【事件の表示】
　平成　９年特許願第１１５４８４号「光ピックアップ装置」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年１１月１７日出願公開、特開平１０−３０８０３１］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　本願は、平成９年５月６日の出願であって、平成１４年２月１５日付け拒絶理由通知に対して、平成１４年４月２３日に意見書が提出されたが、平成１４年１１月２９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１４年１２月２７日に拒絶査定不服の審判請求がなされるとともに、平成１５年１月２４日に明細書について手続補正が提出されたものである。
　
２．平成１５年１月２４日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
〔補正却下の決定の結論〕
　平成１５年１月２４日付けの手続補正（以下、「本件手続補正」という。）を却下する。
　
〔理　由〕
（１）本件手続補正前及び本件手続補正後の本願発明
　本件手続補正は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明についてするもので、特許請求の範囲については、請求項１乃至７のうち、請求項１を、本件手続補正前には、
「【請求項１】　第１の半導体レーザと、この第１の半導体レーザとは波長が異なるレーザ光を出射する第２の半導体レーザと、上記第１の半導体レーザおよび第２の半導体レーザからのレーザ光を同一の方向に導くビームスプリッタと、このビームスプリッタを透過したレーザ光を記録媒体上に集光する対物レンズと、記録媒体によって反射された上記第１の半導体レーザからのレーザ光および上記第２の半導体レーザからのレーザ光を受ける単一の受光素子とを備えた光ピックアップ装置であって、
　上記第１の半導体レーザからのレーザ光はビームスプリッタの反射面に対し所定の偏光であり、上記第２の半導体レーザからのレーザ光は上記所定の偏光とは異なる偏光であり、
　上記ビームスプリッタは、上記第１の半導体レーザからのレーザ光を部分反射するとともに上記第２の半導体レーザからのレーザ光を透過する第１の斜面と、上記第２の半導体レーザからのレーザ光を部分反射するとともに第１の半導体レーザからのレーザ光を透過する第２の斜面とを有していることを特徴とする光ピックアップ装置。」
とあったものを、本件手続補正により、
「【請求項１】　第１の半導体レーザと、この第１の半導体レーザとは波長が異なるレーザ光を出射する第２の半導体レーザと、上記第１の半導体レーザおよび第２の半導体レーザからのレーザ光を同一の方向に導くビームスプリッタと、このビームスプリッタを透過したレーザ光を記録媒体上に集光する対物レンズと、記録媒体によって反射された上記第１の半導体レーザからのレーザ光および上記第２の半導体レーザからのレーザ光を受ける単一の受光素子とを備えた光ピックアップ装置であって、
　上記第１の半導体レーザからのレーザ光はビームスプリッタの反射面に対しＳ偏光とＰ偏光のいずれか一方であり、上記第２の半導体レーザからのレーザ光は上記Ｓ偏光とＰ偏光の他方であり、
　上記ビームスプリッタは、上記第１の半導体レーザからの上記Ｓ偏光とＰ偏光のいずれか一方であるレーザ光を部分反射するとともに上記第２の半導体レーザからの上記Ｓ偏光とＰ偏光の他方であるレーザ光を透過する第１の斜面と、上記第２の半導体レーザからの上記Ｓ偏光とＰ偏光の他方であるレーザ光を部分反射するとともに第１の半導体レーザからの上記Ｓ偏光とＰ偏光のいずれか一方であるレーザ光を透過する第２の斜面とを有していることを特徴とする光ピックアップ装置。」
と補正するものである。
　すると、本件手続補正は、第１半導体レーザからのレーザ光と、第２半導体レーザからのレーザ光について、それぞれ「所定の偏光」及び「上記所定の偏光とは異なる偏光」との限定のあった部分及び、前記限定のされていない部分について、いずれにも「Ｓ偏光とＰ偏光のいずれか一方である」及び「上記Ｓ偏光とＰ偏光の他方である」と限定するものであって、特許請求の範囲についての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本件手続補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平９−９１７４８号公報（以下、「引用例」という）には、図面とともに以下の技術事項が記載されている。
（ア）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
　本発明は、光学ヘッド装置に係り、とくに、光学記録媒体の記録再生装置にお
ける光学ヘッド装置に関する。」（２頁左欄４６行〜４９行）
（イ）
「【００２５】
 【発明の実施の形態】
　以下、本発明の第１の実施の形態を図１乃至図３に基づいて説明する。
　この図１乃至図３において、符号１はレーザ光源としての半導体レーザを示し、符号３は半導体レーザ１からの出射光を反射するビームスプリッタを示し、符号４はビームスプリッタからの反射光を微小スポットとして光ディスク媒体１００の記録面に集光する集光レンズを示す。又、符号５は、光ディスク媒体１００の記録面からの変調された反射光を前述した集光レンズ（対物レンズ）４及びビームスプリッタ３を介して入力する光検出器を示す。更に、半導体レーザ１とビームスプリッタ３との間には回析格子２が装備されている。
【００２６】そして、前述した集光レンズ４とビームスプリッタ３との間に、可変開口素子７が装備されている。この可変開口素子７は、後述するように例えば音響光学素子をベースとして形成されている。
【００２７】これを更に詳述すると、図１に示す光ヘッド装置の光学系においては、半導体レーザ１から放射された光が、回折格子２を通ってトラッキングエラー検出用の三ビームを作成する。次に、ビームスプリッタ３で対物レンズ４に向かって光路を変換する。ビームスプリッタ３で反射した光は、対物レンズ４に入る前に可変開口素子７を通る。
【００２８】この可変開口素子７は、対物レンズ４の開口の光を透過するよう設定されている。そして、可変開口素子７，対物レンズ４を通ったレーザ光は、当該対物レンズ４の開口数により微小な光に絞り込まれる。そして、この微小スポットは光ディスク媒体１００の情報記録面に入射する。
【００２９】この光ディスク媒体１００の情報記録面からの反射光は、再び対物レンズ４に入射し、可変開口素子７を通って、ビームスプリッタ３に入射する。このビームスプリッタ３に入射した光は、今度は図１に示したようにスネルの法則に従って屈折しながら透過する。
【００３０】このビームスプリッタ３を透過した光は、図に対して平面方向に光は拡大し、図に対して垂直方向の光はそのまま通過（ビームスプリッタ３の機能）するため、非点収差が発生する。この非点収差によりフォーカシング誤差検出信号が検出される。
【００３１】次に、ビームスプリッタ３を通過した光は、光検出器５に集光する。これにより、光検出器５では、再生信号，フォーカス誤差信号，およびトラック誤差信号を検出する。」（４頁左欄２５行〜同頁右欄１８行）
（ウ）
「【００３７】次に、第２の実施形態を図４に基づいて説明する。　この図４に示す第２の実施形態では、単一の対物レンズ４及び光検出器５を備え、且つ光ディスク媒体の厚さに対応して二種類のレーザ光源およびこれに対応したコリメータレンズおよび回折格子を備えている点に特長を備えている。
【００３８】即ち、図４において、本第２の実施形態における光ヘッド装置の光学系は、第１のレーザ光源１１と、この第１のレーザ光源１１からの出射光を第１のコリメータレンズ１１Ａ及び第１の回析格子１２を介して入力し反射する第１のビームスプリッタ１３と、この第１のビームスプリッタ１３からの反射光を微小スポットとして光ディスク媒体１００の記録面に集光する集光レンズ（対物レンズ）４と、この光ディスク媒体１００の記録面からの変調された反射光を集光レンズ４及び第１のビームスプリッタ１３を介して入力する光検出器５とを備えている。
【００３９】また、第１のビームスプリッタ１３と光検出器５との間に、第２のビームスプリッタ２３を装備すると共に、この第２のビームスプリッタ２３に対して所定のレーザ光を送り込む第２のレーザ光源としての第２の半導体レーザ２１が装備されている。また、図４において、第２のビームスプリッタ２３と光検出器５の間に、凸レンズ１５および円筒レンズ１６が装備されている。」（５頁左欄６行〜３０行）
　
　ここにおいて、（イ）に摘記した、第２５段落から第３１段落に記載された第１の実施形態と第１図を参考に、（ウ）に摘記した第３７段落から第３９段落の記載と第４図とから第２の実施形態をみると、第１のレーザ光源１１から出射されたビームは、第１のビームスプリッタ１３で少なくとも一部は反射されて対物レンズ４に向かい、対物レンズ４にて光ディスク媒体１００に集光され、同媒体で反射されたビームは、再び対物レンズを透過した後、第１のビームスプリッタを今度は少なくとも一部は透過し、第１のビームスプリッタと光検出器の間に置かれた第２のビームスプリッタ２３を透過し、光検出器５に集光するものである。
　同様に、第２のレーザ光源としての第２の半導体レーザ２１から放射されたビームは、第２のビームスプリッタで少なくとも一部は反射し、第１のビームスプリッタを透過して、対物レンズに向かい、対物レンズ４にて光ディスク媒体４に集光され、同媒体で反射されたビームは、再び対物レンズを透過した後、第１のビームスプリッタを再び透過し、第１のビームスプリッタと光検出器の間に置かれた第２のビームスプリッタ２３を、今度は少なくとも一部は透過して光検出器５に集光するものである。
　なお、第１のレーザ光源１１から出射されたビームは、半導体レーザ１１から光ディスク媒体に向かう光路では、第１のビームスプリッタで反射され、光ディスク媒体で反射されて光検出器５へ向かう光路では、第１のビームスプリッタを透過する必要があるが、透過率と反射率は相反する関係にならざるを得ないから、反射率及び透過率それぞれ所定の値に設定されることが必要なのは、技術常識上、当然のことである。
　同様に、第２のレーザ光源としての第２の半導体レーザ２１から放射されたビームについても、第２の半導体レーザ２１から光ディスク媒体に向かう光路では、第２のビームスプリッタで少なくとも一部は反射され、光ディスク媒体で反射されて光検出器５へ向かう光路では、第２のビームスプリッタを少なくとも一部は透過する必要があることが明らかであるから、ここにおいても、透過率と反射率とが所定の値に設定されることが必要なのは、技術常識上、当然のことである。
　すなわち、第４図に示された光学系において、レーザ光が第１及び第２のビームスプリッタにおいて、反射又は透過することで、光ヘッド装置が全体として引用例に記載されたように機能するためには、第１のレーザ光源１１からのレーザ光については、第１のビームスプリッタでは、部分反射且つ部分透過される特性を有することが必要であり、第２のビームスプリッタでは少なくとも一部透過する特性があれば十分であり、同様に、第２のレーザ光源２１からのレーザ光については、第２のビームスプリッタで部分反射される特性を有することが必要であり第１のビームスプリッタでは少なくとも一部透過する特性があれば十分であることは、当業者にとって自明な事項にすぎないものであるから、そのように認定することができる。
　上記認定も踏まえ、摘記した引用例記載事項及び図面の記載事項を総合勘案すると、引用例には、結局、次の発明が記載されている（以下、「引用発明」という）。
　
「第１のレーザ光源（半導体レーザ）１１と、第２のレーザ光源（半導体レーザ）２１と、第１のレーザ光源（半導体レーザ）１１からの出射光を入力し反射する第１のビームスプリッタ１３と、第２のレーザ光源（半導体レーザ）２１からの出射光を入力し反射する第２のビームスプリッタ２３と、前記第１又は第２のビームスプリッタ１３、２３からの反射光を微小スポットとして光ディスク媒体１００の記録面に集光する集光レンズ（対物レンズ）４と、この光ディスク媒体１００の記録面からの変調された反射光を集光レンズ４及び第１及び第２のビームスプリッタ１３、２３を介して集光する光検出器５とを有し、
前記第１のビームスプリッタは前記第１のレーザ光源からのレーザ光を部分反射するとともに第２のレーザ光源からのレーザ光を少なくとも一部は透過し、前記第２のビームスプリッタは前記第２のレーザ光源からのレーザ光を部分反射するとともに第１の半導体レーザからのレーザ光を少なくとも一部は透過するように設定されている、
光ヘッド装置。」
　
（３）対比
　本願補正発明を、引用発明と比較すると、引用発明における「光ヘッド装置」は、本願補正発明における「光ピックアップ装置」に相当する。
引用発明における「第１のレーザ光源（半導体レーザ）１１」は、本願補正発明における「第１の半導体レーザ」に相当する。
引用発明における「第２のレーザ光源（半導体レーザ）２１」は、第１の半導体レーザとは別に設けられた半導体レーザである限りにおいて本願補正発明における「第２の半導体レーザ」に相当する。
引用発明における「第１のビームスプリッタ１３」と「第２のビームスプリッタ２３」の両者で、第１の半導体レーザからのレーザ光と第２の半導体レーザからのレーザ光を、いずれも明らかに同一の方向である対物レンズへ向かわせるものである点に限り、本願補正発明における「第１の半導体レーザおよび第２の半導体レーザからのレーザ光を同一の方向に導くビームスプリッタ」に相当する。
引用発明における「集光レンズ（対物レンズ）４」は、本願補正発明における「対物レンズ」に相当する。
引用発明における「光検出器５」は、本願補正発明における「受光素子」に相当する。
引用発明における「第１のビームスプリッタ１３」は、第１の半導体レーザからのレーザ光を部分反射するとともに、第２の半導体レーザからのレーザ光を少なくとも一部は透過する点に限り、本願補正発明における「第１の斜面」に相当し、同様に、「第２のビームスプリッタ２３」は、第２の半導体レーザからのレーザ光を部分反射するとともに、第１の半導体レーザからのレーザ光を少なくとも一部は透過する点に限り、本願補正発明における「第２の斜面」に相当する。
　すると、本願補正発明と、引用発明とは、次の点で一致する。
＜一致点＞
「第１の半導体レーザと、第２の半導体レーザと、上記第１の半導体レーザおよび第２の半導体レーザからのレーザ光を同一の方向に導くビームスプリッタと、このビームスプリッタを透過したレーザ光を記録媒体上に集光する対物レンズと、記録媒体によって反射された上記第１の半導体レーザからのレーザ光および上記第２の半導体レーザからのレーザ光を受ける単一の受光素子とを備えた光ピックアップ装置であって、
　上記ビームスプリッタは、上記第１の半導体レーザからのレーザ光を部分反射するとともに上記第２の半導体レーザからのレーザ光を透過する第１の斜面と、上記第２の半導体レーザからのレーザ光を部分反射するとともに第１の半導体レーザからのレーザ光を透過する第２の斜面とを有していることを特徴とする光ピックアップ装置。」
　
　一方で、以下の点で相違する。
＜相違点＞
（相違点１）第２の半導体レーザの出射するレーザ光について、本願補正発明では「第１の半導体レーザとは波長が異なる」とされているのに対し、引用発明では、そのようには記載されていない点
（相違点２）第１及び第２の半導体レーザからのレーザ光について、本願補正発明では「上記第１の半導体レーザからのレーザ光はビームスプリッタの反射面に対しＳ偏光とＰ偏光のいずれか一方であり、上記第２の半導体レーザからのレーザ光は上記Ｓ偏光とＰ偏光の他方」であるとされているのに対し、引用発明では、レーザ光の偏光方向については特に言及していない点。
（相違点３）本願補正発明では、第１の斜面について、上記第１の半導体レーザからの「上記Ｓ偏光とＰ偏光のいずれか一方であるレーザ光を」部分反射するとともに上記第２の半導体レーザからの「上記Ｓ偏光とＰ偏光の他方であるレーザ光を」透過するとし、第２の斜面について、上記第２の半導体レーザからの「上記Ｓ偏光とＰ偏光の他方であるレーザ光を」部分反射するとともに第１の半導体レーザからの「上記Ｓ偏光とＰ偏光のいずれか一方であるレーザ光を」透過するとしているのに対し、引用発明では、第１又は第２のレーザ光源（半導体レーザ）からのレーザ光に対するビームスプリッタの反射透過特性については特に言及していない点。
　
（４）判断
１）相違点１について
引用例に記載されたような、記録密度、厚さ等の異なる媒体を記録再生する光ヘッド装置においては、波長の異なる２つの光源を用いることが広く知られており、引用例記載のものにおいて第１半導体レーザと、第２半導体レーザの出射するレーザ光の波長を異なったものとすることは当業者が容易に想到することにすぎない。必要なら周知例として特開平６−２５９８０４号公報（以下、「周知例１」という）、特開平８−５５３６３号公報（以下、「周知例２」という、特開平９−５４９７３号公報（以下「周知例３」という）、特開平９−５０６４７号公報（以下、「周知例４」という）を参照）。
２）相違点２及び３について
　レーザ光の偏光方向については、ビームスプリッタの面に対して定義され、定義された偏光方向についてレーザ光の透過及び反射の各特性が限定されているので、相違点２及び３は互いに関連した事項であるから、相違点２及び３については、まとめて検討する。
　半導体レーザが出射するレーザ光について、当該レーザ光の利用効率を上げるためにビームスプリッタでの反射率、透過率を適宜設定することは光学系の設計上当然のことであり、そのため、ビームスプリッタの反射面の特性を、波長に加え、偏光特性の面からも利用することを考慮するのは周知事項にすぎない。例えば、前記周知例１、２及び４でビームスプリッタの偏光方向に関する反射、透過特性を利用して２つの光源からのレーザ光の反射と透過を設定している。特に、周知例２では２つの光源のそれぞれの波長における各偏光方向の特性も考慮に入れることが示されており、ビームスプリッタにおける透過率及び反射率をレーザ光の波長と偏光方向を利用して異なる特性に設定することがこの分野の周知事項にすぎないことが明らかである。
　さらには、例えば、特開平４−９５２３５号公報（以下、「周知例５」という）には、互いに波長の異なるレーザ光源５、６は、ビームスプリッタに入射する際にはそれぞれＰ偏光とＳ偏光で入射するように設定されている。これは、「第１の半導体レーザからのレーザ光はビームスプリッタの反射面に対しＳ偏光とＰ偏光のいずれか一方であり、上記第２の半導体レーザからのレーザ光は上記Ｓ偏光とＰ偏光の他方」である点に相当し、それぞれ入射するビームスプリッタでの反射率、透過率が設定されている。すなわち、レーザ光源６については、ビームスプリッタ１６で約８０％反射し、ビームスプリッタ１１ではほぼ１００％透過して対物レンズ１２、光ディスク１間を往復し、再びビームスプリッタ１１をほぼ１００％透過し、ビームスプリッタ１６を約２０％透過して光検出器２０にに入射するものである。したがって、引用発明における第２のレーザ光源２１、並びに第１及び第２のビームスプリッタ１３，２３のそれぞれに明らかに相当する半導体レーザ（光源）６、並びに偏光ビームスプリッタ１１及び同１６について、
「Ｓ偏光とＰ偏光の他方であるレーザ光を透過する第１の斜面と」
「上記第２の半導体レーザからの上記Ｓ偏光とＰ偏光の他方であるレーザ光を部分反射する第２の斜面」
に相当する事項が示されている。引用発明では第１のレーザ光源（半導体レーザ）も第２のレーザ光源（半導体レーザ）と同様に光検出器５で集光することを前提としているから、引用発明の光学系における第１のレーザ光源１１のレーザ光についてもビームスプリッタ１１及びビームスプリッタ１６における「Ｓ偏光とＰ偏光のいずれか一方であるレーザ光」に対する反射率及び透過率を規定することにより、既に明らかにしたとおり引用発明のように第１のビームスプリッタ１３で部分反射、第２のビームスプリッタ２３では透過するように設定することで、相違点２及び３について本願補正発明のようにすることは当業者が容易に想到しうるものである。
　
（５）本件手続補正についての結び
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明及び周知例１乃至５に例示するような周知事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件手続補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項に規定する要件を満たさないものであり、同法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１５年１月２４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１乃至７に係る発明は、願書に最初に添付された明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至７に記載されたとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という）は、上記２．（１）に本件手続補正前の請求項１として掲げたとおりのものである。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断
　本願発明は、上記２．で検討した本願補正発明から、第１半導体レーザからのレーザ光と、第２半導体レーザからのレーザ光について、「Ｓ偏光とＰ偏光のいずれか一方である」及び「上記Ｓ偏光とＰ偏光の他方である」と限定のあるところを、それぞれ「所定の偏光」及び「上記所定の偏光とは異なる偏光」とするか、または前記限定を単に削除したものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、更に他の要件を付加したものに相当する本願補正発明が前記「２．（４）」に記載したとおり、引用例に記載された発明及び周知事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。