【手続補正書】
【提出日】平成23年12月21日(2011.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマドーピングプロセス中に基板表面のドーピング濃度を検出するための方法において、
プロセスチャンバー内で基板を位置決めするステップであって、前記基板は、表側および裏側を有し、約２５０℃未満の温度である、ステップと、
前記プロセスチャンバー内で前記基板の上にプラズマを生成するステップと、
前記プラズマによって生成される光を前記基板を通って伝送するステップであって、前記光は、前記基板の前記表側に入り、前記裏側から出る、ステップと、
前記基板の下に位置決めされるセンサーによって前記光を受け取るステップと、
前記センサーによって受け取られる前記光に比例する信号を生成するステップと、
ドーピングプロセス中にドーパントを前記基板に注入するステップと、
前記ドーピングプロセス中に前記センサーによって受け取られる前記光の減少する量に比例する多重光信号を生成するステップと、
いったん前記基板が前記ドーパントの最終濃度を含むと前記センサーによって受け取られる前記光に比例する終点信号を生成するステップと、
前記基板の前記ドーパント注入を中止するステップとを含む方法。
【請求項２】
前記ドーパントの増加する濃度に比例する多重信号を生成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記光は、赤外光、可視光、紫外光、またはそれらの組合せを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記光は、赤外光を含み、前記基板の温度は、前記ドーピングプロセス中に約０℃から約９０℃の範囲内である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ドーパントは、ホウ素、リン、ヒ素、アンチモン、窒素、酸素、水素、炭素、ゲルマニウム、およびそれらの組合せから成る群から選択され、前記ドーパントの前記最終濃度は、約５×１０１５ｃｍ−２から約１×１０１７ｃｍ−２の範囲内である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
プラズマドーピングプロセス中に基板表面のドーピング濃度を検出するための方法において、
プロセスチャンバー内で基板を位置決めするステップであって、前記基板は、表側および裏側を有し、約２５０℃未満の温度である、ステップと、
前記プロセスチャンバー内で前記基板の上にプラズマを生成するステップと、
前記基板を通って光を伝送するステップであって、前記光は、前記基板の前記裏側に入り、前記表側から出て、前記光は、前記基板の下に位置決めされる光源によって生成される、ステップと、
前記基板の上に位置決めされるセンサーによって前記光を受け取るステップと、
前記センサーによって受け取られる前記光に比例する信号を生成するステップと、
ドーピングプロセス中にドーパントを前記基板に注入するステップと、
前記ドーピングプロセス中に前記センサーによって受け取られる前記光の減少する量に比例する多重光信号を生成するステップと、
いったん前記基板が前記ドーパントの最終濃度を含むと前記センサーによって受け取られる前記光に比例する終点信号を生成するステップと、
前記基板の前記ドーパント注入を中止するステップとを含む方法。
【請求項７】
前記光源は、赤外レーザーまたはレーザーに結合される光ケーブルである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記光源は、基板支持アセンブリ上にまたは内部に配置され、前記センサーは、シャワーヘッドアセンブリ上にまたは中に配置され、前記光源は、前記光を実質的に前記センサーの方へ向けるように位置決めされる、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記光源は、遠隔光源に結合される光ケーブルであり、前記遠隔光源は、レーザービームを放出する、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板の温度は、前記ドーピングプロセス中に約０℃から約９０℃の範囲内である、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
前記ドーパントは、ホウ素、リン、ヒ素、アンチモン、窒素、酸素、水素、炭素、ゲルマニウム、およびそれらの組合せから成る群から選択され、前記ドーパントの前記最終濃度は、約５×１０１５ｃｍ−２から約１×１０１７ｃｍ−２の範囲内である、請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
プラズマドーピングプロセス中に基板表面のドーピング濃度を検出するための方法において、
プロセスチャンバー内で基板を位置決めするステップであって、前記基板は、表側および裏側を有し、約２５０℃未満の温度である、ステップと、
前記プロセスチャンバー内で前記基板の上にプラズマを生成するステップと、
前記基板の上に位置決めされる光源によって光を生成するステップと、
前記光を前記光源から前記基板の前記表側に前記基板の前記表側を横断して広がる平面に対して約７５°から約９０°の範囲内の角度で伝送し、前記光を前記表側から前記基板の上に位置決めされるセンサーの方へ反射するステップと、
前記センサーによって受け取られる前記光に比例する信号を生成するステップと、
ドーピングプロセス中にドーパントを前記基板に注入するステップと、
前記ドーピングプロセス中に前記センサーによって受け取られる前記光の増加する量に比例する多重光信号を生成するステップと、
いったん前記基板が前記ドーパントの最終濃度を含むと前記センサーによって受け取られる前記光に比例する終点信号を生成するステップと、
前記基板の前記ドーパント注入を中止するステップとを含む方法。
【請求項１３】
前記基板の温度は、前記ドーピングプロセス中に約０℃から約９０℃の範囲内である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記光源は、赤外レーザーまたはレーザーに結合される光ケーブルである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記光源は、シャワーヘッドアセンブリに結合されるまたは内部にあり、前記センサーは、前記シャワーヘッド上に配置されるまたは結合され、前記光源は、前記光を前記基板から離れて前記センサーの方へ反射するように位置決めされる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
プラズマドーピングプロセス中に基板表面のドーピング濃度を検出するための方法において、
プロセスチャンバー内で、表側および裏側を有する基板を約２５０℃未満の温度に維持するステップと、
前記プロセスチャンバー内で前記基板の表側の上にプラズマを生成するステップと、
前記基板を通って光を伝送するステップと、
センサーによって前記光を受け取るステップと、
前記センサーによって受け取られる前記光に比例する初期信号を生成するステップと、
ドーピングプロセス中にドーパントを前記基板に注入するステップと、
増加するドーパント濃度に比例して前記センサーによって受け取られる前記光を変調するステップと、
前記基板がいったん最終ドーパント濃度を有すると前記センサーによって受け取られる前記光に比例する終点信号を生成するステップと、
前記ドーパントによる前記基板の注入を中止するステップとを含む方法。
【請求項１７】
前記光はプラズマによって生成され、前記センサーによって受け取られる前記光は増加するドーパント濃度に比例して減少し、前記センサーは前記基板の裏側の下に位置決めされる、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記光は前記基板の裏側の下に位置決めされるレーザーによって生成され、前記センサーによって受け取られる前記光は前記増加するドーパント濃度に比例して減少し、前記センサーは前記基板の表側の上に位置決めされる、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記光は前記基板の表側の上に位置決めされるレーザーによって生成され、前記センサーによって受け取られる前記光は前記増加するドーパント濃度に比例して増加し、前記センサーは前記基板の表側の上に位置決めされる、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記光は、赤外光、可視光、紫外光、またはそれらの組合せを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
前記光は、赤外光を含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記基板の温度は、前記ドーピングプロセス中に約０℃から約９０℃の範囲内である、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記ドーパントは、ホウ素、リン、ヒ素、アンチモン、窒素、酸素、水素、炭素、ゲルマニウム、およびそれらの組合せから成る群から選択される、請求項１６に記載の方法。
【請求項２４】
前記ドーパントの前記最終濃度は、約５×１０１５ｃｍ−２から約１×１０１７ｃｍ−２の範囲内である、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記ドーパントはホウ素であり、前記ドーピングプロセスは、トリフルオロボラン、ジボラン、それらのプラズマ、それらの誘導体、またはそれらの組合せに前記基板をさらすステップを包含する、請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
前記ドーパントはリンであり、前記ドーピングプロセスは、トリフルオロホスフィン、ホスフィン、それらのプラズマ、それらの誘導体、またはそれらの組合せに前記基板をさらすステップを包含する、請求項２３に記載の方法。
【請求項２７】
前記ドーパントはヒ素であり、前記ドーピングプロセスは、アルシン、それのプラズマ、またはそれの誘導体に前記基板をさらすステップを包含する、請求項２３に記載の方法。
【請求項２８】
プラズマドーピングプロセス中に基板表面のドーピング濃度を検出するための方法において、
プロセスチャンバー内で、表側および裏側を有する基板を約２５０℃未満の温度に維持するステップと、
前記プロセスチャンバー内で前記基板の表側の上にプラズマを生成するステップと、
前記基板の表側から光を反射するステップと、
センサーによって前記光を受け取るステップと、
前記センサーによって受け取られる前記光に比例する初期信号を生成するステップと、
ドーピングプロセス中にドーパントを前記基板に注入するステップと、
増加するドーパント濃度に比例して前記センサーによって受け取られる前記光を変調するステップと、
前記基板がいったん最終ドーパント濃度を有すると前記センサーによって受け取られる前記光に比例する終点信号を生成するステップと、
前記ドーパントによる前記基板の注入を中止するステップとを含む方法。
【請求項２９】
前記光は、赤外光、可視光、紫外光、またはそれらの組合せを含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記光は、赤外光を含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記基板の温度は、前記ドーピングプロセス中に約０℃から約９０℃の範囲内である、請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】
前記ドーパントは、ホウ素、リン、ヒ素、アンチモン、窒素、酸素、水素、炭素、ゲルマニウム、およびそれらの組合せから成る群から選択される、請求項２８に記載の方法。
【請求項３３】
前記ドーパントの前記最終濃度は、約５×１０１５ｃｍ−２から約１×１０１７ｃｍ−２の範囲内である、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記ドーパントはホウ素であり、前記ドーピングプロセスは、トリフルオロボラン、ジボラン、それらのプラズマ、それらの誘導体、またはそれらの組合せに前記基板をさらすステップを包含する、請求項３２に記載の方法。
【請求項３５】
前記ドーパントはリンであり、前記ドーピングプロセスは、トリフルオロホスフィン、ホスフィン、それらのプラズマ、それらの誘導体、またはそれらの組合せに前記基板をさらすステップを包含するか、或いは前記ドーパントはヒ素であり、前記ドーピングプロセスは、アルシン、それのプラズマ、またはそれの誘導体に前記基板をさらすステップを包含する、請求項３２に記載の方法。