【手続補正書】
【提出日】平成15年8月12日(2003.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に電気光学物質が封入され、該基板の該電気光学物質に面する側に相交差して配列された複数のデータ線及び複数の走査線と、前記基板を相互に接着するギャップ材混入のシール材と、前記シール材の形成領域において、前記データ線及び走査線の少なくとも一方の延設方向に配置された複数の引き出し配線と、前記基板と前記引き出し配線との間に配置された凹状に窪んだ領域を有する層間絶縁膜とを備えており、
前記複数の引き出し配線の各々は、前記シール材の形成領域において前記層間絶縁膜の凹状に窪んだ領域に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記複数のデータ線及び複数の走査線は、前記基板のうちの一方に設けられており、該一方の基板上に、
前記各データ線及び前記各走査線に対応して設けられた薄膜トランジスタと、
該薄膜トランジスタに対応して設けられた画素電極と、
前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を前記一方の基板の側から見て各々重なる位置に設けられた遮光膜と、
前記走査線に平行に配設され前記画素電極に所定容量を付与する容量線と
を更に備えており、
前記層間絶縁膜は、前記一方の基板上の前記遮光膜が形成されている領域においては前記遮光膜上に且つ前記遮光膜が形成されていない領域においては前記一方の基板上に設けられており、前記薄膜トランジスタ、前記データ線、前記走査線及び前記容量線のうち少なくとも一つに対向する部分が前記基板のうちの他方の側から見て凹状に窪んで形成された第１層間絶縁膜を含み、該第１層間絶縁膜は、前記シール領域において前記引き出し配線に対向する部分が凹状に窪んで形成されたことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記シール領域において、前記データ線の延設方向に配置されたデータ線側引き出し配線をなす金属膜に対しては、前記走査線をなす導電性のポリシリコン膜及び導電性の前記遮光膜の少なくとも一方が前記層間絶縁膜を介して積層形成されていると共に、前記走査線の延設方向に配置された走査線側引き出し配線をなす前記ポリシリコン膜に対しては、前記金属膜及び前記遮光膜の少なくとも一方が前記層間絶縁膜を介して積層形成されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記データ線の延設方向に配置された前記データ線側引き出し配線をなす前記金属膜は、積層形成された前記ポリシリコン膜及び前記遮光膜の少なくとも一方とコンタクトホールを介して電気接続されており、前記データ線側引き出し配線の少なくとも一部は、前記金属膜と共に前記ポリシリコン膜及び前記遮光膜の少なくとも一方からなる冗長構造を有することを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記走査線側引き出し配線をなす前記ポリシリコン膜は、積層形成された前記金属膜及び前記遮光膜の少なくとも一方とコンタクトホールを介して電気接続されており、前記走査線側引き出し配線の少なくとも一部は、前記ポリシリコン膜と共に前記金属膜及び遮光膜の少なくとも一方からなる冗長構造を有することを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記データ線側引き出し配線をなす前記金属膜に対して積層形成された前記ポリシリコン膜及び前記遮光膜の少なくとも一方は、前記シール領域において前記基板を介して入射される光がシール材に透過可能なように網目状又はストライプ状の平面パターンを備えており、前記走査線側引き出し配線をなす前記ポリシリコン膜に対して積層形成された前記金属膜及び前記遮光膜の少なくとも一方は、前記シール領域において前記基板を介して入射される光がシール材に透過可能なように網目状又はストライプ状の平面パターンを備えたことを特徴とする請求項３から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記遮光膜は、定電位源に接続されていることを特徴とする請求項２から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記層間絶縁膜は、単層から構成されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記層間絶縁膜は、単層部分と多層部分とから構成されており、
前記単層部分が前記凹状に窪んだ部分とされており、前記多層部分が前記凹状に窪んでいない部分とされていることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記層間絶縁膜は、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜から構成されていることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記ギャップ材は、前記基板間のギャップに対応する所定径を持つグラスファイバ及びガラスビーズのいずれか一方からなることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記層間絶縁膜の凹状に窪んだ側壁部分はテーパ状に形成されていることを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
請求項８に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記一方の基板上の所定領域に前記遮光膜を形成する工程と、
前記一方の基板及び遮光膜上に絶縁膜を形成する工程と、
該絶縁膜に前記凹状に窪んだ部分に対応するレジストパターンをフォトリソグラフィで形成する工程と、
該レジストパターンを介して所定時間のエッチングを行い前記凹状に窪んだ部分を形成する工程と
を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項９に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記一方の基板上の所定領域に前記遮光膜を形成する工程と、
前記一方の基板及び遮光膜上に第１絶縁膜を形成する工程と、
該第１絶縁膜に前記凹状に窪んだ部分に対応するレジストパターンをフォトリソグラフィで形成する工程と、
該レジストパターンを介してエッチングを行い前記凹状に窪んだ部分に対応する前記第１絶縁膜を除去する工程と、
前記一方の基板及び第１絶縁膜上に第２絶縁膜を形成する工程と
を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１から１２のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、一対の基板間に電気光学物質が封入され、該基板の該電気光学物質に面する側に相交差して配列された複数のデータ線及び複数の走査線と、前記基板を相互に接着するギャップ材混入のシール材と、前記シール材の形成領域において、前記データ線及び走査線の少なくとも一方の延設方向に配置された複数の引き出し配線と、前記基板と前記引き出し配線との間に配置された凹状に窪んだ領域を有する層間絶縁膜とを備えており、前記複数の引き出し配線の各々は、前記シール材の形成領域において前記層間絶縁膜の凹状に窪んだ領域に形成されていることを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の電気光学装置によれば、一対の基板は相互に接着されており、シール材に混入されたギャップ材により、基板間のギャップは制御されている。従って、データ線及び走査線によりマトリクス駆動される所定層厚の電気光学物質を備えた、例えばＴＦＴ駆動、ＴＦＤ駆動等のアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置或いはパッシブマトリクス駆動方式の電気光学装置として構成される。ここで、層間絶縁膜は、シール領域において引き出し配線に対向する部分が凹状に窪んで形成されている。従って、データ線や走査線が形成された基板側のシール領域においてシール材に接する層間絶縁膜等の最上層の表面（以下、単に“シール領域の表面”という）において引き出し配線上に形成される当該引き出し配線の厚みによる凸状の突出の高さは、当該凹状に窪んだ部分の深さに応じて低められることになる。即ち、シール領域の表面における平坦化が図られる。従って、平坦化されたシール領域上でシール材に混入されたギャップ材を介してかかる応力は面上に一様に分散される。従って、前述の図２４及び図２５に示したような引き出し配線が断線したりショートしたりする可能性は大きく低減される。また、このシール領域の表面における高さの差を実質的に零にせずに、多少なりとも小さくすれば、同様の作用により、引き出し配線が断線したりショートしたりする可能性は多少なりとも低減される。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本発明は、前記複数のデータ線及び複数の走査線は、前記基板のうちの一方に設けられており、該一方の基板上に、前記各データ線及び前記各走査線に接続された薄膜トランジスタと、  該薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を前記一方の基板の側から見て各々重なる位置に設けられた遮光膜と、前記走査線に平行に配設され前記画素電極に所定容量を各々付与する容量線とを更に備えており、前記層間絶縁膜は、前記一方の基板上の前記遮光膜が形成されている領域においては前記遮光膜上に且つ前記遮光膜が形成されていない領域においては前記一方の基板上に設けられており、前記薄膜トランジスタ、前記データ線、前記走査線及び前記容量線のうち少なくとも一つに対向する部分が前記基板のうちの他方の側から見て凹状に窪んで形成された第１層間絶縁膜を含み、該第１層間絶縁膜は、前記シール領域において前記引き出し配線に対向する部分が凹状に窪んで形成されると良い。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
この構成によれば、遮光膜は、複数のＴＦＴの少なくともチャネル領域を一方の基板の側から見て覆う位置において一方の基板に設けられている。従って、一方の基板の側からの戻り光等が当該チャネル領域に入射する事態を未然に防ぐことができ、光電流の発生によりＴＦＴの特性が劣化することはない。そして、第１層間絶縁膜は、一方の基板及び遮光膜の上方に設けられている。従って、遮光膜からＴＦＴ等を電気的に絶縁し得ると共に遮光膜がＴＦＴ等を汚染する事態を未然に防げる。ここで特に、第１層間絶縁膜は、ＴＦＴ、データ線、走査線及び容量線のうち少なくとも一つに対向する部分が他方の基板の側から見て凹状に窪んで形成されているので、従来のように第１層間絶縁膜を平らに形成してその上にこれらのＴＦＴ等を形成する場合と比較すると、凹状に窪んだ部分の深さに応じて、これらのＴＦＴ等が形成された領域と形成されていない領域との合計膜厚の差が減少し、画素部における平坦化が促進される。即ち、従来のように、画素領域における平坦化膜のスピンコート等による塗布、平坦化された絶縁膜の形成等の工程を、省略又は簡略化できる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、本発明は、前記シール領域において、前記データ線の延設方向に配置されたデータ線側引き出し配線をなす金属膜に対しては、前記走査線をなす導電性のポリシリコン膜及び導電性の前記遮光膜の少なくとも一方が前記層間絶縁膜を介して積層形成されていると共に、前記走査線の延設方向に配置された走査線側引き出し配線をなす前記ポリシリコン膜に対しては、前記金属膜及び前記遮光膜の少なくとも一方が前記層間絶縁膜を介して積層形成されていると良い。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
この構成によれば、シール領域において、前記データ線の延設方向に配置されたデータ線側引き出し配線は、例えばＡｌ（アルミニウム）等の金属膜から構成されており、走査線の延設方向に配置された走査線側引き出し配線は、導電性のポリシリコン膜から構成されており、遮光膜は、Ｗ（タングステン）等の高融点金属膜から構成されている。ここで、シール領域において、データ線側引き出し配線は、一般に画像表示領域のデータ線の延設方向に沿った上下の辺から引き出されており、走査線側引き出し配線は、一般に画像表示領域の走査線の延設方向に沿った左右の辺から引き出されている。従って、仮にデータ線側引き出し配線をなす金属膜と、走査線側引き出し配線をなすポリシリコン膜との厚みが相異なれば、画像表示領域の上下の辺におけるシール領域の表面の高さと左右の辺におけるシール領域の表面の高さとが相異なるので、シール材の全体に混入されるギャップ材による基板間ギャップの制御が不安定なものとなってしまう。そこで、本発明では、データ線側引き出し配線に対しては、走査線側をなす導電性のポリシリコン膜を積層し、他方、走査線側引き出し配線に対しては、データ線をなす金属膜を積層する。すると、画像表示領域の上下の辺におけるシール領域の表面の高さと左右の辺におけるシール領域の表面の高さとは一致するので、シール材の全体に混入されるギャップ材による基板間ギャップの制御が安定なものとなる。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、本発明は、前記データ線の延設方向に配置された前記データ線側引き出し配線をなす前記金属膜は、積層形成された前記ポリシリコン膜及び前記遮光膜の少なくとも一方とコンタクトホールを介して電気接続されており、前記データ線引き出し配線の少なくとも一部は、前記金属膜と共に前記ポリシリコン膜及び前記遮光膜の少なくとも一方からなる冗長構造を有すると良い。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
この構成によれば、データ線側引き出し配線をなす金属膜に積層形成された導電性のポリシリコン膜及び遮光膜の少なくとも一方は、コンタクトホールを介してデータ線側引き出し配線に電気接続されており、データ線は、積層された２つ又は３つの導電膜からなる冗長構造を有する。従って、例えば、シール領域下においてギャップ材による応力を受けて配線が断線しても、或いは、基板に垂直な方向に一つの導電膜が層間絶縁膜を破って他の導電膜にショートしても配線不良となる可能性は非常に低くなる。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、本発明は、前記走査線側引き出し配線をなす前記ポリシリコン膜は、積層形成された前記金属膜及び前記導電性の遮光膜の少なくとも一方とコンタクトホールを介して電気接続されており、前記走査線側引き出し配線の少なくとも一部は、前記ポリシリコン膜と共に前記金属膜及び前記遮光膜の少なくとも一方からなる冗長構造を有すると良い。


【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
この構成によれば、走査線側引き出し配線をなす導電性のポリシリコン膜に積層形成された金属膜及び前記遮光膜の少なくとも一方は、コンタクトホールを介して走査線側引き出し配線に電気接続されており、走査線は、積層された２つ又は３つの導電膜からなる冗長構造を有する。


【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、本発明は、前記データ線側引き出し配線をなす前記金属膜に対して積層形成された前記ポリシリコン膜及び前記遮光膜の少なくとも一方は、前記シール領域において前記基板を介して入射される光がシール材に透過可能なように網目状又はストライプ状の平面パターンを備えており、前記走査線側引き出し配線をなす前記ポリシリコン膜に対して積層形成された前記金属膜及び前記遮光膜の少なくとも一方は、前記シール領域において前記基板を介して入射される光がシール材に透過可能なように網目状又はストライプ状の平面パターンを備えると良い。


【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
この構成によれば、シール領域において、データ線側引き出し配線に対して積層形成された導電性のポリシリコン膜及び遮光膜の少なくとも一方は、網目状又はストライプ状の平面パターンを備えているので、当該電気光学装置の製造工程において、光硬化性樹脂等の光硬化性材料からなるシール材を用いた場合に、基板を介して光を入射すれば、この積層構造における網目の間或いはストライプの間を通ってシール材に光を照射することが出来る。従って、光硬化性樹脂等からなるシール材を良好に光硬化させることが出来る。


【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また、本発明は、前記遮光膜は、定電位源に接続されていると良い。


【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
この構成によれば、遮光膜は定電位源に接続されているので、遮光膜は定電位とされる。従って、遮光膜に対向配置されるＴＦＴに対し遮光膜の電位変動が悪影響を及ぼすことはない。


【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
また、本発明は、前記層間絶縁膜は、単層から構成されていると良い。


【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
この構成によれば、層間絶縁膜を単層から構成すればよいので、従来の場合と比較しても層の数を増加させる必要が無く、凹状に窪んだ部分とそうでない部分との膜厚を制御すれば、当該層間絶縁膜が得られる。


【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
また、本発明は、前記層間絶縁膜は、単層部分と多層部分とから構成されており、前記単層部分が前記凹状に窪んだ部分とされており、前記多層部分が前記凹状に窪んでいない部分とされていると良い。


【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
この構成によれば、単層部分が凹状に窪んだ部分とされているので、凹状に窪んだ部分における層間絶縁膜の膜厚を、単層部分の膜厚として、比較的容易にして確実且つ高精度に制御できる。従って、この凹状に窪んだ部分における層間絶縁膜の膜厚を非常に薄くすることも可能となる。


【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
また、本発明は、前記層間絶縁膜は、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜から構成されていると良い。


【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
この構成によれば、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜からなる層間絶縁膜により、遮光膜からＴＦＴ等を電気的に絶縁できると共に遮光膜からの汚染を防止できる。しかも、このように構成された層間絶縁膜は、ＴＦＴの下地膜に適している。


【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
また、本発明は、前記遮光膜は、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）及びＰｂ（鉛）のうちの少なくとも一つを含むと良い。


【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
この構成によれば、遮光膜は、不透明な高融点金属であるＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂのうちの少なくとも一つを含む、例えば、金属単体、合金、金属シリサイド等から構成されるため、ＴＦＴアレイ基板上の遮光膜形成工程の後に行われるＴＦＴ形成工程における高温処理により、遮光膜が破壊されたり溶融しないようにできる。


【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
また、本発明は、前記ギャップ材は、前記基板間のギャップに対応する所定径を持つグラスファイバ及びガラスビーズのいずれか一方からなると良い。


【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
この構成によれば、グラスファイバ或いはガラスビーズがギャップ材としてシール材中に混入されているので、シール領域の表面に対して、線状領域や点状領域の応力集中が起きる。しかし、シール領域の表面における引き出し配線の厚みに起因した凸状の突出は、層間絶縁膜の凹状に窪んだ部分の深さに応じて平坦化されている。このため、当該応力集中により引き出し配線が断線したりショートしたりする可能性は低減される。


【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
また、本発明は、前記層間絶縁膜の凹状に窪んだ側壁部分はテーパ状に形成されていると良い。


【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
この構成によれば、層間絶縁膜の凹状に窪んだ側壁部分はテーパ状に形成されているので、電気光学装置の製造工程において、この凹状に窪んだ部分内に引き出し配線をフォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により形成し、更にその上に絶縁膜や導電膜等の他の膜を積層する際に、この凹状に窪んだ部分内に残る電極残り等のエッチング後の残留物を低減することが出来る。このため、所定パターンの引き出し配線を的確に凹状に窪んだ部分内に形成することできる。


【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記一方の基板上の所定領域に前記遮光膜を形成する工程と、前記一方の基板及び遮光膜上に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜に前記凹状に窪んだ部分に対応するレジストパターンをフォトリソグラフィで形成する工程と、該レジストパターンを介して所定時間のエッチングを行い前記凹状に窪んだ部分を形成する工程とを備えると良い。


【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
この構成によれば、先ず、一方の基板上の所定領域に遮光膜が形成され、一方の基板及びこの遮光膜上に絶縁膜が形成される。次に、該絶縁膜に凹状に窪んだ部分に対応するレジストパターンが、フォトリソグラフィで形成され、その後、ドライエッチング又はウエットエッチングが、このレジストパターンを介して所定時間だけ行われて、凹状に窪んだ部分が形成される。従って、ドライエッチング又はウエットエッチングの時間管理により、凹状に窪んだ部分の深さや膜厚を制御できる。特にウエットエッチングを行えば、凹状に窪んだ側壁部分にテーパ形状を設けることが出来るので便利である。


【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記一方の基板上の所定領域に前記遮光膜を形成する工程と、前記一方の基板及び遮光膜上に第１絶縁膜を形成する工程と、該第１絶縁膜に前記凹状に窪んだ部分に対応するレジストパターンをフォトリソグラフィで形成する工程と、該レジストパターンを介してエッチングを行い前記凹状に窪んだ部分に対応する前記第１絶縁膜を除去する工程と、前記一方の基板及び第１絶縁膜上に第２絶縁膜を形成する工程とを備えると良い。


【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
この構成によれば、先ず、一方の基板上の所定領域に遮光膜が形成され、一方の基板及びこの遮光膜上に第１絶縁膜が形成される。次に、この第１絶縁膜に、凹状に窪んだ部分に対応するレジストパターンが、フォトリソグラフィで形成され、その後、ドライエッチング又はウエットエッチングが、このレジストパターンを介して行われて、凹状に窪んだ部分に対応する第１絶縁膜が除去される。その後、一方の基板及びこの第１絶縁膜上に第２絶縁膜が形成される。この結果、凹状に窪んだ部分における第１層間絶縁膜の膜厚を、第２絶縁膜の膜厚の管理により、比較的容易にして確実且つ高精度に制御できる。この場合にもウエットエッチングを行えば、凹状に窪んだ部分にテーパを設けることが出来るので便利である。


【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
また、本発明の電子機器は、上記電気光学装置を備えると良い。


【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
この構成によれば、電子機器は、上述した本願発明の電気光学装置を備えており、配線不良が低減され、基板間のギャップ制御が精度良く行われた信頼性の高い電気光学装置により高品位の画像表示が可能となる。