【手続補正書】
【提出日】平成25年12月26日(2013.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、
半導体層と、
半導体層の表面に位置し、それによって半導体／金属界面を定義する金属シャントであって、半導体層表面の一部は金属シャントによって被覆されず、半導体層および金属シャントは実質的平行面に存在するが共平面ではない、金属シャントとを含み、
半導体／金属界面は、光学摂動によって摂動されている半導体／金属界面に応えてその抵抗の変化を呈するように構成されている、装置。
【請求項２】
装置が、光学摂動に対する逆異常光コンダクタンス（Ｉ−ＥＯＣ）応答を呈するように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
半導体／金属界面はショットキー障壁界面として構成されている、請求項１から２のいずれかに記載の装置。
【請求項４】
装置が、光学摂動に応えて、半導体／金属界面を横断する概弾道的キャリア流から半導体／金属界面を横断する概拡散キャリア流に遷移するように構成されている、請求項１から３のいずれかに記載の装置。
【請求項５】
半導体層と接触する複数のリード線をさらに含む、請求項１から４のいずれかに記載の装置。
【請求項６】
金属シャントが、ナノスケール長およびナノスケール幅を有する、請求項１から５のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
半導体層が、金属シャントのナノスケール長およびナノスケール幅よりも大きいナノスケール長およびナノスケール幅を有する、請求項１から６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
半導体層が、その上に金属シャントが位置するメサ部を含む、請求項１から７のいずれかに記載の装置。
【請求項９】
メサが、ドープ半導体エピタキシャル層を含む、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
（１）抵抗変化を表す信号を受信し、（２）受信信号に基づいて画像データを生成するように構成された受信器エレクトロニクスをさらに含む、請求項１から９のいずれかに記載の装置。
【請求項１１】
半導体／金属界面がさらに、異常電気コンダクタンス（ＥＥＣ）応答に対応する電場摂動によって摂動されている半導体／金属界面に応えてその抵抗の変化を呈するように構成されており、受信器エレクトロニクスはさらに、装置の光学応答および電場応答を表す異なる画像データ集合を生成するために、装置が光学摂動によって摂動されているときおよび摂動されていないときに、受信信号をサンプリングするように構成されている、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
受信器エレクトロニクスと通信するアレイをさらに含み、アレイは複数の光学センサを含み、少なくとも複数の光学センサの各々は半導体層、金属シャント、および半導体／金属界面を含み、受信器エレクトロニクスはさらに、光学センサの光学摂動に応えて光学センサからの受信信号に基づいて画像データを生成するように構成されている、請求項１０から１１のいずれかに記載の装置。
【請求項１３】
方法であって、
センサによって異常光コンダクタンス（ＥＯＣ）効果を生じるために光子を用いてセンサを摂動するステップを含み、センサは（１）半導体層と、（２）半導体層の表面に位置し、それによって半導体／金属界面を定義する金属シャントとを含み、半導体層表面の一部は金属シャントによって被覆されず、半導体層および金属シャントは実質的平行面に存在するが共平面ではなく、半導体／金属界面は、摂動するステップに応えてＥＯＣ効果に対応する抵抗の変化を呈するように構成されている、方法。
【請求項１４】
生じたＥＯＣ効果に応えて画像を生成するステップをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
ＥＯＣ効果がＩ−ＥＯＣ効果を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
室温で方法を実行するステップをさらに含む、請求項１３から１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
半導体／金属界面がショットキー障壁界面として構成されている、請求項１３から１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
センサが、摂動するステップに応えて、半導体／金属界面を横断する概弾道的キャリア流から半導体／金属界面を横断する概拡散キャリア流に遷移するように構成されている、請求項１３から１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
金属シャントがナノスケール長およびナノスケール幅を有する、請求項１３から１８のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】
半導体層が、金属シャントのナノスケール長およびナノスケール幅よりも大きいナノスケール長およびナノスケール幅を有する、請求項１３から１９のいずれかに記載の方法。
【請求項２１】
半導体層が、その上に金属シャントが位置するメサ部を含む、請求項１３から２０のいずれかに記載の方法。
【請求項２２】
メサが、ドープ半導体エピタキシャル層を含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
センサが、アレイを形成する複数のセンサを含む、請求項１３から２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２４】
アレイが複数の個別アドレス指定可能画素を含み、各画素はそれぞれ異なるセンサに対応している、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
生じたＥＯＣ効果に応えてマルチ画素画像を生成するステップをさらに含む、請求項２３から２４のいずれかに記載の方法。
【請求項２６】
摂動するステップが、病変を示す分子と結合する発光剤によって発生した光子を用いてアレイを摂動するステップを含み、方法は、アレイのセンサの生成されたＥＯＣ効果に基づいて病変を検出するステップをさらに含む、請求項２３から２５のいずれかに記載の方法。
【請求項２７】
摂動するステップが、形質転換またはトランスフェクト細胞によって発現する発光剤によって発生した光子を用いてアレイを摂動するステップを含み、方法は、アレイのセンサの生成されたＥＯＣ効果に基づいて形質転換またはトランスフェクト細胞を検出するステップをさらに含む、請求項２３から２６のいずれかに記載の方法。
【請求項２８】
発光剤が蛍光体を含む、請求項２６から２７のいずれかに記載の方法。
【請求項２９】
インビボで検出を実行するステップをさらに含む、請求項２６から２８のいずれかに記載の方法。
【請求項３０】
センサがカメラ内に存在し、方法は、生じたＥＯＣ効果に基づいてカメラ画像を生成するステップをさらに含む、請求項１３から２９のいずれかに記載の方法。
【請求項３１】
方法であって、
センサによってＩ−ＥＯＣ応答を生成するために光子を用いて複数のナノスケールＩ−ＥＯＣセンサで形成されたアレイを摂動するステップと、
生成されたＩ−ＥＯＣ応答からナノスケール分解能を有する画像を生成するステップと、を含む方法。
【請求項３２】
方法であって、
ＥＯＣ応答を生成するために光子を用いて金属半導体ハイブリッド（ＭＳＨ）装置を摂動するステップであって、ＭＳＨ装置はキャリア流に対するショットキー障壁の役割を果たす半導体／金属界面を含む、ステップを含む方法。
【請求項３３】
方法であって、
ＥＯＣ応答を生成するために光子を用いて金属半導体ハイブリッド（ＭＳＨ）装置を摂動するステップであって、半導体／金属界面を横断するＭＳＨ装置内のキャリア流は、光子による摂動に応えて主に弾道的輸送から拡散輸送に遷移する、ステップを含む方法。
【請求項３４】
方法であって、
金属半導体ハイブリッド（ＭＳＨ）装置にバイアスをかけるステップであって、ＭＳＨ装置は半導体／金属界面を有するステップと、
半導体／金属界面を横断するキャリア流が概弾道的輸送から概拡散輸送に遷移するように、光を用いてＭＳＨ装置を摂動するステップと、
摂動ステップに応えてＭＳＨ装置からの電圧信号を検出するステップと、を含む方法。
【請求項３５】
装置であって、
複数のセンサであって、複数のセンサの各々が、光による摂動に応えて異常光コンダクタンス（ＥＯＣ）応答を表す信号を生成するように構成されている、センサと、
センサと通信するためのプロセッサであって、生成された信号に対応するデータを生成するように構成されている、プロセッサとを含み、
複数のセンサの各々は、
半導体層と、
半導体層の表面に位置し、それによって半導体／金属界面を定義する金属シャントであって、半導体／金属界面はショットキー界面を含む、金属シャントとを含み、
複数のセンサの各々は、照射の増加に応えてショットキー特性からオーミック特性に変化するＩ−Ｖ特性を呈するように構成されている、装置。
【請求項３６】
複数のセンサの半導体層および金属シャントが、ナノスケール寸法を呈する、請求項３５に記載の装置。
【請求項３７】
複数のセンサの各々が、光による摂動に応えて逆異常光コンダクタンス（Ｉ−ＥＯＣ）応答を表す信号を生成するように構成されている、請求項３５から３６のいずれかに記載の装置。
【請求項３８】
プロセッサが、生成された信号に対応する画像データを生成するように構成されており、画像データは複数の画素を含み、複数のセンサはセンサのアレイを含み、センサは画素に対応する、請求項３５から３７のいずれかに記載の装置。
【請求項３９】
装置がカメラを含む、請求項３５から３８のいずれかに記載の装置。
【請求項４０】
カメラがスマートフォンに存在する、請求項３９に記載の装置。
【請求項４１】
方法であって、
センサによって電気的応答を生じるために光子を用いてセンサを摂動するステップを含み、センサは（１）金属シャントと、（２）金属シャントと電気接触する平面半導体材料とを含み、金属シャントは、半導体材料の表面に位置し、それによって、電気的バイアス下のセンサに応えて半導体材料と金属シャントとの間を電流が通過する半導体／金属界面を定義し、半導体材料表面の一部は金属シャントによって被覆されず、半導体材料および金属シャントは実質的平行面である異なる面にあり、それにより半導体／金属界面は半導体材料の面に平行であり、半導体／金属界面は、摂動するステップに応えて抵抗の変化を呈するように構成され、
前記方法はさらに、摂動するステップに応える電気的応答を検出するステップを含む、方法。
【請求項４２】
半導体／金属界面は、ショットキー障壁界面として構成される、請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
半導体材料は、半導体膜を含み、半導体膜は、およそ２５ｎｍからおよそ２０００ｎｍの範囲の厚みを有し、金属シャントは、およそ２５ｎｍからおよそ２０００ｎｍの範囲の厚みを有し、半導体膜は、およそ２５ｎｍからおよそ５００ｎｍの範囲の寸法を有し、前記寸法は、長さ、幅、および直径からなるグループの少なくとも１つの要素であり、金属シャントは、およそ２５ｎｍからおよそ５００ｎｍの範囲の寸法を有し、金属シャントの寸法は、半導体膜の寸法未満である、請求項４１から４２のいずれかに記載の方法。
【請求項４４】
半導体層が、その上に金属シャントが位置するメサ部を含む、請求項４１から４３のいずれかに記載の方法。
【請求項４５】
センサが、アレイを形成する複数のセンサを含む、請求項４１から４４のいずれかに記載の方法。