【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年3月19日(2012.3.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウルツ鉱結晶構造を有し、（０００１）配向の半導体基板（２，３）上で気相成長させるＩＩＩ族金属窒化物で形成され、
下部クラッド層（４）と、
前記下部クラッド層より上方に成長させた上部平面（９）を有し、格子定数が前記下部クラッド層と同じである上部クラッド層（５）と、
半導体構造（１）内に伝播する光を拡散する、下部クラッド層（４）と上部クラッド層（５）との間に位置する拡散領域（６，７）とを含み、
前記拡散領域は、前記拡散領域と前記下部クラッド層及び前記上部クラッド層との間に光拡散界面を形成するために、前記下部クラッド層及び前記上部クラッド層とは異なる屈折率と、非平面とを有する半導体構造（１）であって、
前記拡散領域は、拡散領域内の歪みを誘発転位部の形成を防ぐように、組成および厚みが選択されている複数の拡散層（６，７）と、拡散効率を更に高めるために屈折率が異なる隣接する拡散層（６，７）とを含み、
前記下部クラッド層および上部クラッド層は、同じ材料であり、
前記拡散層（６，７）は、前記下部クラッド層および上部クラッド層（４，５）に格子不整合であり、前記各拡散層の厚みは、Ｍａｔｔｈｅｗｓ−Ｂｌａｋｅｓｌｅｅ臨界厚みより小さく、拡散層内での歪み蓄積を防ぐために、２つの隣接する拡散層のうちの一方は、クラッド層（４，５）との正の格子不整合であり、他方は、クラッド層との負の格子不整合である、半導体構造（１）。
【請求項２】
前記ＩＩＩ族金属窒化物は、ＡｌｘＧａ１−ｘ−ｙＩｎｙＮの形であり、式中、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１である、請求項１に記載の半導体構造（１）。
【請求項３】
前記下部クラッド層および前記拡散層は、結晶の面指数が（０００１）以外であり、方向指数が｛１−１００｝であるファセットを有する上面を有する、請求項１又は２に記載の半導体構造（１）。
【請求項４】
ウルツ鉱結晶構造を有し、（０００１）配向の半導体基板上で気相成長させるＩＩＩ族金属窒化物で形成され、
下部クラッド層（４）を気相成長させるステップと、
前記下部クラッド層とは異なる屈折率と、非平面とを有し、半導体構造（１）内に伝播する光を拡散する拡散領域（６，７）を下部クラッド層より上方に気相で成長させるステップと、
上部平面（９）と、拡散領域とは異なる屈折率と、下部クラッド層と同じ格子定数とを有する上部クラッド層を、拡散領域より上方に気相成長させるステップとを含む半導体構造（１）を製造する方法であって、
前記拡散領域を成長させるステップは、拡散効率を更に高めるために、層界面での歪みを誘発する転位部の形成を防ぐように組成および厚みが選択されている複数の拡散層（６，７）と、屈折率が異なる隣接する拡散層とを成長させるステップを含み、
前記下部クラッド層および上部クラッド層は、同じ材料であり、
前記拡散層は成長し、各々が、クラッド層（４，５）と異なる格子定数およびＭａｔｔｈｅｗｓ−Ｂｌａｋｅｓｌｅｅより小さい臨界厚みを有し、前記拡散層内での歪み蓄積を防ぐために、２つの隣接する拡散層（６，７）のうちの一方は、クラッド層（４，５）より大きい格子定数を有し、他方は、クラッド層より小さい格子定数を有することを特徴とする方法。
【請求項５】
前記ＩＩＩ族金属窒化物は、ＡｌｘＧａ１−ｘ−ｙＩｎｙＮの形であり、式中、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１であることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記下部クラッド層および前記拡散層は成長し、結晶の面指数が（０００１）以外であり、方向指数が｛１−１００｝であるファセットを有する上面を有することを特徴とする、請求項４又は５に記載の方法。
【請求項７】
前記下部クラッド層の成長は、（０００１）配向面上で、０．１〜１．５μｍの高さおよび１０７〜１０８ｃｍ−２の表面密度を有する沈殿物（１４）を形成するステップを含むことを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記沈殿物（１４）は、４５０〜７００℃の温度で実施される一連の短い低温蒸着することと、その後の９００〜１１５０℃の温度で高温層をアニールすることを含む処理で形成されることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
本発明に従う半導体構造は、本願の請求項１に記載する内容を特徴とする。構造体は、ウルツ鉱結晶構造を有し、（０００１）配向の半導体基板上で気相成長させるＩＩＩ族金属窒化物で形成される。基板は、半導体構造素材、または、一部の異種材料で形成することができる。半導体構造は、下部クラッド層と、下部クラッド層より上方に成長させた、上部平面を有する上部クラッド層とを含み、上部クラッド層の格子定数は、下部クラッド層と同じである。クラッド層の格子定数が異なると、構造体内の歪みを誘発する転位部の形成を引き起こすと考えられる。構造体の重要な部分は、半導体構造内に伝播する光を拡散する、下部クラッド層と上部クラッド層との間に位置する拡散領域である。拡散領域は、拡散領域とクラッド層との間に光拡散界面を形成するために、クラッド層とは異なる屈折率と、非平面とを有する。非平面は、方向が異なる拡散界面となる。このような種類の表面は、構造体より上方に成長させた発光デバイス層によって出射された光にその伝達方向を無作為に変えさせるものであり、その結果、このような表面がデバイスからの出射が可能である方向である確率が高くなる。その結果、発光デバイスの輝度が向上する。拡散領域の上部非平面は、上部クラッド層成長中に平面に変形する。そのような平面は、この平面上の発光デバイス層の更なるエピタキシャル成長に十分に適している。本明細書で使用されるとき、「層」という用語は、一般に、単結晶のエピタキシャル層を指す。「拡散」という用語は、反射、散乱および屈折を含む界面での光の伝搬方向を変えるすべての種類のメカニズムを指す。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
１つの特別な好適な実施形態では、下部クラッド層および拡散層は、結晶の面指数が（０００１）以外であり、方向指数が｛１−１００｝であるファセットを有する上面を有する。したがって、拡散領域では、ファセットが下部クラッド層上面に再生成される。この種の構造体は、特定の傾斜ファセットを有しており、結果的に、効果的な光拡散が得られる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
１つの特別な好適な実施形態では、結晶の面指数が（０００１）以外であり、方向指数｛１−１００｝であるファセットを有する上面を有する下部クラッド層および拡散層を成長させる。したがって、拡散領域では、下部クラッド層上面にファセットが再生成される。この種の構造体は、特定の傾斜ファセットを有しており、結果的に、効果的な光拡散が得られる。下部クラッド層のファセットの成長および拡散領域は、このようなファセットの優先的な成長を利用することによって達成することができる。当業者に知られているように、このような結晶率を有するファセットの成長を生成するために、例えば、時間、ガス流量、温度、および圧力などの処理パラメータを選択することが可能である。しかしながら、パラメータが共通とならないように、各反応器は、独自の個々のパラメータを有する。それぞれ、上部平面を有する上部クラッド層は、結晶の面指数が（０００１）である平面ファセットの優先成長によって生成することができる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
図１の半導体構造は、半導体構造の材料で形成された基板２、または、異種材料形成された基板３と、結晶の面指数が（０００１）以外であり、方向指数が｛１−１００｝であるファセット１１を有する表面８を有する下部クラッド層４と、平面９を有する上部クラッド層５と、２つの対の第１の拡散層６と第２の拡散層７とから成る拡散領域とを含む。点線は、下部クラッド層成長中に成長させる沈殿物１４を示す。上部クラッド層は、下部クラッド層と等しい格子定数を有する。拡散層は、クラッド層と異なる屈折率を有する。更に、第１の拡散層６の屈折率は、第２の拡散層７と異なる第１の拡散層６は、異なる屈折率を有してもよい。これは、第２の拡散層７にも当てはめることができる。拡散層６および７は、平面ではなく、下部クラッド層の表面にファセット１１を再生成する。拡散層６および７の組成および厚みは、層界面でのミスフィット転位部の形成なしに構造体１内側で効果的な歪みを緩和するように選択される。更に正確に言えば、拡散層の各々は、Ｍａｔｔｈｅｗｓ−Ｂｌａｋｅｓｌｅｅ臨界厚みより小さい。更に、厚みが等しい第１および第２の拡散層は、クラッド層に振幅が同じである相対する格子不整を有する。各層の歪み方向を矢印で示す。相対する歪みは、互いに補正し合い、その結果、歪みの蓄積が防止される。拡散領域の全厚は、効果的な光拡散が得られるように選択される。拡散層およびクラッド層の屈折率の差が大きいほど、拡散領域の所要全厚は小さくなる。半導体構造１は、層内の更なる転位部を招くことなく、光拡散能力を強化する。更に、半導体構造面を形成する上部クラッド層面９の結晶品質は高く、この点を踏まえて、デバイス層の更なる成長に十分に適している。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
図３に示す本発明による実施形態のうちの１つによる製造法は、３つの主要なステップを有する。第１のステップでは、下部クラッド層を成長させる。第２のステップでは、結晶の面指数が（０００１）以外であり、方向指数が｛１−１００｝であり、第１の拡散層６の屈折率が第２の拡散層７と異なることを特徴とする複数の少なくとも２つの対の第１および第２の拡散層を成長させる。第１の拡散層は、クラッド層との正の格子不整合であり、一方、第２の拡散層は、好ましくは同じ振幅の、負の格子不整合である。各拡散層の厚みは、ミスフィット転位生成を防ぐＭａｔｔｈｅｗｓ−Ｂｌａｋｅｓｌｅｅ臨界厚みｈｃより小さいことが好ましい。第３のステップでは、下部クラッド層と同じ材料である平面を有する上部クラッド層を成長させる。本方法によって、層内に更なる転位部を招くことなく、効果的な光拡散を伴う半導体構造の成長が実施される。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図３】
2008545261.tif 000001