【手続補正書】
【提出日】平成26年7月3日(2014.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージ化された超小型電子素子であって、
前面と、該前面から離れるように延在する複数の固体金属ポストとを有する超小型電子素子と、
主面と、該主面において露出する複数の導電性素子とを有する基板であって、該導電性素子は前記固体金属ポストに接合される、基板と、
を備え、
各固体金属ポストは、前記超小型電子素子に隣接するベース領域と、前記超小型電子素子から離れた先端領域とを含み、該ベース領域及び該先端領域はそれぞれ凹形の外周面を有し、
各固体金属ポストは水平寸法を有し、該水平寸法は、前記ベース領域内の垂直位置の第１の関数であり且つ前記先端領域内の垂直位置の第２の関数である、
パッケージ化された超小型電子素子。
【請求項２】
前記固体金属ポストはハンダを用いて前記導電性素子に接合され、前記ハンダは各固体金属ポストのエッジ面の少なくとも一部を覆い、前記ハンダは、いずれの固体金属ポストの前記ベース領域とも接触しない、請求項１に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
【請求項３】
前記ハンダは、前記超小型電子素子の前面と接触しない、請求項２に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
【請求項４】
前記固体金属ポストはハンダを用いて前記導電性素子に接合され、前記ハンダは、各固体金属ポストの上面のみと接触する、請求項１に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
【請求項５】
前記各固体金属ポスト内において、前記ベース領域及び前記先端領域が、金属の単一体として形成される、請求項１に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
【請求項６】
前記固体金属ポストは、複数行の固体金属ポスト及び複数列の固体金属ポストを有するアレイ状に配置され、各固体金属ポストは、中心軸の回りの回転体の形をとる、請求項１に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
【請求項７】
前記ベース領域内の各固体金属ポストの水平寸法は、前記超小型電子素子の前面に隣接するそれぞれの固体金属ポストのベースにおける最小幅を規定する、請求項１に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
【請求項８】
前記固体金属ポストは、第１の固体金属ポストであり、前記導電性素子は、前記主面の上方に延在し且つ前記第１の固体金属ポストに接合される複数の第２の固体金属ポストを含み、前記第２の固体金属ポストは、前記基板の主面から離れた上面と、該上面から大きな角度を成して離れるように延在するエッジ面とを有する、請求項１に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
【請求項９】
各第２の固体金属ポストは、前記基板に隣接するベース領域と、前記基板から離れた先端領域とを含み、各第２の固体金属ポストの前記ベース領域及び前記先端領域はそれぞれ凹形の外周面を有し、各第２の固体金属ポストは、前記ベース領域内の垂直位置の第３の関数であり且つ前記先端領域内の垂直位置の第４の関数である水平寸法を有する、請求項８に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
【請求項１０】
パッケージ化された超小型電子素子を組み立てる方法であって、
（ａ）前面と、該前面の垂直方向上方に突出する複数の固体金属ポストとを有する超小型電子素子を配設するステップであって、各固体金属ポストは、該前面に隣接するベース領域と、該前面から離れた先端領域とを含み、該ベース領域及び該先端領域は、それぞれ凹形の外周面を有し、各固体金属ポストは水平寸法を有し、該水平寸法は、前記ベース領域内の垂直位置の第１の関数であり、かつ前記先端領域内の垂直位置の第２の関数である、前記配設するステップと、
（ｂ）前記複数の固体金属ポストを、基板の主面において露出する複数の導電性素子と少なくとも実質的に位置合わせするステップと、
（ｃ）前記超小型電子素子の前記固体金属ポストを、前記基板の導電性素子と接合するステップと、
を含む、方法。
【請求項１１】
前記ステップ（ｃ）は、ハンダを融解温度まで加熱することを含み、前記ハンダは、前記固体金属ポストのエッジ面のうちの露出した部分に流れ出し、前記ハンダは、任意の固体金属ポストの前記ベース領域には流れ出さない、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記固体金属ポストは、第１の固体金属ポストであり、前記導電性素子は、前記主面の上方に延在し且つ前記第１の固体金属ポストに接合される複数の第２の固体金属ポストを含み、前記第２の固体金属ポストは、前記基板の主面から離れた上面と、該上面から大きな角度を成して離れるように延在するエッジ面とを有し、前記接合するステップは、前記第１の固体金属ポストの先端が前記第２の固体金属ポストのうちの対応する固体金属ポストの上面と接合されるように行われる、請求項１０に記載の方法。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５９】
本明細書において記述される種々の従属請求項及び他の特徴は、初期の請求項において提示されるのとは異なる方法において組み合わせることができることは理解されよう。また、個々の実施形態との関連で説明された特徴は、記述される実施形態のうちの他の実施形態と共用できることも理解されよう。
なお、出願当初の特許請求の範囲は以下の通りである。
（請求項１）
パッケージ化された超小型電子素子であって、
前面と、該前面から離れるように延在する複数の固体金属ポストとを有する超小型電子素子と、
主面と、該主面において露出する複数の導電性素子とを有する基板であって、該導電性素子は前記固体金属ポストに接合される、基板と、
を備え、
各固体金属ポストは、前記超小型電子素子に隣接するベース領域と、前記超小型電子素子から離れた先端領域とを含み、該ベース領域及び該先端領域はそれぞれ凹形の外周面を有し、
各固体金属ポストは水平寸法を有し、該水平寸法は、前記ベース領域内の垂直位置の第１の関数であり且つ前記先端領域内の垂直位置の第２の関数である、
パッケージ化された超小型電子素子。
（請求項２）
各固体金属ポストは、前記ベース領域と前記先端領域との間に位置する少なくとも１つの中間領域を更に含み、該中間領域は凹形の外周面を有し、各固体金属ポストの前記水平寸法は、前記中間領域内の垂直位置の第３の関数である、請求項１に記載のパッケージ化された超小型電子。
（請求項３）
各固体金属ポストは、前記前面の方向における幅と、前記前面から延在する高さとを有し、前記高さは前記幅の少なくとも半分である、請求項１に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項４）
前記固体金属ポストは可融金属を用いて前記導電性素子に接合される、請求項１に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項５）
前記可融金属はハンダを含み、該ハンダは各固体金属ポストのエッジ面の少なくとも一部を覆う、請求項４に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項６）
前記前面に位置する複数の導電性パッドを更に備え、各固体金属ポストは、前記複数の導電性パッドの個々のパッドから延在し、前記ハンダは、前記複数の導電性パッドの少なくとも１つと接触しない、請求項５に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項７）
前記ハンダは、いずれの固体金属ポストの前記ベース領域とも接触しない、請求項５に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項８）
前記可融金属はハンダを含み、該ハンダは、各固体金属ポストの上面のみと接触する、請求項４に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項９）
各固体金属ポストの高さは、前記超小型電子素子の前面と、前記基板の主面との間の距離の２５％〜５０％である、請求項１に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項１０）
各固体金属ポストの高さは、前記超小型電子素子の前面と、前記基板の主面との間の距離の少なくとも４０％である、請求項１に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項１１）
前記固体金属ポスト及び前記導電性素子は、互いに拡散結合される、請求項１に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項１２）
前記第１の関数及び前記第２の関数は、著しく異なる、請求項１に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項１３）
垂直位置に対する水平寸法の傾きは、前記固体金属ポストの前記ベース領域と前記先端領域との間の境界において急激に変化する、請求項１に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項１４）
前記固体金属ポスト及び前記導電性素子は本質的に銅からなる、請求項１に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項１５）
前記導電性素子は、導電性パッドを含み、該パッドは、前記固体金属ポストに接合される、請求項１に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項１６）
前記固体金属ポストは、第１の固体金属ポストであり、前記導電性素子は、前記主面の上方に延在し且つ前記第１の固体金属ポストに接合される複数の第２の固体金属ポストを含み、前記第２の固体金属ポストは、前記基板の主面から離れた上面と、該上面から大きな角度を成して離れるように延在するエッジ面とを有する、請求項１に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項１７）
前記第１の固体金属ポストは、可融金属を用いて前記第２の固体金属ポストに接合される、請求項１６に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項１８）
前記可融金属はハンダを含み、該ハンダは、各固体金属ポストのエッジ面の少なくとも一部を覆う、請求項１７に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項１９）
前記前面に位置する複数の導電性パッドを更に備え、各第１の固体金属ポストは、前記複数の導電性パッドの個々のパッドから延在し、前記ハンダは、前記複数の導電性パッドの少なくとも１つと接触しない、請求項１８に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項２０）
前記可融金属はハンダを含み、前記ハンダは、各固体金属ポストの上面のみと接触する、請求項１７に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項２１）
前記第１の固体金属ポスト及び前記第２の固体金属ポストは、互いに拡散結合される、請求項１６に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項２２）
各第２の固体金属ポストは、前記基板に隣接するベース領域と、前記基板から離れた先端領域とを含み、各第２の固体金属ポストの前記ベース領域及び前記先端領域はそれぞれ凹形の外周面を有し、各第２の固体金属ポストは、前記ベース領域内の垂直位置の第３の関数であり且つ前記先端領域内の垂直位置の第４の関数である水平寸法を有する、請求項１６に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項２３）
各第２の固体金属ポストは、前記主面の方向における幅と、前記主面から延在する高さとを有し、前記高さは、前記幅の少なくとも半分である、請求項２２に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項２４）
前記第１の固体金属ポストは、可融金属を用いて前記第２の固体金属ポストに接合される、請求項２２に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項２５）
前記可融金属はハンダを含み、該ハンダは、各固体金属ポストのエッジ面の少なくとも一部を覆う、請求項２４に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項２６）
前記前面に位置する複数の導電性パッドを更に備え、各第１の固体金属ポストは前記複数の導電性パッドの個々のパッドから延在し、前記ハンダは、前記複数の導電性パッドの少なくとも１つと接触しない、請求項２５に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項２７）
前記ハンダは、いずれの固体金属ポストの前記ベース領域とも接触しない、請求項２５に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項２８）
前記可融金属はハンダを含み、該ハンダは、各固体金属ポストの上面のみと接触する、請求項２４に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項２９）
前記第１の固体金属ポスト及び前記第２の固体金属ポストは、互いに拡散結合される、請求項２２に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項３０）
前記第１の関数は、前記第３の関数と同じであり、前記第２の関数は、前記第４の関数と同じである、請求項２２に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項３１）
パッケージ化された超小型電子素子であって、
前面と、該前面の上方に突出する複数の第１の固体金属ポストとを有する超小型電子素子であって、前記第１の固体金属ポストは、前記前面から離れた上面と、該前面から大きな角度を成して離れるように延在するエッジ面とを有する、超小型電子素子と、
主面と、該主面から延在し、かつ前記第１の固体金属ポストに接合される複数の第２の固体金属ポストとを有する基板と、
を備え、
各第２の固体金属ポストは、前記超小型電子素子に隣接するベース領域と、前記超小型電子素子から離れた先端領域とを含み、該ベース領域及び該先端領域は、それぞれ凹形の外周面を有し、
各第２の固体金属ポストは水平寸法を有し、該水平寸法は、前記ベース領域内の垂直位置の第１の関数であり、かつ前記先端領域内の垂直位置の第２の関数である、パッケージ化された超小型電子素子。
（請求項３２）
各第１の固体金属ポストは切頭円錐形状を有する、請求項３１に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項３３）
各第２の固体金属ポストは、前記主面の方向における幅と、前記主面から延在する高さとを有し、該高さは前記幅の少なくとも半分である、請求項３１に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項３４）
前記第１の固体金属ポストは、可融金属を用いて前記第２の固体金属ポストに接合される、請求項３１に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項３５）
前記可融金属はハンダを含み、該ハンダは、各固体金属ポストのエッジ面の少なくとも一部を覆う、請求項３４に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項３６）
前記前面に位置する複数の導電性パッドを更に備え、各第１の固体金属ポストは、前記複数の導電性パッドの個々のパッドから延在し、前記ハンダは、前記複数の導電性パッドの少なくとも１つと接触しない、請求項３５に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項３７）
前記可融金属はハンダを含み、該ハンダは、各固体金属ポストの上面のみと接触する、請求項３４に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項３８）
前記第１の固体金属ポスト及び前記第２の固体金属ポストは、互いに拡散結合される、請求項３１に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
（請求項３９）
パッケージ化された超小型電子素子を組み立てる方法であって、
（ａ）前面と、該前面の垂直方向上方に突出する複数の固体金属ポストとを有する超小型電子素子を配設するステップであって、各固体金属ポストは、該前面に隣接するベース領域と、該前面から離れた先端領域とを含み、該ベース領域及び該先端領域は、それぞれ凹形の外周面を有し、各固体金属ポストは水平寸法を有し、該水平寸法は、前記ベース領域内の垂直位置の第１の関数であり、かつ前記先端領域内の垂直位置の第２の関数である、配設するステップと、
（ｂ）前記複数の固体金属ポストを、基板の主面において露出する複数の導電性素子と少なくとも実質的に位置合わせするステップと、
（ｃ）前記超小型電子素子の前記固体金属ポストを、前記基板の導電性素子と接合するステップと、
を含む、方法。
（請求項４０）
前記ステップ（ｃ）は、可融金属を融解温度まで加熱することを含み、前記可融金属は、前記固体金属ポストのエッジ面の露出した部分に流れ出す、請求項３９に記載の方法。
（請求項４１）
前記可融金属はハンダを含み、該ハンダは、各固体金属ポストのエッジ面の少なくとも一部を覆う、請求項４０に記載の方法。
（請求項４２）
前記前面に位置する複数の導電性パッドを更に備え、各固体金属ポストは前記複数の導電性パッドの個々のパッドから延在し、前記ハンダは、前記複数の導電性パッドの少なくとも１つと接触しない、請求項４１に記載の方法。
（請求項４３）
前記ハンダは、任意の固体金属ポストの前記ベース領域と接触しない、請求項４１に記載の方法。
（請求項４４）
前記可融金属はハンダを含み、該ハンダは、各固体金属ポストの上面のみと接触する、請求項４０に記載の方法。
（請求項４５）
各固体金属ポストの高さは、前記超小型電子素子の前面と、前記基板の主面との間の距離の２５％〜５０％である、請求項３９に記載の方法。
（請求項４６）
各固体金属ポストの高さは、前記超小型電子素子の前面と、前記基板の主面との間の距離の少なくとも４０％である、請求項３９に記載の方法。
（請求項４７）
パッシベーション層及びアンダーバンプメタライゼーション層が、前記超小型電子素子上に堆積される、請求項３９に記載の方法。