【手続補正書】
【提出日】平成15年10月27日(2003.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体上に形成されたショットキー接合の解析方法において、
該ショットキー接合に逆バイアスを印加したときに該ショットキー接合を流れる電流、及び該逆バイアス印加時のショットキー接合の容量を、種々の電圧値の逆バイアスに対して測定して、該ショットキー接合について電流−電圧特性及び容量−電圧特性を求める工程と、
該容量−電圧特性を規定する容量電圧関数を電圧について積分し、該積分値である空乏層の蓄積電荷と電圧との間の相関を示す空乏層電荷−電圧特性を算出する工程と、
該電流−電圧特性及び空乏層電荷−電圧特性に基づいて、該ショットキー接合における障壁高さが、該ショットキー接合界面に印加される電界に依存する度合いを示すショットキー障壁高さの電界依存度を求める工程と
を含むショットキー接合の解析方法。
【請求項２】
半導体上に形成されたショットキー接合の解析方法において、
該ショットキー接合に逆バイアスを印加したときに該ショットキー接合を流れる電流、及び該逆バイアス印加時のショットキー接合の容量を、種々の電圧値の逆バイアスに対して測定して、該ショットキー接合について電流−電圧特性及び容量−電圧特性を求める工程と、
該電流−電圧特性を規定する電流電圧関数を電圧について微分し、該微分値であるショットキー接合のコンダクタンスと電圧との間の相関を示すコンダクタンス−電圧特性を算出する工程と、
該容量−電圧特性及び該コンダクタンス−電圧特性に基づいて、該ショットキー接合における障壁高さが、該ショットキー接合界面に印加される電界に依存する度合いを示すショットキー障壁高さの電界依存性を求める工程と
を含むショットキー接合の解析方法。
【請求項３】
半導体上に形成されたショットキー接合の解析方法において、
該ショットキー接合に逆バイアスを印加したときの該ショットキー接合のコンダクタンス、及び該逆バイアス印加時のショットキー接合の容量を、種々の電圧値の逆バイアスに対して測定して、該ショットキー接合についてコンダクタンス−電圧特性及び容量−電圧特性を求める工程と、
該コンダクタンス−電圧特性及び容量−電圧特性に基づいて、該ショットキー接合における障壁高さが、該ショットキー接合界面に印加される電界に依存する度合いを示すショットキー障壁高さの電界依存性を求める工程と
を含むショットキー接合の解析方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載のショットキー接合の解析方法を用いる半導体の評価方法であって、
半導体上にショットキー接合を形成する工程と、
該半導体上に形成したショットキー接合について、請求項１〜３のいずれか１つに記載のショットキー接合の解析方法により前記ショットキー障壁高さの電界依存性を求める工程と
を含み、該ショットキー障壁高さの電界依存性に基づいて、該半導体を構成する半導体結晶の評価を行う半導体の評価方法。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか１つに記載のショットキー接合の解析方法を用いる絶縁膜の評価方法であって、
該半導体上に絶縁膜に形成し、該絶縁膜上にショットキー電極を形成する工程と、
該半導体の該ショットキー電極と対向する部分に形成されるショットキー接合について、請求項１〜３のいずれか１つに記載のショットキー接合の解析方法によりショットキー障壁の電界依存性を求める工程と
を含み、該ショットキー接合の電界依存性に基づいて、該半導体上の絶縁膜の誘電率及び厚さについての評価を行う絶縁膜の評価方法。
【請求項６】
ショットキー接合解析装置において、
半導体上に形成されたショットキー接合に逆バイアスを印加した場合の、該ショットキー接合に印加される電圧と該ショットキー接合を流れる電流との対応関係を規定する電流電圧関数を電流−電圧特性として求める第１の関数導出手段と、
該ショットキー接合に印加される電圧と該ショットキー接合の容量との対応関係を規定する容量電圧関数を容量−電圧特性として求める第２の関数導出手段と、
該容量電圧関数を電圧について積分する積分演算、及び該電流電圧関数を電圧について微分する微分演算の少なくとも一方の演算を行う演算手段と、
該積分された容量電圧関数により規定される、空乏層の蓄積電荷と電圧との対応関係としての電荷−電圧特性と、電流−電圧特性とに基づいて、あるいは、該微分された電流電圧関数により規定される、ショットキー接合のコンダクタンスと電圧との対応関係としてのコンダクタンス−電圧特性と、該容量−電圧特性とに基づいて、該ショットキー接合における障壁高さが、該ショットキー接合界面に印加される電界に依存する度合いを示すショットキー障壁高さの電界依存性を導出する依存性抽出用演算装置と
を含むことを特徴とするショットキー接合解析装置。
【請求項７】
ショットキー接合解析装置において、
半導体上に形成されたショットキー接合に逆バイアスを印加した場合の、該ショットキー接合に印加される電圧と該ショットキー接合のコンダクタンスとの対応関係を規定するコンダクタンス電圧関数をコンダクタンス−電圧特性として求める第１の関数導出手段と、
該ショットキー接合に印加される電圧と該ショットキー接合の容量との対応関係を規定する容量電圧関数を容量−電圧特性として求める第２の関数導出手段と、
該コンダクタンス−電圧特性と該容量−電圧特性とに基づいて、該ショットキー接合における接合高さが、該ショットキー接合界面に印加される電界に依存する度合いを示すショットキー障壁高さの電界依存性を導出する依存性抽出用演算装置と
を含むことを特徴とするショットキー接合解析装置。
【請求項８】
半導体上に形成されたショットキー接合の解析方法において、
該ショットキー接合に逆バイアスを印加したときの該ショットキー接合に流れる電流を種々の電圧値の逆バイアスに対して測定して、該ショットキー接合について電流−電圧特性を求める工程と、
該電流−電圧特性を規定する電流電圧関数を電圧について微分し、該微分値である該ショットキー接合のコンダクタンスと電圧との間の相関を示すコンダクタンス−電圧特性、及び既知のショットキー障壁高さの電界依存特性に基づいて、該ショットキー接合について容量−電圧特性を求める工程と
を含むショットキー接合の解析方法。
【請求項９】
半導体上に形成されたショットキー接合の解析方法において、
該ショットキー接合に逆バイアスを印加したときの該ショットキー接合の容量を種々の電圧値の逆バイアスに対して測定した値を用いて、該ショットキー接合について容量−電圧特性を求める工程と、
該容量−電圧特性を規定する容量電圧関数を電圧について積分し、該積分値である空乏層の蓄積電荷と電圧との間の相関を示す空乏層電荷−電圧特性、及び既知のショットキー障壁高さの電界依存特性に基づいて、該ショットキー接合について電流−電圧特性を求める工程と
を含むショットキー接合の解析方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
【課題を解決するための手段】
この発明（請求項１）に係るショットキー接合の解析方法は、半導体上に形成されたショットキー接合の解析方法において、該ショットキー接合に逆バイアスを印加したときに該ショットキー接合を流れる電流、及び該逆バイアス印加時のショットキー接合の容量を、種々の電圧値の逆バイアスに対して測定して、該ショットキー接合について電流−電圧特性及び容量−電圧特性を求める工程と、該容量−電圧特性を規定する容量電圧関数を電圧について積分し、該積分値である空乏層の蓄積電荷と電圧との間の相関を示す空乏層電荷−電圧特性を算出する工程と、該電流−電圧特性及び空乏層電荷−電圧特性に基づいて、該ショットキー接合における障壁高さが、該ショットキー接合界面に印加される電界に依存する度合いを示すショットキー障壁高さの電界依存度を求める工程とを含んでいる。そのことにより上記目的が達成される。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
この発明（請求項２）に係るショットキー接合の解析方法は、半導体上に形成されたショットキー接合の解析方法において、該ショットキー接合に逆バイアスを印加したときに該ショットキー接合を流れる電流、及び該逆バイアス印加時のショットキー接合の容量を、種々の電圧値の逆バイアスに対して測定して、該ショットキー接合について電流−電圧特性及び容量−電圧特性を求める工程と、該電流−電圧特性を規定する電流電圧関数を電圧について微分し、該微分値であるショットキー接合のコンダクタンスと電圧との間の相関を示すコンダクタンス−電圧特性を算出する工程と、該容量−電圧特性及び該コンダクタンス−電圧特性に基づいて、該ショットキー接合における障壁高さが、該ショットキー接合界面に印加される電界に依存する度合いを示すショットキー障壁高さの電界依存性を求める工程とを含んでいる。そのことにより上記目的が達成される。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
この発明（請求項３）に係るショットキー接合の解析方法は、半導体上に形成されたショットキー接合の解析方法において、該ショットキー接合に逆バイアスを印加したときの該ショットキー接合のコンダクタンス、及び該逆バイアス印加時のショットキー接合の容量を、種々の電圧値の逆バイアスに対して測定して、該ショットキー接合についてコンダクタンス−電圧特性及び容量−電圧特性を求める工程と、該コンダクタンス−電圧特性及び容量−電圧特性に基づいて、該ショットキー接合における障壁高さが、該ショットキー接合界面に印加される電界に依存する度合いを示すショットキー障壁高さの電界依存性を求める工程とを含んでいる。そのことにより上記目的が達成される。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
この発明（請求項４）は、請求項１ないし３のいずれか１つに記載のショットキー接合の解析方法を用いる半導体の評価方法であって、半導体上にショットキー接合を形成する工程と、該半導体上に形成したショットキー接合について、請求項１〜３のいずれか１つに記載のショットキー接合の解析方法により前記ショットキー障壁高さの電界依存性を求める工程とを含み、該ショットキー障壁高さの電界依存性に基づいて、該半導体を構成する半導体結晶の評価を行うものである。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
この発明（請求項５）は、請求項１ないし３のいずれか１つに記載のショットキー接合の解析方法を用いる絶縁膜の評価方法であって、該半導体上に絶縁膜に形成し、該絶縁膜上にショットキー電極を形成する工程と、該半導体の該ショットキー電極と対向する部分に形成されるショットキー接合について、請求項１〜３のいずれか１つに記載のショットキー接合の解析方法によりショットキー障壁の電界依存性を求める工程とを含み、該ショットキー接合の電界依存性に基づいて、該半導体上の絶縁膜の誘電率及び厚さについての評価を行うものである。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
この発明（請求項６）に係るショットキー接合解析装置は、半導体上に形成されたショットキー接合に逆バイアスを印加した場合の、該ショットキー接合に印加される電圧と該ショットキー接合を流れる電流との対応関係を規定する電流電圧関数を電流−電圧特性として求める第１の関数導出手段と、該ショットキー接合に印加される電圧と該ショットキー接合の容量との対応関係を規定する容量電圧関数を容量−電圧特性として求める第２の関数導出手段と、該容量電圧関数を電圧について積分する積分演算、及び該電流電圧関数を電圧について微分する微分演算の少なくとも一方の演算を行う演算手段と、該積分された容量電圧関数により規定される、空乏層の蓄積電荷と電圧との対応関係としての電荷−電圧特性と、電流−電圧特性とに基づいて、あるいは、該微分された電流電圧関数により規定される、ショットキー接合のコンダクタンスと電圧との対応関係としてのコンダクタンス−電圧特性と、該容量−電圧特性とに基づいて、該ショットキー接合における障壁高さが、該ショットキー接合界面に印加される電界に依存する度合いを示すショットキー障壁高さの電界依存性を導出する依存性抽出用演算装置とを含んでいる。そのことにより上記目的が達成される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
この発明（請求項７）に係るショットキー接合解析装置は、半導体上に形成されたショットキー接合に逆バイアスを印加した場合の、該ショットキー接合に印加される電圧と該ショットキー接合のコンダクタンスとの対応関係を規定するコンダクタンス電圧関数をコンダクタンス−電圧特性として求める第１の関数導出手段と、該ショットキー接合に印加される電圧と該ショットキー接合の容量との対応関係を規定する容量電圧関数を容量−電圧特性として求める第２の関数導出手段と、該コンダクタンス−電圧特性と該容量−電圧特性とに基づいて、該ショットキー接合における接合高さが、該ショットキー接合界面に印加される電界に依存する度合いを示すショットキー障壁高さの電界依存性を導出する依存性抽出用演算装置とを含んでいる。そのことにより上記目的が達成される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
この発明（請求項８）の半導体上に形成されたショットキー接合の解析方法は、該ショットキー接合に逆バイアスを印加したときの該ショットキー接合に流れる電流を種々の電圧値の逆バイアスに対して測定して、該ショットキー接合について電流−電圧特性を求める工程と、該電流−電圧特性を規定する電流電圧関数を電圧について微分し、該微分値である該ショットキー接合のコンダクタンスと電圧との間の相関を示すコンダクタンス−電圧特性、及び既知のショットキー障壁高さの電界依存特性に基づいて、該ショットキー接合について容量−電圧特性を求める工程とを含んでいる。そのことにより上記目的が達成される。


【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
この発明（請求項９）に係わる半導体上に形成されたショットキー接合の解析方法は、該ショットキー接合に逆バイアスを印加したときの該ショットキー接合の容量を種々の電圧値の逆バイアスに対して測定した値を用いて、該ショットキー接合について容量−電圧特性を求める工程と、該容量−電圧特性を規定する容量電圧関数を電圧について積分し、該積分値である空乏層の蓄積電荷と電圧との間の相関を示す空乏層電荷−電圧特性、及び既知のショットキー障壁高さの電界依存特性に基づいて、該ショットキー接合について電流−電圧特性を求める工程とを含んでいる。そのことにより上記目的が達成される。