【事件の表示】
　平成５年特許願第２０３９３０号「半導体装置のバーンイン方法及び半導体装置」拒絶査定に対する審判事件［平成７年３月３日出願公開、特開平７−５８１７３］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯・本願発明
　本願は、平成５年８月１８日の出願であって、その請求項１〜５に係る発明は、特許法第１７条の２の規定によって平成１１年８月１９日付、及び平成１３年１１月５日付、及び平成１５年８月２２日付の各手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１、２に記載されたとおりの「半導体装置のバーンイン方法」、及び同請求項３に記載されたとおりの「半導体装置」、及び同請求項４、５に記載されたとおりの「半導体装置の製造方法」にあるものと認めるところ、その請求項４に記載された発明（以下、「本願発明４」という。）は次のとおりである。
「半導体装置の電極パッド上に、下地金属層を形成する第１工程と、前記下地金属層上に突起状の前記高融点金属を形成する第２の工程と、前記高融点金属を前記低融点金属で被覆して前記突起電極を形成する第３の工程と、前記高融点金属を、前記高融点金属に混和される前記低融点金属で被覆して、前記高融点金属と前記低融点金属とからなる突起電極を形成する第３の工程と、をこの順に含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　　
［２］引用刊行物の記載事項
　これに対して、当審において平成１５年６月１８日付で通知した拒絶の理由に引用した、本願出願前の昭和５６年１１月７日に頒布された刊行物である特開昭５６−１４２６５５号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、
「フリップチップ等における一般的なハンダ溶融接続端子（ソルダーバンプとも称する）は３ないし４層の導電体金属層（‥‥‥）とこの上に載せたハンダからなる。このようなハンダ溶融接続端子の一例を第１図の概略断面に示す。第１図におけるハンダ溶融接続端子１は４層の導電体金属層、すなわち、アルミニウム（Ａｌ）層２，チタン（Ｔｉ）層３，ニッケル（Ｎｉ）層４および金（Ａｕ）層５とハンダ６とからなり、保護膜（‥‥‥）７を有する半導体基板８の上に設けられている。このようなハンダ溶融接続端子を有するチップを製作したところで通常チップテストを行なう。」（第１頁左下欄１６行〜右下欄９行）、
「多層導電体金属上のハンダの上にハンダとのぬれ性の悪い金属層次にハンダとのぬれ性の良い金属層を追加形成し、さらにその上にこのハンダよりも融点の低い別のハンダを載せ、このハンダ溶融接続端子をチップテスト用テスト基板に接続するための低融点ハンダの溶融熱処理およびテスト基板から切離すための低融点ハンダの溶融熱処理によってハンダとのぬれ性の良い金属層をこの低融点ハンダと合金化してテスト基板から切離しの際に低融点ハンダを前記テスト基板に残し、次にハンダとのぬれ性の悪い金属層をエッチング除去するものである。」（第２頁右上欄１２行〜左下欄３行）、
「第３図の概略断面図に示したハンダ溶融接続端子１２は第１図の従来のハンダ溶融接続端子１の上にさらにＣｒ層１０，Ｃｕ層１１およびハンダ６”を形成したものである。‥‥‥‥‥‥ハンダ６”（第３図）をＣｕ層１１の上に載せるわけであるが、ハンダ６”は下方にあるハンダ６の融点よりも低い融点のものを使用する。例えば、ハンダ６”を鉛３７％−錫６３％合金（融点１８３℃）とし、下方にあるハンダ６を鉛１０％−錫９０％合金（融点３０１℃）とするのが望ましい。このように融点温度に差があるので、ハンダ溶融接続端子１２をテスト基板に加熱処理（２５０℃）してボンディングし、またテスト基板から加熱処理（２５０℃）して切離してもハンダ６（「ハンダ６”」は誤記と認められる。）は溶解しない。チップテストのためにテスト基板へのボンディングおよびテスト基板からの切離しの際に、前述したようにＣｕ層１１がハンダ６”と合金化するので、ハンダ６”はテスト基板側に残る。そして、Ｃｒ層１０をエッチング除去することによって第１図に示した構造のハンダ溶融接続端子が製造できる。本発明に係るハンダ溶融接続による電子部品の搭載方法によれば、チップテストをテスト基板にこの接続端子を溶融接合してから行なうので、いわゆる無荷重チップテストが出来、さらにテスト基板から切離す際に溶融接合したハンダがテスト基板側に残るので残留するハンダ量のバラツキという問題は生じない。」（第３頁左上欄１２行〜左下欄３行）と記載され、
  そして、上述の記載に対応させて、第１図、第３図が示されている。
　　
［３］対比・判断
　上記［２］に摘記した事項を総合すると、引用刊行物には、「フリップチップ等の半導体基板８のアルミニウム（Ａｌ）層２上にチタン（Ｔｉ）層３，ニッケル（Ｎｉ）層４および金（Ａｕ）層５を設け、その上に突起状に高融点ハンダ６、Ｃｒ層１０、Ｃｕ層１１を形成し、更に該Ｃｕ層１１表面を低融点ハンダ６”で被覆して、該高融点ハンダ６、Ｃｒ層１０、Ｃｕ層１１、低融点ハンダ６”からなる接続端子を形成し、該Ｃｕ層１１と低融点ハンダ６”とが、テスト基板へのボンディング及びテスト基板からの切離しの際に合金化する方法」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものといえる。
　そこで、本願発明４と引用発明とを対比すると、引用発明における「フリップチップ等の半導体基板８」、「アルミニウム（Ａｌ）層２」、「チタン（Ｔｉ）層３，ニッケル（Ｎｉ）層４および金（Ａｕ）層５」、「高融点ハンダ６、Ｃｒ層１０、Ｃｕ層１１」、「低融点ハンダ６”」、「高融点ハンダ６、Ｃｒ層１０、Ｃｕ層１１、低融点ハンダ６”からなる接続端子」はそれぞれ、本願発明４における「半導体装置」、「電極パッド」、「下地金属層」、「高融点金属」、「低融点金属」、「前記高融点金属と前記低融点金属とからなる突起電極」に相当する。また、引用発明における「Ｃｕ層１１表面を低融点ハンダ６”で被覆して、該高融点ハンダ６、Ｃｒ層１０、Ｃｕ層１１、低融点ハンダ６”からなる接続端子を形成し、該Ｃｕ層１１と低融点ハンダ６”とが、テスト基板へのボンディング及びテスト基板からの切離しの際に合金化する」とは、その「Ｃｕ層１１」と「低融点ハンダ６”」が上述したようにそれぞれ「高融点金属」の一部と「低融点金属」に該当し、そして「該Ｃｕ層１１と低融点ハンダ６”とが、テスト基板へのボンディング及びテスト基板からの切離しの際に合金化する」ことにより混和するのであるから、本願発明４における「前記高融点金属を、前記高融点金属に混和される前記低融点金属で被覆して、前記高融点金属と前記低融点金属とからなる突起電極を形成する」と実質的に相違しない。更にまた、引用発明における「半導体基板８のアルミニウム（Ａｌ）層２上にチタン（Ｔｉ）層３，ニッケル（Ｎｉ）層４および金（Ａｕ）層５を設け」、「その上に突起状に高融点ハンダ６、Ｃｒ層１０、Ｃｕ層１１を形成し」、「更に該Ｃｕ層１１表面を低融点ハンダ６”で被覆して、該高融点ハンダ６、Ｃｒ層１０、Ｃｕ層１１、低融点ハンダ６”からなる接続端子を形成し、該Ｃｕ層１１と低融点ハンダ６”とが、テスト基板へのボンディング及びテスト基板からの切離しの際に合金化する」の各工程は、この順序で行われることも明らかである。
　してみると、引用発明の方法は、本願発明４の「半導体装置の電極パッド上に、下地金属層を形成する第１工程と、前記下地金属層上に突起状の前記高融点金属を形成する第２の工程と、前記高融点金属を前記低融点金属で被覆して前記突起電極を形成する第３の工程と、前記高融点金属を、前記高融点金属に混和される前記低融点金属で被覆して、前記高融点金属と前記低融点金属とからなる突起電極を形成する第３の工程と、をこの順に含むことを特徴とする半導体装置の製造方法」と実質的に相違しない。
　したがって、本願発明４は、引用刊行物に記載された発明である。
　　
［４］むすび
　以上のとおり、本願発明４は、引用刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができない。
　また、上記のとおり本願発明４が特許を受けることができないため、本願の他の請求項１〜３、５に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。