【手続補正書】
【提出日】平成24年4月25日(2012.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体表面上に、表示をサブミクロンサイズで印刷する方法であって、以下の工程：
パターン描画組成物でチップアレイを被覆する工程、ここで該チップアレイは、各々約1μm未満の曲率半径を持つ、複数の非-カンチレバー方式のチップを含む、圧縮性弾性ポリマーを含み；および
第一の接触期間に渡り、かつ第一の接触圧にて、該支持体表面を、該アレイの該被覆されたチップの全てまたはその実質的全てと接触させて、該パターン描画組成物を該支持体表面に堆積させ、かつ該被覆されたチップの全てまたはその実質的全てにより、実質的に均一な表示を形成する工程、ここで該表示は、1μm未満のドットサイズ(またはライン幅)を持つ、
を含むことを特徴とする、前記方法。
【請求項２】
前記チップアレイが、規則性のある周期的パターン形状に配列された、複数のチップを含む、請求項1記載の方法。
【請求項３】
前記各チップが、約0.2μm未満の曲率半径を持つ、請求項1または2記載の方法。
【請求項４】
前記ポリマーが、約10MPa〜約300MPaなる範囲の圧縮弾性率を持つ、請求項1〜3の何れか1項に記載の方法。
【請求項５】
前記ポリマーが、ポリジメチルシロキサン(PDMS)を含む、請求項1〜4の何れか1項に記載の方法。
【請求項６】
前記PDMSが、トリメチルシロキシ末端を持つビニルメチルシロキサン-ジメチルシロキサンコポリマー、メチルヒドロシロキサン-ジメチルシロキサンコポリマー、またはこれらの混合物を含む、請求項5記載の方法。
【請求項７】
更に、第一の接触期間の終了後、支持体表面との接触から該チップを離し、次いで、前記チップアレイ、前記支持体表面、またはこれら両者を移動させ、かつ前記接触工程を、第二の接触期間に渡り、かつ第二の接触圧下にて繰り返す工程をも含む、請求項1〜6の何れか1項に記載の方法。
【請求項８】
更に、前記接触圧を制御するために、前記支持体または前記チップアレイが搭載されている、ピエゾスキャナーのz-ピエゾを制御する工程をも含む、請求項1〜7の何れか1項に記載の方法。
【請求項９】
前記接触中および/または1またはそれ以上の組の接触および堆積段階間に、前記チップアレイと前記支持体表面との間の横方向の移動を制御して、1本またはそれ以上のラインおよび予め選択したパターンを含む表示を形成する工程を含む、請求項1〜8の何れか1項に記載の方法。
【請求項１０】
前記チップアレイに対して、加圧下のフック弾性が10MPa〜300MPaなる範囲にある、圧縮性ポリマーを選択することを含む、請求項1〜9の何れか1項に記載の方法。
【請求項１１】
前記チップアレイの各チップと、前記支持体表面とを接触させる工程を含む、請求項1〜10の何れか1項に記載の方法。
【請求項１２】
前記表示が、100nm未満のドットサイズ(またはライン幅)を持つ、請求項1〜11の何れか1項に記載の方法。
【請求項１３】
更に、以下の諸段階によって、前記支持体表面に対して前記チップアレイの該チップを水平にする工程を含み：
該チップアレイを入射光によって背後から照らして、該チップの内部表面から、該入射光の内部反射を生ぜしめる段階；
該背後から照らされるチップアレイのチップおよび該支持体表面を一緒に、z-軸に沿って、該支持体表面と該チップのサブセットとの間の接触点まで搬送する段階、ここで接触は該支持体表面と接触状態にある該チップのサブセットからの高い反射光強度によって示され、一方他のチップからの反射光強度における変化がないことは、該チップが非-接触状態にあることを示し；および
該チップの内部表面からの該反射光強度の差に応じて、該背後から照らされるチップアレイおよび該支持体表面の一方または両者を、その他方に関して傾けて、該支持体表面と非-接触状態にあるチップとの間の接触を達成する段階、
ここで、該傾斜させる工程が、x-、y-および/またはz-軸に沿って1回またはそれ以上の回数に渡り行われる、請求項1〜12の何れか1項に記載の方法。
【請求項１４】
更に、以下の諸段階によって、前記支持体表面に対して前記チップアレイの該チップを水平にする工程を含み：
該チップアレイを、入射光によって背後から照らして、該チップの内部表面から、該入射光の内部反射を生ぜしめる段階；
該背後から照らされるチップアレイのチップおよび該支持体表面を一緒に、z-軸に沿って搬送して、該チップアレイのチップと該支持体表面との接触を生ぜしめる段階、
更に、該チップアレイおよび該支持体の一方または両者を、z-軸に沿ってその他方に向けて移動させて、該チップのサブセットを圧縮する段階、これにより該チップからの該反射光強度が、該チップの該支持体表面に対する圧縮の程度の関数として増大する；および  該チップの内部表面からの該反射光強度の差に応じて、該背後から照らされるチップアレイおよび該支持体表面の一方または両者を、その他方に関して傾けて、該支持体表面とチップとの間の、実質的に均一な接触を達成する段階、
ここで、該傾斜させる工程が、x-、y-および/またはz-軸に沿って1回またはそれ以上の回数に渡り行われる、請求項1〜12の何れか1項に記載の方法。
【請求項１５】
共通の支持体層に固定された複数のチップを含み、該チップおよび該共通の支持体層が、弾性ポリマーで形成され、該チップの該弾性ポリマーが、約10MPa〜約300MPaなる範囲内の圧縮弾性率を有し、しかも該チップの各々が、約1μm未満の曲率半径を持つことを特徴とする、チップアレイ。
【請求項１６】
前記チップの各々が、約100nm未満の曲率半径を持つ、請求項15記載のチップアレイ。
【請求項１７】
前記チップが、規則性のある周期的パターン形状に配列されている、請求項15又は16に記載のチップアレイ。
【請求項１８】
前記チップが、同様に形作られている、請求項15〜17の何れか1項に記載のチップアレイ。
【請求項１９】
前記共通の支持体層の厚みが、約50μm〜約100μmなる範囲にある、請求項15〜18の何れか1項に記載のチップアレイ。
【請求項２０】
更に、前記共通の支持体が接着されている、剛性支持体をも含む、請求項15、17〜19の何れか1項に記載のチップアレイ。
【請求項２１】
前記チップアレイ、前記共通の支持体、および前記剛性支持体が、少なくとも半透明である、請求項15、17〜20の何れか1項に記載のチップアレイ。
【請求項２２】
前記共通の支持体層および前記チップが、約200μm未満の全体としての厚みを持つ、請求項15〜21の何れか1項に記載のチップアレイ。
【請求項２３】
共通の支持体層に固定された複数のチップを含み、該チップおよび該共通の支持体層が弾性ポリマーから作られており、該チップ各々が、約1μm未満の曲率半径を持ち、かつ該共通の支持体層および該チップが、約200μm未満の全体としての厚みを持つことを特徴とする、チップアレイ。
【請求項２４】
前記共通の弾性ポリマー支持体に固定された複数のチップを含む、少なくとも半透明な積重ね構造を含み、該支持体がガラススライドに固定されていることを特徴とする、チップアレイ。
【請求項２５】
チップアレイの製造方法であって、以下の諸工程：
ランドによって分離された支持体内に一連の窪みを含むマスターを形成する工程；
該窪みを満たし、かつ該ランドを、プレポリマーおよび場合により架橋剤を含むプレポリマー混合物で被覆する工程；
該プレポリマー混合物を硬化して、ポリマー構造を形成する工程；および
該ポリマー構造を該マスターから分離する工程；
を含むことを特徴とする、前記方法。
【請求項２６】
更に、前記支持体内にウエルを形成し、該支持体を異方性湿式エッチングすることによって、ピラミッド形状の窪みとして、前記窪みを形成する工程をも含む、請求項25記載の方法。