【事件の表示】
　平成８年特許願第１１７０２６号「酸化シリコン膜形成法」拒絶査定不服審判事件〔平成９年１０月３１日出願公開、特開平９−２８３５１５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯・本願発明
　本願は、平成８年４月１５日の出願であって、その請求項１〜３に係る発明は、平成１２年１１月６日付け、及び平成１３年９月１７日付けの各手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
「基板の表面を覆って水素シルセスキオキサン樹脂膜を平坦状に形成する工程と、前記水素シルセスキオキサン樹脂膜に不活性ガス雰囲気中で第１の熱処理を施すことにより該樹脂膜をプレセラミック状の酸化シリコン膜にする工程と、前記酸化シリコン膜に酸化性雰囲気中で第２の熱処理を施すことにより前記酸化シリコン膜をセラミック状の酸化シリコン膜にする工程とを含む酸化シリコン膜形成法であって、前記第１の熱処理を２５０℃以上４００℃未満の範囲内の温度で行なうと共に、前記第２の熱処理を２５０℃以上４００℃未満の範囲内の温度で行なうことを特徴とする酸化シリコン膜形成法。」
　　
［２］引用刊行物の記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前頒布された刊行物である特開平６−１８１２０４号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、
［２−１］「【請求項１】基材表面に水素シルセスキオキサン樹脂膜を形成し、次いで該樹脂膜の形成された該基材を不活性ガス雰囲気下で加熱して、該水素シルセスキオキサン樹脂をプレセラミック状酸化ケイ素にし、続いて該プレセラミック状酸化ケイ素の形成された該基材を酸素ガスもしくは酸素ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気下で、生成した酸化ケイ素中のケイ素原子結合水素原子の含有量が該水素シルセスキオキサン樹脂中のケイ素原子結合水素原子の含有量に対して８０％以下となるまで加熱して、該プレセラミック状酸化ケイ素をセラミック状酸化ケイ素にすることを特徴とする、酸化ケイ素膜の形成方法。
【請求項２】不活性ガス雰囲気下、水素シルセスキオキサン樹脂をプレセラミック状酸化ケイ素にするための加熱温度が２５０℃以上であり、かつ酸素ガスもしくは酸素ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気下、該プレセラミック状酸化ケイ素をセラミック状酸化ケイ素にするための加熱温度が２５０℃以上であることを特徴とする請求項１記載の酸化ケイ素膜の形成方法。
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【請求項４】半導体デバイス表面に水素シルセスキオキサン樹脂膜を形成して該半導体デバイス表面の凹凸を平坦化し、次いで該樹脂膜の形成された該半導体デバイスを不活性ガス雰囲気下で加熱して、該水素シルセスキオキサン樹脂をプレセラミック状酸化ケイ素にし、続いて該プレセラミック状酸化ケイ素の形成された該基材を酸素ガスもしくは酸素ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気下で、生成した酸化ケイ素中のケイ素原子結合水素原子の含有量が該水素シルセスキオキサン樹脂中のケイ素原子結合水素原子の含有量に対して８０％以下となるまで加熱して、該プレセラミック状酸化ケイ素をセラミック状酸化ケイ素にすることを特徴とする、酸化ケイ素膜の形成方法。」（【特許請求の範囲】）、
［２−２］「本発明において、基材上に形成された水素シルセスキオキサン樹脂膜を加熱する温度は‥‥‥‥‥‥‥‥好ましくは２５０℃以上であり、より好ましくは２５０〜５００℃の範囲である。これは、加熱温度が２５０℃未満であると、長時間加熱しないと水素シルセスキオキサン樹脂が十分にプレセラミック状酸化ケイ素とならず、このため短時間での加熱では、得られたプレセラミック状酸化ケイ素は有機溶剤に可溶であり、パッシベーション膜または層間絶縁膜として不適であるからである。」（段落【００１５】）、
［２−３］「プレセラミック状酸化ケイ素をセラミック状酸化ケイ素にするための加熱温度は‥‥‥‥‥‥‥‥好ましくは２５０℃以上であり、より好ましくは２５０〜５００℃の範囲である。これは、加熱温度が２５０℃未満であると、長時間加熱しないとプレセラミック状酸化ケイ素が十分にセラミック状酸化ケイ素とならず、短時間加熱して得られたセラミック状酸化ケイ素はパッシベーション膜または層間絶縁膜として不適であるからである。」（段落【００１６】）、
［２−４］「【実施例１】水素シルセスキオキサン樹脂Ｂをメチルイソブチルケトン（以下、ＭＩＢＫと略記する。）に溶解し、３０重量％溶液を調製した。この溶液を半導体デバイス基板（段差１．０μｍ）上にスピンコートし、最大厚さ１．１５μｍの水素シルセスキオキサン樹脂膜を得た。膜形成後、この半導体デバイス基板を、純窒素ガス雰囲気下で２０時間放置し、次いで純窒素ガス雰囲気下で４００℃で２時間加熱し、半導体デバイス上にプレセラミック状酸化ケイ素膜を形成した。このプレセラミック状酸化ケイ素はＭＩＢＫに不溶であった。引き続き、プレセラミック状酸化ケイ素の形成された半導体デバイス基板を純酸素ガス雰囲気下で４００℃で１時間加熱した。その後、半導体デバイス基板を純窒素ガス雰囲気下で室温まで徐冷し、基板上に形成された酸化ケイ素膜の特性を測定したところ、最大厚さ１．００μｍであり、半導体デバイス表面の凹凸は均一に平坦化されていた。同時にこの酸化ケイ素膜にはクラックおよびピンホールがないことが確認された。」（段落【００２４】）と記載されている。
　　
［３］対比・判断
　上記［２−１］〜［２−４］に摘記した事項を総合すると、引用刊行物には、
「基板表面に水素シルセスキオキサン樹脂膜を平坦に形成し、該水素シルセスキオキサン樹脂膜を不活性ガス雰囲気下で加熱してプレセラミック状酸化ケイ素膜にし、該加熱温度は、好ましくは２５０℃以上であり、より好ましくは２５０〜５００℃の範囲であり、実施例では４００℃であり、続いて該プレセラミック状酸化ケイ素膜を酸素ガスもしくは酸素ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気下で加熱してセラミック状酸化ケイ素膜にし、該加熱温度は、好ましくは２５０℃以上であり、より好ましくは２５０〜５００℃の範囲であり、実施例では４００℃である、酸化ケイ素膜の形成方法」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　そして、本願発明１と引用発明とを対比すると、引用発明の「不活性ガス雰囲気下で加熱」、「プレセラミック状酸化ケイ素膜」、「酸素ガスもしくは酸素ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気下で加熱」、「セラミック状酸化ケイ素膜」はそれぞれ、本願発明１の「不活性ガス雰囲気中で第１の熱処理」、「プレセラミック状の酸化シリコン膜」、「酸化性雰囲気中で第２の熱処理」、「セラミック状の酸化シリコン膜」に相当する。また、引用発明において、「不活性ガス雰囲気下」及び「酸素ガスもしくは酸素ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気下」での「好ましくは２５０℃以上であり、より好ましくは２５０〜５００℃の範囲であり」と記載される加熱温度は、本願発明１における「第１の熱処理」及び「第２の熱処理」の「２５０℃以上４００℃未満の範囲内の温度」と重複し、この重複する範囲の加熱温度がより好ましいとされているのであるから、「２５０℃以上４００℃未満の範囲内の温度」の実施例が引用刊行物に示されていないからといって、この範囲のものが引用発明に含まれないとはいえず、引用発明が、「不活性ガス雰囲気下」及び「酸素ガスもしくは酸素ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気下」での加熱温度を、本願発明１における「第１の熱処理」及び「第２の熱処理」と同じ「２５０℃以上４００℃未満の範囲内の温度」とする態様のものを含むことは明らかである。そして、この態様において、引用発明と本願発明１とは実質的に相違しない。
　してみると、本願発明１は、引用刊行物に記載された発明である。
　なお、請求人は、審判請求書において、「本願発明の酸化シリコン膜形成法によれば、第１及び第２の熱処理をいずれも２５０℃以上４００℃未満の温度で行なうようにしたので、所望の機械的強度を有し且つ微小突起がないセラミック状の酸化シリコン膜が得られるという格別の作用効果が得られる」から、本願発明１は特許されるべき旨主張する。
　そこで検討するに、上述したように、引用発明が「不活性ガス雰囲気下」及び「酸素ガスもしくは酸素ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気下」での加熱温度を「２５０℃以上４００℃未満の範囲内の温度」とする態様のものを含むことは明らかであり、この態様において、引用発明と本願発明１とは実質的に相違しないのであるから、本願発明１の作用効果は、引用発明において得られていたものであるといえる。
　よって、請求人の上記主張は採用しない。
　　
［４］むすび
　以上のとおり、本願発明１は、引用刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができない。
　また、上記のとおり本願発明１が特許を受けることができないため、本願の他の請求項２、３に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。