【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年6月6日(2014.6.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、前記陽極に向かい合う陰極及び前記陽極と陰極の間に配置された発光構造とを備える有機エレクトロルミネセンスデバイスにおいて、前記陽極と発光構造の間に配置され、また前記陽極に付着し、前記陽極からの正孔注入を抑制する絶縁層を更に備えており、前記絶縁層の材質はオキシ酸リチウム化合物又は窒化リチウムであり、厚さが０．５乃至５ナノメートルであることを特徴とする有機エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項２】
前記絶縁層の厚さが０．５乃至２ナノメートルであることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項３】
前記絶縁層の厚さが０．７乃至１ナノメートルであることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項４】
前記オキシ酸リチウム化合物は、炭酸リチウム、シュウ酸リチウム、硝酸リチウム、硫酸リチウム、硫化リチウム、亜硝酸リチウム、チタン酸リチウム及びリン酸鉄(ＩＩ)リチウム又はリン酸鉄リチウムから選ばれることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項５】
前記発光構造は、発光層と、前記発光層と前記絶縁層の間に配置された正孔注入層及び／又は正孔伝達層とを備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項６】
前記発光構造は、前記発光層と陰極の間に配置された電子注入層及び／又は電子伝達層とを備えることを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項７】
導電ベースにホトエッチング処理を行い、洗浄して清浄になった後、前記導電ベースに対して酸素プラズマ処理又はＵＶ−オゾン処理を行って陽極を作製し、前記酸素プラズマ処理時間は５乃至１５分であり、パワーは１０−５０Ｗであり、前記ＵＶ−オゾン処理時間は５−２０分であり、
前記陽極にオキシ酸リチウム化合物又は窒化リチウムから成る絶縁層を作製し、前記オキシ酸リチウム化合物又は窒化リチウムから成る絶縁層の厚さは０．５−５ナノメートルであり、
前記陽極に発光構造を作製し、
前記発光構造に陰極を作製し、有機エレクトロルミネセンスデバイスを得ることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイスの製造方法。
【請求項８】
前記オキシ酸リチウム化合物又は窒化リチウムから成る絶縁層を作製する工程において、前記絶縁層形成スピードは０．０１乃至０．０５ナノメートル／秒であることを特徴とする請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記陽極の材質はインジウムスズ酸化物ガラス、フッ素入り酸化スズガラス、アルミニウム入り酸化亜鉛ガラス又はインジウム入り酸化亜鉛ガラスであることを特徴とする請求項７又は８に記載の製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
陽極と、前記陽極に向かい合う陰極及び前記陽極と陰極の間に配置された発光構造とを備える有機エレクトロルミネセンスデバイスにおいて、前記陽極と発光構造の間に配置され、また前記陽極に付着し、前記陽極からの正孔注入を抑制する絶縁層を更に備えており、前記絶縁層の材質はオキシ酸リチウム化合物又は窒化リチウムであり、厚さが０．５乃至５ナノメートルであることを特徴とする有機エレクトロルミネセンスデバイス。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
前記陽極にオキシ酸リチウム化合物又は窒化リチウムから成る絶縁層を作製し、前記オキシ酸リチウム化合物又は窒化リチウムから成る絶縁層の厚さは０．５−５ナノメートルである。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
本発明の有機エレクトロルミネセンスデバイスは、陽極に絶縁層を作製することによって、正孔を陽極から発光構造に注入するスピードを抑え、陽極から発光構造に注入された正孔の数量を減らし、発光構造における正孔と電子の数量の一致性を向上させ、正孔と電子の再結合確率を大幅に高め、余計な正孔がデバイスの発光性能に与える影響を抑え、有機エレクトロルミネセンスデバイスの発光性能を大幅に向上させる。本発明の製造方法は、操作が簡単であり、コストが低く、工業化生産に適合する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
図１を参照する。図１は本発明の実施例の有機エレクトロルミネセンスデバイスの構造を示す。当該有機エレクトロルミネセンスデバイスは、陽極１と、陽極１に向かい合う陰極２及び陽極１と陰極２の間に配置された発光構造３とを備えており、当該有機エレクトロルミネセンスデバイスは、陽極１と発光構造３の間に配置されまた陽極１に付着する絶縁層４を更に備えており、絶縁層４の材質はリチウム塩化合物であり、厚さは０．５乃至５ナノメートルである。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
本発明の実施例の有機エレクトロルミネセンスデバイスは、陽極にリチウム塩化合物の絶縁層が附着され、当該絶縁層は、陽極から発生された正孔を発光構造に注入することを阻み、正孔の転送スピードを抑え、発光構造における正孔と電子の数量の一致性を実現し、正孔と電子の再結合確率を大幅に高め、発光構造における電子と再結合しない正孔が有機エレクトロルミネセンスデバイスの発光効率に与える何かの影響を有効的に減らし、エレクトロルミネセンスデバイスの発光効率を大幅に向上させる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
具体的には、当該発光構造３が発光層３１と、当該発光層３１と絶縁層４の間の正孔伝達層３２及び／又は正孔注入層３３とを備えており、その中、正孔伝達層３２と正孔注入層３３が同時に存在すれば、当該正孔注入層３３が当該正孔伝達層３２と絶縁層４の間に配置される。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
図２と図３を参照する。図２は本発明の実施例の有機エレクトロルミネセンスデバイス構造の一種の実施方式を示す。陽極１と、当該陽極１に向かい合う陰極２、当該陽極１と陰極２の間の発光構造３及び当該陽極１と発光構造３の間に配置され、また当該陽極１に附着された絶縁層４を備えており、当該発光構造３は、発光層３１と、発光層３１と絶縁層４の間に配置された正孔伝達層３２及び当該発光層３１と陰極２の間に配置された電子伝達層３４とを備える。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
図３は、本発明の実施例の有機エレクトロルミネセンスデバイス構造のもう一種の実施方式を示す。陽極１と、当該陽極１に向かい合う陰極２、当該陽極１と陰極２の間の発光構造３及び当該陽極１と発光構造３の間に配置され、また、当該陽極１に附着された絶縁層４とを備える。当該発光構造３は、発光層３１と、発光層３１と絶縁層４の間に配置された正孔伝達層３２、当該正孔伝達層３２と絶縁層４の間に配置された正孔注入層３３、当該発光層３１と陰極２の間に配置された電子伝達層３４、当該電子伝達層３４と陰極の間の電子注入層３５とを備える。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
具体的には、当該陽極は導電ベース、即ち、導電ガラス、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ)ガラス、フッ素入り酸化スズ（ＦＴＯ)ガラス、アルミニウム入り酸化亜鉛（ＡＺＯ)ガラス又はインジウム入り酸化亜鉛（ＩＺＯ）ガラスである。当該絶縁層は、陽極に附着し、当該絶縁層の材質はリチウム塩化合物である。Ｌｉ＋は、陽極と発光構造の有機層の界面における有機層の一方の表面に吸着しやすい。有機層界面におけるＬｉ＋によって、バルク層双極子モーメントが形成するように分子が配向するので、真空エネルギーレベルの相殺現象が発生し、接触面の電極の仕事関数が下がり、正孔が陽極から発光構造に注入されるスピードが抑えられ、正孔の注入数量が抑えられる。正孔の注入数量が抑えられることによって、発光構造において正孔と電子とが再結合する確率が高められ、デバイスの発光性能が向上する。一方、リチウムイオンが発生したバルク相双極子モーメント、また、陽極の金属イオンが発光構造に蔓延することを抑制し、電極と発光構造の間に良好な界面特性をもたらす。これにより、デバイスの劣化を遅らせ、デバイスの安定性を向上させることができる。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
当該絶縁層の厚さは０．５−５ナノメートルであり、好ましくは０．７−２ナノメートルであり、更に好ましくは０．７−１ナノメートルである。当該絶縁層の厚さは０．５−５ナノメートルの範囲に限定されることによって、正孔の伝送を阻む作用が発生し、一方、全て正孔の伝送を阻むことができない。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
正孔注入層、正孔伝達層、発光層、電子伝達層、電子注入層及び陰極が、蒸着又はスパッタリング、メタライジング、化学蒸発堆積、電化学方式などの方法やその他の方法を採用して、必要に応じて作製され、有機エレクトロルミネセンスデバイスの構造が作製される。例えば、図２で表す有機エレクトロルミネセンスデバイスを作製する場合、まず、導電ガラス（陽極）に絶縁層を作製した後、絶縁層に正孔注入層を作製し、正孔注入層に正孔伝達層を作製し、正孔伝達層に発光層を作製し、発光層に電子伝達層を作製し、電子伝達層に電子注入層を作製し、最後に電子注入層に陰極を作製する。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
工程Ｓ０２において、絶縁層を作製する。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
陽極にリチウム塩化合物の絶縁層を作製する。リチウム塩化合物の絶縁層の厚さは０．５−５ナノメートルである。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
工程Ｓ０２には、蒸着又はスパッタリング、メタライジング、化学蒸発堆積、電化学方式等の方法やその他の方法を採用でき、好ましくは真空蒸着法である。リチウム塩化合物絶縁層の作製過程では、当該絶縁層の厚さの形成スピードは０．０１−０．０５ｎｍ／ｓである。その中、リチウム塩化合物は前述と同様であるので、ここで詳しく説明しない。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
本発明の実施例の有機エレクトロルミネセンスデバイスは、陽極に絶縁層を設置することで、正孔を陽極から発光構造に注入するスピードを抑え、発光構造における正孔と電子の数量の一致性を確保し、正孔と電子の再結合確率を大幅に高め、余計な正孔がデバイスの発光性能に与える影響を抑制する。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
陽極に厚さが１．０ナノメートルであるフッ化リチウム絶縁層を真空蒸着する。絶縁層の形成のスピードは０．０２ナノメートル／秒である。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
当該フッ化リチウム絶縁層に三酸化モリブデンの正孔注入層を蒸着形成する。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５７】
比較例
比較例の有機エレクトロルミネセンスデバイスでは、陽極に絶縁層がない以外、その他の構造は実施例１と同様である。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５８】
図４を参照する。図４は、本発明の実施例と比較例の有機エレクトロルミネセンスデバイスの輝度と電圧の関係を示す図である。その中、電圧が６Ｖである時、ＬｉＦの絶縁層を備えたデバイスの輝度は２７７３ｃｄ／ｃｍ２であり、絶縁層を備えない普通のデバイスの輝度は２２６３ｃｄ／ｃｍ２である。これは、ＬｉＦの絶縁層により、正孔の注入が部分的に抑えられ、正孔注入のスピードが緩められ、正孔−電子の再結合確率が著しく向上したので、デバイスの輝度が向上したことを示す。
【誤訳訂正２１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６０】
陽極に厚さが１．５ナノメートルであるＬｉＦ絶縁層を真空メタライジングする。絶縁層の形成スピードは０．０１ナノメートル／秒である。
【誤訳訂正２２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６１】
ＬｉＦ絶縁層に三酸化モリブデンの正孔注入層をメタライジング形成する。
【誤訳訂正２３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６６】
陽極に厚さが０．５ナノメートルである硝酸リチウム絶縁層を真空スパッタリングする。絶縁層の形成のスピードは０．０２ナノメートル／秒である。
【誤訳訂正２４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６７】
当該硝酸リチウム絶縁層にＮ、Ｎ’−(１−ナフチル）−Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ビフェニルジアミンの正孔伝達層をスパッタリング形成する。
【誤訳訂正２５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７４】
陽極に厚さが１０ナノメートルであるシユウ酸リチウム絶縁層を真空スパッタリングする。絶縁層の形成のスピードは０．０５ナノメートル／秒である。
【誤訳訂正２６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７５】
当該シュウ酸リチウム絶縁層に１，３，５−トリフェニルベンゼンの正孔伝達層をスパッタリング形成する。
【誤訳訂正２７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８１】
陽極に厚さが９ナノメートルであるチタン酸リチウム絶縁層を真空スパッタリングする。絶縁層の形成のスピードは０．０５ナノメートル／秒である。
【誤訳訂正２８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８２】
当該チタン酸リチウム絶縁層に三酸化タングステンの正孔注入層をスパッタリング形成する。
【誤訳訂正２９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９０】
陽極に厚さは７ナノメートルのチタン酸リチウム絶縁層を真空蒸着する。絶縁層の形成のスピードは０．０３５ナノメートル／秒である。
【誤訳訂正３０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９１】
当該チタン酸リチウム絶縁層に三酸化タングステンの正孔注入層を蒸着形成する。
【誤訳訂正３１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９９】
陽極に厚さは６ナノメートルのチタン酸リチウム絶縁層を真空蒸着する。絶縁層の形成のスピードは０．０３ナノメートル／秒である。
【誤訳訂正３２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１００
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１００】
当該チタン酸リチウム絶縁層に三酸化タングステンの正孔注入層を蒸着形成する。
【誤訳訂正３３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０７】
陽極に厚さが５ナノメートルであるチタン酸リチウム絶縁層を真空蒸着する。絶縁層形成のスピードは０．０２５ナノメートル／秒である。
【誤訳訂正３４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０８】
当該チタン酸リチウム絶縁層に三酸化タングステンの正孔注入層を蒸着形成する。
【誤訳訂正３５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１６】
陽極に厚さが４ナノメートルであるチタン酸リチウム絶縁層を真空蒸着する。絶縁層の形成のスピードは０．０２ナノメートル／秒である。
【誤訳訂正３６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１７】
当該チタン酸リチウム絶縁層に三酸化タングステンの正孔注入層を蒸着形成する。
【誤訳訂正３７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２５】
陽極に厚さが３ナノメートルであるチタン酸リチウム絶縁層を真空蒸着する。絶縁層の形成のスピードは０．０１５ナノメートル／秒である。
【誤訳訂正３８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２６】
当該チタン酸リチウム絶縁層に三酸化タングステンの正孔注入層を蒸着形成する。
【誤訳訂正３９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１３４】
陽極に厚さが０．７ナノメートルである炭酸リチウム絶縁層を真空蒸着する。絶縁層形成のスピードは０．０１５ナノメートル／秒である。
【誤訳訂正４０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１３５】
当該炭酸リチウム絶縁層に三酸化タングステンの正孔注入層を蒸着形成する。
【誤訳訂正４１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１４３】
１・・・陽極
２・・・陰極
３・・・発光構造
４・・・絶縁層
３１・・・発光層
３２・・・正孔伝達層
３３・・・正孔注入層
３４・・・電子伝達層
３５・・・電子注入層
【誤訳訂正４２】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図４】
2013544036.tif 000001
【誤訳訂正４３】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図５】
2013544036.tif 000002