Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月21日(2011.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの発光チップと金属ワイヤを媒介に連結される一対のリードフレーム;
前記リードフレームが一体に固定されて、上部に開放されたキャビティが形成されるパッケージ本体;
前記キャビティの底面から下部に陥没形成されて前記発光チップを搭載する陥没部;及び
前記発光チップを覆いながら前記キャビティに充填される透光性透明樹脂;
を含む発光ダイオードパッケージ。
【請求項２】
前記陥没部の深さは５０uｍ〜４００uｍであることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項３】
前記透光性透明樹脂は、蛍光体を含み、
前記蛍光体はＹＡＧ系、ＴＡＧ系、シリケート系、スルフィド系またはナイトライド系のうち少なくとも何れか一つであることを特徴とする請求項１または２に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項４】
前記陥没部は互いに向い合う前記リードフレームの端部の間に一定の深さで陥没形成される凹溝で備えられることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項５】
前記リードフレームの一方のリードフレームは、前記パッケージ本体の外部実装面の下部に下向折曲され、
前記発光チップの外部面と向い合う前記一方のリードフレームの端部には前記発光チップの光を反射させる反射部材が備えられる下部傾斜面を備えることを特徴とする請求項４に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項６】
前記キャビティは前記発光チップの光を反射させる反射部材が備えられる上部傾斜面を備えることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の発光ダイオードパッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月16日(2011.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＨＤＰ−ＣＶＤプロセスを使用して処理チャンバーに配設された基板上に窒化シリコン膜を堆積する方法において、
原子窒素流量対原子シリコン流量の平均比を約５０：１以上に維持し、上記処理チャンバー内の平均圧力を約４０ミリトール以下に維持し、且つ平均基板温度を６００℃以下に維持しながら、窒素及びシリコンを含有するプロセス混合ガスを処理チャンバーへ流し込むステップと、
上記基板上に上記窒化シリコン膜を堆積するために上記プロセスガスから、イオン密度が約１０１１イオン／ｃｍ３以上で且つイオン化率が約１０−４以上である高密度プラズマを形成するステップと、
を備えた方法。
【請求項２】
上記原子窒素流量対原子シリコン流量の平均比は、約６０：１以上である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記原子窒素流量対原子シリコン流量の平均比は、約９０：１以上である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
上記平均基板温度は、５００℃以下に維持される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
上記処理チャンバー内の平均圧力は、約１５ミリトール以下である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
フッ化水素酸溶液（水に１％ＨＦ）を使用して堆積される窒化シリコン膜のウェットエッチング速度は、５Å／分未満である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
堆積される窒化シリコン膜の成長速度は、約５００Å／分より高い、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
アルゴンガスを上記処理チャンバーへ流し込んで、原子窒素流量対原子アルゴン流量の比を１５：１から１５：２に維持するステップを更に備えた、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
上記高密度プラズマのＲＦ電力は、基板表面の平方センチメートル当たり５から１５ワットである、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
上記高密度プラズマのＲＦ電力は、基板表面の平方センチメートル当たり５．５から１
０ワットである、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
高密度プラズマを形成する上記ステップは、窒化シリコン膜の堆積中に上記プラズマを上記基板に向かってバイアスしない、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
上記ＨＤＰ−ＣＶＤプロセスは、堆積対スパッタ比が約５０：１より高い、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
上記プロセス混合ガスは、二原子窒素（Ｎ２）と、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）及びＴＳＡ（Ｎ(ＳｉＨ３)３）より成るグループからの少なくとも１つのガスとで構成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
上記プロセス混合ガスは、
第１ガス流量対第２ガス流量の平均比を約２５：１以上に維持しながら、上記処理チャンバーへ、第１のガス流量で流し込まれる二原子窒素（Ｎ２）と、第２のガス流量で流し込まれるシラン（ＳｉＨ４）を
含有する、請求項1に記載の方法。
【請求項１５】
上記第１のガス流量対第２のガス流量の平均比は、約３０以上である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
上記第１のガス流量対第２のガス流量の平均比は、約４０以上である、請求項１４に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
[0025]ここに使用するように、高密度プラズマプロセスは、イオン密度が約１０１１イオン／ｃｍ３以上で且つイオン化分数（イオン／中性子比）が約１０−４以上のプラズマを使用するプラズマＣＶＤプロセスである。典型的に、ＨＤＰ−ＣＶＤプロセスは、成分を同時に堆積及びスパッタリングすることを含む。本発明で実施されるＨＤＰ−ＣＶＤプロセスは、穴埋めに対して最適化できる慣習的なＨＤＰ−ＣＶＤプロセスとは若干異なる。ある実施形態では、高密度の窒化シリコン膜が、バイアス電力を実質的に減少して又はバイアス電力を有することなく得られるので、スパッタリングは、スパッタリングを促進するために著しいバイアス電力を使用するＨＤＰ−ＣＶＤプロセスよりも少ない。慣習的なＨＤＰプロセスパラメータからこのようにそれるにも関わらず、スパッタリング及び堆積速度を含む特性は、有用であり、それ故、以下に定義する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
[0034]又、反応領域の圧力を低く維持しても、水素含有量を低く維持する上で助けとなる。圧力の増加は、平均自由路を減少するので、イオン化率及び気相力学作用を変化させ、窒化シリコン網からの水素の除去を妨げる。反応領域の圧力は、各種実施形態では、４０ミリトール以下、２５ミリトール以下、１５ミリトール以下、１０ミリトール以下、又は５ミリトール以下でよい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月14日(2011.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する装置であって、
処理空間を画定するチャンバ本体と、
前記処理空間内に配置され、前記基板を支持して回転させる基板支持体と、
前記チャンバ本体の入口に結合され、前記処理空間に第１のガス流を提供するガス入口アセンブリであって、前記入口に配置され、ガス源と接続するように構成された２つの入力ポートを有するカートリッジと、前記カートリッジの幅に亘って均等に分布された複数の注入ポートとを含む前記ガス入口アセンブリと、
前記チャンバ本体の出口に結合された排出アセンブリと、を含み、
前記ガス入口アセンブリおよび前記排出アセンブリが、前記チャンバ本体の両側に配置され、前記排出アセンブリが、前記処理空間を拡張するように構成された排出空間を画定し、前記チャンバ本体の前記入口と出口が共に、前記基板支持体の直径とほぼ同じ幅を有する、基板処理装置。
【請求項２】
基板を処理する装置であって、
処理空間を画定するチャンバ本体と、
前記処理空間内に配置され、前記基板を支持して回転させる基板支持体と、
前記チャンバ本体の入口に結合され、前記処理空間に第１のガス流を提供するガス入口アセンブリと、
前記チャンバ本体の出口に結合された排出アセンブリであって、前記ガス入口アセンブリおよび前記排出アセンブリが前記チャンバ本体の両側に配置され、前記排出アセンブリが前記処理空間を拡張するように構成された排出空間を画定する、前記排出アセンブリと、
前記入口および出口の間に、前記チャンバ本体の側壁を貫通する形で形成された前記チャンバ本体の側面ポートに結合され、前記処理空間に第２のガス流を供給する側面注入アセンブリと、
前記側面注入アセンブリに接続され、前記第２のガス流の流量を調整する、流量調整装置と、を含む、基板処理装置。
【請求項３】
基板を処理する装置であって、
処理空間を画定するチャンバ本体と、
前記処理空間内に配置され、前記基板を支持して回転させる基板支持体と、
前記チャンバ本体の入口に結合され、前記処理空間に第１のガス流を提供するガス入口アセンブリと、
前記チャンバ本体の出口に結合された排出アセンブリであって、前記ガス入口アセンブリおよび前記排出アセンブリが前記チャンバ本体の両側に配置され、前記排出アセンブリが前記処理空間を拡張するように構成された排出空間を画定する、前記排出アセンブリと、
前記チャンバ本体の側面ポートに結合され、前記処理空間に第２のガス流を供給するように構成され、プロセスガスを前記処理空間の方向へ誘導する複数の注入孔を有する拡散板を含む、側面注入アセンブリと、を含む、基板処理装置。
【請求項４】
基板を処理する装置であって、
処理空間を画定するチャンバ本体と、
前記処理空間内に配置され、前記基板を支持して回転させる基板支持体と、
前記チャンバ本体の入口に結合され、前記処理空間に第１のガス流を提供するガス入口アセンブリと、
前記チャンバ本体の出口に結合された排出アセンブリと、を含み、
前記ガス入口アセンブリおよび前記排出アセンブリが、前記チャンバ本体の両側に配置され、前記排出アセンブリが、前記処理空間を拡張するように構成された排出空間を画定し、前記チャンバ本体の前記入口と出口が共に、前記基板支持体の直径とほぼ同じ幅を有し、前記排出空間が前記処理空間を前記第１のガス流の方向に拡張する、基板処理装置。
【請求項５】
前記排出空間がテーパ形状を有し、広い方の端部が前記出口に結合され、狭い方の端部が真空ポンプに結合される、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
基板を熱処理する装置において、
円筒形の中心空間を画定する側壁を有する基部リングであって、前記側壁を貫通する形で形成された入口ポートおよび出口ポートを有し、前記入口ポートおよび出口ポートが前記基部リングの両側に形成され、前記入口ポートと出口ポートのそれぞれが、前記円筒形の中心空間の直径とほぼ同じ幅を有する、基部リングと、
前記基部リングに結合されて前記円筒形の中心空間を封止する石英窓と、
前記円筒形の中心空間の外に配置され、前記石英窓を介して前記円筒形の中心空間に熱エネルギーを提供する熱源と、
前記円筒形の中心空間内に配置され、前記基板を支持して回転させる基板支持体と、
前記入口ポートで前記基部リングに結合され、前記円筒形の中心空間に第１のガス流を提供する注入カートリッジと、
前記基部リングの出口ポートに結合され、前記第１のガス流を前記入口ポートから出口ポートに導く排出アセンブリと、を含む基板熱処理装置。
【請求項７】
前記基部リングの側面ポートに結合された側面注入アセンブリをさらに含み、前記側面注入アセンブリが、前記円筒形の中心空間に第２のガス流を提供する、請求項６に記載の基板熱処理装置。
【請求項８】
前記排出アセンブリが前記円筒形の中心空間を、前記入口ポートから前記出口ポートの方向に拡張する排出空間を画定する、請求項６に記載の基板熱処理装置。
【請求項９】
基板を熱処理する装置において、
円筒形の中心空間を画定する側壁を有する基部リングであって、前記側壁を貫通する形で形成された入口ポート、出口ポートおよび側面ポートを有し、前記入口ポートおよび出口ポートが前記基部リングの両側に形成され、前記側面ポートが前記入口ポートおよび出口ポートの間に形成され、前記入口ポートと出口ポートのそれぞれが、前記円筒形の中心空間の直径とほぼ同じ幅を有する、基部リングと、
前記円筒形の中心空間内に配置され、前記基板を支持して回転させる基板支持体と、
前記基部リングの出口ポートに結合され、前記基板支持体上で、第１のガス流を前記入口ポートから出口ポートに導く排出アセンブリと、
前記基部リングの側面ポートに結合され、前記円筒形の中心空間に第２のガス流を提供する側面注入アセンブリと、を含む基板熱処理装置。
【請求項１０】
前記入口ポートで前記基部リングに結合され、前記円筒形の中心空間に前記第１のガス流を提供する注入カートリッジをさらに含む、請求項９に記載の基板熱処理装置。
【請求項１１】
前記基部リングが前記側壁を貫通する形で形成された２つの側面ポートを有し、側面注入アセンブリが各側面ポートに結合されている、請求項９に記載の基板熱処理装置。
【請求項１２】
前記基部リングに結合されて前記円筒形の中心空間を封止する石英窓をさらに含む、請求項９に記載の基板熱処理装置。
【請求項１３】
前記円筒形の中心空間の外に配置され、前記石英窓を介して前記円筒形の中心空間に熱エネルギーを提供する熱源をさらに含む、請求項９に記載の基板熱処理装置。
【請求項１４】
前記排出アセンブリが前記円筒形の中心空間を、前記入口ポートから前記出口ポートの方向に拡張する排出空間を画定する、請求項９に記載の基板熱処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月9日(2011.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイ・オン・ダイアセンブリを形成する方法であって、
第１半導体ダイ上に第１外部接点を形成することと、
前記第１外部接点上を含む前記第１半導体ダイ上に第１シード層を形成することと、
前記第１シード層上に第１開口及び第２開口を有する第１フォトレジスト層を形成することであって、前記第１開口は前記第１外部接点の上方にあることと、
前記第１開口に第１めっき接点を形成するとともに前記第２開口にペグを形成するめっき工程を行なうことと、
前記第１フォトレジスト層を除去することと、
前記第１めっき接点及び前記ペグに近接する領域における前記第１シード層を除去することと、
第２半導体ダイ上に第２外部接点を形成することと、
前記第２外部接点上を含む前記第２半導体ダイ上に第２シード層を形成することと、
前記第２シード層上に第３開口及びリング開口を有する第２フォトレジスト層を形成することであって、前記第３開口は前記第２外部接点の上方にあることと、
前記第３開口に第２めっき接点を形成するとともに、前記第１半導体ダイと前記第２半導体ダイとの間の移動を拘束するのに有用な収容領域を画定するのに有用である収容部を前記リング開口に形成するめっき工程を行なうことと、
前記第２フォトレジスト層を除去することと、
前記第２めっき接点及び前記収容部に近接する領域における前記第２シード層を除去することと、
前記第１めっき接点が前記第２めっき接点に接触するとともに前記ペグが前記包含領域内に位置するように、前記第１半導体ダイを前記第２半導体ダイと接触するように配置することと、
を備える方法。
【請求項２】
前記第１開口に前記第１めっき接点を形成するとともに前記第２開口に前記ペグを形成するめっき工程を行なう工程は、前記ペグを前記第１めっき接点の高さよりも大きい高さに形成することによってさらに特徴付けられる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１開口に前記第１めっき接点を形成するとともに前記第２開口に前記ペグを形成するめっき工程を行なう工程は、前記第１開口に第１めっき部を形成し、前記第２開口に第１ペグ部を形成し、前記第１めっき部上に第１金属層を形成し、前記第１ペグ部上に第２金属層を形成することによってさらに特徴付けられる請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１開口に前記第１めっき接点を形成するとともに前記第２開口に前記ペグを形成するめっき工程を行なう工程は、前記第１金属層及び前記第２金属層が錫を含むことによってさらに特徴付けられる請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１フォトレジスト層を形成する工程は、前記第１開口が前記第２開口の面積よりも大きい面積を有することによってさらに特徴付けられる請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記シード層を除去する工程は、前記第２金属層の下方の前記ペグの部位の幅を減少させて前記第１ペグ部の頂面が１４４平方ミクロン以下の面積を有するようにすることによってさらに特徴付けられる請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１シード層上に第１フォトレジスト層を形成する工程は、前記第１フォトレジスト層が第５開口を有することによってさらに特徴付けられ、
前記第１開口に第１めっき接点を形成するとともに前記第２開口にペグを形成するめっき工程を行なう工程は、前記第５開口に第２ペグを形成することによってさらに特徴付けられ、
前記第１めっき接点及び前記ペグに近接する領域における前記第１シード層を除去する工程は、前記第２ペグに近接する前記第１シード層も除去し、
前記第２シード層上に第２フォトレジスト層を形成する工程は、前記第２フォトレジスト層が第２リング開口を有することによってさらに特徴付けられ、
前記第３開口に第２めっき接点を形成するとともに収容部を前記リング開口に形成するめっき工程を行なう工程は、前記第１半導体ダイと前記第２半導体ダイとの間の移動を拘束するのに有用な第２包含領域を画定するのに有用である第２収容部を前記第２リング開口に形成することによってさらに特徴付けられ、
前記第２めっき接点及び前記収容部に近接する領域における前記第２シード層を除去する工程は、前記第２収容部に近接する前記第２シード層を除去することによって特徴付けられ、
前記第１半導体ダイを前記第２半導体ダイと接触するように配置する工程は、前記第２ペグを前記第２包含領域内に位置させることによってさらに特徴付けられる、
請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月16日(2011.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気遮蔽ガスケットであって、
弾性及び回復性を示し、かつ第１の面を有する導電性発泡基板と、
前記導電性発泡基板の前記第１の面に付着され、透磁率を示す磁気層とを含み、
前記磁気層の０．１Ａ／ｍにおける初期透磁率が１０００より大きく、前記磁気層の０．１Ａ／ｍにおける最大透磁率が５０００より大きい、磁気遮蔽ガスケット。
【請求項２】
磁気遮蔽ガスケットであって、
弾性及び回復性を示し、かつ面を有する導電性発泡基板と、
導電性織物で作製され、前記導電性発泡基板の前記面に付着された構造強化層と、
前記構造強化層の外側面に付着され、高い透磁率を示す磁気層とを含み、
前記磁気層の０．１Ａ／ｍにおける初期透磁率が１０００より大きく、前記磁気層の０．１Ａ／ｍにおける最大透磁率が５０００より大きい、磁気遮蔽ガスケット。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月20日(2011.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電変換ユニットを支持する基板の上に第１の開口および前記第１の開口に隣接する第２の開口を有し、支持膜を形成する工程と、
前記第１の開口に第１のカラーフィルターを形成する工程と、
前記第２の開口に第２のカラーフィルターを形成する工程と
を有し、
前記第１および第２のカラーフィルターの間には、配線が埋め込まれない
ことを特徴とするイメージセンサー画素の製造方法。
【請求項２】
前記第１および第２のカラーフィルターの間にある前記支持膜の少なくとも一部を取り除く工程を更に有する
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１および第２の開口のそれそれに透明光導波路を形成する工程を更に有する
ことを特徴とする請求項１に記載の方法
【請求項４】
前記カラーフィルターの最上面に平坦な空気界面を残す
ことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
幅０．４５ｕｍ/ngap以下の空隙は、前記第１および第２のカラーフィルターの間に残され、
屈折率ngapの透明媒体は、前記空隙を充填する
ことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項６】
基板と、
前記基板に支えられる第１の光電変換ユニットと、
前記基板に支えられる第２の光電変換ユニットと、
前記第１の光電変換ユニットへ第１の色の光を送る第１のカラーフィルターと、
前記第２の光電変換ユニットへ第２の色の光を送し、前記第１のカラーフィルターに隣接する第２のカラーフィルターと、
を備え、
前記第１および第２のカラーフィルターの間には、幅０．４５ｕｍ/ngap以下の空隙があり、
屈折率ngapの透明媒体は、前記空隙を充填する
ことを特徴とするイメージセンサー。
【請求項７】
前記透明媒体は、空気である
ことを特徴とする請求項６に記載のイメージセンサー。
【請求項８】
前記第１の光電変換ユニットへ前記第１のカラーフィルターから前記第１の色の光を伝播する第１の光導波路と、
前記第２の光電変換ユニットへ前記第２のカラーフィルターから前記第２の色の光を伝播する第２の光導波路と
をさらに備える
ことを特徴とする請求項６または7に記載のイメージセンサー。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月30日(2011.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エピタキシャル成長チャンバの中にガス状前駆体を分配するための注入器装置であって、
前記エピタキシャル成長チャンバ内に水平に配置された２つ以上の平面的な材料を備え、
該平面的な材料のうちの少なくとも１つは、そこに形成された１つ以上の溝を有し、
該２つ以上の平面的な材料は該１つ以上の溝をシールしてそれにより１つ以上の導管を形成するように、一緒になるように、シールするように結合され、
それにより形成された各導管は、前記平面的な材料のうちの少なくとも１つを通過する複数のポートを有し、
前記１つ以上の導管は、チャンバ壁に隣接する基端部分から前記エピタキシャル成長チャンバ内のエピタキシャル成長基板の近くの末端部分まで前記エピタキシャル成長チャンバの中に水平に延在し、
各導管は、チャンバ壁に隣接する基端部分であってガスの流れを受け入れるための少なくとも１つの開口を有する基端部分を有し、
各導管は、前記エピタキシャル成長基板の近くの末端部分であって前記エピタキシャル成長チャンバの中へのガスの流れを分配するための複数のポートを有する末端部分を有する
、装置。
【請求項２】
少なくとも１つの導管の前記末端部分における前記ポートは、前記エピタキシャル成長基板の面の少なくとも一部にガスを分配するように配置されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
少なくとも２つの末端部分は、互いに対して平行に配置された直線的な形状の１つ以上に構成されるか、または、互いに対して同心円状に配置された少なくとも部分的に円形形状に構成されている、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
少なくとも２つのガスを分配することが可能である少なくとも２つの導管であって、それらの末端部に、ポートであって１つの末端部のポートが他の末端部のポートに隣接してあるように配置されたポートを有する少なくとも２つの導管をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記注入器装置に前記チャンバの前記内部からの熱の移動を改善するための熱移動手段をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
約２ｍｍと約８ｍｍとの間の厚さを有し、前記成長チャンバ内の状態および前記導管内の状態に耐性のある材料をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
少なくとも１つの導管の部分は、前記基端部分と前記末端部分との間の曲がりくねったコースをたどる、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
少なくとも１つの溝は垂直に広がりを決められ、少なくとも１つの他の溝から離され、故に、シールされたとき、溝は、前記導管間のガス連通なしに垂直方向に離間された少なくとも２つの導管を形成し、少なくとも１つの導管は、前記導管間のガス連通なしに少なくとも１つの他の導管を横切る、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
ガスが１つの導管の基端部分と他の導管の末端部分との間を流れることができるように垂直に離間された２つの導管間にポートをさらに備える、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
１つの末端部によって生じたポートが他の２つの末端部によって生じたポート間にあるように構成されかつ配置された末端部を有する少なくとも３つの導管をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
内部に配置される成長基板を有するエピタキシャル成長チャンバと、そして、
前記成長基板の面に複数のガスを分配するように配置された、請求項１から１０のいずれか一項に記載の注入器装置と
を備えた、エピタキシャル成長装置。
【請求項１２】
前記成長チャンバ内の材料を熱するための放射要素をさらに備え、
前記成長チャンバは該放射要素によって放出された放射線に少なくとも部分的に透過性があり、
前記注入器装置は放出された放射線を少なくとも部分的に吸収することができる材料を備える
、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記吸収材料は、前記注入器装置の不可欠な部分であり、前記注入器装置のガス運搬部分と接触するかあるいは近接する平面的な材料として構成されている、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
挿入／取り出しポートと、
前記成長チャンバの中に成長基板を配置し前記成長チャンバ内から成長基板を取り除くために前記挿入／取り出しポートを通して前記成長チャンバの中に入り前記成長チャンバから出る挿入／取り出し機構と
をさらに備え、
前記注入器装置は、前記挿入／取り出し機構を妨げないように前記成長チャンバ内に寸法付けられ、構成され、配置された
請求項１１に記載の装置。
【請求項１５】
前記注入器装置は、１つの内側の末端部によって生じるポートが他の２つの外側の末端部によって生じるポート間にあるように構成され配置された末端部を有する少なくとも３つの導管をさらに備え、
ＮＨ3およびＧａＣｌ3は前記外側の末端部のポートを通して分配され、
非反応性ガスは前記内側の末端部のポートを通して分配される、
請求項１１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月11日(2011.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記エラストマシート接着剤結合部は熱伝導性シリコーン接着剤シートを含む請求項１ないし請求項３記載のいずれか一項複合シャワーヘッド電極組立体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記エラストマシート接着剤結合部は、室温から３００℃の温度範囲において、約２０乃至３４０ｐｓｉの剪断応力から、少なくとも２００％の剪断歪みまで横方向に弾性的に変形可能である
請求項１ないし請求項４のいずれか一項記載の複合シャワーヘッド電極組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月12日(2011.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記高抵抗流体流路を前記第１のブロック内に形成する操作は、前記十字型の断面の交差部分に前記抵抗ボアを規定することと、前記高抵抗流体流路の外面として前記抵抗ボアの断面を規定することとを含む、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
方法は、第２の接合面と、片側において第２の接合面によって、そして、反対側において流体移送面によって境界を規定された中実内部とを備えた第２のブロックを構成する操作１４０に進んでよい。例えば、図４Ｂは、第２の接合面１３４−２および中実内部１３６−２を備えた第２のブロック１２２−２を示す。内部１３６−２は、片側において第２の接合面１３４−２によって、そして、反対側において流体移送面１２４Ｂによって境界を規定される。ブロック１２２−２は、まず、方法の操作による構成後の図４Ｂに示した中実内部（例えば、内部１３６−２など）を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
方法は、（上記で定義したように）低公差に従って、第１のブロック１２２−１に第１の操作群１４２を実行する工程に進んでよい。図３Ａは、第１の操作群１４２が、第１の端面を通って第１のブロック内に伸び、そして第２の端面１２４Ｓ２に向かって伸びるメイン流体流路を構成する操作１４４を備えてよいことを示す。例えば、図３Ａは、第１の端面１２４Ｓ１を通って第１のブロック１２２−１内に伸び、そして第２の端面１２４Ｓ２に向かって伸びるよう構成されたメイン流体流路を示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
ワンピースの近接ヘッド１０６の構成の必要性を示す上述の分析を再び参照すると、流体移送に対する要件を満たしつつ、ますます大きくなる直径Ｄを有するウエハ１０２の洗浄のためにヘッド１０６を長くしてもヘッドの剛性を維持することができる。一実施形態において、これらの要求を満たす一態様は、同じ材料から各ブロックを構成するよう、第１および第２のブロック１２２−１および１２２−２を構成する操作１３２および１４０に関する。ヘッド１０６を構成する材料が、移送される流体と適合するというさらなる要件に沿って、この実施形態の操作１３２および１４０は、ポリフッ化ビニリデンおよびエチレン−クロロトリフルオロエチレン共重合体からなる群より、ヘッドの材料を選択しうる。また、近接ヘッド１０６の構成操作は、直交するＸ、Ｙ、および、Ｚ軸に関するものでよく、図１Ａに示すように、近接ヘッド１０６は、Ｙ軸の方向に伸びる直径Ｄを有する表面１０４を備えたウエハ１０２に完全にわたって伸びるよう構成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
図４Ａは、一実施形態において、操作２４２の第３の移動が、第１の接合面１３４−１を通して１つの第３のツール２４４−３を移動させる様子を示す。図４Ｃは、第１の直径ｄ１を有する第１の円筒形部分２６８と、第１の直径ｄ１よりも大きい第２の直径ｄ２を有する第２の円筒形部分２７０と、第１の直径ｄ１と同じ第３の直径ｄ３を有する第３の円筒形部分２７２とを備える十字型断面２６６を有するよう構成された１つの第３のツール２４４−３を示しており、第２の部分２７０は、第１の部分２６８および第３の部分２７２の間にある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
第１の直径ｄ１の円筒形部分２６８と、第１の直径ｄ１よりも大きい第２の直径ｄ２を有する第２の円筒形部分２７０と、第１の直径ｄ１と同じ第３の直径ｄ３を有する第３の円筒形部分２７２とを備えた上述のツール２４４−３を参照すると、第２の部分２７０は、第１の部分２６８および第３の部分２７２の間に位置する。軸３６０の周りの対称性が直径ｄ２と等しい軸長ＳＬを有するよう構成された場合、この軸３６０の周りの対称性によれば、正方形の中央を有する十字型断面１６６が形成され、かかるツール２４４−３を第３のツール２４４−３Ｓと呼ぶこととする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
正方形の中央部１５８および十字型の断面１６６を考慮して、操作２４２において、別の実施形態のツール２４４−３が用いられてもよい。このツール２４４−３は、第１の直径ｄ１の円筒形部分２６８と、第１の直径ｄ１よりも大きい第２の直径ｄ２を有する第２の円筒形部分２７０と、第１の直径ｄ１と同じ第３の直径ｄ３を有する第３の円筒形部分２７２とを備えるよう構成される。第２の部分２７０は、第１の部分２６８および第３の部分２７２の間に位置する。軸３６０の周りの対称性が、直径ｄ２より大きいか、または、小さい軸長ＳＬを備える場合、この軸３６０の周りの対称性により、長方形の中央部を有する十字型断面１６６が形成される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２４】
したがって、低公差は、メイン流体流路１４６およびコネクタ流体流路１５０を構成するために用いられる。また、高公差に従った選択的な構成の方法は、１つの流体抵抗ボア１６８および抵抗１８４を構成して、低公差のメイン流体流路１４６およびコネクタパス１５０の間の高抵抗流体流路１５６を提供することを容易にする。方法は、さらに、多くの他の操作が低公差に従っても、その構成が、１つのユニット１１４においてヘッド１０６の長さにわたって実質的に均一なそれぞれの流体の流れを提供することを可能にする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月26日(2011.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨パッドであって、
化学的機械的平坦化中に、水性研磨剤粒子研磨媒体に放出され、且つ、溶解するのに十分な量で存在する化学剤であって、研磨剤粒子の凝集を低減する化学剤と、
前記パッドの形態に成形される結合剤と、
を備え、
前記パッドは表面を有し、前記パッドが摩滅するにつれて前記表面は再び新しい状態にされ、前記化学剤の少なくとも一部を露出させる
ことを特徴とする研磨パッド。
【請求項２】
請求項１に記載の研磨パッドであって、
前記化学剤は、ポリ（酢酸ビニル）由来のポリ（ビニルアルコール）を含有し、且つ、前記ポリ（酢酸ビニル）の前駆体の５０％を超える加水分解率を示し、前記ポリ（ビニルアルコール）は、前記パッドの０．１〜５０．０容量％の範囲で存在する
ことを特徴とする研磨パッド。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の研磨パッドであって、
前記化学剤は、前記パッド内に三次元網目構造を形成する
ことを特徴とする研磨パッド。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の研磨パッドであって、
前記化学剤は、繊維に被覆される
ことを特徴とする研磨パッド。
【請求項５】
請求項４に記載の研磨パッドであって、
前記繊維は、可溶性である
ことを特徴とする研磨パッド。
【請求項６】
請求項４に記載の研磨パッドであって、
前記繊維は、不溶性である
ことを特徴とする研磨パッド。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の研磨パッドであって、
前記化学剤は、前記パッド内に分散される粒子を含有する
ことを特徴とする研磨パッド。
【請求項８】
請求項２〜７のいずれか１項に記載の研磨パッドであって、
前記ポリビニル・アルコールは、繊維を含有する
ことを特徴とする研磨パッド。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の研磨パッドであって、
前記水性研磨剤粒子研磨媒体に溶解しない、第二の化学剤を含有し、該第二の化学剤は、前記パッドの表面に、所望のレベルの親水性または疎水性を付与する
ことを特徴とする研磨パッド。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の研磨パッドであって、
前記化学剤を前記パッドの一部領域に局在化させ、局所的な相対濃度を付与する
ことを特徴とする研磨パッド。
【請求項１１】
研磨パッドを形成する方法であって、
化学剤を結合剤に化合させる工程であって、前記化学剤が、化学的機械的平坦化中に、水性研磨剤粒子研磨媒体に放出され、且つ、溶解するのに十分な量で存在し、研磨剤粒子の凝集を低減する工程と、
前記結合剤および前記化学剤を、化学的機械的平坦化研磨パッドの形態に成形する工程と、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、
前記化学剤は、ポリ（酢酸ビニル）由来のポリ（ビニルアルコール）を含有し、且つ、前記ポリ（酢酸ビニル）の前駆体の５０％を超える加水分解率を示し、前記ポリ（ビニルアルコール）は、前記パッドの０．１〜５０．０容量％の範囲で存在する
ことを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１１又は１２に記載の方法であって、
前記化学剤は、前記パッド内に三次元網目構造を形成する
ことを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の方法であって、
前記化学剤は、繊維に被覆される
ことを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、
前記繊維は、可溶性である
ことを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１４に記載の方法であって、
前記繊維は、不溶性である
ことを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１１〜１６のいずれか１項に記載の方法であって、
前記化学剤は、前記パッド内に分散される粒子を含有する
ことを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項１２〜１７のいずれか１項に記載の方法であって、
前記ポリビニル・アルコールは、繊維を含有する
ことを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１１〜１８のいずれか１項に記載の方法であって、
前記水性研磨剤粒子研磨媒体に溶解しない、第二の化学剤を含有し、該第二の化学剤は、前記パッドの表面に、所望のレベルの親水性または疎水性を付与する
ことを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項１１〜１９のいずれか１項に記載の方法であって、
前記化学剤を前記パッドの一部領域に局在化させ、局所的な相対濃度を付与する
ことを特徴とする方法。
【請求項２１】
研磨パッドを用いた研磨方法であって、
表面を有する研磨パッドを基板に接触させる工程であって、前記パッドが、結合剤に化合させた化学剤を含有し、該化学剤が、化学的機械的平坦化中に、水性研磨剤粒子研磨媒
体に放出され、且つ、溶解するのに十分な量で存在し、研磨剤粒子の凝集を低減する工程と、
前記パッドを摩滅させ、前記化学剤の少なくとも一部を露出させる工程と、
を備えることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月5日(2011.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱分解グラファイト（ＴＰＧ）要素に少なくとも１つの孔を形成するステップと、
第１の金属材料に少なくとも１つのビアを形成するステップであって、前記少なくとも１つのビアを、それぞれ、前記少なくとも１つの孔のうちの対応する孔の中に位置させる、ステップと、
熱源要素を受けるように構成された、第２の金属材料で作製された熱スペーサを提供するステップと、
前記ＴＰＧ要素の外側表面に、金属ベースの被覆を塗布するステップと、
前記少なくとも１つのビアおよび前記熱スペーサを前記ＴＰＧ要素の前記被覆された外側表面に接合するステップであって、前記熱スペーサと前記ＴＰＧ要素を接合することにより、前記熱源要素の熱を前記熱スペーサから対応する孔を介して各ビアへ伝導するのを促進するヒートシンクを形成するステップと、
を含むことを特徴とするヒートシンク形成方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの孔を平面状のＴＰＧ要素に形成するステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つの孔を形成するステップが、前記ＴＰＧ要素に複数の孔を形成するステップを含み、前記複数の孔が、円形、卵形、正方形、長方形、および三角形のうちの１つの形状で形成されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記第１の金属材料に複数のビアを形成するステップを含み、
前記複数のビアが、互いに独立したビアであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも１つのビアが、アルミニウム、銅、インジウム、およびそれらの組合せからなる群から選択された前記第１の金属材料に形成されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つのビアが、金属フィンアセンブリ又は、伝導冷却ヒートフレームに形成されることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記熱スペーサが、アルミニウム、銅、インジウム、およびそれらの組合せからなる群から選択された前記第２の金属材料で作製されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
銅／ニッケル被覆材料を、前記ＴＰＧ要素の前記外側表面に塗布することを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも１つのビアおよび前記熱スペーサが、熱伝導性接着剤又は、はんだを使用して、前記ＴＰＧ要素の前記被覆された外側表面に接合されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
熱分解グラファイト（ＴＰＧ）要素に少なくとも１つの孔を形成するステップと、
第１の金属材料に少なくとも１つのビアを形成するステップであって、前記少なくとも１つのビアがそれぞれ、前記少なくとも１つの孔のうちの対応する孔の中に位置するように構成されるステップと、
熱源要素を受けるように構成された、第２の金属材料で作製された熱スペーサを提供するステップと、
各ビアおよび前記熱スペーサを電気めっきプロセスによって前記ＴＰＧ要素に接合するステップであって、接合された各ビア、前記熱スペーサ、および前記ＴＰＧ要素が、前記熱源の熱を前記熱スペーサから対応する孔を介して各ビアへ伝導するのを促進するように構成されたヒートシンクを形成するステップ、
とを含むことを特徴とするヒートシンクを形成する方法。
【請求項１１】
熱分解グラファイト（ＴＰＧ）要素に少なくとも１つの孔を形成するステップと、
前記ＴＰＧ要素の外側表面に金属ベースの被覆を塗布するステップと、
第１の金属材料の外側表面上に、前記少なくとも１つの孔のうちの対応する孔を埋めるように構成された少なくとも１つのはんだボールを堆積させるステップと、
前記はんだボールが前記対応する孔を実質的に埋めるように、前記第１の金属材料を前記ＴＰＧ要素に押圧するステップと、
前記第１の金属材料を加熱して、前記第１の金属材料を前記ＴＰＧ要素にはんだ付けするステップとを含む、ヒートシンクを形成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月18日(2011.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子アセンブリを製造する方法であって、
複数の貫通孔を有する担体を提供すること、
複数の部分的に完成された電子アセンブリの第１のパネルを提供すること、
前記担体の表面または前記第１のパネルを除去可能な接着剤でコーティングすること、
前記第１のパネル、前記担体、前記第１のパネルと前記担体との間の接着剤を含む結合構造を形成するために前記第１のパネルを前記接着剤によって前記担体に取り付けること、
前記第１のパネルを完成された電子アセンブリの第２のパネルにするために前記結合構造の前記第１のパネルを処理すること、
前記担体及び前記第２のパネルの主面が垂直に整列した状態に保持されるように前記第２のパネル、前記接着剤、及び前記担体を槽内に配置し、
前記第２のパネル、前記接着剤、及び前記担体を溶媒に浸漬し、
溶媒を前記第２のパネル、前記接着剤、及び前記担体の周囲に循環させて前記接着剤を溶解することにより前記完成された電子アセンブリの前記第２のパネルを前記担体から分離すること、
前記第２のパネルを個別電子アセンブリに単一化すること、
を備える、電子アセンブリを製造する方法。
【請求項２】
前記取り付けるステップは、前記接着剤が前記担体内の前記複数の孔を実質的に覆うように前記第１のパネルを前記担体に取り付けることを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数の孔は前記接着剤に接する前記担体上の領域内に実質的に均一に分布される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記複数の孔は前記接着剤に接する前記担体上の前記領域の約２〜約１０％を備える結合領域を有する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記溶解するステップは非極性溶媒を使用することを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記溶解するステップは該溶解するステップ中に乾性ガスを前記溶媒の表面および中に噴射することをさらに備える、請求項５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月16日(2011.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれの光源が対応するピーク波長で発光することができ、前記光源の配列がピーク波長の第１の範囲によって特徴付けられる、光源の配列と、
前記光源の配列に取り付けられた半導体波長コンバータウェハーが、前記光源の配列からの光によってポンピングされたときにピーク波長の第２の範囲によって特徴付けられ、前記ピーク波長の第２の範囲が前記ピーク波長の第１の範囲より狭く、前記半導体波長コンバータウェハーが、前記光源の最長ピーク波長より長い波長を有する吸収端によって特徴付けられる、半導体波長コンバータウェハーと、を具備する、光デバイス。
【請求項２】
前記半導体波長コンバータウェハーが、ＩＩ−ＶＩ多層半導体波長コンバータウェハーを備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記吸収端が、前記最長ピーク波長に関連した光源によって発せられる光の少なくとも約９５％が前記吸収端波長より短い波長を有するように設定される、請求項１に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月10日(2011.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
楔形表面を有する第１の側、および平坦表面を有する第２の側を備える少なくとも１つの熱分解グラファイト（ＴＰＧ）要素を形成する工程と、
前記少なくとも１つのＴＰＧ要素上に、前記少なくとも１つのＴＰＧ要素の前記第１の側と相補的となるように構成された金属材料を積層する工程と、
前記金属材料を前記少なくとも１つのＴＰＧ要素に固定するために圧力を印加する工程と、を含むことを特徴とするヒートシンク形成方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つのＴＰＧ要素が、ストリップとして形成されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
複数のＴＰＧ要素が形成されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも１つのＴＰＧ要素が、ストリップ保持プレートに取り付けられ、前記ストリップ保持プレートが、前記ＴＰＧ要素の前記第２の側に取り付けられることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも１つのＴＰＧ要素が、熱伝導性接着剤を用いて前記金属材料にさらに取り付けられることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
アルミニウム、銅、およびそれらの組合せからなる群から選択された前記金属材料が、前記少なくとも１つのＴＰＧ要素上に積層されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
金属フィンアセンブリを備えた前記金属材料が、前記少なくとも１つのＴＰＧ要素上に積層されることを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】
伝導冷却熱フレームを備えた前記金属材料が、前記少なくとも１つのＴＰＧ要素上に積層されることを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも１つのＴＰＧ要素の前記第２の側上に熱スペーサを積層することをさらに含み、前記少なくとも１つのＴＰＧ要素が、前記熱スペーサと前記金属材料との間に配置されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１０】
アルミニウム、銅、およびそれらの組合せからなる群から選択された材料からなる前記熱スペーサが、前記少なくとも１つのＴＰＧ要素の前記第２の側上に積層されることを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記金属材料を積層する前に、前記少なくとも１つのＴＰＧ要素の前記第１の側に、金属ベースのコーティング材料を付着させることをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記金属材料と前記少なくとも１つのＴＰＧ要素との間に熱インターフェイス材料を付着させることをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１３】
少なくとも１つの拡張可能なブッシングと相補的となるように構成され、少なくとも１つの熱分解グラファイト（ＴＰＧ）要素を貫通する少なくとも１つの孔を形成する工程と、
前記少なくとも１つの拡張可能なブッシングよりも大きく構成され、金属材料を貫通する少なくとも１つの孔を形成する工程と、
締結具を用いて、前記少なくとも１つの拡張可能なブッシングを、前記金属材料中の前記少なくとも１つの孔に嵌入させる工程と、
を含むことを特徴とするヒートシンク形成方法。
【請求項１４】
楔形表面を有する第１の側、および平坦表面を有する反対向きの第２の側を備える少なくとも１つの熱分解グラファイト（ＴＰＧ）要素と、
前記少なくとも１つのＴＰＧ要素の前記第１の側に結合された金属材料と
を備えることを特徴とするヒートシンク。
【請求項１５】
少なくとも１つの貫通した孔を有する第１の側を備える、少なくとも１つの熱分解グラファイト（ＴＰＧ）要素であって、少なくとも１つの拡張可能なブッシングと相補的となるように構成された少なくとも１つのＴＰＧ要素と、
前記少なくとも１つのＴＰＧ要素中の前記少なくとも１つの孔の内側表面に結合された金属材料と、
を備えることを特徴とするヒートシンク。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月7日(2011.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジルコニア・ナノ粒子を作成する方法であって、
５重量％を超える固体を有する原材料を調製することを含み、前記原材料は溶解されたカルボン酸ジルコニウム塩を含み、前記原材料中の前記カルボン酸塩又はその酸は４個以下の炭素原子を有し、及び
前記原材料を単独回の熱水処理に付すことを含み、前記熱水処理により前記原材料中のジルコニウムの合計量の少なくとも９０重量％が非会合性のジルコニア含有ナノ粒子に変換される、ジルコニア・ナノ粒子の作成方法。
【請求項２】
複合材料を作成する方法であって、
５重量％を超える固体を有する原材料を調製することを含み、前記原材料は溶解されたカルボン酸ジルコニウム塩を含み、前記原材料中の前記カルボン酸塩又はその酸は４個以下の炭素原子を有し、
前記原材料を単独回の熱水処理に付すことを含み、前記熱水処理により前記原材料中のジルコニウムの合計量の少なくとも９０重量％が非会合性のジルコニア含有ナノ粒子に変換され、及び
前記ジルコニア含有ナノ粒子を有機マトリックス中に分散又は懸濁させること、を含む、作成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月4日(2012.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テトラヒドロフラン薬剤と、約２５℃より低い融解温度を有し、かつリポソームの形成に好適なパッキングパラメーターを有するＤＡＧ−ＰＥＧ脂質とを含む医薬組成物。
【請求項２】
前記薬剤が、ポサコナゾール、イトラコナゾール、およびエクアコナゾールからなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記ＤＡＧ−ＰＥＧ脂質が、ＰＥＧ−１２ ＧＤＯ、ＰＥＧ−１２ ＧＤＬＯ、ＰＥＧ−１２ ＧＤＭ、およびＰＥＧ−１２ ＧＤＰからなる群から選択される、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
前記ＤＡＧ−ＰＥＧ脂質が、ＰＥＧ−１２ ＧＤＯ、ＰＥＧ−１２ ＧＤＬＯ、ＰＥＧ−１２ ＧＤＭ、およびＰＥＧ−１２ ＧＤＰからなる群から選択される２種類以上の脂質の混合物である、請求項２に記載の組成物。
【請求項５】
薬剤対脂質比が約１対２０より大きい、請求項３に記載の組成物。
【請求項６】
薬剤対脂質比が約１対５より大きい、請求項３に記載の組成物。
【請求項７】
前記組成物が糖をさらに含有し、乾燥した形態である、請求項５に記載の組成物。
【請求項８】
前記組成物がリポソーム懸濁液である、請求項５に記載の組成物。
【請求項９】
薬剤濃度が約１〜５０ｍｇ／ｍＬの間である、請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
前記組成物が固体の補形剤をさらに含有し、カプセル剤の形態である、請求項５に記載の組成物。
【請求項１１】
医薬製剤を製造する方法であって、テトラヒドロフラン薬剤を選択するステップと、約２５℃より低い融解温度を有し、かつリポソームの形成に好適なパッキングパラメーターを有するジアシルＰＥＧ脂質を選択するステップと、水溶液中で前記薬剤を前記脂質と組み合わせるステップとを含む方法。
【請求項１２】
前記薬剤が、ポサコナゾール、イトラコナゾール、およびエクアコナゾールからなる群から選択される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記脂質が、ＰＥＧ−１２ ＧＤＯ、ＰＥＧ−１２ ＧＤＬＯ、ＰＥＧ−１２ ＧＤＭ、およびＰＥＧ−１２ ＧＤＰからなる群から選択される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
薬剤最終濃度が約１〜５０ｍｇ／ｍＬの間である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
薬剤対脂質の最終比が約１対２０より大きい、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
薬剤対脂質の最終比が約１対５より大きい、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
テトラヒドロフラン薬剤と、約２５℃より高い融解温度を有し、かつリポソームの形成に好適なパッキングパラメーターを有するＤＡＧ−ＰＥＧ脂質とを含む医薬クリーム剤。
【請求項１８】
前記薬剤が、ケトコナゾール、ポサコナゾール、イトラコナゾール、およびエクアコナゾールからなる群から選択される、請求項２５に記載の組成物。
【請求項１９】
前記ＤＡＧ−ＰＥＧ脂質が、ＰＥＧ−１２ ＧＤＳ、ＰＥＧ−２３ ＧＤＳ、およびＰＥＧ−２３ ＧＤＰからなる群から選択される、請求項２５に記載の組成物。