【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年6月12日(2012.6.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に延びるように設けられた溝を有する第１誘電体層と、
前記溝の内部に形成されたビット線と、
前記第１誘電体層の上に連続して形成された、前記ビット線の上面の一部の上方に開口を有する第２誘電体層と、
前記第２誘電体層の前記開口を埋めるとともに、底面が前記ビット線と電気的に接するように形成されたビットプラグと、
前記ビットプラグの上面に形成されたパッシブ層と、
前記ビットプラグとは間隔をおいて、前記第２誘電体層内に、前記第１の方向と交差する第２の方向に延びるとともに、少なくとも上面が露出するように形成されたワード線と、
前記第２誘電体層の上面において、前記パッシブ層と前記ワード線との間に導電接続を与えるように、前記パッシブ層の上面と前記ワード線の上面との間に延びる、メモリストレージ機能を有する有機材料層とを備え、
前記パッシブ層は電荷を与えかつ受け取ることができる導電促進化合物を含み、前記導電促進化合物は、硫化銅、硫化銀、硫化金、過硫酸アンモニウム、水素化パラジウム、および銀−銅硫化物混合物のうちの少なくとも１つを含む、平面有機メモリデバイス。
【請求項２】
前記ビットプラグの底面と前記ビット線の上面との間、または、前記有機材料層と前記ワード線との間に、薄膜ダイオードが介在している、請求項１に記載の平面有機メモリデバイス。
【請求項３】
前記有機材料層が、前記パッシブ層の上面の一部に形成された層間絶縁膜を挟んで、前記第２誘電体層の上面において、前記パッシブ層の上面の両側から外側へ、前記ビット線と平行に延びる１対のポリマーを含み、前記１対のポリマーのそれぞれの下面の下方の前記第２誘電体層内には、上面が前記１対のポリマーのそれぞれの下面と接するように形成された１対のワード線を備えることにより、１対のメモリセルを構成する、請求項１に記載の平面有機メモリデバイス。
【請求項４】
前記ビット線の表面が、前記第１誘電体層の上下両面において露出し、前記第２誘電体層、前記ビットプラグ、前記ワード線、前記パッシブ層、前記薄膜ダイオード、および前記有機材料層が、前記第１導電体層の上下両側に同様に形成されることにより、垂直方向のスタックメモリデバイスを構成する、請求項２に記載の平面有機メモリデバイス。
【請求項５】
前記溝の内面と前記ビット線との間に介在する拡散障壁層を有する、請求項１〜４のいずれかに記載の平面有機メモリデバイス。
【請求項６】
前記有機材料層は、ポリアセチレン、ポリフェニルアセチレン、ポリジフェニルアセチレン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチオフェン、ポリポルフィリン、ポリフィリン大環状分子、チオール誘導ポリポルフィリン、ポリメタロセン、ポリフェロセン、ポリフタロシアニン、ポリビニレン、及びポリピロールからなる群より選択される少なくとも１つを含む、請求項１または２記載の平面有機メモリデバイス。
【請求項７】
第１の方向に延びるように設けられた溝を有する第１誘電体層を形成する工程と、
前記溝の内部にビット線を形成する工程と、
前記第１の誘電体層の上に連続して、前記ビット線の上面の一部の上方に開口を有する第２誘電体層を形成する工程と、
前記第２誘電体層の前記開口を埋めるとともに、底面が前記ビット線と接するように、ビットプラグを形成する工程と、
前記ビットプラグの上面にパッシブ層を形成する工程と、
前記ビットプラグとは間隔をおいて、前記第２誘電体層内に、前記第１の方向と交差する第２の方向に延びるとともに、少なくとも上面が露出するように、ワード線を形成する工程と、
前記第２誘電体層の上面において、前記パッシブ層と前記ワード線との間に導電接続を与えるように、前記パッシブ層の上面と前記ワード線の上面との間に延びる、メモリストレージ機能を有する有機材料層を形成する工程とを備え、
前記パッシブ層は電荷を与えかつ受け取ることができる化合物を含み、前記化合物は、硫化銅、硫化銀、硫化金、過硫酸アンモニウム、水素化パラジウム、および銀−銅硫化物混合物のうちの少なくとも１つを含む、平面有機メモリデバイスの製造方法。
【請求項８】
前記パッシブ層は、前記ビットプラグの上面に蒸着によって形成される、請求項７に記載の平面有機メモリデバイスの製造方法。
【請求項９】
前記有機材料層を形成する前記工程は、スピンオン塗布により、前記パッシブ層、前記ワード線の一部、および前記第２誘電体層の一部を覆うように形成される、請求項７に記載の平面有機メモリデバイスの製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
図４は本発明の一形態による、１対のメモリセルを有する有機メモリデバイス（メモリデバイス）４００の断面図（図２の１−１線と同様）を例示している。カッドセル（quad cell）もしくはその他の多数セルのメモリデバイスが同様の方法で構成されることが分かる。さらに、複数のそのようなメモリデバイスは、集積回路（ＩＣ）メモリデバイス（例えば、１Ｍビット、２Ｍビット、８Ｍビットストレージセル、などであり、不揮発性メモリＩＣとして構成される）により製造される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
メモリデバイス４００はビット線４１０（例えば、銅（Ｃｕ）もしくはその他の導電性媒体）を備え、ビット線プラグ４２０（例えば、Ｃｕもしくはその他の導電性媒体）が取り付けられている。ビットプラグ４２０はビット線４１０の一部である、もしくはビット線４１０に統合する、もしくはビット線４１０と導電接続する。ビットプラグ４２０の上面に蒸着されているのはパッシブコーティング４３０（例えば、Ｃｕ2Ｓなど）であり、ビットプラグ４２０とポリマー４４０（例えば、半導体材料）との間のアクセスを容易にする。ビット線４１０上には層間絶縁膜（ＩＬＤ）４５０があり、ビットプラグ４２０とパッシブコーティング４３０は中に形成済みである。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
誘電層６０５部は除去されて溝６１０が生成され、その中に電極が形成される。溝６１０内において、任意の障壁層６１５は下位電極が隣接する材料へ、例えば誘電体６０５へ拡散するのを緩和するために利用される。一例として、任意の障壁層は金属（例えば、タンタル）拡散障壁層として形成される。障壁層として用いられるその他の材料としては、コバルト、クロム、ニッケル、パラジウム、タンタル、窒化シリコンタンタル、チタン、窒化チタン、窒化シリコン、窒化タングステン、及び窒化シリコンタングステン、などが挙げられる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
システム６００に対する２つの電極のうちの１つとして協働するビット線６２０（例えば、下位電極）は溝６１０内に、及び障壁６１５の上部に形成される。一般的な障壁６１５を三側面溝(a three sided channel)として断面図に示す。しかし、その他の構造、例えば様々な程度の溝深さを有する半円、を用いることができる。さらに、ビット線６２０は誘電体６０５の表面と同じ高さを持つように描かれている。この表面も誘電体６０５の表面よりも下に埋め込まれる、もしくは誘電体６０５の表面よりも上に設けることができることが分かる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
続いて図７を参照すると、本発明の一形態による次の層の構造が例示されている。描かれているように、誘電体６２５は誘電体６０５、溝６１０、及び下位電極６２０上に設けられている。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５６】
図８は図７の延長であり、システム６００の第３層を例示している。ポリマー６４５がスピンオン塗布されて受動素子６４０、ワード線６３０の一部、及び誘電体６２５の一部が覆われる。ポリマー６４５は受動素子６４０とワード線６３０との間に導電接続を与え、それにより、ビット線６２０、ビットプラグ６３５、受動素子６４０、ポリマー６４５、及びワード線６３０を通じて、電子のための経路が確立される。任意のハードマスク６５０は有機ポリマー６４５上にコーティングを与える。ハードマスクは従来周知のいずれの適切な材料であることができ、例えば、アルファ炭素（α−Ｃ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、及び酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などである。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７６】
有機材料は環式又は非環式である。ある場合、例えば有機ポリマー、に対して、有機材料は形成もしくは蒸着中に電極間にセルフアセンブル(self assemble)する。共役有機ポリマーの例としては、ポリアセチレン、ポリフェニルアセチレン、ポリジフェニルアセチレン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチオフェン、ポリポルフィリン、ポルフィリン大環状分子(porphyrinic macrocycles)、チオール誘導ポリポルフィリン、ポリフェロセン、ポリフタロシアニンなどのポリメタロセン、ポリビニレン、ポリピロールなどが挙げられる。さらに、有機材料の特性は、適切なドーパント（例えば、塩）でドーピングすることによって変更できる。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７９】
パッシブ層１４３０は、選択的導電性媒体の制御可能な導電特性をもたらす、少なくとも１つの化合物を含む。この化合物は電荷（正孔及び／又は電子）を与えかつ受取る機能を有す。一般に、このような化合物は少なくとも２つの安定した酸化還元状態を有す。この２つの安定した状態によって、化合物は電荷を与えかつ受け取り、電気的に有機層１４２０と相互作用できる。使用される特定の化合物は、２つの比較的安定した状態が層１４２０の共役有機分子の２つの比較的安定した状態に一致するように選択される。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８１】
パッシブ層１４３０を形成する化合物の例としては、１つもしくはそれ以上の硫化銅（Ｃｕ2-xＳy、ＣｕＳ）、酸化銅（ＣｕＯ、Ｃｕ2Ｏ）、酸化マンガン（ＭｎＯ2）、二酸化チタン（ＴｉＯ2）酸化インジウム（I3Ｏ4）、硫化銀（Ａｇ2-xＳ2、ＡｇＳ）、銀−銅硫化物の複合物（silver-copper-sulfide complex）（ＡｇyＣｕ2-xＳ2）、硫化金（Ａｕ2Ｓ、ＡｕＳ）、硫化セリウム（Ｃｅ（ＳＯ4）2）、過硫酸アンモニウム（（ＮＨ4）2Ｓ2Ｏ8）、酸化鉄（Ｆｅ3Ｏ4）、リチウム錯体（ＬｉxＴｉＳ2、ＬｉxＴｉＳｅ2、ＬｉxＮｂＳｅ3、ＬｉxＮｂ3Ｓｅ3）、水素化パラジウム（ＨxＰｄ）（ｘ及びｙは所望の特性を生成するように選択される）、などが挙げられる。パッシブ層１４３０は酸化技術を用いて成長され、気相反応を通じて形成され、もしくは電極間に蒸着される。