【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年2月1日(2012.2.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学機械研磨に使用する装置であって、
研摩パッドに接着で取り付けられる上部表面を有する回転式定盤と、
前記定盤の上部表面に形成され、前記定盤の上部表面の周辺端までは延びていない所定の溝パターンと、
研摩プロセスから生じた流体または汚染物質を、前記定盤と研摩パッドとの間に浸入させることなく、定盤と研摩パッドとの間に捕捉された空気が少なくとも１つの通路を通じて排出されるように、前記溝パターンの第１の上部表面開口部を、前記定盤の周面に形成された第２の開口部に接続すべく、通気性の疎水性材料によって前記定盤に形成された前記少なくとも１つの通路と
を備えた装置。
【請求項２】
回転式定盤の上部表面が、化学機械的処理環境の流体および湿度の少なくとも一方が研摩パッドと定盤の間に浸入するのを防止する周辺の溝無し部分を備えている請求項１に記載の装置。
【請求項３】
化学機械的研磨のモニタリングに使用する終点検知窓及びセンサ装置の少なくとも一方を設けるために前記定盤に形成された開口を更に備える請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
化学機械研磨を行なう方法であって、
定盤の上部表面の任意の周辺端までは延びておらず外部環境に換気される溝パターンを有する定盤の上部表面に研摩パッドを適用することにより、研摩パッドアセンブリを組み立てることと、
定盤と研摩パッドの間に捕捉された空気が、化学機械研磨から生じた汚染物質を定盤と研摩パッドとの間に浸入させることなく前記通路内の通気性の疎水性材料を通って排出されるように、前記溝パターンを外部環境と接続すべく、定盤に通気性の疎水性材料で形成された少なくとも１つの通路を設け、その通路によって、溝パターンの第１の上部表面開口部と定盤の周側面における第２の開口部とを接続することと、
前記研摩パッドアセンブリを、ウェハ構造と研摩接触するよう配置することによりウェハ構造の化学機械研磨を行なうことと、からなる方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】化学機械研磨に使用する装置及び化学機械研磨を行う方法
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
本発明のさらに別の代替例証的実施形態が図６に示される。図６は、パッドと定盤１６０の間に捕捉されたエアポケットを解放するか、研摩動作によって起こった空気圧の増加を放出または軽減するかの少なくともいずれか一方のために、定盤表面の溝またはチャネル１６２を定盤１６０の周面の開口部１６８に接続させる１または複数の経路１６７を備えた溝付き定盤１６０の側面図を示す。図示されるように、定盤１６０は、ＣＭＰ動作のその場での（インサイチュ）モニタリングを提供するために使用される終点検知窓およびセンサ装置のうちの少なくとも一方（図示しない）を開口１６４に備えている。さらに、定盤１６０は、定盤１６０の上方面の内部に、定盤１６０の周辺の溝無し部分１６１により処理環境中の流体および／または湿度から密閉されたチャネルまたは溝１６６を備えるように形成されている。パッドと定盤１６０の間に捕捉されたエアポケットや、研摩動作により引き起こされた溝の空気圧の増加が、１または複数の経路１６７を通じて放出される。経路１６７は、ＣＭＰプロセスから生じた液体、蒸気または他の望ましくない汚染物質がパッドと定盤１６０の間の領域に入るのを許容しないが空気は放出する通気性の疎水性材料から形成されている。そのような材料は、例えばPorex Corporationから購入することができる。更にまたは代わりに、経路１６７は、ＣＭＰ処理環境から生じた液体蒸気または他の望ましくない汚染物質が溝付き領域１６６に進入するのを防止すべく通常は閉じているが、内圧が所定の圧力閾値を超えた時には開いて溝１６６からの空気を排出する微小逆止め弁を備えてもよい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
示された溝付き定盤アセンブリ１７５は、圧力換気システム１９０をさらに備えており、また、任意選択で終点検出システム１９２を備えていてもよい。理解されるように、種々の終点検出システムのうちの任意のものが、本発明の種々の実施形態に関連して使用されてよい。例えば、光学終点システムは、定盤中の開口１７４を通じて研摩中の半導体ウェハ構造の表面にアクセスするために、レーザ光線または他の光源を使用し得る。代わりに、研摩作業がある層から別の層にいつ移動したかを決定すべくモータ電流を測定するために摩擦終点システムが使用されてもよいし、金属厚さをリアルタイムで測定するために渦電流終点システムが使用されてもよい。別の実施形態では、白色光検知器終点検出システムは、開口１７４の中でまたは定盤の端でセンサを使用し得る。この場合、測定のためにウェハはパッドから離される。さらに別の実施形態は、研摩プロセス中にスラリー内の層の存在を検出するために（例えばＳＴＩ研摩中の窒化物の検知）定盤上にプローブを配置することにより、研摩状態を検知すべく探知機終点検出システムを使用する。さらに別の実施形態では、積層膜遷移中のパッドの温度変化を測定するために膜の温度に基づく終点検出システムが使用され得る。次のウェハのためにどの程度の研摩が必要であるかを予想し、および／または追加の研摩が現時点で必要かを決定すべく、研摩後のウェハを測定するためにNova型の測定システムが使用されてもよい。図７に示される例証的実施形態では、定盤１７０は、開口１７４内に適合し、かつ定盤１７０に取り付けられたパッド（図示しない）の開口部を通じてＣＭＰ動作のその場でのモニタリングを提供するよう設計された終点検知窓およびセンサ装置の少なくとも一方（図示しない）を備えている。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
定盤１７０は、溝１７６を周囲空気または圧力換気システム１９０に接続するための換気経路１７２をさらに備えている。そのような接続の例が図８に描かれており、図８は図７の溝付き定盤アセンブリ１７５の側面図を示す。示されているように、定盤１７０中の換気経路１７２は、定盤１７０中の溝１７６をサブ定盤１８０の第２の角度をなしたアクセス孔１８２に接続する第１の角度をなした孔であり、アクセス孔１８２が次に周囲空気または圧力換気システムに接続される。理解されるように、追加の換気経路が使用されてもよく、追加の換気経路は任意の所望の角度および／または幅で形成されてもよいが、換気経路１７２の形状は、周囲空気または圧力換気システム１９０にアクセスするサブ定盤１８０の孔と交差するために選択されるべきである。例えば、換気経路１７２は、直径が約３．０４８ｍｍ（約０．１２インチ）で中心軸が定盤１７０の上部または下部水平面から約４０度だけ傾けられた孔として形成されてもよいし、代わりに、換気経路１７２は、直径が約４．７７５２ｍｍ（約０．１８８インチ）で中心軸が定盤１７０の上部または下部水平面から約２７度だけ傾けられた孔として形成されてもよい。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
動作の際、研磨機（200 Mirra 研磨機）によりその中心軸のまわりで回転またはスピンさせられる研摩パッドアセンブリを形成するために、研摩パッド（図示しない）は定盤１７０に接着により取り付けられる。溝１７６と定盤通路１７２が存在するため、パッドと定盤の間のエアポケットは排気され、接着剤と定盤の間に泡が生ずることはない。次に、研摩されるべき構造体（例えば中間層誘電体または金属層が形成された部分的に完成した集積回路またはウェハ構造）が、回転中の研摩パッドアセンブリと研摩接触するように配置される。例えば、研摩スラリーの存在下で、回転する研摩パッドに対して構造体を押圧しつつ、構造体は同構造体を回転させ前後に移動させる研摩アームに取り付けられる。これは、研摩中の構造体の上の堆積層すなわち上部層の平面化を効果的に達成する。