(57)【要約】【課題】高周波アンテナとプラズマとの容量結合成分の低減によるプラズマ処理の均一化と、プラズマの着火性の向上とを両立させる。【解決手段】被処理基板Ｇにプラズマ処理を施す処理室４０と、処理室４０内に誘導電界を形成する誘導結合アンテナ６０とを隔てる誘電体壁２０を備えた誘導プラズマエッチング装置において、誘電体壁２０から離間した位置に誘導結合アンテナ６０を配置して容量結合を減少させることで処理室４０内のプラズマの均一性を向上させるとともに、コンデンサＣ５を含む電気回路１００を介して誘導結合アンテナ６０に接続される容量パターン５０を誘電体壁２０上に配置して、プラズマの着火を補助する構成とした。【選択図】      図１
2004356511.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
誘導結合アンテナと、
前記誘導結合アンテナに接続された高周波電源と、
前記誘導結合アンテナと被処理基板との間に配置され、接地されていない導電性部材と、
前記誘導結合アンテナと前記導電性部材とを接続し、これらとともに電気回路を構成するコンデンサと
を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記導電性部材は、プラズマに容量結合し、前記誘導結合アンテナからの誘導電界を通過させる容量パターンからなることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記容量パターンは前記誘導結合アンテナと直交するように配置され、終端部が開放されていることを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記導電性部材は、前記被処理基板と対向する位置に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記コンデンサは容量値が可変であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記高周波電源は前記誘導結合アンテナに選択的に接続され、前記導電性部材には接続されないことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記誘導結合アンテナは、前記被処理基板と対向する位置に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記電気回路は、前記コンデンサと直列に設けられ、前記導電性部材と前記誘導結合アンテナとの電気的な接続および切り離しを制御するスイッチをさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
被処理基板にプラズマ処理を施す処理室と、
前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
前記処理室内を排気する排気系と、
前記処理室の上部壁を構成する誘電体壁と、
前記処理室外の前記誘電体壁に対応する部分に設けられ、高周波電力が供給されることにより前記処理室内に誘導電界を形成するための高周波アンテナとを具備し、前記誘導電界により前記処理ガスをプラズマ化して前記被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
前記誘導結合アンテナと前記被処理基板との間に配置された導電性部材と、前記導電性部材と前記誘導結合アンテナとを接続し、これらとともに電気回路を構成するコンデンサと、を備えていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記導電性部材は、前記誘電体壁の上面に前記被処理基板に対向して配置され、プラズマに容量結合する容量パターンからなることを特徴とする請求項９に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
前記容量パターンは、前記誘導結合アンテナに対して直交するように配置され、終端部が開放されていることを特徴とする請求項１０に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】
前記高周波電源は前記誘導結合アンテナに接続され、前記導電性部材には接続されないことを特徴とする請求項９に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１３】
前記電気回路を構成する前記コンデンサは容量値が可変であることを特徴とする請求項９に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１４】
前記電気回路は、前記コンデンサと直列に設けられ、前記導電性部材と前記誘導結合アンテナとの電気的な接続および切り離しを制御するスイッチをさらに備えたことを特徴とする請求項９に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）基板等の被処理基板に対して、誘導結合プラズマによりプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、フラットパネルディスプレイの一種である液晶表示装置（ＬＣＤ）の製造プロセスにおいては、被処理基板であるＬＣＤガラス基板に対して、エッチングやスパッタリング、ＣＶＤ（化学気相成長）等のプラズマ処理が多用されている。
【０００３】
このようなプラズマ処理を行うためのプラズマ処理装置としては、種々のものが用いられているが、その中で、高密度プラズマを発生することができるものとして誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）処理装置が知られている。
【０００４】
誘導結合プラズマ処理装置は、特許文献１に開示されているように、典型的には、真空に保持可能なプラズマ処理を行うための処理室の天井が誘電体壁で構成され、その上に高周波（ＲＦ）アンテナが配設されている。そして、この高周波アンテナに高周波電力が供給されることにより、処理室内に誘導電界が形成され、この誘導電界により処理室に導入された処理ガスがプラズマ化し、このようにして形成された処理ガスのプラズマによりエッチング等のプラズマ処理が施される。
【０００５】
ところで、ＬＣＤの製造工程において処理される被処理基板（ＬＣＤガラス基板）は、生産効率の向上等を目的として、通常、１枚の被処理基板から複数枚、例えば９枚のＬＣＤパネル製品が得られるような寸法に設定される。従って、被処理基板であるＬＣＤガラス基板の寸法は、市販のＬＣＤに比べてかなり大きなものとなる。更に、近年、ＬＣＤ自体（画面サイズ）の大型化に伴って、被処理基板であるＬＣＤガラス基板の寸法は、大型化しており、例えば、１辺が２ｍに達するような巨大なＬＣＤガラス基板も出現している。
【０００６】
このため、ＬＣＤガラス基板を処理するための誘導結合プラズマ処理装置も大型化し、これに伴い高周波アンテナも大型化している。
【０００７】
【特許文献１】
特開平７−１０６３１６号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述のように高周波アンテナが大型化すると、誘電体壁に生じる容量結合成分も増加し、プラズマ分布の均一性の低下、さらには処理室内での堆積物の発生および誘電体壁の削れ、さらには、これらに起因する基板への微小異物（パーティクル）の付着等の原因となる。
【０００９】
このため、高周波アンテナ（誘電体壁）と基板との距離を大きくしたり、アンテナを誘電体壁面に対して垂直に立てる等の対策が考えられるが、この場合には、処理室の容積増加、プラズマと基板との距離の増加によるエッチングレートの低下、さらにはアンテナとプラズマ間の容量結合減少によるプラズマの着火性の悪化等の別の問題を生じる。
【００１０】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、プラズマの着火性を悪化させることなく、装置の大型化による高周波アンテナの大型化と、高周波アンテナとプラズマとの容量結合成分の低減によるプラズマ処理の均一化および被処理基板への異物付着の減少とを両立させることが可能なプラズマ装置を提供することを目的とする。
【００１１】
また、本発明は、処理室の容積を増加させることなく、高周波アンテナとプラズマとの容量結合成分の低減によるプラズマ処理の均一化および被処理基板への異物付着の減少と、プラズマの着火性の向上とを両立させることが可能なプラズマ装置を提供することを目的とする。
【００１２】
また、本発明は、高周波アンテナとプラズマとの容量結合成分の低減によるプラズマ処理の均一化および被処理基板への異物付着の減少と、エッチングレート等のプラズマ処理効率の向上とを両立させることが可能なプラズマ装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点は、被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、誘導結合アンテナと、前記誘導結合アンテナに接続された高周波電源と、前記誘導結合アンテナと被処理基板との間に配置され、接地されていない導電性部材と、前記誘導結合アンテナと前記導電性部材とを接続し、これらとともに電気回路を構成するコンデンサと、を具備したプラズマ処理装置を提供する。
【００１４】
本発明の第２の観点は、被処理基板にプラズマ処理を施す処理室と、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、前記処理室内を排気する排気系と、前記処理室の上部壁を構成する誘電体壁と、前記処理室外の前記誘電体壁に対応する部分に設けられ、高周波電力が供給されることにより前記処理室内に誘導電界を形成するための高周波アンテナとを具備し、前記誘導電界により前記処理ガスをプラズマ化して前記被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、前記誘導結合アンテナと前記被処理基板との間に配置された導電性部材と、前記導電性部材と前記誘導結合アンテナとを接続し、これらとともに電気回路を構成するコンデンサと、を備えているプラズマ処理装置を提供する。
【００１５】
上記した本発明によれば、たとえば、誘導結合アンテナが大型化してプラズマとの容量結合が増加する場合でも、誘導結合アンテナを処理室（誘電体壁）から十分離すことで当該容量結合を低下させ、高周波アンテナとプラズマとの容量結合成分の低減によるプラズマ処理の均一化および被処理基板への堆積異物の付着の低減を実現できるとともに、コンデンサを含む電気回路を介して誘導結合アンテナと接続された導電性部材とプラズマとの必要最小限の容量結合により、プラズマの着火性の維持向上を実現できる。また、プラズマ処理中は、コンデンサの存在により、プラズマ着火に必要な量以上の高周波電力の導電性部材への供給が制限され、導電性部材の存在がプラズマ処理に影響することを抑止できる。
【００１６】
また、高周波アンテナを処理室（誘電体壁）から十分離すことができることにより、誘電体壁を被処理基板に近づけるように処理室の容積を削減でき、誘電体壁の直下に形成されるプラズマと被処理基板との距離が縮まることで、たとえばプラズマエッチングにおけるエッチングレート等のプラズマ処理の向上を実現できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図１は本発明のプラズマ処理装置の一実施形態に係る誘導プラズマエッチング装置を示す断面図、図２および図３は、本実施形態の誘導プラズマエッチング装置の一部を取り出して示す平面図である。この実施形態の装置は被処理基板、例えばＬＣＤの製造においてＬＣＤガラス基板上に薄膜トランジスターを形成する際に、メタル膜、ＩＴＯ膜、酸化膜等をエッチングするために用いられる。
【００１８】
この誘導プラズマエッチング処理装置は、導電性材料、例えば、内壁面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムからなる角筒形状の気密な本体容器１０を有する。この本体容器１０は分解可能に組み立てられており、接地線１１により接地されている。本体容器１０は、誘電体壁２０により上下にアンテナ室３０および気密な処理室４０に区画されている。したがって、誘電体壁２０は処理室４０の天井壁を構成している。
【００１９】
誘電体壁２０の下面には、複数のガス吹き出し口２１ａを備えたシャワーヘッド２１が設けられ、このシャワーヘッド２１は、処理ガス供給源およびバルブシステム等を含む処理ガス供給系９０に接続されている。したがって、プラズマ処理においては、処理ガス供給系９０から供給された処理ガスがシャワーヘッド２１の複数のガス吹き出し口２１ａを介して処理室４０内へ吐出される。
【００２０】
アンテナ室３０内には誘電体壁２０の上方に距離ｈ２（後述の被処理基板Ｇからの距離ｈ１）の高さの位置に誘電体壁２０に対向するように高周波（ＲＦ）アンテナからなる誘導結合アンテナ６０が配設されている。図２に例示されるように、この誘導結合アンテナ６０は渦巻き状をなす複数の導体パターン６１〜６４を備えた平面型のコイルアンテナからなる。誘導結合アンテナ６０は渦巻きの中心部６０ａが本体容器１０の天井からその外側へ導出され、整合器６５を介して高周波電源６６に接続される。一方、複数の導体パターン６１〜６４の各々の渦巻きの外側端部は、複数のコンデンサＣ１〜Ｃ４の各々を介して本体容器１０に接続され、これにより接地されている。
【００２１】
プラズマ処理中、高周波電源６６からは、誘導電界形成用の例えば周波数が１３．５６ＭＨｚの高周波電力が誘導結合アンテナ６０へ供給される。このように高周波電力が供給された誘導結合アンテナ６０により、処理室４０内に誘導電界が形成され、この誘導電界により、ガス吹き出し口２１ａから供給された処理ガスがプラズマ化される。この際の高周波電源６６の出力は、プラズマを発生させるのに十分な値になるように適宜設定される。
【００２２】
誘導結合アンテナ６０の誘電体壁２０からの距離ｈ２は、処理室４０内に形成されるプラズマと当該誘導結合アンテナ６０とが容量結合しない十分な距離に設定されている。
【００２３】
本実施形態の場合、誘電体壁２０の上面には、プラズマに容量結合する容量パターン５０が設けられており、容量値が固定あるいは可変なコンデンサＣ５を備えた電気回路１００を介して上方の誘導結合アンテナ６０に接続されている。
【００２４】
この容量パターン５０は、図３に例示されるように、十字形の軸部５０ａの各々に、閉回路を構成しないように先端部が開放された複数のフィン５０ｂを卍形に放射状に接続した構成となっている。容量パターン５０の複数のフィン５０ｂは、その上方に位置する誘導結合アンテナ６０から処理室４０に至る誘導電界を阻害しないように、かつ、処理室４０内に形成されるプラズマとの容量結合が所望の真空度におけるプラズマ着火に必要な最小値となるように、相互の間隙が十分に大きく、細長く、すなわち誘電体壁２０に対する正射影の面積が最小となるように形成されている。
【００２５】
また、誘導結合アンテナ６０と容量パターン５０との間に介在するコンデンサＣ５の容量値は、たとえば、プラズマに対する容量パターン５０の容量値のほぼ１／２になるように設定され、プラズマ着火に必要な値以上の電力が、高周波電源６６に接続された誘導結合アンテナ６０の側から容量パターン５０に供給されないように制限している。
【００２６】
なお、処理室４０の真空度に応じてプラズマ着火に必要な容量パターン５０の容量値は異なるため、この容量パターン５０と直列なコンデンサＣ５の容量値を手動操作または自動で可変とし、コンデンサＣ５と容量パターン５０の合成容量値が、プラズマ着火に必要な値に設定されるようにすることができる。
【００２７】
処理室４０内の下方には、誘電体壁２０を挟んで誘導結合アンテナ６０と対向するように、ＬＣＤガラス基板等の被処理基板Ｇを載置するための載置台としてのサセプタ７０が設けられている。サセプタ７０は、導電性材料、例えば表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムで構成されている。サセプタ７０に載置された被処理基板Ｇは、静電チャック（図示せず）によりサセプタ７０に吸着保持される。
【００２８】
サセプタ７０は絶縁体枠７１内に収納され、さらに、中空の支柱７２に支持される。支柱７２は本体容器１０の底部を気密状態を維持しつつ貫通し、本体容器１０外に配設された昇降機構（図示せず）に支持され、被処理基板Ｇの搬入出時に昇降機構によりサセプタ７０が上下方向に駆動される。なお、サセプタ７０を収納する絶縁体枠７１と本体容器１０の底部との間には、支柱７２を気密に包囲するベローズ７３が配設されており、これにより、サセプタ７０の上下動によっても処理室４０内の気密性が保証される。また処理室４０の側壁４１には、被処理基板Ｇを搬入出するためのゲートバルブ７４が設けられている。
【００２９】
サセプタ７０には、中空の支柱７２内に設けられた給電棒により、整合器７５を介して高周波電源７６が接続されている。この高周波電源７６は、プラズマ処理中に、バイアス用の高周波電力、例えば周波数が６ＭＨｚの高周波電力をサセプタ７０に印加する。このバイアス用の高周波電力により、処理室４０内に生成されたプラズマ中のイオンが効果的に被処理基板Ｇに引き込まれる。
【００３０】
さらに、サセプタ７０内には、被処理基板Ｇの温度を制御するため、セラミックヒータ等の加熱手段や冷媒流路等からなる温度制御機構と、温度センサーとが設けられている（いずれも図示せず）。これらの機構や部材に対する配管や配線は、いずれも中空の支柱７２を通して本体容器１０外に導出される。
【００３１】
処理室４０の底部には、排気管８１を介して真空ポンプ等を含む排気機構８０が接続される、この排気機構８０により、処理室４０が排気され、プラズマ処理中、処理室４０内が所定の真空雰囲気（例えば１．３３Ｐａ）に設定、維持される。
【００３２】
本実施形態では、上述のように、誘導結合アンテナ６０や容量パターン５０とプラズマとの容量結合が十分に小さくなるようにされているため、当該容量結合による処理室４０内での堆積物やそれに起因する異物等の発生を懸念することなく、被処理基板Ｇと誘電体壁２０の距離ｈ３を十分に小さく、たとえば、ゲートバルブ７４による被処理基板Ｇの処理室４０内への搬入出に必要な最小限の寸法とすることができる。
【００３３】
これにより、誘電体壁２０と被処理基板Ｇとの間に形成されるプラズマと当該被処理基板Ｇとの距離が縮まり、プラズマによる被処理基板Ｇのエッチング処理における高いエッチングレートを実現できる。
【００３４】
次に、以上のように構成される誘導結合プラズマエッチング装置を用いて、被処理基板Ｇに対してプラズマエッチング処理を施す際の処理動作の一例について説明する。
【００３５】
まず、ゲートバルブ７４を開にした状態でそこから搬送機構（図示せず）により被処理基板Ｇを処理室４０内に搬入し、サセプタ７０の載置面に載置した後、静電チャック（図示せず）により被処理基板Ｇをサセプタ７０上に固定する。次に、処理ガス供給系９０から、エッチングガスを含む処理ガスを誘電体壁２０のガス吹き出し口２１ａを通じて処理室４０内に吐出させるとともに、排気機構８０により排気管８１を介して処理室４０内を真空排気することにより、処理室内を例えば１．３３Ｐａ程度の圧力雰囲気に維持する。
【００３６】
次に、高周波電源６６から１３．５６ＭＨｚの高周波を誘導結合アンテナ６０に印加し、これにより誘電体壁２０を介して処理室４０内に均一な誘導電界を形成する。そして、電気回路１００のコンデンサＣ５を介して誘導結合アンテナ６０に接続されて誘電体壁２０上に配置され、プラズマに容量結合する容量パターン５０により、処理室４０内で処理ガスがプラズマ化（着火）し、誘電体壁２０から離間した誘導結合アンテナ６０にて形成された誘導電界によって誘導結合プラズマが生成される。
【００３７】
すなわち、誘導結合アンテナ６０を誘電体壁２０（被処理基板Ｇ）から遠ざけて当該誘導結合アンテナ６０によるプラズマとの容量結合を低くしプラズマ分布を均一化しようとする場合には、プラズマとの容量結合低下のためプラズマ着火性が悪くなるが、本実施形態の場合には、誘導結合アンテナ６０にコンデンサＣ５を介して接続され誘電体壁２０（被処理基板Ｇ）に近接して配置された容量パターン５０により、プラズマ着火に必要な最小の容量結合を確保して、プラズマ着火性の向上を実現でき、プラズマ形成の初期に確実にプラズマを形成することが可能になる。
【００３８】
このように、本実施形態では、被処理基板Ｇの大型化に呼応して誘導結合アンテナ６０が大型化しても、容量結合の低下によるプラズマの着火性の悪化を懸念することなく、距離ｈ２のように、誘導結合アンテナ６０を誘電体壁２０から十分に離間させ、プラズマの分布の不均化の一因となる当該誘導結合アンテナ６０とプラズマとの容量結合を低下させることができるので、装置の大型化と、プラズマ着火の安定化および均一なプラズマの形成とを両立させることが可能になる。
【００３９】
このようにして処理室４０内に均一に生成されたプラズマ中のイオンは、高周波電源７６からサセプタ７０に対して印加される６ＭＨｚの高周波電力によって被処理基板Ｇに効果的に引き込まれ、被処理基板Ｇに対して均一なエッチング処理が施される。
【００４０】
さらに、本実施形態の場合には、上述のようにプラズマの着火性の悪化を懸念することなく、誘導結合アンテナ６０を誘電体壁２０から離間させることができるので、この誘電体壁２０を被処理基板Ｇに近接するように移動させた構造として、処理室４０の容積を減少させることが可能になり、誘電体壁２０と被処理基板Ｇとの間の空間に形成されるプラズマと当該被処理基板Ｇとの距離が縮まり、当該プラズマによる被処理基板Ｇへのエッチング作用におけるエッチングレートが増大する。
【００４１】
この結果、エッチングの所要時間の短縮によるスループット向上が可能になる。また、処理室４０の容積の減少により、真空排気の所要時間も短縮され、この点でもスループットの向上に寄与する。
【００４２】
なお、容量パターン５０の構造としては、図３に例示した形状にかぎらず、図４に例示した形状とすることもできる。
【００４３】
すなわち、図４に例示された容量パターン５１は、Ｘ字形の軸部５１ａに対して、互いに直交する複数のフィン５１ｂを備えた形状を呈している。これにより、容量パターン５１の個々のフィン５１ｂは、図２に例示されるような誘導結合アンテナ６０の渦巻き状をなす複数の導体パターン６１〜６４と直交する位置関係となり、容量パターン５１と誘導結合アンテナ６０の導体パターンにおいて平行な部分が減少し、誘導結合アンテナ６０から放射され処理室４０に至る誘導電界が容量パターン５１によって減衰する割合が減り、誘導結合アンテナ６０による効率的なプラズマ励起が可能になる。
【００４４】
また、電気回路１００としては、図５に例示されるようなスイッチを備えた電気回路１１０でもよい。この図５の電気回路１１０では、コンデンサＣ５として機能する可変容量コンデンサ１１１と、この可変容量コンデンサ１１１に直列なスイッチ１１２を備えている。
【００４５】
可変容量コンデンサ１１１（コンデンサＣ５）は、外部から入力される容量制御信号１１１ａによってその容量値を可変に設定可能となっている。
【００４６】
スイッチ１１２は、外部から入力されるスイッチ開閉制御信号１１２ａにて開閉動作が制御され、閉じた状態では、容量パターン５０が可変容量コンデンサ１１１（コンデンサＣ５）を介して誘導結合アンテナ６０に電気的に接続され、開いた状態では、容量パターン５０が誘導結合アンテナ６０から電気的に切り離された状態となる。
【００４７】
これにより、被処理基板Ｇに対する処理の種別により、要求される処理室４０の雰囲気等が異なる場合、すなわち、プラズマの着火性の難易度が異なる場合、その着火性の難易度に応じて、プラズマの着火が可能な必要最小限の容量結合を容量パターン５０が持つように、可変容量コンデンサ１１１（コンデンサＣ５）の容量を設定／制御することが可能になる。
【００４８】
また、スイッチ１１２は、一例として、プラズマ処理開始時のプラズマ着火時に閉じておき、着火後は開くように開閉状態が制御される。これにより、プラズマ処理開始時には、容量パターン５０がコンデンサＣ５を介して誘導結合アンテナ６０に接続される状態にして、容量パターン５０がプラズマの着火を補助して確実なプラズマの着火を実現するとともに、着火後は、容量パターン５０を誘導結合アンテナ６０から電気的に完全に切り離して、当該容量パターン５０の容量結合がプラズマの均一性等に影響しないように制御することができる。
【００４９】
図６および図７に、上述の図１および図２の例とは異なる形状の誘導結合アンテナを備えた装置構成例を示す。図６は、プラズマ処理装置の断面図であり、図７は、誘導結合アンテナを取り出して示す平面図である。なお、図６および図７において、図１および図２と同一の構成要素には同一の符号を付している。
【００５０】
この図６の例では、誘導結合アンテナ６０−１は、高周波電源６６に接続される中心部６０−１ａから引き出され高さ方向に螺線状に引き回される複数の導体パターン６１−１〜６４−１を、互いに重なり合わないように、アンテナ室３０の断面空間をほぼ４等分するように配置した形状となっており、複数の導体パターン６１−１〜６４−１の各々の外側端部は、複数のコンデンサＣ１〜Ｃ４の各々を介して本体容器１０に接続され、これにより接地されている。
【００５１】
この場合、誘導結合アンテナ６０−１の複数の導体パターン６１−１〜６４−１は中心部６０−１ａから個別に分割可能になっており、これにより、誘導結合アンテナ６０−１が大型化しても、装置の分解や組み立てにおいて、誘導結合アンテナ６０−１の取り扱いが容易になる、という利点がある。
【００５２】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、容量パターンや誘導結合アンテナの形状は、上述の形状に限らず、種々変更可能である。また、容量パターンは処理室の内部に配置してもよい。
【００５３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のプラズマ処理装置によれば、処理室内の種々の雰囲気に対して、プラズマの着火性を悪化させることなく、装置の大型化による高周波アンテナの大型化と、高周波アンテナとプラズマとの容量結合成分の低減によるプラズマ処理の均一化および被処理基板への異物付着の減少とを両立させることが可能となる。
【００５４】
また、処理室の容積を増加させることなく、高周波アンテナとプラズマとの容量結合成分の低減によるプラズマ処理の均一化および被処理基板への異物付着の減少と、プラズマの着火性の向上とを両立させることが可能となる。
【００５５】
また、高周波アンテナとプラズマとの容量結合成分の低減によるプラズマ処理の均一化および被処理基板への異物付着の減少と、エッチングレート等のプラズマ処理効率の向上とを両立させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る誘導プラズマエッチング装置を示す断面図。
【図２】本発明の一実施形態に係る誘導プラズマエッチング装置の構成要素の平面図。
【図３】本発明の一実施形態に係る誘導プラズマエッチング装置の構成要素の平面図。
【図４】本発明の一実施形態に係る誘導プラズマエッチング装置の構成要素の変形例を示す平面図。
【図５】本発明の一実施形態に係る誘導プラズマエッチング装置の電気回路の変形例の概念図。
【図６】本発明の一実施形態に係る誘導プラズマエッチング装置の変形例の斜視図。
【図７】本発明の一実施形態に係る誘導プラズマエッチング装置の変形例の構成要素の平面図。
【符号の説明】
１０…本体容器
２０…誘電体壁
２１…シャワーヘッド
３０…アンテナ室
４０…処理室
５０…容量パターン（導電性部材）
５０ａ…軸部
５０ｂ…フィン
５１…容量パターン（導電性部材）
５１ａ…軸部
５１ｂ…フィン
６０…誘導結合アンテナ
６０ａ…中心部
６１〜６４…導体パターン
６０−１…誘導結合アンテナ
６０−１ａ…中心部
６１−１〜６４−１…導体パターン
６５…整合器
６６…高周波電源
７０…サセプタ
８０…排気機構
１００…電気回路
１１０…電気回路
１１１…可変容量コンデンサ
１１１ａ…容量制御信号
１１２…スイッチ
１１２ａ…スイッチ開閉制御信号
Ｃ１〜Ｃ４…コンデンサ
Ｃ５…コンデンサ
Ｇ…被処理基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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