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【手続補正書】
【提出日】平成24年10月12日(2012.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃焼により生じる遠心力を内部で受けて、内部に配置された流体を連続して燃焼させる、燃焼トロイドと、
前記燃焼トロイドからの排気用の出口とを備えた装置。
【請求項２】
中心を通るシャフトに半径方向に接続された、複数の離間したディスクをさらに備え、前記複数の離間したディスクが前記シャフトに半径方向に接続され、前記燃焼トロイドと前記排気用の出口との間に配置される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記燃焼トロイドが燃焼トーラスであり、および/または前記燃焼チャンバが技術的セラミックから作られる、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記遠心力が前記複数の離間したディスクの回転により生じ、および/または厚さ方向に少なくとも１つのチャネルを有する中間トロイドをさらに備え、前記少なくとも１つのチャネルが、前記燃焼トロイドから前記複数の離間したディスクへ燃焼流体を向ける、  請求項２に記載の装置。
【請求項５】
シャフトと、
中心を通る前記シャフトに半径方向に接続された、複数の離間したディスクと、
前記複数のディスクに不完全に外接する少なくとも１つの壁を有する、燃焼流体を受ける燃焼チャンバとを備え、
前記燃焼流体が前記ディスクを通して前記燃焼チャンバから流れ、前記燃焼流体が前記複数のディスクを回転させ、前記複数のディスクの回転により、前記燃焼チャンバ内の燃焼流体の垂下を増加させる装置。
【請求項６】
前記燃焼チャンバがトロイドであり、好ましくは厚さ方向に少なくとも１つのチャネルを有するトロイドをさらに備え、前記少なくとも１つのチャネルが、前記燃焼チャンバにより外接され、かつ前記複数のディスクを外接する、請求項５に記載の燃焼チャンバ。
【請求項７】
前記燃焼チャンバがトーラスである、請求項５に記載の燃焼チャンバ。
【請求項８】
前記装置の外側から前記燃焼チャンバ内に、乱気流をチャンバ燃焼流方向に導入するための容器をさらに備え、および/または前記装置の外側から前記装置の前記燃焼チャンバ内に、乱気流を螺旋状に導入するための容器をさらに備える、請求項５に記載の装置。
【請求項９】
中心を通るシャフトに半径方向に接続された複数の離間したディスクに断続的に外接する少なくとも１つの壁を有するチャンバ内に、第１の量の燃焼流体を生成するステップと、
前記チャンバ内の前記第１の量の燃焼流体の燃焼により回転する前記複数のディスクの回転により、前記チャンバ内の前記第１の量の燃焼流体の燃焼時間を長くするステップとを含み、前記シャフトが前記複数のディスクの回転により回転する方法。
【請求項１０】
第２の量の燃焼流体が前記第１の量の燃焼流体と相互作用するときに、前記チャンバ内の第２の量の燃焼流体の燃焼時間を長くするステップをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記複数のディスクを前記第１の量の燃焼流体により回転させて、前記第２の量の燃焼流体の燃焼時間を長くするステップをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記複数のディスク内で前記第１の量の燃焼流体を燃焼させるステップをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
中心を通るシャフトに半径方向に接続された複数の離間したディスクに断続的に外接する燃焼チャンバ内に、燃焼流体を導入するステップであって、前記燃焼チャンバが前記複数の離間したディスクに同心であるステップと、
前記燃焼チャンバ内の前記可燃流体を燃焼させて燃焼流体にするステップと、
前記燃焼チャンバからの前記燃焼流体を、前記複数の離間したディスクを通して流すステップと、
前記燃焼流体を使用して、前記複数の離間したディスクの間隔を通して前記複数の離間したディスクを回転させるステップと、
さらなる可燃流体と前記燃焼流体との燃焼を触媒させるステップとを含む、燃焼チャンバ内で流体を燃焼させる方法。
【請求項１４】
前記燃焼チャンバが前記燃焼流体を触媒する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記複数の離間したディスクが前記燃焼流体を触媒する、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月25日(2012.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基礎内の固定アセンブリであって、前記固定アセンブリは壁を支持するとともに、
前記基礎から外に延びるアンカーロッドの一部と共に前記基礎に取り付けられたアンカーロッドと、
第１の構成要素、及び、前記第１の構成要素から前記基礎の内側に向かって下方に延びている第２の構成要素を有するシャーラグと、を含み、
前記第１の構成要素は、前記アンカーロッドを直接前記シャーラグに装着するために前記アンカーロッドを受け入れるための穴を含むとともに、第１のエッジと、前記第１のエッジとは反対の第２のエッジと、を有しており、
前記第２の構成要素は、前記第１のエッジと前記第２のエッジのうちの一方のみと隣接して前記第１の構成要素から延びており、かつ、前記壁によって前記アンカーロッドに作用する剪断力を前記基礎に伝達する、
固定アセンブリ。
【請求項２】
前記第２の構成要素が、前記基礎内にほぼ垂直に設けられる、請求項１に記載の固定アセンブリ。
【請求項３】
前記第２の構成要素は、前記第１の構成要素と一体化して形成されている、請求項１に記載の固定アセンブリ。
【請求項４】
前記第１の構成要素が、前記基礎の上面とほぼ面一の表面を含む、請求項３に記載の固定アセンブリ。
【請求項５】
前記固定アセンブリを前記基礎内に位置決めするためのテンプレートであって、前記第１の構成要素の上面の上に配置されたテンプレートをさらに含む、請求項３に記載の固定アセンブリ。
【請求項６】
前記テンプレートが、前記基礎の上面とほぼ面一の表面を含む、請求項５に記載の固定アセンブリ。
【請求項７】
穴及びアンカーロッドの数が２である、請求項３に記載の固定アセンブリ。
【請求項８】
前記基礎がコンクリートである、請求項１に記載の固定アセンブリ。
【請求項９】
前記シャーラグがＡＳＴＭ  Ａ３６鋼である、請求項１に記載の固定アセンブリ。
【請求項１０】
基礎に装着されたフレーム部材であって、
前記基礎上に支持され、前記基礎に対して垂直に延びている構造部材と、
前記基礎から外に延びる各アンカーロッドの一部と共に前記基礎に取り付けられた１以上のアンカーロッドであって、前記構造部材が、前記１以上のアンカーロッドに直接装着される、前記１以上のアンカーロッドと、
第１の構成要素、及び、前記第１の構成要素にある角度で設けられた第２の構成要素を有するシャーラグと、を含み、
前記第１の構成要素は、前記１以上のアンカーロッドを直接前記シャーラグに装着するために前記１以上のアンカーロッドを受け入れる１以上の穴を含み、
前記第２の構成要素は、前記基礎に埋め込まれ、かつ前記基礎と接触している第１及び第２の表面を有するとともに、前記１以上のアンカーロッドとは接触せず、
前記シャーラグは、前記構造部材によって前記１以上のアンカーロッドに作用する剪断力を前記基礎に伝達可能である、
フレーム部材。
【請求項１１】
前記第１及び前記第２の構成要素が、互いにほぼ直角である、請求項１０に記載のフレーム部材。
【請求項１２】
前記第１及び前記第２の構成要素が、それらの端面で一体となる、請求項１０に記載のフレーム部材。
【請求項１３】
前記第１の構成要素における穴の数が２である、請求項１２に記載のフレーム部材。
【請求項１４】
前記第２の構成要素が、前記第１の構成要素の中央部から下に延びる、請求項１０に記載のフレーム部材。
【請求項１５】
前記第１の構成要素が、前記基礎の上面とほぼ面一の表面を含む、請求項１０に記載のフレーム部材。
【請求項１６】
前記基礎がコンクリートである、請求項１０に記載のフレーム部材。
【請求項１７】
前記シャーラグがＡＳＴＭ  Ａ３６鋼である、請求項１０に記載のフレーム部材。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月24日(2012.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マットの総重量に基づいて、少なくとも２５重量％の玄武岩繊維と、非晶質耐火セラミックス繊維、生体溶解性のセラミックス繊維、熱処理されたシリカ繊維、及びこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１０重量％の繊維と、から構成されるブレンドから構成される不織布マットであって、
前記不織布マットが、前記マットの総重量に基づいて、少なくとも８０重量％の前記玄武岩繊維と、非晶質耐火セラミックス繊維、生体溶解性のセラミックス繊維、熱処理されたシリカ繊維、及びこれらの混合物からなる群から選択される前記繊維と、から集合的に構成され、
前記ブレンド中に存在する、前記玄武岩繊維、及び非晶質耐火セラミックス繊維、生体溶解性のセラミックス繊維、熱処理されたシリカ繊維、及びこれらの混合物からなる群から選択される前記繊維が、実条件取り付け試験の２５℃から７００℃／４００℃までの３回の熱サイクルの後に、前記繊維のブレンドから構成される前記不織布マット内に存在する、任意の個々の玄武岩繊維、非晶質耐火セラミックス繊維、生体溶解性のセラミックス繊維、及び熱処理されたシリカ繊維からなる類似の不織布マットの弾性値よりも少なくとも１．１倍大きい弾性値を有する不織布マットを集合的に提供する、不織布マット。
【請求項２】
少なくとも８０重量％の前記玄武岩繊維と前記非晶質耐火セラミックス繊維とを集合的に含む、請求項１に記載の不織布マット。
【請求項３】
前記マットが、非晶質耐火セラミックス繊維、生体溶解性のセラミックス繊維、熱処理されたシリカ繊維、及びこれらの混合物からなる群から選択される前記繊維を、マットの総重量に基づいて少なくとも１５重量％含む、請求項１又は２に記載の不織布マット。
【請求項４】
５００℃を超える加熱の前の出来上がった状態のままの前記不織布マットが、前記マットの総重量に基づいて５重量％以下の有機材料を含有する、請求項３に記載の不織布マット。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のマットを有するケーシングの中に実装される汚染防止要素を備える汚染防止装置。
【請求項６】
二重壁排気構成要素と、請求項１〜４のいずれか一項に記載のマットとを備える排気システムであって、前記マットが、前記二重壁排気構成要素の壁の間の間隙の中に位置決めされる、排気システム。
【請求項７】
前記二重壁排気構成要素が排気管、汚染防止装置又は排気マニホールドである、請求項６に記載の排気システム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月28日(2012.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷命令を含む部分的なリソース構成要素を受け取るための複合リソース生成器を有する、プリンタに結合された印刷制御ユニットを備え、
前記複合リソース生成器は、
部分的な複合リソースを有する複合リソースの最終的な形を表すシェルを作成し、それによって、前記部分的な複合リソースが引き続きアクセスされる度に、前記複合リソースを再生成することなく、前記複合リソースの最終的な形を用いることで１つまたは複数の前記部分的複合リソースのその後のアクセスを可能になり、
前記部分的なリソース構成要素を有する前記部分的複合リソースを生成し、前記シェルは前記部分的な複合リソースを保持し、
後に参照されるべき前記複合リソースの最終的な形に、前記部分的な複合リソースを格納することを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記複合リソース生成器は、さらに、前記部分的な複合リソースを参照し、一意のオブジェクト識別子（ＯＩＤ）を用いて各々のリソース構成要素を識別し、１つのリソース構成要素に関する要求を受信することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記複合生成器が、対応する部分的な複合リソースにおいて前記要求されたリソース構成要素を探し出せなかった場合、前記複合リソース生成器は前記要求されたリソース構成要素の生成を容易にすることを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記複合リソース生成器は、前記生成されたリソース構成要素を前記部分的な複合リソースに追加することを特徴とする請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記複合リソース生成器は、クエリを実行したが要求された構成要素が探し出せなかった１つまたは複数の前記部分的な複合リソースに、新しく生成されたリソース構成要素を追加することにより、前記１つまたは複数の前記部分的な複合リソースを前記複合リソースへと完成させることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
各々の部分的な複合リソースはある１つの部分的な派生リソースを表し、前記複合リソースは派生リソースを表すことを特徴とする請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
印刷命令を含む部分的なリソース構成要素を複合リソース生成器で受信するステップと、
部分的な複合リソースを有する複合リソースの最終的な形を表すシェルを作成し、それによって、前記部分的な複合リソースが引き続きアクセスされる度に前記複合リソースを再生成することなく、前記複合リソースの最終的な形を用いることで１つまたは複数の前記部分的複合リソースのその後のアクセスを可能になる、ステップと、
前記部分的なリソース構成要素を有する部分的な複合リソースを生成し、前記シェルが前記部分的な複合リソースを保持するステップと、
後に参照されるべき前記複合リソースの最終的な形に前記部分的な複合リソースを格納するステップと、
から構成されることを特徴とするコンピュータ・サービスを提供するための方法。
【請求項８】
前記部分的な複合リソースを参照して、リソース構成要素の要求に応答し、一意のオブジェクト識別子（ＯＩＤ）を用いて、１つの各々の部分的なリソース構成要素を識別するステップをさらに有することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項９】
対応する部分的な複合リソースにおいて、前記要求されたでリソース構成要素が探し出せなかった場合、前記要求されたリソース構成要素を生成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記生成されたリソース構成要素を、前記部分的な複合リソースに追加するステップをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
クエリを実行したが、要求されたリソース構成要素が探し出せなかった１つまたは複数の前記部分的なリソースに、新しく生成されたリソース構成要素を追加することによって、前記１つまたは複数の部分的な複合リソースを前記複合リソースへと完成させるステップをさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
各々の部分的な複合リソースは１つ部分的な派生リソースを表し、前記複合リソースは派生リソースを表すことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
プログラム可能コンピュータで使用可能な持続的なコンピュータ可読媒体のコンピュータ・プログラム製品であって、前記コンピュータ・プログラム製品にはコンピュータ・サービスを提供するためのコンピュータ可読コードが埋め込まれており、前記コンピュータ可読コードは、
印刷命令を含んだ部分的なリソース構成要素を複合リソース生成器で受信するための命令と、
部分的な複合リソースを有する複合リソースの最終的な形を表すシェルを作成し、それによって、前記部分的な複合リソースが引き続きアクセスされる度に前記複合リソースを再生成することなく、前記複合リソースの最終的な形を用いることで１つまたは複数の前記部分的複合リソースのその後のアクセスが可能になるための命令と、
前記部分的なリソース構成要素を有する前記部分的複合リソースを生成し、前記シェルが前記部分的な複合リソースを保持するための命令と、
後に参照されるべき前記複合リソースの最終的な形に、前記部分的な複合リソースを格納するための命令と、
を含むことを特徴とするコンピュータ・プログラム製品。
【請求項１４】
前記コンピュータ可読コードは、前記部分的な複合リソースを参照して、前記リソース構成要素の要求に応答し、一意のオブジェクト識別子（ＯＩＤ）を用いてリソース構成要素を識別するための命令をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載のコンピュータ・プログラム製品。
【請求項１５】
前記コンピュータ可読コードは、前記部分的な複合リソースで前記要求されたリソース構成要素が対応する部分的な複合リソースで探し出せなかった場合、前記要求されたリソース構成要素を生成するための命令をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載のコンピュータ・プログラム製品。
【請求項１６】
前記コンピュータ可読コードは、前記生成されたリソース構成要素を前記部分的な複合リソースに追加するための命令をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載のコンピュータ・プログラム製品。
【請求項１７】
前記コンピュータ可読コードは、クエリを実行したが、要求された構成要素が探し出せなかった１つまたは複数の前記部分的な複合リソースに、新しく生成した構成要素を追加することによって、前記１つまたは複数の部分的な複合リソースを前記複合リソースへと完成させる命令をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載のコンピュータ・プログラム製品。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月10日(2012.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
ビームラインイオン注入装置２００は、処理対象物自動処理設備、ファラデーセンサ、または、電子フラッドガン等、当業者に公知の構成要素をさらに備えるとしてよい。当業者であれば、イオンビームが通る経路は全長にわたってイオン注入処理中は真空状態となるものと理解されたい。ビームラインイオン注入装置２００は、一部の実施形態では、イオンの高温注入処理または低温注入処理を含むとしてよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理対象物上の感光性装置において暗電流を低減する方法であって、
前記処理対象物に第１の種のイオンを注入して第１のドーピング領域を形成する段階と、
前記処理対象物に第２の種のイオンを注入して前記第１のドーピング領域の上方に第２のドーピング領域を形成する段階と
を備え、
前記第１の種の注入は、前記第１の種の所望のドーズ量に応じて決まる温度で実行され、
前記第２の種の注入は、前記第２の種の所望のドーズ量に応じて決まる温度で実行される方法。
【請求項２】
前記感光性装置は、画像センサを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記感光性装置は、光起電装置を含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の種の注入は、前記第１の種のドーズレートが処理対象物のアモルファス化しきい値未満であれば、摂氏６０度から摂氏９００度の間で実行される請求項１から３の何れか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の種の注入は、前記第１の種のドーズレートが処理対象物のアモルファス化しきい値よりも大きければ、摂氏プラス３０度から摂氏マイナス２００度の間で実行される請求項１から４の何れか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記第２の種の注入は、前記第２の種のドーズレートが処理対象物のアモルファス化しきい値未満であれば、摂氏６０度から摂氏９００度の間で実行される請求項１から５の何れか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記第２の種の注入は、前記第２の種のドーズレートが処理対象物のアモルファス化しきい値よりも大きければ、摂氏プラス３０度から摂氏マイナス２００度の間で実行される請求項１から６の何れか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の種の注入の温度は、前記第１の種の質量に応じて決まり、前記第２の種の注入の温度は前記第２の種の質量に応じて決まる請求項１から７の何れか１項に記載の方法。
【請求項９】
処理対象物上に設けられる感光性装置において暗電流を低減する方法であって、
側壁および底面から構成される浅いトレンチを前記処理対象物にエッチングする段階と、
酸化処理または窒化処理を実行して前記トレンチの前記側壁および前記底面に層を形成する段階と、
前記トレンチの前記側壁および前記底面をアモルファス化する段階と、
前記トレンチに材料を充填する段階と、
前記トレンチに隣接させて前記感光性装置を形成する段階と
を備える方法。
【請求項１０】
前記アモルファス化する段階は、前記酸化処理または前記窒化処理の前に実行される請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記アモルファス化する段階は、前記酸化処理または前記窒化処理の後に実行される請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記アモルファス化する段階は、少なくとも一部が、前記酸化処理または前記窒化処理の実行中に実行される請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記アモルファス化する段階は、０．５ｋｅＶから２０ｋｅＶの間の注入エネルギーで、前記処理対象物内にイオンを注入する段階を有する請求項９から１２の何れか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記アモルファス化する段階は、１Ｅ１１から１Ｅ１５の間のドーズ量で、前記処理対象物内にイオンを注入する段階を有する請求項９から１３の何れか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記アモルファス化する段階は、非ドーピング用の種のイオンを注入する段階を有する請求項９から１４の何れか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記非ドーピング用の種は、ヘリウム、水素、アルゴン、クリプトン、ネオン、キセノン、シリコン、ゲルマニウム、酸素、および窒素から成る群から選択される請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記アモルファス化する段階は、摂氏プラス３０度未満の温度で実行される請求項９から１６の何れか１項に記載の方法。
【請求項１８】
前記アモルファス化する段階は、摂氏６０度から摂氏９００度の間の温度で実行される請求項９から１６の何れか１項に記載の方法。
【請求項１９】
前記形成する段階は、第１の種のイオンを注入してＰ型領域を形成して、第２の種のイオンを注入して前記Ｐ型領域の下方にＮ型領域を形成する段階を有する請求項９から１８の何れか１項に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６Ｄ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６Ｄ】
2012507871.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2012507871.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2012507871.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月26日(2012.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ浸漬イオン注入プロセスによって基板内にイオンを注入する方法であって、
処理チャンバ内に基板を提供するステップであって、前記基板が１つまたは複数のフィーチャが形成された基板表面を備え、各フィーチャが１つまたは複数の水平表面および１つまたは複数の垂直表面を有するステップと、
等方性プロセスによって、前記水平表面の少なくとも１つおよび前記垂直表面の少なくとも１つに、プラズマからイオンを注入するステップと、その後
異方性プロセスによって前記基板表面および前記１つまたは複数の水平表面をエッチングするステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記プラズマからイオンを注入するステップおよび前記１つまたは複数の水平表面をエッチングするステップが、１つまたは複数のサイクルにおいて連続して実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
プラズマ浸漬イオン注入プロセスによって基板内にイオンを注入する方法であって、
処理チャンバ内に基板を提供するステップであって、前記基板が１つまたは複数のフィーチャが形成された基板表面を備え、各フィーチャが１つまたは複数の水平表面および１つまたは複数の垂直表面を有するステップと、
イオンを生成するように適合された反応ガスを含むガス混合物からプラズマを生成するステップと、
前記プラズマから前記基板表面上および前記水平表面の少なくとも１つの上に材料層を堆積させるステップと、
等方性プロセスによって、前記基板内、ならびに前記水平表面の少なくとも１つおよび前記垂直表面の少なくとも１つに、前記プラズマからイオンを注入するステップと、
前記水平表面の少なくとも１つから前記垂直表面の少なくとも１つへ、前記材料層の一部分、前記注入されたイオンの一部分、またはこれらの組合せをスパッタリングするステップと、
等方性プロセスによって前記基板表面ならびに前記１つまたは複数の水平表面および前記１つまたは複数の垂直表面をエッチングするステップと
を含む方法。
【請求項４】
前記反応ガスが、ホウ素含有ガス、ヒ素含有ガス、リン含有ガス、およびこれらの組合せからなる群から選択されたガスを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記反応ガスが、Ｂ２Ｈ６、ＡｓＨ３、ＰＨ３、およびこれらの組合せからなる群から選択されたガスを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記１つまたは複数の水平表面をエッチングするステップが、
ハロゲン含有ガスから選択されたエッチングガスを提供するステップと、
前記ハロゲン含有ガスからプラズマを生成するステップと
を含む、請求項１または３に記載の方法。
【請求項７】
前記エッチングガスが、不活性ガスまたは水素ガスをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記プラズマからイオンを注入するステップ、前記注入されたイオンをスパッタリングするステップ、および前記１つまたは複数の水平表面をエッチングするステップを、１つまたは複数のサイクルにおいて連続して実行する、請求項３に記載の方法。
【請求項９】
前記ガス混合物から前記基板表面上に材料を堆積させるステップおよび等方性プロセスによって前記プラズマから前記基板へイオンを注入するステップを並行して実行する、請求項３に記載の方法。
【請求項１０】
前記イオンを１００Å未満の深さに注入する、請求項１または３に記載の方法。
【請求項１１】
プラズマ浸漬イオン注入プロセスによって基板内にイオンを注入する方法であって、
処理チャンバ内に基板を提供するステップであって、前記基板が１つまたは複数のフィーチャが形成された基板表面を備え、各フィーチャが１つまたは複数の水平表面および１つまたは複数の垂直表面を有するステップと、
前記基板表面上および前記基板フィーチャの前記水平表面の少なくとも１つの上に材料層を堆積させるステップと、
イオンを生成するように適合された反応ガスを含むガス混合物からプラズマを生成するステップと、
等方性プロセスによって、前記基板内、ならびに前記水平表面の少なくとも１つおよび前記垂直表面の少なくとも１つに、前記プラズマからイオンを注入するステップと、
前記水平表面の少なくとも１つから前記垂直表面の少なくとも１つへ、前記材料層の一部分、前記注入されたイオンの一部分、またはこれらの組合せをスパッタリングするステップと
を含む方法。
【請求項１２】
前記材料層を堆積させるステップおよび前記プラズマからイオンを注入するステップを並行して実行する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記注入されたイオンをスパッタリングするステップが、前記基板表面を不活性ガスプラズマに露出させるステップを含む、請求項３または１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記材料層を堆積させるステップおよび前記プラズマからイオンを注入するステップを、同じプロセス内で実行する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記材料層を堆積させるステップ、前記プラズマからイオンを注入するステップ、およびスパッタリングするステップを、同じチャンバ内で実行する、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月26日(2012.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ．ＡＳＴＭ  Ｅ４２４−７１を用いる紫外／可視分光光度分析により測定して少なくとも７０パーセントの光透過率を有する第１最外層と；
Ｂ．第１最外層上に配置した光電池と；
Ｃ．シリコーン組成物で少なくとも部分的に被覆した複数の繊維を含み、第１最外層に対向して光電池上に配置し、該光電池を第１最外層との間に挟む第２最外層と
を含む光電池モジュールであって、
前記シリコーン組成物がさらにヒドロシリル化硬化性として定義され、
（ｉ）１分子当たり少なくとも１つの不飽和部分を有する有機シリコン化合物と、
（ｉｉ）１分子当たり少なくとも１つのシリコン結合水素原子を有する有機水素シリコン化合物と、
（ｉｉｉ）前記有機シリコン化合物（ｉ）と有機水素シリコン化合物（ｉｉ）との間のヒドロシリル化反応を促進するのに用いるヒドロシリル化触媒とを含み、
前記有機水素シリコン化合物（ｉｉ）の１分子当たりのシリコン結合水素原子の前記有機シリコン化合物（ｉ）の１分子当たりの不飽和部分に対する比が０．０５〜１００であることを特徴とする光電池モジュール。
【請求項２】
前記複数の繊維をさらに繊維ガラス、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ナイロンおよびこれらの組み合わせの群から選択した不織布織物として定義する請求項１に記載の光電池モジュール。
【請求項３】
前記光電池上に配置し、光電池と第１最外層との間に挟まれた結合層をさらに含み、該結合層が前記シリコーン組成物と同じかまたは異なる第２シリコーン組成物を含む請求項１または２に記載の光電池モジュール。
【請求項４】
ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフッ化ビニルおよびエチレン酢酸ビニルを含まない請求項１、２または３に記載の光電池モジュール。
【請求項５】
ＡＳＴＭ  Ｅ４２４−７１を用いる紫外／可視分光光度分析により測定して少なくとも７０パーセントの光透過率を有する第１最外層と、該第１最外層上に配置した光電池と、該光電池上に配置して該光電池を第１最外層との間に挟み、２５℃で約１００，０００ｃｐｓ未満の粘度を有する液体シリコーン組成物で少なくとも部分的に被覆した複数の繊維を含む第２層トを備える光電池モジュールを形成するに当たり、
Ａ．光電池を該第１最外層上に配置する工程と、
Ｂ．液体シリコーン組成物を光電池上に配置する工程と、
Ｃ．複数の繊維を液体シリコーン組成物で少なくとも部分的に被覆して第２層を形成する工程と、
Ｄ．第１最外層、光電池および第２層を圧縮して光電池モジュールを形成する工程とを含み、
前記複数の繊維が光電池モジュールの両端上の該モジュールの外周まで第２層全域で横方向に延在して、圧縮工程中の光電池モジュールからの液体シリコーン組成物の漏出に抵抗することを特徴とする光電池モジュールの形成方法。
【請求項６】
前記液体シリコーン組成物を光電池上に配置する工程前または後に前記複数の繊維を少なくとも部分的に被覆する請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記液体シリコーン組成物を光電池上に配置する工程と同時に前記複数の繊維を少なくとも部分的に被覆する請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記光電池を第１最外層上に配置する工程がさらに光電池を化学蒸着または物理的スパッタリングによって第１最外層上に直接配置することとして定義される請求項５、６または７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記線状有機シリコン化合物および分岐鎖有機シリコン化合物の合計１００重量部当たり、前記シリコーン組成物はさらに１分子当たり２つの末端不飽和部分を有し、８０〜９５重量部の量で存在する線状有機シリコン化合物、１分子当たり２つの末端不飽和部分および１分子当たり少なくとも１つのペンダント不飽和部分を有し、５〜２０重量部の量で存在する分岐有機シリコン化合物、および１分子当たり少なくとも３つのシリコン結合水素原子を有する有機水素シリコン化合物を含むとして定義され、前記有機水素シリコン化合物の１分子当たりのシリコン結合水素原子の前記線状有機シリコン化合物および分岐鎖有機シリコン化合物の１分子当たりの不飽和部分の合計に対する比が１〜１．７である請求項１〜４のいずれか１項に記載の光電池モジュール。
【請求項１０】
前記線状有機シリコン化合物をさらにビニル末端ブロックポリジアルキルシロキサンとして定義し、前記分岐有機シリコン化合物をさらに少なくとも１つのビニルペンダント基を有するビニル末端ブロックポリジアルキルシロキサンとして定義し、前記有機水素シリコン化合物をさらにトリメチルシロキシ末端ジメチル、メチル水素シロキサンとして定義する請求項９に記載の光電池モジュール。
【請求項１１】
前記第１最外層は、ケイ素及び酸素に基づく材料（ＳｉＯＸ）によって少なくとも部分的に被覆される請求項１に記載の光電池モジュール。
【請求項１２】
前記第１最外層は、有機ポリマーを含み、ケイ素及び酸素に基づく材料（ＳｉＯＸ）によって少なくとも部分的に被覆される請求項１に記載の光電池モジュール。
【請求項１３】
前記第２最外層は、有機ポリマーを含み、ケイ素及び酸素に基づく材料（ＳｉＯＸ）によって少なくとも部分的に被覆される請求項１に記載の光電池モジュール。
【請求項１４】
前記モジュールが、シリコーンポリマー以外の全てのポリマーを含まない請求項１に記載の光電池モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月1日(2012.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の真空圧力を供給するエアキャビティ・チャック上に、前記基板を搭載するステップと、
前記基板上に重合可能な材料を付着させ、前記エアキャビティ・チャックが前記基板上に前記第１の真空圧力を維持するステップと、
前記エアキャビティ・チャックが前記基板上の真空圧力を前記第１の真空圧力から前記第１の真空圧力よりも高い第２の真空圧力へと上昇させることによって、前記重合可能な材料をインプリント・リソグラフィ・テンプレートと前記基板の間に密着させるステップと、
前記エアキャビティ・チャックが前記第２の真空圧力を維持することによって、パターン形成層を形成する前記重合可能な材料を固化させるステップと、
剥離領域が前記基板の縁部から前記基板の中央に移動するにつれ、前記エアキャビティ・チャックが前記第２の真空圧力を前記第１の真空圧力へと低減することによって、前記テンプレートを前記パターン形成層から剥離するステップと、
から構成されることを特徴とする、基板をエアキャビティ・チャック上に保持する方法。
【請求項２】
前記エアキャビティ・チャックが前記第２の真空圧力を維持している間、前記テンプレートに背圧をかけるステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板を前記エアキャビティ・チャックから降ろすステップをさらに含むことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の真空圧力は、約−５ｋＰａから−２０ｋＰａの範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の真空圧力は、約−４０ｋＰａから全真空圧までの範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
剥離領域の画像を設け、前記第２の真空圧力を前記画像に基づいて調整するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記画像は前記剥離領域に沿って基板の視覚形状を提供し、前記第２の真空圧力を調整するステップは前記視覚形状を評価するステップを含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記テンプレートを前記パターン形成層から剥離するステップは、前記剥離領域の開始点に前記第２の真空圧力をかけるステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記重合可能な材料の固化の前に、前記第１の真空圧力は増加されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記重合可能な材料の初期の固化の直前に、前記第１の真空圧力は増加されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記第２の真空圧力は、パターン形成層の特徴的形状部にかかるせん断が最小となるように構成されること特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の真空圧力は、パターン形成層の特徴的形状部に掛かるせん断が最小となるように構成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の真空圧力から前記第２の真空圧力への増加する際、剥離中にパターン形成層の特徴的形状部に掛かるせん断が最小となるように構成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の真空圧力から前記第２の真空圧力への低減する際、剥離中にパターン形成層の特徴的形状部に掛かるせん断が最小となるように構成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
テンプレートと、エアキャビティ・チャックによって保持されている基板の間に、重合可能な材料を密着させるステップと、
重合可能な材料を固化してパターン形成層を形成するステップと、
前記テンプレートを前記パターン形成層から剥離するステップと、
から構成され、前記エアキャビティ・チャックは、前記重合可能な材料を密着中に第１の真空圧力を前記基板にかけるとともに、前記重合可能な材料を固化中に第２の真空圧力を前記基板にかけ、前記第１の真空圧力は実質的に前記第２の真空圧力より小さいことを特徴とする、インプリント・リソグラフィ・テンプレートを使って基板上にパターン形成層を形成する方法。
【請求項１６】
前記第１の真空圧力は、約−５ｋＰａから−１０ｋＰａの範囲内にあることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記第２の真空圧力は、約−４０ｋＰａから全真空圧までの範囲内にあることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１の真空圧力と前記第２の真空圧力は、パターン形成層の特徴的形状部に掛かるせん断が最小となるように構成されることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
テンプレートと、第１の真空圧力でエアキャビティ・チャックにより保持され前記基板の間に重合可能な材料を密着させるステップと、
パターン形成層を形成するために重合可能な材料を固化させ、前記基板は前記第１の真空圧力より大きい第２の真空圧力で、前記エアキャビティ・チャックによって保持されるステップと、
前記パターン形成層から前記テンプレートを剥離するステップと、
から構成され、前記剥離中、前記エアキャビティ・チャックはまず前記第２の真空圧力で前記基板を保持し、その後、前記第２の真空圧力から前記第１の真空圧力に真空圧力を下げ、この真空圧低下によるパターン形成層にかかるせん断力が最小となるように構成されることを特徴とするインプリント・リソグラフィ・テンプレートを使って基板上にパターン形成層を形成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月1日(2012.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
【図１】本発明の一実施形態に係る建物一体型太陽光発電システムの接続モジュールを示す斜視図である。
【図２】図１の接続モジュールの分解斜視図である。
【図３】図１の接続モジュールの縦断面図である。
【図４】簡単のためにハウジングを取り外した状態の、図３の接続モジュールの導電部材、弾性クリップ、及びリード端子間の接続関係を示す斜視図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る建物一体型太陽光発電システムの接続モジュールの正面図である。
【図６】図５の６−６線に沿った、一実施形態に係る弾性クリップの断面図である。
【図７】図５の６−６線に沿った、別の実施形態に係る弾性クリップの断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る建物一体型太陽光発電の接続モジュールを示す斜視図である。
【図９】図８の接続モジュールの正面図である。
【図１０】カバーを取り外した状態の図８の接続モジュールを示す斜視図である。
【図１１】簡単のためにハウジングを取り外した状態の、図１０の接続モジュールの導電部材、接続導体、及びリード端子間の接続関係を示す斜視図である。
【図１２】ハウジングを取り外した状態の、図１０の接続モジュールの導電部材、接続導体、弾性クリップ、及びリード端子間の接続関係を示す斜視図である。
【図１３】弾性クリップ、リード端子及びカバーの組立過程を示す斜視図である。
【図１４】図９の１４−１４線に沿った断面図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
図４ないし図６を参照して、本発明の一実施形態に係る導電部材３、弾性クリップ５及びリード端子４間の接続を説明する。図４は、簡単のためにハウジングを取り外した状態の、図３の接続モジュールの導電部材、弾性クリップ、及びリード端子間の接続関係を示す斜視図である。図５は、本発明の一実施形態に係る建物一体型太陽光発電システムの接続モジュールの正面図である。図６は、図５の６−６線に沿った、一実施形態に係る弾性クリップの断面図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
以下、図１１ないし図１４と併せて、接続導体１１０、導電部材１０３、弾性クリップ１０５及びリード端子１０４間の接続関係を説明する。これらの図面において、図１１は、図１０の接続モジュールの導電部材、接続導体及びリード端子間の接続関係を示す斜視図である。ここで、簡単のためにハウジングが取り外されている。図１２は、ハウジングを取り外した状態の、図１０の接続モジュールの導電部材、接続導体、弾性クリップ、及びリード端子間の接続関係を示す斜視図である。図１３は、弾性クリップ、リード端子及びカバーの組立過程を示す斜視図である。図１４は、図９の１４−１４線に沿った断面図である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月24日(2012.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明装置を形成する方法であって、
サブマウント上に取り付けられた発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイを設けるステップであって、前記ＬＥＤダイは上面を有する、ステップと、
第１の屈折率を有する第１のシリコーンを使用して前記ＬＥＤダイの周部を少なくとも囲み、前記ＬＥＤダイの上面にわたる開口を有する外側レンズを成型するステップと、
前記外側レンズの成型の後、前記第１の屈折率よりも高い第２の屈折率を有する第２のシリコーンを使用して前記外側レンズの前記開口内の前記ＬＥＤダイの前記上面にわたって内側レンズを成型するステップとを有し、
前記内側レンズの形状は、全内部反射（ＴＩＲ）によって前記上面によって発される光をコリメートするように作用し、
前記外側レンズの形状は、前記内側レンズ内で内部反射されない光の側部発光パターンに影響を及ぼす、方法。
【請求項２】
前記第１の屈折率は少なくとも約１．３であり、前記第２の屈折率は少なくとも約１．６である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記外側レンズを成型するステップは、前記上面に対する垂線から４５°−６５°の範囲内にピーク発光を生成するように前記外側レンズを成型するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記内側レンズを成型するステップは、前記上面に対して垂線から１０°−３５°の間の光拡散パターンを生成するように前記内側レンズを成型するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記外側レンズを成型するステップが、ほぼ半球状の外側の側壁表面を有するように前記外側レンズを成型するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記内側レンズを成型するステップが、前記内側レンズの上部が平坦であるように前記内側レンズを成型するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記内側レンズを成型するステップが、前記内側レンズの上部が光拡散フィーチャを有するように前記内側レンズを成型するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記内側レンズを成型するステップ及び前記外側レンズを成型するステップが、前記内側レンズ及び前記外側レンズを中心の軸に関して対称に成型するステップを含む、請求項１の方法。
【請求項９】
前記内側レンズを成型するステップが、前記内側レンズを実質的に円筒形に成型するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記内側レンズを成型するステップは、前記内側レンズをほぼ放物線状に成型するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記外側レンズを成型するステップは、前記ＬＥＤダイの上面にわたって前記第１のシリコーンの層を形成するように前記第１のシリコーンを成型するステップであって、前記層は、所望の発光パターンを達成するために非平坦な形状を有する、ステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記層が、光散乱フィーチャを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
サブマウント上に取り付けられた発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイであって、上面を有する、ＬＥＤダイと、
前記ＬＥＤダイの周部を少なくとも囲み、第１の屈折率を有する第１のシリコーンを有し、前記ＬＥＤダイの上面にわたる開口を有する、成型された外側レンズと、
前記外側レンズの開口内の前記ＬＥＤダイの上面にわたって成型された内側レンズであって、前記第１の屈折率よりも高い第２の屈折率を有する第２のシリコーンを有する、内側レンズとを有し、
前記内側レンズの形状は、全内部反射（ＴＩＲ）によって前記上面によって発される光をコリメートするように作用し、
前記外側レンズの形状は、前記内側レンズ内で内部反射されない光の側部発光パターンに影響を及ぼす、発光装置。
【請求項１４】
前記内側レンズ及び外側レンズを有する複数のＬＥＤがバックライト導波路の縁に光学的に結合される、請求項１３に記載の発光装置。
【請求項１５】
前記外側レンズは、前記上面に対する垂線から４５°−６５°の範囲内のピーク発光を生成し、前記内側レンズは、前記上面に対する垂線から１０°−３５°の間に光拡散パターンを生成する、請求項１３に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月16日(2012.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビットストリームの前および後のデータビットとともにビットストリームのＤＣ制御ビットから形成されるＤＣ制御ビットパターンを備える、ＥＣＣ符号化されたビットストリームのイレージャー復号化のための方法であって、前記方法は、前記クルーが破損していてもまたは破損していなくても、導出するために前記クルー自体以外の情報を必要としない、セルフチェック可能なイレージャークルーとして、前記ＤＣ制御ビットパターンを使用するステップを備え、前記イレージャークルーは、ネガティブイレージャークルーがエラーではないことを示し、ポジティブイレージャークルーがエラーの発生を示す、イレージャー情報を構成する、前記方法。
【請求項２】
前記ビットストリームから抽出される前記イレージャー情報は、
独立したポジティブクルーを無視するステップと、
独立していないポジティブクルーを接続するステップと、
ポジティブクルーのシーケンスを拡張するステップと、
前記拡張されたポジティブクルーのシーケンス、およびポジティブクルーの少なくとも一方の側に位置する任意のチャネルデータブロックにイレージャーとしてフラグを立てるステップと、
により後処理される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記イレージャー情報は、前記イレージャー復号化に用いられる前に第２のイレージャー情報と統合される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記統合は、前記イレージャー情報の対応ビットおよび前記第２のイレージャー情報の対応ビットのうちの多数決によって行われる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の方法を行うために備えられ、構成された、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月29日(2012.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バクテリア燃料電池およびバクテリア電解セルのうちの少なくとも一つにおいて使用するための電極であって、当該電極は、
電気回路中に電気的に連結されるように配置された金属製導電体を有し、かつ、
少なくとも該金属製導電体と該電池中のまたは該セル中の液体との間に導電性コーティングを有し、該導電性コーティングは、該液体と該導電体とを互いから相互に遮断するように機能するものである、
前記電極。
【請求項２】
当該電極はまた、少なくとも一つの表面を有し、該表面は、その表面上での生物膜の成長に適しており、浄化されるべき液体と液体連絡しており、かつ、該導電性コーティングを通じて該金属製導電体と電気的に連絡している、請求項１記載の電極。
【請求項３】
生物膜の成長に適した上記少なくとも一つの表面が、多数の細長いエレメントの円柱状表面によって定められており、それら細長いエレメントは、上記金属製導電体から外側に向かって概して放射状に延びており、
該金属製導電体は、該導電性コーティングによってコーティングされ、かつ、自体の長手方向の延伸に沿って、多数の細長いエレメントのうちの複数の物を束にして保持するように捩れており、かつ、
該多数の細長いエレメントは繊維を有してなり、かつ、該繊維はグラファイト繊維または導電性プラスチックから形成されている、
請求項２記載の電極。
【請求項４】
生物膜の成長に適した上記少なくとも一つの表面が、導電性コーティングの表面を覆う布地によって定められている、請求項２記載の電極。
【請求項５】
金属製導電体が、ワイヤー格子の形態、孔のあいた平坦なエレメントの形態、または、概して平行なワイヤーのアレイの形態になっている、請求項１記載の電極。
【請求項６】
金属製導電体が、銅またはアルミニウムから形成されている、請求項１〜５のいずれか１項記載の電極。
【請求項７】
導電性コーティングが、導電性プラスチックから形成されている、請求項１〜６のいずれか１項記載の電極。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月28日(2012.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機械（４）の安全装置（２）の状態を監視するための装置（１）、特に保護ドア等の閉鎖状態を監視するための安全スイッチであって、本装置（１）がスイッチハウジング（２２、２４）とアクチュエータ（８）とを有し、前記安全装置（２）が閉鎖状態のとき、前記アクチュエータ（８）が、前記スイッチハウジング（２２、２４）内で運動可能に支承されたスイッチ操作エレメント（１４）と協動し、これにより前記安全装置（２）の前記閉鎖状態を示す信号の発生が可能であり、さらに、本装置（１）がガードロッキング機構を有し、該ガードロッキング機構によって前記安全装置（２）の前記閉鎖状態が解除可能にロック可能である装置（１）において、
前記ガードロッキング機構の作用に抗して前記アクチュエータ（８）に対する過大な力を作用させることによって、前記スイッチ操作エレメント（１４）を、フェールセーフ位置に移動させることができ、
前記フェールセーフ位置から、前記スイッチ操作エレメント（１４）を、前記アクチュエータ（８）によって、本装置（１）が前記安全装置（２）の前記ロッキング状態を示す信号を発することになる位置へと、移動させることができず、
前記スイッチ操作エレメント（１４）の前記フェールセーフ位置において、本装置（１）は、前記安全装置（２）が非ロッキング状態であることを示す信号を発することを特徴とする装置。
【請求項２】
前記スイッチ操作エレメント（１４）が所定破断部を有し、前記アクチュエータ（８）に対する前記過大な力によって、前記スイッチ操作エレメント（１４）の第１部分が、前記所定破断部で切り離し可能であることを特徴とする請求項１に記載の装置（１）。
【請求項３】
前記スイッチ操作エレメント（１４）の第２部分が、前記切り離し時に発生する諸力の結果としてクランプされて固定可能、特に前記ロックエレメントにクランプされて固定可能であることを特徴とする請求項２に記載の装置（１）。
【請求項４】
前記所定破断部の位置によって、前記スイッチ操作エレメント（１４）の前記第２部分が、本装置（１）が前記安全装置（２）の前記非ロッキング状態を示す信号を発することになる前記フェールセーフ位置で、クランプされ固定状態にあることを特徴とする請求項３に記載の装置（１）。
【請求項５】
前記スイッチ操作エレメント（１４）が複数の部分で構成されており、切り離し可能な第１部分から残存する第２部分に至る前記移行部が前記所定破断部を形成することを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項６】
前記スイッチ操作エレメント（１４）は前記フェールセーフ位置でロックされており、このロックされているロック位置を、前記アクチュエータ（８）の位置にかかわりなく、維持することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項７】
前記フェールセーフ位置において、前記スイッチ操作エレメント（１４）が、前記スイッチハウジング（２２、２４）内に配置されるロックエレメントと摩擦接合式および／または嵌合式に結合されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項８】
前記アクチュエータ（８）に対する前記過大な力によって、前記スイッチ操作エレメント（１４）を、前記ロックエレメントとクランプ結合させることができることを特徴とする請求項７に記載の装置（１）。
【請求項９】
前記スイッチ操作エレメント（１４）は肉厚部、特に肉厚末端部を有し、前記肉厚部でもって、前記スイッチ操作エレメント（１４）を、前記ロックエレメントとクランプ結合させることができることを特徴とする請求項８に記載の装置（１）。
【請求項１０】
前記ロックエレメントが、前記スイッチ操作エレメント（１４）を運動可能に支承するためのガイドエレメント（３０）によって形成されていることを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項１１】
前記ロックエレメントが、主に末端側に少なくとも１つのスリット（３２）を有するスリーブによって形成されており、前記スイッチ操作エレメント（１４）は前記フェールセーフ位置において前記スリット（３２）に挿入され且つそこでクランプされて固定されることを特徴とする請求項７〜１０のいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項１２】
前記アクチュエータ（８）に対する前記過大な力によって、前記スイッチ操作エレメント（１４）が塑性変形可能であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項１３】
本装置（１）は強制開離接点（１８）を備えた電気スイッチエレメントを有し、前記スイッチ操作エレメント（１４）の前記フェールセーフ位置のとき前記強制開離接点（１８）は「開」にされることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項１４】
本装置（１）は、前記スイッチハウジング（２２、２４）内で、特にスイッチ基部ハウジング（２２）に固定可能なスイッチ頭部ハウジング（２４）内で、回転可能に支承されたカム（１２）を有し、前記カム（１２）に前記スイッチ操作エレメント（１４）が当接して保持されていることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項１５】
前記ガードロッキング機構が電磁石（４０）を有し、前記電磁石（４０）が前記スイッチ操作エレメント（１４）と同軸に配置されていることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項１６】
前記スイッチ操作エレメント（１４）が少なくとも部分的に前記ガードロッキング機構の電磁石（４０）の接極子を形成することを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記載の装置（１）。