【事件の表示】
　平成　８年特許願第　６２２４４号「光変調装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　９年１０月　３日出願公開、特開平　９−２５８１４９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年３月１９日の出願であって、平成１３年１２月２１日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１４年２月７日付で拒絶査定に対する審判請求がなされ、同年２月２０日付けで特許法第１７条の２第１項第３号の規定による手続補正がなされたものである。
　
２．平成１４年２月２０日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１４年２月２０日付の手続補正を却下する。
［理由］
　本件補正は、審判請求書の請求の理由（３）補正の説明（平成１４年２月２０日付手続補正書第２頁１５行〜３頁１４行）において、請求人も認めるとおり、補正前の請求項３〜請求項６については全く異なる表現に補正し、請求項の数を７から８に増加するものであり、しかも、補正後の請求項と補正前の請求項の対応関係が明確でないものであって、少なくとも、次の点で適法な補正ではないことが明らかである。
（１）本件補正により、請求項１および７の給電電極の形状を限定する「細長状」という構成が削除されており、本件補正は、特許請求の範囲を限定的に減縮するものとはいえない。また、この補正は、請求項の削除、誤記の訂正および明りょうでない記載の釈明にも該当しない。
（２）本件補正は、補正前の請求項５の「給電電極は、略Ｌ字状」なる構成を、図４（ａ）及び図４（ｃ）の記載に基づいて、光変調素子の他方の端面と給電電極の配置をさらに具体的に限定して新たな請求項３となすとともに、当該請求項３を引用する請求項５において、「給電電極の他方の端部は、前記マウント材の前記実装面上に設けられた薄膜抵抗と電気的に接続されていること」を限定するものである。
　しかしながら、補正前のどの請求項にも、「抵抗を接続すること」は記載がないから、補正前の請求項における「発明を特定するための事項」の一つ以上を、概念的により下位のものに限定したものとはいえず、しかも、これに関連して、特許請求の範囲の請求項数が、補正前の７から８に増加した。
　よって、この補正は、請求項の削除、特許請求の範囲の限定的減縮、誤記の訂正および明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しない。
　
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項各号に掲げる事項を目的とするものではないから、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１４年２月２０日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１３年１１月２２日付手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜７に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のものである。
「一方の端面に反射防止膜、他方の端面に全反射膜を備えるとともに、この２つの端面間に設けられた光導波路を備えており、該一方の端面から入射した光が該光導波路を伝搬し、該他方の端面で反射して該一方の端面から出射する間に、電極から印加される電界に応じて変調を行う光変調素子と、
　前記光変調素子を実装する実装面の略中央において前記電極へ所定の電圧を供給するための細長状の給電電極が設けられたマウント材とを備えており、
　前記光変調素子の一方の端面側が前記マウント材の端部近傍に配置され、前記他方の端面側が前記マウント材の給電電極近傍に配置されている
　ことを特徴とする光変調装置。」
　
（２）刊行物の記載事項
　原審の拒絶の理由に引用された、この出願前公知の刊行物である特開平６−５１２５２号公報（以下、「引用例１」という。）には、光変調方法および光強度変調器に関して、下記の記載が認められる。
「【００１９】図２において本第１の実施例における導波路型の半導体変調素子１はｎ−ＩｎＰ基板１１１上にｎ−ＩｎＧａＡｓエッチングストップ層１１２からｐ−ＩｎＧａＡｓキャップ層１１６の各層をＭＯＶＰＥ法を用いて結晶成長した後に、エッチングによってＰＩＮ構造を有する光導波路をストライプ状に形成し、その両サイドを高抵抗なｉ−ＩｎＰ層１１７で埋め込み、そして、ＳｉＯ２層１１８で絶縁した後に、情報信号入力端子１１およびアース電極１１９を蒸着によって作製している。また、低反射面１２および高反射面１３には、組成が異なるＳｉＯＮ膜によって、それぞれ、反射率９９％の高反射面１３と、０．１％以下の低反射面１２が形成されている。ここで、半導体変調素子１のＩｎＧａＡｓＰ導波層１１４の層厚は０．４μｍ，幅１，５μｍである。この半導体変調素子１は、信号波長１．５５μｍ帯で動作させるために、ＩｎＧａＡｓＰ導波層１１４のバンドギャップ波長は約１．４２μｍに設定している。
【００２０】次に、本第１の実施例の光変調方法の動作について図１を用いて説明する。
【００２１】入力信号光は、光ファイバ端２１から入力され、その約５０％が光ファイバ端２３から出射される。この入力信号光は、レンズ３によって半導体光変調素子１に結合され、その中を伝播した後に高反射面１３で反射される。そして、再び半導体光変調素子１中を伝播して前述の光路を逆行した後に、光ファイバ端２２から出力される。また、信号入力端子１１には、情報信号に応じた電圧が印加される。」
　また、図１及び図２には、半導体光変調素子が、一方の端面に低反射面１２、他方の端面に高反射面１３を備えるとともに、この２つの端面間に設けられた導波層１１４を含む光導波路を備えており、該一方の端面１２から入射した入力信号光が、他方の端面１３で反射して該一方の端面１２から出射し出力信号光となることがみてとれる。
　上記によれば、引用例１には、
「一方の端面に反射率０．１％以下の低反射面、他方の端面に反射率９９％の高反射面を備えるとともに、この２つの端面間に設けられた導波層を含む光導波路を備えており、該一方の端面から入射した入力信号光が半導体光変調素子中を伝播した後に、他方の端面で反射して再び前記半導体光変調素子中を伝播して前述の光路を逆行し、一方の端面から出射するものであって、その信号入力端子には、情報信号に応じた電圧が印加される半導体光変調素子」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
　原査定の拒絶理由に引用した、特開平６−２３０３２８号公報（以下、「引用例２」という。）には、一端から入射した光が他端から出射する電界吸収型変調器の実装方法に関して、次のことが図面とともに記載されている。
「【０００６】図７（１）は、チップ抵抗器を終端抵抗器として使用する従来例Ｐ１の斜視図であり、図７（２）は、外づけ終端抵抗器を終端抵抗器として使用する従来例Ｐ２の斜視図である。
【０００７】外づけ終端抵抗器３０を終端抵抗器として使用する従来例Ｐ２の場合は、電界吸収型変調器１とストリップライン１０とをつなぐワイヤが必然的に長くなり、高周波応答性に劣化をもたらすという欠点がある。」
　また、図７（２）から、従来例Ｐ２は、実装面の略中央に細長状の給電電極が設けられたストリップライン１０を備え、電界吸収型光変調器１が、一方の端面を前記実装面の一端側中央部に配置して実装されているとともに、電界吸収型光変調器１の上部の電極が前記給電電極とワイヤで接続されていることがみてとれ、また電界吸収型光変調器１は、ストリップライン１０より低い面、すなわち段部に配置されていることがみてとれる。さらに、電界吸収型光変調器１の光軸は、細長状の給電電極の両端に壁があることから、該給電電極と略直交する方向にあるものと認める。
　　
（３）対比
　引用発明と本願発明とを対比すると、引用発明の「反射率９９％の高反射面」と「反射率０．１％以下の低反射面」は、実質的に、本願発明の「全反射膜」と「反射防止膜」に相当する。
　また、引用発明の「情報信号に応じた電圧が印加される光強度変調器」は、本願発明の「電極から印加される電界に応じて変調を行う光変調素子」に相当することは明らかである。
　したがって、両者は、
「一方の端面に反射防止膜、他方の端面に全反射膜を備えるとともに、この２つの端面間に設けられた光導波路を備えており、該一方の端面から入射した光が該光導波路を伝搬し、該他方の端面で反射して該一方の端面から出射する間に、電極から印加される電界に応じて変調を行う光変調素子」である点で一致し、下記の点で相違する。
　
相違点：本願発明は、「前記光変調素子を実装する実装面の略中央において前記電極へ所定の電圧を供給するための細長状の給電電極が設けられたマウント材とを備えており、前記光変調素子の一方の端面側が前記マウント材の端部近傍に配置され、前記他方の端面側が前記マウント材の給電電極近傍に配置されている」のに対して、引用例１には、変調素子の取付、配置について具体的な記載がない点。
　
（４）判断
　引用例２には、上記記載（特に図７（２）従来例Ｐ２）から見て、一端から入射した光が他端から出射する電界吸収型変調器の実装方法に関して、
実装面の略中央に細長状の給電電極
端面を前記実装面の一端側中央部に配置して実装
給電電極とワイヤで接続
給電電極と略直交する方向
　
　そこで、上記引用例２記載の従来例Ｐ２と本願発明の上記相違点の構成とを対比するに、本願発明の実施形態の実装を説明する平面図である図３（ｂ）に関して、本願明細書には、
「【００２９】図３（ｂ）に示す実装構造は、
マウント材２０の略中央に１本のマイクロストリップ線路から成る給電電極２１
光変調素子１の光の導波方向に沿った軸Ａと給電電極２１の軸Ｂとが略垂直
光変調素子１の反射防止膜１０が施された端面をマウント材２０の端部近傍
【００３０】また、光変調素子１の第２電極９と給電電極２１とは１本の
ボンディングワイヤー２３にて電気的に接続
　また、図３（ｂ）には、図１，２に示された光変調素子１を、マウント材２０上に実線で囲われた状態で実装したものが示されており、この光変調素子を囲う実線は、マウント材２０の表面に対して
何らかの段差を有する
　
　そうしてみると、本願発明に含まれる図３（ｂ）に示されたものは、前述の引用例２の図７（２）に示された従来例Ｐ２と格別異なるところはない。仮に、実施例を見た場合に、両者において、マウント材の表面の段差部の面積が異なるとしても、この点は特許請求の範囲に記載された事項でもなく、単なる設計事項にすぎないものである。
　また、引用例２記載の従来例Ｐ２における電界吸収型光変調器１の配置を、引用例１の他方の端面に全反射膜を備えた光変調素子に適用できないとする理由はない。
　したがって、本願発明は、引用例２の電界吸収型光変調器１に換えて、引用例１に記載された他方の端面に全反射膜を備えた光変調素子を配置することにより、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　そして、本願発明の効果は引用例１および引用例２から当業者が予測し得る程度のものであり、格別とは言えない。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１および引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　よって、結論のとおり審決する。