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【手続補正書】
【提出日】平成24年4月20日(2012.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス半導体チップであって、
−  上面（１０ａ）に第１のコンタクト領域（１）が配置されており、下面（１０ｂ）に第２のコンタクト領域（２）が配置されている、半導体ボディ（１０）と、
−  前記半導体ボディ（１０）に直接接触した状態に配置され、かつ前記第２のコンタクト領域（２）に直接的に導電接続されており、マイグレーションを生じる傾向にある金属を含んでいる、反射層（３）と、
−  前記第２のコンタクト領域（２）に直接的に導電接続されている導電性材料（５）が配置されており、前記半導体ボディ（１０）の前記上面（１０ａ）と前記下面（１０ｂ）との間に延在している、チップ側壁（１１）と、
を備えており、
前記導電性材料（５）は、放射に対して透過性を有する導電性酸化物である、
オプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項２】
前記第１のコンタクト領域（１）の周囲、前記半導体ボディ（１０）の前記上面（１０ａ）から前記半導体ボディ（１０）の中に、溝（８）が構造化されている、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項３】
前記溝（８）が前記半導体チップの活性ゾーン（９）を分断している、
請求項２に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項４】
前記溝（８）が前記反射層（３）まで延在している、
請求項３に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項５】
前記チップ側壁（１１）と前記導電性材料（５）との間に電気絶縁材料（７）が配置されており、前記電気絶縁材料が、前記導電性材料（５）によって前記半導体ボディ（１０）との接触が形成されることを防止する、
請求項１〜４のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項６】
−  前記半導体チップの動作時、前記第１のコンタクト領域（１）が第１の電位（Ｕ１）にあり、
−  前記第２のコンタクト領域（２）と、前記反射層（３）と、前記導電性材料（５）とが、共通の第２の電位（Ｕ２）にあり、
−  前記第１の電位（Ｕ１）が前記第２の電位（Ｕ２）とは異なる、
請求項１〜５のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項７】
前記反射層（３）が銀を含んでいる、または銀から成る、
請求項１〜６のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項８】
前記下面（１０ｂ）の上への前記第１のコンタクト領域（１）の突出部（１３）の領域では、前記半導体ボディ（１０）の前記下面（１０ｂ）に前記反射層（３）が存在しないように、前記反射層（３）が構造化されている、
請求項１〜７のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項９】
薄膜設計で構成されている、
請求項１〜８のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項１０】
エピタキシャル成長させた前記半導体ボディから成長基板が除去されており、前記半導体ボディが前記第２のコンタクト領域（２）によってキャリア（１４）に固定されている、
請求項９に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項１１】
−  前記半導体チップの動作時、前記金属の前記マイグレーションを抑制する電界を形成する手段（６）が、前記半導体チップに設けられており、
前記手段（６）が、前記チップ側壁（１１）に配置された前記導電性材料（５）で形成されている、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月14日(2012.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
移動ノード２２５は、その現在の位置をローカル移動性アンカ２１３に知らせるのに関与し、関連づけられた移動先ネットワークへの接続を要求する。移動ノード２２５が、移動先ネットワーク２５０への接続に移行すると、移動ノード２２５は、移動先ネットワークおよび／または移動先エージェントのアドレスに関する適切な情報をエージェント広告から取得する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月20日(2012.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント（１）であって、
−  少なくとも２つの接続領域（２５）と、キャリア上面（２１）と、を有する接続キャリア（２）と、
−  前記接続キャリア（２）の前記キャリア上面（２１）上に取り付けられており、前記接続キャリア（２）に直接接触している、少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（３）と、
前記キャリア上面（２１）に直接接触しており、前記チップ（３）には直接接触していない、シリコーン含有材料からなる環状のポッティング材（４）と、
前記チップ（３）及び前記ポッティング材（４）との間に空間（１０）を形成する、ガラスシート形状のガラス材（５）と、
を備えており、
前記接続キャリア（２）が、繊維強化材（２４）を有するシリコーンマトリックスを使用して構成されている、
オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント（１）。
【請求項２】
前記繊維強化材（２４）がガラス繊維から形成されている、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント（１）。
【請求項３】
前記繊維強化材（２４）が少なくとも３層を備えている、
請求項１または２に記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント（１）。
【請求項４】
前記繊維強化材（２４）が前記シリコーンマトリックス（２６）によって完全に囲まれている、
請求項１〜３のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント（１）。
【請求項５】
前記接続領域（２５）が少なくとも１つの金属被覆（２３）から形成されている、
請求項１〜４のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント（１）。
【請求項６】
前記金属被覆（２３）が前記キャリア上面（２１）の上とキャリア下面（２２）の上の両方に延在している、
請求項１〜５のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント（１）。
【請求項７】
前記キャリア上面（２１）と前記キャリア下面（２２）との間の電気的接続が、少なくとも１つのビア（２８）によって設けられている、
請求項１〜６のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント（１）。
【請求項８】
前記ポッティング材（４）は、シリコーンハイブリッド材料からなり、又はシリコーンからなる、
請求項１〜７のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント（１）。
【請求項９】
前記ポッティング材（４）は柔軟性シリコーンからなる、
請求項８に記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント（１）。
【請求項１０】
前記半導体チップ（３）が前記ガラス材（５）によって覆われている、
請求項１〜９のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント（１）。
【請求項１１】
前記半導体チップ（３）が、前記接続キャリア（２）、前記ポッティング材（４）及び前記ガラス材（５）によって、完全に囲まれている、
請求項１〜１０のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント（１）。
【請求項１２】
前記ガラス材（５）が、光学素子の形をとっている、
請求項１〜１１のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント（１）。
【請求項１３】
前記ポッティング材（４）が半透明である、
請求項１〜１２のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント（１）。
【請求項１４】
前記ポッティング材（４）もしくは前記ガラス材（５）またはその両方が、多層構造である、
請求項１〜１３のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント（１）。
【請求項１５】
少なくとも１３０℃の動作温度まで耐熱性である、
請求項１〜１４のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント（１）。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月10日(2012.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リンクパートナの１つ以上の等化パラメータを適合させるための局所トランシーバによって実施される方法であって、
前記リンクパートナと前記局所トランシーバの間のチャネルを介してトレーニングフレームを受け取るステップであって、前記トレーニングフレームが定義済みトレーニングパターンからなる、ステップと、
１つ以上のラッチの時間オフセット及び電圧閾値の１つ以上を変化させている間、前記リンクパートナの前記等化パラメータのうちの１つ以上を調整するステップと、
前記チャネルの前記等化が１つ以上の定義済みマージン基準を満足しているかどうかを、前記１つ以上のラッチと少なくとも１つの決定ラッチとの比較が、対応する目標値が満たされていることを示しているかどうかに基づいて決定するステップと
を備える方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法であって、
前記チャネルのための１つ以上の雑音マージン及びジッタマージンを改善するステップをさらに備える方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法であって、
前記チャネルのための雑音マージンを改善する前記ステップが、前記等化パラメータのうちの前記１つ以上を変化させている間、前記１つ以上のラッチの前記電圧閾値を変化させるステップをさらに備える方法。
【請求項４】
請求項２記載の方法であって、
前記チャネルのためのジッタマージンを改善する前記ステップが、前記等化パラメータのうちの前記１つ以上を変化させている間、前記１つ以上のラッチの前記時間オフセットを変化させるステップをさらに備える方法。
【請求項５】
メモリと、
前記メモリに結合された、リンクパートナの１つ以上の等化パラメータを適合させるように動作する少なくとも１つのプロセッサとを備える局所トランシーバであって、
前記少なくとも１つのプロセッサは、
前記リンクパートナと前記局所トランシーバの間のチャネルを介してトレーニングフレームを受け取るステップであって、前記トレーニングフレームが定義済みトレーニングパターンからなる、ステップと、
１つ以上のラッチの時間オフセット及び電圧閾値の１つ以上を変化させている間、前記リンクパートナの前記等化パラメータのうちの１つ以上を調整するステップと、
前記チャネルの前記等化が１つ以上の定義済みマージン基準を満足しているかどうかを、前記１つ以上のラッチと少なくとも１つの決定ラッチとの比較が、対応する目標値が満たされていることを示しているかどうかに基づいて決定するステップと
を実行することにより前記リンクパートナの１つ以上の等化パラメータを適合させるように動作する、局所トランシーバ。
【請求項６】
請求項５記載の局所トランシーバであって、
前記チャネルの前記等化が１つ以上の定義済み基準を満足しているかどうかを決定する前記ステップが擬似ランダムパターンチェッカによって実行される、局所トランシーバ。
【請求項７】
請求項５記載の局所トランシーバであって、
前記プロセッサが前記チャネルのための１つ以上の雑音マージン及びジッタマージンを改善するようにさらに構成されている、局所トランシーバ。
【請求項８】
請求項５記載の局所トランシーバであって、
前記チャネルのための前記雑音マージンが、前記等化パラメータの前記１つ以上を変化させている間、前記１つ以上のラッチの前記電圧閾値を変化させることによって改善され、
前記チャネルのための前記ジッタマージンが、前記等化パラメータの前記１つ以上を変化させている間、前記１つ以上のラッチの前記時間オフセットを変化させることによって改善される、局所トランシーバ。
【請求項９】
請求項５記載の局所トランシーバであって、
前記１つ以上の雑音マージン及びジッタマージンが、前記定義済みトレーニングパターンが前記局所トランシーバによって適切に受信されたかどうかに基づいて確立される、局所トランシーバ。
【請求項１０】
メモリと、
前記メモリに結合された、リンクパートナの１つ以上の等化パラメータを適合させるように動作する少なくとも１つのプロセッサとを備える受信機のためのトレーニングフレーム抽出器であって、
前記少なくとも１つのプロセッサは、
前記リンクパートナと前記局所トランシーバの間のチャネルを介してトレーニングフレームを受け取るステップであって、前記トレーニングフレームが定義済みトレーニングパターンからなるステップと、
１つ以上のラッチの時間オフセット及び電圧閾値の１つ以上を変化させている間、前記リンクパートナの前記等化パラメータのうちの１つ以上を調整するステップと、
前記チャネルの前記等化が１つ以上の定義済みマージン基準を満足しているかどうかを、前記１つ以上のラッチと少なくとも１つの決定ラッチとの比較が、対応する目標値が満たされていることを示しているかどうかに基づいて決定するステップと
を実行することにより前記リンクパートナの１つ以上の等化パラメータを適合させるように動作する、トレーニングフレーム抽出器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月4日(2012.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
・単極性の電荷担体阻止層（３）と、
・該電荷担体阻止層（３）の対向する面に設けられた第１の層（１）および第２の層（２）であって、それぞれ少なくとも１つの有機材料を含むように形成された第１の層（１）および第２の層（２）と、
・該電荷担体阻止層（３）と反対側にある該第１の層（１）および第２の層（２）の面に設けられた２つの同時二極性の注入層（４）と、
・第１の電極（８ａ）および第２の電極（８ｂ）と
を有する有機発光部品（１０）であって、
前記第１の層（１）および前記第２の層（２）は、前記有機発光部品（１０）の動作中に光を放出するように構成されており、
前記第１の電極（８ａ）および前記第２の電極（８ｂ）はそれぞれ、前記電荷担体阻止層（３）と反対側の前記各同時二極性の注入層（４）の面に設けられている、
ことを特徴とする、有機発光部品。
【請求項２】
前記有機発光部品（１０）は交流電圧で動作するように構成されており、
動作中、交流電圧が印加される期間に依存して前記第１の層（１）と第２の層（２）とが交互に発光するように構成されている、請求項１記載の有機発光部品。
【請求項３】
前記有機発光部品（１０）は、交流電流を調整するための調整ユニット（５）を含み、
前記有機発光部品（１０）は交流電圧で動作するように構成されている、請求項１または２記載の有機発光部品。
【請求項４】
前記調整ユニット（５）によって、前記交流電流の特性パラメータである振幅、振幅比およびデューティ比のうち少なくとも１つの特性パラメータが制御される、請求項３記載の有機発光部品。
【請求項５】
動作中に放出される光の特性パラメータである色調、彩度および明度のうち少なくとも１つの特性パラメータが前記調整ユニット（５）によって制御される、請求項３または４記載の有機発光部品。
【請求項６】
前記電荷担体阻止層（３）は一貫しており、パターニングされない、請求項１から５までのいずれか１項記載の有機発光部品。
【請求項７】
動作中に相互に異なる波長領域を発光するように前記第１の層（１）と第２の層（２）とが設けられている、請求項１から６までのいずれか１項記載の有機発光部品。
【請求項８】
前記電荷担体阻止層（３）と反対側の前記第１の層（１）または前記第２の層（２）の面に、動作中に放出された放射の少なくとも１つの一部を別の周波数の放射に変換する変換材（７）が設けられる、請求項１から７までのいずれか１項記載の有機発光部品。
【請求項９】
前記有機発光部品（１０）は動作中に、赤色光、緑色光および青色光を放出するように構成されており、
前記電荷担体阻止層（３）と反対側の前記第１の層（１）または前記第２の層（２）の面に、動作中に放出された放射の少なくとも１つの一部を別の周波数の放射に変換する変換材（７）が設けられており、
前記変換材（７）は、前記第１の層（１）または前記第２の層（２）から放出された放射の一部のみを変換するように構成されている、請求項７記載の有機発光部品。
【請求項１０】
基板が設けられており、
前記基板の実装面上に、前記第１の層（１）と前記電荷担体阻止層（３）と前記第２の層（２）と前記同時二極性の注入層（４）とが設けられており、
前記基板は、動作中に放出された光に対して少なくとも部分的に透過性である、請求項１から９までのいずれか１項記載の有機発光部品。
【請求項１１】
基板が設けられており、
前記基板の実装面上に、前記第１の層（１）と前記電荷担体阻止層（３）と前記第２の層（２）と前記同時二極性の注入層（４）とが設けられており、
前記基板は、動作中に放出された光に対して少なくとも部分的に反射性である、請求項１から１０までのいずれか１項記載の有機発光部品。
【請求項１２】
前記基板は、変換材、反射材、散乱材またはフィルタ材の形態の添加物を含む、請求項１０または１１記載の有機発光部品。
【請求項１３】
少なくとも部分的に透明に形成されている、請求項１から１２までのいずれか１項記載の有機発光部品。
【請求項１４】
請求項１から１３までのいずれか１項記載の有機発光部品（１０）を含む発光装置において、
交流電流を調整するための少なくとも１つの調整ユニット（５）を有することを特徴とする、発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月16日(2012.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の、基板を支持できるウェハ台であって、前記ウェハ台は、
上表面を有する台を含み、前記上表面はパージガスを流すように構成された少なくとも１つのパージ開口と、前記台の上の前記基板をチャッキングするためにガスを除去するように構成された少なくとも１つのチャッキング開口とを有し、前記台の前記上表面が、前記少なくとも１つのパージ開口と前記少なくとも１つのチャッキング開口の間に配置された封止帯を有し、前記封止帯が、前記少なくとも１つのチャッキング開口を取り囲みかつ、前記基板に接触するように構成される、ウェハ台。
【請求項２】
前記少なくとも１つのチャッキング開口が、前記少なくとも１つのパージ開口よりも前記台の中心により近い、請求項１に記載のウェハ台。
【請求項３】
前記封止帯が、エッチング処理中に生成される副生成物が前記封止帯上に形成されることが実質的にないように前記台の縁部から離れて前記台の中心に近づけて配置される、請求項１に記載のウェハ台。
【請求項４】
前記封止帯が、前記台の前記中心から約２．５インチ〜約４インチ離れている、請求項３に記載のウェハ台。
【請求項５】
前記封止帯が、エッチング処理中に処理圧力がチャッキング圧力によって実質的に補償されるように前記台の前記上表面上に配置される、請求項１に記載のウェハ台。
【請求項６】
前記台と結合された台基部アセンブリをさらに含み、前記台がセラミック台であり、前記台基部アセンブリが金属台である、請求項１に記載のウェハ台。
【請求項７】
前記台基部アセンブリが少なくとも１つの環状チャッキングチャネル、および少なくとも１つの環状パージングチャネルを有し、前記少なくとも１つの環状チャッキングチャネルが、前記少なくとも１つの環状パージングチャネルよりも前記台基部アセンブリの中心に近い、請求項６に記載のウェハ台。
【請求項８】
前記少なくとも１つのチャッキング開口が、前記少なくとも１つの環状チャッキングチャネルと流体結合され、前記少なくとも１つのパージ開口が、前記少なくとも１つの環状パージングチャネルと流体結合される、請求項７に記載のウェハ台。
【請求項９】
前記環状チャッキングチャネルが、前記環状チャッキングチャネルと前記環状パージングチャネルを分離するように構成された少なくとも１つの分離チャネルによって、前記環状パージングチャネルと結合される、請求項８に記載のウェハ台。
【請求項１０】
処理領域を画定するチャンバと、
前記チャンバの上部領域に配置されたシャワーヘッドと、
前記チャンバの下部領域に配置されたウェハ台とを含む半導体装置であって、前記ウェハ台は、上表面を有する台を含み、前記上表面は、パージガスを流すように構成された少なくとも１つのパージ開口と、前記台の上の基板をチャッキングするためにガスを除去するように構成された少なくとも１つのチャッキング開口とを有し、前記台の前記上表面が、前記少なくとも１つのパージ開口と前記少なくとも１つのチャッキング開口の間に配置された封止帯を有し、前記封止帯が、少なくとも１つのチャッキング開口を取り囲みかつ、前記基板に接触するように構成される、半導体装置。
【請求項１１】
前記少なくとも１つのチャッキング開口が、前記少なくとも１つのパージ開口よりも前記台の中心により近い、請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記封止帯が、エッチング処理中に生成される副生成物が前記封止帯上に形成されることが実質的にないように前記台の縁部から離れて前記台の中心に近づけて配置される、請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記封止帯が、前記台の前記中心から約２．５インチ〜約４インチ離れている、請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記封止帯が、エッチング処理中に処理圧力がチャッキング圧力によって実質的に補償されるように前記台の前記上表面上に配置される、請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記ウェハ台が、前記台と結合された台基部アセンブリをさらに含み、前記台がセラミック台であり、前記台基部アセンブリが金属台である、請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記台基部アセンブリが少なくとも１つの環状チャッキングチャネル、および少なくとも１つの環状パージングチャネルを有し、前記少なくとも１つの環状チャッキングチャネルが、前記少なくとも１つの環状パージングチャネルよりも前記台基部アセンブリの中心に近い、請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記少なくとも１つのチャッキング開口が、前記少なくとも１つの環状チャッキングチャネルと流体結合され、前記少なくとも１つのパージ開口が、前記少なくとも１つの環状パージングチャネルと流体結合される、請求項１６に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記環状チャッキングチャネルが、前記環状チャッキングチャネルと前記環状パージングチャネルを分離するように構成された少なくとも１つの分離チャネルによって、前記環状パージングチャネルと結合される、請求項１７に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月21日(2012.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に一つ以上の材料を堆積することによって熱電素子を製造する方法であって、前記材料の少なくとも一つは熱電材料であり、
一つ以上の前記熱電材料は原子層蒸着により堆積されており、
前記基材は多孔質基材を有しており、この多孔質基材は、蛇行した孔通路を有するか、まっすぐな孔を有しないか、又は前記基材を貫いて開いている視線の通路を提供する孔を有しないように構成されていることを特徴とする方法。
【請求項２】
少なくとも一つの層の熱電材料が原子層蒸着を使用して前記基材に付与される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
基材上に堆積される前記材料が１ｎｍから１００ｎｍの範囲の厚みを有する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記熱電材料は、基材の多孔質構造が熱電材料によって完全に埋められず、かつ形成される熱電素子が最終構造においてある程度の孔隙率を保持するように付与される、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記基材は被覆後に除去される、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
熱電装置に用いられる熱電素子であって、
前記熱電素子は、異なる材料の複数の層で被覆された多孔質基材を有し、前記材料の少なくとも一つは熱電材料である、熱電素子。
【請求項７】
前記基材は被覆後に除去される、請求項６に記載の熱電素子。
【請求項８】
前記基材は多孔質基材であり、かつ前記熱電材料は多孔質基材に付与され、その結果、基材の多孔質構造が熱電材料によって完全に埋められず、かつ形成される熱電素子が最終構造においてある程度の孔隙率を保持するように構成される、請求項６又は７に記載の熱電素子。
【請求項９】
前記基材は小さな孔サイズを有する多孔質基材を有し、前記多孔質基材は、蛇行した孔通路を有するか、まっすぐな孔を有しないか、又は前記基材を貫いて開いている視線の通路を提供する孔を有しない、請求項６から８のいずれかに記載の熱電素子。
【請求項１０】
基材上に一つ以上の材料を堆積することによって熱電素子を製造する方法であって、前記材料の少なくとも一つは熱電材料であり、一つ以上の前記熱電材料は原子層蒸着により堆積されていることを特徴とする方法。
【請求項１１】
熱電材料の複数の層が前記基材に付与され、かつ前記複数の層は、異なる熱電材料の複数の層を有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
熱電素子を製造する方法であって、
蛇行した孔通路を有するか、まっすぐな孔を有しないか、又は前記基材を貫いて開いている視線の通路を提供する孔を有しない多孔質基材を提供する段階と、
少なくとも一つの熱電材料で前記基材を被覆する段階と、を有する方法。
【請求項１３】
多孔質基材を異なる材料の複数の層で被覆する段階を有する熱電素子を製造する方法であって、前記複数の層はナノメートルのスケールの厚みを有しており、少なくとも一つの層は熱電材料である方法。
【請求項１４】
前記熱電素子は、異なる熱電材料の二つ以上の層を有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
熱電素子を製造する方法であって、
多孔質基材を少なくとも一つの熱電材料で被覆する段階と、
それに続いて前記基材を除去し、それによって熱電素子を製造する段階と、を有する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月17日(2012.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実質的に環状のセラミック絶縁体と、
前記セラミック絶縁体の少なくとも一部を囲む金属シェルと、
前記シェルに動作可能に取付けられた接地電極と、
中央電極とを備え、前記中央電極と前記接地電極とでスパークギャップを設け、
前記接地電極と前記中央電極との少なくとも１つは、プラチナ、イリジウム、ロジウムおよびルテニウムからなるグループより選ばれる少なくとも１つの貴金属元素が少なくとも３重量％加えられたＡｕＰｄ合金からなるスパークチップを有している、スパーク点火装置。
【請求項２】
前記Ａｕは、前記接地電極の前記スパークチップまたは前記中央電極の前記スパークチップの少なくとも一方の、少なくとも１０重量％を構成する、請求項１に記載のスパーク点火装置。
【請求項３】
前記ＡｕＰｄ合金は、前記スパークチップの少なくとも４０重量％を構成する、請求項２に記載のスパーク点火装置。
【請求項４】
前記少なくとも１つの貴金属は、前記接地電極の前記スパークチップと前記中央電極のスパークチップの少なくとも一方の残部を構成するプラチナとして供給される、請求項３に記載のスパーク点火装置。
【請求項５】
Ａｕが、前記接地電極の前記スパークチップと前記中央電極の前記スパークチップの少なくとも一方の、少なくとも３０重量％を構成する、請求項３に記載のスパーク点火装置。
【請求項６】
Ａｕが、前記接地電極の前記スパークチップと前記中央電極の前記スパークチップの少なくとも一方の、少なくとも４０重量％を構成する、請求項５に記載のスパーク点火装置。
【請求項７】
前記少なくとも１つの貴金属は、前記スパークチップの残部を構成するプラチナとして供給される、請求項５に記載のスパーク点火装置。
【請求項８】
前記ＡｕＰｄ合金および前記少なくとも１つの貴金属元素は、非貴金属により希釈される、請求項１に記載のスパーク点火装置。
【請求項９】
前記非貴金属は、少なくとも一部がＮｉとして供給される、請求項８に記載のスパーク点火装置。
【請求項１０】
前記スパークチップは、さらに１−４重量％のＷを含む、請求項１に記載のスパーク点火装置。
【請求項１１】
前記スパークチップは、さらにＺｒ，Ｙ，Ｌａ，ＨｆおよびＴａからなるグループより選ばれる少なくとも１つの元素を含む、請求項１に記載のスパーク点火装置。
【請求項１２】
スパーク点火装置用のスパークチップであり、
プラチナ、イリジウム、ロジウムおよびルテニウムからなるグループより選ばれる少なくとも１つの貴金属元素が少なくとも３重量％加えられたＡｕＰｄ合金を有する、スパークチップ。
【請求項１３】
前記Ａｕは、前記スパークチップの少なくとも１０重量％を構成する、請求項１２に記載のスパークチップ。
【請求項１４】
前記ＡｕＰｄ合金は、前記スパークチップの少なくとも５０重量％を構成する、請求項１３に記載のスパークチップ。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの貴金属は、前記スパークチップの残部を構成するプラチナとして供給される、請求項１４に記載のスパークチップ。
【請求項１６】
Ａｕが、前記スパークチップの少なくとも３０重量％を構成する、請求項１４に記載のスパークチップ。
【請求項１７】
Ａｕが、前記スパークチップの少なくとも５０重量％を構成する、請求項１６に記載のスパークチップ。
【請求項１８】
前記Ｐｄは、前記スパークチップの少なくとも３０重量％を構成し、前記少なくとも１つの貴金属は、前記スパークチップの残部を構成するプラチナとして供給される、請求項１７に記載のスパークチップ。
【請求項１９】
前記ＡｕＰｄ合金および前記少なくとも１つの貴金属元素は、非貴金属により希釈される、請求項１２に記載のスパークチップ。
【請求項２０】
前記非貴金属は、少なくとも一部がＮｉとして供給される、請求項１９に記載のスパークチップ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月27日(2012.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通している開口を規定しているハウジングと、
前記開口を貫通して延び、外面に、前記開口内に位置され、約３１μｍないし約２５０μｍの深さを有する周縁の凹部を有する少なくとも１つの電流伝導ピンと、
前記周縁の凹部及び前記開口を十分に充填し、前記ピンと前記ハウジングとの間にシールを与えるために、前記少なくとも１つの電流伝導ピンと前記ハウジングとの両方に融着されるシーリングガラスと、を具備する電力端子フィードスルー。
【請求項２】
前記少なくとも１つの電流伝導ピンは、前記電流伝導ピンの長手方向に沿って離間された２つの周縁のノッチを規定している請求項１の電力端子フィードスルー。
【請求項３】
前記周縁のノッチの間の間隔は、約３ｍｍである請求項２の電力端子フィードスルー。
【請求項４】
前記周縁のノッチの深さは、約３１μｍないし約１８８μｍの範囲にある請求項２の電力端子フィードスルー。
【請求項５】
前記周縁のノッチの深さは、約３１μｍないし約１００μｍの範囲にある請求項２の電力端子フィードスルー。
【請求項６】
前記電流伝導ピンの直径に対する前記周縁のノッチの前記深さの比率は、約０．０１３５ないし約０．０８２６である請求項２の電力端子フィードスルー。
【請求項７】
前記周縁の凹部は、前記電流伝導ピンの長手方向に沿って約３ｍｍの幅を規定している請求項１の電力端子フィードスルー。
【請求項８】
前記周縁の凹部は、前記電流伝導ピンの径方向に沿って約１５０μｍの深さを規定している請求項７の電力端子フィードスルー。
【請求項９】
前記電流伝導ピンの直径に対する前記周縁の凹部の深さの比率は、約０．００６以下である請求項８の電力端子フィードスルー。
【請求項１０】
前記電流伝導ピンは、約３．０ｍｍの幅を有する回転溝の形態の１つの凹部のみを規定している請求項１の電力端子フィードスルー。
【請求項１１】
前記電流伝導ピンは、この電流伝導ピンの長手方向に沿って延びたミクロな亀裂を規定しており、
前記周縁の凹部は、前記ミクロな亀裂を横切っている請求項１の電力端子フィードスルー。
【請求項１２】
前記シーリング材料は、前記ミクロな亀裂を分断するように、前記周縁の凹部中に形成された突出部を有する請求項１２の電力端子フィードスルー。
【請求項１３】
貫通している開口を規定しているハウジングと、
前記開口を貫通して延び、外面及び２つの周縁のノッチを規定している少なくとも１つの電流伝導ピンと、
前記周縁のノッチ及び前記開口を十分に充填し、前記少なくとも１つの電流伝導ピンと前記ハウジングとの間にシールを与えるために、前記少なくとも１つの電流伝導ピンと前記ハウジングとの両方に融着されるシーリングガラスと、を具備し、
前記少なくとも１つの電流伝導ピンには、
ミクロな亀裂が、前記ピンの前記外面に形成され、前記ピンの長軸線に沿った方向に延びており、前記周縁のノッチは、前記開口内に位置され、約３１μｍないし約１００μｍの深さを有しており、前記周縁のノッチは、前記ピンの前記長軸線に沿って約３ｍｍの間隔で離間されている、電力端子フィードスルー。
【請求項１４】
貫通している開口を規定しているハウジングと、
前記開口を貫通して延び、外面及び周縁の凹部を規定している少なくとも１つの電流伝導ピンと、
前記周縁の凹部と前記開口とを十分に充填し、前記少なくとも１つの電流伝導ピンと前記ハウジングとの間にシールを与えるために、前記少なくとも１つの電流伝導ピンと前記ハウジングとの両方に融着されるシーリングガラスと、を具備し、
前記少なくとも１つの電流伝導ピンには、
前記ピンの前記外面に形成され、前記ピンの長軸線に沿った方向に延びたミクロな亀裂があり、前記周縁の凹部は、前記開口内に位置され、前記ミクロな亀裂を横切っており、前記周縁の凹部は、約１５０μｍ以下の深さと、前記電流伝導ピンの前記長軸線に沿った方向に測定されるような約３ｍｍの幅と、を有する、電力端子フィードスルー。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月11日(2012.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
壁（２）を通して電気的な線路を貫通案内するための貫通案内端子であって、
第１の端子ケーシング（３）及び第２の端子ケーシング（４）を備えており、前記第１の端子ケーシング（３）は、一方の側から、前記壁（２）に形成された開口部に近づけられ、かつ前記第２の端子ケーシング（４）は、他方の側から、前記開口部に近づけられ、かつ前記両方の端子ケーシングは、前記開口部を介して、該両方の端子ケーシング間に前記壁（２）を介在させた状態で互いに結合されるようになっており、
前記第１の端子ケーシング（３）内に配置された少なくとも１つの第１の線路接続部材（５）、及び前記第２の端子ケーシング（４）内に配置された少なくとも１つの第２の線路接続部材（６）を備えており、
かつ電流条片（７）を備えており、該電流条片を介して、前記第１の線路接続部材（５）と前記第２の線路接続部材（６）とは、前記第１の端子ケーシング（３）と前記第２の端子ケーシング（４）とを互いに結合している場合に、互いに導電接続されている形式のものにおいて、
前記第１の線路接続部材（５）は、脚形ばね（８）及び金属部分（９）を有しており、前記脚形ばね（８）は、締め付け脚部（１０）と接触脚部（１１）とを有しており、前記締め付け脚部（１０）と前記金属部分（９）とは、接続すべき第１の電気的な導体（１２）のためのばね力式締め付け接続部を形成しており、
前記第２の線路接続部材（６）は、同様に、脚形ばね（１３）及び金属部分（１４）を有しており、前記脚形ばね（１３）は、締め付け脚部（１５）と接触脚部（１６）とを有しており、前記締め付け脚部（１５）と前記金属部分（１４）とは、接続すべき第２の電気的な導体（１７）のためのばね力式締め付け接続部を形成しており、
前記電流条片（７）は、前記第１の端子ケーシング（３）内に配置されていて、該電流条片の第１の端部（１８）でもって、前記第１の線路接続部材（５）の前記金属部分（９）に導電接続されており、かつ
前記電流条片（７）の第２の端部（１９）は、前記第１の端子ケーシング（３）と前記第２の端子ケーシング（４）とを互いに結合する場合に、前記第２の線路接続部材（６）の前記接触脚部（１６）により接触されるようになっていることを特徴とする、貫通案内端子。
【請求項２】
前記第２の線路接続部材（６）の前記脚形ばね（１３）の前記接触脚部（１６）の自由な端部（２０）は、前記電流条片（７）から離れる方向に折り曲げられていて、前記電流条片（７）の前記第２の端部（１９）のための挿入補助手段を形成している請求項１に記載の貫通案内端子。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月14日(2012.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体に気相コーティングするための装置であって：
少なくとも第１の入口、リザーバー、第１のスロット出口、第２の出口、および第３の出口を有するブロックと；
ＲＳＡ材料を前記ブロックに提供するための、前記第１の入口に取り付けられた供給ラインとを含み；
前記第１のスロット出口と前記基体との間の距離が第１の間隙であり、前記第２の出口と前記基体との間の距離が第２の間隙であり、前記第３の出口と前記基体との間の距離が第３の間隙であり、前記第１の間隙が、前記第２または第３のいずれかの間隙よりも小さい、装置。
【請求項２】
基体に気相コーティングするための方法であって：
ブロックを提供するステップであって、前記ブロックが、少なくとも第１の入口、リザーバー、第１のスロット出口、第２の出口、および第３の出口を含むステップと；
第１の反応性表面領域（ＲＳＡ）材料のための収容タンクを提供するステップと；
前記ブロックを第１の温度まで加熱し、前記収容タンクを第２の温度まで加熱するステップと；
前記収容タンクを加圧するステップと；
少なくとも１つの座標軸における相対運動を発生させるように前記ブロックまたは前記基体を移動させて、前記第１のＲＳＡ材料を、前記収容タンクから前記第１の入口まで、および前記リザーバー中に供給するステップと；
前記ＲＳＡ材料を、前記第１のスロット出口に通して前記基体上まで流すステップとを含む、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
別々の実施形態の状況において、明確にするために本明細書に記載されている特定の複数の特徴は、１つの実施形態の中で組み合わせても提供できることを理解されたい。逆に、簡潔にするため１つの実施形態の状況において説明した種々の特徴も、別々に提供したり、あらゆる組み合わせで提供したりすることができる。さらに、ある範囲において記載される値への言及は、その範囲内にあるすべての値を含んでいる。
本明細書は以下の実施態様を開示する。
［実施態様１］
基体に気相コーティングするための装置であって：
少なくとも第１の入口、リザーバー、第１のスロット出口、第２の出口、および第３の出口を有するブロックと；
ＲＳＡ材料を前記ブロックに提供するための、前記第１の入口に取り付けられた供給ラインとを含み；
前記第１のスロット出口と前記基体との間の距離が第１の間隙であり、前記第２の出口と前記基体との間の距離が第２の間隙であり、前記第３の出口と前記基体との間の距離が第３の間隙であり、前記第１の間隙が、前記第２または第３のいずれかの間隙よりも小さい、装置。
［実施態様２］
前記ブロックが少なくとも第１および第２の構造から形成され、前記第１の構造が前記第１の入口、前記リザーバー、および前記第１のスロット出口を有する、実施態様１に記載の装置。
［実施態様３］
前記第２の出口が前記第１のスロット出口の上流にあり、前記第３の出口が前記第１のスロット出口の下流にある、実施態様１に記載の装置。
［実施態様４］
前記第２および第３の出口のそれぞれが、完全開放状態と完全閉鎖状態との間で調節可能である、実施態様３に記載の装置。
［実施態様５］
前記ブロックの方向が、前記基体の表面に対して垂直のベクトルから±３０度で調節可能である、実施態様４に記載の装置。
［実施態様６］
前記第２または第３の出口のいずれかまたは両方に接続された真空源をさらに含む、実施態様４に記載の装置。
［実施態様７］
第１の凝縮装置を含む排気処理をさらに含む、実施態様４に記載の装置。
［実施態様８］
第２の凝縮装置を含む排気処理をさらに含む、実施態様７に記載の装置。
［実施態様９］
前記第１のスロット出口に隣接して多孔質分散板が配置される、実施態様１に記載の装置。
［実施態様１０］
前記ブロックがアルミニウムでできている、実施態様１に記載の装置。
［実施態様１１］
基体に気相コーティングするための方法であって：
ブロックを提供するステップであって、前記ブロックが、少なくとも第１の入口、リザーバー、第１のスロット出口、第２の出口、および第３の出口を含むステップと；
第１の反応性表面領域（ＲＳＡ）材料のための収容タンクを提供するステップと；
前記ブロックを第１の温度まで加熱し、前記収容タンクを第２の温度まで加熱するステップと；
前記収容タンクを加圧するステップと；
少なくとも１つの座標軸における相対運動を発生させるように前記ブロックまたは前記基体を移動させて、前記第１のＲＳＡ材料を、前記収容タンクから前記第１の入口まで、および前記リザーバー中に供給するステップと；
前記ＲＳＡ材料を、前記第１のスロット出口に通して前記基体上まで流すステップとを含む、方法。
［実施態様１２］
第２の材料を、前記第２の出口に通して前記基体上まで流すステップをさらに含む、実施態様１１に記載の方法。
［実施態様１３］
前記第２の材料が第２のＲＳＡ材料である、実施態様１２に記載の方法。
［実施態様１４］
前記第２または第３の出口のいずれかに接続された真空源を利用するステップをさらに含む、実施態様１１に記載の方法。
［実施態様１５］
前記基体を冷却して前記基体の前記第１のＲＳＡ材料を凝縮させるステップをさらに含む、実施態様１１に記載の方法。
［実施態様１６］
第１の凝縮装置を含む排気処理を提供するステップをさらに含む、実施態様１５に記載の方法。
［実施態様１７］
第２の凝縮装置を提供するステップをさらに含む、実施態様１６に記載の方法。
［実施態様１８］
前記ブロックをクリーニングして、前記排気処理に達する第１のＲＳＡ材料を除去するステップをさらに含む、実施態様１６に記載の方法。
［実施態様１９］
前記第１のスロット出口に隣接して配置された多孔質分散板を提供するステップをさらに含む、実施態様１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月6日(2012.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプリント・リソグラフィ・テンプレートのメサをパターニングして、前記テンプレートの所望のインプリント領域内のパターン化されたフィーチャと、前記メサの境界の前記パターン化されたフィーチャを囲む第１の迷路状パターンまたはフラクタル・パターンを含む周長のフィーチャを提供するステップと、
基板上に重合性材料を分配するステップと、
前記インプリント・リソグラフィ・テンプレートの前記メサを、前記基板上の重合性材料と接触させるステップと、
から構成され、
前記第１の迷路状パターンまたはフラクタル・パターンは、前記メサの境界を越えて前記重合性材料が伝搬されることを低減することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記周長のフィーチャは第１の迷路状パターンを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記迷路状パターンはフィーチャの配列を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記フィーチャは、幾何学的形状、奇想を凝らした形状、またはそれらの組合せを含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記迷路状パターンは、幅約２マイクロメートル、長さ約２マイクロメートル、および高さ約８０〜１２０ｎｍを有する正方形の周期的配列を含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記迷路状パターンは、ある距離だけ離隔されたフィーチャの周期的配列を含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記距離は、約０．６〜０．８マイクロメートルの間にあることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記迷路状パターンはモートを形成することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項９】
前記メサ上に、前記モート内に配置される第２の迷路状パターンをパターニングするステップをさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記迷路状パターンは、前記基板上に分配された重合性材料の伝搬を遅くするように設計された領域を形成することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項１１】
前記領域はダイを備えることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記周長のフィーチャは、少なくとも１つのフラクタル・パターンを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法
【請求項１３】
前記フラクタル・パターンは、少なくとも１つの第１のフィーチャの第１の繰返しおよび第２のフィーチャの第２の繰返しを含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の繰返しと前記第２の繰返しとの間の前記重合性材料の流れが低減されるように、前記第１のフィーチャのフィーチャ・サイズは前記第２のフィーチャのフィーチャ・サイズより大きいことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の繰返しの前記フィーチャおよび前記第２の繰返しの前記フィーチャは、幾何学的形状、奇想を凝らした形状、またはそれらの組合せを含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記重合性材料の前記流れは、毛細管力によって低減されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記重合性材料が分配されるとき、前記基板に気体を供給するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
前記重合性材料の前記流れは、気体によって低減されることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月27日(2012.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１００ガウス以上の中間磁場が共鳴入力されることにより、ＮＭＲ信号の励起と検出が行われ、
前記ＮＭＲ信号の励起が行われた後に、Ｔ１磁化期間における相違が十分となる期間、主な磁場を共鳴周波数の約５０％以下の低周波数場とするサイクルを有し、
前記磁場において磁化のスピンエコーを発生するために、第１の無線パルスが前記主な磁場の第１のサイクルにおいて印加され、前記第１の無線パルスから位相オフセットされる第２の無線パルスが前記主な磁場の第２のサイクルにおいて印加され、
前記ＮＭＲ信号がＳＱＵＩＤによって検出される、
ＭＲＩ検出方法。
【請求項２】
前記第１の無線パルスは略９０°パルスであり、そして前記第２のパルスは略１８０°パルスである、請求項1に記載のＭＲＩ方法。
【請求項３】
前記中間磁場範囲は、１５０ガウスの領域内にある、請求項１あるいは２に記載のＭＲＩ方法。
【請求項４】
前記低磁場期間は１０秒以下である請求項１、請求項２あるいは請求項３に記載のＭＲＩ方法。
【請求項５】
前記低磁場期間は、０．１秒以上３秒以下である、請求項４に記載のＭＲＩ方法。
【請求項６】
前記低磁場は、前記主な磁場の１０％のオーダの強度を有する、請求項１から請求項５の何れか一つに記載のＭＲＩ方法。
【請求項７】
背景偏極磁場は、超伝導コイルもしくは平面状の超伝導巻き線の分割対によって発生させられる、請求項１から請求項６の何れか一つに記載のＭＲＩ方法。
【請求項８】
互いに対向して配列された第１および第２のコイルと、
前記第１および第２のコイルを経由して１００ガウス以上の中間磁場が共鳴入力され、前記ＮＭＲ信号の励起が行われた後に、Ｔ１磁化期間における相違が十分となる期間、前記中間磁場を共鳴周波数の５０％以下の低周波数場とするサイクルを有するように制御する制御システムとを有し、
前記制御システムは、前記磁場において磁化のスピンエコーを発生するために、第１の無線パルスを前記主な磁場の第１のサイクルにおいて印加し、前記第１のサイクルからオフセットされる第２の無線パルスを前記主な磁場の第２のサイクルにおいて印加し、
前記発生したＮＭＲ信号の検出のためのＳＱＵＩＤを有する、
ＭＲＩ装置。
【請求項９】
前記第１の無線パルスは略９０°パルスであり、そして前記第２のパルスは略１８０°パルスである請求項８に記載のＭＲＩ装置。
【請求項１０】
前記中間磁場範囲は、１５０ガウスの領域内にある、請求項９あるいは１０に記載のＭＲＩ装置。
【請求項１１】
前記低磁場期間は、略０．１秒と３秒との間にある、請求項８から請求項１０の何れか一つに記載のＭＲＩ装置。
【請求項１２】
前記第１および第２のコイルは、背景偏極磁場を発生させるための超伝導コイルもしくは平面状の超伝導巻き線の分割対である、請求項８から請求項１１の何れか一つに記載のＭＲＩ装置。
【請求項１３】
前記第１のコイルと第２のコイルは、非金属物質から作製される低いジョンソンノイズクライオスタット内に囲繞される、請求項１２に記載のＭＲＩ装置。
【請求項１４】
前記第１のコイルと第２のコイルは、クライオ冷却される、請求項１２あるいは請求項１３に記載のＭＲＩ装置。
【請求項１５】
スキャンニングおよびイメージングの間患者のためのオープンなゾーンを提供する、請求項８から請求項１４の何れか一つに記載のＭＲＩ装置。
【請求項１６】
請求項１から請求項７の何れか一つに記載の方法によって、もしくは請求項８から請求項１５の何れか一つに記載の装置を用いて、被検査対象について異なる複数のイメージを生成することにより組織における異常を検出する方法。