【手続補正書】
【提出日】平成24年4月13日(2012.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
別の実施態様に於いて、ＣＭＰプロセス中に於ける基板の振る舞いをシミュレートするために、ＣＭＰプロセスを経るのに適切である部材が使用される。少なくとも一つのセンサーが部材に取り付けられる。このような表面が研磨または平坦化表面に対して接触し、押し付けられ、研磨または平坦化のプロセスを経る基板表面と部材表面の間に水平方向の力が加えられる場合に、部材表面上のせん断力に関連するパラメタを少なくとも一つのセンサーが測定する。ＣＭＰ表面と接触する部材の表面は、部材がシミュレートする基板表面の特性と実質的に同じ特性を有することが好ましい。
本発明は、次の態様を含む。
［態様１］
プロセス条件測定機器であって、
基板の特性と実質的に同じ特性を有し、ダイヤフラムを有する部材を備え、
物理的にダイヤフラムに接続されたセンサー手法を備え、ここで該プロセスが用いられる表面に対して、ダイヤフラムが接触し、押し付けられる場合に、該センサー手法がダイヤフラムの撓みを測定するためのものであり、該センサー手法は容量的に結合された電極の対を少なくとも一つ備え、ここで対の少なくとも一つの容量は、ダイヤフラムの撓みの関数として変化する
プロセスを経る基板の表面上の圧力または力を測定するためのプロセス条件測定機器。
［態様２］
プロセス経る表面に対して、ダイヤフラムが接触し、押し付けられる場合に、該ダイヤフラムの撓みが凡そ１０μｍを超えない柔軟性を有するダイヤフラムである態様１に記載の機器。
［態様３］
前記部材がプレートを備え、ここで該特性が、プレートの柔軟性、面積、硬さ、そして物理的寸法の一つまたは複数を含む態様１に記載の機器。
［態様４］
前記部材は、該センサー手法を収納するための、ベースとカバーの間にある少なくとも一つの空洞を定義するベースとカバーを備え、該カバーは該ダイヤフラムを備える態様１に記載の機器。
［態様５］
少なくとも一つの該空洞が、カバーに対向するベースの表面上、またはベースに対向するカバーの表面上に形成される態様４に記載の機器。
［態様６］
前記部材が更にベースとカバーの間に分離層を有し、該分離層内に少なくとも一つの該空洞が形成される態様４に記載の機器。
［態様７］
前記部材が、少なくとも一つの空洞内で圧力を受けるダイヤフラムの撓みの効果を低減する少なくとも一つの該空洞と連通する少なくとも一つのタンクを該部材内部に定義する態様４に記載の機器。
［態様８］
少なくとも一つのタンクが外部環境と連通する開口部と、かかる連通を制御するバルブを更に備える態様７に記載の機器。
［態様９］
電子回路を更に備え、ここで電子回路は少なくとも一つの該空洞内に少なくとも一部が存在し、電子回路はメモリまたは無線送信要素を備え、電子回路はセンサー手法からのデータを受信し、メモリ内にデータを保管するか、無線送信要素を用い、データを送信する態様４に記載の機器。
［態様１０］
前記部材が、少なくとも一つの空洞内で圧力を受けるダイヤフラムの撓みの効果を低減する少なくとも一つの該空洞と連通する少なくとも一つのタンクを該部材内部に定義し、そして該電子回路の少なくとも一部が少なくとも一つの該タンク内に存在する態様９に記載の機器。
［態様１１］
前記部材が、寸法と厚さが生産向け半導体ウエハーのそれと実質的に同じである半導体ウエハーを備える態様４に記載の機器。
［態様１２］
該プロセスが研磨または平坦化プロセスであり、該ダイヤフラムは、該研磨または平坦化プロセスによる侵食を低減する耐摩耗性皮膜、あるいは、該プロセスにより侵食された材料を置換する追加の成膜材料を備える態様１に記載の機器。
［態様１３］
前記部材がプレートを備え、該センサー手法が、該プレートに亘る領域に配置された容量的に結合された電極の複数の対を備え、該機器が更に複数の温度センサーを備え、ここで容量的に結合された電極の該対の温度を測定するため、容量的に結合された電極の対の近傍に個々の温度センサーが配置され、該温度センサーが出力を提供する態様１に記載の機器。
［態様１４］
前記センサー手法に対応し、そして容量的に結合された電極の対の個々に対応して近傍に位置する温度センサーの出力を用い、容量的に結合された電極の対に対応する個々の測定を調節するための温度センサーの出力に対応する電子回路を更に備える態様１３に記載の機器。
［態様１５］
前記部材内の寄生容量を検知するため、該ダイヤフラムに接続されていない容量的に結合された電極の参照対の少なくとも一つを更に備える態様１に記載の機器。
［態様１６］
かかる測定に於ける寄生容量の効果を低減する該センサー手法の測定を調節するために、容量的に結合された電極の該参照対の出力に対応する電子回路を更に備える態様１５に記載の機器。
［態様１７］
前記部材内の寄生容量を検知するため、該ダイヤフラムに接続されていない容量的に結合された電極の複数の参照対を更に備え、ここで複数の参照対の個々は、測定の寄生容量の効果を低減するために、容量的に結合された測定電極の対に対応する近傍位置に設置される態様１５に記載の機器。
［態様１８］
前記プロセスが研磨または平坦化プロセスであり、該部材が、プロセス中の該基板の振る舞いをシミュレートする該プロセスを経るのに適切である態様１に記載の機器。
［態様１９］
前記プロセスが研磨プロセスヘッドまたは平坦化プロセスヘッドの最適化に関するプロセスである態様１に記載の機器。
［態様２０］
方法であって、
基板の特性と実質的に同じ特性を有するプレートを備える機器を設定し、該プレートはダイヤフラム、そして容量的に結合された電極の対を少なくとも一つを備え、少なくとも一つの該電極対は容量を有し、
ダイヤフラムが研磨または平坦化表面に対して接触し、押し付けられる場合にダイヤフラムの撓みを検知し、該検知が、容量的に結合された電極の対の少なくとも一つの容量の変化を検知する
プロセスを経る基板表面上の圧力または力を測定する方法。
［態様２１］
前記特性が、プレートの柔軟性、面積、硬さ、そして物理的寸法の一つまたは複数を含み、ここで、機器はメモリまたは無線送信要素を備え、更に、該方法は、
容量的に結合された電極の少なくとも一つの対の容量の変化に関連するデータをメモリに保管するか、無線送信要素を用い、データを送信する態様２０に記載の方法。
［態様２２］
前記プレート内の寄生容量を測定し、該検知に於ける寄生容量の効果を低減することを更に含む態様２０に記載の方法。
［態様２３］
膨らませることができる部材を予め設定された圧力まで膨らませ、部材の膨らみによるダイヤフラムの撓みを検知し、膨らませることと検知することの最中に予め設定された温度までプレートを加熱する加熱素子を用いることを更に含む態様２０に記載の方法。
［態様２４］
前記プロセスが研磨または平坦化プロセスであり、該部材が、プロセス中の該基板の振る舞いをシミュレートする該プロセスを経るのに適切である態様２０に記載の方法。
［態様２５］
前記プロセスが研磨プロセスヘッドまたは平坦化プロセスヘッドの最適化に関するプロセスである態様２０に記載の方法。
［態様２６］
機器であって、
基板表面の特性と実質的に同じ特性を有する表面を有する部材を備え、該部材は、プロセス中の該基板の振る舞いをシミュレートする該プロセスを経るために適切であり、
部材に取り付けられた少なくとも一つのセンサーを備え、ここで、このような表面が研磨または平坦化のプロセスを経る表面に対して接触し、押し付けられ、そして研磨または平坦化のプロセスを経る基板表面と部材表面の間に水平方向の力が加えられる場合に、部材表面上のせん断力に関連するパラメタを測定する
研磨または平坦化のプロセスを経る基板表面上のせん断力を測定するプロセス条件測定機器。
［態様２７］
前記特性が部材表面の摩擦係数に関連する態様２６に記載の機器。
［態様２８］
前記部材の寸法が基板の寸法に実質的に類似したものである態様２６に記載の機器。
［態様２９］
少なくとも一つの該センサーが、部材表面上のせん断力に対して変形可能な構造物を備え、該センサーが構造物の変形量を測定する態様２６に記載の機器。
［態様３０］
少なく一つの該センサーが、電気的パラメタの変化を測定する回路を更に備える態様２９に記載の機器。
［態様３１］
前記回路が、該構造物内の二つの位置間の電気抵抗の変化を測定する態様３０に記載の機器。
［態様３２］
前記構造物が変形した場合に長さと電気抵抗が変化する構造物を該回路が備え、該回路が、該構造物の電気抵抗の変化を測定する態様３０に記載の機器。
［態様３３］
少なくとも一つのセンサーが二つの剛体を備え、ここで該水平方向の力は二つの剛体間の変位を引き起こし、少なくとも一つの該センサーが該変位を測定する態様２６に記載の機器。
［態様３４］
前記部材が、複数の剛体を備え、ここで複数の剛体のそれぞれは、該研磨または平坦化プロセス中に於ける基板表面の部分をシミュレートする表面を有し、少なくとも一つの該センサーは該複数の剛体に対応して分離された部分を有する弾性材料を備え、そして複数の回路を備え、ここで複数の該回路のそれぞれが該弾性材料の該部分の変形に関連するパラメタの変化を測定する態様２６に記載の機器。
［態様３５］
前記回路が、該構造物内の二つの位置間の電気抵抗の変化を測定する態様３４に記載の機器。
［態様３６］
前記複数の剛体が同心円状の複数の剛体を有する態様３４に記載の機器。
［態様３７］
前記複数の剛体の少なくともいくらかの断面が角領域を有する態様３６に記載の機器。
［態様３８］
前記部材が、カバーとベースを備え、ベースはその内部に複数の切り欠きを定義し、
前記カバーの表面に亘り切り欠きは分配されており、部材が更に、カバーの表面が研磨または平坦化のプロセスを経る表面に対して接触し、押し付けられ、研磨または平坦化のプロセスを経る基板表面と部材表面の間に水平方向の力が加えられる場合に、該センサーにかかるせん断力を検知する複数のセンサーを切り欠き内に備える
態様２６に記載の機器。
［態様３９］
前記プロセスが表面の該研磨または該平坦化の第一運動を引き起こし、該機器が、部材表面の第二運動を引き起こす装置を更に備え、第一と第二の運動が異なる方向である態様２６に記載の機器。
［態様４０］
前記第一と該第二の運動が回転運動である態様３９に記載の機器。
［態様４１］
方法であって、
基板表面の特性と実質的に同じ特性を有する表面を備える部材を提供し、ここで該部材は、プロセス中の該基板の振る舞いをシミュレートする該プロセスを経るために適切であり、
部材の表面を研磨または平坦化プロセスを経る表面に対して接触し、押し付け、
研磨または平坦化のプロセスを経る基板表面と部材表面の間に水平方向の力を加え、
部材表面のせん断力に関連するパラメタを測定する
研磨または平坦化プロセスを経る基板表面上のせん断力を測定する方法。
［態様４２］
前記測定が、実質的に同時に該部材の表面に亘り複数の異なる箇所でパラメタを測定する態様４１に記載の方法。
［態様４３］
前記プロセスが表面の該研磨または該平坦化の第一運動を引き起こし、該方法が、部材表面の第二運動を引き起こすことをさらに含み、第一と第二の運動が異なる方向である態様４１に記載の方法。
［態様４４］
第一と第二の運動が異なる方向である態様４３に記載の方法
［態様４５］
第一と第二の運動が回転運動である態様４３に記載の方法。
［態様４６］
部材を備え、
部材に取り付けられた少なくとも一つのせん断力センサーを備え、そして、
部材に取り付けられた電子回路を備え、ここで、電子回路は、せん断力センサーまたは圧力センサーからのデータをメモリに保管するか、無線送信要素を用い、データを送信する
プロセス条件測定機器。