【手続補正書】
【提出日】平成24年10月11日(2012.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（３）
【化８５】
2012506440.tif 000001
[式中、Ａｒ２は、アリールまたはヘテロアリール環系である。］の化合物を作製するための方法であって、Ｍが対イオンである化合物ＭＦと、式（２）
【化８６】
2012506440.tif 000002
[式中、Ａｒ１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ａｒ２は、上に定義した通りである。］の化合物とを極性溶媒中で反応させるステップと、
反応混合物から極性溶媒を除去するステップと、
残留混合物および非極性溶媒を含む溶液を加熱するステップとを含む方法。
【請求項２】
式（３）
【化８７】
2012506440.tif 000003
[式中、Ａｒ２は、アリールまたはヘテロアリール環系である。］の化合物を作製するための方法であって、非極性溶媒、Ｍが対イオンである化合物ＭＦ、および式（２）
【化８８】
2012506440.tif 000004
[式中、Ａｒ１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ａｒ２は、上に定義した通りである。］の化合物を含む混合物を加熱するステップを含む方法。
【請求項３】
式（３）
【化８９】
2012506440.tif 000005
[式中、Ａｒ２は、アリールまたはヘテロアリール環系である。］の化合物を作製するための方法であって、Ｍが対イオンである化合物ＭＦと、式（２）
【化９０】
2012506440.tif 000006
[式中、Ａｒ１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ａｒ２は、上に定義した通りである。］の化合物とを極性溶媒中で反応させるステップと、
反応混合物から極性溶媒を除去するステップと、
残留混合物を非極性溶媒と合わせるステップと、
生成溶液をろ過することによって不溶解材料を除去するステップと、
ろ液を加熱するステップとを含む方法。
【請求項４】
式（３）
【化９１】
2012506440.tif 000007
[式中、Ａｒ２は、アリールまたはヘテロアリール環系である。］の化合物を作製するための方法であって、Ｍが対イオンである化合物ＭＦと、式（２）
【化９２】
2012506440.tif 000008
[式中、Ａｒ１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ａｒ２は、上に定義した通りである。］の化合物とを非極性溶媒中で反応させるステップと、
反応混合物をろ過することによって不溶解材料を除去するステップと、
ろ液を加熱するステップとを含む方法。
【請求項５】
Ａｒ１−Ｈが、ベンゼンより容易に酸化される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
Ｘが、放射性アイソトープである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
Ａｒ１が、ハメットのσｐ値がゼロ未満である少なくとも１つの置換基で置換されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
置換基が、−（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、−（Ｃ１−Ｃ１０）ハロアルキル、（Ｃ２−Ｃ１０）アルケニル、（Ｃ２−Ｃ１０）アルキニル、−Ｏ−（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、アリールおよびヘテロアリールから選択される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
Ｆが、フッ素の放射性アイソトープである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
Ａｒ１およびＡｒ２が、同じである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
Ａｒ１が、
【化９３】
2012506440.tif 000009
[式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は、Ｈ、−（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、−（Ｃ１−Ｃ１０）ハロアルキル、（Ｃ２−Ｃ１０）アルケニル、（Ｃ２−Ｃ１０）アルキニル、−Ｏ−（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、アリールおよびヘテロアリールから独立に選択され、またはＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５のうちの２つ以上が一緒になって、縮合した、アリールまたはヘテロアリール環系を形成する。］である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
Ａｒ２が、フェニルアラニン誘導体、チロシン誘導体、チプトファン誘導体、ヒスチジン誘導体およびエストラジオール誘導体から選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
Ａｒ２が、
【化９４−１】
2012506440.tif 000010
【化９４−２】
2012506440.tif 000011
【化９４−３】
2012506440.tif 000012
［式中、Ｐ１、Ｐ２およびＰ６のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ１およびＰ２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ３、Ｐ４およびＰ７のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ３およびＰ４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ５は、カルボン酸保護基である。］から選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
非極性溶媒が、ベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、エチルベンゼン、四塩化炭素、ヘキサン、シクロヘキサン、フルオロベンゼン、クロロベンゼン、ニトロベンゼンおよびそれらの混合物から選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
非極性溶媒が、ベンゼンを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
非極性溶媒が、トルエンを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
加熱ステップが、約２５℃〜約２５０℃の範囲の温度で加熱するステップを含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
加熱ステップが、約１秒〜約２５分の間行われる、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
加熱ステップが、フラッシュ熱分解法、従来の加熱法またはマイクロウエーブ法で実施される、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
非極性溶媒を含む混合物が、加熱前にろ過される、請求項１および２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
極性溶媒が、アセトニトリル、アセトン、ジクロロメタン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、１，２−ジフルオロベンゼン、ベンゾトリフルオリドおよびそれらの混合物から選択される、請求項１および３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
Ｙが、トリフラート、メシラート、ノナフラート、ヘキサフラート、トシラート、ノシラート、ブロシラート、ペルフルオロアルキルスルホナート、テトラフェニルボラート、ヘキサフルオロホスファート、トリフルオロアセタート、テトラフルオロボラート、ペルクロラート、ペルフルオロアルキルカルボキシラート、クロリド、ブロミドおよびヨージドから選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】
Ｍが、カリウム、ナトリウム、セシウム、クリプタンドもしくはクラウンエーテルとリチウム、ナトリウム、カリウムまたはセシウムとの錯体、四置換アンモニウムカチオンおよびホスホニウムカチオンから選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２４】
不溶解材料が、不溶解塩を含む、請求項３および４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２５】
溶媒が、加熱前にろ液から除去される、請求項３および４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２６】
式（２）の化合物が、
【化９５】
2012506440.tif 000013
[式中、Ｐ１およびＰ２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ１およびＰ２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ３およびＰ４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ３およびＰ４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ５は、カルボン酸保護基である。］から選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２７】
式（３）の化合物が、
【化９６】
2012506440.tif 000014
[式中、Ｐ１およびＰ２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ１およびＰ２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ３およびＰ４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ３およびＰ４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ５は、カルボン酸保護基である。］から選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２８】
式（２）の化合物が、
【化９７】
2012506440.tif 000015
から選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２９】
式（３）の化合物が、
【化９８】
2012506440.tif 000016
から選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３０】
式（２）の化合物が、
【化９９】
2012506440.tif 000017
[式中、Ｐ３およびＰ４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基である。］から選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３１】
式（３）の化合物が、
【化１００】
2012506440.tif 000018
[式中、Ｐ３およびＰ４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基である。］から選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３２】
式（２）の化合物が、
【化１０１】
2012506440.tif 000019
[式中、Ｐ１およびＰ２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ１およびＰ２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ３およびＰ４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ３およびＰ４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ５は、カルボン酸保護基である。］である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３３】
式（２）の化合物が、
【化１０２】
2012506440.tif 000020
である、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
式（２）の化合物が、
【化１０３】
2012506440.tif 000021
である、請求項３２に記載の方法。
【請求項３５】
式（３）の化合物が、
【化１０４】
2012506440.tif 000022
[式中、Ｐ１およびＰ２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ１およびＰ２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ３およびＰ４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ３およびＰ４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ５は、カルボン酸保護基である。］である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３６】
式（３）の化合物が、
【化１０５】
2012506440.tif 000023
である、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
式（３）の化合物が、
【化１０６】
2012506440.tif 000024
である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１１】
本発明の多数の実施形態が説明された。しかし、本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく多様な改変形態の作製が可能であることは理解されよう。したがって、他の実施形態は、以下の特許請求の範囲内である。
[１]  式（１）
【化６３】
2012506440.tif 000025
[式中、Ａｒ２は、アリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｘは、ｐＫａが１２未満の酸Ｈ−Ｘの部分である。］の化合物を作製するための方法であって、Ｍが対イオン、Ｘが上に定義した通りである化合物ＭＸと、式（２）
【化６４】
2012506440.tif 000026
[式中、Ａｒ１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ａｒ２およびＸは、上に定義した通りである。］の化合物とを極性溶媒中で反応させるステップと、
反応混合物から極性溶媒を除去するステップと、
残留混合物および非極性溶媒を含む溶液を加熱するステップとを含む方法。
[２]  式（１）
【化６５】
2012506440.tif 000027
[式中、Ａｒ２は、アリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｘは、ｐＫａが１２未満の酸Ｈ−Ｘの部分である。］の化合物を作製するための方法であって、非極性溶媒、Ｍが対イオンであり、Ｘが上に定義した通りである化合物ＭＸ、および式（２）
【化６６】
2012506440.tif 000028
[式中、Ａｒ１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ａｒ２およびＸは、上に定義した通りである。］の化合物を含む溶液を加熱するステップを含む方法。
[３]  式（１）
【化６７】
2012506440.tif 000029
[式中、Ａｒ２は、アリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｘは、ｐＫａが１２未満の酸Ｈ−Ｘの部分である。］の化合物を作製するための方法であって、Ｍが対イオン、Ｘが上に定義した通りである化合物ＭＸと、式（２）
【化６８】
2012506440.tif 000030
[式中、Ａｒ１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ａｒ２およびＸは、上に定義した通りである。］の化合物とを極性溶媒中で反応させるステップと、
反応混合物から極性溶媒を除去するステップと、
残留混合物を非極性溶媒と合わせるステップと、
生成溶液をろ過することによって不溶解材料を除去するステップと、
ろ液を加熱するステップとを含む方法。
[４]  式（１）
【化６９】
2012506440.tif 000031
[式中、Ａｒ２は、アリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｘは、ｐＫａが１２未満の酸Ｈ−Ｘの部分である。］の化合物を作製するための方法であって、Ｍが対イオン、Ｘが上に定義した通りである化合物ＭＸと、式（２）
【化７０】
2012506440.tif 000032
[式中、Ａｒ１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ａｒ２およびＸは、上に定義した通りである。］の化合物とを非極性溶媒中で反応させるステップと、
反応混合物をろ過することによって不溶解材料を除去するステップと、
ろ液を加熱するステップとを含む方法。
[５]  Ａｒ１−Ｈが、ベンゼンより容易に酸化される、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[６]  Ｘが、放射性アイソトープである、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[７]  Ａｒ１が、ハメットのσｐ値がゼロ未満である少なくとも１つの置換基で置換されている、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[８]  置換基が、−（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、−（Ｃ１−Ｃ１０）ハロアルキル、（Ｃ２−Ｃ１０）アルケニル、（Ｃ２−Ｃ１０）アルキニル、−Ｏ−（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、アリールおよびヘテロアリールから選択される、上記[７]に記載の方法。
[９]  Ｘが、ハライド、カルボン酸アリール、カルボン酸アルキル、ホスファート、ホスホナート、ホスホニット、アジド、チオシアナート、シアナート、フェノキシド、トリフラート、トリフルオロエトキシド、チオラートおよび安定化エノラートから選択される、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[１０]  Ｘが、フルオリド、クロリド、ブロミド、ヨージド、トリフラート、トリフルオロアセタート、ベンゾアート、アセタート、フェノキシド、トリフルオロエトキシド、シアナート、アジド、チオシアナート、チオラート、ホスファートおよび安定化エノラートから選択される、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[１１]  Ｘが、フルオリドである、上記[１０]に記載の方法。
[１２]  Ｘが、フルオリドの放射性アイソトープである、上記[１１]に記載の方法。
[１３]  Ａｒ１およびＡｒ２が、同じである、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[１４]  Ａｒ１が、
【化７１】
2012506440.tif 000033
[式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は、Ｈ、−（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、−（Ｃ１−Ｃ１０）ハロアルキル、（Ｃ２−Ｃ１０）アルケニル、（Ｃ２−Ｃ１０）アルキニル、−Ｏ−（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、アリールおよびヘテロアリールから独立に選択され、またはＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５のうちの２つ以上が一緒になって、縮合した、アリールまたはヘテロアリール環系を形成する。］である、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[１５]  Ａｒ２が、フェニルアラニン誘導体、チロシン誘導体、チプトファン誘導体、ヒスチジン誘導体およびエストラジオール誘導体から選択される、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[１６]  Ａｒ２が、
【化７２−１】
2012506440.tif 000034
【化７２−２】
2012506440.tif 000035
【化７２−３】
2012506440.tif 000036
［式中、Ｐ１、Ｐ２およびＰ６のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ１およびＰ２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ３、Ｐ４およびＰ７のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ３およびＰ４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ５は、カルボン酸保護基である。］から選択される、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[１７]  非極性溶媒が、ベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、エチルベンゼン、四塩化炭素、ヘキサン、シクロヘキサン、フルオロベンゼン、クロロベンゼン、ニトロベンゼンおよびそれらの混合物から選択される、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[１８]  非極性溶媒が、ベンゼンを含む、上記[１７]に記載の方法。
[１９]  非極性溶媒が、トルエンを含む、上記[１７]に記載の方法。
[２０]  加熱ステップが、約２５℃〜約２５０℃の範囲の温度で加熱するステップを含む、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[２１]  加熱ステップが、約１秒〜約２５分の間行われる、上記[２０]に記載の方法。
[２２]  加熱ステップが、フラッシュ熱分解法、従来の加熱法またはマイクロウエーブ法で実施される、上記[２０]に記載の方法。
[２３]  非極性溶媒を含む混合物が、加熱前にろ過される、上記[１]および[２]のいずれか１項に記載の方法。
[２４]  極性溶媒が、アセトニトリル、アセトン、ジクロロメタン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、１，２−ジフルオロベンゼン、ベンゾトリフルオリドおよびそれらの混合物から選択される、上記[１]および[３]のいずれか１項に記載の方法。
[２５]  Ｙが、トリフラート、メシラート、ノナフラート、ヘキサフラート、トシラート、ノシラート、ブロシラート、ペルフルオロアルキルスルホナート、テトラフェニルボラート、ヘキサフルオロホスファート、トリフルオロアセタート、テトラフルオロボラート、ペルクロラート、ペルフルオロアルキルカルボキシラート、クロリド、ブロミドおよびヨージドから選択される、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[２６]  Ｍが、カリウム、ナトリウム、セシウム、クリプタンドもしくはクラウンエーテルとリチウム、ナトリウム、カリウムまたはセシウムとの錯体、四置換アンモニウムカチオンおよびホスホニウムカチオンから選択される、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[２７]  不溶解材料が、不溶解塩を含む、上記[３]および[４]のいずれか１項に記載の方法。
[２８]  溶媒が、加熱前にろ液から除去される、上記[３]および[４]のいずれか１項に記載の方法。
[２９]  式（２）の化合物が、
【化７３】
2012506440.tif 000037
[式中、Ｐ１およびＰ２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ１およびＰ２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ３およびＰ４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ３およびＰ４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ５は、カルボン酸保護基である。］から選択される、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[３０]  式（１）の化合物が、
【化７４】
2012506440.tif 000038
[式中、Ｐ１およびＰ２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ１およびＰ２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ３およびＰ４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ３およびＰ４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ５は、カルボン酸保護基である。］から選択される、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[３１]  式（２）の化合物が、
【化７５】
2012506440.tif 000039
から選択される、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[３２]  式（１）の化合物が、
【化７６】
2012506440.tif 000040
から選択される、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[３３]  式（２）の化合物が、
【化７７】
2012506440.tif 000041
[式中、Ｐ３およびＰ４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基である。］から選択される、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[３４]  式（１）の化合物が、
【化７８】
2012506440.tif 000042
[式中、Ｐ３およびＰ４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基である。］から選択される、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[３５]  式（２）の化合物が、
【化７９】
2012506440.tif 000043
[式中、Ｐ１およびＰ２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ１およびＰ２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ３およびＰ４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ３およびＰ４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ５は、カルボン酸保護基である。］である、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[３６]  式（２）の化合物が、
【化８０】
2012506440.tif 000044
である、上記[３５]に記載の方法。
[３７]  式（２）の化合物が、
【化８１】
2012506440.tif 000045
である、上記[３６]に記載の方法。
[３８]  式（１）の化合物が、
【化８２】
2012506440.tif 000046
[式中、Ｐ１およびＰ２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ１およびＰ２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ３およびＰ４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ３およびＰ４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ５は、カルボン酸保護基である。］である、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[３９]  式（１）の化合物が、
【化８３】
2012506440.tif 000047
である、上記[３８]に記載の方法。
[４０]  式（１）の化合物が、
【化８４】
2012506440.tif 000048
である、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[４１]  式（３）
【化８５】
2012506440.tif 000049
[式中、Ａｒ２は、アリールまたはヘテロアリール環系である。］の化合物を作製するための方法であって、Ｍが対イオンである化合物ＭＦと、式（２）
【化８６】
2012506440.tif 000050
[式中、Ａｒ１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ａｒ２は、上に定義した通りである。］の化合物とを極性溶媒中で反応させるステップと、
反応混合物から極性溶媒を除去するステップと、
残留混合物および非極性溶媒を含む溶液を加熱するステップとを含む方法。
[４２]  式（３）
【化８７】
2012506440.tif 000051
[式中、Ａｒ２は、アリールまたはヘテロアリール環系である。］の化合物を作製するための方法であって、非極性溶媒、Ｍが対イオンである化合物ＭＦ、および式（２）
【化８８】
2012506440.tif 000052
[式中、Ａｒ１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ａｒ２は、上に定義した通りである。］の化合物を含む混合物を加熱するステップを含む方法。
[４３]  式（３）
【化８９】
2012506440.tif 000053
[式中、Ａｒ２は、アリールまたはヘテロアリール環系である。］の化合物を作製するための方法であって、Ｍが対イオンである化合物ＭＦと、式（２）
【化９０】
2012506440.tif 000054
[式中、Ａｒ１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ａｒ２は、上に定義した通りである。］の化合物とを極性溶媒中で反応させるステップと、
反応混合物から極性溶媒を除去するステップと、
残留混合物を非極性溶媒と合わせるステップと、
生成溶液をろ過することによって不溶解材料を除去するステップと、
ろ液を加熱するステップとを含む方法。
[４４]  式（３）
【化９１】
2012506440.tif 000055
[式中、Ａｒ２は、アリールまたはヘテロアリール環系である。］の化合物を作製するための方法であって、Ｍが対イオンである化合物ＭＦと、式（２）
【化９２】
2012506440.tif 000056
[式中、Ａｒ１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ａｒ２は、上に定義した通りである。］の化合物とを非極性溶媒中で反応させるステップと、
反応混合物をろ過することによって不溶解材料を除去するステップと、
ろ液を加熱するステップとを含む方法。
[４５]  Ａｒ１−Ｈが、ベンゼンより容易に酸化される、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[４６]  Ｘが、放射性アイソトープである、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[４７]  Ａｒ１が、ハメットのσｐ値がゼロ未満である少なくとも１つの置換基で置換されている、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[４８]  置換基が、−（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、−（Ｃ１−Ｃ１０）ハロアルキル、（Ｃ２−Ｃ１０）アルケニル、（Ｃ２−Ｃ１０）アルキニル、−Ｏ−（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、アリールおよびヘテロアリールから選択される、上記[４７]に記載の方法。
[４９]  Ｆが、フッ素の放射性アイソトープである、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[５０]  Ａｒ１およびＡｒ２が、同じである、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[５１]  Ａｒ１が、
【化９３】
2012506440.tif 000057
[式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は、Ｈ、−（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、−（Ｃ１−Ｃ１０）ハロアルキル、（Ｃ２−Ｃ１０）アルケニル、（Ｃ２−Ｃ１０）アルキニル、−Ｏ−（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、アリールおよびヘテロアリールから独立に選択され、またはＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５のうちの２つ以上が一緒になって、縮合した、アリールまたはヘテロアリール環系を形成する。］である、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[５２]  Ａｒ２が、フェニルアラニン誘導体、チロシン誘導体、チプトファン誘導体、ヒスチジン誘導体およびエストラジオール誘導体から選択される、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[５３]  Ａｒ２が、
【化９４−１】
2012506440.tif 000058
【化９４−２】
2012506440.tif 000059
【化９４−３】
2012506440.tif 000060
［式中、Ｐ１、Ｐ２およびＰ６のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ１およびＰ２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ３、Ｐ４およびＰ７のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ３およびＰ４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ５は、カルボン酸保護基である。］から選択される、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[５４]  非極性溶媒が、ベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、エチルベンゼン、四塩化炭素、ヘキサン、シクロヘキサン、フルオロベンゼン、クロロベンゼン、ニトロベンゼンおよびそれらの混合物から選択される、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[５５]  非極性溶媒が、ベンゼンを含む、上記[５４]に記載の方法。
[５６]  非極性溶媒が、トルエンを含む、上記[５４]に記載の方法。
[５７]  加熱ステップが、約２５℃〜約２５０℃の範囲の温度で加熱するステップを含む、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[５８]  加熱ステップが、約１秒〜約２５分の間行われる、上記[５７]に記載の方法。
[５９]  加熱ステップが、フラッシュ熱分解法、従来の加熱法またはマイクロウエーブ法で実施される、上記[５７]に記載の方法。
[６０]  極性溶媒を含む混合物が、加熱前にろ過される、上記[４１]および[４２]のいずれか１項に記載の方法。
[６１]  極性溶媒が、アセトニトリル、アセトン、ジクロロメタン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、１，２−ジフルオロベンゼン、ベンゾトリフルオリドおよびそれらの混合物から選択される、上記[４１]および[４３]のいずれか１項に記載の方法。
[６２]  Ｙが、トリフラート、メシラート、ノナフラート、ヘキサフラート、トシラート、ノシラート、ブロシラート、ペルフルオロアルキルスルホナート、テトラフェニルボラート、ヘキサフルオロホスファート、トリフルオロアセタート、テトラフルオロボラート、ペルクロラート、ペルフルオロアルキルカルボキシラート、クロリド、ブロミドおよびヨージドから選択される、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[６３]  Ｍが、カリウム、ナトリウム、セシウム、クリプタンドもしくはクラウンエーテルとリチウム、ナトリウム、カリウムまたはセシウムとの錯体、四置換アンモニウムカチオンおよびホスホニウムカチオンから選択される、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[６４]  不溶解材料が、不溶解塩を含む、上記[４３]および[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[６５]  溶媒が、加熱前にろ液から除去される、上記[４３]および[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[６６]  式（２）の化合物が、
【化９５】
2012506440.tif 000061
[式中、Ｐ１およびＰ２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ１およびＰ２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ３およびＰ４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ３およびＰ４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ５は、カルボン酸保護基である。］から選択される、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[６７]  式（３）の化合物が、
【化９６】
2012506440.tif 000062
[式中、Ｐ１およびＰ２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ１およびＰ２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ３およびＰ４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ３およびＰ４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ５は、カルボン酸保護基である。］から選択される、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[６８]  式（２）の化合物が、
【化９７】
2012506440.tif 000063
から選択される、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[６９]  式（３）の化合物が、
【化９８】
2012506440.tif 000064
から選択される、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[７０]  式（２）の化合物が、
【化９９】
2012506440.tif 000065
[式中、Ｐ３およびＰ４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基である。］から選択される、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[７１]  式（３）の化合物が、
【化１００】
2012506440.tif 000066
[式中、Ｐ３およびＰ４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基である。］から選択される、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[７２]  式（２）の化合物が、
【化１０１】
2012506440.tif 000067
[式中、Ｐ１およびＰ２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ１およびＰ２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ３およびＰ４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ３およびＰ４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ５は、カルボン酸保護基である。］である、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[７３]  式（２）の化合物が、
【化１０２】
2012506440.tif 000068
である、上記[７２]に記載の方法。
[７４]  式（２）の化合物が、
【化１０３】
2012506440.tif 000069
である、上記[７２]に記載の方法。
[７５]  式（３）の化合物が、
【化１０４】
2012506440.tif 000070
[式中、Ｐ１およびＰ２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ１およびＰ２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ３およびＰ４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ３およびＰ４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ５は、カルボン酸保護基である。］である、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[７６]  式（３）の化合物が、
【化１０５】
2012506440.tif 000071
である、上記[７５]に記載の方法。
[７７]  式（３）の化合物が、
【化１０６】
2012506440.tif 000072
である、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[７８]  式（１）
【化１０７】
2012506440.tif 000073
[式中、Ａｒ２は、アリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｘは、ｐＫａが１２未満の酸Ｈ−Ｘの部分である。］の化合物を作製するための方法であって、非極性溶媒および式（５）
【化１０８】
2012506440.tif 000074
[式中、Ａｒ１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ａｒ２およびＸは、上に定義した通りである。］の化合物を含む混合物を加熱するステップを含む方法。
[７９]  式（１）
【化１０９】
2012506440.tif 000075
[式中、Ａｒ２は、アリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｘは、ｐＫａが１２未満の酸Ｈ−Ｘの部分である。］の化合物を作製するための方法であって、非極性溶媒と、式（５）
【化１１０】
2012506440.tif 000076
[式中、Ａｒ１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ａｒ２およびＸは、上に定義した通りである。］の化合物とを合わせるステップと、
混合物をろ過するステップと、
ろ液を加熱するステップとを含む方法。
[８０]  式（１）
【化１１１】
2012506440.tif 000077
[式中、Ａｒ２は、アリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｘは、ｐＫａが１２未満の酸Ｈ−Ｘの部分である。］の化合物を作製するための方法であって、非極性溶媒と、式（５）
【化１１２】
2012506440.tif 000078
[式中、Ａｒ１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ａｒ２およびＸは、上に定義した通りである。］の化合物とを合わせるステップと、
混合物をろ過するステップと、
非極性溶媒を除去するステップと、
残渣および極性溶媒を含む溶液を加熱するステップを含む方法。
[８１]  式（３）
【化１１３】
2012506440.tif 000079
[式中、Ａｒ２は、アリールまたはヘテロアリール環系である。］の化合物を作製するための方法であって、非極性溶媒および式（４）
【化１１４】
2012506440.tif 000080
[式中、Ａｒ１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ａｒ２は、上に定義した通りである。］の化合物を含む混合物を加熱するステップを含む方法。
[８２]  式（３）
【化１１５】
2012506440.tif 000081
[式中、Ａｒ２は、アリールまたはヘテロアリール環系である。］の化合物を作製するための方法であって、非極性溶媒と、式（４）
【化１１６】
2012506440.tif 000082
[式中、Ａｒ１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ａｒ２は、上に定義した通りである。］の化合物とを合わせるステップと、
混合物をろ過するステップと、
ろ液を加熱するステップとを含む方法。
[８３]  式（３）
【化１１７】
2012506440.tif 000083
[式中、Ａｒ２は、アリールまたはヘテロアリール環系である。］の化合物を作製するための方法であって、非極性溶媒と、式（４）
【化１１８】
2012506440.tif 000084
[式中、Ａｒ１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ａｒ２は、上に定義した通りである。］の化合物とを合わせるステップと、
混合物をろ過するステップと、
非極性溶媒を除去するステップと、
残渣および極性溶媒を含む溶液を加熱するステップとを含む方法。
[８４]  Ｆが、フルオリドの放射性アイソトープである、上記[８１]〜[８３]のいずれか１項に記載の方法。
[８５]  式（６）
【化１１９】
2012506440.tif 000085
[式中、Ｐ１およびＰ２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ１およびＰ２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ３およびＰ４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ３およびＰ４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ５は、カルボン酸保護基である。］の化合物を作製する方法であって、Ｍが対イオンである化合物ＭＦと
式（７）
【化１２０】
2012506440.tif 000086
[式中、Ａｒ１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４およびＰ５は、上に定義した通りである。］の化合物とを極性溶媒中で反応させるステップと、
反応混合物から極性溶媒を除去するステップと、
残留混合物および非極性溶媒を含む溶液を加熱するステップとを含む方法。
[８６]  式（６）
【化１２１】
2012506440.tif 000087
[式中、Ｐ１およびＰ２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ１およびＰ２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ３およびＰ４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ３およびＰ４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ５は、カルボン酸保護基である。］の化合物を作製する方法であって、
非極性溶媒、Ｍが対イオンである化合物ＭＦおよび
式（７）
【化１２２】
2012506440.tif 000088
[式中、Ａｒ１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４およびＰ５は、上に定義した通りである。］の化合物を含む混合物を加熱するステップを含む方法。
[８７]  式（６）
【化１２３】
2012506440.tif 000089
[式中、Ｐ１およびＰ２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ１およびＰ２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ３およびＰ４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ３およびＰ４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ５は、カルボン酸保護基である。］の化合物を作製する方法であって、
Ｍが対イオンである化合物ＭＦと
式（７）
【化１２４】
2012506440.tif 000090
[式中、Ａｒ１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４およびＰ５は、上に定義した通りである。］の化合物とを極性溶媒中で反応させるステップと、
反応混合物から極性溶媒を除去するステップと、
残留混合物を非極性溶媒と合わせるステップと、
生成混合物をろ過することによって不溶解材料を除去するステップと、
ろ液を加熱するステップとを含む方法。
[８８]  式（６）
【化１２５】
2012506440.tif 000091
[式中、Ｐ１およびＰ２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ１およびＰ２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ３およびＰ４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ３およびＰ４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ５は、カルボン酸保護基である。］の化合物を作製する方法であって、
Ｍが対イオンである化合物ＭＦと
式（７）
【化１２６】
2012506440.tif 000092
[式中、Ａｒ１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４およびＰ５は、上に定義した通りである。］の化合物とを非極性溶媒中で反応させるステップと、
反応混合物をろ過することによって不溶解材料を除去するステップと、
ろ液を加熱するステップとを含む方法。
[８９]  式（７）の化合物が、
【化１２７】
2012506440.tif 000093
である、上記[８５]〜[８８]のいずれか１項に記載の方法。
[９０]  式（７）の化合物が、
【化１２８】
2012506440.tif 000094
である、上記[８９]に記載の方法。
[９１]  式（６）の化合物が、
【化１２９】
2012506440.tif 000095
である、上記[８５]〜[８８]のいずれか１項に記載の方法。
[９２]  Ａｒ１が、ベンゼンより容易に酸化される、上記[８５]〜[８８]のいずれか１項に記載の方法。
[９３]  式（８）の化合物
【化１３０】
2012506440.tif 000096
[式中、Ａｒ１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｐ１およびＰ２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ１およびＰ２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ３およびＰ４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ３およびＰ４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ５は、カルボン酸保護基である。］。
[９４]  式（８）の化合物が、
【化１３１】
2012506440.tif 000097
である、上記[９３]に記載の方法。
[９５]  式（８）の化合物が、
【化１３２】
2012506440.tif 000098
である、上記[９３]に記載の方法。
[９６]  式（６）
【化１３３】
2012506440.tif 000099
[式中、Ｐ１およびＰ２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ１およびＰ２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ３およびＰ４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ３およびＰ４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ５は、カルボン酸保護基である。］の化合物であって、
Ｍが対イオンである化合物ＭＦと
式（７）
【化１３４】
2012506440.tif 000100
[式中、Ａｒ１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４およびＰ５は、上に定義した通りである。］の化合物とを極性溶媒中で反応させるステップと、
反応混合物から極性溶媒を除去するステップと、
残留混合物および非極性溶媒を含む溶液を加熱するステップとを含む方法によって調製される化合物。
[９７]  式（６）
【化１３５】
2012506440.tif 000101
[式中、Ｐ１およびＰ２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ１およびＰ２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ３およびＰ４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ３およびＰ４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ５は、カルボン酸保護基である。］の化合物であって、
非極性溶媒、Ｍが対イオンである化合物ＭＦおよび
式（７）
【化１３６】
2012506440.tif 000102
[式中、Ａｒ１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４およびＰ５は、上に定義した通りである。］の化合物を含む混合物を加熱するステップを含む方法によって調製される化合物。
[９８]  式（６）
【化１３７】
2012506440.tif 000103
[式中、Ｐ１およびＰ２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ１およびＰ２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ３およびＰ４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ３およびＰ４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ５は、カルボン酸保護基である。］の化合物であって、
Ｍが対イオンである化合物ＭＦと
式（７）
【化１３８】
2012506440.tif 000104
[式中、Ａｒ１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４およびＰ５は、上に定義した通りである。］の化合物とを極性溶媒中で反応させるステップと、
反応混合物から極性溶媒を除去するステップと、
残留混合物を非極性溶媒と合わせるステップと、
生成混合物をろ過することによって不溶解材料を除去するステップと、
ろ液を加熱するステップとを含む方法によって調製される化合物。
[９９]  式（６）
【化１３９】
2012506440.tif 000105
[式中、Ｐ１およびＰ２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ１およびＰ２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ３およびＰ４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ３およびＰ４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ５は、カルボン酸保護基である。］の化合物を作製するための方法であって、
Ｍが対イオンである化合物ＭＦと
式（７）
【化１４０】
2012506440.tif 000106
[式中、Ａｒ１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４およびＰ５は、上に定義した通りである。］の化合物とを非極性溶媒中で反応させるステップと、
反応混合物をろ過することによって不溶解材料を除去するステップと、
ろ液を加熱するステップとを含む方法によって化合物が調製される方法。
[１００]  式（７）の化合物が、
【化１４１】
2012506440.tif 000107
である、上記[９６]〜[９９]のいずれか１項に記載の化合物。
[１０１]  式（７）の化合物が、
【化１４２】
2012506440.tif 000108
である、上記[１００]に記載の化合物。
[１０２]  式（６）の化合物が、
【化１４３】
2012506440.tif 000109
である、上記[９６]〜[９９]のいずれか１項に記載の化合物。
[１０３]  Ａｒ１が、ベンゼンより容易に酸化される、上記[９６]〜[９９]のいずれか１項に記載の化合物。