【手続補正書】
【提出日】平成26年5月2日(2014.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
重畳関係にある２つの電極と、
少なくとも一つのドナー材料と、
少なくとも一つのアクセプタ材料と
を有し、
前記少なくとも一つのドナー材料および前記少なくとも一つのアクセプタ材料は、前記２つの電極の間に、少なくとも一つの光活性領域を形成し、
前記少なくとも一つのドナー材料および前記少なくとも一つのアクセプタ材料は、バルク中に秩序があり、界面に乱れ領域を含む光電性光電子デバイス。
【請求項２】
前記乱れ領域は、非晶質領域、立体構造のバルク領域、またはそれらの組み合わせを含む請求項１に記載の光電性光電子デバイス。
【請求項３】
前記乱れ領域は、前記ドナー材料の乱れ、前記アクセプタ材料の乱れ、またはそれらの組み合わせを含む請求項１または請求項２に記載の光電性光電子デバイス。
【請求項４】
前記乱れ領域は、前記ドナー材料および／または前記アクセプタ材料の単層を１０層未満含む請求項１〜請求項３のうちのいずれか１つに記載の光電性光電子デバイス。
【請求項５】
前記光活性領域は、少なくとも一つの混合ヘテロ接合、バルクヘテロ接合、ナノ結晶のバルクヘテロ接合、およびハイブリッド平面混合ヘテロ接合の少なくとも一つを形成する請求項１〜請求項４のうちのいずれか１つに記載の光電性光電子デバイス。
【請求項６】
バルク中の前記秩序は、単結晶、ナノ結晶または多結晶材料の少なくとも一つを含む請求項１〜請求項５のうちのいずれか１つに記載の光電性光電子デバイス。
【請求項７】
前記ドナー材料は、サブフタロシアニンクロライド（ＳｕｂＰｃ）、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、クロロアルミニウムフタロシアニン（ＣＩＡＩＰｃ）、スズフタロシアニン（ＳｎＰｃ）、ペンタセン、テトラセン、ジインデノペリレン（ＤＩＰ）およびスクエアレン（ＳＱ）から選択される請求項１〜請求項６のうちのいずれか１つに記載の光電性光電子デバイス。
【請求項８】
前記アクセプタは、Ｃ６０、Ｃ７０、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ビス−ベンズイミダゾール（ＰＴＣＢＩ）、ＰＣＢＭ、ＰＣ７０ＢＭおよびヘキサデカフルオロフタロシアニン（Ｆ１６ＣｕＰｃ）から選択される請求項１〜請求項７のうちのいずれか１つに記載の光電性光電子デバイス。
【請求項９】
少なくとも一つの前記電極は、透明導電性酸化物または透明導電性高分子を含む請求項１〜請求項８のうちのいずれか１つに記載の光電性光電子デバイス。
【請求項１０】
前記導電性酸化物は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＴＯ）、酸化ガリウムインジウムスズ（ＧＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺＯ）、および酸化亜鉛インジウムスズ（ＺＩＴＯ）から選択され、前記透明導電性高分子は、ポリアナリン（ＰＡＮＩ）を含む請求項９に記載の光電性光電子デバイス。
【請求項１１】
少なくとも一つの前記電極は、金属代替材料、非金属材料、またはＡｇ、Ａｕ、ＴｉおよびＡｌから選択される金属材料を含む請求項１〜請求項１０のうちのいずれか１つに記載の光電性光電子デバイス。
【請求項１２】
さらに、少なくとも一つの励起子遮断層を有する請求項１〜請求項１１のうちのいずれか１つに記載の光電性光電子デバイス。
【請求項１３】
前記励起子遮断層は、バトクプロイン（ＢＣＰ）、バトフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ビス−ベンズイミダゾール（ＰＴＣＢＩ）、１，３，５−トリス（Ｎ−フェニルベンゾイミダゾール−２−イル）ベンゼン（ＴＰＢｉ）、トリス（アセチルアセトネート）ルテニウム（ＩＩＩ）（Ｒｕ（ａｃａｃａ）３）およびアルミニウム（ＩＩＩ）フェノレート（Ａｌｑ２  ＯＰＨ）から選択される請求項１２に記載の光電性光電子デバイス。
【請求項１４】
有機光検出器である請求項１〜請求項１３のうちのいずれか１つに記載の光電性光電子デバイス。
【請求項１５】
有機太陽電池である請求項１〜請求項１３のうちのいずれか１つに記載の光電性光電子デバイス。
【請求項１６】
少なくとも一つのドナー材料と、
少なくとも一つのアクセプタ材料と、
少なくとも一つの電極を、
基板上に配置することを含み、
前記少なくとも一つのドナー材料および前記少なくとも一つのアクセプタ材料は、２つの前記電極の間に、少なくとも一つの光活性領域を形成するように配置され、
前記少なくとも一つのドナー材料および前記少なくとも一つのアクセプタ材料は、バルク中に秩序があり、界面に乱れ領域を含む有機光電性光電子デバイスの製造方法。
【請求項１７】
前記乱れ領域は、非晶質領域、立体構造のバルク領域、またはそれらの組み合わせから形成される請求項１６に記載の有機光電性光電子デバイスの製造方法。
【請求項１８】
前記乱れ領域は、前記ドナー材料を無秩序化させ、前記アクセプタ材料を無秩序化させ、またはドナーおよびアクセプタ材料の両方を無秩序化させることによって形成される請求項１６または請求項１７に記載の有機光電性光電子デバイスの製造方法。
【請求項１９】
非晶質の前記乱れ領域は、前記ドナー材料および前記アクセプタ材料のそれぞれの単層を１０層未満含む請求項１６〜請求項１８のうちのいずれか１つに記載の有機光電性光電子デバイスの製造方法。
【請求項２０】
非晶質の前記乱れ領域は、前記ドナー材料および前記アクセプタ材料を配置する際の配置条件が変化されることによって形成される請求項１６〜請求項１９のうちのいずれか１つに記載の有機光電性光電子デバイスの製造方法。
【請求項２１】
非晶質の前記乱れ領域は、前記ドナー材料および前記アクセプタ材料として使用される分子を修飾することによって形成される請求項１６〜請求項２０のうちのいずれか１つに記載の有機光電性光電子デバイスの製造方法。
【請求項２２】
前記配置は、真空下で実行される請求項１６〜請求項２１のうちのいずれか１つに記載の有機光電性光電子デバイスの製造方法。
【請求項２３】
前記光活性領域は、少なくとも一つの混合ヘテロ接合、バルクヘテロ接合、ナノ結晶のバルクヘテロ接合、およびハイブリッド平面混合ヘテロ接合の少なくとも一つを形成する請求項１６〜請求項２２のうちのいずれか１つに記載の有機光電性光電子デバイスの製造方法。
【請求項２４】
前記ドナー層は、サブフタロシアニンクロライド（ＳｕｂＰｃ）、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、クロロアルミニウムフタロシアニン（ＣＩＡＩＰｃ）、スズフタロシアニン（ＳｎＰｃ）、ペンタセン、テトラセン、ジインデノペリレン（ＤＩＰ）およびスクエアレン（ＳＱ）から選択される請求項１６〜請求項２３のうちのいずれか１つに記載の有機光電性光電子デバイスの製造方法。
【請求項２５】
前記アクセプタは、Ｃ６０、Ｃ７０、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ビス−ベンズイミダゾール（ＰＴＣＢＩ）、ＰＣＢＭ、ＰＣ７０ＢＭおよびヘキサデカフルオロフタロシアニン（Ｆ１６ＣｕＰｃ）から選択される請求項１６〜請求項２４のうちのいずれか１つに記載の有機光電性光電子デバイスの製造方法。
【請求項２６】
前記少なくとも一つの電極は、金属代替材料、非金属材料またはＡｇ、ＡｕおよびＡｌから選択される金属材料を含む請求項１６〜請求項２５のうちのいずれか１つに記載の有機光電性光電子デバイスの製造方法。
【請求項２７】
前記基板は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＴＯ）、酸化ガリウムインジウムスズ（ＧＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺＯ）、酸化亜鉛インジウムスズ（ＺＩＴＯ）から選択される導電性酸化物、およびポリアナリン（ＰＡＮＩ）を含む透明導電性高分子を含む請求項１６〜請求項２６のうちのいずれか１つに記載の有機光電性光電子デバイスの製造方法。
【請求項２８】
前記基板および前記電極の間に、少なくとも一つの励起子遮断層をさらに配置し、前記励起子遮断層は、バトクプロイン（ＢＣＰ）、バトフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ビス−ベンズイミダゾール（ＰＴＣＢＩ）、１，３，５−トリス（Ｎ−フェニルベンゾイミダゾール−２−イル）ベンゼン（ＴＰＢｉ）、トリス（アセチルアセトネート）ルテニウム（ＩＩＩ）（Ｒｕ（ａｃａｃａ）３）およびアルミニウム（ＩＩＩ）フェノレート（Ａｌｑ２  ＯＰＨ）から選択される請求項１６〜請求項２７のうちのいずれか１つに記載の有機光電性光電子デバイスの製造方法。