【事件の表示】
　平成　９年特許願第３４６６４４号「ｐＨ値が低いスラリー混合物を使用する化学・機械ポリッシング方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１１年　７月　９日出願公開、特開平１１−１８６２００］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本件発明
　本件出願は、平成９年１２月１６日に特許出願されたものであって、その請求項１乃至２０に係る発明は、平成１２年１１月３０日付手続補正書により補正がされた明細書及び願書に最初に添付された図面の記載からみて、明らかな誤記を除いてその特許請求の範囲の請求項１乃至２０に記載されたとおりのものであると認めるところ、請求項１に係る発明（以下「本件発明１」という。）は、次のとおりである。
　以下の工程からなる化学・機械ポリッシング方法：
　誘電層と、該誘電層の少なくとも一部を被覆する金属層とを含む半導体ウエーハを用意し；
　化学・機械ポリッシングのための少なくとも一つのポリッシングパッドを用意し；
　前記金属層をポリッシングし、露出した誘電層の面を残して金属層をポリッシングする第１のスラリー混合液を用意し；
　前記誘電層をポリッシングし、前記金属層のポリッシング工程後、誘電層をポリッシングする第２のスラリー混合液を用意し；
　第１のスラリー混合液と第２のスラリー混合液それぞれのｐＨが約２から約４の範囲にあるものであること。
　なお、請求項１に記載の「誘導層」は、「誘電層」の誤記であるとして、本件発明１を上記のように認定した。
　
第２　引用例記載の発明
１　引用例１
　原査定における拒絶の理由に引用した本件出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平８−２８８３９１号公報（以下「引用例１」という。）には、次の事項が記載されていると認める。
(1) 第４欄第２２−３５行（段落【００１２】参照）
「【課題を解決するための手段】前記目的を達成するために本発明では、・・・前記配線層及び前記下部キャッピング層を前記第１絶縁層が露出されるまで化学−機械的ポリシング（Chemical Mechanical Polishing ; 以下“ＣＭＰ”という）し、・・・。」
(2) 第５欄第３８−４０行（段落【００１６】参照）
「次いで、第１絶縁層５２上に延性のない絶縁物、例えばＳｉＮを塗布して下部キャッピング層５４を形成する。」
(3) 第６欄第７−１１行（段落【００１８】参照）
「図８は障壁層５６及び配線層５８を形成する段階を示す。第１コンタクトホ−ルｈ1 の形成された前記結果物上に、例えばチタンを蒸着して障壁層５６を形成したのち、この障壁層５６上に、例えばタングステンを蒸着して配線層５８を形成する。」
(4) 第６欄第４１行−第７欄第４行（段落【００２２】，【００２３】参照）　
「図１２及び図１３は本発明による配線形成方法の第２実施例を示した工程別断面図である。図１２は１次ＣＭＰ段階を示す。配線層５８を形成する工程（図８参照）まで１実施例と同様にした後、通常のＣＭＰ方法を用いて下部キャッピング層５４が露出されるまで配線層５８及び障壁層５６を、第１実施例と同一のＣＭＰ条件でポリシングする。この際、延性のない下部キャッピング層５４をポリシングストッパ−（polishing stopper)として使用する。
　図１３は２次ＣＭＰ工程を示す。１次ＣＭＰ工程後、延性のない絶縁膜をポリシング可能のＣＭＰ方法を使用して第１絶縁層５２が露出されるまで下部キャッピング層５４、配線層５８及び障壁層５６をポリシングする。」
(5) 図８、１２及び１３
　半導体素子の配線形成方法の第１実施例を示した工程断面図（その３）である図８、第２実施例を示した工程断面図（その１）である図１２及び工程断面図（その２）である図１３。
　上記記載事項、ポリッシングパッド及びスラリー混合液を用意して、化学−機械的ポリッシングすることは、技術常識より明らかであること並びに障壁層５６は、第１絶縁層５２及び下部キャッピング層５４の少なくとも一部を被覆していることが図８より明らかであることより、引用例１には、次の「化学−機械的ポリッシング方法」の発明が記載されていると認める。
　以下の工程からなる化学−機械的ポリッシング方法：
　第１絶縁層５２と、該第１絶縁層５２上に形成した下部キャッピング層５４と、該第１絶縁層５２及び下部キャッピング層５４の少なくとも一部を被覆する障壁層５６と、該障壁層５６上に形成した配線層５８とを含む半導体基板を用意する工程、
　化学−機械的ポリッシングのためのポリッシングパッドを用意する工程、
　露出した下部キャッピング層５４の面を残して前記障壁層５６及び配線層５８をポリッシングするスラリー混合液を用意し、前記障壁層５６及び配線層５８をポリッシングする工程、
　前記障壁層５６及び配線層５８のポリッシング工程後、前記下部キャッピング層５４をポリッシングするスラリー混合液を用意し、前記下部キャッピング層５４をポリッシングする工程。
２　引用例２
　同じく引用した本件出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開昭６４−８７１４７号公報（以下「引用例２」という。）には、次の事項が記載されていると認める。
(1) 第２頁左上欄第１０−１７行
「化合物半導体用のポリッシング剤としては臭素酸塩、次亜塩素酸塩等の酸化剤として用いるものが多く用いられている。・・・酸化した化合物半導体を溶解させるためにはｐＨ（溶解ｐＨ）を規制する必要があり、ＩｎＰの場合ｐＨを３．５以下にする必要がある。」
(2) 第２頁右上欄第１４，１５行
「化合物半導体のポリッシングは、化学作用と機械作用とを複合させる方法で行なうのが好ましい。」
　上記記載事項より、引用例２には、化学作用と機械作用とを複合させて化合物半導体をポリッシングする方法に用いる次の「ポリッシング剤」の発明が記載されていると認める。
　ｐＨを３．５以下とするポリッシング剤。
　
第３　対比
　本件発明１と引用例１記載の発明とを対比すると、引用例１記載の発明の「化学−機械的ポリッシング方法」は、本件発明１の「化学・機械ポリッシング方法」に相当し、同様に、「半導体基板」は「半導体ウエーハ」に相当していることが明らかである。
　また、引用例１記載の発明の下部キャッピング層は、上記第２の１の(2) のとおり、絶縁物の層であり、そして、第１絶縁層上に絶縁物の層である下部キャッピング層が形成されているのであるから、これらの第１絶縁層及び下部キャッピング層をまとめて絶縁層と称することができるものであり、また、この絶縁層は、本件発明１の「誘電層」に相当するものである。
　したがって、引用例１記載の発明の「第１絶縁層及び下部キャッピング層」は、本件発明１の「誘電層」に相当し、また、引用例１記載の発明の「下部キャッピング層」も、本件発明１の「誘電層」に相当するものである。
　また、上記第２の１の(3) より、引用例１記載の発明の障壁層は、金属の層であり、また、配線層も金属の層であることが明らかであり、そして、金属の層である障壁層上に同じく金属の層である配線層が形成されているのであるから、これらの障壁層及び配線層をまとめて金属層と称することができるものである。
　したがって、引用例１記載の発明の「障壁層及び配線層」は、本件発明１の「金属層」に相当するものである。
　また、引用例１記載の発明の「金属層をポリッシングするスラリー混合液」は、本件発明１の「金属層をポリッシングする第１のスラリー混合液」に相当し、同様に「誘電層をポリッシングするスラリー混合液」は、「誘電層をポリッシングする第２のスラリー混合液」に相当していることが明らかである。
　以上のとおりであるので、本件発明１と引用例１記載の発明とは、次の一致点で一致し、そして、次の相違点で相違している。
１　一致点
　以下の工程からなる化学・機械ポリッシング方法：
　誘電層と、該誘電層の少なくとも一部を被覆する金属層とを含む半導体ウエーハを用意し；
　化学・機械ポリッシングのためのポリッシングパッドを用意し；
　前記金属層をポリッシングし、露出した誘電層の面を残して金属層をポリッシングする第１のスラリー混合液を用意し；
　前記誘電層をポリッシングし、前記金属層のポリッシング工程後、誘電層をポリッシングする第２のスラリー混合液を用意すること。
２  相違点
　本件発明１では、第１のスラリー混合液と第２のスラリー混合液それぞれのｐＨが約２から約４の範囲にあるのに対し、引用例１記載の発明では、そのようなものであるのか明らかでない点。
　
第４　判断
　上記相違点について検討すると、化学・機械ポリッシング方法において、スラリー混合液のｐＨをどの程度のものとするかは、必要に応じて適宜選定する設計的事項であって、金属層をポリッシングする第１のスラリー混合液について、ｐＨを低くすることを試みることに困難性はなく、また、上記第２の２のとおり、ポリッシング剤、即ち、スラリー混合液をｐＨを３．５以下とすることの例が引用例２に記載されていることから見て、引用例１記載の発明の第１のスラリー混合液のｐＨを約２から約４の範囲に含まれるものとすることに格別の困難性はない。
　また、絶縁層をポリッシングする第２のスラリー混合液についても、同様であり、ｐＨを低くすることを試みることに阻害要因は見当たらず、また、本件発明１の第２のスラリー混合液は、その成分が特定されているものではなくｐＨのみが特定されているものであるので、引用例１記載の発明の第２のスラリー混合液のｐＨを約２から約４の範囲に含まれるものとすることに格別の困難性はない。
　また、本件の明細書の段落【００１４】に記載されているように、絶縁層をポリッシングするのに好ましい低いｐＨのスラリー混合液が知られており、そのｐＨが約２から約４の値を有しているということであり、そして、上記低いｐＨのスラリー混合液を引用例１記載の発明の第２のスラリー混合液として採用することの阻害要因も見当たらないので、このことからも、引用例１記載の発明の第２のスラリー混合液として上記低いｐＨのスラリー混合液を採用すること、換言すると、引用例１記載の発明の第２のスラリー混合液をｐＨが約２から約４のものとすることに格別の困難性はない。
　
５　むすび
　したがって、本件発明１は、本件出願前に日本国内において頒布された上記引用例１及び２記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　以上のとおりであるので、請求項２乃至２０に係る発明について判断するまでもなく、本件出願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。