【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年11月17日(2011.11.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
層状構造によって少なくとも部分的に被覆された金属基板であって、前記層状構造が、前記基板に堆積された中間層と、前記中間層に堆積された非晶質炭素層とを備え、前記非晶質炭素層が２００ＧＰａよりも低いヤング率を有し、前記中間層が２００ＧＰａよりも高いヤング率を有する四面体炭素層を含み、
前記四面体炭素層が、１μｍよりも大きい厚みを有し、水素化四面体炭素（ｔａ−Ｃ：Ｈ）であり、
前記水素化四面体炭素の水素濃度は、２０原子％よりも小さく、
前記非晶質炭素層が、非晶質水素化炭素（ａ−Ｃ：Ｈ）、およびＳｉおよびＯをさらに含む非晶質水素化炭素（ａ−Ｃ：Ｈ）からなる群から選択される
ことを特徴とする金属基板。
【請求項２】
前記層状構造が、多数の繰返し単位を備え、各繰返し単位が、２００ＧＰａよりも高いヤング率を有する少なくとも１つの四面体炭素層を含む中間層と、２００ＧＰａよりも低いヤング率を有する非晶質炭素層とを備え、前記繰返し単位の数が、２から１００の範囲内にあることを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記四面体炭素層が、２００ＧＰａから８００ＧＰａの範囲内にあるヤング率を有することを特徴とする請求項１あるいは２に記載の基板。
【請求項４】
前記四面体炭素層が、２０ＧＰａよりも高い硬度を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板。
【請求項５】
前記四面体炭素層が、３０％よりも高い比率のｓｐ３結合炭素を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板。
【請求項６】
前記四面体炭素層に、少なくとも一種の金属がドープされることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板。
【請求項７】
ＳｉおよびＯをさらに含む前記非晶質炭素層が、２つの相互貫入ネットワーク、具体的には、水素によって安定化されたダイヤモンド状炭素ネットワーク内の主にｓｐ３結合炭素からなる第１のネットワークおよび酸素によって安定化された珪素からなる第２のネットワークを含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板。
【請求項８】
前記非晶質炭素層に、少なくとも一種の金属がドープされることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の基板。
【請求項９】
前記層状構造が、前記中間層の堆積の前に前記基板に堆積された付着促進層を備えることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の基板。
【請求項１０】
前記付着促進層が、少なくとも１つの層を備え、前記少なくとも１つの層が、珪素、および周期表の第４族元素、第５族元素および第６族元素からなる群の少なくとも１つの元素を含むことを特徴とする請求項９に記載の基板。
【請求項１１】
前記中間層が、少なくとも１つの金属層を含み、前記金属層が、珪素、および周期表の第４族元素、第５族元素および第６族元素からなる群の少なくとも１つの元素を含むことを特徴とする請求項９あるいは１０に記載の基板。
【請求項１２】
前記中間層が、珪素、および周期表の第４族元素、第５族元素および第６族元素からなる群の少なくとも１つの元素の炭化物、窒化物、炭窒化物、酸化炭化物、酸化窒化物、および酸化炭窒化物からなる群から選択される少なくとも１つの層を含むことを特徴とする請求項９あるいは１０に記載の基板。
【請求項１３】
前記中間層が、珪素、および周期表の第４族元素、第５族元素および第６族元素からなる群から選択される金属の少なくとも１つの金属層と、珪素、および周期表の第４族元素、第５族元素および第６族元素からなる群から選択される金属の炭化物、窒化物、炭窒化物、酸化炭化物、酸化窒化物、および酸化炭窒化物の少なくとも１つの層と、の組合せを含むことを特徴とする請求項９〜１２のいずれかに記載の基板。
【請求項１４】
前記層状構造が、上層をさらに備え、前記上層が、前記非晶質炭素層に堆積されることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の基板。
【請求項１５】
四面体炭素皮膜によって被覆された金属基板による被接触体の磨耗を低減させる方法であって、
１μｍより大きい厚みを有し、水素濃度が２０原子％よりも小さい水素化四面体炭素（ｔａ−Ｃ：Ｈ）である四面体炭素皮膜によって被覆された金属基板を設けるステップと、
前記四面体炭素皮膜の上に、非晶質水素化炭素（ａ−Ｃ：Ｈ）、およびＳｉおよびＯをさらに含む非晶質水素化炭素（ａ−Ｃ：Ｈ）からなる群から選択される非晶質炭素層を施すステップであって、前記非晶質炭素層が前記四面体炭素層の硬度よりも低い硬度を有するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１６】
前記非晶質炭素層の硬度が、四面体炭素層の硬度と等しいかまたは近い硬度から前記四面体炭素層よりも低い硬度まで徐々に変化することを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
本発明は、基板に堆積された中間層と中間層に堆積された非晶質炭素層とを備える層状構造によって被覆された金属基板に関する。中間層は、四面体炭素層を含む。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
本発明の第１態様によれば、層状構造によって少なくとも部分的に被覆された金属基板が提供される。この層状構造は、金属基板に堆積された中間層と中間層に堆積された非晶質炭素層とを備える。非晶質炭素層は、好ましくは２００ＧＰａよりも低いヤング率を有する。中間層は、２００ＧＰａよりも高いヤング率を有する四面体炭素層を含む。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
層状構造は、多数の繰返し単位を含んでもよい。各繰り返し単位は、２００ＧＰａよりも高いヤング率を有する少なくとも１つの四面体炭素層を含む中間層と２００ＧＰａよりも低いヤング率を有する非晶質炭素層とを備えるとよい。繰返し単位の数は、２から１００の範囲内、例えば、２から３０の範囲内、例えば、１０または１５であるとよい。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
非晶質炭素層は、非晶質水素化炭素（ａ−Ｃ：Ｈ）層またはダイヤモンド状ナノコンポジット（ＤＬＮ）層を含むとよい。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
基板
基板は、柔軟性または剛性のいずれかを有するどのような金属基板を含んでもよい。基板の例として、鋼基板、硬質金属基板、アルミニウム基板またはアルミニウム合金基板、チタン基板またはチタン合金基板、および銅基板または銅合金基板が挙げられる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
付着促進層は、どのような金属を含んでもよい。好ましくは、付着促進層は、珪素、および周期表の第４族元素、第５族元素および第６族元素からなる群の少なくとも１つの元素を含む。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
可能であれば、付着促進層は、１つよりも多い層、例えば、２つ以上の金属層を含み、各層は、珪素、および周期表の第４族元素、第５族元素および第６族元素からなる群から選択される金属を含み、例えば、Ｔｉ層またはＣｒ層であるとよい。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
代替的に、付着促進層は、珪素、および周期表の第４族元素、第５族元素および第６族元素からなる群から選択される金属の炭化物、窒化物、炭窒化物、酸化炭化物、酸化窒化物、酸化炭窒化物の１つまたは複数の層を含んでもよい。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
さらに、付着促進層は、珪素、および周期表の第４族元素、第５族元素および第６族元素からなる群から選択される金属の１つまたは複数の金属層と、珪素、および周期表の第４族元素、第５族元素および第６族元素からなる群から選択される金属の炭化物、窒化物、炭窒化物、酸化炭化物、酸化窒化物、酸化炭窒化物の１つまたは複数の層と、のどのような組合せを含んでもよい。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６１】
好ましい上層は、２００ＧＰａよりも小さいヤング率を有する非晶質炭素層を含む。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６２】
非晶質炭素層は、非晶質水素化炭素（ａ−Ｃ：Ｈ）層またはダイヤモンド状ナノコンポジット（ＤＬＮ）層を含むとよい。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６６】
層状構造は、
−金属基板１０に堆積された中間層１４であって、四面体炭素層を含む中間層１４と、
−中間層１４に堆積された非晶質炭素層１６であって、水素化非晶質炭素（ａ−Ｃ：Ｈ）層を含む非晶質炭素層１６と、
を備えている。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６９】
本発明の代替的実施形態では、非晶質炭素層１６は、２つの相互貫入ネットワーク、具体的には、ａ−Ｃ：Ｈの相互貫入ネットワークおよびａ−Ｓｉ：Ｏの相互貫入ネットワークを含むダイヤモンド状ナノコンポジット層を含む。この非晶質炭素層１６は、１μｍの厚みおよび１５０ＧＰａのヤング率を有している。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７１】
層状構造は、
−金属基板に堆積された付着促進層２３であって、例えば、クロム層またはクロム基層またはチタン層またはチタン基層を含む付着促進層２３と、
−付着促進層２３に堆積された中間層２４であって、四面体炭素層を含む中間層２４と、
−中間層２４に堆積された非晶質炭素層２６であって、水素化非晶質炭素（ａ−Ｃ：Ｈ）層を含む非晶質炭素層２６と、
を備えている。