【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年2月7日(2012.2.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超小型電気機械システム（ＭＥＭＳ）慣性デバイスであって、
シリコン・オン・オキサイドウェーハ（１６ａ）の活性層（２２ａ）に形成された機構（１０）であって、少なくとも１つの機構アンカー（２８）によって構造的に支持された１つまたは複数のセンサ機械特徴（２４）で構造化された機構（１０）と、
シリコン・オン・オキサイドウェーハ（１６ｂ）で形成され、誘電体層（１８ｂ）によって半導体ハンドル層（２０ｂ）から隔離された半導体活性層（２２ｂ）を有する第１のカバープレート（１２）と、前記第１のカバープレート活性層（２２ｂ）は、前記センサ機械特徴（２４）と協働するように構造化された１つまたは複数の内部カバープレート特徴（３１）および前記機構アンカー（２８）と協働するように構造化されたカバープレート・アンカー（３０）で構造化されており、前記第１のカバープレート・ハンドル層（２０ｂ）は、このハンドル層（２０ｂ）を通って前記カバープレート・アンカー（２８）と一直線に並んで延びる穴特徴（３４）で構造化されており、さらに、前記第１のカバープレート誘電体層（１８ｂ）は、前記カバープレート・アンカー（３０）と前記穴特徴（３４）の間に封止を形成する、誘電体材料でできた途切れのないリム（４０）で構造化され、さらに前記カバープレート穴特徴（３４）に近く、かつこの穴特徴（３４）と一直線に並んだ前記カバープレート・アンカー（３０）の表面（３８）を露出させており、さらに、
前記機構アンカー（２８）と前記カバープレート・アンカー（３０）の間に形成された結合、を特徴とする超小型電気機械システム（ＭＥＭＳ）慣性デバイス。
【請求項２】
前記カバープレート穴特徴（３４）が、逆ピラミッド形を有して構造化されていることをさらに特徴とする、請求項１に記載の慣性デバイス。
【請求項３】
フレーム（２６）が、前記１つまたは複数のセンサ機械特徴（２４）および前記機構アンカー（２８）を囲繞して前記機構活性層（２２ａ）に形成され、さらに、前記第１のカバープレート活性層（２２ｂ）に形成された相補的なフレーム（３２）に結合されていることをさらに特徴とする、請求項２に記載の慣性デバイス。
【請求項４】
導電コネクタ（１１４）が、前記カバープレート・アンカー（３０）と前記内部カバープレート特徴（３１）の１つとの間で前記第１のカバープレート活性層に形成され、第２のカバープレート・アンカー（３０）が前記第１のカバープレート活性層（２２ｂ）に形成されていることをさらに特徴とする、請求項３に記載の慣性デバイス。
【請求項５】
第２のカバープレート（１４）が、誘電体層（１８ｃ）で半導体ハンドル層（２０ｃ）から隔離された半導体活性層（２２ｃ）を有するシリコン・オン・オキサイドウェーハ（１６ｃ）で形成され、前記第２のカバープレート活性層（２２ｃ）は、前記センサ機械特徴（２４）と協働するように構造化された１つまたは複数の内部カバープレート特徴（４１）と、前記機構活性層（２２ａ）に形成された前記フレーム（２６）に対して相補的な、前記第１のカバープレート・フレーム（３２）の反対側でこのフレーム（２６）に結合されるフレーム（４４）と、で構造化されていることをさらに特徴とする、請求項３に記載の慣性デバイス。
【請求項６】
前記第２のカバープレート（１４）が、前記センサ機械特徴（２４）と協働するように構造化された１つまたは複数の内部カバープレート特徴（４１）および前記機構アンカー（２８）と協働するように構造化されたカバープレート・アンカー（４２）で構造化される前記第２のカバープレート活性層（２２ｃ）を含んで前記第１のカバープレート（１２）と実質的に同じに構造化され、前記第２のカバープレート・ハンドル層（２０ｃ）は、このハンドル層（２０ｃ）を通って前記カバープレート・アンカー（４２）と一直線に並んで延びる穴特徴（４６）で構造化されており、さらに、前記第２のカバープレート誘電体層（１８）は、前記カバープレート・アンカー（４２）と前記穴特徴（４６）の間に封止を形成する、誘電体材料でできた途切れのないリム（５２）で構造化され、さらに前記カバープレート穴特徴（４６）に近くかつこの穴特徴（４６）と一直線に並んだ前記カバープレート・アンカー（４２）の表面（５０）を露出させており、さらに、
結合が、前記機構アンカー（２８）と前記第２のカバープレート活性層（２２ｃ）に形成された前記アンカー（４２）との間に形成されること、をさらに特徴とする、請求項５に記載の慣性デバイス。
【請求項７】
前記機構（１０）の面内の放射方向膨張に対して順応性のあるフランジ（２９）が、前記センサ機械特徴（２４）および前記機構アンカー（２８）を囲繞して前記フレーム（２６）に結合されていることをさらに特徴とする、請求項６に記載の慣性デバイス。
【請求項８】
前記機構（１０）の前記１つまたは複数のセンサ機械特徴（２４）、および前記第１および第２のカバープレート活性層（２２ｂ、２２ｃ）の各々に形成された前記１つまたは複数の内部カバープレート特徴（３１、４１）が、静電加速度計（１００）を形成するように構造化されていることをさらに特徴とする、請求項６に記載の慣性デバイス。
【請求項９】
前記機構（１０）の前記１つまたは複数のセンサ機械特徴（２４）、および前記第１および第２のカバープレート活性層（２２ｂ、２２ｃ）の各々に形成された前記１つまたは複数の内部カバープレート特徴（３１、４１）が、コリオリ・レートジャイロスコープ（４００）を形成するように構造化されていることをさらに特徴とする、請求項６に記載の慣性デバイス。
【請求項１０】
前記穴特徴（３４、３６）が前記機構（１０）の両面に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の慣性デバイス。
【請求項１１】
超小型電気機械システム（ＭＥＭＳ）慣性デバイスを形成する方法であって、
半導体材料ハンドル層（２０ａ）と半導体材料活性層（２２ａ）の間に誘電体材料層（１８ａ）を有する第１のシリコン・オン・オキサイドウェーハ（１６ａ）の前記半導体材料活性層（２２ａ）に、１つまたは複数の機構アンカー（２８）で構造的に支持された１つまたは複数のセンサ機械特徴（２４）を形成するステップと、
半導体材料ハンドル層（２０ｂ）と半導体材料活性層（２２ｂ）の間に誘電体材料層（１８ｂ）を有する第２のシリコン・オン・オキサイドウェーハ（１６ｂ）の前記半導体材料活性層（２２ｂ）に、慣性デバイス（１）を形成するために前記センサ機械特徴（２４）と協働するように構造化された１つまたは複数の内部カバープレート特徴（３１）および前記機構アンカー（２８）と協働するように構造化された１つまたは複数のカバープレート・アンカー（３０）を形成するステップと、
前記第２のシリコン・オン・オキサイドウェーハ（１６ｂ）の前記カバープレート半導体材料ハンドル層（２０ｂ）に、このハンドル層（２０ｂ）を通って前記カバープレート・アンカー（２８）の１つと一直線に並んで延びる穴特徴（３４）を形成するステップと、
前記第２のシリコン・オン・オキサイドウェーハ（１６ｂ）の前記カバープレート誘電体材料層（１８ｂ）に、前記カバープレート・アンカー（３０）と前記穴特徴（３４）の間でそのアンカー（３０）と一直線に並んだ誘電体材料の途切れのないリム（４０）を形成し、前記穴特徴（３４）に近接し、一直線に並んだ前記カバープレート・アンカー（３０）の表面（３８）をさらに露出させるステップと、
前記内部カバープレート特徴（３１）が前記センサ機械特徴（２４）と協働するように前記センサ機械特徴（２４）に対して位置付けされた状態で、前記カバープレート誘電体およびハンドル層（１８ｂ、２０ｂ）の反対側の前記協働カバープレート・アンカー（３０）の表面（２２ｂ’）に前記機構アンカー（２８）の第１の表面（２２ａ’）を結合するステップと、
前記第１のシリコン・オン・オキサイドウェーハ（１６ａ）の前記半導体材料ハンドル層（２０ａ）および誘電体材料層（１８ａ）を除去するステップと、を特徴とする方法。