Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月17日(2003.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層とを有し、
前記第１基板の前記液晶層側に設けられた第１電極と、前記第２基板に設けられ前記第１電極に前記液晶層を介して対向する第２電極とによって、それぞれが規定される複数の絵素領域を有し、
前記複数の絵素領域のそれぞれにおいて、前記第１電極は、複数の開口部と中実部とを有し、前記液晶層は、前記第１電極と前記第２電極との間に電圧が印加されていないときに垂直配向状態をとり、且つ、前記第１電極と前記第２電極との間に電圧が印加されたときに、前記第１電極の前記複数の開口部のエッジ部に生成される斜め電界によって、前記複数の開口部および前記中実部に、それぞれが放射状傾斜配向状態をとる複数の液晶ドメインを形成し、印加された電圧に応じて前記複数の液晶ドメインの配向状態が変化することによって表示を行う、液晶表示装置。
【請求項２】
前記複数の開口部の少なくとも一部の開口部は、実質的に、等しい形状で等しい大きさを有し、回転対称性を有するように配置された少なくとも１つの単位格子を形成する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記複数の開口部の前記少なくとも一部の開口部のそれぞれの形状は、回転対称性を有する、請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記複数の開口部の前記少なくとも一部の開口部のそれぞれは略円形である請求項２または３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記少なくとも一部の開口部に包囲された前記中実部の領域のそれぞれは略円形である請求項２または３に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記少なくとも一部の開口部に包囲された前記中実部の領域のそれぞれは、角部が略円弧状の略矩形である請求項２または３に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記複数の絵素領域のそれぞれにおいて、前記第１電極の前記複数の開口部の面積の合計は、前記第１電極の前記中実部の面積より小さい、請求項１から６のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記複数の開口部のそれぞれの内側に凸部をさらに備え、前記凸部の前記基板の面内方向の断面形状は、前記複数の開口部の形状と同じであり、前記凸部の側面は、前記液晶層の液晶分子に対して、前記斜め電界による配向規制方向と同じ方向の配向規制力を有する、請求項１から７のいずれかに記載に液晶表示装置。
【請求項９】
前記複数の液晶ドメインは、渦巻き状の放射状傾斜配向状態をとる請求項１から８のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第１基板および前記第２基板の外側に設けられ、偏光軸が互いに略直交するように配置された一対の偏光板をさらに有し、
前記複数の液晶ドメインのそれぞれにおいて、前記液晶層の液晶分子であって前記複数の液晶ドメインのそれぞれの中心に対して表示面１２時方向に位置する液晶分子が表示面１２時方向に対してなす角度をθとするとき、前記一対の偏光板の一方の偏光軸は、前記表示面１２時方向に位置する液晶分子が表示面１２時方向に対して傾斜している方向と同一の方向に、表示面１２時方向に対して０°を超え２θ未満の角度で傾斜している、請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記一対の偏光板の前記一方の偏光軸は、０°を超えθ以下の角度で傾斜している、請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記一対の偏光板の前記一方の偏光軸は、θ／２と略同一の角度で傾斜している、請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記一対の偏光板の前記一方の偏光軸は、θと略同一の角度で傾斜している、請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記中実部は、ｍ行ｎ列のマトリクス状に配列された複数の島状部と、それぞれが前記複数の島状部のうちの隣接する島状部を互いに電気的に接続する複数の枝部とを有し、
前記複数の枝部は、（２ｍｎ−ｍ−ｎ）個よりも少ない個数の枝部である請求項１から１３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記第１基板は、前記複数の絵素領域のそれぞれに対応して設けられたアクティブ素子をさらに有し、
前記第１電極は、前記複数の絵素領域毎に設けられ、前記アクティブ素子によってスイッチングされる絵素電極であり、前記第２電極は、前記複数の絵素電極に対向する少なくとも１つの対向電極である請求項１から１４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層とを有し、
前記第１基板の前記液晶層側に設けられた第１電極と、前記第２基板に設けられ前記第１電極に前記液晶層を介して対向する第２電極とによって、それぞれが規定される複数の絵素領域を有し、
前記複数の絵素領域のそれぞれにおいて、前記液晶層は、前記第１電極と前記第２電極との間に電圧が印加されていないときに垂直配向状態をとり、前記第１電極は、前記複数の絵素領域のそれぞれの少なくとも角部に配置された複数の開口部と、中実部とを有する、液晶表示装置。
【請求項１７】
前記複数の開口部の少なくとも一部の開口部に包囲された前記中実部の領域の形状は、回転対称性を有する、請求項１６に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記複数の開口部の少なくとも一部の開口部に包囲された前記中実部の領域は、略円形である請求項１６または１７に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記複数の開口部の少なくとも一部の開口部に包囲された前記中実部の領域は、角部が略円弧状の略矩形である請求項１６または１７に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記中実部は、ｍ行ｎ列のマトリクス状に配列された複数の島状部と、それぞれが前記複数の島状部のうちの隣接する島状部を互いに電気的に接続する複数の枝部とを有し、
前記複数の枝部は、（２ｍｎ−ｍ−ｎ）個よりも少ない個数の枝部である請求項１６から１９のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層とを有し、
前記第１基板の前記液晶層側に設けられた第１電極と、前記第２基板に設けられ前記第１電極に前記液晶層を介して対向する第２電極とによって、それぞれが規定される複数の絵素領域を有し、
前記複数の絵素領域のそれぞれにおいて、前記第１電極は、複数の開口部と中実部とを有し、前記液晶層は、前記第１電極と前記第２電極との間に電圧が印加されていないときに垂直配向状態をとる液晶表示装置であって、
前記第１電極の前記中実部は、それぞれが前記複数の開口部のうちの一部の開口部によって実質的に包囲される複数の単位中実部を含み、
前記複数の絵素領域のそれぞれにおいて、前記液晶層は、前記第１電極と前記第２電極との間に電圧が印加されたときに、前記第１電極の前記複数の開口部のエッジ部に生成される斜め電界によって、放射状傾斜配向状態をとる液晶ドメインを前記複数の単位中実部のそれぞれに１つずつ形成し、且つ、前記複数の開口部のそれぞれにも１つずつ形成する液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月27日(2003.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された基板上膜材料をレーザ照射により熱処理するためのレーザ熱処理用光学系において、レーザ発振器から放射されたレーザビームの断面強度分布を成形する強度分布成形手段と、上記基板上膜材料上で長方形のビーム形状を形成するビーム形状成形手段を備え、上記レーザビームの光軸に垂直な断面内の一方向をＹ方向とし、上記断面内でこのＹ方向と直交する方向をＸ方向として、上記強度分布成形手段が、上記Ｙ方向について上記レーザビームの強度分布を均一、かつ上記Ｘ方向については上記レーザ発振器から放射された上記レーザビームの強度分布と性質を維持し、上記ビーム形状成形手段が、少なくともＸ方向にはレーザビームの性質を維持して上記強度分布成形手段からのレーザビームの倍率を調整し、上記Ｘ方向にはレーザ発振器から放射されたレーザビームの性質を維持したまま上記基板上膜材料上で長方形のビーム形状の短手方向を形成することを特徴とするレーザ熱処理用光学系。
【請求項２】
上記強度分布成形手段が上記Ｙ方向について、上記レーザビームの一部を複数回反射させた後、重ね合わせるよう構成されたことを特徴とする請求項１に記載のレーザ熱処理用光学系。
【請求項３】
上記強度分布成形手段が上記Ｙ方向についての導波路構造を有する素子であることを特徴とする請求項２に記載のレーザ熱処理用光学系。
【請求項４】
上記強度分布成形手段が上記Ｙ方向について分割された分割シリンドリカルレンズによることを特徴とする請求項１に記載のレーザ熱処理用光学系。
【請求項５】
上記ビーム形状成形手段が、上記Ｙ方向について、上記強度分布成形手段で得られた均一分布を上記基板上膜材料上に転写レンズにより転写し、上記基板上膜材料上で長方形のビーム形状の長手方向を形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のレーザ熱処理用光学系。
【請求項６】
上記ビーム形状成形手段が、上記Ｘ方向のみを集光レンズで上記基板上膜材料上に集光することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のレーザ熱処理用光学系。
【請求項７】
上記ビーム成形手段が、複数のシリンドリカルレンズあるいは球面レンズの組合せであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のレーザ熱処理用光学系。
【請求項８】
上記複数のシリンドリカルレンズあるいは球面レンズのいずれか、あるいは全てが非球面レンズであることを特徴とする請求項７記載のレーザ熱処理用光学系。
【請求項９】
上記基板上膜材料に照射されるビームの上記Ｘ方向を遮るように、上記基板上膜材料に近接してナイフエッジを挿入することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のレーザ熱処理用光学系。
【請求項１０】
基板上に形成された基板上膜材料をレーザ照射により熱処理するためのレーザ熱処理用光学系において、パルスレーザ発振器からのレーザビームを２方向に分割し、分割したレーザビームに光路差を与え再び合成するパルス幅伸長手段を備えたことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載のレーザ熱処理用光学系。
【請求項１１】
上記レーザ発振器が、３３０ｎｍから８００ｎｍの間の発振波長を有するパルスレーザ発振器であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載のレーザ熱処理用光学系を備えたレーザ熱処理装置。
【請求項１２】
上記レーザ発振器が、固体レーザの高調波を発生する発振器であることを特徴とする請求項１１に記載のレーザ熱処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る請求項１のレーザ熱処理用光学系は、レーザ発振器から放射されたレーザビームの断面強度分布を成形する強度分布成形手段と基板上膜材料上で長方形のビーム形状を形成するビーム形状成形手段を備え、上記レーザビームの光軸に垂直な断面内の一方向をＹ方向とし、上記断面内でこのＹ方向と直交する方向をＸ方向として、上記強度分布成形手段が、上記Ｙ方向について上記レーザビームの強度分布を均一、かつ上記Ｘ方向については上記レーザ発振器から放射された上記レーザビームの強度分布と性質を維持し、上記ビーム形状成形手段が、少なくともＸ方向にはレーザビームの性質を維持して上記強度分布成形手段からのレーザビームの倍率を調整し、上記Ｘ方向にはレーザ発振器から放射されたレーザビームの性質を維持したまま上記基板上膜材料上で長方形のビーム形状の短手方向を形成するものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る請求項１のレーザ熱処理用光学系は、レーザ発振器から放射されたレーザビームの断面強度分布を成形する強度分布成形手段と基板上膜材料上で長方形のビーム形状を形成するビーム形状成形手段を備え、上記レーザビームの光軸に垂直な断面内の一方向をＹ方向とし、上記断面内でこのＹ方向と直交する方向をＸ方向として、上記強度分布成形手段が、上記Ｙ方向について上記レーザビームの強度分布を均一、かつ上記Ｘ方向については上記レーザ発振器から放射された上記レーザビームの強度分布と性質を維持し、上記ビーム形状成形手段が、少なくともＸ方向にはレーザビームの性質を維持して上記強度分布成形手段からのレーザビームの倍率を調整し、上記Ｘ方向にはレーザ発振器から放射されたレーザビームの性質を維持したまま上記基板上膜材料上で長方形のビーム形状の短手方向を形成するもので、基板上膜材料内に温度分布のコントロールが可能になるため、高性能の薄膜を形成するためのレーザ光照射プロファイルが得られる効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月15日(2003.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通する内腔を形成する雌ねじ内面を有する本体から成る戻り止めナットであって、
前記本体は前記雌ねじ内面の少なくとも一部を取り囲むデルタ形状の止め部を有する胴部を具え、
前記デルタ形状の止め部は薄壁部と、隣接する厚壁部と、これらの間の壁厚が徐々に変化する部分とを有し、
前記厚壁部は、デルタ・ドライバと係合するようになっており、且つ、予め定められた軸負荷で前記ナットをねじに締め込んだ際に径方向内向きに変形する締め付け表面を形成し、該変形で前記厚壁部は前記ナット本体と実質的に一体化して前記締め付け表面をなくして前記ナットの締め込みを終了させる、
戻り止めナット。
【請求項２】
前記デルタ形状の止め部が、辺が弧状の実質的三角形の形状である、請求項１の戻り止めナット。
【請求項３】
前記厚壁部が塑性変形するようになっている、請求項１の戻り止めナット。
【請求項４】
前記本体が通常のレンチと係合するのに適した第二締め付け表面をさらに含む、請求項１の戻り止めナット。
【請求項５】
前記本体が前記止め部を前記胴部の残りの部分から軸方向に分離する逃げ溝をさらに含む、請求項１の戻り止めナット。
【請求項６】
前記本体が前記厚壁部を前記胴部の残りの部分から軸方向に分離する逃げ溝をさらに含む、請求項１の戻り止めナット。
【請求項７】
前記本体が端部を含み、前記止め部が該端部に配置される、請求項１の戻り止めナット。
【請求項８】
雄ねじ面と、レンチと係合するための一端の手段とを有するボルトと、
螺子込み式に前記ボルトを受け入れるための貫通する内腔を形成する雌ねじ内面を有するナット本体とから成る戻り止め締結具アセンブリであって、
前記ナット本体は前記雌ねじ内面の少なくとも一部を取り囲むデルタ形状の止め部を有する胴部を具え、
前記デルタ形状の止め部は薄壁部と、隣接する厚壁部と、これらの間の壁厚が徐々に変化する部分とを有し、
前記厚壁部は、デルタ・ドライバと係合するようになっており、且つ、作業部材に対して予め定められた軸方向負荷でナットを前記ボルトへ締め込んだ際に径方向内向きに変形する締め付け表面を形成し、該変形で前記厚壁部は前記ナット本体と実質的に一体化して前記締め付け表面をなくし、これによって前記ボルトへの前記ナットの締め付けを終了させて前記締結具アセンブリを固定するように前記ナットを前記ボルトに当接させるようにした、
戻り止め締結具アセンブリ。
【請求項９】
一端に隣接する雄ねじ面部分と、レンチと係合するための手段と、前記雄ねじ面部分を横断して延在する複数の縦溝とを有するボルトと、
前記ボルトの前記雄ねじ面部分と係合するためのねじ内腔と、該ねじ内腔に対向する外側の止め部とを有し、前記止め部は三つの突出部と該突出部間の壁部とから成るデルタ形状を有するナットと、
前記止め部を受け入れ、自らの内面と前記止め部の外面との間に逃げ間隙を有するような寸法のデルタ形状のドライバと、から成る、
戻り止め締結具とドライバの組み合せ。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月2日(2003.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲーム画像を合成し出力するゲーム装置であって、
プレーヤからの代価が徴収可能な状態になったか否かを判断する処理を行う判断手段と、
代価が徴収可能な状態になったと判断された場合に、ゲーム内容をプレーヤに説明するための画像、プレーヤがテストプレイを行うための画像及びプレーヤがプレイするゲームを複数のゲームの中から選択するための画像の少なくとも１つを出力する手段と、
通常のゲームプレイを行うことが選択された場合に、前記代価を徴収する処理を行う代価徴収処理手段とを含むことを特徴とするゲーム装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記テストプレイを行うための画像が、プレイ時間又はプレイ場所を制限してゲームの一部をプレーヤにプレイさせるための画像であることを特徴とするゲーム装置。
【請求項３】
ゲーム画像を合成し出力するゲーム装置であって、
プレーヤからの代価が徴収可能な状態になったか否かを判断する処理を行う判断手段と、
代価が徴収可能な状態になったと判断された後に開始されるゲームを、所与の代価徴収条件が満たされなかった場合に代価を徴収することなく終了させる処理を行うゲーム終了処理手段と、
前記代価徴収条件が満たされた場合に代価を徴収する処理を行う代価徴収処理手段とを含むことを特徴とするゲーム装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記代価徴収処理手段が、
ゲームプレイの開始後、所与の時間が経過した場合に、代価を徴収することを特徴とするゲーム装置。
【請求項５】
請求項３において、
前記代価徴収処理手段が、
ゲームプレイの開始後、ゲームが所与の段階まで進行した場合に、代価を徴収することを特徴とするゲーム装置。
【請求項６】
請求項３乃至５のいずれかにおいて、
代価が徴収されるか否かをプレーヤに知らせるための情報を出力することを特徴とするゲーム装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかにおいて、
前記判断手段が、
プレーヤによりコインが投入されたと判断した場合、プリペイカードがゲーム装置に装填されたと判断した場合、或いは電子マネーの暗唱番号が入力されたと判断した場合に、代価が徴収可能な状態になったと判断することを特徴とするゲーム装置。
【請求項８】
ゲーム画像を合成し出力するゲーム装置のためのコンピュータ読み取り可能な情報記憶媒体であって、
プレーヤからの代価が徴収可能な状態になったか否かを判断する処理を行う判断手段と、
代価が徴収可能な状態になったと判断された場合に、ゲーム内容をプレーヤに説明するための画像、プレーヤがテストプレイを行うための画像及びプレーヤがプレイするゲームを複数のゲームの中から選択するための画像の少なくとも１つを出力する手段と、
通常のゲームプレイを行うことが選択された場合に、前記代価を徴収する処理を行う代価徴収処理手段として、
コンピュータを機能させるプログラムを記憶したことを特徴とする情報記憶媒体。
【請求項９】
ゲーム画像を合成し出力するゲーム装置のためのコンピュータ読み取り可能な情報記憶媒体であって、
プレーヤからの代価が徴収可能な状態になったか否かを判断する処理を行う判断手段と、
代価が徴収可能な状態になったと判断された後に開始されるゲームを、所与の代価徴収条件が満たされなかった場合に代価を徴収することなく終了させる処理を行うゲーム終了処理手段と、
前記代価徴収条件が満たされた場合に代価を徴収する処理を行う代価徴収処理手段として、
コンピュータを機能させるプログラムを記憶したことを特徴とする情報記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月2日(2003.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
連結部材１３の上端部、一側部及び他側部には、それぞれネジ３１、ネジ３２及びネジ３３が形成されている。ネジ３２の中心から連結部材１３の下面にかけては、ケース１１，１２間の空間２２に連通する水流入路３４が貫設されている。また、ネジ２３の中心からネジ３１及びネジ３３の中心にかけては、インナケース１２の上端開口部に連通する水流出路３５が貫設されている。この構造により、水流入路３４→空間２２→通水性支持底面部１５→インナケース１２内の濾過材１９→水流出路３５、という水路が形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月26日(2003.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空孔率が５〜６０％の微多孔性樹脂延伸フィルムの表面に、(i) 線番４０〜２００本のエンボス模様、(ii)穿孔、(iii) ミシン目、(iv)点字による印刷から選ばれた少なくとも一種類の識別マークを施したラベルを、該識別マークが金型壁に接するように金型内に配置した後、該金型内でインモールド成形を行なって、該ラベルを樹脂製容器に一体に融着させることを特徴とするラベル貼着容器の製造方法。
【請求項２】
インモールド成形が、識別マークを金型壁に接するように配置した後、該金型内に、溶融樹脂シートを導いて真空成形又は圧空成形、或いは、溶融パリソンを導いて中空成形、或いは、溶融樹脂を射出成形する、請求項１に記載のラベル貼着容器の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明の実施の形態】
[I] ラベル貼着容器
(1)  容器本体
(a) 素  材
本発明のラベル貼着容器の製造方法において、ラベルの貼着と容器の成形を金型内で一体にするインモールド成形に使用される容器本体用の素材としては、中空成形、射出成形、差圧成形（真空成形、圧空成形）、プレス成形、発泡成形などの成形方法によって各種容器を製造する際に使用される公知の熱可塑性樹脂を使用することができるが、特に融点が１３５〜２６４℃の熱可塑性樹脂を用いることが好ましい。
このような熱可塑性樹脂の具体例としては、ポリプロピレン、密度０．８８０〜０．９６５ｇ／ｃｍ3 のポリエチレン、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリカーボネートなどを挙げることができる。これら熱可塑性樹脂の中では特にポリプロピレン、高密度ポリチレンを使用することが好ましい。また、積層体として用いても良いし、二種以上をブレンドして用いても良い。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
(a) 構  造
上記識別マークを施したラベルは、その構造が、基材層と、該基材層の裏面側に積層されたヒートシール性樹脂よりなる接着層とから基本的に構成される二層構造のもの、或いは、更に、表面側に無機微細粉末を含有する樹脂フィルムの一軸延伸物の紙状層を形成した三層構造としたもの、或いは、更に多層構造としたものなどである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
このようなラベルは、金型内で容器に貼着される前は紙片状であるが、貼着後は容器と一体となる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
(b) 素  材（構成材料）
本発明のラベル貼着容器の製造方法におけるラベルとして用いられる素材としては、空孔率が５〜６０％、好ましくは１０〜４５％の微多孔性樹脂延伸フィルムが用いられる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記構造のラベルの場合の素材としては、例えば、以下の如くとなる。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
このようなヒートシール性樹脂組成物としては、高密度ポリエチレン、中密度及び低密度ポリエチレン、直鎖線状ポリエチレン、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・アクリル酸共重合体、エチレン・アクリル酸アルキルエステル共重合体、エチレン・メタクリル酸アルキルエステル共重合体（アルキル基の炭素数は１〜８）、エチレン・メタクリル酸共重合体の金属塩（Ｚｎ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｋ、Ｎａ）等のエチレン系樹脂が用いられる。
特にパリソンの樹脂（Ｃ）がポリプロピレンや高密度ポリエチレンの場合、直鎖線状低密度ポリエチレン（密度：０．８８〜０．９４ｇ／cm3 、メルトインデックス：０．０５〜３０ｇ／10分）１０〜５５重量％と、低密度ポリエチレン、エチレン・メタクリル酸共重合体、エチレン・アクリル酸共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体より選ばれた樹脂の一種以上９０〜４５重量％との混合物が良好である。
該ヒートシール性樹脂層は透明なフィルムでもよく、未延伸であっても延伸されていてもよい。好ましくは延伸されていても結晶配向していないことがよい。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月6日(2003.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、本発明の光学的立体造形方法は、エネルギー線硬化性樹脂組成物の任意の表面にエネルギー線を照射し、該樹脂組成物のエネルギー照射表面を硬化させて所望の厚さの硬化層を形成し、該硬化層上に前述のエネルギー線硬化性樹脂組成物をさらに供給して、これを同様に硬化させ前述の硬化層と連続した硬化物を得る積層操作を行い、この操作を繰り返すことによって三次元の立体物を得る光学的立体造形法において、上記エネルギー線硬化性樹脂組成物が、上記エネルギー線硬化性エポキシ樹脂組成物を使用した光学的立体造形用樹脂組成物であることを特徴とするものである。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
［吸水率］
厚さ３ｍｍのスペーサーを挟んだ２枚のガラス板の間に供試組成物を注入し、紫外線を照射して３０ｍｍ×３０ｍｍ×３ｍｍの大きさの試験片を作製し、ＪＩＳ−Ｋ６９１１に従い測定した。紫外線は８０Ｗ／ｃｍの高圧水銀灯下で２０００ｍＪ／ｃｍ2照射した。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月2日(2003.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ダイシング方法、ダイシング装置及びその加工状態表示装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テーブル上に載置された半導体ウエハを切断刃装置で切断するダイシング装置において、
切断加工量が所定量に達する毎に前記半導体ウエハの切断線を撮像するＣＣＤカメラ、  ＣＣＤカメラからの切断線の画像信号を処理して切断線測定検出データを出力する画像処理装置、
前記半導体ウエハの切断線の諸元の許容値が予め入力記憶されると共に、測定検出毎の半導体ウエハの切断線測定検出データが順次入力記憶されるメモリ、を有し、
切断加工量が所定量に達する毎にメモリから呼び出された前記半導体ウエハの切断線の諸元の許容値及び切断線測定検出データの最新の所定回数の入力記憶分を線図状に表示することを特徴とするダイシング装置。
【請求項２】
テーブル上に載置された半導体ウエハを切断刃装置で切断するダイシング方法において、
前記半導体ウエハの切断線の諸元の許容値を予めメモリに記憶させておき、
切断加工量が所定量に達する毎に前記半導体ウエハの切断線を撮像し、その画像信号を画像処理して作成された切断線測定検出データを順次前記メモリに記憶させ、
前記半導体ウエハの切断線の諸元の許容値及び切断線測定検出データの最新の所定回数の入力記憶分を前記メモリから呼び出して、線図状に表示させ、
表示された前記線図を基に加工品質低下への対処を講じることを特徴とするダイシング方法。
【請求項３】
制御装置によりＸ軸線方向及びＹ軸線方向に夫々送り駆動される半導体ウエハ載置用のテーブル及びテーブル上の半導体ウエハを切断する切断刃装置を具備したダイシング装置において、
顕微鏡で拡大された半導体ウエハの切断線を撮像するＣＣＤカメラ、
ＣＣＤカメラからの切断線の画像信号を処理して切断線測定検出データをＣＰＵへ出力する画像処理装置、
半導体ウエハの切断線の諸元の許容値が予め入力記憶されると共に、測定検出毎の半導体ウエハの切断線測定検出データが順次入力記憶されるメモリ、
切断加工量が所定量に達する毎に半導体ウエハの切断線の測定検出を行わせ、メモリから半導体ウエハの切断線の諸元の許容値及び切断線の画像測定検出データの最新の所定回数の入力記憶分を呼び出し、ＣＲТコントローラに表示制御信号を入力するＣＰＵ、
ＣＰＵからの半導体ウエハの切断線の諸元の許容値並びに最新の所定検出回数の切断線の画像測定検出データが入力されるＣＲТコントローラ、
ＣＲТコントローラからの切断線画像測定検出データに基づく線図データにより半導体ウエハの切断線の諸元の許容値並びに最新の所定検出回数の切断線の画像測定検出データを線図状に表示するＣＲТ
から構成されている加工状態表示装置。
【請求項４】
ＣＰＵは、測定検出毎の切断線の測定検出データと許容値とを比較して、異常の場合には、切断加工停止指令を行う請求項３に記載の加工状態表示装置。
【請求項５】
切断加工量は、切断線の数、切断された切断線の総延長、又は切断加工時間である請求項３又は請求項４に記載の加工状態表示装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は、半導体ウエハ等に対し切断加工を行うダイシング方法、ダイシング装置及びその切断加工状態を表示する装置に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明のダイシング装置は、テーブル上に載置された半導体ウエハを切断刃装置で切断するダイシング装置において、切断加工量が所定量に達する毎に前記半導体ウエハの切断線を撮像するＣＣＤカメラ、ＣＣＤカメラからの切断線の画像信号を処理して切断線測定検出データを出力する画像処理装置、前記半導体ウエハの切断線の諸元の許容値が予め入力記憶されると共に、測定検出毎の半導体ウエハの切断線測定検出データが順次入力記憶されるメモリ、を有し、切断加工量が所定量に達する毎にメモリから呼び出された前記半導体ウエハの切断線の諸元の許容値及び切断線測定検出データの最新の所定回数の入力記憶分を線図状に表示することを特徴としている。
また、本発明のダイシング方法は、テーブル上に載置された半導体ウエハを切断刃装置で切断するダイシング方法において、前記半導体ウエハの切断線の諸元の許容値を予めメモリに記憶させておき、切断加工量が所定量に達する毎に前記半導体ウエハの切断線を撮像し、その画像信号を画像処理して作成された切断線測定検出データを順次前記メモリに記憶させ、前記半導体ウエハの切断線の諸元の許容値及び切断線測定検出データの最新の所定回数の入力記憶分を前記メモリから呼び出して、線図状に表示させ、表示された前記線図を基に加工品質低下への対処を講じることを特徴としている。
また、この発明のダイシング装置の加工状態表示装置は、制御装置によりＸ軸線方向及びＹ軸線方向に夫々送り駆動される半導体ウエハ載置用のテーブル及びテーブル上の半導体ウエハを切断する切断刃装置を具備したダイシング装置において、（ａ）顕微鏡で拡大された半導体ウエハの切断線を撮像するＣＣＤカメラと、（ｂ）ＣＣＤカメラからの切断線の画像信号を処理して切断線測定検出データをＣＰＵに入力する画像処理装置と、（ｃ）半導体ウエハの切断線の諸元の許容値が予め入力記憶されると共に、測定検出毎の半導体ウエハの切断線測定検出データが順次入力記憶されるメモリと、（ｄ）切断線の数、切断された切断線の総延長、又は切断加工時間で表わされる切断加工量が所定量に達する毎に半導体ウエハの切断線の測定検出を行わせ、メモリから半導体ウエハの切断線の諸元の許容値及び切断線の画像測定検出データの最新の所定回数の入力記憶分を呼び出し、ＣＲТコントローラに表示制御信号を入力すると共に、測定検出毎の切断線の測定検出データと許容値とを比較して、異常の場合には、切断加工停止指令を行うＣＰＵと、（ｅ）ＣＰＵからの半導体ウエハの切断線の諸元の許容値並びに最新の所定検出回数の切断線の画像測定検出データが入力されるＣＲТコントローラと、（ｆ）ＣＲТコントローラからの切断線画像測定検出データに基づく線図データにより半導体ウエハの切断線の諸元の許容値並びに最新の所定検出回数の切断線の画像測定検出データを線図状に表示するＣＲТとから構成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月20日(2003.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
図示は省略したが、研削盤(1) の後方の適当箇所に、ワーク搬入装置とワーク搬出装置が設けられており、自転装置(2) のベース(10)はこれらの搬入装置および搬出装置の上方までのびている。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
昇降部材(13)が研削作業位置まで下降したならば、砥石(8)(9)が互いに接近する方向に移動させられ、研削面(8a)(9a)が対応する加工面(a)(b)に接触させられる。これにより、ワーク(W) の下側の部分が砥石(8)(9)で挟まれ、ワーク(W) の下側の外周の一部と中心(c) とが研削面(8a)(9a)の外周の内側に位置する。閉位置にある前後の開閉部材(14)の前後間隔は砥石(8)(9)の外径より大きいので、砥石(8)(9)と開閉部材(14)が干渉することはない。砥石(8)(9)は、ワーク(W) の仕上がり寸法より決まる所定の位置まで移動させられ、その位置に所定時間停止させられる。その間に、砥石(8)(9)が回転することにより、それらの研削面(8a)(9a)に接触しているワーク(W) の加工面(a)(b)が研削され、ワーク(W) が外周の一部および中心(c) を研削面(8a)(9a)の外周の内側に位置させた状態で自転することにより、ワーク(W) が１回転する間に、ワーク(W) の加工面(a)(b)に全面が研削面(8a)(9a)の間を通過して、研削面(8a)(9a)に接触し、その結果、ワーク(W) が何回転かする間に、両面の加工面(a)(b)の全面が同時に研削される。なお、研削中、必要があれば、昇降部材(13)を上下方向に往復移動させ、これにより、ワーク(W) を、上下方向、すなわち、研削面(8a)(9a)に平行であってワーク(W) の中心(c) と砥石(8)(9)の軸心を結ぶ方向に往復移動させる。この往復移動は、ワーク(W) の下側の外周の一部と中心(c) とが常に研削面(8a)(9a)の外周の内側に位置する範囲内で行われる。たとえば、往復移動のストロークは約５ｍｍである。このようにワーク(W) を往復移動させることにより、とくにワーク(W) の中心部の平面度、面粗度を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月10日(2003.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】シール手段とハウジング間のシール構造


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジングに形成された収納室と、その収納室内に圧入されるシール手段とから構成されるシール手段とハウジング間のシール構造であって、
前記シール手段には、前記収納室への圧入完了時にその収納室の内壁に対して加圧接触する弾性変形可能なシール突部と、該シール突部の圧入方向前側又は後側に位置する弾性変形可能な係合突部とを設け、その係合突部の突出量を前記シール突部の突出量と同等又はそれ以下に設定し、
前記収納室の内壁には、前記シール手段の圧入完了後に前記係合突部と係合可能な抜止め係合部を形成したことを特徴とするシール手段とハウジング間のシール構造。
【請求項２】
前記シール手段の係合突部の突出量は、前記シール突部の突出量からその加圧接触時における締め代を差し引いて得られる該シール突部の加圧接触時突出量よりも大きくなるように設定されていることを特徴とする請求項１に記載のシール手段とハウジング間のシール構造。
【請求項３】
前記シール手段の前記収納室への圧入途中における前記係合突部の一時縮み代が、前記シール突部の加圧接触時における締め代と同等となるように、前記係合突部の突出量及び該係合突部を構成する素材の弾性が定められていることを特徴とする請求項１又は２に記載のシール手段とハウジング間のシール構造。
【請求項４】
前記シール手段は高剛性の保形材を備えており、この保形材は、シール手段の圧入完了時において該保形材と前記収納室の内壁との間に前記シール突部を挟み得るように配置されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のシール手段とハウジング間のシール構造。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハウジングに形成された収納室と、その収納室内に圧入されるシール手段とから構成されるシール手段とハウジング間のシール構造に関する。特に、駆動軸を備えた圧縮機の軸封構造に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の目的は、ハウジングに形成された収納室からシール手段が抜け落ちるのを確実に防止することができるとともに、シール手段の収納室への組付けが容易なシール手段とハウジング間のシール構造を提供することにある。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、ハウジングに形成された収納室と、その収納室内に圧入されるシール手段とから構成されるシール手段とハウジング間のシール構造であって、前記シール手段には、前記収納室への圧入完了時にその収納室の内壁に対して加圧接触する弾性変形可能なシール突部と、該シール突部の圧入方向前側又は後側に位置する弾性変形可能な係合突部とを設け、その係合突部の突出量を前記シール突部の突出量と同等又はそれ以下に設定し、前記収納室の内壁には、前記シール手段の圧入完了後に前記係合突部と係合可能な抜止め係合部を形成したことを特徴とするシール手段とハウジング間のシール構造である。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項２の発明は、請求項１に記載のシール手段とハウジング間のシール構造において、前記シール手段の係合突部の突出量は、前記シール突部の突出量からその加圧接触時における締め代を差し引いて得られる該シール突部の加圧接触時突出量よりも大きくなるように設定されていることを特徴とする。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項３の発明は、請求項１又は２に記載のシール手段とハウジング間のシール構造において、前記シール手段の前記収納室への圧入途中における前記係合突部の一時縮み代が、前記シール突部の加圧接触時における締め代と同等となるように、前記係合突部の突出量及び該係合突部を構成する素材の弾性が定められていることを特徴とする。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項４の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載のシール手段とハウジング間のシール構造において、前記シール手段は高剛性の保形材を備えており、この保形材は、シール手段の圧入完了時において該保形材と前記収納室の内壁との間に前記シール突部を挟み得るように配置されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月26日(2003.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器内にＦＡＢ源と冷却ステージとを備え、該冷却ステージ上に被加工試料を載置して、該被加工試料表面には、レジスト材料などのマスク材により加工パターンが形成されており、前記ＦＡＢ源から放出されたＦＡＢを該被加工試料表面に照射することによって、前記マスク材の加工パターンを転写する微細加工方法であって、該マスク材を前記冷却ステージによって冷却することにより、該マスク材の加工量に対する前記被加工試料の加工量の割合を高くして、前記被加工試料に対してアスペクト比の高い加工を行うことを特徴とする微細加工方法。
【請求項２】
前記冷却ステージは冷却媒体により冷却され、該冷却媒体を被加工試料に接触させることを特徴とする請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項３】
被加工試料表面に形成されているマスク材のパターンが三次元形状を備え、前記ＦＡＢにより加工されて、該三次元形状が前記被加工試料に転写されることを特徴とする請求項１又は２に記載の微細加工方法。
【請求項４】
真空容器と、該容器内に配置されたＦＡＢ源と被加工試料を載置するステージとからなり、該ステージには、前記被加工試料を該被加工試料上に配置されたマスク材がＦＡＢに対するエッチング耐量が増加する程度に冷却する冷却装置を備えたことを特徴とする微細加工装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項４に記載の発明は、真空容器と、該容器内に配置されたＦＡＢ源と被加工試料を載置するステージとからなり、該ステージには、前記被加工試料を該被加工試料上に配置されたマスク材がＦＡＢに対するエッチング耐量が増加する程度に冷却する冷却装置を備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月26日(2003.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡＲｕＯ3 （ＡはＣａ、ＳｒおよびＢａのうちの少なくとも一つ以上の元素からなる物質）からなる導電性膜をＣＶＤ法により形成する際に、
Ｒｕ原料として、Ｒｕのβジケトン錯体を用いることを特徴とする導電性膜の形成方法。
【請求項２】
前記βジケトン錯体は、ＴＨＤ化合物であることを特徴とする請求項１に記載の導電性膜の形成方法。
【請求項３】
前記ＡＲｕＯ3 は、ＳｒＲｕＯ3 であることを特徴とする請求項１に記載の導電性膜の形成方法。
【請求項４】
少なくとも一方の電極として、ＡＲｕＯ3 （ＡはＣａ、ＳｒおよびＢａのうちの少なくとも一つ以上の元素からなる物質）からなる導電性膜を用い、キャパシタ絶縁膜として、Ｂａx Ｓｒ1-x ＴｉＯ3 膜（０≦ｘ≦１）を用いたキャパシタを形成する際に、
前記導電性膜を請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の導電性膜の形成方法を用いて形成することを特徴とするキャパシタの形成方法。
【請求項５】
基板を用意し、
異なる材料からなる複数の領域を前記半導体基板の同じ表面に形成し、
Ｒｕ原料として、ＲｕのＴＨＤ化合物｛Ｒｕ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2 ) 3｝を用いたＣＶＤ法により、ＡＲｕＯ3 （ＡはＣａ、ＳｒおよびＢａのうちの少なくとも一つ以上の元素を含む物質）からなる導電性膜を、前記基板の前記複数の領域上に形成することを特徴とする導電性膜の製造方法。
【請求項６】
前記ＡＲｕＯ3 は、ＳｒＲｕＯ3 であることを特徴とする請求項５に記載の導電性膜の形成方法。
【請求項７】
基板を用意し、
異なる材料からなる複数の領域を前記半導体基板の同じ表面に形成し、
前記半導体基板の同じ表面の前記異なる材料からなる前記複数の領域上に下部電極を形成し、
前記下部電極上にＢａx Ｓｒ1-x ＴｉＯ3 膜（０≦ｘ≦１）からなるキャパシタ絶縁膜を形成し、
前記キャパシタ絶縁膜上に上部電極を形成し、
少なくとも前記下部電極として、前記基板上の前記複数の領域上に、Ｒｕ原料として、ＲｕのＴＨＤ化合物｛Ｒｕ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2 ) 3｝を用いたＣＶＤ法により、ＡＲｕＯ3 （ＡはＣａ、ＳｒおよびＢａのうちの少なくとも一つ以上の元素を含む物質）からなる導電性膜を形成することを特徴とするキャパシタの製造方法。
【請求項８】
前記ＡＲｕＯ3 は、ＳｒＲｕＯ3 であることを特徴とする請求項７に記載の導電性膜の形成方法。
【請求項９】
導電領域を持つ半導体基板を用意し、
前記半導体基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜中に第１の開口部を形成し、前記第１の開口部内を前記導電領域と電気的に接続する接続部材で埋め込み、
前記接続部材と電気的に接続する第１の部分および前記第１の絶縁膜とコンタクトする第２の部分を持つ下部電極を形成し、
前記下部電極上にＢａx Ｓｒ1-x ＴｉＯ3 膜（０≦ｘ≦１）からなるキャパシタ絶縁膜を形成し、
前記キャパシタ絶縁膜上に上部電極を形成し、
少なくとも前記下部電極として、前記第１の絶縁膜および前記接続部材上に、Ｒｕ原料として、ＲｕのＴＨＤ化合物｛Ｒｕ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2 ) 3｝を用いたＣＶＤ法により、ＡＲｕＯ3 （ＡはＣａ、ＳｒおよびＢａのうちの少なくとも一つ以上の元素を含む物質）からなる導電性膜を形成することを特徴とするキャパシタの製造方法。
【請求項１０】
前記接続部材を形成した後、前記接続部材を含む領域を露出させるための第２の開口部を持つ第２の絶縁膜を前記第１の絶縁膜上に形成し、前記下部電極を前記第２の開口部の底部および側壁に前記第２の開口部内を埋め込まないように形成し、前記キャパシタ絶縁膜を前記第２の開口部を埋め込まないように前記下部電極上に形成し、かつ、前記上部電極を前記第２の開口部内を埋め込むように前記キャパシタ絶縁膜上に形成することを特徴とする請求項９に記載のキャパシタの形成方法。
【請求項１１】
前記接続部材を前記第２の開口部の前記側壁上にバリアメタル膜を形成した後に形成することを特徴する請求項１０に記載のキャパシタの形成方法。
【請求項１２】
前記接続部材はタングステンからなることを特徴とする請求項１０に記載のキャパシタの形成方法。
【請求項１３】
バリアメタル膜を前記接続部材の最上面の上に形成することを特徴とする請求項１０に記載のキャパシタの形成方法。
【請求項１４】
前記接続部材を形成した後、前記接続部材を含む領域を露出させるための第２の開口部を持つ第２の絶縁膜を前記第１の絶縁膜上に形成し、前記第２の開口部内を前記下部電極で埋め込み、前記第２の絶縁膜を除去し、かつ、前記キャパシタ絶縁膜および前記上部電極を前記下部電極を覆うように前記第１の絶縁膜上に形成することを特徴とする請求項９に記載のキャパシタの形成方法。
【請求項１５】
前記接続部材を前記第１の開口部の前記側壁上にバリアメタル膜を形成した後に形成することを特徴する請求項１０に記載のキャパシタの形成方法。
【請求項１６】
前記バリアメタル膜はＴｉＮ膜、ＴｉＡｌＮ膜またはＲｕ膜であることを特徴とする請求項１３または１５に記載のキャパシタの形成方法。
【請求項１７】
前記接続部材はタングステンプラグであることを特徴とする請求項１５に記載のキャパシタの形成方法。
【請求項１８】
前記バリアメタル膜を前記接続部材の最上面の上に形成することを特徴とする請求項８に記載のキャパシタの形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月11日(2003.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
基板上に複数のＬＥＤ(発光ダイオード)が搭載されたＬＥＤ表示装置は、信号機、交通標識、あるいは広告表示板等として利用されており、特に、屋外で使用されるＬＥＤ表示装置においては、防水のため、該ＬＥＤ同士の間隙がシリコーン硬化物により充填されている（特開平５−１９０９０５号公報参照）。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月14日(2003.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスタの製造方法、および半導体膜形成装置、並びに電子機器


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に非晶質の半導体膜を形成する成膜工程と、該非晶質の半導体膜に対してレーザー光を照射して当該半導体膜を多結晶化させるレーザアニール工程と、該多結晶性の半導体膜表面にゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程とを少なくとも有する薄膜トランジスタの製造方法において、
前記レーザアニール工程を行った後の前記多結晶性の半導体膜の表面の凹凸を、前記ゲート絶縁膜の厚みの１／５以下にしたことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記アニール工程を行う時点で前記非晶質の半導体膜の表面に形成されている酸化膜の厚さは、前記ゲート絶縁膜の厚さの１／５０以下であることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】
請求項２において、前記アニール工程を行う時点で前記非晶質の半導体膜の表面に形成されている酸化膜の厚さを前記ゲート絶縁膜の厚さの１／５０以下とするにあたって、前記成膜工程の後、前記レーザアニール工程を行う前に、前記非晶質の半導体膜の表面に形成されている酸化膜を除去するエッチング工程を行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
請求項３において、前記エッチング工程では、前記非晶質の半導体膜の表面に対してフッ化水素を含むエッチング液を用いたウエットエッチングを行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
請求項３において、前記エッチング工程では、前記非晶質の半導体膜の表面に対してフッ素を含むエッチングガスを用いたドライエッチングを行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項６】
請求項３ないし５のいずれかにおいて、前記エッチング工程を行った後、前記レーザアニール工程を行うまでの間に前記半導体膜が酸素含有雰囲気中に晒される暴露時間をＴ時間とし、前記ゲート絶縁膜の厚さをｔオングストロームとしたときに前記暴露時間と前記ゲート絶縁膜の厚さは、以下の式
Ｔ  ≦  ｔ／５００
を満たす関係にあることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
請求項１または２において、前記アニール工程を行う時点で前記非晶質の半導体膜の表面に形成されている酸化膜の厚さを前記ゲート絶縁膜の厚さの１／５０以下とするにあたって、前記成膜工程の後、前記レーザアニール工程を行うまで前記非晶質の半導体膜の表面を非酸化性雰囲気中に保持することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかにおいて、前記レーザアニール工程は、非酸化性雰囲気中で行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項９】
基板の搬入、搬出を行うためのローダ・アンローダー部と、前記基板上に形成した非晶質の半導体膜表面に対してエッチングを行うウエットエッチング装置と、前記基板上の前記非晶質の半導体膜に対してレーザアニールを行うレーザアニール装置と、前記基板を前記ローダ・アンローダー部に戻す搬送手段とを有することを特徴とする半導体膜形成装置。
【請求項１０】
基板の搬入、搬出を行うためのローダ・アンローダー部と、前記基板上に形成した非晶質の半導体膜に対してエッチングを行うためのエッチング装置と、該エッチングを行った後の前記基板上の前記非晶質の半導体膜に対してレーザアニールを行うレーザアニール装置と、前記基板を前記ローダ・アンローダー部に戻す搬送手段と、前記基板の搬送経路を非酸化性雰囲気に保持するハウジングとを有することを特徴とする半導体膜形成装置。
【請求項１１】
基板の搬入、搬出を行うためのローダ・アンローダー部と、前記基板上に非晶質の半導体膜を形成する成膜装置と、該成膜装置で形成した前記基板上の前記非晶質の半導体膜に対してレーザアニールを行うレーザアニール装置と、前記基板を前記ローダ・アンローダー部に戻す搬送手段と、前記基板の搬送経路を非酸化性雰囲気に保持するハウジングとを有することを特徴とする半導体膜形成装置。
【請求項１２】
請求項１ないし８のいずれかに記載の薄膜トランジスタの製造方法を用いて製造された薄膜トランジスタを少なくとも有することを特徴とする電子機器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
さらに、半導体膜形成装置のさらに別の構成としては、基板の搬入、搬出を行うためのローダ・アンローダー部と、前記基板上に非晶質の半導体膜を形成する成膜装置と、該成膜装置で形成した前記基板上の前記非晶質の半導体膜に対してレーザアニールを行うレーザアニール装置と、前記基板を前記ローダ・アンローダー部に戻す搬送手段と、前記基板の搬送経路を非酸化性雰囲気に保持するハウジングとを有することを特徴とする。このような半導体膜形成装置によれば、成膜装置とレーザアニール装置とが一体になっており、かつ、これらの装置間で基板を搬送する際に基板表面の非晶質の半導体膜が酸化性雰囲気にさらされないので、非晶質の半導体膜表面に酸化膜が形成されない。
また、本発明の電子機器は、本発明の薄膜トランジスタの製造方法により製造された薄膜トランジスタを少なくとも有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月29日(2003.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
線路基板１０は図２の（ａ）、（ｂ）に示すように、半絶縁性又は絶縁性(例えば、比抵抗が１０6Ωｃｍ程度以上で、熱伝導率が１４０Ｗ／ｍＫ程度以上のＡｌＮ、ＳｉＣ、ダイアモンド等)の平板基板１１の表面に、信号線路１２、その信号線路１２に直流バイアスを印加するチョーク部１３、その信号線路１２の両端に接続した２つの信号電極１４、２つの信号電極１４をそれぞれ挟むように配置した二対の表面接地電極１５が形成され、裏面には接地電極１６が形成され、表面接地電極１５は接地電極１６に対してヴィアホール１７により接続されている。この線路基板１０は、その信号線路１２の裏面には接地電極がなく、サスペンディド線路を形成している。