(57)【要約】【課題】ドライエッチングによる洗浄方法を採用し、小型化・低背化された圧電振動デバイスのセラミック多層基板に対するショートの問題をなくし、圧電振動板やＩＣなどの回路素子の電気的な接続の信頼性をより一層向上する。【解決手段】圧電振動子を搭載する搭載台１３と、これら搭載台を囲む側壁１４を具備してなるセラミック多層基板１を形成し、前記搭載台の上部に前記側壁から隔離した状態で電極端子１６、１６を形成し、当該搭載台の各電極端子にセラミック多層基板の底面側へ導出するビアを形成してなるセラミック多層基板を製造する工程の後に、前記セラミック多層基板の開口部から前記各電極端子をドライエッチングしてなる工程と、前記搭載台の各電極端子に導電性接合材を介して圧電振動子３を電気的に接続する圧電振動子搭載工程とを経て製造されてなる。【選択図】  図１
2004356687.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電振動子を電気的に接続してなる電極端子が形成されたセラミック多層基板とを具備してなる圧電振動デバイスの製造方法であって、
圧電振動子を搭載する搭載台と、これら搭載台を囲む側壁を具備してなるセラミック多層基板を形成し、前記搭載台の上部に前記側壁から隔離した状態で電極端子を形成し、当該搭載台の各電極端子にセラミック多層基板の底面側へ導出するビアを形成してなるセラミック多層基板を製造する工程の後に、
前記セラミック多層基板の開口部から前記各電極端子をドライエッチングしてなる工程と、
前記搭載台の各電極端子に導電性接合材を介して圧電振動子を電気的に接続する圧電振動子搭載工程とを経て製造されてなることを特徴とする圧電振動デバイスの製造方法。
【請求項２】
圧電振動子と、当該圧電振動子とともに圧電発振回路を構成するＩＣと、これらを電気的に接続してなる電極端子が形成されたセラミック多層基板とを具備してなる圧電振動デバイスの製造方法であって、
ＩＣを搭載する収納部と、圧電振動子を搭載する搭載台と、これら収納部、ならびに搭載台を囲む側壁を具備してなるセラミック多層基板を形成し、前記収納部の上部に電極端子を形成し、前記搭載台の上部に前記側壁から隔離した状態で電極端子を形成し、当該搭載台の各電極端子にセラミック多層基板の底面側へ導出するビアを形成してなるセラミック多層基板を製造する工程の後に、
前記セラミック多層基板の開口部から前記各電極端子をドライエッチングしてなる工程と、
前記収納部の各電極端子に金属バンプ、または金属ワイヤーを介してＩＣを電気的に接続するＩＣ搭載工程と、
前記搭載台の各電極端子に導電性接合材を介して圧電振動子を電気的に接続する圧電振動子搭載工程とを経て製造されてなることを特徴とする圧電振動デバイスの製造方法。
【請求項３】
圧電振動子と、当該圧電振動子とともに圧電発振回路を構成するＩＣと、これらを電気的に接続してなる電極端子が形成されたセラミック多層基板とを具備してなる圧電振動デバイスの製造方法であって、
ＩＣを搭載する収納部と、圧電振動子を搭載する搭載台と、これら収納部、ならびに搭載台を囲む側壁を具備してなるセラミック多層基板を形成し、前記側壁から隔離した状態で前記収納部の上部に電極端子を形成するとともに、前記側壁から隔離した状態で前記搭載台の上部に電極端子を形成し、前記各電極端子にセラミック多層基板の底面側へ導出するビアを形成してなるセラミック多層基板を製造する工程の後に、
前記セラミック多層基板の開口部から前記各電極端子をドライエッチングしてなる工程と、
前記収納部の各電極端子に金属バンプ、または金属ワイヤーを介してＩＣを電気的に接続するＩＣ搭載工程と、
前記搭載台の各電極端子に導電性接合材を介して圧電振動子を電気的に接続する圧電振動子搭載工程とを経て製造されてなることを特徴とする圧電振動デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記セラミック多層基板を封止してなる蓋体とを具備し、前記セラミック積層基板の側壁の上部に封止用の金属膜が形成されてなる圧電振動デバイスの製造方法であって、
前記搭載台の各電極端子に導電性接合材を介して圧電振動子を電気的に接続する圧電振動子搭載工程の後に、
前記セラミック多層基板の側壁の金属膜の上部に蓋体を被せて気密封止する工程とを経て製造されてなることを特徴とする特許請求項１〜３いずれか１項記載の圧電振動デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記ドライエッチング工程はプラズマエッチングによってセラミック多層基板の電極端子を洗浄してなることを特徴とする特許請求項１〜４いずれか１項記載の圧電振動デバイスの製造方法。
【請求項６】
上記特許請求項１〜５のいずれか１項記載の圧電振動デバイスの製造方法によって製造されたことを特徴とする圧電振動デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は携帯電話等の通信機器あるいは電子機器等に用いられる圧電振動子や圧電フィルタ、圧電発振器等の圧電振動デバイスの製造方法およびその方法によって製造された圧電振動デバイスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
圧電振動デバイス、例えば水晶発振器は、安定して精度の高い発振周波数を得ることができるため、電子機器等の基準周波数源として多種の分野で使用されている。従来例として、水晶振動子（水晶振動板）を用いた水晶発振器の構成を例にとり説明する。特許文献１では、セラミック多層基板を用い、当該セラミック多層基板の内部下方に発振回路用ＩＣを配置するとともに、当該ＩＣの上方に水晶振動子を支持固定し、シーム溶接により気密封止を行ったものである。このような構成はＩＣのカスタム化により比較的部品点数が少なく、シンプルな構成であり、低コスト化に寄与している。
【０００３】
このようなＩＣは、セラミック多層基板に形成された電極端子に対して、ワイヤボンディング工法を用いて接続するか、あるいは金属バンプ（Ａｕ等）を介したフェイスダウンボンディングの工法を用いて接続することで、水晶振動子や外部端子等と電気的に接続されている。
【０００４】
このとき、セラミック多層基板の電極端子面にダストや溶剤などが付着して汚染されていると、上述のワイヤボンディングや金属バンプの接合力が極端に低下するので、これらを防止する為にＩＣとセラミック多層基板の電極端子とを接続する前に、当該電極端子面を洗浄する必要がある。電極端子を洗浄する手法としては、アルカリ洗浄などによるウェット洗浄と、プラズマエッチングなどのドライエッチングによる洗浄方法があり、近年では、洗浄後の後工程（アルカリ除去）による二次汚染がないドライエッチングによる方法が一般化されている。
【０００５】
しかしながら、例えば、プラズマエッチングによる手法では、加速されたアルゴンイオン、酸素イオン等を電極端子面に物理的に衝突させて当該電極端子面を削り、汚染されていない電極端子の金属面を露出させることで洗浄を行うので、洗浄する際に、電極屑が飛散し、電極端子の形成されていない面に再付着（スパッタリング）する問題がある。
【０００６】
この電極屑の再付着は、アルゴンイオン、酸素イオンの照射源に向かい合った面では、残存することはないが、前記照射源に直交する面（例えば側壁の面）、あるいは前記照射源に背いた面では、前記イオンが衝突しないため、飛散した電極屑が再付着（スパッタリング）し、残存する。
【０００７】
従来、この問題を解決する為に、電極屑が再付着しないように、マスク部材で覆っていた。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００２−１５８５５８号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年の電子部品の小型化、低背化に伴い、圧電振動デバイスも小型化が進んでおり、セラミック多層基板の収納スペースや電極端子間の間隔も狭まっている。このため、これらのセラミック多層基板部材をドライエッチングする場合に、マスク部材で覆うことが困難になってきており、飛散した電極屑の再付着を完全に防止する事が難しくなっている。そして、前記側壁に残存した電極屑の再付着物によって各電極端子間のショートが発生するといった問題があった。特に、セラミック多層基板の一方の面にのみ収納スペースを有し、当該収納スペースにＩＣと圧電振動子が上下に近接配置される圧電発振器では、上記問題の悪影響を受けやすかった。
【００１０】
本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、洗浄後工程が不要で二次汚染の危険性がないドライエッチングによる洗浄方法を採用し、小型化・低背化された圧電振動デバイスのセラミック多層基板に対するショートの問題をなくし、圧電振動板やＩＣなどの回路素子の電気的な接続の信頼性をより一層向上することができる圧電振動デバイスの製造方法およびその方法によって製造された圧電振動デバイスを提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、請求項１に示すように、圧電振動子を電気的に接続してなる電極端子が形成されたセラミック多層基板とを具備してなる圧電振動デバイスの製造方法であって、圧電振動子を搭載する搭載台と、これら搭載台を囲む側壁を具備してなるセラミック多層基板を形成し、前記搭載台の上部に前記側壁から隔離した状態で電極端子を形成し、当該搭載台の各電極端子にセラミック多層基板の底面側へ導出するビアを形成してなるセラミック多層基板を製造する工程の後に、前記セラミック多層基板の開口部から前記各電極端子をドライエッチングしてなる工程と、前記搭載台の各電極端子に導電性接合材を介して圧電振動子を電気的に接続する圧電振動子搭載工程とを経て製造されてなることを特徴とする。
【００１２】
また、請求項２に示すように、圧電振動子と、当該圧電振動子とともに圧電発振回路を構成するＩＣと、これらを電気的に接続してなる電極端子が形成されたセラミック多層基板とを具備してなる圧電振動デバイスの製造方法であって、ＩＣを搭載する収納部と、圧電振動子を搭載する搭載台と、これら収納部、ならびに搭載台を囲む側壁を具備してなるセラミック多層基板を形成し、前記収納部の上部に電極端子を形成し、前記搭載台の上部に前記側壁から隔離した状態で電極端子を形成し、当該搭載台の各電極端子にセラミック多層基板の底面側へ導出するビアを形成してなるセラミック多層基板を製造する工程の後に、前記セラミック多層基板の開口部から前記各電極端子をドライエッチングしてなる工程と、前記収納部の各電極端子に金属バンプ、または金属ワイヤーを介してＩＣを電気的に接続するＩＣ搭載工程と、前記搭載台の各電極端子に導電性接合材を介して圧電振動子を電気的に接続する圧電振動子搭載工程とを経て製造されてなることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項３に示すように、圧電振動子と、当該圧電振動子とともに圧電発振回路を構成するＩＣと、これらを電気的に接続してなる電極端子が形成されたセラミック多層基板とを具備してなる圧電振動デバイスの製造方法であって、ＩＣを搭載する収納部と、圧電振動子を搭載する搭載台と、これら収納部、ならびに搭載台を囲む側壁を具備してなるセラミック多層基板を形成し、前記側壁から隔離した状態で前記収納部の上部に電極端子を形成するとともに、前記側壁から隔離した状態で前記搭載台の上部に電極端子を形成し、前記各電極端子にセラミック多層基板の底面側へ導出するビアを形成してなるセラミック多層基板を製造する工程の後に、前記セラミック多層基板の開口部から前記各電極端子をドライエッチングしてなる工程と、前記収納部の各電極端子に金属バンプ、または金属ワイヤーを介してＩＣを電気的に接続するＩＣ搭載工程と、前記搭載台の各電極端子に導電性接合材を介して圧電振動子を電気的に接続する圧電振動子搭載工程とを経て製造されてなることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項４に示すように、上述の製造方法において、前記セラミック多層基板を封止してなる蓋体とを具備し、前記セラミック積層基板の側壁の上部に封止用の金属膜が形成されてなる圧電振動デバイスの製造方法であって、前記搭載台の各電極端子に導電性接合材を介して圧電振動子を電気的に接続する圧電振動子搭載工程の後に、前記セラミック多層基板の側壁の金属膜の上部に蓋体を被せて気密封止する工程とを経て製造されてなることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項５に示すように、上述の製造方法において、前記ドライエッチング工程はプラズマエッチングによってセラミック多層基板の電極端子を洗浄してなることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項６に示すように、上述の圧電振動デバイスの製造方法によって製造されたことを特徴とする圧電振動デバイス。
【００１７】
【発明の効果】
本発明の特許請求項１、２によれば、セラミック多層基板の側壁から隔離した状態で前記搭載台の上部に電極端子を形成されるとともに、前記電極端子はビアを介してセラミック多層基板の底面側へ導出されているので、電極端子の表面周囲には、セラミックの素地部分で囲まれ、前記側壁に電極端子が接することがない。
【００１８】
このため、セラミック多層基板の各電極端子をドライエッチングした場合、電極端子面の汚染物を除去し、電極端子面を活性化することができるだけでなく、ドライエッチング源に直交する側壁に、電極屑の再付着物が残存しても、当該電極屑の再付着物によって搭載台に形成された各電極端子間でのショートすることが一切なくなった。
【００１９】
本発明の特許請求項３によれば、セラミック多層基板の側壁から隔離した状態で収納部の上部に電極端子を形成され、前記側壁から隔離した状態で前記搭載台の上部に電極端子を形成されるとともに、前記各電極端子はビアを介してセラミック多層基板の底面側へ導出されているので、各電極端子の表面周囲には、セラミックの素地部分で囲まれ、前記側壁や搭載台の段差部分に電極端子が接することがない。
【００２０】
このため、セラミック多層基板の各電極端子をドライエッチングした場合、電極端子面の汚染物を除去し、電極端子面を活性化することができるだけでなく、ドライエッチング源に直交する側壁に、電極屑の再付着物が残存しても、当該電極屑の再付着物によって収納部や搭載台に形成された各電極端子間でのショートすることが一切なくなった。
【００２１】
また本発明の特許請求項４によれば、上述の作用効果に加え、セラミック多層基板の各電極端子をドライエッチングした場合、電極端子面の汚染物を除去し、電極端子面を活性化することができるだけでなく、ドライエッチング源に直交する側壁に、電極屑の再付着物が残存しても、当該電極屑の再付着物によって収納部や搭載台に形成された各電極端子と側壁の上部に形成された封止用の金属膜との間でのショートすることも一切なくなった。
【００２２】
従って、本発明の特許請求項１〜４により、洗浄後工程が不要で二次汚染の危険性がないドライエッチングによる洗浄方法を採用し、小型化・低背化された圧電振動デバイスのセラミック多層基板に対するショートの問題をなくし、圧電振動板やＩＣなどの回路素子の電気的な接続の信頼性をより一層向上することができる圧電発振器の製造方法が得られる。また、ドライエッチング時のショート対策としてマスクを用いなくても行えるので、洗浄装置の簡素化実現できる。
【００２３】
また本発明の特許請求項５によれば、上述の作用効果に加えて、洗浄後工程が不要で二次汚染の危険性がないドライエッチングによる洗浄方法をプラズマエッチングにより容易に実現できる。
【００２４】
また本発明の特許請求項６によれば、上述の方法によって製造された圧電振動デバイスであるので、圧電振動デバイスの小型化・低背化が容易に行えるとともに、各電極端子間や、各電極端子と側壁の上部に形成された封止用の金属膜との間でのショートの問題がなく、圧電振動板やＩＣなどの回路素子の電気的な接続の信頼性をより一層向上した圧電振動デバイスが得られる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態につき、水晶発振器を例にとり模式図面とともに説明する。図１は本発明の実施形態にかかる水晶発振器の分解斜視図であり、図２は、図１を組立状態のＡ−Ａ線に沿った断面図であり、図３はセラミック多層基板の上面図である。
【００２６】
水晶発振器は、セラミック多層基板１と、当該セラミック多層基板内に格納されるＩＣ２、水晶振動板（圧電振動子）３と、セラミック多層基板を気密封止する金属蓋体４とからなる。
【００２７】
セラミック多層基板１はアルミナ等のセラミックスからなり、全体として上方に開口した構成であり、２段の凹部が形成されている。下側の凹部１１は、ＩＣ２の収納部であり、その上部に水晶振動板３を収納する上側の凹部１２と、水晶振動板３を搭載する搭載台１３とが形成されており、凹部１１，１２、および搭載台１３の周囲には、側壁１４が形成されている。
【００２８】
前記凹部１１の底面には、側壁１４と搭載台１３から隔離した状態でＩＣ２と電気的に接続される複数の電極端子１５、１５、・・・が形成され、前記搭載台１３の上面には、側壁１４から隔離した状態で水晶振動板３と電気的に接続される２つの電極端子１６、１６が形成されている。前記各電極端子は、ビア１７によりセラミック多層基板の底面側へ導出され、必要な接続がなされている。
【００２９】
また、前記セラミック多層基板の側壁１４の上部には、封止用の金属膜１８が形成されるとともに、セラミック多層基板の側面には複数のキャスタレーション（図示せず）が設けられ、キャスタレーション内部並びにセラミック多層基板底面には各々の外部電極端子１９（一部のみ図示）が形成され、セラミック多層基板内部の水晶振動子とＩＣで構成される水晶発振回路の出力端子、電源端子、アース端子が対応して引き出されている。
【００３０】
前記電極端子、金属膜、外部電極端子は、タングステン等からなるメタライズ層と、メタライズ層上に形成される金属層からなる。金属層は例えばニッケルメッキ、その上部に極薄の金メッキからなる。
【００３１】
ＩＣ２はフリップチップ対応のものであり底面に図示しない複数の電極パッドが形成され、前記複数の電極端子１５、１５・・・に対して、例えば金バンプ（金属バンプ）Ｂを介してフェイスダウンボンディングの工法により電気的に接続され、前記セラミック多層基板の凹部１１の内部に搭載される。これらの接続は、金等のワイヤボンディングにより接続することもできる。
【００３２】
水晶振動板３は矩形状のＡＴカット水晶板からなり、図示しないが表裏面に励振電極並びに各引出電極が真空蒸着法、スパッタリング法等の薄膜形成手段にて形成され、前記２つの電極端子１６、１６に対して、例えばシリコン系の導電性樹脂接着剤Ｄを介して電気的に接続され、前記セラミック多層基板の搭載台１３の上部で、かつ凹部１２の内部に搭載される。
【００３３】
金属蓋体４はコバール等の金属板の表裏にニッケルメッキされた構成であり、セラミック多層基板の開口周囲部分の金属膜１８とシーム溶接等の手段にて接合され、前記セラミック多層基板内を気密封止する。なお、前記金属膜１８は前記アース端子に電気的接続されており、電磁シールド構成となっている。
【００３４】
なお、上記実施形態において、凹部の複数の電極端子１５、１５、・・・、ならびに搭載台の電極端子１６、１６は、側壁１４だけでなく、搭載台１３の段差部分１３１から隔離するように形成してもよい。
【００３５】
次に、上述の水晶発振器の製造方法について、図面とともに説明する。図４〜図８は本発明の実施形態の水晶発振器の製造工程にかかる図である。
【００３６】
−セラミック多層基板の製造工程（図４）−
セラミック多層基板は、底面部を構成する板状のセラミックグリーンシートＧ１と、当該セラミックグリーンシートＧ１の上部に積層され上面にＩＣが搭載領域Ｇ２１を有する板状のセラミックグリーンシートＧ２と、当該セラミックグリーンシートＧ２の上部に積層され上面に水晶振動板が搭載される領域Ｇ３１（搭載台１３）とＩＣが収容される切り抜き領域Ｇ３２（凹部１１）、および側壁領域Ｇ３３を有する枠状のセラミックグリーンシートＧ３と、当該セラミックグリーンシートＧ３の上部に積層され上面に金属製の蓋体が搭載される側壁領域Ｇ４１と水晶振動板が収容される切り抜き領域Ｇ４２（凹部１２）を有する枠状のセラミックグリーンシートＧ４の少なくとも４層以上で構成されている。これらの各グリーンシートの外形寸法はほぼ同一であり、角部分、あるいは端部には図示しない前記キャスタレーションを構成する半円状の切り欠きが形成されている。
【００３７】
前記セラミックグリーンシートＧ１の表裏面には、外部接続端子のパターン（図示せず）と、これら外部接続端子のパターンと後述するＩＣの電極端子のパターンと水晶振動子の電極端子のパターンをそれぞれ接続する回路パターンＰ１をスクリーン印刷などの手法によりメタライズが形成される。これら外部接続端子と回路パターンは前記キャスタレーションやビア介して必要な接続がなされている。
【００３８】
前記セラミックグリーンシートＧ２には、ＩＣの電極端子のパターンＰ２と、これらＩＣの電極端子のパターンを前記回路パターンに導出するスルーホールＳ２１と、後述する水晶振動子の電極端子パターンを前記回路パターンに導出するスルーホールＳ２２と、御述する封止用の金属膜のパターンを前記回路パターンに導出するスルーホールＳ２３をスクリーン印刷などの手法によりメタライズが形成される。このとき、ＩＣの電極端子のパターンは、後述するセラミックグリーンシートＧ３の切り抜き領域Ｇ３２に接しないように、予め内部に位置させて形成している。
【００３９】
前記セラミックグリーンシートＧ３には、水晶振動子の電極端子のパターンＰ３と、これら水晶振動子の電極端子のパターンを前記回路パターン（前記スルーホールＳ２２）に導出するスルーホールＳ３１と、後述する封止用の金属膜のパターンを前記回路パターン（前記スルーホールＳ２３）に導出するスルーホールＳ３２をスクリーン印刷などの手法によりメタライズが形成される。このとき、水晶振動子の電極端子のパターンは、後述するセラミックグリーンシートＧ４の側壁領域Ｇ４１に接しないように、予め内部に位置させて形成している。
【００４０】
前記セラミックグリーンシートＧ４には、封止用の金属膜のパターンＰ４と、これら封止用金属膜のパターンを前記回路パターン（前記スルーホールＳ３２）に導出するスルーホールＳ４をスクリーン印刷などの手法によりメタライズが形成される。
【００４１】
なお、前記スルーホールにはメタライズ材料が充填されてビアを構成する。
このように構成された各セラミックグリーンシートＧ１〜Ｇ４を積層し、一体焼成するとともに、各メタライズパターンに金属膜をメッキすることでセラミック多層基板の完成となる。
【００４２】
−ドライエッチングによる洗浄工程（図５）−
プラズマエッチングにより、加速されたアルゴンイオン、酸素イオンを、前記セラミック多層基板の開口部から各電極端子（１５、１５、・・・、並びに１６、１６）の表面に物理的に衝突させて当該各電極端子の表面を削り、汚染されていない電極端子の金属面を露出させることで洗浄する。これにより、前記各電極端子の表面を活性化する。このとき、アルゴンイオンより分子量の大きいセラミック面は、ほとんど削られず、金属である各電極端子面が削られる。
【００４３】
−ＩＣ搭載工程（図６）−
ＩＣ２の底面側の電極パッドには、金バンプＢが接合されており、前記セラミック多層基板の凹部の底面に形成された複数の電極端子１５、１５・・・に対応させて配置し、当該ＩＣをフェイスダウンボンディング（ボンディングツールによりＩＣをセラミック多層基板側に荷重をかけながら、電極端子と金バンプの金表面どうし超音波を印可することにより接合する。）して、電気的に接続され、前記セラミック多層基板の凹部１１の内部に搭載される。
【００４４】
なお、ワイヤボンディングの手法を採用する場合、ＩＣを凹部にダイボンディングした後、ＩＣ上面の電極パッドと電極端子を金等の金属ワイヤーをボンディングして電気的に接続する。
【００４５】
−水晶振動片搭載工程（図７）−
前記搭載台の各電極端子１６、１６の上部に、シリコン系の導電性樹脂接着剤を塗布し、その上部に水晶振動板３の引出電極部分を接触させて搭載し、前記シリコン系の導電性樹脂接着剤Ｄを硬化することで、電気的機械的に接続される。
【００４６】
−気密封止工程（図８）−
前記側壁の金属膜１８の上部に金属製の蓋体４を被せて、当該蓋の端部を金属ローラに電流を印可しながら各辺を移動させ、シーム封止することで気密封止される。
【００４７】
以上のように水晶発振器を製造することで、上記各電極端子の表面の汚染物を除去し、電極端子面を活性化することができるだけでなく、側壁面、あるいは搭載台の段差部分に、電極屑の再付着物が残存しても、当該電極屑の再付着物によって収納部や搭載台に形成された各電極端子間、あるいは収納部や搭載台に形成された各電極端子と側壁の上部に形成された封止用の金属膜との間でのショートすることが一切ない
【００４８】
上記実施形態では、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、図９、図１０に示すような構成でもよい。図９は本実施形態の変形例を示すセラミック多層基板の上面図であり、図１０は他の実施形態を示す断面図である。同様の部分については同番号を付すとともに説明を割愛している。
【００４９】
図９の変形例では、前期実施形態と同様に、前記搭載台１３の上面には、側壁１４と搭載台１３の段差部分１３１から隔離した状態で水晶振動板３と電気的に接続される２つの電極端子１６、１６が形成されている。しかしながら、ＩＣと電気的に接続される複数の各電極端子１５、１５、・・・の一部を、前記搭載台１３と側壁１４に近接させ、これらの各電極端子の導出端部１５１は、隣接する他の電極端子の導出端部１５１と平面的に隔離した状態で形成している。つまり電極端子の導出端部１５１を、平面的に隔離するために屈曲させて導出している。また、平面的に隔離していないものは、上記実施形態と同様に、前記搭載台１３と側壁１４から隔離した状態で形成し、ビアにより導出している。
【００５０】
図９の実施形態では、ＩＣと接続される電極端子では、水晶振動子と電気的に接続される電極端子１６、１６に比べて面積が小さく、かつ、封止用の金属膜１８とも距離がある。従って、これらの構成を採用した場合、ドライエッチングしても、プラズマエッチングによる電極屑の再付着物が残存して、各電極端子間、あるいは各電極端子と側壁の上部に形成された封止用の金属膜との間でのショートすることがない。さらに、当該実施形態では、図１０に示すように、前記搭載台１３と同じセラミック層からなり、上面に電極が形成されていない階段部１３２を具備している。この階段部１３２により、電極屑が放射状に飛散しても、障壁となって、階段部の上側の側壁部分に電極屑を再付着させず、電極端子１５１から金属膜１８にかけてショートされるのを防ぐことができる。より有効な構成となっている。
【００５１】
また、図１１の実施形態では、水晶振動板の保持する搭載台１３、１３が両側端部にあり、ＩＣの接続として金のワイヤボンディングＷを用いた点、電極端子１６、１６は、側壁１４だけでなく、ＩＣの収納部としての凹部１１の段差部分から隔離するように形成している点が、上記実施形態と異なっている。
【００５２】
なお、上記各実施形態において、また、封止構成として金属膜上に直接金属蓋をシーム封止するダイレクトシームに限らず、コバールリングを介してシーム封止したものでもよく、さらに、シーム封止に限らず、ビーム封止（レーザビーム、電子ビーム）やガラス封止等であってもよい。さらに、ドライエッチングとして、プラズマエッチングを例にしたが、イオンミーリング法や、反応性ガスイオンを用いたドライエッチング等であってもよい。また、圧電振動子は水晶振動子のみならず圧電セラミックスやＬｉＮｂＯ３等の圧電単結晶材料を用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態を示す水晶発振器の分解斜視図。
【図２】図１を組立状態のＡ−Ａ線に沿った断面図。
【図３】図３はセラミック多層基板の上面図。
【図４】本発明の実施形態における水晶発振器の製造工程にかかる図。
【図５】本発明の実施形態における水晶発振器の製造工程にかかる図。
【図６】本発明の実施形態における水晶発振器の製造工程にかかる図。
【図７】本発明の実施形態における水晶発振器の製造工程にかかる図。
【図８】本発明の実施形態における水晶発振器の製造工程にかかる図。
【図９】本発明の実施形態の変形例を示すセラミック多層基板の上面図。
【図１０】図９のＢ−Ｂ線に沿った断面図。
【図１１】本発明の他の実施形態を示す水晶発振器の断面図。
【符号の説明】
１  セラミック多層基板
２  ＩＣ
３  水晶振動板
４  金属蓋体
Ｂ  金バンプ
Ｄ  導電性樹脂接着剤
Ｗ  金ワイヤーボンディング
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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