(57)【要約】【課題】側面が傾斜したテーパ形状の貫通領域が高密度に配設された、小型、高密度のセラミック多層回路基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】所定のセラミック層を貫通する貫通領域に導体が充填された構造を有するセラミック多層回路基板Ａにおいて、積層された複数のセラミック層のうち、少なくとも所定のセラミック層２３ａ，２３ｂには、セラミック層の両主面に垂直な方向の断面形状が、各セラミック層の一方主面側で幅が広く、他方主面側で幅が狭い逆台形状貫通領域１１ａと、セラミック層の一方主面側で幅が狭く、他方主面側で幅が広い台形状貫通領域１１ｂを混在させる。また、所定のセラミック層の主要部の、セラミック層の両主面に平行な方向に互いに隣接する一対の貫通領域についてみた場合に、一方が逆台形状貫通領域となり、他方が台形状貫通領域となるような組み合わせとする。【選択図】          図７
2004356564.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミック層が積層された積層構造を有し、かつ、所定のセラミック層を貫通する貫通領域に導体が充填された構造を有するセラミック多層回路基板であって、
積層された複数のセラミック層のうち、少なくとも所定のセラミック層には、セラミック層の両主面に垂直な方向の断面形状が、セラミック層の一方主面側で幅が広く、他方主面側で幅が狭いテーパ形状を有する逆台形状貫通領域と、セラミック層の一方主面側で幅が狭く、他方主面側で幅が広いテーパ形状を有する台形状貫通領域が混在していること
を特徴とするセラミック多層回路基板。
【請求項２】
前記所定のセラミック層の一部においては、セラミック層の両主面に平行な方向に互いに隣接する一対の貫通領域の一方が前記逆台形状貫通領域であり、他方が前記台形状貫通領域であることを特徴とする請求項１記載のセラミック多層回路基板。
【請求項３】
前記貫通領域が、導体が充填されることによりビアホールとして機能する貫通領域及び／又は導体が充填されることにより回路として機能する貫通領域であることを特徴とする請求項１又は２記載のセラミック多層回路基板。
【請求項４】
複数のセラミック層が積層された積層構造を有し、かつ、所定のセラミック層を貫通する貫通領域に導体が充填された構造を有するセラミック多層回路基板の製造方法であって、
セラミックグリーンシートの両主面側にフィルムを配設してセラミックグリーンシートを挟み込み、いずれか一方のフィルム側から、出力制御されたレーザ光を照射し、少なくとも入射側のフィルムとセラミックグリーンシートを貫通させることにより、セラミックグリーンシートに、一方主面側で幅が広く、他方主面側で幅が狭いテーパ形状を有する逆台形状貫通領域を形成するとともに、他方のフィルム側から、出力制御されたレーザ光を照射し、少なくとも入射側のフィルムとセラミックグリーンシートを貫通させることにより、セラミックグリーンシートに、他方主面側で幅が広く、一方主面側で幅が狭いテーパ形状を有する台形状貫通領域を形成する工程と、
セラミックグリーンシートに形成された逆台形状貫通領域及び台形状貫通領域に、逆台形状貫通領域及び台形状貫通領域を形成する際のレーザ光の入射側から導体を充填する工程と、
逆台形状貫通領域及び台形状貫通領域に導体が充填されたセラミックグリーンシートを含む複数のセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成する工程と
を備えていることを特徴とするセラミック多層回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記所定のセラミック層の一部においては、セラミック層の両主面に平行な方向に互いに隣接する一対の貫通領域の一方が前記逆台形状貫通領域となり、他方が前記台形状貫通領域となるように、レーザ光を一方のフィルム側と他方のフィルム側の所定の方向から照射することを特徴とする請求項４記載のセラミック多層回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記貫通領域として、導体を充填することによりビアホールとして機能する貫通領域及び／又は導体が充填されることにより回路として機能する貫通領域を形成することを特徴とする請求項４又は５記載のセラミック多層回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、セラミック多層回路基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
セラミック多層回路基板などの積層セラミック電子部品は、通常、表面に導体パターン（回路）が形成されたセラミックグリーンシートを積層する工程を経て製造されている。
【０００３】
ところで、従来のセラミック多層回路基板の１つに、図８に示すような構造を有するセラミック多層回路基板がある（例えば、特許文献１参照）。
このセラミック多層回路基板は、図８に示すように、複数のセラミック基板５１を積層して積層体５２を形成することにより構成されており、積層体５２の内部及び表面には、回路パターン（電極パターン）を構成するスルーホール５３、導体配線部５４、貫通孔５５に導体部材５６が充填された貫通孔導体部５７などが配設されている。なお、積層体５２の表面には、通常、半導体やコンデンサやトランジスタ等からなる機能素子や電子部品などが搭載されるが、ここでは図示を省略している。
【０００４】
そして、このセラミック多層回路基板において、貫通孔導体部５７は、セラミック基板５１の少なくとも１つに、セラミック基板５１の法線方向に対して傾斜した傾斜面５８を有する貫通孔５５から形成されている。このように、貫通孔５５に傾斜面５８を形成することにより、製造時において貫通孔５５に充填される導体（導体ペースト）を傾斜面５８にて支持することにより、導体ペーストの自重を傾斜面５８により分散させることができるため、導体ペーストが垂れたり貫通孔５５から抜け落ちたりすることを改善することができるとされている。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−３５３８７２号公報
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献１によれば、セラミック多層回路基板を構成するセラミック基板５１の貫通孔５５に導電ペーストを確実に充填することは可能になるが、スルーホール５３、導体配線部５４への導電ペーストの充填に関しては特別の技術は開示されていない。
【０００６】
一方、セラミック多層回路基板において、上述の、貫通孔５５に傾斜面５８を形成するという考え方を、導体が充填されることによりビアホールとして機能する貫通領域や、導体が充填されることにより回路として機能する貫通領域にも適用することも可能である。そして、その場合、充填される導体ペーストを傾斜面にて支持することにより、導体ペーストが垂れたり貫通孔から抜け落ちたりすることを抑制、防止することが可能になるものと考えられる。
【０００７】
しかし、例えば、図９に示すように、特定のセラミック基板５１についてみた場合に、セラミック層の上面側で幅が広く、下面側で幅が狭いテーパ形状を有する逆台形状の貫通孔５５を複数配設した場合、互いに隣接する貫通孔５５間の距離Ｇを確保しようとすると、貫通孔５５の配設密度が制約され、製品の高密度化、小型化が妨げられるという問題点がある。
【０００８】
また、図１０に示すように、表裏両面側にフィルム６１，６２を配設することにより、両主面側がフィルム６１，６２により支持された構造を有するセラミックグリーンシート６３をレーザ加工することにより、回路用あるいはビアホール用の逆台形状の貫通領域６４を複数形成する場合、狭ピッチに回路（貫通領域）６４を配置しようとすると、上部のフィルム６１の開口部（上部フィルム開口部）６１ａの幅（径）Ｄと、互いに隣り合う上部フィルム開口部６１ａ，６１ａ間の距離（開口部間距離）Ｇの関係が問題となる。すなわち、上部のフィルム６１はレーザ加工後、導体ペーストを充填する際にマスクとして機能するが、その際に、開口部間距離Ｇが小さすぎると、充分な強度が得られず、導体ペーストを貫通領域６４に確実に充填することができなくなるという問題点がある。
【０００９】
しかしながら、開口部間距離Ｇを十分に確保しようとすると、貫通領域６４の配設ピッチＰをある程度大きくすることが必要となる。例えば、図１０に示すように、上部のフィルム６１の開口部（上部フィルム開口部）６１ａの幅Ｄが６０μｍで、レーザエネルギが０．１ｍＪ、フィルム構成材料がＰＥＴである場合において、開口部間距離Ｇを１０μｍ以上確保しようとすると、貫通領域６４の配設ピッチＰを７０μｍ以上（限界回路ピッチＰ≧７０μｍ）とすることが必要となり、高密度配線が妨げられるという問題点がある。
【００１０】
本願発明は、上記問題点を解決するものであり、側面が傾斜したテーパ形状の貫通領域に導体が充填された構造を有し、小型、高密度であるにもかかわらず信頼性の高いセラミック多層回路基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本願発明（請求項１）のセラミック多層回路基板は、
複数のセラミック層が積層された積層構造を有し、かつ、所定のセラミック層を貫通する貫通領域に導体が充填された構造を有するセラミック多層回路基板であって、
積層された複数のセラミック層のうち、少なくとも所定のセラミック層には、セラミック層の両主面に垂直な方向の断面形状が、セラミック層の一方主面側で幅が広く、他方主面側で幅が狭いテーパ形状を有する逆台形状貫通領域と、セラミック層の一方主面側で幅が狭く、他方主面側で幅が広いテーパ形状を有する台形状貫通領域が混在していること
を特徴としている。
【００１２】
積層された複数のセラミック層のうち、少なくとも所定のセラミック層には、セラミック層の両主面に垂直な方向の断面形状が、セラミック層の一方主面側で幅が広く、他方主面側で幅が狭いテーパ形状を有する逆台形状貫通領域と、セラミック層の一方主面側で幅が狭く、他方主面側で幅が広いテーパ形状を有する台形状貫通領域が混在しているので、互いに隣接する貫通領域間の距離を確保しつつ、貫通領域の配設密度を高めることが可能になり、製品の高密度化、小型化を図ることが可能になる。
また、逆台形状貫通領域及び台形状貫通領域は、いずれも、側面が傾斜したテーパ形状を有しており、製造時において貫通領域に充填される導体ペーストを傾斜面にて支持して、導体ペーストの自重を傾斜面により分散させることができるため、導体ペーストが垂れたり貫通領域から抜け落ちたりすることを抑制、防止して、信頼性の高いセラミック多層回路基板を得ることが可能になる。
【００１３】
また、請求項２のセラミック多層回路基板は、前記所定のセラミック層の一部においては、セラミック層の両主面に平行な方向に互いに隣接する一対の貫通領域の一方が前記逆台形状貫通領域であり、他方が前記台形状貫通領域であることを特徴としている。
【００１４】
所定のセラミック層の一部においては、セラミック層の両主面に平行な方向に互いに隣接する一対の貫通領域の一方の貫通領域が逆台形状貫通領域であり、他方の貫通領域が台形状貫通領域であるような組み合わせとすることにより、さらに効率よく、互いに隣接する貫通領域間の距離を確保しつつ、貫通領域の配設密度を高めることが可能になり、本願発明をより実効あらしめることができる。
【００１５】
また、請求項３のセラミック多層回路基板は、前記貫通領域が、導体が充填されることによりビアホールとして機能する貫通領域及び／又は導体が充填されることにより回路として機能する貫通領域であることを特徴としている。
【００１６】
本願発明においては、請求項３のように、貫通領域として、導体を充填することによりビアホールとして機能する貫通領域及び／又は導体を充填することにより回路として機能する貫通領域を形成することが可能であり、種々の回路パターンを備えたセラミック多層回路基板を製造する場合に広く本願発明を適用することが可能である。
【００１７】
また、本願発明（請求項４）のセラミック多層回路基板の製造方法は、
複数のセラミック層が積層された積層構造を有し、かつ、所定のセラミック層を貫通する貫通領域に導体が充填された構造を有するセラミック多層回路基板の製造方法であって、
セラミックグリーンシートの両主面側にフィルムを配設してセラミックグリーンシートを挟み込み、いずれか一方のフィルム側から、出力制御されたレーザ光を照射し、少なくとも入射側のフィルムとセラミックグリーンシートを貫通させることにより、セラミックグリーンシートに、一方主面側で幅が広く、他方主面側で幅が狭いテーパ形状を有する逆台形状貫通領域を形成するとともに、他方のフィルム側から、出力制御されたレーザ光を照射し、少なくとも入射側のフィルムとセラミックグリーンシートを貫通させることにより、セラミックグリーンシートに、他方主面側で幅が広く、一方主面側で幅が狭いテーパ形状を有する台形状貫通領域を形成する工程と、
セラミックグリーンシートに形成された逆台形状貫通領域及び台形状貫通領域に、逆台形状貫通領域及び台形状貫通領域を形成する際のレーザ光の入射側から導体を充填する工程と、
逆台形状貫通領域及び台形状貫通領域に導体が充填されたセラミックグリーンシートを含む複数のセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成する工程と
を備えていることを特徴としている。
【００１８】
セラミックグリーンシートの両主面側にフィルムを配設してセラミックグリーンシートを挟み込み、いずれか一方のフィルム側からレーザ光を照射し、少なくとも入射側のフィルムとセラミックグリーンシートを貫通させることにより、セラミックグリーンシートに、一方主面側で幅が広く、他方主面側で幅が狭いテーパ形状を有する逆台形状貫通領域を形成するとともに、他方のフィルム側からレーザ光を照射し、少なくとも入射側のフィルムとセラミックグリーンシートを貫通させることにより、セラミックグリーンシートに、他方主面側で幅が広く、一方主面側で幅が狭いテーパ形状を有する台形状貫通領域を形成し、この逆台形状貫通領域及び台形状貫通領域に、レーザ光の入射側から導体を充填した後、これらのセラミックグリーンシートを含む複数のセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成するようにしているので、所定のセラミック層において、逆台形状貫通領域と台形状貫通領域が混在するセラミック多層回路基板、すなわち、貫通領域の配設密度を高くした場合にも、互いに隣接する貫通領域間の距離を確保することが可能で、信頼性の高い、小型、高性能のセラミック多層回路基板を効率よく製造することが可能になる。
【００１９】
また、本願発明のセラミック多層回路基板の製造方法においては、例えば、図１に示すように、フィルム１，２により挟み込まれたセラミックグリーンシート３に対し、一方のフィルム１側から、出力制御されたレーザ光を照射し、入射側のフィルム１とセラミックグリーンシート３を貫通させる際、及び、図２に示すように、セラミックグリーンシート３を反転し、他方のフィルム２側から、出力制御されたレーザ光を照射し、入射側のフィルム２とセラミックグリーンシート３を貫通させる際に、照射されるレーザ光のエネルギーが減少し、フィルム１又は２の表面から、セラミックグリーンシート３の表面３ａ又は裏面３ｂに達したときの実質的なスポット径（ビアホールの直径あるいは回路のライン幅）Ｄ２が、フィルム１又は２に入射する際のスポット径Ｄ１よりも小さくなり、例えば、フィルム１又は２に入射する際のスポット径Ｄ１が約６０μｍである場合において、セラミックグリーンシート３の表面３ａ又は裏面３ｂに達したときのスポット径（ビアホールの直径あるいは回路のライン幅）Ｄ２は約３５μｍになる。
また、フィルム１及び２に逆台形状の貫通領域２０ａ、台形状の貫通領域２０ｂが形成され、セラミックグリーンシート３に逆台形状貫通領域１１ａと台形状貫通領域１１ｂが形成される過程で照射されるレーザ光のエネルギーはさらに減少するので、セラミックグリーンシート３の裏面３ｂ又は表面３ａに達したときの実質的なスポット径（ビアホールの直径あるいは回路のライン幅）Ｄ３は、２０μｍとなり、側面がテーパ形状を有する逆台形状あるいは台形状の貫通領域１１ａ，１１ｂが形成されることになる。
【００２０】
そして、この場合において、フィルム１及び２において、互いに隣り合う逆台形状の貫通領域２０ａと台形状の貫通領域２０ｂの間隔（開口部間隔）Ｇを１０μｍ確保しようとすると、貫通領域１１ａ，１１ｂの配設ピッチＰ（図２）は約３５μｍとなり、図１０に示すような、逆台形状の貫通領域を配設するようにした場合の貫通領域６４の配設ピッチ（回路ピッチ）７０μｍに比べて、本願発明では逆台形状又は台形状貫通領域１１ａ，１１ｂの間隔（配設ピッチ）を約半分とすることが可能になる。
【００２１】
また、セラミックグリーンシート３の貫通領域１１ａ，１１ｂへの導体４（図３，図５（ｅ））の充填時には、フィルム１，２がマスクとしての機能を果たすため、導体４を確実に貫通領域１１ａ，１１ｂに充填することが可能になるとともに、余剰の導体は、フィルム１，２を除去する際に確実に除去されるため（例えば、図３，図５（ｅ）参照）、所望のパターンを有するファインライン回路を効率よく形成することが可能になる。
【００２２】
また、セラミックグリーンシート３を挟み込むフィルム１，２が、セラミックグリーンシート３の強度を補う補強材としての機能を果たすため、複雑な形状の回路パターン（例えば、図４に示すような渦巻き形状（スパイラル）の回路パターン１２など）を形成する場合にも、取扱中の変形や破損などを防止することが可能になり、良好な取扱性を確保することができる。
【００２３】
また、本願発明においては、レーザ光を照射することにより、少なくとも入射側のフィルムとセラミックグリーンシートを貫通させるようにしているが、例えば、入射側とは反対側のフィルムも貫通させて、反対側のフィルムに形成された貫通孔から真空吸引しながら導電ペーストを貫通領域に充填して、充填の信頼性を向上させるように構成することも可能である。
【００２４】
なお、本願発明においては、一方のフィルム及び他方のフィルムとして、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＥＫ（ポリエーテルケトン）、ＰＳＦ（ポリサルフォン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）などの種々の樹脂からなるフィルムを用いることが可能であり、さらに他の材料からなるフィルムを用いることも可能である。
【００２５】
また、請求項５のセラミック多層回路基板の製造方法は、前記所定のセラミック層の一部においては、セラミック層の両主面に平行な方向に互いに隣接する一対の貫通領域の一方が前記逆台形状貫通領域となり、他方が前記台形状貫通領域となるように、レーザ光を一方のフィルム側と他方のフィルム側の所定の方向から照射することを特徴としている。
【００２６】
レーザ光を一方のフィルム側と他方のフィルム側の所定の方向から照射して、セラミック層の両主面に平行な方向に互いに隣接する一対の貫通領域の一方の貫通領域として、台形状貫通領域を形成し、他方の貫通領域として逆台形状貫通領域を形成するようにした場合、さらに効率よく互いに隣接する貫通領域間の距離が確保され、高密度で信頼性の高いセラミック多層回路基板を効率よく製造することが可能になる。
【００２７】
また、請求項６のセラミック多層回路基板の製造方法は、前記貫通領域として、導体を充填することによりビアホールとして機能する貫通領域及び／又は導体が充填されることにより回路として機能する貫通領域を形成することを特徴としている。
【００２８】
貫通領域として、導体が充填されることによりビアホールとして機能する貫通領域及び／又は導体が充填されることにより回路として機能する貫通領域を形成することにより、回路がビアホールにより接続された種々の回路パターンを備えたセラミック多層回路基板を効率よく製造することが可能になる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の実施の形態を示してその特徴とするところをさらに詳しく説明する。
この実施形態では、図１〜７を参照しつつ、セラミック多層回路基板を製造する方法について説明する。
【００３０】
（１）まず、図５（ａ）に示すように、フィルム（キャリアフィルム）２上に、セラミックスラリーをドクターブレードなどによりシート状に成形して、セラミックグリーンシート３を形成した後、セラミックグリーンシート３を、キャリアフィルム２とともに、所定の大きさに切断する。
【００３１】
（２）それから、ＰＥＴ基材（厚み５０μｍ）に、粘着層としてアクリル系粘着材を約１０μｍの厚みで塗布したフィルム（粘着フィルム）１（図５（ｂ））を、セラミックグリーンシート３のキャリアフィルム２により支持されていない方の面（上面（図５（ｂ））に配設し、フィルム２とセラミックグリーンシート３の間の空気を抜いてフィルム２をセラミックグリーンシート３と密着させる。
ただし、フィルム１，２によりセラミックグリーンシート３を挟み込む方法は、上記の方法に限られるものではなく、例えば、セラミックグリーンシートを成形する際に上下両面側からフィルム１，２で挟み込む方法など、種々の方法を採用することが可能である。
【００３２】
（３）そして、図１，図５（ｃ），図６（ａ），（ｂ）及び（ｃ）に示すように、フィルム１，２により挟み込まれたセラミックグリーンシート３に対し、一方のフィルム（ここでは粘着フィルム）１側から、出力制御されたレーザ光を照射し、入射側のフィルム１とセラミックグリーンシート３を貫通させることにより、セラミックグリーンシート３に、一方主面３ａ側で幅が広く、他方主面３ｂ側で幅が狭いテーパ形状を有する逆台形状貫通領域１１ａを形成する。このとき、フィルム１にも逆台形状の貫通領域２０ａが形成される（図１）。
なお、この実施形態で用いたレーザ光の照射面の形状（スポット形状）は、図６（ａ）に示すように円形であり、回路として必要な連続形状（例えば、帯状の形状）の貫通領域（逆台形状貫通領域１１ａ）を形成するために、円形の貫通孔を所定間隔Ｐをあけて連続して形成して、帯状の逆台形状貫通領域（回路状貫通領域）１１ａを形成した。ただし、ビアホール用の貫通領域を形成する際には、スポット形状のレーザ光を照射するだけでよい場合がある。
【００３３】
（４）それから、図２，図５（ｄ）に示すように、セラミックグリーンシート３を反転し、他方のフィルム２側から、出力制御されたレーザ光を照射し、入射側のフィルム２とセラミックグリーンシート３を貫通させることにより、セラミックグリーンシート３に、セラミック層の他方主面３ｂ側で幅が広く、一方主面３ａ側で幅が狭いテーパ形状を有する台形状貫通領域１１ｂを形成する。なお、台形状貫通領域１１ｂは、セラミックグリーンシートを再度反転させた状態で台形状となる（例えば、図３参照）。
この（４）の工程でも、台形状貫通領域１１ｂとして、回路として必要な連続形状の貫通領域を形成するために、円形の貫通孔を連続して形成して、帯状の台形状貫通領域（回路状貫通領域）１１ｂを形成した。
なお、本願発明においては、セラミックグリーンシート３の両面に配設されたそれぞれのフィルム１，２側から（すなわち、上下両側から）同時にレーザ照射及び導体充填を行うように構成することも可能である。
【００３４】
この実施形態において、フィルム１，２としてＰＥＴフィルムを用いた場合、レーザ光の熱影響範囲は入射側のフィルム１の表面からの距離が大きくなるほど（すなわち、深度が深くなるほど）小さくなるので、入射側のフィルム１又は２に形成される逆台形状又は台形状貫通領域２０ａ又は２０ｂの断面形状は、図２に示すように、テーパ状（逆台形状又は台形状）となり、レーザ光入射側の、フィルム１の表面のスポット径Ｄ１が約６０μｍのとき、セラミックグリーンシート３の表面における実質的なスポット径Ｄ２（すなわち、回路状貫通領域１１ａの入射側の幅）（図１〜図３，図６（ｃ））は約３５μｍとなる。
【００３５】
そして、このときに、フィルム１及び２の、互いに隣り合う逆台形状の貫通領域２０ａと台形状の貫通領域２０ｂの間隔（開口部間隔）Ｇを１０μｍ確保しようとすると、貫通領域１１ａ，１１ｂの配設ピッチＰ（図２，図３）は約３５μｍとなり、従来の逆台形状の貫通領域のみを複数配設するようにした場合（図１０参照）の貫通領域６４の配設ピッチ（回路ピッチ）７０μｍに比べて、本願発明では貫通領域１１ａ，１１ｂの間隔（配設ピッチ）を約半分とすることができる。
【００３６】
（５）次に、入射側のフィルム１又は２の表面に導体（導電ペースト）４を塗布し、入射側のフィルム１又は２の貫通領域２０ａ，２０ｂから、セラミックグリーンシート３の貫通領域１１ａ，１１ｂに導体（導電ペースト）４（図５（ｅ））を充填した後、入射側のフィルム１の表面の余分な導体（導電ペースト）をかき取る。
なお、導体４としては、銅、ニッケルなどの卑金属、金、銀、白金、Ａｇ−Ｐｄなどの貴金属及びその合金などを導電成分とする導電ペーストなど、積層電子部品の製造に用いられている種々の材料を用いることが可能である。
【００３７】
そして、導電ペースト４を乾燥した後、図５（ｅ）に示すように、キャリアフィルム２を剥離する。なお、粘着フィルム１としては、この剥離工程で、セラミックグリーンシート３が粘着フィルム１から剥離しないようにキャリアフィルム２を剥離させることが可能な程度の粘着力を有する粘着フィルム１を選択して用いる。
そして、必要に応じて、セラミックグリーンシート３のキャリアフィルム２を剥離した面にスクリーン印刷などの方法で配線パターンを形成する。
【００３８】
（６）また、他の所定のセラミックグリーンシートについても、上述の（１）〜（５）と同様の手順で、必要な処理、加工を行い、所望の回路などを備えたセラミックグリーンシートを形成する。
【００３９】
（７）一方、上記回路状貫通領域１１ａ，１１ｂに充填した導体（回路）を層間で接続するためのビアホールを備えたセラミック層として、図５（ｆ）に示すように、他のセラミックグリーンシート１３について、上記回路状貫通領域１１ａ，１１ｂの形成方法に準じる方法により、ビアホール用貫通領域６を形成するとともに、ビアホール用貫通領域６への導電ペースト４の充填を行い、さらに、図５（ｇ）に示すように、他のセラミックグリーンシート１３の表面に導体を印刷、塗布して、配線パターン（印刷配線パターン）１４を形成する。
【００４０】
（８）それから、上述のようにして形成したセラミックグリーンシート３及び１３などを、図５（ｈ）に示すように１枚ずつ仮圧着しながら積層した後、本プレスを行って積層体８を形成する。
【００４１】
なお、積層方法としては、例えば、金属又は樹脂プレート上に、セラミックグリーンシート３の露出面が下になるように１層目のセラミックグリーンシート３を載置し、裏面側フィルム（粘着フィルム１）をはがした上で、その上に、セラミックグリーンシート３の露出面を下、粘着フィルム１を上にしてセラミックグリーンシート３を積み重ね、セラミックグリーンシート３内に含まれるバインダーや可塑剤の接合力を利用して、熱と圧力によりセラミックグリーンシート３どうしを仮圧着し、その後、粘着フィルム１をはがすことを繰り返す方法を用いることが可能である。
【００４２】
（９）その後、図５（ｉ）に示すように、積層体８を個々の素子９に分割し、焼成した後、所定の側面に導電性ペーストを塗布して焼付けることにより外部電極（端面電極）１０を形成し、この外部電極１０に、Ｎｉめっき、Ｓｎめっきなどを施す。これにより、内部に回路などが配設された素子９の側面に、内部の回路と導通する外部電極１０が形成されたセラミック多層回路基板Ａが得られる。
【００４３】
なお、図７は、本願発明の一実施形態にかかるセラミック多層回路基板Ａの構成を模式的に示す図である。このセラミック多層回路基板Ａは、積層された複数のセラミック層のうち、所定のセラミック層２３ａ，２３ｂに、逆台形状貫通領域１１ａと、台形状貫通領域１１ｂが混在しているとともに、逆台形状貫通領域１１ａと、台形状貫通領域１１ｂには導体２１が充填されて回路が形成されており、かつ、所定のセラミック層２３ａ，２３ｂと接するセラミック層２４ａ，２４ｂには、ビアホール２５ａ，２５ｂが形成されており、貫通領域１１ａ，１１ｂに導体２１が充填されて形成された回路がビアホール２５ａ，２５ｂを介して、セラミック層２４ａ，２４ｂの表面に形成された配線パターン２６ａ，２６ｂに接続された構造を有している。なお、本願発明のセラミック多層回路基板には、その他にも、抵抗素子、コンデンサ素子、インダクタ素子、その他の電子部品素子などを搭載することが可能であることはいうまでもない。
【００４４】
上述のように、この実施形態のセラミック多層回路基板の製造方法においては、一方のフィルム１側からレーザ光を照射して、セラミックグリーンシート３に逆台形状貫通領域１１ａを形成するとともに、他方のフィルム２側からレーザ光を照射して、セラミックグリーンシート３に台形状貫通領域１１ｂを形成するようにしているので、図２のＤ１が約６０μｍ、Ｄ２が約３５μｍ、Ｄ３が約２０μｍであるような、逆台形状あるいは台形状の貫通領域１１ａ，１１ｂ及び２０ａ，２０ｂを効率よく形成することが可能になる。また、この場合において、貫通領域１１ａ，１１ｂの配設ピッチＰ（図２）を約３５μｍとすることが可能になり、回路が高密度に配設されたセラミック多層回路基板を得ることが可能になる。
なお、貫通領域１１ａ，１１ｂに導体４が充填された素子９を焼成することにより、セラミックグリーンシート３及び導体（導電ペースト）４が収縮し、例えば、貫通領域１１ａ，１１ｂの幅が３０μｍをいくらか超えているような場合にも、ライン幅が３０μｍ以下の回路を形成することが可能になり、さらなるファインライン化、狭ピッチ配置が可能になる。
したがって、この実施形態の方法によれば、互いに隣接する貫通領域間の距離を確保しつつ、貫通領域の配設密度を高めることが可能になり、信頼性を損なうことなく、製品の高密度化、小型化を図ることが可能になる。
【００４５】
また、セラミックグリーンシート３の貫通領域１１ａ，１１ｂへの導体４（図３、図５（ｅ）など）の充填時には、フィルム１，２がマスクとしての機能を果たすため、導体４を確実に貫通領域１１ａ，１１ｂに充填することが可能になるとともに、余剰の導体は、フィルム１，２を除去する際に確実に除去されるため、所望のパターンを有するファインライン回路を効率よく形成することができる。
【００４６】
また、貫通領域１１ａ，１１ｂに導体４が充填されているため、回路の厚みが大きく、低抵抗のファインライン回路を得ることができる。さらに、貫通領域１１ａ，１１ｂは、セラミックグリーンシート３を貫通しているので、その深さは一定で、セラミックグリーンシート３の厚みと同一となることから、積層体中の上下層の回路間隔を一定に保つことが可能になり、特性のばらつきを減少させることができる。
【００４７】
また、一方のフィルム１及び他方のフィルム２が、セラミックグリーンシート３の補強材としての機能を果たすため、例えばスパイラルなど複雑な回路を形成した場合にも、取扱中の変形や破損などを防止することが可能になり、良好な取扱性を確保することができる。
【００４８】
また、上記実施形態では、平面形状（スポット形状）が円形のレーザ光を用いているが、レーザ光の平面形状（スポット形状）に特別の制約はなく、方形、方形以外の多角形、楕円形など、種々の形状とすることが可能である。
【００４９】
また、本願発明は、回路やビアホールを形成すべきセラミックグリーンシートの種類や用途に特別の制約はなく、種々のセラミックグリーンシートに回路を形成する場合に広く適用することが可能である。
【００５０】
また、上記実施形態では、ＣＯ２レーザ光を用いているが、本願発明においては、他の種類のレーザを用いることも可能である。
【００５１】
なお、本願発明は、その他の点においても上記の実施形態に限定されるものではなく、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【００５２】
【発明の効果】
上述のように、本願発明（請求項１）のセラミック多層回路基板は、積層された複数のセラミック層のうち、少なくとも所定のセラミック層には、セラミック層の両主面に垂直な方向の断面形状が、セラミック層の一方主面側で幅が広く、他方主面側で幅が狭いテーパ形状を有する逆台形状貫通領域と、セラミック層の一方主面側で幅が狭く、他方主面側で幅が広いテーパ形状を有する台形状貫通領域が混在しているので、互いに隣接する貫通領域間の距離を確保しつつ、貫通領域の配設密度を高めることが可能になり、製品の高密度化、小型化を図ることが可能になる。
また、逆台形状貫通領域及び台形状貫通領域は、いずれも、側面が傾斜したテーパ形状を有しており、製造時において貫通領域に充填される導体ペーストを傾斜面にて支持して、導体ペーストの自重を傾斜面により分散させることができるため、導体ペーストが垂れたり貫通領域から抜け落ちたりすることを抑制、防止して、信頼性の高いセラミック多層回路基板を得ることが可能になる。
【００５３】
また、請求項２のセラミック多層回路基板のように、所定のセラミック層の一部においては、セラミック層の両主面に平行な方向に互いに隣接する一対の貫通領域の一方の貫通領域が逆台形状貫通領域であり、他方の貫通領域が台形状貫通領域であるような組み合わせとすることにより、さらに効率よく、互いに隣接する貫通領域間の距離を確保しつつ、貫通領域の配設密度を高めることが可能になり、本願発明をより実効あらしめることができる。
【００５４】
また、本願発明においては、請求項３のように、貫通領域として、導体を充填することによりビアホールとして機能する貫通領域及び／又は導体を充填することにより回路として機能する貫通領域を形成することが可能であり、種々の回路パターンを備えたセラミック多層回路基板を製造する場合に広く本願発明を適用することができる。
【００５５】
また、本願発明（請求項４）のセラミック多層回路基板の製造方法は、セラミックグリーンシートの両主面側にフィルムを配設してセラミックグリーンシートを挟み込み、いずれか一方のフィルム側からレーザ光を照射し、少なくとも入射側のフィルムとセラミックグリーンシートを貫通させることにより、セラミックグリーンシートに、一方主面側で幅が広く、他方主面側で幅が狭いテーパ形状を有する逆台形状貫通領域を形成するとともに、他方のフィルム側からレーザ光を照射し、少なくとも入射側のフィルムとセラミックグリーンシートを貫通させることにより、セラミックグリーンシートに、他方主面側で幅が広く、一方主面側で幅が狭いテーパ形状を有する台形状貫通領域を形成し、この逆台形状貫通領域及び台形状貫通領域に、レーザ光の入射側から導体を充填した後、これらのセラミックグリーンシートを含む複数のセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成するようにしているので、所定のセラミック層において、逆台形状貫通領域と台形状貫通領域が混在するセラミック多層回路基板、すなわち、貫通領域の配設密度を高くした場合にも、互いに隣接する貫通領域間の距離を確保することが可能で、信頼性の高い、小型、高性能のセラミック多層回路基板を効率よく製造することが可能になる。
また、フィルムが、セラミックグリーンシートの貫通領域への導体の充填時にマスクとしての機能を果たすため、導体を確実に貫通領域に充填することが可能になるとともに、余剰の導体は、フィルムを除去する際に確実に除去されるため、所望のパターンを有するファインライン回路を効率よく形成することが可能になる。
また、セラミックグリーンシートを挟み込むフィルムが、セラミックグリーンシートの強度を補う補強材としての機能を果たすため、複雑な形状の回路を形成した場合にも、取扱中の変形や破損などを防止することが可能になり、良好な取扱性を確保することができる。
【００５６】
また、請求項５のセラミック多層回路基板の製造方法のように、レーザ光を一方のフィルム側と他方のフィルム側の所定の方向から照射して、セラミック層の両主面に平行な方向に互いに隣接する一対の貫通領域の一方の貫通領域として、台形状貫通領域を形成し、他方の貫通領域として逆台形状貫通領域を形成するようにした場合、さらに効率よく互いに隣接する貫通領域間の距離が確保され、高密度で信頼性の高いセラミック多層回路基板を効率よく製造することができるようになる。
【００５７】
また、請求項６のセラミック多層回路基板の製造方法のように、貫通領域として、導体が充填されることによりビアホールとして機能する貫通領域及び／又は導体が充填されることにより回路として機能する貫通領域を形成することにより、回路がビアホールにより接続された種々の回路パターンを備えたセラミック多層回路基板を効率よく製造することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明のセラミック多層回路基板の製造方法を説明する図であって、一方のフィルム側からレーザ光を照射して逆台形状貫通領域を形成している状態を示す正面断面図である。
【図２】本願発明のセラミック多層回路基板の製造方法を説明する図であって、セラミックグリーンシートを反転させた後、他方のフィルム側からレーザ光を照射して台形状貫通領域（セラミックグリーンシートを再度反転させた状態における台形状貫通領域）を形成している状態を示す正面断面図である。
【図３】セラミックグリーンシートに形成された逆台形状貫通領域と台形状貫通領域に導電ペーストを充填した状態を示す正面断面図である。
【図４】セラミックグリーンシートに形成される回路パターンの一例を示す平面図である。
【図５】（ａ）〜（ｉ）は、本願発明の実施形態におけるセラミック多層回路基板の製造工程を示す図である。
【図６】（ａ）は本願発明の実施形態において、一方のフィルムに形成された回路状貫通領域を模式的に示す平面図、（ｂ）は正面断面図、（ｃ）はセラミックグリーンシートに形成された回路状貫通領域を示す平面図である。
【図７】本願発明の実施形態にかかる方法により製造されたセラミック多層回路基板の構成を模式的に示す断面図である。
【図８】従来のセラミック多層回路基板の構造を示す断面図である。
【図９】従来のセラミック多層回路基板を構成するセラミック層に形成された、回路用の貫通孔の形状を示す断面図である。
【図１０】両主面側にフィルムが配設された構造を有するセラミックグリーンシートを従来の方法でレーザ加工して回路用貫通孔を形成する場合の回路用貫通孔の形状及びその配設態様を示す断面図である。
【符号の説明】
１        粘着フィルム（一方のフィルム）
２        キャリアフィルム（他方のフィルム）
３        セラミックグリーンシート
３ａ      セラミックグリーンシートの表面（一方主面）
３ｂ      セラミックグリーンシートの裏面（他方主面）
４        導体（導電ペースト）
６        ビアホール用貫通領域
８        積層体
９        素子
１０      端面電極（外部電極）
１１ａ    逆台形状貫通領域
１１ｂ    台形状貫通領域
１２      回路パターン（電極パターン）
１３      他のセラミックグリーンシート
１４      印刷配線パターン
２０ａ    逆台形状の貫通領域（回路状貫通領域）
２０ｂ    台形状の貫通領域（回路状貫通領域）
２３ａ，２３ｂ    所定のセラミック層
２１      導体
２４ａ，２４ｂ    所定のセラミック層と接するセラミック層
２５ａ，２５ｂ    ビアホール
２６ａ，２６ｂ    配線パターン
Ａ        セラミック多層回路基板
Ｄ１      入射側フィルムの表面のスポット径
Ｄ２      セラミックグリーンシートの表面のスポット径
Ｄ３      貫通孔の下面側のスポット径
Ｐ        貫通領域の配設ピッチ
Ｇ        互いに隣り合う貫通領域の間隔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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