(57)【要約】【課題】不要輻射を十分に低減させることができ、しかも、発振効率の低下を防止して、発振効率の向上を図ることができるマグネトロンを提供すること。【解決手段】マグネトロン４１の小径均圧環４９の外周の半径寸法がＲｓ１、大径均圧環５１の内周の半径寸法がＲｓ２、陽極ベイン４７の先端に内接する円周の半径がＲａ、磁極片の中央の各陽極ベイン４７に近接する平坦部の半径がＲｐであるとき、次の（１）及び（２）式が成立するように１．８５Ｒａ≦（Ｒｓ１＋Ｒｓ２）／２≦１．９６Ｒａ　　……（１）Ｒｓ１＜Ｒｐ＜Ｒｓ２　　……（２）各Ｒａ，Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｒｐを設定する。【選択図】　　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極ベインの上下の端縁には、均圧環を接合するための環係合凹部と均圧環を非接触に挿通させるための環挿通凹部とが陽極筒体の半径方向に位置をずらすように設けられ、周方向に並ぶ前記陽極ベイン相互は前記陽極筒体の中心軸に同心に配置される小径均圧環及び大径均圧環の２本の均圧環の内のいずれか一方が前記環係合凹部に接合されて１枚おきに電気的に接続され、且つ、複数枚の内の一枚の陽極ベインに出力側の磁極片を非接触に貫通したマイクロ波放出用アンテナが接合されるマグネトロンであって、
前記小径均圧環の外周の半径寸法がＲｓ１、前記大径均圧環の内周の半径寸法がＲｓ２、前記陽極ベインの先端に内接する円周の半径がＲａ、前記磁極片の中央の各陽極ベインに近接する平坦部の半径がＲｐであるとき、次の（１）及び（２）式が成立するように
１．８５Ｒａ≦（Ｒｓ１＋Ｒｓ２）／２≦１．９６Ｒａ　　　　（１）
Ｒｓ１＜Ｒｐ＜Ｒｓ２　　　　（２）
各Ｒａ，Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｒｐを設定したことを特徴とするマグネトロン。
【請求項２】
各陽極ベインの上下の端縁の環係合凹部は、嵌合する均圧環が各陽極ベインの上下端縁よりも内方に沈み込むように、深さ寸法が設定されたことを特徴とする請求項１に記載のマグネトロン。
【請求項３】
陰極の一端に設けられた出力側のエンドハットと前記各陽極ベインの上端縁との軸方向の間隔が０．２〜０．４ｍｍに設定されたことを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載のマグネトロン。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子レンジ等の高周波加熱機器に用いられるマグネトロン装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図１１は、電子レンジ等に組み込まれるマグネトロンの従来例を示したものである。
このマグネトロン１は、中心軸を上下方向に向けた陰極３と、この陰極３を同軸的に包囲する陽極筒体５と、陽極筒体５の下方の開口端に設けられた入力側磁極片７と、この入力側磁極片７を覆う第１の金属管９に突設された陰極端子導出用ステム３１と、陽極筒体５の上方の開口端に設けられた出力側磁極片１３と、この出力側磁極片１３を覆う第２の金属環１５と、この第２の金属環１５にセラミックスからなる絶縁管１７を介して突設されたマイクロ波放出用アンテナ１９とを有している。
【０００３】
陽極筒体５の内壁面には陽極筒体５の中心軸に向かう放射状に複数枚（偶数枚）の陽極ベイン２０が接合されている。
各陽極ベイン２０の上下の端縁には、均圧環を接合するための環係合凹部２０ａと均圧環を非接触に挿通させるための環挿通凹部２０ｂとが陽極筒体５の半径方向に位置をずらすと共に、上端縁と下端縁とで配置が逆になるように設けられている。
そして、周方向に並ぶ陽極ベイン２０相互は、陽極筒体５の中心軸に同心に配置される小径均圧環２２及び大径均圧環２４の２本の均圧環２２，２４の内のいずれか一方が環係合凹部２０ａに接合して、１枚おきに電気的に接続される。
【０００４】
第１の金属管９を包囲するリング状に入力側磁極片７の外端面上に積み重ねられたフェライト製の第１の環状永久磁石２１は、その一方の磁極が入力側磁極片７に磁気的に結合される。また、第２の金属環１５を包囲するリング状に出力側磁極片１３の外端面上に積み重ねられたフェライト製の第２の環状永久磁石２３は、その一方の磁極が出力側磁極片１３に磁気的に結合される。
そして、第１及び第２の環状永久磁石２１，２３の他方の磁極同士を磁気的に結合するための枠上継鉄２５は、その下端部に陰極端子導出用ステム３１を挿通させるための通孔２５ａを有している。
【０００５】
また、陽極筒体５の外周面には、多数の放熱フィン２７が多段に取り付けられており、枠上継鉄２５の下端部の外面には漏洩電磁波の装置外漏洩を防ぐ為の金属製のフィルタケース２９が取り付けられ、枠上継鉄２５の通孔２５ａよりも径の小さい陰極端子導出用ステム３１が第１の金属管９に気密にロウ付けされ、その陰極端子導出用ステム３１の内側を陰極端子１１ａが挿通し、リード線１１と電気的に繋がっている。
【０００６】
このフィルタケース２９の側面部には、貫通型のコンデンサ３３が取り付けられており、フィルタケース２９内に位置する陰極端子導出用ステム３１の陰極端子１１ａに、チョークコイル３５の一端が接続されている。チョークコイル３５は、漏洩電磁波阻止用のＬＣフィルタ回路を構成するべく、その他端をコンデンサ３３の貫通電極に接続している。
このように構成されたマグネトロン１では、マイクロ波放出用アンテナ１９側へ漏洩した高調波ノイズを抑制するために、１／４波長の軸方向長を持つチョークリング３７を、第２の金属環１５に気密にロウ付けしている。
【０００７】
ところで、マグネトロンでは、高調波成分、３０〜１０００ＭＨｚの比較的に低い周波数成分、更に基本波成分（帯域幅及びサイドバンドレベル）のそれぞれについて、不要輻射（ノイズ漏洩）を防止するための規制があり、特に第５高調波に対する規制が厳しい。
チョークリング３７の装備だけでは、このような不要輻射の規制をクリアする十分な不要波漏洩防止ができない。
【０００８】
一般に、基本波のスペクトルが、サイドバンドの少ないきれいな波形になると、ｎ次波（高調波）のスペクトルもきれいな波形となって、不要輻射の低減を図ることができる。なお、基本波のスペクトル上でのサイドバンドの発生には、出力側磁極片１３の中央の平坦部の半径Ｒｐが大きく関与する。
【０００９】
出力側磁極片１３の平坦部は、陽極筒体５内の作用空間に磁束を集中させるために、各陽極ベイン２０に近接させた平坦領域で、この平坦部の半径Ｒｐを徐々に大きくした時の基本波スペクトルの変化を、図１２の（ａ）〜（ｅ）に示す。
図１２では、小径均圧環２２の外周の半径寸法がＲｓ１、大径均圧環２４の内周の半径寸法がＲｓ２である時、これらの各半径Ｒｓ１，Ｒｓ２を基準に平坦部の半径Ｒｐを増減させて、基本波スペクトルを測定した。
図１２の（ａ）はＲｐ＜Ｒｓ１の時のもの、（ｂ）はＲｐ＝Ｒｓ１の時のもの、（ｃ）はＲｐ＝（Ｒｓ１＋Ｒｓ２）／２の時のもの、（ｄ）はＲｐ＝Ｒｓ２の時のもの、（ｅ）はＲｐ＞Ｒｓ２の時のものである。
【００１０】
これらの各図から明らかなように、出力側磁極片１３の平坦部の半径Ｒｐを大きくする（即ち、チョーク径と差が広がる）と、それに応じてサイドバンドの発生が低減して、スペクトルがきれいに成る傾向を示す。
実際、２．４ＧＨｚ付近のノイズレベルを測ると、図１３に示すように、平坦部の半径Ｒｐが、小径均圧環２２の半径寸法Ｒｓ１を越えると急激に減衰する。
【００１１】
そこで、従来では、このような傾向に着眼し、出力側磁極片１３の平坦部の半径Ｒｐを、大径均圧環２４の半径寸法よりも大きくすることで、不要波漏洩防止を図ることが一般的になっている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、出力側磁極片１３の平坦部半径Ｒｐを大径均圧環２４の半径寸法よりも大きくすると、不要輻射の低減を実現することはできるものの、その一方では、図１２の（ｅ）からも判るように、発振効率が低下してしまうという問題が生じた。
【００１３】
また、近年不要輻射の中でも２．２ＧＨｚ帯のノイズが注目されてきており、この２．２ＧＨｚ帯のノイズは発振効率を高めると発生し易い傾向にある。図１０に２．４ＧＨｚ帯と２．２ＧＨｚ帯のノイズ波形を示す。図面に向かって右側が２．４ＧＨｚ帯のノイズであり、左側が２．２ＧＨｚ帯のノイズである。
このような問題の発生を解決するべく、本願発明者等は、出力側磁極片の平坦部の寸法、陽極ベインや各均圧環との寸法との関わり等を更に詳しく分析した結果、新たな知見を得た。
【００１４】
本発明は、前述した問題点に解決するべく、上記知見に鑑みてなされたものであり、その目的は、不要輻射を十分に低減させることができ、しかも、発振効率の低下を防止して、発振効率の向上を図ることができるマグネトロンを提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係るマグネトロンは、請求項１に記載したように、陽極ベインの上下の端縁には、均圧環を接合するための環係合凹部と均圧環を非接触に挿通させるための環挿通凹部とが陽極筒体の半径方向に位置をずらすように設けられ、周方向に並ぶ前記陽極ベイン相互は前記陽極筒体の中心軸に同心に配置される小径均圧環及び大径均圧環の２本の均圧環の内のいずれか一方が前記環係合凹部に接合されて１枚おきに電気的に接続され、且つ、複数枚の内の一枚の陽極ベインに出力側の磁極片を非接触に貫通したマイクロ波放出用アンテナが接合されるマグネトロンであって、
前記小径均圧環の外周の半径寸法がＲｓ１、前記大径均圧環の内周の半径寸法がＲｓ２、前記陽極ベインの先端に内接する円周の半径がＲａ、前記磁極片の中央の各陽極ベインに近接する平坦部の半径がＲｐであるとき、次の（１）及び（２）式が成立するように
１．８５Ｒａ≦（Ｒｓ１＋Ｒｓ２）／２≦１．９６Ｒａ　　　　（１）
Ｒｓ１＜Ｒｐ＜Ｒｓ２　　　　（２）
各Ｒａ，Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｒｐを設定したことを特徴とする。
【００１６】
本発明者の分析によれば、マグネトロンにおける不要輻射量や、発振効率には、出力側磁極片の平坦部の半径Ｒｐの大きさだけでなく、小径均圧環の外周の半径寸法Ｒｓ１、大径均圧環の内周の半径寸法Ｒｓ２、陽極ベインの先端に内接する円周の半径Ｒａなどの各種の寸法と前記した半径Ｒｐとの比率等が、微妙に影響を及ぼしている。
例えば、第５高調波ノイズの漏洩量は、〔（Ｒｓ１＋Ｒｓ２）／２〕÷Ｒａ＝１．９０付近で極小値となる下側に凸の湾曲線特性を示す。そのため、〔（Ｒｓ１＋Ｒｓ２）／２〕÷Ｒａが極小値付近の適宜範囲に収まるように各Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｒａを設定することで、ノイズ漏洩を最小限に抑えることができ、不要輻射を十分に低減させることができる。
また、発振効率は、ＲｐがＲｓ２を越える付近に変曲点を有して、変曲点を越えると効率が急激に低下する傾向を示す。従って、変曲点付近の適宜値以内にＲｐを設定しておくことで、発振効率の低下を防止することができる。
また、５０ＭＨｚ帯のノイズは、Ｒｓ１付近に変曲点を有して、その変曲点以下になると、急激に増大する傾向を示す。従って、平坦部の半径Ｒｐを、Ｒｓ１以上にすることで、５０ＭＨｚ帯のノイズの漏洩を低減させることができる。
従って、上記の（１）及び（２）式の設定範囲に、各Ｒａ，Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｒｐを設定しておけば、不要輻射を十分に低減させることができ、しかも、発振効率の低下を防止して、発振効率の向上を図ることができる。
【００１７】
なお、好ましくは、前記マグネトロンにおいて、各陽極ベインの上下の端縁の環係合凹部は、嵌合する均圧環が各陽極ベインの上下端縁よりも内方に沈み込むように、深さ寸法が設定された構成とすると良い。
陽極ベインの端縁に対する均圧環の沈み量とノイズ漏洩量は、沈み量が０．４３〜０．６４ｍｍの範囲で極小値を持つ下側に凸の湾曲線特性を示す。
従って、上記のように、沈み量を極小値付近の適宜範囲に設定することで、ノイズの漏洩を抑えて、更に不要輻射の低減を促進することができる。
【００１８】
さらに、好ましくは、前記マグネトロンにおいて、陰極の一端に設けられた出力側のエンドハットと各陽極ベインの上端縁との軸方向の距離を、０．２〜０．４ｍｍに設定した構成とすると良い。
【００１９】
出力側のエンドハットと各陽極ベインの上端縁との軸方向の距離を０．２〜０．４ｍｍに設定した構成とすることで、２．２ＧＨｚ帯のノイズを抑えることが可能となる。これは、アンテナ導体の高周波電界が各陽極ベインの中心側端部と陰極との間に形成された作用空間内の電子の動きを乱す現象が低減したことにあると想定できる。すなわち、陰極より放射される熱電子は、陰極と各陽極ベインとの間に印加された高電圧の陽極電圧によって加速されるとともに磁界によって軌道を曲げられて回転運動をしながら作用空間内を進行し陽極ベインまで到着する。このとき、アンテナ導体の高周波電界によって作用空間内の熱電子の動きが乱れて熱電子同士の衝突が発生し、これがノイズとなって現れることになる。このような２．２ＧＨｚ帯のノイズの発生を防止するためには、アンテナ導体の高周波電界が作用空間に入り込み難い構成を採れば良いことが分かる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に基づいて本発明の一実施形態に係るマグネトロンを詳細に説明する。
図１は、本発明に係わるマグネトロンの一実施形態の縦断面図を示したものである。
この一実施の形態のマグネトロン４１は、図１１に示した従来のマグネトロン１の入力側磁極片７を入力側磁極片４３に、出力側磁極片１３を出力側磁極片４５に、陽極ベイン２０を陽極ベイン４７に、小径均圧環２２を小径均圧環４９に、大径均圧環２４を大径均圧環５１に、置き換えたもので、それ以外の構成は、従来と共通である。従来と共通の構成については、図１１と同じ番号を付けることで、説明を省略又は簡略化する。
また、置き換えた入力側磁極片４３、出力側磁極片４５、陽極ベイン４７、小径均圧環４９、大径均圧環５１等は、出力側磁極片４５の中央の平坦部４５ａに対する寸法比率等を、工夫したものである。
【００２１】
即ち、本実施形態のマグネトロン４１は、中心軸を上下方向に向けた陽極筒体５の上下両端に磁極片４３，４５が気密に接合されると共に、陽極筒体５の内壁面には陽極筒体５の中心軸に向かう放射状に複数枚の陽極ベイン４７が接合され、各陽極ベイン４７の上下の端縁には、均圧環を接合するための環係合凹部４７ａと均圧環を非接触に挿通させるための環挿通凹部４７ｂとが陽極筒体５の半径方向に位置をずらすと共に上端縁と下端縁とで配置が逆になるように設けられ、周方向に並ぶ陽極ベイン４７相互は、陽極筒体５の中心軸に同心に配置される小径均圧環４９及び大径均圧環５１の２本の均圧環４９，５１の内のいずれか一方が環係合凹部４７ａに接合されて１枚おきに電気的に接続され、且つ、複数枚の内の一枚の陽極ベイン４７の上端縁に出力側の磁極片４５を非接触に貫通したマイクロ波放出用アンテナ１９が接合されている。
【００２２】
そして、図２に示すように、小径均圧環４９の外周の半径寸法がＲｓ１、大径均圧環５１の内周の半径寸法がＲｓ２、陽極ベイン４７の先端に内接する円周の半径がＲａ、出力側磁極片の中央の各陽極ベイン４７に近接する平坦部半径がＲｐであるとき、次の（１）及び（２）式が成立するように
１．８５Ｒａ≦（Ｒｓ１＋Ｒｓ２）／２≦１．９６Ｒａ　　……（１）
Ｒｓ１＜Ｒｐ＜Ｒｓ２　　……（２）
各Ｒａ，Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｒｐが設定されている。
【００２３】
また、本実施形態では、図２に示すように、各陽極ベイン４７の上下の端縁の環係合凹部４７ａは、嵌合する均圧環が各陽極ベイン４７の上下端縁よりも内方に沈み込むように、深さ寸法ｈｓが設定されている。
【００２４】
また、本実施形態では、図２に示すように、陰極３の上端に設けられた出力側のエンドハット５５と各陽極ベイン４７の上端縁との軸方向の距離Ｇａが０．２〜０．４ｍｍに設定されている。
【００２５】
本発明者の実験及び分析によれば、第５高調波ノイズを始めとする高調波ノイズの漏洩量は、図３のＡ２点に示すように、〔（Ｒｓ１＋Ｒｓ２）／２〕÷Ｒａ＝１．９０付近で極小値となる下側に凸の湾曲線特性を示し、（１）式の成立する範囲に各Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｒａを設定することで、高調波のノイズ漏洩を５４〜５５ｄＢｐＷの略最小限に抑えることができる。
【００２６】
また、発振効率は、図４に示すように、ＲｐがＲｓ２を越える付近に変曲点Ｂ２を有して、変曲点Ｂ２を越えると発振効率が急激に低下する傾向を示す。また、５０ＭＨｚ帯の低周波域のノイズは図５に示すように、Ｒｓ１付近に変曲点Ｃ１を有して、その変曲点Ｃ１以下になると、急激に増大する傾向を示す。
従って、（２）式の成立する範囲に各Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｒｐを設定することで、発振効率の向上と、低周波域のノイズ漏洩の防止を測ることができる。
【００２７】
即ち、本実施形態のマグネトロン４１では、（１）式を満足するように、各Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｒａを設定したことで、第５高調波ノイズを始めとする高調波ノイズの漏洩量を一定以下に規制することができ、しかも、（２）式を満足するように、各Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｒｐを設定したことで、発振効率の向上と同時に、低周波域のノイズ漏洩の防止を測ることができ、結局、全周波域において不要輻射を十分に低減させることができ、しかも、発振効率の低下を防止して、発振効率の向上を図ることができる。
【００２８】
また、陽極ベイン４７の端縁に対する均圧環の沈み量とノイズ漏洩量は、図６のＤ１及びＤ２に示すように、沈み量が０．４３〜０．６４ｍｍの範囲で極小値を持つ下側に凸の湾曲線特性を示ため、このＤ１〜Ｄ２の範囲又はその付近の沈み量となるように、環係合凹部４７ａの深さを設定しておくことで、陽極ベイン４７の端縁に対する均圧環４９，５１の位置が原因となるノイズ量を極小値付近に抑えることができて、更に不要輻射の低減を促進することができる。
【００２９】
本願発明者等による比較実験では、Ｒｐ＞Ｒｓ２で、且つ、〔（Ｒｓ１＋Ｒｓ２）／２〕÷Ｒａ＝１．８４となるように、各部の半径が設定された従来のマグネトロンの場合は、基本波サイドバンドの発生がなくきれいなスペクトルが確認されたが、発振効率は図４のＢ３点の７２．２％、第５高調波ノイズは図３のＡ１点の５９ｄＢｐＷ、５０ＭＨｚ帯のノイズは図５のＣ３点の２４ｄＢμＶ／ｍという結果を示した。
【００３０】
これに対して、Ｒｓ１＜Ｒｐ＜Ｒｓ２で、且つ、〔（Ｒｓ１＋Ｒｓ２）／２〕÷Ｒａ＝１．９１となるように、各部の半径が設定された本発明のマグネトロンの場合は、基本波サイドバンドの発生がなくきれいなスペクトルが確認されただけでなく、発振効率が図４のＢ１点の７３．６％、第５高調波ノイズが図３のＡ２点の５４ｄＢｐＷ、５０ＭＨｚ帯のノイズが図５のＣ２点の２６ｄＢμＶ／ｍという結果であった。
即ち、発振効率では、１．４％の改善が確認され、更に、第５高調波ノイズで５ｄＢの改善が確認されて、本発明の構成の有用性が立証できた。
【００３１】
また、本発明の実施形態において、小径均圧環４９及び大径均圧環５１を、陽極ベイン４７の環係合凹部４７ａに沈み込ませたものでは、第５高調波ノイズが図６の極小点の４８ｄＢｐＷを示し、従来のものよりも１１ｄＢもの著しい改善が確認できた。
【００３２】
更に、本発明の実施形態において、陰極３の上端に設けられた出力側のエンドハット５５と各陽極ベイン４７の上端縁との軸方向の距離Ｇａを０．２〜０．４ｍｍに設定したものでは、図７に示すように０．４ｍｍを超える場合と比較するとローサイドバンド放射レベル相対値が低い値（約−１３ｄＢ）をとる。また更に、負荷安定度との関係において、図８に示すように、負荷安定度が安定した値（約６００ｍＡ）をとる。この場合、負荷安定度は距離Ｇａが０．２ｍｍを超える長さから安定した値をとるが、ローサイドバンド放射レベル相対値が距離Ｇａの０．４ｍｍから急激に増加するので、結果的に距離Ｇａは０．２〜０．４ｍｍ内に収まることになる。このような値に距離Ｇａを設定することで、図９に示すように２．２ＧＨｚ帯のノイズを１０数ｄＢ程抑制できることが実験より確認できた。また、距離Ｇａが０．２〜０．４ｍｍ内では良好な負荷安定度が得られるので、負荷に左右されることなく安定した発振が得られることも確認できた。
【００３３】
このように２．２ＧＨｚ帯のノイズを抑制できることは、上述したようにアンテナ導体１９の高周波電界が各陽極ベイン４７の中心側端部と陰極３との間に形成された作用空間内の電子の動きを乱す現象が低減したことにあると想定できる。すなわち、陰極３より放射される熱電子は、陰極３と各陽極ベイン４７との間に印加された高電圧の陽極電圧によって加速されるとともに磁界によって軌道を曲げられて回転運動をしながら作用空間内を進行し陽極ベインまで到着する。そして、このときアンテナ導体１９の高周波電界によって作用空間内の熱電子の動きが乱れて熱電子同士の衝突が発生し、これがノイズとなって現れることになるが、アンテナ導体１９の高周波電界が作用空間に入り込み難い構成にすることで作用空間内の熱電子の動きの乱れが減少して熱電子同士の衝突の発生が少なくなる。この結果、ノイズの発生が低減することになる。
【００３４】
【発明の効果】
本発明のマグネトロンによれば、（１）式を満足するように、各Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｒａを設定したことで、第５高調波ノイズを始めとする高調波ノイズの漏洩量を一定以下に規制することができ、しかも、（２）式を満足するように、各Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｒｐを設定したことで、発振効率の向上と同時に、低周波域のノイズ漏洩の防止を図ることができ、結局、全周波域において不要輻射を十分に低減させることができ、しかも、発振効率の低下を防止して、発振効率の向上を図ることができる。
【００３５】
また、請求項２に記載の構成とすると、陽極ベインの端縁に対する均圧環の位置が原因となるノイズ量を極小値付近に抑えることができて、更に不要輻射の低減を促進することができる。
【００３６】
また、請求項３に記載の構成とすると、２．２ＧＨｚ帯のノイズを改善できるとともに、負荷に左右されることなく安定した発振が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るマグネトロンの一実施形態の縦断面図である。
【図２】図２の要部の拡大図である。
【図３】本発明の一実施の形態における均圧環の寸法と第５高調波ノイズの関係を示すグラフである。
【図４】本発明の一実施の形態における磁極片の平坦部の寸法と発振効率の関係を示すグラフである。
【図５】本発明の一実施の形態における磁極片の平坦部の寸法と５０ＭＨｚ帯のノイズの関係を示すグラフである。
【図６】本発明の一実施の形態における均圧環の沈み量とノイズの関係を示すグラフである。
【図７】本発明の一実施の形態におけるエンドハット−ベイン間距離とローサイドバンド放射レベル相対値との関係を示すグラフである。
【図８】本発明の一実施の形態におけるエンドハット−ベイン間距離と負荷安定度との関係を示すグラフである。
【図９】本発明の一実施の形態における２．２ＧＨｚ帯ノイズの改善例を示すグラフである。
【図１０】従来の２．２ＧＨｚ帯ノイズを示すグラフである。
【図１１】従来のマグネトロンの構成を示す縦断面図である。
【図１２】マグネトロンの磁極片の平坦部の半径の増大に応じて基本波スペクトル上でのサイドバンドの発生が低減する様子を示す測定図である。
【図１３】マグネトロンの磁極片の平坦部の半径とノイズレベルとの相関を示すグラフである。
【符号の説明】
１９　マイクロ波放出用アンテナ
４１　マグネトロン
４３　入力側磁極片
４５　出力側磁極片
４５ａ　平坦部
４７　陽極ベイン
４７ａ　環係合凹部
４７ｂ　環挿通凹部
４９　小径均圧環
５１　大径均圧環
５５　エンドハット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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