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【手続補正書】
【提出日】平成26年9月1日(2014.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式１により表される化合物またはその薬学的に許容可能な塩（式中、Ｒ1〜Ｒ23の少なくとも一つは、ジュウテリウム（Ｄ）を表し；Ｒ1〜Ｒ23の残りは、水素（Ｈ）を表す）を含む薬学的組成物であって、Ｒ1〜Ｒ23の少なくとも一つによって指定された位置にジュウテリウムを有する前記化合物の分子の存在度はその位置におけるジュウテリウムの天然存在度より実質的に大きい、薬学的組成物。
【化１】
2013536825.tif 000001
【請求項２】
Ｒ1〜Ｒ2は、ジュウテリウム（Ｄ）を表し；Ｒ3〜Ｒ23の全ては、水素（Ｈ）を表す、請求項１に記載の薬学的組成物。
【請求項３】
Ｒ1〜Ｒ7の少なくとも一つは、ジュウテリウム（Ｄ）を表し；Ｒ1〜Ｒ23の残りは、水素（Ｈ）を表す、請求項１に記載の薬学的組成物。
【請求項４】
Ｒ1〜Ｒ7の全ては、ジュウテリウム（Ｄ）を表し；Ｒ8〜Ｒ23の全ては、水素（Ｈ）を表す、請求項１に記載の薬学的組成物。
【請求項５】
Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10およびＲ11は、ジュウテリウム（Ｄ）を表し；Ｒ1〜Ｒ7およびＲ12〜Ｒ23の全ては、水素（Ｈ）を表す、請求項１に記載の薬学的組成物。
【請求項６】
Ｒ12は、ジュウテリウム（Ｄ）を表し；Ｒ1〜Ｒ11およびＲ13〜Ｒ23の全ては、水素（Ｈ）を表す、請求項１に記載の薬学的組成物。
【請求項７】
Ｒ17〜Ｒ20は、ジュウテリウム（Ｄ）を表し；Ｒ1〜Ｒ16およびＲ21〜Ｒ23の全ては、水素（Ｈ）を表す、請求項１に記載の薬学的組成物。
【請求項８】
前記化合物またはその薬学的に許容可能な塩が４−(３−メタンスルホニル-フェニル)−１−プロピル−ｄ７−ピペリジン塩酸塩である、請求項１に記載の薬学的組成物。
【請求項９】
Ｒ1〜Ｒ23の少なくとも一つによって指定された位置にジュウテリウムを有する前記化合物の分子の存在度は、その位置におけるジュウテリウムの天然存在度より少なくとも３３４０倍大きいか、その位置におけるジュウテリウムの天然存在度より少なくとも３５００倍大きいか、その位置におけるジュウテリウムの天然存在度より少なくとも４０００倍大きいか、その位置におけるジュウテリウムの天然存在度より少なくとも５０００倍大きいか、その位置におけるジュウテリウムの天然存在度より少なくとも６０００倍大きいか、その位置におけるジュウテリウムの天然存在度より少なくとも６４６６．７倍大きいか、または少なくとも６６３３．３倍大きい、請求項１〜８の何れか１項記載の薬学的組成物。
【請求項１０】
前記化合物の薬学的に許容可能な塩を含む、請求項１〜９の何れか１項記載の薬学的組成物。
【請求項１１】
前記化合物を含む、請求項１〜９の何れか１項記載の薬学的組成物。
【請求項１２】
少なくとも一の薬学的に許容可能なキャリア、賦形剤または希釈剤をともに含む、治療的に有効な量の、請求項１〜１１の何れか１項記載の薬学的組成物。
【請求項１３】
医薬の製造のための、請求項１〜１１の何れか１項記載の薬学的組成物の使用。
【請求項１４】
請求項１〜１１の何れか１項記載の薬学的組成物を含む、ドパミン媒介障害の症状の緩和、ドパミン媒介障害の治療または予防用薬学的組成物。
【請求項１５】
請求項１〜１１の何れか１項記載の薬学的組成物を含むハンチントン病の症状の緩和、またはハンチントン病の治療用薬学的組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
例１
調製例
4-(3-メタンスルホニル-フェニル)-1-プロピル-d7-ピペリジン x HCl
4-(3-メタンスルホニル-フェニル)-ピペリジン (0.43 g)、CH3CN (4 ml)、K2CO3 (0.49 g)、および1-ヨードプロパン-d7 (0.19 g) を混合し、マイクロ波オーブンで120℃で30分間加熱した。混合物を濾過し、乾燥状態まで蒸発させ、溶離液として5% NEt3を含有するイソ-オクタン：EtOAc (1:1)を用いて、シリカカラムで精製した。純粋な生成物を含むフラクションを蒸発させた後、残渣をEtOAcに再溶解し、10% Na2CO3溶液で洗浄した。有機相を分離し、Na2SO4で乾燥させ、濾過し、蒸発させて、純粋な生成物(0.33 g)を得た。その後、アミンをHCl塩に変換し、EtOH：Et2Oから再結晶化させた。M.p. 198-199℃。
以下に、出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［１］  式１により表される４−(３−メタンスルホニル−フェニル)−１−プロピル−ピペリジンの完全または部分的に重水素化された類似体
【化２】
2013536825.tif 000002
またはその薬学的に許容可能な塩（式中、Ｒ1〜Ｒ23の少なくとも一つは、ジュウテリウム（Ｄ）を表し；Ｒ1〜Ｒ23の残りは、水素（Ｈ）を表す）。
［２］  Ｒ1〜Ｒ2は、ジュウテリウム（Ｄ）を表し；Ｒ3〜Ｒ23の全ては、水素（Ｈ）を表す、［１］に記載の重水素化類似体またはその薬学的に許容可能な塩。
［３］  Ｒ1〜Ｒ7の少なくとも一つは、ジュウテリウム（Ｄ）を表し；Ｒ1〜Ｒ23の残りは、水素（Ｈ）を表す、［１］に記載の重水素化類似体またはその薬学的に許容可能な塩。
［４］  Ｒ1〜Ｒ7の全ては、ジュウテリウム（Ｄ）を表し；Ｒ8〜Ｒ23の全ては、水素（Ｈ）を表す、［１］に記載の重水素化類似体またはその薬学的に許容可能な塩。
［５］  Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10およびＲ11は、ジュウテリウム（Ｄ）を表し；Ｒ1〜Ｒ7およびＲ12〜Ｒ23の全ては、水素（Ｈ）を表す、［１］に記載の重水素化類似体またはその薬学的に許容可能な塩。
［６］  Ｒ12は、ジュウテリウム（Ｄ）を表し；Ｒ1〜Ｒ11およびＲ13〜Ｒ23の全ては、水素（Ｈ）を表す、［１］に記載の重水素化類似体またはその薬学的に許容可能な塩。
［７］  Ｒ17〜Ｒ20は、ジュウテリウム（Ｄ）を表し；Ｒ1〜Ｒ16およびＲ21〜Ｒ23の全ては、水素（Ｈ）を表す、［１］に記載の重水素化類似体またはその薬学的に許容可能な塩。
［８］  治療的に有効な量の、［１］〜［７］の何れか１に記載の４−(３−メタンスルホニル−フェニル)−１−プロピル−ピペリジンの重水素化類似体またはその薬学的に許容可能な塩を、少なくとも一の薬学的に許容可能なキャリア、賦形剤または希釈剤とともに含む、薬学的組成物。
［９］  医薬としての使用のための、［１］〜［７］の何れか１に記載の４−(３−メタンスルホニル−フェニル)−１−プロピル−ピペリジンの重水素化類似体またはその薬学的に許容可能な塩。
［１０］  医薬の製造のための、［１］〜［７］の何れか１に記載の重水素化類似体またはその薬学的に許容可能な塩の使用。
［１１］  ヒトを含む動物生体のドパミン媒介性障害の治療、予防または緩和のための方法であって、それを必要とするかかる動物生体に、治療的に有効な量の、［１］〜［７］の何れか１に記載の４−(３−メタンスルホニル−フェニル)−１−プロピル−ピペリジンの重水素化類似体またはその薬学的に許容可能な塩を投与する工程を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月28日(2014.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）
【化１】
2013536823.tif 000001
［式中、Ｒは水素またはフルオロを表す］
の化合物、またはその立体化学的異性体、付加塩もしくは溶媒和物。
【請求項２】
Ｒがフルオロであり、かつ、化合物がラセミ混合物である請求項１に記載の化合物、またはその付加塩もしくは溶媒和物。
【請求項３】
Ｒがフルオロであり、かつ、化合物が旋光度［α］＝−１４．４°（ｃ＝０．３、ＭｅＯＨ，λ＝５９８ｎｍ；２０℃）を有する請求項１に記載の化合物、またはその付加塩もしくは溶媒和物。
【請求項４】
治療に有効な量の請求項１ないし３のいずれか１項に記載の化合物、および製薬学的に許容され得る担体を含んでなる製薬学的組成物。
【請求項５】
製薬学的に許容され得る担体を、治療に有効な量の請求項１ないし３のいずれか１項に記載の化合物と完全に混合することを特徴とする、請求項５に定義する製薬学的組成物の調製方法。
【請求項６】
肺動脈性高血圧症、肺線維症または過敏性腸症候群の処置または防止に使用するための請求項１ないし３のいずれか１項に定める化合物。
【請求項７】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の化合物を有効成分として含んでなる、肺動脈性高血圧症、肺線維症または過敏性腸症候群の処置または防止用の製薬学的製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月18日(2014.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
改良された気泡一貫性(cell  consistency)をもつフォームの製造法であって、
直径８０μｍ未満であり、多孔性、鋭い、刃様、不規則な表面特性及び180°未満の内部粒子空隙角度からなる群から選択される特性をもつ動的混合粒子をフォーム構成成分流体に添加すること；
前記フォーム構成成分流体を混合すること；
前記動的混合粒子を回転させて、前記フォーム構成成分流体の内部に低エネルギー表面領域を作ること；
前記フォーム構成成分流体を発泡させて、複数のフォーム空隙(void)を画定するフォームを形成すること；
の各段階を含む、前記フォームの製造法。
【請求項２】
前記不規則な表面特性は、鋭くとがった突端(sharp  point)、薄い刃(thin  blade)、180°未満の内部粒子空隙角度(internal  particle  void  angle)、180°未満の外部角度、粗端部(rough  edge)、平滑端部、棘様構造(spine  like  structure)、隆起型アーム(protruding  arm)及び、これらの表面特性の一つ以上を含む集塊(conglomeration)からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記不規則な表面特性は、円筒形、長方形、キュー(cue)、Y-型粒子、X-型粒子、八角形、五角形、三角形、菱形など様々な形にまとまって集塊状になっている隆起型アームからなる群から選択される形状をもつ集塊である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記動的混合粒子はもはや回転しておらず、前記動的混合粒子は、前記不規則な表面特性に隣接する核形成点を形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記動的混合粒子の平均サイズを選択して、前記フォーム中の前記空隙の所望の平均サイズを選択する段階をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記フォーム中の前記フォーム空隙の所望のサイズは、前記動的混合粒子の平均直径の約0.025〜8倍の直径を有する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記動的混合粒子が、タイプI、タイプII、タイプIII、タイプIV、タイプV及びタイプVIからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記動的混合粒子がパーライトから構成される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記パーライトが中実(solid)である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記パーライトが発泡している、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記動的混合粒子が、モース硬度計で少なくとも2.5の硬度をもつ、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
中に空隙を画定する、発泡ポリマー混合フォーム構成成分流体と；
当該フォーム構成成分流体中の動的混合粒子とを含むフォームであって、前記動的混合粒子は直径８０μｍ未満であり、多孔性、鋭く、刃様、不規則な表面特性及び180°未満の内部粒子空隙角度からなる群から選択される特性をもつ、前記フォーム。
【請求項１３】
前記フォームの前記フォーム空隙が、前記動的混合粒子の平均サイズの約0.025〜8.0倍の平均直径をもつ、請求項１２に記載のフォーム。
【請求項１４】
前記動的混合粒子が、タイプI、タイプII、タイプIII、及びタイプIVからなる群から選択される、請求項１２に記載のフォーム。
【請求項１５】
前記動的混合粒子がパーライトから構成される、請求項１２に記載のフォーム。
【請求項１６】
前記パーライトが中実である、請求項１５に記載のフォーム。
【請求項１７】
前記パーライトが発泡している、請求項１５に記載のフォーム。
【請求項１８】
前記不規則な表面特性が、鋭くとがった突端、薄い刃、180°未満の内部粒子空隙角度、180°未満の外部角度、粗端部、平滑端部、棘様構造、隆起型アームからなる群から選択される、請求項１２に記載のフォーム。
【請求項１９】
前記不規則な表面特性は、円筒形、長方形、キュー、Y-型粒子、X-型粒子、八角形、五角形、三角形、菱形など様々な形にまとまって集塊状になっている隆起型アームからなる群から選択される形状をもつ集塊状である、請求項１２に記載のフォーム。
【請求項２０】
前記動的混合粒子が、モース硬度計で少なくとも2.5の硬度をもつ、請求項１２に記載の方法。
【請求項２１】
実質的にすべての前記粒子の寸法が約５０μｍ未満である、請求項１２に記載の方法。
【請求項２２】
前記表面特性が、孔、空洞、ギザギザの端部及び平滑な角からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
前記表面特性が、孔、空洞、ギザギザの端部及び平滑な角からなる群から選択される、請求項１２に記載の方法。
【請求項２４】
前記粒子の直径が３０μｍ未満である、請求項１に記載の方法。
【請求項２５】
前記粒子の直径が２０μｍ未満である、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記粒子の直径が１μｍ未満である、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記粒子の直径が３０μｍ未満である、請求項1２に記載の方法。
【請求項２８】
前記粒子の直径が２０μｍ未満である、請求項１２に記載の方法。
【請求項２９】
前記粒子の直径が１μｍ未満である、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月19日(2014.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビニル重合性化合物、開始剤、配位子および触媒を含む組成物で精密ラジカル重合を行い；
該精密ラジカル重合反応を、完全転化に至る前の所望の転化レベルに達するまで進行させて中間重合生成物を得て；
該中間重合生成物を開始剤の当量を超える反応体とさらに反応させて、ポリマー鎖の各末端近傍にペンダント硬化性反応性サイトのクラスターを提供するか、またはポリマー鎖の少なくとも１つの末端近傍にペンダント硬化性反応性サイトのクラスタ−およびさらに少なくとも１つのフリーラジカル硬化部を提供することを含む、複数の末端およびペンダント硬化性反応性サイトのクラスターを有するポリマーを提供する精密ラジカル重合の方法。
【請求項２】
上記ペンダント硬化性反応性サイトのクラスターが複数のペンダント湿気硬化性官能基を含む
請求項１の方法。
【請求項３】
さらに、上記重合性化合物がモノマー、コポリマー、ブロックコポリマー、グラディエン
トポリマーおよびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる請求項１の方法。
【請求項４】
上記ペンダント硬化性反応性サイトのクラスターを有するポリマ-がさらに少なくとも一種のフリーラジカル硬化部を含む請求項１の方法。
【請求項５】
上記重合の進行がさらに単一電子移動リビングラジカル重合の進行を含む請求項１の方
法。
【請求項６】
上記重合の進行がさらに原子移動ラジカル重合の進行を含む請求項１の方法。
【請求項７】
上記開始剤が、式Ｒ−Ｘ（式中、Ｘはハロゲンであり、ＲはＣ１−Ｃ６アルキルである）で表される請求項１の方法。
【請求項８】
上記開始剤が、ジエチルｍｅｓｏ−２，５−ジブロモアジペート；ジメチル２，６−ジ
ブロモヘプタンジオエート；エチレングリコールビス（２−ブロモプロピオネート）；エ
チレングリコールモノ−２−ブロモプロピオネート；トリメチロールプロパントリス（２
−ブロモプロピオネート）；ペンタエリスリトールテトラキス（２−ブロモプロピオネー
ト）；２，２−ジクロロアセトフェノン；メチル２−ブロモプロピオネート；メチル２−
クロロプロピオネート；Ｎ−クロロ−２−ピロリジノン；Ｎ−ブロモスクシンイミド；ポ
リエチレングリコールビス（２−ブロモプロピオネート）；ポリエチレングリコールモノ
（２−ブロモプロピオネート）；２−ブロモプロピオニトリル；ジブロモクロロメタン；
２，２−ジブロモ−２−シアノアセトアミド；α，α’−ジブロモ−オルト−キシレン；
α，α’−ジブロモ−メタ−キシレン；α，α’−ジブロモ−パラ−キシレン；α，α’
−ジクロロ−パラ−キシレン；２−ブロモプロピオン酸；メチルトリクロロアセテート；
パラ−トルエンスルホニルクロリド；ビフェニル−４，４’−ジジスルホニルクロリド；
ジフェニルエーテル−４，４’−ジスルホニルクロリドブロモホルム；ヨードホルム四塩
化炭素；およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる請求項１の方法。
【請求項９】
上記配位子が、σ結合で遷移金属に配位する一個以上の窒素、酸素、リン及び／又は硫
黄原子を含む化合物を含むか、またはπ結合で遷移金属に配位し得る二個以上の炭素原子
を含む化合物を含む請求項１の方法。
【請求項１０】
上記配位子が、一級のアルキルまたは芳香族アミン、二級のアルキルまたは芳香族アミ
ン、三級のアルキルまたは芳香族アミン、線状ポリアミン、分岐状ポリアミン、樹状ポリ
アミン、ポリアミドおよびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる請求項１の方法。
【請求項１１】
上記配位子が、トリス（２−ジメチルアミノエチル）アミン（Ｍｅ６−ＴＲＥＮ）、ト
リス（２−アミノエチル）アミン（ＴＲＥＮ）、２，２−ビピリジン（ｂｐｙ）、Ｎ，Ｎ
，Ｎ，Ｎ，Ｎ−ペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭＤＥＴＡ）およびこれらの組み
合わせからなる群から選ばれる請求項１の方法。
【請求項１２】
上記触媒が、Ｃｕ（０）、Ｃｕ２Ｓ、Ｃｕ２Ｔｅ、Ｃｕ２Ｓｅ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｆ
ｅ、Ｒｕ、Ｖ、Ａｕ、Ａｇ、Ｈｇ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｎおよびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる請求項１の方法
。
【請求項１３】
上記反応進行工程がさらに、中心領域から外向きにポリマー分子の中心から離れたところで少なくとも一種のポリマーを形成させることを含む請求項１の方法。
【請求項１４】
ポリマーが、その一つの末端に硬化性反応性サイトをさらに有する、請求項１の方法。
【請求項１５】
ポリマーが、その二つの末端に硬化性反応性サイトをさらに有する、請求項１の方法。
【請求項１６】
ペンダント硬化性反応性サイトのクラスターを有するポリマーが、ビニルポリマーである、請求項１の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月15日(2014.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図２に示されるように、本例の封止部１２５は、中央に位置し、また、肩部１２４から明確に離間し区別される。ピン１０１の封止面１５２は、ボックス１０２の封止面１６２と共に、半径方向における封止を行う。ボックス１０２とピン１０１の夫々の中央肩部面１５４と１６４は、２段のテーパー状ねじ切り部同士の間に位置して、ストップ肩部を形成する。従って、接続が組み上げられると、ピンとボックスの肩部面１５４と１６４が係合され、ピンとボックスの封止面１５２と１６２が両者間の半径方向の干渉により緊密に接触する。しかしながら、接続部が張力下にある時、ピンとボックスの肩部面１５４と１６４は、それらが緊密に接触しているとしても、封止部を形成するようには設計されていない。特に、肩部面１５４と１６４は、ピンとボックスが通常の操作中の典型的に経験される張力下にある時、封止部を形成しない。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月12日(2014.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセスガスを受け入れかつ圧縮プロセスガスを産出するように設けられたコンプレッサと、
前記コンプレッサと連結されて前記圧縮プロセスガスおよび熱伝導媒体を受け入れかつ冷却されたプロセスガスおよび加熱された熱伝導媒体を産出するように設けられた熱伝導装置と、
前記熱伝導装置と連結して前記冷却されたプロセスガスを受け入れてかつ蓄積するように設けられた圧縮ガス蓄積装置と、
前記熱伝導装置と連結しかつ前記加熱された熱伝導媒体を受け入れるように設けられた廃熱回収装置と、
前記廃熱回収装置および前記圧縮ガス蓄積装置と連結され、前記廃熱回収装置によって加熱され、前記圧縮ガス蓄積装置からの前記冷却されたプロセスガスを受け入れ、前記冷却されたプロセスガスを加熱しかつ加熱されたプロセスガスを産出するように設けられた集熱体と、
前記集熱体と連結して前記加熱されたプロセスガスを受け入れかつパワー出力を産み出すように設けられた動力発生装置とを有する圧縮エア・エネルギー蓄積システム。
【請求項２】
前記集熱体に接して及び集熱体の中の内の少なくとも１に配置された電気ヒータをさらに有し、前記電気ヒータは前記集熱体を加熱する請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記廃熱回収装置は、前記電気ヒータと連結されかつ該電気ヒータを駆動する請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記電気ヒータと連結しかつ該電気ヒータを駆動するように設けられた再生可能エネルギー源をさらに有する請求項２に記載のシステム。
【請求項５】
前記動力発生装置が発電機と連結したエキスパンダを有する請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
さらに、前記集熱体と前記エキスパンダとの間に挿入された燃焼室を有する請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記コンプレッサは超音波コンプレッサである請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
コンプレッサによってプロセスガスを圧縮して圧縮プロセスガスを生成し、
熱伝導装置によって、前記圧縮プロセスガスから熱を熱伝導媒体に伝導させて冷却されたプロセスガスおよび加熱された熱伝導媒体を生成し、
前記冷却されたプロセスガスを圧縮ガス蓄積装置に蓄積し、
前記加熱された熱伝導媒体を廃熱回収装置に輸送し、
前記廃熱回収装置によって集熱体を加熱し、
前記冷却されたプロセスガスを前記圧縮ガス蓄積装置から前記集熱体に輸送し、
前記冷却されたプロセスガスを前記集熱体によって加熱して加熱されたプロセスガスを生成し、
前記加熱されたプロセスガスを前記集熱体から動力発生装置に輸送し、
前記動力発生装置によってパワー出力を生成することを含有する動力発生方法。
【請求項９】
駆動装置によって前記コンプレッサを駆動し、
前記廃熱回収装置によって前記駆動装置を駆動する請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記コンプレッサを超音波速度で運転することをさらに有する請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記集熱体を前記廃熱回収装置によって加熱することは、前記廃熱回収装置によって電気ヒータを駆動することをさらに有し、前記電気ヒータは前記集熱体に接して及び前記集熱体の中の内の少なくとも１に配置されて前記集熱体を加熱する請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記動力発生装置によって前記集熱体を加熱することをさらに有する請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記動力発生装置によって前記集熱体を加熱することは、前記動力発生装置によって電気ヒータを駆動することをさらに有し、前記電気ヒータは前記集熱体に接して及び前記集熱体の中の内の少なくとも１に配置されて前記集熱体を加熱する請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
再生可能エネルギー源によって前記集熱体を加熱することをさらに有する請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
駆動装置と、
駆動装置と連結しかつ駆動装置によって駆動され、プロセスガスを圧縮するように設けられたコンプレッサと、
前記コンプレッサと連結しかつ前記コンプレッサからの前記プロセスガスを受け入れて熱を前記プロセスガスから第１の熱伝導媒体に伝導するように設けられた第１の熱伝導装置と、
前記第１の熱伝導装置と連結しかつ前記第１の熱伝導装置からの前記第１の熱伝導媒体を受け入れて第１のパワー出力を産み出すように設けられた第１の廃熱回収装置と、
前記第１の熱伝導装置と連結され、前記第１の熱伝導装置からの前記プロセスガスを受け入れて該プロセスガスを冷却するように設けられた処理用冷却器と、
前記処理用冷却器と連結されて前記処理用冷却器からのプロセスガスを受け入れて該プロセスガスを蓄積するように設けられた圧縮ガス蓄積装置と、
前記第１の廃熱回収装置と連結して前記第１のパワー出力を受け入れるように設けられた電気ヒータと、
前記電気ヒータおよび前記圧縮ガス蓄積装置と連結して前記電気ヒータによって加熱され、前記圧縮ガス蓄積装置からの前記プロセスガスを受け入れかつ前記プロセスガスを加熱するように設けられた集熱体と、
前記集熱体と連結し、前記集熱体からの前記プロセスガスを受け入れて第２のパワー出力を発生するように設けられた動力発生装置とを有する圧縮エア・エネルギー蓄積システム。
【請求項１６】
前記電気ヒータが前記集熱体に接しておよび前記集熱体の中の内の少なくとも１に配置された請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記第１の熱伝導装置と前記処理用冷却機との間に挿入され、前記第１の熱伝導装置からの前記プロセスガスを受け入れて前記プロセスガスから第２の熱伝導媒体に熱を伝導するように設けられた第２の熱伝導装置をさらに有する請求項１５に記載のシステム。
【請求項１８】
前記第２の熱伝導装置と連結され前記第２の熱伝導媒体を受け入れて第３のパワー出力を発生させるように設けられた第２の廃熱回収装置をさらに有する請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記電気ヒータは、前記第２の廃熱回収装置と連結して前記第３のパワー出力を受け入れるように設けられた請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記駆動装置は、電気モータを有し、前記電気モータ及び前記コンプレッサは、空気遮断封止ケーシング内に配置された請求項１５に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月29日(2014.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水酸化カルシウムを、セルロース含有繊維を含む繊維の懸濁液に導入することと、
水酸化カルシウムおよび繊維の水性懸濁液を二酸化炭素と接触させる前に、少なくとも１５分間、水酸化カルシウムを繊維の表面上に付着させることと、
炭酸カルシウムを沈殿させるために、連続処理で、水酸化カルシウムおよび繊維の水性懸濁液を二酸化炭素と接触させることと、
を含む、炭酸カルシウムを沈殿させる方法。
【請求項２】
炭酸カルシウムの沈殿が、二酸化炭素が数秒でほぼ完全に流れに混合されるように、二酸化炭素を水酸化カルシウムおよび繊維を含有する、流れている水性懸濁液に注入することによって実施されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
繊維が、硬材パルプを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
繊維が、軟材パルプを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
沈降炭酸カルシウムの粒径の中央値が、２．０μｍ未満であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
沈降炭酸カルシウムの粒径の中央値が、１．７μｍ未満であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
水酸化カルシウムの水性懸濁液が、水酸化カルシウムとして使用されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
セルロース含有繊維に関する炭酸カルシウムを沈殿させるシステムであって、
水酸化カルシウムをセルロース含有繊維に導入する第１の添加要素と、
水酸化カルシウムおよび繊維の水性懸濁液を二酸化炭素と接触させる前に、水酸化カルシウム導入後、少なくとも１５分間の遅延時間を設ける手段と、
炭酸カルシウムを沈殿させるために、前記予め定める遅延時間の後、二酸化炭素を連続処理で繊維−水酸化カルシウム混合物に導入する第２の添加要素と、
を含む、システム。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法によって製造されるパルプ材料を含み、炭酸カルシウムを含む繊維製品。
【請求項１０】
製品が、紙、板紙または繊維複合構造物であることを特徴とする請求項９に記載の繊維製品。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月22日(2014.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドアハンドル組立体において、
ベゼルであって、該ベゼルは、該ベゼルの長さに完全ではなく部分的に沿って延在する窪んだベース部と、第１の側方の側壁及び第２の側方の側壁と、前記ベース部の前縁から前方に離間した関係で位置する端壁と、前記ベース部と前記端壁との間の空間内に第１のチャンバーと第２のチャンバーとの間の境界を画定するように前記ベース部と前記端壁との間に延びる一体形の支持ブラケットとを備え、該支持ブラケットは、該支持ブラケットの一方の面から突出する第１の取付けボスを備え、前記第１の側方の側壁は内部にボス受け壁孔を含み、前記第２の側方の側壁は、前記第１の取付けボスに対して対向して位置合わせされた関係で突出する第２の取付けボスを備え、そのため、前記第１の取付けボス、前記第２の取付けボス及び前記壁孔が共通軸に沿って実質的に同心状に位置合わせされるベゼルと、
前記第１のチャンバー内に位置する耳部と、該耳部から離間した関係で位置するボス受けフランジ部とを備えるラッチハンドルであって、前記耳部は、側方に突出するハンドルボスを備え、前記支持ブラケットの一部分は、前記第１の取付けボスの遠位部分が前記ボス受けフランジ部から前記第２の取付けボスに向かって外方に突出するように、前記ハンドルボスが前記ボス受け壁孔に延びるとともに前記第１の取付けボスが前記ボス受けフランジ部内に突出する状態で、前記耳部と前記ボス受けフランジ部との間に入れ子関係で配置される、ラッチハンドルと、
前記第２のチャンバー内に配置される弾性的に圧縮可能な本体を含むロックノブであって、該ロックノブは、第１の側面及び第２の側面を含み、該第１の側面及び第２の側面はそれぞれ、位置合わせされた孔を含み、それによって、前記本体が前記第２のチャンバーに圧入挿入されると前記第１の取付けボスの前記遠位部分が前記第１の側面の孔に突出するとともに前記第２の取付けボスが前記第２の側面の孔に突出し、そのため、該ロックノブが前記ラッチハンドルとともに前記共通軸回りに回転可能な関係で支持される、ロックノブとを含むドアハンドル組立体。
【請求項２】
ドアハンドル組立体であって、
モノリシックな成形ポリマー構造のベゼルであって、該ベゼルは、該ベゼルの長さに完全ではなく部分的に沿って延在する窪んだベース部を備え、第１の側方の側壁及び第２の側方の側壁が前記ベース部の対向する両側から上方に延び、該ベゼルは、前記側方の側壁を横断する一体形の端壁を更に備え、該端壁は、前記ベース部の前縁から前方に離間した関係で位置し、該ベゼルは、前記ベース部と前記端壁との間に長手方向に延びる成形された一体形の支持ブラケットを更に備え、該支持ブラケットは、前記ベース部と前記端壁との間の空間内に第１のチャンバーと第２のチャンバーとの間の境界を画定し、支持ブラケット取付けフランジ部であって、該支持ブラケット取付けフランジ部の一方の側から前記第２のチャンバーを部分的に横切って突出する第１の取付けボスを有する、前記ベース部が画定している平面から上方に突出する支持ブラケット取付けフランジ部を備え、前記第１の側方の側壁は、前記第１のチャンバーに開口しているボス受け壁孔を内側に含み、前記第２の側方の側壁は、前記第１の取付けボスに対して対向して位置合わせされた関係で前記第２のチャンバーを部分的に横切って突出する前記第２の取付けボスを備え、そのため、前記第１の取付けボス、前記第２の取付けボス及び前記壁孔が、前記第１の側方の側壁と前記第２の側方の側壁との間に延びる共通軸に沿って実質的に同心状に位置合わせされるベゼルと、
前記第１のチャンバー内に配置される下方に延びる外郭耳部と、該外郭耳部との間にハンドル空所を画定するように前記外郭耳部から実質的に平行に離間した関係で位置する下方に延びるボス受けフランジ部とを備えるアンカー端を有するラッチハンドルであって、前記外郭耳部は、側方に突出するハンドルボスを備え、前記支持ブラケット取付けフランジ部は、前記第１の取付けボスの遠位部分が前記ボス受けフランジ部から前記第２の取付けボスに向かって外方に突出するように、前記ハンドルボスが前記ボス受け壁孔に延びるとともに前記第１の取付けボスが前記ボス受けフランジ部内に突出する状態で、前記ハンドル空所内に入れ子関係で配置される、ラッチハンドルと、
前記第２のチャンバー内に配置される分割構造の本体を含むロックノブであって、該ロックノブは、間に空隙を有する第１の側面及び第２の側面を含み、そのため、該第１の側面及び該第２の側面は互いに向かって弾性的に圧縮可能であり、前記第１の側面及び第２の側面はそれぞれ、位置合わせされた孔を含み、そのため、前記本体が前記第２のチャンバーに圧入挿入されると前記第１の取付けボスの前記遠位部分が前記第１の側面の孔に突出するとともに前記第２の取付けボスが前記第２の取付けボスの孔に突出し、そのため、該ロックノブが前記ラッチハンドルとともに前記共通軸回りに回転可能な関係で支持される、ロックノブとを含むドアハンドル組立体。
【請求項３】
車両ドアハンドル組立体を組み立てる方法であって、
ベゼルを準備するステップであって、該ベゼルは、該ベゼルの長さに完全ではなく部分的に沿って延在する窪んだベース部と、第１の側方の側壁及び第２の側方の側壁と、前記ベース部の前縁から前方に離間した関係で位置する端壁と、前記ベース部と前記端壁との間の空間内に第１のチャンバーと第２のチャンバーとの間の境界を画定するように前記ベース部と前記端壁との間に延びる一体形の支持ブラケットとを備え、該支持ブラケットは、該支持ブラケットの一方の面から突出する第１の取付けボスを備え、前記第１の側方の側壁は内部にボス受け壁孔を含み、前記第２の側方の側壁は、前記第１の取付けボスに対して対向して位置合わせされた関係で突出する第２の取付けボスを備え、そのため、前記第１の取付けボス、前記第２の取付けボス及び前記壁孔が共通軸に沿って実質的に同心状に位置合わせされるベゼルを準備するステップと、
側方に突出するハンドルボスを備える耳部と、該耳部から離間した関係で位置するボス受けフランジ部とを備えるラッチハンドルを準備するとともに、前記第１の取付けボスの遠位部分が前記ボス受けフランジ部から前記第２の取付けボスに向かって外方に突出するように、前記ハンドルボスが前記ボス受け壁孔に延びるとともに前記第１の取付けボスが前記ボス受けフランジ部内に突出する状態で、前記支持ブラケットが前記耳部と前記ボス受けフランジ部との間に入れ子関係で配置される状態で前記ラッチハンドルを配置する、準備するとともに配置するステップと、
弾性的に圧縮可能な本体を含むロックノブであって、該ロックノブは、第１の側面及び第２の側面を含み、該第１の側面及び第２の側面はそれぞれ位置合わせされた孔を含む、ロックノブを準備するとともに、前記本体を前記支持ブラケットと前記第２の側方の側壁の間に圧入挿入し、それによって前記第１の取付けボスの前記遠位部分が前記第１の側面の孔に突出するとともに前記第２の取付けボスが前記第２の側面の孔に突出し、そのため前記ロックノブが前記ラッチハンドルとともに前記共通軸回りに回転可能な関係で支持される、準備するとともに圧入挿入するステップとを含む、車両ドアハンドル組立体を組み立てる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月30日(2014.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに反対になる第１面及び第２面を備える支持基板と、
前記第１面側に位置し、第１電極、光吸収層、及び第２電極を含む光電変換部と、
前記第１電極及び前記第２電極のうち、少なくともいずれか１つに電気的に連結され、前記第２面側に位置する集電電極と、
を含むことを特徴とする、太陽電池。
【請求項２】
前記第１電極及び前記第２電極のうちの少なくともいずれか１つは、前記第１面に位置する電極部及び前記第１面から前記第２面に延びる延長部を含み、
前記集電電極が前記延長部に接触形成されることを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記延長部は、前記第１面から前記支持基板の側面を覆いかぶせながら前記第２面まで延びることを特徴とする、請求項２に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記第１電極、前記光吸収層、及び前記第２電極が前記支持基板の前記第１面の上に順次に積層され、
前記第１電極は、前記第１面に位置する電極部及び前記第１面から前記第２面に延びる延長部を含むことを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の太陽電池。
【請求項５】
前記第１延長部と前記第２延長部とは６０μｍ以上離隔することを特徴とする、請求項４に記載の太陽電池。
【請求項６】
前記延長部は、前記電極部の一側から延びる第１延長部、及び前記電極部の他側から延びて、前記第２面で前記第１延長部と離隔する第２延長部を含み、
前記集電電極は前記第１延長部に接触形成される第１集電電極及び前記第２延長部に接触形成される第２集電電極を含むことを特徴とする、請求項４に記載の太陽電池。
【請求項７】
前記光電変換部は互いに直列に連結される複数の光電変換部を含んで前記第１電極の電極部、前記光吸収層、及び前記第２電極が複数に備えられ、
前記第１延長部は前記第２電極とコンタクトパターンを通じて連結されない前記第１電極の電極部から延びて、前記第２延長部は前記第２電極とコンタクトパターンを通じて連結された前記第１電極の電極部から延びることを特徴とする、請求項６に記載の太陽電池。
【請求項８】
互いに反対になる第１面及び第２面を備える支持基板、前記第１面側に位置し、第１電極、光吸収層、及び第２電極を含む光電変換部、及び前記第１電極及び前記第２電極のうちの少なくともいずれか１つに電気的に連結され、前記第２面側に位置する集電電極を含む太陽電池と、
前記支持基板の前記第２面に位置するジャンクションボックスと、
を含むことを特徴とする、太陽電池モジュール。
【請求項９】
前記第１電極及び前記第２電極のうちの少なくともいずれか１つは、前記第１面に位置する電極部及び前記第１面から前記第２面に延びる延長部を含み、
前記集電電極が前記延長部に接触形成されることを特徴とする、請求項８に記載の太陽電池モジュール。
【請求項１０】
前記延長部は、前記第１面から前記支持基板の側面を覆いかぶせながら前記第２面まで延びることを特徴とする、請求項９に記載の太陽電池モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月28日(2014.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組立部品であって、
第１の階段状テラスを含む筐体を備え、
前記第１の階段状テラスは、垂直方向に一連の段を含み、
前記一連の段における第１段の後の各段は、前記一連の段における直前の段から第１のオフセット値だけ水平方向にオフセットされ、
前記筐体は、垂直スタック内において一組の半導体ダイが前記垂直スタック内の第１の半導体ダイに実質的に垂直な垂直方向に配列されるように前記一組の半導体ダイと結合するように構成され、
前記第１の半導体ダイの後の各半導体ダイは、前記垂直スタック内における直前の半導体ダイから第２のオフセット値だけ水平方向にオフセットされ、それによって、前記垂直スタックの一方の側面に第２の階段状テラスを規定する、組立部品。
【請求項２】
前記第１の階段状テラスは、前記第２の階段状テラスの略鏡像である、請求項１に記載の組立部品。
【請求項３】
前記一組の半導体ダイにおける所与の半導体ダイは、公称厚みを有し、
前記一連の段における所与の段の垂直変位は、前記公称厚みよりも大きい、請求項１に記載の組立部品。
【請求項４】
前記第１のオフセット値は、前記第２のオフセット値よりも大きい、請求項１に記載の組立部品。
【請求項５】
前記組立部品は、傾斜部品が前記半導体ダイと堅固に機械的に結合されるチップパッケージの組立を容易にし、
前記傾斜部品は、前記垂直スタックの前記一方の側面に位置付けられ、
前記傾斜部品は、水平方向と垂直方向との間である前記第２の階段状テラスに沿った方向に略平行である、請求項１に記載の組立部品。
【請求項６】
前記第１のオフセット値および前記第２のオフセット値は、前記方向と、前記傾斜部品を前記一組の半導体ダイに堅固に機械的に結合するために用いられるはんだの公称厚みとに基づいて決定される、請求項５に記載の組立部品。
【請求項７】
前記組立部品は、垂直方向における前記一組の半導体ダイにわたり、前記一組の半導体ダイと前記半導体ダイ間の一組の接着層とに関連する垂直誤差の合計よりも小さい積算位置誤差を伴って、前記一組の半導体ダイの組立てを容易にする、請求項１に記載の組立部品。
【請求項８】
前記積算位置誤差は、前記半導体ダイの厚み変動に関連する、請求項７に記載の組立部品。
【請求項９】
前記積算位置誤差は、前記一組の接着層の厚み変動に関連する、請求項７に記載の組立部品。
【請求項１０】
前記積算位置誤差は、前記一組の接着層における熱拡散材料の厚み変動に関連する、請求項７に記載の組立部品。
【請求項１１】
前記組立部品は、前記半導体ダイの端部変動に関連した、所定値よりも小さい最大位置誤差を伴って、前記一組の半導体ダイの組立てを容易にする、請求項１に記載の組立部品
。
【請求項１２】
チップパッケージを組立てるための方法であって、
筐体の垂直方向における第１の階段状テラス内の一連の段における第１の段に近接した半導体ダイの垂直スタックにおいて、第１の半導体ダイの端部を位置付けるステップを備え、
垂直方向は、前記第１の半導体ダイに実質的に垂直であり、
前記方法は、
前記第１の半導体ダイの上面に接着層を塗布するステップと、
前記筐体の垂直方向における前記一連の段内の第２の段に近接した前記半導体ダイの前記垂直スタックにおいて、第２の半導体ダイの端部を位置付けるステップとをさらに備え、
前記第２の半導体ダイの底面は、前記接着層に機械的に結合され
前記第２の段は、前記第１の段から第１のオフセット値だけ水平方向にオフセットされ、
前記第２の半導体ダイは、第２のオフセット値だけ水平方向にオフセットされ、それによって前記垂直スタックの一方の側面に第２の階段状テラスを規定し、
前記方法は、
前記第１の半導体ダイおよび前記第２の半導体ダイに傾斜部品を堅固に機械的に結合するステップをさらに備え、
前記傾斜部品は、前記垂直スタックの前記一方の側面に位置付けられ、
前記傾斜部品は、水平方向と垂直方向との間である前記第２の階段状テラスに沿った方向に略平行である、方法。
【請求項１３】
前記第１の半導体ダイおよび前記第２の半導体ダイのうちの１つにすることができる所与の半導体ダイを位置付けるステップは、ピックアンドプレースツールを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の半導体ダイおよび前記第２の半導体ダイのうちの１つにすることができる所与の半導体ダイを位置付けるステップは、前記所与の半導体ダイ上の光学アライメントマーカに基づく、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
チップパッケージを組立てるための方法であって、
半導体ダイの垂直スタック内において第１の半導体ダイを位置付けるステップを備え、
前記垂直スタックは、前記第１の半導体ダイに実質的に垂直な垂直方向に沿っており、
前記方法は、
前記第１の半導体ダイの上面に接着層を塗布するステップと、
前記半導体ダイの前記垂直スタックにおける第２の半導体ダイの端部を、前記第１の半導体ダイに対して位置付けるステップとをさらに備え、
前記第２の半導体ダイの底面は、前記接着層に機械的に結合され、
前記第２の半導体ダイは、あるオフセット値だけ水平方向にオフセットされ、それによって、前記垂直スタックの一方の側面に階段状テラスを規定し、
前記方法は、
傾斜部品を前記第１の半導体ダイおよび前記第２の半導体ダイに堅固に機械的に結合するステップをさらに備え、
前記傾斜部品は、前記垂直スタックの前記一方の側面に位置付けられ、
前記傾斜部品は、水平方向と垂直方向との間である前記階段状テラスに沿った方向に略平行である、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月8日(2014.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
１９７０年代、モジュールがモノ結晶シリコンおよびポリ結晶シリコンを含む結晶シリコンに基づく場合に、シリコン材は、第１世代の太陽電池と一般に知られているいわゆる標準的な太陽光発電用途のために研究されていた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
最近では、二酸化炭素を排出することなくエネルギーを要するため、シリコン量子ドット（Ｓｉ−ＱＤｓ）で有利な量子閉じ込め効果を生じる現代の太陽光発電用途で重要な役割を果たすシリコンが盛り返してきた。単一の入射する高エネルギーの光子が太陽電池の表面と接触する際、電子正孔対が生じ、残りのエネルギーが熱として失われる。現代の考えでは、第２又はそれよりも多い電子放射を形成するために（熱効果を通じて失われた）このエネルギーが利用される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
多重励起子生成（ＭＥＧ）に由来するこの技術は、第３世代の太陽電池のうちの１つとして知られている。太陽光発電用途のためＳｉ−ＱＤｓ合成での最新の開発がされている中、マグネトロンプラズマ蒸着による量子ドット（ＱＤｓ）の精巧が認識されている。他の類似の研究が、ノージックらにより特にＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅおよびＩｎＡｓ材料を使用して行われている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
この時、追加の注入ステップで適当なドーパントによりＱＤｓをドープすることが可能である。ドーパントは、ｎ−タイプ基板の場合ｐ−タイプ、又はｐ−タイプ基板の場合ｎ−タイプであってよく、射光により生じる電荷キャリアを集めるためｐ−ｎ又はｎ−ｐ接合を生じさせる。好ましくは、ｐ−タイプのドーパントはホウ素である。有利には、ｎ−タイプのドーパントはリンである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
次いで、前側コンタクトおよび後側コンタクトを基板の前面および背面に設けてよい。前側コンタクトは、図１に示すような製造された太陽電池を部分的に覆う不透明な電極、又は図７に示すようなＩＴＯ材料により製造された電極等の透明な導体電極のいずれか一方であり得る。後側コンタクトは不透明な電極、好ましくはアルミニウムであり得る。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
光吸収に直接的に依存し、および酸化物の厚さで電気伝導度に間接的に依存するため、吸収/伝導の中間物は最適化される。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月28日(2014.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に配置される裏面電極層と、
前記裏面電極層の上に配置される光吸収層と、
前記光吸収層の上に配置されるウィンドウ層と、を含み、
前記ウィンドウ層の全体及び前記光吸収層の一部を貫通する第３貫通溝が形成されることを特徴とする、太陽光発電装置。
【請求項２】
前記裏面電極層を貫通し、前記第３貫通溝に隣接する第１貫通溝が形成され、
前記光吸収層を貫通し、前記第１貫通溝及び前記第３貫通溝の間に第２貫通溝が形成されることを特徴とする、請求項１に記載の太陽光発電装置。
【請求項３】
前記第３貫通溝の内側面は前記ウィンドウ層の上面に対して傾斜することを特徴とする、請求項１から２のいずれか一項に記載の太陽光発電装置。
【請求項４】
前記ウィンドウ層の上面に垂直な方向に対し、前記第３貫通溝の内側面の角度は約３゜乃至約１０゜であることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の太陽光発電装置。
【請求項５】
前記光吸収層及び前記ウィンドウ層の間に介されるバッファ層を含み、
前記第３貫通溝は、前記バッファ層の全体を貫通することを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載の太陽光発電装置。
【請求項６】
前記第３貫通溝の底面は前記光吸収層の上面及び下面の間に位置することを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の太陽光発電装置。
【請求項７】
基板と、
前記基板の上に配置される裏面電極層と、
前記裏面電極層の上に配置される光吸収層と、
前記光吸収層の上に配置され、第３貫通溝が形成されるウィンドウ層と、
前記第３貫通溝及び前記裏面電極層の間に介されるダミー保護部と、
を含むことを特徴とする、太陽光発電装置。
【請求項８】
前記ダミー保護部は前記光吸収層と一体形成されることを特徴とする、請求項７に記載の太陽光発電装置。
【請求項９】
前記ダミー保護部は前記第３貫通溝に対応することを特徴とする、請求項７から８のいずれか一項に記載の太陽光発電装置。
【請求項１０】
前記ダミー保護部の上面は前記光吸収層の上面及び下面の間に配置されることを特徴とする、請求項７から９のいずれか一項に記載の太陽光発電装置。
【請求項１１】
前記ダミー保護部は前記裏面電極層の上面を覆うことを特徴とする、請求項７から１０のいずれか一項に記載の太陽光発電装置。
【請求項１２】
前記ダミー保護部の上面は前記第３貫通溝の底面と一致することを特徴とする、請求項７から１１のいずれか一項に記載の太陽光発電装置。
【請求項１３】
前記光吸収層及び前記ウィンドウ層の間に介されるバッファ層を含み、
前記第３貫通溝は前記バッファ層及び前記光吸収層の一部を貫通することを特徴とする、請求項７から１２のいずれか一項に記載の太陽光発電装置。
【請求項１４】
基板の上に裏面電極層を形成するステップと、
前記裏面電極層の上に光吸収層を形成するステップと、
前記光吸収層の上にウィンドウ層を形成するステップと、
前記ウィンドウ層の全体及び前記光吸収層の一部を貫通する第３貫通溝を形成するステップと、
を含むことを特徴とする、太陽光発電装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第３貫通溝を形成するステップは、
前記ウィンドウ層の上にマスクパターンを形成するステップと、
前記マスクパターンをエッチングマスクとして使用して、前記ウィンドウ層及び前記光吸収層をエッチングするステップと、
を含むことを特徴とする、請求項１４に記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第３貫通溝を形成するステップで、
前記ウィンドウ層及び前記光吸収層は湿式エッチング法によりパターニングすることを特徴とする、請求項１４から１５のいずれか一項に記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第３貫通溝を形成するステップは、
前記光吸収層にレーザーを照射するステップを含むことを特徴とする、請求項１４から１６のいずれか一項に記載の太陽光発電装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月6日(2014.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＲＦ−ＳｉＨ４プラズマにおけるプラズマ蒸着（ＰＥＣＶＤ）によって薄膜太陽電池のａ−Ｓｉ：Ｈの吸収体層を製造する方法であって、方法は、
ａ）０．５ｍｂａｒより低い処理圧力で前記蒸着を行うステップ、および
ｂ）３７０Ｗ／１４０００ｃｍ２より低いＲＦ電力密度で前記蒸着を行うステップのうち少なくとも１つを含む、方法。
【請求項２】
ステップａ）およびステップｂ）を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記処理圧力値は、少なくとも０．３ｍｂａｒとなるように選択される、請求項１または２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４】
０．４５ｍｂａｒの圧力値でステップａ）のみが行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
２７０Ｗ／１４０００ｃｍ２の電力密度値でステップｂ）のみが行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記処理圧力は０．４ｍｂａｒに選択され、前記電力密度は２３０Ｗ／１４０００ｃｍ２に選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
ａ−Ｓｉ：Ｈの光起電吸収体層であって、
ｉ．１０．５未満の微細構造因子Ｒ（％）、および
ｉｉ．１３．７より低いＨ含有量ｃＨ（ａｔ％）のうち少なくとも１つを備える、ａ−Ｓｉ：Ｈの光起電吸収体層。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法により製造される、請求項７に記載の吸収体層。
【請求項９】
請求項２、３、６のいずれか１項に記載の方法により製造される、請求項７または８に記載の吸収体層。
【請求項１０】
単接合ａ−Ｓｉ太陽電池であって、請求項７〜９のいずれか１項に記載の吸収体を含む低圧力化学的蒸着（ＬＰＣＶＤ）されたＺｎＯフロント接点層を備える、単接合ａ−Ｓｉ太陽電池。
【請求項１１】
吸収体層は、２６５ｎｍの厚さを有する、請求項１０に記載のａ−Ｓｉ太陽電池。
【請求項１２】
Ｉ．電流密度Ｊｓｃが１６．８ｍａ／ｃｍ２より高い点、および
ＩＩ．効率が１０．６２％より高い点のうち少なくとも１つの効果がある、請求項１０または１１のいずれか１項に記載のａ−Ｓｉ太陽電池。
【請求項１３】
Ｉ．およびＩＩ．の効果がある、請求項１２に記載のａ−Ｓｉ太陽電池。
【請求項１４】
１０００時間の光照射の後の絶対安定効率が少なくとも８．２５％であり、相対的光誘起劣化が２２％未満である、請求項１０〜１２のいずれか１項に記載のａ−Ｓｉ太陽電池。
【請求項１５】
微細太陽タンデム電池であって、上部電池および底部電池を備え、上部電池は、請求項７に記載のａ−Ｓｉ吸収体を含み、ｉ．およびｉｉ．が満たされ、請求項９に記載の方法
で製造されるのが好ましい、微細太陽タンデム電池。