【手続補正書】
【提出日】平成15年6月25日(2003.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ内に発生させたプラズマを使用して被処理基板に処理を施す半導体製造工程の製造条件を設定する方法であって、
前記プラズマの発光を分光する工程と、
分光された前記プラズマ光の各波長の発光強度を算出する工程と、
前記製造条件である複数のパラメータの値を増減変化させたときに当該パラメータの増減変化に伴って前記発光強度が変化する前記各波長の中から、少なくとも二以上の波長を対応波長として前記各パラメータごとに選択する工程と、
前記パラメータの値と、前記各対応波長の前記発光強度に基づく値との関係を示す基準発光データを前記各パラメータごとに作成する工程と、
前記パラメータの許容範囲に対応した、前記各対応波長の前記発光強度に基づく範囲である許容発光範囲を前記各パラメータごとに決定する工程と、
前記被処理基板に前記処理を施す際に得られる前記プラズマ光の前記各対応波長の発光強度である処理中発光強度を算出する工程と、
前記基準発光データに基づいて、前記処理中発光強度に応じた候補パラメータを前記各パラメータの中から選定する工程と、
前記処理中発光強度に基づく値が前記許容発光範囲を越えたときに、当該処理中発光強度に基づく値が前記許容発光範囲内になるまで前記候補パラメータの値を調整する工程と、
を備えることを特徴とする半導体製造条件設定方法。
【請求項２】
前記パラメータは、前記プラズマを生成するための高周波電力、前記プラズマを生成するための周波数、前記プラズマ内に含まれるイオン又はラジカルを前記被処理基板方向へ誘導するためのバイアス電圧、前記チャンバ内に流入するガスの流量、前記チャンバ内の圧力、前記プラズマを高密度に維持するための磁界の強さ、又は前記チャンバ内の温度のうちの少なくとも一つであることを特徴とする請求項１記載の半導体製造条件設定方法。
【請求項３】
チャンバ内に発生させたプラズマを使用して被処理基板に処理を施す半導体製造工程の製造条件を設定する装置であって、
前記プラズマの発光を分光する分光手段と、
前記プラズマ光の分光方向に分解能を有し、分光された前記プラズマ光の各波長成分を受光するとともに当該プラズマ光の各波長の強度に応じた電気信号を出力する光検出手段と、
前記光検出手段から出力された電気信号に基づいて、前記プラズマ光の各波長の発光強度を算出する発光強度算出手段と、
前記製造条件である複数のパラメータの値を増減変化させたときに当該パラメータの増減変化に伴って前記発光強度が変化する前記各波長の中から、少なくとも二以上の波長を対応波長として前記各パラメータごとに選択する対応波長選択手段と、
前記パラメータの値と、前記各対応波長の前記発光強度に基づく値との関係を示す基準発光データを前記各パラメータごとに作成する基準発光データ作成手段と、
前記パラメータの許容範囲に対応した、前記各対応波長の発光強度に基づく範囲である許容発光範囲を前記各パラメータごとに決定する許容発光範囲決定手段と、
前記被処理基板に前記処理を施す際に得られる前記プラズマ光の前記各対応波長の発光強度である処理中発光強度を算出する処理中発光強度算出手段と、
前記基準発光データに基づいて、前記処理中発光強度に応じた候補パラメータを前記各パラメータの中から選定する候補パラメータ選定手段と、
を備えることを特徴とする半導体製造条件設定装置。
【請求項４】
制御信号を受信することにより前記候補パラメータの値を制御するパラメータ値制御手段と、
前記処理中発光強度に基づく値が前記許容発光範囲を越えたときに、当該処理中発光強度に基づく値が前記許容発光範囲内になるまで前記パラメータ値制御手段に前記制御信号を送信するパラメータ値設定手段と、
を更に備えることを特徴とする請求項３記載の半導体製造条件設定装置。
【請求項５】
前記パラメータは、前記プラズマを生成するための高周波電力、前記プラズマを生成するための周波数、前記プラズマ内に含まれるイオン又はラジカルを前記被処理基板方向へ誘導するためのバイアス電圧、前記チャンバ内に流入するガスの流量、前記チャンバ内の圧力、前記プラズマを高密度に維持するための磁界の強さ、又は前記チャンバ内の温度のうちの少なくとも一つであることを特徴とする請求項３記載の半導体製造条件設定装置。
【請求項６】
チャンバ内にプラズマを発生させ、当該プラズマを使用して被処理基板に処理を施すことにより半導体基板を製造する半導体製造装置において、
請求項３〜請求項５の何れか一項記載の半導体製造条件設定装置を備え、
前記チャンバは、当該チャンバ内の前記プラズマ光を外部へ放出させるための監視窓を有し、
前記半導体製造条件設定装置の前記分光手段は、前記監視窓を通過した前記プラズマ光が入射する位置に配置されていることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項７】
前記監視窓は、曇り止め手段を備えていることを特徴とする請求項６記載の半導体製造装置。
【請求項８】
前記曇り止め手段は、前記監視窓を加熱するヒータであることを特徴とする請求項７記載の半導体製造装置。
【請求項９】
請求項６〜請求項８の何れか一項記載の半導体製造装置により前記処理を施されたことを特徴とする半導体基板。
【請求項１０】
プラズマを使用して被処理基板に処理を施す工程の条件を設定する方法であって、
前記プラズマの発光を分光する工程と、
分光された前記プラズマ光の各波長の発光強度を算出する工程と、
前記条件である複数のパラメータの値を増減変化させたときに当該パラメータの増減変化に伴って前記発光強度が変化する前記各波長の中から、少なくとも二以上の波長を対応波長として前記各パラメータごとに選択する工程と、
前記パラメータの値と、前記各対応波長の前記発光強度に基づく値との関係を示す基準発光データを前記各パラメータごとに作成する工程と、
前記パラメータの許容範囲に対応した、前記各対応波長の前記発光強度に基づく範囲である許容発光範囲を前記各パラメータごとに決定する工程と、
前記被処理基板に前記処理を施す際に得られる前記プラズマ光の前記各対応波長の発光強度である処理中発光強度を算出する工程と、
前記基準発光データに基づいて、前記処理中発光強度に応じた候補パラメータを前記各パラメータの中から選定する工程と、
前記処理中発光強度に基づく値が前記許容発光範囲を越えたときに、当該処理中発光強度に基づく値が前記許容発光範囲内になるまで前記候補パラメータの値を調整する工程と、
を備えることを特徴とするプラズマ処理における条件設定方法。
【請求項１１】
プラズマを使用して被処理基板に処理を施す工程の条件を設定する装置であって、
前記プラズマの発光を分光する分光手段と、
前記プラズマ光の分光方向に分解能を有し、分光された前記プラズマ光の各波長成分を受光するとともに当該プラズマ光の各波長の強度に応じた電気信号を出力する光検出手段と、
前記光検出手段から出力された電気信号に基づいて、前記プラズマ光の各波長の発光強度を算出する発光強度算出手段と、
前記条件である複数のパラメータの値を増減変化させたときに当該パラメータの増減変化に伴って前記発光強度が変化する前記各波長の中から、少なくとも二以上の波長を対応波長として前記各パラメータごとに選択する対応波長選択手段と、
前記パラメータの値と、前記各対応波長の前記発光強度に基づく値との関係を示す基準発光データを前記各パラメータごとに作成する基準発光データ作成手段と、
前記パラメータの許容範囲に対応した、前記各対応波長の発光強度に基づく範囲である許容発光範囲を前記各パラメータごとに決定する許容発光範囲決定手段と、
前記被処理基板に前記処理を施す際に得られる前記プラズマ光の前記各対応波長の発光強度である処理中発光強度を算出する処理中発光強度算出手段と、
前記基準発光データに基づいて、前記処理中発光強度に応じた候補パラメータを前記各パラメータの中から選定する候補パラメータ選定手段と、
を備えることを特徴とするプラズマ処理における条件設定装置。