【手続補正書】
【提出日】平成26年5月12日(2014.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電場強化エネルギー収集デバイスであって、
該電場強化エネルギー収集デバイスは、
基部面を備える基板であって、該基部面は、該基部面から離れる方向下向きに先細になる１つ以上の傾斜壁面を有する陥凹構造を備え、該傾斜壁面の間に陥凹空隙が形成され、該陥凹空隙は空であるか、または透明もしくは半透明材料で充填されており、該１つ以上の傾斜壁面は、該基部面からのある距離において相互に接触または極近接し、該１つ以上の傾斜面は、該陥凹空隙に光学的に露出している電磁エネルギー伝導性導波管を含む、基板と、
電極であって、該電極は、該基板に隣接または極近接している、電極と
を含み、
該電場強化エネルギー収集デバイスは、該電極から分離された電場強化領域を含む、電場強化エネルギー収集デバイス。
【請求項２】
前記陥凹空隙の曲率は、前記基部面からの前記距離において変化する、請求項１に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
【請求項３】
前記デバイスは、前記電極と前記陥凹構造の前記電磁エネルギー伝導性導波管との間に間隙を含む、請求項１または２に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
【請求項４】
前記電極と前記電磁エネルギー伝導性導波管との間の前記間隙は、真空空隙、ガス、基板、またはそれらの組み合わせを含む、請求項３に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
【請求項５】
前記間隙は、光起電材料を含む、請求項３に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
【請求項６】
前記光起電材料は、電解質およびＴｉＯｘを含み、「ｘ」は、ゼロよりも大きい数である、請求項５に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
【請求項７】
前記電磁エネルギー伝導性導波管は、カソードを含み、前記電極は、アノードを含む、請求項１〜６のいずれかに記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
【請求項８】
前記基板は、絶縁または半導体材料を含む、請求項１〜７のいずれかに記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
【請求項９】
前記基板は、前記電磁エネルギー伝導性導波管から電気的に絶縁される、請求項１〜８のいずれかに記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
【請求項１０】
前記陥凹構造は、円錐、半ドーム、錐体、多角形、線形トラック、または円形トラック構成である、請求項１〜９のいずれかに記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
【請求項１１】
前記基板は、２つ以上の陥凹構造を含み、該陥凹構造は、陥凹構造のアレイを画定する、請求項１〜１０のいずれかに記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
【請求項１２】
前記陥凹構造のアレイの中の各陥凹構造は、隔離アノードから離間されたカソードを含む、請求項１１に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
【請求項１３】
各陥凹構造は、１つの電磁エネルギー伝導性導波管を含み、該１つの電磁エネルギー伝導性導波管は、該陥凹構造の該電磁エネルギー伝導性導波管と電気的に連絡している、請求項１２に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
【請求項１４】
前記電場強化領域は、前記１つ以上の傾斜壁面によって画定される、請求項１〜１３のいずれかに記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
【請求項１５】
前記電場強化領域は、前記表面の残りと比較して鋭い先端を有する、請求項１〜１４のいずれかに記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明の側面によるシステムおよび方法は、添付図面に従って本明細書で開示される。
本願明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
（項目１）
電場強化エネルギー収集デバイスであって、
該電場強化エネルギー収集デバイスは、
基部面を備える基板であって、該基部面は、該基部面から離れる方向下向きに先細になる１つ以上の傾斜壁面を有する陥凹構造を備え、該傾斜壁面の間に陥凹空隙が形成され、該陥凹空隙は空であるか、または透明もしくは半透明材料で充填されており、該１つ以上の傾斜壁面は、該基部面からのある距離において相互に接触または極近接し、該１つ以上の傾斜面は、該陥凹空隙に光学的に露出している電磁エネルギー伝導性導波管を含む、基板と、
電極であって、該電極は、該基板に隣接または近接している、電極と
を含み、
該電場強化エネルギー収集デバイスは、該電極から分離された電場強化領域を含む、電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目２）
前記陥凹空隙の曲率は、前記基部面からの前記距離において変化する、項目１に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目３）
前記デバイスは、前記電極と前記陥凹構造の前記電磁エネルギー伝導性導波管との間に間隙を含む、項目１に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目４）
前記電極と前記電磁エネルギー伝導性導波管との間の前記間隙は、真空空隙、ガス、基板、またはそれらの組み合わせを含む、項目３に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目５）
前記間隙は、光起電材料を含む、項目３に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目６）
前記光起電材料は、電解質およびＴｉＯｘを含み、「ｘ」は、ゼロよりも大きい数である、項目５に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目７）
ＴｉＯｘがＴｉＯ２である、項目６に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目８）
前記電磁エネルギー伝導性導波管は、カソードを含み、前記電極は、アノードを含む、項目１に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目９）
前記カソードは、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｗ、酸化イットリウム、酸化パラジウム、黒鉛、またはグラフェンから成る群より選択される１つ以上の材料を含む、項目８に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目１０）
前記基板は、絶縁または半導体材料を含む、項目１に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目１１）
前記基板は、誘電体、ポリマー、セラミック、および半導体から成る群から選択される１つ以上の材料で形成される、項目１０に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目１２）
前記陥凹構造の前記基部面寸法は、５００ナノメートル（「ｎｍ」）よりも大きい、項目１に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目１３）
前記基板は、前記電磁エネルギー伝導性導波管および前記アノードの両方と接触している、項目１に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目１４）
前記基板は、前記電磁エネルギー伝導性導波管から電気的に絶縁される、項目１３に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目１５）
前記陥凹構造は、円錐、半ドーム、錐体、多角形、線形トラック、または円形トラック構成である、項目１に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目１６）
前記陥凹空隙は、真空下にあるか、または光透過性材料を含む、項目１に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目１７）
前記透過性材料は、不活性ガスである、項目１６に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目１８）
前記基部面に隣接する透明オーバーコート保護層をさらに含む、項目１に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目１９）
前記電磁エネルギー収集は、前記陥凹構造の表面上に位置している、項目１に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目２０）
前記基板は、２つ以上の陥凹構造を含み、該陥凹構造は、陥凹構造のアレイを画定する、項目１に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目２１）
前記陥凹構造のアレイの中の各陥凹構造は、隔離アノードから離間されたカソードを含む、項目２０に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目２２）
各陥凹構造は、１つの電磁エネルギー伝導性導波管を含み、該１つの電磁エネルギー伝導性導波管は、該陥凹構造の該電磁エネルギー伝導性導波管と電気的に連絡している、項目２１に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目２３）
前記電極は、前記電磁エネルギー伝導性導波管から離間された平面を含む、項目１に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目２４）
前記電極は、前記平面からの突起をさらに含み、該突起および前記電磁エネルギー伝導性導波管は、第１の間隙を画定し、該平面と該電磁エネルギー伝導性導波管とは、第２の間隙を画定する、項目２３に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目２５）
前記第１の間隙は、前記第２の間隙よりも小さい、項目２４に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目２６）
前記陥凹空隙に光学的に露出している前記電磁エネルギー伝導性導波管の一部分は、金属・絶縁体・金属（ＭＩＭ）層を含む、項目１に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目２７）
前記陥凹空隙に光学的に露出している前記電磁エネルギー伝導性導波管の一部分は、メタマテリアル構造を含む、項目１に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目２８）
前記陥凹空隙に光学的に露出している前記電磁エネルギー伝導性導波管の一部分は、該陥凹構造の中での光の捕捉を向上させるように構成される湾曲または傾斜した上縁または底縁を含む、項目１に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目２９）
前記電場強化領域は、量子機械的トンネル接合を含む、項目１に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目３０）
前記電場強化領域は、前記１つ以上の傾斜壁面によって画定される、項目１に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目３１）
前記電場強化領域は、前記表面の残りと比較して鋭い先端を有する、項目１に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目３２）
光学アンテナであって、
該光学アンテナは、
先細構造を有する幾何学的導波管であって、該幾何学的導波管は、電磁放射の遠隔場から近接場までの捕捉のために構成され、該先細構造は、第１の部分と、第２の部分と、該第２の部分またはその付近に位置する電場集中領域とを含み、該第１の部分は、第１の幅を有し、該第２の部分は、第２の幅を有し、該第１の幅は、該第２の幅よりも大きい、幾何学的導波管と、
該幾何学的導波管に隣接する接地面であって、該接地面は、該幾何学的導波管への該電磁放射の印加に基づく該電場集中領域からの電子の放出時に、電子を収集するように構成される、接地面と
を含み、
該導波管の該第２の部分と該接地面とは、相互から電気的に絶縁される、光学アンテナ。
（項目３３）
前記導波管の前記第２の部分と前記接地面とは、間隙を画定する、項目３２に記載の光学アンテナ。
（項目３４）
前記幾何学的導波管の曲率は、前記第２の部分に向かって変化する、項目３２に記載の光学アンテナ。
（項目３５）
表面特徴をさらに含み、該表面特徴は、前記先細構造の壁に沿って表面プラズモン波を提供するように構成される、項目３２に記載の光学アンテナ。
（項目３６）
前記幾何学的導波管は、プラズモン導波管である、項目３２に記載の光学アンテナ。
（項目３７）
前記先細構造は、金属・絶縁体・金属（ＭＩＭ）層を含む、項目３２に記載の光学アンテナ。
（項目３８）
前記電場集中領域は、前記第２の部分またはそれに隣接する先端を含む、項目３２に記載の光学アンテナ。
（項目３９）
前記光学アンテナは、複数の幾何学的導波管を有する光学アンテナのアレイを含む、項目３２に記載の光学アンテナ。
（項目４０）
前記複数の幾何学的導波管は、剛性または可撓性の基板の中に形成される、項目３９に記載の光学アンテナ。
（項目４１）
前記光学アンテナのアレイは、該アレイに入射する電磁放射の方向性の等角写像または感知を介した、電磁近接場操作のために構成される、項目３９に記載の光学アンテナ。
（項目４２）
前記接地面は、前記幾何学的導波管の電子放出領域に隣接して配置される、項目３２に記載の光学アンテナ。
（項目４３）
前記幾何学的導波管は、カソードを含み、前記接地面は、前記光学アンテナのアノードを含む、項目３２に記載の光学アンテナ。
（項目４４）
前記光学アンテナアレイは、不良なセルを有するクラスタを迂回するようにクラスタ化される、項目３２に記載の光学アンテナ。
（項目４５）
前記先細構造は、円形、楕円形、三角形、正方形、長方形、五角形、六角形、七角形、八角形、九角形、および十角形から成る群より選択される断面形状を有する、項目３２に記載の光学アンテナ。
（項目４６）
前記先細構造は、溝を含む、項目３２に記載の光学アンテナ。
（項目４７）
前記先細構造は、１つ以上の波形表面を含む、項目３２に記載の光学アンテナ。
（項目４８）
前記先細構造は、該先細構造の先細表面のうちの１つ以上の表面上にナノ構造を含む、項目３２に記載の光学アンテナ。
（項目４９）
前記ナノ構造は、量子ドット、量子ウェル、ナノ繊維、ナノワイヤ、ナノチューブ、およびナノドットから成る群より選択される、項目４８に記載の光学アンテナ。
（項目５０）
前記先細構造は、該先細構造の１つ以上の表面上に金属絶縁体金属酸化物（ＭＩＭＯ）を含む、項目３２に記載の光学アンテナ。
（項目５１）
前記先細構造は、該先細構造の前記先細表面のうちの１つ以上の表面上にメタマテリアル共鳴構造を含む、項目３２に記載の光学アンテナ。
（項目５２）
電磁場集中装置であって、
該電磁場集中装置は、
１つ以上の導波管であって、該１つ以上の導波管のうちの個々の導波管は、１つ以上の傾斜面を含む基板を有し、該１つ以上の傾斜面は、該基板の第２端に向かって該基板の第１端から離れる方向に先細になり、該１つ以上の傾斜面は、電磁放射を収集するように構成される陥凹空隙を画定し、該１つ以上の傾斜面は、電磁放射伝導性材料から形成される、１つ以上の導波管と、
該１つ以上の導波管に隣接する電極であって、該電極は、該１つ以上の導波管への電磁放射の印加に基づいて生成される電子を収集するように構成される、電極と
を含み、
該電極および該第２端は、該導波管と該１つ以上の導波管のうちの該個々の導波管との間に間隙を画定し、
該電磁場集中装置は、該電極に隣接する電磁場強化構造を含む、電磁場集中装置。
（項目５３）
前記陥凹空隙の曲率は、前記第２端に向かって変化する、項目５２に記載の電磁場集中装置。
（項目５４）
前記第１端は、第１の幅を有し、前記第２端は、第２の幅を有し、該第１の幅は、該第２の幅よりも大きい、項目５２に記載の電磁場集中装置。
（項目５５）
前記電極は、前記電磁場集中装置のアノードである、項目５２に記載の電磁場集中装置。
（項目５６）
電場強化エネルギー収集デバイスであって、
該電場強化エネルギー収集デバイスは、
第１端、および該第１端の反対側の第２端を有する少なくとも１つの陥凹構造を含む支持構造であって、該陥凹構造は、該第１端から離れる方向下向きに先細になる１つ以上の傾斜壁面を有し、該傾斜壁面は、陥凹空隙を画定し、該陥凹空隙は、空であるかまたは光学的に透明もしくは半透明な材料で充填され、該１つ以上の傾斜壁面は、該第２端またはその付近において、相互に接触または極近接し、該１つ以上の傾斜面は、該陥凹空隙に光学的に露出している電磁エネルギー伝導性導波管を含む、支持構造と、
該支持構造に隣接する電極であって、該電極は、該少なくとも１つの陥凹構造への電磁放射の印加に基づいて生成される電子を収集するように構成され、該電極は、該電磁エネルギー伝導性導波管から離間されている、電極と
を含み、
該電場強化エネルギー収集デバイスは、該電極に隣接する電場強化構造を含む、電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目５７）
前記第２端は、電場強化領域を含む、項目５６に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目５８）
前記電場強化領域は、実質的に鋭い先端を含む、項目５７に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目５９）
前記陥凹空隙の曲率は、前記第２端に向かって変化する、項目５６に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目６０）
前記陥凹空隙は、円錐形状を有する、項目５６に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目６１）
前記支持構造は、基板である、項目５６に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目６２）
前記支持構造は、光透過性材料から形成される、項目５６に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目６３）
電場強化エネルギー収集デバイスであって、
該電場強化エネルギー収集デバイスは、
導波管のアレイであって、該アレイの個々の導波管は、該個々の導波管の第２端に向かって該個々の導波管の第１端から離れる方向に先細になる１つ以上の傾斜面を含み、該１つ以上の傾斜面は、陥凹空隙を画定し、該１つ以上の傾斜面は、電磁放射伝導性材料から形成され、該個々の導波管は、電磁放射を収集し、該第１端から該第２端まで方向付けるように構成される、導波管のアレイと、
該導波管のアレイに隣接する電極であって、該電極は、該導波管のアレイの中の各導波管から電気的に絶縁され、該電極は、該アレイへの電磁放射の印加に基づいて生成される電子を収集または方向付けるように構成される、電極と
を含み、
該電場強化エネルギー収集デバイスは、該電極に隣接する１つ以上の電場強化構造を含む、電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目６４）
前記陥凹空隙の曲率は、前記第２端に向かって変化する、項目６３に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目６５）
前記導波管のアレイは、基部面を有する支持構造の中に形成され、該導波管は、該基部面と前記電極との間に配置される、項目６３に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目６６）
前記基部面は、光学的に透明または半透明な材料を含む、項目６５に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目６７）
前記基部面は、インジウムスズ酸化物を含む、項目６３に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。
（項目６８）
前記電極と電場強化特徴との間の非伝導性領域内に伝導性金属構造をさらに含む、項目６３に記載の電場強化エネルギー収集デバイス。