Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月4日(2014.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
製品の外表面の少なくとも一部を形成する表面を有し、金属酸化物を含む無機物層が少なくとも部分的に設けられたガラス基板又はガラスセラミック基板を備える製品であって、前記層が少なくとも部分的にナノ結晶構造を有し、基本材料として元素Ｈｆ、Ｙ、Ｚｒ又はＣｅの金属酸化物の少なくとも１つを含み、該金属酸化物層が元素Ｃａ、Ｃｅ、Ｙ、Ｋ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｒ又はＧｄのいずれかの少なくとも１つの更なる金属カチオンを含み、少なくとも１つの更なる金属カチオンに起因して熱触媒機能をもたらす、製品。
【請求項２】
（ａ）前記層の屈折率が１．６５〜２．２、好ましくは１．８〜２．１の範囲であり、
（ｂ）前記層が低い表面エネルギーを有し、極性成分が１０ｍＮ／ｍ未満、特に５ｍＮ／ｍ未満であり、分散成分が３５ｍＮ／ｍ未満、特に３０ｍＮ／ｍ未満であり、
（ｃ）前記層の表面がφ＞８０度、特にφ＞８５度の水接触角を有し、したがって該層は疎水性であり、
（ｄ）前記層が２５体積パーセント未満、好ましくは２０体積パーセント未満、より好ましくは１５体積パーセント未満の残留空隙率を示し、
（ｅ）前記層の細孔がボトルネック型のメソ細孔又はミクロ細孔の形態で存在し、平均細孔径が１０ｎｍ未満、好ましくは５ｎｍ未満、より好ましくは３ｎｍ未満であり、
（ｆ）前記層の表面粗度が１０ｎｍ未満、好ましくは５ｎｍ未満、より好ましくは２ｎｍ未満であり、
（ｇ）前記層が３８０ｎｍ〜１ｍｍの波長範囲の電磁放射線に対して８０％、好ましくは８５％超、最も好ましくは８８％超の透過率を示す、
請求項１に記載の製品。
【請求項３】
前記少なくとも１つの更なる金属カチオンの割合が、前記基本材料の含量の最大で５０ｍｏｌ％である、請求項１または２に記載の製品。
【請求項４】
前記層の前記基本材料が４ｎｍ〜５０ｎｍの結晶子サイズを有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製品。
【請求項５】
前記層中のナノ結晶画分が２５体積パーセント超、好ましくは５０体積パーセント超、より好ましくは７５体積パーセント超である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の製品。
【請求項６】
前記層が基本材料としてＺｒＯ２を含み、該ＺｒＯ２が単斜晶、正方晶又は立方晶の形態で存在する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の製品。
【請求項７】
前記層が基本材料としてＣｅＯ２を含み、該ＣｅＯ２が単斜晶、正方晶又は立方晶の形態で存在する、基板を備える、請求項１〜５のいずれか一項に記載の製品。
【請求項８】
前記層の前記基本材料がＺｒパイロクロア、好ましくはＣｅ２Ｚｒ２Ｏ７、Ｌａ２Ｚｒ２Ｏ７、Ｇｄ２Ｚｒ２Ｏ７又はＹ２Ｚｒ２Ｏ７として含まれる基板を備える、請求項１〜５のいずれか一項に記載の製品。
【請求項９】
前記層が成分Ｓｉ、Ａｌ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｓｒ、Ｂ、Ｐ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ｆ、ＭｇＦ２又はＣａＦ２の少なくとも１つを更に含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の製品。
【請求項１０】
前記層が前記基本材料及び前記少なくとも１つの更なる金属酸化物に加えて、好ましくは４ｎｍ〜３０ｎｍの直径を有する酸化物ナノ粒子を含む、無機ナノ粒子又は非晶質ナノ粒子又は結晶ナノ粒子を含む基板を備える、請求項１〜９のいずれか一項に記載の製品。
【請求項１１】
前記層の前記金属酸化物がガラス状マトリックスに組み込まれる、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の製品。
【請求項１２】
前記基板上の前記層の厚さが８０ｎｍ未満、好ましくは７０ｎｍ未満である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の製品。
【請求項１３】
前記基板が少なくとも１つの更なる金属酸化物含有層を有し、該金属酸化物含有層の上に、表面が前記製品の外表面の少なくとも一部を形成し、金属酸化物を含む前記無機物層が塗布されている、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の製品。
【請求項１４】
調理、フライ、ベーク又はグリル用の装置、輻射加熱及び／又はガス加熱及び／又は誘導加熱を用いる調理装置、マイクロ波装置、電気フライヤー、天板又は金型、調理器具の内部又は外部の部品としての請求項１〜１３のいずれか一項に記載の製品の使用。
【請求項１５】
発熱装置、暖炉又は薪ストーブ、暖房システム、輻射暖房システム又はヒーター、排ガス管又は排気管の内部又は外部の部品として、視界窓として、特に暖房ユニットの視界窓としての請求項１〜１４のいずれか一項に記載の製品の使用。
【請求項１６】
製品の外表面の少なくとも一部を形成する表面を有し、金属酸化物を含む無機物層が少なくとも部分的に設けられたガラス基板又はガラスセラミック基板を備える製品を作製する方法であって、前記層が少なくとも部分的にナノ結晶構造を有し、基本材料として元素Ｈｆ、Ｙ、Ｚｒ又はＣｅの金属酸化物の少なくとも１つを含み、該金属酸化物層が元素Ｃａ、Ｃｅ、Ｙ、Ｋ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｒ又はＧｄのいずれかの少なくとも１つの更なる金属カチオンを含み、該少なくとも１つの更なる金属カチオンに起因して熱触媒機能をもたらす、方法。
【請求項１７】
前記層を、
金属塩及び／又は金属アルコキシドを含むコーティング溶液を調製する工程と、
前記コーティング溶液を、コーティング法を用いて約２μｍ〜４μｍの厚さで前記基板に塗布する工程であって、使用される好ましいコーティング法がロールコーティング法、パッド印刷法、スプレーコーティング法、又は好ましくはスクリーン印刷法を含む、塗布する工程と、
前記金属酸化物層を、２００℃前後の温度で２００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲の層厚まで乾燥させる工程と、
前記金属酸化物層を５００℃前後の温度で熱後処理する工程と、
を含む液相プロセスによって作製する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記層を、
前記基板を加熱チャンバーにロック装置を介して導入する工程と、
前記基板をコーティングチャンバーに導入する工程であって、前記加熱チャンバーが該コーティングチャンバーとは別に設けられていても、又は該コーティングチャンバーの一部であってもよい、導入する工程と、
前記基板を、ターゲットからスパッタリングすることによって前記無機物層でコーティングする工程であって、パルススパッタリングプロセス（中波スパッタリング）が好ましく、スパッタリング時の出力密度が２Ｗ／ｃｍ２超、好ましくは１０Ｗ／ｃｍ２超、より好ましくは２０Ｗ／ｃｍ２超である、コーティングする工程と、
を含む気相プロセス、好ましくはインラインスパッタプロセスによって作製する、請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月17日(2014.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の組成：
５０〜７０重量％のＳｉＯ２ 、
１５〜２２重量％のＬｉ２Ｏ、
８〜２０重量％の、ＺｒＯ２および／またはＨｆＯ２から選択される安定剤、
０．１〜４重量％のＫ２Ｏおよび／またはＮａ２Ｏ、
０．１〜４重量％のＡｌ２Ｏ３、および
２〜８重量％の添加剤、
を有するケイ酸リチウムガラスまたはガラスセラミック。
【請求項２】
下記の組成：
５０〜６４重量％のＳｉＯ２ 、
１７〜２０重量％のＬｉ２Ｏ、
８〜２０重量％の、ＺｒＯ２および／またはＨｆＯ２から選択される安定剤、
１〜３重量％のＫ２Ｏおよび／またはＮａ２Ｏ、
１〜３重量％のＡｌ２Ｏ３、および
４〜６重量％の添加剤、
を有する、請求項１に記載のガラスまたはガラスセラミック。
【請求項３】
下記の組成：
５５〜６４重量％のＳｉＯ２ 、
１０〜２０重量％のＬｉ２Ｏ、
８〜２０重量％の、ＺｒＯ２および／またはＨｆＯ２から選択される安定剤、
０〜５重量％のＫ２Ｏおよび／またはＮａ２Ｏ、
０．１〜５重量％のＡｌ２Ｏ３、および
０〜１０重量％の添加剤、
を有する、請求項１又は２に記載のガラスまたはガラスセラミック。
【請求項４】
下記の組成：
５５〜６０重量％のＳｉＯ２ 、
１０〜２０重量％のＬｉ２Ｏ、
８〜２０重量％の、ＺｒＯ２および／またはＨｆＯ２から選択される安定剤、
０〜５重量％のＫ２Ｏおよび／またはＮａ２Ｏ、
０．１〜５重量％のＡｌ２Ｏ３、および
０〜１０重量％の添加剤、
を有する、請求項１〜３のいずれかに記載のガラスまたはガラスセラミック。
【請求項５】
下記の組成：
５５〜６４重量％のＳｉＯ２ 、
１０〜２０重量％のＬｉ２Ｏ、
１０〜２０重量％の、ＺｒＯ２および／またはＨｆＯ２から選択される安定剤、
０〜５重量％のＫ２Ｏおよび／またはＮａ２Ｏ、
０．１〜５重量％のＡｌ２Ｏ３、および
０〜１０重量％の添加剤、
を有する、請求項１〜４のいずれかに記載のガラスまたはガラスセラミック。
【請求項６】
下記の組成：
５５〜６０重量％のＳｉＯ２ 、
１０〜２０重量％のＬｉ２Ｏ、
１０〜２０重量％の、ＺｒＯ２および／またはＨｆＯ２から選択される安定剤、
０〜５重量％のＫ２Ｏおよび／またはＮａ２Ｏ、
０．１〜５重量％のＡｌ２Ｏ３、および
０〜１０重量％の添加剤、
を有する、請求項１〜５のいずれかに記載のガラスまたはガラスセラミック。
【請求項７】
安定剤は実質的に非晶質構造を有することを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載のガラスまたはガラスセラミック。
【請求項８】
添加剤は、成核剤、蛍光剤、染料（特にガラス着色用酸化物、有色顔料）およびこれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載のガラスまたはガラスセラミック。
【請求項９】
成核剤は、酸化リン、酸化チタン、酸化スズ、およびこれらの混合物、および貴金属からなる群から選択され、好ましくは１〜１０重量％、より好ましくは２〜８重量％、そして最も好ましくは４〜８重量％の量で含まれることを特徴とする、請求項８に記載のガラスまたはガラスセラミック。
【請求項１０】
蛍光剤は、ネオジム、プラセオジム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウムなどの希土類元素の酸化物およびこれらの混合物からなる群から選択され、好ましくは０．１〜５重量％、より好ましくは０．５〜４重量％、そして最も好ましくは１〜３重量％の量で含まれることを特徴とする、請求項８に記載のガラスまたはガラスセラミック。
【請求項１１】
ガラス着色用酸化物は、鉄、チタン、セリウム、銅、クロム、コバルト、ニッケル、マンガン、セレン、銀、インジウム、金、バナジウムおよび希土類元素（例えば、ネオジム、プラセオジム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、イットリウム）の酸化物およびこれらの混合物からなる群から選択され、好ましくは０．１〜６重量％、より好ましくは０．５〜５重量％、そして最も好ましくは１〜４重量％の量で含まれ、そして／あるいは、有色顔料はドープしたスピネルであり、これらは好ましくは０．１〜６重量％、より好ましくは０．５〜５重量％、そして最も好ましくは１〜４重量％の量で含まれることを特徴とする、請求項８に記載のガラスまたはガラスセラミック。
【請求項１２】
添加剤は、酸化ホウ素、フッ素、酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化カルシウム、酸化イットリウム、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化ランタンおよびこれらの混合物からなる群から選択され、これらは好ましくは０．１〜５重量％の量で含まれることを特徴とする、請求項８に記載のガラスまたはガラスセラミック。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれかに記載のケイ酸リチウムガラスまたはガラスセラミックを含む歯科修復材を製造するための方法であって、下記の工程、
ａ）出発原料として、ガラスセラミックの成分を含むガラスを用意すること、
ｂ）唯一の結晶相または主要な結晶相としてメタケイ酸リチウムを含むガラスセラミックを製造するために、ガラスを最初の熱処理に供すること、
ｃ）ｂ）のガラスセラミックを第二の熱処理に供し、これにより、ガラス相からさらなるメタケイ酸塩が凝離され、そしてこのメタケイ酸塩は主要な結晶相として存在すること、
を含み、
最初の熱処理は６２０℃〜９５０℃の温度において１〜２００分間にわたって行われ、好ましくは６５０℃〜７５０℃の温度において１０〜６０分間にわたって行われ、そして／または、第二の熱処理は８００℃〜１０４０℃の温度において５〜２００分間にわたって行われ、好ましくは８００℃〜８７０℃において５〜３０分間にわたって行われる、前記方法。
【請求項１４】
歯科用材料または歯科用材料の構成要素としての、請求項１〜１２のいずれかに記載のケイ酸リチウムガラスまたはガラスセラミックの使用。
【請求項１５】
請求項１〜１２のいずれかに記載のケイ酸リチウムガラスまたはガラスセラミックを含む成形された歯科用製品であって、好ましくは、インレー、上張り、ブリッジ、支台歯、面材、被覆冠、咬合小面、歯冠、一部金冠、下部構造またはコーピングとしての歯科用製品。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月15日(2014.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有効成分が充填された秩序化したメソポーラスシリカと、結晶セルロース（ＭＣＣ）とクロスカルメロースナトリウムとの組合せと、任意の更なる賦形剤と、を含む、圧縮製剤。
【請求項２】
前記秩序化したメソポーラスシリカの細孔サイズが５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内である、請求項１に記載の製剤。
【請求項３】
錠剤の形態の、請求項１〜２のいずれか一項に記載の製剤。
【請求項４】
前記秩序化したメソポーラスシリカが、均一なサイズの円筒状の細孔の六方晶系に秩序化した二次元配列である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製剤。
【請求項５】
前記秩序化したメソポーラスシリカが約３ｎｍ〜１４ｎｍの範囲のシリカ壁厚を有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の製剤。
【請求項６】
前記有効成分が、ＢＣＳクラスＩＩ又はクラスＩＶの薬物である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の製剤。
【請求項７】
前記錠剤製剤中におけるＭＣＣとクロスカルメロースナトリウムとの重量／重量比が、３：１〜２５：１の範囲内である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の製剤。
【請求項８】
前記錠剤製剤中における、有効成分を充填したメソポーラスシリカと前記ＭＣＣ／クロスカルメロースナトリウム混合物との重量／重量比が、３：１〜１：４の範囲内である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の製剤。
【請求項９】
２０％（ｗ／ｗ）〜７５％（ｗ／ｗ）の、有効成分が充填された秩序化したメソポーラスシリカ；１５％（ｗ／ｗ）〜８５％（ｗ／ｗ）の結晶セルロース；３％（ｗ／ｗ）〜１５％（ｗ／ｗ）のクロスカルメロースナトリウム；及び０％（ｗ／ｗ）〜５０％（ｗ／ｗ）の更なる賦形剤を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月10日(2014.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
局所的脂肪症の減少のための注入可能な製剤であって、該製剤は、
（ａ）１つ以上の親油性の長時間作用性の選択的なベータ−２アドレナリン受容体アゴニスト、或いはその塩、その溶媒和物、その多形体、又はそれらの組み合わせの、脂肪組織を減少する量から本質的に成る活性成分；及び
（ｂ）１つ以上の皮下に許容可能な非活性成分
を含むことを特徴とする、製剤。
【請求項２】
薬としての注入可能な製剤の使用であって、該製剤は、
（ａ）１つ以上の親油性の長時間作用性の選択的なベータ−２アドレナリン受容体アゴニスト、或いはその塩、その溶媒和物、その多形体、又はそれらの組み合わせの、脂肪組織を減少する量から本質的に成る活性成分；及び
（ｂ）１つ以上の皮下に許容可能な非活性成分
を含み、
ここで、前記薬は、脂肪症の減少、脂肪組織の脂肪分解の誘発、輪郭の欠陥への審美的適用、又は甲状腺眼症の処置における使用のためのものである
ことを特徴とする、使用。
【請求項３】
薬としての使用のための局所的脂肪症の減少のための注入可能な製剤であって、該製剤は、
（ａ）１つ以上の親油性の長時間作用性の選択的なベータ−２アドレナリン受容体アゴニスト、或いはその塩、その溶媒和物、その多形体、又はそれらの組み合わせの、脂肪組織を減少する量から本質的に成る活性成分；及び
（ｂ）１つ以上の皮下に許容可能な非活性成分
を含み、
ここで、前記製剤は皮下投与され：随意に、前記薬は、脂肪症の減少、脂肪組織の脂肪分解の誘発、甲状腺眼症の処置、又は輪郭の欠陥への審美的適用における使用のためのものである
ことを特徴とする、製剤。
【請求項４】
美容処置又は審美的処置としての使用のための注入可能な製剤の使用であって、該製剤は、
（ａ）１つ以上の親油性の長時間作用性の選択的なベータ−２アドレナリン受容体アゴニスト、或いはその塩、その溶媒和物、その多形体、又はそれらの組み合わせの、脂肪組織を減少する量から本質的に成る活性成分；及び
（ｂ）１つ以上の皮下に許容可能な非活性成分
を含み、
ここで、前記美容処置又は審美的処置は、脂肪症の減少、脂肪組織の脂肪分解の誘発、輪郭の欠陥への審美的適用、又は甲状腺眼症の処置における使用のためのものである
ことを特徴とする、使用。
【請求項５】
親油性の長時間作用性の選択的なベータ−２アドレナリン受容体アゴニストが、サルメテロール、ホルモテロール、それらの塩、それらの溶媒和物、それらの多形体、又はそれらの組み合わせであることを特徴とする、請求項１又は３の何れか１つに記載の製剤。
【請求項６】
親油性の長時間作用性の選択的なベータ−２アドレナリン受容体アゴニストが、キシナホ酸サルメテロール、又はフマル酸ホルモテロールであることを特徴とする、請求項５に記載の製剤。
【請求項７】
親油性の長時間作用性の選択的なベータ−２アドレナリン受容体アゴニストが、サルメテロール、ホルモテロール、それらの塩、それらの溶媒和物、それらの多形体、又はそれらの組み合わせであることを特徴とする、請求項２又は４の何れか１つに記載の使用。
【請求項８】
親油性の長時間作用性の選択的なベータ−２アドレナリン受容体アゴニストが、キシナホ酸サルメテロール、又はフマル酸ホルモテロールであることを特徴とする、請求項７に記載の使用。
【請求項９】
親油性の長時間作用性の選択的なベータ−２アドレナリン受容体アゴニストが超長時間作用性であり；随意に、超長時間作用性の親油性の選択的なベータ−２アドレナリン受容体アゴニストは、インダカテロール、或いはその塩、その溶媒和物、又はその多形体であることを特徴とする、請求項１又は３の何れか１つに記載の製剤。
【請求項１０】
前記製剤は、約５ｎｇと約２０μｇの間の量であるキシナホ酸サルメテロールの週用量へと処方されることを特徴とする、請求項６に記載の製剤。
【請求項１１】
請求項２、４、又は８の何れか１つに記載の使用であって、前記製剤は、キシナホ酸サルメテロールの約５ｎｇと約２０μｇの間を含有するように処方され、前記使用は、２週ごとに１回、又は１ヵ月ごとに１回患者に製剤を投与する工程を含む、使用。
【請求項１２】
約５ｎｇと約２０μｇの間の量であるキシナホ酸サルメテロールの１回のセッション用量で１週につき１回患者に製剤を投与する工程を含み；随意に、前記セッション用量は、キシナホ酸サルメテロールの少なくとも２つのサブ用量に分割され、ここで、各サブ用量は約１ｎｇと約１０μｇの間の量であることを特徴とする、請求項２、４、又は８の何れか１つに記載の使用。
【請求項１３】
請求項２、４、又は８の何れか１つに記載の使用であって、親油性の長時間作用性の選択的な前記ベータ−２アドレナリン受容体アゴニストはキシナホ酸サルメテロールであり、前記使用は、約５μｇ未満であるキシナホ酸サルメテロールの１回のセッション用量で、１週につき１回患者に製剤を投与する工程を含むことを特徴とする、使用。
【請求項１４】
親油性の長時間作用性の選択的な前記ベータ−２アドレナリン受容体アゴニストは、患者に投与されると、血漿に関する脂肪組織へと選択的に分配することを特徴とする、請求項２、４、又は８の何れか１つに記載の使用。
【請求項１５】
親油性の長時間作用性の選択的な前記ベータ−２アドレナリン受容体アゴニストが皮下投与されると、約０．０１と約０．４の間の分配率を提供することを特徴とする、請求項１又は３の何れか１つに記載の製剤。
【請求項１６】
前記投与は、患者の頤下領域、患者の腹部領域、患者の尻領域、患者の大腿領域、患者の臀部領域、患者の背中領域、患者の上腕領域、又は患者の胸部領域への、少なくとも１つの注入を含むことを特徴とする、請求項２、４、又は８の何れか１つに記載の使用。
【請求項１７】
注入可能な製剤は、グルココルチコステロイドを実質的に含まないことを特徴とする、請求項１、３、又は６の何れか１つに記載の製剤。
【請求項１８】
投与は、グルココルチコステロイドを実質的に含まない注入可能な製剤を含むことを特徴とする、請求項２、４、又は８の何れか１つに記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月14日(2014.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを復号する復号方法であって、
対象ブロックに隣接する複数の符号化されたブロックの１以上の動きベクトル候補を予測動きベクトルとして記憶する記憶工程と、
上記１以上の動きベクトル候補のうち少なくとも１つの動きベクトル候補を識別する識別工程と、
識別された上記少なくとも１つの動きベクトル候補を用いて上記データを復号する復号工程とを含み、
上記記憶工程は、小サイズブロックに対する時間的に予測する動きベクトル候補として、より大きなサイズのブロックの動きベクトル候補を記憶することを特徴とする復号方法。
【請求項２】
上記記憶工程は、空間的に予測する動きベクトル候補、時間的に予測する動きベクトル候補、時空的に予測する動きベクトル候補のうち、少なくとも１つを含む候補セットを記憶することを特徴とする、請求項１に記載の復号方法。
【請求項３】
上記動きベクトル候補は、後続フレームを構成するブロックを復号する際、コロケート動きベクトルとして使用されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の復号方法。
【請求項４】
記憶された上記動きベクトル候補から重複する動きベクトル候補を削除する削除工程をさらに含むことを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の復号方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月23日(2014.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
繊維／樹脂複合材（１２）の中に包まれる疎性繊維（１１）を含む繊維束（１０）を含む繊維強化強力部材を備えることを特徴とするケーブル。
【請求項２】
前記繊維束（１０）が半径を有し、複合材が束の半径の少なくとも１／３である平均厚さを含む、請求項１に記載のケーブル。
【請求項３】
前記繊維束（１０）が直径を有し、束の中の疎性繊維が束の平均直径の少なくとも１／１０を含む、請求項２に記載のケーブル。
【請求項４】
繊維が、束（１０）の全重量に対して束（１０）の２０から９５％の間を構成する、請求項３に記載のケーブル。
【請求項５】
樹脂がポリオレフィンポリマーである、請求項４に記載のケーブル。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月8日(2014.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマー材料と、
仮焼されたチタン酸カルシウム銅フィラー材料と、を含み、
可逆的な非線形電流電圧特性を有する、組成物。
【請求項２】
前記フィラー材料を約２５体積％〜約４５体積％含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記チタン酸カルシウム銅フィラー材料が、約１１００℃で仮焼される、請求項１に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月19日(2014.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
剛性又はソリッドベースプレートの上面上に配置されるリソグラフィシステムであって、
前記ベースプレートは、基礎上にリソグラフィシステムを配置するためにこのベースプレートに取着された少なくとも１つの支柱を有し、
前記少なくとも１つの支柱は、前記基礎に面する前記ベースプレートの側に配置され、
前記ベースプレートには、リソグラフィシステムの真空チャンバの下側に機器を装着するためのカットアウト又は開口が設けられているリソグラフィシステム。
【請求項２】
前記機器は、カメラのような、リソグラフィシステムの測定機器を含む請求項１のリソグラフィシステム。
【請求項３】
中心線、即ち光軸を有する投影カラムをさらに有し、
前記測定システムは、前記投影カラムの中心線、即ち光軸とほぼアライメントされて配置されている請求項２のリソグラフィシステム。
【請求項４】
このリソグラフィシステムは、ターゲット位置決め装置を有し、
前記機器は、リソグラフィシステムの前記ターゲット位置決め装置を駆動させるモータを有する請求項１のリソグラフィシステム。
【請求項５】
前記機器は、前記ベースプレートを通って、好ましくは前記ベースプレートを超えて延びている請求項１ないし４のいずれか１のリソグラフィシステム。
【請求項６】
このリソグラフィシステムは、真空チャンバを有し、
リソグラフィシステムに面する前記機器の一側面は、前記真空チャンバの内部に配置されている請求項１ないし４のいずれか１のリソグラフィシステム。
【請求項７】
前記ベースプレート及び前記支柱は、アルミニウムでできており、好ましくは、前記ベースプレート及び前記支柱は、一体部品として形成されている請求項１ないし４のいずれか１のリソグラフィシステム。
【請求項８】
前記ベースプレートと前記支柱との少なくとも一方がモノリシック構造を形成している請求項１ないし４のいずれか１のリソグラフィシステム。
【請求項９】
前記ベースプレートは、自己保持ベースプレートである請求項１ないし４のいずれか１のリソグラフィシステム。
【請求項１０】
前記ベースプレートは、前記基礎に着脱可能に配置されている請求項１ないし４のいずれか１のリソグラフィシステム。
【請求項１１】
前記ベースプレートには、３つの支柱が設けられている請求項１ないし４のいずれか１のリソグラフィシステム。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれか１のリソグラフィシステムで使用するベースプレート。
【請求項１３】
前記リソグラフィシステムは、底壁を有する真空チャンバを有し、
前記ベースプレートは、少なくとも、前記真空チャンバの前記底壁の一部である請求項１２のベースプレート。
【請求項１４】
前記リソグラフィシステムは、底壁を有する真空チャンバを有し、
前記ベースプレートは、前記真空チャンバの前記底壁である請求項１２のベースプレート。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月20日(2014.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射放射線検出器をパッケージングする方法であって、
検出器ウェハを形成する工程であり：
検出器基板上に複数の検出器アレイを形成する工程であり、各検出器アレイが複数の個々の検出器を有する、工程；
前記検出器基板上に複数の基準検出器アレイを形成する工程であり、前記複数の検出器アレイの各々に少なくとも１つの基準検出器アレイが付随する、工程；及び
前記検出器基板上に複数の検出器シールリングを形成する工程であり、各検出器シールリングが少なくとも１つの検出器アレイと少なくとも１つの基準検出器アレイとを囲む、工程；
を有する、検出器ウェハを形成する工程と、
蓋ウェハを形成する工程であり：
蓋基板の第１表面に不透明材料を堆積する工程であり、該不透明材料は接合剤との低減された接合を有する、工程；
前記不透明材料内に複数のウィンドウを形成する工程；
前記蓋基板内に複数のキャビティを形成する工程；及び
前記不透明材料内に部分的に形成された複数の蓋シールリングを形成する工程であり、前記不透明材料は、前記複数の蓋シールリングの各蓋シールリングの少なくとも１つの層を有し、各蓋シールリングが前記不透明材料内の少なくとも１つのウィンドウを囲む、工程；
を有する、蓋ウェハを形成する工程と、
前記複数の検出器シールリングと前記複数の蓋シールリングとのうちの少なくとも一方に接合剤を塗布する工程と、
前記複数の検出器シールリングを前記複数の蓋シールリングとアライメントする工程と、
前記接合剤を用いて前記蓋ウェハ及び前記検出器ウェハを共に接合する工程と、
を有する方法。
【請求項２】
前記不透明材料内の前記複数のウィンドウの各々の第１の寸法及び第２の寸法は、前記蓋基板内の前記複数のキャビティの各キャビティの第１の寸法及び第２の寸法と実質的に同等である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記接合剤ははんだを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記不透明材料はチタン−タングステンを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
入射放射線検出器をパッケージングする方法であって、
少なくとも１つの検出器を覆うように構成された透明な蓋基板の第１表面に、不透明なはんだ耐性材料を堆積する工程と、
前記蓋基板内に少なくとも１つのキャビティを形成する工程と、
前記不透明なはんだ耐性材料内に部分的に形成された少なくとも１つの気密シールリングの第１部分を形成する工程であり、前記不透明なはんだ耐性材料は、前記少なくとも１つの気密シールリングの少なくとも１つの層を有し、前記少なくとも１つの気密シールリングの該第１部分が、前記蓋基板内の対応するキャビティの周囲を囲む、工程と、
前記少なくとも１つの気密シールリングの前記第１部分を、前記少なくとも１つの気密シールリングの第２部分とアライメントする工程と、
はんだを用いて、前記少なくとも１つの気密シールリングの前記第１部分を、前記少なくとも１つの気密シールリングの前記第２部分と接合する工程と、
を有する方法。
【請求項６】
当該方法は更に、前記不透明なはんだ耐性材料内に少なくとも１つのウィンドウを形成する工程を有し、前記ウィンドウは、各検出器に対応する前記不透明なはんだ耐性材料の部分を除去したものであり、前記不透明なはんだ耐性材料の残部が、各検出器に付随する少なくとも１つの基準検出器を覆う、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記蓋基板内に前記キャビティを形成する工程は、
フォトレジストマスクを設け、
前記フォトレジストマスクに基づいて、前記不透明なはんだ耐性材料内にウィンドウを形成し、
前記フォトレジストマスクに基づいて、前記蓋基板内に前記キャビティを形成し、且つ
前記フォトレジストマスクを除去する
ことを有する、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記キャビティは、検出器を覆うように構成された前記透明な蓋基板の第１表面に前記不透明なはんだ耐性材料を堆積する工程の前に、前記蓋基板内に形成される、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記透明な蓋基板の第１表面に前記不透明なはんだ耐性材料を堆積する工程は、前記透明な蓋基板の第１表面に、チタン−タングステンを有する不透明なはんだ耐性材料を堆積することを有する、請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
前記検出器はマイクロボロメータ検出器のアレイを有する、請求項５に記載の方法。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの気密シールリングの前記第１部分を形成する工程は、少なくとも二層の金属を堆積することを有し、該二層のうちの少なくとも一方は金を有する、請求項５に記載の方法。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの気密シールリングの前記第２部分は、前記検出器を有する基板に結合される、請求項５に記載の方法。
【請求項１３】
パッケージングされた入射放射線検出器であって、
検出器と少なくとも１つの基準検出器とを覆う透明なシリコン層と、
前記シリコン層に結合され且つ前記少なくとも１つの基準検出器を覆う不透明層であり、前記検出器を露出させる開口を含んだ不透明層と、
前記不透明層内に部分的に形成され且つ前記不透明層に結合された蓋シールリングであり、前記不透明層が該蓋シールリングの少なくとも１つの層を有する、蓋シールリングと、
前記検出器と前記少なくとも１つの基準検出器とを有する検出器基板と、
前記検出器基板に結合された検出器シールリングと、
前記蓋シールリングと前記検出器シールリングとを共に接合するように構成された接合層であり、前記不透明層とは接合しないように構成された接合剤を有する接合層と、
を有するパッケージングされた入射放射線検出器。
【請求項１４】
前記透明なシリコン層内のキャビティであり、前記検出器とアライメントされるように前記シリコン層内に位置付けられたキャビティと、
前記不透明層内のウィンドウであり、前記シリコン層内の前記キャビティと実質的にアライメントされて、前記検出器を露出させるように構成されたウィンドウと、
を更に有する請求項１３に記載のパッケージングされた入射放射線検出器。
【請求項１５】
前記不透明層内に形成された複数の点検窓を更に有する請求項１３に記載のパッケージングされた入射放射線検出器。
【請求項１６】
前記透明なシリコン層内の前記キャビティ及び前記不透明層内の前記ウィンドウは、少なくとも２つの実質的に同等な寸法を有する、請求項１５に記載のパッケージングされた入射放射線検出器。
【請求項１７】
前記接合剤は、前記不透明層上に濡れ広がらないはんだを有する、請求項１３に記載のパッケージングされた入射放射線検出器。
【請求項１８】
前記不透明層はチタン−タングステンを有する、請求項１３に記載のパッケージングされた入射放射線検出器。
【請求項１９】
前記検出器はマイクロボロメータ検出器のアレイを有する、請求項１３に記載のパッケージングされた入射放射線検出器。
【請求項２０】
前記蓋シールリングは少なくとも二層の金属を有し、該二層のうちの少なくとも一方は金を有し、且つ
前記検出器シールリングは少なくとも二層の金属を有し、該二層のうちの少なくとも一方は金を有する、
請求項１３に記載のパッケージングされた入射放射線検出器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月18日(2014.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を支持するための支持面を有し、中心軸を有する基板支持体と、
対称給電構造を含み、対称給電構造は、
基板が前記支持面上に配置されたときに、基板にＲＦ電力を供給するために、前記基板支持体内に配置された第１電極と、
前記支持面に対向する前記第１電極の表面の中心の周囲で、前記第１電極に結合された内側導体であって、前記内側導体は、筒状であり、前記中心軸に平行で前記中心軸の周囲にある前記第１電極から、前記基板支持体の前記支持面から離れた方向に延在している内側導体と、
前記内側導体の軸方向の開口部内に配置された複数の導体と、
前記内側導体の周囲に配置された外側導体と、
前記内側導体と前記外側導体の間に配置され、前記外側導体を前記内側導体から電気的に絶縁する外側誘電体層を含む基板支持体。
【請求項２】
前記外側導体は電気的接地に結合されている請求項１記載の基板支持体。
【請求項３】
前記外側導体に結合された導電板を含む請求項２記載の基板支持体。
【請求項４】
前記第１電極と前記導電板の間に配置された誘電体層を含む請求項３記載の基板支持体。
【請求項５】
前記第１電極の下方で前記内側導体に結合される第１導体を含み、前記第１導体は、前記内側導体から、前記中心軸から軸を外して配置されたＲＦ電源まで横方向に延在し、前記ＲＦ電源は、前記第１電極までＲＦ電力を供給し、前記導電板は、前記第１電極と前記第１導体の間に配置される請求項４記載の基板支持体。
【請求項６】
前記第１導体の周囲に配置された接地ケースと、
前記第１導体から前記接地ケースを電気的に絶縁するために、前記第１導体と前記接地ケースの間に配置された第２誘電体層を含む請求項５記載の基板支持体。
【請求項７】
前記内側導体内に配置された内側誘電体層を含む請求項２記載の基板支持体。
【請求項８】
ＤＣエネルギーが前記第２電極に供給されたときに、前記基板支持体上に配置された基板を静電保持するために、前記第１電極の上方の誘電体層内に配置された第２電極を含む請求項７記載の基板支持体。
【請求項９】
前記複数の導体は第２導体を含み、前記第２導体は前記中心軸に沿って前記内側誘電体層内に中央配置され、前記第２電極をＤＣ電源に結合する請求項８記載の基板支持体。
【請求項１０】
前記内側誘電体層内に配置され、前記中心軸の周囲に対称的に配置された複数の第３導体を、前記複数の導体は含み、前記基板支持体は、
前記第１電極と前記支持面の間に配置され、基板が基板支持体上に存在するときに、複数のヒーター電極へのＡＣエネルギーの印加に応答して、基板に熱を供給する複数のヒーター電極を含み、前記複数の第３導体の夫々１つが、前記複数のヒーター電極の対応する１つに結合されている請求項８記載の基板支持体。
【請求項１１】
前記ヒーター電極は、複数のゾーン内に配置されている請求項１０記載の基板支持体。
【請求項１２】
前記複数の第３導体の夫々１つを、前記複数のヒーター電極の対応する１つに結合するための、前記第１電極の上方に配置された配電板を含む請求項１０記載の基板支持体。
【請求項１３】
前記第１電極と前記支持面の間に配置された静電チャックであって、前記静電チャックは、前記第２電極にＤＣエネルギーを供給したときに、前記基板支持体上に配置された基板を静電保持するために前記第１電極の上方の誘電層内に配置された第２電極と、複数のヒーター電極へのＡＣエネルギーの印加に応答して、基板が基板支持体上に存在するときに、基板に熱を供給するために、前記第１電極と前記支持面の間に配置された複数のヒーター電極を含む静電チャックと、
誘電体層であって、前記第１電極が前記誘電体層と前記静電チャックの間に配置された誘電体層と、
前記第１電極とは反対の前記誘電体層の側に配置された導電板を含む請求項１記載の基板支持体。
【請求項１４】
内部容積内に配置された基板支持体を備えた内部容積を有する処理チャンバであって、前記基板支持体は支持面と中心軸を有する処理チャンバと、
対称給電構造を含み、対称給電構造は、
前記基板支持体上に基板が存在するときに、基板にＲＦ電力を供給するために、前記基板支持体内に配置された第１電極と、
前記支持面から離れて対向する前記第１電極の表面の中心の周囲で、前記第１電極と結合された第１端部を有する内側導体であって、前記内側導体は、管状であり、前記中心軸に平行で前記中心軸の周囲にある前記第１電極から離れて延在する内側導体と、
内側導体の軸方向開口部内に配置された複数の導体と、
前記内側導体の周囲に配置された外側導体と、
前記内側導体と前記外側導体の間に配置され、前記外側導体を前記内側導体から電気的に絶縁する外側誘電体層と、
前記第１端部とは反対の前記内側導体の第２端部に近接して前記内側導体に結合された第１導体であって、前記第１導体は、前記中心軸から、前記中心軸から軸を外して配置されたＲＦ電源に向かって横方向に延在し、前記ＲＦ電源は、前記第１電極にＲＦ電力を供給する第１導体と、
前記第１電極と前記第１導体の間に配置され、前記外側導体に結合された導電板であって、前記導電板と外側導体は電気的接地に結合された導電板と、
前記導電板と前記第１電極との間に配置された誘電体層を含むプラズマ処理装置。
【請求項１５】
ＤＣエネルギーが前記第２電極に供給されたときに、前記基板支持体上に配置された基板を静電保持するために、前記第１電極の上方の誘電体層内に配置された第２電極と、
前記第１電極と前記支持面の間に配置され、基板が前記基板支持体上に存在するときに、複数のヒーター電極へのＡＣエネルギーの印加に応答して、基板に熱を供給する複数のヒーター電極と、
前記中心軸に沿って前記内側誘電体層内に中央配置された第２導体と、
前記第２導体を介して前記第２電極に結合されたＤＣ電源と、
前記内側誘電体層内に配置され、前記中心軸の周囲に対称的に配置された複数の第３導体と、
前記複数の第３導体の夫々１つを、前記複数のヒーター電極の対応する１つに結合するための、前記第１電極の上方に配置された配電板を含む請求項１４記載のプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月16日(2014.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可視光透明フィルムの螺旋巻部分であって、
前記可視光透明フィルムが周囲に巻かれる中央軸線と、
前記中央軸線に垂直な光入射面であって、前記可視光透明フィルムの第１端部を含む、光入射面と、
前記可視光透明フィルムの第１端部に対して４５度の角度で配置される、前記可視光透明フィルムの第２端部を含む反射性表面と、
前記中央軸線に平行な光出力領域と、
を有する、可視光透明フィルムの螺旋巻部分、及び、
前記可視光透明フィルムの前記螺旋巻部分から、前記可視光透明フィルムの光出力端部まで、接線方向に延在する前記可視光透明フィルムの平面部分を含む、照明コンバータ。
【請求項２】
請求項１に記載の照明コンバータ、及び、
前記光入射面に隣接して配置され、かつ前記光入射面内に光を注入することができる、発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む、バックライト。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月17日(2014.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路（ＩＣ）デバイスであって、
複数の入力／出力（Ｉ／Ｏ）ノードと、前記複数のＩ／Ｏノードに結合される複数のダイパッドとを含む能動回路要素を含む上面を有する基板と、
前記複数のダイパッドの上の第１の誘電体ビアを含む第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体ビアの上の前記複数のダイパッドに結合される複数のＲＤＬ捕捉パッドを含むリダイレクト層（ＲＤＬ）と、
前記複数のＲＤＬ捕捉パッドの上の第２の誘電体ビアを含む第２の誘電体層であって、前記第２の誘電体ビアの少なくとも１つがクラックアレストビアであり、前記クラックアレストビアが、前記ＩＣダイのニュートラル応力ポイントから離れて面し且つ前記ニュートラル応力ポイントから前記クラックアレストビアへのラインに沿って前記ラインからプラスマイナス３０度の範囲で面するように方向付けられる頂点を含むビア形状を有する、前記第２の誘電体ビアと、
前記第２の誘電体ビアの上の前記複数のＲＤＬ捕捉パッドに結合されるアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）パッドと、
前記ＵＢＭパッド上の金属ボンディングコネクタと、
を含む、ＩＣデバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のＩＣデバイスであって、
前記頂点が、前記ラインからプラスマイナス１５度の範囲で面するように方向付けられる、ＩＣデバイス。
【請求項３】
請求項１に記載のＩＣデバイスであって、
前記クラックアレストビアのための前記ビア形状が曲線的コーナーを含む三角形である、ＩＣデバイス。
【請求項４】
請求項１に記載のＩＣデバイスであって、
前記少なくとも一つのクラックアレストビアが、前記ＩＣデバイスの最外周ロー及びコラムに沿った前記第２の誘電体ビアの全てに対し提供される複数のクラックアレストビアを含む、ＩＣデバイス。
【請求項５】
請求項１に記載のＩＣデバイスであって、
前記複数のクラックアレストビアが、前記ＩＣデバイスの前記最外周ロー及びコラムを含む前記ＩＣデバイスの３つの最外ロー及びコラムに沿った前記第２の誘電体ビアの全てに対し提供される、ＩＣデバイス。
【請求項６】
請求項１に記載のＩＣデバイスであって、
前記金属ボンディングコネクタがはんだボールを含む、ＩＣデバイス。
【請求項７】
請求項１に記載のＩＣデバイスであって、
前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層とがいずれも、ポリイミド又はベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）を含み、前記ＲＤＬが銅を含む、ＩＣデバイス。
【請求項８】
請求項１に記載のＩＣデバイスであって、
前記ＩＣデバイスがウエハチップスケールパッケージ（ＷＣＳＰ）を含む、ＩＣデバイス。
【請求項９】
集積回路（ＩＣ）デバイスであって、
複数の入力／出力（Ｉ／Ｏ）ノードと、前記複数のＩ／Ｏノードに結合される複数のダイパッドとを含む能動回路要素を含む上面を有する基板と、
前記複数のダイパッドの上の第１の誘電体ビアを含む第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体ビアの上の前記複数のダイパッドに結合される複数のＲＤＬ捕捉パッドを含むリダイレクト層（ＲＤＬ）と、
前記複数のＲＤＬ捕捉パッドの上の第２の誘電体ビアを含む第２の誘電体層であって、前記第２の誘電体ビアの少なくとも１つがクラックアレストビアであり、前記クラックアレストビアが、前記ＩＣダイのニュートラル応力ポイントから離れて面し且つ前記ニュートラル応力ポイントから前記クラックアレストビアへのラインに沿って前記ラインからプラスマイナス１５度の範囲で面するように方向付けられる頂点を含むビア形状を有する、前記第２の誘電体ビアと、
前記第２の誘電体ビアの上の前記複数のＲＤＬ捕捉パッドに結合されるアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）パッドと、
前記ＵＢＭパッド上の金属ボンディングコネクタと、
を含み、
前記クラックアレストビアのための前記ビア形状が、曲線的コーナーを含む三角形であり、
前記少なくとも一つのクラックアレストビアが、前記ＩＣデバイスの最外周ロー及びコラムに沿った前記第２の誘電体ビアの全てに対し提供される複数のクラックアレストビアを含む、ＩＣデバイス。
【請求項１０】
集積回路（ＩＣ）デバイスを形成する方法であって、
複数のＩＣダイを含む頂部半導体表面を有するウエハを提供することであって、前記ＩＣダイが、複数の入力／出力（Ｉ／Ｏ）ノードと、前記複数のＩ／Ｏノードに結合される複数のダイパッドとを含む能動回路要素を含む、前記ウエハを提供することと、
前記複数のダイパッドの上の第１の誘電体ビアを含む第１の誘電体層を形成することと、
前記複数の第１の誘電体ビアの上の前記複数のダイパッドに結合される前記第１の誘電体層上に複数のＲＤＬ捕捉パッドを含むリダイレクト層（ＲＤＬ）を形成することと、
前記複数のＲＤＬ捕捉パッドの上の第２の誘電体ビアを含む第２の誘電体層を形成することであって、前記第２の誘電体ビアの少なくとも１つがクラックアレストビアであり、前記クラックアレストビアが、前記ＩＣダイのニュートラル応力ポイントから離れて面し且つ前記ニュートラル応力ポイントから前記クラックアレストビアへのラインに沿って前記ラインからプラスマイナス３０度の範囲に面するように方向付けられる頂点を含むビア形状を有する、前記第２の誘電体層を形成することと、
前記複数のＲＤＬ捕捉パッドの各々の上の前記第２の誘電体ビアの上にアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）パッドを形成することと、
前記ＵＢＭパッド上に金属ボンディングコネクタを形成することと、
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月27日(2014.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリシラザンポリマーを含む硬化した接合層により、隣接した無機コンポーネントに接合した波長コンバータを含む、半導体コンポーネント。
【請求項２】
前記波長コンバータが、多層半導体波長コンバータ、又は埋め込まれた蛍りん光体粒子を含む無機マトリックスである、請求項１に記載の半導体コンポーネント。
【請求項３】
前記波長コンバータが、ＩＩ−ＶＩ族の半導体材料を含む多層半導体波長コンバータである、請求項１又は２に記載の半導体コンポーネント。
【請求項４】
前記多層半導体波長コンバータが、青い光の一部を吸収し、より長い波長を生成する、請求項１に記載の半導体コンポーネント。
【請求項５】
ポリシラザンポリマーを含む硬化した接合層により隣接したコンポーネントに接合したポンプＬＥＤコンポーネントを含む、発光ダイオード（ＬＥＤ）。
【請求項６】
半導体コンポーネントを製造する方法であって、
波長コンバータウェハ、ポンプＬＥＤコンポーネント、又はこれらの組み合わせを、ポリシラザンポリマーを含む接合層により、隣接したコンポーネントに接合することを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月30日(2014.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
伝導性、且つ、複数の区別可能な導体領域を形成するために分割された少なくとも１つのキャリア素子を含むリードフレームを供給するステップであって、前記複数の区別可能な導体領域は、互いに空間関係を持つとともに、前記伝導性キャリア素子を介して、互いに電気的に結合されるステップと、
前記キャリア素子上に、前記複数の導体領域にわたって延在するよう位置付けられた少なくとも１つのＬＥＤダイを配置するステップと、
前記ＬＥＤダイを前記導体領域のそれぞれに結合するステップと、
互いに電気的に絶縁された前記導体領域のそれぞれを有するＬＥＤデバイスを供給するために、前記リードフレームから前記キャリア素子を分離するステップであって、前記キャリア素子が前記リードフレームから分離された後、前記ＬＥＤダイは、前記導体領域間の前記空間関係を維持する役割を果たすステップとを有する、方法。
【請求項２】
前記区別可能な導体領域間に誘電材料を配置するステップを有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記区別可能な導体領域は、前記ＬＥＤダイからの熱を放散する熱伝導領域と、前記ＬＥＤダイを外部エネルギー源に結合する１又は複数の電極とを含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記複数の区別可能な導体領域に対応するパターンに従って、前記リードフレームから材料を除去することによって、前記リードフレームを形成するステップを有する、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記複数の区別可能な導体領域は、アノード領域、カソード領域、及び、熱輸送領域を含み、前記アノード領域及び前記カソード領域は、それぞれ、前記ＬＥＤダイと関連付けられたアノード電極及びカソード電極の結合を促進するために設けられる、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記結合するステップは、リフローはんだ付けステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記リードフレームは、銅シートを有する、請求項１記載の方法。
【請求項８】
複数のディスクリートのキャリア素子と、
前記複数のキャリア素子のそれぞれに接着されたＬＥＤダイとを有し、前記キャリア素子の少なくとも１つは、前記ＬＥＤダイの導体領域から電気的に絶縁されているとともに、熱導体としての役割を果たす発光デバイスであって、
前記キャリア素子は、
前記発光デバイスのための主な構造的支持と、前記ＬＥＤダイへの電気的及び熱的な結合を供給し、
前記ＬＥＤダイは、前記キャリア素子間の一定の空間関係を供給する、発光デバイス。
【請求項９】
前記キャリア素子を互いに分離する誘電材料を有する、請求項８記載の発光デバイス。
【請求項１０】
前記キャリア素子の１又は複数は、対応するレセプタクルへの前記発光デバイスの挿入を促進するピン構造を有する、請求項８記載の発光デバイス。
【請求項１１】
前記キャリア素子のそれぞれは、銅を有する、請求項８記載の発光デバイス。
【請求項１２】
前記キャリア素子のそれぞれは、少なくとも０．７５ｍｍの厚さを有する、請求項８記載の発光デバイス。
【請求項１３】
前記ＬＥＤダイは、前記複数のキャリア素子にはんだで接着されている、請求項８記載の発光デバイス。
【請求項１４】
前記ＬＥＤダイは、前記ＬＥＤダイの上面を通じて光を放射する１又は複数の発光素子を有し、前記ＬＥＤダイは、前記上面とは反対側の前記ＬＥＤダイの底面上のコンタクトを介して、前記複数のキャリア素子に接着されている、請求項８記載の発光デバイス。
【請求項１５】
前記キャリア素子の１又は複数は、前記キャリア素子の底面及び１又は複数の端部表面を介して、前記ＬＥＤダイに電気的結合を供給する、請求項８記載の発光デバイス。
【請求項１６】
複数のキャリア素子であって、各キャリア素子は、伝導性、且つ、複数の区別可能な導体領域を形成するために分割され、前記複数の区別可能な導体領域は、互いに空間関係を持つとともに、前記伝導性キャリア素子を介して、互いに電気的に結合される複数のキャリア素子と、
前記キャリア素子が前記リードフレームから分離されるとき、前記導体領域間の前記空間関係を維持するように、前記複数の区別可能な導体領域のそれぞれに結合された、各キャリア素子上の少なくとも１つのＬＥＤダイとを有する、リードフレーム。
【請求項１７】
前記区別可能な導体領域間に誘電材料を有する、請求項１６記載のリードフレーム。
【請求項１８】
前記リードフレームは、銅シートである、請求項１６記載のリードフレーム。
【請求項１９】
前記リードフレームは、少なくとも０．７５ｍｍの厚みを有する、請求項１６記載のリードフレーム。
【請求項２０】
前記キャリア素子の１又は複数は、前記キャリア素子の底面及び１又は複数の端部票目を介して、前記ＬＥＤダイに電気的結合を供給する、請求項１６記載のリードフレーム。