【事件の表示】
　平成７年特許願第１８４２７５号「半導体装置とその実装方法」拒絶査定不服審判事件〔平成９年２月７日出願公開、特開平９−３６１７４、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯の概要
　本願は平成７年７月２０日に出願されたものであって、平成１５年３月１４日付けで拒絶理由が通知され、平成１５年５月１９日に意見書及び手続補正書が提出され、平成１５年６月６日付けで更に拒絶理由が通知され、平成１５年８月１１日に意見書及び手続補正書が提出され、平成１５年９月１２日付けで平成１５年８月１１日提出の先の手続補正書による補正が却下されるとともに同日付けで拒絶査定がなされ、その後、平成１５年１０月２３日に審判請求がなされたものである。
　　
II．補正却下についての判断
　上記の平成１５年９月１２日付けでなされた補正却下の決定（以下「原決定」という。）に対して、審判請求人は不服を申し立てているので、これについて以下判断する。
(II-1)原決定の理由
　原決定の理由の概要は次のとおりのものである。
「プリント基板として熱膨張係数１００×１０-6（／Ｋ）程度のものは周知であるから（必要があれば、特開平１−２４５５８６号公報等参照）、熱膨張係数１００×１０-6（／Ｋ）程度の基板を選択した場合、引用文献１に記載された発明のレジスト枠は、回路基板の熱膨張係数と上方部分の半導体キャリアの熱膨張係数との中間の値を持つものであると認められる。
　よって、当該補正後の請求項１に係る発明と、引用文献１に記載された発明とは、発明特定事項に差異がないから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、独立して特許を受けることができない。」
　　
(II-2)請求項１についての補正
　上記補正却下の対象となった平成１５年８月１１日提出の手続補正書による請求項１についての補正（以下「本補正」という。）は、請求項１を次のとおりに補正するものである。（以下「補正発明」という。）
「【請求項１】半導体の集積回路を形成した素子の表面上に形成された出力電極を、半導体キャリアの上に形成された導電回路と接続することにより、半導体キャリアに設けた凹部に形成された外部電極により外部との電気的接続を可能にした半導体装置において、半導体キャリアは、半導体装置の厚み方向に対して、平板状の上方部分と、上方部分に積層され凹部を形成するため上方部分から下部表面に突出する下方部分からなり、上方部分は半導体素子の熱膨張係数に近い材料で、下方部分は実装する回路基板の熱膨張係数と上方部分の半導体キャリアの熱膨張係数との中間の値を持つ材料で構成したことを特徴とする半導体装置。」
　　
(II-3)原決定の証拠の記載事実
（１）引用文献１（特開平７−３００１４号公報）
(1-1)「【請求項１】電子部品又は基板に設けられた複数の電極にクリーム半田を用いた半田バンプを形成するにあたり、前記電極を包囲するレジスト枠を形成するステップと、クリーム半田を前記レジスト枠内に充填するステップと、しかる後に加熱してクリーム半田を溶融し半田バンプとなすステップとを有することを特徴とする半田バンプの形成方法。」（請求項１）
(1-2)「図１は本実施例の半田バンプの形成方法において、電子部品の底面にレジスト枠４を形成した状態を示す斜視図である。図１中、１は電子部品の基板（例えば、ガラスエポキシ基板）であり、２はモールド体、３は電極（金属）である。このレジスト枠４は、電極３を包囲するように形成するものであり、図１に示すように平面形状を矩形としてもよいし、ハニカム状にしてもよい。また、レジスト枠４はソルダーレジスト又はエッチングレジストのいずれでもよい。」（段落【0009】）
(1-3)「図５に示す状態から、電子部品をリフロー炉（図示せず）などの加熱手段で加熱させ、レジスト枠４内のクリーム半田１０を溶融する。ここで、レジスト枠４よりも電極３の方が、クリーム半田１０に対するぬれ性が大きいので、クリーム半田１０が溶融すると、図５に示すようにクリーム半田１０の下部は電極３に付着し、上部はその表面張力により略ボール状となる。そして、冷却して半田バンプ形成を完了する。」（段落【0012】）
(1-4)「レジスト枠４は図６に示す状態のまま残しておいてもよい」（段落【0013】）
(1-5)「後工程においてプリント基板（図示せず）に半田バンプ形成済の電子部品を搭載し、半田バンプを再溶融させると、溶融した半田バンプの一部がプリント基板の電極へ流れ落ち、半田付けを行うことができる」（段落【0013】）
　　
(II-4)対比・判断
　補正発明と、引用文献１に記載されたものとを対比すると、引用文献１には、電子部品に設けられた複数の電極に半田バンプを形成するにあたり、前記電極を包囲するレジスト枠を形成するステップと、クリーム半田を前記レジスト枠内に充填するステップと、その後加熱してクリーム半田を溶融し半田バンプとなすステップとを有する半田バンプの形成方法（摘記1-1）に係る発明が記載され、併せて、電子部品の底面にレジスト枠４を形成し、１は電子部品の基板（例えば、ガラスエポキシ基板）であり、２はモールド体、３は電極（金属）であること、このレジスト枠４は、電極３を包囲するように形成するものであり、レジスト枠４はソルダーレジスト又はエッチングレジストであることこと（摘記1-2）、電子部品をリフロー炉などの加熱手段で加熱させ、レジスト枠４内のクリーム半田１０を溶融させ、クリーム半田１０の下部は電極３に付着し、上部はその表面張力により略ボール状となり、半田バンプが形成されること（摘記1-3）、レジスト枠４は図６に示す状態のまま残しておいてもよいこと（摘記1-4）、及び、後工程においてプリント基板に半田バンプ形成済の電子部品を搭載し半田バンプを再溶融させると、溶融した半田バンプの一部がプリント基板の電極へ流れ落ち、半田付けを行うこと（摘記1-5）が記載されている。そして、補正発明における「半導体装置」、「凹部に形成された外部電極」、「平板状の上方部分」、及び「下方部分」は、それぞれ、引用文献１に記載の「電子部品」、「電極３」、「基板１」、及び図６の「レジスト枠４」に相当する。
　してみれば、引用文献１には、半導体の集積回路を形成した素子の表面上に形成された出力電極を、半導体キャリアの上に形成された導電回路と接続することにより、半導体キャリアに設けた凹部に形成された外部電極により外部との電気的接続を可能にした半導体装置において、半導体キャリアは、半導体装置の厚み方向に対して、平板状の上方部分と、上方部分に積層され凹部を形成するため上方部分から下部表面に突出する下方部分からなることを特徴とする半導体装置、の発明が記載されているといえ、そしてこの点において、補正発明は引用文献１に記載された発明と一致している。しかし、
（イ）補正発明では、「上方部分は半導体素子の熱膨張係数に近い材料で、下方部分は実装する回路基板の熱膨張係数と上方部分の半導体キャリアの熱膨張係数との中間の値を持つ材料で構成した」と、上方部分と下方部分との熱膨張係数の相互関係について特定しているのに対して、引用文献１にはそのような熱膨張係数の相互関係についての記載がない点で、補正発明は引用文献１に記載された発明と一応相違している。
　　
　そこで、上記相違点（イ）について、以下検討する。
　引用文献１には、プリント基板に半田付けすることが記載されており（摘記1-5）、そして、原決定では上記相違点（イ）について、「熱膨張係数１００×１０-6（／Ｋ）程度の基板を選択した場合、引用文献１に記載された発明のレジスト枠は、回路基板の熱膨張係数と上方部分の半導体キャリアの熱膨張係数との中間の値を持つものであると認められる」とするとともに、その根拠として、「プリント基板として熱膨張係数１００×１０-6（／Ｋ）程度のものは周知であるから（必要があれば、特開平１−２４５５８６号公報等参照）」としている。
　これについて検討すると、原決定で周知例とした上記特開平１−２４５５８６号公報は、線膨張係数２０×１０-6（1/K）を境とする高熱膨張性ポリイミド樹脂層と低熱膨張性ポリイミド樹脂層との多層構造を具備した特定のプリント基板について記載したものであって（特許請求の範囲）、高熱膨張性ポリイミド樹脂を多層構造の一構成要素とすることの記載がある。しかし、同公報の記載を精査すると、当該高熱膨張性ポリイミド樹脂の線膨張係数が４５〜７３×１０-6（1/K）（第７頁第１表）、得られた実施例多層フィルムの熱膨張係数が９〜１１×１０-6（1/K）（第９頁第２表）であることが示されるにとどまり、原決定で言う「１００×１０-6（／Ｋ）」に至る大きな熱膨張係数のプリント基板の記載は見当たらない。原決定でいう１００×１０-6（／Ｋ）という熱膨張係数を有するプリント基板は、半導体装置の基板として通常用いられるものとは異なる、大きな熱膨張係数のものといえ、そして、このような大きな熱膨張係数を有するプリント基板が当該技術分野で周知といえる他の根拠の提示もない。してみれば、引用文献１に記載された上記「プリント基板」の熱膨張率を、原決定でいう「１００×１０-6（／Ｋ）程度」と認定する論拠はない。
　以上のとおりであるから、「引用文献１に記載された発明のレジスト枠は、回路基板の熱膨張係数と上方部分の半導体キャリアの熱膨張係数との中間の値を持つものであると認められる」とした原決定の判断は失当であり、補正発明は引用文献１に記載された発明と、上記の相違点（イ）とした点において実質的にも相違し、したがって、補正発明は引用文献１に記載された発明とすることはできない。
　
　以上のとおりであるから、「補正後の請求項１に係る発明と、引用文献１に記載された発明とは、発明特定事項に差異がないから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、独立して特許を受けることができない」とした原決定の判断は誤りであり、当該判断に基づいて本補正を却下すべきものとした原決定は失当である。
　　
III．本願発明
　上記II項に記載したとおり、平成１５年９月１２日付けでなされた補正却下は失当であり、平成１５年８月１１日提出の手続補正書による補正は認められるので、これにより本願請求項１〜３に係る発明は、当該手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されたとおりの以下のものと認める。（以下、「本願発明１」〜「本願発明３」という。）
「【請求項１】半導体の集積回路を形成した素子の表面上に形成された出力電極を、半導体キャリアの上に形成された導電回路と接続することにより、半導体キャリアに設けた凹部に形成された外部電極により外部との電気的接続を可能にした半導体装置において、半導体キャリアは、半導体装置の厚み方向に対して、平板状の上方部分と、上方部分に積層され凹部を形成するため上方部分から下部表面に突出する下方部分からなり、上方部分は半導体素子の熱膨張係数に近い材料で、下方部分は実装する回路基板の熱膨張係数と上方部分の半導体キャリアの熱膨張係数との中間の値を持つ材料で構成したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】半導体の集積回路を形成した素子の表面上に形成された出力電極を、半導体キャリアの上に形成された導電回路と接続することにより、半導体キャリアに設けた凹部に形成された外部電極により外部との電気的接続を可能にした半導体装置において、半導体キャリアは、半導体装置の厚み方向に対して、凹部のない上方部分と、凹部を形成するため上方部分から下部表面に突出し複数層が積層された下方部分から構成され、下方部分で積層される材料は半導体キャリア上方部分の熱膨張係数から半導体キャリアに実装される回路基板の熱膨張係数に順次近づくように、熱膨張係数の異なる材料を複数層積層して構成したことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】半導体キャリアの凹部に設けた電極と回路基板上の電極の電気的接合において、半導体装置と回路基板が接触し、かつ電気的接続の必要のない部分に接着剤を塗布し、半導体装置を回路基板に装着し、次に加熱することにより半田付けを行なう請求項１または２に記載の半導体装置による実装方法。」
　　
IV．証拠の記載事実
　原査定の証拠である引用文献１（特開平７−３００１４号公報）の記載事実は、上記「(II-3)原決定の証拠の記載事実」の欄に摘記したとおりであり、以下これを援用する。
　　
Ｖ．対比・判断
(V-1)本願発明１について
　本願発明１と引用文献１に記載されたものとを対比すると、上記「(II-4)対比・判断」の欄に記載した、上方部分と下方部分との熱膨張係数の相互関係の特定に係る上記相違点（イ）に係る点については、同欄に記載したとおり引用文献１に実質的にも記載はなく、また、この点につき当業者が容易になし得たとすることもできない。なお、平成１５年６月６日付けの拒絶理由通知で参照指示された特開平７−１２２６７７号公報には、ＰＧＡ半導体装置の構成部分に用いられるガラス・エポキシ樹脂の熱膨張係数が１０〜３０×１０-6／℃程度（段落【0005】、【0013】）、及びソルダーレジストの熱膨張係数が約６０×１０-6／℃（段落【0005】、【0013】）であることの記載があるが、ソルダーレジストとプリント基板との各熱膨張係数の相互関係を開示する記載は見当たらず、したがって、上記相違点（イ）に係る熱膨張係数の相互関係を開示するものとはいえない。
　したがって、本願発明１は、引用文献１に記載された発明とはいえず、また、引用文献１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということもできない。
　　
(V-2)本願発明２について
　本願発明２は原査定が対象とした発明ではないが、これにつき検討すると、本願発明２は、本願発明１と同様、上方部分と下方部分とを構成される半導体キャリアについて、「半導体キャリアは、半導体装置の厚み方向に対して、凹部のない上方部分と、凹部を形成するため上方部分から下部表面に突出し複数層が積層された下方部分から構成され、下方部分で積層される材料は半導体キャリア上方部分の熱膨張係数から半導体キャリアに実装される回路基板の熱膨張係数に順次近づくように、熱膨張係数の異なる材料を複数層積層して構成した」との点を特定事項として具備する発明であるところ、この点については引用文献１に記載がなく、またこれを当業者が容易に想到できたとする論拠も見当たらない。
　したがって、本願発明２は、引用文献１に記載された発明とはいえず、また、引用文献１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということもできない。
　　
(V-3)本願発明３について
　本願発明３は、請求項１又は２を引用して、本願発明１又は２に係る半導体装置による実装方法とした発明であるので、上記(V-1)項及び(V-2)項において本願発明１、２について記載したと同様、本願発明３は、引用文献１に記載された発明とはいえず、また、引用文献１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということもできない。
　　
VI．むすび
　以上のとおりであるから、原査定の拒絶の理由により本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。