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【手続補正書】
【提出日】平成24年3月27日(2012.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスを形成する方法であって、
半導体基板の上に半導体層を形成するステップと、
前記半導体層の上にマスクを形成するステップと、
前記半導体層の上に複数のイオン注入領域を形成するために、前記マスクによって前記半導体層へ第１の伝導型を有するイオンを注入するステップと、
前記マスクによって前記複数のイオン注入領域の上に金属層を形成するステップと、
前記複数のイオン注入領域に注入されたイオンをそれぞれ活性化し、かつ前記複数のイオン注入領域の上にオーミックコンタクトを設けるために、前記複数のイオン注入領域および前記金属層を単一工程でアニールするステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記オーミックコンタクトは、少なくとも１つの耐熱性金属を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記耐熱性金属は、Ｔｉ、ＴｉＷ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、ＷＳｉ、Ｒｅ、Ｎｂ、ＴｉＷＮ、ＮｉＳｉおよび／またはＴｉＳｉを含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記オーミックコンタクトは、前記複数のイオン注入領域と自己整合されていることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記アニールするステップは、前記イオン注入領域および前記金属層を少なくとも約９５０℃の温度でアニールするステップを含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記半導体デバイスは、ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の伝導型は、ｎ型伝導性を含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記イオンを注入するステップは、シリコン・イオンを注入するステップを含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記半導体層を形成するステップは、
前記半導体基板の上にチャネル層を形成するステップと、
前記チャネル層の上に障壁層を形成するステップと、
前記障壁層の上に保護層を形成するステップと
を含み、
前記マスクを形成するステップは、前記保護層の上に前記マスクを形成するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記イオンを注入するステップは、前記障壁層の表面の少なくとも一部を露出するように、前記マスクによって前記保護層をエッチングするステップにより先行され、
前記イオンを注入するステップは、前記障壁層の上に複数のイオン注入領域を形成するために、前記マスクによって前記障壁層へ前記第１の伝導型を有するイオンを注入するステップをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記複数のイオン注入領域は、前記チャネル層に少なくとも部分的に延在することを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記イオンを注入するステップは、前記保護層および前記障壁層に複数のイオン注入領域を形成するために、前記マスクによって、前記第１の伝導型を有するイオンを前記保護層および前記障壁層に注入するステップを含み、
前記方法は、前記障壁層の前記複数のイオン注入領域の少なくとも一部を露出させるように、前記マスクによって前記保護層をエッチングするステップをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記イオン注入領域は、前記チャネル層内に少なくとも部分的に延在することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記保護層は、高純度窒素(ＨＰＮ)層を備えることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記ＨＰＮ層は、約５０から約１５０ｎｍまでの厚さを有することを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ＨＰＮ層は、約５０から約１５０ｎｍまでの厚さを有するＨＰＮの層と、前記ＨＰＮ層の上にあって、約１００から約２５０ｎｍまでの厚さを有する二酸化シリコン(ＳｉＯ２)層とを備えることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
ＩＩＩ族窒化物半導体層と、
前記ＩＩＩ族窒化物半導体層中の、離隔された複数の高濃度ドープのイオン注入領域と、
前記複数の高濃度ドープのイオン注入領域の上の耐熱性金属のオーミックコンタクトであって、前記複数の高濃度ドープのイオン注入領域と自己整合したオーミックコンタクトと
を備えることを特徴とするトランジスタデバイス。
【請求項１８】
前記離隔された複数の高濃度ドープのイオン注入領域は、前記トランジスタのソース領域およびドレイン領域を画定することを特徴とする請求項１７に記載のトランジスタ。
【請求項１９】
前記ＩＩＩ族窒化物半導体層は、
前記半導体基板の上のチャネル層と、
前記チャネル層の上の障壁層と、
前記障壁層上の保護層と
を備えることを特徴とする請求項１７に記載のトランジスタ。
【請求項２０】
前記保護層は、前記障壁層の表面の少なくとも一部を露出させる窓をその内部に画定し、
金属が、金属のオーミックコンタクトを設けるために蒸着法によって前記窓内へ堆積され、
前記複数のイオン注入領域は、前記障壁層内に設けられていることを特徴とする請求項１９に記載のトランジスタ。
【請求項２１】
前記複数のイオン注入領域は、前記チャネル層内に少なくとも部分的に延在することを特徴とする請求項２０に記載のトランジスタ。
【請求項２２】
前記保護層は、高純度窒素(ＨＰＮ)層を含むことを特徴とする請求項１９に記載のトランジスタ。
【請求項２３】
前記ＨＰＮ層は、約５０から約１５０ｎｍまでの厚さを有することを特徴とする請求項２２に記載のトランジスタ。
【請求項２４】
前記ＨＰＮ層は、約５０から約１５０ｎｍまでの厚さを有するＨＰＮの層と、前記ＨＰＮ層上にあって、約１００から約２５０ｎｍまでの厚さを有する二酸化シリコン(ＳｉＯ２)層とを備えることを特徴とする請求項２２に記載のトランジスタ。
【請求項２５】
前記耐熱性金属は、Ｔｉ、ＴｉＷ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、ＷＳｉ、Ｒｅ、Ｎｂ、ＴｉＷＮ、ＮｉＳｉおよび／またはＴｉＳｉを含むことを特徴とする請求項１７に記載のトランジスタ。
【請求項２６】
前記複数の高濃度ドープのイオン注入領域は、ｎ型伝導性のイオン注入領域を備えることを特徴とする請求項１７に記載のトランジスタ。
【請求項２７】
前記オーミックコンタクト及び前記複数の高濃度イオン注入領域の両方が１回のフォトリソグラフィステップで画定されるときに、前記オーミックコンタクトは、前記複数の高濃度ドープのイオン注入領域に自己整合することを特徴とする請求項１７に記載のトランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月23日(2012.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子トレーディングシステムであって、
複数の参加者のうち第１の参加者からの注文が、前記電子トレーディングシステムの前記複数の参加者が共有するルールの基準を満たすか否かを判定することと、
前記注文が前記基準を満たすか否かを判定することに応じて、前記注文を規定する少なくとも１個の証券および少なくとも１個の価格を示す暗号化された問い合わせを、前記複数の参加者のうち第２の参加者の注文管理システムに送信することと、
前記問い合わせに対する応答を受け取ることと、
前記応答を受け取ることに応じて、前記注文および一致する注文を満たす取引を容易にすることと、
を実行するよう構成されている電子トレーディングシステムと、
前記第２の参加者の前記注文管理システムであって、
前記暗号化された問い合わせを受け取ることと、
前記暗号化された問い合わせが、前記第２の参加者の取引利益を表す暗号化されたデータセット内の前記一致する注文と一致するか否かを判定することと、
前記問い合わせに対する前記応答を前記電子トレーディングシステムに送信することであって、前記応答は、前記暗号化された問い合わせが前記暗号化されたデータセット内の前記一致する注文と一致することを示す、送信することと、
を実行するよう構成されている注文管理システムと、
を含む装置。
【請求項２】
前記基準が、前記第１の参加者の先の注文に関連する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
プロセッサと、
プログラムを格納するメモリと、を含む注文管理システムであって、前記プログラムが、前記プロセッサにより実行されたときに、以下のステップ、すなわち
市場における参加者の複数の注文を表す情報を、暗号化されたデータセット内に格納するステップと、
暗号化された問い合わせであって、少なくとも１個の証券および電子トレーディングシステムが前記市場における第２の参加者から受け取る注文を規定する少なくとも１個の価格を示す問い合わせを受け取るステップと、
前記暗号化された問い合わせが、前記暗号化されたデータ内の一致する注文と一致するか否かを判定するステップと、
前記暗号化された問い合わせが、前記一致する注文に応じる取引を実行すべきであることを規定するルールを満たすか否かを判定するステップと、
前記暗号化された問合せが前記ルールを満たすか否かを判定することに応じて、前記電子トレーディングシステムに前記問い合わせへの応答を送信するステップであって、前記応答が、前記暗号化された問い合わせが前記暗号化されたデータセット内の前記注文と一致し、前記取引を実行すべきであることを示す、ステップと、
を含む方法を実行するよう前記プロセッサに指示する注文管理システム。
【請求項４】
前記プログラムが、前記プロセッサにより実行されたときに、以下のステップ、すなわち
前記一致する注文を表す注文データを受け取るステップと、
前記注文データを暗号化して前記暗号化されたデータセットを生成するステップと、
を含む方法を実行するよう前記プロセッサにさらに指示する、請求項３に記載の注文管理システム。
【請求項５】
前記プログラムが、前記プロセッサにより実行されたときに、以下のステップ、すなわち
前記暗号化された問い合わせが、前記暗号化されたデータセット内の前記一致する注文と一致することを示すメッセージを生成するステップ
を含む方法を実行するよう前記プロセッサにさらに指示する、請求項３に記載の注文管理システム。
【請求項６】
前記プログラムが、前記プロセッサにより実行されたときに、以下のステップ、すなわち
前記生成されたメッセージを所定の受信者へ送信するステップ
を含む方法を実行するよう前記プロセッサにさらに指示する、請求項５に記載の注文管理システム。
【請求項７】
プロセッサと、
プログラムを格納するメモリと、を含む電子トレーディングシステムであって、前記プログラムが、前記プロセッサにより実行されたときに、以下のステップ、すなわち
複数の参加者のうち第１の参加者からの注文が、電子トレーディングシステムの前記複数の参加者が共有するルールの基準を満たすか否かを判定するステップと、
前記注文が前記基準を満たすか否かを判定することに応じて、少なくとも１個の証券および前記注文を規定する少なくとも１個の価格を示す暗号化された問い合わせを、前記複数の参加者のうち第２の参加者の注文管理システムに送信するステップと、
前記問い合わせに対する応答を受け取るステップであって、前記応答が、前記暗号化された問い合わせが前記注文管理システムが暗号化されたデータセットに格納した一致する注文に一致することと、前記注文および前記一致する注文に応じる取引を実行すべきであることと、を示す、受け取るステップと、
前記応答を受け取ることに応じて、前記取引を容易にするステップと、
を含む方法を実行するよう前記プロセッサに指示する電子トレーディングシステム。
【請求項８】
前記基準が、前記第１の参加者の先の注文に関連する、請求項７に記載の電子トレーディングシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年7月9日(2012.7.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造体を製造する方法において、
結晶半導体基板（１）を設けるステップ、
前記結晶半導体基板（１）の表面（OF）に接して、ポーラス領域（１０）を設けるステップ、
前記表面（OF）から前記ポーラス領域（１０）に、ドーピング物質（１２）を導入するステップ、および
前記ポーラス領域（１０）を熱によって再結晶化して前記結晶半導体基板（１）の結晶状ドーピング領域（１０’）を形成するステップ
を有しており、
ただし前記ポーラス領域のドーピングタイプおよび／またはドーピング濃度および／またはドーピング分布は、前記結晶半導体基板のドーピングタイプおよび／またはドーピング濃度および／またはドーピング分布とは異なる、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、
前記ドーピング物質（１２）が導入されている間または導入された後に、第１の温度による第１温度ステップが行われ、
ただしこの第１温度では、前記ポーラス領域（１０）の構造的な転位は行われない、
ことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法において、
前記第１温度ステップの後で、すぐ続けて第１温度から第２温度へ温度を上昇させることにより第２の温度による第２温度ステップが行われ、
ただしこの第２温度では、前記ポーラス領域（１０）の構造的な転位が、熱による再結晶化によって前記結晶状ドーピング領域（１０’）が形成されるまで行われる、
ことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項記載の方法において、
前記ドーピング物質（１２）は、キャリアガスの形態で前記ポーラス領域（１０）に導入される、
ことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項記載の方法において、
前記ドーピング物質（１２）は、ガラスの構成要素として前記ポーラス領域（１０）に導入される、
ことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項記載の方法において、
前記ドーピング物質（１２）は、液体中に溶解されて前記ポーラス領域（１０）に導入される、
ことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項６記載の方法において、
前記液体は超臨界CO2を有する、
ことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項６記載の方法において、
前記液体は補助溶剤を有する、
ことを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項記載の方法において、
前記ポーラス領域（１０）の熱による再結晶化は、水素雰囲気下で行われる、
ことを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項記載の方法において、
前記半導体基板（１）はシリコンまたは炭化シリコンからなる、
ことを特徴とする方法。
【請求項１１】
結晶半導体基板（１）と、該結晶半導体基板の表面に接するウエルの形態の結晶ドーピング領域（１０’）とを備えており、
該結晶ドーピング領域（１０’）のドーピングタイプおよび／またはドーピング濃度および／またはドーピング分布は、前記結晶半導体基板（１）のドーピングタイプおよび／またはドーピング濃度および／またはドーピング分布とは異なっており、
前記結晶ドーピング領域の深さ（ｔ）は、表面から少なくとも５０μmである、
ことを特徴とする半導体構造体。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年8月21日(2012.8.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｏ−キシロールと酸素含有ガスとのガス状混合物を、主要反応器中で、互いに別々の温度調節可能な少なくとも２つの反応帯域に導通させ、その際、最も下流に置かれた反応帯域を、上流と境を接している反応帯域より低い温度で運転し、未反応のｏ−キシロール、無水フタル酸酸化不足生成物および無水フタル酸を含有するガス状の中間体反応生成物に変換し、および中間体反応生成物を後方反応器中に導入し、主要反応器から流出する中間体反応生成物を後方反応器中への入口前で冷却することにより、無水フタル酸をｏ−キシロールの接触気相酸化によって製造する方法において、
主要反応器中での反応帯域の温度を、中間体反応生成物中の未反応のｏ−キシロールの濃度が、中間体反応生成物中の有機成分の質量に対して０．５〜５質量％であり、中間体反応生成物中のｏ−トリルアルデヒドの濃度は、０．２５〜０．６質量％であるように調節することを特徴とする、無水フタル酸をｏ−キシロールの接触気相酸化によって製造する方法。
【請求項２】
中間体反応生成物中の無水フタル酸酸化不足生成物の濃度の総和は、少なくとも０．５質量％である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
ｏ−トリルアルデヒドおよびフタリドの濃度の総和は、少なくとも０．５質量％である、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
中間体の反応生成物中のフタリドの濃度は、少なくとも０．２５質量％である、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
反応帯域は、異なる活性の触媒を含む、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
ガス状混合物の流れ方向で最も下流に置かれた反応帯域は、上流と境を接している反応帯域より高い活性を有する触媒を含む、請求項５記載の方法。
【請求項７】
ガス状混合物の流れ方向で最も下流に置かれた反応帯域は、酸化バナジウムおよび二酸化チタンを基礎とする少なくとも１つの触媒を含み、この場合活性材料のアルカリ金属含量は、０．２０質量％以下である、請求項５または６記載の方法。
【請求項８】
上流で、ガス状混合物の流れ方向で最も下流に置かれた反応帯域と境を接している反応帯域は、
ａ）その活性材料が銀、バナジウム、および場合によっては１つ以上の促進剤金属を含有する多重金属混合酸化物を含む１つ以上の触媒、
ｂ）酸化バナジウムおよび二酸化チタンを基礎とする１つ以上の触媒、この場合この活性材料のアルカリ金属含量は、０．１２質量％以上であり、活性材料の燐含量は、０．２０質量％以下であるか、または
ｃ）前記定義ａ）に記載の１つ以上の触媒と前記定義ｂ）に記載の１つ以上の触媒との組合せから選択された触媒を含む、請求項５から７までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
中間体反応生成物中のｏ−キシロールの濃度に対する測定値が得られ、この測定値から主要反応器中の反応帯域の温度に対する制御の干渉が形成される、請求項１から８までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
主要反応器中に流入するガス状混合物のｏ−キシロール負荷量は、少なくとも６０ｇ／Ｎｍ3である、請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
後方反応器中で生じる反応熱の少なくとも一部分を伝熱媒体での間接的な冷却によって導出する、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
後方反応器を本質的に断熱的に運転する、請求項１から１１までのいずれか１項に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
この課題は、ｏ−キシロールと酸素含有ガスとのガス状混合物を主要反応器中で、互いに別々の温度調節可能な少なくとも２つの反応帯域に導通させ、未反応のｏ−キシロール、無水フタル酸酸化不足生成物および無水フタル酸を含有するガス状の中間体反応生成物に変換し、および中間体反応生成物を後方反応器中に導入することにより、ｏ−キシロールの接触気相酸化によって無水フタル酸を製造する方法によって解決され、この方法は、主要反応器中での反応帯域の温度を、中間体反応生成物中の未反応のｏ−キシロールの濃度が、中間体反応生成物中の有機成分の質量に対して少なくとも０．５質量％であるように調節することによって特徴付けられる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
一般に、最も下流に置かれた反応帯域は、上流と境を接している反応帯域より低い温度、例えばそれぞれの反応帯域に対応配置されている伝熱媒体に対して少なくとも２℃、特に少なくとも４℃低い温度で運転される。包囲する伝熱媒体の最も低い温度は、反応帯域が運転される温度と見なされる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年7月31日(2012.7.31)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
燃料に可溶または分散可能なセリウム組成物および、燃料に可溶または分散可能な白金族金属組成物からなる、燃料で運ばれる触媒を含む燃料によりディーゼルエンジンを作動し；燃料の燃焼により生成し、燃焼により燃料から離れる酸化セリウムおよび白金族金属の両者を含む排気ガスを、
（ａ）触媒区域内の接触表面上に白金族金属触媒および／または塩基性金属触媒を有する触媒区域、および
（ｂ）エンジン中で燃料を燃焼させることにより発生した燃焼ガスの移動流からパティキュレートを除き、そしてそれらをその中に維持して、それらの酸化を可能にするのに有効な通路からなるフィルター区域
からなる少なくとも２つの段階を有するディーゼルパティキュレートフィルターを通過させるディーゼルエンジンからのパティキュレートの放出物を減少させる方法であって、
白金族金属組成物、セリウム組成物、燃料および／または任意の化学エンハンサーを利用してフィルター区域において硝酸セリウムを形成するのに十分な量のＮＯ２を触媒区域で発生させ、
それにより、酸化セリウムはフィルター区域中において白金の分散物と結合し、そして維持され、硝酸セリウムは、煤粒子の表面かつ内部で利用可能になって、多段フィルターにおいて白金族金属およびセリウム燃料添加物を供給しないで達成できるバランスポイントより低いバランスポイントで、煤の酸化を増大させる
ことを特徴とするディーゼルエンジンからのパティキュレートの放出物を減少させる方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１６】
燃料に可溶または分散可能なセリウム組成物および、燃料に可溶または分散可能な白金族金属組成物からなる、燃料で運ばれる触媒を含む燃料をディーゼルエンジンへ供給する手段；
燃料の燃焼により生成され、そして燃焼により燃料から離れる酸化セリウムおよび白金族金属の両者を含む排気ガスを、
（ａ）触媒区域内で接触表面上に白金族金属触媒および／または塩基性金属触媒を有する触媒区域、および
（ｂ）エンジン中で燃料を燃焼することにより発生する燃焼ガスの移動流からパティキュレートを除き、そしてそれらをその中に保持して、それらの酸化を可能にするのに有効な通路からなるフィルター区域
からなる少なくとも２つの段階を有するディーゼルパティキュレートフィルターを通す手段からなり、
その場合、白金族金属組成物、セリウム組成物、燃料および／または任意の化学エンハンサーを利用してフィルター区域において硝酸セリウムを形成するのに十分な量のＮＯ２を触媒区域で発生させ、
それにより、酸化セリウムはフィルター区域中において白金の分散物と結合し、そして維持され、硝酸セリウムは、煤粒子の表面かつ内部で利用可能になって、多段フィルター中において白金族金属およびセリウム燃料添加物を供給しないで達成できるバランスポイントより低いバランスポイントで、煤の酸化を増大させる
ことを特徴とするディーゼルエンジンからのパティキュレートの放出物を減少させる装置。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
１つの局面では、本発明は、パティキュレートの減少した放出物でディーゼルエンジンを作動する改良された方法を提供し、それは、燃料に可溶または分散可能なセリウム組成物および燃料に可溶または分散可能な白金族金属組成物からなる燃料により運ばれる触媒を含む燃料によりディーゼルエンジンを作動し；燃料の燃焼により生成しそして燃焼により燃料から離れた排気ガスを、（ａ）触媒区域内で接触表面上で白金族金属触媒を有する触媒区域および（ｂ）エンジン中で燃料の燃焼により発生した燃焼ガスの移動流からパティキュレートを除去しそしてそれらをそのなかに保持してそれらの酸化を可能にするのに有効な通路からなる少なくとも２段階を有するディーゼルパティキュレートフィルターを通過させることからなる方法であって、改良は、或るレベルの白金族金属組成物、セリウム組成物、燃料および任意の化学エンハンサーを利用して、燃料により運ばれる触媒上かつフィルター区域中で硝酸セリウムを形成するのに十分な量で触媒区域中でＮＯ２および硝酸塩を発生させ、それにより酸化セリウムは、フィルター区域中で白金の分散物を維持し、そして硝酸セリウムは煤粒子の表面へ移動して、２段階中の白金族金属およびセリウム燃料添加物を供給しないで達成できるバランスポイントより低いバランスポイントで、煤の酸化を増大させることからなる。好適な化学エンハンサーのなかで、表面の硝酸塩の最も活性の種特に硝酸セリウムを増加するのに有効な量の燃料中の可溶または分散可能なアルカリ金属および／またはアルカリ土類組成物がある。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
図１２ａによれば、それは本発明の改良を利用する代表的な装置を示す。内燃エンジン例えばディーゼルエンジン１１は、記述された燃料添加物を含む燃料により作動されて排気ガス１を生成し、それは二酸化炭素（ＣＯ２）、水蒸気（Ｈ２Ｏ）、一酸化炭素（ＣＯ）、炭化水素（ＨＣ）、窒素酸化物（ＮＯｘ）、炭素粒子（ＰＭ）などを含む。排気ガス１用の排気パイプ２，３には、少なくとも２段階すなわち触媒区域５およびフィルター区域１２からなる多段ＤＰＦ４が設けられている。有利には、本発明は、十分であるが少ない量の白金族金属が燃料中に利用されて触媒区域中でＮＯ２を生ずる改良を提供し、その量は、フィルター区域中に硝酸セリウムを形成するのに十分な量であり、それにより酸化セリウムはフィルター区域中に白金の分散物を維持しそして硝酸セリウムは煤の粒子の表面に移動して、２段階フィルターにおける白金族金属およびセリウム燃料添加物を供給しないで達成できるバランスポイントより低いバランスポイントで、煤の酸化を増大させる。第３段階のフィルター１１２が使用される態様では、本発明は、すべてのサイズの範囲で劇的に低下したパティキュレートを提供し、そして自動車の運転で最も頻繁に生ずるタイプの非常に低い温度で自己再生する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年9月25日(2012.9.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項３】
前記湿度値の算出の際に、前記エアーフィルタユニットの効率の低下がエアーフィルタユニットの作動期間と共に考慮される、請求項２記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
同様に有利には、湿度閾値の計算の際にエアーフィルタユニットの効率の低下がエアーフィルタユニットの作動時間と共に考慮されてもよい。作動時間特性の考慮なしでは新たなエアーフィルタユニットのもとでは実際には過度に悪化しすぎた効率に基づいてしまう。作動時間特性を考慮することによって、特に新たなフィルタユニットのもとでの再生フェーズ間の間隔が大幅に拡大され、このことは付加的なエネルギー節約にもつながる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
商用車のための圧縮空気供給装置（２６，２８，３０）における圧縮空気の開ループないし閉ループ制御方法であって、
圧縮空気供給装置内及び／又は圧縮空気供給装置に接続される車両コンポーネント内における少なくとも１つの圧力値を検出するステップと、
前記圧縮空気供給装置に所属するエアーフィルタユニット（４８）内の湿度眼流量を表す湿度値を求めるステップと、
前記圧力値が所定の最小値よりも上方にあってかつ前記湿度値が所定の閾値を上回っている場合に、駆動部（１０）をコンプレッサ（１４）に接続させる切替可能なクラッチ（１２）と前記圧縮空気供給装置のドレン弁（１０６）とを開放させるステップとを有している形式の方法において、
クラッチが切替可能であり、かつ圧力値が所定の遮断圧力に達しかつ湿度値が所定の閾値の下方にある場合に、前記クラッチ（１２）が開放され、さらに前記ドレン弁（１０６）が閉成され続けるようにしたことを特徴とする方法。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項５】
クラッチ（１２）が欠陥のために切替不可能であり、かつ圧力値が所定の遮断圧力に達しかつ湿度値が所定の閾値の下方にある場合に、前記クラッチ（１２）が閉成され続け、かつ前記ドレン弁（１０６）が開放される、請求項１から４いずれか１項記載の方法。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
本発明は、請求項１の上位概念に記載された方法に基づいて、クラッチが切替可能であり、かつ圧力値が所定の遮断圧力に達しかつ湿度値が所定の閾値の下方にある場合に、前記クラッチが開放され、さらに前記ドレン弁が閉成され続けるように構成される。この方法は内燃機関とコンプレッサの間のクラッチが切替可能であることに基づいてドレン弁に依存しない圧力制御機能を取り入れる。圧力が遮断圧力に達すると、クラッチは最小の圧縮空気消費のもとで開かれ、それに対して都連弁は著しく高い圧縮空気損失を回避するために閉成され続ける。このドレンバルブは、本当に再生が必要な場合にしか開かれるべきではない。このことは湿度閾値の上回りにおいて識別することができる。特に車両の空気消費が低い作動モードの場合には、これによってドレン弁を介した圧力制御に比べてエネルギー節約における尺度が高くなる。というのも空気消費が低い場合にはまれにしかフィルタユニットの再生の必要性が生じないからである。ドレン弁はその限りでは閉成され続け、それに対して圧力制御は切替可能なクラッチを介して行われる。それに対して圧力消費が高い場合には、再生が頻繁に行われなければならない。そのため遮断弁の切替頻度も高まる。低い空気消費のもとでのエネルギー節約が特にクラッチの長い開放持続時間とクラッチを介した単独の圧力制御とに基づいて行われるのに対して、空気消費が高い場合のエネルギーの節約は湿度閾値に達した場合の所期の再生によって得られる。エアーフィルタユニット内の湿度眼流量は測定若しくは算出が可能である。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
本発明の有利な実施形態によれば、クラッチが欠陥のために切替不可能であり、かつ圧力値が所定の遮断圧力に達しかつ湿度値が所定の閾値の下方にある場合に、前記クラッチが閉成され続け、前記ドレン弁も開放される。ドレン弁を介した従来の圧力制御は、第１に用いられる切替可能なクラッチを介した圧力制御に対する補助機能を提供する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年4月9日(2012.4.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像又はビデオシーケンス内のマルチクラス対象物を検出するシステムを訓練するための方法であって、
１．対象物クラスの集合ｌについて、ブーストされた弱分類器の共通アンサンブルＨを以下の３つの技法のいずれかに従って形成するステップであって、その際に各弱分類器ｈtを重みαtで重み付けするステップ、すなわち、
ａ．第１の技法に従い、少なくとも１つの対象物が画像又はビデオシーケンス内に高い頻度で出現する対象物クラスｌ0のうちの１つから選択することにより前記共通アンサンブルＨを形成し、ここで
2007537542.tif 000001
であり、
2007537542.tif 000002
は前記対象物クラスｌ0の弱分類器であるとするか、または
ｂ．第２の技法に従い、すべての訓練集合の合併集合にＡｄａＢｏｏｓｔを適用して、前記対象物クラスのすべてを含んだデータセットから学習することにより前記共通アンサンブルＨを形成するか、または
ｃ．第３の技法に従い、第１の訓練ステップで選択されたブーストされた弱分類器の個々の集合を組み合わせることにより、前記ブーストされた弱分類器の共通アンサンブルＨを形成し、ここで前記ブーストされた弱分類器の個々の集合はそれぞれ単一対象物クラスから個別に学習されたものである、
ステップと、
２．各対象物クラスについて、ＡｄａＢｏｏｓｔを使用して、前記ブーストされた弱分類器の共通アンサンブルの弱分類器の重みを再訓練するステップを有している、
ことを特徴とする訓練方法。
【請求項２】
正の対象物を負の対象物から区別するために、前記ブーストされた弱分類器の共通アンサンブルを最適化する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記組合せは前記弱分類器の複数の集合の数学的な合併である、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記組合せは前記弱分類器の個々の集合の数学的な共通部分である、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記弱分類器の個々の集合の組合せは、多数決により決定される部分集合である、請求項１記載の方法。
【請求項６】
画像又はビデオシーケンス内の複数のクラスの対象物を検出する方法であって、
対象物クラスの集合ｌについて、ブーストされた弱分類器の共通アンサンブルＨを以下の３つの技法のいずれかに従って形成するステップであって、その際に各弱分類器ｈtを重みαtで重み付けするステップ、すなわち、
ａ．第１の技法に従い、少なくとも１つの対象物が画像又はビデオシーケンス内に高い頻度で出現する対象物クラスｌ0のうちの１つから選択することにより前記共通アンサンブルＨを形成し、ここで
2007537542.tif 000003
であり、
2007537542.tif 000004
は前記対象物クラスｌ0の弱分類器であるとするか、または
ｂ．第２の技法に従い、すべての訓練集合の合併集合にＡｄａＢｏｏｓｔを適用して、前記対象物クラスのすべてを含んだデータセットから学習することにより前記共通アンサンブルＨを形成するか、または
ｃ．第３の技法に従い、第１の訓練ステップで選択されたブーストされた弱分類器の個々の集合を組み合わせることにより、前記ブーストされた弱分類器の共通アンサンブルＨを形成し、ここで前記ブーストされた弱分類器の個々の集合はそれぞれ単一対象物クラスから個別に学習されたものである、
ステップと、
各対象物クラスについて、ＡｄａＢｏｏｓｔを使用して、前記ブーストされた弱分類器の共通アンサンブルの弱分類器の重みを再訓練するステップと、
各対象物クラスに、前記再訓練に基づいて重み付けされた弱分類器の組合せにより実現された検出器を割り当てるステップと
を有しており、
前記検出器のすべてが前記弱分類器の共通アンサンブルに基づいている、ことを特徴とする検出方法。
【請求項７】
前記検出器のスコアを使用して、検出された対象物を前記対象物クラスのうちの１つに分類する、請求項６記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年3月7日(2012.3.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】図面の簡単な説明
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図面の簡単な説明】
【０１３４】
【図１】本発明による膜を表す図である。
【図２】本発明により、その上および／または中に生物層を有する膜を組み立てるた
めのプロセスを説明する図である。
【図２ａ】本発明により、その上および／または中に固定生物層を有する膜を組み立
てるための異なるプロセスを説明する別の図である。
【図３】本発明による生物反応器の図である。
【図３ａ】図３に示されている生物反応器で使用することができる入口マニホールド
の図である。
【図３ｂ】本発明による生物反応器の出口から入口に液体を循環させるための循環系
の図である。
【図３ｃ】本発明による生物反応器の出口から入口に液体を循環させるためのもうひ
とつの循環系の図である。
【図３ｄ】本発明による他の生物反応器の図である。
【図４】本発明による他の生物反応器の図である。
【図５】本発明による他の生物反応器の図である。
【図５ａ】本発明による他の生物反応器の図である。
【図６】実施例１の生物反応器におけるＰ．ｃｈｒｙｓｏｇｅｎｕｍに関するペニシ
リンの濃度対時間のグラフである。
【図７】実施例１の噴霧式生物反応器におけるＰ．ｃｈｒｙｓｏｇｅｎｕｍに関する
ペニシリン濃度対時間のグラフである。
【図８】実施例１の生物反応器におけるＡ．ｎｉｇｅｒに関する炭水化物濃度対時間
のグラフである。
【図９】実施例１の噴霧式生物反応器におけるＡ．ｎｉｇｅｒに関する炭水化物濃度
対時間のグラフである。
【図１０】ガラス支持体を使用した、実施例２の生物反応器におけるＰ．ｃｈｒｙｓ
ｏｇｅｎｕｍに関する炭水化物濃度、ｐＨおよびペニシリン濃度対時間のグラフである。
【図１１】ポリエステル支持体を使用した、実施例２の生物反応器におけるＰ．ｃｈ
ｒｙｓｏｇｅｎｕｍに関する炭水化物濃度、ｐＨおよびペニシリン濃度対時間のグラフである。
【図１２】綿支持体を利用した例２の生物反応器におけるＰ．ｃｈｒｙｓｏｇｅｎｕ
ｍに関する炭水化物濃度、ｐＨおよびペニシリン濃度対時間のグラフである。
【図１３】ポリエステル綿支持体を使用した実施例２の生物反応器におけるＰ．ｃｈ
ｒｙｓｏｇｅｎｕｍに関する炭水化物濃度、ｐＨおよびペニシリン濃度対時間のグラフである。
【図１４ａ】綿支持体およびゲル状物質無しで、実施例２の生物反応器におけるＡ．
ｎｉｇｅｒに関する炭水化物濃度対時間のグラフである。
【図１４ｂ】ガラス支持体を用い、寒天ゲルを含む実施例２の生物反応器におけるＡ
．ｎｉｇｅｒに関する炭水化物濃度対時間のグラフである。
【図１４ｃ】ガラス支持体を用い、アルギン酸カルシウムを含む実施例２の生物反応
器におけるＡ．ｎｉｇｅｒに関する炭水化物濃度対時間のグラフである。
【図１４ｄ】ガラス支持体を用い、シリカゲルを含む実施例２の生物反応器における
Ａ．ｎｉｇｅｒに関する炭水化物濃度対時間のグラフである。
【図１５ａ】ガラス支持体およびシリカゲルを使用した、実施例２の生物反応器にお
けるＡ．ｎｉｇｅｒに関する炭水化物濃度対時間のグラフである。
【図１５ｂ】ガラス支持体およびシリカゲルを使用した、実施例２の生物反応器にお
けるＡ．ｎｉｇｅｒに関するカリウム、リン、硫黄の各濃度対時間のグラフである。
【図１５ｃ】ガラス支持体およびシリカゲルを使用した、実施例２の生物反応器にお
けるＡ．ｎｉｇｅｒに関する炭素、窒素、硫黄の各濃度対時間のグラフである。
【図１５ｄ】ガラス支持体およびシリカゲルを使用した、実施例２の生物反応器にお
けるＡ．ｎｉｇｅｒに関するカルシウム、マグネシウム、亜鉛の各濃度対時間のグラフである。
【図１６ａ】実施例３の連続式生物反応器と同じ膜物質を使用したバッチ式に関する
炭水化物の消費量とｐＨの経時変化を示すグラフである。
【図１６ｂ】実施例３の連続式生物反応器における炭水化物の消費量とｐＨに関する
結果のグラフである。
【図１７】実施例４において、ＮＢＭ中で成長したＡ．ｎｉｇｅｒにより、麦芽抽出
培地から、溶存固形物、リン、窒素が除去される過程を示したグラフである。
【図１８ａ】実施例４において、ＮＢＭ中で成長したＡ．ｎｉｇｅｒにより、麦芽抽
出培地から、各種成分の除去を示しているグラフである。
【図１８ｂ】実施例４において、ＮＢＭ中で成長したＡ．ｎｉｇｅｒにより、麦芽抽
出培地から、各種成分の除去を示しているグラフである。
【図１８ｃ】実施例４において、ＮＢＭ中で成長したＡ．ｎｉｇｅｒにより、麦芽抽
出培地から、各種成分の除去を示しているグラフである。
【図１９】実施例５から、ＮＭＢおよび振とうフラスコ培養におけるＡ．ferrooxida
nsによる第一鉄から第二鉄への変換における濃度変化を示すグラフである。
【図２０】膜の下端から栄養流が供給される、本発明による生物反応器の図である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年11月9日(2012.11.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  熱可塑性プラスチックからブロー成形された中空体を製作するためのブロー成形機であって、水平方向で移動可能な２つのブロー成形割型が設けられており、これらのブロー成形割型がその開閉用に、型閉までブロー成形割型を運動させ且つプラスチックチューブ圧搾用の力を付与するための型締め・係止装置の搬送駆動装置及び運動過程用の別個の駆動ユニットを装備している形式のものにおいて、
型締め・係止装置の型締め部材のための駆動ユニット（１５）が、電動モータ式の直接駆動装置として形成されており、この電気的な直接駆動装置を備えた少なくとも２つの型締め部材が設けられており、これらの型締め部材が、ブロー成形割型（９）に隣接して、型支持体プレート（７）又は該型支持体プレートに結合されたフレーム部分に固定されており、型締め・係止装置の各型締め部材が、型分割接合平面内で互いに結合可能な能動的な半部と受動的な半部とから成っており、ブロー成形割型を型締めし且つ係止するための能動的な半部に配置された直接駆動装置（１５）が電気的なスピンドル駆動装置として形成されており、該スピンドル駆動装置が遊星式ころスピンドル伝動装置（１８，１９，２０）として形成されており、
軸受けリング（１２）内でスピンドル（１８）に係合する遊星式ころナット（１９）が、それぞれブロー成形割型（９）若しくは型緊締プレート（７）に軸方向に一体で動くよう構成されており、カップリング（１０）との協働においてスピンドル（１８）により生ぜしめられるか、又は型緊締プレート（７）の変形に基づく曲げ応力により生じる恐れのある角度偏差を補償できるように弾性的に支承されており、
遊星式ころナット（１９）が、ばね（１７）を備えた軸受けリング（１２）に浮動式で支承されていることを特徴とするブロー成形機。
【請求項２】  主として回転対称的な中空体を製作するために、電気的な直接駆動装置（１５）を備えた少なくとも２つの型締め部材が設けられており、これらの型締め部材が、ブロー成形割型（９）の側方に隣接して、若しくは型支持体プレート（７）又は該型支持体プレートに結合されたフレーム部分に対称的に固定されている、請求項１記載のブロー成形機。
【請求項３】  技術的なブロー成形品若しくは主として非回転対称的な中空体を製作するために、電気的な直接駆動装置（１５）を備えた少なくとも３つの型締め部材が設けられており、これらの型締め部材がブロー成形割型（９）の側方に隣接して、若しくは型支持体プレート（７）又は該型支持体プレートに結合されたフレーム部分に非対称的に固定されている、請求項１記載のブロー成形機。
【請求項４】  遊星式ころスピンドル伝動装置に摺動可能なスピンドル（１８）が装備されており、遊星式ころナット（１９）がブロー成形割型（９）又は型緊締プレート（７）に対する所定位置でモータ（１５）によって駆動されて、スピンドル（１８）が移動する、請求項１から３までのいずれか１項記載のブロー成形機。
【請求項５】  遊星式ころスピンドル伝動装置に、ブロー成形割型（９）又は型緊締プレート（７）に対し相対的に回動不能に支承されたスピンドルが装備されており、遊星式ころナットがスピンドルに沿って摺動可能にモータによって駆動されている、請求項１から３までのいずれか１項記載のブロー成形機。
【請求項６】  ブロー成形割型（９）が係止された状態で吹込圧に抗して作用する予負荷をもたらす蓄力器を型締め・係止装置が有している、請求項１から５までのいずれか１項記載のブロー成形機。
【請求項７】  蓄力器が積層ばね部材によって形成されている、請求項６記載のブロー成形機。
【請求項８】  蓄力器が、型緊締プレート又は該型緊締プレートの背後に配置されたフレームプレートの弾性変形可能な領域によって形成されている、請求項６記載のブロー成形機。
【請求項９】  対向位置するスピンドル（８，１８）に結合可能な型締め部材の受動的な対応部材が、弾性的に各ブロー成形割型（９）若しくは型支持体プレート（７）に支承されている、請求項１から８までのいずれか１項記載のブロー成形機。
【請求項１０】  ブロー成形割型（９）を開閉するための搬送駆動装置用の駆動ユニット（１）が、電動モータ式の直接駆動装置として、大きなねじ山リードを有するねじ山付きスピンドルを備えて形成されている、請求項１から９までのいずれか１項記載のブロー成形機。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
本発明の構成では、主として回転対称的な中空体を製作するために、電気的な直接駆動装置を備えた少なくとも２つの型締め部材が設けられており、これらの型締め部材はブロー成形割型の側方に隣接して、若しくは、型支持体プレート又はこの型支持体プレートと結合されたフレーム部分に対称的に固定されている一方で、技術的なブロー成形品若しくは主として非回転対称的な中空体を製作するためには、電気的な直接駆動装置を備えた少なくとも３つの型締め部材が設けられており、これらの型締め部材はブロー成形割型の側方に隣接して、若しくは直接、型支持プレート又はこの型支持プレートと結合されたフレーム部分に非対称的に固定されている。この場合、型締め・係止装置の各型締め部材は能動的な半部と受動的な半部とから成っており、これらの半部はおおよそ型分割接合平面内で互いに結合可能であり、しかも、ブロー成形割型を型締めし且つ係止するための能動的な半部に配置された直接駆動装置が、有利にはアクメねじを備えた電気的なスピンドル駆動装置として形成されている。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年11月24日(2011.11.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
６２重量％の固有粘度が1.65であるポリアミド１２と、４重量％の可塑剤と、１２重量％のショアＤ強度が４２で、融点が１４７℃のポリエーテルブロックアミド型の熱可塑性エラストマーと、２２重量％のカーボンブラックとから成る帯電防止ポリアミド組成物であって、
上記カーボンブラックのＡＳＴＭ  Ｄ３０３７−８９で測定したＢＥＴ比表面積が２０〜１００ｍ2／ｇで且つＡＳＴＭ  Ｄ２４１４−９０で測定したＤＢＰ吸収能が１２５〜２５０ｍｌ／１００ｇであることを特徴とする、ＳＡＥ  ＸＪ２２６０規格に記載の試験方法で測定した表面抵抗が１０2〜１０4オーム（Ω）で、ＩＳＯ６６０３−２：８９規格で測定した多軸耐衝撃強度（Ｊ）が≧５０で、ＩＳＯ規格１１３３：９１規格で測定した流れ指数が６〜８g／１０分である帯電防止ポリアミド組成物。
【請求項２】
下記（2）〜（10）の中から選択される少なくとも一つの添加物をさらに含む請求項１に記載のポリアミド組成物：
（2）衝撃吸収材
（3）燐酸、亜燐酸またはヒドロ亜燐酸またはこれらのエステルまたは塩あるいはこれらの混合物
（4）着色剤
（5）カーボンブラック以外の顔料
（6）染料
（7）酸化防止剤
（8）耐ＵＶ安定化剤
（9）連鎖制限剤
（10）補強材
【請求項３】
可塑剤がベンゼンスルホンアミド、ヒドロキシ安息香酸エステル、ラクタム、テトラヒドロフルフリルアルコールのエステルまたはエーテル、クエン酸のエステルおよびヒドロキシマロン酸のエステルの中から選択される請求項１または２に記載のポリアミド組成物。
【請求項４】
可塑剤がｎ−ブチル−ベンゼンスルホンアミド（ＢＢＳＡ）である請求項３に記載のポリアミド組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のポリアミド組成物の製造方法であって、共混練機型の押出機で、溶融帯域に上記カーボンブラックを導入し、上記ポリアミドのペレットの一部を供給ホッパーから、他の一部はカーボンブラックと一緒に導入することを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のポリアミド組成物からなる物品。
【請求項７】
押出成形で得られる請求項６に記載の物品。
【請求項８】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のポリアミド組成物で作られた静電気が最も蓄積する層を有する単層または多層のチューブ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
【表２】
2001527146.tif 000001
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年4月19日(2012.4.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
通常の基部層１４は、モノフィラメント、諸よりモノフィラメント、マルチフィラメント又は諸よりマルチフィラメントの糸や繊維から織られる又は編まれる。そういった糸は一般的に、ポリアミドやポリエステルの樹脂といった合成重合体樹脂の１つから押し出し成形され、前記樹脂はこの目的のために当業者によって一般的に使用されるものである。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年7月9日(2012.7.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組み換えによって作製した活性型第VII因子ポリペプチドの薬剤物質中の一又は複数のＮ結合グリカンを欠く第VII因子ポリペプチドの含有量を減じる方法であって、
（ａ）疎水性相互作用クロマトグラフィ物質への前記薬剤物質の一部の結合を促す条件下にて疎水性相互作用クロマトグラフィ物質と前記薬剤物質を接触させる工程であって、前記薬剤物質が塩及び／又は双性イオンを含むものであり、前記塩は酢酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、塩化アンモニウム、塩化ナトリウム、酢酸ナトリウム、硫酸ナトリウム、酢酸カリウム、塩化カリウム及び硫酸カリウムからなる群から選択され、前記双性イオンはグリシン、アラニン、β-アラニン、ロイシン及びイソロイシンからなる群から選択され、このときの前記薬剤物質が０．０〜０．１Ｍの範囲、又は０．５Ｍから工程（ａ）が実施される温度でのそれぞれの塩の飽和濃度の８５％の範囲の濃度の塩類及び／又は双性イオンを含むものである工程、
（ｂ）洗浄バッファにて前記疎水性相互作用クロマトグラフィ物質を洗浄する工程、及び
（ｃ）溶出バッファにて前記疎水性相互作用クロマトグラフィ物質を溶出し、活性型第VII因子ポリペプチドの精製された薬剤物質を溶出物として回収する工程
を含んでなり、工程（ｃ）で回収された精製された薬剤物質中の一又は複数のＮ結合グリカンを欠く第VII因子ポリペプチドの形態の含有量が、工程（ａ）に用いられる薬剤物質と比較して、少なくとも５０％(w/w)に減少している方法。
【請求項２】
前記疎水性相互作用クロマトグラフィ物質が、ブチル・リガンド及び／又はフェニル・リガンドにて置換された樹脂からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程（ａ）の前記薬剤物質の負荷が樹脂１リットル当たり少なくとも２５０ｍｇの第VII因子ポリペプチドの範囲である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
工程（ａ）の前記薬剤物質が液体の形態であり、少なくとも５０ｍＳ／ｃｍのイオン強度を有する、請求項１から３のいずれか一に記載の方法。
【請求項５】
工程（ｂ）の前記洗浄バッファが、酢酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、塩化アンモニウム、塩化ナトリウム、酢酸ナトリウム、硫酸ナトリウム、酢酸カリウム、塩化カリウム及び硫酸カリウムからなる群から選択される塩、及び／又はグリシン、アラニン、β-アラニン、ロイシン、イソロイシンからなる群から選択される双性イオンを含有するものであり、このときの前記薬剤物質が０．０〜０．１Ｍの範囲、又は０．５Ｍから工程（ｂ）が実施される温度でのそれぞれの塩の飽和濃度の８５％の範囲の濃度の塩類及び／又は双性イオンを含有する方法。
【請求項６】
工程（ｂ）の前記洗浄バッファが０．７〜２．２Ｍの範囲の濃度の塩を含む、請求項１から５のいずれか一に記載の方法。
【請求項７】
工程（ｃ）の前記溶出バッファが０．７〜２．２Ｍの範囲の開始濃度の塩を含む、請求項１から６のいずれか一に記載の方法。
【請求項８】
工程（ｃ）の前記溶出バッファが塩に関する勾配バッファである、請求項１から７のいずれか一に記載の方法。
【請求項９】
前記勾配バッファの塩の開始濃度が１．７〜２．２Ｍの範囲であり、前記勾配バッファの塩の終濃度が０．０〜１．６Ｍの範囲である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記塩が酢酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、塩化ナトリウム及び酢酸ナトリウムからなる群から選択される、請求項１から９のいずれか一に記載の方法。
【請求項１１】
第VII因子ポリペプチドの薬剤物質の精製方法であって、前記薬剤物質は一又は複数のＮ結合グリカンを欠く第VII因子ポリペプチドの形態を少なくとも３％有するものであり、
（ａ） 疎水性相互作用クロマトグラフィ物質への前記薬剤物質の一部の結合を促す条件下にて前記疎水性相互作用クロマトグラフィ物質と前記薬剤物質を接触させ、このときの前記薬剤物質が１．５〜２．５Ｍの範囲の濃度のアンモニウム塩を含む工程、
（ｂ） １．５〜２．５Ｍの範囲の濃度のアンモニウム塩を含む洗浄バッファにて前記疎水性相互作用クロマトグラフィ物質を洗浄する工程、及び
（ｃ） アンモニウム塩を含む溶出バッファにて前記疎水性相互作用クロマトグラフィ物質を溶出し、このときの前記溶出バッファがアンモニウム塩に関する勾配バッファであり、第VII因子ポリペプチドの精製した薬剤物質を溶出物として回収する工程
を含んでなり、このときの工程(b)と(c)は組み合わせてもよい方法。
【請求項１２】
工程（ｃ）の前記溶出バッファがアンモニウム塩に関する勾配バッファであり、このときの前記勾配バッファのアンモニウム塩の開始濃度が１．８〜２．２Ｍの範囲であり、前記勾配バッファのアンモニウム塩の終濃度が１．２〜１．６の範囲である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
工程（ａ）〜（ｃ）の温度が０〜２５℃の範囲であり、工程（ａ）〜（ｃ）のｐＨが６〜９の範囲である、請求項１１又は１２に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
一般的に、第VII因子ポリペプチドの薬剤物質は、産業的規模の生産プロセス、例えば細胞培養、微生物プロセス、クローン動物(例えばウシ、ブタ、ヒツジ、ヤギ及び魚)又は昆虫等、特に細胞培養から生じる。
疎水性相互作用クロマトグラフィ物質は、疎水性リガンド、例えばエチル、ブチル、フェニル又はヘキシル(タンパク質結合を担うと思われる)と置換される基質である。好適な物質は、ブチル・リガンド及び／又はフェニル・リガンドに置換されるものである。物質は、多くの場合ビーズの形態、例えば０．１〜１０００μｍの範囲の平均直径を有する粒子状物質、又は棒状、膜状、ペレット状、モノリス状などの形態で存在することが多い。
疎水性相互作用クロマトグラフィ物質で最も一般的な配列はカラム形式である。バッチ容器の配列もまた可能である。