【手続補正書】
【提出日】平成24年10月1日(2012.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のアパーチャが設けられた第１の導電プレートと、
前記第１のアパーチャとほぼアライメントされた第２のアパーチャが設けられた第２の導電プレートと、
動作中に、前記第１の導電プレートに第１の電圧を、かつ前記第２の導電プレートに第２の電圧を供給するための電圧供給部と、
前記第１の導電プレートを前記第２の導電プレートから分離するための絶縁構造体と、
を具備し、
前記第２の電圧は、前記第１の電圧よりも高く、
前記絶縁構造体は、前記第１の導電プレートと接触している第１の部分と、前記第２の導電プレートと接触している第２の部分とを有し、
前記第２の部分は、前記第１の部分が前記第１の導電プレートと接触している突出部分を有し、前記突出部分と前記第２の導電プレートとの間にギャップが形成されるように、前記第１の部分より小さくされており、
前記ギャップは、前記第２のアパーチャに近接した前記絶縁構造体の側面に位置され、
前記第１の導電プレートに面している前記絶縁構造体の表面には、前記第１の導電プレートと電気的に接触している導電層が設けられている静電レンズ。
【請求項２】
前記ギャップの誘電率は、前記絶縁構造体の誘電率よりも小さい請求項１の静電レンズ。
【請求項３】
前記ギャップの誘電率は、前記絶縁構造体の誘電率よりも少なくとも４分の１未満である請求項２の静電レンズ。
【請求項４】
動作中、前記絶縁構造体の前記突出部分と前記第２の導電プレートとの間の前記ギャップ中の電界強度は、前記絶縁構造体の前記第２の部分を横切る電界強度よりも大きい請求項１ないし３のいずれか１の静電レンズ。
【請求項５】
前記絶縁構造体の前記第１の部分及び前記第２の部分は、等しい厚さである請求項１ないし４のいずれか１の静電レンズ。
【請求項６】
前記絶縁構造体の前記第１の部分及び前記第２の部分は、一緒に接合された別個の構造体を有する請求項１ないし５のいずれか１の静電レンズ。
【請求項７】
前記導電層は、堆積技術を使用して前記絶縁構造体の表面に堆積される請求項１の静電レンズ。
【請求項８】
前記導電層は、クロムかタンタルを含む請求項１又は７の静電レンズ。
【請求項９】
前記第１の導電プレートと前記第２の導電プレートとの間の距離は、約１００ないし２００μｍの範囲にある請求項１ないし８のいずれか１の静電レンズ。
【請求項１０】
レンズは、フラッシュオーバなしで１０Ｖ／μｍを超える、より好ましくはフラッシュオーバなしで２５ないし５０Ｖ／μｍの範囲内の電界強度に耐えることが可能である請求項１ないし９のいずれか１の静電レンズ。
【請求項１１】
前記絶縁構造体は、ホウケイ酸ガラスを含む請求項１ないし１０のいずれか１の静電レンズ。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれか１の静電レンズを複数有する静電レンズアレイ。
【請求項１３】
前記絶縁構造体は、少なくとも１つの第３のアパーチャが設けられた絶縁プレートの形態を取り、
前記少なくとも１つの第３のアパーチャは、その側壁の突出部が、複数の第１のアパーチャ及び第２のアパーチャを取り囲むように配置されている請求項１２の静電レンズアレイ。
【請求項１４】
前記絶縁構造体は、複数の細長いバーの形態を取り、連続したバーの間に、第１のアパーチャ及び第２のアパーチャによって形成された複数の伝達経路がある請求項１２の静電レンズアレイ。
【請求項１５】
荷電粒子ビームを発生させるための荷電粒子源と、
前記荷電粒子ビームから複数の小ビームを発生させるためのアパーチャアレイと、
パターンに従って前記複数の小ビームに調整するための小ビーム調整システムと、
前記複数の小ビームを集束させるための請求項１２ないし１４のいずれか１の静電レンズアレイと、を具備する荷電粒子小ビームリソグラフィシステム。
【請求項１６】
前記静電レンズアレイは、前記アパーチャアレイと前記小ビーム調整システムとの間に位置される請求項１５の荷電粒子小ビームリソグラフィシステム。
【請求項１７】
パターン化される基板を支持するための支持ユニットと、
前記基板のターゲット面に複数の調整された小ビームを集束させるために前記小ビーム調整システムの下流側に位置された前記静電レンズアレイとを有する請求項１５又は１６の荷電粒子小ビームリソグラフィシステム。
【請求項１８】
静電レンズに使用する絶縁構造体を製造する方法であって、
第１の絶縁プレートを与えることと、
第１の直径を有する少なくとも１つの第１の貫通孔を前記第１の絶縁プレートに形成することと、
第２の絶縁プレートを与えることと、
前記第１の直径よりも大きい第２の直径を有する少なくとも１つの第２の貫通孔を前記第２の絶縁プレートに形成することと、
絶縁構造体を形成するように、前記第１の絶縁プレートと前記第２の絶縁プレートとを組み合わせることと、を具備し、前記絶縁構造体は、少なくとも１つの第１及び第２の貫通孔によって形成された少なくとも１つのアパーチャを有する方法。
【請求項１９】
前記第１及び第２の絶縁プレートは、同じ絶縁材料でできている請求項１８の方法。
【請求項２０】
前記第１の絶縁プレートと前記第２の絶縁プレートの少なくとも一方は、ホウケイ酸ガラスを含む請求項１８又は１９の方法。
【請求項２１】
前記第１の貫通孔と前記第２の貫通孔との少なくとも一方を製造することは、パワーブラスチングによって果される請求項１８ないし２０のいずれか１の方法。
【請求項２２】
請求項１８ないし２１のいずれか１の方法に従って製造された静電レンズで使用するための絶縁構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
本発明は、上に説明されたある実施の形態に参照によって説明された。これらの実施の形態が、当業者に既知のさまざまな修正及び変更形態を受けることが理解される。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［１］
第１のアパーチャが設けられた第１の導電プレートと、
前記第１のアパーチャとほぼアライメントされた第２のアパーチャが設けられた第２の導電プレートと、
前記第１の導電プレートに第１の電圧を、かつ前記第２の導電プレートに第２の電圧を供給するための電圧供給部と、
前記第１の導電プレートを前記第２の導電プレートから分離するための絶縁構造体と、
を具備し、
前記第２の電圧は、レンズの意図された機能に関する前記第１の電圧よりも低く、
前記絶縁構造体は、前記第１の導電プレートと接触している第１の部分と、前記第２の導電プレートと接触している第２の部分とを有し、
前記第１の部分は、前記第１の導電プレートと接触している突出部分を有し、また、前記第２の部分は、前記絶縁構造体のエッジに切り込み部分を有し、
前記突出部分と前記第２の導電プレートとの間にギャップが形成されている静電レンズ。
［２］
前記ギャップの誘電率は、前記絶縁構造体の誘電率よりも小さい［１］の静電レンズ。
［３］
前記ギャップの誘電率は、前記絶縁構造体の誘電率よりも少なくとも４分の１未満である［２］の静電レンズ。
［４］
動作中、前記絶縁構造体の前記突出部分と前記第２の導電プレートとの間の前記ギャップ中の電界強度は、前記絶縁構造体の前記第２の部分を横切る電界強度よりも大きい［１］〜［３］のいずれか１の静電レンズ。
［５］
前記絶縁構造体の前記第１の部分及び前記第２の部分は、等しい厚さである［１］〜［４］のいずれか１の静電レンズ。
［６］
前記絶縁構造体の前記第１の部分及び前記第２の部分は、一緒に接合された別個の構造体を有する［１］〜［５］のいずれか１の静電レンズ。
［７］
前記第１の導電プレートに面している前記絶縁構造体の表面には、前記第１の導電プレートと前記絶縁構造体との間の電界強化を制限するために、前記第１の導電プレートと電気的に接触している導電層が設けられている［１］〜［６］のいずれか１の静電レンズ。
［８］
前記導電層は、堆積技術を使用して前記絶縁構造体の表面に堆積される［７］の静電レンズ。
［９］
前記導電層は、クロムかタンタルを含む［７］又は［８］の静電レンズ。
［１０］
前記第１の導電プレートと前記第２の導電プレートとの間の距離は、約１００ないし２００μｍの範囲にある［１］〜［９］のいずれか１の静電レンズ。
［１１］
レンズは、フラッシュオーバなしで１０Ｖ／μｍを超える、より好ましくはフラッシュオーバなしで２５ないし５０Ｖ／μｍの範囲内の電界強度に耐えることが可能である［１］〜［１０］のいずれか１の静電レンズ。
［１２］
前記絶縁構造体は、ホウケイ酸ガラスを含む［１］〜［１１］のいずれか１の静電レンズ。
［１３］
［１］〜［１２］のいずれか１の静電レンズを複数有する静電レンズアレイ。
［１４］
前記絶縁構造体は、少なくとも１つの第３のアパーチャが設けられた絶縁プレートの形態を取り、
前記少なくとも１つの第３のアパーチャは、その側壁の突出部が、複数の第１のアパーチャ及び第２のアパーチャを取り囲むように配置されている［１３］の静電レンズアレイ。
［１５］
前記絶縁構造体は、複数の細長いバーの形態を取り、連続したバーの間に、第１のアパーチャ及び第２のアパーチャによって形成された複数の伝達経路がある［１３］の静電レンズアレイ。
［１６］
荷電粒子ビームを発生させるための荷電粒子源と、
前記荷電粒子ビームから複数の小ビームを発生させるためのアパーチャアレイと、
パターンに従って前記複数の小ビームに調整するための小ビーム調整システムと、
前記複数の小ビームを集束させるための［１３］〜［１５］のいずれか１の静電レンズアレイと、を具備する荷電粒子小ビームリソグラフィシステム。
［１７］
前記静電レンズアレイは、前記アパーチャアレイと前記小ビーム調整システムとの間に位置される［１６］の荷電粒子小ビームリソグラフィシステム。
［１８］
パターン化される基板を支持するための支持ユニットと、
前記基板のターゲット面に複数の調整された小ビームを集束させるために前記小ビーム調整システムの下流側に位置された前記静電レンズアレイとを有する［１６］又は［１７］の荷電粒子小ビームリソグラフィシステム。
［１９］
静電レンズに使用する絶縁構造体を製造する方法であって、
第１の絶縁プレートを与えることと、
第１の直径を有する少なくとも１つの第１の貫通孔を前記第１の絶縁プレートに形成することと、
第２の絶縁プレートを与えることと、
前記第１の直径よりも大きい第２の直径を有する少なくとも１つの第２の貫通孔を前記第２の絶縁プレートに形成することと、
絶縁構造体を形成するように、前記第１の絶縁プレートと前記第２の絶縁プレートとを組み合わせることと、を具備し、前記絶縁構造体は、少なくとも１つの第１及び第２の貫通孔によって形成された少なくとも１つのアパーチャを有する方法。
［２０］
前記第１及び第２の絶縁プレートは、同じ絶縁材料でできている［１９］の方法。
［２１］
前記第１の絶縁プレートと前記第２の絶縁プレートの少なくとも一方は、ホウケイ酸ガラスを含む［１９］又は［２０］の方法。
［２２］
前記第１の貫通孔と前記第２の貫通孔との少なくとも一方を製造することは、パワーブラスチングによって果される［１９］〜［２１］のいずれか１の方法。
［２３］
［１９］〜［２２］のいずれか１の方法に従って製造された静電レンズで使用するための絶縁構造体。