【手続補正書】
【提出日】平成15年8月28日(2003.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子が集積形成された半導体基板と、
この半導体基板に形成され、他のチップと電気的に接続するための接続部と、
前記半導体基板に設けられた２個以上の位置合わせ用の光透過部と
を具備してなることを特徴とするマルチチップ半導体装置用チップ。
【請求項２】
前記接続部は、前記半導体基板を貫通する貫通孔内に形成された接続プラグであることを特徴とするマルチチップ半導体装置用チップ。
【請求項３】
前記光透過部は、前記半導体基板を貫通し、内部が空洞の貫通孔、または前記半導体基板を貫通し、内部に光透明膜が埋め込まれた貫通孔であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のマルチチップ半導体装置用チップ。
【請求項４】
半導体基板の表面に該半導体基板を貫通しない深さの接続プラグ用および光透過部用の孔を形成する工程と、
前記接続プラグ用の孔の側壁および底部に該孔を充填しない厚さの絶縁膜を形成する工程と、
前記接続プラグ用の孔内に前記絶縁膜を介して導電性膜を形成し、前記光透過部用の孔の内部を光透明膜で埋め込むか、または前記光透過部用の孔の内部を埋め込まずに空洞のまま残す工程と、
前記孔が形成された表面と反対側の表面から、前記半導体基板および前記絶縁膜を後退させて、前記接続プラグ用の孔の底部の前記導電性膜、および前記光透過部用の孔の底部の前記光透明膜または前記光透過部用の孔の内部の空洞を露出させ、接続用プラグおよび位置合わせ用の光透過部を形成する工程と
を有することを特徴とするマルチチップ半導体装置用チップの製造方法。
【請求項５】
請求項１、請求項２ないし請求項３のいずれかに記載されたマルチチップ半導体装置用チップを複数積層する際に、最上層または最下層のマルチチップ半導体装置用チップの光透過部に光を照射し、最下層または最上層のマルチチップ半導体装置用チップの光透過部を透過した光を検出し、この検出した光に基づいて、前記マルチチップ半導体装置用チップの位置合わせを行なうことを特徴とするマルチチップ半導体装置用チップの位置合わせ方法。
【請求項６】
前記検出した光の光量が最大となるように、前記複数のマルチチップ半導体装置用チップの位置合わせを行なうことを特徴とする請求項５に記載のマルチチップ半導体装置用チップの位置合わせ方法。
【請求項７】
前記光は、レーザ光であることを特徴とする請求項５に記載のマルチチップ半導体装置用チップの位置合わせ方法。
【請求項８】
素子が集積形成された半導体基板を有するチップを複数積層してなるマルチチップ半導体装置において、
少なくとも１つのチップは、その半導体基板を貫通する貫通孔内に接続プラグが形成された構造を有し、かつこの接続プラグを有する少なくとも１つのチップは、前記接続プラグを介して他のチップと電気的に接続され、
前記半導体基板の各々には２個以上の同数の位置合わせ用の光透過部が設けられ、かつ前記同数と同数の互いに異なる直線上の各々に、前記半導体基板の各々から１個ずつ選んだ光透過部の少なくとも一部が並び、かつ同じ光透過部が異なる直線上に並ばないことを特徴とするマルチチップ半導体装置。
【請求項９】
前記光透過部は、前記半導体基板を貫通し、内部が空洞の貫通孔、または前記半導体基板を貫通し、内部に光透明膜が埋め込まれた貫通孔であることを特徴とする請求項８に記載のマルチチップ半導体装置。
【請求項１０】
請求項４に記載のマルチチップ半導体装置用チップの製造方法により、複数の半導体基板の各々に２個以上の同数の位置合わせ用の光透過部が設けられ、かつ前記同数と同数の互いに異なる直線上の各々に、前記半導体基板の各々から１個ずつ選んだ光透過部の少なくとも一部が並び、かつ同じ光透過部が異なる直線上に並ばない、複数のマルチチップ半導体装置用チップを製造する工程と、
請求項５に記載の複数のマルチチップ半導体装置用チップの位置合わせ方法により、前記複数のマルチチップ半導体装置用チップの位置合わせを行なう工程と、
前記複数のマルチチップ半導体装置用チップを電気的に接続する工程と
を有することを特徴とするマルチチップ半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１、請求項２ないし請求項３のいずれかに記載のマルチチップ半導体装置用チップを載置する積層された複数のステージであって、前記マルチチップ半導体装置用チップの接続プラグに対応した貫通孔および前記マルチチップ半導体装置用チップの光透過部に対応した光透過部を有する積層された複数のステージと、
これらのステージの各々を、前記マルチチップ半導体装置用チップの載置面に対して平行かつ互いに非平行の２つの方向の直線運動および前記載置面内に対して垂直な方向の直線運動、ならびに前記載置面に対して垂直な軸を中心とした回転運動させ、前記複数のステージの位置関係を粗調整するステージ位置粗調整手段と、
前記ステージの各々を、前記３つの方向の直線運動および前記回転運動させ、前記複数のステージの位置関係を微調整するステージ位置微調整手段と、
最下層または最上層のステージの光透過部から、前記最上層または前記最下層のステージの光透過部に向かって光を照射し、かつ前記２つの方向の直線運動を行なえる光照射手段と、
前記最上層または前記最下層のステージの光透過部を透過した前記光を検出する光検出手段と、
この光検出手段の検出結果に基づいて、前記ステージ位置粗調整手段および前記ステージ位置微調整手段を制御する制御手段と
を具備してなることを特徴とするマルチチップ半導体装置の製造装置。
【請求項１２】
前記制御手段により、前記ステージ位置粗調整手段および前記ステージ位置微調整手段を制御することにより、前記複数のマルチチップ半導体装置用チップの位置合わせを行なうことを特徴とする請求項１１に記載のマルチチップ半導体装置の製造装置。
【請求項１３】
前記制御手段により、前記ステージ位置粗調整手段および前記ステージ位置微調整手段の少なくとも一方を制御することにより、前記マルチチップ半導体装置用チップ同士の圧接を行なうことを特徴とする請求項１１に記載のマルチチップ半導体装置の製造装置。
【請求項１４】
前記ステージ位置粗調整手段および前記ステージ位置微調整手段は、前記ステージを仰角運動させることができることを特徴とする請求項１１に記載のマルチチップ半導体装置の製造装置。
【請求項１５】
前記ステージを加熱する加熱手段を有することを特徴とする請求項１１に記載のマルチチップ半導体装置の製造装置。
【請求項１６】
素子が形成された半導体基板と、
前記半導体基板を貫通するように形成され、かつ、前記半導体基板の表面および裏面に配置された導電部を介して隣接するチップと電気的に接続された接続部と、
前記半導体基板内に形成された２個以上の光透光部と
を具備してなることを特徴とするマルチチップ半導体装置。
【請求項１７】
積層された複数のチップと、
複数の導電部であってその各々が前記複数のチップの間に形成された複数の導電部と
を具備してなり、
前記複数のチップの各々は、
素子が形成された半導体基板と、
前記半導体基板を貫通するように形成され、かつ、前記半導体基板の表面および裏面に配置された前記導電部を介して隣接するチップと電気的に接続された接続部と、
前記半導体基板内に形成された２個以上の光透光部と
を具備してなることを特徴とするマルチチップ半導体装置。