(57)【要約】【課題】窓層に金属酸化物を用いても光の取り出し効率を向上でき、高出力及び低コスト化が可能な半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】底面電極８が設けられたｎ−ＧａＡｓ基板１上には、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２が設けられ、このバッファ層２には、ｎクラッド層３、活性層４、ｐクラッド層５よりなる発光部が形成され、ｐクラッド層５上にｐコンタクト層６が形成される。ｐコンタクト層６上には、窓層としてのＩＴＯ膜１１が形成され、その表面には所定の厚みに凹凸１２が形成される。更に、ＩＴＯ膜１１の表面の所定領域に上面電極９が形成される。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電型の基板と、活性層及び前記活性層を互いに導電型の異なる第１及び第２のクラッドで介挿した構造にして前記基板上に形成された発光部と、前記発光部上に形成された第２の導電型のコンタクト層と、前記コンタクト層上に形成された金属酸化物による窓層と、前記窓層の表面の所定領域に形成された上面電極と、前記基板の裏面に形成された底面電極を備えた半導体発光素子において、
前記窓層の表面に凹凸を形成したことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記窓層は、ＩＴＯ（  ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ  ｆｉｌｍ  ）であることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記活性層と前記第１及び第２のクラッド層は、その材料にＡｌＩｎＰ、ＧａＩｎＰ、又はＡｌＧａＩｎＰが用いられることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項４】
第１の導電型の基板上にクラッド層及び活性層を含む構造の発光部を形成し、
前記発光部上に第２の導電型のコンタクト層を形成し、
前記コンタクト層上に金属酸化物による窓層を形成し、
前記窓層の形成過程においてその表面に凹凸を形成し、
前記窓層の表面の所定領域に上面電極を形成する工程を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記窓層は、ＩＴＯ（  ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ  ｆｉｌｍ  ）であることを特徴とする請求項４記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記窓層は、スプレー熱分解法により２００ｎｍ以上の膜厚に形成されることを特徴とする請求項４又は５記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記窓層は、その形成速度を１５ｎｍ／秒以下にして形成されることを特徴とする請求項４，５又は６記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記スプレー熱分解法による膜厚形成は、１回のスプレーによる膜厚が２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項６記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記スプレー熱分解法による膜厚形成は、そのスプレー圧力を０．２ＭＰａとし、かつ１回のスプレー時間を１．０秒以下にすることを特徴とする請求項６又は８記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記窓層の形成は、成膜温度を３５０℃以上にして行うことを特徴とする請求項４記載の半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体発光素子及びその製造方法に関し、特に、金属酸化物窓層を備えた半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ：発光ダイオード）は、ＧａＰの緑色、ＡｌＧａＡｓの赤色の発光色のものが殆どであった。しかし、最近では、ＧａＮ系やＡｌＧａＩｎＰ系の結晶層をＭＯＶＰＥ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ  ：有機金属気相成長）法で成長できるようになり、橙色、黄色、緑色、青色を発光する高輝度ＬＥＤの製造が可能になった。ＭＯＶＰＥ法でエピキシャルウエハを作製することにより、これまでに無かった短波長を発光する発光素子や、高輝度のＬＥＤの製作が可能になった。しかし、高輝度を得るためには、窓層（電流分散層）の膜厚を厚く成長させる必要があり、このために、ＬＥＤ用エピタキシャルウエハの製造コストが高くなるという問題がある。
【０００３】
この問題を解決する方法として、低抵抗率が得られる材料を窓層に用いる手法が一般的に用いられる。例えば、ＡｌＧａＩｎＰ系の場合、窓層にはＧａＰやＡｌＧａＡｓが用いられる。しかし、このような低抵抗率の材料を用いた場合でも、電流分散効果を良くするためには、窓層の膜厚を８μｍ以上の厚さにする必要がある。従って、ＬＥＤの製造コストの大部分が、窓層のエピタキシャル成長によって占められている。この窓層を薄くするためには、窓層自体の抵抗率を更に低くすることが考えられる。この場合、移動度を大幅に変えることは困難であるため、キャリア濃度を高くすることが試みられているが、現状では、窓層を薄くできるほどキャリア濃度を高くすることは困難になっている。
【０００４】
この解決手段として、半導体による窓層の代わりに、キャリア濃度が非常に高く、かつ薄い膜厚で十分な電流分散効果が得られる透明導電膜を用いる方法が提案されている。この透明導電膜を用いる方法によれば、膜厚を薄くできるため、低コスト化が可能になる。
【０００５】
図７は、従来の半導体発光素子（赤色帯ＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード）の構造を示す。また、図８は図７の半導体発光素子の表面状態を示す。
図７において、ｎ−ＧａＡｓ基板１上には、ＭＯＶＰＥ法によって、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２、ｎ−（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッド層３、アンドープ（Ａｌ０．１Ｇａ０．９）０．５Ｉｎ０．５Ｐ活性層４、ｐ−（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッド層５、ｐ−ＧａＰコンタクト層６、及び金属酸化物窓層となるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ  ｆｉｌｍ  ）膜７が順次成膜される。更に、ｎ−ＧａＡｓ基板１の成長層が形成されない下面（底面）の全体には、底面電極８が形成されている。また、ＩＴＯ膜７上の所定位置には、円形の上面電極９が形成されている。
【０００６】
上記構成において、例えば、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２は厚さ５００ｎｍ（Ｓｅドープ：１×１０１８ｃｍ−３）に成膜され、ｎ−（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッド層３は厚さ５００ｎｍ（Ｓｅドープ：１×１０１８ｃｍ−３）に成膜される。更に、アンドープ（Ａｌ０．１Ｇａ０．９）０．５Ｉｎ０．５Ｐ活性層４は厚さ６００ｎｍに成膜され、ｐ−（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッド層５は厚さ５００ｎｍ（Ｚｎドープ：５×１０１７ｃｍ−３）に成膜され、更に、ｐ−ＧａＰコンタクト層６は厚さ３０ｎｍ（Ｚｎドープ：１×１０１９ｃｍ−３）に成膜される。ＩＴＯ膜７はスプレー熱分解法により、約２００ｎｍの膜厚に形成される。この時の成膜温度（基板表面温度）は４００℃に設定し、１回のスプレー時間は１．０秒にした。また、スプレー圧力は０．２ＭＰａとした。更に、上面電極９は、金・亜鉛、ニッケル、金を、順にそれぞれ６０ｎｍ、１０ｎｍ、１０００ｎｍの厚み、及び０．１３ｍｍの直径になるように蒸着で形成した。
また、底面電極８は、ｎ−ＧａＡｓ基板１の成長面とは反対の面の全面に、金・ゲルマニウム、ニッケル、金を、順にそれぞれ６０ｎｍ、１０ｎｍ、５００ｎｍの厚みに蒸着を用いて形成した。
【０００７】
以上のようにして作製されたＬＥＤ用エピタキシャルウエハを、上面電極９が中心になるようにして０．３ｍｍ角に切断し、更に、ＴＯ−１８（ＴＯはパッケージの１種で、缶タイプのものをいう）ステム上にマウント（ダイボンディング）した。更に、マウントされたＬＥＤベアチップにワイヤボンディングを行ってＬＥＤを作製した。このＬＥＤの特性を調べた結果、２０ｍＡ通電時の発光出力が２．２ｍＷ、順方向動作電圧が２．０１Ｖであった。
【０００８】
図７の構造の半導体発光素子は、金属酸化物を窓層に用いたことで、電流分散層を従来よりも薄くできたため、低コスト化が図れた。しかし、本来ならば、金属酸化物を窓層に用いたことにより、屈折率の関係から光取り出し効率が高くなるはず、つまり、発光出力が向上するはずであるが、発光出力の向上は見られず、高出力化を実現できなかった。
【０００９】
発光効率を上げる手段として、裏面にｎ電極を有するｎ型半導体上に活性層、ｐ型半導体、上面電極を順次形成した半導体発光素子とし、かつ前記上面電極を２以上の異種の層を積層（ｐ型半導体に接するＡｕ薄膜＋この薄膜上に形成されるｎ型透明導電膜）した構造のものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。そして、上面電極のｎ型透明導電膜は、レーザアプレーション法により表面形状が凹凸を有するように形成されているため、表面が平滑な従来構成では全反射して外部へ取り出せなかった光を取り出せるようになり、発光効率が向上する。
【００１０】
【特許文献１】
特開２００１−１５８１３号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の半導体発光素子によると、特許文献１の構造では、上面電極がＡｕ薄膜とｎ型透明導電膜からなる２層の積層構造であるため、製造工程数が増える。また、ｎ型透明導電膜の表面形状の凹凸をレーザアプレーション法により形成することは、スパッタ法や電子ビーム法に比べて一般的な方法ではない。このような理由から、低コスト化には適さない構造となっている。
【００１２】
本発明の目的は、窓層に金属酸化物を用いても光の取り出し効率を向上でき、高出力及び低コスト化を図ることのできる半導体発光素子及びその製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の目的を達成するため、第１の特徴として、第１の導電型の基板と、活性層及び前記活性層を互いに導電型の異なる第１及び第２のクラッドで介挿した構造にして前記基板上に形成された発光部と、前記発光部上に形成された第２の導電型のコンタクト層と、前記コンタクト層上に形成された金属酸化物による窓層と、前記窓層の表面の所定領域に形成された上面電極と、前記基板の裏面に形成された底面電極を備えた半導体発光素子において、前記窓層の表面に凹凸を形成したことを特徴とする半導体発光素子を提供する。
【００１４】
この構成によれば、窓層の表面に凹凸を形成したことにより、発光した光が効率良く外部に取り出せるようになり、発光出力が向上する。
また、この半導体発光素子における活性層と第１及び第２のクラッド層は、その材料にＡｌＩｎＰ、ＧａＩｎＰ、又はＡｌＧａＩｎＰを用いることができる。
【００１５】
また、本発明は、上記の目的を達成するため、第２の特徴として、第１の導電型の基板上にクラッド層及び活性層を含む構造の発光部を形成し、前記発光部上に第２の導電型のコンタクト層を形成し、前記コンタクト層上に金属酸化物による窓層を形成し、前記窓層の形成過程においてその表面に凹凸を形成し、前記窓層の表面の所定領域に上面電極を形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法を提供する。
【００１６】
この方法によれば、窓層の形成中にその表面に凹凸を形成することにより、発光した光を効率良く外部に取り出せ、発光出力を向上できる。特に、窓層の形成中に凹凸を表面に形成できるため、製造工程の増加を招かず、コストアップを防止できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明者は、金属酸化物による窓層（以下、金属酸化物窓層という）をスプレー熱分解法で成膜すると共に、１回に成膜される金属酸化物窓層の膜厚を薄くしてドット的に形成することにより、金属酸化物窓層の表面を凹凸にできることを見出した。これにより、半導体発光素子で発光した光の内、反射して外部に取り出されなかった光を有効に外部に取り出せるようになり、発光出力を高めることができた。更に、前記凹凸は金属酸化物窓層を形成中に行なえるため、低コストにより発光出力の向上が図れることを見出した。以上により、高出力のＬＥＤやＬＥＤ用エピタキシャルウエハを低コストに製造することが可能になった。
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体発光素子のウエハ状態における構成を示す。
図１に示すように、本発明に係る半導体発光素子１０は、ｎ−ＧａＡｓ基板、このｎ−ＧａＡｓ基板１上面にＭＯＶＰＥ法によって順次形成されたバッファ層、クラッド層、活性層、クラッド層、コンタクト層、ＩＴＯ膜、及び上面電極を備えて構成されている。
【００１９】
すなわち、ｎ−ＧａＡｓ基板１上には、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２、ｎ−（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッド層３、アンドープ（Ａｌ０．１Ｇａ０．９）０．５Ｉｎ０．５Ｐ活性層４、（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッド層５、ｐ−ＧａＰコンタクト層６、及び金属酸化物窓層としてのＩＴＯ膜１１が順次成膜されている。ＩＴＯ膜１１はスプレー熱分解法により成膜される。その際、スプレー時間を短くしてドット的に複数回のスプレーを行って所定の膜厚にすることにより、表面に凹凸１２が形成され、これにより、後述するように発光出力の向上が可能になる。更に、ＩＴＯ膜１１上の所定位置に円形の上面電極９が形成される。また、ｎ−ＧａＡｓ基板１の裏面の全面には、底面電極８が形成される。
【００２０】
【実施例】
次に、図１の構成による半導体発光素子の一実施例について説明する。ここでは、赤色帯（発光波長６３０ｎｍ付近）ＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用のエピキシャルウエハについて説明する。
【００２１】
まず、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に５００ｎｍの膜厚になるように、ＭＯＶＰＥ法でｎ−ＧａＡｓバッファ層２（Ｓｅドープ：１×１０１８ｃｍ−３）を形成した。ついで、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２上にｎ−（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッド層３（Ｓｅドープ：１×１０１８ｃｍ−３）を５００ｎｍの厚みに形成した。次に、このクラッド層３上にアンドープ（Ａｌ０．１Ｇａ０．９）０．５Ｉｎ０．５Ｐ活性層４を６００ｎｍの厚さに成膜し、この活性層４上に（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッド層５（Ｚｎドープ：５×１０１７ｃｍ−３）を厚さ５００ｎｍに成膜した。更に、このクラッド層５上にｐ−ＧａＰコンタクト層６（Ｚｎドープ：１×１０１９ｃｍ−３）を厚さ３０ｎｍに成膜した。そして、上記ＭＯＶＰＥ成長は、成長温度７００℃、成長圧力５０Ｔｏｒｒ、各層の成長速度は０．３〜１．０ｎｍ／秒、Ｖ／ＩＩＩ  比は３００〜６００で実施した。
【００２２】
ついで、ｐ−ＧａＰコンタクト層６上に金属酸化物窓層となるＩＴＯ膜１１をスプレー熱分解法により、約２００ｎｍの厚みに形成した。この時の成膜温度（基板表面温度）は４００℃とし、１回のスプレー時間は、０．１秒、０．３秒、０．５秒、及び０．８秒に変えて行なった。また、スプレー圧力は、０．２ＭＰａとした。底面電極８は、金・ゲルマニウム、ニッケル、金をそれぞれ６０ｎｍ、１０ｎｍ、５００ｎｍの順番で蒸着した。上面電極９の形成条件、ＬＥＤ素子の製作条件及び方法は、段落番号〔０００５〕〜〔０００７〕で説明した通りである。
【００２３】
表１は、ＩＴＯの成膜条件（スプレー時間）を異ならせた前記５種類のＬＥＤの特性を調べた結果である。
【００２４】
【表１】
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【００２５】
また、図２は、１回のスプレー時間と発光出力の関係を示す特性図である。
更に、図３〜図６は、１回のスプレー時間が０．１秒、０．３秒、０．５秒、及び０．８秒のときの表面状態を示している。
【００２６】
表１及び図２から明らかなように、１回のスプレー時間を短くしてＩＴＯ膜１１の成長速度を遅くすると、発光出力が１．１２倍〜１．２５倍になった。これは、ＩＴＯ膜１１の成長速度を遅くしたことにより、図１に示したようにＩＴＯ膜の表面が凹凸になったためである。そして、ＩＴＯ膜１１の最大表面粗さＲｍａｘは、１０ｎｍ以上のときに好結果が得られた。ＩＴＯ膜１１の表面形状が凹凸になれば、活性層４で発光した光の反射が少なくなり、光を外部に取り出す効率が高くなる。このため、ＩＴＯ膜の凹凸１２が多ければ多いほど発光した光の反射が抑えられ、光は有効に外部に取り出せるようになる。つまり、ＩＴＯ膜１１の表面の凹凸１２が多ければ多いほど、発光出力が高くなる。図３乃至図６から明らかなように、スプレー時間が短いほど凹凸１２の形成数が多くなっている。したがって、１回のスプレー時間をより短くし、ＩＴＯ膜１１の成長速度が遅くなるようにすれば、ＩＴＯ膜１１の表面の凹凸１２の数が多くなり、発光出力は高くなる。このように、１回のスプレー時間は短ければ短いほどよく、換言すれば、成長速度が遅ければ遅いほど高出力が得られる。具体的には、１回のスプレー時間は０．５秒以下が好ましい。また、より好ましくは、０．３秒以下である。
【００２７】
ＩＴＯ膜１１の膜厚及びスプレーしている時間に基づいて成膜レートを算出したところ、１５ｎｍ／秒以下の成膜レートのときに、ＩＴＯ膜１１の表面に多数の凹凸１２が生じることを確認できた。同時に、発光出力の向上も認められた。そこで、成膜レートは１５ｎｍ／秒以下とした。
また、１回のスプレーによる膜厚は２０ｎｍ以下が良い。
【００２８】
更に、ＩＴＯ膜１１の膜厚は２００ｎｍ以上とした。２００ｎｍ以上の膜厚がないと窓層としての電流分散が不十分になり、発光出力があまり高くならなかった。光の取り出しは、発光波長とＩＴＯ膜１１（窓層）の膜厚により変化する。従って、発光波長が６３０ｎｍ帯では、ＩＴＯ膜１１の膜厚を２００〜３００ｎｍの範囲内にすることで最も多く光を取り出すことができる。ただし、ＩＴＯ膜１１を更に低抵抗にできるなら、２００ｎｍ以下の膜厚でも電流分散を良くすることができる。
【００２９】
また、ＩＴＯ膜１１の成膜温度は３５０℃以上にするのがよい。成膜温度が３５０℃より低いと、以下の問題を生じる。第１には、良質な膜を形成できず、抵抗率が悪くなり、ＩＴＯ膜１１での電流分散が不充分になる。この結果、発光出力を高くすることができない。第２には、ＩＴＯ膜１１と半導体層の界面での抵抗が高くなり、動作電圧が高くなる。ＩＴＯ膜１１の膜厚をきわめて厚く成長できれば、抵抗率が悪くとも電流分散を良くすることが可能であるが、高コストになる（この場合、電流分散の問題は解決できるが、良質な膜を形成することはできない）。
【００３０】
また、表１から明らかなように、スプレー時間を変えても、順方向電圧は殆ど変わらないことが確認できた。このことは、特性にバラツキが生じないことを意味し、複数のＬＥＤにより光源や表示器を構成したり、同一仕様の製品を量産しても、それぞれのＬＥＤに直列接続される電流制限抵抗を同一抵抗値にでき、回路構成が簡単になる。
【００３１】
因みに、特許文献１の表２に記載のように、上層に凹凸を形成するに際し、下層の形成時よりも成膜圧を上げ（３×１０−３Ｔｏｒｒから３×１０−１Ｔｏｒｒに変更して真空度を悪くする）、レーザアプレーション法により凹凸を形成した場合、真空度の低下による結晶性の悪化により凹凸を形成できる反面、透過率の低下や抵抗率上昇を招く恐れがある。これにより、以下のような問題を生じることが考えられる。
（１）上層（ｎ型透明導電膜）の透過率が低くなると、発光した光の吸収が多くなり、発光出力が低下する。
（２）上層の抵抗率が低くなると、電流分散が悪化し、発光出力が低下する。
（３）半導体発光素子のスループットの低下を招き、コストアップになる。
【００３２】
本発明で採用のスプレー熱分解法は、溶液を噴霧してＩＴＯ膜１１を形成するものであり、成膜レートを遅くすることでミストサイズを小さくできるため、微小な凹凸の形成が可能である。また、成膜レートを遅くしているので、結晶性も良くなり、従って透過率及び抵抗率も良い。また、半導体発光素子のスループットも良くなり、ローコスト化が可能になる。このように、本発明では、特許文献１のレーザアブレーション法が抱える課題を全てクリアすることができる。
【００３３】
上記実施例においては、１回のスプレー時間を短くすることにより成長速度を遅くしたが、他の方法によることも可能である。例えば、１回のスプレー時間を一定にし、ＩＴＯ溶液のＩｎ濃度を薄くすれば、成長速度を遅くすることができる。また、スプレーする圧力を低くした場合でも、１回に噴霧されるＩＴＯ溶液の量を減らせば、成長速度を遅くすることが可能になる。
【００３４】
また、上面電極９や金属層の形状は、円形のほか、各種の形状にすることができる。例えば、四角形、菱形、楕円形、多角形等であってもよい。
【００３５】
【発明の効果】
以上より明らかなように、本発明の半導体発光素子によれば、窓層の表面に凹凸を形成したことにより、発光した光が効率良く外部に取り出せるようになり、発光出力を向上させることができ、更に低コスト化を図ることもできる。
【００３６】
また、本発明の半導体発光素子の製造方法によれば、窓層の形成中にその表面に凹凸を形成することにより、発光した光を効率良く外部に取り出せるようになり、発光出力を向上できる。特に、窓層の形成中に凹凸を表面に形成できるために製造工程の増加を招くことがなく、ローコスト化が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体発光素子のウエハ状態における構成を模式的に示した断面図である。
【図２】本発明の実施例において、ＩＴＯ膜をスプレー熱分解法により成膜した際の１回のスプレー時間と発光出力の関係を示す特性図である。
【図３】本発明の実施例において、１回のスプレー時間を０．１秒にして成膜したときのＬＥＤチップの表面状態を示す写真である。
【図４】本発明の実施例において、１回のスプレー時間を０．３秒にして成膜したときのＬＥＤチップの表面状態を示す写真である。
【図５】本発明の実施例において、１回のスプレー時間を０．５秒にして成膜したときのＬＥＤチップの表面状態を示す写真である。
【図６】本発明の実施例において、１回のスプレー時間を０．８秒にして成膜したときのＬＥＤチップの表面状態を示す写真である。
【図７】従来の半導体発光素子の構造を示す模式的断面図である。
【図８】図７の半導体発光素子の表面状態を示す写真である。
【符号の説明】
１  ｎ−ＧａＡｓ基板
２  ｎ−ＧａＡｓバッファ層
３  ｎ−（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッド層
４  アンドープ（Ａｌ０．１Ｇａ０．９）０．５Ｉｎ０．５Ｐ活性層
５  ｐ−（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッド層
６  ｐ−ＧａＰコンタクト層
７，１１  ＩＴＯ膜
８  底面電極
９  上面電極
１０  半導体発光素子
１１  ＩＴＯ膜
１２  凹凸
【図１】
2004356221.tif 000004
【図２】
2004356221.tif 000005
【図３】
2004356221.tif 000006
【図４】
2004356221.tif 000007
【図５】
2004356221.tif 000008
【図６】
2004356221.tif 000009
【図７】
2004356221.tif 000010
【図８】
2004356221.tif 000011