(57)【要約】【課題】熱圧着及び超音波ボンディングいずれの接合手法を採用した場合であっても、磁気抵抗素子の外部電極と外部端子の接合端部との間における充分な接合強度を確保することができる接合構造とされた磁気センサを提供する。【解決手段】本発明にかかる磁気センサは、磁気抵抗素子１と、該磁気抵抗素子１の外部電極６に接合される接合端部７を有する外部端子２とからなるものであり、前記接合端部７は、スリット１１を介して複数の接合片１２に分岐させられたうえで前記外部電極６と接合されている。また、この際、スリット１１を介して複数の接合片１２に分岐させられた構造に代え、外部端子２の接合端部７を、複数の開口部１３が形成されたものとしてもよい。【選択図】　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗素子と、該磁気抵抗素子の外部電極に接合される接合端部を有する外部端子とからなる磁気センサであって、
前記接合端部は、スリットにより複数の接合片に分岐させられたうえで前記外部電極と接合されていることを特徴とする磁気センサ。
【請求項２】
磁気抵抗素子と、該磁気抵抗素子の外部電極に接合される接合端部を有する外部端子とからなる磁気センサであって、
前記接合端部は、複数の開口部が形成されたうえで前記外部電極と接合されていることを特徴とする磁気センサ。
【請求項３】
前記接合端部は、熱圧着によって前記外部電極と接合されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の磁気センサ。
【請求項４】
前記接合端部はＳｎまたはＳｎ合金により外装被覆されたものであり、かつ、前記外部電極はＡｕからなるものであることを特徴とする請求項３に記載の磁気センサ。
【請求項５】
前記接合端部は、超音波ボンディングによって前記外部電極と接合されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の磁気センサ。
【請求項６】
前記接合端部はＡｕにより外装被覆されたものであり、かつ、前記外部電極はＡｕからなるものであることを特徴とする請求項５に記載の磁気センサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気センサにかかり、特には、磁気抵抗素子の外部電極と外部端子の接合端部との接合構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、回転センサやＡＴＭ（現金自動預払機）などに組み込んで使用される磁気センサのうちには、特許文献１や特許文献２で開示されたものがあり、また、チップ部品における接合構造の例としては、特許文献３で開示されたようなものが知られている。すなわち、この種の磁気センサは、図６（ａ），（ｂ）で上面図及び側面図を示すように、磁気抵抗素子１と、電気信号取り出し用媒体である外部端子２とを備えている。
【０００３】
そして、磁気抵抗素子１は、半導体基板３と、その表面上に形成された半導体磁気抵抗薄膜４と、この半導体磁気抵抗薄膜４の各端部から引き出された電気取り出し電極５とを備えており、各電気取り出し電極５上には、Ａｕからなる外部電極６が電解メッキによって形成されている。また、外部端子２はＣｕを基体としながらＳｎやＡｕがメッキされたものであり、平面視矩形状を有する一方側の接合端部７は磁気抵抗素子１に形成済みの外部電極６と接合されている。なお、図示省略しているが、外部端子２の他方側の接合端部は磁気センサホルダの端子ピンなどと接合されることになっている。
【０００４】
ところで、磁気抵抗素子１の外部電極６と外部端子２の接合端部７とを接合するに際しては、両者を接触させたうえで加熱しながら金属共晶物を形成する熱圧着（Ａｕ−Ｓｎ共晶接合など）が一般的な接合手法として採用される。また、他の接合手法としては超音波ボンディングも採用されており、塑性変形を伴う超音波ボンディング（Ａｕ−Ａｕ接合など）においては、磁気抵抗素子１の外部電極６と外部端子２の接合端部７とを互いに接触させておいたうえで超音波振動を付与することが行われる。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−１４７０８０号公報
【特許文献２】
特開２０００−３２９７７５号公報
【特許文献３】
特開平１１−６８３０１号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、磁気抵抗素子１の外部電極６と外部端子２の接合端部７とを熱圧着で接合した際には、第１の接合構造を示す図７の要部断面図からも分かるように、両者間の接合強度を確保するための金属共晶物８が、外部電極６と接触している接合端部７の直下位置ではなく、主として接合端部７の周縁位置に対して形成されるのが通常である。そのため、外部端子２の接合端部７が単純な平面視矩形状であるに過ぎない場合、金属共晶物８が形成される領域は、外部電極６と接合端部７との接触面積に比して大幅に少なくなり、その結果として接合強度は不充分となりやすい。なお、接合端部７の直下位置にも金属共晶物８は形成されるが、接合強度に寄与するのは、接合端部７の周縁位置に形成された金属共晶物８であるのが実状である。
【０００７】
一方、超音波ボンディングによる接合であれば、面接触しあった外部電極６と接合端部７との接触面同士が接合されるため、接触面積の大きさ自体が接合強度に寄与することとなる。ところが、接合強度を向上させようとして外部端子２の接合端部７を大きくすることを行った場合、より大きな超音波パワーが必要となるため、半導体基板３が脆性材料であるＳｉから作製されたものであると、このＳｉ基板３にクラックやチッピングなどの損傷が生じてしまう。なお、この際におけるＳｉ基板３は、５００μｍ程度の厚みとされているのが一般的である。
【０００８】
また、Ｃｕからなる外部端子２に対しても、傷や裂け、あるいは、捩れなどのような損傷が発生することになり、超音波パワーが大きいことに伴う不具合が増加する結果として磁気センサの品質低下を招くことが起こる。さらに、超音波ボンディングでは、磁気抵抗素子１の外部電極６や外部端子２の接合端部７と超音波ボンディング用ツール（図示省略）との平行度が接合強度の重要な管理因子となるが、接合端部７の面積が大きくなるのに従って超音波ボンディング用ツールまでもが大型化するため、その精度を維持することが困難になる。
【０００９】
そして、このような状態であると、図８の要部断面図からも明らかなように、外部電極６及び接合端部７間には、両者が接合されてなる接合部分９ａと、接合されていない非接合部分９ｂとが局部的に発生してしまう。また、外部電極６や接合端部７のサイズに合致した超音波ボンディング用ツールが必要となるため、その都度、ツールを調達したり、生産設備の段取り換えなどを実行する必要があり、フレキシビリティ性に欠けるという不都合も生じてしまう。
【００１０】
さらにまた、図示省略しているが、磁気抵抗素子１における同一の外部電極６に対し、複数本の外部端子、つまり、前記した単一本の外部端子２と対応しながらも複数本とされた外部端子を一括して接合することも考えられている。しかしながら、複数本の外部端子全ての加工精度を同一としたり、振動などを伴う生産設備の稼働状況下で外部電極６に対する外部端子全ての平行度や位置精度などを一致させることは非常に困難であるため、接合強度や品位のバラツキが大きくなることが避けられず、磁気センサの大幅な品質低下を招いてしまうのが実状である。
【００１１】
本発明はこれらの不都合に鑑みて創案されたものであり、熱圧着及び超音波ボンディングいずれの接合手法を採用した場合であっても、磁気抵抗素子の外部電極と外部端子の接合端部との間における充分な接合強度を確保することが可能な接合構造とされた磁気センサを提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明にかかる磁気センサは、磁気抵抗素子と、該磁気抵抗素子の外部電極に接合される接合端部を有する外部端子とからなるものであり、前記接合端部は、スリットにより複数の接合片に分岐させられたうえで前記外部電極と接合されていることを特徴とする。
【００１３】
請求項２記載の発明にかかる磁気センサは、磁気抵抗素子と、該磁気抵抗素子の外部電極に接合される接合端部を有する外部端子とからなるものであり、前記接合端部は、複数の開口部が形成されたうえで前記外部電極と接合されていることを特徴とする。
【００１４】
請求項３記載の発明にかかる磁気センサは請求項１または請求項２に記載したものであり、前記接合端部は、熱圧着によって前記外部電極と接合されていることを特徴とする。
【００１５】
請求項４記載の発明にかかる磁気センサは請求項３に記載したものであって、前記接合端部はＳｎまたはＳｎ合金により外装被覆されたものであり、かつ、前記外部電極はＡｕからなるものであることを特徴としている。
【００１６】
請求項５記載の発明にかかる磁気センサは請求項１または請求項２に記載したものであり、前記接合端部は、超音波ボンディングによって前記外部電極と接合されていることを特徴とする。
【００１７】
請求項６記載の発明にかかる磁気センサは請求項５に記載したものであって、前記接合端部はＡｕにより外装被覆されたものであり、かつ、前記外部電極はＡｕからなるものであることを特徴としている。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明にかかる実施の形態１及び実施の形態２を、図面に基づいて説明する。
【００１９】
（実施の形態１）
図１（ａ），（ｂ）は実施の形態１にかかる磁気センサの全体構造を示す上面図及び側面図、図２はその接合構造を示す要部断面図、図３は実施の形態１の変形例にかかる磁気センサの接合構造を示す要部上面図であり、ここでの図２は図１中の切断線Ａ−Ａに沿った断面状態を示している。但し、図２では、Ｓｉ基板及び電気取り出し電極の図示を省略している。なお、本実施の形態にかかる磁気センサの全体構造は、その接合構造に関する点を除き、従来の形態と基本的に異ならないので、図１〜図３のそれぞれにおいて、図６〜図８と互いに同一または相当する部品、部分には同一符号を付している。
【００２０】
本実施の形態にかかる磁気センサは回転センサやＡＴＭなどに組み込んで使用されるものであり、図１（ａ），（ｂ）で示すように、磁気抵抗素子１と、電気信号取り出し用媒体である外部端子２とを備えている。なお、この外部端子２は金属製の薄膜体であり、リードコムやリードフレーム、あるいは、テープキャリアやフィルムキャリアなどといわれるものである。
【００２１】
磁気センサを構成する磁気抵抗素子１は、半導体基板３であるＳｉ基板と、その表面上に真空蒸着で形成されたＩｎＳｂ半導体磁気抵抗薄膜４と、このＩｎＳｂ半導体磁気抵抗薄膜４上に離間して形成された短絡電極１０と、ＩｎＳｂ半導体磁気抵抗薄膜４の各端部から引き出された電気取り出し電極５とを具備している。そして、各電気取り出し電極５上には、Ａｕからなる外部電極６が電解メッキによって形成されている。なお、ここでのＳｉ基板３は、５００μｍ程度の厚みを有するものとなっている。
【００２２】
また、図示省略しているが、電気取り出し電極５及び短絡電極１０の各々は、Ｓｉ基板３またはＩｎＳｂ半導体磁気抵抗薄膜４と接触するＮｉ層と、このＮｉ層上に重ねて形成されたうえで外部に露出するＡｕ層とからなる二層構造を有するものである。さらに、同じく図示省略しているが、電気取り出し電極５を除くＩｎＳｂ半導体磁気抵抗薄膜４及び短絡電極１０上には、ポリイミド樹脂からなる保護膜が形成されている。
【００２３】
一方、外部端子２は、５０μｍ程度の厚みとされた無酸素銅（Ｃｕ）を基体として作製されたものであり、図示省略しているが、その外周囲にはＮｉ下地層がメッキによって形成され、かつ、Ｎｉ下地層の外周囲にはＳｎ層がメッキによって形成されている。そして、この外部端子２における一方側の接合端部７は、全体としては平面視矩形状を有しながらも、複数（図１では、３本）のスリット１１が外部電極６の幅方向に沿って切り込み形成され、かつ、各スリット１１を介して複数（図１では、４本）の接合片１２に分岐させられた構造を有しており、分岐された複数の接合片１２からなる接合端部７は磁気抵抗素子１の外部電極６に接合されている。
【００２４】
ところで、この際におけるスリット１１の具体的な幅寸法は６０μｍ程度と設定されており、接合片１２の具体的な幅寸法は１００μｍ程度と設定される。また、この時、各スリット１１の長さ寸法、つまり、切れ込み深さは、分岐された接合片１２からなる接合端部７が接合される外部電極６の長さ寸法、その幅方向に沿った長さ寸法よりも短く設定されている。なお、図示省略しているが、外部端子２の他方側の接合端部は、磁気センサホルダの端子ピンなどに対して接合される。
【００２５】
さらに、本実施の形態にかかる磁気センサでは、外部端子２の接合端部７を分岐して形成された接合片１２のそれぞれを、磁気抵抗素子１に形成済みの外部電極６と接合することが実行されており、これらの接合片１２それぞれは熱圧着でもって外部電極６と接合されている。すなわち、これら接合片１２の各々は熱圧着を接合手法としたうえで外部電極６に接合されており、この際にあっては、図２の要部断面図で示すように、外部電極６と接触している接合片１２それぞれの周縁位置に対して金属共晶物８、具体的には、Ａｕ−Ｓｎ共晶物が形成されている。
【００２６】
従って、外部端子２の接合端部７が単純な平面視矩形状である場合と比較した時、この接合端部７が複数の接合片１２に分岐され、かつ、外部電極６との間で金属共晶物８を形成する周縁長さが延長されたものであるため、金属共晶物８の形成領域は大幅に増大することになり、その結果として接合強度も大きく向上している。なお、本実施の形態では、外部端子２の接合端部７を複数の接合片１２に分岐しているだけであり、単一本の外部端子２が全体として複数本に分岐させられた構造とは異なるため、加工精度を確保することは容易であり、振動などを伴う生産設備の稼働状況下であっても外部電極６に対する外部端子２の平行度や位置精度などを確保しやすいこととなる。
【００２７】
本実施の形態においては、外部端子２の接合端部７を複数の接合片１２に分岐しているが、この構造に限定されず、例えば、図３の要部上面図で示す変形例のように、外部端子２の接合端部７に複数の開口部１３を形成したうえ、この接合端部７を熱圧着でもって外部電極６と接合してもよい。そして、このような構造とした場合にも、開口部１３を形成したことに伴って外部電極６との間で周縁長さが延長されるため、金属共晶物８の形成領域は大幅に増大し、かつ、接合強度も大きく向上している。なお、これら開口部１３の平面視形状が矩形に限られることはなく、円形などであってもよいことは勿論であり、開口部１３の一辺長さや直径は、具体的には６０μｍ程度と設定される。
【００２８】
ところで、本実施の形態にかかる磁気センサでは、次のような各種の変形構成を採用することが可能であり、これらの変形構成も本発明の適用範囲内に含まれる。すなわち、まず、半導体基板３がＳｉ基板のみに限られず、ＩＩＩ−Ｖ族の結晶性基板であってもよく、また、表面がＳｉ単結晶からなる基板（ＳＯＩやＳＯＳなど）であってもよい。そして、本実施の形態では、外部端子２がＣｕを基体としたものであり、その最外周囲にはＳｎが外装被覆されるとしているが、コバールや真鍮などを基体とし、その最外周囲がＳｎ合金によって外装被覆された外部端子２であってもよい。なお、この際における基体の厚みが５０μｍ程度である必然性があるわけではなく、１０〜１００μｍ程度の厚みであってもよいことは勿論である。
【００２９】
また、接合片１２それぞれの幅寸法が１００μｍ程度に限られることもなく、これら接合片１２の幅寸法は１００μｍ以下でありさえすればよいことになっている。さらに、本実施の形態では、磁気抵抗素子１の外部電極６を電解メッキで形成するとしているが、電解メッキに限定されることはないのであり、真空蒸着法やスパッタ法、転写法やスタッドバンプ法などを採用したうえで外部電極６を形成することも可能である。
【００３０】
さらにまた、本実施の形態においては、外部電極６がＡｕからなり、かつ、外部端子２の最外周囲にはＳｎが外装被覆されるとしているが、これらのみに限定される必然性もない。すなわち、金属共晶物を形成して接合されるもの同士でありさえすればよいのであり、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｃｕ、Ｚｎなどのような他の金属材料を組み合わせることによってＡｕ及びＳｎに代えることも可能である。
【００３１】
（実施の形態２）
図４は実施の形態２にかかる磁気センサの接合構造を示す要部断面図、図５（ａ），（ｂ）は実施の形態２及び従来の形態にかかる磁気センサの接合構造を比較して示す要部平面図であり、ここでの図４は図１中の切断線Ａ−Ａに沿った断面状態を示している。但し、図４では、Ｓｉ基板及び電気取り出し電極の図示を省略している。なお、本実施の形態にかかる磁気センサの全体構造は、その接合構造に関わる点を除き、従来の形態及び実施の形態１と基本的に異ならないので、ここでの詳しい説明は省略し、図４及び図５において、図１〜図３と互いに同一または相当する部品、部分には同一符号を付している。
【００３２】
本実施の形態にかかる磁気センサは、図１（ａ），（ｂ）で示した実施の形態１と同様、磁気抵抗素子１と、外部端子２とを備えている。そして、ここでの磁気抵抗素子１は、半導体基板３であるＳｉ基板と、その表面上に形成されたＩｎＳｂ半導体磁気抵抗薄膜４と、このＩｎＳｂ半導体磁気抵抗薄膜４上に離間して形成された短絡電極１０と、ＩｎＳｂ半導体磁気抵抗薄膜４の各端部から引き出された電気取り出し電極５とを具備しており、各電気取り出し電極５上には、Ａｕからなる外部電極６が形成されている。なお、ここでのＳｉ基板３は、５００μｍ程度の厚みを有している。
【００３３】
一方、この際における外部端子２はＣｕを基体としたものであり、図示省略しているが、その外周囲には、Ｃｕ上と接触するＮｉ下地層と、外部に露出するＡｕ層とがメッキにより重ねあわされた状態で形成されている。すなわち、実施の形態１では、外部端子２の最外周囲をＳｎ層で外装被覆していたが、この実施の形態２では、外部端子２の最外周囲をＳｎ層に代わるＡｕ層でもって外装被覆することが行われている。
【００３４】
また、この外部端子２における接合端部７は、実施の形態１と同様、全体としては平面視矩形状を有しつつも、複数（図１では、３本）のスリット１１が外部電極６の幅方向に沿って切り込み形成され、かつ、各スリット１１を介して複数（図１では、４本）の接合片１２に分岐させられたものとなっており、分岐された接合片１２の各々は、磁気抵抗素子１の外部電極６と接合されている。なお、ここでは、スリット１１の個数を３本とし、接合片１２の個数を４本としているが、これらの個数が限定されることはなく、少なくとも２本以上でありさえすればよい。
【００３５】
ところで、この際におけるスリット１１の具体的な幅寸法は６０μｍ程度と設定され、接合片１２の具体的な幅寸法は１００μｍ程度と設定されている。さらに、この時、各スリット１１の切れ込み深さである長さ寸法は、分岐された接合片１２からなる接合端部７が接合される外部電極６の幅方向に沿う長さ寸法よりも短く設定されている。なお、ここでは、スリット１１それぞれの長さ寸法が外部電極６よりも短く設定されるとしているが、この外部電極６の長さ寸法よりも各スリット１１の長さ寸法の方が多少長くても差し支えないことは勿論である。
【００３６】
すなわち、本実施の形態にかかる磁気センサでは、外部端子２の接合端部７を分岐して形成された接合片１２のそれぞれが、磁気抵抗素子１に形成済みの外部電極６に対して超音波ボンディングでもって接合されている。そして、この超音波ボンディングに際しては、先端部の大きさが各接合片１２の幅寸法と対応した超音波ボンディング用ツール（図示省略）が使用されている。従って、塑性変形を伴う超音波ボンディングでもって接合された各接合片１２は、図４の要部断面図で示すように、互いに面接触しあっていた外部電極６と各別にＡｕ−Ａｕ接合されており、これらの接触面同士は強固な状態で接合されあっている。
【００３７】
そのため、外部端子２の接合端部７が単純かつ大面積とされた平面視矩形状である従来の形態と比較してみると、外部電極６と面接触しあう接合片１２全体の面積が少ないにも拘わらず、これらの接触面積が全体として接合強度に寄与する結果、接合強度は大幅に向上することになる。また、この場合にあっては、超音波パワーを大きくする必要がないため、Ｓｉ基板３の厚みが従来と同様の５００μｍ程度であるに過ぎなくても、クラックやチッピングなどの損傷が生じない。さらに、この時、Ｃｕからなる外部端子２に対しても、傷や裂け、あるいは、捩れなどのような損傷が何ら発生していない。
【００３８】
ところで、磁気センサを構成する外部端子２の接合端部７における接合強度を本発明の発明者が測定してみたところ、次のような測定結果が得られた。すなわち、接合強度の測定試験に際しては、図５（ａ）で示すような本実施の形態にかかる磁気センサの接合構造に対応した試料、つまり、外部端子２の接合端部７が３本の接合片１２に分岐され、かつ、幅寸法Ｗが１００μｍで長さ寸法Ｌが３００μｍとされた接合片１２のそれぞれを、超音波ボンディングでもって磁気抵抗素子１の外部電極６に接合してなる試料が用意される。
【００３９】
また、図５（ｂ）で示すような従来の形態にかかる磁気センサの接合構造に対応した試料、つまり、幅寸法Ｗが４００μｍで長さ寸法Ｌが３００μｍとされた単純な平面視矩形状とされた外部端子２の接合端部７を、従来通りの超音波ボンディングでもって磁気抵抗素子１の外部電極６に接合してなる試料が、本実施の形態にかかるものとは別に用意される。その後、本実施の形態及び従来の形態にかかる接合構造とされた試料それぞれの外部端子２を鉛直方向（紙面と直交する方向）に引き上げることとし、外部電極６に対する密着強度を測定する。
【００４０】
すると、試料数が１５個とされた従来の形態にかかる接合構造、つまり、図５（ｂ）で示した接合構造では１５０ｇ程度の密着強度しか得られないのに対し、試料数が２０個とされた本実施の形態にかかる接合構造、つまり、図５（ａ）で示した接合構造では２３０ｇ程度の密着強度が得られた。すなわち、この測定試験によれば、本実施の形態にかかる接合構造を採用した場合には、従来の形態にかかる接合構造を採用している場合に比し、外部端子２の接合端部７（１２）の外部電極６に対する密着強度、つまり、接合強度が大幅に向上することが確認されている。
【００４１】
さらにまた、ここでの詳しい説明は省略するが、実施の形態２にかかる磁気センサであっても、実施の形態１と同様の変形構成を採用することが可能であり、これらの変形構成が本発明の適用範囲内に含まれることは勿論である。従って、本実施の形態では、外部電極６がＡｕからなり、かつ、外部端子２の最外周囲にはＡｕが外装被覆されるとしているが、これらの組み合わせのほか、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｂなどの組み合わせを採用してもよいこととなる。
【００４２】
【発明の効果】
請求項１記載の発明にかかる磁気センサでは、磁気抵抗素子の外部電極に接合される外部端子の接合端部がスリットを介したうえで複数の接合片に分岐されているので、外部電極との間における周縁長さが延長されるとともに、各接合片が外部電極と確実に接触しあっている。従って、外部電極に対して接合端部を熱圧着した場合には、接合片によって延長させられた周縁全てが金属共晶物の形成領域となる結果、接合強度が大幅に向上するという効果が得られる。また、接合端部を外部電極に超音波ボンディングした場合には、外部電極に対する各接合片の接触面全てが接合強度に寄与するため、やはり接合強度が大幅に向上するという効果が得られる。
【００４３】
請求項２記載の発明にかかる磁気センサでは、磁気抵抗素子の外部電極と接合される外部端子の接合端部に複数の開口部を形成しているので、この接合端部がスリットにより複数の接合片に分岐されてなる請求項１と同様、複数の開口部によって外部電極との間における周縁長さが延長されるとともに、開口部を除いた接合端部の接触面が外部電極と確実に接触しあうことになる。従って、外部電極に接合端部を熱圧着した場合には開口部の周縁全てが金属共晶物の形成領域となり、また、接合端部を外部電極に超音波ボンディングした場合には、開口部を除く全ての接触面が外部電極と接触することになって接合強度の確保に寄与するという効果が得られる。
【００４４】
請求項３記載の発明にかかる磁気センサでは、外部端子の接合端部を熱圧着によって磁気抵抗素子の外部電極へと接合している。そこで、外部端子の接合端部が分岐されてなる接合片により延長させられた周縁全て、または、この接合端部に形成された複数の開口部の周縁全てが金属共晶物の形成領域となり、その結果として接合強度が大幅に向上するという効果が得られる。
【００４５】
請求項４記載の発明にかかる磁気センサでは、外部端子の接合端部がＳｎまたはＳｎ合金により外装被覆されたものであり、かつ、磁気抵抗素子の外部電極がＡｕからなるものであるとされている。従って、これらの接合端部及び外部電極が熱圧着によって確実に接合されることとなり、その結果として接合端部及び外部電極間における充分な接合強度を確保することができる。
【００４６】
請求項５記載の発明にかかる磁気センサでは、外部端子の接合端部を超音波ボンディングによって磁気抵抗素子の外部電極へと接合している。そのため、外部端子の接合端部が分岐されてなる接合片全ての接触面、または、複数の開口部を除いた接合端部の接触面全てが外部電極と接触することとなり、結果として接合強度が大幅に向上するという効果が得られる。
【００４７】
請求項６記載の発明にかかる磁気センサでは、外部端子の接合端部がＡｕにより外装被覆されたものであり、かつ、磁気抵抗素子の外部電極がＡｕからなるものであるとされている。その結果、これらの接合端部及び外部電極が超音波ボンディングによっても確実に接合されることとなり、これらの接合端部及び外部電極間における充分な接合強度を確保することができるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１及び実施の形態２にかかる磁気センサの全体構造を示す上面図及び側面図である。
【図２】実施の形態１にかかる磁気センサの接合構造を示す要部断面図であり、図１中の切断線Ａ−Ａに沿った断面を示している。
【図３】実施の形態１及び実施の形態２の変形例にかかる磁気センサの接合構造を示す要部上面図である。
【図４】実施の形態２にかかる磁気センサの接合構造を示す要部断面図であり、図１中の切断線Ａ−Ａに沿った断面を示している。
【図５】実施の形態２及び従来の形態にかかる磁気センサの接合構造を比較して示す要部平面図である。
【図６】従来の形態にかかる磁気センサの全体構造を示す上面図及び側面図である。
【図７】従来の形態にかかる第１の接合構造を示す要部断面図であり、図６中の切断線Ｂ−Ｂに沿った断面を示している。
【図８】従来の形態にかかる第２の接合構造を示す要部断面図であり、図６中の切断線Ｂ−Ｂに沿った断面を示している。
【符号の説明】
１　　磁気抵抗素子
２　　外部端子
３　　Ｓｉ基板（半導体基板）
６　　外部電極
７　　接合端部
１１　　スリット
１２　　接合片
１３　　開口部
【図１】
2004103767.tif 000003
【図２】
2004103767.tif 000004
【図３】
2004103767.tif 000005
【図４】
2004103767.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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