【事件の表示】
　平成８年特許願第３５７９５９号「多層プリント配線板およびその製造方法」［平成１０年７月２１日出願公開（特開平１０−１９０２２４）］拒絶査定に対する審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続の経緯
　本願は、平成８年１２月２７日の出願であって、原審において通知された拒絶理由に対して、平成１２年６月１６日付で意見書及び手続補正書を提出したが、拒絶理由を覆すに足りる根拠がないとして拒絶査定を受けたので、これを不服として、平成１３年５月７日に審判を請求するとともに、当該請求の日から３０日以内の平成１３年６月６日付で、特許法第１７条の２第１項第３号（平成１４年改正前）の規定に係る補正（前置補正）がなされたものである。
　
【２】平成１３年６月６日付手続補正についての却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　平成１３年６月６日付の明細書についての手続補正を却下する。
　　＜理由＞
　１．補正を却下すべき根拠（理由の概要）
　平成１３年６月６日付の明細書についての手続補正（以下、「本件補正」という）は、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正事項を含むから、同条第５項の規定により準用される同第１２６条第４項の規定によれば、補正後における特許請求の範囲により特定される発明は独立して特許を受けることができるものでなければならない。
　しかし、下記２．に掲げる本件補正に係る請求項の発明は、下記３．以下に詳述するとおり、本願の出願前に頒布された刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、当該請求項の発明については、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項の規定により準用される同第１２６条第４項の規定を満たすものとはいえないから、同第１５９条の規定により本件査定不服の審判において一部読み替えて準用される、同第５３条第１項の規定により、上記結論のとおり却下すべきものである。
　
　２．本件補正に係る発明
　本件補正に係る発明は、平成１３年６月６日付手続補正書における特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項によって特定されるとおりのものと認められるが、その内の請求項１に係るものは次のとおりである。
　【請求項１】下層導体回路が設けられた基板上に層間絶縁層が形成され、その層間絶縁層上に上層導体回路が形成されてなり、上層導体回路と下層導体回路がバイアホールで接続した多層プリント配線板において、
　前記上層導体回路および前記バイアホールは、内層側に無電解めっき膜と外層側に電解めっき膜とからなり、
　前記上層導体回路および前記バイアホールが設けられた基板上に層間絶縁層が形成されてなり、
　前記下層導体回路は、少なくとも前記バイアホールと接続する部分の表面に粗化層が形成されてなることを特徴とする多層プリント配線板。
　
　３．引用例とその記載事項の概要
　本願を拒絶すべきものとした、原査定の理由では、本願出願前に頒布された刊行物として、特開平６−２６０７６６号公報（以下、「第１引用例」という）、及び、特開平６−２８３８６０号公報（以下、「第２引用例」という）が引用されている。
　（１）第１引用例の記載事項（ア〜ケ）
　【記載事項ア】「【産業上の利用分野】本発明は、高密度多層配線板やモジュール基板の内層回路とブラインドビアホール内に形成する無電解めっき膜との接着性を向上させる多層配線板の製法に関する。」（【０００１】）
　【記載事項イ】「【従来の技術】多層配線板やモジュール基板の配線密度を向上させる方法として、内層回路を形成した基板の表面に絶縁層及び接着層を形成し、次いで・・・ブラインドビアホールを形成し、無電解めっきまたは無電解めっきと電解めっきを併用して回路を形成する際にブラインドビアホールをめっきして導電化することが行われている。」（【０００２】）
　【記載事項ウ】「図１（Ａ）は、両面銅張り積層板１を用い、エッチングによって内層回路２を形成し、この内層回路表面を希硫酸と過硫酸アンモニウム塩とからなる水溶液で処理して粗化し、更に、リン酸三ナトリウムと過塩素酸ナトリウムを溶解したアルカリ性水溶液で処理して粗化面上に超微粒子状の酸化膜を形成し、次いで、ジメチルアミンボランを溶解したアルカリ性水溶液で酸化膜を還元して銅の還元膜３を形成した状態を示す。・・・　
　これによって、後述の内層回路２と絶縁層４との接着力を向上することができる。また、ブラインドビアホール６の形成後に行う無電解めっき時の反応電位が伝播しても、内層回路２と絶縁層４との界面でのハローイングの発生を抑制することができる。」（【００２１】〜【００２２】）
　【記載事項エ】「図１（Ｂ）は、上記（Ａ）で形成した内層回路１の表面に絶縁層４及び接着層５を形成した状態を示す。絶縁層４は熱硬化性樹脂のフィルムや、光硬化性樹脂のフィルムが用いられる。これらはホットロールによるラミネート法や、ホットプレスによる圧着法が適用できる。そして加熱や紫外線照射により絶縁層４を硬化し、更に接着層５を形成する。接着層５も熱硬化性や光硬化型の樹脂またはそれらのフィルムを用いることができ、加熱や紫外線照射により硬化する。」（【００２３】）
　【記載事項オ】「図１（Ｃ）は、上記（Ｂ）で絶縁層４及び接着層５を形成したものにブラインドビアホール６を形成した状態を示す。・・・ブラインドビアホール６を形成したとき、露出した還元済みの内層回路が空気にさらされて再び酸化され酸化膜７が形成される。そして、その表面には絶縁層の残渣樹脂８が残留している。」（【００２４】）
　【記載事項カ】「図１（Ｄ）は、上記（Ｃ）で形成した酸化膜７や残渣樹脂８を取り除いた状態である。これは、前記水溶液等による処理を行うことによって達成され、内層回路表面に新たな活性化面９が得られる。」（【００２５】）
　【記載事項キ】「図１（Ｅ）は、無電解めっきのための公知の処理を行なった状態を示す。即ち、接着層５の表面を粗化して粗化面１０を形成し、全表面を清浄化後、めっき触媒１１の付与とその活性化等の処理を行なった状態である。」（【００２６】）
　【記載事項ク】「図１（Ｆ）は、無電解めっきや電解めっきにより最外層回路１２を形成した状態を示す。この時、ブラインドビアホール内にもめっき膜が形成される。めっき方法は、無電解銅めっきのみで厚付けを行ってもよいし、また、無電解銅めっき膜を薄く形成した上に電解銅めっきで厚付けしてもよい。なお、これらは公知のエッチング法で配線回路を形成することができる。」（【００２７】）
　「また、無電解銅めっき膜を薄く形成し、配線回路形成部以外をめっきレジストで覆い、電解銅めっきを施して回路部を厚付けし、めっきレジストを除去した後、露出した薄い無電解銅めっき膜をエッチング除去して回路を形成する、いわゆるセミアディティブ法を適用することができる。」（【００２８】）
　【記載事項ケ】「また、前記図１の工程を繰り返すことによって、接続信頼性の高い、より多層の多層配線板あるいは各種モジュール基板を提供することができる。」（【００３０】）
　（２）第２引用例の記載事項（コ、サ）
　【記載事項コ】「導体回路とその上に設けられる層間絶縁材層との密着性を改善する手段としては、従来、導体回路表面を酸化、還元して、表面を粗化する、いわゆる黒化・還元処理が行われている。・・・導体回路とその上に設けられる層間絶縁材層との密着性は、上述したような黒化・還元処理技術を用いても、なお不十分であり、環境の厳しい条件下では、プリント配線板の耐ヒートサイクル特性に欠けるという問題があった。　・・・本発明の目的は、従来技術が抱える上記問題を解決することにあり、特に、耐ヒートサイクル特性に優れる多層プリント配線板およびその製造技術を提供することにある。」（【０００５】〜【０００７】）
　【記載事項サ】「ビルドアップ法による多層プリント配線板を、以下に示す製造工程（１）〜（１０）にしたがって得た。
（１）銅張積層板をエッチングして内層回路１を形成した後、その基板を酸性脱脂し、ソフトエッチングし、Ｃｕ上にＰｄ触媒を置換付与し、活性化した後、表１に示す組成の無電解めっき浴にてめっきを施し、Ｎｉ−Ｐ−Ｃｕ共晶の厚さ１μｍの粗化層２を得た。・・・
（３）ロールコータを用いて内層回路１上に上記のワニスを塗布した後、塗布されたワニスを１００℃で１時間乾燥硬化させ、厚さ50μｍの感光性の層間絶縁材層３を形成した（図２(b) 参照）。・・・
（４）前記工程（３）の処理を施した配線板に、・・・フォトマスクフィルムを密着させ、・・・露光した。これを・・・超音波現像処理することにより・・・直径100 μｍのバイアホールとなる開口４を形成した。・・・
（５）前記配線板を超高圧水銀灯により・・・露光し、さらに・・・加熱処理した。これらの処理により、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた開口４を有する層間絶縁材層３を形成した（図２(c) 参照）。・・・
（６）前記配線板をクロム酸に10分間浸漬することにより、層間絶縁材層３の表面を粗化した。・・・
（７）前記配線板・・・の表面にＰｄ−Ｓｎコロイド５を吸着させ、・・・加熱処理した。（図２(d) 参照）。
（８）前記配線板上にドライフィルムフォトレジストをラミネートすると共に、露光現像を行ってメッキレジスト６を形成した。
　・・・
（10）前記配線板を・・・無電解めっき液に直ちに浸漬し、その状態で15時間保持することにより、めっき膜の厚さ約35μｍ・・・導体回路７を備える多層プリント配線板を得た（図２(e) 参照）。」（【００１９】〜【００２９】）
　
　４．発明の対比
　本件補正に係る上記請求項１の発明（以下、「本願補正発明」という）の構成事項と第１引用例の記載事項ア〜ケとを対比する。
　第１引用例の記載事項ウにおいて、「両面銅張り積層板１を用い、エッチングによって内層回路２を形成し」とされているが、この「内層回路２」は本願補正発明でいう「下層導体回路」に相当し、したがって、「内層回路２を形成」した後の「両面銅張り積層板１」は、「下層導体回路が設けられた基板」に相当するものといえる。更に、「絶縁層４及び接着層５」（エ）は「層間絶縁層」に、「最外層回路１２」（ク、図１（Ｆ）参照）は「上層導体回路」に、「ブラインドビアホール」（ア、ウ、オ、ク）は「バイアホール」に、それぞれ相当し、記載事項アでいう「多層配線板」は、記載事項イも参酌すると、「上層導体回路と下層導体回路がバイアホールで接続した多層プリント配線板」に相当するといえる。
　そして、記載事項クで「図１（Ｆ）は、無電解めっきや電解めっきにより最外層回路１２を形成した状態を示す。この時、ブラインドビアホール内にもめっき膜が形成される。めっき方法は・・・無電解銅めっき膜を薄く形成した上に電解銅めっきで厚付けしてもよい」とされているが、この記載は、本願補正発明における、「上層導体回路および前記バイアホールは、内層側に無電解めっき膜と外層側に電解めっき膜とからなり」という構成を開示している。
　また、記載事項ウで「内層回路表面を希硫酸と過硫酸アンモニウム塩とからなる水溶液で処理して粗化し、・・・ブラインドビアホール６の形成後に行う無電解めっき時の反応電位が伝播しても、内層回路２と絶縁層４との界面でのハローイングの発生を抑制することができる」とされていることや、記載事項クの上記記載から、上記「内層回路」（下層導体回路）の、少なくとも「ブラインドビアホール」（バイアホール）と＜接続する部分の表面＞は粗化されていると認められ、この限りにおいては、本願補正発明と共通しているといえる。
　
　５．一致点と相違点
　上記の対比関係から、本願補正発明と第１引用例記載の発明との一致点と相違点とを次のとおりに認定できる。
　＜一致点＞「下層導体回路が設けられた基板上に層間絶縁層が形成され、その層間絶縁層上に上層導体回路が形成されてなり、上層導体回路と下層導体回路がバイアホールで接続した多層プリント配線板において、
　前記上層導体回路および前記バイアホールは、内層側に無電解めっき膜と外層側に電解めっき膜とからなり、
　前記下層導体回路は、少なくとも前記バイアホールと接続する部分の表面が粗化されてなる」多層プリント配線板の発明である点。
　＜相違点１＞　本願補正発明の「前記上層導体回路および前記バイアホールが設けられた基板上に層間絶縁層が形成されてなり」という構成が、上記認定した第１引用例記載の発明では言及されていない点。
　＜相違点２＞　下層導体回路の表面の粗化が、本願補正発明では「粗化層が形成」されることによって行われるのに対して、第１引用例記載の発明では「希硫酸と過硫酸アンモニウム塩とからなる水溶液で処理して粗化し、」更に、「酸化膜を形成し、次いで、」「酸化膜を還元」（【記載事項ウ】参照）することによって行われる点。
　
　６．相違点の検討
　（１）＜相違点１＞について
　相違点１に係る本願補正発明の構成は「上層導体回路および前記バイアホールが設けられた基板上に層間絶縁層が形成」されるというものである。
　これに対して、第１引用例には、「前記図１の工程を繰り返すことによって、接続信頼性の高い、より多層の多層配線板」を提供することができる旨の記載があるが（【記載事項ケ】参照）、上記のような「より多層の多層配線板」を形成することは、当該技術分野において必要に応じて採用されている通常の実施の態様である。
　上記「より多層の多層配線板」を形成するためには、第１引用例記載の発明において、上記【記載事項ク】でいう「最外層回路１２」及び「ブラインドビアホール」（図１（Ｆ）参照）が形成された後、更に【記載事項ウ】以下の、いわゆるビルドアップによる積層工程を「繰り返す」のであるから、「最外層回路」（上層導体回路）や「ブラインドビアホール」（バイアホール）が設けられた基板上に、「絶縁層及び接着層」（層間絶縁層）が形成されることになる。
　したがって、上記相違点１に係る本願補正発明の構成は、当業者が必要に応じて容易に採用し得る通常の設計事項といえる。
　（２）＜相違点２＞について
　相違点２に係る本願補正発明の構成は、下層導体回路のバイアホールと接続する部分の表面に「粗化層」を形成するというものである。
　一方、第１引用例記載の発明における粗化の手法は、希硫酸や過硫酸アンモニウム塩からなる水溶液で処理して、更に、「酸化膜」を形成し、次いで「酸化膜を還元」するというものである。これは、第２引用例で従来技術とされる、「導体回路表面を酸化、還元」（記載事項コ参照）するものに属すると解されるが、第２引用例では、このような従来技術に関して、耐ヒートサイクル特性（加熱、冷却の繰り返し条件下における絶縁層の密着性）に欠けるという問題点と共に、これを解決するものとして、内層回路表面に「粗化層」（記載事項サ中の（１）の記載参照）を形成することの優位性が指摘されている。
　そうすると、第１引用例記載の発明において、上記「酸化膜」を形成し、次いでこれを「還元」するという従来の粗化手法に代えて、本願補正発明と同様の「粗化層」を形成するという手法を採用することは、第２引用例に示唆されているところであって、格別困難とはいえない。
　（３）作用効果について
　また、上記各相違点で指摘した構成を併せ備える本願補正発明の奏する効果についてみても、各引用例の記載事項から、当業者が容易に予測できる程度のものである。
　したがって、本願補正発明は、上記各引用例記載の発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものといえる。
　
【３】本願の発明について
　１．本願の発明
　上記【２】のとおり、平成１３年６月６日付手続補正は却下されたので、本願の発明は、平成１２年６月１６日付手続補正に係る明細書の、特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項によって特定される次のとおりのものである。
　【請求項１】下層導体回路が設けられた基板上に層間絶縁層が形成され、その層間絶縁層上に上層導体回路が形成されてなり、上層導体回路と下層導体回路がバイアホールで接続した多層プリント配線板において、
　前記バイアホールおよび前記下層導体回路は、各々内層側に無電解めっき膜と外層側に電解めっき膜からなり、
　該下層導体回路は、少なくともバイアホールと接続する部分の表面に粗化層が形成されてなることを特徴とする多層プリント配線板。
　【請求項２】前記粗化層は、銅−ニッケル−リンの合金めっきからなる請求項１に記載の多層プリント配線板。
　【請求項３】基板上に下層導体回路を形成し、ついでこの下層導体回路表面のうち、少なくともバイアホールと接続する部分の表面に粗化処理を施し、次に基板上に層間絶縁層を設け、この層間絶縁層にバイアホール用の孔を形成し、
　さらに、層間絶縁層上に無電解めっきを施した後、めっきレジストを設け、電解めっきを施し、めっきレジストを除去後、エッチング処理して無電解めっき膜と電解めっき膜からなる上層導体回路およびバイアホールを形成することを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
　【請求項４】前記粗化層は、銅−ニッケル−リンの合金めっきにより形成される請求項３に記載の多層プリント配線板の製造方法。
　
　２．引用例とその記載事項
　（１）上記第１引用例（特開平６−２６０７６６号公報）及び第２引用例（特開平６−２８３８６０号公報）の記載事項は、上記【２】の３．に指摘したとおりである。
　（２）また、特開昭６１−２４６３７２号公報（以下、「周知例１」という）、特開昭６２−１３１５９３号公報（以下、「周知例２」という）、特開平２−１４４９８７号公報（以下、「周知例３」という）には、樹脂等の基板やフィルムからなる絶縁体層の表面に、無電解メッキ膜と電解メッキ膜とを形成することによって、回路やバイアホールを形成する技術事項が開示されており、特に、周知例１及び周知例３には、絶縁体層に近い内層側に無電解メッキ膜を形成し、その外層側に電解メッキ膜を形成する旨が明示されている。
　
　３．対比・判断
　（１）一致点と相違点
　上記【２】の４．以下の検討から明らかなように、上記第１引用例には、本願の上記請求項１の発明（以下、「本願発明」という）との一致点といえる次の発明が、実質上記載されていると認められる。
　「下層導体回路が設けられた基板上に層間絶縁層が形成され、その層間絶縁層上に上層導体回路が形成されてなり、上層導体回路と下層導体回路がバイアホールで接続した多層プリント配線板において、
　前記バイアホールは、内層側に無電解めっき膜と外層側に電解めっき膜からなり、
　該下層導体回路は、少なくとも前記バイアホールと接続する部分の表面が粗化されてなる」多層プリント配線板の発明。
　したがって、本願発明と第１引用例記載の発明とは次の各点で相違するといえる。
　＜相違点Ａ＞　本願発明の「下層導体回路は、各々内層側に無電解めっき膜と外層側に電解めっき膜からなり、」という構成が、第１引用例記載の発明では言及されていない。
　＜相違点Ｂ＞　下層導体回路の表面の粗化が、本願発明では「粗化層が形成」されることによって行われるのに対して、第１引用例記載の発明では、「希硫酸と過硫酸アンモニウム塩とからなる水溶液で処理して粗化し、」更に、「酸化膜を形成し、次いで、」「酸化膜を還元」することによって行われる点。
　（２）相違点の検討
　上記の各相違点のうち、相違点Ｂは、上記【２】６．で検討した相違点２と実質上同じものであって、格別のものではない。
　また、上記の相違点Ａに係る本願発明の構成は、上記２．（２）で指摘した各周知例に記載されている技術事項を採用することによって、当業者が容易になしうる設計事項であるから、相違点Ａも格別のものとはいえない。
　したがって、本願発明は、上記各引用例及び周知例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　（３）請求項２以下の発明について
　請求項２及び４で規定されている「粗化層は、銅−ニッケル−リンの合金めっき」によるという構成は、上記第２引用例に開示がある。
　次に、請求項３に係る「多層プリント配線板の製造方法」について検討すると、当該請求項３の「層間絶縁層上に無電解めっきを施した後、めっきレジストを設け、電解めっきを施し、めっきレジストを除去後、エッチング処理して無電解めっき膜と電解めっき膜からなる上層導体回路およびバイアホールを形成する」という記載は、第１引用例の記載事項ク後段で言及されている「セミアディティブ法」をいうものに他ならず、また、請求項３で規定されている他の構成事項も、全て第１引用例に実質上の開示がある。
　したがって、請求項２以下の発明は、第１引用例、又は、これに加えて、第２引用例及び上記周知例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　（４）審判請求の理由について
　請求人は、審判請求の理由において、上記請求項１の「下層導体回路」は「内層側に無電解めっき膜と外層側に電解めっき膜からなり」という記載は誤記に基づくもので、上記の「下層導体回路」は「上層導体回路」とすべきものであった旨の主張をしている（平成１３年６月６日付の手続補正書（方式）第３頁第９〜２３行参照）。
　本願の請求項１の発明を上記主張のとおりに解したとしても、当該主張に係る請求項１の発明が、上記の各引用例に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたといえることは、上述【２】の検討から明らかである。
　
【４】むすび
　以上のとおり、本願の各請求項に係る発明は、上記引用例、又は、これに加えて上記周知例に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、当該各請求項の発明については、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。