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【手続補正書】
【提出日】平成15年11月17日(2003.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層によって基板層から分離されている単結晶シリコン層上にパターンを定義するステップと、
前記単結晶シリコン層に構造物を定義するステップと、
前記単結晶シリコン層上にポリシリコン層を蒸着およびエッチングし、前記構造物の機械的要素または光学的要素を形成するポリシリコンを残すステップと、
前記形成された構造物を解離するステップと、
を有する処理によって製作されるマイクロメカニカルまたはマイクロオプトメカニカルな構造物。
【請求項２】
前記単結晶シリコン層上にパターンを定義するステップは、
前記単結晶シリコン層上に前記パターンをフォトリソグラフィによって定義するステップと、
前記パターンを酸化物保護層で覆うステップと、
を有する請求項１に記載の構造物。
【請求項３】
前記ポリシリコン構造物が形成された後に酸化物の保護層を除去するステップをさらに有する処理によって製作される請求項２に記載の構造物。
【請求項４】
前記パターンを定義するステップは、前記単結晶シリコン層上にいずれかの構造物が定義される前に行う請求項１に記載の構造物。
【請求項５】
前記パターンがグリッドである請求項１に記載の構造物。
【請求項６】
前記グリッドが、フレネルグリッド、正グリッド、比例した間隔を有するグリッドからなる群から選択される請求項５に記載の構造物。
【請求項７】
前記パターンにコーティングを塗布するステップをさらに有する処理によって製作される請求項５に記載の構造物。
【請求項８】
前記コーティングが、金、アルミニウム、クロミウム、プラチナからなる群から選択される金属である請求項７に記載の構造物。
【請求項９】
単結晶シリコンを選択的にエッチングするステップは、前記単結晶シリコン層をフォトリソグラフィによってパターニングしドライエッチングするステップをさらに有する請求項１に記載のマイクロ構造物。
【請求項１０】
前記絶縁層が酸化物層である請求項１に記載の構造物。
【請求項１１】
絶縁層によって基板層から分離されている単結晶シリコン層上にパターンを定義するステップと、
前記単結晶シリコン層に構造物を定義するステップと、
前記単結晶シリコン層上にポリシリコン層を蒸着およびエッチングし、前記構造物の機械的要素または光学的要素を形成するポリシリコンを残すステップと、
前記形成された構造物を解離するステップと、
を有するマイクロメカニカルまたはマイクロオプトメカニカルな構造物を製造するための方法。
【請求項１２】
前記単結晶シリコン層上にパターンを定義するステップは、
前記単結晶シリコン層上に前記パターンをフォトリソグラフィによって定義するステップと、
前記パターンを酸化物保護層で覆うステップと、
を有する請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ポリシリコン構造物が形成された後に酸化物の保護層を除去するステップをさらに有する請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記パターンを定義するステップは、前記単結晶シリコン層上にいずれかの構造物が定義される前に行う請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記パターンがグリッドである請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記グリッドが、フレネルグリッド、正グリッド、比例した間隔を有するグリッドからなる群から選択される請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記パターンにコーティングを塗布するステップをさらに有する請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記コーティングが、金、アルミニウム、クロミウム、プラチナからなる群から選択される金属である請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
単結晶シリコンを選択的にエッチングするステップは、前記単結晶シリコン層をフォトリソグラフィによってパターニングしドライエッチングするステップをさらに有する請求項１１に記載の方法。
【請求項２０】
前記絶縁層が酸化物層である請求項１１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、マイクロメカニカルまたはマイクロオプトメカニカルな構造物を提供する。この構造物は、以下の段階を含む処理によって製作される。すなわち、絶縁層によって基板層から分離されている単結晶シリコン層上にパターンを定義すること、単結晶シリコン層に構造物を定義すること、単結晶シリコン層上にポリシリコン層を蒸着およびエッチングし、構造物の機械的要素または光学的要素を形成するポリシリコンを残すこと、形成された構造物を解離することである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
図２は、本願明細書に記載される処理の実施形態の使用に適する絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）ウェーハ１０の一実施形態を示す。ＳＯＩウェーハ１０は、単結晶シリコンデバイスウェーハ薄層１２および基板層１４を含む。基板層１４はポリシリコンであることが好ましい。これらの２つの層１２，１４の間には、デバイス層１２と基板層１４を完全に結合させる埋め込み酸化（ＢＯＸ）層１６がある。この埋め込み酸化層１６は、薄膜を形成するためのウェットエッチングおよびドライエッチングの手順におけるエッチングストップとして使用することもできる。さらに、基板層１４の裏面上には裏面酸化層１８があり、デバイス層１２と基板層１４間のインタフェースへのエッチダウンを裏面から調節するために使用される。ウェーハは、直径１００ｍｍ±０．５ｍｍ、厚さ５２５±２５マイクロメートルの円形であることが好ましい。ウェーハの全体の厚さは、裏面酸化物２０の１±０．５マイクロメートル、埋め込み酸化物（ＢＯＸ）の１±０．０５マイクロメートル、単結晶シリコンの５±０．５マイクロメートルから構成される。厚さの残りは基板から構成される。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月17日(2003.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層によって基板層から分離されてた単結晶シリコン層に構造物を定義するステップと、
前記単結晶シリコン層を選択的にエッチングするステップと、
前記単結晶シリコン層上にポリシリコン層を蒸着およびエッチングし、前記構造物の機械的要素または光学的要素を形成するポリシリコンを残すステップと、
前記構造物の裏面を金属被覆するステップと、
前記形成された構造物を解離するステップと、
を有する処理によって製作されるマイクロメカニカルまたはマイクロオプトメカニカルな構造物。
【請求項２】
単結晶シリコンを選択的にエッチングするステップは、前記単結晶シリコン層にフォトリソグラフィによってパターン形成し、ドライエッチングするステップをさらに有する請求項１に記載のマイクロ構造物。
【請求項３】
前記絶縁層が酸化物層である請求項１に記載の構造物。
【請求項４】
構造物の裏面を金属被覆するステップは、
ウェーハの裏面から前記基板層と絶縁体を、前記構造物の前記単結晶シリコン層の裏面が露出するまで、エッチングして取り去るステップと、
前記構造物の前記単結晶シリコン層が露出した裏面上に金属のコーティングを蒸着するステップと、
を有する請求項１に記載の構造物。
【請求項５】
金属が、金、アルミニウム、クロミウム、プラチナからなる群から選択される請求項４に記載の構造物。
【請求項６】
絶縁層によって基板層と結合された単結晶シリコン層を含むウェーハにマイクロメカニカルまたはマイクロオプトメカニカルな構造物を作るための方法であって、
前記単結晶シリコン層に前記構造物を定義するステップと、
前記単結晶シリコン層を選択的にエッチングするステップと、
選択的にエッチングされた単結晶シリコン層および前記酸化物層にフォトリソグラフィによってパターン形成し、エッチングするステップと、
前記絶縁層上にポリシリコン層を蒸着し、パターン形成するステップと、
前記構造物の裏面を金属被覆するステップと、
形成された構造物を解離するステップと、
を有する方法。
【請求項７】
単結晶シリコンを選択的にエッチングするステップは、前記単結晶シリコン層にフォトリソグラフィによってパターン形成し、ドライエッチングするステップをさらに有する請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記絶縁層が酸化物層である請求項６に記載の方法。
【請求項９】
構造物の裏面を金属被覆するステップは、
ウェーハの裏面から前記基板層と絶縁体を、前記構造物の前記単結晶シリコン層の裏面が露出するまで、エッチングして取り去るステップと、
前記構造物の前記単結晶シリコン層が露出した裏面上に金属のコーティングを蒸着するステップと、
を有する請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記金属が、金、アルミニウム、クロミウム、プラチナからなる群から選択される請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ポリシリコン層上にＰＳＧ層を蒸着するステップと、
前記ＰＳＧ層とポリシリコン層にパターン形成するステップと、
形成されたマイクロオプティカルな構造物を解離する前に保護的な酸化物層を蒸着するステップと、
をさらに有する請求項６に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、マイクロメカニカルまたはマイクロオプトメカニカルな構造物を提供する。この構造物は、以下の段階を含む処理によって製作される。すなわち、絶縁層によって基板層から分離されている単結晶シリコン層上にパターンを定義すること、単結晶シリコン層に構造物を定義すること、単結晶シリコン層上にポリシリコン層を蒸着およびエッチングし、構造物の機械的要素または光学的要素を形成するポリシリコンを残すこと、形成された構造物を解離することである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
図２は、本願明細書に記載される処理の実施形態の使用に適する絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）ウェーハ１０の一実施形態を示す。ＳＯＩウェーハ１０は、単結晶シリコンデバイスウェーハ薄層１２および基板層１４を含む。基板層１４はポリシリコンであることが好ましい。これらの２つの層１２，１４の間には、デバイス層１２と基板層１４を完全に結合させる埋め込み酸化（ＢＯＸ）層１６がある。この埋め込み酸化層１６は、薄膜を形成するためのウェットエッチングおよびドライエッチングの手順におけるエッチングストップとして使用することもできる。さらに、基板層１４の裏面上には裏面酸化層１８があり、デバイス層１２と基板層１４間のインタフェースへのエッチダウンを裏面から調節するために使用される。ウェーハは、直径１００ｍｍ±０．５ｍｍ、厚さ５２５±２５マイクロメートルの円形であることが好ましい。ウェーハの全体の厚さは、裏面酸化物２０の１±０．５マイクロメートル、埋め込み酸化物（ＢＯＸ）の１±０．０５マイクロメートル、単結晶シリコンの５±０．５マイクロメートルから構成される。厚さの残りは基板から構成される。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月23日(2003.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁界内に配置したワークの表面を磁区に沿って磁力結合された多数の磁性砥粒からなる粒子ブラシにより研磨する磁気研磨方法において、前記粒子ブラシとワークとの間を上下方向および水平方向（前後あるいは左右方向、もしくは前後方向および左右方向）に同時に振動あるいは揺動させて磁気研磨する楕円振動により相対運動させることを特徴とする楕円振動活用の磁気研磨方法。
【請求項２】
前記各方向の個々の振動振幅、振動数は工作物の寸法・形状に応じて適宜選択制御されることを特徴とする請求項１に記載の楕円振動活用の磁気研磨方法。
【請求項３】
前記ワークが磁性材である場合には、磁性体を核として周囲に非磁性層を被覆した磁性砥粒を用いたことを特徴とする請求項１または２に記載の楕円振動活用の磁気研磨方法。
【請求項４】
前記磁性砥粒に遊離砥粒と加工液を加えたことを特徴とする請求項３に記載の楕円振動活用の磁気研磨方法。
【請求項５】
磁極間に形成される閉磁気回路の磁区を横断して配設されワークを載置するテーブルと、前記磁区に沿って磁力結合された多数の磁性砥粒からなる粒子ブラシを前記ワークの表面に摺接するように構成した磁気研磨装置において、前記磁極とテーブル間を楕円振動により相対運動させるように構成したことを特徴とする楕円振動活用の磁気研磨装置。
【請求項６】
前記磁極を回転自在に構成するとともに、前記テーブルを上下方向および水平方向（前後あるいは左右方向、もしくは前後方向および左右方向）に同時に振動あるいは揺動自在に構成したことを特徴とする請求項５に記載の楕円振動活用の磁気研磨装置。
【請求項７】
スプリング装置により原位置に復元可能に構成された前記テーブルを、カム機構等を介したモータ駆動によって上下方向および水平方向に振動あるいは揺動自在に構成したことを特徴とする請求項６に記載の楕円振動活用の磁気研磨装置。
【請求項８】
前記請求項１ないし４のいずれか記載の楕円振動活用の磁気研磨方法または請求項５ないし７のいずれか記載の楕円振動活用の磁気研磨装置に使用する磁性砥粒であって、該磁性砥粒径を１とした場合に、磁気異方性を有する磁性体を核としてその表面に０．１〜０．５程度の厚さの非磁性層を被覆して構成したことを特徴とする磁性砥粒。
【請求項９】
前記磁性体の核を、磁性ステンレス鋼、鉄、ニッケル等の強磁性材料、あるいは永久磁石により構成したことを特徴とする請求項８に記載の磁性砥粒。
【請求項１０】
前記非磁性層として、プラスチック、ゴム等の軟質材料あるいは切れ刃をもつセラミックス等の硬質材料を用いたことを特徴とする請求項８または９に記載の磁性砥粒。
【請求項１１】
前記非磁性層に研磨材を含有させたことを特徴とする請求項８ないし１０のいずれかに記載の磁性砥粒。
【請求項１２】
前記磁性砥粒を微粒化し、この磁性砥粒群に粘弾性材料を混入して磁気粘弾性的な挙動を与えるようにし、その挙動を磁場印加により磁気制御できることを特徴とする請求項８ないし１１のいずれかに記載の磁性砥粒。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】このため本発明は、磁界内に配置したワークの表面を磁区に沿って磁力結合された多数の磁性砥粒からなる粒子ブラシにより研磨する磁気研磨方法において、前記粒子ブラシとワークとの間を上下方向および水平方向（前後あるいは左右方向、もしくは前後方向および左右方向）に同時に振動あるいは揺動させて磁気研磨する楕円振動により相対運動させることを特徴とする。また本発明は、前記各方向の個々の振動振幅、振動数は工作物の寸法・形状に応じて適宜選択制御されることを特徴とする。また本発明は、前記ワークが磁性材である場合には、磁性体を核として周囲に非磁性層を被覆した磁性砥粒を用いたことを特徴とする。また本発明は、前記磁性砥粒に遊離砥粒と加工液を加えたことを特徴とする。また本発明は、磁極間に形成される閉磁気回路の磁区を横断して配設されワークを載置するテーブルと、前記磁区に沿って磁力結合された多数の磁性砥粒からなる粒子ブラシを前記ワークの表面に摺接するように構成した磁気研磨装置において、前記磁極とテーブル間を楕円振動により相対運動させるように構成したことを特徴とする。また本発明は、前記磁極を回転自在に構成するとともに、前記テーブルを上下方向および水平方向（前後あるいは左右方向、もしくは前後方向および左右方向）に同時に振動あるいは揺動自在に構成したことを特徴とする。また本発明は、スプリング装置により原位置に復元可能に構成された前記テーブルを、カム機構等を介したモータ駆動によって上下方向および水平方向に振動あるいは揺動自在に構成したことを特徴とする。また本発明は、前記楕円振動活用の磁気研磨方法または磁気研磨装置に使用する磁性砥粒であって、該磁性砥粒径を１とした場合に、磁気異方性を有する磁性体を核としてその表面に０．１〜０．５程度の厚さの非磁性層を被覆して構成したことを特徴とする。また本発明は、前記磁性体の核を、磁性ステンレス鋼、鉄、ニッケル等の強磁性材料、あるいは永久磁石により構成したことを特徴とする。また本発明は、前記非磁性層として、プラスチック、ゴム等の軟質材料あるいは切れ刃をもつセラミックス等の硬質材料を用いたことを特徴とする。また本発明は、前記非磁性層に研磨材を含有させたことを特徴とする。また本発明は、前記磁性砥粒を微粒化し、この磁性砥粒群に粘弾性材料を混入して磁気粘弾性的な挙動を与えるようにし、その挙動を磁場印加により磁気制御できることを特徴とし、これらを課題解決のための手段とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月18日(2003.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】サーマルプリントヘッド


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、
前記基体に設けられた発熱抵抗体と、
前記発熱抵抗体に接続され、ボンディングパッドを備えた電極と、
前記電極を前記ボンディングパッドの少なくとも一部が露出するよう被覆した無機の絶縁体と、
を具備したことを特徴とするサーマルプリントヘッド。
【請求項２】
第１の面と、前記第１の面に対して傾斜するよう形成された第２の面とを有する基体と、
前記基体の第１の面に設けられた発熱抵抗体と、
前記発熱抵抗体に接続され、前記第２の面にボンディングパッドを備えた電極と、
前記電極を前記ボンディングパッドの少なくとも一部が露出するよう被覆した無機の絶縁体と、
を具備したことを特徴とするサーマルプリントヘッド。
【請求項３】
基体と、
前記基体に設けられた発熱抵抗体列と、
前記発熱抵抗体列に対応して接続され、前記発熱抵抗体列との距離が異なる第１および第２のボンディングパッド列を備えた第１および第２の電極群と、
前記第１および第２の電極群に対し、前記発熱抵抗体列に近接した前記第１あるいは第２のボンディングパッド列と前記発熱抵抗体列との間を被覆した第１の無機の絶縁体と、
を具備したことを特徴とするサーマルプリントヘッド。
【請求項４】
第１の面と、前記第１の面に対して傾斜するよう形成された第２の面とを有する基体と、
前記基体の第１の面に設けられた発熱抵抗体列と、
前記発熱抵抗体列に対応して接続され、前記発熱抵抗体列との距離が異なる第１および第２のボンディングパッド列を前記基体の第２の面に備えた第１および第２の電極群と、
前記第１および第２の電極群に対し、前記発熱抵抗体列に近接した第１あるいは第２のボンディングパッド列と前記発熱抵抗体列との間を被覆した第１の無機の絶縁体と、
を具備したことを特徴とするサーマルプリントヘッド。
【請求項５】
前記第１の電極群の備えた第１のボンディングパッド列と前記第２の電極群の備えた第２のボンディングパッド列との間を被覆した第２の無機の絶縁体をさらに具備したことを特徴とする請求項３または４に記載のサーマルプリントヘッド。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月11日(2003.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ネットワークファクシミリ装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ローカルエリアネットワークまたはインターネットを介して画情報通信を行う機能と、公衆網を介し、ファクシミリ装置との間で所定のファクシミリ伝送手順を用いてファクシミリデータをやりとりする機能を備えたネットワークファクシミリ装置において、
公衆網を介してファクシミリ装置との間で画情報通信を終了すると、そのときの相手端末がメールアドレスを有しているか否かを通知するための通信結果レポートを作成して出力することを特徴とするネットワークファクシミリ装置。
【請求項２】
ローカルエリアネットワークまたはインターネットを介して画情報通信を行う機能と、公衆網を介し、ファクシミリ装置との間で所定のファクシミリ伝送手順を用いてファクシミリデータをやりとりする機能を備えたネットワークファクシミリ装置において、
公衆網を介してファクシミリ装置との間で画情報通信を終了すると、そのときの相手端末より、メールアドレスを有していることが通知されているときには、その旨を通知する通信結果レポートを作成して出力することを特徴とするネットワークファクシミリ装置。
【請求項３】
ローカルエリアネットワークまたはインターネットを介して画情報通信を行う機能と、公衆網を介し、ファクシミリ装置との間で所定のファクシミリ伝送手順を用いてファクシミリデータをやりとりする機能を備えたネットワークファクシミリ装置において、
電子メールにより、公衆網のファクシミリ装置に対する画情報送信が指令されると、その画情報送信を行うとともに、その画情報送信が終了すると、その電子メールの送信元ユーザに対して、そのときの相手端末がメールアドレスを有しているか否かの情報を、電子メールを用いて通知することを特徴とするネットワークファクシミリ装置。
【請求項４】
ローカルエリアネットワークまたはインターネットを介して画情報通信を行う機能と、公衆網を介し、ファクシミリ装置との間で所定のファクシミリ伝送手順を用いてファクシミリデータをやりとりする機能を備えたネットワークファクシミリ装置において、
公衆網を介してファクシミリ装置との間で画情報通信を終了すると、そのときの相手端末がメールアドレスを有しているか否かを通知するための電子メールを、あらかじめ登録されたメールアドレスへ送信することを特徴とするネットワークファクシミリ装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ローカルエリアネットワークまたはインターネットに接続され、ローカルエリアネットワークまたはインターネットを介して画情報通信を行う機能と、公衆網を介し、ファクシミリ装置との間で所定のファクシミリ伝送手順を用いてファクシミリデータをやりとりする機能を備えたネットワークファクシミリ装置に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、かかる実情に鑑みてなされたものであり、インターネットを利用した画情報通信の機会を増やし、通信コストを低減できるネットワークファクシミリ装置を提供することを目的としている。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ローカルエリアネットワークまたはインターネットに接続され、ローカルエリアネットワークまたはインターネットを介して画情報通信を行う機能と、公衆網を介し、ファクシミリ装置との間で所定のファクシミリ伝送手順を用いてファクシミリデータをやりとりする機能を備えたネットワークファクシミリ装置の制御方法において、公衆網を介してファクシミリ装置との間で画情報通信を終了すると、そのときの相手端末がメールアドレスを有しているか否かを通知するための通信結果レポートを作成して出力するようにしたものである。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、ローカルエリアネットワークまたはインターネットに接続され、ローカルエリアネットワークまたはインターネットを介して画情報通信を行う機能と、公衆網を介し、ファクシミリ装置との間で所定のファクシミリ伝送手順を用いてファクシミリデータをやりとりする機能を備えたネットワークファクシミリ装置の制御方法において、公衆網を介してファクシミリ装置との間で画情報通信を終了すると、そのときの相手端末より、メールアドレスを有していることが通知されているときには、その旨を通知する通信結果レポートを作成して出力するようにしたものである。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、ローカルエリアネットワークまたはインターネットに接続され、ローカルエリアネットワークまたはインターネットを介して画情報通信を行う機能と、公衆網を介し、ファクシミリ装置との間で所定のファクシミリ伝送手順を用いてファクシミリデータをやりとりする機能を備えたネットワークファクシミリ装置の制御方法において、電子メールにより、公衆網のファクシミリ装置に対する画情報送信が指令されると、その画情報送信を行うとともに、その画情報送信が終了すると、その電子メールの送信元ユーザに対して、そのときの相手端末がメールアドレスを有しているか否かの情報を、電子メールを用いて通知するようにしたものである。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、ローカルエリアネットワークまたはインターネットに接続され、ローカルエリアネットワークまたはインターネットを介して画情報通信を行う機能と、公衆網を介し、ファクシミリ装置との間で所定のファクシミリ伝送手順を用いてファクシミリデータをやりとりする機能を備えたネットワークファクシミリ装置の制御方法において、公衆網を介してファクシミリ装置との間で画情報通信を終了すると、そのときの相手端末がメールアドレスを有しているか否かを通知するための電子メールを、あらかじめ登録されたメールアドレスへ送信するようにしたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月25日(2003.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の主面に形成された第１反射ミラー層と、
前記第１反射ミラー層上に積層され、かつ、量子井戸が形成された活性層と、  前記第１反射ミラー層と共に共振器構造を構成する柱状の第２反射ミラー層を備えたポスト部と、
前記第１反射ミラー層と前記第２反射ミラー層との間に形成され、周縁部が高抵抗化された周縁高抵抗化層と、を備えた面発光型半導体レーザであって、
該周縁高抵抗化層の少なくとも１つの膜は、前記半導体基板の主面に平行な面内において直交する２軸方向に異なる膜厚分布を有することを特徴とする面発光型半導体レーザ。
【請求項２】
前記周縁高抵抗化層の少なくとも１つの膜は、その非高抵抗化領域の前記半導体基板の主面に平行な面内において直交する２軸方向の長さが異なることを特徴とする請求項１に記載の面発光型半導体レーザ。
【請求項３】
前記周縁高抵抗化層が複数の膜からなり、各膜の非高抵抗化の割合が異なることを特徴とする請求項１に記載の面発光型半導体レーザ。
【請求項４】
前記周縁高抵抗化層は、Ａｌ組成比が第１及び第２反射ミラー層のＡｌ組成比より高い半導体層を選択酸化することによって形成されたことを特徴とする請求項１から３までのいずれか1項に記載の面発光型半導体レーザ。
【請求項５】
半導体基板の主面上に、第１反射ミラー層、量子井戸が形成された活性層、及び前記第１反射ミラー層と共に共振器構造を構成する第２反射ミラー層を順に設けると共に、前記第１反射ミラー層、前記活性層、及び前記第２反射ミラー層を順に設ける際に、前記第１反射ミラー層と前記第２反射ミラー層との間に、高抵抗化することが可能であり、前記半導体基板の主面に平行な面内において直交する２軸方向に異なる膜厚を有する挿入層を設ける積層工程と、少なくとも該挿入層の表面または側面が露出するまでエッチングして凸部を形成するエッチング工程と、
該凸部の表面または側面に露出した前記挿入層を高抵抗化する高抵抗化工程と、を含む面発光型半導体レーザの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、鋭意検討の結果、下記手段により上記課題が解決されることを見出した。
すなわち、請求項１記載の本発明の面発光型半導体レーザは、半導体基板の主面に形成された第１反射ミラー層と、前記第１反射ミラー層上に積層され、かつ、量子井戸が形成された活性層と、前記第１反射ミラー層と共に共振器構造を構成する柱状の第２反射ミラー層を備えたポスト部と、前記第１反射ミラー層と前記第２反射ミラー層との間に形成され、周縁部が高抵抗化された周縁高抵抗化層と、を備えた面発光型半導体レーザであって、該周縁高抵抗化層の少なくとも１つの膜は、前記半導体基板の主面に平行な面内において直交する２軸方向に異なる膜厚分布を有することを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
高抵抗された領域は殆ど電流を通さないため、半導体基板の主面に平行な面内において直交する２軸方向に異なる膜厚分布の周縁高抵抗化層を設けたことにより、半導体基板の主面に平行な面内において直交する２軸方向に異なる割合で電流狭窄及び光の閉じ込めがなされる。このように、直交する２軸方向で異なる反射率分布と異なるストレスが活性層に与えられ、発振しきい値利得に異方性が生じ、しきい値利得の小さい軸方向のモードだけが選択的に得られ、レーザ光の偏波面を一定方向に固定化することができる。
また、周縁を高抵抗化することにより屈折率導波路が形成されるため、低しきい値電流の良好な素子特性が得られる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項４の発明は、請求項１から３までのいずれか1項に記載の面発光型半導体レーザにおいて、前記周縁高抵抗化層が、Ａｌ組成比が第１及び第２反射ミラー層のＡｌ組成比より高い半導体層を選択酸化することによって形成されたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月21日(2003.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
利得制御手段と、
受信信号の伝送速度に応じて前記利得制御手段を制御する制御手段を備えることを特徴とする無線通信装置。
【請求項２】
前記制御手段は、信号の受信が終了した後の前記利得制御手段の利得を、前記伝送速度に応じて設定することを特徴とする請求項１の無線通信装置。
【請求項３】
前記制御手段は、信号の受信が終了した後の前記利得制御手段の利得を、前記伝送速度に応じて、前記信号を受信する前の値あるいは前記信号を受信している時の値に設定することを特徴とする請求項１の無線通信装置。
【請求項４】
受信した信号のレベルを第１の利得で変更し、
受信した信号に応じて利得を第１の利得から変更し、
前記信号の伝送速度に応じて利得を設定することを特徴とする受信方法。
【請求項５】
前記信号の伝送速度に応じて、利得を前記第１の利得に戻すか否か選択することを特徴とする請求項４の受信方法。
【請求項６】
待機中に用いられた第１の利得を、受信した信号に応じて変更し、待機中に戻るときに、前記信号の伝送速度に応じて利得を設定することを特徴とする受信方法。
【請求項７】
受信信号を制御するための利得を設定し、
受信された信号の速度に応じて利得を制御するプログラムを記憶した記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月21日(2003.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の入力信号を加算し入力加算信号を出力する入力加算手段と、
他のディジタルミキサから出力されるカスケード信号を入力するためのカスケード入力手段と、
前記入力加算信号とカスケード信号との加算信号又は前記入力加算信号をカスケード信号として出力するカスケード出力手段と、
前記加算信号又は入力加算信号か、或いは、前記カスケード入力手段により入力されるカスケード信号か、の何れかを切替え出力するスイッチ手段と、
このスイッチ手段から出力される信号をミキシング出力信号として出力するミキシング出力手段と
を具備することを特徴とする双方向カスケード接続ミキサ。
【請求項２】
前記ミキシング出力手段は、ミキシング出力信号の位相を調整するための遅延手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の双方向カスケード接続ミキサ。
【請求項３】
さらに、
前記スイッチ手段の切替え及び前記遅延手段の遅延量を設定するための制御手段
を具備することを特徴とする請求項２に記載の双方向カスケード接続ミキサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この発明によると、複数の入力信号（１ｃｈ〜ｎｃｈ）を加算し入力加算信号（Ｓｉ）を出力する入力加算手段（１２，２２）と、他のディジタルミキサから出力されるカスケード信号（Ｓｃ，ＴＬ）を入力するためのカスケード入力手段（ＣＩ，ＣＲ）と、入力加算信号（Ｓｉ）とカスケード信号（Ｓｃ）との加算信号（Ｓｉ＋Ｓｃ）又は入力加算信号（Ｓｉ）をカスケード信号（Ｓｃ，ＴＬ）として出力するカスケード出力手段（ＣＯ）と、加算信号（Ｓｉ＋Ｓｃ）又は入力加算信号（Ｓｉ）か、或いは、カスケード入力手段（ＣＩ，ＣＲ）により入力されるカスケード信号（Ｓｃ，ＴＬ）か、の何れかを切替え出力するスイッチ手段（１５３・１５４，２５５，３２・３３，４２・４３）と、このスイッチ手段から出力される信号をミキシング出力信号（ＢＵＳ，ＯＵＴｍ・ＯＵＴ１〜ＯＵＴｋ）として出力するミキシング出力手段（ＢＯ）とを具備する双方向カスケード接続ミキサが提供される。なお、括弧書きは、理解の便のために付加した実施例の参照記号である。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
〔作用〕
この発明による双方向カスケード接続ミキサでは、複数の入力チャンネルからの信号を加算した入力加算信号、或いは、この入力加算信号と他のディジタルミキサから出力されるカスケード信号との加算信号をカスケード出力として出力する。制御手段により切替え制御されるスイッチ手段は、当該ディジタルミキサがカスケードマスタかスレーブかに応じて、ミキシング出力段に与える信号を、加算信号又は入力加算信号か或いはカスケード信号かの何れかに切り替える。ミキシング出力段には、制御手段による設定に基づいて、各ディジタルミキサの間のミキシング出力信号間の位相差を調整するスイッチ遅延回路が設けられる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明の双方向カスケード接続ミキサでは、複数の入力チャンネルからの入力信号を加算した入力加算信号、或いは、この入力加算信号と他のディジタルミキサから出力されるカスケード信号との加算信号をカスケード出力として出力し、制御手段により切替え制御されるスイッチ手段によって、当該ディジタルミキサがカスケードマスタかスレーブかに応じて、ミキシング出力段に与える信号を、加算信号又は入力加算信号か或いはカスケード信号かの何れかに切り替え、ミキシング出力段には、制御手段による設定に基づいて、各ディジタルミキサの間のミキシング出力信号間の位相差を調整するスイッチ遅延回路が設けられる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月5日(2003.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜上に形成された金属膜の少なくとも一部を研磨により除去する半導体装置の製造方法において、前記金属膜を酸化させる酸化性物質と、前記金属膜が酸化した金属酸化物を水溶性化する物質と増粘剤と水を含み研磨砥粒をふくまない研磨液を用い、前記金属膜表面を機械的に摩擦することにより前記金属膜の一部を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記増粘剤の分子量が、１００００以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記増粘剤の粘性率が、１重量％水溶液の状態で１００ｃＰ以上であることを特徴とする請求項１乃至２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記研磨液の粘性率が、１０ｃＰ以上であることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記増粘剤が、ポリアクリル酸であることを特徴とする請求項１乃至４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記増粘剤が、ポリアクリル酸アンモニウム塩もしくはポリアクリル酸アミン塩であることを特徴とする請求項１乃至４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記増粘剤が、架橋型重合体であることを特徴とする請求項１乃至６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
絶縁膜上に形成された金属膜の少なくとも一部を研磨により除去する半導体装置の製造方法において、前記金属膜を酸化させる酸化性物質と、前記金属膜が酸化した金属酸化物を水溶性化する物質と、前記金属膜の酸化や金属酸化膜の水溶化を抑制する防食性物質と分子量が１００００以上の増粘剤と水を含み研磨砥粒をふくまない研磨液を用い、前記金属膜表面を機械的に摩擦することを特徴とする研磨方法。
【請求項９】
絶縁膜上に形成された金属膜の少なくとも一部を除去する研磨方法において、酸化性物質と、酸化物を水溶性化する物質と、防食性物質と水を含み、粘性率が１０ｃＰ以上の研磨液を用い、前記金属膜表面を機械的に摩擦することにより前記金属膜の一部を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記酸化性物質は、過酸化水素であることを特徴とする請求項１乃至９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記酸化物を水溶性化する物質は、有機酸もしくはその塩を含むことを特徴とする請求項１乃至９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記有機酸は、ヒドロキシカルボン酸であることを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記ヒドロキシカルボン酸は、リンゴ酸もしくはクエン酸であることを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記金属膜は、銅もしくは銅を主成分とする合金もしくは銅化合物を含むことを特徴とする請求項１乃至９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記金属膜は、タングステンやタングステン合金もしくはタングステン化合物を含むことを特徴とする請求項１乃至９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記金属膜は、窒化チタンもしくはタンタル、もしくは窒化タンタルを含むことを特徴とする請求項１乃至９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
絶縁膜上に形成された金属膜の少なくとも一部を除去する半導体装置の製造方法において、過酸化水素水と、クエン酸もしくはリンゴ酸と、分子量が１００００以上のポリアクリル酸もしくはポリアクリル酸アンモニウムを含み研磨砥粒をふくまない研磨液を用い、前記金属膜表面を機械的に摩擦することにより前記金属膜の一部を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
不純物ドープ層を有する基体を準備する工程と、
前記不純物ドープ層上に開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜が形成された基体上に金属膜を形成する工程と、前記金属膜を酸化させる酸化性物質と、前記金属膜が酸化した金属酸化物を水溶性化する物質と増粘剤と水を含み研磨砥粒をふくまない研磨液を用い、前記金属膜表面を機械的に摩擦をかけることにより前記絶縁膜上の前記金属膜を研磨により除去して前記絶縁膜を露出させる工程と、その後、前記基体を洗浄する工程と、洗浄された前記基体を乾燥する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
第１の配線層を有する基体を準備する工程と、
前記第１の配線層が露出される開口部を有する第１の絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜が形成された基体上に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜を酸化させる酸化性物質と、前記金属膜が酸化した金属酸化物を水溶性化する物質と増粘剤と水を含み研磨砥粒をふくまない研磨液を用い、
前記金属膜表面を機械的に摩擦をかけることにより前記絶縁膜上の前記金属膜を研磨により除去して前記絶縁膜を露出させる工程と、
その後、前記基体を洗浄する工程と、洗浄された前記基体を乾燥する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
導電体層を有する基体を準備する工程と、
前記導電体層上に開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜が形成された基体上に、窒化チタン膜と銅を主成分とする金属膜を含む積層膜を形成する工程と、
過酸化水素水と、クエン酸もしくはリンゴ酸と、架橋型ポリアクリル酸もしくは架橋型ポリアクリル酸塩を含む研磨液を用い、前記金属膜表面を機械的に摩擦することにより前記絶縁膜上の前記金属膜を研磨により除去して前記絶縁膜を露出させる工程と、その後、
前記基体を洗浄する工程と、
洗浄された前記基体を乾燥する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
導電体層を有する基体を準備する工程と、
前記導電体層上に開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜が形成された基体上に、窒化チタン膜と銅を主成分とする金属膜を含む積層膜を形成する工程と、
過酸化水素水と、クエン酸もしくはリンゴ酸と、ポリアクリル酸もしくはポリアクリル酸塩を含み、粘性率が１０ｃＰ以上の研磨液を用い、前記金属膜表面を機械的に摩擦することにより前記絶縁膜上の前記金属膜を研磨により除去して前記絶縁膜を露出させる工程と、その後、
前記基体を洗浄する工程と、
洗浄された前記基体を乾燥する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月9日(2004.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方基板と他方基板の間に液晶層が挟持され、前記他方基板の前記液晶層とは反対の面に設けられた第１の偏光手段と、前記一方基板の前記液晶層とは反対の面に設けられた第２の偏光手段とを有する液晶表示装置において、
前記一方基板は反射機能を有する領域と透過機能を有する領域とを備え、１つの絵素の中に反射表示領域と透過表示領域とが分割して形成され、
前記第１の偏光手段と前記液晶層との間に設けられた第１の位相差板と、前記第２の偏光手段と前記液晶層との間に設けられた第２の位相差板とを備えており、
前記第１の偏光手段と前記第２の偏光手段との間に、前記液晶層への光の入射方向または視角方向で発生する液晶分子の屈折率異方性を補償する光学補償層が設けられることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
一方基板と他方基板の間に液晶層が挟持され、前記他方基板の前記液晶層とは反対の面に設けられた第１の偏光手段と、前記一方基板の前記液晶層とは反対の面に設けられた第２の偏光手段とを有する液晶表示装置において、
前記一方基板は反射機能を有する領域と透過機能を有する領域とを備え、１つの絵素の中に反射表示領域と透過表示領域とが分割して形成され、
前記第１の偏光手段と前記液晶層との間に設けられた第１の位相差板と、前記第２の偏光手段と前記液晶層との間に設けられた第２の位相差板とを備えており、
前記第１の偏光手段と前記第２の偏光手段との間に、前記液晶層への光の入射方向または視角方向で発生する液晶分子の屈折率異方性を補償する機能が付加されていることを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、一方基板と他方基板の間に液晶層が挟持され、前記他方基板の前記液晶層とは反対の面に設けられた第１の偏光手段と、前記一方基板の前記液晶層とは反対の面に設けられた第２の偏光手段とを有する液晶表示装置において、前記一方基板は反射機能を有する領域と透過機能を有する領域とを備え、１つの絵素の中に反射表示領域と透過表示領域とが分割して形成され、前記第１の偏光手段と前記液晶層との間に設けられた第１の位相差板と、前記第２の偏光手段と前記液晶層との間に設けられた第２の位相差板とを備えており、前記第１の偏光手段と前記第２の偏光手段との間に、前記液晶層への光の入射方向または視角方向で発生する液晶分子の屈折率異方性を補償する光学補償層が設けられることを特徴としている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、一方基板と他方基板の間に液晶層が挟持され、前記他方基板の前記液晶層とは反対の面に設けられた第１の偏光手段と、前記一方基板の前記液晶層とは反対の面に設けられた第２の偏光手段とを有する液晶表示装置において、前記一方基板は反射機能を有する領域と透過機能を有する領域とを備え、１つの絵素の中に反射表示領域と透過表示領域とが分割して形成され、前記第１の偏光手段と前記液晶層との間に設けられた第１の位相差板と、前記第２の偏光手段と前記液晶層との間に設けられた第２の位相差板とを備えており、前記第１の偏光手段と前記第２の偏光手段との間に、前記液晶層への光の入射方向または視角方向で発生する液晶分子の屈折率異方性を補償する機能が付加されていることを特徴としている。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月5日(2003.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
理想の感光体ドラムであれば、露光後π／ωo＝τo時間後に転写されるはずである。
従って、中間転写ベルト４０上では、ｘ＝Ｖτoにあるべき画像が、ｘ＝Ｖτで転写後τo−τ時間で距離ｓを走行すれば転写誤差はない。ただし、ｓ≒（ε／Ｒ）（Ｒ＋εsinθ）cosθである。しかし、τo−τ時間で走行できる距離ｆはｆ＝Ｖ（τo−τ）であり、ｄ＝ｓ−ｆが転写誤差となる。つまり、ｘ＝Ｖτ＋ｓ＝Ｖτo＋ｄに相当する画像データを露光側で発生させれば、理想画像ができることになる。結局、ｄ前のデータを発生させればよい。
【数３９】
2003270892.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
まず、電源がオンされたとき、中間転写ベルト４０を駆動する。中間転写ベルト４０と感光体ドラム１１をすべることなく一体的に動くように低速にすべることなく動かすと、感光体ドラム１１もつれ回って動く。そして、感光体ドラム１１の一回転を、回転角の基準位置を検出する検出器の出力で検出し、このときのベルト移動検出リニアエンコーダ４１２の出力パルス数（場合によってはパルス間隔の位相も計測して精度を向上する）を検出して感光体ドラム１１の径を計測する。また、偏芯位置検出器の出力を検出して、前記感光体ドラム１１の一回転を回転角の基準位置を検出する検出器の出力と、感光体ドラム１１に設けた回転角エンコーダによって偏芯位置を計測する。偏芯振幅は、偏芯位置検出器の出力波形の交流振幅を検出することによって検出できる。以上の検出をすべての感光体ドラムについて行う。以上の検出データによって、補正値ｄ＝（ε／Ｒ）（Ｒ＋εsinθ）cosθ−〔π（Ｒｏ−Ｒ）＋Ｒsin−１｛（ε／Ｒ）cosθ｝〕を各感光体ドラムについて一周分（θ＝０〜２π）計算し、参照テーブルとして図示しないコントローラ内のメモリに記憶する。
次に、中間転写ベルト４０上の端部にある先端位置検出器４１３で、基準マーク４１１を検出し、各感光体ドラム１１が理想位置にあり、かつ理想形状になっているとして、基準マーク４１１上にテスト・マークを転写するような主走査データを各感光体ドラム１１上に記録する。ここでは、外乱等でポリゴンミラーの主走査のタイミング位相は、中間転写ベルト４０の移動により発生する副走査のタイミング位相と一致していない場合について考察する。主走査の露光画像発生開始タイミングは、中間転写ベルト４０上のベルト移動検出リニアエンコーダ用のタイミングマーク４１０をベルト移動検出リニアエンコーダ用検出器４１２で検出したパルス信号に基づいて行う。ポリゴンミラーによる主走査タイミングと合致するとは限らない。従って、テストマーク記録発生タイミングが来たとき、ポリゴンミラーの主走査タイミングが来てないときは、遅れて来るポリゴンモータの主走査タイミングでテストマークを記録する。そして、図１２（ａ）のように、中間転写ベルト４０上に記録されたテストマークＭ（Ｃ）、Ｍ（Ｍ）、Ｍ（Ｙ），Ｍ（ＢＫ）と基準マーク４１１：Ｍ（ref）との誤差を検出した後、偏芯と径のばらつき分によって発生するｄ分と、ここでの誤差分を補正すれば、感光体ドラム１１の取りつけ誤差を補正することができる。このようにして、感光体ドラム１１等の取りつけ位置の補正データと、感光体ドラム１１の偏芯と径のばらつきによる補正データ「ｄ」が求まる。このデータを使って前記したように感光体ドラム上の露光位置を変えるか、この露光画像の発生データのタイミングを変えていけば、色ずれのないひずみのない画像が発生できる。基準位置誤差検出器４１４は、図１２（ｂ）に示される発光素子ＬＤと対物レンズＯＬからなる発光部とスリットＳＬと受光素子ＰＤからなる受光部で構成されるマーク検出ユニット４組からなる。前記４組の検出ユニットは、中間転写ベルト走行方向と直交する方向に配置され前記４つのマークをそれぞれ検出する。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月24日(2003.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
（２）  図５（ａ），（ｂ）は、図４の定Ｋ型フィルタに減衰極を追加した多段（例えば、４段）の定Ｋ型フィルタの原理を説明する図であり、同図（ａ）は構成図、及び同図（ｂ）は特性図である。
減衰域が通過域より高い周波数に設定されている場合、図５（ａ）に示すように、減衰量をかせぐために直列に異なった周波数の減衰極２１を挿入する方法もある。しかし、このような方法を採用した場合、図５（ｂ）に示すように、通過域での損失が増えてしまい、かつ、素子数も増え、チップサイズも大きくなってしまうという問題点があった。
（３）  前記文献２に記載された直列腕共振子だけで構成した帯域阻止型フィルタの場合、全ての直列腕共振子の共振周波数を変えている。このようなフィルタでは、通過域で各直列腕共振子の制動容量が全て直列に接続されてしまう。このため、合成された制動容量が非常に小さくなってしまい、各直列腕共振子の対数、交差長を非常に大きくしないと、通過域での挿入損失が増えてしまい、チップサイズが大きく、また通過域の低域で挿入損失が増えて（即ち、通過域が傾く）しまうという問題点があった。
本発明は、前記従来技術が持っていた課題を解決し、広い帯域に渡って所望の減衰量が得られる弾性表面波フィルタを提供することを目的とする。


【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
1999220353.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
1999220353.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月20日(2004.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力により駆動力を発生する電動機で走行する電気自動車における走行表示装置において、
前記電力の供給スイッチがオンされた後、車両の状態を判定し、該判定結果を表示することを特徴とする電気自動車における走行表示装置。
【請求項２】
走行可能と判定されると電動機から駆動力が伝達可能であること表示することを特徴とする請求項１に記載の電気自動車における走行表示装置。
【請求項３】
走行不可と判定されると、前記電動機及びエンジンからの駆動力が伝達不能であることを表示することを特徴とする請求項１又は２に記載の電気自動車における走行表示装置。
【請求項４】
走行不可と判定されると、前記電動機及びエンジンから駆動力が伝達不能である旨のメッセージを表示することを特徴とする請求項３に記載の電気自動車における走行表示装置。
【請求項５】
走行可能と判定された後、乗員操作により走行指示がなされると、駆動力が伝達可能である旨の表示から駆動力が伝達中である旨の表示に切り換えられることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電気自動車における走行表示装置。
【請求項６】
前記エンジンによる走行時は、前記駆動力の伝達中である旨の表示を禁止することを特徴とする請求項５に記載の電気自動車における走行表示装置。
【請求項７】
前記判定結果において前記電動機から駆動力が伝達不可ならば、前記エンジンからバッテリに駆動力が伝達されている旨の表示を行うことを特徴とする請求項６に記載の電気自動車における走行表示装置。
【請求項８】
前記判定結果において所定条件が成立したならば、エンジン始動を行う旨の表示を行うことを特徴とする請求項６に記載の電気自動車における走行表示装置。
【請求項９】
前記所定条件とは、前記電力の蓄電量が所定量以下の場合であることを特徴とする請求項６に記載の電気自動車における走行表示装置。
【請求項１０】
前記所定条件とは、前記エンジンの冷間時であることを特徴とする請求項６に記載の電気自動車における走行表示装置。
【請求項１１】
前記判定結果を音声により報知することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の電気自動車における走行表示装置。