【事件の表示】
　平成　５年特許願第２７０６５３号「レジストパターンの形成方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　７年　５月１２日出願公開、特開平　７−１２２４８２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願は、平成５年１０月２８日の出願であって、原審において、平成１４年７月４日付けで拒絶査定され、平成１４年８月１５日審判請求された後、平成１４年９月１２日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、請求項１に記載された次のとおりのものである。
「下地基板上にフォトレジストパターン形状制御膜を形成する工程と、
　このフォトレジストパターン形状制御膜上にフォトレジスト膜を塗布する工程と、
　所望のパターンを有するフォトマスクを介して露光手段により前記フォトレジスト膜に対して所望のパターンを転写する工程と、
　上記パターン転写後のフォトレジスト膜を現像処理してフォトレジストパターンを形成する工程と、
　上記現像処理の前に、上記フォトレジスト膜およびその下層のフォトレジストパターン形状制御膜を加熱処理する工程と、
　上記フォトレジストパターンをマスクとしてＲＩＥ法により上記フォトレジストパターン形状制御膜をエッチングする工程
　とを具備し、
　上記フォトレジスト膜は、上記露光手段による露光光に感光して酸もしくは塩基性物質を発生し、上記フォトレジスト膜中のバインダーポリマーの溶解性を触媒作用的に変化させる作用を有する化学増幅型のフォトレジスト膜であり、
　上記フォトレジストパターン形状制御膜は、上記フォトレジスト膜に対する露光に際して照射される放射線により酸もしくは塩基性物質を発生し、この酸もしくは塩基性物質が上記フォトレジスト膜中のバインダーポリマーの溶解性を触媒作用的に変化させる作用を有する添加剤を有し、
　上記所望のパターンを転写する工程の際に上記フォトレジストパターン形状制御膜に発生した酸もしくは塩基性物質を、上記加熱処理する工程の際に上記フォトレジスト膜中に拡散させる
　ことを特徴とするレジストパターンの形成方法。」
　
２．原審の拒絶の理由に引用した引用例
　引用例１：特開平５−１０７７７０号公報
　引用例２：特開平４−３３５５１６号公報
２．１ 引用例１の記載内容
　【０００７】〜【００１３】段落には、「【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、化学増幅型レジストのネッキング現象を効果的に防止して、高精度の微細パターンを安定的に形成する方法を提供することにある。
【０００８】すなわち、従来のリソグラフィープロセスを大幅に変更することなく、化学増幅型レジストを安定して使用できる方法であり、基板上に化学増幅型レジスト薄膜を形成する際に、酸発生剤の濃度の高いレジスト層を形成し、その上に酸発生剤の濃度が通常のレジスト層を形成することによって、裾部分の食い込み（ネッキング）を防止し、パターン脱落等の無い高精度の微細パターンを安定して形成するものである。
【０００９】架橋反応を引き起こす酸発生剤は、レジスト膜中で濃度分布あるいは基板の材質によって酸の発生が低下し、このために基板界面での架橋密度が低くなり、基板との界面で食い込み現象が生じるものと考えられる。
【００１０】そこで、本発明は、レジストの基板との界面での架橋密度を低下させないために、酸発生剤の濃度の高い第１のレジスト層を基板面に形成し、その上に通常の酸発生剤濃度の第２のレジスト層を形成することによって、基板界面での架橋密度を高め、ネッキング等を防止して、基板の種類によって密着性が不安定だった化学増幅型のレジストを安定的に使用可能としたものである。第１のレジストは、ベース樹脂、架橋剤、酸発生剤の混合物からなる通常使用されているレジストに酸発生剤をさらに添加し、また、第２のレジストにはあらかじめ酸発生剤が配合されたレジストをそのまま使用することができるが、第１のレジスト、第２のレジストのいずれも所望の配合によって調整しても良い。
【００１１】以下に図面を参照して、本発明のレジストパターンの形成方法を説明する。図１（ａ）に示すように、基板１上に酸発生剤を通常のレジストよりも１０〜５０％多く含んだ化学増幅型レジスト（Ａ）をスピンコーティング法等により均一に塗布し、加熱乾燥処理を６０〜２００℃で５〜６０分間施し、厚さ０．０１〜０．３μｍ程度の第１のレジスト層２を形成する。続いてこの上に通常の化学増幅型レジスト（Ｂ）を同様に塗布し、加熱乾燥処理を施し、厚さ０．３〜２．０μｍ程度の第２のレジスト層３を形成する。また、２層目のレジストが１層目のレジストと相溶性がある場合には、１層目と２層目の間にポリビニルアルコール等の溶剤がレジストを溶解しない物質からなる混合防止膜の薄膜を設けることが好ましい。
【００１２】次に、図１（ｂ）に示すように、レジスト層２、３を電子線等の電離放射線でフォトマスクを介して、あるいは直接に描画して露光４する。露光後に加熱して露光部分５での架橋反応を進め、続いて所定の現像液で現像し、リンス液でリンスして、図１（ｃ）に示すようなレジストパターン６を形成すると、裾部分の食い込み現象等のないレジストパターンが形成される。
【００１３】
【作用】化学増幅型レジスト層の基板面の酸発生剤の濃度を高くし、レジストパターンの裾部分の食い込み現象及び解像度の劣化等を防止することができ、従来のリソグラフィープロセスを大幅に変更することなく高精度のレジストパターンを安定して形成することが可能となる。」と記載されている。
　
２．２ 引用例２の記載内容
　第２頁左欄第２９行〜同欄第３７行に、
「【０００５】シリコン基板１上に下層レジスト４を塗布した後に、下層レジスト４に対して耐ドライ現像性のある上層レジスト２を塗布する（（ａ）図）。次いで、これに対して、荷電ビーム３を部分的に照射し（（ｂ）図）、その後に、適当な薬液で現像処理してパターン２ａを得る〔（ｃ）図）。最後に酸素ガスによるリアクテイプイオンエツチング（以下、Ｏ２ＲＩＥと記す）によりパターン２ａをマスクにして下層レジスト４を加工し、所望のパターン４ａを形成する（（ｄ）図）。」と記載されている。
　
３．対比
　本願発明と引用例１記載の発明を対比する。
　引用例１記載の「基板」及び「第２のフォトレジスト層」は、本願発明の、「下地基板」及び「フォトレジスト膜」に相当する。
　また、引用例１記載の「第１のフォトレジスト層」は、「レジストの基板との界面での架橋密度を低下させないために、酸発生剤の濃度の高い第１のレジスト層を基板面に形成することによって、基板界面での架橋密度を高め、ネッキング等を防止して、基板の種類によって密着性が不安定だった化学増幅型のレジストを安定的に使用可能としたものである。第１のレジストは、ベース樹脂、架橋剤、酸発生剤の混合物からなる通常使用されているレジストに酸発生剤をさらに添加し、また、第２のレジストにはあらかじめ酸発生剤が配合されたレジストをそのまま使用することができるが、第１のレジスト、第２のレジストのいずれも所望の配合によって調整しても良い」（【００１０】段落）ものであって、「化学増幅型レジスト層の基板面の酸発生剤の濃度を高くし、レジストパターンの裾部分の食い込み現象及び解像度の劣化等を防止する」（【００１３】段落）ものであるから、本願発明のフォトレジストパターン形状制御膜の「フォトレジストパターン形状制御膜は、上記フォトレジスト膜に対する露光に際して照射される放射線により酸もしくは塩基性物質を発生し、この酸が上記フォトレジスト膜中のバインダーポリマーの溶解性を触媒作用的に変化させる作用を有する添加剤を有」する構成を満たしているから、引用例１記載の「第１のフォトレジスト層」は、本願発明の「フォトレジストパターン形状制御膜」に相当する。
　さらに、引用例１記載の第１のレジスト層及び第２のレジスト層は、「露光後に加熱して露光部分５での架橋反応を進め、続いて所定の現像液で現像」（【００１２】段落）するものであり、露光後に加熱することにより、特開平４−７７７４６号公報第３頁左下欄第９行〜第１２行に記載されているように、引用例１記載の発明では、第１のレジスト層から第２のレジスト層へ酸が拡散することは明らかであるから、引用例１記載の発明は、本願発明の、「所望のパターンを転写する工程の際に上記フォトレジストパターン形状制御膜に発生した酸もしくは塩基性物質を、上記加熱処理する工程の際に上記フォトレジスト膜中に拡散させる」構成を満たしており、また、本願発明の、「パターン転写後のフォトレジスト膜を現像処理してフォトレジストパターンを形成する工程と、
　上記現像処理の前に、上記フォトレジスト膜およびその下層のフォトレジストパターン形状制御膜を加熱処理する」構成を満たしている。
　
　そうすると、本願発明と引用例１記載の発明は、「下地基板上にフォトレジストパターン形状制御膜を形成する工程と、
　このフォトレジストパターン形状制御膜上にフォトレジスト膜を塗布する工程と、
　所望のパターンを有するフォトマスクを介して露光手段により前記フォトレジスト膜に対して所望のパターンを転写する工程と、
　上記パターン転写後のフォトレジスト膜を現像処理してフォトレジストパターンを形成する工程と、
　上記現像処理の前に、上記フォトレジスト膜およびその下層のフォトレジストパターン形状制御膜を加熱処理する工程と、
　とを具備し、
　上記フォトレジスト膜は、上記露光手段による露光光に感光して酸を発生し、上記フォトレジスト膜中のバインダーポリマーの溶解性を触媒作用的に変化させる作用を有する化学増幅型のフォトレジスト膜であり、
　上記フォトレジストパターン形状制御膜は、上記フォトレジスト膜に対する露光に際して照射される放射線により酸を発生し、この酸が上記フォトレジスト膜中のバインダーポリマーの溶解性を触媒作用的に変化させる作用を有する添加剤を有し、
　上記所望のパターンを転写する工程の際に上記フォトレジストパターン形状制御膜に発生した酸を、上記加熱処理する工程の際に上記フォトレジスト膜中に拡散させる
　ことを特徴とするレジストパターンの形成方法。」において一致し、本願発明は、「フォトレジストパターンをマスクとしてＲＩＥ法により上記フォトレジストパターン形状制御膜をエッチングする工程」を有するのに対し、引用例１記載の発明では、第１のフォトレジスト層及び第２のフォトレジスト層を同時にエッチングしており、本願発明のように、第１のフォトレジスト層のＲＩＥ法によるエッチングを含む、第１のフォトレジスト層及び第２のフォトレジスト層を別々にエッチングする構成ではない点で相違（以下、「相違点」という。）する。
　　
４．判断
　上記相違点について検討すると、２層のレジストを、下層のフォトレジスト層のＲＩＥ法によるエッチングを含む、下層のフォトレジスト層及び上層のフォトレジスト層を別々にエッチングすることは、当該技術分野において、周知手段（例えば、引用例２、特開平２−２２４２４０号公報及び特開平２−２４４６２５号公報参照。）にすぎず、引用例１記載の発明において、上記周知手段を適用することは当業者が容易になし得たことであり、また、その効果も当業者が予測できた程度のものにすぎない。
　
５．そうすると、本願請求項１に係る発明は、引用例１に記載された発明及び周知手段に基いて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって結論のとおり審決する。