【事件の表示】
　平成　８年特許願第１８１７９１号「窒化物半導体レーザ素子」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年　１月２７日出願公開、特開平１０−　２７９３９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は平成８年７月１１日の出願であって、平成１２年７月７日付の拒絶理由通知に対し同年９月８日付で手続補正書及び意見書が提出され、さらに平成１３年６月２２日付の拒絶理由通知（最後）に対し同年９月３日付で手続補正書及び意見書が提出されたが、平成１４年１月１０日付で拒絶査定がなされた。これに対し同年２月１４日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１３年９月３日付手続補正書における特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のものである。
　「基板上にそれぞれ窒化物半導体からなるｎ型層、活性層及びｐ型層を形成し、さらに前記ｐ型層上にストライプ状の正電極を形成することにより該正電極に対応した導波路が前記活性層に形成されてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記基板はサファイア基板又はＳｉＣ基板であり、前記導波路の共振面は、窒化物半導体のＭ面であり、前記ストライプ状の正電極の両端面はそれぞれ前記共振面から、１０μｍ以下に設定された距離だけ離れて形成されたことを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。」
　
３．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された、Jpn.J.Appl.Phys.Part2 35[2B](1996.2)p.L217-L220（以下、「引用例１」という。）には、図１の図面とともに以下の記載がある。
　「(1120)方向を有するサファイア基板（Ａ面）がＧａＮの成長に通常用いられる・・。サファイアＡ面上で成長させ(1102)に沿って（Ｒ面）劈開した広バンドギャップのIII-V族窒化物を用いて作られたＬＤｓを提供する。」（L217頁本文左欄下から９行−下から１行）
　「・・ｎ型ＧａＮ：Ｓｉ、・・ｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ：Ｓｉ、・・ｎ型Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎ：Ｓｉ、・・ｎ型ＧａＮ：Ｓｉ、・・ＭＱＷ構造Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ／Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ、・・ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ：Ｍｇ、・・ｐ型ＧａＮ：Ｍｇ、・・ｐ型Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎ：Ｍｇ、及び・・ｐ型ＧａＮ：ＭｇからなるＩｎＧａＮ　ＭＱＷ　ＬＤデバイス（図１）」（L217頁本文右欄９行−２０行）
　「ｎ型及びｐ型ＧａＮ層は導波路層・・。ｎ型及びｐ型Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎ層はＭＱＷ構造ＩｎＧａＮの活性領域からの発光を閉じこめるためのクラッド層・・」（L217本文右欄下から１行−L218本文左欄４行）
　「サファイア基板をＲ面に沿って劈開すべくサファイアＡ面を基板として用いた。エピタキシャル層と基板の劈開面は・・鏡面である。従って該鏡面をレーザ共振器ミラーとして使用することができる。」（L218本文左欄８行−１３行）
　「Ni/Auコンタクトがｐ型ＧａＮ層上に１０μｍのストライプ幅で蒸着され」（L218頁本文左欄１５行−１６行）
　これらの記載、図１においてｐ型ＧａＮ層上に形成されている電極が正電極と表示されていること、また図１より活性層及び導波路が正電極に対し同方向に対応して形成されていることが見て取れることから、引用例１には、
　「サファイア基板Ａ面上に窒化物半導体からなるｎ型層、活性層及びｐ型層を形成し、前記ｐ型層上にストライプ状の正電極を形成し、該正電極に対応した導波路が前記活性層に形成されてなる窒化物ＬＤｓにおいて、前記導波路の共振面は前記サファイア基板をＲ面で劈開することにより形成されてなる窒化物ＬＤｓ」との発明（以下、「引用例発明」）が開示されている。
　
４．対比・判断
　そこで本願発明と引用例発明とを比較すると、引用例発明の「窒化物ＬＤｓ」は本願発明の「窒化物半導体レーザ素子」に相当することから、両者は、
　「基板上にそれぞれ窒化物半導体からなるｎ型層、活性層及びｐ型層を形成し、さらに前記ｐ型層上にストライプ状の正電極を形成することにより該正電極に対応した導波路が前記活性層に形成されてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記基板はサファイア基板である窒化物半導体レーザ素子」である点で一致し、以下の点で相違する。
[相違点１]
　本願発明は「導波路の共振面は、窒化物半導体のＭ面」であるのに対し、引用例発明は「サファイア基板Ａ面上に形成した窒化物半導体を前記サファイア基板のＲ面で劈開する」ことで形成するものであるが劈開面がＭ面であるとの明示がない点。
[相違点２]
　本願発明は、「前記ストライプ状の正電極の両端面はそれぞれ前記共振面から、１０μｍ以下に設定された距離だけ離れて形成されたこと」を特徴としているのに対し、引用例発明には正電極の両端面と共振面の位置関係に関する開示がない点。
　
　そこで前記相違点について検討する。
[相違点１]
　 引用例発明において劈開してできた共振面がＭ面であるとの明示はないものの、劈開の手法が本願明細書に記載されている手法と同一の手法によるものである以上（本願明細書【００１０】）、該劈開の結果できた面がＭ面になることは当業者の予測し得る事項に過ぎない（この点は請求人も平成１４年３月１８日付手続補正書で認めているところである。）から、この点は自明であると言える。
[相違点２]
　原査定における平成１３年６月２２日付拒絶理由通知書に記載されているように、そもそも「劈開により共振器を形成する半導体レーザにおいて電極を共振面から離して形成すること」は周知技術である（原査定で挙げられた特開昭５０−０７９２８７号公報における、「第１図との相違点は、オーミツク金属１，５がＰ形層２、Ｎ形層４の表面より小さくなつており、そのためオーミツク金属の被着していない表面７が設けてあることである。」（第２頁右上欄下から４行−同頁左下欄第１行）、「反射面６および非反射面８はオーミツク電極１および５が一部除去されている表面７において、へきかいおよびスクライブによつて形成される。このため従来方法で発生したオーミツク電極用の金属がウエハと共に割れない場合がなくなる。」（第２頁右下欄第５行−１０行）、なる記載及び第１，２図参照。また同様に特開平４−３２２４８３号公報における、「【０００３】そして一般にこの金属電極１３はレーザダイオードチップ１０を活性層側から見た図４の斜線で示すように、チップ１０全面に設けられる。」、「【０００５】ところが一般に半導体レーザチップへの劈開は電極形成を含む全ての製造工程完了後に行われるのであるが、電極を構成する金属が半導体結晶基板の表面に付着していると、その劈開がスムーズに行われず、劈開の方向ズレ、曲がり、傷などが発生し易い。【０００６】このような問題点から図５に示すように、レーザ共振器を構成するための反射面１５，１５と為すレーザチップの劈開線両脇の電極金属薄層１３を欠落させて金属電極欠落部分１６を設け、その金属電極欠落部分１６に沿って劈開する方法が採用されている。」、なる記載及び図４，５参照。）。従って係る周知技術を劈開により共振器を形成する引用例発明に適用することは当業者の容易に想到し得る事項である。
　次にストライプ状正電極端面と劈開により形成される共振面との距離について検討する。周知技術によれば、電極が共振面まで形成されるような従来の設計では、電極が劈開部分に付着し劈開の際に電極がウェハと共に割れない等の問題が生ずることから、係る問題を解決すべく電極端面を共振面から離して形成するという技術思想が開示されており、前記電極が共振面まで形成されている状態が従来行われていた通常の設計であると認められる。従って当業者であれば周知技術に従い電極端面の位置を設計するに際し、通常設計されていた共振面を先ず基準にして、そこから必要な距離を離すという設計を行うことは自明であると考えられる。そしてその際電極が劈開部分に付着しない程度に離せば作用効果上十分であることは明らかであり、周知技術にはそれ以上離すことに関し特段の動機付けが開示されているわけでもないことから、電極が共振面に掛からない程度に必要最小限電極端面を共振面より離し、本願発明の範囲に含まれるような距離に設計することは当業者の適宜設計し得る事項であるものと認められる。なお請求人は１０μｍという値に「閾値の上昇を抑えつつ劈開時における正電極の剥がれを防止する」という本願特有の作用効果上の意義を主張しているが、１０μｍ以内の距離設定を行うことはかかる意義を認識するしないに関わらず当業者が周知技術思想に基づき適宜設計し得る範囲であることは上述の通りであるから当該主張は採用し得ない。　　
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。