【手続補正書】
【提出日】平成24年5月16日(2012.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
障害が生じたデータ記憶機構を検出して置き換える装置であって、該装置は、
メモリデバイスアレイの複数のメモリデバイスに亘って記憶された誤り訂正符号（ＥＣＣ）チャンクを読み出す読出しモジュールであって、ＥＣＣチャンクは、データと、該データから派生した誤り訂正符号とを含んでおり、メモリデバイスアレイの少なくとも１つのメモリデバイスが、ＥＣＣチャンクを記憶している複数のメモリデバイスそれぞれに記憶されたデータから派生したパリティデータを記憶している、読出しモジュールと、
ＥＣＣチャンク用の誤り訂正符号を用いて訂正可能な誤りよりもより多くの誤りをＥＣＣチャンクが有しているかどうかを決定するＥＣＣモジュールと、
複数のメモリデバイスのそれぞれをテストして、障害が生じたメモリデバイスを特定する分離モジュールであって、
ＥＣＣチャンクのデータ内に、複数のメモリデバイスの内の第１のメモリデバイスのデータの代わりにパリティデータから派生した置換データを置き換えて、第１の置換ＥＣＣチャンクを生成し、
ＥＣＣチャンク用の誤り訂正符号を用いて訂正可能な誤りよりも多くの誤りを第１の置換ＥＣＣチャンクが有していることを、ＥＣＣモジュールが判定したときに、ＥＣＣチャンクのデータ内に、複数のメモリデバイスの内の第２のメモリデバイスのデータの代わりに置換データを置き換えて、第２の置換ＥＣＣチャンクを生成し、
第２の置換ＥＣＣチャンク内の誤りがＥＣＣ着用の誤り訂正符号を用いて訂正可能であることを、ＥＣＣモジュールが判定したときに、複数のメモリデバイスの内の第２のメモリデバイスが障害メモリデバイスであると決定する
よう構成されている分離モジュールと
を備えていることを特徴とする装置。
【請求項２】
請求項１記載の装置において、該装置はさらに、リタイアメントポリシーに基づいて、第２のメモリデバイスの１又は複数の記憶領域であって１又は複数の誤りを含んでいる記憶領域をリタイアさせるリタイアメントモジュールを備えていることを特徴とする装置。
【請求項３】
請求項１記載の装置において、該装置はさらに、第２のメモリデバイスを識別し、かつ、今度の動作のために、第２のメモリデバイスから読み出されたデータを置き換えるためのデータを生成するためのメモリデバイス再構成モジュールを備えていることを特徴とする装置。
【請求項４】
請求項１記載の装置において、該装置はさらに、ロギングモジュールを備え、該ロギングモジュールは、
第２の置換ＥＣＣチャンクに含まれる誤りがＥＣＣを用いて訂正可能であると、ＥＣＣモジュールが判定したときに、第２のメモリデバイスの識別情報を記憶すること、及び、
１又は複数の誤りを含む１又は複数の記憶領域であって第２のメモリデバイスの少なくとも一部からなる記憶領域を指定するメモリロケーションデータを記録すること
の少なくとも一方を実行するよう構成されていることを特徴とする装置。
【請求項５】
請求項４記載の装置において、ロギングモジュールは、１又は複数の誤りを有する記憶領域を含むメモリロケーションデータを記録することなく、第２のメモリデバイスの識別情報を記録するよう構成されていることを特徴とする装置。
【請求項６】
請求項５記載の装置において、該装置はさらに、第２のメモリデバイス内の誤りを含む１又は複数の記憶領域を特定する記憶領域テストモジュールを備え、ロギングモジュールはさらに、記憶領域テストモジュールによって特定された１又は複数の記憶領域を含むメモリロケーションデータを記録するよう構成されていることを特徴とする装置。
【請求項７】
請求項６記載の装置において、記憶領域テストモジュールは、読出しモジュールによる後続の読出しによって１又は複数の誤りを有する記憶領域を特定し、ＥＣＣモジュール及び分離モジュールを用いて、訂正不可能な誤りであるが、パリティデータを用いて訂正可能である誤りを有する記憶領域を特定するよう構成されていることを特徴とする装置。
【請求項８】
請求項４記載の装置において、ロギングモジュールは、１又は複数の誤りを含む１又は複数の記憶領域を記録し、かつ、該ロギングモジュールは、読出しモジュールによって後続の読出しが実施され、ＥＣＣモジュール及び分離モジュールを用いて、訂正不可能な誤りであるが、置換データを用いて訂正可能である誤りを有する記憶領域が特定されたときに、第２のメモリデバイス内の１又は複数の誤りを含む１又は複数の別の記憶領域を指定するメモリロケーションデータをさらに記録するよう構成されていることを特徴とする装置。
【請求項９】
請求項８記載の装置において、後続の読出しは、記憶領域テストモジュールによって開始される読出しと、読出し要求からの読出しとの一方であることを特徴とする装置。
【請求項１０】
請求項４記載の装置において、該装置はさらにエリア再構成モジュールを備え、該エリア再構成モジュールは、第２のメモリデバイス内の誤りを含む１又は複数の記憶領域内のデータを、今後の動作のために、１又は複数の予備のメモリデバイスからの置換データで置き換え、第２のメモリデバイス内のそれ以外の記憶領域のデータを置き換えないように構成されていることを特徴とする装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の装置において、エリア再構成モジュールは、第２のメモリデバイスの誤りを含んでいる１又は複数の記憶領域からのデータを、１又は複数の予備のメモリデバイスからの置換データで置き換えると共に、第２のメモリデバイス又は別のメモリデバイスの１又は複数の別の記憶領域であって、誤りを含んでいる１又は複数の記憶領域とは論理ページを共用していない別の記憶領域からのデータを、該１又は複数の予備のメモリデバイスからの置換データで置き換えるよう構成されており、該１又は複数の別の記憶領域はそれぞれ１又は複数の誤りを含んでいることを特徴とする装置。
【請求項１２】
請求項１０記載の装置において、エリア再構成モジュールは、誤りを含んでいる１又は複数の記憶領域からのデータを、１又は複数の予備メモリデバイスからの置換データで置き換えると共に、１又は複数の別の記憶領域であって、誤りを含んでいる１又は複数の記憶領域とは論理ページを共用している別の記憶領域からのデータを、１又は複数の予備のメモリデバイスからの置換データで置き換えるよう構成されており、１又は複数の別の記憶領域はそれぞれ、１又は複数の誤りを含んでいることを特徴とする装置。
【請求項１３】
請求項４記載の装置において、記憶領域は、１又は複数のＥＣＣチャンク、１又は複数の物理ページ、１又は複数の論理ページ、１又は複数の物理消去ブロック、１又は複数の論理消去ブロック、チップ、チップの一部、１又は複数のダイの一部、及び１又は複数のダイの内の１又は複数を含むことを特徴とする装置。
【請求項１４】
請求項４記載の装置において、該装置はさらに、記録を解析して、データ誤りを有する第２のメモリデバイス内のエリア、及び誤りタイプの内の少なくとも一方を特定する解析モジュールを備えることを特徴とする装置。
【請求項１５】
請求項１記載の装置において、該装置はさらに誤り記憶回復モジュールを備え、該モジュールは、ＥＣＣモジュールが、第２の置換ＥＣＣチャンクの誤りが誤り訂正符号を用いて訂正可能であると判定したとき、第２のメモリデバイスの消去ブロックをであってＥＣＣチャンクの一部からなる消去ブロックを消去して、今後のデータ記憶のために消去ブロックを準備するよう構成されていることを特徴とする装置。
【請求項１６】
請求項１５記載の装置において、リタイアメントモジュールは、消去ブロックをリタイアさせ、かつ、
誤り記憶回復モジュールが消去ブロックを消去し、
その後、さらなるデータを消去ブロックに書き込み、
その後、読出しモジュールによって別のデータが読み出され、
ＥＣＣモジュール及び分離モジュールを用いて、消去ブロックが訂正不可能な誤りであるが、別のデータに関連する別の置換データを用いて訂正可能である誤りを含むと判定した
とき、消去ブロックからのデータの代わりに、１又は複数の予備メモリデバイスからの置換データを使用するよう構成されていることを特徴とする装置。
【請求項１７】
請求項１記載の装置において、読出しモジュールは、論理ページの少なくとも一部からＥＣＣチャンクを読み出し、該論理ページは、複数のメモリデバイスのアレイに亘っており、該メモリデバイスのアレイは、Ｎ＋Ｐ個の記憶素子から成るアレイを含み、該記憶素子のアレイは、それぞれがＥＣＣチャンクの一部を格納するＮ個の記憶素子、及びパリティデータを格納するＰ個の記憶素子を含み、該ＥＣＣチャンクは、格納されるデータと、該格納されるデータから生成されるＥＣＣとを含み、該ＥＣＣは格納されるデータに亘っており、Ｐ個の記憶素子は、Ｎ個の記憶素子内に格納されるＥＣＣチャンクから生成されるパリティデータを格納することを特徴とする装置。
【請求項１８】
請求項１記載の装置において、該装置はさらに訂正データモジュールを備え、該モジュールは、ＥＣＣモジュールが、第２の置換ＥＣＣチャンクにおける誤りがＥＣＣを用いて訂正可能であると判定したとき、訂正されたデータを返送するよう構成されていることを特徴とする装置。
【請求項１９】
請求項１記載の装置において、該装置はさらに報告モジュールを備え、該モジュールは、ＥＣＣモジュールが、第２の置換ＥＣＣチャンク内の誤りがＥＣＣを用いて訂正可能であると判定した場合に、障害が生じたメモリデバイスであると報告するよう構成されていることを特徴とする装置。
【請求項２０】
請求項１記載の装置において、メモリデバイスはそれぞれ、不揮発性固体記憶機構を含むことを特徴とする装置。
【請求項２１】
障害が生じたデータ記憶機構を検出しかつ置き換えるシステムであって、該システムは、
２以上のメモリデバイスと、該２以上のメモリデバイスそれぞれからのパリティ情報を格納する予備の１又は複数の予備のメモリデバイスとを含んでいるメモリデバイスのアレイと、
記憶を制御するコントローラであって、
メモリデバイスのアレイに亘って記憶された誤り訂正符号（ＥＣＣ）チャンクであって、データと該データから派生された誤り訂正符号とを含んだＥＣＣチャンクを読み出し、
該ＥＣＣチャンクが、該ＥＣＣチャンク用の誤り訂正符号を用いて訂正可能な誤り以上の誤りを含んでいるかどうかを判定し、
２以上のメモリデバイスのそれぞれをテストし、
ＥＣＣチャンクのデータを、アレイのメモリデバイスそれぞれ用のパリティ情報から派生された置換データで置き換えて、置換されたＥＣＣチャンクを形成し、置き換えられたＥＣＣチャンクの１つがＥＣＣチャンク用の誤り訂正符号を用いて訂正可能となるまで、該置き換えを反復実行することによって、障害が生じたメモリデバイスを判定し、
訂正可能となった１つの置き換えられたＥＣＣチャンクに関連するメモリデバイスが、該障害が生じたメモリデバイスであると判定する
よう構成されているコントローラと
を備えていることを特徴とするシステム。
【請求項２２】
データを記憶する方法であって、
アレイを構成する複数のメモリデバイスに亘って記憶された誤り訂正符号チャンク（ＥＣＣチャンク）であって、データと該データから派生された誤り訂正符号との両方を含んでいるＥＣＣチャンクを読み出すステップであって、アレイのメモリデバイスの少なくとも１つが、アレイを構成する複数のメモリデバイスそれぞれに記憶されたデータから派生したパリティデータを記憶している、読み出しステップと、
ＥＣＣチャンクが該ＥＣＣチャンク用の誤り訂正符号を用いて訂正可能な誤り以上の誤りを有していることを判定するステップと、
アレイを構成する複数のメモリデバイスそれぞれをテストして、障害が生じたメモリデバイスの位置を決定するステップであって、ＥＣＣチャンクのデータを、アレイのメモリデバイスそれぞれ用のパリティ情報から派生された置換データで置き換えて、置換されたＥＣＣチャンクを形成し、該置き換えられたＥＣＣチャンクの１つがＥＣＣチャンク用の誤り訂正符号を用いて訂正可能となるまで、該置き換えを反復実行することによって、障害が生じたメモリデバイスの位置を特定するステップと、
訂正可能となった１つの置き換えられたＥＣＣチャンクに関連するメモリデバイスが、該障害が生じたメモリデバイスであると判定するステップと
からなることを特徴とする方法。