【手続補正書】
【提出日】平成24年4月19日(2012.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース層と、
該ベース層上に配置され、単結晶ＩＩＩ族窒化物を含む組成物を有するテンプレート層であって、該テンプレート層は、該ベース層上の連続副層と、第１の副層上のナノ円柱状副層とを備え、該ナノ円柱状副層は、複数のナノスケール円柱を備える、テンプレート層と
を備え、該ベース層は、０〜２度の範囲のオフカット方位を含む、テンプレート化基板。
【請求項２】
前記ベース層は、サファイア、ＳｉＣ、６Ｈ−ＳｉＣ、４Ｈ−ＳｉＣ、Ｓｉ、ＭｇＡｌ２Ｏ４、およびＬｉＧａＯ２から成る群より選択される材料を含む、請求項１に記載のテンプレート化基板。
【請求項３】
前記テンプレート層の前記組成物は、ＧａＮおよびＡｌＮから成る群より選択される、請求項１に記載のテンプレート化基板。
【請求項４】
前記ベース層は、サファイアである、請求項３に記載のテンプレート化基板。
【請求項５】
前記テンプレート層は、２インチ以上の最大横寸法を含む、請求項１に記載のテンプレート化基板。
【請求項６】
前記テンプレート層は、ウルツ鉱結晶構造を含む、請求項１に記載のテンプレート化基板。
【請求項７】
前記テンプレート層は、１０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲の厚さを有する、請求項１に記載のテンプレート化基板。
【請求項８】
前記ナノ円柱状副層は、１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の厚さを有する、請求項１に記載のテンプレート化基板。
【請求項９】
前記連続副層は、第１の厚さを有し、前記ナノ円柱状副層は、該第１の厚さより小さい第２の厚さを有する、請求項１に記載のテンプレート化基板。
【請求項１０】
前記テンプレート層は、０．２ｎｍ〜１０ｎｍの範囲の表面粗度を有する、請求項１に記載のテンプレート化基板。
【請求項１１】
前記テンプレート層は、０．２×１０−２から０．８×１０−２の範囲の歪み値を有する、請求項１に記載のテンプレート化基板。
【請求項１２】
前記テンプレート層は、前記ナノ円柱状副層に対しては１００秒角〜５００秒角、前記連続副層に対しては５００秒角〜２５００秒角の範囲のロッキングカーブＦＷＨＭにより特徴付けられる結晶品質を有する、請求項１に記載のテンプレート化基板。
【請求項１３】
前記円柱は、実質的に円錐形状を有し、それぞれの先端で終端する、請求項１に記載のテンプレート化基板。
【請求項１４】
前記円柱は、それぞれの横寸法を有する、それぞれの円柱基部を含み、該円柱基部の平均横寸法は、１０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲である、請求項１に記載のテンプレート化基板。
【請求項１５】
前記円柱は、それぞれの高さを有し、該円柱の平均高さは、１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲である、請求項１に記載のテンプレート化基板。
【請求項１６】
前記ナノ円柱状副層上に配置されたＩＩＩ族窒化物含有へテロ構造をさらに備える、請求項１に記載のテンプレート化基板。
【請求項１７】
テンプレート化基板を製造するための方法であって、
該方法は、
真空蒸着により、単結晶ＩＩＩ族窒化物含有テンプレート層をベース層上に成長させることを含み、成長させることは、
該ベース層上に連続副層を形成することと、
該連続副層上にナノ円柱状副層を形成することであって、該ナノ円柱状副層は複数のナノスケール円柱を備える、ことと、
該テンプレート層が成長させられる厚さ、該ベース層のオフカット方位、および該ベース層の組成から成る群より選択されるパラメータを制御することにより、該テンプレート層の歪み値を制御することと
を含む、方法。
【請求項１８】
前記テンプレート層は、スパッタリングにより成長させられる、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記テンプレート層は、５００℃を超える温度において混合ガス環境内で達成される、１μｍ／ｈｒ未満の成長速度で成長させられる、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記連続副層を形成することおよび前記ナノ円柱状副層を形成することは、同じ成長温度で行われる、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記テンプレート層は、１０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲の厚さまで成長させられる、請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】
前記ナノ円柱状副層は、１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の厚さに形成される、請求項１７に記載の方法。
【請求項２３】
前記円柱は、実質的に円錐形状を有し、それぞれの先端で終端する、請求項１７に記載の方法。
【請求項２４】
前記円柱は、それぞれの横寸法を有する、それぞれの円柱基部を含み、該円柱基部の平均横寸法は、１０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲である、請求項１７に記載の方法。
【請求項２５】
前記円柱は、それぞれの高さを有し、該円柱の平均高さは、１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲である、請求項１７に記載の方法。
【請求項２６】
前記テンプレート層が成長させられる成長温度、該テンプレート層が成長させられる厚さを制御することによる前記円柱のサイズ、および前記ベース層の組成から成る群より選択されるパラメータを制御することにより、該円柱のサイズを制御することをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２７】
前記ナノ円柱状副層上にＩＩＩ族窒化物含有エピタキシャル層を成長させることをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２８】
請求項１７に記載の方法に従って製造される、テンプレート化基板。
【請求項２９】
前記連続副層および前記ナノ円柱状副層は、同じ成長条件を利用して形成され、該成長条件は、成長速度、成長温度、ガス圧、ガス流量、またはプラズマ操作パラメータのうちの少なくとも１つを含む、請求項１７に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の他のデバイス、装置、システム、方法、特徴および利点は、以下の図面および詳細な説明を検討すれば、当業者に明らかであり、または明らかとなる。すべてのそのような追加のシステム、方法、特徴および利点は、この説明に含まれ、本発明の範囲に含まれ、付随する特許請求の範囲により保護されることが意図される。
例えば、本発明は以下の項目を提供する。
（項目１）
ベース層と、
該ベース層上に配置され、単結晶ＩＩＩ族窒化物を含む組成物を有するテンプレート層であって、該テンプレート層は、該ベース層上の連続副層と、第１の副層上のナノ円柱状副層とを備え、該ナノ円柱状副層は、複数のナノスケール円柱を備える、テンプレート層と
を備える、テンプレート化基板。
（項目２）
上記ベース層は、サファイア、ＳｉＣ、６Ｈ−ＳｉＣ、４Ｈ−ＳｉＣ、Ｓｉ、ＭｇＡｌ２Ｏ４、およびＬｉＧａＯ２から成る群より選択される材料を含む、項目１に記載のテンプレート化基板。
（項目３）
上記ベース層は、０度〜２度の範囲のオフカット方位を含む、項目１に記載のテンプレート化基板。
（項目４）
上記テンプレート層の上記組成物は、ＧａＮおよびＡｌＮから成る群より選択される、項目１に記載のテンプレート化基板。
（項目５）
上記ベース層は、サファイアである、項目４に記載のテンプレート化基板。
（項目６）
上記テンプレート層は、２インチ以上の横寸法を含む、項目１に記載のテンプレート化基板。
（項目７）
上記テンプレート層は、ウルツ鉱結晶構造を含む、項目１に記載のテンプレート化基板。
（項目８）
上記テンプレート層は、１０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲の厚さを有する、項目１に記載のテンプレート化基板。
（項目９）
上記ナノ円柱状副層は、１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の厚さを有する、項目１に記載のテンプレート化基板。
（項目１０）
上記連続副層は、第１の厚さを有し、上記ナノ円柱状副層は、該第１の厚さより小さい第２の厚さを有する、項目１に記載のテンプレート化基板。
（項目１１）
上記テンプレート層は、０．２ｎｍ〜１０ｎｍの範囲の表面粗度を有する、項目１に記載のテンプレート化基板。
（項目１２）
上記テンプレート層は、０．２×１０−２から０．８×１０−２の範囲の歪み値を有する、項目１に記載のテンプレート化基板。
（項目１３）
上記テンプレート層は、ナノ円柱状副層に対しては１００秒〜５００秒、連続副層に対しては５００秒〜２５００秒の範囲のロッキングカーブＦＷＨＭにより特徴付けられる、結晶品質を有する、項目１に記載のテンプレート化基板。
（項目１４）
上記円柱は、実質的に円錐形状を有し、それぞれの先端で終端する、項目１に記載のテンプレート化基板。
（項目１５）
上記円柱は、それぞれの横寸法を有する、それぞれの円柱基部を含み、上記円柱基部の平均横寸法は、１０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲である、項目１に記載のテンプレート化基板。
（項目１６）
上記円柱は、それぞれの高さを有し、上記円柱の平均高さは、１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲である、項目１に記載のテンプレート化基板。
（項目１７）
ベース層と、
該ベース層上に配置され、単結晶ＩＩＩ族窒化物を含む組成物を有するテンプレート層であって、該テンプレート層は、該ベース層上の連続副層と、第１の副層上のナノ円柱状副層とを備え、該ナノ円柱状副層は、複数のナノスケール円柱を備える、テンプレート層と、
該ナノ円柱状副層上に配置されたＩＩＩ族窒化物含有へテロ構造と
を備える、ヘテロ構造。
（項目１８）
テンプレート化基板を製造するための方法であって、
真空蒸着により、単結晶ＩＩＩ族窒化物含有テンプレート層をベース層上に成長させることを含み、該成長させることは、
該ベース層上に連続副層を形成することと、
該連続副層上にナノ円柱状副層を形成することであって、該ナノ円柱状副層は複数のナノスケール円柱を備える、ことと
を含む、方法。
（項目１９）
上記テンプレート層は、スパッタリングにより成長させられる、項目１８に記載の方法。
（項目２０）
上記テンプレート層は、５００℃を超える温度において混合ガス環境内で達成される、１μｍ／ｈｒ未満の成長速度で成長させられる、項目１８に記載の方法。
（項目２１）
上記連続副層を形成することおよび上記ナノ円柱状副層を形成することは、同じ成長温度で行われる、項目１８に記載の方法。
（項目２２）
上記テンプレート層は、１０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲の厚さまで成長させられる、項目１８に記載の方法。
（項目２３）
上記ナノ円柱状副層は、１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の厚さまで形成される、項目１８に記載の方法。
（項目２４）
上記円柱は、実質的に円錐形状を有し、それぞれの先端で終端する、項目１８に記載の方法。
（項目２５）
上記円柱は、それぞれの横寸法を有する、それぞれの円柱基部を含み、該円柱基部の平均横寸法は、１０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲である、項目１８に記載の方法。
（項目２６）
上記円柱は、それぞれの高さを有し、該円柱の平均高さは、１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲である、項目１８に記載の方法。
（項目２７）
上記テンプレート層が成長させられる成長温度、該テンプレート層が成長させられる厚さを制御することによる上記円柱のサイズ、および上記ベース層の組成から成る群より選択されるパラメータを制御することにより、該円柱のサイズを制御することをさらに含む、項目１８に記載の方法。
（項目２８）
上記テンプレート層が成長させられる厚さ、上記ベース層のオフカット方位、および該ベース層の組成から成る群より選択されるパラメータを制御することにより、該テンプレート層の歪み値を制御することをさらに含む、項目１８に記載の方法。
（項目２９）
上記ナノ円柱状副層上にＩＩＩ族窒化物含有エピタキシャル層を成長させることをさらに含む、項目１８に記載の方法。
（項目３０）
項目１８に記載の方法に従って製造される、テンプレート化基板。