【手続補正書】
【提出日】平成24年4月10日(2012.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１のナノワイヤ（１０５）を備えた半導体デバイスであって、
前記デバイスは、第１の導電型の第１の縦方向領域（１２１）と、第２の導電型の第２の縦方向領域（１２２）と、前記デバイスの前記第１の縦方向領域（１２１）に配置された少なくとも第１のラップゲート電極（１１１）とを備え、電圧が前記第１のラップゲート電極（１１１）に印加された場合に、前記第１の縦方向領域（１２１）と関連付けられた、前記デバイスの少なくとも第１の部分において電荷キャリア濃度を変更し、少なくとも前記第１の縦方向領域（１２１）は、前記第１のナノワイヤ（１０５）に配置されていることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項２】
前記第２の縦方向領域（１２２）は、前記第１のナノワイヤ（１０５）の長さに沿って前記第１の縦方向領域（１２１）と一列に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記第２の縦方向領域（１２２）は、前記第１のナノワイヤと電気的に接続されている第２のナノワイヤ（１０６）に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
第２のラップゲート電極（１１２）は、電圧が前記第２のラップゲート電極（１１２）に印加された場合に、前記第２の縦方向領域（１２２）と関連付けられた、少なくとも一部分（１０２）において電荷キャリア濃度を変更するために、前記第２の縦方向領域（１２２）に配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記第１の縦方向領域（１２１）及び前記第２の縦方向領域（１２２）は、同一の導電型であることを特徴とする請求項１又は４に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
少なくとも前記第１の縦方向領域（１２１）及び前記第２の縦方向領域（１２２）は、組成及びドーピングの少なくとも一方に関して同一であることを特徴とする請求項５に記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記第１の縦方向領域（１２１）及び前記第２の縦方向領域（１２２）は、異なる組成の少なくとも２つのヘテロ構造セグメントを含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記第１の縦方向領域（１２１）と前記第２の縦方向領域（１２２）との間の界面（１１６）において擬似的な縦方向接合（１１４）を含み、前記接合（１１４）の各側に異なる導電型を有し、且つ、前記接合（１１４）の一方側に前記部分を有し、前記接合は、前記電圧が印加された場合に形成されることを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記擬似的な縦方向接合（１１４）は、ｐｎ接合であることを特徴とする請求項８に記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
前記第１の縦方向領域（１２１）及び前記第２の縦方向領域（１２２）は、異なる導電型であることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項１１】
一方側に前記部分を有する、前記第１の縦方向領域（１２１）と前記第２の縦方向領域（１２２）との間の界面（１１６）は、各側に異なる導電型を有する縦方向接合（１１４）を含み、前記第１のラップゲート電極（１１１）は、前記電圧が印加された場合に、前記縦方向接合（１１４）を移動するように構成されていることを特徴とする請求項１０に記載の半導体デバイス。
【請求項１２】
前記第１のナノワイヤ（１０５）は第３の縦方向領域（１２３）を含み、前記第１の縦方向領域（１２１）は前記第２の縦方向領域（１２２）と前記第３の縦方向領域（１２３）との間に配置され、１つ以上のラップゲート電極（１１１、１１２、１１３）は、ｐ型領域とｎ型領域との間の空乏領域の幅及び位置を制御するように構成されていることを特徴とする請求項１乃至１１のうちいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項１３】
前記第１のナノワイヤ（１０５）は、前記第１のラップゲート電極（１１１）を有する前記第１の領域（１２１）及び前記第２のラップゲート電極（１１２）を有する前記第２の領域（１２２）により形成された擬似的な接合（１１４）を含み、前記擬似的な接合（１１４）は、前記第１の領域（１２１）及び前記第２の領域（１２２）のいずれか一方がｐ型領域であり、且つ、他方がｎ型領域であるように前記電荷キャリア濃度を変更するように構成されていることを特徴とする請求項４乃至１２のうちいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項１４】
前記領域（１２１、１２２、１２３）及び１つ以上のラップゲート電極（１１１、１１２、１１３）は、光を生成するための擬似的なｐｎ接合又はｐｉｎ接合を提供し、アクティブな領域は、異なる波長を有する光を生成するために異なる組成及び／又は次元のヘテロ構造セグメント間で移動されるように構成されていることを特徴とする請求項１乃至１３のうちいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項１５】
前記領域（１２１、１２２、１２３）及び１つ以上のラップゲート電極（１１１、１１２、１１３）は、光を生成するための擬似的なｐｎ接合を提供し、アクティブな領域は、異なる波長を有する光を生成するために傾斜組成のナノワイヤセグメントに沿って移動されるように構成されていることを特徴とする請求項１乃至１４のうちいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項１６】
前記第１のナノワイヤ（１０５）は、コア（１０７）と、径方向のヘテロ構造を形成する少なくとも第１のシェル層（１０８）とを含み、前記第１のラップゲート電極（１１１）は、電圧が前記第１のラップゲート電極（１１１）に印加された場合に、前記第１のナノワイヤ（１０５）の前記第１の縦方向領域（１２１）の径方向において前記電荷キャリア濃度を変更するために使用されるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項１７】
前記径方向のヘテロ構造は、前記電圧が印加された場合に、光を生成するためのアクティブな領域を含むように構成されていることを特徴とする請求項１６に記載の半導体デバイス。
【請求項１８】
前記第１のナノワイヤ（１０５）の少なくとも前記第１の縦方向領域（１２１）は、前記第１の縦方向領域（１２１）の前記電荷キャリア濃度の変更により変更される強磁性特性を有する磁気半導体材料を含んでいることを特徴とする請求項１乃至１７のうちいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項１９】
前記第１のラップゲート電極は、前記第１の領域の前記強磁性をオン及びオフに切り替えるために、前記第１のナノワイヤの前記第１の領域に配置されていることを特徴とする請求項１８に記載の半導体デバイス。
【請求項２０】
前記ナノワイヤ（１０５、１０６）は、基板（１０２）の上にエピタキシャル配置され、前記ナノワイヤ（１０５、１０６）は、前記基板から突出していることを特徴とする請求項１乃至１９のうちいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項２１】
前記第１のナノワイヤは、長さに沿って分布された一連の量子井戸を含み、１つ以上のラップゲート電極は、前記量子井戸のいずれかに対して光を生成するためのアクティブな領域を調整するために、前記ナノワイヤの長さに沿って異なる位置に配置されていることを特徴とする請求項１乃至２０のうちいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項２２】
第１のナノワイヤ（１０５）の第１の領域（１２１）に配置された少なくとも第１のラップゲート電極（１１１）を使用して前記第１のナノワイヤ（１０５）の特性を変調する方法であって、
電圧が前記第１のラップゲート電極（１１１）に印加された場合に、前記第１のナノワイヤ（１０５）の前記第１の領域（１２１）の強磁性特性、又は、電荷キャリア濃度及び電荷キャリア型の少なくとも一方を変更するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項２３】
前記電荷キャリア濃度及び前記電荷キャリア型の少なくとも一方を変更する前記ステップは、前記電圧が前記第１のラップゲート電極（１１１）に印加された場合に、擬似的なｐｎ接合を提供することを特徴とする請求項２２に記載の方法。