【手続補正書】
【提出日】平成26年3月13日(2014.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のページを有するブロックを含み、各ページが複数のセクタを含むように論理的に構成されたマルチレベルセルフラッシュメモリの管理方法であって、
前記ブロックを構成する前記複数のページに属する各ページ内にパリティセクタを選択し、
前記ブロックを構成する前記ページを２またはそれ以上のグループに割り当て、各グループに前記グループのパリティページとしてのページを選択し、
各ページに対して、前記ページの前記セクタに格納されたデータに対するセクタパリティ値を算出し、前記ページの前記パリティセクタに前記セクタパリティ値を格納し、
前記ブロックを構成する前記ページのうちそれぞれのグループに属する前記ページに格納されたデータのグループパリティ値を算出し、前記それぞれのグループの前記パリティページに前記グループパリティ値を格納する、
ことを特徴とする管理方法。
【請求項２】
さらに、前記ブロックを構成するページのそれぞれのグループに対する前記グループパリティ値を算出することを繰り返すことを特徴とする請求項１に記載のフラッシュメモリの管理方法。
【請求項３】
各ページの前記セクタにそれぞれセクタ番号が割り当てられており、
さらに、前記ブロックに対する列パリティページを選び、前記ブロックを構成する前記ページの前記セクタ番号を有する全てのセクタに対する列パリティを各セクタ番号に対して算出することを特徴とする請求項２に記載のフラッシュメモリの管理方法。
【請求項４】
各マルチレベルセルは、前記ブロックの少なくとも２つのページによって共有されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のフラッシュメモリの管理方法。
【請求項５】
各マルチレベルセルを共有する前記ページは、異なるグループに割り当てられることを特徴とする請求項４に記載のフラッシュメモリの管理方法。
【請求項６】
前記グループはそれぞれグループ番号を割り当てられており、前記各マルチレベルセルを共有する前記ページは、連続するグループ番号を割り当てられることを特徴とする請求項５に記載のフラッシュメモリの管理方法。
【請求項７】
１またはそれ以上の前記グループは、それぞれ、ページ数の半分を前記ブロックの残りの前記グループから割り当てるように割り当てられることを特徴とする請求項６に記載のフラッシュメモリの管理方法。
【請求項８】
各ページが複数のセクタを含み、それぞれ複数のページを有する１またはそれ以上のブロックにおいて論理的に構成されたマルチレベルセルフラッシュメモリの管理方法であって、
パリティブロックを識別し、
それぞれのブロックを構成する各ページ内にパリティセクタを選択し、
前記それぞれのブロックを構成する前記ページを複数のグループに割り当て、
前記それぞれのブロックを構成する各ページに対して、前記ページのセクタに格納されたデータに対するセクタパリティ値を算出し、前記ページのパリティセクタ内に前記セクタパリティ値を格納し、
前記それぞれのブロックのグループに属する全てのページへのデータ書き込みに先だって、前記それぞれのブロックのグループに属する複数のページを含み前記グループに属するページのサブセットに対するサブセットグループパリティを算出し、
前記パリティブロック内に前記サブセットグループパリティを格納する、
ことを特徴とする管理方法。
【請求項９】
前記それぞれのブロックを構成する前記グループは第１のグループを有し、前記第１のグループに属するページの前記サブセットは前記第１のグループに属するページの第１のサブセットを有し、
前記方法は、さらに、前記第１のグループと異なる第２のグループに属するページの第２のサブセットに対して算出して格納することを繰り返す、
ことを特徴とする請求項８に記載の管理方法。
【請求項１０】
各ページの前記セクタにそれぞれセクタ番号が割り当てられており、
前記方法は、さらに、列パリティページを選択し、前記それぞれのブロックに属する前記ページに前記セクタ番号が割り当てられた全てのセクタに対する列パリティを各セクタ番号に対して算出する、ことを特徴とする請求項８または９に記載の管理方法。
【請求項１１】
マルチレベルセルフラッシュメモリの複数のマルチレベルセルに属する各マルチレベルセルが、同一グループの２ページによって共有されていることを特徴とする請求項８から１０のいずれかに記載の管理方法。    
【請求項１２】
前記それぞれのグループに属するページの前記サブセットに対する前記サブセットグループパリティは、前記それぞれのグループに属するページにデータが完全に書き込まれた後で消去されることを特徴とする請求項８から１１のいずれかに記載の管理方法。
【請求項１３】
前記それぞれのグループに属するページの前記サブセットに対する前記サブセットグループパリティは、前記それぞれのグループに属するページにデータが完全に書き込まれた後で保存されることを特徴とする請求項８から１１のいずれかに記載の管理方法。
【請求項１４】
前記それぞれのグループに属するページの前記サブセットに対する前記サブセットグループパリティは、前記それぞれのグループに属する前記ページのうちの半数のページのデータから算出されることを特徴とする請求項８から１３のいずれかに記載の管理方法。
【請求項１５】
複数のページを有するブロックを含み、各ページが複数のセクタを含むように論理的に構成されたマルチレベルセルフラッシュメモリデータ記憶デバイスであって、
前記ブロックを構成する前記複数のページに属する各ページ内にパリティセクタを選択する手段と、
前記ブロックを構成する前記ページを２またはそれ以上のグループに割り当てると共に各グループに前記グループのパリティページとしてのページを選択する手段と、
各ページに対して、前記ページの前記セクタに格納されたデータに対するセクタパリティ値を算出すると共に前記ページの前記パリティセクタに前記セクタパリティ値を格納する手段と、
前記ブロックを構成する前記ページのうちそれぞれのグループに属する前記ページに格納されたデータのグループパリティ値を算出すると共に、前記それぞれのグループの前記パリティページに前記グループパリティ値を格納する手段と、
を備えることを特徴とするマルチレベルセルデータ記憶デバイス。
【請求項１６】
さらに、前記ブロックを構成するページのそれぞれのグループに対する前記グループパリティ値を算出することを繰り返す手段を備えることを特徴とする請求項１５に記載のマルチレベルセルデータ記憶デバイス。
【請求項１７】
各ページの前記セクタにそれぞれセクタ番号が割り当てられており、
さらに、前記ブロックに対する列パリティページを選ぶと共に、前記ブロックを構成する前記ページの前記セクタ番号を有する全てのセクタに対する列パリティを各セクタ番号に対して算出する手段を有することを特徴とする請求項１６に記載のマルチレベルセルデータ記憶デバイス。
【請求項１８】
各マルチレベルセルは、前記ブロックの少なくとも２つのページによって共有されていることを特徴とする請求項１５から１７のいずれかに記載のマルチレベルセルデータ記憶デバイス。    
【請求項１９】
各マルチレベルセルを共有する前記ページは、異なるグループに割り当てられることを特徴とする請求項１８に記載のマルチレベルセルデータ記憶デバイス。
【請求項２０】
前記グループはそれぞれグループ番号を割り当てられており、前記各マルチレベルセルを共有する前記ページは、連続するグループ番号を割り当てられることを特徴とする請求項１９に記載のマルチレベルセルデータ記憶デバイス。
【請求項２１】
１またはそれ以上の前記グループは、それぞれ、ページ数の半分を前記ブロックの残りの前記グループから割り当てるように割り当てられることを特徴とする請求項２０に記載のマルチレベルセルデータ記憶デバイス。
【請求項２２】
各ページが複数のセクタを含み、それぞれ複数のページを有する１またはそれ以上のブロックにおいて論理的に構成されたマルチレベルセルフラッシュメモリデータ記憶デバイスであって、
パリティブロックを識別する手段と、
それぞれのブロックを構成する各ページ内にパリティセクタを選択する手段と、
前記それぞれのブロックを構成する前記ページを複数のグループに割り当てる手段と、
前記それぞれのブロックを構成する各ページに対して、前記ページのセクタに格納されたデータに対するセクタパリティ値を算出すると共に前記ページのパリティセクタ内に前記セクタパリティ値を格納する手段と、
前記それぞれのブロックのグループに属する全てのページへのデータ書き込みに先だって、前記それぞれのブロックのグループに属する複数のページを含み前記グループに属するページのサブセットに対するサブセットグループパリティを算出する手段と、
前記パリティブロック内に前記サブセットグループパリティを格納する手段と、
を備えること特徴とする、マルチレベルセルフラッシュメモリデータ記憶デバイス。
【請求項２３】
前記それぞれのブロックを構成する前記グループは第１のグループを有し、前記第１のグループに属するページの前記サブセットは前記第１のグループに属するページの第１のサブセットを有し、
さらに、前記第１のグループと異なる第２のグループに属するページの第２のサブセットに対して算出して格納することを繰り返す手段を備えることを特徴とする、請求項２２に記載のマルチレベルセルフラッシュメモリデータ記憶デバイス。
【請求項２４】
各ページの前記セクタにそれぞれセクタ番号が割り当てられており、
さらに、列パリティページを選択すると共に、前記それぞれのブロックに属する前記ページに前記セクタ番号が割り当てられた全てのセクタに対する列パリティをそれぞれのセクタ番号に対して算出する手段を備えることを特徴とする、請求項２２または２３に記載のマルチレベルセルフラッシュメモリデータ記憶デバイス。
【請求項２５】
マルチレベルセルフラッシュメモリの複数のマルチレベルセルに属する各マルチレベルセルが、同一グループの２ページによって共有されていることを特徴とする、請求項２２から２４のいずれかに記載のマルチレベルセルフラッシュメモリデータ記憶デバイス。
【請求項２６】
前記それぞれのグループに属するページの前記サブセットに対する前記サブセットグループパリティは、前記それぞれのグループに属するページにデータが完全に書き込まれた後で消去されることを特徴とする請求項２２から２５のいずれかに記載のマルチレベルセルフラッシュメモリデータ記憶デバイス。
【請求項２７】
前記それぞれのグループに属するページの前記サブセットに対する前記サブセットグループパリティは、前記それぞれのグループに属するページにデータが完全に書き込まれた後で保存されることを特徴とする請求項２２から２５のいずれかに記載のマルチレベルセルフラッシュメモリデータ記憶デバイス。
【請求項２８】
前記それぞれのグループに属するページの前記サブセットに対する前記サブセットグループパリティは、前記それぞれのグループに属する前記ページのうちの半数のページのデータから算出されることを特徴とする請求項２２から２７のいずれかに記載のマルチレベルセルフラッシュメモリデータ記憶デバイス。