(57)【要約】      （修正有）【課題】配線と非配線パターンを形成する半導体装置用基板において、非配線パターンを微小かつ高精細に形成することで、非配線パターンを自由な位置に配置でき、さらに、微小な非配線パターンがわずかな衝撃で脱落することがない実用的なパターンを形成する。【解決手段】配線1より厚みが薄い非配線パターン2が、配線1と同一平面内に、又は共通導体上の配線表面に形成され、非配線パターン2の大きさが0.025ｍｍ2以下の微小な単独パターン、又は大きさが0.025ｍｍ2以下の微小なパターンを複数個組合せた複合パターンにより構成され、配線1と独立、又は配線1からの引き出し線の末端の位置に配置し、非配線パターン2が、3μｍ以下の凹形状、又は5μｍ以下の凸形状のいずれかまたはその両方で形成されている。また、配線1と非配線パターン1を、各々別工程で形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線及び非配線パターンを形成する半導体装置用基板において、共通の導体上の配線と、該配線より厚みが薄い別の共通の導体上の非配線パターンが少なくとも同一平面内に配置されたことを特徴とする半導体装置用基板。
【請求項２】
前記配線と非配線パターンが、共通の導体上に形成され、前記非配線パターンは大きさが０．０２５ｍｍ２以下の微小な単独パターン、又は大きさが０．０２５ｍｍ２以下の微小なパターンを複数個組合せた複合パターンにより構成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用基板。
【請求項３】
前記導体が、厚みが３〜２５μｍの銅箔からなることを特徴とする請求項１、又は２記載の半導体装置用基板。
【請求項４】
前記導体が、厚みが０．０１μｍ〜５μｍの導体からなることを特徴とする請求項１、又は２記載の半導体装置用基板。
【請求項５】
前記非配線パターンが、配線と独立しているか、又は配線からの引き出し線の末端の位置に配置していることを特徴とする請求項１、２、４のいずれか１項記載の半導体装置用基板。
【請求項６】
前記配線が、厚み３〜２５μｍで形成され、前記非配線パターンが、３μｍ以下の凹形状、又は５μｍ以下の凸形状のいずれかまたはその両方で形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の半導体装置用基板。
【請求項７】
前記配線及び非配線パターンが、必要に応じて配線及び非配線パターンの表面の少なくとも一部分に保護用の金属、又は絶縁体のいずれかまたはその両方で覆われていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項記載の半導体装置用基板。
【請求項８】
前記金属が、金、銀、白金、ロジウム、パラジウム、ニッケル、錫、又はこれらを主成分とする合金のいずれか１種からなることを特徴とする請求項７記載の半導体装置用基板。
【請求項９】
前記絶縁体が、樹脂又は無機物のいずれかで構成され、可視光域の光透過率が５０〜９０％を有する絶縁体からなることを特徴とする請求項７記載の半導体装置用基板。
【請求項１０】
半導体装置用基板の製造方法において、前記配線及び非配線パターンを、各々別工程で形成することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項記載の半導体装置用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
パターンを形成する半導体装置用基板において、配線と非配線パターンを有する半導体装置用基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体装置用基板は、配線と非配線パターンが全く同一のプロセスで同時に形成されるため、必然的にほぼ同じ厚みで形成されていた。セミアディティブ法やサブトラクティブ法でもパターンめっきプロセスで形成した場合は、パターンの分布や面積等の違いで配線より非配線パターンの方が厚く形成される場合もあるが、意図的に厚みを変えようとして形成したものではない。
【０００３】
ところで、サブトラクティブ法でパターンを形成する場合、エッチングする導体厚に対しその６０〜１００％程度のサイドエッチが入ることが知られている。凸型と凹型のコーナー部はそれぞれ一般部分の１．５倍程度と０．５倍程度のサイドエッチが入るため、いずれの場合もコーナー部の丸みは導体厚の１．５倍前後になる。現在、一般的に使用されている１８μｍ銅箔の場合、Ｒ２５μｍ前後の丸みで１００％程度のサイドエッチが入ることが知られている。凸型と凹型のコーナー部はそれぞれ一般部分の１．５倍程度と０．５倍程度のサイドエッチが入るため、結果的にはいずれの場合もコーナー部の丸みは導体厚の１．５倍前後になる。現在、一般的に使用されている１８μｍ銅箔でパターンを形成した場合、上記理由によりＲ２５μｍ前後の丸みが避けられないため、パターン設計値で、一辺５０〜７５μｍ程度の正方形とφ５０〜７５μｍ程度の円とのパターン形成後ではパターン形状が類似し、区別ができない状況である。現状では、この程度の寸法、例えば５０〜７５μｍが非配線パターン微細化の限界となっている。
【０００４】
それに対し、セミアディティブ法でパターンを形成すれば、原理的にはそれ以上の微細化が可能である。しかし、独立したマーク等の非配線パターンを微細に形成しようとするとパターンのアスペクト比が高くなり剥離に対する危険性がかなり高くなる。一般的に導体の密着強度（プル強度）は１ｍｍ□で１０Ｎ程度で、０．１ｍｍ□のパターンに換算するとわずか０．１Ｎ程度の力で剥離してしまうことになる。そして、微細な形状のパターンが、厚くなれば取り扱いによるわずかな衝撃で簡単にその程度の力がかかり、パターンが容易に剥離してしまうことになる。すなわち、微細化と同時にパターン厚さも薄くする必要がある。
【０００５】
そのため、どちらのプロセスを使用するにしても同程度の寸法で限界に達することに変わりは無く、例えば非特許文献１のように、独立したパターンの最小面積や最小抜き面積を厳格に定めているところが多い。一般的にも最小導体面積は０．２〜０．３ｍｍ□程度、最小抜き面積は０．１５ｍｍ□程度としているのが普通であり、それ以下のサイズの非配線パターンを量産で安定して形成することや、形成後に剥離させないことはかなり困難である。
【０００６】
一方、アライメント用のマークを破壊させない事を目的として、該マークの外周をそれより厚いガードマークで覆う技術も特許文献１で公開されている。このように、通常のサイズのマークでも破損させないための工夫が必要となっており、例えセミアディティブ法などで微小なマークを形成できたとしても、形成後にマークの一部が破損し、脱落してしまう危険性はマークが小さくなればなるほど増大し、実用に耐えるマークは実質作ることができないのが実情である。
【０００７】
図８は、従来の同一平面内に形成された配線と非配線パターンを有する半導体装置用基板の部分構成断面図である。基板１０上に、同一導体上に配線１と非配線パターン２が形成されている。配線半導体装置用基板の配線は使用する目的や製造プロセスにより一定以上の厚みが必要となり、非配線パターンも同じ厚みで形成されることから、この厚みで微細な形状の非配線パターンを形成することは困難だった。そのため、非配線パターンは目視で確認できるような大きなマークや記号として利用することにもっぱら使用され、配線の邪魔にならないように配置することが困難な場合が多く、設計者の頭を悩ますことも多かった。また、非配線パターンをアライメント用マークとして形成し使用する場合には、ある程度の大きさが必要でしかも拡大して観察すると形状が歪んでいることが多いため、精度良くアライメントするには限界があった。
【０００８】
【特許文献１】
特開平８−２５０８２５号公報
【非特許文献１】
２層フレックステープデザインガイドライン、第６版、１６ページ（住友スリーエム株式会社）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明では、非配線パターンを微小かつ高精細に形成することで、配置場所が限定されずに、自由な位置に配置できることを目的とする。さらに、非配線パターンの精度を更に向上させるために、寸法を微小化し、高精細できれいな形状の非配線パターンを形成する必要があるため、微小化した非配線パターンが、わずかな衝撃で脱落することがない実用的な非配線パターンを形成する半導体装置用基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係る発明は、配線及び非配線パターンを形成する半導体装置用基板において、共通の導体上の配線と、該配線より厚みが薄い別の共通の導体上の非配線パターンが少なくとも同一平面内に配置されたことを特徴とする半導体装置用基板である。
【００１１】
本発明の請求項２に係る発明は、前記配線と非配線パターンが、共通の導体上に形成され、前記非配線パターンは大きさが０．０２５ｍｍ２以下の微小な単独パターン、又は大きさが０．０２５ｍｍ２以下の微小なパターンを複数個組合せた複合パターンにより構成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用基板である。
【００１２】
本発明の請求項３に係る発明は、前記導体が、厚みが３〜２５μｍの銅箔からなることを特徴とする請求項１、又は２記載の半導体装置用基板である。
【００１３】
本発明の請求項４に係る発明は、前記導体が、厚みが０．０１μｍ〜５μｍの導体からなることを特徴とする請求項１、又は２記載の半導体装置用基板である。
【００１４】
本発明の請求項５に係る発明は、前記非配線パターンが、配線と独立しているか、又は配線からの引き出し線の末端の位置に配置していることを特徴とする請求項１、２、４のいずれか１項記載の半導体装置用基板である。
【００１５】
本発明の請求項６に係る発明は、前記配線が、厚み３〜２５μｍで形成され、前記非配線パターンが、３μｍ以下の凹形状、又は５μｍ以下の凸形状のいずれかまたはその両方で形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の半導体装置用基板である。
【００１６】
本発明の請求項７に係る発明は、前記配線及び非配線パターンが、必要に応じて配線及び非配線パターンの表面の少なくとも一部分に保護用の金属、又は絶縁体のいずれかまたはその両方で覆われていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項記載の半導体装置用基板である。
【００１７】
本発明の請求項８に係る発明は、前記金属が、金、銀、白金、ロジウム、パラジウム、ニッケル、錫、又はこれらを主成分とする合金のいずれか１種からなることを特徴とする請求項７記載の半導体装置用基板である。
【００１８】
本発明の請求項９に係る発明は、前記絶縁体が、樹脂又は無機物のいずれかで構成され、可視光域の光透過率が５０〜９０％を有する絶縁体からなることを特徴とする請求項７記載の半導体装置用基板である。
【００１９】
本発明の請求項１０に係る発明は、半導体装置用基板の製造方法において、前記配線及び非配線パターンを、各々別工程で形成することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項記載の半導体装置用基板の製造方法である。
【００２０】
【発明の実施の形態】
発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００２１】
図１（ａ）では、基板１０上の一平面内に、配線１と厚さがより薄い非配線パターン２が形成されている。配線１の厚みは要求する基準、例えば従来の厚みで形成する。非配線パターン２は、配線とは別の領域に形成し、配線１の厚みより薄く形成する。
【００２２】
非配線パターンが、配線とは別で独立した領域に形成する場合には、前記非配線パターンは、その隣接する配線との間隙が最小導体間隙を下回らないことが必要である。非配線パターンは小さければ小さいほど多数のパターンを配置できて望ましい。その必要がない場合、寸法は特に問わない。また、配置場所の必要に応じて、配線と接続する形状や位置に意図的に配置することもでき、例えば引き出し線の末端等も可能だが、その場合も前述と同様、精度の問題から規定の最小導体間隙を下回らないことが必要である。
【００２３】
図１（ｂ）では、基板１０上に、配線１が形成され、配線１表面の微小領域に、非配線パターン２が形成されている。その形状は、凹形状や凸形状の断面形状であり、そのパターンの厚みは配線の厚みより薄く形成する。そこで、非配線パターンを配線上と共通導体上に形成する場合には、基本的に配線幅と同じかそれより小さく形成し、配線の性能に影響しない寸法で形成することが望ましい。複数の配線にまたがって形成する場合、微小パターンの集合体とすることも可能である。いずれの場合も、配線の性能に影響しないように、個々の微小パターンの寸法は、具体的には配線厚みの１／２以下、望ましくは１／４以下で、例えば１／１０程度など小さければ小さいほど良い。
【００２４】
次に、本発明の半導体装置用基板の製造方法について、図６及び図７を用いて説明する。
【００２５】
図６（ａ）〜（ｈ）は、本発明の一実施例の半導体装置用基板の製造方法の各工程を説明する側断面図である。
【００２６】
図６（ａ）では、基板１０上に、スパッタ銅１１と、電解銅１２の薄膜を全面に形成する。図６（ｂ）では、感光性レジスト４１を塗布後、マスク５１を用いて露光及び現像処理する。図６（ｃ）では、レジスト開口部にメッキ法のニッケル層１４を形成する。この工程終了で、非配線パターン２が形成される（図６（ｄ）参照）。前記レジスト４１を除去後、再び基板全面にドライフイルム４２を貼り合わせる（図６（ｅ）参照）。図６（ｆ）では、マスク５２を用いて露光及び現像処理する。図６（ｇ）では、レジスト開口部にメッキ法による銅層１３を形成する。図６（ｈ）では、基板１０表面にソフトエッチング処理により露出するスパッタ銅１１及び電解銅１２を除去する。この工程終了で、配線１を形成する。以上の工程を経て、基板１０上に、配線１と、非配線パターン２が形成される。すなわち、図１（ａ）に示す本発明の半導体装置用基板が完成する。
【００２７】
図７（ａ）〜（ｈ）は、本発明の一実施例の半導体装置用基板の製造方法の工程を説明する側断面図である。
【００２８】
図７（ａ）では、基板１０上に、銅箔層１５を全面に貼り合わせる。図７（ｂ）では、感光性レジスト４１を塗布後、マスク５１を用いて露光及び現像処理する。図７（ｃ）では、レジスト開口部の銅箔層１５をエッチング処理し、前記銅箔層１５を貫通しない非配線パターン２を形成する（図７（ｄ）参照）。前記レジスト４１を除去後、再び基板全面にドライフイルム４２を貼り合わせる（図７（ｅ）参照）。図７（ｆ）では、マスク５２を用いて露光及び現像処理する。図７（ｇ）では、レジスト開口部の銅箔層１５をエッチング処理し、完全に除去して配線１を形成する。図７（ｈ）では、配線１上のドライフイルム４２を剥膜除去し、基板１０表面に配線１と、該配線上に非配線パターン２を形成する。以上の工程を経て、基板１０上に、配線１と、その配線表面に非配線パターン２が形成される。すなわち、図１（ｂ）に示す本発明の半導体装置用基板が完成する。
【００２９】
【実施例】
以下実施例１〜４を説明する。
【００３０】
〈実施例１〉
図２は、本発明の実施例１の配線と非配線パターンを説明する側断面図である。基板１０上には、１５μｍ厚みの配線１と、３μｍ厚みの製造所記号の非配線パターン２１と、３μｍ厚みの不定形の非配線パターン２２を同一面内に形成した。実施例１では、セミアデイテイブ法を用い、非配線パターンを配線上に形成した。まず、厚み５０μｍのポリイミド樹脂の基板の表面にスパッタで銅薄膜を形成した。さらに、前記銅薄膜上に電解銅めっきで３μｍ厚の銅薄膜を形成した。次いで、前記基板を洗浄し、ポジ型の感光性レジスト（ＰＭＥＲ−Ｐ（商品名）、東京応化工業（株）製）を塗布乾燥し、膜厚が３μｍになる条件でレジスト膜を形成した。次に、製造所記号及び不定形の非配線パターンを形成したマスクを作製した。前記製造所記号の非配線パターンは、縦１００μｍ、横８０μｍの大きさで、ライン／スペース各々５μｍ幅のスリット入り記号パターンを横に６個並べて全体の大きさが縦１００μｍ、横５００μｍで形成した。前記不定形の非配線パターンは、縦１０μｍ、横５μｍで形成した。５インチ□、厚さ約４ｍｍの石英ガラスに前記クロムパターンを形成した前記マスクを用い、投影型の露光装置で感光性レジストを露光し、専用の現像液で紫外線の当らなかった部分のレジストを除去した。
【００３１】
次に、レジストから銅が露出した幅５μｍの開口部を有する非配線パターン部に厚み約２μｍの電解ニッケルめっきを形成した。レジストを剥離後、ニッケルめっきの微小な非配線パターンが銅膜上に形成された。
【００３２】
次に、非配線パターンを形成した銅薄膜表面を洗浄し乾燥した後、厚みが２５μｍのドライフィルム（フォテック（商品名）、日立化成工業（株）製）をラミネーターにより貼り合わせた。予め、配線のパターンが形成された５インチ□、厚さ約４ｍｍの石英ガラスにクロムパターンを形成したマスクを用い、投影型の露光装置でドライフィルムを露光し、専用の現像液で現像することで紫外線の当らなかった部分のレジストを除去した。この時、先に形成した非配線パターンは全てレジストに覆われ、配線と非配線パターンとが重なり合わないことを確認した。
【００３３】
これから配線を形成しようとするレジスト開口部に厚み約１５μｍの電解銅めっきを施し、レジストを剥離した。硫酸と過酸化水素系のソフトエッチ液に浸漬して露出した銅薄膜を除去した。以上の工程で厚みが約１５μｍの銅の配線と、該配線と独立しニッケルで覆われた厚み約３μｍの非配線パターンを同一平面上に形成した半導体装置用基板の中間体を得た。この時の配線厚は約１５μｍだったが、全体の大きさが縦１００μｍ、横５００μｍの製造所記号の非配線パターンは、ニッケルで覆われた厚み３μｍの凸部となって形成され、縦１０μｍ、横８μｍの不定形の非配線パターンは、３μｍの凸部となって形成された。この時、個々の非配線パターンの大きさはそれぞれ、０．００８ｍｍ２と０．００００８ｍｍ２であった。
【００３４】
次に、ソルダーレジストをパターン形成した後、露出面にＡｕめっき皮膜形成を実施し、半導体装置用基板を完成した。
【００３５】
〈実施例２〉
図３は、本発明の実施例２の配線と非配線パターンを説明する側断面図で、（ａ）〜（ｂ）は、一実施例の側断面図であり、（ｃ）は、非配線パターンの平面図である。図３（ａ）に示すように、基板１０上には、１２μｍ厚みの配線１と、その配線表面に３μｍ厚みの文字列の非配線パターン２１及び３μｍ厚みの丸形の非配線パターン２２が各々の共通導体上に形成した。図３（ｂ）では、配線の厚みを表面処理により２μｍ厚みを薄くして、１０μｍ厚みの配線１を形成した場合である。図３（ｃ）は非配線パターンの平面図で、５μｍ幅のスリット入り文字列の非配線パターン２１と、微細な円形の非配線パターン２２であり、各々配線表面に形成したものである。実施例２では、サブトラクティブ法を用い、エッチングにより非配線パターンを配線上に形成した。まず、厚み５０μｍのポリイミド樹脂と厚み１２μｍの銅箔が一体化した基板（商品名マイクロラックス、デュポン社製）を準備した。基板の表面を洗浄し、ポジ型の感光性レジスト（ＰＭＥＲ−Ｐ（商品名）、東京応化工業（株）製）を塗布乾燥し、膜厚が２〜３μｍになる条件で銅箔上に塗布した。次に、配線と文字列及び円形の非配線パターンを形成したマスクを作製した。前記配線は５０μｍピッチ及び一部を２００μｍピッチで形成した。前記文字列の非配線パターンは、縦５０μｍ、横４０μｍの５μｍ幅のスリット入り文字パターンを横に５個並べて全体の大きさを縦５０μｍ、横２００μｍで形成した。前記円形の非配線パターンは縦横幅とも１０μｍで形成した。６インチ□、厚さ約４ｍｍの石英ガラスにクロムパターンを形成した前記マスクを用い、投影型の露光装置で感光性レジストを露光し、専用の現像液で現像し、紫外線の当った部分のレジストを除去した。
【００３６】
なお、今回は配線と非配線パターンが同時に形成されたマスクを用いたが、別々のマスクを用いて非配線パターンマスクを差し替えて使用してもよく、配線形成と非配線パターン形成を別々に行っても良く、その方法については用途や目的に応じて適宜選択することができる。
【００３７】
次に、レジストから銅が露出した部分を塩化第二鉄溶液でエッチングした後、レジストを剥離することで、所望の配線と非配線パターンを同時に形成した。なお、スリット入り文字パターンは、抜きとなるスリット部が微小寸法となるほどエッチングが入りにくくなる特性を利用し、銅箔が貫通せず、途中でエッチングが停止するように幅を設定した。銅箔厚は１２μｍだが、スリット入り文字列の非配線パターンは、深さ３μｍの凹部となって形成された。縦横幅とも１０μｍの円形の非配線パターンは、深さ３μｍの凹部となって形成された。文字列の非配線パターンの大きさは、０．００２ｍｍ２となり、円形の非配線パターンは０．０００１ｍｍ２であった。
【００３８】
次に、ソルダーレジストをパターン形成した後、露出面にＡｕめっき皮膜形成を実施し、半導体装置用基板を完成した。
【００３９】
なお、実施例２の製造方法では、図７に示す方法を用いて行い、マスク５１上に非配線パターン及び配線用のパターンを集約して作製したことにより、工程の（ｅ）〜（ｇ）を省略した。すなわち、マスクを用いたフォトプロセス工程、例えばレジスト塗布、露光、現像、エッチング、薄膜が１回で終了した。
【００４０】
〈実施例３〉
図４は、本発明の実施例３の配線と非配線パターンを説明する平面図である。基板１０上には、配線１と、複数の配線上をまたぐ微小パターンの集合体の非配線パターン２１と、円形の非配線パターン２２を共通の導体上に形成した。実施例３では、実施例１と同様のサブトラクティブ法を用い、エッチングにより配線上に形成した。まず、厚み５０μｍのポリイミド樹脂と厚み１２μｍの銅箔が一体化した基材（マイクロラックス（商品名）、デュポン社製）を準備した。基板の表面を洗浄し、ポジ型の感光性レジスト（ＰＭＥＲ−Ｐ（商品名）、東京応化工業（株）製）を塗布乾燥し、膜厚が３μｍになる条件でレジスト膜を形成した。次に、配線と、複数の配線をまたぐ微小パターン及び円の非配線パターンを形成したマスクを作製した。前記複数の配線をまたぐ微小パターンは、複数の配線上にまたがって形成した微小パターンの集合体で形成した。前記円の非配線パターンは、面積が０．００００１〜０．０２５ｍｍ２の範囲の大きさで形成した。前記マスクを使用して配線上に非配線パターンを形成した。
【００４１】
今回用いたプロセスでは、φ１０μｍ未満（面積０．００００８ｍｍ２未満）の非配線パターンは形成できなかったが、それ以上の大きさは配線厚以下の凹部を形成することができた。
【００４２】
非配線パターンの厚さは、セミアデイテイブ法での下地となる２μｍの銅薄膜及び１μｍのニッケルからなる凸部となるように形成したが、ニッケルの替わりに他の金属や樹脂などの絶縁物で形成してもよく、薄い銅のみでもよい。変色防止や形成した非配線パターンを目立つようにするために、下地処理したり、物質で表面を覆うなど、目的に応じて適宜選択することができる。
【００４３】
セミアデイテイブ法での下地銅をそのまま配線及び非配線パターンの共通導体として用いたが、プロセスを複雑にすることなく両パターンを形成できるため大変好ましく、使用する材料やプロセスによっては蒸着などドライプロセスで形成した下地、例えば銅をそのまま利用しても良く、その厚さは０．０１〜５μｍとなり、使用目的によって適宜選択することができる。
【００４４】
〈実施例４〉
図５は、本発明の実施例４の配線と非配線パターンを説明する側断面図である。基板１０上には、１５μｍ厚みの配線１と、３μｍ厚みの円形の非配線パターン２２を同一面内に形成した後、透明樹脂層３を形成したものである。実施例４では、非配線パターンにセミアデイテイブ法を用い、配線上に形成した。まず、厚み０．４ｍｍのガラスエポキシ樹脂の基板の表面に、０．１μｍの無電解ニッケルメッキ後、その上に１μｍの電解銅メッキの銅薄膜を形成した。前記基板上に、実施例２と同じ製造方法により半導体装置用基板を完成した。前記基板上には、１５μｍ厚の銅の配線と、３μｍ厚の銅及びニッケルの円形の非配線パターンを形成した。前記円形の非配線パターンの表面には、変色及び破壊防止のためアクリル系の耐熱透明樹脂で覆った。前記透明樹脂の形成は、感光性を付与した樹脂を用い、フォトプロセス法により形成した。前記樹脂の透過率は、可視光域で６０％〜８０％である。前記非配線パターンは、画像認識用カメラを用いて撮像したところ、精度良く、正確なパターンが確認できた。
【００４５】
【発明の効果】
本発明により、非配線パターンの大きさをより小型に抑えることが可能なため、その配置において配線を阻害する確率が減少し、設計しやすさが向上した。また、非配線パターンをアライメント用のマークとして形成した場合には、該マークの微小化と高精細化によりカメラ倍率を上げることができ、認識性に優れアライメント精度を大幅に向上させることが可能となった。また、微小な非配線パターンを多数配置することが可能となったことから、従来は目視で確認可能な大きさで必要最小限の表示しかできなかったが、製品の材料情報や例えばロット毎の製造情報などの付加的な情報や製品のトレーサビリティに必要な各種情報などの種々の情報を文字や記号として記録することができ、従来にない有益な使用法も可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線と非配線パターンを有する半導体装置用基板の部分側断面図で、（ａ）は、同一平面内に配置で、（ｂ）は、共通導体上に配置の例である。
【図２】本発明の実施例１の配線と非配線パターンを説明する側断面図である。
【図３】本発明の実施例２の配線と非配線パターンを説明する側断面図で、（ａ）〜（ｂ）は、一実施例の側断面図であり、（ｃ）は、非配線パターンの平面図である。
【図４】本発明の実施例３の配線と非配線パターンを説明する平面図である。
【図５】本発明の実施例４の配線と非配線パターンを説明する側断面図である。
【図６】本発明の一実施例の半導体装置用基板の製造方法を工程順に説明する側断面図である。
【図７】本発明の一実施例の半導体装置用基板の製造方法を工程順に説明する側断面図である。
【図８】従来の同一平面内に形成された配線と非配線パターンを有する半導体装置用基板の部分構成断面図である。
【符号の説明】
１…配線
２…非配線パターン
３…透明樹脂層
１０…基板
１１…スパッタ銅
１２…電解銅
１３…銅層
１４…ニッケル層
１５…銅箔層
２１…非配線パターン
２２…非配線パターン
４１…レジスト
４２…ドライフイルム
５１…マスク
５２…マスク
【図１】
2004356140.tif 000003
【図２】
2004356140.tif 000004
【図３】
2004356140.tif 000005
【図４】
2004356140.tif 000006
【図５】
2004356140.tif 000007
【図６】
2004356140.tif 000008
【図７】
2004356140.tif 000009
【図８】
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