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【手続補正書】
【提出日】平成26年5月21日(2014.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に誘電体膜を堆積する方法であって：
プロセスチャンバ内に複数の基板を設置する工程；
前記プロセスチャンバを400℃乃至650℃未満の堆積温度にまで加熱する工程；
前記プロセスチャンバへ水蒸気を含む第1プロセスガスを流入させる工程；
前記プロセスチャンバへジクロロシラン(DCS)を含む第2プロセスガスを流入させる工程；
ガス圧力を2Torr未満に設定する工程；及び、
前記第1プロセスガスと前記第2プロセスガスとを反応させて、非プラズマ化学気相成長によって前記複数の基板上にシリコン酸化膜を熱的に堆積する工程；
を有する方法。
【請求項２】
前記水蒸気を水素ガス(H2)と酸素ガス(O2)との燃焼によって前記プロセスチャンバの外部で生成する工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記シリコン酸化膜の生成後、窒素(N2)、一酸化窒素(NO)、亜酸化窒素(N2O)、酸素(O2)、及び/又は水(H2O)のうちの少なくとも1つを有する熱処理ガス内において上に前記シリコン酸化膜を有する前記基板を熱処理する工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記熱処理が、前記堆積温度よりも高い温度で実行される、請求項3に記載の方法。
【請求項５】
前記シリコン酸化膜の成長速度を制御するように前記第1プロセスガスと前記第2プロセスガスを流しながら、第1希釈ガスを前記プロセスチャンバへ流入させる工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記第1プロセスガスと前記第2プロセスガスを流しながら、一酸化窒素(NO)を含む第3プロセスガスを前記プロセスチャンバへ流入させる工程；及び
前記シリコン酸化膜と前記第3プロセスガスとを反応させることで、前記基板上にシリコン酸窒化膜を生成する工程；
をさらに有する、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
NOを含む前記第3プロセスガスが、前記プロセスチャンバの外部で前記第1プロセスガスに加えられる、請求項6に記載の方法。
【請求項８】
前記シリコン酸化膜の成長速度を制御するように前記第1プロセスガスと前記第2プロセスガスを流しながら、第1希釈ガスを前記プロセスチャンバへ流入させる工程；及び
前記シリコン酸化膜へのNの導入を制御するように前記第3プロセスガスを流しながら、第2希釈ガスを前記プロセスチャンバへ流入させる工程；
をさらに有する、請求項6に記載の方法。
【請求項９】
前記シリコン酸窒化膜の生成後、窒素(N2)、一酸化窒素(NO)、亜酸化窒素(N2O)、酸素(O2)、及び/又は水(H2O)のうちの少なくとも1つを有する熱処理ガス内において上に前記シリコン酸窒化膜を有する前記基板を熱処理する工程をさらに有する、請求項6に記載の方法。
【請求項１０】
前記熱処理が、前記堆積温度よりも高い温度で実行される、請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記シリコン酸窒化膜は、前記シリコン酸化膜よりも低い界面トラップ密度(Dit)を有する、請求項6に記載の方法。
【請求項１２】
基板上に誘電体膜を堆積する方法であって：
プロセスチャンバ内に複数の基板を設置する工程；
前記プロセスチャンバを400℃乃至650℃未満の堆積温度にまで加熱する工程；
前記プロセスチャンバへ水蒸気を含む第1プロセスガスを流入させる工程であって、前記水蒸気は水素ガス(H2)と酸素ガス(O2)との燃焼によって前記プロセスチャンバの外部で生成される、工程；
前記プロセスチャンバへジクロロシラン(DCS)を含む第2プロセスガスを流入させる工程；
前記プロセスチャンバ内でのガス圧力を2Torr未満に設定する工程；  
前記第1プロセスガスと前記第2プロセスガスとを反応させて、非プラズマ化学気相成長によって前記複数の基板上にシリコン酸化膜を熱的に堆積する工程；並びに、
前記シリコン酸化膜の生成後、窒素(N2)、一酸化窒素(NO)、亜酸化窒素(N2O)、酸素(O2)、及び/又は水(H2O)のうちの少なくとも1つを有する熱処理ガス内において上に前記シリコン酸化膜を有する前記基板を熱処理する工程であって、前記熱処理は前記堆積温度よりも高い温度で実行される、工程；
を有する方法。
【請求項１３】
前記シリコン酸化膜の成長速度を制御するように前記第1プロセスガスと前記第2プロセスガスを流しながら、第1希釈ガスを前記プロセスチャンバへ流入させる工程をさらに有する、請求項12に記載の方法。
【請求項１４】
基板上に誘電体膜を堆積する方法であって：
プロセスチャンバ内に複数の基板を設置する工程；
前記プロセスチャンバを400℃乃至650℃未満の堆積温度にまで加熱する工程；
前記プロセスチャンバへ水蒸気を含む第1プロセスガスを流入させる工程であって、前記水蒸気は水素ガス(H2)と酸素ガス(O2)との燃焼によって前記プロセスチャンバの外部で生成される、工程；
前記プロセスチャンバへジクロロシラン(DCS)を含む第2プロセスガスを流入させる工程；
前記プロセスチャンバ内でのガス圧力を2Torr未満に設定する工程；  
前記第1プロセスガスと前記第2プロセスガスとを反応させて前記複数の基板上にシリコン酸化膜を熱的に堆積する工程；並びに、
前記シリコン酸窒化膜の生成後、窒素(N2)、一酸化窒素(NO)、亜酸化窒素(N2O)、酸素(O2)、及び/又は水(H2O)のうちの少なくとも1つを有する熱処理ガス内において上に前記シリコン酸窒化膜を有する前記基板を熱処理する工程；
を有する方法。
【請求項１５】
前記熱処理が、前記堆積温度よりも高い温度で実行される、請求項14に記載の方法。
【請求項１６】
前記水蒸気を水素ガス(H2)と酸素ガス(O2)との燃焼によって前記プロセスチャンバの外部で生成する工程をさらに有する、請求項14に記載の方法。
【請求項１７】
前記シリコン酸化膜の成長速度を制御するように前記第1プロセスガスと前記第2プロセスガスを流しながら、第1希釈ガスを前記プロセスチャンバへ流入させる工程；及び
前記シリコン酸化膜への窒素の導入を制御するように前記第3プロセスガスを流しながら、第2希釈ガスを前記プロセスチャンバへ流入させる工程；
をさらに有する、請求項14に記載の方法。
【請求項１８】
NOを含む前記第3プロセスガスが、前記プロセスチャンバの外部で前記第1プロセスガスに加えられる、請求項14に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月2日(2014.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学量論的組成式Ｚｎ４Ｓｂ３を有する材料であって、Ｚｎ４Ｓｂ３のＺｎ原子の一部がＺｎ４Ｓｂ３のＺｎ原子に対する総量が２０モル％以下の、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｐｂ、遷移金属及び周期表の第１５族元素からなる群より選ばれた１以上の元素によって置換され得る材料を含む第１層（１０６）と、
第１電気接続部（１０２）と、
第２電気接続部（１０４）と、
前記第１層と異なり、Ｚｎを含む第２層（１０８）と、
を有する層構造を備える熱電デバイスの製造方法であって、
前記方法は、
前記第２層を前記第１電気接続部と前記第１層との間に挿入して、プレス金型の中で、前記第１電気接続部と前記第２電気接続部との間に前記第１層を設ける工程と、
焼結プレスを実行する工程と、
を有することを特徴とする、
熱電デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記第１層（１０６）と異なり、Ｚｎを含む第３層（１１０）を供給する工程と、
前記第１層と前記第２電気接続部との間に前記第３層を設ける工程と、
前記第３層を前記第１層に接合させるプレス工程と、
をさらに備える、
請求項１に記載の熱電デバイスの製造方法。
【請求項３】
プレス工程において、前記第１電気接続部が前記第２層に接合される、
請求項１に記載の熱電デバイスの製造方法。
【請求項４】
プレス工程において、前記第２電気接続部が前記第３層に接合される、
請求項２に記載の熱電デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記プレス工程において、前記第１電気接続部、前記第２層、前記第１層、前記第３層及び前記第２電気接続部を含むサンドイッチ構造が一緒に接合される、
請求項２に記載の熱電デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記焼結プレスにおいて、１ＭＰａから５００ＭＰａの範囲の圧力が印加される、
請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記焼結プレスにおいて、前記第１電気接続部及び前記第２電気接続部の少なくとも１つを５０℃から７００℃の範囲の温度にさらす、
請求項１から６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記焼結プレスにおいて、一軸ホットプレス、ドラック・シンター・プレス、又はホット均衡プレスのいずれか１つを用いる、
請求項１から７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記焼結プレスの長さが１−３６００分の範囲内である、
請求項１から８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記プレス工程もまた、焼結する工程である、
請求項２から５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１層が、前記焼結プレスの前に粉末を含み、前記第１層は、前記焼結プレスの後に、固形化したコヒーレントな素子である、
請求項１から１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
Ｚｎ含有混合物が前記第２層から前記第１層へとエレクトロマイグレーションすることを許容するべく、前記第１層と前記第２層とが、１以上のＺｎ含有混合物がエレクトロマイグレーションして通過する他の材料の中間電気伝導体によって接続されているか、又は、前記第１層と第２層とが、物理的及び電気的に直接接触している、
請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
Ｚｎ含有混合物が前記第１層にエレクトロマイグレーションして、前記第１層内でエレクトロマイグレーションしたＺｎ含有混合物を置換するべく、前記第１層と前記第２層とが、１以上のＺｎ含有混合物がエレクトロマイグレーションして通過する他の材料の中間電気伝導体によって接続されているか、又は、前記第１層と第２層とが、物理的及び電気的に直接接触している、
請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１層と前記第２層とが、１以上のＺｎ含有混合物がエレクトロマイグレーションして通過する他の材料の中間電気伝導体によって接続されているか、又は、前記第１層と第２層とが、物理的及び電気的に直接接触しており、所定の電圧勾配において、エレクトロマイグレーションすることが疑わしいＺｎ含有混合物の濃度と前記第２層における前記エレクトロマイグレーションの速度との積が、エレクトロマイグレーションすることが疑わしいＺｎ含有混合物の濃度と前記第１層における前記エレクトロマイグレーションの速度との積と、少なくとも同じ大きさであることにより、前記第１層と前記第２層との間の界面を通過するＺｎ含有混合物の量的数値が、前記第１層に向かう方向において、少なくとも、第１層内の仮想的な表面を同じ方向に通過するＺｎ含有混合物の量と同じ大きさである、前記第１層及び前記第２層が供給されている、
請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
第１電気接続部（１０２）及び第２電気接続部（１０４）の少なくとも１つが、銅、銀、タングステン、モリブデン、亜鉛からなる群より選択された伝導体を含む、
上記の請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１電気接続部（１０２）が亜鉛を含み、前記第２層（１０８）及び前記第１電気接続部が一体化された素子である、
上記の請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１層（１０６）が、Ｚｎ４Ｓｂ３のＺｎ原子に対する総量が２０モル％以下の、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｐｂ、遷移金属及び周期表の第１５族元素からなる群より選ばれた１以上の元素によって置換されたＺｎ４Ｓｂ３を含む、
上記の請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１層（１０６）が圧縮された粉末を含む、
上記の請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１電気接続部（１０２）及び前記第２電気接続部（１０４）のそれぞれと、前記第２層（１０８）とは、前記第１層（１０６）の形状に一致するように形成されている、
上記の請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
前記第２層（１０８）がＺｎを含む箔である、
上記の請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
前記第２層（１０８）が、少なくとも９９．０重量％のＺｎを含んでいる、
上記の請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
上記の請求項のいずれかによって定義される層構造を複数有する、
上記の請求項のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月9日(2014.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
折り返され小型化された第１及び第２のループアンテナを備える多入力多出力（ＭＩＭＯ）アンテナシステムであって、
該第１及び第２のループアンテナの各々は、長手方向に伸び、かつ導電性接地面を有する誘電体基板上で互いに平行に実装され、
前記導電性接地面は、前記第１及び第２のループアンテナの間には延在するが、前記第１及び第２のループアンテナは、前記誘電体基板上において前記導電性接地面が存在しない領域に実装され、
前記第１及び第２のループアンテナは、動作時において、第１及び第２の放射パターンを生成し、前記第１及び第２の放射パターンが０度より大きな角度だけ互いに異なる方向を向くように、前記第１及び第２のループアンテナの間の前記導電性接地面に電流を流す、多入力多出力（ＭＩＭＯ）アンテナシステム。
【請求項２】
前記第１及び第２のループアンテナは、前記誘電体基板上で互いに向かい合って実装される、請求項１に記載のアンテナシステム。
【請求項３】
前記第１及び第２のループアンテナのループは同軸である、請求項１又は２に記載のアンテナシステム。
【請求項４】
前記第１及び第２のループアンテナはそれぞれ導電性トラックのループとして形成され、前記導電性トラックは、第１及び第２のパッチを形成するように前記誘電体基板のエッジで該ループを折り返すことによって、前記誘電体基板上で小型化されるように形成される、請求項１〜３のいずれか一項に記載のアンテナシステム。
【請求項５】
前記第１及び第２のループアンテナはそれぞれ導電性トラックのループとして形成され、前記導電性トラックは、小型化されたループを形成するように、前記誘電体基板内のビアを介して電気的に接続される第１及び第２のパッチを形成することによって、前記誘電体基板上で小型化されるように形成される、請求項１〜３のいずれか一項に記載のアンテナシステム。
【請求項６】
前記第１及び第２のループアンテナはそれぞれ導電性トラックのループとして形成され、前記導電性トラックは、該導電性トラックを蛇行させるか、又は別の方法で折り返すことによって、前記誘電体基板上の単一の平面内で小型化されるように形成される、請求項１〜３のいずれか一項に記載のアンテナシステム。
【請求項７】
前記第１及び第２のループアンテナは構成及び／又は性能に関して互いに同一である、請求項１〜６のいずれか一項に記載のアンテナシステム。
【請求項８】
前記第１及び第２のループアンテナは構成及び／又は性能に関して互いに異なる、請求項１〜６のいずれか一項に記載のアンテナシステム。
【請求項９】
前記第１及び第２のループアンテナのそれぞれの第１の端部はＲＦ給電部に接続される、請求項１〜８のいずれか一項に記載のアンテナシステム。
【請求項１０】
前記第１及び第２のループアンテナのそれぞれの第２の端部はグラウンドに接続される、請求項１〜９のいずれか一項に記載のアンテナシステム。
【請求項１１】
前記第１及び第２のループアンテナのそれぞれの第１の端部及び第２の端部はいずれもグラウンドに接続され、前記第１及び第２のループアンテナのそれぞれに別個の駆動アンテナを更に備える、請求項１〜８のいずれか一項に記載のアンテナシステム。
【請求項１２】
前記第１及び第２のループアンテナのうちの少なくとも一方の前記第２の端部は、誘導性部材を介してグラウンドに接続される、請求項１０又は１１に記載のアンテナシステム。
【請求項１３】
前記第１及び第２のループアンテナのうちの少なくとも一方の前記第２の端部は、スイッチを介してグラウンドに接続され、前記スイッチによって、前記第２の端部とグラウンドとの間において少なくとも２つの異なる誘導性部材が選択的に切り替えられる、請求項１０又は１１に記載のアンテナシステム。
【請求項１４】
前記第１及び第２のループアンテナの間の相関係数ρｅは、所定の動作周波数帯にわたって０．５以下である、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のアンテナシステム。
【請求項１５】
動作時において、前記第１及び第２の放射パターンは少なくとも２０度より大きな角度だけ互いに異なる方向に向いている、請求項１〜１４のいずれか一項に記載のアンテナシステム。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか一項に記載のアンテナシステムを備え、コンピュータに接続されるドングル。
【請求項１７】
請求項１〜１５のいずれか一項に記載のアンテナシステムを備える移動電話ハンドセット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＭＩＭＯアンテナシステム
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月18日(2014.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表面及び反対側に位置する第２の表面を有する誘電体基板と、前記誘電体基板上に形成される導電性トラックとを有するループアンテナであって、
前記誘電体基板の前記第１の表面において互いに隣接した位置に給電点及び接地点が設けられ、前記導電性トラックは、前記給電点及び前記接地点からそれぞれ反対の方向に延在し、前記誘電体基板のエッジに沿って延在し、前記誘電体基板の前記第２の表面に至り、前記誘電体基板の前記第１の表面上で辿った経路に従う経路に沿って前記誘電体基板の前記第２の表面上に延在し、前記誘電体基板の前記第２の表面上に形成される導電性構成体の両側に接続し、前記導電性構成体は、前記誘電体基板の前記第２の表面上における前記導電性トラックによって形成されるループの中央部に延在し、前記導電性構成体は誘導性素子及び容量性素子の両方を含む、ループアンテナ。
【請求項２】
前記誘導性素子及び前記容量性素子は個別構成要素である、請求項１に記載のループアンテナ。
【請求項３】
前記誘導性素子及び前記容量性素子は分布構成要素である、請求項１に記載のループアンテナ。
【請求項４】
前記誘導性素子及び前記容量性素子は前記誘電体基板の前記第２の表面上におけるトラックとして、又は印刷された導電性エリアとして形成される、請求項３に記載のループアンテナ。
【請求項５】
前記誘導性素子及び前記容量性素子のうちの少なくとも幾つかは、導電性トラック間に形成されるスロットにより形成される、請求項３又は４に記載のループアンテナ。
【請求項６】
前記導電性トラックは、前記導電性構成体の各側に１つずつの、２つのアームを形成するように配置される、請求項１〜５のいずれか一項に記載のループアンテナ。
【請求項７】
前記２つのアームは対称に配置される、請求項６に記載のループアンテナ。
【請求項８】
前記２つのアームは対称には配置されていない、請求項６に記載のループアンテナ。
【請求項９】
一方のアームは他方のアームよりも長い、請求項８に記載のループアンテナ。
【請求項１０】
前記誘電体基板の前記第１の表面上の前記導電性トラックは、ビア又は穴によって、前記誘電体基板を貫通して前記第２の表面に至る、請求項１〜９のいずれか一項に記載のループアンテナ。
【請求項１１】
前記導電性トラックは前記誘電体基板の前記エッジにおいて一方の表面から他方の表面に至る、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のループアンテナ。
【請求項１２】
前記導電性トラックは、前記導電性構成体以外の部分において、前記誘電体基板の前記第１の表面と前記第２の表面との間で鏡面対称に形成される、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のループアンテナ。
【請求項１３】
前記導電性トラックは、負荷プレート以外の部分において、前記誘電体基板の前記第１の表面と前記第２の表面との間で鏡面対称に形成される、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のループアンテナ。
【請求項１４】
前記導電性トラックには、前記ループの前記中央部の方に延在するアーム又は突起部が設けられる、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のループアンテナ。
【請求項１５】
少なくとも１つの無給電放射素子が更に設けられる、請求項１〜１４のいずれか一項に記載のループアンテナ。
【請求項１６】
前記無給電放射素子は接地されている、請求項１５に記載のループアンテナ。
【請求項１７】
前記無給電放射素子は接地されていない、請求項１５に記載のループアンテナ。
【請求項１８】
マザーボードの接地面の空き領域上に実装される、請求項１〜１７のいずれか一項に記載のループアンテナ。
【請求項１９】
前記ループアンテナは、少なくとも１つのインダクタ、少なくとも１つのコンデンサ、少なくとも１つの或る長さの伝送ライン、及びこれらの直列又は並列の任意の組み合わせを含む群から選択された複合負荷を介して接地される、請求項１〜１８のいずれか一項に記載のループアンテナ。
【請求項２０】
前記ループアンテナの前記接地点は、前記アンテナが異なる周波数帯をカバーできるように、異なる複合負荷の間で切替可能である、請求項１９に記載のループアンテナ。
【請求項２１】
前記誘電体基板内に中央切欠き部が形成される、請求項１〜２０のいずれか一項に記載のループアンテナ。
【請求項２２】
中央ラインの両側における前記誘電体基板の前記第２の表面内に切取り部が形成される、請求項１〜２１のいずれか一項に記載のループアンテナ。
【請求項２３】
コネクタを配置できる空間を形成するように、前記誘電体基板を貫通して切取り部が形成される、請求項１〜２２のいずれか一項に記載のループアンテナ。
【請求項２４】
前記空間内に配置されるコネクタを更に有する、請求項２３に記載のループアンテナ。
【請求項２５】
前記誘電体基板上に実装される少なくとも１つの容量性スタブ又は誘導性スタブを更に有する請求項１〜２４のいずれか一項に記載のループアンテナ。
【請求項２６】
当該アンテナが主誘電体基板の一方の面上に実装され、前記主誘電体基板の他方の面上に対向して実装される別のアンテナと組み合わせて使用される、請求項１〜２５のいずれか一項に記載のループアンテナ。
【請求項２７】
前記別のアンテナはＦＭラジオアンテナである、請求項２６に記載のループアンテナ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ループアンテナ
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月7日(2014.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のネットワークに対するインターフェース、および第２のネットワークに対するインターフェースを備える受信装置において、マルチメディア・データを処理する方法であって、前記方法は、
前記第１のネットワークから、第１のトランスポート・プロトコルを介して、第１のマルチメディア・データを有する第１のフローを受信するステップであって、前記第１のフローは、前記第１のトランスポート・プロトコルの第１のコンポーネントのタイムライン情報を伝送する前記ステップと、
前記第２のネットワークから、第２のトランスポート・プロトコルを介して、第２のマルチメディア・データを有する第２のフローを受信するステップであって、前記第２のマルチメディア・データは、前記タイムライン情報を利用して、前記受信装置のリクエストによりプリロードされ、これを受信装置が、前記第１のマルチメディア・データと同期的に表示することを可能にする前記ステップと、
前記タイムライン情報を利用して、前記第１および第２のマルチメディア・データの表示を同期させるステップと、を含み、
前記方法は更に、前記第１のフローを受信するステップに先立ち、
前記第１のネットワークから、タイムラインの開始を表示するカウントダウン情報を受信するステップであって、前記カウントダウン情報は、前記第１のコンポーネントにおいて伝送される前記ステップと、
前記第１のフローの前記第１のマルチメディア・データが表示される前に、前記第２のマルチメディア・データをプリロードするステップであって、これにより前記第２のマルチメディア・データは、前記第１のマルチメディア・データと同期的に表示される前記ステップと、を含む前記方法。
【請求項２】
前記第１のトランスポート・プロトコルは、ＭＰＥＧ−２  ＴＳタイプである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のコンポーネントは、補助データを伝送するように構成された、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のコンポーネントは、ブロードキャスト・タイムライン記述子である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第２のトランスポート・プロトコルは、ＲＴＰタイプである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２のフローは、第２のトランスポート・プロトコルの第２のコンポーネントのタイムライン情報を伝送する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
受信装置であって、
第１のトランスポート・プロトコルを介して、マルチメディア・データを有する第１のフローを受信する第１のネットワークに対するインターフェースであって、前記第１のフローは、前記第１のトランスポート・プロトコルの第１のコンポーネントのタイムライン情報を伝送する、前記第１のネットワークに対するインターフェースと、
第２のトランスポート・プロトコルを介して、マルチメディア・データを有する第２のフローを受信する第２のネットワークに対するインターフェースであって、前記第２のマルチメディア・データは、前記タイムライン情報を利用して、前記受信装置のリクエストによりプリロードされ、これを受信装置が、前記第１のマルチメディア・データと同期的に表示することを可能にする、前記第２のネットワークに対するインターフェースと、
同期装置と、を備え、
前記同期装置は、
タイムライン情報を利用して、前記第１および第２のマルチメディア・データの表示を同期させ、
前記第１のネットワークから、タイムラインの開始を表示するカウントダウン情報を受信し、前記カウントダウン情報は、前記第１のコンポーネントにおいて伝送され、
前記同期装置は更に、
前記第１のフローの前記第１のマルチメディア・データが表示される前に、前記第２のマルチメディア・データをプリロードし、これにより前記第２のマルチメディア・データは、第１のマルチメディア・データと同期的に表示される、前記受信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月30日(2014.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを送信するためのデバイスにおいて、
サーバからデータと関連付けられたショートコードを受信するよう構成された受信機と、
前記ショートコードを可聴的に一意な形式の信号に符号化するよう構成されたエンコーダと、
可聴音声の再生成のために前記信号を送信するよう構成された送信機とを含み、前記ショートコードはグローバルに一意であることを特徴とするデバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のデバイスにおいて、前記ショートコードは、前記データのインデックスであることを特徴とするデバイス。
【請求項３】
請求項１乃至２の何れか１項に記載のデバイスにおいて、前記信号は、音楽記述言語形式であることを特徴とするデバイス。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか１項に記載のデバイスにおいて、送信する前記データをユーザが決定することができるよう構成されたユーザ入力デバイスと、前記データを前記サーバに送信するよう構成されたトランシーバとをさらに含むことを特徴とするデバイス。
【請求項５】
データを受信するためのデバイスにおいて、
マイクロホンで検出された音声信号を受信するよう構成された受信機と、
前記音声信号をショートコードに復号するよう構成されたデコーダと、
前記ショートコードを使用して、サーバで前記ショートコードと関連付けられたデータにアクセスするよう構成されたトランシーバとを含み、前記ショートコードはグローバルに一意であることを特徴とするデバイス。
【請求項６】
請求項５に記載のデバイスにおいて、前記データにアクセスするステップは、前記データを前記デバイスに回収するステップを含むことを特徴とするデバイス。
【請求項７】
請求項５乃至６の何れか１項に記載のデバイスにおいて、前記音声信号は、請求項１乃至４の何れか１項に記載のデバイスから受信することを特徴とするデバイス。
【請求項８】
データを送信するためのサーバにおいて、
ショートコードをデータと関連付けるよう構成されたプロセッサと、
前記関連付けを格納するよう構成されたメモリと、
前記ショートコードを可聴的に一意な形式の信号に符号化するよう構成されたエンコーダと、
可聴音声の再生成のためにデバイスに前記信号を送信するよう構成された送信機と
を含み、
前記ショートコードはグローバルに一意であることを特徴とするサーバ。
【請求項９】
請求項８に記載のサーバにおいて、第２のデバイスから前記ショートコードを受信するよう構成された受信機と、前記受信したショートコードと関連付けられた前記データへのアクセスを前記第２のデバイスに提供するよう構成されたプロセッサとをさらに含むことを特徴とするサーバ。
【請求項１０】
データを送信するためのデバイスにおいて、
請求項１乃至４の何れか１項に記載のデバイスまたは請求項８乃至９の何れか１項に記載のサーバによって生成された信号を格納するよう構成されたメモリと、
前記格納された信号から音声信号を生成するよう構成された音声出力と
を含むことを特徴とするデバイス。
【請求項１１】
データを送信するための方法において、
ａ）サーバからデータと関連付けられたショートコードを受信するステップと、
ｂ）前記ショートコードを可聴的に一意な形式の信号に符号化するステップと、
ｃ）可聴音声の再生成のために前記信号を送信するステップとを含み、前記ショートコードはグローバルに一意であることを特徴とする方法。
【請求項１２】
データを受信するための方法において、
ａ）マイクロホンを介して音声信号を受信するステップと、
ｂ）前記音声信号をショートコードに復号するステップと、
ｃ）前記ショートコードを使用して、サーバで前記ショートコードと関連付けられたデータにアクセスするステップとを含み、前記ショートコードはグローバルに一意であることを特徴とする方法。
【請求項１３】
データを送信するための方法において、
ａ）ショートコードをデータと関連付けるステップと、
ｂ）前記ショートコードを可聴的に一意な形式の信号に符号化するステップと、
ｃ）可聴音声の再生成のためにデバイスに前記信号を送信するステップとを含み、前記ショートコードはグローバルに一意であることを特徴とする方法。
【請求項１４】
データを通信するためのシステムにおいて、
ショートコードをデータと関連付けるよう構成されたプロセッサ、および、
前記関連付けを格納するよう構成されたメモリ
を含むサーバと、
前記ショートコードを可聴的に一意な形式の信号に符号化するよう構成されたエンコーダと、
スピーカ、および、
前記スピーカ上での可聴音声の再生成のために前記信号を送信するよう構成された送信機
を含む第１のデバイスと、
マイクロホン、
前記マイクロホンで検出された音声信号を受信するよう構成された受信機、
前記音声信号をショートコードに復号するよう構成されたデコーダ、および、
前記ショートコードを使用して、サーバで前記ショートコードと関連付けられたデータにアクセスするよう構成されたトランシーバと
を含む第２のデバイスと
を含み、
前記ショートコードはグローバルに一意であることを特徴とするシステム。
【請求項１５】
請求項１１乃至１４の何れか１項に記載の方法を実行するよう構成されることを特徴とするコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月3日(2014.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主正面と主背面を備え、前記主正面には第１のディスプレイ画面が配置され、前記主背面には前記第１のディスプレイ画面とは異なる第２のディスプレイ画面が配置され、
前記第２のディスプレイ画面は、双安定性ディスプレイ画面であり、
前記双安定性ディスプレイ画面は、それが配置されている前記装置の主背面の面積の７０％以上を占めることを特徴とするバー形態のディスプレイ装置。
【請求項２】
前記双安定性ディスプレイ画面は、それが配置されている前記装置の主背面の面積の８０％以上を占めることを特徴とする請求項１に記載のバー形態のディスプレイ装置。
【請求項３】
前記双安定性ディスプレイ画面は、それが配置されている前記装置の主背面の面積の９０％以上を占めることを特徴とする請求項１に記載のバー形態のディスプレイ装置。
【請求項４】
前記双安定性ディスプレイ画面は、それが配置されている前記装置の主背面の面積の９５％以上を占めることを特徴とする請求項１に記載のバー形態のディスプレイ装置。
【請求項５】
前記双安定性ディスプレイ画面は、双安定性アクティブマトリクス型で高解像度のディスプレイ画面であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載のバー形態のディスプレイ装置。
【請求項６】
前記双安定性ディスプレイ画面は、電子インクの双安定性ディスプレイ画面であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載のバー形態のディスプレイ装置。
【請求項７】
前記第２のディスプレイ画面は、ガラスの下に設けられた電子ペーパーディスプレイであることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載のバー形態のディスプレイ装置。
【請求項８】
前記第２のディスプレイ画面に、干渉変調技術を用いることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載のバー形態のディスプレイ装置。
【請求項９】
装置外観は、前記双安定性ディスプレイ画面に表示される内容を変更することによって、変更可能であることを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載のバー形態のディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記装置外観は、コンテキスト関連性を有することを特徴とする請求項９に記載のバー形態のディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記コンテキスト関連性を有する装置外観は、場所に基づく広告を含むことを特徴とする請求項１０に記載のバー形態のディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記コンテキスト関連性を有する装置外観は、場所に基づく検索結果を含むこと特徴とする請求項１０又は１１に記載のバー形態のディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記装置外観は、異なる電話ケースの外観が与えられるように変更可能であることを特徴とする請求項９に記載のバー形態のディスプレイ装置。
【請求項１４】
前記背面は、装置ケースの一部のように見えることを特徴とする請求項９に記載のバー形態のディスプレイ装置。
【請求項１５】
前記第２のディスプレイ画面は、約４インチの画面サイズに対して、３００ｍＡｈの電気量を使用して、少なくとも約１０００回の全画面の更新を提供することを特徴とする請求項１乃至１４の何れか１項に記載のバー形態のディスプレイ装置。
【請求項１６】
前記第２のディスプレイ画面は、双安定性状態の場合、電力を消費しないか、又は電力を必要としないことを特徴とする請求項１乃至１５の何れか１項に記載のバー形態のディスプレイ装置。
【請求項１７】
前記装置は、オフ状態又は省電力通知モードで、画像を表示することを特徴とする請求項１乃至１７の何れか１項に記載のバー形態のディスプレイ装置。
【請求項１８】
前記第２のディスプレイ画面の出力として、インタラクション、コントロール、ユースケース、パーソナリゼーション、ウィジェット、プライバシーのうちの一つ以上が提供されることを特徴とする請求項１に記載のバー形態のディスプレイ装置。
【請求項１９】
前記第２のディスプレイ画面の出力として、ソーシャルネットワークの画面が提供されることを特徴とする請求項１に記載のバー形態のディスプレイ装置。
【請求項２０】
前記第２のディスプレイへ画面の出力として、ソーシャルアグリゲータの出力又はソーシャルネットワークの出力が提供されることを特徴とする請求項１に記載のバー形態のディスプレイ装置。
【請求項２１】
前記ソーシャルアグリゲータの出力又はソーシャルネットワークの出力は、フェイスブック（登録商標）のページであることを特徴とする請求項２０に記載のバー形態のディスプレイ装置。
【請求項２２】
前記装置は、第２の双安定性画面を含むことを特徴とする請求項１乃至２１の何れか１項に記載のバー形態のディスプレイ装置。
【請求項２３】
前記装置は、持ち運び可能であることを特徴とする請求項１乃至２２の何れか１項に記載のバー形態のディスプレイ装置。
【請求項２４】
前記装置は、携帯電話、ポータブルデジタルアシスタント、ラップトップ、デジタルオーディオプレーヤー、又はタブレットコンピュータであることを特徴とする請求項１乃至２３の何れか１項に記載のバー形態のディスプレイ装置。
【請求項２５】
前記装置は、へこんだ正面と張り出した背面とを含むことを特徴とする請求項１乃至２４の何れか１項に記載のバー形態のディスプレイ装置。
【請求項２６】
前記正面と前記背面の湾曲の大きさは、同一又は類似であることを特徴とする請求項２５に記載のバー形態のディスプレイ装置。
【請求項２７】
前記正面と前記背面の湾曲は、円柱状であることを特徴とする請求項２５又は２６に記載のバー形態のディスプレイ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月3日(2014.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンビソニックス係数を含む高次アンビソニックスHOAオーディオ・データのためのデータ構造であって、当該データ構造は異なるHOAオーディオ・データ・ストリーム記述についての2Dおよび／または3D空間的オーディオ・コンテンツ・データを含み、当該データ構造は「3」より大きな次数をもつHOAオーディオ・データについても好適であり、当該データ構造はさらに、固定したまたは時間変化する空間位置からの単独オーディオ信号源データおよび／またはマイクロホン・アレイ・オーディオ・データを含むことができ、
前記異なるHOAオーディオ・データ・ストリーム記述は、異なるスピーカー位置密度と、符号化されたHOA波型、HOA次数およびHOA次元性のうち少なくとも一つとに関係しており、
あるHOAオーディオ・データ・ストリーム記述は呈示サイトの明確に区別される領域に位置される密なスピーカー配置での呈示のためのオーディオ・データを含み、別のHOAオーディオ・データ・ストリーム記述は前記呈示サイトを囲むそれほど密でないスピーカー配置での呈示のためのオーディオ・データを含む、
データ構造。
【請求項２】
前記密なスピーカー配置のための前記オーディオ・データは球面波および第一のアンビソニックス次数を表し、前記それほど密でないスピーカー配置のための前記オーディオ・データは平面波および／または前記第一のアンビソニックス次数より小さな第二のアンビソニックス次数を表す、請求項２記載のデータ構造。
【請求項３】
前記データ構造は、オーディオ・シーンのトラックが任意の時点に開始および終了できるシーン記述のはたらきをする、請求項１または２記載のデータ構造。
【請求項４】
当該データ構造が：
・聴取領域の外側または内側のオーディオ源に関係する関心領域；
・球面基底関数の規格化；
・伝搬の方向性；
・アンビソニックス係数スケーリング情報；
・アンビソニックス波型、たとえば平面か球面か；
・球面波の場合、デコードのための基準半径
に関するデータ項目を含む、請求項１ないし３のうちいずれか一項記載のデータ構造。
【請求項５】
前記アンビソニックス係数が複素係数である、請求項１ないし４のうちいずれか一項記載のデータ構造。
【請求項６】
当該データ構造が、一つまたは複数のマイクロホンについての方向および特性に関するメタデータを含むおよび／または単独源入力信号についての少なくとも一つのエンコード・ベクトルを含む、請求項１ないし５のいずれか一項記載のデータ構造。
【請求項７】
前記アンビソニックス係数の少なくとも一部が帯域幅削減され、それにより異なるHOA次数について関係するアンビソニックス係数の帯域幅が異なる（１２２１−１２２Ｎ）、請求項１ないし６のうちいずれか一項記載のデータ構造。
【請求項８】
前記帯域幅削減がMDCT処理（１４３１−１４３Ｍ）に基づく、請求項７記載のデータ構造。
【請求項９】
請求項１ないし８のうちいずれか一項記載のデータ構造のためにデータをエンコードし、配置する方法。
【請求項１０】
オーディオ呈示の方法であって、少なくとも二つの異なるHOAオーディオ・データ信号を含む高次アンビソニックスHOAオーディオ・データ・ストリームが受領され、前記信号のうち少なくとも第一のものが呈示サイトの明確に区別される領域に位置される密なスピーカー配置での呈示のために使われ（２３１、２３２）、前記信号のうち少なくとも第二の、異なるものが前記呈示サイトを囲むそれほど密でないスピーカー配置での呈示のために使われる（２４１、２４２、２４３）、方法。
【請求項１１】
前記密なスピーカー配置のための前記オーディオ・データは球面波および第一のアンビソニックス次数を表し、前記それほど密でないスピーカー配置のための前記オーディオ・データは平面波および／または前記第一のアンビソニックス次数より小さな第二のアンビソニックス次数を表す、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記呈示サイトが映画館における聴取領域または着席領域である、請求項１もしくは２記載のデータ構造。
【請求項１３】
前記呈示サイトが映画館における聴取領域または着席領域である、請求項１０または１１記載の方法。
【請求項１４】
請求項１０または１１記載の方法を実行するよう適応された装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月24日(2014.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰＮＰ ＢＪＴとＰチャネル金属酸化物半導体（ＰＭＯＳ）トランジスタとを含む集積回路を形成するプロセスであって、
前記ＰＮＰ ＢＪＴのエミッタ領域と前記ＰＭＯＳトランジスタのソース及びドレイン領域の上で、前記集積回路の基板のシリコン頂部領域の上面の上にインプラントスクリーン誘電体層を形成することと、
前記エミッタ領域と前記ソース及びドレイン領域を露出させるように前記インプラントスクリーン誘電体層の上にインプラントマスクを形成することと、
前記集積回路の前記基板を基板チャックに接触させることと、
前記集積回路の前記基板が５℃又はそれより低温の温度まで冷却されるように前記基板チャックを冷却することと、
前記基板が５℃又はそれより低温まで冷却される間に、Ｐ型ドーパントを前記エミッタ領域と前記ソース及びドレイン領域とに同時にイオン注入することと、
を含み、
前記Ｐ型ドーパント、及び前記Ｐ型ドーパントのドーズ量が、
少なくとも１×１０１６原子／ｃｍ２のドーズ量のボロンと、
少なくとも７×１０１３原子／ｃｍ２のドーズ量のガリウムと、
少なくとも６×１０１３原子／ｃｍ２のドーズ量のインジウムと、
これらの任意の組み合わせとから成る群から選択される、プロセス。
【請求項２】
請求項１に記載のプロセスであって、
前記インプラントスクリーン誘電体層が少なくとも８０パーセントの二酸化シリコンを含む、プロセス。
【請求項３】
請求項１に記載のプロセスであって、
前記インプラントスクリーン誘電体層が少なくとも１５ナノメーターの厚さである、プロセス。
【請求項４】
請求項１に記載のプロセスであって、
前記インプラントマスクがフォトレジストで形成される、プロセス。
【請求項５】
請求項１に記載のプロセスであって、
前記Ｐ型ドーパントをイオン注入する工程が、前記エミッタ領域と前記ソース及びドレイン領域における前記シリコン頂部領域の前記上面において、シリコン材料を少なくとも１５ナノメートルの深さまで非晶化する、プロセス。
【請求項６】
請求項１に記載のプロセスであって、
前記基板チャックを冷却する工程が、前記基板チャックを通して冷却液体を流すことにより行われる、プロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月24日(2014.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的導電性材料を含むキャパシタ下部プレートと、
前記キャパシタ下部プレートの上に形成される二酸化シリコンのキャパシタ誘電体層であって、前記キャパシタ誘電体層内のリン、シリコン及び酸素以外の原子の全濃度が１×１０１８原子／ｃｍ３より小さくなるように、前記キャパシタ誘電体層が、１．７×１０２０〜２．３×１０２０原子／ｃｍ３のリン濃度を有する、前記キャパシタ誘電体層と、
前記キャパシタ誘電体層の上に形成されるキャパシタ上部プレートであって、電気的導電性材料を含む、前記キャパシタ上部プレートと、
を含む、キャパシタ。
【請求項２】
請求項１に記載のキャパシタであって、
前記キャパシタ誘電体層が４５〜５５ナノメートル厚みである、キャパシタ。
【請求項３】
請求項１に記載のキャパシタであって、
前記キャパシタ下部プレートが多結晶シリコンを含む、キャパシタ。
【請求項４】
請求項３に記載のキャパシタであって、
前記キャパシタ上部プレートが、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＳｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、ＴａＳｉＮ、Ｗ、ＷＮ、ＷＳｉＮ及びそれらの任意の組み合わせから成るグループから選択される材料を含む、キャパシタ。
【請求項５】
請求項１に記載のキャパシタであって、
前記キャパシタ下部プレートが、アルミニウム、銅及び金から成るグループから選択される金属を含む、キャパシタ。
【請求項６】
基板と、
前記基板の上に形成されるキャパシタと、
を含む、集積回路であって、
前記キャパシタが、
前記基板の上に形成されるキャパシタ下部プレートであって、電気的導電性材料を含む、前記キャパシタ下部プレートと、
前記キャパシタ下部プレートの上に形成される二酸化シリコンのキャパシタ誘電体層であって、前記キャパシタ誘電体層内のリン、シリコン及び酸素以外の原子の全濃度が１×１０１８原子／ｃｍ３より小さくなるように、前記キャパシタ誘電体層が１．７×１０２０原子／ｃｍ３〜２．３×１０２０原子／ｃｍ３のリン濃度を有する、前記キャパシタ誘電体層と、
前記キャパシタ誘電体層の上に形成されるキャパシタ上部プレートであって、電気的導電性材料を含む、前記キャパシタ上部プレートと、
を含む、回路。
【請求項７】
請求項６に記載の回路であって、
前記基板の上に形成される金属酸化物半導体（ＭＯＳ）トランジスタを更に含み、
前記トランジスタが、前記キャパシタ下部プレートと同じ材料で形成されるトランジスタゲート電極を含む、回路。
【請求項８】
請求項６に記載の回路であって、
前記キャパシタ誘電体層が４５〜５５ナノメートル厚みである、回路。
【請求項９】
請求項６に記載の回路であって、
前記基板の上面において形成されるフィールド酸化物の要素を更に含み、
前記キャパシタ下部プレートが前記フィールド酸化物要素上に形成され、前記キャパシタ下部プレートが多結晶シリコンを含む、回路。
【請求項１０】
請求項９に記載の回路であって、
前記キャパシタ上部プレートが、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＳｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、ＴａＳｉＮ、Ｗ、ＷＮ、ＷＳｉＮ及びそれらの任意の組み合わせから成るグループから選択される材料を含む、回路。
【請求項１１】
請求項６に記載の回路であって、
前記集積回路が、前記基板の上に形成される相互接続誘電体層を更に含み、
金属相互接続ラインが前記相互接続誘電体層上に形成され、
前記キャパシタ下部プレートが、前記金属相互接続ラインと同時に前記相互接続誘電体層上に形成され、更に
前記キャパシタ下部プレートが、アルミニウム、銅及び金から成るグループから選択される金属を含む、回路。
【請求項１２】
集積回路を形成するプロセスであって、
基板を提供することと、
前記基板の上にキャパシタを形成することと、
を含み、
前記キャパシタを形成することが、
前記基板の上にキャパシタ下部プレートを形成する工程であって、前記キャパシタ下部プレートが電気的導電性材料を含む、前記キャパシタ下部プレートを形成する工程と、
前記キャパシタ下部プレートの上に二酸化シリコンのキャパシタ誘電体層を形成する工程であって、前記キャパシタ誘電体層内のシリコン及び酸素以外の原子の全濃度が１×１０１８原子／ｃｍ３より小さくなるようにする、前記キャパシタ誘電体層を形成する工程と、
前記キャパシタ誘電体層において１．７×１０２０原子／ｃｍ３〜２．３×１０２０原子／ｃｍ３のリン濃度を提供するように、前記キャパシタ誘電体層内にリンを置く工程と、
前記キャパシタ誘電体層の上にキャパシタ上部プレートを形成する工程であって、前記キャパシタ上部プレートが電気的導電性材料を含む、前記キャパシタ上部プレートを形成する工程と、
を含むプロセスによる、プロセス。
【請求項１３】
請求項１２に記載のプロセスであって、
キャパシタ下部プレートを形成する前記工程が、トランジスタのゲート電極を同時に形成する、プロセス。
【請求項１４】
請求項１３に記載のプロセスであって、
リンを置く前記工程において、前記キャパシタ誘電体層におけるリンの全ドーズ量が、８．５×１０１４原子／ｃｍ２〜１．１５×１０１４原子／ｃｍ２であるように、且つ、注入されたリンの分布のピークが前記キャパシタ誘電体層のほぼ中央に置かれるように、イオン注入プロセスによって実行される、プロセス。
【請求項１５】
請求項１２に記載のプロセスであって、
リンを置く前記工程が、３００℃より高い温度でリン含有ガスに前記集積回路をさらすことにより行われる、プロセス。
【請求項１６】
請求項１２に記載のプロセスであって、
リンを置く前記工程が、リン含有プラズマに前記集積回路をさらすことにより行われる、プロセス。
【請求項１７】
請求項１４に記載のプロセスであって、
前記集積回路を形成する前記プロセスが、前記基板の上面においてフィールド酸化物の要素を形成する工程を更に含み、
前記キャパシタ下部プレートを形成する前記工程が、前記キャパシタ下部プレートが前記フィールド酸化物要素上の多結晶シリコンで形成されるように実行される、プロセス。
【請求項１８】
請求項１７に記載のプロセスであって、
前記キャパシタ上部プレートが、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＳｉＮ、Ｔａ、ＴａＳｉＮ、Ｗ、ＷＮ、ＷＳｉＮ及びそれらの任意の組み合わせから成るグループから選択される材料を含む、プロセス。
【請求項１９】
請求項１２に記載のプロセスであって、
前記基板の上に相互接続誘電体層を形成することと、
前記相互接続誘電体層上に金属相互接続ラインを形成することと、
を更に含み、
前記キャパシタ下部プレートが、前記金属相互接続ラインと同時に前記相互接続誘電体層上に形成され、
前記キャパシタ下部プレートが、アルミニウム、銅及び金から成るグループから選択される金属を含む、プロセス。
【請求項２０】
請求項１２に記載のプロセスであって、
前記基板上にゲート誘電体層を形成することと、
前記ゲート誘電体層上にＭＯＳゲートを形成することと、
前記基板に前記ＭＯＳゲートに隣接してソース及びドレイン領域を形成することと、
を更に含む、プロセス。