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【手続補正書】
【提出日】平成26年10月16日(2014.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する第１の面及び第２の面と、該両面間に延びている第１の開口部及び第２の開口部とを有する誘電体要素であって、その上に複数の導電性要素を更に有する誘電体要素と、
裏面と、前記誘電体要素と向かい合っている表面と、該表面において露出した複数のコンタクトとを有する第１のマイクロ電子素子と、
裏面と、前記第１のマイクロ電子素子の裏面と向かい合っている表面と、該表面において露出し、かつ前記第１のマイクロ電子素子の縁を越えたところで突出している複数のコンタクトとを有する第２のマイクロ電子素子と、
前記第１のマイクロ電子素子に接続され、前記第１の開口部を通じて前記誘電体要素上の前記導電性要素のうちの幾つかへと延びている信号リード線と、
前記第２のマイクロ電子素子に接続され、前記第２の開口部を通じて前記誘電体要素上の前記導電性要素のうちの幾つかへと延びている信号リード線と、
前記誘電体要素に取り付けられ、前記第１の開口部と前記第２の開口部との間に少なくとも部分的に配置され、前記第１の開口部と前記第２の開口部との間隔全体に広がっており、前記第１のマイクロ電子素子及び前記第２のマイクロ電子素子の各々にある１つ以上のコンタクトと電気的に接続される導電性プレーンと
を備えたマイクロ電子アセンブリ。
【請求項２】
前記導電性プレーン全体が、前記第１の開口部と前記第２の開口部との間に配置されている、請求項１に記載のマイクロ電子アセンブリ。
【請求項３】
前記導電性プレーンが電源プレーンである、請求項１に記載のマイクロ電子アセンブリ。
【請求項４】
前記導電性プレーンがグラウンドプレーンである、請求項１に記載のマイクロ電子アセンブリ。
【請求項５】
前記導電性プレーンの一部が、前記第１の開口部及び前記第２の開口部の外縁を越えた位置にまで延びている、請求項１に記載のマイクロ電子アセンブリ。
【請求項６】
前記導電性プレーンが、互いに間隔を置いて位置する少なくとも２つのプレーン部分を有している、請求項１に記載のマイクロ電子アセンブリ。
【請求項７】
前記少なくとも２つのプレーン部分が、
前記第１のマイクロ電子素子と前記第２のマイクロ電子素子との少なくとも一方にある少なくとも幾つかの電源コンタクトに電気的に接続される電源プレーン部分と、
前記第１のマイクロ電子素子又は前記第２のマイクロ電子素子にある１つ以上のコンタクトに電気的に接続されるグラウンドプレーン部分と
を有している、請求項６に記載のマイクロ電子アセンブリ。
【請求項８】
前記導電性プレーンが、前記第１のマイクロ電子素子の１つ以上のコンタクトに電気的に接続されている、請求項１に記載のマイクロ電子アセンブリ。
【請求項９】
前記導電性プレーンが、前記第２のマイクロ電子素子の１つ以上のコンタクトに電気的に接続されている、請求項１に記載のマイクロ電子アセンブリ。
【請求項１０】
前記導電性プレーンと、前記第１のマイクロ電子素子にあるコンタクトとの間に接続された二重ワイヤボンドと、
前記導電性プレーンと、前記第２のマイクロ電子素子にあるコンタクトとの間に接続された二重ワイヤボンドと
を更に備えている請求項１に記載のマイクロ電子アセンブリ。
【請求項１１】
前記誘電体要素の前記第２の面において、かつ前記第１の開口部と前記第２の開口部との間において露出した少なくとも１つの受動構成要素を更に備えている請求項１に記載のマイクロ電子アセンブリ。
【請求項１２】
少なくとも１つの前記受動構成要素が、前記第１のマイクロ電子素子に電気的に接続されている、請求項１１に記載のマイクロ電子アセンブリ。
【請求項１３】
少なくとも１つの前記受動構成要素が、前記第１のマイクロ電子素子及び前記第２のマイクロ電子素子に電気的に接続されている、請求項１２に記載のマイクロ電子アセンブリ。
【請求項１４】
少なくとも１つの前記受動構成要素が、前記導電性プレーンに取り付けられ、かつ電気的に接続された電極を有している、請求項１１に記載のマイクロ電子アセンブリ。
【請求項１５】
少なくとも１つの前記受動構成要素が、前記導電性プレーンから離れた第２の電極を有するコンデンサである、請求項１４に記載のマイクロ電子アセンブリ。
【請求項１６】
少なくとも１つの前記受動構成要素が少なくとも１つのコンデンサを含み、該コンデンサは、電源又はグラウンドに接続するための導電性端子に接続される電極を有する、請求項１１に記載のマイクロ電子アセンブリ。
【請求項１７】
前記導電性プレーンが第１の導電性プレーンであり、
電源及びグラウンドにそれぞれ接続するための、前記誘電体要素の前記第２の面の上にある第２の導電性プレーンと、
前記第１の導電性プレーン及び前記第２の導電性プレーンにそれぞれ電気的に接続される第１の電極及び第２の電極を有する少なくとも１つの前記受動構成要素と
を更に備えている請求項１１に記載のマイクロ電子アセンブリ。
【請求項１８】
少なくとも１つの前記受動構成要素がコンデンサである、請求項１７に記載のマイクロ電子アセンブリ。
【請求項１９】
前記信号リード線がワイヤボンドである、請求項１に記載のマイクロ電子アセンブリ。
【請求項２０】
前記信号リード線がリード線ボンドである、請求項１１に記載のマイクロ電子アセンブリ。
【請求項２１】
請求項１又は１１に記載のアセンブリと、該アセンブリに電気的に接続される１つ以上の他の電子構成要素とを備えたシステム。
【請求項２２】
ハウジングを更に備え、前記アセンブリ及び前記他の電子構成要素が前記ハウジングに取り付けられている、請求項２１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月30日(2014.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の領域及び第２の領域を有する基板であって、該基板は第１の表面と該第１の表面から離れた第２の表面とを有する、基板と、
前記第１の表面上の前記第１の領域の上に重なる少なくとも１つの超小型電子素子と、
前記第２の領域内の前記基板の前記第１の表面及び前記第２の表面のうちの一方において露出している第１の導電性素子であって、該第１の導電性素子のうちの少なくとも幾つかは前記少なくとも１つの超小型電子素子に電気的に接続されている、第１の導電性素子と、
前記第１の導電性素子の上に重なり、かつ該第１の導電性素子から離れた端面を有する実質的に剛性の金属素子と、
前記金属素子を前記第１の導電性素子と接合するボンドメタルと、
前記基板の少なくとも前記第２の領域の上に重なり、かつ該基板から離れた表面を有する成形された誘電体層であって、前記金属素子の前記端面は該成形された誘電体層の前記表面において少なくとも部分的に露出している、成形された誘電体層と、
を備え、
前記金属素子のうちの第１の金属素子は第１の信号電位を保持するように構成され、前記金属素子のうちの第２の金属素子は同時に第２の電位を保持するように構成され、該第２の電位は前記第１の信号電位と異なる、超小型電子パッケージ。
【請求項２】
前記第１の導電性素子のうちの少なくとも幾つかは前記第２の領域内の前記基板の前記第２の表面において露出し、前記成形された誘電体層は少なくとも前記第２の表面の上に重なる、請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項３】
前記第１の導電性素子は前記第２の領域内の前記基板の前記第１の表面において露出し、前記成形された誘電体層は少なくとも前記第１の表面の上に重なる、請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項４】
前記基板の前記第２の表面において露出し、かつ前記第１の導電性素子のうちの少なくとも幾つかに電気的に接続された第２の導電性素子を更に備える、請求項３に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項５】
前記成形された誘電体層は前記超小型電子素子の上に重なる、請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項６】
前記成形された誘電体層は前記第１の領域の上の第１の高さ及び前記第２の領域の上の第２の高さを有し、前記第１の高さは前記第２の高さと異なる、請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項７】
前記第１の高さは前記第２の高さよりも大きい、請求項６に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項８】
前記金属素子の前記端面は前記成形された誘電体層の前記表面と同一平面である、請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項９】
前記成形された誘電体層の前記表面において露出し、かつ前記金属素子に電気的に接続された導電性パッドを更に備える、請求項８に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項１０】
前記金属素子の前記端面は、前記基板の前記第１の表面と前記成形された誘電体層の前記表面との間に位置決めされ、前記成形された誘電体層は内部に形成された孔を有し、該孔は前記外面から延在して前記金属素子の前記端面を露出させる、請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項１１】
前記成形された誘電体層は前記基板の少なくとも前記第２の領域の上に重なる主面を有し、前記金属素子の前記端面は前記主面の上に突出する、請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項１２】
前記金属素子は前記第１の導電性素子に向かう方向において、前記端面における、より大きな幅からテーパリングする、請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項１３】
前記金属素子は軸の回りの回転面を有する、請求項１２に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項１４】
前記金属素子は形状が円筒形である、請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項１５】
前記金属素子は、前記ボンドメタルに隣接したベース領域と、前記端部に隣接した先端領域と、を含み、前記剛性の金属素子のそれぞれは軸及び外周面を有し、該外周面は前記軸に沿って垂直方向に前記軸に向かって又は該軸から離れるように傾斜し、前記外周壁の前記傾斜が前記先端領域と前記ベース領域との間の境界において急に変化するようになっている、請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項１６】
前記金属素子は本質的に、銅、ニッケル、金、及びそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される材料からなる、請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項１７】
前記ボンドメタルは３００℃未満の融解温度を有する、請求項１６に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項１８】
前記金属素子の高さは、前記基板の少なくとも前記第２の領域の上に重なる前記成形された誘電体層の厚みの少なくとも６０％を通って延在する、請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項１９】
前記ボンドメタルの高さは、前記基板の少なくとも前記第２の領域の上に重なる前記成形された誘電体層の厚みの少なくとも６０％を通って延在する、請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項２０】
前記金属素子はパッドである、請求項１９に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項２１】
前記成形された誘電体層の前記外面上に配置された第２の基板と、該第２の基板の表面において露出し、かつ前記金属素子の前記端面に電気的に接続された第２の導電性パッドと、を更に備える、請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項２２】
請求項１に記載の第１の超小型電子パッケージと、
その表面において露出している複数の接続素子を有する外面と、該接続素子に電気的に接続された超小型電子素子と、を備える第２の超小型電子パッケージと、
を備え、
前記第２の超小型電子パッケージの前記外面の少なくとも一部分が前記成形された誘電体層の前記表面の少なくとも一部分の上に重なり、前記第２の超小型電子パッケージの前記接続素子は、前記第１の超小型電子パッケージの前記導電性突起の前記端面に電気的にかつ機械的に接続される、超小型電子アセンブリ。
【請求項２３】
請求項１に記載の超小型電子アセンブリと、該超小型電子アセンブリに電気的に接続された１つ又は複数の他の電子コンポーネントと、を備えるシステム。
【請求項２４】
ハウジングを更に備え、前記超小型電子アセンブリ及び前記他の電子コンポーネントは前記ハウジングに実装されている、請求項２３に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月20日(2014.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホットワイヤ化学気相堆積（ＨＷＣＶＤ）ツールを操作する方法であって、
ＨＷＣＶＤツールのプロセスチャンバ内に配置されたタンタルフィラメントを包み込むのに十分な水素ガス（Ｈ２）を、前記プロセスチャンバから残留酸素の除去を促進するように選択された第１の期間、供給することと、
前記第１の期間の後に、前記タンタルフィラメントに電流を流して、前記フィラメントの温度を、続いてＣＶＤ堆積プロセスが行われる温度である第１の温度に上昇させることと
を含む方法。
【請求項２】
前記水素ガスを供給することが、水素ガスおよび不活性キャリアガスを供給することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ホットワイヤ化学気相堆積（ＨＷＣＶＤ）ツールを操作する方法であって、
ＨＷＣＶＤツールのプロセスチャンバ内に配置されたタンタルフィラメントを、前記タンタルフィラメントを包み込むのに十分な水素ガス（Ｈ２）含有雰囲気中で、前記プロセスチャンバから残留酸素の除去を促進するように選択された第１の期間、事前調整することと、
前記タンタルフィラメントを事前調整した後に、前記タンタルフィラメントに電流を流して、前記タンタルフィラメントの温度を、続いてＣＶＤ堆積プロセスが行われる温度である第１の温度に上昇させることと、
前記タンタルフィラメントが前記第１の温度となった後に、プロセスチャンバにプロセスガスを供給することと、
前記プロセスガスから分解した種を使用して、基板上に材料を堆積させることと
を含む方法。
【請求項４】
前記水素ガス（Ｈ２）含有雰囲気中で前記タンタルフィラメントを事前調整することが、水素ガスおよび不活性キャリアガスを供給することを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記不活性キャリアガスが、窒素、アルゴンまたはヘリウムのうちの少なくとも１つを含む、請求項２または４に記載の方法。
【請求項６】
前記プロセスガスを供給することが、前記水素ガス（Ｈ２）含有雰囲気を維持するために供給される水素ガス流を停止することをさらに含む、請求項３または４に記載の方法。
【請求項７】
前記プロセスガスが、シラン（ＳｉＨ４）、水素（Ｈ２）、ホスフィン（ＰＨ３）またはジボラン（Ｂ２Ｈ６）のうちの１つを含む、請求項３、４または６に記載の方法。
【請求項８】
前記基板への材料の堆積の完了後、前記タンタルフィラメントへの電流の流れを停止することと、
続いて、水素ガス（Ｈ２）含有雰囲気中で前記タンタルフィラメントを事前調整することと、
前記タンタルフィラメントを事前調整した後に、前記タンタルフィラメントに電流を流して、前記タンタルフィラメントの温度を第２の温度に上昇させることと、
前記タンタルフィラメントが第２の温度となった後に、前記プロセスチャンバに第２のプロセスガスを供給することと、
前記第２のプロセスガスから分解した種を使用して、第２の基板上に材料を堆積させることと
をさらに含む、請求項３、４、６または７に記載の方法。
【請求項９】
前記タンタルフィラメントを前記第一の温度に維持しながら、前記チャンバ内の基板を第２の基板と交換することと、
前記第２の基板が設置された後に、前記プロセスチャンバに第２のプロセスガスを供給することと、
前記第２のプロセスガスから分解した種を使用して、前記第２の基板上に材料を堆積させることと
をさらに含む、請求項３、４または６ないし８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の温度が、約１５００℃から約２４００℃である、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記プロセスチャンバ内の圧力が、約１ミリトールに維持される、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の期間が、約５秒から約１８００秒の範囲である、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
実行されると、ＨＷＣＶＤツール内で、請求項１から１２に記載の方法のいずれか一項を含む方法が行われるようにする命令が格納されたコンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月6日(2014.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
置換されていてもよい２，６結合アントラセン繰り返し単位および置換されていてもよい架橋性繰り返し単位を含む、ポリマー。
【請求項２】
請求項１に記載のポリマーであって、前記アントラセン繰り返し単位が、式（Ｉ）を有する、ポリマー：
【化１】
2013546173.tif 000001
上式で、ａ、ｂおよびｃは、独立に、０、１、２または３であり、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は、出現ごとに、独立に、
Ａｒ、この際、Ａｒは、ハロゲン；ＣＮ；およびアルキルから選択される１以上の置換基で置換されていてもよいアリールもしくはヘテロアリールからなる群から選択され、前記アルキル基の１以上の隣接していないＣ原子は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｃ＝Ｏおよび−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−で置き換えられてよく、前記アルキル基の１以上のＨ原子は、ハロゲンで置き換えられてよい；および
アルキル、この際、前記アルキル基の１以上の隣接していないＣ原子は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｃ＝Ｏおよび−ＣＯＯ−で置き換えられてよく、かつ前記アルキル基の１以上のＨ原子は、ハロゲンによるかまたはＡｒによって置き換えられてよい
から選択される。
【請求項３】
前記アントラセン繰り返し単位が、式（Ｉａ）：
【化２】
2013546173.tif 000002
を有する、請求項２に記載のポリマー。
【請求項４】
ｂが２であり、各々のＲ４が独立に、置換されていてもよいフェニルである、請求項２または３に記載のポリマー。
【請求項５】
各々のＲ４が、少なくとも１つのアルキル基で置換されているフェニルである、請求項４に記載のポリマー。
【請求項６】
置換されていてもよいアミン繰り返し単位をさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載のポリマー。
【請求項７】
前記置換されていてもよいアミン繰り返し単位が、式（Ｖ）を有する、請求項６に記載のポリマー：
【化３】
2013546173.tif 000003
上式で、Ａｒ１およびＡｒ２は、出現ごとに、独立に、置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基から選択され、ｎは、１以上、好ましくは１または２であり、ＲはＨであるかまたは置換基、好ましくは置換基であり；ｘおよびｙは、各々独立に、１、２または３であり；かつ、式（Ｖ）の繰り返し単位中の前記アリールもしくはヘテロアリール基のいずれかは、直接結合または二価の連結原子もしくは基によって連結することができる。
【請求項８】
ｎが２である、請求項７に記載のポリマー。
【請求項９】
各々のＲが、独立に、アルキル、Ａｒ３、またはＡｒ３基の分枝鎖または直鎖、好ましくは−（Ａｒ３）ｒから選択され、Ａｒ３が、出現ごとに、独立に、置換されていてもよいアリールもしくはヘテロアリールから選択され、ｒが、少なくとも１で、１、２または３であってもよい、請求項７または８に記載のポリマー。
【請求項１０】
Ｒ、Ａｒ１およびＡｒ２の各出現が、各々、置換されていてもよいフェニルである、請求項９に記載のポリマー。
【請求項１１】
アントラセン繰り返し単位以外の、少なくとも１つの置換されていてもよいアリーレンもしくはヘテロアリーレン繰り返し単位を含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のポリマー。
【請求項１２】
前記架橋性単位が、架橋性基で置換されているアリーレンもしくはヘテロアリーレン繰り返し単位を含む、請求項１１に記載のポリマー。
【請求項１３】
前記置換されていてもよいアリーレンもしくはヘテロアリーレン繰り返し単位が、置換されていてもよいフルオレン繰り返し単位である、請求項１１または１２に記載のポリマー。
【請求項１４】
前記置換されていてもよいフルオレン繰り返し単位が、次式を有する、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載のポリマー：
【化４】
2013546173.tif 000004
上式で、Ｒ１およびＲ２は、独立に、
水素；
Ａｒ、この際、Ａｒは、ハロゲン；ＣＮ；およびアルキルから選択される１以上の置換基で置換されていてもよいアリールもしくはヘテロアリールからなる群から選択され、前記アルキル基の１以上の隣接していないＣ原子は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｃ＝Ｏおよび−ＣＯＯで置き換えられてよく、前記アルキル基の１以上のＨ原子は、ハロゲンで置き換えられてよい；および
アルキル、この際、前記アルキル基の１以上の隣接していないＣ原子は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｃ＝Ｏおよび−ＣＯＯ−で置き換えられてよく、かつ前記アルキル基の１以上のＨ原子は、ハロゲンによるかまたはＡｒによって置き換えられてよい；ならびに
架橋性基
から選択される。
【請求項１５】
前記架橋性基が、架橋性ベンゾシクロブタンを含む、請求項１２〜１４のいずれか一項に記載のポリマー。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか一項に記載のポリマーをアノードの上に溶媒中の溶液から堆積させることにより正孔輸送層を形成する段階と；
前記溶媒を蒸発させ、少なくとも一部の前記架橋性繰り返し単位を架橋する段階と；
発光材料を前記正孔輸送層の上に溶媒中の溶液から堆積させることにより発光層を形成する段階と；
カソードを前記発光層の上に堆積する段階
を含む、有機発光素子を形成する方法。
【請求項１７】
置換されていてもよいアントラセン繰り返し単位、および次式の置換されていてもよい繰り返し単位を含む、ポリマー：
【化５】
2013546173.tif 000005
上式で、Ａｒ１およびＡｒ２は、各々、独立に、請求項７に記載の置換されていてもよいアリールもしくはヘテロアリール基を表し、各々のＡｒ３は、独立に、請求項９に記載のアリールもしくはヘテロアリール基を表す。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月9日(2014.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、
‐動作電圧を供給するＤＣ電圧入力部と、
‐前記ＤＣ電圧入力部に直列に接続されるリアクタンス素子と、
‐ＬＥＤ光源と、
を有するＬＥＤ回路装置であって、
前記ＬＥＤ光源は、
‐少なくとも１つの発光ダイオードをそれぞれ有する第１及び第２のＬＥＤユニットであって、低電圧モードにおいて、前記第１及び第２のＬＥＤユニットが互いに並列に接続され、高電圧モードにおいて、前記第１及び第２のＬＥＤユニットが互いに直列に接続される前記第１及び第２のＬＥＤユニットと、
‐前記低電圧モード及び前記高電圧モードとの間で前記ＬＥＤ光源を切り換えるための制御可能なスイッチング手段と、
‐制御ユニットと、
を含み、
前記制御ユニットは、
‐前記ＬＥＤ光源に供給される動作電流が、第１の閾値に一致するとき、前記スイッチング手段を前記低電圧モードに設定し、
‐前記供給電流が、第２の閾値に一致するとき、前記スイッチング手段を前記高電圧モードに設定する、
ＬＥＤ回路装置。
【請求項２】
前記ＬＥＤ光源の前記第１の順方向電圧は、前記動作電圧よりも低く、前記ＬＥＤ光源の前記第２の順方向電圧は、前記動作電圧よりも高い、請求項１に記載のＬＥＤ回路装置。
【請求項３】
前記ＬＥＤユニットは、前記低電圧モード及び前記高電圧モードの両方において、前記リアクタンス素子に接続される、請求項１又は２に記載のＬＥＤ回路装置。
【請求項４】
前記第１のＬＥＤユニットの前記順方向電圧は、前記第２のＬＥＤユニットの前記順方向電圧に実質的に一致する、請求項１乃至３の何れか一項に記載のＬＥＤ回路装置。
【請求項５】
前記スイッチング手段は、４００Ｈｚから４０ＭＨｚのスイッチング周波数で前記制御ユニットによって制御される、請求項１乃至４の何れか一項に記載のＬＥＤ回路装置。
【請求項６】
前記制御ユニットは、前記ＬＥＤ光源を通る電流を測定する電流検出回路を含む、請求項１乃至５のうち何れか一項に記載のＬＥＤ回路装置。
【請求項７】
前記制御ユニットは、前記ＬＥＤ光源を通る電流が、所定の平均ランプ電流に一致するように前記第１及び／又は第２の閾値を適応させる、請求項６に記載のＬＥＤ回路装置。
【請求項８】
前記ＬＥＤユニット、前記スイッチング手段、及び／又は前記制御ユニットは、互いに一体に形成される、請求項１乃至７の何れか一項に記載のＬＥＤ回路装置。
【請求項９】
前記リアクタンス素子は、前記ＬＥＤ光源と一体に形成される、請求項１乃至８の何れか一項に記載のＬＥＤ回路装置。
【請求項１０】
前記ＬＥＤ光源は、２極デバイスである、請求項１乃至９の何れか一項に記載のＬＥＤ回路装置。
【請求項１１】
前記電圧入力部に直列に接続される２以上のＬＥＤ光源を含む、請求項１乃至１０の何れか一項に記載のＬＥＤ回路装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１の何れか一項に記載のＬＥＤ回路装置での動作のためのＬＥＤ光源。
【請求項１３】
ＤＣ動作電圧でリアクタンス素子により接続されるＬＥＤ光源を動作させる方法であって、
前記ＬＥＤ光源は、
少なくとも１つの発光ダイオードをそれぞれ有する第１及び第２のＬＥＤユニットであって、低電圧モードにおいて、前記第１及び第２のＬＥＤユニットが互いに並列に接続され、高電圧モードにおいて、前記第１及び第２のＬＥＤユニットが互いに直列に接続される前記第１及び第２のＬＥＤユニットと、
前記低電圧モード及び前記高電圧モードとの間で前記ＬＥＤ光源を切り換えるための制御可能なスイッチング手段とを含み、
前記スイッチング手段は、前記ＬＥＤ光源に供給される動作電流が、第１の閾値に一致するとき、前記低電圧モードに設定され、前記供給電流が、第２の閾値に一致するとき、前記高電圧モードに設定される、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月20日(2014.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直径の大きなウェーハのための前面開口ウェーハ容器であり、
上壁と、一対の側壁と、後壁と、底壁と、前面開口部を規定するドア枠とを有する容器部分、
前記容器部分の前記上壁にある上延フランジ、及び、
別途の留め具なしで、弾性湾曲部材を有する戻り止めを使用して垂直方向に取付けられる、取外し可能なロボットフランジ、を含み、
前記弾性湾曲部材は、垂直に延びて、前記容器部分の前記上壁の前記上延フランジに取付けられる、
前面開口ウェーハ容器。
【請求項２】
連結コア部材が前記ロボットフランジ内に含まれ、前記弾性湾曲部材を所定位置に固定する、請求項１の前面開口ウェーハ容器。
【請求項３】
前記ウェーハ容器は直径４５０ｍｍのウェーハを格納する大きさである、請求項２の前面開口ウェーハ容器。
【請求項４】
前記容器は歪みを最小にするための外骨格を含む、請求項１の前面開口ウェーハ容器。
【請求項５】
前記容器は、補助的に歪みを減少させるように、少なくとも４つの壁に前記容器の周囲を取囲む垂直に隆起した繰り返しパターンの構造部材を含む、請求項１の前面開口ウェーハ容器。
【請求項６】
枠部分と内側部分とを含むロボットフランジであって、
前記枠部分は基板容器の上部にある上部ポートに、複数の垂直に配置された片持ちスナップを用いて垂直方向に取付けて係合するためのものであり、さらにその内側に複数の可撓性のスプリング部材を含んでおり、
前記内側部分は戻り止めを含み、該戻り止めは、前記枠部分の内側にある前記可撓性スプリング部材と係合して前記内側部分を所定の位置に固定する、
ロボットフランジ。
【請求項７】
前記枠部分は４つの間隔を置いた前記スプリング部材を含む、請求項６のロボットフランジ。
【請求項８】
前記内側部分は８つの垂直に配置された片持ちスナップを含む、請求項７のロボットフランジ。
【請求項９】
基板容器の上部に垂直方向に取付けて係合するための枠部分を提供する過程と、
該枠部分を前記基板容器の上部のポート内の所定位置に垂直方向に下ろす過程と、
前記枠部分を戻り止めで所定位置にスナップ嵌めする過程と、
連結コア部を前記枠部分内に固定する過程と
を含む、ロボットフランジを取付ける方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月8日(2014.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性接触部を経由して相互に交互連結されたｐ型とｎ型伝導性熱電材料部品からなる熱電モジュールであって、該熱電モジュール（１９）が、直径が大きくても１ｍｍである複数の連続流路を有し、この流路中を流体状の熱交換器媒体が流れるマイクロ熱交換器（１３）に熱伝導的に連結されており、排ガス流動用の熱交換器の連続流路内で発生する圧力損失が大きくても１００ｍｂａｒである熱電モジュール。
【請求項２】
熱電モジュール（１９）は平らであり、そして熱電モジュール（１９）は相互に連結された熱電材料部品上で、マイクロ熱交換器（１３）に熱伝導的に連結されている高温側に支持体板を有する請求項１に記載の熱電モジュール。
【請求項３】
マイクロ熱交換器（１３）が熱電モジュール（１９）と一体的に形成される請求項１に記載の熱電モジュール。
【請求項４】
過度温度から保護するための保護層が熱電モジュール（１９）とマイクロ熱交換器（１３）の間に設けられている請求項１または２に記載の熱電モジュール。
【請求項５】
上記保護層が、融点が２５０℃〜１７００℃の範囲にある無機金属塩または金属合金から作製されている請求項４に記載の熱電モジュール。
【請求項６】
上記マイクロ熱交換器の流路が自動車排ガス触媒のウォッシュコートで覆われている請求項１〜５のいずれか一項に記載の熱電モジュール。
【請求項７】
上記触媒が、ＮＯｘの窒素への変換、炭化水素のＣＯ２とＨ２Ｏへの変換、およびＣＯのＣＯ２への変換の少なくとも一つを触媒する請求項６に記載の熱電モジュール。
【請求項８】
ガス流動用の熱交換器の連続流路中で発生する圧力損失が大きくても５０ｍｂａｒである請求項１〜７のいずれか一項に記載の熱電モジュール。
【請求項９】
上記マイクロ熱交換器が、連続流路が導入された熱伝導材料のブロックから作製されている請求項１〜８のいずれか一項に記載の熱電モジュール。
【請求項１０】
マイクロ熱交換器の体積当りの比伝熱面積が０．１〜５ｍ２／ｌである請求項１〜９のいずれか一項に記載の熱電モジュール。
【請求項１１】
上記排気システムに一体化された請求項１〜１０のいずれか一項に記載の熱電モジュールの一つ以上を含む内燃機関の排気システム、好ましくは自動車の排気システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月24日(2014.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられているレジストフィーチャの表面粗度を低減する方法であって、
プラズマシースおよびイオンを内部に含むプラズマを生成する段階と、
プラズマシース修正部を用いて、前記プラズマと前記プラズマシースとの間に画定される境界のうち前記基板に対向している部分が前記基板によって画定されている平面に平行にならないように、前記境界の形状を修正する段階と、
第１の照射において、予め定められた波長帯域を持つ電磁波を前記レジストフィーチャに照射する段階と、
前記第１の照射において、所与の角度範囲にわたって、前記レジストフィーチャに向けて、修正した前記形状を持つ前記境界を越えて前記イオンを加速する段階と
を備え、
前記プラズマシース修正部は、前記予め定められた波長帯域を持つ前記電磁波を透過させ、前記予め定められた波長帯域以外の波長帯域を持つ電磁波を遮蔽する方法。
【請求項２】
前記境界の形状を修正する段階は、一対の修正部材を持つプラズマシース修正部であって、前記一対の修正部材の間に間隙を画定しているプラズマシース修正部を用意する段階を有し、
前記境界の前記形状は、前記間隙において、前記平面に対して凸形状である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記角度範囲は、前記基板が画定している前記平面に垂直な軸を中心として正の約６０度から負の約６０度までの範囲である請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記照射する段階および前記加速する段階は、同時に行われる請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記イオンのドーズのエネルギーは、約１ｋｅＶから約１０ｋｅＶの間である請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の照射において、前記基板の温度を約摂氏３０度以上に維持する段階をさらに備える請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記プラズマシース修正部は、半導体膜から形成される１以上の層を含む請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記予め定められた波長帯域は、紫外（ＵＶ）波長帯域を含む請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記プラズマシース修正部は、ＵＶ線に対して略透明である請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
基板上に設けられているパターニングレジストフィーチャの粗度を修正する方法であって、
前記レジストフィーチャは、第１の粗度を持ち、
プラズマシースおよびイオンを内部に持つプラズマを生成する段階と、
前記プラズマと前記プラズマシースとの間の境界の形状を修正する開口を画定しているプラズマシース修正部（ＰＳＭ）を用意する段階と、
第１の照射において、前記パターニングレジストフィーチャに向けて、修正後の前記形状を持つ前記境界を越えてイオンを加速する段階と、
前記第１の照射の少なくとも一部において、第１の波長帯域を持つ電磁波を前記パターニングレジストフィーチャに照射する段階と
を備え、
前記電磁波は、前記プラズマから放出され、
前記パターニングレジストフィーチャは、前記イオンおよび前記第１の波長帯域を持つ前記電磁波が照射されると、前記第１の粗度より低い第２の粗度を持ち、
前記プラズマシース修正部は、前記第１の波長帯域以外の第２の波長帯域を持つ電磁波を遮蔽する材料を含む方法。
【請求項１１】
前記第１の波長帯域は、ＵＶ波長帯域である請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の波長帯域は、赤外（ＩＲ）波長帯域である請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記プラズマは、第１の種および第２の種を含み、
前記第１の種は、前記レジストフィーチャに衝突すると前記第１の粗度を低減するイオンを生成し、
前記第２の種は、ＵＶ波長帯域内の前記電磁波を放出する請求項１０から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の照射において、約摂氏３０度と約摂氏３００度との間に到達するように基板温度を上昇させる段階をさらに備える請求項１０から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記プラズマシース修正部は、石英を含む請求項１０から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記プラズマシース修正部は、１以上のシリコン薄膜を含む請求項１０から１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記イオンは、前記第１の照射において、所与の角度範囲にわたって、前記パターニングレジストフィーチャに衝突する請求項１０から１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
レジストフィーチャの粗度を低減する方法であって、
プラズマシースを含むプラズマを生成する段階と、
前記プラズマと前記プラズマシースとの間に画定されている境界の形状の一部が、前記プラズマに対向している基板が画定している平面に平行でなくなるように、前記境界の前記形状を、プラズマシース修正部を用いて修正する段階と、
第１の照射において、前記基板の温度を、約摂氏３０度から約摂氏３００度までの範囲内に維持する段階と、
前記第１の照射において、所与の角度範囲にわたって、前記レジストフィーチャに前記プラズマからイオンを衝突させ、前記レジストフィーチャの粗度を低減する段階と、
前記第１の照射の少なくとも一部において、第１の波長帯域を持つ電磁波を前記レジストフィーチャに照射する段階と
を備え、
前記電磁波は、前記プラズマから放出され、
前記プラズマシース修正部は、前記第１の波長帯域以外の第２の波長帯域を持つ電磁波を遮蔽する材料を含む方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
別の実施形態によると、基板上に設けられているレジストフィーチャを処理するシステムは、プラズマシースを含むプラズマを生成するプラズマ源と、プラズマと基板との間に配置されているプラズマシース修正部とを備える。プラズマシース修正部は、プラズマとプラズマシースとの間に画定されている境界の形状を制御して、当該境界の形状の一部が、プラズマの前方において基板が画定している平面と平行にならないように制御し、プラズマから放出される所望の波長帯域を持つ電磁波を透過させる。プラズマシース修正部は、予め定められた波長帯域以外の電磁波帯域を遮蔽してよい。予め定められた波長帯域は、ＵＶ波長帯域であってよい。予め定められた波長帯域は、ＩＲ波長帯域であってよい。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月11日(2014.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気化学的エネルギー貯蔵器のための電極積重物であって、該電極積重物においては、アノード（５）とカソード（８）とが交互に積重されており、少なくとも１つのセパレータ（６、７）によってそれぞれ分離されている電極積重物を製造するための方法であって、
‐  少なくとも１つのアノード（５）あるいはカソード（８）を供給するステップと、
‐  少なくとも１つのセパレータ（６、７）を供給するステップと、
‐  少なくとも１つの前記アノード（５）あるいはカソード（８）と、少なくとも１つの前記セパレータ（６、７）とを、少なくとも１つのグリッパ（１９、２０、２１、２２、２４−２９）で掴むステップと、
‐  電極積重物を形成するために、掴まれたオブジェクト（５、６、７、８）を載置するステップと、
を有する方法において、
オブジェクトを取り除くためにおよび／あるいは載置するために、垂直軸の周りを回転可能なおよび／あるいは水平面で移動可能なリフト機器が用いられ、該リフト機器は、取り除かれるべきオブジェクトの位置を情報技術的方法を使って認識する機器を使って、配置および／あるいは位置決めされることを特徴とする方法。
【請求項２】
取り除かれるべきオブジェクトの位置を情報技術的方法を使って認識する機器を使って、垂直軸の周りを回転可能なおよび／あるいは水平面で移動可能な前記リフト機器を位置決めおよび／あるいは配置する際に、該リフト機器の有効要素、好適には低圧リフターの吸盤は、好適には、前記リフト機器のこれらの有効要素が、取り除かれるべき特に持ち上げられるべき前記オブジェクトの面とできる限り良好に一致するように、かつ前記リフト機器のこれらの有効要素が、好適には、特に持ち上げられるべきあるいは取り除かれるべき前記オブジェクトの下の別のオブジェクトと接触したり、あるいは相互作用に陥らないように、配置および／あるいは位置決めされることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
アノードとカソードとセパレータとを含むオブジェクト群の少なくとも２つのオブジェクトが、少なくとも１つのグリッパによって一緒に掴まれ、電極積重物に付加される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
アノードとカソードとセパレータとを含むオブジェクト群の少なくとも２つのオブジェクトが、同時に異なるグリッパによって掴まれ、電極積重物に付加される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
アノードとカソードとセパレータとを含むオブジェクト群の少なくとも２つのオブジェクトが、少なくとも１つのグリッパ（２９）によって次々に累積されて掴まれて、電極積重物に付加される、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
少なくとも１つのオブジェクトは少なくとも部分的に通気性があり、低圧グリッパによって掴まれる、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
少なくとも１つの第１のオブジェクトは、少なくとも１つの第２のオブジェクトよりも面積が大きい、請求項５または６に記載の方法。
【請求項８】
少なくとも１つのオブジェクトの周囲に環状間隙が備わっている、請求項５から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
次々に累積されて掴まれるオブジェクト（７、８）は、一緒に電極積重物に載置される、請求項５から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
電気化学的エネルギー貯蔵器のための電極積重物を製造するための装置であって、
‐  少なくとも１つのアノード（５）あるいはカソード（８）を供給するための第１供給機器（１、４）と、
‐  少なくとも１つのセパレータ（６、７）を供給するための第２供給機器（２、３）と、
‐  少なくとも１つの前記アノード（５）あるいはカソード（８）と少なくとも１つの前記セパレータ（６、７）とを掴み、かつ電極積重物を形成するために、掴まれたオブジェクト（５、６、７、８）を載置するための少なくとも１つのグリッパ（１９、２０、２１、２２、２４−２９）と、
を有する装置において、
オブジェクトを取り除くためのおよび／あるいは載置するための、垂直軸の周りを回転可能なおよび／あるいは水平面で移動可能なリフト機器と、取り除かれるべきオブジェクトの位置を情報技術的方法を使って認識する機器であって、該機器を使って、前記リフト機器が配置および／あるいは位置決めされる機器とを特徴とする装置。
【請求項１１】
特に、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法を実行するための装置であって、アノードとカソードとセパレータとを供給するための、平行して走行するベルト（１、２、３、４）と、平行して走行する該ベルト（１、２、３、４）に対して垂直に配置された少なくとも１つの軸（９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、２３）に沿って可動式に設けられている複数のグリッパ（２４、２５、２６、２７、２８、２９）と、を有する、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
少なくとも１つのアノードベルト（１）と、少なくとも１つのカソードベルト（４）と、それぞれ１つのアノードベルトとそれぞれ１つのカソードベルトとの間に設けられた少なくとも１つのセパレータベルトと、を有する、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
少なくとも１つのアノードベルトと、少なくとも１つのカソードベルトと、それぞれ１つのアノードベルトとそれぞれ１つのカソードベルトとの間に設けられた少なくとも２つのセパレータベルト（２、３）と、を有する、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記少なくとも２つのセパレータベルトの間に、好適にはシート状のオブジェクトを積重するための機器（１７）を有する、請求項１３に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月28日(2014.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１カレントコレクタ上に電気化学的に活性な金属酸化物コーティングを含むカソードと、
電解質と、
第２カレントコレクタ上に電気化学的に活性な合金コーティングを含むアノードと、
を含み、
前記アノード及び前記カソードの両方が
コーティング面当たり約４．５ｍＡｈ／ｃｍ２を超える電極負荷を有する、リチウムイオン電気化学セル。
【請求項２】
前記電気化学的に活性な合金がケイ素又はスズを含む、請求項１に記載のリチウムイオン電気化学セル。
【請求項３】
前記電気化学的に活性な金属酸化物コーティングがコバルト、マンガン、又はニッケルを含む、請求項１に記載のリチウムイオン電気化学セル。
【請求項４】
第１カレントコレクタ上に電気化学的に活性な金属酸化物コーティングを含むカソード、第２カレントコレクタ上に電気化学的に活性な合金コーティングを含むアノード、及び電解質と、を提供する工程と、
前記カソード、前記アノード、及び前記電解質を組み立ててリチウムイオン電気化学セルを形成する工程と、
を含み、
前記カソード及び前記アノードの両方の電極負荷がコーティング面当たり約４．５ｍＡｈ／ｃｍ２を超える、リチウムイオン電気化学セルの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月20日(2013.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光性構成体であって、
第２の発光層と第３の発光層の間に配置された第１の発光層を含み、
第１の発光層がホスト材料を含み、第２の発光層が前記ホスト材料を含み、第３の発光層が前記ホスト材料を含み、ホスト材料が、蛍光によって青色光を発光し；
第１の発光層が、少なくとも第１の燐光ドーパントを含み、第２の発光層および第３の発光層は、ドープされていないか；または
第１の発光層はドープされておらず、第２の発光層は、少なくとも第１の燐光ドーパントを含み、第３の発光層は、少なくとも第２の燐光ドーパントを含み；
ホスト材料の三重項エネルギーは、第１の燐光ドーパントの三重項エネルギーより大きく；
以下：
第１の燐光ドーパントのＨＯＭＯエネルギー準位が、ホスト材料のＨＯＭＯエネルギー準位より大きい；
第１の燐光ドーパントのＬＵＭＯエネルギー準位が、ホスト材料のＬＵＭＯエネルギー準位よりも小さいという関係のうち、少なくとも１つが存在する、発光性構成体。
【請求項２】
ホスト材料の三重項エネルギーが、第２の燐光ドーパントの三重項エネルギーより大きい、請求項１に記載の発光性構成体。
【請求項３】
ホスト材料が両極性である、請求項１または２に記載の発光性構成体。
【請求項４】
第１の発光層が、少なくとも第１の燐光ドーパントを含み、第２の発光層および第３の発光層がドープされていない、請求項１〜３のいずれかに記載の発光性構成体。
【請求項５】
第１の燐光ドーパントが、赤色、黄色または橙色の光子を放射する、請求項４に記載の発光性構成体。
【請求項６】
第１の発光層が、第２の燐光ドーパントをさらに含む、請求項４に記載の発光性構成体。
【請求項７】
第１の燐光ドーパントおよび第２の燐光ドーパントが、両方とも赤色、黄色または橙色の光子を放射する、請求項５に記載の発光性構成体。
【請求項８】
第１の燐光ドーパントが赤色の光子を放射し、第２の燐光ドーパントが緑色の光子を放射する、請求項５に記載の発光性構成体。
【請求項９】
第１の発光層がドープされておらず、第２の発光層が、少なくとも第１の燐光ドーパントを含み、第３の発光層が、少なくとも第２の燐光ドーパントを含む、請求項１〜３のいずれかに記載の発光性構成体。
【請求項１０】
第１の燐光ドーパントおよび第２の燐光ドーパントが、両方とも赤色、黄色または橙色の光子を放射する、請求項９に記載の発光性構成体。
【請求項１１】
第１の燐光ドーパントが、赤色、黄色または橙色の光子を放射し、第２の燐光ドーパントが緑色の光子を放射する、請求項９に記載の発光性構成体。
【請求項１２】
発光性構成体であって、
第２の発光層と第３の発光層の間に配置された第１の発光層を含み、
第１の発光層がホスト材料を含み、第２の発光層が前記ホスト材料を含み、第３の発光層が前記ホスト材料を含み、ホスト材料が、蛍光によって青色光を発光し；
第１の発光層、第２の発光層、第３の発光層のうち、少なくとも１つが第１の燐光ドーパントを含み；
第１の発光層、第２の発光層、第３の発光層のうち、少なくとも１つがドープされていない、発光性構成体。
【請求項１３】
第１の発光層が第１の燐光ドーパントを含み、第２の発光層および第３の発光層がドープされていないか；または
第１の発光層がドープされておらず、第２の発光層は第１の燐光ドーパントを含み、第３の発光層は第２の燐光ドーパントを含む、請求項１２に記載の発光性構成体。
【請求項１４】
ホスト材料の三重項エネルギーが、第１の燐光ドーパントの三重項エネルギーより大きい、請求項１２または１３に記載の発光性構成体。
【請求項１５】
ホスト材料の三重項エネルギーが、第２の燐光ドーパントの三重項エネルギーより大きい、請求項１３に記載の発光性構成体。
【請求項１６】
第１の燐光ドーパントのＨＯＭＯエネルギー準位が、ホスト材料のＨＯＭＯエネルギー準位より大きい、請求項１２〜１５のいずれかに記載の発光性構成体。
【請求項１７】
第１の燐光ドーパントのＬＵＭＯエネルギー準位が、ホスト材料のＬＵＭＯエネルギー準位より小さい、請求項１２〜１５のいずれかに記載の発光性構成体。
【請求項１８】
ホスト材料が両極性である、請求項１２〜１７のいずれかに記載の発光性構成体。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれかに記載の発光性構成体を含む発光デバイス。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年6月20日(2014.6.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
レンズ７０は、多数の方法で、成形体４０に取り付けられることができる。例えば、レンズ７０が、温度サイクル中に封止剤の上に着座し、浮遊するように、レンズ７０が封止剤に接着される。あるいは、レンズ７０は、その棚状の突起７３で、成形体４０と固定される。数百ミクロンの小さな隙間、すなわち膨張空間が、レンズ７０の最下点とリードフレーム２２の上面側２４との間に存在する。この隙間によって、封止剤が温度サイクル中にこの隙間を通って呼吸（breathe）する（膨張および収縮する）ことができて、たとえあったとしても、高い熱応力はダイパッケージ１０の他の部分に影響をほとんど与えない。これによって、剥離、亀裂および熱応力に関するその他の原因による故障が低減される。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月30日(2014.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細胞培養容器の上または下に適合するような形状のキャップを備える磁気駆動装置であって、
前記キャップは、１つ以上の磁石がその中に装着される１つ以上のくぼみを有し、さらに、
前記キャップは、前記細胞培養容器からの前記磁石の高さを調節するために、調節可能である、磁気駆動装置。
【請求項２】
前記キャップは、円盤形状であり、前記キャップの内側または外側に適合するネジ込み式カラーをさらに備え、そのため、前記カラーのネジをゆるめることが、前記細胞培養容器から前記キャップの高さを上昇させるように機能する、請求項１に記載の磁気駆動装置。
【請求項３】
前記キャップは、その中に１つ以上の穴を有し、前記磁石は、前記１つ以上の穴を通して、取り外し可能に適合するか、又は、
前記キャップは、１つ以上の磁石がその中に可逆的に適合することができる１つ以上のくぼみを含む、請求項１に記載の磁気駆動装置。
【請求項４】
前記キャップは、複数のウェルを有する細胞培養プレートの上に適合し、それぞれのウェルが前記ウェルの内側に適合するようにサイズ決めされた磁石を有するように、複数の磁石が前記キャップに装着される、請求項１に記載の磁気駆動装置。
【請求項５】
前記磁石は、前記くぼみの中にスナップ嵌めされるか、又は、前記くぼみの中に接着される、請求項１に記載の磁気駆動装置。
【請求項６】
前記キャップは、３つの空間方向のうちの１つ以上の前記磁石の位置を調節するための手段を備える、請求項１に記載の磁気駆動装置。
【請求項７】
１つ以上のウェルを有する細胞培養プレートと、前記細胞培養プレートのための蓋と、請求項１〜６に記載の磁気駆動装置とを備え、磁石の数は、ウェルの数と同じである、磁気細胞培養システム。
【請求項８】
前記蓋は、前記培養プレートの前記１つ以上のウェルの中に適合する１つ以上の上部ウェルを有し、前記磁石は、前記上部ウェルの中に適合する、請求項７に記載の磁気細胞培養システム。
【請求項９】
複数のウェルをアレイ状に有する容器と、前記複数のウェルを覆うキャップと、前記キャップに装着されたアレイ状の複数の磁石とを備え、これにより、前記キャップが前記容器上の定位置にあるとき、前記ウェルのそれぞれが、前記ウェル上に磁石を有する、磁気細胞培養容器。
【請求項１０】
第１の端部を有するハウジング内の磁石と、前記第１の端部の上に適合し、それから突出するオーバーキャップと、前記磁石を前記オーバーキャップの中に可逆的に降下させるための調節手段とを備える、細胞を移動させるための磁気ピペッター。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月18日(2014.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素源としてのグリセロールから商業上関心が持たれる化学品を生産するために遺伝子改変された微生物であって、該微生物は、調節解除されたグリセロール資化経路を含み、該グリセロール資化経路が、促進グリセロール拡散因子、グリセロールキナーゼ、およびグリセロール−３−リン酸デヒドロゲナーゼを含む微生物。
【請求項２】
大腸菌（Ｅｓｃｈｅｒｉｃｈｉａ  ｃｏｌｉ）である、請求項１に記載の微生物。
【請求項３】
グリセロール資化遺伝子の発現を負に調節するリプレッサーの活性の実質的な低下をもたらす変異を含む、請求項１に記載の微生物。
【請求項４】
グリセロール資化遺伝子の発現を負に調節するリプレッサーをコードする遺伝子が欠失している、請求項１に記載の微生物。
【請求項５】
該変異または欠失がｇｌｐＲ遺伝子にある、請求項４または５に記載の微生物。
【請求項６】
グリセロールキナーゼの比活性を、フルクトース−１，６−二リン酸による阻害に対して実質的に耐性にする変異を含む、請求項１に記載の微生物。
【請求項７】
グリセロールキナーゼの比活性を、ホスホトランスフェラーゼ系の非リン酸化酵素ＩＩＡＧｌｃによる阻害に対して実質的に耐性にする変異を含む、請求項１に記載の微生物。
【請求項８】
グリセロールキナーゼの比活性を、フルクトース−１，６−二リン酸による阻害およびホスホトランスフェラーゼ系の非リン酸化酵素ＩＩＡＧｌｃによる阻害に対して実質的に耐性にする変異を含む、請求項１に記載の微生物。
【請求項９】
２つ以上の変異を含み、変異の一つは、グリセロール資化遺伝子の発現を負に調節するリプレッサーの活性を実質的に低下させ、もう一つは、グリセロールキナーゼの比活性を、フルクトース−１，６−二リン酸による阻害またはホスホトランスフェラーゼ系の非リン酸化酵素ＩＩＡＧｌｃによる阻害に対して実質的に耐性にする、請求項１に記載の微生物。
【請求項１０】
グリセロール資化経路の調節解除が、ｇｌｐＤ、ｇｌｐＦＫＸ、およびｇｌｐＡＢＣからなる群より選択される１つ以上の遺伝子またはオペロンのネイティブプロモーターを、構成的に活性なプロモーターで置き換えることによって達成される、請求項１に記載の微生物。
【請求項１１】
該化学品がコハク酸、リンゴ酸、乳酸、またはフマル酸である、請求項１に記載の微生物。
【請求項１２】
商業上関心が持たれる化学品をグリセロールから生産するための方法であって、グリセロールを炭素源とする発酵槽中で請求項１に記載の微生物を増殖させ、該発酵槽から該化学品を収穫することを含む方法。
【請求項１３】
該化学品がコハク酸、Ｌ−リンゴ酸、Ｌ−乳酸、Ｄ−乳酸、またはフマル酸である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
通気速度がブロス１リットルあたり毎分０．１５リットル未満の酸素を供給する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
通気速度がブロス１リットルあたり毎時２０ｍｇを上回る酸素を供給する、請求項１２に記載の方法。