(57)【要約】【課題】配線の表面全面に錫めっきを形成し、前記錫めっき上に部分的に、前記錫めっきと異なる機能めっきを形成する配線基板の製造方法において、前記機能めっきのはがれを低減する。【解決手段】絶縁基板の表面に配線（導体パターン）を形成し、前記配線の表面全面に錫めっきを形成し、前記錫めっき上に、部分的に、前記錫めっきと異なる機能めっきを形成する配線基板の製造方法であって、前記機能めっきを形成する前に、前記機能めっきを形成する領域に、前記錫めっきの表面を活性化させた状態で予備めっきを形成する配線基板の製造方法である。【選択図】　　　図３
2004103714.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の表面に配線（導体パターン）を形成し、前記配線の表面全面に錫めっきを形成し、前記錫めっき上に、部分的に、前記錫めっきと異なる機能めっきを形成する配線基板の製造方法であって、
前記機能めっきを形成する前に、前記機能めっきを形成する領域に、前記錫めっきの表面を活性化させた状態で予備めっきを形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記予備めっき及び前記機能めっきは、前記配線のアウターリード部に形成することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記予備めっきは、銅ストライクめっき又はニッケルストライクめっきで形成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記機能めっきは、ニッケルめっき及び金めっきを順次積層して形成することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
絶縁基板の表面に配線（導体パターン）が設けられ、前記配線の表面全面に錫めっきが設けられ、前記配線のアウターリード部に、前記錫めっきと異なる機能めっきが設けられた配線基板であって、
前記機能めっきは、前記錫めっきの表面を活性化させた状態で設けた予備めっきを介在させて設けられていることを特徴とする配線基板。
【請求項６】
前記予備めっきは、銅ストライクめっき又はニッケルストライクめっきでなることを特徴とする請求項５に記載の配線基板。
【請求項７】
前記機能めっきは、ニッケルめっき及び金めっきを順次積層しためっきでなることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板の製造方法及び配線基板に関し、特に、絶縁基板上に設けられた配線の表面全面に錫めっきを形成し、前記配線のアウターリード部に前記錫めっきと異なる機能めっきを形成する配線基板の製造方法に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）などの半導体装置に用いられる配線基板（テープキャリア）は、例えば、ポリイミドテープなどの絶縁基板上に配線（導体パターン）が設けられている。
【０００３】
このとき、前記配線のうち、半導体チップの外部電極（ボンディングパッド）と接続される領域（以下、インナーリード部と称する）の表面と、前記半導体装置の外部に設けられ、実装基板の配線（端子）と接続される領域（以下、アウターリード部と称する）の表面には、めっきが設けられている。またこのとき、前記インナーリード部及び前記アウターリード部に設けられる前記めっきは、例えば、前記実装基板の配線（端子）や前記半導体チップの外部電極との接合材、あるいは端子めっきとして機能するめっき（以下、機能めっきと称する）であり、例えば、錫、錫鉛系はんだ、金等が用いられる。
【０００４】
また、従来の配線基板では、前記インナーリード部及び前記アウターリード部に設けられる前記機能めっきは、コスト面などから、同種のめっきを設ける場合が多い。しかしながら、前記インナーリード部と前記アウターリード部では、接続形態や、要求される電気的特性及び接続信頼性等が異なることが多い。そのため、近年では、前記インナーリード部及び前記アウターリード部に異なる種類のめっき、言い換えると、それぞれに最適な機能めっきを設けるようになってきている。
【０００５】
このとき、前記インナーリード部と前記アウターリード部の機能めっきの組み合わせとしては、例えば、前記インナーリード部に錫めっきあるいは金めっきを設け、前記アウターリード部にはんだめっきを設ける場合がある。また、そのほかにも、例えば、前記インナーリード部に錫めっきを設け、前記アウターリード部に金めっきを設ける場合もある。
【０００６】
前記インナーリード部及び前記アウターリード部に、異なる種類の機能めっきを形成する場合、例えば、前記インナーリード部に第１の機能めっきを形成するときには、前記アウターリード部をマスクで覆い、前記アウターリード部に第２の機能めっきを形成するときには、前記インナーリード部をマスクで覆う必要がある。そのため、製造工程が増え、前記配線基板の製造コストが上昇する。そこで、近年では、異なる種類のめっきを効率よく形成する方法が種々提案されており、例えば、特開平５−１０２２５０号公報や特開平１０−１６３２７５号公報などに記載されている。
【０００７】
前記特開平５−１０２２５０号公報では、絶縁基板上に配線を形成し、前記配線の前記インナーリード部及び前記アウターリード部に、ほぼ同じ厚さの錫めっきまたは金めっきを形成した後、前記インナーリード部をマスクで覆い、前記アウターリード部に前記錫めっきまたは前記金めっきを介在させてはんだめっきを形成する方法が記載されている。
【０００８】
前記特開平５−１０２２５０号公報に記載された方法では、前記インナーリード及び前記アウターリード部に同種のめっきを形成した後、前記アウターリード部のみに前記はんだめっきを形成することにより、前記アウターリード部の表面は前記はんだめっきが露出し、前記インナーリード部の表面は前記錫めっきあるいは金めっきが露出している。そのため、前記インナーリード部及び前記アウターリード部のそれぞれに、個別の工程でめっきを形成した場合と同等の機能を有する配線基板を得ることができる。また、めっきの際のマスク形成工程（マスキング）が１回で済むため、前記インナーリード部及び前記アウターリード部のそれぞれに、個別の工程で機能めっきを形成する場合に比べ、工程数が少なくなり、前記配線基板の製造コストを低減することができる。
【０００９】
また、前記特開平１０−１６３２７５号公報では、前記絶縁基板上に配線を形成し、前記インナーリード部及び前記アウターリード部に、例えば錫めっきを形成した後、前記インナーリード部をマスクで覆い、前記アウターリード部の錫めっきを除去し、続けて、例えば、ニッケルめっきを下地とした金めっきを前記アウターリード部に形成する方法が記載されている。
【００１０】
前記特開平１０−１６３２７５号公報に記載された方法では、前記インナーリード部及び前記アウターリード部に第１の機能めっき（錫めっき）を形成した後、前記インナーリード部をマスクで覆い、前記アウターリード部の錫めっきを除去して第２の機能めっきを形成することで、前記めっきの際のマスク形成工程を１度にすることができる。そのため、前記インナーリード部及び前記アウターリード部のそれぞれに、個別の工程で機能めっきを形成する場合に比べ、工程数が少なくなり、前記配線基板の製造コストを低減することができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の技術のうち、前記特開平５−１０２２５０号公報に記載された方法では、前記インナーリード部に錫めっきを設け、前記アウターリード部に金めっき、あるいはニッケルめっきを下地とした金めっきを設ける場合、前記アウターリード部では、前記錫めっき上に前記金めっき、あるいは前記ニッケルめっきを下地とした金めっきを設けることになる。このとき、前記錫めっきは非常に酸化しやすいため、前記金めっき、あるいは前記ニッケルめっきを下地とした金めっきを形成するときに、前記錫めっきの表面が酸化されて不活性の状態になっている。そのため、前記金めっきあるいは前記ニッケルめっきと、前記錫めっきの密着性が低く、前記金めっきあるいは前記ニッケルめっきを下地とした金めっきがはがれやすいという問題があった。
【００１２】
特に、前記アウターリード部がコネクタ状である場合には、前記アウターリード部上に、端子めっきとして、前記ニッケルめっきを下地とした金めっきを設けることが多い。そのため、前記端子めっきが剥がれやすいと、前記アウターリード部の接続不良の原因になるという問題があった。
【００１３】
また、前記特開平５−１０２２５０号公報に記載された方法の場合、前記アウターリード部に前記機能めっきを形成するときに、前記錫めっきの表面が酸化して不活性な状態で形成するため、前記金めっき、あるいはニッケルめっきを下地とした金めっきに限らず、他のめっきでも、前記アウターリード部に形成した機能めっきがはがれやすくなる可能性が高いという問題があった。
【００１４】
また、前記特開平１０−１６３２７５号公報に記載された方法では、前記アウターリード部に金めっき、あるいはニッケルめっきを下地とした金めっきを設け、前記インナーリード部に錫めっきを設ける場合、前記アウターリード部の上は、一度形成した錫めっきを除去してから前記金めっき、あるいは前記ニッケルめっきを下地とした金めっきを設けることになる。このとき、前記配線は、一般に銅を用いて形成するため、前記錫めっきを形成した後、銅と錫が相互拡散して前記配線と前記錫めっきの界面が合金状態になる。またこのとき、前記錫の拡散は不均一であるため、前記アウターリード部に形成した錫めっきを除去したときに、前記銅配線の表面に凹凸ができたり、錫が拡散した領域が残ったりする。そのため、前記錫めっきを除去した後、前記金めっき、あるいは前記ニッケルめっきを下地とした金めっきを形成すると、めっき不良、あるいは前記めっきがはがれやすくなるという問題があった。
【００１５】
また、前記特開平１０−１６３２７５号公報に記載された方法の場合も、前記インナーリード部に錫めっきを設け、前記アウターリード部に金めっき、あるいはニッケルめっきを下地とした金めっきを設ける場合に限らず、前記アウターリード部に設けた錫めっきを除去することにより、前記アウターリード部に設けられた配線の表面に凹凸ができ、前記アウターリード部のめっき不良、あるいはめっきがはがれやすくなるという問題があった。
【００１６】
本発明の目的は、配線の表面全面に錫めっきを形成し、前記錫めっき上に部分的に、前記錫めっきと異なる機能めっきを形成する配線基板の製造方法において、前記機能めっきのはがれを低減することが可能な技術を提供することにある。
【００１７】
本発明の他の目的は、配線のインナーリード部に錫めっきを形成し、前記配線のアウターリード部に錫めっきと異なる機能めっきを形成する配線基板の製造方法において、前記機能めっきのめっき不良を低減することが可能な技術を提供することにある。
【００１８】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明の概要を説明すれば、以下の通りである。
【００２０】
（１）絶縁基板の表面に配線（導体パターン）を形成し、前記配線の表面全面に錫めっきを形成し、前記錫めっき上に、部分的に、前記錫めっきと異なる機能めっきを形成する配線基板の製造方法であって、前記機能めっきを形成する前に、前記機能めっきを形成する領域に、前記錫めっきの表面を活性化させた状態で予備めっきを形成する配線基板の製造方法である。
【００２１】
前記（１）の手段によれば、前記錫めっきの表面を活性化させた状態で予備めっきを形成することにより、前記錫めっきと前記予備めっきの密着性を確保することができる。そのため、前記予備めっき上に前記機能めっきを形成することにより、前記機能めっきをはがれにくくすることができる。このとき、前記予備めっき及び前記機能めっきは、例えば、前記配線のアウターリード部に形成する。
【００２２】
また、前記予備めっきは、例えば、ストライクめっきで形成することが好ましい。前記ストライクめっきは、通常の電気めっきに比べ、濃度の低いめっき浴を用い、高電流密度で短時間に形成する電気めっきである。また、前記ストライクめっきは、電流効率が悪く、水素ガスが多く発生するため、前記錫めっきの表面浄化作用が高く、前記錫めっき表面の酸化した部分を浄化して、表面を活性化させながら前記予備めっきを形成することができる。そのため、前記ストライクめっきで形成した予備めっきは、前記錫めっきと密着性が高くなり、前記予備めっき上に形成した前記機能めっきをはがれにくくすることができる。
【００２３】
このとき、前記ストライクめっきは、例えば、銅ストライクめっきやニッケルストライクめっきが好ましい。
【００２４】
また、前記機能めっきは、例えば、ニッケルめっき及び金めっきを順次積層して形成する。
【００２５】
（２）絶縁基板の表面に配線（導体パターン）が設けられ、前記配線の表面全面に錫めっきが設けられ、前記配線のアウターリード部に、前記錫めっきと異なる機能めっきが設けられた配線基板であって、前記機能めっきは、前記錫めっきの表面を活性化させた状態で設けた予備めっきを介在させて設けられている配線基板である。
【００２６】
前記（２）の手段によれば、前記錫めっきの表面に、前記予備めっきを介在させて機能めっきを設けることにより、前記錫めっきと前記予備めっきの密着性がよく、前記機能めっきのはがれを低減することができる。
【００２７】
このとき、前記予備めっきは、例えば、銅ストライクめっきやニッケルストライクめっきなどの、ストライクめっきでなることが好ましい。
【００２８】
また、前記機能めっきは、例えば、ニッケルめっき及び金めっきを順次積層しためっきでなる。
【００２９】
以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
【００３０】
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００３１】
【発明の実施の形態】
（実施例１）
図１乃至図３は、本発明による実施例１の配線基板の概略構成を示す模式図であり、図１は配線基板全体の構成を示す平面図、図２は図１の領域Ｌ１の拡大平面図、図３（ａ）は図２のＡ−Ａ’線での断面図、図３（ｂ）は図３の領域Ｌ２の拡大断面図である。
【００３２】
図１及び図２において、１は絶縁基板、１Ａは第１開口部（デバイスホール）、１Ｂは第２開口部（アウターリードホール）、１Ｃは第３開口部（スプロケットホール）、２は配線、２Ａは配線のインナーリード部、２Ｂは配線のアウターリード部、２Ｃは給電配線、３は保護膜である。また、図３（ａ）及び図３（ｂ）において、４は錫めっき、５は機能めっき（ニッケル金めっき）、５Ａはニッケルめっき、５Ｂは金めっき、６は予備めっき（銅ストライクめっき）である。
【００３３】
本実施例１の配線基板は、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）に用いられる配線基板（テープキャリア）であって、図１及び図２に示すように、第１開口部（デバイスホール）１Ａ及び第２開口部（アウターリードホール）１Ｂ、ならびに第３開口部（スプロケットホール）１Ｃが設けられた絶縁基板１上に配線２が設けられている。このとき、前記配線２の、前記半導体チップの外部電極と接続される領域（以下、インナーリード部と称する）２Ａは、前記絶縁基板１の前記第１開口部１Ａ上に突出するように設けられている。また、前記配線２の、実装基板と接続される領域（以下、アウターリード部と称する）２Ｂは、前記絶縁基板１の前記第２開口部１Ｂ上を通るように設けられている。またこのとき、前記アウターリード部２Ｂの外周部分は、例えば、電気めっき用の給電配線２Ｃが設けられており、各配線２が短絡している。また、前記配線２の前記インナーリード部２Ａと前記アウターリード部２Ｂの間は、はんだ保護膜（ソルダレジスト）などの保護膜３で覆われ、保護されている。
【００３４】
また、前記配線基板では、前記配線のインナーリード部２Ａとアウターリード部２Ｂのそれぞれで、接続形態や要求される特性が異なり、前記インナーリード部２Ａの表面には錫めっき４が設けられ、前記アウターリード部２Ｂの表面には前記錫めっき４と異なる種類の機能めっき５が設けられている場合がある。本実施例１の配線基板では、前記機能めっき５はニッケルめっきを下地とした金めっき（以下、ニッケル金めっきと称する）であるとする。
【００３５】
またこのとき、前記錫めっき４は、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、前記配線２の表面全面に設けられており、前記機能めっき５は、前記錫めっき４上に、予備めっき６を介在させて設けられている。本実施例１の配線基板では、前記予備めっき６は、前記錫めっき４との密着性がよい銅ストライクめっきであるとする。
【００３６】
前記配線２の表面全面に前記錫めっき４が設けられている場合、前記錫めっき４が酸化しやすいため、前記錫めっき４上に前記機能めっき５として、ニッケルめっき５Ａを下地とした金めっき５Ｂを直接設けると、前記錫めっき４と前記ニッケルめっき５Ａの密着性が低い。そのため、前記ニッケルめっき５Ａ（第２めっき５）がはがれやすい。そこで、本実施例１の配線基板のように、前記錫めっき４上に、前記錫めっき４との密着性がよい予備めっき（銅ストライクめっき）６を設ける。前記予備めっき６は前記錫めっき４との密着性がよく、はがれにくいため、前記予備めっき６を介在させて前記機能めっき５を設けることにより、前記機能めっき５をはがれにくくすることができる。
【００３７】
図４乃至図７は、本実施例１の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図４（ａ）及び図４（ｂ）は配線を形成する工程の断面図、図５（ａ）は第１めっきを形成する工程の断面図、図５（ｂ）ははんだ保護膜を形成する工程の断面図、図６は予備めっき及び第２めっきを形成する工程の平面図、図７（ａ）は予備めっきを形成する工程の断面図、図７（ｂ）は第２めっきを形成する工程の断面図である。
【００３８】
以下、図４乃至図７に沿って、本実施例１の配線基板の製造方法を説明するが、従来の配線基板の製造方法と同様の工程については、詳細な説明を省略する。
【００３９】
まず、図４（ａ）に示すように、第１開口部１Ａ、第２開口部１Ｂ、及び第３開口部１Ｃが形成された絶縁基板１の表面に、例えば、銅箔などの導体膜２’を接着する。このとき、前記絶縁基板１には、例えば、ポリイミドテープなどの表面に接着剤（図示しない）を形成した基板を用いる。また、前記第１開口部１Ａ、前記第２開口部１Ｂ、前記第３開口部１Ｃは、例えば、金型を用いた打ち抜き加工で形成する。
【００４０】
またこのとき、前記手順に限らず、例えば、前記ポリイミドテープなどの絶縁基板１の表面に、スパッタリングやめっきなどで前記導体膜２’を形成し、例えば、金型によるうち抜き加工で前記第３開口部１Ｃを形成した後、エッチング処理により前記第１開口部１Ａ及び前記第２開口部１Ｂを形成してもよい。
【００４１】
次に、図４（ｂ）に示すように、前記導体膜２’をエッチングして、配線２を形成する。このとき、前記配線２は、前記インナーリード部２Ａが前記第１開口部１Ａ上に突出し、前記アウターリード部２Ｂが前記第２開口部１Ｂ上を通るように形成する。
【００４２】
次に、図５（ａ）に示すように、前記配線２の表面全面に錫めっき４を形成する。このとき、前記錫めっき４は、無電解錫めっきで形成する。
【００４３】
次に、図５（ｂ）に示すように、前記配線２の、前記インナーリード部２Ａと前記アウターリード部２Ｂの間の領域上に、はんだ保護膜（ソルダレジスト）などの保護膜３を形成する。このとき、前記保護膜３を形成する際のベーク（加熱）温度が高いと、前記錫めっき４と前記配線２の間で錫と銅の相互拡散が促進され、前記錫めっき４の接合材としての機能が低下する可能性がある。そのため、前記保護膜３は、例えば、１２０℃程度の温度で短時間に形成することが好ましい。このとき、前記保護膜３には、例えば、ポリイミド系の樹脂などが用いられる。
【００４４】
次に、図６及び図７（ａ）に示すように、前記インナーリード部２Ａをレジスト７で覆い、前記アウターリード部２Ｂの前記錫めっき４上に予備めっき６を形成する。このとき、前記錫めっき４は、表面が酸化しており、不活性な状態である。また、前記錫めっき４は酸化しやすいため、表面を活性化させても、次のめっきを形成する工程が始まるまでの間に、再び表面が酸化して不活性な状態になりやすい。そのため、前記予備めっき６は、前記錫めっき４の酸化した表面を浄化し、活性化させた状態で形成するのが好ましく、例えば、銅ストライクめっきで形成する。
【００４５】
前記銅ストライクめっきは、一般の電気銅めっきに比べ、低濃度のめっき浴を用い、電流密度を高くし、短時間で形成する薄い電気銅めっきである。そのためため、電流効率が悪く、めっき浴中に水素ガスが発生しやすい。このとき、前記めっき浴中に発生した水素ガスが、前記錫めっき４の表面の酸化した部分と反応するので、前記錫めっき４の表面が浄化される。すなわち、前記予備めっき（銅ストライクめっき）６は、前記錫めっき４の表面を浄化し、活性化させながら形成することができるため、前記錫めっき４との密着性を確保することができる。
【００４６】
このとき、前記銅ストライクめっきのめっき浴には、例えば、シアン化銅の濃度が３０ｇ／Ｌから４０ｇ／Ｌ、シアン化カリウムの濃度が４０ｇ／Ｌから６０ｇ／Ｌ、遊離シアン化ナトリウムの濃度が１０ｇ／Ｌから１５ｇ／Ｌ、水酸化カリウムの濃度が０から４ｇ／Ｌのシアン化銅浴（低濃度浴）を用いる。このとき、前記給電配線２Ｃから供給する電力の電流密度を４Ａ／ｄｍ２から６Ａ／ｄｍ２にして形成した電気銅めっきが前記銅ストライクめっきであり、厚さが０．５μｍから１．０μｍになるように形成する。
【００４７】
次に、前記レジスト７はそのままにして、前記予備めっき（銅ストライクめっき）６上に機能めっき５を形成する。このとき、前記機能めっき５は、例えば、前記給電配線２Ｃから電力を供給して、まず、前記ニッケルめっき５Ａを厚さが０．５μｍから１．０μｍになるように形成した後、前記ニッケルめっき５Ａ上に、厚さが０．５μｍ程度の金めっき５Ｂを形成する。
【００４８】
その後、前記配線２のインナーリード部２Ａ上の前記レジスト７を除去すると、本実施例１の配線基板を得ることができる。
【００４９】
以上説明したように、本実施例１の配線基板によれば、配線２の表面全面に設けられた錫めっき４上に、部分的に機能めっき（ニッケル金めっき）５を設ける際に、前記錫めっき４の表面を活性化させた状態で設けた予備めっき６を介在させることにより、前記錫めっき４と前記予備めっき６の密着性を確保することができる。そのため、前記予備めっき６上に設けた前記機能めっき５のはがれを低減することができる。
【００５０】
このとき、前記予備めっき６は、ストライクめっきで形成するのが好ましく、例えば、銅ストライクめっきで形成すると、めっき浴中で前記錫めっき４の表面を活性化させながら予備めっき６を形成することができる。
【００５１】
また、本実施例１の配線基板のように、前記配線２の表面全面に前記錫めっき４を形成した後、前記配線２のアウターリード部２Ｂ上に、前記予備めっき６を介在させて前記機能めっき５を形成することにより、前記アウターリード部２Ｂの前記錫めっき４を除去することなく、密着性の高い前記機能めっき５を形成することができる。そのため、例えば、従来の特開平１０−１６３２７５号公報に記載されたように、前記アウターリード部２Ｂの錫めっき４を除去した後、前記アウターリード部２Ｂに前記機能めっき（ニッケル金めっき）５を形成する場合のように、前記アウターリード部２Ｂの表面に凹凸ができるのを防ぐことができる。また、前記アウターリード部２Ｂの表面に凹凸ができるのを防げるため、前記アウターリード部２Ｂの形状不良による接続不良や前記機能めっき５のめっき不良を防ぐことができる。
【００５２】
また、本実施例１の配線基板では、前記機能めっき５として、ニッケルめっき５Ａを下地とした金めっき５Ｂを設けたが、これに限らず、例えば、前記機能めっき５として、前記予備めっき６上に直接金めっき５Ｂを設けてもよい。
【００５３】
また、本実施例１では、前記配線の表面全面に前記錫めっき４を設けた場合について説明したが、これに限らず、前記インナーリード部２Ａと前記アウターリード部２Ｂが異なる種類のめっきであり、且つ前記配線の表面全面に設けるめっきが、不活性な状態になりやすい導体の場合に、本実施例１で説明した製造方法を適用することができる。
【００５４】
また、前記予備めっき６に関しても、本実施例１の配線基板では、銅ストライクめっきを用いたが、これに限らず、前記錫めっき４の表面を活性化させた状態で設けられるめっきであればよい。
【００５５】
図８は、前記実施例１の配線基板の変形例を説明するための模式断面図であり、図３（ａ）の領域Ｌ２に相当する断面図である。
【００５６】
前記実施例１の配線基板では、前記予備めっき６として銅ストライクめっきを設けたが、これに限らず、例えば、図８に示したように、ニッケルストライクめっき６’を設けてもよい。
【００５７】
一般に、前記機能めっき５のように、前記金めっき５Ｂの下地として形成するニッケルめっき５Ａは、例えば、スルファミン酸ニッケルの濃度が３００ｇ／Ｌから４５０ｇ／Ｌ、ほう酸の濃度が３０ｇ／Ｌから４５ｇ／Ｌ、ｐＨが３から５のめっき浴を用い、温度４０℃から６０℃、電流密度３Ａ／ｄｍ２から５Ａ／ｄｍ２で、厚さが０．５μｍから１．０μｍの電気ニッケルめっきを形成する。
【００５８】
しかしながら、前記金めっき５Ｂの下地として形成する前記ニッケルめっき５Ａを形成する際には、前記錫めっき４の表面が活性化されないため、前記ニッケルめっき５Ａと前記錫めっき４の密着性が低く、はがれやすい。
【００５９】
そこで、前記第２めっき５のニッケルめっき５Ａを形成する前に、前記予備めっきとして前記ニッケルストライクめっき６’を形成する。
【００６０】
前記ニッケルストライクめっき６’は、通常の電気ニッケルめっきに比べて、例えば、電流密度を高くして、短時間に薄く形成するめっきである。そのため、前記実施例１で説明した銅ストライクめっき６と同様に、前記錫めっき４の表面の酸化した部分を浄化し、活性化させながらニッケルめっきを形成することができる。
【００６１】
このとき、前記ニッケルストライクめっき６’のめっき浴には、例えば、塩化ニッケルの濃度が２４０ｇ／Ｌ、塩酸の濃度が１２５ｍＬ／Ｌのストライクニッケル浴を用い、温度は室温、電流密度５Ａ／ｄｍ２から１０Ａ／ｄｍ２で、厚さが０．１μｍから０．５μｍの電気ニッケルめっきを形成する。
【００６２】
前記ニッケルストライクめっき６’を形成する場合、前記錫めっき４の表面を浄化して、活性化させながらめっきを形成することができるため、従来の、前記錫めっき４上に直接前記ニッケルめっき５Ａを形成する場合に比べ、前記錫めっき４と前記ニッケルストライクめっき６’の密着性が高い。そのため、前記機能めっき５をはがれにくくすることができる。
【００６３】
図９は、前記実施例１の他の変形例を説明するための模式図であり、図３（ａ）に相当する断面図である。
【００６４】
前記実施例１の配線基板では、図３（ａ）に示したように、前記配線２の全面に設けた前記錫めっき４をそのままインナーリード部２Ａの接合材として用いている。しかしながら、前記保護膜３を形成する際に、例えば、１５０℃以上の高温で加熱すると、前記配線と前記錫めっき４の間で、銅と錫が相互拡散し、前記配線と前記錫めっき４の境界付近が合金状態になりやすい。前記錫めっき４に銅が拡散して合金状態になると、接合材としての機能が低下する。すなわち、前記錫めっき４の接合材としての機能が不十分になり、前記インナーリード部２Ａと半導体チップの外部電極との接続不良の原因となる。その場合、前記実施例１の手順で前記配線基板を形成した後、例えば、前記配線２のアウターリード部２Ｂにマスク（図示しない）をし、図９に示したように、前記配線のインナーリード部２Ａ上に、再度錫めっき４’を形成する。
【００６５】
（実施例２）
図１０乃至図１２は、本発明による実施例２の配線基板の概略構成を示す模式図であり、図１０は配線基板全体の構成を示す平面図、図１１は図１０の領域Ｌ３の拡大平面図、図１２（ａ）は図１１のＢ−Ｂ’線での断面図、図１２（ｂ）は図１２（ａ）の領域Ｌ４の拡大断面図である。
【００６６】
図１０及び図１１において、１は絶縁基板、１Ｃは第３開口部（スプロケットホール）、２は配線（導体パターン）、２Ａは配線のインナーリード部、２Ｂは配線のアウターリード部、２Ｃは給電配線、３は保護膜である。また、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）において、４は錫めっき、５は機能めっき（ニッケル金めっき）、５Ａはニッケルめっき、５Ｂは金めっき、６は予備めっき（銅ストライクめっき）である。
【００６７】
本実施例２の配線基板は、例えば、液晶ディスプレイのドライバＩＣなどのＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｆｉｌｍ）型の半導体装置に用いられる配線基板であって、図１０及び図１１に示すように、第３開口部１Ｃ（スプロケットホール）が設けられた絶縁基板１上に配線２が設けられている。このとき、前記絶縁基板１には、例えば、図１に示した配線基板のような、前記第１開口部１Ａ及び前記第２開口部１Ｂは設けられていない。
【００６８】
また、本実施例２の配線基板の配線２も、半導体チップの外部電極と接続される領域（以下、インナーリード部と称する）２Ａの表面には錫めっき４が設けられており、実装基板と接続される領域（以下、アウターリード部と称する）２Ｂには、前記錫めっき４と異なる種類の機能めっき５が設けられている。このとき、前記機能めっき５は、前記実施例１の配線基板と同様に、ニッケルめっきを下地とした金めっきであるとする。
【００６９】
また、前記機能めっき５は、前記錫めっき４上に、予備めっき６を介在させて設けられている。このとき、前記予備めっき６は、前記錫めっき４の表面を活性化させた状態で設けためっきであり、本実施例２の配線基板でも、前記予備めっき６は銅ストライクめっきであるとする。
【００７０】
またこのとき、前記アウターリード部２Ｂの外周部分は、例えば、電気めっき用の給電配線２Ｃが設けられており、各配線２が短絡している。また、前記配線２の前記インナーリード部２Ａと前記アウターリード部２Ｂの間は、はんだ保護膜（ソルダレジスト）などの保護膜３で覆われ、保護されている。
【００７１】
図１３乃至図１６は、本実施例２の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は配線を形成する工程の断面図、図１４（ａ）は錫めっきを形成する工程の断面図、図１４（ｂ）は保護膜を形成する工程の断面図、図１５は予備めっき及び機能めっきを形成する工程の平面図、図１６は図１５の断面図である。
【００７２】
以下、図１３乃至図１６に沿って、本実施例２の配線基板の製造方法を説明するが、従来の配線基板の製造方法と同様の工程については、詳細な説明を省略する。
【００７３】
まず、図１３（ａ）に示すように、前記絶縁基板１の表面に導体膜２’を形成する。このとき、前記絶縁基板１には、例えば、ポリイミドテープなどのフィルム状の絶縁体を用いる。また、前記導体膜２’は、例えば、電解銅箔や圧延銅箔を接着して形成する。
【００７４】
またこのとき、前記手順に限らず、例えば、前記ポリイミドテープなどの絶縁基板１の表面に、スパッタリングやめっきなどで前記導体膜２’を形成してもよい。
【００７５】
次に、図１３（ｂ）に示すように、前記導体膜２’をエッチングして、配線２を形成する。このとき、前記配線２は、例えば、サブトラクティブ法やセミアディティブ法で形成する。
【００７６】
次に、図１４（ａ）に示すように、前記配線２の表面全面に錫めっき４を形成する。このとき、前記錫めっき４は、例えば、無電解錫めっきで形成する。
【００７７】
次に、図１４（ｂ）に示すように、前記配線２の、前記インナーリード部２Ａと前記アウターリード部２Ｂの間の領域上に、はんだ保護膜（ソルダレジスト）などの保護膜３を形成する。このとき、前記保護膜３を形成する際のベーク（加熱）温度が高いと、前記錫めっき４と前記配線２の間で錫と銅の相互拡散が促進され、前記錫めっき４の接合材としての機能が低下する可能性がある。そのため、前記保護膜３は、例えば、１２０℃程度の温度で短時間に形成することが好ましい。このとき、前記保護膜３には、例えば、ポリイミド系の樹脂などが用いられる。
【００７８】
次に、図１５及び図１６に示すように、前記インナーリード部２Ａをレジスト７で覆い、前記アウターリード部２Ｂの前記錫めっき４上に予備めっき６を介在させて前記機能めっき５を形成する。このとき、前記予備めっき６は、前記錫めっき４の表面を活性化させながら形成することが好ましく、前記実施例１で説明したように、銅ストライクめっきで形成する。また、前記機能めっき５は、前記給電配線２Ｃから電力を供給して、まず、前記ニッケルめっき５Ａを厚さが０．５μｍから１．０μｍになるように形成した後、前記ニッケルめっき５Ａ上に、厚さが０．５μｍ程度の金めっき５Ｂを形成する。
【００７９】
その後、前記配線のインナーリード部２Ａ上の前記レジスト７を除去すると、本実施例２の配線基板を得ることができる。
【００８０】
以上説明したように、本実施例２の配線基板によれば、配線２の表面全面に設けられた錫めっき４上に、部分的に機能めっき（ニッケル金めっき）５を設ける際に、前記錫めっき４の表面を活性化させた状態で設けた予備めっき６を介在させることにより、前記錫めっき４と前記予備めっき６の密着性を確保することができる。そのため、前記予備めっき６上に設けた前記機能めっき５のはがれを低減することができる。
【００８１】
このとき、前記予備めっき６は、ストライクめっきで形成するのが好ましく、例えば、銅ストライクめっきで形成すると、めっき浴中で前記錫めっき４の表面を活性化させながら予備めっき６を形成することができる。
【００８２】
また、本実施例２の配線基板のように、前記配線２の表面全面に前記錫めっき４を形成した後、前記配線２のアウターリード部２Ｂ上に、前記予備めっき６を介在させて前記機能めっき５を形成することにより、前記アウターリード部２Ｂの前記錫めっき４を除去することなく、密着性の高い前記機能めっき５を形成することができる。そのため、例えば、従来の特開平１０−１６３２７５号公報に記載されたように、前記アウターリード部２Ｂの錫めっき４を除去した後、前記アウターリード部２Ｂに前記機能めっき（ニッケル金めっき）５を形成する場合のように、前記アウターリード部２Ｂの表面に凹凸ができるのを防ぐことができる。また、前記アウターリード部２Ｂの表面に凹凸ができるのを防げるため、前記アウターリード部２Ｂの形状不良による接続不良や前記機能めっき５のめっき不良を防ぐことができる。
【００８３】
また、本実施例２の配線基板では、前記機能めっき５として、ニッケルめっき５Ａを下地とした金めっき５Ｂを設けたが、これに限らず、例えば、前記機能めっき５として、前記予備めっき６上に直接金めっき５Ｂを設けてもよい。
【００８４】
また、本実施例２では、前記配線の表面全面に前記錫めっき４を設けた場合について説明したが、これに限らず、前記インナーリード部２Ａと前記アウターリード部２Ｂが異なる種類のめっきであり、且つ前記配線の表面全面に設けるめっきが、不活性な状態になりやすい導体の場合に、本実施例２で説明した製造方法を適用することができる。
【００８５】
また、前記予備めっき６に関しても、本実施例２の配線基板では、銅ストライクめっきを用いたが、これに限らず、例えば、ニッケルストライクめっきのように、前記錫めっき４の表面を活性化させた状態で設けられるめっきであってもよい。
【００８６】
また、前記保護膜３を形成するときに、例えば、１５０℃以上の高温で加熱する場合には、前記配線と前記錫めっき４の間で、銅と錫が相互拡散し、前記配線と前記錫めっき４の境界付近が合金状態になりやすい。前記錫めっき４に銅が拡散して合金状態になると、接合材としての機能が低下する。すなわち、前記錫めっき４の接合材としての機能が不十分になり、前記インナーリード部２Ａと半導体チップの外部電極との接続不良の原因となる。その場合、前記実施例２の手順で前記配線基板を形成した後、例えば、前記配線２のアウターリード部２Ｂにマスク（図示しない）をし、図９に示したように、前記配線のインナーリード部２Ａ上に、再度錫めっき４’を形成してもよい。
【００８７】
図１８乃至図２０は、前記実施例２の配線基板の製造方法の変形例を説明するための模式図であり、図１８は保護膜を形成した後の平面図、図１９は機能めっきを形成する工程の平面図、図２０は再度錫めっきをする工程の平面図である。
【００８８】
前記実施例２の配線基板の製造方法では、図１０に示したように、前記配線のインナーリード部２Ａ及びアウターリード部２Ｂが長手方向、すなわち、前記絶縁基板１の第３開口部１Ｃが設けられた辺に対して垂直な方向に並んでいる。そのため、前記予備めっき６及び前記機能めっき５を形成するときのマスク７は、図１５に示したように、各配線形成領域に、個別に形成する必要があり、マスク形成の効率が悪い。
【００８９】
そこで、図１８に示すように、前記インナーリード部２Ａ及びアウターリード部２Ｂが長手方向に沿って並ぶように前記配線２を形成すると、前記マスク７を形成する工程は、図１９に示したように、一本のマスキングテープ７’を貼り付けるだけでよくなる。このとき、前記マスキングテープ７’は、例えば、ロールラミネーターを用いて、ドライフィルムレジストを熱圧着することで形成できるため、前記マスク７を効率よく形成することができる。
【００９０】
また、図１７に示したように、前記第１めっき４上に、再度錫めっき４’を形成する場合には、前記ドライフィルムレジスト７’を除去した後、図２０に示すように、前記配線のアウターリード部２Ｂに、前記マスキングテープ７’を貼り付けて形成する。
【００９１】
以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。
【００９２】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下の通りである。
【００９３】
（１）配線の表面全面に錫めっきを形成し、前記錫めっき上に部分的に、前記錫めっきと異なる機能めっきを形成する配線基板の製造方法において、前記機能めっきのはがれを低減することができる。
【００９４】
（２）配線のインナーリード部に錫めっきを形成し、前記配線のアウターリード部に錫めっきと異なる機能めっきを形成する配線基板の製造方法において、前記機能めっきのめっき不良を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による実施例１の配線基板の概略構成を示す模式図であり、配線基板全体の平面図である。
【図２】本実施例１の配線基板の概略構成を示す模式図であり、図１の領域Ｌ１の拡大平面図である。
【図３】本実施例１の配線基板の概略構成を示す模式図であり、図３（ａ）は図２のＡ−Ａ’線での断面図、図３（ｂ）は図３（ａ）の領域Ｌ２の拡大断面図である。
【図４】本実施例１の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図４（ａ）及び図４（ｂ）は配線を形成する工程の断面図である。
【図５】本実施例１の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図５（ａ）は錫めっきを形成する工程の断面図、図５（ｂ）は保護膜を形成する工程の断面図である。
【図６】本実施例１の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、予備めっき及び機能めっきを形成する工程の平面図である。
【図７】本実施例１の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図７（ａ）は予備めっきを形成する工程の断面図、図７（ｂ）は機能めっきを形成する工程の断面図である。
【図８】前記実施例１の変形例を説明するための模式図であり、図３（ｂ）に相当する断面図である。
【図９】前記実施例１の他の変形例を説明するための模式図であり、図３（ａ）に相当する断面図である。
【図１０】本発明による実施例２の配線基板の概略構成を示す模式図であり、配線基板全体の平面図である。
【図１１】本実施例２の配線基板の概略構成を示す模式図であり、図１０の領域Ｌ３の拡大平面図である。
【図１２】本実施例２の配線基板の概略構成を示す模式図であり、図１２（ａ）は図１１のＢ−Ｂ’線での断面図、図１２（ｂ）は図１２（ａ）の領域Ｌ４の拡大断面図である。
【図１３】本実施例２の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は配線を形成する工程の断面図である。
【図１４】本実施例２の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図１４（ａ）は錫めっきを形成する工程の断面図、図１４（ｂ）は保護膜を形成する工程の断面図である。
【図１５】本実施例２の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、予備めっき及び機能めっきを形成する工程の平面図である。
【図１６】本実施例１の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、予備めっき及び機能めっきを形成する工程の断面図である。
【図１７】前記実施例２の変形例を説明するための模式図であり、図１２（ａ）に相当する断面図である。
【図１８】前記実施例２の配線基板の製造方法の変形例を説明するための模式図であり、保護膜を形成した後の平面図である。
【図１９】前記実施例２の配線基板の製造方法の変形例を説明するための模式図であり、機能めっきを形成する工程の平面図である。
【図２０】前記実施例２の配線基板の製造方法の変形例を説明するための模式図であり、再度錫めっきをする工程の平面図である。
【符号の説明】
１　絶縁基板
１Ａ　第１開口部（デバイスホール）
１Ｂ　第２開口部（アウターリードホール）
１Ｃ　第３開口部（スプロケットホール）
２　配線
２Ａ　配線のインナーリード部
２Ｂ　配線のアウターリード部
２’　導体膜
３　保護膜
４，４’　錫めっき
５　機能めっき（ニッケル金めっき）
５Ａ　ニッケルめっき
５Ｂ　金めっき
６　予備めっき（銅ストライクめっき）
６’　予備めっき（ニッケルストライクめっき）
７　レジスト（めっきレジスト）
７’　マスキングテープ
【図１】
2004103714.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004103714.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2004103714.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
2004103714.tif 000018
【図１７】
2004103714.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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