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【手続補正書】
【提出日】平成24年3月5日(2012.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
本発明は以下の内容を包含する。
（１）ダイシングテープ及びダイアタッチ接着剤としての連続使用に好適な接着剤転写ダイシングテープであって、
接着剤組成物と、
前記接着剤と接触する裏材と、を含み、
前記裏材が模様を含む表面改質を含み、
前記接着剤が前記模様の少なくとも一部分と接触する、テープ。
（２）前記接着剤組成物が放射線硬化性の基を含む、項目（１）に記載のテープ。
（３）前記接着剤組成物が、放射線に暴露されると粘着力が弱まる、項目（２）に記載のテープ。
（４）前記接着剤組成物が、
官能基を有するアクリレートエステルポリマーと、
多官能熱硬化性樹脂と、
多官能アクリレートエステルと、
アクリレートエステルの重合触媒又は硬化剤と、
前記多官能熱硬化性樹脂を硬化するのに好適な熱潜在性触媒と、
アクリル酸塩と、を更に含み、
前記アクリレートエステルポリマーと前記熱硬化性樹脂とが互いに反応可能である、項目（１）に記載のテープ。
（５）前記多官能熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂を含む、項目（４）に記載の組成物。
（６）前記アクリレートエステルポリマーが、ブチルアクリレート及びグリシジルメタクリレートのコポリマーを含む、項目（４）に記載の組成物。
（７）前記多官能アクリレートエステルが、トリメチロールプロパントリアクリレートを含む、項目（４）に記載の組成物。
（８）前記重合触媒又は硬化剤が、光開始フリーラジカル硬化剤を含む、項目（４）に記載の組成物。
（９）前記接着剤組成物が、
少なくとも約５０重量％の官能基含有アクリレートエステルポリマーと、
約２０重量％〜約４０重量％の多官能熱硬化性樹脂と、
有効量の多官能アクリレートエステルと、
前記アクリレートエステルポリマーを硬化するための触媒と、
前記多官能熱硬化性樹脂を硬化するための熱潜在性触媒と、
アクリル酸塩と、を更に含み、
前記アクリレートエステルポリマーと前記熱硬化性樹脂とが接着剤反応生成物を生成することが可能である、項目（１）に記載のテープ。
（１０）前記模様が閉ループを含む、項目（１）に記載のテープ。
（１１）前記閉ループが環を含む、項目（１０）に記載のテープ。
（１２）前記表面改質が電離放射線によって施される、項目（１）に記載のテープ。
（１３）前記電離放射線が、コロナ処理によって生成される放射線を含む、項目（１２）に記載のテープ。
（１４）物品であって、
模様を含む表面改質を有する面を含む裏材と、
前記模様と接触する接着剤と、
前記接着剤と接触する半導体ウエファーと、
前記接着剤と接触するダイシングフレームと、を含み、
前記ダイシングフレームが前記ウエファーを包囲し、前記ダイシングフレームの下の前記接着剤の少なくとも一部が前記模様の少なくとも一部分と接触する、物品。
（１５）前記模様が閉ループを含む、項目（１４）に記載の物品。
（１６）前記閉ループが環を含む、項目（１５）に記載の物品。
（１７）半導体ウエファーをダイシングする方法であって、
模様を含む表面改質を有する裏材と接触する接着剤を提供することと、
半導体ウエファーを前記接着剤に取り付けることと、
ダイシングフレームが前記接着剤と接触し、かつ前記ウエファーを包囲するように、前記ダイシングフレームを前記接着剤に取り付けることと、
ここで、前記ダイシングフレームの下の前記接着剤の少なくとも一部が、前記模様の少なくとも一部と接触し、
前記ウエファーをダイシングしてチップを形成することと、を含む方法。
（１８）前記接着剤を硬化することを更に含む、項目（１７）に記載の方法。
（１９）接着剤を硬化させることが、前記接着剤を放射線に暴露することを含む、項目（１８）に記載の方法。
（２０）その上に前記接着剤を有する前記裏材から前記チップを除去することを更に含む、項目（１８）に記載の方法。
（２１）前記ダイシングフレームを除去することを更に含み、前記接着剤が前記裏材の前記表面改質上に残る、項目（２０）に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイシングテープ及びダイアタッチ接着剤としての連続使用に好適な接着剤転写ダイシングテープであって、
接着剤組成物と、
前記接着剤と接触する裏材と、を含み、
前記裏材が模様を含む表面改質を含み、
前記模様が閉ループまたは閉ループのセグメントの形状であり、
前記接着剤が前記模様の少なくとも一部分と接触する、テープ。
【請求項２】
前記接着剤組成物が、
官能基を有するアクリレートエステルポリマーと、
多官能熱硬化性樹脂と、
多官能アクリレートエステルと、
アクリレートエステルの重合触媒又は硬化剤と、
前記多官能熱硬化性樹脂を硬化するのに好適な熱潜在性触媒と、
アクリル酸塩と、を更に含み、
前記アクリレートエステルポリマーと前記熱硬化性樹脂とが互いに反応可能である、請求項１に記載のテープ。
【請求項３】
前記接着剤組成物が、
少なくとも約５０重量％の官能基含有アクリレートエステルポリマーと、
約２０重量％〜約４０重量％の多官能熱硬化性樹脂と、
有効量の多官能アクリレートエステルと、
前記アクリレートエステルポリマーを硬化するための触媒と、
前記多官能熱硬化性樹脂を硬化するための熱潜在性触媒と、
アクリル酸塩と、を更に含み、
前記アクリレートエステルポリマーと前記熱硬化性樹脂とが接着剤反応生成物を生成することが可能である、請求項１に記載のテープ。
【請求項４】
物品であって、
模様を含む表面改質を有する面を含む裏材と、
前記模様と接触する接着剤と、
前記接着剤と接触する半導体ウエファーと、
前記接着剤と接触するダイシングフレームと、を含み、
前記ダイシングフレームが前記ウエファーを包囲し、前記ダイシングフレームの下の前記接着剤の少なくとも一部が前記模様の少なくとも一部分と接触する、物品。
【請求項５】
半導体ウエファーをダイシングする方法であって、
模様を含む表面改質を有する裏材と接触する接着剤を提供することと、
半導体ウエファーを前記接着剤に取り付けることと、
ダイシングフレームが前記接着剤と接触し、かつ前記ウエファーを包囲するように、前記ダイシングフレームを前記接着剤に取り付けることと、
ここで、前記ダイシングフレームの下の前記接着剤の少なくとも一部が、前記模様の少なくとも一部と接触し、
前記ウエファーをダイシングしてチップを形成することと、を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月23日(2012.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒートスプレッダ／補強材をフリップチップパッケージに接地する方法であって、
接着フィルムを基板に張り付ける工程であって、前記接着フィルムが前記基板の多数の接地端子領域に対応する多数の第１の穴を有し、前記接地端子領域が電気的な接地を提供するように構成される工程と、
補強材を前記接着フィルムに張り付ける工程であって、前記補強材が前記接着フィルムの前記多数の第１の穴と前記基板の前記接地端子領域とに対応する多数の第２の穴を有し、前記接地端子領域が前記第１及び第２の穴を介して露出される工程と、
集積回路を含むダイを前記基板に張り付ける工程と、
前記ダイが前記基板の前記接地端子領域に電気的に接続されるように、ヒートスプレッダを前記ダイと前記補強材とに張り付ける工程と、
を備える方法。
【請求項２】
前記第２の穴の内部にはんだペーストを刷り込む工程をさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の穴の内部にはんだペーストを施す工程をさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の穴の内部にフラックスを施す工程と、
前記第２の穴の内部にはんだボールを落とす工程と、
をさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の穴の中にフラックスコーティングされたはんだボールを落とす工程をさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ヒートスプレッダが前記基板の前記接地端子領域に電気的に接続されるように、前記ヒートスプレッダが前記補強材に張り付けられる請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ダイが電気的に導電性の材料を用いて前記ヒートスプレッダに張り付けられる請求項１に記載の方法。
【請求項８】
電気的な接地を提供するように構成された多数の接地端子領域を有する基板と、
前記基板の前記多数の接地端子領域に対応する多数の第１の穴を有する補強材と、
前記多数の接地端子領域と前記多数の第１の穴とに対応する多数の第２の穴を有する接着フィルムであって、前記接地端子領域が前記第１及び第２の穴を介して露出されるように、前記補強材を前記基板に機械的に張り付けるように構成された接着フィルムと、
前記基板に電気的に張り付けるように構成されたダイであって、前記ダイがヒートスプレッダに電気的に張り付けられ、前記ヒートスプレッダが前記接地端子領域に電気的に接続されるダイと、
を備えた装置。
【請求項９】
前記接地端子領域が金属でコーティングされた請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記第１及び第２の穴の内部にはんだペーストをさらに備える請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
前記第１及び第２の穴の内部にフラックスとはんだボールとをさらに備える請求項８に記載の装置。
【請求項１２】
はんだが前記第１及び第２の穴を介して前記補強材を前記接地端子領域に電気的に接続する請求項８に記載の装置。
【請求項１３】
はんだが前記第１及び第２の穴を介して前記補強材とヒートスプレッダとを前記接地端子領域に電気的に接続する請求項８に記載の装置。
【請求項１４】
前記ダイを前記基板に機械的及び電気的に接続するように構成されたはんだバンプのエリアアレイ配列相互接続をさらに備える請求項８に記載の装置。
【請求項１５】
前記ダイが電気的に導電性の材料によって前記ヒートスプレッダに張り付けられる請求項８に記載の装置。
【請求項１６】
前記ダイの側と反対側の前記基板が前記ヒートスプレッダ、前記補強材、及び前記接地端子領域を含む電気的に導電性の接続経路を介して電気的に接地される請求項８に記載の装置。
【請求項１７】
電気的な接地を提供するように構成された多数の接地端子領域を有する基板と、
前記基板の前記多数の接地端子領域に対応する多数の第１の穴を有する補強材と、
前記多数の接地端子領域と前記多数の第１の穴とに対応する多数の第２の穴を有する接着フィルムであって、前記接地端子領域が前記第１及び第２の穴を介して露出されるように、前記補強材を前記基板に機械的に張り付けるように構成された接着フィルムと、
前記基板に電気的に接続されたダイと、
前記ダイ、前記補強材、及び前記接地端子領域に電気的に接続されたヒートスプレッダと、
を備える、集積回路がパッケージ化されたフリップチップ。
【請求項１８】
前記第１及び第２の穴の内部にはんだペーストをさらに備える請求項１７に記載の集積回路がパッケージ化されたフリップチップ。
【請求項１９】
前記第１及び第２の穴の内部にフラックスとはんだボールとをさらに備える請求項１７に記載の集積回路がパッケージ化されたフリップチップ。
【請求項２０】
前記ヒートスプレッダが１つ以上の電気的に導電性の材料を介して前記ダイと前記接地端子領域とに接続される請求項１７に記載の集積回路がパッケージ化されたフリップチップ。
【請求項２１】
前記ヒートスプレッダが電気的に伝導性のエポキシを用いて前記補強材に張り付けられる請求項２０に記載の集積回路がパッケージ化されたフリップチップ。
【請求項２２】
前記ヒートスプレッダが前記第１及び第２の穴の中のはんだを介して前記補強材に張り付けられる請求項２０に記載の集積回路がパッケージ化されたフリップチップ。
【請求項２３】
前記ダイが前記補強材の張り付けに先立って前記基板に張り付けられる請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月1日(2012.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
短絡保護装置を備えたオプトエレクトロニクス素子において、
相互に離れて配置されている複数のセグメント（１１，１２）を備えた第１の電極層（１）と、
動作時に電磁放射を放出する、前記第１の電極層（１）の上の機能層（２）と、
前記機能層（２）の上の第２の電極層（３）と、
給電リード部（４）と、
複数の電気接続部（５１，５２）とを有し、
前記第１の電極層（１）との電気的な接触接続のために、前記給電リード部（４）と、前記第１の電極層（１）の前記複数のセグメント（１１，１２）のうちの少なくとも１つのセグメントとの間にはそれぞれ前記複数の電気接続部（５１，５２）のうちの少なくとも１つの電気接続部が配置されており、
前記オプトエレクトロニクス素子は基板（６）を有し、前記給電リード部（４）と、前記複数の電気接続部（５１，５２）と、前記第１の電極層（１）の前記複数のセグメント（１１，１２）と、前記機能層（２）と、前記第２の電極層（３）とは前記基板（６）の一方の主面の上に配置されており、
前記基板（６）内に、前記複数の電気接続部（５１，５２）の少なくとも１つに隣接して中空部（７）が配置されており、
前記給電リード部（４）は第１の断面を有し、前記複数の電気接続部の各電器接続部は第２の断面を有し、
前記第２の断面は前記第１の断面よりも小さく、
前記複数の電気接続部（５１，５２）はヒューズとして構成されている、
ことを特徴とする、オプトエレクトロニクス素子。
【請求項２】
前記中空部（７）は、前記複数の電気接続部のうちの少なくとも１つの溶融した材料のリザーバとして使用される、請求項１記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項３】
前記第２の断面は前記第１の断面に比べて少なくとも１／１０に低減されている、請求項１または２記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項４】
前記給電リード部（４）および前記複数の電気接続部（５１，５２）は一体的に構成されているか、前記給電リード部（４）および前記複数の電気接続部（５１，５２）は異なる材料から構成されている、請求項１から３までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項５】
前記電気接続部（５１，５２）は前記基板（６）を貫通して延在している、請求項１から４までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項６】
前記基板（６）は複数の開口部（５１１，５１２）を有し、該複数の開口部（５１１，５１２）の各開口部には前記複数の電気接続部（５１，５２）のそれぞれ１つの電気接続部が配置されている、請求項５記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項７】
さらに、前記複数の電気接続部（５１，５２）のうちの少なくとも１つの電気接続部の上に、絶縁層（８）を有する、請求項１から６までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項８】
前記絶縁層は溶融性の材料または流動性の材料のうちの少なくとも１つから構成されている、請求項７記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項９】
前記複数の電気接続部（５１，５２）のうちの少なくとも１つの電気接続部は、該複数の電気接続部（５１，５２）のうちの少なくとも１つの電気接続部が短絡時に溶断するよう構成されており、
前記絶縁層（８）は前記複数の電気接続部（５１，５２）のうちの少なくとも１つの電気接続部を絶縁させることに適している、請求項７または８記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１０】
前記機能層（２）は無機の材料または有機の材料を含有する、請求項１から９までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１１】
前記機能層（２）は少なくとも２つのセグメント（２１，２２）を有し、該セグメント（２１，２２）は相互に離れて配置されており、
前記機能層（２）のそれぞれ１つのセグメント（２１，２２）は前記第１の電極層（１）の前記複数のセグメント（１１，１２）のうちの少なくとも１つのセグメントの上に配置されている、請求項１から１０までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１２】
前記機能層（２）は前記第１の電極層（１）の前記複数のセグメント（１１，１２）のうちの少なくとも２つのセグメントの上方において連続的に配置されている、請求項１から１０までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１３】
前記第１の電極層（１）の前記複数のセグメント（１１，１２）のうちの少なくとも２つのセグメントは相互に並列に結線されている、請求項１から１２までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１４】
さらに、少なくとも１つの電流拡散層（９１，９２，９３）を有し、該電流拡散層（９１，９２，９３）は前記複数の電気接続部（５１，５２，５３）のうちの少なくとも１つの電気接続部と、前記第１の電極層（１）の前記複数のセグメント（１１，１２，１３）のうちの少なくとも１つのセグメントとの間に配置されている、請求項１から１３までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１５】
前記第２の電極層（３）は少なくとも２つのセグメント（３１，３２）を有し、
前記少なくとも２つのセグメント（３１，３２）のそれぞれ１つのセグメントは前記第１の電極層（１）の前記複数のセグメント（１１，１２）のうちの少なくとも１つのセグメントの上に配置されている、請求項１から１４までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１６】
前記第２の電極層（３）は前記第１の電極層（１）の前記複数のセグメント（１１，１２）のうちの少なくとも２つのセグメントの上方において連続的に配置されている、請求項１から１５までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月19日(2012.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負極活物質、バインダーおよび導電材を含むリチウム二次電池用負極材料組成物において、前記バインダーは、アクリロニトリルに対しアクリル酸のモル比が０.０１〜２のポリアクリロニトリル-アクリル酸共重合体であって、分子量が１，０３０,０００〜５,０００,０００の範囲内のポリアクリロニトリル-アクリル酸共重合体であり、これを含む前記バインダーは、全負極材料組成物に対し１〜３０重量％が含まれていることを特徴とするリチウム二次電池用負極材料組成物。
【請求項２】
前記活物質は、炭素および黒鉛材料と、リチウムと合金が可能な金属およびこのような金属を含む化合物と、金属およびその化合物と炭素および黒鉛材料の複化合物と、リチウム含有窒化物とからなる群より選択される一つであることを特徴とする請求項１に記載のリチウム二次電池用負極材料組成物。
【請求項３】
前記導電材は、黒鉛、カーボンブラック、導電性繊維、金属粉末、導電性ウイスキー、導電性金属酸化物、又は伝導性高分子であることを特徴とする請求項１または２に記載のリチウム二次電池用負極材料組成物。
【請求項４】
前記導電材は、全負極材料に対し１〜５０重量％含まれることを特徴とする請求項３に記載のリチウム二次電池用負極材料組成物。
【請求項５】
前記リチウム二次電池用負極材料組成物は、充填剤をさらに含んでいることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載のリチウム二次電池用負極材料組成物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のリチウム二次電池用負極材料組成物が含まれたリチウム二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月9日(2011.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長手方向に移動し、３つの静止位置でロック可能な１つの電機子（１５）及び２つのコイル（３，４）を有する電磁動作機構であって、前記電機子（１５）が前記２つのコイル（３，４）によって第１の静止位置又は第２の静止位置である端部位置に切替可能である電磁動作機構において、
前記電機子（１５）を、調整ロッド（７）及び該調整ロッド（７）に配置された永久磁石（８）を含んで構成とするとともに、第３の静止位置で前記永久磁石（８）の磁気によってロック可能としたことを特徴とする電磁動作機構。
【請求項２】
前記コイル（３，４）を、磁極管（２）内の端部に配置したことを特徴とする請求項１記載の電磁動作機構。
【請求項３】
前記調整ロッド（７）を、前記磁極管（２）と同軸に配置したことを特徴とする請求項１又は２記載の電磁動作機構。
【請求項４】
前記永久磁石（８）を、軸線方向に見て、前記両コイル（３，４）の間に配置したことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電磁動作機構。
【請求項５】
前記両コイル（３，４）の間に保持極（１６）を配置したことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電磁動作機構。
【請求項６】
前記保持極（１６）を、リング状に形成するとともに、前記第３の静止位置において前記永久磁石（８）と共に閉ループの磁気回路を形成するよう構成したことを特徴とする請求項５記載の電磁動作機構。
【請求項７】
前記永久磁石（８）が、軸線方向に指向された極性（Ｎ，Ｓ）を有していることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の電磁動作機構。
【請求項８】
前記永久磁石（８）の端面に導磁板（９，１０）を配置したことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の電磁動作機構。
【請求項９】
前記導磁板（９，１０）に付着防止手段を配置したことを特徴とする請求項８記載の電磁動作機構。
【請求項１０】
同軸の開口部（５ａ，６ａ）を有するヨーク（５，６）を、前記両コイル（３，４）にそれぞれ設けたことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の電磁動作機構。
【請求項１１】
プランジャ型ソレノイド（１３，１４）を、前記永久磁石（８）の両側の前記調整ロッド（７）に配置するとともに、前記開口部（５ａ，６ａ）内に挿入可能に構成したことを特徴とする請求項１０記載の電磁動作機構。
【請求項１２】
前記保持極（１６）近傍にもう１つのコイルである中心コイル（１７）を配置したことを特徴とする請求項５〜１１のいずれか１項に記載の電磁動作機構。
【請求項１３】
前記付着防止手段を付着防止盤（１１，１２）として形成したことを特徴とする請求項９記載の電磁動作機構。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月24日(2012.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプリント・リソグラフィに、第１のテンプレートとの間に体積が定まるように位置決めされた第１のテンプレートを装着するステップと、
前記第１のテンプレートと前記第１の基板の間を重合性材料をパターニングして、残留層と複数の特徴部とを備えるパターン層を形成するステップと、
前記パターン層の排斥ゾーンと遷移ゾーンを識別するステップと、
前記第１のテンプレート上の、前記パターン層の前記排斥ゾーンと前記遷移ゾーンに対応する関心領域を決定するステップと、
前記インプリント・リソグラフィから前記第１のテンプレートを取り外すステップと、
前記インプリント・リソグラフィに第２のテンプレートを装着するステップと、
前記第２のテンプレートと第２の基板の間を重合性材料をパターニングするステップと、
前記第１のテンプレートから欠陥を除去するステップと、
前記インプリント・リソグラフィから前記第２のテンプレートを取り外して前記第１のテンプレートを再装着するステップと、
から構成されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記排斥ゾーンと前記遷移ゾーンは、撮像システムを使用して識別されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記撮像システムは、少なくとも１つのＣＣＤカメラを含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記残留層の厚みに関する設定限界値を決定するステップをさらに含み、前記遷移ゾーンを識別するステップは、前記設定限界値と比較した前記残留層の厚みの変化を特定するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記テンプレートは、ウェハ全面インプリントのためのインプリント・リソグラフィテンプレートであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記テンプレートは、パターン化媒体インプリントのためのインプリント・リソグラフィテンプレートであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記テンプレートは、ＣＭＯＳインプリントのためのインプリント・リソグラフィテンプレートであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
第１のテンプレート及び基板の間に体積が定まるように、インプリント・リソグラフィ内に第１のテンプレート及び基板の位置決めするステップと、
前記基板上に重合性材料を分注するステップと、
前記重合性材料を固化して、前記基板上にパターン層を定めるステップと、
厚みを有する残留層を含む前記パターン層内の少なくとも１つの遷移ゾーンの位置を識別するステップと、    
前記遷移ゾーンの前記位置に基づいて前記第１のテンプレート上の関心領域を特定するステップと、
前記第１のテンプレートを前記インプリント・リソグラフィから取り外すステップと、
前記関心領域内の欠陥を識別するステップと、
前記欠陥の許容能力と、前記欠陥を修復する処理能力とを決定するステップと、
前記欠陥の許容能力と前記欠陥を修復する処理能力に基づいて、前記欠陥を修復して前記第１のテンプレートを再装着するか、前記欠陥を修復せずに前記第１のテンプレートを再装着する、あるいは前記テンプレートを破棄するか、のいずれかを選択するステップとから構成することを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月13日(2011.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機発光ダイオード（１）において、
電磁放射（６）を放出する少なくとも１つの有機層（３）と、第１の表面と、該第１の表面とは対向する第２の表面とを備えた積層体（２）と、
前記積層体（２）の前記第１の表面上に配置されており、且つ、該第１の表面と電気的に接続されている導電性の第１の端子層（４）と、
前記積層体（２）の前記第２の表面上に配置されており、該第２の表面と電気的に接続されており、且つ、放射可能な前記電磁放射（６）の特徴的な波長の電磁放射を少なくとも大部分を透過させる、導電性の第２の端子層（５）とを有し、
前記第１の端子層（４）の前記積層体（２）側とは反対側の面には、前記第１の端子層（４）から電気的に絶縁されている導電性のコンタクト構造（７）が配置されており、
前記第１の端子層（４）は複数の切欠部（１２）を有し、
前記第２の端子層（５）は前記第１の端子層（４）の複数の切欠部（１２）の領域において前記コンタクト構造（７）と電気的に接続されており、
前記コンタクト構造（７）は少なくとも１つの第１の絶縁層（９）および導電性の第３の端子層（８）を有し、
前記第１の絶縁層（９）は前記第１の端子層（４）の前記積層体（２）側とは反対側の面と物理的に直に接触しており、
前記第３の端子層（８）は前記第１の絶縁層（９）の前記第１の端子層（４）側とは反対側の面と物理的に直に接触しており、
前記第１の絶縁層（９）は電気的に絶縁された支持体基板として構成されており、複数の切欠部（１３）を有し、該複数の切欠部（１３）は前記第１の端子層（４）の前記複数の切欠部（１２）に対応付けられていることを特徴とする、
有機発光ダイオード（１）。
【請求項２】
前記積層体（２）は前記第１の端子層（４）の前記複数の切欠部（１２）の領域においてそれぞれ１つの凹部（１６）を有し、前記第２の端子層（５）は前記コンタクト構造（７）と電気的に接触接続するために前記凹部（１６）に突出している、請求項１記載の有機発光ダイオード（１）。
【請求項３】
前記積層体（２）内に複数のコンタクト素子（１１）が配置されており、該複数のコンタクト素子（１１）は前記第１の端子層（４）の前記複数の切欠部（１２）に対応付けられており、前記第２の端子層（５）は前記コンタクト構造（５）と電気的に接続されている、請求項１または２記載の有機発光ダイオード（１）。
【請求項４】
前記複数のコンタクト素子（１１）の各々はそれぞれ１つの絶縁層（１４）によって包囲されており、該絶縁層（１４）は前記複数のコンタクト素子（１１）の各々を前記積層体（２）から絶縁させる、請求項１から３までのいずれか１項記載の有機発光ダイオード（１）。
【請求項５】
前記第２の端子層（５）はドープされた遷移金属酸化物、例えば酸化インジウムスズまたはアルミニウムでドープされた酸化亜鉛を含有する、請求項１から４までのいずれか１項記載の有機発光ダイオード（１）。
【請求項６】
前記第２の端子層（５）は酸化インジウムスズまたはアルミニウムでドープされた酸化亜鉛を含有する、請求項１から５までのいずれか１項記載の有機発光ダイオード（１）。
【請求項７】
前記第２の端子層（５）は、５ｎｍから５０ｎｍの厚さを有する少なくとも１つの薄い金属層を有する、請求項１から６までのいずれか１項記載の有機発光ダイオード（１）。
【請求項８】
前記第２の端子層（５）は、５ｎｍから３０ｎｍの厚さを有する少なくとも１つの薄い金属層を有する、請求項１から７までのいずれか１項記載の有機発光ダイオード（１）。
【請求項９】
前記第２の端子層（５）はさらに少なくとも１つのドープされた遷移金属酸化物層を有し、該遷移金属酸化物層および前記薄い金属層が結合体構造を形成する、請求項１から８までのいずれか１項記載の有機発光ダイオード（１）。
【請求項１０】
有機発光ダイオード（１）の製造方法において、
導電性の平坦な第１の端子層（４）と、該第１の端子層（４）の領域に配置されており、該第１の端子層（４）から電気的に絶縁されており、且つ、電気的に絶縁された支持体基板として構成されている少なくとも１つの第１の絶縁層（９）および導電性の第３の端子層（８）を有する導電性のコンタクト構造（７）とを準備するステップ、
前記第１の端子層（４）内に複数の切欠部（１２）を形成し、且つ、前記絶縁層（９）内に前記第１の端子層（４）の前記複数の切欠部（１２）に対応付けられている複数の切欠部（１３）を形成するステップ、
電磁放射（６）を放出する少なくとも１つの有機層（３）を有する積層体（２）を、前記第１の端子層（４）の前記コンタクト構造側（７）とは反対側の面に平坦に被着するステップ、
放射可能な電磁放射（６）の所定の特徴的な波長を少なくとも大部分を透過させる導電性の第２の端子層（５）を、前記積層体（２）の前記第１の端子層（４）側とは反対側の面に平坦に被着するステップ、
前記第２の端子層（５）と前記コンタクト構造（７）との間の複数の電気的な接続部を前記第１の端子層（４）内の前記複数の切欠部（１２）によって形成するステップ、
を有することを特徴とする、有機発光ダイオード（１）の製造方法。
【請求項１１】
前記積層体（２）を先ず前記第１の端子層（４）の表面全体に被着し、
後続のステップにおいて、前記第１の端子層（４）内の前記複数の切欠部（１２）に対応付けられている積層体（２）の一部を除去する、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の端子層（４）内の前記複数の切欠部（１２）の形成を、前記積層体（２）の一部の前記除去と一緒に実施する、請求項１０または１１記載の方法。
【請求項１３】
前記積層体（２）の一部を電磁放射の作用によって除去する、請求項１０から１２までのうちのいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
前記積層体（２）を構造化して被着し、該積層体（２）の被着の際に、前記第１の端子層（４）の前記複数の切欠部（１２）が対応付けられている領域には積層体を被着させず、前記積層体（２）は同様に複数の切欠部を有する、請求項１０から１３までのうちのいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
複数のコンタクト素子（１１）を前記第１の端子層（４）内の前記複数の切欠部（１２）に対応付けられている積層体（２）の領域に設ける、請求項１０から１４までのうちのいずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月23日(2012.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の方法工程：
Ａ）  マトリックス材料を準備する工程、
Ｂ）  ドーパント錯体を準備する工程であって、前記ドーパント錯体はドーパントと少なくとも１つの配位子とを有し、前記ドーパントは金属及び／又は金属クラスターである工程、
及び
Ｃ）  前記マトリックス材料と、前記ドーパント錯体とを同時に基板上に蒸着させる工程を有し、
前記方法工程Ｃ）において前記ドーパント錯体は分解され、前記ドーパントが前記マトリックス材料内へ埋め込まれる、ドープされた有機半導体層の製造方法。
【請求項２】
前記方法工程Ａ）において、フェナントロリン誘導体、イミダゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、フェニル含有化合物、縮合された芳香族を有する化合物、カルバゾール含有化合物、フルオレン誘導体、スピロフルオレン誘導体及びピリジン含有化合物を有するグループから選択されたマトリックス材料を準備する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記方法工程Ｃ）において、ドーパント錯体をドーパントと少なくとも１つの配位子とに分解する、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記金属及び／又は金属クラスターが、遷移金属、ランタノイド及び主族の金属を有するグループから選択される、請求項１記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１つの配位子は、カルボニル配位子、ホスフィン配位子、シクロペンタジエニル配位子及びアレーン配位子を有するグループから選択される、請求項３記載の方法。
【請求項６】
方法工程Ｃ）において、前記ドーパント錯体を連続的に蒸発させかつ分解する、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
方法工程Ｃ）において前記ドーパント錯体を、熱的加熱、電磁的照射、ラジオ波を用いた照射及びマイクロ波照射から選択される方法により分解する、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記ドーパント錯体の分解を気相中で行う、請求項７記載の方法。
【請求項９】
方法工程Ｃ）において、前記ドーパントを前記マトリックス材料中へ埋め込む際に、前記マトリックス材料と錯化させる、請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
前記ドーパントは前記マトリックス材料をｎ型にドープする、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
基板と、
作動中に第１の電荷の電荷キャリアを提供する前記基板上の第１の電極と、
第１の電荷の電荷キャリアを輸送する第１の電荷輸送層と、
前記第１の電荷輸送層上の少なくとも１つの発光層と、
作動中に第２の電荷の電荷キャリアを提供する前記少なくとも１つの発光層上の第２の電極とを有し、
前記第１の電荷輸送層は、請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法により製造される、オプトエレクトロニクス装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月14日(2012.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に配置される有機発光ダイオード部分と、
前記有機発光ダイオード部分上に配置される多層水障壁封止構造体であって、シリコンを含む１つまたは複数の層及び炭素を含む１つまたは複数の層を含む多層水障壁封止構造体とを含む、有機発光ダイオード構造体。
【請求項２】
前記有機発光ダイオード部分は、
透明アノード層と、
前記透明アノード層の上に配置されるホール注入層と、
前記ホール注入層の上に配置されるホール輸送層と、
前記ホール輸送層の上に配置される発光層と、
前記発光層の上に配置される電子注入層と、
前記電子注入層の上に配置されるカソード層とを含む、請求項１に記載の構造体。
【請求項３】
前記炭素を含む１つまたは複数の層がシリコンを含む１つまたは複数の層の上に位置する、請求項１に記載の構造体。
【請求項４】
シリコンを含む前記１つまたは複数の層は、窒化シリコンを含む、請求項３に記載の構造体。
【請求項５】
シリコンを含む前記１つまたは複数の層および炭素を含む前記１つまたは複数の層は、交互方式で前記有機発光ダイオード部分の上に配置される、請求項４に記載の構造体。
【請求項６】
基板の上に有機発光ダイオード層状構造体を堆積させるステップと、
前記有機発光ダイオード層状構造体上に多層水障壁封止構造体を配置するステップとを含み、前記封止構造体がシリコンを含む１つまたは複数の層及び炭素を含む１つまたは複数の層を含む、有機発光ダイオード製造方法。
【請求項７】
前記炭素を含む１つまたは複数の層は、アクリラート、メタクリラート、およびアクリル酸の混合物を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記有機発光ダイオード層状構造体上に前記シリコンを含む１つまたは複数の層を堆積させるステップと、
前記シリコンを含む前記１つまたは複数の層の上に前記炭素を含む１つまたは複数の層を堆積させるステップとをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記シリコンを含む１つまたは複数の層が窒化シリコンを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記シリコンを含む１つまたは複数の層が窒化シリコンを含む、請求項１に記載の構造体。
【請求項１１】
基板と、
前記基板の上に配置される有機発光ダイオード部分と、
前記有機発光ダイオード部分上に配置される窒化シリコン層と、
前記窒化シリコン層上に配置される、炭素を含む層とを含む、有機発光ダイオード構造体。
【請求項１２】
前記窒化シリコン層と前記炭素を含む層とが、それぞれ約０．１ミクロンないし約０．６ミクロンの厚みを有する、請求項１１に記載の有機発光ダイオード構造体。
【請求項１３】
前記窒化シリコン層と前記炭素を含む層とが、合計で約３ミクロンないし約６ミクロンの厚みを有する、請求項１１に記載の有機発光ダイオード構造体。
【請求項１４】
前記有機発光ダイオード部分が、
透明のアノード層と、
前記透明のアノード層上に配置されるホール注入層と、
前記ホール注入層上に配置されるホール輸送層と、
前記ホール輸送層上に配置される発光層と、
前記発光層上に配置される電子注入層と、
前記電子注入層上に配置されるカソード層とを含む、
請求項１１に記載の有機発光ダイオード構造体。
【請求項１５】
前記炭素を含む層上に、もうひとつのシリコンを含む層をさらに含む、請求項１１に記載の有機発光ダイオード構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月8日(2012.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モジュラ端子、特に支持レール（２）に係止されるモジュラ端子であって、端子ハウジング（３）と、電流レール（４）と、該電流レール（４）に少なくとも２つの導体を接続する少なくとも２つの導体接続エレメント（５，６）とが設けられており、端子ハウジング（３）において２つの接続側にそれぞれ２つの機能孔（８，９，１０）が形成され、電流レール（４）に第１の機能孔（８）に対応して、テストプラグソケット（１１）又はテストプラグ用の第１の接続可能部が形成され、かつ第２の機能孔（９）に対応して、固定のブリッジ（１２）又は切換えブリッジ（１３）用の第２の接続可能部が形成されている形式のものにおいて、
端子ハウジング（３）において両接続側にそれぞれさらに１つの第３の機能孔（１０）が形成されており、
電流レール（４）において両接続側に、第３の機能孔（１０）に対応して第３の接続可能部が形成されており、
電流レール（４）における接続可能部が、開口（１４，１５，１６）として形成されていて、該開口（１４，１５，１６）に選択的に、テストプラグソケット（１１）、テストプラグ、固定のブリッジ（１２）又は切換えブリッジ（１３）が差込み可能であることを特徴とするモジュラ端子。
【請求項２】
テストプラグソケット（１１）、テストプラグ、固定のブリッジ（１２）又は切換えブリッジ（１３）が、電流レール（４）における開口（１４，１５，１６）内において係止可能である、請求項１記載のモジュラ端子。
【請求項３】
互いに並んで配置されて支持レール（２）に係止可能な少なくとも２つのモジュラ端子、特に請求項１又は２記載のモジュラ端子、から成るモジュラ端子ブロックであって、モジュラ端子（１）がそれぞれ、端子ハウジング（３）と、電流レール（４）と、該電流レール（４）に少なくとも２つの導体を接続する少なくとも２つの導体接続エレメント（５，６）とを有している形式のものにおいて、
モジュラ端子（１）の端子ハウジング（３）において２つの接続側にそれぞれ３つの機能孔（８，９，１０）が形成されており、
モジュラ端子（１）の電流レール（４）において両接続側に、３つの機能孔（８，９，１０）に対応して、それぞれ３つの開口（１４，１５，１６）が形成されていて、これらの開口（１４，１５，１６）に選択的に、テストプラグソケット（１１）、テストプラグ、固定のブリッジ（１２）又は切換えブリッジ（１３）が差込み可能であることを特徴とするモジュラ端子ブロック。
【請求項４】
個々のモジュラ端子（１）における導体接続エレメント（５，６）が脚付ばね端子として形成されているか、ねじ式端子として形成されているか又は引張りばね式端子として形成されているかとは無関係に、個々のモジュラ端子（１）の端子ハウジング（３）が、ほぼ同じ外側寸法を有しており、特に機能孔（８，９，１０）と電流レール（４）における開口（１４，１５，１６）とが等しいポジションに配置されている、請求項３記載のモジュラ端子ブロック。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月5日(2012.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式：Li4Ti5-yMyO12の化合物であって、
前記式中、Mは、モリブデン、タングステン、ジルコニウムおよびハフニウムからなる群より選択されるドーパント材料を含み；および、
前記式中0＜y≦1が成立する、化合物。
【請求項２】
前記ドーパント材料がモリブデンを含む、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
y = 0.1である、請求項１または２に記載の化合物。
【請求項４】
前記化合物がリチウムイオンバッテリの陽極の活性物質である、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項５】
前記陽極が再充電可能なバッテリの少なくとも一部を含む、請求項４に記載の化合物。
【請求項６】
前記バッテリがリチウムイオンセルを備える、請求項４または５に記載の化合物。
【請求項７】
全体の電位がおよそ1.7V以下対リチウムである、請求項４ないし６のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項８】
前記陽極は、グラファイトと、リチウムに基づいた化合物を該グラファイトに結合するのに有効な結合剤と、をさらに含む、請求項４ないし７のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項９】
前記結合剤がポリビニリジンフルオライドおよびN-メチルピロリニドンを含む、請求項８に記載の化合物。
【請求項１０】
前記グラファイトに結合される前記リチウムに基づいた化合物が金属基材上に置かれる、請求項８または９に記載の化合物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月8日(2012.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相並んで配置された少なくとも２つの電気的なモジュラ端子台（３，３´）をブリッジングするための、ハウジング（２）を備えた切換ブリッジであって、モジュラ端子台（３，３´）が、それぞれ少なくとも１つのバスバー（４，４´）を有していて、該バスバー（４，４´）にそれぞれ少なくとも１つの開口（５，６，７）が形成されている形式の切換ブリッジにおいて、ハウジング（２）内に、各バスバー（４，４´）に設けられた開口（５，６，７）内に係合するための、互いに絶縁された少なくとも２つのコンタクトエレメント（８）が配置されており、ハウジング（２）内にブリッジレール（９）が運動可能に保持されていて、該ブリッジレール（９）が、少なくとも２つのコンタクト範囲（１０）と、該コンタクト範囲（１０）を結合する１つの結合範囲（１１）とを有しており、しかもブリッジレール（９）は、前記コンタクト範囲（１０）が前記コンタクトエレメント（８）にコンタクトしていない第１の終端位置から、前記コンタクトエレメント（８）が該ブリッジレール（９）を介して互いに導電接続される第２の終端位置へ運動可能であることを特徴とする切換ブリッジ。
【請求項２】
相並んで配置された少なくとも２つの電気的なモジュラ端子台（３，３´）をブリッジングするための、ハウジング（２）を備えた切換ブリッジであって、モジュラ端子台（３，３´）が、それぞれ少なくとも１つのバスバー（４，４´）を有していて、該バスバー（４，４´）にそれぞれ少なくとも１つの開口（５，６，７）が形成されている形式の切換ブリッジにおいて、ハウジング（２）が、モジュラ端子台（３，３´）内に係止可能であり、ハウジング（２）に、結合範囲を介して互いに導電接続された少なくとも２つのコンタクトエレメント（８）を備えた差込みブリッジ（２８）が軸方向移動可能に配置されており、該差込みブリッジ（２８）は、前記コンタクトエレメント（８）が、バスバー（４，４´）に設けられた前記開口（５，６，７）にコンタクトしていない第１の位置から、前記コンタクトエレメント（８）が、それぞれバスバー（４）に設けられた１つの開口（５，６，７）内に係合する第２の位置へ移動可能であることを特徴とする切換ブリッジ。
【請求項３】
相並んで配置された少なくとも２つの電気的なモジュラ端子台（３，３´）と、ハウジング（２）を有する、特に請求項１記載の１つの切換ブリッジ（１）とから成る構成ユニットであって、モジュラ端子台（３，３´）が、絶縁材料から成るそれぞれ１つの端子台ハウジング（３６，３６´）を有しており、該端子台ハウジング（３６，３６´）が、該端子台ハウジング内に配置された少なくとも２つの導体接続エレメント（３７）と少なくとも１つのバスバー（４，４´）とを備えており、前記端子台ハウジング（３６，３６´）に、切換ブリッジ（１）を少なくとも部分的に収容するためのそれぞれ少なくとも１つの竪穴状の機能通路（４０，４１，４２）が形成されており、バスバー（４，４´）にそれぞれ少なくとも１つの開口（５，６，７）が形成されている形式の構成ユニットにおいて、切換ブリッジ（１）のハウジング（２）内に、モジュラ端子台（３，３´）の前記各バスバー（４，４´）に設けられた１つの開口（５，６，７）内に係合するための少なくとも２つの互いに絶縁されたコンタクトエレメント（８）が配置されており、切換ブリッジ（１）のハウジング（２）内にブリッジレール（９）が移動可能に保持されており、該ブリッジレール（９）が、少なくとも２つのコンタクト範囲（１０）と、該コンタクト範囲（１０）を結合する１つの結合範囲（１１）とを有しており、前記ブリッジレール（９）は、前記コンタクト範囲（１０）がコンタクトエレメント（８）にコンタクトしていない第１の終端位置から、コンタクトエレメント（８）が該ブリッジレール（９）を介して互いに導電接続されている第２の終端位置へ移動可能であることを特徴とする、少なくとも２つの電気的なモジュラ端子台と１つの切換ブリッジとから成る構成ユニット。
【請求項４】
相並んで配置された少なくとも２つの電気的なモジュラ端子台（３，３´）と、ハウジング（２）を有する、特に請求項２記載の１つの切換ブリッジ（１）とから成る構成ユニットであって、モジュラ端子台（３，３´）が、絶縁材料から成るそれぞれ１つの端子台ハウジング（３６，３６´）を有しており、該端子台ハウジング（３６，３６´）が、該端子台ハウジング内に配置された少なくとも２つの導体接続エレメント（３７）と少なくとも１つのバスバー（４，４´）とを備えており、前記端子台ハウジング（３６，３６´）に、切換ブリッジ（１）を少なくとも部分的に収容するためのそれぞれ少なくとも１つの竪穴状の機能通路（４０，４１，４２）が形成されており、バスバー（４，４´）にそれぞれ少なくとも１つの開口（５，６，７）が形成されている形式の構成ユニットにおいて、切換ブリッジ（１）のハウジング（２）が、モジュラ端子台（３，３´）内に係止可能であり、ハウジング（２）に、結合範囲を介して互いに導電接続された少なくとも２つのコンタクトエレメント（８）を備えた差込みブリッジ（２８）が軸方向移動可能に配置されており、該差込みブリッジ（２８）は、前記コンタクトエレメント（８）が、バスバー（４，４´）に設けられた前記開口（５，６，７）にコンタクトしていない第１の位置から、前記コンタクトエレメント（８）が、それぞれバスバー（４）に設けられた１つの開口（５，６，７）内に係合する第２の位置へ移動可能であることを特徴とする、少なくとも２つの電気的なモジュラ端子台と１つの切換ブリッジとから成る構成ユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月12日(2012.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物系化合物半導体をベースとし活性層（４）を含むエピタクシー層列（６）を有するオプトエレクトロニクス素子において、
前記オプトエレクトロニクス素子は、Ａｌ１−ｘ（ＩｎｙＧａ１−ｙ）ｘＮまたはＩｎ１−ｘＧａｘＮを有する成長基板（１）を有し、ただし、０＜ｘ＜０．９９および０≦ｙ≦１であり、
前記成長基板（１）上に、ＩｎｙＡｌｘＧａ１−ｘ−ｙＮを有する複数のバッファ層が設けられており、ただしｘ＜０．９かつｙ＜０．１であることを特徴とする、オプトエレクトロニクス素子。
【請求項２】
前記成長基板（１）の欠陥密度は１０７ ｃｍ−２未満である、請求項１記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項３】
前記エピタクシー層列（６）はＤＢＲミラー（１６）を有し、
前記ＤＢＲミラー（１６）は、それぞれＩｎｙ１Ａｌｘ１Ｇａ１−ｘ１−ｙ１Ｎを有する第１層とＩｎｙ２Ａｌｘ２Ｇａ１−ｘ２−ｙ２Ｎを有する第２層とを含む複数の層対を有し、ただし、アルミニウム含量に関してＸ１＞０．０１およびｘ２＞０．０５が適用される、請求項１または２記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項４】
当該オプトエレクトロニクス素子は端面発光半導体レーザ（１０１）である、請求項１または２記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項５】
前記端面発光半導体レーザ（１０１）の活性層（４）は２つの導波層（９，１０）間に配置されており、
前記活性層（４）から見て前記成長基板（１）に対向する導波層（１０）にクラッド層（８）が続き、
前記成長基板（１）と、該成長基板（１）に対向する導波層（９）との間にはクラッド層は配置されない、請求項４記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項６】
オプトエレクトロニクス素子の製造方法において、
・Ａｌ１−ｘ（ＩｎｙＧａ１−ｙ）ｘＮまたはＩｎ１−ｘＧａｘＮを有し０＜ｘ＜０．９９かつ０≦ｙ≦１である成長基板（１）を設けるステップと、
・窒化物系化合物半導体をベースとし活性層（４）を有するエピタクシー層列（６）を成長させるステップ
とを有し、
前記製造方法はさらに、
・前記エピタクシー層列（６）の成長前に、ＩｎｙＡｌｘＧａ１−ｘ−ｙＮを有しｘ＜０．９かつｙ＜０．１である複数のバッファ層（２）を成長させるステップ
を有することを特徴とする製造方法。
【請求項７】
前記エピタクシー層列（６）の成長後に前記成長基板（１）を剥離する、請求項６記載の製造方法。
【請求項８】
前記成長基板（１）の剥離前に、前記エピタクシー層列（６）を、該成長基板（１）に対向する表面において支持体（１９）に結合する、請求項７記載の製造方法。
【請求項９】
前記エピタクシー層列（６）の成長時に、まずはｎドーピング半導体層（３）の領域を成長させ、その後にｐドーピング半導体層（５）の領域を成長させ、
前記成長基板（１）の剥離後に、前記ｎドーピング半導体層（３）の領域においてパターニングを行う、請求項７または８記載の製造方法。
【請求項１０】
前記ｎドーピング半導体層（３）の領域におけるパターニングでは、前記エピタクシー層列（６）の放射出力結合を改善するためのパターニング部（２１）を形成する、請求項９記載の製造方法。
【請求項１１】
前記ｎドーピング半導体層（３）の領域において、リッジ導波路レーザ（１０２）を形成するためのストライプ構造を形成する、請求項９記載の製造方法。
【請求項１２】
前記エピタクシー層列（６）に傷をつけて劈開することにより、該エピタクシー層列（６）において端面発光半導体レーザ（１０１）を作製するための側面ファセットを形成する、請求項６から１１までのいずれか１項記載の製造方法。