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【手続補正書】
【提出日】平成24年3月16日(2012.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記構造Ｉ：
【化１】
2011520246.tif 000001
（上記式中、Ｒcは、イミド基に対してＣ−４シス立体配置を成すフッ素化置換基を表
し、そしてＲtは、イミド基に対してＣ−４トランス立体配置を成すフッ素化置換基を表し、Ｒc及びＲtは同じか又は異なるフッ素化置換基であり、Ａ1は、任意の有機置換基であり、Ｙ基は、当該化合物から形成された膜のｎ型半導体特性に不都合な影響を及ぼすことのない、独立して選択された有機基又は無機基であり、そしてｍは、０〜４の任意の整数である）
によって表されるＮ，Ｎ’−１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミドを含む有機半導体材料から成る薄膜を、薄膜トランジスタ内に含む物品。
【請求項２】
Ａ1が、単環式環又は二環式脂環式炭化水素環であり、そしてＹ基が、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アリール、アリールアルキル、フッ素、塩素、シアノ、フッ素含有アルキル、カルボニル含有基、及びカルボキシ含有基から成る群から選択される、請求項１に記載の物品。
【請求項３】
該Ａ1環系が、置換型又は無置換型のシクロヘキシル環もしくはシクロペンチル環である、請求項１又は２に記載の物品。
【請求項４】
Ａ1が、Ｒcと同じか又は異なるフッ素化置換基である、請求項１に記載の物品。
【請求項５】
前記有機半導体材料から成る薄膜が、下記構造ＩＩ（ａ）又は（ｂ）：
【化２】
2011520246.tif 000002
（上記式中、Ｒ4はフッ素化有機置換基であり、そしてＲ8は独立して水素又はフッ素化
置換基であり、Ｒ4及び置換されている場合のＲ8のそれぞれは、イミン窒素との結合に対
して事実上トランス又はシスの立体配置のうちのいずれか一方であるが、しかしトランス又はシスの立体配置の一方だけである）
によって表されるＮ，Ｎ−フッ素化ジシクロアルキル置換型１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の物品。
【請求項６】
下記化合物：
【化３】
2011520246.tif 000003
のうちの１つであるＮ，Ｎ’−１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミドを含む有機半導体材料から成る薄膜を、薄膜トランジスタ内に含む物品。
【請求項７】
該薄膜トランジスタが、誘電層、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を含む電界効果トランジスタであり、そして該ゲート電極と該有機半導体材料薄膜との両方が該誘電層と接触し、そして該ソース電極と該ドレイン電極との両方が該有機半導体材料薄膜と接触している限り、該誘電層、該ゲート電極、該有機半導体材料薄膜、該ソース電極、及び該ドレイン電極が任意の配列を成している、請求項１〜６のいずれか１項に記載の物品。
【請求項８】
薄膜半導体デバイスの製作方法であって、必ずしも下記順序通りではなく、
(a)  請求項１〜７のいずれか１項に記載のＮ，Ｎ’−１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミドを含むｎチャネル有機半導体材料から成る薄膜を、該有機半導体材料が０．００１ｃｍ2／Ｖｓを上回る電界効果電子移動度を示すように、基板上に堆積させる工程；
(b)  該ｎチャネル半導体膜によって分離され、そして該ｎチャネル半導体膜と電気的
に接続された、離隔されたソース電極とドレイン電極とを形成する工程；そして
(c)  該有機半導体材料から離隔されたゲート電極を形成する工程
を含んで成る薄膜半導体デバイスの製作方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月9日(2012.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ、１つ以上の配線、および少なくとも１つのレンズを有するプリント回路基板（ＰＣＢ）と、
筐体であって、前記筐体の周囲に沿って側面上に少なくとも１つの開口を備え、前記ＰＣＢは、前記少なくとも１つのＬＥＤダイの光出力表面が前記少なくとも１つの開口と同じ方向を向くように、前記筐体に結合される、筐体と、
前記筐体に結合された少なくとも１つの位置合わせピンと
を備えることを特徴とする表面実装型の回路基板インジケータ。
【請求項２】
請求項１に記載の表面実装型の回路基板インジケータであって、前記ＰＣＢが、少なくとも１つの固定用スロットと、垂直延伸部材を備えることを特徴とする表面実装型の回路基板インジケータ。
【請求項３】
請求項２に記載の表面実装型の回路基板インジケータであって、前記少なくとも１つの固定用スロットは、筐体に設けられた垂直スロット内のノッチと噛み合うことを特徴とする表面実装型の回路基板インジケータ。
【請求項４】
請求項２に記載の表面実装型の回路基板インジケータであって、前記少なくとも１つのＬＥＤダイおよび前記少なくとも１つのレンズが前記ＰＣＢ上で中心を外して位置決めされ、これにより、垂直延伸部材が形成されることを特徴とする表面実装型の回路基板インジケータ。
【請求項５】
請求項１に記載の表面実装型の回路基板インジケータであって、前記ＰＣＢが、前記筐体内のスロットを介して前記ＰＣＢを前記筐体内に垂直に挿入することによって前記筐体に結合されることを特徴とする表面実装型の回路基板インジケータ。
【請求項６】
請求項１に記載の表面実装型の回路基板インジケータであって、前記ＰＣＢが、前記筐体の前記開口に隣接して前記筐体に結合されることを特徴とする表面実装型の回路基板インジケータ。
【請求項７】
請求項１に記載の表面実装型の回路基板インジケータであって、前記ＰＣＢが、複数のＬＥＤダイおよび複数のレンズを備えることを特徴とする表面実装型の回路基板インジケータ。
【請求項８】
請求項７に記載の表面実装型の回路基板インジケータであって、前記複数のＬＥＤダイのそれぞれが、それぞれの配線を介して独立して制御可能であることを特徴とする表面実装型の回路基板インジケータ。
【請求項９】
請求項７に記載の表面実装型の回路基板インジケータであって、前記複数のＬＥＤダイのそれぞれが異なる色であることを特徴とする表面実装型の回路基板インジケータ。
【請求項１０】
請求項１に記載の表面実装型の回路基板インジケータであって、前記１つまたは複数の配線が、前記ＰＣＢの前面、前記ＰＣＢの裏面、または前記ＰＣＢの前記前面と前記裏面の間の１つ以上の層のうちの少なくとも１つに結合されることを特徴とする表面実装型の回路基板インジケータ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月27日(2012.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動作時に加熱空気流を生成する電子装置を収容するキャビネットであって、前記キャビネットは熱管理システムを備え、
加熱空気流から熱を奪うために、前記キャビネット内で前記電子装置によって生成された加熱空気流の通路の中に配置されるように構成された蒸発器と、
前記キャビネットの外の周囲空気に熱を移動させるために、前記蒸発器の上方で冷却空気流の通路の中に配置されるように構成された凝縮器と、
前記蒸発器を前記凝縮器に直接接続して、前記蒸発器から前記凝縮器に熱を移動させるためのヒートパイプと、
を含み、
加熱空気流から熱を奪うために、前記装置によって生成された加熱空気流の通路の中に前記蒸発器が配置され、
前記ハウジングの外の周囲空気に熱を移動させるために、前記蒸発器の上方で冷却空気流の通路の中に前記凝縮器が配置され、
前記蒸発器から前記凝縮器に熱を移動させるために、前記ヒートパイプが前記蒸発器を前記凝縮器に直接接続する、
キャビネット。
【請求項２】
前記蒸発器、前記凝縮器及び前記ヒートパイプが、熱伝導流体であらかじめ充填された密封システムを形成する、請求項１に記載のキャビネット。
【請求項３】
前記熱伝導流体が、例えばメチルペルフルオロプロピルエーテルなどのハイドロフルオロエーテルを含む、請求項２に記載のキャビネット。
【請求項４】
前記ヒートパイプの少なくとも一部分が可撓性であり、これにより前記蒸発器及び前記凝縮器の相対的位置を調整することができる、請求項１〜３のいずれか一項に記載のキャビネット。
【請求項５】
前記ヒートパイプが、追加の凝縮器及び／又は追加の蒸発器をこの場所に接続することを可能とする、少なくとも１つの流体継ぎ手を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載のキャビネット。
【請求項６】
動作中に加熱空気流を生成する電子装置を収容するキャビネット内に、請求項１〜５のいずれか一項に記載の熱管理システムを組み込む方法であって、
前記装置により生成される前記加熱空気流の通路の中に前記蒸発器を配置する工程と、
前記キャビネットの外の周囲空気に熱を移動させるために、前記蒸発器の上方で冷却空気流の通路の中に前記凝縮器を配置する工程と、
前記ヒートパイプにより前記蒸発器を前記凝縮器に直接接続する工程と、
を含む、方法。
【請求項７】
前記凝縮器を配置する工程が、前記キャビネット内の自然対流及び／又は強制対流によって生じる冷却空気流の通路の中に前記凝縮器を配置することを含む、請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月22日(2012.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気化学装置で用いるサブアセンブリであって、
（ａ）第１の電極と、
（ｂ）セパレーターまたは第１の集電体もしくは両方と、を含み、
第１の電極は、セパレーターまたは第１の集電体もしくは両方に結合されているサブアセンブリ。
【請求項２】
第１の電極は、セパレーターまたは第１の集電体もしくは両方に熱結合され、または、
サブアセンブリは焼結サブアセンブリであり、または、
セパレーターは、有機化合物、無機−有機複合材料または混合物、無機化合物、微粒子材料、または焼結微粒子セラミックを含み、または、
第１の電極は、層状酸化物、金属フッ化物、またはリチウム−遷移金属リン酸塩化合物を含み、任意にドーパント金属を含む請求項１のサブアセンブリ。
【請求項３】
第１の集電体およびセパレーターは、第１の電極の対向面に結合されている請求項１のサブアセンブリ。
【請求項４】
第１の集電体は第１の電極の周囲に主として制限されている請求項３のサブアセンブリ。
【請求項５】
第１の集電体に結合された第１の電極の部分の周囲面積は、第１の電極の全面積の約５０％未満である請求項４のサブアセンブリ。
【請求項６】
第１の電極と、セパレーターと、を含み、更に、第２の電極を含み、
第１および第２の電極はセパレーターの対向面に結合されている請求項１のサブアセンブリ。
【請求項７】
第１の電極、第２の電極または両方は、焼結電極を含む請求項１〜６のいずれかのサブアセンブリ。
【請求項８】
更に、第２の電極を含み、第２の電極はセパレーターに結合されている請求項３のサブアセンブリ。
【請求項９】
更に、第２の電極と、第２の集電体と、を含み、
第２の電極および第１の電極はセパレーターの対向面との熱結合を有し、
第２の集電体およびセパレーターは第２の電極の対向面に結合されている請求項３のサブアセンブリ。
【請求項１０】
第１の電極は正極であり、第２の電極は負極であり、第１の集電体は正の集電体であり、第２の集電体は負の集電体である請求項９のサブアセンブリ。
【請求項１１】
サブアセンブリの厚みは少なくとも約２００μｍであり、または、
サブアセンブリの密度は理論的に少なくとも約６５％である請求項１のサブアセンブリ。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかの電気化学装置で用いるサブアセンブリであって、
（ｉ）第１の電極をセパレーターまたは第１の集電体もしくは両方と組み合わせ、
（ｉｉ）第１の電極と、セパレーターまたは第１の集電体もしくは両方とを、焼結サブアセンブリを形成するのに有効な条件で加熱することによって製造されているサブアセンブリ。
【請求項１３】
加熱ステップは、第１の電極、セパレーターおよび第１の集電体を加熱して焼結サブアセンブリを形成することを含む請求項１２のサブアセンブリ。
【請求項１４】
第１の集電体およびセパレーターの各々は第１の電極の対向面に熱結合されている請求項１３のサブアセンブリ。
【請求項１５】
第１の集電体は第１の電極の周囲に主として制限され、選択的に、
第１の集電体に結合された第１の電極の部分の周囲面積は、第１の電極の全面積の約３０％未満である請求項１４のサブアセンブリ。
【請求項１６】
第１の電極は第１の焼結電極であり、セパレーターは焼結セパレーターである請求項１〜１５のいずれかのサブアセンブリ。
【請求項１７】
電気化学装置で用いるサブアセンブリを準備する方法であって、
（ａ）第１の電極をセパレーターまたは第１の集電体もしくは両方と組み合わせること、
（ｂ）第１の電極およびセパレーターまたは第１の集電体を、焼結サブアセンブリを形成するのに有効な条件で加熱すること、
を含む方法。
【請求項１８】
方法は、第１の電極とセパレーターまたは第１の集電体もしくは両方との間に熱結合を生成し、または、
第１の電極は焼結電極を含み、または、
セパレーターは焼結セパレーターを含む請求項１７の方法。
【請求項１９】
加熱ステップは、第１の電極、セパレーターおよび第１の集電体を加熱して、焼結サブアセンブリを形成することを含む請求項１７の方法。
【請求項２０】
第２の電極は第１の電極およびセパレーターと組み合わされ、
方法は第１および第２の電極とセパレーターの対向面との間に結合を生成し、
選択的に、
第２の電極は焼結電極を含み、または、
第２の電極は第１の電極およびセパレーターと組み合わされ、方法は、第２の電極とセパレーターとの間に結合を生じ、好適には、
第２の電極は焼結電極を含む請求項１７の方法。
【請求項２１】
組み合わせるステップは、更に、第２の電極および第２の集電体を第１の電極、第１の集電体およびセパレーターと組み合わせることを含み、加熱ステップは、第２の電極および第１の電極をセパレーター、第１の集電体および第２の集電体とともに加熱して、焼結サブアセンブリを形成し、選択的に、
第１の電極は正極であり、第２の電極は負極であり、第１の集電体は正の集電体であり、第２の集電体は負の集電体である請求項１９の方法。
【請求項２２】
焼結セパレーターは、有機化合物、無機−有機複合材料または混合物、無機化合物、微粒子材料、または焼結微粒子セラミックを含み、または、
第１の焼結電極は、層状酸化物、金属フッ化物、またはリチウム−遷移金属リン酸塩化合物を含み、任意にドーパント金属を含む請求項１７の方法。
【請求項２３】
複数の積層電気化学セルを含む双極型セルであって、
電気化学セルは直列に接合され、
各々の前記積層電気化学セルは、
（ａ）外部回路と電気的に接続した正の集電体と電子的に接触した正極と、
（ｂ）外部回路と電気的に接続した負の集電体と電子的に接触した負極と、
（ｃ）正極と負極との間に位置したセパレーターと、
（ｄ）正極および負極とイオン接触した電解質と、を含み、
各スタックの正極および負極は焼結電極を含む双極型セル。
【請求項２４】
セパレーターは焼結セパレーターを含み、または、
（ａ）セパレーターと（ｂ）正極または負極もしくは両方とは、結合され、または、
（ａ）正極と（ｂ）セパレーターまたは正の集電体もしくは両方とは、結合され、または、
（ａ）負極と（ｂ）セパレーターまたは負の集電体もしくは両方とは、結合され、または、
正の集電体と、正極と、セパレーターと、負極と、負の集電体とは結合され、または、
（ａ）正極および（ｂ）セパレーターまたは正の集電体もしくは両方は、焼結サブアセンブリを含み、または、
（ａ）負極および（ｂ）セパレーターまたは負の集電体もしくは両方は、焼結サブアセンブリを含み、または、
正の集電体、正極、セパレーター、負極および負の集電体は焼結サブアセンブリを含み、または、
焼結セラミックから形成された正極または負極は、厚みが少なくとも約２００μｍであり、または、
焼結サブアセンブリは厚みが少なくとも約２００μｍであり、または、
セルは、更にレドックスシャトルを含み、または、
電解質は電気活性添加剤を含み、または、
セパレーターは電気活性ポリマーを含み、電気活性ポリマーはセパレーターを介して浸透経路を形成し、または、
焼結セラミックから形成された正極または負極の厚みは、平均厚みから２５％未満変動する請求項２３の双極型セル。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月20日(2011.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）複数の画素であって、各々が、光を変調するための移動電極（図７，Ｍ１−４）を含む画素と、
（ｂ）前記画素の選択的なアドレッシングのための複数の第一アドレッシング電極（図７，Ｒ１−２）及び第二アドレッシング電極（図７，Ｃ１−２）と、
（ｃ）前記移動電極に選択的に静電気力を与えるための複数の画素電極（図７，Ａ１−４）であって、各々が、ガス放電空間（図７，Ｇ１−４）を画定するように前記第二アドレッシング電極の選択された一つから所定距離に位置する第一部分と、前記第一アドレッシング電極（図７）の選択された一つを備えたコンデンサを形成する第二部分と、を有する画素電極と、
（ｄ）前記画素電極の前記第一部分及び前記第二アドレッシング電極と連通したイオン化ガスと、
（ｅ）選択的に前記イオン化ガスをイオン化し、前記画素電極の前記第一部分と前記第二アドレッシング電極との間の前記ガス放電空間内の電気伝導経路の形成を開始するように、前記第一及び第二アドレッシング電極に接続された電子回路（図８，７４，７５）と、を備えることを特徴とするディスプレイ。
【請求項２】
固定電極（図７，Ｌ１−２）をさらに備え、
前記各移動電極が、前記固定電極及び前記画素電極の選択された一つの間に配置されたことを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項３】
前記第一アドレッシング電極が、前記移動電極に静電気力を与えることを特徴とする請求項１または２に記載のディスプレイ。
【請求項４】
前記第一アドレッシング電極上に形成された第一絶縁層（図７，７１）をさらに備え、
前記画素電極が、前記第一絶縁層上に形成されたことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のディスプレイ。
【請求項５】
前記第一アドレッシング電極上に形成された第一絶縁層（図７，７１）をさらに備え、
前記画素電極及び前記第二アドレッシング電極が、前記第一絶縁層上に形成されたことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のディスプレイ。
【請求項６】
前記イオン化ガスが、前記移動電極、前記第一アドレッシング電極及び前記第二アドレッシング電極及び前記画素電極の大部分から分離されていること（図７）を特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のディスプレイ。
【請求項７】
前記第一及び第二アドレッシング電極、前記移動電極及び前記画素電極が、光反射導体から形成されたこと（図７）を特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載のディスプレイ。
【請求項８】
前記イオン化ガスが、ヘリウム、ネオン、アルゴンまたはキセノンを含むことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載のディスプレイ。
【請求項９】
前記イオン化ガスが、３０ｔｏｒｒから５００ｔｏｒｒの間の圧力を有することを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載のディスプレイ。
【請求項１０】
光導波路（図１−３，２１）をさらに備え、
前記光導波路が、上面（３０）、前記上面から下方に伸びた複数の光放出面（３４）及び前記光放出面と交互配置された複数の凹面（３５）を有し、
前記移動電極が、前記光導波路の前記光放出面から放出する光を変調することを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載のディスプレイ。
【請求項１１】
前記移動電極に接続された第一電子回路（図８，７７，図９）をさらに備え、
前記第一電子回路が、前記移動電極を第一位置から第二位置に移動させるように前記移動電極に第一電位差を与え、前記第二位置から前記第一位置に選択的に移動させるように第二電位差を与え、及び前記第一及び第二位置に保持するように第三電位差を与えることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載のディスプレイ。
【請求項１２】
前記移動電極を第一位置から第二位置に移動させるように前記各移動電極に静電気力を与え、前記第二位置から前記第一位置に選択的に移動させるように選択的な静電気力を与え、及び前記第一及び第二位置に保持するようにバイアス静電気力を与える手段（図７，８，９）をさらに備えることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載のディスプレイ。
【請求項１３】
前記各移動電極にバイアス静電気力を与える手段（図７−９）をさらに備え、ビデオフィールドアドレッシング周期の間、第一及び第二安定位置に前記移動電極を保持することを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載のディスプレイ。
【請求項１４】
ディスプレイのマイクロメカニカル画素の操作方法であって、
前記各マイクロメカニカル画素が、選択的なアドレス電圧に従い第一または第二位置をとる移動素子備え、
前記方法が、
（ａ）前記マイクロメカニカル画素に前記選択的なアドレス電圧を与えるように、低圧放電ガス中でアークを選択的に開始するステップと、
（ｂ）与えられたアドレス電圧に従い前記第一または第二位置に前記移動素子を移動させるステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】
前記マイクロメカニカル画素に与えらた前記アドレス電圧をリセットするステップをさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月17日(2012.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有効成分としてＰＭ００１０４又はその製薬学的に許容される塩を含む、多発性骨髄腫の治療用医薬組成物。
【請求項２】
前記多発性骨髄腫が再発しているか又は過去の化学療法に耐性である、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
ＰＭ００１０４又はその製薬学的に許容される塩を、１つ又は複数の他の薬剤と併用して、併用療法を提供する、請求項１または２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記１つ又は複数の他の薬剤が抗骨髄腫剤である、請求項３に記載の医薬組成物。
【請求項５】
前記抗骨髄腫剤が、デキサメタゾン、メルファラン、ドキソルビシン、ボルテゾミブ、レナリドマイド、プレドニソン、カルムスチン、エトポシド、シスプラチン、ビンクリスチン、シクロホスファミドまたはサリドマイドから選択される、請求項４に記載の医薬組成物。
【請求項６】
前記抗骨髄腫剤が、デキサメタゾン、メルファラン、ドキソルビシン、ボルテゾミブまたはレナリドマイドから選択される、請求項５に記載の医薬組成物。
【請求項７】
さらに製薬学的に許容される担体又は賦形剤を含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載のＰＭ００１０４又はその製薬学的に許容される塩の使用に関する説明書、並びにＰＭ００１０４又はその製薬学的に許容される塩の製剤を含む、多発性骨髄腫の治療用医療キット。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月11日(2012.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）（−５０）〜１００℃の温度及び０．０１〜３００ｂａｒの圧力で第二級アミンとアクロレインとを反応させることと、
ｂ）４０〜４００℃の温度及び１〜４００ｂａｒの圧力にて水素化触媒の存在下で段階ａ）において得られる反応混合物と水素及びアンモニアとを反応させることと
によるＮ，Ｎ−置換１，３−プロパンジアミンの製造方法であって、段階ａ）において第二級アミン対アクロレインのモル比が２：１以上であり、且つ段階ｂ）において使用される水素化触媒がコバルトを含む、前記方法。
【請求項２】
段階ｂ）が、水の存在下で実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
水対使用されるアクロレインのモル比が０．５：１〜１０：１の範囲内である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
段階ｂ）が、５０〜２００℃の温度及び２０〜２５０ｂａｒの圧力で実施される、請求項１から３までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
段階ｂ）において使用される前記アンモニア対、段階ａ）において使用される前記アクロレインのモル比が、２：１〜１００：１である、請求項１から４までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記水素化触媒が金属形態で存在する、請求項１から５までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
金属形態で前記方法において使用された、前記使用水素化触媒における全金属原子の合計に対するコバルト原子のモル比が、５０モル％以上である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
金属形態の前記水素化触媒が、ラネーのスポンジ触媒又は骨格触媒である、請求項６又は７に記載の方法。
【請求項９】
前記水素化触媒が、元素の周期律表の８族及び／又は９族及び／又は１０族及び／又は１１族の酸素化合物の形態の１種以上の触媒活性成分を含む触媒前駆体を還元することにより得られる、請求項１から５までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
使用される前記触媒活性成分中に存在する全金属原子の合計に対するコバルト原子のモル比が、３０モル％以上である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
段階ａ）において得られた前記反応混合物が、段階ｂ）における使用の前に、更なる精製又は処理なしで使用される、請求項１から１０までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジヘキシルアミン及びジシクロヘキシルアミンから成る群から選択される第二級アミンが使用される、請求項１から１１までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
使用される前記第二級アミンが、ジメチルアミン及び／又はジエチルアミンである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記グリセロールが、再生可能原料に基づくグリセロールである、請求項１から１３までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１４に従って得られるＮ，Ｎ−ジメチル−１，３−プロパンジアミン（ＤＭＡＰＡ）。
【請求項１６】
潤滑用石鹸のための原材料としての、並びに他の洗剤、凝集剤、ポリマー及び櫛形ポリマーのための原材料としての、請求項１５に従って得られるＮ，Ｎ−ジメチル−１，３−プロパンジアミン（ＤＭＡＰＡ）の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月11日(2012.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
粗生成物を１Ｈ  ＮＭＲスペクトル試験に付してエストリドメチルエステルの形成を証明した。
１Ｈ  ＮＭＲ  （ＣＤＣｌ３，ｐｐｍ）：０．９［ｍ，２ｘ−ＣＨ３］、１．２−１．６［ｍ，２２ｘ−ＣＨ２−］、２．０［ｍ，２ｘ−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−］、２．１−２．４［ｍ，２ｘ−ＣＯ−ＣＨ２−］、３．５−３．７［ｍ，−ＣＨ−ＯＨ，−Ｏ−ＣＨ３］、４．８［ｍ，−Ｏ−ＣＨ−］、５．２−５．６［ｍ，２ｘ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−］
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
粗生成物を１Ｈ  ＮＭＲスペクトル試験に付してエストリドメチルエステルの酢酸エステルの形成を証明した。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，ｐｐｍ）：０．９［ｍ，２ｘ−ＣＨ３］、１．２−１．４［ｍ，２２ｘ−ＣＨ２−］、１．９−２．０［ｍ，２ｘ−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ，−ＣＯ−ＣＨ３］２．２［ｍ，２ｘ−ＣＯ−ＣＨ２−］、３．６［ｓ−Ｏ−ＣＨ３］、４．８［ｍ，２ｘ−Ｏ−ＣＨ−］、５．２−５．４［ｍ，２ｘ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−］
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
粗生成物を１Ｈ  ＮＭＲスペクトル試験に付してエストリドイソプロピルエステルの形成を証明した。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，ｐｐｍ）：０．９［ｍ，４ｘ−ＣＨ３］、１．２−１．６［ｍ，２２ｘ−ＣＨ２−］、２．０［ｍ，２ｘ−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−］、２．２−２．４［ｍ，２ｘ−ＣＯ−ＣＨ２−］、３．６［ｍ，−ＣＨ−ＯＨ］、４．８−５．０［ｍ，２ｘ−Ｏ−ＣＨ−］、５．３−５．５［ｍ，２ｘ  ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−］
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
粗生成物を１Ｈ  ＮＭＲスペクトル試験に付してエストリドイソプロピルエステルの酢酸エステルの形成を証明した。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，ｐｐｍ）：０．９［ｍ，４ｘ−ＣＨ３］、１．２−１．６［ｍ，２２  ｘ−ＣＨ２−］、２．０［ｍ，２ｘ−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−，Ｏ−ＣＯ−ＣＨ３］２．２−２．５［ｍ，２ｘ−ＣＯ−ＣＨ２−］、４．８−５．０［ｍ，２ｘ−Ｏ−ＣＨ−］、５．３−５．５［ｍ，２ｘ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−］
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
粗生成物を１Ｈ  ＮＭＲスペクトル試験に付してエストリドブチルエステルの形成を証明した
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，ｐｐｍ）：０．９［ｍ，３ｘ−ＣＨ３］、１．２−１．６［ｍ，２４  ｘ−ＣＨ２−］、２．０［ｍ，２ｘ−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−］、２．２−２．３［ｍ，２ｘ−ＣＯ−ＣＨ２−］、３．５［ｍ，−ＣＨ−ＯＨ］、４．０［ｔ，−Ｏ−ＣＨ２−］、４．８［ｍ，Ｏ−ＣＨ−］、５．３−５．４［ｍ，２ｘ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−］
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
粗生成物を１Ｈ  ＮＭＲスペクトル試験に付してエストリドブチルエステルの酢酸エステルの形成を証明した。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，ｐｐｍ）：０．９［ｍ，３ｘ−ＣＨ３］、１．２−１．６［ｍ，２４  ｘ−ＣＨ２］、２．０［ｍ，２ｘ−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−，Ｏ−ＣＯ−ＣＨ３］、２．２−２．３［ｍ，２ｘ−ＣＯ−ＣＨ２−］、２．７［ｍ，−ＣＨ−ＯＨ］、４．０［ｔ，−Ｏ−ＣＨ２−］、４．０［ｍ，２ｘ−Ｏ−ＣＨ−］、５．３−５．４［ｍ，２ｘ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−］
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
粗生成物を１Ｈ  ＮＭＲスペクトル試験に付してエストリドｎ−ヘキシルエステルの形成を証明した。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，ｐｐｍ）：０．９［ｍ，３  ｘ−ＣＨ３］、１．２−１．６［ｍ，２６  ｘ−ＣＨ２］、２．０［ｍ，２ｘ−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−］、２．２−２．４［ｍ，２ｘ−ＣＯ−ＣＨ２−］、３．５［ｍ，ＣＨ−ＯＨ］、４．０［ｔ，Ｏ−ＣＨ２−］、４．８［ｍ，−Ｏ−ＣＨ−］、５．２−５．５［ｍ，２ｘ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−］
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
粗生成物を１Ｈ  ＮＭＲスペクトル試験に付してエストリド２−エチルヘキシルエステルの形成を証明した。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，ｐｐｍ）：０．９［ｍ，４  ｘ−ＣＨ３］、１．２−１．６［ｍ，２６  ｘ−ＣＨ２］、２．０［ｍ，２ｘ−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−］、２．２−２．３［ｍ，２ｘ−ＣＯ−ＣＨ２−］、３．５［ｍ，−ＣＨ−ＯＨ］、４．０［ｄ，Ｏ−ＣＨ２−］、４．８［ｍ，−Ｏ−ＣＨ−］、５．２−５．５［ｍ，２ｘ  ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−］
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
粗生成物を１Ｈ  ＮＭＲスペクトル試験に付してエストリド２−エチルヘキシルエステルの酢酸エステルの形成を証明した。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，ｐｐｍ）：０．９［ｍ，４  ｘ−ＣＨ３］、１．２−１．６［ｍ，２６  ｘ−ＣＨ２−］、１．９−２．０［ｍ，２ｘ−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−，Ｏ−ＣＯ−ＣＨ３］、２．２−２．３［ｍ，２ｘ−ＣＯ−ＣＨ２−］、３．９−４．０［ｄ，Ｏ−ＣＨ２−］、４．８［ｍ，−Ｏ−ＣＨ−］、５．２−５．４［ｍ，２ｘ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−］
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月28日(2011.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性成分のためのデリバリーシステムであって、このシステムは活性成分のためのカプセル化材料を含み、このカプセル化材料が
（ｉ）カチオン性成分、
（ｉｉ）カーボナート及びホスファート残基の混合物を含有するアニオン性成分を含有し、このカーボナート対ホスファート残基のモル比が９：１〜１：９であるデリバリーシステム。
【請求項２】
デリバリーシステムのカチオン性成分が、カルシウム、マグネシウム、鉄（ＩＩ）、亜鉛、セレン、銅又はアルミニウム、又はこの混合物から選択される請求項１記載のデリバリーシステム。
【請求項３】
カチオン性対アニオン性成分のモル比が２：１〜１：３である請求項１記載のデリバリーシステム。
【請求項４】
カプセル化材料が無定形である請求項３記載のデリバリーシステム。
【請求項５】
カーボナート対ホスファートイオンのモル比が９：１〜１：４である請求項１記載のデリバリーシステム。
【請求項６】
活性成分が、ポリフェノール、共役したポリフェノール、ポリフェノールポリマー、クマリン、多糖、脂質、有機硫黄化合物、共役したビタミン、ペプチド、カロテノイド又はタンパク質である請求項１記載のデリバリーシステム。
【請求項７】
活性成分が多価不飽和脂肪酸が豊富な乳化した油である請求項１記載のデリバリーシステム。
【請求項８】
システムが更にカプセル化される請求項１記載のデリバリーシステム。
【請求項９】
（ｉ）カプセル化材料のカチオン性成分の第１の供給源を提供する工程、
（ｉｉ）カプセル化材料のアニオン性成分の第２の供給源を提供する工程、
（ｉｉｉ）活性成分の第３の供給源を提供する工程、
（ｉｖ）添加の任意の順番でこの３つの供給源を混合する工程を含み、
カプセル化材料中に活性成分が保持されるように行われ、その際アニオン性成分の供給源が、カーボナートイオンの供給源とホスファートイオンの供給源をカーボナート対ホスファート残基のモル比９：１〜１：９で含有するカプセル化した活性成分の調製方法。
【請求項１０】
カチオン性成分を、アニオン性成分との混合前に活性成分と混合する請求項９記載の方法。
【請求項１１】
酸を調製の間に添加する請求項９記載の方法。
【請求項１２】
酸を、カプセル化材料のアニオン性成分の供給源と一緒に提供する請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
請求項６記載の活性成分の消費者により知覚される苦さを、マスク、抑制又は減少するための無定形金属塩の使用方法。
【請求項１４】
請求項１記載のデリバリーシステムを含む栄養的、栄養補助的又は医薬的製品。
【請求項１５】
請求項１から１１までのいずれか１項記載のデリバリーシステムを含む食料又は飲料製品。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月10日(2012.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炎症性消化管疾患または胃酸欠乏症を有する対象に投与して貧血を予防及び／又は治療するために用いられる、鉄ヒドロキシピロンを含む組成物。
【請求項２】
対象の胃内ｐＨが約４と同等又はそれ以上、たとえば５や６以上、あるいは６．５以上であり、対象が胃酸欠乏症又はそのリスクを有する、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
対象が過去又は将来又は現在において制酸レジメン又は炎症性消化管疾患を治療及び／又は予防することができる一又は複数の化合物の投与を受けている、請求項１または２記載の組成物。
【請求項４】
前記制酸レジメンが、プロトンポンプ阻害剤、Ｈ２受容体拮抗剤、酸中和物質又はこれらの組み合わせから選ばれる制酸剤、又は、オメプラゾール、ランゾプラゾール、パントプラゾール、ラニチジン、ファモチジン、ニザチジン、シメチジン、水酸化アルミニウム、炭酸マグネシウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸カルシウム又はこれらの組み合わせから選ばれる制酸剤からなり、又は、炎症性消化管疾患を治療及び／又は予防することができる一又は複数の化合物がコバルト化合物である、前記請求項３記載の組成物。
【請求項５】
前記コバルト化合物がコバルト塩又はコバルト錯体又はグルコン酸コバルト(II)又は塩化コバルト(II)又はこれらの組み合わせである、請求項４記載の組成物。
【請求項６】
炎症性消化管疾患を治療及び／又は予防することができる一又は複数の化合物又は制酸レジメンを更に含む、請求項１または２記載の組成物。
【請求項７】
貧血が鉄欠乏性貧血であり、場合によって炎症性消化管疾患に関連するものである。請求項１ないし６のいずれか記載の組成物。
【請求項８】
前記胃酸欠乏症が炎症性消化管疾患に関連するものである、請求項１または２記載の組成物。
【請求項９】
前記胃酸欠乏症がたとえばヘリコバクター・ピロリによる萎縮性胃炎又は感染性胃炎に関連するものである、請求項１または２記載の組成物。
【請求項１０】
鉄ヒドロキシピロンが、ヒドロキシピロンに対するモル比が１：３である第二鉄マルトールなどの第二鉄錯体であり、あるいは、固形、液体又は液体中の懸架物である、請求項１ないし９のいずれか記載の組成物。
【請求項１１】
炎症性消化管疾患を治療及び／又は予防することができる一又は複数の化合物又は制酸レジメンと同時又はその前後に鉄ヒドロキシピロンが投与され、好ましくは該一又は複数の化合物又は制酸レジメンと同時又は引き続いて鉄ヒドロキシピロンが投与される、請求項１ないし１０のいずれか記載の組成物。
【請求項１２】
前記組成物が経口投与される、請求項１ないし１１のいずれか記載の組成物。
【請求項１３】
前記組成物が鉄吸収のために用いられる、請求項１ないし１２のいずれか記載の組成物。
【請求項１４】
対象がヒトなどの哺乳類動物である、請求項１ないし１３のいずれか記載の組成物。
【請求項１５】
鉄ヒドロキシピロンを、炎症性消化管疾患または胃酸欠乏症を有する対象に投与して鉄欠乏性貧血などの貧血を予防及び／又は治療するための製薬に用いることを特徴とする製薬方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月7日(2012.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者の鼻道の鼻副鼻腔炎を治療するための安全で忍容性が良好な医薬組成物であって、ｒｈＣＣ１０を含む、医薬組成物。
【請求項２】
患者の鼻ポリープの成長もしくは再成長を防止または遅くするための安全で忍容性が良好な医薬組成物であって、ｒｈＣＣ１０を含む、医薬組成物。
【請求項３】
患者の慢性または再発性細菌性副鼻腔感染症を治療または予防するための安全で忍容性が良好な医薬組成物であって、ｒｈＣＣ１０を含む、医薬組成物。
【請求項４】
患者の副鼻腔の痛みを治療するための安全で忍容性が良好な医薬組成物であって、ｒｈＣＣ１０を含む、医薬組成物。
【請求項５】
投与されるｒｈＣＣ１０の量が、１日に１．５μｇ〜１．５ｍｇとなるように投与される、請求項１から４のいずれか1項に記載の医薬組成物。
【請求項６】
投与されるｒｈＣＣ１０の量が、１日に１．１ｍｇ未満となるように投与される、請求項１から４のいずれか1項に記載の医薬組成物。
【請求項７】
投与されるｒｈＣＣ１０の量が、１日に０．７５μｇ〜６５０μｇとなるように投与される、請求項１から４のいずれか1項に記載の医薬組成物。
【請求項８】
投与されるｒｈＣＣ１０の量が、１日に０．５μｇ〜３７０μｇとなるように投与される、請求項１から４のいずれか1項に記載の医薬組成物。
【請求項９】
１日に３回投与される、請求項１から８のいずれか1項に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
１日に２回投与される、請求項１から８のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
滴下注入、洗浄、スワブアプリケータ、またはスプレーによって鼻道に投与される、請求項１から１０のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
抗生物質、抗ヒスタミン剤、充血除去剤、粘液溶解薬、鎮痛薬、局所作用血管収縮薬、ロイコトリエン受容体拮抗薬、ステロイド、鼻用賦形剤、または任意のこれらの組合せと併用投与される、請求項１から１１のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
２ｍｇ／ｍｌ以下の濃度でｒｈＣＣ１０を含む、請求項１から１２のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
ｐＨ４．０〜８．０の０．６５％塩化ナトリウム、リン酸二ナトリウム、フェニルカルビノール、リン酸一ナトリウム、および塩化ベンザルコニウム中に２５０μｇ／ｍｌの濃度でｒｈＣＣ１０を含む、請求項１から１３のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１５】
ｒｈＣＣ１０が、医薬組成物の形態で１日に最大４回、１鼻孔当たり２０μｇ〜５０μｇの用量で投与される、請求項１から１４のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１６】
請求項１から１５のいずれか１項に記載の医薬組成物と、鼻道の表面へのｒｈＣＣ１０の局所適用を可能にする圧迫スプレーボトル、ポンプ作動式スプレー装置、定量噴霧鼻用アクチュエータ、シリンジ型滴下注入装置、鼻用スワブアプリケータ、または「ネティポット」洗浄装置と、を含む薬物−装置組合せ構成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月11日(2012.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の構造を有する少なくとも一種の化合物、又はこれらのあらゆる組み合わせ、或いはこれらの医薬上許される塩、水和物、溶媒和物、結晶形態、異性体、プロドラッグ、互変異性体、鏡像体、及びジアステレオマー。
【化１】
2011520893.tif 000001
［式中、
夫々のR1 は独立にアルキル、シクロアルキル、アルケニル、アルキニル、ハライド、ヒドロキシ、アルコキシ、トリフルオロメチル、-N(R3)2、-CN、-CO2R4、-C(O)N(R3)2、-CH2OH、-OCHF2、又は-OCF3であり、
R2 はアルキル、シクロアルキル、又はアリールアルキルであり、
R3 及びR4 は夫々独立にＨ又は低級アルキルであり、かつ
ｎは１〜５である］
【請求項２】
夫々のR1 が独立にアルキル、フルオロ、クロロ、ブロモ、トリフルオロメチル、ヒドロキシ、又はメトキシである、請求項１記載の化合物。
【請求項３】
夫々のR1 がクロロである、請求項１記載の化合物。
【請求項４】
R2 がアルキル又はアリールアルキルである、請求項１記載の化合物。
【請求項５】
R2 がC1 -C6 アルキルである、請求項４記載の化合物。
【請求項６】
R2 がアリールアルキルである、請求項１記載の化合物。
【請求項７】
ｎが１又は２である、請求項１記載の化合物。
【請求項８】
化合物が下記の構造を有する請求項１記載の化合物。
【化２】
2011520893.tif 000002
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の化合物を含む、眼の疾患の治療用組成物。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の化合物を含む、慢性の痛みを治療するための治療用組成物。
【請求項１１】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の化合物を含む、神経痛を治療するための治療用組成物。
【請求項１２】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の化合物を含む、内臓痛を治療するための治療用組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月21日(2012.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以前に少なくとも１つのチエノピリジンで治療された患者において侵襲的手法の前に静脈内投与によって少なくとも部分的に血小板活性を抑制する方法に用いるための、可逆的な短時間作用型のＰ２Ｙ１２抑制剤。
【請求項２】
少なくとも１つのチエノピリジンによる抑制作用が不可逆的である、請求項１に記載の可逆的な短時間作用型のＰ２Ｙ１２抑制剤。
【請求項３】
少なくとも１つのチエノピリジンがクロピドグレルである、請求項１または２に記載の可逆的な短時間作用型のＰ２Ｙ１２抑制剤。
【請求項４】
前記可逆的な短時間作用型のＰ２Ｙ１２抑制剤がカングレロールである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の可逆的な短時間作用型のＰ２Ｙ１２抑制剤。
【請求項５】
可逆的な短時間作用型のＰ２Ｙ１２抑制剤を投与する前に、前記少なくとも１つのチエノピリジンによる治療を中止する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の可逆的な短時間作用型のＰ２Ｙ１２抑制剤。
【請求項６】
少なくとも１つのチエノピリジンの患者への投与が、患者への侵襲的手法を実施する少なくとも５日前に中止される、請求項５に記載の可逆的な短時間作用型のＰ２Ｙ１２抑制剤。
【請求項７】
前記方法が、患者に対して実施される予定であるか、実施されているか、および／または実施された侵襲的手法の前、侵襲的手法の間、および／または侵襲的手法の後において、患者に可逆的な短時間作用型のＰ２Ｙ１２抑制剤を静脈内投与することを含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の可逆的な短時間作用型のＰ２Ｙ１２抑制剤。
【請求項８】
可逆的な短時間作用型のＰ２Ｙ１２抑制剤の投与が、侵襲的手法の前の５日以内に行われる、請求項７に記載の可逆的な短時間作用型のＰ２Ｙ１２抑制剤。
【請求項９】
前記可逆的な短時間作用型のＰ２Ｙ１２抑制剤がカングレロールであり、カングレロールの投与が、侵襲的手法の少なくとも５日前に始まる、請求項７に記載の可逆的な短時間作用型のＰ２Ｙ１２抑制剤。
【請求項１０】
カングレロールの投与が、侵襲的手法の１〜２４時間前に中止される、請求項９に記載の可逆的な短時間作用型のＰ２Ｙ１２抑制剤。
【請求項１１】
カングレロールが、０．５〜２．０μｇ／ｋｇ／分での静脈内注入として投与される、請求項９または１０に記載の可逆的な短時間作用型のＰ２Ｙ１２抑制剤。
【請求項１２】
前記侵襲的手法が冠状動脈バイパス移植である、請求項６〜１１のいずれか１項に記載の可逆的な短時間作用型のＰ２Ｙ１２抑制剤。
【請求項１３】
前記侵襲的手法が経皮的冠動脈形成である、請求項６〜１１のいずれか１項に記載の可逆的な短時間作用型のＰ２Ｙ１２抑制剤。
【請求項１４】
前記患者は以前にステントを受けたことがある、請求項１〜４のいずれか１項に記載の可逆的な短時間作用型のＰ２Ｙ１２抑制剤。
【請求項１５】
前記ステントがベア金属ステントである、請求項１４に記載の可逆的な短時間作用型のＰ２Ｙ１２抑制剤。
【請求項１６】
前記ステントが薬物溶出ステントである、請求項１４に記載の可逆的な短時間作用型のＰ２Ｙ１２抑制剤。
【請求項１７】
血小板活性の抑制が約６０％より大きい抑制である、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の可逆的な短時間作用型のＰ２Ｙ１２抑制剤。
【請求項１８】
前記血小板活性が血小板凝集である、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の可逆的な短時間作用型のＰ２Ｙ１２抑制剤。
【請求項１９】
静脈内注入が、０．５〜２．０μｇ／ｋｇ／分でのボーラス注入である、請求項１１に記載の可逆的な短時間作用型のＰ２Ｙ１２抑制剤。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月24日(2012.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
PSD-95のPDZドメインへのPDZ結合リガンドの結合を阻害するPSD-95阻害剤を含有するてんかん治療薬。
【請求項２】
前記PSD-95のPDZドメインが、PSD-95 PDZドメイン2である、請求項１の治療薬。
【請求項３】
てんかんのエピソードは、約20分を超えて持続している持続性てんかん性発作を含む、又は2つの発作の間で意識が戻ることがない、少なくとも2つのてんかん性発作を含む、請求項１又は２に記載の治療薬。
【請求項４】
前記てんかんは、側頭葉てんかんを含む、請求項１から３のいずれかに記載の治療薬。
【請求項５】
てんかん活動が、脳のCA1領域において観察される、請求項１から４のいずれかに記載の治療薬。
【請求項６】
前記てんかんのエピソードは、約10分未満の持続を有する、請求項１から５のいずれかに記載の治療薬。
【請求項７】
前記てんかんのエピソードの持続は、脳波を用いて判定される、請求項１から６のいずれかに記載の治療薬。
【請求項８】
前記治療薬は、てんかんのエピソード終了後、少なくとも約1時間経過後に投与される、請求項１から７のいずれかに記載の治療薬。
【請求項９】
前記治療薬は、てんかんのエピソード終了後、少なくとも約3時間経過後に投与される、請求項１から８のいずれかに記載の治療薬。
【請求項１０】
前記治療薬は、てんかんのエピソード終了後、約1週以内に投与される、請求項１から９のいずれかに記載の治療薬。
【請求項１１】
前記治療薬は、てんかんのエピソード終了後、約1日以内に投与される、請求項１から１０のいずれかに記載の治療薬。
【請求項１２】
前記阻害剤が、Tat-NR2B9cである、請求項１から１１のいずれかに記載の治療薬。
【請求項１３】
前記阻害剤が、F-Tat-NR2B9cである、請求項１から１２のいずれかに記載の治療薬。
【請求項１４】
前記阻害剤が、0625-0057である、請求項１から１３のいずれかに記載の治療薬。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月2日(2012.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
必要に応じて患者の眼の眼圧を減らすことに用いられる涙管インプラント中に配置され、前記涙管インプラントから溶出されるラタノプロストを含む持続局所処方製剤であって、前記ラタノプロストは前記眼に経時的に連続的に放出することが可能であり、前記眼圧はベースラインから少なくとも１０％低下する持続局所処方製剤。
【請求項２】
前記眼圧は、ベースラインから少なくとも１５％、ベースラインから少なくとも２０％、およびベースラインから少なくとも２５％からなる群から選択される量が低下する、請求項１の持続局所処方製剤。
【請求項３】
前記ラタノプロストは、少なくとも３０日、少なくとも６０日、および少なくとも９０日からなる群から選択される期間にわたり放出される、請求項１の持続局所処方製剤。
【請求項４】
前記処方製剤は前記涙点インプラント内に、前記インプラントの少なくとも１つの表面が前記処方製剤によってコーティングされるように含浸される、請求項１の持続局所処方製剤。
【請求項５】
前記処方製剤は、前記涙点インプラント中に配置された持続放出コア内に含まれる、請求項１の持続局所処方製剤。
【請求項６】
前記涙点インプラントは、約４４マイクログラムのラタノプロストの量を含む、請求項１の持続局所処方製剤。
【請求項７】
前記涙点インプラントは、前記患者の両方の眼の各々の１つの涙点に挿入可能である、請求項１の持続局所処方製剤。
【請求項８】
前記処方製剤は近似的に９０日に一度投与され、前記ラタノプロストは、近似的に１８０日、近似的に２７０日、近似的に３６０日、近似的に４５０日、近似的に５４０日、近似的に６３０日、近似的に７２０日、近似的に８１０日および近似的に９００日からなる群から選択される期間にわたって前記眼に連続的に放出可能である、請求項１の持続局所処方製剤。
【請求項９】
約２５ナノグラム／日および約２５０ナノグラム／日の間の前記ラタノプロストが放出される、請求項１の持続局所処方製剤。
【請求項１０】
眼圧の前記低下は、高々約７日、高々約１４日、高々約２１日、高々約２８日、高々約５６日、高々約８４日、および高々約１０５日からなる群から選択される連続期間にわたり維持される、請求項１の持続局所処方製剤。
【請求項１１】
前記眼圧は高眼圧に関連する、請求項１の持続局所処方製剤。
【請求項１２】
前記眼圧は、緑内障に関連する、請求項１の持続局所処方製剤。