【手続補正書】
【提出日】平成26年7月8日(2014.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
上記プロセスのさらなる変形では、１種もしくは２種以上の希土類金属をドープし、所望により共ドーパント（co-dopant）としてアルミニウムが存在する、ニア・ネット・シェイプの合成ガラス状シリカの直径が大きな中空体を製造することが可能である。これは、火炎に蒸気として供給される、シリカの塩素を含まない前駆物質、好ましくはシロキサン化合物を使用して、および同様に適切な化合物の蒸気の形態でドーパント金属を供給することによって達成され得る。しかし、独国特許出願第１００３４６８．４号明細書および国際特許出願ＰＣＴ／ＥＰ／０５２９２３号明細書で予見されているように、シリカ前駆物質の中で分散した水性相のミクロ液滴のエマルションの形態の適切な塩の水性溶液として供給されるドーパント金属と一緒に、霧化された液の噴霧の形態でシリカ前駆物質、好ましくはシロキサンを供給することによっても達成し得る。別のドーピング方法は、乾燥、仮焼および気孔を含まないガラスへの焼結の前に、アルミニウムおよび／または１種もしくは２種以上の希土類金属の１種もしくは２種以上の塩の溶液の中に多孔質スート体を浸漬させることを含む。
（態様）
（態様１）
外径が４００ｍｍよりも大きく内径が３００ｍｍよりも大きい透明合成ガラス状シリカガラスの中空インゴットであって、
前記インゴットは、直径が１００μｍよりも大きいバブルまたはインクルージョンを実質的に含まず、１００ｐｐｂ以下の任意の個別の金属不純物を有し、かつ、５ｐｐｍ未満の塩素濃度を有する、中空インゴット。
（態様２）
直径が１０μｍよりも大きいバブルまたはインクルージョンを実質的に含まない、態様１に記載の中空インゴット。
（態様３）
１０ｐｐｂ以下の任意の個別の金属不純物を含む、態様１に記載の中空インゴット。
（態様４）
直径が１０μｍよりも大きいバブルまたはインクルージョンを実質的に含まず、
１０ｐｐｂ以下の任意の個別の金属不純物を含む、態様１に記載の中空インゴット。
（態様５）
内径に対する外径の比率は、１．３３以下である、態様１〜４のいずれか１項に記載の中空インゴット。
（態様６）
５０ｐｐｍ未満のＯＨ含有率を有する、態様１〜５のいずれか１項に記載の中空インゴット。
（態様７）
２０ｐｐｍ未満のＯＨ含有率を有する、態様６に記載の中空インゴット。
（態様８）
１ｐｐｍ未満の塩素濃度を有する、態様１〜７のいずれか１項に記載の中空インゴット。
（態様９）
フッ素を実質的に含まない、態様１〜８のいずれか１項に記載の中空インゴット。
（態様１０）
１２００℃を超える徐冷点（粘度が１０13ポアズ）を有する、態様１〜９のいずれか１項に記載の中空インゴット。
（態様１１）
１１００℃未満の仮想温度を有する、態様１〜１０のいずれか１項に記載の中空インゴット。
（態様１２）
前記ガラスは、アルミニウムおよび／または１種もしくは２種以上の希土類金属でドープされている、態様１〜１１のいずれか１項に記載の中空インゴット。
（態様１３）
前記ガラスは、炭素または窒素またはその両方でドープされている、態様１〜１２のいずれか１項に記載の中空インゴット。
（態様１４）
塩素を含まないシリカ前駆物質からの化学的蒸気堆積で、３００ｍｍよりも大きい内径および４００ｍｍよりも大きい外径を、脱水および焼結後にインゴットに付与し、最小のくずを伴って３００ｍｍよりも大きい内径および４００ｍｍよりも大きい外径の最終製品を生み出すように選択される寸法の多孔質スート体を形成することによって作製された、態様１〜１３のいずれか１項に記載の中空インゴット。
（態様１５）
前記塩素を含まないシリカ前駆物質は、蒸気の形態で合成火炎に運ばれる、態様１４に記載の中空インゴット。
（態様１６）
前記塩素を含まないシリカ前駆物質は、霧化された液滴の噴霧の形態で合成火炎に運ばれる、態様１４に記載の中空インゴット。
（態様１７）
前記塩素を含まない前駆物質は、シロキサンまたは２種もしくは３種以上のシロキサンの混合物である、態様１４〜１６のいずれか１項に記載の中空インゴット。
（態様１８）
前記塩素を含まない前駆物質は、アルコキシシランである、態様１４〜１６のいずれか１項に記載の中空インゴット。
（態様１９）
前記シロキサンは、ヘキサメチルジシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサンまたはそれらの２種もしくは３種以上の混合物である、態様１７に記載の中空インゴット。
（態様２０）
態様１〜１９のいずれか１項に記載のインゴットに由来する、透明合成ガラス状シリカガラスの、半導体ジグでの使用に好適な環状インゴットまたはリング。
（態様２１）
態様１〜１９のいずれか１項に記載の中空インゴットを製造する方法であって、
前記方法は、密度が０．４ｇ／ｃｍ3よりも大きい多孔質スート体を耐酸化回転軸に堆積させる工程、
真空下または還元ガスが存在する中のいずれかで、グラファイト、炭素繊維強化炭素（ＣＦＲＣ）、シリコンカーバイド、シリコン含浸シリコンカーバイド、シリコンカーバイトでコーティングされたグラファイトまたはガラス状シリカを含む回転軸上で前記スート体を脱水する工程、および
真空下またはヘリウムの雰囲気の中で、気孔のない透明なガラスに前記脱水したスート体を焼結する工程を含む、方法。
（態様２２）
外径が４００ｍｍよりも大きく、内径が３００ｍｍよりも大きい透明合成ガラス状シリカガラスの中空インゴットを製造する方法であって、
前記方法は、１つもしくは２つ以上の合成バーナーの火炎にシリカ前駆物質を供給する工程、
密度が０．４ｇ／ｃｍ3よりも大きい多孔質スート体を、少なくとも３００ｍｍの直径の耐酸化回転軸に堆積させる工程、
真空下または還元ガスが存在する中のいずれかで、グラファイト、炭素繊維強化炭素（ＣＦＲＣ）、シリコンカーバイド、シリコン含浸シリコンカーバイド、シリコンカーバイトでコーティングされたグラファイトまたはガラス状シリカを含む回転軸上で前記スート体を脱水する工程、および
真空下またはヘリウムの雰囲気の中で、気孔のない透明なガラスに前記脱水したスート体を焼結する工程を含む、方法。
（態様２３）
前記耐酸化回転軸および前記脱水工程の間に使用される回転軸は分離され、
前記方法は、堆積の後、脱水の前に、前記耐酸化回転軸を除去し、それを前記回転軸で置き換える工程をさらに含み、
前記回転軸で前記脱水および焼結を行う、態様２１または２２に記載の方法。
（態様２４）
前記耐酸化回転軸および前記脱水工程の間に使用される回転軸は同じであり、
前記耐酸化回転軸は、スート堆積の後、除去されず、保持され、その後の脱水および焼結プロセスの間、前記スート体を支持するために使用される、態様２１または２２に記載の方法。
（態様２５）
二次リフロープロセスを必要とせずに態様１に記載の寸法を達成する、態様２１〜２４のいずれか１項に記載の方法。
（態様２６）
焼結の前に、還元雰囲気の中で前記スート体を熱処理する工程を含む、態様２１〜２５のいずれか１項に記載の方法。
（態様２７）
前記還元雰囲気は、水素、一酸化炭素、アンモニア、窒素、炭化水素ガスまたは有機もしくはオルガノシリコン蒸気、またはそれらの２種もしくは３種以上の混合物を含む、態様２６に記載の方法。
（態様２８）
前記オルガノシリコン蒸気は、シロキサンまたはシラザンを含む、態様２７に記載の方法。
（態様２９）
前記焼結体を徐冷し、１１００℃未満の仮想温度を達成する工程をさらに含む、態様２１〜２８のいずれか１項に記載の方法。
（態様３０）
アルミニウムおよび／または１種もしくは２種以上の希土類金属を前記合成シリカガラスにドーピングする工程をさらに含む、態様２１〜２９のいずれか１項に記載の方法。
（態様３１）
前記シリカ前駆物質およびドーパント塩の水性溶液は、前記シリカ前駆物質の液滴の中に分散した水性相のミクロ液滴のエマルションを含む液滴の噴霧として、好適な合成バーナーの火炎に供給される、態様３０に記載の方法。
（態様３２）
焼結の前に、前記スート体は、アルミニウムおよび／または１種もしくは２種以上の希土類金属の１種もしくは２種以上の塩の溶液の中の浸漬によってドープされる、態様３０に記載の方法。
（態様３３）
合成ガラス状シリカ材料のくずを最小にしながら、半導体ジグまたは他の物における使用のための環状インゴットもしくはリングへ前記中空インゴットを機械加工する工程をさらに含む、態様２１〜３２のいずれか１項に記載の方法。
（態様３４）
焼結後の前記中空インゴット製品が、態様１および５に記載の適切な内径および外径を有し、二次リフロープロセスを必要とせずに機械加工のロスによる合成ガラス状シリカ材料のくずを最小にして要求される製品を生み出すように、焼結のために使用される前記回転軸の直径および堆積プロセスの継続時間が両方とも選択される、態様２１〜３３のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外径が４００ｍｍよりも大きく内径が３００ｍｍよりも大きい透明合成ガラス状シリカガラスの中空インゴットであって、
前記インゴットは、直径が１００μｍよりも大きいバブルまたはインクルージョンを実質的に含まず、１００ｐｐｂ以下の任意の個別の金属不純物を有し、かつ、５ｐｐｍ未満の塩素濃度を有する、中空インゴット。
【請求項２】
請求項１に記載のインゴットに由来する、透明合成ガラス状シリカガラスの、半導体ジグでの使用に好適な環状インゴットまたはリング。
【請求項３】
請求項１に記載の中空インゴットを製造する方法であって、
前記方法は、密度が０．４ｇ／ｃｍ3よりも大きい多孔質スート体を耐酸化回転軸に堆積させる工程、
真空下または還元ガスが存在する中のいずれかで、グラファイト、炭素繊維強化炭素（ＣＦＲＣ）、シリコンカーバイド、シリコン含浸シリコンカーバイド、シリコンカーバイトでコーティングされたグラファイトまたはガラス状シリカを含む回転軸上で前記スート体を脱水する工程、および
真空下またはヘリウムの雰囲気の中で、気孔のない透明なガラスに前記脱水したスート体を焼結する工程を含む、方法。
【請求項４】
外径が４００ｍｍよりも大きく、内径が３００ｍｍよりも大きい透明合成ガラス状シリカガラスの中空インゴットを製造する方法であって、
前記方法は、１つもしくは２つ以上の合成バーナーの火炎にシリカ前駆物質を供給する工程、
密度が０．４ｇ／ｃｍ3よりも大きい多孔質スート体を、少なくとも３００ｍｍの直径の耐酸化回転軸に堆積させる工程、
真空下または還元ガスが存在する中のいずれかで、グラファイト、炭素繊維強化炭素（ＣＦＲＣ）、シリコンカーバイド、シリコン含浸シリコンカーバイド、シリコンカーバイトでコーティングされたグラファイトまたはガラス状シリカを含む回転軸上で前記スート体を脱水する工程、および
真空下またはヘリウムの雰囲気の中で、気孔のない透明なガラスに前記脱水したスート体を焼結する工程を含む、方法。