Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年7月15日(2014.7.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
したがって発光スペクトルにおけるＵＶ線の望ましくない部分は、出来る限り除去しなければならない。ＵＶ線を吸収する物質を石英ガラスにドープすることにより、２５０ｎｍ未満のＵＶ線に対する阻止帯（Sperrbereich）を伴うフィルタ効果を作り出すことができる。石英ガラス中のドーパントとして約２００ｎｍに吸収極大を有する吸収帯を生成する二酸化チタンが、この意味で好適な物質であることが判明している。１５５重量ｐｐｍのチタン含有量（及び０．５ｃｍの被照射層厚）では、このフィルタ材料の内部透過率は２５４ｎｍの動作波長に対して約９０％であり、エッジ波長は２３５ｎｍ前後である（図１の曲線９により示されるように）。エッジ波長λＣは、阻止帯と透過帯との間にある波長であって、分光内部透過率が最大値の半分である波長に対応する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
フィルタ材料に関して、前述の種類の特徴から始まるこの目的は、２５０ｎｍ未満の波長範囲に吸収帯の極大を有するガリウム化合物を含むドーピングによりエッジ波長λＣの位置が決定され、ガリウム化合物がＧａ２Ｏ３であり、ガリウム化合物の濃度（非ドープ石英ガラスを基準とするＧａ濃度）が１重量ｐｐｍ〜１０００重量ｐｐｍの範囲にある本発明により達成される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２５４ｎｍの波長の動作ＵＶ線に対して少なくとも８０％／ｃｍのスペクトル透過率を示し且つ２３０ｎｍ〜２５０ｎｍの波長範囲にエッジ波長λＣを有するドープ石英ガラス製の光学フィルタ材料であって、前記エッジ波長λＣが、２５０ｎｍ未満の波長範囲に吸収帯の極大を有するガリウム化合物を含むドーピングにより決定され、前記ガリウム化合物はＧａ２Ｏ３であり、前記ガリウム化合物の濃度（非ドープ石英ガラスを基準とするＧａ濃度）が１重量ｐｐｍ〜１０００重量ｐｐｍの範囲にあることを特徴とする光学フィルタ材料。
【請求項２】
前記ガリウム化合物の濃度（非ドープ石英ガラスを基準とするＧａ濃度）が５０重量ｐｐｍ〜５００重量ｐｐｍの範囲にあることを特徴とする請求項１に記載のフィルタ材料。
【請求項３】
ドーパントが、チタン化合物、好ましくはＴｉＯ２の形態のチタン化合物を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のフィルタ材料。
【請求項４】
前記チタン化合物の濃度（非ドープ石英ガラスを基準とするＴｉ濃度）が１重量ｐｐｍ〜５０重量ｐｐｍの範囲にあることを特徴とする請求項３に記載のフィルタ材料。
【請求項５】
前記チタン化合物の濃度（非ドープ石英ガラスを基準とするＴｉ濃度）が２０重量ｐｐｍ未満であることを特徴とする請求項４に記載のフィルタ材料。
【請求項６】
ドーピングが酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）及び酸化チタン（ＴｉＯ２）を含み、Ｇａ：Ｔｉのモル比が１０〜１００の範囲にあることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のフィルタ材料。
【請求項７】
前記石英ガラスが合成的に製造したシリカであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のフィルタ材料。
【請求項８】
ＳｉＯ２含有量が少なくとも９９．９％であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載のフィルタ材料。
【請求項９】
前記石英ガラスが、１０重量ｐｐｍ未満の、好ましくは１重量ｐｐｍ未満のヒドロキシル基含有量を有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載のフィルタ材料。
【請求項１０】
２５４ｎｍ前後の波長の動作放射線を放出すると共に、該動作放射線に対して少なくとも８０％／ｃｍのスペクトル透過率を示し且つ２３０ｎｍ〜２５０ｎｍの波長範囲にエッジ波長λＣを有するドープ石英ガラスのフィルタ材料を通過するＵＶ線源を用いて表面、液体又は気体に照射する方法であって、２５０ｎｍ未満の波長範囲に吸収帯の極大を有するガリウム化合物を含むドーピングにより前記エッジ波長λＣの位置が決定されるフィルタ材料を使用し、前記ガリウム化合物はＧａ２Ｏ３であり、前記ガリウム化合物の濃度（非ドープ石英ガラスを基準とするＧａ濃度）が１重量ｐｐｍ〜１０００重量ｐｐｍの範囲にあることを特徴とする照射方法。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれか一項に記載のフィルタ材料から作製された光学フィルタ部品であって、２５４ｎｍの波長の動作ＵＶ線に対して少なくとも８０％／ｃｍのスペクトル透過率を示し且つ２３０ｎｍ〜２５０ｎｍの波長範囲にエッジ波長λＣを有することを特徴とする光学フィルタ部品。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年5月1日(2014.5.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
本発明は、重合された架橋可能な材料の複数のボクセルを含む第１部分と、ゲル化点より上で重合された架橋可能な材料の層状体積を有する第２部分と、を含む眼科レンズを目的とする。更に、本発明に従って形成されるレンズの異なる領域は、視力補正を更に促進するために、異なる屈折率を含んでもよい。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６２】
本発明は、化学放射線の変調を使用して、異なる硬化に基づいて、異なる屈折率の、１つ又は２つ以上の領域を作ることができ、また、反応性混合物の光吸収性特性に従って、化学放射線を調節し、光学品質を有する表面を形成することができる。本発明は、更なる態様では、バルクの反応性混合物質の異なる硬化を達成するために、紫外線を調整するか、又は減衰させる方法を提供する。したがって、いくつかの実施形態は、２つ又はそれ以上の光学ゾーンを含み、ここで、それぞれの光学ゾーンは、異なる屈折率及び異なる光学曲率の１つ又は両方によって形成され得る。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１７６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１７６】
ここで図１７を参照すると、ボクセル１７０４ごとに重合によって形成されたレンズ前駆体１７００が図示されている。いくつかの実施形態は、ボクセルごとの重合により形成された、流体レンズ反応性混合物すなわち架橋可能材料１７０３を含む、レンズ前駆体を含んでもよい。形成中の光学機器、及び反応性材料のボクセルごとの構造体が、反応性混合物のリザーバから取り除かれるとき、ボクセルごとの構造体すなわちレンズ前駆体形態の表面に付着する粘稠材料が存在する場合がある。レンズ前駆体形態と、更なる処理の後に眼科レンズデバイスの一部となりうる、レンズ前駆体形態上の流動性レンズ反応性媒体１７０３との組み合わせは、レンズ前駆体１７００を構成するものである。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１９５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１９５】
ここで図１９を参照すると、十分な化学放射線への未反応の重合化架橋可能な材料の暴露によって、レンズ前駆体から形成されているレンズ１９０１が図示されている。実施形態は、重合された架橋可能な材料の複数のボクセルを含む第１部分１９０３と、架橋可能な材料のゲル化点より上で重合される、架橋可能な材料の層状体積を有する第２部分１９０２と、を含むことができる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１９６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１９６】
化学放射線１９０４の源は、例えば、架橋可能な材料に対して化学線であるには十分な強度及び波長の放射線１９０５を生成する光源１９０４を含むことができる。いくつかの実施形態では、化学放射線は、光線の複数の源の点を含んでもよい（図示したとおり）。他の実施形態は、化学線を提供する単一の光源を含んでもよい。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年1月7日(2014.1.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
好ましい一実施形態では、金属層も光学的な特徴を有する層も設けることができ、その際層は、全面的に又は部分的に、完全なレジストレーションで（ｒｅｇｉｓｔｅｒｇｅｎａｕ  ｕｎｄ／ｏｄｅｒ  ｐａｓｓｅｒｇｅｎａｕ）、あるいは互いに部分的に重なり合って設けられる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項７】
前記反射層及び／又は前記光学的マークを有する層が、相互に、完全なレジストレーションで（ｐａｓｓｅｒｇｅｎａｕ，  ｒｅｇｉｓｔｅｒｇｅｎａｕ）、又は少なくとも部分的に重なり合って設けられることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一つに記載のセキュリティー要素。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年11月28日(2013.11.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
導電性の層は一般にイオン−アシスト（支援）溶着により堆積される。発明者達はこの様なイオン−アシスト溶着が欠陥発生率を著しく増加することを明らかにしている。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年10月11日(2013.10.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
本発明の左旋性アムロジピン複合薬組成物は、左旋性アムロジピンまたはその薬学上適用可能な塩、及びクロルタリドンを含む。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
前記薬学上適用可能な塩は、酢酸塩、ベンゼンスルホン酸塩、安息香酸塩、クエン酸塩、フマル酸塩、グルコン酸塩、塩酸塩、乳酸塩、マレイン酸塩、リンゴ酸塩、メシル酸塩、硝酸塩、リン酸塩、コハク酸塩、リン酸塩及び酒石酸塩からなる塩群の中から選んだ一つまたは複数の塩である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年12月10日(2013.12.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
別の態様では、タンパク質、抗体、融合タンパク質、ワクチン、ペプチド、酵素、ＤＮＡ、ＲＮＡ、又はこれらの組み合わせの少なくとも１つを精製するために前記疎水性相互作用クロマトグラフィー粒子を使用する方法が提供される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
一実施形態では、疎水性モノマーは、親水性指数が２５以下であるアミン又はアルコール（ＨＸＲ３）から誘導される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
一実施形態では、疎水性モノマーは、計算上の親水性指数（ＨＩ）が２５以下、２０以下、１５以下又は更には１０以下である。ＨＩは、参照により本明細書に援用する米国特許第４，４５１，６１９号（ヘイルマン（Heilmann）ら）に詳細に述べられる経験的な概念である。一般的にこの概念は、付加される一級アミン又はアルコール配位子が最終生成物（すなわち疎水性モノマー、重合性混合物、又は疎水的に誘導体化された支持体）の親水性又は疎水性に及ぼす影響を決定することを可能にするものである。本開示の目的では、ＨＩは、Ｒ３の一級アミン又はアルコール配位子（すなわちＨＸＲ３）に基づいて計算される。本開示に基づく疎水性モノマーのＨＩは、
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
【数１】
2012522112.tif 000001
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
疎水性モノマーを含む組成物であって、前記疎水性モノマーは、下記構造：
ＣＨ２＝ＣＲ４Ｃ（Ｏ）ＮＨＣ（Ｒ１Ｒ１）（Ｃ（Ｒ１Ｒ１））ｎＣ（Ｏ）ＸＲ３
（式中、ｎは０又は１の整数であり；Ｒ１は、アルキル、アリール、及びアルキルアリールの少なくとも１つから独立して選択され、該アルキル、アリール、及びアルキルアリールは全体で１０個以下の炭素原子を有し；Ｒ３は、アルキル、アリール、アルキルアリール及びエーテルの少なくとも１つから選択される疎水性基であり、該アルキル、アリール、アルキルアリール及びエーテルは全体で４〜３０個の範囲の炭素原子を有し；Ｒ４は、Ｈ又はＣＨ３であり；ＸはＮＨである。）を有し、且つ、前記疎水性モノマーは、親水性指数が２５以下であるアミン（ＨＸＲ３）から誘導される、組成物。
【請求項２】
請求項１に記載の重合性混合物の反応生成物を含む、物品。
【請求項３】
疎水性支持体に誘導体化されてなる支持体を製造するための方法であって、
（ａ）混合物であって、
（ｉ）下記構造：
ＣＨ２＝ＣＲ４Ｃ（Ｏ）ＮＨＣ（Ｒ１Ｒ１）（Ｃ（Ｒ１Ｒ１））ｎＣ（Ｏ）ＸＲ３
（式中、ｎは０又は１の整数であり；Ｒ１は、水素原子、アルキル、アリール、及びアルキルアリールの少なくとも１つから独立して選択され、該アルキル、アリール、及びアルキルアリールは全体で１０個以下の炭素原子を有し；Ｒ３は、アルキル、アリール、アルキルアリール及びエーテルの少なくとも１つから選択される疎水性基であり、該アルキル、アリール、アルキルアリール及びエーテルは全体で４〜３０個の範囲の炭素原子を有し；Ｒ４は、Ｈ又はＣＨ３であり；ＸはＮＨである。）
を有する疎水性モノマーであって、親水性指数が２５以下であるアミン（ＨＸＲ３）から誘導される、疎水性モノマーと、
（ｉｉ）架橋モノマーと、
（ｉｉｉ）場合により、非架橋モノマーと、
を含む混合物を提供する工程と、
（ｂ）前記混合物を重合する工程と、
（ｃ）前記重合された混合物を容器中に入れてクロマトグラフィ媒質又は濾過媒質を生成する工程と、
を含む、方法。
【請求項４】
疎水性支持体に誘導体化されてなる支持体を製造するための方法であって、
（ａ）疎水性モノマーであって、下記構造：
ＣＨ２＝ＣＲ４Ｃ（Ｏ）ＮＨＣ（Ｒ１Ｒ１）（Ｃ（Ｒ１Ｒ１））ｎＣ（Ｏ）ＸＲ３
（式中、ｎは０又は１の整数であり；Ｒ１は、水素原子、アルキル、アリール、及びアルキルアリールの少なくとも１つから独立して選択され、該アルキル、アリール、及びアルキルアリールは全体で１０個以下の炭素原子を有し；Ｒ３は、アルキル、アリール、アルキルアリール及びエーテルの少なくとも１つから選択される疎水性基であり、該アルキル、アリール、アルキルアリール及びエーテルは全体で４〜３０個の範囲の炭素原子を有し；Ｒ４は、Ｈ又はＣＨ３であり；ＸはＮＨである。）
を有しており、親水性指数が２５以下であるアミン（ＨＸＲ３）から誘導される、疎水性モノマーを与える工程と、
（ｂ）基材を与える工程と、
（ｃ）前記疎水性モノマーを前記基材と接触させる工程と、
（ｄ）前記疎水性モノマーを重合する工程と、
を含む、方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年12月25日(2013.12.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
前記層は、０．５〜１０μｍ、好ましくは０．５〜５μｍの厚さであり、層の中間領域、すなわち、成長方向における厚さの３０〜７０％の領域を高分解能断面透過型電子顕微鏡によって測定した場合に、１００ｎｍ未満、好ましくは５０ｎｍ未満、最も好ましくは２５ｎｍ未満の平均結晶サイズのナノ結晶微細構造を有する。この平均結晶サイズは少なくとも１０個の隣接する結晶のサイズを測定することからの平均である。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超硬、サーメット、セラミックス、高速度鋼（ＨＳＳ）、多結晶ダイヤモンド（ＰＣＤ）又は多結晶立方晶窒化ホウ素（ＰＣＢＮ）の本体を含み、硬質でかつ耐摩耗性のコーティングが適用され、該コーティングが少なくとも１つの層を含む切削工具インサートであって、前記層が（ＺｒxＡｌ1-x）Ｎyであって、０．５０＜ｘ＜０．７５及び０．９０≦ｙ＜１．３０であり、０．５〜１０μｍの厚さを有し、単一立方晶相又は六方晶相と立方晶相の混合物からなるナノ結晶微細構造を有する（ＺｒxＡｌ1-x）Ｎyからなることを特徴とする、切削工具インサート。
【請求項２】
（ＺｒxＡｌ1-x）Ｎy層の厚さが０．５〜５μｍであることを特徴とする、請求項１に記載の切削工具インサート。
【請求項３】
平均結晶サイズが１００ｎｍ未満であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の切削工具インサート。
【請求項４】
平均結晶サイズが５０ｎｍ未満であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の切削工具インサート。
【請求項５】
１．００＜ｙ＜１．２５であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の切削工具インサート。
【請求項６】
１．００＜ｙ＜１．２０であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の切削工具インサート。
【請求項７】
元素組成ｘ及びｙが層全体にわたって１０％未満の変動であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の切削工具インサート。
【請求項８】
前記層が２３ＧＰａ超の硬度を有することを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の切削工具インサート。
【請求項９】
前記本体が、ＴｉＮ、ＴｉＣ、Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）若しくは（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎの内側のコーティング、及び／又はＴｉＮ、ＴｉＣ、Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）、（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ若しくは酸化物の外側のコーティングを有し、（Ｚｒ，Ａｌ）Ｎ層を含む合計のコーティング厚さが、０．７〜２０μｍであることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載の切削工具インサート。
【請求項１０】
前記本体が、ＴｉＮ若しくは（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎの内側のコーティング、及び／又はＴｉＮ若しくは（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎの外側のコーティングを有することを特徴とする、請求項９に記載の切削工具インサート。
【請求項１１】
前記合計のコーティング厚さが２〜７μｍであることを特徴とする、請求項９又は１０に記載の切削工具インサート。
【請求項１２】
（Ｚｒ，Ａｌ）Ｎ層が、所望の層組成をもたらす陰極からの陰極アーク蒸発によって、以下の条件、すなわち、５０〜２００Ａの蒸発電流、０〜−３００Ｖのバイアス、及び２００〜８００℃の温度で、Ａｒ＋Ｎ2の混合雰囲気中、１．０〜７．０Ｐａの合計圧力において堆積されることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の切削工具インサートを製造する方法。
【請求項１３】
（Ｚｒ，Ａｌ）Ｎ層が、所望の層組成をもたらす陰極からの陰極アーク蒸発によって、以下の条件、すなわち、５０〜２００Ａの蒸発電流、０〜−３００Ｖのバイアス、及び２００〜８００℃の温度で、純粋なＮ2中、１．０〜７．０Ｐａの合計圧力において堆積されることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の切削工具インサートを製造する方法。
【請求項１４】
（Ｚｒ，Ａｌ）Ｎ層が、所望の層組成をもたらすターゲットからのマグネトロンスパッタリングによって、以下の条件、すなわち、０．５〜１５Ｗ／ｃｍ2のスパッタ陰極に適用される電力密度、０〜−３００Ｖのバイアス、及び２００〜８００℃の温度で、Ａｒ＋Ｎ2の混合雰囲気中又は純粋なＮ2雰囲気中、０．１〜７．０Ｐａの合計圧力において堆積されることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の切削工具インサートを製造する方法。
【請求項１５】
５０〜５００ｍ／分の切削速度での、フライス加工の場合には、切削速度及びインサート形状に応じて、０．０８〜０．５ｍｍの一刃あたりの平均フィードでの、鋼、ステンレス鋼、及び焼き入れ鋼における金属切削用途のための、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の切削工具インサートの使用。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年6月23日(2014.6.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
材料除去機械加工、すなわち平らな担体（２８）の対応する面にいずれの場合もその表面の一方を解離可能に固締される平らな被加工物（３８）の研削または研磨による機械加工方法であって、
上側加工面を有する上側加工ディスク（１６）と下側加工面を有する下側加工ディスク（２０）とを有する両面処理機械（１０）を配設する工程であり、前記加工面が両者間に作業空隙を形成し、その中に凹部（２３）を備える少なくとも１個のロータディスク（２２）を配置する工程と、
前記被加工物（３８）を前記担体（２８）と共に前記少なくとも１個のロータディスク（２２）の前記凹部（２３）内に配置する工程と、
前記加工ディスク（１６，２０）の少なくとも一方を回転可能に駆動する工程であり、前記少なくとも１個のロータディスク（２２）もまたローラ装置の歯に係合することにより回転状態に設定し、それによって前記ロータディスク（２２）内に受容された前記担体（２８）を前記被加工物（３８）と共に前記加工面間をサイクロイド経路に沿って移動させ、前記加工面の１つを前記担体（２８）の個々の自由表面に当接させ、前記加工面の１つを前記被加工物（３８）の個々の自由表面に当接させる工程と、
前記被加工物（３８）の前記自由表面を、該表面に関連する前記加工面により、また一方で前記担体（２８）の前記自由表面に関連する前記加工面により材料除去態様にて機械加工する工程であり、材料を一切除去しないか、または前記担体（２８）の前記自由表面の除去速度を前記被加工物（３８）の前記自由表面の除去速度よりも実質小さくするかのいずれかとする工程とを含み、
一方における前記担体（２８）の前記自由表面と他方における前記被加工物（３８）の前記自由表面との異なる除去速度を、異なる加工被覆を有する上側加工面と下側加工面とにより生み出し、機械加工処理後において、前記被加工物（３８）に前記担体（２８）よりも薄い肉厚を持たせることができることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記材料除去機械は研削機であり、前記被加工物（３８）の表面に関連する前記加工面に研削被覆を施し、前記担体（２８）の表面に関連する前記加工面に研磨被覆を施すことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記研磨被覆を用いた前記機械加工は、研磨材を用いた研磨手段を用いることなく行なうことを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記機械加工前に既に、前記被加工物（３８）が前記担体（２８）よりも小さな肉厚を有することを特徴とする、請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記機械加工後、前記被加工物（３８）は１００μｍ未満（但し、０μｍを除く）の肉厚を有することを特徴とする、請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記担体（２８）は０．５ｍｍから２ｍｍの範囲の肉厚を有することを特徴とする、請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記担体（２８）と前記被加工物（３８）は筒形形状を有し、前記担体（２８）は前記被加工物（３８）を上回る直径を有することを特徴とする、請求項１から６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記被加工物（３８）は接着性結合（３４）であるワックス、接着剤または接着フィルムにより前記担体（２８）に固締されることを特徴とする、請求項１から７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記接着性結合は、溶蝕または紫外線照射により熱的、化学的に解離可能であることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記被加工物（３８）は、静電気帯電により前記担体（２８）に固締されることを特徴とする、請求項１から７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記被加工物（３８）は半導体ウェハであることを特徴とする、請求項１から１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記担体（２８）は半導体ウェハであることを特徴とする、請求項１から１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記担体（２８）は、ガラス材料、セラミック材料またはプラスチック材料で構成されていることを特徴とする、請求項１から１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記被加工物（３８）の肉厚は、光学的計測法である干渉計測法により前記処理機械内で前記被加工物の前記機械加工中に計測されることを特徴とする、請求項１から１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記被加工物（３８）の肉厚は、少なくとも１つの渦電流センサによるかまたは少なくとも１つの超音波センサにより、前記処理機械内で前記被加工物の前記機械加工中に計測されることを特徴とする、請求項１から１３のいずれか１項に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
下側加工ディスク２０上には複数のロータディスク２２が図示してあり、それらはいずれの場合も被加工物に固締された担体と共に機械加工できるよう被加工物用の凹部を備えている。ロータディスク２２は、それぞれの場合ごとに内部ピンリング２４の外歯および外部ピンリング２６の内歯に係合している。このようにして、ローラ装置が形成され、ロータディスク２２もまた例えば加工ディスク２０の回転をもって内部ピンリング２４を介して回転状態に設定される。ロータディスク２２の凹部内に配置された被加工物および担体はそこで、サイクロイド経路に沿って下側加工ディスク２０上を移動する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年10月24日(2014.10.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペプチド化合物であって、前記化合物が、以下の式：
(配列番号1) Asp - Cys -Arg - NH2
に対応することを特徴とする、ペプチド化合物。
【請求項２】
医薬として利用されることを特徴とする、請求項１に記載のペプチド化合物。
【請求項３】
活性成分として、請求項１に記載のペプチド化合物を含む化粧品組成物。
【請求項４】
化粧品として許容可能な媒体を含み、局所適用に適した形態で存在することを特徴とする、請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
前記ペプチド化合物が、0.0005から500 ppmの濃度で組成物中に存在することを特徴とする、請求項３または４に記載の組成物。
【請求項６】
前記ペプチド化合物が、0.01から5 ppmの濃度で組成物中に存在することを特徴とする、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記ペプチド化合物が、水、グリセロール、エタノール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、ジプロピレングリコール、エトキシ化もしくはプロポキシ化ジエチレングリコール、環状ポリオール、白色ワセリン、植物油またはこれらの溶媒の混合物のいずれかからなる群から選択される1種以上の溶媒中に可溶化されることを特徴とする、請求項３から６のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項８】
前記ペプチド化合物の作用を促進する、少なくとも一つの他の活性成分もまた含むことを特徴とする、請求項３から７のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項９】
前記活性成分が、抗ラジカル剤もしくは抗酸化剤から選択される抗しわ分野における活性を提示する薬剤、または真皮巨大分子の合成を刺激する、もしくはエネルギー代謝を刺激する薬剤であることを特徴とする、請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
前記活性成分が、ビタミン、フィトステロール、フラボノイド、DHEA、および/またはその前駆体の一つ、またはその化学的もしくは生物学的誘導体の一つ、メタロプロテイナーゼインヒビターまたはレチノイドの中から選択されることを特徴とする、請求項８または９に記載の組成物。
【請求項１１】
前記組成物が加齢および光による加齢の皮膚兆候を防止および/または処置することを意図することを特徴とする、化粧品として許容可能な媒体を含む請求項３から１０のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１２】
加齢の兆候が、しわ、深くかつ荒いしわ、細かいしわ、引っかき傷、たるんだ皮膚および皮下組織、皮膚の弾性の喪失および弛緩、皮膚の堅固さおよび緊張の喪失、ならびに皮膚の萎縮を指すと理解されることを特徴とする、請求項１１に記載の組成物。
【請求項１３】
前記組成物が、細胞更新を活性化し、完全に細胞をクリーンにすることを特徴とする、請求項１１に記載の組成物。
【請求項１４】
前記組成物が、紫外線照射による侵襲から皮膚を保護することを可能とすることを特徴とする、請求項１１に記載の組成物。
【請求項１５】
前記組成物が、プロテアソーム活性を増大させ、傷害を受けたタンパク質のプロテアソームによる分解を改善することを意図することを特徴とする、請求項１１に記載の組成物。
【請求項１６】
前記組成物が、処理される皮膚またはケラチン付属物に局所適用され、加齢および光による加齢の皮膚兆候を防止および/または処置することを特徴とする、請求項３から１０のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１７】
前記組成物が、細胞更新サイクルの間に皮膚をクリーンにするように、就寝前に適用されることを特徴とする、請求項１６に記載の組成物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
本発明の式Iのペプチドを、構成アミノ酸またはその誘導体から、（固相または均一な液相において）慣用的な化学合成により、あるいは酵素的合成（Kullman et al., J. Biol. Chem. 1980, 225, 8234）により取得してよい。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年4月18日(2014.4.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＵＶレーザを使用してコヒーレント光を発生させることと、
コヒーレント光を下方変換して、周波数量子もつれ光子の対を生成することと、
量子もつれ光子の各対に関して、第１光子を第１光路に沿って、第２光子を第２光路に沿って、それぞれ伝送することと、
シングルフォトン領域内において、第１検出器を使用して、第１光路に沿って伝送されるこれらの光子を検出し、第２検出器を使用して、第２光路に沿って伝送されるこれらの光子を検出することと、
検出器の出力に対して同時計数を行なうことであって、第１及び第２検出器の出力の立ち上がりエッジを時間窓内で比較することを含むことと
を含み、
第１及び第２検出器によって検出される光子の複素電場の２次相関をとり、第２検出器のｘ−ｙ座標の関数として同時計数値をマッピングすることにより、画像を相関平面に形成する、方法。
【請求項２】
第１及び第２検出器がシングルフォトン領域で動作する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１及び第２光路に同じ実効長を与える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
各検出器がパルスを出力して光子の検出を通知し、各時間窓の始点が第２検出器によって供給されるパルスの立ち上がりエッジに対応する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
Ｎ番目のＮ００Ｎ状態（Ｎ≧２）において光子を生成する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
物体を含む画像を撮影することと、撮影画像に基づいて物体の位置を推定することとをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
第１光路に沿って伝送されるこれらの光子が遮蔽物に向かって誘導され、かつ遮蔽物を通過する波長を有し、遮蔽物を通過する光子が遮蔽物に隠れた全ての物体によって散乱される請求項１に記載の方法。
【請求項８】
物体の画像を形成することと、画像を分析して全ての構造変化を特定することとをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
物体を追跡する方法であって、請求項１に記載の方法を使用して物体を含む画像を撮影することと、撮影画像に基づいて物体の位置を推定することとを含む方法。
【請求項１０】
第１光路に沿って伝送されるこれらの光子が、浮遊遮蔽物を通過する波長を有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
監視を行なう方法であって、請求項１に記載の方法を使用して物体の画像を形成することを含み、第１光路に沿って伝送されるこれらの光子が遮蔽物に向かって誘導され、かつ遮蔽物を通過する波長を有し、遮蔽物を通過する光子が遮蔽物に隠れた全ての物体によって散乱される方法。
【請求項１２】
物体の非破壊検査を行なう方法であって、物体の画像を、請求項１に記載の方法を使用して形成することと、画像を分析して全ての構造変化を特定することとを含む、方法。
【請求項１３】
周波数量子もつれ光子の対を生成し、光子の各対に関して、第１光子を第１光路に沿って、第２光子を第２光路に沿って伝送するレーザ利用システムと、
第１光路に沿って伝送される個々の光子を検出する第１光子検出器と、
第２光路に沿って伝送される個々の光子を検出する第２光子検出器と、
検出器の出力に応答して、光子対の同時計数を行なう回路であって、同時計数に、第１及び第２検出器の出力の立ち上がりエッジを時間窓内で比較することにより同時性を判断することを含む回路と、
第１及び第２検出器によって検出される光子の複素電場の２次相関をとり、第２検出器のｘ−ｙ座標の関数として同時計数値をマッピングすることにより、画像を相関平面に形成する
画像形成手段と、
を備えるシステム。
【請求項１４】
レーザ利用システムが、紫外線レーザと、レーザの出力を下方変換する非線形結晶とを含んでおり、第１及び第２光子検出器が、アバランシェダイオードを含むことにより、上方変換が下方変換の前には行なわれない、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
レーザ利用システムが、連続波モードで動作して１度に１組の光子対を生成するレーザを含んでいる、請求項１３に記載のシステム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
画像は、相関平面に、第１及び第２検出器によって検出される光子の複素電場の２次相関をとることにより形成することができる。同時計数値は、第２検出器２４０のｘ−ｙ座標の関数としてマッピングされる。同時計数によって、第１検出器２３０で測定される複素電場に第２検出器２４０で測定される複素電場を乗算して得られる積の時間平均を測定することができる。複素電場は、位相及び振幅で表わすことができる。２次相関を計算する例は、Ｔｈｅ  Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｒｅｖｉｅｗ  Ａ．  ｖｏｌ．  ５３，  ｎｏ．  ４，  １９９６，  ｐｐ．  ２８０８  ａｎｄ  ２８１３−１４に掲載されたＰｉｔｔｍａｎらによる“Ｔｗｏ  ｐｈｏｔｏｎ  ｇｅｏｍｅｔｒｉｃ  ｏｐｔｉｃｓ，”（２光子幾何学光学系）と題する論文に記載されている。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年9月1日(2014.9.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
少なくとも５％である大きな破断時伸びを有する鋼索であって、
つる巻線状に予め成形されたｎ本のストランドを含み、
該ストランドの各々が撚り合わせられたｍ本のフィラメントを有し、
前記ｎが２〜７の範囲になっており、
前記ｍが２〜９の範囲になっており、
前記ストランド及び前記フィラメントが同じ方向に撚られ、
鋼索の撚りピッチをＬｃとし、前記ストランドの撚りピッチがＬｓとすると、前記Ｌｓの前記Ｌｃに対する比（Ｌｓ／Ｌｃ）が、０．２５〜１の範囲になっており、
前記Ｌｃが１６ｍｍ〜２６ｍｍの範囲になっており、
鋼索の縦弾性係数が１５００００Ｎ／ｍｍ２よりも大きくなっていることを特徴とする、鋼索。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
３×７の破断時伸びの大きい鋼索が、タイヤの補強のための分野において一般的な索となっている。しかしながら、索が短い撚りピッチで形成されているという欠点が存在する。したがって、製造コストが高くなっており、索の破断荷重があまり高くなく、縦弾性係数が小さくなっており、従って、索の剛性があまり高くなくなっている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
本発明によれば、少なくとも５％である大きな破断時伸びを有する鋼索が、ｎ本のストランドを含み、各々のストランドが撚り合わせられたｍ本のフィラメントを有し、ｎが２〜７の範囲になっている一方で、ｍが２〜９の範囲になっている。ストランド及びフィラメントは、同じ方向に撚られている。この鋼索の撚りピッチをＬｃとし、ストランドの撚りピッチをＬｓとすると、ＬｓのＬｃに対する比（Ｌｓ／Ｌｃ）が、０．２５〜１の範囲になっており、Ｌｃが、１６ｍｍ〜２６ｍｍの範囲になっている。ストランドは、つる巻線（ヘリックス、ｈｅｌｉｘ）状（ｈｅｌｉｃａｌｌｙ）に予め成形されている。この鋼索の縦弾性係数は、１５００００Ｎ／ｍｍ２よりも大きくなっている。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
大きな破断時伸びの鋼索を得るために、ストランドが、鋼索へと撚り合わせられる前につる巻線状に予め成形される。つる巻線状に予め成形されるゆえに、ストランドは、三次元の変形を有する。また、ストランドが、良好な表面、疲労、及び付着を得ることができる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
【図１】つる巻線状に予め成形されたストランドの正面図を示している。
【図２】予め成形されたストランドを含んでいる３×７の構造の鋼索の断面図を示している。
【図３】予め成形されたストランドを含んでいる４×７の構造の鋼索の断面図を示している。
【図４】予め成形されたストランドを含んでいる３×６の構造の鋼索の断面図を示している。
【図５】一方が本発明の鋼索であり、他方が従来技術の鋼索である２つの鋼索について、力−伸びの曲線を示している。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
図１が、つる巻線状に予め成形されたストランド２０の正面図を示している。ストランド２０は、０．２２ｍｍの直径Ｄを有する７本のフィラメント１０で形成されている。フィラメント１０は、互いに平行になっており、ストランド２０が７ｍｍの撚りピッチＬｓを有するような撚りのピッチで撚られている。３本のストランド２０が、つる巻線状に予め成形されている。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
図３が、つる巻線状の予め成形された４本のストランド２０を含んでおり、２０ｍｍという撚りピッチＬｃを有している第２の好ましい実施の形態の鋼索５０の断面図を示している。破断時伸びは、５．５％になっている。鋼索５０の縦弾性係数は、１７５３２４Ｎ／ｍｍ２になっている。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
図４が、つる巻線状の予め成形された３本のストランド６０を含んでおり、２３ｍｍという撚りピッチＬｃを有している第３の好ましい実施の形態の鋼索７０の断面図を示している。各々のストランド６０が、６本のフィラメントを含んでいる。ストランド６０の撚りピッチＬｓは、１１．２ｍｍになっている。ストランド６０は、２９．８ｍｍという予め成形されたピッチＰｓ及び２．１６ｍｍという予め成形された振幅Ａｓを有している。鋼索７０の破断時伸びは、５．６％になっている。鋼索７０の縦弾性係数は、１５５３２４Ｎ／ｍｍ２になっている。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月9日(2013.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
神経治療のためのシステムであって、
（ａ）脳領域に神経刺激を与えるように構成された神経刺激（ＮＳ）モダリティと、
（ｂ）脳領域にＣＴを与えるように構成された認知訓練（ＣＴ）モダリティと、
（ｃ）神経治療セッションを実施するように構成されたプロセッサと
を備え、
前記治療セッションが、
ｉ回（ｉ＝１〜Ｍ（ここで、Ｍは脳領域の数であり、Ｍは少なくとも１である））、
ｊ回（ｊ＝１〜Ｎ（ｉ）（ここで、Ｎ（ｉ）は、脳領域ｉを刺激する回数であり、Ｎ（ｉ）は少なくとも２である））、
（１）所定の生理的作用を起こすように選択される量Ｐｉｊの神経刺激を与えるために、前記ＮＳモダリティを脳領域ｉに作動させることと、
（２）前記ＣＴモダリティを作動させて、脳領域ｉにＣＴを与え、前記ＣＴモデリティを前記ＮＳモダリティの作動時間に応じた所定時間作動させることと、
を行うこと
を行うこと
を含み、
ｊ＝２，．．．Ｎ（ｉ）回目において、ｊ−１回目の前記ＮＳモダリティの作動の発生によって起こされた、前記ＮＳ作動の終了後経時的に低下する初期レベルを有する、前記所定の生理的作用のレベルが上記初期レベルの所定の割合よりも高い場合に、ｊ回目の前記ＮＳモダリティの作動を発生させるシステム。
【請求項２】
前記生理的作用は、ｆＭＲＩ、ＥＥＧ、ＰＥＴ、ＳＰＥＣＴ、ＥＲＰ、認知測定法、ＥＭＧ、及びＭＥＰのうちいずれか１つ以上によって定量化可能な作用である請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
Ｐｉｊは、前記所定の生理的作用を起こすＮＳの最少量である請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記ＮＳは、ＤＣ電流、ＡＣ電流、ＤＣ電圧、ＡＣ電圧、ｔＤＣＳ、ＥＳＴ、磁場、電場、ＲＦ放射、マイクロ波放射、赤外線放射、光放射、紫外線放射、Ｘ線放射、超音波、及び機械的波動の少なくとも１つを有するグループから選択される、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記ＮＳを、侵襲的に施行する請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記ＮＳモダリティは、（Ａ）２つ以上のＮＳ源からＮＳ、及び（Ｂ）２種類以上のＮＳ刺激の１つ、又は両方を与えるように構成されている請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記ＣＴは、日常的な物の名前の記憶、顔‐名前の連想、物‐位置の連想、展望的記憶課題の成績、現実見当識、時事についての質問／記憶、並びにコンピュータを使用する単純なクロスワード、又は迷路パズルを解くことを改善するように設計された課題を含む請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記ＣＴは、視覚刺激、聴覚刺激、嗅覚刺激、触覚刺激、及び空間刺激を有するグループから選択される請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記ＮＳは、ＴＭＳである請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記ＴＭＳは、ｒＴＭＳである請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
ｒＴＭＳは、０．５Ｈｚ〜３０Ｈｚの周波数を有する請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記ｒＴＭＳは、０．５〜５秒のパルス時間を有する請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
前記ｒＴＭＳ強度が、運動閾値の４０％〜１１０％の範囲内である請求項１０に記載のシステム。
【請求項１４】
前記ＣＴモダリティを、前記ＮＳモダリティの作動の終了後１５秒以内に作動させる請求項１に記載のシステム。
【請求項１５】
前記ＮＳモダリティの連続する２回の作動が、５秒〜１２０秒間隔で行われる請求項１に記載のシステム。
【請求項１６】
前記ＮＳを、非侵襲的に施行する請求項１に記載のシステム。
【請求項１７】
神経治療のための方法であって、
ｉ回（ｉ＝１〜Ｍ（ここで、Ｍは脳領域の数り、Ｍは少なくとも１である）、
ｊ回（ｊ＝１〜Ｎ（ｉ）（ここで、Ｎ（ｉ）は、脳領域ｉを刺激する回数であり、Ｎ（ｉ）は少なくとも２である）、
（１）所定の生理的作用を起こすように選択される量Ｐｉｊの神経刺激を与えるために、神経刺激（ＮＳ）モダリティを脳領域ｉに作動させ、
（２）認知訓練（ＣＴ）モダリティを作動させて、脳領域ｉにＣＴを与え、
前記ＣＴモデリティを前記ＮＳモダリティの作動に応じた所定時間作動させ、
を行うこと
を行うこと
を含み、
ｊ＝２，．．．Ｎ（ｉ）回目において、ｊ−１回目の前記ＮＳモダリティの作動の発生によって起こされた、前記ＮＳ作動の終了後経時的に低下する初期レベルを有する、前記所定の生理的作用のレベルが上記初期レベルの所定の割合よりも高い場合に、ｊ回目の前記ＮＳモダリティの作動を発生させる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月25日(2014.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸素吸収性樹脂層を含む多層ラベルを、メス型部の内壁表面又はオス型部の外壁表面に取り付けるステップと、
溶融樹脂をオス型部とメス型部との間のキャビティに注入し、それにより容器の成形及びラベル付けを同時に行うステップと、を備える、インモールドラベル付き容器を製造するプロセス。
【請求項２】
多層ラベルが、容器の外部表面又は内部表面の全てを覆う、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
酸素吸収性樹脂層を含む第１の多層ラベルをメス型部の内壁表面に取り付け、酸素吸収性樹脂層を含む多層化されたシートをオス型部の外壁表面に取り付けるステップと、
次に、オス型部とメス型部との間のキャビティに溶融樹脂を注入し、それにより容器の成形と容器へのラベル付けとを同時に行うステップと、を備え、
多層ラベルが容器の外部表面の全てを覆い、多層化されたシートが容器の内部表面の全てを覆う、請求項１に記載のプロセス。
【請求項４】
酸素吸収性樹脂層が、エチレン−ビニルアルコール共重合体及び酸素吸収剤を含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項５】
酸素吸収性樹脂層が、多層化された酸素バリア層における副層であり、酸素バリア層が少なくとも１つの酸素バリア樹脂副層をさらに含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項６】
多層化された酸素バリア層の厚さが、約５〜約１００μｍである、請求項５に記載のプロセス。
【請求項７】
多層ラベルが、少なくとも１つの耐湿性樹脂層を、多層ラベルの最外層又は最外層と最内層の両方としてさらに含む、請求項５に記載のプロセス。
【請求項８】
多層化された酸素バリア層が、以下の積層構造、即ち第１酸素バリア樹脂副層／酸素吸収性樹脂層／第２酸素バリア樹脂副層を有する、請求項５に記載のプロセス。
【請求項９】
耐湿性樹脂層の透湿率が、約４０℃の温度及び約９０％の相対湿度で、約４０ｇ・３０μｍ／ｍ２・日以下である、請求項７に記載のプロセス。
【請求項１０】
酸素バリア層の外側に積層された１つ又は複数の任意選択の層の合計厚さがＸにより表され、容器の合計厚さがＹにより表され、比Ｘ／Ｙが約０．０１〜約０．２５である、請求項７に記載のプロセス。
【請求項１１】
耐湿性樹脂層が、溶融樹脂と同一の樹脂で作製される、請求項７に記載のプロセス。
【請求項１２】
容器が、レトルト可能である、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１３】
請求項１に記載のプロセスにより製造された、インモールドラベル付き容器。
【請求項１４】
酸素バリア層を有する多層ラベルを、型中で型体に隣接して取り付けるステップと、
ラベルを型体と溶融樹脂との間に残して溶融樹脂を型に注入し、それにより容器を形成するステップと、を備える、インモールドラベル付き容器を製造するプロセス。
【請求項１５】
酸素バリア層が、エチレンビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ）及び／又は他の樹脂と酸素吸収剤とを含む、少なくとも１つの酸素吸収性（スカベンジャー）樹脂層を含む、請求項１４に記載のプロセス。
【請求項１６】
酸素吸収性樹脂層に含有されるＥＶＯＨ中の、百分率によるエチレンの含有量が、約５〜約６０％である、請求項１５に記載のプロセス。
【請求項１７】
酸素吸収性樹脂層に含有されるＥＶＯＨのケン化度が、約９０％以上である、請求項１５に記載のプロセス。
【請求項１８】
酸素吸収剤が、有機化合物、第二級若しくは第三級炭素原子を有する重合体、ポリアミド樹脂、又は還元可能な金属の粉末である、請求項１５に記載のプロセス。
【請求項１９】
酸素吸収剤が、有機化合物である、請求項１５に記載のプロセス。
【請求項２０】
有機化合物が、二重結合を有する、請求項１９に記載のプロセス。
【請求項２１】
炭素−炭素二重結合を有する化合物が、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリクロロプレン、ポリ（２−エチルブタジエン）、ポリ（２−ブチルブタジエン）、ポリオクテニレン、ポリペンテニレン、ポリノルボルネン、スチレン−イソプレン−スチレントリブロック共重合体、ポリブタジエン、及びポリオクテニレンからなる群から選択される、請求項２０に記載のプロセス。
【請求項２２】
酸素バリア層が、約５〜約１００μｍの厚さを有した、請求項１４に記載のプロセス。
【請求項２３】
容器がレトルト可能である、請求項１４に記載のプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月19日(2014.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マーキングエンジンにより印刷マスター（１２０）を作成するためのシステム（１００）であって、
− 中心軸線（６８０）を有する円柱状サポート（６００）と、
− 該円柱状サポート上に少なくとも１層のマークをマーク付けするマーキングヘッドユニット（４００）と、を具備しており、該具備により
〇 該円柱状サポート（６００）は該マーキングヘッドユニット（４００）に対し該サポートの中心軸線（６８０）の周りを第１速度で回転し、前記回転は該円柱状サポート（６００）に接する第１速度ベクトル（６７０）を規定しており、
〇 該マーキングヘッドユニット（４００）は該中心軸線（６８０）に平行な低速スキャン方向（Ｙ）に沿い、該第１速度に拘束される第２速度で移動し、前記移動は第２速度ベクトル（６７１）を規定しており、
〇 該第１速度（６７０）ベクトルと、該第１（６７０）及び第２（６７１）速度ベクトルの和（６７２）と、の間の角度は値αを有しており、
〇 該マーキングヘッドユニット（４００）は該中心軸線（６８０）の周りをインターレースされた螺旋経路（６１０，６１１）に沿ってマークを創り得る少なくとも２本の平行な列（６２０，６２１）のマーキング要素（１，２，...６）を有し、該マーキング要素（１，２，...６）の平行な列（６２０，６２１）の間の距離（６６０）は該螺旋経路（６１０，６１１）の間に不均一な間隔（６４０，６４１）を導入しているが、
− 該マーキング要素（１，２，...６）の列（９２１，９２２）が該第１及び第２速度ベクトルと平行な平面内で角度βだけ回転させられ、該螺旋経路間の該不均一な間隔が減じられるか又は除去される（９６０）よう、該回転が、該螺旋経路（９５０，９５１）の接線（９５２）と直交する方向で行われる、該システム（１００）。
【請求項２】
前記マーキングヘッドユニット（４００）がインクジェット印刷ヘッドであり、前記マーキング要素がインクジェットノズルである請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記マーキングヘッドユニット（４００）がレーザーヘッドであり、前記マーキング要素がレーザー素子である請求項１記載のシステム。
【請求項４】
｜α−β｜＜０．５＊｜α｜である請求項１から３の何れか１つに記載のシステム。
【請求項５】
前記印刷マスター（１２０）がレリーフ印刷マスターである請求項１から４の何れか１つに記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月21日(2014.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶性カーボンナノ構造体および／または結晶性カーボンナノ構造体のネットワークを製造するための方法であって、
（ｉ）平均粒径１〜１００ｎｍを有する金属ナノ粒子を含有する両連続マイクロエマルションを供給し、前記平均粒径からの粒径の偏差が１０％未満であることと、
（ｉｉ）前記両連続マイクロエマルションを基材に接触させることと、
（ｉｉｉ）前記金属ナノ粒子およびガス状カーボン源を化学蒸着に暴露することによってカーボンナノ構造体および／またはカーボンナノ構造体のネットワークを形成することと
を含む、方法。
【請求項２】
前記両連続マイクロエマルションが水相に対して計算された少なくとも１５ｍＭの金属ナノ粒子を含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法によって取得可能な、化学的に相互連結した結晶性カーボンナノ構造体ネットワーク。
【請求項４】
平均径１〜１００ｎｍを有する金属ナノ粒子が前記ネットワーク中に埋め込まれている、請求項３に記載のネットワーク。
【請求項５】
カーボンナノチューブネットワークである、請求項３から４のいずれか一項に記載のネットワーク。
【請求項６】
平均粒径１〜１００ｎｍを有する金属ナノ粒子を含有する両連続マイクロエマルションであって、平均粒径からの粒径偏差が１０％未満である、両連続マイクロエマルション。
【請求項７】
少なくとも１５ｍＭの金属ナノ粒子を含有する、請求項６に記載の両連続マイクロエマルション。
【請求項８】
カーボンナノ構造体、好ましくは、カーボンナノチューブを製造するための、請求項６または７に記載の両連続マイクロエマルションの使用。