(57)【要約】　　【課題】非常に狭いトラック幅では、書込ポールは書込電流を止めても大きな残留磁界を示すようになり、書込まれたビットを消去する結果となる。　　【解決手段】単極垂直書込ヘッド３００は、アンチパラレル結合強磁性スタックを形成するために、複数のアンチパラレル結合層４０３，４０６，４１０と、複数の強磁性層４０２，４０４，４０８，４１２を交互に積層した構造で構成される誘導型書込ヘッド構造により得られる。ヘッド３００が書込状態にないときは、強磁性層のアンチパラレル結合により、書込ポール３０２の磁束閉鎖型磁気構成が形成され、ディスク面での不要なデータ消去の原因となるポール・チップ領域３０３の浮遊残留磁界の減少あるいは消去が可能となる。【選択図】図４
2004139721.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　第１と第２の絶縁層で挟まれたコイル層と、
　前記第１の絶縁層に隣接し、複数のアンチパラレル結合層と交互に配列された複数の強磁性層を有し、空気ベアリング面（ＡＢＳ）にポール・チップ領域を有し、前記ＡＢＳから後部ギャップまで延びている書込ポールと、
　前記第２の絶縁層に隣接し、前記ＡＢＳから後部ギャップまで延びており、該後部ギャップで前記書込ポールに磁気的に結合されている磁束閉路ポールと、
を有することを特徴とする磁気書込ヘッド。
【請求項２】
　前記複数の強磁性層は、コバルト鉄（ＣｏＦｅ）、ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）および鉄窒素（ＦｅＮ）で構成される材料のグループから選択されることを特徴とする請求項１に記載の磁気書込ヘッド。
【請求項３】
　前記強磁性層はそれぞれ、１０から１００オングストロームの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の磁気書込ヘッド。
【請求項４】
　前記複数のアンチパラレル結合層は、クローム（Ｃｒ）、ルテニューム（Ｒｕ）、イリジューム（Ｉｒ）および銅（Ｃｕ）で構成される材料のグループから選択されることを特徴とする請求項１に記載の磁気書込ヘッド。
【請求項５】
　第１と第２の絶縁層で挟まれたコイル層と、
　前記第１の絶縁層に隣接し、空気ベアリング面（ＡＢＳ）から後退したフレア・ポイント領域から後部ギャップに延びている書込ポールと、
　前記フレア・ポイント領域で前記書込ポールに磁気的に結合し、前記フレア・ポイント領域から前記ＡＢＳまで延びており、複数のアンチパラレル結合層と交互に配列された複数の強磁性層を有するポール・チップと、
　前記第２の絶縁層に隣接し、前記ＡＢＳから後部ギャップまで延びており、該後部ギャップで前記書込ポールと磁気的に結合されている磁束閉路ポールと、
を有することを特徴とする磁気書込ヘッド。
【請求項６】
　前記複数の強磁性層は、コバルト鉄（ＣｏＦｅ）、ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）および鉄窒素（ＦｅＮ）で構成される材料のグループから選択されることを特徴とする請求項５に記載の磁気書込ヘッド。
【請求項７】
　前記強磁性層はそれぞれ、１０から１００オングストロームの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項５に記載の磁気書込ヘッド。
【請求項８】
　前記複数のアンチパラレル結合層は、クローム（Ｃｒ）、ルテニューム（Ｒｕ）、イリジューム（Ｉｒ）および銅（Ｃｕ）で構成される材料のグループから選択されることを特徴とする請求項５に記載の磁気書込ヘッド。
【請求項９】
　書込磁束を誘起するコイル手段と、
　磁気媒体上にデータを記録するために空気ベアリング面（ＡＢＳ）に前記書込磁束を導く、複数のアンチパラレル結合層と交互に配列された複数の強磁性層を有する書込ポール手段と、
　前記書込磁束の磁束閉路を提供するための磁束閉路手段と、
を有することを特徴とする磁気書込ヘッド。
【請求項１０】
　磁気記録ディスクと、
　第１と第２の絶縁層の間に挟まれたコイル層と、
前記第１の絶縁層に隣接し、複数のアンチパラレル結合層と交互に配列された複数の強磁性層を有し、空気ベアリング面（ＡＢＳ）にポール・チップ領域を有し、前記ＡＢＳから後部ギャップまで延びている書込ポールと、
前記第２の絶縁層に隣接し、前記ＡＢＳから後部ギャップまで延びており、該後部ギャップで前記書込ポールと磁気的に結合されている磁束閉路ポールと、
を有する書込ヘッドと、
第１と第２のシールド層と、
前記第１と第２のシールド層の間に挟まれた磁気抵抗センサと、
前記第２のシールド層と前記書込ヘッドの書込ポールとの間に配置された絶縁層と、
を有する読取ヘッドと、
を有し、前記磁気記録ディスク上にデータを磁気的に記録し、該磁気記録ディスク上に磁気的に記録されたデータを検出する磁気読取／書込ヘッドと、
　前記磁気読取／書込ヘッドが前記磁気記録ディスクの異なった領域にアクセスできるように、前記磁気読取／書込ヘッドを前記磁気記録ディスクを横断して移動させるアクチュエータと、
　電子的に前記書込ヘッドと結合し前記磁気記録ディスク上に磁気的にデータを書込み、前記読出ヘッドの磁気抵抗センサと電子的に結合して磁気的に記録されたデータの磁界に対応した磁気抵抗素子の抵抗の変化を検出する記録チャネルと、
を具備することを特徴とするディスク・ドライブ・システム。
【請求項１１】
　前記複数の強磁性層は、コバルト鉄（ＣｏＦｅ）、ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）および鉄窒素（ＦｅＮ）で構成される材料のグループから選択されることを特徴とする請求項１０に記載のディスク・ドライブ・システム。
【請求項１２】
　前記強磁性層はそれぞれ、１０から１００オングストロームの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項１０に記載のディスク・ドライブ・システム。
【請求項１３】
　前記複数のアンチパラレル結合層は、クローム（Ｃｒ）、ルテニューム（Ｒｕ）、イリジューム（Ｉｒ）及び銅（Ｃｕ）で構成される材料のグループから選択されることを特徴とする請求項１０に記載のディスク・ドライブ・システム。
【請求項１４】
　磁気記録ディスクと、
　第１と第２の絶縁層の間に挟まれたコイル層と、
前記第１の絶縁層に隣接し、空気ベアリング面（ＡＢＳ）から後退したフレア・ポイント領域から後部ギャップに延びている書込ポールと、
前記フレア・ポイント領域で前記書込ポールと磁気的に結合し、該フレア・ポイント領域から前記ＡＢＳに延びており、複数のアンチパラレル結合層と交互に配列された複数の強磁性層を有するポール・チップと、
前記第２の絶縁層に隣接し、前記ＡＢＳから後部ギャップまで延びており、該後部ギャップで前記書込ポールと磁気的に結合されている磁束閉路ポールと
を有する書込ヘッドと、
第１と第２のシールド層と、
前記第１と第２のシールド層の間に挟まれた磁気抵抗センサと、
前記第２のシールド層と前記書込ヘッドの書込ポールとの間に配置された絶縁層と、
を有する読取ヘッドと、
を有し、前記磁気記録ディスク上にデータを磁気的に記録し、該磁気記録ディスク上に磁気的に記録されたデータを検出する磁気読取／書込ヘッドと、
　前記磁気読取／書込ヘッドが前記磁気記録ディスクの異なった領域にアクセスできるように、前記磁気読取／書込ヘッドを前記磁気記録ディスクを横断して移動させるアクチュエータと、
　電子的に前記書込ヘッドと結合し前記磁気記録ディスク上に磁気的にデータを書込み、前記読取ヘッドの磁気抵抗センサと電子的に結合して磁気的に記録されたデータの磁界に対応した磁気抵抗素子の抵抗の変化を検出する記録チャネルと、
を具備することを特徴とするディスク・ドライブ・システム。
【請求項１５】
　前記複数の強磁性層は、コバルト鉄（ＣｏＦｅ）、ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）および鉄窒素（ＦｅＮ）で構成される材料のグループから選択されることを特徴とする請求項１４に記載のディスク・ドライブ・システム。
【請求項１６】
　前記強磁性層はそれぞれ、１０から１００オングストロームの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項１４に記載のディスク・ドライブ・システム。
【請求項１７】
　前記複数のアンチパラレル結合層は、クローム（Ｃｒ）、ルテニューム（Ｒｕ）、イリジューム（Ｉｒ）および銅（Ｃｕ）で構成される材料のグループから選択されることを特徴とする請求項１４に記載のディスク・ドライブ・システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、特に磁気ディスク・ドライブ・システムに適用可能な磁気トランスデューサに係わる。さらに詳細には、本発明は、磁極の残留磁界を最少にするための磁束閉鎖型書込みポ―ル構造を用いた、超高密度記録用薄膜誘導型読取／書込ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
　薄膜磁気読取／書込ヘッドは、磁気ディスクや磁気テープなどの磁気記録媒体上に、磁気的にコード化して記録されたデータを読取るあるいは書込むために用いられる。このような媒体のデータ記録密度を増加させるニーズが常に強く感じられる。大部分の努力は磁気媒体における面積当たりのビット密度を増加させる技術を用いて磁気記録密度を向上させることに関するものである。
【０００３】
　回転ディスク・ドライブにおいては、面積当りの記録密度は、データ・トラックに沿ったミリメータ当りの磁束反転数とディスク半径方向のミリメータ当りに可能なトラックの数の積である。したがって、高いデータ記録密度を得るには、高い線方向分解能と狭いトラック幅が必要になる。
【０００４】
　薄膜誘導型書込ヘッドは絶縁スタックに埋込まれた１ないしはそれ以上のコイル層を含み、その絶縁スタックは第１と第２のポール・ピース層で挟まれている。書込みギャップは、ポール・チップ領域でポール・ピース間にギャップ層を設けることで形成されている。ポール・ピースは後部領域では磁気的に一体になっている。ポール・チップ領域と後部ギャップ領域の間にはヨーク領域があり、そこではポール・ピース層が各々の間で分離していて絶縁スタックを収めている。絶縁スタックは一般に、第１のポール・ピース層上の第１の絶縁層と、第１の絶縁層上の１ないしはそれ以上のコイル層と、コイル層にかぶせた追加の絶縁層を含んでいる。
【０００５】
　組合わされた磁気抵抗（ＭＲ）ヘッドなどの複合ヘッドは、ＭＲ読取ヘッド部分と組合わされた書込ヘッド部分のような前述の書込ヘッドを含む。磁気抵抗（ＭＲ）読取ヘッド部分は、第１と第２のシールド層の間に順番に挟まれた、第１と第２のギャップ層の間に挟まれたＭＲセンサを含んでいる。組合わされたＭＲヘッドでは、一つの層が、読取ヘッドの第２のシールド層として、また書込ヘッドの第１のポール・ピースとしての二つの機能を持つ。複合ヘッドは、磁気ディスク・ドライブのサスペンションに順に装着されているスライダ上に取付けられる。
【０００６】
　サスペンションは、信号を読み書きするために、回転ディスク上の選択されたトラック上に複合ヘッドを動かすアクチュエータ上に装着される。ディスクが回転すると、サスペンションによって加えられる負荷力と釣合う、空気ベアリングを作る空気のクッションがディスクとスライダの間に形成される。ディスクと対向するスライダの面は空気ベアリング面（ＡＢＳ）と呼ばれ、ディスクが回転しているときは一般に０．０２μｍのオーダでディスクから離れている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
　将来の高転送速度、高能率の誘導型薄膜書込ヘッドは、サブミクロンの寸法のトラック幅のデータ・トラックに書込む必要がある。非常に狭いトラック幅では、書込ポールは書込電流を止めても大きな残留磁界を示すようになり、書込まれたビットを消去する結果となる。したがって、将来の高密度磁気記録ヘッドの要求に見合う、残留磁界が非常に小さいかあるいはゼロの書込ポール構造を提供する必要がある。
【０００８】
　本発明の目的は、書込電流を止めた際にゼロかあるいはゼロに近い残留磁界を持つ、誘導型書込ヘッドにおける磁気書込ポールのポール構造を提供することである。
【０００９】
　本発明の他の目的は、複数のアンチパラレル（ＡＰ）に結合した強磁性の層で構成される層構造を持つ誘導型書込ヘッドの磁気書込ポールを提供することである。
【００１０】
　本発明のさらに他の目的は、複数のアンチパラレルに結合した強磁性層で形成される書込ポールを持つ垂直記録誘導型書込ヘッドを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
　本発明の原理に従い、ＡＰ結合した強磁性スタックを形成するために、複数の強磁性層と複数のアンチパラレルに結合（ＡＰＣ）した層とが交互に重なる層構造で構成される誘導型書込ヘッド・ポール構造が開示される。第１の実施例では、垂直記録書込ヘッドの単一書込ポールはＡＰ結合した強磁性スタックで形成される。
【００１２】
　本発明の書込ポールのＡＰ結合した層構造は、高密度記録における、狭いトラック幅（１５０ｎｍより狭い）の書込ヘッドで見られる消去問題の解決を提供するものである。希望する高トラック密度を達成するためにトラック幅を小さくした場合に、書込みを行わない動作中に書込ヘッドがデータ上を通過すると、単層書込ポール構造の比較的大きな残留磁界が過去に書込まれたデータの消去を引き起こす。
【００１３】
　ＡＰ結合強磁性スタックで形成される書込ポール構造により、磁束閉鎖型の磁気構造を形成して、スタックの個々の強磁性層を交互にアンチパラレルに方向付けることでキャンセルして、ＡＰ結合したスタックの実磁化をゼロあるいはゼロに近くして、上述の消去問題の解決が出来る。個々の層の残留磁化をキャンセルすることで、消去を起こす浮遊残留磁界が無くなる。
【００１４】
　書込動作中には、書込コイルに流れる電流は、書込ポールに強い一定方向の磁束を発生させるので、書込ポールのＡＰ結合強磁性スタックを形成する層のアンチパラレルな結合に打ち勝って、スタックの強磁性結合を形成する。この場合、書込ポールを形成する強磁性層は、書込コイル電流が「オン」（書込中）の場合は強磁性的に結合し、書込電流が「オフ」（書込中でない）の場合はアンチパラレルに結合する。
【発明の効果】
【００１５】
　本発明によれば、書込電流を止めた際にゼロかあるいはゼロに近い残留磁界を持つ、誘導型書込ヘッドの磁気書込ポール構造を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
　以下の詳細な説明により、本発明の上記の特徴や、さらなる目的、特徴、利点などが明確になる。以下の詳細な説明において参照する図面における参照番号は、全図を通して同様のあるいは同じ部分を示している。
【００１７】
　以下に説明するのは本発明を実行するために現在最も適当と考えられる実施例である。この説明は本発明の一般的な原理を説明することが目的であって、ここで請求される発明のコンセプトを制約するものではない。
【００１８】
　図１には、本発明を実施しているディスク・ドライブ１００が示されている。図１に示すように、少なくとも１枚の回転磁気ディスク１１２がスピンドル１１４で支持され、ディスク・ドライブ・モータ１１８で駆動される。各ディスク上の磁気記録媒体は、ディスク１１２上の同心のデータ・トラック（図示されていない）の環状パターンの形式である。
【００１９】
　少なくとも１個のスライダ１１３がディスク１１２上に位置決めされ、各スライダ１１３は、１個ないしはそれ以上の磁気読取／書込ヘッド１２１を支持し、そのヘッド１２１には本発明の磁気読取／書込ヘッドが組込まれている。ディスク１１２が回転すると、スライダ１１３はディスク面１２２の上を半径方向に内あるいは外方向に動かされ、ヘッド１２１は必要とするデータが記録されているディスクの異なった場所にアクセス出来る。
【００２０】
　各スライダ１１３はアクチュエータ・アーム１１９にサスペンション１１５により取付けられている。サスペンション１１５には、軽いバネ力がありスライダ１１３をディスク面１２２に押しつけている。各アクチュエータ・アーム１１９はアクチュエータ１２7に取付けられている。図１に示されているようにアクチュエータ１２７はボイス・コイル・モータ（ＶＣＭ）でもよい。ＶＣＭは固定された磁界の中を移動するコイルで構成され、そのコイルの移動の方向と速度は制御装置１２９がら出力されるモータ電流信号で制御される。
【００２１】
　ディスク記憶システムの動作中は、ディスク１１２の回転によりスライダ１１３（ヘッド１２１を含み、ディスク１１２の面と対向するスライダ１１３の面は、空気ベアリング面（ＡＢＳ）と呼ばれる）とディスク面１２２の間に、スライダ上に上昇方向の力あるいは浮力を働かせる空気ベアリングを発生させる。空気ベアリングはこのようにサスペンション１１５の軽いバネ力と釣合い、通常の動作では僅かな実質的に一定の空隙で、スライダ１１３をディスク面から離れてかつ僅かに上に保持する。
【００２２】
　ディスク記憶システムの各種の構成部分は、動作中には、アクセス・コントロール信号や内部クロック信号などの、制御装置１２９から出力される制御信号で制御される。一般には、制御装置１２９は、論理制御回路やストレージ・チップやマイクロプロセッサで構成される。制御装置１２９は、ライン１２３上にドライブ・モ―タ制御信号及びライン１２８上にヘッド位置とシーク制御信号などの制御信号を出して各種のシステム動作を制御する。
【００２３】
　ライン１２８上の制御信号はスライダ１１３をディスク１１２上の希望するトラックに最適に動かし位置決めするために必要な電流の輪郭を決定する。読取および書込信号は、記録チャンネル１２５により読取／書込ヘッド１２１との間を往き来する。記録チャネル１２５はパーシャル・レスポンス・マキシマム・ライクリフッド（ＰＲＭＬ）チャネルあるいはピーク検出チャネルであることもある。両チャネルの設計や実用に関しては技術的に、そしてこの分野の技術に習熟している人には公知である。本発明の実施例では記録チャネル１２５はＰＲＭＬチャネルである。
【００２４】
　一般的な磁気ディスク記憶システムの上記の説明及び図１の付随する説明は、説明のみを目的としたものである。ディスク記憶システムが多くのディスクやアクチュエータ・アームを装着し、それぞれのアクチュエータ・アームが複数のスライダを支持していてもよいことは明らかである。
【００２５】
　図２は、書込ヘッド部分２０２と読取ヘッド部分２０４を含む「ピギーバック」磁気読取／書込ヘッド２００の断面立面図であり、その読取ヘッド部分は磁気抵抗（ＭＲ）センサ２０６を使用している。ＭＲセンサ２０６は第１と第２の非磁性絶縁ギャップ層２０８と２１０に挟まれ、読取ギャップ層は第１と第２の強磁性シールド層２１２と２１４に挟まれている。外部の磁界に対応して、ＭＲセンサ２０６の抵抗は変化する。センサを通して流れたセンス電流Ｉｓはこのような抵抗変化を生じさせ、ポテンシャル変化として表示される。このようなポテンシャルの変化は図１に示すデータ記録チャネル１２５の処理回路により読取信号として処理される。
【００２６】
　読取／書込磁気ヘッド２００の書込ヘッド部分２０２は、第１と第２の絶縁層２１８と２２０の間に挟まれるコイル層２１６を含む。第３の絶縁層２２２を用いてコイル層２１６により生じる第２の絶縁層２２０の凹凸を平坦化することもある。第１と第２と第３の絶縁層は、この技術分野では絶縁スタックと呼ばれる。コイル層２１６、第１、第２および第３の絶縁層２１８と２２０と２２２は第１と第２のポール・ピース層２２４と２２６の間に挟まれる。第１と第２のポール・ピース層２２４と２２６は、後部ギャップ２２８で磁気的に結合し、ＡＢＳ２４０では書込ギャップ層２３４で分離された第１と第２のポール・チップ２３０と２３２を持つ。絶縁層２３６は、第２のシールド層２１４と第１のポール・ピース層２２４の間に位置している。第２のシールド層２１４と第１のポール・ピース層２２４は分離された層なので、この読取／書込ヘッドは「ピギーバック」ヘッドとして知られる。
【００２７】
　本発明の第１の実施例による垂直記録読取／書込ヘッドは、図３Ａ〜図３Ｃと図４を参照して説明する。読取／書込ヘッドは、絶縁層３４０で分離された読取ヘッド部分３０１と書込ヘッド部分３００で構成される。読取ヘッド３０１は、第１と第２のシールド層（Ｓ１とＳ２）３３０と３３２に順に挟まれている第１と第２の絶縁層３３６と３３８の間に挟まれた磁気抵抗読取センサ３３４を含む。
【００２８】
　書込ヘッド３００は、単一の書込ポール（Ｐ１）３０２と、磁束閉路ポール（Ｐ２）３０４と、書込コイル３０６で構成される。ポール（Ｐ１）３０２と（Ｐ２）３０４は後部のギャップ３０８で磁気的に結合し、ＡＢＳにおいて第１と第２のポール・チップ３０３と３０５を有する。書込コイル３０６は、技術的にはよく知られているパンケーキ・コイルが望ましいが、（Ｐ１）３０２と（Ｐ２）３０４に順に挟まれた第１と第２の絶縁層３２０と３２２の間に挟まれている。
【００２９】
　ＡＢＳの近辺では、書込ポール（Ｐ１）３０２は、ディスク基板３１０上の磁気媒体層３１２にデータを書込むトラック幅（ＴＷ）を決める、第１のポール・チップ３０３を形成するために細くなっている。ＡＢＳにおける細いポール・チップ領域は、フレア・ポイント３１６と呼ばれるＡＢＳから後退した領域に延びている。
【００３０】
　書込動作の際に、垂直記録書込ヘッド３００の磁束の閉路を形成するために、メディア層３１２の下の軟強磁性体の磁束閉路層３１４が、狭い書込ポール・チップ３０３の下部の領域から、磁束閉鎖ポ―ル（Ｐ２）３０４のずっと幅が広く厚い第２のポール・チップ３０５の下の領域に、磁束を誘導することもある。
【００３１】
　図４は書込ポール３０２の透視図で、本発明における書込ポールの層構成の具体例を示す。書込ポール３０２の厚さ（ｔ）は複数のアンチパラレルに結合（ＡＰＣ）した層と交互に配列した複数の強磁性（ＦＭ）層で出来ている。図４の具体例では、４層のＦＭ層が３層のＡＰＣ層と交互に配列されている。
【００３２】
　第１のＡＰＣ層（ＡＰＣ１）４０３は第１の強磁性層（ＦＭ１）４０２と第２の強磁性層（ＦＭ２）４０４で挟まれ、ＦＭ１とＦＭ２の間でアンチパラレルな結合をさせている。第２のＡＰＣ層（ＡＰＣ２）４０６は第２の強磁性層（ＦＭ２）4０４と第３の強磁性層（ＦＭ３）４０８で挟まれ、ＦＭ２とＦＭ３の間でアンチパラレルな結合をさせている。第３のＡＰＣ層（ＡＰＣ３）４１０は第３の強磁性層（ＦＭ３）４０８と第４の強磁性層（ＦＭ４）４１２で挟まれ、ＦＭ３とＦＭ４の間でアンチパラレルな結合をさせている。ＦＭ層の間のアンチパラレルな結合により、磁化４１６と４２０に対し反対方向（アンチパラレル）の磁化４１４と４１８が発生し、その結果、書込ヘッド３００において書込電流により誘起される磁束が無い状態で、層状の書込ポール３０２に実質の磁化がゼロ乃至は殆どゼロになる。
【００３３】
　書込ポール３０２は、図４に示す多層構造を連続的に蒸着するために、マグネトロン・スパッタリングあるいはイオン・ビーム・スパッタリング・システムで形成される。２０から１００オングストロームの範囲の厚さの、ＣｏＦｅまたはそれに代わる他のＣｏをベースにした強磁性材料のＦＭ１層４０２は、サブストレート４０１上に蒸着される。４から１０オングストロームの範囲の厚さのルテニューム（Ｒｕ）あるいはそれに代わるイリジューム（Ｉｒ）のＡＰＣ１層４０３がＦＭ１の層４０２の上に蒸着される。続いて、ＣｏＦｅのＦＭ層４０４と４０８と４１２、ＲｕのＡＰＣ層４０６と４１０が図４のＦＭ１／ＡＰＣ１／ＦＭ２／ＡＰＣ２／ＦＭ３／ＡＰＣ３／ＦＭ４スタックを形成するために交互に蒸着される。
【００３４】
　あるいは、もし４層のＦＭ層の実用例の書込ポール以上の層構造を望む場合は、希望するスタック構造に至るまで交互に追加の層を蒸着することができる。使用されるであろうＦＭ層の数は２から２０の範囲である。実用例の書込ポール３０２の層構造を完成するために、ＦＭ４の４１２の上にアルミナあるいは他の絶縁材料の絶縁層３２０が蒸着される。代わるものとしては、その構造のＦＭ層は鉄（Ｆｅ）、ＦｅＮ、あるいは他のＦｅベースの強磁性材料で形成されてもよい。Ｆｅベースの材料がＦＭ層に用いられる場合は、ＡＰＣ層を形成するために５から２０オングストロームの範囲の厚さを持つ銅（Ｃｕ）あるいはクローム（Ｃｒ）を用いることが好ましい。
【００３５】
　図５は、本発明の第２の実施例による垂直書込ヘッド３００の書込ポール５００を示す。図３Ａから図３Ｃと図５を参照すると、書込ポール５００は、後部ギャップ３０８からＡＢＳより後退したフレア・ポイント３１６まで延びている書込ポールＰ１部５０２と、フレア・ポイント３１６で、あるいはその近くで磁気的にＰ１部５０２と結合しているポール・チップ５０４とで構成される。
【００３６】
　Ｐ１部５０２は軟強磁性材料（たとえば、パーマロイ（ＮｉＦｅ））の単層で、あるいはそれに代わる技術的に公知である強磁性層の積層スタックで形成される。ポール・チップ５０４は、図４に示す本発明の第１の実施例の書込ポール３０２と同じ構造を持つアンチパラレル結合（ＡＰＣ）した複数の層５０８と交互に配列された、複数の強磁性（ＦＭ）層５０６で構成される。ＦＭ層５０６間のアンチパラレル結合により、書込ヘッド３００に書込電流による誘導磁束が存在しない状態で、層状のポール・チップ５０４の実磁化がゼロであるか殆どゼロになる。
【００３７】
　書込動作中に、書込コイル３０８の書込電流は、一定方向の強い磁束をポール・チップ５０４と磁気的に結合している書込ポール５０２に誘起させる。電流で誘起された磁束により、ポール・チップ５０４のＡＰ結合した強磁性スタックを形成する層のアンチパラレル結合に打ち勝って、スタックのＦＭ層５０６の強磁性結合を発生させる。このようにして、ポール・チップ５０４を形成するＦＭ層５０６は、書込コイル電流が「オン」（書込中）の時は強磁性的に結合し、書込電流が「オフ」（書込中でない）時はアンチパラレル的に結合する。ヘッドが書込みを行っていない時のＦＭ層５０６のアンチパラレル結合により、ディスク面における好ましくないデータ消去を起こす可能性のある、ポール・チップ領域の浮遊残留磁界を減らし、あるいは消去する。
【００３８】
　本発明について実施例を参照しながら詳しく示し説明してきたが、本発明の精神や適用範囲、教示することから外れることなく、形式や細部のさまざまな変更を行い得ることは、この技術分野に熟練した人により理解されるところである。したがって、本発明の開示は単に説明を目的とするもので、特許請求の範囲による規定によってのみ制約されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の誘導型書込ヘッドを用いる磁気ディスク・ドライブ・システムの簡略図である。
【図２】ピギーバック型読取／書込磁気ヘッドの縦断面図であって、尺度は正確ではない。
【図３Ａ】本発明の第１の実施例による垂直読取／書込磁気ヘッドの縦断面図であって、尺度は正確ではない。
【図３Ｂ】図３Ａの垂直書込ヘッドのＡＢＳ側から見た図であって、尺度は正確ではない。
【図３Ｃ】図３Ｂの垂直書込ヘッドの書込ポールの平面図であって、尺度は正確ではない。
【図４】本発明の第１の実施例による垂直書込ヘッドの書込ポールの層構造の透視図であって、尺度は正確ではない。
【図５】本発明の第２の実施例による層構造のスタックで構成されたポール・チップを持つ書込ポールの透視図で、尺度は正確ではない。
【符号の説明】
【００４０】
１００…ディスク・ドライブ、１１２…磁気ディスク、１１３…スライダ、
１１４…スピンドル、１１５…サスペンション、１１８…ドライブ・モータ、
１１９…アクチュエータ・アーム、１２１…磁気読取／書込ヘッド、
１２５…データ記録チャネル、１２７…ＶＣＭ（ボイス・コイル・モータ）、
１２９…制御装置、３００…書込ヘッド、３０１…読取ヘッド、
３０２，５００…書込ポール、３０３…第１のポール・チップ、
３０４…磁束閉路ポール、３０５…第２のポール・チップ、３０６…書込コイル、
３０８…後部ギャップ、３１０…ディスク基板、３１２…磁気記録層、
３１４…磁束閉路層、３１６…フレア・ポイント、３２０…第１の絶縁層、
３２２…第２の絶縁層、３３０…第１のシールド層、３３２…第２のシールド層、
３３４…磁気抵抗読取センサ、３３６…第１の絶縁層、３３８…第２の絶縁層、
３４０…絶縁層、４０１…サブストレート、４０２…第１の強磁性層（ＦＭ１）、
４０３…第１のＡＰＣ層（ＡＰＣ１）、４０４…第２の強磁性層（ＦＭ２）、
４０６…第２のＡＰＣ層（ＡＰＣ２）、４０８…第３の強磁性層（ＦＭ３）、
４１０…第３のＡＰＣ層（ＡＰＣ３）、４１２…第４の強磁性層（ＦＭ４）、
５０２…書込ポール部、５０４…ポール・チップ、５０６…強磁性層、
５０８…ＡＰＣ層。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５】
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