【事件の表示】
　平成１０年特許願第１１１７３８号「サーマルヘッドおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　１月１２日出願公開、特開平１１−　　５３２３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本願発明の認定
　本願は平成１０年４月２２日の出願（優先権主張平成９年４月２２日）であって、その請求項２に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１４年２月４日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲【請求項２】に記載された事項によって特定されるとおりの次のものと認める。
「発熱体を保護する保護膜として、前記発熱体側に、セラミックスを主成分とする少なくとも１層からなる下層保護膜を形成し、この下層保護膜上に、炭素を主成分とする上層保護膜を形成して、サーマルヘッドを製造するに際し、
　前記下層保護膜に表面処理を施して、前記表面の表面粗度Ｒａの値を５〜５００ｎｍとした後、前記上層保護膜を形成することを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。」
　
第２　当審の判断
１．引用刊行物記載の発明の認定
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平７−１３２６２８号公報（以下「引用例」という。）には、「基板上に発熱抵抗体を形成する工程と、前記発熱抵抗体上に保護層を形成する工程とからなるサーマルヘッドの製造方法において、前記保護層を形成する工程は、シリコン系化合物層を形成する工程と、このシリコン系化合物層の表面を還元性雰囲気で処理した後、ダイヤモンドライクカーボン膜を形成する工程とからなることを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。」との発明（【請求項２】。以下「引用例発明」という。）が記載されている。
　
２．本願発明と引用例発明との一致点及び相違点の認定
　引用例発明の「発熱抵抗体」及び「保護層」は、本願発明の「発熱体」及び「保護膜」にそれぞれ相当する。
　本願発明の「セラミックスを主成分とする少なくとも１層からなる下層保護膜」について、本願明細書には「下層保護膜８８としては、・・・セラミックスを主成分とするものであれば特に限定されず、各種のセラミックス材料が使用可能である。・・・・・・具体的には、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化珪素（ＳｉＣ）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、サイアロン（ＳｉＡｌＯＮ）、ラシオン（ＬａＳｉＯＮ）、酸化珪素（ＳｉＯ２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、酸化セレン（ＳｅＯ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、炭化チタン（ＴｉＣ）、炭窒化チタン（ＴｉＣＮ）、窒化クロム（ＣｒＮ）、およびこれらの混合物等が例示される。」（段落【００２７】〜段落【００２８】）との記載がある。他方引用例には、「本発明に係わるシリコン系化合物層とは、比較的じん性が高く、発熱抵抗体と反応しない無機シリコン化合物からなる薄膜層をいう。そのような薄膜層材料としては、ＳｉＯｘ単体、ＳｉＯｘとＳｉＮｙとの混合物あるいはＭｏ、Ｗ、Ｔｉなどの高融点金属と多結晶シリコンとの合金であるシリサイトを挙げることができる。」（段落【００１１】）及び「下部保護層５はＲＦスパッタリングにより形成した。ＳｉＯ２膜形成時にはターゲットとしてＳｉＯ２焼結体を用い、ＳｉＯＮ膜形成時にはＳｉＯ２とＳｉ３Ｎ４とを混合した焼結体を用いた。」（段落【００１７】）との記載がある。これら本願明細書と引用例の記載を比較すれば、引用例発明の「シリコン系化合物層」は本願発明の「セラミックスを主成分とする・・・下層保護膜」に相当し、「少なくとも１層からなる」との文言は本願発明と引用例発明との相違点を構成するものではない。
　引用例発明の「ダイヤモンドライクカーボン膜」は本願発明の「炭素を主成分とする上層保護膜」に相当し、引用例発明においては「シリコン系化合物層の表面を還元性雰囲気で処理した後、ダイヤモンドライクカーボン膜を形成する」のであるから、シリコン系化合物層を発熱抵抗体側に形成し、その上にダイヤモンドライクカーボン膜を形成しているといえ、そのことは本願発明の「発熱体側に、セラミックスを主成分とする少なくとも１層からなる下層保護膜を形成し」及び「下層保護膜上に、炭素を主成分とする上層保護膜を形成」と一致する。なお、「下部」及び「上部」との表現は、引用例においてもされている（例えば「上部保護層に用いられるダイヤモンドライクカーボン膜」（段落【００１５】）及び「下部保護層に用いれるＳｉＯｘ単体、ＳｉＯｘとＳｉＮｙとの混合物からなるシリコン系化合物」（段落【００１６】）。）
　引用例発明の「シリコン系化合物層の表面を還元性雰囲気で処理」は表面処理である点で、本願発明の「下層保護膜に表面処理を施して」と一致する。
　したがって、本願発明と引用例発明とは、
「発熱体を保護する保護膜として、前記発熱体側に、セラミックスを主成分とする少なくとも１層からなる下層保護膜を形成し、この下層保護膜上に、炭素を主成分とする上層保護膜を形成して、サーマルヘッドを製造するに際し、
　前記下層保護膜に表面処理を施した後、前記上層保護膜を形成するサーマルヘッドの製造方法。」である点で一致し、次の点で相違する。
〈相違点〉本願発明の表面処理が「表面の表面粗度Ｒａの値を５〜５００ｎｍ」とする処理であるのに対し、引用例発明のそれは「表面を還元性雰囲気で処理」であり、表面粗度Ｒａの値がその処理によってどうなるのか不明である点。
　
３．相違点についての判断及び本願発明の進歩性の判断
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６３−６７７６２号公報には、「インナリード３と封止樹脂８との接合部が両者の熱膨張係数の差に起因する応力によってスリップし、そこに剥離が発生する場合がある。」（２頁右上欄３〜５行）及び「本リードフレームは、封止樹脂と接する面即ちインナリードの表面に梨地状の粗化加工面即ち微小凹凸の形成された面が設けられており、この凹凸が封止樹脂と噛み合うので、・・・インナリードと封止樹脂の接合強度が高くなり、両者の接合部がスリップするのを防止する。」（２頁左下欄１６行〜右下欄４行）との各記載があり、これら記載によると、２部材を接合するに当たり、その一方の表面を粗化加工しておくことが、接合強度を高める上で有用であることが把握できる。
　このように表面を粗面とすることにより接合強度を高めることは、上記文献以外にも、
特開平２−２９７９３９号公報に「半導体基板上に第１の薄膜としてポリシリコン膜を堆積する工程と、その表面を物理的または化学的方法によって粗面に形成する工程と、及び、上記の粗面上に第２の薄膜としてシリサイド膜を堆積する工程を含む・・・ポリシリコン膜とシリサイド膜の密着性が増大されるから剥離等を生ぜず」（２頁左上欄１〜１０行）と、
特開平４−１４４１７１号公報に「粗面化工程を経た基板は、その後の工程で形成される保護層に対して優れた密着性を有し、これによって保護膜の剥離による性能の低下のない」（３頁左上欄１〜４行）と、
特開平５−２３５１４９号公報に「表面粗度を付ける技術として、モリブデン（Ｍｏ）溶射法が挙げられ、これは防着板と内部治具にモリブデンを溶射して、その表面に多孔質の構造の層を形成して、その層に付着させて剥離し難くくしている。」（段落【００１０】）及び「防着板母材の黒鉛１２の表面に５０μｍ程度の粗度を施し、ＣＶＤ法によって、５００μｍの均一な膜厚の高密度ＳｉＣ膜１３を形成する。この防着板の表面にＴｉＮを連続して、２０００μｍ程度成膜しても、剥離が無かったことを確認した。」（段落【００２２】）と、
特開平８−１６５５７６号公報に「ダイヤモンドと基体との密着性が向上する理由に関しては、放電加工面は凹凸が激しく、アンカー効果によるものと考えられる。」（段落【０００５】）と、
特開平７−１９３０５１号公報に「薄膜表面を粗面化することは、例えば素子の作製において化学的に密着性の弱い場合に、膜と膜との密着性を上げることが可能となり」（段落【０００２】）と、並びに
特開平７−１１４４４号公報に「母材の表面は、その表面粗度がＲｍａｘで０．１μｍ以上の凹凸を有していることが好ましい。これは、母材の表面を大きくすることによって、母材と膜との接触面積を増大させるのに効果的である。この凹凸の上限値については、密着性向上という観点だけからすれば特に限定されるものではない」（段落【００１２】）と記載されているように本願出願当時には周知というべきである。
　ところで引用例には、「ＳｉＯｘ単体、ＳｉＯｘとＳｉＮｙとの混合物からなるシリコン系化合物層は、その表面を還元性雰囲気で表面処理を行うと、この上層に形成されるダイヤモンドライクカーボン膜との付着力をより向上させることができることを見出だした。」（段落【００１１】）及び「本発明においては下層保護膜を還元雰囲気で表面処理を行うことにより、ダイヤモンドライクカーボン膜との付着力が向上する。」（段落【００１６】）との記載があるから、引用例発明の「表面を還元性雰囲気で処理」が、シリコン系化合物層（下層保護膜）表面の化学的性状を改変することにより、同層とダイヤモンドライクカーボン膜（上層保護膜）との付着力向上を目的とした表面処理であることは明らかであるが、その付着力がどの程度であるのか確定的なことは引用例の記載からは判然としない。そして、引用例発明の付着力がどの程度であろうと、より付着力を高めるために上記周知技術を適用してシリコン系化合物層（下層保護膜）表面を粗面化することには十分な動機があるといわなければならない。
　その際、付着力を高めるための粗面化であるからには、表面粗度Ｒａの値はある程度大きくなければならないから、これを５ｎｍ以上とすることは、適宜実験等を行うことによって当業者が選択できる設計事項というべきである。また、表面粗度Ｒａの値を５００ｎｍ以上とすることは付着力向上という観点では有用であるかもしれない（例えば、前掲特開平５−２３５１４９号公報には、粗度の定義が明らかでないものの、その数値からみて本願発明の上限を超える表面粗度Ｒａを形成することが記載されている。）が、反面そのためにはシリコン系化合物層の厚さを表面粗度Ｒａよりも相当程度大きくしておかなければならない。ところが、シリコン系化合物層をみだりに厚くすることは熱伝導を悪くすることにつながるから避けなければならず、実際引用例には「シリコン系化合物からなる薄膜層が０．５〜１．０μｍ」（段落【００１３】）及び「下部保護膜の厚みは０．５μｍ」（段落【００１７】）との記載があり、この程度の厚さのシリコン系化合物層の表面粗度Ｒａの値を５００ｎｍ以上とすることは不可能である。
　以上を総合すれば、引用例発明に、シリコン系化合物層の表面粗度Ｒａの値を５〜５００ｎｍとするような表面処理を施すこと、すなわち相違点に係る本願発明の発明特定事項を採用することは、上記周知技術にかんがみ当業者が容易に想到できたといわざるを得ない。
　この点請求人は「本発明に係るカーボンヘッドにおいてカーボン膜が受ける熱ストレスは、高速のパルス状（ＯＮ／ＯＦＦ）のものであって、・・・半導体装置のインナーリードが受ける熱ストレスとは、比較にならないほどの強さを有し、カーボン膜に要求される密着性もこれに耐え得るようなレベルのものであるというような点で、技術を簡単に転用できるような環境ではない。」（平成１４年１０月２４日付け手続補正書（方式）５頁４〜８行）と主張するが、カーボン膜に要求される密着性が高いレベルであればあるほど、引用例発明におけるシリコン系化合物層とダイヤモンドライクカーボン膜の密着性をより向上させることには強い動機があることになる。請求人はまた、「基準を上限側を含めて明確化したことは、前述の実験結果からも明らかなように、技術的にも特許的にも非常に意味のあることで、カーボンヘッドにおける実用レベルの耐久寿命を付与するための有効な条件として本発明者等が見出したものであり」（同書５頁１９〜２２行）とも主張するが、進歩性の判断において問われるのは、上限又は下限を明確化することではなく、上限及び下限によって規定される数値範囲内の１つの数値を採用することの容易性である。より具体的にいえば、従来常識とされている数値よりも桁外れに大きい上限値を設定したとしても、下限値が従来値と異ならないか、下限値を超えるものが従来値から想到容易であれば、新規性又は進歩性は否定される。他方、従来常識とされている数値よりも桁外れに大きい上限値を設定すると同時に、下限値も従来の常識値よりも相当程度大きいのであれば、作用効果を勘案しつつ進歩性が評価されることがあり得るにとどまる。以上のとおりであるから、上記請求人の主張は到底採用することができない。
　また、相違点に係る本願発明の発明特定事項を採用したことによる格別の作用効果を認めることもできない。
　したがって、本願発明は引用例発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　
第３　むすび
　本願発明が特許を受けることができない以上、本願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶を免れない。
　よって、結論のとおり審決する。