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　平成　５年特許願第　３２３０２号「ゲート絶縁膜の形成方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年　９月　９日出願公開、特開平　６−２５２１１６］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１、手続の経緯・本願発明
　本願は、平成５年２月２２日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１４年２月４日付で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものである。
　
「MOSトランジスタに用いられるゲート絶縁膜の形成方法において、真空又は減圧雰囲気中で高温熱処理することにより、又は水素等の還元作用を有する雰囲気、又はその減圧雰囲気中で高温熱処理することにより単結晶Si基板上に存在する汚染層、及び自然酸化膜の不用層を除去し、清浄な単結晶Si基板表面を露出させる工程と、前記清浄な単結晶Si基板表面が露出された状態を保持しながらゲート絶縁膜を高温酸化炉内で形成する工程よりなり、前記清浄な単結晶Si基板表面が露出された状態を保持しながらゲート絶縁膜を形成する工程に移行する方法として、外気と遮断された同一チャンバー内にて不用層の除去からゲート絶縁膜形成までの一連の工程を行う事を特徴とするMOS集積回路のゲート絶縁膜の形成方法。」
　
２、引用例
　これに対して、当審において拒絶理由に引用した特開平４−１８８７７２号（以下、「引用例１」という。）には、
「本発明は、電界効果トランジスタ、特にSOI（Silicon　on　Insulator）電界効果トランジスタなどの半導体装置の製造法に関する。」（公報第１頁右欄第４行〜６行）。
「従来、電界効果トランジスタのゲート絶縁膜は、石英チューブを外側から電気ヒータで８００〜１２００°C程度に加熱するとともに前記チューブ内にO２＋H２などの酸化ガスを導入することにより酸化する熱酸化法、・・・法などを用いて形成されている。特に、上記熱酸化法は良質な酸化シリコン膜を形成でき、また、上記絶縁膜が半導体層との界面でのトラップ準位密度（界面準位密度）が他の方法に比べて小さいなどの特徴がある。なお、これらの方法以外にも陽極酸化法あるいはプラズマ酸化法などの方法もある。しかし、絶縁膜の膜質あるいは半導体層との界面特性などの面からシリコン単結晶MOSプロセスでのゲート絶縁膜の形成には上述の熱酸化法が用いられ、その方法によるSiO２膜の単層、それとその他の製法による絶縁膜の多層構造を採用することが多い。」（公報、第１頁右欄第８行〜第２頁左上欄第１４行）。
「因に、１０００°C、酸素分圧（PO２）＝１の条件で１０００Åの酸化を行った場合、最も酸化速度の差が大きくなるSiの面方位が〈１００〉と〈１１１〉においては２０％程度の酸化膜厚の差が出る。このため、SOI基板において通常の熱酸化法ではSOI基板の中でも全ての結晶が同一の面方位を持つ単結晶以外では、ゲート絶縁膜を形成すると面方位により酸化速度が異なるため部分的に絶縁膜厚が異なり、MOSトランジスタの・・・劣化をもたらす。」（明細書第２頁第３行〜１７行）。
　なる記載事項があり、該記載事項からシリコン単結晶表面へのゲート絶縁膜形成は明かであるから、該記載事項と図面の記載からして、以下のような発明が記載されている。
　MOSトランジスタに用いられるゲート絶縁膜の形成方法において、シリコン単結晶表面にゲート絶縁膜を、石英チューブ（石英管）を外部から電気ヒータにより８００〜１２００°C程度に加熱して該チューブ内にO２＋H２などの酸化ガスを導入して形成する、熱酸化によるMOSトランジスタに用いられるゲート絶縁膜の形成方法。
　
　また、同じく引用した特開平３−２７０２３６号公報（以下、「引用例２」という。）には、
「本実施例は、シリコンを基板とし、その表面にGaAsをヘテロエピタキシャル成長する場合に本発明を適用したものである。第２図は本実施例を工程順に説明する断面図である。図において、１はシリコン基板、２は自然酸化膜、３はGaAs層である。第２図（A）（B）参照　シリコン基板１を有機金属気相成長装置（MOCVD装置）に入れる。シリコン基板１は、B（硼素）を１×１０１５cm−３ドープした（１００）面のものを使用している。成長装置内を７６TorrとしてGeH４を導入し、２００°C〜４００°Cに加熱してアニールをおこなう。加熱温度が２００°C以下であると、第１図からも明らかなとおり、自然酸化膜を還元することが出来ず、また、４００°C以上とすると、Geの成長がおきやすくなるため、加熱温度としては、２００°C〜４００°Cの範囲が選択されることが望ましい。また、GeH２ガス中にアンモニアガスを導入すれば、上記Geの成長を抑制することも可能である。以上の処理によって、シリコン基板１上の酸化珪素よりなる自然酸化膜が除去されて清浄なシリコン表面が出現する。第２図（C）参照　次いで、MOCVD装置内にトリメチルガリウム（TMG）およびAsH３ガスを導入し、成長温度７００°C、圧力７６Torrの条件で、前記シリコン基板上にGaAs層３を成長する。上記方法によって形成されたシリコン基板１とGaAs層３との界面には、アニール時に拡散される不純物は認められず、シリコン基板１に元々含有されているBの濃度が観測されるだけである。従って、本実施例によれば、シリコン基板１の表面が低抵抗化することも無く、従来技術のように、容量が増大してデバイスの動作速度を劣化させることも無い。また、自然酸化膜の除去とGaAs層の成長を同一の装置内で行うため、自然酸化膜が除去されて清浄化されたシリコンを大気中に晒すことによる自然酸化膜の再発生を生じることなく連続的にGaAsを成長することができる。上記実施例では、自然酸化膜を還元するガスとしてGeH４を使用したが、これに代えてNF３を使用しても良い。NF３の場合は、第１図からも明らかなとおり、４００°C以上の温度によって自然酸化膜を還元する作用があり、GeH４を使用する場合に比べて高いアニール温度が必要であるが、それでも、AsH３を使用した場合に比べると、はるかに低温である。また、本発明でGeH４または、NF３を使用するにおいては、その雰囲気中に水素ガス（H２）を導入してもよい。特にGeH４使用時にはGeの成長を抑制する作用がある。また、上記実施例はシリコン基板上にGaAs層を成長するにおいて、本発明を適用した例であるが、本発明はこれに限定されるものではない。」（公報、第３頁左上欄第８行〜第３頁右下欄第９行）。
　なる記載事項があり、該記載事項と図面の記載からして、以下のような発明が記載されている。
　半導体装置における半導体層の形成方法において、減圧雰囲気中で高温熱処理することにより、又はGeH４、NF３、H２ガス等の還元作用を有する雰囲気、又はその減圧高温熱処理することによりシリコン基板表面に存在する自然酸化膜を除去し、清浄なシリコン基板表面を出現させる工程と、、前記清浄なシリコン基板表面が出現された状態を保持しながらGaAs層をMOCVD装置内で成長させる工程よりなり、前記清浄なシリコン基板表面が出現される状態を保持しながら、GaAs層を成長させる工程に移行する方法として、外気と遮断された同一装置内にて自然酸化膜の除去からGaAs層成長までの一連の工程を行う構成。
　
３、本願発明と引用例１に記載された発明との対比
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比すると、
　引用例１に記載された発明の「ゲート絶縁膜を、石英チューブを外部から電気ヒータにより８００〜１２００°C程度に加熱して該チューブ内においてO２＋H２などの酸化ガスを導入して形成する」は、本願発明の「ゲート絶縁膜を高温酸化炉内で形成する」に対応し、引用例１に記載された発明の「シリコン単結晶表面」は、本願発明の「単結晶Si基板表面」に実質的に対応し、そして、引用例１に記載された発明の「MOSトランジスタに用いられるゲート絶縁膜」は、MOS集積回路のゲート絶縁膜であるから、両者は、
　MOSトランジスタに用いられるゲート絶縁膜の形成方法において、単結晶Si基板表面にゲート絶縁膜を高温酸化炉内で形成する工程よりなるMOS集積回路のゲート絶縁膜の形成方法。
　で一致し、以下の点において相違している。
　
　本願発明のゲート絶縁膜の形成方法は、真空又は減圧雰囲気中で高温熱処理することにより、又は水素等の還元作用を有する雰囲気、又はその減圧雰囲気中で高温熱処理することにより単結晶Si基板上に存在する汚染層、及び自然酸化膜の不用層を除去し、清浄な単結晶Si基板表面を露出させる工程を有し、また、前記清浄な単結晶Si基板表面が露出された状態を保持しながらゲート絶縁膜を高温酸化炉内で形成する工程を有し、さらに、前記清浄な単結晶Si基板表面が露出された状態を保持しながらゲート絶縁膜を形成する工程に移行する方法として、外気が遮断された同一チャンバー内にて不用層の除去からゲート絶縁膜形成までの一連の工程を行うものであるのに対し、引用例１に記載された発明のゲート絶縁膜の形成方法は、単結晶Si基板表面にゲート絶縁膜を高温酸化炉内で形成する工程を有するものであるが、該工程内容が上述のようなものであるのか格別の記載がなく明かでない点。
　
４、当審の判断
　相違点について検討する。
　ところで、引用例２に記載された発明には、上述のような発明が記載されており、該発明の「シリコン基板表面」は、本願発明の「Si基板表面」に相当し、該発明の「自然酸化膜を除去」は、不用層の除去であり、「清浄なシリコン基板表面の出現」は、本願発明の「清浄なSi基板表面を露出」に対応し、また、該発明の「GaAs層をMOCVD装置内で成長させる」ことと、本願発明の「ゲート絶縁膜を高温酸化炉内で形成する」ことは、その形成する半導体層（膜）が異なり、該層（膜）の形成方法も異なるものであるが、実質的に「トランジスタに用いられる半導体層を所定装置内で形成する」という概念においては同じであり、さらに、該発明の「同一装置内」は、本願発明の「同一チャンバー内」に実質的に対応するから、該発明には、実質的に本願発明と共通する
　トランジスタに用いられる半導体層（膜）の形成方法として、真空又は減圧雰囲気中で高温熱処理することにより、又は水素等の還元作用を有する雰囲気、又はその減圧雰囲気中で高温熱処理することによりSi基板上に存在する汚染層、及び自然酸化膜の不用層を除去し、清浄な単結晶Si基板表面を露出させる工程と、前記清浄な単結晶Si基板表面が露出された状態を保持しながらトランジスタに用いられる半導体層（膜）を所定装置内で形成する工程よりなり、前記清浄なSi基板表面が露出された状態を保持しながら上記半導体層（膜）を形成する工程に移行する方法として、外気と遮断された同一チャンバー内にて不用層の除去から上記半導体層（膜）形成までの一連の工程を行う、構成が記載されている。
　そして、該発明の半導体層（膜）であるGaAs層形成のための、所定装置内であるMOCVD装置内における該層（膜）形成の工程と該工程における処理、即ち、上記不用層を除去し、清浄な単結晶Si基板表面を露出させる工程と、清浄な単結晶Si基板表面が露出された状態を保持しながら半導体層（膜）（GaAs層）を所定装置内（MOCVD装置内）で形成する工程とよりなり、上記清浄なSi基板表面が露出された状態を保持しながら上記半導体層（膜）を形成する工程に移行する方法として、外気と遮断された同一チャンバー内にて一連の工程を行うとする点を、上記引用例１に記載された発明のゲート絶縁膜形成において、その高温酸化炉内における該膜形成の工程と該工程における処理に適用することは、半導体装置における半導体層（膜）の形成である技術の関連性と、該適用による効果としての「破壊電界強度及びTDDB特性の良いMOS集積回路を得る」という明細書記載の効果の予測が容易であることを考慮すると格別困難性を要することでなく、該適用により引用例１に記載された発明を本願発明のように構成することは当業者が容易になし得たことにすぎない。
　
　そして、本願発明の効果は、上記引用例１及び２に記載された発明から予測される範囲のものである。
　
５、むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、上記引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることできたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。