Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年10月9日(2014.10.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）の化合物
【化１】
2012533600.tif 000001
［式中、
Ｒ１は、Ｈ；線状、分枝状、もしくは環状のＣ１〜Ｃ６アルキル；テトラヒドロピリル、または−ＣＨ２−フェニルであり；
Ｒ２はＨまたはＯＲ’２であり、ここでＲ’２は、Ｈ；線状、分枝状、もしくは環状のＣ１〜Ｃ６−アルキルまたは−ＣＨ２−フェニルである；
Ｒ３は、Ｈ；線状、分枝状、もしくは環状のＣ１〜Ｃ６アルキル；テトラヒドロピリル、または−ＣＨ２−フェニルであり；
Ｒ４はＨまたはＯＲ’４であり、ここでＲ’４は、Ｈ；線状、分枝状、もしくは環状のＣ１〜Ｃ６−アルキルまたは−ＣＨ２−フェニルであり；
Ｒ５は、Ｈ；線状、分枝状、もしくは環状のＣ１〜Ｃ６アルキル；テトラヒドロピリル、または−ＣＨ２−フェニルである］
の生成方法であって、式（ＩＩａ）または（ＩＩｂ）の化合物
【化２】
2012533600.tif 000002
［式中、
置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、およびＲ５は、式（Ｉ）について定義されたのと同じ意味を有し、
Ｘは、−Ｉ；−Ｂｒ；−Ｃｌ；または−Ｎ２である］
と式（ＩＩＩａ）または（ＩＩＩｂ）の化合物
【化３】
2012533600.tif 000003
［式中、
置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、およびＲ５は、式（Ｉ）について定義されたのと同じ意味を有する］
を反応させる方法において、
不均一系触媒系が使用されることを特徴とする方法。
【請求項２】
式（ＩＩａ）の化合物と式（ＩＩＩａ）の化合物を反応させる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
式（ＩＩｂ）の化合物と式（ＩＩＩｂ）の化合物を反応させる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
Ｒ１は、Ｈ；−ＣＨ３；−ＣＨ２ＣＨ３、または−ＣＨ２−フェニルであり；
Ｒ２は、ＨまたはＯＲ’２であり、ここでＲ’２は−ＣＨ３または−ＣＨ２ＣＨ３であり；
Ｒ３は、Ｈ；−ＣＨ３；−ＣＨ２ＣＨ３、または−ＣＨ２−フェニルであり；
Ｒ４は、ＨまたはＯＲ’４であり、ここでＲ’４は−ＣＨ３または−ＣＨ２ＣＨ３であり；
Ｒ５は、Ｈ；−ＣＨ３；−ＣＨ２ＣＨ３、または−ＣＨ２−フェニルである、
請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
Ｒ１は、Ｈ；−ＣＨ３；または−ＣＨ２ＣＨ３であり；
Ｒ２は、ＨまたはＯＲ’２であり、ここでＲ’２は−ＣＨ３または−ＣＨ２ＣＨ３であり；
Ｒ３は、Ｈ；−ＣＨ３；または−ＣＨ２ＣＨ３であり；
Ｒ４は、ＨまたはＯＲ’４であり、ここでＲ’４は−ＣＨ３または−ＣＨ２ＣＨ３であり；
Ｒ５は、Ｈ；−ＣＨ３；または−ＣＨ２ＣＨ３である、
請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記式（Ｉ）の化合物が、式（Ｉａ）の化合物
【化４】
2012533600.tif 000004
［式中、
Ｒ１、Ｒ３、およびＲ５は互いに独立して、Ｈ；線状、分枝状、または環状のＣ１〜Ｃ６−アルキル；テトラヒドロピリル、または−ＣＨ２−フェニルである］
であり、
前記式（ＩＩａ）、（ＩＩｂ）、（ＩＩＩａ）および（ＩＩＩｂ）におけるＲ２およびＲ４がＨである、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記式（Ｉ）の化合物が、式（Ｉｂ）の化合物
【化５】
2012533600.tif 000005
［式中、
Ｒ１、Ｒ’２、Ｒ３、Ｒ’４、およびＲ５は互いに独立して、Ｈ；線状、分枝状、もしくは環状のＣ１〜Ｃ６−アルキル；テトラヒドロピリル、または−ＣＨ２−フェニルである］
であり、
前記式（ＩＩａ）、（ＩＩｂ）、（ＩＩＩａ）および（ＩＩＩｂ）において、
Ｒ２はＯＲ’２であり、ここでＲ’２は、Ｈ；線状、分枝状、もしくは環状のＣ１〜Ｃ６−アルキル、または−ＣＨ２−フェニルであり、
Ｒ４はＯＲ’４であり、ここでＲ’４は、Ｈ；線状、分枝状、もしくは環状のＣ１〜Ｃ６−アルキル、または−ＣＨ２−フェニルである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記触媒系が、担体に担持された触媒を含む不均一系である、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記触媒系が、Ｐｄ／ＢａＳＯ４、Ｐｄ／ＣａＣＯ３、Ｐｄ／Ａｌ２Ｏ３、Ｐｄ／ＴｉＯ２、Ｐｄ／ＳｉＯ２、Ｐｄ／ＺｎＯ、およびＰｄ／Ｃからなる群から選択される、請求項８に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
（Ｒ１、Ｒ’２、Ｒ３、Ｒ’４、およびＲ５の定義における）線状、分枝状、および環状のＣ１〜Ｃ６−アルキル基はまた置換され得る。好適な置換基は、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ（好ましくは−ＯＣＨ３および−ＯＣＨ２ＣＨ３）、およびアリールである。１つまたは複数の線状、分枝状、および環状のＣ１〜Ｃ６−アルキル基が少なくとも１つの置換基で置換されている場合、置換基は、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ（好ましくは−ＯＣＨ３および−ＯＣＨ２ＣＨ３）、およびアリールからなる群から選択される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年12月20日(2013.12.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
有利には、金属クリップは約０．３〜０．６ｍｍの厚さと、４〜７ｍｍの幅とを有し、各固定ラグは０．２〜０．５ｍｍの厚さと３〜６ｍｍの幅とを有する。本発明の別の実施形態では、ピンチシールの端面と外被面との間に前記エッジが形成されている。前記エッジと前記内壁との間の半径方向の間隔は有利には１ｍｍ未満であり、該エッジと前記固定ラグの溶接部分との間の間隔は有利には１０〜２５ｍｍである。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランプベース（２）によって保持されるランプバルブ（４）を有する放電ランプであって、
ランプ長手軸（３４）を中心として相互にほぼ均等にずらされて配置された複数の金属製の固定ラグ（３０）が前記ランプベース（２）から突出しており、
前記複数の固定ラグ（３０）は、前記ランプバルブ（４）を囲んで固定的に把持する金属クリップ（２８）に溶接されており、
各固定ラグ（３０）は、保持部分（３６）と、該保持部分（３６）に繋がっている溶接部分（３８）とを有する、放電ランプにおいて、
前記金属クリップ（２８）と前記固定ラグ（３０）の溶接部分（３８）との間の接続平面（５３）における少なくとも１つの溶接部断面（５２）は少なくとも０．５ｍｍ２の面積を有し、
前記溶接部断面（５２）は、細長く形成されており、かつ、前記ランプ長手軸（３４）に対して実質的に短手方向に延在する、
ことを特徴とする、放電ランプ。
【請求項２】
少なくとも１つの保持部分（３６）は、少なくとも１つの切欠部（５８，６８，７０）を有しており、および／または、
前記ランプバルブ（４）がランプ長手軸（３４）に対して変位したときに、該ランプバルブ（４）のエッジ（１１２）が前記ランプベース（２）の内壁（９８）に当接して負荷が低減するように、該ランプベース（２）に部分的に挿入された、該ランプバルブ（４）のピンチシール（８４）と該ランプベース（２）の内壁（９８）との間隔が決定されている、
請求項１記載の放電ランプ。
【請求項３】
前記固定ラグ（３０）の保持部分（３６）の切欠部のうちいずれかは貫通孔（５８）として前記固定ラグ（３０）の長手方向側縁（５４，５６）の相互間に設けられており、
および／または、
前記固定ラグ（３０）の保持部分（３６）の切欠部のうちいずれかはノッチ（６８，７０）として、前記固定ラグ（３０）のいずれかの長手方向側縁（５４，５６）またはすべての長手方向側縁（５４，５６）に形成されている、
請求項２記載の放電ランプ。
【請求項４】
各固定ラグ（３０）の保持部分（３６）は、前記ランプ長手軸（３４）に向かって曲げられており、
前記固定ラグ（３０）の溶接部分（３８）は、前記ランプ長手軸（３４）の方向に、前記ランプベース（２）と反対方向に延在し、
各固定ラグ（３０）の長手方向側縁（５４，５６）はそれぞれ実質的に１つの平面内にあり、
前記各平面は相互に実質的に平行に延在し、かつ前記ランプ長手軸（３４）に対して実質的に平行に延在する、
請求項２または３記載の放電ランプ。
【請求項５】
前記貫通孔（５８）の形状は実質的に矩形であり、
前記貫通孔（５８）の内側長手方向側縁（６０）は前記固定ラグ（３０）の長手方向側縁（５４，５６）に対してほぼ平行に延在し、
前記貫通孔（５８）の内側長手方向側縁（６０）の長さは、該貫通孔（５８）の内側短手方向側縁（６２）の長さより大きく、
前記貫通孔（５８）は前記固定ラグ（３０）のほぼ中央に配置されている、
請求項４記載の放電ランプ。
【請求項６】
前記貫通孔（５８）は実質的に３角形であり、
前記貫通孔（５８）の内側短手方向側縁（６４）は前記固定ラグ（３０）の長手方向側縁（５４，５６）に対してほぼ短手方向に延在し、
前記貫通孔（５８）の１つの内側長手方向側縁（６６）と前記固定ラグ（３０）の隣接する長手方向側縁（５４，５６）とが当たる角度と、前記貫通孔（５８）の別の１つの内側長手方向側縁（６６）と前記固定ラグ（３０）の別の隣接する長手方向側縁（５４，５６）とが当たる角度とは実質的に等しく、
前記１つの内側長手方向側縁（６６）および前記別の１つの内側長手方向側縁（６６）はそれぞれ、前記内側短手方向側縁（６４）より大きい長さを有する、
請求項４記載の放電ランプ。
【請求項７】
前記３角形の貫通孔（５８）の内側短手方向側縁（６４）は、前記固定ラグ（３０）の保持部分（３６）と溶接部分（３８）との間の移行領域に隣接して配置されている、
請求項６記載の放電ランプ。
【請求項８】
１つの固定ラグ（３０）の両ノッチ（６８，７０）は相互にほぼ対称的である、請求項３または４記載の放電ランプ。
【請求項９】
各ノッチ（６８，７０）はそれぞれ、１つのノッチ長手方向側縁（７２）と、該ノッチ長手方向側縁（７２）に鈍角で当たるように設けられた２つの斜め側縁（７４）とを有する、請求項８記載の放電ランプ。
【請求項１０】
前記金属クリップ（２８）は約０．３〜０．６ｍｍの厚さと、４〜７ｍｍの幅とを有し、
各固定ラグ（３０）は０．２〜０．５ｍｍの厚さと３〜６ｍｍの幅とを有する、
請求項１から９までのいずれか１項記載の放電ランプ。
【請求項１１】
前記エッジ（１１２）は、前記ピンチシール（８４）の端面（１１０）と外被面（１１４）との間に形成されており、
前記エッジ（１１２）と前記内壁（９８）とは、１ｍｍ未満の半径方向の間隔（ｂ）で離隔されている、
請求項１から１０までのいずれか１項記載の放電ランプ。
【請求項１２】
前記エッジ（１１２）と前記固定ラグ（３０）の溶接部分（３８）との間の間隔（ａ）は１０〜２５ｍｍである、
請求項１から１１までのいずれか１項記載の放電ランプ。
【請求項１３】
請求項１から１２までのいずれか１項記載の放電ランプの製造方法であって、
各固定ラグ（３０）の溶接部分（３８）をレーザ溶接によって前記金属クリップ（２８）に結合することを特徴とする
製造方法。
【請求項１４】
前記レーザ溶接を、単一パルス溶接法、スポットシーム溶接法、ラインシーム溶接法、線状焦点による溶接法、または、複焦点光学系またはツインスポット光学系を用いる溶接法によって行う、
請求項１３記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月3日(2014.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザスキャナ（１０）として設計される、周囲を光学的に走査および測定する装置であって、走査に対して前記レーザスキャナ（１０）の静止基準系を規定する中心（Ｃ10）およびこの走査の中心（Ｃi）と、基部（１４）と、前記基部（１４）に対して回転可能である測定ヘッド（１２）と、前記測定ヘッド（１２）に備わり発光ビーム（１８）を放射する発光器（１７）と、前記レーザスキャナ（１０）の周囲で物体（Ｏ）によって反射され、または他の形で散乱された受光ビーム（２０）を受け取る、前記測定ヘッド（１２）に備わる受光器（２１）と、前記走査の多数の測定点（Ｘ）に対して、少なくとも前記中心（Ｃi）と前記物体（Ｏ）の間の距離（ｄ）を判定する制御および評価ユニット（２２）とを有し、いくつかの異なる中心（Ｃ1、Ｃ2、．．．）にて走査を行い、周辺空間を測定する前記レーザスキャナ（１０）全体が、前記異なる中心（Ｃ1、Ｃ2、．．．）間を動くことができ、前記異なる中心（Ｃ1、Ｃ2）間で前記レーザスキャナ（１０）全体がたどる経路を記録するための光学測定デバイスを備え、前記光学測定デバイスは、オプティカルフローの判定により、基準表面（Ｇ）に対する前記レーザスキャナ（１０）全体の動きを記録し、前記光学測定デバイスは、前記基部（１４）、前記測定ヘッド（１２）、またはキャリッジ（３２）上に取り付けられ、前記キャリッジ（３２）上に取り付けられた前記レーザスキャナ（１０）は、その全体が前記基準表面（Ｇ）に対して前記異なる中心（Ｃ1、Ｃ2、．．）間で動くことができることを特徴とする装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、前記光学測定デバイスが、前記基準表面（Ｇ）へ向けられた少なくとも１つの光学素子（３６）を備えることを特徴とする装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の装置であって、前記光学測定デバイスが、前記基準表面（Ｇ）に当接することを特徴とする装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の装置であって、前記光学測定デバイスが、前記走査中または前記走査後に、ケーブル（３３）およびインターフェース（３４）を用いて、または無線を介して、前記制御および評価ユニット（２２）にまたは外部の評価ユニットに接続されることを特徴とする装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の装置であって、周辺空間全体が記録された後、前記光学測定デバイスまたは前記光学測定デバイスのデータメモリが、前記制御および評価ユニット（２２）にまたは外部の評価ユニットに接続されることを特徴とする装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の装置であって、前記光学測定デバイスが、規則的な間隔で、前記基準表面（Ｇ）からのデータを検出するセンサ（３０ｂ）と、前記検出されたデータを互いに比較し、差分によって、具体的には前記オプティカルフローを判定することによって、前記基準表面（Ｇ）に対する前記光学測定デバイス（３０）の動きを演算する演算ユニット（３０ｃ）とを備えることを特徴とする装置。
【請求項７】
請求項６に記載の装置であって、前記光学測定デバイスが、前記基準表面（Ｇ）上へ光を放射する光源（３０ａ）、例えばＬＥＤまたはレーザを備え、前記センサ（３０ｂ）が、前記照射された基準表面（Ｇ）の像を取り込むことを特徴とする装置。
【請求項８】
請求項７に記載の装置であって、前記光源（３０ａ）、前記センサ（３０ｂ）、および前記演算ユニット（３０ｃ）が、共通のプリント基板上に取り付けられ、または共通のモジュール内に組み込まれることを特徴とする装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の装置であって、前記レーザスキャナ（１０）にさらなる測定デバイスが配置され、前記測定デバイスのデータが、前記レーザスキャナ（１０）のデータとともにつなぎ合わされ、また必要な場合、事前に前記光学測定デバイスのデータとともにつなぎ合わされ、評価されることを特徴とする装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の装置を使用して、周辺空間を光学的に走査および測定する方法であって、前記周辺空間が、測定点（Ｘ）の範囲内で部分的に重複している異なる走査を用いて測定され、また前記レーザスキャナ（１０）が、特定の中心（Ｃi）を有する各走査に対して特定の位置へ動かされ、前記光学測定デバイスが、前記異なる中心（Ｃ1、Ｃ2、．．）間で前記レーザスキャナ（１０）がたどる経路を記録するために用いられることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月14日(2014.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステンレス鋼、ニッケル合金、コバルト合金、チタン系材料、またはこれらの組み合わせからなる製品を、表面硬化する方法であって、
−第１の加熱ゾーンを第２の加熱ゾーンの下流に備えた加熱装置であって、この加熱装置全体にガスを通過させるための、ガス導入口とガス排出口とを有する加熱装置を設け、
−前記加熱装置の前記第１の加熱ゾーン内で、１８５〜５００℃の第１の温度に前記製品を加熱し、
−前記加熱装置の前記第２の加熱ゾーン内で、窒素および炭素を含有し、一重、二重または三重結合の炭素−窒素結合を有する化合物であって、２５℃の温度および１ｂａｒの圧力で液体または固体である少なくとも１つの化合物（以下、Ｎ/Ｃ化合物という）を、前記第１の温度未満で、かつ１３５〜４５０℃の第２の温度に加熱して１種または複数種のガス種を生成させ、
−前記製品に対して非酸化的なキャリアガスのガス流を用いて、前記製品を前記ガス種と接触させることにより、前記製品を活性化し、
−前記ガス種の存在下、前記加熱装置内で、前記第１の温度以上５００℃以下の温度である、浸炭温度、窒化温度または炭窒化温度に前記製品を加熱する工程を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
ステンレス鋼、ニッケル合金、コバルト合金、チタン系材料、またはそれらの組み合わせからなる製品を表面硬化する方法であって、
−ドーザーを備えた加熱装置を設け、
−前記加熱装置内で、１８５〜５００℃の第１の温度に製品を加熱し、
−窒素および炭素を含有し、一重、二重または三重結合の炭素−窒素結合を有する化合物であって、２５℃の温度および１ｂａｒの圧力で液体または固体である少なくとも１つの化合物（以下、Ｎ/Ｃ化合物という）を、前記ドーザーによって前記加熱装置内に導入し、
−前記Ｎ／Ｃ化合物が蒸発して、ガス種を生成しうるようにし、かつ前記ガス種を、製品と接触させて製品を活性化しうるようし、
−前記ガス種の存在下、前記加熱装置内で、少なくとも前記第１の温度以上５００℃以下の温度である、浸炭温度、窒化温度または炭窒化温度に前記製品を加熱する工程を有することを特徴とする方法。
【請求項３】
前記Ｎ／Ｃ化合物は、前記製品に対して非酸化的なキャリアガスによって、前記加熱装置内へ導入されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記Ｎ／Ｃ化合物は、連続的にまたは非連続的に、前記加熱装置内へ導入されることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記Ｎ／Ｃ化合物は、液体であることを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の温度は、３５０〜５００℃であることを特徴とする請求項２〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の温度と、前記第２の温度との差は、少なくとも５０℃であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記Ｎ／Ｃ化合物は、アミドであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記Ｎ／Ｃ化合物は、尿素、アセトアミド、およびホルムアミドのいずれかから選択されることを特徴とする請求項１〜４および６〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記Ｎ／Ｃ化合物は、尿素であることを特徴とする請求項１〜４および６〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の温度は、２５０〜３５０℃であることを特徴とする請求項１、７〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２の温度は、２５０℃未満である特徴とする請求項１、７〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記第２の温度は、１３５〜１７０℃であることを特徴とする請求項１、７〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記製品は、少なくとも１時間前記ガス種と接触することを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
活性化と、後続する浸炭、窒化または炭窒化とのいずれもに、同一のＮ／Ｃ化合物を使用することを特徴とする、請求項１〜１４のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月21日(2014.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリエーテルの存在下で凍結保存細胞を解凍することを含む凍結保存細胞の生存率を向上させる方法であって、ポリエーテルが、ポリエチレングリコールおよびポリプロピレングリコールのトリブロックコポリマーである、前記方法。
【請求項２】
ポリエーテルがポロキサマーＰ１８８、ポロキサマーＰ１０８またはメロキサポールである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ポリエーテルが少なくとも９５％純度である、ポリエーテルが少なくとも９９％純度である、またはポリエーテルが少なくとも９９％純度である、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
ポリエーテルの分子量が約１，０００ｇ／ｍｏｌ〜約１０，０００ｇ／ｍｏｌの範囲である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
ポリエーテルの濃度が約１ｍｇ／ｍｌ〜約１０ｍｇ／ｍｌの範囲である、またはポリエーテルの濃度が約１０ｍｇ／ｍｌ〜約２０ｍｇ／ｍｌの範囲である、またはポリエーテルの濃度が約２０ｍｇ／ｍｌ〜約５０ｍｇ／ｍｌの範囲である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
凍結保存細胞が約１ｍｌ以下の容積を占める組成物中に存在する、凍結保存細胞が約１ｍｌ〜約１００ｍｌの容積を占める組成物中に存在する、凍結保存細胞が約１００ｍｌ〜約５００ｍｌの容積を占める組成物中に存在する、または凍結保存細胞が約５００ｍｌ〜約１Ｌの容積を占める組成物中に存在する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
解凍工程が、約−２０５℃〜約−１９５℃の範囲の温度の貯蔵庫から凍結保存細胞を獲得することを含む、解凍工程が、約−８０℃〜約−６０℃の範囲の温度の貯蔵庫から凍結保存細胞を獲得することを含む、解凍工程が、約０℃未満の温度で貯蔵庫から凍結保存細胞を獲得することを含む、解凍工程が、凍結保存細胞を約１５℃〜約４０℃の範囲の温度で培養することを含む、または解凍工程が、凍結保存細胞を約３０℃〜約４５℃の範囲の温度で培養することを含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
細胞を洗浄することをさらに含む、好ましくは洗浄工程が１〜５回繰り返される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、グリセロール、プロピレン、グリコール、トレハロース、デキストロース、スクロース、グルコース、マルトースおよび血清からなる群から選択される１つまたは２つ以上の剤の存在下で細胞が凍結保存される、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
凍結保存細胞が、臍帯血細胞、幹細胞、胚幹細胞、成人幹細胞、前駆細胞、自己細胞、同種移植細胞、異種移植細胞，および遺伝子操作された細胞からなる群から選択される、凍結保存細胞が、結合、神経、筋肉、および上皮からなる群から選択される組織の細胞である、好ましくは結合組織が脂肪組織である、凍結保存細胞が、間葉、外胚葉、または内胚葉起源の細胞である、または凍結保存細胞が、リンパ細胞、Ｂ細胞、Ｔ細胞、細胞傷害性Ｔ細胞、ナチュラルキラーＴ細胞、制御性Ｔ細胞、ヘルパーＴ細胞、骨髄細胞、顆粒球、好塩基球、好酸球、好中球、過分葉好中球、単球、マクロファージ、網状赤血球、血小板（platelet）、マスト細胞、血小板（thrombocytes）、巨核球、樹状細胞、甲状腺細胞、甲状腺上皮細胞、傍濾胞細胞、副甲状腺細胞、副甲状腺主細胞、好酸性細胞、副腎細胞、クロム親和性細胞、松果体細胞、松果体細胞（pinealocytes）、膠細胞、膠芽細胞、星状細胞、乏突起膠細胞、小膠細胞、巨細胞性神経分泌細胞、星細胞、ベッチャー細胞；脳下垂体細胞、ゴナドトロピン産生細胞、副腎皮質刺激因子、甲状腺刺激ホルモン産生細胞、成長ホルモン産生細胞、乳腺刺激ホルモン分泌細胞、肺胞上皮細胞、Ｉ型肺胞上皮細胞、ＩＩ型肺胞上皮細胞、クララ細胞；杯状細胞、肺胞マクロファージ、心筋細胞、周皮細胞、胃細胞、胃主細胞、壁細胞、杯状細胞、パネート細胞、Ｇ細胞、Ｄ細胞、ＥＣＬ細胞、Ｉ細胞、Ｋ細胞、Ｓ細胞、腸内分泌細胞、腸クロマフィン細胞、ＡＰＵＤ細胞、肝臓細胞、肝細胞、クッパー細胞、骨細胞（bone cells）、骨芽細胞、骨細胞（osteocytes）、破骨細胞、象牙芽細胞、セメント芽細胞、エナメル芽細胞、軟骨細胞（cartilage cells）、軟骨芽細胞、軟骨細胞（chondrocytes）、皮膚細胞、毛細胞、毛胞、ケラチノサイト、メラノサイト、母斑細胞母斑、筋肉細胞、筋細胞、筋芽細胞、筋管、含脂肪細胞、線維芽細胞、腱細胞、足細胞、糸球体近接細胞、糸球体内メサンギウム細胞、糸球体外メサンギウム細胞、腎細胞、腎細胞、緻密斑細胞、精子、セルトリ細胞、ライディッヒ細胞、卵母細胞、およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
凍結保存細胞の容器にポリエーテルまたはポリエーテルの溶液を添加することをさらに含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
細胞を凍結保存することをさらに含む、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
凍結保護剤の存在下で細胞を凍結することをさらに含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
細胞を洗浄する工程をさらに含む、好ましくは洗浄工程が１〜５回繰り返される、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
細胞を対象（但し、ヒトを除く）に移植する工程をさらに含む、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年8月12日(2014.8.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項４】
表面変性二酸化ケイ素は、ｎD２０＝１．４０００〜１．５０００の屈折率を有しており、前記変性された表面変性二酸化ケイ素５質量％を含有するＵＶ塗料の透過率を、ポリエチレンワックスで処理された参照の二酸化ケイ素５質量％を含有する同じ塗料と比べて少なくとも２０％改善するものである、請求項１から３までのいずれか１項に記載のＵＶ塗料。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
多重結合を有するオルガノポリシロキサンでの被覆により二酸化ケイ素は、１．４０００〜１．５０００の範囲内の屈折率を有し、本発明による二酸化ケイ素が組み込まれているＵＶ塗料が著しい透過性を示すように変性出来ることが見出された。艶消し剤としてＰＥワックスで被覆された慣習的なケイ酸を有し、かつ１４０００〜１５０００の範囲内の屈折率を有するＵＶ塗料と比べて、本発明によるケイ酸を艶消し剤として含有する同じ塗料は、液体の形でも著しく改善された透過性を示し、その際、沈降特性が卓越している。慣習的な艶消し剤で艶消しされた透明塗料は液体の形では一般に曇るのに対して、本発明による沈降ケイ酸で艶消しされた透明塗料は、液体の形でも十分にクリアかつ透明である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
本発明により使用される表面変性二酸化ケイ素は、特殊な実施態様において、ｎD２０＝１．４０００〜１．５０００の屈折率を有し、かつ該変性二酸化ケイ素の５質量％を含有するするＵＶ硬化性透明塗料の透過率が、ポリエチレンワックスで処理された参照の二酸化ケイ素５質量％を含有する同じＵＶ塗料と比べて、少なくとも２０％だけ改善されることに特に特徴付けられる。透過率は少なくとも２５質量％、特に３０質量％だけ改善されるのが有利である。ポリエチレンワックスで処理された参照の二酸化ケイ素は、有利にはEvonik Degussa社の商品であるACEMATT OK 607（12/02の製品情報によるスペックを有する）であり、これを本発明の記載内容に明白に取り入れることとする。参照の二酸化ケイ素として、同じ非処理の二酸化ケイ素を有し、かつポリエチレンで被覆された二酸化ケイ素を使用することもできる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６５】
特殊な１実施態様では、オルガノポリシロキサンの量と種類は、変性二酸化ケイ素が、ｎD２０＝１．４０００〜１．５０００の範囲内の屈折率を有し、かつ該変性二酸化ケイ素を５質量％含有するＵＶ透明塗料の透過率を、ポリエチレンワックスで処理された参照の二酸化ケイ素５質量％を含有する同じ塗料と比べて少なくとも２０％だけ改善するように選択される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７８】
このために、屈折率ｎD２０＝１．４０００〜１．５０００を有するＵＶ塗料を予め装入し、かつそれぞれ艶消し剤（表面変性二酸化ケイ素）２．５ｇを挿入した。この場合に室温でパドル撹拌機を用いて２０００回転／分で１０分間艶消し剤をＵＶ塗料５０ｇ中に分散させた。分散は１８０mlＰＥミキサー中、室温で行った。撹拌機のパドル直径は４３ｍｍであった。引き続き、新たに用意した分散液を１ｃｍ石英セル内に満たし、かつ１９０〜１１００ｎｍの間の透過率でUV／Visスペクトルを記録した。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年6月23日(2014.6.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
本目的は、低圧供給ラインによって高圧圧送システムに接続された低圧圧送システムを備えた航空エンジンのための燃料供給回路であって、高圧圧送システムが、高圧の燃料を燃料噴射装置およびエンジンの可変形状部材を作動させるための作動装置に送出するために、エンジンによって同時に駆動される第１および第２の容積型ポンプを有する、燃料供給回路において、
第１のポンプの出口に接続された供給オリフィスと、第２のポンプの出口に接続された高圧の送出オリフィスと、燃料戻り管によって低圧供給ラインに接続された低圧の送出オリフィスとを有する油圧作動装置であって、供給オリフィスが、作動装置の摺動体の位置に応じて高圧送出オリフィスまたは低圧送出オリフィスに接続されることが可能である、油圧作動装置と、
シリンダ内で摺動することができ、シリンダの内側容積を、シリンダの端部に位置し、サーボ弁に接続された２つの制御室と、支承面の間に位置する２つの通過セクションとに細分する３つの支承面を担持する摺動体を有し、通過セクションの１つが、高圧圧送システムの出口に接続され、燃焼室の燃料噴射装置に通じており、他方の通過セクションが、高圧圧送システムの出口に接続され、油圧作動装置の高圧パイロット室に通じている、燃料計測ユニットとをさらに備え、作動装置がまた、燃料戻り管に接続された低圧パイロット室も有し、作動装置の摺導体の移動を制御するために、作動装置のパイロット室内にかけられた圧力が互いに対抗することを特徴とする、燃料供給回路によって達成される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低圧供給ライン（２０）によって高圧圧送システム（１８）に接続された低圧圧送システム（１２）を備えた航空エンジンのための燃料供給回路（１０）であって、高圧圧送システムが、高圧の燃料を燃焼室の燃料噴射装置（２４）およびエンジンの可変形状部材を作動させるための作動装置（２８）に送出するために、エンジンによって同時に駆動される第１および第２の容積型ポンプ（１８ａ、１８ｂ）を有する、燃料供給回路において、
第１のポンプ（１８ａ）の出口（４０ａ）に接続された供給オリフィス（ＯＡ）と、第２のポンプ（１８ｂ）の出口（４０ｂ）に接続された高圧の送出オリフィス（Ｕ１）と、燃料戻り管（４２）によって低圧供給ラインに接続された低圧の送出オリフィス（Ｕ２）とを有する油圧作動装置（２００）であって、供給オリフィスが、作動装置の摺動体（２０２）の位置に応じて高圧送出オリフィスまたは低圧送出オリフィスに接続されることが可能である、油圧作動装置（２００）と、
シリンダ内で摺動することができ、シリンダの内側容積を、シリンダの端部に位置し、サーボ弁（３４）に接続された２つの制御室（１１０、１１２）と、支承面の間に位置する２つの通過セクション（１１４、１１６）とに細分する３つの支承面（１０４、１０６、１０８）を担持する摺動体（１０２）を有し、通過セクションの１つ（１１４）が、高圧圧送システムの出口に接続され、燃焼室の燃料噴射装置に通じており、他方の通過セクション（１１６）が、高圧圧送システムからの出口に接続され、油圧作動装置の高圧パイロット室（Ｐ１）に通じている、燃料計測ユニット（１００）とをさらに備え、作動装置がまた、燃料戻り管に接続された低圧パイロット室（Ｐ２）も有し、作動装置の摺導体の移動を制御するために、作動装置のパイロット室内にかけられた圧力が互いに対抗することを特徴とする、回路（１０）。
【請求項２】
油圧作動装置（２００）の高圧パイロット室（Ｐ１）が、低圧圧送システムの上流側の燃料供給回路に接続され、中にばね（２０６）が配置された中間パイロット室（Ｐ３）と連通することを特徴とする、請求項１に記載の回路。
【請求項３】
高圧圧送システムの出口を低圧供給ライン（２０）に接続する燃料戻りライン（３０）と、燃料戻りライン上に配置された調節弁（３２）とをさらに含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の回路。
【請求項４】
逆止弁（５０）が、油圧作動装置（２００）の高圧の送出オリフィス（Ｕ１）と第２のポンプ（１８ｂ）の出口（４０ｂ）との間に配置されることを特徴とする、請求項１から３までのいずれか一項に記載の回路。
【請求項５】
第１のポンプ（１８ａ）が、第２のポンプ（１８ｂ）のものより大きい圧送容量を有することを特徴とする、請求項１から４までのいずれか一項に記載の回路。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか一項に記載の燃料供給回路（１０）を含む航空エンジン。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年4月14日(2014.4.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
滅菌システムであって、
液体滅菌剤源と、
気化した滅菌剤を異なるように調整可能な速度でキャリアガス中に独立に注入する複数の蒸発器と、を備え、
それぞれの前記蒸発器は、同時に、可変に、かつ独立に前記蒸発器への滅菌剤の注入速度を制御する個別の液体滅菌剤制御器を含み、
前記滅菌システムはさらに、
それぞれの前記蒸発器から、滅菌されるエンクロージャの別々の領域へと前記滅菌剤の蒸気を移送する、少なくとも１つの供給ラインと、
相互接続された制御器のネットワークと、を備え、
前記制御器のネットワークは、複数の制御部を備え、
前記複数の制御部のそれぞれは、選択された濃度の滅菌剤の蒸気を前記領域のそれぞれへと提供するように、関連付けられた蒸発器が気化した滅菌剤を注入する速度を独立に調整するように前記関連付けられた蒸発器を制御し、
前記複数の制御部は互いに続けて接続されており、
前記複数の制御部のうちの１つである主制御部は、前記滅菌剤の蒸気の注入を全体として調整するように、前記ネットワークを介して前記複数の制御部を制御するように構成されており、
前記複数の制御部のうちの任意の１つが、前記複数の制御部のすべてに対する前記主制御部となることができ、
前記エンクロージャの前記別々の領域のそれぞれにおける状況を検知する複数の監視器をさらに備え、
前記相互接続された制御器の前記ネットワークは、複数の前記別々の領域において前記検知された複数の状況に応じて、前記蒸発器のそれぞれが前記キャリアガスへと気化した滅菌剤を注入する速度を制御する
ことを特徴とする滅菌システム。
【請求項２】
前記検知される状況は、温度、圧力、相対湿度、気流速度、滅菌剤濃度、及びこれらの組み合わせから選択されることを特徴とする、請求項１に記載の滅菌システム。
【請求項３】
前記滅菌剤は過酸化水素を含むことを特徴とする、請求項１又は２に記載の滅菌システム。
【請求項４】
前記滅菌剤は気化過酸化水素及びアンモニアを含むことを特徴とする、請求項３に記載の滅菌システム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
滅菌システムの一実施形態によれば、滅菌システムは前記エンクロージャの前記別々の領域のそれぞれにおける状況を検知する複数の監視器をさらに備え、前記相互接続された制御器の前記ネットワークは、複数の前記別々の領域において前記検出された複数の状況に応じて、前記蒸発器のそれぞれが前記キャリアガスへと気化した滅菌剤を注入する速度を制御する。前記検出される状況は、温度、圧力、相対湿度、気流速度、滅菌剤濃度、及びこれらの組み合わせから選択されてもよい。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年4月21日(2014.4.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
本願発明は、キャリア層を取り除こうとした場合に、貼り付けされたフィルムを持ち上げてしまう危険性を除外するならば、フィルム被覆材のキャリア層に固定され、キャリア層の縁部から、キャリア層の上方内向きに延在するグリップタブが、この縁部に沿って正確に固定されていなければならないという見識に基づいて構築されている。しかしながらストリップ状の材料を、その外側縁部がキャリア層の縁部と一致するように適用すること、これはストリップの一部がこの縁部の外側に延在していない場合に必要とされるものであり、高い精度を必要とする。同様に、キャリア層の縁部に沿うシームを提供することは、非常に難しい。このように高い正確性の要求することにより、生産速度が遅くなり、そしてフィルム被覆材の製造に高度な装置が必要とされる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルム被覆材ウェブ（３，３’）の剥離可能なキャリア層（６，６’）の２つの対向する縁部のうちの少なくとも１つにグリップタブ（１，２，１’，２’）を取り付ける方法であって、
前記フィルム被覆材ウェブ（３，３’）は、接着剤（５，５’）で被覆された第１の側にフィルム層（４，４’）と、前記第１の側の反対側であるその第２の側に、前記フィルム層（４，４’）に剥離可能に取り付けられたキャリア層（６，６’）と、を含み、
前記フィルム層（４，４’）及び前記キャリア層（６，６’）が、同一の寸法を有する、方法において、
熱溶着の観点から前記フィルム層（４，４’）と不適合である前記キャリア層（６，６’）のための材料を選択するステップと、
流れ方向において、前記フィルム被覆材ウェブ（３，３’）を供給するステップと、
前記流れ方向に対して平行に延在している前記フィルム被覆材ウェブ（３，３’）の前記対向する側部のうちの少なくとも１つの縁部分の少なくとも一部に沿って、熱溶着の観点から前記キャリア層（６，６’）と適合である材料のストリップ（１，２，１’，２’）を適用するステップと、
前記キャリア層（６，６’）に前記少なくとも１つのストリップ（１，２，１’，２’）を固定し、前記フィルム被覆材ウェブに適用された前記少なくとも１つのストリップとともに、前記フィルム被覆材ウェブを超音波溶着装置（８〜１０；８’〜１０’）に通過させることによって、前記フィルム被覆材ウェブに適用された前記少なくとも１つのストリップ（１，２，１’，２’）とともに、前記フィルム被覆材ウェブ（３，３’）の最外側部分を同時に切り取るステップと、を備える、方法。
【請求項２】
前記材料のストリップ（１，２，１’，２’）の少なくとも１つは、連続的であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
熱可塑性材料の剥離層（７，７’）は、前記材料のストリップ（１，２，１’，２’）を前記キャリア層（６，６’）に適用するステップの前に、前記フィルム層（４，４’）上に前記接着剤被覆（５，５’）に取り付けられることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記フィルム被覆材ウェブ（３’）の前記対向する側部のうちの少なくとも１つの少なくとも縁部分に沿って適用された前記ストリップ（１’，２’）を適用するのと同時に、熱溶着の観点から前記キャリア層（６’）と不適合である材料の１つ又は複数のストリップ（１２）が、前記流れ方向に対して平行に延在している前記キャリア層（６’）の２つの対向する縁部の間に適用され、
前記フィルム被覆材ウェブの前記対向する側部のうちの少なくとも１つの少なくとも縁部分に沿って適用された前記ストリップ（１’，２’）を固定するのと同時に、前記キャリア層（６’）の前記２つの対向する縁部の間に適用された前記ストリップは、前記キャリア層（６’）に固定され、
前記ストリップ（１２）を固定するのと同時に、前記フィルム被覆材ウェブ（３’）は、前記フィルム被覆材ウェブに適用された前記ストリップ（１２）とともに、前記フィルム被覆材ウェブ（３’）を超音波溶着装置（８’〜１０’）に通過させることによって切断され、前記キャリア層（６’）の前記２つの対向する縁部の間に適用された前記ストリップ（１２）のそれぞれにおける切断ラインは、前記流れ方向に対して平行である前記ストリップ（１２）の２つの対向する縁部の間に位置することを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
接着剤（５）で被覆された第１の側にフィルム層（４）と、
前記第１の側に対して反対側であるその第２の側に、前記フィルム層（４）に剥離可能に取り付けられたキャリア層（６）と、
前記接着剤被覆に剥離可能に取り付けられた剥離層（７）と、を含んでおり、
前記フィルム層、前記キャリア層、及び前記剥離層が、同一の寸法を有するフィルム被覆材であって、
グリップタブ（１，２）が、前記フィルム被覆材ウェブの第１の縁部から前記キャリア層（６）の上方内向きに延在しており、且つシーム（ＷＳ）であって、その最外側部分が前記第１の縁部と一致しているシーム（ＷＳ）によって、前記キャリア層（６）に固定されることを特徴とするフィルム被覆材。
【請求項６】
グリップタブ（１，２）が同様に、前記第１の縁部に対して反対側の前記フィルム被覆材ウェブの第２の縁部から前記キャリア層（６）の上方内向きに延在しており、且つ、前記第２の縁部と一致するその最外側部分を有するシーム（ＷＳ）によって、前記キャリア層に固定されることを特徴とする請求項５に記載のフィルム被覆材。
【請求項７】
各グリップタブ（１，２）は、前記キャリア層と同一の材料から製造されることを特徴とする請求項５又は６に記載のフィルム被覆材。
【請求項８】
前記キャリア層（６）は、ポリプロピレンから製造され、
前記フィルム層（４）は、ポリウレタンから製造されることを特徴とする請求項５〜７のいずれか一項に記載のフィルム被覆材。
【請求項９】
前記接着剤被覆（５）は、シリコンゲル接着剤からなり、
前記剥離層（７）は、ポリエチレンからなることを特徴とする請求項５〜８のいずれか一項に記載のフィルム被覆材。
【請求項１０】
前記シーム（ＷＳ）の幅が１ｍｍ未満であることを特徴とする請求項５〜９のいずれか一項に記載のフィルム被覆材。
【請求項１１】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法により製造される、請求項５〜１０のいずれか一項に記載のフィルム被覆材。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年8月26日(2014.8.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
菓子製品におけるイヌリンを基礎とするポリマーとエリトリトールとの比は、１／９９〜１５／８５、好ましくは１／９９〜１０／９０、より好ましくは２／９８〜８／９２、さらに好ましくは２．５／９７．５〜７／９３であり、エリトリトールは、菓子製品の乾燥重量を基準として少なくとも８５％、好ましくは９０％で存在する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年11月4日(2014.11.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
特に好ましい実施態様において、ねじ係合はセルフロック式である。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
第一及び第二の部材におけるねじ山のピッチは、ねじ係合がセルフロック式となるように選択し得る。これは、ピッチが小さく、そして係合ねじの間の動摩擦のために、軸方向の変位が回転運動を提供することができないことを意味する。セルフロック式のねじ係合の故に、第一の部材を第二の部材と近位端で固定することは必要ではない。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薬物送達デバイス（１０）内でカートリッジ栓（４４）を前進させるためのピストンロッドを形成するアセンブリであって、第一の部材（２０）及び第二の部材（２２）を含んでなり、ここで、第一の状態において、第一（２０）及び第二の部材（２２）は、ピストンロッドの長さを調整するために、互いに対して可動であり、そして、第二の状態において、第一の部材（２０）は、ピストンロッドの固定長さを規定するために、第二の部材（２２）に対して適切な位置にロックされ、アセンブリの第二の状態において、流体医薬品の用量を設定し、投与することができる、上記アセンブリ。
【請求項２】
第一の部材（２０）と調整部材（２４）の間の相対的軸運動が可能にされ、そして互いに対する回転運動が阻止されるように、第一の状態において、第一の部材（２０）は調整部材（２４）に連結される、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
アセンブリは、第一の部材（２０）と第二の部材（２２）の間のねじ係合を含む、請求項１又は２に記載のアセンブリ。
【請求項４】
ねじ係合がセルフロック式である、請求項３に記載のアセンブリ。
【請求項５】
第一の部材（２０）が少なくとも部分的に第二の部材（２２）内に配置される、請求項１〜４のいずれか１項に記載のアセンブリ。
【請求項６】
調整部材（２４）は、第二の部材（２２）に対する調整部材（２４）の回転運動が第二の部材（２２）に対して第一の部材（２０）を前進させるように配置される、請求項２〜５のいずれか１項に記載のアセンブリ。
【請求項７】
第一の部材（２０）は、第二の部材（２２）に対して前進している間に組立てられたカートリッジ栓（４４）と隣接するように構成されたパッド（２６）を含む、請求項６に記載のアセンブリ。
【請求項８】
アセンブリは、栓（４４）へのパッド（２６）の隣接を検出し、そして第一の部材（２０）の動きを停止させる手段を含む、請求項７に記載のアセンブリ。
【請求項９】
アセンブリの第二の状態において、第一の部材（２０）及び第二の部材（２２）は、流体医薬品を投与するために組立てられたカートリッジ（４２）内にカートリッジ栓（４４）を動かすのに適している、請求項１〜８のいずれか１項に記載のアセンブリ。
【請求項１０】
調整部材（２４）がアセンブリの近位端に位置する、請求項２〜９のいずれか１項に記載のアセンブリ。
【請求項１１】
アセンブリの第二の状態において、調整部材（２４）が、第二の部材（２２）に対して回転及び軸運動を阻止するために、第二の部材（２２）でロックされる、請求項２〜１０のいずれか１項に記載のアセンブリ。
【請求項１２】
アセンブリの第二の状態において、調整部材（２４）は、調整部材（２４）と第一の部材（２０）間の相対的回転及び軸変位が阻止されるように、第一の部材（２０）に連結される、請求項２〜１０のいずれか１項に記載のアセンブリ。
【請求項１３】
本体（１６）、ピストンロッド、及び薬剤カートリッジ（４２）が取り付けられるカートリッジホルダ（４０）を含み、薬剤カートリッジ（４２）が、カートリッジ栓（４４）を含む、薬物送達デバイス（１０）を組み立てる方法であって：第一の部材（２０）の遠位端に位置するパッド（２６）が薬剤カートリッジ（４２）のカートリッジ栓（４４）に隣接するまで、第二の部材（２２）に対してパッド（２６）を動かすための調整部材（２４）の移動工程；及び、第一の部材（２０）と第二の部材（２２）間の動きが阻止され、それによりピストンロッドが形成されるように第一の部材（２０）と第二の部材（２２）とを連結させる工程；を含む、上記方法。
【請求項１４】
第一の部材（２０）の前進運動は、パッド（２６）がカートリッジ栓（４４）と隣接するとき、停止する、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月24日(2014.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板１２の上面上に位置する少なくとも１つのゲート・スタックと、
前記少なくとも１つのゲート・スタックの対向側に存在する１対のくぼみ領域の実質的に内部で前記少なくとも１つのゲート・スタックの設置場所に位置する第１のエピタキシ半導体材料であって、前記少なくとも１つのゲート・スタックのチャネル上にひずみを誘発する、第１のエピタキシ半導体材料と、
前記くぼみ領域の各々において前記第１のエピタキシ半導体材料の上面内に位置する拡散拡張領域と、
前記拡散拡張領域の上面上に位置する第２のエピタキシ半導体材料であって、前記第１のエピタキシ半導体材料よりも高いドーパント濃度を有する、第２のエピタキシ半導体材料と、
を含む、半導体構造。
【請求項２】
前記１対のくぼみ領域が、前記半導体基板の台座によって相互に分離されている、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項３】
前記台座が実質的に直線状の側壁を有する、請求項２に記載の半導体構造。
【請求項４】
前記台座が砂時計の形状を有する、請求項２に記載の半導体構造。
【請求項５】
前記第１のエピタキシ半導体材料が、ドーピングされていないか、または５ｘ１０１８原子／ｃｍ３未満のドーパント濃度を有する、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項６】
前記第２のエピタキシ半導体材料が１ｘ１０１９原子／ｃｍ３より大きいドーパント濃度を有する、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項７】
前記第１のエピタキシ半導体材料がＳｉＧｅを含む、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項８】
前記第１のエピタキシ半導体材料がＳｉ：Ｃを含む、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項９】
前記半導体基板内に位置するハロー注入領域を更に含み、前記ハロー領域が前記拡散拡張領域および前記第１のエピタキシ半導体材料に接触している、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項１０】
前記第２のエピタキシ半導体材料の少なくとも上面上に位置する金属半導体合金を更に含む、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項１１】
前記半導体基板の表面上に位置する基部を有し、
前記少なくとも１つのゲート・スタックの側壁と接触する側方縁部を有する第１のスペーサと、前記第２のエピタキシ半導体材料の上面上に位置する基部を有し、前記第１のスペーサの側壁と接触する側方縁部を有する第２のスペーサと、を更に含む、請求項１に記載の半 導体構造。
【請求項１２】
深部のイオン注入ソース領域も深部のイオン注入ドレイン領域も存在しない、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項１３】
前記第１のエピタキシ半導体材料の上面が、前記半導体基板の前記上面と同一平面であるか、または前記上面よりも上に延出する、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項１４】
前記第１のエピタキシ半導体材料の上面が前記半導体基板の前記上面の下に位置する、請求項１に記載の半導体構造。