(57)【要約】【課題】マスクとウエハとの位置合わせを高精度で実現する。【解決手段】マスクに設けられた第１のマークと、ウエハに設けられた第２のマークとを各マークが設けられた面と直交する方向から撮像する顕微鏡撮像装置であって、第１のマークにピントを合わせる第１の結像光学系と、第２のマークにピントを合わせる第２の結像光学系と、結像光学系からの画像を結像させる１つの撮像素子を有し、第１の結像光学系と第２の結像光学系からの画像が時分割で切り換えられて撮像素子に結像される顕微鏡撮像装置と、顕微鏡撮像装置から得られる第１のマーク及び第２のマークの画像信号に基づいて第１のマークと第２のマークとの相対的な位置ずれ量を測定する位置ずれ量測定手段と、測定した位置ずれ量に基づいて位置ずれ量がゼロになるようにマスクとウエハとを相対的に位置合わせする手段とを備えた位置合わせ装置による。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハにマスクを近接配置し、該マスクに形成されたマスクパターンを前記ウエハ上のレジスト層に転写する露光装置におけるマスクとウエハとの位置合わせ装置において、
前記マスクに設けられた位置合わせ用の第１のマークと、前記ウエハが搭載されるパレット又は前記ウエハに設けられた位置合わせ用の第２のマークとを各マークが設けられた面と直交する方向から撮像する顕微鏡撮像装置であって、前記第１のマークにピントを合わせることが可能な第１の結像光学系と、前記第２のマークにピントを合わせることが可能な第２の結像光学系と、前記第１の結像光学系又は前記第２の結像光学系からの画像を結像させる１つの撮像素子を有し、前記第１の結像光学系と前記第２の結像光学系からの画像が時分割で切り換えられて前記撮像素子に結像される顕微鏡撮像装置と、
前記顕微鏡撮像装置から得られる前記第１のマーク及び前記第２のマークの画像信号に基づいて前記第１のマークと前記第２のマークとの相対的な位置ずれ量を測定する位置ずれ量測定手段と、
前記測定した位置ずれ量に基づいて前記位置ずれ量がゼロになるように前記マスクと前記ウエハとを相対的に位置合わせする手段と、
を備えたことを特徴とするマスクとウエハとの位置合わせ装置。
【請求項２】
前記第１の結像光学系及び／又は前記第２の結像光学系に、光を透過状態と遮断状態とに切り換えるシャッターを設けるとともに、該シャッターの切り換えと前記撮像素子の読み取りのフレームレートを同期させることを特徴とする請求項１に記載のマスクとウエハとの位置合わせ装置。
【請求項３】
前記シャッターが液晶素子よりなることを特徴とする請求項２に記載のマスクとウエハとの位置合わせ装置。
【請求項４】
前記シャッターが切欠きを有する回転円盤又は往復運動をする遮光板よりなることを特徴とする請求項２に記載のマスクとウエハとの位置合わせ装置。
【請求項５】
前記顕微鏡撮像装置は、第１のレンズと、前記第１のマークを前記第１のレンズを介して前記撮像素子に結像させるための第２のレンズと、前記第２のマークを前記第１のレンズを介して前記撮像素子に結像させるための第３のレンズと、前記第１のレンズ、第２のレンズ及び第３のレンズのうちの少なくとも２つを独立に移動させるピント調整手段と、前記第１のレンズを介して照明光を出射する照明手段とを有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のマスクとウエハとの位置合わせ装置。
【請求項６】
前記照明手段に所定の分光透過率特性を有する２種のフィルタが切り換え可能となっている第１のフィルタを設けるとともに、前記第１の結像光学系及び／又は前記第２の結像光学系に所定の分光透過率特性を有する第２のフィルタ及び／又は第３のフィルタを設け、前記第１のフィルタを切り換えることにより前記第１の結像光学系及び／又は前記第２の結像光学系を透過状態と遮断状態とに切り換えるとともに、前記第１のフィルタの切り換えと前記撮像素子の読み取りのフレームレートを同期させることを特徴とする請求項５に記載のマスクとウエハとの位置合わせ装置。
【請求項７】
ウエハにマスクを近接配置し、該マスクに形成されたマスクパターンを前記ウエハ上のレジスト層に転写する露光装置におけるマスクとウエハとの位置合わせ方法において、
前記マスクに設けられた位置合わせ用の第１のマークと、前記ウエハが搭載されるパレット又は前記ウエハに設けられた位置合わせ用の第２のマークとを各マークが設けられた面と直交する方向から撮像するステップであって、前記第１のマークにピントを合わせることが可能な第１の結像光学系と、前記第２のマークにピントを合わせることが可能な第２の結像光学系と、前記第１の結像光学系又は前記第２の結像光学系からの画像を結像させる１つの撮像素子を有する顕微鏡撮像装置によって撮像するステップと、
前記顕微鏡撮像装置から得られる前記第１のマーク及び前記第２のマークの画像信号に基づいて前記第１のマークと前記第２のマークとの相対的な位置ずれ量を測定するステップと、
前記測定した位置ずれ量に基づいて前記マスクと前記ウエハとを相対的に位置合わせするステップと、を含み、
前記顕微鏡撮像装置において、前記第１の結像光学系と前記第２の結像光学系からの画像を時分割で切り換えて前記撮像素子に結像させることを特徴とするマスクとウエハとの位置合わせ方法。
【請求項８】
ウエハにマスクを近接配置し、該マスクに形成されたマスクパターンを前記ウエハ上のレジスト層に転写する露光装置におけるマスクとウエハとの位置合わせ装置において、
前記マスクに設けられた位置合わせ用の第１のマークと、前記ウエハが搭載されるパレット又は前記ウエハに設けられた位置合わせ用の第２のマークとを各マークが設けられた面と直交する方向から同時に撮像する顕微鏡撮像装置であって、前記第１のマークにピントを合わせることが可能であり、前記第１のマークの画像を第１の撮像素子に結像させる第１の結像光学系と、前記第２のマークにピントを合わせることが可能であり、前記第２のマークの画像を第２の撮像素子に結像させる第２の結像光学系とを有し、
前記第１の結像光学系と前記第２の結像光学系のうち、一方の結像光学系の光線をシャッターにより遮光するとともに、他方の結像光学系の光線をビームスプリッタにより分岐させて、前記第１のマークの画像又は前記第２のマークの画像を前記第１の撮像素子と前記第２の撮像素子とに結像させ得る顕微鏡撮像装置と、
前記顕微鏡撮像装置から得られる前記第１のマーク及び前記第２のマークの画像信号に基づいて前記第１のマークと前記第２のマークとの相対的な位置ずれ量を測定する位置ずれ量測定手段と、
前記測定した位置ずれ量に基づいて前記位置ずれ量がゼロになるように前記マスクと前記ウエハとを相対的に位置合わせする手段と、
を備えたことを特徴とするマスクとウエハとの位置合わせ装置。
【請求項９】
前記第１のマークの画像を第１の撮像素子に結像させ、前記第２のマークの画像を第２の撮像素子に結像させる際には、前記第１の結像光学系と前記第２の結像光学系との間を第１のシャッターで遮光し、
前記第１のマークの画像又は前記第２のマークの画像を前記第１の撮像素子と前記第２の撮像素子とに結像させる際には、前記第１の結像光学系の光線を第２のシャッターにより遮光するとともに、前記第２の結像光学系の光線をビームスプリッタにより分岐させることを特徴とする請求項８に記載のマスクとウエハとの位置合わせ装置。
【請求項１０】
ウエハにマスクを近接配置し、該マスクに形成されたマスクパターンを前記ウエハ上のレジスト層に転写する露光装置におけるマスクとウエハとの位置合わせ方法において、
前記マスクに設けられた位置合わせ用の第１のマークと、前記ウエハが搭載されるパレット又は前記ウエハに設けられた位置合わせ用の第２のマークとを各マークが設けられた面と直交する方向から同時に撮像するステップであって、前記第１のマークにピントを合わせることが可能であり、前記第１のマークの画像を第１の撮像素子に結像させる第１の結像光学系と、前記第２のマークにピントを合わせることが可能であり、前記第２のマークの画像を第２の撮像素子に結像させる第２の結像光学系とを有する顕微鏡撮像装置によって撮像するステップと、
前記顕微鏡撮像装置から得られる前記第１のマーク及び前記第２のマークの画像信号に基づいて前記第１のマークと前記第２のマークとの相対的な位置ずれ量を測定するステップと、
前記測定した位置ずれ量に基づいて前記マスクと前記ウエハとを相対的に位置合わせするステップと、
前記撮像するステップの前に、前記顕微鏡撮像装置により前記第１のマーク又は前記第２のマークを撮像するとともに、前記第１のマークの画像又は前記第２のマークの画像をビームスプリッタにより分岐させて前記第１の撮像素子と前記第２の撮像素子とに結像させ、前記第１のマーク又は前記第２のマークの画像信号に基づいて前記第１の撮像素子と前記第２の撮像素子との相対的な位置関係を算出し、該算出結果を前記位置ずれ量を測定するステップにフィードバックさせるステップと、
を含むことを特徴とするマスクとウエハとの位置合わせ方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はマスクとウエハとの位置合わせ方法及び装置に係り、特に半導体ウエハに近接配置されたマスクのマスクパターンをウエハ上のレジスト層に等倍転写する露光装置におけるマスクとウエハとの位置合わせ方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種の露光装置として、電子ビーム近接露光装置が提案されている（特許文献１参照。）。
【０００３】
図１５は上記電子ビーム近接露光装置の基本構成を示す図である。この電子ビーム近接露光装置１０は、主として電子ビーム１５を発生する電子ビーム源１４、電子ビーム１５を平行ビームにするレンズ１６及び整形アパーチャ１８を含む電子銃１２と、主偏向器２２、２４及び副偏向器２６、２８を含み、電子ビームを光軸に平行に走査する走査手段２０と、マスク３０とから構成されている。
【０００４】
前記マスク３０は、表面にレジスト層４２が形成されたウエハ４０に近接するように（マスク３０とウエハ４０との隙間が、たとえば５０μｍとなるように）配置される。この状態で、マスク３０に垂直に電子ビームを照射すると、マスク３０のマスクパターンを通過した電子ビームがウエハ４０上のレジスト層４２に照射される。
【０００５】
また、走査手段２０は、図１６に示されるように電子ビーム１５がマスク３０の全面を走査するように電子ビームを偏向制御する。これにより、マスク３０のマスクパターンがウエハ４０上のレジスト層４２に等倍転写される。
【０００６】
この電子ビーム近接露光装置１０は、図１７に示されるように真空チャンバ５０内に設けられている。また、真空チャンバ５０内には、ウエハ４０を吸着するために静電チャック６０と、この静電チャック６０に吸着されたウエハ４０を水平の直交２軸方向（Ｘ方向及びＹ方向）に移動させるとともに、水平面内で回転させるためのウエハステージ７０が設けられている。ウエハステージ７０は、マスクパターンの等倍転写が終了するごとにウエハ４０を所定量移動させ、これにより１枚のウエハ４０に複数のマスクパターンが転写できるようにしている。
【０００７】
なお、図１７上で、マスク３０をＸ方向及びＹ方向に移動させることができるマスクステージ８０が設けられ、ウエハ４０の導通をとるために、ウエハ４０の上面に押し当てられた導通ピン８１が設けられる。
【０００８】
ところで、ウエハはそれぞれマスクパターンの異なる複数のマスクを用いて複数回露光され、これにより集積回路が形成される。そして、各マスクパターンの露光時には、露光するマスクパターンが、既に露光済みのマスクパターンと所定の位置関係になるようにマスクとウエハとを相対的に位置合わせを行う必要がある。
【０００９】
一方、従来のマスクとウエハとの位置合わせ方法として、斜方検出法が知られている（特許文献２参照。）。
【００１０】
斜方検出法は、撮影光軸がウエハに近接配置されたマスク面に対して斜めになるように光学系を配置し、ウエハに設けられた位置合わせ用のウエハマークと、マスクに設けられた位置合わせ用のマスクマークとを同時に撮像し、その撮像した画像から各マーク間の位置ずれを検出し、この位置ずれがゼロになるようにマスクとウエハとを位置合わせするようにしている。
【００１１】
この斜方検出法は、露光を遮らないように顕微鏡撮像装置を配置することができ、露光中に光学系を退避させる必要がなく、露光中でも各マークを撮像することができるという利点があるが、１つの顕微鏡撮像装置によってウエハマークとマスクマークとの一方向（即ち、ｘ方向及びｙ方向のうちの一方の方向）の位置ずれ量しか測定することができない。その結果、複数の顕微鏡撮像装置を配設しなけらばならないという問題がある。
【００１２】
すなわち、マスクとウエハとのＸ方向及びＹ方向の位置合わせを行う場合には２つの顕微鏡撮像装置を配設しなけらばならず、またマスクとウエハとの回転方向の位置決めも行う場合には３つの顕微鏡撮像装置を配設しなければならないという問題がある。
【００１３】
この斜方検出法を更に改善した方法として、マスクとウエハとの位置合わせ方法及び装置が本出願人によりなされている（特許文献３参照）。この方法は、マスクに設けられた位置合わせ用のマークと、ウエハが搭載されるパレット又はウエハに設けられた位置合わせ用のマークとを各マークが設けられた面と直交する方向から同時に撮像する方法であって、それぞれのマークにピントを合わせることが可能な２組の結像光学系を有する顕微鏡撮像装置によって位置合わせ用のマークを同時に撮像するという特徴を有している。
【００１４】
【特許文献１】
米国特許第５，８３１，２７２  号（日本特許第２９５１９４７号に対応）
【００１５】
【特許文献２】
特開平１１−２４３０４８号公報
【００１６】
【特許文献３】
特開２００３−３７０３６号公報
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の位置合わせ方法（特許文献３）によった場合、ウエハに設けられた位置合わせ用のウエハマークと、マスクに設けられた位置合わせ用のマスクマークとを同時に撮像する際に、マスクマークの画像のＤＣ成分が重畳してフレアとなり、ウエハマークの信号のコントラストがとれないという問題がある。そのため、位置合わせ精度に誤差を生じる懸念がある。
【００１８】
また、上記従来の位置合わせ方法（特許文献３）のように、２個の撮像素子を使用した測定とした際に、撮像素子間の相対的な位置関係を把握するのが大変であり、そのため、位置合わせ精度に誤差を生じる懸念がある。
【００１９】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、マスクに設けられた位置合わせ用のマークと、ウエハが搭載されるパレット又はウエハに設けられた位置合わせ用のマークとを各マークが設けられた面と直交する方向から撮像する際に、フレアの影響を受けずに、マスクとウエハとの高精度の位置合わせを、従来を上回る高精度で実現することができるマスクとウエハとの位置合わせ方法及び装置を提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本願請求項１に係る発明は、ウエハにマスクを近接配置し、該マスクに形成されたマスクパターンを前記ウエハ上のレジスト層に転写する露光装置におけるマスクとウエハとの位置合わせ装置において、前記マスクに設けられた位置合わせ用の第１のマークと、前記ウエハが搭載されるパレット又は前記ウエハに設けられた位置合わせ用の第２のマークとを各マークが設けられた面と直交する方向から撮像する顕微鏡撮像装置であって、前記第１のマークにピントを合わせることが可能な第１の結像光学系と、前記第２のマークにピントを合わせることが可能な第２の結像光学系と、前記第１の結像光学系又は前記第２の結像光学系からの画像を結像させる１つの撮像素子を有し、前記第１の結像光学系と前記第２の結像光学系からの画像が時分割で切り換えられて前記撮像素子に結像される顕微鏡撮像装置と、前記顕微鏡撮像装置から得られる前記第１のマーク及び前記第２のマークの画像信号に基づいて前記第１のマークと前記第２のマークとの相対的な位置ずれ量を測定する位置ずれ量測定手段と、前記測定した位置ずれ量に基づいて前記位置ずれ量がゼロになるように前記マスクと前記ウエハとを相対的に位置合わせする手段と、を備えたことを特徴としている。
【００２１】
すなわち、顕微鏡撮像装置は、第１のマーク及び第２のマークが設けられている面と直交する方向から各マークを撮像することができるとともに、各マークにそれぞれピントが合った画像信号を得ることができる。そして、顕微鏡撮像装置から得られる第１のマーク及び第２のマークの画像信号に基づいて第１のマークと第２のマークとの相対的な位置ずれ量を測定するようにしている。すなわち、各マークが設けられている面と直交する方向から各マークを撮像することにより、１つの顕微鏡撮像装置によって第１のマークと第２のマークとの二次元の位置ずれ量を測定することができる。
【００２２】
また、顕微鏡撮像装置の基準位置（たとえば、顕微鏡の十字マーク）を基準にして第１のマーク及び第２のマークの位置を測定しておらず、顕微鏡撮像装置から得られる第１のマークと第２のマークとの画像信号に基づいて各マーク間の相対的な位置ずれ量を測定するようにしたため、顕微鏡撮像装置の基準位置の変動に影響を受けない位置ずれ量の測定ができる。
【００２３】
更に、第１のマークにピントを合わせることが可能な第１の結像光学系と、第２のマークにピントを合わせることが可能な第２の結像光学系と、第１の結像光学系又は第２の結像光学系からの画像を結像させる１つの撮像素子を有し、第１の結像光学系と第２の結像光学系からの画像が時分割で切り換えられて撮像素子に結像される。この構成により、フレアの影響を受けずに、マスクとウエハとの高精度の位置合わせを、従来を上回る高精度で実現することができる。
【００２４】
本願請求項２に示されるように、前記第１の結像光学系及び／又は前記第２の結像光学系に、光を透過状態と遮断状態とに切り換えるシャッターを設けるとともに、該シャッターの切り換えと前記撮像素子の読み取りのフレームレートを同期させることを特徴としている。
【００２５】
このような、シャッターとしての具体的な構成は、本願請求項３又は４に記載のものが好ましく採用できる。
【００２６】
本願請求項５に示されるように、前記顕微鏡撮像装置は、第１のレンズと、前記第１のマークを前記第１のレンズを介して前記撮像素子に結像させるための第２のレンズと、前記第２のマークを前記第１のレンズを介して前記撮像素子に結像させるための第３のレンズと、前記第１のレンズ、第２のレンズ及び第３のレンズのうちの少なくとも２つを独立に移動させるピント調整手段と、前記第１のレンズを介して照明光を出射する照明手段とを有することを特徴としている。
【００２７】
すなわち、顕微鏡撮像装置は、近接配置されるマスクとウエハとの間隔等を変更してもピント調整手段によって第１のマーク及び第２のマークにそれぞれピントを合わせることができ、第１のマークと第２のマークとの相対的な位置ずれ量を精度よく測定することができる。
【００２８】
本願請求項６に示されるように、前記照明手段に所定の分光透過率特性を有する２種のフィルタが切り換え可能となっている第１のフィルタを設けるとともに、前記第１の結像光学系及び／又は前記第２の結像光学系に所定の分光透過率特性を有する第２のフィルタ及び／又は第３のフィルタを設け、前記第１のフィルタを切り換えることにより前記第１の結像光学系及び／又は前記第２の結像光学系を透過状態と遮断状態とに切り換えるとともに、前記第１のフィルタの切り換えと前記撮像素子の読み取りのフレームレートを同期させることを特徴としている。
【００２９】
すなわち、このようなフィルタを設けても、シャッターと同様に第１の結像光学系と第２の結像光学系からの画像が時分割で確実に切り換えられる。
【００３０】
本願請求項８に係る発明は、ウエハにマスクを近接配置し、該マスクに形成されたマスクパターンを前記ウエハ上のレジスト層に転写する露光装置におけるマスクとウエハとの位置合わせ装置において、前記マスクに設けられた位置合わせ用の第１のマークと、前記ウエハが搭載されるパレット又は前記ウエハに設けられた位置合わせ用の第２のマークとを各マークが設けられた面と直交する方向から同時に撮像する顕微鏡撮像装置であって、前記第１のマークにピントを合わせることが可能であり、前記第１のマークの画像を第１の撮像素子に結像させる第１の結像光学系と、前記第２のマークにピントを合わせることが可能であり、前記第２のマークの画像を第２の撮像素子に結像させる第２の結像光学系とを有し、前記第１の結像光学系と前記第２の結像光学系のうち、一方の結像光学系の光線をシャッターにより遮光するとともに、他方の結像光学系の光線をビームスプリッタにより分岐させて、前記第１のマークの画像又は前記第２のマークの画像を前記第１の撮像素子と前記第２の撮像素子とに結像させ得る顕微鏡撮像装置と、前記顕微鏡撮像装置から得られる前記第１のマーク及び前記第２のマークの画像信号に基づいて前記第１のマークと前記第２のマークとの相対的な位置ずれ量を測定する位置ずれ量測定手段と、前記測定した位置ずれ量に基づいて前記位置ずれ量がゼロになるように前記マスクと前記ウエハとを相対的に位置合わせする手段と、を備えたことを特徴としている。
【００３１】
本願請求項９に係る発明は、前記第１のマークの画像を第１の撮像素子に結像させ、前記第２のマークの画像を第２の撮像素子に結像させる際には、前記第１の結像光学系と前記第２の結像光学系との間を第１のシャッターで遮光し、
前記第１のマークの画像又は前記第２のマークの画像を前記第１の撮像素子と前記第２の撮像素子とに結像させる際には、前記第１の結像光学系の光線を第２のシャッターにより遮光するとともに、前記第２の結像光学系の光線をビームスプリッタにより分岐させることを特徴としている。
【００３２】
本願請求項１０に係る発明は、ウエハにマスクを近接配置し、該マスクに形成されたマスクパターンを前記ウエハ上のレジスト層に転写する露光装置におけるマスクとウエハとの位置合わせ方法において、前記マスクに設けられた位置合わせ用の第１のマークと、前記ウエハが搭載されるパレット又は前記ウエハに設けられた位置合わせ用の第２のマークとを各マークが設けられた面と直交する方向から同時に撮像するステップであって、前記第１のマークにピントを合わせることが可能であり、前記第１のマークの画像を第１の撮像素子に結像させる第１の結像光学系と、前記第２のマークにピントを合わせることが可能であり、前記第２のマークの画像を第２の撮像素子に結像させる第２の結像光学系とを有する顕微鏡撮像装置によって撮像するステップと、前記顕微鏡撮像装置から得られる前記第１のマーク及び前記第２のマークの画像信号に基づいて前記第１のマークと前記第２のマークとの相対的な位置ずれ量を測定するステップと、前記測定した位置ずれ量に基づいて前記マスクと前記ウエハとを相対的に位置合わせするステップと、前記撮像するステップの前に、前記顕微鏡撮像装置により前記第１のマーク又は前記第２のマークを撮像するとともに、前記第１のマークの画像又は前記第２のマークの画像をビームスプリッタにより分岐させて前記第１の撮像素子と前記第２の撮像素子とに結像させ、前記第１のマーク又は前記第２のマークの画像信号に基づいて前記第１の撮像素子と前記第２の撮像素子との相対的な位置関係を算出し、該算出結果を前記位置ずれ量を測定するステップにフィードバックさせるステップと、を含むことを特徴としている。
【００３３】
すなわち、顕微鏡撮像装置により第１のマーク又は第２のマークを撮像するとともに、第１のマークの画像又は第２のマークの画像をビームスプリッタにより分岐させて、第１の撮像素子と第２の撮像素子とに結像させ、第１のマーク又は第２のマークの画像信号に基づいて第１の撮像素子と第２の撮像素子との相対的な位置関係を算出する。この位置関係が得られることにより装置のキャリブレーションができ、このキャリブレーション結果を第１のマークと、第２のマークとの位置ずれ量の測定にフィードバックさせることにより、マスクとウエハとの高精度の位置合わせを、従来を上回る高精度で実現することができる。
【００３４】
なお、ビームスプリッタとしては、ハーフミラーが好ましく使用できるが、他の光学素子、たとえばプリズム等も使用できる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下添付図面に従って本発明に係るマスクとウエハとの位置合わせ方法の好ましい実施の形態について説明する。
【００３６】
図１は本発明に係るマスクとウエハとの位置合わせ方法及び装置の第１の実施の形態に使用されるアライメント機構系を含む電子ビーム近接露光装置の要部縦断面図であり、図２は図１に示した電子ビーム近接露光装置の要部上面図である。なお、電子ビーム近接露光装置としての主要な構成は、図１５乃至図１７に示したものと同様のため、その詳細な説明は省略する。
【００３７】
図１及び図２に示されるように、この電子ビーム近接露光装置には、１つのアライメントユニット（顕微鏡撮像装置）１００が、真空チャンバ５０内のフレーム５２に固定されている。この顕微鏡撮像装置１００は、電子ビーム近接露光装置による転写時に邪魔にならない露光領域外に固定されている。なお、図１及び図２上で１０２は電子光学鏡筒である。
【００３８】
顕微鏡撮像装置１００の照明手段を構成するランプハウス１１０は、真空チャンバ５０の外側に配設され、このランプハウス１１０から出射される照明光は、光ファイバ１１１、照明用の光学系１１２、及び真空チャンバ５０の天板に設けられた窓５４を介して顕微鏡撮像装置１００内に導かれるようになっている。
【００３９】
マスク３２が取り付けられているマスクステージ８０は、Ｘ方向及びＹ方向に移動できるようになっている。
【００４０】
図３はマスク３２の平面図である。このマスク３２は、８インチマスクであり、４種類のマスクパターンＰ１〜Ｐ４が形成されている。また、各マスクパターンの左右の位置には、位置合わせ用のマスクマークＭ（第１のマーク）が形成されており、各マスクパターンとマスクマークＭとは一定の関係をもって形成されている。なお、図３上で、Ｍ１、Ｍ２は、マスクパターンＰ１の左右の位置に形成されたマスクマークを示している。
【００４１】
顕微鏡撮像装置１００によってマスクマークＭ１を観察する場合には、このマスクマークＭ１が顕微鏡撮像装置１００の視野Ｖに入るようにマスクステージ８０を移動させる。なお、このマスクステージ８０の位置（ｘ、ｙ）は、レーザ干渉計ＬＸＭ、ＬＹＭ（図１１参照）によって測定できるようになっている。
【００４２】
一方、ウエハ４０は、図４に示されるようにウエハパレット４４上に図示しない電磁チャックによって吸着固定される。このウエハパレット４４は、図１７に示したウエハステージ７０の電磁チャック６０上に搭載され固定される。なお、図１７は、ウエハパレット４４を使用せずに、ウエハ４０が直接電磁チャック６０上に搭載されている場合に関して示している。
【００４３】
ウエハパレット４４には、図４に示されるようにパレットマークＷＰ１、ＷＰ２（第２のマーク）が設けられている。これらのパレットマークＷＰ１、ＷＰ２は、ウエハ４０の上面と面一の位置にマークが形成されている。
【００４４】
また、ウエハ４０には、各種のマスクパターンの転写等によって複数のダイＤが形成されるが、これらのダイＤの位置合わせ用のダイマークＤＭ（第２のマーク）がウエハ４０上に形成されている。なお、パレットマークＷＰ１、ＷＰ２と、各ダイマークＤＭとの位置関係は、ウエハ４０をウエハパレット４４に搭載した後、別途測定されデータとして保存されている。したがって、ウエハステージ７０上でのパレットマークＷＰ１、ＷＰ２の位置が検知できれば、各ダイマークＤＭの位置は前記パレットマークＷＰ１、ＷＰ２と各ダイマークＤＭとの位置関係から計算で求めることができる。なお、ウエハステージ７０の位置（Ｘ、Ｙ）は、レーザ干渉計ＬＸＷ、ＬＹＷ（図１１参照）によって測定できるようになっている。
【００４５】
図１及び図２に示した顕微鏡撮像装置１００は、マスク３２のマスクマークＭ１又はＭ２とダイマークＤＭ１若しくはＤＭ２又はパレットマークＷＰ１若しくはＷＰ２とを同時に観察し、各マーク間の位置ずれ量を測定するもので、マスク面及びウエハパレット面（ウエハ面）と直交する方向から同時に撮像するとともに、高さ（Ｚ方向の位置）が異なる各マークに同時にピントを合わせることが可能な２組の結像光学系を有している。
【００４６】
図５は上記顕微鏡撮像装置１００の詳細を示す光学部品配置図である。同図に示されるように顕微鏡撮像装置１００の結像光学系は、対物レンズ１２０（第１のレンズ）を共通にして３つの光路に分岐している。すなわち、顕微鏡撮像装置１００は、マスクマークＭを固体撮像素子（ＣＣＤ）１４５に結像させるマスクマーク撮像用光学系と、ダイマークＤＭ又はパレットマークＷＰをＣＣＤ１４５に結像させるウエハマーク撮像用光学系と、マスクマークＭをＣＣＤ１３２に結像させるオートフォーカス用光学系とを有している。
【００４７】
上記構成のマスクマーク撮像用光学系及びウエハマーク撮像用光学系は、同一のアライメント用ＣＣＤ１４５にマスクマークＭとダイマークＤＭ又はパレットマークＷＰとを同時に結像させることができる。
【００４８】
マスクマーク撮像用光学系は、対物レンズ１２０、ハーフミラー１４０、１４１、反射ミラー１４３、波長選択フィルタ１２２（第２のフィルタ）、マスクマーク結像用レンズ１２３（第２のレンズ）、及びハーフミラー１４４から構成され、ウエハマーク撮像用光学系は、対物レンズ１２０、ハーフミラー１４０、１４１、波長選択フィルタ１２４（第３のフィルタ）、ダイマーク結像用レンズ１２５（第３のレンズ）、ハーフミラー１４２、及び１４４から構成されている。オートフォーカス用光学系は、対物レンズ１２０、ハーフミラー１４０、１４１、波長選択フィルタ１２４、ダイマーク結像用レンズ１２５、ハーフミラー１４２、及びフォーカス用レンズ１２６から構成されている。
【００４９】
また、顕微鏡撮像装置１００は、対物レンズ１２０、ハーフミラー１４０、全反射ミラー１２７、レンズ１２８、及び光学系１１２、光ファイバ１１１からなる照明用光学系と、この照明用光学系を介して照明光を出射するランプハウス１１０とからなる照明手段を有している。なお、照明光学系内の光学系１１２は、ＮＡ可変絞り１１２Ａ、レンズ１１２Ｂ、波長選択フィルタ１２１（第１のフィルタ）、及び視野可変絞り１１２Ｃから構成されている。
【００５０】
また、対物レンズ１２０及びダイマーク結像用レンズ１２５は、それぞれ光軸方向に微小量移動できるようになっており、対物レンズ１２０をたとえばピエゾ素子によって移動させることによってマスクマークＭがＣＣＤ１４５に結像するようにピント調整が行われ、ダイマーク結像用レンズ１２５を移動させることによってダイマークＤＭ又はパレットマークＰＭがＣＣＤ１４５に結像するようにピント調整が行われる。
【００５１】
すなわち、対物レンズ１２０は、オートフォーカス用光学系を介してマスクマークＭを撮像するＣＣＤ１３２の出力信号のコントラストが最大になるように自動的にレンズ位置が制御される。ここで、オートフォーカス用光学系及びマスクマーク撮像用光学系は、マスクマークＭがＣＣＤ１３２に結像されるときにＣＣＤ１４５にも結像されるように予め調整されている。したがって、ＣＣＤ１３２にマスクマークＭが結像するように対物レンズ１２０を移動させることにより、ＣＣＤ１４５にマスクマークＭを結像させることができる。なお、オートフォーカス用光学系は、ピント調整が容易にできるようにマスクマーク撮像用光学系よりも撮影倍率が低くなっている。
【００５２】
また、ＣＣＤ１４５は、マスク３２からたとえば５０μｍ下側に配置されるウエハ４０（パレット）が結像するようにダイマーク結像用レンズ１２５の位置が調整されているが、マスク３２とウエハ４０との隙間が変更される場合にもダイマークＤＭ又はパレットマークＷＰが結像できるように、ダイマーク結像用レンズ１２５は、たとえば超音波モータなどによって光軸方向に微小量移動できるようになっている。
【００５３】
なお、この実施の形態では、対物レンズ１２０とダイマーク結像用レンズ１２５とがそれぞれピント調整用に光軸方向に移動できるようになっているが、これに限らず、対物レンズ１２０、マスクマーク結像用レンズ１２３及びダイマーク結像用レンズ１２５のうちの少なくとも２つが光軸方向に移動できるように構成すれば、マスクマークＭ及びダイマークＤＭ又はパレットマークＷＰにそれぞれピントを合わせることができる。
【００５４】
また、この顕微鏡撮像装置１００は、瞳位置に図示しない位相差板が着脱できるようになっており、位相差顕微鏡としての機能を備えている。更に、この顕微鏡撮像装置１００に適用される照明手段は、落射照明又は臨界照明に手動で切り替えられるように構成されている。
【００５５】
次に、本発明の特徴部分である、マスクマーク撮像用光学系（第１の結像光学系）とウエハマーク撮像用光学系（第２の結像光学系）からの画像が時分割で切り換えられてＣＣＤ１４５（撮像素子）に結像される構成について説明する。
【００５６】
照明光学系内の光学系１１２に配されている波長選択フィルタ１２１は、回転円盤状のフィルタであり、略半円状のフィルタ１２１Ａと、同じく略半円状のフィルタ１２１Ｂとが合体した構成となっている。そして、回転軸を中心に所定速度で回転駆動される。したがって、１回転の半分はフィルタ１２１Ａが光軸上に位置し、１回転の他の半分はフィルタ１２１Ｂが光軸上に位置する。また、波長選択フィルタ１２１の回転駆動は、後述する中央処理装置（ＣＰＵ）２００により制御される。
【００５７】
図６は、マスク３２の分光反射率特性を示すグラフである。マスク３２は６２０ｎｍの所に反射率のピークをもっており、そのピークの幅は約６４ｎｍある。図７は、マスク３２の分光透過率特性を示すグラフである。マスク３２は５９０ｎｍと６６０ｎｍの所に透過率のピークをもっており、一方、６２０ｎｍの所の分光透過率は低い値となっている。
【００５８】
図５の顕微鏡撮像装置１００において、マスクマーク撮像用光学系に配されている波長選択フィルタ１２２には、６２０ｎｍの所に分光透過率のピークを持っており、ピークの幅が±５０ｎｍであるフィルタを使用する（特性の図示は略す。以下同様）。また、ウエハマーク撮像用光学系に配されている波長選択フィルタ１２４には、５９０ｎｍと６６０ｎｍの所に透過率のピークを持っており、それぞれのピークの幅が±２０ｎｍである一方、６２０ｎｍの所の分光透過率は低い値となっているフィルタを使用する。
【００５９】
既述の照明光学系内の光学系１１２に配されている波長選択フィルタ１２１のうち、フィルタ１２１Ａに、５９０ｎｍと６６０ｎｍにピークを持っており、それぞれのピークの幅が±２０ｎｍであるフィルタを使用する。また、フィルタ１２１Ｂに、６２０ｎｍにピークを持っており、ピークの幅が±５０ｎｍであるフィルタを使用する。
【００６０】
波長選択フィルタ１２１のフィルタ１２１Ａが光軸上に位置した場合には、マスクマーク撮像用光学系において、波長が６２０ｎｍ近傍の光の画像が遮光される。一方、ウエハマーク撮像用光学系において、波長が５９０±２０ｎｍ及び６６０±２０ｎｍの光の画像が透過する。その結果、ＣＣＤ１４５にはウエハマーク撮像用光学系の画像のみが結像する。
【００６１】
波長選択フィルタ１２１のフィルタ１２１Ｂが光軸上に位置した場合には、マスクマーク撮像用光学系において、波長が６２０±５０ｎｍの光の画像が透過する。一方、ウエハマーク撮像用光学系において、波長が５９０ｎｍ及び６６０ｎｍ近傍の光の画像が遮光される。その結果、ＣＣＤ１４５にはマスクマーク撮像用光学系の画像のみが結像する。
【００６２】
このような構成とすることにより、マスクマーク撮像用光学系（第１の結像光学系）とウエハマーク撮像用光学系（第２の結像光学系）からの画像が時分割で切り換えられてＣＣＤ１４５（撮像素子）に結像される。その結果、フレアの影響を受けずに、マスク３２とウエハ４０との高精度の位置合わせを、従来を上回る高精度で実現することができる。
【００６３】
既述の照明光学系内の光学系１１２に配されている波長選択フィルタ１２１のフィルタ１２１Ａとフィルタ１２１Ｂの特性を上記と異なる特性の組み合わせとすることもできる。すなわち、フィルタ１２１Ａに、５９０ｎｍと６６０ｎｍにピークを持っており、それぞれのピークの幅が±２０ｎｍであるフィルタを使用する。また、フィルタ１２１Ｂに、６２０ｎｍにピークを持っており、ピークの幅が±５０ｎｍであり、５９０ｎｍと６６０ｎｍにピークを持っており、それぞれのピークの幅が±２０ｎｍであるフィルタを使用する。
【００６４】
この構成では、波長選択フィルタ１２１のフィルタ１２１Ａが光軸上に位置した場合には、マスクマーク撮像用光学系において、波長が６２０ｎｍ近傍の光の画像が遮光される。一方、ウエハマーク撮像用光学系において、波長が５９０±２０ｎｍ、６２０±５０ｎｍ及び６６０±２０ｎｍの光の画像が透過する。その結果、ＣＣＤ１４５にはウエハマーク撮像用光学系の画像のみが結像する。
【００６５】
波長選択フィルタ１２１のフィルタ１２１Ｂが光軸上に位置した場合には、マスクマーク撮像用光学系において、波長が６２０±５０ｎｍの光の画像が透過する。一方、ウエハマーク撮像用光学系において、波長が５９０ｎｍ及び６６０ｎｍ近傍の光の画像は遮光されない。その結果、ＣＣＤ１４５にはマスクマーク撮像用光学系の画像とウエハマーク撮像用光学系の画像とが重畳して結像する。
【００６６】
この場合であっても、両画像のコントラスト比が異なることより、マスクマーク撮像用光学系の画像の測定に支障はない。
【００６７】
このような構成とすることによっても、マスクマーク撮像用光学系（第１の結像光学系）とウエハマーク撮像用光学系（第２の結像光学系）からの画像が時分割で切り換えられてＣＣＤ１４５（撮像素子）に結像される。その結果、フレアの影響を受けずに、マスク３２とウエハ４０との高精度の位置合わせを、従来を上回る高精度で実現することができる。
【００６８】
上記のように、照明光学系内の光学系１１２に配されている波長選択フィルタ１２１のうちフィルタ１２１Ｂには、６２０ｎｍの光に対し透過率があれば特に制限はない。この場合、フィルタ１２１Ｂが光軸上に位置した際には、マスクマーク撮像用光学系の画像は波長選択フィルタ１２２を透過し、ＣＣＤ１４５にはマスクマーク撮像用光学系の画像とウエハマーク撮像用光学系の画像が重畳して結像する。その場合でも、既述のように、両画像のコントラスト比が異なることより、マスクマーク撮像用光学系の画像の測定に支障はない。
【００６９】
なお、図５の構成では、説明の都合上、波長選択フィルタ１２１の配置位置が照明光学系内の光学系１１２になっているが、これをランプハウス１１０内に設けても同様に機能する。本実施態様の構成では、照明光学系内の光学系１１２が真空チャンバ５０内に設けられているが、このような真空チャンバ５０内には可動部分をなるべく設けないことが望ましいことより、波長選択フィルタ１２１はむしろランプハウス１１０内に設けるのが好ましい。
【００７０】
既述のように、波長選択フィルタ１２１の回転駆動は、中央処理装置（ＣＰＵ）２００により制御され、また、ＣＣＤ１４５の信号取り込みも同様に中央処理装置（ＣＰＵ）２００により制御される。したがって、同一のフレームレート、たとえば３０Ｈｚで同期させれば、マスクマーク撮像用光学系とウエハマーク撮像用光学系からの画像が時分割で切り換えられてＣＣＤ１４５（撮像素子）に結像される。
【００７１】
以上に説明したような、波長選択フィルタ１２１、波長選択フィルタ１２２及び波長選択フィルタ１２４の組み合わせにより、光を透過状態と遮断状態とに切り換えるシャッターが構成される。
【００７２】
次に、本発明に係るマスクとウエハとの位置合わせ方法及び装置の第２の実施の形態について説明する。図８は顕微鏡撮像装置１０１の詳細を示す光学部品配置図である。なお、第１の実施の形態に使用されている顕微鏡撮像装置１００（図５参照）と同一、類似の部材については、同一の番号を附し、その説明を省略する。
【００７３】
顕微鏡撮像装置１０１において、マスクマーク撮像用光学系は、対物レンズ１２０、ハーフミラー１４０、１４１、反射ミラー１４３、シャッター１３５、マスクマーク結像用レンズ１２３、及びハーフミラー１４４から構成され、ウエハマーク撮像用光学系は、対物レンズ１２０、ハーフミラー１４０、１４１、シャッター１３７、ダイマーク結像用レンズ１２５、ハーフミラー１４２、及び１４４から構成されている。オートフォーカス用光学系は、対物レンズ１２０、ハーフミラー１４０、１４１、シャッター１３７、ダイマーク結像用レンズ１２５、ハーフミラー１４２、及びフォーカス用レンズ１２６から構成されている。
【００７４】
顕微鏡撮像装置１０１が顕微鏡撮像装置１００と相違する点は、照明用の光学系１１２に波長選択フィルタ１２１が配されていない点、マスクマーク撮像用光学系において、波長選択フィルタ１２２に代えてシャッター１３５が設けられている点、ウエハマーク撮像用光学系において、波長選択フィルタ１２４に代えてシャッター１３７が設けられている点、である。
【００７５】
シャッター１３５及びシャッター１３７は、いずれも切欠きを有する回転円盤であり、回転軸を中心に所定速度で回転駆動される。したがって、１回転の半分は切欠き部が光軸上に位置して光を通過させ、１回転の他の半分は遮光部が光軸上に位置して光を遮断する。また、シャッター１３５及びシャッター１３７の回転駆動は、後述する中央処理装置（ＣＰＵ）２００により制御される。
【００７６】
図８に示されるように、シャッター１３５とシャッター１３７の透光状態と遮光状態は交互に入れ替わるように設定されており、シャッター１３５が透光状態にあるときはシャッター１３７が遮光状態にあり、シャッター１３５が遮光状態にあるときはシャッター１３７が透光状態にある。
【００７７】
シャッター１３５とシャッター１３７の回転駆動は、中央処理装置（ＣＰＵ）２００により制御され、また、ＣＣＤ１４５の信号取り込みも同様に中央処理装置（ＣＰＵ）２００により制御される。したがって、同一のフレームレート、たとえば３０Ｈｚで同期させれば、マスクマーク撮像用光学系とウエハマーク撮像用光学系からの画像が時分割で切り換えられてＣＣＤ１４５（撮像素子）に結像される。
【００７８】
以上、本発明に係るマスクとウエハとの位置合わせ方法及び装置の第１の実施の形態と第２の実施の形態により、第１の結像光学系及び／又は第２の結像光学系に、光を透過状態と遮断状態とに切り換えるシャッターを設ける構成の例について説明したが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。たとえば、シャッターを液晶素子で構成する例、シャッターを他の表示デバイスで構成する例、シャッターを往復運動をする遮光板で構成する例、シャッターを音叉を利用して駆動させる構成の例等、公知の各種手段が使用できる。
【００７９】
次に、本発明に係るマスクとウエハとの位置合わせ方法及び装置の第３の実施の形態について説明する。図９は顕微鏡撮像装置１０３の詳細を示す光学部品配置図である。なお、第１の実施の形態に使用されている顕微鏡撮像装置１００（図５参照）と同一、類似の部材については、同一の番号を附し、その説明を省略する。
【００８０】
同図に示されるように顕微鏡撮像装置１０３の結像光学系は、対物レンズ１２０を共通にして３つの光路に分岐している。すなわち、顕微鏡撮像装置１０３は、マスクマークＭを固体撮像素子（ＣＣＤ）１３０に結像させるマスクマーク撮像用光学系と、ダイマークＤＭ又はパレットマークＷＰをＣＣＤ１３１に結像させるウエハマーク撮像用光学系と、マスクマークＭをＣＣＤ１３２に結像させるオートフォーカス用光学系とを有している。
【００８１】
マスクマーク撮像用光学系は、対物レンズ１２０、ハーフミラー１４０、１４１、１４３’、シャッター１４９、マスクマーク結像用レンズ１２３、及びハーフミラー１４４から構成され、ウエハマーク撮像用光学系は、対物レンズ１２０、ハーフミラー１４０、１４１、ダイマーク結像用レンズ１２５、及びハーフミラー１４２（ビームスプリッタに相当）から構成されている。マスクマーク撮像用光学系のハーフミラー１４４とウエハマーク撮像用光学系のハーフミラー１４２との間にはシャッター１４７（第１のシャッター）が設けられている。オートフォーカス用光学系は、対物レンズ１２０、ハーフミラー１４０、１４１、１４３’、及びフォーカス用レンズ１２６から構成されている。
【００８２】
また、顕微鏡撮像装置１０３は、対物レンズ１２０、ハーフミラー１４０、全反射ミラー１２７、レンズ１２８、及び光学系１１２、光ファイバ１１１からなる照明用光学系と、この照明用光学系を介して照明光を出射するランプハウス１１０とからなる照明手段を有している。なお、照明光学系内の光学系１１２は、ＮＡ可変絞り１１２Ａ、レンズ１１２Ｂ、及び視野可変絞り１１２Ｃから構成されている。
【００８３】
マスクマーク撮像用光学系に設けられるシャッター１４９（第２のシャッター）と、マスクマーク撮像用光学系とウエハマーク撮像用光学系との間に設けられる既述のシャッター１４７（第１のシャッター）は、いずれも光を透過状態と遮断状態とに切り換える素子であり、ＣＰＵ２００からの制御信号により駆動される。
【００８４】
対物レンズ１２０及びダイマーク結像用レンズ１２５は、それぞれ光軸方向に微小量移動できるようになっており、対物レンズ１２０をたとえばピエゾ素子によって移動させることによってマスクマークＭがＣＣＤ１３０に結像するようにピント調整が行われ、ダイマーク結像用レンズ１２５を移動させることによってダイマークＤＭ又はパレットマークＰＭがＣＣＤ１３１に結像するようにピント調整が行われる。
【００８５】
すなわち、対物レンズ１２０は、オートフォーカス用光学系を介してマスクマークＭを撮像するＣＣＤ１３２の出力信号のコントラストが最大になるように自動的にレンズ位置が制御される。ここで、オートフォーカス用光学系及びマスクマーク撮像用光学系は、マスクマークＭがＣＣＤ１３２に結像されるときにＣＣＤ１３０にも結像されるように予め調整されている。したがって、ＣＣＤ１３２にマスクマークＭが結像するように対物レンズ１２０を移動させることにより、ＣＣＤ１３０にマスクマークＭを結像させることができる。なお、オートフォーカス用光学系は、ピント調整が容易にできるようにマスクマーク撮像用光学系よりも撮影倍率が低くなっている。
【００８６】
また、ＣＣＤ１３１は、マスク３２からたとえば５０μｍ下側に配置されるウエハ４０（パレット）が結像するようにダイマーク結像用レンズ１２５の位置が調整されているが、マスク３２とウエハ４０との隙間が変更される場合にもダイマークＤＭ又はパレットマークＷＰが結像できるように、ダイマーク結像用レンズ１２５は、たとえば超音波モータなどによって光軸方向に微小量移動できるようになっている。
【００８７】
顕微鏡撮像装置１０３により第１のマークと、第２のマークとを同時に撮像するとともに、ビームスプリッタ（ハーフミラー１４２）により、第１のマークの画像又は第２のマークの画像を第１の撮像素子（ＣＣＤ１３０）と第２の撮像素子（ＣＣＤ１３１）に結像させ、第１のマーク又は第２のマークの画像信号に基づいて第１の撮像素子と第２の撮像素子との相対的な位置関係を算出する。この位置関係が得られることにより装置のキャリブレーションができ、このキャリブレーション結果を第１のマークと、第２のマークとの位置ずれ量の測定にフィードバックさせることにより、マスク３２とウエハ４０との高精度の位置合わせを、従来を上回る高精度で実現することができる。
【００８８】
装置のキャリブレーションの際の光路としては、第１のマークの画像又は第２のマークの画像が、対物レンズ１２０、ハーフミラー１４０、１４１、ウエハマーク結像用対物レンズ１２５、ハーフミラー１４２、及びハーフミラー１４４を経てＣＣＤ１３０に結像する光路と、対物レンズ１２０、ハーフミラー１４０、１４１、ウエハマーク結像用対物レンズ１２５、及びハーフミラー１４２を経てＣＣＤ１３１に結像する光路とからなる。すなわち、略同一の光路を経て別々のＣＣＤ１３０、１３１に結像する。この際、シャッター１４９は遮光状態になるように制御され、マスクマーク撮像用光学系を経た光線がＣＣＤ１３０に結像しないようになっている。一方、シャッター１４７は透光状態になるように制御される。
【００８９】
一方、実際の計測時において、第１のマークと、第２のマークと位置関係を測定する際には、マスクマーク撮像用光学系を経た光線がＣＣＤ１３０に結像し、ウエハマーク撮像用光学系を経た光線がＣＣＤ１３１に結像する必要がある。そのため、ウエハマーク撮像用光学系のハーフミラー１４２を経た光線が、ハーフミラー１４４を経てＣＣＤ１３０に結像しないように、ハーフミラー１４４とハーフミラー１４２との間に設けられているシャッター１４７が遮光状態になるように制御される。この際、シャッター１４９は透光状態になるように制御される。
【００９０】
次に、マスクマークＭとダイマークＤＭ又はパレットマークＷＰとの位置ずれ量の検出方法について説明する。この検出方法については、第１〜第３の実施の形態に共通して適用される。
【００９１】
図１０は顕微鏡撮像装置１００、１０１、１０３の視野Ｖ内にマスクマークＭと、ダイマークＤＭとを入れた場合に関して示している。マスクマークＭは、マスクのＸ方向の位置を検出するための２箇所に配される第１のＸマークＭＸ１及び第２のＸマークＭＸ２と、マスクのＹ方向の位置を検出するための第１のＹマークＭＹ  とからなる。
【００９２】
このうち、第１のＸマークＭＸ１及び第２のＸマークＭＸ２は、いずれもＹ方向を向いた５本の平行線パターンの開口から構成され、また、第１のＸマークＭＸ１及び第２のＸマークＭＸ２はＹ方向に所定距離離れて対向して設けられている。第１のＹマークＭＹ  は、Ｘ方向を向いた５本の平行線パターンの開口から構成されている。第１のＹマークＭＹ  のＸ方向の配置位置は、第１のＸマークＭＸ１及び第２のＸマークＭＸ２の右方であり、Ｙ方向の配置位置は、第１のＸマークＭＸ１及び第２のＸマークＭＸ２の中間位置である。
【００９３】
ダイマークＤＭは、ウエハのＸ方向の位置を検出するための第３のＸマークであるダイマークＤＭＸ  と、ウエハのＹ方向の位置を検出するための第２のＹマークであるダイマークＤＭＹ  とからなる。このうち、ダイマークＤＭＸ  は、Ｙ方向を向いた５本の平行線パターンの凸部（又は凹部）から構成され、ダイマークＤＭＹ  は、Ｘ方向を向いた５本の平行線パターンの凸部（又は凹部）から構成されている。
【００９４】
これらのダイマークＤＭＸ  及びダイマークＤＭＹ  は、顕微鏡撮像装置１００、１０１、１０３の視野Ｖ内に、マスクマークＭ及びダイマークＤＭが入っているときに、第１のＸマークＭＸ１及び第２のＸマークＭＸ２と対向する位置にダイマークＤＭＸ  が配され、第１のＹマークＭＹ  と対向する位置にダイマークＤＭＹ  が配されるような位置に設けられる。
【００９５】
すなわち、図１０において、ダイマークＤＭＸ  は、第１のＸマークＭＸ１及び第２のＸマークＭＸ２とのＹ方向の中間に配されており、ダイマークＤＭＹ  はダイマークＤＭＸ  をＸ方向の中間に挟んで第１のＹマークＭＹ  と対向する位置に配されている。
【００９６】
また、マスク３２には、マスク３２の下方に位置するダイマークＤＭ又はパレットマークＷＰを観察するための矩形の開口３３が形成されている。この開口３３により、ダイマークＤＭでの散乱光による像は、マスク３２によって減衰することなく撮像されるため、ダイマークＤＭの像と背景とのコントラストが低下することがない。
【００９７】
マスクマークＭとダイマークＤＭとの位置ずれ量を求める場合には、マスクマークＭが結像されるＣＣＤ１３０又は１４５から得られる画像信号を信号処理し、第１のＸマークＭＸ１及び第２のＸマークＭＸ２の中心位置とマスクマークＭＹ  の中心位置をそれぞれ求める。同様にしてダイマークＤＭが結像されるＣＣＤ１３１又は１４５から得られる画像信号を信号処理し、ダイマークＤＭＸ  の中心位置とダイマークＤＭＹ  の中心位置をそれぞれ求める。
【００９８】
上記のようにして求めたマスクマークＭの中心位置を示すＣＣＤ１３０又は１４５上の画素位置と、ダイマークＤＭの中心位置を示すＣＣＤ１３１又は１４５上の画素位置との画素位置の差分に基づいてマスクマークＭとダイマークＤＭとの位置ずれ量を測定する。そして、測定した位置ずれ量がゼロになるように、ウエハステージ７０又はマスクステージ８０を移動させ、マスクマークＭが示す位置とダイマークＤＭが示す位置とを一致させる。
【００９９】
なお、図１０は、マスクマークＭが示す位置とダイマークＤＭが示す位置とが一致している場合に関して示している。また、顕微鏡撮像装置１００、１０１、１０３の対物レンズ１２０が微小量移動すると、撮影倍率が変動するが、図１０に示される形状のマスクマークＭが示す位置及びダイマークＤＭが示す位置は、顕微鏡撮像装置１００、１０１、１０３の撮影倍率が変動しても変化量が極めて少ない。
【０１００】
図１１は電子ビーム近接露光装置の制御部の実施の形態を示すブロック図である。同図において、中央処理装置（ＣＰＵ）２００は、装置全体を統括制御するもので、マスクとウエハとの位置合わせ時の処理、露光時の電子ビームの偏向制御等を行う。顕微鏡撮像装置１００、顕微鏡撮像装置１０１及び顕微鏡撮像装置１０３での撮像によって得られたマスクマークＭ及びダイマークＤＭを示す各画像信号は、信号処理回路２０２に加えられる。信号処理回路２０２は、入力した各画像信号に基づいてマスクマークＭとダイマークＤＭとの位置ずれ量を算出する。
【０１０１】
ＣＰＵ２００は、信号処理回路２０２から入力する位置ずれ量がゼロになるようにステージ駆動回路２０４を介してウエハステージ７０を移動させ、又はステージ駆動回路２０６を介してマスクステージ８０を移動させる。
【０１０２】
また、ＣＰＵ２００は、マスクマークＭとダイマークＤＭとが一致したときのウエハステージ７０のＸ方向及びＹ方向の位置（Ｘ、Ｙ）をレーザ干渉計ＬＸＷ、ＬＹＷから取り込み、同様にマスクステージ８０のＸ方向及びＹ方向の位置（ｘ、ｙ）をレーザ干渉計ＬＸＭ、ＬＹＭから取り込み、メモリ２０３に記憶させる。また、メモリ２０３には、図４で説明したようにパレットマークＷＰ１、ＷＰ２と、各ダイマークＤＭとの位置関係を示すデータが保存されている。なお、メモリ２０３に記憶したウエハステージ７０やマスクステージ８０の位置等に基づくマスクとウエハとの位置合わせ制御の詳細については後述する。
【０１０３】
更に、ＣＰＵ２００は、マスクを走査する際の偏向量データとともにマスクの歪みに応じた補正データをデジタル演算回路２０５に供給し、デジタル演算回路２０５は偏向量データに基づいてマスクを走査するためのデジタル信号を主ＤＡＣ／ＡＭＰ２０８に出力し、補正データに基づいてマスクの歪みを補正するためのデジタル信号を副ＤＡＣ／ＡＭＰ２１０に出力する。
【０１０４】
主ＤＡＣ／ＡＭＰ２０８は、入力したデジタル信号をアナログ信号に変換したのち増幅し、これを図１５に示される主偏向器２２、２４に出力する。これにより、電子ビーム１５は、光軸と平行な状態を維持したまま、図１６に示されるようにマスクの全面を走査するように偏向される。また、副ＤＡＣ／ＡＭＰ２１０は、入力したデジタル信号をアナログ信号に変換したのち増幅し、これを図１５に示される副偏向器２６、２８に出力する。これにより、電子ビーム１５のマスクへの入射角度が制御され、マスクが歪んでいてもマスクパターンを正規の位置に転写できるようにしている。
【０１０５】
図１２は本発明に係るマスクとウエハとの位置合わせ方法を含む電子ビーム近接露光方法の動作手順を示すフローチャートである。
【０１０６】
先ず、マスク３２をマスクステージ８０にロードし、マスクマークＭ１が顕微鏡撮像装置１００、１０１、１０３の視野に入るようにマスクステージ８０を移動させる（ステップＳ１０）。同様にしてウエハパレット４４をウエハステージ７０にロードし、ダイマークＤＭ１が顕微鏡撮像装置１００、１０１、１０３の視野に入るようにウエハステージ７０を移動させる（ステップＳ１２）。
【０１０７】
顕微鏡撮像装置１００、１０１、１０３は、視野内のマスクマークＭ１及びダイマークＤＭ１にそれぞれピントが合うように図５等で説明したように対物レンズ１２０やダイマーク結像用レンズ１２５を移動させる（ステップＳ１４）。
【０１０８】
続いて、ダイマークＤＭ１を基準にしてマスクマークＭ１、Ｍ２を測定し、その測定結果に基づいてマスク３２の回転量θＭ  を計算する（ステップＳ１６）。
【０１０９】
図１３は上記ステップＳ１６の詳細を示すフローチャートである。同図に示されるように顕微鏡撮像装置１００、１０１、１０３の視野内のダイマークＤＭ１とマスクマークＭ１との位置ずれ量を顕微鏡撮像装置１００、１０１、１０３から得られる画像信号を処理することによって測定する（ステップＳ１６Ａ）。この測定した位置ずれ量がゼロか否かを判別し（ステップＳ１６Ｂ）、位置ずれ量≠０の場合には、位置ずれ量がゼロに近づく方向にマスクステージ８０を移動させ（ステップＳ１６Ｃ）、ステップＳ１６Ａで再びダイマークＤＭ１とマスクマークＭ１との位置ずれ量を測定する。そして、位置ずれ量＝０になるまでステップＳ１６Ａ、Ｓ１６Ｂ、Ｓ１６Ｃの処理を繰り返す。
【０１１０】
ステップＳ１６Ｂで位置ずれ量＝０と判別されると、そのときのマスクステージ８０の移動位置（ｘ１  、ｙ１  ）をレーザ干渉計ＬＸＭ、ＬＹＭから読み取ってメモリ２０３に記憶させるとともに、ウエハステージ７０の移動位置（Ｘ１  、Ｙ１  ）をレーザ干渉計ＬＸＷ、ＬＹＷから読み取ってメモリ２０３に記憶させる（ステップＳ１６Ｄ）。
【０１１１】
次に、マスク３２のマスクマークＭ２が顕微鏡撮像装置１００、１０１、１０３の視野に入るようにマスクステージ８０を移動させ、上記と同様にしてダイマークＤＭ１とマスクマークＭ２との位置ずれ量がゼロになるようにマスクステージ８０を移動させる（ステップＳ１６Ｅ、Ｓ１６Ｆ、Ｓ１６Ｇ）。そして、ステップＳ１６Ｆで位置ずれ量＝０と判別されたときのマスクステージ８０の移動位置（ｘ２  、ｙ２  ）をレーザ干渉計ＬＸＭ、ＬＹＭから読み取ってメモリ２０３に記憶させる（ステップＳ１６Ｈ）。
【０１１２】
上記のようにして測定されたマスクマークＭ１、Ｍ２がそれぞれダイマークＤＭ１と一致したときのマスクステージ８０の位置（ｘ１  、ｙ１  ）、（ｘ２  、ｙ２  ）からマスク３２の回転量θＭ  を計算する（ステップＳ１６Ｉ）。
【０１１３】
図１２に戻って、ステップＳ１８では、マスクマークＭ２を基準にしてダイマークＤＭ１、ＤＭ２を測定し、その測定結果に基づいてウエハパレット４４の回転量θＰ  を計算する。
【０１１４】
図１４は上記ステップＳ１８の詳細を示すフローチャートである。
【０１１５】
前記ステップＳ１６の処理が終了した時点では、ダイマークＤＭ１とマスクマークＭ２とが一致している状態にあり、また、このときのウエハステージ７０の位置（Ｘ１  、Ｙ１  ）及びマスクステージ８０の位置（ｘ２  、ｙ２  ）は測定済みである。
【０１１６】
図１４のステップＳ１８Ａでは、ウエハパレット４４のダイマークＤＭ２が顕微鏡撮像装置１００、１０１、１０３の視野に入るようにウエハステージ７０を移動させ、顕微鏡撮像装置１００、１０１、１０３の視野内のマスクマークＭ２とダイマークＤＭ２との位置ずれ量を顕微鏡撮像装置１００、１０１、１０３から得られる画像信号を処理することによって測定する。この測定した位置ずれ量がゼロか否かを判別し（ステップＳ１８Ｂ）、位置ずれ量≠０の場合には、位置ずれ量がゼロに近づく方向にウエハステージ７０を移動させ（ステップＳ１８Ｃ）、ステップＳ１８Ａで再びマスクマークＭ２とダイマークＤＭ２との位置ずれ量を測定する。そして、位置ずれ量＝０になるまでステップＳ１８Ａ、Ｓ１８Ｂ、Ｓ１８Ｃの処理を繰り返す。
【０１１７】
ステップＳ１８Ｂで位置ずれ量＝０と判別されると、そのときのウエハステージ７０の移動位置（Ｘ２  、Ｘ２  ）をレーザ干渉計ＬＸＭ、ＬＹＭから読み取ってメモリ２０３に記憶させる（ステップＳ１８Ｄ）。
【０１１８】
上記のようにして測定されたダイマークＤＭ１、ＤＭ２がそれぞれマスクマークＭ２と一致したときのウエハステージ７０の位置（Ｘ１  、Ｙ１  ）、（Ｘ２  、Ｙ２  ）からウエハパレット４４の回転量θＰ  を計算する（ステップＳ１８Ｅ）。なお、ウエハステージ７０の位置（Ｘ１  、Ｙ１  ）は、図１３のステップＳ１６Ｄで既に測定されている。
【０１１９】
図１２に戻って、ステップＳ２０では、マスクステージ８０を駆動してマスク３２を転写位置に移動させ、そのときのマスクステージ８０の位置（ｘ０  、ｙ０  ）をレーザ干渉計ＬＸＭ、ＬＹＭから読み取る（ステップＳ２０）。
【０１２０】
次に、転写位置に移動したマスク３２に対してウエハ４０の各ダイＤを位置合わせするための各ダイＤの位置（ウエハステージ７０の位置（Ｘ、Ｙ）とウエハステージ７０の回転量θ）を計算する（ステップＳ２２）。
【０１２１】
たとえば、転写位置のマスク３２のマスクマークＭ１に、ダイマークＤＭ１を一致させるためのウエハステージ７０の移動位置（Ｘ、Ｙ）は、次式、
【０１２２】
【数１】
Ｘ＝Ｘ１  ＋（ｘ０  −ｘ１  ）
Ｙ＝Ｙ１  ＋（ｙ０  −ｙ１  ）          …（１）
で表すことができる。
【０１２３】
ただし、転写位置のマスク３２に対してウエハ４０の各ダイＤを位置合わせする必要があるため、図４で説明したように予め測定されているダイマークＤＭ１と各ダイマークＤＭとの位置関係を示すデータと前記式（１）で得られる位置データとに基づいて、転写位置のマスク３２に対してウエハ４０の各ダイＤを位置合わせするためのウエハステージ７０の位置（Ｘ、Ｙ）を求める。
【０１２４】
また、マスク３２の回転量θＭ  及びウエハパレット４４の回転量θＰ  がともにゼロの場合には、上記のようにして求めたウエハステージ７０の位置（Ｘ、Ｙ）を使用してウエハ４０の各ダイＤを位置合わせをすることができるが、マスク３２やウエハパレット４４が回転して各ステージに取り付けられている場合には、ステップＳ１６で求めたマスク３２の回転量θＭ  、及びステップＳ１８で求めたウエハパレット４４の回転量θＰ  に基づいてウエハステージ７０を回転させる。
【０１２５】
このときのウエハステージ７０の回転量をθとすると、回転量θは、次式、
【０１２６】
【数２】
θ＝θＭ  −θＰ        …（２）
で表すことができる。
【０１２７】
また、ウエハパレット４４の回転量θＰ  と上記ウエハステージ７０の回転量θによってウエハパレット４４のＸＹ平面上での回転量を求めることができる。このウエハパレット４４のＸＹ平面上の回転量と、ウエハステージ７０の回転中心とに基づいてウエハ４０の各ダイＤのダイマークＤＭの変位量（ウエハパレット４４がＸＹ平面上で回転していない場合を基準にした変位量）を求め、この変位量によって前記ウエハ４０の各ダイＤを位置合わせするためのウエハステージ７０の位置（Ｘ、Ｙ）を修正する。
【０１２８】
上記のようにして計算した転写位置に移動したマスク３２に対してウエハ４０の各ダイＤを位置合わせするための各ダイＤの位置（ウエハステージ７０の位置（Ｘ、Ｙ）とウエハステージ７０の回転量θ）に基づいてウエハステージ７０を移動させるとともに、ウエハステージ７０を回転させる（ステップＳ２４）。
【０１２９】
次に、電子ビームによってマスク３２に形成されたマスクパターンをウエハに転写する（ステップＳ２６）。続いて、全てのダイの転写が終了したか否かを判別し（ステップＳ２８）、終了していない場合にはステップＳ２４に戻って他のダイの位置合わせを行い、再びマスクパターンの転写を行う。このようにして全てのダイの転写が終了すると、ウエハをアンロードして終了する。
【０１３０】
以上、本発明に係るマスクとウエハとの位置合わせ方法の実施形態の例について説明したが、本発明は上記実施形態の例に限定されるものではなく、各種の態様が採り得る。
【０１３１】
たとえば、本実施の形態では、マスクマークＭとダイマークＤとの位置ずれ量がゼロになるようにマスクステージ又はウエハステージを移動させ、そのときのマスクステージ及びウエハステージの移動位置を測定するようにしたが、これに限らず、マスクマークＭとダイマークＤとの位置ずれ量を顕微鏡撮像装置の画面上の位置ずれ量から測定するとともに、この測定時におけるマスクステージ及びウエハステージの移動位置を測定し、これらの測定結果に基づいてマスクマークＭとダイマークＤとの位置ずれ量がゼロになるときのマスクステージ及びウエハステージの移動位置を算出するようにしてもよい。
【０１３２】
また、本実施の形態では、ウエハ４０がウエハパレット４４に搭載され、更にウエハパレット４４がウエハステージ７０（ウエハステージ７０の電磁チャック６０）に搭載される例について説明したが、これに限らず、本発明はウエハ４０を直接ウエハステージ７０上の電磁チャック６０に吸着させる場合にも適用できる。
【０１３３】
また、本実施の形態では、マスク３２のマスクマークＭとウエハ４０のダイマークＤとの位置ずれ量が測定されているが、これに代えて、マスク３２のマスクマークＭとウエハパレット４４上の少なくとも２つのパレットマークＷＰの位置を測定する態様であってもよい。この場合には、図４で説明したように予め測定されているパレットマークＷＰと各ダイマークＤＭとの位置関係を示すデータと前記式（１）で得られる位置データとに基づいて、位置合せを行えばよい。
【０１３４】
更に、本実施の形態では、露光領域外に固定されている顕微鏡撮像装置１００、１０１、１０３の視野にマスクマークＭが入るようにマスク３２が移動できるようになっているが、マスクステージ８２に取り付けられたマスク３２が移動せずに、顕微鏡撮像装置が顕微鏡ステージによってＸ方向及びＹ方向に移動できるように構成することもできる。
【０１３５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、顕微鏡撮像装置は、第１のマーク及び第２のマークが設けられている面と直交する方向から各マークを撮像することができるとともに、各マークにそれぞれピントが合った画像信号を得ることができる。そして、顕微鏡撮像装置から得られる第１のマーク及び第２のマークの画像信号に基づいて第１のマークと第２のマークとの相対的な位置ずれ量を測定するようにしている。すなわち、各マークが設けられている面と直交する方向から各マークを撮像することにより、１つの顕微鏡撮像装置によって第１のマークと第２のマークとの二次元の位置ずれ量を測定することができる。
【０１３６】
また、顕微鏡撮像装置の基準位置（たとえば、顕微鏡の十字マーク）を基準にして第１のマーク及び第２のマークの位置を測定しておらず、顕微鏡撮像装置から得られる第１のマークと第２のマークとの画像信号に基づいて各マーク間の相対的な位置ずれ量を測定するようにしたため、顕微鏡撮像装置の基準位置の変動に影響を受けない位置ずれ量の測定ができる。
【０１３７】
更に、第１のマークにピントを合わせることが可能な第１の結像光学系と、第２のマークにピントを合わせることが可能な第２の結像光学系と、第１の結像光学系又は第２の結像光学系からの画像を結像させる１つの撮像素子を有し、第１の結像光学系と第２の結像光学系からの画像が時分割で切り換えられて撮像素子に結像される。この構成により、フレアの影響を受けずに、マスクとウエハとの高精度の位置合わせを、従来を上回る高精度で実現することができる。
【０１３８】
また、本発明によれば、顕微鏡撮像装置により第１のマークと、第２のマークとを同時に撮像するとともに、ビームスプリッタにより、第１のマークの画像又は第２のマークの画像を第１の撮像素子と第２の撮像素子に結像させ、第１のマーク又は第２のマークの画像信号に基づいて第１の撮像素子と第２の撮像素子との相対的な位置関係を算出する。この位置関係が得られることにより装置のキャリブレーションができ、このキャリブレーション結果を第１のマークと、第２のマークとの位置ずれ量の測定にフィードバックさせることにより、マスクとウエハとの高精度の位置合わせを、従来を上回る高精度で実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るマスクとウエハとの位置合わせ方法の第１の実施の形態に使用されるアライメント機構系を含む電子ビーム近接露光装置の要部縦断面図
【図２】図１に示した電子ビーム近接露光装置の要部上面図
【図３】図１に示した電子ビーム近接露光装置に使用されるマスクの平面図
【図４】ウエハが搭載されたウエハパレットの平面図
【図５】本発明に適用される顕微鏡撮像装置の詳細を示す光学部品配置図
【図６】照明光学系に配されている波長選択フィルタの分光反射率特性を示すグラフ
【図７】ウエハマーク撮像用光学系に配されている波長選択フィルタの分光透過率特性を示すグラフ
【図８】本発明に適用される顕微鏡撮像装置の他の実施の形態を示す光学部品配置図
【図９】本発明に適用される顕微鏡撮像装置の更に他の実施の形態を示す光学部品配置図
【図１０】顕微鏡撮像装置によってマスクマークとダイマークとの位置ずれ量を検出する方法を説明するために用いた図
【図１１】電子ビーム近接露光装置の制御部の実施の形態を示すブロック図
【図１２】本発明に係るマスクとウエハとの位置合わせ方法を含む電子ビーム近接露光方法の動作手順を示すフローチャート
【図１３】図１２に示したフローチャート中の一部の詳細な処理手順を示すフローチャート
【図１４】図１２に示したフローチャート中の他の一部の詳細な処理手順を示すフローチャート
【図１５】電子ビーム近接露光装置の基本構成を示す図
【図１６】電子ビームによるマスクの走査を説明するために用いた図
【図１７】電子ビーム近接露光装置の全体構成図
【符号の説明】
１５…電子ビーム、２２、２４…主偏向器、２６、２８…副偏向器、３２…マスク、４０…ウエハ、４４…ウエハパレット、７０…ウエハステージ、８０…マスクステージ、１００、１０１、１０３…顕微鏡撮像装置、１１０…ランプハウス、１２０…対物レンズ、１２１…波長選択フィルタ、１２２…波長選択フィルタ、１２３…マスクマーク結像用レンズ、１２４…波長選択フィルタ、１２５…ダイマーク結像用レンズ、１３０、１３１、１３２、１４５…ＣＣＤ、１３５…シャッター、１３７…シャッター、１４７…シャッター、１４９…シャッター、２００…ＣＰＵ、２０３…メモリ、２０４、２０６…ステージ駆動回路、ＬＸＭ、ＬＹＭ、ＬＸＷ、ＬＹＷ…レーザ干渉計、Ｍ…マスクマーク、ＷＰ…パレットマーク、Ｄ…ダイ、ＤＭ…ダイマーク
【図１】
2004356156.tif 000003
【図２】
2004356156.tif 000004
【図３】
2004356156.tif 000005
【図４】
2004356156.tif 000006
【図５】
2004356156.tif 000007
【図６】
2004356156.tif 000008
【図７】
2004356156.tif 000009
【図８】
2004356156.tif 000010
【図９】
2004356156.tif 000011
【図１０】
2004356156.tif 000012
【図１１】
2004356156.tif 000013
【図１２】
2004356156.tif 000014
【図１３】
2004356156.tif 000015
【図１４】
2004356156.tif 000016
【図１５】
2004356156.tif 000017
【図１６】
2004356156.tif 000018
【図１７】
2004356156.tif 000019