(57)【要約】【課題】多層接続電気回路の電気抵抗が低く、電気的特性に優れた多層配線基板を得ること。【解決手段】ビアホール１４に充填された銀ペースト等による導電性樹脂組成物１５の他層との導通接続端面１５Ａにニッケル層１６と金層１７のめっき層を形成する。【選択図】　　　図１
2004103716.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビアホールに導電性樹脂組成物が充填され、前記導電性樹脂組成物により層間導通を得る多層配線基板用基材であって、
前記ビアホールに充填された前記導電性樹脂組成物の他層との導通接続端面にニッケル層が形成され、前記ニッケル層の表面に金層が形成されていることを特徴とする多層配線基板用基材。
【請求項２】
絶縁性基材の一方の面に配線パターンをなす導電層を、絶縁性基材の他方の面に層間接着のための接着層を設けられ、少なくも前記絶縁性基材と前記接着層に連続形成されたビアホールに層間導通を得るための導電性樹脂組成物を充填された多層配線基板用基材であって、
前記ビアホールに充填された前記導電性樹脂組成物の他層との導通接続端面にニッケル層が形成され、前記ニッケル層の表面に金層が形成されていることを特徴とする多層配線基板用基材。
【請求項３】
前記絶縁性基材はポリイミド等の可撓性樹脂フィルムであることを特徴とする請求項１または２記載の多層配線基板用基材。
【請求項４】
前記接着層は熱可塑性ポリイミドにより構成されていることを特徴とする請求項１または２または３記載の多層配線基板用基材。
【請求項５】
層間接着のための接着層を兼ねた絶縁性基材の一方の面に配線パターンをなす導電層を設けられ、少なくとも前記絶縁性基材に形成されたビアホールに層間導通を得るための導電性樹脂組成物を充填された多層配線基板用基材であって、
前記ビアホールに充填された前記導電性樹脂組成物の他層との導通接続端面にニッケル層が形成され、前記ニッケル層の表面に金層が形成されていることを特徴とする多層配線基板用基材。
【請求項６】
前記絶縁性基材は熱可塑性ポリイミドにより構成されていることを特徴とする請求項５記載の多層配線基板用基材。
【請求項７】
前記ニッケル層と金層は多層配線基板用基材の層間接着面より突出した突起層をなしていることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項記載の多層配線基板用基材。
【請求項８】
前記ニッケル層と金層は各々蓋めっきによるものであることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項記載の多層配線基板用基材。
【請求項９】
請求項１〜８の何れか１項記載の多層配線基板用基材を複数枚、重ねて接合してなることを特徴とする多層配線基板。
【請求項１０】
絶縁性基材の一方の面に配線パターンをなす導電層を、絶縁性基材の他方の面に層間接着のための接着層を設けられたものの、少なくも前記絶縁性基材と前記接着層にビアホールを穿孔する穿孔工程と、
前記ビアホールに導電性樹脂組成物を充填する充填工程と、
前記ビアホールに充填された前記導電性樹脂組成物を加熱硬化する加熱硬化工程と、
硬化後の前記導電性樹脂組成物の他層との導通接続端面にニッケル層を形成するニッケル層形成工程と、
前記ニッケル層の表面に金層を形成する金層形成工程と、
を有することを特徴とする多層配線基板用基材の製造方法。
【請求項１１】
層間接着のための接着層を兼ねた絶縁性基材の一方の面に配線パターンをなす導電層を設けらたものの、少なくも前記絶縁性基材にビアホールを穿孔する穿孔工程と、
前記ビアホールに導電性樹脂組成物を充填する充填工程と、
前記ビアホールに充填された前記導電性樹脂組成物を加熱硬化する加熱硬化工程と、
硬化後の前記導電性樹脂組成物の他層との導通接続端面にニッケル層を形成するニッケル層形成工程と、
前記ニッケル層の表面に金層を形成する金層形成工程と、
を有することを特徴とする多層配線基板用基材の製造方法。
【請求項１２】
前記ニッケル層形成工程と前記金層形成工程は、電解めっき法による蓋めっきによって前記ニッケル層と前記金層を形成することを特徴とする請求項１０または１１記載の多層配線基板用基材の製造方法。
【請求項１３】
前記ニッケル層形成工程と金層形成工程は、前記ニッケル層と前記金層を多層配線基板用基材の層間接着面より突出した突起層として形成することを特徴とする請求項１０〜１２の何れか１項記載の多層配線基板用基材の製造方法。
【請求項１４】
前記接着層あるいは層間接着のための接着層を兼ねた前記絶縁性基材として、熱可塑性ポリイミドを用いることを特徴とする請求項１０〜１３の何れか１項記載の多層配線基板用基材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、多層配線基板（多層プリント配線板）、多層配線基板用基材およびその製造方法に関し、特に、ベアチップ等の高密度実装が可能な多層配線基板、多層配線基板用基材およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器の軽薄短小化、半導体チップや部品の小型化および端子の狭ピッチ化に連動して、プリント基板（配線基板）にも実装面積の縮小や配線の精細化が進んでいる。同時に、情報関連機器では、信号周波数の広帯域化に対応して部品間を連結する配線の短距離化が求められており、高密度、高性能を達成するためのプリント基板の多層化は必要不可欠の技術となっている。
【０００３】
多層配線基板では、従来の平面回路にはなかった層間を電気的に接続する回路形成がキーテクノロジーである。多層配線基板の第１ステップである両面配線基板は、絶縁基材に貫通孔をあけ、貫通孔の壁面に沿って導体をめっきして表裏の配線を導通接続している。
【０００４】
ＩＢＭ社のＳＬＣ（Ｓｕｒｆａｃｅ　Ｌａｍｉｎａｒ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）に代表されるビルドアッブ多層配線基板においても、回路層間の絶縁層の一部をレーザ等で除去し、めっきで導通接続する方法を用いている（例えば、非特許文献１）。
【０００５】
めっきを用いた配線の導通接続は、微細な回路を低抵抗で導通接続できる利点を持つが、工程が複雑で、工数も多いため、コストが高くなり、多層配線基板の用途を制限する要因となっている。
【０００６】
近年、めっきに代わる安価な層間接続方法として、松下グループのＡＬＩＶＨ（Ａｎｙ　Ｌａｙｅｒ　Ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ　Ｖｉａ　Ｈｏｌｅ）基板や、東芝グループのＢ２ｂｉｔ（Ｂｕｒｉｅｄ　Ｂｕｍｐ　Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）に代表される導電性性樹脂（導電性ペースト）を用いた多層配線基板が実用化され、多層配線基板の用途が急速に拡大し始めている（例えば、非特許文献２参照）。
【０００７】
ＡＬＩＶＨでは、図７（ａ）〜（ｈ）に示されているように、絶縁樹脂板／フィルム１０１を出発材としてレーザを用いてビアホール（バイアホール）１０２をあけ、印刷法によってビアホール１０２に導電性性樹脂１０３を充填し、この導電性性樹脂１０３の充填によって所望の箇所に表裏導通接続部を有する絶縁層１０４を作成する。そして、絶縁層１０４の表裏に銅箔１０５を貼り付け、銅箔１０５をエッチングして配線パターン（銅箔回路）１０６を形成したものを、複数枚、貼り合わせて多層配線基板１００を得る。
【０００８】
ＡＬＩＶＨの工法以外にも、ＳＬＣのように、絶縁層として感光性樹脂を用いて露光・現像を行うことにより、ビアホールを形成したり、ケミカルあるいはドライエッチングによって樹脂を除去する方法も適用できる可能性がある。
【０００９】
導電性樹脂を用いた多層配線基板は、安価である反面、導電性樹脂部分の電気抵抗が高く、銅箔回路との接触抵抗が安定しないなどのいくつかの欠点もあるが、それらも徐々に克服されつつある。
【００１０】
マルチチップモジュールなど、ベアチップを実装する基板では、配線の高密度化に伴って多層板を構成する積層板（多層配線基板用基材）の単層の厚さも減少する傾向にある。この積層板の層厚の減少によって絶縁フィルム単体では、基板のたわみやしわが発生し易くなり、寸法安定性が確保し難くなっている。
【００１１】
このことに対し、層間接続に導電性樹脂を用いる多層配線基板の製造方法として、図８（ａ）〜（ｄ）と（ａ’）〜（ｄ’）および（ｅ）、（ｆ）に示されているように、片面銅箔付きフィルム２０１や両面銅箔付きフィルム３０１を出発材とし、これら銅箔付きフィルム２０１、３０１にビアホール（バイアホール）２０２、３０２をあけ、ビアホール２０２、３０２に導電性性樹脂２０３、３０３を充填してインナビアを形成し、銅箔付きフィルム２０１、３０１の銅箔２０４、３０４をエッチングして配線パターン（銅箔回路）２０５、３０５を形成したものを貼り合わせて多層配線基板２００を得る製造方法がある。
【００１２】
この製造方法では、樹脂フィルムを絶縁層としてそれの片面に銅箔による導電層を貼り付けられている片面銅張基板や樹脂フィルムの両面に銅箔を貼り付けられている両面銅張基板を出発材としていることにより、フィルムの剛性が高まり、高い寸法精度を維持できる。このような多層配線基板の製造方法は、本願出願人と同一の出願人による特願２００１−８５２２４号で提案されている。
【００１３】
【非特許文献１】
高木　清著　「ビルドアップ多層プリント基板配線板技術」日刊工業新聞社出版、２００１年６月１５日、初版２刷、５３頁〜７６頁
【非特許文献２】
高木　清著　「ビルドアップ多層プリント基板配線板技術」日刊工業新聞社出版、２００１年６月１５日、初版２刷、７７頁〜７９頁
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
銅箔付きフィルムを出発材としてインナビアを導電性樹脂で構成する多層配線基板の構造および製造方法には、以下のような欠点がある。
【００１５】
図９に示されているように、積層前の基本配線板（多層配線基板用基材）、つまり多層配線基板を構成する単層４００は、銅ランド部（銅回路）４０１と、導電性樹脂によって形成されたインナビア４０２と、絶縁層４０３と、接着層４０４とから構成される。
【００１６】
各単層４００を積層する際、銅ランド部４０１とインナビア４０２の接合部における電気抵抗を小さくするために、通常、導電性樹脂からなるインナビア４０２に突起部４０２Ａが形成される。
【００１７】
導電性樹脂は、銀や銅などの金属フィラと熱硬化型樹脂との混合物である。したがって、熱硬化型樹脂が硬化する前は、突起部４０２Ａが、外部応力や衝撃などにより変形したり、欠損を生じ易い。
【００１８】
また、突起部４０２Ａを形成するために、多くの場合、図１０に示されているように、突起部形成用にパターン化されたマスクフィルム４０５が用いられるため、突起形成後、マスクフィルム４０５を剥がす際に、剥離力が突起部４０２Ａに作用し、突起部４０２Ａが変形、欠損を生じ易い。
【００１９】
以上述べたように、導電性樹脂で形成されたインナビア４０２の突起部４０２Ａは、その形成プロセスや積層時において、変形や欠損を生じ易いために、これを積層した配線板では、多層接続電気回路に導通不良や電気抵抗不良の不具合が生じ易い。
【００２０】
また、図１１に例示されているように、上述したような基本配線板４００を２層以上の多層配線基板に一括積層した際、銅ランド部４０１や銅回路部４０６を電気的に接続するインナビア４０２の電気抵抗値がビア形状とビアホールに充填されている導電性樹脂の比抵抗とから算出した抵抗値よりかなり高くなり、電気的接続が不十分になる。
【００２１】
これは、インナビア４０２と銅ランド部４０１や銅回路部４０６との接続界面に存在する接触抵抗が大きい原因であると考えられる。この接続界面の接触抵抗が大きくなる原因は、インナビア４０２の突起部４０２Ａの変形や欠損以外に、インナビア４０２と銅ランド部４０１、銅回路部４０６の相互の接続表面に酸化膜ができ、インナビア４０２と銅ランド部４０１、銅回路部４０６とで良好な金属結合が行われないことにある。また、導電性樹脂の主成分をなすエボキシ樹脂等が接続表面に存在することや、その主成分中に分散している導体フィラ自体も表面を酸化膜によって覆われた状態になっていることも原因と考えられる。
【００２２】
この発明は、上述の如き問題点を解消するためになされたもので、多層接続電気回路の電気抵抗が低く、電気的特性に優れた多層配線基板を得ることができる多層配線基板用基材およびその多層配線基板用基材を用いた多層配線基板、およびそれらの製造方法を提供することを目的としている。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、この発明による多層配線基板用基材は、ビアホールに導電性樹脂組成物が充填され、前記導電性樹脂組成物により層間導通を得る多層配線基板用基材であって、前記ビアホールに充填された前記導電性樹脂組成物の他層との導通接続端面にニッケル（Ｎｉ）層が形成され、前記ニッケル層の表面に金（Ａｕ）層が形成されている。
【００２４】
この発明による多層配線基板用基材は、適用できる多層配線基板用基材の型式として、ポリイミド等の可撓性樹脂フィルムにより構成された絶縁性基材の一方の面に配線パターンをなす銅箔等による導電層を、絶縁性基材の他方の面に層間接着のための熱可塑性ポリイミド等による接着層を設けられ、少なくも前記絶縁性基材と前記接着層に連続形成されたビアホールに層間導通を得るための導電性樹脂組成物を充填された多層配線基板用基材や、層間接着のための接着層を兼ねた熱可塑性ポリイミド等による絶縁性基材の一方の面に配線パターンをなす導電層を設けられ、少なくとも前記絶縁性基材に形成されたビアホールに層間導通を得るための導電性樹脂組成物を充填された多層配線基板用基材であり、これら多層配線基板用基材の前記ビアホールに充填された前記導電性樹脂組成物の他層との導通接続端面、すなわち積層面にニッケル層が形成され、前記ニッケル層の表面に更に金層が形成されている。
【００２５】
この発明による多層配線基板用基材によれば、ビアホールに充填された導電性樹脂組成物の他層との導通接続端面にニッケル層が形成され、さらにニッケル層の表面に金層が形成されているから、酸化汚染されない金層をもってビアホールの導電性樹脂組成物と他層の導電層（回路部）との導通接続が行われ、ビアホールの導電性樹脂組成物と導電層（回路部）との接続電気抵抗が小さい多層配線基板を得ることができる。
【００２６】
この発明による多層配線基板用基材におけるニッケル層と金層は、電解めっき法による蓋めっきにより形成することができ、さらに、導電性樹脂組成物によるインナビアの突起部に代えて多層配線基板用基材の層間接着面（多層化の積層面）より突出形成することができる。
【００２７】
この場合、インナビアの突起部は、ニッケル層と金層で形成され、樹脂突起でないから、その形成時から積層までの製造工程において、変形、欠損を生じることがなく、突起部の機能性が保たれる。また、多層化時に、金層が他層の導電層（回路部）に押し付けられることにより、回路部表面に酸化膜が形成されていても、それを突き破り、金層と回路部とで金属−金属結合が生じ、接続界面に存在する接触抵抗が大幅に低減する。
【００２８】
更には、ビアホールの導電性樹脂組成物がニッケル層によって蓋されるので、電位差によるイオン移動であるイオンマイグレーションの発生が防止される。
【００２９】
この発明による多層配線基板は、上述の発明による多層配線基板用基材を複数枚、重ねて接合したものである。
【００３０】
また、上述の目的を達成するために、この発明による多層配線基板用基材の製造方法は、絶縁性基材の一方の面に配線パターンをなす導電層を、絶縁性基材の他方の面に層間接着のための接着層を設けられたものの、少なくも前記絶縁性基材と前記接着層にビアホールを穿孔する穿孔工程、あるいは層間接着のための接着層を兼ねた絶縁性基材の一方の面に配線パターンをなす導電層を設けらたものの、少なくも前記絶縁性基材にビアホールを穿孔する穿孔工程と、前記ビアホールに導電性樹脂組成物を充填する充填工程と、前記ビアホールに充填された前記導電性樹脂組成物を加熱硬化する加熱硬化工程と、硬化後の前記導電性樹脂組成物の他層との導通接続端面にニッケル層を形成するニッケル層形成工程と、
前記ニッケル層の表面に金層を形成する金層形成工程とを有する。
【００３１】
この発明による多層配線基板用基材の製造方法における前記ニッケル層と金層形成工程は、電解めっき法による蓋めっきによってニッケル層と金層を形成することができ、更には、ニッケル層と金層を多層配線基板用基材の層間接着面より突出した突起層として形成する。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下に添付の図を参照してこの発明の実施形態を詳細に説明する。
【００３３】
図１はこの発明による一実施形態に係わる多層配線基板用基材の基本構成を示している。
【００３４】
図１に示されている多層配線基板用基材１０は、絶縁性基材をなす絶縁樹脂層１１の一方の面に銅箔等による配線パターン部（導電層）１２を、他方の面に層間接着のための接着層１３を各々設けられ、接着層１３と絶縁樹脂層１１と配線パターン部１２とを貫通するビアホール（バイアホール）１４を穿設されている。ビアホール１４には導電性樹脂組成物１５が充填されている。
【００３５】
ＦＰＣでは、絶縁樹脂層１１は、全芳香族ポリイミド（ＡＰＩ）等によるポリイミドフィルムやポリエステルフィルム等の可撓性を有する樹脂フィルムで構成され、絶縁樹脂層１１と配線パターン部１２と接着層１３との３層構造は、汎用の片面銅箔付きポリイミド基材の銅箔とは反対側の面に接着層１３としてポリイミド系接着材を貼付したもので構成できる。
【００３６】
ポリイミド系接着材による接着層１３は、熱可塑性ポリイミド（ＴＰＩ）あるいは熱可塑性ポリイミドに熱硬化機能を付与したフィルムの貼り付けにより形成することができる。
【００３７】
ビアホール１４のうち、接着層１３と絶縁樹脂層１１を連続貫通する部分、すなわち、絶縁部ビアホール１４Ａは、円形横断面の円筒形状で、通常のビアホール径とされている。ビアホール１４のうち配線パターン部１２を貫通する部分、すなわち、導電部ビアホール（小孔）１４Ｂは、円形横断面の円筒形状で、絶縁部ビアホール１４Ａより小径になっている。
【００３８】
導電性樹脂組成物１５は、銀、銅等の導電機能を有する金属粉末を樹脂バインダに混入したものを、溶剤を含む粘性媒体に混ぜてペースト状にした導電性ペーストである。導電性樹脂組成物１５は、接着層１３の側よりスクイジング等によってビアホール１４、すなわち、絶縁部ビアホール１４Ａと導電部ビアホール１４Ｂの全てに穴埋め充填される。この穴埋め充填時に導電部ビアホール１４Ｂがビアホール１４内の空気抜き孔として機能する。
【００３９】
ビアホール１４に充填された導電性樹脂組成物１５と自層の配線パターン部１２との導通接触は、専ら配線パターン部１２の裏面１２Ａで行われる。
【００４０】
ビアホール１４に充填された導電性樹脂組成物１５の他層との導通接続端面１５Ａに蓋めっきによるニッケル（Ｎｉ）層１６が形成され、さらに、このニッケル層１６の表面に金（Ａｕ）層１７が蓋めっきされており、ニッケル層１６と金層１７とが多層配線基板用基材１０の層間接着面より突出した突起部（突起層）をなしている。
【００４１】
ニッケル層１６は、導電性樹脂組成物１５の導通接続端面１５Ａと金層１７との間に下地層として存在し、金層１７が導電性樹脂組成物１５の導通接続端面１５Ａに直接めっきされる場合に比してこれらめっき層の剥離強度を改善し、併せて必要な厚さの突起層を形成する場合における金層１７の金使用量を削減する。
【００４２】
ニッケル、金のような金属材料は、導電性樹脂組成物（銀ペースト）１５に比較して外部応力や衝撃に対する耐久性に優れ、銀ペースト製の突起部に比して突起部としてのニッケル層１６と金層１７の変形や欠損が生じ難く、突起部の形成時から多層化の積層までの製造工程において突起部の機能性が保たれる。
【００４３】
また、酸化汚染されない金層１７をもってビアホール１４の導電性樹脂組成物１５と他層の銅回路部との導通接続が行われ、多層化時に、金層１７が他層の銅回路部に押し付けられることにより、その銅回路部の表面に酸化膜が形成されていても、金層１７がそれを突き破り、金層１７と銅回路部とで良好な金属−金属結合が生じ、接続界面に存在する接触抵抗が大幅に低減する。これらのことにより、ビアホール１４の導電性樹脂組成物１５と銅回路部との接続電気抵抗が小さい多層配線基板を得ることができる。
【００４４】
また、導電性樹脂組成物１５の導通接続端面１５Ａがニッケル層１６によって覆蓋されるので、電位差によるイオン移動であるイオンマイグレーションの発生が防止され、導電性樹脂組成物１５中の導電物質や配線パターン部１２の銅のイオンマイグレーションに起因する短絡の発生を防止できる。
【００４５】
つぎに、図１に示されているタイプの多層配線基板用基材、およびその多層配線基板用基材による多層配線基板の製造方法の一実施形態を図２、図３を参照して説明する。
【００４６】
図２（ａ）に示されているように、絶縁樹脂層をなすポリイミドフィルム２１の片面に導電層をなす銅箔２２を設けられた片面銅張基板（ＣＣＬ：Ｃｏｐｐｅｒ　Ｃｌａｄ　Ｌａｍｉｎａｔｅ）２０を準備し、これのポリイミドフィルム表面側（銅箔２２とは反対側の表面）に、熱可塑性ポリイミドあるいは熱可塑性ポリイミドに熱硬化機能を付与したフィルムによる接着層２３を貼り合わせた積層フィルムを出発材料とする。
【００４７】
ここで使用するＣＣＬには、ポリイミド等の絶縁樹脂と導体箔とを接着剤を用いて接着したタイプ、銅箔上にポリイミドの前駆体を塗布して加熱焼成したタイプやポリイミドフィルム上に金属膜を蒸着したタイプ、蒸着した金属膜をシード層としてめっきにより銅を成長させたタイプがある。
【００４８】
接着層２３を構成する熱可塑性ポリイミドあるいは熱可塑性ポリイミドに熱硬化機能を付与したフィルムには、ガラス転移温度Ｔｇは、後述のニッケル層と金層２８の溶融温度より低い温度、たとえば、１６０℃程度のものを用いる。
【００４９】
つぎに、図２（ｂ）に示されているように、ビアホール穿孔工程として、ポリイミドフィルム２１にＹＡＧレーザを照射してポリイミドフィルム２１に、直径が１００μｍ程度のインナビアホール２４を形成する。穴あけ用のレーザとしては、ＹＡＧレーザ以外にもＣＯ２レーザやエキシマレーザを用いることもできる。
【００５０】
続いて、銅箔２２にＹＡＧレーザによって小孔２５を穿設する。小孔２５の直径は、インナビアホール２４の孔径半分以下、たとえば、３０〜５０μｍ程度とする。小孔２５は、インナビアホール２４を形成する前に、レジストマスクを利用して銅のケミカルエッチングによって形成することもできる。
【００５１】
つぎに、図２（ｃ）に示されているように、樹脂ペースト充填工程として、スクリーン印刷で使用するようなスキージプレートを使用して接着層２３の表面側から、導電性樹脂組成物として、銀ペースト２６をスクイジングによってインナビアホール２４と小孔２５の全てにすり切り状に穴埋め充填する。
【００５２】
銀ペースト２６には、エポキシ系樹脂を主成分とするバインダと、平均粒子径５μｍの銀をフィラとする粘度５０〜１５０Ｐａ・ｓの加熱硬化型ペーストを使用した。インナビアホール２４に充填する導電性樹脂組成物としては、銀ペースト以外に、銅粒子や表面を銀で被覆した銅粒子をフィラとするペーストを使用することもできる。また、溶媒成分が少なく、乾燥および硬化時の体積減少が僅かであれば、樹脂の種類を問わない。
【００５３】
つぎに、加熱硬化工程として、充填した銀ペースト２６を１００℃のオーブン中で加熱乾燥（硬化）させる。
【００５４】
硬化完了後に、図２（ｄ）に示されているように、ニッケル層形成工程として、銅箔２２の表面にＰＥＴマスキングテープ２７を貼り付け、銅箔２２側から母極端子を取り出し、その反対側の銀ペースト２６の他層との導通接続端面２６Ａに、電解めっき法によってニッケル層２８を蓋めっきによる突起部（突起層）として形成する。ニッケル層２８の厚さは、５〜２５μｍ程度でよい。
【００５５】
つぎに、図２（ｅ）に示されているように、金層形成工程として、ニッケル層２８の表面に、同様の電解めっき法によって金層２９を蓋めっきによる突起部（突起層）として形成する。金層２８の厚さは、ニッケル層２８より薄く、１〜５μｍ程度でよい。
【００５６】
つぎに、銅箔表面のＰＥＴマスキングテープ２７を剥がし、銅箔２２の表面にレジストフィルムを熱圧着し、パターンを露光現像してレジストマスクを形成した後、塩化第二鉄を主成分とするエッチング液を用いて銅のケミカルエッチングを行い、図２（ｆ）に示されているように、銅ランド部や銅回路部３０を形成する。これにより、１枚の多層配線基板用基材（基本配線板）２０が完成する。
【００５７】
上述の多層配線基板用基材２０を複数枚積層して多層配線基板を作製する際、インナビア突起部をなすニッケル層２８、金層２９について、全数目視検査を実施した。この目視検査によってインナビア突起部をなすニッケル層２８、金層２９に、変形や欠損が生じてないことが確認できた。
【００５８】
つぎに、図３（ａ）に示されているように、複数枚の多層配線基板用基材２０と下側銅箔４０とを重ね合わせて多層化接合を行う。この多層化接合工程は、加熱プレス装置を用い、１８０℃以上の温度に加熱し、１０〜５０ｋＰａ程度の圧力を印加して行う。
【００５９】
積層完了後に、図３（ｂ）に示されているように、下側銅箔４０を銅箔２２のケミカルエッチングと同様の方法でケミカルエッチングし、銅ランド部や銅回路部４１を形成した。これにより、多層配線基板が完成する。
【００６０】
上述の製造方法によって製造したサンプル（本発明品）と従来品について、インナビア部の電気抵抗を測定した。その測定結果を図１２に示す。
【００６１】
図１２から分かるように、本発明品は従来品に比してインナビア部の電気抵抗が低い。これにより、層間導通接続が低電気抵抗で良好に行われる。
【００６２】
なお、上述の実施形態では、銅箔２２に小孔２５をあけたが、この発明は、図４に示されているように、小孔２５があけられていないものにも、同様に適用でき、同様の効果を得ることができる。
【００６３】
この発明による多層配線基板用基材は、他の実施形態として、図５に示されているように、絶縁性基材をなす絶縁樹脂層５１を、熱可塑性ポリイミド（ＴＰＩ）あるいは熱可塑性ポリイミドに熱硬化機能を付与したものなど、絶縁樹脂層自体が層間接着のための接着性を有するもので構成することができる。この場合には、絶縁樹脂層５１の一方の面に配線パターン部５２をなす銅箔等による導電層を設け、他方の面の接着層を省略できる。
【００６４】
この多層配線基板用基材５０では、絶縁樹脂層５１と配線パターン部５２とを貫通するビアホール５３を穿設され、ビアホール５３に導電性樹脂組成物５４が充填されている。ここで、ビアホール５３のうち、絶縁樹脂層５１を貫通する部分、すなわち、絶縁部ビアホールは、円形横断面の円筒形状で、通常のビアホール径とされている。ビアホール５３のうち配線パターン部５２を貫通する部分、すなわち、導電部ビアホール（小孔）は、円形横断面の円筒形状で、絶縁部ビアホールより小径になっている。
【００６５】
ビアホール５３に充填された導電性樹脂組成物５４の他層との導通接続端面５４Ａに蓋めっきによるニッケル層５５が突起部（突起層）として形成され、更に、ニッケル層５５の表面に蓋めっきによる金層５６が突起部（突起層）として形成されている。
【００６６】
したがって、この実施形態でも、銀ペースト製の突起部に比して突起部としてのニッケル層５５と金層５６の変形や欠損が生じ難く、突起部の形成時から多層化の積層までの製造工程において突起部の機能性が保たれる。
【００６７】
図６に示されているように、多層配線基板用基材（基本配線板）５０の複数枚を一括積層して多層配線基板を得ることができる。
【００６８】
この多層配線基板でも、酸化汚染されない金層５６をもってビアホール５３の導電性樹脂組成物５４と他層の配線パターン部５２との導通接続が行われ、多層化時に、金層５６が他層の配線パターン部５２に押し付けられることにより、配線パターン部５２の表面に酸化膜が形成されていても、それを突き破り、金層５６と配線パターン部５２とで良好な金属−金属結合が生じ、接続界面に存在する接触抵抗が大幅に低減する。これらのことにより、ビアホール５３の導電性樹脂組成物５４と他層の配線パターン部５２との接続電気抵抗が小さい多層配線基板を得ることができる。
【００６９】
図５に示されているような多層配線基板用基材５０および図６に示されているような複数枚の多層配線基板用基材５０による多層配線基板は、図２、図３に示されている前述の実施形態と同様の、穿孔工程、樹脂ペースト充填工程、加熱硬化工程、ニッケル層形成工程、金層形成工程、多層化接合工程によって、同様に製造することができる。
【００７０】
【発明の効果】
以上の説明から理解される如く、この発明による多層配線基板、多層配線基板用基材およびその製造方法によれば、ビアホールに充填された銀ペースト等による導電性樹脂組成物の他層との導通接続端面にニッケル層が形成され、ニッケル層の表面に金層が形成されていることにより、多層接続電気回路の電気抵抗が低く、優れた電気的特性が得られる多層配線基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一つの実施形態に係わる多層配線基板用基材を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｆ）はこの発明の一つの実施形態に係わる多層配線基板用基材の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）はこの発明の一つの実施形態に係わる多層配線基板の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図４】この発明の他の一つの実施形態に係わる多層配線基板用基材を用いた多層配線基板を示す断面図である。
【図５】
この発明の他の一つの実施形態に係わる多層配線基板用基材を示す断面図である。
【図６】
この発明の一つの実施形態に係わる多層配線基板を示す断面図である。
【図７】
（ａ）〜（ｈ）は従来の多層配線基板の製造工程を示す工程図である。
【図８】
（ａ）〜（ｄ）、（ａ’）〜（ｄ’）および（ｅ）、（ｆ）は従来の他の多層配線基板の製造工程を示す工程図である。
【図９】
従来の多層配線基板用基材のインナビアを示す断面図である。
【図１０】
従来の多層配線基板用基材のインナビアにおける突起形成過程を示す断面図である。
【図１１】
従来の多層配線基板の断面図である。
【図１２】
本発明の実施形態および従来例におけるインナビア部の電気抵抗の測定結果を示す図である。
【符号の説明】
１０　多層配線基板用基材
１１　絶縁樹脂層
１２　配線パターン部
１３　接着層
１４　ビアホール
１５　導電性樹脂組成物
１６　ニッケル層
１７　金層
２０　多層配線基板用基材
２１　ポリイミドフィルム
２２　銅箔
２３　接着層
２４　インナビアホール
２５　小孔
２６　銀ペースト
２８　ニッケル層
２９　金層
３０　銅ランド部、銅回路部
４０　下側銅箔
４１　銅ランド部、銅回路部
５０　多層配線基板用基材
５１　絶縁樹脂層
５２　配線パターン部
５３　ビアホール
５４　導電性樹脂組成物
５５　ニッケル層
５６　金層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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