Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月2日(2003.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】対物レンズ駆動装置ならびにそれを用いた光ディスク装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ビームを光ディスク上に集光させる対物レンズと、
該対物レンズをその光軸方向に駆動するための第１の駆動コイルと、
前記対物レンズをその光軸と直角方向に駆動するための第２の駆動コイルと、
前記対物レンズを前記光ディスク半径方向に傾動駆動する傾動駆動コイルと、 
前記対物レンズを保持するレンズホルダと、
前記第１、第２の駆動コイル、傾動駆動コイルに対して磁束を発生させるためのマグネッと、
前記対物レンズ，レンズホルダ，第１、第２の駆動コイル，傾動駆動コイルを含む可動部に一端が固定されてその可動部を弾性支持すると共に第１、第２の駆動コイル，傾動駆動コイルにそれぞれ電流を供給する６本の導電性弾性支持部材と、
該弾性支持部材の他端を固定する固定部とを備えたことを特徴とする対物レンズ駆動装置。
【請求項２】
前記マグネットの内、少なくとも２個のマグネットが光ディスクの半径方向に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の対物レンズ駆動装置。
【請求項３】
前記２個のマグネットが傾動駆動用のマグネットであり、当該マグネットから発生する磁束と前記傾動駆動コイルを流れる電流とにより前記対物レンズに対する傾動駆動力が発生するように構成されていることを特徴とする請求項２に記載の対物レンズ駆動装置。
【請求項４】
前記６本の弾性支持部材が、前記可動部の対物レンズの光軸方向において前記光ディスク側に４本、前記光ディスクとは反対側に２本、それぞれ配置したことを特徴とする請求項１に記載の対物レンズ駆動装置。
【請求項５】
前記６本の弾性支持部材の内、少なくとも２本の弾性支持部材の一部にコイルバネ状部分を有したことを特徴とする請求項１に記載の対物レンズ駆動装置。
【請求項６】
前記６本の弾性支持部材の内、少なくとも２本の弾性支持部材の可動部側での固定位置と前記固定部側での固定位置との距離が、他の弾性支持部材と異なることを特徴とする請求項１に記載の対物レンズ駆動装置。
【請求項７】
光ビームを光ディスク上に集光させるための対物レンズを駆動する対物レンズ駆動装置を備えた光ディスク装置において、前記対物レンズ駆動装置が請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の対物レンズ駆動装置であることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項８】
光ディスクから読み取った信号からジッタ−量を算出し、このジッタ−量を小さくするように傾動駆動信号が生成する傾動駆動回路を設け、この傾動駆動回路からの信号により前記傾動駆動コイルに電流を供給することを特徴とする請求項７に記載の光ディスク装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は上記課題を解決するためになされたもので、各駆動コイルへの電流供給を導電
性弾性支持部材にて行い、安定した動作特性を得られる傾動可能な対物レンズ駆動装置ならびにそれを用いた光ディスク装置を実現することを目的としている。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため本発明の第１の手段は、光ビームを光ディスク上に集光させる対物レンズと、
該対物レンズをその光軸方向に駆動するためのフォーカッシングコイルなどの第１の駆動コイルと、
前記対物レンズをその光軸と直角方向に駆動するためのトラッキングコイルなどの第２の駆動コイルと、
前記対物レンズを前記光ディスク半径方向に傾動駆動する傾動駆動コイルと、 
前記対物レンズを保持するレンズホルダと、
前記第１、第２の駆動コイル、傾動駆動コイルに対して磁束を発生させるためのマグネッと、
前記対物レンズ，レンズホルダ，第１、第２の駆動コイル，傾動駆動コイルを含む可動部に一端が固定されてその可動部を弾性支持すると共に第１、第２の駆動コイル，傾動駆動コイルにそれぞれ電流を供給する６本の導電性弾性支持部材と、
該弾性支持部材の他端を固定する固定部とを備えたことを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の第２の手段は前記第１の手段において、前記マグネットの内、少なくとも２個のマグネットが光ディスクの半径方向に配置されていることを特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の第３の手段は前記第２の手段において、前記２個のマグネットが傾動駆動用のマグネットであり、当該マグネットから発生する磁束と前記傾動駆動コイルを流れる電流とにより前記対物レンズに対する傾動駆動力が発生するように構成されていることを特徴とするものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の第４の手段は前記第１の手段において、前記６本の弾性支持部材が、前記可動部の対物レンズの光軸方向において前記光ディスク側に４本、前記光ディスクとは反対側に２本、それぞれ配置したことを特徴とするとするものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の第５の手段は前記第１の手段において、前記６本の弾性支持部材の内、少なくとも２本の弾性支持部材の一部にコイルバネ状部分を有したことを特徴とするとするものである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の第６の手段は前記第１の手段において、前記６本の弾性支持部材の内、少なくとも２本の弾性支持部材の可動部側での固定位置と前記固定部側での固定位置との距離が、他の弾性支持部材と異なることを特徴とするものである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の第７の手段は、光ビームを光ディスク上に集光させるための対物レンズを駆動する対物レンズ駆動装置を備えた光ディスク装置において、前記対物レンズ駆動装置が前記第１の手段ないし第６の手段のいずれかの対物レンズ駆動装置であることを特徴とするものである。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の第８の手段は前記第７の手段において、光ディスクから読み取った信号からジッタ−量を算出し、このジッタ−量を小さくするように傾動駆動信号が生成する傾動駆動回路を設け、この傾動駆動回路からの信号により前記傾動駆動コイルに電流を供給することを特徴とするものである。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月11日(2003.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の磁性体層と、トンネルバリア層と、第二の磁性体層とが順に積層された多層膜を備えるトンネル磁気抵抗効果素子において、
前記第一の磁性体層はｂｃｃ構造を有する強磁性体であり、前記第一の磁性体層と前記トンネルバリア層との接合面が前記第一の磁性体層の（２１１）面又は（１１０）面であることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
【請求項２】
基板上に、基板に近い方から、バッファ層、第一の磁性体層、トンネルバリア層、第二の磁性体層の順序で積層された多層膜を備えるトンネル磁気抵抗効果素子において、
前記第一の磁性体層はｂｃｃ構造を有する強磁性体であり、前記第一の磁性体層と前記トンネルバリア層との接合面が前記第一の磁性体層の（２１１）面又は（１１０）面であることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
【請求項３】
請求項２記載のトンネル磁気抵抗効果素子において、前記第一の磁性体層と前記トンネルバリア層との接合面が前記第一の磁性体層の（２１１）面であり、前記バッファ層として、ｈｃｐ構造を有するコバルト又はコバルト−クロム合金のＡ面、ｂｃｃ構造を有するクロムの（２１１）面、ｆｃｃ構造を有する金の（１１０）面、酸化マグネシウムの（１１０）面、サファイアの（１１−２０）面、又はｂｃｃ構造を有するチタンクロム合金の（００１）面、あるいはこれらを二層以上組み合わせて積層した多層構造を用いることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
【請求項４】
請求項２記載のトンネル磁気抵抗効果素子において、前記第一の磁性体層は単結晶であって前記第一の磁性体層と前記トンネルバリア層との接合面が第一の磁性体層の（１１０）面であり、前記バッファ層として、ｂｃｃ構造を有するモリブデン（１１０）面、ｂｃｃ構造を有するタングステン（１１０）面、ｂｃｃ構造を有するタンタル（１１０）面、又はｂｃｃ構造を有するクロム（１１０）面、あるいはこれらを二層以上組み合わせて積層した多層構造を用いることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
【請求項５】
請求項２記載のトンネル磁気抵抗効果素子において、前記第一の磁性体層は多結晶であって前記第一の磁性体層と前記トンネルバリア層との接合面が第一の磁性体層の（１１０）面であり、前記バッファ層として、ｆｃｃ構造を有する金属の（１１１）面又はｈｃｐ構造を有する金属の（０００１）面、あるいはこれらを二層以上組み合わせて積層した多層構造を用いることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項記載のトンネル磁気抵抗効果素子において、前記第一の磁性体層と前記トンネルバリア層との接合面が前記第一の磁性体層の（２１１）面又は（１１０）面から１０度以内の傾きを有する結晶面であることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項記載のトンネル磁気抵抗効果素子を有することを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項８】
マトリックス状に配列された複数のトンネル磁気抵抗効果素子と、各トンネル磁気抵抗効果素子に選択的に磁界を印加する手段と、各トンネル磁気抵抗効果素子の抵抗を選択的に検出する手段と含む磁性メモリにおいて、
前記トンネル磁気抵抗効果素子として請求項１〜６のいずれか１項記載のトンネル磁気抵抗効果素子を用いたことを特徴とする磁性メモリ。
【請求項９】
前記第一の磁性体層と第二の磁性体層との間で、前記トンネルバリア層を介して膜面に垂直に電流が流れることを特徴とする請求項１又は２に記載のトンネル磁気抵抗効果素子。
【請求項１０】
前記トンネルバリア層との接合面に垂直な波数ベクトルを有する電子を選択的に、前記第一の磁性体層から第二の磁性体層へトンネルさせることを特徴とする請求項１又は２に記載のトンネル磁気抵抗効果素子。
【請求項１１】
第一の磁性体層と、トンネルバリア層と、第二の磁性体層とが順に積層された多層膜を備える磁気ヘッドの製造方法において、
前記第一の磁性体層としてｂｃｃ構造を有する強磁性体を用い、前記第一の磁性体層の（２１１）面又は（１１０）面上に厚さ１０Å以下のアルミニウム膜を形成し、前記アルミニウム膜を自然酸化又は酸素ラジカルにより酸化してアルミニウム酸化膜とし、酸素雰囲気中又は酸素ラジカル中で前記アルミニウム酸化膜の上にアルミニウム酸化膜を形成することによって前記トンネルバリア層を形成することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
各々が第一の磁性体層と、トンネルバリア層と、第二の磁性体層とが順に積層された多層膜からなる複数のトンネル磁気抵抗効果素子と、各トンネル磁気抵抗効果素子に選択的に磁界を印加する手段と、各トンネル磁気抵抗効果素子の抵抗を選択的に検出する手段と含む磁性メモリの製造方法において、
前記第一の磁性体層としてｂｃｃ構造を有する強磁性体を用い、前記第一の磁性体層の（２１１）面又は（１１０）面上に厚さ１０Å以下のアルミニウム膜を形成し、前記アルミニウム膜を自然酸化又は酸素ラジカルにより酸化してアルミニウム酸化膜とし、酸素雰囲気中又は酸素ラジカル中で前記アルミニウム酸化膜の上にアルミニウム酸化膜を形成することによって前記トンネルバリア層を形成することを特徴とする磁性メモリの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月5日(2003.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記高分子凝集剤として、Ｎ−ビニールアクリルアミジン塩単位を含有する高分子凝集剤を少なくとも用いることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の無機系含油汚泥の脱水方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に用いてもよい上記アニオン性高分子凝集剤について説明する。本発明において用いることができるアニオン性高分子凝集剤としては、例えば、アクリル酸及び／又はその塩の重合物、アクリル酸及び／又はその塩とアクリルアミドとの共重合物、アクリルアミドと２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸塩の共重合物、アクリル酸及び／又はその塩とアクリルアミドと２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸塩の三元（又は四元）共重合物、ポリアクリルアミドの部分加水分解物を挙げることができるが、特にこれらに限定されるものではない。アニオン性高分子凝集剤の分子量の範囲は特に限定されないが、５００万〜２０００万の範囲が好ましい。これらのアニオン性高分子凝集剤は、単独で又は混合物として用いることができる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
フロックを生成した汚泥をそのまま又は浮上分離や凝集沈澱等でフロックを濃縮して得たスラッジを脱水するのに、本発明では、スクリュープレス型脱水機を用いるが、次にスクリュープレス型脱水機の一例を図１を参照しつつ説明する。図１は、本発明に好ましく用いられるスクリュープレス型脱水機の一例の部分切欠側面図である。なお、フロックを生成した汚泥をそのままスクリュープレス型脱水機に送る場合について説明するが、スラッジの場合も同様であることは勿論である。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
表４と表６から明らかなように、本発明の方法に従ってフロックを形成させ、スクリュープレス型脱水機によって脱水処理する際に、カチオン基を有する高分子凝集剤を添加した実施例１、２及び１４、１５、カチオン基を有する高分子凝集剤及びアニオン性高分子凝集剤を添加した実施例３〜８及び１６〜１８、および、無機凝集剤と高分子凝集剤を併用した実施例９〜１３及び１９〜２２においては、いずれの無機系含油汚泥に対しても脱水性が良好な結果が得られ、かつ、脱水ケーキ含水率が飛躍的に低下し、安定した効率的な脱水処理が行えた。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
これに対し、表５と表７から明らかなように、ベルトプレス型脱水機やフィルタープレス型脱水機等の濾布式脱水機及び多重円盤型脱水機や遠心脱水機等のスクリュープレス型脱水機以外の脱水機で機械的に脱水処理した比較例１〜３２では、実施例１〜２２に比べ脱水性、脱水ケーキ含水率ともに劣り、常に安定した脱水性を維持することは困難であった。また、遠心脱水機の場合は、摩耗が観察された。本発明の実施例は、いずれの無機系含油汚泥に対しても、上記のいずれの比較例と比べても脱水性、脱水ケーキ含水率が良好であり、連続的に安定した脱水処理が可能であった。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月4日(2003.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部電源と接続されて所定の駆動電圧を供給する電源手段を備えた遊技機において、
停電が発生しても、その停電が解消すれば停電前の状態から遊技を続行することを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月18日(2003.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のインク吐出ノズルを直線状に配置した印字チップを所定方向に対して所定の角度θ（但し、θ≠０）をもって複数配置して成るサブヘッドと、該サブヘッドを前記所定方向に対して直角方向に複数配置して成るマルチアレイ式インクジェット印字ヘッド。
【請求項２】
前記所定方向は、印字の主走査方向であることを特徴とする請求項１記載のマルチアレイ式インクジェット印字ヘッド。
【請求項３】
前記所定方向は、印字の副走査方向であることを特徴とする請求項１記載のマルチアレイ式インクジェット印字ヘッド。
【請求項４】
前記所定の角度θは、５度以上、４５度以下であることを特徴とする請求項１記載のマルチアレイ式インクジェット印字ヘッド。
【請求項５】
一つの前記サブヘッドに配置された複数の前記印字チップは、専用且つ単一のインク供給路を共有することを特徴とする請求項１、２、３又は４記載のマルチアレイ式インクジェット印字ヘッド。
【請求項６】
前記インク吐出ノズルは、前記印字チップ内で第１の列と該第１の列の長手方向に所定距離ａだけずれ且つ前記第１の列の短手方向に所定距離ｂだけ離れた第２の列とで構成されることを特徴とする請求項１、２、３、４又は５記載のマルチアレイ式インクジェット印字ヘッド。
【請求項７】
前記印字チップ内の前記第１の列の内端部のインク吐出ノズルと前記第２の列の内端部のインク吐出ノズル間の前記所定方向に直角な方向の距離ｆと、前記第２の列の外端部のインク吐出ノズルと該印字チップの前記所定方向に隣接する印字チップの前記第１の列の外端部のインク吐出ノズル間の前記所定方向に直角な方向の距離ｇとは、同一距離「ｆ＝ｇ」であることを特徴とする請求項６記載のマルチアレイ式インクジェット印字ヘッド。
【請求項８】
前記インク吐出ノズルは、前記印字チップ内で第１の縦４列と該第１の縦４列の長手方向に所定距離ｊだけずれ且つ前記第１の縦４列の短手方向に所定距離ｋだけ離れた第２の縦４列とで構成されることを特徴とする請求項１記載のマルチアレイ式インクジェット印字ヘッド。
【請求項９】
複数のインク吐出ノズルを直線状に配置した印字チップを所定方向に対して所定の角度θ（但し、θ≠０）をもって複数配置して成るマルチアレイ式インクジェット印字ヘッド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
また、上記インク吐出ノズルは、例えば請求項８記載のように、上記印字チップ内で第１の縦４列と該第１の縦４列の長手方向に所定距離ｊだけずれ且つ上記第１の縦４列の短手方向に所定距離ｋだけ離れた第２の縦４列とで構成するようにしてもよい。
更に本発明のマルチアレイ式インクジェット印字ヘッドは、複数のインク吐出ノズルを直線状に配置した印字チップを所定方向に対して所定の角度θ（但し、θ≠０）をもって複数配置して構成しても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月19日(2003.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
本体内部に上下動可能に保持されたドライブビットと、本体下部に設けられドライブビットの上下動を案内する射出部と、本体下部に設けられ、複数の止具を針金部材により連結させた針金連結止具及びシート部材により連結させたシート連結止具の一方を装填するマガジンと、マガジン内の連結止具を案内し順次先端止具を射出部内に供給する給送部とを有し、前記給送部を、本体下部に設けられた送りガイド部材と、送りガイド部材に回動可能に取付けられ、送りガイド部材とにより形成する止具案内通路を開閉可能なドア部材と、止具案内通路内の連結止具を射出部側へ前進させる送り部材と、ドア部材に回動可能に設けられ、付勢部材によって止具案内通路内に突出するよう付勢され針金連結止具の後退を抑制する可動逆止爪と、ドア部材に設けられシート連結止具の後退を抑制する固定逆止爪とにより構成した打込機であって、
前記固定逆止爪を連結止具の送り方向に沿って複数個設けたことを特徴とする打込機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、ドア部材１３には回動可能に取付けられ、常に釘案内通路１４内に突出するようスプリング２０により付勢された上可動逆止部材１６と下可動逆止部材１７が設けられており、上可動逆止部材１６には図に示すように給送部９内の針金連結釘３の釘軸部５ａと係合し、送り部材１５が後退した際に針金連結釘３が後退することを抑制する上逆止爪１９、下可動逆止部材１７には針金連結釘３及びシート連結釘４の釘軸部５ａと係合し送り部材１５が後退した際に針金連結釘３及びシート連結釘４が後退することを抑制する下逆止爪１８が設けられている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記シート連結釘４の傾き（空打ち）を抑制する方法として、固定逆止爪２１の突出量を大きくして上可動逆止部材１６によってシート４ａが変形してしまったとしても逆止穴４ｃと固定逆止爪２１とが十分係合するようにすること、上可動逆止部材１６を釘案内通路１４側に付勢するスプリング２０のばね定数を小さくしてシート４ａの変形を抑制すること等が考えられるが、送り部材１５が前進し、シート連結釘４の先端釘を射出部７内に給送する際にはシート４ａは固定逆止爪２１を乗り越えて前進するものであるため、前者の構成とした場合にはシート連結釘４の前進時の抵抗が大きくなりシート連結釘４の給送がスムーズに行われなくなり、打込み動作開始前に射出部７内に釘５を供給することができなくなる恐れがあり、後者の構成とした場合には上可動逆止部材１６を釘案内通路１４内に突出させる力が弱くなり、針金連結釘３の場合上可動逆止部材１６の上逆止爪１９と釘軸５ａとの係合が不十分となって上記シート連結釘４と同様に針金連結釘３が傾いてしまう恐れがある。また、固定逆止爪２１を上可動逆止部材１６の上逆止爪１９より射出部７から離れる位置に設け、上可動逆止部材１６によって変形しない個所で固定逆止爪２１がシート４ａと係合するようにすることが考えられるが、この場合には固定逆止爪２１が射出部７から離れた個所に位置するため、シート連結釘４の寸法精度の影響が大きくなり逆止穴４ｃと固定逆止爪２１とが係合しなくなる等の恐れが発生し、釘送り精度が低下してしまうという欠点があった。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月30日(2004.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モノリシック半導体チップ内に集積された増幅回路（１０）であって、
ＤＣ信号源（２４，３０，３４）と、
バイアス入力（５４）でのバイアス信号を使用して所定の動作を行う増幅段階（６０，６２）と、
ＤＣ信号を受信して、増幅段階（６０，６２）のバイアス入力（５４）にバイアス信号を供給するためのバイアス／利得の制御回路（４６）と、
該増幅段階（６０，６２）の利得は、外部ポート（６８）に印加された信号に依存して、バイアス／制御の回路によってバイアス信号の関数として変化し得ることと、
電源端子（２６）に増幅段階（６０，６２）を接続する電源スイッチ（１８）は、バイアス信号が供給された時のみオンされるということを保証する、ＤＣ源と接続する優先制御回路（４２）であって、
該増幅段階（６０，６２）は１つ以上のＦＥＴ（７１，７２）からなり、バイアス／利得の制御回路（４６）は、ＤＣ信号を受信するために接続された電流電極を有するＦＥＴ（４１）からなり、
電流電極は抵抗器（４７）を介して外部ポート（６８）、および増幅段階（６０，６２）のバイアス入力に接続され、外部ポートでの電圧変化を増幅段階のバイアス入力に転送する、増幅回路。
【請求項２】
ＤＣ信号源が更に発振器（２４）と整流機（３０）とからなり、該発振器（２４）は前記増幅段階（６０，６２）の動作周波数の約２倍以上の周波数で動作する請求項１に記載の増幅回路（１０）。
【請求項３】
前記発振器（２４）が約２ＧＨｚ以上で動作する請求項２に記載の増幅回路（１０）。
【請求項４】
前記ＤＣ信号源は発振器（２４）を含み、前記増幅段階は公称動作周波数ｆi と通過帯Δｆとを有し、前記発振器はｆiよりも高いまたは低い周波数ｆoで動作し、ｆiとｆoとから生じる無視できない相互変調生成物が前記増幅器の通過帯Δｆ内に現れないことを特徴とする請求項１記載の増幅回路（１０）。
【請求項５】
前記ＤＣ信号源は発振器（２４）を含み、前記増幅器は公称動作周波数ｆi と通過帯Δｆとを有し、前記発振器は、前記公称動作周波数ｆi とほぼ等しい周波数ｆo
で動作することを特徴とする請求項１記載の増幅器（１０）。
【請求項６】
前記増幅段（６０，６２）は、１つ以上の通常はオンであるデプレション・モード半導体素子を含むことを特徴とする請求項１乃至５に記載の増幅回路（１０）。
【請求項７】
前記１つ以上の半導体素子がＮチャネルＦＥＴである請求項６に記載の増幅器（１０）。
【請求項８】
前記ＦＥＴがＧａＡｓＦＥＴである請求項１に記載の増幅器（１０）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
ＦＥＴでは、かかる素子がデプレション・モード素子(depletion mode device) である場合が多い。即ち、バイアスが印加されていない状態で導通状態即ち「オン」状態となり、それらのコンダクタンスを制御し、オフにするためには、その制御端子にバイアスを印加しなければならない。デプレション・モード素子を線形または疑似線形増幅器として動作させる場合、特に最大ドレイン振幅(fulldrain swing)を必要とする場合、通常制御端子にバイアスを供給して適正な動作を保証する必要がある。更に別の難点は、電力供給のために所与の極性（例えば、正）の電圧を素子に印加する場合、適正な動作のために必要な制御バイアスは反対極性（例えば、負）としなければならない場合が多いことである。したがって、主回路電源とは逆の極性を有する制御端子バイアス電源を設ける必要性が頻繁に生じる。かかる増幅器の構成および動作を記載する際の説明に便宜を図るために、主回路電源を正とし、バイアス電源を負と仮定する。しかしながら、これは限定を意図するものではない。当業者は、主回路電源およびバイアス電源の極性は、採用する素子のタイプに応じて、他の選択も可能であることを認めよう。保護回路を有する電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）は、１９８１年６月１１日に,公開番号第５６０６９９０８号で公開された、日本特許出願番号第５４１４８２６２号に開示されている。携帯用機器に適用する際、多くの場合単一電源で動作することが望ましい。この状況で、主回路電源を正としバイアス電源を負とする場合、負バイアス電位は正電位から発生しなければならない。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月12日(2003.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
定電圧源と、
ゲートが前記定電圧源に接続される第１導電型の第１のトランジスタと、
ソースが前記第１のトランジスタのソースに接続され、ゲートが回路入力端に接続される、前記第１導電型とは逆の第２導電型の第２のトランジスタと、
ドレインが回路出力端に接続され、ゲートが前記回路入力端に接続される、前記第１導電型の第３のトランジスタと、
第１の電流ミラー回路と第２の電流ミラー回路を有し、第１の電流ミラー回路は第４のトランジスタと第５のトランジスタを含み、第４のトランジスタと第５のトランジスタの各々が第１導電型であり、第４のトランジスタのドレインとゲート、第５のトランジスタのゲートが第２のトランジスタのドレインに接続されており、第２の電流ミラー回路は第６のトランジスタと第７のトランジスタを含み、第６のトランジスタと第７のトランジスタの各々が第２導電型であり、第６のトランジスタのドレインとゲート、第７のトランジスタのゲートが第５のトランジスタのドレインに接続されており、第７のトランジスタはその回路出力端に接続されており、前記第２のトランジスタのドレイン電流に比例した電流を前記回路出力端に出力する前記電流−電流変換回路と、
前記第１乃至第３のトランジスタ、前記電流−電流変換回路に出力電圧を供給して動作させる電源電圧供給手段と、を含み、
前記定電圧源の出力電圧によって、定常状態における前記電流−電流変換回路の出力電流と、前記第３のトランジスタのドレイン電流と、が設定される出力回路。
【請求項２】
前記第２及び第３のトランジスタの少なくともいずれかのゲートと前記回路入力端との間に、レベルシフト回路を挿入したことを特徴とする請求項１に記載の出力回路。
【請求項３】
前記定電圧源を、定電流源とダイオード接続された第８乃至第１０のトランジスタとを少なくとも含む直列回路によって構成したことを特徴とする請求項１に記載の出力回路。
【請求項４】
前記定電圧源を、定電流源と、ダイオード接続された第８乃至第１１のトランジスタと、レベルシフト分に相当する電圧降下を担うダイオード接続された前記第８乃至第１１のトランジスタのうち少なくとも１つのトランジスタと、を少なくとも含む直列回路によって構成したことを特徴とする請求項２に記載の出力回路。
【請求項５】
前記第１乃至第３のトランジスタは夫々前記第４乃至第６のトランジスタの電気的特性と略等しく形成され、前記定電流源によって前記第２及び第３のトランジスタのドレイン電流が設定されたことを特徴とする請求項３に記載の出力回路。
【請求項６】
前記第１乃至第３のトランジスタは夫々前記第４乃至第６のトランジスタの電気的特性と略等しく形成され、前記定電流源によって前記第２及び第３のトランジスタのドレイン電流が設定されたことを特徴とする請求項４に記載の出力回路。
【請求項７】
前記第１及び第８のトランジスタ、前記第２及び第９のトランジスタ、前記第３及び第１０のトランジスタの各組が夫々所定の素子面積比に形成され、定常状態における前記第３のトランジスタのドレイン電流が、前記電流−電流変換回路の出力電流と等しく、かつ前記第２のトランジスタのドレイン電流よりも大きくなるように設定されたことを特徴とする請求項３に記載の出力回路。
【請求項８】
前記第１及び第８のトランジスタ、前記第２及び第９のトランジスタ、前記第３及び第１０のトランジスタの各組が夫々所定の素子面積比に形成され、定常状態における前記第３のトランジスタのドレイン電流が、前記電流−電流変換回路の出力電流と等しく、かつ前記第２のトランジスタのドレイン電流よりも大きくなるように設定されたことを特徴とする請求項４に記載の出力回路。
【請求項９】
前記入力端と前記出力端との間に位相補償回路が設けられたことを特徴とする請求項１に記載の出力回路。
【請求項１０】
前記回路入力端に差動増幅器の出力電圧が印加されたことを特徴とする請求項１に記載の出力回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の一形態によれば、定電圧源と、ゲートが前記定電圧源に接続される第１導電型の第１のトランジスタと、ソースが前記第１のトランジスタのソースに接続され、ゲートが回路入力端に接続される、前記第１導電型とは逆の第２導電型の第２のトランジスタと、ドレインが回路出力端に接続され、ゲートが前記回路入力端に接続される、前記第１導電型の第３のトランジスタと、第１の電流ミラー回路と第２の電流ミラー回路を有し、第１の電流ミラー回路は第４のトランジスタと第５のトランジスタを含み、第４のトランジスタと第５のトランジスタの各々が第１導電型であり、第４のトランジスタのドレインとゲート、第５のトランジスタのゲートが第２のトランジスタのドレインに接続されており、第２の電流ミラー回路は第６のトランジスタと第７のトランジスタを含み、第６のトランジスタと第７のトランジスタの各々が第２導電型であり、第６のトランジスタのドレインとゲート、第７のトランジスタのゲートが第５のトランジスタのドレインに接続されており、第７のトランジスタはその回路出力端に接続されており、前記第２のトランジスタのドレイン電流に比例した電流を前記回路出力端に出力する前記電流−電流変換回路と、前記第１乃至第３のトランジスタ、前記電流−電流変換回路に出力電圧を供給して動作させる電源電圧供給手段と、を含み、前記定電圧源の出力電圧によって、定常状態における前記電流−電流変換回路の出力電流と、前記第３のトランジスタのドレイン電流と、が設定される出力回路が提供される。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前記定電圧源を、定電流源とダイオード接続された第８乃至第１０のトランジスタとを少なくとも含む直列回路によって構成し、あるいは定電流源と、ダイオード接続された第８乃至第１１のトランジスタと、レベルシフト分に相当する電圧降下を担うダイオード接続された前記第８乃至第１１のトランジスタのうち少なくとも１つのトランジスタと、を少なくとも含む直列回路によって構成すると良い。
また、前記第１乃至第３のトランジスタは夫々前記第４乃至第６のトランジスタの電気的特性と略等しく形成され、前記定電流源によって前記第２及び第３のトランジスタのドレイン電流が設定されると良い。
さらに、前記第１及び第８のトランジスタ、前記第２及び第９のトランジスタ、前記第３及び第１０のトランジスタの各組が夫々所定の素子面積比に形成され、定常状態における前記第３のトランジスタのドレイン電流が、前記電流−電流変換回路の出力電流と等しく、かつ前記第２のトランジスタのドレイン電流よりも大きくなるように設定されると良い。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
前記入力端と前記出力端との間に位相補償回路が設けられると良い。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月4日(2003.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハを回転させた状態で、ウエハ処理を行う半導体装置の製造方法であって、前記ウエハをセットするステージに複数個のピンが設置されており、前記ピンは前記ウエハを支持する機能および前記ピンが開閉して前記ウエハから離間することにより支持する前記ウエハの位置を変える機能を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記ステージには、窒素ガス供給体に取り付けられているガス管が設置されており、前記ガス管が設置されている前記ステージから放出される窒素ガスにより、前記ステージより前記ウエハを浮遊することができることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
ウエハを回転させた状態で、ウエハ処理を行う半導体装置の製造方法であって、前記ウエハをセットするステージに複数個のピンが設置されており、前記ピンは前記ウエハを支持する機能および前記ピンが回転することにより支持する前記ウエハの位置を変える機能を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法であって、前記ステージには、窒素ガス供給体に取り付けられているガス管が設置されており、前記ガス管が設置されている前記ステージから放出される窒素ガスにより、前記ステージより前記ウエハを浮遊することができることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の半導体装置の製造方法であって、前記ウエハ処理は、洗浄処理であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項３又は４に記載の半導体装置の製造方法であって、前記ウエハ処理は、エッチング処理であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
ウエハを準備する工程と、
前記ウエハを複数のピンで支持する工程と、
前記ピンで支持された前記ウエハを回転する工程と、
前記ウエハに薬液を供給し、前記ウエハの上面及び端部を洗浄する工程と、
前記ウエハが回転している状態で、前記ピンを前記ウエハから離間させて前記ピンにより支持される前記ウエハの位置を変える工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
ウエハを準備する工程と、
前記ウエハを複数のピンで支持する工程と、
前記ピンで支持された前記ウエハを回転する工程と、
前記ウエハに薬液を供給し、前記ウエハの上面及び端部を洗浄する工程と、
前記ウエハが回転している状態で、前記ピンを回転させて前記ピンにより支持される前記ウエハの位置を変える工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
絶縁膜が形成されたウエハを準備する工程と、前記ウエハを洗浄する工程とを有し、
前記洗浄する工程は、前記ウエハを複数のピンで支持する工程と、前記ピンで支持された前記ウエハを回転する工程と、前記ウエハに薬液を供給し、前記ウエハの上面及び端部を洗浄する工程と、前記ウエハが回転している状態で、前記ピンを回転させて前記ピンにより支持される前記ウエハの位置を変える工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置の製造方法であって、前記絶縁膜は化学機械研磨法により表面が平坦化されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、ウエハを回転させた状態で、ウエハ処理を行う半導体装置の製造方法であって、前記ウエハをセットするステージに複数個のピンが設置されており、前記ピンは前記ウエハを支持する機能および前記ピンが開閉して前記ウエハから離間することにより支持する前記ウエハの位置を変える機能を有するものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、ウエハを回転させた状態で、ウエハ処理を行う半導体装置の製造方法であって、前記ウエハをセットするステージに複数個のピンが設置されており、前記ピンは前記ウエハを支持する機能および前記ピンが回転することにより支持する前記ウエハの位置を変える機能を有するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月18日(2003.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】チャージアップ現象を利用した下層構造の推定法および走査型荷電粒子顕微鏡


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面が絶縁材料で形成された試料の基板や配線端子をアースした状態で、前記試料表面に荷電粒子のビームを照射することにより所定量の電荷を注入して該試料表面に各部位とアース間のキャパシタンスの差に基づく電位差分布を発生させ、該電位差分布を検出して下層構造を推定する方法。
【請求項２】
試料表面上に照射する荷電粒子のビームを飛び越し方式で走査して近傍観察領域間の干渉を防止することを特徴とする請求項１に記載の下層構造を推定する方法。
【請求項３】
既知の下層構造のサンプルによる表面電位を測定して基準とすることで推定精度の向上を図る請求項１または２に記載の下層構造を推定する方法。
【請求項４】
エネルギーフィルター付きの二次荷電粒子検出器で試料表面からの二次荷電粒子を検出してその検出量が一定となるように前記エネルギーフィルターに印加する電圧を制御し、該印加電圧により検出試料表面の電位差を測定する試料表面電位の測定方法。
【請求項５】
表面が絶縁材料で形成され、かつ、内部の配線端子がアースされた試料表面に照射することにより該試料に所定量の電荷を注入して該試料表面に該試料表面各部位と前記配線端子間のキャパシタンスの差に基づく電位差分布を発生させる荷電粒子ビームと、前記試料表面から出る二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出器と、前記二次荷電粒子検出器に前置されるエネルギーフィルターと、前記エネルギーフィルターに印可する電圧を前記荷電粒子検出器に取り込まれる二次荷電粒子の量が一定値になるように制御するコントローラとからなり、前記印可電圧により前記試料表面の電位差分布を得ることを特徴とする走査型荷電粒子顕微鏡。
【請求項６】
前記電位差分布から前記試料表面下の下層構造情報を得る請求項５記載の走査型荷電粒子顕微鏡。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月10日(2003.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の解像度で行および列に配列されるソース・ピクセルのソース画像を、第２の解像度で行および列に配列される宛先ピクセルの宛先画像に変換するためのスケーリング・システムであって、
少なくとも１行の前記ソース・ピクセルの一部と、スケーリング・データと、前記宛先画像のそれぞれの列について単一の索引ビットを有する関連索引入力アレイ（RIIA）と、を記憶するメモリ手段であって、それぞれの前記索引ビットにより、前記第２の解像度に前記ソース画像をスケーリングするためのソース・ピクセル値が特定される、メモリ手段と、
それぞれの前記索引ビットおよび前記ソース・ピクセルに応じて、前記宛先画像のそれぞれの列に、少なくとも１つの前記ソース・ピクセルを関連付けるスケーリング論理手段と、
を備える、スケーリング・システム。
【請求項２】
さらに、前記スケーリング・データに基づいて、前記関連索引入力アレイを計算する制御手段を備える、請求項１に記載のスケーリング・システム。
【請求項３】
前記制御手段は、前記関連索引入力アレイにおけるそれぞれの前記索引ビットに、第１の値または第２の値を割り当て、
前記関連索引入力アレイは、さらに、１つのソース・ピクセルを指すポインタを有しており、
前記スケーリング論理手段は、前記第１の値の索引ビットが前記宛先画像の列に関連付けられていることに応じて、前記ポインタが指す１つのソース・ピクセルを該列に割り当て、さらに、前記第２の値の索引ビットが前記宛先画像の列に関連付けられていることに応じて、前記ポインタを、次のソース・ピクセルまでインクリメントし、該次のソース・ピクセルを該列に割り当てる、請求項２に記載のスケーリング・システム。
【請求項４】
前記関連索引入力アレイは、さらに、縮小化索引値を含んでおり、
前記スケーリング論理手段は、
（i）前記ソース画像の或る行における第１のソース・ピクセルを、前記宛先画像の或る行に対するソース・ピクセルのその後の割り当てのために、該宛先画像の該行における第１の宛先ピクセルとして特定し、
（ii）前記第１の値の索引ビットが前記宛先画像の前記行の次の列に関連付けられていることに応じて、前記第１のソース・ピクセルの位置に前記縮小化索引値を加えた所に位置するソース・ピクセルを、該次の列に割り当て、
（iii）前記第２の値の索引ビットが前記宛先画像の前記行の次の列に関連付けられていることに応じて、前記第１のソース・ピクセルの位置に（前記縮小化索引値＋１）を加算した所に位置するソース・ピクセルを、該次の列に割り当てる、
請求項３に記載のスケーリング・システム
【請求項５】
前記スケーリング論理手段は、それぞれの割り当てにおいて、前記宛先画像の列に割り当てられるソース・ピクセルを指すように、前記ポインタを更新する、請求項４に記載のスケーリング・システム。
【請求項６】
それぞれの前記ソース・ピクセルは、グレー・レベル値であり、前記メモリ手段は、ランダム・アクセス・メモリであり、前記スケーリング論理手段は、
前記ランダム・アクセス・メモリから受け取った複数のソース・ピクセルのグレー・レベル値を記憶するソース・レジスタ（２００）と、
前記複数のソース・ピクセルのグレー・レベル値を記憶するスケーリング・レジスタ（２０８）と、
前記制御手段に連結され、前記ソース・レジスタを前記スケーリング・レジスタに接続するスイッチ手段（２１２）であって、該制御手段の制御下で印加される索引ビット入力に応じて、前記ソース・レジスタにおけるソース・ピクセルのグレー・レベル値を、該入力された索引ビット値に従って該スケーリング・レジスタの所定の記憶位置に転送するスイッチ手段と、
を備える、請求項２に記載のスケーリング・システム。
【請求項７】
前記ランダム・アクセス・メモリは、３２ビット・バスによって前記ソース・レジスタに接続され、それぞれのソース・ピクセルのグレー・レベル値は８ビットからなる１バイトであり、
マシン・サイクルごとに、４個のソース・ピクセルのグレー・レベル値のバイトが、パラレルに、前記ランダム・アクセス・メモリから前記ソース・レジスタに転送され、
前記スイッチ手段は、さらなるマシン・サイクルで、前記索引ビット入力に応じて、前記ソース・レジスタにおける前記４個のソース・ピクセルのグレー・レベル値のバイトを、パラレルに、該入力された索引ビットの値に従って前記スケーリング・レジスタの所定の記憶位置に転送する、
請求項６に記載のスケーリング・システム。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月12日(2003.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿からの画像を読取り、この読取った原稿画像を記憶手段に記憶し、この記憶手段に全ての原稿に対する原稿画像が記憶された後、記憶手段に記憶されている原稿画像を用いて被画像形成媒体上に画像形成を行う画像形成装置において、
割込処理を指示する指示手段と、
上記指示手段により割込処理が指示された際、上記記憶手段に記憶された原稿画像に対する画像形成動作が開始される前であれば、割込処理が指示された時点で割込処理を受付けて割込処理をする割込原稿からの画像を読取って被画像形成媒体上に画像形成を行うとともに、上記指示手段により割込処理が指示された際、上記記憶手段に記憶された原稿画像に対する画像形成動作の処理の途中であれば、割込処理をする割込原稿からの画像を読取って上記記憶手段に記憶し、割込指示中に画像形成していた被画像形成媒体に対しての画像形成が完了した後に、上記記憶手段に記憶した割込原稿画像を用いて被画像形成媒体上に画像形成を行う処理手段と、
を備えていることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
複数の原稿からの画像を順次読取り、この読取った複数の原稿画像を記憶手段に記憶し、この記憶手段に全ての原稿に対する原稿画像が記憶された後、記憶手段に記憶されている複数の原稿画像を用いて被画像形成媒体上に順次画像形成を行う画像形成装置において、
割込処理を指示する指示手段と、
上記指示手段により割込処理が指示された際、上記複数の原稿画像に対する画像形成動作が開始される前であれば、割込処理が指示された時点で割込処理を受付けて割込処理をする割込原稿からの画像を読取って被画像形成媒体上に画像形成を行うとともに、上記指示手段により割込処理が指示された際、上記記憶手段に記憶された原稿画像に対する部数単位の画像形成動作の処理の途中であれば、上記部数単位の画像形成動作を中断することなく、割込処理をする割込原稿からの画像を読取って上記記憶手段に記憶し、割込指示中に画像形成していた１部単位の被画像形成媒体に対しての画像形成が完了した後に、上記記憶手段に記憶した割込原稿画像を用いて被画像形成媒体上に画像形成を行う処理手段と、
を備えていることを特徴とする画像形成装置。
【請求項３】
複数の原稿からの画像を順次読取り、この読取った複数の原稿画像を記憶手段に記憶し、この記憶手段に全ての原稿に対する原稿画像が記憶された後、記憶手段に記憶されている複数の原稿画像を用いて被画像形成媒体上に順次画像形成を行い、上記複数の原稿に対する１部単位の被画像形成媒体に対してステープル処理を行う画像形成装置において、
割込処理を指示する指示手段と、
上記指示手段により割込処理が指示された際、複数の原稿の画像読取・記憶動作の処理の途中であれば、割込処理が指示された時点で割込処理を受付けて割込処理をする割込原稿からの画像を読取ってこの画像を用いて被画像形成媒体上に画像形成を行う第１処理手段と、
上記指示手段により割込処理が指示された際、上記記憶手段に記憶された複数の原稿画像に対する部数単位の画像形成動作の処理の途中であれば、上記部数単位の画像形成動作を中断することなく、割込処理をする割込原稿からの画像を読取って上記記憶手段に記憶し、割込指示中に画像形成していた１部単位の被画像形成媒体に対してのステープル処理が完了した後に、上記記憶手段に記憶した割込原稿画像を用いて被画像形成媒体上に画像形成を行う第２処理手段と、
上記指示手段により割込処理が指示された際、全ての原稿に対する部数単位のステープル処理が終了した時点であれば、割込処理が指示された時点で割込処理を受付けて割込処理をする割込原稿からの画像を読取ってこの画像を用いて被画像形成媒体上に画像形成を行う第３処理手段と、
を備えていることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明に係る画像形成装置は、原稿からの画像を読取り、この読取った原稿画像を記憶手段に記憶し、この記憶手段に全ての原稿に対する原稿画像が記憶された後、記憶手段に記憶されている原稿画像を用いて被画像形成媒体上に画像形成を行う画像形成装置において、割込処理を指示する指示手段と、上記指示手段により割込処理が指示された際、上記記憶手段に記憶された原稿画像に対する画像形成動作が開始される前であれば、割込処理が指示された時点で割込処理を受付けて割込処理をする割込原稿からの画像を読取って被画像形成媒体上に画像形成を行うとともに、上記指示手段により割込処理が指示された際、上記記憶手段に記憶された原稿画像に対する画像形成動作の処理の途中であれば、割込処理をする割込原稿からの画像を読取って上記記憶手段に記憶し、割込指示中に画像形成していた被画像形成媒体に対しての画像形成が完了した後に、上記記憶手段に記憶した割込原稿画像を用いて被画像形成媒体上に画像形成を行う処理手段と、を備えている。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、この発明の画像形成装置は、複数の原稿からの画像を順次読取り、この読取った複数の原稿画像を記憶手段に記憶し、この記憶手段に全ての原稿に対する原稿画像が記憶された後、記憶手段に記憶されている複数の原稿画像を用いて被画像形成媒体上に順次画像形成を行う画像形成装置において、割込処理を指示する指示手段と、上記指示手段により割込処理が指示された際、上記複数の原稿画像に対する画像形成動作が開始される前であれば、割込処理が指示された時点で割込処理を受付けて割込処理をする割込原稿からの画像を読取って被画像形成媒体上に画像形成を行うとともに、上記指示手段により割込処理が指示された際、上記記憶手段に記憶された原稿画像に対する部数単位の画像形成動作の処理の途中であれば、上記部数単位の画像形成動作を中断することなく、割込処理をする割込原稿からの画像を読取って上記記憶手段に記憶し、割込指示中に画像形成していた１部単位の被画像形成媒体に対しての画像形成が完了した後に、上記記憶手段に記憶した割込原稿画像を用いて被画像形成媒体上に画像形成を行う処理手段と、を備えている。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】