【手続補正書】
【提出日】平成23年2月8日(2011.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板を処理する堆積システムであって、
当該堆積システムは：
第1壁、該第1壁から間隔を空けて設けられている第2壁、並びに、前記第1壁及び第2壁と接続して処理空間を画定する周辺側壁を有する処理チャンバ；
前記第1壁と第2壁との間であって前記周辺側壁の半径方向内部に設けられていて、前記基板を支持するように備えられている基板支持体；
各々が前記回転軸から前記周辺側壁へ向かって延在していて、前記処理空間を、第1分室、及び、不活性雰囲気を有するように備えられている第2分室に分割する複数の間仕切り；
前記周辺側壁を介して前記第1分室とやり取りする第1インジェクタ；
を有し、
前記第1インジェクタは、前記周辺側壁を介して前記第1分室へ第1処理材料を注入するように備えられている第１複数の注入ポート、及び、前記周辺側壁を介して前記第1分室へ第1処理材料を注入するように備えられている第２複数の注入ポートを有し、
前記第１複数の注入ポートは、前記第1壁と前記基板支持体との間の第1高さに設けられた第1面内に配置され、
前記第２複数の注入ポートは、前記第1面と前記基板支持体との間に設けられた第2面内に配置され、
前記基板支持体は、前記基板の各々を動かすことで、前記基板の各々の上側表面を、前記第1分室内において前記第1材料に、及び前記第2分室内において前記不活性雰囲気に、順次曝露する、
堆積システム。
【請求項２】
前記間仕切りは、前記処理空間が不活性雰囲気を含むように備えられた第3分室を有するように、前記処理空間をさらに分割し、
前記第1分室は、前記の第2分室内の不活性雰囲気と、前記の第3分室内の不活性雰囲気との間で隣り合っている、
請求項1に記載の堆積システム。
【請求項３】
前記基板支持体が前記回転軸の周りで回転するように備えられ、
それにより、前記基板の各々は順次、前記の第2分室内部の不活性雰囲気に曝露され、前記の第1分室内部の第1処理材料に曝露され、そして前記の第3分室内部の不活性雰囲気に曝露される、
請求項2に記載の堆積システム。
【請求項４】
前記間仕切りは、前記処理空間が第3分室を有するように、前記処理空間をさらに分割し、
前記第3分室は、前記第2分室が前記第1分室と第3分室との間で隣り合うように備えられている、堆積システムであって、
当該堆積システムは前記第3分室と前記周辺側壁を介してやり取りする第2インジェクタをさらに有し、
該第2インジェクタは、前記第3分室へ第2処理材料を注入するように備えられている、
請求項1に記載の堆積システム。
【請求項５】
前記基板支持体が前記回転軸の周りで回転するように備えられ、
それにより、前記基板の各々は順次、前記の第1分室内部の第1処理材料に曝露され、前記の第2分室内部の不活性雰囲気に曝露され、そして前記の第3分室内部の第2処理材料に曝露される、
請求項4に記載の堆積システム。
【請求項６】
前記間仕切りが前記転軸で交わり、
前記第1分室が、第1夾角だけ離れて隣接する間仕切りによって、前記回転軸の周りで画定され、かつ
前記第3分室が、前記第1夾角とは異なる第2夾角だけ離れて隣接する間仕切りによって、前記回転軸の周りで画定される、
請求項4に記載の堆積システム。
【請求項７】
前記間仕切りは、前記処理空間が第4分室を画定するように、前記処理空間をさらに分割し、
前記第4分室は、前記第2分室が前記第1分室と第3分室との間で隣り合うように備えられ、
前記第4分室は、前記回転軸に対して前記第2分室とは正反対で、かつ
前記第4分室は、不活性雰囲気を有するように備えられている、
請求項4に記載の堆積システム。
【請求項８】
前記基板支持体の表面は複数の凹部を有し、
該凹部の各々は前記基板のうちの少なくとも1つを保持するように備えられている、
請求項1に記載の堆積システム。
【請求項９】
前記処理チャンバ外部に設けられている駆動モーター；
前記大きなプレートと機械的に結合し、前記回転軸に沿って延在する駆動シャフト；及び
前記第2壁を貫通して前記駆動シャフトと前記駆動モーターとを結合させ、前記回転軸の周りで前記大きなプレートを回転させるため、前記駆動モーターから前記駆動シャフトへ回転運動を伝えるように備えられている、ロータリーフィードスルー；
をさらに有する、請求項8に記載の堆積システム。
【請求項１０】
前記駆動モーターと電気的に結合する制御装置をさらに有する堆積システムであって、前記制御装置は前記回転軸の周りで前記大きなプレートを回転させるように前記駆動モーターを操作する、
請求項9に記載の堆積システム。
【請求項１１】
前記凹部が、前記表面上であって、前記回転軸を中心とする均一の半径の周りに分配され、
前記凹部の隣接する対が前記回転軸の周りで等角度の間隔を有する、
請求項8に記載の堆積システム。
【請求項１２】
前記周辺側壁が方位軸の周りで延在し、
前記方位軸が前記回転軸と実質的に同軸である、
請求項1に記載の堆積システム。
【請求項１３】
前記第1インジェクタが、前記回転軸へ向かって、前記第1処理材料を前記第1分室へ注入するように備えられている、請求項1に記載の堆積システム。
【請求項１４】
前記第1インジェクタによって前記第1分室と結合する前記第1処理材料源をさらに有する、請求項1に記載の堆積システム。
【請求項１５】
前記第1処理材料が、イオン、ラジカル又はこれらの混合物を含むプラズマ生成物である堆積システムであって、
前記第1インジェクタによって前記第1分室と結合する前記プラズマ生成物の第1源をさらに有する、請求項1に記載の堆積システム。
【請求項１６】
前記第1インジェクタが、前記第1壁と前記基板支持体との間の位置に前記第1処理材料を注入するように位置設定されている堆積システムであって：
前記第1壁を介して前記第1及び第2分室とやり取りする真空ポート；並びに
該真空ポートと結合する真空ライン；
をさらに有する、請求項1に記載の堆積システム。
【請求項１７】
前記間仕切りが前記真空ポートを介して前記真空ラインへ突き出ている、請求項16に記載の堆積システム。
【請求項１８】
前記第1インジェクタが、前記第1壁と前記基板支持体との間の位置に前記第1処理材料を注入するように位置設定されている堆積システムであって、
前記第2壁を介して前記第1及び第2分室とやり取りする真空ポートをさらに有する、
請求項1に記載の堆積システム。
【請求項１９】
前記間仕切りが、前記第1分室を画定するように協働する第1間仕切り及び第2間仕切りを有し、かつ
前記第1複数の注入ポートが前記第1間仕切りに隣接する前記第1分室内の第1角の弧に沿って備えられ、かつ
前記第2複数の注入ポートが前記第2間仕切りに隣接する前記第1分室内の第2角の弧に沿って備えられている、
請求項1に記載の堆積システム。
【請求項２０】
複数の基板を処理する堆積システムであって、
当該堆積システムは：
第1壁、該第1壁から間隔を空けて設けられている第2壁、並びに、前記第1壁及び第2壁と接続して処理空間を画定する周辺側壁を有する処理チャンバ；
前記第1壁と第2壁との間であって前記周辺側壁の半径方向内部に設けられていて、前記基板を支持するように備えられている基板支持体；
各々が前記回転軸から前記周辺側壁へ向かって延在していて、前記処理空間を、第1分室、及び、不活性雰囲気を有するように備えられている第2分室に分割する複数の間仕切り；
前記周辺側壁を介して前記第1分室とやり取りし、かつ前記周辺側壁を介してへ前記第1分室へ第1処理材料を注入するように備えられている第１注入スロットであって、前記周辺側壁の周りであって前記第1壁と前記基板支持体との間の第1面内で延在する第1注入スロット；及び、
前記周辺側壁の周りであって前記第1面と前記基板支持体との間の第2面内で延在する第2注入スロットであって、前記周辺側壁を介してへ前記第1分室へ第1処理材料を注入するように備えられている第2注入スロット；
を有し、
前記基板支持体は、前記基板の各々を動かすことで、前記基板の各々の上側表面を、前記第1分室内において前記第1材料に、及び前記第2分室内において前記不活性雰囲気に、順次曝露する、
堆積システム。
【請求項２１】
前記間仕切りが、前記第1分室を画定するように協働する第1間仕切り及び第2間仕切りを有し、かつ
前記第1注入スロットが前記第1間仕切りに隣接する前記第1分室内の第1角の弧に沿って延在し、かつ
前記第2注入スロットが前記第2間仕切りに隣接する前記第1分室内の第2角の弧に沿って延在する、
請求項20に記載の堆積システム。
【請求項２２】
前記処理チャンバ及び前記間仕切りが静止している、請求項1に記載の堆積システム。