【手続補正書】
【提出日】平成23年7月7日(2011.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン化半導体基板を調整する方法であって、
誘電性領域および導電性領域を含む、パターン化半導体基板表面を提供することと、
ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）ベースの表面調整剤を前記誘電性領域に適用し、前記誘電性領域を調整することと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記誘電性領域を調整することは、前記誘電性領域のぬれ角を調整することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ぬれ角を調整することは、前記誘電性領域の表面を親水性にすることを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ポリビニルアルコールベース（ＰＶＡ）の表面調整剤を適用した後に、水溶液を前記パターン化半導体基板表面に適用することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）ベースの表面調整剤は、前記導電性領域が、前記水溶液によって、選択的に増強されることを可能にする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
低誘電率材料から形成される前記誘電性領域を提供することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）ベースの表面調整剤を適用することは、前記低誘電率領域の後続プロセスとの相互作用を調整する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記後続プロセスは、電気化学蒸着プロセス、クリーニングプロセス、化学機械平坦化（ＣＭＰ）前クリーニングプロセス、ＣＭＰ後クリーニングプロセス、ビアクリーニングプロセス、接点クリーニングプロセス、トレンチクリーニングプロセス、金属化プロセス、および無電解（ｅ−ｌｅｓｓ）蒸着プロセスから成る群から選択されるプロセスである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記後続プロセスは、ｅ−ｌｅｓｓ蒸着プロセスであり、前記ｅ−ｌｅｓｓ蒸着プロセスは、Ｐｔ層、Ｃｏ層、Ｎｉ層、ＣｏＷＢ層、ＣｏＷＰＢ層、およびＣｏＷＰ層から成る群から選択されるキャッピング層を前記導電性領域上に蒸着するために利用される、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）ベースの表面調整剤を適用することは、後続プロセスの際、前記低誘電率領域の誘電率の低下を防止する、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
前記ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）ベースの表面調整剤を適用することは、前記低誘電率領域の孔を遮断することによって、前記低誘電率領域を調整する、請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
前記ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）ベースの表面調整剤は、後に前記誘電率領域から除去されない、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）ベースの表面調整剤を適用することの後に、前記前記ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）ベースの表面調整剤を架橋結合することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）ベースの表面調整剤を架橋結合することは、化学的調整および非化学的調整から成る群から選択される調整を介して進行される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記水溶液を適用することの後に、前記パターン化半導体基板の前記表面から、前記ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）ベースの表面調整剤を除去することをさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項１６】
ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）ベースの表面調整剤を含む溶液を形成し、パターン化半導体基板の表面の特徴を調整することを含む、方法。
【請求項１７】
前記ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）ベースの表面調整剤は、７５％から１００％の間で加水分解されたポリビニルアルコール（ＰＶＡ）化合物を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記溶液は、共重合エチレン、共重合カチオン、共重合シロキサン、共重合アニオン（８８％加水分解）、および共重合アニオン（８０％加水分解）から成る群から選択される共重合体をさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記溶液を形成することは、前記ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）ベースの表面調整剤を、両親媒性高分子、加工澱粉化合物、タンパク質化合物、ジブロック共重合体、トリブロック共重合体、およびデンドリマーから成る群から選択される化合物と混合することを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記溶液を形成することは、分子量約１３〜２３キロダルトンを有し、約８９〜９９％の範囲に加水分解される、前記ＰＶＡベースの表面調整剤の２５ｍＭ溶液を形成することを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
パターン化半導体基板であって、
低誘電率層および可変パターン密度を有する導電性層と、
前記低誘電率層上に形成されるポリビニルアルコール（ＰＶＡ）層と、
を含む、基板。
【請求項２２】
前記ＰＶＡ層は、前記導電性層上に形成される、請求項２１に記載の基板。
【請求項２３】
前記ＰＶＡ層は、架橋結合される、請求項２１に記載の基板。
【請求項２４】
前記ＰＶＡ層は、共重合エチレン、共重合カチオン、共重合シロキサン、共重合アニオン（８８％加水分解）、および共重合アニオン（８０％加水分解）から成る群から選択される共重合体をさらに含む、請求項２１に記載の基板。
【請求項２５】
可変パターン密度は、種々のサイズ、分離、トポグラフィー、アスペクト比、およびそれらの組み合わせの導電性領域を含む、請求項２１に記載の基板。
【請求項２６】
前記ＰＶＡ層は、約５〜５０オングストローム（Å）の範囲の厚さに形成される、請求項２１に記載の基板。
【請求項２７】
前記ＰＶＡ層は、約２０〜３５Åの範囲の厚さに形成される、請求項２１に記載の基板。
【請求項２８】
前記低誘電率層は、遮断された孔の表面を有する多孔性低誘電率層を含む、請求項２１に記載の基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
他の実施例では、少なくとも、いくつかの低誘電率材料は、多孔性である。多孔性低誘電率材料は、いくつかの実施例では、誘電特性に悪影響を及ぼし得る、望ましくない材料（粒子、溶剤等）を捕捉し得る。処理の際、誘電性表面は、下にある誘電性領域内へのプロセス化学性質を損傷する望ましくない侵攻を受ける場合がある。ある場合には、誘電性領域の静電容量が、悪影響を受け得る。低誘電率材料が、材料の誘電率が増加するように、物理的に損傷、劣化、または化学的に変更される場合がある。例えば、特に、誘電性材料と反応するプロセス化学性質の種類の１つは、界面活性剤である。界面活性剤は、理解され得るように、湿潤剤であって、液体の表面張力を低下させ、拡散を容易にし、したがって、水性化学性質の反応性を向上させるために利用され得る。しかしながら、また、界面活性剤は、損傷効果を有する場合がある。いくつかの実施例では、低誘電率材料の誘電率は、一時的または永久に変更される場合がある。理解され得るように、多孔性低誘電率材料は、誘電性材料の誘電率を低下させる機能を果たす気孔を含む。界面活性剤等のある処理材料は、誘電性材料の気孔内に進入し、充填し、誘電体の誘電率を変化させ得る。
例えば、本発明は以下の項目を提供する。
（項目１）
パターン化半導体基板を調整する方法であって、
誘電性領域および導電性領域を含む、パターン化半導体基板表面を提供することと、
両親媒性表面調整剤を上記誘電性領域に塗布し、上記誘電性領域を調整することと、
を含む、方法。
（項目２）
上記誘電性領域を調整することは、上記誘電性領域のぬれ角を調整することを含む、項目１に記載の方法。
（項目３）
上記ぬれ角を調整することは、上記誘電性領域の表面を親水性にすることを含む、項目２に記載の方法。
（項目４）
水溶液を上記パターン化半導体基板表面に塗布することをさらに含む、項目１に記載の方法。
（項目５）
上記導電性領域は、上記水溶液によって、選択的に増強される、項目４に記載の方法。
（項目６）
低誘電率材料から形成される上記誘電性領域を提供することをさらに含む、項目１に記載の方法。
（項目７）
上記両親媒性表面調整剤を塗布することは、上記低誘電率領域の後続プロセスとの相互作用を調整する、項目６に記載の方法。
（項目８）
上記後続プロセスは、電気化学蒸着プロセス、クリーニングプロセス、化学機械平坦化（ＣＭＰ）前クリーニングプロセス、ＣＭＰ後クリーニングプロセス、ビアクリーニングプロセス、接点クリーニングプロセス、トレンチクリーニングプロセス、金属化プロセス、および無電解（ｅ−ｌｅｓｓ）蒸着プロセスから成る群から選択されるプロセスである、項目７に記載の方法。
（項目９）
上記ｅ−ｌｅｓｓ蒸着プロセスを利用して、Ｐｔ層、Ｃｏ層、Ｎｉ層、ＣｏＷＢ層、ＣｏＷＰＢ層、およびＣｏＷＰ層から成る群から選択されるキャッピング層を上記導電性領域上に蒸着する、項目７に記載の方法。
（項目１０）
上記両親媒性調整剤を塗布することは、後続プロセスの際、上記低誘電率領域の誘電率の低下を防止する、項目６に記載の方法。
（項目１１）
上記両親媒性表面調整剤を塗布することは、上記低誘電率領域の気孔を遮断することによって、上記低誘電率領域を調整する、項目６に記載の方法。
（項目１２）
上記両親媒性表面調整剤を塗布することは、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）表面調整剤を塗布することを含む、項目１に記載の方法。
（項目１３）
上記両親媒性表面調整剤を塗布することの後に、上記両親媒性表面調整剤を架橋結合することをさらに含む、項目１に記載の方法。
（項目１４）
上記両親媒性表面調整剤を架橋結合することは、化学的調整および非化学的調整から成る群から選択される調整を介して進行される、項目１３に記載の方法。
（項目１５）
上記水溶液を塗布することの後に、上記パターン化半導体基板の上記表面から、上記両親媒性表面調整剤を除去することをさらに含む、項目４に記載の方法。
（項目１６）
両親媒性表面調整剤を含む溶液を形成し、パターン化半導体基板の表面の特徴を調整することを含む、方法。
（項目１７）
上記両親媒性表面調整剤は、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）化合物を含む、項目１６に記載の方法。
（項目１８）
上記溶液は、共重合エチレン、共重合カチオン、共重合シロキサン、共重合アニオン（８８％加水分解）、および共重合アニオン（８０％加水分解）から成る群から選択される共重合体をさらに含む、項目１７に記載の方法。
（項目１９）
上記両親媒性表面調整剤は、両親媒性高分子、加工澱粉化合物、タンパク質化合物、ジブロック共重合体、トリブロック共重合体、およびデンドリマーから成る群から選択される化合物を含む、項目１６に記載の方法。
（項目２０）
上記溶液を形成することは、分子量約１３乃至２３キロダルトンを有し、約８９乃至９９％の範囲に加水分解される、２５ｍＭ溶液の上記ＰＶＡ化合物を含む、項目１６に記載の方法。
（項目２１）
パターン化半導体基板であって、
低誘電率層および可変パターン密度を有する導電性層と、
上記低誘電率層上に形成されるポリビニルアルコール（ＰＶＡ）層と、
を含む、基板。
（項目２２）
上記ＰＶＡ層は、上記導電性層上に形成される、項目２１に記載の基板。
（項目２３）
上記ＰＶＡ層は、架橋結合される、項目２１に記載の基板。
（項目２４）
上記ＰＶＡ層は、共重合エチレン、共重合カチオン、共重合シロキサン、共重合アニオン（８８％加水分解）、および共重合アニオン（８０％加水分解）から成る群から選択される共重合体をさらに含む、項目２１に記載の基板。
（項目２５）
可変パターン密度は、種々のサイズ、分離、地形、アスペクト比、およびそれらの組み合わせの導電性領域を含む、項目２１に記載の基板。
（項目２６）
上記ＰＶＡ層は、約５乃至５０オングストローム（Å）の範囲の厚さに形成される、項目２１に記載の基板。
（項目２７）
上記ＰＶＡ層は、約２０乃至３５Åの範囲の厚さに形成される、項目２１に記載の基板。
（項目２８）
上記低誘電率層は、遮断された気孔の表面を有する多孔性低誘電率層を含む、項目２１に記載の基板。