【手続補正書】
【提出日】平成26年8月18日(2014.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸無水物を合成する方法であって、
ａ）連続フロープロセスで、エポキシド、少なくとも１つの触媒、少なくとも１つの溶媒、および一酸化炭素を含む反応物ストリームを、該エポキシドの二重カルボニル化を促進する反応条件下で反応容器へフィードし、該反応容器中に溶けた酸無水物を形成し、該溶けた酸無水物は、反応生成物ストリームにおいて該反応容器を出るステップと；
ｂ）該反応生成物ストリームが、結晶化した酸無水物ならびに溶けた触媒および溶媒を含む液相を含むように該酸無水物を結晶化させる条件へ溶けた酸無水物を含有する該反応生成物ストリームを処理するステップと；
ｃ）該結晶化した酸無水物を該液相から分離するステップと；
ｄ）該溶けた触媒および該溶媒を含む液相を、該エポキシドを含む該反応物ストリームへリサイクルするステップとを含む方法。
【請求項２】
ステップｂ）が、断熱蒸発冷却晶析装置中で行われるか、またはステップｃ）が、回転式ドラム濾過器中で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ステップｄ）が、前記溶けた触媒および溶媒を含む液相を、該液相を前記反応物ストリームへ戻すのに先立って回収フラッシュドラムへフィードし、揮発物を分離することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
乾燥するステップ；加熱または冷却するステップ；使用済み触媒を除去するステップ；溶媒を添加するステップ；およびこれらのステップのうちの２つ以上のステップの任意の組合せからなる群から選択される少なくとも１つのステップを実施することにより前記液相を処理することをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記エポキシドが、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、エピクロロヒドリン、１，２−ブチレンオキシド、２，４  ブチレンオキシド、およびＣ５〜３０αオレフィンのオキシドからなる群から選択される、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記エポキシドが、エチレンオキシドである、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記酸無水物が、コハク酸無水物、メチルコハク酸無水物、クロロメチルコハク酸無水物、エチルコハク酸無水物、またはＣ５〜３０酸無水物からなる群から選択される、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記酸無水物が、コハク酸無水物である、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
第一のカルボニル化反応が、５０ｐｓｉから５０００ｐｓｉまでの圧力において実施されるか、または
第一のカルボニル化反応が、５０ｐｓｉから２０００ｐｓｉまでの圧力において実施されるか、または
第一のカルボニル化反応が、２００ｐｓｉから１０００ｐｓｉまでの圧力において実施されるか、または
第一のカルボニル化反応が、２００ｐｓｉから６００ｐｓｉまでの圧力において実施されるか、または
第一のカルボニル化反応が、０℃から１２５℃までの温度において実施されるか、または
第一のカルボニル化反応が、３０℃から１００℃までの温度において実施されるか、または
第一のカルボニル化反応が、４０℃から８０℃までの温度において実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記反応が、定常状態反応条件下で操作される、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記二重カルボニル化が、１つまたはそれより多くの連続撹拌タンク反応器中で実施されるか、または
前記二重カルボニル化が、１つまたはそれより多くのプラグフロー反応器中で実施される、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記二重カルボニル化反応が、断熱反応器中で実施される、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記断熱反応器が、管状反応器であるか、または前記断熱反応器が、シェルアンドチューブ反応器である、請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記溶媒が、１，４−ジオキサン；１，３−ジオキサン；テトラヒドロフラン；テトラヒドロピラン；ジメトキシエタン；グリム；ジエチルエーテル；ｔ−ブチルメチルエーテル；２，５−ジメチルテトラヒドロフラン；酢酸エチル；酢酸プロピル；酢酸ブチル；アセトン；２−ブタノン；シクロヘキサノン；トルエン；アセトニトリル；ジフルオロベンゼンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記溶媒が、１，４−ジオキサンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記少なくとも１つの触媒が、単一触媒である、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記単一触媒が、［（ＣｌＴＰＰ）Ａｌ（ＴＨＦ）２］＋［Ｃｏ（ＣＯ）４］−であり、ここで、ＣｌＴＰＰは、ｍｅｓｏ−テトラ（４−クロロフェニル）ポルフィリナトであり、ＴＨＦは、テトラヒドロフランである、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記少なくとも１つの触媒が、前記二重カルボニル化の第一のカルボニル化を促進するために選択される第一の触媒、および該二重カルボニル化の第二のカルボニル化を促進するために選択される、該第一の触媒と異なる第二の触媒を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記触媒が、金属カルボニル化合物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記金属カルボニル化合物が、式［ＱＭｙ（ＣＯ）ｗ］ｘ−を有し、ここで、
Ｑは、任意の配位子であって、存在する必要はなく；
Ｍは、金属原子であり；
ｙは、１以上６以下の整数であり；
ｗは、安定な金属カルボニルを提供する数であり；そして
ｘは、−３以上＋３以下の整数である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
Ｍが、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、およびＩｎからなる群から選択される、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
Ｍが、Ｃｏである、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記カルボニル化合物が、ルイス酸性共触媒をさらに含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２４】
前記金属カルボニル化合物が、アニオン性であり、そして前記ルイス酸性共触媒が、カチオン性である、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記金属カルボニル化合物が、カルボニルコバルテートを含み、前記ルイス酸性共触媒が、金属中心ルイス酸を含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記金属中心ルイス酸が、式［Ｍ’（Ｌ）ｂ］ｃ＋の金属錯体であり、ここで、
Ｍ’は、金属であり；
各Ｌは、配位子であり；
ｂは、１以上６以下の整数であり；
ｃは、１、２または３であり；そして
１より多くのＬが存在する場合、各Ｌは、同じであっても異なっていてもよい、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
（Ａ）：Ｍ’が、遷移金属、１３または１４族金属、およびランタニドからなる群から選択されるか、または
（Ｂ）：Ｍ’が、遷移金属または１３族金属であるか、または
（Ｃ）：Ｍ’が、アルミニウム、クロム、インジウムおよびガリウムからなる群から選択されるか、または
（Ｄ）：Ｍ’が、アルミニウムであるか、または
（Ｅ）：Ｍ’が、クロムである、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記金属中心ルイス酸が、ジアニオン性四座配位子を含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
前記ジアニオン性四座配位子が、ポルフィリン誘導体；サレン誘導体；ジベンゾテトラメチルテトラアザ［１４］アヌレン（ｔｍｔａａ）誘導体；フタロシアニネート誘導体；およびトロスト配位子の誘導体からなる群から選択される、請求項２６に記載の方法。
【請求項３０】
ステップｃ）が、前記反応生成物ストリームを濾過することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３１】
コハク酸無水物合成システムであって、
一酸化炭素源；
エチレンオキシド源；
溶媒源；
触媒源；
該一酸化炭素源、該エチレンオキシド源、該溶媒源、および該触媒源により反応物ストリームがフィードされる少なくとも１つの反応容器であって、該反応物ストリームは、一酸化炭素、エチレンオキシド、溶媒、および触媒を含む、反応容器；
該少なくとも１つの反応容器からフィードされる断熱蒸発冷却晶析装置；
該断熱蒸発冷却晶析装置によりフィードされる回転式ドラム濾過器；および
該回転式ドラム濾過器によりフィードされる固体乾燥機
を備える合成システム。
【請求項３２】
（Ａ）：前記反応容器が、管状反応器を含むか、または
（Ｂ）：前記反応容器が、シェルアンドチューブ断熱反応器を含むか、または
前記断熱蒸発冷却晶析装置が、フィード冷却器および晶析装置フラッシュドラムを含むか、または
（Ｃ）：前記一酸化炭素源が、
メタン源；
該メタン源によりフィードされる水蒸気改質ユニット；
該水蒸気改質ユニットによりフィードされる水素圧力スイング吸着ユニット；
該水素圧力スイング吸着ユニットによりフィードされる一酸化炭素圧力スイング吸着ユニット；
該一酸化炭素圧力スイング吸着ユニットによりフィードされる一酸化炭素圧縮機；および
該一酸化炭素圧縮機によりフィードされる一酸化炭素乾燥機
を含むか、または
（Ｄ）：前記溶媒源が、
溶媒オフローディングポンプ；
該溶媒オフローディングポンプによりフィードされる溶媒乾燥機；および
該溶媒乾燥機によりフィードされる溶媒貯蔵タンク；および
該溶媒貯蔵タンクによりフィードされる溶媒装入ポンプ
を含むか、または
（Ｅ）：前記触媒源が、触媒ミックスタンクおよび該触媒ミックスタンクによりフィードされる触媒装入ポンプを含み、該溶媒装入ポンプが、溶媒を該触媒ミックスタンクへフィードする、請求項３１に記載の合成システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
一部の実施形態において、触媒源は、触媒ミックスタンクおよび触媒ミックスタンクによりフィードされる触媒装入ポンプを含み、溶媒装入ポンプは、溶媒を触媒ミックスタンクへフィードする。
特定の実施形態では、例えば以下が提供される：
（項目１）
酸無水物を合成する方法であって、
ａ）連続フロープロセスで、エポキシド、少なくとも１つの触媒、少なくとも１つの溶媒、および一酸化炭素を含む反応物ストリームを、エチレンオキシドの二重カルボニル化を促進する反応条件下で反応容器へフィードし、該反応物ストリーム中に酸無水物を形成するステップと；
ｂ）該反応物ストリームが、結晶化した酸無水物ならびに触媒および溶媒を含む液相を含むように該酸無水物を結晶化させる条件へ酸無水物を含有する該反応物ストリームを処理するステップと；
ｃ）該結晶化した酸無水物を該液相から分離するステップと；
ｄ）該触媒および該溶媒を、該エポキシドを含む該反応物ストリームへリサイクルするステップとを含む方法。
（項目２）
ステップｂ）が、断熱蒸発冷却晶析装置中で行われる、項目１に記載の方法。
（項目３）
ステップｃ）が、回転式ドラム濾過器中で行われる、項目１に記載の方法。
（項目４）
ステップｄ）が、前記触媒および前記溶媒を含む溶液を、該溶液を前記反応物ストリームへ戻すのに先立って回収フラッシュドラムへフィードし、揮発物を分離するサブステップを含む、項目１に記載の方法。
（項目５）
前記溶液を乾燥するステップ；前記溶液を加熱または冷却するステップ；使用済み触媒を除去するステップ；溶媒を添加するステップ；およびこれらのステップのうちの２つ以上のステップの任意の組合せからなる群から選択される少なくとも１つのステップを実施することにより前記溶液を処理することをさらに含む、項目４に記載の方法。
（項目６）
前記エポキシドが、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、エピクロロヒドリン、１，２−ブチレンオキシド、２，４  ブチレンオキシド、およびＣ５〜３０αオレフィンのオキシドからなる群から選択される、項目１から５のいずれか一項に記載の方法。
（項目７）
前記エポキシドが、エチレンエポキシドである、項目６に記載の方法。
（項目８）
前記酸無水物が、コハク酸無水物、メチルコハク酸無水物、クロロメチルコハク酸無水物、エチルコハク酸無水物、またはＣ５〜３０酸無水物からなる群から選択される、項目１から５のいずれか一項に記載の方法。
（項目９）
前記酸無水物が、コハク酸無水物である、項目８に記載の方法。
（項目１０）
第一のカルボニル化反応が、約５０ｐｓｉから約５０００ｐｓｉまでの圧力において実施される、項目１に記載の方法。
（項目１１）
第一のカルボニル化反応が、約５０ｐｓｉから約２０００ｐｓｉまでの圧力において実施される、項目１に記載の方法。
（項目１２）
第一のカルボニル化反応が、約２００ｐｓｉから約１０００ｐｓｉまでの圧力において実施される、項目１に記載の方法。
（項目１３）
第一のカルボニル化反応が、約２００ｐｓｉから約６００ｐｓｉまでの圧力において実施される、項目１に記載の方法。
（項目１４）
第一のカルボニル化反応が、約０℃から約１２５℃までの温度において実施される、項目１に記載の方法。
（項目１５）
第一のカルボニル化反応が、約３０℃から約１００℃までの温度において実施される、項目１に記載の方法。
（項目１６）
第一のカルボニル化反応が、約４０℃から約８０℃までの温度において実施される、項目１に記載の方法。
（項目１７）
前記反応が、定常状態反応条件下で操作される、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
（項目１８）
前記反応が、定常状態反応条件下で操作される、項目１から１６のいずれか一項に記載の方法。
（項目１９）
前記二重カルボニル化が、１つまたはそれより多くの連続撹拌タンク反応器中で実施される、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
（項目２０）
前記二重カルボニル化が、１つまたはそれより多くのプラグフロー反応器中で実施される、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
（項目２１）
前記二重カルボニル化反応が、断熱反応器中で実施される、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
（項目２２）
前記断熱反応器が、管状反応器である、項目２１に記載の方法。
（項目２３）
前記断熱反応器が、シェルアンドチューブ反応器である、項目２１に記載の方法。
（項目２４）
前記溶媒が、１，４−ジオキサン；１，３−ジオキサン；テトラヒドロフラン；テトラヒドロピラン；ジメトキシエタン；グリム；ジエチルエーテル；ｔ−ブチルメチルエーテル；２，５−ジメチルテトラヒドロフラン；酢酸エチル；酢酸プロピル；酢酸ブチル；アセトン；２−ブタノン；シクロヘキサノン；トルエン；アセトニトリル；ジフルオロベンゼンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１に記載の方法。
（項目２５）
前記溶媒が、１，４−ジオキサンを含む、項目２４に記載の方法。
（項目２６）
前記少なくとも１つの触媒が、単一触媒である、項目１に記載の方法。
（項目２７）
前記単一触媒が、［（ＣｌＴＰＰ）Ａｌ（ＴＨＦ）２］＋［Ｃｏ（ＣＯ）４］−であり、ここで、ＣｌＴＰＰは、ｍｅｓｏ−テトラ（４−クロロフェニル）ポルフィリナトであり、ＴＨＦは、テトラヒドロフランである、項目２６に記載の方法。
（項目２８）
前記少なくとも１つの触媒が、前記二重カルボニル化の第一のカルボニル化を促進するために選択される第一の触媒および前記二重カルボニル化の第二のカルボニル化を促進するために選択される前記第一の触媒と異なる第二の触媒を含む、項目１に記載の方法。
（項目２９）
前記触媒が、金属カルボニル化合物を含む、項目１に記載の方法。
（項目３０）
前記金属カルボニル化合物が、式［ＱＭｙ（ＣＯ）ｗ］ｘ−を有し、ここで、
Ｑは、任意の配位子であって、存在する必要はなく；
Ｍは、金属原子であり；
ｙは、１以上６以下の整数であり；
ｗは、安定な金属カルボニルを提供するような数であり；そして
ｘは、−３以上＋３以下の整数である、項目２９に記載の方法。
（項目３１）
Ｍが、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、およびＩｎからなる群から選択される、項目３０に記載の方法。
（項目３２）
Ｍが、Ｃｏである、項目３０に記載の方法。
（項目３３）
前記カルボニル化触媒が、ルイス酸性共触媒をさらに含む、項目３０に記載の方法。
（項目３４）
前記金属カルボニル化合物が、アニオン性であり、そして前記ルイス酸性共触媒が、カチオン性である、項目３３に記載の方法。
（項目３５）
前記金属カルボニル錯体が、カルボニルコバルテートを含み、前記ルイス酸性共触媒が、金属中心ルイス酸を含む、項目３４に記載の方法。
（項目３６）
前記金属中心ルイス酸が、式［Ｍ’（Ｌ）ｂ］ｃ＋の金属錯体であり、ここで、
Ｍ’は、金属であり；
各Ｌは、配位子であり；
ｂは、１以上６以下の整数であり；
ｃは、１、２または３であり；そして
１より多くのＬが存在する場合、各Ｌは、同じであっても異なっていてもよい、項目３５に記載の方法。
（項目３７）
Ｍ’が、遷移金属、１３または１４族金属、およびランタニドからなる群から選択される、項目３６に記載の方法。
（項目３８）
Ｍ’が、遷移金属または１３族金属である、項目３６に記載の方法。
（項目３９）
Ｍ’が、アルミニウム、クロム、インジウムおよびガリウムからなる群から選択される、項目３６に記載の方法。
（項目４０）
Ｍ’が、アルミニウムである、項目３６に記載の方法。
（項目４１）
Ｍ’が、クロムである、項目３６に記載の方法。
（項目４２）
前記ルイス酸が、ジアニオン性四座配位子を含む、項目３６に記載の方法。
（項目４３）
前記ジアニオン性四座配位子が、ポルフィリン誘導体；サレン誘導体；ジベンゾテトラメチルテトラアザ［１４］アヌレン（ｔｍｔａａ）誘導体；フタロシアニネート誘導体；およびトロスト配位子の誘導体からなる群から選択される、項目４２に記載の方法。
（項目４４）
ステップｃ）が、前記反応物ストリームを濾過するサブステップを含む、項目１に記載の方法。
（項目４５）
コハク酸無水物合成システムであって、
一酸化炭素源；
エチレンオキシド源；
溶媒源；
触媒源；
該一酸化炭素源、該エチレンオキシド源、該溶媒源、および該触媒源により反応物ストリームがフィードされる少なくとも１つの反応容器であって、該反応物ストリームは、一酸化炭素、エチレンオキシド、溶媒、および触媒を含む、反応容器；
該少なくとも１つの反応容器からフィードされる断熱蒸発冷却晶析装置；
該断熱蒸発冷却晶析装置によりフィードされる回転式ドラム濾過器；および
該回転式ドラム濾過器によりフィードされる固体乾燥機
を備える合成システム。
（項目４６）
前記反応容器が、管状反応器を含む、項目４５に記載の合成システム。
（項目４７）
前記反応容器が、シェルアンドチューブ断熱反応器を含む、項目４５に記載の合成システム。
（項目４８）
前記断熱蒸発冷却晶析装置が、フィード冷却器および晶析装置フラッシュドラムを含む、項目４５に記載の合成システム。
（項目４９）
前記一酸化炭素源が、
メタン源；
該メタン源によりフィードされる水蒸気改質ユニット；
該水蒸気改質ユニットによりフィードされる水素圧力スイング吸着ユニット；
該水素圧力スイング吸着ユニットによりフィードされる一酸化炭素圧力スイング吸着ユニット；
該一酸化炭素圧力スイング吸着ユニットによりフィードされる一酸化炭素圧縮機；
該一酸化炭素圧縮機によりフィードされる一酸化炭素乾燥機
を含む、項目４５に記載の合成システム。
（項目５０）
前記溶媒源が、
溶媒オフローディングポンプ；
該溶媒オフローディングポンプによりフィードされる溶媒乾燥機；および
該溶媒乾燥機によりフィードされる溶媒貯蔵タンク；および
該溶媒貯蔵タンクによりフィードされる溶媒装入ポンプ
を含む、項目４５に記載の合成システム。
（項目５１）
前記触媒源が、触媒ミックスタンクおよび該触媒ミックスタンクによりフィードされる触媒装入ポンプを含み、該溶媒装入ポンプが、溶媒を該触媒ミックスタンクへフィードする、項目４５に記載の合成システム。