【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年6月10日(2014.6.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
選択的に互いに並列化して動作するように構成された複数の部分を含むメモリアレイのスタックと、
前記メモリアレイのスタックと共に積層される、ダイ上のロジックコントローラと、
前記ロジックコントローラ内に位置し、前記メモリアレイのスタックの前記複数の部分のうちの少なくとも１つの部分の異なる動作レベルを監視する動作追跡装置と、
を備える、メモリ装置であって、
前記ロジックコントローラが、前記少なくとも１つの部分の前記動作レベルに対応するように前記少なくとも１つの部分の電力状態を調節するように設定される、
メモリ装置。
【請求項２】
前記メモリアレイのスタックが、メモリダイのスタックの一部分である、請求項１に記載のメモリ装置。
【請求項３】
前記ロジックコントローラが、複数の保管庫コントローラを含み、各々の保管庫コントローラが、動作追跡装置を備える、請求項１に記載のメモリ装置。
【請求項４】
前記ロジックコントローラが、１つ以上のシリアル通信リンクインターフェースの電力状態を変更するように設定される、請求項１に記載のメモリ装置。
【請求項５】
前記ロジックコントローラが、複数の可能なリフレッシュ速度のうちの１つに電力状態を変更するように設定される、請求項１に記載のメモリ装置。
【請求項６】
選択的に互いに並列化して動作するように構成された複数の部分を含むメモリダイのスタックと、
前記メモリダイのスタックと共に積層されるロジックダイと、
前記ロジックダイ内に位置し、前記メモリダイのスタックの前記複数の部分の少なくとも１つの部分の動作レベルを監視する動作追跡装置と、
を備える、メモリ装置であって、
前記ロジックダイが、前記複数の部分の前記少なくとも１つの部分の動作レベルに対応するように前記複数の部分の前記少なくとも１つの部分の電力状態を調節するように設定される、
メモリ装置。
【請求項７】
前記部分が、複数の鉛直方向メモリ保管庫を含む、請求項６に記載のメモリ装置。
【請求項８】
各々の鉛直方向メモリ保管庫が、前記ロジックダイ内に位置する各々の保管庫コントローラと関連付けられ、各々の保管庫コントローラが、動作追跡装置を含む、請求項７のメモリ装置。
【請求項９】
前記ロジックダイが、個別の保管庫コントローラの電力状態を変更するように設定される、請求項８のメモリ装置。
【請求項１０】
前記ロジックダイが、前記保管庫コントローラに結合する１つ以上のシリアル通信リンクインターフェースの電力状態を変更するように設定される、請求項８のメモリ装置。
【請求項１１】
前記ロジックダイが、複数の可能なリフレッシュ速度のうちの１つに電力状態を変更するように設定される、請求項６のメモリ装置。
【請求項１２】
選択的に互いに並列化して動作するように構成された複数の部分を含むメモリダイのスタックと、
多数の発信元装置と、
前記メモリダイのスタックと共に積層され、前記メモリダイのスタックと前記多数の発信元装置との間にインターフェース接続するロジックダイと、
を備えるメモリ装置であって、前記ロジックダイが、前記多数の発信元装置のうちの１つの電力状態に対応するように前記メモリダイのスタックの少なくとも一部分の電力状態を変更するように設定される、メモリ装置。
【請求項１３】
前記多数の発信元装置が、多数のプロセッサを備える、請求項１２に記載のメモリ装置。
【請求項１４】
前記多数のプロセッサが、多重コア処理装置の多数のプロセッサコアを備える、請求項１３に記載のメモリ装置。
【請求項１５】
前記メモリダイのスタックが、多数の鉛直方向メモリ保管庫を含み、前記ロジックダイが、１つ以上の鉛直方向メモリ保管庫の電力状態を変更するように設定される、請求項１２に記載のメモリ装置。
【請求項１６】
各々の鉛直方向メモリ保管庫が、前記ロジックダイ内に位置する対応する保管庫コントローラと関連付けられ、各々の保管庫コントローラが、関連する発信元装置の電力状態を監視するための動作追跡装置を含む、請求項１５に記載のメモリ装置。
【請求項１７】
前記ロジックダイが、１つ以上の前記発信元装置から、前記電力状態を変更するためのパケット命令を受信するように設定される、請求項１５に記載のメモリ装置。
【請求項１８】
並列化して異なるメモリ部を選択的に制御することを含む局所取り付けロジックコントローラを利用して、メモリアレイのスタックの多数の異なるメモリ部分を個別に制御することと、
前記多数の異なるメモリ部分の少なくとも１つの動作レベルを監視することと、
１つ以上のメモリ部分の電力状態を、前記１つ以上のメモリ部分の前記動作レベルに対応するように調節することと、
を含む、メモリ装置を操作する方法。
【請求項１９】
前記多数の異なるメモリ部分の前記少なくとも１つのメモリ部分の前記動作レベルの追跡時間を、時間の長さの閾値と比較することを更に含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
メモリアレイのスタックの多数の異なるメモリ部分を個別に制御することが、多数の異なる鉛直方向メモリ保管庫を制御することを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
１つ以上の部分の電力状態を調節することが、１つ以上の関連するプロセッサコアの電力状態に対応するように１つ以上の部分の電力状態を調節することを更に含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
発信元及び／又は宛先受信装置から、メモリアレイのスタックのメモリ保管庫の電力状態を調節するためのパケット命令を受信することと、
前記メモリアレイのスタックに局所的に取り付けられたロジックコントローラを利用して、前記パケット命令を実行することと、
を含み、
前記メモリ保管庫は、並列化して動作するように選択的に制御可能である多数のメモリ保管庫のうちの1つである、メモリ装置を操作する方法。
【請求項２３】
前記発信元及び／又は宛先装置から、前記メモリアレイのスタックに局所的に取り付けられた前記ロジックコントローラの一部分の電力状態を変更するためのパケット命令を受信することを更に含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記発信元及び／又は宛先装置から、前記ロジックコントローラ上の局所に位置する１つ以上の通信リンクの電力状態を変更するためのパケット命令を受信することを更に含む、請求項２３に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
図３は、メモリマップ３１５を含む実施形態を示す。メモリマップ３１５は、ＭＭＬ３２４と相互作用し、３次元メモリアレイ２００の様々なメモリ部分を追跡し続け、追跡された特定の部分に固有の誤りデータ等の特性を格納する。実施例は、個別のダイ２０４、保管庫２３０、タイル２０５、又は３次元メモリアレイ２００の多数のメモリセルの他の組分けに対する１つ以上の特性を追跡することを含む。誤りデータは、メモリ装置１００により追跡、利用される特性として考察されるが、本発明は、それに限定されない。様々な実施形態では、各メモリ部分に固有の他の特性も追跡される。他の特性としては、動作レベル、電源降下状態、及びリフレッシュ速度を含んでもよいが、これらに限定されない。選択される実施形態では、３次元メモリアレイ２００の異なるメモリ部分を個別に管理するために、メモリマップ３１５内に格納される様々な特性データを利用することができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
考察された構成を利用して、多数の電力状態レベルとなる可能性がある。最も簡単な電力レベルとして、メモリ保管庫２３０を完全にオン状態にするか、又は、完全にオフ状態にするような、メモリ部分の電力が挙げられる。一実施形態では、多数の中間電力レベルも含まれる。一実施例では、メモリ保管庫２３０等の部分に電源を入れるが、その部分には、いかなる再生信号も送信されない。一実施例では、リフレッシュ速度は、メモリ部分の動作レベルに応じて増加又は減少する。一実施形態では、メモリ部分の動作レベルに基づいて、メモリ部分とプロセッサとの間のデータリンク等の他の補助回路の電源を落とすか又は入れる。データリンクの実施例は、図１に示され、上述されるＳＣＬＩ１１２を含む。上に列挙された個別の部品の実例に加えて、選択される実施形態では、部品の組み合わせに電源を入れるか又は落とすことができる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
局所取り付けロジックコントローラの一実施例として、ＭＶＣ１０６が挙げられる。図３では、例えば、ＭＶＣ１０６に送信されるパケット命令により、上記の実施例の任意の電力状態の選択項目を制御することができる。１つの特定の実施例として、ＭＶＣ１０６へのパケット命令を受信した後に、保管庫２３０内の動作を変更する結果として、保管庫２３０のリフレッシュ速度を変更することが挙げられる。パケット命令の別の実施例として、選択されたＭＶＣ１０６の電源を入れるか又は落とすことが挙げられる。パケット命令の別の実施例として、選択されたＳＣＬＩの電源を入れるか又は落とすことが挙げられる。