【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年10月17日(2012.10.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性基板の表面に遷移金属またはその合金薄膜を形成するステップと、
前記弾性基板に引張力を印加して、前記基板表面に形成された前記合金薄膜に複数のナノギャップを形成するステップと、
を含み、
前記薄膜への前記ナノギャップは、前記引張力の印加時には前記薄膜が該引張力の印加方向に伸長すると共に該印加方向に対して垂直方向に収縮し、該引張力を解除すると前記薄膜が該印加方向に収縮すると共に該印加方向に対して垂直方向に伸長することにより形成されることを特徴とする水素センサーの製造方法。
【請求項２】
前記遷移金属は、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ａｕ、Ｗ、Ｉｎ及びＡｌから選択されることを特徴とする請求項１に記載の水素センサーの製造方法。
【請求項３】
前記合金は、Ｐｄ−Ｎｉ、Ｐｔ−Ｐｄ、Ｐｄ−Ａｇ、Ｐｄ−Ｔｉ、Ｐｄ−Ｆｅ、Ｐｄ−Ｚｎ、Ｐｄ−Ｃｏ、Ｐｄ−Ｍｎ、Ｐｄ−Ａｕ、Ｐｄ−Ｗ、Ｐｔ−Ｎｉ、Ｐｔ−Ａｇ、Ｐｔ−Ｔｉ、Ｆｅ−Ｐｔ、Ｐｔ−Ｚｎ、Ｐｔ−Ｃｏ、Ｐｔ−Ｍｎ、Ｐｔ−Ａｕ及びＰｔ−Ｗから選択されることを特徴とする請求項１に記載の水素センサーの製造方法。
【請求項４】
前記遷移金属はＰｄであり、前記合金はＰｄ合金であることを特徴とする請求項１に記載の水素センサーの製造方法。
【請求項５】
前記弾性基板の表面に０．８５≦ｘ≦０．９６を満たすＰｄxＮｉ1-x合金薄膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の水素センサーの製造方法。
【請求項６】
前記弾性基板の表面に０．９０≦ｘ≦０．９４を満たすＰｄxＮｉ1-x合金薄膜を形成することを特徴とする請求項５に記載の水素センサーの製造方法。
【請求項７】
前記弾性基板は、０．２〜０．８のポアソン比（Ｐｏｉｓｓｏｎ'ｓ ｒａｔｉｏ）を有することを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の水素センサーの製造方法。
【請求項８】
前記引張力は、前記弾性基板が１．０５ないし１．５０倍に伸長するように印加されることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の水素センサーの製造方法。
【請求項９】
前記弾性基板は、天然ゴム、合成ゴムまたはポリマーで製造することを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の水素センサーの製造方法。
【請求項１０】
前記引張力は、前記弾性基板に対して１回以上繰り返し印加することを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の水素センサーの製造方法。
【請求項１１】
前記引張力は、前記弾性基板に対して１方向以上から印加することを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の水素センサーの製造方法。
【請求項１２】
前記引張力は、第１方向、該第１方向に対して垂直な第２方向、及び前記第１方向及び前記第２方向とは異なる方向をなす第３方向から繰り返し印加することを特徴とする請求項１２に記載の水素センサーの製造方法。
【請求項１３】
前記薄膜の膜厚は、約１ｎｍないし約１００μｍであること特徴とする請求項１ないし１２のいずれかに記載の水素センサーの製造方法。
【請求項１４】
前記ナノギャップは、約１ｎｍないし１０μｍの間隔を隔てて形成されることを特徴とする請求項１ないし１３のいずれかに記載の水素センサーの製造方法。
【請求項１５】
前記ナノギャップが形成された前記遷移金属またはその合金薄膜を熱処理するステップを更に含むことを特徴とする請求項１ないし１４のいずれかに記載の水素センサーの製造方法。
【請求項１６】
前記ナノギャップが形成された前記遷移金属またはその合金薄膜をイオンミリングするステップを更に含むことを特徴とする請求項１ないし１４のいずれかに記載の水素センサーの製造方法。
【請求項１７】
弾性基板を用意するステップと、
前記弾性基板にα相を有するＰｄまたはＰｄ合金薄膜を形成するステップと、
前記薄膜を所定の濃度の水素含有ガスに露出して、前記α相の薄膜をβ相の薄膜に変化させ、体積の膨張によるナノギャップを前記薄膜に形成するステップと、
前記水素含有ガスに対する露出を中止させ、前記β相の薄膜を再びα相の薄膜に変化させるステップと、
を含むことを特徴とする水素センサーの製造方法。
【請求項１８】
前記α相に変化された前記薄膜を熱処理するステップを更に含むことを特徴とする請求項１７に記載の水素センサーの製造方法。
【請求項１９】
前記α相に変化された前記薄膜をイオンミリングするステップを更に含むことを特徴とする請求項１７または１８に記載の水素センサーの製造方法。
【請求項２０】
前記水素含有ガスへの露出の際の水素濃度を２〜１５％にすることを特徴とする請求項１７ないし１９のいずれかに記載の水素センサーの製造方法。
【請求項２１】
前記薄膜の膜厚は、約１ｎｍないし約１００μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項１７ないし２０のいずれかに記載の水素センサーの製造方法。
【請求項２２】
弾性材質の基板と、
前記基板の表面に形成された遷移金属またはその合金の薄膜と、
前記薄膜の両端に形成された電極と、
を含み、
前記薄膜には、前記基板への引張力の印加によって形成された複数のナノギャップが含まれていることを特徴とする水素センサー。
【請求項２３】
前記遷移金属は、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ａｕ、Ｗ、Ｉｎ及びＡｌから選択されることを特徴とする請求項２２に記載の水素センサー。
【請求項２４】
前記合金は、Ｐｄ−Ｎｉ、Ｐｔ−Ｐｄ、Ｐｄ−Ａｇ、Ｐｄ−Ｔｉ、Ｐｄ−Ｆｅ、Ｐｄ−Ｚｎ、Ｐｄ−Ｃｏ、Ｐｄ−Ｍｎ、Ｐｄ−Ａｕ、Ｐｄ−Ｗ、Ｐｔ−Ｎｉ、Ｐｔ−Ａｇ、Ｐｔ−Ｔｉ、Ｆｅ−Ｐｔ、Ｐｔ−Ｚｎ、Ｐｔ−Ｃｏ、Ｐｔ−Ｍｎ、Ｐｔ−Ａｕ及びＰｔ−Ｗから選択されることを特徴とする請求項２２に記載の水素センサー。
【請求項２５】
前記薄膜は、０．８５≦ｘ≦０．９６を満たすＰｄxＮｉ1-x合金薄膜であることを特徴とする請求項２４に記載の水素センサー。
【請求項２６】
前記薄膜は、０．９０≦ｘ≦０．９４を満たすＰｄxＮｉ1-x合金薄膜であることを特徴とする請求項２５に記載の水素センサー。
【請求項２７】
前記薄膜は、その膜厚が約１ｎｍないし約１００μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項２２ないし２６のいずれかに記載の水素センサー。
【請求項２８】
前記ナノギャップは、約１ｎｍないし約１０μｍの間隔を隔てて形成されたことを特徴とする請求項２２ないし２７に記載の水素センサー。
【請求項２９】
弾性材質の基板と、
前記基板の表面に形成されたＰｄまたはＰｄ合金の薄膜と、
前記薄膜の両端に形成された電極と、
を含み、
前記薄膜には、
前記薄膜を所定の濃度の水素含有ガスに露出して、前記薄膜のα相をβ相の薄膜に変化させ、体積の膨張により形成された複数のナノギャップが含まれていることを特徴とする水素センサー。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
一実施例において、上記弾性基板の表面に０．８５≦ｘ≦０．９６を満たすＰｄxＮｉ1-x合金薄膜を形成していてよい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
一実施例において、上記弾性基板の表面に０．９０≦ｘ≦０．９４を満たすＰｄxＮｉ1-x合金薄膜を形成していてよい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０９】
図８の（ａ）を参照すると、爆発上限濃度（４％）の１／４である１％（１０，０００ｐｐｍ）の水素濃度において約１秒で急な抵抗変化を示すことが分かる（ｘ軸は全反応時間を示す）。すなわち、既存の水素センサー素子に比べて、遥かに素早い速度で水素ガスを検出できるのみならず、数回繰り返した後もその信号の大きさに変化のない極めて優れた耐久性を有していることが分かる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１１】
図８の（ｂ）を参照すると、０．５％（５，０００ｐｐｍ）に水素濃度を減少させた際にも、約３ないし５秒足らずで急な抵抗変化を示し、素早い速度で水素を検出できることが分かり、回復時間は約３秒と測定され、本発明の水素センサーが水素ガスを検出するのに優れた性能を示すことが分かった。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１８】
図１２には、本実施例に係る水素センサー１０の斜視図が示されており、該水素センサー１０は、弾性素材からなる基板１２０と、該基板１２０の表面に形成され、該基板１２０に印加された引張力によって複数のナノギャップ１１１が形成されたＰｄxＮｉ1-x合金薄膜１１０、及び上記薄膜の両端に形成された電極１３０と、を含む。実施例Ａとは異なり、本実施例の基板１２０上には、０．８５≦ｘ≦０．９６を満たすＰｄxＮｉ1-x合金薄膜を形成する。本実施例では、従来の水素センサーで通常採用されるＰｄ薄膜の代りに所定の組成比を有するＰｄxＮｉ1-x合金薄膜を形成しており、その具体的な理由は次のとおりである。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２０】
ところが、Ｐｄ薄膜でなく、本実施例において提示する如くＰｄxＮｉ1-x合金薄膜を用いる場合、露出した水素濃度の差に起因する相転移現象が生じず、上述したような水素ガス検知能の低下といった問題点を改善することができることが発見された。本実施例では、このような点を考慮して、弾性基板１２０上に０．８５≦ｘ≦０．９６を満たすＰｄxＮｉ1-x合金薄膜１１０を形成する。上記モル比ｘが０．８５未満であると、Ｎｉ含量の過多により水素の露出による反応度合いが低くなるといった問題が生じ、０．９６を超過すると、上述したような相転移の問題を引き起こす。より好ましくは、上記モル比は、０．９０≦ｘ≦０．９４である。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２４】
横２０ｍｍ、縦１０ｍｍ、及び膜厚０．７５ｍｍのＰＤＭＳ基板上にＰｄxＮｉ1-x（但し、０．８５≦ｘ≦０．９６）合金をスパッタにて蒸着させた。このとき、ＰｄxＮｉ1-x薄膜は、その膜厚を７．５ｎｍにし、横１５ｍｍ、縦１０ｍｍの大きさで基板上に配置した。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２９】
上記システムを用いた測定は、常温及び常圧で実施し、ナノギャップを有するＰｄxＮｉ1-x薄膜水素センサー１０を外部電流印加装置と接続された反応チャンバ２１０内に装着した後、チャンバ内にＨ2とＮ2とが混合されたガスを流し込み、電圧を０．１Ｖに保ちつつ電流の強さを測定した。