【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年3月27日(2012.3.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電型を有するシリコン基板の表面の上に、窒化膜を直に形成する工程と、
前記窒化膜に、互いに離間した複数のウィンドーを区画するため、パターン形成する工程と、
前記ウィンドーを介してエッチングを行い、前記シリコン基板の表面から内部に向かって下方に延びる、互いに離間した複数のトレンチを形成する工程と、
犠牲酸化膜の形成とエッチングを行わないことにより、前記互いに離間した複数のトレンチの内壁の頂部に酸化膜を形成することなく、前記互いに離間した複数のトレンチの内壁を最終的に使用される酸化膜によって被覆する工程と、
前記互いに離間した複数のトレンチを、第２の導電型をもつ導電体によって充填する工程と、
前記導電体の頂面が前記シリコン基板の前記表面より下になるように、前記導電体のエッチングを行うことにより、前記シリコン基板の前記表面から前記導電体を除去する工程と、を含むことを特徴とするトレンチ型ショットキ・バリア半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記表面の上に接触して、ショットキ・バリア金属層を形成する工程と、
前記ショットキ・バリア金属層に接触しつつ、これを横断するアノードを形成するとともに、前記シリコン基板の反対側の面にカソードを形成する工程とを含み、
交互に並ぶトレンチとメサを形成するために、前記窒化膜を貫通し、前記ウィンドーに並置される前記シリコン基板の互いに離間した領域を介するエッチングによって、前記ウィンドーを形成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記互いに離間した複数のトレンチを、第２の導電型をもつ導電体によって充填する工程は、パターン形成された前記窒化膜を覆うドープされていないポリシリコン連続層を沈着させる工程と、前記互いに離間した複数のトレンチを充填する前記ドープされていないポリシリコン連続層に、第２の導電型の不純物をインプラントする工程とを含むことを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記シリコン基板において、互いに離間した複数の露出領域を形成するため、前記互いに離間した複数のトレンチの内壁を最終的に使用される酸化膜によって被覆する工程の後に、前記メサを覆う窒化膜を、１５０℃のリン酸によるウェットエッチングによって除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ショットキ・バリア金属層を、前記シリコン基板の露出領域である前記メサ、および前記互いに離間した複数のトレンチの上に形成することを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記シリコン基板は、厚さが２．５〜４μｍ、抵抗率が０．３〜０．５Ωｃｍであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記最終的に使用される酸化膜を、５００Åの厚さまで成長させることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記ドープされていないポリシリコン層を、７５００Åの厚さまで沈着させることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記不純物をインプラントする工程は、ホウ素イオンを、１×１０1４ｃｍ-2の密度で、前記互いに離間した複数のトレンチを充填しているドープされていないポリシリコン層に打ち込む工程と、Ｐ型の導電領域を形成するように、打ち込まれたホウ素イオンを、１０５０℃の温度下で、１時間、前記互いに離間した複数のトレンチ内に拡散させる工程とを含むことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記導電体を除去する工程は、前記ドープされていないポリシリコン層の全面をエッチングするために必要な時間よりも５秒間長いプラズマエッチングを施す工程をさらに含むことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記ショットキ・バリア金属層は、チタン、またはチタン−タングステンからなり、最大で６００Åの厚さまで、スパッタリングによって形成されたものであることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記シリコン基板は、半導体基板の片面から、前記互いに離間した複数のトレンチよりも下方の位置まで延びるＮ-型エピタキシャル層と、このＮ-型エピタキシャル層から半導体基板のもう片方の面まで延びるＮ+型基板層とを有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
第１の導電型を有する半導体基板の片面に、直に窒化膜を形成する工程と、
前記窒化膜に、互いに離間した複数のウィンドーを区画するため、パターン形成する工程と、
前記半導体基板に交互に並ぶトレンチとメサを形成するため、前記ウィンドーを介し、及び、前記ウィンドーに対抗する前記半導体基板の前記片面の領域を介するエッチングによって、前記窒化膜に前記ウィンドーを形成する工程と、
前記窒化膜と前記半導体基板の界面に、前記メサに沿って、互いに離間した複数の鳥のくちばし形状の酸化物が形成されることのないよう、犠牲酸化膜を形成することなく、トレンチの側壁と底面に酸化膜を形成する工程と、
前記トレンチをドープされていないポリシリコン連続層で充填しつつ、前記窒化膜を覆う前記ドープされていないポリシリコン連続層を沈着させる工程と、
前記ドープされていないポリシリコン連続層に、第２の導電型の不純物をインプラントして、このポリシリコン層を第２の導電型にする工程と、
前記ポリシリコン層の頂面が前記半導体基板の前記片面より下になるように、前記ポリシリコン層のエッチングを行うことにより、前記半導体基板の前記片面から前記ポリシリコン層を除去する工程と、
前記メサを覆う窒化膜を除去し、半導体基板の一部を露出させる工程と、
前記半導体基板の前記片面にショットキ・バリア層を形成し、このショットキ・バリア層と前記半導体基板の露出したメサとの界面にショットキ・バリアを形成する工程と、
前記半導体基板の両面に、金属層を形成し、半導体装置のアノードとカソードを形成する工程とを含むことを特徴とするトレンチ型ショットキ・バリア半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記互いに離間した複数のトレンチの形成と同時に、末端トレンチを形成する工程を含み、ショットキ・バリア金属層を、前記末端トレンチから除去することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
Ｎ型のシリコン基板と、
このシリコン基板の片面に形成された複数の互いに離間したトレンチ及び１つの末端トレンチであって、
前記複数の互いに離間したトレンチの内壁の頂部に酸化物が形成されないようにし、前記複数の互いに離間したトレンチの各々は、最終的に使用される酸化膜で被覆された内壁を有する、複数の互いに離間したトレンチ及び１つの末端トレンチと、
導電性のポリシリコン体であって、該導電性のポリシリコン体が前記複数の互いに離間したトレンチの内部にあり、前記導電性のポリシリコン体の頂面が前記シリコン基板の前記片面より下になる、導電性のポリシリコン体と、
それぞれの複数の互いに離間したトレンチ間にある前記シリコン基板に接しているショットキ・バリア金属層と、
前記ショットキ・バリア金属層に接している金属製接触層とからなるトレンチ型ショットキ・バリア半導体装置であって、
ショットキ・バリア金属層は前記末端トレンチから除去されていることを特徴とするトレンチ型ショットキ・バリア半導体装置。
【請求項１６】
前記末端トレンチの底面に、二酸化ケイ素の薄膜が形成されており、この二酸化ケイ素の薄膜は、前記末端トレンチの底面と、前記金属製接触層との間に位置することを特徴とする請求項１５記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記二酸化ケイ素の薄膜と、前記ショットキ・バリア金属層との間に、さらにバリア層が介在していることを特徴とする請求項１６記載の半導体装置。