Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月6日(2011.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受像体上に1つ以上の光学素子をエレクトログラフィックプリント方法であって：
a  所定サイズのマーキング粒子を有する第1層のトナーを堆積して第1層の多次元形状を形成する工程；
b  前記第1層に対して特定のサイズ分布を有する所定サイズのマーキング粒子によって特徴付けられる第2層のトナーを堆積する工程；
c  前記第2層のトナーに対して前記第1層の多次元形状を登録することで、登録パターンに関する光学素子を形成する工程；及び、
d  必要に応じて前記工程a乃至cを繰り返して最終的な光学素子を形成する工程；
を有するエレクトログラフィックプリント方法。
【請求項２】
前記マーキング粒子の特別なサイズ分布が5μmよりも大きな平均直径の体積によって特徴付けられる、請求項１に記載のエレクトログラフィックプリント方法。
【請求項３】
前記マーキング粒子の特別なサイズ分布が、前記第1層については6-12μmの体積平均直径、並びに第2層及び該第2層以降の層については12-30μmの体積平均直径を有する、請求項1又は2に記載のエレクトログラフィックプリント方法。
【請求項４】
前記所定サイズのマーキング粒子が12-30μmの体積平均直径を有する、請求項1乃至3のうちのいずれか1項に記載のエレクトログラフィックプリント方法。
【請求項５】
前記最終的な光学素子が、所定の屈折率を有する楕円形又は円形の特性のうちの1つを有する、請求項1に記載のエレクトログラフィックプリント方法。
【請求項６】
受像体上にトナー像を生成する静電グラフィックプリント装置であって：
イメージング部材；
所定サイズのマーキング粒子を用いて2層以上のトナー層を堆積することで光学素子を形成する現像ステーション；
第1層の多次元形状を第2層の多次元形状に対して位置合わせすることで最終的な光学素子を形成する位置合わせ装置；
各層の堆積を制御して前記最終的な光学素子を形成する制御装置；及び
前記最終的な光学素子を処理して前記最終的な光学素子に追加的な特性を与える処理装置；
を有する装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月7日(2011.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含んで成る制御された形の静電写真トナー粒子の製造方法：
ａ）溶媒、高度分散剤、及びシリコーンワックスを組合せて分散物を調製する工程；
ｂ）前記分散物をポリマー物質及び電荷制御剤と混合して有機相を生成する工程；
ｃ）粒状安定剤を含む水相に前記有機相を分散させて、生じた混合物を均一化する工程；
ｄ）前記溶媒を留去する工程；及び
ｅ）生じた生成物を洗浄し、乾燥して、低下した真球度を有する不規則形状のトナー粒子を調製する工程。
【請求項２】
以下の工程を含んで成る制御された形の静電写真トナー粒子の製造方法：
ａ）溶媒及びシリコーンワックスを組合せて分散物を調製する工程；
ｂ）前記分散物をポリマー物質、電荷制御剤及び高度分散剤と混合して有機相を生成する工程；
ｃ）粒状安定剤を含む水相に前記有機相を分散させて、生じた混合物を均一化する工程；
ｄ）前記溶媒を留去する工程；及び
ｅ）生じた生成物を洗浄し、乾燥して、低下した真球度を有する不規則形状のトナー粒子を調製する工程。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年12月22日(2011.12.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
この課題は、請求項１の前文部分に記載した形式の空気低温分離方法において、二基のアフターコンプレッサを、２５０Ｋより高い、又は特に２７０Ｋよりも高い入口温度で運転することによって解決される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高圧塔(21)と低圧塔(22)とを有する窒素・酸素分離用蒸留塔設備(20)を用いて空気を低温分離するに際し、
主たる装入空気流(1, 5)を空気圧縮機(2)で１０〜３０バールの第１圧力に圧縮してから浄化装置(4)で浄化し、
浄化後の主たる空気流(5)から第１と第２の空気流(7, 8)を分流し、
第１の空気流(7)全てを直列接続された第１と第２の二基のアフターコンプレッサ(10, 13)で再圧縮し、
再圧縮後の第１の空気流(15)を間接熱交換器(16)で冷却して少なくとも一部を液化又は疑似液化してから窒素・酸素分離用蒸留塔設備(20)へ導入し、
第２の空気流(8)を間接熱交換器(16)で冷却してから二つの部分流(24, 27)に分流し、これら部分流をそれぞれ機械的出力の発生を伴う減圧膨張を行う互いにほぼ同じであり前記第１圧力である入口圧力の別々の減圧膨張機(25, 28)に供給して機械的出力を取り出しながら減圧膨張させ、
これら第２の空気流の減圧膨張後の各部分流(26, 29)の少なくとも一部を窒素・酸素分離用蒸留塔設備(20)へ導入(30)し、
第２の空気流の減圧膨張の際に各減圧膨張機(25, 28)から取り出される機械的出力の少なくとも一部を直列接続された前記２基のアフターコンプレッサ(10, 13)の駆動に用い、
窒素・酸素分離用蒸留塔設備(20)から取り出される液体製品流(31)を液体状態のまま更に加圧(32)して高圧液体製品流とし、この高圧液体製品流を加圧状態のまま前記間接熱交換器(16)による第１の空気流(15)との間接熱交換で加温して気化又は擬似気化することによって最終的に気体製品流(34)として取り出す形式の低温空気分離方法において、
二基のアフターコンプレッサ(10, 13)を、２５０Ｋよりも高い入口温度で運転し、
前記第１及び第２の二基のアフターコンプレッサの一方の機械的入力軸と前記別々の減圧膨張機(25, 28)の一方の機械的出力軸とは、共通の回転軸により直結され、前記第１と第２の二基のアフターコンプレッサの他方の機械的入力軸と前記別々の減圧膨張機(25, 28)の他方の機械的出力軸とは、共通の回転軸により直結され、
前記第１のアフターコンプレッサよりも上流側の前記第１の空気流と第２のアフターコンプレッサよりも下流側の第１の空気流と間接熱交換器(9)で相互に間接熱交換することで、前記第１のアフターコンプレッサよりも上流側の前記第１の空気流を加温することを特徴とする低温空気分離方法。
【請求項２】
第２の空気流から分流された二つの部分流のうちの第１の部分流(26)の少なくとも一部を高圧塔(21)へ導入(30)することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第２の空気流から分流された二つの部分流のうちの第２の部分流(29)の少なくとも一部をも高圧塔(21)へ導入(30)することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
第２の空気流から分流された二つの部分流のうちの第２の部分流の少なくとも一部を低圧塔(22)へ導入することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
窒素・酸素分離用蒸留塔設備が低圧塔を有し、第１の部分流の少なくとも一部を高圧塔へ導入し、第２の部分流の少なくとも一部を中圧塔又は低圧塔又はそれら双方へ導入することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
第１のアフターコンプレッサのみ、又は第２のアフターコンプレッサのみ、又は両方のアフターコンプレッサがアフタークーラー(11, 14)を備えていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
二基のアフターコンプレッサ(10, 13)を、２７０Ｋよりも高い入口温度で運転することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の低温空気分離方法。
【請求項８】
高圧塔(21)と低圧塔(22)とを有する窒素・酸素分離用蒸留塔設備(20)を用いて空気を低温分離するための空気低温分離装置であって、
主たる装入空気流(1)を１０〜３０バールの第１圧力に圧縮するための空気圧縮機(2)と、
圧縮後の主たる装入空気流を浄化するための浄化装置(4)と、
−浄化後の主たる空気流(5)から第１と第２の空気流(7, 8)を分流する手段と、
第１の空気流(7)全てを再圧縮するための直列接続された二基のアフターコンプレッサ(10, 13)と、
再圧縮後の第１の空気流(15)を間接熱交換により冷却して液化又は疑似液化してから窒素・酸素分離用蒸留塔設備(20)へ導入するための手段(16)と、
第２の空気流(8)を間接熱交換(16)により中間温度まで冷却するための手段(16)と、
この冷却された第２の空気流から分流された二つの部分流(24, 27)をそれぞれ互いにほぼ同じであり前記第１圧力である入口圧力で受け入れて個々に機械的出力を発生しながら減圧膨張させるように入口側で並列接続された二基の減圧膨張機(25, 28)と、
これら第２の空気流の減圧膨張(25, 28)後の各部分流(26, 29)を窒素・酸素分離用蒸留塔設備(20)に導入するための手段(26, 29, 30)と、
第２の空気流の減圧膨張の際に各減圧膨張機(25, 28)から取り出される機械的出力を直列接続された前記２基のアフターコンプレッサ(10, 13)に伝達するための、前記第１及び第２の二基のアフターコンプレッサの一方の機械的入力軸と前記別々の減圧膨張機(25, 28)の一方の機械的出力軸とを直結する共通の回転軸と、前記第１及び第２の二基のアフターコンプレッサの他方の機械的入力軸と前記別々の減圧膨張機(25, 28)の他方の機械的出力軸とを直結する共通の回転軸と、
窒素・酸素分離用蒸留塔設備(20)から液体製品流(31)を取り出し、該液体製品流を液体状態のまま更に加圧(32)して高圧液体製品流とし、この高圧液体製品流を加圧状態のまま第１の空気流(15)との間接熱交換で加温して気化又は疑似気化することによって気体製品流(34)として取り出す手段(31, 32, 33, 16, 34)と、
前記第１のアフターコンプレッサよりも上流側の前記第１の空気流と第２のアフターコンプレッサよりも下流側の第１の空気流とを相互に間接熱交換し前記第１のアフターコンプレッサよりも上流側の前記第１の空気流を加温する間接熱交換器(9)を備え、
二基のアフターコンプレッサ(10, 13)の入口が、第１の空気流を２５０Ｋよりも高い入口温度で供給する手段と接続されていることを特徴とする低温空気分離装置。
【請求項９】
二基のアフターコンプレッサ(10, 13)の入口が、第１の空気流を２７０Ｋよりも高い入口温度で供給する手段と接続されていることを特徴とする請求項８に記載の低温空気分離装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年6月18日(2012.6.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
注射装置であって、
ハウジングと、
回転軸を有する投与量設定部材であって、当該回転軸周りに前記ハウジングに対して相対的に回転することによって、投与量を設定することができる回転軸を有する投与量設定部材（４）と、
投与量設定部材と協働し、設定された投与量が当該注射装置から注射されるように適合されたピストンロッド（１０）と、
軸方向移動を行うように適合された注射ボタンであって、当該注射ボタンを操作すると設定された投与量が前記ピストンロッドによって注射されるように、設定された投与量を注射する際に前記ピストンロッドと協働することができる注射ボタン（５）と、
当該注射ボタンの軸方向移動と前記ピストンロッドの軸方向移動との間のギア比を与える、少なくとも１つのギアホイールからなるギア装置（９、１２）とを備え、
投与量の設定中、当該ギア装置が、前記投与量設定部材と共に当該投与量設定部材の回転軸で回転するのが妨げられ、投与量設定部材の回転軸方向に前記ピストンロッドに対して移動し、
設定された投与量の注射中に、前記ピストンロッド（１０）は、前記ギア装置（９、１２）との相対位置関係を保ちつつ前記ギア装置と共に移動し、
１つまたは複数の前記ギアホイールの少なくとも１つが、前記投与量設定部材の回転軸と平行でない回転軸を有する、注射装置。
【請求項２】
前記投与量設定部材に対して、回転方向に固定された投与量ロッドをさらに備え、当該投与量ロッドおよび前記ギア装置が、相対的な回転ができるように、前記ギア装置が、前記投与量ロッドに対して、軸方向に固定される請求項１に記載の注射装置。
【請求項３】
１つまたは複数の前記ギアホイールの少なくとも１つが、前記投与量設定部材の回転軸に対して垂直な回転軸を有する請求項１または２に記載の注射装置。
【請求項４】
前記ギア装置の前記少なくとも１つのギアホイールは、クラウンホイールを含み、
前記投与量設定部材は、前記投与量設定部材が前記クラウンホイールを回転させるように操作されると、前記投与量設定部材の回転軸周りに回転するように、前記投与量設定部材に操作可能に結合された押出しギアホイール（８）を含み、前記押出しギアホイールは、前記クラウンホイールに対して前記投与量設定部材の回転軸方向に摺動可能であり、
前記回転が、前記投与量設定部材の回転軸に平行でない回転軸で行われる、
請求項３に記載の注射装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
注射装置はさらに、投与量設定部材に対して回転方向に固定された投与量ロッドを備えることが可能であり、また投与量ロッドおよびギア装置が回転できるように、ギア装置を投与量ロッドに対して、軸方向に固定することができる。投与量ロッドは投与量設定部材に係止されているため、投与量の設定中、投与量設定部材と共に回転する。投与量ロッドは、投与量設定部材の回転軸と一致するように配置することが好ましい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
注射ボタン５が押されると、注射ボタン５の内部に配置された部材上の一連の歯が移動し、投与量ロッド７上に配置された相手側の一連の歯と係合する。このため、投与量ロッド７が回転方向に固定され、それによって押出しギアホイール８も回転方向に固定される。第３のギアホイール１９が押出しギアホイール８と係合され、第３のギアホイール１９は前述のようにスピンドルナットに接続されているため、スピンドルナットも回転方向に固定される。したがって、スピンドルナットとスピンドルロッド１６のねじ山の噛み合せによってスピンドルロッド１６が回転する。第４のギアホイール２０と駆動ナット２１の間の係合によって、駆動ナット２１も回転する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年10月15日(2012.10.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
前記目標は、生体適合性の材料からなる閉鎖されたケーシング中に通常の孔径０．２〜０．５μｍを有する通常の血漿フィルター（膜−中空チューブ）が導入されている（図１及び図１ａ参照）ことにより達成される。膜材料として、セルロース誘導体又は合成材料、例えばポリスルホン又はポリアミドを使用することができる。このケーシングは、同時に官能化された粒子のための収容容器として機能する。前記粒子のための材料として、例えばポリスルホン、ポリアクリロニトリル、ポリメチルメタクリラート、ポリビニルアルコール、ポリアミド、ポリカーボネート及びセルロース誘導体を使用することができる。流動する血液に導入し、血漿が圧力差及び孔径に応じて膜を通過する。膜の外側で前記血漿は、膜の孔径を超える直径を有する非特異的又は特異的に官能化されたマイクロ粒子からなる吸着ゲル中を流通する。所定の生物活性の物質で特異的に精製された血漿は、ケーシング中で膜管内の血漿フィルター血流と統合され、精製された全血として患者に再注入される。フィルターのシステムは、微小粒子が血流中に達することを抑制する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年6月4日(2012.6.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
２．３）コメント
実際には、部品の疲労強度は、特に表面の幾何学的輪郭線の影響を受ける可能性がある。この輪郭線の形状に起伏があると、疲労による亀裂の開始または伝播に影響がある。しかし起伏を考慮したモデルはそうした起伏の実際の形状から出発しておらず、輪郭測定の単純化した幾何学的記述から出発している。この記述から生まれるパラメータは多数あるが、そのどれひとつとして、そのパラメータを用いる力学モデルがあらゆるタイプの起伏で適切であることを保証することはできない。ある場合にはあるパラメータを使用することが適切であり、別の場合には別のパラメータが適切であるため、実験だけが事後的に決着をつけることができる。したがってあらかじめ試験することなく疲労強度の特徴を明らかにすることはできない。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
表面について得られた輪郭線から幾何学的係数（例えば粗さ係数）を決定する操作を経由せずに応力場を直接推定しているため、起伏がある場合にどの幾何学的モデルによってもその起伏が無視されないことを取り入れて挙動を推定できることに注意されたい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
本発明の場合によっては組み合わされる有利な特徴によれば、
ある領域の表面の輪郭線を特徴づけるデータの測定（または採取）ステップは、実際には公知のあらゆる探触装置によってその領域の幾何学的輪郭線を測定するサブステップを含んでいる；しかし他の技術（特に、純粋に光学的、電気的、音響的、熱的な技術）を利用することも考えられる。
この輪郭線を特徴づけるデータの採取／測定ステップはサンプリングを行なうサブステップを含んでいるため、必要な記憶用メモリのサイズを小さくできるが、表面の起伏が完全に無視されるおそれはない；サンプリングを行なうこのサブステップは、表面の輪郭線を特徴づけるデータの数を少なくとも１桁少なくするように構成されている；しかし計算手段に余裕があれば、サンプリングを行なわないことも考えられる。
この輪郭線を特徴づけるデータの測定ステップは、例えば部品の傾斜効果または幾何学的形状（例えば円筒形部品では、その直径と結び付いた曲率）の効果を除去するためフィルタリングを行なうサブステップを含んでいる。
この輪郭線を特徴づけるデータの測定ステップは、計算モデルに応じた調節を行なうサブステップを含んでいる。するとその計算モデルで必要とされる形式を確実に守ることができる。
データに適用する計算モデルは、有限要素またはその変形（ＸＦＥＭ、ＢＡＲＳＯＯＭなど）による計算モデルである。これはよくわかった計算道具に対応する；しかし他の計算モデル（特に、特別な数値モデル、有限差またはスペクトル差、積分法などの他の数値法）も考えられる。
計算モデルには部品の厚さが取り込まれる；この厚さは、上記領域の表面の下方に少なくとも０．５ｍｍであることが望ましく、少なくとも１ｍｍであることがより好ましい。これは、調べている表面の輪郭線がどのようなものであれ、応力場を正確に推定するのにまったく十分であるように思われる；しかしこの厚さは、ケースごとに従来技術で最適化することができる。
計算モデルは、それぞれの計算要素（有限要素、または使用するモデルの数値要素など）について、上記領域の少なくとも２本または３本の主要軸に沿った応力の値を決定する。すると１本の軸だけの場合よりも応力場をうまく推定することができる。
計算モデルは、部品の上記領域の縁部から少なくともゼロではない距離（例えば縁部から少なくとも１ｍｍ）にしか適用されないため、縁部の効果が回避される（計算モデルにその効果を含めうる場合は除く）。
疲労に関する挙動の特徴的な数値は、最大応力集中係数である。これは、幾何学的モデルと力学的モデルを同時に利用した実際の一連の測定によって与えられるものに対応している；厚さ内の応力分布などの他の数値は、本発明で用いる数値モデルから容易に得ることができる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
したがって、本発明で提案する一連の測定は、力学的負荷を受けることになる部品の表面状態の品質の指標を提供できることがわかる。この一連の測定は、幾何学的パラメータを経由することがないため、特別な起伏などが部品の寿命に及ぼす影響をあらかじめ知る必要がないという利点を有する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年8月24日(2012.8.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
部分芳香族の部分結晶質の熱可塑性ポリアミドの成形材料であって、
Ａ）ａ１）テレフタル酸から誘導した構成単位３０〜４４ｍｏｌ％、
ａ２）イソフタル酸から誘導した構成単位６〜２０ｍｏｌ％、
ａ３）ヘキサメチレンジアミンから誘導した構成単位４２〜４９．５ｍｏｌ％、
ａ４）炭素原子６〜３０個を有する芳香族ジアミンから誘導した構成単位０．５〜８ｍｏｌ％、
から構成されるコポリアミド４０〜１００質量％、
その際、成分ａ１）〜ａ４）のモル百分率は、合わせて１００％であり、かつ
Ｂ）繊維状又は粒状の充填剤０〜５０質量％、
Ｃ）ゴム弾性重合体０〜３０質量％、
Ｄ）他の添加剤及び加工助剤０〜３０質量％、
を含有し、その際、成分Ａ）〜Ｄ）の質量百分率は、合わせて１００％である、部分芳香族の部分結晶質熱可塑性ポリアミドの成形材料。
【請求項２】
前記のコポリアミドＡ）が、
ａ１）３２〜４０ｍｏｌ％
ａ２）１０〜１８ｍｏｌ％
ａ３）４５〜４８．５ｍｏｌ％
ａ４）１．５〜５ｍｏｌ％
から構成される、請求項１に記載のポリアミド成形材料。
【請求項３】
前記の芳香族ジアミンａ４）が、
ｐ−キシリレンジアミンもしくは
ｍ−キシリレンジアミンもしくは
ｏ−キシリレンジアミンもしくは
アルキル置換キシリレンジアミン
又はそれらの混合物
から構成される、請求項１又は２に記載のポリアミド成形材料。
【請求項４】
前記のコポリアミドＡ）が、トリアミン含有率０．５質量％未満を有する、請求項１から３までのいずれか１項に記載のポリアミド成形材料。
【請求項５】
該コポリアミドＡ）が、２０％より高い結晶化度を有する、請求項１から４までのいずれか１項に記載のポリアミド成形材料。
【請求項６】
繊維の、箔の、又は成形物の製造のための、請求項１から５までのいずれか１項に記載のポリアミド成形材料の使用。
【請求項７】
請求項１から５までのいずれか１項に記載のポリアミド成形材料から得ることができる成形物。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年1月25日(2012.1.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線ローカルエリアネットワークデバイス（ＷＬＡＮデバイス）の動作の最適化方法であって、前記ＷＬＡＮデバイス（１００）は媒体を介するサービスの送受信に使用され、前記ＷＬＡＮデバイス（１００）はＷＬＡＮチップセット（１２２）と電力増幅器（１１８）を含み、前記最適化方法は、
特定時点で前記ＷＬＡＮチップセット（１２２）に使用されるＷＬＡＮトラフィック表示測量値を判定することと；
前記ＷＬＡＮトラフィック表示測量値に基づき、前記ＷＬＡＮの利用可能帯域幅を推定することと（３００）；
推定した前記利用可能帯域幅とサービスタイプに基づき、前記ＷＬＡＮのデータレートを判定することと（３０４）；
判定した現在の前記データレートに対して電力増幅バイアス電圧を選択することによって、前記ＷＬＡＮデバイス（１００）の消費電力を低減することであって、選択される前記電力増幅バイアス電圧は、前記電力増幅バイアス電圧と前記データレートとのルックアップテーブルから判定される最小値であることと（３０６）；
前記現在のデータレートと最後に知ったデータレートとに対して前記ＷＬＡＮのために予め定義された第１感度と第２感度との間の差に基づいて、前記送信器（１１４）の電力を最小化するために送信電力制御信号を生成することと
を含み、
前記現在のデータレートが前記最後に知ったデータレートに等しいときには、前記送信電力制御信号は、前記ＷＬＡＮチップセット（１２２）の電力ステップの大きさに依存するとともに、パケット誤り率と目標誤り率との比較にも依存するように構成されている、
最適化方法。
【請求項２】
無線ローカルエリアネットワークデバイス（ＷＬＡＮデバイス）であって、前記ＷＬＡＮデバイス（１００）は媒体を介してサービスを送信するためのＷＬＡＮチップセット（１２２）と電力増幅器（１１８）を含み、
前記ＷＬＡＮチップセット（１２２）は媒体アクセスコントローラ（１０６）、モデム（１０８）、受信器（１１２）、および送信器（１１４）を含み、
前記媒体アクセスコントローラ（１０６）は、前記ＷＬＡＮチップセット（１２２）に使用されるＷＬＡＮトラフィック表示測量値からデータレートを推定できるリンク適応ユニット（１２０）を含み、
前記モデム（１０８）は、現在の前記データレートを使用することによって前記電力増幅器（１１８）に対するバイアス電圧を判定し、前記バイアス電圧は、前記現在のデータレートに対する前記バイアス電圧とデータレートのルックアップテーブルから判定される最小値であるように選択され、その結果として前記電力増幅器（１１８）の消費電力を低減し、
前記モデム（１０８）は、前記現在のデータレートと最後に知ったデータレートとに対して前記ＷＬＡＮのために予め定義された第１感度と第２感度との間の差に基づいて、前記送信器（１１４）の電力を最小化するために送信電力制御信号（１２５）を生成し、
前記現在のデータレートが前記最後に知ったデータレートに等しいときには、前記送信電力制御信号は、前記ＷＬＡＮチップセット（１２２）の電力ステップの大きさに依存するとともに、パケット誤り率と目標誤り率との比較にも依存するように構成されている、
ＷＬＡＮデバイス。
【請求項３】
前記ＷＬＡＮトラフィック表示測量値は、前記データレートを判定すべく利用可能帯域幅を予測するために使用される、
請求項２記載のＷＬＡＮデバイス。
【請求項４】
請求項２または３記載のＷＬＡＮデバイス（１００）を含む、通信デバイス。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
別の方策は、媒体占有を監視することによって、特定の消費電力に対して最適なデータレートを選択することを教示する。データレートは、平均競合ウィンドウ（平均コンテンションウィンドウ）、または過去の衝突（コリジョン）の数、またはチャンネルが前回のフレーム送信中に占有されていた時間に基づきＷＬＡＮトラフィックを推定することによって、ＷＬＡＮトラフィックに適応される。しかしＶ２ＩＰまたはＶｏＩＰアプリケーションにとって送信速度は低く（約５０送信／秒）、（送信間隔と相対的な）送信時間も低い。そのためトラフィックは、最後の送信と次の送信との間の期間で著しく変化することがある。この理由で、ＷＬＡＮトラフィックの推定方法は非常に信頼性を欠き、従って信頼できるメトリック値（測量値）ではない。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月2日(2012.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｍ（Ｃｐ）２の前駆体であって、式中、ＭはＢａ又はＳｒであり、Ｃｐは下式のシクロペンタジエニル
【化１】
2009529579.tif 000001
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は、互いに同じか又は異なり、それぞれ独立に、水素、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル、Ｃ１〜Ｃ１２アミノ、Ｃ６〜Ｃ１０アリール、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ、Ｃ３〜Ｃ６アルキルシリル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＮＮＲ３から独立に選択され、式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、互いに同じか又は異なり、それぞれ独立に、水素及びＣ１〜Ｃ６アルキルから選択され、官能基を有するペンダントリガンドが、金属中心Ｍにさらに配位する）である、前駆体と、
任意の溶媒媒体と、
を含む、前駆体組成物。
【請求項２】
溶媒媒体を含み、
前記溶媒媒体は、Ｃ３〜Ｃ１２アルカン、Ｃ２〜Ｃ１２エーテル、Ｃ６〜Ｃ１２芳香族化合物、Ｃ７〜Ｃ１６アリールアルカン、Ｃ１０〜Ｃ２５アリールシクロアルカン及びかかる芳香族化合物、アリールアルカン及びアリールシクロアルカン種のさらなるアルキル置換形態からなる群から選択される溶媒種を含み、複数のアルキル置換基の場合には、前記さらなるアルキル置換基が、互いに同じか又は異なり、それぞれ独立に、Ｃ１〜Ｃ８アルキルから選択される、請求項１に記載の前駆体組成物。
【請求項３】
前記溶媒媒体は、キシレン、テトラリン、及びアルキル置換テトラリンからなる群から選択される溶媒種を含む、請求項１に記載の前駆体組成物。
【請求項４】
ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ストロンチウムを含む、請求項１から３のうちいずれかに記載の前駆体組成物。
【請求項５】
ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ストロンチウム及びキシレンを含む、請求項１に記載の前駆体組成物。
【請求項６】
ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ストロンチウム及びテトラリンを含む、請求項１に記載の前駆体組成物。
【請求項７】
ビス（テトラメチル−ｎ−プロピルシクロペンタジエニル）ストロンチウムを含む、請求項１から３のうちいずれかに記載の前駆体組成物。
【請求項８】
ビス（テトラメチル−ｎ−プロピルシクロペンタジエニル）ストロンチウム及びキシレンを含む、請求項１に記載の前駆体組成物。
【請求項９】
ビス（テトラメチル−ｎ−プロピルシクロペンタジエニル）ストロンチウム及びテトラリンを含む、請求項１に記載の前駆体組成物。
【請求項１０】
基板上に金属を堆積する方法であって、
請求項１から９のうちいずれかに記載の前駆体組成物を揮発させて前駆体蒸気を形成する工程と、前記前駆体蒸気を前記基板に接触させて前記金属をその上に堆積させる工程と、を含む方法。
【請求項１１】
化学蒸着又は原子層堆積を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記前駆体の液体分配又は固体分配を含む、請求項１０及び１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
請求項１０から１２のうちいずれかに記載の方法によって形成された金属膜を含む、マイクロ電子デバイス。
【請求項１４】
請求項１から９のうちいずれかに記載の前駆体組成物を含む、前駆体供給パッケージ。
【請求項１５】
前記前駆体組成物は、ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ストロンチウム及びビス（テトラメチル−ｎ−プロピルシクロペンタジエニル）ストロンチウムから選択される前駆体と、キシレン及びテトラリンから選択される溶媒種を含む任意の溶媒媒体とを含む、請求項１４に記載の前駆体供給パッケージ。
【請求項１６】
基板上に結晶ストロンチウムチタネート膜を堆積する方法であって、ストロンチウム及びチタン前駆体を用いる原子層堆積（ＡＬＤ）法を実行する工程を含み、前記ストロンチウム前駆体は、
（ｉ）式Ｃｐ−Ｍ−Ｃｐの前駆体（式中、ＭはＳｒであり、Ｃｐはそれぞれの環炭素原子上に置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５を有するシクロペンタジエニルであり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、互いに同じか又は異なり、それぞれ独立に、Ｈ；Ｃ１〜Ｃ１２アルキル；Ｃ１〜Ｃ１２アミノ；Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ；Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ；Ｃ３〜Ｃ１０シクロアルキル；Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル；Ｃ７〜Ｃ１２アラルキル；Ｃ７〜Ｃ１２アルキルアリール；Ｃ６〜Ｃ１２アリール；Ｃ５〜Ｃ１２ヘテロアリール；Ｃ１〜Ｃ１０ペルフルオロアルキル；シリル、アルキルシリル、ペルフルオロアルキルシリル、トリアリールシリル、及びアルキルシリルシリルからなる群から選択されるシリコン含有基；ＲａＲｂＲｃＮＮＲｃから選択され、式中、Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは、互いに同じか又は異なり、それぞれ独立に、水素及びＣ１〜Ｃ６アルキルから選択され、官能基を有するペンダントリガンドが、金属中心にさらに配位する）と、
（ｉｉ）前駆体（ｉ）のルイス塩基付加物と、
から選択される、方法。
【請求項１７】
基板上に結晶ストロンチウムチタネート膜を堆積する方法であって、
ストロンチウム及びチタン前駆体を用いる原子層堆積（ＡＬＤ）法を、前記結晶ストロンチウムチタネート膜を生成するプロセス条件下で実行する工程を含み、
前記ストロンチウム前駆体は、ビス（ｎ−プロピルテトラメチルシクロペンタ−ジエニル）ストロンチウム及びビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ストロンチウムから選択される、方法。
【請求項１８】
前記ストロンチウム前駆体は、ビス（ｎ−プロピルテトラメチルシクロペンタ−ジエニル）ストロンチウムである、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記ストロンチウム前駆体は、ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ストロンチウムである、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記プロセス条件は、２５０℃〜５００℃の範囲の温度を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
アニール工程を含まない、請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】
前記基板は、マイクロ電子デバイス基板を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２３】
高誘電率マイクロ電子デバイスを製造すべく実行される、請求項１７に記載の方法。
【請求項２４】
基板上にストロンチウム薄膜を堆積する方法であって、前記基板を前駆体組成物蒸気と接触させる工程を含み、前記前駆体組成物は、式Ｍ（Ｃｐ）２の化合物を含み、式中、Ｍはストロンチウムであり、Ｃｐは下式のシクロペンタジエニル
【化１】
2009529579.tif 000002
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は、互いに同じか又は異なり、それぞれ独立に、水素、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル、Ｃ１〜Ｃ１２アミノ、Ｃ６〜Ｃ１０アリール、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ、Ｃ３〜Ｃ６アルキルシリル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＮＮＲ３から独立に選択され、式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、互いに同じか又は異なり、それぞれ独立に、水素及びＣ１〜Ｃ６アルキルから選択され、官能基を有するペンダントリガンドが、金属中心Ｍにさらに配位し、式中、Ｒ１〜Ｒ５は同時にＨではなく、Ｒ１〜Ｒ５は全て同時にメチルではなく、Ｒ１〜Ｒ５の残りの２つがＨのとき、それらの３つはイソプロピルではない。）であり、前記化合物はテトラヒドロフランに配位しない、方法。
【請求項２５】
前記Ｍ（Ｃｐ）２は、ビス（テトラメチル−ｎ−プロピルシクロペンタジエニル）ストロンチウムである、請求項２４記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月10日(2012.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料油中のオレフィンの重量に対し少なくとも１２ｗｔ％を越えるイソブテンを含む原料油と、少なくとも１つの１０または１２員環チャンネル系を含み、ＭＦＳ型構造を有する多次元モレキュラーシーブとを、オクテンの全重量に対し１０ｗｔ％未満の三分岐鎖オクテンを含み、オクテン分岐指数が２未満のオクテンを含有する生成物を製造するオリゴマー化条件下で接触させ、オリゴマー化条件が、反応器入り口で測定した温度が少なくとも約２２０℃であることを特徴とするプロセス。
【請求項２】
触媒が、完全におよび／または一部がプロトン化されたＺＳＭ−５７である、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
触媒の９０ｗｔ％が、完全におよび／または一部がプロトン化されたＺＳＭ−５７である、請求項１または請求項２に記載のプロセス。
【請求項４】
原料油がラフィネート−１である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項５】
オクテンを含む生成物は、全オクテンの重量に対し８ｗｔ％未満の三分岐鎖オクテンを含有する請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項６】
原料油が、原料油中のオレフィンの重量に対し１２から４０ｗｔ％のイソブテンを含む、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項７】
生成物が、オクテン分岐指数１．９未満のオクテンを含む、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項８】
オリゴマー化条件に、さらにブテンのシングルパス転化率が８０％から約９５％であることが含まれる、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項９】
さらに、オクテンを含む生成物を、ヒドロホルミル化触媒の存在下で、Ｃ９アルコールを生じる条件下で一酸化炭素およびＨ２と接触させるステップを備える、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項１０】
さらに、生じたＣ９アルコールを少なくとも１の酸または酸無水物と接触させ、このＣ９アルコールと少なくとも１の酸または酸無水物とのエステルを生成させるステップを備える、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項１１】
少なくとも１の酸または酸無水物が、フタル酸および／または無水物、メリット酸および／またはトリメリット酸無水物、アジピン酸、およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１０に記載のプロセス。
【請求項１２】
エステルをＰＶＣと混合して可塑化されたＰＶＣを製造し、この可塑化されたＰＶＣを押出成型して成型品を形成するステップを含む、請求項１１に記載のプロセス。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年7月10日(2012.7.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７７】
【表１】
2009529582.tif 000001
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）で表される染料。
【化１】
2009529582.tif 000002
［式中、Ｒ、Ｘ、Ｙ及びＺは、下記の表に示す各行の基の組み合わせである。］
【表１】
2009529582.tif 000003
【請求項２】
請求項１に記載の一般式（Ｉ）の１種又はそれ以上の染料及び１種又はそれ以上の直接染料若しくは酸化染料を含む、染料混合物。
【請求項３】
請求項１に記載の一般式（Ｉ）の１種又はそれ以上の染料、又は請求項２に記載の染料混合物を含む、染毛剤組成物。
【請求項４】
少なくとも１種の酸化染料前駆体及び／又は少なくとも１種のカップリング化合物を含む、請求項３に記載の染毛剤組成物。
【請求項５】
酸化剤を含む、請求項３又は４に記載の染毛剤組成物。
【請求項６】
２〜11の範囲のpH値を有する、請求項３〜５のいずれか１項に記載の染毛剤組成物。
【請求項７】
請求項３〜６のいずれか１項に記載の染毛剤組成物を、毛髪に適用し、１〜45分間放置し、次いで毛髪から洗い流すことを特徴とする、毛髪を染色するための方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年12月19日(2011.12.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘアケア組成物において、
Ａ）１つ以上のシリコーン０．１〜５０質量％、その際、これらのシリコーンの少なくとも１０質量％は少なくとも２個の重合可能な基を有する、
Ｂ）１つ以上の親水性モノマー０．５〜１４質量％
および
Ｃ）１つ以上の疎水性モノマー３０〜９９．４質量％
から成る少なくとも１つのシリコーンコポリマーおよび／またはその鹸化生成物０．１〜１２質量％を含有し、ただし該シリコーンコポリマーの分子量Ｍｗが３００００〜９００００ｇ／モルであることを特徴とする、ヘアケア組成物。
【請求項２】
シリコーンＡ）の少なくとも５０質量％が鎖末端に２個の重合可能な基を有することを特徴とする、請求項１記載のヘアケア組成物。
【請求項３】
シリコーンコポリマーおよび／またはその鹸化生成物がシリコーンＡ）０．１〜４０質量％から成ることを特徴とする、請求項１または２記載のヘアケア組成物。
【請求項４】
少なくとも１つのシリコーンＡ）が、一般式（１）
Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ（ＳｉＲ２Ｏ）ｎＳｉＲ２Ｒ１  （１）
［式中、
Ｒは、互いに無関係に、一価の、線状のまたは環状の、Ｓｉ−Ｃ−結合された、置換されたまたは非置換の炭化水素基または基１個あたり炭素原子１〜１８個を有するアルコキシ基
Ｒ１は、重合可能な基を意味し
ｎは、１０〜１０００
を意味する］
を有するシリコーンマクロモノマーであることを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項記載のヘアケア組成物。
【請求項５】
Ａ）が、一般式ＣＨ２＝ＣＨ−ＳｉＭｅ２（ＳｉＭｅ２Ｏ）ｎＳｉＭｅ２−ＣＨ＝ＣＨ２［式中、ｎは、１０〜１０００である］のα，ω−ジビニルポリジメチルシロキサンであることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項記載のヘアケア組成物。
【請求項６】
シリコーンコポリマーおよび／またはその鹸化生成物が親水性モノマーＢ）０．５〜１０質量％から成ることを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項記載のヘアケア組成物。
【請求項７】
シリコーンコポリマーおよび／またはその鹸化生成物が親水性モノマーＢ）３〜６質量％から成ることを特徴とする、請求項１から６までのいずれか１項記載のヘアケア組成物。
【請求項８】
少なくとも１つの親水性モノマーＢ）が、クロトン酸またはアクリル酸を含有する群から選択されたラジカル重合可能なカルボン酸であることを特徴とする、請求項１から７までのいずれか１項記載のヘアケア組成物。
【請求項９】
少なくとも１つの疎水性モノマーＣ）が、ビニルエステルまたはアクリル酸またはメタクリル酸のエステルを含有する群から選択されることを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項記載のヘアケア組成物。
【請求項１０】
少なくとも１つの疎水性モノマーＣ）が酢酸ビニルであることを特徴とする、請求項１から９までのいずれか１項記載のヘアケア組成物。
【請求項１１】
全成分を、
Ａ）１つ以上のシリコーン０．１〜５０質量％、その際、これらのシリコーンの少なくとも１０質量％は少なくとも２個の重合可能な基を有する、
Ｂ）１つ以上の親水性モノマー０．５〜１４質量％
および
Ｃ）１つ以上の疎水性モノマー３０〜９９．４質量％
から成る少なくとも１つのシリコーンコポリマーおよび／またはその鹸化生成物０．１〜１２質量％と混合し、ただし該シリコーンコポリマーの分子量Ｍｗが３００００〜９００００ｇ／モルであることを特徴とする、請求項１から１０までのいずれか１項記載のヘアケア組成物の製造法。
【請求項１２】
ヘアスプレー、スタイリングムース、スタイリングジェル、シャンプー、ヘアリンス、コンディショナー、ローションまたはクリームとしての、請求項１から１０までのいずれか１項記載のヘアケア組成物の使用。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
有利なのは、以下：
Ａ）１つ以上のシリコーン０．１〜５０％、その際、該シリコーンの少なくとも５０％は鎖末端に２個の重合可能な基を有する。
Ｂ）１つ以上の親水性モノマー０．５〜１４％
Ｃ）疎水性モノマーとしてのビニルエステルまたはアクリル酸またはメタクリル酸のエステルおよび場合によってはさらに他の疎水性モノマー３０〜９９．４％
から成るシリコーンコポリマーおよび／またはその鹸化生成物を有するヘアケア組成物である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年10月1日(2012.10.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細胞死を生じさせ得る病状又は変性過程の細胞レベルでの結果を処置するための、神経保護剤を除く細胞保護剤であって、式Ｉ：
【化１】
2009529517.tif 000001
（式中、
Ｘ及びＹは一緒になって、ケト基（＝Ｏ）、オキシム基（＝ＮＯＨ）又はメチルオキシム基（＝ＮＨＯＭｅ）を表すか、又はＸはヒドロキシルを表し、Ｙは水素原子を表し；
Ｂは、ヒドロキシルラジカルを表し、Ｃ及びＤは、同一であるか又は異なっていて、水素原子又は１〜４個の炭素原子を含む直鎖状若しくは分岐状のアルキルラジカルを表し；
又はＢ及びＣは一緒になって、ケトン基を表し、Ｄはメチル、ヒドロキシル若しくはメチルアミンラジカルを表し；
又はＢ及びＣは、水素原子を表し、及びＤはメチルアミンラジカルを表し；
又はＢ及びＣは一緒になって、オキシム基を表し、Ｄはメチルラジカルを表し；及び
Ｒは、１〜１０個の炭素原子を含む直線状又は分岐状のアルキルラジカルを表す）
で表される化合物の少なくとも１つ、あるいは医薬として許容される酸との付加塩の１つ、又はそのエステルの１つ若しくは該エステルの医薬として許容される酸との付加塩の１つを含む細胞保護剤。
【請求項２】
式Ｉにおいて、Ｒが、式ＩＩ：
【化２】
2009529517.tif 000002
で表されるコレスタン（ｃｈｏｌｅｓｔａｎｅ）ラジカルを表すことによって特徴付けられる、請求項１に記載の細胞保護剤。
【請求項３】
式Ｉにおいて、Ｘ及びＹが一緒になって、ケト基を表すことによって特徴付けられる、請求項１又は２に記載の細胞保護剤。
【請求項４】
式Ｉにおいて、Ｂがヒドロキシルラジカルを表し、Ｃ及びＤが同一であるか又は異なっていて、水素原子又は１〜４個の炭素原子を含む直鎖状又は分岐状のアルキルラジカルを表すことによって特徴付けられる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の細胞保護剤。
【請求項５】
式Ｉにおいて、Ｂ及びＣが一緒になって、ケト基を表し、Ｄがメチルラジカルを表すことによって特徴付けられる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の細胞保護剤。
【請求項６】
式Ｉにおいて、Ｘ及びＹが一緒になって、オキシム基を表すことによって特徴付けられる、請求項１又は２に記載の細胞保護剤。
【請求項７】
式Ｉで表される化合物が、
３，５−セコ−４−ノル−コレスタン−５−オンオキシム−３−オール、
３，５−セコ−４−ノル−コレスタン−５−オンオキシム−３−メチルアルコール、又は
３，５−セコ−４−ノル−コレスタン−５−オンオキシム−３−ジメチルアルコール
から選択され、あるいは医薬として許容される酸との付加塩の１つ、又はそのエステルの１つ若しくは該エステルの医薬として許容される酸との付加塩の１つであることによって特徴付けられる、請求項１に記載の細胞保護剤。
【請求項８】
壊死、及び／又は病的アポトーシス、及び／又はネクロトーシス（ｎｅｃｒｏｐｔｏｓｉｓ）を治療又は予防するために意図され（抗壊死剤及び／又は抗アポトーシス剤及び／又は抗ネクロトーシス剤）、又は
骨、関節、結合組織及び軟骨の疾患、
筋肉疾患、
皮膚疾患、
心臓血管疾患、
循環器系疾患、
血液疾患及び血管疾患、
肺疾患、
胃腸管疾患、
肝疾患、
膵臓疾患、
代謝疾患、
腎疾患、
重篤な中毒、
後天性免疫不全症候群（ＡＩＤＳ）に関連した変性疾患、
老化に関連した障害、
炎症性疾患、
自己免疫疾患、
歯科疾患、
眼科疾患又は障害、
聴覚管の疾患、
ミトコンドリアに関連した疾患
を含む更なる疾患を治療又は予防するために意図されることによって特徴付けられる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の細胞保護剤。
【請求項９】
心臓細胞を保護するために意図される（心臓保護剤）ことによって特徴付けられる、請求項１〜８のいずれか１項に記載の細胞保護剤。
【請求項１０】
肝細胞を保護するために意図される（肝臓保護剤）ことによって特徴付けられる、請求項１〜９のいずれか１項に記載の細胞保護剤。
【請求項１１】
フリードリッヒ運動失調症、構造的ミトコンドリア異常を伴う先天型筋ジストロフィー症、ある種のミオパシー（ＭＥＬＡＳ症候群、ＭＥＲＦＦ症候群、パーキンソン症候群）、ＭＩＤＤ（ミトコンドリア糖尿病及び難聴）症候群、ウォルフラム症候群又はジストニアを含む、ミトコンドリアに関連した疾患を治療又は予防することによって特徴付けられる、請求項１〜９のいずれか１項に記載の細胞保護剤。
【請求項１２】
移植前、移植中若しくは移植後の組織又は器官の細胞を保護するために意図されることによって特徴付けられる、請求項１〜９のいずれか１項に記載の細胞保護剤。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
本発明の目的は、細胞死を生じさせ得る病状又は変性過程の細胞外の原因を処置することではなく、実際には該過程の細胞レベル又は該病状の細胞レベルでの結果を処置すること、特に該結果に対する細胞を保護することである。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１５７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１５７】
試験される化合物は、予め虚血にした心筋の再緩流の５分前に、マウスにおいて静脈投与される。対照として、それぞれ化合物β−シクロデキストリン（以下、βＣＤと呼ぶ）及び水の担体は、前記化合物と同じ条件下で投与された。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年8月6日(2012.8.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
断面で見られるとき、毛捕捉縁部７に直接的に沿う皮膚接触表面６の部分と、ガイド表面４に面する表面１６とは、好ましくは、殆ど１１０度の角度を囲む。これは、カッタ１０，１２が毛に到達するまで、毛を確実に捕捉し且つ毛を直立位置に維持するために好ましい。他方、皮膚刺激を中和するために、この囲み角度は、少なくとも５０度、より好ましくは、少なくとも６０度であることが好ましい。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年8月15日(2012.8.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器の延伸ブロー成形のためのプリフォームの一体形成されたハンドルを保護する熱シールドであって、前記ハンドルは、第１の上部取り付け点及び第２の下部取り付け点において前記プリフォームに一体的に接続された、配向可能なプラスチック材料のループを形成し、前記熱シールドは、前記プリフォームの本体部分が、延伸ブロー成形工具内に入る前に事前加熱される際に、前記ハンドルを過度の熱から保護し、前記熱シールドは、中心要素の両縁部から延出する側部を備え、前記中心要素は前記プリフォームのネック部分を支持するマンドレルに取り付けられ、前記側部及び前記中心要素は、前記ハンドルを実質的に囲む、熱シールド。
【請求項２】
前記熱シールドは、プリフォーム搬送システムの複数のマンドレルのそれぞれに取り付けられ、前記熱シールドのそれぞれは、前記プリフォームの前記ハンドルを少なくとも部分的に囲むように適合される、請求項１に記載の熱シールド。
【請求項３】
前記熱シールドは、前記ハンドルの両側上に実質的に延びる側部を備え、前記側部は、前記マンドレルに取り付けられた中心要素の両縁部から延び、前記中心要素は前記ハンドルの上部に適合する、請求項１又は２に記載の熱シールド。
【請求項４】
前記側部の縁部は、前記ハンドルの相互接続点を前記過度の熱から選択的に保護する形状であり、前記側部要素の部分は、前記中心要素から前記プリフォームの本体近傍まで延び、前記側部部分の内縁部と前記本体との間にギャップを残し、前記相互接続点間で前記プリフォームの本体領域に熱が適宜通るようにする、請求項３に記載の熱シールド。
【請求項５】
前記マンドレルは、再循環コンベアシステムに沿って等間隔に配置され、前記搬送システムは増分的に駆動されて、前記マンドレル及び前記熱シールドがブローサイクルにわたって前記成形工具内にある間、静止した状態を保つ、請求項２に記載の熱シールド。
【請求項６】
前記プリフォーム搬送システムの前記各マンドレルは、前記プリフォームの軸を中心に回転するように適合され、前記各マンドレルは、前記熱シールドが前記プリフォームの前記一体形成ハンドルの挿入を受けるように正確に位置合わせされるように、前記再循環搬送システムの適した続く増分位置で所定の向きにされる、請求項２に記載の熱シールド。
【請求項７】
前記プリフォーム搬送システムの長さ及び前記マンドレル及び前記熱シールドの前記回転は、前記プリフォームが前記マンドレル及び前記熱シールドから解放される際、前記プリフォームのそれぞれの前記ハンドルが前記所定の向きであるように構成される、請求項６に記載の熱シールド。
【請求項８】
前記マンドレル、前記熱シールド、及び前記プリフォームの前記ハンドルは、前記マンドレル、前記熱シールド、及び前記プリフォームが前記ブロー成形工具に入る前に、前記所定の向きに回転する、請求項６又は７に記載の熱シールド。
【請求項９】
前記プリフォームは、プリフォーム加熱要素のアレイを過ぎて前記プリフォーム搬送システムにより搬送される間、回転される、請求項６乃至８のいずれか一項に記載の熱シールド。
【請求項１０】
前記プリフォームは、前記ハンドルが前記熱シールド内に配置されるように、プリフォーム装填位置において前記マンドレル内に挿入される、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の熱シールド。
【請求項１１】
前記プリフォーム搬送システムのコンベアは、前記プリフォーム装填位置とプリフォーム解放位置との間に延びる、請求項１０に記載の熱シールド。
【請求項１２】
前記各マンドレルは、前記装填位置と前記解放位置との間で回転するように促され、前記回転は、前記マンドレルの歯付き滑車と前記装填位置と前記解放位置との間に延びるラックとの接触から生じる、請求項１１に記載の熱シールド。
【請求項１３】
前記マンドレルは、前記解放位置での前記シールドの向きが前記装填位置での前記シールドの向きと略同一であるように、前記装填位置と前記解放位置との間で整数分の回転を完了する、請求項１１に記載の熱シールド。
【請求項１４】
前記ハンドル及び前記熱シールドは、前記ブロー成形ツール内で前記ハンドル及び前記プリフォーム用に提供されるキャビティ内に入れ子式に収容される、請求項６乃至１３のいずれか一項に記載の熱シールド。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０７】
好ましくは、上記シールドは、上記ハンドルの実質的に各側に延出する側部を備え、上記側部は、上記マンドレルに取り付けられた中心要素の両縁部から延出し、上記中心要素は上記ハンドルの上部に適合する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２６９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２６９】
図７６は、熱シールド７５８に取り付けられたプリフォーム７１２のより詳細な断面図である。マンドレル７５６及びプリフォームを支持する保持手段は、明瞭にするためにこの図には示されない。プリフォーム７１２のハンドル７１３のシールド７５８が、ハンドル７１３を保護しながら、それでも加熱要素（図７７に示す）からの熱エネルギーがプリフォームの本体７３０のうちの、ハンドル７１３の上部取り付け点７７２と下部取り付け点７７４との間にある領域７７０に到達するように入念に形作られていることに気付くであろう。熱シールド７５８は、ハンドル７１３の両側の略全体に延在する側部７７６（図７６の断面図では一方しか見えない）を備える。側部７７６は、ハンドルの上部に適合するとともに、マンドレルソケット７６１に取り付けられた中心要素７７８の両縁部から延びる。シールドは、ハンドルの下側で開き、プリフォーム及びそのハンドルを上方に駆動してマンドレルと係合でき、続けて、加熱ステージの終了時にシールドから取り出せるようにする。