【手続補正書】
【提出日】平成24年11月1日(2012.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
本明細書で引用した全ての参考文献及び公報は、参照によりその全体が本明細書に明示的に組み込まれる。本明細書において特定の実施形態が例示及び説明されてきたが、多様な代替及び／又は同等の実施が、本開示の範囲から逸脱することなく、図示され説明された特定の実施形態と置き換えられ得ることは、当業者には理解されるであろう。本出願は、本明細書で説明された特定の実施形態のいかなる翻案又は変形をも包含すべく意図されている。したがって、本開示が「特許請求の範囲」及びその同等物によってのみ限定されることを、意図するものである。
本発明はまた、以下の内容を包含する。
（１）
バリアアセンブリであって、
第１の表面を有する基材と、
前記第１の表面に隣接する無機層と、を備え、前記無機層が、
第１の無機材料と、
第２の無機材料と、を含み、
前記第１の無機材料の前記第２の無機材料に対する比は、前記第１の表面に直交する方向にて変化する、バリアアセンブリ。
（２）
前記無機層に隣接して、前記基材の前記第１の表面の反対側に配置された保護高分子層を更に備える、項目１に記載のバリアアセンブリ。
（３）
前記第１の表面と前記無機層との間に配置された平滑化高分子層を更に備える、項目１に記載のバリアアセンブリ。
（４）
前記無機層が可視光透過性である、項目１に記載のバリアアセンブリ。
（５）
前記第１の無機材料及び前記第２の無機材料が、ＩＩＡ、ＩＩＩＡ、ＩＶＡ、ＶＡ、ＶＩＡ、ＶＩＩＡ、ＩＢ、若しくはＩＩＢ族からの原子、ＩＩＩＢ、ＩＶＢ若しくはＶＢ族の金属、希土類金属、又はそれらの組み合わせの酸化物、窒化物、炭化物又はホウ化物を含む、項目１に記載のバリアアセンブリ。
（６）
前記第１の無機材料が第１の原子を含み、前記第２の無機材料が前記第１の原子とは異なる第２の原子を含み、前記比は、前記第１の原子の前記第２の原子に対する原子比である、項目５に記載のバリアアセンブリ。
（７）
前記第１の原子がケイ素を含み、前記第２の原子がアルミニウムを含む、項目６に記載のバリアアセンブリ。
（８）
前記比が、前記第１の表面に直交する方向にて０．９越から０．１未満に変化する、項目１に記載のバリアアセンブリ。
（９）
前記比が、前記第１の表面に直交する方向にて０．７越から０．３未満に変化する、項目１に記載のバリアアセンブリ。
（１０）
前記比が、前記第１の表面に直交する方向にて単調に変化する、項目１に記載のバリアアセンブリ。
（１１）
前記無機層と前記保護高分子層との間に配置された第３の無機材料を更に備える、項目２に記載のバリアアセンブリ。
（１２）
前記第３の無機材料が、ＩＩＡ、ＩＩＩＡ、ＩＶＡ、ＶＡ、ＶＩＡ、ＶＩＩＡ、ＩＢ、若しくはＩＩＢ族の原子、ＩＩＩＢ、ＩＶＢ、若しくはＶＢ族の金属、希土類金属、又はそれらの組み合わせの酸化物、窒化物、炭化物又はホウ化物を含む、項目１１に記載のバリアアセンブリ。
（１３）
水蒸気透過率が、５０℃及び１００％相対湿度で０．００５ｇ／ｍ２／日未満である、項目１に記載のバリアアセンブリ。
（１４）
水蒸気透過率が、８５℃及び１００％相対湿度で０．００５ｇ／ｍ２／日未満である、項目１に記載のバリアアセンブリ。
（１５）
前記基材が、電子デバイスを含む、項目１に記載のバリアアセンブリ。
（１６）
前記電子デバイスが、有機エレクトロルミネセントデバイス（ＯＬＥＤ）、電気泳動デバイス、光起電デバイス、薄膜トランジスタデバイス、又はそれらの組み合わせを含む、項目１５に記載のバリアアセンブリ。
（１７）
前記基材が、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、熱安定化ＰＥＴ、熱安定化ＰＥＮ、ポリオキシメチレン、ポリビニルナフタレン、ポリエーテルエーテルケトン、フルオロポリマー、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリα−メチルスチレン、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリアミドイミド、ポリイミド若しくはポリフタルアミド、又はそれらのブレンドを含む高分子基材である、項目１に記載のバリアアセンブリ。
（１８）
前記保護高分子層上に配置された、又は前記無機層上に配置された、又は前記保護高分子層及び前記無機層の両方上に配置された透明な導電性酸化物を更に備える、項目２に記載のバリアアセンブリ。
（１９）
前記透明な導電性酸化物が、酸化インジウムスズを含む、項目１８に記載のバリアアセンブリ。
（２０）
バリアアセンブリであって、
第１の表面を有する基材と、
前記第１の表面に隣接して配置された無機酸化物組成物と、を備え、前記無機酸化物組成物が、
第１の原子の第１の酸化物と、
第２の原子の第２の酸化物と、を含み、
前記第１の原子の前記第２の原子に対する原子比が、前記第１の表面に直交する方向にて変化する、バリアアセンブリ。
（２１）
前記無機酸化物組成物に隣接して、前記基材の前記第１の表面の反対側に配置された保護分子層を更に備える、項目２０に記載のバリアアセンブリ。
（２２）
前記第１の表面と前記無機酸化物組成物との間に配置された平滑化高分子層を更に備える、項目２０に記載のバリアアセンブリ。
（２３）
前記無機酸化物組成物と前記保護高分子層との間に配置された第３の無機酸化物を更に備える、項目２１に記載のバリアアセンブリ。
（２４）
前記第１の原子の前記酸化物、前記第２の原子の前記酸化物、及び前記第３の無機酸化物が、酸化ケイ素又は酸化アルミニウムを含む、項目２３に記載のバリアアセンブリ。
（２５）
バリアアセンブリの製造プロセスであって、
基材を提供することと、
前記基材上に平滑化高分子層を形成することと、
前記平滑化高分子層上に無機層を形成することと（前記無機層は、前記無機層の厚さ全体にわたって変化する無機組成物を含む）、
前記無機層上に保護高分子層を形成すること、とを含む、方法。
（２６）
前記無機層の形成が、第１の対のスパッタリングターゲットのデュアル交流（ＡＣ）スパッタリングと、続く第２の対のスパッタリングターゲットのデュアルＡＣスパッタリングと、を含む項目２５に記載のプロセス。
（２７）
前記第１の対のスパッタイングターゲットが第１の原子組成物を含み、前記第２の対のスパッタリングターゲットが前記第１の原子組成物とは異なる第２の原子組成物を含む、項目２６に記載のプロセス。
（２８）
前記第１の対のスパッタリングターゲットが、第１の気体雰囲気内に存在し、前記第２の対のスパッタリングターゲットが、第１の気体雰囲気とは異なる第２の気体雰囲気内に存在する、項目２６に記載のプロセス。
（２９）
前記第１の原子組成物及び前記第２の原子組成物が、ＩＩＡ、ＩＩＩＡ、ＩＶＡ、ＶＡ、ＶＩＡ、ＶＩＩＡ、ＩＢ、若しくはＩＩＢ族の原子、ＩＩＩＢ、ＩＶＢ、若しくはＶＢ族の金属、希土類金属、又はそれらの組み合わせを含む、項目２７に記載のプロセス。
（３０）
前記基材がロール上に提供され、前記形成工程が、前記基材が展開されるにつれて、順次連続的に行われる、項目２５に記載のプロセス。
（３１）
項目１に記載のバリアアセンブリを備える、光起電デバイス。
（３２）
項目１に記載のバリアアセンブリを備える、ディスプレーデバイス。
（３３）
項目１に記載のバリアアセンブリを備える、固体照明デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バリアアセンブリであって、
第１の表面を有する基材と、
前記第１の表面に隣接する無機層と、を備え、前記無機層が、
第１の無機材料と、
第２の無機材料と、を含み、
前記第１の無機材料の前記第２の無機材料に対する比は、前記第１の表面に直交する方向にて変化する、バリアアセンブリ。
【請求項２】
バリアアセンブリであって、
第１の表面を有する基材と、
前記第１の表面に隣接して配置された無機酸化物組成物と、を備え、前記無機酸化物組成物が、
第１の原子の第１の酸化物と、
第２の原子の第２の酸化物と、を含み、
前記第１の原子の前記第２の原子に対する原子比が、前記第１の表面に直交する方向にて変化する、バリアアセンブリ。
【請求項３】
バリアアセンブリの製造プロセスであって、
基材を提供することと、
前記基材上に平滑化高分子層を形成することと、
前記平滑化高分子層上に無機層を形成することと（前記無機層は、前記無機層の厚さ全体にわたって変化する無機組成物を含む）、
前記無機層上に保護高分子層を形成することと、を含む、方法。