【手続補正書】
【提出日】平成26年5月27日(2014.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
更に、システム１００は、流量コントローラ、圧力計を確認（点検）するために、又は搬送チャンバ１３６及び任意の１以上の処理チャンバ１１０、１１１、１１２、１３２、１２０、１２８のいずれか一方又は両方に結合された圧力計の寿命を延ばすために利用することができる様々な装置を含むことができる。例えば、選択的に搬送チャンバ１３６及び任意の１以上の処理チャンバ１１０、１１１、１１２、１３２、１２０、１２８のいずれか一方又は両方に基準圧力計１５０を選択的に結合することができる（図１ではチャンバ１１２、１３２との結合のみが示されている）。基準圧力計１５０は、各処理チャンバに結合された任意の１以上の個々の圧力計（例えば、処理チャンバ１１２、１３２にそれぞれ結合された圧力計１１３、１３３）を確認するために使用可能である。基板処理システム（例えば、基板処理システム１００）で使用することができる圧力計を校正するための方法及び装置の好適な実施形態の例が、Ｊａｍｅｓ  Ｐ．  Ｃｒｕｓｅによって２０１０年４月３０日に出願された「Ｓｙｓｔｅｍ  Ａｎｄ  Ｍｅｔｈｏｄ  Ｆｏｒ  Ｃａｌｉｂｒａｔｉｎｇ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｇａｕｇｅｓ  Ｉｎ  Ａ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ」と題される米国仮特許出願第６１／３３０，０５８号に記載されている。圧力計（例えば、圧力計１１３、１３３）の寿命を延ばすために適した方法及び装置の例が、Ｊａｍｅｓ  Ｐ．  Ｃｒｕｓｅによって２０１０年４月３０日に出願された「Ｍｅｔｈｏｄｓ  Ｆｏｒ  Ｌｉｍｉｔｉｎｇ  Ｔｈｅ  Ｌｉｆｅｔｉｍｅ  Ｏｆ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｇａｕｇｅｓ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｔｏ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｃｈａｍｂｅｒｓ」と題される米国仮特許出願第６１／３３０，０２７号に記載されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
同様に、第２処理容積２１４と共用真空ポンプ２０２の間に配置された第２粗動バルブ２２０によって第２真空ポンプ２１２を迂回しながら、共用真空ポンプ２０２は、第２処理容積２１４に選択的に結合することができる。例えば、以下の方法で説明されるように、第２処理容積２１４の圧力が、（例えば、第２真空ポンプ２１２の動作に適した）臨界圧力レベル未満に低下している間、第２真空ポンプ２１２は、第２ゲートバルブ２１６によって第２処理容積２１４から分離することができる。第２真空ポンプ２１２を迂回可能な追加の方法の実施形態が、以下にも説明される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
いくつかの実施形態では、基板支持台座２０１、２０３は、基板支持台座２０１、２０３の表面２４３、２４５上に基板２２７、２３１を保持又は支持する機構（例えば、静電チャック、真空チャック、基板保持クランプ等）を含むことができる。例えば、いくつかの実施形態では、基板支持台座２０１、２０３は、静電チャック２４６、２４８内に配置されたチャッキング電極２２３、２２５を含むことができる。チャッキング電極２２３、２２５は、１以上のチャッキング電源（チャンバ毎に１つのチャッキング電源２１５、２１７が図示される）に、１以上のそれぞれの整合ネットワーク（図示せず）を介して結合することができる。１以上のチャッキング電源２１５、２１７は、約２ＭＨｚ又は約１３．５６ＭＨｚ又は６０ＭＨｚの周波数で、１２，０００Ｗまで生成可能であるかもしれない。いくつかの実施形態では、１以上のチャッキング電源２１５、２１７は、連続又はパルス電力のいずれかを供給可能である。いくつかの実施形態では、チャッキング電源は、ＤＣ電源又はパルスＤＣ電源であることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
図３に示される実施形態では、６つの第１オリフィス３１０と６つの第２オリフィス３１８が図示され、各々が第１コントロールバルブ３１２のそれぞれと第２コントロールバルブ３２０のそれぞれに結合されている。しかしながら、各フローコントロールマニホールドは、オリフィスの数が同じである必要はないが、同じ数及び構成のオリフィスを有することによって、比が第１と第２ガス供給ゾーン３２６、３２８の間であるか、第２と第１ガス供給ゾーン３２８、３２６の間であるかに関わらず、第１及び第２ガス供給ゾーン３２６、３２８間に同じ流量比を容易に提供することができる。更に、各ゾーンは、６つよりも少ない又は多くのオリフィスを有することができる。一般的に言えば、より少ないオリフィスは、より少ない流量比を提供することができ、より多くのオリフィスは、より多くの流量比を提供することができるが、コスト及び複雑性がより大きくなる。このように、提供されるオリフィスの数は、特定のアプリケーションに必要な所望の処理の柔軟性に基づいて選択することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
ガス分配システム３００の構成は、特定のアプリケーションのための予想される動作条件及び出力要件に基づいて決定することができる。例えば、いくつかの実施形態では、ガス分配システム１００は、ガス供給ゾーン３２６，３２８の間で、１：１〜６：１の間の流量比を０．５の比率の増分で提供することができ（すなわち、１／１、１．５／１、２／１、２．５／１  ．．．  ６／１）、及び完全に逆も可能（すなわち、１／１、１／１．５、１／２、１／２．５．．．  １／６）でなければならない。いくつかの実施形態では、ガスの流れの分割の精度は５％以内であってもよく、これによって例えば、既存の機器の性能を一致させることができる。いくつかの実施形態では、ガス分配システム１００は、ガス供給ゾーン３２６、３２８毎に５０〜５００ｓｃｃｍの窒素に相当するガス流に対して適切な比に設計することができ、すべての処理ガスと互換性がある。いくつかの実施形態では、ガス分配システム３００の上流側圧力（又は背圧）は、ガス供給システム３００の応答時間を短縮するために最小限に抑えることができる。更に、いくつかの低蒸気圧ガス（例えば、四塩化ケイ素、ＳｉＣｌ４）の望ましくない結露を防ぐために、ガス分配システム３００の上流側圧力（又は背圧）を制限又は最小化することができる。このように、いくつかの実施形態では、制限された上流側圧力は、低蒸気圧ガスの凝縮を防止するのに十分に低い。例えば、第１及び第２フローコントロールマニホールドは、使用温度での蒸気圧がオリフィスの上流側圧力に近付くことができる任意の半導体処理化学薬品の結露を防ぐために、オリフィスの上流側圧力を最小限に抑えながら、チョーク流れを維持するのに十分な圧力降下を提供することができる。低蒸気圧ガスは、動作圧力及び温度で気相を離れる（すなわち、液化する）ガスを含む。非限定的な例としては、ＳｉＣｌ４に対して約１５０Ｔｏｒｒ、ＣｅＦ６に対して約１００Ｔｏｒｒ、Ｃ４Ｆ８に対して約５ｐｓｉｇ等を含む。いくつかの実施形態では、最大許容制限上流側圧力は、室温でＳｉＣｌ４の蒸気圧になるように、又は１５５Ｔｏｒｒに設計された。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
第１処理チャンバの第１処理容積内を第１動作圧力に維持するための第１真空ポンプを有する第１処理チャンバであって、第１処理容積は、第１処理容積と第１真空ポンプの低圧側との間に配置された第１ゲートバルブによって選択的に分離可能である第１処理チャンバと、
第２処理チャンバの第２処理容積内を第２動作圧力に維持するための第２真空ポンプを有する第２処理チャンバであって、第２処理容積は、第２処理容積と第２真空ポンプの低圧側との間に配置された第２ゲートバルブによって選択的に分離可能である第２処理チャンバと、
前記第１及び第２ゲートバルブを開く前に各処理容積内の圧力を臨界圧力レベル未満に低減させるための第１及び第２処理容積に結合された共用真空ポンプであって、共有真空ポンプは、第１処理チャンバ、第２処理チャンバ、第１真空ポンプ、又は第２真空ポンプのいずれからも選択的に分離可能である共用真空ポンプと、
１以上の処理ガスを第１及び第２処理チャンバに供給するために、第１処理チャンバ及び第２処理チャンバの各々に結合された共用ガスパネルを含む基板処理用ツインチャンバ処理システム。