【手続補正書】
【提出日】平成26年3月24日(2014.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置を製造する方法であり、前記方法は：
上に残留物を持つ金属表面及び誘電体層表面を含む平坦化パターン化基板を準備し；
前記残留物を含む前記平坦化パターン化基板を疎水性機能基を含む反応ガスで処理し、前記処理は、前記平坦化パターン化基板から前記残留物を除去し、かつ、前記誘電体層表面の親水性機能基を疎水性機能基で置換し；
前記処理された平坦化パターン化基板を還元性ガスに暴露し；及び
前記誘電体層表面と前記金属表面を金属含有前駆体蒸気を含む堆積ガスに暴露することで前記金属表面に選択的に金属含有キャップ層を堆積することを含む、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であり、前記残留物が有機残留物を含む、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であり、前記有機残留物がベンゾトリアジン（ＢＴＡ）を含む、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であり、前記還元性ガスが水素（Ｈ２）ガスを含む、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であり、前記還元性ガスがアンモニア（ＮＨ３）ガスを含む、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であり、前記残留物除去が、さらに：前記処理の前に、前記平坦化パターン化基板を熱処理することを含み、
前記熱処理は、前記平坦化パターン化基板から前記残留物の部分を蒸発させる、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であり、前記処理された平坦化パターン化基板を前記還元ガスに暴露することが、前記処理された平坦化パターン化基板から前記疎水性機能基を除く、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であり、前記反応ガスが、アルキルシラン、アルコキシシラン、アルキルアルコキシシラン、アルキルシロキサン、アルコキシシロキサン、アルキルアルコキシシロキサン、アリールシラン、アシルシラン、アリールシロキサン、アシルシロキサン、アルキルアミンシラン、シラザン又はこれらの組合せから選択されるシリコン含有ガスを含む、方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であり、前記シリコン含有ガスが、ジメチルシランジメチルアミン（ＤＭＳＤＭＡ）、トリメチルシランジメチルアミン（ＴＭＳＤＭＡ）、及びビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン（ＢＤＭＡＤＭＳ）からなる群から選択されるアルキルアミンシランを含む、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であり、前記金属含有キャップ層が、金属層、金属化合物層又は金属層と金属化合物層の交互層を含み、前記金属層が、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、ルテニウム（Ｒｕ）、  コバルト（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）又はパラジウム（Ｐｄ）又はこれらの２以上の組合せから選択される金属元素を含み、かつ前記金属化合物が前記金属及びリン（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）、窒素（Ｎ）、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ケイ素（Ｓｉ）又はゲルマニウム（Ｇｅ）、又はこれらの２以上の組合せから選択される非金属ドーパントを含む。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であり、前記金属含有前駆体蒸気が、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、ルテニウム（Ｒｕ）、コバルト（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、又はパラジウム（Ｐｄ）又はこれらの２以上の組合せから選択される金属元素を含み、かつ前記堆積ガスがさらに、ＰＨ３、ＢＨ３、Ｂ２Ｈ６、ＢＦ３、ＮＦ３、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ４、ＰＦ３、ＰＢｒ３、ＢＣｌ３、ＢＩ３、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＨ３Ｃｌ、ＳｉＨ２ＣＩ２、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＣｌ４、Ｓｉ２Ｃｌ６、ＳｉＨ３Ｆ、ＳｉＨ２Ｆ、ＳｉＨＦ３、ＳｉＦ４、Ｓｉ２Ｆ６、ＧｅＨ４、又はＧｅＣｌ４、又はこれらの２以上の組合せから選択される非金属ドーパントを含む、方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法であり、前記処理及び暴露が、基板温度が３００℃以下で実施される、方法。
【請求項１３】
半導体装置を形成する方法であり、前記方法は：
上に化学機械的研磨（ＣＭＰ）残留物を持つ、銅（Ｃｕ）表面と誘電体層表面を含む平坦化パターン化基板を準備し；
前記平坦化パターン化基板を疎水性機能基を含むシリコン含有反応ガスで処理し、前記処理が、前記平坦化パターン化基板から前記ＣＭＰ残留物を除去し、かつ、前記誘電体層表面の前記親水性機能基を疎水性機能基と置換し； 
前記処理された平坦化パターン化基板をアンモニア（ＮＨ３）ガスに暴露し；及び
前記誘電体層表面及び前記Ｃｕ金属表面を金属含有前駆体蒸気を含む堆積ガスへ暴露することで前記Ｃｕ金属上に金属含有キャップ層を選択的に堆積することを含む、方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であり、前記金属含有キャップ層の堆積が、前記誘電体層表面及び前記Ｃｕ表面をＲｕ３（ＣＯ）１２前駆体蒸気及びＣＯキャリアガスを含む堆積ガスに暴露することで、前記Ｃｕ表面にルテニウム（Ｒｕ）金属キャップ層を堆積することを含む、方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の方法であり、前記ＣＭＰ残留物を除去することが、前記処理の前に、熱処理することを含み、
前記熱処理は、前記平坦化パターン化基板を前記平坦化パターン化基板から前記残留物の部分を蒸発させる、方法。
【請求項１６】
請求項１３に記載の方法であり、前記処理された平坦化パターン化基板をアンモニア（ＮＨ３）ガスに暴露することが、前記処理された平坦化パターン化基板から前記疎水性機能基を除く、方法。
【請求項１７】
請求項１３に記載の方法であり、前記シリコン含有ガスが、アルキルシラン、アルコキシシラン、アルキルアルコキシシラン、アルキルシロキサン、アルコキシシロキサン、アルキルアルコキシシロキサン、アリールシラン、アシルシラン、アリールシロキサン、アシルシロキサン、アルキルアミンシラン、シラザン又はこれらの全ての組合せを含む、方法。
【請求項１８】
請求項１３に記載の方法であり、前記シリコン含有ガスが、ジメチルシランジメチルアミン（ＤＭＳＤＭＡ）、トリメチルシランジメチルアミン（ＴＭＳＤＭＡ）、及びビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン（ＢＤＭＡＤＭＳ）からなる群から選択されるアルキルアミンシランを含む、方法。
【請求項１９】
請求項１３に記載の方法であり、前記金属含有キャップ層が、金属層、金属化合物層又は金属層と金属化合物層の交互層を含み、前記金属層が、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、ルテニウム（Ｒｕ）、コバルト（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）又はパラジウム（Ｐｄ）又はこれらの２以上の組合せから選択される金属元素を含み、かつ前記金属化合物が前記金属及びリン（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）、窒素（Ｎ）、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ケイ素（Ｓｉ）又はゲルマニウム（Ｇｅ）又はこれらの２以上の組合せから選択される非金属ドーパントを含む。
【請求項２０】
請求項１３に記載の方法であり、前記金属含有前駆体蒸気が、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、ルテニウム（Ｒｕ）、コバルト（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、又はパラジウム（Ｐｄ）又はこれらの２以上の組合せから選択される金属元素を含み、かつ前記堆積ガスがさらに、ＰＨ３、ＢＨ３、Ｂ２Ｈ６、ＢＦ３、ＮＦ３、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ４、ＰＦ３、ＰＢｒ３、ＢＣｌ３、ＢＩ３、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＨ３Ｃｌ、ＳｉＨ２ＣＩ２、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＣｌ４、Ｓｉ２Ｃｌ６、ＳｉＨ３Ｆ、ＳｉＨ２Ｆ、ＳｉＨＦ３、ＳｉＦ４、Ｓｉ２Ｆ６、ＧｅＨ４、又はＧｅＣｌ４、又はこれらの２以上の組合せから選択される非金属ドーパントを含む、方法。
【請求項２１】
半導体装置を形成する方法であり、前記方法は：
上にベンゾトリアジン（ＢＴＡ）を含む化学機械的研磨（ＣＭＰ）残留物を持つ銅（Ｃｕ）表面と低誘電率誘電層を含む平坦化パターン化基板を準備し；
前記平坦化パターン化基板から前記ＣＭＰ残留物の第１の部分を蒸発させるために前記平坦化パターン化基板を熱処理し；
その後、前記平坦化パターン化基板の前記ＣＭＰ残留物の第２の部分をアルキルアミンシラン反応ガスで処理し、前記処理が、前記平坦化パターン化基板から前記ＣＭＰ残留物を除去し、かつ、前記誘電体層表面の親水性機能基を−Ｓｉ（ＣＨ３）３基で置換し；
前記処理された平坦化パターン化基板をアンモニア（ＮＨ３）ガスに暴露し；及び
前記誘電体層表面及び前記Ｃｕ表面に、Ｒｕ３（ＣＯ）１２前駆体蒸気及びＣＯ、キャリアガスを含む堆積ガスに暴露することで前記Ｃｕ表面にルテニウム（Ｒｕ）金属キャリア層を選択的に堆積する、ことを含む方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の方法であり、前記処理された平坦化パターン化基板をアンモニア（ＮＨ３）ガスへ暴露することが、前記処理された平坦化パターン化基板上の−Ｓｉ（ＣＨ３）３機能基を−ＮＨ２又は−ＮＨ基に置換することである、方法。
【請求項２３】
請求項２１に記載の方法であり、前記アルキルアミンシランが、ジメチルシランジメチルアミン（ＤＭＳＤＭＡ）、トリメチルシランジメチルアミン（ＴＭＳＤＭＡ）、及びビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン（ＢＤＭＡＤＭＳ）からなる群から選択されるアルキルアミンシランを含む、方法。