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【手続補正書】
【提出日】平成15年10月27日(2003.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】無線通信システムおよび無線通信装置、その制御方法、プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信システムにおいて、
信号送信にあたり予め無線媒体の状態を検出するキャリアセンス手段と；
データフレームの伝送に先立ち、送信要求信号および送信許可信号を送受信することで通信路を確保する手順実行手段と；
データフレーム伝送時に、上記手順実行手段によって送信権を確保した後、所定数のデータフレーム、または、上記所定数以内の最終データフレームを送出した後、当該データフレームに対する受信確認応答を受信するまでの間、送信権を継続して確保する手段と；
を有することを特徴とする無線通信システム。
【請求項２】
請求項１において、
上記データフレームを受信して受信確認応答を送出する無線通信局は、上記受信確認応答を送出するまでフレーム送信を禁止する手段を有することを特徴とする無線通信システム。
【請求項３】
請求項１において、
上記所定数のデータフレームは、最大アウトスタンディング数のデータフレームであることを特徴とする無線通信システム。
【請求項４】
請求項１において、
データフレーム送出局として最終データフレームを送出した後、受信確認応答を待機する時間が経過しても応答が無いときには応答要求信号を送出する手段と；
上記応答要求信号を受信した場合に、受信確認応答フレーム、または、次いで送出すべきデータがあるときには送信要求を含む受信確認応答フレームを送出する手段と；
上記データフレーム送出局で、上記受信確認応答フレームを受信することにより、正しくデータフレーム受信が行われたことを確認する手段と；
上記確認後、送信許可信号を送出する手段と；
を有することを特徴とする無線通信システム。
【請求項５】
請求項１において、
時分割多重接続通信を行うことを特徴とする無線通信システム。
【請求項６】
無線通信システムの制御方法において、
信号送信にあたり予め無線媒体の状態を検出するキャリアセンスを行うとともに、データフレームの伝送に先立ち、送信要求信号および送信許可信号を送受信することで通信路を確保する手順を実行し、
データフレーム伝送時に、上記手順の実行によって送信権を確保した後、所定数のデータフレーム、または、上記所定数以内の最終データフレームを送出した後、当該データフレームに対する受信確認応答を受信するまでの間、送信権を継続して確保することを特徴とする無線通信システムの制御方法。
【請求項７】
無線通信装置において、
信号送信にあたり予め無線媒体の状態を検出するキャリアセンス手段と；
データフレームの伝送に先立ち、送信要求信号および送信許可信号を送受信することによって通信路を確保する手順実行手段と；
データフレーム伝送時に、上記手順実行手段によって送信権を確保した後、所定数のデータフレーム、または、上記所定数以内の最終データフレームを送出した後、当該データフレームに対する受信確認応答を受信するまでの間、送信権を継続して確保する手段と；
を有することを特徴とする無線通信装置。
【請求項８】
無線通信装置を制御するプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、
信号送信にあたり予め無線媒体の状態を検出するキャリアセンス工程と；
データフレームの伝送に先立ち、送信要求信号および送信許可信号を送受信することで通信路を確保する手順実行工程と；
データフレーム伝送時に、上記手順実行工程によって送信権を確保した後、所定数のデータフレーム、または、上記所定数以内の最終データフレームを送出した後、当該データフレームに対する受信確認応答を受信するまでの間、送信権を継続して確保する工程と；
を実行するプログラムを記憶したことを特徴とする記憶媒体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば無線データ通信を行う非同期ＴＤＭＡ方式等の無線通信システム、無線通信装置、その制御に関し、特に複数のデータ伝送制御方法の改善に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
そこで、本発明は、データ伝送を行うために必要な手順の繁雑化を抑制し、かつ送信権開放を迅速に実行し、スループットを向上させることを目的とする。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するために、信号送信にあたり予め無線媒体の状態を検出するキャリアセンスを行うとともに、データフレームの伝送に先立ち、送信要求信号および送信許可信号を送受信することで通信路を確保する手順を実行し、所定数のデータフレーム、または、上記所定数以内の最終データフレームを送出した後、当該データフレームに対する受信確認応答を受信するまでの間、送信権を継続して確保することを特徴とする。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
信号４０３は、再送要求信号に応じて再送されたデータフレームを示し、信号４０４は、この再送データフレームを正しく受信したことを示す受信確認応答信号と、次いで局２において送信すべきデータフレームが有るために発生した送信要求信号を示す。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、複数のデータフレームの送出を一度の通信路確保手順により行うことが可能となるので、データ伝送を行うために必要な手順の繁雑化を抑制でき、スループットを向上することができる効果がある。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
また、通信路確保のための信号を受信確認応答と共有化することにより、無線媒体へのアクセス権を平等に割り当てることが可能となるという効果も得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月14日(2003.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ゲート用溝部を備えた半導体基板と、前記溝部上に形成された、前記溝部側から第１の酸化膜、窒化膜および第２の酸化膜の順に三層構造を有するゲート絶縁膜と、前記溝部に埋め込まれたゲート電極とを少なくとも具備する半導体装置であって、前記三層構造のゲート絶縁膜の酸化膜換算の厚さが２５から３５ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
半導体基板上にゲート用溝部を形成する工程と、前記溝部上に、第１の酸化膜、窒化膜および第２の酸化膜からなる三層構造のゲート絶縁膜を酸化膜換算の厚さが２５から３５ｎｍとなるように形成する工程と、前記ゲート絶縁膜の形成された前記溝部にゲート電極を埋め込む工程とを少なくとも具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ゲート用溝部を有する半導体装置およびその製造方法に係わり、特に、低電圧駆動縦型ＭＯＳ−ＦＥＴにおいて三層のゲート絶縁膜を有するトレンチゲート型半導体装置およびその製造方法に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、ゲート用溝部を備えた半導体基板と、前記溝部上に形成された、前記溝部側から第１の酸化膜、窒化膜および第２の酸化膜の順に三層構造を有するゲート絶縁膜と、前記溝部に埋め込まれたゲート電極とを少なくとも具備し、前記三層構造のゲート絶縁膜の酸化膜換算の厚さが２５から３５ｎｍであることを特徴としている。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上にゲート用溝部を形成する工程と、前記溝部上に、第１の酸化膜、窒化膜および第２の酸化膜からなる三層構造のゲート絶縁膜を酸化膜換算の厚さが２５から３５ｎｍとなるように形成する工程と、前記ゲート絶縁膜の形成された前記溝部にゲート電極を埋め込む工程とを少なくとも具備することを特徴としている。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
より具体的には、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上にエピタキシャル層およびベース層を堆積する工程と、コンタクト領域となる不純物拡散領域そしてソース領域を形成する工程と、ゲート用溝部であるトレンチをＲＩＥ（Reactive Ion Etching）によりエッチングする工程と、トレンチに第１の酸化膜、窒化膜および第２の酸化膜からなる三層構造のゲート絶縁膜を、それぞれ所定の温度にて、熱酸化、減圧ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法、熱酸化により形成する工程と、ゲート絶縁膜の形成されたトレンチにゲート電極を埋め込み、平坦化し、ＣＤＥ（Chemical Dry Etching）によりエッチバックする工程と、少なくともゲート電極を覆うように層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜の上にバリアメタル層を堆積する工程と、バリアメタル層の上にソース電極を形成する工程とを具備している。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月15日(2004.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
上記半導体素子を搭載するダイパッドと、
上記半導体素子を封止する封止樹脂体と、
上記ダイパッドは、上記半導体素子を搭載する搭載面と、
上記封止樹脂体から外へ露出され、上記搭載面と反対側の露出面と、
上記ダイパッドの半導体素子搭載領域よりも外側に位置し上記搭載面と上記露出面とを連通する複数の孔とを備えた半導体装置。
【請求項２】
上記ダイパッドの周囲端部は、上記ダイパッドの搭載面側に屈曲している請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体素子と、
上記半導体素子を載置するダイパッドと、
上記半導体素子を封止する封止樹脂体と、
上記ダイパッドは、上記封止樹脂体内で上記半導体素子を載置する第１の面と、
上記封止樹脂体から外へ露出されて半導体装置の外形の一部を形成する第２の面と、
上記第１の面側に屈曲されると共に上記封止樹脂体内に位置される周囲端部と、
上記ダイパッドの半導体素子載置領域よりも外側に位置し上記第１の面と上記第２の面とを連通する複数の孔とを備える半導体装置。
【請求項４】
上記第２の面は上記第１の面の裏面である請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
上記ダイパッドの複数の孔が上記周囲端部の屈曲線上に位置する請求項２〜請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
上記封止樹脂体の封止樹脂が上記複数の孔内に充填されている請求項２〜請求項５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
上記ダイパッドの複数の孔が上記ダイパッドの各辺に沿って所定間隔で位置する請求項１〜請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
上記半導体素子に電気的に接続された複数本のインナーリードと、
各上記インナーリードにそれぞれ一体的に連結されたアウターリードと、
上記ダイパッドの四隅に支持リードとを備え、
上記インナーリードの高さからダウンセットされ、
上記支持リードは屈曲している請求項１〜請求項７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
上記支持リードは２箇所で屈曲している請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
上記露出面にはリング状の溝が形成されている請求項１〜請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
上記溝は上記半導体チップよりも外側に形成されている請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
上記溝は二重に形成されている請求項１１に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、半導体素子と、上記半導体素子を搭載するダイパッドと、上記半導体素子を封止する封止樹脂体と、上記ダイパッドは、上記半導体素子を搭載する搭載面と、上記封止樹脂体から外へ露出され、上記搭載面と反対側の露出面と、上記ダイパッドの半導体素子搭載領域よりも外側に位置し上記搭載面と上記露出面とを連通する複数の孔とを備えた半導体装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、上記ダイパッドの周囲端部は、上記ダイパッドの搭載面側に屈曲している半導体装置である。
また、半導体素子と、上記半導体素子を載置するダイパッドと、上記半導体素子を封止する封止樹脂体と、上記ダイパッドは、上記封止樹脂体内で上記半導体素子を載置する第１の面と、上記封止樹脂体から外へ露出されて半導体装置の外形の一部を形成する第２の面と、上記第１の面側に屈曲されると共に上記封止樹脂体内に位置される周囲端部と、上記ダイパッドの半導体素子載置領域よりも外側に位置し上記第１の面と上記第２の面とを連通する複数の孔とを備える半導体装置である。
また、上記第２の面は上記第１の面の裏面である半導体装置である。
また、上記ダイパッドの複数の孔が上記周囲端部の屈曲線上に位置する半導体装置である。
また、上記封止樹脂体の封止樹脂が上記複数の孔内に充填されている半導体装置である。
また、上記ダイパッドの複数の孔が上記ダイパッドの各辺に沿って所定間隔で位置する半導体装置である。
また、上記半導体素子に電気的に接続された複数本のインナーリードと、各上記インナーリードにそれぞれ一体的に連結されたアウターリードと、上記ダイパッドの四隅に支持リードとを備え、上記インナーリードの高さからダウンセットされ、上記支持リードは屈曲している半導体装置である。
また、上記支持リードは２箇所で屈曲している半導体装置である。
また、上記露出面にはリング状の溝が形成されている半導体装置である。
また、上記溝は上記半導体チップよりも外側に形成されている半導体装置である。
また、上記溝は二重に形成されている半導体装置である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月5日(2003.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
図３は、画像形成装置における階調変換部の構成例を示す図である。図３において、誤差補正部３０２には、入力多値画像信号Ｄに対して前処理を施した信号を定数（１７）で除算した信号ＤＲ’と、２値化処理部３０１で発生した２値化誤差データＥとが入力される。そして、誤差補正部３０２は、ラインメモリを用いて誤差補正を行った画像信号ＤＥを生成する。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
“−６〜＋６”の値に制限された２値化誤差データＥは、除算回路５０１によって１／２にされる。その結果（Ｅ／２）は、減算回路５０２及び誤差圧縮回路５０６に供給される。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
２値画像信号Ｎは、１画素分の遅延回路６０３〜６０８により順次１画素分ずつ遅延される。そして、遅延回路６０６、６０７から夫々遅延データＮ１４，Ｎ１５が出力される。また、遅延回路６０６、６０７、６０８より夫々遅延データＢ１０、Ｂ２０、Ｂ３０が出力される。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
ラインバッファ６０２の出力は、１画素分の遅延回路６１５〜６２０により順次１画素分ずつ遅延される。そして、遅延回路６１５〜６１９より夫々遅延データＮ３１〜Ｎ３５が出力される。また、ラインバッファ６０２、遅延回路６１５〜６１９より夫々Ｂ３１、Ｂ２１、Ｂ１１、Ｂ０１、Ｂｉ１１、Ｂｉ２１、Ｂｉ３１が出力される。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
図１６は、ヒステリシス制御量算出部３０８の動作例を示す図である。ヒステリシス制御量算出部３０８は、画像信号ＤＲに応じたヒステリシス制御量Ｔを決定して、しきい値算出部３０５に供給する。これは、任意の濃度領域で、ヒステリシス量を調整するためである。これにより任意の濃度領域でテクスチャ制御を行うことができる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
以下、図１６を参照しながらヒステリシス制御量算出部３０８の動作を説明する。なお、図１６では、説明の便宜上、プログラム言語Ｃでヒステリシス制御量算出部３０８の動作を記述している。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月7日(2003.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】端末装置、自動位置情報通知システムおよび自動位置情報通知方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＧＰＳ衛星からそれぞれの衛星の位置情報及び時刻情報を周期的に受信して受信地点の現在位置を算出し、この算出された現在位置をメモリに格納、更新する端末装置において、ＧＰＳ衛星から受信した情報にもとづいて算出された最新の位置と前記メモリに格納された現在位置とを比較し、その比較データの不一致の程度が誤差範囲を超えていると判定されたとき位置情報等を管理センター、自宅または移動端末に通知することを特徴とする端末装置。
【請求項２】
請求項１記載の端末装置において、前記比較データが誤差範囲を超えて変化があったとき警報を鳴動させることを特徴とする端末装置。
【請求項３】
請求項１記載の端末装置において、前記位置情報等は受信地点の経度、緯度、高度または端末装置ＩＤのいずれか又は全てを含むことを特徴とする端末装置。
【請求項４】
複数のＧＰＳ衛星からそれぞれの衛星の位置情報及び時刻情報を周期的に受信して受信地点の現在位置を算出し、この算出された現在位置をメモリに格納、更新するように構成された端末装置を用いて位置情報を通知する自動位置情報通知システムにおいて、当該端末装置がＧＰＳ衛星から受信した情報にもとづいて算出された最新の位置と前記メモリに格納された現在位置とを比較しその比較データの不一致の程度が誤差範囲を超えていると判定されたとき位置情報等を管理センター、自宅または移動端末に通知することを特徴とする自動位置情報通知システム。
【請求項５】
複数のＧＰＳ衛星からそれぞれの衛星の位置情報および時刻情報を周期的に受信して受信地点の現在位置をメモリに格納、更新する自動位置情報通知方法であって、当該端末装置がＧＰＳ衛星から受信した情報にもとづいて算出された最新の位置と前記メモリに格納された現在位置とを比較するステップと、前記比較結果が誤差範囲であるか否かを判定するステップと、誤差範囲でないと判定された場合、位置情報、端末装置ＩＤ等のデータを送信するステップとを含むことを特徴とする自動位置情報通知方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明はこれらの課題を解決するためのものであり、複数のＧＰＳ衛星からそれぞれの衛星の位置情報及び時刻情報を周期的に受信して受信地点の現在位置を算出し、この算出された現在位置をメモリに格納、更新する端末装置において、ＧＰＳ衛星から受信した情報にもとづいて算出された最新の位置と前記メモリに格納された現在位置とを比較し、その比較データの不一致の程度が誤差範囲を超えていると判定されたとき位置情報等を管理センター、自宅または移動端末に通知する端末装置を提供する。
請求項２記載の発明は、比較データが誤差範囲を超えて変化があったとき警報を鳴動させる。
請求項３記載の発明は、前記位置情報等は受信地点の経度、緯度、高度または端末装置ＩＤのいずれか又は全てを含む。
請求項４記載の発明は、複数のＧＰＳ衛星からそれぞれの衛星の位置情報及び時刻情報を周期的に受信して受信地点の現在位置を算出し、この算出された現在位置をメモリに格納、更新するように構成された端末装置を用いて位置情報を通知する自動位置情報通知システムにおいて、当該端末装置がＧＰＳ衛星から受信した情報にもとづいて算出された最新の位置と前記メモリに格納された現在位置とを比較しその比較データの不一致の程度が誤差範囲を超えていると判定されたとき位置情報等を管理センター、自宅または移動端末に通知する自動位置情報通知システムである。
請求項５記載の発明は、複数のＧＰＳ衛星からそれぞれの衛星の位置情報および時刻情報を周期的に受信して受信地点の現在位置をメモリに格納、更新する自動位置情報通知方法であって、当該端末装置がＧＰＳ衛星から受信した情報にもとづいて算出された最新の位置と前記メモリに格納された現在位置とを比較するステップと、前記比較結果が誤差範囲であるか否かを判定するステップと、誤差範囲でないと判定された場合、位置情報、端末装置ＩＤ等のデータを送信するステップとを含む自動位置情報通知方法である。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
図１において、１は人工衛星、２は人工衛星１からの電波を受信する本装置、３は無線基地局、４は公衆通信網、５は管理センター、６は自宅、７は移動端末、８は無線基地局である。図１にもとづいて動作説明を行う。本装置２は人工衛星１から送信されてくる位置情報及び時刻情報を受信して受信地点の経度、緯度、高度等を算出し、算出した現在位置情報を無線基地局３を通じて管理センター５または無線基地局８を経由して移動端末７または自宅６に設置された電話機に転送する。同時に移動端末７および自宅６に設置された電話機に転送する。同時に移動端末７および自宅６に設置された電話機および管理センター５は公衆通信網４を介して相互に通話することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月19日(2003.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体集積回路


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コマンド信号をデコードするコマンドデコーダ部と、
前記コマンドデコーダ部が前記コマンド信号をデコードする前に前記コマンドデコーダ部をリセットし、かつ、全ての前記コマンド信号が前記コマンドデコーダ部に入力された後に前記コマンドデコーダ部を活性化する制御信号を、前記コマンドデコーダ部に供給するコマンドデコーダ制御部と、
クロック信号に応答して外部からのコマンド信号をラッチしてから、前記コマンド信号を前記コマンドデコーダ部に供給するコマンドラッチ回路とを備えることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２】
前記制御信号が、前記コマンドデコーダ部をリセットするために前記クロック信号に応答して生成される請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項３】
前記半導体集積回路が、さらに、前記コマンドラッチ回路の動作をシミュレートするダミーラッチ回路を備えており、前記コマンドデコーダ部を活性化するために、前記ダミーラッチ回路の出力信号に応答して前記制御信号が生成される請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項４】
前記コマンドデコーダ部のリセット状態において、前記コマンドデコーダ部の内部ノードが、前記制御信号に応答して電源電圧にプリチャージされる請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項５】
前記コマンドデコーダ部の活性化期間中は、前記内部ノードが、前記制御信号に応答して放電されるかまたは放電されない請求項４記載の半導体集積回路。
【請求項６】
前記半導体集積回路が、さらに、前記クロック信号に同期するように制御されたクロック信号を出力するために前記クロック信号を受け取るＤＬＬ回路を備えており、前記制御信号は、前記コマンドデコーダ部をリセットするために、前記の制御されたクロック信号に応答して生成される請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項７】
前記コマンドデコーダ部が、電源電圧と内部ノードとの間で並列に接続される第１のＰＭＯＳトランジスタ、第２のＰＭＯＳトランジスタおよび第３のＰＭＯＳトランジスタを有しており、前記第１のＰＭＯＳトランジスタのゲートが前記制御信号により制御され、前記第２のＰＭＯＳトランジスタおよび第３のＰＭＯＳトランジスタの各々のゲートが前記コマンド信号により制御され、
前記コマンドデコーダ部は、さらに、前記内部ノードと基準電位との間で直列に接続される第１のＮＭＯＳトランジスタ、第２のＮＭＯＳトランジスタおよび第３のＮＭＯＳトランジスタを有する請求項１記載の半導体集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月9日(2004.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
実施例８〜３４および比較例３〜６
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を真空蒸着して膜厚３０ｎｍの正孔注入層を形成した。次いで、表１の化合物を真空蒸着し、膜厚３０ｎｍの発光層を得た。さらに、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）ガリウム錯体を真空蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を作成し、その上に、マグネシウムと銀を１０：１（重量比）で混合した合金で膜厚１００ｎｍの電極を形成して有機ＥＬ素子を得た。各層は１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子の発光特性を表２に示す。本実施例の有機ＥＬ素子は全て、最大発光輝度３５０００（ｃｄ／ｍ2）以上の高い輝度特性を示した。同様に比較例として、前記比較化合物Ａ〜Ｄを成膜して用いる以外は、実施例８と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。この素子の発光特性を表２に併せて示す。いずれの場合も、最大発光輝度、最大発光効率共に、本実施例で作成した素子よりも劣っていることは明らかである。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１７】
【表２】
2003201472.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成15年5月2日(2003.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
気管支、消化管、泌尿生殖器系の粘膜面には、細菌、ウイルスなどの微生物や食物タンパクをはじめとする多くの外来抗原に対し、生体を防御するための分泌型ＩｇＡを主体とする強力な粘膜免疫機構が存在する。分泌型ＩｇＡは血清中のＩｇＡとは異なり、Ｊ鎖を含んだ二量体（ｄｉｍｅｒｉｃ  ＩｇＡ）と多量体免疫グロブリンレセプター（ｐＩｇＲ：ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ  ｉｍｍｕｎｏｇｌｏｂｕｌｉｎ  ｒｅｃｅｐｔｏｒ）  の細胞外ドメイン（ｓｅｃｒｅｔｏｒｙｃｏｍｐｏｎｅｎｔ：ＳＣ）が結合した形で存在しており、唾液、涙、鼻汁、乳汁、さらに気管支や腸管などの分泌液中に多く存在している。このような粘膜面におけるリンパ組織を粘膜関連リンパ組織とよび、ＩｇＡ産生誘導において中心的な役割を演じている。腸管の代表的な粘膜関連リンパ組織であるパイエル板（Ｐｅｙｅｒ’ｓ  ｐａｔｃｈ）で抗原刺激を受けた活性化Ｂ細胞が、全身の血液循環に沿ってふたたび腸管のみならず外分泌腺や気管支・泌尿生殖器系の粘膜面に分布し、ＩｇＡ産生細胞である形質細胞に分化してＩｇＡを産生する。この一連のＢ細胞の活性化にはヘルパーＴ細胞が産生するサイトカインが重要な役割を演じている。このように、局所粘膜面での分泌型ＩｇＡの産生は全身的な免疫応答とも関連している。
そこで、気管支、消化管、泌尿生殖器系の粘膜面に分泌型ＩｇＡの産生を誘導・成立させる食品成分あるいは組成物は、生体防御機構（自然免疫および獲得免疫）を増強することが期待できる。このようなＩｇＡ産生を亢進する食品成分あるいは組成物として、例えば、乳果オリゴ糖およびその組成物が提案されている（特開２００１−６４１８１）。また、ラクチュロースを経口摂取したラットは盲腸粘膜のＩｇＡ呈示リンパ球比率が増加し、血清中のＩｇＡは低下傾向を示したとの報告がある〔Ｋｕｄｏｈ，  Ｋ．  ｅｔ  ａｌ．：  Ｊ．  Ｎｕｔｒ．  Ｓｃｉ．  Ｖｉｔａｍｉｎｏｌ．  （Ｔｏｋｙｏ），  ４５：  １７３，  １９９９〕。しかしながら、これらの評価はこれからである。そこで、粘膜免疫系を増強する作用を有する新たな免疫賦活組成物および該組成物を含有せしめた粘膜免疫賦活飲食品の開発が望まれている。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月4日(2003.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
８−［３−［１−［（３−フルオロフェニル）メチル］−４−ピペリジニル］−１−オキソプロピル］−１，２，５，６−テトラヒドロ−４Ｈ−ピロロ［３，２，１−ｉｊ］キノリン−４−オンまたはその塩を含有してなる膀胱排出力改善剤。
【請求項２】
排尿障害の予防・治療剤である請求項１記載の剤。
【請求項３】
排尿困難の予防・治療剤である請求項１記載の剤。
【請求項４】
請求項１記載の化合物またはその塩とα−遮断薬とを組合わせることを特徴とする膀胱排出力改善剤。
【請求項５】
前立腺肥大症に伴う排尿障害の予防・治療剤である請求項１記載の剤。
【請求項６】
神経因性膀胱に起因する排尿障害の予防・治療剤である請求項１記載の剤。
【請求項７】
膀胱筋緊張低下に起因する排尿障害の予防・治療剤である請求項１記載の剤。
【請求項８】
頻尿・尿失禁の予防・治療剤である請求項１記載の剤。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月30日(2003.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
次の(a) 及び(b) の各工程、即ち、
(a) 被験改善物質の存在下及び非存在下の培養細胞或いは組織中の高活性型トランスグルタミナーゼ１に、変調原因因子により変調を起こさせる工程、
(b) 工程(a) における被験改善物質の存在下及び非存在下の高活性型トランスグルタミナーゼ１を、請求項１〜４の何れかに記載の抗高活性型トランスグルタミナーゼ抗体で検出し、被験改善物質の存在下及び非存在下の両者の検出量を比較する工程、
を具備することを特徴とする高活性型トランスグルタミナーゼ１の変調とそれに伴う病態とを予防する予防物質の選別方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項７に記載された発明に係る高活性型TGase1の変調とそれに伴う病態とを予防する予防物質の選別方法は、次の(a) 及び(b) の各工程、即ち、
(a) 被験改善物質の存在下及び非存在下の培養細胞或いは組織中の高活性型トランスグルタミナーゼ１に、変調原因因子により変調を起こさせる工程、
(b) 工程(a) における被験改善物質の存在下及び非存在下の高活性型トランスグルタミナーゼ１を、請求項１〜４の何れかに記載の抗高活性型トランスグルタミナーゼ抗体で検出し、被験改善物質の存在下及び非存在下の両者の検出量を比較する工程、
を具備するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月8日(2004.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポンプケーシングの内部に、主軸の一端に固定した羽根車を配置した遠心ポンプにおいて、該羽根車は主板と側板を有し、該羽根車翼入口から翼出口間で、該羽根車通液路の高さと幅を同一寸法及び直線形状として、更に、該羽根車通液路断面を正方形又は略正方形で形成し、比速度ｎｓ＝（ｎＱ１／２）／Ｈ３／４（ｎ：回転速度（ｍｉｎ−１），Ｑ：吐出し量（ｍ３／ｍｉｎ），Ｈ：全揚程（ｍ））は６３ないし１１２であり、最高効率点における吐出し量が０．００５ないし１００Ｌ（リットル）／ｍｉｎであることを特徴とする遠心ポンプ。
【請求項２】
羽根車直径が１０ないし１３０ｍｍ、かつ、羽根車通液路の高さ及び幅が０．５ないし６ｍｍであることを特徴とする請求項１記載の遠心ポンプ。
【請求項３】
ポンプケーシングの内部に、主軸の一端に固定した羽根車を配置した遠心ポンプにおいて、該羽根車は主板と側板を有し、該羽根車翼入口から翼出口間で、該羽根車通液路の高さと幅を同一寸法として、最高効率点における吐出し量が０．００５ないし１００Ｌ（リットル）／ｍｉｎであることを特徴とする遠心ポンプ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項２に記載の発明は、羽根車直径が１０ないし１３０ｍｍ、かつ、羽根車通液路の高さ及び幅が０．５ないし６ｍｍであることを特徴とする。
請求項３に記載の発明は、ポンプケーシングの内部に、主軸の一端に固定した羽根車を配置した遠心ポンプにおいて、該羽根車は主板と側板を有し、該羽根車翼入口から翼出口間で、該羽根車通液路の高さと幅を同一寸法として、最高効率点における吐出し量が０．００５ないし１００Ｌ（リットル）／ｍｉｎであることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成15年5月13日(2003.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ロータリーポンプの山と谷の描き方
【特許請求の範囲】
【請求項１】ロータリーポンプは同じ大きさの円柱と円柱の一方に山（１０）、もう一方に谷（９）を持つローター。両方のローターは回転に際し相互間および側面壁（３）および、内周壁（２，１３）に小さなすきまを保つ。大きい内周壁（２）と小さい内周壁（１３）の交わるところに、吸込口（８）と吐出口（７）を設ける。谷の方のローター（４）と山の方のローター（５）の中心に軸（１，１２）を設ける。山の方のローターの軸（１２）を入力軸とする。両方のローターは歯車（６，１１）により、駆動させる。ローターの山と谷（１０，９）を描く方法として、両方のローターと同じ半径の円板を用意する。片方の円板（２４）に、隋円の山の形の板（２５）を伸縮する布を下からくるんで上部で止め、それの隋円を描く時の２本の針の位置を円の中心線とその延長線（２６）上に固定する。そして布の面にインクを塗る。もう一方の円板（２３）に隋円の形の布を張った方を下にして、両方の円板（２４，２３）がすべらないように接しつつ、山を上から軽く押えながら回転させ、谷の形をインクで形成させる。これが谷の形の基本である。これを谷の角（１７）が円板と円板の中心を結ぶ線（１８）に到達した時から、山２５）とインクで形成された谷のすきまが広がる形とする。また反転した場合は反対側の谷の角（１６）が、円板と円板の中心を結ぶ線（１８）に到達した時から山とインクで形成された谷のすきまを広げる形とする。これが谷の形である。また山の形は隋円の山を筆記用具で周囲を描いた形である。尚、谷の形を描く時の隋円の山の形は、描く際山が常に新たな基本の谷の輪郭を形成するものだけとする。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は気体、及び液体を問わず、その働きを高度に作用させるロータリーポンプに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
山と谷がかみ合う方法のロータリーポンプは、山のローターと谷のローターが回転する際山と谷がかみ合う時の相互間ではすきまが大きかった。これを最小限におさえる必要があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ローターの山とローターの谷が回転して山と谷がかみ合う時相互間でのすきまを最小限にする必要がある。
【０００４】
【課題を解決するため手段】
両方のローターと同じ半径の二枚の円板を用意する。片方の円板（２４）に、隋円の山の形の板（２５）を伸縮する布を下からくるんで上部で止め、それの、隋円を描く時の２本の針の位置を円の中心線（２６）とその延長線上に固定する。そして布の面にインクを塗る。もう一方の円板に隋円の形の板の布を張った方を下にして、両方の円板がすべらないように接しつつ、山を上から軽く押えながら回転させ、谷の形をインクで形成させた。これが谷の形の基本である。この形はこのままではロータリーポンプにした場合谷の角（１５）が円板と円板の中心を結ぶ線に到達した時から山と谷と側面壁と円柱に囲まれた室が低圧となるので回転に支障をきたす。これを無くすため谷の角（１７）が円板と円板の中心を結ぶ線に到達した時から山（２５）とインクで形成された谷が広がる形とした。また、反転した場合は反対側の谷の角（１６）が円板と円板の中心を結ぶ線に到達した時から山（２５）とインクで形成された谷が広がる形とした。また山の形は隋円の形の板で描いた。
【０００５】
【発明の実施の形態】
ロータリーポンプの両方のローターは回転に際し相互間では、常に１箇所で接するか、小さなすきまを保つことができた。このため圧力回転機にした場合両方の歯車に負担をかける事なく入力軸（１２）に力を伝える事ができた。
【０００６】
【実施例】
両方のローターと同じ半径の二枚の円板を用意した。片方の円板（２４）に、隋円の形の板をつくり伸縮した布を下からくるんで上部で止めそれの隋円を描く時の２本の針の位置を円の中心線とその延長線上に固定する。そして布の面にインクを塗る。もう一方の円板に隋円の形の板の布を張った方を下にして、両方の円板がすべらないように接しつつ、山を上から軽く押えながら回転させ、谷の形をインクで形成させた。これが谷の形の基本である。この谷の形はこのままでは、ロータリーポンプにした場合、谷の角（１５）が円板と円板の中心を結ぶ線に到達した時から山と谷と側面壁と円柱に囲まれた室が低圧となるので回転に支障をきたす。これを無くすため谷の角（１７）が円板と円板の中心を結ぶ線に到達した時から山（２５）とインクで形成された谷が広がる形とした。また反転した場合は、反対側の谷の角（１６）が円板と円板の中心を結ぶ線に到達した時から山とインクで形成された谷が広がる形とした。また山の形は隋円の板で描いた。これをロータリーポンプにした場合両方のローターは相互間では回転に際し、接する小さなすきまを保つことができた。
【０００７】
【発明の効果】
イ、ロータリーポンプの山と谷の形を正確に描くことができた。
ロ、ロータリーポンプの性能を最大限に生かすことができた。
ハ、ロータリーポンプを圧力回転機にした場合タービンとは違い低圧で大きな力を生む事ができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】ロータリーポンプＡ−Ａ′断面図
【図２】ロータリーポンプ平面図
【図３】ロータリーポンプ谷の図の描き方
【符号の説明】
１、軸
２、内周壁
３、側面壁
４、谷の方のローター
５、山の方のローター
６、入力軸側歯車
７、吐出口
８、吸込口
９、ローターの谷
１０、ローターの山
１１、歯車
１２、入力軸
１３、内周壁
１４、基本の谷の角  後の
１５、基本の谷の角  先の
１６、谷の角  後の
１７、谷の角  先の
１８、円板と円板の中心を結ぶ線
１９、先の谷の角が中心線上に到達した時の山と谷のすきまが広がる位置
２０、後の谷の角が中心線上に到達した時の山と谷のすきまが広がる位置
２１、円板の中心
２２、谷の形
２３、円板
２４、円板
２５、布を下から張って上部で止めた山
２６、隋円の山の板を固定する時の円の中心線とその延長線


【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2003201974.tif 000001
【図２】
2003201974.tif 000002
【図３】
2003201974.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月24日(2003.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メタン（ＣＨ4）と水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）との混合物から水素化ナトリウム（ＮａＨ）を生成する装置であって、
ある容積中に磁場を確立するための手段であって、この磁場が該容積を通る軸に実質的に平行な方向に配向されている上記手段；
ナトリウム（Ｎａ）を還元し且つイオン化するのに十分な温度まで上記混合物を加熱する手段であって、一方で上記の加熱した混合物中の少なくとも１種の他の分子はイオン化されていない中性物質のままである上記手段；
上記の加熱混合物を該容積内に導入する手段であって、上記磁場と相互作用をさせ、上記ナトリウムイオンを上記軸の方向の上記磁場線に沿って移動させ、上記中性物質の少なくとも一部は上記軸から実質的に離れて伸張する方向に移動するための上記手段；及び
上記の磁場線に沿って移動した後の該ナトリウムイオンを回収する手段；
を含んでなる、上記装置。
【請求項２】
ナトリウム化合物を含む材料からナトリウム（Ｎａ）を製造する装置であって、
チャンバーを取り囲む壁、ここで該壁は第一の末端と第二の末端で形成され、且つ上記第一の末端から上記第二の末端へ伸びる軸を画定する上記壁であり、ここで上記第一の末端は該壁への開口として形成されている；
該チャンバー中で磁場を発生させる手段；及び
上記材料中のナトリウム原子の少なくとも一部を還元し且つイオン化するのに十分な温度に上記材料を加熱し、その後、上記材料を上記壁の第一の末端を通って該チャンバーに導入して上記磁場と相互作用させ、上記ナトリウムイオンの少なくとも一部を実質的に上記軸の方向で移動させる手段；
を含んでなる、上記装置。
【請求項３】
ナトリウムの製造方法であって、
ナトリウム（Ｎａ）を還元し且つイオン化するのに十分な温度までナトリウム化合物を含む材料を加熱する工程であって、一方で上記材料中の少なくとも１種の他の分子はイオン化されず中性物質のままである上記工程；
容積に磁場を確立する工程；
上記の加熱混合物を該容積に導入する工程であって、上記磁場と相互作用させ、上記ナトリウムイオンの少なくとも一部を実質的に上記磁場の上記磁場線に沿う方向に移動させ、一方上記中性物質の少なくとも一部は上記磁場の上記磁場線に実質的に交差する方向に移動するための上記工程；
上記磁場線に沿って移動した後に該ナトリウムイオンの少なくとも一部を回収する工程；
を含んでなる、上記方法。
【請求項４】
上記の回収したナトリウムイオンを水素ガスと混合し、水素化ナトリウム（ＮａＨ）を形成させる工程をさらに含んでなる、請求項３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月12日(2003.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ユーザ環境設定装置及び記録媒体
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介して端末に接続されるユーザ環境設定装置であって、
ユーザが前記端末を使用する際のユーザ環境をユーザ毎に記憶するユーザ環境記憶手段と、
前記ネットワークを介してアクセスした前記端末を使用するユーザを認証する認証手段と、
前記認証手段により認証されたユーザに対応するユーザ環境をユーザ環境記憶手段から読み出して該ネットワークを介して前記端末に設定するユーザ環境設定手段と、
を備えることを特徴とするユーザ環境設定装置。
【請求項２】
前記ユーザ環境記憶手段は、ユーザが使用するプラットフォームを設定するためのデータを記憶し、
前記ユーザ環境設定手段は、前記プラットフォームを設定するためのデータを前記端末に送信することを特徴とする請求項１記載のユーザ環境設定装置。
【請求項３】
前記ユーザ環境記憶手段は、ユーザが使用するツールもしくはアプリケーションをロードするためのデータを記憶し、
前記ユーザ環境設定手段は、前記ツールもしくは前記アプリケーションをロードするためのデータを前記端末に送信することを特徴とする請求項１記載のユーザ環境設定装置。
【請求項４】
前記ユーザが前記ツールもしくは前記アプリケーションを用いて操作するデータを前記端末に送信する送信手段を更に備えることを特徴とする請求項３記載のユーザ環境設定装置。
【請求項５】
前記ユーザが前記ツールもしくは前記アプリケーションを用いて処理したデータをユーザ毎に格納する格納手段を更に備えることを特徴とする請求項３記載のユーザ環境設定装置。
【請求項６】
前記ユーザが前記ツールもしくは前記アプリケーションを用いて処理したデータは、該ユーザがログオフする際に、前記格納手段に格納されることを特徴とする請求項５記載のユーザ環境設定装置。
【請求項７】
前記ユーザ環境を設定するための情報を格納するキャッシュ手段を備え、前記ユーザに対応するユーザ環境を設定するために必要な情報が前記キャッシュ手段に存在する場合には、前記ネットワークを介さずに、前記キャッシュ手段から前記端末に必要な情報をロードすることを特徴とする請求項１記載のユーザ環境設定装置。
【請求項８】
ユーザが使用する端末にネットワークを介して、ユーザ環境を設定するユーザ環境設定装置を制御するためのコンピュータが実行可能なプログラムを格納した記録媒体であって、
前記ネットワークを介してアクセスした前記端末を使用するユーザの認証を行わせるためのプログラムコードと、
該認証されたユーザが該端末を使用する際に要求する端末のユーザ環境を、ユーザが前記端末を使用する際のユーザ環境をユーザ毎に記憶するユーザ環境記憶手段から読み出させるためのプログラムコードと、
読み出されたユーザ環境を該ネットワークを介して該端末に設定させるためのプログラムコードと、
を備えることを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ユーザが自分の端末以外の端末を使用する場合に、自分の端末と同様のユーザ環境を当該端末に設定できるユーザ環境設定装置及び記録媒体に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ネットワークを介して端末に接続されるユーザ環境設定装置であって、ユーザが前記端末を使用する際のユーザ環境をユーザ毎に記憶するユーザ環境記憶手段と、前記ネットワークを介してアクセスした前記端末を使用するユーザを認証する認証手段と、前記認証手段により認証されたユーザに対応するユーザ環境をユーザ環境記憶手段から読み出して該ネットワークを介して前記端末に設定するユーザ環境設定手段と、を備えることを特徴とする。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月26日(2004.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と第２の面とを有する長方形状の透明基板において、
前記第１の面に形成された透明膜と、
前記透明基板の所定の角部を識別する識別手段と
を具備することを特徴とする透明基板。
【請求項２】
第１の面と第２の面とを有する長方形状の透明基板において、
前記第１の面に形成された透明膜と、
前記透明基板の周辺部に形成され、所定の角部を挟むように前記透明基板の二辺に沿ってそれぞれ形成された溝部と
を具備することを特徴とする透明基板。
【請求項３】
第１の面と第２の面とを有する長方形状の透明基板において、
前記第１の面に形成された透明膜と、
前記透明基板の周辺部に形成され、前記透明基板の少なくとも一辺に沿って形成された溝部と
を具備することを特徴とする透明基板。
【請求項４】
前記透明基板は、異なる長さの第１の辺と第２の辺とを有する長方形状の基板であり、前記透明基板の少なくとも一辺に沿って、直角を挟む２辺が前記第１の辺と前記第２の辺にそれぞれ平行に形成された直角三角形状の溝部が設けられたことを特徴とする請求項１に記載の透明基板。
【請求項５】
前記溝部は、前記第１の面に形成されてなることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一つに記載の透明基板。
【請求項６】
第１の面と第２の面とを有する長方形状の透明基板において、
前記第１の面に形成された透明膜を有し、
当該透明基板の少なくとも一つの辺において、所定の面側に面取りがなされていることを特徴とする透明基板。
【請求項７】
互いに対向する基板間に電気光学物質を有する電気光学装置であって、
請求項１乃至６いずれか記載の前記透明基板を有し、
前記互いに対向する基板の少なくとも一方の基板には、前記透明基板の第２の面が対向するように該透明基板が隣接配置されることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
互いに対向する基板間に電気光学物質を有する電気光学装置であって、
請求項１乃至６いずれか記載の前記透明基板を有し、
前記互いに対向する基板にはそれぞれ、前記透明基板の第２の面が対向するように該透明基板が配置される
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
前記互いに対向する基板と前記透明基板とは、接着剤により接着されていることを特徴とする請求項７または８記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記識別手段もしくは溝部は、有効表示領域の外側に配置されることを特徴とする請求項７乃至９いずれか記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記透明膜は反射防止膜であることを特徴とする請求項７乃至１０いずれかに記載の電気光学装置。
【請求項１２】
光源と、
入射光を投射する光学系と、
前記光源と前記光学系との間に介挿され、前記光源からの光を変調して前記光学系に導く、請求項７から請求項１１のいずれか一項に記載の電気光学装置を有する光変調手段と
を具備することを特徴とする投射型表示装置。
【請求項１３】
一方の面に透明膜が形成された１枚の透明なマザー基板を切断し、異なる長さの第１の辺と第２の辺とを有する長方形状の基板を複数枚製造する基板の製造方法において、
前記基板の第１の辺に沿ってほぼ平行に、等間隔で、前記マザー基板に複数の溝部を形成する工程と、
前記基板の第２の辺に沿ってほぼ平行に、等間隔で、前記マザー基板に複数の溝部を形成する工程と、
前記溝部の形成後、前記第１の辺に沿って、前記マザー基板を切断する工程と、
前記溝部の形成後、前記第２の辺に沿って、前記マザー基板を切断する工程と、
を有することを特徴とする透明基板の製造方法。
【請求項１４】
一方の面に透明膜が形成された１枚の透明なマザー基板を切断し、所定の面側に面取りがなされている基板を複数枚製造する基板の製造方法において、
Ｖ字型形状部を有する切断手段を用いて前記マザー基板を切断することにより、マザー基板の切断と前記面取りとを同時に行うことを特徴とする透明基板の製造方法。
【請求項１５】
一方の面に透明膜が形成された１枚の透明なマザー基板を切断し、所定の面側に面取りがなされている基板を複数枚製造する基板の製造方法において、
切断手段を用いて、Ｖ字型の切り筋を形成する第１の工程と、
前記切り筋に分断手段を押し当てることにより、前記マザー基板を切断する第２の工程を有することを特徴とする透明基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明のこのような構成によれば、透明基板のどちらの面に溝部が形成されているかを観察することにより、透明基板のどちらの面に透明膜が形成されているかを判断することができる。
また本発明の他の透明基板は、異なる長さの第１の辺と第２の辺とを有する長方形状の基板であり、前記透明基板の少なくとも一辺に沿って、直角を挟む２辺が前記第１の辺と前記第２の辺にそれぞれ平行に形成された直角三角形状の溝部が設けられたことを特徴とする。
本発明のこのような構成によれば、目視により、溝部の直角三角形状の直角部分の配置位置により、ＡＲ膜の位置を判断することができる。また、言い換えれば、目視により、基板の４つの角部のうち、溝の直角三角形状の直角部分に最も近い角部が、所定の角部と判断することができる。