【事件の表示】
　平成　８年特許願第２８４１０８号「光磁気記録媒体及びその再生方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年　５月２２日出願公開、特開平１０−１３４４２９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年１０月２５日の出願であって、平成１２年１１月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月１４日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１３年１月１５日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１３年１月１５日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１３年１月１５日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正後の発明
　本件補正によって、補正前の請求項１乃至４は削除され、それに伴い補正前の請求項５，６は項番号を請求項１，２とすると伴に次のように補正された。
　「【請求項１】　ＧｄＦｅＣｏからなる第１磁性層、ＧｄＦｅＣｏからなる希土類磁化優勢の第２磁性層、ＴｂＦｅＣｏからなる第３磁性層をこの順に積層しており、前記第１磁性層及び第３磁性層は積層方向の磁化容易特性を有し、前記第２磁性層は室温で面内方向の磁化容易特性を有し、前記第２磁性層の組成Ｇｄx （Ｆｅ100-y Ｃｏy ）100-x について２６＜ｘ≦３８，０＜ｙ≦１７を満たし、前記第２磁性層の膜厚は１５ｎｍ以上，６０ｎｍ以下であり、予め前記第３磁性層の磁化方向を第１方向に揃え、ビーム光の強度を変調させて照射することにより磁化方向が第１方向から第２方向に反転した領域と前記第１方向を維持した領域とを前記第３磁性層に形成することにより情報を記録した光磁気記録媒体に、該光磁気記録媒体との相対移動を伴ってビーム光を照射し、該ビーム光の照射領域に磁界を印加し、該ビーム光内の低温領域であるフロントマスクと高温領域であるリアマスクとが磁気マスクとして働くことにより、中間温度領域にて前記情報を再生する再生方法であって、前記情報を読出す際に、前記光磁気記録媒体にビーム光を照射し、少なくとも該ビーム光の照射領域に、前記フロントマスクと前記リアマスクとで挟まれた開口部がトラック幅方向に狭くなるように、前記第２方向の磁界を印加することを特徴とする光磁気記録媒体の再生方法。」
　「【請求項２】　ＧｄＦｅＣｏからなる第１磁性層、ＧｄＦｅＣｏからなる希土類磁化優勢の第２磁性層、ＴｂＦｅＣｏからなる第３磁性層をこの順に積層しており、前記第１磁性層及び第３磁性層は積層方向の磁化容易特性を有し、前記第２磁性層は室温で面内方向の磁化容易特性を有し、前記第２磁性層の組成Ｇｄx （Ｆｅ100-y Ｃｏy ）100-x について２６＜ｘ≦３８，０＜ｙ≦１７を満たし、前記第２磁性層の膜厚は１５ｎｍ以上，６０ｎｍ以下であり、予め前記第３磁性層の磁化方向を第１方向に揃え、磁界の方向を変調させて印加することにより磁化方向が第１方向から第２方向に反転した領域と前記第１方向を維持した領域とを前記第３磁性層に形成することにより情報を記録した光磁気記録媒体に、該光磁気記録媒体との相対移動を伴ってビーム光を照射し、該ビーム光の照射領域に磁界を印加し、該ビーム光内の低温領域であるフロントマスクと高温領域であるリアマスクとが磁気マスクとして働くことにより、中間温度領域にて前記情報を再生する再生方法であって、前記情報を読出す際に、前記光磁気記録媒体にビーム光を照射し、少なくとも該ビーム光の照射領域に、前記フロントマスクと前記リアマスクとで挟まれた開口部がトラック幅方向に狭くなるように、前記第２方向の磁界を印加することを特徴とする光磁気記録媒体の再生方法。」
　
　上記請求項１，２にかかる補正は、発明を特定するために必要な事項である。「希土類−遷移金属」を「ＴｂＦｅＣｏ」と限定し、第２磁性層の膜厚の下限を「６０ｎｍ以下」と限定し、再生することに関して「該ビーム光の照射領域に磁界を印加し、該ビーム光内の低温領域であるフロントマスクと高温領域であるリアマスクとが磁気マスクとして働くことにより、中間温度領域にて前記情報を再生する」ことと「前記フロントマスクと前記リアマスクとで挟まれた開口部がトラック幅方向に狭くなるように」との限定を付加するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明１」という。）乃至同請求項２に記載された発明（以下、「本願補正発明２」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用例
　これに対して、当審での独立特許要件に違反するため補正却下すべきものとの判断が示された審尋において、次の刊行物１〜３が引用された。
　　刊行物１．特開平７−２４４８７７号公報
　　刊行物２．「第２０回日本応用磁気学会学術講演概要集」１９９６年
　　　　　　　９月２０日，社団法人日本応用磁気学会発行、第３１６頁
　　刊行物３．「第２０回日本応用磁気学会学術講演概要集」１９９６年
　　　　　　　９月２０日，社団法人日本応用磁気学会発行、第３１７頁
　
　注：特許法第３０条第１項適用のための文献（上記刊行物２）には、第２磁性層に相当する層の材料に関して、ＧｄＦｅである例は示されているが、特定組成のＧｄＦｅＣｏについて言及されていないので、他の構成の記載の有無に言及するまでもなく特許法第３０条第１項の適用は認められない（なお、仮にＧｄＦｅ（ｙ＝０の場合）が包含されていても、Ｃｏを含有させる点に関しては記載されていないから該判断は左右されない）。　なお、上記刊行物３は、特許法第３０条第１項の適用が主張されていない。
　
　該刊行物１には、
　（1-i）「【請求項３０】　透明基板と、該透明基板上に積層された膜面に対して垂直方向の磁化容易軸を有する第１磁性層と、該第１磁性層上に積層された室温で面内方向に磁化容易軸を有する第２磁性層と、該第２磁性層上に積層された膜面に対して垂直方向の磁化容易軸を有する第３磁性層とを具備し、前記第１、第２、第３磁性層のキュリー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３とし、室温における前記第１及び第３磁性層の保磁力をそれぞれＨｃ１，Ｈｃ３とするとき、各磁性層のキュリー温度が、Ｔｃ１＞Ｔｃ２及びＴｃ３＞Ｔｃ２の関係を満たし、前記第１及び第３磁性層の室温における保磁力が、Ｈｃ３＞Ｈｃ１の関係を満たす光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法であって、バイアス磁界を印加しながら前記記録媒体にレーザビームを照射して、前記第３磁性層のキュリー温度以下に前記記録媒体を加熱し、ビームスポット内に前記第１磁性層の磁化がバイアス磁界方向を向く第１領域と、前記第３磁性層の磁化が交換結合によって前記第２磁性層と前記第１磁性層に転写される第２領域と、前記第２磁性層がキュリー温度以上となり前記第１磁性層の磁化方向がバイアス磁界方向を向く第３領域とからなる温度分布を形成することを特徴とする光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法。」（【請求項３０】参照）、及び、
　（1-ii）「【０１２０】　次に図２３を参照して、本発明第６実施態様の記録媒体の構成について説明する。本実施態様の説明において、上述した第１乃至第５実施態様と実質的に同一構成部分については同一符号を付し、重複を避けるためその説明を省略する。　　【０１２１】　誘電体層１６上にはＧｄＦｅＣｏ等の希土類−遷移金属非晶質合金膜から形成された磁性再生層１８′が積層されている。磁性再生層１８′は基板１４に対して垂直方向に磁化容易軸を有している。　　【０１２２】　磁性再生層１８′上にはＧｄＦｅＣｏ等の希土類−遷移金属非晶質合金膜から形成された磁性制御層２０′が積層されている。磁性制御層２０′は、室温では面内方向に磁化容易軸を有している。好ましくは、磁性制御層２０′の磁化容易軸は、再生ビームパワーで昇温される所定温度以上では面内方向から垂直方向に変化する。　　【０１２３】　再生層１８′，制御層２０′及び記録層２２のキュリー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３とすると、各磁性層のキュリー温度はＴｃ２＜Ｔｃ１及びＴｃ２＜Ｔｃ３の関係を満たしている。　　【０１２４】　また再生層１８′及び記録層２２の室温における保磁力をＨｃ１及びＨｃ３とすると、Ｈｃ１＜Ｈｃ３の関係を満たす必要がある。　再生層１８′はＴｂＧｄＦｅＣｏの非晶質合金膜から形成することができ、制御層２０′はＧｄＦｅの非晶質合金膜から形成することが可能である。また、好ましくは、制御層２０′にはＳｉ，Ａｌ，Ｔｉからなる群から選択される非磁性材料が添加される。
　【０１２５】　次に図２４を参照して、本実施態様のデータの消去方法を説明する。バイアス磁界Ｈｂを下向きに印加しながらレーザビームを記録媒体に照射し、記録層２２のキュリー温度以上に昇温することによって記録層２２の磁化方向を下向きにする。　　【０１２６】　レーザビームから遠ざかると、記録媒体は室温まで降温される。室温では制御層２０′は面内磁化膜となり、再生層１８′と記録層２２は磁気的に結合していない状態になる。従って、再生層１８′の磁化は消去用バイアス磁界程度の小さな磁界で下向きに揃う。　　【０１２７】　次に図２５を参照して、本実施態様のデータの書き込み方法について説明する。バイアス磁界Ｈｂを消去方向とは逆向き、即ち上向きに印加しながら、記録部分にのみ強いレーザビームを照射すると、データが記録された部分の磁化のみ上向きになる。　　【０１２８】　レーザビームから遠ざかると、記録媒体は室温まで降温される。室温では、制御層２０′は面内磁化膜となり、再生層１８′と記録層２２は磁気的に結合していない状態になる。従って、再生層１８′の磁化はバイアス磁界程度の小さな磁界で上向きに揃う。
　【０１２９】　次に図２６を参照して、本実施態様におけるデータのシングルマスク再生方法について説明する。トラック６４上に照射されたビームスポット５８内には温度がＴcopy以下の低温領域と、Ｔcopy以上で制御層２０′のキュリー温度Ｔｃ２以下の高温領域が形成される。　　【０１３０】　ビームスポット５８内の低温領域ではアップスピンマスク６０が形成され、高温領域では開口部６２が形成される。この状態は上述した特開平５−８１７１７号のデータ再生時の状態に類似しており、開口部６２を介して光磁気信号を読み出すことができる。　　【０１３１】　再生レーザパワーを更に上げると、図２７に示したようにビームスポット５８内に再生層１８′の磁化が再生バイアス磁界Ｈｒ方向を向く低温領域と、記録層２２の磁化が交換結合によって制御層２０′及び再生層１８′に転写される中間温度領域と、制御層２０′のキュリー温度Ｔｃ２以上の高温領域が形成される。　　【０１３２】　低温領域及び高温領域では、再生層１８′の磁化方向がバイアス磁界Ｈｒに揃うアップスピンマスク６０，６８が形成され、２つのアップスピンマスク６０，６８の間の中間温度領域に開口部６２が形成される。　　【０１３３】　アップスピンマスク部６８では、記録媒体が制御層２０′のキュリー温度Ｔｃ２以上に加熱されているため、制御層２０′の磁化が無くなり、再生層１８′と記録層２２は磁気的に結合していない状態である。　　【０１３４】　従って、再生層１８′は室温で保磁力が小さいことからその磁化方向は再生用バイアス磁界Ｈｒの方向を向くことになる。即ち、制御層２０′のキュリー温度以上の温度領域では、再生層１８′の磁化は常に上向きとなり、光磁気信号は出力されず一種のマスクとして機能する。　　【０１３５】　従って、特開平５−８１７１７号に記載された従来方法に比較して非常に小さな開口部６２を形成することができる。更に、ビームスポットの端に比べて相対的にレーザ強度が強いビームスポット中心部に開口部６２が形成されるので、大きな光磁気信号を得ることができる。」（段落【０１２０】〜【０１３５】参照）こと、
　（1-iii）「【０１９６】　・・・。　　実施例１２　　再生層１８′の組成について検討した。スパッタリング装置内にＴｂＦｅＣｏ、第１のＧｄＦｅＣｏ、第２のＧｄＦｅＣｏ及びＳｉのターゲットと１．２μｍのトラックピッチを有するポリカーボネート基板をセットし、スパッタリング装置のチャンバー内を１０-5Ｐａまで真空引きした。　　【０１９７】　次に、以下の条件で基板上に膜圧７０ｎｍの窒化珪素をＤＣスパッタリング法で製膜した。この膜は磁性層を酸化から保護する役目だけでなく、光磁気信号を増大させるエンハンス効果も有している。　【０１９８】　　ガス圧：０．３Ｐａ　　スパッタガス：アルゴン、窒素　分圧：アルゴン：窒素＝６：４　　投入電力：０．８ｋＷ　　次に、再びチャンバー内を１０-5Ｐａまで真空引きし、以下の条件で上記窒化珪素膜の上にＧｄＦｅＣｏ第１のＧｄＦｅＣｏ、第２のＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏの順にＤＣスパッタリング法で連続的に製膜した。　　【０１９９】　ガス圧：０．５Ｐａ　　スパッタガス：アルゴン　　投入電力：１ｋＷ　　各磁性層の組成、膜厚及び磁気特性は表８に示す通りである。
　【０２００】　【表８】（表８には、再生層の組成がＧｄ20Ｆｅ54Ｃｏ26、膜厚４０ｎｍ、キュリー温度３６０℃、ドミナントＴＭリッチであり、制御層の組成がＧｄ39Ｆｅ56Ｃｏ5、膜厚１２ｎｍ、キュリー温度２１０℃、ドミナントＲＥリッチであり、記録層の組成がＧｄ19Ｆｅ73Ｃｏ8、膜厚５０ｎｍ、キュリー温度２２０℃、ドミナントＴＭリッチとの記載）　　【０２０１】　更に、記録層の上に１００ｎｍの膜厚を有する窒化珪素膜を上記と同様の方法で製膜した。窒化珪素膜は磁性膜を酸化から防止する役目をする。　　このようにして製造した光磁気ディスクの記録特性を図４に示した装置を用いて調べた。使用したレーザの波長は７８０ｎｍである。まず、光磁気ディスクを全面消去、即ち初期化した。このときのレーザパワーは９ｍＷとし、下向きのバイアス磁界を印加した。　　【０２０２】　情報の記録はディスクを線速３ｍ／ｓｅｃで回転させながら初期化のときと反対方向の上向きのバイアス磁界を印加して、記録パワー４ｍＷ、周波数７．５ＭＨｚ、発光デューティ比２６％で行った。ディスク上に記録されたマークの長さは約０．４μｍである。　　【０２０３】　次に、この光磁気ディスクの再生特性を調べた。このとき印加する再生用バイアス磁界は上向きとした。再生パワー１．５ｍＷでは、先に記録された信号に対する光磁気信号の出力は得られなかった。これは再生層１８′の全域がアップスピンマスクを形成しているためと思われる。　　【０２０４】　再生パワー１．６ｍＷでは、記録層２２の磁化方向が制御層２０′を介して再生層１８′に転写され、光磁気信号の出力を得ることができた。これは、ビームスポット内で記録層２２の磁化方向が制御層２０′を介して再生層１８′に転写される温度以上の領域ができたために、アップスピンマスクと開口部が形成されたためと思われる。このときの信号とノイズの比（Ｃ／Ｎ）は４２ｄＢであった。　　【０２０５】　再生パワー１．７ｍＷでは、記録層２２の磁化はバイアス磁界の方向、即ち上方向に向き、制御層２０′が記録層２２と交換結合する領域（開口部）の直径が０．４μｍ程度となったために、４６ｄＢのＣ／Ｎを得ることができた。」（段落【０１９６】〜【０２０５】参照）こと、
　（1-iv）「【０２０７】　実施例１３　　実施例１２では再生層１８′としてＧｄＦｅＣｏからなる材料を使用した。しかし、ＧｄＦｅＣｏ膜は垂直磁気異方性を示す組成マージンは広くなく、組成制御が難しい場合がある。そこで本実施例では、ＧｄＦｅＣｏに垂直磁気異方性を大きくできるＴｂをわずかに添加することを試みた。実験は以下のように行った。　・・・（中略）・・・　　【０２１３】　・・・（中略）・・・。　このようにして製造した光磁気ディスクの再生特性を実施例１２と同様な条件で調べた。この時印加した再生用バイアス磁界は上向きとした。再生パワー１．４ｍＷでは、先に記録された信号に対する光磁気信号の出力は得られなかった。これは、再生層１８′全域がアップスピンマスクを形成しているためと思われる。　【０２１４】　再生パワー１．５ｍＷでは、記録層２２の磁化方向が制御層２０′を介して再生層１８′に転写され、光磁気信号の出力を得ることができた。これは、ビームスポット内で記録層２２の磁化方向が制御層２０′を介して再生層１８′に転写される温度以上の領域ができたために、アップスピンマスクと開口部が形成されたためと思われる。このときの信号とノイズの比（Ｃ／Ｎ）は４２ｄＢであった。　　【０２１５】　再生パワー１．６ｍＷでは、再生層１８′の磁化はバイアス磁界の方向、即ち上方向に向き、制御層２０′が記録層２２と交換結合する領域（開口部）の直径が０．４μｍ程度となったために４６ｄＢのＣ／Ｎを得ることができた。　　【０２１６】　このＣ／Ｎは実施例１２とは変わらなかった。これは、再生層１８′にＴｂを添加することによって、磁気異方性が増大しノイズが低減した反面、ＧｄＦｅＣｏにＴｂを添加したことで磁気光学効果が低下したためと考えられる。　　【０２１７】　そして、これらの効果が相殺して実施例１２と同様な結果が得られたためと思われる。しかし、Ｔｂを添加することによって、再生層１８′の組成マージンを広げることができる。」（段落【０２０７】〜【０２１７】）こと、が記載されていて、
　（1-v）図２３〜図２７に、前記摘示で説明されている図が示されている。
　
　該刊行物２には、
　３層ＲＡＤ媒体のランド／グルーブ記録特性についての記載があり、
　（2-i）「再生磁場方向を記録（正）磁場と同じ方向とすることで、クロストークが小さくなり、クロスライトの影響も無くなることを見出した。　また、正磁場方向に媒体をチューニングすることで、±１４％の記録パワーマージンを得たので報告する。」こと、
　（2-ii）「媒体は、トラックピッチ０．７μｍ、溝深さ５０ｎｍのガラス２Ｐ基板上に、マグネトロンスバッタ法により作製した。　構成は、Ｇrass2P／ＳｉＮ（７０ｎｍ）／ＧｄＦｅＣｏ（４０ｎｍ）／ＧｄＦｅ（４０ｎｍ）／ＴｂＦｅＣｏ（５０ｎｍ）／ＳｉＮ（６０ｎｍ）である。　Ｌand／Ｇroove記録の実験は周速６ｍ／ｓ、マーク長０．４μｍ、再生パワー２．８ｍＷ、記録磁場３００ Ｏｅの条件で行った。クロストークは、記録したＬand部のＣ（キャリア）レベルと、両サイドのＧroove部のＣレベル差の平均とした。また、クロスライト測定は、初めにＬand部に記録を行い、次に両サイドのＧrooveに記録を行った後、最初に記録したＬand部に戻ってＣＮＲを測定した。」こと、
　（2-iii）「Fig.1は、再生磁場（Ｈｒ）を変化させた場合のＣＮＲとクロストークの測定結果である。　再生磁場が消去磁場（負）方向では、一気にダブルマスクとなり、ＣＮＲは高いが、クロストークも高く、２５ｄＢ程度である。　一方、正の方向ではＣＮＲは２段階に上昇し、３５０ Ｏｅ以上でのクロストークは５０ｄＢ程度と非常に低い。　Fig.2は、負方向再生磁場の記録特性である。クロスライトの影響で記録パワーマージンが狭い。　しかし、このクロスライトの影響は両サイドのグルーブのマークを消去すると無くなる。Fig.3は、正方向再生磁場での記録特性である。クロスライトの影響は殆ど見られず、ＣＮＲ＝４６ｄＢ以上のパワーマージンは±１４％が得られた。」こと、が図面を参照して記載されている。
　
　該刊行物３には、
　３層ＲＡＤ媒体におけるマスク形成と再生磁場方向の関係についての記載があり、
　（3-i）「Fig.1は、再生磁場方向を変えたときの再生波形である。　磁場を消去方向に加えた場合、前縁よりも後縁が急峻である。磁場を加えずに通常再生（再生パワー−１ｍＷ）した波形と比べると、立ち上がり位置は同じであるが立ち下がり位置が早く、リアマスク形成の特徴を示している。　一方、再生磁場を記録方向に加えると後縁よりも前縁の方が急峻となっており、これは主にフロントマスク形成による。　この媒体の動特性評価では、再生磁場を記録方向に加えた方がクロストークが低いがこれはフロントマスクの大きさが再生磁場方向に依存するためと思われる。」こと、
　（3-ii）「Fig.2は、マスク形成に必要な磁場の温度依存性である。　縦軸正方向が記録方向である。　フロントマスク形成の動作点（Ｈ1．Ｈerase1）は、記録方向加えた方が温度に対する変化が少ないことがわかる。　これは、温度を上げても、フロントマスクが狭くなりにくいということを意味しており、高い再生パワーで観察したFig.1の再生波形を理解できる。　消去方向と記録方向の再生磁場に対するこの違いは、マーク領域の磁化を反転させるか、マーク周辺領域の磁化を反転させるかの違いによると考えられる。」こと、
　（3-iii）「この媒体は、記録方向に再生磁界を加えるとクロスライト（ランドに隣接したグルーブにマークを記録したときのランドへの影響）も低い。　クロストークが観測されるとクロスライトも見られることから、これは再生層に転写された隣接マークからの静磁場がマスク形成の動作点に影響を与えているためと思われる。　この現象についても波形観察の結果から議論する。　」こと、が図面を参照して記載されている。
　
（３）対比、判断
　そこで、本願補正発明１と刊行物１記載の発明とを対比する。
　刊行物１には、前記摘示の段落【０２０１】〜【０２０３】の説明で、初期化バイアス磁界が下向き、それと反対方向の上向きに記録用のバイアス磁界とし、再生用バイアス磁界は上向きとされていること（なお、再生バイアス磁界の向きが図２７中で上向きであることを勘案すれば、段落【０１２５】〜【０１３１】にも同様な記載がある。）、及び、段落【０１３１】に低温領域と高温領域がマスクとして作用し、中間温度領域で交換結合によって記録層の磁化が制御層更に再生層に転写されているとされているから、低温領域はフロントマスクであり、高温領域はリアマスクと認められること、及び他の上記記載から判断して、
　「ＧｄＦｅＣｏからなる再生層、ＧｄＦｅＣｏからなるＲＥリッチの制御層、ＴｂＦｅＣｏからなる記録層をこの順に積層しており、前記再生層及び記録層は積層方向の磁化容易特性を有し、前記制御層は室温で面内方向の磁化容易特性を有し、予め前記記録層の磁化方向を第１方向（上向き）に揃え、ビーム光の強度を変調させて照射することにより磁化方向が第１方向（上向き）から第２方向（下向き）に反転した領域と前記第１方向（上向き）を維持した領域とを前記記録層に形成することにより情報を記録した光磁気記録媒体に、該光磁気記録媒体との相対移動を伴ってビーム光を照射し、該ビーム光の照射領域に磁界を印加し、該ビーム光内の低温領域であるフロントマスクと高温領域であるリアマスクとが磁気マスクとして働くことにより、中間温度領域にて前記情報を再生する再生方法であって、前記情報を読出す際に、前記光磁気記録媒体にビーム光を照射し、前記第２方向（下向き）の磁界を印加することを特徴とする光磁気記録媒体の再生方法。」の発明が記載されているものと認められる。
　なお、刊行物１の段落【０２０５】において「記録層２２の磁化はバイアス磁界の方向、即ち上方向に向き」と記載されているが、この記載が誤記であることは次の点から明らかである。　即ち、再生中に記録層の磁界の向きが変化することは、その記録層としての目的に明らかに反していること、及び、段落【０１３４】の「再生層１８’は室温で保磁力が小さいことからその磁化方向は再生用バイアス磁界Ｈｒの方向を向くことになる。」との一般的記載と、実施例１２の変形例である実施例１３の対応する箇所の記載である段落【０２１５】の「再生層１８’の磁化はバイアス磁界の方向、即ち上方に向き」との記載からみて、記録層２２が再生層１８’の誤記であることが明らかである。　そうであるから、かかる誤記の点をもって、刊行物１記載の発明の上記認定に問題があるとすることはできない。
　
　そして、刊行物１記載の発明の「記録層」、「制御層」、「再生層」は、それぞれ本願補正発明１の「第３磁性層」、「第２磁性層」、「第１磁性層」に相当し、「ＲＥリッチ」とは「希土類磁化優勢」と同義である。
　してみると、本願補正発明１と刊行物１記載の発明は、
　「ＧｄＦｅＣｏからなる第１磁性層、ＧｄＦｅＣｏからなる希土類磁化優勢の第２磁性層、ＴｂＦｅＣｏからなる第３磁性層をこの順に積層しており、前記第１磁性層及び第３磁性層は積層方向の磁化容易特性を有し、前記第２磁性層は室温で面内方向の磁化容易特性を有し、予め前記第３磁性層の磁化方向を第１方向に揃え、ビーム光の強度を変調させて照射することにより磁化方向が第１方向から第２方向に反転した領域と前記第１方向を維持した領域とを前記第３磁性層に形成することにより情報を記録した光磁気記録媒体に、該光磁気記録媒体との相対移動を伴ってビーム光を照射し、該ビーム光の照射領域に磁界を印加し、該ビーム光内の低温領域であるフロントマスクと高温領域であるリアマスクとが磁気マスクとして働くことにより、中間温度領域にて前記情報を再生する再生方法であって、前記情報を読出す際に、前記光磁気記録媒体にビーム光を照射し、前記第２方向の磁界を印加することを特徴とする光磁気記録媒体の再生方法。」の発明である点で一致し、次の（イ）〜（ハ）の点で一応相違している。
　（イ）第２磁性層の材質に関して、本願補正発明１がＧｄｘ（Ｆｅ100−ｙＣｏｙ）１００−ｘ 、２６＜ｘ≦３８、０＜ｙ≦１７と特定しているのに対して、刊行物１記載の発明ではそのような特定をしていない点、
　（ロ）第２磁性層の膜厚に関して、本願補正発明１が１５ｎｍ以上６０ｎｍ以下と特定しているのに対して、刊行物１記載の発明ではそのような特定をしていない点、
　（ハ）本願補正発明１が「少なくとも該ビーム光の照射領域に、前記フロントマスクと前記リアマスクで挟まれた開口部がトラック幅方向に狭くなるように」と記載しているのに対して、刊行物１記載の発明ではその点について言及していない点。
　
　なお、
　（ａ）図面に記載されたフロントマスク領域の各磁性層の磁界の向き（特に再生層の磁界の向き）は、本願補正発明１の図１と刊行物１記載の図２７とでは異なっているけれども、本質的に各層の構成（材質の組成）とダブルマスクの同じ記録再生手段から判断して、異なるメカニズムが存在することは自然の理に反している。　刊行物１記載の発明は本願発明者らによるものであって、かつ先行技術として引用しているにもかかわらず、メカニズムが異なることは何ら説明されていないし、まして、図１１に示されたメカニズムは刊行物１記載の発明と本願補正発明１で本質的な相違がないことを示している。　そればかりか、フロントマスク領域の再生層の磁界の向きは、あえて本願補正発明１の構成（請求項１で特定された構成）とはされていないから、もともと考慮すべき対象ではない。　そうであるから、かかる点を相違点とすることもできない。
　（ｂ）刊行物１記載の発明では、記録の再生に関して、再生パワー（照射パワー）が低い場合にはシングルマスク再生できることも記載されているけれども、再生レーザーパワーを更に上げると、図２７のように低温領域と中間温度領域と高温領域が形成され、低温領域と高温領域ではマスクされ、中間温度領域では記録層の磁化が交換結合により制御層に転写され更に再生層に転写される開口部が形成されることが明確に記載されている（段落【０１２０】〜【０１３５】など参照）。　そうであるから、照射パワーが低い場合の再生挙動について言及があることをもって、相違点であるということはできない。
　
　（イ）の点について検討する。
　刊行物１記載の発明では、制御層（第２磁性層）のＧｄＦｅＣｏの組成比について特定されていないところ、実施例１２ではＧｄ３９Ｆｅ５６Ｃｏ５ 、即ちＧｄ３９（Ｆｅ９２Ｃｏ８）６１、の組成のものが使用されている。　該組成は、本願補正発明１で特定する組成のＧｄ含有量が３８までとする点に対して極わずか多い点で本願補正発明１と一応相違がある。　しかしながら、そもそも刊行物１記載の発明において、その実施例に限定して解釈すべき理由はなく、また示された数値を考慮してその数値の近辺にまで拡大して実施してみる程度のことは通常の研究手法であるから、良好な実験結果から、Ｇｄ含有量ｘの値を３８以下のものを用いることは当業者が容易に採用し得る程度のことである。　そして、本願補正発明１を検討しても、その数値限定に臨界的意義があるとは認められない、このことは、本願明細書の図６を検討すれば、ｘが３８％であろうと、３９％であろうとその結果は微差で実質的な差異があるとは解しがたい。
　よって、第２磁性層の組成でＧｄ含有量を３８以下とすることは、当業者が容易に採用し得る程度のことというべきである。
　
　（ロ）の点について検討する。
　刊行物１記載の発明では第２磁性層の膜厚について特別な言及がないところ、その実施例では１２ｎｍの膜厚で実施されている。　この１２ｎｍの値は本願特定の範囲を外れているけれども、その実施例に限定して解釈すべき理由もないし、例えば刊行物２においても第２磁性層に相当する層の膜厚は４０ｎｍが採用されている。　一方、本願明細書には、図１０に中間層の膜厚について必要な再生磁界のプロット図が示されていて、クロストークが４０ｄＢとなる再生磁界が５００ Ｏｅ以下であることを理由に１５ｎｍ以上としているけれども、この根拠は恣意的に決めているもので、その根拠としては採用できない。　更に、仮にその根拠を採用したところで、第２磁性層の膜厚が記録層や再生層の膜厚や保磁力などによって影響を受けないとする理由も見いだせないから、ある条件下のデータが示されているにすぎず、汎用性が有ると解し得ない。
　よって、第２磁性層の膜厚として１５ｎｍ以上とすることは、当業者が容易に採用し得る程度のことというべきである。
　
　（ハ）の点について検討する。
　刊行物１には、再生記録磁界を記録磁界と同方向とすることによって、「前記フロントマスクと前記リアマスクで挟まれた開口部がトラック幅方向に狭くなる」ことは言及されていない。　しかしながら、前記刊行物２，３に徴すれば、再生記録磁界を記録磁界と同方向とすることによって、逆方向とすることに比べてクロストークが少なくなることが示されているし、また、逆方向とすることに比べて温度を上げてもフロントマスクが狭くなること、換言すれば開口域が狭くなることが示唆されていることは明らかである。　してみると、当業者であれば、刊行物２，３の前記記載を勘案して、「前記フロントマスクと前記リアマスクで挟まれた開口部がトラック幅方向に狭くなる」ことが容易に想い到るといえる。
　そればかりか、かかる記載は現象の説明に過ぎず、他の構成が同一であれば、同じ状況（開口部が狭くなる）となると解するのが自然の理に適っている（なお、本願明細書の段落【００１８】，【００３６】でも、開口部がトラック幅方向に小さくなることは、再生磁界の印加方向を記録磁界と同方向にしたためであるとの認識がしめされている。）。
　
　ところで、（イ）〜（ハ）の上記判断に関して、当審の審尋に対する平成１４年１２月２０日付けの回答書において、次のような反論を主張しているが、その主張は到底採用できるものではない。　即ち、
　（イ）に関して、「第１磁性層及び第３磁性層のバランス（・・・中略・・・）の条件の下で、低温で面内磁化、高温で垂直磁化となる組成であって、しかも高ＣＮＲが得られる条件を見出すことは容易ではない。」と主張しているが、本願明細書に添付された図６や図８のグラフを検討しても、ｘが３８％であろうと、３９％であろうと作用効果は微差で実質的な差異があるとは解されない。
　（ロ）に関して、１２ｎｍと１５ｎｍとでは大きく相違し、「第２磁性層は、第１磁性層と第３磁性層との間の交換結合力を制御し、第１磁性層にフロントマスク及びリアマスクを形成させる働きを有しているが、第２磁性層の膜厚を厚くすることが有効であるという着眼点は、再生磁場との兼ね合いから発する考え方であり、単に動作をすることを考えた場合の発想とは異なるものである。第１磁性層との間の結合力と、第３磁性層との間の結合力とを同時に制御する第２磁性層は、３層構成のダブルマスクＭＳＲ媒体にとって特に重要であり、特性と磁場とを決める重要な要素である。さらにこれは、本願発明における再生磁場の方向とも関連しており、容易に導かれるものではない。また、たとえ（イ）の部分に着眼したとしても、（イ）、（ロ）を同時に着眼することは容易ではない。」と主張している。　しかし、第２磁性層が第１磁性層と第３磁性層との間の交換結合力を制御するもので重要な要素であることは、超解像再生を目的とする以上論を待たないが刊行物１と本願補正発明１で相違する点ではないし、再生磁場の方向を明確に論じ且つその再生磁場の方向が本願補正発明１と同じである刊行物２において、中間層（即ち第２磁性層）の膜厚として４０ｎｍを採用しているのであるから、その程度の膜厚は適宜ないし容易に採用し得るものというべきである。
　（ハ）に関して、刊行物２及び３は本出願人による発表であり、刊行物２については特許法第３０条第１項の適用を受けていることを主張し、また「通常、光磁気媒体における実用信号レベルの信号品質は４４ｄＢ以上であるが、本願発明では４６ｄＢ以上という高い信号レベルを実現しており、請求項１，２に記載した組成範囲は激しい条件下での実現性を示したものである。」と主張している。　しかし、前者の主張については、刊行物２を用いた特許法第３０条第１項の適用を受けられないことは既に説明しているとおりであり、公知の刊行物２，３の発表者が本願出願人に所属するものであるかどうかは何ら関係の無い事項である。　また、後者の主張については、少なくとも本願明細書添付の図６や図８のグラフからはｘが３８％であろうと３９％であろうと信号レベルは４６ｄＢ近傍であることが明らかであるから、到底採用できるものではないばかりか、（ハ）の内容とは関係ない反論である。
　
　次に、本願補正発明２について検討する。
　本願補正発明２は、本願補正発明１とは、記録手段が光変調であるのに対して磁界変調である点で相違があるだけで他の構成に実質的な相違はない。　その他の構成については上記本願補正発明１で検討した理由と同じ理由が適用でき、更に、記録手段を光変調ではなく磁界変調で行うことも知られていることから、そのような記録手段の変更は、当業者が容易に想い到る程度のことと認められる。
　
　以上の通りであるから、本願補正発明１，２は、刊行物１〜３記載の発明に基づいて当業者が容易に想到し得る発明と認められるので、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび
　したがって、本件補正は、特許法第１２６条第４項を準用する同法第１７条の２第５項に違反するので、同法第１５９条第１項の規定で準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１３年１月１５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願は、平成８年１０月２５日の出願であって、その請求項１〜６にかかる発明は、平成１１年４月７日付け手続補正及び平成１２年８月１８日付け手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１〜６に記載されたとおりのもの認められるところ、その内の請求項１に記載された発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものと認める。
　「【請求項１】  ＧｄＦｅＣｏからなる第１磁性層、ＧｄＦｅＣｏからなる希土類磁化優勢の第２磁性層、希土類−遷移金属からなる第３磁性層をこの順に積層しており、前記第１磁性層及び第３磁性層は積層方向の磁化容易特性を有し、前記第２磁性層は室温で面内方向の磁化容易特性を有する光磁気記録媒体において、前記第２磁性層は、Ｇｄx （Ｆｅ100-y Ｃｏy ）100-x の組成を有し、以下の条件を満たすことを特徴とする光磁気記録媒体。
　　　ｘ＝３１の場合に０≦ｙ≦１７，ｙ＝６の場合に２６≦ｘ≦３８　　」
　
（１）先願明細書
  これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願日前の他の出願であって、その後に出願公開された特願平８−２４８３２０号（出願日：平成８年９月１９日、特開平１０−９２０２９号公報参照、公開日：平成１０年４月１０日）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下、「先願明細書」という。）には、
　（i）「【請求項１】　透明な基板上に少なくとも再生層、中間層、記録層の順に積層された希土類遷移金属合金からなる薄膜を有する光磁気記録媒体において、再生層及び記録層が室温からキュリー温度までの温度範囲で垂直磁化膜であり、中間層が室温で希土類優勢の面内磁化膜で、温度の上昇に従い垂直磁気異方性が増大する特性を有し、再生層、中間層、記録層のキュリー温度を各々Ｔc1、Ｔc2、Ｔc3、膜厚を各々d1、d2、d3とすると、Ｔc2≦Ｔc3＜Ｔc1、25nm≦d1≦60nm、25nm≦d2≦80nm、30nm≦d3≦80nmを満たし、かつ、再生層の組成がＧｄx1（Ｆｅ1-y1Ｃｏy1）1-x1（0.24≦x1≦0.28、0.20≦y1≦0.50）であることを特徴とする光磁気記録媒体。」（【請求項１】参照）、および、
　（ii）「【請求項２】　透明な基板上に少なくとも再生層、中間層、記録層の順に積層された希土類遷移金属合金からなる薄膜を有する光磁気記録媒体において、再生層及び記録層が室温からキュリー温度までの温度範囲で垂直磁化膜であり、中間層が室温で希土類優勢の面内磁化膜で、温度の上昇に従い垂直磁気異方性が増大する特性を有し、再生層、中間層、記録層のキュリー温度を各々Ｔc1、Ｔc2、Ｔc3とすると、Ｔc2≦Ｔc3＜Ｔc1であり、かつ、基板側から測定したカー回転のマイナーループが希土類優勢の特性から遷移金属優勢の特性へ遷移する温度をＴcompとし、このＴcompより高い温度で1kOeの磁界で再生層の磁化の向きが磁界方向に揃う温度をＴh とすると、20℃≦Ｔh −Ｔcomp≦60℃であることを特徴とする光磁気記録媒体。」（【請求項２】参照）、
　（iii）「【請求項３】　再生層、中間層、記録層の膜厚を各々d1、d2、d3とすると、25nm≦d1≦60nm、25nm≦d2≦80nm、30nm≦d3≦80nmであり、かつ、再生層の組成がＧｄx1（Ｆｅ1-y1Ｃｏy1）1-x1（0.24≦x1≦0.28、0.20≦y1≦0.50）であることを特徴とする請求項２記載の光磁気記録媒体。」（【請求項３】参照）、
　（iv）「【請求項４】　再生層の組成がＧｄx1（Ｆｅ1-y1Ｃｏy1）1-x1（0.24≦x1≦0.28、0.25≦y1≦0.40）、中間層の組成がＧｄx2Ｆｅ1-x2（0.31≦x2≦0.35）、記録層の組成がＴｂx3（Ｆｅ1-y3Ｃｏy3）1-x3（0.20≦x3≦0.24、0.13≦y3≦0.25）であることを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の光磁気記録媒体。」（【請求項１】参照）、
　（v）「【０００５】　【発明が解決しようとする課題】　一般に光磁気記録媒体では、その記録密度を増大するとともに、信号の再生を容易かつ確実にするために、高密度に記録された記録マークの再生信号のＣ／Ｎ（キャリア対ノイズ比）をより高くし、再生パワーマージンをより大きくすることが求められているが、本発明は再生層、中間層、記録層の３層で磁性層が構成されたダブルマスク型の磁気超解像光磁気記録媒体において、特に、高密度に記録された記録マークの再生信号のＣ／Ｎを向上させ、また、信号品質を落とすことなく、低い再生磁界で再生パワーマージンを大きくすることのできる光磁気記録媒体を提供することを目的とするものである。」（段落【０００５】参照）こと、
　（vi）「【００１５】　ここで本発明の光磁気記録媒体の再生原理について、図２を用いて説明する。この再生原理はJapanese Journal of Applied Physics Vol. 35 (1996) pp. L144-L146で既に報告されたものである。再生磁界24により再生前には、再生層21の磁化が再生磁界24の方向に揃って第１マスク26が生じる。このとき再生層はかなり希土類優勢の中間層の大部分と磁気的に一体化しているので、図３（ａ）のように全体的に希土類優勢の特性を示し、遷移金属のスピンの向きは再生磁界24の方向と逆になる。なお、図２の磁性層中の矢印はこの遷移金属のズピンの向きを示したものである。再生レーザービームの照射で温度が上がることで中間層22の垂直磁気異方性が高まり、記録層23から再生層21への記録マークの転写がおこる。さらに高い温度Ｔcompで、基板側から測定したカー回転のマイナーループが希土類優勢の特性から図３（ｂ）のような遷移金属優勢の特性へ遷移し、さらに温度が上昇するにつれて交換結合と再生層の保磁力が下がることで、再生層21の磁化の向きは再び再生磁界24の方向を向くようになり第２マスク28が生じる。記録マークはビームスポットの中の第１マスク26と第２マスク28の間の領域（アパーチャ）27でのみ再生される。従って実質的なビームスポットが小さくなり、光の回折限界以下の周期で高密度に記録された記録マークの再生が可能となる。」（段落【００１５】参照）こと、
　（vii）「【００２３】　（実施例1 ）　図１に示すような構造を有する光磁気記録媒体を作製した。マグネトロンスパッタ法によりトラックピッチ1.1 μｍのポリカーボネート（ＰＣ）基板11上にＳｉＮからなる第１誘電体層12をアルゴンと窒素を流しながら0.3Pa の圧力で70nm成膜し、その上にアルゴンを流しながら0.6Pa の圧力でＧｄx1（Ｆｅ1-y1Ｃｏy1）1-x1からなる再生層13を40nm、キュリー温度が270 ℃のＧｄ0.32Ｆｅ0.68からなる中間層14を40nm、キュリー温度が290 ℃のＴｂ0.22（Ｆｅ0.84Ｃｏ0.16）0.78からなる記録層15を50nm、ＳｉＮからなる第２誘電体層16をアルゴンと窒素を流しながら0.3Pa の圧力で30nmの順に薄膜を積層した。第２誘電体層16の上には紫外線硬化樹脂からなる保護コート17を施した。　　【００２４】　ここでx1＝0.26としてy1＝0.22、0.28、0.35、0.40、0.46とした。また、比較例１としてx1＝0.26としてy1＝0.16、0.58とした。なお、いずれの場合も再生層のキュリー温度は350 ℃以上であった。　　【００２５】　製造した光磁気媒体に記録マーク長が0.4 μｍ（マークピッチの半分とみなす）となるように線速7.5m/sとして記録周波数9.4MHz、duty33% で680nm のレーザー光（対物レンズのNA=0.55 ）を用いて記録を行った。同じ光を用いて再生レーザーパワーを3.2mW 、再生磁界を500 Oeとして再生信号のＣ／Ｎ（キャリア対ノイズ比）をスペクトラムアナライザで測定した。また、磁界を消去方向にかけながらレーザー照射で記録層の初期化を行った後、薄膜側から光磁気媒体をガラス基板に接着剤ではりつけ、有機溶剤でポリカーボネート（ＰＣ）基板を溶かしたのち、第１誘電体層側から680nm の光を照射してカーループの温度変化を調べることでＴcomp、Ｔh の測定を行った。」（段落【００２３】〜【００２５】参照）こと、
　（viii）「【００３１】　（実施例３）　再生層13をＧｄ0.26（Ｆｅ0.65Ｃｏ0.35）0.74、中間層14をＧｄx2Ｆｅ1-x2としたほかは実施例１と同様の光磁気媒体を作製した。ここで、x2＝0.31、0.32、0.33、0.34とした。また、比較例２としてx2＝0.30、0.36を作製した。なお、いずれの場合も各層のキュリー温度はＴc2≦Ｔc3＜Ｔc1の関係を満たしていた。　【００３２】　表３に実施例３、比較例３のx2とＣ／ＮおよびＴh −Ｔcompの関係を示す。Ｃ／Ｎについて実施例３では45dB以上の良好な値が得られたが、比較例３では45dBを下回った。比較例３のx2＝0.30では再生磁界が500 Oeでは足りないので800 Oeで測定した。x2がさらに小さくなると1kOeより大きな再生磁界が必要になりＣ／Ｎもさらに下がった。Ｔh −Ｔcompについては実施例３のx1＝0.32、0.33で20℃≦Ｔh −Ｔcomp≦60℃となりＣ／Ｎも47dB以上の特に高い値が得られた。　　【００３３】【表３】（表３は、実施例３として、x2＝0.31、0.32、0.33、0.34の場合のＣ／Ｎ（ｄＢ）とＴｈ−Ｔｃｏｍｐ（℃）のデータ）」（段落【００３１】〜【００３３】参照）こと、が記載されている。
　
（２）対比、判断
　前記摘示の記載からすると、先願明細書には、「ＧｄＦｅＣｏからなる再生層、ＧｄＦｅからなる希土類優勢の中間層、ＴｂＦｅＣｏからなる記録層をこの順に積層しており、前記再生層及び記録層は積層方向の磁化容易特性を有し、前記中間層は室温で面内方向の磁化容易特性を有する光磁気記録媒体において、中間層の組成がＧｄx2Ｆｅ1-x2の組成を有し、以下の条件を満たすことを特徴とする光磁気記録媒体。　0.31≦x2≦0.35　」の発明（以下、「先願発明」という。）が記載されているものと認める。
　そして、先願発明の「再生層」、「中間層」、「記録層」、「希土類優勢」は、それぞれ本願発明の「第１磁性層」、「第２磁性層」、「第３磁性層」、「希土類磁化優勢」に相当し、更に、本願発明の「希土類−遷移金属からなる第３磁性層」は、その希土類−遷移金属としてＴｂＦｅＣｏが用いられているから、先願発明の「ＴｂＦｅＣｏからなる記録層」に相当する。
　そうであるから、両者は、本願発明の用語を用いて表現すれば、「ＧｄＦｅＣｏからなる第１磁性層、希土類磁化優勢の第２磁性層、ＴｂＦｅＣｏからなる第３磁性層をこの順に積層しており、前記第１磁性層及び第３磁性層は積層方向の磁化容易特性を有し、前記第２磁性層は室温で面内方向の磁化容易特性を有する光磁気記録媒体。」の発明である点で一致し、
　他方、第２磁性層（中間層）の材質に関して、本願発明ではＧｄＦｅＣｏと言いつつ、「Ｇｄx（Ｆｅ100-y Ｃｏy ）100-x の組成を有し、」「ｘ＝３１の場合に０≦ｙ≦１７，ｙ＝６の場合に２６≦ｘ≦３８」の条件を満たすことを特徴とするのに対して、先願発明では、ＧｄＦｅであって、「Ｇｄx2Ｆｅ1-x2の組成を有し、」「0.31≦x2≦0.35」の条件を満たすことを特徴とする点で、形式的に相違する。
　しかしながら、本願発明の第２磁性層の組成は、ｘ＝３１でｙ＝０の場合に、「ＧｄxＦｅ1-x  の組成でｘ＝0.31 の場合」と表すことが出来るから、これは先願発明の中間層（第２磁性層）の組成である「「Ｇｄx2Ｆｅ1-x2の組成で、x2＝0.31 」と一致している。　実際に先願発明では、実施例（実施例３参照）としてx2＝0.31 の場合の例が示されている。
　なお、第２磁性層（中間層）の材質に関しての「ＧｄＦｅＣｏ」と「ＧｄＦｅ」（Ｇｄx（Ｆｅ100-y Ｃｏy ）100-x でｙ＝０、即ちＣｏ無しの場合）は、一見すると矛盾する。　このことは、両者による二重限定であって、「ＧｄＦｅ」は除外される可能性がある。　しかしながら、本願明細書段落【００４３】において図９を引用しつつ「ｙが０〜１７％」と明示し、図９でもｙ＝０の点がデータとして示されている（更に特許法第３０条適用を受けるための文献にはｙ＝０であるＧｄＦｅの例のみが示されている）ことを勘案すると、本願発明の「ＧｄＦｅＣｏ」はＧｄＦｅＣｏの３元のみならずＧｄＦｅの２元の場合を包含する概念と解するのが相当である。
　してみると、前記形式的に相違するとした点は、実質的な相違であるということができない。
　
（３）むすび
  したがって、本願発明は、先願発明と同一であり、しかも、本願発明の発明者が先願発明の発明者と同一であるとも、また本願の出願時に、その出願人が他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願発明は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。