【事件の表示】
　平成　８年特許願第２４５０５８号「位相シフトマスクの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　４月１０日出願公開、特開平１０−　９０８７３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願は、平成８年９月１７日の出願であって、平成１４年１０月１日付け拒絶査定がなされ、これに対して、同年１１月７日に拒絶査定不服の審判請求がなされたものである。
　その請求項１に係る発明は、平成１４年８月２８日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、次のとおりのものである。（以下、「本件発明」という。）
　【請求項１】
「透明基板上に遮光体パターンを形成する工程と、前記遮光体パターンの欠陥を検査する工程と、欠陥が検出された場合、検出された欠陥を修復する工程と、前記欠陥を修復した後、前記透明基板の一部を除去することにより位相シフターを形成して位相シフトマスクを得る工程と、得られた位相シフトマスクの欠陥を検査する工程と、欠陥が検出された場合、検出された欠陥を修復する工程と、を具備する位相シフトマスクの製造方法。」
　
２．これに対し、原査定の拒絶の理由に引用した特開平５−１９４４６号公報（以下、「引用例」という。）には、以下の記載がある。
　記載１
　【０００３】及び【０００４】段落には、
「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらは、いずれも実験レベルでの位相シフト技術の改良に関するものであり、複雑なパターンが混在する量産レベルでの実際のデヴァイスに適用した場合の問題点に関しては十分には考慮されていなかった。
【０００４】従って、本発明の一つの目的はマスク作成が容易な位相シフト露光技術を提供することにある。」
と記載されている。　
　記載２
　【００１９】段落には、
「【００１９】図２は本発明の位相シフトマスクの断面図である。同図において、２１から２４はクロム遮蔽膜、２５及び２６は位相シフト膜又はシフタ、２７はマスク基板露出部又は非シフト光透過部である。」
との記載がある。
　記載３
　【００２６】〜【００２８】段落には、「【００２６】図３は、上記のマスクの作成フローを示したものである。同図において、３１はマスクの合成石英基板作成工程、３２は前記基板３１の一方の主面のほぼ全面にＣｒ膜を被着する金属遮光膜堆積工程、３３は前記クロム膜上にフォトレジストをスピン塗布するレジスト塗布工程、３４は電子線露光装置による直接描画により前記塗布されたレジスト膜を露光する電子線露光工程、３５は前記レジストの不要部分を除去して所望のレジストパターンを形成するためのレジスト現像工程、３６は前記レジストパターンをマスクとして前記クロム膜をエッチングする金属遮光膜エッチング工程、３７はその後、前記レジストを全面除去するレジスト除去工程、３８は前記遮光膜のうちの欠損部分を修正するための遮光膜欠損修正工程又は遮光膜欠け修正工程、３９は上記基板上の不要な遮光膜の残り部分を除去する遮光膜残り修正工程、４０はクロムパターンが完成したマスクを洗浄するマスク洗浄工程である。同様に、同図において、４２は上記クロムパターンの完成した前記露光領域のほぼ全面に位相シフト膜を被着する位相シフト膜堆積工程、４３は前記位相シフト膜上に薄い導電膜を被着する帯電防止膜堆積工程、４４は前記位相シフト膜をパターニングするためのレジスト膜をスピン塗布するレジスト塗布工程、４５は先と同様に前記レジストを電子線により直接描画する電子線露光工程、４６は前記レジスト膜の不要部分を除去してレジストパターンを形成するためのレジスト現像工程、４７は前記位相シフト膜を前記レジスト膜をマスクとして所望のパターンに形成する位相シフタ膜エッチング工程、４８はその後、前記レジスト膜を除去するレジスト除去工程、４９は前記パターニングされた基板上でシフタの欠損部分を修正するシフタ欠損修正工程又はシフタ欠け修正工程、５０は同様に前記マスク基板上で不要なシフタ膜の残り部分を除去するシフタ残り修正工程、５１は一応完成したマスクを洗浄するマスク洗浄工程である。
【００２７】遮光領域および透過領域からなるパターンを形成するマスク上のクロムパターンは、レーザ光、集束イオンビームなどを用いて、マスク製作プロセスで生じたパターン欠陥を修正することができる。すなわち、マスクの透過領域部に遮光膜残りが生じたときは、レーザ光スポットを該当部に照射することで修正できる。また、遮光領域に一部欠けがが生じたときは、ピレンガス（Ｐｙｒｅｎｅ；Ｃ16Ｈ10）などの有機ガスを添加しながら集束イオンビームを照射することにより、欠陥部にカーボン膜を堆積することで修正できる。
【００２８】上記のクロムパターンと同様にマスク上のシフタパターンは、前記集束イオンビームを用いて、スパッタリング切削により修正することができる。位相シフタ用の薄膜部が余分に残った場合は、該当部に集束イオンビームを照射し、スパッタリングにより修正する。位相シフタ用の薄膜部が欠けた場合も、集束イオンビームを照射して、透明基板を削ることで修正することができる。その際、透明基板を削る溝の深さｄは、透過光の波長λ、溝部材の屈折率をｎとして、ｄ＝λ／２（ｎ−１）となるようにする。」
と記載されている。　
２．１　引用例に記載された発明
　引用例の記載１及び２を参照すると、引用例記載の発明は、位相シフトマスクの製造方法に関するものである。
　また、引用例の記載３を参照すると、合成石英基板の一方の主面のほぼ全面にクロム膜を被着し、クロム膜をエッチングし、エッチングされたクロム膜のうちの欠損部分を修正し、不要な遮光膜の残り部分を除去してクロムパターンを完成させ、さらに、クロムパターンの完成した前記露光領域のほぼ全面に位相シフト膜を被着し、当該位相シフト膜をパターニングし、シフタの欠損部分を修正し、マスク基板上で不要なシフタ膜の残り部分を除去して位相シフトマスクを完成させる位相シフトマスクの製造方法の発明が記載されている。
　
３．本件発明と、引用例記載の発明の対比
　引用例記載の「合成石英基板」、「クロムパターン」、「シフタ」、「クロム膜の欠損部分及び不要な遮光膜の残り部分」、「修正」及び「シフタの欠損部分及び不要なシフタ膜の残り部分」は、それぞれ、本件発明の「透明基板」、「遮光体パターン」、「位相シフター」、「遮光体パターンの欠陥」、「修復」及び「位相シフターの欠陥」に相当する。
　そこで本件発明と、引用例記載の発明を対比すると、本件発明と引用例記載の発明は、「透明基板上に遮光体パターンを形成する工程と、前記遮光体パターンの欠陥を検査する工程と、欠陥が検出された場合、検出された欠陥を修復する工程と、前記欠陥を修復した後、位相シフターを形成して位相シフトマスクを得る工程と、得られた位相シフトマスクの欠陥を検査する工程と、欠陥が検出された場合、検出された欠陥を修復する工程と、を具備する位相シフトマスクの製造方法。」において一致する。
　しかるに本件発明は、「透明基板の一部を除去することにより位相シフターを形成」する構成であるのに対し、引用例では位相シフト膜を被着して位相シフターを形成する点において両者は相違する（以下、「相違点１」という。）。
　また、本件発明は、遮光体パターンの欠陥を検査する工程及び位相シフトマスクの欠陥を検査する工程を有するのに対し、引用例には当該工程が記載されていない点において両者は相違する（以下、「相違点２」という。）。
　そこで、上記相違点１及び２について検討する。
　透明基板の一部を除去することにより位相シフターを形成することは、当該技術分野において周知手段（例えば、特開平７−４３８８５号公報、特開平６−１１８６２１号公報等参照）であり、上記引用例に開示された修復手段を、透明基板の一部を除去してなる位相シフターの製造工程に適用することは、格別な創意・工夫を要するものではないから、当業者が容易に想到できたものである。
　また、引用例記載の発明において、クロム膜のうちの欠損部分を修正し、不要な遮光膜の残り部分を除去してクロムパターンを完成させる際には、クロム膜の欠陥の検査を必然的に伴い、また、シフタの欠損部分を修正し、マスク基板上で不要なシフタ膜の残り部分を除去して位相シフトマスクを完成させる際には、シフタの欠陥の検査を必然的に伴うものであるから、上記相違点２については、引用例には明示的記載がないにすぎず、実質的な相違ではない。
　そして本件発明の作用効果についても、引用例記載の発明及び周知技術から当業者が当然予測できたものである。
　そうすると、本件発明は、当業者が、引用例記載の発明及び周知手段に基づいて容易に想到することができたものである。
　
４．以上のとおりであるから、本件発明は、引用例に記載された発明及び周知手段に基いて当業者が容易に発明できたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって結論のとおり審決する。