【事件の表示】
　平成１０年特許願第　４０２５５号「磁気ディスクドライブ装置、コントロール基板、および、フレキシブルケーブル」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　８月３１日出願公開、特開平１１−２３８２１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成10年２月23日の特許出願であって、その請求項１〜12に係る発明は、平成13年８月27日付けの手続補正書で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜12に記載されたとおりの「磁気ディスクドライブ装置」、「コントロール基板」、及び「フレキシブルケーブル」であると認められるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
 「【請求項１】　磁気抵抗効果型センサを用いると共に筐体に一端が接地される記録／再生用ヘッドと、前記磁気抵抗効果型センサの検出出力を増幅する増幅回路と、該増幅回路に電源電圧を供給する電源電圧ラインおよび接地ラインとを備える磁気ディスクドライブ装置において、
　前記電源電圧ラインと接地ラインとの間には、前記電源電圧以上の所定電圧が印加された場合に急激に電流量が増加する特性を有する非線形導電素子が接続されることを特徴とする磁気ディスクドライブ装置。」
　
２．引用例の記載事項
　
〔2-1〕引用例１
　原査定の拒絶の理由で引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開平6-124421号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに次の技術事項が記載されている。
(i)「【産業上の利用分野】
　本発明は磁気抵抗効果型ヘッド(Magneto-Resistive Head：以下MRヘッドと記す）に用いて有用なMRヘッド用再生装置に関する。」（段落［0001］）
(ii)「【従来の技術】
　従来からハードディスクドライブ（HDD）用の再生用ヘッドとしては通常の誘導型ヘッドの他にMRヘッドが用いられている。このMRヘッドは磁気媒体からの磁界によって磁性薄膜の抵抗率が変化し、この抵抗変化を再生出力電圧として検出する様に成されたものてあり、この様なMRヘッドは高出力、低クロストークで、速度依存性がないと云った特徴を有するためデジタルオーディオテープレコーダ等の高密度記録再生用ヘッドとしても広く利用されている。
　MRヘッドは再生用ヘッドであるため、記録再生ヘッドとして用いる場合は、同一基板上に薄膜誘導型の記録ヘッドを重ねるか或いは並べた複合ヘッドとするか、独立した記録ヘッドと一体化して用いる様に成されている。
　この様なMR型ヘッドの構造は図４及び図５に示す様なシールド型MRヘッド及びヨーク型MRヘッドが知られている。
　図４に示すシールド型MRヘッドはシールドコア11、11に挟まれたギャップ12内にMR素子13が置かれ、信号導体14と一体化され、この信号導体14に並設してバイアス導体15もギャップ12内に配設されていて、磁気媒体からの信号磁界はMR素子13が直接拾う構成と成っている。
　図５に示すヨーク型MRヘッドは信号導体14と一体化されたMR素子13と対向配置されたバイアス導体15はヨーク16、16間に挟まれ、ヨーク16、16の一方の端面に形成したギャップ12を介して磁気媒体からの信号磁界はMR素子13に印加される様になされている。
　この様な電流バイアス型MRヘッドの他にシャントバイアス型等のバイアス導体15を必要としないMRヘッドも知られている。このMRヘッドでは信号導体14に流すMR電流自身で磁界を掛ける様に成されている。」（段落［0002］〜［0006］）
(iii)「【実施例】
　以下、本発明のMRヘッド用再生装置の一実施例を図１乃至図３について詳記する。
　図１は本発明のMRヘッド用再生装置の全体的な系統図を示すものでMRヘッド１の一端は接地され、他端は電圧源Ｖｃｃに接続された電流源２に接続され、電流源２とMRヘッド１との接続点から取り出されたMR素子の変化電圧は直流阻止用コンデンサ３を介して初段増幅器４に供給される。
　この初段増幅器４は例えば後述するもエミッタ接地型増幅器や、差動増幅器であってもよい。図１では差動増幅器４として示してあり、該差動増幅器４から取り出された例えば平衡出力信号は次段の増幅器等へ供給されヘッドアンプIC等としてHDD用のIC回路に一体化して組み込まれる。
　依って、初段増幅器４として差動増幅器を用いる場合該差動増幅器４の他方の入力端子にも図１の様に直流阻止用コンデンサ３と同一容量のコンデンサ７を介して接地させる。
　本例ではこれらコンデンサ３及び７を初期状態で急激に充電するための電流源５及び６の一端をコンデンサ３及び７と差動増幅器４の入力端子間に接続し、他端をスイッチ８及び９を介して電圧源Ｖｃｃに接続する様に成されている。」（段落［0017］〜［0021］）
　
　上記記載事項及び図面の記載を総合参酌して整理すると、引用例１には、結局次の発明が記載されているものと認める。
　
　MR素子を用いると共に一端が接地される記録／再生用MRヘッド（磁気抵抗効果型ヘッド）１と、前記MR素子の変化電圧を増幅する初段増幅器４と、該増幅器４に電源電圧ＶＣＣを供給する電源電圧ラインおよび接地ラインとを備えるハードディスクドライブ（HDD）装置。
　
〔2-2〕引用例２
　同じく引用された特開平4-190623号公報（以下、「引用例２」という。）は、半導体応用電子機器のサージ保護装置に関するもので、図面とともに次の技術事項が記載されている。
(i)「この発明は、交流または直流の電源系から半導体応用電子機器に移行する異常電圧サージにより、半導体応用電子機器が誤動作したり、半導体素子が絶縁破壊する等のトラブルを防止するために、半導体応用電子機器の線路端に設けられるサージ保護装置の構成に関する。」（第１頁右下欄第７〜13行）
(ii)「第５図は従来のサージ保護装置を示す接続図であり、保護される電子機器１はその線路端子５が、線路２を介して交流電源または直流電源３に接続され、電圧Ｖなる電力が電子機器１の半導体応用電子回路に供給される。また、電子機器１の線路端子５の近くには、サージ保護素子11が並列接続される。
　サージ保護素子11には、主として酸化亜鉛サージアブソーバ（ZnOバリスタとも呼ぶ）が用いられる。ZnOバリスタ11はその電圧−電流特性線図を第６図に示すように、クリップ電圧ＶＣ（−ＶＣ）で不連続に導通状態となる電圧クリップ特性を有する。したがって、クリップ電圧ＶＣが電源電圧Ｖより若干高いZnOバリスタを選ぶことにより、電源電圧Ｖに重畳して侵入したサージ電圧ＶＳがクリップ電圧ＶＣを超えるとサージ電流ＩＳをZnOバリスタ11側に側路し、サージ電圧ＶＳをクリップ電圧ＶＣに抑制するよう機能するので、サージの侵入による電子機器の誤動作や半導体素子の損傷等を回避することができる。」（第２頁左上欄第20行〜同頁右上欄第20行）
　
３．対　比
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　引用例１に記載された発明における「MR素子」は、本願発明における「磁気抵抗効果型センサ」のことである。引用例１に記載された発明における「MR素子の変化電圧」とは、MR素子つまり磁気抵抗効果型センサの検出出力のことである。引用例１に記載された発明における「初段増幅器」は、本願発明における「増幅回路」に相当する。そうすると、本願発明と引用例１に記載された発明とは、次の点で一致する。
 一致点
　磁気抵抗効果型センサを用いると共に一端が接地される記録／再生用ヘッドと、前記磁気抵抗効果型センサの検出出力を増幅する増幅回路と、該増幅回路に電源電圧を供給する電源電圧ラインおよび接地ラインとを備える磁気ディスクドライブ装置。
そして、次の各点で相違する。
 相違点
(a) ヘッドの一端が接地される箇所に関し、本願発明においては、「筐体」に接地されるものであるのに対し、引用例１に記載された発明においては、どの部分に接地されるものか特に限定していない点（以下、「相違点ａ」という。）。
(b) 本願発明においては、電源電圧ラインと接地ラインとの間には、電源電圧以上の所定電圧が印加された場合に急激に電流量が増加する特性を有する非線形導電素子が接続されるものであるのに対し、引用例１に記載された発明においては、このことについて特に言及していない点（以下、「相違点ｂ」という。）。
　
４．当審の判断
　そこで、上記各相違点について検討する。
　相違点ａについて：
　電子部品等の一端を装置の筐体に接地すること自体は周知の技術であるから、引用例１に記載されたハードディスクドライブ（HDD）装置においても、該ドライブ装置内のヘッドの一端を装置の筐体に接地することは当業者が必要に応じて適宜なし得た事項である。
　相違点ｂについて：
　引用例２には、半導体応用電子機器に電源電圧に重畳して侵入したサージ電圧が侵入することによる該電子機器の誤動作、損傷等を防止するために、電源電圧ラインと接地ラインとの間に所定電圧が印加されたとき急激に導通状態となる非線形導電素子であるサージ保護素子（ZnOバリスタ）を接続することが示されているから、引用例１に記載された発明において、半導体電子機器の一種と考えられるハードディスクドライブ（HDD）装置に対しサージ電圧が侵入することによる損傷等を防止しようとする場合にも、該ドライブ装置に、引用例２に記載されたもののように、電源電圧ラインと接地ラインとの間に非線形導電素子であるサージ保護素子（ZnOバリスタ）を接続することは当業者が容易に想到できたものである。
　そして、この場合、ハードディスクドライブ（HDD）装置内のMRヘッドに直接に保護素子（バリスタ）を並列接続するものではないことを考慮すると、MRヘッドの高周波特性を劣化させることなく、MRヘッド、増幅器等を保護し得ることは技術上十分に予測可能な範囲のものである。
　
５．むすび
　以上のとおりであって、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、上記引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるので、特許法第29条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。