Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月20日(2012.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃焼器保持装置（７）を備えた噴流床ガス化炉（８）であって、
少なくとも２つの燃焼器（４、５）が、前記燃焼器保持装置（７）内に保持され、かつ前記燃焼器保持装置（７）を噴流床ガス化炉（８）に固定するフランジ（１１）を通って、さらに前記噴流床ガス化炉（８）の上端面で前記燃焼器保持装置（７）を通って前記噴流床ガス化炉内に延在しており、冷却装置が前記燃焼器保持装置（７）内に配置され、前記冷却装置が、少なくとも２つの互いに独立した冷却回路（１、２）を有し、異なる燃焼器（４、５）に異なる冷却回路（１、２）が少なくとも部分的に割り当てられ、それにより各燃焼器（４、５）が、前記上端面側の端部で前記冷却装置の区域によって取り囲まれ、前記上端面に少なくとも１つの冷却回路（１、２）が少なくとも部分的に冷却目的で割り当てられており、
互いに独立した前記冷却回路（１、２）が、冷却パイプコイルを備えること、および燃焼器の全高の少なくとも２０％が、冷却の隙間が生じないように、前記冷却コイルの一区域（３、６）によって取り囲まれており、
前記フランジ（１１）の下で、前記燃焼器保持装置（７）の内部で上から下に、
熱伝導率が０．０２〜０．８Ｗ／ｍＫの範囲内である、少なくとも８００℃までの耐火性を有する熱絶縁性キャスティング材からなる層（１９）と、
少なくとも８００℃までの耐火性を有し、かつばらであって熱を遮断する、絶縁性キャスティング材からなる層（１９）と層（１８）の間の空間が充填されているバルク材料（１７）からなる層と、
熱伝導率が３〜１５Ｗ／ｍＫである、少なくとも１５００℃までの耐火性を有する熱伝導性キャスティング材からなる、冷却パイプの区域（３,６）により取囲まれている前記燃焼器（４,５）の下側領域が鋳込まれている層（１８）とが、前記燃焼器（４、５）を取り囲んでおり、
前記燃焼器保持装置（７）が外装ジャケット（１２）を備えており、この外装ジャケットがフランジ（１１）に固定されており、かつ前記層（１７,１８,１９）のための内側境界面を形成している噴流床ガス化炉（８）。
【請求項２】
少なくとも８００℃までの耐火性を有する熱絶縁性キャスティング材からなる前記層（１９）が、１．０〜２．０ｋｇ／ｌの範囲内、好ましくは１．０〜１．５ｋｇ／ｌの範囲内の密度を有することを特徴とする請求項１に記載の噴流床ガス化炉（８）。
【請求項３】
少なくとも８００℃までの耐火性を有する熱絶縁性キャスティング材からなる前記層（１９）が、耐火軽量コンクリートであることを特徴とする請求項１または２に記載の噴流床ガス化炉（８）。
【請求項４】
少なくとも８００℃までの耐火性を有するバルク材料（１７）からなる前記層が、シャモット粒または別の耐火れんが粒であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の噴流床ガス化炉（８）。
【請求項５】
前記耐火性バルク材料粒（１７）が、直径８．０〜１２．０ｍｍの範囲内、好ましくは直径１０．０ｍｍの粒径を有することを特徴とする請求項４に記載の噴流床ガス化炉（８）。
【請求項６】
前記熱伝導性層（１８）が、３〜１５Ｗ／ｍＫの範囲内、好ましくは５〜１５Ｗ／ｍＫの範囲内の高い熱伝導率と、２．０〜４．０ｋｇ／ｌの範囲内、好ましくは２．４〜３．６ｋｇ／ｌの範囲内、最も好ましくは２．５〜２．７ｋｇ／ｌの範囲内の密度とを有する耐火コンクリートであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の噴流床ガス化炉（８）。
【請求項７】
前記燃焼器保持装置（７）が円形断面を有すること、および第１の燃焼器（４）が、前記燃焼器保持装置（７）内に長手方向に配置されており、かつ内側冷却回路（２）によって取り囲まれていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の噴流床ガス化炉（８）。
【請求項８】
さらなる複数の燃焼器（５）が、前記第１の燃焼器（４）から間隔を空けて配置されており、かつ少なくとも１つの外側冷却回路（１）に割り当てられていることを特徴とする請求項７に記載の噴流床ガス化炉（８）。
【請求項９】
外装ジャケットが圧延ジャケット（１２）であり、この圧延ジャケットが前記主フランジ（１１）の下面に形成されたカラーに固定されており、特に取外し可能な固定装置、特に溝付きスタッドを用いて取外し可能に固定されており、かつ前記フランジ（１１）に対する前記燃焼器保持装置（７）の境界を定めていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載の噴流床ガス化炉（８）。
【請求項１０】
前記さらなる燃焼器（５）用の前記外側冷却システムが、前記外装ジャケット（１２）に固定されていることを特徴とする請求項８または９に記載の噴流床ガス化炉（８）。
【請求項１１】
前記冷却コイルの一区域が、前記燃焼器保持装置の外縁部で、前記噴流床ガス化炉の正面から上に、少なくとも前記外装（１２）の一部分に沿って延在し、上に延在する前記冷却コイルパイプの高さが、前記噴流床ガス化炉（８）の冷却ジャケット（１４’）のカラー（１４）の高さに対応し、それにより、前記カラー（１４）と上に延在する前記冷却コイルパイプとの間に環状間隙（１５）、特に間隙幅５〜５０ｍｍの環状間隙（１５）が設けられることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一つに記載の噴流床ガス化炉（８）。
【請求項１２】
前記環状間隙（１５）に、耐火性の可撓性シーリングコード（２１）が、前記環状間隙（１５）を封止するように詰められており、前記環状間隙が不活性ガスにより掃気可能であることを特徴とする請求項１１に記載の噴流床ガス化炉（８）。
【請求項１３】
前記冷却パイプコイルが、燃焼室に向いた側に、高い熱伝導率の耐火材料からなるコーティングを施されることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一つに記載の噴流床ガス化炉（８）。
【請求項１４】
前記コーティングが、炭化ケイ素含有量が高い材料からなり、パイプ表面上に溶接された金属スタッドによって永久的に保持されることを特徴とする請求項１３に記載の噴流床ガス化炉（８）。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月2日(2012.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Aの化合物のS又はR鏡像異性体の製造方法であって、
【化１】
2011519919.tif 000001
式Bの化合物をキラル触媒及び水素源の存在下で不斉水素化させることを含み、
【化２】
2011519919.tif 000002
式中XはCH2、酸素又はイオウであり；R1、R2及びR3は、同じであるか又は異なり、水素、ハロゲン、アルキル、アルキルオキシ、ヒドロキシ、ニトロ、アルキルカルボニルアミノ、アルキルアミノ、又はジアルキルアミノ基を表し；かつR4は、アルキル又はアリールであり：ここで用語アルキルは、任意にアリール、アルコキシ、ハロゲン、アルコキシカルボニル、又はヒドロキシカルボニル基によって置換された炭素原子1〜6個を含む直鎖又は分枝の炭化水素鎖を意味し；用語アリールは、任意にアルキルオキシ、ハロゲン、又はニトロ基によって置換されたフェニル又はナフチル基を意味し；及び用語ハロゲンは、フッ素、塩素、臭素、又はヨウ素を意味し、ここで該キラル触媒は、TolBINAPのS又はR鏡像異性体である配位子を含み、かつ該反応は70℃より高い温度から100℃までの温度、0.05〜0.2%の濃度の酸の存在下で行われる、前記製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月20日(2012.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
請求項１に記載の｛４−［２−（ジメチルアミノ）−１−（１−ヒドロキシシクロヘキシル）エチル］フェノキシ｝ホスファートまたはその薬学的に許容可能な塩の、中枢神経系疾患を治療するための医薬の製造のための使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
前記中枢神経系疾患が、うつ病、線維筋痛症、不安、パニック障害、アゴラフォビア、外傷後ストレス障害、月経前不快気分障害（月経前症侯群）、注意欠陥障害、強迫性人格障害、社会不安障害、汎不安障害、自閉症、統合失調症、肥満症、神経性食欲不振症、神経性大食症、トゥレット症侯群（Gilles de la Tourette Syndrome）、血管運動による紅潮、コカイン及びアルコール中毒、性機能障害、境界性人格障害、慢性疲労症侯群、尿失禁、疼痛、レイノー症侯群から選択されることを特徴とする、請求項１１に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月9日(2012.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
疎水性水不溶性タンパク質を提供するステップ；
水アルコール溶媒で前記タンパク質を溶解し、第１の水性フェーズ溶液を提供するステップ；
界面活性剤及びリン脂質の存在下で、前記第１の水性フェーズ溶液に緩衝剤を加えて、
約ｐＨ６．８から約ｐＨ７．４の間のｐＨを有する第２の水性フェーズ溶液を製造するステップ；
前記溶液内で粒子の直径サイズの縮小させるために、前記第２の水性フェーズ溶液を処理するステップ；
約４００ｎｍ未満の直径サイズを有するナノ粒子を製造するために、任意の残留する溶媒を揮発させるステップ；及び  前記ナノ粒子を遠心するステップ、
とを含む、非免疫原性ナノ粒子を製造する方法。
【請求項２】
遠心後に、前記ナノ粒子を凍結乾燥するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ナノ粒子の大気圧への暴露を制限する条件下に前記ナノ粒子を保存するステップを更に含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ベースとなる前記タンパク質が、選択された等級のゼインであり、
前記選択された等級のゼインが白色ゼインであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記緩衝剤がクエン酸バッファーであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記界面活性剤がポロキサマーであり、また、前記リン脂質がレシチンであることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記界面活性剤と前記リン脂質の比率は２：１である請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１のフェーズ溶液の形成において、前記ナノ粒子のカプセル化のために選択される分子を、前記タンパク質に加えるステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記分子が被検体に投与するために選択された治療用の物質であることを特徴とする、
請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
患者に投与するための非免疫原性ナノ粒子であって、
前記非免疫原性ナノ粒子は、
疎水性水不溶性タンパク質を提供し；
水アルコール溶媒で前記タンパク質を溶解し、第１の水性フェーズ溶液を提供し；
界面活性剤及びリン脂質の存在下で、前記第１の水性フェーズ溶液に緩衝剤を加えて、約ｐＨ６．８から約ｐＨ７．４の間のｐＨを有する第２の水性フェーズ溶液を製造し；
前記溶液内で粒子の直径サイズの縮小させるために、前記第２の水性フェーズ溶液を処理し；
約４００ｎｍ未満の直径サイズを有するナノ粒子を製造するために、任意の残留する溶媒を揮発させ；及び
前記ナノ粒子を遠心する、
ことを含む処理により製造されており、
前記第１のフェーズ溶液の形成において、前記ナノ粒子のカプセル化のために選択される分子を、前記タンパク質に加えることを更に含み、
前記分子が被検体に投与するために選択された治療用の物質である、
ことを特徴とする非免疫原性ナノ粒子。
【請求項１１】
前記タンパク質がＰＥＧ化されることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記ナノ粒子を架橋するステップをさらに含む、請求項１又は請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
疎水性の水不溶性タンパク質に治療用の分子をカプセル化することによって形成される非免疫原性ナノ粒子を含み、前記ナノ粒子は約４００ｎｍ未満の直径サイズを有する、治療用組成物。
【請求項１４】
病気又は疾患を患う、或いは患う危険性のある被検体における、病気又は疾患の治療に使用するための薬剤を製造するための治療用組成物であって、４００ｎｍ未満の直径サイズを有し、且つ、治療剤を含む非免疫原性のナノ粒子を薬理学的に治療的な量で含む、治療用組成物。
【請求項１５】
選択された量の水不溶性タンパク質；
前記タンパク質を溶解するための水アルコール溶媒；
少なくとも１つの緩衝剤；
選択された界面活性剤； 
前記選択された界面活性剤と組み合わせて選択された比率を与える量の少なくとも１つの選択されたリン脂質；
を含む、非免疫原生のナノ粒子を製造するためのキット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2011519932.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2011519932.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月7日(2012.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンギオゲニンを含有し、アンギオゲニンの投与が有益である何らかの障害用予防治療剤であって、担体や賦形剤を必要とせず、又はアンギオゲニンの経口バイオアベイラビリティを改善するためにそのタンパク質をカプセル化したり他のメカニズムに付す必要がない、アンギオゲニンの経口投与用予防治療剤。
【請求項２】
前記障害は、代謝性疾患；インスリン依存型（１型）糖尿病；インスリン非依存型（２型）糖尿病；高血糖；耐糖能異常；シンドロームＸ；外傷若しくは肥満により誘導されるインスリン抵抗性；筋肉及び神経筋障害、筋ジストロフィー；重度若しくは良性Ｘ連鎖筋ジストロフィー；肢帯型筋ジストロフィー；顔面肩甲上腕型筋ジストロフィー；筋緊張性ジストロフィー；遠位型筋ジストロフィー；進行性ジストロフィー型眼筋麻痺；眼咽頭筋ジストロフィー；デュシェンヌ型筋ジストロフィー；福山型先天性筋ジストロフィー；筋萎縮性側索硬化症（ＡＬＳ）；筋萎縮症：臓器萎縮；虚弱；手根管症候群；鬱血性閉塞性肺疾患；先天性ミオパシー；先天性筋強直症；家族性周期性麻痺；発作性ミオグロビン尿症；重症筋無力症；イートン・ランバート症候群；二次性筋無力症；脱神経筋萎縮；発作性筋萎縮症；サルコペニア、カヘキシア、他の筋消耗症候群；骨粗鬆症（特に高齢者及び／又は閉経後の女性）；糖質コルチロイドに起因する骨粗鬆症；骨減少症：変形性関節症；骨粗鬆症が関与する骨折；筋肉組織への外傷的又は慢性的傷害；長期の糖質コルチロイド療法に起因する低骨量；早発性腺機能不全；アンドロゲン抑制；ビタミンＤ欠乏症；二次性副甲状腺機能亢進症；神経性食欲不振症；及び外傷治癒から選択される、請求項１に記載の予防治療剤。
【請求項３】
アンギオゲニンは組換えアンギオゲニンを含む、請求項１又は２に記載の予防治療剤。
【請求項４】
アンギオゲニンはウシ乳に由来する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の予防治療剤。
【請求項５】
さらにフォリスタチンの投与を組み合わせる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の予防治療剤。
【請求項６】
フォリスタチンの投与が非経口投与である、請求項５に記載の予防治療剤。
【請求項７】
アンギオゲニンとフォリスタチンを共に投与するものである、請求項５に記載の予防治療剤。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月17日(2012.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下式：
【化１】
2011519956.tif 000001
の化合物であって、上記式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０はそれぞれ独立に、Ｈ、ハロ、ニトロ、アミノ、シアノ、ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、ヘテロアリール、アルコキシ、アルキルチオ、アルキルカルボニル、カルボキシ、アルコキシカルボニル、カルボニルアミノ、スルホニルアミノ、アミノカルボニル、もしくはアミノスルホニルであるか、またはＲ３およびＲ４が、結合している炭素原子と一緒になって、Ｎ、ＯおよびＳから選択された１〜３個のヘテロ原子を任意選択で含有している４〜７員の飽和環、不飽和環、もしくは芳香環を形成し；
ＸはＯ、ＳまたはＮＲであって、Ｒは、Ｈ、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、ヘテロアリール、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アミノカルボニルまたはアミノスルホニルであり；かつ、
ＺはＮまたはＣ−ＣＮである、化合物。
【請求項２】
ＺはＮである、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
ＸはＯ、ＮＨまたはＮ−ＣＨ３である、請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
Ｒ７は−Ｃ（Ｏ）ＮＲａＲｂであり、ＲａおよびＲｂはそれぞれ独立に、Ｈ、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキルもしくはヘテロアリールであるか、またはＲａおよびＲｂが、結合している窒素原子と一緒になって、１〜３個のヘテロ原子を含有する３〜８員環をなす、請求項２に記載の化合物。
【請求項５】
ＲａおよびＲｂはそれぞれ独立に、Ｈ、アルキル、またはシクロアルキルである、請求項４に記載の化合物。
【請求項６】
Ｒ６はアルキルである、請求項５に記載の化合物。
【請求項７】
Ｒ６はメチルである、請求項６に記載の化合物。
【請求項８】
ＸはＯ、ＮＨまたはＮ−ＣＨ３である、請求項６に記載の化合物。
【請求項９】
Ｒ６はアルキルである、請求項２に記載の化合物。
【請求項１０】
Ｒ６はメチルである、請求項９に記載の化合物。
【請求項１１】
Ｒ３およびＲ４はそれぞれアルコキシである、請求項２に記載の化合物。
【請求項１２】
Ｒ７は−Ｃ（Ｏ）ＮＲａＲｂであり、ＲａおよびＲｂはそれぞれ独立に、Ｈ、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキルもしくはヘテロアリールであるか、またはＲａおよびＲｂが、結合している窒素原子と一緒になって、１〜３個のヘテロ原子を含有する３〜８員環をなす、請求項１１に記載の化合物。
【請求項１３】
ＲａおよびＲｂはそれぞれ独立に、Ｈ、アルキル、またはシクロアルキルである、請求項１２に記載の化合物。
【請求項１４】
ＲａはＨでありＲｂはメチルである、請求項１３に記載の化合物。
【請求項１５】
Ｒ６はアルキルである、請求項１４に記載の化合物。
【請求項１６】
ＸはＯ、ＮＨまたはＮ−ＣＨ３である、請求項１３に記載の化合物。
【請求項１７】
Ｒ３およびＲ４はそれぞれメトキシである、請求項１３に記載の化合物。
【請求項１８】
ＺはＣ−ＣＮである、請求項１に記載の化合物。
【請求項１９】
Ｒ７は−Ｃ（Ｏ）ＮＲａＲｂであり、ＲａおよびＲｂはそれぞれ独立に、Ｈ、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキルもしくはヘテロアリールであるか、またはＲａおよびＲｂが、結合している窒素原子と一緒になって、１〜３個のヘテロ原子を含有する３〜８員環をなす、請求項１８に記載の化合物。
【請求項２０】
ＲａおよびＲｂはそれぞれ独立に、Ｈ、アルキル、またはシクロアルキルである、請求項１９に記載の化合物。
【請求項２１】
Ｒ６はアルキルである、請求項２０に記載の化合物。
【請求項２２】
化合物は
【化２】
2011519956.tif 000002
である、請求項１に記載の化合物。
【請求項２３】
請求項１に記載の化合物と薬学的に許容可能な担体とを含んでなる医薬組成物。
【請求項２４】
血管形成関連の障害を治療するための治療薬であって、前記治療薬は、有効な量の請求項１に記載の化合物を含んでなる治療薬。
【請求項２５】
血管形成関連の障害は、がん、加齢黄斑変性症、または慢性炎症性疾患である、請求項２４に記載の治療薬。
【請求項２６】
血管内皮細胞増殖因子レセプターの活性を阻害する治療薬であって、前記治療薬は、有効な量の請求項１に記載の化合物を含んでなる治療薬。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】キナゾリン誘導体及び同キナゾリン誘導体を含む治療薬
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月27日(2012.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
末梢介在（peripherially mediated）オピオイド誘発性副作用の治療又は予防において使用される、ヒトに１日２回投与される単位投与形態であって、ここでこの単位投与形態は、一日当たり投与される経口投与可能なオピオイドアンタゴニストが５mg〜１００mgであるために十分な量の、経口投与可能なオピオイドアンタゴニスト用量を含み、そしてこのオピオイドアンタゴニストは式：
【化１】
2011519930.tif 000001
を有する化合物、又はその薬学的に許容される塩である、上記単位投与形態。
【請求項２】
単位投与形態が、末梢介在オピオイド誘発性副作用の治療において使用するためのものである、請求項１に記載の単位投与形態。
【請求項３】
末梢介在オピオイド誘発性副作用がオピオイド誘発性腸機能障害である、請求項２に記載の単位投与形態。
【請求項４】
末梢介在オピオイド誘発性副作用がオピオイド誘発性便秘である、請求項２に記載の単位投与形態。
【請求項５】
単位投与形態が、末梢介在オピオイド誘発性副作用の予防において使用するためのものである、請求項１に記載の単位投与形態。
【請求項６】
単位投与形態が、ヒトにオピオイドを投与する前に、同時に、又は後に投与され、そし
てここでオピオイドアンタゴニストの用量が、オピオイドの中枢鎮痛作用の有意な阻害を引き起こさない、請求項１に記載の単位投与形態。
【請求項７】
単位投与形態が、オピオイドアンタゴニストを１０mg〜１００mgの総一日量で投与するために調製される、請求項１に記載の単位投与形態。
【請求項８】
単位投与形態が、オピオイドアンタゴニストを２５mg〜１００mgの総一日量で投与するために調製される、請求項１に記載の単位投与形態。
【請求項９】
単位投与形態が、オピオイドアンタゴニストを５mg〜５０mgの総一日量で投与するために調製される、請求項１に記載の単位投与形態。
【請求項１０】
末梢介在オピオイド誘発性副作用が、１−α−アセチルメタドール、アルフェンタニル、アルファプロジン、アニレリジン、ブレマゾシン、ブプレノルフィン、ブトルファノール、コデイン、シクラゾシン、デゾシン、ジアセチルモルヒネ、ジヒドロコデイン、エチルモルヒネ、フェンタニル、ヒドロコドン、ヒドロモルホン、レボルファノール、メペリジン、メタドン、メトトリメプラジン、モルヒネ、ナルブフィン、ネホパム、ノルモルヒネ、ノスカピン、オキシコドン、オキシモルホン、パパベリン、ペンタゾシン、ペチジン、フェナゾシン、プロピラム、プロポキシフェン、スフェンタニル、テバイン、トラマドール、及び上記のものの各々の薬学的に許容される塩からなる群より選択されるオピオイドの作用である、請求項１に記載の単位投与形態。
【請求項１１】
さらにオピオイドを含み、ここでオピオイドは中枢鎮痛作用を提供し、そしてオピオイドアンタゴニストは中枢鎮痛作用の有意な阻害を引き起こさない、請求項１に記載の単位投与形態。
【請求項１２】
オピオイドが、１−α−アセチルメタドール、アルフェンタニル、アルファプロジン、アニレリジン、ブレマゾシン、ブプレノルフィン、ブトルファノール、コデイン、シクラゾシン、デゾシン、ジアセチルモルヒネ、ジヒドロコデイン、エチルモルヒネ、フェンタニル、ヒドロコドン、ヒドロモルホン、レボルファノール、メペリジン、メタドン、メトトリメプラジン、モルヒネ、ナルブフィン、ネホパム、ノルモルヒネ、ノスカピン、オキシコドン、オキシモルホン、パパベリン、ペンタゾシン、ペチジン、フェナゾシン、プロピラム、プロポキシフェン、スフェンタニル、テバイン、トラマドール、及び上記のものの各々の薬学的に許容される塩からなる群より選択される、請求項１１に記載の単位投与形態。
【請求項１３】
オピオイドアンタゴニストが、単位投与形態を液化状態で注射するヒトにおいて、オピオイドにより引き起こされる中枢鎮痛作用を有意に阻害できる、請求項１１に記載の単位投与形態。
【請求項１４】
オピオイドが、モルヒネ、ヒドロモルホン、オキシコドン及びオキシモルホンから選択される、請求項１１に記載の単位投与形態。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月9日(2012.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンにｐｎ接合を形成するためのシリコン基板（１）のシリコンの選択的ドーピング方法であって、
ａ）前記シリコン基板の表面にリンを主成分とするドーパント（２）をコーティングするステップと、
ｂ）前記シリコンの表面にリンけい酸ガラスを形成するために前記シリコン基板（１）を順次加熱するステップであって、第１のドーピング（３）として前記リンがシリコンに拡散するステップと、
ｃ）後に形成される高濃度にドーピングされた領域（５）をカバーするようにマスキング（４）を前記リンけい酸ガラス（２）に設けるステップと、
ｄ）非マスク領域の前記リンけい酸ガラス（２）を除去するステップと、
ｅ）前記マスキング（４）を前記リンけい酸ガラス（２）から除去するステップと、
ｆ）前記高濃度にドーピングされた領域（５）を形成するための第２のドーピングとして、リンを前記リンけい酸ガラス（２）から前記シリコンに更に拡散させるために再び加熱を行うステップと、
ｇ）前記リンけい酸ガラス（２）及び酸化物を前記シリコン基板（１）から完全に除去するステップと、を備えた方法。
【請求項２】
前記リンを主成分とするドーパント（２）は、リン酸を含む溶液である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記マスキング（４）を、印刷技術によって設ける請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記方法によって太陽電池のコンタクトグリッドを形成し、前記シリコン基板（１）は前記太陽電池を形成し、前記シリコンの２回ドーピングされた領域は、高濃度にドーピングされることによって低インピーダンスを有し、前記太陽電池のコンタクト領域を構成する請求項１から３のうちのいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記ステップｄ）に従う前記非マスク領域の前記リンけい酸ガラス（２）の除去を、エッチングによって行う請求項１から４のうちのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記方法を、連続処理装置で実施する請求項１から５のうちのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記マスキング（４）を、インクジェット印刷技術によって設ける請求項３に記載の方法。
【請求項８】
前記ステップｄ）に従う前記非マスク領域の前記リンけい酸ガラス（２）の除去を、フッ化水素エッチングによって行う請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記方法を、水平連続処理装置で実施する請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
請求項１から９のうちのいずれか１項に記載の方法によって処理された太陽電池用のシリコン基板（１）。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月13日(2012.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学素子を支持する装置であって、
レンズセルと、
前記レンズセルに結合された複数のフィンガと、
を含み、
各フィンガは、
内部に取付けられた前記光学素子に結合される基部と、
第１の各々の端において前記基部に結合されかつ前記基部から約７５度と約１６５度の間の分岐角で延在する第１および第２屈曲部と、
前記第１および第２屈曲部の第２の各々の端と共に結合され、それにより、前記基部を前記レンズセルに結合する取付け部材と、
を含む装置。
【請求項２】
各フィンガは、動作温度の範囲に亘って、内部に取付けられた前記光学素子に対して半径方向に柔軟である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記光学素子はレンズであり、各フィンガは、前記基部と、内部に取付けられた前記光学素子との間の第１Ｘ−Ｙ共振モードが約１０００Ｈｚより高い周波数にある、請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記複数のフィンガは、少なくとも７つのフィンガを含む、請求項１、２、または３に記載の装置。
【請求項５】
前記分岐角は、約１２０度である、請求項１、２、３、または４に記載の装置。
【請求項６】
前記基部は、接着材料を収容する凹型パッドを含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
各フィンガは、ステンレススチールといった金属を含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記第１および第２屈曲部は、前記基部および前記取付け片と一体にされる、請求項１から７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
光学素子を支持する装置を形成する方法であって、
レンズセルを形成することと、
複数のフィンガを形成することであって、
内部に取付けられた前記光学素子に結合される基部を形成することと、
第１の各々の端において前記基部に結合されかつ前記基部から約７５度と約１６５度との間の分岐角で延在する第１および第２屈曲部を形成することと、
前記第１および第２屈曲部の第２の各々の端と共に結合される取付け部材を形成することと、
を含む、複数のフィンガを形成することと、
前記取付け部材を前記レンズセルに結合することと、
を含む方法。
【請求項１０】
前記第１および第２屈曲部を形成することは、前記分岐角を約１２０度に形成することを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記フィンガを前記レンズセルに結合することは、前記取付け部材を前記レンズセルにロウ付けすることを含む、請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記複数のフィンガを形成することは、
前記複数のフィンガの各フィンガは、動作温度の範囲に亘って、内部に取付けられた前記光学素子の半径方向に柔軟であるように前記複数のフィンガを形成することを含む、請求項９、１０、または１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記光学素子はレンズであり、前記複数のフィンガを形成することは、
前記複数のフィンガの各フィンガは、前記基部と、内部に取付けられた前記光学素子との間の第１Ｘ−Ｙ共振モードが約１０００Ｈｚより高い周波数を有するように前記複数のフィンガを形成することを含む、請求項９、１０、１１、または１２に記載の方法。
【請求項１４】
基板上に像を投影するリソグラフィ装置であって、光学システムを含み、前記光学システムは、請求項１から８のいずれか一項に記載の、光学素子を支持する装置を含む、リソグラフィ装置。
【請求項１５】
前記光学システムは、パターニングデバイスの像を前記基板上に投影する投影光学システム、及び放射ビームを調整しかつ放射ビームをパターニングデバイス上に誘導する照明光学システムのうちの少なくとも一つである請求項１４に記載のリソグラフィ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光学素子を支持する装置、およびそれを製造する方法、並びにリソグラフィ装置
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月30日(2012.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ処理システムであって、
キャッシュを備えた第１マスタと、
第２マスタと、
システム相互接続を介して前記第１マスタおよび前記第２マスタに操作可能に結合されたメモリとを備え、
前記キャッシュは、キャッシュ・コントローラを備え、該キャッシュ・コントローラは、前記キャッシュのデータ・ユニットに対する１組のキャッシュ・コヒーレント状態を実行し、該キャッシュ・コヒーレント状態は、
無効状態と、
前記キャッシュのデータ・ユニットにおけるデータが修正されておらず、前記データ処理システムのうちの少なくとも１つの他の記憶装置におけるデータとコヒーレントであると保証されないことを示す未修正非コヒーレント状態と、
前記データ・ユニットのデータが修正されておらず、前記データ処理システムのうちの少なくとも１つの他の記憶装置におけるデータとコヒーレントであることを示す未修正コヒーレント状態と
を含んでいるデータ処理システム。
【請求項２】
前記無効状態から前記キャッシュのデータ・ユニットの前記未修正非コヒーレント状態への移行は、前記キャッシュへの読み取りミスに応じてなされ、該読み取りミスのデータは、前記データ・ユニットに書き込まれ、キャッシュ・コヒーレンス動作は、前記読み取りミスに応じて前記データ処理システムにおける他のキャッシュ上では行なわれない請求項１記載のデータ処理システム。
【請求項３】
書込みキャッシュ・ミスに応じて、該書込みミスのデータが書き込まれる、前記無効状態から前記キャッシュのデータ・ユニットの前記未修正非コヒーレント状態への移行は、前記データ処理システムにおける他のキャッシュにおけるキャッシュ・コヒーレンス動作を生成しない請求項１記載のデータ処理システム。
【請求項４】
前記無効状態から前記キャッシュのデータ・ユニットの前記未修正非コヒーレント状態への移行は、それらのキャッシュが、前記データ・ユニットに書き込まれるデータに対応したメモリ・アドレスを含むか否かを判断するために、前記データ処理システムの他のキャッシュへのルックアップ動作を生じさせない請求項１記載のデータ処理システム。
【請求項５】
データ処理システムを動作させる方法であって、
前記データ処理システムのキャッシュへの書込みミスを生成する第１マスタによってデータの書込み処理を行なうことであって、前記第１マスタがシステム相互接続に操作可能に結合され、前記データ処理システムが第２マスタと前記システム相互接続に操作可能に結合されたメモリとを備えること、
前記書込みミスに応じて、前記キャッシュに前記データを書き込むこと、
前記データのライト・スルーが要求されることを前記書込み処理の前記データに対するライト・スルー要求属性が示す場合、前記メモリへの前記データのライト・スルーを行ない、前記データのライト・スルーが要求されないことを前記ライト・スルー要求属性が示す場合、前記データのライト・スルーが行なわれないこと、および
前記データのライト・スルーが要求されることを前記ライト・スルー要求属性が示す場合、少なくとも１つの他のキャッシュが前記書込み処理に対応したメモリ・アドレスを含むか否かを判断するために、前記データ処理システムのうちの少なくとも１つの他のキャッシュを探索し、前記データのライト・スルーが要求されないことを前記ライト・スルー要求属性が示す場合、前記少なくとも１つの他のキャッシュの探索を行なわないことを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月6日(2012.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のパターンをなして存在する貫通微細孔を備える微細穿孔フィルムと、
第２のパターンをなすホールを備える穿孔金属箔と、を備える複合吸音シートであって、
前記穿孔金属箔は前記微細穿孔フィルム上に配設され、
前記微細穿孔フィルムの前記貫通微細孔の前記第１のパターンと前記穿孔金属箔の前記第２のパターンは非整列パターンを有する複合吸音シート。
【請求項２】
音響反射表面と、
前記複合吸音シートと前記音響反射表面との間に裏空隙を有して、前記音響反射表面の付近に配設された、請求項１に記載の前記複合吸音シートとを備える吸音体。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月21日(2011.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
時間・温度指示薬であって、該指示薬が、該指示薬の新たな光誘起着色を防止するプロテクター、スピロピラン、およびアモルファス、結晶性構造または混合アモルファス−結晶性構造を有するスピロピラン混合固体で形成することができる調整剤を含み、前記調整剤は、
ＣＨ3−（ＣＨ2）n−ＣＯＯＣ1〜Ｃ18アルキル（ｎ＝１０〜１８）、オレイン酸コレステロール、クエン酸エステル、ｐ−ヒドロキシベンゾエート、酢酸ボルニルから選択されるエステル、またはジカルボン酸Ｃ1〜Ｃ18アルキル−Ｏ−ＯＣ−（ＣＨ2）m−ＣＯＯＣ1〜Ｃ18アルキル（ｍ＝２〜２０）から選択されるエステル、または糖アルコールから選択されるエステルから選択されるか；あるいは前記調整剤は、
Ｃ6−Ｃ20アルキルアルコールから選択されるか、または
環状アルコールから選択されるか、または
ポリアルコールから選択されるか、または
ポリエーテルから選択されるか、または
脂肪酸から選択されるか、または
カルボン酸の塩から選択されるか、または
ジテルペン酸から選択されるか、または
尿素もしくはイミダゾールかから選択されるか、または
環状ケトンから選択されるか、または
２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メトキシフェノールもしくは４−ヒドロキシ−３−メトキシベンズアルデヒドから選択されるか、または
クロマン−６−オールから選択されるか、または
４−イソプロペニル−１−メチルシクロヘキセン（Ｒ−リモネン）から選択されるか、または
ナフタレン、フェナントレンから選択されるか、または
ドデシル硫酸ナトリウムから選択されるか、または
ヒドロキシナフトエ酸のＺｎ錯体から選択されるか、または
第２インドレニン単位のスピロピランに対する付加物から選択されるか、または
２つの異なるスピロピランの混合固体から選択される、時間・温度指示薬。
【請求項２】
前記調節剤の添加によって生鮮品の保存期間に対して変色時間を調節する、請求項１記載の時間・温度指示薬。
【請求項３】
以下、
ａ）スピロピランとナフタレン、
ｂ）スピロピランとセチルアルコール、
ｃ）スピロピランとドデシル硫酸ナトリウム、
ｄ）スピロピランとヒドロキシナフトエ酸のＺｎ錯体、
ｅ）スピロピランと第２インドレニン単位のスピロピランへの付加物、
ｆ）２つの異なるスピロピラン
から選択される混合固体を含む、請求項１記載の時間・温度指示薬。
【請求項４】
前記調整剤が、ラウリン酸ブチルエステル、ミリスチン酸イソピロピル、ステアリン酸メチルエステルから選択されるか、またオレイン酸コレステロール、クエン酸トリエチルエステル、メチルパラベン、ブチルパラベン、サリチル酸メチルエステル、または酢酸ボルニル、またはセバシン酸ジブチルエステルから選択される、請求項１記載の時間・温度指示薬。
【請求項５】
前記糖アルコールが、ソルビタンモノオレエートまたはソルビタンモノラウレートである、請求項１記載の時間・温度指示薬。
【請求項６】
前記アルコールが、ヘキサデカン−１−オール、オクタデカン−１−オール、ポリエチレンモノアルコールから選択される、請求項１記載の時間・温度指示薬。
【請求項７】
前記環状アルコールが、１，７，７−トリメチルビシクロ［２．２．１］ヘプタン２−２−オール（ボルネオール）または１，３，３−トリメチルビシクロ［２．２．１］−ヘプタン−２−オール（フェンキルアルコール）から選択される、請求項１記載の時間・温度指示薬。
【請求項８】
前記ポリアルコールが、グリセロール（プロパン−１，２，３−トリオール）、ソルビトール、ポリカプロラクトンジオールから選択される、請求項１記載の時間・温度指示薬。
【請求項９】
前記ポリエーテルが、ポリエチレングリコールまたはポリプロピレングリコールまたはポリグリコール４０００から選択される、請求項１記載の時間・温度指示薬。
【請求項１０】
前記調整剤が、ステアリン酸、ステアリン酸カルシウムまたはステアリン酸マグネシウム、及びアビエチン酸から選択される、請求項１記載の時間・温度指示薬。
【請求項１１】
調整剤の前記スピロピランに対するモル比が、＞２５％である、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の時間・温度指示薬。
【請求項１２】
生鮮品の保存期間にしたがって漂白挙動を適合させるために漂白反応速度に影響を及ぼすための、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の時間・温度指示薬の使用。
【請求項１３】
エージング感受性および温度感受性製品の品質を決定する方法であって、以下の工程：
ａ）スピロピランおよび調整剤を含む請求項１から１０までのいずれか１項に記載の時間・温度指示薬を基材上に印刷する工程、
ｂ）ＵＶ光での照射による前記指示薬の活性化、特に光誘起着色をする工程、
ｃ）前記指示薬の新たな光誘起着色を防止するプロテクターを適用する工程、および
ｄ）時間もしくは温度誘起変色の程度、および変色の程度を考慮して製品の品質を決定する工程を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月6日(2012.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む、対象から入手した一つまたは複数の試験試料における前立腺癌を検出する方法：
（a）一つまたは複数の試験試料におけるMEKK2の差次的な発現を検出する工程；および
（b）MEKK2の対照量と比較された、一つまたは複数の試験試料におけるMEKK2の量を考慮に入れて、MEKK2の差次的な発現を前立腺癌の検出と相関させる工程。
【請求項２】
一つの試験試料が精漿である、請求項1記載の方法。
【請求項３】
一つの試験試料が血液、血清、尿、前立腺液、精液（seminal fluid）、精液（semen）、および前立腺組織からなる群より選択される、請求項1記載の方法。
【請求項４】
一つまたは複数の試験試料が第1および第2の連続前立腺組織切片である、請求項1記載の方法。
【請求項５】
気相イオン分光分析によりMEKK2の差次的な発現を検出する工程を含む、請求項1記載の方法。
【請求項６】
気相イオン分光分析がレーザー脱離質量分析である、請求項5記載の方法。
【請求項７】
レーザー脱離質量分析がMALDI-IMSである、請求項6記載の方法。
【請求項８】
イムノアッセイによりMEKK2の差次的な発現を検出する工程を含む、請求項1記載の方法。
【請求項９】
第1の連続前立腺組織切片を染色し、かつ染色された第1の連続組織切片を、第2の連続前立腺組織切片において検出されたMEKK2の差次的な発現と比較する工程（c）をさらに含む、請求項4記載の方法。
【請求項１０】
MEKK2の差次的な発現が、以下の配列(a)-(i)から選択されるMEKK2の一つまたは複数の断片を検出することにより検出される、請求項１〜９のいずれか１項記載の方法
(a) SLQETRKAKSSSPKKQNDVRVKFEHRGEKRILQFPR
(b) DVRVKFEHRGEK
(c) SSSPKKQNDVRVKFEHRG
(d) KAKSSSPKKQNDVRVKFEHRGEKRIL
(e) SLQETR
(f) QNDVR
(g) FEHR
(h) ILQFPR
(i) SMSLQETRKAKSSSPKKQNDVRVKFEHRGEKRILQFPRPVKLEDLRSKAKIAFGQSMDLHYTNNELVIPLTTQDDLDKAVELLDRSIHMKSLKILLVING。
【請求項１１】
一つまたは複数の試験試料が生検時または術後に入手される、請求項１〜１０のいずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月8日(2012.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイス（２００）の金属化層（２１０）の金属領域（２１２）の三元合金から形成される導電性キャップ層（２１３）を通って延在するように誘電体層（２２１）内に開口（２２１Ａ）を形成することと、
前記開口（２２１Ａ）内に露出した前記導電性キャップ層（２１３）の表面領域を実質的に覆うように前記開口（２２１Ａ）の低部に保護層（２１２Ｐ）を形成することと、
ウエット化学的クリーニング処理を行うことと、
前記ウエット化学的クリーニング処理の後に前記開口内に導電性バリア層を形成することと、を備えた方法。
【請求項２】
前記保護層（２１２Ｐ）を形成することは、前記金属領域（２１２）の露出した表面から材質を除去するために、かつ、前記材質を前記表面領域に再堆積させるために、イオン衝撃を行うことを備えている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記導電性キャップ層（２１３）を通って前記金属領域（２１２）の前記材質内までエッチングするための異方性エッチング処理の間に前記イオン衝撃が生成される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記イオン衝撃は、スパッタリングエッチング処理を行うことにより生成される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記金属領域（２１２）は、前記ウエット化学的クリーニング処理の間に前記導電性キャップ層（２１３）と比較して高いエッチング抵抗力を有する金属を備えている、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記保護層（２１２Ｐ）を形成することは、前記開口（２２１Ａ）の底部に材質を選択的に形成することと、イオン衝撃によって前記材質を再分配することと、を備えている、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記材質は、前記金属領域（２１２）の材質及び前記導電性キャップ層（２１３）の材質と異なる、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
金属領域（２１２）上に形成される少なくとも導電性キャップ層（２１３）内にまで延在するビア開口（２２１Ａ）を、半導体デバイス（２００）の金属化層の誘電体層（２２１）内に形成することと、
イオン衝撃を確立することによって前記ビア開口（２２１Ａ）の底部に材質を再分配することと、
前記材質を再分配した後にウエット化学的クリーニング処理を行うことと、
前記ウエット化学的クリーニング処理の後に導電性バリア層を形成することと、を備えた方法であって、
前記導電性キャップ層は三元合金から形成される、方法。
【請求項９】
前記ビア開口（２２１Ａ）を形成することは、前記導電性キャップ層（２１３）を通してエッチングすることを備えている、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ビア開口（２２１Ａ）を形成することは、前記導電性キャップ層（２１３）を通ってエッチングすることを備えている、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記材質を再分配するのに先立って前記底部に保護材質（２１２Ｐ）を選択的に形成することを更に備えている、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
第１の誘電体層（２１１）内に形成される金属領域（２１２）と、
三元合金から構成され、前記金属領域（２１２）の少なくとも一部分上に形成される導電性キャップ層（２１３）と、
第２の誘電体層（２２１）と前記導電性キャップ層（２１３）とを通って延在するビア（２２１Ａ）と、
前記ビア（２２１Ａ）内の前記導電性キャップ層（２１３）の側壁部分に形成される保護材質（２１２Ｐ）と、
前記ビア（２２１Ａ）内で前記保護材質（２１２Ｐ）上及び前記第２の誘電体層（２２１）の表面部分上に形成される導電性バリア層（２２２Ｂ）と、を備えた半導体デバイス。
【請求項１３】
前記導電性キャップ層（２１３）と前記第２の誘電体層（２２１）との間に形成される誘電性エッチング停止層（２１４）を更に備え、
前記ビア（２２１Ａ）は前記エッチング停止層（２１４）を通って延在している、請求項１２に記載の半導体デバイス。
【請求項１４】
前記保護材質（２１２Ｐ）は、前記ビア（２２１Ａ）内の前記エッチング停止層（２１４）の側壁の下部を覆う、請求項１３に記載の半導体デバイス。
【請求項１５】
前記エッチング停止層（２１４）の上部側壁部分は、前記保護材質（２１２Ｐ）により覆われていない、請求項１４に記載の半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月15日(2012.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子素子であって、
当該電子素子に含まれる被保護半導体素子又は集積回路の第１の端子と第２の端子に渡って結合される静電放電（ＥＳＤ）クランプを具現し、
当該電子素子は、
ソースとドレインとゲートと本体とを有する第１のＥＳＤトランジスタであって、該第１のＥＳＤトランジスタのソースは前記第２の端子に結合され、該第１のＥＳＤトランジスタのドレインは前記第１の端子に結合される、第１のＥＳＤトランジスタ、
該第１のＥＳＤトランジスタのゲートとソースとの間に結合される第１の抵抗器、
前記第１のＥＳＤトランジスタの本体とソースとの間に結合される第２の抵抗器、及び
ソースとドレインとゲートとを有する第１及び第２の制御トランジスタであって、該第１の制御トランジスタのソース及びドレインは前記第１の抵抗器に並列に結合され、前記第１の制御トランジスタのゲートは第１のバイアス電圧に結合されるよう適応され、前記第２の制御トランジスタのソース及びドレインは前記第２の抵抗器に並列に結合され、前記第２の制御トランジスタのゲートは第２のバイアス電圧に結合されるよう適応される、第１及び第２の制御トランジスタ、
を有する電子素子。
【請求項２】
ソースとドレインとゲートと本体とを有する第２のＥＳＤトランジスタであって、該第２のＥＳＤトランジスタのソース及びドレインは前記第１のＥＳＤトランジスタのソースと前記第２の端子との間に直列に結合される、第２のＥＳＤトランジスタ、
該第２のＥＳＤトランジスタのゲートとソースとの間に結合される第３の抵抗器、
前記第２のＥＳＤトランジスタの本体とソースとの間に結合される第４の抵抗器、及び
ソースとドレインとゲートとを有する第３及び第４の制御トランジスタであって、該第３の制御トランジスタのソース及びドレインは前記第３の抵抗器に並列に結合され、前記第３の制御トランジスタのゲートは第３のバイアス電圧に結合されるよう適応され、前記第４の制御トランジスタのソース及びドレインは前記第４の抵抗器に並列に結合され、前記第４の制御トランジスタのゲートは第４のバイアス電圧に結合されるよう適応される、第３及び第４の制御トランジスタ、
を更に有する請求項１に記載の電子素子。
【請求項３】
前記第２のＥＳＤトランジスタのドレインは、前記第１のＥＳＤトランジスタのソースに結合される、
ことを特徴とする請求項２に記載の電子素子。
【請求項４】
前記第２のＥＳＤトランジスタのソースは、前記第１のＥＳＤトランジスタのソースに結合される、
ことを特徴とする請求項２に記載の電子素子。
【請求項５】
前記第１及び第２のバイアス電圧の電源と前記第１及び第２の制御トランジスタのゲートとの間の１又は複数の低域通過フィルタ、
を更に有する請求項１に記載の電子素子。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月16日(2012.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピューター命令を具体化した１つ以上のコンピューター記憶媒体であって、前記コンピューター命令がコンピューターにより実行されると、ウェブページにおいてカスタム化した広告がどのように見えるか判定する方法を実行し、前記方法が、
前記ウェブページにおいて、製品について述べたテキストを評価するステップと、
前記テキストを１つ以上のブロックにグループ化するステップであって、前記１つ以上のブロックが前記製品について述べている、ステップと、
前記テキストに基づいて、前記１つ以上のブロックの各々を、前記製品または当該製品の一側面について肯定的意見、否定的意見、または中立的意見を有するものとして分類するステップと、
前記１つ以上のブロックに割り当てられた１つ以上の意見に基づいて、広告を前記ウェブページに掲載すべきか否か判定するステップと、
前記カスタム化した広告の配信時に、前記肯定的意見を有する前記１つ以上のブロックに分類される前記ウェブページの前記テキストからの１つ以上の単語を用いて、前記カスタム化した広告を作成するステップであって、該カスタム化した広告を作成するステップが、前記ウェブページの前記テキストからの前記１つ以上の単語で要約を作成することを含む、ステップと、
前記カスタム化した広告を前記ウェブページにレンダリングするステップと、
を含む、１つ以上のコンピューター記憶媒体。
【請求項２】
請求項１記載の媒体であって、更に、前記１つ以上のブロックが過半数の前記肯定的意見を有する場合、前記カスタム化した広告を前記ウェブページに掲載することを決定するステップを含む、媒体。
【請求項３】
請求項２記載の媒体であって、更に、前記１つ以上のブロックが過半数の前記否定的意見を有する場合、前記カスタム化した広告を前記ウェブページに掲載しないことを決定するステップを含む、媒体。
【請求項４】
請求項３記載の媒体であって、更に、前記カスタム化した広告の代わりに競合の広告を前記ウェブページに掲載することを決定するステップを含む、媒体。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の媒体において、前記１つ以上の単語を用いて前記カスタム化した広告を作成するステップは、前記１つ以上の単語を広告テンプレートに満たすことを含む、媒体。
【請求項６】
請求項５記載の媒体において、前記広告テンプレートは広告主によって提供される、媒体。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の媒体であって、更に、広告主によって提供される１つ以上の広告テンプレートから、１つの広告テンプレートを選択するステップを含む、媒体。
【請求項８】
請求項７記載の媒体であって、更に、前記ウェブページにおいて表示する前記カスタム化した広告に対し、前記広告テンプレートをカスタム化するステップを含む、媒体。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の媒体であって、更に、前記肯定的意見を有する前記１つ以上のブロックのメンバーの近くに前記カスタム化した広告を配置するステップを含む、媒体。