【手続補正書】
【提出日】平成24年4月25日(2012.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
【表１】
2011524908.tif 000001
本出願では、以下の態様が提供される。
１．  式（Ｉ）の化合物であって、
【化８】
2011524908.tif 000002
式中、Ｒ１はフェニル又はナフチルであり、前記フェニル又はナフチルは、非置換であるか、又はハロゲン、ヒドロキシル、アミノ、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アシルオキシ、ヘテロアリール、ヘテロアルキル又はヘテロアラルキルから選択される１つ以上の置換基で置換され、それぞれのＲ２は独立して、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアルキル、ヘテロアラルキル、又はヒドロキシアルキルである、化合物。
２．  Ｒ１が式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）又は（ＩＶ）のものであって、
【化９】
2011524908.tif 000003
式中、Ｒ３は、水素、ハロゲン、ヒドロキシル、アミノ、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アシルオキシ、ヘテロアリール、ヘテロアルキル、又はヘテロアラルキルである、態様１に記載の化合物。
３．  Ｒ１が式（Ｖ）又は（ＶＩ）のものであって、
【化１０】
2011524908.tif 000004
式中、Ｒ３は、水素、ハロゲン、ヒドロキシル、アミノ、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アシルオキシ、ヘテロアリール、ヘテロアルキル、又はヘテロアラルキルである、態様１又は２に記載の化合物。
４．  Ｒ３がアルコキシである、態様２又は３に記載の化合物。
５．  それぞれのＲ２がアルキル又はアルケニルである、態様１〜３のいずれか一項に記載の化合物。
６．  （ａ）式（Ｉ）の低分子半導体であって、
【化１１】
2011524908.tif 000005
式中、Ｒ１はフェニル又はナフチルであり、前記フェニル又はナフチルは、非置換であるか、又はハロゲン、ヒドロキシル、アミノ、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アシルオキシ、ヘテロアリール、ヘテロアルキル又はヘテロアラルキルから選択される１つ以上の置換基で置換され、それぞれのＲ２は独立して、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアルキル、ヘテロアラルキル、又はヒドロキシアルキルである、式（Ｉ）の低分子半導体と、（ｂ）有機溶媒と、を含む、組成物。
７．  前記組成物が、前記組成物の総重量に基づいて少なくとも０．１重量％の溶解した式（Ｉ）の低分子半導体を含む、態様６に記載の組成物。
８．  Ｒ１が式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）又は（ＩＶ）のものであって、
【化１２】
2011524908.tif 000006
式中、Ｒ３は、水素、ハロゲン、ヒドロキシル、アミノ、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アシルオキシ、ヘテロアリール、ヘテロアルキル、又はヘテロアラルキルである、態様６又は７に記載の組成物。
９．  更に絶縁ポリマーを含む、態様６〜８のいずれか一項に記載の組成物。
１０．  前記絶縁ポリマーが、ポリスチレン、ポリ（α−メチルスチレン）、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリ（ビニルフェノール）、ポリ（ビニルアルコール）、ポリ（ビニルアセテート）、ポリ（塩化ビニル）、ポリ（ビニリデンフルオライド）、シアノエチルプルラン、又はポリ（ジビニルテトラメチルジシロキサン−ビス（ベンゾシクロブテン））を含む、態様９に記載の組成物。
１１．  前記有機溶媒が、（ａ）非置換であるか又は少なくとも１つのアルキル基で置換されているベンゼン、（ｂ）少なくとも１つのハロ基で置換されているアルカン、（ｃ）少なくとも１つのハロ基で置換されているベンゼン、（ｄ）ケトン、（ｅ）エーテル、（ｆ）アミド、（ｇ）アルカン、又は（ｈ）これらの混合物を含む、態様６〜１０のいずれか一項に記載の組成物。
１２．  式（Ｉ）の低分子半導体を含む半導体層を含む半導体デバイスであって、
【化１３】
2011524908.tif 000007
式中、Ｒ１はフェニル又はナフチルであり、フェニル又はナフチルは、非置換であるか、又はハロゲン、ヒドロキシル、アミノ、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アシルオキシ、ヘテロアリール、ヘテロアルキル又はヘテロアラルキルから選択される１つ以上の置換基で置換され、それぞれのＲ２は独立して、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアルキル、ヘテロアラルキル、又はヒドロキシアルキルである、半導体デバイス。
１３．  前記半導体層が更に絶縁ポリマーを含む、態様１２に記載の半導体デバイス。
１４．  導電層、誘電体層、又はこれらの組み合わせを、前記半導体層に隣接させて更に含む、態様１２又は１３に記載の半導体デバイス。
１５．  前記半導体層の１つの表面に隣接した導電層及び前記半導体層の反対側の表面に隣接した誘電体層を更に含む、態様１２〜１４のいずれか一項に記載の半導体デバイス。
１６．  互いに分離されかつ両方が前記半導体層と接触しているソース電極及びドレイン電極を含んでなる電極層を更に含む、態様１２〜１５のいずれか一項に記載の半導体デバイス。
１７．  前記半導体デバイスが、有機薄膜トランジスタを含む、態様１２〜１６のいずれか一項に記載の半導体デバイス。
１８．  半導体デバイスを製造する方法であって、前記方法が、式（Ｉ）の低分子半導体を含む半導体層を提供することであって、
【化１４】
2011524908.tif 000008
式中、Ｒ１はフェニル又はナフチルであり、前記フェニル又はナフチルは、非置換であるか、又はハロゲン、ヒドロキシル、アミノ、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アシルオキシ、ヘテロアリール、ヘテロアルキル又はヘテロアラルキルから選択される１つ以上の置換基で置換され、それぞれのＲ２は独立して、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアルキル、ヘテロアラルキル、又はヒドロキシアルキルである、半導体層を提供すること、を含む、半導体デバイスを製造する方法。
１９．  前記半導体層が更に絶縁ポリマーを含む、態様１８に記載の方法。
２０．  前記半導体層に隣接する第１の層を提供することを更に含み、前記第１の層が導電層又は誘電体層を含む、態様１８又は１９に記載の方法。
２１．  前記半導体デバイスが、ゲート電極、ゲート誘電体層、前記半導体層、並びにソース電極及びドレイン電極を含む電極層であって、前記ソース電極及び前記ドレイン電極が互いに分離されており、かつ前記半導体層が前記ドレイン電極及び前記ソース電極の両方と接触している電極層、の順番で配置された多層を含む有機薄膜トランジスタを含む、態様１８〜２０のいずれか一項に記載の方法。
２２．  前記半導体デバイスが、ゲート電極、ゲート誘電体層、ソース電極及びドレイン電極を含む電極層であって、前記ソース電極及び前記ドレイン電極が互いに分離された電極層、並びに前記ソース電極及び前記ドレイン電極の両方と接触している前記半導体層、の順番で配置された多層を含む有機薄膜トランジスタを含む、態様１８〜２０のいずれか一項に記載の方法。
２３．  前記半導体層を提供することが、組成物を前記半導体デバイスの別の層の表面に適用することを含み、前記組成物が、式（Ｉ）の低分子半導体及び前記低分子半導体の少なくとも一部を溶解する有機溶媒を含む、態様１８〜２２のいずれか一項に記載の方法。
２４．  前記方法が、前記組成物の適用後に、前記有機溶媒の少なくとも一部を除去することを更に含む、態様２３に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）の化合物であって、
【化１】
2011524908.tif 000009
式中、
Ｒ１はフェニル又はナフチルであり、前記フェニル又はナフチルは、非置換であるか、又はハロゲン、ヒドロキシル、アミノ、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アシルオキシ、ヘテロアリール、ヘテロアルキル又はヘテロアラルキルから選択される１つ以上の置換基で置換され、
それぞれのＲ２は独立して、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアルキル、ヘテロアラルキル、又はヒドロキシアルキルである、化合物。
【請求項２】
（ａ）式（Ｉ）の低分子半導体であって、
【化２】
2011524908.tif 000010
式中、
Ｒ１はフェニル又はナフチルであり、前記フェニル又はナフチルは、非置換であるか、又はハロゲン、ヒドロキシル、アミノ、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アシルオキシ、ヘテロアリール、ヘテロアルキル又はヘテロアラルキルから選択される１つ以上の置換基で置換され、
それぞれのＲ２は独立して、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアルキル、ヘテロアラルキル、又はヒドロキシアルキルである、式（Ｉ）の低分子半導体と、
（ｂ）有機溶媒と、を含む、組成物。
【請求項３】
式（Ｉ）の低分子半導体を含む半導体層を含む半導体デバイスであって、
【化３】
2011524908.tif 000011
式中、
Ｒ１はフェニル又はナフチルであり、フェニル又はナフチルは、非置換であるか、又はハロゲン、ヒドロキシル、アミノ、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アシルオキシ、ヘテロアリール、ヘテロアルキル又はヘテロアラルキルから選択される１つ以上の置換基で置換され、
それぞれのＲ２は独立して、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアルキル、ヘテロアラルキル、又はヒドロキシアルキルである、半導体デバイス。