【手続補正書】
【提出日】平成26年8月6日(2014.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光活性組成物であって：
（ａ）ＨＯＭＯエネルギー準位を有する少なくとも１つの第１のホスト物質と；
（ｂ）前記光活性組成物の全重量を基準として１〜１０重量％の発光性ドーパントと；
（ｃ）前記光活性組成物の全重量を基準として０．１〜１０重量％の非発光性ドーパントと
（ｄ）式Ｉ
【化１】
2013538453.tif 000001
［式中：
Ａｒ1〜Ａｒ4は、同一または異なっていて、アリールであり；
Ｑは、クリセン、フェナントレン、トリフェニレン、フェナントロレン、ナフタレン、アントラセン、キノリン、またはイソキノリンであり；
ｍは０〜６の整数である］
を有する第２のホスト物質と
を含み、
前記第２のホスト物質は、前記非発光性ドーパントのＨＯＭＯエネルギー準位よりも深いＨＯＭＯエネルギー準位を有し、
前記第１のホスト物質と、前記第２のホスト物質との重量比が１９：１〜２：１の範囲内であり、
前記第１ホスト物質および第２ホスト物質の合計と、前記発光性ドーパントとの重量比が５：１〜２５：１との範囲内であり、および
前記非発光性ドーパントが、前記ホストのＨＯＭＯエネルギー準位よりも浅いＨＯＭＯエネルギー準位を有する有機金属イリジウム錯体であることを特徴とする光活性組成物。
【請求項２】
少なくとも１つの物質が重水素化されていることを特徴とする請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記発光性ドーパントがイリジウムの有機金属錯体であることを特徴とする請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記非発光性ドーパントが式ＩｒＬ3またはＩｒＬ2Ｙを有し、式中、Ｌは炭素原子および窒素原子を介して配位するモノアニオン性二座シクロメタレート化配位子であり、Ｙはモノアニオン性二座配位子であることを特徴とする請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
陽極と；
正孔輸送層と；
光活性層と；
電子輸送層と、
陰極とを含む電子デバイスであって；
前記光活性層が：
（ａ）ＨＯＭＯエネルギー準位を有する少なくとも１つの第１のホスト物質と；
（ｂ）光活性組成物の全重量を基準として１〜１０重量％の発光性ドーパントと；
（ｃ）光活性組成物の全重量を基準として０．１〜１０重量％の非発光性ドーパントと
（ｄ）式Ｉ
【化２】
2013538453.tif 000002
［式中：
Ａｒ1〜Ａｒ4は、同一または異なっていて、アリールであり；
Ｑは、クリセン、フェナントレン、トリフェニレン、フェナントロレン、ナフタレン、アントラセン、キノリン、またはイソキノリンであり；
ｍは０〜６の整数である］
を有する第２のホスト物質と
を含み、
前記第２のホスト物質は、前記非発光性ドーパントのＨＯＭＯエネルギー準位よりも深いＨＯＭＯエネルギー準位を有し、
前記第１のホスト物質と、前記第２のホスト物質との重量比が１９：１〜２：１の範囲内であり、
前記第１ホスト物質および第２ホスト物質の合計と、前記発光性ドーパントとの重量比が５：１〜２５：１との範囲内であり、および
前記非発光性ドーパントが、前記ホストのＨＯＭＯエネルギー準位よりも浅いＨＯＭＯエネルギー準位を有する有機金属イリジウム錯体であることを特徴とする電子デバイス。
【請求項６】
前記第１のホスト物質が、少なくとも１つのジアリールアミノ置換基を有するクリセン誘導体であることを特徴とする請求項５に記載のデバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９３】
明快にするために別々の実施形態の文脈において本明細書で説明されている特定の複数の特徴を、１つの実施形態で兼ね備えさせることもできることを理解すべきである。その逆に、簡潔にするために１つの実施形態の文脈で説明されている様々な特徴を、別個に、あるいは任意の副次的な組合せで備えさせることもできる。さらに、範囲内に示されている値に言及する場合、それはその範囲内の各値およびすべての値を含む。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
［１］  光活性組成物であって：
（ａ）前記光活性組成物の全重量を基準として５０〜９９重量％の、ＨＯＭＯエネルギー準位を有する少なくとも１つの第１のホスト物質と；
（ｂ）前記光活性組成物の全重量を基準として１〜１０重量％の発光性ドーパントと；
（ｃ）前記光活性組成物の全重量を基準として０．１〜１０重量％の非発光性ドーパントと
を含み、前記非発光性ドーパントが、前記ホストのＨＯＭＯエネルギー準位よりも浅いＨＯＭＯエネルギー準位を有する有機金属イリジウム錯体であることを特徴とする光活性組成物。
［２］  （ｄ）前記光活性組成物の全重量を基準として１〜４９重量％の、前記非発光性ドーパントのＨＯＭＯエネルギー準位よりも深いＨＯＭＯエネルギー準位を有する第２のホスト物質
をさらに含むことを特徴とする［１］に記載の組成物。
［３］  前記第１のホスト物質対前記第２のホスト物質の重量比が１９：１〜２：１の範囲内であることを特徴とする［２］に記載の組成物。
［４］  少なくとも１つの物質が重水素化されていることを特徴とする［１］に記載の組成物。
［５］  前記第１のホスト物質が−５．０ｅＶよりも深いＨＯＭＯエネルギー準位を有することを特徴とする［１］に記載の組成物。
［６］  前記第１のホスト物質が９５℃よりも高いＴｇを有することを特徴とする［１］に記載の組成物。
［７］  前記第１のホスト物質が、フェナントロリン類、キノキサリン類、フェニルピリジン類、ベンゾジフラン類、および金属キノリネート錯体類からなる群から選択されることを特徴とする［１］に記載の組成物。
［８］  前記第１のホスト物質が式Ｉ
【化３】
2013538453.tif 000003
［式中：
Ａｒ1〜Ａｒ4は、同一または異なっていて、アリールであり；
Ｑは、クリセン、フェナントレン、トリフェニレン、フェナントロレン、ナフタレン、アントラセン、キノリン、またはイソキノリンであり；
ｍは０〜６の整数である］
を有することを特徴とする［２］に記載の組成物。
［９］  前記第２のホストが、フェナントロリン、キノキサリン、フェニルピリジン、ベンゾジフラン、または金属キノリネート錯体であることを特徴とする［２］に記載の組成物。
［１０］  前記発光性ドーパントがイリジウムの有機金属錯体であることを特徴とする［１］に記載の組成物。
［１１］  前記非発光性ドーパントが式ＩｒＬ3またはＩｒＬ2Ｙを有し、式中、Ｌは炭素原子および窒素原子を介して配位するモノアニオン性二座シクロメタレート化配位子であり、Ｙはモノアニオン性二座配位子であることを特徴とする［１］に記載の組成物。
［１２］  前記非発光性ドーパントがＣ１〜Ｃ１４：
【化４】
2013538453.tif 000004
【化５】
2013538453.tif 000005
【化６】
2013538453.tif 000006
【化７】
2013538453.tif 000007
【化８】
2013538453.tif 000008
の１つであることを特徴とする［１］に記載の組成物。
［１３］  陽極と；
正孔輸送層と；
光活性層と；
電子輸送層と、
陰極とを含む電子デバイスであって；
前記光活性層が：
（ａ）光活性組成物の全重量を基準として５０〜９９重量％の、ＨＯＭＯエネルギー準位を有する少なくとも１つの第１のホスト物質と；
（ｂ）光活性組成物の全重量を基準として１〜１０重量％の発光性ドーパントと；
（ｃ）光活性組成物の全重量を基準として０．１〜１０重量％の非発光性ドーパントと
を含み、前記非発光性ドーパントが、前記ホストのＨＯＭＯエネルギー準位よりも浅いＨＯＭＯエネルギー準位を有する有機金属イリジウム錯体であることを特徴とする電子デバイス。
［１４］  前記第１のホスト物質が、少なくとも１つのジアリールアミノ置換基を有するクリセン誘導体であることを特徴とする［１３］に記載のデバイス。
［１５］  前記光活性組成物が：
（ｄ）前記光活性組成物の全重量を基準として１〜４９重量％の、前記非発光性ドーパントのＨＯＭＯエネルギー準位よりも深いＨＯＭＯエネルギー準位を有する第２のホスト物質を
さらに含むことを特徴とする［１３］に記載のデバイス。
［１６］  前記第２のホスト物質がフェナントロリン誘導体であることを特徴とする［１５］に記載のデバイス。
［１７］  前記発光性ドーパントがイリジウムの有機金属錯体であることを特徴とする［１３］に記載のデバイス。
［１８］  前記光活性組成物が、少なくとも１つのジアリールアミノ置換基を有するクリセン誘導体である第１のホスト物質と、フェナントロリン誘導体である第２のホスト物質と、赤色発光を示す有機金属Ｉｒ錯体である発光性ドーパントと、前記両方のホスト物質のＨＯＭＯエネルギー準位よりも浅いＨＯＭＯエネルギー準位を有する有機金属Ｉｒ錯体である非発光性ドーパントとを含むことを特徴とする［１３］に記載のデバイス。