(57)【要約】【課題】微細金属構造体の側面に均一に金属膜を成膜することができる成膜方法、微細光学素子及び光スイッチを提供する。【解決手段】微細金属構造体１６の側面に金属薄膜を成膜する場合は、まずアクチュエータ構造体１８上に絶縁層１９Ａ，１９Ｂを形成し、この絶縁層１９Ａ，１９Ｂ上に金属プレート２０Ａ，２０Ｂを配置する。続いて、ワイヤ状の陽極部材２１を各微細金属構造体１６間の隙間に配置し、その状態で陽極部材２１の両端を金属プレート２０Ａ，２０Ｂに電気的に接続する。これにより、陽極部材２１は、微細金属構造体１６の側面に対向するように配置された状態で保持される。続いて、金属プレート２０Ａ，２０Ｂ及び陽極部材２１が取り付けられたアクチュエータ構造体１８をめっき浴に入れ、陽極部材２１と微細金属構造体１６との間に電流を流す。【選択図】  図４
2004307933.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた微細金属構造体の少なくとも側面に、電気めっきにより金属膜を成膜する成膜方法において、
陽極部材を前記微細金属構造体の側面に対向するように配置し、その状態で前記陽極部材と前記微細金属構造体との間に電流を流すことにより、前記微細金属構造体の側面に前記金属膜を成膜することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
前記陽極部材として、ワイヤ状またはリボン状のものを用いることを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
【請求項３】
前記基板の上部に金属プレートを配置すると共に、前記陽極部材を前記微細金属構造体の側面に対向するように配置して前記金属プレートに電気的に接続することを特徴とする請求項２記載の成膜方法。
【請求項４】
前記陽極部材として、基体と、前記基体上に設けられた突起部とを有するものを用い、
前記突起部が前記微細金属構造体の側面に対向するように、前記陽極部材を前記基板の上部に配置することを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
【請求項５】
前記陽極部材として、高さ方向に貫通した構造体収容孔を有するものを用い、
前記微細金属構造体が前記構造体収容孔内に入り込むように、前記陽極部材を前記基板の上部に配置することを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項記載の成膜方法によって、基板上に設けられた微細金属構造体の少なくとも側面に、光学的機能をもった金属膜を成膜することにより形成したことを特徴とする微細光学素子。
【請求項７】
基板と、前記基板に設けられた可動部材と、前記可動部材に固定され、光路上を通る光を反射させるミラーとを備えた光スイッチにおいて、
前記ミラーは、請求項１〜５のいずれか一項記載の成膜方法によって、前記基板上に設けられた微細金属構造体の少なくとも側面に、光学的機能をもった金属膜を成膜することにより形成したものであることを特徴とする光スイッチ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に設けられた微細金属構造体の表面に、電気めっきにより金属膜を成膜する成膜方法、微細光学素子及び光スイッチに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電気めっきによる成膜方法としては、めっき処理槽内に複数のアノード電極を配置し、これらのアノード電極の電流値制御をそれぞれ独立に行うことで、被めっき処理物に均一なめっき膜を形成するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−１９２８９６号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
例えば光スイッチの製造工程においては、基板上に設けられた微細金属構造体の側面に、光学的機能をもった金属膜を成膜することにより、微細ミラーを作ることがある。しかし、上記従来技術の方法を採用して微細金属構造体の側面に金属膜を成膜する場合には、いずれのアノード電極（陽極）も基板の表面に対向するように配置されるため、各陽極の表面はめっきすべき面（微細金属構造体の側面）に対して垂直になる。このため、陽極と陰極である微細金属構造体との間に電流を流したときに、微細金属構造体の側面上部に電流が集中し、その結果として金属膜の膜厚や粗さにばらつきが生じてしまう。補助陰極を用いて微細金属構造体の側面上部への電流集中を防ぐ方法もあるが、微細金属構造体の側面下部に対する電流不足を補うことは困難である。
【０００５】
本発明の目的は、微細金属構造体の側面に均一に金属膜を成膜することができる成膜方法、微細光学素子及び光スイッチを提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基板上に設けられた微細金属構造体の少なくとも側面に、電気めっきにより金属膜を成膜する成膜方法において、陽極部材を微細金属構造体の側面に対向するように配置し、その状態で陽極部材と微細金属構造体との間に電流を流すことにより、微細金属構造体の側面に金属膜を成膜することを特徴とするものである。
【０００７】
このように陽極部材をめっき対象面である微細金属構造体の側面に対向させることにより、陽極部材と微細金属構造体（陰極）との間に電流を流したときに、微細金属構造体の側面上部だけでなく、微細金属構造体の側面下部にも確実に電流が到達するようになる。従って、微細金属構造体の側面における電界分布の均一性が良くなるため、微細金属構造体の側面に形成される金属膜の膜厚や粗さの均一性が向上する。また、基板上に複数の微細金属構造体が狭ピッチで設けられていても、微細金属構造体の側面全体に金属膜を成膜することが可能である。
【０００８】
さらに、上記のように微細金属構造体の側面全体に確実に金属膜を成膜することが可能となるため、使用する材料の選択性や加工の自由度が広がる。例えば、光スイッチのミラー等といった微細光学素子を形成する場合には、微細加工しやすい材料により微細金属構造体を形成し、この微細金属構造体の側面に、光学的機能をもった金属膜を成膜することで、微細光学素子を容易に製作することができる。
【０００９】
好ましくは、陽極部材として、ワイヤ状またはリボン状のものを用いる。これにより、陽極部材を含む電気めっき用治具の構成が簡易になると共に、電気めっき用治具を安価に製作することができる。
【００１０】
この場合、基板の上部に金属プレートを配置すると共に、陽極部材を微細金属構造体の側面に対向するように配置して金属プレートに電気的に接続することが好ましい。これにより、ワイヤ状またはリボン状の陽極部材を、微細金属構造体の側面に対向するように配置した状態で、容易に保持することができる。
【００１１】
また、陽極部材として、基体と、基体上に設けられた突起部とを有するものを用い、突起部が微細金属構造体の側面に対向するように、陽極部材を基板の上部に配置してもよい。この場合には、基板上に微細金属構造体を形成する方法とほぼ同じ技術を用いて、陽極部材を製作することができる。また、陽極部材の再利用が容易に行える。さらに、陽極部材の突起部と微細金属構造体との距離を全体的に一定にすることが可能となる。これにより、微細金属構造体の側面における電界分布の均一性が更に良くなるため、微細金属構造体の側面に形成される金属膜の膜厚や粗さの均一性をより向上させることができる。
【００１２】
また、陽極部材として、高さ方向に貫通した構造体収容孔を有するものを用い、微細金属構造体が構造体収容孔内に入り込むように、陽極部材を基板の上部に配置してもよい。この場合には、微細金属構造体の上面に空間が形成されることになるので、めっき液が循環しやすくなり、電気めっき処理を効果的に行うことができる。また、陽極部材の再利用が容易に行える。さらに、陽極部材の内壁面と微細金属構造体との距離を全体的に一定にすることが可能となる。これにより、微細金属構造体の側面における電界分布の均一性が更に良くなるため、微細金属構造体の側面に形成される金属膜の膜厚や粗さの均一性をより向上させることができる。
【００１３】
また、本発明の微細光学素子は、上記の成膜方法によって、基板上に設けられた微細金属構造体の少なくとも側面に、光学的機能をもった金属膜を成膜することにより形成したことを特徴とするものである。このように上記の成膜方法を用いて微細光学素子を製作することにより、膜厚や粗さの均一性の良い金属膜を有する微細光学素子を得ることができる。
【００１４】
さらに、本発明は、基板と、基板に設けられた可動部材と、可動部材に固定され、光路上を通る光を反射させるミラーとを備えた光スイッチにおいて、ミラーは、上記の成膜方法によって、基板上に設けられた微細金属構造体の少なくとも側面に、光学的機能をもった金属膜を成膜することにより形成したものである。このように上記の成膜方法を用いてミラーを製作することにより、膜厚や粗さの均一性の良い金属膜を有するミラーが得られるため、ミラーの光反射効率が向上する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る成膜方法、微細光学素子及び光スイッチの好適な実施形態について図面を参照して説明する。
【００１６】
まず、本発明の第１の実施形態を図１〜図７により説明する。図１は、本発明に係る光スイッチの一実施形態の構成を示す垂直方向断面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【００１７】
各図において、光スイッチ１は、光信号を導波させる光導波路または空間（図示せず）を有するプラットホーム２を備え、このプラットホーム２の表面には、Ｎｉ等からなる複数の電極３が設けられている。この電極３上には、ＳｉＯ２等の絶縁膜４が設けられている。
【００１８】
絶縁膜４の上部には、アクチュエータ部５が配置されている。アクチュエータ部５はシリコン基板６を有し、このシリコン基板６の表面（下面）には、Ｔｉ等の導電膜７及びＳｉＯ２等の絶縁膜（図示せず）を介して、Ｎｉ等からなる複数本の片持ち梁８が片持ち支持されている。これらの片持ち梁８は、各電極３と対向するように絶縁膜４に接合されている。片持ち梁８の先端側部分は、シリコン基板６に形成された凹部６ａ内に入り込むように反っている。
【００１９】
各片持ち梁８の先端部には、光路上を通る光を所定方向に反射させる微細光学素子であるミラー９が固定されている。このミラー９は、片持ち梁８と同様にＮｉ等で形成されている。ミラー９の反射面９ａには、光反射率を高めるべく、Ａｕ等の反射膜がコーティングされている。
【００２０】
電極３と片持ち梁８との間には電源１０が接続されている。そして、この電源１０により電極３と片持ち梁８との間に所定の電圧を印加することで、電極３と片持ち梁８との間に静電気力を発生させて片持ち梁８の先端側部分を電極３に引き寄せ、ミラー９を下方に動かす。
【００２１】
このような光スイッチ１において、通常状態では、片持ち梁８の先端側部分は上方に反っている。この状態では、入力された通常光信号は、そのままプラットホーム２に形成された光導波路または空間（図示せず）を通って出力される。一方、電源１０により片持ち梁８と電極３との間に所定の電圧が印加すると、両者間に生じる静電気力によってミラー９が下降する（図１の２点鎖線参照）。この状態では、入力された通常光信号がミラー９で反射されて出力されると共に、入力された割り込み光信号がミラー９で反射されて、プラットホーム２に形成された光導波路または空間（図示せず）を通って出力される。
【００２２】
図３は、上記のアクチュエータ部５の製作プロセスの一例を示したものである。同図において、まずシリコン基板１１（上記のシリコン基板６に相当）を用意し、このシリコン基板１１の表面にＳｉＯ２等のエッチングマスク１２を形成し、このエッチングマスク１２上にＴｉ等の導電層１３を形成する（図３（ａ）参照）。
【００２３】
続いて、例えばフォトリソグラフィとＮｉめっきによって、エッチングマスク１２及び導電層１３上に片持ち梁層１４を形成する（図３（ｂ）参照）。続いて、例えばＳＲ（シンクロトロン放射光）リソグラフィによって、片持ち梁層１４上にレジスト１５をパターニングする（図３（ｃ）参照）。
【００２４】
続いて、Ｎｉめっきによって、上記のミラー９となる微細金属構造体１６を片持ち梁層１４上に形成する（図３（ｄ）参照）。続いて、溶剤を用いて片持ち梁層１４上のレジスト１５を剥離する（図３（ｅ）参照）。続いて、電気めっきによって、微細金属構造体１６の両側面に、Ａｕ等の反射膜（金属薄膜）１７のような光学的機能をもつ膜を成膜する（図３（ｆ）参照）。続いて、シリコン基板１１における微細金属構造体１６の下側部分をエッチングし、凹部１１ａを形成する（図３（ｇ）参照）。
【００２５】
次に、図３（ｆ）に示す金属薄膜１７の成膜方法について、図４及び図５を用いて具体的に説明する。図４は、シリコン基板１１上に設けられた複数の微細金属構造体１６の側面に金属薄膜１７を成膜する方法を示した平面図であり、図５は、図４のＶ−Ｖ線断面図である。
【００２６】
なお、シリコン基板１１の厚さは２ｍｍ程度であり、導電層１３の厚さは１μｍ程度であり、片持ち梁層１４の厚さは５μｍ程度である。また、微細金属構造体１６は、例えば幅３００μｍ×奥行３０μｍ×高さ２００μｍという寸法を有している。また、各微細金属構造体１６の配列ピッチは、２５０〜５００μｍである。
【００２７】
このような微細金属構造体１６の側面に金属薄膜１７を成膜する場合は、まず図３（ｅ）に示すようなアクチュエータ構造体１８の導電層１３上及び片持ち梁層１４上に、各微細金属構造体１６を挟むようにレジスト等の絶縁層１９Ａ，１９Ｂを形成する。この絶縁層１９Ａ，１９Ｂの厚さは、２０μｍ程度である。続いて、Ｐｔ等からなる金属プレート２０Ａ，２０Ｂを絶縁層１９Ａ，１９Ｂ上に載置し、接着テープ等で固定する。金属プレート２０Ａ，２０Ｂの厚さは、５〜５０μｍ程度である。
【００２８】
続いて、Ｐｔ等からなるワイヤ状の陽極部材２１を、各微細金属構造体１６間の隙間に配置し、その状態で、陽極部材２１の両端をボンディング等により金属プレート２０Ａ，２０Ｂに電気的に接続する。これにより、陽極部材２１は、微細金属構造体１６の側面に対向するように配置された状態で保持されることになる。このとき、陽極部材２１が微細金属構造体１６の側面に対してほぼ平行に延びるように、金属プレート２０Ａ，２０Ｂに接続するのが望ましい。なお、陽極部材２１の外径は、例えば１０〜５０μｍである。
【００２９】
このように金属プレート２０Ａ，２０Ｂ及びワイヤ状の陽極部材２１という簡易な構造によって、電気めっきを行うためのめっき治具を構成することにより、めっき治具にかかるコストを抑えることが可能となる。
【００３０】
続いて、例えばシアン化金カリウム等の電解質溶液が入っためっき浴（図示せず）を用意し、上記の金属プレート２０Ａ，２０Ｂ及び陽極部材２１が取り付けられたアクチュエータ構造体１８を電解質溶液に浸漬させる。その状態で、金属プレート２０Ｂと導電層１３との間に接続されためっき電源２２をオンにする。すると、図６に示すように、陽極部材２１から陰極を構成する微細金属構造体１６に電流（めっきするＡｕイオン）が流れ、微細金属構造体１６の側面にＡｕ等の金属薄膜が堆積していく。なお、微細金属構造体１６の側面に形成される金属薄膜の膜厚は、例えば０．１〜２μｍ程度である。
【００３１】
その後、上記の電気めっき処理が終了したら、金属プレート２０Ａ，２０Ｂから陽極部材２１を取り外し、更に金属プレート２０Ａ，２０Ｂをアクチュエータ構造体１８から取り外す。そして、溶剤を用いて絶縁層１９Ａ，１９Ｂを除去する。以上により、図３（ｆ）に示すようなアクチュエータ構造体が得られる。
【００３２】
ところで、上記のワイヤ状の陽極部材２１を使用せずに、図７に示すように、１枚の板状の陽極部材２３のみをアクチュエータ構造体１８の上方に配置した場合には、以下の不具合が生じる。即ち、陽極部材２３と微細金属構造体１６との間に電流を流したときには、陽極部材２３に近い微細金属構造体１６の側面上部に電流が集中し、微細金属構造体１６の側面下部には電流が到達しにくくなる。このため、微細金属構造体１６の側面下部には金属薄膜が付きにくくなり、金属薄膜の膜厚分布や粗さ分布の不均一が生じる。
【００３３】
また、上記のような微細光学素子を作るには、スパッタ蒸着によって微細金属構造体の側面にＡｕ等の金属薄膜をコーティングしたり、光学的材料であるＡｕ等を直接微細加工することが考えられる。しかし、スパッタ蒸着を用いる方法では、狭ピッチで並ぶ微細金属構造体のみに選択的に金属薄膜を形成するためにはマスクスペースが必要となり、基板上に複数の微細金属構造体が狭ピッチで設けられている場合に、微細金属構造体の側面全体に金属薄膜を形成するのは困難である。また、Ａｕ等の微細加工は極めて困難とされている。
【００３４】
これに対し本実施形態では、極細のワイヤ状の陽極部材２１を微細金属構造体１６の側面に対向するように配置したので、陽極部材２１と微細金属構造体１６との間に電流を流したときには、図６に示すように、微細金属構造体１６の側面上部だけでなく、微細金属構造体１６の側面下部にも確実に電流が到達するようになる。従って、微細金属構造体１６の側面における電界分布の均一性が良くなるため、微細金属構造体１６の側面に形成される金属薄膜の膜厚分布や粗さ分布の均一性が向上する。これにより、得られるミラー９は高反射率な反射面９ａを有することになるため、ミラー９での反射による光損失を低減することができる。
【００３５】
また、上記の電気めっき処理を用いることにより、各微細金属構造体１６が狭ピッチで配置されている場合であっても、微細金属構造体１６の側面のみに選択的に金属薄膜をコーティングすることができる。
【００３６】
さらに、Ｎｉ等で形成された微細金属構造体１６の側面にＡｕ等の金属薄膜を成膜して微細ミラー９を作るので、微細加工しにくいＡｕ等を直接加工しなくて済むと共に、光学素子としては不向きなＮｉ等を用いて微細金属構造体１６を形成しても、ミラー９に光学的機能を持たせることができる。
【００３７】
なお、上記実施形態では、ワイヤ状の陽極部材２１を微細金属構造体１６の側面に対向するように配置して電気めっき処理を行うものとしたが、図８に示すように、陽極部材２１に加えて、板状の陽極部材２３をアクチュエータ構造体１８の上方に配置してもよい。この場合には、陽極部材２３によっても微細金属構造体１６の側面上部に多少の金属薄膜が形成されるため、陽極部材２１の高さ位置を適宜調整することで、微細金属構造体１６の側面に形成される金属薄膜の膜厚分布や粗さ分布をより均一にすることが可能となる。
【００３８】
本発明の第２の実施形態を図９〜図１１により説明する。図中、第１の実施形態と同一または同等の部材には同じ符号を付し、その説明を省略する。
【００３９】
図９は、シリコン基板上に設けられた複数の微細金属構造体の側面に金属薄膜を成膜する他の方法を示した平面図であり、図１０は、図９のＸ−Ｘ線断面図である。
【００４０】
本実施形態の成膜方法によって、アクチュエータ構造体１８の微細金属構造体１６の側面に金属薄膜をコーティングする場合は、まず第１の実施形態と同様に、導電層１３上及び片持ち梁層１４上に絶縁層１９Ａ，１９Ｂを形成し、この絶縁層１９Ａ，１９Ｂ上に金属プレート２０Ａ，２０Ｂを載置し固定する。
【００４１】
続いて、リボン状の陽極部材３１を金属プレート２０Ａ，２０Ｂに電気的に接続するための複数本のポール３２を金属プレート２０Ａ，２０Ｂ上にそれぞれ並列に立設する。陽極部材３１及びポール３２はＰｔ等で形成されている。また、陽極部材３１の幅は２００μｍ程度であり、陽極部材３１の厚さは、５０μｍ程度である。
【００４２】
続いて、１枚の陽極部材３１を金属プレート２０Ａ，２０Ｂ上の各ポール３２に連続的に掛け渡して、各微細金属構造体１６間の隙間に陽極部材３１を配置する。このとき、陽極部材３１の表面は、微細金属構造体１６の側面に対して平行になる。また、陽極部材３１が金属プレート２０Ａ，２０Ｂ上の各ポール３２間を微細金属構造体１６の側面に対して平行に延びるように、各ポール３２の位置が設定されているのが望ましい。続いて、陽極部材３１の両端部をボンディング等によりポール３２に固定する。これにより、陽極部材３１は、微細金属構造体１６の側面に対向するように配置された状態で保持されることになる。
【００４３】
なお、このようなめっき治具を形成する順序としては、金属プレート２０Ａ，２０Ｂ上に予めポール３２を立設した後に、金属プレート２０Ａ，２０Ｂを絶縁層１９Ａ，１９Ｂ上に取り付けても良い。また、複数枚の陽極部材３１を各列ずつ金属プレート２０Ａ，２０Ｂ上の各ポール３２に掛け渡しても良い。
【００４４】
その後、第１の実施形態と同様にして、上記の金属プレート２０Ａ，２０Ｂ及び陽極部材３１が取り付けられたアクチュエータ構造体１８をめっき浴（図示せず）に入れ、その状態でめっき電源２２をオンにする。すると、図１１に示すように、陽極部材３１から微細金属構造体１６に電流が流れ、微細金属構造体１６の側面に金属薄膜が堆積していく。
【００４５】
以上のように本実施形態にあっては、リボン状の陽極部材３１を微細金属構造体１６の側面に対向させて電気めっき処理を行うので、図１１に示すように、微細金属構造体１６の高さ方向にほぼ均等に電流が流れるようになる。従って、微細金属構造体１６の側面における電界分布がより均一になるため、微細金属構造体１６の側面に形成される金属薄膜の膜厚分布や粗さ分布も更に均一になる。
【００４６】
本発明の第３の実施形態を図１２〜図１４により説明する。図中、第１の実施形態と同一または同等の部材には同じ符号を付し、その説明を省略する。
【００４７】
図１２は、シリコン基板上に設けられた複数の微細金属構造体の側面に金属薄膜を成膜する更に他の方法を示した垂直方向断面図である。本実施形態の成膜方法によって、アクチュエータ構造体１８の微細金属構造体１６の側面に金属薄膜をコーティングする場合は、まずアクチュエータ構造体１８の導電層１３上に絶縁層４１を形成する。続いて、嵌め合わせ治具等によって、絶縁層４１上に陽極部材４２を載置し固定する。例えば、微細金属構造体１６と同様にシリコン基板１１の上部に作ったアライメント用枠（図示せず）に陽極部材４２を嵌め込む。
【００４８】
陽極部材４２は、シリコン、ステンレス等からなる金属基板４３と、この金属基板４３上に設けられ、Ｎｉ等からなる複数の突起部４４とを有している。金属基板４３及び突起部４４の表面には、Ｐｔ等からなる陽極層４５が形成されている。そして、各突起部４４が各微細金属構造体１６間の隙間に入り込んだ状態で、絶縁層４１に固定されている。これにより、突起部４４は、微細金属構造体１６の側面に対向するように配置された状態となる。
【００４９】
その後、第１の実施形態と同様にして、上記の陽極部材４２が取り付けられたアクチュエータ構造体１８をめっき浴（図示せず）に入れ、その状態で、陽極層４５と導電層１３との間に接続されためっき電源２２をオンにする。すると、図１３に示すように、陽極部材４２から微細金属構造体１６に電流が流れ、微細金属構造体１６の側面及び上面に金属薄膜が堆積していく。
【００５０】
図１４は、上記の陽極部材４２の製作プロセスの一例を示したものである。まずリソグラフィによって、金属基板４６（上記の金属基板４３に相当）の上面にレジスト４７をパターニングする（図１４（ａ）参照）。続いて、Ｎｉめっきによって、上記の突起部４４となる突起層４８を金属基板４６の上面に形成する（図１４（ｂ）参照）。続いて、溶剤を用いてレジスト４７を剥離する（図１４（ｃ）参照）。続いて、スパッタによって、金属基板４６の上面と突起層４８の上面及び両側面に、Ｐｔ等の陽極層４９を形成する（図１４（ｄ）参照）。
【００５１】
このように本実施形態においては、上述したシリコン基板１１上に微細金属構造体１６を形成する方法（図３参照）とほぼ同じ技術を用いて、陽極部材４２を製作することができる。また、陽極部材４２を容易に再利用することもできる。
【００５２】
さらに、陽極部材４２の突起部４４と微細金属構造体１６との距離が微細金属構造体１６の高さ方向及び幅方向に一定になるため、微細金属構造体１６の側面における電界分布が全体的に均等になる。これにより、微細金属構造体１６の側面に形成される金属薄膜の膜厚分布や粗さ分布を更に均一にすることが可能となる。
【００５３】
本発明の第４の実施形態を図１５及び図１６により説明する。図中、第１及び第３の実施形態と同一または同等の部材には同じ符号を付し、その説明を省略する。
【００５４】
図１５は、シリコン基板上に設けられた複数の微細金属構造体の側面に金属薄膜を成膜する更に他の方法を示した平面図であり、図１６は、図１５のＸＶＩ−ＸＶ線断面図である。
【００５５】
本実施形態の成膜方法は、第３の実施形態における陽極部材４２の代わりに、陽極部材５０を使用するものである。陽極部材５０は、Ｐｔ等で形成されていると共に、高さ方向に貫通するように穴開け加工して形成された複数の矩形状の構造体収容孔５１を有している。
【００５６】
陽極部材５０は、構造体収容孔５１内に微細金属構造体１６が入り込むように、第３の実施形態と同様に嵌め合わせ治具等によって絶縁層４１上に載置され固定される。これにより、構造体収容孔５１を形成する陽極部材５０の内壁面は、微細金属構造体１６の側面に対向するように配置された状態となる。
【００５７】
上記の陽極部材５０が取り付けられたアクチュエータ構造体１８をめっき浴（図示せず）に入れ、その状態で、陽極部材５０と導電層１３との間に接続されためっき電源２２をオンにすると、陽極部材５０から微細金属構造体１６に電流が流れ、微細金属構造体１６の側面に金属薄膜が堆積していく。
【００５８】
このような本実施形態においては、各微細金属構造体１６の上面に空間が存在することになるので、電解質溶液が循環しやすくなり、電気めっき処理を効果的に行うことができる。また、陽極部材５０を容易に再利用することができる。
【００５９】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態は、光スイッチのミラーを形成する微細金属構造体に金属膜を成膜するものであるが、本発明に係る成膜方法は、光スイッチのミラー以外の微細光学素子についても適用可能である。例えば、本発明は、基板上に設けられた微細金属構造体の表面に反射防止膜等の光学的機能膜を成膜したり、光学的に多くの機能をもった微細光学素子を作る場合にも適用できる。
【００６０】
【発明の効果】
本発明によれば、陽極部材を微細金属構造体の側面に対向するように配置し、その状態で陽極部材と微細金属構造体との間に電流を流すことにより、微細金属構造体の側面に金属膜を成膜するようにしたので、微細金属構造体の側面に形成される金属膜の膜厚分布等の均一性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光スイッチの一実施形態の構成を示す垂直方向断面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図３】図１に示すアクチュエータ部の製作プロセスの一例を示す図である。
【図４】本発明に係る成膜方法の第１の実施形態を示す平面図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ線断面図である。
【図６】図４及び図５に示す陽極部材から微細金属構造体に電流が流れる様子を示す図である。
【図７】一般的な電気めっき処理を採用した場合に、陽極部材から微細金属構造体に電流が流れる様子を示す図である。
【図８】本発明に係る成膜方法の第１の実施形態の変形例において、陽極部材から微細金属構造体に電流が流れる様子を示す図である。
【図９】本発明に係る成膜方法の第２の実施形態を示す平面図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ線断面図である。
【図１１】図９及び図１０に示す陽極部材から微細金属構造体に電流が流れる様子を示す図である。
【図１２】本発明に係る成膜方法の第３の実施形態を示す垂直方向断面図である。
【図１３】図１２に示す陽極部材から微細金属構造体に電流が流れる様子を示す図である。
【図１４】図１２に示す陽極部材の製作プロセスの一例を示す図である。
【図１５】本発明に係る成膜方法の第４の実施形態を示す平面図である。
【図１６】図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ線断面図である。
【符号の説明】
１…光スイッチ、６…シリコン基板、８…片持ち梁（可動部材）、９…ミラー（微細光学素子）、９ａ…反射面、１１…シリコン基板、１６…微細金属構造体、１７…金属薄膜、２０Ａ，２０Ｂ…金属プレート、２１…陽極部材、２２…めっき電源、２３…陽極部材、３１…陽極部材、３２…ポール、４２…陽極部材、４３…金属基板（基体）、４４…突起部、４５…陽極層、５０…陽極部材、５１…構造体収容孔。
【図１】
2004307933.tif 000003
【図２】
2004307933.tif 000004
【図３】
2004307933.tif 000005
【図４】
2004307933.tif 000006
【図５】
2004307933.tif 000007
【図６】
2004307933.tif 000008
【図７】
2004307933.tif 000009
【図８】
2004307933.tif 000010
【図９】
2004307933.tif 000011
【図１０】
2004307933.tif 000012
【図１１】
2004307933.tif 000013
【図１２】
2004307933.tif 000014
【図１３】
2004307933.tif 000015
【図１４】
2004307933.tif 000016
【図１５】
2004307933.tif 000017
【図１６】
2004307933.tif 000018