Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月15日(2012.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁放射を発生させるための少なくとも１つの活性層（３）を有する半導体積層体（２）と、前記半導体積層体（２）の放射伝播エリア（２０）上に少なくとも間接的に設置された光取り出し構造（４）と、を備えたオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）であって、
−  前記光取り出し構造（４）の材料は前記半導体積層体（２）の材料と異なり、
−  前記光取り出し構造（４）の材料の屈折率と前記半導体積層体（２）の材料の屈折率とは、最大で３０％異なり、
−  前記光取り出し構造（４）の側面（４０）の合計面積は、前記放射伝播エリア（２０）の面積の少なくとも５％に達し、
前記光取り出し構造（４）は、前記放射伝播エリア（２０）上に直接設置され、
前記光取り出し構造（４）の前記材料により複数の島部（６）が形成され、隣接する前記島部（６）は互いに離間しており、
少なくとも１つの導電層（５）が、前記半導体積層体（２）の前記放射伝播エリア（２０）上の領域に設けられ、
前記導電層（５）は透明導電性酸化物により形成され、
前記光取り出し構造（４）は前記導電層（５）を完全に貫通している、
オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項２】
前記側面（４０）は、前記放射伝播エリア（２０）に対して少なくとも１５°、最大で７５°の角度（α）を成す、前記光取り出し構造（４）の境界エリア、または、当該境界エリアの部分である、請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項３】
前記放射伝播エリア（２０）に平行な方向の前記光取り出し構造（４）の横方向長さ（Ｌ）は０．２〜１０μｍであり、
前記放射伝播エリア（２０）に垂直な方向の前記光取り出し構造（４）の高さ（Ｈ）は０．３〜１０μｍである、請求項１または請求項２に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項４】
前記半導体積層体（２）の両主面と前記導電層（５）とは滑面であって粗面でない、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項５】
前記光取り出し構造（４）は、円角錐状、球セグメント状、ドーム状、および／または円錐台状に形成され、
前記光取り出し構造（４）のベース面は前記放射伝播エリア（２０）に対向する、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項６】
前記放射伝播エリア（２０）に対して垂直方向の前記導電層（５）の厚さは、２５０ｎｍ以下である、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項７】
前記島部（６）のそれぞれが、前記光取り出し構造（４）の正確に１つの構造要素により形成されている、請求項１〜６のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項８】
前記光取り出し構造（４）の前記材料は、ＴｉＯ２、ＺｎＳ、ＡｌＮ、ＳｉＣ，ＢＮ、Ｔａ２Ｏ５のうちの１つを含むか、または、これらの１つからなる、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項９】
前記光取り出し構造（４）自体の前記材料は、隣接する光取り出し構造（４）間の如何なる接続も形成しない、請求項１から請求項８のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項１０】
前記光取り出し構造（４）の前記側面（４０）の合計面積は、前記放射伝播エリア（２０）の面積の少なくとも２０％に達する、請求項１から請求項９のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項１１】
前記光取り出し構造（４）の前記材料の屈折率は、２．４〜２．６である、請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項１２】
−  前記半導体積層体（２）の前記材料はＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、および／またはＡｌＩｎＧａＮをベースとしており、
−  前記放射伝播エリア（２０）と前記光取り出し構造（４）の前記側面（４０）とが成す前記角度（α）は３０°〜６０°であり、
−  前記光取り出し構造（４）は円錐台状であり、かつ、ＴｉＯ２からなる、請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項１３】
−  少なくとも１つの活性層（３）を有する半導体積層体（２）を成長基板（７）上に成長させるステップと、
−  前記半導体積層体（２）の放射伝播エリア（２０）に、感光性材料（１５）を塗布して、パターニングするステップと、
−  部分領域（１６）において前記感光性材料（１５）を除去するステップと、
−  光取り出し構造（４）を前記放射伝播エリア（２０）上の前記部分領域（１６）内に少なくとも間接的に形成するステップと、
−  前記感光性材料（１５）を除去するステップと、を含み、
前記光取り出し構造（４）の材料は前記半導体積層体（２）の材料と異なり、
前記光取り出し構造（４）の前記材料の屈折率と前記半導体積層体（２）の前記材料の屈折率とは、最大で３０％異なり、
前記光取り出し構造（４）の側面の合計面積は、前記放射伝播エリア（２０）の面積の少なくとも３０％に達し、
前記光取り出し構造（４）は、前記放射伝播エリア（２０）上に直接設置され、
前記光取り出し構造（４）の前記材料により複数の島部（６）が形成され、隣接する前記島部（６）は互いに離間しており、
少なくとも１つの導電層（５）が、前記半導体積層体（２）の前記放射伝播エリア（２０）上の領域に設けられ、
前記導電層（５）は透明導電性酸化物により形成され、
前記光取り出し構造（４）は前記導電層（５）を完全に貫通している、
オプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法。
【請求項１４】
前記感光性材料（１５）の塗布およびパターニングの前に、前記導電層（５）が少なくとも前記感光性材料（１５）と前記放射伝播エリア（２０）との間の領域に形成され、
前記部分領域（１６）における前記感光性材料（１５）の除去により、前記導電層（５）は、前記部分領域（１６）において部分的に除去される、請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）が製造される、請求項１３または請求項１４に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月15日(2012.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともその第１の面上に第１の感熱コーティングを有する第１の基材と、
１つ又は複数のサーマルバリアコーティングと
を有し、
サーマルバリアコーティングが、前記第１の基材と前記それぞれの第１の感熱コーティングとの間に配置された、ことを特徴とするダイレクトサーマルラベル。
【請求項２】
少なくともその第１の面上に第２の感熱コーティングを有する第２の基材を、さらに有し、
サーマルバリアコーティングが、前記第２の基材と前記第２の感熱コーティングとの間に配置された、請求項１に記載のダイレクトサーマルラベル。
【請求項３】
前記１つ又は複数のサーマルバリアコーティングのうち１つ以上が、可撓性ポリマーを含む、請求項１又は２に記載のダイレクトサーマルラベル。
【請求項４】
前記１つ又は複数のサーマルバリアコーティングのうち前記１つ以上が、断熱材をさらに含む、請求項１乃至３の何れかの項に記載のダイレクトサーマルラベル。
【請求項５】
前記可撓性ポリマーが、ラテックスを含み、前記断熱材が、１つ又は複数の中空球を含む、請求項４に記載のダイレクトサーマルラベル。
【請求項６】
前記第１の基材が、その前記第２の面上に感熱コーティングをさらに含む、請求項１に記載のダイレクトサーマルラベル。
【請求項７】
サーマルバリアコーティングが、前記第１の基材の前記第２の面上の前記感熱コーティングと前記第１の基材との間に配置された、請求項１乃至６の何れかの項に記載のダイレクトサーマルラベル。
【請求項８】
前記第１及び第２の基材が、その前記第２の面上に感熱コーティングをさらに含む、請求項２に記載のダイレクトサーマルラベル。
【請求項９】
前記サーマルバリアコーティングの各々が、前記第１及び第２の基材の前記第２の面上の前記感熱コーティングと前記第１及び第２の基材のそれぞれとの間に配置された、請求項８に記載のダイレクトサーマルラベル。
【請求項１０】
第１の接着剤を、さらに含み、
前記第１の基材の前記第２の面が、前記第１の接着剤を介して前記第２の基材の前記第２の面に剥離可能に貼付される、請求項２に記載のダイレクトサーマルラベル。
【請求項１１】
剥離剤を、さらに含み、
前記剥離剤が、前記第２の基材の前記第２の面に固着した、請求項１０に記載のダイレクトサーマルラベル。
【請求項１２】
第１の基材の第１の面にサーマルバリアコーティングを塗布するステップと、
前記サーマルバリアコーティング上に感熱コーティングを塗布するステップと
を含むダイレクトサーマルラベルの作成方法。
【請求項１３】
前記第１の基材の第２の面に剥離剤を塗布するステップを、さらに含む、請求項１２に記載のダイレクトサーマルラベルの作成方法。
【請求項１４】
前記第１の基材の前記第２の面上の前記剥離剤の上に、第１の接着剤を塗布するステップを、さらに含む、請求項１３に記載のダイレクトサーマルラベルの作成方法。
【請求項１５】
第２の基材の第２の面を前記第１の接着剤に固着させるステップを、さらに含む、請求項１２乃至１４の何れかの項に記載のダイレクトサーマルラベルの作成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月12日(2012.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
水生動物の皮から得られるコラーゲンの抽出方法であって、該水生動物がLates calcariferおよびOreochromis niloticaを含む、前記方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
本質的に魚皮からなる開始物質、前記魚皮からコラーゲンを抽出すること、およびコラーゲンを回収することを含む、請求項１に記載のコラーゲンの抽出方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
以下の工程を含むLates calcarifer（バラマンディ）の皮からのコラーゲンの抽出方法である、請求項１に記載の方法：
ａ）皮をアルカリ溶液と少なくとも６時間混合すること；
ｂ）皮を水で洗浄し、アルカリ溶液の残留物を除去すること；
ｃ）皮をアルコール溶液で少なくとも１８時間浸すこと；
ｄ）皮を中性溶液で洗浄すること；
ｅ）工程（ｄ）からの皮を酸性溶液で処理すること；
ｆ）工程（ｅ）からの皮をパパインで加水分解すること；
ｇ）工程（ｆ）から混合物を得て、前記混合物を作業温度４℃で少なくとも２４時間攪拌すること；
ｈ）工程（ｇ）からの混合物を４〜５℃で遠心分離すること；
ｉ）コラーゲンを塩化ナトリウム溶液へと導入し、コラーゲン線維を沈殿させることによる、コラーゲンの沈殿化；
ｊ）工程（ｉ）からのコラーゲン線維を収集し、コラーゲンを少なくとも６０分間遠心分離すること；
ｋ）コラーゲンのペレットを得ること；
ｌ）コラーゲンのペレットを、酢酸溶液に溶解すること；
ｍ）透析した懸濁液を凍結乾燥すること。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
皮から得られたコラーゲンが、重量で１４〜４０％の作業収率の百分率を有する、請求項７または８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月24日(2012.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組織因子経路阻害因子（TFPI）に特異的に結合し、かつ、（a）ヒトF VIII欠損血漿、および／または（b）ヒト全血における、凝固時間を減少させる抗体であって、
（a）配列番号3の軽鎖可変領域アミノ酸配列、
（b）TFPIに特異的に結合する能力を保持する、（a）の少なくとも7アミノ酸のフラグメント、または、
（c）（a）の配列に対して、少なくとも70％のアミノ酸配列同一性を持つ（a）のバリアントであって、TFPIに特異的に結合する能力を保持している、（a）のバリアント、を含む抗体。
【請求項２】
（a）配列番号3のアミノ酸24から39、
（b）配列番号3のアミノ酸55から61、および
（c）配列番号3のアミノ酸94から102、
から選択された、一つまたは複数の配列を含む、請求項１に記載の抗体。
【請求項３】
組織因子経路阻害因子（TFPI）に特異的に結合し、かつ、（a）ヒトF VIII欠損血漿、および／または（b）ヒト全血における、凝固時間を減少させる抗体であって、
（a）配列番号6の重鎖可変領域アミノ酸配列、
（b）TFPIに特異的に結合する能力を保持する、（a）の少なくとも7アミノ酸のフラグメント、または、
（c）（a）の配列に対して、少なくとも70％のアミノ酸配列同一性を持つ（a）のバリアントであって、TFPIに特異的に結合する能力を保持している、（a）のバリアント、を含む抗体。
【請求項４】
（a）配列番号6のアミノ酸31から35、
（b）配列番号6のアミノ酸50から65、および
（c）配列番号6のアミノ酸98から107、
から選択された、一つまたは複数の配列を含む、請求項３に記載の抗体。
【請求項５】
組織因子経路阻害因子（TFPI）に特異的に結合し、かつ、（a）ヒトF VIII欠損血漿、および／または（b）ヒト全血における、凝固時間を減少させる抗体であって、
（i）請求項１または２に定義のアミノ酸配列、および、（ii）請求項３または４に定義のアミノ酸配列を含む抗体。
【請求項６】
配列番号3の軽鎖可変領域、および、配列番号6の重鎖可変領域を含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の抗体。
【請求項７】
組織因子経路阻害因子（TFPI）に特異的に結合し、かつ、（a）ヒトF VIII欠損血漿、および／または（b）ヒト全血における、凝固時間を減少させる抗体であって、請求項１から６のいずれか一項に記載の抗体と、同一のエピトープに結合する抗体。
【請求項８】
TFPIの結合に関して請求項６に記載の抗体と競合する、請求項７に記載の抗体。
【請求項９】
血小板レベルの著しい減少なしに、in vivoにおける凝固時間を減少させる、請求項１から８のいずれか一項に記載の抗体。
【請求項１０】
モノクローナル抗体である、請求項１から９のいずれか一項に記載の抗体。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の抗体をコードするポリヌクレオチド。
【請求項１２】
配列番号２、４、５、および７から選択される配列を含む、請求項１１に記載のポリヌクレオチド。
【請求項１３】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の抗体、または、請求項１１もしくは１２に記載のポリヌクレオチド、および、医薬的に許容可能なキャリアーまたは希釈剤を含む、医薬組成物。
【請求項１４】
（a）出血性疾患の治療もしくは予防用の、または、（b）血液凝固の刺激用の、請求項１３に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月25日(2012.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料中の標的核酸を検出するための方法であって、
ａ）ＰＣＲとしての反応において標的核酸を増幅する段階、
ｂ）第一及び第二のオリゴヌクレオチドプローブが標的核酸と選択的にハイブリッド形成する条件下で、上記試料を、５’〜３’ヌクレアーゼ活性が実質的に欠如している核酸ポリメラーゼと、第一及び第二のオリゴヌクレオチドプローブとに接触させる段階であって、ここで当該第一及び第二のオリゴヌクレオチドプローブが標的核酸とハイブリッド形成される場合に、蛍光レポーターの蛍光がクエンチャーによってクエンチングされ、当該第一及び第二のオリゴヌクレオチドが標的核酸とハイブリッド形成されない場合には、蛍光レポーターの蛍光がクエンチャーによってクエンチングされないように、第一のオリゴヌクレオチドプローブが蛍光レポーターを含み、そして第二のオリゴヌクレオチドプローブがクエンチャーを含む、段階、
ｃ）蛍光レポーターを光源で励起する段階、及び
ｄ）ポストＰＣＲの融解アッセイにおいて、蛍光レポーターの蛍光をモニタリングする段階、
を含んでなる方法。
【請求項２】
オリゴヌクレオチドプローブの少なくとも２つのペアが、マルチプレックスアッセイにおいて使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記レポーターが、フルオレセイン色素、ローダミン色素、シアニン色素、ＦＡＭ、ＪＯＥ、Ｒ６Ｇ、ＴＡＭＲＡ、ＲＯＸ、ＤＡＢＣＹＬ、Ｃｙ３、Ｃｙ３．５、Ｃｙ５、Ｃｙ５．５、Ｃｙ７及びＥＤＡＮＳから成る群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記クエンチャーが、フルオレセイン色素、ローダミン色素、シアニン色素、ＦＡＭ、ＪＯＥ、Ｒ６Ｇ、ＴＡＭＲＡ、ＲＯＸ、ＤＡＢＣＹＬ、Ｃｙ３、Ｃｙ３．５、Ｃｙ５、Ｃｙ５．５、Ｃｙ７及びＥＤＡＮＳから成る群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記クエンチャーがダーククエンチャーである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
５’〜３’ヌクレアーゼ活性が実質的に欠如している前記核酸ポリメラーゼが、サーマス・アクアチクス（Thermus aquaticus）、サーマス種ｓｐｓｌ７（Thermus species sps17）、サーマス種Ｚ０５（Thermus species Z05）、サーモトガ・マリティマ（Thermotoga maritima）及びサーマス・アフリカヌス（Thermus africanus）から成る群から選択される１又は複数の種に由来する、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月23日(2012.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷結合素子（CCD）イメージセンサであって、
行及び列に配置される複数の感光素子と、
前記列のうちの対応する１つの列の感光素子のうちのそれぞれ１つと関連付けされる垂直方向のシフトエレメントをそれぞれ有する複数の垂直方向のCCDと、
前記複数の垂直方向のCCDのそれぞれに結合される水平方向のCCDとを備え、
前記水平方向のCCDは、互いに配置される２つの異なるタイプの水平方向のシフトエレメントを有し、第一のタイプの前記水平方向のシフトエレメントは、前記複数の垂直方向のCCDのそれぞれ１つから、シフトされた電荷パケットを直接に受け、第二のタイプの前記水平方向のシフトエレメントは、隣接する水平方向のシフトエレメントから電荷パケットをダイレクトに受信し、少なくとも１つの第二のタイプの水平方向のシフトエレメントは、２つの隣接する第一のタイプの水平方向のシフトエレメントの間に配置される、
ことを特徴とするCCDイメージセンサ。
【請求項２】
前記水平方向のCCDは、少なくとも第一の動作モードと第二の動作モードにおいて動作し、前記第一の動作モードにおいて、前記水平方向のCCDにおける水平方向のシフトエレメントの数は、前記複数の垂直方向のCCDの数よりも多く、前記第二の動作モードにおいて、前記水平方向のCCDにおける水平方向のシフトエレメントの数は、前記複数の垂直方向のCCDの数に等しい、
請求項１記載のCCDイメージセンサ。
【請求項３】
前記複数の感光素子は、疎なカラーフィルタアレイのパターンに従って構成される、
請求項１又は２記載のCCDイメージセンサ。
【請求項４】
前記疎なカラーフィルタアレイのパターンの最小の繰返し単位は、Pを全整色の画素、X，Y及びZを第１の色、第２の色及び第３の色をそれぞれ有する画素を表すものとして、
【表２】
2012513160.tif 000001
のように配置される１６の隣接する画素を含む、
請求項３記載のCCDイメージセンサ。
【請求項５】
前記複数の感光素子は、Bayerカラーフィルタアレイのパターンに従って構成される、
請求項１又は２記載のCCDイメージセンサ。
【請求項６】
前記水平方向のCCDは、双方向型の水平方向CCDである、
請求項５記載のCCDイメージセンサ。
【請求項７】
電荷結合素子（CCD）イメージセンサによる読み取り方法であって、
前記CCDイメージセンサは、行及び列に配置される複数の感光素子を有し、
複数の垂直CCDのそれぞれは、前記列のうちの対応する列の感光素子のそれぞれに関連する垂直方向のシフトエレメントを有し、水平CCDは、前記複数の垂直CCDに結合され、前記水平CCDは、互いに配置される２つの異なるタイプの水平方向のシフトエレメントを有し、第一のタイプの水平方向のシフトエレメントは、前記複数の垂直CCDのそれぞれからシフトされた電荷パケットを直接に受け、前記第二のタイプの水平方向のシフトエレメントは、隣接する水平方向のシフトエレメントから電荷パケットを直接に受け、少なくとも１つの第二のタイプの水平方向のシフトエレメントは、２つの隣接する第一のタイプの水平方向のシフトエレメントの間で配置され、
当該方法は、
前記複数のCCDからの電荷パケットの行を、前記水平CCDにおける前記第一のタイプの水平方向のシフトエレメントにシフトするステップと、
水平方向のCCDにおける前記電荷パケットを１水平方向のシフトエレメントだけシフトするステップと、
前記複数のCCDからの電荷パケットの別の行を、前記水平CCDにおける前記第一のタイプの水平方向のシフトエレメントにシフトすることで、前記水平CCDにおける電荷パケットのそれぞれをビニングするステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
前記水平方向のCCDは、少なくとも第一の動作モードと第二の動作モードにおいて動作し、前記第一の動作モードにおいて、前記水平方向のCCDにおける水平方向のシフトエレメントの数は、前記複数の垂直方向のCCDの数よりも多く、前記第二の動作モードにおいて、前記水平方向のCCDにおける水平方向のシフトエレメントの数は、前記複数の垂直方向のCCDの数に等しい、
請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記複数の感光素子は、疎なカラーフィルタアレイのパターンに従って構成され、
前記水平CCDにおける電荷パケットのそれぞれをビニングするステップは、前記水平CCDにおけるそれぞれの同じ色の電荷パケットをビニングするステップを含む、
請求項７又は８記載の方法。
【請求項１０】
前記イメージセンサは、デジタル画像形成装置に含まれる、
請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月7日(2012.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を捕捉し、該捕捉された画像を無線通信ネットワークを介してウェブサイトへアップロードするデジタルカメラであって、
（ａ）複数の場面の画像を捕捉し、対応する場面を表す画像信号を生成する画像センサと、
（ｂ）デジタル画像を生成するよう前記画像信号をデジタル化するアナログ−デジタルコンバータと、
（ｃ）前記デジタル画像を記憶するメモリと、
（ｄ）前記メモリへ結合され、前記記憶されたデジタル画像を表示するディスプレイと、
（ｅ）前記ウェブサイトへアップロードされる特定のデジタル画像を選択するユーザインターフェースと、
（ｆ）前記選択されたデジタル画像を前記ウェブサイトへアップロードする無線モデムと、
（ｇ）電力を前記無線モデム及び前記ディスプレイの両方へ供給する通常電力状態と、電力を前記無線モデムへ供給するが前記ディスプレイへは供給しない低減電力状態とを設定する電力管理部と、
（ｈ）前記無線モデムが適切な通信ネットワークへ接続されているかどうかを決定するプロセッサと
を有し、
ユーザが転送のために画像を選択する場合に前記無線モデムが適切な通信ネットワークへ接続されているならば、当該画像は、前記通常電力状態により所定の遅延なしに転送され、前記ユーザが転送のために画像を選択する場合に前記無線モデムが適切な通信ネットワークへ接続されていないならば、当該画像は、前記低減力状態により所定の遅延の後に転送され、
前記所定の遅延は、
所定のスリープ期間の後にバッテリー充電状態及びネットワーク利用可能性を確認し、充電が完了しているか又は未使用であり且つネットワークが利用可能である場合に前記画像を転送する自動ウェイクアップを提供すること
を含む、デジタルカメラ。
【請求項２】
前記ディスプレイは、画像の転送ステータスを示す、
請求項１に記載のデジタルカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
バッテリー充電器３６６が接続されている場合（ブロック１７０に対する“はい”）、ブロック１７２で、スリープ時間が、バッテリー充電時間に基づく時間に設定される。これは、ユーザがより多くの写真を撮影することができるようにするために、バッテリー充電が優先するように行われる。例えば、バッテリーが、通常は、充電するのに２時間かかる場合、スリープ時間は、バッテリーが完全に使い果たされているならば２時間に設定され、バッテリーがおおよそ半分だけ充電されているならば１時間に設定されてよい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月14日(2012.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
前記信号は、前記基地局（28S）と、前記非サービング基地局（28N）に前記情報を転送する無線ネットワーク制御装置ノード（26）との間のインタフェース上で送信されることを特徴とする請求項１１に記載の基地局。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
前記信号は、前記少なくとも２個のキャリアのセットに含まれる少なくとも１つのキャリアをアクティブ化又は非アクティブ化することを前記基地局（28S）が決定した後に、送信されることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の基地局。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月11日(2012.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信システムにおいて、チャネル状態情報を報告する方法であって、
レイヤの数を示すランクを決定することと、
前記ランクに従って、コードブック内のＭｔ×Ｒプリコーディング行列を選択することであって、Ｍｔは、アンテナポートの数を示し、Ｒは、前記ランクを示し、前記コードブックは、Ｋ個のＭｔ×Ｒの行列を含み、ここでＫ≧１であり、各Ｍｔ×Ｒ行列は、要素行列に基づいて定義される、ことと、
前記選択されたＭｔ×Ｒプリコーディング行列を示すプリコーディング行列インジケータを基地局に報告することと
を含む、方法。
【請求項２】
前記要素行列は、Ｎｔ×１列ベクトルによって定義され、Ｎｔ＝Ｍｔ／２である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
Ｍｔは８であり、前記ランクは、１、２、３、４、５、６、７および８のうちの１つである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記プリコーディング行列インジケータは、２つのインデックスを含み、前記２つのインデックスは、前記選択されたＭｔ×Ｒプリコーディング行列に対応する要素行列の組み合わせを定義するために使用される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
各Ｍｔ×Ｒ行列は、前記要素行列および少なくとも１つの加重に基づいて定義される、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記プリコーディング行列インジケータは、２つのインデックスを含み、前記２つのインデックスは、前記選択されたＭｔ×Ｒプリコーディング行列に対応する要素行列および少なくとも１つの加重の組み合わせを定義するために使用される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
Ｒ＝１の場合、前記コードブック内の各行列は、
【化１】
2012513149.tif 000001
として定義され、Ｐ（ｋ）は、前記コードブック内のｋ番目の行列を示し、ｋ＝１，．．．Ｋであり、Ｑ（ｋ）は、前記ｋ番目の行列に対する要素行列を示し、ｗ（ｋ）は、前記ｋ番目の行列に対する加重を示す、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
Ｒ＝２の場合、前記コードブック内の各行列は、
【化２】
2012513149.tif 000002
として定義され、Ｐ（ｋ）は、前記コードブック内のｋ番目の行列を示し、ｋ＝１，．．．Ｋであり、Ｑ１（ｋ）は、前記ｋ番目の行列に対する第１の要素行列を示し、Ｑ２（ｋ）は、前記ｋ番目の行列に対する第２の要素行列を示し、ｗ（ｋ）は、前記ｋ番目の行列に対する加重を示す、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
無線通信システムにおいて、チャネル状態情報を報告する装置であって、前記装置は、プロセッサを含み、前記プロセッサは、
レイヤの数を示すランクを決定することと、
前記ランクに従って、コードブック内のＭｔ×Ｒプリコーディング行列を選択することであって、Ｍｔは、アンテナポートの数を示し、Ｒは、前記ランクを示し、前記コードブックは、Ｋ個のＭｔ×Ｒの行列を含み、ここでＫ≧１であり、各Ｍｔ×Ｒ行列は、要素行列に基づいて定義される、ことと、
前記選択されたＭｔ×Ｒプリコーディング行列を示すプリコーディング行列インジケータを基地局に報告することと
を行うように構成される、装置。
【請求項１０】
前記要素行列は、Ｎｔ×１列ベクトルによって定義され、Ｎｔ＝Ｍｔ／２であり、Ｍｔは８であり、前記ランクは、１、２、３、４、５、６、７および８のうちの１つである、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記プリコーディング行列インジケータは、２つのインデックスを含み、前記２つのインデックスは、前記選択されたＭｔ×Ｒプリコーディング行列に対応する要素行列の組み合わせを定義するために使用される、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
各Ｍｔ×Ｒ行列は、前記要素行列および少なくとも１つの加重に基づいて定義され、前記プリコーディング行列インジケータは、２つのインデックスを含み、前記２つのインデックスは、前記選択されたＭｔ×Ｒプリコーディング行列に対応する要素行列および少なくとも１つの加重の組み合わせを定義するために使用される、請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
無線通信システムにおいて、データを送信する装置であって、前記装置は、プロセッサを含み、前記プロセッサは、
ランクに従って、コードブック内のＭｔ×Ｒプリコーディング行列を選択することであって、Ｍｔは、アンテナポートの数を示し、Ｒは、前記ランクを示し、前記コードブックは、Ｋ個のＭｔ×Ｒの行列を含み、ここでＫ≧１であり、各Ｍｔ×Ｒ行列は、要素行列に基づいて定義される、ことと、
前記選択されたＭｔ×Ｒプリコーディング行列を用いることによって、Ｍ個のアンテナを通してデータを少なくとも１つのユーザ機器に送信することと
を行うように構成される、装置。
【請求項１４】
前記要素行列は、Ｎｔ×１列ベクトルによって定義され、Ｎｔ＝Ｍｔ／２であり、Ｍｔは８であり、前記ランクは、１、２、３、４、５、６、７および８のうちの１つである、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
各Ｍｔ×Ｒ行列は、前記要素行列および少なくとも１つの加重に基づいて定義される、請求項１４に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月31日(2012.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の波長領域にある光と第２の波長領域にある光とを少なくとも含む混合光を放射するためのオプトエレクトロニクスデバイスであって、
当該オプトエレクトロニクスデバイスは、
・第１の電流（４１）が供給された場合に、第１の波長領域にある第１の特徴的波長と第１の強度とを有する光を放射する、第１の発光ダイオード（１１）を含む第１の半導体光源（１）と、
・第２の電流（４２）が供給された場合に、第２の波長領域にある第２の特徴的波長と第２の強度とを有する光を放射する、第２の発光ダイオード（２１）を含む第２の半導体光源（２）と
を有し、
前記第１の波長領域における波長に依存する強度分布と、前記第２の波長領域における波長に依存する強度分布とは異なり、
当該オプトエレクトロニクスデバイスはさらに、
・前記第１の半導体光源（１）から放射された光の一部（１１０）を第１のセンサ信号（３４１）に変換し、前記第２の半導体光源（２）から放射された光の一部（２１０）を第２のセンサ信号（３４２）に変換するための光センサ（３）と、
・前記第１の電流（４１）および前記第２の電流（４２）を前記第１のセンサ信号（３４１）および前記第２のセンサ信号（３４２）に依存して制御するための制御装置（４）と
を有し、
前記第１の半導体光源（１）から放射された光の前記第１の特徴的波長および前記第１の強度は、第１の温度依存特性（９３１，９４１）および／または第１の電流依存特性および／または第１の経時変化を示し、
前記第２の半導体光源（２）から放射された光の前記第２の特徴的波長および前記第２の強度は、前記第１の温度依存特性（９３１，９４１）と異なる第２の温度依存特性（９３２，９４２）および／または第２の電流依存特性および／または第２の経時変化を示し、
前記光センサ（３）は、
・前記第１の波長領域では、前記第１の温度依存特性（９３１，９４１）および／または前記第１の電流依存特性および／または前記第１の経時変化に適合された波長依存性の第１の感度を有し、
・前記第２の波長領域では、前記第２の温度依存特性（９３２，９４２）および／または前記第２の電流依存特性および／または前記第２の経時変化に適合された波長依存性の第２の感度を有し、
前記制御装置（４）は、前記第１のセンサ信号（３４１）と前記第２のセンサ信号（３４２）との間の比が所定の比になるように、前記第１の電流（４１）および前記第２の電流（４２）を制御するように構成されている
ことを特徴とする、オプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項２】
前記光センサ（３）は、前記第１の感度および／または前記第２の感度を有する光活性材料を含み、
および／または、
前記光センサ（３）は、前記第１の感度および／または前記第２の感度を調整するために、波長に依存する透過性を有する少なくとも１つの光フィルタ（３１）を有する、
請求項１記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項３】
前記光センサ（３）は、前記第１の波長領域にある前記光の一部（１１０）が入射する第１のセンサファセット（３２）と、前記第２の波長領域にある前記光の一部（２１０）が入射する第２のファセット（３３）とを有する、請求項１または２記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項４】
前記第１のセンサファセット（３２）と前記第２のセンサファセット（３３）とは光学的および電気的に分離されている、請求項３記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項５】
前記光センサ（３）はシリコンフォトダイオード（３０）を含む、請求項１から４までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項６】
前記第１の電流（４１）および／または前記第２の電流（４２）は、動作中に変調される、請求項１から５までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項７】
前記第１の電流（４１）および／または前記第２の電流（４２）はスイッチオン／スイッチオフによって変調される、請求項６記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項８】
・前記第２の特徴的波長はＶλ曲線（９９０）の下降エッジの領域内にあり、
・前記第２の感度は、前記第２の波長領域において前記Ｖλ曲線（９９０）の波長依存性の勾配と異なる、波長依存性の勾配を有する、請求項１から７までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項９】
・温度が上昇すると前記第２の特徴的波長は大きくなり、
・前記第２の波長領域において、前記第２の感度の波長依存性の勾配の平均と、前記Ｖλ曲線（９９０）の波長依存性の勾配の平均との比が、１を下回る、請求項８記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１０】
前記第２の波長領域における前記第２の感度の波長依存性の勾配の平均と前記Ｖλ曲線（９９０）の波長依存性の感度の平均との比が０．２以上かつ０．８以下である、請求項９記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１１】
前記第１の特徴的波長は、前記Ｖλ曲線（９９０）の上昇エッジまたは最大値の領域にある、請求項８から１０までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１２】
・当該オプトエレクトロニクスデバイスは、少なくとも１つの第３の発光ダイオード（５１）を含む第３の半導体光源（５）を有し、該第３の発光ダイオード（５１）は、動作中に第３の電流（４３）を印加されると、第３の波長領域内にある第３の特徴的波長と第３の強度とを有する光を放射し、
・前記第３の波長領域は、前記第１の波長領域および前記第２の波長領域と異なる波長依存性の強度分布を有し、
・前記第３の特徴的波長および前記第３の強度は、第３の温度依存特性および／または第３の電流依存特性および／または第３の経時変化を有する、請求項１から１１までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１３】
・前記光センサ（３）は前記第３の波長領域において、前記第３の温度依存特性および／または前記第３の電流依存特性および／または前記第３の経時変化に適合された第３の波長依存性の感度を有し、
・前記光センサ（３）は、前記第３の半導体光源（５）から放射された光の一部（５１０）を第３のセンサ信号（３４３）に変換し、
・前記第１のセンサ信号（３４１）と前記第２のセンサ信号（３４２）との比、該第２のセンサ信号（３４２）と前記第３のセンサ信号（３４３）との比、および、該第１のセンサ信号（３４１）と該第３のセンサ信号（３４３）との比が所定の比になるように、前記制御装置（４）は前記第１の電流と前記第２の電流と前記第３の電流とを制御する、請求項１２記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１４】
当該オプトエレクトロニクスデバイスはさらにケーシング（８）を有し、
前記ケーシング（８）内に、前記第１の半導体光源（１）と前記第２の半導体光源（２）と前記光センサ（３）とが配置されている、請求項１から１３までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１５】
前記混合光の色座標は、０℃以上かつ６０℃以下の温度領域において、中間的な色座標の周辺で温度に依存してシフトし、
前記混合光の色座標のシフトは、前記中間的な色座標を含むマクアダム楕円の長軸に沿って生じる、請求項１から１４までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月21日(2012.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硬化性樹脂を硬化させるための硬化剤繊維を含む硬化剤繊維成分。
【請求項２】
前記硬化剤繊維成分が複数の硬化剤繊維を含む、請求項１に記載の硬化剤繊維成分。
【請求項３】
前記硬化剤繊維成分が熱硬化性樹脂を硬化するのに好適なものである、請求項１又は２に記載の硬化剤繊維成分。
【請求項４】
前記硬化剤繊維成分が異なる硬化剤及び／又はそれらのブレンドを含む複数の異なる繊維を有する、請求項２又は３に記載の硬化剤繊維成分。
【請求項５】
前記硬化剤繊維成分が、前記硬化性樹脂を特に硬化したときに強化するように作用する１種以上の添加剤を含む、請求項１〜４のいずれかに記載の硬化剤繊維成分。
【請求項６】
前記硬化剤繊維成分の硬化剤が硬化の対象となる樹脂を硬化させるのに必要な硬化剤系の一部のみを含む、請求項１〜５のいずれかに記載の硬化剤繊維成分。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の複数の硬化剤繊維成分を含む硬化剤繊維材料。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれかに記載の硬化剤繊維成分又は請求項７に記載の硬化剤繊維材料と、該硬化剤によって硬化される硬化性樹脂とを備える樹脂系。
【請求項９】
硬化剤繊維を有する硬化剤繊維成分と強化用繊維成分とを含む複合材料。
【請求項１０】
前記硬化剤繊維成分が請求項１〜６のいずれかに記載されるものである、請求項９に記載の複合材料。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載の複合材料と硬化性樹脂成分とを含む複合材料系。
【請求項１２】
前記硬化性樹脂成分が固体である、請求項１１に記載の複合材料系。
【請求項１３】
前記硬化剤繊維成分が前記強化用繊維成分及び硬化性樹脂成分の一方又は両方と混繊されている、請求項１１又は１２に記載の複合材料系。
【請求項１４】
前記複合材料が、請求項７又は８に記載の硬化剤繊維材料と、少なくとも一つの各表面上に位置した強化用繊維及び／又は硬化性樹脂成分の層とを含む、請求項１１〜１３のいずれかに記載の複合材料系。
【請求項１５】
請求項１〜６のいずれかに記載の硬化剤繊維成分と、強化用繊維成分と、硬化性樹脂成分とを含む複合材料。
【請求項１６】
請求項１〜６のいずれかに記載の硬化剤繊維成分と、熱可塑性成分とを含む複合材料。
【請求項１７】
前記硬化剤繊維成分と前記熱可塑性繊維成分とを混繊して複合材料とした、請求項１６に記載の複合材料。
【請求項１８】
請求項１〜６のいずれかに記載の硬化剤繊維成分と、硬化性樹脂成分と、強化用繊維成分と、非強化用繊維成分とを含む複合材料。
【請求項１９】
前記材料内におけるそれぞれの繊維成分が前記複合材料内において実質的に均一に分布している、請求項１８に記載の複合材料。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月9日(2012.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
実施例４
Ｃｅｒｅｎｏｌ（商標）Ｈ１７４０およびアクリロイル塩化物から出発するポリ（トリメチレンエーテル）グリコールのアクリル酸エステルの合成
４９.８ｇのポリ（トリメチレンエーテル）グリコール（Ｍｎ＝１７４０）および６.９ｇのトリエチルアミン（Ａｌｄｒｉｃｈ、９９.５％）を三ツ口ガラス反応器に取った。その後、氷浴を用いて混合物を８℃に冷却した。乾燥窒素ガスを１時間にわたり反応混合物上に通して、空気および水分を除去した。混合物を完全に攪拌するとともに温度を１２℃未満に保ちつつ、６．３ｇのアクリロイル塩化物（Ａｌｄｒｉｃｈ、９８％）をゆっくり添加した。添加が完了した後、氷浴の氷を水と交換して、抑制された方法で反応温度を上げ、温度のいかなる急上昇も避けた。反応を２８℃にもっていった後、反応混合物を３０分にわたり攪拌した。反応温度を６０℃にゆっくり上げ、その温度で６時間にわたり維持した。反応混合物を約３５℃に冷却し、その後、５０ｍＬの５％ＫＯＨ溶液、１００ｍＬのジクロロメタンおよび５０ｍＬの水を添加した。混合物を３０分にわたり完全に攪拌し、分液漏斗に移送した。得られた生成物を放置して一晩沈殿させた。混合物の有機部分を単離し、５００ｐｐｍの４−メトキシフェノールを添加した。３０℃において、減圧（３００〜５００ｍＴｏｒｒ）下でロータリーエバポレータを用いて溶媒を除去した。２００ｐｐｍのＢＨＴを最終生成物に添加した。得られた生成物を表１において示した通りＮＭＲを用いて分析した。
【表１】
2012513523.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
以下、本発明を要約すると下記のとおりである。
１．式
ＣＨ2＝ＣＲ1−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｑ−ＯＲ2  （Ｉ）
［式中、Ｑはヒドロキシル基引抜き後のポリ（トリメチレンエーテル）グリコールを表し、Ｒ1はＨまたはＣＨ3であり、Ｒ2の各々はＨまたはＣＨ2＝ＣＲ1−Ｃ（Ｏ）である］
を有するポリトリメチレンエーテルグリコールメタ（アクリレート）、および少なくとも１種の重合禁止剤。
２．ポリトリメチレンエーテルグリコールメタ（アクリレート）が、組成物の全質量に基づいて、約１〜９９質量％のポリトリメチレンエーテルグリコールモノメタ（アクリレート）を含む、上記１に記載の組成物。
３．ポリトリメチレンエーテルグリコールメタ（アクリレート）が、組成物の全質量に基づいて、約１〜１００質量％のポリトリメチレンエーテルグリコールジメタ（アクリレート）を含む、上記１に記載の組成物。
４．ポリトリメチレンエーテルグリコールメタ（アクリレート）が、組成物の全質量に基づいて、１,３−プロパンジオールモノメタ（アクリレート）およびまたは１,３−プロパンジオールジメタ（アクリレート）の全組合せ質量を約０.０１〜１０質量％含む、上記１に記載の組成物。
５．ポリトリメチレンエーテルグリコールメタ（アクリレート）が約０.０１〜２質量％の禁止剤を含む、上記１に記載の組成物。
６．ポリトリメチレンエーテルグリコールメタ（アクリレート）が約０.０１〜１質量％の酸化防止剤をさらに含む、上記１に記載の組成物。
７．Ｑが約１３４〜約５０００の範囲内のＭｎを有する、上記１に記載の組成物。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式
ＣＨ2＝ＣＲ1−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｑ−ＯＲ2  （Ｉ）
［式中、Ｑはヒドロキシル基引抜き後のポリ（トリメチレンエーテル）グリコールを表し、Ｒ1はＨまたはＣＨ3であり、Ｒ2の各々はＨまたはＣＨ2＝ＣＲ1−Ｃ（Ｏ）である］
を有するポリトリメチレンエーテルグリコールメタ（アクリレート）、および少なくとも１種の重合禁止剤。
【請求項２】
ポリトリメチレンエーテルグリコールメタ（アクリレート）が、組成物の全質量に基づいて、約１〜９９質量％のポリトリメチレンエーテルグリコールモノメタ（アクリレート）を含む、請求項１に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月9日(2012.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
実施例４
Ｃｅｒｅｎｏｌ（商標）Ｈ１７４０およびアクリロイル塩化物から出発するポリ（トリメチレンエーテル）グリコールのアクリル酸エステルの合成
４９．８ｇのポリ（トリメチレンエーテル）グリコール（Ｍｎ＝１７４０）および６．９ｇのトリエチルアミン（Ａｌｄｒｉｃｈ、９９．５％）を三ツ口ガラス反応器に取った。その後、氷浴を用いて混合物を８℃に冷却した。乾燥窒素ガスを１時間にわたり反応混合物上に通して、空気および水分を除去した。混合物を完全に攪拌するとともに温度を１２℃未満に保ちつつ、６．３ｇのアクリロイル塩化物（Ａｌｄｒｉｃｈ、９８％）をゆっくり添加した。添加が完了した後、氷浴の氷を水と交換して、抑制された方法で反応温度を上げ、温度のいかなる急上昇も避けた。反応を２８℃にもっていった後、反応混合物を３０分にわたり攪拌した。反応温度を６０℃にゆっくり上げ、その温度で６時間にわたり維持した。反応混合物を約３５℃に冷却し、その後、５０ｍＬの５％ＫＯＨ溶液、１００ｍＬのジクロロメタンおよび５０ｍＬの水を添加した。混合物を３０分にわたり完全に攪拌し、分液漏斗に移送した。得られた生成物を放置して一晩沈殿させた。混合物の有機部分を単離し、５００ｐｐｍの４−メトキシフェノールを添加した。３０℃において、減圧（３００〜５００ｍＴｏｒｒ）下でロータリーエバポレータを用いて溶媒を除去した。２００ｐｐｍのＢＨＴを最終生成物に添加した。得られた生成物を表１において示した通りＮＭＲを用いて分析した。
【表１】
2012513524.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
以下、本発明を要約すると下記のとおりである。
１．ポリトリメチレンエーテルグリコールの（メタ）アクリル酸エステルを製造する方法であって、
ａ）１００〜２５０℃の間の温度で酸触媒の存在下に再生可能資源から生化学的に得られた１，３プロパンジオールを主として含むヒドロキシル基含有モノマーを重縮合して、ポリ（トリメチレンエーテル）グリコールを形成させる工程と、
ｂ）得られた前記ポリ（トリメチレンエーテル）グリコールを、重合禁止剤、および任意選択で溶媒の存在下に、２５〜２５０℃の間の温度でアクリル化合物でエステル化する工程と、
を含む、上記方法。
２．ポリトリメチレンエーテルグリコールの（メタ）アクリル酸エステルを製造する方法であって、１３４〜５０００の数平均分子量を有するポリ（トリメチレンエーテル）グリコールを、エステル化触媒、重合禁止剤、および任意選択で溶媒の存在下に、２５〜２５０℃の間の温度で（メタ）アクリル酸と反応させる工程を含む、上記方法。
３．ポリトリメチレンエーテルグリコールの（メタ）アクリル酸エステルを製造する方法であって、ポリ（トリメチレンエーテル）グリコールを有機塩基または触媒の存在下に、５〜１５０℃の間の温度で（メタ）アクリル酸ハロゲン化物と反応させる工程を含む、上記方法。
４．ポリ（トリメチレンエーテル）グリコールアクリレートを単離する工程を更に含む、上記１に記載の方法。
５．ポリ（トリメチレンエーテル）グリコールが再生可能資源から誘導される、上記２または３に記載の方法。
６．触媒が、硫酸、アリールスルホン酸またはアルキルスルホン酸、トリフリン酸およびイオン交換樹脂である、上記１に記載の方法。
７．エステル化で触媒が、ジアルキルスズジラウレート、チタニウムアルコキシド、鉱酸およびそれらの組合せである、上記２に記載の方法。
８．有機塩基がトリアルキルアミンまたはピリジンである、上記３に記載の方法。
９．重合禁止剤が、アルコキシフェノール、アルキルフェノール類、アルコキシフェノール、ヒドロキシベンジルアルコール、および構造
【化２】
2012513524.tif 000002
（式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、独立して、Ｈ、−ＣＨ３、−Ｃ２Ｈ５、−Ｃ３Ｈ７、−Ｃ４Ｈ９、−ＯＣＨ３、−ＯＣ２Ｈ５、−ＯＣ３Ｈ７、−ＯＣ４Ｈ９、−ＣＨ２ＯＨからなる群から選択される）
を有するヒドロキノン類からなる群から選択される、上記１に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリトリメチレンエーテルグリコールの（メタ）アクリル酸エステルを製造する方法であって、
ａ）１００〜２５０℃の間の温度で酸触媒の存在下に再生可能資源から生化学的に得られた１，３プロパンジオールを主として含むヒドロキシル基含有モノマーを重縮合して、ポリ（トリメチレンエーテル）グリコールを形成させる工程と、
ｂ）得られた前記ポリ（トリメチレンエーテル）グリコールを、重合禁止剤、および任意選択で溶媒の存在下に、２５〜２５０℃の間の温度でアクリル化合物でエステル化する工程と、
を含む、上記方法。
【請求項２】
ポリトリメチレンエーテルグリコールの（メタ）アクリル酸エステルを製造する方法であって、１３４〜５０００の数平均分子量を有するポリ（トリメチレンエーテル）グリコールを、エステル化触媒、重合禁止剤、および任意選択で溶媒の存在下に、２５〜２５０℃の間の温度で（メタ）アクリル酸と反応させる工程を含む、上記方法。
【請求項３】
ポリトリメチレンエーテルグリコールの（メタ）アクリル酸エステルを製造する方法であって、ポリ（トリメチレンエーテル）グリコールを有機塩基または触媒の存在下に、５〜１５０℃の間の温度で（メタ）アクリル酸ハロゲン化物と反応させる工程を含む、上記方法。