【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年11月29日(2013.11.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の工程：
（Ａ）有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体またはその前駆体化合物を含有する溶液を１回または数回、
または
少なくとも１つの半導体金属酸化物またはその前駆体化合物を含有する溶液または分散液を、１回または数回基体上に施し、相応する溶液または分散液の溶液で被覆された基体を得る工程、
（Ｂ）室温ないし３５０℃の温度で工程（Ａ）からの被覆された基体を熱処理し、誘電体または半導体金属酸化物で被覆された基体を得る工程、
（Ｃ）工程（Ａ）で有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体またはその前駆体化合物を含有する溶液を施した場合には、少なくとも１つの半導体金属酸化物またはその前駆体化合物を含有する溶液または分散液を、工程（Ｂ）からの基体上に１回または数回施す工程、
または
工程（Ａ）で少なくとも１つの半導体金属酸化物または前駆体化合物を含有する溶液または分散液を施した場合には、有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体またはその前駆体化合物を含有する溶液を工程（Ｂ）からの基体上に１回または数回施し、相応する溶液または分散液で被覆された基体を得る工程、および
（Ｄ）室温ないし３５０℃の温度で工程（Ｃ）からの被覆された基体を熱処理し、誘電体および半導体金属酸化物で被覆された基体を得る工程を含む、少なくとも１つの基体、少なくとも１つの誘電体および少なくとも１つの半導体金属酸化物を含む電子構造部品の製造法。
【請求項２】
有機変性された酸化ケイ素化合物は、一般式（Ｉ）〜（Ｖ）：
【化１】
2013514643.tif 000001
〔式中、ＲおよびＲ1は次の意味を表すことができる：
Ｒは、互いに独立に、水素、直鎖状または分枝鎖状の、置換または非置換の、場合により少なくとも１個のヘテロ原子によって中断されたＣ1〜Ｃ20アルキル、少なくとも部分的にハロゲン化された、直鎖状または分枝鎖状の、置換または非置換の、場合により少なくとも１個のヘテロ原子によって中断されたＣ1〜Ｃ20アルキル、場合により直鎖状または分枝鎖状のＣ1〜Ｃ20アルキル鎖を介して結合された、置換または非置換のＣ3〜Ｃ20シクロアルキル、直鎖状または分枝鎖状の、置換または非置換の、少なくともモノ不飽和の、場合により少なくとも１個のヘテロ原子によって中断されたＣ2〜Ｃ20アルケニル、直鎖状または分枝鎖状の、置換または非置換の、少なくともモノ不飽和の、場合により少なくとも１個のヘテロ原子によって中断されたＣ2〜Ｃ20アルキニル、場合により直鎖状または分枝鎖状のＣ1〜Ｃ20アルキル鎖を介して結合された、置換または非置換Ｃ5〜Ｃ30アリールであり、
Ｒ1は、直鎖状または分枝鎖状のＣ1〜Ｃ20−アルキリデン基、−アルケニリデン基または−アルキニリデン基、例えば場合により官能基、例えば芳香族化合物基またはヘテロ芳香族化合物基またはヘテロ原子、例えばＯ、Ｓ、ＰまたはＮによって中断されていてよいＣ1−、Ｃ2−またはＣ3−アルキリデン基、置換または非置換Ｃ5〜Ｃ30アリーレンである〕で示される単位から選択された少なくとも１つの単位を含有し、この場合単一の酸素橋は、Ｓｉ原子の間に存在する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
少なくとも１つの半導体金属酸化物は、ＺｎＯである、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
工程（Ａ）または（Ｃ）で半導体金属酸化物を金属酸化物の形で分散液中で、または前駆体化合物として使用する、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
半導体金属酸化物の少なくとも１つの前駆体化合物として、ｘ、ｙおよびｚが互いに無関係に０．０１〜１０である無機錯体［（ＯＨ）x（ＮＨ3）yＺｎ］zが使用され、この場合ｘ、ｙおよびｚは、記載された錯体が無電荷であるように選択される、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
工程（Ｂ）および／または工程（Ｄ）を１００〜１７０℃の温度で実施する、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
工程（Ａ）および／または（Ｃ）での被覆を回転塗布法、噴霧塗布法、浸漬塗布法、ドロップキャスト法および／または印刷法によって行う、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
基体が可撓性の基体である、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
可撓性の基体は、ポリエステル、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリスルホンおよびその混合物からなる群から選択される、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体またはその前駆体化合物を含有する溶液のための溶剤は、アルコール、水、エステル、カルボン酸、アミン、アミド、エーテル、アルデヒド、ケトン、芳香族化合物およびその混合物からなる群から選択される、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも１つの半導体金属酸化物またはその前駆体化合物を含有する溶液または分散液のための溶剤または分散剤は、アルコール、水、エステル、カルボン酸、アミン、アミド、エーテル、アルデヒド、ケトン、芳香族化合物およびその混合物からなる群から選択される、請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
金属カチオンを有する半導体金属酸化物は、Ａｌ3+、Ｉｎ3+、Ｓｎ4+、Ｇａ3+およびその混合物からなる群から選択された金属カチオンでドープされる、請求項１から１１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
工程（Ｂ）後および／または工程（Ｄ）後、プラズマ処理を実施する、請求項１から１２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
請求項１から１３までのいずれか１項に記載の方法によって製造可能な電子構造部品。
【請求項１５】
ポリエステル、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリスルホンおよびその混合物、有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体、および少なくとも１つの半導体金属酸化物からなる群から選択される、少なくとも１つの可撓性基体を含む電子構造部品。
【請求項１６】
少なくとも１つの基体、溶液から処理された、有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体および溶液から処理された少なくとも１つの半導体金属酸化物を含む電子構造部品。
【請求項１７】
半導体金属酸化物は、ｘ、ｙおよびｚが互いに無関係に０．０１〜１０である無機錯体［（ＯＨ）x（ＮＨ3）yＺｎ］zから製造されたＺｎＯであり、この場合ｘ、ｙおよびｚは、記載された錯体が無電荷であるように選択される、請求項１４から１６までのいずれか１項記載の電子構造部品。
【請求項１８】
請求項１４から１７までのいずれか１項記載の電子構造部品であって、当該電子構造部品がＦＥＴである、前記電子構造部品。
【請求項１９】
前記電子構造部品がゲートコンタクトを有する、ポリエチレンナフタレート基体またはポリエチレンテレフタレート基体、殊にポリエチレンナフタレートフィルム基体またはポリエチレンテレフタレートフィルム基体、ｘ、ｙおよびｚが互いに無関係に０．０１〜１０である［（ＯＨ）x（ＮＨ3）yＺｎ］z溶液、殊に［（ＯＨ）2（ＮＨ3）4Ｚｎ］溶液から処理されたＺｎＯ半導体材料、メチル−およびフェニルシルセスキオキサン単位を含有するガラス樹脂の酢酸エチル溶液から処理されたシルセスキオキサン誘電体、ならびに有利にアルミニウムからなるソース／ドレインコンタクトを含み、この場合ｘ、ｙおよびｚは、記載された錯体が無電荷であるように選択される、請求項１４から１８までのいずれか１項記載の電子構造部品、有利にＦＥＴ。
【請求項２０】
ポリエステル、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリスルホンおよびその混合物、有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体、および少なくとも１つの半導体金属酸化物からなる群から選択される、少なくとも１つの可撓性基体を含む電子構造部品を製造するための有機変性された酸化ケイ素化合物の使用方法。
【請求項２１】
少なくとも１つの基体、溶液から処理された、前記の有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする誘電体および溶液から処理された、少なくとも１つの半導体金属酸化物を含む、電子構造部品を製造するための有機変性された酸化ケイ素化合物の使用方法。
【請求項２２】
半導体金属酸化物は、ｘ、ｙおよびｚが互いに無関係に０．０１〜１０である無機錯体［（ＯＨ）x（ＮＨ3）yＺｎ］zから製造されたＺｎＯであり、この場合ｘ、ｙおよびｚは、記載された錯体が無電荷であるように選択される、請求項２０または２１記載の使用方法。
【請求項２３】
電子構造部品はＦＥＴである、請求項２０から２２までのいずれか１項記載の使用方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
この課題は、本発明によれば、次の工程：
（Ａ）有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体またはその前駆体化合物を含有する溶液を１回または数回、
または
少なくとも１つの金属酸化物またはその前駆体化合物を含有する溶液または分散液を、１回または数回基体上に施し、相応する溶液または分散液の溶液で被覆された基体を得る工程、
（Ｂ）室温ないし３５０℃の温度で工程（Ａ）からの被覆された基体を熱処理し、誘電体または半導体金属酸化物で被覆された基体を得る工程、
（Ｃ）工程（Ａ）で有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体またはその前駆体化合物を含有する溶液を施した場合には、少なくとも１つの半導体金属酸化物またはその前駆体化合物を含有する溶液または分散液を、工程（Ｂ）からの基体上に１回または数回施す工程、
または
工程（Ａ）で少なくとも１つの半導体金属酸化物または前駆体化合物を含有する溶液または分散液を施した場合には、有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体またはその前駆体化合物を含有する溶液を工程（Ｂ）からの基体上に１回または数回施し、相応する溶液または分散液で被覆された基体を得る工程、および
（Ｄ）室温ないし３５０℃の温度で工程（Ｃ）からの被覆された基体を熱処理し、誘電体および半導体金属酸化物で被覆された基体を得る工程を含む、少なくとも１つの基体、少なくとも１つの誘電体および少なくとも１つの半導体材料を含む電子構造部品を製造するための方法によって解決される。