Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月28日(2003.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
これまでに、Ｎ−スルホニル含窒素６員芳香環カルボン酸アミド誘導体又はその塩、製造法及び有害生物防除剤に関する記載及び一般式（ＶＩＩＩ）で表される化合物を製造する製造法として、（化５）に示すような一般式（ＶＩ）で表されるスルホンアミド誘導体と下記一般式（ＶＩＩ）で表されるカルボン酸誘導体を、適当な縮合剤の存在下、適当な溶媒中で、必要ならば塩基の共存下で反応させる製造法が知られている（ＷＯ−９３／１８０１２号公報明細書）。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記ＷＯ−９３／１８０１２号公報明細書に記載の製造法は、一般式（ＶＩＩ）で表される化合物の製造に比較的長い工程を要すること、及び縮合剤を使用しなければならないこと等で必ずしも工業的に有利な方法であるとは言い難い。本発明は、Ｎ−スルホニルピリミジンカルボン酸アミド誘導体をより効率良く製造できる方法を提供することを課題としてなされたものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
当反応において原料として用いる一般式（ＩＩ）で表される４，６−ジアルコキシピリミジン−２−カルボン酸 フェニルエステル誘導体としては、例えば４，６−ジメトキシピリミジン−２−カルボン酸 フェニルエステル、４，６−ジメトキシピリミジン−２−カルボン酸 ４−クロロフェニルエステル、４，６−ジメトキシピリミジン−２−カルボン酸 ４−メチルフェニルエステル、４，６−ジメトキシピリミジン−２−カルボン酸 ４−メトキシフェニルエステル、４，６−ジメトキシピリミジン−２−カルボン酸 ２，４−ジメチルフェニルエステル、４，６−ジメトキシピリミジン−２−カルボン酸 ２，６−ジメチルフェニルエステル、４，６−ジメトキシピリミジン−２−カルボン酸 ２，６−ジクロロフェニルエステル、４，６−ジメトキシピリミジン−２−カルボン酸 ４−シアノフェニルエステル、４，６−ジメトキシピリミジン−２−カルボン酸 ４−ニトロフェニルエステル、４，６−ジメトキシピリミジン−２−カルボン酸 ４−メトキシカルボニルフェニルエステル等を例示できる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月31日(2003.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図１５は導体板１７にバイアス電圧を印加するマイクロ波プラズマ処理装置の一例を示す。図１５において、図１と同じ部品には同じ符号を付してある。処理容器１の側壁にバイアス電圧印加用電源７１のリード線７２を通すための貫通孔７３が形成されており、貫通孔７３を貫通したリード線７２は導体板１７の表面に接続している。バイアス電圧印加用電源７１のアース端子７４は処理容器１の外壁面に接続している。電源７１により導体板１７にその電位を下げるようにバイアス電圧を印加すると、処理室５０内の空間ポテンシャルを下げることができる。
ここで、放電容器の内部の壁を絶縁物（例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）膜）で全体、あるいは８０％以上を被覆することにより、バイアス電圧を導体板１７と基板の間に加えた場合の空間ポテンシャルの効果を大きくすることが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月23日(2003.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
水の超臨界状態において処理物を酸化剤の存在下に酸化分解する反応器を備えた含窒素有機化合物の超臨界水酸化分解処理装置において、処理流体を超臨界条件未満の温度に冷却する冷却手段と、冷却された処理流体を気液分離する気液分離手段と、分離された気体が通過するＮ2Ｏ触媒層と、触媒層を通過した気体を減圧する減圧手段と、気液分離された液体を冷却する冷却手段と、冷却された液体を減圧する減圧手段を備えたことを特徴とする含窒素有機化合物の超臨界水酸化分解処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
それに対し、近年水の超臨界条件（３７４℃、２２ＭＰａ以上）で酸化分解処理を行う、いわゆる超臨界水酸化分解法が提案されている。図４に示した従来の超臨界水酸化分解処理装置のフロー図から明らかなように、タンク１内の含窒素有機化合物と水貯留槽３内の水は、高圧ポンプ２，４により超臨界圧力まで昇圧され、さらに酸化剤としての空気が高圧コンプレッサー５により導入されて混合流体となる。昇圧された混合流体は、予熱器６で超臨界温度まで加熱され、管状型反応器７内で超臨界水酸化分解反応が起こる。超臨界水酸化分解された処理流体は冷却器８により冷却され、減圧弁１２を介して気液分離装置９により気液分離されて排ガスと処理水として系外へ排出される。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項４に係る本発明は、水の超臨界状態において処理物を酸化剤の存在下に酸化分解する反応器を備えた含窒素有機化合物の超臨界水酸化分解処理装置において、処理流体を超臨界条件未満の温度に冷却する冷却手段と、冷却された処理流体を気液分離する気液分離手段と、分離された気体が通過するＮ2Ｏ触媒層と、触媒層を通過した気体を減圧する減圧手段と、気液分離された液体を冷却する冷却手段と、冷却された液体を減圧する減圧手段を備えたことを特徴とする含窒素有機化合物の超臨界水酸化分解処理装置に関するものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明に用いるＮ2Ｏ分解触媒は、Ｎ2Ｏを分解できる触媒であれば特に限定されないが、例えば、三二酸化ロジウム、三二酸化コバルトまたはこれらの混合物よりなるＡ群化合物、セリウム化合物、マンガン化合物またはスズ化合物よりなるＢ群化合物、アルカリ金属、アルカリ土類金属またはこれらの混合物よりなるＣ群化合物のそれぞれ１種以上を有効成分として含有する多元触媒、あるいは疎水性担体にウテニウム、ロジウム、レニウム、オスミウム、イリジウム、パラジウムおよび白金からなる群より選ばれる少なくとも１種以上の貴金属類を担持した触媒、あるいは酸化ロジウムを酸化亜鉛担体または酸化亜鉛担体多孔質を担持した触媒、あるいは細孔内部および表面での交換可能な陽イオンが水素であるゼオライト等を用いることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月3日(2003.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明者らは、成形面に生ずる粗れやガラスの付着などの現象が、基体と貴金属合金の薄膜の間に生じる物質の拡散によって生ずることを確認した。この基体と貴金属合金との間に生ずる物質の拡散が膜質の変化に起因している。
本発明による成形型では、基体として求められる加工性、高温強度、耐熱衝撃性に対して、優れた物質であるタングステンカーバイドで形成された基体１を用いた。そして、基体１の成形面を所望の形状に精密加工した後、その成形面上に膜厚５０００Å以下のプラチナ（Ｐｔ）−ロジウム（Ｒｈ）−金（Ａｕ）の薄膜を形成した。これにより、光学ガラスのプレス加工時に必要な温度である６００℃以上の高温においても、この成形型では表面粗さの変化がほとんど生じず、成形型の長寿命化が実現できる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、比較例として、同一形状のタングステンカーバイド基体の成形面上にプラチナの薄膜、厚さ１００ＯÅを形成した成形型を作製した。
この比較例の成形型は、光学ガラスの成形前には、ＲＭＳ値６．８Å程度の粗さを有していた。成形後の成形面における粗さは、ＲＭＳ値で約４０Å程度の粗れが生じた。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月1日(2003.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
腫瘍細胞障害因子（ＴＣＦ−ＩＩ）及び上皮細胞増殖因子（ＥＧＦ）を有効成分として含有するスフェロイド形成促進剤。
【請求項２】
上皮細胞増殖因子（ＥＧＦ）の５０重量濃度に対し腫瘍細胞障害因子（ＴＣＦ−ＩＩ）が１００〜１００００重量濃度であることを特徴とする腫瘍細胞障害因子（ＴＣＦ−ＩＩ）及びＥＧＦを有効成分として含有するスフェロイド形成促進剤。
【請求項３】
ポリウレタンフォーム（ＰＵＦ）に肝細胞を播種する工程と、腫瘍細胞障害因子（ＴＣＦ−ＩＩ）及び上皮細胞増殖因子（ＥＧＦ）を有効成分として含有するスフェロイド形成促進剤を用いてスフェロイドを形成する工程を含む人工肝臓の製造方法。
【請求項４】
ポリウレタンフォーム（ＰＵＦ）に肝細胞を播種し、腫瘍細胞障害因子（ＴＣＦ−ＩＩ）及び上皮細胞増殖因子（ＥＧＦ）を有効成分として含有するスフェロイド形成促進剤を用いてスフェロイドを形成し作成された人工肝臓。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
表４の結果より、ＥＧＦを添加することにより、肝細胞スフェロイドの形成が促進された。さらに表３及び図１〜４の結果より、ＴＣＦとＥＧＦを添加することにより、ＥＧＦのみを添加した系と比較しスフェロイドの形成が促進され、これは５０ｎｇ／ｍｌ  ＥＧＦ存在下でＴＣＦ濃度が１００〜１００００ｎｇ／ｍｌの時に顕著であった。又、ＴＣＦのみを添加した系では、ＴＣＦとＥＧＦを両方添加した系に比較して、若干スフェロイドの形成が遅かった。これらの結果より、ＴＣＦとＥＧＦを共存させることにより、肝細胞スフェロイドの形成が促進されることが確認された。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
図５（Ｂ）の結果より、ＴＣＦとＥＧＦを添加することにより、ＴＣＦのみを添加した系と比較して、著明にアルブミン合成が促進された。又、  図５（Ａ）の結果より、アルブミン合成は５０ｎｇ／ｍｌ  ＥＧＦ存在下でＴＣＦ濃度が１００〜１００００ｎｇ／ｍｌの時に特に顕著であった。この結果、ＴＣＦとＥＧＦを共存させることにより、肝細胞スフェロイドの形成が促進され、それらが機能していることが確認された。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月14日(2003.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有効成分としてＮ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｐ−トリル尿素を含み、かつＮ，Ｎ’−ビス（α，α−ジメチルベンジル）−尿素およびＮ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｍ−トリル尿素の少なくとも１種を含むことを特徴とするフロアブル製剤組成物。
【請求項２】
Ｎ，Ｎ’−ビス（α，α−ジメチルベンジル）−尿素およびＮ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｍ−トリル尿素を含むことを特徴とする請求項１に記載のフロアブル製剤組成物。
【請求項３】
Ｎ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｐ−トリル尿素の含有量が０．５〜６０重量％であることを特徴とする請求項１または２に記載のフロアブル製剤組成物。
【請求項４】
Ｎ，Ｎ’−ビス（α，α−ジメチルベンジル）−尿素またはＮ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｍ−トリル尿素の量が、Ｎ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｐ−トリル尿素に対して０．０１〜５．０重量％である請求項１乃至３のいずれかに記載のフロアブル製剤組成物。
【請求項５】
組成物調整後２５℃で１日放置後のＮ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｐ−トリル尿素の平均粒径の増大率が５％以下である請求項１乃至４のいずれかに記載のフロアブル製剤組成物。
【請求項６】
有効成分としてＮ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｐ−トリル尿素を含むフロアブル製剤組成物において、Ｎ，Ｎ’−ビス（α，α−ジメチルベンジル）−尿素およびＮ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｍ−トリル尿素の少なくとも１種を共存させることを特徴とするＮ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｐ−トリル尿素の粒径の増大を防止する方法。
【請求項７】
Ｎ，Ｎ’−ビス（α，α−ジメチルベンジル）−尿素およびＮ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｍ−トリル尿素を共存せしめることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
Ｎ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｐ−トリル尿素の含有量が０．５〜６０重量％であることを特徴とする請求項６または７に記載の方法。
【請求項９】
Ｎ，Ｎ’−ビス（α，α−ジメチルベンジル）−尿素またはＮ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｍ−トリル尿素の量が、Ｎ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｐ−トリル尿素に対して０．０１〜５．０重量％である請求項６乃至８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
有効成分としてＮ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｐ−トリル尿素を含むフロアブル製剤組成物において、Ｎ，Ｎ’−ビス（α，α−ジメチルベンジル）−尿素およびＮ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｍ−トリル尿素の少なくとも１種を共存させることにより、組成物調整後２５℃で１日放置後のＮ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｐ−トリル尿素の平均粒径の増大率を５％以下に抑制する方法。
【請求項１１】
Ｎ，Ｎ’−ビス（α，α−ジメチルベンジル）−尿素およびＮ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｍ−トリル尿素を含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
Ｎ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｐ−トリル尿素の含有量が０．５〜６０重量％であることを特徴とする請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１３】
Ｎ，Ｎ’−ビス（α，α−ジメチルベンジル）−尿素またはＮ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｍ−トリル尿素の量が、Ｎ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｐ−トリル尿素に対して０．０１〜５．０重量％である請求項１０乃至１２のいずれかに記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち、本発明は、
１）  有効成分としてＮ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｐ−トリル尿素を含み、かつＮ，Ｎ’−ビス（α，α−ジメチルベンジル）−尿素およびＮ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｍ−トリル尿素の少なくとも１種を含むことを特徴とするフロアブル製剤組成物、
２）  Ｎ，Ｎ’−ビス（α，α−ジメチルベンジル）−尿素およびＮ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｍ−トリル尿素を含むことを特徴とする前記１に記載のフロアブル製剤組成物、
３）  Ｎ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｐ−トリル尿素の含有量が０．５〜６０重量％であることを特徴とする前記１または２に記載のフロアブル製剤組成物、
４）  Ｎ，Ｎ’−ビス（α，α−ジメチルベンジル）−尿素またはＮ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｍ−トリル尿素の量が、Ｎ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｐ−トリル尿素に対して０．０１〜５．０重量％である前記１乃至３のいずれかに記載のフロアブル製剤組成物、
５）  組成物調整後２５℃で１日放置後のＮ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｐ−トリル尿素の平均粒径の増大率が５％以下である前記１乃至４のいずれかに記載のフロアブル製剤組成物、
６）  有効成分としてＮ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｐ−トリル尿素を含むフロアブル製剤組成物において、Ｎ，Ｎ’−ビス（α，α−ジメチルベンジル）−尿素およびＮ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｍ−トリル尿素の少なくとも１種を共存させることを特徴とするＮ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｐ−トリル尿素の粒径の増大を防止する方法、
７）  Ｎ，Ｎ’−ビス（α，α−ジメチルベンジル）−尿素およびＮ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｍ−トリル尿素を共存せしめることを特徴とする前記６に記載の方法、
８）  Ｎ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｐ−トリル尿素の含有量が０．５〜６０重量％であることを特徴とする前記６または７に記載の方法、
９）  Ｎ，Ｎ’−ビス（α，α−ジメチルベンジル）−尿素またはＮ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｍ−トリル尿素の量が、Ｎ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｐ−トリル尿素に対して０．０１〜５．０重量％である前記６乃至８のいずれかに記載の方法、
１０）  有効成分としてＮ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｐ−トリル尿素を含むフロアブル製剤組成物において、Ｎ，Ｎ’−ビス（α，α−ジメチルベンジル）−尿素およびＮ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｍ−トリル尿素の少なくとも１種を共存させることにより、組成物調整後２５℃で１日放置後のＮ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｐ−トリル尿素の平均粒径の増大率を５％以下に抑制する方法、
１１）  Ｎ，Ｎ’−ビス（α，α−ジメチルベンジル）−尿素およびＮ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｍ−トリル尿素を含むことを特徴とする前記１０に記載の方法、
１２）  Ｎ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｐ−トリル尿素の含有量が０．５〜６０重量％であることを特徴とする前記１０または１１に記載の方法、
１３）  Ｎ，Ｎ’−ビス（α，α−ジメチルベンジル）−尿素またはＮ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｍ−トリル尿素の量が、Ｎ−（α，α−ジメチルベンジル）−Ｎ’−ｐ−トリル尿素に対して０．０１〜５．０重量％である前記１０乃至１２のいずれかに記載の方法を提供するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月9日(2004.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ヒドロシリル化方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
白金化合物及び白金錯体から選ばれる白金触媒、並びに次式（４）〜（７）で示されるアセチレンアルコール
【化１】
1998029996.tif 000001
並びに次式（８）〜（９）で示されるアセチレンエーテル
【化２】
1998029996.tif 000002
（ここに、Ｒ2 は水素原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１〜２０の置換された又は非置換のアルキル基及び炭素原子数１〜２０の置換された又は非置換のアルコキシ基からなる群から選ばれ；各Ｒ3 は独立に水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数４〜２０のシクロアルキル基及びアリール基からなる群から選ばれ；各Ｒ4 は独立に水素原子及びＲ1 から選ばれ；Ｒ5 は炭素原子数１〜２０の１価の炭化水素基及び炭素−酸素結合を有する複素環式炭化水素基から選ばれ；ｊ＝０〜１０、ｎ＝４〜１２である）からなる群から選ばれる促進剤の存在下で、
次の（Ａ）並びに（Ｂ）を接触させることを含むヒドロシリル化方法：
（Ａ）次の式（１）〜（３）で示されるシロキシ水素化物から選ばれる少なくとも１つ：
（ＸＲ12ＳｉＯ）a Ｈb ＳｉＲ14-a-b                        （１）
ＸＲ12Ｓｉ（ＯＳｉＨＲ1 ）c （ＯＳｉＲ12）d ＯＳｉＲ12Ｘ  （２）及び
【化３】
1998029996.tif 000003
（ここに、各Ｒ1 は炭素原子数１〜２０のアルキル、炭素原子数４〜１２のシクロアルキル及びアリールからなる群から独立に選ばれ；各Ｘは独立に水素原子及びＲ1 から選ばれ；ａ＝０〜４、ｂ＝０〜３であるが、但しｂ＝０のときは少なくとも１つのＸは水素であり、ａ＋ｂ＝１〜４であり、ｃ＝０〜１００であるが、但しｃ＝０のときは少なくとも１つのＸは水素であり、ｄ＝０〜１００、ｃ＋ｄ≦１００、ｅ＝１〜２０、ｆ＝０〜１９、ｅ＋ｆ＝４〜２０である）；並びに
（Ｂ）次の群から選ばれる不飽和反応体：
（ｉ）置換された又は非置換の不飽和有機化合物、
（ii）置換された又は非置換の不飽和有機置換基を有するケイ素化合物、並びに
（iii)（ｉ）及び（ii）の混合物。
【請求項２】
前記不飽和反応体が、少なくとも４つの炭素原子を有する非置換のシクロアルケン化合物、少なくとも４つの炭素原子を有する置換されたシクロアルケン化合物、炭素原子数２〜３０の線状アルケン化合物、及び炭素原子数４〜３０の分岐状のアルケン化合物から選ばれる請求項１の方法。
【請求項３】
前記方法を４０℃〜２２０℃の範囲の温度で行う請求項１又は２の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（ここに、Ｒ2 は水素原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１〜２０の置換された又は非置換のアルキル基及び炭素原子数１〜２０の置換された又は非置換のアルコキシ基からなる群から選ばれ；各Ｒ3 は独立に水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数４〜２０のシクロアルキル基及びアリール基からなる群から選ばれ；各Ｒ4 は独立に水素原子及びＲ1 から選ばれ；Ｒ5 は炭素原子数１〜２０の１価の炭化水素基及び炭素−酸素結合を有する複素環式炭化水素基から選ばれ；ｊ＝０〜１０、ｎ＝４〜１２である）からなる群から選ばれる促進剤の存在下で、


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（ここに、各Ｒ1 は炭素原子数１〜２０のアルキル、炭素原子数４〜１２のシクロアルキル及びアリールからなる群から独立に選ばれ；各Ｘは独立に水素原子及びＲ1 から選ばれ；ａ＝０〜４、ｂ＝０〜３であるが、但しｂ＝０のときは少なくとも１つのＸは水素であり、ａ＋ｂ＝１〜４であり、ｃ＝０〜１００であるが、但しｃ＝０のときは少なくとも１つのＸは水素であり、ｄ＝０〜１００、ｃ＋ｄ≦１００、ｅ＝１〜２０、ｆ＝０〜１９、ｅ＋ｆ＝４〜２０である）；並びに
（Ｂ）次の群から選ばれる不飽和反応体：
（ｉ）置換された又は非置換の不飽和有機化合物、
（ii）置換された又は非置換の不飽和有機置換基を有するケイ素化合物、並びに
（iii)（ｉ）及び（ii）の混合物。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明方法において有用なシロキシ水素化物は、式（１）、（２）及び（３）で示される。これらの式において、各Ｒ1 は炭素原子数１〜２０のアルキル、炭素原子数４〜１２のシクロアルキル及びアリールからなる群から独立に選ばれ；各Ｘは独立に水素原子及びＲ1 から選ばれ；ａ＝０〜４、ｂ＝０〜３であるが、但しｂ＝０のときは少なくとも１つのＸは水素であり、ａ＋ｂ＝１〜４であり、ｃ＝０〜１００であるが、但しｃ＝０のときは少なくとも１つのＸは水素であり、ｄ＝０〜１００、ｃ＋ｄ≦１００、ｅ＝１〜２０、ｆ＝０〜１９、ｅ＋ｆ＝４〜２０である。Ｒ1 は、上記のように、置換された又は非置換のアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり得る。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
酸素を含む適当な不飽和化合物は、例えばエーテル、例えばアリルエーテル、ビニルエーテル；アルコール、例えばアリルアルコール（ビニルカルビノール）、メチルビニルカルビノール及びエチニルジメチル−カルビノール；酸、例えばアクリル酸、メタクリル酸、ビニル酢酸、オレイン酸、ソルビン酸及びリノレイン酸；並びにエステル、例えば酢酸ビニル、酢酸アリル、酢酸ブテニル、ステアリン酸アリル、アクリル酸メチル、クロトン酸エチル、コハク酸ジアリル及びフタール酸ジアリルである。適当な窒素含有不飽和有機化合物としては、例えばインジゴ、インドール、アクリロニトリル及びシアン化アリルがある。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月21日(2003.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
そして、このような構成を有するテレビ用の第１チューナＴ１の特に高周波部においては、削除部５ｂを設けることにより、配線パターン２ａと接地用導体層６との間の容量を少なくして、第１チューナＴ１の性能を向上すると共に、接地用導体層５，６の第１の残存部５ａ、６ａによって、第１，第２チューナＴ１，Ｔ２間の電気的なシールドを図っている。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、ＶＴＲ用の第２チューナＴ２の特に高周波部においては、削除部６ｂを設けることにより、配線パターン２ｂと接地用導体層５との間の容量を少なくして、第２チューナＴ２の性能を向上すると共に、ＩＣ部品３ｂは、前記ＩＣ部品３ａと同様に、合成樹脂等からなる外装部（図示せず）で配線部（図示せず）が内蔵された構成となっており、このＩＣ部品３ｂが配線パターン２ｂに接続されると、ＩＣ部品３ｂの配線部が絶縁基板１面より離れた位置となって、ＩＣ部品３ｂの下部に位置した第２の残存部６ｃは、配線パターン２ｂよりも遠い位置にあるＩＣ部品３ｂの配線部と対向する。
従って、ＶＴＲ用の第２チューナＴ２において、残存部６ｃとの間の容量が小さく、性能への影響を少なくできると共に、第２の残存部６ｃと配線パターン２ｂとを近くでき、高周波部の回路の接地経路を短くできて、接地効果を確実にできる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月28日(2003.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
デジタル通信網と端末装置との間で伝送される通信データを記録する通信データ記録装置において、端末装置からデジタル通信網に送信される情報チャンネルの通信データ及び信号チャンネルのデータを受信する端末側受信部と、デジタル通信網から端末装置に送信される情報チャンネルの通信データ及び信号チャンネルのデータを受信する網側受信部と、前記端末側受信部及び前記網側受信部が受信した情報チャンネルの通信データを記録する情報チャンネル処理部と、前記端末側受信部及び前記網側受信部が受信した信号チャンネルのデータに含まれる呼の確立又は呼の解放のメッセージに基づいて前記情報チャンネルの通信データの記録開始又は記録停止を制御すると共に前記端末側受信部又は前記網側受信部が受信した応答メッセージに基づいて呼設定未完了により特定されない情報チャンネルの通信データの記録を開始する制御を行うプロトコル監視部とを備えたことを特徴とする通信データ記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本願の請求項１記載の発明は、デジタル通信網と端末装置との間で伝送される通信データを記録する通信データ記録装置において、端末装置からデジタル通信網に送信される情報チャンネルの通信データ及び信号チャンネルのデータを受信する端末側受信部と、デジタル通信網から端末装置に送信される情報チャンネルの通信データ及び信号チャンネルのデータを受信する網側受信部と、前記端末側受信部及び前記網側受信部が受信した情報チャンネルの通信データを記録する情報チャンネル処理部と、前記端末側受信部及び前記網側受信部が受信した信号チャンネルのデータに含まれる呼の確立又は呼の解放のメッセージに基づいて前記情報チャンネルの通信データの記録開始又は記録停止を制御すると共に前記端末側受信部又は前記網側受信部が受信した応答メッセージに基づいて呼設定未完了により特定されない情報チャンネルの通信データの記録を開始する制御を行うプロトコル監視部とを備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月9日(2003.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
具体的に溶液合成法では、ウレタン原料となるポリエステルポリオールと水または分子量６２〜２５０のグリコール等の活性水素化合物と、ジイソシアネート化合物を、これらを溶解する有機溶媒中で反応させる。また、固形合成法では、前記の活性水素化合物とジイソシアネート化合物を、押し出し機や混練機等で混合することで直接反応させることで、固形状のポリウレタン樹脂を得る。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月13日(2003.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】現像ユニット


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
現像ローラが設けられ、シリカを含んだ現像剤が使用される現像ユニットにおいて、
前記現像ローラは、少なくとも表面を構造式に水酸基を持つ有機材料で製造したことを特徴とする現像ユニット。
【請求項２】
請求項１記載の現像ユニットにおいて、
前記現像ローラは、全体を構造式に水酸基を持つ有機材料で製造したことを特徴とする現像ユニット。
【請求項３】
請求項２記載の現像ユニットにおいて、
前記構造式に水酸基を持つ有機材料はウレタンであることを特徴とする現像ユニット。
【請求項４】
請求項１記載の現像ユニットにおいて、
前記現像ローラは、表面を構造式に水酸基を持つ有機材料を含むコーティング材でコーティングしたことを特徴とする現像ユニット。
【請求項５】
請求項４記載の現像ユニットにおいて、
前記構造式に水酸基を持つ有機材料はビスフェノールであることを特徴とする現像ユニット。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子写真プリンタ等の電子写真記録装置に使用される現像ローラおよび現像ユニットに関し、特に現像ローラの材質に関するものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明による現像ユニットは、現像ローラが設けられ、シリカを含んだ現像剤が使用される現像ユニットにおいて、現像ローラは少なくとも表面を構造式に水酸基を持つ有機材料で製造したことを特徴とするものである。
現像ローラの表面を構造式に水酸基を持つ有機材料で製造することにより、トナー中に含まれるシリカが現像ローラ表面に奪い取られることがなくなり、印字枚数が多くなってもトナーの流動性が保たれ、印字カスレの発生が抑えられる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように本発明によれば、現像ローラが設けられ、シリカを含んだ現像剤が使用される現像ユニットにおいて、現像ローラは少なくとも表面を構造式に水酸基を持つ有機材料で製造することにより、トナー中に含まれるシリカが現像ローラ表面に奪い取られることがなくなり、印字枚数が多くなってもトナーの流動性が保たれ、印字カスレは発生しない。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月12日(2003.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
比誘電率が５０以上の高誘電率溶媒か、あるいは比誘電率５０以上の高誘電率溶媒と２５℃における粘度が１センチポイズ以下の低粘度溶媒とを混合した電解質溶媒に電解質を溶かした電解液に、一般式Ｉ
【化１】
1998247517.tif 000001
（式中、Ｒ1は、炭素数４以上の炭化水素基を表し、Ｒ2及びＲ3は、水素原子又は電子供与性基を表し、互いに異なっていてもよい）で示されるフェノール系酸化防止剤、一般式II
【化２】
1998247517.tif 000002
（式中、Ｒ4は、炭素数３以上の炭化水素基を表し、Ｒ5及びＲ6は、互いに異なっていてもよい炭化水素基を表わす）で示されるホスファイト系酸化防止剤、並びに、一般式III
【化３】
1998247517.tif 000003
（式中、Ｒ7は、炭素数３以上の炭化水素基を表し、Ｒ8は、炭化水素基を表し、ｎは２を表す）で示されるスルフィド系酸化防止剤からなる群から選ばれた１種の化合物または２種以上の化合物を電解液中の濃度として、０．０１から１０重量％含有することを特徴とする非水電解液。
【請求項２】
比誘電率が５０以上の高誘電率溶媒が、プロピレンカーボネートまたはエ
チレンカーボネートより選ばれた溶媒または両者の混合溶媒であることを特徴とする請求項１記載の非水電解液。
【請求項３】
２５℃における粘度が１センチポイズ以下の低粘度溶媒が、１，２−ジメトキシエタン、ジエチルカーボネート、ジメチルカーボネート、エチルメチルカーボネートより選ばれた１種または２種以上の混合溶媒であることを特徴とする請求項１記載の非水電解液。
【請求項４】
電解質溶媒が、比誘電率が５０以上の高誘電率溶媒と２５℃における粘度が１センチポイズ以下の低粘度溶媒を、該低粘度溶媒の前記高誘電率溶媒に対する体積割合として０〜６０％で構成されてなることを特徴とする請求項１記載の非水電解液。
【請求項５】
電解質として、ＬｉＣｌＯ4、ＬｉＰＦ6、ＬｉＡｓＦ6、ＬｉＢＦ4、ＬｉＢ（Ｃ6Ｈ5）4、ＬｉＣｌ、ＬｉＢｒ、ＣＨ3ＳＯ3Ｌｉ及びＣＦ3ＳＯ3Ｌｉからなる群より選ばれたリチウム塩を用いることを特徴とする請求項１に記載の非水電解液。
【請求項６】
負極活物質としてリチウム、リチウム合金、又はリチウムイオンを吸蔵及び放出可能な炭素材料を含む負極と、正極活物質としてリチウムと遷移金属の複合酸化物を含む正極と、電解液として請求項１記載の非水電解液を有することを特徴とする二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（式中、Ｒ7は、炭素数３以上の炭化水素基を表し、Ｒ8は、炭化水素基を表し、ｎは２を表す）で示されるスルフィド系酸化防止剤からなる群から選ばれた１種の化合物または２種以上の化合物を電解液中の濃度として、０．０１から１０重量％含有することを特徴とする非水電解液、を提供するものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
具体的には、例えば、フェニルジイソアルキル（Ｃ１〜Ｃ１０）ホスファイト、ジフェニルイソアルキル（Ｃ１〜Ｃ１０）ホスファイト、トリフェニルホスファイト、トリス−（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト等が挙げられる。またスルフィド系酸化防止剤は下記式IIIで示される少なくとも一つの炭素数３以上の大きな脂肪族炭化水素
基を有することを特徴とするジスルフィドである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
具体的には、例えば、ジフェニルジスルフィド等が挙げられる。なお、上記した各一般式（Ｉ）、（II）及び（III）で示される酸化防止剤は、その酸化防止機能を発現する限りにおいて、任意の置換基を有していてもよい。電池の異常時、すなわち例えば電源回路や充電器の故障、あるいはユーザーの誤使用によって所定以上の電気量が負荷されて過充電状態になったり、外部あるいは内部短絡などにより通常値を上回る大電流が流れた際には、電極表面で電解液が分解されガス発生や分解時の熱発生が起る。特に正極に通常用いられているＬｉＣｏＯ2、ＬｉＮｉＯ2あるいはＬｉＭｎ2Ｏ4等のリチウムと遷移金属の複合酸化物は過充電時に不安定な酸化物となり活性な酸素を放出し、電解液を酸化分解するため大きな発熱が生じる。これらの電解液の分解反応はラジカル連鎖反応と考えられ、一旦反応が始まると電池が熱暴走する可能性が高い。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月28日(2004.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極活物質と導電剤とを含む正極と、負極活物質を含む負極と、非水系電解質とから構成される非水系二次電池であって、使用時の最大充電量の７０％〜１００％のいずれかの充電量において、
−２０℃における負極活物質と電解液との界面のリチウムイオンの電荷移動反応抵抗（Ｒtn）が、Ｒtn＜３５０Ω・ｃｍ2 であり、且つ、
−２０℃における正極活物質と電解液との界面のリチウムイオンの電荷移動反応抵抗（Ｒtp）が、３５０Ω・ｃｍ2 ≦Ｒtp≦４０００Ω・ｃｍ2 であることを特徴とする非水系二次電池。
【請求項２】
使用時の最大充電量の７０％〜１００％のいずれかの充電量において、
測定周波数（ｆ）の範囲が０．０１ＨZ ≦ｆ≦１００ＨZ の範囲で測定した、−２０℃における負極活物質と電解液との界面のリチウムイオンの電荷移動反応抵抗（Ｒtn）が、Ｒtn＜３５０Ω・ｃｍ2 であり、且つ、
測定周波数（ｆ）の範囲が０．０１ＨZ ≦ｆ≦１００ＨZ の範囲で測定した、−２０℃における正極活物質と電解液との界面のリチウムイオンの電荷移動反応抵抗（Ｒtp）が、３５０Ω・ｃｍ2 ≦Ｒtp≦１５００Ω・ｃｍ2 であることを特徴とする請求項１に記載の非水系二次電池。
【請求項３】
上記正極が、一般式ＬｉX Ｍ YＮZ Ｏ2 （Ｍは、遷移金属元素のＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｃｕの中から選ばれた少なくとも１種類の金属、Ｎは、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｂの中から選ばれた少なくとも１種の金属、０＜Ｘ≦１．１、０．５＜Ｙ≦１．０、Ｚ≦０．１）を有するリチウム酸複合金属酸化物であって、平均粒径が１〜２５μｍのリチウム酸複合金属酸化物の１００重量部と、該複合金属酸化物の平均粒径に対するその平均粒径の比が０．２〜４０である黒鉛粉末の２〜１０重量部と、該複合金属酸化物の平均粒径に対するその平均粒径の比が０．００１〜０．０３である非黒鉛炭素質粉末の０．５〜５重量部との混合物か、または平均粒径が１〜２５μｍのリチウム酸複合金属酸化物の１００重量部と、平均粒径が３μｍ以下の黒鉛粉末の２〜１０重量部との混合物を含有し、
上記負極が、黒鉛粉末、メソフェーズ炭素繊維、メソフェーズ小球体からなる群から選択される少なくとも１種からなる負極活物質を含有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の非水系二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月6日(2003.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
このボールジョイント１をアーム２０の円筒部２１内に圧入する方法を説明する。まず、図５に示す如く圧入治具（図示せず）を用いてボールジョイント１を、アーム２０の円筒部２１の円筒部大開口２３からハウジング７のつば部１０が円筒部２１の段部２６に当接するまで圧入する。次に図６左半部に示す如く、かしめ治具７１を用いてアーム２０の円筒部２１の円筒部大開口２３端部を軸芯側にかしめて、図６右半部に示す如くボールジョイント１のハウジング７のつば部１０をかしめ固定する。その後、ダストカバー１２を、ダストカバー小開口部１３がボールスタッド２の柄部３外周に、外周にサークリップ１５が嵌装されたダストカバー大開口部１４がハウジング７の小開口８外周に各々装着されるように圧入し、最後にナット１６をボールスタッド２の柄部３に螺合して、図１に示される如くボールジョイント１とアーム２０とが結合する。


【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2002070831.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2002070831.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月24日(2003.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸受穴を垂設したスリーブを有し、その軸受穴に軸が挿入され、前記軸受穴の内面または前記軸の外周面の少なくともいずれか一方には動圧発生溝が構成され、
前記動圧発生溝と、前記動圧発生溝に対し対向して位置し軸受を構成する面との間が潤滑剤で注入された流体軸受装置において、
前記軸受を構成する面の軸方向長さを前記動圧発生溝の軸方向長さより長くしたことを特徴とする流体軸受装置。
【請求項２】
前記軸受を構成する面の軸方向長さを、前記動圧発生溝と前記軸受前記軸受を構成する面との位置ずれ量よりも大きい範囲で、前記動圧発生溝の軸方向長さより長くしたことを特徴とする請求項１記載の流体軸受装置。
【請求項３】
前記軸受を構成する面の軸方向の両端で構成される領域内に前記動圧発生溝の軸方向両端部を含む請求項２記載の流体軸受装置。
【請求項４】
前記回転軸にはロータヨーク、ロータ磁石を有するディスクが、前記ハウジングにはモータステータが取り付けられた請求項３記載の流体軸受装置を備え、信号の記録を行うディスク記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記問題を解決するために本発明の流体軸受装置は、軸受穴を垂設したスリーブを有し、その軸受穴に軸が挿入され、前記軸受穴の内面または前記軸の外周面の少なくともいずれか一方には動圧発生溝が構成され、前記動圧発生溝と、前記動圧発生溝に対し対向して位置し軸受を構成する面との間が潤滑剤で注入された流体軸受装置において、前記軸受を構成する面の軸方向長さを前記動圧発生溝の軸方向長さより長く設定している。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上記した構成によって軸とスリーブの加工精度のばらつきにより組みあがったとき動圧発生溝と軸受構成面の間に軸方向の位置ずれが発生しても、軸受構成面の軸方向長さを動圧発生溝の軸方向長さより大きく設定してあるので、位置ずれにより軸受面積が減少し軸受剛性が低下することがなく動圧発生溝にそのＶ字形状の折り返しを境に意図しない非対称長さが生じてそのポンプイン力により油を軸受外へ押し出す力が発生し軸受油切れをひきおこすという問題が発生せず、流体軸受装置の潤滑剤が動圧発生溝に確実に保持され、長期に亘り安定した回転が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月21日(2003.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理装置において被処理基板を支持するための機構であって、
前記基板の１つを載置すると共に搬送部材により前記基板の交換が行われるように配設された載置台と、
前記搬送部材と協働して前記基板の交換を行うように、進退可能で且つ前記基板の１つを前記載置台上方の第１の位置で支持可能に配設された複数の第１の支持部材と、
前記搬送部材と協働して前記基板の交換を行うように、進退可能で且つ、前記第１の支持部材により前記基板の１つが前記第１の位置で支持された状態において、前記基板の他の１つを前記載置台上方で且つ前記第１の位置に対して上下に重なる第２の位置で支持可能に配設された複数の第２の支持部材と、
を具備することを特徴とする半導体処理装置の基板支持機構。
【請求項２】
前記第１の支持部材は前記載置台の外側に配設されることを特徴とする請求項１に記載の半導体処理装置の基板支持機構。
【請求項３】
前記第１の支持部材の夫々は、退避状態において蓋によりカバーされた状態でシールド部材中に収容されることを特徴とする請求項２に記載の半導体処理装置の基板支持機構。
【請求項４】
前記第１の支持部材は、夫々が進退可能な支持棒と前記支持棒の先端に配設された張出し部材とからなり、複数の前記張出し部材は前記載置台の上方に張出す位置において協働して前記基板の１つを支持することを特徴とする請求項２に記載の半導体処理装置の基板支持機構。
【請求項５】
前記張出し部材は、前記支持棒の回転により、前記載置台の上方に張出す位置と前記載置台の上方から退避する位置との間で移動されることを特徴とする請求項４に記載の半導体処理装置の基板支持機構。
【請求項６】
前記支持棒は、退避状態において前記張出し部材によりカバーされた状態でシールド部材中に収容されることを特徴とする請求項４または５に記載の半導体処理装置の基板支持機構。
【請求項７】
前記第２の支持部材は前記載置台の内側に配設されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体処理装置の基板支持機構。
【請求項８】
前記第１の位置は前記第２の位置よりも上方にあり、前記第１及び第２の位置には夫々未処理及び処理済みの基板が支持されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体処理装置の基板支持機構。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の基板支持機構を使用した基板交換方法であって、
前記基板の１つである第１の基板を前記搬送部材に保持する一方、前記第１の支持部材を進出位置に配置する工程と、
前記搬送部材を前記載置台の上方の所定位置に進出させた後、前記第１の基板を前記搬送部材から前記第１の支持部材上に移載する第１の移載工程と、
前記第１の支持部材により前記第１の基板を前記第１の位置に支持した状態において、前記基板の別の１つである第２の基板を前記第２の支持部材により前記第２の位置に支持する工程と、
前記搬送部材を前記載置台の上方の所定位置に進出させた後、前記第２の基板を前記第２の支持部材から前記搬送部材上に移載する第２の移載工程と、
を具備することを特徴とする半導体処理装置の基板交換方法。
【請求項１０】
前記搬送部材は第１及び第２の保持部を有し、前記第１及び第２の移載工程を同時に行うことを特徴とする請求項９に記載の半導体処理装置の基板交換方法。
【請求項１１】
被処理基板に対して半導体処理を施すための装置であって、
ゲートを介して前記基板を搬出入可能で且つ減圧雰囲気に設定可能なロードロック室と、
前記ロードロック室にゲートを介して接続され且つ減圧雰囲気に設定可能な搬送室と、
前記搬送室にゲートを介して接続され且つ減圧雰囲気で前記半導体処理を行うための処理室と、
前記ロードロック室と前記処理室との間で前記基板を搬送するために前記搬送室内に配設された搬送部材と、
を具備し、前記ロードロック室は、前記基板の１つを夫々支持可能で且つ上下に重なる第１及び第２の支持レベルを有すると共に、前記第１及び第２の支持レベルを貫通して上下に移動可能で且つ前記基板を支持可能な複数の支持ピンを具備することを特徴とする半導体処理装置。
【請求項１２】
前記第１及び第２の支持レベルの夫々は、前記基板を支持する開閉可能な一対のフィンガにより規定され、前記フィンガは閉状態において前記基板を支持し、開状態において前記基板が前記一つのフィンガ間を上下に通過することを許容することを特徴とする請求項１１に記載の半導体処理装置。
【請求項１３】
被処理基板に対して半導体処理を施すための装置であって、
ゲートを介して前記基板を搬出入可能で且つ減圧雰囲気に設定可能な第１のロードロック室と、
ゲートを介して前記基板を搬出入可能で且つ減圧雰囲気に設定可能であると共に、前記第１のロードロック室に対して上下に重なるように配設された第２のロードロック室と、
前記第１及び第２のロードロック室にゲートを介して接続され且つ減圧雰囲気に設定可能な搬送室と、
前記搬送室にゲートを介して接続され且つ減圧雰囲気で前記半導体処理を行うための処理室と、
前記第１及び第２のロードロック室と前記処理室との間で前記基板を搬送するために前記搬送室内に配設された搬送部材と、
を具備することを特徴とする半導体処理装置。
【請求項１４】
前記搬送部材が上下動可能であることを特徴とする請求項１３に記載の半導体処理装置。
【請求項１５】
複数の被処理基板を収納するカセットと半導体処理装置との間で前記基板を搬送するための装置であって、
前記基板の１つを載置する上フィンガを有する上フォークと、
前記基板の１つを載置する下フィンガを有する下フォークと、
前記上下フォークを駆動するための駆動部と、
を具備し、前記駆動部は、前記上下フォークを一体的に上下動可能且つ回転可能且つ水平に直線摺動可能に駆動すると共に、前記上下フィンガが同一平面上に位置する状態と同一平面上に位置しない状態との間で前記上下フォークを相対的に上下動可能に駆動することを特徴とする基板搬送装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月2日(2003.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
ＩＤカード発行システムが支店１と本店２に備えられている実施の形態を示し、支店１と本店２はオンライン結合されている。支店１には、撮影所１０とＩＤカード発行所２０が設置され、本店２には管理部が設置される。また、本店２には複数の支店１がオンライン結合され、本店２でデータの集中管理されるが説明の便宜上、１つの支店１を示す。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
本店２には、ホストコンピュータ７０、各支店１から送られる顔画像をファイリングする顔画像データベース３０を有するファイリングシステム３１が配置されている。また、本人確認手段Ｂ１、住民票データ入手手段Ｃ１、ＩＤカード二重発行警告手段Ｄ１、申請承認手段Ｆ１及び自動更新登録手段Ｇ１が備えられている。住民票データ入手手段Ｃ１は、本店２外の市町村等が管理する住民票データベース３６とオンライン可能になっている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
ＩＤカード情報読取装置１３はスキャナ１３０とＩＣメモリリーダ１３１で構成され、スキャナ１３０により顔画像情報５０、カード番号等のＩＤ番号５２を読み取り、ＩＣメモリリーダ１３１では非接触でＩＣメモリ５３に記憶された顔画像情報５０、カード番号等のＩＤ番号５２を読み取り、ＩＤカード確認手段Ａ１に送る。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
図４に示す実施の形態は、ＩＤカード３として従業員証を示しているが、ＩＤカード３にはＩＣメモリが設けられていない場合があり、この場合の顔画像情報５０の偽変造を検出するものである。更新対象のＩＤカード３が発行された申請時の顔画像情報５０がファイリングシステム３１の顔画像データベース３０にファイリングされている。ＩＤカード情報読取装置１３のスキャナ１３０によりＩＤカード３に記録された顔画像情報５０を読み取り、ＩＤカード確認手段Ａ１に送る。


【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2001160118.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2001160118.tif 000002