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【手続補正書】
【提出日】平成26年10月22日(2014.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電チャンバ壁を有するトロイド形状放電チャンバを含む誘電体バリア放電（ＤＢＤ）ランプデバイスであって、
管状内壁セクションと、
管状外壁セクションと、
各リング形状端壁セクションが、前記管状外壁セクションの端部と前記管状内壁セクションの端部との間に延在する、２つのリング形状端壁セクションと、
前記放電チャンバ壁の前記管状内壁セクションによって囲まれる導電性流体を含む、低電圧電極であって、更に、前記放電チャンバ壁の前記管状内壁セクションによって囲まれ、前記管状内壁セクションの第１の端部からもう一方の端部まで少なくとも部分的に延在する導電性要素を含み、前記導電性要素は、前記第１の端部においてのみ電気的に接続されている前記低電圧電極と、
前記管状内壁セクションの両端部に又は両端部付近にある２つのブッシュであって、前記ブッシュは導電性部分を含み、前記導電性要素が、前記２つのブッシュのうちの第１のブッシュの前記導電性部分に、第２のブッシュの前記導電性部分に接触することなく、電気的に接続されている、前記２つのブッシュとを含む、
ＤＢＤランプデバイス。
【請求項２】
前記放電チャンバ壁の前記管状外壁セクションの外面に設けられる高電圧電極を含む、請求項１に記載のＤＢＤランプデバイス。
【請求項３】
前記高電圧電極は、間隔があけられた平行ワイヤを含むワイヤメッシュを含む、請求項２に記載のＤＢＤランプデバイス。
【請求項４】
前記高電圧電極は、前記リング形状端壁セクションのうちの１つに又は付近に少なくとも部分的に設置される導体を介して付勢される、請求項２又は３に記載のＤＢＤランプデバイス。
【請求項５】
前記導電性要素は、ワイヤ、前記管状内壁セクション上のコーティング、又は、メッシュである、請求項１乃至４の何れか一項に記載のＤＢＤランプデバイス。
【請求項６】
前記２つのブッシュのうちの少なくとも一方は、前記導電性部分から完全に形成されている、請求項１乃至５の何れか一項に記載のＤＢＤランプデバイス。
【請求項７】
前記放電チャンバ壁の前記管状外壁セクションの内面に設けられる反射層を含む、請求項１乃至６の何れか一項に記載のＤＢＤランプデバイス。
【請求項８】
前記放電チャンバ壁の前記管状外壁セクションの前記内面に設けられる第１のルミネッセンス層を含む、請求項１乃至７の何れか一項に記載のＤＢＤランプデバイス。
【請求項９】
前記放電チャンバ壁の前記管状内壁セクションの外面に設けられる第２のルミネッセンス層を含む、請求項１乃至８の何れか一項に記載のＤＢＤランプデバイス。
【請求項１０】
前記リング形状端壁セクションから延出する前記管状内壁セクションの管状延長部を含み、反射要素又は反射層が前記管状延長部の外側に配置されて、前記ランプによって発生されたＵＶ光を前記管状延長部の外に配置された光センサに向けて反射する、請求項１乃至９の何れか一項に記載のＤＢＤランプデバイス。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の何れか一項に記載のＤＢＤランプデバイスを含む光学流体処理デバイスであって、前記放電チャンバ壁の前記管状内壁セクションが、前記ＤＢＤランプデバイスの前記放電チャンバ内で発生された光によって照射される流体用のダクトの壁の一部を形成する、光学流体処理デバイス。
【請求項１２】
前記ＤＢＤランプデバイスは、前記放電チャンバ内に放電を発生させるランプドライバを含み、前記ランプドライバの少なくとも一部は、前記ダクト壁に熱的に接触して、前記ランプドライバから前記ダクト内の前記流体への熱の流動を可能にする、請求項１１に記載の光学流体処理デバイス。
【請求項１３】
前記ＤＢＤランプデバイスの低電圧端子は、前記ダクト内の流体に電気的に接触する接触面を有する、請求項１１又は１２に記載の光学流体処理デバイス。
【請求項１４】
前記ダクト内又は前記ダクトと流体連結する空間内の前記流体の存在を検知する流体存在センサを含み、前記ＤＢＤランプデバイスは、前記流体存在センサによって前記流体の存在が検知される場合に起動される、請求項１１乃至１３の何れか一項に記載の光学流体処理デバイス。
【請求項１５】
前記ダクト内の前記流体の存在を検知する流体存在センサを含み、前記流体存在センサは、前記導電性要素と前記２つのブッシュのうちの前記第２のブッシュの前記導電性部分との間の電流の流れを測定する、請求項１又は６に従属する請求項１１乃至１３の何れか１項に記載の光学流体処理デバイス。
【請求項１６】
前記ダクト内の前記流体の流動状態を検知する流体流動状態センサを含み、前記ＤＢＤランプデバイスは、前記流体流動状態センサによって前記流体の流動状態が検知される場合に起動される、請求項１１乃至１５の何れか一項に記載の光学流体処理デバイス。
【請求項１７】
前記流体流動状態センサ は、前記ダクト内のバルブを開けることによって起動され、
前記流体流動状態センサはバルブアクチュエータに結合されている、請求項１６に記載の光学流体処理デバイス。
【請求項１８】
流体を収容し、流体排出開口を有する流体コンパートメントと、
請求項１１乃至１７の何れか一項に記載の光学流体処理デバイスと、
を含み、
前記流体コンパートメントの前記流体排出開口は、流体リザーバから流体を注ぐ際に、前記流体コンパートメントから前記光学流体処理デバイスの前記ダクトを介して流体が流れるように、前記ダクトに接続される、流体リザーバ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月5日(2014.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信ケーブルと通信ジャックとの間を電気的に接触させるための通信プラグであって、
軸に沿ってプラグ本体に入る前記通信ケーブルを収容するための空洞を有する当該プラグ本体と、
前記空洞内に位置し、複数のトレースを有し、前記軸に対して角度が付いた少なくとも１つの表面を有する回路基板と、
前記回路基板上のトレースと前記通信ケーブルとを電気的に接触させるための第１の接触子であって、特定のワイヤペアの接触子が複数の別のワイヤペアの接触子の両方と等距離になるように前記第１の接触子は千鳥状に配置される、第１の接触子と、
前記回路基板上の前記トレースと前記プラグがインターフェースを形成するジャック上の接触子とを電気的に接触させるための第２の接触子と、
を備える、通信プラグ。
【請求項２】
前記複数のトレースは、前記複数のトレースのうちの少なくとも２つの間に結合を提供するように配列される、請求項１に記載の通信プラグ。
【請求項３】
前記通信ケーブルは、４つのペアに配列された８つのワイヤを有し、前記第１の接触子は、前記８つのワイヤのうちの対応する１つと電気的に接触させるための４つのＩＤＣペアに配列された８つの絶縁変位接触子（ＩＤＣ）であり、前記第２の接触子は８つの接触子であり、前記回路基板は、前記ＩＤＣと前記８つの接触子との間に延びる８つのトレースを有する、請求項１に記載の通信プラグ。
【請求項４】
前記ＩＤＣは、前記回路基板の孔に圧入される、請求項３に記載の通信プラグ。
【請求項５】
前記ＩＤＣの第１のサブセットは、前記回路基板の上部側に圧入され、前記ＩＤＣの第２のサブセットは、前記回路基板の底部側に圧入される、請求項４に記載の通信プラグ。
【請求項６】
前記孔は、バランスの取れた結合を隣接ＩＤＣペアに提供するように千鳥構成で配列される、請求項３に記載の通信プラグ。
【請求項７】
前記第２の接触子は、前記回路基板上の孔に圧入される、請求項１に記載の通信プラグ。
【請求項８】
前記第２の接触子のための前記孔のサブセットは、千鳥状である、請求項７に記載の通信プラグ。
【請求項９】
前記第２の接触子の第１のサブセットは、前記第２の接触子の第２のサブセットの形状と異なる形状を有する、請求項８に記載の通信プラグ。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの表面は、前記軸に対して約１度から１０度までの範囲で角度が付けられている、請求項１に記載の通信プラグ。
【請求項１１】
前記回路基板は長さを有し、前記空洞は長さ、幅、および高さを有し、前記空洞の長さ、幅、および高さのそれぞれは、前記回路基板の前記長さよりも短い、請求項１に記載の通信プラグ。
【請求項１２】
前記回路基板は複数の層を含み、前記複数のトレースは前記複数の層上に配列され、前記回路基板は前記複数のトレースのうちの少なくとも２つのクロスオーバーを含む、請求項１に記載の通信プラグ。
【請求項１３】
前記回路基板は、前記回路基板上の前記トレースの各ペアのためのコモンモードチョークを含む、請求項１に記載の通信プラグ。
【請求項１４】
前記コモンモードチョークは表面実装チョークである、請求項１３に記載の通信プラグ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月28日(2014.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホスト装置による記憶装置の認証方法であって、
複数の暗号化された個別ＩＤを格納した記憶装置から前記複数の暗号化された個別ＩＤのうち一つの暗号化された個別ＩＤを受信するステップと、
前記暗号化された個別ＩＤを復号化するステップと、
個別ＩＤに対応する認証情報を前記記憶装置から受信するステップと、
前記復号化された個別ＩＤを用いて前記認証情報を検証するステップと、を含むことを特徴とする記憶装置の認証方法。
【請求項２】
前記複数の暗号化された個別ＩＤは、複数の使用用途に対応することを特徴とする請求項１に記載の記憶装置の認証方法。
【請求項３】
前記認証情報は、前記復号化された個別ＩＤを暗号化アルゴリズムを通して暗号化することで生成されたデータを用いて検証されることを特徴とする請求項１に記載の記憶装置の認証方法。
【請求項４】
前記認証情報は、前記復号化された個別ＩＤを暗号化アルゴリズムを通して暗号化することで生成されたデータとの比較を通して検証されることを特徴とする請求項１に記載の記憶装置の認証方法。
【請求項５】
前記検証が失敗した場合、前記記憶装置の認証を中断するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の記憶装置の認証方法。
【請求項６】
記憶装置を認証するためのホスト装置であって、
複数の暗号化された個別ＩＤを格納した記憶装置から前記複数の暗号化された個別ＩＤのうち一つの暗号化された個別ＩＤを受信し、前記暗号化された個別ＩＤを復号化するＩＤデコーダと、
個別ＩＤに対応する認証情報を前記記憶装置から受信し、前記復号化された個別ＩＤを用いて前記認証情報を検証する認証処理部(Authenticator)と、を含むことを特徴とするホスト装置。
【請求項７】
前記複数の暗号化された個別ＩＤは、複数の使用用途に対応することを特徴とする請求項６に記載のホスト装置。
【請求項８】
前記認証情報は、前記復号化された個別ＩＤを暗号化アルゴリズムを通して暗号化することで生成されたデータを用いて検証されることを特徴とする請求項６に記載のホスト装置。
【請求項９】
前記認証情報は、前記復号化された個別ＩＤを暗号化アルゴリズムを通して暗号化することで生成されたデータとの比較を通して検証されることを特徴とする請求項６に記載のホスト装置。
【請求項１０】
前記認証処理部は、前記検証が失敗した場合、前記記憶装置の認証を中断することを特徴とする請求項６に記載のホスト装置。
【請求項１１】
記憶装置による認証方法であって、
前記記憶装置に格納された複数の暗号化された個別ＩＤのうち一つの暗号化された個別ＩＤをホスト装置に伝送するステップと、
個別ＩＤに対応する認証情報を前記ホスト装置に伝送するステップと、を含み、
前記認証情報は、前記個別ＩＤを暗号化アルゴリズムを通して暗号化することで生成されることを特徴とする認証方法。
【請求項１２】
前記複数の暗号化された個別ＩＤは、複数の使用用途に対応することを特徴とする請求項１１に記載の認証方法。
【請求項１３】
記憶装置であって、
複数の暗号化された個別ＩＤを格納するＥＩＤ(Encoded IDentifier)領域と、
前記複数の暗号化された個別ＩＤのうち一つの暗号化された個別ＩＤをホスト装置に伝送し、個別ＩＤに対応する認証情報を前記ホスト装置に伝送するように構成されたコントローラと、を含み、
前記認証情報は、前記個別ＩＤを暗号化アルゴリズムを通して暗号化することで生成されることを特徴とする記憶装置。
【請求項１４】
前記複数の暗号化された個別ＩＤは、複数の使用用途に対応することを特徴とする請求項１３に記載の記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月20日(2014.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型材料の第１の層と前記第１の層の上面に接するｎ型材料の第２の層とを有する多層の基板構造であって、前記第１の層が前記第２の層よりも実質的に厚く、前記多層の基板構造が上面を有し、前記第２の層が高濃度にドープされたｎ型の上面を有し、前記多層の基板構造の前記第１の層と前記第２の層とがそれらの間にｐ−ｎ接合を形成する、前記多層の基板構造と、
前記多層の基板構造の上面と接するバッファ層であって、前記バッファ層のいずれの部分も前記第１の層に接触せず、前記バッファ層が上面およびＩＩＩ族の窒化物を含み、前記バッファ層が前記ｎ型の第２の層内に前記ｎ型の第２の層を通して延びるｐ型の領域を形成しないように、前記ｎ型の第２の層が十分に厚く且つ十分なドーピングを有するように構成され、それにより前記ｎ型の第２の層と前記ｐ型の第１の層とにより形成される前記ｐ−ｎ接合を短絡しないようにする、前記バッファ層と、
前記バッファ層の上面に接するチャンネル層であって、ＩＩＩ族の窒化物と上面を含む、前記チャンネル層と、
前記チャンネル層の上面に接するバリア層であって、ＩＩＩ族の窒化物を含む、前記バリア層と、
前記チャンネル層に接する、離間された金属ソース及びドレイン領域と、
前記バリア層の上面から前記多層の基板構造の底面に延びるベベル加工されたエッジであって、前記ベベル加工されたエッジが、前記ｐ−ｎ接合のより高濃度にドープされた側からよりも前記ｐ−ｎ接合のより低濃度にドープされた側のより大きい量を除去することにより形成され、結果として、正のベベル角として知られる、ベベル加工されたエッジがダイの底部よりも前記ダイの頂部で広く、前記正のベベルが、空亡領域が上方にカーブして前記ベベル加工されたエッジでより広くなるように、前記より低濃度にドープされた第２の層からより大きい量を除去することをもたらし、前記空亡領域の増加された幅が前記ベベル加工されたエッジでの接合降伏電圧を実質的に増加させる、前記ベベル加工されたエッジと、
を含むトランジスタ。
【請求項２】
請求項１に記載のトランジスタであって、
前記金属ドレイン領域が前記第２の層から離間される、トランジスタ。
【請求項３】
請求項１に記載のトランジスタであって、
前記多層の基板構造の幅が深さとともに変化する、トランジスタ。
【請求項４】
請求項１に記載のトランジスタであって、
前記多層の基板構造が、前記第２の層の上面に接する第１導電型の第３の層を更に含む、トランジスタ。
【請求項５】
請求項４に記載のトランジスタであって、
前記バッファ層が前記第３の層の上面に接する、トランジスタ。
【請求項６】
請求項５に記載のトランジスタであって、
前記バッファ層のいずれの部分も前記第２の層に接触しない、トランジスタ。
【請求項７】
トランジスタの製造方法であって、
ｐ型材料の第１の層と前記第１の層の上面に接するｎ型材料の第２の層とを有する多層の基板構造を形成することであって、前記第１の層が前記第２の層よりも実質的に厚く、前記多層の基板構造が上面を有し、前記第２の層が高濃度にドープされたｎ型の上面を有し、前記多層の基板構造の前記第１の層と前記第２の層とがそれらの間にｐ−ｎ接合を有する、前記多層の基板構造を形成することと、
前記多層の基板構造の上面に接するようにバッファ層を形成することであって、前記バッファ層のいずれの部分も前記第１の層に接触せず、前記バッファ層が上面とＩＩＩ族窒化物を含んでおり、前記バッファ層が前記ｎ型の第２の層内に前記第２の層を通して延びるｐ型の領域を形成しないように、前記ｎ型の第２の層が十分に厚く且つ十分なドーピングを有するように構成され、それにより前記ｎ型の第２の層と前記ｐ型の第１の層とによって形成される前記ｐ−ｎ接合を短絡しないようにする、前記バッファ層を形成することと、
前記バッファ層の上面に接するようにチャンネル層を形成することであって、前記チャンネル層がＩＩＩ族窒化物と上面とを含む、前記チャンネル層を形成することと、
前記チャンネル層の上面に接するようにバリア層を形成することであって、前記バリア層がＩＩＩ族窒化物を含む、前記バリア層を形成することと、
前記チャンネル層に接触する離間された金属ソース及びドレイン領域を形成することと、
前記バリア層の上面から前記多層の基板構造の底面に延びるベベル加工されたエッジを形成することであって、前記ベベル加工されたエッジが、前記ｐ−ｎ接合のより高濃度にドープされた側からよりも前記ｐ−ｎ接合のより低濃度にドープされた側のより大きい量を除去することにより形成され、結果として、正のベベル角として知られる、ベベル加工されたエッジがダイの底部よりも前記ダイの頂部で広く、前記正のベベルが、空亡領域が上方にカーブして前記ベベル加工されたエッジでより広くなるように、前記より低濃度にドープされた第２の層からより大きい量を除去することをもたらし、前記空亡領域の増加された幅が前記ベベル加工されたエッジでの接合降伏電圧を実質的に増加させる、前記ベベル加工されたエッジを形成することと、
を含む方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、
前記金属ドレイン領域が前記第２の層から離間される、方法。
【請求項９】
請求項７に記載の方法であって、
前記多層の基板構造の幅が深さとともに変化するように、前記多層の基板構造のエッジを研磨材でスプレーすることを更に含む、方法。
【請求項１０】
請求項７に記載の方法であって、
前記多層の基板構造が、前記第２の層の上面に接する第１導電型の第３の層を更に含む、方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、
前記バッファ層が前記第３の層の上面に接する、方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、
前記バッファ層のいずれもの部分も前記第２の層に接触しない、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月20日(2014.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
増加されたバッファ降伏電圧を有するトランジスタであって、
第１の導電型の基板であって、上面を有する、前記基板と、
前記基板内に位置する第２の導電型のウェルであって、上面を有する、前記ウェルと、
前記基板の前記上面及び前記ウェルの前記上面に接するバッファ層であって、上面を有する、前記バッファ層と、
前記バッファ層の前記上面に接するチャネル層であって、ＩＩＩ族窒化物を含み上面を有する、前記チャネル層と、
前記チャネル層の前記上面に接するバリア層であって、ＩＩＩ族窒化物を含む、前記バリア層と、
前記チャネル及びバリア層にオーミック接触する、離間された金属ソース領域及び金属ドレイン領域であって、前記ウェルの直上にある、前記金属ソース領域及び金属ドレイン領域と、
を含み、
前記ウェルが前記ドレイン領域の下にあって前記ソース領域の下になく、前記基板と前記ウェルとにより形成される接合が直列に動作する接合隔離バリアを形成し、それにより前記バッファ降伏電圧が増加する、トランジスタ。
【請求項２】
請求項１に記載のトランジスタであって、
前記金属ドレイン領域が前記ウェルから間隔を空けて配される、トランジスタ。
【請求項３】
請求項１に記載のトランジスタであって、
前記バッファ層に接し、且つ、前記チャネル層及び前記バリア層の領域に接し且つそれらの横方向の間にある、インプラント隔離領域を更に含む、トランジスタ。
【請求項４】
請求項１に記載のトランジスタであって、
前記基板内に位置する整合マーク開口を更に含み、前記金属ドレイン領域が前記整合マーク開口に対し所定の空間的関係を有する、トランジスタ。
【請求項５】
請求項１に記載のトランジスタであって、
前記バリア層に接する、又は絶縁性層により前記バリア層から分離される、金属ゲートを更に含む、トランジスタ。
【請求項６】
請求項１に記載のトランジスタであって、
前記バッファ層が、
前記基板の上面及び前記ウェルの前記上面に接する第１のバッファ層と、
前記第１のバッファ層内に位置する前記第２の導電型の領域と、
前記第１のバッファ層に接する第２のバッファ層であって、前記チャネル層が前記第２のバッファ層の上面に接する、前記第２のバッファ層と、
を含む、トランジスタ。
【請求項７】
請求項６に記載のトランジスタであって、
前記第１のバッファ層が前記第２のバッファ層より薄い、トランジスタ。
【請求項８】
請求項６に記載のトランジスタであって、
前記第１のバッファ層内に位置する前記第２の導電型の前記領域が、前記ウェルの直上にあり且つ前記ウェルに接する、トランジスタ。
【請求項９】
請求項６に記載のトランジスタであって、
前記第１のバッファ層内に位置する前記第１の導電型の領域を更に含む、トランジスタ。
【請求項１０】
請求項９に記載のトランジスタであって、
前記第１のバッファ層内に位置する前記第１の導電型の前記領域が、前記第１のバッファ層内に位置する前記第２の導電型の前記領域に接する、トランジスタ。
【請求項１１】
増加されたバッファ降伏電圧を有するトランジスタを形成する方法であって、
上面を有する、第１導電型の基板を形成することと、
前記基板内に、上面を有する、第２導電型のウェルを形成することと、
前記基板の前記上面及び前記ウェルの前記上面に接するようにバッファ層を形成することであって、前記バッファ層が上面を有する、前記バッファ層を形成することと、
前記バッファ層の前記上面に接するようにチャネル層を形成することであって、前記チャネル層がＩＩＩ族窒化物を含み且つ上面を有する、前記チャネル層を形成することと、
前記チャネル層の前記上面に接するようにバリア層を形成することであって、前記バリア層がＩＩＩ族窒化物を含む、前記バリア層を形成することと、
前記チャネル層にオーミック接触する、離間された金属ソース領域及び金属ドレイン領域を形成することであって、前記金属ドレイン領域が前記ウェルの直上にある、前記金属ソース領域及び金属ドレイン領域を形成することと、
を含み、
前記ウェルが前記ドレイン領域の下にあって前記ソース領域の下になく、前記基板と前記ウェルとにより形成される接合が直列に動作する接合隔離バリアを形成し、それにより前記バッファ降伏電圧が増加する、方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、
前記金属ドレイン領域が前記ウェルから間隔を空けて配される、方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の方法であって、
開口を形成するように前記バリア層及び前記チャネル層の一部を取り除くことを更に含み、前記開口の底部が前記バッファ層の一部を露出させ、前記開口の側壁が前記チャネル層及び前記バリア層の一部を露出させる、方法。
【請求項１４】
請求項１１に記載の方法であって、
前記基板内に整合マーク開口を形成することを更に含み、前記金属ドレイン領域が前記整合マーク開口に対し所定の空間的関係を有する、方法。
【請求項１５】
請求項１１に記載の方法であって、
前記バリア層に接するように、又は絶縁性層により前記バリア層から分離されるように、金属ゲートを形成することを更に含む。
【請求項１６】
請求項１１に記載の方法であって、
前記バッファ層を形成することが、
前記基板の前記上面及び前記ウェルの前記上面に接するように第１のバッファ層を形成することであって、前記第１のバッファ層が上面を有する、前記第１のバッファ層を形成することと、
前記第１のバッファ層内に前記第２の導電型の領域を形成することと、
前記第１のバッファ層の前記上面に接するように第２のバッファ層を形成することであって、前記チャネル層が前記第２のバッファ層の上面に接する、前記第２のバッファ層を形成することと、
を含む、方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、
前記第１のバッファ層が前記第２のバッファ層より薄い、方法。
【請求項１８】
請求項１６に記載の方法であって、
前記第１のバッファ層内の前記第２の導電型の前記領域が、前記ウェルの直上にあり且つ前記ウェルに接する、方法。
【請求項１９】
請求項１６に記載の方法であって、
前記第１のバッファ層内に前記第１の導電型の領域を形成することを更に含む、方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法であって、
前記第１のバッファ層内の前記第１の導電型の前記領域が、前記第１のバッファ層内の前記第２の導電型の前記領域に接する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月24日(2014.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方のコンポーネントから別のコンポーネントへ動力を伝達するための、並設係合で積み重ねられた一連のフレキシブルな要素を有するアセンブリの疲労誘発型故障を検出するための装置であって、前記アセンブリが、周期的な動作速度周波数を有するものにおいて、
前記アセンブリに近接して取り付けられ、前記アセンブリにより放出される空気伝播音響信号に対応するアナログ信号を提供する少なくとも１つのセンサと、
前記アナログ信号を増幅するための手段と、
前記アナログ信号のバックグランドノイズを低減するためのフィルタ手段と、
前記アナログ信号をデジタル信号に変換するためのアナログ・デジタル変換器と、
前記アセンブリの前記動作速度周波数に関して前記デジタル信号をサンプリングするための手段と、
前記デジタル信号を分析して、動作周期において１つ又は複数の特定の信号パターンの発生時に出力を提供するための手段とを含む、装置。
【請求項２】
前記センサが、前記アセンブリの前記フレキシブルな要素により放出された前記音響信号のレンジにおける周波数に敏感である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記センサが、２５ｋＨＺから９０ｋＨｚの周波数レンジにおいて空気伝播音響信号を検出するように配置されている、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記センサが圧電トランスデューサである、請求項１〜３の何れかに記載の装置。
【請求項５】
前記フィルタ手段は、ピークのアナログ信号を時間フレームにわたって平均化して、前記ピークのアナログ信号を平均値のアナログ信号で置き換えるエンベロープ復調器である、請求項１〜４の何れかに記載の装置。
【請求項６】
一方のコンポーネントから別のコンポーネントへ動力を伝達するための、並設係合で積み重ねられた一連のフレキシブルな要素を有するアセンブリの疲労誘発型故障を検出する方法であって、前記動力を伝達するアセンブリが、周期的な動作速度周波数を有するものにおいて、
前記アセンブリの空気伝播音響放出を監視して前記アセンブリにより放出された音響信号をアナログ信号へ変換するためのセンサを設け、
前記アナログ信号を増幅し、
バックグランドノイズを低減するために前記アナログ信号をフィルタリングし、
前記アナログ信号をデジタル信号に変換し、
前記アセンブリの前記動作速度周波数に関して前記デジタル信号をサンプリングし、
動作周期において１つ又は複数の特定の信号パターンの発生を判断するために前記デジタル信号を分析することを含み、前記１つ又は複数の特定の信号パターンの前記発生は、前記アセンブリの１つ又は複数のフレキシブルな要素の故障を示す、方法。
【請求項７】
ピークのアナログ信号を時間フレームにわたって平均化して、前記ピークのアナログ信号を平均値のアナログ信号で置き換えるエンベロープ復調器に前記アナログ信号を通すことにより、前記アナログ信号がフィルタリングされる、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記デジタル信号が高速フーリエ変換プロセスを用いてサンプリングされ、それにより前記信号が前記アセンブリの前記動作速度周波数に関してスペクトルで分析され、前記アセンブリの１つ又は複数のフレキシブルな要素の故障が、前記高速フーリエ変換のスペクトルにおいて高調波周波数をもたらす、請求項６又は７に記載の方法。
【請求項９】
前記高調波周波数の振幅が、故障したフレキシブルな要素の数と共に増加する、請求項６又は７に記載に方法。
【請求項１０】
前記デジタル信号が、１つ又は複数の前記フレキシブルな要素の故障の目安を提供するために、歪度と尖度の統計値の組み合わせを用いてサンプリングされる、請求項６又は７に記載の方法。
【請求項１１】
前記デジタル信号が、１つ又は複数の前記フレキシブルな要素の故障の目安を提供するために、歪度と尖度の統計値と組み合わされた高速フーリエ変換プロセスを用いてサンプリングされる、請求項６又は７に記載の方法。
【請求項１２】
前記デジタル信号が、前記アセンブリの１つの周期にわたって前記デジタル信号の二乗平均平方根（ＲＭＳ）の値を計算することによりサンプリングされる、請求項６又は７に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【図１】代表的な膜カップリングの断面図である。
【図２】膜カップリングの代表的なフレキシブルな要素を示す図である。
【図３】本発明による、アセンブリの疲労誘発型故障を判定するための音響放出検出システムを示す図である。
【図４】本発明による、音響信号のエンベロープを示す図である。
【図５】本発明による、無傷のカップリングの絶対的デジタル化音響信号を示す図である。
【図６】本発明による、無傷のカップリングの高速フーリエ変換スペクトルを示す図である。
【図７】本発明による、１つの破損したフレキシブルな要素を備えるカップリングの音響信号を示す図である。
【図８】本発明による、１つの破損したフレキシブルな要素を備えるカップリングの高速フーリエ変換スペクトルを示す図である。
【図９】本発明による、２つの破損したフレキシブルな要素を備えるカップリングの音響信号を示す図である。
【図１０】本発明による、２つの破損したフレキシブルな要素を備えるカップリングの高速フーリエ変換スペクトルを示す図である。
【図１１】本発明による、３つの破損したフレキシブルな要素を備えるカップリングの音響信号を示す図である。
【図１２】本発明による、３つの破損したフレキシブルな要素を備えるカップリングの高速フーリエ変換スペクトルを示す図である。
【図１３】高次の統計的サンプリングプロセスから導出されたデジタル音響信号を示す図である。
【図１４】高速フーリエ変換スペクトル及び高次の統計的サンプリングプロセスの組み合わせから導出されたデジタル音響信号を示す図である。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月24日(2014.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスタービン用のアセンブリ（１８０）であって、
第１面（１４２）及び第２面（１４４）を有するフランジ（１４０）、及び前記フランジ（１４０）の第１面（１４２）へ接続されるロケットユニット（１２０）と、
ガスタービン（１００）の燃焼室（１０８）へガスを供給するために前記フランジ（１４０）のボア（１４６）を通るように構成されたガス供給パイプ（１２６）と、
前記ガス供給パイプ（１２６）を囲み、第１端部（１６２）及び第２端部（１６４）を有するスリーブ（１６０）と、
を備え、
前記第１端部（１６２）は、前記ガス供給パイプ（１２６）に封止接続され、
前記スリーブ（１６０）は、前記フンランジ（１４０）の厚さ方向に延びて前記第２端部（１６４）で前記フランジ（１４０）に封止接続されるように構成される、
アセンブリ。
【請求項２】
前記第１端部（１６２）は、前記燃焼室（１０８）から遠い側で、前記フランジ（１４０）のボアの外にある前記スリーブ（１６０）の第１長手方向位置に設定される、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
前記第２端部（１６４）は、前記燃焼室（１０８）の方へ半分のところで前記フランジ（１４０）のボアの中にある前記スリーブ（１６０）の第２長手方向位置に設定される、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項４】
前記第２端部（１６４）は、前記燃焼室（１０８）の方へ半分のところで前記フランジ（１４０）のボアの中にある前記スリーブ（１６０）の第２長手方向位置に設定される、請求項２に記載のアセンブリ。
【請求項５】
前記スリーブ（１６０）の前記第２端部（１６４）は、前記フランジ（１４０）との接続に適応させるべく半径方向に延長されている、請求項４に記載のアセンブリ。
【請求項６】
前記スリーブ（１６０）は、該スリーブ（１６０）の周囲を巡って半径方向に膨出する長手方向部分（１６６）を有する、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項７】
前記長手方向部分（１６６）は、前記スリーブ（１６０）の第１端部（１６２）に近い位置に設けられる、請求項６に記載のアセンブリ。
【請求項８】
前記スリーブ（１６０）は、前記第１端部（１６２）において長手方向に斜めの角度で前記ガス供給パイプ（１２６）に接続される、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項９】
ガスタービンアセンブリ（１８０）を組み立てる方法であって、
（２０２）ガスタービン（１００）の燃焼室（１０８）へガスを供給するためにガス供給パイプ（１２６）をフランジ（１４０）のボア（１４６）に通し、
（２０４）第１端部（１６２）及び第２端部（１６４）を有するスリーブ（１６０）で前記ガス供給パイプ（１２６）を囲い、
（２０６）前記フランジ（１４０）の厚さ方向に前記スリーブ（１６０）を延設し、
（２１０）前記スリーブ（１６０）の第１端部（１６２）を前記ガス供給パイプ（１２６）に封止接続し、
前記スリーブの第２端部（１６４）を前記フランジ（１４０）に封止接続する、
ことを含み、
前記フランジ（１４０）が第１面（１４２）と第２面（１４４）とを備え、該フランジ（１４０）の第１面（１４２）にロケットユニット（１２０）を接続する、方法。
【請求項１０】
前記燃焼室（１０８）から遠い側で、前記フンランジ（１４０）のボア（１４６）の外にある前記スリーブ（１６０）の第１長手方向位置に、前記第１端部（１６２）を設ける、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記燃焼室（１０８）の方へ半分のところで前記フランジ（１４０）のボア（１４６）の中にある前記スリーブの第２長手方向位置に、前記第２端部（１６４）を設ける、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記フランジ（１４０）への接続に適応させるべく前記スリーブ（１６０）の第２端部（１６４）を半径方向に延長する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記スリーブ（１６０）の一部を該スリーブ（１６０）の周囲を巡って半径方向に膨出させることをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記スリーブ（１６０）を、前記第１端部（１６２）において長手方向に斜めの角度で前記ガス供給パイプ（１２６）に接続するようにして、前記スリーブ（１６０）の一部を半径方向に膨出させる、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記スリーブ（１６０）の第１端部（１６２）の近くに前記一部を設ける、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
ホットエアを供給するコンプレッサ（１０２）と、
ガスと前記コンプレッサ（１０２）からのホットエアとを混合して作動ガスを発生する燃焼室（１０８）と、
フランジ（１４０）、前記フランジ（１４０）に取り付けられたベースを有するロケットユニット（１２０）、前記フンランジ（１４０）のボア（１４６）を通り前記燃焼室（１０８）へガスを供給するガス供給パイプ（１２６）、そして、前記ガス供給パイプ（１２６）を囲み、前記フランジ（１４０）の厚さ方向に延伸し、前記ガス供給パイプ（１２６）に封止接続される第１端部（１６２）と前記フランジ（１４０）に封止接続される第２端部（１６４）とを有するスリーブ（１６０）を備えた、アセンブリと、
を備えるガスタービン。
【請求項１７】
前記スリーブ（１６０）の第１端部（１６２）が前記フランジ（１４０）のボア（１４６）の外から前記ガス供給パイプ（１２６）に接続され、
前記スリーブ（１６０）の第２端部（１６４）が前記フランジ（１４０）のボア（１４６）の内側に接続される、
請求項１６に記載のガスタービン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図５を参照すると、ガスタービン用の例示アセンブリ１８０の断面図が示されている。アセンブリ１８０は、ガスタービンのフランジ１４０のボア１４６（図３）を通るガス供給パイプ１２６を含む。ガス供給パイプ１２６は、ガスタービンの燃焼室１０８へガスを供給する。さらに、このアセンブリは、ガス供給パイプ１２６を囲む、図示のスリーブ１６０を含む。スリーブの第１端部１６２は、ガス供給パイプ１２６に封止接続され、このことは、第１端部が、ガス供給パイプをホットエアの周囲環境から遮断するように接続されることを意味する。スリーブ１６０の第２端部１６４は、フランジ１４０との接続に適応させてある。スリーブ１６０は、フランジ１４０のボアの外からフランジの厚さに及んで延伸する長さを有する。より詳しくは、スリーブ１６０の第１端部１６２は、図示のように、燃焼室１０８から遠い側でフランジ１４０のボアの外にあるスリーブ１６０の第１長手方向位置に設定される。第２端部１６４は、フランジ１４０のボアの内側に接続される。第２端部１６４でスリーブ１６０をフランジ１４０に接続することにより、フランジ１４０のボア内側にスリーブの第２端部１６４を溶接することができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年7月8日(2014.7.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オブジェクトを含むコンテンツを取り込むように構成された第１のコンテンツ取込み機構と、
前記第１のコンテンツ取込み機構から前記取り込まれたコンテンツを受け取り、
前記第１のコンテンツ取込み機構または第２のコンテンツ取込み機構のうちの少なくとも１つを介して前記オブジェクトに関連する第１のセンサから前記オブジェクトに関連するオブジェクト・データを受け取り、
前記オブジェクトに関連する第１のセンサまたは前記オブジェクトに関連する第２のセンサの内の少なくとも１つから位置情報を受け取るように構成されたプロセッサと、
前記オブジェクトに関連する第１のセンサまたは前記オブジェクトに関連する第２のセンサから、前記オブジェクトに関連する追加のオブジェクト・データを受け取るように構成された通信インターフェースとを備え、
前記プロセッサはさらに、
前記オブジェクト・データの少なくとも一部に基づいて情報構造を投入し、
前記位置情報に基づいて、前記取り込まれたコンテンツ内での前記オブジェクトの位置を判定し、
前記取り込まれたコンテンツ内での前記オブジェクトの前記位置に基づいて、前記取り込まれたコンテンツ内に含まれる前記オブジェクトに前記情報構造を自動的に関連付けて、これによってタグ付けされたコンテンツを形成する
ように構成されたプロセッサと
を備える装置。
【請求項２】
前記プロセッサは、前記第１のコンテンツ取込み機構を介して前記第１のセンサから前記オブジェクト・データを受け取るように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第２のコンテンツ取込み機構をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記プロセッサは、前記第１のコンテンツ取込み機構を介して前記第１のセンサから前記オブジェクト・データを受け取るように構成されている、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
リモート・デバイスに向かって前記タグ付けされたコンテンツを伝搬させるように構成された第２の通信インターフェース
をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記通信インターフェースが、ワイヤレス通信インターフェースである、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
プロセッサは、
前記取り込まれたコンテンツ内に含まれる前記オブジェクトにコンテンツ・タグを関連付け、前記コンテンツ・タグの選択が前記情報構造へのアクセスを可能にするように、前記コンテンツ・タグに前記情報構造を関連付けること、または
コンテンツ・タグに情報構造を関連付け、前記コンテンツ・タグの選択が前記情報構造へのアクセスを可能にするように、前記取り込まれたコンテンツ内に含まれる前記オブジェクトに前記コンテンツ・タグを関連付けること
のうちの１つによって、前記取り込まれたコンテンツ内に含まれる前記オブジェクトに前記情報構造を自動的に関連付けて、これによってタグ付けされたコンテンツを形成するように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
プロセッサは、
前記オブジェクトの位置に基づいて前記取り込まれたコンテンツ内に含まれる前記オブジェクトに前記コンテンツ・タグを関連付けること
によって、前記取り込まれたコンテンツ内に含まれる前記オブジェクトに前記コンテンツ・タグを関連付けるように構成されている、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記オブジェクト・データが前記オブジェクトと関連するオブジェクト情報を含み、前記プロセッサが、
前記オブジェクトと関連する前記オブジェクト情報の少なくとも一部を前記情報構造に投入することにより、
前記オブジェクト・データの少なくとも一部に基づいて前記情報構造を投入するように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
ユーザ・デバイスを使用してコンテンツに自動的にタグ付けするための方法であって、
前記ユーザ・デバイスの第１のコンテンツ取込み機構を介してオブジェクトを含むコンテンツを取り込み、
前記ユーザ・デバイスの前記第１のコンテンツ取込み機構から前記ユーザ・デバイスのプロセッサで取り込んだコンテンツを受け取り、
前記ユーザ・デバイスの前記第１のコンテンツ取込み機構または第２のコンテンツ取込み機構の内の少なくとも１つを介して前記オブジェクトに関連する第１のセンサから前記オブジェクトに関連するオブジェクト・データを受け取るために前記ユーザ・デバイスのプロセッサを使用するステップと、
前記オブジェクトに関連する前記第１のセンサまたは前記オブジェクトに関連する第２のセンサの内の少なくとも１つから位置情報を受け取るステップと、
前記オブジェクトと関連する前記第１のセンサまたは前記オブジェクトと関連する前記第２のセンサから前記ユーザ・デバイスの通信インターフェースを介して、前記オブジェクトに関連する追加のオブジェクト・データを受け取るステップと、
前記位置情報に基づいて、前記取り込まれたコンテンツ内での前記オブジェクトの位置を判定するステップと、
前記オブジェクト・データの少なくとも一部に基づいて情報構造を投入するステップと、
前記取り込まれたコンテンツ内での前記オブジェクトの前記位置に基づいて、前記取り込まれたコンテンツ内に含まれる前記オブジェクトに前記情報構造を自動的に関連付けて、これによってタグ付けされたコンテンツを形成するステップと
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月26日(2014.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実体のあるコンピュータ可読記憶媒体上に記憶された命令を含む、コンピュータシステムであって、
ソーシャルメディアアプリケーションを使用して、前記ソーシャルメディアアプリケーションの共有者アカウントと関連付けられた複数の共有者コンテンツにアクセスする、消費者アカウントを介してトリガされる要求を受信するように構成される、表示モジュールと、
前記要求に応答して、前記共有者アカウントと関連付けられたソーシャルネットワーク内の前記消費者アカウントの消費者識別子と前記共有者アカウントの共有者識別子との間の関係のタイプを表す関係値にアクセスするように構成される、関係モジュールと、
前記関係値に基づいて、前記複数の共有者コンテンツから共有者コンテンツのサブセットを選択するように構成され、かつ前記関係値に基づいて、表示の一部分内の前記共有者コンテンツのサブセットの構成を定義するように構成される、表示複合モジュールと、
を備える、コンピュータシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月18日(2013.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発泡性でハロゲンフリーの、式（Ｉ）または（ＩＩ）のケイ素−リン−窒素（ＩＨＦＳＰＮ）ポリマー
式（Ｉ）
【化９】
2013544308.tif 000001
または
式（ＩＩ）
【化１０】
2013544308.tif 000002
〔式中、「ｎ」は、２〜１００であり、Ｒ１〜Ｒ６は、互いに同じであっても異なっていてもよく、かつ、水素、Ｃ１−Ｃ５アルキル、Ｃ３−Ｃ５ヒドロキシアルキル、Ｃ３−Ｃ４アルケニル、Ｃ６−Ｃ１０アリール、Ｃ７−Ｃ８アリールアルキル、またはシクロアルキル構造から選択される〕。
【請求項２】
１またはそれ以上の式（Ｉ）および／または式（ＩＩ）のＩＨＦＳＰＮポリマーを含む、ＩＨＦＳＰＮポリマー難燃剤系。
【請求項３】
少なくとも１種のハロゲンフリー難燃剤をさらに含み、前記ハロゲンフリー難燃剤が、式（Ｉ）または式（ＩＩ）のポリマーでない、請求項２に記載のＩＨＦＳＰＮポリマー難燃剤系。
【請求項４】
ａ）請求項１に記載の前記ＩＨＦＳＰＮポリマーと；
ｂ）ベースポリマーと
を含む、ＩＨＦＳＰＮポリマー組成物。
【請求項５】
ケーブルコーティングの形態の、請求項１に記載のＩＨＦＳＰＮポリマーを含む、物品。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月7日(2014.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ウェブページからテキストを抽出して少なくとも候補キーワードの第１のセットを生成し、言語処理を適用して少なくとも候補キーワードの第２のセットを生成し、前記候補キーワードの第１及び第２のセットを第１の候補プールに結合する前処理部と、
（ｂ）少なくとも前記第１の候補プールを記述するデータを前記前処理部から受信して第２の候補プールを生成する候補抽出部と、
（ｃ）前記前処理部および前記候補抽出部に接続され、少なくとも前記第２の候補プールを記述するデータを受信し、一般的特徴及び言語的特徴について前記第２の候補プールを分析する特徴抽出部と、
（ｄ）少なくとも前記第２の候補プールを記述する前記データと関連データとを前記特徴抽出部から受信し、前記第２の候補プール内の各候補が１次又は２次キーワードである尤度を判定する分類部と
を備えるコンピュータシステム。
【請求項２】
前記言語処理の少なくとも一部がトークナイザ及びパーサによって実行される、
請求項１に記載のコンピュータシステム。
【請求項３】
前記言語処理の少なくとも一部がトークナイザ、パーサ、品詞タグ付けプログラム、及び固有表現タグ付けプログラムによって実行される、
請求項１に記載のコンピュータシステム。
【請求項４】
前記言語処理の少なくとも一部がトークナイザによって実行される、
請求項１に記載のコンピュータシステム。
【請求項５】
前記言語処理の少なくとも一部がパーサによって実行される、
請求項１に記載のコンピュータシステム。
【請求項６】
前記言語処理の少なくとも一部が品詞タグ付けプログラムによって実行される、
請求項１に記載のコンピュータシステム。
【請求項７】
前記言語処理の少なくとも一部が固有表現タグ付けプログラムによって実行される、
請求項１に記載のコンピュータシステム。
【請求項８】
前記候補キーワードの第１のセットがメタデータテキストを含む、
請求項１に記載のコンピュータシステム。
【請求項９】
前記第２の候補プールが名詞句及び名詞列を含む、
請求項１に記載のコンピュータシステム。
【請求項１０】
前記第２の候補プールが名詞句、名詞列、及びｎグラムを含む、
請求項１に記載のコンピュータシステム。
【請求項１１】
前記一般的特徴が頻度、文書中の位置、及び大文字使用のうちの一又は複数を含む、
請求項１に記載のコンピュータシステム。
【請求項１２】
前記言語的特徴が品詞、語句構造、及び固有表現情報のうちの一又は複数に関連する、
請求項１に記載のコンピュータシステム。
【請求項１３】
前記一般的特徴が頻度特徴を含み、前記頻度特徴が前記ウェブページ内の関連語出現頻度と語出現頻度のログとのうちの一又は複数を含む、
請求項１に記載のコンピュータシステム。
【請求項１４】
各候補が１次又は２次キーワードである尤度の前記判定が注釈付きトレーニングデータに基づく、
請求項１に記載のコンピュータシステム。
【請求項１５】
各候補が１次又は２次キーワードである尤度の前記判定が、複数の注釈者からの注釈入力を結合することによって作成されたトレーニングデータに基づき、各注釈が１次キーワードと２次キーワードとの間の区別を含む、
請求項１に記載のコンピュータシステム。
【請求項１６】
前記一般的特徴が頻度、文書中の位置、及び大文字使用を含み、前記言語的特徴が品詞、語句構造、及び固有表現情報に関連する、
請求項１に記載のコンピュータシステム。
【請求項１７】
前記一般的特徴が頻度特徴を含み、前記頻度特徴が前記ウェブページ内の関連語出現頻度と語出現頻度のログとのうちの一又は複数を含み、前記言語的特徴が品詞、語句構造、及び固有表現情報に関連する、
請求項１に記載のコンピュータシステム。
【請求項１８】
コンピュータ処理システムによって実装されるステップを含む方法であって、
（ａ）ウェブページからテキストを抽出して少なくとも候補キーワードの第１のセットを生成し、言語処理を適用して少なくとも候補キーワードの第２のセットを生成し、前記候補キーワードの第１及び第２のセットを第１の候補プールに結合するステップと、
（ｂ）少なくとも前記第１の候補プールを記述するデータを受信して第２の候補プールを生成するステップと、
（ｃ）少なくとも前記第２の候補プールを記述するデータを受信し、一般的特徴及び言語的特徴について前記第２の候補プールを分析するステップと、
（ｄ）少なくとも前記第２の候補プールを記述する前記データと関連データとを特徴抽出部から受信し、前記第２の候補プール内の各候補が１次又は２次キーワードである尤度を判定するステップと
を含む方法。
【請求項１９】
（ａ）ウェブページからテキストを抽出して少なくとも候補キーワードの第１のセットを生成し、言語処理を適用して少なくとも候補キーワードの第２のセットを生成し、前記候補キーワードの第１及び第２のセットを第１の候補プールに結合するステップと、
（ｂ）少なくとも前記第１の候補プールを記述するデータを受信して第２の候補プールを生成するステップと、
（ｃ）少なくとも前記第２の候補プールを記述するデータを受信し、一般的特徴及び言語的特徴について前記第２の候補プールを分析するステップと、
（ｄ）少なくとも前記第２の候補プールを記述する前記データと関連データとを特徴抽出部から受信し、前記第２の候補プール内の各候補が１次又は２次キーワードである尤度を判定するステップと
をコンピュータシステムに実行させるためのプログラム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年12月5日(2013.12.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
フィッシャー−トロプシュ由来の灯油燃料は、１５℃において好ましくは０．７３０から０．７６０ｇ／ｃｍ３、例えばナロウカット留分に関しては０．７３０から０．７４５ｇ／ｃｍ３、フルカット留分に関しては０．７３５から０．７６０ｇ／ｃｍ３の密度を有する。これは、好ましくは５ｐｐｍｗ（重量基準百万分の一）以下の硫黄含有量を有する。特にこれは６３から７５、例えばナロウカット留分に関しては６５から６９、フルカット留分に関しては６８から７３のセタン価を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月18日(2013.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
補強要素の少なくとも１つの層から成る半径方向カーカス補強材を有するタイヤであって、前記タイヤは、それ自体トレッドで半径方向に被覆されたクラウン補強材を有し、前記トレッドは、２つのサイドウォールを経て２つのビードに接合されている、タイヤにおいて、前記カーカス補強材の少なくとも１つの層の前記補強要素のうちの少なくとも９０％は、通気度試験と呼ばれている試験において２０ｃｍ3／分未満の流量を示す非たが掛け金属コードであり、前記カーカス補強材の少なくとも１つの層の前記補強要素のうちの少なくとも１％は、毛管であり、前記毛管の軸線に垂直な断面平面で見て、開放面積と材料面積の比は、０．４％を超える、タイヤ。
【請求項２】
通気度試験と呼ばれている試験において２０ｃｍ3／分未満の流量を示す前記カーカス補強材の少なくとも１つの層の前記金属補強要素の前記少なくとも９０％は、少なくとも２つの層を有するコードであり、少なくとも１つの内側層は、ポリマーコンパウンド、例えば架橋可能な又は架橋済みのゴムコンパウンド、好ましくは少なくとも１種類のジエンエラストマーを主成分とするゴムコンパウンドから成る層で外装されている、請求項１記載のタイヤ。
【請求項３】
前記コードは、通気試験と呼ばれている試験において１０ｃｍ3／分未満、好ましくは２ｃｍ3／分未満の流量を示す、請求項１又は２記載のタイヤ。
【請求項４】
前記毛管の軸線に垂直な断面平面で見て、前記毛管の開放面積と材料面積の比は、１０％を超える、請求項１〜３のうちいずれか一に記載のタイヤ。
【請求項５】
前記毛管は、ナイロンで作られている、請求項１〜４のうちいずれか一に記載のタイヤ。
【請求項６】
前記毛管は、熱可塑性材料で作られている、請求項１〜４のうちいずれか一に記載のタイヤ。
【請求項７】
前記少なくとも１つのカーカス補強材層の前記金属補強要素の前記少なくとも９０％は、［Ｌ＋Ｍ］又は［Ｌ＋Ｍ＋Ｎ］構造の層状金属コードであり、前記層状金属コードは、直径ｄ1のＬ（Ｌは、１〜４である）本の細線を有する第１の層Ｃ１をピッチｐ2で螺旋の状態に互いに巻かれた直径ｄ2のＭ（Ｍは、３〜１２である）本の細線を有する少なくとも１つの中間層Ｃ２で包囲したものであり、前記層Ｃ２は、オプションとして、ピッチｐ3で螺旋の状態に互いに巻かれた直径ｄ3のＮ（Ｎは、８〜２０である）本の細線の外側層Ｃ３によって包囲され、少なくとも１種類のジエンエラストマーを主成分とする架橋可能な又は架橋済みゴムコンパウンドから成るシースが、［Ｌ＋Ｍ］構造では、前記第１の層Ｃ１を覆い、［Ｌ＋Ｍ＋Ｎ］構造では、少なくとも前記中間層Ｃ２を覆う、請求項１〜６のうちいずれか一に記載のタイヤ。