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　特願２００１−　　　２２３「ｐｉｎアモルファスシリコン光電池に於ける広帯域ギャップｎ層を使用した短絡電流の強化」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　８月１０日出願公開、特開２００１−２１７４３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
（１）本願は、平成３年１月１７日に出願（パリ条約による優先権主張１９９０年１月１９日、米国）された特願平３−３６４１号の一部を分割し、新たな特許出願として平成１３年１月４日に出願されたものである。
（２）原審において、平成１３年９月６日付で拒絶理由が通知され、平成１４年３月１１日に手続補正がなされたところ、同年４月１９日付で拒絶査定がなされた。
（３）これに対し、同年７月２５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年８月２６日に手続補正がなされたものである。
（４）そこで、その請求項に係る発明は、上記手続補正がなされた明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１〜８に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項７に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のものである。
　　
「【請求項７】　光電池であって：
　透明な基板と；
　前記基板上に形成された前面導電層と；
　前記前面導電層上に形成されたｐ型層と；
　前記ｐ層上に形成されたアモルファスシリコンのｉ層と；
　前記ｉ層上に形成されたアモルファスシリコンの超格子ｎ型層で、該超格子ｎ型層がそれぞれ交互に形成された複数の第一、第二ｎ型層を有し、前記第一ｎ型層の各々は第一の光学的帯域ギャップを有し、前記第二ｎ型層の各々は前記第一ｎ型層の光学的帯域ギャップよりも広い光学的帯域ギャップを有する前記アモルファスシリコンの超格子ｎ型層と；それに
　前記超格子ｎ型層上に形成された導電性物質からなる後面接点層とで構成され、前記第一ｎ型層のひとつが前記ｉ層の上に形成され、前記第一ｎ型層のもうひとつが前記後面接点層と連続に形成されていることを特徴とする光電池。」
　　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６３−８４０７５号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに、
（イ）「本発明は太陽光等の光照射を受けると起電力を発生する光起電力装置に関する。」（１頁左下欄１８〜１９行）、
（ロ）「・・・少なくとも一つの半導体接合を備える非晶質シリコンを主体とした半導体膜と、該半導体膜の光入射側に設けられた受光面電極と、上記半導体膜の背面側に設けられた背面電極と、からなる光起電力装置であって、
上記背面電極と接する側の不純物層は、水素と導電型決定不純物を含む非晶質シリコン層と、水素と導電型決定不純物と更に窒素、酸素或いは炭素の内から少なくとも一種選択された元素を含む非晶質シリコン合金層と、を少なくとも２層以上積層した積層構造である
（ハ）「第１図は本発明光起電力装置の第１の実施例を示し、
（１）はガラス等の透光性且つ絶縁性の基板、（２）はＩＴＯやＳｎＯ
２
に代表される透光性導電酸化物（ＴＣＯ）の単層或いは積層構造の受光面電極、（３）は該受光面電極（２）を通過した光の照射を受ける非晶質シリコンを主体とする半導体膜、（４）は該半導体膜（３）の背面側に設けられた金属或いはＴＣＯ／金属の背面電極である。上記半導体膜（３）は一つのｐｉｎ接合を形成すべく、光入射側である受光面電極（２）と接して窓層として作用するワイドバンドギャップ材料の水素（Ｈ）を含む非晶質シリコンカーバイドのｐ型層（３ｐ）と、該ｐ型層（３ｐ）を透過した光の照射を受けると主として電子及び正孔の光キャリアを発生する水素（Ｈ）を含む非晶質シリコンのノンドープ（ｉ型）層（３ｉ）と、・・・積層構造のｎ型層（３ｎ）と、からなっている。
（ニ）「
第４図乃至第７図は本発明光起電力装置の第２乃至第５実施例をそれぞれ示すもので、ｎ型層（３ｎ）の構成が異なっている。
（ホ）「第７図の第５実施例はｎ型層（３ｎ）が４層以上の積層構造となっている。即ち、ａ−ＳｉＮ：Ｈの薄層とａ−Ｓｉ：Ｈの薄層が交互に積層されている。この場合、・・・第１ｎ型層（３ｎ５１）は・・・、ノンドープ層（３ｉ）とのｉ／ｎ界面特性を考慮すれば同一材料であるａ−Ｓｉ：Ｈが好ましく、また最終ｎ型層（３ｎ５ｎ）も背面電極（４）との界面特性からａ−Ｓｉ：Ｈの方が好ましい。従って、好適な第５実施例はａ−Ｓｉ：Ｈの第１ｎ型層（３ｎ５１）から始まりａ−Ｓｉ：Ｈの最終ｎ型層（３ｎ５ｎ）で終れる奇数倍の積層構造からなる。」（４頁左上欄７〜２０行）、
（ヘ）「斯る第５実施例に於ける各ｎ型層（３ｎ５１）（３ｎ５２）・・・（３ｎ５ｎ）の各膜は約２７Åと極めて薄膜状を呈した。・・・特に第５実施例にあっては極めて高い光電変換効率が得られた。これはｎ型層（３ｎ）として極めて薄いａ−Ｓｉ：Ｈ層とａ−ＳｉＮ：Ｈ層とを積層したことによる超格子効果によるものと思われる。」（４頁右上欄１４行〜同頁右下欄８行）、ことが記載され、
　また、上記（ニ）及び第１，７図の記載からみて、第５実施例におけるｎ型層（３ｎ）を除く他の構成が、上記（ハ）に記載された第１の実施例と同じであることは明らかであり、さらに、ｎ型層（３ｎ）のａ−ＳｉＮ：Ｈ層が、これに代えてａ−ＳｉＣ：Ｈ層またはａ−ＳｉＯ：Ｈ層であってもよいことは、上記（ロ）の記載からみて明らかであるから、
 これらの記載によれば、引用例には、
「ガラス等の透光性且つ絶縁性の基板（１）上に、受光面電極（２）、該受光面電極（２）を通過した光の照射を受ける非晶質シリコンを主体とする半導体膜（３）、該半導体膜（３）の背面側に設けられた背面電極（４）をこの順に積層した光起電力装置であって、上記半導体膜（３）は一つのｐｉｎ接合を形成すべく、光入射側である受光面電極（２）と接して水素（Ｈ）を含む非晶質シリコンカーバイドのｐ型層（３ｐ）と、該ｐ型層（３ｐ）を透過した光の照射を受ける水素（Ｈ）を含む非晶質シリコンのノンドープ（ｉ型）層（３ｉ）と、積層構造のｎ型層（３ｎ）とからなり、上記ｎ型層（３ｎ）は、ａ−Ｓｉ：Ｈの第１ｎ型層（３ｎ５１）から始まり、ａ−ＳｉＣ：Ｈの第２ｎ型層（３ｎ５２）・・・ａ−Ｓｉ：Ｈの最終ｎ型層（３ｎ５ｎ）で終わるａ−Ｓｉ：Ｈの薄層とａ−ＳｉＣ：Ｈの薄層が交互に積層される超格子層である光起電力装置。」
との事項が開示されていると認めることができる。
　　
３．対比
　そこで、本願発明と引用例に記載の事項とを比較すると、引用例の「ガラス等の透光性且つ絶縁性の基板（１）」は、本願発明の「透明な基板」に相当し、同様に「受光面電極（２）」は、「前面導電層」に、「ｐ型層（３ｐ）」は、「ｐ型層」に、「水素（Ｈ）を含む非晶質シリコンのノンドープ（ｉ型）層（３ｉ）」は、「アモルファスシリコンのｉ層」に、「光起電力装置」は、「光電池」に相当し、
　また、引用例の「ｎ型層（３ｎ）」は、ａ−Ｓｉ：Ｈの第１ｎ型層（３ｎ５１）から始まりａ−Ｓｉ：Ｈの最終ｎ型層（３ｎ５ｎ）で終わるａ−Ｓｉ：Ｈの薄層とａ−ＳｉＣ：Ｈの薄層が交互に積層される超格子層であるから、本願発明の「アモルファスシリコンの超格子ｎ型層」に相当し、
　さらに、超格子層を構成する引用例の「ａ−Ｓｉ：Ｈの第１ｎ型層（３ｎ５１）、最終ｎ型層（３ｎ５ｎ）などの奇数層」及び「ａ−ＳｉＣ：Ｈの第２ｎ型層（３ｎ５２）などの偶数層」は、それぞれ本願発明の「第一ｎ型層」及び「第二ｎ型層」に相当するから、
　両者は、
「透明な基板と、前記基板上に形成された前面導電層と、前記前面導電層上に形成されたｐ型層と、前記ｐ層上に形成されたアモルファスシリコンのｉ層と、前記ｉ層上に形成されたアモルファスシリコンの超格子ｎ型層で、該超格子ｎ型層がそれぞれ交互に形成された複数の第一、第二ｎ型層を有する前記アモルファスシリコンの超格子ｎ型層と、前記超格子ｎ型層上に形成された導電性物質からなる後面接点層とで構成され、前記第一ｎ型層のひとつが前記ｉ層の上に形成され、前記第一ｎ型層のもうひとつが前記後面接点層と連続に形成されていることを特徴とする光電池。」
である点で一致し、次の点で一応相違している。
　　
［相違点］本願発明は、超格子ｎ型層の「第一ｎ型層の各々は第一の光学的帯域ギャップを有し、第二ｎ型層の各々は前記第一ｎ型層の光学的帯域ギャップよりも広い光学的帯域ギャップを有する」ものであるのに対して、引用例に記載の事項には、第一ｎ型層に相当するａ−Ｓｉ：Ｈの第１ｎ型層（３ｎ５１）、最終ｎ型層（３ｎ５ｎ）などの奇数層及び第二ｎ型層に相当するａ−ＳｉＣ：Ｈの第２ｎ型層（３ｎ５２）などの偶数層のバンドギャップの広狭が明示されていない点。
　　
４．判断
　上記相違点について検討すると、
本願発明の実施例について記載された明細書の段落【００６９】〜【００７１】には、
「【００６９】
　ここで実施例として図６に示されている様に、超格子ｎ層２４にはそれぞれＮ１およびＮ２で示されている複数の第一および第二層を具備するように構成されている。第一および第二層、Ｎ１およびＮ２はそれぞれ、図６に示されるように交互に形成され、Ｎ１Ｎ２Ｎ１Ｎ２・・となるような互い違いの層で構成された超格子層が作られるようにしている。好適に第一層Ｎ１の数は８−１０の範囲であり、第二層Ｎ２の数は８−１０の範囲である。
　　　【００７０】
　
第一層Ｎ１は好適にａ−Ｓｉ：Ｈ　ｎ層であり、好適に１．６８−１．７０ｅＶの光学的帯域ギャップと１２−５０オングストローム程度の厚さとを有している。
　　　【００７１】
　
第二層Ｎ２はもしも第二層Ｎ２の厚さが薄い場合は、第一層Ｎ１よりも広い光学的帯域ギャップを有することが出来る。より広い光学的帯域ギャップを実現するために、第二層Ｎ２は好適にａ−ＳｉＣ：Ｈ　ｎ層である。好適に第二層Ｎ２の光学的帯域ギャップは１．７−２．１ｅＶの範囲であり、最良の結果は光学的帯域ギャップが２．０ｅＶの時に得られる。第二層Ｎ２の厚さは好適に１２−５０オングストロームの範囲である。
　これによれば、第一層Ｎ１（本願発明の「第一の光学的帯域ギャップを有する第一ｎ型層」に相当）はａ−Ｓｉ：Ｈからなり、また、第二層Ｎ２（本願発明の「第一ｎ型層の光学的帯域ギャップよりも広い光学的帯域ギャップを有する第二ｎ型層」に相当）はａ−ＳｉＣ：Ｈからなることが明らかである。
　してみると、第一ｎ型層が、上記本願発明の実施例と同じａ−Ｓｉ：Ｈからなり、第二ｎ型層も、同実施例と同じａ−ＳｉＣ：Ｈからなる上記引用例に記載のものが、本願発明と同様なバンドギャップを有し、両者のバンドギャップの広狭が、本願発明と同様な「第二ｎ型層の各々は前記第一ｎ型層の光学的帯域ギャップよりも広い光学的帯域ギャップを有する」なる関係を有することは自明である。
　したがって、上記相違点は、引用例に実質的に記載されている事項であるといえるから、本願発明は、引用例に記載された発明と実質的に同一である。
　　
　なお、審判請求書等において、請求人は、上記引用例と本願発明との相違点について言及しており、その中で特許法第２９条第１項第３号の同一性を含め検討していることは明らかである。
　　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明と実質的に同一であるから、特許法第２９条第１項第３項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。