(57)【要約】【課題】発振周波数帯域を広帯域化しながら、実装面積の増大及びＣＮ特性の劣化を防止し得る電圧制御発振器を提供する。【解決手段】半導体基板上に形成された共振部品１２ａ，１２ｂで、複数の共振周波数を設定するとともに、共振部品１２ａ，１２ｂのＱを切替えて、共振周波数における共振度を切替えることにより、電圧制御発振器の出力信号周波数を切替え可能とする。【選択図】　　　　図１
2004096218.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された共振部品の共振周波数を切替えることにより出力信号周波数を切替える電圧制御発振器であって、
前記共振部品で、複数の共振周波数を設定するとともに、前記共振部品のＱを切替えて、前記共振周波数における共振度を切替えることにより、前記出力信号周波数を切替え可能としたことを特徴とする電圧制御発振器。
【請求項２】
前記共振部品は、複数のインダクタンスを並列に接続して、複数の共振周波数を設定し、前記各インダクタンスのＱを切替えて、前記共振周波数における共振度を切替えることにより、前記出力信号周波数を切替え可能としたことを特徴とする請求項１記載の電圧制御発振器。
【請求項３】
前記各インダクタンスは、複数の配線層に形成されたコイル状の配線を並列に接続して構成し、前記配線の少なくとも一つには、当該配線を他の配線に対し接続するか否かを選択するスイッチを接続し、前記各インダクタンスのスイッチのいずれかを選択して導通可能としたことを特徴とする請求項２記載の電圧制御発振器。
【請求項４】
前記共振部品は、複数の容量を並列に接続して、複数の共振周波数を設定し、前記各容量のＱを切替えて、前記共振周波数における共振度を切替えることにより、前記出力信号周波数を切替え可能としたことを特徴とする請求項１記載の電圧制御発振器。
【請求項５】
前記各容量は、異なる配線層間に形成された配線層間容量で構成し、前記配線層間容量にはスイッチを介して該配線層間容量に沿って形成される配線を接続し、前記各容量のスイッチのいずれかを選択して導通可能としたことを特徴とする請求項４記載の電圧制御発振器。
【請求項６】
前記スイッチは、共通の選択信号がゲートに入力されるＰチャネルＭＯＳトランジスタと、ＮチャネルＭＯＳトランジスタで構成したことを特徴とする請求項３または５記載の電圧制御発振器。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の電圧制御発振器を備えた半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、移動体通信、衛星通信等の通信装置において、搬送波や内部信号等として使用される高周波帯域信号を生成するためのＬＣ発振器を使用した電圧制御発振器に関するものである。
【０００２】
近年、携帯電話等の移動体通信機器においては、小型化、軽量化及び低価額化がますます要請され、このような移動体通信機器に使用される電圧制御発振器のＩＣ化が進んでいる。現在、ＰＤＣ方式の携帯電話で使用される周波数帯域は、９００ＭＨｚ帯と１．５ＧＨｚ帯である。携帯電話の利用者の増大により、両帯域を切替えて使用する電話器が必要となっている。そこで、このような電話器で使用する電圧制御発振器の発振周波数帯域を広帯域化することが必要となっている。
【０００３】
【従来の技術】
従来、電圧制御発振器（以下ＶＣＯとする）を広帯域化する手法として次のようなものが提案されている。
【０００４】
図１０に示すように、例えば９００ＭＨｚ帯である第一の帯域Ａと、１．５ＧＨｚ帯である第二の帯域Ｂで動作可能とするＶＣＯを提供するための第一の手法として、両帯域でそれぞれ動作可能とした２つのＶＣＯ１，ＶＣＯ２を用意する。
【０００５】
このような手法では、２つのＶＣＯ１，ＶＣＯ２を必要とすることから、回路面積の増大により、コストが上昇する等の問題点がある。
第二の手法は、ＶＣＯ３を高感度化することにより、１つのＶＣＯ３で所要の全帯域をカバーする。しかし、この手法では高感度化によりノイズの影響を受けやすくＣ／Ｎ特性が劣化するとともに、ロックアップ速度も低下するという問題点がある。
【０００６】
第三の手法は、ＶＣＯの発振周波数を設定するための共振回路を構成するインダクタンス値あるいは容量値を切替え可能とすることにより、実質的に２つの共振回路ＲＥＳ１，ＲＥＳ２を構成する。
【０００７】
そして、共振回路ＲＥＳ１，ＲＥＳ２を切替えて使用することにより、第一の帯域Ａと第二の帯域Ｂをカバーする。
第三の手法によるＶＣＯの一例を図１１に示す。このＶＣＯは、コルピッツ型であり、発振部１と共振部２とから構成される。共振部２では、インダクタンスＬ１，Ｌ２をスイッチＳＷ１，ＳＷ２で選択可能である。
【０００８】
そして、インダクタンスＬ１，Ｌ２のいずれかを選択することにより、図１２に示すように、インダクタンスＬ１と可変容量ＶＣ１及び容量Ｃによる共振周波数ｆ１と、インダクタンスＬ２と可変容量ＶＣ１及び容量Ｃによる共振周波数ｆ２とのいずれかを選択可能としている。
【０００９】
ＶＣＯにおいて、Ｃ／Ｎ特性を向上させるためには、共振部２を構成するインダクタンスのＱを向上させる必要がある。一般に、インダクタンスのＱは
Ｑ＝ω・Ｌ／Ｒ
で求められる。従って、インダクタンスの抵抗成分を減らすことがＱの向上に寄与する。
【００１０】
そこで、前記インダクタンスＬ１，Ｌ２では、複数の配線層に形成されたインダクタンスを並列に接続することにより、配線抵抗等の寄生抵抗を減少させている。すなわち、図１３（ａ）に示すように、例えばインダクタンスＬ１では、配線層ＬＡでコイル状にレイアウトされた配線３ａと、配線層ＬＢでコイル状にレイアウトされた配線３ｂとが、同図（ｂ）に示すように、コンタクトホール４を介して並列に接続される。
【００１１】
このような構成により、同図（ｃ）に示すように、各配線３ａ，３ｂの寄生抵抗をＲＬＡ，ＲＬＢとしたとき、インダクタンスＬ１の寄生抵抗ＲＬは、
【００１２】
【数１】
2004096218.tif 000003
となる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
図１１において、インダクタンスＬ１，Ｌ２にはスイッチＳＷ１，ＳＷ２が直列に接続される。すなわち、例えばインダクタンスＬ１では、図１４（ａ）（ｂ）に示すように、配線３ａ，３ｂに対しスイッチＳＷ１が直列に接続される。
【００１４】
そして、同図（ｃ）に示すように、配線３ａ，３ｂの寄生抵抗ＲＬＡ，ＲＬＢに対し、スイッチＳＷ１の寄生抵抗ＲＳＷが直列に接続される。従って、インダクタンスＬ１とスイッチＳＷ１との寄生抵抗ＲＬ１は、
【００１５】
【数２】
2004096218.tif 000004
となる。
【００１６】
このように、図１１に示すＶＣＯでは、インダクタンスＬ１，Ｌ２にスイッチＳＷ１，ＳＷ２の寄生抵抗ＲＳＷがそれぞれ直列に接続されるため、各インダクタンスＬ１，Ｌ２の寄生抵抗値が実質的に増大する。
【００１７】
この結果、各インダクタンスＬ１，Ｌ２のＱが低下し、ＶＣＯのＣ／Ｎ特性が低下するという問題点がある。
この発明の目的は、発振周波数帯域を広帯域化しながら、実装面積の増大及びＣＮ特性の劣化を防止し得る電圧制御発振器を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
半導体基板上に形成された共振部品で、複数の共振周波数を設定するとともに、前記共振部品のＱを切替えて、前記共振周波数における共振度を切替えることにより、電圧制御発振器の出力信号周波数を切替え可能とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】
（第一の実施の形態）
図１５（ａ）は、この発明を具体化したＶＣＯを構成するインダクタンスのレイアウト図を示す。
【００２０】
配線３ａ，３ｂは前記従来例と同様であるが、同図（ｂ）に示すように、スイッチＳＷはコンタクトホール４間において、配線３ｂに直列に接続される。従ってスイッチＳＷを導通状態とした状態では、同図（ｃ）に示すように、配線３ｂの寄生抵抗ＲＬＢに対し、スイッチＳＷの寄生抵抗ＲＳＷが直列に接続される。
【００２１】
このような構成のインダクタンスの寄生抵抗ＲＬ２は、
【００２２】
【数３】
2004096218.tif 000005
となる。
【００２３】
前記寄生抵抗ＲＬ２と、前記従来例の寄生抵抗ＲＬ１とは、
【００２４】
【数４】
2004096218.tif 000006
となる。
【００２５】
すなわち、（４）式において
【００２６】
【数５】
2004096218.tif 000007
となる。
【００２７】
従って、前記寄生抵抗ＲＬ２は、寄生抵抗ＲＬ１より小さい値となる。
図１は、この発明を具体化したＶＣＯの概要を示す。発振部１１に対し、第一及び第二の共振部品１２ａ，１２ｂを並列に接続して、図２に示すように、あらかじめ３つの共振周波数ｆ１〜ｆ３を得る構成としている。
【００２８】
共振周波数ｆ１は、例えば第一の共振部品１２ａによるインダクタンス値及び容量値に基づく共振周波数である。共振周波数ｆ２は、第二の共振部品１２ｂによるインダクタンス値及び容量値に基づく共振周波数である。共振周波数ｆ３は、第一及び第二の共振部品１２ａ，１２ｂのインダクタンス値及び容量値の合計に基づく共振周波数である。
【００２９】
図３は、前記第一及び第二の共振部品１２ａ，１２ｂを構成するインダクタンスＬ１１，Ｌ１２を示す。インダクタンスＬ１１は、配線層ＬＡに形成されるコイル状の配線１３ａと、配線層ＬＢに形成されるコイル状の配線１３ｂとから構成され、配線１３ｂはその一端部がＰチャネルＭＯＳトランジスタで構成されるスイッチＳＷ１を介してコンタクトホール１４ａに接続される。
【００３０】
インダクタンスＬ１２は、配線層ＬＡに形成されるコイル状の配線１３ｃと、配線層ＬＢに形成されるコイル状の配線１３ｄとから構成され、配線１３ｄはその一端部がＮチャネルＭＯＳトランジスタで構成されるスイッチＳＷ２を介してコンタクトホール１４ｃに接続される。
【００３１】
前記インダクタンスＬ１１，Ｌ１２の両端部は、コンタクトホール１４ａ〜１４ｄを介して前記共振部品１２ａ，１２ｂを構成する容量あるいは前記発振部１１に接続される。
【００３２】
前記スイッチＳＷ１，ＳＷ２は、ＶＣＯの外部から入力される切替え信号ＳＬに基づいて動作する。すなわち、切替え信号ＳＬがＨレベルとなると、スイッチＳＷ１が不導通となり、スイッチＳＷ２が導通状態となる。また、切替え信号ＳＬがＬレベルとなると、スイッチＳＷ１が導通状態となり、スイッチＳＷ２が不導通となる。
【００３３】
上記のようなインダクタンスＬ１１，Ｌ１２の等価回路を図４に示す。スイッチＳＷ１が導通状態にあるとき、インダクタンスＬ１１においては、配線１３ｂの寄生抵抗ＲＬＢ１とスイッチＳＷ１の寄生抵抗ＲＳＷ１とがコンタクトホール１４ａ，１４ｂ間で直列に接続される。その寄生抵抗ＲＬＢ１，ＲＳＷ１がコンタクトホール１４ａ，１４ｂ間で配線１３ａの寄生抵抗ＲＬＡ１と並列に接続される。
【００３４】
スイッチＳＷ２が導通状態にあるとき、インダクタンスＬ１２においては、配線１３ｄの寄生抵抗ＲＬＢ２とスイッチＳＷ２の寄生抵抗ＲＳＷ２とがコンタクトホール１４ｃ，１４ｄ間で直列に接続される。その寄生抵抗ＲＬＢ２，ＲＳＷ２がコンタクトホール１４ｃ，１４ｄ間で配線１３ｃの寄生抵抗ＲＬＡ２と並列に接続される。
【００３５】
次に、上記のように構成されたインダクタンスの作用を説明する。
（イ）スイッチＳＷ１が導通し、スイッチＳＷ２が不導通のとき
インダクタンスＬ１１の寄生抵抗Ｚ１は、
【００３６】
【数６】
2004096218.tif 000008
となる。また、インダクタンスＬ１２の寄生抵抗Ｚ２は、
Ｚ２＝ＲＬＡ２
となる。
【００３７】
また、一般にインダクタンスＬのＱは、
Ｑ＝ω・Ｌ／Ｒ
ＬＣ共振回路の共振周波数ωは、
ω＝１／√（Ｌ・Ｃ）
である。すると、インダクタンスＬ１１のＱ値であるＱＬ１１は、
ＱＬ１１＝ω１・Ｌ１／Ｚ１＝√Ｌ１／Ｚ１・√Ｃ
インダクタンスＬ１２のＱ値であるＱＬ１２は、
ＱＬ１２＝ω２・Ｌ２／Ｚ２＝√Ｌ２／Ｚ２・√Ｃ
従って、Ｃが固定値であれば、
【００３８】
【数７】
2004096218.tif 000009
となるように設定することにより、図５に示すように、
ＱＬ１１＞ＱＬ１２
となる。すると、発振部１１の出力信号周波数は、インダクタンスＬ１１による共振周波数ｆ１となる。
【００３９】
（ロ）スイッチＳＷ２が導通し、スイッチＳＷ１が不導通のとき
インダクタンスＬ１１の寄生抵抗Ｚ１は、
Ｚ１＝ＲＬＡ１
となる。また、インダクタンスＬ１２の寄生抵抗Ｚ２は、
【００４０】
【数８】
2004096218.tif 000010
となる。
【００４１】
従って、
【００４２】
【数９】
2004096218.tif 000011
となるように設定することにより、図６に示すように、
ＱＬ１１＜ＱＬ１２
となる。すると、発振部１１の出力信号周波数は、インダクタンスＬ１２による共振周波数ｆ２となる。
【００４３】
前記スイッチＳＷ１，ＳＷ２は、いずれか一方がオンする構成であるが、因みにスイッチＳＷ１，ＳＷ２がともに導通状態となる場合、あるいはともに不導通となる場合には、図７に示すように、ＱＬ１１≒ＱＬ１２≒Ｑ（Ｌ１１＋Ｌ１２）となる。
【００４４】
このため、発振部１１は周波数ｆ１，ｆ２，ｆ３のいずれかで発振する不安定な状態となる。従って、スイッチＳＷ１，ＳＷ２は、いずれか一方がオンする構成とする。
【００４５】
上記のように構成されたインダクタンスＬ１１，Ｌ１２及びＶＣＯでは、次に示す作用効果を得ることができる。
（１）異なる配線層ＬＡ，ＬＢに形成した配線１３ａ，１３ｂを並列に接続して、インダクタンスＬ１１の寄生抵抗を減少させるとき、スイッチＳＷ１を配線１３ｂのみに直列に接続し、配線１３ａには並列に接続される構成とした。従って、スイッチＳＷ１の接続による寄生抵抗の増大を小さくすることができる。インダクタンスＬ１２においても同様である。
（２）スイッチＳＷ１，ＳＷ２の切替えにより、インダクタンスＬ１１，Ｌ１２のＱを切替えることができる。
（３）インダクタンスＬ１１，Ｌ１２のＱの切替えにより、ＶＣＯの出力信号周波数をＱの高いインダクタンスによる共振周波数に切替えることができる。従って、ＶＣＯの広帯域化を図ることができる。
（４）複数のＶＣＯを用意することなく、ＶＣＯ出力信号周波数の広帯域化を図ることができる。
（５）ＶＣＯを高感度化することなく、ＶＣＯ出力信号周波数の広帯域化を図ることができる。
（６）Ｑの高いインダクタンスの共振周波数に基づいて、ＶＣＯの出力信号周波数が設定される。従って、ＶＣＯのＣ／Ｎ特性を向上させることができる。
（第二の実施の形態）
図８は、第二の実施の形態を示す。この実施の形態は、第一及び第二の共振部品１２ａ，１２ｂを構成する容量のＱを切替えることにより、ＶＣＯの出力信号周波数を切替える構成としたものである。
【００４６】
図８において、配線層ＬＡに形成された配線１５ａと、配線層ＬＢに形成された配線１５ｂとの間に容量Ｃ１が形成され、同じく配線層ＬＡに形成された配線１５ｃと、配線層ＬＢに形成された配線１５ｄとの間に容量Ｃ２が形成される。
【００４７】
前記配線１５ａ〜１５ｄは、コンタクトホール１７ａ〜１７ｄを介して前記発振部１１あるいは第一及び第二の共振部品１２ａ，１２ｂを構成するインダクタンスに接続される。
【００４８】
前記配線１５ａには、スイッチＳＷ３を介して配線１６ａが接続される。スイッチＳＷ３及び配線１６ａは配線層ＬＣに形成され、同スイッチＳＷ３はＰチャネルＭＯＳトランジスタで構成される。
【００４９】
前記配線１５ｂには、スイッチＳＷ４を介して配線１６ｂが接続される。スイッチＳＷ４及び配線１６ｂは配線層ＬＤに形成され、同スイッチＳＷ４はＰチャネルＭＯＳトランジスタで構成される。
【００５０】
前記配線１５ｃには、スイッチＳＷ５を介して配線１６ｃが接続される。スイッチＳＷ５及び配線１６ｃは配線層ＬＣに形成され、同スイッチＳＷ５はＮチャネルＭＯＳトランジスタで構成される。
【００５１】
前記配線１５ｄには、スイッチＳＷ６を介して配線１６ｄが接続される。スイッチＳＷ６及び配線１６ｄは配線層ＬＤに形成され、同スイッチＳＷ６はＮチャネルＭＯＳトランジスタで構成される。
【００５２】
前記スイッチＳＷ３〜ＳＷ６を構成するトランジスタのゲートには、切替え信号ＳＬが入力される。切替え信号ＳＬがＬレベルとなると、スイッチＳＷ３，ＳＷ４が導通するとともに、スイッチＳＷ５，ＳＷ６が不導通となる。また、切替え信号ＳＬがＨレベルとなると、スイッチＳＷ３，ＳＷ４が不導通となるとともに、スイッチＳＷ５，ＳＷ６が導通する。
【００５３】
上記のように構成された容量Ｃ１，Ｃ２での寄生抵抗の等価回路を図９に示す。同図において、抵抗ＲＬＡ１は配線１５ａの寄生抵抗、抵抗ＲＬＢ１は配線１５ｂの寄生抵抗、抵抗ＲＬＣ１は配線１６ａの寄生抵抗、抵抗ＲＬＤ１は配線１６ｂの寄生抵抗である。また、抵抗ＲＳＷ３，ＲＳＷ４はスイッチＳＷ３，ＳＷ４の寄生抵抗である。
【００５４】
抵抗ＲＬＡ２は配線１５ｃの寄生抵抗、抵抗ＲＬＢ２は配線１５ｄの寄生抵抗、抵抗ＲＬＣ２は配線１６ｃの寄生抵抗、抵抗ＲＬＤ２は配線１６ｄの寄生抵抗である。また、抵抗ＲＳＷ５，ＲＳＷ６はスイッチＳＷ５，ＳＷ６の寄生抵抗である。
【００５５】
次に、上記のように構成された容量の作用を説明する。
（イ）スイッチＳＷ３，ＳＷ４が導通し、スイッチＳＷ５，ＳＷ６が不導通のとき
容量Ｃ１の寄生抵抗Ｚ１は、
【００５６】
【数１０】
2004096218.tif 000012
となる。また、容量Ｃ２の寄生抵抗Ｚ２は、
Ｚ２＝ＲＬＡ２＋ＲＬＢ２
となる。
【００５７】
また、一般に容量ＣのＱは、
Ｑ＝１／ω・Ｃ・Ｒ
ＬＣ共振回路の共振周波数ωは、
ω＝１／√（Ｌ・Ｃ）
である。すると、容量Ｃ１のＱ値であるＱＣ１は、
ＱＣ１＝１／ω１・Ｃ１・Ｚ１＝√Ｌ／Ｚ１・√Ｃ１
容量Ｃ２のＱ値であるＱＣ２は、
ＱＣ２＝１／ω２・Ｃ２・Ｚ２＝√Ｌ／Ｚ２・√Ｃ２
従って、インダクタンスＬが固定値であれば、
【００５８】
【数１１】
2004096218.tif 000013
となるように設定することにより、
ＱＣ１＞ＱＣ２
となる。すると、発振部１１の出力信号周波数は、容量Ｃ１による共振周波数となる。
【００５９】
（ロ）スイッチＳＷ５，ＳＷ６が導通し、スイッチＳＷ３，ＳＷ４が不導通のとき
容量Ｃ１の寄生抵抗Ｚ１は、
Ｚ１＝ＲＬＡ１＋ＲＬＢ１
となる。また、容量Ｃ２の寄生抵抗Ｚ２は、
【００６０】
【数１２】
2004096218.tif 000014
となる。
【００６１】
従って、
【００６２】
【数１３】
2004096218.tif 000015
となるように設定することにより、
ＱＣ１＜ＱＣ２
となる。すると、発振部１１の出力信号周波数は、容量Ｃ２による共振周波数となる。
【００６３】
上記のように構成された容量Ｃ１，Ｃ２及びＶＣＯでは、次に示す作用効果を得ることができる。
（１）容量Ｃ１を構成する配線１５ａ，１５ｂに、異なる配線層ＬＣ，ＬＤに形成した配線１６ａ，１６ｂを並列に接続して、容量Ｃ１の寄生抵抗を減少させるとき、スイッチＳＷ３，ＳＷ４を配線１６ａ，１６ｂのみに直列に接続する構成とした。従って、スイッチＳＷ３，ＳＷ４の接続による寄生抵抗の増大を小さくすることができる。容量Ｃ２においても同様である。
（２）スイッチＳＷ３〜ＳＷ６の切替えにより、容量Ｃ１，Ｃ２のＱを切替えることができる。
（３）容量Ｃ１，Ｃ２のＱの切替えにより、ＶＣＯの出力信号周波数をＱの高い容量による共振周波数に切替えることができる。従って、ＶＣＯの広帯域化を図ることができる。
（４）複数のＶＣＯを用意することなく、ＶＣＯ出力信号周波数の広帯域化を図ることができる。
（５）ＶＣＯを高感度化することなく、ＶＣＯ出力信号周波数の広帯域化を図ることができる。
（６）Ｑの高い容量の共振周波数に基づいて、ＶＣＯの出力信号周波数が設定される。従って、ＶＣＯのＣ／Ｎ特性を向上させることができる。
【００６４】
上記実施の形態は、次に示すように変更することもできる。
・第一及び第二の実施の形態において、スイッチを介して並列に接続する配線をさらに多層に設けて、寄生抵抗を削減するようにしてもよい。
【００６５】
【発明の効果】
以上詳述したように、この発明は発振周波数帯域を広帯域化しながら、実装面積の増大及びＣＮ特性の劣化を防止し得る電圧制御発振器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電圧制御発振器を示すブロック図である。
【図２】共振部品の共振周波数を示す説明図である。
【図３】第一の実施の形態の共振部品を示すレイアウト図である。
【図４】第一の実施の形態の共振部品の寄生抵抗を示す等価回路図である。
【図５】第一の実施の形態の動作を示す説明図である。
【図６】第一の実施の形態の動作を示す説明図である。
【図７】第一の実施の形態の動作を示す説明図である。
【図８】第二の実施の形態の共振部品を示すレイアウト図である。
【図９】第二の実施の形態の共振部品の寄生抵抗を示す等価回路図である。
【図１０】従来例の動作を示す説明図である。
【図１１】従来例を示す回路図である。
【図１２】従来例の共振部品の共振周波数を示す説明図である。
【図１３】従来例のインダクタンスを示すレイアウト図である。
【図１４】従来例のインダクタンスを示すレイアウト図である。
【図１５】本発明のインダクタンスを示すレイアウト図である。
【符号の説明】
１１　　　　　発振部
１２ａ，１２ｂ　　　共振部品
Ｌ１１，Ｌ１２　　　　　　　　インダクタンス
Ｃ１，Ｃ２　　　　　　　　　　容量
ｆ１，ｆ２　　　共振周波数
【図１】
2004096218.tif 000016
【図２】
2004096218.tif 000017
【図３】
2004096218.tif 000018
【図４】
2004096218.tif 000019
【図５】
2004096218.tif 000020
【図６】
2004096218.tif 000021
【図７】
2004096218.tif 000022
【図８】
2004096218.tif 000023
【図９】
2004096218.tif 000024
【図１０】
2004096218.tif 000025
【図１１】
2004096218.tif 000026
【図１２】
2004096218.tif 000027
【図１３】
2004096218.tif 000028
【図１４】
2004096218.tif 000029
【図１５】
2004096218.tif 000030