【手続補正書】
【提出日】平成24年5月11日(2012.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオード（ＬＥＤ）であって、該ＬＥＤは、
（ａ）光電気化学的（ＰＥＣ）エッチングされた表面を有するｐ型ＩＩＩ族窒化物層であって、該表面は、該ＬＥＤによって放出される光を抽出するための粗面化された表面であり、該ＰＥＣエッチングされた表面は、該ｐ型ＩＩＩ族窒化物層の窒素面（Ｎ面）の表面ではない、ｐ型ＩＩＩ族窒化物層と、
（ｂ）ｎ型ＩＩＩ族窒化物層と、
（ｃ）該ｐ型ＩＩＩ族窒化物層と該ｎ型ＩＩＩ族窒化物層との間にある、該光を放出するための発光活性層と
を含む、ＬＥＤ。
【請求項２】
前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物層、ｎ型ＩＩＩ族窒化物層、および活性層は、前記表面の粗面化プロセスによって導入されるイオン損傷を有さない、請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項３】
前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物層、ｎ型ＩＩＩ族窒化物層、および活性層の材質は、粗面化された前記表面を有する前記ＬＥＤの電流−電圧（Ｉ−Ｖ）測定値が、該表面が粗面化される前の該ＬＥＤのＩ−Ｖ測定値と比較して、実質的に異ならないか、または、劣化しない、請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項４】
前記表面は、前記ｐ型層および前記ＬＥＤからの光を抽出するように定寸される特徴または構造を生成するために粗面化され、好適には、該表面は、該粗面化前の該ｐ型層の表面または該特徴または構造を伴わない表面からの抽出あるいは該粗面化前の該ｐ型層の表面または該特徴または構造を伴わない表面を通しての透過と比較して、該表面からより多くの光を抽出するかまたは該表面を通してより多くの光を透過するように定寸される特徴または構造を生成するために粗面化され、より好適には、該特徴または構造は、該ｐ型層および該ＬＥＤからの光を散乱、回折、屈折、または指向させるように定寸される、請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項５】
前記表面は、前記粗面化前かつ前記構造を伴わない表面を通して透過される光出力電力と比較して、少なくとも２０％多くの光出力電力を、該表面を通して透過させ、前記ＬＥＤから出射させるように定寸される特徴または構造を伴って粗面化される、請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項６】
前記表面は、１ｎｍ以下の表面粗度を有する、前記ｐ型層の平面、平坦、または平滑表面を通して透過される光出力電力と比較して、少なくとも２０％多くの光出力電力を、該表面を通して透過させ、前記ＬＥＤから出射させるように定寸される構造を伴って粗面化あるいは構造化される、請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項７】
前記表面は、前記ｐ型層および前記ＬＥＤからの光を散乱または回折させるように定寸される、辺、寸法、幅、高度、および間隙を有する特徴または構造を伴って粗面化される、請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項８】
前記表面は、前記ｐ型層および前記ＬＥＤからの光の散乱、回折、または透過を向上させるために、該ｐ型層内の光の波長と少なくとも同程度の長さの辺、寸法、幅、高度、および間隙を有する特徴または構造を伴って粗面化され、好適には、該辺、該寸法、該幅、該高度、および該間隙は、少なくとも０．３μｍであり、より好適には、（ａ）該辺、該寸法、該高度、および該間隙は、最大２μｍであるか、または、（ｂ）該辺、該寸法、該高度、および該間隙は、最大１０μｍである、請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項９】
前記表面は、前記活性層からの光が、前記ｐ型層から外部媒体中への屈折のための臨界角内で該表面に衝突するように成形される、請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項１０】
前記表面は、前記光が、前記臨界角内で傾斜表面に衝突し、それによって、該傾斜表面における該光の全反射を実質的に防止するように定寸される１つ以上の傾斜表面を含み、好適には、該傾斜表面は、該光が、該臨界角内で該傾斜表面に衝突し、前記活性層からの光の４〜６％超が、該表面から抽出されるように、該臨界角で傾斜させられる、請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項１１】
前記表面は、２５ｎｍ以上の表面粗度を含む、請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項１２】
前記粗面化は、前記ｐ型層のＧａ面、非極性表面、または半極性表面上に形成される、請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項１３】
前記ｐ型層の粗面化された表面は、該粗面化された表面に入射する前記光を外部媒体中へと散乱させ、該光は、前記ＬＥＤの前記発光活性層から入射する、請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項１４】
ＩＩＩ族窒化物ベースの発光ダイオード（ＬＥＤ）を製造するための方法であって、該方法は、
該ＬＥＤのｐ型ＩＩＩ族窒化物層の表面を光電気化学的エッチングすることを含み、該表面は、該ｐ型ＩＩＩ族窒化物層とｎ型ＩＩＩ族窒化物層との間の発光活性層によって放出される光を抽出するための粗面化された表面であり、ＰＥＣエッチングされた表面は、該ｐ型ＩＩＩ族窒化物層の窒素面（Ｎ面）の表面ではない、方法。
【請求項１５】
前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物層、ｎ型ＩＩＩ族窒化物層、および活性層は、前記表面の粗面化プロセスによって導入されるイオン損傷を有さない、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物層、ｎ型ＩＩＩ族窒化物層、および活性層の材質は、粗面化された前記表面を有する前記ＬＥＤの電流−電圧（Ｉ−Ｖ）測定値が、該表面が粗面化される前の該ＬＥＤのＩ−Ｖ測定値と比較して、実質的に異ならないか、または、劣化していない、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記表面は、前記ｐ型層および前記ＬＥＤからの光を抽出するように定寸される特徴または構造を生成するために粗面化され、好適には、該表面は、該粗面化前の該ｐ型層の表面または該特徴または構造を伴わない表面からの抽出あるいは該粗面化前の該ｐ型層の表面または該特徴または構造を伴わない表面を通しての透過と比較して、該表面からより多くの光を抽出するかまたは該表面を通してより多くの光を透過するように定寸される特徴または構造を生成するために粗面化され、より好適には、該特徴または構造は、該ｐ型層および該ＬＥＤからの光を散乱、回折、屈折、または指向させるように定寸される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記表面は、前記粗面化前かつ前記構造を伴わない表面を通して透過される光出力電力と比較して、少なくとも２０％多くの光出力電力を該表面を通して透過させ、前記ＬＥＤから出射させるように定寸される特徴または構造を伴って粗面化される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記表面は、１ｎｍ以下の表面粗度を有する、前記ｐ型層の平面、平坦、または平滑表面を通して透過される光出力電力と比較して、少なくとも２０％多くの光出力電力を該表面を通して透過させ、前記ＬＥＤから出射させるように定寸される構造を伴って粗面化あるいは構造化される、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記表面は、前記ｐ型層および前記ＬＥＤからの光を散乱または回折させるように定寸される、辺、寸法、幅、高度、および間隙を有する特徴または構造を伴って粗面化される、請求項１４に記載の方法。
【請求項２１】
前記表面は、前記ｐ型層および前記ＬＥＤからの光の散乱、回折、または透過を向上させるために、該ｐ型層内の光の波長と少なくとも同程度の長さの辺、寸法、幅、高度、および間隙を有する特徴または構造を伴って粗面化され、好適には、該辺、該寸法、該幅、該高度、および該間隙は、少なくとも０．３μｍであり、より好適には、（ａ）該辺、該寸法、該高度、および該間隙は、最大２μｍであるか、または、（ｂ）該辺、該寸法、該高度、および該間隙は、最大１０μｍである、請求項１４に記載の方法。
【請求項２２】
前記表面は、前記活性層からの光が、前記ｐ型層から外部媒体中への屈折のための臨界角内で該表面に衝突するように成形される、請求項１４に記載の方法。
【請求項２３】
前記表面は、前記光が、前記臨界角内で傾斜表面に衝突し、それによって、該傾斜表面における該光の全反射を実質的に防止するように定寸される１つ以上の傾斜表面を含み、好適には、該傾斜表面は、該光が、該臨界角内で該傾斜表面に衝突し、前記活性層からの光の４〜６％超が、該表面から抽出されるように、該臨界角で傾斜させられる、請求項１４に記載の方法。
【請求項２４】
前記表面は、２５ｎｍ以上の表面粗度を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２５】
前記粗面化は、前記ｐ型層のＧａ面、非極性表面、または半極性表面上に形成される、請求項１４に記載の方法。
【請求項２６】
前記ｐ型層の粗面化された表面は、該粗面化された表面に入射する前記光を外部媒体中へと散乱させ、該光は、前記ＬＥＤの前記発光活性層から入射する、請求項１４に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
さらに、本発明は、ＩＩＩ族窒化物系ＬＥＤを製作するための方法であって、ＩＩＩ族窒化物系発光ＬＥＤのｐ型表面を粗面化するステップであって、ｐ型表面をＰＥＣエッチングするステップを含み、粗面化は、ＬＥＤから光を抽出するために好適である、ステップを含む、方法を開示する。
例えば、本発明は以下の項目を提供する。
（項目１）
発光ダイオード（ＬＥＤ）であって、
（ａ）該ＬＥＤによって放出される光を抽出するために、粗面化される表面を有する、ｐ型ＩＩＩ族窒化物層と、
（ｂ）ｎ型ＩＩＩ族窒化物層と、
（ｃ）該ｐ型ＩＩＩ族窒化物層と該ｎ型ＩＩＩ族窒化物層との間の該光を放出するための活性層と
を含む、ＬＥＤ。
（項目２）
上記ｐ型ＩＩＩ族窒化物層、ｎ型ＩＩＩ族窒化物層、および活性層は、上記表面の粗面化プロセスによって導入される、イオン損傷を有さない、項目１に記載のＬＥＤ。
（項目３）
上記ｐ型ＩＩＩ族窒化物層、ｎ型ＩＩＩ族窒化物層、および活性層の材質は、粗面化される上記表面を有する上記ＬＥＤの電流−電圧（Ｉ−Ｖ）測定値が、該表面が粗面化される前の該ＬＥＤのＩ−Ｖ測定値と比較して、実質的に異なる、または劣化されるほどのものではない、項目１に記載のＬＥＤ。
（項目４）
上記表面は、上記ｐ型層および上記ＬＥＤからの光を抽出するように定寸される、特徴または構造を生成するために粗面化される、項目１に記載のＬＥＤ。
（項目５）
上記表面は、上記粗面化前の上記ｐ型層の表面、または上記特徴または構造を伴わない表面からの抽出、あるいはそれを通しての透過と比較して、該表面からより多くの光を抽出する、もしくはそれを通してより多くの光を透過するように定寸される、特徴または構造を生成するために粗面化される、項目４に記載のＬＥＤ。
（項目６）
上記特徴または構造は、上記ｐ型層および上記ＬＥＤからの光を散乱、回折、屈折、または指向させるように定寸される、項目５に記載のＬＥＤ。
（項目７）
上記表面は、上記粗面化前かつ上記構造を伴わない表面を通して透過される光出力と比較して、少なくとも２０％多く、該表面を通して光出力を透過させ、上記ＬＥＤから出射させるように定寸される、特徴または構造を伴って粗面化される、項目１に記載のＬＥＤ。
（項目８）
上記表面は、１ｎｍ以下の表面粗度を有する、上記ｐ型層の平面、平坦、または平滑表面を通して透過される光出力と比較して、少なくとも２０％多く、該表面を通して光出力を透過させ、上記ＬＥＤから出射させるように定寸される、特徴または構造を伴って粗面化あるいは構造化される、項目１に記載のＬＥＤ。
（項目９）
上記表面は、上記ｐ型層および上記ＬＥＤからの光を散乱または回折させるように定寸される、辺、寸法、幅、高度、および間隙を有する特徴または構造を伴って粗面化される、項目１に記載のＬＥＤ。
（項目１０）
上記表面は、上記ｐ型層および上記ＬＥＤからの光の散乱、回折、または透過を向上させるために、該ｐ型層内の光の波長と少なくとも同程度の長さの辺、寸法、幅、高度、および間隙を有する特徴または構造を伴って粗面化される、項目１に記載のＬＥＤ。
（項目１１）
上記辺、上記寸法、上記幅、上記高度、および上記間隙は、少なくとも０．３μｍである、項目１０に記載のＬＥＤ。
（項目１２）
上記辺、上記寸法、上記高度、および上記間隙は、最大２μｍである、項目１１に記載のＬＥＤ。
（項目１３）
上記辺、上記寸法、上記高度、および上記間隙は、最大１０μｍである、項目１１に記載のＬＥＤ。
（項目１４）
上記表面は、上記活性層からの光が、上記ｐ型層から外部媒体中への屈折のための臨界角内で表面に衝突するように成形される、項目１に記載のＬＥＤ。
（項目１５）
上記表面は、上記光が、上記臨界角内で傾斜表面に衝突し、それによって、該傾斜表面における該光の全反射を実質的に防止するように定寸される、１つ以上の傾斜表面を含む、項目１に記載のＬＥＤ。
（項目１６）
上記傾斜表面は、上記光が、上記臨界角内で該傾斜表面に衝突し、上記活性層からの４−６％超の光が、該表面から抽出されるように、該臨界角に傾斜させられる、項目１５に記載のＬＥＤ。
（項目１７）
上記表面は、２５ｎｍ以上の表面粗度を含む、項目１に記載のＬＥＤ。
（項目１８）
上記粗面化は、上記ｐ型層のＮ面、Ｇａ面、非極性表面、または半極性表面上に形成される、項目１に記載のＬＥＤ。
（項目１９）
ＩＩＩ族窒化物系発光ダイオード（ＬＥＤ）を製作するための方法であって、
該ＩＩＩ族窒化物系発光ＬＥＤのｐ型表面を粗面化することであって、該粗面化は、該ｐ型表面を光電気化学的にエッチングすることを含み、該粗面化は、該ＬＥＤから光を抽出するために好適である、ことを含む、方法。
（項目２０）
発光ダイオード（ＬＥＤ）であって、ｐ型層の粗面を含み、該粗面は、該粗面に入射する光を外部媒体中へと散乱させ、該光は、該ＬＥＤの発光活性層から入射する、発光ダイオード。
（項目２１）
上記ＬＥＤは、ＩＩＩ族窒化物系であって、上記ｐ型層は、ＩＩＩ族窒化物である、項目２０に記載のＬＥＤ。
（項目２２）
発光ダイオードから光を抽出するための方法であって、ｐ型ＩＩＩ族窒化物層の粗面から光を抽出することを含む、方法。