【手続補正書】
【提出日】平成25年12月5日(2013.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実質的に非多孔質の無機／有機ハイブリッドコアと前記コアを包囲する１層以上の多孔質シェル材料を含む表面多孔質材料。
【請求項２】
材料が表面多孔質粒子から構成される請求項１の表面多孔質材料。
【請求項３】
材料が表面多孔質モノリスである請求項１の表面多孔質材料。
【請求項４】
材料が実質的に狭い粒度分布をもつ請求項２の表面多孔質材料。
【請求項５】
コアが実質的に狭い粒度分布をもつ請求項２の表面多孔質材料。
【請求項６】
粒径の９０／１０比が１．００〜１．５５である請求項２の表面多孔質材料。
【請求項７】
粒径の９０／１０比が１．００〜１．１０である請求項６の表面多孔質材料。
【請求項８】
粒径の９０／１０比が１．０５〜１．１０である請求項７の表面多孔質材料。
【請求項９】
粒径の９０／１０比が１．１０〜１．５５である請求項５の表面多孔質材料。
【請求項１０】
粒径の９０／１０比が１．１０〜１．５０である請求項９の表面多孔質材料。
【請求項１１】
粒径の９０／１０比が１．３０〜１．４５である請求項１０の表面多孔質材料。
【請求項１２】
材料がクロマトグラフィー強化性細孔形状をもつ請求項１の表面多孔質材料。
【請求項１３】
材料が小集団のマイクロポアをもつ請求項１２の表面多孔質材料。
【請求項１４】
粒子ハイブリッドコアが式：
（ＳｉＯ２）ｄ／［Ｒ２（（Ｒ）ｐ（Ｒ１）ｑＳｉＯｔ）ｍ］  （Ｉ）
［式中、
Ｒ及びＲ１は各々独立してＣ１−Ｃ１８アルコキシ、Ｃ１−Ｃ１８アルキル、Ｃ１−Ｃ１８アルキル、Ｃ２−Ｃ１８アルケニル、Ｃ２−Ｃ１８アルキニル、Ｃ３−Ｃ１８シクロアルキル、Ｃ１−Ｃ１８ヘテロシクロアルキル、Ｃ５−Ｃ１８アリール、Ｃ５−Ｃ１８アリールオキシ又はＣ１−Ｃ１８ヘテロアリールであり；
Ｒ２はＣ１−Ｃ１８アルキル、Ｃ２−Ｃ１８アルケニル、Ｃ２−Ｃ１８アルキニル、Ｃ３−Ｃ１８シクロアルキル、Ｃ１−Ｃ１８ヘテロシクロアルキル、Ｃ５−Ｃ１８アリール、Ｃ１−Ｃ１８ヘテロアリール又は不在であり；各Ｒ２は２個以上のケイ素原子と結合しており；
ｐ及びｑは各々独立して０．０から３．０であり、
ｔは０．５、１．０又は１．５であり；
ｄは０から約３０であり；
ｍは１〜２０の整数であり；
Ｒ、Ｒ１及びＲ２は場合により置換されており；
但し、（１）Ｒ２が不在のとき、ｍ＝１及びｔ＝（４−（ｐ＋ｑ））／２（但し、０＜ｐ＋ｑ≦３）であり；及び
（２）Ｒ２が存在するとき、ｍ＝２〜２０及びｔ＝（３−（ｐ＋ｑ））／２（但し、ｐ＋ｑ≦２）である］
を有する請求項１の表面多孔質材料。
【請求項１５】
粒子ハイブリッドコアが式：
（ＳｉＯ２）ｄ／［（Ｒ）ｐ（Ｒ１）ｑＳｉＯｔ］  （ＩＩ）
［式中、
Ｒ及びＲ１は各々独立してＣ１−Ｃ１８アルコキシ、Ｃ１−Ｃ１８アルキル、Ｃ１−Ｃ１８アルキル、Ｃ２−Ｃ１８アルケニル、Ｃ２−Ｃ１８アルキニル、Ｃ３−Ｃ１８シクロアルキル、Ｃ１−Ｃ１８ヘテロシクロアルキル、Ｃ５−Ｃ１８アリール、Ｃ５−Ｃ１８アリールオキシ又はＣ１−Ｃ１８ヘテロアリールであり；
ｄは０から約３０であり；
ｐ及びｑは各々独立して０．０から３．０であり、但し、ｐ＋ｑ＝１のとき、ｔ＝１．５であり；ｐ＋ｑ＝２のとき、ｔ＝１であり；又はｐ＋ｑ＝３のとき、ｔ＝０．５である］を有する請求項１の表面多孔質材料。
【請求項１６】
粒子ハイブリッドコアが式：
（ＳｉＯ２）ｄ／［Ｒ２（（Ｒ１）ｒＳｉＯｔ）ｍ］ （ＩＩＩ）
［式中、
Ｒ１はＣ１−Ｃ１８アルコキシ、Ｃ１−Ｃ１８アルキル、Ｃ１−Ｃ１８アルキル、Ｃ２−Ｃ１８アルケニル、Ｃ２−Ｃ１８アルキニル、Ｃ３−Ｃ１８シクロアルキル、Ｃ１−Ｃ１８ヘテロシクロアルキル、Ｃ５−Ｃ１８アリール、Ｃ５−Ｃ１８アリールオキシ又はＣ１−Ｃ１８ヘテロアリールであり；
Ｒ２はＣ１−Ｃ１８アルキル、Ｃ２−Ｃ１８アルケニル、Ｃ２−Ｃ１８アルキニル、Ｃ３−Ｃ１８シクロアルキル、Ｃ１−Ｃ１８ヘテロシクロアルキル、Ｃ５−Ｃ１８アリール、Ｃ１−Ｃ１８ヘテロアリール又は不在であり；各Ｒ２は２個以上のケイ素原子と結合しており；
ｄは０から約３０であり；
ｒは０、１又は２であり、但し、ｒ＝０のとき、ｔ＝１．５であり；ｒ＝１のとき、ｔ＝１であり；又はｒ＝２のとき、ｔ＝０．５であり；並びに
ｍは１〜２０の整数である］
を有する請求項１の表面多孔質材料。
【請求項１７】
粒子ハイブリッドコアが式：
（Ａ）ｘ（Ｂ）ｙ（Ｃ）ｚ  （ＩＶ）
［式中、反復単位Ａ、Ｂ及びＣの順序はランダム、ブロック又はランダムとブロックの組合せとすることができ；Ａは有機結合を介して１以上の反復単位Ａ又はＢと共有結合した有機反復単位であり；Ｂは無機シロキサン結合を介して１以上の反復単位Ｂ又はＣと結合しており、並びに更に有機結合を介して１以上の反復単位Ａ又はＢと結合していてもよいオルガノシロキサン反復単位であり；Ｃは無機結合を介して１以上の反復単位Ｂ又はＣと結合した無機反復単位であり；ｘ及びｙは正の数であり、並びにｚは負以外の数であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１である。］を有する請求項１の表面多孔質材料。所定実施形態において、ｚ＝０のとき、０．００２≦ｘ／ｙ≦２１０であり、及びｚ≠０のとき、０．０００３≦ｙ／ｚ≦５００且つ０．００２≦ｘ／（ｙ＋ｚ）≦２１０である。
【請求項１８】
粒子ハイブリッドコアが式：
（Ａ）ｘ（Ｂ）ｙ（Ｂ＊）ｙ＊（Ｃ）ｚ  （Ｖ）
［式中、反復単位Ａ、Ｂ、Ｂ＊及びＣの順序はランダム、ブロック又はランダムとブロックの組合せとすることができ；Ａは有機結合を介して１以上の反復単位Ａ又はＢと共有結合した有機反復単位であり；Ｂは無機シロキサン結合を介して１以上の反復単位Ｂ又はＢ＊又はＣと結合しており、並びに更に有機結合を介して１以上の反復単位Ａ又はＢと結合していてもよいオルガノシロキサン反復単位であり；Ｂ＊は無機シロキサン結合を介して１以上の反復単位Ｂ又はＢ＊又はＣと結合したオルガノシロキサン反復単位であり、Ｂ＊は反応性（即ち重合性）有機成分をもたず、並びに更に重合後に脱保護され得る保護官能基をもっていてもよいオルガノシロキサン反復単位であり；Ｃは無機結合を介して１以上の反復単位Ｂ又はＢ＊又はＣと結合した無機反復単位であり；ｘ及びｙは正の数であり、並びにｚは負以外の数であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１である。］を有する請求項１の表面多孔質材料。所定実施形態において、ｚ＝０のとき、０．００２≦ｘ／（ｙ＋ｙ＊）≦２１０であり、ｚ≠０のとき、０．０００３≦（ｙ＋ｙ＊）／ｚ≦５００且つ０．００２≦ｘ／（ｙ＋ｙ＊＋ｚ）≦２１０である。
【請求項１９】
多孔質シェル材料が多孔質無機／有機ハイブリッド材料である請求項１から１８のいずれか一項の表面多孔質材料。
【請求項２０】
多孔質シェル材料が多孔質シリカである請求項１から１８のいずれか一項の表面多孔質材料。
【請求項２１】
多孔質シェル材料が多孔質複合材料である請求項１から１８のいずれか一項の表面多孔質材料。
【請求項２２】
２層以上の多孔質シェル材料を含み、各層が独立して多孔質無機／有機ハイブリッド材料、多孔質シリカ、多孔質複合材料又はその混合物から選択される請求項１から１８のいずれか一項の表面多孔質材料。
【請求項２３】
ハイブリッドコアがコアの表面付近のハイブリッド含量が高い請求項１から２２のいずれか一項の表面多孔質材料。
【請求項２４】
ハイブリッドコアがコアの表面付近のハイブリッド含量が低い請求項１から２２のいずれか一項の表面多孔質材料。
【請求項２５】
材料が表面多孔質材料の表面付近のハイブリッド含量が高い請求項１から２４のいずれか一項の表面多孔質材料。
【請求項２６】
材料が表面多孔質材料の表面付近のハイブリッド含量が低い請求項１から２４のいずれか一項の表面多孔質材料。
【請求項２７】
材料が真球度の高い球状コア形態である請求項１から２６のいずれか一項の表面多孔質材料。
【請求項２８】
材料がロッド状コア形態である請求項１から２６のいずれか一項の表面多孔質材料。
【請求項２９】
材料が湾曲ロッド状コア形態である請求項１から２６のいずれか一項の表面多孔質材料。
【請求項３０】
材料がトロイド状コア形態である請求項１から２６のいずれか一項の表面多孔質材料。
【請求項３１】
材料がダンベル状コア形態である請求項１から２６のいずれか一項の表面多孔質材料。
【請求項３２】
材料が真球度の高い球状、ロッド状、湾曲ロッド状、トロイド状又はダンベル状コア形態の混合である請求項１から２６のいずれか一項の表面多孔質材料。
【請求項３３】
同一サイズの完全多孔質シリカ粒子よりも熱伝導率が有意に高い請求項１から３２のいずれか一項の表面多孔質材料。
【請求項３４】
同一サイズの表面多孔質シリカ粒子よりも熱伝導率が有意に高い請求項１から３２のいずれか一項の表面多孔質材料。
【請求項３５】
同一サイズの完全多孔質シリカ粒子に比較して透過性を改善した充填ベッドを形成することが可能である請求項１から３４のいずれか一項の表面多孔質材料。
【請求項３６】
同一サイズの表面多孔質シリカ粒子に比較して透過性を改善した充填ベッドを形成することが可能である請求項１から３４のいずれか一項の表面多孔質材料。
【請求項３７】
同一サイズの未結合完全多孔質シリカ粒子に比較して高ｐＨ移動相に対する化学的安定性を改善した請求項１から３６のいずれか一項の表面多孔質材料。
【請求項３８】
同一サイズの未結合表面多孔質シリカ粒子に比較して高ｐＨ移動相に対する化学的安定性を改善した請求項１から３８のいずれか一項の表面多孔質材料。
【請求項３９】
コアが０．５〜１０μｍの粒径である請求項１から３８のいずれか一項の表面多孔質材料。
【請求項４０】
コアが０．８〜５．０μｍの粒径である請求項３９の表面多孔質材料。
【請求項４１】
コアが１．３〜３．０μｍの粒径である請求項４０の表面多孔質材料。
【請求項４２】
非多孔質コアの表面に対して垂直に測定した場合に多孔質層が独立して０．０５μｍから５μｍの厚さである請求項１から４１のいずれか一項の表面多孔質材料。
【請求項４３】
非多孔質コアの表面に対して垂直に測定した場合に多孔質層が独立して０．０６μｍから１μｍの厚さである請求項４２の表面多孔質材料。
【請求項４４】
非多孔質コアの表面に対して垂直に測定した場合に多孔質層が独立して０．２０μｍから０．７０μｍの厚さである請求項４３の表面多孔質材料。
【請求項４５】
材料の平均粒径が０．８〜１０．０μｍである請求項１から４４のいずれか一項の表面多孔質材料。
【請求項４６】
材料の平均粒径が１．１〜５．０μｍである請求項４５の表面多孔質材料。
【請求項４７】
材料の平均粒径が１．３〜２．９μｍである請求項４６の表面多孔質材料。
【請求項４８】
細孔が平均直径約２５〜６００Åである請求項１から４７のいずれか一項の表面多孔質材料。
【請求項４９】
細孔が平均直径約６０〜３５０Åである請求項４８の表面多孔質材料。
【請求項５０】
細孔が平均直径約８０〜３００Åである請求項４９の表面多孔質材料。
【請求項５１】
細孔が平均直径約９０〜１５０Åである請求項５０の表面多孔質材料。
【請求項５２】
平均細孔容積が約０．１１〜０．５０ｃｍ３／ｇである請求項１から５１のいずれか一項の表面多孔質材料。
【請求項５３】
平均細孔容積が約０．０９〜０．４５ｃｍ３／ｇである請求項５２の表面多孔質材料。
【請求項５４】
平均細孔容積が約０．１７〜０．３０ｃｍ３／ｇである請求項５３の表面多孔質材料。
【請求項５５】
細孔表面積が約１０ｍ２／ｇから４００ｍ２／ｇである請求項１から５４のいずれか一項の表面多孔質材料。
【請求項５６】
細孔表面積が約１５ｍ２／ｇから３００ｍ２／ｇである請求項５５の表面多孔質材料。
【請求項５７】
細孔表面積が約６０ｍ２／ｇから２００ｍ２／ｇである請求項５６の表面多孔質材料。
【請求項５８】
更に表面修飾されている請求項１から５７のいずれか一項の表面多孔質材料。
【請求項５９】
更に、
ポリマーコーティング；
有機基修飾とシラノール基修飾の併用によるポリマーコーティング；
有機基修飾とポリマーコーティングの併用；
シラノール基修飾とポリマーコーティングの併用；
材料の有機基と修飾剤の間の有機共有結合の形成；又は
有機基修飾とシラノール基修飾とポリマーコーティングの併用
により表面修飾されている請求項１から５８のいずれか一項の表面多孔質材料。
【請求項６０】
平滑面をもつ請求項１から５９のいずれか一項の表面多孔質材料。
【請求項６１】
粗面をもつ請求項１から５９のいずれか一項の表面多孔質材料。
【請求項６２】
表面多孔質材料の製造方法であって、
ａ．）実質的に非多孔質のハイブリッドコア材料を準備する工程；及び
ｂ．）前記コア材料に１層以上の多孔質シェル材料を適用し、表面多孔質材料を形成する工程
を含む前記方法。
【請求項６３】
更に、
ｃ．）表面多孔質材料の１種以上の特性を最適化させる工程
を含む請求項６２の表面多孔質材料の製造方法。
【請求項６４】
多孔質シェル材料の各層が独立して多孔質無機／有機ハイブリッド材料、多孔質シリカ、多孔質複合材料又はその混合物から選択される請求項６３の表面多孔質材料の製造方法。
【請求項６５】
ゾル、高分子電解質又は化学分解性ポリマーを使用して多孔質シェル材料の各層を適用し、
ａ）ゾルが無機ゾル、ハイブリッドゾル、ナノ粒子又はその混合物であり；及び
ｂ）化学的抽出、分解もしくは５００℃未満の温度の熱処理又はその組合せを使用して高分子電解質又は化学分解性ポリマーを材料から除去する
請求項６２から６４のいずれか一項の表面多孔質材料の製造方法。
【請求項６６】
静電的又は酸／塩基相互作用によるイオン性基の形成により多孔質シェル材料の各層を適用し、
ａ）イオン性基をもつアルコキシシランと実質的に非多孔質のコアを予め結合させる工程；
ｂ）コアの表面のイオン性基に対して逆電荷のイオン性基をもつアルコキシシランと予め結合させた無機、ハイブリッド、ナノ粒子又はその混合物であるゾルで実質的に非多孔質のコアを処理する工程；及び
ｃ）前の層のイオン性基に対して逆電荷のイオン性基をもつアルコキシシランと予め結合させた無機、ハイブリッド、ナノ粒子又はその混合物であるゾルを使用して材料上に追加の層を形成する工程
を含む請求項６２から６５のいずれか一項の表面多孔質材料の製造方法。
【請求項６７】
実質的に非多孔質のコア又はゾルを予め結合させる工程が酸もしくは塩基又は電荷をもつ高分子電解質による洗浄を含む請求項６６の方法。
【請求項６８】
実質的に非多孔質のコア又はゾルを予め結合させる工程が利用可能なハイブリッド有機基の化学的変換を含む請求項６６の方法。
【請求項６９】
利用可能なハイブリッド有機基がスルホン化、ニトロ化、アミノ化又はクロロメチル化後に酸化又はアミン含有基による求核置換によりイオン性基を形成することができる芳香族基である請求項６８の方法。
【請求項７０】
利用可能なハイブリッド有機基が酸化、交差メタセシス又は重合によりイオン性基を形成することができるアルケン基である請求項６８の方法。
【請求項７１】
利用可能なハイブリッド有機基が酸化、ラジカル付加、求核置換又は重合によりイオン性基を形成することができるチオール基である請求項６８の方法。
【請求項７２】
実質的に非多孔質のコア又はゾルを予め結合させる工程が式１：
Ｒ（ＣＨ２）ｎＳｉ（Ｙ）３−ｘ（Ｒ’）ｘ  （式１）
［式中、ｎ＝１〜３０、有利には２〜３であり；
ｘは０〜３、有利には０であり；
Ｙは塩素、ジメチルアミノ、トリフラート、メトキシ、エトキシ又は長鎖アルコキシ基を表し；
Ｒは塩基性基を表し、（限定されないが）−ＮＨ２、−Ｎ（Ｒ’）Ｈ、−Ｎ（Ｒ’）２、−Ｎ（Ｒ’）３＋、−ＮＨ（ＣＨ２）ｍＮＨ２、−ＮＨ（ＣＨ２）ｍＮ（Ｒ’）Ｈ、−ＮＨ（ＣＨ２）ｍＮ（Ｒ’）２、−ＮＨ（ＣＨ２）ｍＮ（Ｒ’）３＋、ピリジル、イミダゾリル、ポリアミンを含み；
Ｒ’は独立してアルキル、分岐アルキル、アリール又はシクロアルキル基を表し；
ｍは２〜６である］
のイオン性基をもつアルコキシシランとの結合を含む請求項６２から７１のいずれか一項の表面多孔質材料の製造方法。
【請求項７３】
実質的に非多孔質のコア又はゾルを予め結合させる工程が式２：
Ａ（ＣＨ２）ｎＳｉ（Ｙ）３−ｘ（Ｒ’）ｘ  （式２）
［式中、ｎ＝１〜３０、有利には２〜３であり；
ｘは０〜３、有利には０であり；
Ｙは塩素、ジメチルアミノ、トリフラート、メトキシ、エトキシ又は長鎖アルコキシ基を表し；
Ａは酸性基を表し、（限定されないが）スルホン酸、カルボン酸、リン酸、ボロン酸、アリールスルホン酸、アリールカルボン酸、アリールホスホン酸及びアリールボロン酸を含み；
Ｒ’は独立してアルキル、分岐アルキル、アリール又はシクロアルキル基を表す］
のイオン性基をもつアルコキシシランとの結合を含む請求項６２から７２のいずれか一項の表面多孔質材料の製造方法。
【請求項７４】
高分子電解質又は化学分解性ポリマーを使用して多孔質シェル材料の各層を適用する請求項６１から７３のいずれか一項の表面多孔質材料の製造方法。
【請求項７５】
材料からの除去が化学的抽出、分解もしくは５００℃未満の温度の熱処理又はその組合せを使用する請求項７４の方法。
【請求項７６】
アルコキシシラン、オルガノアルコキシシラン、ナノ粒子、ポリオルガノアルコキシシロキサン又はその組合せを使用して多孔質シェル材料の各層を適用し、
ａ）エタノール、水及び水酸化アンモニウムを含み、更に場合により非イオン性界面活性剤、イオン性界面活性剤、高分子電解質又はポリマーも含有する反応混合物中で実質的に非多孔質のコア上にシロキサン前駆体を縮合させ、多孔質シェル材料を形成する工程と；
ｂ）ハイブリッド基、イオン性界面活性剤又は非イオン性界面活性剤の抽出、分解、酸化、加水分解、脱保護もしくは変換又はその組合せにより気孔を導入する工程
を含む請求項７２から７５のいずれか一項の表面多孔質材料の製造方法。
【請求項７７】
エタノール、水、水酸化アンモニウム、イオン性界面活性剤及び非イオン性界面活性剤を含有する溶液中でアルコキシシラン、オルガノアルコキシシラン、ナノ粒子、ポリオルガノアルコキシシロキサン又はその組合せを実質的に非多孔質のコア上に縮合させる請求項７６の方法。
【請求項７８】
イオン性界面活性剤がＣ１０−Ｃ３０Ｎ（Ｒ）３＋Ｘ−であり、式中、Ｒはメチル、エチル、プロピル、アルキル、フルオロアルキルであり；Ｘはハロゲン、水酸化物又はＲ’ＳＯ３−もしくはＲ’ＣＯ２−の形態であり、ここでＲ’はメチル、エチル、ブチル、プロピル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、アリール、トリル、ハロアルキル又はフルオロアルキル基である請求項７６から７７のいずれか一項の方法。
【請求項７９】
イオン性界面活性剤がオクタデシルトリメチルアンモニウムブロミド、オクタデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ドデシルトリメチルアンモニウムブロミド又はドデシルトリメチルアンモニウムクロリドである請求項７６から７７のいずれか一項の方法。
【請求項８０】
イオン性界面活性剤の濃度を反応溶液中で５〜１７ｍＭに維持する請求項７６から７９のいずれか一項の方法。
【請求項８１】
イオン性界面活性剤の濃度を反応溶液中で８〜１４ｍＭに維持する請求項８０の方法。
【請求項８２】
非イオン性界面活性剤が二元ブロック又は三元ブロックコポリマーである請求項７６から７７のいずれか一項の方法。
【請求項８３】
コポリマーが（ＰＥＯ）ｘ（ＰＰＯ）ｙ（ＰＥＯ）ｘであり、式中、
ＰＥＯはポリエチレンオキシド反復単位であり、
ＰＰＯはポリプロピレンオキシド反復単位であり、
ｘは５〜１０６の整数であり、
ｙは３０〜８５の整数である
請求項８２の方法。
【請求項８４】
三元ブロックコポリマーが（ＰＥＯ）２０（ＰＰＯ）７０（ＰＥＯ）２０を有するＰｌｕｒｏｎｉｃ（登録商標）Ｐ１２３である請求項８３の方法。
【請求項８５】
エタノール、水、水酸化アンモニウム又はその組合せと；
オクタデシルトリメチルアンモニウムブロミドと；  
Ｐｌｕｒｏｎｉｃ（登録商標）Ｐ１２３
を含有する溶液中でアルコキシシラン、オルガノアルコキシシラン又はその組合せを実質的に非多孔質のコア上に縮合させる請求項７６から８４のいずれか一項の方法。
【請求項８６】
使用するアルコキシシランがテトラメトキシシラン又はテトラエトキシシランから構成される群から選択される請求項７６から８５のいずれか一項の方法。
【請求項８７】
オルガノシロキサンがフェニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルエチルトリエトキシシラン、フェニルエチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、１，４−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，８−ビス（トリエトキシシリル）オクタン、１，８−ビス（トリメトキシシリル）オクタン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）エタン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）エタン、１，２−ビス（メチルジエトキシシリル）エタン、１，２−ビス（メチルジメトキシシリル）エタン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、メルカプトプロピルトリメトキシシラン、メルカプトプロピルトリエトキシシラン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）エテン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）エテン、１，１−ビス（トリエトキシシリル）エタン、１，１−ビス（トリメトキシシリル）エタン、１，４−ビス（トリエトキシシリルエチル）ベンゼン、１，４−ビス（トリメトキシシリルエチル）ベンゼン、１，３−ビス（トリエトキシシリルエチル）ベンゼン又は１，３−ビス（トリメトキシシリルエチル）ベンゼンから構成される群から選択される請求項７６から８６のいずれか一項の方法。
【請求項８８】
使用するアルコキシシランがテトラエトキシシランであり、使用するオルガノアルコキシシランが１，２−ビス（トリエトキシシリル）エタンである請求項７６から８７のいずれか一項の方法。
【請求項８９】
オクタデシルトリメチルアンモニウムブロミドの濃度を８〜１４ｍＭに維持する請求項７６から８８のいずれか一項の方法。
【請求項９０】
オクタデシルトリメチルアンモニウムブロミドとＰｌｕｒｏｎｉｃ（登録商標）Ｐ１２３のモル比を１．３０以上に維持する請求項７６から８８のいずれか一項の方法。
【請求項９１】
オルガノアルコキシシランに対するアルコキシシランのモル比が３０：１から１：３０である請求項７６から８９のいずれか一項の方法。
【請求項９２】
アルコキシシラン、オルガノアルコキシシラン又はその組合せをエタノールで予め希釈する請求項７６から９１のいずれか一項の方法。
【請求項９３】
微粒子生成、凝結及び凝集を防止するためにアルコキシシラン、オルガノアルコキシシラン又はその組合せの予め希釈したエタノール溶液を一定の低速で添加する請求項７６から９２のいずれか一項の方法。
【請求項９４】
アルコキシシラン、オルガノアルコキシシラン又はその組合せの予め希釈したエタノール溶液を５〜５００μＬ／分の速度で添加する請求項７６から９３のいずれか一項の方法。
【請求項９５】
微粒子生成、凝結及び凝集を防止するためにエタノール、水、水酸化アンモニウム、イオン性界面活性剤及び非イオン性界面活性剤を含有する二次溶液を一定の低速で添加する請求項７６から９４のいずれか一項の方法。
【請求項９６】
反応容量に対する粒子表面積（ｍ２）の一定の比を維持するために必要な速度から反応容量に対する粒子容量（ｍ３）の一定の比を維持するために必要な速度までの範囲内でエタノール、水、水酸化アンモニウム、イオン性界面活性剤及び非イオン性界面活性剤を含有する二次溶液を添加する請求項７６から９５のいずれか一項の方法。
【請求項９７】
酸、水もしくは有機溶媒による抽出、オゾン分解処理、＜５００℃の熱処理又は５００〜１０００℃の熱処理の１種以上により界面活性剤混合物を除去する請求項７６から９６のいずれか一項の方法。
【請求項９８】
酸抽出とオゾン分解処理の併用により界面活性剤混合物を除去する請求項９７の方法。
【請求項９９】
アルコキシシラン、オルガノアルコキシシラン、ナノ粒子、ポリオルガノアルコキシシロキサン又はその組合せを使用して多孔質シェル材料の各層を適用し、
ａ）エタノール、水又は水酸化アンモニウムを含有する反応混合物中で実質的に非多孔質のコア上にシロキサン前駆体を縮合させ、非多孔質ハイブリッド無機／有機シェル材料を形成する工程；及び
ｂ）ハイブリッド基の抽出、分解、酸化、加水分解、脱保護もしくは変換又はその組合せにより気孔を導入する工程
を含む請求項６２から９８のいずれか一項の表面多孔質材料の製造方法。
【請求項１００】
使用するアルコキシシランがテトラメトキシシラン又はテトラエトキシシランから構成される群から選択される請求項９９の方法。
【請求項１０１】
オルガノシロキサンがフェニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルエチルトリエトキシシラン、フェニルエチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、１，４−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，８−ビス（トリエトキシシリル）オクタン、１，８−ビス（トリメトキシシリル）オクタン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）エタン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）エタン、１，２−ビス（メチルジエトキシシリル）エタン、１，２−ビス（メチルジメトキシシリル）エタン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、メルカプトプロピルトリメトキシシラン、メルカプトプロピルトリエトキシシラン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）エテン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）エテン、１，１−ビス（トリエトキシシリル）エタン、１，１−ビス（トリメトキシシリル）エタン、１，４−ビス（トリエトキシシリルエチル）ベンゼン、１，４−ビス（トリメトキシシリルエチル）ベンゼン、１，３−ビス（トリエトキシシリルエチル）ベンゼン又は１，３−ビス（トリメトキシシリルエチル）ベンゼン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン及びドデシルトリエトキシシランから構成される群からの１種以上として選択される請求項９９の方法。
【請求項１０２】
使用するアルコキシシランがテトラエトキシシランであり、使用するオルガノアルコキシシランがオクタデシルトリメトキシシランである請求項９９の方法。
【請求項１０３】
アルコキシシラン、１種以上のオルガノアルコキシシラン又はその組合せをエタノールで予め希釈する請求項９９から１０２のいずれか一項の方法。
【請求項１０４】
微粒子生成、凝結及び凝集を防止するためにアルコキシシラン、１種以上のオルガノアルコキシシラン又はその組合せの予め希釈したエタノール溶液を一定の低速で添加する請求項９９から１０３のいずれか一項の方法。
【請求項１０５】
アルコキシシラン、１種以上のオルガノアルコキシシラン又はその組合せの予め希釈したエタノール溶液を５〜５００μＬ／分の速度で添加する請求項１０３の方法。
【請求項１０６】
微粒子生成、凝結及び凝集を防止するためにエタノール、水及び水酸化アンモニウムを含有する二次溶液を一定の低速で添加する請求項９９から１０５のいずれか一項の方法。
【請求項１０７】
反応容量に対する粒子表面積（ｍ２）の比を一定に維持するために必要な速度から反応容量に対する粒子容量（ｍ３）の比を一定に維持するために必要な速度までの範囲内でエタノール、水及び水酸化アンモニウムを含有する二次溶液を添加する請求項１０６の方法。
【請求項１０８】
酸、水もしくは有機溶媒による抽出、オゾン分解処理、＜５００℃の熱処理又は５００〜１０００℃の熱処理の１種以上によるハイブリッド基の抽出、分解、加水分解、脱保護又は変換により気孔を導入する請求項９９から１０７のいずれか一項の方法。
【請求項１０９】
酸抽出、オゾン分解処理及び／又は＜５００℃の熱処理の併用によるハイブリッド基の抽出、分解、加水分解、脱保護又は変換により気孔を導入する請求項９９から１０８のいずれか一項の方法。
【請求項１１０】
式ＸＸ：
（Ｄ）ｄ（Ｅ）ｅ（Ｆ）ｆ  （式ＸＸ）
［式中、
ａ）ｄ＋ｅ＋ｆ＝１であり、
ｂ）Ｄは初期縮合後の１種以上の無機成分であり、
ｃ）Ｅは初期縮合後の１種以上のハイブリッド成分であり、
ｄ）Ｆは表面多孔質層の気孔率を増加させるために更に反応させることができる初期縮合後の１種以上のハイブリッド成分である］
の混合物を使用して各層を適用する請求項６２から１０９のいずれか一項の方法。
【請求項１１１】
初期縮合後の無機成分（Ｄ）の前駆体がケイ素、チタン、ジルコニウム又はアルミニウムの酸化物、水酸化物、エトキシド、メトキシド、プロポキシド、イソプロポキシド、ブトキシド、ｓｅｃ−ブトキシド、ｔｅｒｔ−ブトキシド、イソブトキシド、フェノキシド、エチルヘキシルオキシド、２−メチル−２−ブトキシド、ノニルオキシド、イソオクチルオキシド、グリコール酸塩、カルボン酸塩、硝酸塩、塩化物及びその混合物から選択される請求項１１０の方法。
【請求項１１２】
初期縮合後の無機成分（Ｄ）の前駆体がテトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、メチルチタントリイソプロポキシド、メチルチタントリフェノキシド、チタンアリルアセトアセテートトリイソプロポキシド、チタンメタクリレートトリイソプロポキシド、チタンメタクリルオキシエチルアセトアセテートトリイソプロポキシド、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタントリメトキシド、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタントリクロリド及びジルコニウムメタクリルオキシエチルアセトアセテートトリ−ｎ−プロポキシドから選択される請求項１１０の方法。
【請求項１１３】
初期縮合後のハイブリッド成分（Ｅ）の前駆体が１，２−ビス（トリエトキシシリル）エタン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）エタン、１，４−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，３，５−トリス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，３，５−トリス（トリメトキシシリル）ベンゼン及びビス（４−トリエトキシシリルフェニル）ジエトキシシランから選択される請求項１１０の方法。
【請求項１１４】
表面多孔質層の気孔率を増加するために更に反応させることができる初期縮合後のハイブリッド成分（Ｆ）の前駆体がフェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、アセチルオキシエチルトリメトキシシラン、アセチルオキシエチルトリエトキシシラン、クロロエチルトリエトキシシラン、クロロエチルトリメトキシシラン、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、メタクリルオキシプロピルトリエトキシシラン、ブロモエチルトリメトキシシラン、ブロモエチルトリエトキシシラン、フルオロトリエトキシシラン、フルオロトリメトキシシラン、及び
（ＣＨ３ＣＨ２Ｏ）４−ｖＳｉ（ＯＲ＊）ｖ  （式ＸＸｂ）
型のアルコキシシランから選択され、上記式中、
Ｒ＊は対応するオクタデシル、ドデシル、オクチル、２−エトキシエチル又は３−エチル−３−ペンチル基であり、
ｖは１〜４の整数である
請求項１１０の方法。
【請求項１１５】
プロト脱シリル化、加水分解、脱保護、酸抽出、＜５００℃の熱処理、酸化、オゾン分解又は分解によるハイブリッド基Ｆの反応により気孔を導入する請求項１１４の方法。
【請求項１１６】
オルガノシロキサン、オルガノシロキサンとアルコキシシランの混合物、ポリオルガノアルコキシシラン、ハイブリッド無機／有機周囲材料又はその組合せを使用して形成した１層以上で非多孔質シリカコアを修飾することによりコアの表面付近のハイブリッド含量を高くしたハイブリッドコアの製造方法。
【請求項１１７】
オルガノシロキサン、オルガノシロキサンとアルコキシシランの混合物、ポリオルガノアルコキシシラン、ハイブリッド無機／有機周囲材料又はその組合せを使用して形成した１層以上で表面多孔質材料を修飾することにより材料の外面付近のハイブリッド含量を高くした表面多孔質ハイブリッド材料の製造方法。
【請求項１１８】
オルガノシロキサン、オルガノシロキサンとアルコキシシランの混合物、ポリオルガノアルコキシシラン、ハイブリッド無機／有機周囲材料又はその組合せを使用して形成した１層以上で表面多孔質粒子を修飾することにより、粒子の外面付近のハイブリッド含量を高くした表面多孔質ハイブリッド粒子の製造方法。
【請求項１１９】
オルガノシロキサン、オルガノシロキサンとアルコキシシランの混合物、ポリオルガノアルコキシシラン、ハイブリッド無機／有機周囲材料又はその組合せを使用して形成した１層以上で実質的にシリカである（＞９０モル％）表面多孔質粒子を修飾することにより、粒子の外面付近のハイブリッド含量を高くした表面多孔質ハイブリッド粒子の製造方法。
【請求項１２０】
粒子の外面付近のハイブリッド含量を高くした表面多孔質ハイブリッド粒子の製造方法であって、
ａ．）実質的にシリカであり（＞９０モル％）、細孔容積が０．１８〜０．５０ｃｍ３／ｇである表面多孔質粒子を形成する工程と；
ｂ．）オルガノシロキサン、オルガノシロキサンとアルコキシシランの混合物、ポリオルガノアルコキシシラン、ハイブリッド無機／有機周囲材料又はその組合せを使用して形成した１層以上でこの粒子を修飾することにより、この粒子の気孔率を０．０１〜０．２０ｃｍ３／ｇ低下させる工程
を含む前記方法。
【請求項１２１】
前記プロセスで１〜１５層を形成する請求項６２から１２０のいずれか一項の方法。
【請求項１２２】
２〜５層を形成する請求項１２１の方法。
【請求項１２３】
１〜２層を形成する請求項１２２の方法。
【請求項１２４】
酸抽出、分級、オゾン分解処理、水熱処理、酸処理又はその組合せにより表面多孔質材料を最適化させる請求項６２から１２４のいずれか一項の表面多孔質材料の製造方法。
【請求項１２５】
更に表面多孔質材料を表面修飾する工程を含む請求項６２から１２４のいずれか一項の表面多孔質材料の製造方法。
【請求項１２６】
ポリマーコーティング；
有機基修飾とシラノール基修飾の併用によるポリマーコーティング；
有機基修飾とポリマーコーティングの併用；
シラノール基修飾とポリマーコーティングの併用；
材料の有機基と修飾剤の間の有機共有結合の形成；又は
有機基修飾とシラノール基修飾とポリマーコーティングの併用
により表面修飾を行う請求項１２５の表面多孔質材料の製造方法。
【請求項１２７】
実質的に非多孔質の材料の気孔率を増加させる方法であって、
ａ．）実質的に非多孔質のハイブリッドコア材料を準備する工程；及び
ｂ．）前記コア材料に１層以上の多孔質シェル材料を適用し、表面多孔質材料を形成する工程
を含む前記方法。
【請求項１２８】
多孔質シェル材料の各層が独立して多孔質無機／有機ハイブリッド材料、多孔質シリカ、多孔質複合材料又はその混合物から選択される請求項１２７の実質的に非多孔質の材料の気孔率を増加させる方法。
【請求項１２９】
請求項１から６１のいずれか一項の表面多孔質材料を含む固定相を有する分離装置。
【請求項１３０】
前記装置がクロマトグラフィーカラム、薄層プレート、濾過膜、マイクロフルイディク分離装置、試料清浄化装置、固相担体、固相抽出装置、マイクロチップ分離装置及びマイクロタイタープレートから構成される群から選択される請求項１２９の分離装置。
【請求項１３１】
分離装置が固相抽出、高圧液体クロマトグラフィー、超高圧液体クロマトグラフィー、コンビナトリアルケミストリー、合成、バイオアッセイ、超高性能液体クロマトグラフィー、超高速液体クロマトグラフィー、超高圧液体クロマトグラフィー、超臨界流体クロマトグラフィー及び質量分析から構成される群から選択される用途に有用である請求項１３０の分離装置。
【請求項１３２】
分離装置がバイオアッセイに有用であり、バイオアッセイがアフィニティーアッセイ又はイオン交換アッセイである請求項１３１の分離装置。
【請求項１３３】
ａ）充填材を受容するための円筒形内部を有するカラム、及び
ｂ）請求項１から６１のいずれか一項の表面多孔質材料を含む充填クロマトグラフィーベッド
を含むクロマトグラフィーカラム。
【請求項１３４】
ａ）充填材を受容するための内部チャネル、及び
ｂ）請求項１から６１のいずれか一項の表面多孔質材料を含む充填クロマトグラフィーベッド
を含むクロマトグラフィー装置。
【請求項１３５】
請求項１から６１のいずれか一項の表面多孔質材料と使用説明書を含むキット。
【請求項１３６】
説明書が分離装置用である請求項１３５のキット。
【請求項１３７】
分離装置がクロマトグラフィーカラム、薄層プレート、マイクロフルイディク分離装置、固相抽出装置、濾過膜、試料清浄化装置及びマイクロタイタープレートから構成される群から選択される請求項１３６のキット。