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【手続補正書】
【提出日】平成26年1月8日(2014.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実行されると、
Ｗｅｂアプリケーションユーザーインターフェイスと、
前記Ｗｅｂアプリケーションユーザーインターフェイス内のコンテンツレンダリング領域と、
前記コンテンツレンダリング領域に隣接し、前記コンテンツレンダリング領域の上にあるコントロールレイアウト領域と
を備えるＷｅｂアプリケーションを実施するコンピューター可読命令を具体化する１つまたは複数のコンピューター可読記憶媒体であって、
前記コントロールレイアウト領域が、前記Ｗｅｂアプリケーションユーザーインターフェイスの上部にある単一の行に沿って分散された、選択したコントロールのサブセットを含むように構成され、
前記単一の行に沿って分散された前記選択したコントロールのサブセットのうちの１つが、入力フィールドを提供するナビゲーションコントロールを備え、前記単一の行に沿って分散された前記選択したコントロールのサブセットのうちの別の１つが、ユーザーが異なるコンテンツのビューを切り替えることを可能にする１つまたは複数のタブの形式の入力手段を備える、１つまたは複数のコンピューター可読記憶媒体。
【請求項２】
前記選択したコントロールのうちの前記１つがアドレスバーを備える、請求項１に記載の１つまたは複数のコンピューター可読記憶媒体。
【請求項３】
前記選択したコントロールのうちの前記１つが検索バーを備える、請求項１に記載の１つまたは複数のコンピューター可読記憶媒体。
【請求項４】
前記Ｗｅｂアプリケーションユーザーインターフェイスが、前記単一の行に沿って分散された、前記選択したコントロールの上に現れる他のナビゲーションコントロールを含まないように構成される、請求項１に記載の１つまたは複数のコンピューター可読記憶媒体。
【請求項５】
実行されると、
Ｗｅｂアプリケーションユーザーインターフェイスと、
前記Ｗｅｂアプリケーションユーザーインターフェイス内のコンテンツレンダリング領域と、
前記コンテンツレンダリング領域に隣接し、前記コンテンツレンダリング領域の上にあるコントロールレイアウト領域と
を備えるＷｅｂアプリケーションを実施するコンピューター可読命令を具体化する１つまたは複数のコンピューター可読記憶媒体であって、
前記コントロールレイアウト領域が、前記Ｗｅｂアプリケーションユーザーインターフェイスの上部にある単一の行に沿って分散された、選択したコントロールのサブセットを含むように構成され、
前記選択したコントロールが、戻るナビゲーションボタンおよび進むナビゲーションボタン、入力フィールドを提供する、前記単一の行に沿って分散されたナビゲーションコントロール、ならびにユーザーが異なるコンテンツのビューを切り替えることを可能にする、前記単一の行に沿って分散された、１つまたは複数のタブの形式の入力手段を備える、
１つまたは複数のコンピューター可読記憶媒体。
【請求項６】
入力フィールドを提供する前記ナビゲーションコントロールがアドレスバーを備える、請求項５に記載の１つまたは複数のコンピューター可読記憶媒体。
【請求項７】
入力フィールドを提供する前記ナビゲーションコントロールがアドレスバーを備え、前記１つまたは複数のタブのうちの１つがその中に前記アドレスバーを含むように構成される、請求項５に記載の１つまたは複数のコンピューター可読記憶媒体。
【請求項８】
入力フィールドを提供する前記ナビゲーションコントロールがアドレスバーを備え、前記Ｗｅｂアプリケーションが、前記１つまたは複数のタブを含むように構成されるタブバンドのサイズと前記アドレスバーとの比を選択し、前記Ｗｅｂアプリケーションに関連付けられたウィンドウサイズが縮小されると、コントロールを削除するように構成される、請求項５に記載の１つまたは複数のコンピューター可読記憶媒体。
【請求項９】
前記Ｗｅｂアプリケーションユーザーインターフェイスが、前記単一の行に沿って分散された、前記選択したコントロールの上に現れる他のナビゲーションコントロールを含まないように構成される、請求項５に記載の１つまたは複数のコンピューター可読記憶媒体。
【請求項１０】
前記選択したコントロールが、記載されたように左から右に、前記単一の行に沿って分散される、請求項５に記載の１つまたは複数のコンピューター可読記憶媒体。
【請求項１１】
前記選択したコントロールが、一群のユーザーにおけるそのコントロールに関連する使用頻度に従って単一の行に沿って分散される、請求項５に記載の１つまたは複数のコンピューター可読記憶媒体。
【請求項１２】
前記単一の行に沿った少なくともいくつかのコントロールの出現がユーザーカスタマイズ可能である、請求項５に記載の１つまたは複数のコンピューター可読記憶媒体。
【請求項１３】
コンピューティングデバイスであって、
前記コンピューティングデバイスによって実行されると、前記コンピューティングデバイスに、
Ｗｅｂアプリケーションユーザーインターフェイスと、
前記Ｗｅｂアプリケーションユーザーインターフェイス内のコンテンツレンダリング領域と、
前記コンテンツレンダリング領域に隣接し、前記コンテンツレンダリング領域の上にあるコントロールレイアウト領域と
を実施させるコンピューター実行可能命令を格納するコンピューター記憶媒体であって、
前記コントロールレイアウト領域が、前記Ｗｅｂアプリケーションユーザーインターフェイスの上部にある単一の行に沿って分散された、選択したコントロールのサブセットを含むように構成され、
前記選択したコントロールのサブセットが、前記単一の行に沿って分散された戻るナビゲーションボタンおよび進むナビゲーションボタン、ならびに前記単一の行に沿って分散された複数のタブを見せるように構成された少なくとも１つのタブバンドを備え、
前記Ｗｅｂアプリケーションユーザーインターフェイスが、前記単一の行に沿って分散された、前記選択したコントロールの上に出現するナビゲーションコントロールを含まないように構成される、
コンピューター記憶媒体を備える、コンピューティングデバイス。
【請求項１４】
前記コントロールレイアウト領域は、前記単一の行に沿って分散された少なくとも１つの他のナビゲーションコントロールを含むように構成される、請求項１３に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項１５】
前記ＷｅｂアプリケーションユーザーインターフェイスはＷｅｂブラウザーユーザーインターフェイスを備える、請求項１３に記載のコンピューティングデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月18日(2014.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
糖尿病前症、糖尿病、および／または糖尿病関連症状について被験体を評価する方法であって、前記被験体からの試料において少なくとも１つのバイオマーカーを測定するステップを含み、前記少なくとも１つのバイオマーカーがＣＤ５抗原様であることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記少なくとも１つのバイオマーカーが更に、ペルオキシレドキシン−２、タンパク質ＡＭＢＰ、および補体Ｃ１ｑサブコンポーネントサブユニットＢ、アポリポタンパク質Ｃ−ＩＩＩ、インスリン様増殖因子結合タンパク質３、アディポネクチン、補体因子Ｈ−関連タンパク質２、ヘモグロビンサブユニットベータ、アポリポタンパク質Ｂ−１００、スルフヒドリルオキシダーゼ１、補体成分Ｃ８ベータ鎖、及びアポリポタンパク質Ａ−ＩＶ、からなるバイオマーカーのリストから選択されるバイオマーカーを含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、前記少なくとも１つのバイオマーカーが、更に、アポリポタンパク質Ａ−ＩＶ及びインスリン様増殖因子結合タンパク質３からなる群から選択されるバイオマーカーを含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法において、前記少なくとも１つのバイオマーカーが更に、アポリポタンパク質Ａ−ＩＶと、インスリン様増殖因子結合タンパク質３を含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法において、前記被験体からの試料中の少なくとも１つのバイオマーカーを測定するステップが、前記少なくとも１つのバイオマーカーのペプチド断片を検出するステップを具えることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法において、前記ペプチド断片が、５−２５アミノ酸ペプチド断片であることを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の方法において、前記ペプチド断片が、配列番号１−２０からなる群から選択されることを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれか１項に記載の方法において、前記ペプチド断片が、配列番号２、３、４、５、１６、及び１７からなる群から選択されることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項５乃至８のいずれか１項に記載の方法において、前記ペプチド断片が、質量分析法を用いて検出されることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の方法において、前記被検体が、糖尿病性ネフロパシーに対して無症状であるか、糖尿病性ネフロパシーの非特定的な指標を示すのみであることを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の方法において、前記被験体が、糖尿病性ネフロパシーであると診断されていることを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の方法において、前記被験体が腎臓疾患を有することを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の方法において、前記被験体が、微量アルブミン尿、頻性アルブミン尿、又は末期腎不全に罹患していることを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の方法において、サンプルが血液サンプルであることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月22日(2014.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
油供給源から微小体積油サンプルを取得し、かつ該微小体積油サンプルの静電容量特性を測定するためのデバイスであって、該デバイスが
微小体積油取得容器を含み、該容器の底面に配置された静電容量検出エレメントを備え、かつ該容器底面及びその上の該静電容量検出エレメントの上に配置されたフッ素化バリアコーティングを備えた、サンプル取得プローブを含み、
該静電容量検出エレメントと、該静電容量検出エレメントの上の該フッ素化バリアコーティングは、外側が親油性濡れ機構によって囲まれている、デバイス。
【請求項２】
微小体積油サンプルの静電容量特性を測定する方法であって、
サンプル取得プローブの微小体積油取得容器の底面上に配置された静電容量検出エレメントを提供する工程と、
該サンプル取得プローブを少なくとも部分的に油供給源に浸してから該プローブを該油供給源から引き上げることにより、該静電容量検出エレメントを完全に覆うような様式で、微小体積油サンプルを該油取得容器内に保持する工程と、
該静電容量検出エレメントを使って、該微小体積油サンプルの静電容量特性を測定する工程と、を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月15日(2014.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非球面勾配屈折率（ＧＲＩＮ）レンズを製造する方法であって、
多層化ポリマー合成膜を形成するために、第１の屈折率を有する第１のポリマー材料及び前記第１の屈折率とは異なる第２の屈折率を有する第２のポリマー材料を共押出しする工程と、
前記多層化ポリマー合成膜を多層合成ＧＲＩＮシートに組み立てる工程と、
前記多層合成ＧＲＩＮシートを非球面レンズに成型する工程と、を含む方法。
【請求項２】
前記ＧＲＩＮレンズは、軸状、放射状、球面状又は非球面状ＧＲＩＮ分布を有する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＧＲＩＮシートは、非球面ＧＲＩＮレンズに熱成形、モールド及び／又は機械加工される請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記多層化ポリマー合成膜は、式（ＡＢ）ｘ、ｘ＝２ｎ、ｎが４から１８の範囲により表される複数の少なくとも２つの交互層（Ａ）及び（Ｂ）を含み、
層（Ａ）は成分（ａ）を含み、層（Ｂ）は成分（ｂ）を含み、
前記成分（ａ）及び（ｂ）は、異なる屈折率を有する請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記成分（ａ）及び（ｂ）は、ポリマー材料、複合ポリマー及びポリマーブレンドからなる群から選択される請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ポリマー材料は、ガラス状材料、結晶性材料、液晶性材料及びエラストマー材料からなる群から選択される請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記層は、５ｎｍから１，０００μｍの厚さを有する請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記多層化ポリマー合成膜は、階層的な多層合成ＧＲＩＮシートを形成するために規則正しい層で積層され、隣接する多層化ポリマー合成膜は、連続的な異なる屈折率を示すように選択される請求項４に記載の方法。
【請求項９】
前記多層化ポリマー合成膜は、少なくとも１０の交互層を含む請求項４に記載の方法。
【請求項１０】
前記多層化ポリマー合成膜は、５０から５００，０００の範囲の交互層を含む請求項４に記載の方法。
【請求項１１】
前記多層化合成ＧＲＩＮシートは、５から１００，０００の多層化ポリマー合成膜で構成される請求項４に記載の方法。
【請求項１２】
前記多層化合成ＧＲＩＮシートは、２０から１０，０００の多層化ポリマー合成膜で構成される請求項４に記載の方法。
【請求項１３】
前記成分（ａ）及び（ｂ）は、化学的に同一材料である請求項４に記載の方法。
【請求項１４】
前記ポリマー材料は、ポリエチレンナフタレート、その異性体、ポリアルキレンテレフタレート、ポリイミド、ポリエーテルイミド、スチレンポリマー、ポリカーボネート、ポリ（メタ）クリレート、セルロース誘導体、ポリアルキレンポリマー、フッ化ポリマー、塩化ポリマー、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアクリロニトリル、ポリアミド、ポリビニルアセテート、ポリエーテル−アミド、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−エチレン共重合体、ポリ（エチレン−１，４−シクロヘキシレンジメチレン  テレフタレート）、アクリルゴム、イソプレン、イソブチレン−イソプレン、ブタジエンゴム、ブタジエン−スチレン−ビニルピリジン、ブチルゴム、ポリエチレン、クロロプレン、エピクロロヒドリンゴム、エチレン−プロピレン、エチレン−プロピレン−ジエン、ニトリル−ブタジエン、ポリイソプレン、シリコンゴム、スチレン−ブタジエン、ウレタンゴム、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン、及びテトラフルオロエチレン  ヘキサフルオロプロピレン  ビニリデン（ＴＨＶ）からなる群から選択される請求項５に記載の方法。
【請求項１５】
前記ポリマー材料は、ブロック及びグラフトコポリマーからなる群から選択される請求項５に記載の方法。
【請求項１６】
前記層は、屈折率に影響を与えるように設計された有機又は無機材料をさらに含む請求項４に記載の方法。
【請求項１７】
０．０１又はそれよりも大きい勾配の屈折率を示す請求項４に記載の方法。
【請求項１８】
０．０２から１．０の範囲の勾配の屈折率を示す請求項４に記載の方法。
【請求項１９】
０．０５から０．５の範囲の勾配の屈折率を示す請求項４に記載の方法。
【請求項２０】
前記成分（ａ）及び（ｂ）は、混合、非混合又は部分的混合ポリマー材料である請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月21日(2014.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタル会議システム（１）のために使用するデバイス（２，３）であって、
前記デバイスは、互いに接続された第１のポート（５）及び第２のポート（６）を備え、
前記デバイスは、トリガー信号を受信すると、前記第１のポート又は前記第２のポートのいずれかのポートを前記デバイスの入力ポートとして構成して、他方のポートを出力ポートとして構成する構成手段を備え、それによって、前記トリガー信号は同期信号であるデバイス。
【請求項２】
前記同期信号はビット同期信号である請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記デバイスはデジタル会議システムのために使用するデリゲートユニットである請求項１又は２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記デバイスはデジタル会議システムのために使用する拡張ユニットである請求項１又は２に記載のデバイス。
【請求項５】
ディジーチェーン型トポロジーで設けられた請求項１から４までのうちのいずれか１つに記載の複数のデバイスと、少なくとも１つの中央ユニット（４）を備えるデジタル会議システム。
【請求項６】
前記複数のデバイスをポーリングするように設けられたネットワーク監視モジュールをさらに備える請求項５に記載のデジタル会議システム。
【請求項７】
前記中央ユニットは前記ネットワーク監視モジュールをポーリングするように設けられる請求項６に記載のデジタル会議システム。
【請求項８】
構成情報を記憶する記憶手段を備える請求項５から７までのうちのいずれか１つに記載のデジタル会議システム。
【請求項９】
デジタル会議システムにおいて冗長性を得る方法であって、
前記デジタル会議システムは、少なくとも１つの中央ユニットと、ディジーチェーン型トポロジーで設けられた複数のデバイスとを備え、
前記各デバイスは、互いに接続された第１のポート（５）及び第２のポート（６）と、前記第１のポート又は前記第２のポートのいずれかのポートを前記デバイスの入力ポートとして構成して、他方のポートを出力ポートとして構成する構成手段とを備え、
前記方法は、
前記デジタル会議システムの複数のデバイスのセットを接続するアクティブなネットワークの分岐を生成するステップと、
前記デジタル会議システムに障害が検出される場合、トリガー信号を送信することによって、前記アクティブな分岐の終端において少なくとも前記デバイスの出力ポートを入力ポートとして動作させるステップとを含み、前記トリガー信号は同期信号である方法。
【請求項１０】
デジタル会議システムに設けられたデバイスを交換する方法であって、
前記デジタル会議システムは、ディジーチェーン型トポロジーで設けられた複数のデバイスと中央ユニットとを備えるネットワークとして構成され、
前記方法は、
前記デジタル会議システムのデバイスのロスを検出するステップと、
前記デバイスを交換用デバイスによって交換するステップと、
前記デジタル会議システムにおいて前記交換用デバイスを検出するステップと、
トリガー信号の手段によって、前記ロスされたデバイスの構成設定を用いて、前記検出された交換用デバイスを前記中央ユニットを用いて構成するステップとを含み、前記トリガー信号は同期信号である方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月2日(2014.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明装置であり、前記照明装置の輝度出力にデータ信号の１つ以上のデータシンボルを埋め込むための照明装置であって、前記照明装置が、
少なくとも第１セグメント及び第２セグメントを有する発光ダイオードであって、前記第１セグメント及び前記第２セグメントが、共通の電極を持ち、個々に制御可能であり、前記発光ダイオードが、駆動信号に応じて前記輝度出力を生成するよう構成される発光ダイオードと、
一定の駆動信号を前記共通の電極に供給する一方、前記データ信号の前記１つ以上のデータシンボルを埋め込むために前記データ信号に応じて前記第２セグメントをオン又はオフへ切り替えるよう構成される制御器とを有する照明装置。
【請求項２】
変調度が、前記第１セグメント及び／又は前記第２セグメントのサイズに比例する請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
変調度が、前記第１セグメント及び／又は前記第２セグメントを流れる電流密度に比例する請求項１に記載の照明装置。
【請求項４】
前記共通の電極が陰極を有する請求項１乃至３のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項５】
前記共通の電極が陽極を有する請求項１乃至３のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項６】
前記発光ダイオードが薄膜フリップチップ装置を有する請求項１乃至５のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の照明装置を１つ以上有する照明システム。
【請求項８】
発光ダイオードの輝度出力にデータ信号の１つ以上のデータシンボルを埋め込むための方法であって、
少なくとも第１セグメント及び第２セグメントを有する前記発光ダイオードであって、前記第１セグメント及び前記第２セグメントが、共通の電極を持ち、個々に制御可能であり、前記発光ダイオードが、駆動信号に応じて前記輝度出力を生成するよう構成される前記発光ダイオードに駆動信号を供給するステップと、
一定の駆動信号を前記共通の電極に供給する一方、前記データ信号の前記１つ以上のデータシンボルを埋め込むために前記データ信号に応じて前記第２セグメントをオン又はオフへ切り替えるステップとを有する方法。
【請求項９】
変調度が、前記第１セグメント及び／又は前記第２セグメントのサイズに比例する請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
変調度が、前記第１セグメント及び／又は前記第２セグメントを流れる電流密度に比例する請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記共通の電極が陰極を有する請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記共通の電極が陽極を有する請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記発光ダイオードが薄膜フリップチップ装置を有する請求項８乃至１２のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月29日(2014.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット材料の小滴を生成する小滴発生器と、
小滴が事前選択場所に到達する場合に捕捉時間信号を供給するセンサと、
前記センサと結合され、前記捕捉時間信号から遅延されたトリガ信号を発生させる遅延回路と、
トリガ信号に応じてレーザーパルスを生成するレーザー源と、
前記捕捉時間から第１の遅延時間だけ遅延されたトリガ信号を供給して、小滴上に集束される光パルスを発生させ、前記捕捉時間から第２の遅延時間だけ遅延されたトリガ信号を供給して、小滴上に集束されない光パルスを発生させるように前記遅延回路を制御するシステムと、
を備えるデバイス。
【請求項２】
前記第１の遅延時間は、前記第２の遅延時間よりも長い、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記第１の遅延時間は、前記第２の遅延時間よりも短い、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記センサは、レーザー源及び検出器を備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記遅延回路は、デジタルシフトレジスタを備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
割り込み期間によって分離された少なくとも２つのバースト期間内にＥＵＶパルスを生成するための方法であって、
各バースト期間中及び前記割り込み期間中にターゲット材料小滴を発生させる段階と、  各バースト期間中及び前記割り込み期間中にレーザーパルスを発生させる段階と、
ＥＵＶ出力を生成するために、バースト期間中にレーザーパルスをそれぞれの小滴上に集束させる段階と、
割り込み期間中にレーザー集束スポットと小滴との間に距離を発生させる段階と、
を含む方法。
【請求項７】
前記発生段階は、前記バースト期間の間に前記割り込み期間とは異なる、小滴位置に対するレーザートリガタイミングを与えることによって達成される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
小滴は、バースト期間中に照射箇所に向かって第１の経路に沿って移動し、前記発生段階は、前記割り込み期間中に該照射箇所と交差しない第２の経路に小滴を経路変更することによって実現される、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記レーザーパルスは、バースト期間中に照射箇所にある集束スポットに集束され、前記発生段階は、前記割り込み期間中に該集束スポットを、該照射箇所から離間した場所に移動させることによって実現される、請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月21日(2014.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
本明細書では、パターニングレジストの粗さを改善する新規性および進歩性を持つ方法を開示している。本開示の範囲は、本明細書で説明した具体的な実施形態に限定されるものではない。本開示の他のさまざまな実施形態および本開示の変形例は、上述の説明および添付図面を参照すれば、本明細書で説明したもの以外にも存在することが当業者には明らかであろう。例えば、上述した本発明の実施形態は概してＡｒイオンを衝突させているが、本発明は他のイオン種でも実施可能である。このため、このような他の実施形態および変形例は、本開示の範囲に含まれるとする。さらに、本開示は特定の目的を実現するべく特定の環境で特定の方法で実施されるものとして本明細書で説明したが、当業者であれば、本開示の有用性はこれらに限定されることなく、本開示は任意の目的を実現するべく任意の環境で実施しても有益であることを認めるであろう。したがって、特許請求の範囲に記載する請求項は、本明細書で説明しているように、本開示の全範囲およびあらゆる意図を鑑みて、解釈されたい。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月26日(2014.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも二つの電極と、
複数の密閉されたチューブとを備えた紫外線エキシマランプであって、
前記複数の密閉されたチューブの少なくとも一部がエキシマガスを含み、前記複数の密閉されたチューブが前記少なくとも二つの電極の間に配置されていて、前記少なくとも二つの電極が前記複数の密閉されたチューブの間にはない、紫外線エキシマランプ。
【請求項２】
前記エキシマガスが、希ガス、ハロゲン、又はこれらの混合物を備える、請求項１に記載の紫外線エキシマランプ。
【請求項３】
前記エキシマガスがフッ化アルゴンを備える、請求項２に記載の紫外線エキシマランプ。
【請求項４】
前記エキシマガスがフッ化クリプトンを備える、請求項２に記載の紫外線エキシマランプ。
【請求項５】
前記エキシマガスが塩化クリプトンを備える、請求項２に記載の紫外線エキシマランプ。
【請求項６】
前記少なくとも二つの電極のうち少なくとも一つが絶縁されている、請求項１に記載の紫外線エキシマランプ。
【請求項７】
前記少なくとも二つの電極に接続された電圧源を更に備えた請求項１に記載の紫外線エキシマランプ。
【請求項８】
前記電圧源がパルス電圧源を備える、請求項７に記載の紫外線エキシマランプ。
【請求項９】
パルス周波数が略２０ｋＨｚから略３００ＧＨｚである、請求項８に記載の紫外線エキシマランプ。
【請求項１０】
前記電圧源がＡＣ電圧源を備える、請求項７に記載の紫外線エキシマランプ。
【請求項１１】
ＡＣ電圧の周波数が略２０ｋＨｚから略３００ＧＨｚである、請求項１０に記載の紫外線エキシマランプ。
【請求項１２】
前記密閉されたチューブが石英製である、請求項１に記載の紫外線エキシマランプ。
【請求項１３】
前記密閉されたチューブの内面がコーティングされている、請求項１に記載の紫外線エキシマランプ。
【請求項１４】
コーティングが、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、ＰＴＦＥ、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、及びアルミナ／サファイア（Ａｌ２Ｏ３）のうち一種以上を備える、請求項１３に記載の紫外線エキシマランプ。
【請求項１５】
前記密閉されたチューブが、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、ＰＴＦＥ、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、及びアルミナ／サファイア（Ａｌ２Ｏ３）のうち一種以上から形成されている、請求項１に記載の紫外線エキシマランプ。
【請求項１６】
前記密閉されたチューブが、本質的にガスのみを含む、請求項１に記載の紫外線エキシマランプ。
【請求項１７】
流体を処理するためのシステムであって、
流入口及び流出口に結合された処理チャンバと、
前記処理チャンバを通過する流体を照射するように構成された少なくとも一つのエキシマガス放電光源とを備え、
前記少なくとも一つのエキシマガス放電光源が、
少なくとも二つの電極と、
複数の密閉されたチューブとを備え、
前記複数の密閉されたチューブの少なくとも一部がエキシマガスを含み、前記複数の密閉されたチューブが前記少なくとも二つの電極の間に配置されていて、前記少なくとも二つの電極が前記複数の密閉されたチューブの間にはない、システム。
【請求項１８】
前記処理チャンバがエンベロープを取り囲む、請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記処理チャンバが、前記流体が前記エキシマガス放電光源に接触しないようにするスリーブを備える、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記エキシマガスが、希ガス、ハロゲン、又はこれらの混合物を備える、請求項１７に記載のシステム。
【請求項２１】
前記エキシマガスがフッ化アルゴンを備える、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２２】
前記エキシマガスがフッ化クリプトンを備える、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２３】
前記エキシマガスが塩化クリプトンを備える、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２４】
前記密閉されたチューブが本質的にガスのみを含む、請求項１７に記載のシステム。
【請求項２５】
汚染物質の流体を浄化するための方法であって、
エキシマガス放電光源を用いて１００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内の波長を有する光を生成するステップと、
前記光で流体を照射するステップとを備え、
前記光を生成するのに用いられる前記エキシマガス放電光源が、
少なくとも二つの電極と、
複数の密閉されたチューブとを備え、
前記複数の密閉されたチューブの少なくとも一部がエキシマガスを含み、前記複数の密閉されたチューブが前記少なくとも二つの電極の間に配置されていて、前記少なくとも二つの電極が前記複数の密閉されたチューブの間にはない、方法。
【請求項２６】
前記エキシマガス放電光源が、略１７０ｎｍから３１０ｎｍの間の波長を有する光を生成する、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記エキシマガス放電光源が、略１９３ｎｍの波長を有する光を生成する、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記エキシマガス放電光源が、略２２２ｎｍの波長を有する光を生成する、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
前記エキシマガス放電光源が、略２４８ｎｍの波長を有する光を生成する、請求項２６に記載の方法。
【請求項３０】
前記流体が本質的に水から成る、請求項２５に記載の方法。
【請求項３１】
前記密閉されたチューブが本質的にガスのみを含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項３２】
前記複数の密封されたチューブを取り囲むエンベロープを更に備え、前記少なくとも二つの電極が前記エンベロープの外側にある、請求項１に記載の紫外線エキシマランプ。
【請求項３３】
少なくとも一つのエキシマガス放電光源が、前記複数の密封されたチューブを取り囲むエンベロープを更に備え、前記少なくとも二つの電極が前記エンベロープの外側にある、請求項１７に記載のシステム。
【請求項３４】
前記光を生成するのに用いられる前記エキシマガス放電光源が、前記複数の密封されたチューブを取り囲むエンベロープを更に備え、前記少なくとも二つの電極が前記エンベロープの外側にある、請求項２５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月18日(2014.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨する方法であって、
基板を研磨する段階と、
研磨中にモニタするように選択されたスペクトル特徴のＩＤを受け取る段階と、
前記基板が研磨されている間に該基板から反射した光の一連のスペクトルを測定する段階であって、該一連のもののうちの該スペクトルの少なくとも一部が、該研磨中に除去されている材料のために異なっている前記測定する段階と、
前記一連のスペクトルにおける該スペクトルの各々に対して前記選択されたスペクトル特徴の位置値及び関連強度値を判断し、位置値と関連強度値の対である一連の座標を生成する段階と、
前記一連の座標に基づいて研磨終点又は研磨速度の調節のうちの少なくとも一方を判断する段階と、
を含むことと特徴とする方法。
【請求項２】
前記選択されたスペクトル特徴は、ピーク又は谷を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記位置値は、前記ピークの最大値又は前記谷の最小値の波長又は周波数を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記一連の座標は、開始座標及び現在座標を有し、
前記開始座標から前記現在座標までの距離を判断する段階、
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記距離が閾値を超える時に研磨する段階を休止する段階を更に含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記一連の座標は、経路を形成し、前記距離を判断する段階は、該経路に沿った距離を判断する段階を含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記経路に沿った前記距離を判断する段階は、前記一連のものにおける連続する座標間の距離を合計する段階を含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記一連の光のスペクトルは、前記基板の第１の部分から反射されたものであり、
前記基板が研磨されている間に前記基板の第２の部分から反射した光の第２の一連のスペクトルを測定する段階と、
前記第２の一連のスペクトルにおける該スペクトルの各々に対して前記選択されたスペクトル特徴の位置値及び関連強度値を判断し、第２の一連の座標を生成する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項９】
前記第２の一連の座標は、第２の開始座標及び第２の現在座標を有し、
前記第２の開始座標から前記第２の現在座標までの第２の距離を判断する段階、
を更に含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
研磨速度の調節を判断する段階は、前記開始座標から前記現在座標までの前記距離を前記第２の開始座標から前記第２の現在座標までの前記第２の距離と比較する段階を有することを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記基板は、第１の層の上に重なる第２の層を有し、
原位置モニタリングシステムで前記第１層の露出を検出する段階、
を更に含み、
前記開始座標は、前記原位置モニタリングシステムが前記第１の層の露出を検出する時点の前記特徴の座標を含む、
ことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項１２】
測定位置を正規化して前記位置値を判断する段階と、測定強度を正規化して前記強度値を生成する段階とを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
セットアップウェーハにおける前記スペクトル特徴の最大位置及び最小位置を測定する段階を更に含み、
正規化する段階は、前記測定位置を前記最大位置と前記最小位置の間の差で割り算する段階を含む、
ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
セットアップウェーハにおける前記スペクトル特徴の最大強度及び最小強度を測定する段階を更に含み、
正規化する段階は、前記測定強度を前記最大強度と前記最小強度の間の差で割り算する段階を含む、
ことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記一連の光のスペクトルを測定する段階は、前記基板にわたってセンサの複数の掃引を行う段階を含み、
前記位置値及び前記関連強度値を判断する段階は、前記複数の掃引からの掃引で測定された複数のスペクトルを平均する段階を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月16日(2014.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
任意には、機械的コネクタ５８ａ、５８ｂ、６０ａおよび/又は６０ｂは、熱源にさらされる際に回復する形状記憶材料から製造される。ボディ２６の典型的な態様では、機械的コネクタ５８ａおよび５８ｂは実質的に相互に同一であり、機械的コネクタ６０ａおよび６０ｂは実質的に相互に同一である。従って、機械的コネクタ５８ａおよび６０ａの構造のみを詳細に本明細書で説明する。図４の詳細図Ａを参照すると、機械的コネクタ５８ａは切り欠き(又はノッチ；ｎｏｔｃｈ)６４および端部６６を有するラッチ突起部６２を含んで成る。任意には、切り欠き６４はラッチ突起部６２の径方向の内側６８内に延在している。切り欠き６４は頂部７４で交差する２つの壁７０および７２により規定される。壁７２は、ラッチ突起部６２のラッチ肩部(又はショルダー部；ｓｈｏｕｌｄｅｒ)７６を規定する。ラッチ突起部６２の端部６６は、壁７２からラッチ突起部６２の端壁７８まで延在している。下記で説明するように、ラッチ突起部６２は、セグメント２８およびセグメント３０の端部５０および端部５４の各々を一体的に接続するために、機械的コネクタ６０ａの溝８０内に受容されるように構成されている。ラッチ突起部６２が溝内に完全に受容される際、切り欠き６４は、一体的にコネクタ５８ａおよび６０ａを相互に接続するために機械的コネクタ６０ａのエンボス８２を受容する。より具体的には、エンボス８２が切り欠き６４内に受容される際、ラッチ突起部６２のラッチ肩部７６は、一体的にコネクタ５８ａおよび６０ａを相互に接続するためにエンボス８２のラッチ肩部８４と係合している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
切り欠き６４の壁７０および７２は、相互に任意の角度で延在していてよい。略平坦に示されているが、壁７０および/又は壁７２は、又、曲線状、（限定されるものではないが、ギザギザ、１つ又はそれよりも多いスレッド、１つ又はそれよりも多い溝、１つ又はそれよりも多いリッジ等）のテクスチャーを含んでよい。その上、ボディ２６の典型的な態様で示されているように、壁７０および壁７２は、とがった端部７４で接触しているというよりはむしろ(図示していないが)曲線状の端部で接触してもよい。ボディ２６の典型的な態様では、切り欠き６４は、エンボス８２の形状と相補的である三角形状を含んで成る。しかし、切り欠き６４は、切り欠き６４がエンボス８２の任意の形状と相補的である形状を含むかどうかに関わらず、三角形状に加えてそれ以外の他の形状を更に又はその代わりに含んでよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
溝８０は、任意の形状を含むラッチ突起部６２を受容するための任意の形状を含んでよい。任意には、溝８０は、ラッチ突起部６２の１つ又はそれよりも多い形状と相補的な形状を含んでいる。エンボス８２は、任意の形状を含む切り欠き６４内に受容されるための任意の形状を含んでよい。ボディ２６の典型的な態様では、エンボス８２は、切り欠き６４の三角形状と相補的な三角形状を含んで成る。しかし、エンボス８２が切り欠き６４の任意の形状と相補的である形状を含むか否かに関わらず、エンボス８２は三角形以外の形状を更に又はその代わりに含んでよい。エンボス８２の壁９４および壁９６は相互に任意の角度で延在してよく、壁９４は多くの斜面を有するラッチ斜面１００を規定するための多くの斜面を有していてよい。壁９４および壁９６は本明細書に示す略平坦形状に限定されない。むしろ、壁９４および/又は壁９６は、その代わりに、曲線状、（限定されるものではないが、ギザギザ、１つ又はそれよりも多いスレッド、１つ又はそれよりも多い溝、１つ又はそれよりも多いリッジ等）のテクスチャー等を含んでよい。その上、壁９４および壁９６はボディ２６の典型的な態様で示されるように尖った頂部９８で接触しているというよりはむしろ、壁９４および壁９６は(図示していないが)曲線状の頂部で接触していてよい。平行六面体の形状を含むように示されているが、凹部１０２は、任意の形状を含むラッチ突起端部６６を受容するための任意の形状を含んでよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
シールド端部２２がバックシェル１４のフィッティング２４に受容された後、時には取付けリング１６の「サイドエントリー」と呼ばれる、取付けリングのボディ２６を作る個々のセグメント２８およびセグメント３０により、取付けリング１６をシールド１８の端部２２に取り付けることが可能である。従って、シールド端部２２に取付けリング１６を位置付けるために、シールド１８の端部２２および電気ケーブル１２の絶縁電気導体を取付けリング１６を介して供する必要がない。その上、取付けリング１６をシールド２２の他端部に位置付けることなく、又電気ケーブル１２の全長に沿ってシールド端部２２まで取付けリング１６を動かすことなく、シールド２２をフィッティング２４に受容させた後、取付けリング１６のボディ２６のサイドエントリーにより、取付けリング１６をシールド端部２２に位置付けることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
機械的コネクタ４５８aおよび機械的コネクタ５６０aは相互関係を有する形状を有して成る。機械的コネクタ４５８aは、基部４６４および端部４６６を有するラッチ突起部４６２を有して成る。ラッチ突起部４６２の端部４６６は、ラッチ突起部４６２のラッチ肩部４７６を規定する後方壁４７０を有して成る。機械的コネクタ４６０aは、セグメント４３０の端部４５４に延在する溝４８０を有して成る。任意には、溝４８０はセグメント４３０の端部４５４の端壁４８６を介して延在する。溝４８０は、機械的コネクタ４６０aの対向する非ねじれ部材５０４間に延在する溝セグメント４８８を有して成る。非ねじれ部材５０４の後方壁は、溝４８０のラッチ肩部４９０を規定する。又、溝４８０は、溝４８０のラッチ肩部４９０と端壁４９４との間に規定される凹部４９２を有して成る。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年3月24日(2014.3.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層セラミック部品であって，
・複数のセラミック層（102, 103, 104）を含む積層体（101）と，
・第１接続接点（105）及び第２接続接点（106）と，
・積層体（101）における２つのセラミック層（102, 103; 103, 104）の間にそれぞれ配置されている第１内部電極（107）及び第２内部電極（108）と，
・第１接続接点（105）を第１内部電極（107）に電気接触させるための第１ビア電極（109），及び第２接続接点（106）を第２内部電極（108）に電気接触させるための第２ビア電極（110）と，
を備え、
導線を設けた部品として構成され、
前記導線により外部から電気的に接触可能である、
積層セラミック部品。
【請求項２】
請求項１に記載の積層セラミック部品であって，第１接続接点（105）が積層体の第１表面（113）に，また第２接続接点（106）は第１表面に対向する第２表面（114）に配置され，更に，これら接続接点（105, 106）の面積はそれぞれが配置されている表面（113,114）よりも小さい積層セラミック部品。
【請求項３】
請求項１に記載の積層セラミック部品であって，第１接続接点（105）及び第２接続接点（106）は，積層体における同一の表面（113）に配置され，また，両接続接点（105, 106）の面積が当該表面（113）よりも小さい積層セラミック部品。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一項に記載の積層セラミック部品であって，積層方向における内部電極（107, 108）の投影面積が積層体（101）の投影面積よりも小さい積層セラミック部品。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか一項に記載の積層セラミック部品であって，内部電極（107, 108）は互いに対向する２つの主表面において，それぞれ１つのセラミック層（102, 103, 104）に接触している積層セラミック部品。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか一項に記載の積層セラミック部品であって，第３内部電極を更に備えている積層セラミック部品。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか一項に記載の積層セラミック部品であって，サーミスタとして構成されている積層セラミック部品。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか一項に記載の積層セラミック部品であって，前記接続接点（105,106）の１つに接続している，少なくとも１本の接続導線（119）を備えている積層セラミック部品。
【請求項９】
積層セラミック部品の製造方法であって，
少なくとも１層の第１セラミック層（102）を準備するステップと，
該少なくとも１層の第１セラミック層（102）に第１内部電極（107）を設けるステップと，
該第１内部電極（107）に少なくとも１層の第２セラミック層（103）を設けるステップと，
該少なくとも１層の第２セラミック層（103）に第２内部電極（108）を設けるステップと，
該第２内部電極（108）に少なくとも１層の第３セラミック層（104）を設けるステップと，
前記第１内部電極（107）まで達する第１ビア電極（109）を形成するステップと，
前記第２内部電極（108）まで達する第２ビア電極（110）を形成するステップと，
第１ビア電極（109）及び第２ビア電極（110）に対して接続接点（105，106）を１個ずつ配置し，かつ，前記内部電極（107，108）をそれぞれ電気接触可能とするステップと，
導線を設け、前記積層セラミック部品を、前記導線により外部から電気的に接触可能とするステップと，
を含む方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって，
前記第１ビア電極（109）を，少なくとも１層の第１セラミック層（102）を貫通して前記第１内部電極（107）まで達するよう形成するステップと，
前記第２ビア電極（110）を，少なくとも１層の第３セラミック層（104）を貫通して前記第２内部電極（108）まで達するよう形成するステップと，
を含む方法。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載の方法であって，前記ビア電極（109, 110）を形成するステップは，
前記セラミック層（102, 104）に打ち抜き加工を施して切欠を設けるステップと，
前記切欠を導電材料で充填するステップと，
を更に含む方法。
【請求項１２】
請求項９〜１１の何れか一項に記載の方法であって，前記接続接点（105, 106）を配置した後，前記積層セラミック部品の所定の特性に応じて積層体（101）の一部（116）を取り除くステップを含む方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
好適には，積層セラミック部品は，導線を介して電気接続できるように構成する。積層セラミック部品は，特に導線を設けた構成とすることができる。積層セラミック部品は，例えば導線として構成した導電接続部を備えることができる。好適には，これら導電接続部は，はんだ付け又は溶接により接続接点に導電接続されているため，積層セラミック部品は導電接続を介して外部から電気的に接触可能とされている。導電接続部は金属，例えば銅又はニッケルを含有する接続導線として構成することができる。これらの接続導線は，直径を異ならせることが可能である。更に，これら導電接続部は，いわゆるリードフレームとして構成してもよい。積層セラミック部品は，表面実装法（SMD）又はフリップチップ実装法以外の方法で実装できるように構成することが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月1日(2014.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の表面実装ＬＥＤであって、各ＬＥＤは、ＬＥＤの第１表面上に表面実装コンタクトを有し、かつ前記第１表面に対向するＬＥＤの第２表面から光を放出し、前記表面実装コンタクトは、ＬＥＤに電力を供給するためのｐ型コンタクトおよびｎ型コンタクトを含み、各ＬＥＤは、所定波長の光を発生させる活性層によって特徴付けられる複数の表面実装ＬＥＤと、
複数の接続配線を有する上端面を含む実装基板であって、各接続配線は、前記複数のｎ型コンタクトのうちの対応する１つの直下にあるように位置決めされたｎ型配線、および前記複数のｐ型コンタクトのうちの対応する１つの直下にあるように位置決めされたｐ型配線を含む実装基板と、
前記表面実装コンタクトと前記接続配線の間に挟まれた異方性導体の層と、
を備えた、光源。
【請求項２】
前記ｐ型配線は、前記ｐ型コンタクトの２倍よりも大きい面積を有する、請求項１に記載の光源。
【請求項３】
前記実装基板は、前記接続配線と直接に接触している絶縁層および前記絶縁層と直接に接触している熱拡散層を含み、金属の層から成る前記熱拡散層は、周囲温度を上回る７５°Ｃよりも高い温度で前記ＬＥＤが作動しないように、前記ＬＥＤによって発生した熱を放熱構造体へ移動させるのに十分な厚さを有する、請求項１に記載の光源。
【請求項４】
前記異方性導体は、第１透明媒体内で浮遊した、変形可能で非変形直径を有する導電粒子と、前記ＬＥＤによって発生した光の前記波長よりも大きくかつ前記非変形直径の半分を下回る寸法を有する光散乱粒子とを含む、請求項１に記載の光源。
【請求項５】
前記複数のＬＥＤは、互いにスペースを空けて配置され、前記ＬＥＤはまた、前記第１表面および前記第２表面にほぼ垂直の側面から光を放出し、前記異方性導体は、前記ＬＥＤの前記側面から出射する光が、前記複数のＬＥＤ間に位置決めされた前記異方性導体に入射するように、前記複数のＬＥＤ間のスペース内に存在している、請求項４に記載の光源。
【請求項６】
透明担体材料内で浮遊した蛍光体粒子を含む蛍光体層をさらに備えた、請求項４に記載の光源。
【請求項７】
前記担体材料は、前記第１材料とほぼ同一の熱膨張係数を有する、請求項６に記載の光源。
【請求項８】
前記担体材料は、前記第１材料を含む、請求項６に記載の光源。
【請求項９】
前記熱拡散層の下に配線層をさらに備え、前記配線層は、前記接続配線を前記配線層内の導体に接続する、請求項１に記載の光源。
【請求項１０】
前記異方性導体内に熱伝導材料から成る粒子をさらに備え、前記熱伝導材料は、前記第１材料よりも大きい熱伝導率を有する、請求項１に記載の光源。
【請求項１１】
前記導電粒子は、９０パーセントよりも大きい反射率を有する外面コーティングを含む、請求項４に記載の光源。
【請求項１２】
前記導電粒子は、アルミニウムを含む外面コーティングを有する、請求項４に記載の光源。
【請求項１３】
光源を製作する方法であって、
複数の表面実装ＬＥＤを設けるステップであって、各ＬＥＤは、ＬＥＤの第１表面上に表面実装コンタクトを有し、かつ前記第１表面に対向するＬＥＤの第２表面から光を放出し、前記表面実装コンタクトは、ＬＥＤに電力を供給するためのｐ型コンタクトおよびｎ型コンタクトを含み、各ＬＥＤは、所定波長の光を発生させる活性層によって特徴付けられる複数の表面実装ＬＥＤを設けるステップと、
複数の接続配線を有する上端面を含む実装基板を設けるステップであって、各接続配線は、前記複数のｎ型コンタクトのうちの対応する１つの直下にあるように位置決めされたｎ型配線、および前記複数のｐ型コンタクトのうちの対応する１つの直下にあるように位置決めされたｐ型配線を含む実装基板を設けるステップと、
液体状態にある異方性導体の層を前記表面実装コンタクト上に堆積させるステップと、
各表面実装コンタクトが、対応する接続配線に整列するように、前記ＬＥＤを位置決めするステップと、
前記異方性導体を硬化状態に硬化させながら、前記実装基板に対して前記ＬＥＤを押し込むステップと、
を備えた、方法。
【請求項１４】
前記異方性導体は、第１透明媒体内で浮遊した、変形可能で非変形直径を有する導電粒子と、前記ＬＥＤによって発生した光の前記波長よりも大きくかつ前記非変形直径の半分を下回る寸法を有する光散乱粒子とを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記複数のＬＥＤは、互いにスペースを空けて配置され、前記ＬＥＤはまた、前記第１表面および前記第２表面にほぼ垂直の側面から光を放出し、前記液体状態にある前記異方性導体の前記層は、前記ＬＥＤの前記側面から出射する光が、前記複数のＬＥＤ間に位置決めされた前記異方性導体に入射するような高さまで、前記複数のＬＥＤ間のスペース内に前記異方性導体が存在しているような厚さを有する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
透明担体材料内で浮遊した蛍光体粒子を含む蛍光体層を、前記ＬＥＤ上に堆積させるステップをさらに備えた、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月31日(2014.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも光学放射線の波長領域において透明である基板で形成される光学素子において、
前記基板の第１の界面が、前記基板に一体化された光学レンズ又は光学レンズのアレイの一部を形成する複数の湾曲領域を有し、
前記基板が、前記第１の界面の反対側の前記基板の第２の界面上に形成される又は前記基板に埋め込まれる複数の光学鏡を有し、
前記複数の光学鏡が、前記第１の又は第２の界面に入射する前記波長領域の光学放射線の一部を後方反射するように配置及び設計され、
前記複数の光学鏡が、平面鏡又は前記複数の湾曲領域の曲率半径とは異なる曲率半径を持つ曲面鏡である、
光学素子。
【請求項２】
前記光学鏡が、前記光学素子の前記第１の若しくは第２の界面又は内側界面における連続的な又はパターニングされた反射コーティングで形成される、
請求項１に記載の光学素子。
【請求項３】
スペーサ構造又はスペーサ素子が、前記基板の前記第１の又は第２の界面に付着される又は前記基板に一体化される、
請求項１又は２に記載の光学素子。
【請求項４】
前記波長領域において光学的に透明なスペーサ層が、前記基板の前記第１の又は第２の界面に付着される、
請求項１又は２に記載の光学素子。
【請求項５】
請求項１又は２に記載の光学素子を有するＶＥＣＳＥＬ又はＶＥＣＳＥＬアレイにおいて、
前記複数の光学鏡が、前記ＶＥＣＳＥＬの拡張された鏡又は前記ＶＥＣＳＥＬアレイの拡張された鏡を形成する、
ＶＥＣＳＥＬ又はＶＥＣＳＥＬアレイ。
【請求項６】
前記光学鏡は、前記ＶＥＣＳＥＬ又はＶＥＣＳＥＬアレイがレーザ放射線を放射する波長領域においてＲ≧３０％の反射率を持つ、
請求項５に記載のＶＥＣＳＥＬ又はＶＥＣＳＥＬアレイ。
【請求項７】
前記光学鏡が、前記湾曲領域の曲率半径より大きい曲率半径を持つ曲面鏡である、
請求項５に記載のＶＥＣＳＥＬ又はＶＥＣＳＥＬアレイ。
【請求項８】
前記湾曲領域の曲率半径は、前記光学レンズが、前記光学鏡を通る前記ＶＥＣＳＥＬ又はＶＥＣＳＥＬアレイにより放射されたレーザ放射線をコリメートするように選択される、
請求項５に記載のＶＥＣＳＥＬ又はＶＥＣＳＥＬアレイ。
【請求項９】
前記光学素子は、前記ＶＥＣＳＥＬ又はＶＥＣＳＥＬアレイに直接的に、又はスペーサを介して、又は前記ＶＥＣＳＥＬ又はＶＥＣＳＥＬアレイがレーザ放射線を放射する波長領域において光学的に透明であるスペーサ層を介して付着される、
請求項５に記載のＶＥＣＳＥＬ又はＶＥＣＳＥＬアレイ。