【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年11月25日(2011.11.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）反応チャンバ内に基板を収納すること；
ｂ）−式（Ｒ1Ｒ2Ｎ）xＳｉＨ4-x、ここでＲ1およびＲ2は、Ｈ，Ｃ1〜Ｃ4直線、分岐または環状の炭素鎖で、かつｘは１と４の間を含む、を有するアミノシラン、
−式；
Ｓｉ（ＯＲ1）（ＯＲ2）（ＯＲ3）（ＯＲ4），または
（ＯＲ1）（ＯＲ2）（ＯＲ3）ＳｉＳｉ（ＯＲ4）（ＯＲ5）（ＯＲ6）、または
（ＯＲ1）（ＯＲ2）（ＯＲ3）ＳｉＲＳｉ（ＯＲ4）（ＯＲ5）（ＯＲ6）、または
Ｓｉ（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ1）（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ2）（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ3）（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ4）
ここで、Ｒ，Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6は単独でＨ，Ｏ，Ｃ1〜Ｃ6直線、
分岐または環状の炭素鎖である、
を有するアルコキシシランまたはアセトキシシラン、
−式（ＳｉＨ3）nＲ、ｎは１と４の間を含み、ＲはＨ，Ｎ，Ｏ，ＣＨ2，ＣＨ2−
ＣＨ2．ＳｉＨ2，ＳｉＨ，Ｓｉである、を有するシラン、
−式Ｓｉ（ＮＣＯ）4を有するテトラ（イソシアネート）シラン
からなる群から選ばれる少なくとも１つのシリコン含有化合物を前記反応チャンバに注入すること、
ｃ）オゾン、酸素および／または湿気（水分）からなる群から選ばれる少なくとも１つの酸素含有ガスを前記反応チャンバに注入すること、
ｄ）前記基板上に堆積されたシリコン酸化物含有膜を得るために前記反応チャンバ内で少なくとも１つのシリコン含有化合物と少なくとも１つのオゾン含有ガスを４００℃未満の温度で反応させること、
ｅ）所期の膜厚が得られるまで工程ｂ）〜ｄ）を繰返すこと、
の工程を含み、
前記シリコン酸化物（ＳｉＯ2）含有膜中のＨ結合量は、８×１０21原子／ｃｃ未満であるシリコン酸化物含有膜の形成方法。
【請求項２】
前記基板は、その導入後、工程ｂ）、ｃ）、ｄ）およびまたはｅ）をなす前に反応チャンバ内で加熱される請求項１記載の方法。
【請求項３】
少なくとも１つの工程ｂ）および／またはｃ）は、少なくとも１つの前記化合物および／またはガスの中断された注入によってなされる請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
パルス化学気相堆積（ＣＶＤ）または原子層堆積（ＡＬＤ）は、前記反応チャンバ内でなされる請求項１〜３いずれか記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１つの化合物および少なくとも１つの酸素含有ガスの同時注入は、前記反応チャンバ内でなされる請求項１〜４いずれか記載の方法。
【請求項６】
少なくとも１つの化合物および少なくとも１つの酸素含有ガスの択一的な注入は、前記反応チャンバ内でなされる請求項１〜４いずれか記載の方法。
【請求項７】
少なくとも１つの化合物または少なくとも１つの酸素含有ガスは、別の化合物および／または少なくとも１つの酸素含有ガスの注入前に前記基板表面に吸着される請求項１〜６いずれか記載の方法。
【請求項８】
各化合物および／または酸素含有ガス注入は、前記反応チャンバ内に不活性ガスのようなパージガス注入の後に続く請求項１〜７いずれか記載の方法。
【請求項９】
化合物および／またはガス注入は、所期のＳｉＯ2含有膜厚が得られるまで繰返される請求項１〜８いずれか記載の方法。
【請求項１０】
前記反応チャンバ圧力は、最大１００Ｔｏｒｒである請求項１〜９いずれか記載の方法。
【請求項１１】
オゾン含有ガスは、酸素に対するオゾン比２０体積％未満を持つ酸素とオゾンを含むガス混合物である請求項１〜１０いずれか記載の方法。
【請求項１２】
前記酸素／オゾン混合物は、不活性ガスで希釈される請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記シリコン含有化合物は、
（ＴＳＡ）トリシリルアミン                      （ＳｉＨ3）3Ｎ
ＤＳＯ  ジシロキサン                            （ＳｉＨ3）2Ｏ
ＢＤＥＡＳ  ビス（ジエチルアミノ）シラン        ＳｉＨ2（ＮＥｔ2）2
ＢＤＭＡＳ  ビス（ジメチルアミノ）シラン        ＳｉＨ2（ＮＭｅ2）2
ＴｒｉＤＭＡＳ  トリス（ジメチルアミノ）シラン  ＳｉＨ（ＮＭｅ2）3
ビス（トリメチルシリルアミノ）シラン            ＳｉＨ2（ＮＨＳｉＭｅ3）2
ＴＩＣＳ  テトラ（イソシアネート）シラン        Ｓｉ（ＮＣＯ）4
ＴＥＡＳ  テトラキス（エチルアミノ）シラン      Ｓｉ（ＮＨＥｔ）4
ＢＴＥＳＥ  ビス（トリエトキシシリル）エタン    （ＥｔＯ）3Ｓｉ−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｓｉ（ＯＥｔ）3
ＴＡＳ  テトラ（アセトキシ）シラン              Ｓｉ（−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｍｅ）4
を含む群から選ばれる請求項１〜１２いずれか記載の方法。
【請求項１４】
前記シリコン含有化合物は、ＢＤＥＡＳ  ビス（ジエチルアミノ）シランＳｉＨ2（ＮＥｔ2）2である請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
不活性ガスもまた前記反応チャンバ内に導入される請求項１〜１４いずれか記載の方法。
【請求項１６】
１％より少量のＨｆ（ＮＥｔ2）4またはＮＨＥｔ2のような少量の触媒は、前記反応チャンバ内に導入される請求項１〜１５いずれか記載の方法。
【請求項１７】
ａ）反応チャンバ内に基板を収納すること；
ｂ）−式（Ｒ1Ｒ2Ｎ）xＳｉＨ4-x、ここでＲ1およびＲ2は、Ｈ，Ｃ1〜Ｃ4直線、分岐または環状の炭素鎖で、かつｘは１と４の間を含む、を有するアミノシラン、
−式；
Ｓｉ（ＯＲ1）（ＯＲ2）（ＯＲ3）（ＯＲ4），または
（ＯＲ1）（ＯＲ2）（ＯＲ3）ＳｉＳｉ（ＯＲ4）（ＯＲ5）（ＯＲ6）、または
（ＯＲ1）（ＯＲ2）（ＯＲ3）ＳｉＲＳｉ（ＯＲ4）（ＯＲ5）（ＯＲ6）、または
Ｓｉ（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ1）（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ2）（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ3）（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ4）
ここで、Ｒ，Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6は単独でＨ，Ｏ，Ｃ1〜Ｃ6直線、
分岐または環状の炭素鎖である、
を有するアルコキシシランまたはアセトキシシラン、
−式（ＳｉＨ3）nＲ、ｎは１と４の間を含み、ＲはＨ，Ｎ，Ｏ，ＣＨ2，ＣＨ2−
ＣＨ2．ＳｉＨ2，ＳｉＨ，Ｓｉである、を有するシラン、
−式Ｓｉ（ＮＣＯ）4を有するテトラ（イソシアネート）シラン
からなる群から選ばれる少なくとも１つのシリコン含有化合物を前記反応チャンバに注入すること、
ｃ）酸素に対するオゾン比が２０体積％未満の酸素およびオゾンを含む少なくとも１つのガス混合物を前記反応チャンバに注入すること、
ｄ）前記基板上に堆積されたシリコン酸化物含有膜を得るために前記反応チャンバ内で少なくとも１つのシリコン含有化合物と少なくとも１つのガス混合物を４００℃未満の温度で反応させること、
ｅ）所期の膜厚が得られるまで工程ｂ）〜ｄ）を繰返すこと、
の工程を含むシリコン酸化物含有膜の形成方法。
【請求項１８】
前記基板は、その導入後、工程ｂ）、ｃ）、ｄ）およびまたはｅ）をなす前に反応チャンバ内で加熱される請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
少なくとも１つの工程ｂ）および／またはｃ）は、少なくとも１つの前記化合物および／またはガス混合物の中断された注入によってなされる請求項１７または１８記載の方法。
【請求項２０】
パルス化学気相堆積（ＣＶＤ）または原子層堆積（ＡＬＤ）は、前記反応チャンバ内でなされる請求項１７〜１９いずれか記載の方法。
【請求項２１】
少なくとも１つの化合物および少なくとも１つのガス混合物の同時注入は、前記反応チャンバ内でなされる請求項１７〜２０いずれか記載の方法。
【請求項２２】
少なくとも１つの化合物および少なくとも１つのガス混合物の択一的な注入は、前記反応チャンバ内でなされる請求項１７〜２０いずれか記載の方法。
【請求項２３】
少なくとも１つの化合物または少なくとも１つのガス混合物は、別の化合物および／または少なくとも１つのガス混合物の注入前に前記基板表面に吸着される請求項１７〜２２いずれか記載の方法。
【請求項２４】
各化合物および／またはガス混合物注入は、前記反応チャンバ内に不活性ガスのようなパージガス注入の後に続く請求項１７〜２３いずれか記載の方法。
【請求項２５】
化合物および／またはガス混合物注入は、所期のＳｉＯ2含有膜厚が得られるまで繰返される請求項１７〜２４いずれか記載の方法。
【請求項２６】
前記反応チャンバ圧力は、最大１００Ｔｏｒｒである請求項１７〜２５いずれか記載の方法。
【請求項２７】
前記ＳｉＯ2含有膜中のＨ結合量は、８×１０21原子／ｃｃ未満である請求項１７〜２６いずれか記載の方法。
【請求項２８】
酸素に対するオゾン比が５〜２０体積％である請求項１７〜２７いずれか記載の方法。
【請求項２９】
前記ガス混合物は、不活性ガスで希釈される請求項２８記載の方法。
【請求項３０】
前記シリコン含有化合物は、
（ＴＳＡ）トリシリルアミン                      （ＳｉＨ3）3Ｎ
ＤＳＯ  ジシロキサン                            （ＳｉＨ3）2Ｏ
ＢＤＥＡＳ  ビス（ジエチルアミノ）シラン        ＳｉＨ2（ＮＥｔ2）2
ＢＤＭＡＳ  ビス（ジメチルアミノ）シラン        ＳｉＨ2（ＮＭｅ2）2
ＴｒｉＤＭＡＳ  トリス（ジメチルアミノ）シラン  ＳｉＨ（ＮＭｅ2）3
ビス（トリメチルシリルアミノ）シラン            ＳｉＨ2（ＮＨＳｉＭｅ3）2
ＴＩＣＳ  テトラ（イソシアネート）シラン        Ｓｉ（ＮＣＯ）4
ＴＥＡＳ  テトラキス（エチルアミノ）シラン      Ｓｉ（ＮＨＥｔ）4
ＢＴＥＳＥ  ビス（トリエトキシシリル）エタン    （ＥｔＯ）3Ｓｉ−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｓｉ（ＯＥｔ）3
ＴＡＳ  テトラ（アセトキシ）シラン              Ｓｉ（−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｍｅ）4
を含む群から選ばれる請求項１７〜２９いずれか記載の方法。
【請求項３１】
前記シリコン含有化合物は、ＢＤＥＡＳ  ビス（ジエチルアミノ）シランＳｉＨ2（ＮＥｔ2）2である請求項３０記載の方法。
【請求項３２】
不活性ガスもまた前記反応チャンバ内に導入される請求項１７〜３１いずれか記載の方法。
【請求項３３】
１％より少量のＨｆ（ＮＥｔ2）4またはＮＨＥｔ2のような少量の触媒は、前記反応チャンバ内に導入される請求項１７〜３２いずれか記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
しかしながら、４００℃未満でのＳｉＮの堆積膜は通常、膜質が乏しい。この問題を克服するため、ＳｉＯ2膜を用いてＳｉＮ膜性状を強化すること（二重スペーサ）が提案され、かつそれによって効果的な電気的バリヤ層とし、デバイス性能を十分に改善する。また、ＳｉＯ2膜はＳＴＩ（浅溝分離）、中間層絶縁（ＩＬＤ）層、パッシベーション膜、エッチストップ層として用いられ、かつ挑戦は低温、すなわち４００℃未満でそれらのＳｉＯ2層の堆積方法を見出した。二重スペーサ適用の特定な場合において、低堆積温度（最大で３００℃）でなされる非常に薄い（２０〜５０Å厚さ）の堆積は、金属電極の酸化を導かず、かつゲートに沿う全てで完全に均一で、原子層堆積方法はそのような要求に最も適している。ＳＴＩ適用に関する限り、共形膜は５００℃未満にて高堆積速度（分当たり数百Å）で堆積されるであろう。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
発明者らは、シリコン含有化合物がＨ2Ｏ発生を制限するために水素含有残分に関して好ましくは高純度で、好ましくは１００ｐｐｍ未満のＨ2またはＨ含有化合物を含むべきであるとやはり信じる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
本発明によると、
ａ）反応チャンバ内に基板を収納すること；
ｂ）−式（Ｒ1Ｒ2Ｎ）xＳｉＨ4-x、ここでＲ1およびＲ2は、Ｈ，Ｃ1〜Ｃ4直線、分岐または環状の炭素鎖で、かつｘは１と４の間を含む、を有するアミノシラン、
−式；
Ｓｉ（ＯＲ1）（ＯＲ2）（ＯＲ3）（ＯＲ4），または
（ＯＲ1）（ＯＲ2）（ＯＲ3）ＳｉＳｉ（ＯＲ4）（ＯＲ5）（ＯＲ6）、または
（ＯＲ1）（ＯＲ2）（ＯＲ3）ＳｉＲＳｉ（ＯＲ4）（ＯＲ5）（ＯＲ6）、または
Ｓｉ（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ1）（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ2）（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ3）（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ4）、好ましくはテトラ（アセトキシ）シランＳｉ（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｍｅ）4
ここで、Ｒ，Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6は単独でＨ，Ｏ，Ｃ1〜Ｃ6直線、
分岐または環状の炭素鎖である、
を有するアルコキシシランまたはアセトキシシラン、
−式（ＳｉＨ3）nＲ、ｎは１と４の間を含み、ＲはＨ，Ｎ，Ｏ，ＣＨ2，ＣＨ2−
ＣＨ2．ＳｉＨ2，ＳｉＨ，Ｓｉである、を有するシラン、
−式Ｓｉ（ＮＣＯ）4を有するテトラ（イソシアネート）シラン
からなる群から選ばれる少なくとも１つのシリコン含有化合物を前記反応チャンバに注入すること、
ｃ）少なくとも１つの酸素含有ガス、好ましくはオゾン、酸素および／または湿気（水分）からなる群から選ばれる、を前記反応チャンバに注入すること、
ｄ）前記基板上に堆積されたシリコン酸化物含有膜を得るために前記反応チャンバ内で少なくとも１つのシリコン含有化合物と少なくとも１つのオゾン含有ガスを５００℃未満の温度で反応させること、
ｅ）所期の膜厚が得られるまで工程ｂ）〜ｄ）を繰返すこと、
の工程を含むシリコン酸化物含有膜の形成方法を提供する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
好ましくは、各化合物および／または酸素含有ガス注入は、前記反応チャンバ内に不活性ガスのようなパージガス注入の後に続き、さらにより好ましくは化合物および／またはガス注入は所期のＳｉＯ2含有膜厚さが得られるまで繰返される。前記反応チャンバ内の圧力は、好ましくは１００Ｔｏｒｒ未満，より好ましくは２Ｔｏｒｒ未満である。好ましくは、前記ＳｉＯ2含有膜中のＨ結合量は、８×１０21原子／ｃｃ未満である。
別の実施形態によれば、オゾン含有ガスは、Ｏ3／Ｏ2比３０体積％未満、好ましくは５〜２０体積％を持つ酸素とオゾンを含むガス混合物である。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
前記シリコン含有化合物は、１００ｐｐｍ未満の水素を含むべきであり、
（ＴＳＡ）トリシリルアミン                      （ＳｉＨ3）3Ｎ
ＤＳＯ  ジシロキサン                            （ＳｉＨ3）2Ｏ
ＢＤＥＡＳ  ビス（ジエチルアミノ）シラン        ＳｉＨ2（ＮＥｔ2）2
ＢＤＭＡＳ  ビス（ジメチルアミノ）シラン        ＳｉＨ2（ＮＭｅ2）2
ＴｒｉＤＭＡＳ  トリス（ジエチルアミノ）シラン  ＳｉＨ（ＮＭｅ2）3
ビス（トリメチルシリルアミノ）シラン            ＳｉＨ2（ＮＨＳｉＭｅ3）2
ＴＩＣＳ  テトラ（イソシアネート）シラン        Ｓｉ（ＮＣＯ）4
ＴＥＡＳ  テトラキス（エチルアミノ）シラン      Ｓｉ（ＮＨＥｔ）4
ＴＥＯＳ  テトラキス（エトキシ）シラン          Ｓｉ（ＯＥｔ）4
ＢＴＥＳＥ  ビス（トリエトキシシリル）エタン    （ＥｔＯ）3Ｓｉ−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｓｉ（ＯＥｔ）3
ＴＡＳ  テトラ（アセトキシ）シラン              Ｓｉ（−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｍｅ）4
からなる群から好ましくは選ばれるべきである。