(57)【要約】【課題】ドライエッチングチャンバー内でのアッシング方法等を提供すること。【解決手段】この発明では、エッチング工程終了後であってアッシング工程前に、エッチングプロセスガスに含まれるフッ素に対して反応性を有する気体、例えば水素をドライエッチング装置内に導入することによって、上記残留物と反応させる。これによって、その後のドライエッチングチャンバー内アッシングの剥離除去性能悪化が防止される。また、ドライエッチングチャンバーおよびアッシングチャンバーは、プロセスガスの種類や減圧度（真空度）こそ異なるものの、同等な設備であることから、これらの設備を工夫したり、流用することによってエッチングチャンバー内でもアッシングが可能となる。【選択図】　　　　　　図１
2004103944.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチング工程終了後に使用されるアッシング方法において、
アッシング工程前に、エッチングプロセスガスに含まれるフッ素系ガスおよびその生成物に対して反応性を有する気体をドライエッチングチャンバー内に導入する工程を有し、前記アッシング工程を前記ドライエッチングチャンバー内で行うことを特徴とするアッシング方法。
【請求項２】
前記エッチングプロセスガスに含まれるフッ素系ガスおよびその生成物に対して反応性を有する気体は、水素であることを特徴とする請求項１に記載のアッシング方法。
【請求項３】
前記エッチングプロセスガスに含まれるフッ素系ガスおよびその生成物に対して反応性を有する気体は、水分を含む気体であることを特徴とする請求項１に記載のアッシング方法。
【請求項４】
前記エッチングプロセスガスに含まれるフッ素系ガスおよびその生成物に対して反応性を有する気体は、水蒸気を含む気体であることを特徴とする請求項１に記載のアッシング方法。
【請求項５】
前記エッチングプロセスガスに含まれるフッ素系ガスおよびその生成物に対して反応性を有する気体は、大気であることを特徴とする請求項１に記載のアッシング方法。
【請求項６】
前記エッチングプロセスガスに含まれるフッ素系ガスおよびその生成物に対して反応性を有する気体をドライエッチングチャンバー内に導入する工程は、当該気体をアッシング対象物に送風することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載のアッシング方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一つに記載のアッシング方法を用いることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
エッチングプロセスガスを導入する手段と、
前記エッチングプロセスガスと基板被膜との反応によって生じるガスを排出する手段と、
を有するドライエッチング装置において、
前記エッチングプロセスガスに含まれるフッ素系ガスおよびその生成物に対して反応性を有する気体をエッチングチャンバー内に導入する手段と、
アッシングガスを導入する手段と、
を有することを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項９】
前記エッチングプロセスガスに含まれるフッ素系ガスおよびその生成物に対して反応性を有する気体は、水素であることを特徴とする請求項８に記載のドライエッチング装置。
【請求項１０】
前記エッチングプロセスガスに含まれるフッ素系ガスおよびその生成物に対して反応性を有する気体は、水分を含む気体であることを特徴とする請求項８に記載のドライエッチング装置。
【請求項１１】
前記エッチングプロセスガスに含まれるフッ素系ガスおよびその生成物に対して反応性を有する気体は、水蒸気を含む気体であることを特徴とする請求項８に記載のドライエッチング装置。
【請求項１２】
前記エッチングプロセスガスに含まれるフッ素系ガスおよびその生成物に対して高い反応性を有する元素を含む気体は、大気であることを特徴とする請求項８に記載のドライエッチング装置。
【請求項１３】
前記エッチングプロセスガスに含まれるフッ素系ガスおよびその生成物に対して反応性を有する気体をエッチングチャンバー内に導入する手段は、更にアッシング対象物に送風する手段を有することを特徴とする請求項８〜１２のいずれか一つに記載のドライエッチング装置。
【請求項１４】
エッチングプロセスガスを導入する手段と、
当該エッチングプロセスガスと基板被膜との反応によって生じるガスを排出する手段と、
を有するドライエッチング装置において、
前記エッチングプロセスガスの成分と化学反応が起きない気体をエッチングチャンバー内に導入すると共に、アッシング対象に送風する手段と、
アッシングガスを導入する手段と、
を有することを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項１５】
前記エッチングプロセスガスの成分と化学反応が起きない気体は、酸素又は大気であることを特徴とする請求項１４に記載のドライエッチング装置。
【請求項１６】
請求項８〜１５のいずれか一つに記載のドライエッチング装置を備えることを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、アッシング方法、ドライエッチング装置、電気光学装置の製造方法および電気光学装置の製造装置に関し、更に詳しくは、レジスト表面に残ったエッチングプロセスガスの成分を取り除くドライエッチングチャンバー内でのアッシング方法、ドライエッチング装置、電気光学装置の製造方法および電気光学装置の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図３は、一般的なドライエッチング装置を示す説明図である。半導体製造工程では、露光工程、現像工程の後に不要な皮膜を除去すべくエッチングが行われる（例えば、特許文献１、特許文献２参照。）。エッチングにはウェットエッチングとドライエッチングがあるが、この従来技術は、ドライエッチングが行われるドライエッチング装置に関するものである。
【０００３】
ここでは、ドライエッチングの例としてプラズマエッチングについて説明する。プラズマドライエッチングは、真空度の高い状態で行われるので、ドライエッチング装置のドライエッチングプロセスチャンバー４０（以下、ドライエッチングチャンバーという。）は、真空ポンプ４１が接続された真空容器４２で構成される。真空容器４２には、エッチングプロセスガスを導入する配管４３とドライエッチングによって発生した気体を排気する配管４４が設けられる。
【０００４】
ドライエッチング自体は、一定圧に保った上記エッチングプロセスガスを高周波が流される電極４５付近でプラズマ化し、それによって発生するイオンを電極４５上のエッチング対象４６に衝突させることにより行う。これにより、露光されなかったレジストに覆われた部分は残り、露光された部分は上記イオンによって除去される。
【０００５】
図４は、一般的なアッシング装置を示す説明図である。同図に示すように、アッシング装置のアッシングプロセスチャンバー５０（以下アッシングチャンバーという。）は、ドライエッチングチャンバーと同様な要素で構成される。すなわち、アッシングチャンバー５０は、真空ポンプ５１が接続された真空容器５２で構成される。当該真空容器５２には、アッシングプロセスガスを導入する配管５３とアッシングによって発生した気体を排気する配管５４が設けられる。
【０００６】
アッシング自体も、一定圧に保った上記アッシングプロセスガスを、高周波が流される電極５５付近でプラズマ化し、それによって発生するイオンを電極５５上のアッシング対象５６に衝突させる点はドライエッチングと同様である。ただし、プロセスガスの種類が異なることから、当該ガスを分解、活性化するための真空度が異なる。このように、ドライエッチングとアッシングは別々の専用装置を用いて行われていた。
【０００７】
【特許文献１】
特開平５−１０９６７３号公報（第２頁、［図１］）
【特許文献２】
特開平５−２２６２９９号公報（第３頁―第４頁、［図１］―［図５］）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、半導体製造工程のタクトタイムを考慮するならば、上記ドライエッチングチャンバー４０とアッシングチャンバー５０は、共用する方が得策である。ところが、ドライエッチングチャンバー４２内の配管４３、４４にアッシング用の配管５３、５４を追加してドライエッチングチャンバー４０内でアッシングを試みようとしても、レジスト表面に残ったエッチングプロセスガス又は反応生成物の成分が影響し、その後のアッシングにおいてレジストの剥離除去性能が悪化してしまうという問題点があった。
【０００９】
そこで、この発明は、上記に鑑みてなされたものであって、レジスト表面に残ったエッチングプロセスガスの成分を取り除くドライエッチングチャンバー内でのアッシング方法、およびそれに供するドライエッチング装置、電気光学装置の製造方法および電気光学装置の製造装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、本発明のアッシング方法は、エッチング工程終了後に使用されるアッシング方法において、アッシング工程前に、エッチングプロセスガスに含まれるフッ素に対して反応性を有する気体をドライエッチングチャンバー内に導入する工程を有し、前記アッシング工程を前記ドライエッチングチャンバー内で行うようにしたものである。
【００１１】
エッチング工程は、特定のエッチングプロセスガスを用いて露光されたレジストおよびＳｉＯ２、Ｔａ等の皮膜を除去する工程である。このエッチング工程後、当該エッチングの対象の基板表面にはエッチング反応生成物としてエッチングプロセスガスに含まれる成分が残留してしまう。このため、ドライエッチングチャンバー内でこのままアッシングしようとすると、当該エッチング反応生成物によってレジストの剥離除去性能が悪化する。
【００１２】
そこで、この発明では、エッチング工程終了後であって上記アッシング工程前に、エッチングプロセスガスに含まれるフッ素に対して反応性を有する気体をドライエッチングチャンバー内に導入することによって、上記エッチング反応生成物と反応させることにより取り除く。これによって、その後のドライエッチングチャンバー内アッシングの剥離除去性能悪化が防止される。ここで、エッチングプロセスガスに含まれるフッ素に対して高い反応性（化学的反応性）を有する元素は水素であり、これを含む気体の例としては、水素そのもの、水分を含む気体、水蒸気を含む気体又は大気などが挙げられる。
【００１３】
また、ドライエッチング装置のドライエッチングチャンバーは、エッチングプロセスガスを導入する配管等の設備、当該エッチングプロセスガスをプラズマ化してレジストおよびＳｉＯ２等の皮膜をエッチングする反応空間、および反応ガスを排出する設備を有しているのが一般的である。アッシング装置も導入するガスの種類や減圧度（真空度）が異なること以外はほぼ同様な設備を有する。したがって、ドライエッチングチャンバーの上記設備を流用することによってエッチングチャンバー内でもアッシングが可能となる。
【００１４】
また、本発明のアッシング方法は、前記アッシング方法において、前記エッチングプロセスガスに含まれるフッ素に対して反応性を有する気体を、水素としたものである。
【００１５】
ドライエッチング装置のドライエッチングチャンバー内に導入される水素は、エッチングプロセスガス、例えばＳＦ６とエッチング対象とで生成されるエッチング反応生成物と反応してＨＦ等となり、レジスト表面から除去される。これによって、その後のドライエッチングチャンバー内アッシングにおいてレジスト剥離除去性能の低下を防止できる。なお、水素の取扱いは特に慎重を期す必要があるので、上記導入される水素は他の元素との混合物としてもよい。
【００１６】
また、本発明のアッシング方法は、前記アッシング方法において、前記エッチングプロセスガスに含まれるフッ素に対して反応性を有する気体を、水分を含む気体または水蒸気を含む気体としたものである。
【００１７】
ドライエッチングチャンバー内に導入される気体に含まれる水分または水蒸気はエッチングプロセスガスの成分とエッチング対象とで生成されるエッチング反応生成物と反応してＨＦ等となり、レジスト表面から除去される。これによって、その後のアッシングにおけるレジスト剥離除去性能の悪化を防止することができる。なお、水分を含む気体または水蒸気を含む気体はどんな気体でもよく、大気であってもよい。
【００１８】
また、本発明のアッシング方法は、前記アッシング方法において、前記エッチングプロセスガスに含まれるフッ素に対して反応性を有する気体を、大気としたものである。
【００１９】
ドライエッチングチャンバー内に導入される大気には、一般に水分が含まれる。これら大気の成分は、エッチングプロセスガスの成分とエッチング対象とで生成されるエッチング反応生成物と反応してＨＦ等となり、レジストから除去される。これによって、その後のアッシングにおけるレジスト剥離除去性能の悪化を防止することができる。
【００２０】
また、本発明のアッシング方法は、上記アッシング方法において、前記エッチングプロセスガスに含まれるフッ素に対して反応性を有する気体をドライエッチングチャンバー内に導入する工程は、当該気体をアッシング対象物に送風するようにしたものである。
【００２１】
この発明では、ドライエッチングチャンバーに導入する気体をアッシング対象に送風する。これにより、レジスト表面のエッチング反応生成物と上記反応性気体との化学反応、および送風による払い落とし効果があらわれ、アッシングの性能悪化防止を強化できる。
【００２２】
また、本発明のドライエッチング装置は、エッチングプロセスガスを導入する手段と、前記エッチングプロセスガスと基板被膜との反応によって生じるガスを排出する手段と、を有するドライエッチング装置において、前記エッチングプロセスガスに含まれるフッ素に対して反応性を有する気体をエッチングチャンバー内に導入する手段と、アッシングガスを導入する手段と、を有するようにしたものである。
【００２３】
この発明では、ドライエッチング装置が、エッチングプロセスガスに含まれるフッ素に対して反応性を有する気体を当該ドライエッチングチャンバー内に導入する手段有する。これにより、レジスト表面に残留しているフッ化物たるエッチング反応生成物と導入された当該反応性気体とが反応し、その後のアッシング工程がしやすくなる。この工程をエッチング工程終了後であってアッシング工程前に行うと、同一のドライエッチングチャンバー内でエッチングとアッシングを行うことができる。
【００２４】
また、アッシングにはアッシングガスが必要となるため、ドライエッチング装置にアッシングガスを導入する手段を設ける。ここで、エッチングプロセスガスに含まれるフッ素に対して反応性を有する気体の例としては、水素そのもの、水分を含む気体、又は大気などが挙げられる。
【００２５】
また、本発明のドライエッチング装置は、前記ドライエッチング装置において、前記エッチングプロセスガスに含まれるフッ素に対して反応性を有する気体を水素としたものである。
【００２６】
ドライエッチングチャンバー内に導入される水素は、エッチングプロセスガス、例えばＳＦ６とエッチング対象とで生成されるエッチング反応生成物と反応してＨＦ等となり、レジストから除去される。これによって、その後のドライエッチングチャンバー内アッシングにおいてレジスト剥離除去性能の低下を防止できる。なお、水素の取扱いは特に慎重を期す必要があるので、上記導入される水素は他の元素との混合物としてもよい。
【００２７】
また、本発明のドライエッチング装置は、前記ドライエッチング装置において、前記エッチングプロセスガスに含まれるフッ素に対して反応性を有する気体を、水分を含む気体または水蒸気を含む気体としたものである。
【００２８】
ドライエッチングチャンバー内に導入される気体に含まれる水分はエッチングプロセスガスの成分とエッチング対象とで生成されるエッチング反応生成物と反応してＨＦ等となり、レジストから除去される。これによって、その後のアッシングにおけるレジスト剥離除去性能の悪化を防止することができる。なお、水分を含む気体または水蒸気を含む気体はどんな気体でもよく、大気であってもよい。
【００２９】
また、本発明のドライエッチング装置は、前記ドライエッチング装置において、前記エッチングプロセスガスに含まれるフッ素に対して高い反応性を有する元素を含む気体を、大気としたものである。
【００３０】
ドライエッチングチャンバー内に導入される大気には、一般に水分が含まれる。これら大気の成分は、エッチングプロセスガスの成分例えばＳＦ６とエッチング対象とで生成されるエッチング反応生成物と反応してＨＦ等となり、レジストから除去される。これによって、その後のアッシングにおけるレジスト剥離除去性能の悪化を防止することができる。
【００３１】
また、本発明のドライエッチング装置は、上記ドライエッチング装置において、前記エッチングプロセスガスに含まれるフッ素に対して反応性を有する気体をエッチングチャンバー内に導入する手段が、更にアッシング対象物に送風する手段を有するようにしたものである。
【００３２】
この発明では、ドライエッチングチャンバーに導入する気体をアッシング対象に送風する手段を有する。これにより、レジスト表面のエッチング反応生成物と上記気体との化学反応、および送風による払い落とし効果があらわれ、アッシングの性能悪化防止を強化できる。当該気体をアッシング対象に送風する手段は、アッシング対象に向けて加圧した気体をノズルで噴霧する手段や、アッシング対象付近にまで送風口を伸ばす手段がある。また、当該手段は必ずしもレジスト上の残留物を吹き飛ばすものである必要はなく、ドライエッチングチャンバー内に一定の対流が生じる程度であればよい。
【００３３】
また、本発明のドライエッチング装置は、エッチングプロセスガスを導入する手段と、当該エッチングプロセスガスと基板被膜との反応によって生じるガスを排出する手段と、を有するドライエッチング装置において、前記エッチングプロセスガスの成分と化学反応が起きない気体をエッチングチャンバー内に導入すると共に、アッシング対象に送風する手段と、アッシングガスを導入する手段と、を有するようにしたものである。
【００３４】
エッチングプロセスガスには、フッ素系、希ガス系等がある。このうち、希ガス系では、レジストに残留する成分も化学反応を起こしにくいものとなる。この場合、前記エッチングプロセスガスの希ガス成分と化学反応が起きない気体をエッチングチャンバー内に導入すると共に、アッシング対象に送風する手段をドライエッチング装置が有せば、当該気体による払い落とし効果がおこり、その後のアッシングにおけるレジスト剥離除去性能の悪化を防止することができる。
【００３５】
当該気体をアッシング対象に送風する手段は、アッシング対象に向けて加圧した気体をノズルで噴霧する手段や、アッシング対象付近にまで送風口を伸ばす手段がある。また、当該手段は必ずしもレジスト上の残留物を吹き飛ばすものである必要はなく、ドライエッチングチャンバー内に一定の対流が生じる程度であればよい。
【００３６】
また、本発明のドライエッチング装置は、前記ドライエッチング装置において、前記エッチングプロセスガスの成分と化学反応が起きない気体を、酸素又は大気としたものである。
【００３７】
前記エッチングプロセスガスの成分と化学反応が起きない気体として、酸素又は大気を選択し、アッシング対象に送風すると、当該気体による払い落とし効果がおこり、その後のアッシングにおけるレジスト剥離除去性能の悪化を防止することができる。
【００３８】
【発明の実施の形態】
以下、この発明につき図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。また、この実施の形態の構成要素には、当業者が置換可能かつ容易なもの、或いは実質的に同一のものを含む。
【００３９】
図１は、この発明に係るドライエッチング装置を示す説明図である。この発明は、エッチングプロセスガス（以下エッチングガスという。）１を導入する手段と、当該エッチングガス１と基板被膜との反応によって生じるガスを排出する手段と、を有するドライエッチング装置Ｃに関するものである。
【００４０】
エッチングガス１を導入する手段は、弁２を有する配管３が用いられ、当該弁２の開閉によってガスの流通を制御する。エッチングガスと基板被膜との反応によって生じるガスを排出する手段には、上記と同様に弁４を有する配管５が用いられ、必要なときに反応ガスの排気が行われる。
【００４１】
また、プラズマエッチングでは、プラズマを発生させやすくするために密閉容器の中を減圧し、真空状態にすることが必要になる。そのため、弁６を有する配管のさきに真空ポンプ７を設け、プラズマエッチングをする前にポンプを稼働させる。なお、真空状態で発生した反応ガスを上記配管５で排気するのは難しいため、一度窒素（図示省略）をエッチングチャンバー内に導入し、大気圧にしてから排気する。
【００４２】
エッチングに用いるエッチングガス１は、取り除く皮膜の種類によって様々なものがあるが、皮膜がＳｉ，ＰｏｌｙＳｉ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｗ等では、フッ素系（ＳＦ６、ＣＦ４＋Ｏ２、ＣＨＦ３、Ｃ４Ｆ８等）が用いられる。この発明に係るエッチングチャンバーでは、上記手段を有する構成に加え、エッチングガス１に含まれるフッ素に対して反応性を有する気体８をエッチングチャンバー内に導入する手段を有するようにした。
【００４３】
また、エッチング後にエッチングチャンバー内でアッシングを行うために、アッシングガス９を導入する手段をも有するようにした。なお、同図では、アッシングガス９を導入する手段として弁１０付き配管１１を別個に設けているが、エッチングガス１にアッシングガス９と共通な気体（例えばＯ２）が用いられている場合は新たに設ける必要がなく、また、元々エッチングチャンバーＣに予備の配管があれば、それを利用すればよい。
【００４４】
フッ素に対して反応性を有する気体８としては、水素、水分を含む気体、またはその典型例として大気が挙げられる。これらの気体が弁１２付き配管１３を通してドライエッチング装置Ｃに導入されると、エッチング後にレジスト表面に残留しているフッ化物たるエッチング反応生成物と、導入された当該気体８とが化学反応を起こし、ＨＦなる気体となる。このＨＦを配管５で排出すれば、レジスト表面に余計な残留物がない状態になる。
【００４５】
なお、同図では、反応性気体を独立した配管１３に通しているが、この配管１３が他の配管３、１１と出口を共にする場合がある。特に大気を利用する場合は、水分が当該出口部の配管に付着し、他のプロセスに悪影響を及ぼすことが懸念され得る。そのような場合は、ガス排出用の配管５を用いて反応性気体をエッチングチャンバー内に導入してもよい。また、当該配管５に逆止弁をつけておくのも良策である。このようにすれば、反応性気体を真空状態のエッチングチャンバー内に導入しやすいし、他のプロセスに悪影響を及ぼすことがなくなる。
【００４６】
上記のように反応性気体の導入、反応後のガス排出という工程の後、同一のドライエッチング装置Ｃ内で減圧、アッシングガス９導入、高周波印加というプロセスでアッシングしても、エッチング反応生成物がアッシングに悪影響を与えないので、レジストの剥離性能の悪化を防止できる。すなわち、ドライエッチング装置Ｃ内でアッシングが可能となる。
【００４７】
このように、同一のドライエッチング装置Ｃ内で、エッチングとアッシングの双方が可能になると、エッチング後に基板をエッチングチャンバーから取り出さずに済むのでタクトタイムの削減になる。また、高価な装置をドライエッチング用とアッシング用との２機用意せずに１機で済ませることができるのでコスト削減にもなる。
【００４８】
（変形例）
図２は、実施の形態の変形例を示す説明図である。実施の形態と同一の構成には同じ符号をつけてある。この変形例は、実施の形態で説明した反応性気体８がエッチング装置Ｃ内に導入される配管１３を、アッシング対象物２０に送風するように配置したものである。
【００４９】
この手段としては、同図に示すように、アッシング対象に向けて加圧した反応性気体８をノズル２１で噴霧するようにしてもよいし、アッシング対象２０付近にまで送風口を伸ばしてもいい。なお、当該手段は必ずしもレジスト上の残留物を吹き飛ばすものである必要はなく、ドライエッチングチャンバー内に一定の対流が生じる程度であればよい。
【００５０】
このようにすると、レジスト表面のエッチング反応生成物と反応性気体８との化学反応、および送風による払い落とし効果があらわれ、アッシングの性能悪化防止効果を強化できる。また、エッチングガス１が希ガス系（Ｈｅ、Ａｒ等）である場合には、上記反応性気体８の変わりに、当該希ガスとは化学反応が起きない気体をエッチングチャンバー内に導入し、アッシング対象に送風すれば、当該気体による払い落とし効果がおこり、これによっても、アッシングにおけるレジスト剥離除去性能の悪化を防止することができる。
【００５１】
希ガス系のエッチングプロセスガスと化学反応が起きない気体としては、例えば酸素や大気が挙げられる。特に大気を選択すれば、コストもかからず、上記レジスト剥離除去性能の悪化を防止することができる。また、酸素は、従来からアッシング自体に用いられるので、既に装置内に酸素供給手段が設けられている場合が多い。したがって、当該酸素供給手段を流用するようにしてもよい。これらの場合でも、当該気体を送風する手段は、必ずしもレジスト上の残留物を吹き飛ばすものである必要はなく、ドライエッチングチャンバー内に一定の対流が生じる程度であればよい。
【００５２】
本発明のドライエッチング装置、アッシング方法は、電気光学装置の製造装置、電気光学装置の製造方法に用いることができる。適用可能な電気光学装置の例としては、液晶装置や、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管、液晶シャッター等を用いた小型テレビ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた装置などがある。
【００５３】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明に係るアッシング方法によれば、エッチング後に基板をドライエッチングチャンバーから取り出さずに、当該ドライエッチングチャンバー内でアッシングするのでタクトタイムの削減になる。また、レジストに付着したエッチングプロセスガスの成分が、ドライエッチングチャンバーに導入される気体と反応して、剥離しやすくなるので、その後のアッシングにおけるレジスト剥離除去性能の悪化を防止することができる。
【００５４】
また、この発明に係るアッシング方法によれば、レジスト表面のエッチング反応生成物と上記気体との化学反応、および送風による払い落とし効果があらわれ、アッシングの性能悪化防止を強化できる。また、エッチング後に基板をドライエッチングチャンバーから取り出さないのでタクトタイムの削減になる。
【００５５】
また、この発明に係るドライエッチング装置によれば、エッチング後に基板をチャンバーから取り出さずにアッシングが可能となるのでタクトタイムの削減になる。また、レジストに付着したエッチングプロセスガスの成分が、チャンバーに導入される気体と反応して、剥離しやすくなるので、その後のアッシングにおけるレジスト剥離除去性能の悪化を防止することができる。また、大気を利用すれば当該ドライエッチング装置を安価に構成できる。
【００５６】
また、この発明に係るドライアッシング装置によれば、レジスト表面のエッチング反応生成物と上記気体との化学反応、および送風による払い落とし効果があらわれ、アッシングの性能悪化防止を強化できる。また、エッチング後に基板をドライエッチングチャンバーから取り出さないのでタクトタイムの削減になる。
【００５７】
また、この発明に係るドライエッチング装置によれば、エッチング後に基板をドライエッチングチャンバーから取り出さないのでタクトタイムの削減になる。また、レジストに付着したエッチングプロセスガスの成分が、ドライエッチングチャンバーに導入される気体と反応して、剥離しやすくなるので、その後のアッシングにおけるレジスト剥離除去性能の悪化を防止することができる。また、大気や酸素を利用すれば当該ドライエッチング装置を安価に構成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係るドライエッチング装置を示す説明図である。
【図２】実施の形態の変形例を示す説明図である。
【図３】一般的なドライエッチング装置を示す説明図である。
【図４】一般的なアッシング装置を示す説明図である。
【符号の説明】
１　エッチングガス
２、４、６、１０、１２　弁
３、５、１１、１３、４３、４４、５３、５４　　　　　配管
７、４１、５１　真空ポンプ
８　反応性気体
９　アッシングガス
２０、４６　アッシング対象
２１　ノズル
４０、Ｃ　ドライエッチング装置
４５、５５　　　電極
５０　アッシングチャンバー
【図１】
2004103944.tif 000003
【図２】
2004103944.tif 000004
【図３】
2004103944.tif 000005
【図４】
2004103944.tif 000006