(57)【要約】【課題】漏洩磁束密度が小さい導体配列構造を提供するものである。【解決手段】本発明に係る導体配列構造１０は、複数本の導体を平行に配列する際、各導体Ｒ１，Ｓ１，Ｔ１及びＴ２，Ｓ２，Ｒ２で構成される２つの導体群１４ａ，１４ｂを形成し、一方の導体群１４ａの極配列と他方の導体群１４ｂの極配列とが反対となるように、一方の導体群１４ａと他方の導体群１４ｂとを並行に配置したものである。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数本の導体を平行に配列する際、各導体で構成される２つの導体群を形成し、一方の導体群の極配列と他方の導体群の極配列とが反対となるように、一方の導体群と他方の導体群とを並行に配置したことを特徴とする導体配列構造。
【請求項２】
複数本の導体を平行に配列する際、各導体を配列方向とは垂直な幅方向に２分割して２つの導体群を形成し、一方の導体群の極配列と他方の導体群の極配列とが反対となるように、一方の導体群と他方の導体群とを並行に配置したことを特徴とする導体配列構造。
【請求項３】
上下に並行配置された各導体群の、配列方向一方端側の導体に平行に、中性極導体を配列した請求項１又は２記載の導体配列構造。
【請求項４】
左右に並行配置された各導体群間に、中性極導体を配列した請求項１又は２記載の導体配列構造。
【請求項５】
一方の導体群の分岐位置近傍で、各導体群の極性が同じ導体同士を連結導体で接続した請求項１から４いずれかに記載の導体配列構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、導体配列構造に係り、特に、ブスバーやバスダクトなどの導体の配列構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
交流の送電方式の内、小さな断面積で大きな送電電力が得られるタイプとして、３相３線式がある。この３相３線式に用いられるブスバー導体の最も一般的な導体配列構造としては、図９に示すように、３本の導体Ｒ，Ｓ，Ｔを中心間の間隔をｃとして平行に配列してなる導体部で構成されるものが挙げられる。この導体配列構造９０における導体部の各導体Ｒ，Ｓ，Ｔに、それぞれ位相が異なる３相の電流を通電した場合、電流の磁気作用によって、導体部の周囲に磁界が生じる。
【０００３】
この磁界が、各種の電子機器に障害を与えることは周知であり、最も身近な例では、高圧架空線近くにおいてラジオに雑音が生じたり、テレビ又はモニタ画面にちらつき等が生じたりする。また、電気用導体と並設された通信線においては誘導電圧が生じ、通信に障害が出ることも知られている。
【０００４】
近年、半導体技術の進展に伴って、各種の製造装置や測定装置においても外部磁界を嫌うものが増えていることから、電気用導体から漏洩する磁束密度を可能な限り小さくすることが、強く要求されるようになっている。
【０００５】
図９の導体配列構造９０の導体部に相電流を通電すると、任意の点Ａ４における各磁束密度Ｂ４は、以下の▲１▼式で与えられる。
【０００６】
Ｂ＝μ０Ｈ（Ｗｂ／ｍ２）…▲１▼
（μ０：大気中の透磁率（Ｈ／ｍ），Ｈ：電流が作る磁界の強さ（Ａ／ｍ））
また、磁界の強さＨは、通電電流をＩ（Ａ）とすれば以下の▲２▼式で与えられる。
【０００７】
Ｈ＝Ｉ／２πｄ…▲２▼
（ｄ：導体中心と点Ａ４との距離（ｍ））
任意の点Ａ４の磁束密度Ｂ４は、磁束密度ＢＲ、ＢＳ、ＢＴ（任意の点Ａ４における各導体Ｒ，Ｓ，Ｔによる磁束密度）の合成となる。ここで、通電電流Ｉはベクトルであり、導体Ｒの電流をＩ１、導体Ｓの電流をＩ２、導体Ｔの電流をＩ３とし、Ｉを電流の絶対値とすれば、３相電流の場合、Ｉ１＝Ｉ、Ｉ２＝Ｉ×（−１−３１／２ｊ）／２、Ｉ３＝Ｉ×（−１＋３１／２ｊ）／２となる。Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３の総和は０であることから、仮に、導体の大きさが無限に小さく、３つの導体Ｒ，Ｓ，Ｔが同じ位置にあるとすれば、距離ｄ４，ｄ５，ｄ６は全て等しくなり、点Ａ４における合成された磁束密度Ｂ４も０となる。しかし、現実には、各導体Ｒ，Ｓ，Ｔは必ずある一定の大きさを持つことから、距離ｄ４，ｄ５，ｄ６に差が生じ、通電導体の周囲に磁界が生じることは避けられない。
【０００８】
磁束密度Ｂ４を小さくする一の方法として、各導体Ｒ，Ｓ，Ｔの間の距離ｃを小さくする方法が挙げられる。これによって、各距離ｄ４，ｄ５，ｄ６の差が小さくなり、点Ａ４における磁束密度Ｂ４がより小さくなる。このような導体配列構造を体現したバスダクトとして、図１０に示すように、導体本体１０１を絶縁体１０２で被覆してなる各導体１０３を、それぞれ密着させて設けて導体群１０４を形成し、その導体群１０４をダクト１０５内に配置した絶縁導体密着型絶縁バスダクト１００が知られている。
【０００９】
また、磁束密度Ｂ４を小さくする他の方法として、各導体Ｒ，Ｓ，Ｔを撚り合わせ、各導体Ｒ，Ｓ，Ｔの中心と任意の点Ａ４との平均距離を極力小さくする方法が挙げられる。このような導体配列構造を体現したケーブルとして、トリプレックス形ＣＶケーブル（架橋ポリエチレン電力ケーブル）が知られている。
【００１０】
また、磁束密度Ｂ４を小さくする他の方法として、各導体の磁束を打ち消すべく、ダクト内に上下２列に並行配置された導体群における導体の相配置（極配列）を、上下の導体群でずらして相配置したバスダクトがある（例えば、特許文献１参照）。
【００１１】
【特許文献１】
特開平９−１８２２６０号公報（第３頁
【００１２】、第７図）
【発明が解決しようとする課題】
ところで、図１０に示したバスダクト１００においても、各導体１０３に大電流を流した場合、その周囲に相当の磁界が生じてしまう。具体的には、各導体本体１０１のサイズを厚さ１０ｍｍ、幅１７５ｍｍ、絶縁体１０２の層厚を１ｍｍ、導体群１０４における各導体１０３の中心間隔を１２ｍｍとし、各導体１０３に２０００Ａの大電流を通電した時、バスダクト１００におけるある導体１０３の周囲の磁束密度は、前述した式▲１▼，▲２▼により計算される。その計算値を表１に、表１の計算値を基にしたグラフを図１１に示す。
【００１３】
【表１】
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【００１４】
その結果、表１及び図１１に示すように、例えば、バスダクト１００におけるある導体１０３の中心からＸ方向に１ｍ、Ｙ方向に１ｍ離れた地点における漏洩磁束密度は、約３０×１０−７（Ｗｂ／ｍ２）であった。一般に、テレビ画面などにちらつき等の影響が出始める磁束密度は、１０×１０−７（Ｗｂ／ｍ２）と言われている。よって、この場合、ちらつき等が生じないようにするには、テレビを導体群１０４から３ｍ程度も離さなければならなくなるが、配置上の問題又は設置スペースの問題から困難であることが多い。
【００１５】
また、特開平９−１８２２６０号公報に記載されたバスダクトでは、両導体群における導体の相配置を上下の導体群でずらして相配置しているが、相配置を単にずらしただけでは、各導体の磁束を略完全に打ち消すことはできない。近年、半導体関連の加工装置などは、ますます高精度化していることから、外部磁界をますます嫌うようになってきており、漏洩磁束密度を１×１０−７（Ｗｂ／ｍ２）程度に抑えることが要求されている。このバスダクトにおいても、漏洩磁束密度をこのレベルまで抑えることができないため、加工装置自体を電磁遮蔽物で囲むことによって、磁界の影響を防いでいた。
【００１６】
以上の事情を考慮して創案された本発明の目的は、漏洩磁束密度が小さい導体配列構造を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成すべく本発明に係る導体配列構造は、複数本の導体を平行に配列する際、各導体で構成される２つの導体群を形成し、一方の導体群の極配列と他方の導体群の極配列とが反対となるように、一方の導体群と他方の導体群とを並行に配置したものである。また、複数本の導体を平行に配列する際、各導体を配列方向とは垂直な幅方向に２分割して２つの導体群を形成し、一方の導体群の極配列と他方の導体群の極配列とが反対となるように、一方の導体群と他方の導体群とを並行に配置したものである。
【００１８】
また、請求項３に示すように、上下に並行配置された各導体群の、配列方向一方端側の導体に平行に、中性極導体を配列してもよい。
【００１９】
また、請求項４に示すように、左右に並行配置された各導体群間に、中性極導体を配列してもよい。
【００２０】
また、請求項５に示すように、一方の導体群の分岐位置近傍で、各導体群の極性が同じ導体同士を連結導体で接続してもよい。
【００２１】
これによって、上下又は左右に並行に配置された導体群で構成される導体部において、各導体群の導体と導体部の周囲の任意の点との離間距離を、同極の導体における離間距離の合計値で比較した場合、略同じ値となる。その結果、導体部の周囲に漏洩する磁束密度が小さくなる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適一実施の形態を添付図面に基いて説明する。
【００２３】
本発明者らは、導体部を構成する各導体と導体部周囲の任意の点との各離間距離をできるだけ等しくすることで、導体部の各導体に位相の異なる電流を通電した時の磁束密度のベクトル総和をゼロに近づけることを意図し、鋭意研究を行った。
【００２４】
第１の実施の形態に係る導体配列の断面構造を図１に示す。
【００２５】
本実施の形態に係る導体配列構造は、極性の異なる複数本の導体を平行に配列する際、複数本の導体で構成される２つの導体群を形成し、一方の導体群の極配列（相配列）と他方の導体群の極配列とが反対となるように、一方の導体群と他方の導体群とを並行に配置したものである。
【００２６】
具体的には、図１に示すように、複数本（図１中では３本）の導体を中心間の間隔をｃとして平行に配列すると共に、配列方向（図１中では左右方向）とは垂直な幅方向（図１中では上下方向）に２分割して２つの導体群１４ａ，１４ｂを形成する。導体群１４ａは導体Ｒ１，Ｓ１，Ｔ１で構成され、導体群１４ｂは導体Ｔ２，Ｓ２，Ｒ２で構成される。Ｒ１とＲ２、Ｓ１とＳ２、及びＴ１とＴ２には、それぞれ同位相の電流が通電され、それぞれが同極となる。一方の導体群１４ａの極配列（図１中では左からＲの極，Ｓの極，Ｔの極）と他方の導体群１４ｂの極配列（図１中では左からＴの極，Ｓの極，Ｒの極）とが反対となるように、一方の導体群１４ａの下（又は上）に所定隙間Ｄを有して他方の導体群１４ｂを並行に配置することで導体部が構成され、本実施の形態に係る導体配列構造１０が得られる。
【００２７】
また、上下二列に並行配置された各導体群１４ａ，１４ｂの、配列方向一方端側（図１中では右側）の導体Ｔ１，Ｒ２に平行に、中性極導体Ｎ１，Ｎ２を配列してもよい。中性極導体Ｎ１，Ｎ２については、他の導体Ｒ１，Ｓ１，Ｔ１及びＴ２，Ｓ２，Ｒ２のように極配列を反対にする必要はない。これは、多極回路において、各極の導体の、電流の絶対値が等しい場合、基本的には中性極導体に電流が流れることはないため、中性極導体による磁界が生じないためである。中性極導体は、各極の導体Ｒ１，Ｓ１，Ｔ１及びＴ２，Ｓ２，Ｒ２の帰線を１本の導体で兼用する中性線であり、一般に接地されている。尚、図１中においては、中性極導体もＮ１，Ｎ２に二分割した場合について説明を行ったが、中性極導体に限っては、中性極導体Ｎ１，Ｎ２に分割する前の状態のもの（つまり、１本の中性極導体）を用いてもよい。
【００２８】
また、図１に示した本実施の形態に係る導体配列構造１０において、各導体群１４ａ，１４ｂの導体Ｒ１，Ｓ１，Ｔ１及びＴ２，Ｓ２，Ｒ２の周囲を、図２に示すように、絶縁体２２で被覆すると共に、それぞれを密着させて導体群２４ａ，２４ｂを形成し、その導体群２４ａ，２４ｂで構成される導体部を、ダクト２５内に上下２列に並行配置することで、絶縁導体密着型絶縁バスダクト２０が得られる。
【００２９】
次に、本実施の形態の作用を添付図面に基づいて説明する。
【００３０】
導体群１４ａの各導体Ｒ１，Ｓ１，Ｔ１と任意の点Ａ１との離間距離をｄ１，ｄ２，ｄ３、導体群１４ｂの各導体Ｔ２，Ｓ２，Ｒ２と任意の点Ａ１との離間距離をｄ３’，ｄ２’，ｄ１’とすると、導体群１４ａにおいてはｄ１＞ｄ２＞ｄ３となり、導体群１４ｂにおいてはｄ１’＜ｄ２’＜ｄ３’となる。よって、並行に配置された導体群１４ａ，１４ｂで構成される導体部において、同極の導体Ｒ１とＲ２、Ｓ１とＳ２、及びＴ１とＴ２の離間距離を合わせた平均値（以下、合算離間距離の平均値と表す）は、（ｄ１＋ｄ１’）／２、（ｄ２＋ｄ２’）／２、及び（ｄ３＋ｄ３’）／２）で表される。これらの合算離間距離の平均値の差は著しく小さく、略同じ値となる。
【００３１】
ここで、前述した特開平９−１８２２６０号公報に記載されたバスダクトのように、両導体群における導体の極配列を上下で単にずらしただけでは、合算離間距離の平均値を略同じにすることはできない。そこで、これを達成するために、並行に配置された導体群１４ａ，１４ｂで構成される導体部において、一方の導体群の極配列と他方の導体群の極配列とを完全に反対とすることが必要となる。
【００３２】
より具体的には、図２に示したバスダクト２０において、各導体Ｒ１，Ｓ１，Ｔ１及びＴ２，Ｓ２，Ｒ２のサイズを厚さ１０ｍｍ、幅８７．５ｍｍ、絶縁体２２の層厚を１ｍｍ、導体群２４ａ，２４ｂにおける各導体の中心間隔ｃを１２ｍｍ、導体群２４ａ，２４ｂにおける上下の間隔Ｄを６０ｍｍとし、各導体に２０００Ａの大電流を通電した時、バスダクト２０におけるある導体の周囲の磁束密度は、前述した式▲１▼，▲２▼により計算される。その計算値を表２に、表２の計算値を基にしたグラフを図６に示す。
【００３３】
【表２】
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【００３４】
その結果、表２及び図６に示すように、例えば、バスダクト２０におけるある導体の中心からＸ方向に１ｍ、Ｙ方向に１ｍ離れた地点における漏洩磁束密度は、約３×１０−７（Ｗｂ／ｍ２）であった。つまり、導体の合計断面積、各導体の中心間の間隔ｃ、及び各導体に通電させる電流値は、表１及び図１１で用いた従来のバスダクトの導体部と全く同じまま、漏洩磁束密度を数百分の一〜数分の一に、特に導体部近傍における漏洩磁束密度を約１／１０〜１／２とすることができた。
【００３５】
本実施の形態に係る導体配列構造１０においては、複数本の導体で構成される導体群１４ａ，１４ｂの内、一方の導体群１４ａの極配列と他方の導体群１４ｂの極配列とが反対となるように、一方の導体群１４ａと他方の導体群１４ｂとを並行に配置している。これによって、並行に配置された導体群１４ａ，１４ｂで構成される導体部において、同極の導体Ｒ１とＲ２、Ｓ１とＳ２、及びＴ１とＴ２の離間距離を合わせた平均値を略同じにすることができる。その結果、導体部の周囲に漏洩する磁束密度が、図９に示した従来の導体配列構造９０の導体部のそれと比較して大幅に小さくなる。したがって、導体部の周辺に存在する電子機器への障害、導体部と並行して布設される通信線への障害、及び磁界を利用する（又は磁界の影響を嫌う）各種の加工装置や計測装置に及ぼす影響を低減することができる。
【００３６】
また、従来は、導体部の周辺に存在する電子機器への障害を低減するために、導体部からできる限り離して電子機器を配置していたが、本実施の形態に係る導体配列構造においては、導体部の周囲に漏洩する磁束密度が小さいことから、従来と比較して、より導体部の近くに電子機器を配置することが可能となり、配置上の自由度が増すと共に狭隘な設置スペースにも配置可能となる。
【００３７】
また、従来は、導体部の周囲に漏洩する磁束密度が、各種の加工装置や計測装置に及ぼす影響を低減するために、装置自体を電磁遮蔽物で覆っていた（囲んでいた）が、本実施の形態に係る導体配列構造においては、導体部の周囲に漏洩する磁束密度が小さいことから、電磁遮蔽設備を簡素にすることができる（又は電磁遮蔽設備が不要となる）。その結果、電磁遮蔽に関するコストの低減を図ることができる。
【００３８】
次に、本発明の他の実施の形態を添付図面に基いて説明する。
【００３９】
第２の実施の形態に係る導体配列の構造を図３に示す。尚、図１と同様の部材には同じ符号を付しており、これらの部材については詳細な説明を省略する。
【００４０】
前実施の形態に係る導体配列構造１０は、一方の導体群１４ａの下（又は上）に所定隙間Ｄを有して他方の導体群１４ｂを並行に配置し、導体部を構成したものであった（図１参照）。これに対して、本実施の形態に係る導体配列構造３０は、図３に示すように、一方の導体群１４ａの右（又は左）に他方の導体群１４ｂを並行に配置することで導体部を構成したものである。
【００４１】
ここで、横一列（図３中では左右方向に一列）に並行配置された各導体群１４ａ，１４ｂ間に、図１に示した中性極導体Ｎ１（又はＮ２）を配列してもよい。また、各導体群１４ａ，１４ｂ間に、図１に示した中性極導体Ｎ１，Ｎ２を横一列に並べて配列してもよい。
【００４２】
また、図３に示した本実施の形態に係る導体配列構造３０において、各導体群１４ａ，１４ｂの導体Ｒ１，Ｓ１，Ｔ１及びＴ２，Ｓ２，Ｒ２の周囲を、図４に示すように、絶縁体２２で被覆すると共に、それぞれを密着させて導体群４４を形成し、その導体群４４で構成される導体部を、ダクト４５内に上下２列に並行配置することで、絶縁導体密着型絶縁バスダクト４０が得られる。
【００４３】
第３の実施の形態に係る導体配列の構造を図５に示す。尚、図１と同様の部材には同じ符号を付しており、これらの部材については詳細な説明を省略する。
【００４４】
前実施の形態に係る導体配列構造１０は、３相３線式の導体配列構造であった。これに対して、本実施の形態に係る導体配列構造５０は、図５に示すように、直流２線式又は単相２線式の導体配列構造である。具体的には、２本の導体を中心間の間隔をｃとして平行に配列すると共に、配列方向（図５中では左右方向）とは垂直な幅方向（図５中では上下方向）に２分割して２つの導体群５４ａ，５４ｂを形成する。導体群５４ａは導体Ｒ１，Ｓ１で構成され、導体群５４ｂは導体Ｓ２，Ｒ２で構成される。Ｒ１とＲ２及びＳ１とＳ２には、それぞれ直流電流（又は同位相の交流電流）が通電され、それぞれが同極となる。一方の導体群５４ａの極配列（図５中では左から＋極（陽極），−極（負極））と他方の導体群５４ｂの極配列（図５中では左から−極（負極），＋極（陽極））とが反対となるように、一方の導体群５４ａの下（又は上或いは右若しくは左）に所定隙間Ｄを有して他方の導体群５４ｂを並行に配置することで導体部が構成され、本実施の形態に係る導体配列構造５０が得られる。
【００４５】
第２及び第３の実施の形態に係る導体配列構造３０，５０においても、第１の実施の形態に係る導体配列構造１０と同様の効果が得られることは言うまでもない。
【００４６】
第４の実施の形態に係る導体配列の構造を図７に示す。尚、図１と同様の部材には同じ符号を付しており、これらの部材については詳細な説明を省略する。
【００４７】
本実施の形態に係る導体配列構造は、極性の異なる複数本の導体を平行に配列する際、複数本の導体で構成される２つの導体群を形成し、一方の導体群の極配列と他方の導体群の極配列とが反対となるように、一方の導体群と他方の導体群とを並行に配置し、一方の導体群の分岐位置近傍で、各導体群の極性が同じ導体同士を連結導体で接続したものである。
【００４８】
具体的には、図７（ａ）〜図７（ｃ）に示すように、図１に示した導体配列構造１０と同様の配列構造を形成し、その内、一方の導体群（図７中では導体群１４ａ）の各導体に分岐導体７６をそれぞれ接続し、各分岐導体７６の接続位置（以下、分岐位置と表す）７７の近傍で、各導体群１４ａ，１４ｂの極性が同じ導体同士（Ｒ１とＲ２、Ｓ１とＳ２、及びＴ１とＴ２）を連結導体７５Ｒ，７５Ｓ，７５Ｔで接続し、本実施の形態に係る導体配列構造７０が得られる。配列方向（図７（ｂ）中では左右方向）両端の導体であるＲ１とＲ２及びＴ１とＴ２は、断面略Ｓ字状の連結導体７５Ｒ，７５Ｔで接続され、また、配列方向中央部の導体であるＳ１とＳ２は、導体Ｓ１，Ｓ２と略同形状の連結導体７５Ｓで接続される。
【００４９】
次に、本実施の形態の作用を添付図面に基づいて説明する。
【００５０】
導体配列構造７０における連結導体７５Ｒ，７５Ｓ，７５Ｔがない状態の導体配列構造８０（前述した導体配列構造１０における一方の導体群の各導体に分岐導体７６をそれぞれ接続したもの）を図８に示すように、分岐位置７７の上流側（図８（ａ）中では左側）においては、各導体群１４ａ，１４ｂの導体Ｒ１，Ｓ１，Ｔ１及びＲ２，Ｓ２，Ｔ２を流れる電流はいずれも等しい（Ｉ１）。
【００５１】
ところが、導体群１４ａの導体Ｒ１，Ｓ１，Ｔ１については、分岐位置７７において電流が分岐され、各分岐導体７６に電流Ｉ２が、分岐位置７７の下流側（図８（ａ）中では右側）の導体Ｒ１，Ｓ１，Ｔ１に電流Ｉ４（＝Ｉ１−Ｉ２）が流れる。つまり、分岐位置７７の下流側では、導体群１４ｂの導体Ｒ２，Ｓ２，Ｔ２を流れる電流はＩ１、導体群１４ａの導体Ｒ１，Ｓ１，Ｔ１を流れる電流はＩ４となり、各導体群１４ａ，１４ｂにおいて、分岐電流Ｉ２の分だけ差が生じる。この差が、導体配列構造８０の分岐位置７７の下流側における漏洩磁束密度を高めてしまう。
【００５２】
そこで、本実施の形態の導体配列構造７０においては、分岐位置７７の近傍で、各導体群１４ａ，１４ｂの極性が同じ導体同士を連結導体７５Ｒ，７５Ｓ，７５Ｔで接続している。
【００５３】
その結果、導体群１４ａの導体Ｒ１，Ｓ１，Ｔ１を、分岐位置７７において電流を分岐する際、連結導体７５Ｒ，７５Ｓ，７５Ｔを通じて、導体群１４ｂの導体Ｒ２，Ｓ２，Ｔ２側から導体群１４ａの導体Ｒ１，Ｓ１，Ｔ１側に電流が流れ込むようになり、各導体の、分岐位置７７の下流側を流れる電流が均等化される。つまり、分岐位置７７の上流側では、導体群１４ａ，１４ｂの導体Ｒ１，Ｓ１，Ｔ１及びＲ２，Ｓ２，Ｔ２を流れる電流はＩ１、各分岐導体７６を流れる電流はＩ２、分岐位置７７の下流側では、導体群１４ａ，１４ｂの導体Ｒ１，Ｓ１，Ｔ１及びＲ２，Ｓ２，Ｔ２を流れる電流はＩ３（＝Ｉ１−Ｉ２／２）となり、各導体群１４ａ，１４ｂの全長に亘って、導体を流れる電流に差はない。よって、導体配列構造７０においては、特に分岐位置７７の下流側において、導体配列構造８０よりも更に漏洩磁束密度を小さくすることができる。
【００５４】
本実施の形態に係る導体配列構造７０においても、第１の実施の形態に係る導体配列構造１０と同様の効果が得られることは言うまでもない。
【００５５】
以上、本発明の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、他にも種々のものが想定されることは言うまでもない。
【００５６】
【発明の効果】
以上要するに本発明によれば、複数本の導体を平行に配列する際、各導体で構成される２つの導体群を形成し、一方の導体群の極配列と他方の導体群の極配列とが反対となるように、一方の導体群と他方の導体群とを並行に配置したことで、両導体群で構成される導体部の周囲に漏洩する磁束密度を小さくすることができるという優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態に係る導体配列の断面構造である。
【図２】第１の実施の形態に係る導体配列構造をバスダクトに適用した際の断面図である。
【図３】第２の実施の形態に係る導体配列の構造である。
【図４】第２の実施の形態に係る導体配列構造をバスダクトに適用した際の断面図であるである。
【図５】第３の実施の形態に係る導体配列の構造である。
【図６】表２の計算値を基にしたグラフである。ここで、図６中の横軸はＸ方向の距離（ｍ）、縦軸は磁束密度（×１０−７（Ｗｂ／ｍ２））を示している。
【図７】第４の実施の形態に係る導体配列の構造である。ここで、図７（ｂ）は、図７（ａ）の７ｂ−７ｂ線断面図、図７（ｃ）は、図７（ａ）の７ｃ−７ｃ線断面図を示している。
【図８】第１の実施の形態に係る導体配列の変形例である。ここで、図８（ｂ）は、図８（ａ）の８ｂ−８ｂ線断面図を示している。
【図９】従来の３相３線式導体配列の断面構造である。
【図１０】である。
【図１１】表１の計算値を基にしたグラフである。ここで、図１１中の横軸はＸ方向の距離（ｍ）、縦軸は磁束密度（×１０−７（Ｗｂ／ｍ２））を示している。
【符号の説明】
１０，３０，５０，７０，８０　導体配列構造
１４ａ，１４ｂ　導体群
５４ａ，５４ｂ　導体群
７５Ｒ，７５Ｓ，７５Ｔ　連結導体
７７　分岐位置
Ｒ１，Ｒ２　導体
Ｓ１，Ｓ２　導体
Ｔ１，Ｔ２　導体
Ｎ１，Ｎ２　中性極導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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