【手続補正書】
【提出日】平成24年11月1日(2012.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバ内でプラズマを形成するためにＲＦエネルギーを供給するＲＦ源と、
前記プラズマが形成されたときに、前記プラズマによって加熱されるような、前記プロセスチャンバ内に配置される部品と、
前記部品を加熱するために構成されるヒーターと、
熱を前記部品から取り除くために構成される熱交換器と、
オン／オフ流量制御バルブを中に配置し、及び前記流量制御バルブを迂回させるバイパスループを有する第１フローコンジットを経由して前記熱交換器に結合されるチラーであって、前記バイパスループには流量比バルブが内部に配置されたチラーと、
（Ａ）部品の温度と所定の温度閾値との比較、又は、（Ｂ）力率と所定の力率消費閾値との比較の少なくとも１に基づき、流量制御バルブを開閉するためのコントローラを含み、前記力率はプロセスチャンバに送られる総電力に対応する、基板を処理するための装置。
【請求項２】
前記部品の温度を示す温度測定装置を更に含み、前記コントローラは、以下の制御パラメータに従って動作し、
Ｔ  ＞  Ｔｓｐ  ＋  ｄＴＵＬの場合、流量制御バルブを開き、
Ｔ  ＜  Ｔｓｐ  −  ｄＴＬＬの場合、流量制御バルブを閉じ、
ここで、Ｔｓｐは目標温度設定値であり、ｄＴＵＬは所定の上方温度差であり、ｄＴＬＬは所定の下方温度差である請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記部品の温度を示すために配置された温度測定装置と、
プラズマ形成電極又はそのような電極のグループに送られる電力を示す前記コントローラ内への入力を更に含み、
前記コントローラは、実質的に以下の制御パラメータに従って動作し、
ΣωｉＰｉ  ＞  ＰＵＬ  かつ  Ｔ  ＞  Ｔｓｐ  −  ｄＴＬＬの場合、流量制御バルブを開き、
ΣωｉＰｉ  ＜  ＰＬＬ  かつ  Ｔ  ＜  Ｔｓｐ  ＋  ｄＴＵＬの場合、流量制御バルブを閉じ、
ここで、Ｔｓｐは目標温度であり、ｄＴＵＬは所定の上方温度差であり、ｄＴＬＬは所定の下方温度差であり、Ｐｉはｉ＝１からｎまでのプラズマ形成電極及び／又はそれらの群のうちの１つの電力消費量であり、ωｉは前記プロセスチャンバへ送られるＲＦ電力のｉ＝１からｎまでの供給源のうちの１つのための重み係数であり、ＰＵＬは合計された電力消費量のための所定の上限値であり、ＰＬＬは合計された電力消費量のための所定の下限値である請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記コントローラは、以下の制御パラメータに従って前記制御バルブを更に制御し、
Ｔ  ＞  Ｔｓｐ  ＋  ｄＴＵＬの場合、流量制御バルブを開き、
Ｔ  ＜  Ｔｓｐ  −  ｄＴＬＬの場合、流量制御バルブを閉じ、
ここで、Ｔｓｐは目標温度であり、ｄＴＵＬは所定の上方温度差であり、ｄＴＬＬは所定の下方温度差である請求項３記載の装置。
【請求項５】
前記部品は、前記プロセスチャンバ内にガスを注入するためのシャワーヘッド又は基板を保持するための静電チャックである請求項１記載の装置。
【請求項６】
プラズマが形成されたときプラズマによって加熱される、ヒーターによって加熱される、及び熱交換器を通してクーラント流体の流れによって冷却される、プロセスチャンバ内の部品の温度を制御する方法であって、前記方法は、
前記部品が第１冷却速度を要求するとき、前記熱交換器にクーラントを第１流量で供給するステップと、
前記部品が第２冷却速度を要求するとき、前記熱交換器に前記クーラントを第２流量で供給するステップを含み、前記第１流量及び前記第２流量は共にゼロではなく等しくもなく、
クーラントを前記第１又は第２流量で供給する時点は、（Ａ）部品の温度と所定の温度閾値との比較、又は、（Ｂ）力率と所定の力率消費閾値との比較の少なくとも１に基づき定められ、前記力率はプロセスチャンバに送られる総電力に対応する方法。
【請求項７】
前記第１流量は、中にオン／オフ流量制御バルブを配置する第１フローコンジットを通して供給され、前記第２流量を供給するステップは、
前記流量制御バルブを閉じ、中に流量比バルブを配置したバイパスループを通して前記クーラントを流すことによって、第１フローコンジットを迂回させるステップを更に含み、これによって前記第２流量を前記第１流量よりも低い流量に設定する請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記部品の温度が温度上限値よりも高いことを決定するステップと、
前記制御バルブを開き、これによって前記クーラントを前記第１流量で供給するステップを更に含む請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記部品の温度が温度下限値よりも低いことを決定するステップと、
前記制御バルブを閉じ、これによって前記クーラントを前記第２流量で供給するステップを更に含む請求項７記載の方法。
【請求項１０】
力率が所定の上限値よりも大きいことを決定するステップを更に含み、前記力率は、前記プロセスチャンバへ送られる全ＲＦ電力に一致し、
前記方法は、前記部品の温度が温度下限値よりも高いことを決定するステップと、
前記制御バルブを開き、これによって前記クーラントを前記第１流量で供給するステップを更に含む請求項７記載の方法。
【請求項１１】
前記力率は、前記プロセスチャンバに結合されたすべてのＲＦ源に対する、重み係数と、前記プロセスチャンバに結合されたＲＦ源から印加された電力との積の合計に等しい請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
力率が所定の下限値よりも小さいことを決定するステップを更に含み、前記力率は、前記プロセスチャンバへ送られる全ＲＦ電力に一致し、
前記方法は、前記部品の温度が温度上限値よりも低いことを決定するステップと、
前記制御バルブを閉じ、これによって前記クーラントを前記第２流量で供給するステップを更に含む請求項７記載の方法。
【請求項１３】
前記力率は、前記プロセスチャンバに結合されたすべてのＲＦ源に対する、重み係数と、前記プロセスチャンバに結合されたＲＦ源から印加された電力との積の合計に等しい請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
力率が所定の上限値よりも大きいことを決定するステップを更に含み、前記力率は、前記プロセスチャンバへ送られる全ＲＦ電力に一致し、
前記方法は、前記部品の温度が温度下限値よりも高いことを決定するステップと、
前記制御バルブを開き、これによって前記クーラントを前記第１流量で供給するステップと、
前記力率が所定の下限値よりも低いことを決定するステップを更に含み、前記力率は、前記プロセスチャンバへ送られる全ＲＦ電力に一致し、
前記方法は、前記部品の温度が温度上限値よりも低いことを決定するステップと、
前記制御バルブを閉じ、これによって前記クーラントを前記第２流量で供給するステップを更に含む請求項７記載の方法。
【請求項１５】
プラズマが形成されたときプラズマによって加熱される、ヒーターによって加熱される、及び熱交換器を通してクーラント流体の流れによって冷却される、プロセスチャンバ内の部品の温度を制御するために使用されるクーラント流体流量を制御する装置であって、
流量制御バルブに電気的に結合され、流量制御バルブを開閉するコントローラと、
プラズマ形成電極又はこのような電極のグループに送られる電力を示す前記コントローラ内への少なくとも１つの入力を含み、
前記流量制御バルブは、チラーと熱交換器の間の第１フローコンジット内に配置され、
前記コントローラは、力率と所定の力率消費閾値との比較に基づき、流量制御バルブを開閉し、前記力率はプロセスチャンバに送られる総電力に対応しており、
前記コントローラが、力率と所定の力率消費閾値との比較に基づき、流量制御バルブを閉じる時、クーラント流体はバイパスループを流れ、流量制御バルブをバイパスし、バイパスループは内部に流量バルブを有する装置。