(57)【要約】【課題】電源電圧より大きな電圧を供給することができる光送信機を提供する。電源電圧に依存することなく、高速通信することができる光送受信機を提供する。【解決手段】光送信機は、電気信号を光信号Ｐ１に変換し、この光信号Ｐ１を送信する発光素子３２と、互いに直列に接続された複数の受光素子２３からなり、発光素子３２から光の照射を受けて電力Ｖｏを発生する受光素子列２２とを備えている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気信号を光信号に変換し、この光信号を送信する面発光型の発光素子と、
前記発光素子から光の照射を受けて電力を発生し、互いに直列に接続された複数の受光素子からなる受光素子列とを備え、
前記発光素子の上面から放射する光は光信号として用いられ、前記発光素子の裏面から放射する光は前記受光素子列に照射されることを特徴とする光送信機。
【請求項２】
前記発光素子の上面から放射する光の一部を前記受光素子列へ反射させる鏡面部をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の光送信機。
【請求項３】
前記受光素子列に対して並列に接続されたコンデンサをさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の光送信機。
【請求項４】
導体から成る実装基板と、
前記実装基板上に搭載され、前記受光素子列が形成された受光チップと、
前記受光チップ上に搭載され、前記発光素子が形成された光送信チップとを備えていることを特徴とする請求項１に記載の光送信機。
【請求項５】
前記光送信チップ上に設けられ、前記発光素子の一方の電極に接続された第１の電極と、
前記受光チップと前記光送信チップとの間に設けられ、前記発光素子の他方の電極に接続された第２の電極と、
前記受光チップ上に設けられ、前記受光素子の一方の電極に接続された第３の電極とをさらに備え、
前記実装基板は前記受光素子の他方の電極に接続されていることを特徴とする請求項４に記載の光送信機。
【請求項６】
前記光送信チップ上に設けられ、前記発光素子の一方の電極に接続された第１の電極と、
前記光送信チップ上に設けられ、前記発光素子の他方の電極に接続された第２の電極と、
前記受光チップ上に設けられ、前記受光素子の一方の電極に接続された第３の電極とをさらに備え、
前記実装基板は前記受光素子の他方の電極に接続されていることを特徴とする請求項４に記載の光送信機。
【請求項７】
電気信号を光信号に変換しこの光信号を送信する発光素子と、
前記光信号を受信して電気信号に変換し、該電気信号を出力する第１の受光素子と、
前記発光素子から光の照射を受けて電力を前記第１の受光素子へ供給し、前記発光素子と前記第１の受光素子との間に直列に接続された複数の第２の受光素子からなる受光素子列とを備えた光送受信機。
【請求項８】
電気信号を増幅して前記発光素子へ出力するように、前記発光素子に接続された出力端子を有する第１の増幅回路と、
前記第１の発光素子からの電気信号を増幅して出力するように、前記第１の受光素子に接続された入力端子を有する第２の増幅回路とをさらに備えたことを特徴とする請求項７に記載の光送受信機。
【請求項９】
前記受光素子列に対して並列に接続されたコンデンサをさらに備えたことを特徴とする請求項７または請求項８に記載の光送受信機。
【請求項１０】
導体から成る実装基板と、
前記実装基板上に搭載され、前記受光素子列が形成された受光チップと、
前記受光チップ上に搭載され、面発光型の前記発光素子が形成された光送信チップと、
前記光送信チップに隣接して前記受光チップ上に搭載され、前記第１の受光素子が形成され、尚且つ、前記受光チップから電力供給を受ける光受信チップとを備え、
少なくとも前記受光素子列と前記発光素子との間は透明であることを特徴とする請求項７に記載の光送受信機。
【請求項１１】
前記受光素子の一方の電極に接続された第１の電極をさらに備え、
前記実装基板は前記受光素子の他方の電極に接続されており、
前記光受信チップは前記第１の電極と前記実装基板との間の電位差により前記受光チップから電力供給を受けることを特徴とする請求項１０に記載の光送受信機。
【請求項１２】
前記発光素子のアノードは前記第１の増幅回路の出力端子に接続され、
前記発光素子のカソードは基準電位に接続され、
前記第１の受光素子のアノードは前記第２の増幅回路の入力端子に接続され、
前記受光素子列のアノードは前記第１の受光素子のカソードに接続され、
前記受光素子列のカソードは前記基準電位に接続されていることを特徴とする請求項８に記載の光送受信機。
【請求項１３】
前記発光素子のアノードは前記第１の増幅回路の出力端子に接続され、
前記発光素子のカソードは基準電位に接続され、
前記第１の受光素子のカソードは前記第２の増幅回路の入力端子に接続され、
前記受光素子列のアノードは前記基準電位に接続され、
前記受光素子列のカソードは第１の受光素子のアノードに接続されていることを特徴とする請求項８に記載の光送受信機。
【請求項１４】
前記発光素子、前記第１の受光素子、前記受光素子列、前記第１および第２の増幅回路および前記コンデンサは、封止樹脂によって一体形成されていることを特徴とする請求項８に記載の光送受信機。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光送信機および光送受信機に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１４は従来における光送受信機の概略図である。この光送受信機は、信号伝送用の発光素子１および受光素子３を有する。発光素子１および受光素子３は光透過性の単一パッケージに実装可能である。
【０００３】
図１５は従来における他の光送受信機の概略図である。発光素子１は受光素子３の上に配置されている。これにより、この光送受信機は小型化され、尚且つ、発光素子１および受光素子３は同一の光ファイバを介して送受信することができる。
【０００４】
【特許文献１】
特開平６−２１６７３８号公報
【特許文献２】
特開平４−１１３７１３号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
受光素子に印加される逆バイアス電圧が大きいほど、受光素子の容量と抵抗は高周波信号に対して小さくなる。よって、この逆バイアス電圧が大きいほど、光受信機は高速通信に適する。
【０００６】
図１４および図１５に示した従来の光送受信機において、発光素子１は、電源による順バイアス電圧によって光を放射し、受光素子３は、電源による逆バイアス電圧によって光信号を電気信号に変換する。従って、発光素子１は、電源電圧に依存しており、電源電圧を超える電圧を供給することができなかった。また、受光素子３も電源電圧に依存しており、電源電圧を超える電圧の供給を受けることはできなかった。これにより、受光素子３が受信できる光信号の速度は、電源電圧に依って制限されていた。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、電源電圧より大きな電圧を供給することができる光送信機を提供することである。
【０００８】
また、本発明の目的は、電源電圧に依存することなく、高速通信することができる光送受信機を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明に従った実施の形態による光送信機は、電気信号を光信号に変換し、この光信号を送信する面発光型の発光素子と、前記発光素子から光の照射を受けて電力を発生し、互いに直列に接続された複数の受光素子からなる受光素子列とを備え、前記発光素子の上面から放射する光は光信号として用いられ、前記発光素子の裏面から放射する光は前記受光素子列に照射されることを特徴とする。
【００１０】
本発明に従った実施の形態による光送受信機は、電気信号を光信号に変換しこの光信号を送信する発光素子と、前記光信号を受信して電気信号に変換し、該電気信号を出力する第１の受光素子と、前記発光素子から光の照射を受けて電力を前記第１の受光素子へ供給し、前記発光素子と前記第１の受光素子との間に直列に接続された複数の第２の受光素子からなる受光素子列とを備えている。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照し、本発明による実施の形態を説明する。これらの実施の形態は本発明を限定するものではない。
【００１２】
本発明に係る実施の形態は、面発光型発光素子の上面光を光信号として用い、その裏面光を受光素子列に照射するために用いる。これにより、受光素子列は、電源電圧より大きな電力を発生することができる。
【００１３】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明に係る第１の実施の形態に従った光送信機１００の断面図である。光送信機１００は、リードフレーム１０、受光チップ２０および光送信チップ３０を備えている。リードフレーム１０は、金属等の導電性の材料から成る。このリードフレーム１０の上に受光チップ２０が搭載されており、受光チップ２０の上に光送信チップ３０が搭載されている。
【００１４】
受光チップ２０には、互いに直列に接続された複数の受光素子からなる受光素子列２２が形成されている。光送信チップ３０には、電気信号を光信号に変換する発光素子３２が形成されている。受光素子列２２は、例えば、フォトダイオードである。この場合、受光素子列２２は、フォトダイオード・アレイとなる。発光素子３２は、面発光型発光素子であり、例えば、ＬＥＤまたはＶＣＳＥＬ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）等である。
【００１５】
発光素子３２からの光が受光素子列２２まで透過できるように、受光素子列２２と発光素子３２との間にある材料は光に対して透明（透光性）である。
【００１６】
光送信機１００は、電極２４、２５および３４をさらに備えている。電極２４は、受光チップ２０と光送信チップ３０との間に設けられており、発光素子３２のいずれか一方の電極に接続されている。電極３４は、光送信チップ３０上に設けられており、発光素子３２のいずれか他方の電極に接続されている。電極２４は、例えば、グランドなどの基準電位に接続されており、電極３４は、例えば、送信用の電気信号を増幅する増幅回路（図示せず）へ接続されている。電極２５は、光送信チップ３０上に設けられており、受光素子列２２のいずれか一方の電極に接続されている。さらに、リードフレーム１０は受光素子列２２のいずれか他方の電極に接続されている。また、リードフレーム１０は、グランドなどの基準電位に接続されている。
【００１７】
図２および図３は、それぞれ発光素子３０の平面図および底面図である。図２に示す電極３４は、開口部３６以外の発光素子３０の表面を被覆している。開口部３６は、発光素子３２からの上面光Ｐ１を通過させるために設けられている。図３に示す電極２４は、発光素子３０の裏面における左右の両側に設けられている。電極２４間にある光透過部２８は、発光素子３２からの裏面光Ｐ２を受光素子列２２へ通過させるために設けられている。
【００１８】
次に、光送信機１００の動作を説明する。
【００１９】
電極３４に電気信号が入力されると、電極２４と電極３４との間に電位差が生じる。この電位差によって順バイアス電圧が発光素子３２に印加される。発光素子３２は面発光型であるので、発光素子３２はこの順バイアス電圧によってその上面および裏面から光を放射する。発光素子３２の上面から放射される上面光Ｐ１は、空間または光ファイバ（図示せず）等の媒体を介し、光信号として相手側の受光素子へ送信される。一方で、発光素子３２の裏面から放射される裏面光Ｐ２は、受光素子列２２へ照射される。
【００２０】
光が受光素子列２２に照射されると、受光素子列２２はそのアノードとカソードとの間に電位差を発生する。本実施の形態によれば、リードフレーム１０はグランドに接続されているので、受光素子列２２が発生した電位差は、電極２５から出力電圧Ｖｏとして出力される。
【００２１】
発光素子３２から送信される信号速度が比較的遅い場合には、受光素子列２２の出力電圧Ｖｏはその信号速度に依存する。しかし、その信号速度が比較的速い場合には、出力電圧Ｖｏはほぼ直流の電圧になる。これは、一般に、受光素子列はその内部に容量を有するからである。
【００２２】
信号速度が比較的遅い場合に、受光素子列２２から直流に近い安定した出力電圧Ｖｏを得るためには、図４および図５に示すように受光素子列２２に対して並列にコンデンサ４０を接続すればよい。
【００２３】
また、一般に、発光素子は、信号の送信が行われていない場合であっても、アイドル信号等のダミー信号または低速なオン／オフ信号を送信している。これによって、送信を行っていない待機時であっても、受光素子列２２は出力電圧Ｖｏを出力することができる。この出力電圧Ｖｏの用途は特に限定しない。例えば、出力電圧Ｖｏは、後述するように光信号を受信する受光素子に逆バイアス電圧を与えるために用いられてよい。
【００２４】
出力電圧Ｖｏは、受光素子列２２において互いに直列に接続された受光素子２３の個数に依存する。従って、出力電圧Ｖｏを電源電圧より大きくするためには、受光素子２３の個数を調節すればよい。受光素子２３は、例えば、フォトダイオードである。複数の受光素子２３はそれぞれ異なる特性を有するものでもよいが、好ましくは、複数の受光素子２３は互いに同一の特性を有する。それによって、受光素子列２２が生じる電力は、直列に接続された受光素子２３の個数によって容易に制御され得る。また、複数の受光素子２３が互いに同一の特性を有することによって、光送信機１００の製造が比較的容易になる。ここでいう、受光素子の特性とは、素子サイズ、光信号から光電流、光電圧への変換効率、寄生容量等である。
【００２５】
本実施の形態による光送信機１００は、外部から供給される電源電圧Ｖｃｃ（図１１参照）より大きな電圧を供給することができる。また、光送信機発光素子３２の上面光Ｐ１は光信号として通信に用いられ、その裏面光Ｐ２は電力供給に用いられる。即ち、発光素子３２は信号伝送および電極供給に兼用される。これにより、光送信機１００は比較的小型化され得る。
【００２６】
図４および図５は光送信機１００の等価回路図である。図４に示す回路図において、発光素子３２はアノードから入力された送信用の電気信号Ｓ０に従って光を放射する。受光素子列２２は、発光素子３２からの裏面光Ｐ２の照射を受け、それによって、アノードから出力電圧Ｖｏを出力する。受光素子列２２および発光素子３２のそれぞれのカソードは共通にグランドに接続されている。
【００２７】
本実施の形態において、コンデンサ４０が受光素子列２２に対して並列に接続されている。コンデンサ４０は、例えば、図１に示した電極２４とリードフレーム１０との間に接続される。コンデンサ４０は、光送信機１００の外部に設けられてもよい。また、コンデンサ４０は受光チップ２０内の寄生容量であってもよい。コンデンサ４０によって、出力電圧Ｖｏが平滑化され、光送信機１００は安定した出力電圧Ｖｏを出力することができる。
【００２８】
図５に示す回路図において、受光素子列２２のアノードはグランドに接続され、そのカソードから出力電圧Ｖｏを出力する点で図４に示す回路図と異なる。他の構成は、図５に示す回路と同様である。図４および図５に示すいずれの回路構成であっても、光送信機１００の効果は失われない。
【００２９】
（第２の実施の形態）
図６は、本発明に係る第２の実施の形態に従った光送信機２００の断面図である。光送信機２００は、電極２４が光送信チップ３０の上面に設けられている点で第１の実施の形態と異なる。
【００３０】
図７および図８は、光送信機２００における光送信チップ３０の平面図および底面図である。図７に示すように、光送信チップ３０の上面には、開口部３６の両側に電極２４および３４が設けられている様子が理解できる。また、図８に示すように、光送信チップ３０の底面には、電極が設けられていない。
【００３１】
光送信機２００は、第１の実施の形態と異なり、光送信チップ３０と受光チップ２０との間に電極を有しない。従って、本実施の形態によれば、電極が裏面光Ｐ２を遮ることがない。また、本実施の形態は第１の実施の形態よりも製造が容易である。さらに、本実施の形態は第１の実施の形態と同様の効果を有する。
【００３２】
（第３の実施の形態）
図９は、本発明に係る第３の実施の形態に従った光送受信機３００の断面図である。本実施の形態は、光送信機だけでなく、光受信機をも備えている点で第１および第２の実施の形態と異なる。換言すると、本実施の形態は、第１または第２の実施の形態による光送信機を光受信機に応用した実施形態と言ってもよい。
【００３３】
光送信機３０１は、図１に示した光送信機１００または図６に示した光送信機２００のいずれでもよい。光送信機３０１から出力された電圧Ｖｏは、光受信機３０２へ印加される。
【００３４】
光受信機３０２はリードフレーム３１０および光受信チップ３２０を備えている。リードフレーム３１０は、好ましくはリードフレーム１０と同じ材料から成る。光受信チップ３２０は、受光素子３２２を備えている。受光素子３２２は、例えば、フォトダイオードであり、光信号Ｐ３を受信して電気信号に変換し、リード線３３０を介してこの電気信号を出力する。
【００３５】
リードフレーム３１０は、受光素子３２２のアノードまたはカソードのいずれか一方の電極に接続されている。リード線３３０は、受光素子３２２のアノードまたはカソードのいずれか他方の電極に接続されている。
【００３６】
本実施の形態によれば、光送信機３０１の電極２５に接続されたリード線２６は、リードフレーム３１０に接続されている。それによって、光送信機３０１は、出力電圧Ｖｏを受光素子３２２へ供給することができる。この出力電圧Ｖｏによって、受光素子３２２は、逆バイアス電圧を受け、光信号Ｐ３を電気信号へ変換することができる。上述の通り、出力電圧Ｖｏは、外部の電源電圧Ｖｃｃ（図１１参照）よりも大きな電圧となり得る。従って、受光素子３２２は、外部の電源電圧Ｖｃｃよりも大きな逆バイアス電圧を受けることができる。これにより、受光素子３２２の高周波数信号に関する容量および抵抗は比較的小さくなり、受光素子３２２は高速通信に対応することが可能となる。
【００３７】
（第４の実施の形態）
図１０は、本発明に係る第４の実施の形態に従った光送受信機４００の断面図である。本実施の形態は、光送信機および光受信機が一体化されている点で第３の実施の形態と異なる。本実施の形態において、光送信チップ３０および光受信チップ３２０は共通の受光チップ２０上に搭載されている。受光チップ２０は単一のリードフレーム１０上に搭載されている。このように、光送受信機４００は、単一のリードフレーム１０に実装されるので、光送受信機４００を構成する部品点数が少なくなる。
【００３８】
第３の実施の形態においては、受光素子３２２の一方の電極はリードフレーム１０に接続されていた。しかし、本実施の形態においては、受光素子３２２の一方の電極は、出力電圧Ｖｏが出力される電極２５に直接接続されている。これにより、本実施の形態に依れば、出力電圧Ｖｏは、リード線２６等の抵抗により減衰されることなく、受光素子３２２へ供給され得る。また、リード線２６が不要になる。これにともない、リード線２６のボンディングも不要となる。本実施の形態は、さらに第３の実施の形態と同様の効果を有する。
【００３９】
図１１は、図９または図１０に示した光送受信機３００または４００の等価回路図である。破線枠Ｃ１内の回路は図４に示す回路に該当する。発光素子３２のアノードは増幅回路ＡＭＰ１の出力端子に接続されている。発光素子３２のカソードはグランドに接続されている。受光素子３２２のアノードは増幅回路ＡＭＰ２の入力端子に接続されている。受光素子列２２のアノードは受光素子３２２のカソードに接続されている。受光素子列２２のカソードはグランドに接続されている。
【００４０】
送信用の信号Ｓ１は、増幅回路ＡＭＰ１において増幅されて、図４に示した送信用の信号Ｓ０として発光素子３２へ供給される。これにより、発光素子３２は、光Ｐ１およびＰ２を放射する。受光素子列２２が、光Ｐ２を受けて、外部電源電圧Ｖｃｃよりも大きい出力電圧Ｖｏを出力する。
【００４１】
出力電圧Ｖｏは、受光素子３２２に逆バイアス電圧として印加される。これにより、受光素子３２２は、光信号Ｐ３を受信し、これを電気信号へ変換することができる。この電気信号は、増幅回路ＡＭＰ２において増幅されて信号Ｓ２として出力される。尚、図１１に示す回路において、出力電圧Ｖ０はグランドに対して高い電圧である。
【００４２】
図１２は、図９または図１０に示した光送受信機３００または４００の等価回路図である。破線枠Ｃ２内の回路は図５に示す回路に該当する。発光素子３２のアノードは増幅回路ＡＭＰ１の出力端子に接続されている。発光素子３２のカソードはグランドに接続されている。受光素子３２２のカソードは増幅回路ＡＭＰ２の入力端子に接続されている。受光素子列２２のアノードはグランドに接続されている。受光素子列２２のカソードは受光素子３２２のアノードに接続されている。
【００４３】
送信用の信号Ｓ１は、増幅回路ＡＭＰ１において増幅されて、図５に示した送信用の信号Ｓ０として発光素子３２へ供給される。これにより、発光素子３２は、光Ｐ１およびＰ２を放射する。受光素子列２２が、光Ｐ２を受けて、外部電源電圧Ｖｃｃよりも絶対値として大きい出力電圧Ｖｏを出力する。
【００４４】
出力電圧Ｖｏは、受光素子３２２に逆バイアス電圧として印加される。これにより、受光素子３２２は、光信号Ｐ３を受信し、これを電気信号へ変換することができる。この電気信号は、増幅回路ＡＭＰ２において増幅されて信号Ｓ２として出力される。
【００４５】
図１２に示す回路は、出力電圧Ｖ０はグランドに対して低い電圧になる点で図１１に示す回路と異なる。しかし、グランドが受光素子列２２のアノード側に接続されているので、受光素子列２２には、逆バイアス電圧が印加される。尚且つ、出力電圧Ｖｏは、外部電源電圧Ｖｃｃよりも絶対値として大きいので、図１１に示した回路と同様に動作することが可能である。
【００４６】
また、図１２に示す回路においては、増幅回路ＡＭＰ２のバイアス電位と受光素子列２２の出力電圧Ｖｏとを加算したバイアスがフォトダイオード３２２に印加される。即ち、図１２に示す回路は、図１１に示す回路より大きなバイアスをフォトダイオード３２２に印加することができる。
【００４７】
さらに、図１２に示す回路においては、受光素子列２２のアノードがグランド電位よりマイナス側にバイアスされるので、外部電源電圧Ｖｃｃのノイズや揺らぎが受光素子列２２の出力電圧Ｖｏに影響し難い。
【００４８】
図１１および図１２に示した発光素子３２、受光素子３２２、受光素子列２２、コンデンサ４０、増幅回路ＡＭＰ１および増幅回路ＡＭＰ２は同一のパッケージ内に内蔵されていることが好ましい。それによって、光送受信機１００が小型化される。また、光送受信機１００内の配線長が短くなり、無駄な電力が不要となる。
【００４９】
（第５の実施の形態）
図１３は、本発明に係る第５の実施の形態に従った光送信機５００の断面図である。受光チップ２０および光送信チップ３０は同一のリードフレーム１０上に横並びに配置されている。受光チップ２０および光送信チップ３０は、透明樹脂５０で被覆されている。
【００５０】
透明樹脂５０の表面領域うち、発光素子３２からの上面光Ｐ１が通過する領域Ｒ１は、上面光Ｐ１の進行方向に対してほぼ垂直にカッティングされている。これにより、上面光Ｐ１のうちの直進光は、領域Ｒ１において反射されることなく、透明樹脂５０を通過することができる。
【００５１】
一方で、透明樹脂５０の表面領域のうち、領域Ｒ１の周辺領域Ｒ２は、鏡面状態になっている。尚且つ、周辺領域Ｒ２は、発光素子３２からの光が受光素子列２２へ反射するように成形されている。それによって、上面光Ｐ１のうち直進光の周辺の光が領域Ｒ２に反射して受光素子列２２へ照射される。このように、発光素子３２の上面光Ｐ１は、光信号として用いられるだけでなく、上面光Ｐ１の一部は受光素子列２２に照射される。本実施の形態は、発光素子３２の上面光Ｐ１のみを用いて、光信号を送信することができ、尚且つ、受光素子列２２に電力を生じさせることができる。
【００５２】
領域Ｒ２を鏡面状態にするためには、透明樹脂５０の表面にコーティングが施されてもよい。また、光送信機５００の外部に反射物が設けられていてもよい。
【００５３】
【発明の効果】
本発明による光送信機は、電源電圧より大きな電圧を供給することができる。
【００５４】
また、本発明による光送受信機は、電源電圧に依存することなく、高速通信することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第１の実施の形態に従った光送信機１００の断面図。
【図２】発光素子３０の平面図。
【図３】発光素子３０の底面図。
【図４】光送信機１００の等価回路図。
【図５】光送信機１００の等価回路図。
【図６】本発明に係る第２の実施の形態に従った光送信機２００の断面図。
【図７】光送信機２００における光送信チップ３０の平面図。
【図８】光送信機２００における光送信チップ３０の底面図。
【図９】本発明に係る第３の実施の形態に従った光送受信機３００の断面図。
【図１０】本発明に係る第４の実施の形態に従った光送受信機４００の断面図。
【図１１】図９または図１０に示した光送受信機３００または４００の等価回路図。
【図１２】図９または図１０に示した光送受信機３００または４００の等価回路図。
【図１３】本発明に係る第５の実施の形態に従った光送信機５００の断面図。
【図１４】従来における光送受信機の概略図。
【図１５】従来における光送受信機の概略図。
【符号の説明】
１００、２００  光送信機
１０  リードフレーム
２０  受光チップ
２２  受光素子列
３０  光送信チップ
３２  発光素子
２４、２５、３４  電極
４０  コンデンサ
Ｖｏ  出力電圧
Ｐ１  上面光
Ｐ２  裏面光
３００  光送受信機
３０１  光送信機
３０２  光受信機
３２０  光受信チップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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