【手続補正書】
【提出日】平成26年9月9日(2014.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溝を有する絶縁層を含む第１の半導体チップを提供するステップであって、前記溝は、長さと、前記長さよりも小さい幅とを有し、前記絶縁層の対向する側壁によって規定されているステップと、
第２の半導体チップを、前記第２の半導体チップと前記絶縁層との間の隙間を残すように、前記第１の半導体チップ上に積層するステップと、
ポリマー充填剤の一部が前記溝の内部に吸い込まれるように、前記ポリマー充填剤を前記隙間内に配置するステップと、
を含む製造方法。
【請求項２】
前記第２の半導体チップ上に第３の半導体チップを積層するステップを含む、請求項１の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁層から材料を取り除くことによって前記溝を形成するステップを含む、請求項１の製造方法。
【請求項４】
前記溝の外側の前記絶縁層に半田濡れフィルムを付加するステップを含む、請求項１の製造方法。
【請求項５】
前記半田濡れフィルムに半田熱インターフェース材料を付加するステップを含む、請求項４の製造方法。
【請求項６】
前記第１の半導体チップを基板に実装するステップを含む、請求項１の製造方法。
【請求項７】
前記半田熱インターフェース材料と熱的に接触するように熱分散部材を配置するステップを含む、請求項５の製造方法。
【請求項８】
前記対向する側壁は、傾斜した側壁を備える、請求項１の製造方法。
【請求項９】
第１の半導体チップに、上面を有する絶縁層を付加するステップと、
ポリマー充填剤を受け入れるように適合された溝を前記絶縁層に形成するステップであって、前記溝は、長さと、前記長さよりも小さい幅とを有し、前記絶縁層の対向する側壁によって規定されている、ステップと、を含み、
前記第１の半導体チップは、前記第２の半導体チップと前記絶縁層との間の隙間を残すように、前記第１の半導体チップ上に第２の半導体チップを積層させるように適合されており、
前記ポリマー充填剤の一部は前記隙間に配置され、前記ポリマー充填剤の他の部分は前記絶縁層の前記上面に配置される、
製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁層から材料を取り除くことによって前記溝を形成するステップを含む、請求項９の製造方法。
【請求項１１】
前記溝の外側の前記絶縁層に半田濡れフィルムを付加するステップを含む、請求項９の製造方法。
【請求項１２】
前記半田濡れフィルムに半田熱インターフェース材料を付加するステップを含む、請求項１１の製造方法。
【請求項１３】
前記第１の半導体チップを回路基板に実装するステップを含む、請求項９の製造方法。
【請求項１４】
前記半田熱インターフェース材料と熱的に接触するように熱分散部材を配置するステップを含む、請求項１２の製造方法。
【請求項１５】
溝を有する絶縁層を含む第１の半導体チップを提供するステップであって、前記溝は、長さと、前記長さよりも小さい幅とを有し、前記絶縁層の対向する側壁によって規定されている、ステップと、
前記溝に近接する外壁を有する第２の半導体チップと、前記絶縁層との間の隙間を残すように、前記第２の半導体チップを前記第１の半導体チップ上に積層するステップと、
ポリマー充填剤の一部が前記溝の内部に吸い込まれるように、前記ポリマー充填剤を前記隙間内に配置するステップであって、前記溝は、前記ポリマー充填剤の前記外壁から離れる移動を制限することが可能であるステップと、
を含む製造方法。
【請求項１６】
前記外壁は前記溝上に直接配置されている、請求項１５の製造方法。
【請求項１７】
前記溝の外側の前記絶縁層に半田濡れフィルムを付加するステップを含む、請求項１５の製造方法。
【請求項１８】
前記半田濡れフィルムに半田熱インターフェース材料を付加するステップを含む、請求項１７の製造方法。
【請求項１９】
前記第１の半導体チップを基板に実装するステップを含む、請求項１５の製造方法。
【請求項２０】
前記ポリマー充填剤を配置するステップは、前記ポリマー充填剤の第１の部分を配置するステップと、前記第１の部分を全て硬化又は部分的に硬化するステップと、前記ポリマー充填剤の第２の部分を配置して硬化するステップとを含む、請求項１５の製造方法。
【請求項２１】
前記ポリマー充填剤を配置するステップは、前記ポリマー充填剤の第１の部分を配置するステップと、前記第１の部分を全て硬化又は部分的に硬化するステップと、前記ポリマー充填剤の第２の部分を配置して硬化するステップとを含む、請求項１の製造方法。
【請求項２２】
前記ポリマー充填剤を前記隙間内に配置するステップを含む、請求項９の製造方法。
【請求項２３】
前記ポリマー充填剤を配置するステップは、前記ポリマー充填剤の第１の部分を配置するステップと、前記第１の部分を全て硬化又は部分的に硬化するステップと、前記ポリマー充填剤の第２の部分を配置して硬化するステップとを含む、請求項２２の製造方法。
【請求項２４】
第１の半導体チップと、
前記第１の半導体チップ上に位置する絶縁層であって、溝を有する絶縁層と、
前記絶縁層との間の隙間を残すように前記第１の半導体チップ上に積層される第２の半導体チップと、
前記隙間内に配置されるポリマー充填剤であって、一部が前記溝内に位置するポリマー充填剤と、
を備え、
前記溝は、長さと、前記長さよりも小さい幅とを有し、前記絶縁層の対向する側壁によって規定されている、
装置。
【請求項２５】
前記ポリマー充填剤は、前記溝を超えて前記絶縁層上に延びていない、請求項２４の装置。
【請求項２６】
前記第１の半導体チップ上に積層された複数の半導体チップを備える、請求項２４の装置。
【請求項２７】
前記溝の外側の前記絶縁層上に位置する半田濡れフィルムと、前記半田濡れフィルム上に位置する半田熱インターフェース材料とを備える、請求項２４の装置。
【請求項２８】
前記半田熱インターフェース材料と熱的に接触する熱分散部材を備える、請求項２７の装置。
【請求項２９】
前記対向する側壁は、傾斜した側壁を備える、請求項２４の装置。
【請求項３０】
前記第１の半導体チップに接続された回路基板を備える、請求項２４の装置。
【請求項３１】
前記回路基板はパッケージ基板を備える、請求項３０の装置。
【請求項３２】
前記溝は前記第２の半導体チップに外接する、請求項２４の装置。
【請求項３３】
第１の半導体チップと、
前記第１の半導体チップ上に位置する絶縁層であって、溝を有する絶縁層と、
前記絶縁層との間の隙間を残すように前記第１の半導体チップ上に積層される第２の半導体チップと、
一部が前記溝内に配置されるポリマー充填剤であって、第１の硬化部分と、前記第１の硬化部分に積層された第２の硬化部分とを含むポリマー充填剤と、
を備え、
前記溝は、長さと、前記長さよりも小さい幅とを有し、前記絶縁層の対向する側壁によって規定されている、
装置。
【請求項３４】
前記第２の半導体チップは、前記溝に近接する外壁を有する、請求項３３の装置。
【請求項３５】
前記外壁は前記溝上に直接配置されている、請求項３４の装置。
【請求項３６】
前記ポリマー充填剤は、前記溝を超えて前記絶縁層上に延びていない、請求項３３の装置。
【請求項３７】
前記第１の半導体チップ上に積層された複数の半導体チップを備える、請求項３３の装置。
【請求項３８】
前記溝の外側の前記絶縁層上に位置する半田濡れフィルムと、前記半田濡れフィルム上に位置する半田熱インターフェース材料とを備える、請求項３３の装置。
【請求項３９】
前記半田熱インターフェース材料と熱的に接触する熱分散部材を備える、請求項３８の装置。
【請求項４０】
前記対向する側壁は、傾斜した側壁を備える、請求項３３の装置。
【請求項４１】
前記第１の半導体チップに接続された回路基板を備える、請求項３３の装置。
【請求項４２】
前記回路基板はパッケージ基板を備える、請求項４１の装置。
【請求項４３】
コンピュータ可読記憶媒体に記憶された命令で具現化される装置であって、
第１の半導体チップと、
前記第１の半導体チップ上に位置する絶縁層であって、溝を有する絶縁層と、
前記絶縁層との間の隙間を残すように前記第１の半導体チップ上に積層される第２の半導体チップと、
前記隙間内に配置されるポリマー充填剤であって、一部が前記溝内に位置するポリマー充填剤と、
を備え、
前記溝は、長さと、前記長さよりも小さい幅とを有し、前記絶縁層の対向する側壁によって規定されている、
装置。