【手続補正書】
【提出日】平成24年4月12日(2012.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート端子（１２）を備える少なくとも１個のゲート（Ｇ）と、
ソース端子（１４）を備える少なくとも１個のソース（Ｓ）と、
ドレイン端子（１６）を備える少なくとも１個のドレイン（Ｄ）と、
基板端子（１８）を備える少なくとも１個の基板（１０）と、
を備える、プログラマブルアンチヒューズトランジスタ（１００）、特に、ＮチャネルＭＯＳトランジスタであって、
前記ソース端子（１４）と前記基板端子（１８）との間の電位差レベルが約０．５ボルト以下、特に、約０．３ボルト以下であり、
前記ドレイン端子（１６）と前記ソース端子（１４）とが異なる電位に置かれ、そして
ソース（Ｓ）とドレイン（Ｄ）との間に荷電キャリアのフローが生じ、ソース（Ｓ）とドレイン（Ｄ）との間で半導体材料（２０）が加熱されて局所的に融解され、ソース（Ｓ）とドレイン（Ｄ）との間に少なくとも１個の固定伝導チャネルを形成するように、ドレイン−ソース電圧及び／又はゲート−ソース電圧が調節可能である、
ことを特徴とするアンチヒューズトランジスタ。
【請求項２】
プログラミング中に、前記ソース端子（１４）と前記基板端子（１８）とが、実質的に同一の電位に、特に、接地電位、グラウンド電位又はゼロ電位（ＧＮＤ）を含む基準電位に置かれる請求項１に記載のアンチヒューズトランジスタ。
【請求項３】
プログラミング中に、前記ドレイン端子（１６）と前記ソース端子（１４）との間の電位差レベルが、最大許容公称動作電圧、特に、連続動作電圧より大きくなる、特に、２倍以上になるように、前記ドレイン−ソース電圧及び／又は前記ゲート−ソース電圧が調節可能である請求項１又は２に記載のアンチヒューズトランジスタ。
【請求項４】
前記ドレイン−ソース電圧を調節するために、
少なくとも１個の電圧源（２４）、特に、少なくとも１個の燃焼又は融解電圧源と、
少なくとも１個の電流源を含む少なくとも１個の限流部品（２６）、特に、前記電圧源（２４）と直列に連結された限流部品と、
が、前記ドレイン端子（１６）と前記ソース端子（１４）との間に配置される請求項１〜３の何れか１項に記載のアンチヒューズトランジスタ。
【請求項５】
前記ゲート−ソース電圧を調節するために、
前記ゲート（Ｇ）の電圧を定義する少なくとも１個の部品（２８；２８ａ、２８ｂ；２８’）、特に、少なくとも１個の電圧源（２８）又は少なくとも１個の分圧器（２８ａ、２８ｂ）又は少なくとも１個の電圧調整器（２８’）が、プログラミング中の前記ゲート−ソース電圧のレベルが前記ドレイン−ソース電圧のレベルの約０．４倍〜約０．７倍となるように、前記ゲート端子（１２）と前記ソース端子（１４）との間に配置される請求項１〜４の何れか１項に記載のアンチヒューズトランジスタ。
【請求項６】
前記分圧器（２８ａ、２８ｂ）は、
少なくとも、前記ドレイン端子（１６）と前記ゲート端子（１２）との間の第１の抵抗器（２８ａ）、特に、約数百キロオームのオーダーを含む高抵抗の抵抗器として設計された第１の抵抗器と、
少なくとも、前記ゲート端子（１２）と基準電位（ＧＮＤ）との間の第２の抵抗器（２８ｂ）、特に、約数百キロオームのオーダーを含む高抵抗の抵抗器として設計された第２の抵抗器と、
を含む請求項５に記載のアンチヒューズトランジスタ。
【請求項７】
アンチヒューズ回路装置（２００；２００’）、特に、電気的ワンタイムプログラマブル永久記憶素子であって、
請求項１〜６の何れか一項に記載のアンチヒューズトランジスタ（１００）、特に、少なくとも１個のＮチャネルＭＯＳトランジスタによって特徴付けられるアンチヒューズ回路装置。
【請求項８】
少なくとも１個のスイッチ部品（３０）、特に、トランジスタスイッチであって、特に、少なくとも１個のプログラミング制御装置を含む少なくとも１個の制御装置（３００）によって制御可能なスイッチ部品を備え、
前記アンチヒューズトランジスタ（１００）は、前記スイッチ部品（３０）の少なくとも第１のスイッチ位置においてプログラム可能であり、
前記アンチヒューズトランジスタ（１００）のプログラム状態は、前記スイッチ部品（３０）の少なくとも第２のスイッチ位置において読み取り可能及び／又は評価可能である請求項７に記載のアンチヒューズ回路装置。
【請求項９】
少なくとも１個の電圧源（３２）、特に、供給電圧（Ｖｓ）を供給する少なくとも１個の供給電圧源と前記ドレイン端子（１６）との間に連結された、少なくとも１個の限流部品（３４；３４’）、特に、少なくとも１個の抵抗器（３４）又は少なくとも１個の電流源（３４’）と、
入力端子が前記ドレイン端子（１６）と実質的に同一の電位に置かれる少なくとも１個の決定部品（３６）、特に、少なくとも１個のインバータ又は少なくとも１個のコンパレータと、によって特徴付けられる請求項７又は８に記載のアンチヒューズ回路装置。
【請求項１０】
ゲート端子（１２）を備える少なくとも１個のゲート（Ｇ）と、
ソース端子（１４）を備える少なくとも１個のソース（Ｓ）と、
ドレイン端子（１６）を備える少なくとも１個のドレイン（Ｄ）と、
基板端子（１８）を備える少なくとも１個の基板（１０）と、
を備える、少なくとも１個のアンチヒューズトランジスタ（１００）、特に、少なくとも１個のＮチャネルＭＯＳトランジスタをプログラムする方法であって、
前記ソース端子（１４）と前記基板端子（１８）との間の電位差レベルが約０．５ボルト以下、特に、約０．３ボルト以下であり、
前記ドレイン端子（１６）と前記ソース端子（１４）とが異なる電位に置かれ、そして
ドレイン−ソース電圧及び／又はゲート−ソース電圧を調節することによって、ソース（Ｓ）とドレイン（Ｄ）との間に荷電キャリアのフローを生じさせ、ソース（Ｓ）とドレイン（Ｄ）との間で半導体材料（２０）を加熱して局所的に融解し、ソース（Ｓ）とドレイン（Ｄ）との間に少なくとも１個の固定伝導チャネルを形成する、
ことを特徴とする方法。
【請求項１１】
プログラミング中に、前記ソース端子（１４）と前記基板端子（１８）とが、実質的に同一の電位、特に、接地電位、グラウンド電位又はゼロ電位（ＧＮＤ）を含む基準電位に置かれる請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
プログラミング中に、前記ドレイン端子（１６）と前記ソース端子（１４）との間の電位差レベルが、最大許容公称動作電圧、特に、連続動作電圧より大きくなる、特に、２倍以上となり、及び／又は
プログラミング中の前記ゲート−ソース電圧のレベルが、前記ドレイン−ソース電圧のレベルの約０．４倍〜約０．７倍となる、
ように、前記ドレイン−ソース電圧及び／又は前記ゲート−ソース電圧が調節可能である請求項１０又は１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記アンチヒューズトランジスタ（１００）は、少なくとも１個のスイッチ部品（３０）、特に、トランジスタスイッチであって、特に、少なくとも１個のプログラミング制御装置を含む少なくとも１個の制御装置（３００）によって制御可能なスイッチ部品の、少なくとも第１のスイッチ位置においてプログラム可能であり、
前記アンチヒューズトランジスタ（１００）のプログラミング状態は、前記スイッチ部品（３０）の少なくとも第２のスイッチ位置において読み取り可能及び／又は評価可能である、特に、請求項７〜９のいずれか１項に記載の少なくとも１個のアンチヒューズ回路装置（２００；２００’）によって読み取り可能及び／又は評価可能である、
請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の方法。