(57)【要約】【課題】良好なレーザ特性を有する半導体レーザ素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板１上に第１導電型ＡｌＧａＡｓ電流狭窄層９１で挟持された表面に第１導電型ＡｌＧａＡｓ上積み層を有する第２導電型リッジ部８を形成し、これらの上に中央部に開口部Ｔを有した第１導電型ＧａＡｓコンタクト層１２を形成し、この開口部Ｔ内にあって第２導電型リッジ部８上に第２導電型ＧａＡｓコンタクト層１３を形成した際、第１導電型ＧａＡｓコンタクト層１２の形成の際、第１導電型ＧａＡｓコンタクト層１１Ａ、１１Ｂ中にあって、第２導電型リッジ部８表面から第１導電型ＡｌＧａＡｓ上積み層９２の上端部までの間の中間位置にモニター層１２を少なくとも１層形成し、開口部Ｔを形成する際、モニター層１２からのプラズマ発光色を観測することによりエッチングを停止して行う。【選択図】      図１
2004356366.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体基板上に第１導電型クラッド層、活性層、第２導電型クラッド層を順次積層した後、前記第２導電型クラッド層上に第２導電型リッジ部を形成し、次に、前記第２導電型クラッド層及び前記第２導電型リッジ部上に第１導電型ＡｌＧａＡｓを積層して、前記第２導電型クラッド層上に前記第２導電型リッジ部を挟持する一対の第１導電型ＡｌＧａＡｓ電流狭窄層及び前記第２導電型リッジ部上に第１導電型ＡｌＧａＡｓ上積み層を形成し、次に、前記一対の第１導電型ＡｌＧａＡｓ電流狭窄層上及び前記第１導電型ＡｌＧａＡｓ上積み層上に第１導電型ＧａＡｓコンタクト層を形成し、次に、前記第２導電型リッジ部表面から前記第１導電型ＡｌＧａＡｓ上積み層の上端部までの中間位置まで前記第１導電型ＧａＡｓコンタクト層をドライエッチングして前記第１導電型ＡｌＧａＡｓ上積み層を露出させる開口部を形成し、次に、前記第１導電型ＡｌＧａＡｓ上積み層を選択エッチング除去して前記第２導電型リッジ部を露出させ、前記第２導電型リッジ部上及び前記第１導電型ＧａＡｓコンタクト層上に第２導電型ＧａＡｓコンタクト層を形成して作製される半導体レーザ素子の製造方法において、
前記第１導電型ＧａＡｓコンタクト層の形成の際、前記第１導電型ＧａＡｓコンタクト層中にあって、前記第２導電型リッジ部表面から前記第１導電型ＡｌＧａＡｓ上積み層の上端部までの間の中間位置にＡｌＡｓ或いはＡｌＧａＡｓからなるモニター層を少なくとも１層形成し、前記開口部を形成する際、前記モニター層からのプラズマ発光色を観測することによりエッチングを停止することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項２】
第１導電型半導体基板上に第１導電型クラッド層、活性層、第２導電型クラッド層を順次積層した後、前記第２導電型クラッド層上に第２導電型リッジ部を形成し、次に、前記第２導電型クラッド層及び前記第２導電型リッジ部上に第１導電型ＡｌＧａＡｓを積層して、前記第２導電型クラッド層上に前記第２導電型リッジ部を挟持する一対の第１導電型ＡｌＧａＡｓ電流狭窄層及び前記第２導電型リッジ部上に第１導電型ＡｌＧａＡｓ上積み層を形成し、次に、前記一対の第１導電型ＡｌＧａＡｓ電流狭窄層上及び前記第１導電型ＡｌＧａＡｓ上積み層上に第１導電型ＧａＡｓコンタクト層を形成し、次に、前記第２導電型リッジ部表面から前記第１導電型ＡｌＧａＡｓ上積み層の上端部までの中間位置まで前記第１導電型ＧａＡｓコンタクト層をドライエッチングして前記第１導電型ＡｌＧａＡｓ上積み層を露出させる開口部を形成し、次に、前記第１導電型ＡｌＧａＡｓ上積み層を選択エッチング除去して前記第２導電型リッジ部を露出させ、前記第２導電型リッジ部上及び前記第１導電型ＧａＡｓコンタクト層上に第２導電型ＧａＡｓコンタクト層を形成して作製される半導体レーザ素子の製造方法において、
前記第１導電型ＧａＡｓコンタクト層の形成の際、前記第１導電型ＧａＡｓコンタクト層中にあって、前記第１導電型ＡｌＧａＡｓ上積み層の上端部以上の位置にＡｌＡｓ或いはＡｌＧａＡｓからなるモニター層を少なくとも１層形成し、前記開口部を形成する際、前記モニター層からのプラズマ発光色を観測してエッチングを停止した後、前記第１導電型ＧａＡｓコンタクト層表面から前記モニター層までのエッチングレートを求めて、更にこのエッチングレートに基づいて前記第１導電型ＧａＡｓコンタクト層のエッチングを行うことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電流狭窄層を有する内部狭窄型の半導体レーザ素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体レーザ素子の製造方法について図３を用いて説明する。
図３は、従来の半導体レーザ素子の製造方法を示す断面図であり、（Ａ）は、（第１工程）を示し、（Ｂ）は、（第２工程）を示し、（Ｃ）は、（第３工程）を示し、（Ｄ）は、（第４工程）を示す。
（第１工程）
図３（Ａ）に示すように、ＭＯＣＶＤ法により１回目の成長を行って、ｎ型ＧａＡｓ基板１の（１００）面上にｎ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓクラッド層２と、活性層３と、第１のｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓクラッド層４と、ｐ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓエッチング停止層５と、第２のｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓクラッド層６と、ｐ型ＧａＡｓキャップ層７と、を順次積層する。
【０００３】
次に、フォトリソグラフィ法を用いて、ｐ型ＧａＡｓキャップ層７上にストライプ状の図示しないフォトレジストパタ−ンを形成する。この後、ｐ型ＧａＡｓキャップ層７からｐ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓエッチング停止層５に至るまでドライエッチングを行って、第２のｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓクラッド層６とｐ型ＧａＡｓキャップ層７とからなるストライプ状に台形状のリッジ部８を形成する。
【０００４】
更に、前記フォトレジストパターンを除去後、ＭＯＣＶＤ法により２回目の結晶成長を行って、リッジ部８上及びｐ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓエッチング停止層５上にｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓを積層する。
こうして、ｐ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓエッチング停止層５上には、リッジ部８の両側面を挟持する一対のｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ電流狭窄層９１、９１が形成される。一方、リッジ部８上には、一対のｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ電流狭窄層９１、９１と同じ組成のｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ上積み層９２が積層される。この際、ｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ上積み層９２は、三角部１０を構成する。
【０００５】
ここで、リッジ部８上に形成されたｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ上積み層９２が三角部１０となる理由について説明する。
リッジ部８上での成長結晶では、リッジ部８の両側面に連結して形成される結晶面として（１１１）Ｂ面が現れる。
【０００６】
（１１１）Ｂ面のエピタキシャル成長速度が（１００）面等の成長速度に比べ著しく小さいため、上記のようにひとたび（１１１）Ｂ面が発生すると、この面に対しては結晶成長がほぼ停止し、リッジ部８上での結晶成長は（１００）面上でのみ進行する。従って、最終的には（１１１）Ｂ面からなる側壁が閉じたところでリッジ部８上での結晶成長自体もほとんど停止する。この結果、リッジ部８上に積層されたｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ上積み層９２の断面形状は、三角形となり、三角部１０が形成されるのである。
【０００７】
（第２工程）
次に、図３（Ｂ）に示すように、ｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ上積み層９２及び一対のｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ電流狭窄層９１、９１上にｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１を積層する。
そして、ｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１上に中央部が開口した図示しないフォトレジストパターンを形成した後、ｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１をリッジ部８表面からｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ上積み層９２の上端部までの中間位置までドライエッチングして開口部Ｔを形成する。
【０００８】
（第３工程）
次に、図３（Ｃ）に示すように、図示しない前記したフォトレジストパターンを除去後、フッ酸系エッチング液によりｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ上積み層９２を選択的にエッチング除去して、リッジ部８のｐ型ＧａＡｓキャップ層７を露出させる。
【０００９】
（第４工程）
次に、図３（Ｄ）に示すように、ＭＯＣＶＤ方により３回目の成長を行って、ｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１及びｐ型ＧａＡｓキャップ層７上にｐ型ＧａＡｓコンタクト層１３を積層する。
更に、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１３上にｐ型オーミック電極１４を形成し、ｎ型ＧａＡｓ基板１に前記した積層方向と逆方向にｎ型オーミック電極１５を形成して、半導体レーザ素子を得る。
【００１０】
【非特許文献１】
第５７回応用物理学会学術講演会／講演予稿集ＮＯ．３／ｐ９２１／７ａ−ＫＨ−７
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１に開口部Ｔを形成する際、ｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ上積み層９２の厚さは、通常０．６μｍ程度と薄く、リッジ部８表面からｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ上積み層９２上端部までの中間位置で精度良くエッチングを停止できない場合が生じ、レーザ特性を悪化させることがあった。
即ち、開口部Ｔが形成されてもｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ上積み層９２が露出しない場合には、（第３工程）でｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ上積み層９２が除去できないためｐ型ＧａＡｓキャップ層７とｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ上積み層９２との間が逆接合となり、電流の流れが阻止されることによるレーザ発光を得ることができないといった問題を生じていた。
【００１２】
また、ｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ上積み層９２が完全除去され、更に一対のｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ電流狭窄層９１、９１までもがエッチングされた状態で開口部Ｔが形成された場合には、ｐ型ＧａＡｓキャップ層７も除去され、第２のｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓクラッド層６が露出するため、空気中で第２のｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓクラッド層６の表面に絶縁性の酸化物が形成されてしまう。この状態で（第４工程）と同様にして、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１３を形成すると、第２のｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓクラッド層６とｐ型ＧａＡｓコンタクト層１３とは前記した酸化物を介して接合されるため、電流の流れが阻止されることによるレーザ発光を得ることができないといった問題を生じていた。
【００１３】
そこで、本発明は、上記のような問題点を解消するためになされたもので、エッチング精度が良く良好なレーザ特性が得られる半導レーザ素子の製造方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本願発明における第１の発明は、第１導電型半導体基板上に第１導電型クラッド層、活性層、第２導電型クラッド層を順次積層した後、前記第２導電型クラッド層上に第２導電型リッジ部を形成し、次に、前記第２導電型クラッド層及び前記第２導電型リッジ部上に第１導電型ＡｌＧａＡｓを積層して、前記第２導電型クラッド層上に前記第２導電型リッジ部を挟持する一対の第１導電型ＡｌＧａＡｓ電流狭窄層及び前記第２導電型リッジ部上に第１導電型ＡｌＧａＡｓ上積み層を形成し、次に、前記一対の第１導電型ＡｌＧａＡｓ電流狭窄層上及び前記第１導電型ＡｌＧａＡｓ上積み層上に第１導電型ＧａＡｓコンタクト層を形成し、次に、前記第２導電型リッジ部表面から前記第１導電型ＡｌＧａＡｓ上積み層の上端部までの中間位置まで前記第１導電型ＧａＡｓコンタクト層をドライエッチングして前記第１導電型ＡｌＧａＡｓ上積み層を露出させる開口部を形成し、次に、前記第１導電型ＡｌＧａＡｓ上積み層を選択エッチング除去して前記第２導電型リッジ部を露出させ、前記第２導電型リッジ部上及び前記第１導電型ＧａＡｓコンタクト層上に第２導電型ＧａＡｓコンタクト層を形成して作製される半導体レーザ素子の製造方法において、前記第１導電型ＧａＡｓコンタクト層の形成の際、前記第１導電型ＧａＡｓコンタクト層中にあって、前記第２導電型リッジ部表面から前記第１導電型ＡｌＧａＡｓ上積み層の上端部までの間の中間位置にＡｌＡｓ或いはＡｌＧａＡｓからなるモニター層を少なくとも１層形成し、前記開口部を形成する際、前記モニター層からのプラズマ発光色を観測することによりエッチングを停止することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
第２の発明は、第１導電型半導体基板上に第１導電型クラッド層、活性層、第２導電型クラッド層を順次積層した後、前記第２導電型クラッド層上に第２導電型リッジ部を形成し、次に、前記第２導電型クラッド層及び前記第２導電型リッジ部上に第１導電型ＡｌＧａＡｓを積層して、前記第２導電型クラッド層上に前記第２導電型リッジ部を挟持する一対の第１導電型ＡｌＧａＡｓ電流狭窄層及び前記第２導電型リッジ部上に第１導電型ＡｌＧａＡｓ上積み層を形成し、次に、前記一対の第１導電型ＡｌＧａＡｓ電流狭窄層上及び前記第１導電型ＡｌＧａＡｓ上積み層上に第１導電型ＧａＡｓコンタクト層を形成し、次に、前記第２導電型リッジ部表面から前記第１導電型ＡｌＧａＡｓ上積み層の上端部までの中間位置まで前記第１導電型ＧａＡｓコンタクト層をドライエッチングして前記第１導電型ＡｌＧａＡｓ上積み層を露出させる開口部を形成し、次に、前記第１導電型ＡｌＧａＡｓ上積み層を選択エッチング除去して前記第２導電型リッジ部を露出させ、前記第２導電型リッジ部上及び前記第１導電型ＧａＡｓコンタクト層上に第２導電型ＧａＡｓコンタクト層を形成して作製される半導体レーザ素子の製造方法において、前記第１導電型ＧａＡｓコンタクト層の形成の際、前記第１導電型ＧａＡｓコンタクト層中にあって、前記第１導電型ＡｌＧａＡｓ上積み層の上端部以上の位置にＡｌＡｓ或いはＡｌＧａＡｓからなるモニター層を少なくとも１層形成し、前記開口部を形成する際、前記モニター層からのプラズマ発光色を観測してエッチングを停止した後、前記第１導電型ＧａＡｓコンタクト層表面から前記モニター層までのエッチングレートを求めて、更にこのエッチングレートに基づいて、前記第１導電型ＧａＡｓコンタクト層のエッチングを行うことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態に係る半導体レーザ素子の製造方法について図面を用いて説明する。
従来例と同一構成には同一符号を付し、その説明を省略する。
図１は、本発明の実施形態における半導体レーザ素子の製造方法を示す断面図であり、（Ａ）は、（第１工程）を示し、（Ｂ）は、（第２工程）を示し、（Ｃ）は、（第３工程）を示し、（Ｄ）は（第４工程）を示す。図２は、本発明の実施形態における変形例を示す断面図である。
【００１６】
（第１工程）
図１（Ａ）に示すように、ＭＯＣＶＤ法により１回目の成長を行って、ｎ型ＧａＡｓ基板１の（１００）面上にｎ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓクラッド層２と、活性層３と、第１のｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓクラッド層４と、ｐ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓエッチング停止層５と、第２のｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓクラッド層６と、ｐ型ＧａＡｓキャップ層７と、を順次積層する。
【００１７】
次に、フォトリソグラフィ法を用いて、ｐ型ＧａＡｓキャップ層７上にストライプ状の図示しないフォトレジストパタ−ンを形成する。この後、ｐ型ＧａＡｓキャップ層７からｐ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓエッチング停止層５に至るまでドライエッチングを行って、第２のｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓクラッド層６とｐ型ＧａＡｓキャップ層７とからなるストライプ状に台形状のリッジ部８を形成する。
【００１８】
更に、前記図示しないフォトレジストパターンを除去後、ＭＯＣＶＤ法により２回目の結晶成長を行って、リッジ部８上及びｐ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓエッチング停止層５上にｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓを積層する。
こうして、ｐ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓエッチング停止層５上には、リッジ部８の両側面を挟持する一対のｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ電流狭窄層９１、９１が形成される。一方、リッジ部８上には、一対のｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ電流狭窄層９１、９１と同じ組成のｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ上積み層９２が積層される。この際、ｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ上積み層９２は、三角部１０を構成する。
三角部１０が形成される理由については従来例で説明したと同じ理由である。
【００１９】
更に、ｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ上積み層９２上及び一対のｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ電流狭窄層９１、９１上にｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ上積み層９２よりも厚さの薄い第１のｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１Ａを積層する。この後、ｎ型ＡｌＡｓモニター層１２、第２のｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１Ｂを順次積層する。即ち、第１及び第２のｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１Ａ、１１ＢでＡｌＡｓモニター層１２を挟んだ構造にする。
この際、ｎ型ＡｌＡｓモニター層１２は、プラズマ発光色が確認できる時間だけエッチングされていればよいので、その厚さは１０００Å程度あれば良い。
【００２０】
（第２工程）
この後、図１（Ｂ）に示すように、第２のｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１Ｂ上に中央部が開口した図示しないフォトレジストパターンを形成した後、第２のｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１Ｂからｎ型ＡｌＡｓモニター層１２までのドライエッチングを行って、ＡｌＡｓ特有のプラズマ発光色を観測した時点でエッチングを停止して、第２のｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１Ｂ中に開口部Ｔを形成する。
【００２１】
即ち、第２のｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１Ｂのドライエッチングでは、ＧａＡｓ特有のプラズマ発光色が観測されるのに対して、ｎ型ＡｌＡｓモニター層１２のドライエッチングでは、ＡｌＡｓ特有のプラズマ発光色が観測される。これらのプラズマ発光色は異なるため、エッチング終点検出を行うことができる。なお、このＧａＡｓのプラズマ発光色からＡｌＡｓのプラズマ発光色に変化した時点から所定時間後にドライエッチングを停止することにより、面内バラツキの少ない均一なエッチング停止を行うことができる。
【００２２】
（第３工程）
次に、図１（Ｃ）に示すように、前記した図示しないフォトレジストパターンを除去後、フッ酸系エッチング液によりｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ上積み層９２を選択的にエッチング除去して、リッジ部８のｐ型ＧａＡｓキャップ層７を露出させる。
この際、第１のｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１Ａ上のｎ型ＡｌＡｓモニター層１２は、第２のｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１Ｂと同じ導電型であるので、エッチング除去されても除去されなくても良い。
図１（Ｃ）中、ｎ型ＡｌＡｓモニター層１２が完全にエッチング除去されている状態を示している。
【００２３】
（第４工程）
次に、図１（Ｄ）に示すように、第２のｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１Ｂ及び開口部Ｔ内にｐ型ＧａＡｓコンタクト層１３を形成する。即ち、ｐ型ＧａＡｓキャップ層７上、ｎ型ＡｌＡｓモニター層１２の側面及び第２のｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１Ｂの側面及び上部にｐ型ＧａＡｓコンタクト層１３を形成する。
【００２４】
この後、従来例と同様にして、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１３上にｐ型オーミック電極１４を形成し、ｎ型ＧａＡｓ基板１に前記した積層方向と逆方向にｎ型オーミック電極１５を形成して、半導体レーザ素子を得る。
【００２５】
以上のように、本発明の実施形態によれば、一対のｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ電流狭窄層９１、９１上にｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ上積み層９２を挟持して、このｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ上積み層９２よりも厚さの薄い第１のｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１Ａを形成した後、ｎ型ＡｌＡｓモニター層１２、第２のｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１Ｂを順次積層し、次に、第２のｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１Ｂの上からｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１Ｂ表面からドライエッチングを行って、ＡｌＡｓのプラズマ発光色を観測した時点でドライエッチングを停止して開口部Ｔを形成するので、ｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１Ｂを精度良くエッチングすることができる。
このため、レーザ特性の良好な半導体レーザ素子を得ることができる。
【００２６】
次に、本発明の実施形態の変形例について図２を用いて説明する。
本発明の実施形態と同一構成には同一符号を付してその説明を省略する。
図２に示す変形例は、本発明の実施形態の（第１工程）において、ｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ上積み層９２及び一対のｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ電流狭窄層９１、９１上にｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ上積み層９２よりも厚さの厚い第１のｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１Ａを積層した後、ｎ型ＡｌＡｓモニター層１２、第２のｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１Ｂを順次積層し、次に（第２工程）と同様にして第１及び第２のｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１Ａ、１１Ｂに開口部Ｔを形成する。
【００２７】
この際、第２のｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１ＢからドライエッチングしてＡｌＡｓ特有のプラズマ発光を観測した後、ドライエッチングを停止する。そして、第２のｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１Ｂのエッチングレートを求める。
この後、このエッチングレートを用いて、第１のｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１Ａを時間管理によるドライエッチングを行って、リッジ部８のｐ型ＧａＡｓキャップ層７表面からｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ上積み層９２の上端部までの中間位置でエッチングを停止するものであり、それ以外は同様である。
本発明の実施形態の変形例においても同様な効果が得られる。
【００２８】
なお、本発明の実施形態では、ＡｌＡｓモニター層１２は、一層の場合で説明したが、複数層を形成しても同様な効果が得られる。
また、ＡｌＡｓモニター層１２の代わりにＡｌＧａＡｓを用いても良い。
【００２９】
【発明の効果】
本発明によれば、第１導電型ＧａＡｓコンタクト層の形成の際、前記第１導電型ＧａＡｓコンタクト層中にあって、第２導電型リッジ部表面から第１導電型ＡｌＧａＡｓ上積み層の上端部までの間の中間位置にＡｌＡｓ或いはＡｌＧａＡｓからなるモニター層を少なくとも１層形成し、前記第１導電型ＧａＡｓコンタクト層に開口部を形成する際、前記モニター層からのプラズマ発光色を観測することによりエッチングを停止するので、第１導電型ＧａＡｓコンタクト層を精度良くエッチングすることができる。
このため、レーザ特性の良好な半導体レーザ素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態における半導体レーザ素子の製造方法を示す断面図であり、（Ａ）は、（第１工程）を示し、（Ｂ）は、（第２工程）を示し、（Ｃ）は、（第３工程）を示し、（Ｄ）は（第４工程）を示す。
【図２】本発明の実施形態における変形例を示す断面図である。
【図３】従来の半導体レーザ素子の製造方法を示す断面図であり、（Ａ）は、（第１工程）を示し、（Ｂ）は、（第２工程）を示し、（Ｃ）は、（第３工程）を示し、（Ｄ）は、（第４工程）を示す。
【符号の説明】
１…ｎ型ＧａＡｓ基板（第１導電型半導体基板）、２…ｎ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓクラッド層（第１導電型半導体層）、３…活性層、４…第１のｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓクラッド層（第２導電型クラッド層）、５…ｐ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓエッチング停止層、６…第２のｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓクラッド層、７…ｐ型ＧａＡｓキャップ層、８…リッジ部、９１…ｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ電流狭窄層、９２・・・ｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ上積み層（第１導電型ＡｌＧａＡｓ上積み層）、１０・・・三角部、１１Ａ・・・第１のｎ型ＧａＡｓコンタクト層（第１導電型ＧａＡｓコンタクト層）、１１Ｂ…第２のｎ型ＧａＡｓコンタクト層（第１導電型ＧａＡｓコンタクト層）、１２・・・ｎ型ＡｌＡｓモニター層（ＡｌＡｓモニター層）、１３…ｐ型ＧａＡｓコンタクト層（第２導電型ＧａＡｓコンタクト層）、１４…ｐ型オーミック電極、１５…ｎ型オーミック電極、Ｔ…開口部
【図１】
2004356366.tif 000003
【図２】
2004356366.tif 000004
【図３】
2004356366.tif 000005