【事件の表示】
　平成１０年特許願第２９３９７４号「横モード制御型半導体レーザ」拒絶査定に対する審判事件［平成１２年４月２８日出願公開、特開２０００−１２４５４４］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【1】手続の経緯・本願発明
　本願は平成10年10月15日に出願されたものであり、本願の請求項1〜12に係る発明は、平成13年4月2日付け手続補正書にて補正された明細書の特許請求の範囲に記載されたとおりのものである。
　そして、その請求項1に係る発明(以下、「本願発明」という。)は以下のとおりである。
　「【請求項1】導波ストライプと一対の反射鏡端面からなる共振器構造を有する半導体レーザにおいて、
　前記共振器構造の少なくとも一方の出射端面からL/2n(但し、Lは共振器長を表し、nは正の整数を表す。)を満たす位置のうち少なくとも1ヶ所に、導波ストライプ幅を他の部分に比べて狭くした狭幅構造が設けられていることを特徴とする半導体レーザ。」
　
【2】引用例
　これに対して、原査定の拒絶理由として引用した、特開平10-154843号公報(以下、「引用例」という。)には、以下の事項が記載されている。
【特許請求の範囲】の【請求項1】
　「【請求項1】発光領域となる活性層と当該活性層を上下に挾んだクラッド層とからなるダブルへテロ構造を半導体基板上に設け、活性層に電流を注入するためのストライプ構造を前記ダブルへテロ構造に設けた半導体レーザ素子において、前記ストライプ構造は、その幅に少なくとも一つの狭隘部を有することによって幅が共振器の長さ方向に沿って変化するものであることを特徴とする半導体レーザ素子。」
【0002】〜【0004】
　「【0002】
【従来の技術】一般に、近赤外から可視域に発振波長を持つ半導体レーザでは、光出力を高めていくと光を放射するレーザ端面が破壊するという劣化現象が発生しやすい。端面破壊の一因として、局所的な熱破壊による光学的損傷がある。端面破壊を抑制して光出力を高めるためには活性層内部の光密度を下げる必要があり、例えば幅5μm程度の比較的広いストライプ構造を用いることによってレーザ光導波の領域を広げるのが一般的である。ストライプ構造は、電流注入により活性層にキャリアを供給するための構造であり、活性層の発光領域は、この構造によって定められるために同じストライプ状になる。
【0003】しかし、ストライプ幅を広げていくと、基本モードだけではなく高次モードに対する損失が低下する。このような場合、電流を増大させて光出力を高めると、レーザ内部で利得の高い部分が不均一に分布するようになって高次モードが発生する。高次モードが発生すると光出力-電流特性の線形性が損なわれ、電流を増加させていく過程でキンクと云われる光出力の階段状変化が現われる。この現象は、レーザ発振が不安定になることによって引き起こされるのであり、望ましくない。
【0004】一方、ストライプ構造には外部への電流の漏れを防ぐために電流ブロック層が設けられる。例えば、AlGaInP(アルミニウム、ガリウム、インジウム、燐)半導体レーザ(発光波長600〜700nm)では、電流ブロック層として、通常、GaAs(As:砒素)などのバンドギャップの比較的小さい結晶が用いられており、同層はレーザ光を吸収する層となっている。導波モード制御のためにストライプ幅を狭くした場合には、クラッド層で反射して活性層に戻るべき光のうち、ブロック層で吸収される量が増大して発光効率が低下する。」
　
【0007】〜【0009】
　「【0007】しかし、従来の半導体レーザにおいては、上記のように電流を設定しても、ある特定の条件下において非常に低い光出力でキンクが発生する可能性がある。それは、1次モードが関係しており、基本モードと1次モードの間で次の関係式が満たされた場合である。
【0008】(β0-β1)L=nπ　β0、β1:それぞれ基本モード及び1次モードの伝搬定数　n:整数(n=1,2,3,・・・)
上式は、レーザ光が共振器を一往復する間の二つのモード(横モード)の位相差が丁度2πの整数倍であることを示し、このとき、基本モードと1次モードの間で干渉が起こり、そのためキンクが発生する。
【0009】このとき、レーザ内部の光強度分布は、活性層内のストライプ状の発光領域中を蛇行したような分布となり、レーザ共振器端面から出力されるビームの出射方向が光出力とともに大きく変化する。この現象は、ビームステアリングと呼ばれている〔例えば、電子通信情報学会信学技報LQE95-84号第15頁〜第20頁(1995年10月)参照〕。このビームステアリングは、例えば、レーザ光を光ファイバに結合させる場合に、ある駆動電流以上で結合損が増大するという不都合を発生させる。」
【0012】、【0013】
　「【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の前記課題は、ダブルヘテロ構造におけるストライプ構造の幅に少なくとも一つの狭隘部を持たせ、幅を共振器の長さ方向に沿って変化させることによって効果的に解決することができる。そのような手段を採用することによって、高次のモードに対する伝搬損失を増加させ、低い光出力でのキンクの発生を抑制することができるからである。
【0013】幅を変化させたストライプ構造の一例を断面図によって図1に示す。同図において、50は、ストライプ構造を示す。同図は、ストライプ構造50の狭隘部の数Nが3個の場合を示したものであり、狭隘部の幅がW1、反対の幅広部の幅がW0である。このような構造において、狭隘部の数Nを1、2、4個としたときの基本モードの伝搬損失係数α0と1次モードの伝搬損失係数α1の差Δαを幅広部幅W0と狭隘部幅W1の差ΔW(=W0-W1)を変化させて計算した結果を図2に示す。計算では、幅W0を5μmで固定し、共振器長Lを600μmとした。同図から、幅差ΔWが大きくなるほど、また、狭隘部数Nが大きくなるほどモード間の損失差Δαが大きくなることが判る。損失差Δαが大きくなると、両者間の干渉が低減され、キンクレベルが上昇する。
【0021】、【0022】
　「【0021】
【実施例】
＜実施例1＞狭隘部の数Nが3個のストライプ構造を採用したAlGaInP半導体レーザ素子を図5に示す。図5aは、レーザチップの斜視図、図5bは、ストライプ構造の断面図、図5cは、素子断面図である。図5b,5cにおいて、4aは、二分したクラッド層のうち活性層3に接する第1のクラッド層、4bは、二分したクラッド層の他方の第2のクラッド層、5は、クラッド層4a,4b間に形成したエッチング停止層、7はクラッド層4bの上部に形成したバッファ層、8は、クラッド層4bに流れる電流が外部に漏れないようにするための電流ブロック層、9は、バッファ層7及び電流ブロック層8の上部に形成したコンタクト層、10はp側電極、11はn側電極を示す。
【0022】クラッド層4bは、リッジ状(台形状)に形成した。ストライプ構造が同クラッド層の底部に形成され、そのストライプ幅Wが素子断面において示される。幅Wは、狭隘部幅W1と幅広部の幅W0の間で変化する。幅差ΔWを1μmとし、ストライプ幅Wがテーパ状に周期的に変化する構造とした。また、共振器長Lを400μm〜800μmの間で変化させた。」
【0035】
　「【0035】＜実施例3＞狭隘部の数Nが3個のストライプ構造を採用したZnCdSSe半導体レーザ素子を図9に示す。・・・」
【0039】
　「【0039】＜実施例4＞狭隘部の数Nが6個のストライプ構造を採用したInGaN/AlGaN半導体レーザ素子を図10に示す。・・・」
【0050】
　「【0050】
【発明の効果】本発明によれば、幅を変化させたストライプ構造を採用することによってキンクが生じるまでの光出力を高めることができるので、低出力でのビームステアリングの発生を抑えることができる。更に、レーザ端面付近のストライプ幅を広げる構造では、端面近傍での光密度を低減することができるので、端面破壊が起こるまでの光出力を高めることができる。また、光ディスク記録用光源に用いることによって、高密度の光ディスクを実現することができる。」
【図1】、【図5】、【図9】及び【図10】
　【図1】、【図5】(b)及び【図9】(a)には、狭隘部数N=3とした半導体レーザ素子の上面からみたストライプ構造が図示され、共振器長Lの方向に沿って、共振器の図上右又は左のレーザ端面から共振器長Lのほぼ1/6、3/6及び5/6の位置の3箇所に狭隘部が左右対称に設けられた状態が描かれている。また、【図10】 (b)には、狭隘部数N=6とした半導体レーザ素子の上面からみたストライプ構造が図示され、共振器長Lの方向に沿って、共振器の図上右又は左のレーザ端面から共振器長Lのほぼ1/12、3/12、5/12・・・及び11/12の位置の6箇所に狭隘部が左右対称に設けられた状態が描かれている。
　
【3】対比・判断
　引用例には、その記載からみて「ストライプ構造のクラッド、活性層等と一対のレーザ端面からなる共振器構造を有する半導体レーザにおいて、前記共振器構造の一方のレーザ端面からほぼL/6を満たす位置に、狭隘部が設けられている半導体レーザ。」なる発明及び「ストライプ構造のクラッド、活性層等と一対のレーザ端面からなる共振器構造を有する半導体レーザにおいて、前記共振器構造の一方のレーザ端面からほぼL/12を満たす位置に、狭隘部が設けられている半導体レーザ。」なる発明(以下、「引用発明」という。)が記載されている。
　ここで、引用発明における「ストライプ構造のクラッド、活性層等」及び「狭隘部」は、それぞれ本願発明の「導波ストライプ」及び「導波ストライプ幅を他の部分に比べて狭くした狭幅構造」に相当する。
　そして、引用発明のレーザ端面は本願発明の反射鏡端面と同様の共振器の反射鏡端面として作用すること、及び引用発明の少なくとも一方のレーザ端面が出射端面であることは当業者に明らかである。
　一方、本願発明を特定するの技術事項のうち、狭幅構造の位置を特定するための「L/2n」は、nが正の整数である限り任意である。そして、本願発明において、nを3又は6を除く正の整数と限定する根拠は見いだせない。
　してみると、両者は、「導波ストライプと一対の反射鏡端面からなる共振器構造を有する半導体レーザにおいて、前記共振器構造の少なくとも一方の出射端面からL/2n(但し、Lは共振器長を表し、nは正の整数である3又は6を表す。)を満たす位置に、導波ストライプ幅を他の部分に比べて狭くした狭幅構造が設けられていることを特徴とする半導体レーザ。」の点で一致し、相違点は存在しない。
　なお、請求人は、審判請求の理由において、引用例(引例1)と本願発明とを対比して、「引例1は、ストライプ構造の部分的な狭幅構造によって高次モードを抑制しようとするものですが、どの位置を狭くするかについては一切記載されておらず、ビートのメカニズムも何ら考慮しておりません。」と主張しているが、引用例(引例1)には、実施例として、【図1】、【図5】、【図9】及び【図10】が記載されており、引用発明は狭隘部(狭幅構造)をストライプ構造(導波ストライプ)の複数の位置に設けることを要旨としているから狭隘部(狭幅構造)の位置は極めて重要な技術事項であり、引用例に文章として記載されていなくとも、狭隘部の位置を図示した上記添付図面の記載は、引用発明を追試しようとする当業者に実施例の狭隘部の位置を教示する重要な技術事項と認められる。また、引用例の【0008】〜【0009】には、ビートのメカニズムについて「・・・基本モードと1次モードの間で干渉が起こり、そのためキンクが発生する。【0009】このとき、レーザ内部の光強度分布は、活性層内のストライプ状の発光領域中を蛇行したような分布となり、レーザ共振器端面から出力されるビームの出射方向が光出力とともに大きく変化する。この現象は、ビームステアリングと呼ばれている。・・・」と記載されている。よって、請求人の上記主張は失当である。
　以上のとおりであるから、本願発明は、進歩性を検討するまでもなく特許法第29条第1項第3号に該当し、特許を受けることができない。
　
【4】むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項1に係る発明は特許法第29条第1項第3号に該当し特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。