【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年7月25日(2014.7.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（２）を処理するための真空処理システムであって、処理される前記基板（２）を基板平面（４）に保持するための格納容器（１）を有し、
前記格納容器（１）は、第１の反射手段（６）と、第１の平面表面（１０）及び反対側の第２の平面表面（１１）を有する加熱手段（５）とを備え、
前記加熱手段（５）は、前記第１の表面（１０）及び／又は第２の表面（１１）を介することによってのみ加熱用エネルギーを照射するように構成され、
前記第１の反射手段（６）は、前記加熱手段（５）によって照射される前記加熱用エネルギーを前記基板平面（４）上に反射するように構成され、
前記加熱手段（５）は、前記第１の表面（１０）が前記第１の反射手段（６）の方を向き、第２の表面（１１）が前記基板平面（４）の方を向くように配置される、
基板を処理するための真空処理システム。
【請求項２】
前記格納容器（１）は、前記加熱手段（５）によって照射される前記加熱用エネルギーを前記基板（２）上に反射するように構成された第２の反射手段（７）を備え、
前記第２の反射手段（７）は、前記加熱手段（５）の前記第２の表面（１１）が前記第２の反射手段（７）の方を向き、前記基板平面（４）が、前記加熱手段（５）と前記第２の反射手段（７）との間に設けられるように配置される、
請求項１に記載の真空処理システム。
【請求項３】
前記格納容器（１）は、前記反射手段（６、７）を冷却するための冷却ユニット（８）を備え、
前記反射手段（６、７）は、前記加熱手段（５）の方を向いている第１の面（１２）と、前記加熱手段（５）の方を向いていない、反対側の第２の面（１３）とを備え、
前記冷却ユニット（８）は、前記反射手段（６、７）の前記第２の面（１３）上に設けられ、前記反射手段（６、７）と熱接触状態である、
請求項１〜２のいずれか１項に記載の真空処理システム。
【請求項４】
前記加熱手段（５）の前記第２の表面は、前記基板平面（４）から５０ｍｍ以下、好ましくは４０ｍｍ以下、より好ましくは１０ｍｍ以下離れて配置される、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の真空処理システム。
【請求項５】
前記加熱手段（５）は、前記格納容器（１）内で保持可能な前記基板（２）の表面積より５％以上大きい表面積を有する２次元平面サイズを有し、
前記加熱手段（５）は、炭素複合材、炭素繊維強化炭素、炭素繊維、ＳｉＣコーティングした繊維、グラファイト、グラファイト繊維及び／又はＳｉＣ板からなる群から選択される材料を含み、かつ／又は、前記加熱手段（５）は、６００℃以上の温度に不変のまま耐える耐熱性材料を含む、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の真空処理システム。
【請求項６】
前記格納容器（１）は、前記加熱手段（５）を支持するための、及び／又は、前記加熱手段（５）に電気エネルギーを提供するためのバスバー（９）を備える、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の真空処理システム。
【請求項７】
前記格納容器（１）は、処理される前記基板（２）を前記基板平面（４）に保持するための基板キャリア（３）を備える、
請求項１〜６のいずれか１項に記載の真空処理システム。
【請求項８】
前記加熱手段（５）は、それぞれが長さ（ｃ）、幅（ａ）、及び厚さ（ｂ）を有する複数の矩形加熱素子（１４）を備え、
前記加熱素子（１４）は、直列に及び／又は並列に電気接続され、
前記加熱素子（１４）は、前記加熱手段（５）の前記第１の平面表面（１０）と前記第２の平面表面（１１）とをそれぞれ形成する平面であって、かつ、前記基板平面（４）に平行な平面内で、前記加熱素子（１４）の幅（ａ）及び長さ（ｃ）に沿って配置され、
各加熱素子（１４）は、前記それぞれの加熱素子（１４）の前記厚さ（ｂ）の５００倍以上である幅（ａ）と、前記それぞれの加熱素子（１４）の前記厚さ（ｂ）の３０００倍以上である長さ（ｃ）とを有し、かつ／又は、前記加熱素子（１４）は、前記それぞれの加熱素子（１４）の前記厚さの２倍以上の距離（ｄ）で、好ましくは互いに４ｍｍ以上の距離（ｄ）で互いに隣接して配置される、
請求項１〜７のいずれか１項に記載の真空処理システム。
【請求項９】
前記矩形加熱素子（１４）の前記厚さ（ｂ）は、０．５ｍｍ以下、好ましくは０．１５ｍｍ以下である、
請求項１〜８のいずれか１項に記載の真空処理システム。
【請求項１０】
前記反射手段（６、７）は、銅、銅コーティング、ニッケル、ニッケルコーティング、金、金コーティング、銀、銀コーティング、アルミニウム、及び／又はアルミニウムコーティングからなる群から選択される材料を含み、かつ／又は、前記反射手段（６、７）は、Ｎ９以下の表面粗さ等級を有する反射表面を備える、
請求項１〜９のいずれか１項に記載の真空処理システム。
【請求項１１】
前記格納容器（１）は、該格納容器（１）が、前記真空処理システム内に設けられるとき、真空を破ることなくアクセス可能であるように密封可能開口を備えるロードロックとして設けられる、
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の真空処理システム。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の真空処理システムを動作させるための方法であって、
ａ）１ｍ２以上の表面サイズを有する平面基板（２）を、前記基板（２）が前記基板平面（４）に設けられるように前記格納容器（１）内に設けるステップと、
ｂ）前記格納容器（１）を、８＊１０−２ｍｂａｒ以下でかつ１＊１０−５ｍｂａｒ以上に排気するステップと、
ｃ）前記基板（２）を加熱するために、２６ｋＷ以上の電力を前記加熱手段（５）に提供するステップとを含む、
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の真空処理システムを動作させるための方法。
【請求項１３】
ステップｃ）中に、前記電力は、前記基板（２）の加熱レートが２．５Ｋ／ｓ以上になるように提供される、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ステップｃ）中に、前記基板（２）は、前記格納容器（１）内で周期的に又は直線的に移動される、
請求項１２及び１３のいずれか１項に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
特に、本目的は、基板を処理するための真空処理システムであって、処理される前記基板を基板平面に保持するための格納容器を有し、前記格納容器は、第１の反射手段と、第１の平面表面及び反対側の第２の平面表面を有する加熱手段とを備え、
前記加熱手段は、前記第１の表面及び／又は第２の表面を介することによってのみ加熱用エネルギーを照射するように構成され、
前記第１の反射手段は、前記加熱手段によって照射される前記加熱用エネルギーを前記基板平面上に反射するように構成され、
前記加熱手段は、前記第１の表面が前記第１の反射手段の方を向き、第２の表面が前記基板平面の方を向くように配置される、基板を処理するための真空処理システムによって達成される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
用語「ＣＶＤ」、すなわち化学気相堆積（chemical  vapour  deposition）及びそのフレーバは、本発明の意味で、加熱済み基板上への層の堆積を可能にするよく知られている技術を含む。通常、液体又は気体の前駆体材料が、処理システムに送給され、そこで、前駆体の熱反応が層の堆積をもたらす。しばしば、ＤＥＺ、ジエチル亜鉛が、低圧ＣＶＤ、ＬＰＣＶＤを使用する真空処理システム内でＴＣＯ層を生産するための前駆体材料として使用される。用語「ＴＣＯ」は、透明導電性酸化物を表す。すなわち、ＴＣＯ層は、透明導電性層であり、層、コーティング、堆積、及び膜の用語は、ＣＶＤであれ、ＬＰＣＶＤであれ、プラズマ強化ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）であれ、又は物理気相堆積（ＰＶＤ）であれ、真空プロセス内で堆積される膜のために本発明の中で交換可能に使用される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
用語「太陽電池（solar  cell）」又は「光起電力セル（photovoltaic  cell）」、「ＰＶセル（PV  cell）」は、本発明の意味で、光起電力効果によって、光、本質的に太陽光を電気エネルギーに直接変換することが可能である電気構成要素を含む。薄膜太陽電池は、通常、第１の電極又は前の電極、１つ又は複数の半導体薄膜ＰＩＮ接合、及び第２の電極又は後の電極を含み、それらは、基板上で連続して積重ねられる。各ＰＩＮ接合又は薄膜光電変換ユニットは、ｐ型層とｎ型層との間に挟まれたｉ型層を含み、「ｐ」は正にドープ済みを表し、「ｎ」は負にドープ済みを表す。ｉ型層（実質的に真性半導体層である）は、薄膜ＰＩＮ接合の厚さのほとんどの部分を占め、それにより、光電変換が、このｉ型層内で主に起こる。そのため、基板は、好ましくは、薄膜光起電力セルを製造するために使用される基板である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
別の好ましい実施の形態では、前記格納容器は、前記反射手段を冷却するための冷却ユニットを備え、前記反射手段は、前記加熱手段の方を向いている第１の面と、前記加熱手段の方を向いていない、反対側の第２の面とを備え、前記冷却ユニットは、前記反射手段の前記第２の面上に設けられ、前記反射手段と熱接触状態である。好ましくは、冷却ユニットは、水又は同様なもの等の冷却流体を循環させるパイプを備える。こうした実施の形態は、やはり、熱効率を増加させる。その理由は、冷却ユニットが、反射手段の反射率を増加させ、基板の熱エネルギーの吸収率の増加をやはりもたらすからである。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
本発明は、ロードロック格納容器の一体部分である真空処理システムを取り扱う。図１を見てわかるように、真空処理システムは、基板平面４において基板キャリア３上に配置されるときの基板２を処理するための格納容器１を備える。格納容器は、加熱手段５、第１の反射手段６、第２の反射手段７、冷却ユニット８、及びバスバー９を備える。この加熱手段は、第１の平面表面１０と、反対側の第２の平面表面１１とを備える。反射手段６、７は、加熱手段５の方を向いている第１の面１２と、加熱手段５を向いていない反対側の第２の面１３とを備え、冷却ユニット８は、反射手段６、７の第２の面１３上に設けられる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
バスバー３は、図１に示すように、例えば冷却ユニット８、反射体６、７、及び加熱ユニット５を実質的にその間に挟んで収容するサイドレールのように、基板２の上方にある反射表面の下方に及び／又は、下側反射表面の上方にある基板２の下方に配置され、それが、システムにサンドイッチ様外観を与える。代替の実施形態では、バスバー３のキャリア構造は、加熱手段５、反射体６、７、及び冷却ユニット８の背後に配置することができる。基板２は、一定距離で平坦表面ラジエータ５の下に設置される。基板２は、図１に示すように、第２の反射手段７の、基板２の背面に向いている別の反射表面の上に保持され、加熱均一性を改善するために、加熱プロセス中に定期的に移動され得る。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
さらに、本発明の実施形態で温度処理プロセスを制御するために、コントローラ、例えばＰＩＤコントローラを有利に利用する。そのため、注入される電力と無関係に、柔軟性のある温度調整を確立することができる。