(57)【要約】【課題】層間接合部の接続不良やクラックの原因となる微小ボイドの発生がなく高い層間接続信頼性が得られる電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】（Ａ）先端表面に半田層又は半田バンプが形成された電気的接続用導体部Ｉを有する電子部材と、（Ｂ）前記電気的接続用導体部Ｉに対応して配設された電気的接続用導体部ＩＩを有する被接続電子部材とを、接着剤層を介して熱圧着することにより、半田接合する電子部品の製造方法において、前記熱圧着前に、前記接着剤層における分子量２００以下の成分の含有量が、３．０ｗｔ％以下であることを特徴とする電子部品の製造方法。【選択図】  図１
2004356463.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）先端表面に半田層又は半田バンプが形成された電気的接続用導体部Ｉを有する電子部材と、（Ｂ）前記電気的接続用導体部Ｉに対応して配設された電気的接続用導体部ＩＩを有する被接続電子部材とを、接着剤層を介して熱圧着することにより、半田接合する電子部品の製造方法において、前記熱圧着前に、前記接着剤層における分子量２００以下の成分の含有量が、３．０ｗｔ％以下であることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
半田接合が、少なくとも前記半田層又は半田バンプを、前記接着剤層と接触させ、該半田層又は半田バンプを形成する半田の融点以上の温度に加熱して、粘度の低下した前記接着剤中で前記半田層又は半田バンプを溶融させたのち、圧着して行われ、さらに加熱して前記接着剤層を硬化する請求項１記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
電子部品が多層配線板であって、（Ａ）電子部材が、導体回路と絶縁層を有し、該絶縁層を貫通して該導体回路上に形成された導体ポストからなる電気的接続用導体部Ｉと、該導体ポストの先端表面に形成された半田層を有する接続層であり、かつ（Ｂ）被接続電子部材が、層間接続用ランドからなる電気的接続用導体部ＩＩを有する被接続層である請求項１または２記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
接着剤層に用いる接着剤が、金属の表面清浄化機能を有するものである請求項１ないし３のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
接着剤層に用いる接着剤が、半田接合する際に５０Ｐａ・ｓ以下の粘度を有する請求項１ないし４のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
接着剤層が自立性の接着剤フィルムからなる請求項１ないし５のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子部品の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、金属層と、金属層上の絶縁層に形成された導体ポストと、該導体ポストの先端表面に形成された半田層を有する接続層上の微細な半田層を用いて層間接続を行う場合において、半田接合に必要な表面清浄化機能を有する接着剤層を導体回路間に介在させ、密着させ、半田溶融温度まで加熱した後、加圧する工程を経て半田接合させて層間接続させる方法があり、この方法は、加熱工程において、金属表面清浄化機能を有する該接着剤層中で、半田層が溶融した後、加圧して溶融状態の半田層の頂点部と接続用導体部を点接触させ、その後、半田を、その接点から同心円状に濡れ広がらせて半田接合させ、さらに接着剤層を硬化させるというものであるが、加熱工程において接着剤層に起因する数十μｍ程度の微小ボイドが発生し、この微小ボイドは凝集して最終的には、大きなボイドとなる問題がある。これに対し、前記製造方法において、層間接続工程を高圧雰囲気下で行うことで、層間接続中に発生するボイドを抑制する方法がある（例えば、特許文献１参照。）。
また、半導体パッケージを接着するフィルム状有機ダイボンディング材において、ダイボンディング材に起因するリフロークラックを抑制する方法として、２００℃２時間の加熱条件での残存揮発分量を一定量以下にする方法がある（例えば、特許文献２参照。）。
【０００３】
【特許文献１】
特願２００２−２００５３０号
【特許文献２】
特開平９−１７８１０号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記層間接続を高圧雰囲気下で行う方法においては、ある程度の大きさのボイドの抑制には有効であるが、微小ボイドに対しては十分な解決法とは言えず、また、高圧雰囲気下で接合を行うため、高圧雰囲気で加熱加圧ができる設備が必要となる。
また、加熱により発生する残存揮発成分には、接着剤層中にある様々な分子量の成分が含まれ、その中でも低分子量成分は揮発した際に生じる気泡を形成するためのエネルギーが比較的小さく、気泡を比較的容易に生じる。また、逆に、高分子量成分は揮発した際に生じる気泡を形成するためのエネルギーが比較的大きく、気泡は生じ難く、これらの成分の含有量は、従来の方法により、残存揮発分量を規定するだけでは、半田を溶融させる温度で層間接続する際に発生する微小ボイドを十分に抑制することはできない。
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであって、層間接合部の接続不良やクラックの原因となる微小ボイドの発生がなく、高い層間接続信頼性が得られる電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
（１）  （Ａ）先端表面に半田層又は半田バンプが形成された電気的接続用導体部Ｉを有する電子部材と、（Ｂ）前記電気的接続用導体部Ｉに対応して配設された電気的接続用導体部ＩＩを有する被接続電子部材とを、接着剤層を介して熱圧着することにより、半田接合する電子部品の製造方法において、前記熱圧着前に、前記接着剤層における分子量２００以下の成分の含有量が、３．０ｗｔ％以下であることを特徴とする電子部品の製造方法、
（２）半田接合が、少なくとも前記半田層又は半田バンプを、前記接着剤層と接触させ、該半田層又は半田バンプを形成する半田の融点以上の温度に加熱して、粘度の低下した前記接着剤中で前記半田層又は半田バンプを溶融させたのち、圧着して行われ、さらに加熱して前記接着剤層を硬化する第（１）項記載の電子部品の製造方法、
（３）電子部品が多層配線板であって、（Ａ）電子部材が、導体回路と絶縁層を有し、該絶縁層を貫通して該導体回路上に形成された導体ポストからなる電気的接続用導体部Ｉと、該導体ポストの先端表面に形成された半田層を有する接続層であり、かつ（Ｂ）被接続電子部材が、層間接続用ランドからなる電気的接続用導体部ＩＩを有する被接続層である第（１）項または第（２）項に記載の電子部品の製造方法、
（４）接着剤層に用いる接着剤が、表面清浄化機能を有するものである第（１）項ないし第（３）項のいずれかに記載の電子部品の製造方法、
（５）接着剤層に用いる接着剤が、半田接合する際に５０Ｐａ・ｓ以下の粘度を有する第（１）項ないし第（４）項のいずれかに記載の電子部品の製造方法、
（６）接着剤層が自立性の接着剤フィルムからなる第（１）項ないし第（５）項のいずれかに記載の電子部品の製造方法、
を提供するものである。
【０００６】
【発明の実施形態】
本発明は、先端表面に半田層または半田バンプが形成された電気的接続用導体部Ｉを有する電子部材（Ａ）と、前記電気的接続用導体部Ｉに対応して配設された電気的接続用導体部ＩＩを有する被接続電子部材（Ｂ）とを、接着剤層を介して熱圧着することにより、半田接合する電子部品の製造方法において、前記熱圧着前に、前記接着剤層に含まれる分子量２００以下の成分の量を、３．０ｗｔ％以下、好ましくは２．０％以下、更に好ましくは１．０％以下とすることで、熱圧着における加熱工程中に、前記接着剤層から発生する微小ボイドを低減し、微小ボイドに起因する層間接合部の接続不良や、クラックの発生等を抑制し、高い層間接続信頼性を有する電子部品を提供することができる電子部品の製造方法である。前記分子量２００以下の成分としては、接着剤のモノマー成分、接着剤に含まれる不純物等の他の成分、溶剤、水分等が挙げられる。
【０００７】
本発明において、接着剤層における分子量２００以下の成分は、次のようにして測定される。所定の大きさの接着剤層を用意して、加熱する前に秤量（Ｍ１）し、次いで、熱風循環恒温槽中で、２５０℃、３分間加熱後、デシケータ中で室温まで冷却し、秤量（Ｍ２）し、次式により揮発分量（ｗｔ％）を算出する。前記接着剤層について、電子部品製造工程におけるサンプルを使用できない場合は、予め、前記電子部品製造工程における熱圧着前に行う熱履歴と同様の条件で処理を行った後に、秤量（Ｍ１）を行う。
揮発分量（ｗｔ％）＝［（Ｍ１−Ｍ２）／Ｍ１］×１００
さらに、前記揮発分量の測定に用いたのと同様の接着剤層を、前記同様の加熱条件で、ガスクロマトグラフ質量分析装置を用いて、揮発分の各分子量における強度を測定し、それぞれの分子量の強度比と、前記揮発分量とから算出して、分子量２００以下の成分の含有量（ｗｔ％）を得ることができる。
【０００８】
本発明における多層配線板の製造方法としては、まず、金属層１０１と絶縁層１０２からなる２層構造体を用意し、前記絶縁層１０２の導体ポスト形成位置に絶縁層を貫通して、ビア１０３を形成する（第１図（ａ））。
前記２層構造体は、金属層１０１上に絶縁樹脂ワニスを、印刷、カーテンコートまたはバーコート等の方法により、直接塗布して、絶縁層を形成することにより得ることができる。さらには、市販の樹脂付銅箔（例えば、ポリイミド付銅箔）のような２層構造体を用意しても良い。また、２層構造体は、ガラスエポキシ両面銅張積層板の一方の銅箔を、全面エッチングして得ることもできる。
【０００９】
前記ビア１０３の形成方法としては、レーザーやプラズマ等によるドライエッチングおよびケミカルエッチング等の方法が挙げられる。前記レーザーとしては、炭酸ガスレーザー、紫外線レーザーおよびエキシマレーザー等を使用することができる。ガラスエポキシ積層板のように、ガラスクロスからなる補強繊維を含む場合には、絶縁層とガラスクロスを貫通してビア１０３を形成することができる炭酸ガスレーザーを使用することが好ましい。ポリイミド樹脂等の絶縁層のみからなる場合には、より微細なビア１０３を形成できる紫外線レーザーを使用することが好ましい。また、絶縁層１０２を感光性樹脂とした場合には、絶縁層１０２を選択的に感光し、現像することでビア１０３を形成することもできる。
【００１０】
次に、金属層１０１を電解めっき用リード（給電用電極）として、電解めっきにより、電気的接続用導体部Ｉとなる導体ポスト１０４をビア１０３内に形成し、続いて、導体ポスト１０４の先端表面に、絶縁層１０２を突出して半田層１０５を形成する（第１図（ｂ））。
前記導体ポストの形成方法としては、電解めっきにより導体ポスト１０４を形成すれば、導体ポスト１０４の先端の形状を自由に制御することができ、導体ポストの高さは、絶縁層１０２の表層面と同じか、または、表層面より突出していることが望ましい。表層面より導体ポストを突出させることで、導体ポスト先端に形成された半田が溶融し、補強構造を形成した半田接合が得られる。前記導体ポスト１０４の材質としては、例えば、銅、ニッケル、金、錫、銀、パラジウム等が挙げられる。これらの内、銅を用いることで、低抵抗で安定した導体ポスト１０４が得られる。
前記半田層１０５の形成方法としては、無電解めっきにより形成する方法、金属層１０１を電解めっき用リード（給電用電極）として電解めっきにより形成する方法、半田を含有するペーストを印刷する方法などの方法が挙げられる。印刷による方法では、印刷用マスクを導体ポスト１０４に対して精度良く位置合せする必要があるが、無電解めっきや電解めっきによる方法では、導体ポスト１０４の先端表面以外に半田層１０５が形成されることがないため、導体ポスト１０４の微細化・高密度化にも対応しやすい。特に、電解めっきによる方法では、無電解めっきによる方法よりも、めっき可能な金属が多様多種であり、また、薬液の管理も容易であるため、非常に好適である。また、形成される半田層の厚みとしては、加熱して半田を溶融する際に、凸形状、より好ましくはドーム形状、雫状の形状を形成するのに必要な量となる厚みで形成されていれば良い。半田層１０５の材質としては、ＳｎやＩｎ、もしくはＳｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｐｄ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ａｕの少なくとも二種からなる半田を使用することが好ましい。より好ましくは、環境に優しいＰｂフリー半田である。
【００１１】
次に、金属層１０１を選択的にエッチングすることにより、導体回路１０６を形成して、電子部材（Ａ）である接続層１１０を得る（第１図（ｃ））。
【００１２】
次に、絶縁層１０２の表面に接着剤層１０８を形成する（第１図（ｄ））。
前記接着剤層１０８の形成方法としては、接着剤に使用する樹脂に応じて適した方法で良く、樹脂ワニスを印刷、カーテンコートまたはバーコート等の方法で、直接塗布したり、自立性の接着剤フィルムを、予め、作製し、真空ラミネートまたは真空プレス等の方法で積層したりする方法が挙げられる。この時、自立性の接着剤フィルムの形成方法としては、例えば、接着剤樹脂ワニスを、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる基材上に塗布し乾燥してフィルムを得る方法が挙げられるが、その方法は何ら制限するところではない。
前記接着剤層１０８に用いる接着剤としては、電気的接続用導体部を形成する金属、即ち半田の表面清浄化機能と、接続層と被接続層との接着機能の２機能を有することが、より好ましい。前者は半田接合を実現するために重要な機能であり、後者は接続層１１０と被接続層１２０とを接着するために重要な機能である。なお、第１図に示す例では、絶縁層１０２の表面に、接着剤層１０８を形成する例を示したが、少なくとも半田層が、接着剤層と接触していれば良い。半田が接着剤層と接触していることで、半田溶融時に、同様にして溶融状態の接着剤層中で、前記半田が溶融して、凸形状を形成することができる。また、接着剤層１０８形成時における接着剤層の厚みは、少なくとも半田溶融時の凸形状頂点部と、相対する層間接続用ランドとが、非接触を保てる厚みより厚く形成すると良い。
本発明において、前記接着剤層１０８は、熱圧着前に、熱圧着時の加熱温度により前記接着剤層より発生する、分子量２００以下の成分を、３．０ｗｔ％以下とする必要がある。接着剤層１０８中の分子量２００以下の成分を３．０ｗｔ％以下にする方法としては、例えば、自立性のあるフィルム状接着剤を、熱圧着する前に、熱風循環式乾燥機により、１５０℃で１０分間の加熱を行うことによって達成することができるが、３．０ｗｔ％以下を達成できる方法であれば、その方法は何ら制限するところではない。また、３．０ｗｔ％以下は加熱工程前に達成すればよいので、加熱工程前であれば、どの段階で達成されていてもよく、その段階は何ら制限するところではない。自立性の接着フィルムによれば、絶縁層１０２の上に積層する前に、乾燥機などで調整できるので、より好ましい。
【００１３】
ここで、被接続電子部材（Ｂ）となる被接続層１２０は、電気的接続用導体部ＩＩである層間接続用ランドを有するものであれば、どのような構造でも構わないが、図１では、接続される接続層１１０の導体ポスト１０４と接続するための層間接続用ランド１０７と、層間接続用ランド１０７を支える基材１０９から構成された例を示している。層間接続用ランド１０７は、図１に示すように、基材１０９と一方の面を接して基材１２３表面から突出していても良いし、一方の面を露出するように基材１０９に埋め込まれていても良い（図示無し）。前記層間接続用ランド１０７の材質としては、半田層１０５と金属接合可能な金属であればどのようなものでもよいが、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ等が挙げられ、特に銅を用いることで、低抵抗で安定した層間接続用ランド１０７が得られる。
【００１４】
次に、接続層１１０の半田層１０５と被接続層１２０の層間接続用ランド１０７が相対するように位置合わせする（第１図（ｅ））。
接続層と被接続層との位置合わせ方法としては、接続層１１０および被接続層１２０に、予め形成されている位置決めマークを、画像認識装置により読み取り、位置合わせする方法、位置合わせ用のピン等で位置合わせする方法等を用いることができる。
【００１５】
次に、接着剤層１０８を介して、接続層１１０と被接続層１２０とを、少なくとも半田層１０５が、好ましくはそれぞれが有する半田層１０５および層間接続用ランド１０７が、接着剤層１０８と接触するように貼り合わせる（第１図（ｆ））。
接続層の半田層および被接続層の層間接続用ランドと接着剤層とを接触させる方法としては、例えば、真空プレスまたは加圧式真空ラミネーターを用いて、加熱・加圧することにより、接着剤層１０８を軟化させる方法が挙げられる。上記工程においては、少なくとも半田層と層間接続用ランドが空気に接触せず又は接着剤層と接触していると良く、また、半田層１０５と層間接続用ランド１０７とは非接触を保たれていると良い。
【００１６】
次いで、接続層１１０と被接続層１２０とを、半田層１０５を形成する半田の融点以上の温度に加熱し、半田を溶融させた後、加圧して圧着する（第１図（ｇ）、（ｈ））。
接続層と被接続との加熱、加圧工程においては、例えば、真空プレスを用いて、半田層１０５が、その半田の融点温度以上にまで加熱されたとき、接着剤層１０８に、好ましくは表面清浄化機能を有する接着剤を用いることにより、半田層１０５の表面の酸化膜が還元されて溶融し、接着剤層１０８内で、溶融した半田の表面張力により、半田層１０５が凸形状を形成して、加圧により半田接合ができる。接着剤層１０８は、半田の融点以上の温度での加熱に伴って粘度が低下していくが、軟化した接着剤層中で半田層を溶融することで、より凸形状を形成させると共に半田接合を容易にする。この時の粘度は、５０Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。５０Ｐａ・ｓより高いと、半田接合における接着剤層中での半田層１０５の凸形状の形成、接着剤層と層間接続用ランド１０７との接触、および、溶融した半田の層間接続用ランドへの濡れ拡がりを阻害して、十分な半田接合が行われない恐れがある。
【００１７】
次いで、更に加熱して接着剤層１０８を硬化させて、接続層１１０と被接続層１２０とを接着することができる。
【００１８】
以上の工程により、電気的接続用導体部Ｉである層間接続用ランド１０７と電気的接続用導体部ＩＩである導体ポスト１０４とを、半田層１０５にて半田接合し、電子部材（Ａ）と被接続電子部材（Ｂ）との各層間を、微小ボイドを発生することなく接合した電子部品である多層配線板１３０を得ることができる。なお、第１図では、被接続層１２０に対して接続層１１０を１層のみ積層した例を示したが、第１図で得られた多層配線板１３０の上に、さらにもう１層または２層以上積層して、より層数の多い多層配線板を得ることもできる。
【００１９】
本発明に用いる金属表面清浄化機能を有する好ましい接着剤としては、例えば、少なくとも１つ以上のフェノール性水酸基を有する樹脂と、その硬化剤からなる樹脂組成物が挙げられる。
【００２０】
本発明において好ましい接着剤に用いる少なくとも１つ以上のフェノール性水酸基を有する樹脂としては、フェノールノボラック樹脂、アルキルフェノールノボラック樹脂、レゾール樹脂、および、ポリビニルフェノール樹脂から選ばれるのが好ましく、これらの１種以上を用いることができる。また、フェノールフタリン、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸なども好ましい。
【００２１】
本発明において好ましい接着剤に用いるフェノール性水酸基を有する樹脂の、硬化剤としては、エポキシ樹脂やイソシアネート樹脂等が用いられる。具体的にはいずれも、ビスフェノール系、フェノールノボラック系、アルキルフェノールノボラック系、ビフェノール系、ナフトール系やレソルシノール系等のフェノールベースのものや、脂肪族、環状脂肪族や不飽和脂肪族等の骨格をベースとして変性されたエポキシ化合物やイソシアネート化合物が挙げられる。
【００２２】
前記フェノール性水酸基を有する樹脂は、接着剤中に、５重量％以上８０重量％以下で含まれることが好ましい。５重量％未満であると、金属表面を清浄化する作用が低下し、半田接合できなくなる恐れがある。また、８０重量％より多いと、十分な硬化物が得られず、接合強度と信頼性が低下する恐れがある。前記フェノール性水酸基を有する樹脂の硬化剤の配合量は、例えば、エポキシ基当量またはイソシアネート基当量が、少なくともフェノール性水酸基を有する樹脂のヒドロキシル基当量に対し０．５倍以上、１．５倍以下が好ましいが、良好な金属接合性と硬化物物性が得られる場合は、この限りではない。また、接着剤には、上記成分の他に、無機充填材、硬化触媒、着色料、消泡剤、難燃剤、カップリング剤等の各種添加剤や、溶剤を添加しても良い。
【００２３】
【実施例】
以下、実施例により更に具体的に説明するが、本発明はこれによって何ら制限されるものではない。
（１）接着剤ワニスの調合
クレゾールノボラック樹脂［住友ベークライト（株）製、ＰＲ−ＨＦ−３、ＯＨ基当量１０６］１０６ｇと、フェノールフタリン［東京化成製］１０５ｇと、ジアリルビスフェノールＡ型エポキシ樹脂［日本化薬（株）製、ＲＥ−８１０ＮＭ、エポキシ当量２２５］４５０ｇとをメチルエチルケトン１６５ｇに溶解し、接着剤ワニスを作製した。
（２）ボイド観察用構造体の作製
銅箔（厚み２５μｍ）に、バーコートにより、上記で得られた接着剤ワニスを塗布後、８０℃で２０分間乾燥し、２５μ厚の接着剤層を形成し、ボイド観察用構造体を作製した。
（３）揮発成分の測定とボイド観察
上記で得られた接着剤層を、３０ｍｍ×３０ｍｍの大きさに切り出し、熱風循環恒温槽中で、乾燥温度１００℃、１２０℃および１５０℃で１０分間加熱したサンプルを、それぞれ用意した。加熱後のサンプルの重量を測定し、これをＭ１とし、さらに熱風循環恒温槽中で２５０℃で３分間加熱し、これをＭ２とし、式［（Ｍ１−Ｍ２）／Ｍ１］×１００＝揮発分量（ｗｔ％）により、それぞれの熱処理後の揮発分量を算出した。また、同様にして得た３０ｍｍ×３０ｍｍのサンプルを、１００℃、１２０℃および１５０℃で１０分間加熱し、これらをガスクロマトグラフ質量分析装置（ＧＣＭＳ（熱分解装置；フロンティア・ラボ  ＰＹ−２０２０Ｄ型  縦型加熱炉型熱分解装置、ＧＣ；ヒューレットパッカード  ＨＰ−６８９０型ガスクロマトグラフ、ＭＳ；ヒューレットパッカード  ＨＰ−５９７３型質量検出器））を用いて、２５０℃で３分間加熱した際に発生した揮発成分の分子量およびイオン強度を測定し、各分子量におけるイオン強度比により、分子量２００以下の成分の揮発分量を算出した。
ボイド観察は、上記で得たボイド観察用構造体を、熱風循環恒温槽により、１００℃、１２０℃および１５０℃の、それぞれの条件で乾燥し、接着剤層上に、ガラスプレートを貼り合わせた後、２５０℃の熱盤上に載せ、３分間ガラスプレートの上から観察して、ボイド発生の有無を確認した（図２）。結果を下記の表に示す。
【００２４】
【表１】
2004356463.tif 000003
【００２５】
（４）多層配線板の製造
銅箔（金属箔１０１、厚み１８μｍ）と、ポリイミド樹脂絶縁膜（絶縁膜１０２、厚み２５μｍ）とからなるフレキシブルプリント配線用基板（住友ベークライト（株）製、Ａ１フレキ）のポリイミド樹脂絶縁膜に、ＵＶ−ＹＡＧレーザーを用いて、トップ径が４５μｍ、ボトム径が２５μｍのビア（ビア１０３）を３００個形成した。ビア内部およびビア周辺部を過マンガン酸樹脂エッチング液にて清浄化した後、裏面の銅箔を電解めっき用リード（給電用電極）として、電解銅めっきを行って、ビアを銅で充填し、銅ポスト（導体ポスト１０４）を形成した。ここで、銅ポストの直径が４５μｍとなるよう、電解銅めっきの時間を調整した。次に、銅ポストの表面に、Ｓｎ−Ｐｂ共晶半田層（半田層１０５）を電解めっきにより、４μｍの厚みで形成した。なお、半田層の先端表面の絶縁膜表面から突出している高さは、１０μｍであった。次に、銅箔を選択的にエッチングして、配線パターン（配線パターン１０６）を形成した。以上の工程により、接続層（接続層１１０）を得ることができた。
次に、上記で得られた接続層に対して、バーコートにより、上記で得た接着剤ワニスを、絶縁膜の表面、すなわちＳｎ−Ｐｂ共晶半田層が形成された面に塗布後、８０℃で２０分間乾燥し、３０μｍ厚の接着剤層（接着剤層１０８）を形成した。続いて、得られた接続層を、熱風循環乾燥機中で、１００℃、１２０℃、および１５０℃で１０分間乾燥した接続層を、それぞれ準備した。
一方、厚み１２μｍ銅箔が両面に形成されたＦＲ−５相当のガラスエポキシ両面銅張積層板（住友ベークライト製、ＥＬＣ）を用い、銅箔表面に配線パターン（図示せず）および層間接続用ランドを、選択的に金メッキし、さらに金メッキをエッチングレジストとして、銅箔をエッチングして、配線パターンと層間接続用ランドを形成し、被接続層を得た。層間接続用ランドは、位置合わせ許容誤差を考慮して、３００μｍ径とした。
次に、上記で得られたそれぞれの接続層と被接続層に、予め形成されている位置決めマークを、画像認識装置により読み取り、両者を位置合わせし、１００℃の温度で仮圧着して、接続層表面と、相対する被接続層の表面とを接触させた。
仮圧着したサンプルを、本圧着する際に、半田の融点（１８３℃）以上に加熱、加圧工程を経て電子部品を得た。
（５）多層配線板のボイド観察
得られた多層配線板の層間接続部で引き剥がし、ボイド発生の有無を観察したところ、ボイド観察観察用構造体で得られた結果と同様の結果となった。
【００２６】
【発明の効果】
本発明によれば、接着剤層から発生するボイドを抑えることができ、確実に層間接続された多層配線板を提供できるため、電子部品の高密度集積化や、高密度実装化を可能とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による多層配線板の例を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例におけるボイドの観察方法を示す断面図である。
【符号の説明】
１０１      金属層
１０２      絶縁層
１０３      ビア
１０４      導体ポスト
１０５      半田層又は半田バンプ
１０６      導体回路
１０７      層間接続用ランド
１０８      接着剤層
１１０      接続層
１２０      被接続層
１３０      多層配線板
【図１】
2004356463.tif 000004
【図２】
2004356463.tif 000005