【事件の表示】
　平成　４年特許願第１００８４４号「磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　５年１１月１２日出願公開、特開平　５−２９８６２６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯、本願発明
　本願は、平成４年４月２１日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成１４年４月２５日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、本願特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
　「【請求項１】第１のシールド部材上に第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜の上に磁気抵抗素子を形成し、前記磁気抵抗素子及び前記第１の絶縁層の上に第２の絶縁膜を形成し、その後に、前記第１及び第２の絶縁膜に窪みを形成することで前記窪みを間にして前記磁気抵抗素子を含む対向面部分と前記対向面部分と反対側部分を形成し、その後に第２のシールドを前記窪み中及び前記第２の絶縁膜上に形成することで、前記第１のシールド部材と前記第２のシールド部材を前記窪み中にて接近或いは接合させたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。」
　
２　引用例に記載された発明
　原査定の拒絶の理由で引用された実願昭６３−８０８号（実開平１−１０７００６号）のマイクロフィルム（平成１年７月１９日出願公開、以下「引用例１」という。）には、「シールド型薄膜磁気ヘッド」に関して、
（ア）　「強磁性体からなる上下部シールド層間に、磁気抵抗効果素子及びこれに積層したシャント層を電気的に絶縁した状態で磁気的に結合して介在させたものにおいて、上記上下部シールド層を、磁気抵抗効果素子の、媒体と摺接しない後方近傍で、連結接続したことを特徴とするシールド型薄膜磁気ヘッド。」（実用新案登録請求の範囲、明細書１頁５行〜１１行）が記載され、さらに、具体的に、
（イ）　「従来の磁気ヘッド（１）では、ＭＲ素子（３）に対して、上部シールド層（５）と下部シールド層（２）とが絶縁層（４）を介して平行配置されているので、上記ＭＲ素子（３）と上下部シールド層（５）（２）とが磁気的に結合される。しかしながら、上記上下部シールド層（５）（２）間に絶縁層（４）が介在し、記録媒体（８）の信号磁束及びシャント層（６）のバイアス磁束が通り難く、電磁変換効率が大幅に低下するという問題があった。そこで、本考案の目的は、上記問題点を改善したシールド型薄膜磁気ヘッドを提供することにある。」（明細書４頁２行〜１５行、考案が解決しようとする問題点の項）、
（ウ）　「本考案によれば、上下部シールド層をＭＲ素子の後方近傍で連結接続したから、情報再生時、記録媒体の信号磁束及びシャント層のバイアス磁束が、ＭＲ素子及び上下部シールド層間で通り易くなり、電磁変換効率が大幅に向上して実用的価値大なる高品質の磁気ヘッドを提供できる。」（明細書９頁１７行〜１０頁３行、考案の効果の項）と記載され、
（エ）　従来の技術として、「例えば、外部から加えられる磁界の変化で磁気抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子［以下ＭＲ素子と称す］を使用したシールド型薄膜磁気ヘッドの従来構造例を第８図を参照しながら説明する。同図に示す磁気ヘッド（１）において、（２）はＭｎ−Ｚｎフェライト等の強磁性体からなるヘッド基板で、下部シールド層を構成し、以下、上記ヘッド基板を下部シールド層と称する。尚、この下部シールド層（２）には上記以外にも絶縁性基板上にパーマロイ等の強磁性体を蒸着或いはスパッタリングして被着形成したものがある。（３）は上記下部シールド層（２）の前方端部上方に近接離隔配置したＮｉ−Ｆｅ合金等のＭＲ素子、（４）は下部シールド層（２）上にＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２等の非磁性体材料を蒸着或いはスパッタリングして被着形成した絶縁層、（５）は上記絶縁層（４）上にパーマロイ等の強磁性を蒸着或いはスパッタリングして被着形成した上部シールド層で、前記ＭＲ素子（３）は絶縁層（４）を介して上下部シールド層（５）（２）間に電気的に絶縁した状態で磁気的に結合して近接離隔配置される。」（明細書１頁末行〜３頁２行）と記載されている。
　
３　本願発明と引用例との対比・判断
（１）対比
　本願発明と引用例１に記載されたものとを対比すると、引用例１の「強磁性体からなる下部シールド層」「強磁性体からなる上部シールド層」は、それぞれ本願発明の「第１のシールド部材」「第２のシールド部材」に相当している。
　引用例１に記載された「シールド型薄膜磁気ヘッド」は、磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッドであるので、本願発明の「磁気抵抗効果型ヘッド」に相当している。
　本願発明の「磁気抵抗素子」は、磁気抵抗膜のみでなく上下に積層されている軟磁性膜・絶縁膜・電極端子を含む磁気抵抗素子の機能を奏するための構成を称しているので、引用例１の磁気抵抗素子及びシャント層を含む構成は、本願発明の「磁気抵抗素子」に相当している。
　引用例１の磁気抵抗効果型ヘッドは、上下のシールド層を、媒体と摺接しない後方近傍で連結接続しているので、「第１のシールド部材と第２のシールド部材を部分的に接合させた」構成を備えている（上記（ア）の記載を参照）。本願発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、第１のシールド部材と前記第２のシールド部材を窪み中にて接近或いは接合させたことを特徴とするので、「第１のシールド部材と第２のシールド部材を部分的に接合させた」構成を備えている。
　よって、本願発明と引用例１に記載された発明は、
「第１のシールド部材上に絶縁膜を介して磁気抵抗素子を備え、磁気抵抗素子の上に絶縁膜を介して第２のシールド部材を備え、第１のシールド部材と第２のシールド部材を部分的に接合させた磁気抵抗効果型ヘッドについての製造方法」
　である点で共通し、以下の相違点で相違している。
　（相違点）　本願発明は、「第１のシールド部材上に第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜の上に磁気抵抗素子を形成し、前記磁気抵抗素子及び前記第１の絶縁層の上に第２の絶縁膜を形成し、その後に、前記第１及び第２の絶縁膜に窪みを形成することで前記窪みを間にして前記磁気抵抗素子を含む対向面部分と前記対向面部分と反対側部分を形成し、その後に第２のシールドを前記窪み中及び前記第２の絶縁膜上に形成する」ことで、第１のシールド部材と第２のシールド部材を部分的に接合させているのに対して、引用例１には、特に記載がない点。
　
（２）相違点についての判断
　引用例１に記載された発明は、上下部シールド層をＭＲ素子の後方近傍で連結接続する事により、情報再生時、記録媒体の信号磁束及びシャント層のバイアス磁束が、ＭＲ素子及び上下部シールド層間で通り易くなり、電磁変換効率が大幅に向上するという作用効果（上記（ウ）参照）を奏するものであり、上下シールド層をＭＲ素子の後方近傍で連結接続する方法として、例示されている実施例は、絶縁膜を前方の所定部分のみ形成するものであるが、上下のシールド層をＭＲ素子の後方近傍で連結接続するための方法として、薄膜磁気ヘッドの製造方法における周知の技術を採用することは、当業者が適宜なし得ることである。
　薄膜磁気ヘッドの製造において、磁性部材を連結接合する製造方法として、磁性部材上に絶縁膜等を形成し、その後、絶縁膜に窪みを形成し、前記窪みを間にして対向面部分と前記対向面部分と反対側部分を形成し、その後に磁性部材を前記窪み及び絶縁膜上に形成することは、周知の技術である。（例えば、特開平２−３０８４０７号公報、特開昭６２−２５２５０７号公報、特開平２−１１３４１２号公報参照）
　してみれば、引用例１に記載された発明の製造方法として、上記周知の技術を採用することにより、第１のシールド部材上に第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜の上に磁気抵抗素子を形成し、前記磁気抵抗素子及び前記第１の絶縁層の上に第２の絶縁膜を形成するという、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの基本的な製造工程（上記（エ）参照）の後に、前記第１及び第２の絶縁膜に窪みを形成することで前記窪みを間にして前記磁気抵抗素子を含む対向面部分と前記対向面部分と反対側部分を形成し、その後に第２のシールドを前記窪み中及び前記第２の絶縁膜上に形成することは、当業者が容易に想到しうることである。
　また、本願発明の効果は、引用例１に記載された発明及び上記周知の技術から、当業者であれば予測される範囲内であるので、上記相違点は、当業者が容易に想到し得たものである。
　なお、審判請求人は、請求の理由で、「各膜を精度良くパターニングする必要は無いので、飛躍的に生産性が向上します」と効果を主張しているが、その効果は、上記周知の技術から当然予測しうる程度のものにすぎない。
　
４　むすび
　したがって、本願発明は、本願出願前に頒布された刊行物である引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。