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【手続補正書】
【提出日】平成24年3月21日(2012.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスの製造方法であって、
半導体基板（１４）を提供する段階と、
半導体化合物及びドープ添加物（２２）を含む層（２０）を前記半導体基板上に形成する段階と、
その後、前記層を含む半導体基板を不活性雰囲気中又はＮ2／Ｈ2雰囲気中でアニールすることにより、エミッタ領域（３０）を形成し不純物（１６）をゲッタリングする段階と、
を含む方法。
【請求項２】
前記半導体基板がシリコン基板であり、前記半導体化合物がシリコン化合物であり、前記アニールが、約６００℃から約１２００℃の範囲のアニール温度、約１分から約１００分のアニール時間で加熱することによって実施される、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記層を形成する段階において少なくとも２つの層が形成され、更に、該層の内の少なくとも２つが同じ半導体化合物又は異なる半導体化合物を含む、
請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも１つの半導体化合物が、シリコン化合物、炭化ケイ素、及びシリコン窒化物からなる群から選択された少なくとも１つの化合物を含む、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記ドープ添加物が、ｐ型ドーパント、ｎ型ドーパント、リン及びヒ素からなる群から選択された少なくとも１つの要素を含む、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記層を形成する段階が、前記半導体化合物及び前記ドープ添加物のスパッタリングにより実施される、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記層を形成する段階が、ＳｉＨ4と、ＮＨ3、ＣＨ4、及びＰＨ3からなる群から選択された少なくとも１つの化合物とを含むガス混合物のＰＥＣＶＤにより実施される、
請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記半導体基板が、シリコン基板、単結晶シリコン基板、多結晶シリコン基板、単結晶シリコン表面層を有する基板、及び多結晶シリコン表面層を有する基板、ｎ型半導体基板、ｐ型半導体基板、真性半導体基板、ｎ型シリコン基板、ｐ型シリコン基板、及び真性シリコン基板からなる群から選択された１つである、
請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記アニール温度が、約６５０℃から約７８０℃の範囲、又は約９５０℃から約１２００℃の範囲にあり、かつ／または
前記アニール時間が、約７５分から約１００分の範囲、又は約１５分から約３０分の範囲である、
請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記半導体基板が前面と裏面とを含み、前記半導体化合物を含む層が前面上に形成される、
請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
真性又はドープ半導体化合物を含む層を前記裏面上に形成する段階を更に含む、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記半導体化合物を含む層が、少なくとも部分的には除去されていない、
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記アニールすることにより、ＰＳＧ領域の形成をもたらすことがない、
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記裏面におけるエミッタ形成が回避される、
請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月27日(2012.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の材料からなるナノワイヤの第１のアレイ；
前記第１のアレイとある角度で方向付けられる、異なる第２の材料からなるナノワイヤの第２のアレイ；および
複数の非結晶質シリコンナノ構造を含み、前記第１のアレイと前記第２のアレイとの各交差部は、抵抗メモリセルを形成するよう、前記第１の材料からなるナノワイヤと前記第２の材料からなるナノワイヤとの間に配置される前記非結晶質シリコンナノ構造のうちの１つを含む、クロスバーメモリアレイ。
【請求項２】
前記第１の材料は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍｎ）、タングステン（Ｗ）、バナジウム（Ｖ）およびコバルト（Ｃｏ）のうちの１つを含む、請求項１に記載のクロスバーメモリアレイ。
【請求項３】
前記第２の材料は、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、および受容体でドープされたシリコンの１つを含む、請求項１に記載のクロスバーメモリアレイ。
【請求項４】
前記複数の非結晶質シリコンナノ構造の少なくとも１つは、前記第１のアレイと前記第２のアレイとの間においてちょうど１つの交差部でコンタクトを提供するナノスケールピラーである、請求項１に記載のクロスバーメモリアレイ。
【請求項５】
前記複数の非結晶質シリコンナノ構造の少なくとも１つは、前記第１のアレイと前記第２のアレイとの間で複数の交差部においてコンタクトを提供するナノワイヤである、請求項１に記載のクロスバーメモリアレイ。
【請求項６】
前記第１のアレイのナノワイヤは互いと平行であり、前記第２のアレイのナノワイヤは互いと平行である、請求項１に記載のクロスバーメモリアレイ。
【請求項７】
第１の並列アレイと第２の並列アレイとの間の角度は直角と実質的に等しい、請求項６に記載のクロスバーメモリアレイ。
【請求項８】
絶縁体材料が少なくとも部分的に２つのアレイを分離する、請求項１に記載のクロスバーメモリアレイ。
【請求項９】
前記絶縁体材料は誘電性のスピンオングラス（ＳＯＧ）である、請求項８に記載のクロスバーメモリアレイ。
【請求項１０】
抵抗ランダムアクセスメモリ（ＲＲＡＭ）として用いられる際の、請求項１に記載のクロスバーメモリアレイ。
【請求項１１】
読取専用メモリ（ＲＯＭ）として用いられる際の、請求項１に記載のクロスバーメモリアレイ。
【請求項１２】
前記複数の非結晶質シリコンナノ構造の各々は、前記抵抗メモリセルの両端に印加される電圧の振幅および持続時間の少なくとも１つに基いて調整することができる可変抵抗を示す、請求項１に記載のクロスバーメモリアレイ。
【請求項１３】
抵抗メモリ素子のアレイを形成する方法であって、
基板上に第１の材料からなる並列ナノワイヤの第１のアレイを形成するステップと；
前記並列ナノワイヤの第１のアレイ上に複数の非結晶質シリコンナノ構造を形成するステップと；
前記複数の非結晶質シリコンナノ構造上に、異なる第２の材料からなる並列ナノワイヤの第２のアレイを形成するステップとを含み、前記第２のアレイは第１の並列アレイとある角度で方向付けられて、前記第１のアレイと前記第２のアレイとの各交差部は、抵抗メモリセルを形成するよう、前記第１の材料からなるナノワイヤと前記第２の材料からなるナノワイヤとの間に配置される前記非結晶質シリコンナノ構造のうちの１つを含む、方法。
【請求項１４】
抵抗メモリ素子のアレイを形成する方法であって、
基板上に、第１の材料からなる第１の層を堆積させるステップと；
前記第１の層上に、非結晶質シリコンからなる第２の層を堆積させるステップと；
前記第１の層および前記第２の層の部分を除去してナノワイヤの第１のアレイを形成するステップとを含み、各ナノワイヤは、前記第１の材料からなるナノワイヤ上の非結晶質シリコンナノワイヤを含み、さらに、
前記ナノワイヤの第１のアレイ上に絶縁体材料からなる第３の層を堆積させるステップと；
前記第３の層を部分的に除去して前記非結晶質シリコンナノワイヤを露出させるステップと；
前記非晶質シリコンナノワイヤが接触するように、第２の材料からなる第４の層を堆積させるステップと；
前記第４の層を部分的に除去して、前記第２の材料からなるナノワイヤの第２のアレイを形成するステップとを含み、前記第２のアレイは、第１の並列アレイとある角度で方向付けられ、前記第１のアレイと前記第２のアレイとの各交差部は抵抗メモリ素子を形成し、前記第１の材料からなるナノワイヤおよび前記第２の材料からなるナノワイヤは前記抵抗メモリ素子の電極として働く、方法。
【請求項１５】
基板；
前記基板上のｎ型シリコンの第２の電極；
前記基板上の第１の電極を含み、前記第１の電極は、少なくとも部分的に垂直に前記第２の電極と重なり、さらに、
前記第１の電極と前記ｎ型シリコンの前記第２の電極との間に、かつ前記ｎ型シリコンの前記第２の電極に接して、垂直に積重ねられ、ＰＮダイオードを形成するｐ型シリコン体;および
前記第１の電極と前記ｐ型シリコン体との間に垂直に積重ねられる非結晶質シリコンナノ構造を含む、不揮発性固体抵抗素子。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月22日(2012.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体分注システム内の複数の分注ヘッドを較正する方法であって、その方法は、
流体分注システム内に実質的に平坦な型を位置決めするステップと、
印加する各電圧ごとに、
−基板上の複数の分注ヘッドから複数の小滴を分注し、
−前記基板に前記型でパターニングしてパターン層を画定し、
−前記パターン層の残留層厚さを測定する、
ように、前記複数の分注ヘッドに印加される電圧の変化をさせるステップと、
印加された各電圧から測定された前記残留層厚さから、前記複数の分注ヘッドの各分注ヘッドが実質的に同じ体積を分注するように所望の残留層厚さを決定するステップと、
所望の電圧を定義するために前記所望の残留層厚さと関連付けられた前記印加電圧を決定するステップと、
前記複数の分注先端ヘッドを前記所望の電圧が印加されるように更新するステップと、
から構成されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記所望の膜厚は、前記所望の電圧が印加された前記複数の分注ヘッドのそれぞれにおいて実質的に同じであることを確認するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月27日(2012.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長掃引波形を少なくとも２つの部分に分離する分離光学要素と、
前記少なくとも２つの部分の間に時間遅延を導入する遅延要素と、
前記時間遅延を導入するのと同時に、前記少なくとも２つの部分を再結合する再結合要素と、
を備え、
前記遅延要素によって導入された前記時間遅延は、前記再結合要素が実質的に重複せずに前記波長掃引波形の前記少なくとも２つの部分を再結合するように選択される波長掃引波形修正システム。
【請求項２】
一連の複数の前記分離光学要素、前記遅延要素及び前記再結合要素を備え、２以上の遅延要素によって導入された時間遅延ミスマッチが、自然数の累乗の２分の１を乗じた前記波長掃引波形を生成する掃引光源の掃引反復時間に実質的に等しい請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
複数の前記分離要素、遅延要素および再結合要素を複数のマッハツェンダー干渉計（ＭＺＩ）として備え、各ＭＺＩのアーム長ミスマッチが、最大キャビティ全長の２の累乗の分数に実質的に等しい請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記波長掃引波形は、フーリエドメインモードロッキング（ＦＤＭＬ）レーザによって生成される請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記波長掃引波形を生成するレーザと、一方向周波数掃引を発生させるために、前記レーザの利得媒体を変調するように構成された利得手段と、を備えた請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記波長掃引波形を生成するレーザを備え、該レーザの掃引速度に２の累乗を乗算する請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記波長掃引波形を生成するレーザを備え、該レーザはキャビティを備え、前記分離光学要素、遅延要素及び再結合要素は、前記キャビティの外部にある請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記波長掃引波形を生成するレーザと、該レーザのキャビティの外部のマッハツェンダー干渉計と、を備えた請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記ＦＤＭＬレーザは、数メガヘルツ未満の反復率を示す請求項４に記載のシステム。
【請求項１０】
前記波長掃引波形の前記２つの部分の少なくとも一つの偏光を制御する少なくとも一つの偏光制御器を備えた請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記遅延要素が、光ファイバを備えた請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
サーキュレータを備え、前記遅延要素が複屈折部及び一連の反射器を備え、前記複屈折部及び前記一連の反射器は、前記波長掃引波形の少なくとも２つの部分の間の波長依存時間遅延を導入するように協調的に構成されている請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
レーザの波長掃引波形を、少なくとも前記波長掃引波形の第１の部分と前記波長掃引波形の第２の部分とに分離することと、
前記波長掃引波形の前記少なくとも２つの部分の間に時間遅延を導入することと、
前記波長掃引波形の前記少なくとも２つの部分を再結合することと、
を含み、
前記時間遅延は、前記レーザの周波数掃引の反復率を増大するように選択され、
遅延要素によって導入された前記時間遅延は、再結合要素が実質的に重複せずに前記波長掃引波形の前記少なくとも２つの部分を結合するように選択された、レーザの周波数掃引の反復率増大方法。
【請求項１４】
前記レーザは、ＦＤＭＬレーザである請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月15日(2012.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトリソグラフィを実行するための方法であって、
パターニングされるべき材質を覆う、屈折率及び吸光度を有する下層反射防止膜を堆積させるステップと、
前記下層反射防止膜を修正してその修正のステップの後に前記屈折率及び前記吸光度の値が前記下層反射防止膜の第１の表面での第１の値から前記下層反射防止膜の第２の表面での第２の値まで傾斜型になるようにするステップとを備え、
前記修正のステップは前記堆積させるステップの後に実行される方法。
【請求項２】
前記修正のステップは、前記下層反射防止膜に約２２２ｎｍ以下の波長を有する光を照射することを備えている請求項１の方法。
【請求項３】
前記修正のステップは、前記光を照射するステップの後に前記下層反射防止膜を加熱することを更に備えている請求項２の方法。
【請求項４】
前記修正のステップは、前記光を照射するステップの間に前記下層反射防止膜を加熱することを更に備えている請求項２の方法。
【請求項５】
フォトリソグラフィを実行するための方法であって、
パターニングされるべき材質を覆う、互いに加算されたときに第１の和をもたらす第１の屈折率及び第１の吸光度を有する下層反射防止膜を堆積させるステップと、
互いに加算されたときに第２の合計をもたらす第２の屈折率及び第２の吸光度を前記下層反射防止膜の表面が有するように前記下層反射防止膜を修正するステップであって、前記堆積させるステップの後に実行されるステップと、
前記修正するステップの後に前記下層反射防止膜の前記表面を覆うフォトレジスト層を形成するステップとを備え、
互いに合算されたときに第３の合計をもたらす第３の屈折率及び第３の吸光度を前記フォトレジスト層は有しており、
前記第２の和と前記第３の和の差の絶対値は、前記第１の和と前記第３の和の差の絶対値よりも小さい方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月12日(2012.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の発光ダイオードと第２の発光ダイオードとの群に信号を供給するための装置を有する発光ダイオード駆動装置であって、
前記第１の発光ダイオードは、第１の値を有する前記信号のパラメータに応答して第１の光出力を生成し、前記第１の値とは異なる第２の値を有する前記パラメータに応答して第２の光出力を生成するための第１の内部インピーダンスを有し、
前記第２の発光ダイオードは、前記第１の値を有する前記パラメータに応答して第３の光出力を生成し、前記第２の値を有する前記パラメータに応答して第４の光出力を生成するための前記第１の内部インピーダンスとは異なる第２の内部インピーダンスを有し、
第１の比は、前記第２の光出力で除算された前記第１の光出力によって規定され、第２の比は、前記第４の光出力で除算された前記第３の光出力によって規定され、前記第１の比は、前記第２の比と異なる、発光ダイオード駆動装置。
【請求項２】
各光出力が輝度及び／又は色を有している、請求項１に記載の発光ダイオード駆動装置。
【請求項３】
前記第１の光出力の輝度と前記第２の光出力の輝度との間の差が、前記第３の光出力の輝度と前記第４の光出力の輝度との間の差と異なること、及び／又は、前記第１の光出力の色と前記第２の光出力の色との間の差が、前記第３の光出力の色と前記第４の光出力の色との間の差と異なることにより、前記第１の比は、前記第２の比と異なる、請求項２に記載の発光ダイオード駆動装置。
【請求項４】
前記装置は、前記パラメータの値のうちの少なくとも１つの選択に応答して前記第１の発光ダイオード及び前記第２の発光ダイオードのうちの少なくとも１つの駆動を制御するように構成される、請求項１に記載の発光ダイオード駆動装置。
【請求項５】
前記制御は、輝度適応及び／又は色適応を含んでいる、請求項４に記載の発光ダイオード駆動装置。
【請求項６】
前記パラメータは、周波数パラメータ及び／又はタイミングパラメータを含んでいる、請求項１に記載の発光ダイオード駆動装置。
【請求項７】
前記第１の発光ダイオード及び前記第２の発光ダイオードは、直列枝の一部を形成している、請求項１に記載の発光ダイオード駆動装置。
【請求項８】
前記第１の発光ダイオード及び前記第２の発光ダイオードは、積み重ねられた有機発光ダイオードである、請求項７に記載の発光ダイオード駆動装置。
【請求項９】
前記積み重ねられた有機発光ダイオードは、前記有機発光ダイオードのうちの少なくとも１つを介して前記装置に電気的に結合されている透明電極によって分離されている、請求項８に記載の発光ダイオード駆動装置。
【請求項１０】
前記第１の発光ダイオード及び前記第２の発光ダイオードは、それぞれ、対応する前記第１の並列枝の一部及び第２の並列枝の一部を形成している、請求項１に記載の発光ダイオード駆動装置。
【請求項１１】
前記第１の内部インピーダンスは、第１の容量及び第１の抵抗率を有し、前記第２の内部インピーダンスは、第２の容量及び第２の抵抗率を有し、前記第１の容量及び前記第２の容量は異なる値を有し、及び／又は、前記第１の抵抗率及び前記第２の抵抗率は異なる値を有する、請求項１に記載の発光ダイオード駆動装置。
【請求項１２】
前記第１の発光ダイオードに結合されている第１の外部インピーダンスと、
前記第２の発光ダイオードに結合されている第２の外部インピーダンスとを有する、請求項１に記載の発光ダイオード駆動装置。
【請求項１３】
請求項１に記載の発光ダイオード駆動装置と、前記発光ダイオード駆動装置に電力を供給する電源とを有する、デバイス。
【請求項１４】
第１の発光ダイオードと第２の発光ダイオードとの群に信号を供給するステップを有し、
前記第１の発光ダイオードは、第１の値を有する前記信号のパラメータに応答して第１の光出力を生成し、前記第１の値と異なる第２の値を有する前記パラメータに応答して第２の光出力を生成するための、第１の内部インピーダンスを有し、
前記第２の発光ダイオードは、前記第１の値を有する前記パラメータに応答して第３の光出力を生成し、前記第２の値を有する前記パラメータに応答して第４の光出力を生成するための、前記第１の内部インピーダンスと異なる第２の内部インピーダンスを有し、
第１の比は、前記第２の光出力で除算された前記第１の光出力によって規定され、第２の比は、前記第４の光出力で除算された前記第３の光出力によって規定され、前記第１の比は、前記第２の比と異なる、発光ダイオード駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月31日(2012.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のクラスタを有するインプリント・リソグラフィ・テンプレートであって、
各クラスタは少なくとも１つの稠密フィーチャ領域を有し、前記稠密フィーチャ領域は約０．５〜３の縦横比を有する複数のフィーチャを有し、各クラスタは約２００ミクロン以下の長さを有する空領域によって分離され、
前記空領域は少なくとも１組のダミー・フィーチャを含み、前記ダミー・フィーチャは、前記空領域内に周期的間隔で位置決めされ、前記周期的間隔は分離前線の伝搬速度を減少させるように適応される、ことを特徴とするインプリント・リソグラフィ・テンプレート。
【請求項２】
前記長さの値は、約１００ミクロン以下であることを特徴とする請求項１に記載のテンプレート。
【請求項３】
前記長さの値は、分離前線の伝搬速度を減少させるように適応されることを特徴とする請求項１に記載のテンプレート。
【請求項４】
各稠密フィーチャ領域は、複数の突出部と複数のくぼみを有することを特徴とする請求項１記載のテンプレート。
【請求項５】
前記突出部は、約１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載のテンプレート。
【請求項６】
前記突出部は、前記テンプレート上に分離前線に対してある一定角度で位置決めされることを特徴とする請求項４に記載のテンプレート。
【請求項７】
前記ある一定角度の前記位置は、前記テンプレートをパターン層から分離する際の破壊エネルギーを減少させるように適応されることを特徴とする請求項６に記載のテンプレート。
【請求項８】
第１の稠密フィーチャ領域が、分離前線に対して実質的に平行に位置決めされたフィーチャを有し、第２の稠密フィーチャ領域が、前記分離前線に対して実質的に垂直に位置決めされたフィーチャを有することを特徴とする請求項１に記載のテンプレート。
【請求項９】
複数のクラスタを有するインプリント・リソグラフィ・テンプレートであって、
各クラスタは少なくとも１つの稠密フィーチャ領域を有し、前記稠密フィーチャ領域は約０．５〜３の縦横比を有する複数のフィーチャを有し、各クラスタは約２００ミクロン以下の長さを有する空領域によって分離され、
前記突出部は、前記テンプレート上に分離前線に対してある一定角度で位置決めされ、前記突出部の少なくとも一部分は、分離前線に対して９０度未満の角度で位置決めされ、前記突出部の少なくとも一部分は、前記分離前線に対して実質的に垂直に位置決めされることを特徴とするテンプレート。
【請求項１０】
前記角度付き突出部は、放射状パターンであることを特徴とする請求項９に記載のテンプレート。
【請求項１１】
前記垂直の突出部は放射状パターンであることを特徴とする請求項９に記載のテンプレート。
【請求項１２】
前記稠密フィーチャ領域内の前記フィーチャは、各フィーチャの中心が前記分離前線の方に湾曲するように凹形状を有することを特徴とする請求項９に記載のテンプレート。
【請求項１３】
複数のクラスタを有するインプリント・リソグラフィ・テンプレートであって、
各クラスタは少なくとも１つの稠密フィーチャ領域を有し、前記稠密フィーチャ領域は約０．５〜３の縦横比を有する複数のフィーチャを有し、各クラスタは約２００ミクロン以下の長さを有する空領域によって分離され、
前記稠密フィーチャ領域は、分離前線に近いほど増大する可変格子幅を有する少なくとも１つのフィーチャを有することを特徴とするテンプレート。
【請求項１４】
複数のクラスタを有するインプリント・リソグラフィ・テンプレートであって、
各クラスタは少なくとも１つの稠密フィーチャ領域を有し、前記稠密フィーチャ領域は約０．５〜３の縦横比を有する複数のフィーチャを有し、各クラスタは約２００ミクロン以下の長さを有する空領域によって分離され、
前記稠密フィーチャ領域は、可変格子長を有する少なくとも１つのフィーチャを含み、前記格子長は各フィーチャの中心に近いほど大きくなることを特徴とするテンプレート。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月23日(2012.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷結合素子（CCD）イメージセンサであって、
行及び列に配列された複数の感光素子と、
それぞれの垂直CCDが前記列のうちの対応する１つの感光素子のうちのそれぞれに関連される垂直方向のシフトエレメントを有する複数の垂直CCDと、前記複数の垂直CCDのそれぞれは、それぞれの垂直CCDにおいて電荷パケットを転送する信号チャネルを含み、
水平方向のシフトエレメントを有する水平CCDと、
前記複数の垂直CCDと前記水平CCDとの間で配置される遷移領域と、前記遷移領域は、第一、第二及び第三の行の遷移領域のシフトエレメントを有し、それぞれの行の遷移領域のシフトエレメントはゲートを含み、前記複数の垂直CCDにおける信号チャネルは、第一及び第二の平行な信号チャネルに分離され、前記第一の行の遷移領域のシフトエレメントにおける複数のシフトエレメントは、前記第一及び第二の平行な信号チャネルのそれぞれにおける複数の垂直CCDの２つの隣接する列からの電荷パケットを受けて記憶し、前記第二の行の遷移領域のシフトエレメントにおける複数のシフトエレメントは、第一の行のゲートにおけるゲートから電荷パケットを受け、前記第一及び第二の平行な信号チャネルのそれぞれにおける２つの異なる電荷パケットをそれぞれ記憶し、
前記第一の行の遷移領域のシフトエレメントにおけるゲートの一部と、前記第三の行の遷移領域のシフトエレメントにおけるゲートの一部とを制御する第一の共通制御ラインと、
前記第一の行の遷移領域のシフトエレメントにおけるゲートの残りの部分と、前記第三の行の遷移領域のシフトエレメントにおけるゲートの残りの部分とを制御する第二の共通制御ラインと、
前記第二の行の遷移領域のシフトエレメントにおけるゲートを制御する第三の制御ラインとを備え、
前記第一の共通制御ライン、前記第二の共通制御ライン及び前記第三の制御ラインに印加される信号は、指定された読取りシーケンスに従って、前記第一及び第二の平行な信号チャネルのうちの選択された１つを、前記水平CCDの前記水平方向のシフトエレメントに制御可能に向ける、
ことを特徴とするイメージセンサ。
【請求項２】
前記第三の行の遷移領域のシフトエレメントにおける複数のシフトエレメントは、前記第二の行の遷移領域のシフトエレメントからの電荷パケットを受け、前記第二の行の遷移領域のシフトエレメントからの電荷パケットを前記水平CCDの前記水平方向のシフトエレメントのうちの対応するシフトエレメントに向ける、
請求項１記載のイメージセンサ。
【請求項３】
前記複数の垂直CCDは、２相の垂直CCDを有し、
それぞれの垂直方向のシフトエレメントは、第１の垂直方向の位相シフトエレメント及び第２の垂直方向の位相シフトエレメントを有する、
請求項１記載のイメージセンサ。
【請求項４】
前記第二の行の遷移領域のシフトエレメントにおけるシフトエレメントは、細長い遷移領域のシフトエレメントを有し、前記細長い遷移領域のシフトエレメントの所与の１つは、前記垂直CCDの前記第１及び第２の垂直方向のシフトエレメントのペアと同じ電荷保持容量を有する、
請求項３記載のイメージセンサ。
【請求項５】
前記第１の垂直方向のシフトエレメント及び前記細長い遷移領域のシフトエレメントは、前記第三の制御ラインによりそれぞれ制御される、
請求項４記載のイメージセンサ。
【請求項６】
前記感光素子は、Bayerのカラーフィルタアレイのパターンに従って構成される、
請求項１記載のイメージセンサ。
【請求項７】
前記感光素子は、疎なカラーフィルタアレイのパターンに従って構成される、
請求項１記載のイメージセンサ。
【請求項８】
電荷結合素子（CCD）イメージセンサを使用した読出し方法であって、
前記CCDイメージセンサは、行及び列に配列された複数の感光素子と、それぞれの垂直CCDが前記列のうちの対応する１つの感光素子のうちのそれぞれに関連される垂直方向のシフトエレメントを有する複数の垂直CCDと、水平方向のシフトエレメントを有する水平CCDとを有し、
当該方法は、
前記複数の垂直CCDと前記水平CCDとの間で配置される遷移領域を設けるステップと、前記遷移領域は、第一、第二及び第三の行の遷移領域のシフトエレメントを有し、前記第二の行における遷移領域のシフトエレメントの少なくともサブセットは、前記列における１つの列におけるそれぞれの感光素子により生成される２つの異なる電荷パケットをそれぞれ記憶し、
前記複数の垂直CCDのそれぞれにより提供される複数の信号チャネルのそれぞれを前記遷移領域において第１及び第２の平行な信号チャネルに分離するステップと、
前記第１及び第２の平行な信号チャネルのそれぞれにおける前記複数の垂直CCDの２つの隣接する列からの電荷パケットを、前記第一の行の遷移領域のシフトエレメントにおける複数のシフトエレメントに向けるステップと、
前記第一の行の遷移領域のシフトエレメントにおける前記複数のシフトエレメントにおける前記第１及び第２の平行な信号チャネルのそれぞれからの電荷パケットを、前記第二の行の遷移領域のシフトエレメントにおける複数のシフトエレメントに向けるステップと、
指定された読出しシーケンスに従って、前記第三の遷移領域のシフトエレメントを通して前記第１及び第２の平行な信号チャネルのうちで選択されたチャネルを前記水平CCDの水平方向のシフトエレメントに向けるステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項９】
前記分離するステップ及び前記向けるステップは、前記感光素子のそれぞれにより生成された同色の電荷パケットの垂直ビニングを行う、
請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記感光素子は、Bayerのカラーフィルタアレイのパターンに従って構成され、
前記複数の垂直CCDのうちの第１の垂直CCDに対応する前記遷移領域の前記第１及び第２の平行な信号チャネルは、前記列のうちの第１の列の緑の画素のペアについて電荷パケットの垂直ビニングを行い、前記第１の列の青の画素のペアについて電荷パケットの垂直ビニングを行い、
前記複数の垂直CCDのうちの第２の垂直CCDに対応する前記遷移領域の前記第１及び第２の平行な信号チャネルは、前記列のうちの第２の列の緑の画素のペアについて電荷パケットの垂直ビニングを行い、前記第２の列の赤の画素のペアについて電荷パケットの垂直ビニングを行う、
請求項８記載の方法。
【請求項１１】
前記CCDイメージセンサはデジタル画像形成装置に含まれる、
請求項１記載のイメージセンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月21日(2012.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下のa）およびb）を含む医薬組成物：
a）AHSV VP、AHSV VPの変種またはフラグメント、およびその混合物から成る群から選択される1つまたは2つ以上のポリペプチドをコードする1つまたは2つ以上のポリヌクレオチドを含む発現ベクター；
および
b）医薬的または獣医的に許容できるビヒクル、希釈剤または賦形剤。
【請求項２】
発現ベクターがin vivoまたはin vitro発現ベクターである、請求項1に記載の組成物。
【請求項３】
ポリヌクレオチドがAHSV VP2またはVP5をコードする、請求項1に記載の組成物。
【請求項４】
ベクターが、AHSV VP2およびAHSV VP5をコードする2つのポリヌクレオチドを含む、請求項1に記載の組成物。
【請求項５】
ポリヌクレオチドが、配列番号：1、2、20、21、30、31、35、36、44、45、49、51、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61、62または63に記載の配列を有するポリペプチドと少なくとも80%の配列同一性を有するポリペプチドをコードする、請求項1に記載の組成物。
【請求項６】
ポリヌクレオチドが、配列番号：1、2、20、21、30、31、35、36、44、45、49、51、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61、62または63に記載の配列を有するポリペプチドをコードするポリヌクレオチドと少なくとも70%の配列同一性を有する、請求項1に記載の組成物。
【請求項７】
ポリヌクレオチドが、配列番号：3、4、5、6、17、18、19、22、27、28、29、32、33、34、41、42、43、48または50に記載の配列を有するポリヌクレオチドと少なくとも70%の配列同一性を有する、請求項1に記載の組成物。
【請求項８】
ベクターが、vCP2377（配列番号：17）、vCP2383（配列番号：27）、vCP2398（配列番号：41）およびその混合物から成る群から選択される、請求項1に記載の組成物。
【請求項９】
医薬的または獣医的に許容できるビヒクル、希釈剤または賦形剤がCARBOPOLである、請求項1に記載の組成物。
【請求項１０】
AHSV VP、前記AHSV VPの変種またはフラグメント、およびその混合物から成る群から選択される1つまたは2つ以上のポリペプチドをコードする1つまたは2つ以上のポリヌクレオチドを含む発現ベクター。
【請求項１１】
ポリヌクレオチドが、
a）配列番号：1、2、20、21、30、31、35、36、44、45、49、51、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61、62または63に記載の配列を有するポリペプチドと少なくとも80%の配列同一性を有するポリペプチドをコードするポリヌクレオチド；
b）配列番号：1、2、20、21、30、31、35、36、44、45、49、51、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61、62または63に記載の配列を有するポリペプチドをコードするポリヌクレオチドと少なくとも70%の配列同一性を有するポリヌクレオチド；および
c）配列番号：3、4、5、6、17、18、19、22、27、28、29、32、33、34、41、42、43、48または50に記載の配列を有するポリヌクレオチドと少なくとも70%の配列同一性を有するポリヌクレオチドから成る群から選択され、
ベクターがin vivo発現ベクターまたはin vitro発現ベクターである、請求項10に記載のベクター。
【請求項１２】
ベクターがウイルスベクターであり、前記ウイルスベクターがアビポックス、カナリアポックスまたは鶏痘ベクターである、請求項11に記載のベクター。
【請求項１３】
ベクターが2つのポリヌクレオチドを含み、前記2つのポリヌクレオチドが、配列番号：4、42および18から成る群から選択されるポリペプチドと少なくとも80%の配列同一性を有するAHSV VP2、並びに配列番号：5、43および19から成る群から選択されるポリペプチドと少なくとも80%の配列同一性を有するAHSV VP5をコードする、請求項12に記載のベクター。
【請求項１４】
ポリヌクレオチドが、H6ワクシニアプロモーター、13Lワクシニアプロモーター、42Kポックスウイルスプロモーター、7.5KワクシニアプロモーターおよびPiワクシニアプロモーターから成る群から選択されるプロモーターに作動できるように連結されている、請求項13に記載のベクター。
【請求項１５】
AHSV VP2をコードするポリヌクレオチドがH6ワクシニアプロモーターに作動できるように連結され、さらにAHSV VP5をコードするポリヌクレオチドが42Kポックスウイルスプロモーターに作動できるように連結される、請求項14に記載のベクター。
【請求項１６】
請求項10に記載のベクターで形質転換された宿主細胞。
【請求項１７】
請求項１に記載の組成物の有効量を宿主に投与する工程を含む、非ヒト動物において免疫学的応答を誘発する方法。
【請求項１８】
請求項１に記載の組成物を少なくとも１回投与する工程を含む、アフリカウマ病感受性動物にワクチン接種する方法。
【請求項１９】
請求項１に記載の組成物を少なくとも２回投与する工程をさらに含む、請求項18に記載の方法。
【請求項２０】
a）配列番号：48または50に記載の配列を有するポリヌクレオチドと少なくとも80%の配列同一性を有するヌクレオチド配列；
b）配列番号：49または51に記載の配列を有するポリペプチドと少なくとも80%の配列同一性を有するポリペプチドをコードするヌクレオチド配列；または
c）配列番号：49または51に記載の配列を有するポリペプチドをコードするポリヌクレオチドと少なくとも70%の配列同一性を有するヌクレオチド配列を含む、
ポリヌクレオチド。
【請求項２１】
実質的に精製されたAHSV VPであって、
a）配列番号：49または51に記載の配列を有するポリペプチドと少なくとも80%の配列同一性を有するアミノ酸配列；
b）配列番号：49または51に記載のアミノ酸配列の保存的変種；
c）配列番号：49または51に記載のアミノ酸配列と特異的に結合する抗体と特異的に結合する、配列番号：49または51に記載のアミノ酸配列の少なくとも8つの保存アミノ酸を含む免疫原性フラグメント；または
d）配列番号：49または51に記載のアミノ酸配列を有し、
さらに前記ポリペプチドの対象動物への投与がAHSVに対する免疫応答を生じる、前記精製AHSV VP。
【請求項２２】
アフリカウマ病ウイルスAHSV4-Jane株。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月15日(2012.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
マーカービグリカンが、心不全のリスクがある個体から得られた試料中で測定される、請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月15日(2012.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力波形を特徴付ける装置であって、
入力波形が通過する入力分散要素と、
ポンプパルスが通過するポンプパルス分散要素と、
光学要素とを備え、前記光学要素では、前記入力分散要素により分散された後の分散された入力波形、及び前記ポンプパルス分散要素により分散された後のポンプパルスが、出力波形の出力のために四光波混合により結合され、前記出力波形が前記入力波形に対して位相シフトされ、
前記入力分散要素の分散、及び前記ポンプパルス分散要素の分散は、前記出力波形のスペクトルが前記入力波形の時間プロファイルを表すようにマッチングされる、装置。
【請求項２】
前記装置は、前記出力波形を通過する出力分散要素をさらに備え、前記装置が、前記入力波形を時間的に長くするように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記装置が前記出力波形を測定する光検出器をさらに備える、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記装置が前記出力波形のスペクトルを測定する分光計をさらに備え、前記スペクトルが前記入力波形の前記時間プロファイルを表す、請求項１から３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記装置が、前記出力波形を測定する光検出器と、前記出力波形のスペクトルを測定する分光計とをさらに備える、請求項２に記載の装置。
【請求項６】
前記入力波形、前記ポンプパルス、及び前記出力波形は、それぞれＳ通信帯、Ｃ通信帯、及びＬ通信帯内にある波長を有する、請求項１から５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
前記入力分散要素の分散、及び前記ポンプパルス分散要素の分散は、前記ポンプパルス分散要素が前記入力波形分散要素の分散長を２倍にすることにより、マッチングされる、請求項１から６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記装置はポンプパルス生成器をさらに含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
前記出力波形は、あるファクターにより前記入力波形に対して時間的に伸ばされ、前記ファクターは、前記出力分散要素及び前記入力分散要素の全分散の間の比率により決まる、請求項１から８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
前記入力分散要素及び前記ポンプパルス分散要素の１つ以上は、光ファイバ、光導波管、チャープブラッグ格子、自由空間格子、及びプリズムを含むグループから選択される構造を含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
前記装置は、前記入力波形の時間プロファイルのシングルショット測定を実行するシングルショット分光計をさらに備える、請求項１から１０のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１２】
前記装置のある分散要素は、３次分散に起因する歪みを避けるために十分に低い分散勾配を有する、請求項１から１１のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１３】
前記装置のある分散要素は、１，５５０ｎｍで０．００３３５ｎｍ−１より小さい相対的分散勾配を有する、請求項１から１１のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】
前記光学要素がフォトニックチップ上に集積される、請求項１から１３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１５】
前記入力分散要素が前記フォトニックチップ上に集積される、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記ポンプパルス分散要素が、前記フォトニックチップ上に集積される、請求項１４または１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記装置が、前記フォトニックチップ上に集積されるポンプパルス源をさらに備える、請求項１４から１６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１８】
前記装置が、前記フォトニックチップ上に集積される分光計をさらに備える、請求項１４から１７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１９】
前記分光計が格子および光検出器アレイを有し、前記格子が前記出力波形を検出する分光計をさらに備え、前記格子が導波管材料の塊をエッチングすることにより製造され、前記光検出器アレイが感光性半導体材料の塊をエッチングすることによりが形成される、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記装置が、一続きの光学パルスを表す記録を出力するシステム内に含まれ、前記装置は、前記記録を処理する処理ユニットを備え、前記処理ユニットは、前記記録を表す１つまたは複数のパルスを処理して、１つまたは複数の光学パルスが、前記１つまたは複数のパルスが許容可能な品質を有することを示す基準を満たすか否かを判断するように動作可能であり、前記処理ユニットが、前記処理に応答して出力を生成するように動作可能である、請求項１から１９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２１】
前記装置は、第１および第２の分散を有する第１および第２の出力分散要素を含み、前記装置は、第１の記録長を有する第１の記録を出力する第１の出力分散要素に結合される第１の光検出器と、第２の記録長を有する第２の記録を出力する第２の出力分散要素に結合される第２の光検出器とを有し、前記第２の記録長は前記第１の記録長とは異なる、請求項１から１９のいずれか一項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月3日(2012.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画像を異なるフォーカス設定で捕捉可能な画像捕捉デバイスをオートフォーカシングする方法であって、
第１フォーカス設定で第１オートフォーカス画像を捕捉し、
第２フォーカス設定で第１ビデオ画像を捕捉し、
第３フォーカス設定で第２オートフォーカス画像を捕捉し、
前記第２フォーカス設定は、前記第１フォーカス設定と前記第３フォーカス設定の間であり、
前記第１オートフォーカス画像と前記第２オートフォーカス画像の間におけるフォーカス品質の差を評価し、
前記第１オートフォーカス画像と前記第２オートフォーカス画像の間におけるフォーカス品質の差に基づいて、第２ビデオ画像のフォーカス設定を調整し、
前記調整されたフォーカス設定を利用して第２ビデオ画像を捕捉する、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記第１オートフォーカス画像と前記第２オートフォーカス画像は、ビデオの間に捕捉される２つ以上のオートフォーカス画像からなる組で構成され、オートフォーカス画像のフォーカス設定は、第１組のオートフォーカス画像について１つの方向に調整され、第２組のオートフォーカス画像について反対方向に調整される、
ことを特徴とする方法。
【請求項３】
ビデオ画像とオートフォーカス画像を捕捉する画像捕捉デバイスであって、
レンズと、
前記レンズの前記光路内に位置する画像センサと、
前記レンズのフォーカスを調整するために前記レンズに連結されるオートフォーカスシステムと、
を含み、
前記オートフォーカスシステムは、
２つのビデオ画像の間に捕捉される第１オートフォーカス画像と第２オートフォーカス画像のフォーカス品質を評価することに使用されるフォーカス評価セクションと、
ビデオ画像の捕捉間に少なくとも１つのオートフォーカス画像を捕捉するにあたって、一連のオートフォーカス画像に関するフォーカス設定が、ビデオ画像に関するフォーカス設定と異なるように、前記レンズのフォーカスを調整するフォーカス調整セクションと、
を含み、
次のビデオ画像の捕捉のためのフォーカス設定が、前記第１オートフォーカス画像と前記第２オートフォーカス画像の間のフォーカス品質の差に基づいて調整される、
ことを特徴とする画像捕捉デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月20日(2012.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体力学的なトルクコンバータ（１）であって、ポンプホイール（８）によって駆動される、出力部（３）に接続されたタービンホイール（９）とハウジング（３４）とを備えており、該ハウジング（３４）内に複数のダンパ段（１７，２０）及びねじり振動動吸振器（３０）を有するねじり振動ダンパ（１９）と、前記ハウジング（３４）及び前記出力部（３）を接続するコンバータロックアップクラッチ（１８）とが付加的に収納されている、流体力学的なトルクコンバータにおいて、
前記ねじり振動動吸振器（３０）は前記タービンホイール（９）に接続されており、かつ、遠心振り子（１１）とタービン動吸振器（２４）とから形成されていることを特徴とする、流体力学的なトルクコンバータ。
【請求項２】
前記コンバータロックアップクラッチ（１８）が閉鎖している場合、前記タービンホイール（９）は前記タービン動吸振器（２４）の吸振器質量体（１０）を形成することを特徴とする、請求項１記載の流体力学的なトルクコンバータ。
【請求項３】
前記コンバータロックアップクラッチ（１８）が開放している場合、前記タービン動吸振器（２４）はタービンダンパ（２６）のタービンダンパ段（２５）を形成することを特徴とする、請求項１又は２記載の流体力学的なトルクコンバータ。
【請求項４】
前記コンバータロックアップクラッチ（１８）に配設されているクラッチダンパ（２７）が二段式に構成されていることを特徴とする、請求項１から３までのいずれか一項記載の流体力学的なトルクコンバータ。
【請求項５】
一方のダンパ段（１７）を前記クラッチダンパ（２７）及び前記タービンダンパ（２６）が共通に使用することを特徴とする、請求項４記載の流体力学的なトルクコンバータ。
【請求項６】
前記クラッチダンパ（２７）は前記２つのダンパ段（１７，２０）に共通の介在部（１２）を有しており、該介在部（１２）に前記タービン動吸振器（２４）のフランジ部（３９）が相対回動不能に接続されていることを特徴とする、請求項４又は５記載の流体力学的なトルクコンバータ。
【請求項７】
エネルギ貯蔵器（１３）の作用に抗して、前記フランジ部（３９）に対して制限されて回動可能である対応ディスク（３１）が、前記タービンホイール（９）と相対回動不能に接続されていることを特徴とする、請求項６記載の流体力学的なトルクコンバータ。
【請求項８】
前記トルクコンバータ（１）の出力部（３）は、変速機（４）の変速機入力軸（５）に相対回動不能に接続されており、前記出力部（３）に前記クラッチダンパ（２７）の入力部（２１）とタービンハブ（３８）とが回動可能に収容されており、かつ、前記ねじり振動ダンパ（１９）の出力部（１６）が相対回動不能に収容されていることを特徴とする、請求項６又は７記載の流体力学的なトルクコンバータ。
【請求項９】
前記ねじり振動ダンパ（１９）の出力部（１６）と、前記トルクコンバータ（１）の出力部（３）とは一体に形成されていることを特徴とする、請求項８記載の流体力学的なトルクコンバータ。
【請求項１０】
前記対応ディスク（３１）と、前記タービンホイール（９）と、遠心振り子（１１）のディスク部（２８）とは、前記タービンハブ（３８）に相対回動不能に収容されていることを特徴とする、請求項７から９までのいずれか一項記載の流体力学的なトルクコンバータ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月21日(2012.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クラッチを有する車両ドライブトレインのためのダンパにおいて、
第１のカバーと、
第２のカバーと、
固有振動数を有する第１の振動経路とが設けられており、該第１の振動経路が、弾性エレメントの第１の対の間に配置された第１の慣性エレメントを有しており、前記弾性エレメントの第１の対のうちの一方が前記第１のカバーに作用的に結合されており、前記弾性エレメントの前記第１の対のうちの他方が、前記第２のカバーに作用的に結合されており、
固有振動数を有する第２の振動経路が設けられており、該第２の振動経路が、弾性エレメントの第２の対の間に配置された第２の慣性エレメントを有しており、前記弾性エレメントの第２の対のうちの一方が、前記第１のカバーに作用的に結合されており、前記弾性エレメントの前記第２の対のうちの他方が、前記第２のカバーに作用的に結合されており、
前記第２の振動経路が前記第１の振動経路に対して実質的に平行であり、
前記第１の振動経路の固有振動数が、前記第２の振動経路の固有振動数よりも小さいことを特徴とする、車両ドライブトレインのためのダンパ。
【請求項２】
前記弾性エレメントの第１の対の組み合わされたばね定数が、前記弾性エレメントの第２の対の組み合わされたばね定数よりも小さい、請求項１記載の車両ドライブトレインのためのダンパ。
【請求項３】
前記第１の慣性エレメントの質量が、前記第２の慣性エレメントの質量よりも大きい、請求項１記載の車両ドライブトレインのためのダンパ。
【請求項４】
前記第１の慣性エレメントの質量が前記第２の慣性エレメントの質量よりも大きく、前記弾性エレメントの第１の対の組み合わされたばね定数が、前記弾性エレメントの第２の対の組み合わされたばね定数よりも小さい、請求項１記載の車両ドライブトレインのためのダンパ。
【請求項５】
前記第１の慣性エレメントと前記第２の慣性エレメントとの間に摩擦結合が設けられている、請求項１記載の車両ドライブトレインのためのダンパ。
【請求項６】
前記第１のカバーが、前記車両ドライブトレインのエンジンクランクシャフトに作用的に結合されている、請求項１記載の車両ドライブトレインのためのダンパ。
【請求項７】
前記第２のカバーが、前記車両ドライブトレインのトランスミッション入力軸に作用的に結合されている、請求項１記載の車両ドライブトレインのためのダンパ。
【請求項８】
前記第１の慣性エレメントの質量がタービンを含み、該タービンが前記第１の慣性エレメントに固定して取り付けられている、請求項３記載の車両ドライブトレインのためのダンパ。
【請求項９】
前記弾性エレメントの第１の対又は第２の対の少なくとも一方が、圧縮ばねを含む、請求項１記載の車両ドライブトレインのためのダンパ。
【請求項１０】
前記弾性エレメントの第１の対又は第２の対の少なくとも一方が、ゴムスラッグを含む、請求項１記載の車両ドライブトレインのためのダンパ。
【請求項１１】
前記弾性エレメントの第１の対又は第２の対の少なくとも一方が、ダイヤフラムばねを備えるボール傾斜面を含む、請求項１記載の車両ドライブトレインのためのダンパ。
【請求項１２】
前記慣性エレメントのうちの少なくとも一方が、浮動フランジである、請求項１記載の車両ドライブトレインのためのダンパ。
【請求項１３】
前記第１のカバーが外側ハブであり、前記第２のカバーが内側ハブである、請求項１記載の車両ドライブトレインのためのダンパ。