Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年10月15日(2012.10.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組織が３０℃〜８０℃へと加熱されるとき、水でのレーザー波長の吸収が減少する１３５０ｎｍから２５００ｎｍの範囲のレーザー波長であり、かつ調節可能なパルスエネルギーのパルスを伴う光ビームを放出するように構成されたレーザー光源と、
前記光ビームを皮膚の目標領域に配給するように構成された部分的光学治療システムとを含み、
前記部分的光学治療システムは、
皮膚表面における光ビームのサイズ、皮膚表面より下での光ビームの焦点深度、光ビームが前記皮膚に入るときの前記光ビームの開口数、および皮膚表面におけるビーム断面形状からなる群より選択された光ビームの一つ以上のパラメータを前記光ビームのために予め選択されたパルスエネルギーに応じて調節するように構成された調節機構を含むことを特徴とする部分的皮膚科的治療のための装置。
【請求項２】
前記調節機構は、前記光ビームのために予め選択された前記パルスエネルギーに応じて、皮膚表面における光ビームの寸法を調節するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記調節機構は、前記光ビームのために予め選択された前記パルスエネルギーに応じて、皮膚表面の下での光ビームの焦点深度を調節するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記調節機構は、前記光ビームのために予め選択されたパルスエネルギーに応じて、光ビームが皮膚に入るときの光ビームの開口数を調節するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記調節機構は、前記光ビームのために予め選択されたパルスエネルギーに応じて、皮膚表面における前記ビーム断面形状を調節するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記調節機構は、調節可能なレンズ群を有していることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記調整機構は、複数の個別に交換可能な光素子を備えることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記レーザー光源は、約１４８０ｎｍと１６４０ｎｍの間のレーザー波長を有する光ビームを放出するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記レーザー光源は、約１５６０ｎｍと１６４０ｎｍの間のレーザー波長を有する光ビームを放出するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記レーザー光源は、約１５５０ｎｍのレーザー波長を有する前記光ビームを放射するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記レーザー光源は、１３８０ｎｍ１６４０ｎｍの間のレーザー波長を有する光ビームを放出するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記部分的光学治療システムは、部分的皮膚科的治療の間、皮膚に接触しているように構成された接触チップを含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
図３は、水の温度が約３０℃から約８０℃まで変えられたときの水に対する吸収スペクトルの測定を波長の関数として示す。これらの測定は、透過光分光学を使用して行われ、ここでは光は、水の加熱された試料を貫通して通された。水の温度が３０℃から８０℃まで上げられるとき、水による光の吸収は、約１４８０ｎｍから約１６４０ｎｍの範囲内の波長を持つ光に対して減少した。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
上で説明されたように、熱的に調節された吸収係数は、デバイスに対する侵入の最大深さを選択する際に使用されてもよい。もしより深い病変が望まれるならば、治療ゾーンが所望の深さまで創出され得る効率は、皮膚の温度が上がるにつれて動的に減少する吸収を有する波長の選択と併せて、皮膚上への平均フルエンスを調節することによってさらに改善することができる。多くの治療に対して、吸収の動的減少は、皮膚の治療反応に重要な利点を提供することができる。これらの利点のいくつかは、実施例とともに例示されてもよい、即ち、所与のパルスエネルギー、例えば１０ｍＪに対して、パルスエネルギーを小さな直径、例えば３０〜７０μｍを持つビームに集光することは、治療領域に高強度を創出し、それゆえに組織を急速に加熱し、その結果侵入の深さを強化するように組織の吸収係数を急速に調節する。治療パルス内のエネルギーは、小さな深さ内で吸収され、吸収の動的な変化なしで生じるであろうよりももっと弱い表面の局所的治療効果を創出する。このことは、治療ゾーンの上側部分より下でビーム強度を低減するようにビームを散乱するまたは反射することができる組織内の泡の創出を回避するのに有用であり、その泡は、組織のより深い層への光学治療エネルギーの侵入を制限するであろう。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月9日(2012.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、以下の形態で実現可能である。
［形態１］
デバイスを形成するための方法であって、
相変化層を設ける工程と、
前記相変化層をエッチングする工程と、
を備え、
前記相変化層をエッチングする工程は、
臭素含有化合物を含むエッチングガスを供給する工程と、
前記エッチングガスからプラズマを形成する工程と、
を備える、方法。
［形態２］
形態１に記載の方法であって、前記相変化層をエッチングする工程は、さらに、ウエハ温度を４０℃以下に維持する工程を備える、方法。
［形態３］
形態１または２に記載の方法であって、前記エッチングガスは、さらに、フッ素含有化合物および塩素含有化合物の少なくとも一方を含む、方法。
［形態４］
形態１ないし３のいずれかに記載の方法であって、前記エッチングガスは、さらに、希ガスを含む、方法。
［形態５］
形態１ないし４のいずれかに記載の方法であって、前記エッチングガスは、前記臭素含有ガスの流量よりも大きい希ガスの流量を有する、方法。
［形態６］
形態１ないし５のいずれかに記載の方法であって、前記相変化層は、ゲルマニウム−アンチモン−テルル合金、および、アンチモン−テルル合金、の内の１つである、方法。
［形態７］
形態１ないし６のいずれかに記載の方法であって、さらに、前記相変化層の上に電極層を設ける工程を備える方法。
［形態８］
形態７に記載の方法であって、さらに、前記相変化層のエッチングと同じエッチング処理で、前記電極層を開口する工程を備える、方法。
［形態９］
形態１ないし８のいずれかに記載の方法であって、前記臭素含有化合物はＨＢｒである、方法。
［形態１０］
形態９に記載の方法であって、フッ素含有化合物および塩素含有化合物の前記少なくとも一方の流量は、前記ＨＢｒの流量よりも小さい、方法。
［形態１１］
形態１ないし１０のいずれかに記載の方法であって、さらに、前記相変化層をエッチングする工程の間に形成された不動態層をフラッシングする工程を備え、前記フラッシング工程は、前記不動態層を除去する、方法。
［形態１２］
形態３ないし１１のいずれかに記載の方法であって、フッ素含有化合物および塩素含有化合物の前記少なくとも一方の流量は、前記ＨＢｒの流量よりも小さい、方法。
［形態１３］
配置された相変化層にフィーチャを形成するための装置であって、
プラズマ処理チャンバであって、
プラズマ処理チャンバ容器を形成するチャンバ壁と、
前記プラズマ処理チャンバ容器内で基板を支持するための基板支持と、
前記プラズマ処理チャンバ容器内の圧力を調整するための圧力調整手段と、
前記プラズマ処理チャンバ容器に電力を供給してプラズマを維持するための少なくとも１つの電極と、
前記プラズマ処理チャンバ容器にガスを供給するためのガス流入口と、
前記プラズマ処理チャンバ容器からガスを排出するためのガス流出口と、を備える、プラズマ処理チャンバと、
前記ガス流入口と流体連通するガス供給源であって、
臭素含有化合物供給源と、
希ガス供給源と、
フッ素含有化合物ガス供給源および塩素含有化合物ガス供給源の少なくとも一方と、を備える、ガス供給源と、
前記ガス供給源と前記少なくとも１つの電極とに制御可能に接続された制御部であって、
少なくとも１つのプロセッサと、
コンピュータ読み取り可能な媒体と、を備える、制御部と、
を備え、
前記コンピュータ読み取り可能な媒体は、
臭素含有化合物を含むエッチングガスを供給するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
前記エッチングガスからプラズマを形成するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、を備える、装置。
［形態１４］
形態１３に記載の装置であって、さらに、前記エッチングガスからプラズマを形成する工程の間、ウエハ温度を４０℃以下に維持するためのコンピュータ読み取り可能なコードを備える、装置。
［形態１５］
形態１３または１４に記載の装置であって、前記臭素含有化合物はＨＢｒである、装置。
［形態１６］
形態１３ないし１５のいずれかに記載の方法であって、前記エッチングガスは、さらに、フッ素含有化合物および塩素含有化合物の少なくとも一方を含む、方法。
添付の図面を参照しつつ行う本発明の詳細な説明において、本発明の上述の特徴およびその他の特徴を詳述する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年1月12日(2012.1.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面と後面とを有するリングと、前記リングの前面と、一般に剛性で、透明な前部カバーとの間に保持される弾性膜と、前記リングの後面に取り付けられる後部カバーとを備える可変焦点レンズであって、前記弾性膜と前記後部カバーとの間にキャビティが形成され、前記キャビティは液体で満たされており、前記キャビティの流体容量を変化させることで、前記弾性膜の曲率が変化し、これによりレンズの光学特性を変化させることが可能な可変焦点レンズを２つ備え、
前記２つの可変焦点レンズはノーズピースで接合され、前記２つの可変焦点レンズの各々にヒンジ式のアームピースが取り付けられており、
前記可変焦点レンズのパワーを調節する手段が、前記アームピースに位置決めされているとともに、
前記可変焦点レンズのキャビティと接続された貯蔵部であって、各々の貯蔵部によって各々のキャビティを調節することが可能であり、
前記貯蔵部の流出口から、前記可変焦点レンズのリングの壁体を貫く通路へと延伸するチューブによって、各々の貯蔵部は前記可変焦点レンズのキャビティと接続されており、
前記キャビティに液体を注入、または除去することで、前記各々の貯蔵部の容量を増加または減少させることが可能であり、
前記チューブは可撓管であって、前記アームピースのヒンジ部を通り抜けていることを特徴とする眼鏡。
【請求項２】
前面と後面とを有するリングと、前記リングの前面と、一般に剛性で、透明な前部カバーとの間に保持される弾性膜と、前記リングの後面と、一般に剛性で、透明な後部カバーとの間に保持される第２の弾性膜とを備える可変焦点レンズであって、前記２つの弾性膜の間にキャビティが形成され、前記キャビティは液体で満たされており、前記キャビティの流体容量を変化させることで、前記２つの弾性膜の曲率が変化し、これによりレンズの光学特性を変化させることが可能な可変焦点レンズを２つ備え、
前記２つの可変焦点レンズはノーズピースで接合され、前記２つの可変焦点レンズの各々にヒンジ式のアームピースが取り付けられており、
前記可変焦点レンズのパワーを調節する手段が、前記アームピースに位置決めされているとともに、
前記可変焦点レンズのキャビティと接続された貯蔵部であって、各々の貯蔵部によって各々のキャビティを調節することが可能であり、
前記貯蔵部の流出口から、前記可変焦点レンズのリングの壁体を貫く通路へと延伸するチューブによって、各々の貯蔵部は前記可変焦点レンズのキャビティと接続されており、
前記キャビティに液体を注入、または除去することで、前記各々の貯蔵部の容量を増加または減少させることが可能であり、
前記チューブは可撓管であって、前記アームピースのヒンジ部を通り抜けていることを特徴とする眼鏡。
【請求項３】
各々の前記可変焦点レンズの前記リングと前記フロントカバーとが、粘着性材料によって、前記弾性膜に取り付けられている、請求項１または２に記載の眼鏡。
【請求項４】
各々の前記可変焦点レンズの前記リングの壁体を貫く第２の通路を備え、
該第２の通路は、前記レンズを液体で満たすことに使用されるとともに、及び前記レンズが液体で満たされた後はストッパで閉止される、請求項１から３のいずれかに記載の眼鏡。
【請求項５】
各々の前記可変焦点レンズの前記前部カバー及び前記後部カバーの一方ないし両方が、それ自体がレンズとなっている、請求項１から４のいずれかに記載の眼鏡。
【請求項６】
各々の前記可変焦点レンズの前記リングが着色されている、請求項１から５のいずれかに記載の眼鏡。
【請求項７】
各々の前記可変焦点レンズの前記リングが透明、半透明又は不透明となっている、請求項６に記載の眼鏡。
【請求項８】
各々の前記可変焦点レンズの前記リングの前面に装飾カバーを取り付けることで、前記リングにフレームとしての外観が付与された、請求項１から７のいずれかに記載の眼鏡。
【請求項９】
前記ノーズピースが、前記２つのレンズにおける各々のリング上の突出部に取り付けられた、請求項１から８のいずれかに記載の眼鏡。
【請求項１０】
前記各々のレンズが、請求項４または請求項４に従属する全ての請求項に記載の可変焦点レンズであって、
前記突出部が前記第２の通路を閉止するためのストッパとなっている、請求項１から９のいずれかに記載の眼鏡。
【請求項１１】
前記眼鏡のレンズにおける前記２つのリングが、ノーズピースで一体に接合されて単一の部品を形成する、請求項１から１０のいずれかに記載の眼鏡。
【請求項１２】
前記アームピースのヒンジ部がレンズ面から少し後ろに離れて配置されている、請求項１から１１のいずれかに記載の眼鏡。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月21日(2011.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
座標データを外部端末へ送信する電子ペンであって、
書込み面の領域のデジタル画像を生成するように構成された画像化部と、
前記デジタル画像を表す画像データを受け取って前記画像データを座標データへ変換するように構成された画像解析モジュールと、前記座標データを前記外部端末へ送信するように構成された送信モジュールとを備える通信部と、
を備えることを特徴とする電子ペン。
【請求項２】
前記通信部は、プロセッサと、作業メモリとを備え、
前記画像解析モジュールは、前記作業メモリに読み込まれた画像解析ソフトウェアを前記プロセッサが実行することによって実装されることを特徴とする請求項１に記載の電子ペン。
【請求項３】
前記通信部は、予備処理能力をもつ標準通信回路であることを特徴とする請求項２に記載の電子ペン。
【請求項４】
前記通信部は、ブルートゥース（登録商標）通信回路であることを特徴とする請求項２または３のいずれかに記載の電子ペン。
【請求項５】
前記ペンの動作を制御するソフトウェアが、前記画像化部または前記通信部のプロセッサにより実行されることを特徴とする請求項１に記載の電子ペン。
【請求項６】
前記デジタル画像から前記画像データを抽出するように構成された前処理モジュールをさらに備える請求項１に記載の電子ペン。
【請求項７】
前記前処理モジュールは、前記画像データを抽出する際に、前記領域においてパターンを識別するように構成されることを特徴とする請求項６に記載の電子ペン。
【請求項８】
前記画像データは、前記領域の前記パターンに含まれるコードシンボルを示すものであることを特徴とする請求項７に記載の電子ペン。
【請求項９】
前記前処理モジュールは、前記パターンを識別するときに、前記領域においてドットを見つけるように構成されることを特徴とする請求項７または８に記載の電子ペン。
【請求項１０】
前記前処理モジュールは、前記デジタル画像の基準系において前記ドットの中心点を算出するようにさらに構成されることを特徴とする請求項９に記載の電子ペン。
【請求項１１】
前記画像データは、前記中心点の前記基準系における位置を含むことを特徴とする請求項１０に記載の電子ペン。
【請求項１２】
前記前処理モジュールは、前記画像化部の一部であることを特徴とする請求項６ないし１１のいずれかに記載の電子ペン。
【請求項１３】
前記通信部は、前記画像データを変換するときに、前記画像データを予め定められた遠近法での画像データへ変換するように構成されることを特徴とする請求項１に記載の電子ペン。
【請求項１４】
ペンアップ状態とペンダウン状態とを識別するように構成されたペンダウン検出モジュールをさらに備える請求項１に記載の電子ペン。
【請求項１５】
前記画像化部における第１の電力管理モジュールと、前記通信部における第２の電力管理モジュールと、をさらに備え、
前記第１の電力管理モジュールおよび前記第２の電力管理モジュールのそれぞれは、前記ペンダウン検出モジュールに接続され、前記ペンダウン検出モジュールからの状態指示に基づいてそれぞれ前記画像化部および前記通信部の動作モードを制御するように構成されることを特徴とする請求項１４に記載の電子ペン。
【請求項１６】
各電力管理モジュールによる前記動作モードの制御は、それぞれ前記画像化部および前記通信部に関して異なる電力モードから選択することを含むことを特徴とする請求項１５に記載の電子ペン。
【請求項１７】
前記画像解析モジュールは、案内入力デバイス用の確立されたプロトコルに従って表される座標データへ前記画像データを変換するように構成されることを特徴とする請求項１に記載の電子ペン。
【請求項１８】
案内入力デバイス用の前記プロトコルは、ＨＩＤ（ヒューマン・インターフェース・デバイス）であることを特徴とする請求項１７に記載の電子ペン。
【請求項１９】
前記デジタル画像は、前記書込み面上の符号化パターンを表し、
前記ペンは、前記デジタル画像の前記符号化パターンから抽出された特性を受け取って、前記抽出された特性に基づいてアクセス信号を出力するように構成されたアクセス許可モジュールをさらに備え、
前記画像化部および／または前記通信部の動作は、前記アクセス信号を条件として、座標データが前記ペンから送信されるのを選択的に阻止することを特徴とする請求項１に記載の電子ペン。
【請求項２０】
前記通信部は、前記座標データを、前記座標データが生成されるのにつれて準実時間で送信するように構成されることを特徴とする請求項１に記載の電子ペン。
【請求項２１】
バッファメモリをさらに備え、
前記通信部は、前記座標データを前記外部端末へ送信できない場合に、前記座標データを前記バッファメモリに一時記憶するように構成されることを特徴とする請求項２０に記載の電子ペン。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年8月1日(2012.8.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項５】
治療用電流（ＩHF）が流れている時に、主電極（１０）と測定電極（１４〜１７）との間の電圧低下（ＵHF）を測定するための電圧測定装置（３６，３６’）を備える請求項１〜４のいずれか１項に記載の電極装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年9月12日(2012.9.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像化領域の周りを回転し、該画像化領域を通る放射線を放出するｘ線源と、
複数の副検出器を含み、前記放出された放射線を検出する少なくとも１つの有限エネルギー解像度検出器であって、各副検出器が１又はそれより多くの異なるエネルギー閾値と関連付けられ、各エネルギー閾値が、エネルギー範囲に対応する複数の入射光子をカウントするために使用される有限エネルギー解像度検出器と、
前記画像化領域にいる被検体の１又はそれより多くの画像を生成するため、前記検出器の有限エネルギー解像度を考慮した最大尤度推定を用いて、前記光子のカウントを再構成する再構成システムであって、前記推定が、所与のエネルギービンに対して、該エネルギービンに対応する光子と、該エネルギービンに割り当てられるものの別のエネルギービンに対応する光子とを考慮する、再構成システムとを有する、コンピュータ断層撮影システム。
【請求項２】
前記複数の副検出器の少なくとも１つがカドミウム亜鉛テルル化物材料を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記副検出器から前記光子カウントを受信し、異なるエネルギー範囲を有する１又はそれより多くの異なるエネルギービンに前記カウントをビニングするビニングコンポーネントを更に含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記ビニングコンポーネントが、２つの異なるエネルギー閾値の間のエネルギー範囲を有する前記１又はそれより多くのビンの１つに対する前記カウントを決定するため、前記２つの異なるエネルギー閾値と関連付けられるカウントを差し引く、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記再構成システムが、光子カウントエネルギー分散を再構成する数値的な方法を使用する、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記再構成システムが、前記光子エネルギー分散を再構成するため、前記光子エネルギー分散において最大尤度推定を実行する、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
光子エネルギー分散の尤度推定が以下の関数であり、
2009543603.tif 000001
ここでＮが複数の副検出器を表わし、ｎがｎ番目の副検出器を表わし、ｔがｎ番目の副検出器のＴｎ個の閾値のうちの１つを表わし、ＭｌがＭＴｎ＋ｌ＝Ｍの場合に閾値ｔより上の最低のビンの数を表わし、αｈ，ｍが、次に高いビンにマイグレートするビンｍの光子の割合を表わし、αｌ，ｍが、次に低いビンにマイグレートするビンｍの光子の割合を表わし、ηｍは、ビン数Ｍｌの複数の光子を表わし、ｘｔ，ｎは、閾値ｔ及びｔ＋ｌの間でカウントされた複数の光子を表わす、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
光子エネルギー分散の対数尤度推定は、以下の関数であり、
2009543603.tif 000002
ここでＮが複数の副検出器を表わし、ｎがｎ番目の副検出器を表わし、ｔがｎ番目の副検出器のＴｎ個の閾値のうちの１つを表わし、ＭｌがＭＴｎ＋ｌ＝Ｍの場合に閾値ｔより上の最低のビンの数を表わし、αｈ，ｍが、次に高いビンにマイグレートするビンｍの光子の割合を表わし、αｌ，ｍが、次に低いビンにマイグレートするビンｍの光子の割合を表わし、ηｍは、ビン数Ｍｌの複数の光子を表わし、ｘｔ，ｎは、閾値ｔ及びｔ＋ｌの間でカウントされた複数の光子を表わす、請求項６に記載のシステム。
【請求項９】
前記対数尤度推定が、ヘッセンの対角線及びグラジエントを使用して最大化される、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記複数の副検出器が異なるエネルギー閾値を有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記複数の副検出器の少なくとも１つが、実質的に全ての入射光子をカウントするエネルギー閾値を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
前記システムが、医療及び産業イメージングスキャナのうちの１つを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記複数の副検出器の各々が、１又はそれより多くの対応するエネルギー閾値より下のエネルギーを持つ複数の入射光子を更にカウントし、前記再構成システムが、前記１又はそれより多くの画像を生成するため、前記閾値より上の光子カウント、前記閾値より下の光子カウント、前記閾値より上及び下の光子カウントの組み合わせを含む光子エネルギー分散を再構成する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
画像化領域を横切る放射線を検出するステップと、
エネルギー分散のカウントを生成するため、有限解像度の検出器の副検出器の複数の異なるエネルギー閾値の各々に対して複数の入射光子をカウントするステップと、
前記検出器の有限エネルギー解像度を考慮した最大尤度推定に基づき、前記エネルギー分散を構成する前記カウントを用いて画像を再構成するステップであって、前記推定が、所与のエネルギービンに対して、該エネルギービンに対応する光子と、該エネルギービンに割り当てられるものの別のエネルギービンに対応する光子とを考慮する、ステップとを含む、ＣＴ再構成をする方法。
【請求項１５】
前記副検出器が、カドミウム亜鉛テルル化物検出材料を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
異なるエネルギー範囲を有する１又はそれより多くの異なるエネルギービンに前記カウントをビニングするステップを更に含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記光子カウントエネルギー分散を再構成するため、最大尤度技術を使用するステップを更に含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記最大尤度技術が、対数尤度関数の最大化を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記方法がプログラムされ、医療及び産業イメージングスキャナの少なくとも１つにより実行される、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
画像化領域を通って放射線を放出し、前記画像化領域を横切る放出された放射線を検出する手段と、
有限エネルギー解像度副検出器の複数の異なるエネルギー範囲の各々に対して、複数の入射光子をカウントする手段と、
１又はそれより多くの画像を生成するため、前記検出器の有限エネルギー解像度を考慮した最大尤度推定に基づき、前記カウントをスペクトル再構成する手段であって、前記推定が、所与のエネルギービンに対して、該エネルギービンに対応する光子と、該エネルギービンに割り当てられるものの別のエネルギービンに対応する光子とを考慮する、手段とを含む、ＣＴ画像化システム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
検出されたスペクトルデータの例示的な尤度関数Ｌは、以下の数式１で提供される。
【数１】
2009543603.tif 000003
ここでＮは副検出器の数を表わし、ｎはｎ番目の副検出器２０８を表わし、ｔは、ｎ番目の副検出器２０８のＴｎ個の閾値のうちの１つを表わし、Ｍｌは、ＭＴｎ＋ｌ＝Ｍである場合に閾値ｔより上の最低ビン数を表わし、αｈ，ｍは、次に高いビンにマイグレートするビンｍの光子の割合を表わし、αｌ，ｍは、次に低いビンにマイグレートするビンｍの光子の割合を表わし、ηｍは、ビン数Ｍの光子の数を表わし、ｘｔ，ｎは、閾値ｔ及びｔ＋ｌの間でカウントされる光子の数を表わす。最初及び最後のビンのエネルギー分布に対して、マイグレートは、それぞれαｌ，ｌ＝０及びαｈ，Ｍ＝０である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月28日(2011.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケーブルにおいて、
（ａ）断面が、
（ｉ）コード長が０．５乃至３．０インチであり、
（ｉｉ）リーディングエッジ部分とトレーリングエッジ部分を具え、当該リーディングエッジ部分が前記断面の最大幅を有し、当該最大幅が、０．１乃至１．０インチであり、最大で前記断面のコード長の０．５倍であり、
（ｂ）
（１）前記ケーブルに張力が係っているときに負荷を担持する細長引張部材と、
（２）前記ケーブルに張力が係っているときに、負荷を担持しない少なくとも一の追加の細長部材と、
（３）前記ケーブルの外側表面を提供するジャケットと、
を具えることを特徴とするケーブル。
【請求項２】
（１）フロート、
（２）スイマー、及び
（３）前記フロートと前記スイマーを連結するテザー
を具える水車輌（ＷＰＶ）において：
前記フロートとスイマーとテザーは、前記車輌が静水中にあるときは、
（ｉ）前記フロートは水の表面あるいは表面近傍にあり、
（ｉｉ）前記スイマーは前記フロートの下に沈んでおり、
（ｉｉｉ）前記テザーには張力がかかっており；
前記スイマーは、前記車輌が波ベアリング水中にある時に、水と相互に作用して、フロートを水平成分を有する方向に移動させようとする力を生成し、
前記テザーが請求項１に記載のケーブルを具え、当該ケーブルがそのリーディングエッジ部分が前記ＷＰＶの前側を向くように整列されていることを特徴とするＷＰＶ。
【請求項３】
前記ケーブルが前記テザーを前記フロート及び／又は前記スイマーに対して回転可能とするスイベルジョイントによって前記フロート及び前記スイマーの少なくとも一方に取り付けられていることを特徴とする請求項２に記載のＷＰＶ。
【請求項４】
（Ａ）前記テザーが２軸ユニバーサルジョイントを介してフロートに固定されており、当該ジョイントが、（ｉ）前記フロートが縦横に揺れるときは回転するが、（ｉｉ）偏揺するときは回転せず、及び／又は、（Ｂ）前記テザーが２軸ユニバーサルジョイントを介してスイマーに固定されており、当該ジョイントが、（ｉ）前記スイマーが縦横に揺れるときは回転するが、（ｉｉ）前記フロートが偏揺するときは回転しない、ことを特徴とする請求項２に記載のＷＰＶ。
【請求項５】
前記フロートが、
（１）本体と、
（２）当該本体に固定され、当該本体の上方に延在する上側部材と、
（３）（ａ）前記上側部材の前記本体に対する配位と、（ｂ）前記上側部材の構造の少なくとも一方を制御する手段であって、前記フロートが波ベアリング水中に浮かんでいるときに、前記上側部材の静止配位からの動きを低減する手段とを具えることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載のＷＰＶ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月31日(2011.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
焼結多孔質耐火材の細孔内に１種以上の保護材を配置してなる処理耐火材であって、保
護材が酸化アルミニウム、酸化クロム、シリカ、希土類酸化物、希土類ジルコン酸塩、酸
化チタン、ムライト、酸化ジルコニウム、ケイ酸ジルコニウム、酸化イットリウム、酸化
マグネシウム、酸化鉄及びこれらのブレンドからなる群から選択される、処理耐火材。
【請求項２】
希土類ジルコン酸塩が式ＲＥ2Ｚｒ2Ｏ7（式中、ＲＥはランタン、セリウム、プラセオ
ジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム
、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム及びイッテルビウムからなる群から選択され
る希土類元素である。）を有する、請求項１記載の処理耐火材。
【請求項３】
保護材が希土類酸化物及び酸化ジルコニウムのブレンドからなる、請求項１記載の処理
耐火材。
【請求項４】
保護材が酸化アルミニウム及びシリカのブレンドからなる、請求項１記載の処理耐火材
。
【請求項５】
保護材が酸化アルミニウム、酸化クロム、酸化鉄及び酸化マグネシウムのブレンドから
なる、請求項１記載の処理耐火材。
【請求項６】
希土類ジルコン酸塩が式ＲＥ2Ｚｒ2Ｏ7（式中、ＲＥはランタン、セリウム、プラセオ
ジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム
、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム及びイッテルビウムからなる群から選択され
る希土類元素である。）を有する、請求項１記載の方法。
【請求項７】
焼結多孔質耐火材の細孔に１種以上の保護材を添加することを含んでなる処理耐火材の
製造方法であって、保護材が酸化アルミニウム、酸化クロム、シリカ、希土類酸化物、希
土類ジルコン酸塩、酸化チタン、ムライト、酸化ジルコニウム、ケイ酸ジルコニウム、酸
化イットリウム、酸化マグネシウム、酸化鉄及びこれらのブレンドからなる群から選択さ
れる、方法。
【請求項８】
保護材が希土類酸化物及び酸化ジルコニウムのブレンドからなる、請求項１７記載の方
法。
【請求項９】
保護材が酸化アルミニウム及びシリカのブレンドからなる、請求項７記載の方法。
【請求項１０】
保護材が酸化アルミニウム、酸化クロム、酸化鉄及び酸化マグネシウムのブレンドから
なる、請求項７記載の方法。
【請求項１１】
耐火材をガス化装置内に組み込んだ後に耐火材が処理される、請求項７記載の方法。
【請求項１２】
耐火材と１種以上の保護材前駆体とをブレンドし、該ブレンドを焼結することを含んで
なる処理耐火材の製造方法であって、前駆体が元素又は化合物の形態を有し、ケイ素、希
土類元素、ジルコニウム、チタン、イットリウム、マグネシウム、鉄及びこれらのブレン
ドからなる群から選択される元素を含む、方法。
【請求項１３】
耐火材と１種以上の保護材とをブレンドし、該ブレンドを焼結することを含んでなる処
理耐火材の製造方法であって、保護材がシリカ、希土類酸化物、希土類ジルコン酸塩、酸
化チタン、ムライト、ケイ酸ジルコニウム、酸化イットリウム、酸化マグネシウム、酸化
鉄及びこれらのブレンドからなる群から選択される、方法。
【請求項１４】
耐火材が酸化クロムを含む、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
耐火材が６０重量％以上の酸化クロムを含む、請求項１４記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月17日(2011.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電池用グリッド材料のストリップを準備するステップと、
前記電池用グリッド材料に打ち抜き(punching)操作を行って材料を除去して負極電池グリッドを形成するステップと、
を含む電池用の負極グリッドの製造方法であって、
前記負極電池グリッドは、頂部フレーム部材、前記頂部フレームとその第１の端で連結している第１の側部フレーム部材、前記頂部フレームとその第２の端で連結している第２の側部フレーム部材、及び前記頂部フレーム部材とは離間し、かつ前記第１の側部フレーム部材および前記第２の側部フレーム部材と連結している底部フレーム部材からなるフレームで囲まれた複数のグリッドワイヤを有し、
前記複数のグリッドワイヤは、前記グリッドワイヤと前記フレームとの間の伝導性を助けるように構成された伝導を高める特徴を有する前記フレームの領域内の前記フレームに連結され、
前記負極グリッドが、高分子セパレータの中に設けられた場合に、前記高分子セパレータに穴をあけることを妨げるためのむき出しになったワイヤ端に自由であることを特徴とする電池用の負極グリッドの製造方法。
【請求項２】
前記打ち抜き操作が連続的な打ち抜き操作であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記電池グリッド材料が、厚さおよび結晶粒構造の少なくとも１つを調整するように加工される連続鋳造された鉛合金ストリップであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記負極電池グリッドが、約０．０１０インチから約０．０５０インチの間の範囲の厚さを有することを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記連続鋳造された鉛合金ストリップからグリッド材料を打ち抜くことにより一連の相互接続された電池グリッドが形成されることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記複数のワイヤが、ダイヤモンド型、ハニカム型、四角形型からなる前記群より選択されるパタ−ンに配列されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記複数のグリッドワイヤが、前記フレームに前記伝導を高める特徴を有する複数の交点で連結されることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記複数のワイヤが、直角以外の面で交差する、細長のダイヤモンドパターンを形成することを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記頂部フレーム要素、前記第１の側部フレーム要素、前記第２の側部フレーム要素、前記底部フレーム要素の少なくとも１つには、前記グリッドの使用中におけるグリッドの成長を補償する特徴が提供されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記複数のグリッドワイヤが相互に複数のノードで交差し、前記複数の交差点には、前記頂部フレーム部材と前記複数のグリッドワイヤとの間の導電性を高めるために、前記頂部フレーム部材と前記複数のグリッドワイヤとの間に曲率が提供され、前記グリッドワイヤは前記頂部フレーム部材との交差点に近づくにつれて次第に前記フレーム部材に隣接する前記ノードと前記フレーム部材との間の幅が増大することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記電池用グリッドは、前記複数のグリッドワイヤと前記複数のノードとの少なくとも１つを変形させるためコイニング(coining)ステップに従属されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記グリッドワイヤが、八角形、ダイヤモンド形、ひし形、六角形、楕円形からなる群から選ばれる１つの形を有する前記グリッドワイヤの断面を製造するために変形されることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記負極電池グリッドが鉛合金で被覆されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記負極電池グリッドが電池プレートに形成されることが、前記負極電池グリッドを活物質で被覆するために固定された開口のパスター（paster）を用いるステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記電池グリッド材料が、０．０５〜０．５０％カルシウム、０．００１〜２．５％アンチモン、０．０１〜２．０％錫、０．００１〜０．１％銅、０．００１〜０．２５％砒素、０．０１〜０．０５％ビスマス、０．００３〜０．０１％銀、残りが鉛、である組成を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記電池グリッド材料が、０．０５〜０．１５％カルシウム、０．００２％未満のアンチモン、０．５％より多い錫、０．００５％未満の銅、０．００２％未満の砒素、０．０２％未満のビスマス、０．００５％未満の銀、残りが鉛の組成を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月13日(2010.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明な基板；第一電極；該第一電極に向かい合っている第二電極;無機半導体マトリックス中にコア／シェル量子ドットを含む多結晶無機発光層、を含む無機発光デバイスであって、該第一電極が透明であり且つ該透明な基板上に形成され、該多結晶無機発光層が該第一電極の上に形成され、且つ該第二電極が該発光層の上に形成される、無機発光デバイス。
【請求項２】
基板；第一電極；該第一電極に向かい合っている第二電極;無機半導体マトリックス中にコア／シェル量子ドットを含む多結晶無機発光層、を含む無機発光デバイスであって、該第一電極が反射性であり且つ該基板上に形成され、該多結晶無機発光層が該第一電極の上に形成され、且つ該第二電極が該発光層の上に形成され且つ透明である、無機発光デバイス。
【請求項３】
独立に制御される複数の発光素子を含む無機発光デバイスであって、少なくとも一つの発光素子が、第一のパターン処理された電極；該第一の電極に向かい合っている第二電極；および該電極間に形成された半導体マトリックス中にコア／シェル量子ドットを含む多結晶無機発光層を含む、無機発光デバイス。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年11月6日(2012.11.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の波長（λ１）の励起放射光を生成および放射するよう作動できる少なくとも１つの励起源（５）；
少なくとも１つの源（５）を少なくとも一部において囲むように構成され、そこから遠隔に位置するシェード（４）および
シェードの少なくとも一部に備えられる少なくとも１つの蛍光体（１６）を含み、
蛍光体（１６）が入射励起放射光に応じて異なる波長の放射光を発する、
ライティングシステム（１、１８、２３、２５）。
【請求項２】
シェードが、励起エネルギが励起源からシェードへの少なくとも１センチメートルの距離を移動するように構成される、請求項１のライティングシステム。
【請求項３】
シェードの内側表面の少なくとも一部に備えられたもの；シェードの外側表面の少なくとも一部に備えられたもの；第１の蛍光体をシェードの内側表面の少なくとも一部に、および第２の蛍光体をシェードの外側表面の少なくとも一部に備えるもの；シェード（４）の少なくとも一部の内に組み入れられたもの、およびそれらの組み合わせからなる群より選択される、第１および第２の蛍光体をさらに含む、請求項１のライティングシステム。
【請求項４】
少なくとも１つの蛍光体に向かって励起放射光を反射するように構成される反射体（２１ａ）をさらに含む、請求項１のライティングシステム。
【請求項５】
励起源と熱的に連通するヒートシンク手段をさらに含む、請求項１のライティングシステム。
【請求項６】
周辺光の存在を検出するための光感知手段、および周辺光が所定の閾値を下回ると自動的にライティングシステムのスイッチを入れるための回路手段（１１）をさらに含む、請求項１のライティングシステム。
【請求項７】
励起源を動作させるために電気的エネルギを生成するための太陽光発電手段（９）をさらに含む、請求項６のライティングシステム。
【請求項８】
第１の波長（λ１）の励起放射光を生成および放射するよう作動できる少なくとも１つの励起源（５）；
少なくとも１つの源（５）を少なくとも一部において囲むように構成され、そこから遠隔に位置するシェード（４）であって、かつ、少なくとも１つの蛍光体（１６）がシェードの少なくとも一部に備えられる、シェード（４）
を含むタイプの、ライティングシステム（１、１８、２３、２５）のためのシェード（４）。
【請求項９】
シェードが、励起エネルギが励起源からシェードへの少なくとも１センチメートルの距離を移動するように構成される、請求項８のシェード。
【請求項１０】
シェードの内側表面の少なくとも一部に備えられたもの；シェードの外側表面の少なくとも一部に備えられたもの；第１の蛍光体をシェードの内側表面の少なくとも一部に、および第２の蛍光体をシェードの外側表面の少なくとも一部に備えるもの；シェード（４）の内に組み入れられたもの；およびそれらの組み合わせからなる群より選択される、第１および第２の蛍光体をさらに含む、請求項８のシェード。
【請求項１１】
波長３５０から５００ｎｍの励起放射光を生成および放射するよう作動できる少なくとも１つの発光ダイオード（５）；
少なくとも１つの発光ダイオード（５）を少なくとも一部において囲むように構成され、そこから遠隔に位置するシェード（４）；
シェードの少なくとも一部に備えられた少なくとも１つの蛍光体（１６）であって、蛍光体（１６）が入射励起放射光に応じて異なる波長の放射光を発する、蛍光体（１６）；および
発光ダイオードを動作させるために電気的エネルギを生成するための太陽光発電手段（９）
を含む、ライティングシステム（１）。
【請求項１２】
周辺光の存在を検出するための光感知手段、および周辺光が所定の閾値を下回ると自動的にライティングシステムのスイッチを入れるための回路手段（１１）をさらに含む、請求項１１のライティングシステム。
【請求項１３】
波長３５０から５００ｎｍの励起放射光を生成および放射するよう作動できる少なくとも１つの発光ダイオード（５）；
少なくとも１つの発光ダイオード（５）を少なくとも一部において囲むように構成され、そこから遠隔に位置するシェード（４）；
シェードの少なくとも一部に備えられた少なくとも１つの蛍光体（１６）であって、蛍光体（１６）が入射励起放射光に応じて異なる波長の放射光を発する、蛍光体（１６）；および
少なくとも１つの発光ダイオードと熱的に連通するヒートシンク手段
を含む、ライティングシステム。
【請求項１４】
シェードが、励起エネルギが励起源からシェードへの少なくとも１センチメートルの距離を移動するように構成される、請求項１３のライティングシステム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
本発明は、吊り下げ式（ペンダント式）、机用、壁面に取付可能な、天井に取付可能な、スポット用、屋外用、およびアクセントライティング器具として特に適用される。ライティング器具が屋外ライティング器具、典型的には庭用ライティング器具すなわちガーデンランタンを含む場合、システムは周辺光の存在を検出するための光感知手段、および周辺光が所定の閾値を下回ると自動的にライティングシステムのスイッチを入れるための回路手段をさらに含む。このようなライティング機構は、緊急用ライティングにも適用される。その上、ライティングシステムは励起源を動作させ、ランタンに電力を供給するための１以上のバッテリを充電するために電気的エネルギを生成するための太陽光発電手段をさらに含む。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
１つのアレンジにおいて、ライティングシステムは、周辺光の存在を検出するための光感知手段、例としてフォトダイオード、および周辺光が所定の閾値を下回ると自動的にライティングシステムのスイッチを入れるための回路手段をさらに含む。その上、ライティングシステムは、周辺光が所定の閾値を下回るとライティングシステムに電力を供給するための再充電可能な電力源、太陽光発電手段からの再充電可能な電力源を再充電するようさらに作動できる回路手段をさらに含む。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月28日(2011.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素アレイを有するイメージセンサであって、
低濃度にドープされたｐ型基板と、
上記基板における複数の中濃度にドープされたｐ型の第１の領域であって、上記複数の第１の領域の各々が内部に高濃度にドープされたｎ型のソース／ドレインが配置された当該複数の第１の領域と、
上記基板における複数の低濃度にドープされたｎ型の第２の領域であって、上記複数の第２の領域の各々が上記複数の第１の領域のうちの一つに隣接し、この隣接した第１の領域に対する第１の横位置を有する当該複数の第２の領域と、
上記基板における複数の中濃度にドープされたｐ型のバリア領域であって、上記複数のバリア領域の各々が、上記複数の第２の領域の内の１つの第２の領域と他の一つの第２の領域との間に配置され、上記複数の第１の領域の内の一つであり且つ上記一つの第２の領域と上記他の一つの第２の領域との間に配置された第１の領域の下方、且つその第１の領域に対する第２の横位置に配置された当該複数のバリア領域とを含み、
上記第１の横位置が、上記画素アレイの中心と上記画素アレイの外側領域との間で変動し、
上記複数のバリア領域の上記各々が中性領域を有し、上記中性領域は、上記一つの第２の領域から上記中性領域に延びる一つの空乏領域が上記他の一つの第２の領域から上記中性領域に延びる他の一つの空乏領域と繋がることを阻止することを特徴とするイメージセンサ。
【請求項２】
上記第２の横位置が画素アレイの上記中心と画素アレイの上記外側領域との間で変動することを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項３】
上記一つの第２の領域と上記他の一つの第２の領域が上記第１の領域よりも深い深度を有することを特徴とする請求項２に記載のイメージセンサ。
【請求項４】
画素アレイを含むイメージセンサを形成するための方法であって、
低濃度にドープされたｐ型基板を提供する工程と、
上記基板に複数の中濃度にドープされたｐ型の第１の領域を形成する工程と、
上記基板に複数の低濃度にドープされたｎ型の第２の領域を形成する工程と、
上記基板に複数の中濃度にドープされたｐ型のバリア領域を形成する工程と、
上記複数の第１の領域の各々に高濃度にドープされたｎ型のソース／ドレインを形成する工程とを含み、
上記複数の第２の領域の各々が、上記複数の第１の領域の内の一つに隣接し、この隣接した第１の領域に対する第１の横位置を有し、
上記複数のバリア領域の各々が、上記複数の第２の領域の内の一つの第２の領域と他の一つ第２の領域との間に配置され、上記複数の第１の領域の内の一つであり且つ上記一つの第２の領域と上記他の一つの第２の領域との間に配置された第１の領域の下方、且つその第１の領域に対する第２の横位置に配置され、
上記第１の横位置が、上記画素アレイの中心と上記画素アレイの外側領域との間で変動し、
上記複数のバリア領域の上記各々が中性領域を有し、上記中性領域は、上記一つの第２の領域から上記中性領域に延びる一つの空乏領域が上記他の一つの第２の領域から上記中性領域に延びる他の一つの空乏領域と繋がることを阻止することを特徴とする方法。
【請求項５】
上記第２の横位置が画素アレイの上記中心と画素アレイの上記外側領域との間で変動することを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
上記一つの第２の領域と上記他の一つの第２の領域が上記第１の領域よりも深い深度を有することを特徴とする請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月26日(2011.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
さらに、金属薄片遮蔽物構造を形成するためには、数分間の処理時間が必要とされることがある。
従って、ＥＭＩおよびＲＦＩから電子機器を遮蔽することが可能な連続的且つ高導電性の金属構造の形成方法であって、そうした構造を焼結といった穏やかな処理条件下で金属および溶媒の使用を最小限にしながら急速に形成することを可能とする方法が必要である。金属薄片遮蔽システムに伴う厳しい処理条件に耐えられない基質上に遮蔽構造を形成するために、前記構造を前述の穏やかな処理条件下で形成する組成物が必要である。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
【先行技術文献】  
【特許文献】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【特許文献１】  米国特許出願公開第２００５／０１２６３３８号明細書
【特許文献２】  米国特許出願公開第２００７／００３４８３３号明細書
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年3月30日(2012.3.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
エポキシ樹脂用硬化剤組成物であって、硬化剤組成物が
（ａ）１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、および
（ｂ）１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン
を含む硬化剤組成物であって、前記硬化剤組成物が−２５℃乃至１００℃の温度でエポキシを硬化することができる、硬化剤組成物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項６】
硬化剤組成物が、
１乃至９７重量％のシス１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン；
１乃至９７重量％のトランス１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン；
１乃至９７重量％のシス１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン；および
１乃至９７重量％のトランス１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン；
（ここで、上記のパーセンテージは、シス１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、トランス１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、シス１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、およびトランス１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンの総重量に基づく）
を含む請求項２に記載の硬化剤組成物。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項７】
硬化剤が、５０乃至１００重量％の（ａ）および（ｂ）の混合物、０乃至３０重量％の二環式アミン、０乃至２５重量％の二環式ジアミン、および０乃至１５重量％の二環式イミン、を含む、請求項１に記載の硬化剤組成物。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項８】
硬化剤が、５０乃至１００重量％の（ａ）および（ｂ）の混合物、および以下の３つの二環式化合物：（ｉ）０より大乃至３０重量％の二環式アミン、（ｉｉ）０より大乃至２５重量％の二環式ジアミン、および（ｉｉｉ）０より大乃至１５重量％の二環式イミンのうちの少なくとも１つを含む、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の硬化剤組成物。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１４】
硬化温度が−２５℃乃至１００℃の間である、請求項１３に記載の方法。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８４】
エポキシ樹脂と脂環式ジアミン類の硬化反応を評価するために、示差走査熱量測定法（ＤＳＣ）を利用する。エポキシ樹脂をベースとするビスフェノールＡ（ＥＰＯＮ（登録商標）８２８、Ｓｈｅｌｌ社から入手できる）をジアミン（本明細書ではＵＮＯＸＯＬ（登録商標）ジアミンと呼ぶ、１，３−および１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンのシスおよびトランス異性体を含むアミン硬化剤混合物（サンプル１）、またはイソホロンジアミン（ＩＰＤＡ）（比較例Ｉ）のいずれか）と、１：１の当量比で混合し、硬化反応試験をＤＳＣにおいて２０℃乃至１２０℃、１℃／分の加熱速度で実施する。反応に対する加熱流動の温度が最高値に達する温度が硬化温度と見なされる。ＵＮＯＸＯＬ（登録商標）ジアミンとＥＰＯＮ（登録商標）８２８との硬化反応は６５．１４℃でピークを示し、これは両方のアミン基が類似の反応性を示すからであるが、イソホロンジアミン（ＩＰＤＡ）とＥＰＯＮ（登録商標）８２８との硬化反応は６９．７５℃および９３．６９℃で２つのピークを示し、これはＩＰＤＡ中の２つの相違するアミン基の反応性における差に一致する。この結果は、ＵＮＯＸＯＬ（登録商標）ジアミンがＩＰＤＡよりもエポキシ樹脂に対して相当に反応性が高いことを証明している。そこで、ＵＮＯＸＯＬ（登録商標）ジアミンを使用すると、ＩＰＤＡより低温でエポキシ樹脂を硬化させることができる。