Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年7月27日(2012.7.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
さらに、コンテナ１０には、その構造を強化するためのブロック部３３、３４及び３５が設けられており、該構造は有利なことに中央結合線４０（図２に示されている）に沿って結合された２つの半分に分かれているシェルから形成されている。そのようなブロック部は、偶数及び奇数のスタンドについて言えば、実質的に平行に配置されている、というのも２つの連続したスタンドのコンテナが垂直軸に対して対称であるためである。こうすることによって、コンテナから構造２へと軸Ｌに沿って軸方向に作用する力を正しく伝達することが可能となる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
前記バランスロッドは、ローラのヨーク支持部２１〜２３上に存在する溝２５〜２７とかみ合うが、それは、ローラの重さのバランスを取るため、及び、１つの管の圧延と他の管の圧延との間、ローラの位置を維持するためである。そして、好ましいことに、コンテナ１０がトラック７に沿ってスライドするとき、ロッド５３、５４、５５の端部はコンテナの動きを妨げることなく溝２５、２６及び２７から外れる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年3月21日(2012.3.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バナジウム、燐、鉄および酸素を含有する触媒活性物質を含む、少なくとも４個の炭素原子を有する炭化水素を不均一接触気相酸化することによって無水マレイン酸を製造するための触媒であって、この場合この触媒活性物質は、０．００５〜０．０５未満の鉄／バナジウム原子比を有し、この場合鉄使用物質として燐酸Ｆｅ（ＩＩＩ）が使用される、無水マレイン酸を製造するための前記触媒。
【請求項２】
触媒活性物質が０．０１〜０．０３５の鉄／バナジウム原子比を有する、請求項１記載の触媒。
【請求項３】
燐／バナジウム原子比が０．９〜１．５であり、バナジウムの平均酸化段階が＋３．９〜４．４であり、ＢＥＴ表面積が１５ｍ2／ｇを上廻り、細孔容積が０．１ｍｌ／ｇを上廻り、かつ嵩密度が０．５〜１．５ｋｇ／ｌである、請求項１または２記載の触媒。
【請求項４】
無水マレイン酸を製造するための、鉄でドープされた触媒を製造する方法であって、次の工程：
ａ１）５価の燐化合物の存在で７５〜２０５℃への加熱下での５価のバナジウム化合物と有機還元性溶剤との反応、
ａ２）４０〜９０℃への反応混合物の冷却、
ａ３）燐酸Ｆｅ（ＩＩＩ）の添加および
ａ４）７５〜２０５℃への再度の加熱、
ｂ）形成されたバナジウム含有、燐含有、鉄含有および酸素含有の触媒先駆物質の単離、
ｃ）ＶＰＯ先駆物質の乾燥および／または予備温度調節、
ｄ）球状、環状またはシェル状の構造体への変換による成形、
ｅ）酸素、窒素、希ガス、二酸化炭素、一酸化炭素および／または水蒸気を含有する雰囲気中での加熱による形成されたＶＰＯ先駆物質の予備成形を含み、この場合この触媒活性物質は、０．００５〜０．０１の鉄／バナジウム原子比を有する、無水マレイン酸を製造するための、鉄でドープされた触媒を製造する方法。
【請求項５】
触媒活性物質は、０．００５〜０．０５未満の鉄／バナジウム原子比を有する、請求項４記載の方法。
【請求項６】
無水マレイン酸を製造するための、鉄でドープされた触媒を製造する方法であって、次の工程：
ａ）５価の燐化合物（例えば、オルト燐酸および／またはピロ燐酸）の存在で加熱下での５価のバナジウム化合物と有機還元性溶剤との反応、
ｂ）形成されたバナジウム含有、燐含有および酸素含有の触媒先駆物質の単離、
ｃ）ＶＰＯ先駆物質の乾燥および／または予備温度調節およびＶＰＯ先駆物質粉末と燐酸Ｆｅ（ＩＩＩ）との混合、
ｄ）球状、環状またはシェル状の構造体への変換による成形、
ｅ）酸素、窒素、希ガス、二酸化炭素、一酸化炭素および／または水蒸気を含有する雰囲気中での加熱による形成されたＶＰＯ先駆物質の予備成形を含み、この場合この触媒活性物質は、０．００５〜０．１の鉄／バナジウム原子比を有する、無水マレイン酸を製造するための、鉄でドープされた触媒を製造する方法。
【請求項７】
触媒活性物質は、０．００５〜０．０５未満の鉄／バナジウム原子比を有する、請求項６記載の方法。
【請求項８】
少なくとも４個の炭素原子を有する炭化水素を酸素含有ガスで不均一接触気相酸化することによって無水マレイン酸を製造する方法において、請求項１から３までのいずれか１項に記載の触媒を使用することを特徴とする、無水マレイン酸を製造する方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
特に好ましいのは、
ａ１）５価の燐化合物（例えば、オルト燐酸および／またはピロ燐酸）の存在で７５〜２０５℃、有利に１００〜１２０℃への加熱下での５価のバナジウム化合物（例えば、Ｖ2Ｏ5）と有機還元性溶剤（例えば、イソブタノール）との反応、
ａ２）好ましくは４０〜９０℃への反応混合物の冷却、
ａ３）燐酸鉄（ＩＩＩ）の添加および
ａ４）７５〜２０５℃、有利に１００〜１２０℃への再度の加熱、
ｂ）形成されたバナジウム含有、燐含有、鉄含有および酸素含有の触媒先駆物質の単離、
ｃ）ＶＰＯ先駆物質の乾燥および／または予備熱処理、場合によってはＶＰＯ先駆物質からの付加的な脱水によって開始される予備成形、
ｄ）例えば、球状、環状またはシェル状の構造体への変換による成形、
ｅ）例えばＷＯ  ０３０７８３１０、第２０頁、第１６行〜第２１頁、第３５行の記載と同様に、酸素、窒素、希ガス、二酸化炭素、一酸化炭素および／または水蒸気を含有する雰囲気中での加熱による、形成されたＶＰＯ先駆物質の予備成形によって製造可能な触媒である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年8月27日(2012.8.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項７】
リン酸三カルシウムセラミック相、ポリビニルアルコールヒドロゲル流動体相、および薬物、細胞培養物またはその組み合わせから選ばれる生物活性剤からなる注射可能な複合材料。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月26日(2012.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空間力関数に関連した位置及び極性を各々が有する複数の磁気フィールドエミッション源（１０４）からなるアレイと、
前記磁気フィールドエミッション源のアレイのうちの少なくとも１つ磁気フィールドエミッション源に関連付けられ、前記空間力関数を変える電流を発生する少なくとも１つの電流源（２１０）と、
を備える磁気フィールドエミッション構造体において、
前記アレイにおける前記少なくとも１つの磁気フィールドエミッション源が、非磁化状態、Ｓ−Ｎ極性の磁化状態及びＮ−Ｓ極性の磁化状態のうちの少なくとも１つの状態を常に有する電気永久磁石（electro-permanent magnet）（２１２）を備え、
前記電流が電気パルス（２１６）を含み、この電気パルス（２１６）が、当該電気パルスの方向に基づいて前記電気永久磁石（２１２）の前記状態を変えることを特徴とする、磁気フィールドエミッション構造体。
【請求項２】
前記少なくとも１つの磁気フィールドエミッション源は、前記少なくとも１つの電流源（２１０）に結合された導電性要素（２１４）に関連付けられており、前記導電性要素（２１４）は、前記磁気フィールドエミッション源（１０４）のアレイのうちの前記少なくとも１つの磁気フィールドエミッション源の磁気状態を変えるに十分な電流量を流す、請求項１に記載の磁気フィールドエミッション構造体。
【請求項３】
前記導電性要素（２１４）は少なくとも１つの巻線を備える、請求項２に記載の磁気フィールドエミッション構造体。
【請求項４】
前記少なくとも１つの電流源（２１０）は、前記磁気フィールドエミッション源のアレイで構成される列又は前記磁気フィールドエミッション源のアレイで構成される行のうちの少なくとも１つに関連付けられている、請求項１に記載の磁気フィールドエミッション構造体。
【請求項５】
前記磁気フィールドエミッション源のアレイの列又は前記磁気フィールドエミッション源のアレイの行のうちの前記少なくとも１つは、前記磁気フィールドエミッション源のアレイのうちの１つの磁気フィールドエミッション源に対応している、請求項４に記載の磁気フィールドエミッション構造体。
【請求項６】
コントローラ（２０２）が、電流方向スイッチ（２０６）に電流方向制御信号を出力するとともに、パルス発生器（２１０）にパルストリガ信号（２０８）を出力し、
前記パルス発生器（２１０）は、該パルス発生器（２１０）が前記パルストリガ信号（２０８）を受信したときに前記電流方向制御信号（２０４）により定められる方向において前記導電性要素（２１４）を通して前記電気永久磁石（２１２）の周りに移動する電気パルス（２１６）を生成する、請求項１に記載の磁気フィールドエミッション構造体。
【請求項７】
少なくとも１つの電流源（２１０）を、空間力関数に対応する位置及び極性を各々が対応して有する複数の磁気フィールドエミッション源（１０４）からなるアレイのうちの少なくとも１つの磁気フィールドエミッション源と関連付けるステップと、
前記空間力関数を変えるように、前記磁気フィールドエミッション源（１０４）のアレイの前記少なくとも１つの磁気フィールドエミッション源に関連付けられた電流を発生するステップと、
を含む、磁気フィールドエミッション構造体を作る方法において、
前記アレイにおける前記少なくとも１つの磁気フィールドエミッション源が、非磁化状態、Ｓ−Ｎ極性の磁化状態及びＮ−Ｓ極性の磁化状態のうちの少なくとも１つの状態を常に有する電気永久磁石（２１２）を備え、
前記電流が電気パルス（２１６）を含み、この電気パルス（２１６）が、当該電気パルスの方向に基づいて前記電気永久磁石（２１２）の前記状態を変えることを特徴とする、方法。
【請求項８】
前記少なくとも１つの磁気フィールドエミッション源を、前記少なくとも１つの電流源に結合され、前記磁気フィールドエミッション源のアレイのうちの前記少なくとも１つの磁気フィールドエミッション源の磁気状態を変えるに十分な電流量を流す導電性要素と関連付けるステップを更に含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記導電性要素は少なくとも１つの巻線を備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの電流源を、前記磁気フィールドエミッション源のアレイで構成される列又は前記磁気フィールドエミッション源のアレイで構成される行のうちの少なくとも１つと関連付けるステップを更に含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記磁気フィールドエミッション源の列又は前記磁気フィールドエミッション源のアレイの行のうちの前記少なくとも１つは、前記磁気フィールドエミッション源のアレイの１つの磁気フィールドエミッション源に対応している、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月6日(2012.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス半導体構成素子において、
該オプトエレクトロニクス半導体構成素子は、
−  殊にマトリクス状に配置され、ビームを放射し、かつ共通の支持体（１）に載置されている複数の半導体チップ（２）と、
−  当該の半導体チップ（２）から放射される電磁ビームを変換するために当該の少なくとも１つの半導体チップ（２）に従属される少なくとも１つの変換素子（３）と、
−  前記の半導体チップ（２）から放射される電磁ビームを拡散させて散乱させるために各半導体チップ（２）に続く少なくとも１つの散乱素子（４）とを有しており、
− 前記の少なくとも１つの散乱素子（４）は、光散乱シート（４３）または光散乱板（４１）であり、
−  前記の散乱素子（４）は、変換素子（３）と直接接触接続していることを特徴とする、
オプトエレクトロニクス半導体構成素子。
【請求項２】
前記の光散乱シート（４３）は、１０ないし５０μｍの厚さを有する、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体構成素子。
【請求項３】
前記の光散乱板（４１）は、５００μｍないし１ｍｍの厚さを有する、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体構成素子。
【請求項４】
隣り合う半導体チップの側方の間隔は、１０ないし１５０μｍである、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体構成素子。
【請求項５】
前記の少なくとも１つの散乱素子（４）は、マトリクス材料によって構成されており、
当該のマトリクス材料に前記のビーム散乱粒子が入れられている、
請求項１から４までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体構成素子。
【請求項６】
少なくとも１つのビームを散乱させる粒子は、以下の材料、すなわち
ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，ＴｉＯ2またはＡｌxＯy
のうちの少なくとも１つから構成されるか、当該の材料のうちの１つを含む、
請求項５に記載のオプトエレクトロニクス半導体構成素子。
【請求項７】
前記のマトリクス材料におけるビーム散乱粒子の濃度は、１重量％よりも大きい、
請求項５または６に記載のオプトエレクトロニクス半導体構成素子。
【請求項８】
前記の少なくとも１つの散乱素子（４）は、マイクロ構造が導入されているマトリクス材料から構成されている、
請求項１から７までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体構成素子。
【請求項９】
各半導体チップ（２）にはちょうど１つの散乱素子（４）が従属しており、
当該の散乱素子（４）は、前記の半導体チップ（２）に対応付けられている変換素子（３）から側方に突き出ている、
請求項１から８までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体構成素子。
【請求項１０】
前記の半導体チップにはちょうど１つの散乱素子（４）が従属しており、
当該の散乱素子は、すべての半導体チップ（２）を覆っており、
前記の散乱素子（４）は、関連するビーム出射面を有する、
請求項１から９までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体構成素子。
【請求項１１】
−  支持素子（６）を準備するステップと、
−  第１スクリーン印刷プロセスを用いて前記の変換素子（３）に少なくとも１つの変換素子（３）を構成するステップと、
−  第２スクリーン印刷プロセスを用いて前記の少なくとも１つの変換素子（３）の覆われていない外側面に少なくとも１つの散乱素子（４）を構成するステップと、
−  前記の支持素子（６）を剥離するステップと、
−  前記の少なくとも１つの変換素子（３）および少なくとも１つの散乱素子（４）からなる結合体を少なくとも１つのビーム放射半導体チップ（２）に載置するステップとを有することを特徴とする、
オプトエレクトロニクス半導体構成素子を作製する方法。
【請求項１２】
請求項１から１０までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体構成素子を作製する、
請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月16日(2012.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザ装置、UE、またはインターネットプロトコル、IP、エッジノードにより、ホームゲートウェイ、HGW、によって送信された双方向フォワーディング検出、BFD、メッセージを受信するステップを有し、前記BFDメッセージに含まれる第１識別子フィールド値は、前記UEのIPアドレスプレフィックスと前記HGWのIPアドレスプレフィックスとの間の差であり、
前記UEまたはIPエッジノードにより、前記BFDメッセージ内の第１識別子フィールド値に従って前記IPエッジノードと前記UEとの間のIPセッションがキープアライブされているかどうかを監視するステップをさらに有し、
前記UEは前記HGWを介して前記IPエッジノードに接続されることを特徴とするIPセッションキープアライブ監視方法。
【請求項２】
前記IPエッジノードと前記UEとの間のIPセッションがキープアライブされているかどうかを監視するステップは、
前記BFDメッセージ内の第１識別子フィールド値に従って前記第１識別子フィールド値に対応するBFDセッションがキープアライブされているかどうかを判定し、前記BFDセッションがキープアライブされているかどうかに従って前記BFDセッションに関連付けられるIPセッションがキープアライブされているかどうかを判定するステップを有する請求項１に記載のIPセッションキープアライブ監視方法。
【請求項３】
前記BFDメッセージは第２識別子フィールド値をさらに備え、前記第２識別子フィールド値は「0」または「0xFFFF」である請求項１または２に記載のIPセッションキープアライブ監視方法。
【請求項４】
前記HGWまたは前記IPエッジノードにより、前記BFDメッセージ内の第２識別子フィールド値に従って前記IPエッジノードと前記HGWとの間のIPセッションがキープアライブされているかどうかを監視するステップをさらに有する請求項３に記載のIPセッションキープアライブ監視方法。
【請求項５】
前記UEまたはIPエッジノードにより、HGWによって送信されたBFDメッセージを受信するステップの前に、
前記HGWにより、前記BFDメッセージ内に含まれる第１識別子フィールド値を前記UEのIPアドレスプレフィックスと前記HGWのIPアドレスプレフィックスとの間の差に修正し、前記修正されたBFDメッセージを前記UEまたは前記IPエッジノードに転送するステップをさらに有する請求項１または２に記載のIPセッションキープアライブ監視方法。
【請求項６】
ホームゲートウェイ、HGW、であって、
ユーザ装置、UE、またはインターネットプロトコル、IP、エッジノードによって送信された双方向フォワーディング検出、BFD、メッセージを受信するように構成された受信モジュール(11)を備え、前記UEは前記HGWを介して前記IPエッジノードに接続され、
前記受信モジュールによって受信されたBFDメッセージに従って第１識別子フィールド値を含むBFDメッセージを前記IPエッジノードまたは前記UEに送信するように構成された転送モジュール(12)を備え、前記第１識別子フィールド値は前記UEのIPアドレスプレフィックスと前記HGWのIPアドレスプレフィックスとの間の差であることを特徴とするHGW。
【請求項７】
前記受信モジュールによって受信されたBFDメッセージを、前記第１識別子フィールド値を備えるBFDメッセージに修正するように構成されたプロキシモジュール(13)をさらに備える請求項６に記載のHGW。
【請求項８】
第２識別子フィールド値を備えるBFDメッセージを前記IPエッジノードに送信するように構成された送信モジュール(14)をさらに備え、前記第２識別子フィールド値は「0」または「0xFFFF」である請求項６または７に記載のHGW。
【請求項９】
前記プロキシモジュール(13)は、IPセッションの１つのホップの診断コードまたは近隣者到達不可能性検出、NUD、状態を収集し、前記BFDメッセージを通じて前記診断コードまたは前記NUD状態をIPセッションの他のホップ内のセッションピアに送信するようにさらに構成された請求項７に記載のHGW。
【請求項１０】
ネットワーク装置であって、
ホームゲートウェイ、HGW、によって送信された双方向フォワーディング検出、BFD、メッセージを受信するように構成された受信モジュール(21)を備え、前記BFDメッセージに含まれる第１識別子フィールド値はユーザ装置、UE、のインターネットプロトコル、IP、アドレスプレフィックスと前記HGWのIPアドレスプレフィックスとの間の差であり、
前記BFDメッセージ内の第１識別子フィールド値に従ってIPエッジノードと前記UEとの間のIPセッションがキープアライブされているかどうかを監視するように構成された処理モジュール(22)をさらに備え、
前記ネットワーク装置は前記IPエッジノードであり、
前記UEは前記HGWを介して前記IPエッジノードに接続されることを特徴とするネットワーク装置。
【請求項１１】
前記処理モジュール(22)は、前記BFDメッセージ内の第１識別子フィールド値に従って前記第１識別子フィールド値に対応するBFDセッションがキープアライブされているかどうかを判定し、前記BFDセッションがキープアライブされているかどうかに従って前記BFDセッションに関連付けられるIPセッションがキープアライブされているかどうかを判定するようにさらに構成された請求項１０に記載のネットワーク装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月2日(2012.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）コラーゲンとその誘導体の少なくともいずれか、
（ｂ）キトサンと約５０％までのアセチル化度をもつそのアセチル誘導体の少なくともいずれか、
（ｃ）グリコシルアミノグリカンとその誘導体の少なくともいずれか、並びに
（ｄ）皮膚細胞の成長を促進させることができる少なくとも１種のペプチド、および
（ｅ）（ｉ）糖タンパク質１、
（ii）糖タンパク質２、
（iii）朝鮮ニンジン抽出物および、
（iv）トクサ抽出物、
を含む組成物、
の少なくともいずれか、
を含んでなる物質を組み合わせる方法により得られる、化粧品または皮膚科学的調製物。
【請求項２】
（ａ）がタイプ１、３、４と５から選択される１種以上のコラーゲンを含んでなる、請求項１の調製物。
【請求項３】
（ｂ）が約８０，０００ｇ／モル〜約１５，０００，０００ｇ／モルの分子量をもつキトサンを含んでなる、請求項１〜２のいずれか１項の調製物。
【請求項４】
（ｃ）がコンドロイチン４−硫酸とコンドロイチン６−硫酸のいずれかを含んでなる、請求項１〜３のいずれか１項の調製物。
【請求項５】
調製物が（ｄ）を含んでなる、請求項１〜４のいずれか１項の調製物。
【請求項６】
調製物が（ｅ）を含んでなる、請求項１〜５のいずれか１項の調製物。
【請求項７】
（ｄ）が少なくとも１種の増殖因子模倣オリゴペプチドを含んでなる、請求項１〜６のいずれか１項の調製物。
【請求項８】
（ｄ）がオリゴペプチド−２１またはその一部を含んでなる、請求項１〜７のいずれか１項の調製物。
【請求項９】
（ii）、（iii）および（iv）の総量に対する（ｉ）の重量比が約２５：７５である、請求項１〜８のいずれか１項の調製物。
【請求項１０】
（ｅ）が、（ｅ）の総重量の約０．３％〜約１．２重量％の総量の（ｉ）、（ii）、（iii）および（iv）を含んでなる、請求項１〜９のいずれか１項の調製物。
【請求項１１】
（ｉ）、（ii）、（iii）および（iv）が、調製物の総重量の約０．０００１％〜約１重量％の総量で使用される、請求項１〜１０のいずれか１項の調製物。
【請求項１２】
調製物が更に、１種以上の皮膚細胞の培地を含んでなる、請求項１〜１１のいずれか１項の調製物。
【請求項１３】
皮膚細胞の培地がＤＭＥＭ／ＨＡＭ  Ｆ１２（１：１）とＭＣＤＢ  １５３の少なくともいずれかを含んでなる、請求項１２の調製物。
【請求項１４】
調製物が更に、Ｑ１０、アルファ−グルコシルルチン、アルファ−ヒドロキシ酸、オロチン酸Ｚｎ、カルニチン、クレアチンおよびタウリンのうちの少なくともいずれかを含んでなる、請求項１〜１３のいずれか１項の調製物。
【請求項１５】
調製物が、調製物の総重量の少なくとも約３０重量％の水を含んでなる、請求項１〜１４のいずれか１項の調製物。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか１項の調製物を含んでなり、そして水性ゲル、Ｏ／Ｗエマルション、Ｗ／Ｏ／Ｗエマルション、Ｗ／Ｏエマルション、ミクロエマルションおよび化粧品スティックから選択される、化粧品または皮膚科学的製品。
【請求項１７】
傷害を受けた皮膚と疾病に罹った皮膚の少なくともいずれかおよび／または創傷に適用する医薬品の製造のための請求項１〜１５のいずれか１項の調製物の使用方法。
【請求項１８】
（ｉ）コラーゲンとその誘導体の少なくともいずれか、（ii）キトサンと、５０％までのアセチル化度を有するその誘導体の少なくともいずれか、（iii）グリコシルアミノグリカンとその誘導体の少なくともいずれか、および（iv）皮膚細胞の増殖を促進することができる少なくとも１種のペプチド、を含んでなる、化粧品または皮膚科学的調製物を調製する方法であって、
（ａ）水と（ｉ）とを含んでなる溶液を提供し、
（ｂ）（ii）を（ａ）の溶液に添加して混合物を形成し、そして
（ｃ）（iii）を（ｂ）の混合物に添加して更なる混合物を形成し、そして
（ｄ）（iv）を、（ａ）〜（ｃ）に従う溶液と混合物の１種以上と混合する方法、
を含んでなる方法。
【請求項１９】
（iv）が（ｃ）の混合物と合わされる、請求項１８の方法。
【請求項２０】
（ｄ）が約４０℃を超えない温度で実施される、請求項１８〜１９のいずれか１項の方法。
【請求項２１】
更に、（ｅ）（ｄ）の混合物を凍結乾燥して、エアロゲルを提供する工程を含んでなる、請求項１８〜１９のいずれか１項の方法。
【請求項２２】
更に、エアロゲルを、化粧品または皮膚科学的調製物の水相、有効成分相および培地相の少なくともいずれかの中に導入することにより、（ｅ）のエアロゲルをヒドロゲルに転化させる工程を含んでなる、請求項２１の方法。
【請求項２３】
（Ａ）皮膚細胞の増殖を促進することができる少なくとも１種のペプチド、並びに
（Ｂ）（ｉ）糖タンパク質１、
（ii）糖タンパク質２、
（iii）朝鮮ニンジン抽出物、および
（iv）トクサ抽出物、
を含んでなる組成物、
を含んでなる、化粧品または皮膚科学的調製物。
【請求項２４】
（Ａ）がオリゴペプチド−２１またはその一部を含んでなる、請求項２３の調製物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月28日(2012.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
修正ロングタームエボリューション（ＬＴＥ）ダウンリンクフレームを送信するローカルエリアネットワークゲートウェイであって、そこで、チャンネル推定用にパイロットシンボルを送信するために、ＬＴＥダウンリンクフレーム内で使用される所定のサブセットのパイロットシンボル位置が、制御データシンボルを保持し、前記ＬＴＥダウンリンクフレームの各々のデータ容量を増加させるために使用される、ローカルエリアネットワークゲートウェイと、
前記修正ＬＴＥダウンリンクフレームを受信し、かつ前記所定のサブセットのパイロットシンボル位置から前記制御データシンボルを抽出するデータ受信装置と、
を備える、無線ローカルエリアネットワーク。
【請求項２】
前記ローカルエリアネットワークゲートウェイが、利用可能なＴＶホワイトスペーススペクトルを介して、前記修正ＬＴＥダウンリンクフレームを送信するためのＴＶホワイトスペース送受信機を備える、請求項１に記載の無線ローカルエリアネットワーク。
【請求項３】
前記ローカルエリアネットワークゲートウェイが、ＴＶ帯域無線信号を検出するためのアンテナを装備したスペクトル検出装置をさらに備える、請求項２に記載の無線ローカルエリアネットワーク。
【請求項４】
前記ローカルエリアネットワークゲートウェイが、前記スペクトル検出装置から、検出された前記ＴＶ帯域無線信号に関する情報を受信し、かつ前記修正ＬＴＥダウンリンクフレームを送信するために利用可能なＴＶホワイトスペーススペクトルを選択するスペクトルマネージャをさらに備える、請求項３に記載の無線ローカルエリアネットワーク。
【請求項５】
前記データ受信装置が、前記ローカルエリアネットワークゲートウェイによって送信された前記修正ＬＴＥダウンリンクフレームを受信するためのＴＶホワイトスペース受信機を備える、請求項２に記載の無線ローカルエリアネットワーク。
【請求項６】
前記データ受信装置が、前記修正ＬＴＥダウンリンクフレームを復調し、かつ前記所定のサブセットのパイロット位置から前記制御データシンボルを抽出するフレームプロセッサをさらに備える、請求項１に記載の無線ローカルエリアネットワーク。
【請求項７】
前記データ受信装置が、前記修正ＬＴＥダウンリンクフレーム内のパイロットシンボルを使用してチャンネル推定を計算するためのチャンネル推定器と、前記修正ＬＴＥダウンリンクフレーム内の受信された各シンボル位置でチャンネル推定を提供するため、周波数領域および時間領域で計算された前記チャンネル推定を補間する補間アルゴリズムとを備える、請求項１に記載の無線ローカルエリアネットワーク。
【請求項８】
修正ロングタームエボリューション（ＬＴＥ）ダウンリンクフレームを送信する送受信機を備え、そこで、前記ＬＴＥダウンリンクフレーム内でのチャンネル推定用に使用される所定のサブセットの前記パイロットシンボルが、前記ローカルエリアネットワーク内のデータ受信装置への制御情報を保持する制御データシンボルと置換される、ローカルエリアネットワークゲートウェイ。
【請求項９】
前記送受信機が、前記修正ＬＴＥダウンリンクフレームを送信するためにＴＶホワイトスペーススペクトルを使用するＴＶホワイトスペース送受信機である、請求項８に記載のローカルエリアネットワークゲートウェイ。
【請求項１０】
ＴＶ帯域無線信号を検出するためのアンテナを装備したスペクトル検出装置をさらに備える、請求項９に記載のローカルエリアネットワークゲートウェイ。
【請求項１１】
前記スペクトル検出装置から検出された前記ＴＶ帯域無線信号に関する情報を受信し、かつ前記修正ＬＴＥダウンリンクフレームを送信するために利用可能なＴＶホワイトスペーススペクトルを選択するスペクトルマネージャをさらに備える、請求項１０に記載のローカルエリアネットワークゲートウェイ。
【請求項１２】
ローカルエリアネットワークゲートウェイによって送信された修正ＬＴＥダウンリンクフレームを処理し、かつ前記修正ＬＴＥダウンリンクフレーム内の制御データを保持するために使用される所定のサブセットのパイロットシンボル位置から制御データシンボルを抽出するロングタームエボリューション（ＬＴＥ）フレームプロセッサを備える、ローカルエリアネットワーク内のデータ受信装置。
【請求項１３】
前記修正ＬＴＥダウンリンクフレームを受信するＴＶホワイトスペース受信機に接続されたアンテナをさらに備える、請求項１２に記載のデータ受信装置。
【請求項１４】
前記所定のサブセット内に含まれない修正ダウンリンクフレーム内のパイロット位置に送信されたパイロットシンボルを用いてチャンネル推定を計算するチャンネル推定器をさらに備える、請求項１３に記載のデータ受信装置。
【請求項１５】
前記チャンネル推定器が、前記修正ＬＴＥダウンリンクフレーム内の各受信されたシンボル位置でチャンネル推定を提供するため、周波数領域および時間領域で計算された前記チャンネル推定を補間するチャンネル推定補間アルゴリズムをさらに備える、請求項１４に記載のデータ受信装置。
【請求項１６】
無線ローカルエリアネットワーク内でのデータ通信の方法であって、
修正ロングタームエボリューション（ＬＴＥ）ダウンリンクフレームを、前記無線ローカルエリアネットワーク内で送信することであって、そこで、チャンネル推定用にパイロットシンボルを送信するために、ＬＴＥダウンリンクフレーム内でそうでなければ使用される所定のサブセットの前記パイロットシンボル位置が、制御データシンボルを保持し、前記ＬＴＥダウンリンクフレームの各々のデータ容量を増加させるために使用されることと、
前記修正ＬＴＥダウンリンクフレームのうち１つの前記無線ローカルエリアネットワーク内のデータ受信装置における受信の際に、前記修正ＬＴＥダウンリンクフレームを復調し、かつ前記制御データシンボルを前記パイロットシンボル位置の前記所定のサブセットから抽出することと、
を含む、方法。
【請求項１７】
前記修正ＬＴＥダウンリンクフレームを、利用可能なＴＶホワイトスペーススペクトルを使用して送信することをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
ＴＶ帯域無線信号を検出することと、前記修正ＬＴＥダウンリンクフレームを送信するために未使用のＴＶホワイトスペーススペクトルを選択することとをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
少なくとも１つのソースデータパケットを前記修正ＬＴＥダウンリンクフレームに挿入することをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記パイロットシンボル位置の前記所定のサブセットから前記制御データシンボルを抽出した後、前記データ受信装置が、ソースデータパケットを求めて前記修正ＬＴＥダウンリンクフレームを検査する、請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月28日(2012.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイス管理（ＤＭ）サーバ（２１０）から、ユーザ機器（ＵＥ）（１１５）上のＤＭクライアント（２２０）における通信（２１４）を受信することであって、該通信（２１４）は、該ＵＥ（１１５）上のＤＭツリー（１２０）に変更するように命令する、ことと、
該通信（２１４）に基づいて、該ＤＭツリー（１２０）を修正すること（２２０）と、
該ＤＭツリー（１２０）に対してなされた該変更を示すデルタ記録（１３０、２３０）を生成することと、
該デルタ記録（１３０、２３０）を該ＤＭサーバ（２１０）に送信すること（２５０）と
を含む、方法。
【請求項２】
前記デルタ記録を前記ＵＥに格納することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
生成することは、識別子を前記デルタ記録に関連付けることを含み、該識別子は、シーケンス番号およびタイムスタンプのうちの少なくとも１つである、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記ＤＭツリーの状態に関する要求を前記ＤＭサーバ（２１０）から受信することをさらに含み、前記送信することが、該要求に応答して行われる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記変更は、管理オブジェクト（ＭＯ）を前記ＤＭツリーに追加することと、ＭＯを該ＤＭツリーから削除することと、該ＤＭツリーのＭＯの値を更新することとのうちの１つを含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記ＤＭクライアント、ＤＭサーバ、ＤＭツリーは、オープンモバイルアライアンス（ＯＭＡ）  ＤＭ仕様に準拠する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法を行うように構成されているデバイス管理（ＤＭ）クライアントを備える、ユーザ機器。
【請求項８】
デバイス管理（ＤＭ）サーバ（１０５）において、ユーザ機器（ＵＥ）（１１５）上のＤＭツリー（１２０）に変更を命令する通信（２１４）を生成することと、
該ＵＥ（１１５）上の該ＤＭツリー（１２０）を管理するＤＭクライアント（２２０）に該通信を送信することと、
該ＤＭツリーに対してなされた該変更を示すデルタ記録（１３０、２３０）を該ＤＭクライアント（２２０）から受信することと
を含む、方法。
【請求項９】
前記デルタ記録が識別子を含み、該識別子は、該デルタ記録を読み取るために前記ＤＭサーバによって使用可能である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記識別子は、シーケンス番号およびタイムスタンプのうちの少なくとも１つを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ＤＭツリーの状態を読み出すために前記ＤＭクライアントに要求を送信することをさらに含み、前記受信することが、該要求に対して起こる、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記デルタ記録に基づいて、第２のＤＭツリーを更新すること（２６０）をさらに含む、請求項８〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記変更は、管理オブジェクト（ＭＯ）を前記ＤＭツリーに追加することと、ＭＯを該ＤＭツリーから削除することと、該ＤＭツリーのＭＯの値を更新することとのうちの１つを含む、請求項８〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記ＤＭクライアント、ＤＭサーバ、ＤＭツリーは、オープンモバイルアライアンス（ＯＭＡ）  ＤＭ仕様に準拠する、請求項８〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
請求項８〜１４のいずれか１項に記載の方法を行うように適合されているデバイス管理（ＤＭ）サーバを備える、ネットワーク構成要素。
【請求項１６】
命令が格納された有形コンピュータ読み取り可能媒体であって、該命令は、コンピューティングデバイスによって実行された場合に、請求項１〜６および請求項８〜１４のいずれか１項に記載の方法を実行することを該コンピューティングデバイスに行わせる、有形コンピュータ読み取り可能媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月9日(2012.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データメモリモジュール（２）と、保持又は持ち運び装置（３）とを備え、
前記データメモリモジュール（２）は、不揮発性の、再書込み可能な半導体メモリ（４）と、通信モジュール（７）をもつアクセスコントローラ（５）とを有し、前記通信モジュール（７）は、通信インタフェース（８）とさらに接続され、
前記保持又は持ち運び装置（３）は、接触検出ユニット（１６）を有し、
前記データメモリモジュール（２）は、前記接触検出ユニット（１６）を評価するように設計されて前記半導体メモリ（４）及び／又は前記アクセスコントローラ（５）と接続される割り当て監視モジュール（６）をさらに有する、
携帯用データメモリ（１）。
【請求項２】
前記保持又は持ち運び装置（３）は、日常の使用に係る物、特に宝飾品である、請求項１に記載の携帯用データメモリ。
【請求項３】
前記保持又は持ち運び装置（３）は、カフスタイプの装置である、請求項１又は２に記載の携帯用データメモリ。
【請求項４】
前記接触検出ユニット（１６）はスイッチ接点を有する、請求項１〜３の何れか一項に記載の携帯用データメモリ。
【請求項５】
前記接触検出ユニット（１６）は誘電測定装置を有する、請求項１〜４の何れか一項に記載の携帯用データメモリ。
【請求項６】
前記接触検出ユニット（１６）は光伝送ユニット及び／又は光反射ユニットを有する、請求項１〜５の何れか一項に記載の携帯用データメモリ。
【請求項７】
前記接触検出ユニット（１６）は圧電信号伝送器を有する、請求項１〜６の何れか一項に記載の携帯用データメモリ。
【請求項８】
前記半導体メモリ（４）は、自動的にメモリの内容を消去するように設計された装置（１５）を有する、請求項１〜７の何れか一項に記載の携帯用データメモリ。
【請求項９】
前記半導体メモリ（４）は電気的に消去可能な読み出し／書き込みメモリである、請求項１〜８の何れか一項に記載の携帯用データメモリ。
【請求項１０】
前記割り当て監視モジュール（６）は電気エネルギー用のストレージ（１２）を有する、請求項１〜９の何れか一項に記載の携帯用データメモリ。
【請求項１１】
前記割り当て監視モジュール（６）は電圧パルスを発するように構成される、請求項１〜１０の何れか一項に記載の携帯用データメモリ。
【請求項１２】
前記通信インタフェース（８）は、通信センタ（１０）との無線通信リンク（９）を確立するように構成される、請求項１〜１１の何れか一項に記載の携帯用データメモリ。
【請求項１３】
前記無線通信リンク（９）は、人の皮膚の表面である、請求項１２に記載の携帯用データメモリ。
【請求項１４】
前記無線通信リンク（９）は、高周波数の無線リンクである、請求項１２に記載の携帯用データメモリ。
【請求項１５】
前記通信インタフェース（８）は、データ及び電気エネルギーを伝送するように構成される、請求項１〜１４の何れか一項に記載の携帯用データメモリ。
【請求項１６】
前記データメモリモジュール（２）は、電気エネルギー用のストレージ（１１）を有する、請求項１〜１５の何れか一項に記載の携帯用データメモリ。
【請求項１７】
前記データメモリモジュール（１１）は、主に有機半導体のコンポーネントで構成される、請求項１〜１６の何れか一項に記載の携帯用データメモリ。
【請求項１８】
個人に関連した参照特徴が、前記データメモリモジュールに格納される、請求項１〜１７の何れか一項に記載の携帯用データメモリ。
【請求項１９】
一連の個人に関連した特徴が、前記データメモリモジュールに格納される、請求項１〜１８の何れか一項に記載の携帯用データメモリ。
【請求項２０】
請求項１〜１９の何れか一項に記載の携帯用データメモリに個人に関連する情報を格納する方法であって、
通信センタが、通信インタフェースを介して前記データメモリに格納された情報にアクセスすることができ、
個人に対する前記携帯用データメモリの割り当てが失われることが検出される、方法。
【請求項２１】
前記割り当てが失われると、前記データメモリに格納された前記情報が自動的に消去される、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記割り当てが失われると、前記情報にアクセス可能になる前に個人が認証される、請求項２０又は２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記割り当てが失われると、前記格納された情報へのアクセスが妨げられる、請求項２０〜２２の何れか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月1日(2012.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エアロゾル中の粒子のサイズを求める装置であって、 
集束粒子ストリームを生成して、粒子サイズの関数となる終端速度に粒子を加速させるエアロゾルビーム発生器と、 
前記集束粒子ストリームに垂直な面において一定の幅のレーザビームを生成し、それにより、当該ビームを通過する粒子に、当該ビームを横切るのにかかる時間中、散乱光のパルスを生じさせる連続波サイジングレーザであって、前記時間が粒子の速度に比例するものとなる連続波サイジングレーザと、 
前記散乱光を電気パルスに変換する光学検出手段であって、前記電気パルスが、前記サイジングレーザビームの幅を粒子が通過する経過時間を示すために使用され得るものである光学検出手段とを備えることを特徴とする装置。 
【請求項２】
請求項１に記載の装置において、 
粒子組成を判定するための粒子分析手段をさらに備え、この粒子分析手段が前記連続波サイジングレーザの下流に配置されることを特徴とする装置。 
【請求項３】
請求項２に記載の装置において、 
前記分析手段が、 
タイミング回路からの電気パルスにより作動されるパルス脱離／イオン化レーザであって、レーザビームを粒子に当てて、粒子を脱離およびイオン化するパルス脱離／イオン化レーザと、 
脱離プロセスで生成されたイオンまたはその他の生成物から粒子の化学組成を判定するための分析手段とを備えることを特徴とする装置。 
【請求項４】
請求項１に記載の装置において、 
前記サイジングレーザビームと粒子ビームとが交差する位置には、前記光学検出手段に散乱光を導いて光の消失および不検出を防止する集束手段が設けられていることを特徴とする装置。 
【請求項５】
請求項１に記載の装置において、 
前記サイジングレーザビームが複数のファセットを有し、当該ビームの２つの平行面が前記粒子ストリームを横切るように構成されていることを特徴とする装置。 
【請求項６】
請求項２に記載の装置において、 
前記サイジングレーザビームと粒子ビームとが交差する位置には、前記光学検出手段に散乱光を導いて光の消失および不検出を防止する集束手段が設けられていることを特徴とする装置。 
【請求項７】
請求項２に記載の装置において、 
前記サイジングレーザビームが複数のファセットを有し、当該ビームの２つの平行面が前記粒子ストリームを横切るように構成されていることを特徴とする装置。 
【請求項８】
請求項３に記載の装置において、 
前記分析手段が質量分析計であることを特徴とする装置。 
【請求項９】
請求項３に記載の装置において、 
前記パルス脱離／イオン化レーザが、そのパルスビームが前記サイジングレーザビームの直下に位置するか、または前記サイジングレーザビームと部分的に重なり合うように、配置されていることを特徴とする装置。 
【請求項１０】
請求項１に記載の装置において、 
前記粒子サイズが、粒子の速度に基づいて計算手段により求められ、前記速度が、前記サイジングレーザビームを粒子が通過する経過時間に比例するものであり、そのビームの幅が前記粒子ビームに垂直な平面内にあり、サイズ−速度の較正が当該装置に固有のものであることを特徴とする装置。 
【請求項１１】
請求項３に記載の装置において、 
前記脱離／イオン化レーザのパルスビームが、前記サイジングレーザビームを通る粒子の通過の持続時間から求められる粒子速度と、前記サイジングレーザビームの底部から前記パルスレーザビームの経路までの距離との計算から生成される電気信号により作動されることを特徴とする装置。 
【請求項１２】
エアロゾル粒子のサイズを求める方法であって、 
エアロゾルビーム発生器の入口に粒子含有エアロゾルを導入するステップであって、前記エアロゾルビーム発生器が、集束粒子ストリームを生成して、粒子サイズの関数となる終端速度に粒子を加速させるものであるステップと、 
連続波サイジングレーザのレーザビームを超えて前記粒子ストリームを通過させるステップであって、前記ビームが、前記集束粒子ストリームに垂直な面において一定の幅のビームであり、それにより、通過する粒子に、当該ビームを横切るのにかかる時間中、散乱光のパルスを生じさせ、前記時間が粒子の速度に比例するものとなるステップと、 
散乱光を検出する光学検出手段により、前記散乱光から電気パルスを生じさせるステップとを備えることを特徴とする方法。 
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法において、 
前記粒子の組成が化学的な分析手段により判定されることを特徴とする方法。 
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法において、 
前記粒子の分析手段が、 
粒子ビームにパルス脱離／イオン化レーザを通過させて、それにより、レーザビームを粒子に当てて、粒子の脱離およびイオン化によりスペクトルを生じさせるステップと、 
生成されたスペクトルから粒子の化学組成を判定する分析手段に、そのように生成されたスペクトルを伝達するステップとを含むことを特徴とする方法。 
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法において、 
前記分析手段が質量分析計であることを特徴とする方法。 
【請求項１６】
請求項１２に記載の方法において、 
前記サイジングレーザビームが複数のファセットを有し、当該ビームの２つの平行面が前記粒子ストリームを横切るように構成されていることを特徴とする方法。 
【請求項１７】
請求項１２に記載の方法において、 
前記エアロゾルビーム発生器が、空気力学集束レンズスタックであり、集束手段が、前記光学検出手段に散乱光を導いて光の消失および不検出を防止するために、前記サイジングレーザビームと粒子ビームとの交差する位置に設けられていることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月12日(2012.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をコーティングする（１０）方法であって：
前記基板の表面を洗浄し（１６）；
前記表面を酸素プラズマで処理し（１８）；
前記処理ステップ後に、前記表面に接着促進剤を塗布し（２０）；
前記接着促進剤を塗布する（２０）前記ステップ後に、前記表面にハイブリッドコーティングを塗布し（２６）、前記ハイブリッドコーティングがオルガノシラン成分、金属アルコキシド成分及び界面活性剤成分を含み；
前記ハイブリッドコーティングを硬化させる（２８）
ステップを含む方法。
【請求項２】
前記基板が延伸アクリル製である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記酸素プラズマのヘッドが、前記表面から約０．７５インチの距離において約０．１インチ／秒の速さで移動する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記接着促進剤が、３−アミノプロピルトリエトキシシランの水溶液を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記接着促進剤を硬化させる（２２）ステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
塗布前に前記ハイブリッドコーティングを濾過する（１０８）ステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ハイブリッドコーティングが前記濾過ステップ（１０８）の前に加熱される（１０４）、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記オルガノシラン成分が、（３−グリシドキシプロピル）トリメトキシシランを含み、前記金属アルコキシド成分がアルミニウムｓ−ブトキシドを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ハイブリッドコーティングを作製する（１００）方法であって：
オルガノシラン、金属アルコキシド及び界面活性剤を含む混合物を調製し（１０２）；
前記混合物を加熱し（１０４）；
前記加熱ステップ（１０４）後に、前記混合物を濾過する（１０８）
ステップを含む方法。
【請求項１０】
前記濾過ステップ（１０８）の前及び前記加熱ステップ（１０４）の後に、前記混合物を冷却する（１０６）ステップをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
本発明のハイブリッドコーティングと、関連する塗布方法の様々な態様を示し説明してきたが、本明細書を読む際に当業者が修正例を発想することは可能である。本願はこのような修正例を含むものであり、請求項の範囲によってのみ限定されるものである。
また、本願は以下に記載する態様を含む。
（態様１）
オルガノシラン成分、金属アルコキシド成分及び界面活性剤成分の混合物を含むハイブリッドコーティング。
（態様２）
前記混合物が実質的に約１１μｍよりも大きい粒子を含まない、態様１に記載のハイブリッドコーティング。
（態様３）
前記オルガノシラン成分は、（３−グリシドキシプロピル）トリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ−アミノフェニルシラン、アリルトリメトキシシラン、ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルジイソプロピルエトキシシラン、（３−グリシドキシプロピル）メチルジエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、ｎ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、ビニルメチルジエトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン及びテトラエチルオルトケイ酸塩、及びこれらの組合せからなる群から選択される、態様１に記載のハイブリッドコーティング。
（態様４）
前記金属アルコキシドは、アルミニウムｓ−ブトキシド、アルミニウムｎ−ブトキシド、及びアルミニウムｔ−ブトキシドからなる群から選択される、態様１に記載のハイブリッドコーティング。
（態様５）  
前記金属アルコキシドは、セリウムＩＶイソプロポキシド、セリウムＩＶメトキシエトキシド及びセリウムＩＩＩ２、４−ペンタンジオナートからなる群から選択される、態様１に記載のハイブリッドコーティング。
（態様６）
前記界面活性剤成分は、直鎖一級脂肪族アルコキシル化アルコールを含む、態様１に記載のハイブリッドコーティング。
（態様７）
前記混合物に存在する前記金属アルコキシド成分の前記オルガノシラン成分に対するモル比は約２：１である、態様１に記載のハイブリッドコーティング。
（態様８）
前記混合物に存在する前記金属アルコキシド成分の前記界面活性剤成分に対するモル比は約７５：１である、態様１に記載のハイブリッドコーティング。
（態様９）
基板をコーティングする（１０）方法であって：
前記基板の表面を洗浄し（１６）；
前記表面を酸素プラズマで処理し（１８）；
前記処理ステップ後に、前記表面に接着促進剤を塗布し（２０）；
前記接着促進剤を塗布する（２０）前記ステップ後に、前記表面にハイブリッドコーティングを塗布し（２６）、前記ハイブリッドコーティングがオルガノシラン成分、金属アルコキシド成分及び界面活性剤成分を含み；
前記ハイブリッドコーティングを硬化させる（２８）
ステップを含む方法。
（態様１０）
前記基板が延伸アクリル製である、態様９に記載の方法。
（態様１１）
前記酸素プラズマのヘッドが、前記表面から約０．７５インチの距離において約０．１インチ／秒の速さで移動する、態様９に記載の方法。
（態様１２）
前記接着促進剤が、３−アミノプロピルトリエトキシシランの水溶液を含む、態様９に記載の方法。
（態様１３）
前記接着促進剤を硬化させる（２２）ステップをさらに含む、態様９に記載の方法。
（態様１４）
塗布前に前記ハイブリッドコーティングを濾過する（１０８）ステップをさらに含む、態様９に記載の方法。
（態様１５）
前記ハイブリッドコーティングが前記濾過ステップ（１０８）の前に加熱される（１０４）、態様１４に記載の方法。
（態様１６）
前記オルガノシラン成分が、（３−グリシドキシプロピル）トリメトキシシランを含み、前記金属アルコキシド成分がアルミニウムｓ−ブトキシドを含む、態様９に記載の方法。
（態様１７）
ハイブリッドコーティングを作製する（１００）方法であって：
オルガノシラン、金属アルコキシド及び界面活性剤を含む混合物を調製し（１０２）；
前記混合物を加熱し（１０４）；
前記加熱ステップ（１０４）後に、前記混合物を濾過する（１０８）
ステップを含む方法。
（態様１８）
前記混合物が前記加熱ステップ（１０４）の間に混ぜ合わされる、態様１７に記載の方法。
（態様１９）
前記濾過ステップ（１０８）の前及び前記加熱ステップ（１０４）の後に、前記混合物を冷却する（１０６）ステップをさらに含む、態様１７に記載の方法。
（態様２０）
前記加熱ステップ（１０４）が、前記混合物が透明になるまで前記混合物を加熱することを含む、態様１７に記載の方法。