(57)【要約】【課題】ハーメチック容器内の回路要素に損害を及ぼすことなくハーメチック容器内の汚染物質を隔離し、ハーメチック容器内の酸化に起因する腐食を防止し、封入部品の寿命を延ばすための装置と方法を提供すること。【解決手段】汚染物質を隔離する方法である。本発明の一実施形態は、ハーメチック容器(110)内に配置された発熱反応構造体(220)を含む、汚染物質(430)を隔離するための装置を開示する。吸収剤(210)は、発熱反応構造体(220)の表面(230)を被覆している。吸収剤(210)は、発熱反応構造体(220)内の発熱合金化反応による熱にさらされた際に、ハーメチック容器(110)の雰囲気内に含まれる汚染物質(430)と反応する。従って、汚染物質(430)はハーメチック容器(110)内で隔離されるようになる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
汚染物質を除去するための装置であって、
　ハーメチック容器（１１０）内に配置されるように適合された発熱反応構造体（１２０）と、及び
　前記発熱反応構造体（１２０）の表面（２３０）に配置された吸収剤（２１０）とを含み、前記吸収剤（２１０）が、前記発熱反応構造体（２２０）における発熱合金化反応による熱にさらされた際に前記ハーメチック容器（１１０）の雰囲気内に含まれる汚染物質（例えば、４３０）を隔離する、装置。
【請求項２】
　前記吸収剤（２１０）が、前記汚染物質（例えば、４３０）と非触媒反応して前記汚染物質（例えば、４３０）を隔離するためのゲッター材料である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
　前記ゲッター材料が、
　バリウムと、
　トリウムと、及び
　ジルコニウムからなるグループから選択される、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
　前記吸収剤（２１０）が、前記汚染物質（例えば４３０）を隔離するための触媒剤である、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
　前記吸収剤（２１０）が、
　白金と、及び
　ジルコニウムからなるグループから選択される、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
　前記発熱合金化反応を起こさせるための外部エネルギー源（１３０）をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
　前記外部エネルギー源（１３０）が、前記発熱反応構造体の局所的領域内で前記発熱合金化反応を起こさせるためのレーザである、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
　前記外部エネルギー源（１３０）が、前記ハーメチック容器（１１０）を熱的に加熱して前記発熱合金化反応を起こさせる、請求項６に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、ハーメチック（気密封止）容器内での汚染物質の除去の分野に関する。より具体的には、本発明は、発熱反応構造体を用いたハーメチック容器内で汚染物質を隔離することに関する。
【背景技術】
【０００２】
　容器の気密封止は、汚染物質の無い、又は低レベルの汚染物質の環境を維持するために必要とされることが多い。汚染物質の無い、又は低レベルの汚染物質の環境は、特定の装置の動作に対して必要となることがある。すなわち、ハーメチック容器又はパッケージ内の汚染は、様々な封入部品の早期故障に繋がる可能性がある。
【０００３】
　酸素、湿気、及び他の酸素放出種の存在に起因する腐食作用は、超小型電子回路要素に問題をもたらす可能性がある。超小型電子部品のパッケージに対するワイヤボンディングは、ワイヤボンドにアルミニウムの使用を必要とする場合がある。酸素の存在に起因するアルミニウムのワイヤパッドの酸化は、ワイヤパッドの腐食をまねく。例えば、湿気が存在する場合、露出したアルミニウムが完全に反応するか又は腐食されるまで、アルミニウムの酸化反応が進行する可能性がある。このような酸化は、最終的に超小型電子部品の故障に繋がる可能性がある。そういうものだから、ハーメチック容器内において、酸素、湿気、又は他の酸素放出種の存在を低減することが望ましい。
【０００４】
　さらに、潜在的な腐食作用が、他の損傷を及ぼす元素の存在に起因して発生する場合もある。例えば、能動デバイスの機能は、水素の存在により有害な影響を受ける可能性がある。ナトリウムが存在する水は、半導体のパシベーション層を貫いて拡散する水素原子を供給し、半導体部品の性能に影響を及ぼす可能性がある。部品の故障は、漏洩電流の増加、適切にエンハンス又はディプリート（deplete）する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の故障等に起因する。
【０００５】
　一つの解決策は、ハーメチック容器内に汚染物質（例えば、酸素、湿気、又は他の酸素放出種等）を除去し隔離するためのゲッター材料を設けることである。従来、このようなゲッター処理は、ゲッター反応を開始するのに必要な閾値温度を超えてハーメチック容器を全体的に昇温することにより行われていた。しかしながら、ハーメチック容器全体を昇温することは、ハーメチック容器内に収容された部品の回路要素に不必要にしかも有害な影響を及ぼす可能性がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
　このように、ハーメチック容器内の回路要素に損傷を与えることなく、ハーメチック容器内の汚染物質を隔離するための装置及び方法が必要とされている。上記の必要性を満たし、そしてハーメチック容器内の酸化に起因する腐食を防止する装置及び方法が、さらに必要とされている。上記の必要性を満たし、そして封入部品の寿命を延ばす装置及び方法が、別に必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
　汚染物質を除去するための装置及び方法を開示する。具体的には、本発明の実施形態は、ハーメチック容器内に配置されるように適合された発熱反応構造体を含む、汚染物質を隔離するための方法及び装置を開示する。吸収剤は、発熱反応からの熱にさらされた際に活性化される。吸収剤は、発熱反応構造体内で発熱合金化反応による熱にさらされた際に、ハーメチック容器の雰囲気内に含まれる汚染物質と触媒反応および非触媒反応をすることができる。そういうものだから、汚染物質は、ハーメチック容器内に隔離されることになる。
【０００８】
　本発明のこれらの、及び他の技術的な特徴は、様々な図面に例示した実施形態の以下の詳細な説明を読んだ後に、当業者には恐らく明らかとなろう。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、ハーメチック容器内の回路要素に損傷を与えることなく、ハーメチック容器内の汚染物質を隔離するための装置及び方法が提供される。また、ハーメチック容器内の酸化に起因する腐食を防止し、封入部品の寿命を延ばす装置及び方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
　添付図面は、本明細書に組み込まれ、その一部をなすものであるが、本発明の実施形態を例示し、その説明と共に本発明の原理を説明するのに役立つ。
【００１１】
　ここで、本発明、すなわち発熱反応構造体を用いてハーメチック容器内で汚染物質を隔離するための装置及び方法の実施形態を詳細に説明し、それらの例が添付図面に例示されている。本発明を実施形態と共に説明するが、本発明をこれらの実施形態に限定する意図のないことは言うまでもない。それどころか、本発明は、添付の特許請求の範囲によって規定されるような本発明の思想と範囲に含まれる代替案、修正案、及び等価物を網羅することが意図されている。さらに、本発明の以下の詳細な説明において、本発明の完全な理解をもたらすように多数の具体的な細部を記載している。しかしながら、本発明がこれらの具体的な細部を用いることなく実施され得ることは当業者には認識されよう。また、本発明の態様を不必要に不明瞭にすることがないように、よく知られた方法、手順、部品、及び回路は詳細に説明されていない。
【００１２】
　図１は、発熱反応構造体１２０の使用を通じて汚染物質を隔離することのできるシステム１００を例示する概略図である。より具体的には、システム１００はハーメチック容器１１０を含む。パッケージとも呼ばれるハーメチック容器１１０は、例えば、超小型電子部品を収容するために適した大きさとすることができる。一実施形態では、超小型電子部品は半導体基板に一体化されている。分かり易くするために、システム１００には超小型電子部品は図示されていない。ただし、ハーメチック容器が雰囲気内で超小型電子部品を保護し、封止していることは理解されよう。このような例を上述したが、本発明は、様々な大きさの電子部品を収容する容器や、超小型電子部品以外をパッケージングするのに適した他の装置と共に用いるのに好適である。
【００１３】
　ハーメチック容器１１０内には、発熱反応構造体１２０が収容されている。ハーメチック容器１１０には、時間が経つにつれて超小型電子部品の性能を早期に劣化させる汚染物質（例えば、微量の酸素または水蒸気、及び他の有害な元素や化合物）が含まれることがある。
【００１４】
　後述するように、発熱反応構造体は、活性化時に局所的加熱を生じ、ハーメチック容器内で汚染物質を隔離する第２の反応を起こさせる。発熱反応構造体は、幾つかの金属から構成される。これらの金属は、接触状態に置かれてエネルギー、例えば閾値量の熱で開始されたときに、極めて発熱的な合金化反応が可能である。
【００１５】
　エネルギー源１３０は、発熱反応構造体１２０の金属から生じる発熱反応を起こさせるために、ハーメチック容器１１０の外部で利用可能である。さらに後述するように少し列挙すると、外部エネルギー源１３０は、局所的加熱をもたらすためのレーザ、局所的加熱をもたらすための電流源、又はハーメチック容器１１０の大半すなわち全体的な加熱をもたらすためのオーブンとすることができる。
【００１６】
　図２は、本発明の一実施形態において、ハーメチック容器内で汚染物質を除去するのに使用される構造体２００の断面を示す図である。構造体２００は、ストリップ、パッド、ロール、又は構造体２００全体の発熱反応の開始及び伝搬を確実にし、かつハーメチック容器内に適合する任意の適切な形状と大きさの形態をとることができる。
【００１７】
　構造体２００には、ハーメチック容器（図示せず）内に配置される発熱反応材料２２０が含まれる。一実施形態では、発熱反応材料２２０は、金属の互い違いになった層からなる薄膜を含む。金属の薄膜又は層は、サブミクロンの厚さであり、先に形成された金属層上に堆積される。例えば、図２は、発熱反応材料２２０を形成するために、第２の層２２４と交互になった第１の層２２２を例示する。別の実施形態では、薄膜又は層は、化学元素である複数の反応性金属層の多層から構成される薄い箔構造からなる。
【００１８】
　第１の層２２２と第２の層２２４内に含まれる金属は、接触状態に置かれて、所定の閾値を越える量の熱、又は他の形態のエネルギーで開始されたときに、極めて発熱的である合金化反応が可能な金属を含む。一例として、第１の層２２２に配置される金属はニッケルであり、第２の層２２４内に配置される金属はアルミニウムである。他の良く知られた様々な組み合わせの金属を堆積して、発熱反応材料２２０を形成することもできる。
【００１９】
　発熱反応材料２２０は、層の数と種類を変更できる多層構造である。例えば、２つ又はそれより多い金属層を組み合わせて発熱反応材料２２０を形成することができる。さらに、２つ又はそれより多い種類の金属層を用いて発熱反応材料２２０を形成することができる。発熱反応材料２２０を形成するために、金属の様々な階層化の組み合わせが実施され得る。一例として、図２は、交互になった層構造を例示しており、多層構造２２０は、２つ又はそれより多い金属層（例えば、金属層２２２と金属層２２４）を互い違いにすることにより形成される。
【００２０】
　また、構造体２００は、発熱反応材料２２０の表面２３０に配置された吸収剤２１０も含む。別の実施形態では、吸収剤は、発熱反応構造体の非平面的な表面に被覆される。吸収剤は、ハーメチック容器の雰囲気中に含まれる汚染物質を隔離するのに使用される。吸収剤は、活性化時にハーメチック容器の雰囲気中で吸着作用又は吸収作用を通じてガスを化学的に吸収する。吸収剤を発熱反応材料２２０内の発熱合金化反応から生じた熱にさらすと、活性化が行われる。
【００２１】
　一実施形態では、吸収剤は、ゲッター材料である。ゲッター材料は、ハーメチック容器内のガス状混合物から望ましくない成分を分離するように、吸着、吸収、酸化／還元反応等の１つ又は複数の異なる反応を用いることができる。一実施形態において、ゲッターは、ハーメチック容器内の汚染物質を隔離すべく続いて活性化される非常に多孔質の機械的に安定した成分からなる。一実施形態において、ゲッター材料は、ハーメチック容器の封止後に雰囲気中に残存する汚染物質を捕らえて隔離することが意図されている。一実施形態において、ゲッター材料は、ハーメチック容器内に収容された電子部品の動作前に活性化される。
【００２２】
　別の実施形態において、ゲッター材料は、ハーメチック容器内の部品（例えば、超小型電子部品）の動作中に放出される、例えばより高い動作温度中に放出される、汚染物質を捕らえて隔離することが意図されている。従って、ゲッター材料は、ハーメチック容器内に収容された電子部品の動作後に活性化される。
【００２３】
　汚染物質は、ハーメチック容器内に配置された様々な部品の構造と動作に悪影響を及ぼす酸素、湿気、他の酸素放出化合物、及び水素などの他の元素を含む可能性がある。本発明の実施形態は、ガス状態又は蒸気状態である汚染物質を隔離することが可能である。
【００２４】
　一実施形態において、ゲッター材料は、汚染物質を隔離するために汚染物質と非触媒反応をする。本発明の目的上、非触媒反応は、汚染物質と化合物を形成する反応として定義される。例えば、ゲッター材料は、発熱反応材料２２０内の発熱合金化反応から生じた昇温により活性化された際に、酸素または他のガスと化合物を形成するための親和性を有するトリウム、バリウム、又はジルコニウムとすることができる。
【００２５】
　別の実施形態では、ゲッター材料の代わりに、吸収剤２１０は、ハーメチック容器内の雰囲気中に含まれる汚染物質（例えば、酸素や水素等）を隔離するための触媒剤である。本発明の目的上、触媒剤は、反応により結果として生じる別個の化学的生成物を必ずしも形成することなく、汚染物質の隔離をもたらすのに役立つ。例えば、吸収剤２１０は、ハーメチック容器内の汚染物質を隔離するために汚染物質をその表面へ吸着する。さらに、吸収剤２１０は、反応を通じて汚染物質ガスを無害のガス状化合物へ改質することができる。一実施形態では、触媒剤として機能する吸収剤は、白金やジルコニウムである。
【００２６】
　図３は、本発明の一実施形態において、ハーメチック容器内の前述したような汚染物質除去に使用される発熱反応構造体３００の断面を示す図である。発熱反応構造体３００は、ストリップ、パッド、又は構造体３００の全体にわたって発熱反応の開始と持続を保証し、かつハーメチック容器内に適合する任意の適切な形状と大きさの形態をとることができる。
【００２７】
　発熱反応構造体３００は、ハーメチック容器（図示せず）内に配置される。図２のように、構造体３００は、活性化時に局所的加熱を生じる発熱反応性金属層からなる。これらの金属は、接触状態に置かれて、例えば閾値量の熱などのエネルギーで開始されたときに極めて発熱的な合金化反応が可能である。
【００２８】
　発熱反応構造体３００は、一実施形態では、交互になった金属層の薄膜を含む。金属の薄膜又は層は、サブミクロンの厚さであり、先に形成された金属層上に堆積される。例えば、図３は、発熱反応構造体３００を形成するために第２の層３２０と互い違いになっている第１の層３１０を例示する。
【００２９】
　さらに、金属（例えば、層３１０）の薄膜又は層の１つは、吸収剤でもある金属を含む。層３１０内の吸収剤は、活性化時にハーメチック容器の雰囲気内に含まれる汚染物質を隔離する。層３１０内の吸収剤は、活性化時にハーメチック容器の雰囲気中で、吸着作用又は吸収作用を通じて汚染物質ガスを化学的に吸着する。吸収剤を発熱反応材料３００内の発熱合金化反応により生じた熱にさらしたときに、活性化が行われる。そういうものだから、層３１０内の吸収剤は、発熱合金化反応内の一つの反応物であり、ハーメチック容器の雰囲気中の汚染物質を隔離するための反応または処理も提供する。
【００３０】
　図２に関して説明したのと同様に、層３１０に配置された図３の吸収剤は、本発明の一実施形態ではゲッター材料である。ゲッター材料は汚染物質と非触媒反応をして、これらの汚染物質をハーメチック容器内で隔離する。前述のように、ゲッター材料は、発熱反応材料２２０内で発熱合金化反応により生じた昇温により活性化される際、酸素または他のガスと化合物を形成するための親和性を有するトリウム、バリウム、又はジルコニウムとすることができる。
【００３１】
　別の実施形態では、層３１０内の吸収剤は、ハーメチック容器の雰囲気内に含まれる汚染物質（例えば、酸素、水素等）を隔離するための触媒剤である。そういうものだから、層３１０内の吸収剤は、その表面へ汚染物質を吸着し、ハーメチック容器内で汚染物質を隔離する。さらに、層３１０内の吸収剤は、反応を通じて汚染物質ガスを無害のガス状化合物へ改質することができる。前述のように、触媒剤として機能する吸収剤は、白金又はジルコニウムである。
【００３２】
　図４は、本発明の一実施形態において、超小型電子部品４１０を内蔵するハーメチック容器４００の断面図である。ハーメチック容器４００は、ハーメチック容器４００の上部を形成する壁４４０を含む。壁４４５は、ハーメチック容器４００の底部を構成する。接着領域４５０は、壁４４０と４４５によって画定される容器４００の内部を真空にし、及び／又は不活性ガスを充満させた後に封止される。ハーメチック容器４００は、発熱合金化反応を起こさせるのに必要な閾値温度よりも低い温度で動作する任意の方法により封止され得る。
【００３３】
　図４に示されるように、たとえハーメチック容器４００を気密封止した後でも、汚染物質４３０が存在することがある。これらの汚染物質４３０は、酸素、湿気、他の酸素放出種、又は超小型電子部品４１０の性能を早期に劣化させる他の有害元素である可能性がある。
【００３４】
　隔離材料を含む様々な大きさの構造体が、汚染物質４３０の隔離を行うためにハーメチック容器４００内に配置される。本発明の実施形態は、ストリップやパッドの形態の構造体を説明したが、それらはハーメチック容器４００内に適合する様々な形状と大きさとにすることができる。構造体のこれらのストリップやパッドは、図２と図３に示される構造とすることができる。
【００３５】
　図４に示されるように、様々な形状と大きさをとり得る多数のストリップやパッドを、ハーメチック容器４００内に配置することができる。例えば、パッド４５２は壁４４０に配置されるが、パッド４５６と４５４は壁４４５に配置される。一実施形態では、隔離材料を含むストリップやパッドの各々は、異なる時間に互いに独立して活性化される。そういうものだから、１つ又は複数のパッド４５２、４５４、及び４５６は、ハーメチック容器を昇温した温度（例えば、動作温度）にさらした後に、活性化され得る。このように、昇温した温度でのみ放出される有害な汚染物質を隔離することができる。
【００３６】
　外部エネルギー源（例えば、エネルギー源１３０）は、ストリップやパッド４５２、４５４、４５６のそれぞれにおいて極めて発熱的である合金化反応を起こさせるための閾値量の熱又はエネルギーを提供する。一実施形態において、エネルギー源は、一例においてレーザとその集束エネルギーからなるビームの使用を通じて局所的加熱の形態で提供され得る。レーザビームは、任意の光学窓４２０を介してパッド４５２、４５４、及び４５６上に集束され得る。別の実施形態では、エネルギー源は、ハーメチック容器４００全体のバルク加熱の形態で提供される。
【００３７】
　図５は、本発明の一実施形態において、発熱反応構造体を含む抵抗素子５２０の断面図である。発熱反応構造体は、一旦開始すると吸収剤との反応を活性化し、壁５４０により部分的に画定されたハーメチック容器内で汚染物質を隔離する。
【００３８】
　抵抗素子５２０は、図２と図３に見られるような発熱反応構造体と吸収剤を含み、それらは、抵抗素子５２０にパターン化されている。抵抗素子５２０は、壁５４０により部分的に画定されるハーメチック容器の外側の電気接点５１０と共に製作される。電気接点からの導電性リード５３０が、抵抗素子５２０に結合される。外部エネルギー源（例えば、エネルギー源１３０）からの小電流が、抵抗素子５２０を通って流れる。外部エネルギー源は、電気接点５１０に結合される。電流が抵抗素子５２０を加熱させ、結果として、発熱合金化反応が起き、それによって熱が放出される。そして次に、熱によって抵抗素子５２０上にパターン形成された吸収剤が活性化され、後続の触媒反応または非触媒反応において望ましくないガスが隔離される。
【００３９】
　別の実施形態では、図２と図３に見られるような発熱反応構造体と吸収剤が、図５に見られる抵抗素子５２０の上面に配置される。やはり、外部エネルギー源からの電流が抵抗素子を通って流れ、抵抗素子が加熱される。提供される熱により、発熱反応構造体内の材料間で発熱合金化反応が起きる。発熱合金化反応で、さらなる熱が放出され、それによって抵抗素子５２０上に配置された吸収剤を活性化する。
【００４０】
　図６は、本発明の一実施形態による、ハーメチック容器内で汚染物質を除去するための方法のステップを例示するフローチャートである。ステップ６１０では、本実施形態は、図２と図３に例示された発熱反応構造体を準備する。発熱反応構造体は、活性化時に発熱反応構造体の金属層間の発熱合金化反応による熱を発生する。
【００４１】
　発熱反応構造体は、一実施形態では、ハーメチック容器内に内蔵される。ハーメチック容器は、少なくとも一つの超小型電子部品を収容するのに適した大きさになっている。発熱反応構造体は、ハーメチック容器内に配置される。
【００４２】
　ステップ６２０では、本実施形態は吸収剤を準備する。一実施形態において、吸収剤は発熱反応構造体上に配置される。別の実施形態では、吸収剤は、発熱反応構造体内に配置され、発熱反応における反応物のうちの一つとなる。前述のように、吸収剤は、活性化時に吸着作用又は吸収作用を通じて汚染物質ガスを化学的に吸収する。吸収剤を熱にさらしたときに、活性化が生じる。
【００４３】
　ステップ６３０において、本実施形態は、ハーメチック容器内に収容された発熱反応構造体による発熱反応を活性化する。発熱反応構造体は、活性化時に発熱反応構造体内の金属層間の結果として起こる発熱合金化反応による局所的加熱を生じる。
【００４４】
　ステップ６４０において、本実施形態は、吸収剤との反応を通じてハーメチック容器の雰囲気内に含まれる汚染物質を隔離する。その反応は、前述したように、発熱反応により開始される。吸収剤は、一実施形態において発熱反応構造体の表面に配置されるか、又は別の実施形態において発熱反応構造体内に配置され得る。
【００４５】
　前述したように、吸収剤は、一実施形態において汚染物質を隔離するために汚染物質と非触媒反応をするゲッター材料である。さらに、吸収剤は、別の実施形態において汚染物質を隔離するための触媒剤とすることができる。
【００４６】
　さらなる別の実施形態において、ハーメチック容器は、汚染物質を放出するのに十分な温度まで昇温される。その温度は、ハーメチック容器内に封止された超小型電子部品を動作させることにより生成されるような、ハーメチック容器が受ける動作温度と関連付けられ得る。ハーメチック容器は、発熱反応を開始することのない温度まで昇温させられ、発熱反応を開始する前に実施される。このように、昇温された温度で放出された汚染物質は、吸収剤を活性化する１つ又は複数の発熱反応を起こさせることによって、後に隔離され得る。
【００４７】
　このように、本発明の実施形態、すなわち発熱反応構造体を用いてハーメチック容器内で汚染物質を隔離するための装置及び方法が、説明された。本発明を特定の実施形態において説明してきたが、本発明は、係る実施形態によって限定されるものとして解釈されるべきではなく、むしろ特許請求の範囲に従って解釈されるべきであるということは理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の一実施形態による、ハーメチック容器内で汚染物質を隔離するための吸収剤を含むハーメチック容器内の超小型電子回路を例示するブロック図である。
【図２】本発明の一実施形態による、汚染物質を隔離するための発熱反応構造体及び分離型吸収剤の断面を例示する図である。
【図３】本発明の一実施形態による、汚染物質を隔離するための吸収剤を含む発熱反応構造体の断面を例示する図である。
【図４】本発明の一実施形態による、ハーメチック容器内で汚染物質を隔離するための吸収剤で反応を起こさせるための発熱反応構造体を含むハーメチック容器の断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による、ハーメチック容器内で汚染物質を隔離するための吸収剤で反応を起こさせるための発熱反応構造体を含む抵抗素子の断面図である。
【図６】本発明の一実施形態による、ハーメチック容器内で汚染物質を隔離する方法のステップを例示するフロー図である。
【符号の説明】
【００４９】
100　システム
110、400　ハーメチック容器
120、300　発熱反応構造体
130　外部エネルギー源
200　構造体
210　吸収剤
220　発熱反応材料
230　表面
410　超小型電子部品
430　汚染物質
【図１】
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【図２】
2004096111.tif 000004
【図３】
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【図４】
2004096111.tif 000006
【図５】
2004096111.tif 000007
【図６】
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