【事件の表示】
　平成　４年特許願第２１５１０５号「スポット位置制御方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年　９月１０日出願公開、特開平　５−２３２３９２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成４年８月１２日（パリ条約による優先権主張１９９１年８月１９日、米国）の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、本願発明という）は、平成１３年２月２６日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載から、次のものであると認める。
　「制御素子に光ビームを指向し、その制御素子を制御して光ビームを偏向せしめて低速走査方向におけるスポットを移動させる集束した光ビームの画像面（３４）の低速走査面内のスポット位置を制御するスポット位置制御方法において、
　前記制御素子は、少なくとも部分的には、ＡｌＧａＡｓ系半導体材料からなる電子光学素子（２２）であり、
　この電子光学素子（２２）に電気的なバイアスを印加し、画像面（３４）の低速走査面内のスポットの位置を制御し、
　そして、電気的なバイアス印加量を変えて、前記スポットの位置の制御を行うスポット位置制御方法。」
　ただし、請求項１に記載されている「偏光」は、明細書の記載からすれば、「偏向」の誤記であるのは明らかであるので、上記のように認定した。
　　　
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願前に頒布された刊行物である特開昭６０−１２０３１６号公報（以下、引用例１という）には、次のように記載されている。
　「走査光ビームを生じる主走査装置と、走査方向を横切る方向に於ける走査ビームの実際の位置及び走査ビームの所望の位置の間の逐次的な差をほぼ全走査路にわたつて測定し、エラー信号を発生するための光応答エラー感知装置と、上記エラー感知装置に接続された、上記エラー信号に応答して走査中に測定されたエラーを減じる様に走査方向を横切る方向に於ける走査ビームの位置をダイナミツクに補正する副走査装置とを有する光ビーム走査装置。」（特許請求の範囲）
　「機械的走査を行なうための好ましい装置は回転多面鏡である。全ての鏡面が正確に対応する配向状態を有するその様な鏡を作ることは極めて困難であるので、僅少な鏡面チルト（傾斜）配向ミスが生じ、ビームは正常な走査線から横方向（横断方向）にブレを生じ、ひいては各行の走査スペースにおける抗し難い変動が生じる。」（第１頁右下欄第１２〜１８行）
　「本発明の目的は上記従来技術の問題点を解決する事にあつて、横方向ビーム・エラーのダイナミツクな補正を行なう改良された手段を用いる走査光ビーム装置を提供することにある。」（第２頁左上欄第１８行〜右上欄第１行）
　「第１図及び第２図は本発明に係る装置の夫々側面から見た図及び底面から見た図である。第１図及び第２図において、１０は光源（レーザを用いるのが好ましい）、１１はレンズ、１２は回転多面鏡、１４は結像用の光学系並びに１６は走査される像を担持する回転ドラムである。
　１８は光分割器であつてこれによつて放射エネルギーの一部が副ビーム２０（グラテイキユールマスク２２上に結像される）へ偏向される。グラテイキユール（ｇｒａｔｉｃｕｌｅ）マスク２２を通過した光は光検出器２４によつて検出される。グラテイキユール・マスク（以下マスクという）２２の光学的特性の故に、光検出器２４によつて受信した光学信号は走査ビームの横方向のブレに応答して変動する。検出器におけるこの信号の変動は、補正装置３０へ供給される生成した補正信号を生じる。復調装置２８へ、第２図の回路２６を介して搬送される。装置３０は例えば電気的に作動する偏向装置であって、レンズ１１を介してレーザ１０から光ビームが透過する際に光ビームの方向に横方向の補正を加えるために走査方向と平行な軸まわりにプリズム３２を回転する様に接続されている。回転プリズムを含む素子の組合せ体を以下において副走査手段と称する。
　第１図及び第２図の結像系は主ビーム及び副ビームに共通であつて、該系は走査されるドラム１６の表面に対応する面に主ビームの像を結像する様に働らき、マスク２２は副ビームを結像する共役像面に配置される。
　マスク２２（光学的な濃度の大きい部分と小さい部分が規則的に配列されたパターンを含む）の設計により、光検出器２４によつて検出される信号は走査の速度ないし同期化と走査の方向を横切る様に走査ビームを配置することとを制御するために使用しうる一連のパルスである。走査機能の同期化は回路２６から信号を受取り、クロツク・パルス源３６からクロツク・パルスを受取る比較回路３４を含む回路によって行なう。比較回路３４は上記２つの入力の比較に応答して補正信号を発生する様に働らく。補正信号は位相補正装置即ち同期化装置４０へ線３８を介して接続される。装置４０は走査方向に垂直な軸まわりのプリズム４２の回転によつて走査の位相補正を行なう様に動作する。」（第２頁左下欄第１２行第〜３頁左上欄第１５行）
　「第３図はマスク２２の拡大図である。４６は光が集結されたスポツトを示す。スポツトは矢印４８で示す様にマスク２２の中央線に沿つて走査される。スポツトがマスクに沿つて走査される場合に画素の横方向位置にエラーがないならば、その画素はマスクの不透明領域の立上り端部及び立下り端部の各々の中央点を横切つて進む。不透明領域は傾斜部で示されており、マスクの残部は実質的に透明である。
　走査スポツトの位置が図面において上方へ（走査方向を横切つて）変位すると、マスクの透明部分を透明する（「通過する」または「透過する」の誤記と認められる。）ビームのパルスはパルス間の間隔に関してより長いパルスとなる。もしも下方に変位すると、パルスはより短くなる。照明信号のこの変化が検出されて、走査におけるダイナミツクな補正を行なう。・・・・」（第３頁左下欄第１７行〜右下欄第１２行）
　また、第１〜２図に光ビーム走査装置の構成が記載され、第３図には、マスクの例とスポツトとの関係が示されている。
　以上の記載からすれば、引用例１には、「レーザ光源からの光ビームを回転多面鏡により走査して像担持面上に結像する光ビーム走査装置において、レーザ光源から発せられた光ビームを走査方向と平行な軸まわりに回転するプリズム及び走査方向に垂直な軸まわりに回転するプリズムを介して回転多面鏡に向け、走査される像を担持する回転ドラムの表面上への光ビームの結像位置と共役な位置に配置したマスクとこれを通過した光を検出する検出器により光ビームの横方向のブレを検出し、その変位を減じるように走査方向に垂直な軸まわりに回転するプリズムを回転させて走査ビームの横方向における光ビームの結像位置を制御する方法」が記載されているものと認める。
　同じく引用された刊行物である特開昭６３−１９９４８０号公報（以下、引用例２という）には、次のように記載されている。
　「光学偏向機能を一体に有した半導体レーザ走査装置であって、レーザ光発振手段と、前記レーザ光発振手段によって発振されたレーザ光が、その入射面に斜めに入射する導波路部と、前記導波路部の屈折率を変化させるために電界を印加する電界印加手段とを備えた、半導体レーザ装置」（特許請求の範囲）
　「第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図であり、・・・・図において、ｎ−ＧａＡｓ基板１の上にＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法またはＭＢＥ（分子線エピタキシャル成長）法等の結晶成長法によって、厚さ０．５μｍのｎ−ＧａＡｓバッファ層２、厚さ１．４μｍのｎ−Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓクラッド層３、厚さ１３０ÅのＧａＡｓ井戸層と厚さ５０ÅのＧａ０．６Ａｌ０．４Ａｓバリア層とからなる多層量子井戸の活性層４、厚さ０．３μｍのｐ−Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓクラッド層５および厚さ０．５μｍのｎ−ＧａＡｓ電流阻止層６を順次形成する。・・・・境界領域１６形成後、ｎ−ＧａＡｓ基板１を１００μｍ程度に研磨、洗浄した後その表面とｐ−ＧａＡｓキャップ層８の表面とにそれぞれｎ型オーミック電極９およびｐ型オーミック電極１０を形成する。
　・・・・半導体レーザアレイ１１の共振器長は約２５０μｍになるように、他方光学偏向領域１３の長さが２５０μｍになるようにそれぞれ劈開を行ない、走査装置を完成する。」（第２頁左上欄第１１行〜右下欄第４行）
　「第６図はこの発明の一実施例における光学偏向領域にレーザ光が入射したときの偏向状態を示した図である。」（第３頁右上欄第１３〜１５行）
　「第７図はこのθ５とΔｎ１／ｎ１との関係をαをパラメータとして示した図表である。
　図において横軸にΔｎ１／ｎ１をとり、縦軸に出射角（θ５）をとっており、・・・・第８図は・・・・光学偏向領域に電界を印加したときその屈折率が減少するときのθ５とΔｎ１／ｎ１との関係をαをパラメータとして示した図表である。・・・・」（第３頁左下欄第１５行〜右下欄第４行）
　また、第６図には、光学偏向領域１３がプリズム形状であり、それにより入射した光が屈折していることがみてとれる。
　　　　
３．対比、判断
　本願発明と引用例１に記載のものとを対比すると、引用例１に記載のものにおける「プリズム３２」は走査方向に平行な軸まわりに回転可能であって、走査方向に対して横方向（直交する方向）、すなわち回転ドラム１６の回転方向における光ビーム位置の補正を行うものであり、また、本願発明における「低速走査方向」は、明細書の記載からすれば、走査面内での多角形の回転による高速走査方向と直交する方向であり、さらに、回転ドラムの軸方向における回転多面鏡の回転による光ビームの走査速度に較べて、これと直交する方向、すなわち回転ドラムの回転速度が低速であるのは技術常識であることを勘案すると、引用例１に記載のものにおける「プリズム３２」、「回転ドラム１６の表面」、「横方向」は、それぞれ本願発明における「制御素子」、「画像面（３４）」、「低速走査方向」に相当し、また引用例１に記載のものにおいて、光ビームを結像系により回転ドラムの表面上にスポットとして結像し、走査方向に平行な軸まわりに回転可能なプリズム３２を制御して横方向の光ビームの結像位置を制御しているのであるから、本願発明と引用例１に記載のものとは、「制御素子に光ビームを指向し、その制御素子を制御して光ビームを偏向せしめて低速走査方向におけるスポットを移動させる集束した光ビームの画像面の低速走査面内のスポット位置を制御するスポット位置制御方法」である点において一致するが、本願発明における制御素子は、少なくとも部分的にＡｌＧａＡｓ系半導体材料からなる電子光学素子（２２）であり、この電子光学素子（２２）に電気的なバイアスを印加し、画像面（３４）の低速走査面内のスポットの位置を制御し、電気的なバイアス印加量を変えて、前記スポットの位置の制御を行うものであるのに対し、引用例１に記載のものにおいては、光ビームの結像位置を制御するために、走査方向に平行な軸まわりに回転可能なプリズムを用いている点において相違する。
　そこで、上記相違点について検討する。
　引用例２には、プリズム形状の光学偏向領域１３を有し、ＧａＡｌＡｓ系半導体層を積層した導波路を有する走査装置に電界を印加して導波路の屈折率を変化させ、それによって入射レーザ光の偏向を制御することが示されており、これはプリズムを軸まわりに回転させて光ビームの偏向角度を変えることによる光ビームの位置制御に対して、電界の印加により電気光学素子の屈折率の変化による光ビームの位置制御を行うものである。また、光ビーム走査装置において、反射鏡の回転による主走査に対し、電気光学素子への電界の印加に応じて光ビームの偏向方向を変えることにより主走査方向に直交する副走査方向の光ビームの位置制御を行うことは、従来周知の事項であるから（例えば、特開平３−１３１８１８号公報、特開昭５６−８１１０号公報を参照）、引用例１に記載ものにおける軸まわりに回転するプリズムによるスポット位置制御に代えて、引用例２に記載のものにおけるＧａＡｌＡｓ系半導体層を含む電気光学素子への電圧印加による光ビームの位置制御を行うことは、当業者が容易に想到し得るところである。
　そして、本願発明の作用効果も、引用例１及び２に記載された発明及び周知の事項から予測できる程度のものである。
　　　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例１及び引用例２に各々記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許することができない。
　従って、結論のとおり審決する。