【手続補正書】
【提出日】平成25年12月26日(2013.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜構造を有する１つの統合されたユニットとして構成されているセンサペアを具備する静電容量感知システムであって、
前記センサペアのうちの各センサ（３０ａ、３０ｂ）は、１つの第１の絶縁層（３４）の第１の表面上の第１の導電膜から形成されている異なる感知電極（３１ａ、３１ｂ）を有しており、
各センサは、第２の導電膜から形成されている異なる背部ガード電極（３５）を有しており、
前記背部ガード電極は、１つの平面で形成されていて、前記平面に外周部分を備えており、
前記背部ガード電極は、前記第１の絶縁層（３４）の第２の表面と、第２の絶縁層（４３）の第１の表面との上に配置され、
各背部ガード電極の前記外周部分は、各感知電極を越えて延在し、側部ガード電極を形成し、
前記側部ガード電極は、前記感知電極を少なくとも一部囲んでいる、静電容量感知システム。
【請求項２】
前記薄膜構造は、フレキシブルなメンブレンを備える細長い接続部材（１１０）を更に具備しており、
前記フレキシブルなメンブレン上に、導電性トラック（１１４ａ−ｃ）がプリントされ又は付けられていて、
前記導電性トラックは、一方の端部において、前記センサの前記感知電極（３１ａ、３１ｂ）と前記背部ガード電極（３５）とに電気的に接続され、他方の端部において、コネクタ（１１６）に電気的に接続されている、請求項１の静電容量感知システム。
【請求項３】
前記第１の絶縁層（３４）は、
前記感知電極（３１ａ、３１ｂ）が形成されている第１のエリアと、
前記導電性トラック（１１４ａ−ｃ）が形成されている第２の細長いエリアと、
を具備する、請求項１又は２の静電容量感知システム。
【請求項４】
前記薄膜構造は、前記第２の絶縁層（４３）の第２の表面上に配置された統合されたシールド電極（４４）を備える第３の導電膜を更に具備する、請求項１乃至３の何れか１項の静電容量感知システム。
【請求項５】
前記薄膜構造は、フレキシブルなメンブレンを備える細長い接続部材（１１０）を更に具備しており、
前記フレキシブルなメンブレン上に、導電性トラック（１１４ａ−ｅ）がプリントされ又は付けられていて、
前記導電性トラックは、一方の端部において、前記感知電極（３１ａ、３１ｂ）と、前記背部ガード電極（３５ａ、３５ｂ）と、前記シールド電極（４４）とに接続され、他方の端部において、コネクタ（１１６）に接続されている、請求項４の静電容量感知システム。
【請求項６】
前記センサは、三軸ケーブル（３５０）に接続されていて、
前記シールド電極（４４）は、前記三軸ケーブル（３５０）の外側の接地電位の導体（３５３）に電気的に接続されている、請求項４又は５の静電容量感知システム。
【請求項７】
前記静電容量感知システムは、
静電容量のセンサにエネルギを与えるＡＣ電力源（３０６）と、
センサからの信号を処理する信号処理回路（３０１）と、
静電容量のセンサを前記ＡＣ電力源と前記信号処理回路とに接続する三軸ケーブル（３５０）と、
を更に具備しており、
前記三軸ケーブルは、中心の導体（３５１）と、外側の導体（３５２）と、シールドの導体（３５３）とを有しており、
前記中心の導体は、前記ＡＣ電力源を、前記センサの前記感知電極（３１）に電気的に接続し、
前記外側の導体は、前記センサの前記背部ガード電極（３５）に電気的に接続し、
前記シールドの導体は、前記センサから遠く離れた前記三軸ケーブルの端部において、前記センサの前記シールド電極（４４）を前記信号処理回路の接地に電気的に接続する、請求項４乃至６の何れか１項の静電容量感知システム。
【請求項８】
前記センサペアの前記感知電極は、実質的に同じサイズである、請求項１乃至７の何れか１項の静電容量感知システム。
【請求項９】
前記センサペアの前記感知電極間の距離は、前記感知電極のサイズに実質的に等しい、請求項１乃至８の何れか１項の静電容量感知システム。
【請求項１０】
前記センサペアのサイズは、前記センサペアの前記背部ガード電極に実質的に等しい、請求項１乃至９の何れか１項の静電容量感知システム。
【請求項１１】
薄膜構造を具備する静電容量感知システムであって、
前記薄膜構造は、絶縁材料のフレキシブルなベース層を備えており、
前記フレキシブルなベース層上に、複数のセンサが形成されており、
各センサ（３０）は、
第１の絶縁層（３４）と、
前記第１の絶縁層（３４）の第１の表面上に形成されている感知電極（３１）を備える第１の導電膜と、
前記第１の絶縁層の第２の表面と第２の絶縁層（４３）の第１の表面との上に配置された背部ガード電極（３５）を備える第２の導電膜と、
前記第２の絶縁層（４３）の第２の表面上に配置されたシールド電極（４４）を備える第３の導電膜と、
を有しており、
各センサは、構造にマウントされ、三軸ケーブル（３５０）に電気的に接続されており、
前記センサの前記シールド電極は、前記センサから遠く離れた前記三軸ケーブルの端部において接地電位に接続するために、前記三軸ケーブルの外側の導体（３５３）に電気的に接続されており、
前記センサの前記シールド電極は、前記センサの前記構造に電気的に接続されておらず、
前記フレキシブルなベース層は、フレキシブルなコネクタ構造を形成している拡張部分を更に具備しており、
前記フレキシブルなコネクタ構造は、各センサ（３０）の前記電極を、薄膜コネクタ要素（１１０）を介して、前記三軸ケーブル（３５０）の対応する導体に接続する、静電容量感知システム。
【請求項１２】
前記センサの前記電極は、前記薄膜コネクタ要素（１１０）上の導電性トラック（１１４ａ−ｅ）を介して、前記三軸ケーブル（３５０）の前記導体に接続され、
前記導電性トラックは、一方の端部において、少なくとも、前記センサの前記感知電極（３１）と前記背部ガード電極（３５）とに電気的に接続され、他方の端部において、コネクタ（１１６）に電気的に接続されている、請求項１１の静電容量感知システム。
【請求項１３】
前記背部ガード電極（３５）に電気的に接続されている前記導電性トラックの１つ以上は、前記感知電極に接続されている前記導電性トラックに重なり、
外周部分が、前記感知電極に接続されている前記導電性トラックの前記縁部から外側へ延在するように、前記背部ガード電極に電気的に接続されている前記導電性トラックは、より広い、請求項１２の静電容量感知システム。
【請求項１４】
一方の端部において、前記センサのシールド電極（４４）に接続され、他方の端部において、前記三軸ケーブルの外側の接地電位の導体（３５３）に電気的に接続されている、１つ以上の導電性トラック、を更に具備する、請求項１２又は１３の静電容量感知システム。
【請求項１５】
前記シールド電極（４４）に電気的に接続されている前記導電性トラックの１つ以上は、前記背部ガード電極に接続されている導電性トラックと、前記感知電極に接続されている導電性トラックとに重なる、請求項１４の静電容量感知システム。
【請求項１６】
前記第１と第２の絶縁層（３４、４３）は、追加の静電容量のセンサ（３０）と共有される、請求項１乃至１５の何れか1項の静電容量感知システム。
【請求項１７】
前記薄膜構造は、フレキシブルである、請求項１乃至１６の何れか１項の静電容量感知システム。
【請求項１８】
前記第１と第２の絶縁層（３４、４３）は、カプトンのシートを含む、請求項１乃至１７の何れか１項の静電容量感知システム。
【請求項１９】
ターゲットを露光するリソグラフィシステムであって、
露光ビームを前記ターゲット上に集束させる投影レンズシステムと、
前記ターゲットを支える可動台と、
前記投影レンズシステムと前記ターゲットとの間の距離に関連する測定を行なう、請求項１乃至１８の何れか1項に記載の静電容量感知システムと、
前記静電容量感知システムからの信号に少なくとも部分的に基づいて、前記ターゲットの位置を調整するために、前記可動台の動きを制御する制御ユニットと、
を具備する、リソグラフィシステム。
【請求項２０】
薄膜構造を有する１つ以上のセンサを具備する静電容量感知システムであって、
前記薄膜構造は、
前記１つ以上のセンサの各々のための別個の感知電極を具備する第１の導電膜と、
前記１つ以上のセンサの各々のための別個の背部ガード電極を具備する第２の導電膜と、
前記第１の導電膜と前記第２の導電膜の間に配置された第１の絶縁膜とを具備し、
ここで、前記背部ガード電極の外周部分が前記感知電極を越えて横方向に延在し、側部ガード電極を形成し、側部ガード電極が前記感知電極を実質的に囲むように、前記感知電極は前記背部ガード電極よりも小さい、静電容量感知システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５１】
本発明は、上述のある特定の実施形態を参照することによって記載されている。様々な構成と代替例が記載されており、当業者に分かるように、ここに記載されている実施形態の何れかと共に、これらの構成と代替例とを使用してもよいことに留意すべきである。更に、これらの実施形態は、本発明の意図及び範囲から逸脱することなく、当業者に周知の様々な変更及び代わりの形態が可能であることが分かるであろう。従って、特定の実施形態が記載されているが、これらは単に例であって、本発明の範囲を制限していない。本発明の範囲は、請求項において定められている。
以下に、本出願時の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[１]  薄膜構造を有する１つの統合されたユニットとして構成されているセンサペアを具備する静電容量感知システムであって、
前記センサペアのうちの各センサ（３０ａ、３０ｂ）は、１つの第１の絶縁層（３４）の第１の表面上の第１の導電膜から形成されている異なる感知電極（３１ａ、３１ｂ）を有しており、
各センサは、第２の導電膜から形成されている異なる背部ガード電極（３５）を有しており、
前記背部ガード電極は、１つの平面で形成されていて、前記平面に外周部分を備えており、
前記背部ガード電極は、前記第１の絶縁層（３４）の第２の表面と、第２の絶縁層（４３）の第１の表面との上に配置され、
各背部ガード電極の前記外周部分は、各感知電極を越えて延在し、側部ガード電極を形成し、
前記側部ガード電極は、前記感知電極を実質的に又は完全に囲んでいる、静電容量感知システム。
[２]  前記薄膜構造は、フレキシブルなメンブレンを備える細長い接続部材（１１０）を更に具備しており、
前記フレキシブルなメンブレン上に、導電性トラック（１１４ａ−ｃ）がプリントされ又は付けられていて、
前記導電性トラックは、一方の端部において、前記センサの前記感知電極（３１ａ、３１ｂ）と前記背部ガード電極（３５）とに電気的に接続され、他方の端部において、コネクタ（１１６）に電気的に接続されている、前記[１の静電容量感知システム。
[３]  前記第１の絶縁層（３４）は、
前記感知電極（３１ａ、３１ｂ）が形成されている第１のエリアと、
前記導電性トラック（１１４ａ−ｃ）が形成されている第２の細長いエリアと、
を具備する、前記[１又は２の静電容量感知システム。
[４]  前記薄膜構造は、前記第２の絶縁層（４３）の第２の表面上に配置された統合されたシールド電極（４４）を備える第３の導電膜を更に具備する、前記[１]乃至[３]の何れか１項の静電容量感知システム。
[５]  前記薄膜構造は、フレキシブルなメンブレンを備える細長い接続部材（１１０）を更に具備しており、
前記フレキシブルなメンブレン上に、導電性トラック（１１４ａ−ｅ）がプリントされ又は付けられていて、
前記導電性トラックは、一方の端部において、前記感知電極（３１ａ、３１ｂ）と、前記背部ガード電極（３５ａ、３５ｂ）と、前記シールド電極（４４）とに接続され、他方の端部において、コネクタ（１１６）に接続されている、前記[４]の静電容量感知システム。
[６]  前記センサは、三軸ケーブル（３５０）に接続されていて、
前記シールド電極（４４）は、前記三軸ケーブル（３５０）の外側の接地電位の導体（３５３）に電気的に接続されている、前記[４]又は[５]の静電容量感知システム。
[７]  前記静電容量感知システムは、
静電容量のセンサにエネルギを与えるＡＣ電力源（３０６）と、
センサからの信号を処理する信号処理回路（３０１）と、
静電容量のセンサを前記ＡＣ電力源と前記信号処理回路とに接続する三軸ケーブル（３５０）と、
を更に具備しており、
前記三軸ケーブルは、中心の導体（３５１）と、外側の導体（３５２）と、シールドの導体（３５３）とを有しており、
前記中心の導体は、前記ＡＣ電力源を、前記センサの前記感知電極（３１）に電気的に接続し、
前記外側の導体は、前記センサの前記背部ガード電極（３５）に電気的に接続し、
前記シールドの導体は、前記センサから遠く離れた前記三軸ケーブルの端部において、前記センサの前記シールド電極（４４）を前記信号処理回路の接地に電気的に接続する、前記[４]乃至[６]の何れか１項の静電容量感知システム。
[８]  前記センサペアの前記感知電極は、実質的に同じサイズである、前記[１]乃至[７]の何れか１項の静電容量感知システム。
[９]  前記センサペアの前記感知電極間の距離は、前記感知電極のサイズに実質的に等しい、前記[１]乃至[８]の何れか１項の静電容量感知システム。
[１０]  前記センサペアのサイズは、前記センサペアの前記背部ガード電極に実質的に等しい、前記[１]乃至[９]の何れか１項の静電容量感知システム。
[１１]  薄膜構造を具備する静電容量感知システムであって、
前記薄膜構造は、絶縁材料のフレキシブルなベース層を備えており、
前記フレキシブルなベース層上に、複数のセンサが形成されており、
各センサ（３０）は、
第１の絶縁層（３４）と、
前記第１の絶縁層（３４）の第１の表面上に形成されている感知電極（３１）を備える第１の導電膜と、
前記第１の絶縁層の第２の表面と第２の絶縁層（４３）の第１の表面との上に配置された背部ガード電極（３５）を備える第２の導電膜と、
前記第２の絶縁層（４３）の第２の表面上に配置されたシールド電極（４４）を備える第３の導電膜と、
を有しており、
各センサは、構造にマウントされ、三軸ケーブル（３５０）に電気的に接続されており、
前記センサの前記シールド電極は、前記センサから遠く離れた前記三軸ケーブルの端部において接地電位に接続するために、前記三軸ケーブルの外側の導体（３５３）に電気的に接続されており、
前記センサの前記シールド電極は、前記センサの前記構造に電気的に接続されておらず、
前記フレキシブルなベース層は、フレキシブルなコネクタ構造を形成している拡張部分を更に具備しており、
前記フレキシブルなコネクタ構造は、各センサ（３０）の前記電極を、薄膜コネクタ要素（１１０）を介して、前記三軸ケーブル（３５０）の対応する導体に接続する、静電容量感知システム。
[１２]  前記センサの前記電極は、前記薄膜コネクタ要素（１１０）上の導電性トラック（１１４ａ−ｅ）を介して、前記三軸ケーブル（３５０）の前記導体に接続され、
前記導電性トラックは、一方の端部において、少なくとも、前記センサの前記感知電極（３１）と前記背部ガード電極（３５）とに電気的に接続され、他方の端部において、コネクタ（１１６）に電気的に接続されている、前記[１１の静電容量感知システム。
[１３]  前記背部ガード電極（３５）に電気的に接続されている前記導電性トラックの１つ以上は、前記感知電極に接続されている前記導電性トラックに重なり、
外周部分が、前記感知電極に接続されている前記導電性トラックの前記縁部から外側へ延在するように、前記背部ガード電極に電気的に接続されている前記導電性トラックは、より広い、前記[１２]の静電容量感知システム。
[１４]  一方の端部において、前記センサのシールド電極（４４）に接続され、他方の端部において、前記三軸ケーブルの外側の接地電位の導体（３５３）に電気的に接続されている、１つ以上の導電性トラック、を更に具備する、前記[１２]又は[１３]の静電容量感知システム。
[１５]  前記シールド電極（４４）に電気的に接続されている前記導電性トラックの１つ以上は、前記背部ガード電極に接続されている導電性トラックと、前記感知電極に接続されている導電性トラックとに重なる、前記[１４]の静電容量感知システム。
[１６]  前記第１と第２の絶縁層（３４、４３）は、追加の静電容量のセンサ（３０）と共有される、前記[１]乃至[１５の何れか1項の静電容量感知システム。
[１７]  前記薄膜構造は、フレキシブルである、前記[１]乃至[１６]の何れか１項の静電容量感知システム。
[１８]  前記第１と第２の絶縁層（３４、４３）は、カプトンのシートを含む、前記[１]乃至[１７]の何れか１項の静電容量感知システム。
[１９]  ターゲットを露光するリソグラフィシステムであって、
露光ビームを前記ターゲット上に集束させる投影レンズシステムと、
前記ターゲットを支える可動台と、
前記投影レンズシステムと前記ターゲットとの間の距離に関連する測定を行なう、前記[１]乃至[１８]の何れか1項に記載の静電容量感知システムと、
前記静電容量感知システムからの信号に少なくとも部分的に基づいて、前記ターゲットの位置を調整するために、前記可動台の動きを制御する制御ユニットと、
を具備する、リソグラフィシステム。