Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月1日(2003.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
天然パルプを主成分とする紙を基質として、その少なくとも一方の面が熱可塑性樹脂を含む樹脂層で被覆した画像材料用支持体であって、該樹脂層が最下層と最上層の少なくとも２層から成るものであり、且つ、該樹脂層は、少なくとも最下層と少なくとも最上層が、逐次に溶融押し出しコーティングされる、逐次押し出しコーティング方式により被覆されたものであることを特徴とする画像材料用支持体。
【請求項２】
上記の少なくとも２層から成る樹脂層において、少なくとも最上層から成る樹脂層は、１７０℃〜２９０℃で溶融押し出しコーティングされたものであって、該樹脂層中には、二酸化チタン顔料が１５重量％以上含有されたことを特徴とする請求項１記載の画像材料用支持体。
【請求項３】
上記の少なくとも２層から成る樹脂層において、少なくとも最下層から成る樹脂層は、２９０℃〜３４０℃で溶融押し出しコーティングされたものであることを特徴とする請求項１または２記載の画像材料用支持体。
【請求項４】
上記の少なくとも２層から成る樹脂層において、少なくとも最上層および最下層から成る樹脂層をそれぞれ構成する熱可塑性樹脂のメルトフローレート
が、いずれも９ｇ／１０分以上であることを特徴とする請求項１、２または３記載の画像材料用支持体。
【請求項５】
少なくとも最下層から成る樹脂層と少なくとも最上層から成る樹脂層が、逐次に溶融押し出しコーティングされる、逐次押し出しコーティング方式により被覆される際に、先行する樹脂層が、急冷却装置により、冷却された後、後続する樹脂層が、溶融押し出しコーティングされることを特徴とする請求項１、２、３または４記載の画像材料用支持体。
【請求項６】
紙基質の走行速度が２６０ｍ／分以上であることを特徴とする請求項１、２、３、４または５記載の画像材料用支持体。
【請求項７】
天然パルプを主成分とする紙を基質として、その少なくとも一方の面が熱可塑性樹脂を含む樹脂層で被覆した画像材料用支持体の製造方法であって、該樹脂層は最下層と最上層の少なくとも２層から成り、且つ、該樹脂層は、少なくとも最下層と少なくとも最上層が、逐次に溶融押し出しコーティングされる、逐次押し出しコーティング方式により被覆したものであることを特徴とする画像材料用支持体の製造方法。
【請求項８】
上記の少なくとも２層から成る樹脂層において、少なくとも最上層から成る樹脂層は、１７０℃〜２９０℃で溶融押し出しコーティングしたものであって、該樹脂層中には、二酸化チタン顔料が１５重量％以上含有させたことを特徴とする請求項７記載の画像材料用支持体の製造方法。
【請求項９】
上記の少なくとも２層から成る樹脂層において、少なくとも最下層から成る樹脂層は、２９０℃〜３４０℃で溶融押し出しコーティングしたものであることを特徴とする請求項７または８記載の画像材料用支持体の製造方法。
【請求項１０】
上記の少なくとも２層から成る樹脂層において、少なくとも最上層および最下層から成る樹脂層をそれぞれ構成する熱可塑性樹脂樹脂のメルトフローレートが、いずれも９ｇ／１０分以上であることを特徴とする請求項７、８、または９記載の画像材料用支持体の製造方法。
【請求項１１】
少なくとも最下層から成る樹脂層と少なくとも最上層から成る樹脂層が、逐次に溶融押し出しコーティングされる、逐次押し出しコーティング方式により被覆する際に、先行する樹脂層を、急冷却装置により冷却した後、後続する樹脂層を、溶融押し出しコーティングすることを特徴とする請求項７、８、９または１０記載の画像材料用支持体の製造方法。
【請求項１２】
少なくとも最下層から成る樹脂層と少なくとも最上層から成る樹脂層が、逐次に溶融押し出しコーティングされる、逐次押し出しコーティング方式により被覆する際に、先行する樹脂層を、コロナ放電処理装置により、コロナ放電処理した後、後続する樹脂層を、溶融押し出しコーティングすることを特徴とする請求項７、８、９、１０、または１１記載の画像材料用支持体の製造方法。
【請求項１３】
紙基質の走行速度が２６０ｍ／分以上であることを特徴とする請求項７、８、９、１０、１１または１２記載の画像材料用支持体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月29日(2004.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回転速度センサを有する電動機駆動制御装置に関する。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の目的は、電動機の運転状態に左右されることなく、回転速度センサの異常検出が得られること、または、高い信頼性を改善した回転速度センサの異常判定装置を提供することにある。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
【発明の効果】
本発明によれば、モータに取り付けた回転速度センサ自体の異常、その出力信号の異常、センサとモータ軸間の異常といった広範囲の異常を検出することもできる。従って、モータの速度制御の信頼性の向上、異常発生時のトラブルシューティングに要する時間の短縮といった効果を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月12日(2003.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サメ皮を酸の水溶液に浸漬する工程を、有することを特徴とするサメ皮の処理方法。
【請求項２】
サメ皮を酸の水溶液に浸漬する工程と、その浸漬する工程後のサメ皮から鱗を除去する工程と、
その鱗を除去する工程後のサメ皮からコラーゲンを抽出する工程とを、
有することを特徴とするコラーゲン製造方法。
【請求項３】
サメ皮を硫化ナトリウムまたは水酸化ナトリウムで処理する第１工程と、
第１工程後のサメ皮を消石灰で処理する第２工程と、
第２工程後のサメ皮を水洗いする第３工程と、
第３工程後のサメ皮を硫酸アンモニウムおよび塩化ナトリウムで処理する第４工程と、
第４工程後のサメ皮を塩酸または酢酸および塩化ナトリウムの水溶液に浸漬する第５工程と、
第５工程後のサメ皮を水洗いする第６工程と、
第６工程後のサメ皮を水に浸漬する第７工程とを、
有することを特徴とするサメ皮の処理方法。
【請求項４】
サメ皮を硫化ナトリウムまたは水酸化ナトリウムで処理する第１工程と、
第１工程後のサメ皮を消石灰で処理する第２工程と、
第２工程後のサメ皮を水洗いする第３工程と、
第３工程後のサメ皮を硫酸アンモニウムおよび塩化ナトリウムで処理する第４工程と、
第４工程後のサメ皮を塩酸または酢酸および塩化ナトリウムの水溶液に浸漬する第５工程と、
第５工程後のサメ皮を水洗いする第６工程と、
第６工程後のサメ皮を水に浸漬する第７工程と、
第７工程後のサメ皮から鱗を除去する第８工程と、
第８工程後のサメ皮からコラーゲンを抽出する第９工程とを、
有することを特徴とするコラーゲン製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係るサメ皮の処理方法は、サメ皮を酸の水溶液に浸漬する工程を、有することを特徴とする。他の本発明に係るサメ皮の処理方法は、サメ皮を硫化ナトリウムまたは水酸化ナトリウムで処理する第１工程と、第１工程後のサメ皮を消石灰で処理する第２工程と、第２工程後のサメ皮を水洗いする第３工程と、第３工程後のサメ皮を硫酸アンモニウムおよび塩化ナトリウムで処理する第４工程と、第４工程後のサメ皮を塩酸または酢酸および塩化ナトリウムの水溶液に浸漬する第５工程と、第５工程後のサメ皮を水洗いする第６工程と、第６工程後のサメ皮を水に浸漬する第７工程とを、有することを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係るコラーゲン製造方法は、サメ皮を酸の水溶液に浸漬する工程と、その浸漬する工程後のサメ皮から鱗を除去する工程と、その鱗を除去する工程後のサメ皮からコラーゲンを抽出する工程とを、有することを特徴とする。他の本発明に係るコラーゲン製造方法は、サメ皮を硫化ナトリウムまたは水酸化ナトリウムで処理する第１工程と、第１工程後のサメ皮を消石灰で処理する第２工程と、第２工程後のサメ皮を水洗いする第３工程と、第３工程後のサメ皮を硫酸アンモニウムおよび塩化ナトリウムで処理する第４工程と、第４工程後のサメ皮を塩酸または酢酸および塩化ナトリウムの水溶液に浸漬する第５工程と、第５工程後のサメ皮を水洗いする第６工程と、第６工程後のサメ皮を水に浸漬する第７工程と、第７工程後のサメ皮から鱗を除去する第８工程と、第８工程後のサメ皮からコラーゲンを抽出する第９工程とを、有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月9日(2004.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
次に、六ホウ化ランタンの粉末の粒径について説明する。溝に充填する六ホウ化ランタンの粒径は、ひび割れ特性に影響を与える。例えば、粒径を１μｍ近辺に揃えると，ひび割れが生じやすい。これに対して、さまざまな粒径を混ぜておくと（例えば、２０μｍ〜数μｍの範囲内で）、ひび割れが生じにくい。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月4日(2003.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域の表面に、互いに離隔するようにして選択的に設けられた第２導電型の第２、第３半導体領域と、
前記第１半導体領域上に、前記第２、第３半導体領域間に渡って、ゲート絶縁膜を介在して設けられたゲート電極と、
前記第２、第３半導体領域上にそれぞれ設けられた第１、第２電極と、
前記ゲート電極の上面及び側面を取り囲むようにして設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜を介在して前記ゲート電極上に設けられ、前記第２電極と同電位、または前記第１、第２電極の間の一定電位を有する第１導電膜と、
前記第２電極及び前記第１導電膜上に設けられた層間絶縁膜と、
少なくとも前記ゲート電極直上の前記層間絶縁膜上に設けられ、前記第１電極に電気的に接続された配線層と
を具備し、前記ゲート電極の少なくとも一部領域上において、該ゲート電極の少なくとも一部、前記第１導電膜の少なくとも一部、及び前記配線層の一部は、前記第１半導体領域の表面に対して垂直な方向でオーバーラップすることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１導電膜は、前記第２電極の一部である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記絶縁膜と前記第１電極との間に設けられ、前記第２半導体領域及び前記第１電極と電気的に分離された第２導電膜を更に備え、該第２導電膜は、前記第２電極と同電位、または前記第１、第２電極の間の一定電位を有する
ことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２導電膜は、前記第２電極の一部である
ことを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２導電膜の材質は、前記ゲート電極と同一である
ことを特徴とする請求項３または４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記絶縁膜は前記第２半導体領域上にも設けられ、前記第１電極は、該第２半導体領域上の該絶縁膜の表面から該第２半導体領域に達する第１コンタクトホールを埋め込むようにして設けられている
ことを特徴とする請求項１乃至５いずれか１項記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１電極は前記配線層の一部であり、前記層間絶縁膜の表面から前記第２半導体領域に達するようにして設けられた第２コンタクトホールを介して前記第２半導体領域に接続される
ことを特徴とする請求項１乃至５いずれか１項記載の半導体装置。
【請求項８】
前記絶縁膜は前記第２半導体領域上にも設けられ、前記第２コンタクトホールは該第２半導体領域上の該絶縁膜を貫通するようにして設けられている
ことを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１電極の材質は、前記配線層と異なる
ことを特徴とする請求項１乃至６いずれか１項記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第１半導体領域表面内における、前記第２、第３半導体領域間に設けられた第１導電型の第４半導体領域を更に備える
ことを特徴とする請求項１乃至９いずれか１項記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第１半導体領域表面内に、前記第３半導体領域及び前記第２電極と接するようにして設けられ、前記第４半導体領域よりも高不純物濃度の第１導電型の第５半導体領域と、
前記第１半導体領域の裏面に設けられ、該第１半導体領域よりも高不純物濃度の第１導電型の第６半導体領域と、
前記第５、第６半導体領域を接続するようにして前記第１、第４半導体領域内に設けられ、該第１半導体領域よりも高不純物濃度の第１導電型の第７半導体領域と、
前記第６半導体領域裏面に設けられた第３電極と
を更に具備する
ことを特徴とする請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１２】
第１導電型の半導体領域と、
前記半導体領域の表面に、互いに離隔するようにして選択的に設けられた第２導電型のソース、ドレイン領域と、
前記半導体領域上に、前記ソース、ドレイン領域間に渡って、ゲート絶縁膜を介在して設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極の上面及び側面を取り囲むようにして設けられた絶縁膜と、
前記ドレイン領域上に設けられたドレイン電極と、
前記ソース領域上から前記絶縁膜上に沿って設けられ、且つ前記ドレイン電極と電気的に分離され、前記絶縁膜を介在して前記ゲート電極の少なくとも一部領域上に位置するソース電極と、
前記ソース電極及び前記絶縁膜を被覆するようにして設けられた層間絶縁膜と、
少なくとも前記ゲート電極直上の前記層間絶縁膜上に設けられ、前記ドレイン電極に電気的に接続されたドレイン配線層と
を具備し、前記ゲート電極の少なくとも一部領域上において、該ゲート電極の少なくとも一部、前記ソース電極の一部、及び前記ドレイン配線層の一部は、前記半導体領域の表面に対して垂直な方向でオーバーラップすることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
前記第３半導体領域へ与えられる電位は、前記第２電極、前記第５乃至第７半導体領域、及び前記第３電極を介して、前記第１半導体領域の裏面側から印加される
ことを特徴とする請求項１１記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記ゲート電極へ与えられる電位は、前記第１半導体領域の表面側から印加され、
前記第２半導体領域へ与えられる電位は、前記第１電極及び前記配線層を介して、前記第１半導体領域の表面側から印加される
ことを特徴とする請求項１乃至１１、１３のいずれか１項記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明の一態様に係る半導体装置は、第１導電型の第１半導体領域と、前記第１半導体領域の表面に、互いに離隔するようにして選択的に設けられた第２導電型の第２、第３半導体領域と、前記第１半導体領域上に、前記第２、第３半導体領域間に渡って、ゲート絶縁膜を介在して設けられたゲート電極と、前記第２、第３半導体領域上にそれぞれ設けられた第１、第２電極と、前記ゲート電極の上面及び側面を取り囲むようにして設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜を介在して前記ゲート電極上に設けられ、前記第２電極と同電位、または前記第１、第２電極の間の一定電位を有する第１導電膜と、前記第２電極及び前記第１導電膜上に設けられた層間絶縁膜と、少なくとも前記ゲート電極直上の前記層間絶縁膜上に設けられ、前記第１電極に電気的に接続された配線層とを具備し、前記ゲート電極の少なくとも一部領域上において、該ゲート電極の少なくとも一部、前記第１導電膜の少なくとも一部、及び前記配線層の一部は、前記第１半導体領域の表面に対して垂直な方向でオーバーラップすることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月12日(2003.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空ポンプにより容器の内部を減圧し、該容器の内部に導入された基板を低圧下で処理する基板処理装置において、
上記真空ポンプを上記容器に近接又は内包して配置し、
上記真空ポンプには、ガスを該基板に噴射するガス噴射部を設けたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
上記真空ポンプのガス噴射部を、該真空ポンプの吸気側に設けたことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
上記真空ポンプのロータの少なくとも一部に、上記ガス噴射部にガスを導入するガス導入経路を貫通させたことを特徴とする請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
真空ポンプにより容器の内部を減圧し、該容器の内部に導入された基板を低圧下で処理する基板処理装置において、
上記真空ポンプを上記容器に近接又は内包して配置し、
上記真空ポンプには、上記真空ポンプの容器側に形成される吸込口を閉塞可能なバルブ体としたガス噴射部を設け、
上記真空ポンプには、上記バルブ体を上下に昇降させる昇降機構を設けたことを特徴とする基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
このような従来技術における問題点を解決するために、本発明は、真空ポンプにより容器の内部を減圧し、該容器の内部に導入された基板を低圧下で処理する基板処理装置において、上記真空ポンプを上記容器に近接又は内包して配置し、上記真空ポンプには、ガスを該基板に噴射するガス噴射部を設けたことを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の更なる他の態様は、真空ポンプにより容器の内部を減圧し、該容器の内部に導入された基板を低圧下で処理する基板処理装置において、上記真空ポンプを上記容器に近接又は内包して配置し、上記真空ポンプには、上記真空ポンプの容器側に形成される吸込口を閉塞可能なバルブ体としたガス噴射部を設け、上記真空ポンプには、上記バルブ体を上下に昇降させる昇降機構を設けたことを特徴とする。即ち、バルブ機能を併せ持った真空ポンプとしたことを特徴とする。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
【発明の効果】
上述したように本発明は、真空ポンプを容器に近接又は内包して配置し、基板を処理するためのガスを該基板に噴射するガス噴射部を真空ポンプに設けたことにより、処理基板とガス噴射部との位置関係を、ガスの導入及びガスの排気の観点から最適にすることができると共に、装置全体のコンパクト化を図ることができる。
また、排気とガス噴射の双方を基板の表面に対して直接的に行うことができるので、基板の表面の圧力制御を迅速に行うことができ、生産性及び基板加工の質を向上させることができる。即ち、ガスの導入とガスの排気の迅速化が可能となる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】図１のターボ分子ポンプの平面図である。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月1日(2003.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パワー増幅器と、
ルートレイズドコサインフィルターと、
前記パワー増幅器により増幅された変調信号に対し第１レベルの線形を与えるために前記ルートレイズドコサインフィルターに適用される第１の組のパラメータと、
前記パワー増幅器により増幅された変調信号に対し第２レベルの線形を与えるために前記ルートレイズドコサインフィルターに適用される第２の組のパラメータとを含むことを特徴とする無線デバイスの送信器。
【請求項２】
前記パワー増幅器は非線形パワー増幅器であることを特徴とする請求項１記載の送信器。
【請求項３】
前記無線デバイスは、ＴＤＭＡ装置であることを特徴とする請求項１記載の送信器。
【請求項４】
前記無線デバイスは、ＦＤＭＡ装置であることを特徴とする請求項１記載の送信器。
【請求項５】
パワー増幅器の送信パワーが所定レベル以下のときには、ルートレイズドコサインフィルター内で第１の組のパラメータを設定するステップと、
パワー増幅器の送信パワーが所定レベル以上のときには、ルートレイズドコサインフィルター内で第２の組のパラメータを設定するステップとを含むことを特徴とする送信器内のパワー増幅器の効率を改善する方法。
【請求項６】
前記第１の組のパラメータは、ＴＤＭＡシステムでのシンボル間干渉を低下させることを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項７】
前記パワー増幅器は、非線形増幅器であることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項８】
パワー増幅器の送信パワーが所定レベル以下のときには、ルートレイズドコサインフィルター内で第１の組のパラメータを設定する手段と、
パワー増幅器の送信パワーが所定レベル以上のときには、ルートレイズドコサインフィルター内で第２の組のパラメータを設定する手段とを含むことを特徴とする送信器内のパワー増幅器の効率を改善する装置。
【請求項９】
前記第１の組のパラメータはＴＤＭＡシステムでのシンボル間干渉を低下させることを特徴とする請求項８記載の装置。
【請求項１０】
前記パワー増幅器は、非線形増幅器であることを特徴とする請求項８記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図３Ａ−３Ｄは、シミュレートした結果を得るために用いられるブロック図である。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
特に、図３Ａ−３Ｄに於いては送信器は、ＱデータストリームとＩデータストリームを受信するデータ符号化器２７２を有する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のＴＤＭＡ電話器の関連部分を表す図。
【図２】本発明による複数の異なる動作パラメータにアクセス可能な適用型ルートレイズドコサインフィルタ（root raised cosine filter ;ＲＲＣＦ）を有する無線デバイス（ＴＤＭＡ無線電話器）の関連送信器部分を表す図。
【図３Ａ】シミュレートした結果を得るために用いられる詳細ブロック図。
【図３Ｂ】シミュレートした結果を得るために用いられる詳細ブロック図。
【図３Ｃ】シミュレートした結果を得るために用いられる詳細ブロック図。
【図３Ｄ】シミュレートした結果を得るために用いられる詳細ブロック図。
【図４】様々なβの値に対するレイズドコサイン周波数応答を表す図。
【図５】シミュレーションの結果として理想的な線形増幅器と、パワー増幅器内の非線形性を三種類悪くした状態を表すスペクトラムのプロット図。
【図６】図７と図８のシミュレーションを行った際のＲＦパワーレベルの組を表す図。
【図７Ａ】本発明により正規のパラメータを用いた非線形増幅器とＲＲＣＦを有する送信器の実験結果を表す図。
【図７Ｂ】本発明により正規のパラメータを用いた非線形増幅器とＲＲＣＦを有する送信器の実験結果を表す図。
【図７Ｃ】本発明により正規のパラメータを用いた非線形増幅器とＲＲＣＦを有する送信器の実験結果を表す図。
【図８Ａ】本発明により高出力パワーパラメータを具備したＲＲＣＦをシミュレートするナイキストフィルタと非線形増幅器を含む送信器の実験結果を表す図。
【図８Ｂ】本発明により高出力パワーパラメータを具備したＲＲＣＦをシミュレートするナイキストフィルタと非線形増幅器を含む送信器の実験結果を表す図。
【図８Ｃ】本発明により高出力パワーパラメータを具備したＲＲＣＦをシミュレートするナイキストフィルタと非線形増幅器を含む送信器の実験結果を表す図。
【符号の説明】
１０２  正規動作用フィルターパラメータ
１０４  高送信パワー用フィルターパラメータ
１０６  ルートレイズドコサインフィルタ
１０８  出力パワー増幅器
２７１  ルートレイズドコサインフィルタ
２７２  データ符号化器
２７３  直交振幅変調器（ＱＡＭ）
２７４  アップコンバータ
２７５  ＲＦ送信器部分
２７６  第１段プリアンプ
２７７  第２段パワー増幅器
５０２  可変利得増幅器
５０４  パワー増幅器
５０６  エンベロープ検出回路
５０８  修正回路


【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2002033672.tif 000001
【図２】
2002033672.tif 000002
【図３Ａ】
2002033672.tif 000003
【図３Ｂ】
2002033672.tif 000004
【図３Ｃ】
2002033672.tif 000005
【図３Ｄ】
2002033672.tif 000006
【図４】
2002033672.tif 000007
【図５】
2002033672.tif 000008
【図６】
2002033672.tif 000009
【図７Ａ】
2002033672.tif 000010
【図７Ｂ】
2002033672.tif 000011
【図７Ｃ】
2002033672.tif 000012
【図８Ａ】
2002033672.tif 000013
【図８Ｂ】
2002033672.tif 000014
【図８Ｃ】
2002033672.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月10日(2003.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
柔軟性レンズ材料または屈曲可能レンズ材料から作られるレンズを処理する方法であって、該方法は、
研磨性材料の被膜を複数のビーズに付与する工程であって、該研磨性材料は酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化クロム、酸化鉄、酸化スズ、二酸化チタン、酸化イットリウム、または珪藻土を含み、該ビーズ上に研磨性材料の被膜を付与する該工程は、
珪藻土およびアルコールの混合物中で該ビーズを回転させる工程と、
該ビーズ回転工程の後で、前記ビーズをアルコールで濯ぐ工程と、
アルコールと、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化クロム、酸化鉄、酸化スズ、二酸化チタン、酸化イットリウム、または珪藻土のうちの少なくとも１つとの混合物中で、該濯ぎ済みビーズを回転させる工程とを含む、工程と、
回転容器中に該被膜されたビーズを包含させる工程と、
該回転容器に少なくとも１つの柔軟性レンズまたは屈曲可能レンズを加える工程と、
該柔軟性レンズまたは屈曲可能レンズを該被膜ビーズと共に回転させる工程とを含む、方法。
【請求項２】
前記ビーズはガラスビーズを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記回転容器は８字式回転容器を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記柔軟性レンズ材料または屈曲可能レンズ材料は、シリコーンポリマー、炭化水素ポリマー、炭化フッ素ポリマー、ヒドロゲル、軟性アクリルポリマー、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、親水性モノマーユニットを有するシリコーン、フッ素含有ポリシロキサンエラストマー、および、コラーゲンコポリマーから成るグループから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記柔軟性レンズ材料または屈曲可能レンズ材料はシリコーンポリマーである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記柔軟性レンズ材料または屈曲可能レンズ材料は炭化水素ポリマーである、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記炭化水素ポリマーレンズ材料は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリイソプレン、および、ポリブタジエンから成るグループから選択される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記柔軟性レンズ材料または屈曲可能レンズ材料は炭化フッ素ポリマーである、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記炭化フッ素ポリマーレンズ材料は、ポリ（フッ化ビニリデン）、ポリ（フッ化ビニリデン−ＣＯ−ヘキサフルオロプロピレン）、ポリ（フッ化ビニリデン−ＣＯ−クロロトリフルオロエチレン）、および、ポリ（テトラフルオロエチレン−ＣＯ−プロピレン）から成るグループから選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記柔軟性レンズ材料または屈曲可能レンズ材料はヒドロゲルである、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記ヒドロゲルレンズ材料は、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシプロピルメタクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート、エチレングリコールモノメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールモノアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、Ｎ−ビニルピロリジノン、アクリル酸およびその塩、メタクリル酸およびその塩、アクリルアミド、メタクリルアミド、Ｎ−アクリロイルモルホリン、Ｎ−ビニルラクタム、Ｎ−アルキル−Ｎ−ビニルアセトアミド、２−ビニルピリジン、４−ビニルピリジンといったモノマーの水和架橋ポリマーおよびコポリマーから成るグループから選択される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ヒドロゲルレンズ材料は、水和架橋型の、ポリ（ビニルアルコール）、ポリエチレンイミンおよびその誘導体、ヒアルロン酸およびその塩、ならびに、セルロース誘導体から成るグループから選択される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記柔軟性レンズ材料または屈曲可能レンズ材料は軟質アクリルポリマーである、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記軟質アクリルポリマーレンズ材料は、エチルアクリレート、プロピルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ｎ−ヘキシルアクリレート、ｎ−ヘキシルメタクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、ｎ−オクチルメタクリレート、ｎ−デシルアクリレート、ｎ−デシルメタクリレート、ｎ−ドデシルアクリレート、ｎ−ドデシルメタクリレート、ｎ−オクタデシルアクリレート、ｎ−オクタデシルメタクリレート、トリフルオロエチルアクリレート、ペンタフルオロプロピルアクリレート、ヘプタフルオロブチルアクリレート、およびヘプタフルオロブチルメタクリレートのポリマーおよびコポリマーから成るグループから選択される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記柔軟性レンズ材料または屈曲可能レンズ材料はポリエステルである、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記ポリエステルレンズ材料は、ポリ（エチレンテレフタレート）およびポリ（オキシテトラメチレンテレフタレート−ブロック−テトラメチレンテレフタレート）から成るグループから選択される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記柔軟性レンズ材料または屈曲可能レンズ材料はポリアミドである、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記ポリアミドレンズ材料は、ナイロン６６およびナイロン６から成るグループから選択される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記柔軟性レンズ材料または屈曲可能レンズ材料はポリウレタンである、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記ポリウレタンレンズ材料は、ヒドロキシ終端ポリエステル、ヒドロキシ終端ポリエーテル、脂肪族、脂環式ジイソシアネート、または芳香族ジイソシアネート、およびグリコール鎖エクステンダーから調製されるポリウレタンエラストマーから成るグループから選択される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
柔軟性レンズ材料または屈曲可能レンズ材料から作られるレンズを処理する方法であって、該方法は、
溶液と研磨性材料で被膜されたビーズとを、回転容器中に包含させる工程であって、該研磨性材料はＲｈｏｄｉｔｅ  ９０を含み、該Ｒｈｏｄｉｔｅ  ９０は、以下の特性：酸化稀土１５ｍｇ／ｍ３、珪酸アルミニウム１０ｍｇ／ｍ３、リン酸トリウム１×１０−１２マイクロキュリー／ｍｌ−空気、硫酸亜鉛１０ｍｇ／ｍ３を有する、工程と、
該回転容器に少なくとも１つの柔軟性レンズまたは屈曲可能レンズを加える工程と、
該柔軟性レンズまたは屈曲可能レンズを該被膜ビーズと共に回転させて、該柔軟性レンズまたは屈曲可能レンズから凹凸と少なくとも幾らかのレンズ材料を除去する工程とを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月26日(2004.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
四角形の箱体に形成した外装カバーの上面の隅部の１つに下方向に傾斜させた傾斜面を形成し、その傾斜面に操作キーを配置したことを特徴とするプリンタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するために、請求項１に記載の発明は、四角形の箱体に形成した外装カバーの上面の隅部の１つに下方向に傾斜させた傾斜面を形成し、その傾斜面に操作キーを配置したことを要旨とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
従って、請求項１に記載の発明によれば、四角形の箱体の外装カバーの上面に操作キーを配置したことで、プリンタのどの方向からも操作キーの操作をし易くすることができる。また、操作キーを外装カバーの上面の隅部を下方向に傾斜させて形成した傾斜面に配置したことで、その隅部の付近の位置から特に操作をし易くすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月6日(2003.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記一対の抜出し管の夫々に、前記第３及び第４の所定位置の圧力が所定以上に上昇した際に開となる背圧弁を挿入したことを特徴とする、請求項１乃至３の何れか１項に記載の擬似移動層式クロマト分離装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月22日(2003.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周波数変調が施された送信信号が移動目標及び静止目標に照射され、その反射信号を受信した信号について、周波数変調を復調してレンジ方向の信号を圧縮するレンジ圧縮器と、移動目標のレンジ移動を補正するレンジ移動補正処理器と、目標の移動による位相変化を補正する位相補正処理器と、目標の大きさを推定する目標サイズ推定器と、目標のドップラ周波数の広がりの範囲を解析する目標運動解析処理器と、この広がりの範囲に応じて目標の運動を推定し最適な合成開口時間を計算する合成開口時間算出器と、目標のドップラ周波数を解析しレンジ−ドップラの２次元画像を作成する高速フーリエ変換処理器とを具備したことを特徴とするレーダ信号処理装置。
【請求項２】
周波数変調が施された送信信号が移動目標及び静止目標に照射され、その反射信号を受信した信号について、周波数変調を復調してレンジ方向の信号を圧縮するレンジ圧縮器と、移動目標のレンジ移動を補正するレンジ移動補正処理器と、目標の移動による位相変化を補正する位相補正処理器と、目標の大きさを推定する目標サイズ推定器と、目標のドップラ周波数の広がりの範囲を解析する目標運動解析処理器と、この広がりの範囲に応じて目標の運動を推定し最適な合成開口時間を計算する合成開口時間算出器と、この合成開口時間にサンプリングされるデータの間引を行う間引き処理器と、この間引かれるデータに基づいて目標のドップラ周波数を解析しレンジ−ドップラの２次元画像を作成する高速フーリエ変換処理器とを具備したことを特徴とするレーダ信号処理装置。
【請求項３】
周波数変調が施された送信信号が移動目標及び静止目標に照射され、その反射信号を受信した信号について、周波数変調を復調してレンジ方向の信号を圧縮するレンジ圧縮器と、移動目標のレンジ移動を補正するレンジ移動補正処理器と、目標の移動による位相変化を補正する位相補正処理器と、目標の大きさを推定する目標サイズ推定器と、目標の複数の点についてドップラ周波数の広がりの範囲を解析する目標運動解析処理器と、複数の点のドップラ周波数の広がりの範囲から最大の広がりの範囲を検出する最大値計算処理器と、この広がりの範囲に応じて目標の運動を推定し最適な合成開口時間を計算する合成開口時間算出器と、この合成開口時間にサンプリングされるデータの間引を行う間引き処理器と、この間引かれるデータに基づいて目標のドップラ周波数を解析しレンジ−ドップラの２次元画像を作成する高速フーリエ変換処理器とを具備したことを特徴とするレーダ信号処理装置。
【請求項４】
周波数変調が施された送信信号が移動目標及び静止目標に照射され、その反射信号を受信した信号について、周波数変調を復調してレンジ方向の信号を圧縮するレンジ圧縮器と、移動目標のレンジ移動を補正するレンジ移動補正処理器と、目標の移動による位相変化を補正する位相補正処理器と、目標の大きさを推定する目標サイズ推定器と、目標の複数の点についてドップラ周波数の広がりの範囲を解析する目標運動解析処理器と、各々のドップラ周波数の広がりの範囲の分布を求めることによりしきい値を計算するヒストグラム算出処理器と、複数の点のドップラ周波数の広がりの範囲から最大の広がりの範囲を検出する最大値計算処理器と、この広がりの範囲に応じて目標の運動を推定し最適な合成開口時間を計算する合成開口時間算出器と、この合成開口時間にサンプリングされるデータの間引を行う間引き処理器と、この間引かれるデータに基づいて目標のドップラ周波数を解析しレンジ−ドップラの２次元画像を作成する高速フーリエ変換処理器とを具備したことを特徴とするレーダ信号処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2000162316.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月18日(2003.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
しかしながら、ゾーンヒーティングを行う場合、発熱領域の異なる発熱体Ｈ１・Ｈ２にそれぞれ独立に通電し、通紙すると、ヒータ基板通紙方向には図１２のような温度分布ｈ１・ｈ２が形成される。つまり、定着ニップ部Ｎ内の通紙方向上流側に位置する発熱体Ｈ１に通電する場合は、ヒータ基板通紙方向の温度分布はｈ１のようになり、定着ニップ部内温度をほぼ均一に保つことができるが、下流側に位置する発熱体Ｈ２に通電する場合は、ヒータ基板通紙方向の温度分布はｈ２のようになり、定着ニップ部内の上下流方向で大きな温度勾配が生じてしまう。これは、紙温度が低い上流側では加熱ヒータから紙への熱流束が多く、紙温度が高い下流側では少ないためである。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
加圧部材としての弾性加圧ローラ２０は、芯金２１と、その外側にシリコンゴムやフッ素ゴム等の耐熱ゴムあるいはシリコンゴムを発泡して形成された弾性層２２からなり、さらには、この上にＰＦＡ、ＰＴＦＥ、ＦＥＰ等の離型性層２３を形成してあってもよい。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
Ａ４，ＬＴＲ等の普通サイズ紙発熱体Ｈ１は通紙方向上流側に、封筒などの小サイズ紙発熱体Ｈ２は通紙方向下流側に配置してある。普通サイズ紙発熱体Ｈ１の長さ（通紙幅）Ｌｌと小サイズ紙発熱体Ｈ２の長さＬ２は前記したようにそれぞれ２２２ｍｍと１１６ｍｍである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
よって、普通サイズ紙発熱体Ｈ１の幅Ｗｌは３ｍｍ、抵抗値Ｒｌは１３．４Ω（１００Ｖ入力時に約７４６Ｗ）、小サイズ紙発熱体Ｈ２の幅Ｗ２は、１．５７ｍｍとなる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
而して、このように複数の発熱体Ｈ１・Ｈ２を有するゾーンヒーティング型加熱ヒータについて、発熱体Ｈ１・Ｈ２にそれぞれ独立に通電した場合の通紙中の温度分布は前述したように図１２のｈ１・ｈ２のようになる。すなわち、発熱体Ｈ１を点灯した場合は、ヒータ基板内の温度がほぼ均一となるが、発熱体Ｈ２を点灯した場合は、ヒータ基板内で大きな温度勾配が生じてしまう。これは、定着ニップ部Ｎ内を紙が通過する際の加熱ヒータから紙への熱流束が通紙方向上流側と下流側で異なることによるものである。つまり、紙が定着ニップ部内を通過する間に温度が上昇するため、紙温度が低い上流側ではヒータから紙への熱流束は多く、紙温度が高い下流側では熱流束が少なくなるためである。したがって、下流側に発熱体Ｈ２を配置した場合は、特に定着ニップ部上下流側で温度勾配は大きくなる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
表３に、小サイズ紙発熱体Ｈ２のみ通電した場合と、前記表２のデューティーで通電した場合の小サイズ紙定着性と温度検知部材としてのサーミスタ１４の取り付け公差により生じる検知温度誤差を示す。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
【表３】
2000162909.tif 000001
表３より、小サイズ紙通紙時に普通サイズ紙発熱体Ｈ１にも通電することにより、小サイズ紙の定着性を向上させることができ、更に、サーミスタ１４の取り付け公差内での温度バラツキも小さくすることができることがわかる。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
しかし、図５で示すように普通サイズ紙発熱体Ｈ１と小サイズ紙発熱体Ｈ２の通電デューティーを変えること等によって単位長手長さ当たりの電力比も変わり、同様に通紙部と非通紙部の電力比も変わるため、非通紙部昇温にも影響を与える。表４は前記表２中の各通電デューティーでの通紙部と非通紙部の電力比と非通紙昇温の関係を示したものである。尚、端部昇温はｃｏｍ１０封筒を１６ｐｐｍのスループットで７５枚連続通紙したときの温度である。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
【表４】
2000162909.tif 000002
表４から、封筒をフルスループット（１６ｐｐｍ）で通紙するためには、電力比が通紙部／非通紙部≧１．９５程度である必要があるが、通紙部／非通紙部≧１．４程度であれば実用的に問題のないレベル（普通サイズ紙スループットの２／３程度のスループットダウンを許容）である。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月24日(2003.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外筒軸受を有したミラーユニットが固定した内筒軸受との間で回転する光偏向装置において、
前記ミラーユニットはフランジ部材とポリゴンミラーと弾性部材とミラー押さえ板とによって構成され、
前記フランジ部材は円筒部とその端部に設けた円板部とから成っていて、前記円筒部は前記外筒軸受の外周と接合し、前記円板部にはミラー搭載の基準面が設けられていて、前記ポリゴンミラーは該円板部と前記弾性部材を介して前記ミラー押さえ板とによって挟持され、
前記円筒部と前記外筒軸受との接合は圧接状態にあり、端部には接着剤が塗布されて接合されていることを特徴とする光偏向装置。
【請求項２】
外筒軸受を有したミラーユニットが固定した内筒軸受との間で回転する光偏向装置において、
前記ミラーユニットはフランジ部材とポリゴンミラーと弾性部材とミラー押さえ板とによって構成され、
前記フランジ部材は円筒部とその端部に設けた円板部とから成っていて、前記円筒部は前記外筒軸受の外周と接合し、前記円板部にはミラー搭載の基準面が設けられていて、前記ポリゴンミラーは該円板部と前記弾性部材を介して前記ミラー押さえ板とによって挟持され、
前記円筒部又は前記外筒軸受の接合部には溝部が設けられていて、前記円筒部と前記外筒軸受とは圧接状態にあり、前記溝部に接着剤が注入されて接合されていることを特徴とする光偏向装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記第１及び第２の目的は、
外筒軸受を有したミラーユニットが固定した内筒軸受との間で回転する光偏向装置において、前記ミラーユニットはフランジ部材とポリゴンミラーと弾性部材とミラー押さえ板とによって構成され、前記フランジ部材は円筒部とその端部に設けた円板部とから成っていて、前記円筒部は前記外筒軸受の外周と接合し、前記円板部にはミラー搭載の基準面が設けられていて、前記ポリゴンミラーは該円板部と前記弾性部材を介して前記ミラー押さえ板とによって挟持され、前記円筒部と前記外筒軸受との接合は圧接状態にあり、端部には接着剤が塗布されて接合されていることを特徴とする光偏向装置及び
外筒軸受を有したミラーユニットが固定した内筒軸受との間で回転する光偏向装置において、前記ミラーユニットはフランジ部材とポリゴンミラーと弾性部材とミラー押さえ板とによって構成され、前記フランジ部材は円筒部とその端部に設けた円板部とから成っていて、前記円筒部は前記外筒軸受の外周と接合し、前記円板部にはミラー搭載の基準面が設けられていて、前記ポリゴンミラーは該円板部と前記弾性部材を介して前記ミラー押さえ板とによって挟持され、前記円筒部又は前記外筒軸受の接合部には溝部が設けられていて、前記円筒部と前記外筒軸受とは圧接状態にあり、前記溝部に接着剤が注入されて接合されていることを特徴とする光偏向装置
によって達成される。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
（実施の形態１）
実施の形態１について、図２に示すフランジ１５の円筒部１５ｂと外筒軸受１２ｂとの接合部分の断面図によって説明する。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
実施の形態２は温度変動があっても外筒軸受１２ｂとフランジ１５との間で軸方向のずれが生じないようにしたもので、図３に示すフランジ１５の円筒部１５ｂと外筒軸受１２ｂとの接合部分の断面図によって説明する。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
実施形態３は温度変動があっても外筒軸受１２ｂとフランジ１５との軸方向のずれが生じないようにしたもので、図４（ａ）は外筒軸受１２ｂの円筒面１２ｂ１に接着剤注入用の溝部１２ｂ２を設けた状態を示す斜視図で、図４（ｂ）はフランジ１５の円筒部１５ｂと外筒軸受１２ｂとの接合部分の断面図を示している。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
【発明の効果】
本発明によれば、外筒軸受の軸心とフランジの軸心とは完全に合致して、ポリゴンミラーは偏心や倒れ角のない状態で回転動作がなされることとなった。また、保存温度が変動し、環境条件が変動しても影響を受けないで信頼性が更に向上し、ポリゴンミラーは安定した偏心や倒れ角がない状態で回転動作を続けることが可能となった。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月19日(2003.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶表示パネルを用いて画像を表示する液晶表示装置であって、
装置内温度を検出する温度検出手段と、
前記温度検出手段による検出温度に対してヒステリシス処理を施すことにより、制御信号を生成する制御手段と、
前記制御手段により生成された制御信号と、入力画像データの１垂直期間前後における階調遷移の組み合わせとに応じて決定される強調変換パラメータを用いて、現垂直期間の入力画像データに対して強調変換を行うことにより、前記液晶表示パネルの光学応答特性を補償する強調変換データを求める書込階調決定手段とを備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記書込階調決定手段は、前記入力画像データの１垂直期間前後における階調遷移の組み合わせに応じて、前記入力画像データを前記液晶表示パネルの光学応答特性を補償する強調変換データに変換するための、予め定められた複数の温度範囲毎に異なる強調変換パラメータを記憶した複数のテーブルメモリと、
前記制御手段により生成された制御信号に基づいて、前記複数のテーブルメモリのうちの一つを選択的に切換える切換部とを有し、
前記切換部により切換えられたテーブルメモリを参照することにより読み出された強調変換パラメータを用いて、前記入力画像データに対する強調変換データを求め、書込階調データとして前記液晶表示パネルに供給することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
前記請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記書込階調決定手段は、前記入力画像データの１垂直期間前後における階調遷移の組み合わせに応じて、前記入力画像データを前記液晶表示パネルの光学応答特性を補償する強調変換データに変換するための、予め定められた複数の温度範囲毎に異なる強調変換パラメータを複数の参照テーブル領域毎に記憶したテーブルメモリと、
前記制御手段により生成された制御信号に基づいて、前記複数の参照テーブル領域のうちの一つを選択的に切換える切換部とを有し、
前記切換部により切換えられた前記テーブルメモリの参照テーブル領域を参照することにより読み出された強調変換パラメータを用いて、前記入力画像データに対する強調変換データを求め、書込階調データとして前記液晶表示パネルに供給することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
前記請求項２または３に記載の液晶表示装置において、
前記テーブルメモリは、表示データ階調における代表階調の遷移パターンについての強調変換パラメータが記憶されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
前記請求項１乃至４のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記制御手段は、前記温度検出手段による検出温度と所定の閾値温度とを比較し、前記所定の閾値温度より上昇又は下降した検出温度が所定回数以上連続して取得された場合に、前記検出温度に対応した強調変換パラメータを切替選択するための制御信号を出力することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
前記請求項１乃至５のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記制御手段は、前記温度検出手段による検出温度に対して、前記液晶表示パネル面の温度との誤差を補正することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
前記請求項６に記載の液晶表示装置において、
前記制御手段は、電源投入後の経過時間に応じて、前記補正すべき誤差温度を可変制御することを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本願の第１の発明は、液晶表示パネルを用いて画像を表示する液晶表示装置であって、装置内温度を検出する温度検出手段と、前記温度検出手段による検出温度に対してヒステリシス処理を施すことにより、制御信号を生成する制御手段と、前記制御手段により生成された制御信号と、入力画像データの１垂直期間前後における階調遷移の組み合わせとに応じて決定される強調変換パラメータを用いて、現垂直期間の入力画像データに対して強調変換を行うことにより、前記液晶表示パネルの光学応答特性を補償する強調変換データを求める書込階調決定手段とを備えたことを特徴とする。
本願の第２の発明は、前記書込階調決定手段が、前記入力画像データの１垂直期間前後における階調遷移の組み合わせに応じて、前記入力画像データを前記液晶表示パネルの光学応答特性を補償する強調変換データに変換するための、予め定められた複数の温度範囲毎に異なる強調変換パラメータを記憶した複数のテーブルメモリと、前記制御手段により生成された制御信号に基づいて、前記複数のテーブルメモリのうちの一つを選択的に切換える切換部とを有し、前記切換部により切換えられたテーブルメモリを参照することにより読み出された強調変換パラメータを用いて、前記入力画像データに対する強調変換データを求め、書込階調データとして前記液晶表示パネルに供給することを特徴とする。
本願の第３の発明は、前記書込階調決定手段が、前記入力画像データの１垂直期間前後における階調遷移の組み合わせに応じて、前記入力画像データを前記液晶表示パネルの光学応答特性を補償する強調変換データに変換するための、予め定められた複数の温度範囲毎に異なる強調変換パラメータを複数の参照テーブル領域毎に記憶したテーブルメモリと、前記制御手段により生成された制御信号に基づいて、前記複数の参照テーブル領域のうちの一つを選択的に切換える切換部とを有し、前記切換部により切換えられた前記テーブルメモリの参照テーブル領域を参照することにより読み出された強調変換パラメータを用いて、前記入力画像データに対する強調変換データを求め、書込階調データとして前記液晶表示パネルに供給することを特徴とする。
本願の第４の発明は、前記テーブルメモリが、表示データ階調における代表階調の遷移パターンについての強調変換パラメータが記憶されていることを特徴とする。
本願の第５の発明は、前記制御手段が、前記温度検出手段による検出温度と所定の閾値温度とを比較し、前記所定の閾値温度より上昇又は下降した検出温度が所定回数以上連続して取得された場合に、前記検出温度に対応した強調変換パラメータを切替選択するための制御信号を出力することを特徴とする。
本願の第６の発明は、前記制御手段が、前記温度検出手段による検出温度に対して、前記液晶表示パネル面の温度との誤差を補正することを特徴とする。
本願の第７の発明は、前記制御手段が、電源投入後の経過時間に応じて、前記補正すべき誤差温度を可変制御することを特徴とする。