(57)【要約】【課題】高精度なガス測定が可能で、電子源に与えるガスの影響を評価できるようになると共に、画像表示装置の寿命を短時間に高精度に予測することができる画像表示装置のガス測定方法を提供する。【解決手段】内部を大気圧より低い圧力に保持する密封容器内に蛍光体と該蛍光体を発光させる電子放出手段とゲッタを有する画像表示装置において、前記画像表示装置の少なくとも片側の面に破壊可能な真空隔離部材を有する排気管を具備する画像表示装置のガス測定方法であって、前記排気管をガス測定装置に接続後真空に排気し、前記真空隔離部材を破壊することで、前記画像表示装置を真空排気するガス測定装置の排気流路の一部に設置した既知のコンダクタンスのオリフィスを有する測定チャンバを用いてガス測定を行う画像表示装置のガス測定方法。【選択図】　　　図１
2004139816.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部を大気圧より低い圧力に保持可能であり、内部に蛍光体と該蛍光体を発光させる電子放出手段とゲッタを有する画像表示装置用の密封容器において、前記密封容器の少なくとも片側の面に破壊可能な真空隔離部材を有する排気管を具備することを特徴とする密封容器。
【請求項２】
第１の基板を複数用意し、第２の基板を複数用意し、前記第１及び第２の基板からなる一対の基板を、内部を大気圧より低い圧力に保持可能となるように封着することにより、複数の密封容器を作製する工程を含む、画像表示装置用の密封容器の製造方法において、
前記複数の密封容器のうちの少なくとも１つを、破壊可能な隔離部材を有する排気管を具備する測定用の密封容器として作製し、
前記測定用の密封容器の前記隔離部材を破壊して、当該測定用の密封容器内のガス測定を行う工程を含むことを特徴とする密封容器の製造方法。
【請求項３】
前記排気管がベローズを介して前記基板に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の密封容器の製造方法。
【請求項４】
前記破壊可能な隔離部材が前記密封容器内外の圧力差のみでは破壊しない厚みの金属、合金、金属化合物、ガラスから選択された少なくとも一種からなることを特徴とする請求項２に記載の密封容器の製造方法。
【請求項５】
前記排気管をガス測定装置に接続後真空に排気し、前記隔離部材を破壊し、ガス測定装置の排気流路の一部に設置した所定のコンダクタンスをもつオリフィスを有する測定チャンバを用いてガス測定を行い、
前記測定チャンバのうち前記オリフィスで分離された該密封容器側の空間のガス分圧をＰ１、排気側の空間のガス分圧をＰ２、該オリフィスのコンダクタンスをＣ１、バックグランドの放出ガスレートをＱ０、画像表示時の電流値をＩｅとした時、該密封容器の各ガスの単位電流値当たりの放出ガスレートＲを下記式（１）より算出することを特徴とする請求項２に記載の密封容器の製造方法。
【数１】
2004139816.tif 000020
【請求項６】
ＣＯとＮ２を含む２種類以上のガスのクラッキングパターンと該ガスと同数のイオン電流ピークの電流強度から該ガスの分圧を求め、ＣＯとＮ２の夫々の放出ガスレートＲを求めることを特徴とする請求項５に記載の密封容器の製造方法。
【請求項７】
前記排気管をガス測定装置に接続後に排気し、前記隔離部材を破壊した後、前記ガス測定装置の排気流路の一部に設置した既知のコンダクタンスのオリフィスを有するガスチャンバを用いてガス供給を行い、前記オリフィスを有するガスチャンバの前記密封容器側の空間の圧力をＰ３、排気側の空間の圧力をＰ４、前記ガスを供給する該オリフィスのコンダクタンスをＣ２とし、該ガスチャンバの該排気側の空間のバルブを閉じて該ガスを導入後、該密封容器側の空間のバルブを閉じる時間を０とし、該圧力Ｐ３と該圧力Ｐ４が等しくなる迄の時間をＴとする時、該ゲッタのガス吸着総量Ｗを式（２）により算出することを特徴とする請求項２に記載の密封容器の製造方法。
【数２】
2004139816.tif 000021
【請求項８】
ゲッタを有する前記基板の一部にゲッタのない領域を設け、該領域の初期画像表示時のゲッタ吸着ガスのガスレートＲ１及び時間ｔ経過後の該ゲッタ吸着ガスのガスレートＲを下記式（１）より算出し、下記式（３）よりゲッタ吸着ガスのガスレート減衰指数κを求め、ガス総吸着量Ｗを下記式（２）より算出し、ゲッタ寿命時間Ｔｅｎｄを下記式（４）より算出することを特徴とする請求項２に記載の密封容器の製造方法。
【数３】
2004139816.tif 000022
【請求項９】
前記排気管を前記画像表示面より下側に設置し、先端が鋭利な部材を用いて、前記破壊可能な隔離部材を破壊することを特徴とする請求項２に記載の密封容器の製造方法。
【請求項１０】
ガス測定方法において、一対の基板を備え、すくなくともその一方に破壊可能な隔離部材を有する排気管を具備する密封容器に、該排気管を介してガス測定装置に接続し、前記隔離部材を破壊して、当該密封容器内のガス測定を行う工程を含むことを特徴とするガス測定方法。
【請求項１１】
前記排気管を下側に向けて設置して、前記隔離部材を破壊することを特徴とする請求項１０に記載のガス測定方法。
【請求項１２】
ガス測定装置において、請求項１０又は１１に記載のガス測定方法を実施することを特徴とするガス測定装置。
【請求項１３】
前記密封容器と主排気ポンプとの間の一部にオリフィスとしてコンダクタンスの小孔を設置し、該小孔の上流側と下流側に圧力測定手段を少なくとも設置した測定チャンバからなる第一のガス測定手段と、
前記密封容器と排気ポンプとの間の一部にオリフィスとしてコンダクタンスの小孔を設置し、該小孔の上流側と下流側に圧力測定手段を少なくとも設置し、該下流側からのガス供給手段を具備したガスチャンバを備える第二のガス測定手段と、
前記隔離部材を破壊するための先端を有する破壊部材と、
前記密封容器を駆動した時の輝度を測定する輝度計と、
を具備することを特徴とする請求項１２に記載のガス測定装置。
【請求項１４】
画像表示装置用の密封容器において、請求項２〜９の何れか一項に記載の密封容器の製造方法により製造され、前記排気管が設けられていないことを特徴とする密封容器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、密封容器とその製造方法、並びにガス測定方法とそれを実施する為のガス測定装置に係わり、詳しくは、平板状の画像表示装置として用いられる密封容器とその製造方法、並びに、放出ガスやリークガスなどのガスレートの測定やゲッタ寿命の測定に用いられるガス測定方法とそれを実施する為のガス測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
自発光型平板状画像表示装置には、例えば、プラズマディスプレイ、ＥＬ表示装置、電子線を用いた画像表示装置がある。内部を大気圧より低い圧力に保持する密封容器を使用する画像表示装置としては、テレビのブラウン管等を代表的にあげる事が出来るが、プラズマディスプレイ、電子線を用いた平板状画像表示装置等も、一対の基板を有し内部を大気圧より低い圧力に保持する密封容器を利用した機器・装置である。これら表示装置については現在大画面化、高精細化の要求が増大し、ますます自発光型平板状画像表示装置のニーズが高まりつつある。
【０００３】
こうした画像表示装置は画像の表示寿命が大きな課題である。即ち、電子・イオンにたたかれたりするガス源を抱えながら、限られた排気手段によって数万時間も高真空を維持しなければならず、電子源からの電子放射を長時間に渡って安定的に行わせる必要があるからである。この電子源の電子放射能は画像表示装置内の放出ガスに大きな影響を受ける。例えば陰極線管であるＣＲＴではＡｒによるダメージが問題になることもある（特許文献１）。
【０００４】
この様に、動作状態の電子源にダメージを与えるガスの種類とガス発生レート（部材からのガス放出）を把握し、電子源のダメージを減らすことが必要となる。
【０００５】
また、こうした限られた排気手段によってパネルの圧力を維持するために、部材からの放出ガスを排気する必要がある。前記排気手段としてはバリウムゲッタが古くから知られており基本特性はほぼ明らかにされている。しかしながら、実際のパネルのバリウムゲッタのガス吸収能力は、この基本性能から推定するのは難しく、パネル内ゲッタ膜の微細構造や、パネル内放出ガスの量、種類（反応生成物の生成）等によってゲッタ膜の吸収能が大幅に変わるためである。そのため、実際のパネルのゲッタ吸収能については、対象とするパネルについて直接測定するしかない。
【０００６】
以上のように、画像表示装置の寿命を測定する方法として画像表示時の素子に及ぼすガスの影響を評価（各ガス種の正確な放出ガスレート測定）すると同時に、画像表示装置の真空を維持するゲッタの寿命測定方法を確立することが緊急の課題である。
【０００７】
一方、従来のガス測定方法としては、真空装置およびプロセスチャンバ内のガス分析に、質量分析計として四重極分析計（Ｑ−Ｍａｓｓ）を用いてガス分圧を測る方法が知られている（特許文献２）。
【０００８】
各ガスの放出及び吸着ガスレートを測定する方法としては、オリフィスを介して繋がる２個のチャンバ夫々に分圧測定計を設けた測定方法が提案されている（特許文献３）。また、ＣＲＴにおいて、ゲッタの寿命測定方法として放出及び吸着ガスレートの測定方法が複数提案されている。例えば、陰極線管を１５０℃〜２５０℃に加熱した後、冷却しながら放出ガスレートを測定する方法（特許文献４）、陰極線管を所定時間ランニングさせた後のゲッタ膜ガス吸収能力を測定し、陰極線管内蔵物のガス放出量を算出し、これをもとに長期のゲッタ寿命を推定する方法（特許文献５）、ゲッタ量を小量にし、ゲッタ量とＣＲＴ寿命との関係を見出す方法（特許文献６）等々が提案されている。
【０００９】
また、特許文献７には、真空排気する製造装置の排気流路の一部に設置した既知のコンダクタンスのオリフィスを用い、雰囲気の状態を監視しながら行う画像表示装置の製造方法が提案開示されている。
【００１０】
ガス測定方法である特許文献２及び特許文献３は真空チャンバ内に測定用試料を入れてガス測定を行う方法であり、質量分析計を用いて測定するため各ガス種の測定は可能である。殊に後者は更にオリフィスを有する真空チャンバを用いており、各ガス種の放出ガスレート測定も可能であるが、平板状画像表示装置のような大きな装置を真空チャンバ内にいれて測定することは困難であり、仮にそのような測定装置を製作するとなると莫大な制作費が必要となり実現性に乏しい。
【００１１】
ＣＲＴのガス測定については以前から行われているが、特許文献４はガス測定に質量分析計を用いていない為、各ガス種の放出ガスレートが測定できず、ゲッタ吸着ガス供給もできないので正確にＣＲＴの寿命評価ができない。また、特許文献５は放出ガスレートを測定するためのオリフィスと全圧計、ゲッタのガス吸着能力測定用のガス供給系を有しているが、圧力測定に質量分析計を用いていないので各ガス種の放出ガスレート測定ができない。また、オリフィスを通して一定レートのゲッタ吸着ガスをＣＲＴに供給できるが、圧力調整用のチャンバが無いので供給するガスの圧力調整が難しく測定に時間がかかる。また、特許文献６はゲッタを少量にし、ゲッタ量とＣＲＴ寿命との関係を測定する方法であるが、測定に長時間を要する点と、実際にＣＲＴからでるガス種のガス測定ができないため、正確なＣＲＴ寿命を予測するのは困難であるといった問題があった。
【００１２】
特許文献７は、画像表示装置の製造方法であり、製造中のガス測定方法としては好適であるが、真空容器となった後の画像表示装置のガス測定方法として使用することが困難であるという問題があった。
【００１３】
【特許文献１】
特開平１０−２６９９３０号公報
【特許文献２】
特許第２９５２８９４号公報
【特許文献３】
特開平５−７２０１５号公報
【特許文献４】
特開平７−２２６１５９号公報
【特許文献５】
特開平１０−２０８６４１号公報
【特許文献６】
特開２０００−７６９９９号公報
【特許文献７】
特開２０００−３４０１１５号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
また、一旦製造されたＣＲＴにおけるガス測定方法としては、測定用のパイプを当該ＣＲＴのファンネルに接続する際に、ポンチで穴をあける方法がある。
【００１５】
しかしながら、この方法は、平板状画像表示装置、所謂フラットパネルディスプレイのような薄いガラス基板を用いた装置の場合、クラックが生じやすくリークの発生する割合が大きくなってしまう。
【００１６】
本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、ガス測定による従来より正確な各種評価が可能な、密封容器、密封容器の製造方法、ガス測定方法、並びにガス測定装置を提供することを目的としている。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明の骨子は、内部を大気圧より低い圧力に保持可能であり、内部に蛍光体と該蛍光体を発光させる電子放出手段とゲッタを有する画像表示装置用の密封容器において、前記密封容器の少なくとも片側の面に破壊可能な真空隔離部材を有する排気管を具備することを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の別の骨子は、第１の基板を複数用意し、第２の基板を複数用意し、前記第１及び第２の基板からなる一対の基板を、内部を大気圧より低い圧力に保持可能となるように封着することにより、複数の密封容器を作製する工程を含む、画像表示装置用の密封容器の製造方法において、前記複数の密封容器のうちの少なくとも１つを、破壊可能な隔離部材を有する排気管を具備する測定用の密封容器として作製し、前記測定用の密封容器の前記隔離部材を破壊して、当該測定用の密封容器内のガス測定を行う工程を含むことを特徴とする。
【００１９】
ここで、本発明においては、前記排気管がベローズを介して前記基板に接続されていることが好ましい。
【００２０】
また、前記破壊可能な隔離部材が前記密封容器内外の圧力差のみでは破壊しない厚みの金属、合金、金属化合物、ガラスから選択された少なくとも一種からなることが好ましい。
【００２１】
更に、前記排気管をガス測定装置に接続後真空に排気し、前記隔離部材を破壊し、ガス測定装置の排気流路の一部に設置した既知のコンダクタンスのオリフィスを有する測定チャンバを用いてガス測定を行うことが好ましい。
【００２２】
そして、前記測定チャンバのうち前記オリフィスで分離された該密封容器側の空間のガス分圧をＰ１、排気側の空間のガス分圧をＰ２、該オリフィスのコンダクタンスをＣ１、バックグランドの放出ガスレートをＱ０、画像表示時の電流値をＩｅとした時、該密封容器の各ガスの単位電流値当たりの放出ガスレートＲを下記式（１）より算出することが好ましい。
【００２３】
【数４】
2004139816.tif 000003
【００２４】
また、ＣＯとＮ２を含む２種類以上のガスのクラッキングパターンと該ガスと同数のイオン電流ピークの電流強度から該ガスの分圧を求め、ＣＯとＮ２の夫々の放出ガスレートＲを求めることが好ましい。
【００２５】
更に、前記排気管をガス測定装置に接続後に排気し、前記隔離部材を破壊することで、前記ガス測定装置の排気流路の一部に設置した既知のコンダクタンスのオリフィスを有するガスチャンバを用いてガス供給を行うことが好ましい。
【００２６】
そして、前記オリフィスを有するガスチャンバの前記密封容器側の空間の圧力をＰ３、排気側の空間の圧力をＰ４、前記ガスを供給する該オリフィスのコンダクタンスをＣ２とし、該ガスチャンバの該排気側の空間のバルブを閉じて該ガスを導入後、該密封容器側の空間のバルブを閉じる時間を０とし、該圧力Ｐ３と該圧力Ｐ４が等しくなる迄の時間をＴとする時、該ゲッタのガス吸着総量Ｗを下記式（２）により算出することが好ましい。
【００２７】
【数５】
2004139816.tif 000004
【００２８】
加えて、ゲッタを有する前記基板の一部にゲッタのない領域を設け、該領域の初期画像表示時のゲッタ吸着ガスのガスレートＲ１及び時間ｔ経過後の該ゲッタ吸着ガスのガスレートＲを上記式（１）より算出し、下記式（３）よりゲッタ吸着ガスのガスレート減衰指数κを求め、ガス総吸着量Ｗを上記式（２）より算出し、ゲッタ寿命時間Ｔｅｎｄを下記式（４）より算出することが好ましい。
【００２９】
【数６】
2004139816.tif 000005
【００３０】
また、前記ガスを前記密封容器に導入後、画像表示する際の前記電流値Ｉｅの表示時間に対する変化量を測定することが好ましい。
【００３１】
前記破壊可能な隔離部材の破壊を先端が鋭利な部材を用いて行うことも好ましい。
【００３２】
前記排気管を前記画像表示面より下側に設置して、前記破壊可能な隔離部材を破壊することも好ましい。
【００３３】
更に、本発明の他の骨子は、ガス測定方法において、一対の基板を備え、すくなくともその一方に破壊可能な隔離部材を有する排気管を具備する密封容器に、該排気管を介してガス測定装置に接続し、前記隔離部材を破壊して、当該密封容器内のガス測定を行う工程を含むことを特徴とする。
【００３４】
ここで、前記排気管を下側に向けて設置して、前記隔離部材を破壊することが好ましい。
【００３５】
また、本発明の更に別の骨子は、ガス測定装置において、上記ガス測定方法を実施することを特徴とする。
【００３６】
ここで、前記密封容器と主排気ポンプとの間の一部にオリフィスとしてコンダクタンスの小孔を設置し、該小孔の上流側と下流側に圧力測定手段を少なくとも設置した測定チャンバからなる第一のガス測定手段と、前記密封容器と排気ポンプとの間の一部にオリフィスとしてコンダクタンスの小孔を設置し、該小孔の上流側と下流側に圧力測定手段を少なくとも設置し、該下流側からのガス供給手段を具備したガスチャンバを備える第二のガス測定手段と、前記隔離部材を破壊するための先端を有する破壊部材と、前記密封容器を駆動した時の輝度を測定する輝度計と、を具備することが好ましい。
【００３７】
そして、本発明の画像表示装置用の密封容器においては、上記密封容器の製造方法により製造され、前記排気管が設けられていないことを特徴とする。
【００３８】
以下に述べる実施形態においては、後述するガス測定を行う容器は、その作成時に破壊可能な隔離部材を有する排気管が接続された状態で真空封着されるので、容器内の減圧状態を保持した状態で放出ガスレート等のガス測定が可能となる。
【００３９】
更に、該排気管を蛍光体とゲッタの形成された基板側に設置すれば、電子放射に影響を与えることなく測定ができる。
【００４０】
更に、予め基板に隔離部材を有する排気管を設けておけば、容器の脱ガスを十分に行え、容器を構成する部材からの脱ガスを最小限に抑えることができ、画像表示時の正確な放出ガスレート測定が可能となる。
【００４１】
更に、密封容器に後から穴を開けて測定用の排気管を取り付ける際に生じるリークや破損といったトラブルが無い。又、排気管を下方に向けた状態で隔離部材を破壊すれば、その時の破片が画像表示装置内部に飛散することが無いので、画像表示する際にガラスなどの破片による放電が発生しない。
【００４２】
更に、前記排気管が基板接続側にベローズを有していれば、排気管を曲げることが可能となり、該排気管取り付け後の後工程での取り扱いを容易にすることができ、更に、前記破壊可能な隔離部材を有する排気管をガス測定装置に取り付けた後の熱ひずみや機械的衝撃力等々を吸収してくれるので、排気管の破壊を防ぐことができる。
【００４３】
前記破壊可能な隔離部材としては大気圧に破壊されない厚みの金属、合金、金属化合物又はガラスなどからなる膜を用いれば、容器を真空を保持した状態で作製でき、ガス測定を行う際に、先端が鋭利な破壊部材を用いることで容易に隔離部材の破壊ができ、容器のガス測定が可能となる。
【００４４】
測定チャンバに設けた既知のコンダクタンスのオリフィスの前後の全圧あるいは各ガス種の分圧を測定すれば、該オリフィスのコンダクタンス値を用い画像表示時における各ガス種の放出ガスレートを定量的に評価できる。更に、放出ガスレートを単位電流値当たりの放出ガスレートとして測定すれば、電子源の電子放射電流量の大きさに影響を受けない放出ガスレートとして定量的に評価できると共に、全画像領域を表示せずに一部領域の画像表示の放出ガスレートを測定すれば、全画像領域を画像表示した時の放出ガスレートが予測可能となる。
【００４５】
又、各ガス種の分圧測定の場合、オリフィスにより分割された２つの測定チャンバに夫々質量分析計があるので、ＣＯとＮ２といった同一分子量（Ｍａｓｓ　Ｎｏ）のガス種の放出ガスレートについても、クラッキングパターン（Ｃｒａｃｋｉｎｇ　Ｐａｔｔｅｒｎ）を用いたピーク強度と圧力の関係式から連立方程式を解くことで容易に分離可能で、各ガス種の放出ガスレート測定が可能となる。従って、１つの容器の放出ガスレート測定を行えば、他の容器の放出ガスレートが容易に予想できる。
【００４６】
また、各ガス種の放出ガスレートが正確に把握できるので、後述するゲッタ寿命時間測定に用いるゲッタ吸着ガスの吸着ガスレートの減衰指数を正確に算出できる。
【００４７】
前記ガスチャンバに設けた既知のコンダクタンスのオリフィスを用い、該オリフィス前後の全圧を測定すれば、該オリフィスのコンダクタンス値を用い導入ガスの導入ガスレートを定量的に評価できる。
【００４８】
更に、前記ガスチャンバからゲッタ吸着ガスを導入することで、一定量のガスを一定のレートで前記容器に供給できるので、前記ゲッタのガス吸着総量を精度良く定量的に評価できる。
【００４９】
更に、各種のガスを一定量、一定レートで導入すれば、任意のガスを導入し画像表示することで、電子源の電子放出特性に対するガス種の影響を的確に評価できる。
【００５０】
前記蛍光体とゲッタを有する基板の一部にゲッタのない領域を設ければ、該領域を画像表示させた時のゲッタの無い領域におけるゲッタ吸着ガスの放出ガスレートを短時間測定することで、ゲッタ吸着ガスの放出ガスレートの減衰指数が求められる。次にゲッタ吸着ガス導入によるゲッタ吸着総量の測定をすることで、該ゲッタ吸着ガスの放出ガスレートの減衰指数と該ゲッタ吸着総量の関係式を解けば、容易にゲッタ寿命時間が計算でき、前記画像表示装置用の密封容器の寿命を容易に短時間に高精度に予測できる。
【００５１】
更に、前記ゲッタにバリウム及びバリウム合金を、前記ゲッタ吸着ガスとしてＣＯを用いれば、容器内のゲッタ寿命時間を精度良く測定することができ、前記画像表示装置用の密封容器の寿命を正確に予測できる。
【００５２】
【発明の実施の形態】
以下図面を参考にして好ましい実施態様例を詳細に説明する。
【００５３】
図１は本発明における、画像表示装置及びそのガス測定を行なう測定装置の一部を示す概略図である。同図において１０１はフェースプレートとリアプレート、支持枠に挟まれた真空外囲器に電子ビームを発生する電子源、蛍光体、ゲッタを有し前記外囲器を真空排気する為のブレーカブルシール（真空隔離部材）を有する排気管１０５を少なくとも有する平板状の画像表示パネルである。１０２は前記画像表示パネルに電圧を印加して駆動させる電圧印加装置、１０３は前記画像表示パネル１０１に高圧を印加する高圧印加装置、１０４は該電圧印加装置１０２と該高圧印加装置１０３と該画像表示パネル１０１を収納する為の外枠であり、電圧印加装置１０２と高圧印加装置１０３と該画像表示パネル１０１はケーブル（不図示）で接続され画像表示装置１００を構成している。ここで画像表示パネル１０１は電子源として表面伝導型電子放出素子等が適応可能で、特にその形態には制限されない。尚、本例では画像表示パネル１０１と一体の外枠１０４内に画像表示させるための装置類を収納したが、ケーブル等によって画像表示パネル１０１から少し離れた場所に設置することも可能である。また、真空隔離部材として、ガラス、金属又はその合金、セラミックス等々が使用可能である。本実施態様ではガラスの排気管にガラスの真空隔離部材を用いた例について述べる。
【００５４】
各ガス種のガスレート測定を実施する所の構成について示すと、１２４はオリフィス、１２０はオリフィス１２４より画像表示パネル１０１側にある上流側の測定チャンバ１、１２１はオリフィス１２４より画像表示パネル１０１とは下流側の測定チャンバ２、１２６は測定チャンバ１（１２０）内の全圧を測定する為の電離真空計１、１２７は測定チャンバ１（１２０）内の各ガス種の分圧を測定する為の質量分析計１、１２８は測定チャンバ２（１２１）内の全圧を測定する為の電離真空計２、１２９は測定チャンバ２（１２１）内の各ガス種の分圧を測定する為の質量分析計２、１１６は主真空ポンプである所のターボ分子ポンプ、１１７は補助ポンプである所のドライポンプ、１０８から１１２は気密可能なバルブ、１０６は排気管１０５を測定装置と接続するための真空気密可能な排気管アダプタである。
【００５５】
また、ガス導入を行なうガス測定系の構成について示すと、１２５はオリフィス、１２２は画像表示パネル１０１側の空間（上流側）のガスチャンバ１、１２３は画像表示パネル１０１とは反対側の空間（下流側）のガスチャンバ２、１３０はガスチャンバ１（１２２）内の全圧を測定する為の電離真空計３、１３１はガスチャンバ２（１２３）内の全圧を測定する為の電離真空計４、１３２は導入ガスの入ったガスボンベ、１３３はガスボンベ１３２のガス流量を制御するマスフロー、１１８は真空ポンプである所のターボ分子ポンプ、１１９は補助ポンプである所のドライポンプ、１０７、１１３から１１５、１３４、１３５は気密可能なバルブである。
【００５６】
ここで電離真空計として熱陰極型、冷陰極型、Ｂ−Ａゲージ、エキストラクターゲージ等を使うことができ、所要の圧力が測定できれば電離真空計に限らず特に形式には制限されない。また質量分析計として四重極型質量分析計が好適であるが、この他、磁場偏向型、オメガトロン質量分析計等も使用でき、所要の圧力の分圧を測定できればその型式には制限されない。
【００５７】
次に図１の装置を用いて実施する本発明のガス測定方法について説明する。予めバルブ１０７から１０９を閉じ、バルブ１１０から１１５、１３４、１３５を開けターボ分子ポンプ１１６と１１８、ドライポンプ１１７と１１９を稼動させ、測定チャンバ１（１２０）と測定チャンバ２（１２１）とガスチャンバ１（１２２）とガスチャンバ２（１２３）内を１０−５Ｐａ程度以下の圧力に真空排気しておく。その後、バルブ１１５は閉じておく。画像表示パネル１０１の排気管１０５を排気管アダプタ１０６に接続する。排気管アダプタ１０６における排気管１０５の接続方法としてＯリング、ガラス溶着、エポキシ樹脂等の接着剤による接着等が可能で真空気密を保ち放出ガスが少なければ特にその方法は制限されない。
【００５８】
第一に、画像表示パネル１０１から放出される各ガス種の放出ガスレート測定について説明する。バルブ１１０及び１１１を閉じ、バルブ１０８を開け排気管１０５の破壊可能な真空隔離部材部まで真空排気する。
【００５９】
次にバルブ１０８を閉じバルブ１０９〜１１１を開けターボ分子ポンプ１１６により真空排気を行なう。電離真空計１（１２６）、質量分析計１（１２７）、電離真空計２（１２８）、質量分析計２（１２９）を動作させ、測定装置を加熱する。温度は真空部品の耐熱性から２５０℃程度まで適宜選択することができる。測定装置及び測定機器を加熱することにより、測定装置内部の構成部材表面などに付着（吸着）している水をはじめとするガスの放出低減により、ガス測定精度を向上でき、密封容器を排気装置に接続した後に測定装置を加熱することは有効である。
【００６０】
測定装置が室温に下がったところで、図１に示すように測定装置側より先端が鋭利な金属の棒１のような破壊部材を用いて、破壊可能な真空隔離部材２を破壊することで画像表示パネル１０１の真空雰囲気を保った状態で排気する。ここで、該先端が鋭利な金属の棒１は測定装置側、例えば排気管アダプタ１０６下部に空間を設けその中に予めセットしておき、該先端が鋭利な棒１を突き上げることで、破壊可能な真空隔離部材２を破壊するものである。破壊部材の材料としては、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔｎなどから選択された少なくとも１種の金属或いは該金属を含む合金などから適宜選ぶことができる。又、金属の棒の先端にダイアモンドのような硬い物質をつけておいてもよい。破壊方法はこの方法に限るものではなく、例えば鉄球を排気管の外側の磁石で制御しながら破壊可能な真空隔離部材を破壊することも可能である。或いは、棒を排気アダプタに設けられたベローズに取り付けて、アダプタ内の気密状態を保ちながら、棒をベローズとともに上下動させることにより、隔離部材を破壊してもよい。
【００６１】
圧力が安定したところで、測定チャンバ１（１２０）、測定チャンバ２（１２１）の全圧を電離真空計１（１２６）、電離真空計２（１２８）によって夫々測定し、また測定チャンバ１（１２０）、測定チャンバ２（１２１）の各ガス種の分圧を質量分析計１（１２７）、質量分析計２（１２９）によって夫々測定する。
【００６２】
今、画像表示パネル１０１、測定チャンバ１（１２０）及び測定チャンバ２（１２１）、排気管１０５、排気管アダプター１０６からのトータルの放出ガスレート（バックグランド）をＱ０、測定チャンバ１（１２０）の圧力をＰＡ、測定チャンバ２（１２１）の圧力をＰＢ、オリフィス１２４のコンダクタンスをＣ１とすると、圧力ＰＡ、ＰＢが殆ど変化しない時、画像表示パネル１０１及び測定装置から放出されるガスレートＱ０（バックグランド）はＱ０＝Ｃ１（ＰＡ−ＰＢ）から求めることができる。
【００６３】
ここでＰＡは電離真空計１（１２６）又は質量分析計１（１２７）で測定した全圧又は分圧であり、ＰＢは電離真空計２（１２８）又は質量分析計２（１２９）で測定した全圧又は分圧である。分圧を測定すればＱ０は各ガスの放出ガスレートとなる。
【００６４】
上式により画像表示パネル１０１内及び測定装置のガス測定系の全放出ガスレート、各ガス種のガスレート、分圧を定量的に求めることができる。
【００６５】
次に、画像を表示させたときの放出ガスレートは上述するバックグランドＱ０を引いた値で求められ、画像表示したときのＤＣ換算した電流値をＩｅ、測定チャンバ１（１２０）の圧力をＰ１、測定チャンバ２（１２１）の圧力をＰ２、とすると単位電流値当たりの放出ガスレートＲは式（１）となる。
【００６６】
【数７】
2004139816.tif 000006
【００６７】
従って、式（１）に示すようにＣ１（Ｐ１−Ｐ２）−Ｑ０値を電子源の電子放出量であるＤＣ換算した電流値で割ることで、電子放射電流量の大きさに影響を受けず、規格化された同一の基準で各画像表示装置を比較評価可能なガスレートとなる。又、画像表示装置の一部領域を表示させれば全体を表示させなくとも放出ガスレートが算出できるので、作業効率が向上し消費するエネルギーの節約にもなる。
【００６８】
測定可能なガス種は、質量分析計で測定できる全てのガス種であり、例えばＨ２、Ｈｅ、ＣＨ４、ＮＨ３、Ｈ２Ｏ、Ｎｅ、ＣＯ、Ｎ２、Ｏ２、Ａｒ、ＣＯ２等々を挙げることができる。これらの中でＣＯ、Ｎ２は同一質量数のガスで質量分析計の主ピークはイオン電流ピーク２８（ＡＭＵ　２８）に出現する。これを分離するには、クラッキングパターン（ｃｒａｃｋｉｎｇ　ｐａｔｔｅｒｎ）と称される物質特有のスペクトルがあり、これを用いて質量数の同じガスの分離を行うことができる。
【００６９】
この計算例を上記１１種類のガスを用いて示す。まず第一に、これらのガスの質量分析計による１１個のイオン電流に対して連立方程式を解くことで、各ガスの分圧を求める。各ガス種Ｈ２、Ｈｅ、ＣＨ４、ＮＨ３、Ｈ２Ｏ、Ｎｅ、ＣＯ、Ｎ２、Ｏ２、Ａｒ、ＣＯ２に対する質量分析計のイオン電流ピーク（ＡＭＵ）をＩ２、Ｉ４、Ｉ１４、Ｉ１６、Ｉ１７、Ｉ１８、Ｉ２０、Ｉ２８、Ｉ３２、Ｉ４０、Ｉ４４とすると、連立方程式は下記式のようになる。
【００７０】
【数８】
2004139816.tif 000007
【００７１】
ここで、例えばＩ２は質量２のイオン電流、ａ２Ｈ２はクラッキングパターン行列のＨ２のＩ２成分、ＰＨ２はＨ２の分圧、ＳＨ２はＨ２の感度、Ｇはゲインを示す。この連立方程式を行列式で表すと下記式のようになる。
【００７２】
【数９】
2004139816.tif 000008
【００７３】
上式を計算すると、求める圧力はＰＨ２、ＰＨｅ、ＰＣＨ４、ＰＣＨ３、ＰＨ２Ｏ、ＰＮｅ、ＰＣＯ、ＰＮ２、ＰＣＯ、ＰＡｒ、ＰＣＯ２となる。これらのなかのＣＯとＮ２について二つの測定チャンバから求めた圧力値と既知のオリフィスのコンダクタンスと電子源のＤＣ換算した電流値から（１）式のＣＯとＮ２の放出ガスレートが計算できる。
【００７４】
第二にガス導入方法とゲッタに対するガス吸着総量の測定方法及びゲッタ寿命時間の算出方法について説明する。
【００７５】
まずガス導入方法とゲッタに対するガス吸着総量の測定は、第一のガスレート測定後、バルブ１０９を閉じ、バルブ１０７を開け電離真空計３（１３０）、電離真空計４（１３１）を動作させガスチャンバ１（１２２）、ガスチャンバ２（１２３）の全圧を電離真空計３（１３０）、電離真空計４（１３１）によって夫々測定する。導入ガスの入ったガスボンベ１３２を測定装置に接続し、バルブ１０７、１３４を閉めた後にバルブ１１５を開け、マスフロー１３３により定量のガスをガスチャンバ２（１２３）に導入する。ガスチャンバ２（１２３）とガスチャンバ１（１２２）の圧力が所望の圧力に上昇し、その後安定したところでバルブ１３５を閉じバルブ１０７を開ける。オリフィス１２５に対する導入ガスのコンダクタンスをＣ２、ガスチャンバ２（１２３）の電離真空計４（１３１）の値をＰ４、ガスチャンバ１（１３０）の電離真空計３（１３０）の値をＰ３とすると、導入ガスがゲッタに吸着されるに従い圧力Ｐ４とＰ３の値は近づき、Ｐ４とＰ３がほぼ等しくなるまでの時間、即ち導入ガスが画像表示パネル１０１のゲッタに吸着されるまでの時間をＴとすると、画像表示装置のゲッタの総吸着量はオリフィス１２５のコンダクタンスとガスチャンバ１（１２２）及びガスチャンバ２（１２３）の圧力差の積を時間０から時間Ｔまで積分した式（２）より求めることができる。
【００７６】
【数１０】
2004139816.tif 000009
【００７７】
但し、式（２）においては画像表示パネル１０１空間及びバルブ１０７から画像表示パネル１０１までの空間に存在する導入ガスの量は、ゲッタに吸着される量に比べ微量であるため無視した。測定終了後バルブ１０７、１１５及びマスフロー１３３を閉じる。バルブ１３４、１３５を開けて導入ガスを排気する。
【００７８】
次にゲッタ寿命時間を算出する方法について説明する。図７は真空隔離部材６０２を有する排気管１０５が画像表示パネル１０１に接続された状態を示す概略図である。同図においてゲッタ膜２０５の形成されていない領域の表面伝導型電子放出素子２０９を第一の方法により初期画像表示時（時間Ｔ１）の放出ガスレートＲ１を測定する。次に、放出ガスレートを多数測定したところｔのべき乗で表すことができ、画像表示後の時間Ｔの放出ガスレートＲを測定することで放出ガスレートの時間に対する減衰指数κを求めることができ、式（３）のように表すことができる。
【００７９】
【数１１】
2004139816.tif 000010
【００８０】
次に、第二の方法で求めたゲッタ吸着総量Ｗはゲッタ寿命時間をＴｅｎｄとすると、
【００８１】
【数１２】
2004139816.tif 000011
から求ることができ、この式の積分を実施すると、
【００８２】
【数１３】
2004139816.tif 000012
となる。故に求めるＴｅｎｄは式（４）となる。
【００８３】
【数１４】
2004139816.tif 000013
【００８４】
式（４）に示すように初期画像表示時の放出ガスレートＲ１、放出ガスレートの減衰指数κ、ゲッタ吸着総量Ｗを求めることで、ゲッタ寿命時間Ｔｅｎｄが求められる。
【００８５】
ゲッタ膜の材料としてはＢａ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ等の金属及びこれらの合金を用いることができるが、好ましくは蒸気圧が低く取り扱い易いアルカリ土類金属であるＢａ、Ｍｇ、Ｃａ及びこれらの合金が適宜用いられる。中でも安価で、ゲッター材料を保持している金属製カプセルから容易に蒸発できるといった工業的にも製造が容易なＢａ及びＢａを含む合金が好ましい。また、ゲッタ寿命を評価する吸着ガスとしては、ゲッタに吸着され易いガスから適宜選択することができ、Ｈ２、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、ＣＯ、ＣＯ２等々から適宜用いることができるが、中でもゲッタにＢａ及びＢａを含む合金を用いる場合、ゲッタ膜への選択的吸着能に優れ、また画像表示パネルの放出ガスとして多く含まれ他の部材への吸着が少ないＣＯを用いるのが更に好適である。
【００８６】
第三に電子源に対するガス種の影響評価方法について説明する。ガス導入方法は第二のガス導入方法と同じである。バルブ１１０を閉め、バルブ１０９を開け、電離真空計１（１２６）により圧力を測定しながらガスを導入する。画像表示パネル１０１にガスを導入した後、バルブ１０７を閉じる。画像表示装置１００を画像表示し、電流値Ｉｅの経時変化を測定し、ガスの電子源に対する影響を調べるものである。即ち、Ａｒガスを導入しない時の電流値保持率（初期の電流値に対する一定時間画像表示した後の電流値比率）を測定しておき、ガスを導入後同じように電流値保持率を測定し、両者の値を比較することでガスの電子源に対する影響を調べるものである。評価するガスの種類としてはＨ２、ＣＨ４、Ｈ２Ｏ、ＣＯ、Ｎ２、ＣＯ２、Ａｒ等々適宜用いることができる。
【００８７】
また、隔離部材を破壊しない状態で本発明の密封容器の外からヘリウムガスなどのリーク検出用のガスを付与し、密封容器内にリークにより導入される量を時間で積分した後に、上述したように隔離部材を破壊して容器内からリークガスの量を検出することも好ましいものである。
【００８８】
図７及び図２は、本発明によって製造できる画像表示パネルの構成を示す概略図の一例である。図７において１０５は排気管であり、ベローズ６０１と真空隔離部材６０２を有し、画像表示パネルのフェースプレート２１０にある貫通穴６０４を介して、密封状態で接続部材６０３により接続されている。更に、画像表示パネルの詳細な構成は図２おいて示すように、２０１はリアプレート、２１０はフェースプレートであり、透明なガラス基板２０８の内側に塗布された蛍光体２０７、メタルバック２０６、ゲッタ膜２０５からなり、２０２は支持枠であり、リアプレート２０１、支持枠２０２及びフェースプレート２１０をインジウム等の金属を用いて真空中で加熱封着し、密封容器２１１を構成する。同図において、容器外端子Ｄｏｘ１ないしＤｏｘｍからなる変調信号入力端子２１３とＤｏｙ１ないしＤｏｙｎからなる走査信号入力端子２１２を通じ電圧印加し、高圧端子Ｈｖで高圧を印加して画像を表示するものである。
【００８９】
図２において、２０９は電子源である表面伝導型電子放出素子であり、２０３、２０４は表面伝導型放出素子の一対の素子電極と接続された下配線（Ｘ方向配線）及び上配線（Ｙ方向配線）である。
【００９０】
図３は、リアプレート２０１上に設置された表面伝導型電子放出素子、及び、同電子源を駆動するための配線などの一部を示した概略図である。同図において３００は複数ある内の一つの表面伝導型電子放出素子、３０２は下配線、３０１は上配線、３０３は上配線３０１と下配線３０２を電気的に絶縁する層間絶縁膜、３０４は配線パッドを示している。
【００９１】
図４は表面伝導型電子放出素子３００の構造を拡大して示し、４０１、４０３は素子電極、４０４は導電性薄膜、４０２は電子放出部である。
【００９２】
図５は画像表示装置のブロック図を示した一例である。図５において、５０８は画像表示装置、５０２は表示装置本体としての平板状画像表示パネル、５０１は平板状表示パネル５０２内における画像表示域、５０４，５０５は素子電極（図４の４０１，４０３）に電圧を印加する為の変調信号側Ｘｎ配線（図３での下配線３０２に該当する）と、走査信号側Ｙｎ配線（図３での上配線３０１に該当する）を表し、５０６は変調信号側Ｘｎ配線５０４と、走査信号側Ｙｎ配線５０５を駆動する為の駆動回路部を表し、高圧印加装置５０７は、前述のフェースプレートに電子を衝突させる為、フェースプレート側に高電圧を印加する為の装置を示している。
【００９３】
まず、表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置例について述べる。
【００９４】
図２の構成において、リアプレート２０１としてソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、ＳｉＯ２を表面に形成したガラス基板及び、アルミナ等のセラミック基板等の絶縁性基板が用いられ、フェースプレート２１０としては透明なソーダガラス等のガラス基板が用いられる。
【００９５】
表面伝導型電子放出素子２０９（図３の３００に相当）の素子電極（図４の４０１，４０３に相当）の材料としては、一般的導電体が用いられ、例えば、Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｐｄ等の金属或いは合金、及び、Ｐｄ，Ａｇ，Ａｕ，ＲｕＯ２，Ｐｄ−Ａｇ等の金属或いは金属酸化物とガラス等から構成される印刷導体、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２等の透明導電体及び、ポリシリコンなどの半導体材料等から適宜選択される。
【００９６】
素子電極は、真空蒸着法、スパッタ法、化学気相堆積法等を用いる事で上記電極材料を成膜し、フォトリソグラフィ技術（エッチング、リフトオフなどの加工技術も含む）等によって所望の形状に加工するか、その他の印刷法によっても作製可能である。要するに前記の素子電極材料の形状を所望の形状に形成できればよく、特に製法は問わない。
【００９７】
図４に示す素子電極間隔Ｌは好ましくは数百ｎｍから数百μｍである。再現性良く作製する事が要求されるため、より好ましい素子電極間Ｌは数μｍから数十μｍである。素子電極長さＷは電極の抵抗値、電子放出特性等から数μｍから数百μｍが好ましく、又素子電極４０１、４０３の膜厚は数十ｎｍから数μｍが好ましい。
【００９８】
尚、図４に示した構成だけでなく、リアプレート２０１上に導電性薄膜４０４、素子電極４０１、４０３の電極の順に形成させた構成にしてもよい。
【００９９】
導電性薄膜４０４は良好な電子放出特性を得るためには、微粒子で構成された微粒子膜が特に好ましく、その膜厚は、素子電極４０１、４０３へのステップカバレージ、素子電極４０１、４０３間の抵抗値及び、後述する通電フォーミング条件などによって設定されるが、好ましくは０．１ｎｍから数百ｎｍで、特に好ましくは１ｎｍから５０ｎｍである。その抵抗値は、Ｒｓが１０２〜１０７Ω／□の値である。なおＲｓは、厚さがｔ、幅がｗ、長さがｌの薄膜の抵抗Ｒを、Ｒ＝Ｒｓ（ｌ／ｗ）とおいたときに現れる量である。又、導電性薄膜４０４を構成する材料は、Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｔｉ，Ｉｎ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｂ等の金属、ＰｂＯ，ＳｎＯ２，Ｉｎ２Ｏ３，ＰｂＯ，Ｓｂ２Ｏ３等の酸化物、ＨｆＢ２，ＺｒＢ２，ＬａＢ６，ＣｅＢ６，ＹＢ４，ＧｄＢ４等の硼化物、ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＳｉＣ，ＷＣ等の炭化物、ＴｉＮ，ＺｒＮ，ＨｆＮ等の窒化物、Ｓｉ，Ｇｅ等の半導体、カーボンなどをあげる事が出来る。
【０１００】
尚、ここで述べる微粒子膜とは、複数の微粒子が集合した膜であり、その微細構造として、微粒子が個々に分散配置した状態のみならず、微粒子が互いに隣接、或いは重なり合った状態（島状も含む）の膜を指しており、微粒子の直径は０．１ｎｍから数百ｎｍであり、好ましくは、１ｎｍから２０ｎｍである。
【０１０１】
導電性薄膜４０４の作製法は素子電極４０１、４０３を設けたリアプレート２０１に、有機金属溶液を塗布して乾燥させる事により有機金属薄膜を形成する。ここで言う有機金属溶液とは、前述の導電性薄膜４０４を形成する金属を主元素とする有機金属化合物の溶液の事を言う。その後、有機金属薄膜を加熱焼成処理し、リフトオフ、エッチング等によりパターニングし、導電性薄膜４０４を形成する。尚、導電性薄膜４０４の形成を、有機金属溶液の塗布法により説明したが、これに限るものでなく真空蒸着法、スパッタ法、化学気相堆積法、分散塗布法、ディッピング法、スピンナー法等によって形成される場合もある。
【０１０２】
電子放出部４０２は導電性薄膜４０４の一部に形成された高抵抗の亀裂であり、通電フォーミングと呼ばれる処理により形成される。通電フォーミングは素子電極４０１、４０３間に不図示の電極より通電を行い、導電性薄膜４０４を局所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、構造を変化形成させるものである。通電時の電圧波形は特にパルス波形が好ましく、パルス波高値が一定の電圧パルスを連続的に印加する場合とパルス波高値を増加させながら、電圧パルスを印加する場合とがある。
【０１０３】
一例として、パルス波高値を一定とした場合に付いて説明する。パルス波形は三角波形を用い、パルス幅を数μｓｅｃ〜１０ｍｓｅｃ、パルス間隔を数μｓｅｃ〜１００ｍｓｅｃ、波高値（通電フォーミング時のピーク電圧）を表面伝導型電子放出素子３００の形態に応じて適宜選択し、好ましい大気圧以下の圧力、例えば、６．６７×１０−３Ｐａ程度以下の圧力下で、数秒から数十分印加する。尚、素子電極４０１、４０３間に印加する波形は三角波形に限定する事はなく、矩形波など所望の波形を用いてもよい。
【０１０４】
一方、徐々に波高値を増加させながら電圧パルスを印加する場合は、三角波の波高値（通電フォーミング時のピーク電圧）は、例えば、０．１Ｖステップ程度づつ増加させ、適当な圧力下で印加する。
【０１０５】
尚、この場合の通電フォーミング処理はパルス間のある時間、導電性薄膜４０４を局所的に破壊、変形しない程度の電圧、例えば、０．１Ｖ程度の電圧を印加し、素子電流を測定し、抵抗値を求め、例えば、１ＭΩ以上の抵抗を示したときに通電フォーミングを終了としても良い。
【０１０６】
通電フォーミングが終了した素子に活性化と呼ぶ処理を施す事が望ましい。活性化処理とは、例えば、１．３３×１０−２〜１０−３Ｐａ程度の圧力で、通電フォーミング同様、適当な圧力中に存在する有機物質に起因する炭素、及び、炭素化合物を導電性薄膜上に堆積させ、素子電流（素子電極４０１、４０３間に流れる電流）、放出電流（電子放出部４０２より放出される素子電流）を著しく変化させる処理である。活性化処理は素子電流と放出電流を測定しながら、例えば、放出電流が飽和した時点で終了する。印加する電圧パルスは画像表示時の動作駆動電圧か、それよりも大きな電圧で行う事が好ましい。形成された亀裂内には、０．１ｎｍから数十ｎｍの粒径の導電性微粒子を有する事もある。導電性微粒子は導電性薄膜４０４を構成する物質の少なくとも一部の元素を含んでいる。又、電子放出部４０２及び、その近傍の導電性薄膜４０４は炭素及び、炭素化合物を有する事もある。
【０１０７】
尚、表面伝導型電子放出素子３００としてリアプレート２０１の面上に平面状に表面伝導型電子放出素子３００を形成した平面型の他、リアプレート２０１に垂直な面上に形成した垂直型でもよく、更には、熱カソードを用いた熱電子源、電界放出型電子放出素子等、要するに電子放出素子を用いた画像表示装置を例にするならば、電子を放出する素子であれば、特に制限はされない。
【０１０８】
次に図３及び図４を用いて、表面伝導型電子放出素子３００の配列、及び、同素子に画像表示用の電気（電力）信号を供給する配線について説明する。
【０１０９】
配線の例として、それぞれ直交した二つの配線（Ｙ：上配線３０１、及び、Ｘ：下配線３０２、これを単純マトリクス配線と呼ぶ）を用いる事ができ、表面伝導型電子放出素子３００の素子電極４０１、４０３のそれぞれに、上配線３０１からは配線パッド３０４を通して、下配線３０２からは直接電気的に接続する。
【０１１０】
上配線３０１、配線パッド３０４、及び、下配線３０２はスクリーン印刷法、オフセット印刷法などの印刷法によって複数作製する。使用する導電性ペーストは、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ等の貴金属、Ｃｕ，Ｎｉ等の卑金属の単独、ないしは、これらを任意に組み合わせた金属を含み、印刷機で配線パターンを印刷後、５００℃以上の温度で焼成する。形成された上下印刷配線などの厚さは、数μｍ〜数百μｍ程度である。
【０１１１】
更に、少なくとも上配線３０１と下配線３０２が重なるところには、ガラスペーストを印刷、焼成（５００℃以上）した厚さ数〜数百μｍ程度の層間絶縁膜３０３を挟み、電気的な絶縁をとる。
【０１１２】
Ｙ方向の上配線３０１の端部は表面伝導型電子放出素子３００のＹ側の行を入力信号に応じて走査するための画像表示信号である走査信号を印加するため、図５に示すように、走査側電極駆動手段としての駆動回路部５０６と電気的に接続されることになる。一方、Ｘ方向の下配線３０２の端部は、表面伝導型電子放出素子３００の列の各列を入力信号に応じて変調するための画像表示信号である変調信号を印加するため、図５に示すように、変調信号駆動手段としての駆動回路部５０６と電気的に接続されることになる。
【０１１３】
又、フェースプレート２１０には破壊可能な真空隔離部材６０２を有する排気管１０５を接続するためのするための貫通穴６０４が設けられている。
【０１１４】
フェースプレート２１０の内側に塗布された蛍光体２０７はモノクロームの場合は単一の蛍光体のみからなるが、カラー画像を表示する場合、赤、緑、青の三原色を発光する蛍光体を黒色導電材で分離した構造とする。黒色導電材はその形状により、ブラックストライプ、ブラックマトリックスなどと呼ばれる。作製法としては蛍光体スラリーを用いたフォトリソグラフィー法、或いは印刷法があり、所望の大きさの画素にパターニングし、それぞれの色の蛍光体を形成する。
【０１１５】
蛍光体２０７上にはメタルバック２０６が形成されている。メタルバック２０６はＡｌ等の導電性薄膜により構成されている。メタルバック２０６は、蛍光体２０７で発生した光のうち、電子源となるリアプレート２０１の方向に進む光を反射して輝度を向上させるものである。更に、メタルバック２０６はフェースプレート２１０の画像表示領域に導電性を与えて電荷が蓄積されるのを防ぎ、リアプレート２０１の表面伝導型電子放出素子２０９に対してアノード電極の役割を果たすものである。メタルバック２０６はフェースプレート２１０、外囲器２１１内に残留したガスが電子線で電離されて生成するイオンにより、蛍光体２０７が損傷することを防ぐなどの機能も有している。
【０１１６】
メタルバック２０６には高電圧を印加するため、図５に示すように、高圧印加装置５０７と電気的に接続されることになる。支持枠２０２はフェースプレート２１０とリアプレート２０１との間の空間を気密封止するものである。支持枠２０２はフェースプレート２１０及びリアプレート２０１に対して、フリットガラスやＩｎやその合金などを用いて接合され、これらによって外囲器としての密封容器が構成される。外枠２０２はフェースプレート２１０とリアプレート２０１同材質、或いはそれらとほぼ同程度の熱膨張率を持つガラス、セラミックス、又は、金属などを使用する事が出来る。
【０１１７】
リアプレート２０１、支持枠２０２、フェースプレート２１０を準備した後、基板の電子線洗浄、ゲッタ膜２０５の蒸着形成、外囲器２１１としての密封容器の形成（支持枠２０２とフェースプレート２１０、リアプレート２０１との接合）を、真空雰囲気を維持した状態で実施する。
【０１１８】
ここで、ゲッタ膜２０５の蒸着は例えばメタルバック層２０６の表面に活性なＢａ膜及びＢａ合金膜等がゲッタ膜として蒸着形成される。ゲッタ膜２０５を部分的に蒸着するには、金属等で作成されたマスクを用いた蒸着をすることで実現できる。図７のゲッタ膜２０５はこの様な方法で成膜されたものである。
【０１１９】
本発明においては、図６に示す様に予め作成しておいた破壊可能な真空隔離部材６０２を有する排気管１０５をフェースプレート２１０に接合した状態で、図７に示す様にフェースプレート２１０とリアプレート２０１と外枠２０２との接合を行なう際に、排気管を設けた密封容器として画像表示パネルにする事により、本発明で述べるガス測定用の密封容器を得る事が出来る。
【０１２０】
（他の実施形態）
図６に示すような構成の破壊可能な真空隔離材６０２を有する排気管１０５を作成する方法は、排気管１０５及び破壊可能な真空隔離部材６０２としてガラスを用いる場合、まず該排気管の中に円盤状のガラス板を入れておき、排気管外周からバーナー等で加熱溶融した状態で、排気管の端部から吹くことで排気管側壁と円盤状のガラス板を融合させて、薄いガラスの膜即ち破壊可能な真空隔離部材６０２を作成する。他の真空隔離部材としては、例えば金属であるＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｔｉ、Ａｕ又はこれらの合金、ガラス、セラミックス等をあげることができる。次に、ガラスと熱膨張係数の近い金属でベローズ６０１を作成し、銀蝋部材等で排気管と接続する。ベローズ６０１に使用する金属としてはガラス排気管と熱膨張係数の近い金属を適宜選ぶことができ、例えば鉄とニッケルの合金であるＦＮ５０や４２６合金等を挙げることができる。
【０１２１】
次に、フェースプレート２０１の画像表示エリア外の個所に貫通穴６０４をあけておき、蛍光体膜２０７、ブラックストライプ６０５、メタルバック膜２０６を形成した後、フリットガラス等を用いて、排気管１０５のベローズ６０１と加熱焼成することで接続し、排気管１０５を具備するフェースプレートを作成する。
【０１２２】
その後、前述する方法において図７に示すように外囲器２１０としての密封容器の形成（支持枠２０２と排気管１０５を具備するフェースプレート２１０、リアプレート２０１との接合）を、真空雰囲気を維持した状態で実施する。
【０１２３】
尚、カラー表示の画像表示装置の場合は表面伝導型電子放出素子２０９と蛍光体２０７の画素（不図示）を一対一に対応させるため、フェースプレート２１０とリアプレート２０１の位置合わせを行い真空封着する。
【０１２４】
以上の工程により、リアプレート２０１、支持枠２０２、排気管１０５を具備するフェースプレート２１０で囲まれる空間は、大気圧以下の圧力を維持可能な容器として形成される。
【０１２５】
上述した、一連の処理により、密封容器は、画像表示装置となる。上述したように作製した画像表示装置において、上配線２０３に接続された走査駆動手段（図３における３０１、図５における５０５）、下配線２０４に接続された変調駆動手段（図３における３０２、図５における５０４）より、各表面伝導型電子放出素子２０９、３００に画像信号である走査信号と変調信号を提供する。
【０１２６】
それらの差電圧として駆動電圧すなわち電気信号が印加され、導電性薄膜４０４を電流が流れ、その一部が亀裂である電子放出部４０２より電子が前記電気信号に従った電子ビームとなって放出され、メタルバック２０６、蛍光体２０７に印加された高電圧（１〜１０ＫＶ）によって加速され、蛍光体２０７に衝突し蛍光体を発光させ、画像を表示する。
【０１２７】
尚、ここでのメタルバック２０６の目的は、蛍光体のうち内面側への光をフェースプレート２１０側へ鏡面反射する事により輝度を向上する事、電子ビーム加速電圧を印加するための電極として作用する事、前記密封容器内で発生した負イオンの衝突によるダメージからの蛍光体２０７の保護などである。
【０１２８】
上述した電子源として表面伝導型電子放出素子のほか、電界放出型電子放出素子を用いたものや、単純マトリクス型のほか、電子源から出た電子ビームを制御電極（グリッド電極配線）を用いて制御し画像を表示する画像表示装置、プラズマ放電を利用した画像表示装置などにおいても、本発明を適用する事が出来る。
【０１２９】
要するに、密封容器に破壊可能な真空隔離部材を有する排気管が接続されており、密封容器内を大気圧以下に保持する事を必要とする機器・装置であれば、本発明のガス測定方法、及びそれを実施するためのガス測定装置を用いることができる。
【０１３０】
（密封容器の製造方法）
第１の基板としてのリアプレートを複数用意する。
【０１３１】
また、第２の基板としてのフェイスプレートを複数用意する。
【０１３２】
このうちフェースプレートの幾つかに破壊可能な隔離部材を有する排気管を接続する。
【０１３３】
製品とすべき密封容器をつくるために、第１の基板と破壊可能な隔離部材を有する排気管の無い第２の基板からなる一対の基板を、内部を大気圧より低い圧力に保持可能となるように封着する。こうして、製品となる複数の密封容器を作製する。
【０１３４】
一方、測定用試料とすべき密封容器をつくるために、第１の基板と破壊可能な隔離部材を有する排気管の取り付けられた第２の基板からなる一対の基板を、内部を大気圧より低い圧力に保持可能となるように封着する。こうして、試料となる少なくとも１つの密封容器を作製する。
【０１３５】
測定用試料と製品との特性が揃うように、こられは、破壊可能な隔離部材を取り付ける工程以外の工程を共通にする。つまり、同じ生産ラインを流すことが好ましいものである。多数の製品用の密封容器群毎（１ロット毎）に１つ以上の試料用の密封容器を作製することが好ましいものである。
【０１３６】
製品の評価を行うために、同じ生産ライン又は同じロットで製造した測定用試料としての密封容器を用意する。
【０１３７】
そして、その測定用試料の隔離部材を破壊して、当該測定用試料（密封容器）内のガス測定を行うことにより、その測定結果を製品の測定結果とみなして、評価を行う。
【０１３８】
こうすることで、製品自体を破壊することなく、評価を行うことができる。若干のコスト増が許容できるのであれば、製品となる容器にも排気管を取り付け測定可能にするることもできる。
【０１３９】
このましくは、排気管がベローズを介して基板に接続されているとよい。
【０１４０】
また、破壊可能な隔離部材が密封容器内外の圧力差のみでは破壊しない厚みの金属、合金、金属化合物、ガラスから選択された少なくとも一種からなることが好ましい。
【０１４１】
そして、測定の際には、排気管を画像表示面より下側に設置し、破壊可能な隔離部材を先端が鋭利な部材を用いて、破壊するが好ましい。
【０１４２】
以下、本発明について、実施例を用いて具体的に説明する。
【０１４３】
【実施例】
＜実施例１＞
画像表示装置の測定装置を用いたガス測定方法については図８を用い、又ガス測定を行なった該画像表示装置としての密封容器の作成方法について、図２〜図７を使って説明する。
【０１４４】
まず、画像表示装置としての密封容器の作成方法について述べる。リアプレート２０１として厚さ２．８ｍｍ、大きさ２４０ｍｍ×３２０ｍｍ、フェースプレート２１０として厚さ２．８ｍｍ、大きさ１９０ｍｍ×２７０ｍｍのソーダガラス（ＳＬ；日本板硝子製）を用いた。
【０１４５】
リアプレート２０１上に電子源である表面伝導型電子放出素子２０９の素子電極４０１及び４０２として、白金を蒸着法によって成膜し、フォトリソグラフィ技術（エッチング、リフトオフ法等の加工技術を含む）によって加工し、膜厚１００ｎｍ、電極間隔Ｌ＝２μｍ、素子電極長さＷ＝３００μｍの形状に加工した。
【０１４６】
有機金属溶液である有機パラジウム（奥野製薬（株）製、ＣＣＰ−４２３０）含有溶液を塗布した後、３００℃で１０分間の加熱処理をして、パラジウムを主成分とする微粒子（平均粒径８ｎｍ）からなる微粒子膜を形成し、フォトリソグラフィ技術（エッチング、リフトオフなどの加工技術を含む）によって加工し、２００×１００μｍの導電性薄膜４０４とした。
【０１４７】
次に、上配線３０１（１００本）は幅５００μｍ、厚さ１２μｍ、下配線２０１（６００本）、配線パッド３０４（６００００個）は幅３００μｍ、厚さは８μｍで、それぞれＡｇペーストインキを印刷、焼成し形成した。層間絶縁層３０３はガラスペーストを印刷、焼成（焼成温度５５０℃）し、厚さは２０μｍとした。
【０１４８】
リアプレート２０１は専用の装置で真空排気後に、三角波形（底辺１ｍｓｅｃ、周期１０ｍｓｅｃ、波高値５Ｖ）の電圧パルスを６０秒間印加し、電子放出部４０２を形成し（フォーミング）、更に、ベンゾニトリルを導入し活性化も行った。
【０１４９】
一方、フェースプレート２１０には、図６に示す様に、穴径Φ９．０ｍｍの破壊可能な真空隔離部材を有する排気管１０５用の貫通穴６０４が一箇所開いている。フェースプレート２１０には、蛍光体２０７として、グリーンの蛍光体（化成オプトニクス（株）製、Ｐ２２ＧＮ４）を塗布し、更にメタルバック２０６として厚さ２００ｎｍのアルミニウムを、高分子フィルミングを用いて作製した。
【０１５０】
図６で示す破壊可能な真空隔離部材６０２を有する排気管１０５は、肉厚１ｍｍ、外径１２ｍｍ（内径１０ｍｍ）、長さ１００ｍｍのガラス排気管の端部から３０ｍｍの所に直径９．９５ｍｍ、厚み１ｍｍのガラス板を挿入し、外部からガスバーナーで加熱し、ガラスが溶融して中のガラス板も柔らかくなった所で、一方向から吹き付けることで、排気管を分割する薄いガラスの膜（約０．３ｍｍ）、即ちブレーカブルシールガラス６０２を作成した。その次に、ステンレスからなるベローズ６０１を銀ロウ部材を使用し、密封性を確保しながら接続した。多数のフェースプレートのうち、測定用試料として用いるものだけに排気管１０５を取り付けた。
【０１５１】
この排気管１０５のベローズ６０１端とフェースプレート２１０が接する貫通穴６０４のあいた部分に塗布するフリットガラス６０３として日本電気硝子（株）製のＬＳ−３０８１を用い、焼成炉で４１０℃、２０分間加熱し固定した。
【０１５２】
支持枠２０２の形状は、厚さ６ｍｍ、外形１５０ｍｍ×２３０ｍｍ、幅１０ｍｍであり、材質はソーダガラス（ＳＬ；日本板硝子製）を用いた。前記支持枠２０２とリアプレート２０１の封着はフリットガラスとして日本電気硝子（株）製のＬＳ−３０８１を用い、焼成炉で４１０℃、２０分間加熱し固定した。前記支持枠２０２とリアプレート２０１とを封着した基板と、排気管１０５を具備するフェースプレート２１０を真空槽（不図示）に導入する。圧力を１×１−５Ｐａ以下にした後、３００℃で１０時間加熱し脱ガス処理を行なった。冷却後、排気管１０５を具備するフェースプレート２１０は電子線洗浄を行なった。その後メタルバック膜２０６上にゲッタ膜として活性なＢａ膜２０５を全面に蒸着形成した。
【０１５３】
一方、前記支持枠２０２とリアプレート２０１とを封着した基板は冷却後、排気管１０５を具備するフェースプレート２１０と接合材としてＩｎ及びＩｎ合金を用い、２００℃に加熱し封着を行ない密封容器とした。その後、室温まで冷却し真空槽を大気リークした後取り出した。
【０１５４】
上述のように作製した、密封容器及び破壊可能な真空隔離部材６０２にはクラックや割れ等は全く発生していなかった。この密封容器を画像表示可能なように電圧印加装置１０２と高圧印加装置１０３とケーブルで接続し、外枠１０４にこれらを収納し、画像表示装置を組み立てた。測定用試料以外も同様に工程により組み立て、画像表示装置を作製した。
【０１５５】
図８は、測定用試料として組み立てられた画像表示装置１００を排気管１０５を介してガス測定装置に接続した様子を示す。同図において、８０１は画像表示時の明るさを測定する輝度計、８０２は１００℃迄加熱可能な恒温槽、８０３は３００℃までのある一定温度に加熱可能な装置ベーキング系である。その他これまでの図で示した部材と同一の符号を持つ部材は同一のものを示す。主要部品部材について更に説明する。電離真空計１（１２６）、電離真空計２（１２８）、電離真空計３（１３０）、電離真空計４（１３１）としてライボルト社製のエキストラクタゲージＩＥ５１４、質量分析計１（１２７）、質量分析計２（１２９）としてライボルト製の四重極型質量分析計Ｈ２００Ｍ、ターボ分子ポンプ１１６及び１１８として大阪真空機器製作所のＴＨ２５０Ｍ、ドライポンプ１１７及び１１９として三菱電機社製のＤＳ５００Ｌを使用した。また測定チャンバのオリフィス板としては厚さ０．６ｍｍのニッケル板、オリフィス１２４としてはφ６ｍｍの孔をあけた。この時のコンダクタンスは２．９７６×１０−３ｍ３／ｓｅｃである。ガスチャンバのオリフィス板としては厚さ０．６ｍｍのニッケル板、オリフィス１２５としてはφ０．６ｍｍの孔をあけた。この時のコンダクタンスは１．６２８×１０−５ｍ３／ｓｅｃである。
【０１５６】
次に、放出ガスレートの測定方法について説明する。予めバルブ１０７から１０９を閉じ、バルブ１１０から１１５、１３４、１３５を開けターボ分子ポンプ１１６と１１８、ドライポンプ１１７と１１９を稼動させ、測定チャンバ１（１２０）と測定チャンバ２（１２３）とガスチャンバ１（１２２）とガスチャンバ２（１２３）内を１０−５Ｐａ以下の圧力に真空排気した。その後バルブ１１５は閉じた。次に排気管１０５端部を、Ｏ−リングを用いた接続アダプター１０６に接続した。次に、バルブ１１０及び１１１を閉じ、バルブ１０８を開け、排気管１０５の破壊可能な真空隔離部材部まで１Ｐａ程度に真空排気する。次にバルブ１０８を閉じバルブ１０９からバルブ１１１を開けターボ分子ポンプにより１０−５Ｐａ以下の圧力まで真空排気した。電離真空計１（１２６）、質量分析計１（１２７）、電離真空計２（１２８）、質量分析計２（１２９）を動作させた。その後、Ｈｅでリークチェックを行ったがリークは検出されなかった。
【０１５７】
次に前記ガス測定装置全体を装置ベーキング系８０３で２００℃１０時間加熱し、構成部材及び測定系の脱ガスを行った。
【０１５８】
次に排気管アダプター１０６下部に設置した先端が鋭利なＳＵＳ製の棒（不図示）を押し上げて破壊可能な真空隔離部材６０２を破壊した。破壊後、電離真空計１（１２６）と電離真空計２（１２８）の値が安定したところで、質量分析計１（１２７）と質量分析計２（１２９）によって測定チャンバ１（１２０）及び測定チャンバ２（１２１）を夫々測定することで、バックグランドの放出ガスレートＱ０（画像表示しない時の放出ガスレート）を求めた。
【０１５９】
測定ガス種はＨ２、ＣＨ４、Ｈ２Ｏ、ＣＯ、Ｎ２、Ｏ２、Ａｒ、ＣＯ２の８種類のガスで、これにピーク電流（ＡＭＵ）として２、１４、１６、１８、２８、３２、４０、４４を用いた。各ＡＭＵのクラッキングパターン（１８６０　Ｈａｒｔｏｇ　Ｄｒｉｖｅ，ＳａｎＪｏｓｅ，ＣＡ　９５１３１）を表１に示す。
【０１６０】
【表１】
2004139816.tif 000014
【０１６１】
連立方程式に用いる各ガス種の感度（Ｓ）にゲイン（Ｇ）を掛けた係数ＳＧ（Ａ／Ｐａ）を表２に示す。
【０１６２】
【表２】
2004139816.tif 000015
【０１６３】
表１、表２及び各ピーク電流の値から連立方程式を立て、各ガス種の圧力Ｐ１（Ｐａ）及びＰ２（Ｐａ）を計算した。計算結果とそれをもとに計算したＱ０（Ｐａ・ｍ３／ｓｅｃ）の値を表３に示す。
【０１６４】
【表３】
2004139816.tif 000016
【０１６５】
ＣＯとＮ２の放出ガスレートを分離した値を簡単に、高精度に求めることができた。ＣＯとＮ２の放出ガスレートの総計は質量分析計で直接変換したＡＭＵ２８の圧力から出した値と一致した。
【０１６６】
次に、画像表示パネルに接続された電圧印加装置１０２から１６７μｓｅｃ、６０Ｈｚ、１５Ｖの画像信号をＢａゲッタ膜の形成された領域の１ライン（６００素子）の電子放出素子に供給し、同時に高圧印加装置１０３により１０ＫＶの高圧を印加し表面伝導型電子放出素子３００を発光させ、画像表示装置１００を画像表示させた。電流値は高圧印加装置１０３から画像表示パネル１０１に高圧を印加するケーブルに電流プローブを設置して測定した。電流値は１素子当たり１０μＡの値であった。この時の各ガスの単位電流当たりの放出ガスレートＲ（Ｐａ・ｍ３／ｓｅｃ／μＡ）を表４に示す。尚、計算方法はバックグランドＱ０（Ｐａ・ｍ３／ｓｅｃ）を求めたときと同様にして求め、更にＤＣ換算した電流値Ｉｅで割って求めた。
【０１６７】
【表４】
2004139816.tif 000017
【０１６８】
表４の中でＣＯのガスレートＲは他に比べて非常に小さい値となった。一方、Ｎ２の放出ガスレートＲは大きい値を示しており、このことからＣＯがＢａゲッタ膜に吸着されていることが分かった。他の吸着ガスについても同様であった。
【０１６９】
次に、全ラインを同様に画像表示させガスレートＲを測定したところ表４と同様であった。また、電流値が倍になるように駆動したところ放出ガス量Ｃ１（Ｐ１−Ｐ２）は増加したが、単位電流値当たりの放出ガスレートＲを計算すると表４とほぼ同じになった。
【０１７０】
以上説明したように、試料としての画像表示装置１００を画像表示したときの各ガス種の放出ガスレートを定量的に高精度に算出することができた。また、各ガス種の放出ガスレートＲを単位電流当たりの放出ガスレートとして算出しているので、電流値が変動した場合でも同一の基準として使用可能である。
【０１７１】
又、ＣＯとＮ２夫々の放出ガスレートを測定することができ、ＣＯの放出ガスレートから実施例２で述べるようなゲッタ吸着ガスとして用いる場合、ＣＯの放出ガスレートの減衰指数を正確に算出できるので画像表示装置のゲッタ寿命を正確に算出することができる。こうして得られた試料の測定データから製品として出荷する排気管のない装置（密封容器）の予想データとして評価に用いることができる。
【０１７２】
＜実施例２＞
実施例１において、図７に示すようにＢａゲッタ膜２０５の無い領域をＢａ蒸着時にＳＵＳ製のマスクを用いて１０ライン（６０００素子）分形成する以外は実施例１と全く同様にして試料及び製品となる画像形成装置を製造し、試料を用いてガス測定を行なった。
【０１７３】
電圧印加装置１０２から１６７μｓｅｃ、６０Ｈｚ、１５Ｖの画像信号をＢａゲッタ膜２０５の形成されてない領域の内１ライン（６００素子）の電子放出素子に供給し、同時に高圧印加装置１０３により１０ＫＶの高圧を印加し表面伝導型電子放出素子２０９を発光させ、画像表示装置１００を画像表示させ、実施例１と同様にＣＯの放出ガスレート測定を行なった。
【０１７４】
画像表示初期（高圧印加が安定する１分後）の放出ＣＯガスレートをＲ１（Ｐａ・ｍ３／ｓｅｃ／μＡ）、２４時間画像表示後のＣＯの放出ガスレートをＲ２（Ｐａ・ｍ３／ｓｅｃ／μＡ）とした時の測定結果を表５に示す。
【０１７５】
【表５】
2004139816.tif 000018
【０１７６】
上表のＲ１及びＲ２の値から前述する式（３）を用いてκを求めると−０．２００８となった。同様に１６８時間後、３００００時間後の減衰指数κを求めたが、図９に示すようにほぼ同一値となり、２４時間測定すれば長時間画像表示後と同等の減衰指数κを求められることが判明した。
【０１７７】
これによって画像表示装置内のゲッタ膜であるＢａ膜に吸着されるガスであるＣＯの放出ガスレートの減衰指数を短時間に高精度に求めることができた。
【０１７８】
ＣＯガスの減衰指数κを測定した後、バルブ１０９を閉じ、バルブ１０７を開け、電離真空計３（１３０）、電離真空計４（１３１）を動作させ、ガスチャンバ１（１２２）、ガスチャンバ２（１３１）の全圧を電離真空計３（１３０）、電離真空計４（１３１）によって夫々測定する。圧力が安定したところでバルブ１０７及び１３４を閉めた後、９９．９９％純度のＣＯが充填されたガスボンベ１３２のバルブを開ける。次いでバルブ１１５を開け、マスフロー１３３を開け３．４×１０−４Ｐａ・ｍ３／ｓｅｃでＣＯをガスチャンバ２（１２３）に導入した。電離真空計３（１３０）と電離真空計４（１３１）の圧力が安定するまで待った。およそ３０分で安定した。圧力安定後バルブ１３５を閉じ、バルブ１０７を開けて直ぐに電離真空計３（１３０）の圧力Ｐ３と電離真空計４（１３１）の圧力Ｐ４の測定を開始した。測定開始時の圧力は夫々Ｐ４が１×１０−１ＰａでＰ３が５．９×１０−２Ｐａであった。圧力Ｐ４と圧力Ｐ３がほぼ等しくなるまでの時間は１８時間であった。
【０１７９】
測定終了後、バルブ１０７、１１５、マスフロー１３３を閉めた。次いで、ＣＯ排気の為バルブ１３４、１３５を開けた。
【０１８０】
図１０にＣＯの吸着ガスレートと時間との関係を示す。式（２）を用いて、ＣＯのＢａゲッタ膜への総吸着量を算出すると、Ｗ＝４．８７×１０−３Ｐａ・ｍ３であった。（Ｂａゲッタの面積は画像表示パネルの９０％であることを考慮して）求めたＣＯのＢａゲッタ膜総吸着量ＷとＣＯの放出ガスレート減衰指数κから式（４）を用いてＴｅｎｄを計算すると、Ｔｅｎｄは４０８８７時間となった。
【０１８１】
実施例１において用いた画像表示装置を同一条件で画像表示させ、輝度計８０１を用いて輝度を測定した。初期の輝度は６００ｃｄ／ｍ２であった。輝度が半分になる時間まで画像表示装置を測定したところ４１０００時間であった。同時にＣＯのガスレートを測定したところ４０５００時間を境にガスレートの上昇が見られた。これはＢａゲッタ膜がＣＯガスの吸着をしなくなったためと考えられる。
【０１８２】
＜実施例３＞
実施例２において、画像表示パネル１０１が実施例１と同じ以外は全く同様に、ＣＯに変えてＡｒガスを導入した。Ａｒガスの純度は９９．９９９９％のものを用いた。Ａｒガスを導入する前に、バルブ１１０は閉じてバルブ１０９を開け、電離真空計１２６の圧力が１０−６Ｐａになった所でバルブ１０７を閉めた。質量分析計１（１２７）でガス分圧を測定したところ、メインのガスはＡｒでほぼ１０−６Ｐａであった。この測定前にＡｒガスを導入する前のバックグランドは２．５×１０−１１Ｐａであった。
【０１８３】
次に、画像表示装置１００を実施例１と同様の条件で画像表示した。初期の電流値は１素子当たり１０μＡであり、２４時間後の電流値と比較してどの位保持しているかを測定した。同様に１０−５Ｐａ、１０−４Ｐａについても測定した。結果を表６に示す。尚、レファレンスとしてＡｒガスを導入しない時の保持率も示す。
【０１８４】
【表６】
2004139816.tif 000019
【０１８５】
Ａｒガス圧力が１０−５Ｐａより大きくなると保持率が小さくなっており、Ａｒガス圧力が１０−５Ｐａ近傍の圧力から電子源である表面伝導型電子放出素子　Ａｒ以外のガスについてもにも同様に簡便な方法で高精度に、電子源に対するガスの影響評価を行うことが可能になった。
【０１８６】
【発明の効果】
本発明の画像表示装置および画像表示装置のガス測定方法と、それを実施するためのガス測定装置を用いることにより、以下に示す効果がある。
【０１８７】
１．本発明の画像表示装置は、その作成時に破壊可能な真空隔離部材を有する排気管が接続された状態で真空封着されるので、該画像表示装置の真空を保持した状態で放出ガスレート等のガス測定が可能となる。
【０１８８】
更に、予め基板に測定装置接続用の真空隔離部材を有する排気管を設けておくので、表示装置の脱ガスを十分に行え、表示装置を構成する部材からの脱ガスを最小限に抑えることができ、前記画像表示装置の画像表示時の正確な放出ガスレート測定が可能となる。
【０１８９】
更に、密封容器となった画像表示装置に穴を開けて測定用の排気管を取り付ける際に生じるリークや破損といったトラブルが無い。又、ガラスに穴を開けたときのガラス破片が画像表示装置内部に飛散することが無いので、画像表示する際にガラス破片等々の異物による放電が発生しない。
【０１９０】
２．必要に応じて、該排気管を蛍光体とゲッタの形成された基板側に設置することで、電子源の電子放射に影響を与えることなく測定ができる。
【０１９１】
必要に応じて、前記破壊可能な真空隔離部材を有する排気管の基板接続側にベローズを設ければ、排気管を曲げることが可能となり、該排気管取り付け後の後工程での取り扱いを容易にすることができ、更に、前記破壊可能な真空隔離部材を有する排気管をガス測定装置に取り付けた後の熱ひずみや機械的衝撃力等々を吸収してくれるので、排気管の破壊を防ぐことができる。
【０１９２】
必要に応じて、チャンバに設けた既知のコンダクタンスのオリフィスの前後の全圧あるいは各ガス種の分圧を測定すれば、該オリフィスのコンダクタンス値を用い前記画像表示装置の画像表示時における各ガス種の放出ガスレートを定量的に評価できる。更に、放出ガスレートを単位電流値当たりの放出ガスレートとして測定すれば、電子源の電子放射電流量の大きさに影響を受けない放出ガスレートとして定量的に評価できると共に、全画像領域を表示せずに一部領域の画像表示の放出ガスレートを測定すれば、全画像領域を画像表示した時の放出ガスレートが予測可能となる。
【０１９３】
又、必要に応じて、各ガス種の分圧測定の場合に、オリフィスにより分割された２つの測定チャンバに夫々質量分析計を設ければ、ＣＯとＮ２といった同一分子量（Ｍａｓｓ　Ｎｏ）のガス種の放出ガスレートについても、クラッキングパターン（Ｃｒａｃｋｉｎｇ　Ｐａｔｔｅｒｎ）を用いたピーク強度と圧力の関係式から連立方程式を解くことで容易に分離可能で、各ガス種の放出ガスレート測定が可能となる。従って、１つの画像表示装置の放出ガスレート測定を行えば、他の画像表示装置の放出ガスレートが容易に予想できる。
【０１９４】
また、各ガス種の放出ガスレートが正確に把握できるので、後述するゲッタ寿命時間測定に用いるゲッタ吸着ガスの吸着ガスレートの減衰指数を正確に算出できる。
【０１９５】
必要に応じて、前記ガスチャンバに設けた既知のコンダクタンスのオリフィスを用い、該オリフィス前後の全圧を測定すれば、該オリフィスのコンダクタンス値を用い導入ガスの導入ガスレートを定量的に評価できる。
【０１９６】
更に、必要に応じて、前記ガスチャンバからゲッタ吸着ガスを導入すれば、一定量のガスを一定のレートで前記画像表示装置に供給できるので、前記ゲッタのガス吸着総量を精度良く定量的に評価できる。
【０１９７】
更に、各種のガスを一定量、一定レートで導入できることから、必要に応じて任意のガスを導入し前記画像表示装置を画像表示すれば、電子源の電子放出特性に対するガス種の影響を的確に評価できる。
【０１９８】
必要に応じて、蛍光体とゲッタを有する基板の一部にゲッタのない領域を設け、該領域を画像表示させた時のゲッタの無い領域におけるゲッタ吸着ガスの放出ガスレートを短時間測定すれば、ゲッタ吸着ガスの放出ガスレートの減衰指数が求められる。次にゲッタ吸着ガス導入によるゲッタ吸着総量の測定をすれば、該ゲッタ吸着ガスの放出ガスレートの減衰指数と該ゲッタ吸着総量の関係式を解けば、容易にゲッタ寿命時間が計算でき、前記画像表示装置の寿命を容易に短時間に高精度に予測できる。
【０１９９】
更に、必要に応じて、前記ゲッタにバリウム及びバリウム合金を、前記ゲッタ吸着ガスとしてＣＯを用いれば、前記画像表示装置のゲッタ寿命時間を精度良く測定することができ、前記画像表示装置の寿命を正確に予測できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による画像表示装置のガス測定を説明する図。
【図２】本発明によるガス測定に用いた画像表示装置の構成概略図。
【図３】本発明による表面伝導型電子放出素子を用いたリアプレート上の構成概略図。
【図４】本発明による図３の表面伝導型電子放出素子の構造を拡大して示す図。
【図５】本発明による画像表示装置のブロック概略図。
【図６】本発明による破壊可能な真空隔離部材を有する排気管をフェースプレートに接続する構成を示す概略図。
【図７】本発明による破壊可能な真空隔離部材を有する排気管を画像表示パネルに接続する構成を示す概略図。
【図８】本発明による他の画像表示装置のガス測定装置の構成を示す図。
【図９】本発明による画像表示装置のＣＯの放出ガスレートｖｓ時間の相関図。
【図１０】本発明による画像表示装置のＣＯのＢａゲッタ吸着ガスレートｖｓ時間の相関図。
【符号の説明】
１００、５０８　画像表示装置
１０１、５０２　画像表示パネル
１０２　駆動回路部（電圧印加装置）
１０３　高圧印加装置
１０４　外枠
１０５　破壊可能な真空隔離部材を有する排気管
１０６　排気管アダプター
１０７〜１１５、１３４、１３５　バルブ
１１６、１１８　ターボ分子ポンプ
１１７、１１９　ドライポンプ
１２０　測定チャンバ１
１２１　測定チャンバ２
１２２　ガスチャンバ１
１２３　ガスチャンバ２
１２４、１２５　オリフィス
１２６　電離真空計１
１２７　質量分析計１
１２８　電離真空計２
１２９　質量分析計２
１３０　電離真空計３
１３１　電離真空計４
１３２　ガスボンベ
１３３　マスフロー
２０１　リアプレート
２０２　支持枠
２０３、３０１　上配線
２０４３０２　下配線
２０５　ゲッタ膜
２０６　メタルバック
２０７　蛍光体
２０８　ガラス基板
２０９、３００　表面伝導型電子放出素子
２１０　フェースプレート
２１１　外囲器
２１２　信号入力端子
２１３　行選択用端子
３０３　層間絶縁層
３０４　配線パッド
４０１、４０３　素子電極
４０２　電子放出部
５０１　画像表示域
５０３　交点発光域
５０４　変調信号側Ｘｎ配線
５０５　走査信号側Ｙｎ配線
６０１　ベローズ
６０２　破壊可能な真空隔離部材
６０３　接続部材
６０４　貫通穴
６０５　ブラックストライプ
７０１、７０２　接合材
８０１　輝度計
８０２　恒温槽
８０３　装置ベーキング系
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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