【手続補正書】
【提出日】平成23年12月9日(2011.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無電解析出用に酸化物表面を活性化する溶液であって、
所定量の水溶性溶媒と、
所定量の触媒と、
前記酸化物表面と化学結合を形成可能な少なくとも一つの官能基と、前記触媒と化学結合を形成可能な少なくとも一つの官能基と、を有する所定量の結合剤と、
所定量の水と、を含む、溶液。
【請求項２】
請求項１に記載の溶液であって、
前記水溶性溶媒が、ジメチルスルホキシド、ホルムアミド、アセトニトリル、アルコールまたはこれらの混合物である、溶液。
【請求項３】
請求項１または２に記載の溶液であって、
前記触媒の供給源が、パラジウム化合物、プラチナ化合物、ルテニウム化合物、銅化合物、銀化合物、レニウム化合物またはこれらの混合物である、溶液。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の溶液であって、
前記結合剤が、モノアルコキシシランまたはジアルコキシシランと、アミン基、イミン基、カルボキシレート基、リン酸基、ホスホン酸基およびエポキシ基からなる群から選択される少なくとも一つの基と、を含む、溶液。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の溶液であって、
前記酸化物が、ＳｉＯ2、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＣＨ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣＮ、ＳｉＯＣＨＮ、Ｔａ2Ｏ5およびＴｉＯ2の少なくとも一つを含む、溶液。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の溶液であって、
前記触媒は、化合物として約０．０１グラム／リットルないし１グラム／リットルの範囲の量だけ前記溶液に添加され、前記水溶性溶媒の量は、７０重量パーセントないし９５重量パーセントの範囲であり、前記結合剤の量は、０．５重量パーセントないし１０重量パーセントの範囲であり、前記水の量は、１重量パーセントないし２０重量パーセントの範囲である、溶液。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の溶液であって、
前記触媒の供給源はパラジウム化合物であって、その量は０．０１グラム／リットルないし１グラム／リットルの範囲であり、前記水溶性溶媒はジメチルスルホキシドであって、その量は７０重量パーセントないし９５重量パーセントの範囲であり、前記結合剤はアルコキシアルキルアミンシランであって、その量は約０．５重量パーセントないし約１０重量パーセントの範囲であり、前記水の量は約１重量パーセントないし約２０重量パーセントの範囲である、溶液。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の溶液であって、
前記結合剤は一般式（Ｒ1−Ｏ）4-nＭＸnで表され、
Ｍはシリコン、ゲルマニウムまたはスズであり、
Ｘは前記触媒と化学結合を形成可能な官能基であり、
Ｒ1−Ｏは前記酸化物表面と化学結合を形成可能な官能基であり、Ｏは酸素であり、
ｎは１、２または３である、溶液。
【請求項９】
請求項８に記載の溶液であって、
Ｘnが、アミン、イミン、エポキシ、ヒドロキシル、カルボキシ、カルボキシレート、リン酸塩、ホスホン酸塩またはこれらの組み合わせである、溶液。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の溶液であって、
Ｘnが、スルホン酸塩、ボロン酸塩、炭酸塩、重炭酸塩またはこれらの組み合わせである、溶液。
【請求項１１】
請求項８ないし１０のいずれかに記載の溶液であって、
Ｒ1がアルキル基である、溶液。
【請求項１２】
請求項８ないし１１のいずれかに記載の溶液であって、
（Ｒ1−Ｏ）4-nが、メトキシ、エトキシ、プロポキシまたはこれらの組み合わせである、溶液。
【請求項１３】
請求項８ないし１２のいずれかに記載の溶液であって、
（Ｒ1−Ｏ）4-nが、メトキシ、エトキシ、プロポキシまたはこれらの組み合わせであり、Ｘが、アミン、イミン、エポキシ、ヒドロキシル、カルボキシ、カルボキシレート、リン酸塩、ホスホン酸塩またはこれらの組み合わせである、溶液。
【請求項１４】
請求項８ないし１３のいずれかに記載の溶液であって、
Ｒ1がアルキル基であり、Ｍがシリコンであり、Ｘがアルキルアミンである、溶液。
【請求項１５】
請求項１ないし５のいずれかに記載の溶液であって、
前記水の量が全容積の約１０％未満である、溶液。
【請求項１６】
電子デバイスの製造方法であって、
酸化物表面を準備する工程と、
前記酸化物表面を溶液にさらして、金属の無電解析出のために前記酸化物表面を活性化する工程であって、前記酸化物表面を活性化する溶液が、
所定量の水溶性溶媒と、
所定量の触媒と、
前記酸化物表面と化学結合を形成可能な少なくとも一つの官能基と、前記触媒と化学結合を形成可能な少なくとも一つの官能基と、を有する所定量の結合剤と、
所定量の水と、を含む工程と、
前記活性化した酸化物表面上に金属層を無電解析出させる工程と、を備える、方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、
前記水溶性溶媒が、ジメチルスルホキシド、ホルムアミド、アセトニトリル、アルコールまたはこれらの混合物である、方法。
【請求項１８】
請求項１６または１７に記載の方法であって、
前記結合剤が、モノアルコキシシランまたはジアルコキシシランと、アミン基、イミン基、カルボキシレート基、リン酸基、ホスホン酸基およびエポキシ基からなる群から選択される少なくとも一つの基と、を含む、方法。
【請求項１９】
請求項１６ないし１８のいずれかに記載の方法であって、
前記結合剤は一般式（Ｒ1−Ｏ）4-nＭＸnで表され、
Ｍはシリコン、ゲルマニウムまたはスズであり、
Ｘは前記触媒と化学結合を形成可能な官能基であり、
Ｒ1−Ｏは前記酸化物表面と化学結合を形成可能な官能基であり、Ｏは酸素であり、
ｎは１、２または３である、方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法であって、
Ｒ1がアルキル基であり、Ｍがシリコンであり、Ｘがアルキルアミンである、方法。
【請求項２１】
請求項１６ないし１９のいずれかに記載の方法であって、
前記活性化した酸化物表面上に前記金属層を無電解析出させる前記工程が、前記活性化した酸化物表面を無電解メッキ浴に入れて、金属、金属合金または金属複合材料を形成する、方法。
【請求項２２】
請求項１６ないし１９および２１のいずれかに記載の方法であって、
さらに、前記金属層を無電解析出させる前記工程の前に、前記活性化した酸化物表面を還元剤を含む溶液で洗浄する工程を備える、方法。
【請求項２３】
請求項１６ないし１９、２１、ならびに２２のいずれかに記載の方法であって、さらに、
前記金属層を無電解析出させる前記工程の前に、還元溶液を用いて、前記活性化した酸化物表面を約１０℃から約９５℃の範囲の温度で、最大約６０秒間洗浄する工程を備え、
前記還元溶液が、所定量の還元剤を含み、さらに、所定量のｐＨ調整剤、所定量の錯化剤、所定量の界面活性剤またはこれらの組み合わせを含む、方法。
【請求項２４】
請求項１６ないし１９、ならびに２１ないし２３のいずれかに記載の方法であって、
前記酸化物表面は、
ＳｉＯ2、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＣＨ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣＮ、ＳｉＯＣＨＮ、Ｔａ2Ｏ5およびＴｉＯ2からなる群から選択される少なくとも一つを含み、
約１０℃から約９５℃の範囲の温度で、約３０秒間から約６００秒間、前記酸化物表面を前記溶液に浸されることにより、活性化する、方法。
【請求項２５】
請求項１６ないし１９、ならびに２１ないし２４のいずれかに記載の方法であって、
約１０℃から約９５℃の範囲の温度で、約３０秒間から約６００秒間、前記酸化物表面を前記溶液に浸すことにより、前記酸化物表面を活性化する、方法。
【請求項２６】
請求項１６ないし１９、ならびに２１ないし２５のいずれかに記載の方法であって、
約５０℃から約７０℃の範囲の温度で、約６０秒間から約１８０秒間、前記酸化物表面を前記溶液に浸すことにより、前記酸化物表面を活性化する、方法。
【請求項２７】
請求項１６ないし１９、ならびに２１ないし２６のいずれかに記載の方法であって、さらに、
前記金属層を無電解析出させる前記工程の前に、前記活性化した酸化物表面を還元剤を含む溶液で洗浄する工程を備え、
前記還元剤が、ボラン、ホウ化水素、ヒドラジン、次亜リン酸塩、アルデヒド、アスコルビン酸塩またはこれらの混合物を含む、方法。
【請求項２８】
電子デバイスであって、
酸化物表面を備える誘電酸化物と、
無電解析出のための触媒と、
前記誘電酸化物の酸化物表面と化学的に結合し、前記触媒とも化学的に結合するバインダーと、
前記触媒上に無電解析出される金属層と、を備える、電子デバイス。
【請求項２９】
請求項２８に記載の電子デバイスであって、
前記バインダーが、前記酸化物表面と結合剤との反応および前記触媒と前記結合剤との反応により生成される化学反応生成物を含み、
前記結合剤は一般式（Ｒ1−Ｏ）4-nＭＸnで表され、
Ｍはシリコン、ゲルマニウムまたはスズであり、
Ｘは前記触媒と化学結合を形成可能な官能基であり、
Ｒ1−Ｏは前記酸化物表面と化学結合を形成可能な官能基であり、Ｏは酸素であり、
ｎは１、２または３である、電子デバイス。
【請求項３０】
請求項２９に記載の電子デバイスであって、
前記酸化物が、ＳｉＯ2、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＣＨ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣＮ、ＳｉＯＣＨＮ、Ｔａ2Ｏ5およびＴｉＯ2の少なくとも一つを含む、電子デバイス。
【請求項３１】
請求項２９または３０に記載の電子デバイスであって、
前記触媒が、パラジウム、プラチナ、ルテニウム、銅、銀、レニウムまたはこれらの混合物である、電子デバイス。
【請求項３２】
請求項２９ないし３１のいずれかに記載の電子デバイスであって、
前記金属層が、銅、コバルト、ニッケル、タングステン、リンおよびこれらの混合物の少なくとも一つを含む、電子デバイス。
【請求項３３】
請求項２９ないし３２のいずれかに記載の電子デバイスであって、
前記バインダーがＯ4-nＭＸnを含む、電子デバイス。
【請求項３４】
請求項２９ないし３３のいずれかに記載の電子デバイスであって、
前記バインダーがＯ4-nＭＸnを含み、
Ｘが、アミン、イミン、エポキシ、ヒドロキシル、カルボキシ、カルボキシレート、リン酸塩、ホスホン酸塩またはこれらの組み合わせである、電子デバイス。
【請求項３５】
請求項２９ないし３４のいずれかに記載の電子デバイスであって、
Ｒ1がアルキル基である、電子デバイス。
【請求項３６】
請求項２９ないし３５のいずれかに記載の電子デバイスであって、
前記バインダーがポリマーネットワークを備える、電子デバイス。
【請求項３７】
電子デバイスの製造方法であって、
酸化物表面を準備する工程と、
前記酸化物表面を溶液にさらして、金属を無電解析出させるために前記酸化物表面を活性化する工程であって、前記酸化物表面を活性化する溶液が、前記酸化物表面と化学結合を形成可能な少なくとも一つの官能基ならびに触媒と化学結合を形成可能な少なくとも一つの官能基を有する所定量の結合剤を含む工程と、
前記活性化した酸化物表面上に金属層を無電解析出させる工程と、を備える、方法。