【手続補正書】
【提出日】平成15年8月29日(2003.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその形成方法
【特許請求の範囲】
【請求項１】樹脂基板上に配置された半導体素子の電極を第１のボンディングとし、第１のボンディングからワイヤにより接続された樹脂基板上のリード電極を第２のボンディングとしてワイヤボンディングした半導体装置であって、
前記リード電極は平面側において周辺部より内部に向かって凸状形状を有すると共に該リード電極の端部の少なくとも一部を樹脂で埋没していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】前記リード電極の先端は、基板と連続した樹脂で固定している請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】前記半導体素子は光半導体素子であり、前記リード電極の端部を埋没する樹脂はリード電極の平面に対してテーパー状の突起形状である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】前記リード電極の先端は、接着剤を塗布して固定している請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】前記リード電極の先端は、一部を隆起させた基板に埋め込まれている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】前記第二のボンディングがされるリード電極の先端は、パッケージ凹部底面およびボンディング表面よりも一段低い形状である請求項１乃至５に記載の半導体装置。
【請求項７】前記突起形状のテーパーはリード電極の平面に対して鈍角からなる請求項３に記載の半導体装置。
【請求項８】半導体素子の電極と、該半導体素子を配置させる基板に設けられたリード電極とをワイヤで接続した半導体装置の形成方法であって、
リード電極は平面側において凸状平板であると共に該凸状平板の少なくとも一部を樹脂で埋没させた基板をモールディング成形する工程と、
該基板上に半導体素子を配置する工程と、
該半導体素子の電極にワイヤの一端を第１のボンディングする工程と、
前記リード電極上を前記ワイヤの他端として第２のボンディングする工程とを有する半導体装置の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体素子とリード電極とを導電性ワイヤで接続させた半導体装置に係わり、特に、ワイヤの密着強度を向上させ信頼性の高い半導体装置を歩留まりよく提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子を外部環境から保護し取り扱いやすくするため、基板上に半導体素子を配置すると共に基板に設けられたリード電極と半導体素子とをワイヤボンディングにより接続させたものがある。具体的には、図６（Ａ）及びそのＸＸ断面である図６（Ｂ）に示す如く、断面がコの字状に曲げた平板金属のリード電極６０２を外部電極としてインサート成形などによりモールディングさせたパッケージ６０５が形成される。このパッケージ６０５の開口部内にＬＥＤチップなどの半導体素子６０４をエポキシ樹脂などを用いてマウントする。ＬＥＤチップ６０４の各電極と、パッケージ６０５に設けられたリード電極６０２とは金線などのワイヤ６０３を用いてワイヤボンディングされている。
【０００３】
ワイヤボンディングは不示図のキャピラリに通した金線に予めボールを形成させる。形成させたボールをＬＥＤチップ上の電極に第１のボンディング（ボールボンディング）した後、ワイヤを延ばしリード電極上でワイヤごとキャピラリを押し当て超音波で第２のボンディングする。
【０００４】
こうしてリード電極と半導体素子の電極とがワイヤによって接続された半導体装置に電流を供給するとワイヤを介してＬＥＤチップ６０４に電流が流れ発光する。予めリード電極６０２が埋め込まれたパッケージ６０５を利用することにより、ＬＥＤチップ６０４を保護すると共に比較的簡単に電気的に接続させることができる。また、極めて小さい半導体素子の場合、導電性ペーストや金属バンプを利用してリード電極と接続させると短絡の危険性がある。そのため、リード電極と半導体素子の電極とをワイヤボンディングすることで、量産性よく小型化可能な半導体装置とすることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、基板となるパッケージ６０５上に予め形成させたリード電極６０２をモールドにより一体的に形成させた場合、ワイヤ６０３の密着性が低下する傾向にある。特に、図７の如く凸状平板のリード電極を利用した場合、急激にワイヤの密着性が低下する傾向にある。また、ワイヤ６０３が一定の密着力を有する半導体装置６００を歩留まり良く形成できない。さらに、光半導体装置は利用効率を高める目的で、光半導体素子及びリード電極が配置された反射性を有するパッケージ上に光の放射や入射を行う透光性樹脂で保護膜を形成する場合がある。この場合、パッケージを構成する樹脂と保護膜を構成する樹脂との熱膨張係数の違いなどによりワイヤに力がかかる。力が大きい場合、ワイヤが剥離しやすい傾向にあるという問題がある。
【０００６】
熱衝撃や温度サイクル条件の極めて厳しい環境下において使用される現在においては、上記構成の半導体装置では十分でなく更なる改良が求められている。したがって、本発明の目的は上記問題を解決し信頼性高く量産性のよい半導体装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明の目的は以下（１）〜（４）の構成によって達成することができる。
【０００８】
（１）樹脂基板上に配置された半導体素子の電極を第１のボンディングとし、第１のボンディングからワイヤにより接続された樹脂基板上のリード電極を第２のボンディングとしてワイヤボンディングした半導体装置であって、リード電極は平面側において周辺部より内部に向かって凸状形状を有すると共にリード電極の端部の少なくとも一部を樹脂で埋没している半導体装置である。つまり、先端が凸状平板のリード電極を予めモールディング成形により一体的に形成させた基板を利用した半導体装置において、樹脂で先端が被覆されたリード電極上にワイヤを第２のボンディングさせるものである。これにより基板上にリード電極を機械的に固定し第２のボンディング側のワイヤ密着強度を大幅に向上させるものである。
【０００９】
（２）リード電極の先端は基板と連続した樹脂で固定している半導体装置である。これにより、リード電極と基板を構成する樹脂とが一体となった比較的簡単な構成で効率よくリード電極を固定することができる。
【００１０】
（３）半導体素子は光半導体素子であり、リード電極の凸状端部を埋没する樹脂はリード電極の平面に対してテーパー状の突起形状を有する半導体装置である。これにより、リード電極との密着性向上と共に光利用効率が高くなる。
【００１１】
（４）突起形状のテーパーはリード電極の平面に対して鈍角な半導体装置である。これにより、半導体素子の光利用効率を高くすることができる。
【００１２】
（５）半導体素子の電極と、半導体素子を配置させる基板に設けられたリード電極とをワイヤで接続した半導体装置の形成方法であって、リード電極は平面側において凸状平板であると共に凸状平板の少なくとも一部を樹脂で埋没させた基板をモールディング成形する工程と、基板上に半導体素子を配置する工程と、半導体素子の電極にワイヤの一端を第１のボンディングする工程と、リード電極上をワイヤの他端として第２のボンディングする工程とを有する半導体装置の形成方法である。これにより、比較的簡単な工程で信頼性かつ歩留まりの高い半導体装置を形成することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明者は種々実験の結果、モールディングにより形成された基板上のリード電極に第２のボンディングする場合においては、第２のボンディング側におけるワイヤの密着性が特定形状の基板及び／又は特定の電極により大きく変化することを見出し本発明を成すに至った。
【００１４】
本発明による特性向上の理由は定かでないが、ワイヤボンディングした第２のボンディング側の密着性が基板とリード電極との密着強度に大きく関係があるためと考えられる。即ち、リード電極がモールディングにより予め一体成形された基板では本来、リード電極が金属（以下、合金も含む。）であるため基板を構成する樹脂との密着性がない。そこで、外部と接続される基板裏側の露出面と、半導体素子が配置されワイヤで接続される基板表側の露出面以外は、断面がコの字形状のリード電極を基板中に埋め込ませることが好ましい。これにより、リード電極を基板と機械的に保持することができる。
【００１５】
しかしながら、電極の有効面積拡大、電極、半導体素子の配置やワイヤボンディングのし易さ、コントラスト比向上などのため第２のボンディングされるリード電極先端の露出面が増えるにつれ、基板からリード電極端部が離れる傾向にある。特に、図７の如く、平面側が半円状や２辺以上からなる凸状のリード電極７０２を利用した場合、先端ほど乖離する。このような、リード電極先端部位７０１の乖離は半導体装置７００全体からすると約２００μｍから６００μｍ程度と小さい。しかし、リード電極７０２の厚みは通常２００μｍ程度であり、超音波融着されるワイヤ７０３から見たリード電極７０２のバタツキは極めて大きなものとなる。
【００１６】
図５にサーモソニック・ワイヤボンディングを実施する場合を示す。この場合、キャピラリ５０６をリード電極５０３ごと押しつけていても、リード電極５０２先端は極めて小さなバタツキ振動を起こす。ワイヤを接合するのに使用されるべきキャピラリ５０６からの超音波エネルギーの一部がリード電極５０２のバタツキに消費されてしまう。そのため、平面側が凸状先端のリード電極５０２を用いた場合、第２のボンディング部分の接合安定性が急激に悪くなる。ワイヤボンディング時の接合不良、ボンディング強度の低下等、歩留まりや信頼性の向上の阻害要因となっていると考えられる。
【００１７】
本発明はワイヤの第２のボンディングを行うリード電極５０２の先端を機械的に固定させることによりワイヤボンディング用のエネルギーを効率よく伝達し所望の密着強度を図るものである。以下、本発明の一実施形態について詳述する。具体的には、光半導体素子としてＬＥＤチップの代わりに光センサを使用した以外は、図２とほぼ同様の構成となる。
【００１８】
リード電極２０２を有する基板２０５上に光センサとして、窒化物半導体を利用した光半導体素子を利用する。基板２０５上のリード電極２０２は一対の対向外部電極を構成している。基板２０５はリード電極２０２とインサート成形により一体的に形成されている。基板２０５は凹部を有し、凹部底面にてリード電極２０５が露出している。凹部底面に露出したリード電極２０５の先端部が接着剤２０１で被覆させた構成となっている。
【００１９】
光半導体素子としては、サファイア基板上にｎ型窒化ガリウムと、その上に一対の対向電極を構成するＳｉを高濃度に添付させたｎ+型窒化ガリウム層及びワイヤボンドされる金属層を設けてある。光半導体素子を基板上にエポキシ樹脂でマウントさせる。光半導体素子の電極上を第１のボンディング、基板に露出したリード電極を第２のボンディングとして金線によりワイヤボンドしてある。これにより比較的簡単な構成で信頼性の高い半導体装置を構成することができる。以下、本発明の各構成について詳述する。
【００２０】
（リード電極１０２、２０２、３０２、４０２）
基板１０５上に設けられたリード電極１０２は、半導体素子１０４にワイヤ１０３を介して外部から電流を供給する或いは、電流を放出するものである。特に、本発明のリード電極１０２は少なくともワイヤ１０３が超音波による融着を利用した第２のボンディングがなされるものである。また、基板１０５とリード電極１０２とはモールディングにより一体成形される。
【００２１】
このようなリード電極１０２は種々の金属によって形成させることができる。具体的には、金、銀をメッキなど積層させた鉄、銅や鉄入り銅、リン青銅、アルミニウムなどが挙げられる。基板となるパッケージ開口部の底面上に露出したリード電極の形状は、種々の形状とすることができる。本発明においては、複数のリード電極を配置する場合や外光による反射を抑制する場合などのため、平板板状リード電極１０２の先端が凸状のものである。なお、凸状先端とは、本発明の特徴である樹脂１０１、２０１、３０１、４０１により被覆されなければ少なくとも一部に凸状の先端を持ったものである。凸状先端は鋭角、鈍角、２辺以上の辺を持った多角形、半円状や楕円状など種々の形状が考えられる。
【００２２】
図６の如き露出したリード電極が１辺のみの場合、他の辺は基板により機械的に固定されている状態となる。この場合は、リード電極のバタツキはほとんど生じない。しかし、図７の如き凸状平板のリード電極７０２先端は、図５に示すように他の辺を基板により機械的に固定していたとしても、凸状のリード電極５０２先端がインサート成形で形成された非密着性或いは密着力の弱い基板５０５から乖離する。そのため本発明の効果が強く働く。このような凸状平板であるリード電極５０２先端の固定は、図１（Ｂ）の如く基板１０５の一部を隆起させリード電極１０２先端を埋め込む、図２（Ｂ）の如く形成されたリード電極２０２先端に接着剤２０１を塗布して基板２０５に固定する。或いは、図３（Ｂ）の如くリード電極３０２先端を基板３０５中に埋め込んだ形状にするなどの方法がある。製造のし易さや信頼性の点から図１又は図４の如き基板１０５の一部を隆起させリード電極１０２先端を埋め込むことが最も好ましい。このようなリード電極を樹脂で埋没させるためにはインサート成型時などの金型で比較的簡単に一体成形することができる。
【００２３】
また、図４の如く、埋め込めに利用した樹脂部位４０１を光半導体装置４００の反射鏡として利用することができる。リード電極４０２の先端を基板４０５平面から突出した樹脂部位４０１によって覆った場合、樹脂部位４０１がテーパー状の突起形状とすることにより光半導体素子へ入射される光或いは、光半導体素子４０４、４１４、４２４から発光する光を反射して光利用効率を高めることができる。テーパーがリード電極４０２の平面に対して鈍角にすることで光の利用効率をより高めることができる。なお、リード電極４０２の先端部のみならず第２のボンディングされるリード電極４０２の外周を全て埋め込む、或いは樹脂で覆ってもてよいことは言うまでもない。
【００２４】
（ワイヤ１０３、２０３、３０３、４０３）
ワイヤ１０３としては半導体素子１０４の電極とのオーミック性、機械的接続性、電気伝導性及び熱伝導性が良いことが好ましい。熱伝導度としては０．０１ｃａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以上が好ましく、より好ましくは０．５ｃａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以上である。これにより効率的に超音波融着できると共に半導体素子の発熱を効率よく外部に取り出すことができる。また、作業性を考慮してワイヤの直径は、好ましくはφ１０μｍ以上、φ４５μｍ以下である。このような導電性のワイヤとして具体的には金、銅、白金、アルミニウム等の金属を用いたものが好適に挙げられる。
【００２５】
ワイヤ５０３はキャピラリ５０６に通した後、先端を水素ガス炎、放電などによりボールを形成させる。ボールを形成させたワイヤ５０３を半導体素子５０４の電極上に圧着させ超音波を掛けることなどにより第１のボンディングを行うことができる（不示図）。次に、ワイヤ５０３を延ばしながら半導体上から見て先端が凸状のリード電極５０２にキャピラリ５０６ごとワイヤ５０３を押しつける。キャピラリ５０６をワイヤ５０３ごとリード電極５０２上に押し当てたままサーモソニック・ボンディング或いは、ソニック・ボンディングなど超音波融着によるワイヤボンディング法にて第２のボンディングを行う。第１のボンディングに引き続いて接続される第２のボンディングは、予めボールを形成することができないためリード電極上に形成されたワイヤの厚みは極めて薄くなる。
【００２６】
（半導体素子１０４、２０４、３０４、４０４、４１４、４２４）
半導体素子としては発光素子、受光素子のみならず種々の半導体素子を用いることができる。また、半導体材料としてもＳｉ、Ｇｅ、Ｇａを主成分としたものや種々の材料のものが挙げられる。このような半導体素子の具体例として光半導体素子の一例を示す。発光素子として窒化物半導体を利用したＬＥＤチップが挙げられる。窒化物半導体素子を利用した発光素子は、サファイア基板上にバッファ層を介して、窒化ガリウムからなるｎ型コンタクト層、窒化インジウム・ガリウムからなる量子効果が生ずる厚さとされる発光層、窒化アルミニウム・ガリウムからなるｐ型クラッド層、窒化ガリウムからなるｐ型コンタクト層をＭＯＣＶＤ法などにより成膜することができる。成膜された半導体ウエハーを部分的にエッチングすると共に分離することによりｐｎ接合を有するＬＥＤチップを形成することができる。光半導体装置として考えた場合、窒化物半導体素子はサファイア基板状に形成されるため表面側に正極及び負極の電極を配置せざるを得ない。そのため、電極の数が多くなり本発明が有効に働くこととなる。
【００２７】
（基板１０５、２０５、３０５、４０５）
基板１０５は外部電極となるリード電極１０２が配置されたものであり、トランスファ成形や射出成形などによりモールディングすることで比較的簡単に量産性よくリード電極１０２と一体成形することができる。リード電極１０２は外部電極としても働くため半導体素子１０４と電気的に接続される表面側及び外部回路などと接続される裏面側以外は基板１０５中に埋め込まれることによって機械的に保持することができる。このような基板１０５には、種々の熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂が挙げられる。具体的材料としては、液晶ポリマー、ＰＢＴ或いはメラミン等の絶縁性樹脂部材などが好適に挙げられる。基板１０５を構成する樹脂に酸化チタン、チタン酸バリウムや酸化亜鉛等の光反射性物質を添加させることで光利用効率の高い光半導体装置とすることができる。特に、リード電極１０２の先端を機械的に係止する部位１０１を基板と一体的に形成させる場合は、モールディング時に形成することができる。
【００２８】
光半導体素子１０４の光利用効率を向上させる目的で基板１０５をパッケージとして利用することもできる。このようなパッケージは、凹部を有し凹部底面に光半導体素子１０４が配置される。凹部の側壁は発光素子からの光を効率よく外部に放出する。或いは外部からの光を効率よく受光素子に供給するよう働く。このような側壁は、リード電極を機械的に保持することに利用することもできる。以下、本発明の具体的実施例について詳述する。
【００２９】
【実施例】
（実施例１）
本発明の半導体装置の模式的平面図を図１（Ａ）に示す。リン青銅の表面に銀メッキが施された凸状先端を持ったリード電極１０２が液晶ポリマー中にインサート成形され基板として働くパッケージ１０５が構成される。リード電極１０２は、ワイヤボンディングされる表面及び外部と電気的に接続される面を除いて液晶ポリマー中に埋まっている。
【００３０】
パッケージ平面側の略中央部には凹部を有し、リード電極１０２は凹部底面及びパッケージの裏面側で一部露出している。パッケージ凹部の側壁は、反射鏡兼リード電極の係止として働く。本発明の半導体装置１００では、平面側となる発光観測面側から見たリード電極が周辺部より内部に向かって凸状形状を持っている。リード電極の凸状先端は、パッケージ底面の一部を構成する一段盛り上がった樹脂１０１内に埋没している。このため、リード電極の凸状先端は、図１（Ｂ）に示す如く液晶ポリマーによって挟み込まれ上下方向において固定される。なお、リード電極１０２はパッケージ１０５底面の窪みにインサート成形された形となっているため、左右方向には移動しない。
【００３１】
サファイア基板上にバッファ層を介してｎ型窒化ガリウム、量子効果が生ずる厚さとなる３ｎｍの窒化インジム・ガリウム、ｐ型窒化アルミニウム・ガリウム及びｐ型窒化ガリウムが積層されたＬＥＤチップを半導体素子１０４として上述のパッケージ１０５凹部内に配置する。サファイア基板をエポキシ樹脂で液晶ポリマーからなるパッケージの凹部底面にマウント固着されている。
【００３２】
ＬＥＤチップ１０４がマウントされたパッケージ１０５の各リード電極１０２と、ＬＥＤチップの電極とをワイヤボンディング機器を利用してそれぞれワイヤボンディングさせる。ワイヤボンディングは予めキャピラリに通した直径３５μｍの金線の先端を放電によりボールを形成させる。キャピラリを半導体素子の電極上に降下させボールをサーモソニック・ボンディングさせる。第１のボンディング工程が行われる。キャピラリでワイヤをガイドしながら第２のボンディングさせるリード電極上に移行する。
【００３３】
キャピラリをリード電極１０２上に降下し、ワイヤを先端が凸状のリード電極に圧着させサーモソニック・ボンディングによりワイヤを固定すると共に切断する。こうして形成させた半導体装置を８００個形成させた。半導体装置の第２のボンディング近傍のワイヤを１ｇ単位で針金により引っ張り上げ、ワイヤ強度を調べた。１５ｇｆまでの強度で引っ張り上げたがワイヤ切れを起こすものはなかった。
【００３４】
（比較例１）
図１に示した、リード電極１０２の凸状先端を被覆したパッケージ１０５の一部を構成する一段盛り上がった樹脂部分１０１がない図７の如き、パッケージをモールディングで形成させた以外は実施例１と同様にして半導体装置を８００個形成させた。実施例１と同様の試験を行ったところ、ワイヤとリード電極の界面で剥がれたものが４２個もあった。
【００３５】
（実施例２）
比較例１のパッケージを利用して実施例２の半導体装置を形成させた。リード電極の凸状先端にエポキシ樹脂２０１を塗布してリード電極先端を図２の如く部分的に被覆した。エポキシ樹脂を硬化後、実施例２の半導体装置を実施例１と同様にしてワイヤ強度試験を行った。実施例１と同様に第２のボンディング側の引っ張り強度が増加した。
【００３６】
（実施例３）
図３（Ｂ）の如く、第２のボンディングがされるリード電極３０２の先端部をパッケージ凹部底面及びボンディング表面よりも予め一段低い形状とさせたリード電極３０２を利用した以外は、比較例１と同様にして半導体装置３００を形成させた。リード電極３０２の端部が一段低くなっていることにより、第２のボンディングされるリード電極端部は全て液晶ポリマー中に埋没している。このように形成させた半導体装置も実施例１と同等の密着力を有する。
【００３７】
（実施例４）
複数の半導体素子４０４、４１４、４２４が配置された半導体装置４００の模式的平面図を図４（Ａ）に示す。リン青銅の表面に銀メッキが施された凸状リード電極４０２が液晶ポリマー中にインサート成形されパッケージ４０５が構成される。リード電極４０２は、パッケージの露出面以外が固定され易いよう凸状形状の対角側はパッケージを構成する樹脂中に埋まっている。パッケージ表面側の略中央部には凹部を有し、リード電極は凹部底面及びパッケージの裏面側で一部露出している。本発明の半導体装置では発光観測面側となるリード電極の露出面が凸状先端を持っている。リード電極の凸状先端は、基板と連続した一部を構成する一段盛り上がった樹脂部分内に埋没している。この樹脂部分は、ＬＥＤチップの搭載面に対し、鈍角な斜面となっている。なお、液晶ポリマー中には酸化チタンを添加しており、鈍角面はＬＥＤチップからの光を外部へ有効に反射して取り出す反射面としても作用する。すなわち、光反射性の鈍角面とすることによって光半導体素子の性能向上を図り得る。
【００３８】
本発明では、ワイヤボンディングが施されるリード電極外縁の一部をパッケージ中に埋設したので、リード電極の先端も極めて強固に係合、拘束される。
【００３９】
したがって、ワイヤボンディングを行う場合、リード電極のバタツキは防止される。ワイヤの接合する超音波振動エネルギーを有効かつ確実に付与することができる。ボンディング強度が向上し、半導体装置の信頼性が著しく向上する。
【００４０】
本実施例ではそれぞれＲＧＢの発光色を有するＬＥＤチップが、３個搭載されている。ＬＥＤチップはリード電極露出部の一部にエポキシ樹脂を用いてマウント固着されている。
【００４１】
ＬＥＤチップがマウントされたパッケージのリード電極と、ＬＥＤチップの電極とをワイヤボンディング機器を利用してワイヤボンディングさせる。ワイヤボンディングは予めキャピラリに通した直径３５μｍの金線の先端を放電によりボールを形成させる。先端にボールが形成されたキャピラリを半導体素子の電極上に降下させ第１のボンディングを行う。キャピラリでワイヤをガイドしながら第２のボンディングするリード電極上までワイヤを延ばす。キャピラリをリード電極上に降下し、ワイヤを先端が凸状のリード電極に圧着させサーモソニック・ボンディングにより第２のボンディングを行う。これにより、ワイヤを半導体素子の電極と、リード電極上に固定する。
【００４２】
電気的に接合されたパッケージ内部に透光性樹脂４０６としてエポキシ樹脂を注入し硬化させる。形成された半導体装置のリード電極に電流を流したとろ各ＬＥＤチップが発光可能であった。この半導体装置を９５０個形成し熱衝撃試験を行った。熱衝撃試験として、半導体装置を−３０度４０秒８０℃５分を１０００サイクル繰り返した。試験後、何れの半導体装置も試験前と同様の発光特性を示し不灯となるものは発生しなかった。
【００４３】
リード電極の先端を覆っている樹脂を除去させたパッケージを用いて半導体装置を形成させた以外は実施例４と同様にして比較のための半導体装置を形成させた。比較のための半導体装置を実施例４と同様の熱衝撃試験にかけたところ、比較のために示す半導体装置は１０００サイクルにて約１０％が不灯となった。これを詳細に調べて見ると、不灯となった半導体装置はすべてリード電極の第２のボンディング部にてワイヤが断線或いは剥離していた。これにより、本発明による半導体装置は極めて信頼性に優れることが分かった。特に、少なくとも３つ以上のリード電極をパッケージ表面上に配置する場合、半導体素子の配置とワイヤとの接続有効面積を大きくさせるためには凸状リード電極形状とせざるを得ない。そのため本発明の効果が特に大きくなる。
【００４４】
【発明の効果】
本発明は半導体素子と、モールディング成形された基板上のリード電極とをワイヤで接続した半導体装置において、ワイヤと第２のボンディングされるリード電極は平面側において周辺部より内部に向かって凸状形状を有すると共に端部の少なくとも一部を樹脂で埋没することにより第２のボンディングの密着性を向上させ得るものである。
【００４５】
リード電極の先端を基板と連続した樹脂で固定することにより、比較的簡単な構成で強固にリード電極を固定することができる。
【００４６】
半導体素子を光半導体素子とし、リード電極の端部を埋没する樹脂は、リード電極の平面に対してテーパー状の突起形状とする。これにより、光の利用効率の高い半導体装置とすることができる。
【００４７】
上記突起形状のテーパーは、リード電極の平面に対して鈍角からなる。これにより、より光の利用効率の高い半導体装置とすることができる。
【００４８】
本発明にかかる半導体装置の形成方法により、比較的簡単に信頼性の高い半導体装置を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体装置を示し、図１（Ａ）は半導体装置の模式的平面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＸＸ断面を示す。
【図２】本発明による他の半導体装置を示し、図２（Ａ）は半導体装置の模式的平面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＸＸ断面を示す。
【図３】本発明による他の半導体装置を示し、図３（Ａ）は半導体装置の模式的平面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＸＸ断面を示す。
【図４】本発明による別の半導体装置を示し、図４（Ａ）は半導体装置の模式的平面図であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＸＸ断面を示す。
【図５】第２のボンディング時におけるリード電極の動きを示す模式的説明図である。
【図６】本発明と比較のために示す半導体装置を示し、図６（Ａ）は半導体装置の模式的平面図であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）のＸＸ断面を示す。
【図７】本発明と比較のために示す半導体装置を示し、図７（Ａ）は半導体装置の模式的平面図であり、図７（Ｂ）は図７（Ａ）のＸＸ断面を示す。
【符号の説明】
１００、２００、３００、４００・・・半導体装置
１０１・・・基板の一部を構成し、リード電極先端を固定する突起部
１０２、２０２、４０２・・・先端が凸状のリード電極
１０３、２０３、３０３、４０４・・・ワイヤ
１０４、２０４、３０４、４０４、４１４、４２４・・・半導体素子
１０５、２０５、３０５、４０５・・・基板
４０６・・・透光性樹脂
２０１・・・リード電極の先端を固定する接着剤
３０２・・・先端が半導体素子が配置された表面より低く基板中に埋まっているリード電極
６００、７００・・・半導体装置
６０２・・・一片側のみが露出したリード電極
７０１・・・リード電極の端部
７０２・・・先端が凸状形状のリード電極
５０３、６０３、７０３・・・ワイヤ
５０４、６０４、７０４・・・半導体素子
５０５、６０５、７０５・・・基板