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【手続補正書】
【提出日】平成24年9月14日(2012.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信器を含む送受信機の受信器の入力に関する二次インターセプトポイント（ＩＩＰ２）校正システムであって、
前記送受信機の送信器及び受信器に接続され、前記受信器のミキサで生じた二次相互変調歪に起因する受信器の二次相互変調歪の推定量を計算する推定器であって、基準信号として送信器からのライブ送信信号を用いる推定器と、
前記推定器に接続され、受信器の二次相互変調歪の推定量に基づいてミキサのＩＩＰ２調整ポートを制御して二次相互変調歪を減少させるコントローラとを備える校正システム。
【請求項２】
前記推定器は、二次相互変調歪の推定量の計算において、ベースバンド受信信号から直流電流を推定する、請求項１に記載のＩＩＰ２校正システム。
【請求項３】
前記推定器及び前記コントローラを設定する状態機械を備え、
前記設定は、前記送信器の電力出力及び受信器の受信信号強度に基づく、請求項２に記載のＩＩＰ２校正システム。
【請求項４】
前記受信器の検出された受信信号強度に対する前記送信器の送信電力の比に基づいて、前記状態機械は、前記推定器のゲイン及び前記コントローラのレートを設定する、請求項３に記載のＩＩＰ２校正システム。
【請求項５】
送信器を含む送受信機の受信器におけるミキサの入力に関する二次インターセプトポイント（ＩＩＰ２）を調整する方法であって、
電力出力が所定電力出力レベルＦより大きいかどうかを判定するステップと、
前記受信器の受信信号強度指示が予め設定された受信信号強度の指示レベルＨより小さいかどうかを判定するステップと、
ＩＩＰ２推定器のゲインの数値とＩＩＰ２コントローラの更新レートの数値とを提供するステップと、
前記ＩＩＰ２の推定器のゲインを利用して最適化アルゴリズムを実施し、前記ミキサに生じた二次相互変調歪みに比例するＩＩＰ２係数の推定量を推定するステップと、
前記ＩＩＰ２推定器のゲイン及び前記ＩＩＰ２コントローラの更新レートの数値を用いるステップと、
前記ミキサの調整電圧を変更する前記最適化アルゴリズムを実施するステップと、
前記受信器の受信信号強度指示及び送信器の電力出力レベルの少なくとも一方の変化が発生する期間だけ待機するステップと、
前記待機するステップの後に、ＩＩＰ２のゲイン及びＩＩＰ２コントローラの更新レートの少なくとも一方の変化が発生したかどうかを判定するステップと、
前記受信器の受信信号強度指示及び前記送信器の電力出力レベルの少なくとも一方に基づいて、前記ＩＩＰ２推定器のゲイン及び前記ＩＩＰ２コントローラの更新レートの少なくとも一方の変化が必要かどうかを判定するステップとを備え、
このような変化が必要な場合、ルックアップテーブルに基づいて、前記ＩＩＰ２推定器のゲイン及び前記ＩＩＰ２コントローラの更新レートの少なくとも一方を変更させる、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月17日(2012.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光手段（１）であって、
−  動作時に少なくとも１つの第１の波長（Ｌ１）と少なくとも１つの第２の波長（Ｌ２）で電磁放射を放出する少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体デバイスであって、前記第１の波長（Ｌ１）および前記第２の波長（Ｌ２）が、互いに異なっており、前記第１の波長（Ｌ１）が４３０ｎｍ付近であり、前記第２の波長（Ｌ２）が４７０ｎｍ付近であり、それぞれの許容誤差が１０ｎｍである、
前記オプトエレクトロニクス半導体デバイスと、
−  前記第１の波長（Ｌ１）を、少なくとも部分的に、異なる周波数を有する放射に変換する少なくとも１つの変換手段（３）であって、この変換が、前記発光手段（１）によって放出される放射スペクトルが、標準色度図において、黒体曲線との間の平均距離が０．０５以下である色度座標を有するように行われる、前記変換手段（３）と、
を備え、
前記第２の波長（Ｌ２）は、前記変換手段（３）の主動作範囲よりも低い波長であり、
前記変換手段（３）は、前記第１の波長（Ｌ１）を有する光の少なくとも５０％を第１の割合だけ変換し、前記第２の波長（Ｌ２）を有する光の最大で９０％を第２の割合だけ変換し、前記第１の割合は前記第２の割合よりも少なくとも５％は大きい、
発光手段（１）。
【請求項２】
前記半導体デバイス（２）が、前記第１の波長（Ｌ１）で放出する少なくとも１つの半導体チップ（２０ａ）と、前記第２の波長（Ｌ２）で放出する少なくとも１つの半導体チップ（２０ｂ）とを備えている、
請求項１に記載の発光手段（１）。
【請求項３】
前記半導体デバイス（２）が、少なくとも２つの活性領域（２１ａ，２１ｂ）を備えている少なくとも１つの半導体チップ（２０）、を備えており、前記活性領域（２１ａ，２１ｂ）のうちの少なくとも第１の活性領域が、動作時に前記第１の波長（Ｌ１）を有する放射を放出するように設計されており、前記活性領域（２１ａ，２１ｂ）のうちの少なくとも第２の活性領域が、動作時に前記第２の波長（Ｌ２）を有する放射を放出するように設計されている、
請求項１に記載の発光手段（１）。
【請求項４】
前記半導体デバイス（２）が、第１の部分（２２）と第２の部分（２３）とを有する活性ゾーン（２１）、を有する少なくとも１つの半導体チップ（２０）、を備えており、動作時、前記第１の部分（２２）が前記第１の波長（Ｌ１）を有する放射を放出し、前記第２の部分（２３）が前記第２の波長（Ｌ２）を有する放射を放出する、
請求項１に記載の発光手段（１）。
【請求項５】
前記第１の波長（Ｌ１）と前記第２の波長（Ｌ２）とが、スペクトル的に少なくとも１０ｎｍだけ互いに隔てられている、
請求項１から請求項４のいずれかに記載の発光手段（１）。
【請求項６】
前記半導体デバイス（２）によって放出される前記放射のスペクトル幅（Ｂ）が少なくとも５０ｎｍである、
請求項１から請求項５のいずれかに記載の発光手段（１）。
【請求項７】
前記変換手段（３）は、一般的な組成式が、（Ｙ，Ｇｄ，Ｌｕ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ３＋であり、主波長が５５０ｎｍ〜５７５ｎｍの間（両端値を含む）である、蛍光体Ａを備える、
請求項１から請求項６のいずれかに記載の発光手段（１）。
【請求項８】
前記変換手段（３）は、一般的な組成式が（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋あるいは（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）２Ｓｉ２Ｎ５：Ｅｕ２＋であり、主波長が５９５ｎｍ〜６１０ｎｍの間（両端値を含む）である、蛍光体Ｂを備える、
請求項１から請求項７のいずれかに記載の発光手段（１）。
【請求項９】
前記発光手段（１）の色温度が、２５００゜Ｋ〜６５００゜Ｋ（の間）（両端値を含む）である、
請求項１から請求項８のいずれかに記載の発光手段（１）。
【請求項１０】
前記第１の割合は前記第２の割合よりも少なくとも１０％は大きい、
請求項１から請求項９のいずれかに記載の発光手段（１）。
【請求項１１】
前記第２の波長（Ｌ２）で放射パワーの少なくとも７５％が前記変換手段（３）を透過し、前記第１の波長（Ｌ１）で放射パワーの少なくとも９５％が前記変換手段（３）によって変換される、
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の発光手段（１）。
【請求項１２】
前記半導体デバイス（２）が、少なくとも６００ｎｍの第３の波長を有する光を動作時に放出する少なくとも１つの半導体チップ（２）、を備えている、
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の発光手段（１）。
【請求項１３】
前記第１の波長（Ｌ１）の強度と前記第２の波長（Ｌ２）の強度の比率を設定する目的に使用できる制御ユニット（５）、
を備えている、
請求項２に記載の発光手段（１）。
【請求項１４】
蛍光体Ａの吸収の最大値は、４２０ｎｍ〜４８０ｎｍの間（両端値を含む）にあるのに対して、蛍光体Ｂは、短波長方向に単調に増大する吸収率を有する、
請求項７または請求項８に記載の発光手段（１）。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月9日(2012.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層をエッチングする方法であって、
シリコン及び窒素を含む誘電体層と前記誘電体層に隣接して配置された酸化物層とを有する基板を用意すること、
リモートプラズマを使用して、水素（Ｈ２）及び三フッ化窒素（ＮＦ３）を含むプロセスガスから反応性種を形成すること、ならびに
前記反応性種を使用して前記誘電体層をエッチングすること
を含み、前記酸化物層又は前記基板のうち少なくとも１つに対する前記誘電体層のエッチング選択性が約０．８〜約４である、方法。
【請求項２】
前記酸化物層が二酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記酸化物層が、トランジスタデバイスのゲート酸化物層を含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記酸化物層が、前記誘電体層よりも上に配置されており、前記酸化物層内に画定されたフィーチャを含み、前記フィーチャが、前記誘電体層を少なくとも部分的に露出させている、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
前記誘電体層が、窒化シリコン（ＳｉＮ）、窒素がドープされた炭化シリコン（ＳｉＮＣ）、及び酸素及び窒素がドープされた炭化シリコン（ＳｉＯＮＣ）のうちの少なくとも１つを含む、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記基板がさらに、シリコン、ポリシリコン、金属ケイ化物、ｎ型にドープされたシリコン、及びｐ型にドープされたシリコンのうちの少なくとも１つを含む、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
流量比ＮＦ３：Ｈ２が約１：１から約１：１０である、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記プロセスガスが、三フッ化窒素（ＮＦ３）、アンモニア（ＮＨ３）及び水素（Ｈ２）を含む、請求項１ないし７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記誘電体層をエッチングすることがさらに、
前記基板が載せられた基板支持台を、摂氏約３５度から摂氏約８０度の温度に維持すること
を含む、請求項１ないし８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
プロセッサによって実行されたときに、プロセス室内に配置された、シリコン及び窒素を含む誘電体層と前記誘電体層に隣接して配置された酸化物層とを有する基板をエッチングする方法を、前記プロセス室に実行させる命令を含むコンピュータ可読媒体であって、前記方法が、
リモートプラズマを使用して、水素（Ｈ２）及び三フッ化窒素（ＮＦ３）を含むプロセスガスから反応性種を形成すること、ならびに
前記反応性種を使用して前記誘電体層をエッチングすること
を含み、前記酸化物層又は前記基板のうち少なくとも１つに対する前記誘電体層のエッチング選択性が約０．８〜約４である、コンピュータ可読媒体。
【請求項１１】
流量比ＮＦ３：Ｈ２が約１：１から約１：１０である、請求項１０に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１２】
温度が、摂氏約３５度から摂氏約８０度に維持される、請求項１０又は１１に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１３】
前記プロセスガスが、三フッ化窒素（ＮＦ３）、アンモニア（ＮＨ３）及び水素（Ｈ２）を含む、請求項１０ないし１２のいずれか一項に記載のコンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月5日(2012.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｘＬＮＭＣＯ（１−ｘ）ＬＮＭ1Ｏを含む正電極活性材料混合物であって、式中、０＜ｘ＜１であり、Ｍ1はＣｏ又はＡｌのうちの少なくとも１つであり、
ＬＮＭＣＯが、Ｌｉ(1+y)Ｍ2(1-y)Ｏ2であり、式中、０≦ｙ≦０．９、Ｍ2＝ＭｎaＮｉbＣｏcであり、式中、ａ＋ｂ＋ｃ＝１、（１＋ｙ）／（１−ｙ）−１≦ａ≦１、０＜ｂ／ｃ≦１００であり、
ＬＮＭ1Ｏが、式中ｄ＋ｅ＝１、０＜ｄ／ｅ≦１００であるＬｉＮｉdＣｏeＯ2と、式中０＜ｚ＋ｚ’＜１であるＬｉＮｉ1-(z+z')ＣｏzＡｌz'Ｏ2とから成る群から選択される、正電極活性材料混合物。
【請求項２】
ＬＮＭ1Ｏが、ＬｉＮｉdＣｏeＯ2であり、式中、ｄ＋ｅ＝１、０＜ｄ／ｅ≦１００である、請求項１に記載の正電極材料混合物。
【請求項３】
ＬＮＭ1Ｏが、ＬｉＮｉ0.8Ｃｏ0.2Ｏ2である、請求項２に記載の正電極材料混合物。
【請求項４】
ＬＮＭＣＯが、Ｌｉ(1.06)（Ｎｉ1/3Ｍｎ1/3Ｃｏ1/3）0.95Ｏ2である、請求項１に記載の正電極材料混合物。
【請求項５】
ＬＮＭＣＯが、Ｌｉ(1.05)（Ｎｉ1/3Ｍｎ1/3Ｃｏ1/3）0.95Ｏ2である、請求項３に記載の正電極材料混合物。
【請求項６】
ｘが、約０．２５〜約０．７５である、請求項５に記載の正電極材料混合物。
【請求項７】
ＬＮＭ1Ｏが、ＬｉＮｉ1-(z+z')ＣｏzＡｌz'Ｏ2であり、式中、０＜ｚ＋ｚ’＜１である、請求項１に記載の正電極材料混合物。
【請求項８】
ＬＮＭ1Ｏが、ＬｉＮｉ0.8Ｃｏ0.15Ａｌ0.05Ｏ2である、請求項７に記載の正電極材料混合物。
【請求項９】
正電極、負電極、及び非水電解質を含み、前記正電極が、混合物ｘＬＮＭＣＯ（１−ｘ）ＬＮＭ1Ｏを含み、式中、０＜ｘ＜１であり、Ｍ1はＣｏ又はＡｌのうちの少なくとも一つであり、
ＬＮＭＣＯが、Ｌｉ(1+y)Ｍ2(1-y)Ｏ2であり、式中、０≦ｙ≦０．９、Ｍ2＝ＭｎaＮｉbＣｏcであり、式中、ａ＋ｂ＋ｃ＝１、（１＋ｙ）／（１−ｙ）−１≦ａ≦１、０＜ｂ／ｃ≦１００であり、
ＬＮＭ1Ｏが、式中ｄ＋ｅ＝１、０＜ｄ／ｅ≦１００であるＬｉＮｉdＣｏeＯ2と、式中０＜ｚ＋ｚ’＜１であるＬｉＮｉ1-(z+z')ＣｏzＡｌz'Ｏ2とから成る群から選択される、
非水電解質リチウム二次電池。
【請求項１０】
前記負電極が、リチウム金属を含む、請求項９に記載の非水電解質リチウム二次電池。
【請求項１１】
ＬＮＭ1Ｏが、ＬｉＮｉdＣｏeＯ2であり、式中、ｄ＋ｅ＝１、０＜ｄ／ｅ≦１００である、請求項９に記載の非水電解質リチウム二次電池。
【請求項１２】
ＬＮＭ1Ｏが、ＬｉＮｉ0.8Ｃｏ0.2Ｏ2である、請求項１１に記載の非水電解質リチウム二次電池。
【請求項１３】
ＬＮＭＣＯが、Ｌｉ(1.05)（Ｍｉ1/3Ｍｎ1/3Ｃｏ1/3）0.95Ｏ2である、請求項９に記載の非水電解質リチウム二次電池。
【請求項１４】
ＬＮＭＣＯが、Ｌｉ(1.05)（Ｍｉ1/3Ｍｎ1/3Ｃｏ1/3）0.95Ｏ2である、請求項１２に記載の非水電解質リチウム二次電池。
【請求項１５】
ｘが、約０．２５〜約０．７５である、請求項１４に記載の非水電解質リチウム二次電池。
【請求項１６】
前記電解質が、炭酸プロピレン、炭酸エチレン、炭酸ジメチル、炭酸ジエチル、炭酸エチルメチル、ピロ炭酸ジエチル、１，２−ジメトキシエタン、１，２−ジエトキシエタン、ガンマブチロラクトン、テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、１，３−ジオキソラン、４−メチル−１，３−ジオキソラン、ジエチルエーテル、スルホラン、アセトニトリル、プロピオニトリル、グルタロニトリル、アニソール、１−メチル−２−ピロリジノン、及び、それらの混合物から成る群から選択される溶剤を含む、請求項９に記載の非水電解質リチウム二次電池。
【請求項１７】
前記電解質が、ＬｉＮ（ＳＯ2ＣＦ3）2、ＬｉＮ（ＳＯ2Ｃ2Ｆ5）2、ＬｉＡＳＦ6、ＬｉＰＦ6、ＬｉＢＦ4、ＬｉＢ（Ｃ6Ｈ5）4、ＬｉＣｌ、ＬｉＢｒ、ＬｉＩ、ＣＨ3ＳＯ3Ｌｉ、ＣＦ3ＳＯ3Ｌｉ、ＬｉＣｌＯ4、及びＬｉＳＣＮから成る群から選択される塩を含む、請求項９に記載の非水電解質リチウム二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月5日(2012.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テンプレートおよび基板を監視するように構成された観察範囲を有し、前記テンプレートおよび前記基板と重ね合わせて配置された撮像ユニットと、
複数のエネルギー源と、
から構成され、
前記基板はそれ自体の上に堆積された重合可能物質を有する複数の領域を備え、
それぞれの前記エネルギー源は、前記撮像ユニットの前記観察範囲の外に配置された少なくとも１つのエネルギー素子を有し、エネルギー経路に沿ってエネルギーを与えるように構成され、
前記それぞれのエネルギー源の複数の素子は、前記基板の一領域内に実質的に一様なエネルギーを与えることで、それぞれの領域で前記重合可能物質を固化させるような角度に、傾斜されることを特徴とするインプリント・リソグラフィ・システム。
【請求項２】
前記それぞれのエネルギー源は、単一のエネルギー素子を有することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記それぞれのエネルギー源は、複数のエネルギー素子を有することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
少なくとも１つのエネルギー素子は単一エネルギー源であり、少なくとも１つのエネルギー源は複数のエネルギー素子を有することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記少なくとも１つのエネルギー素子は、ＵＶ  ＬＥＤであることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記エネルギー源は環形構造になっていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記エネルギー源は円錐構造になっていることを特徴とする請求項１項に記載のシステム。
【請求項８】
前記エネルギー源はピラミッド構造になっていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記撮像ユニットの前記観察範囲の外に配置された補助的なエネルギー源を、さらに備えることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記補助的なエネルギー源はアーク・ランプであることを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
各エネルギー源の前記複数の素子がある角度で傾斜し、各角度の傾斜が前記基板上の前記重合可能物質に実質的に一様なエネルギーをもたらすことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
各エネルギー源の前記複数のエネルギー素子は、前記基板の一領域からある距離の配置され、それぞれのエネルギー素子の前記位置が前記基板上の前記重合可能物質に実質的に一様なエネルギーをもたらすことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
それぞれの前記エネルギー素子は、前記重合可能物質にエネルギーを与えるために、光回線と光通信することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
少なくとも１つの前記エネルギー源の素子は、前記基板上の前記重合可能物質から２ｍよりも大きい距離の配置されることを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
少なくとも１つのエネルギー源の少なくとも２つのエネルギー素子と光通信する位置に配設された少なくとも１つの反射素子を備え、前記反射素子は前記少なくとも２つのエネルギー源の素子から前記基板上の前記重合可能物質へのエネルギーを集中させるることを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【請求項１６】
少なくとも１つのエネルギー素子は、ほぼ３〜２０ｍＷ／ｃｍ2低い単位出力を有するＬＥＤであることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１７】
少なくとも１つのエネルギー素子の前記エネルギーを前記基板へと向けるために、前記エネルギー源に近接して配置された少なくとも１つの光素子をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１８】
撮像ユニットの観察経路がナノ・インプリント・リソグラフィ・テンプレートと重ね合わさるように前記撮像ユニットを配置するステップと、
前記撮像ユニットと前記ナノ・インプリント・リソグラフィ・テンプレートとの間であり、且つ前記撮像ユニットの前記観察経路の外に複数のエネルギー源を配設するステップと、
テンプレートの下方に、複数の領域を有する表面を備えた基板を配設するステップと、
前記基板上の前記領域に重合可能物質を堆積するステップと、
前記テンプレートおよび前記基板を位置合わせするステップと、
前記テンプレートと前記基板上の前記重合可能物質とを接触させるステップと、
前記エネルギー源によって、前記基板のそれぞれの前記領域上に、重合可能物質を固化させるエネルギーをエネルギー経路に沿って与えるステップと、
前記基板上にパターニングした層を形成する前記固化させた重合可能物質から前記テンプレートを引き離すステップと、
から構成され、
それぞれの前記エネルギー源は、エネルギーを前記エネルギー経路に沿って与えるように構成され、各エネルギー源の複数の素子は、前記基板のある領域内に実質的に一様なエネルギーを与えるような角度に傾斜されることを特徴とするインプリンティングの方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月28日(2012.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
プラズマドーピングシステム１００は、さらに、制御器１５６およびユーザーインタフェースシステム１５８を備えることができる。一実施形態においては、制御器１５６は、所望の入力／出力機能を実行するようプログラムした、汎用コンピュータまたは汎用コンピュータのネットワークとすることができる。別の実施例においては、制御器１５６は、他の電子回路またはコンポーネント、例えば特定用途専用集積回路、他の配線接続またはプログラム可能電子デバイス、個別素子回路等を備えてもよく、また付加的に備えることもできる。さらに別の実施形態においては、制御器１５６は、通信デバイス、データ記憶デバイス、およびソフトウェアを備えることができる。図１の制御器１５６は、出力信号を電源１４８およびＲＦ源１５０に供給し、またファラデーセンサ１９９から入力信号を受信するよう示したが、制御器１５６は、プラズマドーピングシステム１００の他のコンポーネントに対する出力信号の供給および入力信号の受信も行うことができる。他のさまざまな実施形態も提供することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
ｎ型酸化金属半導体（ＮＭＯＳ：n-type metal-oxide-semiconductor）装置の製造において、シリコン−炭素形成に続いて、リン、ヒ素、または他の類似注入を行う。さらに、ＮＭＯＳソース/ドレイン拡張部（ＳＤＥｓ：source/drain extensions）は、活性ドーパントとして炭素およびリンを含む。このような場合、炭素はドーパントの拡散を抑制し、リンが活性ドーパントとして機能する。このように、エタンおよびホスフィンを、例えばＩＨＣに流し入れると、ＣａＰｂＨｃ分子イオンが、チャンバ１０２、２８３内のその場で生成され、イオン化させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月6日(2012.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ素子のゲートスタックであって、
トンネル誘電体層上の電荷蓄積層と、
前記電荷蓄積層上の高ｋ誘電体材料を含む第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層上のＳｉＯ2 を含む第２の誘電体層と、
前記第２の誘電体層上のＳｉＮを含む第３の誘電体層と、
前記第３の誘電体層上のＳｉＯ2 を含む第４の誘電体層と、
前記第４の誘電体層上の高ｋ誘電体材料を含む第５の誘電体層と、
を備えるゲートスタック。
【請求項２】
請求項１記載のゲートスタックにおいて、
前記電荷蓄積層が、ナノ結晶を含むゲートスタック。
【請求項３】
請求項２記載のゲートスタックにおいて、
前記ナノ結晶が、ルテニウムナノ結晶を含むゲートスタック。
【請求項４】
請求項１記載のゲートスタックにおいて、
前記電荷蓄積層が、連続フローティングゲートを含むゲートスタック。
【請求項５】
請求項１記載のゲートスタックにおいて、
前記第１および第５の誘電体層の各々の厚さが、４ｎｍ以下であるゲートスタック。
【請求項６】
請求項５記載のゲートスタックにおいて、
前記第１および第５の誘電体層の各々の厚さが、２ｎｍ以下であるゲートスタック。
【請求項７】
請求項１記載のゲートスタックにおいて、
前記第１および第５の誘電体層が、ハフニウムおよびジルコニウムのうちの１つを含むゲートスタック。
【請求項８】
請求項７記載のゲートスタックにおいて、
前記第１および第５の誘電体層のうちの少なくとも１つが、ＨｆＯ2 およびＺｒＯのうちの１つを含むゲートスタック。
【請求項９】
請求項１記載のゲートスタックにおいて、
前記第１および第５の誘電体層のうちの少なくとも１つが、金属ケイ酸塩を含むゲートスタック。
【請求項１０】
請求項９記載のゲートスタックにおいて、
前記金属ケイ酸塩が、ＨＦx Ｓｉ1-x Ｏy 、Ｚｒx Ｓｉ1-x Ｏy 、およびＡｌx Ｓｉ1-x Ｏy からなるグループから選択され、式中、ｘは０〜１の正数であり、ｙは正数であるゲートスタック。
【請求項１１】
請求項１記載のゲートスタックにおいて、
（ａ）前記第１の誘電体層および前記第２の誘電体層との間、（ｂ）前記第４の誘電体層および前記第５の誘電体層との間のうちの少なくとも１つの間に配置される１ｎｍ以下の厚さの第６の誘電体層をさらに備えるゲートスタック。
【請求項１２】
請求項１１記載のゲートスタックにおいて、
前記第６の誘電体層が、酸化アルミニウムを含むゲートスタック。
【請求項１３】
メモリ素子のゲートスタックを作製する方法であって、
基板上にわたってトンネル誘電体層を形成するステップと、
前記トンネル誘電体層上にわたって局部的電荷トラップを含む電荷蓄積層を形成するステップと、
前記電荷蓄積層上にわたって第１の酸化物を含む第１の誘電体層を形成するステップと、
前記第１の誘電体層上にわたって第２の酸化物を含む第２の誘電体層を形成するステップと、
前記第２の誘電体層上にわたって第３の酸化物を含む第３の誘電体層を形成するステップと、
前記第１の酸化物および前記第３の酸化物のうちの少なくとも１つから酸窒化物を形成するステップと、
を含む方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の方法において、
前記第１の酸化物および前記第３の酸化物のうちの少なくとも１つから形成された酸窒化物が、ＨｆまたはＳｉを含む方法。
【請求項１５】
請求項１３記載の方法において、
前記酸窒化物を形成するステップが、９００℃以下の温度でアンモニア中で前記第１の酸化物および前記第３の酸化物のうちの少なくとも１つをアニールすることを含む方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の方法において、
前記アンモニア中でアニールすることが、５０分から７０分の持続時間実行される方法。
【請求項１７】
請求項１５記載の方法において、
前記アンモニア中でアニールすることが、８００℃以下の温度で実行される方法。
【請求項１８】
請求項１５記載の方法において、
前記第１の酸化物をアニールすることが、前記第３の誘電体層を形成する前に実行され、前記第３の酸化物をアニールすることが、前記第３の誘電体層を形成した後に実行され、前記酸窒化物が、前記第３の酸化物から酸窒化物を形成する前に前記第１の酸化物から形成される方法。
【請求項１９】
請求項１５記載の方法において、
前記第１の酸化物をアニールすることおよび前記第３の酸化物をアニールすることが、前記第３の誘電体層を形成した後に同時に実行され、前記第３の酸化物から酸窒化物が形成されるときに、前記第１の酸化物から酸窒化物が形成される方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月2日(2012.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成物を調製する方法であって、
全血供給源から成分を得て組成物を得ることを含む方法であり、
前記組成物が、全血に由来し、全血中の血小板濃度の少なくとも約１．１倍の濃度の血小板、および
全血中の濃度の０〜０．９倍の濃度の好中球を含む方法。
【請求項２】
血小板濃度が、全血中の血小板濃度の２〜８倍である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
全血中の赤血球濃度未満の濃度の赤血球を更に含み、当該濃度が、全血中の赤血球濃度の０．１〜０．９倍である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
全血中のヘモグロビン濃度の約０．２５倍の濃度のヘモグロビンを更に含む、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
ヘモグロビン濃度が、１デシリットル当たり約５グラム未満である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
好中球の濃度が全血中の濃度の０．１〜０．５倍である請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
好中球の濃度が全血中の濃度の０〜０．１倍である請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記組成物が、遠心分離、重力ろ過、又は直接細胞選別により、全血から調製される、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記組成物が、全血に由来し少なくとも全血中の白血球濃度である濃度の白血球を含み、前記白血球が、
全血中の単球濃度の少なくとも２倍の濃度の単球、および
全血中のリンパ球濃度の少なくとも２倍の濃度のリンパ球をさらに含む請求項１〜８の
いずれかに記載の方法。
【請求項１０】
１マイクロリットル当たり約５００，０００〜約７，０００，０００個の血小板、
１マイクロリットル当たり約１，０００〜約５，０００個の単球、
１マイクロリットル当たり約５，０００〜約２０，０００個のリンパ球、および
１マイクロリットル当たり約５，０００個未満の好中球、
を含む組成物。
【請求項１１】
好中球の濃度が、１マイクロリットル当たり約１，０００個未満である、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１２】
組成物を調製する方法であって、
出発原料から成分を得て組成物を得ることを含む方法であり、出発原料は少なくとも一部に全血を含み、前記組成物が、
全血に由来し、全血中の血小板濃度の少なくとも約１．１倍の濃度の血小板、および
全血中の濃度の０〜０．９倍の濃度の好中球を含む方法。
【請求項１３】
血小板濃度が、出発原料中の血小板濃度の２〜８倍である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
好中球の濃度が、出発原料中の濃度の０．１〜０．５倍である請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１５】
好中球の濃度が、出発原料中の濃度の０〜０．１倍である請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１６】
患者の心臓の状態を治療するための請求項１０に記載の組成物であって、
前記患者の心臓の状態が、急性虚血、心筋梗塞、不整脈、アポトーシス、又は心機能低下からなる群から選択される組成物。
【請求項１７】
前記組成物が、前記患者の全血から調製される、請求項１６に記載の組成物。
【請求項１８】
急性虚血が、直近の２４時間以内に生じたものである、請求項１６又は１７に記載の組成物。
【請求項１９】
前記患者は、心筋梗塞を治療する再灌流療法が、直近の２４時間以内に行われ、前記組成物が、前記再灌流療法の前又は後の約２４時間以内に送達される、請求項１６に記載の組成物。
【請求項２０】
血栓溶解剤が、前記血液を採取する前に前記患者に投与されていない請求項１７に記載の組成物。
【請求項２１】
前記血栓溶解剤が、ヘパリン、ｔＰＡ、ＰＬＡＶＩＸ（登録商標）、及びアスピリンからなる群から選択される、請求項２０に記載の組成物。
【請求項２２】
好中球の濃度が、１マイクロリットル当たり約１，０００個未満である、請求項１６〜２１のいずれかに記載の組成物。
【請求項２３】
凝固剤を含まないことを特徴とする、請求項１６〜２２のいずれかに記載の組成物。
【請求項２４】
注射により患者に送達され、注射は注射器又はカテーテルにより行われる、請求項１６
〜２３のいずれかに記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月6日(2012.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）ベンゾイミダゾール駆虫薬少なくとも１０％ｗ／ｖと、ｂ）ラクトン溶媒、エッセンシャルオイル、および界面活性剤を含む水不混和性溶媒系と
を含む動物用駆虫組成物。
【請求項２】
ベンゾイミダゾール駆虫薬が、トリクラベンダゾールである、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
トリクラベンダゾールが、約１０％ｗ／ｖ〜約４０％ｗ／ｖの量で存在する、請求項１または請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
トリクラベンダゾールが、約１５％ｗ／ｖ〜約２５％ｗ／ｖの量で存在する、請求項１から３のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項５】
ラクトン溶媒が、γ−ヘキサラクトン、ブチロラクトン、δ−ヘキサラクトン、γ−ドデカラクトン、δ−ノナラクトン、δ−デカラクトン、γ−デカラクトン、およびδ−ドデカラクトンおよび他のアルキルラクトンならびにそれらの組合せからなる群から選択される、請求項１から４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項６】
ラクトン溶媒が、γ−ヘキサラクトンである、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
ラクトン溶媒が、約１０％ｗ／ｖ〜約４０％ｗ／ｖの量で存在する、請求項１から６のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項８】
エッセンシャルオイルが、１，８−シネオール、１，４−シネオール、オイガノール、リモネン油、ティーツリー油、シトロネロールおよびそれらの組合せからなる群から選択される、請求項１から７のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項９】
エッセンシャルオイル構成成分が、１，８−シネオールである、請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
エッセンシャルオイルが、約５％ｗ／ｖ〜約５０％ｗ／ｖの量で存在する、請求項１から９のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１１】
エッセンシャルオイルが、約１０％ｗ／ｖ〜約３５％ｗ／ｖの量で存在する、請求項１から１０のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１２】
界面活性剤が、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、ポリエチレングリコールグリセロール脂肪酸エステル、アルコール−油エステル交換生成物、ポリグリセリル化脂肪酸、プロピレングリコール脂肪酸エステル、モノ、ジおよびトリグリセリドならびにそれらの組合せからなる群から選択される、請求項１から１１のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１３】
界面活性剤が、モノ、ジおよびトリグリセリドとポリエチレングリコールのモノおよびジ脂肪酸エステルの混合物である、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１４】
界面活性剤が、ＰＥＧ−８カプリル酸／カプリン酸グリセリドまたはＰＥＧ−６カプリル酸／カプリン酸グリセリドである、請求項１３に記載の組成物。
【請求項１５】
界面活性剤が、ポリエチレングリコールモノラウレート、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールモノオレエート、ポリエチレングリコールジオレエートまたはグリセリンポリエチレングリコールココナッツ油である、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１６】
界面活性剤が、約３０％ｗ／ｖ〜約６０％ｗ／ｖの量で存在する、請求項１から１５のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１７】
界面活性剤が、約４０％ｗ／ｖ〜約５０％ｗ／ｖの量で存在する、請求項１６に記載の組成物。
【請求項１８】
大環状ラクトン、テトラミゾール、レバミゾール、デプシペプチド、アミノアセトニトリルおよびそれらの組合せからなる群から選択される少なくとも１つの追加の駆虫薬を包含する、請求項１に記載の組成物。
【請求項１９】
大環状ラクトンが、モキシデクチンである、請求項１８に記載の組成物。
【請求項２０】
ａ）トリクラベンダゾール約１５％ｗ／ｖ〜約２５％ｗ／ｖと、
ｂ）γ−ヘキサラクトン、１，８−シネオール、およびポリエチレングリコールカプリル酸／カプリン酸グリセリドを含む水不混和性溶媒系と
を含む、請求項１に記載の動物用駆虫組成物。
【請求項２１】
モキシデクチンをさらに含む、請求項２０に記載の組成物。
【請求項２２】
モキシデクチンが、約０．０１ｗ／ｖ〜約２％ｗ／ｖの量で存在する、請求項２１に記載の組成物。
【請求項２３】
組成物が、ポアオンとして投与される、請求項２２に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月31日(2012.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）ｐＨが７．５未満である、平均粒径が４０ｎｍ以下のシリカナノ粒子の水性分散液と、
ｂ）アルコキシシランオリゴマーと、
ｃ）シランカップリング剤と、
ｄ）場合により、金属β−ジケトン錯化剤と、を含み、
前記アルコキシシランオリゴマーが下記式：
【化１】
2012505295.tif 000001
［式中、
各Ｒ１は、個別にＨ、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル、アルカリ金属及びアルカリ土類金属又はアンモニウムであり、
各Ｒ２は、独立してＣ１〜Ｃ４アルキルであり、
ｘは２〜１００であり、
ｙ及びｚは０であってよく、
ｘはｙ＋ｚよりも大きく、
ｘ＋ｙ＋ｚは２〜１００である。］で表わされる、コーティング組成物。
【請求項２】
１．３０〜９５重量％の前記シリカナノ粒子と、
２．１〜５５重量％の前記アルコキシシランオリゴマーと、
３．０．２５〜３５重量％の前記シランカップリング剤と、
４．０〜１０重量％の前記金属β−ジケトン錯化剤と、を含む、請求項１に記載のコーティング組成物。
【請求項３】
前記シランカップリング剤が下記式：
［（Ｙ）ｃ−Ｒ３］ｄ−Ｓｉ−（ＯＲ４）ｂ（Ｒ４）４−（ｂ＋ｄ）
［式中、
Ｙは、所定の基材の表面に結合又は会合しうる非塩基性基であり、
Ｒ３は、共有結合又は２価若しくは３価の炭化水素架橋基であり、
Ｒ４は個別に、酸素、窒素及び／又は硫黄原子によって利用可能な位置が場合により置換された、１〜８個の炭素原子を有するアルキル、アリール、又はアラルキル基であり、
ｃは１又は２であり、ｂは１〜３であり、ｄは１又は２であり、かつ（ｂ＋ｄ）≦４である。］で表わされる、請求項１に記載のコーティング組成物。
【請求項４】
前記Ｙがエチレン性不飽和基Ｙ２であるか、又はＹが非塩基性の有機官能基Ｙ１であり、エポキシ基、酸基、エステル基、水酸基及びメルカプト基から選択することができるか、又はＹが、アルキル基及びアリール基から選択される非官能性ヒドロカルビル基Ｙ３である、請求項３に記載のコーティング組成物。
【請求項５】
前記β−ジケトン錯化剤が、０．１〜５重量％の量で使用される、請求項２に記載のコーティング組成物。
【請求項６】
２０重量％未満の水溶性又は水混和性の有機溶媒を更に含む、請求項１に記載のコーティング組成物。
【請求項７】
前記シリカナノ粒子成分が、１〜９０％の修飾基による表面被覆率を有する表面改質されたナノ粒子を含む、請求項１に記載のコーティング組成物。
【請求項８】
ｐＨが４未満である、請求項１に記載のコーティング組成物。
【請求項９】
前記アルコキシシランオリゴマーが、式Ｓｉ（Ｏ）ｏ（ＯＲ１）ｐ［式中、ｏは０よりも大きくかつ１．２未満であり、ｐは１．４よりも大きくかつ４未満である。］の単位セルによって表される単位セル式によって表される、請求項１に記載のコーティング組成物。
【請求項１０】
前記組成物が、前記アルコキシシランオリゴマー、前記シランカップリング剤、及び場合により前記金属β−ジケトン錯化剤の反応生成物を含む、請求項１に記載のコーティング組成物。
【請求項１１】
基材にコーティングを付与する方法であって、
基材を与える工程と、
基材をコーティング組成物と接触させる工程であって、前記コーティング組成物が、
ａ）ｐＨが７．５未満である、平均粒径が４０ｎｍ以下のシリカナノ粒子の水性分散液と、
ｂ）アルコキシシランオリゴマーと、
ｃ）シランカップリング剤と、
ｄ）場合により、金属β−ジケトン錯化剤と、を含む、工程と、
乾燥を行ってシリカナノ粒子コーティングを与える工程と、を含む、方法。
【請求項１２】
前記アルコキシシランオリゴマーのｘ及び／又はｙは、少なくとも１である、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月5日(2012.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絹フィブロイン及び約10％(w/w)〜約50％(w/w)のグリセロールを含む絹フィルム。
【請求項２】
少なくとも1種類の活性物質を更に含む、請求項1に記載の絹フィルム。
【請求項３】
前記少なくとも1種類の活性物質が細胞である、請求項1または2に記載の絹フィルムを含む組織工学用構築物。
【請求項４】
以下の段階を含む、絹フィルムを調製するための方法：
絹フィブロイン溶液をグリセロールとブレンドする段階であって、絹フィブロイン/グリセロールブレンド溶液中のグリセロールの濃度が約10％〜約50％(w/w)である段階；
該絹フィブロイン/グリセロールブレンド溶液をフィルム支持表面上にキャストする段階；および
該絹フィルムを乾燥する段階。
【請求項５】
基材の表面を絹組成物で覆うための方法であって、
フィルム支持基材を供給する段階；および
約10％〜50％(w/w)のグリセロールを含む絹フィブロイン/グリセロールブレンドフィルムで該フィルム支持基材を覆う段階
を含む方法。
【請求項６】
以下の段階を含む、少なくとも1種類の活性物質を絹フィルムに包埋するための方法：
絹フィブロイン溶液を少なくとも1種類の活性物質及びグリセロールとブレンドする段階であって、絹ブレンド溶液中のグリセロールの濃度が約10％〜50％(w/w)である段階；
該絹ブレンド溶液をフィルム支持表面上にキャストする段階；および
該フィルムを乾燥する段階。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月5日(2012.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カスタム化されたナノ粒子ライブラリーの作成方法であって、前記方法が
ａ）水溶液中での治療薬の可溶化と、
ｂ）ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）およびＣ２−Ｃ２２脂肪酸を含む第一の誘導体化ポリマーの提供と、
ｃ）可溶化された治療薬と第一の誘導体化ポリマーが自己集合して第一のナノ粒子を形成する、可溶化された治療薬と第一の誘導体化ポリマーの混合と、
ｄ）ＰＥＧおよび第一の誘導体化ポリマーの脂肪酸とは異なるＣ２−Ｃ２２脂肪酸を含む第二の誘導体化ポリマーの提供と、
ｅ）第二のナノ粒子を形成するための手順ｃ）の繰り返しを含み、
その結果、カスタム化されたナノ粒子ライブラリーを作成する方法。
【請求項２】
上記治療薬が疎水性又は親水性である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
上記第一の誘導体化ポリマーが水溶性である、請求項１記載の方法。
【請求項４】
上記ＰＥＧが一つの末端で反応基を含み、標的薬剤の反応基への結合をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
第一および第二の誘導体化ポリマーが可溶化された治療薬を取り囲むヒドロゲルの殻を形成する、請求項１記載の方法。
【請求項６】
上記Ｃ２−Ｃ２２脂肪酸がＣ２−Ｃ１４脂肪酸である、請求項１記載の方法。
【請求項７】
上記Ｃ２−Ｃ２２脂肪酸がＣ１４−Ｃ２２脂肪酸である、請求項１記載の方法。
【請求項８】
第一および第二の誘導体化ポリマーに架橋剤を添加して、それによりナノ粒子の安定性を強化することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
第一および第二の誘導体化ポリマーがチオール基で修飾される、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
治療薬が化学療法剤、核酸、ｓｉＲＮＡ、ステロイド、鎮痛薬、局所麻酔薬、抗生物質製剤、免疫抑制薬剤、抗炎症薬剤、抗増殖剤、抗有糸分裂薬剤、血管形成剤、抗精神病薬、中枢神経系（ＣＮＳ）薬剤、抗凝固剤、繊維素溶解剤、成長因子、抗体、眼薬、アンチセンス薬剤、リボザイム、ＲＮＡｉ薬剤、又はアプタマーである、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
第一および第二の誘導体化ポリマーとジエチレントリアミン５酢酸（ＤＴＰＡ）を共役させることをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
造影剤をＤＴＰＡに結合することをさらに含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
造影剤が酸化鉄、量子ドット、６４Ｇｄ、１１１Ｉｎ、または１２５Ｉである、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
カスタム化されたナノ粒子ライブラリーの作成方法であって、前記方法が
ａ）（ｉ）ＰＥＧ、（ｉｉ）ＤＴＰＡ、および（ｉｉｉ）Ｃ２−Ｃ２２脂肪酸を含む第一の誘導体化ポリマーの提供と、
ｂ）造影剤と第一の誘導体化ポリマーが自己集合して第一のナノ粒子を形成する、造影剤と第一の誘導体化ポリマーの混合と、
ｃ）（ｉ）ＰＥＧ、（ｉｉ）ＤＴＰＡ、および（ｉｉｉ）第一の誘導体化ポリマーの脂肪酸とは異なるＣ２−Ｃ２２脂肪酸を含む第二の誘導体化ポリマーの提供と、
ｄ）第二のナノ粒子を形成するための手順ｂ）の繰り返しを含み、
その結果、カスタム化されたナノ粒子ライブラリーを作成する方法。
【請求項１５】
造影剤が酸化鉄、量子ドット、６４Ｇｄ、１１１Ｉｎ、または１２５Ｉである、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
腫瘍を抱える被験者を治療する方法であって、腫瘍の大きさまたは腫瘍内の腫瘍細胞の数を低下させるのに十分な量のナノ粒子の被験者への投与を含み、前記ナノ粒子が
ａ）治療薬と、
ｂ）（ｉ）Ｃ１４−Ｃ２２脂肪酸、（ｉｉ）ＰＥＧ、および（ｉｉｉ）架橋剤を含む水溶性誘導体化ポリマーを含むヒドロゲルの殻である、治療薬を取り囲むヒドロゲルの殻と、
ｃ）PEGに結合される標的薬剤を含み、
その結果、被験者を治療するナノ粒子。
【請求項１７】
被験者において標的ポリペプチドの発現を阻害する方法であって、前記方法が標的ポリペプチドの発現を阻害するのに十分な量のナノ粒子の被験者への投与を含み、前記ナノ粒子が
ａ）ｓｉＲＮＡ分子と、
ｂ）（ｉ）Ｃ２−Ｃ１４脂肪酸、（ｉｉ）ＰＥＧ、および（ｉｉｉ）架橋剤を含む水溶性誘導体化ポリマーを含むヒドロゲルの殻である、ｓｉＲＮＡ分子を取り囲むヒドロゲルの殻と、
ｃ）ＰＥＧに結合される標的薬剤を含み、
その結果、標的ポリペプチドの発現を阻害する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月22日(2012.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
ベンダムスチン塩酸塩、４−｛５−［ビス（２−クロロエチル）アミノ］−１−メチル−２−ベンズイミダゾリル｝酪酸塩酸塩：
【化１】
2012505224.tif 000001
はドイツ民主共和国（ＧＤＲ）において１９６３年に最初に合成され、１９７１〜１９９２年には商品名Ｃｙｔｏｓｔａｓａｎ（登録商標）で入手可能であった。その当時から、独国においては商品名Ｒｉｂｏｍｕｓｔｉｎ（登録商標）で市販されている。ベンダムスチン塩酸塩は現在、米国において商品名Ｔｒｅａｎｄａ（登録商標）（Ｃｅｐｈａｌｏｎ，Ｉｎｃ．，Ｆｒａｚｅｒ，ＰＡ）で入手可能である。ベンダムスチンは、慢性リンパ性白血病、ホジキン病、非ホジキンリンパ腫、多発性骨髄腫、および乳がんなどの疾患の治療において治療上の実用性を有すると見られているアルキル化剤である。
現在におけるベンダムスチン塩酸塩の商業的な調製では少なくとも９つの合成ステップが必要とされ、塩化チオニルなどの数々の有害で、悪臭を有する試薬の使用を伴う。例えば、Ｊ．Ｐｒａｋｔ．Ｃｈｅｍ．，２０，１７８〜１８６ページ（１９６３年）およびＺｅｎｔｒａｌｂｌａｔｔ  ｆｕｅｒ  Ｐｈａｒｍａｚｉｅ，Ｐｈａｒｍａｋｏｔｈｅｒａｐｉｅ  ｕｎｄ  Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｕｍｓｄｉａｇｎｏｓｔｉｋ，１１０（１０）、１０１３〜１０１９ページ（１９７１年）を参照のこと。独国におけるその長年にわたる使用に関わらず、合成ステップ数および作業員の有害な試薬への露出を低減させるためにベンダムスチンの合成を改変するための試みはほとんどなされてきていない。それ故、必要とされる合成ステップが少なく、有害な試薬の使用が少量である新規なベンダムスチンの合成に対する要望が存在する。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【非特許文献１】  ＯＺＥＧＯＷＳＫＩ，  ＷＥＲＮＥＲ  ＥＴ  ＡＬ：  "Ａｍｉｎｏ  ａｃｉｄ  ａｎｔａｇｏｎｉｓｔｓ．  ＩＩＩ．ｏｍｅｇａ．−［Ｂｉｓ−（．ｂｅｔａ．−ｃｈｌｏｒｏｅｔｈｙｌ）ａｍｉｎｏ−２−ｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｙｌ］ｐｒｏｐｉｏｎｉｃ  ａｎｄ  −ｂｕｔｙｒｉｃ  ａｃｉｄｓ  ａｓ  ｐｏｔｅｎｔｉａｌ  ｃｙｔｏｓｔａｔｓ"  １９６３，  ＪＯＵＲＮＡＬ  ＦＵＥＲ  ＰＲＡＫＴＩＳＣＨＥ  ＣＨＥＭＩＥ  （ＬＥＩＰＺＩＧ），  ２０，  １７８−８６
【非特許文献２】  ＧＡＯ  ＬＩ−ＭＥＩ  ＥＴ  ＡＬ：  "Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ  ｏｆ  ５−［ｂｉｓ（２−ｃｈｌｏｒｏｅｔｈｙｌ）ａｍｉｎｏ］−１−ｍｅｔｈｙｌ−１Ｈ−ｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ−２−  ｂｕｔａｎｏｉｃ  ａｃｉｄ  ｈｙｄｒｏｃｈｌｏｒｉｄｅ  （ｂｅｎｄａｍｕｓｔｉｎｅ  ｈｙｄｒｏｃｈｌｏｒｉｄｅ）"  ＺＨＯＮＧＧＵＯ  ＸＩＮ  ＹＡＯ  ＺＡＺＨＩ−ＣＨＩＮＥＳＥ  ＮＥＷ  ＤＲＵＧＳ  ＪＯＵＲＮＡＬ，ＧＡＩ−ＫＡＮ  ＢＩＡＮＪＩＢＵ，ＢＥＩＪＩＮＧ，ＣＮ，ｖｏｌ．１６，ｎｏ．２３，１  Ｄｅｃｅｍｂｅｒ  ２００７（２００７−１２−０１），ｐａｇｅｓ  １９６０−１９６１
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月3日(2012.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
肺炎症の治療に使用するための、レボフロキサシンまたはオフロキサシンおよび二価または三価の陽イオンを含む溶液のエアロゾル。
【請求項２】
前記溶液が、肺炎症を誘導する1つまたは複数の炎症性サイトカインの肺濃度の低減に使用するための、レボフロキサシンまたはオフロキサシンおよび二価または三価の陽イオンを含み、前記濃度が少なくとも10%低減する、請求項１記載のエアロゾル。
【請求項３】
前記サイトカインの肺濃度が少なくとも20%低減する、請求項2に記載のエアロゾル。
【請求項４】
前記サイトカインの肺濃度が少なくとも40%低減する、請求項2に記載のエアロゾル。
【請求項５】
前記サイトカインの肺濃度が少なくとも60%低減する、請求項2に記載のエアロゾル。
【請求項６】
前記サイトカインの肺濃度が少なくとも80%低減する、請求項2に記載のエアロゾル。
【請求項７】
肺炎症を誘導する、IL-1β、IL-6およびIL-8から選択される1つまたは複数の炎症性サイトカインの肺濃度の低減に使用するための、レボフロキサシンまたはオフロキサシンおよび二価または三価の陽イオンを含む溶液のエアロゾル。
【請求項８】
TNFαおよびLPSから選択される1つまたは複数のメディエーターによって誘導される肺炎症の治療に使用するための、レボフロキサシンまたはオフロキサシンおよび二価または三価の陽イオンを含む溶液のエアロゾル。
【請求項９】
前記肺炎症が、喘息、嚢胞性線維症(CF)、肺線維症、慢性気管支炎(CB)、気管支拡張症、慢性肉芽腫症、静脈洞炎、慢性閉塞性肺疾患(COPD)、または肺炎から選択される少なくとも1つの障害と関連している、請求項1、2、7、および8のいずれか一項に記載のエアロゾル。
【請求項１０】
前記溶液が、レボフロキサシンまたはオフロキサシン、ならびにマグネシウム、カルシウム、亜鉛、銅、アルミニウム、および鉄から選択される二価または三価の陽イオンからなる、請求項1、2、7、および8のいずれか一項に記載のエアロゾル。
【請求項１１】
前記溶液がラクトースを含まない、請求項1、2、7、8、および10のいずれか一項に記載のエアロゾル。
【請求項１２】
前記溶液が、約100mM〜約300mMの二価または三価の陽イオン濃度、および約75mg/ml〜約150mg/mlのレボフロキサシンまたはオフロキサシン濃度を含む、請求項1、2、7、8、および10のいずれか一項に記載のエアロゾル。
【請求項１３】
前記溶液が、約150mM〜約250mMの二価または三価の陽イオン濃度、および約90mg/ml〜約125mg/mlのレボフロキサシンまたはオフロキサシン濃度を含む、請求項1、2、7、8、10、および11のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記溶液が、約300mOsmol/kg〜約500mOsmol/kgのオスモル濃度、および約5〜約8のpHを含む、請求項1、2、7、8、10、および11のいずれか一項に記載のエアロゾル。
【請求項１５】
前記溶液が、約350mOsmol/kg〜約425mOsmol/kgのオスモル濃度、および約5〜約6.5のpHを含む、請求項1、2、7、8、10、および11のいずれか一項に記載のエアロゾル。
【請求項１６】
前記溶液が、約5.5〜約6.5のpHを含む、請求項1、2、7、8、10、および11のいずれか一項に記載のエアロゾル。
【請求項１７】
前記溶液が、約90mg/ml〜約110mg/mlのレボフロキサシンまたはオフロキサシン濃度、約175mM〜約225mMの塩化マグネシウム濃度、約5〜約7のpH、約300mOsmol/kg〜約500mOsmol/kgのオスモル濃度を含み、ラクトースを欠いている、請求項1、2、7、8、10、および11のいずれか一項に記載のエアロゾル。
【請求項１８】
約2ミクロン〜約5ミクロンの空気動力学的中央粒子径を含み、幾何標準偏差が約2.5ミクロン以下である、請求項1、2、7、8、10、11、および16のいずれか一項に記載のエアロゾル。
【請求項１９】
約2.5ミクロン〜約4.5ミクロンの空気動力学的中央粒子径を含み、幾何標準偏差が約1.8ミクロン以下である、請求項1、2、7、8、10、11、および16のいずれか一項に記載のエアロゾル。
【請求項２０】
約2.8ミクロン〜約4.3ミクロンの空気動力学的中央粒子径を含み、幾何標準偏差が約2ミクロン以下である、請求項1、2、7、8、10、11、および16のいずれか一項に記載のエアロゾル。
【請求項２１】
少なくとも約20mgのレボフロキサシンまたはオフロキサシンを肺に投与する際に使用するための、請求項1、2、7、8、10、11、および17のいずれか一項に記載のエアロゾル。
【請求項２２】
少なくとも約100mgのレボフロキサシンまたはオフロキサシンが肺に投与する際に使用するための、請求項1、2、7、8、10、11、および17のいずれか一項に記載のエアロゾル。
【請求項２３】
少なくとも約125mgのレボフロキサシンまたはオフロキサシンが肺に投与する際に使用するための、請求項1、2、7、8、10、11、および17のいずれか一項に記載のエアロゾル。
【請求項２４】
少なくとも約150mgのレボフロキサシンまたはオフロキサシンが肺に投与する際に使用するための、請求項1、2、7、8、10、11、および17のいずれか一項に記載のエアロゾル。
【請求項２５】
肺に約10分未満で投与する際に使用するための、請求項1、2、7、8、10、11、および17のいずれか一項に記載のエアロゾル。
【請求項２６】
肺に約5分未満で投与する際に使用するための、請求項1、2、7、8、10、11、および17のいずれか一項に記載のエアロゾル。
【請求項２７】
肺に約3分未満で投与する際に使用するための、請求項1、2、7、8、10、11、および17のいずれか一項に記載のエアロゾル。
【請求項２８】
肺に約2分未満で投与する際に使用するための、請求項1、2、7、8、10、11、および17のいずれか一項に記載のエアロゾル。
【請求項２９】
抗炎症薬、抗生物質、気管支拡張剤、抗コリン作用薬、グルココルチコイド、エイコサノイド阻害剤、およびそれらの組合せからなる群から選択される追加の活性薬剤と組み合わせた、請求項1、2、7、8、10、11、および17のいずれか一項に記載のエアロゾル。