Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月6日(2012.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リレー受信サブフレームについての情報を取得するステップと、
前記リレー受信サブフレームがＭＢＳＦＮ（Ｍｕｌｔｉｃａｓｔ  Ｂｒｏａｄｃａｓｔ  Ｓｉｎｇｌｅ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）サブフレームであることを端末にシグナリングするステップと、
前記リレー受信サブフレームの間に、基地局からデータを受信するステップと、
を含む、リレー基地局におけるデータリレー方法。
【請求項２】
前記リレー受信サブフレームは、前記基地局によって設定される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記リレー受信サブフレームは、前記リレー基地局によって、または前記基地局と前記リレー基地局との間の連携によって、設定される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記リレー受信サブフレームは、リファレンス信号または制御信号を前記端末に送信するための第１区間と、前記基地局からデータを受信するための第２区間と、を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記リレー基地局は、前記第１区間において、前記端末に、（１）前記リファレンス信号もしくは前記制御信号を送信しない、（２）１つのリファレンス信号もしくは１つの制御信号を送信する、または（３）２つのリファレンス信号もしくは２つの制御信号を送信する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
基地局からリレー基地局への送信のために、リレー受信サブフレームを設定するステップと、
前記リレー受信サブフレームについての情報を、前記リレー基地局に送信するステップと、
前記リレー受信サブフレームの間に、前記リレー基地局にデータを送信するステップと、を備え、
前記リレー受信サブフレームは、ＭＢＳＦＮ（Ｍｕｌｔｉｃａｓｔ  Ｂｒｏａｄｃａｓｔ  Ｓｉｎｇｌｅ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）サブフレームとして構成される、基地局におけるデータ送信方法。
【請求項７】
前記リレー受信サブフレームは、リレー送信のための第１区間と、リレー受信のための第２区間と、を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
リレー基地局からデータを受信するステップと、
ＭＢＳＦＮ（Ｍｕｌｔｉｃａｓｔ  Ｂｒｏａｄｃａｓｔ  Ｓｉｎｇｌｅ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）サブフレームとして構成されるリレー受信サブフレームの間に、前記リレー基地局から、リファレンス信号または制御信号を受信するステップと、を備え、
前記リレー受信サブフレームは、リレー送信のための第１区間と、リレー受信のための第２区間と、を含み、
前記リファレンス信号または前記制御信号は、前記第１区間において、前記リレー基地局から受信される、端末におけるデータ受信方法。
【請求項９】
前記端末は、前記第１区間において、前記リレー基地局から、（１）前記リファレンス信号もしくは前記制御信号を受信しない、（２）１つのリファレンス信号もしくは１つの制御信号を受信する、または（３）２つのリファレンス信号もしくは２つの制御信号を受信する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記リレー受信サブフレームは、基地局によって構成される、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月19日(2012.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の歪み特性を、第１のレリーフ・パターンを有するテンプレートに一致させるステップと、
前記基板と前記テンプレート間の、前記基板上に付着された凝固層を形成する成形可能液体に、前記テンプレート上の前記第１のレリーフ・パターンに対応する第２のレリーフ・パターンを形成するステップを含んだ、前記テンプレート上の前記第１のレリーフ・パターンに対応する第２のレリーフ・パターンを前記基板に転写するステップと、
前記凝固層から前記テンプレートを分離するステップと、
から構成されることを特徴とする基板をパターニングする方法。
【請求項２】
前記基板はインプリント・リソグラフィ基板であり、前記一致させるステップは、前記基板の剛性を前記テンプレートの剛性に一致させるステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記一致させるステップは、前記基板の厚さを前記テンプレートの厚さに一致させるステップを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記テンプレートと前記基板の間に、残余層を形成する余剰の成形可能液体を塗布するステップをさらに有し、
前記一致させるステップは、前記残余層の厚さを変化させることによって前記歪み特性を一致させるステップを含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記一致させるステップは、前記残余層の前記厚さを所定の量だけ増大させることによって前記歪み特性を一致させるステップを含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記転写するステップの前に、前記基板の前記表面に所定の厚さの補強層を塗布するステップをさらに有することを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記補強層は、スピン・オン・ガラス（ＳＯＧ）層であることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記分離するステップは、前記テンプレートが前記凝固層から分離されている間に、前記テンプレートおよび／または前記基板の少なくとも一方に印加される力を修正するステップを含むことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記修正するステップは、前記テンプレートが前記凝固層から分離されている間に前記基板の前記歪み特性が一定のままになるように、前記基板に印加される圧力および／またはた真空力を変化させるステップを含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記修正するステップは、前記第１のレリーフ・パターンのフィーチャ密度に基づいて前記基板および／または前記テンプレートの前記少なくとも一方に印加される圧力および／または真空力を変化させるステップを含むことを特徴とする請求項８または９に記載の方法。
【請求項１１】
前記修正するステップは、
前記テンプレートおよび／または前記基板の前記少なくとも一方に印加される圧力および／または真空力を所定の最高値まで高めるステップと、
初期分離が検出されたときに、前記テンプレートおよび／または前記基板の前記少なくとも一方に印加される圧力および／または真空力を所定の最低値まで減少させるステップを含むことを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記修正するステップは、前記凝固層からの前記テンプレートの前記分離が所定の加速度で行われるように、前記テンプレートおよび／または前記基板の前記少なくとも一方に印加される前記力を修正するステップを含むことを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記凝固層からの前記テンプレートの前記分離が、所定の一定速度で行われるように、前記テンプレートおよび／または前記基板の前記少なくとも一方に印加される前記力を修正するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記修正するステップは、
前記テンプレートに所定の圧力を印加するステップと、
前記凝固層からの前記テンプレートの分離を開始するように設定された、一定かつ前記凝固層に垂直な分離力を印加するステップと、
前記テンプレートに印加される前記所定の圧力を減少させるステップと、
を含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
前記修正するステップは、
前記凝固層から前記テンプレートの分離を開始するように設定された、一定かつ前記凝固層に垂直な分離力を印加するステップと、
分離が始まった後で前記テンプレートおよび／または前記基板の少なくとも一方に真空を印加するステップと、
を含むことを特徴とする請求項８または１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記分離するステップは、
前記テンプレートが前記凝固層から分離されている間に前記テンプレートおよび／または前記基板の少なくとも一方に印加される力をモニタするステップと、
前記基板の前記歪み特性を分析するステップと、
前記分析に基づいてフィードバックを提供するステップと、
前記受け取った前記フィードバックに基づいて、前記テンプレートおよび／または前記基板の少なくとも一方に印加された力を自動調整するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記モニタするステップは、実時間画像を様々な離散的な波長で得るように構成されたハイパースペクトル撮像システムによって実行されることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月6日(2012.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可逆的に抵抗を切り換える金属−絶縁物−金属（ＭＩＭ）スタックを形成する方法であって、
縮退ドープされた半導体材料を含む第１の導電層を形成するステップと、
第１の導電層上に炭素系可逆抵抗スイッチング材料を形成するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、
第１の導電層は、シリコン、ゲルマニウム、およびシリコンゲルマニウム合金のうちの１つ以上を含む方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法において、
第１の導電層は、ボロン、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、亜リン酸、ヒ素およびアンチモンのうちの１つ以上を含む方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、
第１の導電層は、プラズマ強化化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）、熱化学気相成長、低圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）、物理気相成長、および原子層成長法のいずれかで形成される方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法において、
第１の導電層を形成するステップは、シラン、ジシラン、ボロンクロライド、ジボラン、ホスフィン、およびヘリウムガスのうちの１つ以上を使用したＰＥＣＶＤプロセスを使用することを含む方法。
【請求項６】
請求項５記載の方法において、
ＰＥＣＶＤプロセスは、４５０〜６００℃の温度で実行される方法。
【請求項７】
請求項１記載の方法において、
炭素系可逆抵抗スイッチング材料は、ナノ結晶質グラフェン含有アモルファスカーボン、グラフェン、グラファイト、カーボンナノチューブ、アモルファスダイアモンド状カーボン、シリコンカーバイド、およびボロンカーバイドのうちの１つ以上を含む方法。
【請求項８】
メモリセルを形成する方法であって、
請求項１記載の方法にしたがってＭＩＭスタックを形成するステップと、
第１の導電層上に炭素系可逆抵抗スイッチング材料を形成するステップと、
炭素系可逆抵抗スイッチング材料上に第２の導電層を形成するステップと、
を含む方法。
【請求項９】
請求項８記載の方法において、
炭素系可逆抵抗スイッチング材料と結合されたステアリング素子を形成するステップをさらに含む方法。
【請求項１０】
請求項９記載の方法において、
ステアリング素子は、ｐ−ｎまたはｐ−ｉ−ｎダイオードを含む方法。
【請求項１１】
メモリセルであって、
縮退ドープされた半導体材料を含む第１の導電層と、
第１の導電層上の炭素系可逆抵抗スイッチング材料と、
炭素系可逆抵抗スイッチング材料上の第２の導電層と、
を備えるメモリセル。
【請求項１２】
請求項１１記載のメモリセルにおいて、
第１の導電層は、シリコン、ゲルマニウム、およびシリコンゲルマニウム合金のうちの１つ以上を含むメモリセル。
【請求項１３】
請求項１１記載のメモリセルにおいて、
第１の導電層は、ボロン、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、亜リン酸、ヒ素およびアンチモンのうちの１つ以上を含むメモリセル。
【請求項１４】
請求項１１記載のメモリセルにおいて、
第１の導電層は、プラズマ強化化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）、熱化学気相成長、低圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）、物理気相成長、および原子層成長法のいずれかで形成されるメモリセル。
【請求項１５】
請求項１１記載のメモリセルにおいて、
第１の導電層は、シラン、ジシラン、ボロンクロライド、ジボラン、ホスフィン、およびヘリウムガスのうちの１つ以上を使用したＰＥＣＶＤプロセスを使用して形成されるメモリセル。
【請求項１６】
請求項１５記載のメモリセルにおいて、
ＰＥＣＶＤプロセスは、４５０〜６００℃の温度で実行されるメモリセル。
【請求項１７】
請求項１１記載のメモリセルにおいて、
炭素系可逆抵抗スイッチング材料は、ナノ結晶質グラフェン含有アモルファスカーボン、グラフェン、グラファイト、カーボンナノチューブ、アモルファスダイアモンド状カーボン、シリコンカーバイド、およびボロンカーバイドのうちの１つ以上を含むメモリセル。
【請求項１８】
請求項１１記載のメモリセルにおいて、
炭素系可逆抵抗スイッチング材料と結合されたステアリング素子をさらに備えるメモリセル。
【請求項１９】
請求項１８記載のメモリセルにおいて、
ステアリング素子は、ｐ−ｎまたはｐ−ｉ−ｎダイオードを含むメモリセル。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月11日(2012.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ素化エーテルの製造方法であって、
極性非プロトン性溶媒中で、
以下の式により表されるフッ素化アルコール、
Ｘ−Ｒｆ１−ＣＨ２ＯＨ
（式中、
Ｒｆ１は、１個以上の炭素原子が鎖状ヘテロ原子により置換された１〜１０個の炭素原子を有するペルフルオロ化アルキレン基及び１個以上の炭素原子が鎖状ヘテロ原子により置換された１〜１０個の炭素原子を有する部分フッ素化アルキレン基の誘導体からなる群から選択され、Ｒｆ１が少なくとも２個の炭素原子を含む場合、Ｒｆ１は、最大２個の水素原子を含み；
Ｘは、Ｈ、Ｆ、又はＨＯＣＨ２−基を表す）；
以下の式により表されるフッ素化スルホネートエステル、
Ｒｆ２ＣＨ２ＯＳ（＝Ｏ）２Ｒｆ３
（式中、
Ｒｆ２は、１〜１０個の炭素原子を有するペルフルオロ化アルキル基、１〜１０個の炭素原子を有する部分フッ素化アルキル基、及び１個以上の炭素原子が鎖状ヘテロ原子により置換された上記アルキル基の誘導体からなる群から選択され、Ｒｆ２が少なくとも２個の炭素原子を含む場合、Ｒｆ２は、最大３個の水素原子を含み；Ｒｆ３は、１〜４個の炭素原子を有するペルフルオロ化アルキル基からなる群から選択される）；及び
塩基；を組み合わせる工程と、
以下の式により表される少なくとも１つのフッ素化エーテルを得る工程と、
Ｙ−Ｒｆ１−ＣＨ２ＯＣＨ２Ｒｆ２
（式中、Ｙは、Ｈ、Ｆ、又はＲｆ２ＣＨ２ＯＣＨ２−基を表す）を含む、方法。
【請求項２】
以下の式：
Ｙ−Ｒｆ１−ＣＨ２ＯＣＨ２Ｒｆ２
（式中、
Ｒｆ１は、１個以上の炭素原子が鎖状ヘテロ原子により置換された１〜１０個の炭素原子を有するペルフルオロ化アルキレン基の誘導体及び１個以上の炭素原子が鎖状ヘテロ原子により置換された１〜１０個の炭素原子を有する部分フッ素化アルキレン基の誘導体からなる群から選択され、Ｒｆ１が少なくとも２個の炭素原子を含む場合、Ｒｆ１は、最大２個の水素原子を含み；
Ｙは、Ｈ、Ｆ、又はＲｆ２ＣＨ２ＯＣＨ２−基を表し、式中、
Ｒｆ２は、１〜１０個の炭素原子を有するペルフルオロ化アルキル基、１〜１０個の炭素原子を有する部分フッ素化アルキル基、及び１個以上の炭素原子が鎖状ヘテロ原子により置換された上記アルキル基の誘導体からなる群から選択され、Ｒｆ２が少なくとも２個の炭素原子を含む場合、Ｒｆ２は、最大３個の水素原子を含み；
ＹがＦであり、かつＲｆ１及びＲｆ２が両方ペルフルオロ化基である場合、Ｒｆ１又はＲｆ２のうち少なくとも１個が少なくとも３個の炭素原子を有し、
Ｙ−Ｒｆ１−がＨＣＦ２−基を含む場合、Ｒｆ２は、−ＣＦ２Ｈ基を含まない）により表されるフッ素化エーテル。
【請求項３】
請求項２に記載のフッ素化エーテルを含む消火組成物で消火する工程を含む、フッ素化エーテルの使用方法。
【請求項４】
発泡プラスチックの製造中に発泡剤として請求項２に記載のフッ素化エーテルを含む組成物を用いる工程を含む、フッ素化エーテルの使用方法。
【請求項５】
工作物の切削又は研磨中に作動流体として請求項２に記載のフッ素化エーテルを含む組成物を用いる工程を含む、フッ素化エーテルの使用方法。
【請求項６】
フッ素化エーテルを使用する方法であって、以下の式：
Ｙ−Ｒｆ１−ＣＨ２ＯＣＨ２Ｒｆ２
（式中、
Ｒｆ１は、１個以上の炭素原子が鎖状ヘテロ原子により置換された１〜１０個の炭素原子を有するペルフルオロ化アルキレン基の誘導体及び１個以上の炭素原子が鎖状ヘテロ原子により置換された１〜１０個の炭素原子を有する部分フッ素化アルキレン基の誘導体からなる群から選択され、Ｒｆ１が少なくとも２個の炭素原子を含む場合、Ｒｆ１は、最大２個の水素原子を含み；
Ｙは、Ｈ、Ｆ、又はＲｆ２ＣＨ２ＯＣＨ２−基を表し、式中、
Ｒｆ２は、１〜１０個の炭素原子を有するペルフルオロ化アルキル基、１〜１０個の炭素原子を有する部分フッ素化アルキル基、及び１個以上の炭素原子が鎖状ヘテロ原子により置換された上記アルキル基の誘導体からなる群から選択され、Ｒｆ２が少なくとも２個の炭素原子を含む場合、Ｒｆ２は、最大３個の水素原子を含む）により表されるフッ素化エーテルを含む組成物で工作物を洗浄する工程を含む、方法。
【請求項７】
フッ素化エーテルの製造方法であって、
極性非プロトン性溶媒中で、
以下の式により表されるフッ素化アルコール、
Ｚ−Ｒｆ１−ＣＨ２ＯＨ
（式中、
Ｚは、Ｈ又はＦを表し；
Ｒｆ１は、１〜１０個の炭素原子を有するペルフルオロ化アルキレン基、１〜１０個の炭素原子を有する部分フッ素化アルキレン基、及び１個以上の炭素原子が鎖状ヘテロ原子により置換された上記アルキレン基の誘導体からなる群から選択され、Ｒｆ１が少なくとも２個の炭素原子を含む場合、Ｒｆ１は、最大２個の水素原子を含む）；
以下の式により表されるフッ化スルホニル、
Ｒｆ３Ｓ（＝Ｏ）２Ｆ
（式中、Ｒｆ３は、１〜４個の炭素原子を有するペルフルオロ化アルキル基からなる群から選択される）；及び
塩基；を組み合わせる工程と、
以下の式により表されるフッ素化エーテルを得る工程と、
Ｚ−Ｒｆ１−ＣＨ２ＯＣＨ２−Ｒｆ１−Ｚ
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月19日(2012.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種の可燃性有機ポリマー、及び、糖と臭素化脂肪酸とのエステル、を含むブレンド物。
【請求項２】
前記エステルを、前記ブレンド物に０．５〜３０重量部の臭素を供給するに十分な量で含んでいる、請求項１のブレンド物。
【請求項３】
前記可燃性有機ポリマーが、スチレンホモポリマー、スチレン−アクリル酸コポリマー、スチレン−アクリロニトリル（ＳＡＮ）コポリマー、スチレン−アクリロニトリル−ブタジエン（ＡＢＳ）樹脂、又はスチレン−ブタジエンコポリマーである、請求項１又は２のブレンド物。
【請求項４】
前記エステルが次の構造式で表されるものである、請求項１〜３のいずれか１項のブレンド物：
【化１】
2012507529.tif 000001
式中、Ｒは、５〜１６の水酸基を有する単糖類、二糖類又はオリゴ糖から水酸基を取り去った残基であり、各Ｒ1は独立に、直鎖Ｃ11-29アルキル又はアルケニル基であって、少なくとも２つの臭素原子によって置換されており、追加的に不活性な置換基を含んでいてもよく、各Ｒ2は独立に、直鎖で非置換又は不活性に置換されているＣ11-29アルキル又はアルケニル基であって、臭素原子を含まず、追加的に不活性な置換基を含んでいてもよく、ａは少なくとも１であり、ｂは０又は正数であり、ｃは０又は正数であり、ａ＋ｂ＋ｃは単糖類、二糖類又はオリゴ糖の水酸基の数に等しいものとする。
【請求項５】
前記エステルが次の構造式で表されるものである、請求項１〜３のいずれか１項のブレンド物：
【化２】
2012507529.tif 000002
式中、Ｒ4基のうちの少なくとも６つは直鎖Ｃ12-30のカルボン酸エステル基であって、少なくとも２つの臭素原子により置換されており、炭素−炭素不飽和結合及び／又は追加的な不活性置換基を有していてもよく、Ｒ4基のうちの０，１又は２個は、水酸基及び／又は直鎖Ｃ12-30カルボン酸エステル基であって、炭素−炭素不飽和結合及び／又は他の不活性置換基を有していてもよいが臭素基は含まないものとする。
【請求項６】
可燃性有機ポリマーに難燃性を付与する方法であって、可燃性有機ポリマーを、糖と臭素化脂肪酸とのエステルとブレンドすることを含む方法。
【請求項７】
前記エステルを、生成する組成物に０．５〜３０重量部の臭素を供給するのに十分な量で、前記可燃性有機ポリマーとブレンドする、請求項６の方法。
【請求項８】
前記可燃性有機ポリマーが、スチレンホモポリマー、スチレン−アクリル酸コポリマー、スチレン−アクリロニトリル（ＳＡＮ）コポリマー、スチレン−アクリロニトリル−ブタジエン（ＡＢＳ）樹脂、又はスチレン−ブタジエンコポリマーである、請求項６又は７の方法。
【請求項９】
前記エステルが次の構造式で表されるものである、請求項６〜８のいずれか１項の方法：
【化３】
2012507529.tif 000003
式中、Ｒは、５〜１６の水酸基を有する単糖類、二糖類又はオリゴ糖から水酸基を取り去った残基であり、各Ｒ1は独立に、直鎖Ｃ11-29アルキル又はアルケニル基であって、少なくとも２つの臭素原子によって置換されており、追加的に不活性な置換基を含んでいてもよく、各Ｒ2は独立に、直鎖で非置換又は不活性に置換されているＣ11-29アルキル又はアルケニル基であって、臭素原子を含まず、追加的に不活性な置換基を含んでいてもよく、ａは少なくとも１であり、ｂは０又は正数であり、ｃは０又は正数であり、ａ＋ｂ＋ｃは単糖類、二糖類又はオリゴ糖の水酸基の数に等しいものとする。
【請求項１０】
前記エステルが次の構造式で表されるものである、請求項６〜８のいずれか１項の方法：
【化４】
2012507529.tif 000004
式中、Ｒ4基のうちの少なくとも６つは直鎖Ｃ12-30のカルボン酸エステル基であって、少なくとも２つの臭素原子により置換されており、炭素−炭素不飽和結合及び／又は追加的な不活性置換基を有していてもよく、Ｒ4基のうちの０，１又は２個は、水酸基及び／又は直鎖Ｃ12-30カルボン酸エステル基であって、炭素−炭素不飽和結合及び／又は他の不活性置換基を有していてもよいが臭素基は含まないものとする。
【請求項１１】
可燃性ポリマーの発泡体を製造する方法であって、（Ａ）可燃性有機ポリマー、（Ｂ）難燃量の少なくとも１種の糖と臭素化脂肪酸とのエステル、及び（Ｃ）発泡剤、の加圧溶融混合物を形成する工程、並びに、前記混合物を減圧領域に押出して、前記混合物を発泡させ冷却させて成分（Ｂ）を含む発泡ポリマーを形成させる工程、を含む方法。
【請求項１２】
前記発泡体が、該発泡体中に０．５〜３０重量部の臭素を供給するのに十分な量で、前記エステルを含んでいる、請求項１１の方法。
【請求項１３】
前記可燃性有機ポリマーが、スチレンホモポリマー、スチレン−アクリル酸コポリマー、スチレン−アクリロニトリル（ＳＡＮ）コポリマー、スチレン−アクリロニトリル−ブタジエン（ＡＢＳ）樹脂、又はスチレン−ブタジエンコポリマーである、請求項１１又は１２の方法。
【請求項１４】
前記エステルが次の構造式で表されるものである、請求項１１〜１３のいずれか１項の方法：
【化５】
2012507529.tif 000005
式中、Ｒは、５〜１６の水酸基を有する単糖類、二糖類又はオリゴ糖から水酸基を取り去った残基であり、各Ｒ1は独立に、直鎖Ｃ11-29アルキル又はアルケニル基であって、少なくとも２つの臭素原子によって置換されており、追加的に不活性な置換基を含んでいてもよく、各Ｒ2は独立に、直鎖で非置換又は不活性に置換されているＣ11-29アルキル又はアルケニル基であって、臭素原子を含まず、追加的に不活性な置換基を含んでいてもよく、ａは少なくとも１であり、ｂは０又は正数であり、ｃは０又は正数であり、ａ＋ｂ＋ｃは単糖類、二糖類又はオリゴ糖の水酸基の数に等しいものとする。
【請求項１５】
前記エステルが次の構造式で表されるものである、請求項１１〜１３のいずれか１項の方法：
【化６】
2012507529.tif 000006
式中、Ｒ4基のうちの少なくとも６つは直鎖Ｃ12-30のカルボン酸エステル基であって、少なくとも２つの臭素原子により置換されており、炭素−炭素不飽和結合及び／又は追加的な不活性置換基を有していてもよく、Ｒ4基のうちの０，１又は２個は、水酸基及び／又は直鎖Ｃ12-30カルボン酸エステル基であって、炭素−炭素不飽和結合及び／又は他の不活性置換基を有していてもよいが臭素基は含まないものとする。
【請求項１６】
請求項１１〜１５のいずれか１項の方法によって製造された押出可燃性有機ポリマー発泡体。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年8月10日(2012.8.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
本発明の目的のために、コンパウンドは、ポリマー及び添加剤を含む組成物であり、該添加剤は、所望の最終濃度で最終用途又は最終物品におけるコンパウンドに存在し、そして該ポリマーは、最終用途又は最終物品の所望のポリマーであり、そのため、該コンパウンドは、物理的な成形プロセスによって、単に最終用途又は最終物品の所望の形状にされる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
既知の組成物および既知の方法は、上記で述べた通り、産業界における現今の要求の全ては満たしていない。現今の要求を満たし、特には、ポリマーの押出の間に、要求される粘度、充填量および処理量を可能にしかつ利用可能にする、プロフィルまたは物品を製造するための改良された方法が必要とされている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
Ｒ３及びＲ４は、同一又は異なって、それぞれ、互いに独立して、中央の原子Ｍ１と一緒にサンドイッチ構造を形成できる、単環式、又は多環式炭化水素基である。Ｒ３及びＲ４は、好ましくは、シクロペンタジエニル、インデニル、テトラヒドロインデニル、ベンズインデニル、又はフルオレニルであり、それらの基本骨格が追加的な置換基を有するか、又は互いに架橋できるものである。さらに、基Ｒ３及びＲ４の一方は、Ｒ２４がＲ１７の意味のうちの一つを有し、そして好ましくはメチル、ｔｅｒｔ−ブチル又はシクロヘキシルである場合に、置換された窒素原子であることができる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０は、同一又は異なって、それぞれ、互いに独立して、水素原子、好ましくはフッ素原子、塩素原子、又は臭素原子、Ｃ１−Ｃ１０−、好ましくはＣ１−Ｃ４−アルキル基、Ｃ６−Ｃ１０−、好ましくはＣ６−Ｃ８−アリール基、Ｃ１−Ｃ１０−、好ましくはＣ１−Ｃ３−アルコキシ基、−ＮＲ１６２、−ＳＲ１６、−ＯＳｉＲ１６３、−ＳｉＲ１６３又は−ＰＲ１６２基（式中、Ｒ１６は、Ｃ１−Ｃ１０−、好ましくはＣ１−Ｃ３−アルキル基又はＣ６−Ｃ１０−、好ましくはＣ６−Ｃ８−アリール基である。）、又は、Ｓｉ−又はＰ−含有基の場合には、ハロゲン原子、好ましくは塩素原子であることもでき、あるいは、二つの隣接する基Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９又はＲ１０は、それらを結合する炭素原子と一緒に環を形成する。特に好ましいリガンドは、基本骨格の置換化合物である、シクロペンタジエニル、インデニル、テトラヒドロインデニル、ベンズインデニル又はフルオレニルである。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１４】
好ましくは、触媒残存含有量２０重量％以下、特に好ましくは８重量％以下、特に５重量％以下、就中３重量％以下を有するＣＮＴが与えられ、ここでそれぞれの場合の重量％とは、ＣＮＴの全重量に基づく。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２２】
好ましいグラファイトは、ＤＩＮ  ５３６０１に従って測定されたジブチルフタレート（ＤＢＰ）の油吸収、ＤＢＰ３０〜３００ｇ／１００ｇ、特に好ましくはＤＢＰ４０〜１７０ｇ／１００ｇ、特にＤＢＰ５０〜１５０ｇ／１００ｇを有する。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１４６】
組成物ＺがマスターバッチＭＢである場合、組成物Ｚは好ましくは、
成分Ａを２〜６０重量％、
成分Ｄを５〜５０重量％、
成分Ｆを０．５〜５０重量％、
少なくとも１つのさらなる物質、好ましくは成分Ｂおよび／またはＰを０〜９２．５重量％、
より好ましくは、
成分Ａを２〜６０重量％、
成分Ｄを５〜３５重量％、
成分Ｆを１．５〜４０重量％、
少なくとも１つのさらなる物質、好ましくは成分Ｂおよび／またはＰを０〜９１．５重量％、
さらにより好ましくは、
成分Ａを２〜３５重量％、
成分Ｄを５〜２５重量％、
成分Ｆを７．５〜１５重量％、
少なくとも１つのさらなる物質、好ましくは成分Ｂおよび／またはＰを０〜８５．５重量％、
特に好ましくは、
成分Ａを１０〜３５重量％、
成分Ｄを５〜２５重量％、
成分Ｆを７．５〜１５重量％、
少なくとも１つのさらなる物質、好ましくは成分Ｂおよび／またはＰを０〜７７．５重量％、
を含有し、
ここで、それぞれにおける重量％は、組成物Ｚの全重量に基づき、好ましくは、成分Ａ、ＤおよびＦならびに任意の少なくとも１つのさらなる物質の重量パーセントは常に、合計で１００％になる。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１８８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１８８】
押出機のトルク（Ｎｍで）及び押出機ヘッド部における溶融圧（バールで）は、その機械の表示装置で読み取ったものであり、そして溶融物の押出機における粘度又は流動性の測定値である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年10月24日(2012.10.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】プロピレン−オレフィン−コポリマーワックス及びカーボンブラックを含む組成物
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
ＣＢを添加剤として含み、そして導電性ポリオレフィンを製造するのに使用されるマスターバッチ及び／又は配合物は、要求される次の要件を満たさなくてはならない：すなわち組成物は、良好な加工性を付与するために非常に低い粘度を有すべきであり、組成物は、高い充填量、すなわち、ＣＢの高い濃度を有すべきであり、ここでその濃度とは、別途指示しない限り、組成物の全重量に基づく重量％による、ＣＢの重量％で特徴付けられ、そして、それは、最終物品において所望の導電性を設定可能であるべきである。更なる要件とは：マスターバッチの場合における高い熱伝導性、最終用途又は最終物品のポリマーとの良好な混和性及び相溶性、更にマスターバッチ及び／又は化合物中への良好なＣＢの分散性、最終物品の機械特性及び熱特性、特に衝撃強度、引張り強度、又は熱変形抵抗に対する非常に小さい悪影響である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９０】
ＣＮＴとグラファイトとの重量比は、好ましくは、１：９９〜９９：１、特に好ましくは１：９０〜９０：１、特に１：８５〜１：１である。
グラファイトとＣＢとの重量比は、好ましくは、１：９９〜９９：１、特に好ましくは１９：１〜１：１９、特に１０：１〜１：１である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９８】
組成物Ｚは、更なる物質として成分Ｃを好ましく含み、該成分Ｃは、１つ又はより多くの、好ましくは１つ、２つ又は３つ、より好ましくは１つの分散剤である。好ましい分散剤は、Ｃ１０−３０アルコール、特にＣ１０−３０アルコールの極性の酸エステルである、特にＣ１０−３０アルキルスルホネート、ネオアルコキシチタネート、ネオアルコキシジルコネート、モノアルコキシチタネート又はモノアルコキシジルコネートである。さらに好ましくは、成分Ｃは、アルキルスルホン酸ナトリウム、さらにより好ましくは、Ｃ１０−１８−アルキルスルホン酸ナトリウムである。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０５】
成分Ｄのこれらワックスは、酸化されるか又はグラフト化されることもできる。好ましくは、５〜３０ｍｇＫＯＨ／ｇの酸価を有する、酸化されたポリエチレンワックスが好ましい。好ましくは、グラフト化は、０．５〜１０重量％の無水マレイン酸によって行われ、ここで重量％は、使用される出発材料及び無水マレイン酸の重量の合計に基づき、より好ましくは、そのグラフト化は、メタロセンポリエチレンワックス又はメタロセンプロピレンホモポリマーワックスに対して行われる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１４３】
マスターバッチＭＢの場合、混合は、好ましくは８０〜２００℃、特に好ましくは１００〜１８０℃、特に１１０〜１５０℃の温度で遂行され、導電性ポリマーＣＰの場合、混合は、好ましくは８０〜３００℃、特に好ましくは１００〜２８０℃の温度で遂行される。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１４８】
さらに、本発明は導電性ポリマーＣＰのための、又は導電性ポリマーＣＰとしての組成物Ｚの製造のための使用を提供する。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１５９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１５９】
さらに、組成物Ｚは、特に、機械的強化のための、及び電気伝導性を高めるための、ポリマー中の添加剤、又はポリマーとしての使用、ガス貯蔵及びエネルギー貯蔵における使用、着色のための材料としての使用、難燃剤としての使用、電極材料としての、又はコンダクタトラック（ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｔｒａｃｋｓ）及び導電性構造体を製造するための使用、及びディスプレイにおけるエミッタとしての使用に適している。組成物Ｚは、電気伝導率又は熱伝導率、及び機械特性を高めるためのポリマー、セラミック、又は金属複合材料中への使用、又はそれらとしての使用、導電膜及び複合材料を製造するための使用、又は導電膜及び複合材料としての使用、着色剤としての使用、電池中、コンデンサー中、ディスプレイ中（例えば、フラットスクリーンディスプレイ）又は蛍光体中での使用、誘電トランジスタとしての使用、貯蔵媒体、例えば、水素又はリチウム用貯蔵媒体としての使用、膜、例えば、ガス浄化のための膜中での使用、触媒として又は支持材料、例えば、化学反応における触媒活性成分としての使用、燃料電池中での使用、医療分野、例えば、細胞組織の成長制御のフレームワークとしての使用、診断分野での、例えば、マーカーとしての使用、及び化学分析並びに物理分析（例えば、原子力顕微鏡）での使用に適しており；
導電性ポリマー及び導電性ポリマーから作製された物品を製造するための、又は導電性ポリマー及び導電性ポリマーとしての爆発保護における使用、
静電粉体塗装によって着色できる、導電性ポリマー及び導電性ポリマーから作製された物品を製造するための、又は導電性ポリマー及び導電性ポリマーとしての使用、
導電性ポリマーを製造するための、又は導電性ポリマーとしての使用であり、該導電性ポリマーからは、たとえあったとしても極僅かな静電気放電製しか示さない包装物が製造され、
燃料電池におけるバイポーラプレートとして使用される、導電性ポリマー、好ましくは導電性ポリオレフィンを製造するための、又は導電性ポリマー、好ましくは導電性ポリオレフィンとしての使用、
に適している。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１８６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１８６】
成分Ｆ１：  金属含有率１１％及び融点１２０℃を有するステアリン酸亜鉛。
成分Ｆ２：  灰分１０％及び融点１５５℃を有するステアリン酸カルシウム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月26日(2012.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコーンポリマー材料に組み込むための表面官能化ナノ粒子を生成する方法であって、
成長するナノ粒子を、ナノ粒子結合基及びシリコーンポリマー結合基を含有するナノ粒子表面結合配位子と反応させることを含み、
前記反応は、ナノ粒子の成長が可能で、前記表面結合配位子を成長するナノ粒子に結合させることができる条件下にあるその場で実施することにより、前記表面官能化ナノ粒子を生成する方法。
【請求項２】
表面結合配位子を成長するナノ粒子に結合させることができる条件下で、成長するナノ粒子をナノ粒子表面結合配位子の中で合成することを含み、前記表面官能化ナノ粒子を生成する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
表面結合配位子のシリコーン結合基は架橋基又は重合基を含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
表面結合配位子のシリコーン結合基は少なくとも１つの不飽和アルキル基を含む、請求項１、２又は３に記載の方法。
【請求項５】
表面結合配位子のシリコーン結合基は２つ以上のビニル基を含む、請求項１、２、３又は４に記載の方法。
【請求項６】
表面結合配位子のナノ粒子結合基は、硫黄、窒素、酸素及びリンから成る群から選択される原子を含有する、請求項１乃至５の何れかに記載の方法。
【請求項７】
表面結合配位子のナノ粒子結合基は、チオール、酸基、エステル基又はそれらの塩を含有する、請求項１乃至５の何れかに記載の方法。
【請求項８】
表面結合配位子のナノ粒子結合基は、ヒドロキシド、ヒドロキシド塩、アルコキシド、アルコキシド塩、カルボン酸、カルボン酸エステル、カルボン酸塩、アミン、アンモニウム塩、ニトロ、ポリエチレングリコール、スルホン酸、スルホン酸エステル、スルホン酸塩、リン酸、リン酸エステルおよびリン酸塩から成る群から選択される種を含む、請求項１乃至５の何れかに記載の方法。
【請求項９】
表面結合配位子のナノ粒子結合基とシリコーンポリマー結合基とはリンカーによって結合される、請求項１乃至８の何れかに記載の方法。
【請求項１０】
前記リンカーは、共有結合；炭素、窒素、酸素もしくは硫黄原子；置換もしくは無置換、飽和もしくは不飽和の脂肪族基または脂環基；及び置換もしくは無置換の芳香族基、から成る群から選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記反応は、前記ナノ粒子表面結合配位子とは異なる溶媒の中で実施される、請求項１乃至１０の何れかに記載の方法。
【請求項１２】
前記溶媒はルイス塩基化合物である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ルイス塩基化合物は、ＨＤＡ、ＴＯＰ、ＴＯＰＯ、ＤＢＳ、オクタノールなどから成る群から選択される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ナノ粒子は半導体ナノ粒子である、請求項１乃至１３の何れかに記載の方法。
【請求項１５】
前記ナノ粒子はコア、コア−シェル又はコア−マルチシェルのナノ粒子である、請求項１乃至１４の何れかに記載の方法。
【請求項１６】
前記ナノ粒子は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＰ、ＡｌＳ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ及びそれらの組合せから成る群の中の１または複数の半導体材料を含む、請求項１乃至１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
請求項１乃至１６の何れかに記載の方法を用いて生成される表面官能化ナノ粒子であって、ナノ粒子表面結合配位子に結合するナノ粒子を含み、前記配位子は、ナノ粒子結合基及びシリコーンポリマー結合基を含有する、表面官能化ナノ粒子。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月20日(2012.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
このような(A)成分は、平均単位式(1)：RaSiO(4-a)/2  （式中、Rは炭素原子数2〜8のアルケニル基、メチル基およびフェニル基であり、それらの少なくとも２０モル％がフェニル基であり、aは0.5〜2.2の正数である。）で示されるものが好ましい。Rである炭素原子数2〜8のアルケニル基は、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基が例示されるが、(A)成分の製造容易性とヒドロシリル化反応性の点でビニル基が好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上記(A)成分は、本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物および光半導体素子封止剤の硬化性と硬化物の特性上、（A1）平均単位式(2)：RdSiO(4-d)/2   (2)
（式中、Rは炭素原子数2〜8のアルケニル基、メチル基およびフェニル基であり、それらの少なくとも２０モル％がフェニル基であり、dは1.9〜2.2の正数である。）で示され、ジフェニルシロキサン単位が総シロキサン単位の５モル％以下であり、１分子当たり少なくとも２個の炭素原子数2〜8のケイ素原子結合アルケニル基を有し、２５℃での粘度が１０〜１００,０００ｍPa・ｓである常温で液状メチルフェニルアルケニルポリシロキサンと、（A2）平均単位式(3)： ReSiO(4-e)/2   (3)
（式中、Rは炭素原子数2〜8のアルケニル基、メチル基およびフェニル基であり、それらの少なくとも２０モル％がフェニル基であり、eは0.5〜1.7の正数である。）で示され、ジフェニルシロキサン単位が総シロキサン単位の５モル％以下であり、１分子当たり少なくとも２個の炭素原子数2〜8のケイ素原子結合アルケニル基を有し、常温で固体状のオルガノポリシロキサンレジンとの混合物である｛混合物中、（A1）成分が９９〜３０重量％であり、（A2）成分が１〜７０重量％であり、合計１００重量％である｝であることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
かかる(A)成分は、定法である平衡化重合反応や共加水分解縮合反応により合成し、揮発分を除去することにより製造される。例えば、環状メチルフェニルシロキサンオリゴマーを分子鎖末端封鎖剤（例えば、1,3-ジビニルテトラメチルジシロキサン、1,3-ジビニル-1,3-ジフェニルジメチルジシロキサン）と重合触媒（例えば、水酸化カリウム、カリウムジメチルシロキサノレート、水酸化テトラメチルアンモニウムまたはテトラメチルアンモニウムジメチルシロキサレート）存在下で加熱して平衡化重合し、重合触媒を中和または熱分解し、次いで、加熱減圧下で１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンを除去することにより製造することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
このような本発明のヒドロシリル化反応硬化性オルガノポリシロキサン組成物および光半導体封止剤であって、１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンの合計含有量が５重量％以下であるものは、接着促進剤を含有しなくてもスチール、ステンレススチール、アルミニウム、銅、銀、チタン、チタン合金等の金属；シリコン半導体、ガリウムリン系半導体、ガリウム砒素系半導体、ガリウムナイトライド系半導体などの半導体素子；セラミック、ガラス、熱硬化性樹脂、極性基を有する熱可塑性樹脂などに対する初期接着性、接着耐久性、特には冷熱サイクルを受けたとき接着耐久性が優れているので、電気・電子用の接着剤、ポッティング剤、エンキャプシュラント、保護コーティング剤、アンダーフィル剤などとして有用である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月26日(2012.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スタチンまたはその誘導体の少なくとも1種の分子から構成され、少なくとも18個の炭素原子を含みかつ以下の式:
【化１】
2012507503.tif 000001
によって表される少なくとも１つの単位を含有する少なくとも１つの炭化水素系基に共有結合した複合体。
【請求項２】
炭化水素系化合物が、18〜40個の炭素原子を含む、請求項1に記載の複合体。
【請求項３】
炭化水素系化合物が、18〜32個の炭素原子を含む、請求項2に記載の複合体。
【請求項４】
炭化水素系基が、以下の式(I):
【化２】
2012507503.tif 000002
(式中、
- m1=1、2、3、4、5または6であり、
- m2=0、1、2、3、4、5または6であり、
【化３】
2012507503.tif 000003
は、スタチンまたはその誘導体の分子への結合を表し、m2が0を表すとき、m1は少なくとも2を表すことが理解される)
の基によって表される、請求項1から3のいずれか一項に記載の複合体。
【請求項５】
炭化水素系基が、式(I)の基であり、式中、m1が1を表し、m2が2を表す、請求項1から4のいずれか一項に記載の複合体。
【請求項６】
スタチンまたはその誘導体の分子が、4-ヒドロキシ-6-オキソ-2H-ピラン系またはそのジヒドロキシ酸形態と、親油性部分とを含む、請求項1から5のいずれか一項に記載の複合体。
【請求項７】
親油性部分が、多置換ヘキサヒドロナフタレンまたは多置換ヘテロ芳香族系として存在する、請求項6に記載の複合体。
【請求項８】
スタチンから誘導される分子が、以下の式(IIa)、(IIb)または(IIc):
【化４】
2012507503.tif 000004
(式中、
- Raは、アリールまたはヘテロアリール基を表し、1個または複数のR基によって任意に置換されており、
- Rは、ヒドロキシル基、C1〜C6アルキル基、C1〜C6アルコキシ基、-O-C(O)C1〜C6アルキル基、フェニル、-NR1R2基、-C(O)NR1R2基または-C(O)OR3基を独立して表し、前記アルキルおよびフェニル基は、1個もしくは複数のハロゲン原子または1個もしくは複数のヒドロキシル基によって任意に置換されており、
- R1およびR2は、互いに独立して、水素原子、C1〜C6アルキル基、-SO2-C1〜C6アルキルまたはフェニルを表し、前記C1〜C6アルキルおよびフェニル基は、1個もしくは複数のハロゲン原子または1個もしくは複数のヒドロキシル基によって任意に置換されており、
- R3は、水素原子、あるいは1個もしくは複数のハロゲン原子または1個もしくは複数のヒドロキシル基によって任意に置換されたC1〜C6アルキルを表す)
によって表される、塩基の形態、または酸との付加塩の形態、ならびにさらには水和物または溶媒和物の形態、ならびにさらにはそのエナンチオマーおよびジアステレオ異性体の形態、ならびにその混合物の形態である、請求項1から7のいずれか一項に記載の複合体。
【請求項９】
スタチンから誘導される分子が、アトルバスタチン、ロバスタチン、シムバスタチン、プラバスタチン、フルバスタチンおよびロスバスタチンから選択される、請求項1から8のいずれか一項に記載の複合体。
【請求項１０】
前記複合体を形成する2種の構成要素が、エステル、エーテル、チオエーテル、ジスルフィド、ホスフェートまたはアミドタイプの共有結合によって結合している、請求項1から9のいずれか一項に記載の複合体。
【請求項１１】
以下の式(III):
【化５】
2012507503.tif 000005
(式中、
- Xは、単一の共有結合またはエステル、エーテル、チオエーテル、ジスルフィド、ホスフェートもしくはアミドタイプの官能基を表し、
- L1およびL2は、互いに独立して、単一の共有結合またはC1〜C4アルキレン基を表し、
- Raは、式(IIa)、(IIb)または(IIc)の化合物で定義した通りであり、m1およびm2は、式(I)の化合物で定義した通りであり、
【化６】
2012507503.tif 000006
は、不飽和中心の場合による存在を表す)
の化合物によって表される、塩基の形態、または酸との付加塩の形態、ならびにさらには水和物または溶媒和物の形態、ならびにさらにはそのエナンチオマーおよびジアステレオ異性体の形態、ならびにその混合物の形態である、請求項1から10のいずれか一項に記載の複合体。
【請求項１２】
水性媒体の存在下にあるとき、ナノ粒子の形態で自発的に組織化する能力を有することを特徴とする、請求項1から11のいずれか一項に記載の複合体。
【請求項１３】
請求項1から12のいずれか一項に記載の複合体のナノ粒子。
【請求項１４】
その平均サイズが、30〜500nmの範囲である、請求項13に記載のナノ粒子。
【請求項１５】
その平均サイズが、50〜250nmの範囲である、請求項13または14に記載のナノ粒子。
【請求項１６】
その平均サイズが、100〜400nmの範囲である、請求項13から15のいずれか一項に記載のナノ粒子。
【請求項１７】
4-(N)-スクアレノイルプラバスタチンの、請求項13から16のいずれか一項に記載のナノ粒子。
【請求項１８】
請求項13から17のいずれか一項に記載のナノ粒子を調製するための方法であって、少なくとも、
- 請求項1から12のいずれか一項に記載の複合体の、少なくとも1種の有機溶媒への分散工程であって、得られる混合物が水相に撹拌されながら添加されるとき前記水相中の懸濁物において前記複合体のナノ粒子の瞬間形成を達成するのに十分な濃度での分散工程を含み、
- 必要に応じて、前記ナノ粒子の単離工程
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１９】
凍結乾燥工程も含む、請求項18に記載の調製方法。
【請求項２０】
請求項1から12のいずれか一項に記載の少なくとも1種の複合体及び／または請求項13から17のいずれか一項に記載の少なくともナノ粒子を含む凍結乾燥物。
【請求項２１】
請求項1から12のいずれか一項に記載の少なくとも1種の複合体及び／または請求項13から17のいずれか一項に記載の少なくともナノ粒子を含む医薬組成物であって、前記複合体及び／または前記ナノ粒子が、任意に、請求項20に定義した凍結乾燥物の形態で、少なくとも1種の許容される薬学的ビヒクルと組み合わされている、医薬組成物。
【請求項２２】
請求項1から12のいずれか一項に記載の複合体及び／または請求項13から17のいずれか一項に記載のナノ粒子であって、任意に、請求項20に定義した凍結乾燥物の形態での、高脂血症、高コレステロール血症の治療及び／または予防のための、複合体及び／またはナノ粒子。
【請求項２３】
請求項22に規定される複合体及び／またはナノ粒子であって、任意に、請求項20に定義した凍結乾燥物の形態での、心血管疾患、肥満、異脂肪症の治療及び／または予防のための、複合体及び／またはナノ粒子。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月29日(2012.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
排便を誘発するために、直腸に投与するための座薬の形態にある医薬品剤形であって、前記剤形は活性成分として、Ｃ４〜Ｃ３６の範囲の炭素鎖長を有する１以上の飽和または不飽和の脂肪酸を含む１以上の脂肪酸を含む、医薬品剤形。
【請求項２】
前記１以上の脂肪酸は、遊離脂肪酸、脂肪酸エチルエステルおよび脂肪酸モノグリセリドから選択される形態にある、請求項１に記載の医薬品剤形。
【請求項３】
前記１以上の脂肪酸は、少なくとも約２０重量％の不飽和脂肪酸を含み、かつそのうちの少なくとも約５重量％は多価不飽和脂肪酸である脂肪酸の混合物を含む、請求項１または請求項２に記載の医薬品剤形。
【請求項４】
前記脂肪酸の混合物は、サフラワー油、トウモロコシ油、アーモンド油、ゴマ油、大豆油、アマニ油、菜種油、ブドウ種子油、ヒマワリ油、小麦胚芽油、大麻油、およびいずれかのこれらの混合物からなる群から選択される植物油から誘導される脂肪酸を含む、請求項３に記載の医薬品剤形。
【請求項５】
前記脂肪酸の混合物は海洋生物由来の脂肪酸を含む、請求項３に記載の医薬品剤形。
【請求項６】
前記脂肪酸の混合物は、タラ肝油、マグロ油を含めた魚肝油；ニシン、カラフトシシャモ、サバ、メンハーデン、イワシ、カタクチイワシ、アジ、アオギス、およびマグロ由来の肉または粉末を含めた魚肉または魚粉；プランクトン生物、イカおよび軟体動物、ならびにいずれかのこれらの混合物から選択される動物源から誘導される海産動物油からなる群から選択される海洋生物物質から誘導される、請求項５に記載の医薬品剤形。
【請求項７】
５０〜２０００ｍｇの範囲の脂肪酸を含む、請求項１に記載の医薬品剤形。
【請求項８】
１００〜７５０ｍｇの範囲の脂肪酸を含む、請求項１に記載の医薬品剤形。
【請求項９】
約５重量％〜７５重量％の範囲の脂肪酸を含む、請求項１に記載の医薬品剤形。
【請求項１０】
１０〜５０重量％の範囲の脂肪酸を含み、かつ５〜２５重量％の範囲のトリアシルグリセリド油をさらに含む、請求項１に記載の医薬品剤形。
【請求項１１】
シクロデキストリンをさらに含む、請求項１に記載の医薬品剤形。
【請求項１２】
直腸投与により排便のプロセスを誘発するための医薬として使用するための脂肪酸または脂肪酸の混合物であって、遊離脂肪酸、脂肪酸エチルエステルおよび脂肪酸モノグリセリドから選択される形態にあり、Ｃ４〜Ｃ３６の範囲の炭素鎖長を有する１以上の飽和または不飽和の脂肪酸を含む、脂肪酸または脂肪酸の混合物。
【請求項１３】
２０重量％超の不飽和脂肪酸を含み、かつ前記不飽和脂肪酸のうちの５重量％超は多価不飽和脂肪酸である脂肪酸の混合物の形態にある、請求項１２に記載の脂肪酸。
【請求項１４】
遊離脂肪酸への魚油グリセリドの加水分解によって魚油から誘導される脂肪酸混合物を含む、請求項６に記載の医薬品剤形。
【請求項１５】
約５〜７５重量％の範囲の１以上の脂肪酸を活性成分として含み、前記脂肪酸はシクロデキストリンとの錯体として調合されている、請求項１１に記載の医薬品剤形。
【請求項１６】
前記脂肪酸は遊離脂肪酸の形態にある、請求項１５に記載の医薬品剤形。