【手続補正書】
【提出日】平成15年7月8日(2003.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明絶縁性基板と、制御電極および制御電極配線と、半導体層と、上記半導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極、第一の電極配線および第二の電極と、上記制御電極および制御電極配線と上記半導体層の間に形成された絶縁膜と、上記第二の電極と電気的に接続された画素電極を有する第一の基板、
上記第一の基板と共に液晶材料を挟持する第二の基板を備えた液晶表示装置の製造方法において、
上記制御電極および制御電極配線を形成後に、上記制御電極および制御電極配線を被覆する形状にマスク層を形成する工程と、
上記マスク層に被覆されていない上記制御電極および制御電極配線のパターン欠陥部をエッチングする工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
マスク層は、制御電極および制御電極配線を構成する材料に対するエッチング液に侵食されない材料により形成されることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
マスク層は、高融点金属膜、あるいは上記高融点金属膜と、上記高融点金属膜をパターニングするために形成されパターン欠陥部をエッチングした後に除去されるレジストパターンにより構成されることを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
マスク層は、Ａｌ膜より硬度の高い金属膜あるいは絶縁膜、または上記金属膜あるいは絶縁膜をパターニングするために形成されパターン欠陥部をエッチング除去されるレジストパターンにより構成されることを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
Ａｌ膜より硬度の高い金属膜あるいは絶縁膜をパターニングする前に、上記金属膜あるいは絶縁膜表面をブラシにより洗浄する工程を含むことを特徴とする請求項４記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
透明絶縁性基板と、制御電極および制御電極配線と、半導体層と、上記半導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極、第一の電極配線および第二の電極と、上記制御電極および制御電極配線と上記半導体層の間に形成された絶縁膜と、上記第二の電極と電気的に接続された透明導電膜からなる画素電極と、上記画素電極上を除去領域とする保護膜を有する第一の基板、
上記第一の基板と共に液晶材料を挟持する第二の基板を備えた液晶表示装置の製造方法において、
上記制御電極および制御電極配線を形成後に、上記制御電極および制御電極配線を被覆する形状にマスク層を形成する工程と、
上記マスク層に被覆されていない上記制御電極および制御電極配線のパターン欠陥部をエッチングする工程と、
上記マスク層を除去する工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
マスク層の形状は、制御電極あるいは制御電極配線によるパターン間の少なくとも一部分に開口部を有する形状であることを特徴とする請求項６記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
マスク層は、制御電極および制御電極配線を構成する材料と互いに選択的エッチングが可能な材料により形成されることを特徴とする請求項６または請求項７記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
マスク層は、レジストパターンにより構成されることを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
マスク層は、金属膜と、上記金属膜をパターニングするために形成されるレジストパターンにより構成されることを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
透明絶縁性基板と、制御電極および制御電極配線を形成後、この制御電極および制御電極配線を被服する形状にマスク層を形成し、上記マスク層に被服されていないパターン欠陥部をエッチングする工程を含んで形成された制御電極および制御電極配線と、半導体層と、上記半導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極、第一の電極配線および第二の電極と、上記制御電極および制御電極配線と上記半導体層の間に形成された絶縁膜と、上記第二の電極と電気的に接続された画素電極を有する第一の基板、
上記第一の基板と共に液晶材料を挟持する第二の基板を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】
透明絶縁性基板と、制御電極、制御電極配線および制御電極端子と、半導体層と、上記半導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極、第一の電極配線および第二の電極と、上記制御電極および制御電極配線と上記半導体層の間に形成された絶縁膜と、上記第二の電極と電気的に接続された画素電極を有する第一の基板、
上記第一の基板と共に液晶材料を挟持する第二の基板を備えた液晶表示装置の製造方法において、
上記制御電極あるいは制御電極配線における近接するパターン間の上記絶縁膜および上記保護膜の一部を除去する工程と、
上記保護膜および上記絶縁膜に被覆されていない上記制御電極および制御電極配線のパターン欠陥部をエッチングする工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
制御電極あるいは制御電極配線における近接するパターン間の絶縁膜を除去する工程は、制御電極端子上の上記絶縁膜を除去する工程と同時に行うことを特徴とする請求項１２記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
透明絶縁性基板と、表面が陽極酸化処理された制御電極および制御電極配線と、半導体層と、上記半導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極、第一の電極配線および第二の電極と、上記制御電極および制御電極配線と上記半導体層の間に形成された絶縁膜と、上記第二の電極と電気的に接続された画素電極を有する第一の基板、
上記第一の基板と共に液晶材料を挟持する第二の基板を備えた液晶表示装置の製造方法において、
上記制御電極および制御電極配線の表面の陽極酸化処理は、上記制御電極あるいは制御電極配線における近接するパターン間の一部にレジストを形成後行われると共に、
上記レジストが形成されていた部分上の上記絶縁膜および上記保護膜を除去する工程と、
上記保護膜および上記絶縁膜に被覆されていない上記制御電極および制御電極配線のパターン欠陥部をエッチングする工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１５】
制御電極および制御電極配線は、ＡｌあるいはＡｌ合金により形成されることを特徴とする請求項１〜１０及び１４のいずれか一項記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１６】
制御電極および制御電極配線は、Ｃｒ、Ｔｉ、ＴａおよびＭｏのいずれかーつ、あるいはこられの金属を含むＡｌ合金以外の合金によって形成されることを特徴とする請求項６〜９，１２及び１３のいずれか一項記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１７】
制御電極および制御電極配線のパターン欠陥部のエッチングは、ウェットエッチング法、あるいはドライエッチング法を用いることを特徴とする請求項１〜１０及び１２〜１６のいずれか一項記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１８】
透明絶縁性基板と、制御電極、制御電極配線および制御電極端子と、半導体層と、上記半導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極、第一の電極配線および第二の電極と、上記制御電極および制御電極配線と上記半導体層の間に形成された絶縁膜と、上記第二の電極と電気的に接続された透明導電膜からなる画素電極と、上記画素電極上を除去領域とする保護膜を有する第一の基板、
上記第一の基板と共に液晶材料を挟持する第二の基板を備え、
上記制御電極あるいは制御電極配線における近接するパターン間の上記絶縁膜および上記保護膜の一部を除去後、上記保護膜および上記絶縁膜に被服されていないパターン欠陥部をエッチングして上記制御電極あるいは制御電極配線の短絡を防止することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１９】
透明絶縁性基板と、制御電極および制御電極配線と、半導体層と、上記半導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極、第一の電極配線および第二の電極と、上記制御電極および制御電極配線と上記半導体層の間に形成された絶縁膜と、上記第二の電極と電気的に接続された画素電極を有する第一の基板、
上記第一の基板と共に液晶材料を挟持する第二の基板を備えた液晶表示装置の製造方法において、
上記制御電極および制御電極配線は、ＡｌまたはＡｌ合金、および硬度が高い金属を順次成膜して二層膜を形成する工程と、
上記二層膜の表面をブラシにより洗浄した後レジストを形成し、上記二層膜をエッチングする工程により形成されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２０】
二層膜を構成する硬度が高い金属膜は、Ａｌ合金膜と同じエッチング液あるいはエッチングガスによりエッチングできる金属により形成されることを特徴とする請求項１９記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２１】
二層膜を構成する硬度が高い金属膜は、Ａｌ合金膜よりエッチング速度が大きい金属により形成されることを特徴とする請求項２０記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２２】
二層膜のエッチング条件は、Ａｌ合金膜より硬度が高い金属膜の方が速くエッチングされる条件であることを特徴とする請求項２０記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２３】
二層膜のエッチング工程において、ドライエッチング法を用い、上記ドライエッチングのエッチングガスに酸素を含有させることを特徴とする請求項２０記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２４】
二層膜を構成する硬度が高い金属膜は、上記二層膜のエッチングおよびエッチングレジストの除去後に、除去されることを特徴とする請求項１９〜２３のいずれか一項記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２５】
二層膜を構成する硬度が高い金属膜は、高融点金属により形成され、上記高融点金属膜の除去は、Ａｌ合金膜の陽極酸化処理により行われることを特徴とする請求項２４記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２６】
透明絶縁性基板と、ＡｌまたはＡｌ合金および硬度が高い金属を順次成膜して二層膜を形成後、この二層膜の表面をブラシにより洗浄した後にレジストを形成して上記二層膜をエッチングすることにより形成された制御電極および制御電極配線と、半導体層と、上記半導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極、第一の電極配線および第二の電極と、上記制御電極および制御電極配線と上記半導体層の間に形成された絶縁膜と、上記第二の電極と電気的に接続された画素電極を有する第一の基板、
上記第一の基板と共に液晶材料を挟持する第二の基板を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２７】
透明絶縁性基板と、制御電極および制御電極配線と、半導体層と、上記半導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極、第一の電極配線および第二の電極と、上記制御電極および制御電極配線と上記半導体層の間に形成された絶縁膜と、上記第二の電極と電気的に接続された画素電極を有する第一の基板、
上記第一の基板と共に液晶材料を挟持する第二の基板を備えた液晶表示装置の製造方法において、
上記第一の電極、第二の電極および第一の電極配線は、表面層がＡｌまたはＡｌ合金による膜上に硬度が高い金属膜を形成する工程と、
上記硬度が高い金属膜の表面をブラシにより洗浄した後レジストを形成し、上記多層膜をエッチングする工程により形成されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２８】
透明絶縁性基板と、制御電極及び制御電極配線と、半導体層と、上記半導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極、第一の電極配線及び第二の電極と、上記制御電極及び制御電極配線と上記半導体層間に形成された絶縁膜と、上記第二の電極と電気的に接続された画素電極を有する第一の基板、上記第一の基板と共に液晶材料を挟持する第二の基板を備えた液晶表示装置であって、上記第一の電極、第二の電極及び第一の電極配線は、最表面層がＡｌよりも硬度が高い金属であり、その下層にＡｌまたはＡｌ合金が存在する多層膜からなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２９】
透明絶縁性基板と、制御電極および制御電極配線と、半導体層と、ＡｌまたはＡｌ合金による多層膜上に硬度が高い金属を形成後、この硬度が高い金属膜の表面をブラシにより洗浄した後にレジストを形成して上記多層膜をエッチングすることにより形成された、上記半導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極、第一の電極配線および第二の電極と、上記制御電極および制御電極配線と上記半導体層の間に形成された絶縁膜と、上記第二の電極と電気的に接続された画素電極を有する第一の基板、
上記第一の基板と共に液晶材料を挟持する第二の基板を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３０】
硬度が高い金属は、ブラシ洗浄により上記金属の表面に傷等が生じない硬度を有する金属であることを特徴とする請求項４、５、１９〜２５及び２７のいずれか一項記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３１】
硬度が高い金属は、ビッカース硬さ７０以上の硬度を有する金属であることを特徴とする請求項４、５、１９〜２５、２７及び２８のいずれか一項記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３２】
透明絶縁性基板と、制御電極及び制御電極配線と、半導体層と、上記半導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極、第一の電極配線及び第二の電極と、上記制御電極及び制御電極配線と上記半導体層の間に形成された絶縁膜と、上記第二の電極と電気的に接続された画素電極を有する第一の基板、上記第一の基板と共に液晶材料を挟持する第二の基板を備えた液晶表示装置において、上記第一の電極、第二の電極及び第一の電極配線は、ＡｌまたはＡｌ合金による膜と、上記膜上に形成されたビッカース硬さ７０以上の硬度を有する金属の膜とを有することを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
【発明の効果】
この発明によれば、信号配線を低抵抗化するために、Ａｌ膜あるいはＡｌ合金膜による単層膜、または表面層にＡｌ系金属膜を有する多層膜を用いてゲート配線等の信号配線を構成した場合でも、その表面を金属膜あるいは非金属膜または金属膜と非金属膜との多層膜からなるマスク層によって被覆して、信号配線間の短絡欠陥部を確実にエッチング除去することにより、信号配線間の短絡を防止できる。また短絡欠陥部を除去後マスク層を除去することによりマスク層による短絡欠陥を防止できる。
また、信号配線間の上層に形成されている絶縁層等を部分的に除去して信号配線間の欠陥短絡部を露出させてエッチングすることにより、マスク層形成等の工程数を増加させずに信号配線間の短絡欠陥を防止できる。
また、信号配線の表面層に硬度の高い金属層を形成しブラシ洗浄後にレジストを形成しパターニングすることにより、信号配線間の短絡を防止できる。その結果、比抵抗が小さい材料を用いて信号配線を構成することができるため、そのパターンを細線化でき、高開口率化による低消費電力の液晶表示装置の高歩留りで製造することができる。
また、Ｃｒ膜あるいはＭｏ膜が、ビッカース硬さ７０以上の十分な硬度を有する金属であることから、ブラシ洗浄によって表面に傷等を生ずることがない。