の製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月20日(2012.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組織における開孔を閉塞するためのデバイスであって、
ａ．可撓性の第１ワイヤ及び可撓性の第２ワイヤであって、前記第１及び第２ワイヤの各々は形状記憶特性を備え、並びに前記第１及び第２ワイヤの各々は、半体ディスク及び略半円形状へ成形されていて、第１ディスクを形成するように前記第１ワイヤの前記半体ディスクが前記第２ワイヤの前記半体ディスクと対向し且つ第２ディスクを形成するように前記第１ワイヤの前記半円形状が前記第２ワイヤの前記半円形状と対向しており、更に、前記第１及び第２ディスクは、前記第１ワイヤの２つの区画と前記第２ワイヤの２つの区画とから構成された自動調心括れにより分離されている、第１ワイヤ及び第２ワイヤと、
ｂ．前記第１及び第２ディスクの各々の上のシール被覆であって、前記開孔を閉塞するシールを提供するシール被覆と、を具備するデバイス。
【請求項２】
前記第１ワイヤの前記２つの区画及び前記第２ワイヤの前記２つの区画は、該デバイスの自動調心構造形を維持するために半径方向外向きの力を生成するように形成されている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記記憶ワイヤは、生体適合性の金属もしくはポリマ、即ち生体再吸収可能ポリマ、形状記憶ポリマ、形状記憶合金、生体適合性金属、生体再吸収可能金属、及びそれらの組み合わせから成る材料から選択される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記記憶ワイヤは、鉄、マグネシウム、ステンレス鋼、ニチノール、及びこれらの材料及び類似の材料の組み合わせから選択される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記記憶ワイヤはニチノール合金である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記第１及び第２ワイヤの各々は第１及び第２端部を有し、前記第１及び第２ワイヤの前記第１及び第２端部の各々はハブに接続され、並びに前記ハブは、展開ケーブルに対する取付けのための投入用取付け機構を更に具備する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記被覆は、組織成長を促進することができ及び／又は封止材として機能することができる柔軟な生体適合性材料を具備する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
前記被覆は、ダクロン（登録商標）、ポリエステル繊維、テフロン（登録商標）系材料、ｅＰＴＦＥ、ポリウレタン、金属材料、ポリビニル・アルコール、細胞外マトリクス、生体工学材料、合成の生体吸収可能ポリマ材料、コラーゲン、及び前述の材料の組み合わせから成る材料から選択される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
前記括れを囲繞する少なくとも一本の制限ワイヤを更に含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１０】
動脈管開存処置のために構築された請求項６に記載のデバイスであって、
ａ．前記接続括れの長さは約４〜８ｍｍであり、
ｂ．前記第１ディスクは前記括れよりも約４〜８ｍｍだけ大であり、
ｃ．前記第２ディスクは前記括れよりも約１〜３ｍｍだけ大であり、
更に、第２の対向するハブを具備するデバイス。
【請求項１１】
血管における開孔を閉塞するために構築された請求項６に記載のデバイスであって、
前記接続括れの長さは、前記第１及び第２ディスクの長さと実質的に等しい、デバイス。
【請求項１２】
左心耳を閉塞するために構築された請求項６に記載のデバイスであって、
ａ．前記第１ディスクは、弧状形に形成されると共に、左心房の心臓組織の外側部分を把持するための少なくとも一個のフックを具備し、及び
ｂ．前記第２ディスクは略平坦である、デバイス。
【請求項１３】
膜様部心室中隔欠陥を閉塞するために構築された請求項６に記載のデバイスであって、
前記第１ディスクは形状が半円形であり、
前記第１ディスクは前記第２ディスクよりも概ね大であり、
更に、該デバイスは第２の対向するハブを具備する、デバイス。
【請求項１４】
心臓組織における開孔を閉塞するためのデバイスであって、
ａ．可撓性の第１ワイヤ及び可撓性の第２ワイヤであって、
ｉ）前記第１及び第２ワイヤの各々は形状記憶特性を備え、
ｉｉ）前記第１及び第２ワイヤの各々は、半体ディスク及び略半円形状へ成形されていて、第１ディスクを形成するように前記第１ワイヤの前記半体ディスクが前記第２ワイヤの前記半体ディスクと対向し且つ第２ディスクを形成するように前記第１ワイヤの前記半円形状が前記第２ワイヤの前記半円形状と対向しており、
ｉｉｉ）前記第１及び第２ディスクの各々は、前記第１ワイヤの２つの区画と前記第２ワイヤの２つの区画とから構成された自動調心括れにより分離され、前記第１ワイヤの２つの区画及び前記第２ワイヤの前記２つの区画は、該デバイスの自動調心構造形を維持するために、半径方向外向きの力を生成するように形成され、並びに
ｉｖ）前記第１及び第２ワイヤの各々は第１及び第２端部を有し、前記第１及び第２ワイヤの前記第１及び第２端部の各々はハブに接続され、且つ前記ハブは、展開ケーブルに対する取付けのための投入用取付け機構を更に具備する、第１ワイヤ及び第２ワイヤと、
ｂ．前記第１及び第２ディスクの各々の上のシール被覆であって、前記開孔を閉塞するシールを提供するとともに、組織成長を促進することができ及び／又は封止材として機能することができる柔軟な生体適合性材料を具備するシール被覆と、を具備するデバイス。
【請求項１５】
前記記憶ワイヤは、生体適合性の金属もしくはポリマ、即ち生体再吸収可能ポリマ、形状記憶ポリマ、形状記憶合金、生体適合性金属、生体再吸収可能金属、及びそれらの組み合わせから成る材料から選択される、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記記憶ワイヤは、鉄、マグネシウム、ステンレス鋼、ニチノール、及びこれらの材料と類似の材料との組み合わせから選択される、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記記憶ワイヤはニチノール合金である、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記被覆は、ダクロン（登録商標）、ポリエステル繊維、テフロン（登録商標）系材料、ｅＰＴＦＥ、ポリウレタン、金属材料、ポリビニル・アルコール、細胞外マトリクス、生体工学材料、合成の生体吸収可能ポリマ材料、コラーゲン、及び前述の材料の組み合わせから成る材料から選択される、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１９】
前記括れを囲繞する少なくとも一本の制限ワイヤを更に含む、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記組織は心臓の組織である、請求項１〜９のいずれか一項に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月30日(2012.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）内側基板表面、外側基板表面、及び該内側基板表面上の外周の内側に形成されるデバイスとを有する基板と、
ｂ）第１の表面濡れ性を有し、前記デバイスと前記外周との間の前記内側基板表面上に配置される第１の基板ストリップと、
ｃ）前記第１の表面濡れ性とは異なる第２の表面濡れ性を有し、前記デバイスと前記第１の基板ストリップとの間の前記内側基板表面上に配置され、前記第１の基板ストリップと接触している第２の基板ストリップと、
ｄ）前記第１の基板濡れ性を有し、前記外周の内側に前記第１の基板ストリップから離隔して配置される第１のカバーストリップと、
ｅ）前記第２の基板濡れ性を有し、前記第２の基板ストリップから離隔して配置され、前記第１のカバーストリップと接触している第２のカバーストリップと、
ｆ）前記第１の基板ストリップ及び前記第１のカバーストリップを濡らすが、前記第２の基板ストリップ及び前記第２のカバーストリップは濡らさず、前記第１の表面濡れ性を有する前記第１の基板ストリップ及び前記第１のカバーストリップに接着されるが、前記第２の表面濡れ性を有する前記第２の基板ストリップ及び前記第２のカバーストリップには接着されない封止部材と、
ｇ）前記第１のカバーストリップ及び前記第２のカバーストリップ上に配置及び直接接触して配置されるカバーと、
を備える、デバイスのための気密シール。
【請求項２】
前記第１のカバーストリップ若しくは前記第２のカバーストリップ、又は前記第１の基板ストリップ若しくは前記第２の基板ストリップは、前記カバー又は前記基板の材料とは異なる材料から形成される、請求項１に記載のシール。
【請求項３】
前記第１の基板ストリップは、前記基板の無コーティング部分である、請求項１に記載のシール。
【請求項４】
前記第２の基板ストリップは、前記基板の無コーティング部分である、請求項１に記載のシール。
【請求項５】
前記第１のカバーストリップは、前記カバーの無コーティング部分である、請求項１に記載のシール。
【請求項６】
前記第２のカバーストリップは、前記カバーの無コーティング部分である、請求項１に記載のシール。
【請求項７】
前記封止部材は金属又は合金から形成される、請求項１に記載のシール。
【請求項８】
前記合金は、インジウム、スズ、ビスマス、鉛若しくははんだを含むか、又は前記合金は、５０：５０、５２：４８、４８：５２、５５：４５若しくは４５：５５の比率のインジウム及びスズを含む、請求項４に記載のシール。
【請求項９】
前記デバイスは、温度に敏感な有機材料を含み、前記シールを形成する材料の融点は、該温度に敏感な有機材料が損傷を受ける温度よりも低い、請求項１に記載のシール。
【請求項１０】
前記第１のカバーストリップ若しくは前記第２のカバーストリップ、又は前記第１の基板ストリップ若しくは前記第２の基板ストリップは金属、金属酸化物、銀、銅、酸化アルミニウム又は樹脂でコーティングされる、請求項１に記載のシール。
【請求項１１】
前記第１のカバーストリップ及び前記第１の基板ストリップはガラス、銀又は銅表面を含み、前記第２のカバーストリップ及び前記第２の基板ストリップは酸化アルミニウム又は樹脂表面を含み、前記封止材料はスズ及びインジウムを含む合金である、請求項１に記載のシール。
【請求項１２】
前記第１のカバーストリップ及び前記第１の基板ストリップは金属表面又は金属酸化物表面を含み、前記第２のカバーストリップ及び前記第２の基板ストリップはガラス表面を有し、前記封止材料ははんだ合金である、請求項１に記載のシール。
【請求項１３】
前記第１の基板ストリップ及び前記第１のカバーストリップは実質的に同じ幅を有し、前記第２の基板ストリップ及び前記第２のカバーストリップは実質的に同じ幅を有する、請求項１に記載のシール。
【請求項１４】
電極であって、該電極は前記内側基板表面と前記シールとの間の前記内側基板表面上に延在する、電極と、該電極と前記シールとの間に配置される電極絶縁層とをさらに備える、請求項１に記載のシール。
【請求項１５】
前記内側基板表面と前記内側カバー表面との間に設けられる接着剤及び乾燥剤をさらに備える、請求項１に記載のシール。
【請求項１６】
請求項１に記載の封止部材を作製する方法であって、基板及びカバーを溶融封止材料内に浸漬し、その後、該基板及び該カバーを取り出し、それにより、該封止材料が冷却し、硬化できるようにすることによって、該封止部材を作製する、方法。
【請求項１７】
請求項１に記載の封止部材を作製する方法であって、基板とカバーとの間に溶融封止材料を堆積し、その後、該封止材料が冷却し、硬化できるようにすることによって、該封止部材を作製する、方法。
【請求項１８】
請求項１に記載の封止部材を作製する方法であって、基板とカバーとの間に封止材料を堆積し、該封止材料を加熱し、その後、該封止材料が冷却し、硬化できるようにすることによって、該封止材料を作製する、方法。
【請求項１９】
請求項１に記載の封止部材を作製する方法であって、封止材料をペースト又は分散系として塗布することによって、該封止部材を作製する、方法。
【請求項２０】
請求項１に記載の封止部材を作製する方法であって、第１の基板ストリップと第１のカバーストリップとの間の空間内に金属ワイヤを位置決めし、該金属ワイヤを溶融し、該溶融した材料を冷却して、該封止部材を形成することによって、該封止部材を作製する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月2日(2012.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス半導体部品（１００）であって、
・担体（１）と、少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（２）と、ビームを通す注入封止体（５）とを備えており、
前記担体（１）は、実装面（１１）と少なくとも１つの貫通孔（３）とを有しており、当該貫通孔（３）は、前記担体（１）の実装面（１１）から、当該実装面（１１）に対向している底面（１２）へと延在しており；
・前記担体（１）は金属製の担体条片から形成されており、
・前記少なくとも１つの貫通孔（３）は少なくとも１つの張り出し部分（６０）を有しており、
・前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（２）は前記実装面（１１）上に固定されており；
・前記注入封止体（５）は前記少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（２）を少なくとも部分的に取り囲み、
・前記注入封止体（５）は少なくとも部分的に、前記担体（１）の貫通孔（３）内に配置されている、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項２】
前記少なくとも１つの貫通孔（３）は、担体（１）内の少なくとも２つの陥入部（３１、３２）によって形成されており、当該少なくとも２つの陥入部の最大水平方向伸長は相違している、請求項１記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項３】
前記陥入部（３１、３２）は、半径が相違している複数の柱体状開放部によって形成されている、請求項２記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項４】
前記陥入部（３１、３２）は各中央軸（Ｍ３１、Ｍ３２）を有しており、当該中央軸（Ｍ３１、Ｍ３２）は重畳していない、請求項１から３までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項５】
前記貫通孔（３）の側方は前記担体（１）によって制限されており、
前記貫通孔（３）はつながっている側面を有している、請求項１から４までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項６】
前記少なくとも１つの貫通孔（３）は少なくとも部分的に漏斗状に形成されており、当該貫通孔（３）は前記底面（１２）から前記実装面（１）の方向へ、水平方向で先細りしている、請求項１から５までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項７】
注入封止体（５）によって覆われていない、前記担体（１）の部分は、少なくとも部分的にハウジングボディ（４）によって覆われている、請求項１から６までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項８】
前記少なくとも１つの半導体チップ（２）は側方で、前記ハウジングボディ（４）の隆起部（４１）および／または陥没部によって取り囲まれている、請求項７記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項９】
前記隆起部（４１）は少なくとも部分的に盛り上がっている形に構成されている、請求項８記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項１０】
前記ハウジングボディ（４）内の陥没部は溝である、請求項８から９記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項１１】
前記注入封止体（５）は、前記隆起部（４１）を少なくとも部分的に包囲している、請求項７から１０記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項１２】
前記注入封止体（５）は少なくとも部分的に前記陥没部内に配置されている、請求項８から１１記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項１３】
請求項１から１２記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）を製造する方法であって、
・担体結合体（１１０）を準備するステップと、
・少なくとも１つの貫通孔を各担体（１）内に設けるステップと、
・少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（２）を各担体（１）の実装面（１１）上に被着するステップと、
・前記少なくとも１つの半導体チップ（２）と前記少なくとも１つの貫通孔（３）を注入封止材料によって注入封止し、続いて注入封止体（５）へと硬化させるステップと、
・前記担体結合体（１１０）を個々の担体（１）に個別化するステップとを有している、
ことを特徴とする、オプトエレクトロニクス半導体部品（１００）を製造する方法。
【請求項１４】
前記注入封止材料による注入封止の前に、前記担体結合体（１１０）をハウジングボディ材料によって注入封止する、請求項１３記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月31日(2012.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気供給装置の制御方法であって、
ａ）制御の基本構造を、磁気電圧用の電圧制御ループと磁気電流用の電流制御ループによる２ループ制御として実施する工程と；
ｂ）電圧制御ループを状態制御器として実施する工程と、ここでは状態制御器へのフィードバックパラメータが必要に応じて、電力変換器、出力フィルタおよび負荷の特性に適合され；
ｃ）電力変換器、出力フィルタおよび負荷の特性を観測器（オブザーバ、ルーエンバーガー観測器、カルマンフィルタ）によりモデル化し、観測器を電力変換器、出力フィルタおよび負荷の有効特性に追従制御させる工程と；
ｄ）電流制御ループを適応形ＰＩ制御器として実現する工程と；
を含む、磁気供給装置の制御方法。
【請求項２】
制御係数を計算および適合するために、磁気供給装置に負荷が接続された状態で出力フィルタと負荷の同一確認が行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
同一確認は専用の動作モデルで実施される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
同一確認は運転中に連続して行われる、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
制御の正確な機能および電力変換器に対する保護機能（たとえば必要な場合にはｄ／ｄｔ制限）のために保護に関連する制限が行われる、請求項１から４までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
制御構造は時間離散的に実現されている、請求項１から５までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
磁気供給装置の制御装置であって、
ａ）磁気電圧用の電圧制御ループと磁気電流用の電流制御ループによる２ループ制御としての制御部の基本構造を有し、
ｂ）電圧制御ループは状態制御器として構成されており、状態制御器へのフィードバックパラメータが必要に応じて、電力変換器、出力フィルタおよび負荷の特性に適合され、
ｃ）電力変換器、出力フィルタおよび負荷の特性をモデル化するための観測器を有し、観測器が電力変換器、出力フィルタおよび負荷の有効特性に追従制御され、
ｄ）電流制御ループが適応形ＰＩ制御器として構成されている；
磁気供給装置の制御装置。
【請求項８】
制御係数を計算および適合するために、磁気供給装置に負荷が接続された状態で出力フィルタと負荷の同一確認が行われる、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
同一確認は専用の動作モデルで実施される、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
同一確認は運転中に連続して行われる、請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
制御の正確な機能および電力変換器に対する保護機能（たとえば必要な場合にはｄ／ｄｔ制限）のために保護に関連する制限が行われる、請求項７から１０までのいずれか一項に記載の装置。
【請求項１２】
制御構造は時間離散的に実現されている、請求項７から１１までのいずれか一項に記載の装置。
【請求項１３】
前記電圧制御ループおよび前記電流制御ループは、１つの制御器にまとめられている、請求項７から１２までのいずれか一項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月7日(2012.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノード、カソード、及びそれらの間に配置された緑色発光層を含むＯＬＥＤ装置であって、前記発光層が、
ａ）アントラセンホストと、
ｂ）式（１）：
【化１】
2012519376.tif 000001
（式中、Ｘは６〜３０個の環炭素原子のアリール基であり；ｎは０又は１であり；Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3及びＡｒ4はそれぞれ、６〜３０個の環炭素原子の置換又は非置換アリール基を独立して表し、Ａｒ1及びＡｒ2、又はＡｒ3及びＡｒ4は、任意に結合することができ；Ｗは、アルキル基、アリール基又は複素環基であり；ｑは０〜２の整数である）によるビス−ジアリールアミン９，１０−置換アントラセンエミッタと、
ｃ）キナクリドン又はビフェニルスチリルアミンから選択される安定剤化合物と
を含むＯＬＥＤ装置。
【請求項２】
前記ビス−ジアリールアミン９，１０−置換アントラセンにおいて、ｎが０である請求項１に記載のＯＬＥＤ装置。
【請求項３】
前記ビス−ジアリールアミン９，１０−置換アントラセンは、式（１ｂ）：
【化２】
2012519376.tif 000002
（式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3及びＡｒ4はそれぞれ、６〜１０個の環炭素原子の置換又は非置換アリール基を独立して表し、Ａｒ1及びＡｒ2、又はＡｒ3及びＡｒ4は、任意に結合することができ；Ｗは、アルキル基又はアリール基であり；ｑは０〜２の整数である）による請求項２に記載のＯＬＥＤ装置。
【請求項４】
ｑが０であり、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3及びＡｒ4が全て個別に置換又は非置換フェニル基又はナフチル基である請求項３に記載のＯＬＥＤ装置。
【請求項５】
前記発光層が、０．３６０〜０．３９０の範囲のＣＩＥｘ座標、及び０．６００〜０．６１０の範囲のＣＩＥｙ座標をもつ光を発光する請求項２に記載のＯＬＥＤ装置。
【請求項６】
前記ビス−ジアリールアミン９，１０−置換アントラセンにおいて、ｎが１である請求項１に記載のＯＬＥＤ装置。
【請求項７】
前記ビス−ジアリールアミン９，１０−置換アントラセンは、式（１ｄ）：
【化３】
2012519376.tif 000003
（式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3及びＡｒ4はそれぞれ、６〜１０個の環炭素原子の置換又は非置換アリール基を独立して表し、Ａｒ1及びＡｒ2、又はＡｒ3及びＡｒ4は、任意に結合することができ；Ｗは、アルキル基又はアリール基であり；ｑは０〜２の整数である）による請求項６に記載のＯＬＥＤ装置。
【請求項８】
前記ビス−ジアリールアミン９，１０−置換アントラセンは、式（１ｅ）：
【化４】
2012519376.tif 000004
（式中、Ａｒ5、Ａｒ6、Ａｒ7及びＡｒ8は全て個別に置換又は非置換フェニル又はナフチルであり；Ｚは水素、アルキル、アリール、ナフチル又は複素環である）による請求項７に記載のＯＬＥＤ装置。
【請求項９】
前記発光層が、０．２５０〜０．３００の範囲のＣＩＥｘ座標、及び０．６００〜０．６１０のＣＩＥｙ座標をもつ光を発光する請求項６に記載のＯＬＥＤ装置。
【請求項１０】
前記アントラセンホストは、式（４）：
【化５】
2012519376.tif 000005
（式中、Ｒ1及びＲ6はそれぞれ、６〜２４個の炭素原子を有するアリール基を独立して表し；Ｒ2〜Ｒ5及びＲ7〜Ｒ10はそれぞれ、水素、１〜２４個の炭素原子を有するアルキル基、又は５〜２４個の炭素原子を有する芳香族基から独立して選択される）による請求項１に記載のＯＬＥＤ装置。
【請求項１１】
Ｒ1及びＲ6はそれぞれ、独立して選択されるフェニル基、ビフェニル基又はナフチル基を表し；Ｒ3は、水素、又は６〜２４個の炭素原子を有する芳香族基を表し；Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ7〜Ｒ10は水素を表す請求項１０に記載のＯＬＥＤ装置。
【請求項１２】
前記安定剤化合物は、式（２）：
【化６】
2012519376.tif 000006
（式中、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ独立してアルキル又はアリールであり；Ｘ1及びＸ2はそれぞれ独立してハロゲンであり；ｎ及びｐはそれぞれ独立して０〜４である）によるキナクリドンである請求項１に記載のＯＬＥＤ装置。
【請求項１３】
前記キナクリドンは、
【化７】
2012519376.tif 000007
から選択される請求項１２に記載のＯＬＥＤ装置。
【請求項１４】
前記安定剤化合物は、式（３）：
【化８】
2012519376.tif 000008
（式中、Ａｒ1〜Ａｒ4はそれぞれ独立して、６〜２４個の炭素原子を有するアリール基であり、Ａｒ1〜Ａｒ2及びＡｒ3〜Ａｒ4は任意に結合して環系を形成することができる）によるビフェニルスチリルアミンである請求項１に記載のＯＬＥＤ装置。
【請求項１５】
Ａｒ1〜Ａｒ4はそれぞれ個別にフェニル基又はアルキル置換フェニル基である請求項１４に記載のＯＬＥＤ装置。
【請求項１６】
前記ビフェニルスチリルアミンは、
【化９】
2012519376.tif 000009
から選択される請求項１５に記載のＯＬＥＤ装置。
【請求項１７】
前記発光層は、０．５〜２５体積％の範囲で前記ビス−ジアリールアミン９，１０−置換アントラセン、及び０．５〜６体積％の範囲で前記安定剤を含む請求項１に記載のＯＬＥＤ装置。
【請求項１８】
前記発光層は、３〜１５体積％の範囲で前記ビス−ジアリールアミン９，１０−置換アントラセン、及び０．５〜６体積％の範囲で前記安定剤を含む請求項１７に記載のＯＬＥＤ装置。