【手続補正書】
【提出日】平成15年12月2日(2003.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＳＩパターン形成工程におけるパターン忠実度を制御するための光近接効果補正方法において、
マスクパターン上の第１領域について、各々のパターンとその周辺のレイアウトに対応して予め求めておいた補正値を用い、前記第１領域の設計データに対して第１の補正を行うステップと、
前記マスクパターン上の前記第１領域を除いた領域について、マスクの露光プロセスをシミュレートして補正量を算出してこれを用い、前記第１領域を除いた領域の設計データに対して第２の補正を行うステップと、
を具備することを特徴とする光近接効果補正方法。
【請求項２】
前記第１の補正ステップは、その適用領域として、必要寸法精度又はパターンの必要忠実度が予め定められた値以下のパターンを含まない領域とし、それ以外の領域については前記第２の補正ステップを行うことを特徴とする請求項１記載の光近接効果補正方法。
【請求項３】
前記マスクパターンが、キャッシュメモリを搭載した中央演算処理装置のためのパターンである場合、
前記第２の補正ステップは、前記マスクパターンの内、キャッシュメモリに対応する領域に対して補正を行い、
前記第１の補正ステップは、前記マスクパターンの内、前記キャッシュメモリに対応する領域を除く領域に対して補正を行うことを特徴とする請求項１記載の光近接効果補正方法。
【請求項４】
前記マスクパターンがゲート配線層に定義された図形を示すパターンである場合、
前記第１の補正ステップは、拡散層と重なりを持つ辺が、その隣合う平行な辺と定められた第１のしきい値以内の距離にあるか、又は該辺の長さと該距離の比が定められた第２のしきい値以上であるといういずれかの条件を満たす場合、該辺を辺と垂直方向に動かすことにより補正を行うことを特徴とする請求項１記載の光近接効果補正方法。
【請求項５】
ＬＳＩパターン形成工程におけるパターン忠実度を制御するための光近接効果補正方法において、
設計パターンの辺上に補正対象点を設定するステップと、
前記補正対象点に関して、前記補正点が位置する辺とは垂直方向で、且つ前記補正対象点から光近接効果の及ぶ範囲に存在する図形の１次元配置を求めるステップと、
１次元配置と、これに対応する補正量を記憶するための補正テーブルを参照するステップと、
前記求められた１次元配置が前記補正テーブルに記憶されていない場合、前記１次元配置と同一のラインアンドスペース配置で辺の長さ方向には十分に長いトレーニングデータを作成するステップと、
前記作成されたトレーニングデータを光近接効果補正して前記補正対象点に関する補正量を求めるステップと、
前記１次元配置と求められた補正量とを補正テーブルに追加登録するステップと、
前記求められた１次元配置が、前記補正テーブルに記憶されている場合は対応する補正量を読み出すステップと、
前記求められた補正量、または前記読み出された補正量のいずれかに応じて前記補正対象点を含む辺を補正するステップと、
を具備することを特徴とする光近接効果補正方法。
【請求項６】
前記追加登録するステップは、追加する前記１次元配置と対応する前記補正量と共に、前記補正対象点の位置座標を前記補正テーブルに追加登録し、
前記光近接効果補正方法は、更に、
前記補正テーブルから補正対象点の位置座標を読み出すステップと、
前記読み出された補正対象点の座標から光近接効果の及ぶ範囲の補正後のマスクパターンにおける図形の１次元配置を求めるステップと、
求められた１次元配置と同一のラインアンドスペース配置で長さ方向には十分に長いトレーニングデータを補正後トレーニングデータとするステップと、
この補正後トレーニングデータに対し、露光プロセスのシミュレーションを施すステップと、
シミュレーション結果における補正対象点と、補正前のトレーニングデータにおける補正対象点とのずれを算出し、これにより前記補正対象点を検証するステップと、
を具備することを特徴とする請求項５記載の光近接効果補正方法。
【請求項７】
ＬＳＩパターン形成工程におけるパターン忠実度を制御するための光近接効果補正方法において、
パターンマッチング領域を設定するステップと、
前記設定されたパターンマッチング領域のレイアウトを索引とし、パターンマッチング領域と、このパターンマッチング領域に含まれる被補正パターンの補正パターンとを記憶するための補正テーブルを参照するステップと、
前記パターンマッチング領域のレイアウトが前記補正テーブルに記憶されていない場合、前記パターンマッチング領域を光近接効果補正して被補正パターンの補正パターンを求めるステップと、
前記パターンマッチング領域のレイアウトが前記補正テーブルに記憶されている場合、対応する補正パターンを読み出すステップと、
前記求められた補正パターン、または前記読み出されたパターンのいずれかに従って前記設計パターンを補正するステップと、
を具備することを特徴とする光近接効果補正方法。
【請求項８】
前記パターンマッチング領域を設定するステップは、被補正パターンの外接矩形、または被補正パターンを光近接効果の及ぶ距離分リサイズしたレイアウトのいずれかをパターンマッチング領域と設定することを特徴とする請求項７記載の光近接効果補正方法。
【請求項９】
前記補正テーブルに対して、前記パターンマッチング領域のレイアウトと前記求められた補正パターンとを追加登録するステップを有することを特徴とする請求項７記載の光近接効果補正方法。
【請求項１０】
前記パターンマッチング領域設定ステップは、前記被補正パターンの面積が予め定められたしきい値より大きいか、被補正パターンの外接矩形の面積が予め定められたしきい値より大きいか、或いは被補正パターンの外接矩形の縦又は横の長さが予め定められたしきい値より長い場合、前記被補正パターンを複数に分割し、分割された被補正パターンを用いてパターンマッチング領域を設定することを特徴とする請求項７〜９の何れかに記載の光近接効果補正方法。
【請求項１１】
前記被補正パターンがコンタクトホールである場合、
前記補正パターンを求めるステップは、前記被補正パターンの４辺を、これらの辺と垂直な方向にバイアスすることにより光近接効果補正を行うことを特徴とする請求項７〜９の何れかに記載の光近接効果補正方法。
【請求項１２】
前記補正テーブルを基に、他層との相関関係で生じる光近接効果を補正する、又は他層の光近接効果を同時に補正することを特徴とする請求項７〜９の何れかに記載の光近接効果補正方法。
【請求項１３】
前記補正テーブルを用いて、レイアウトを解析し、含まれる個数の多い配置に光学条件を適合させることを特徴とする請求項７〜９の何れかに記載の光近接効果補正方法。
【請求項１４】
前記補正テーブルにおけるレイアウトを解析し、必要に応じて特定の配置について、他の方法を用いて加工した配置と交換することを特徴とする請求項７〜９の何れかに記載の光近接効果補正方法。
【請求項１５】
光近接効果が補正されたパターンについて、補正が正しいか否かを検証するための光近接効果検証方法において、
１次元配置とこれに対応する補正量を記憶するための補正テーブルから補正対象点の位置座標を読み出すステップと、
前記読み出された補正対象点の座標から光近接効果の及ぶ範囲の補正後のマスクパターンにおける図形の１次元配置を求めるステップと、
求められた１次元配置と同一のラインアンドスペース配置で長さ方向には十分に長いトレーニングデータを補正後トレーニングデータとするステップと、
この補正後トレーニングデータに対し、露光プロセスのシミュレーションを施すステップと、
シミュレーション結果における補正対象点と、補正前のトレーニングデータにおける補正対象点とのずれを算出し、これにより前記補正対象点を検証するステップと、
を具備することを特徴とする光近接効果検証方法。
【請求項１６】
光近接効果が補正されたパターンについて、補正が正しいか否かを検証するための光近接効果検証方法において、
パターンマッチング領域を設定するステップと、
前記検証パターンマッチング領域のレイアウトを索引とし、検証パターンマッチング領域と、この検証パターンマッチング領域に対してプロセスシミュレーションが施された結果とを記憶するための検証テーブルを参照するステップと、
前記検証テーブルに前記検証パターンマッチング領域のレイアウトが記憶されていない場合、前記パターンマッチング領域に対してプロセスシミュレーションを施すステップと、
前記検証テーブルに前記検証パターンマッチング領域のレイアウトが記憶されている場合、前記検証テーブルから対応するシミュレーション結果を読み出すステップと、
前記求められたシミュレーション結果、または読み出されたシミュレーション結果のいずれかを用いて、前記被検証パターンと、前記シミュレーション結果に含まれる被検証パターンとのずれを算出し、これにより前記被検証パターンを検証するステップと、
を具備することを特徴とする光近接効果検証方法。
【請求項１７】
前記パターンマッチング領域を設定するステップは、被補正パターンの外接矩形、または被補正パターンを光近接効果の及ぶ距離分リサイズしたレイアウトのいずれかをパターンマッチング領域と設定することを特徴とする請求項１６記載の光近接効果検証方法。
【請求項１８】
前記検証テーブルに対して、前記プロセスシミュレーションの結果を、前記パターンマッチング領域と共に追加登録するステップを有することを特徴とする請求項１６記載の光近接効果検証方法。
【請求項１９】
前記パターンマッチング領域のレイアウトの傾向を認識するために、前記テーブルを解析するステップを更に含むことを特徴とする請求項１５〜１８の何れかに記載の光近接効果検証方法。
【請求項２０】
前記テーブルの解析により、補正を行ってもエラーが許容範囲に収まらない配置を検出し、該配置を設計者にフィードバックすることを特徴とする請求項１５〜１８の何れかに記載の光近接効果検証方法。
【請求項２１】
所定の注目点に関して、所望位置とシミュレーション結果のずれ量を該注目点におけるエラー量とすることを特徴とする請求項１５〜１８の何れかに記載の光近接効果検証方法。
【請求項２２】
所定の注目点に関して、所望位置とシミュレーション結果のずれ量を該注目点におけるエラー量とし、該エラー量が許容範囲を超えている箇所を表示、又はエラー量分だけ辺を移動した図形を表示することを特徴とする請求項１５〜１８の何れかに記載の光近接効果検証方法。
【請求項２３】
前記テーブルを用いて、前記パターンマッチング領域のレイアウトを検証することを特徴とする請求項１５〜１８の何れかに記載の光近接効果検証方法。
【請求項２４】
前記検証テーブルとして、パターンマッチング領域内であって前記検証パターンレイアウトとは異なる１つ以上の層に含まれるレイアウト情報を更に含むことを特徴とする請求項１５〜１８の何れかに記載の光近接効果検証方法。
【請求項２５】
前記プロセスシミュレーションは、他層との相関関係で生じる光近接効果を考慮したプロセスシミュレーションであることを特徴とする請求項２４記載の光近接効果検証方法。
【請求項２６】
ＬＳＩパターン形成工程におけるパターン忠実度を制御するための光近接効果補正方法において、
パターンマッチング領域を設定するステップと、
前記設定されたパターンマッチング領域のレイアウトと、前記パターンマッチング領域内であって、前記被補正パターンを含む層と異なる１つ以上の層に含まれるレイアウトとを索引とし、パターンマッチング領域と、このパターンマッチング領域に含まれる被補正パターンの第１補正パターン、前記１つ以上の層に含まれるレイアウトの第２補正パターン、または、前記第１及び第２補正パターン、のいずれか示す補正情報を記憶するための補正テーブルを参照するステップと、
前記パターンマッチング領域のレイアウト、及び前記１つ以上の層に含まれるレイアウトが前記補正テーブルに記憶されていない場合、前記パターンマッチング領域を光近接効果補正して補正情報を求めるステップと、
前記パターンマッチング領域のレイアウト、及び前記１つ以上の層に含まれるレイアウトが前記補正テーブルに記憶されている場合、対応する補正情報を読み出すステップと、
前記求められた補正情報、または前記読み出された補正情報のいずれかに従って前記被補正パターンを補正するステップと、
を具備することを特徴とする光近接効果補正方法。
【請求項２７】
前記パターンマッチング領域を設定するステップは、被補正パターンの外接矩形、または被補正パターンを光近接効果の及ぶ距離分リサイズしたレイアウトのいずれかをパターンマッチング領域と設定することを特徴とする請求項２６記載の光近接効果補正方法。
【請求項２８】
前記補正テーブルに対して、前記パターンマッチング領域のレイアウトと、前記１層上の層に含まれるレイアウトと、前記求められた補正情報とを追加登録するステップを有することを特徴とする請求項２６記載の光近接効果補正方法。
【請求項２９】
ＬＳＩパターン形成工程におけるパターン忠実度を制御するための光近接効果補正方法において、
マスクパターン中の被補正マスクパターンを所定の大きさの被補正領域に分割するステップと、
分割された被補正領域から一つ選択し、この選択された被補正領域の周囲にバッファ領域を付加して光近接効果被計算領域を設定するステップと、
前記光近接効果被計算領域に関してリソグラフィー工程の全部又は一部をモデル化したシミュレータの計算結果、若しくは予め用意した補正ルールに基づいて光近接効果補正を施すステップと、
前記光近接効果被計算領域についての補正が終了後、前記光近接効果被計算領域中の前記被補正領域における補正結果を取り出し、この補正結果を被補正マスクパターン中の前記被補正領域の補正結果として獲得するステップと、
前記光近接効果補正計算領域を設定するステップにおいて、光近接効果被計算領域内のバッファ領域中に、既に被補正領域として補正を完了した領域が含まれる場合、前記バッファ領域中の補正完了領域について、前記マスクパターンの代わりに補正完了後のパターンを用いて光近接効果補正が行われるように前記光近接効果補正実施ステップを制御するステップと、
を具備することを特徴とする光近接効果補正方法。
【請求項３０】
前記光近接効果ステップは、前記バッファ領域中の前記補正完了領域に対しては、光近接効果補正を施さないことを特徴とする請求項２９記載の光近接効果補正方法。
【請求項３１】
ＬＳＩパターン形成工程におけるパターン忠実度を制御するための光近接効果補正方法において、
大領域のマスクパターンに対してマスクデータの階層構造を最大限保持する処理を施しながら光近接効果補正を行う際、被補正領域又は被補正セルの周囲に補正完了領域又は補正完了セルが配置して光近接効果補正被計算領域とするステップと、
前記光近接効果被計算領域のバッファ領域の一部又は全部の領域が補正完了領域又はセルに相当する場合、当該部分に関しては補正完了パターン群を入力パターンとするステップと、
を具備することを特徴とする光近接効果補正方法。
【請求項３２】
ＬＳＩパターン形成工程におけるパターン忠実度を制御するための光近接効果補正方法において、
描画データ中の被補正パターンを所定の大きさの描画領域に分割するステップと、
分割された描画領域から一つ選択し、この選択された描画領域の周囲にバッファ領域を付加して近接効果被計算領域を設定するステップと、
前記近接効果被計算領域に関してリソグラフィー工程の全部又は一部をモデル化したシミュレータの計算結果、若しくは予め用意した補正ルールに基づいて近接効果補正を施すステップと、
前記近接効果被計算領域についての補正が終了後、前記近接効果被計算領域中の前記描画領域における補正結果を取り出し、この補正結果を前記描画データ中の前記描画領域の補正結果として獲得するステップと、
前記近接効果補正計算領域を設定するステップにおいて、近接効果被計算領域内のバッファ領域中に、既に描画領域として補正を完了した領域が含まれる場合、前記バッファ領域中の補正完了領域について、前記描画データの代わりに補正完了後の描画データを用いて近接効果補正が行われるように前記近接効果補正実施ステップを制御するステップと、
を具備することを特徴とする光近接効果補正方法。
【請求項３３】
ＬＳＩパターン形成におけるパターン忠実度を制御するための光近接効果補正装置において、
マスクパターン上の第１領域について、各々のパターンとその周辺のレイアウトに対応して予め求めておいた補正値を用い、前記第１領域の設計データに対して第１の補正を行う手段と、
前記マスクパターン上の前記第１領域を除いた領域について、マスクの露光プロセスをシミュレートして補正量を算出してこれを用い、前記第１領域を除いた領域の設計データに対して第２の補正を行う手段と、
を具備してなることを特徴とする光近接効果補正装置。
【請求項３４】
ＬＳＩパターン形成におけるパターン忠実度を制御するための光近接効果補正装置において、
設計パターンの辺上に補正対象点を設定する手段と、
前記補正対象点に関して、前記補正点が位置する辺とは垂直方向で、且つ前記補正対象点から光近接効果の及ぶ範囲に存在する図形の１次元配置を求める手段と、
１次元配置と、これに対応する補正量を記憶するための補正テーブルを参照する手段と、
前記求められた１次元配置が前記補正テーブルに記憶されていない場合、前記１次元配置と同一のラインアンドスペース配置で辺の長さ方向には十分に長いトレーニングデータを作成する手段と、
前記作成されたトレーニングデータを光近接効果補正して前記補正対象点に関する補正量を求める手段と、
前記１次元配置と求められた補正量とを補正テーブルに追加登録する手段と、
前記求められた１次元配置が、前記補正テーブルに記憶されている場合は対応する補正量を読み出す手段と、
前記求められた補正量、または前記読み出された補正量のいずれかに応じて前記補正対象点を含む辺を補正する手段と、
を具備してなることを特徴とする光近接効果補正装置。
【請求項３５】
ＬＳＩパターン形成工程におけるパターン忠実度を制御するための光近接効果補正装置において、
パターンマッチング領域を設定する手段と、
前記設定されたパターンマッチング領域のレイアウトを索引とし、パターンマッチング領域と、このパターンマッチング領域に含まれる被補正パターンの補正パターンとを記憶するための補正テーブルを参照する手段と、
前記パターンマッチング領域のレイアウトが前記補正テーブルに記憶されていない場合、前記パターンマッチング領域を光近接効果補正して被補正パターンの補正パターンを求める手段と、
前記パターンマッチング領域のレイアウトが前記補正テーブルに記憶されている場合、対応する補正パターンを読み出す手段と、
前記求められた補正パターン、または前記読み出されたパターンのいずれかに従って前記設計パターンを補正する手段と、
を具備してなることを特徴とする光近接効果補正装置。
【請求項３６】
光近接効果が補正されたパターンについて、補正が正しいか否かを検証するための光近接効果検証装置において、
１次元配置とこれに対応する補正量を記憶するための補正テーブルから補正対象点の位置座標を読み出す手段と、
前記読み出された補正対象点の座標から光近接効果の及ぶ範囲の補正後のマスクパターンにおける図形の１次元配置を求める手段と、
求められた１次元配置と同一のラインアンドスペース配置で長さ方向には十分に長いトレーニングデータを補正後トレーニングデータとする手段と、
この補正後トレーニングデータに対し、露光プロセスのシミュレーションを施す手段と、
シミュレーション結果における補正対象点と、補正前のトレーニングデータにおける補正対象点とのずれを算出し、これにより前記補正対象点を検証する手段と、
を具備してなることを特徴とする光近接効果検証装置。
【請求項３７】
光近接効果が補正されたパターンについて、補正が正しいか否かを検証するための光近接効果検証装置において、
パターンマッチング領域を設定する手段と、
前記検証パターンマッチング領域のレイアウトを索引とし、検証パターンマッチング領域と、この検証パターンマッチング領域に対してプロセスシミュレーションが施された結果とを記憶するための検証テーブルを参照する手段と、
前記検証テーブルに前記検証パターンマッチング領域のレイアウトが記憶されていない場合、前記パターンマッチング領域に対してプロセスシミュレーションを施す手段と、
前記検証テーブルに前記検証パターンマッチング領域のレイアウトが記憶されている場合、前記検証テーブルから対応するシミュレーション結果を読み出す手段と、
前記求められたシミュレーション結果、または読み出されたシミュレーション結果のいずれかを用いて、前記被検証パターンと、前記シミュレーション結果に含まれる被検証パターンとのずれを算出し、これにより前記被検証パターンを検証する手段と、
を具備してなることを特徴とする光近接効果検証装置。
【請求項３８】
ＬＳＩパターン形成工程におけるパターン忠実度を制御するための光近接効果補正装置において、
パターンマッチング領域を設定する手段と、
前記設定されたパターンマッチング領域のレイアウトと、前記パターンマッチング領域内であって、前記被補正パターンを含む層と異なる１つ以上の層に含まれるレイアウトとを索引とし、パターンマッチング領域と、このパターンマッチング領域に含まれる被補正パターンの第１補正パターン、前記１つ以上の層に含まれるレイアウトの第２補正パターン、または、前記第１及び第２補正パターン、のいずれか示す補正情報を記憶するための補正テーブルを参照する手段と、
前記パターンマッチング領域のレイアウト、及び前記１つ以上の層に含まれるレイアウトが前記補正テーブルに記憶されていない場合、前記パターンマッチング領域を光近接効果補正して補正情報を求める手段と、
前記パターンマッチング領域のレイアウト、及び前記１つ以上の層に含まれるレイアウトが前記補正テーブルに記憶されている場合、対応する補正情報を読み出すステップと、
前記求められた補正情報、または前記読み出された補正情報のいずれかに従って前記被補正パターンを補正する手段と、
を具備してなることを特徴とする光近接効果補正装置。
【請求項３９】
請求項１〜１４，２６〜３２の何れかに記載の光近接効果補正方法を用いて製造されたことを特徴とする露光用マスク。
【請求項４０】
請求項３３〜３８の何れかに記載の光近接効果補正装置を用いて製造されたことを特徴とする露光用マスク。
【請求項４１】
ＬＳＩパターン形成におけるパターン忠実度を制御する光近接効果補正をコンピュータ制御の下に実行するためのプログラムであって、
マスクパターン上の第１領域について、各々のパターンとその周辺のレイアウトに対応して予め求めておいた補正値を用い、前記第１領域の設計データに対して第１の補正を行う手順と、
前記マスクパターン上の前記第１領域を除いた領域について、マスクの露光プロセスをシミュレートして補正量を算出してこれを用い、前記第１領域を除いた領域の設計データに対して第２の補正を行う手順と、
をコンピュータに実行させるためのコンピュータ読み取り可能な光近接効果補正プログラム。
【請求項４２】
ＬＳＩパターン形成におけるパターン忠実度を制御する光近接効果補正をコンピュータ制御の下に実行するためのプログラムであって、
設計パターンの辺上に補正対象点を設定する手順と、
前記補正対象点に関して、前記補正点が位置する辺とは垂直方向で、且つ前記補正対象点から光近接効果の及ぶ範囲に存在する図形の１次元配置を求める手順と、
１次元配置と、これに対応する補正量を記憶するための補正テーブルを参照する手順と、
前記求められた１次元配置が前記補正テーブルに記憶されていない場合、前記１次元配置と同一のラインアンドスペース配置で辺の長さ方向には十分に長いトレーニングデータを作成する手順と、
前記作成されたトレーニングデータを光近接効果補正して前記補正対象点に関する補正量を求める手順と、
前記１次元配置と求められた補正量とを補正テーブルに追加登録する手順と、
前記求められた１次元配置が、前記補正テーブルに記憶されている場合は対応する補正量を読み出す手順と、
前記求められた補正量、または前記読み出された補正量のいずれかに応じて前記補正対象点を含む辺を補正する手順と、
をコンピュータに実行させるためのコンピュータ読み取り可能な光近接効果補正プログラム。
【請求項４３】
ＬＳＩパターン形成工程におけるパターン忠実度を制御する光近接効果補正をコンピュータ制御の下に実行するためのプログラムであって、
パターンマッチング領域を設定する手順と、
前記設定されたパターンマッチング領域のレイアウトを索引とし、パターンマッチング領域と、このパターンマッチング領域に含まれる被補正パターンの補正パターンとを記憶するための補正テーブルを参照する手順と、
前記パターンマッチング領域のレイアウトが前記補正テーブルに記憶されていない場合、前記パターンマッチング領域を光近接効果補正して被補正パターンの補正パターンを求める手順と、
前記パターンマッチング領域のレイアウトが前記補正テーブルに記憶されている場合、対応する補正パターンを読み出す手順と、
前記求められた補正パターン、または前記読み出されたパターンのいずれかに従って前記設計パターンを補正する手順と、
をコンピュータに実行させるためのコンピュータ読み取り可能な光近接効果補正プログラム。
【請求項４４】
光近接効果が補正されたパターンについて、補正が正しいか否かを検証するための光近接効果検証をコンピュータ制御の下に実行するためのプログラムであって、
１次元配置とこれに対応する補正量を記憶するための補正テーブルから補正対象点の位置座標を読み出す手順と、
前記読み出された補正対象点の座標から光近接効果の及ぶ範囲の補正後のマスクパターンにおける図形の１次元配置を求める手順と、
求められた１次元配置と同一のラインアンドスペース配置で長さ方向には十分に長いトレーニングデータを補正後トレーニングデータとする手順と、
この補正後トレーニングデータに対し、露光プロセスのシミュレーションを施す手順と、
シミュレーション結果における補正対象点と、補正前のトレーニングデータにおける補正対象点とのずれを算出し、これにより前記補正対象点を検証する手順と、
をコンピュータに実行させるためのコンピュータ読み取り可能な光近接効果検証プログラム。
【請求項４５】
光近接効果が補正されたパターンについて、補正が正しいか否かを検証するための光近接効果検証をコンピュータ制御の下に実行するためのプロプラムであって、
パターンマッチング領域を設定する手順と、
前記検証パターンマッチング領域のレイアウトを索引とし、検証パターンマッチング領域と、この検証パターンマッチング領域に対してプロセスシミュレーションが施された結果とを記憶するための検証テーブルを参照する手順と、
前記検証テーブルに前記検証パターンマッチング領域のレイアウトが記憶されていない場合、前記パターンマッチング領域に対してプロセスシミュレーションを施す手順と、
前記検証テーブルに前記検証パターンマッチング領域のレイアウトが記憶されている場合、前記検証テーブルから対応するシミュレーション結果を読み出す手順と、
前記求められたシミュレーション結果、または読み出されたシミュレーション結果のいずれかを用いて、前記被検証パターンと、前記シミュレーション結果に含まれる被検証パターンとのずれを算出し、これにより前記被検証パターンを検証する手順と、
をコンピュータに実行させるためのコンピュータ読み取り可能な光近接効果検証プログラム。
【請求項４６】
ＬＳＩパターン形成工程におけるパターン忠実度を制御する光近接効果補正をコンピュータ制御の下に実行するためのプログラムであって、
パターンマッチング領域を設定する手順と、
前記設定されたパターンマッチング領域のレイアウトと、前記パターンマッチング領域内であって、前記被補正パターンを含む層と異なる１つ以上の層に含まれるレイアウトとを索引とし、パターンマッチング領域と、このパターンマッチング領域に含まれる被補正パターンの第１補正パターン、前記１つ以上の層に含まれるレイアウトの第２補正パターン、または、前記第１及び第２補正パターン、のいずれか示す補正情報を記憶するための補正テーブルを参照する手順と、
前記パターンマッチング領域のレイアウト、及び前記１つ以上の層に含まれるレイアウトが前記補正テーブルに記憶されていない場合、前記パターンマッチング領域を光近接効果補正して補正情報を求める手順と、
前記パターンマッチング領域のレイアウト、及び前記１つ以上の層に含まれるレイアウトが前記補正テーブルに記憶されている場合、対応する補正情報を読み出すステップと、
前記求められた補正情報、または前記読み出された補正情報のいずれかに従って前記被補正パターンを補正する手順と、
をコンピュータに実行させるためのコンピュータ読み取り可能な光近接効果補正プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、光又はΧ線露光法に用いられる露光用マスクの製造技術に関し、特に、マスクパターンの設計データの補正（光近接効果補正）を改良し、微細パターン形成に適した縮小投影露光用の光近接効果補正方法と装置、光近接効果検証方法と装置、更には光近接効果補正プログラムと光近接効果検証プログラムに関する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
この発明の第２の目的は、作成されたマスクデータを検証することが可能な光近接効果検証方法及び装置を提供することである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
この発明の第８の目的は、バッファ領域として光近接効果の及ぶ範囲を光近接効果被計算領域に含め計算するとき、重複した不要な計算を減らし、さらに解に到達するまでの時間を短縮することのできる光近接効果補正方法及び装置を提供することである。
また、この発明の第９の目的は、上記の補正及び検証をコンピュータにより実施するための光近接効果補正プログラム及び光近接効果検証プログラムを提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３１】
図１５における、ステップＳ６８では、トレーニングデータが作成される同時に、補正対象点の座標がトレーニングデータと対応されて記憶される。例えば、図１２（ｂ）における注目点に関するトレーニングデータが図１４に示されている場合、図１４のトレーニングデータに対応させて注目点の座標（１０．２，５．０）が記憶される。図１５のステップ６１〜７１による補正が完了した後、補正済みマスクパターンが正しいかどうかの検証処理が実行される。検証の工程では、各々のトレーニングデータについて図１６に示されるステップＳ７２〜Ｓ７８の処理が行われる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３６】
図１９に、この第８の実施の形態に係る光近接効果補正装置の構成を示す。この装置は、入力部６５、表示部６４、データ格納部６３、及び制御部８０から構成される。制御部８０は、設計パターンの辺上に補正対象点を設定する設定部８１と、任意の補正対象点を補正する際には、補正点が位置する辺とは垂直方向かつ補正対象点から光近接効果の及ぶ範囲に存在する図形の１次元配置を求めパラメータ化するパラメータ化処理部８２と、該１次元配置が１次元配置と補正点に関する補正量を対応させた補正テーブル８７に載っている場合はその値を補正量として参照する参照部８３と、補正テーブル８７に載っていない場合には、該１次元配置と同一のラインアンドスペース配置であるトレーニングデータを作成する作成部８４と、トレーニングデータを光近接効果補正して補正対象点に関する補正量を求め、更に該１次元配置と求めた補正量の対応関係を補正テーブル８７に追加する補正量算出・追加部８５と、上記いずれかの方法で得られた補正量分、補正対象点が位置する辺を移動するエッジ移動部８６とから構成される。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４７】
上記の方法により、各注目点の存在する辺に関するエラー量を求めた後、必要に応じて、エラー量が所定値以上の辺を表示したり、エラー量分辺を移動した図形を表示したりすれば、シミュレーション結果を分りやすく示すことが可能となる。とりわけ、エラー箇所は、ブリンク表示やハイライト表示を施すことにより確認が容易になる。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５１】
入力された被補正レイアウトから、被補正図形が取り出され（ステップＳ１０３）、被補正図形のパターンマッチング領域が抽出される（ステップＳ１０４）。図２３及び図２４はゲート配線層のレイアウトの一部で、ゲート配線の最小線幅は０．３μｍ、光近接効果の及ぶ範囲を１．５μｍに設定した場合である。両図面において、矢印は、光近接効果の及ぶ範囲を示している。図２３においては、被補正図形の外接矩形を鎖線で示し、被補正図形の外接矩形を光近接効果の及ぶ距離分太めリサイズした領域内をパターンマッチングゾーンとし、これを太い鎖線で示している。図２４においては、被補正図形そのものを光近接効果の及ぶ距離分太めリサイズした領域内をパターンマッチングゾーンとし、これを太い鎖線で示している。図２３に示される方法によればパターンマッチングゾーンが矩形となるため、データ処理上扱いやすい。一方、図２４に示される方法は、前記図２３に示される方法と比較するとパターンマッチングゾーンの面積が小さくなる場合があり、データ処理の量を削減することができる。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９０】
一方、本願では、１次元であっても、２次元であっても、対象とするレイアウトに含まれる全てのパターンの配置が抽出されている。従って、本願による補正テーブルを解析することにより、前記レイアウトの傾向を認識することができる。又、検証テーブルによれば、補正した場合であっても、エラーが許容範囲内に治められない配置を検出することが可能となり、この検出された配置を設計禁止の配置として設計者にフィードバックすることもできる。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１９】
一方、本願では、１次元であっても、２次元であっても、対象とするレイアウトに含まれる全てのパターンの配置が抽出されている。従って、本願による補正テーブルを解析することにより、前記レイアウトの傾向を認識することができる。又、検証テーブルによれば、補正した場合であっても、エラーが許容範囲内に治められない配置を検出することが可能となり、この検出された配置を設計禁止の配置として設計者にフィードバックすることもできる。


【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２０】この発明の第９の実施の形態に係る光近接効果補正・検証装置の構成を示すブロック図。