【手続補正書】
【提出日】平成15年10月6日(2003.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ラビング装置並びに液晶装置の製造方法及び液晶装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に配向膜が形成された基板が、配向膜を上にして吸着固定される載置台と、
前記基板に接し、前記基板の一端部から他端部に向かって相対的に移動することにより前記配向膜をラビング処理するラビングローラーと、
前記吸着固定された前記基板の厚みを測定する基板厚測定機構と、
前記基板厚測定機構による測定結果に基づいて、前記ラビングローラーまたは前記載置台を移動させる移動機構と、
を具備することを特徴とするラビング装置。
【請求項２】
一方の面に配向膜が形成された基板が、配向膜を上にして吸着固定される載置台と、
前記基板に接し、前記基板の一端部から他端部に向かって相対的に移動することにより前記配向膜をラビング処理するラビングローラーと、
前記吸着固定された前記基板における前記ラビングローラーの回転トルク値を検出する回転トルク検出機構と、
前記回転トルク検出機構による検出結果に基づいて、前記ラビングローラーまたは前記載置台を移動させる移動機構と、
を具備することを特徴とするラビング装置。
【請求項３】
前記載置台には、前記基板を吸着固定する吸着孔が前記基板の周辺部に対応する領域では密状態、中央部に対応する領域では疎状態の分布にて配置されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のラビング装置。
【請求項４】
前記基板は、前記基板の中央部より周辺部の方が高い吸着圧にて吸着固定されてなることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のラビング装置。
【請求項５】
（ａ）配向膜を有する液晶装置用基板を、該配向膜を上にして吸着孔を有する載置台に載置する工程と、
（ｂ）前記液晶装置用基板を、前記吸着孔より吸引することにより前記載置台に吸着固定する工程と、
（ｃ）吸着固定された状態の前記液晶装置用基板の厚みを測定する工程と、
（ｄ）前記液晶装置用基板の厚みの測定結果に基づいてラビング条件を設定し、前記配向膜をラビングする工程と
を具備することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項６】
（ａ）配向膜を有する液晶装置用基板を、該配向膜を上にして吸着孔を有する載置台に載置する工程と、
（ｂ）前記吸着孔から吸引することにより、前記液晶装置用基板を前記載置台に吸着固定する工程と、
（ｃ）吸着固定された状態の前記液晶表示装置用基板に接して配置されるラビングローラの回転トルク値が所定の範囲となるように、前記液晶装置用基板と前記ラビングローラーとの距離を制御する工程と、
（ｄ）前記回転トルク値が所定の範囲に設定された状態で、前記配向膜をラビングする工程と
を具備することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項７】
前記液晶装置用基板は、アクティブ領域と、前記液晶装置用基板の厚みの測定または前記回転トルク値の検出が行われる検出領域とからなることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項８】
前記アクティブ領域は、表示画素領域と該表示画素領域の表示を制御する周辺駆動回路領域とからなる請求項７に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項９】
前記検出領域は、前記液晶装置用基板端部に形成されてなることを特徴とする請求項７または請求項８に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１０】
前記（ａ）〜（ｄ）工程は、異なる液晶装置用基板毎に行われることを特徴とする請求項５から請求項９のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項５から請求項１０のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法を用いて製造された液晶装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
液晶装置は、対向基板とＴＦＴアレイ基板との間に液晶層を挟持して構成され、液晶層に電圧を印加し液晶分子の光学特性を変化させることにより表示を行う。対向基板及びＴＦＴアレイ基板の液晶層に接する面上には配向膜が配置されており、配向膜により電圧無印加時の液晶分子の配列が決定される。配向膜は、ポリイミドなどの有機膜の表面を、布などで所定の方向に擦するラビング方法を施すことにより形成される。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図７に示すように、液晶装置用基板１０の液晶装置を形成するアクティブ領域１００は、表示画素領域とこの表示画素領域の表示を制御する周辺駆動回路領域１０４、１０５とからなる。表示画素領域には、互いに交差する複数の走査線３と複数のデータ線６とが配置され、各交差部毎に画素電極９ａが配置され、この画素電極９ａを制御するための薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ）３０が配置され、更に走査線３とほぼ平行に容量線３ｂが配置されている。そして、周辺駆動回路領域には、走査線３に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…Ｇｎを供給する走査線駆動回路１０４、データ線６に画像信号Ｓ１、Ｓ２…、Ｓｎを供給するデータ線駆動回路１０５が配置されている。図８に示すように、ＴＦＴアレイの形成された液晶装置用基板１０では、石英基板６０上にＴＦＴ３０に対応して配置される遮光膜１１ａと、遮光膜１１ａ上に配置される下地絶縁膜１２と、下地絶縁膜１２上に配置されるＴＦＴ３０の一部を構成する半導体層１と、半導体層１を覆うゲート絶縁膜２と、ゲート絶縁膜２上に配置される走査線３の一部をなすゲート電極３ａ及び容量線３ｂと、ゲート電極３ａ及び容量線３ｂとを覆う絶縁膜４とが形成されている。更に、絶縁膜４上にはデータ線６が配置され、データ線６は絶縁膜４に形成されるコンタクトホール５を介して半導体層１のソース領域１ｄと電気的に接続されている。更に、データ線６上には層間絶縁膜７が配置され、層間絶縁膜７上に配置される画素電極９ａは絶縁膜４及び層間絶縁膜７に形成されるコンタクトホール８により半導体層１のドレイン領域１ｅと電気的に接続されている。そして、画素電極９ａ上には、基板前面にポリイミド膜からなる配向膜１６が配置されている。この配向膜１６は、走査線３に沿った方向でラビング処理が施されており、詳細な処理方法については後述する。半導体層１は、チャネル領域１ａを挟むように両側に低濃度不純物領域１ｂ、１ｃ、更にこれらを挟んで高濃度不純物領域１ｄ、１ｅが配置されたＬＤＤ構造となっている。また、半導体層１の一部は容量用電極１ｆとして機能し、容量線３ｂとゲート絶縁膜２を介して蓄積容量７０を形成している。一方、検出領域１１０には、表示用スイッチング素子領域に形成される下地絶縁膜１２、絶縁膜４、層間絶縁膜７、配向膜１６が延在して配置され、各膜はベタ膜状に形成されている。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
一方、対向基板２０は、例えばガラス基板８０上に、格子状に設けられた遮光層２３と、これを覆うように配置された対向電極２１と、更に対向電極２１上に配置されたポリイミドからなる配向膜２２とから構成される。配向膜２２は、ＴＦＴアレイ基板側に配置される配向膜１６に施されるラビング処理方向とほぼ直交した方向にラビング処理が施されている。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
次に、（４）工程に示すように、検出領域１０１におけるラビングローラの回転モーターのトルク値がトルク検出回路４２により測定される。また、ステージ位置は位置検出回路４３によって検出される。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
次に、（５）工程、（６）工程に示すように、検出領域１０１におけるトルク値とステージ位置のデータがコンピュータ４４に入力され、トルク値が所定トルク値範囲に適合されるかどうか判断される。


【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
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【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2001154199.tif 000002