Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月27日(2003.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層形成を行う半導体装置作製方法において、
積層形成をする前に、活性化した水素を被積層形成面に触れさせることを特徴とする半導体装置作製方法。
【請求項２】
積層形成を行う半導体装置作製方法において、
積層形成をする前に、活性化した酸素を被積層形成面に触れさせる工程を有し、
その工程の後で、積層形成する前に、活性化した水素を前記被積層形成面に触れさせることを特徴とする半導体装置作製方法。
【請求項３】
積層形成を行う半導体装置作製方法において、
積層形成をする前に、活性化した水素を被積層形成面に触れさせる工程を有し、
その工程の後で、積層形成する前に、活性化した酸素を前記被積層形成面に触れさせることを特徴とする半導体装置作製方法。
【請求項４】
積層形成を行う半導体装置作製方法において、
積層形成をする前に、活性化した水素と活性化した酸素の混合ガスを被積層形成面に触れさせることを特徴とする半導体装置作製方法。
【請求項５】
絶縁基板上に、下地膜、半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極があり、前記半導体層には、ソース・ドレイン領域をもつ半導体装置の作製方法において、
前記ゲート絶縁膜を成膜する前に、活性化した水素を被膜形成面に触れさせることを特徴とする半導体装置作製方法。
【請求項６】
絶縁基板上に、下地膜、半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極があり、前記半導体層には、ソース・ドレイン領域をもつ半導体装置の作製方法において、
前記ゲート絶縁膜を成膜する前に、活性化した酸素を被膜形成面に触れさせる工程を有し、
その工程の後で、活性化した水素を前記被膜形成面に触れさせることを特徴とする半導体装置作製方法。
【請求項７】
絶縁基板上に、下地膜、半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極があり、前記半導体層には、ソース・ドレイン領域をもつ半導体装置の作製方法において、
前記ゲート絶縁膜を成膜する前に、活性化した水素を被膜形成面に触れさせる工程を有し、
その工程の後で、活性化した酸素を前記被膜形成面に触れさせることを特徴とする半導体装置作製方法。
【請求項８】
絶縁基板上に、下地膜、半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極があり、前記半導体層には、ソース・ドレイン領域をもつ半導体装置の作製方法において、
前記ゲート絶縁膜を成膜する前に、活性化した水素と活性化した酸素の混合ガスを被膜形成面に触れさせることを特徴とする半導体装置作製方法。
【請求項９】
絶縁基板上に、下地膜、半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極があり、前記半導体層には、ソース・ドレイン領域をもつ半導体装置の作製方法において、
前記ゲート絶縁膜の成膜工程において、少なくとも有機シラン系ソースと活性化した酸素と活性化した水素を用いることを特徴とする半導体装置作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記活性化した水素は、前記被積層形成面上の少なくともその一部において、炭素の一重結合を含む炭素汚染物を減少させることを特徴とする半導体装置作製方法。
【請求項１１】
請求項４において、前記混合ガスは、前記被積層形成面上の少なくともその一部において、炭素の一重結合または二重結合を含む炭素汚染物を減少させることを特徴とする半導体装置作製方法。
【請求項１２】
請求項１または５において、前記活性化した水素の発生を、プラズマ法あるいは触媒法によって行うことを特徴とする半導体装置作製方法。
【請求項１３】
請求項２、３、４、６、７及び８のいずれか一において、活性化した水素の発生を、プラズマ法あるいは触媒法によって行い、前記活性化した酸素の発生を、プラズマ法あるいは紫外線照射法によって行うことを特徴とする半導体装置作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至９のいずれかにおいて、前記活性化した水素は、水素ラジカルまたは水素ラジカルと水素イオンの混合ガスであることを特徴とする半導体装置作製方法。
【請求項１５】
請求項２、３、４、６、７、８及び９のいずれか一において、前記活性化した酸素は、酸素ラジカル、オゾン、酸素ラジカルと酸素イオンの混合ガス、酸素ラジカルとオゾンと酸素イオンの混合ガスのいずれかであることを特徴とする半導体装置作製方法。
【請求項１６】
請求項４または８において、前記混合ガスは、Ｈ2Ｏを分解して発生させることを特徴とする半導体装置作製方法。
【請求項１７】
請求項５乃至８のいずれか一において、活性化した水素、活性化した酸素の少なくともいずれか一方を用いることによって前記被膜形成面の炭素汚染物を減少させた後に、前記被膜形成面を大気に触れさせることなく、ゲート絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置作製方法。
【請求項１８】
請求項９において前記ゲート絶縁膜は、ＳＩＭＳによる深さ方向の炭素のプロファイルの最低値が７×１０18ｃｍ-3以下であることを特徴とする半導体装置作製方法。
【請求項１９】
請求項５乃至９のいずれか一において、前記半導体層を横方向に結晶化させたことを特徴とする半導体装置作製方法。
【請求項２０】
請求項５乃至９のいずれか一において、前記ゲート電極がポリシリコンであることを特徴とする半導体装置作製方法。
【請求項２１】
請求項５乃至９のいずれか一において、前記ゲート電極に陽極酸化膜を形成し、前記半導体層にオフセット領域をもつことを特徴とする半導体装置作製方法。
【請求項２２】
請求項５乃至９のいずれか一において、前記ゲート絶縁膜の上に窒化膜を形成したことを特徴とする半導体装置作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月9日(2003.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動局の内部タイミングエラーを補償する方法であって、
所定の方法で推定されたチャネルインパルス応答から、最大量のエネルギーを含む信号サンプルと、それらの最大信号サンプルの位置信号（ｍａｘｐｏｓ）とを決定し、
連続する位置信号（ｍａｘｐｏｓ）により、該移動局のタイミングエラーの大きさ及び方向を示す補正信号を決定するとともに、それによって該移動局のタイミング、特にそのクロックシステムのタイミングを調べて、もし必要ならば同期化させることを特徴とする方法。
【請求項２】
該補正信号を決定するための第１処理段階において、
１グループの連続する位置信号（ｍａｘｐｏｓ）を合計（ｓｕｍ）し、
該信号サンプルの合計値（ｓｕｍ）を適宜の所定判定パラメータ（ａｖｅ−ａn ，ａｖｅ−ｂn ）と比較して、その比較に基づいて中間信号（ｏｔ，ｏｐ）を選択し、
第２処理段階において、
タイミングエラーを補償するときにタイミング信号の公称値として用いるべきものとして、該中間信号（ｏｔ，ｏｐ）から形成される或るグループ（ｍ項目）の平均値（ａｖｅ１）を計算するようにした、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該第１処理段階の比較のために「もし−ならば」判定表を作成し、その場合、第１判定パラメータを位置信号グループ（ｎ項目のｍａｘｐｏｓ）の公称値の総和（ａｖｅ＝ｎ×ｎｏｍ）から作成し、適宜選択された整数（ａn ，ｂn ）から第２判定パラメータを作成し、前記の第１及び第２のパラメータの差（ａｖｅ−ａn ，ａｖｅ−ｂn ）から特別の判定パラメータを作成し、その特別の判定パラメータを該位置信号の合計値（ｓｕｍ）と比較して、その比較に基づいて該中間信号の値を選択するようにした、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
先に計算された中間信号を加算することにより（ｏｐ＝ｏｐ＋ｏｔ）、該中間信号（ｏｐ）を累算的に作成するようにした、請求項２又は３に記載の方法。
【請求項５】
該中間信号（ｏｔ，ｏｐ）の連続するグループの中からＤ番目の中間信号（Ｄ＝２，３，４，・・・）を分離して該第２処理段階で処理するようにした、請求項２乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
該第２処理段階で計算された平均値（ａｖｅ１）を好ましくは適当な数（ｓｃａ）で割ることにより該平均値を計数し、その結果として補正された平均値（ｃｏｒｒ）をタイミングエラーを補償するための補正信号として使うようにした、請求項２乃至５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
移動局の内部タイミングエラーを補償するための回路であって、
所定の方法で推定されたチャネルインパルス応答から、最大量のエネルギーを含む信号サンプルと、それらの最大信号サンプルの位置信号（ｍａｘｐｏｓ）とを決定するための相関回路（８）と、
連続する位置信号（ｍａｘｐｏｓ）により、該移動局のタイミングエラーの大きさ及び方向を示す補正信号を決定するとともに、それによって該移動局のタイミング及び特にそのクロックシステムのタイミングを調べて、もし必要ならば同期化させるタイミングユニット（６）とから成ることを特徴とする回路。
【請求項８】
該タイミングユニット（６）は２つのフィルターユニット（１４，１５）から成り、前記第１のフィルタユニット（１４）はｎ段フローティングレジスタ（２０）と総和回路（２１）と判定ユニット（２２）とを含んでおり、前記第２のフィルタユニット（１５）はｍ段フローティングレジスタ（２３）と平均ユニット（２４，２５）とを含む、請求項７に記載の回路。
【請求項９】
該判定ユニット（２２）において第１処理段階の比較のための「もし−ならば」判定表（２２ａ）が作成され、この「もし−ならば」判定表の中の第１判定パラメータは位置信号グループ（ｎ項目のｍａｘｐｏｓ）の公称値の総和（ａｖｅ＝ｎ×ｎｏｍ）から作成され、第２判定パラメータは適宜選択された整数（ａn ，ｂn ）から作成され、前記の第１及び第２のパラメータの差（ａｖｅ−ａn ，ａｖｅ−ｂn ）から特別の判定パラメータが作成され、その特別のパラメータが該位置信号の合計値（ｓｕｍ）と比較され、その比較に基づいて中間信号（ｏｔ）の値が選択される、請求項８に記載の回路。
【請求項１０】
該判定ユニット（２２）は、先に計算された中間信号と加算することによって中間信号（ｏｐ）を累算的に作成する（ｏｐ＝ｏｐ＋ｏｔ）総和回路（２２ｂ）を含む、請求項８又は９に記載の回路。
【請求項１１】
該第１のフィルタユニット（１４）は、連続する補正値のグループから、第２処理段階で処理されるべきものとして順次Ｄ（Ｄ＝２，３，４，・・・）番目の中間信号（ｏｔ，ｏｐ）を分離するためのセパレータ（１８）を含む、請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の回路。
【請求項１２】
該第２のフィルタユニット（１５）は、該平均ユニット（２４，２５）から受け取った平均値（ａｖｅ１）を好ましくは適当な数（ｓｃａ）で割ることにより該平均値を計数するスケーラ（１９）を包含しており、その結果として得られた補正された平均値（ｃｏｒｒ）をタイミングエラーを補償するための補正信号として使うようになっている、請求項７乃至１１のいずれか１項に記載の回路。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月7日(2003.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化酸化物誘電体層を有する半導体素子を形成する方法であって：
半導体基板（１２）を用意する段階；
前記半導体基板（１２）をプロセス・チャンバに配置する段階；
前記プロセス・チャンバに第１酸化雰囲気を導入し、前記半導体基板（１２）の第１部分を酸化し、二酸化シリコンの第１層（１４）を形成する段階；
前記プロセス・チャンバに無酸化雰囲気を導入し、前記二酸化シリコンの第１層（１４）をアニールし、アニール二酸化シリコン層（１６）を形成する段階；
前記プロセス・チャンバに第２酸化雰囲気を導入し、前記アニール二酸化シリコン層（１６）の下に位置する前記半導体基板（１２）の第２部分を酸化し、二酸化シリコンの第２層（１８）を形成し、予備酸化物層（２０）を形成する段階であって、前記二酸化シリコンの第２層（１８）と前記アニール二酸化シリコン層（１６）とから成る前記予備酸化物層（２０）を形成する前記段階；
前記予備酸化物層（２０）が形成された後、無酸化雰囲気を用いて、前記プロセス・チャンバを浄化する段階；
前記プロセス・チャンバにＮ２ＯおよびＮＯから成る群から選択した気体を含む窒化雰囲気を導入し、前記予備酸化物層（２０）を窒化することにより、窒化酸化物誘電体層（２２）を形成する段階であって、前記プロセス・チャンバを浄化する段階が、前記予備酸化物層（２０）を窒化する前に行われる、前記段階；
前記窒化酸化物誘電体層（２２）を形成した後、前記プロセス・チャンバから前記半導体基板（１２）を取り出す段階；および
前記窒化酸化物誘電体層（２２）を覆うゲート電極（２４）を形成する段階；
から成ることを特徴とする方法。
【請求項２】
窒化酸化物誘電体層を有する半導体素子を形成する方法であって：
半導体基板（１２）を用意する段階；
前記半導体基板（１２）の第１部分を酸化し、第１二酸化シリコン層（１４）を形成する段階；
無酸化雰囲気において前記第１二酸化シリコン層（１４）をアニールし、アニール二酸化シリコン層（１６）を形成する段階；
前記アニール二酸化シリコン層（１６）の下に位置する前記半導体基板（１２）の第２部分を酸化し、第２二酸化シリコン層（１８）を形成し、予備酸化物層（２０）を形成する段階であって、前記第２二酸化シリコン層（１８）と前記アニール二酸化シリコン層（１６）から成る前記予備酸化物層（２０）を形成する前記段階；
Ｎ２ＯおよびＮＯから成る群から選択した気体を用いて、前記予備酸化物層（２０）を窒化し、窒化酸化物誘電体層（２２）を形成する段階；および
前記窒化酸化物誘電体層（２２）を覆うゲート電極（２４）を形成する段階；
から成ることを特徴とする方法。
【請求項３】
窒化酸化物誘電体層を有する半導体素子を形成する方法であって：
半導体基板（１２）を用意する段階；
前記半導体基板（１２）の第１部分を酸化して、第１二酸化シリコン層（１４）を形成する段階；
無酸化雰囲気において前記第１二酸化シリコン層（１４）をアニールし、アニール二酸化シリコン層（１６）を形成する段階；
前記アニール二酸化シリコン層（１６）の下に位置する前記半導体基板（１２）の第２部分を酸化し、第２二酸化シリコン層（１８）を形成し、予備酸化物層（２０）を形成する段階であって、前記第２二酸化シリコン層（１８）と前記アニール二酸化シリコン層（１６）とから成る前記予備酸化物層（２０）を形成する前記段階；
Ｎ２ＯおよびＮＯから成る群から選択した気体を用いて、前記予備酸化物層（２０）を窒化し、窒化トンネル酸化物層（２２）を形成する段階；
無酸化雰囲気において前記窒化トンネル酸化物層（２２）をアニールする段階；および
前記窒化トンネル酸化物層（２２）をアニールした後、前記窒化トンネル酸化物層（２２）を覆うフローティング・ゲート電極（２４）を形成する段階；
から成ることを特徴とする方法。
【請求項４】
前記第１酸化雰囲気を導入する段階は、塩化水素を導入する段階を備え、かつ前記第２酸化雰囲気を導入する段階は塩化水素を導入する段階を備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１部分を酸化する段階および前記第２部分を酸化する段階は塩化水素からなる雰囲気を導入する段階を具備することを特徴とする請求項２に記載の方法。自発
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月26日(2003.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号（ｘｔ）が印加されるシステム（１０）の適応識別のための装置であって、
前記入力信号を受け取る第１の入力部（Ｅ１）と、
観察信号（ｙｔ）を受け取る第２の入力部（Ｅ２）であり、前記観察信号の成分が前記入力信号に対する前記システムの応答である、第２の入力部と、
前記システムの応答を表す有限インパルス応答を有する識別フィルタ（１８）と、
前記識別フィルタによってフィルタにかけられた前記入力信号を前記観察信号から減算することにより誤差信号（ｅｔ）を生成する減算器（２０）と、
前記入力信号、前記誤差信号、および、適応ステップサイズの関数として前記識別フィルタの係数を適応させる手段（２２）とを有し、
前記入力信号のパワー（Ｐ１ｔ）を推定する第１の手段（２４）と、
前記観察信号あるいは前記観察信号の外乱成分のパワー（Ｐ２ｔ）を推定する第２の手段（２６）と、
前記適応手段（２２）に与えられる前記適応ステップサイズであって、下記の式、
【数４】
1997139696.tif 000001
に従って変化する適応ステップサイズμｔを計算する手段（２８）とをさらに有し、
この場合、ａ，ｃおよびｄは正の定数を示し、Ｐ１ｔは第１の推定手段（２４）によって与えられるパワー推定量であり、Ｐ２ｔは第２の推定手段（２６）によって与えられるパワー推定量であることを特徴とする適応識別装置。
【請求項２】
入力信号（ｘｔ）が印加されるシステム（１０）の適応識別のための装置であって、
前記入力信号を受け取る第１の入力部（Ｅ１）と、
観察信号（ｙｔ）を受け取る第２の入力部（Ｅ２）であり、前記観察信号の成分が前記入力信号に対する前記システムの応答である、第２の入力部と、
前記システムの応答を表す有限インパルス応答を有する識別フィルタ（１８）と、
前記識別フィルタによってフィルタにかけられた前記入力信号を前記観察信号から減算することにより誤差信号（ｅｔ）を生成する減算器（２０）と、
前記入力信号、前記誤差信号、および、忘却因子の関数として前記識別フィルタの係数を適応させる手段（２２）とを有し、
前記入力信号のパワー（Ｐ１ｔ）を推定する第１の手段（２４）と、
前記観察信号あるいは前記観察信号の外乱成分のパワー（Ｐ２ｔ）を推定する第２の手段（２６）と、
前記適応手段（２２）に与えられる前記忘却因子であって、下記の式、
【数６】
1997139696.tif 000002
に従って変化する忘却因子λｔを計算する手段（２８）とをさらに有し、
この場合、ａ，ｃ，ｄおよびαＬは正の定数を示し、Ｐ１ｔは第１の推定手段（２４）によって与えられるパワー推定量であり、Ｐ２ｔは第２の推定手段（２６）によって与えられるパワー推定量であることを特徴とする適応識別装置。
【請求項３】
帰還信号（ｙｔ）から前方信号（ｘｔ）のエコー成分を取り除く適応エコーキャンセラであって、
第１の入力部（Ｅ１）が入力信号として前記前方信号（ｘｔ）を受け取り、第２の入力部（Ｅ２）が観察信号として前記帰還信号（ｙｔ）を受け取る、請求項１または２のいずれか１項による識別装置（１６）を有し、
前記誤差信号（ｅｔ）がエコーキャンセラからの出力信号を構成することを特徴とする適応エコーキャンセラ。
【請求項４】
帰還信号（ｙ'ｔ）における前方信号（ｘｔ）のエコー成分を減衰させるエコーキャンセラであって、
前記前方信号に受信ゲイン（Ｇｒｔ）を乗じ、エコー発生システム（１４）に送られる入力信号（ｘ'ｔ）を生成する第１のゲイン適用手段（６６）と、
前記エコー発生システムから発生する観察信号（ｙｔ）に伝送ゲイン（Ｇｔｔ）を乗じ、前記帰還信号を生成する第２のゲイン適用手段（７２）とを有し、
前記前方信号（ｘｔ）あるいは入力信号（ｘ'ｔ）のパワーの推定量Ｐ１ｔが予め定められた閾値（Ｔ）よりも大きい瞬時において、下式、
【数９】
1997139696.tif 000003
で計算される適応変数μｔに基づいて前記受信および伝送ゲイン（Ｇｒｔ，Ｇｔｔ）を決定する計算手段（７４，７６，７８，８０）をさらに有し、
この場合、ａ，ｃおよびｄは正の定数を示し、Ｐ２ｔは当該瞬時における前記観察信号（ｙｔ）あるいは前記帰還信号（ｙ'ｔ）のパワーの推定量を示すことを特徴とするエコーキャンセラ。
【請求項５】
前記計算手段（８０）は、下記の形、すなわち、
【数１０】
1997139696.tif 000004
によって、前記受信ゲイン（Ｇｒｔ）および前記伝送ゲイン（Ｇｔｔ）を再帰的に決定し、この場合、Ｇｔｔ−１は前の計算の瞬時における伝送ゲインの値を表し、ｆ（μｔ）は前記適応変数μｔの減少関数を表し、γとδは１より小さい正の定数を表すことを特徴とする請求項４記載のエコーキャンセラ。
【請求項６】
前記関数ｆ（μｔ）は、前記適応変数μｔが第１の閾値（Ｔ１）よりも小さい場合は１に等しく、前記適応変数μｔが第２の閾値（Ｔ２）よりも大きい場合は、β（１−α・μｔ）に等しく、前記適応変数μｔが前記第１および第２の閾値（Ｔ１，Ｔ２）の間にある場合は、１−α・μｔに等しいことを特徴とする請求項５記載のエコーキャンセラ。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月31日(2003.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】受信装置および再生装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スクランブルのかかった信号を受信する受信装置であって、
スクランブルのかかった番組と前記スクランブルを解く第１の鍵情報とを含む信号を受信する受信手段と、
前記受信手段において受信された信号であって、前記スクランブルを解く第１の鍵情報とともに前記番組をスクランブルのかかったまま記録する記録再生手段と、
前記記録再生手段から再生されたスクランブルのかかった番組を、前記記録再生手段から再生された前記第１の鍵情報に基づいてスクランブルを解くデスクランブル手段と、
前記記録再生手段において番組を再生した後に課金する課金手段と、
を備えてなることを特徴とする受信装置。
【請求項２】
前記受信装置は、
前記記録再生手段とは異なる記録媒体が装着され、
前記記録媒体には、前記記録再生手段において再生された第１の鍵情報を用いてスクランブルを解くために必要な第２の鍵情報が記録されてなることを特徴とする請求項１に記載の受信装置。
【請求項３】
前記記録媒体には番組の視聴に応じた課金情報が記録され、前記前記課金情報は外部との通信により外部に送信されることを特徴とする請求項２に記載の受信装置。
【請求項４】
前記デスクランブル手段には、前記受信手段において受信された信号が前記記録再生手段を経由しないで入力されることを特徴とする請求項１に記載の受信装置。
【請求項５】
前記第１の鍵情報は、スクランブル鍵（Ｋｓ）及びワーク鍵（Ｋｗ）であることを特徴とする請求項１に記載の受信装置。
【請求項６】
前記第２の鍵情報は、マスタ鍵（Ｋｍ）であることを特徴とする請求項２に記載の受信装置。
【請求項７】
スクランブルのかかった信号を再生する再生装置であって、
スクランブルのかかった番組と前記スクランブルを解く第１の鍵情報とを含む信号が記録されている記録装置から再生する再生手段と、
前記再生手段から再生されたスクランブルのかかった番組を、前記再生手段から再生された前記第１の鍵情報に基づいてスクランブルを解くデスクランブル手段と、
前記再生手段において番組を再生した後に課金する課金手段と、
を備えてなることを特徴とする再生装置。
【請求項８】
前記課金手段は、前記番組の再生後に課金情報を外部に送信することにより視聴者に課金することを特徴とする請求項７に記載の再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月29日(2003.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）活性光線または放射線の照射により、スルホン酸を発生する下記一般式（Ｉ）で表される化合物、及び（ｂ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する下記一般式（II）及び一般式(III) で表される構造の繰り返し単位を含む樹脂、を含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。
【化１】
1999002901.tif 000001
式（Ｉ）中、Ｙは置換基を有していてもよい直鎖、分岐、環状アルキル基、置換されていてもよいアラルキル基、
【化２】
1999002901.tif 000002
で表される基を示す（Ｒ1 〜Ｒ21は同一でも異なっていてもよく水素原子、置換基を有していてもよい直鎖、分岐、環状アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アリール基、アシロキシ基、アラルキル基もしくはアルコキシカルボニル基、又はホルミル基、ニトロ基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、水酸基、もしくはシアノ基を示し、Ｒ1 〜Ｒ5 、Ｒ6 〜Ｒ12及びＲ13〜Ｒ21はそれぞれの群のうちの２つが結合して炭素及び／又はヘテロ原子からなる５〜８員環を形成していもよい）。また、Ｙは別のイミドスルホネート化合物の残基と結合していてもよい。Ｘは置換基を有していてもよい直鎖、分岐アルキレン基、置換基を有していてもよくヘテロ原子を含んでいてもよい単環又は多環環状アルキレン基、置換されていてもよい直鎖、分岐アルケニレン基、置換されていてもよくヘテロ原子を含んでいてもよい単環又は多環環状アルケニレン基、置換されていてもよいアリーレン基、置換されていてもよいアラルキレン基を示す。また、Ｘは別のイミドスルホネート残基と結合していてもよい。
【化３】
1999002901.tif 000003
式（II）中、Ｒ22は水素原子、置換されていてもよい直鎖、分岐、環状アルキル基又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。Ａは、置換されていてもよい直鎖、分岐、環状アルキル基、又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。また、ＡとＲ22が結合して５〜６員環を形成してもよい。
【請求項２】
酸により分解し得る基を有し、アルカリ現像液中での溶解度が酸の作用により増大する、分子量３０００以下の低分子酸分解性溶解阻止化合物を含有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型感光性組成物。
【請求項３】
請求項１〜２のいずれかに記載のポジ型感光性組成物により膜を形成し、該膜を露光、現像することを特徴とするポジ型パターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月23日(2004.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
建築物の床を防振する床用防振機構であって、一端が小梁などに固定し、床などからの振動を直接受けるスタッドと、高粘性のダンピングオイルを収納したケースと、中心部にこのスタッドが液密に固着し、周縁部がケースに直接またはリング金具を介して液密に固着した円盤状のクッションラバーと、上記スタッドの他端に固着して上記高粘性のダンピングオイル中に位置決めされたダンピングプレートと、上記ケースに直接または支持金具を介して固着したアジャスティングマスとから構成したことを特徴とする床用防振機構。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る床用防振機構は、建築物の床を防振する床用防振機構であって、一端が小梁などに固定し、床などからの振動を直接受けるスタッドと、高粘性のダンピングオイルを収納したケースと、中心部にこのスタッドが液密に固着し、周縁部がケースに直接またはリング金具を介して液密に固着した円盤状のクッションラバーと、上記スタッドの他端に固着して上記高粘性のダンピングオイル中に位置決めされたダンピングプレートと、上記ケースに直接または支持金具を介して固着したアジャスティングマスとから構成したことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月12日(2003.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
系統電源と負荷機器間の系統ラインに設けられたアクティブフィルタと、負荷電流を検出してその出力を前記アクティブフィルタに供給する負荷電流検出用変流器とを有するアクティブフィルタの制御装置であって、該アクティブフィルタは、直流側に設けられた直流コンデンサと交流側の各相に設けられた交流リアクトルを有する三相ＰＷＭコンバータと、前記交流リアクトルと電源に並列に設けられた高周波フィルタコンデンサと、該高周波フィルタの電圧を検出する変成器と、三相ＰＷＭコンバータ電流を検出する補償電流検出用変流器と、前記三相ＰＷＭコンバータを制御する制御装置から構成され、該制御装置は、負荷電流検出用変流器と補償電流検出用変流器及び変成器のそれぞれの出力を入力し、該変成器で得られた高調波フィルタコンデンサ電圧の高調波分を電圧高調波分とすると共に、該電圧高調波分の逆符号のゲインＫ倍値を高調波電流とし、該高調波電流と前記負荷電流検出用変流器で得られた電流を加算して補償電流を算出し、該補償電流によって三相ＰＷＭコンバータの出力電流が追従するように、前記三相ＰＷＭコンバータのスイッチングを制御することを特徴とするアクティブフィルタの制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】つまり、その目的を達成するための手段は、以下の如く構成したものである。系統電源と負荷機器間の系統ラインに設けられたアクティブフィルタと、負荷電流を検出してその出力を前記アクティブフィルタに供給する負荷電流検出用変流器とを有するアクティブフィルタの制御装置であって、該アクティブフィルタは、直流側に設けられた直流コンデンサと交流側の各相に設けられた交流リアクトルを有する三相ＰＷＭコンバータと、前記交流リアクトルと電源に並列に設けられた高調波フィルタコンデンサと、該高調波フィルタの電圧を検出する変成器と、三相ＰＷＭコンバータ電流を検出する補償電流検出用変流器と、前記三相ＰＷＭコンバータを制御する制御装置から構成され、該制御装置は、負荷電流検出用変流器と補償電流検出用変流器及び変成器のそれぞれの出力を入力し、該変成器で得られた高調波フィルタコンデンサ電圧の高調波分を電圧高調波分とすると共に、該電圧高調波分の逆符号のゲインＫ倍値を高調波電流とし、該高調波電流と前記負荷電流検出用変流器で得られた電流を加算して補償電流を算出し、該補償電流によって三相ＰＷＭコンバータの出力電流が追従するように、前記三相ＰＷＭコンバータのスイッチングを制御することにある。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
Ｉｃ＝−Ｇｎ（ｓ）×（−ＫＶｆ＋Ｉ１）      （３）
ここでＧｎ（ｓ）は基本波に対するノッチフィルタである。従って、（１）式は（４）式のように表せる。
1999164481.tif 000001
Ｖｆは高調波フィルタコンデンサ９の電圧であるから、（５）式で表すことができる。
Ｖｆ＝Ｖｓ−Ｚｓ×Ｉｓ      （５）
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月7日(2004.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記した第１〜第３の発明によれば、例えば、ＢＧＡパッケージ近傍の配線基板の剛性をあげ、応力変形によるＢＧＡ端子接続部の剥離を防止することができる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、第３の発明によれば、前記細長形状の部品はコネクタであることにより、コネクタにより配線基板の剛性をあげ、例えば、応力変形によるＢＧＡ端子接続部の剥離を防止することができる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１〜３に係る発明によれば、例えば、ＢＧＡパッケージ近傍の配線基板の剛性をあげ、応力変形によるＢＧＡ端子接続部の剥離を防止することができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
また、請求項３に係る発明によれば、前記細長形状の部品はコネクタであることにより、コネクタにより配線基板の剛性をあげ、例えば、応力変形によるＢＧＡ端子接続部の剥離を防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月19日(2003.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
残留分極によってデータを保持する複数の第１の強誘電体記憶素子、および前記第１の強誘電体記憶素子よりも容量の大きい第２の強誘電体記憶素子を備えたメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイに対して行方向の選択をおこなうための複数の行選択線と、
前記メモリセルアレイに対して列方向の選択をおこなうための複数の列選択線と、
を具備し、
前記第２の強誘電体記憶素子は、複数の前記第１の強誘電体記憶素子により構成されることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
前記第２の強誘電体記憶素子を構成する複数の前記第１の強誘電体記憶素子に対応した複数の行選択線が短絡されることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
短絡される複数の行選択線を選択するための選択回路をさらに備えたことを特徴とする請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
短絡される複数の行選択線を選択するためのプログラムを記憶した記憶手段と、
前記プログラムに基づいて、短絡対象となる複数の行選択線を選択するための選択信号を生成して前記選択回路に供給する制御手段と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項３に記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記第２の強誘電体記憶素子を構成する複数の前記第１の強誘電体記憶素子に対応した複数の列選択線が短絡されることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
短絡される複数の列選択線を選択するための選択回路をさらに備えたことを特徴とする請求項５に記載の半導体記憶装置。
【請求項７】
短絡される複数の行選択線を選択するためのプログラムを記憶した記憶手段と、
前記プログラムに基づいて、短絡対象となる複数の行選択線を選択するための選択信号を生成して前記選択回路に供給する制御手段と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項６に記載の半導体記憶装置。
【請求項８】
残留分極によってデータを保持する複数の第１の強誘電体記憶素子、および前記第１の強誘電体記憶素子よりも容量の大きい第２の強誘電体記憶素子を備えたメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイに対して行方向の選択をおこなうための複数の行選択線と、
前記メモリセルアレイに対して列方向の選択をおこなうための複数の列選択線と、
を具備し、
前記第１の強誘電体記憶素子は複数の強誘電体キャパシタを有しており、
前記第２の強誘電体記憶素子は、前記第１の強誘電体記憶素子に含まれる複数の前記強誘電体キャパシタを並列に接続した構成となっていることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項９】
残留分極によってデータを保持する複数の第１の強誘電体記憶素子、および前記第１の強誘電体記憶素子よりも容量の大きい第２の強誘電体記憶素子を備えたメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイに対して行方向の選択をおこなうための複数の行選択線と、
前記メモリセルアレイに対して列方向の選択をおこなうための複数の列選択線と、
を具備し、
前記第１の強誘電体記憶素子は複数の強誘電体キャパシタを有しており、
前記第２の強誘電体記憶素子は、前記第１の強誘電体記憶素子の隣接するメモリセルに含まれる複数の前記強誘電体キャパシタを並列に接続した構成になっていることを特徴とする半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月8日(2003.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信システムの受信機において、アナログホスト信号であって、これに付随する１つ以上のディジタル側波帯を有する該アナログホスト信号を含む受信信号を処理する方法において、
少なくとも部分的に該受信機の中間周波処理ステージに配置された帯域消去フィルタであって該アナログホスト信号をかなり減衰させ且つ該ディジタル側波帯の少なくとも１つを通過させる帯域消去フィルタにおいて該アナログホスト信号をフィルタ処理するステップからなり、
前記帯域消去フィルタの少なくとも１つのフィルタ特性が、前記受信機内の、前記少なくとも１つの側波帯に付随する情報を処理するディジタル信号処理要素、からのフィードバックに基づいて調整される、ことを特徴とする、受信信号を処理する方法。
【請求項２】
前記帯域消去フィルタが、前記受信機の前記中間周波処理ステージ内の単一の位置に実現された単一の帯域消去フィルタであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記帯域消去フィルタが、その多数の区分が複数の位置に実現され該複数の位置の少なくとも１つが前記中間周波処理ステージ内にあるような分散型の帯域消去フィルタであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記帯域消去フィルタが、前記１つ以上のディジタル側波帯に付随する周波数スペクトルの一部分に対して群遅延特性を有し、該一部分は、前記帯域消去フィルタが配置された前記受信機の単一通信路における周波数スペクトルの、対応する部分に対する群遅延特性の少なくとも一部分を等化するように選択される、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記帯域消去フィルタが、前記中間周波処理ステージ内で中間周波バッファ増幅器の出力部と変換回路の入力部との間に配置され、前記帯域消去フィルタの入力が、該中間周波バッファ増幅器の該出力部と該変換回路の該入力部との間であって自動利得制御回路の入力部を駆動する位置よりも後にある位置に結合され、これにより自動利得制御動作点が、主として前記アナログホスト信号によって定められる、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記帯域消去フィルタが、前記中間周波処理ステージ内で中間周波バッファ増幅器の出力部と自動利得制御回路の入力部との間に配置され、これにより自動利得制御動作点が、主として前記１つ以上のディジタル側波帯によって定められる、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記帯域消去フィルタが、前記中間周波処理ステージ内で中間周波帯域フィルタの出力部と中間周波バッファ増幅器の入力部との間に配置され、これにより自動利得制御動作点が、主として前記１つ以上のディジタル側波帯によって定められる、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
通信システムの受信機において、アナログホスト信号であって、これに付随する１つ以上のディジタル側波帯を有する該アナログホスト信号を含む受信信号を処理する方法において、
少なくとも部分的に該受信機の中間周波処理ステージに配置された帯域消去フィルタであって該アナログホスト信号をかなり減衰させ且つ該ディジタル側波帯の少なくとも１つを通過させる帯域消去フィルタにおいて該アナログホスト信号をフィルタ処理するステップからなり、
前記帯域消去フィルタが、前記１つ以上のディジタル側波帯に付随する周波数スペクトルの一部分に対して群遅延特性を有し、該一部分は、前記帯域消去フィルタが配置された前記受信機の単一通信路における周波数スペクトルの、対応する部分に対する群遅延特性の少なくとも一部分を等化するように選択される、ことを特徴とする、受信信号を処理する方法。
【請求項９】
通信システムにおいて、アナログホスト信号であってこれに付随する１つ以上のディジタル側波帯を有するアナログホスト信号を含む受信信号を処理するための装置であって、該装置が、
受信機であって、少なくとも部分的にその中間周波処理ステージに配置された帯域消去フィルタを有する受信機からなり、
該帯域消去フィルタが、該アナログホスト信号をかなり減衰させ且つ該ディジタル側波帯の少なくとも１つを通過させており、
前記帯域消去フィルタの少なくとも１つのフィルタ特性が、前記受信機内の、前記少なくとも１つの側波帯に付随する情報を処理するディジタル信号処理要素、からのフィードバックに基づいて調整される、ことを特徴とする、受信信号を処理するための装置。
【請求項１０】
通信システムにおいて、アナログホスト信号であってこれに付随する１つ以上のディジタル側波帯を有するアナログホスト信号を含む受信信号を処理するための装置であって、該装置が、
受信機であって、少なくとも部分的にその中間周波処理ステージに配置された帯域消去フィルタを有する受信機からなり、
該帯域消去フィルタが、該アナログホスト信号をかなり減衰させ且つ該ディジタル側波帯の少なくとも１つを通過させており、
前記帯域消去フィルタが、前記１つ以上のディジタル側波帯に付随する周波数スペクトルの一部分に対して群遅延特性を有し、該一部分は、前記帯域消去フィルタが配置された前記受信機の単一通信路における周波数スペクトルの、対応する部分に対する群遅延特性の少なくとも一部分を等化するように選択される、ことを特徴とする、受信信号を処理するための装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月8日(2003.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの振幅しきい値を用いて、増幅されるべき信号を少なくとも第１の部分および第２の部分に分解するステップであって、第１の部分は、振幅しきい値に対して第２の部分よりも低いピーク対平均電力比の信号を含み、第２の部分は振幅しきい値に対して、第１の部分よりも高いピーク対平均電力比を含み、
少なくとも増幅された第１の部分および増幅された第２の部分を生成するために、前記少なくとも前記第１の部分および前記第２の部分を増幅するステップと、
増幅された信号を生成するために、前記少なくとも前記増幅された第１の部分および前記増幅された第２の部分を結合するステップとを有する
ことを特徴とする増幅された信号を生成する方法。
【請求項２】
前記分解するステップが、
前記信号の前記第１の部分を、しきい値内の前記信号の部分として提供するステップと、
前記信号の前記第２の部分を、しきい値を超える前記信号の部分として提供するステップとをさらに含む
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記分解するステップが、
前記信号の振幅を検出するステップと、
前記信号についての前記振幅を前記しきい値と比較するステップとを含む
ことを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記増幅するステップは、
前記第１の部分を第１の増幅器で増幅するステップと、
前記第２の部分を第２の増幅器で増幅するステップとを含む
ことを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項５】
前記第１の部分を増幅に先立ってアップコンバートするステップと、
前記第２の部分を増幅に先立ってアップコンバートするステップをさらに含む
ことを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項６】
前記第１の部分を提供するステップが、
前記信号に比べて低減されたピーク対平均電力比を有する前記第１の部分を提供するステップを含む
ことを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項７】
前記結合するステップが、
前記第１の部分および前記第２の部分を結合するために、マッチドインピーダンスネットワークを使用するステップを含む
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記使用するステップが、
前記第１の部分および前記第２の部分を結合するために指向性カプラを使用するステップを含む
ことを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記分解するステップが、
前記信号の前記分解をベースバンドデジタルドメインにおいて実行するステップを含む
ことを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項１０】
増幅されるべき信号を分解し、少なくとも１つの振幅しきい値に基いて少なくとも第１のパス上の第１の部分および第２のパス上の第２の部分を生成するように構成された回路を有する信号増幅器システムにおいて、第１の部分は、振幅しきい値に基いて第２の部分よりも低いピーク対平均電力比を有する信号を含み、第２の部分は、振幅しきい値に基いて第１の部分よりも高いピーク対平均電力比を有する信号を含み、
前記第１の部分を受信し、増幅された第１の部分を生成するために前記第１の部分を増幅する前記第１のパス上の第１の増幅器と、
前記第２の部分を受信し、増幅された第２の部分を生成するために前記第２の部分を増幅する前記第２のパス上の第２の増幅器と、
前記増幅された第１の部分および前記増幅された第２の部分を受信し、増幅された信号を生成するために前記増幅された第１の部分および前記増幅された第２の部分を結合するように構成された結合回路を有する
ことを特徴とするシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月9日(2003.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体集積回路装置の製造方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程からなる半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）ウエハの第１の主面上にルテニウムまたはオスミウムを主成分とする金属または合金からなる第１の導電膜を形成する工程、
（ｂ）前記第１の導電膜に対して、オゾンガスを含むガス雰囲気中において等方性ドライエッチングを施す工程。
【請求項２】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記等方性ドライエッチングは、非プラズマ型ドライエッチングであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１の導電膜は、ルテニウムを主成分とする金属または合金からなることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記等方性ドライエッチング工程中の前記ウエハの温度は、摂氏１８０度以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記等方性ドライエッチング工程中の前記ウエハの温度は、摂氏２５度以上であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
以下の工程からなる半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）ウエハの第１の主面上にルテニウムまたはオスミウムを主成分とする金属または合金からなる第１の導電膜を形成する工程、
（ｂ）前記第１の導電膜に対して、オゾンガスを含むガス雰囲気中において非プラズマ型ドライエッチングを施す工程。
【請求項７】
以下の工程からなる半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）ウエハの第１の主面上にルテニウムまたはオスミウムを主成分とする金属または合金からなる第１の導電膜を形成する工程、
（ｂ）前記第１の導電膜が形成された前記ウエハの前記第１の主面上に第１のレジストパターンを形成する工程、
（ｃ）前記第１のレジストパターンを耐エッチングマスクとして、前記第１の導電膜に対して、等方性ドライエッチングを施す工程。
【請求項８】
以下の工程からなる半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）ウエハの第１の主面上にルテニウムまたはオスミウムを主成分とする金属または合金からなる第１の導電膜を形成する工程、
（ｂ）前記第１の導電膜が形成された前記ウエハの前記第１の主面上に第１のレジストパターンを形成する工程、
（ｃ）前記第１のレジストパターンが存在する状態で、前記第１の導電膜に対して、等方性ドライエッチングを施す工程、
（ｄ）工程（ｃ）の後、前記第１のレジストパターンを除去する工程。
【請求項９】
以下の工程からなる半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）第１の凹部を有するウエハの第１の主面上に、前記凹部外部の第１の主面、前記凹部の底面および側壁を覆い、かつ前記凹部を埋め込まないように、ルテニウムまたはオスミウムを主成分とする金属または合金からなる第１の導電膜を形成することによって、側壁および底面が前記第１の導電膜で覆われた凹部を残す工程、
（ｂ）前記凹部の内、少なくともその上端部を覆うように、フォトレジストパターンを形成する工程、
（ｃ）オゾンガスを含むガス雰囲気中において、前記フォトレジストパターンを耐エッチングマスクとして、前記ウエハの前記第１の主面に対してドライエッチングを施すことによって、前記凹部外部の前記第１の主面上の前記第１の導電膜を除去する工程。
【請求項１０】
以下の工程からなる半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）第１の凹部を有するウエハの第１の主面上に、前記凹部外部の第１の主面、前記凹部の底面および側壁を覆い、かつ前記凹部を埋め込まないように、ルテニウムまたはオスミウムを主成分とする金属または合金からなる第１の導電膜を形成することによって、側壁および底面が前記第１の導電膜で覆われた凹部を残す工程、
（ｂ）前記凹部の内、少なくともその上端部を覆うように、フォトレジストパターンを形成する工程、
（ｃ）オゾンガスを含むガス雰囲気中において、前記フォトレジストパターンが存在する状態で、前記ウエハの前記第１の主面に対してドライエッチングを施すことによって、前記凹部外部の前記第１の主面上の前記第１の導電膜を除去する工程、
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記フォトレジストパターンを除去する工程。
【請求項１１】
以下の工程からなる半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）ウエハの第１の主面上にルテニウムまたはオスミウムを主成分とする金属または合金からなる第１の導電膜を形成する工程、
（ｂ）前記第１の導電膜が形成された前記ウエハの前記第１の主面上に第１のレジストパターンを形成する工程、
（ｃ）前記第１のレジストパターンを耐エッチングマスクとして、前記第１の導電膜に対して、対レジスト選択比が４以上のドライエッチングを施す工程。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月19日(2003.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成対象である画像データおよび前記画像データの生成過程における各周波数の空間周波数特性を記述したデータが入力される入力処理部と、
前記空間周波数特性を認識する第１の認識手段と、
前記画像データを出力する出力モードにおける空間周波数再現特性を認識する第２の認識手段と、
前記第１および第２の認識手段における認識結果に基づいて、前記画像データの空間周波数特性を変換する変換手段と
を具備することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記空間周波数特性は、画像入力装置から入力されることを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため請求項１記載の構成にあっては、画像形成対象である画像データおよび前記画像データの生成過程における各周波数の空間周波数特性を記述したデータが入力される入力処理部と、前記空間周波数特性を認識する第１の認識手段と、前記画像データを出力する出力モードにおける空間周波数再現特性を認識する第２の認識手段と、  前記第１および第２の認識手段における認識結果に基づいて、前記画像データの空間周波数特性を変換する変換手段とを具備することを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３３】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、画像形成対象である画像データおよびこの画像データの生成過程における各周波数の空間周波数特性を記述したデータが入力処理部に入力され、第１の認識手段によって前記空間周波数特性を認識し、第２の認識手段によって画像データを出力する出力モードにおける空間周波数再現特性を認識し、これら第１および第２の認識手段における認識結果に基づいて、画像データの空間周波数特性を変換するため、個々の画像データの生成過程と出力モードに応じて適切な補正特性を簡易に設定することが可能である。