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【手続補正書】
【提出日】平成15年8月20日(2003.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セメント含有洗浄廃水の発生を防止した連続的な生コンクリートの製造方法であって、生コンプラントから運搬された生コンクリートを作業現場で荷卸し後、速やかに生コン車の付着モルタル及び／又はコンクリート残留物を定量の水で洗浄し、得られた洗浄液を生コン車内に貯留して生コンプラントに帰着し、次いで速やかに、本来添加されるべき水の量から前記定量の水に相当する量を減じた量の水で練り混ぜられた新たな生コンクリートを生コン車内に積込み、前記洗浄液と混合して生コン車を再び作業現場に運搬してなる一連の工程を、１回又は２回以上含んでなる、前記生コンクリートの製造方法。
【請求項２】
定量の水が、洗浄液中のセメントを、次の荷卸しが終了するまでの間安定化し得る量の安定化剤を含有することを特徴とする、請求項１に記載の生コンクリートの製造方法。
【請求項３】
新たな生コンクリートの積込みが、付着モルタル及び／又はコンクリート残留物に起因する生コンクリートが練混ぜを開始してから５時間以内であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の生コンクリートの製造方法。
【請求項４】
安定化剤が、洗浄液中のセメントに対して０．５重量％未満であることを特徴とする、請求項２又は３に記載の生コンクリートの製造方法。
【請求項５】
定量の水が、荷卸し後の生コン車を洗浄するのに支障のない量の水であり、かつその量は、本来添加されるべき水の量から前記定量の水に相当する量を減じた量の水で練り混ぜられた新たな生コンクリートが洗浄液との混合に支障のない量であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の生コンクリートの製造方法。
【請求項６】
定量の水が、生コン車１台当たり２０〜６０リットルであることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の生コンクリートの製造方法。
【請求項７】
連続的な生コンクリートの製造方法における最後に使用した生コン車及び／又は生コンプラントのコンクリート製造設備を、安定化剤を含む洗浄水で洗浄し、得られた洗浄廃水を、骨材分離装置に導いて骨材を分離して安定化スラリーとし、該安定化スラリーを当日又は翌日以降の生コンクリート製造の練混ぜ水に使用する工程をさらに含む、請求項１〜６のいずれかに記載の生コンクリートの製造方法。
【請求項８】
最後に使用した生コン車が、戻りコンクリートが残存する生コン車であることを特徴とする、請求項７に記載の生コンクリートの製造方法。
【請求項９】
安定化剤を含む洗浄水が、洗浄廃水中のセメントに対して０．２〜３重量％の安定化剤を含むことを特徴とする、請求項７又は８に記載の生コンクリートの製造方法。
【請求項１０】
連続的な生コンクリートの製造方法における最後の生コン車を、セメントが翌日以降まで安定化し得る量の安定化剤を含有する定量の水で洗浄し、洗浄液を生コン車に貯留し、翌日以降に、本来添加されるべき水の量から前記定量の水に相当する量を減じた量の水で練り混ぜられた新たな生コンクリートを生コン車内に積込み、前記洗浄液と混合してなる工程をさらに含む、請求項１〜６のいずれかに記載の生コンクリートの製造方法。
【請求項１１】
セメントが翌日以降まで安定化し得る安定化剤の量が、洗浄液中のセメントに対して０．５〜５重量％であることを特徴とする、請求項１０に記載の生コンクリートの製造方法。
【請求項１２】
連続的な生コンクリートの製造方法における最後に使用した生コン車が戻りコンクリートが残存する生コン車であって、該生コン車で戻りコンクリートが当日又は翌日以降の生コンクリートの製造のために、運搬され荷卸しが終了するまでの間、戻りコンクリート中のセメントを安定化し得る量の安定化剤及び／又は流動化剤を添加・混合し、戻りコンクリートを生コン車に貯留し、生コンクリート製造に再使用する際に、硬化促進剤及び／又は新たな生コンクリートを積込む工程をさらに含む、請求項１〜６のいずれかに記載の生コンクリートの製造方法。
【請求項１３】
戻りコンクリート中のセメントを安定化し得る安定化剤の添加量が、戻りコンクリート中のセメントに対して５重量％以下であり、硬化促進剤が、戻りコンクリート中のセメントに対して５重量％以下であることを特徴とする、請求項１２に記載の生コンクリートの製造方法。
【請求項１４】
請求項２〜１３のいずれかに記載の生コンクリートの製造方法に使用される安定化剤。
【請求項１５】
請求項１２又は１３のいずれかに記載の生コンクリートの製造方法に使用される硬化促進剤。
【請求項１６】
安定化剤が、ホスホン酸誘導体、オキシカルボン酸及びその塩、ポリカルボン酸及びその塩、リグニンスルホン酸及びその塩、糖類、ケイ弗化物から選ばれた１種又は２種以上を含有することを特徴とする、請求項１４に記載の安定化剤。
【請求項１７】
硬化促進剤が、亜硝酸塩，硝酸塩，チオシアン酸塩，塩化カルシウム，アルカノールアミン、アルミン酸アルカリ塩，珪酸塩，アルカリ炭酸塩，カルシウムアルミネート，石膏から選ばれた１種又は２種以上を含有することを特徴とする、請求項１５に記載の硬化促進剤。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月21日(2003.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクに形成されたパターンの像を投影光学系を介して感光基板上に転写する露光装置において、
前記感光基板の位置を検出する位置検出手段と；
前記位置検出手段の少なくとも一部を所定の気密性をもって包囲する包囲手段と；
前記包囲手段内に存在する気体の一部を温度制御することによって、前記位置検出手段の周辺の温度を制御する温度制御手段とを備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
マスクに形成されたパターンの像を投影光学系を介して感光基板上に転写する露光装置において、
前記感光基板の位置を検出する位置検出手段と；
前記位置検出手段の少なくとも一部を所定の気密性をもって包囲する包囲手段と；
前記包囲手段内に存在する気体を吸引することによって、前記包囲手段内の温度を制御する温度制御手段と、を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項３】
マスクに形成されたパターンの像を投影光学系を介して感光基板上に転写する露光装置において、
前記感光基板の位置を検出する位置検出手段と；
前記位置検出手段の少なくとも一部を所定の気密性をもって包囲する包囲手段と；
前記包囲手段の周囲に液体を循環させることによって、前記包囲手段内の温度を制御する温度制御手段と、を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項４】
前記位置検出手段は、前記感光基板上を撮像する撮像素子を含み、
前記撮像素子は前記包囲手段により包囲されていることを特徴とする請求項１〜３のうちの何れか一項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記包囲手段と前記マスクとの間に、前記マスクから前記包囲手段への熱の伝達を遮断する遮蔽部材を配置したことを特徴とする請求項１〜３のうちの何れか一項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記包囲手段と前記投影光学系との間に、前記投影光学系から前記包囲手段への熱の伝達を遮断する遮蔽部材を配置したことを特徴とする請求項１〜５のうちの何れか一項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記感光基板を保持するステージと前記包囲手段との間に、前記感光基板及び前記ステージから前記包囲手段への熱の伝達を遮断する遮蔽部材を配置したことを特徴とする請求項１〜６のうちの何れか一項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記遮蔽部材は、熱伝導率の低い断熱性材料で成形されていることを特徴とする請求項５〜７のうちの何れか一項に記載の露光装置。
【請求項９】
前記位置検出手段は、計測用の光を前記感光基板に対して照射して当該感光基板の位置を計測する構成であり、
前記位置計測手段と前記感光基板との間に配置された開閉可能なシャッタと；
前記感光基板の位置を計測する時に前記シャッタを開放し、露光作業を行う時に当該シャッタを閉じるシャッタ制御手段とを更に備えたことを特徴とする請求項１〜４のうちの何れか一項に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記温度制御手段は前記包囲手段内の温度を、常に一定の温度に設定するか、又は周辺温度と同じ温度に設定するか、又は周辺温度と常に一定の温度差の温度に設定するよう制御することを特徴とする請求項１〜９のうちの何れか一項に記載の露光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月15日(2003.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】紫外線照射装置及び光洗浄方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に紫外線を照射する紫外線照射装置において、
搬入口および搬出口が形成されているとともに上記紫外線を基板の表面に照射させる照射窓が形成された筐体と、
上記筐体内部に設けられ、上記搬入口から搬出口へ基板を搬送する基板搬送手段と、
上記筐体の照射窓に対向して設けられ、紫外線を上記基板表面に照射する紫外線照射手段と、
上記搬入口付近に設けられ、上記基板の上記筐体内部への搬入を検出する検出手段と、
上記検出手段が上記基板の搬入を検出すると上記紫外線照射手段を所定のタイミングで点灯制御し、所定時間点灯して光洗浄を行った後上記紫外線照射手段を所定のタイミングで消灯制御する制御手段と、
を具備したことを特徴とする紫外線照射装置。
【請求項２】
上記筐体内部には上記基板が上記照射窓に対向位置したときにこの基板を上記照射窓に近接する方向へ駆動する駆動手段を具備しており、上記制御手段は上記基板が上記照射窓に対向位置したときにこの基板を上記照射窓に近接する方向へ上記駆動手段を駆動させるように制御することを特徴とする請求項１記載の紫外線照射装置。
【請求項３】
基板の搬入口及び搬出口を有すると共に搬入された基板に対して紫外線を照射させるための開口部を有する筐体内部に前記基板を搬入する工程と、
前記基板が前記筐体内部に搬入された後、前記搬入口及び搬出口を閉塞する工程と、
搬入された前記基板に対し前記紫外線を所定時間照射して前記基板を光洗浄する工程と、
紫外線が所定時間照射された後、前記搬出口を開放して前記基板を搬出する工程と
を有することを特徴とする光洗浄方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は紫外線照射により光洗浄する紫外線照射装置及び光洗浄方法に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、基板の光洗浄を行わない場合でも紫外線を照射しているため、オゾンの発生量が多くなるという問題も生じている。
本発明は上記の事情にもとづきなされたもので、その目的とするところは、紫外線照射手段の寿命が長く、かつオゾンの発生量を少なくできる紫外線照射装置及び光洗浄方法を提供しようとするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月11日(2003.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ウエーハ研磨方法及び研磨装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエーハの表面を研磨する研磨工程と，該研磨工程終了後に該ウエーハを洗浄する洗浄工程とを有するウエーハの研磨法において，
該研磨工程後該洗浄工程前に，該ウエーハ研磨面を薬液を用いて酸化し，該研磨面に酸化膜を形成する酸化膜形成工程を有すること
を特徴とするウエーハの研磨方法。
【請求項２】
該酸化膜形成工程は，
該ウエーハの研磨面を酸化して該研磨面に酸化膜を形成する薬液中に浸漬する工程であることを特徴とする請求項１に記載のウエーハの研磨方法。
【請求項３】
シリコンが表出するウエーハ主面を研磨盤表面に押圧して該シリコンを研磨する研磨工程と，該研磨工程終了後に該ウエーハを洗浄する洗浄工程とを有するウエーハの研磨方法において，
該研磨工程後該洗浄工程前に，該ウエーハを押圧する圧力を除去又は該研磨工程より減圧した状態で，該研磨盤上に該シリコンの研磨面を酸化して該研磨面にシリコン酸化膜を形成する薬液を供給する工程を有すること
を特徴とするウエーハの研磨方法。
【請求項４】
該薬液は，過酸化水素水，オゾン水，硫酸水溶液若しくは硝酸水溶液若しくはこれらの混合液，又は過酸化水素水とアンモニア水との混合液であること
を特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３に記載のウエーハの研磨方法。
【請求項５】
回転可能な研磨盤と、
前記研磨盤上に設けられ、ウエーハに研磨圧力を印加するキャリアプレートと
前記研磨盤上に研磨剤を供給する研磨剤導入管と、
前記研磨盤上に純粋を供給する純粋導入管と、
前記研磨盤上にウエーハの表面を酸化するための薬液を導入する薬液導入管と
を備えることを特徴とするウエーハ研磨装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月16日(2003.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造ラインに、量産ロットの半導体ウエハと共に、処理優先度の高い特定ロットの半導体ウエハを混流させて投入する半導体装置の製造方法であって、
前記特定ロットが製造工程に到着する前に、前記製造工程内の対応する製造装置を決め、空き待ちの量産ロットより前記特定ロットを優先させて、前記製造装置の事前作業を完了させておく製作日程計画を作成し、
前記日程計画に従って、前記特定ロットが前記製造工程に到着後直ちに、前記製造装置により処理を開始する進行制御を行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記作成した特定ロットの製作日程計画を、前記半導体製造ラインの製造に関わる各部署、及び各製造工程に備えた端末上に表示し、
前記表示した情報には、少なくとも前記特定ロットの各製造工程における着工開始予定日時が含まれることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月17日(2003.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基体上に非晶質珪素膜を成膜し、
前記非晶質珪素膜に対して結晶化を助長する金属元素を保持させ、
第１の加熱処理により前記非晶質珪素膜を複数の針状または柱状結晶でなる結晶性珪素膜に変成させ、
前記結晶性珪素膜をパターニングして活性層を形成し、
前記活性層上にプラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法又はスパッタ法によりゲイト絶縁膜を成膜し、
ハロゲン元素及び酸素を含む雰囲気中において第２の加熱処理を行うことにより前記活性層中の前記金属元素をゲッタリング除去すると共に前記活性層と前記ゲイト絶縁膜との界面に熱酸化膜を形成した後、
窒素雰囲気中において、前記活性層、前記熱酸化膜、前記ゲイト絶縁膜に第３の加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基体上に非晶質珪素膜を成膜し、
前記非晶質珪素膜に対して結晶化を助長する金属元素を保持させ、
第１の加熱処理により前記非晶質珪素膜を複数の針状または柱状結晶でなる結晶性珪素  膜に変成させ、
前記結晶性珪素膜上にプラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法又はスパッタ法によりゲイト絶縁膜を成膜し、
ハロゲン元素及び酸素を含む雰囲気中において第２の加熱処理を行うことにより前記結晶性珪素膜中の前記金属元素をゲッタリング除去すると共に前記結晶性珪素膜と前記ゲイト絶縁膜との界面に熱酸化膜を形成した後、
前記結晶性珪素膜をパターニングして活性層を形成し、
窒素雰囲気中において、前記活性層、前記熱酸化膜、前記ゲイト絶縁膜に第３の加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記非晶質珪素膜の成膜方法は減圧熱ＣＶＤ法によることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、結晶化を助長する金属元素としてＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ又はＡｕが用いられることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記ハロゲン元素及び酸素を含む雰囲気は酸素中にＨＣｌ、ＨＦ、ＨＢｒ、Ｃｌ2、ＣｌＦ3、ＢＣｌ3、ＮＦ3、Ｆ2又はＢｒ2が添加されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、第1の加熱処理は４５０〜７００℃の温度範囲で行われ、第２又は第３の加熱処理は７００℃を越える温度範囲で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月30日(2003.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｐチャネル型の薄膜トランジスタとＮチャネル型の薄膜トランジスタとが形成された半導体装置であって、
前記Ｐ及びＮチャネル型の薄膜トランジスタのゲイト電極のそれぞれの側面には、サイドウォールが形成されており、
前記Ｐチャネル型の薄膜トランジスタのソース及びドレイン領域の一部には、Ｎ型を付与する不純物がドーピングされており、かつ前記ソース及びドレイン領域のうち前記サイドウォールの下部にある領域のＮ型を付与する不純物濃度と、前記ソース及びドレイン領域のうち前記サイドウォールの下部にある領域以外の領域のＮ型を付与する不純物濃度とは異なっており、
前記Ｎチャネル型の薄膜トランジスタのソース及びドレイン領域のうち前記サイドウォールの下部にある領域のＮ型を付与する不純物濃度は、前記ソース及びドレイン領域のうち前記サイドウォールの下部にある領域以外の領域のＮ型を付与する不純物濃度よりも低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記Ｐチャネル型の薄膜トランジスタの前記ソース及びドレイン領域のうち前記サイドウォールの下部にある領域のＮ型を付与する不純物濃度は、前記ソース及びドレイン領域のうち前記サイドウォールの下部にある領域以外の領域のＮ型を付与する不純物濃度よりも低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
Pチャネル型の薄膜トランジスタとNチャネル型の薄膜トランジスタとを作製する方法であって、
絶縁表面を有する基板上にP及びNチャネル型の薄膜トランジスタの活性層を形成し、
前記Ｐ及びＮチャネル型の薄膜トランジスタの活性層上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記Ｐ及びＮチャネル型の薄膜トランジスタのゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成した後、
前記Ｎチャネル型の薄膜トランジスタの活性層上にマスクを形成した後に前記Ｐチャネル型の薄膜トランジスタのソース及びドレイン領域にP型を付与する不純物のドーピングを行い、
前記Ｐチャネル型の薄膜トランジスタの活性層上にマスクを形成した後に前記Ｎチャネル型の薄膜トランジスタのソース及びドレイン領域にN型を付与する不純物のドーピングを行い、
P及びNチャネル型の薄膜トランジスタのゲイト電極のそれぞれの側面にサイドウォールを形成した後、
前記P及びNチャネル型の薄膜トランジスタのソース及びドレイン領域にN型を付与する不純物のドーピングを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、前記Ｎ型の薄膜トランジスタのソース及びドレイン領域のうち前記サイドウォールの下部にN型を付与する不純物の濃度が低い高抵抗領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３において、前記Ｎ型の薄膜トランジスタのソース及びドレイン領域のうち前記サイドウォールの下部にある領域のN型を付与する不純物の濃度は、前記サイドウォールの下部にある領域以外の領域のN型を付与する不純物の濃度より低いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【発明の実施の形態】図１に示すように、まず（Ａ）に工程でＰＴＦＴのソース及びドレイン領域となる領域にボロンをドーピングする。そして（Ｄ）の工程において、ＮＴＦＴの高抵抗領域１３１、１３２を形成するためのリンのドーピング時において、先にボロンがドーピングされたＰＴＦＴのソース及びドレイン領域にリンがドーピングされる。この際、導電型が反転しないように、先のボロンとリンのドーズ量を選択する。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月16日(2003.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基体上に非晶質珪素膜を成膜し、
前記非晶質珪素膜上に選択的にマスク絶縁膜を形成し、
前記非晶質珪素膜に対して結晶化を助長する金属元素を選択的に保持させ、
第1の加熱処理により前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜にし
前記マスク絶縁膜を除去し、
パターニングにより前記結晶性珪素膜から成る活性層を形成し、
前記活性層上にゲイト絶縁膜を成膜し、
ハロゲン元素を含む雰囲気中において第2の加熱処理を行うことにより前記活性層中の前記金属元素をゲッタリング除去し、且つ前記活性層と前記ゲイト絶縁膜との界面に熱酸化膜を形成し、
窒素雰囲気中において第3の加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基体上に非晶質珪素膜を成膜し、
前記非晶質珪素膜上に選択的にマスク絶縁膜を形成し、
前記非晶質珪素膜に対して結晶化を助長する金属元素を選択的に保持させ、
第1の加熱処理により前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜にし
前記マスク絶縁膜を除去し、
パターニングにより前記結晶性珪素膜から成る活性層を形成し、
ハロゲン元素を含む雰囲気中において第2の加熱処理を行うことにより前記活性層中の前記金属元素をゲッタリング除去し、且つ熱酸化膜のみで構成されるゲイト絶縁膜を形成し、
窒素雰囲気中において第3の加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面を有する基体上に非晶質珪素膜を成膜し、
前記非晶質珪素膜上に選択的にマスク絶縁膜を形成し、
前記非晶質珪素膜に対して結晶化を助長する金属元素を選択的に保持させ、
第1の加熱処理により前記非晶質珪素膜を、前記基体と概略平行な針状または柱状結晶が複数集合した結晶構造体から成る結晶性珪素膜にし、
前記マスク絶縁膜を除去し、
パターニングにより前記結晶性珪素膜から成る活性層を形成し、
前記活性層上にゲイト絶縁膜を成膜し、
ハロゲン元素を含む雰囲気中において第2の加熱処理を行うことにより前記活性層中の前記金属元素をゲッタリング除去し、且つ前記活性層と前記ゲイト絶縁膜との界面に熱酸化膜を形成し、
窒素雰囲気中において第3の加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面を有する基体上に非晶質珪素膜を成膜し、
前記非晶質珪素膜上に選択的にマスク絶縁膜を形成し、
前記非晶質珪素膜に対して結晶化を助長する金属元素を選択的に保持させ、
第1の加熱処理により前記非晶質珪素膜を、前記基体と概略平行な針状または柱状結晶が複数集合した結晶構造体から成る結晶性珪素膜にし、
前記マスク絶縁膜を除去し、
パターニングにより前記結晶性珪素膜から成る活性層を形成し、
ハロゲン元素を含む雰囲気中において第2の加熱処理を行うことにより前記活性層中の前記金属元素をゲッタリング除去し、且つ熱酸化膜のみで構成されるゲイト絶縁膜を形成し、
窒素雰囲気中において第3の加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記非晶質珪素膜の成膜方法は減圧熱CVD法によることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、結晶化を助長する金属元素としてFe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Auから選ばれた一種または複数種類の元素が用いられることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、ハロゲン元素を含む雰囲気は酸素雰囲気中にHCl、HF、HBr、Cl2 、ClF3 、BCl3、NF3、F2、Br2を含む化合物から選ばれた一種または複数種類のガスが添加されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、第1の加熱処理は450〜700 ℃の温度範囲で行われ、第2または第3の加熱処理は700 ℃を越える温度範囲で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月24日(2003.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
単結晶Ｓｉは、高変換効率、高信頼性が期待できる。薄膜単結晶Ｓｉは、集積回路等の製造技術であるＳＯＩ（Semiconductor On Insulator）技術により製作が可能であるが、生産性が低く、製造コストがかなり高くなり、太陽電池への適用に問題がある。また、単結晶Ｓｉの作製においては、そのプロセス温度が比較的高いことから、耐熱性の低いプラスチック基体やガラス基体上に形成することが困難である。このようにプラスチック基体への単結晶Ｓｉの形成が困難であることから、フレキシブルな薄膜単結晶Ｓｉの製造は難しい状況にある。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、半導体基体は、ｎ型もしくはｐ型の不純物がドープされた半導体基体あるいは、不純物を含まない半導体基体によって構成することができる。しかし、陽極化成を行う場合は、ｐ型の不純物が高濃度にドープされた低比抵抗の半導体基体いわゆるｐ＋Ｓｉ基体を用いることが望ましい。この半導体基体としてｐ＋型Ｓｉ基体を用いるときは、ｐ型不純物の例えばボロンＢが、約１０１９atoms/cm3程度にドープされ、その抵抗が０．０１〜０．０２Ωｃｍ程度のＳｉ基板を用いることが望ましい。そして、このｐ＋型Ｓｉ基体を陽極化成すると、基板表面とほぼ垂直方向に細長く伸びた微細孔が形成され、結晶性を維持したまま多孔質とするため、望ましい多孔質層が形成される。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
このように結晶性を維持したまま多孔質とされた多孔質層上に、半導体膜を成膜する。この場合、多孔質層が結晶性を維持していることにより、半導体膜をエピタキシャル成長させることができる。半導体膜の成膜は、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学的気相成長）法、ＣＶＤ（化学的気相成長）法、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）法、スパッタリング等によることができ、単結晶、多結晶、非晶質の各膜として形成することができるし、更に、例えば非晶質膜として形成して後、アニールによって、多結晶もしくは単結晶化することができる。
また、この半導体膜は、単層の半導体膜によって構成することもできるが、太陽電池を構成する場合等においては、２層以上の複層半導体膜とすることができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
このように、半導体基体上にエピタキシャル成長した半導体膜を半導体基体から剥離するが、この剥離に先立って半導体膜上に、例えばフレキシブル樹脂シート等による支持基板を接合してこの支持基板と半導体膜とを一体化した後、半導体膜を支持基板と共に、半導体基体から、この半導体基体に形成した多孔質層を介して剥離することができる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
尚、各実施例における温度はパイロメータを用いて測定したものである。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
この状態で半導体膜１３の表面と半導体基体１１の裏面に、それぞれ接着剤を塗布し、これら接着剤によってＰＥＴシート（図示せず）を多孔質層１２における分離強度より強い接着強度で貼着し、実施例１と同様に互いに引き離す外力を加える。このようにすると、脆弱な多孔質層１２において、高多孔率層１２Ｈあるいは中間多孔率層１２Ｍと高多孔率層１２Ｈとの界面ないしはその近傍で剥離が生じ、エピタキシャル半導体膜１３が、半導体基体１１より分離される（図５Ｂ）。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
また、このように、多孔率が小さい表面層１２Ｓを形成するにもかかわらず、高多孔率層１２Ｈと表面層１２Ｓとの間に、その多孔率が中間の中間多孔率層１２Ｍを設けるようにしたことにより、これが表面層にかかる歪のバッファー層として作用することから、高多孔率層１２Ｈの存在による歪の多孔質層１２のエピタキシャル成長がなされる表面への影響を効果的に減少させることができる。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
このようにして、多孔質層１２を形成して後は、実施例１および２と同様のアニールを常圧Ｓｉエピタキシャル成長装置内でＨ２雰囲気中で行って多孔質層１２の表面層１２Ｓを滑らかにし、また多孔質層１２内部の中間多孔率層１２Ｍと、高多孔率層１２Ｈとの界面付近における強度の脆弱化をはかる。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２８】
図２３および図２４は、この実施例における多孔質層の中間多孔率層１２Ｍと高多孔率層１２Ｈとに渡る断面の上述のＨ２雰囲気中のアニールを行う前と、行った後の各１０万倍の顕微鏡写真に基く模式図で、これらを比較して明らかなようにＨ２中アニールによって結晶粒の成長が生じ、特に高多孔率層１２Ｈにおいては孔部の拡大成長が著しく生じて、霜柱状（図２４では柱が存在しない部分での断面）の極めて粗なる層を形成し、この部分における脆弱性が著しくなる。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３５】
このようにして、多孔質層１２を形成して後は、実施例２で説明したと同様に、アニールを常圧Ｓｉエピタキシャル成長装置内でＨ２雰囲気中で行って多孔質層１２の表面層１２Ｓを滑らかにし、同時に多孔質層１２内部の中間多孔率層１２Ｍと、高多孔率層１２Ｈとの界面付近における強度の脆弱化をはかる。


【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３９】
また、上述した各例では、半導体膜１３をエピタキシャル成長によって形成した場合であるが、前述したように、多結晶層、非晶質層、さらにあるいはこれらの混在によって形成することもできるものである。
また、半導体膜１３として、シリコンＳｉ膜を成膜する場合、表面平滑性にすぐれたＳｉ膜を得るにはＳｉ供給の原料ガスとしては塩素系ガスのＳｉＣｌ４，ＳｉＨＣｌ３，Ｓｉ２Ｈ２Ｃｌ２等による成膜が好ましく、例えば太陽電池における受光効率を高めるために表面に微細凹凸を発生させるには、半導体膜の成膜に先立ってＨＣｌによるエッチングを行って後、シラン系ガスＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６等による成膜を行うことが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月30日(2003.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信位相信号から抽出されたクロック成分信号の連続する３サンプル値をレジスタに保持し、３サンプルの中央サンプル値を二値化して、この位相に対して再生シンボルクロックの位相同期をかけるＰＬＬ手段と、
バースト後端でクロック位相を記憶し、次のフレームの同じ通話チャネルのバースト先端で読み出すためのメモリ手段とを備え、
前記中央サンプルの前後のサンプルから信号の極性を検出してその符号間の差分をとり、その差分結果のゼロクロス位相について１スロット長にわたって計算した分散量がある一定のしきい値より大きければ受信信号の劣化と判定し、劣化したと判定された場合は上記メモリ手段の記憶更新時に調整無しとし、劣化が無いと判定された場合にのみ次のフレームの開始端まで上記メモリ手段に保持される位相に対して調整を行う
ことを特徴とするシンボルクロック再生装置。
【請求項２】
前記中央サンプルの前後のサンプルから信号の極性を検出してその符号間の差分をとり、その差分結果を再生シンボルクロックで二次サンプリングすることにより抽出信号位相の評価値を計算する回路手段と、
前記評価値を１スロットにわたって積分してスロットの終了時に一定のしきい値と前記積分結果とを比較することで当該スロットにおける受信信号状態の劣化を検出する検出手段と、
前記ＰＬＬ手段において前記積分計算中は再生シンボルクロックを位相調整せず、劣化したと判定された場合は上記メモリ手段の記憶更新時に調整無しとし、劣化が無いと判定された場合にのみ次のフレームの開始端まで上記メモリ手段に保持される位相に対して調整を行う手段とを備えたことを特徴とする請求項１記載のシンボルクロック再生装置。
【請求項３】
受信ＩＦ信号からクロック周波数成分を抽出するゼロクロス抽出手段と、
ゼロクロス二値化回路と、
位相比較手段と、フィルタと、同期合わせモード時にデジタルＰＬＬの位相制御を行うデジタルＶＣＯ回路とを備えたデジタルＰＬＬと、
通話モード時にデジタルＰＬＬの位相制御を行う微調トラッキング回路と、
バースト後端でクロック位相を記憶して、次のフレームの同じ通話チャネルのバースト先端で初期値として再度読み出すためのメモリ手段と、
受信信号の劣化判定回路とを有し、
前記劣化判定回路は、ゼロクロス抽出信号の１サンプル遅延をおこなうレジスタ回路と、信号の極性を判定して出力する符号検出手段と、減算器と、再生シンボルクロックによる二次サンプリング回路と、シンボルクロック毎に出力を評価値として積分する積分回路と、スロットの後端において積分回路で積分された値を一定のしきい値と比較して信号の劣化の有無を判定し、前記メモリ手段の記憶更新の許可を行うしきい値判定手段とを備え、
前記ＰＬＬ手段において前記積分計算中は再生シンボルクロックを位相調整せず、受信状態の劣化が無いと判定された場合にのみ次のフレームの開始端までメモリ手段に保持される初期位相に対して調整を行ない、受信状態の劣化と判定された場合は前記メモリ手段の記憶更新時に調整無しとする
ことを特徴とするシンボルクロック再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月4日(2003.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶シリコン基板に形成されたＮチャネル型トランジスタおよびＰチャネル型トランジスタとを相補的に組み合わせたCMOS回路を有する半導体装置において、
前記Ｎチャネル型トランジスタは、前記単結晶シリコン基板中に形成された第１の活性層と、前記第１の活性層に形成される第１のソース領域、第１のドレイン領域及び第１のチャネル形成領域を有し、
前記Ｐチャネル型トランジスタは、前記単結晶シリコン基板中に形成された第２の活性層と、前記第２の活性層に形成される第２のソース領域、第２のドレイン領域及び第２のチャネル形成領域を有し、
前記第１のチャネル形成領域には、チャネル方向と平行に局部的に複数の第１の不純物領域が形成されており、
前記第２のチャネル形成領域には、チャネル方向と平行に局部的に複数の第２の不純物領域が形成されており、
前記複数の第１の不純物領域の間隔は、前記複数の第２の不純物領域の間隔より狭いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記複数の第１の不純物領域の間隔は３０〜１００Åであることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記複数の第１の不純物領域の間隔は５０〜５００Åであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記複数の第１不純物領域及び前記複数の第２の不純物領域には酸素、窒素、酸素から選ばれた一種または複数種類の元素が含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記複数の第１の不純物領域にはＢ（ボロン）が含まれ、前記複数の第２の不純物領域にはＰ（リン）が含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
単結晶シリコン基板にＮチャネル型トランジスタおよびＰチャネル型トランジスタとを相補的に組み合わせたCMOS回路を有する半導体装置の作製方法において、
前記単結晶シリコン基板に前記Ｎチャネル型トランジスタの第１の活性層及び前記Ｐチャネル型トランジスタの第２の活性層を形成し、
前記第１の活性層に、第１のソース領域、第１のドレイン領域及び第１のチャネル形成領域を形成し、
前記第２の活性層に、第２のソース領域、第２のドレイン領域及び第２のチャネル形成領域を形成し、
前記第１のチャネル形成領域に、チャネル方向と平行に局部的に複数の第１の不純物領域を形成し、
前記第２のチャネル形成領域に、チャネル方向と平行に局部的に複数の第２の不純物領域を形成し、
前記複数の第１の不純物領域の間隔は、前記複数の第２の不純物領域の間隔より狭くすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記複数の第１の不純物領域及び前記複数の第２の不純物領域には酸素、窒素、酸素から選ばれた一種または複数種類の元素が添加されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６において、
前記複数の第１の不純物領域にはＢ（ボロン）が添加され、前記複数の第２の不純物領域にはＰ（リン）が添加されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月22日(2003.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
四辺を有する半導体素子と、
前記半導体素子の表面上に、前記四辺に沿って形成された複数の電極と、
前記半導体素子を支持する絶縁基板と、
前記複数の電極が形成された位置と対応するように、前記絶縁基板に形成された貫通部と、
前記絶縁基板における前記半導体素子を支持する側の面とは反対側の面に、前記半導体素子に対応する領域内に形成された複数の接続部と、
前記貫通部に挿通されて前記複数の電極と前記複数の接続部とをそれぞれ電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、
前記半導体素子の一部と前記複数の接続部及び前記複数のボンディングワイヤとを封止する封止樹脂とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記貫通部は、前記半導体素子の前記四辺に沿って前記絶縁基板に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、
前記複数の接続部は、前記貫通部に沿って前記絶縁基板上に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置において、
前記貫通部は、前記半導体素子の前記四辺に沿って前記絶縁基板に形成され、前記複数の接続部は、前記貫通部に沿って前記絶縁基板上に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３又は４記載の半導体装置において、
前記複数の接続部は、前記貫通部に囲まれるように前記絶縁基板上に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１、３、４、５のいずれかに記載の半導体装置において、
前記複数の接続部は、その全てが前記絶縁基板上における前記半導体素子に対応する領域内に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか一つに記載の半導体装置において、
前記貫通部は長溝状に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１〜５、７のいずれか一つに記載の半導体装置において、
前記貫通部は、前記絶縁基板における前記半導体素子を支持する側の面とは反対側の面にテーパ部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１記載の半導体装置において、
前記複数の接続部にそれぞれ電気的に接続された複数の接続端子を更に備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体装置において、
前記絶縁基板における前記半導体素子に対応する領域内に形成されて前記複数の接続部にそれぞれ電気的に接続された複数の接続端子を更に備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体装置において、
前記複数の接続端子は、前記絶縁基板上に形成された複数の導電パターンを介して前記複数の接続部に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項９〜１１のいずれか一つに記載の半導体装置において、
前記複数の接続端子は半田ボールであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、以上の点を解決するために、次の構成を採用する。
〈構成〉
本発明は、四辺を有する半導体素子と、前記半導体素子の表面上に、前記四辺に沿って形成された複数の電極と、前記半導体素子を支持する絶縁基板と、前記複数の電極が形成された位置と対応するように、前記絶縁基板に形成された貫通部と、前記絶縁基板における前記半導体素子を支持する側の面とは反対側の面に、前記半導体素子に対応する領域内に形成された複数の接続部と、前記貫通部に挿通されて前記複数の電極と前記複数の接続部とをそれぞれ電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、前記半導体素子の一部と前記複数の接続部及び前記複数のボンディングワイヤとを封止する封止樹脂とを有することを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
〈作用〉
本発明に係る半導体装置では、接続端子に接続される接続部は、絶縁基板の半導体素子を支持する面と反対側の面で、半導体素子に対応する領域に配列されており、絶縁基板の半導体素子の電極に対応する位置に設けられた挿通部にボンディングワイヤを挿通させ、このボンディングワイヤにより半導体素子の電極とこの電極に対応する接続部とが接続される。
従って、電極から接続部へ伸びるボンディングワイヤは、半導体素子の外方へ従来における程に大きく伸長することはなく、このボンディングワイヤおよび接続部を覆う樹脂封止部を、半導体素子からその外方周部へ従来のように大きく張り出させることなく、所定の必要部分を封止することができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
【発明の効果】
本発明に係る半導体装置では、前記したように、ボンディングワイヤを経て電極に接続される接続部は、半導体素子領域内に配置されていることから、電極から挿通部を経て、この接続部へ伸びるボンディングワイヤが、半導体素子の外方周部へ従来における程に大きく伸長することはない。
従って、本発明によれば、ボンディングワイヤおよび接続部を覆う樹脂封止部が、半導体素子からその外方周部へ従来のように大きく張り出すことがないことから、樹脂封止部のコンパクト化を図り、基板の平面形状のコンパクト化を図ることができ、これにより半導体装置のコンパクト化を達成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月4日(2003.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に形成されたＮチャネル型薄膜トランジスタおよびＰチャネル型薄膜トランジスタとを相補的に組み合わせたＣＭＯＳ回路を有する半導体装置において、
前記Ｎチャネル型薄膜トランジスタは、前記基板上に形成され結晶性珪素膜からなる第１の活性層と、前記第１の活性層に形成される第１のソース領域、第１のドレイン領域及び第１のチャネル形成領域を有し、
前記Ｐチャネル型薄膜トランジスタは、前記基板上に形成され結晶性珪素膜からなる第２の活性層と、前記第２の活性層に形成される第２のソース領域、第２のドレイン領域及び第２のチャネル形成領域を有し、
前記前記第１のチャネル形成領域には、チャネル方向と平行に局部的に複数の第１の不純物領域が形成されており、
前記前記第２のチャネル形成領域には、チャネル方向と平行に局部的に複数の第２の不純物領域が形成されており、
前記前記複数の第１の不純物領域の間隔は、前記複数の第２の不純物領域の間隔より狭いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記複数の第１の不純物領域の間隔は３０〜１００Åであることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記複数の第１の不純物領域の間隔は５０〜５００Åであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記複数の第１の不純物領域及び前記複数の第２の不純物領域には酸素、窒素、酸素から選ばれた一種または複数種類の元素が含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記複数の第１の不純物領域にはＢ（ボロン）が含まれており、
前記複数の第２の不純物領域にはＰ（リン）が含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
絶縁表面を有する基板上に形成されたＮチャネル型薄膜トランジスタおよびＰチャネル型半導体装置とを相補的に組み合わせたＣＭＯＳ回路を有する半導体装置において、
前記Ｎチャネル型薄膜トランジスタは、前記基板上に形成され結晶性珪素膜からなる第１の活性層と、前記第１の活性層に形成される第１のソース領域、第１のドレイン領域及び第１のチャネル形成領域を有し、
前記Ｐチャネル型薄膜トランジスタは、前記基板上に形成され結晶性珪素膜からなる第２の活性層と、前記第２の活性層に形成される第２のソース領域、第２のドレイン領域及び第２のチャネル形成領域を有し、
前記Ｎチャネル型薄膜トランジスタの第１の活性層および前記Ｐチャネル型薄膜トランジスタの第２の活性層は結晶粒界に方向性があり、かつ、前記基板と概略平行な針状また柱状結晶が集合してなる結晶構造体で構成され、
前記Ｎチャネル型薄膜トランジスタに用いられる結晶構造体は前記Ｐチャネル型薄膜トランジスタに用いられる結晶構造体に比べて針状または柱状結晶の結晶幅が狭くなっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記第１の活性層の膜厚は前記第２の活性層の膜厚よりも薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
絶縁表面を有する基板上にＮチャネル型薄膜トランジスタおよびＰチャネル型薄膜トランジスタとを相補的に組み合わせたＣＭＯＳ回路を有する半導体装置の作製方法において、
前記基板上に結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜を用いて、前記Ｎチャネル型薄膜トランジスタの第１の活性層及び前記Ｐチャネル型薄膜トランジスタの第２の活性層を形成し、
前記第１の活性層に、第１のソース領域、第１のドレイン領域及び第１のチャネル形成領域を形成し、
前記第２の活性層に、第２のソース領域、第２のドレイン領域及び第２のチャネル形成領域を形成し、
前記第１のチャネル形成領域に、チャネル方向と平行に局部的に複数の第１の不純物領域を形成し、
前記第２のチャネル形成領域に、チャネル方向と平行に局部的に複数の第２の不純物領域を形成し、
前記複数の第１の不純物領域の間隔は、前記複数の第２の不純物領域の間隔より狭くすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
絶縁表面を有する基板上にＮチャネル型薄膜トランジスタおよびＰチャネル型薄膜トランジスタとを相補的に組み合わせたＣＭＯＳ回路を有する半導体装置の作製方法において、
前記基板上に結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜を用いて、前記Ｎチャネル型薄膜トランジスタの第１の活性層及び前記Ｐチャネル型薄膜トランジスタの第２の活性層を形成し、
前記第１の活性層に、第１のソース領域、第１のドレイン領域及び第１のチャネル形成領域を形成し、
前記第２の活性層に、第２のソース領域、第２のドレイン領域及び第２のチャネル形成領域を形成し、
前記第１の活性層および前記第２の活性層は結晶粒界に方向性があり、かつ、前記基板と概略平行な針状また柱状結晶が集合してなる結晶構造体で構成され、
前記第１の活性層における前記針状または柱状結晶の結晶幅は前記第２の活性層の結晶幅よりも狭くすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９において、
前記結晶性珪素膜は、非晶質珪素膜に結晶化を助長させる金属元素を導入し、加熱によって結晶化させて形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項８において、
前記複数の第１の不純物領域及び前記複数の第２の不純物領域には酸素、窒素、酸素から選ばれた一種または複数種類の元素が添加されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８において、
前記複数の第１の不純物領域にはＢ（ボロン）が添加され、前記複数の第２の不純物領域にはＰ（リン）が添加されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月15日(2003.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の回路、第２の回路および第３の回路に接続され、前記第１の回路と前記第３の回路との接続、および前記第２の回路と前記第３の回路との接続を切り換えるためのスイッチ回路であって、
前記スイッチ回路はダイオードと伝送線路を備え、前記伝送線路は積層素体に内蔵されたスパイラル形状のライン電極で構成されていることを特徴とするダイオードスイッチ。
【請求項２】
前記伝送線路は異なる誘電体層に形成されたライン電極がスルーホール電極を介して接続してなることを特徴とする請求項１に記載のダイオードスイッチ。
【請求項３】
ライン電極は投影的に見てスルーホール電極を介して接続する他のライン電極と重複する部分を有することを特徴とする請求項２に記載のダイオードスイッチ。
【請求項４】
前記第１の回路と前記第３の回路との間に接続される第１のダイオードと、前記第２の回路とアースとの間に接続される第２のダイオードを含み、前記伝送線路を前記第３の回路と前記第２の回路との間に接続することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のダイオードスイッチ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、第１の回路、第２の回路および第３の回路に接続され、前記第１の回路と前記第３の回路との接続、および前記第２の回路と前記第３の回路との接続を切り換えるためのスイッチ回路であって、前記スイッチ回路はダイオードと伝送線路を備え、前記伝送線路は積層素体に内蔵されたスパイラル形状のライン電極で構成されているダイオードスイッチである。
本発明のダイオードスイッチにおいては、誘電体層に形成されたライン電極をスルーホール電極で接続して伝送線路を形成するのが好ましい。また、ライン電極は投影的に見てスルーホール電極を介して接続する他のライン電極と重複する部分を有するように構成するのが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また本発明のダイオードスイッチは、前記第１の回路と前記第３の回路との間に接続される第１のダイオードと、前記第２の回路とアースとの間に接続される第２のダイオードを含み、前記伝送線路を前記第３の回路と前記第２の回路との間に接続したものである。