【手続補正書】
【提出日】平成15年6月27日(2003.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のノードと第２のノードとの間に接続された容量と、
前記第１のノードを第１の基準電位に接続制御するスイッチ手段と、
前記第２のノードを第２の基準電位に設定する電位設定手段と、
前記第２のノードにおける電位変動に伴い上記第１のノードの電位が所定値以上変動した場合に前記第２のノードの電位を前記第２のノードにおける電位変動の方向とは反対方向に変化させる電位変化手段
とを具備したことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２】
前記電位変化手段が、ソース・ドレイン間の電流通路の一端が前記第２のノードに接続され、他端が前記第１の基準電位に接続され、ゲートが前記第１のノードに接続されたトランジスタによって構成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項３】
前記電位設定手段が、前記第２のノードに対して電流を流す、整流性を有する素子で構成されることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項４】
前記第２のノードが、この第２のノードに対して電流を流す、整流性を有する素子を介して第３のノードに接続されていることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項５】
第１のノードと第２のノードとの間に接続された容量と、
前記第１のノードを第１の基準電位に接続制御するスイッチ手段と、
前記第２のノードを第２の基準電位に設定する電位設定手段と、
前記第２のノードにおける電位変動に伴う前記第１のノードの電位変動を検出する電位変動検出手段と、
一端が前記第２のノードに接続され、前記電位変動検出手段において前記第１のノードの電位が所定値以上変動した場合に前記電位変動検出手段からの出力に基づいて前記第２のノードの電位を前記第２のノードにおける電位変動の方向とは反対方向に変化させる電位変化手段
とを具備したことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項６】
前記電位変動検出手段が一対の入力端子及び出力端子を有する差動増幅器からなり、一対の入力端子には前記第１のノードの電位及び第３の基準電位がされていることを特徴とする請求項５記載の半導体集積回路。
【請求項７】
前記電位変化手段が、ソース・ドレイン間の電流通路の一端が前記第２のノードに接続され、他端が前記第１の基準電位に接続され、ゲートが前記差動増幅器の出力端子に接続されたトランジスタによって構成されていることを特徴とする請求項６記載の半導体集積回路。
【請求項８】
前記電位設定手段が、前記第２のノードに対して電流を流す、整流性を有する素子で構成されることを特徴とする請求項５記載の半導体集積回路。
【請求項９】
前記第２のノードが、この第２のノードに対して電流を流す、整流性を有する素子を介して第３のノードに接続されていることを特徴とする請求項５記載の半導体集積回路。
【請求項１０】
第１のノードを第１の基準電位に設定する手段と、
前記第１のノードにおける第１の基準電位を記憶し、前記第１のノードにおける電位が、記憶されている前記第１の基準電位からずれた場合に前記第１のノードの電位をその電位のずれの方向とは反対方向に変化させる電位変化手段
とを具備したことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項１１】
ソース・ドレイン間の電流通路の一端にワード線駆動電圧が供給され、ソース・ドレイン間の電流通路の他端がワード線に接続された第１のトランジスタと、
ソース・ドレイン間の電流通路の一端に第１の電位が供給され、ゲートに所定のバイアス電位が供給され、ソース・ドレイン間の電流通路の他端が前記第１のトランジスタのゲートに接続された第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのゲートと第１のノードとの間に接続され、前記第１のトランジスタのゲートから第１のノードの方向にのみ電流を流す整流性を有する回路手段と、
前記第１のノードに接続され、第１のノードの電位が上昇した場合に前記第１のノードを放電して前記第１のノードの電位を低下させる制御手段とを具備し、
前記制御手段は、
前記第１のノードと第２のノードとの間に接続された容量と、
前記第２のノードを第１の基準電位に接続制御するスイッチ手段と、
前記第１のノードにおける電位変動に伴い前記第２のノードの電位が所定値以上変動した場合に前記第１ノードの電位を前記第１のノードにおける電位変動の方向とは反対方向に変化させる電位変化手段
とを有して構成されることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項１２】
前記電位変化手段が、ソース・ドレイン間の電流通路の一端が前記第１のノードに接続され、他端が前記第１の基準電位に接続され、ゲートが前記第２のノードに接続されたトランジスタによって構成されていることを特徴とする請求項１１記載の半導体集積回路。
【請求項１３】
ソース・ドレイン間の電流通路の一端にワード線駆動電圧が供給され、ソース・ドレイン間の電流通路の他端がワード線に接続された第１のトランジスタと、
ソース・ドレイン間の電流通路の一端に第１の電位が供給され、ゲートに所定のバイアス電位が供給され、ソース・ドレイン間の電流通路の他端が前記第１のトランジスタのゲートに接続された第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのゲートと第１のノードとの間に接続され、前記第１のトランジスタのゲートから第１のノードの方向にのみ電流を流す整流性を有する回路手段と、
前記第１のノードに接続され、第１のノードの電位が上昇した場合に前記第１のノードを放電して前記第１のノードの電位を低下させる制御手段とを具備し、
前記制御手段は、
前記第１のノードと第２のノードとの間に接続された容量と、
前記第２のノードを第１の基準電位に接続制御するスイッチ手段と、
前記第１のノードにおける電位変動に伴う前記第２のノードの電位変動を検出する電位変動検出手段と、
一端が前記第１のノードに接続され、前記電位変動検出手段において前記第２のノードの電位が所定値以上変動した場合に前記電位変動検出手段からの出力に基づいて前記第１のノードの電位を前記第１のノードにおける電位変動の方向とは反対方向に変化させる電位変化手段
とを有して構成されることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項１４】
前記電位変動検出手段が一対の入力端子及び出力端子を有する差動増幅器からなり、一対の入力端子には前記第２のノードの電位及び第２の基準電位がされていることを特徴とする請求項１３記載の半導体集積回路。
【請求項１５】
前記電位変化手段が、ソース・ドレイン間の電流通路の一端が前記第１のノードに接続され、他端が前記第１の基準電位に接続され、ゲートが前記差動増幅器の出力端子に接続されたトランジスタによって構成されていることを特徴とする請求項１４記載の半導体集積回路。
【請求項１６】
第１のノードと第２のノードとの間に接続され、第２のノードの電位を記憶する容量と、
前記容量による電位記憶時に前記第１のノードを第１の接地電位に接続制御するスイッチ手段と、
前記第２のノードを基準電位に設定する電位設定手段と、
前記第２のノードにおける基準電位の電位変動に伴い上記第１のノードの電位が所定値以上変動した場合に前記第２のノードの電位を前記第２のノードにおける電位変動の方向とは反対方向に変化させる電位変化手段
とを具備したことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項１７】
ワード線とビット線とに接続されたメモリセルと、
上記ワード線選択駆動するロウデコーダと、
ソース・ドレイン間の電流通路の一端にワード線駆動電圧が供給され、ソース・ドレイン間の電流通路の他端が前記ワード線に接続された第１のトランジスタと、
ソース・ドレイン間の電流通路の一端に第１の電位が供給され、ゲートにバイアス電位が供給され、ソース・ドレイン間の電流通路の他端が前記第１のトランジスタのゲートに接続された第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのゲートと第１のノードとの間に接続され、前記第１のトランジスタのゲートから第１のノードの方向にのみ電流を流す整流性を有する回路と、
前記第１のノードに接続され、第１のノードの電位が上昇した場合に前記第１のノードを放電して電位を低下させる手段とを具備し、
前記手段は、
前記第１のノードと第２のノードとの間に接続された容量と、
前記第２のノードを第１の基準電位に接続制御するスイッチ手段と、
前記第１のノードにおける電位変動に伴う前記第２のノードの電位変動を検出する電位変動検出手段と、
一端が前記第１のノードに接続され、前記電位変動検出手段において前記第２のノードの電位が所定値以上変動した場合に前記電位変動検出手段からの出力に基づいて前記第１のノードの電位を前記第１のノードにおける電位変動の方向とは反対方向に変化させる電位変化手段
とを有することを特徴とする半導体集積回路。