【手続補正書】
【提出日】平成24年10月23日(2012.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理チャンバで利用される下側電極アセンブリであって、
（ａ）複数の金属プレートを含む金属ベースであって、
（ｉ）前記複数の金属プレートを冶金結合するろう付け結合部の位置にある下方側面のろう付け線と、
（ｉｉ）前記下方側面から水平内向きに広がるエッジリング支持面と、
（ｉｉｉ）前記エッジリング支持面の上方の上方側面と、を備える、金属ベースと、
（ｂ）前記エッジリング支持面上に取り付けられた下面を備える上側エッジリングと、
（ｃ）前記下方側面を囲む下側エッジリングと、
（ｄ）前記上側エッジリングおよび前記下側エッジリングの対向面の間、ならびに、前記下側エッジリングと前記ベースの外周との間のギャップと、を備え、
前記ギャップの平均ギャップ幅に対する総ギャップ長のアスペクト比は、前記ろう付け線の位置におけるアーク放電を妨げるのに十分である、下側電極アセンブリ。
【請求項２】
請求項１に記載の下側電極アセンブリであって、
前記アスペクト比は、少なくとも２０である、下側電極アセンブリ。
【請求項３】
請求項１または２に記載の下側電極アセンブリであって、
前記下側および／または上側エッジリングは、誘電材料を含む、下側電極アセンブリ。
【請求項４】
請求項３に記載の下側電極アセンブリであって、
前記誘電材料は、イットリア、セリア、アルミナ、窒化シリコン、および、石英からなる群より選択された少なくとも１つを含む、下側電極アセンブリ。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の下側電極アセンブリであって、
前記金属ベースは、上側金属プレート、中間金属プレート、および、下側金属プレートを含み、
前記上側および中間プレートは、上側ろう付け線で真空ろう付けされ、
前記中間および下側プレートは、下側ろう付け線で真空ろう付けされる、下側電極アセンブリ。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の下側電極アセンブリであって、
前記下側エッジリングは、前記金属ベースの前記下方側面に対向する側面であって、前記金属ベースの前記エッジリング支持面の上方に伸びる側面を備える、下側電極アセンブリ。
【請求項７】
請求項６に記載の下側電極アセンブリであって、
前記下側エッジリングは、さらに、内向きに伸びる突出部を備え、前記突出部の下面は、前記エッジリング支持面の外側部分の上に存在する、下側電極アセンブリ。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載の下側電極アセンブリであって、
前記上側エッジリングは、その下面に２つの段差を備える、下側電極アセンブリ。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の下側電極アセンブリであって、
前記上側および下側エッジリングは、前記対向面に、互いに対向する溝を備えており、前記溝の中に誘電体リングが配置される、下側電極アセンブリ。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれかに記載の下側電極アセンブリであって、
前記下側エッジリングは、その上面に環状突出部を備え、
前記上側エッジリングは、前記環状突出部を受け入れる環状凹部を備える、下側電極アセンブリ。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれかに記載の下側電極アセンブリであって、
前記上側エッジリングは、前記下面に単一の段差を備え、
前記段差は、前記下面内に少なくとも６．３５ｍｍ伸びており、
前記下側エッジリングは、前記下側エッジリングの上側部分が、前記段差によって形成された後退部内に収まるように、前記ベースの前記下方側面よりも大きい高さを有する、下側電極アセンブリ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
好ましい実施形態を参照しつつ本発明について説明したが、当業者にとって明らかであるように、バリエーションおよび変形例を用いてもよいことを理解されたい。かかるバリエーションおよび変形例は、添付の特許請求の範囲に規定される本発明の範囲内にあると見なされるべきである。
たとえば、本願に係る発明は、以下のような実施形態で実現することもできる。
実施形態１
プラズマ処理チャンバで利用される下側電極アセンブリであって、
（ａ）複数の金属プレートを含む金属ベースであって、
（ｉ）前記複数の金属プレートを冶金結合するろう付け結合部の位置にある下方側面のろう付け線と、
（ｉｉ）前記下方側面から水平内向きに広がるエッジリング支持面と、
（ｉｉｉ）前記エッジリング支持面の上方の上方側面と、を備える、金属ベースと、
（ｂ）前記エッジリング支持面上に取り付けられた下面を備える上側エッジリングと、
（ｃ）前記下方側面を囲む下側エッジリングと、
（ｄ）前記上側エッジリングおよび前記下側エッジリングの対向面の間、ならびに、前記下側エッジリングと前記ベースの外周との間のギャップと、を備え、
前記ギャップの平均ギャップ幅に対する総ギャップ長のアスペクト比は、前記ろう付け線の位置におけるアーク放電を妨げるのに十分である、下側電極アセンブリ。
実施形態２
実施形態１の下側電極アセンブリであって、
前記アスペクト比は、少なくとも２０である、下側電極アセンブリ。
実施形態３
実施形態１の下側電極アセンブリであって、
前記下側および／または上側エッジリングは、誘電材料を含む、下側電極アセンブリ。
実施形態４
実施形態１の下側電極アセンブリであって、
前記誘電材料は、イットリア、セリア、アルミナ、窒化シリコン、および、石英からなる群より選択された少なくとも１つを含む、下側電極アセンブリ。
実施形態５
実施形態１の下側電極アセンブリであって、
前記金属ベースは、上側金属プレート、中間金属プレート、および、下側金属プレートを含み、
前記上側および中間プレートは、上側ろう付け線で真空ろう付けされ、
前記中間および下側プレートは、下側ろう付け線で真空ろう付けされる、下側電極アセンブリ。
実施形態６
実施形態１の下側電極アセンブリであって、
前記下側エッジリングは、前記金属ベースの前記下方側面に対向する側面であって、前記金属ベースの前記エッジリング支持面の上方に伸びる側面を備える、下側電極アセンブリ。
実施形態７
実施形態６の下側電極アセンブリであって、
前記下側エッジリングは、さらに、内向きに伸びる突出部を備え、前記突出部の下面は、前記エッジリング支持面の外側部分の上に存在する、下側電極アセンブリ。
実施形態８
実施形態１の下側電極アセンブリであって、
前記上側エッジリングは、その下面に２つの段差を備える、下側電極アセンブリ。
実施形態９
実施形態１の下側電極アセンブリであって、
前記上側および下側エッジリングは、前記対向面に、互いに対向する溝を備えており、前記溝の中に誘電体リングが配置される、下側電極アセンブリ。
実施形態１０
実施形態１の下側電極アセンブリであって、
前記下側エッジリングは、その上面に環状突出部を備え、
前記上側エッジリングは、前記環状突出部を受け入れる環状凹部を備える、下側電極アセンブリ。
実施形態１１
実施形態１の下側電極アセンブリであって、
前記上側エッジリングは、前記下面に単一の段差を備え、
前記段差は、前記下面内に少なくとも６．３５ｍｍ伸びており、
前記下側エッジリングは、前記下側エッジリングの上側部分が、前記段差によって形成された後退部内に収まるように、前記ベースの前記下方側壁よりも大きい高さを有する、下側電極アセンブリ。