(57)【要約】【課題】ストライプ状のリッジを形成する半導体レーザ装置のリッジ形状を左右対称な形状に形成することで動作時における電流分布を対称として、ホールバーニングを抑制してキンクレベルを向上させる。【解決手段】基板１１上に第１導電型の第１クラッド層１３、活性層１４、第２導電型の第２クラッド層の下層１５，上層１７、中間層１８、ガリウムヒ素からなるキャップ層１９を下層より順に形成した後、キャップ層１９から第２クラッド層の途中（第２クラッド層の上層１７上）までウエットエッチングして、キャップ層１９から第２クラッド層の上層１７まででストライプ状のリッジを形成する半導体レーザ装置の製造方法において、キャップ層１９のウエットエッチングは、過酸化水素水よりもリン酸を多く含むリン酸と過酸化水素水と水との混合液からなるエッチング液を用いて等方性エッチングする。【選択図】　　　　図１
2004103829.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１導電型の第１クラッド層、活性層、第２導電型の第２クラッド層、中間層、ガリウムヒ素からなるキャップ層を下層より順に形成した後、前記キャップ層から前記第２クラッド層の途中までウエットエッチングして、前記キャップ層から前記第２クラッド層の上層まででストライプ状のリッジを形成する半導体レーザ装置の製造方法において、
前記キャップ層のウエットエッチングは、過酸化水素水よりもリン酸を多く含むリン酸と過酸化水素水と水との混合液からなるエッチング液を用いて等方性エッチングすること
を特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項２】
基板上に形成された第１導電型の第１クラッド層と、
前記第１クラッド層上に形成された活性層と、
上層部分がストライプ状のリッジ形状に形成されたもので前記活性層上に形成された第２導電型の第２クラッド層と、
前記第２クラッド層上に形成されたキャップ層とを備えた半導体レーザ装置において、
前記キャップ層は、過酸化水素水よりもリン酸を多く含むリン酸と過酸化水素水と水との混合液からなるエッチング液を用いてガリウムヒ素層を等方性エッチングしたものからなること
を特徴とする半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置に関し、詳しくはストライプリッジが対象に形成される半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＯＦＦ角を有するガリウムインジウムリン（ＧａＩｎＰ）基板上にアルミニウムガリウムインジウムリン（ＡｌＧａＩｎＰ）半導体層、ガラスインジウムリン（ＧａＩｎＰ）半導体層を主な構成材料として形成される半導体赤色レーザのストライプ状のリッジを形成するについては、ＧａＩｎＰ基板が有する結晶方位の傾き（ＯＦＦ角）の影響により、通常のエッチャントで形成したリッジの断面形状は左右非対称形状となる。この場合のストライプ状のリッジを形成するプロセスとして、例えば以下のエッチャントが一般的である。ＧａＡｓキャップ層のエッチング（エッチング１）では、硫酸（Ｈ２　ＳＯ４　）系エッチング液を用い、中間層のエッチング（エッチング２）では塩酸（ＨＣｌ）系エッチング液を用い、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層のエッチング（エッチング３）では硫酸（Ｈ２　ＳＯ４　）系エッチング液を用いる。
【０００３】
この既述プロセスによって形成されたストライプ状のリッジの断面形状（非対称性）を定量的に数値化すると次の通りである。
【０００４】
上記エッチング方法により形成したストライプ状のリッジは、図７に示すように、リッジ２１の断面が等脚台形状にはならず、断面台形の上底Ｗｕの中心線Ｌｕと下底Ｗｄの中心Ｌｄとが｜Δｃ｜だけずれている台形となっている。例えば、ＧａＡｓキャップ層、ＧａＩｎＰ中間層、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層を上記条件でエッチングして、高さＨが０．６μｍとなるようにリッジ２１を形成した場合、｜Δｃ｜＝０．１７３μｍとなり、リッジ２１は左右非対称形状に形成された。
【０００５】
さらに、特開平１０−２７０７８６号公報には、臭化水素酸と過酸化水素水とを含む混合液を用いてストライプ状のリッジを形成する技術が開示されている。なお、特開平１０−２７０７８６号公報に記載の明細書段落００１２には「ｐ型ＧａＡｓ保護層８３をリン酸系エッチング液でエッチングしてストライプ状に形成し」と記載されている。さらに特開平１０−２７０７８６号公報に記載の明細書段落００２５には「臭化水素酸と過酸化水素水を含む混合液は、…（中略）…、この混合液にリン酸、塩酸、リン酸と塩酸、或いは水を混合することによって、エッチング速度の制御、エッチング断面形状の制御、或いは、エッチングの選択性を持たせることも可能であり」と記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記ストライプ状のリッジの左右非対称形状は、半導体レーザ装置の動作時における電流分布が非対称性となり、結果的にはキンクレベルの低下要因となるホールバーニングを誘発する。その結果、半導体レーザ装置の最高使用発振出力が低くなり、高出力化、高信頼性化の妨げとなっている。また、ストライプ状のリッジを左右対称な形状に形成する方法として、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）といったドライエッチングが挙げられる。しかしながら、ドライエッチング装置は高価な上、毒性のあるエッチングガスを使用するため安全性に欠けるという欠点を有している。そこで、ドライエッチングよりも安価で安全性が高いウエットエッチングによって、半導体レーザ装置のストライプ状のリッジを形成する製造方法が求められている。
【０００７】
また、特開平１０−２７０７８６号公報に記載された臭化水素酸と過酸化水素水とを含む混合液を用いてストライプ状のリッジを形成する技術では、この混合液にリン酸、塩酸、リン酸と塩酸、或いは水を混合することによって、エッチング断面形状の制御することも可能であるとしているが、本願発明の目的とするリッジの断面形状を対称な台形状に形成することができるかは記載がなく不明である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するためになされた半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置である。
【０００９】
本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、基板上に第１導電型の第１クラッド層、活性層、第２導電型の第２クラッド層、中間層、ガリウムヒ素からなるキャップ層を下層より順に形成した後、前記キャップ層から前記第２クラッド層の途中までウエットエッチングして、前記キャップ層から前記第２クラッド層の上層まででストライプ状のリッジを形成する半導体レーザ装置の製造方法において、前記キャップ層のウエットエッチングは、過酸化水素水よりもリン酸を多く含むリン酸と過酸化水素水と水との混合液からなるエッチング液を用いて等方性エッチングすることである。
【００１０】
上記半導体レーザ装置の製造方法では、キャップ層のウエットエッチングは、過酸化水素水よりもリン酸を多く含むリン酸と過酸化水素水と水との混合液からなるエッチング液を用いて等方性エッチングすることから、電流供給領域となるストライプ状のリッジは、その断面がほぼ等脚台形に形成されるようになる。このため、リッジの非対称性に起因して発生していた半導体レーザ装置の動作時における電流分布の非対称性が改善され、キンクレベルの低下要因であるホールバーニングを抑制することが可能になる。
【００１１】
本発明の半導体レーザ装置は、基板上に形成された第１導電型の第１クラッド層と、前記第１クラッド層上に形成された活性層と、上層部分がストライプ状のリッジ形状に形成されたもので前記活性層上に形成された第２導電型の第２クラッド層と、前記第２クラッド層上に形成されたキャップ層とを備えた半導体レーザ装置において、前記キャップ層は、過酸化水素水よりもリン酸を多く含むリン酸と過酸化水素水と水との混合液からなるエッチング液を用いてガリウムヒ素層を等方性エッチングしたものからなるものである。
【００１２】
上記半導体レーザ装置では、キャップ層は、過酸化水素水よりもリン酸を多く含むリン酸と過酸化水素水と水との混合液からなるエッチング液を用いてガリウムヒ素層を等方性エッチングしたものからなることから、電流供給領域となるストライプ状のリッジは、その断面がほぼ等脚台形に形成されている。このため、リッジの非対称性に起因して発生していた半導体レーザ装置の動作時における電流分布の非対称性が改善され、キンクレベルの低下要因であるホールバーニングを抑制することが可能になる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体レーザ装置の製造方法に係る一実施の形態を、図１の概略構成断面図によって説明する。図１では、一例として、赤色発光の半導体レーザ装置の製造方法を示す。
【００１４】
図１の（１）に示すように、例えば、有機金属気相エピタキシャル成長法のようなエピタキシャル成長法によって、第１導電型（以下第１導電型をｎ型とする）の基板１１上にｎ型のバッファ層１２を介してｎ型の第１クラッド層１３、多重量子井戸構造、バリア層およびガイド層を含む活性層１４、第２導電型（以下第２導電型をｐ型とする）の第２クラッド層の下層１５、エッチングストッパ層１６、ｐ型の第２クラッド層の上層１７、中間層１８、ｐ型のキャップ層１９を順に形成する。
【００１５】
上記基板１１には例えばｎ型のガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板を用い、上記バッファ層１２は例えばｎ型のガリウムインジウムリン（ＧａＩｎＰ）層で形成し、上記第１クラッド層は例えばｎ型のアルミニウムガリウムインジウムリン（ＡｌＧａＩｎＰ）層で形成する。上記活性層１４は、例えば発振波長が６５０ｎｍの多重量子井戸層構造、バリア層および光ガイド層を含む層で形成する。
【００１６】
上記ｐ型の第２クラッド層の下層１５は、例えばｐ型のアルミニウムガリウムインジウムリン（ＡｌＧａＩｎＰ）層で形成する。上記エッチングストッパ層１６は、例えばガリウムインジウムリン（ＧａＩｎＰ）層で１５ｎｍの厚さに形成し、上記第２クラッド層の上層１７は、例えばｐ型のアルミニウムガリウムインジウムリン（ＡｌＧａＩｎＰ）層で２５０ｎｍの厚さに形成する。さらに上記中間層１８は、例えばガリウムインジウムリン（ＧａＩｎＰ）層で３０ｎｍの厚さに形成し、上記キャップ層１９は、例えばｐ型のガリウムヒ素（ＧａＡｓ）層で３５０ｎｍの厚さに形成する。
【００１７】
次いで、上記コンタクト層１９上にリッジを形成するためのマスク層３１を、通常のリソグラフィー技術を用いて例えばレジストで形成する。
【００１８】
次に、図１の（２）に示すように、上記マスク層３１をマスクにしてウエットエッチングを行い、上記マスク層３１下に上記キャップ層１９から上記第２クラッド層の上層１７を残すとともに、電流注入ストライプ領域２１を除く上記キャップ層１９から上記第２クラッド層の上層１７までを除去する。
【００１９】
ガリウムヒ素からなる上記キャップ層１９は、過酸化水素水よりもリン酸を多く含むリン酸と過酸化水素水と水との混合液からなるエッチング液を用いて等方性のウエットエッチングによりエッチングされる。
【００２０】
ここで、上記エッチング液について詳細に説明する。上記エッチング液は、例えば、その成分比を、リン酸（Ｈ３　ＰＯ４　）：過酸化水素水（Ｈ２　Ｏ２　）：水（Ｈ２　Ｏ）＝３：１：３０〜５０とする。
【００２１】
上記エッチング液は、リン酸：過酸化水素水＝３：１の場合に、水の割合を３０〜５０としたのは、水の割合が３０よりも少なくなるとエッチングレートが大きくなりエッチング量の時間制御が困難になり、水の割合が５０よりも多くなると逆にエッチングレートが小さくなりエッチング時間の長時間化に伴うウエハ面内のエッチング量のバラツキが大きくなるためである。よって、水の割合は３０〜５０とした。
【００２２】
上記過酸化水素水よりもリン酸を多く含むリン酸と過酸化水素水と水との混合液からなるエッチング液の温度は、２０℃よりも低くなると、ガリウムヒ素層のエッチングが結晶方位にそった異方性エッチングとなる成分が多くなるため、等方性エッチングが困難になる。さらに、図２の｜Δｃ｜とエッチング液の温度との関係図に示すように、エッチング液の温度を高くすれば｜Δｃ｜が小さくなる。この｜Δｃ｜はリッジ２１断面形状における台形の上底の中心線Ｌｕと下底の中心Ｌｄとの差であるから、エッチング液の温度を高くするほど、リッジ２１の断面形状が等脚台形に近くなることがわかる。このことは、リン酸（Ｈ３　ＰＯ４　）：過酸化水素水（Ｈ２　Ｏ２　）：水（Ｈ２　Ｏ）＝３：１：５０のエッチング液に限定されず、過酸化水素水よりもリン酸を多く含むリン酸と過酸化水素水と水との混合液からなるエッチング液にいえることである。また、｜Δｃ｜はできうる限り小さくすることが好ましいが、最大でも０．１５μｍ以下とすることが望まれ、好ましくは０．１μｍ以下とする。そこで、上記エッチング液の液温は２０℃以上３５℃以下とする必要がある。また温度設定したエッチング液の液温のばらつきは、±１．０℃に設定することが好ましい。
【００２３】
また、プロセスの作業性からエッチング速度を１００ｎｍ／ｍｉｎ〜１３０ｎｍ／ｍｉｎとすることが要求されている。例えば、リン酸：過酸化水素水＝３：１の場合には、エッチング速度を１００ｎｍ／ｍｉｎ〜１３０ｎｍ／ｍｉｎとすることが好ましい。
【００２４】
ここで上記各条件を、図３のエッチング速度をパラメータとした水の成分比とエッチング液の温度との関係図に表す。したがって、図３に示すように、実線で囲んだ斜線で示す領域が、上記エッチング液の温度と水の成分比とを満足する範囲となる。よって、一例として、上記エッチング液は、リン酸：過酸化水素水：水＝３：１：３０〜５０とし、液温を３０．０±１．０℃に設定することが好ましい。このようなエッチング液を用いることによって、ガリウムヒ素からなるキャップ層１９のエッチングはキャップ層１９の結晶方位に対して等方的にエッチングが進行される。
【００２５】
次いで、酢酸系エッチング液（例えば、酢酸と過酸化水素水と塩酸との混合液）を用いて中間層１８をエッチングする。さらに硫酸系エッチング液（例えば、硫酸と水との混合液）を用いて第２クラッド層の上層１７をエッチングする。このエッチングでは、一旦、エッチングストッパ層１６でエッチングを停止する。このようにして、ストライプ状のリッジ２１を形成する。
【００２６】
その後、エッチングストッパ層１６のみを選択的にエッチングする条件でエッチングストッパ層１６をエッチングして、リッジ２１より電流が注入される電流注入領域２１を除く第２クラッド層の上層１５上のエッチングストッパ層１６を除去する。その結果、図１の（３）に示すように、リッジ２１下を除く第２クラッド層の下層１５表面が露出される。なお、上記エッチングストッパ層１６を設けず、第２クラッド層の下層１５と第２クラッド層の上層１７を一つの層、例えばｐ型のＡｌＧａＩｎＰ層で形成することも可能である。この場合には、ｐ型のＡｌＧａＩｎＰ層のエッチングを途中で停止することにより、電流注入ストライプ領域２１上にｐ型のＡｌＧａＩｎＰ層をリッジ状に形成するとともに、ｐ型のＡｌＧａＩｎＰ層を活性層１４上全面に残せばよい。
【００２７】
その後、上記マスク層３１を除去する。その後の工程は、既存のプロセスによる。例えば図示はしないが、ｎ側電極およびｐ側電極を形成する。このようにして、半導体レーザ装置１が製造される。なお、上記リッジ２１両側における上記第２クラッド層の下層１５上に電流狭窄層を形成することも可能である。
【００２８】
上記半導体レーザ装置の製造方法では、キャップ層１９のウエットエッチングは、過酸化水素水よりもリン酸を多く含むリン酸と過酸化水素水と水との混合液からなるエッチング液を用いて等方性エッチングすることから、電流供給領域となるストライプ状のリッジ２１は、その断面がほぼ等脚台形に形成されるようになる。このため、リッジ２１の非対称性に起因して発生していた半導体レーザ装置１の動作時における電流分布の非対称性が改善され、キンクレベルの低下要因であるホールバーニングを抑制することが可能になる。
【００２９】
次に、本発明の半導体レーザ装置に係る一実施の形態を図４によって以下に説明する。
【００３０】
図４に示すように、第１導電型（以下第１導電型をｎ型として説明する）の基板１１上にバッファ層１２を介してｎ型の第１クラッド層１３が形成されている。上記基板１１は、例えばｎ型のＧａＡｓ基板からなり、上記バッファ層１２は、ｎ型のガリウムインジウムリン（ＧａＩｎＰ）層からなる。また上記第１クラッド層は、ｎ型のアルミニウムガリウムインジウムリン（ＡｌＧａＩｎＰ）層からなる。
【００３１】
上記第１クラッド層１３上には、発振波長が６５０ｎｍの多重量子井戸層構造、バリア層および光ガイド層を含む活性層１４が形成されている。上記活性層１４上には、第２導電型（以下第２導電型をｐ型として説明する）の第２クラッド層の下層１５が形成されている。この第２クラッド層の下層１５は、例えばｐ型のアルミニウムガリウムインジウムリン（ＡｌＧａＩｎＰ）層からなる。
【００３２】
上記第２クラッド層の下層１５上における電流注入領域２１には、エッチングストッパ層１６を介して第２導電型の第２クラッド層の上層１７がストライプ状に形成され、さらに上記第２クラッド層の上層１７上に中間層１８を介してキャップ層１９が形成されている。すなわち、上記エッチングストッパ層１６から上記キャップ層１９までの積層体によりストライプ状のリッジ２１が形成されている。
【００３３】
上記エッチングストッパ層１６は、例えばガリウムインジウムリン（ＧａＩｎＰ）層からなる。また上記第２クラッド層の上層１７は、例えばｐ型のアルミニウムガリウムインジウムリン（ＡｌＧａＩｎＰ）層からなる。上記中間層１８は、例えばガリウムインジウムリン（ＧａＩｎＰ）層からなる。上記キャップ層１９は、過酸化水素水よりもリン酸を多く含むリン酸と過酸化水素水と水との混合液からなるエッチング液を用いてｐ型のガリウムヒ素（ＧａＡｓ）層を等方性エッチングしたものからなる。なお、上記エッチングストッパ層１６を設けず、第２クラッド層の下層１５と第２クラッド層の上層１７とを一つの層、例えばｐ型のアルミニウムガリウムインジウムリン（ＡｌＧａＩｎＰ）層で形成することも可能である。
【００３４】
図示はしていないが、キャップ層１９に接続するｎ側電極および第１クラッド層１３に接続するｐ側電極が形成されている。なお、上記リッジ２１両側における上記第２クラッド層の下層１５上に電流狭窄層を形成することも可能である。
【００３５】
次に、上記製造方法によって形成された半導体レーザ装置のストライプ状のリッジ２１の断面形状を数値化して、従来の技術で説明した製造方法により形成された半導体レーザ装置のストライプ状のリッジの断面形状と比較し、その結果を表１に示す。
【００３６】
【表１】
2004103829.tif 000003
【００３７】
表１に示すように、ＧａＡｓ層からなるキャップ層のエッチング（エッチング１）では、｜Δｃ｜が従来のエッチングでは０．０８１であったのが本発明の製造方法によるエッチングでは０．００５に改善できた。すなわち、リッジを構成するキャップ層の部分はほぼ等脚台形状の断面に形成することができた。またＧａＩｎＰ層からなる中間層のエッチング（エッチング２）では、｜Δｃ｜が従来のエッチングでは０．１８７であったのが本発明の製造方法では０．０２９に改善できた。さらにＡｌＧａＩｎＰクラッド層のエッチング（エッチング３）では、｜Δｃ｜が従来のエッチングでは０．１７３であったのが本発明の製造方法では０．０８７に改善できた。このように、過酸化水素水よりもリン酸を多く含むリン酸と過酸化水素水と水との混合液からなるエッチング液を用いてキャップ層をエッチングすることにより、その後の中間層、第２クラッド層の上層のエッチングにおいても、｜Δｃ｜が改善された。これは、キャップ層がほぼ等脚台形状の断面に形成されたことに起因する。なお、上記｜Δｃ｜は、従来の技術で説明した定義による。
【００３８】
このように、本発明の半導体レーザ装置の製造方法を採用することにより、左右対称となる断面等脚台形のストライプ状のリッジを容易に形成することができるとともに、安全、安価に実現することが可能となる。また、ストライプ状のリッジの左右対称性が増すことによってレーザ動作時の電流分布も対称性が増し、結果としてホールバーニングが抑制されてキンクレベルが上昇する。
【００３９】
次に、半導体レーザ装置の微分効率と│ΔＣ│との関係を調べた。その結果を、図５の微分効率と│ΔＣ│との関係図により説明する。図５の縦軸の微分効率とはレーザ出力が９ｍＷ〜１１ｍＷ時の発光効率であり、横軸の│ΔＣ│は前記従来の技術で説明して通り、リッジの台形断面形状における上底の中心線と下底の中心線とのずれ量である。
【００４０】
図５に示すように、従来の技術で製造した半導体レーザ装置は領域Ｂに示す範囲に分布し、本発明の製造方法で製造した半導体レーザ装置は領域Ａに示す範囲に分布した。上記領域Ａ，領域Ｂの平均値を求めると、従来の製造方法で製造した半導体レーザ装置では、│ΔＣ│の平均値が０．２１２μｍであり、微分効率が０．８６Ｗ／Ａであった。本発明の製造方法で製造した半導体レーザ装置では、│ΔＣ│の平均値が０．１３７μｍであり、微分効率が０．９２Ｗ／Ａであった。よって、本発明の製造方法で製造した半導体レーザ装置は微分効率が向上されたものとなったことがわかる。
【００４１】
次に、半導体レーザ装置のスロープ効率を、図６の光出力と動作電流との関係図により説明する。図６では、（１）に従来の製造方法により製造された半導体レーザ装置を示し、（２）に本発明の製造方法により製造された半導体レーザ装置を示す。また各図の縦軸に半導体レーザ装置の光出力を表し、横軸に動作電流を表す。
【００４２】
図６の（１）に示すように、従来の製造方法により製造された半導体レーザ装置では、光出力が１１．５ｍＷ〜１３ｍＷ付近にスロープ効率と呼ばれる電流／光出力変換効率に変化が見られる。これは、キンクが発生していることを表している。一方、図６の（２）に示すように、本発明の製造方法により製造された半導体レーザ装置では、光出力が１５ｍＷまでスロープ効率と呼ばれる電流／光出力変換効率は、電流の増加とともに光出力の一様に増加し、図６の（１）に示すような電流／光出力変換効率の変化は起こらない。これは、│ΔＣ│の改善によって、キンクの原因となるホールバーニングが抑制されたためと考えられる。
【００４３】
よって、従来の技術で製造された半導体レーザ装置ではキンクレベルが８〜１１ｍＷ程度であったのに対して、本発明の製造方法で製造された半導体レーザ装置は１１ｍＷ以上のキンクレベルが実現可能となった。
【００４４】
【発明の効果】
以上、説明したように本発明の半導体レーザ装置の製造方法によれば、キャップ層のウエットエッチングは、過酸化水素水よりもリン酸を多く含むリン酸と過酸化水素水と水との混合液からなるエッチング液を用いて等方性エッチングするので、電流供給領域となるストライプ状のリッジは、その断面がほぼ等脚台形に形成できるようになる。このため、リッジの非対称性に起因して発生していた半導体レーザ装置の動作時における電流分布の非対称性が改善され、キンクレベルの低下要因であるホールバーニングを抑制することができる。
【００４５】
本発明の半導体レーザ装置によれば、過酸化水素水よりもリン酸を多く含むリン酸と過酸化水素水と水との混合液からなるエッチング液を用いてガリウムヒ素層を等方性エッチングしたものからなるので、電流供給領域となるストライプ状のリッジは、その断面がほぼ等脚台形に形成されている。このため、リッジの非対称性に起因して発生していた半導体レーザ装置の動作時における電流分布の非対称性が改善され、キンクレベルの低下要因であるホールバーニングを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体レーザ装置の製造方法に係る一実施の形態を示す概略構成断面図である。
【図２】｜Δｃ｜とエッチング液の温度との関係図である。
【図３】エッチング速度をパラメータとした水の成分比とエッチング液の温度との関係図である。
【図４】本発明の半導体レーザ装置に係る一実施の形態を示す概略構成断面図である。
【図５】半導体レーザ装置の微分効率と│ΔＣ│との関係図である。
【図６】半導体レーザ装置のスロープ効率を示す光出力と動作電流との関係図である。
【図７】｜Δｃ｜の定義の説明図である。
【符号の説明】
１１…基板、１３…第１クラッド層、１４…活性層、１５…第２クラッド層の下層、１７…第２クラッド層の上層、１８…中間層、１９…キャップ層、２１…リッジ
【図１】
2004103829.tif 000004
【図２】
2004103829.tif 000005
【図３】
2004103829.tif 000006
【図４】
2004103829.tif 000007
【図５】
2004103829.tif 000008
【図６】
2004103829.tif 000009
【図７】
2004103829.tif 000010