【事件の表示】
　平成　５年特許願第　５５６９２号「レーザーダイオード及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　６年　９月２２日出願公開、特開平　６−２６８３３４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成５年３月１６日の出願であって、平成１４年６月４日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１４年７月１１日付で拒絶査定に対する審判請求がなされたものであるが、その請求項１〜３に係る発明は、平成１３年１０月９日付手続補正書により補正された明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されたものと認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。
「第１導電型の（ＡｌｍＧａ１−ｍ）ｎＩｎ１−ｎＰ、（ただし、０．３≦ｍ≦１、０．３≦ｎ≦０．７５）である第１のクラッド層、活性層、少なくともその上部にリッジを形成した第２導電型の（ＡｌｍＧａ１−ｍ）ｎＩｎ１−ｎＰ、（ただし、０．３≦ｍ≦１、０．３≦ｎ≦０．７５）である第２のクラッド層及び第２のクラッド層の上記リッジの側面に接するように形成されたＡｌｕＧａ１−ｕＡｓ、（ただし、０．７５≦ｕ≦１）である電流ブロック層を有するレーザーダイオードであって、第１及び第２のクラッド層の屈折率が活性層の屈折率より小であり、かつ、電流ブロック層の屈折率が第２のクラッド層の屈折率より小であることを特徴とするレーザーダイオード。」（以下、「本願発明」という。）
　
２．引用例記載の発明
　原審の拒絶の理由に引用された、この出願前公知の刊行物である特開平３−１４５１７２号公報（以下、「引用例」という。）には、下記の記載が認められる。
（ア）「この発明は、動作電圧が低くしたがって駆動中の発熱量が小さく、光ディスク・メモリやレーザ・ビーム・プリンタ等の高速化に重要な、高出力動作に適した横モード制御型ＩｎＧａＡｌＰ系赤色半導体レーザ装置を提供することである。」（３頁右上欄１０〜１５行）
（イ）「本発明の骨子は、ｎ型基板上に形成されたＩｎＧａＡｌＰ系赤色半導体レーザにおいて、活性層に対して基板と反対側に形成されたクラッド層の一部に屈折率の高い層の存在によって横方向に実屈折率の変化を生ぜしめることにより、損失導波によらずに横モードの制御を行う様にしたことである。」（３頁右上欄１８行〜同頁左下欄８行）
（ウ）「次ぎに、埋め込みＧａＡｌＡｓ層について説明する。・・・埋め込み層にＡｌ混晶比の高いＧａＡｌＡｓ層を用いた場合、その上に成長したＰ−ＧａＡｓ層の表面モホロジーが悪化し、特にＡｌ混晶比が０．８以上で顕著であった。・・・このような理由から、信頼性の高い素子を得るためには、ＧａＡｌＡｓ埋め込み層のＡｌ混晶比は０．８より小さいことが望ましく、０．７５までは良好である。」（５頁右下欄１４行〜６頁左上欄１２行）
（エ）「上記製法においては、・・・埋め込み層（１６）を形成するＧａ１−ｘＡｌｘＡｓのＡｌ混晶比ｘが大きくなると、ＳｉＯ２膜（２０）上にもＧａＡｌＡｓ層が堆積してしまいＳｉＯ２膜（２０）の除去が困難となり、良好な横モード制御型の半導体レーザ装置を得ることができない。」（７頁７行〜１９行）
（オ）「第５図は、本発明の第２の実施例であるＩｎＧａＡｌＰ系半導体レーザ装置の断面構造図である。すなわち、ｎ−ＧａＡｓ基板（１０）上にｎ−Ｉｎ０．５（Ｇａ０．３Ａｌ０．７）０．５Ｐクラッド層（２１）・・・アンドープＩｎ０．５Ｇａ０．５Ｐ活性層（２２）・・・、中央部にストライプ状のリッジ部（凸部）を有するｐ−Ｉｎ０．５（Ｇａ０．３Ａｌ０．７）０．５Ｐクラッド層（２３）・・・が順次形成されている。さらにこのｐ−Ｉｎ０．５（Ｇａ０．３Ａｌ０．７）０．５Ｐクラッド層（２３）のストライプ状のリッジ部の両側には逆導電型のｎ−Ｇａ０．３５Ａｌ０．６５Ａｓ埋め込み層（２６）・・・が埋め込み形成されている。・・・
　第５図のＩｎＧａＡｌＰ系半導体レーザ装置においては、第２図に示すＧａ１−ｘＡｌｘＡｓとＩｎ０．５（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）０．５Ｐとの屈折率の関係から、ｐ−Ｉｎ０．５（Ｇａ０．３Ａｌ０．７）０．５Ｐクラッド層（２３）の屈折率がｎ−Ｇａ０．３５Ａｌ０．６５Ａｓ埋め込み層（２６）の屈折率より大きくなるようにそれぞれのＡｌ組成が設定されている。
　その結果、ストライプ部分とその外側の部分との屈折率差としてΔｎ＞１×１０−３という横モード制御に十分な大きさの値が実現できる。・・・さらに、この例ではＧａ０．３５Ａｌ０．６５Ａｓ埋め込み層（２６）をｎ型とし、電流狭窄層としても働く様にしているため、３０ｍＡ以下の低い発振しきい値が実現できた。」（８頁左上欄１行〜同頁左下欄６行）
　
３．対比・判断
　そこで、本願発明と引用発明とを対比するに当たり、特に、引用例の上記記載事項（オ）の第２の実施例と対比する。
（１）まず、本願明細書の【００１０】には、「第１のクラッド層の材料としては、その屈折率が活性層の屈折率よりも小であることが必要である。これは、活性層で発生した光のしみ出しを効率的にするためで・・・、例えば、（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐを用いるのが好ましい。」、【００１１】には、「活性層１０３の材料は、・・・特に、Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐが好ましい。」、及び【００１２】〜【００１３】には、「第２クラッド層の導電型は、第１クラッド層とは異なる第２の導電型が選択され、第１のクラッド層の材料と同様でもよい」旨の記載が認められる。
　よって、引用発明の「ｎ−Ｉｎ０．５（Ｇａ０．３Ａｌ０．７）０．５Ｐクラッド層」、「アンドープＩｎ０．５Ｇａ０．５Ｐ活性層」、「ｐ−Ｉｎ０．５（Ｇａ０．３Ａｌ０．７）０．５Ｐクラッド層」は、それぞれ、本願発明の「第１導電型の（ＡｌｍＧａ１−ｍ）ｎＩｎ１−ｎＰ、（ただし、ｍ＝０．７、ｎ＝０．５）である第１のクラッド層」、「活性層」、「第２導電型の（ＡｌｍＧａ１−ｍ）ｎＩｎ１−ｎＰ、（ただし、ｍ＝０．７、ｎ＝０．５）である第２のクラッド層」と一致する。
　また、引用発明及び本願発明のクラッド層及び活性層の材料が上記のとおり同じであるから、引用発明における、第１及び第２のクラッド層の屈折率が活性層の屈折率より小であることは明らかである。
（２）引用発明の「埋め込み層」は電流狭窄層として働くものであるから、本願発明の「電流ブロック層」に相当する。また、引用例には、「ＧａＡｌＡｓ埋め込み層のＡｌ混晶比は０．８より小さいことが望ましく、０．７５までは良好である。」（上記記載事項（ウ）参照）と記載され、引用発明において、「ｎ−Ｇａ０．３５Ａｌ０．６５Ａｓ埋め込み層」のＡｌ混晶比を０．７５〜０．８未満とすることが実質上記載されているから、本願発明の「ＡｌｕＧａ１−ｕＡｓ、（ただし、０．７５≦ｕ≦１）である電流ブロック層」のＡｌ混晶比と重複する。
（３）引用発明の「リッジ部」、「リッジ部の両側」及び「半導体レーザ装置」は、それぞれ、本願発明の「リッジ」、「リッジの側面」及び「レーザーダイオード」に相当する。
　
　そうしてみると、引用例には、実質的に本願発明の構成が全て記載されている。
　
　なお、請求人は、引用例の第２図が誤りであることを指摘し、参考資料１〜３を提出している。
　請求人が主張するように、仮に、引用例の第２図のグラフが誤りであり、参考資料３のグラフが正しいにしても、引用発明には、埋め込み層のＡｌ混晶比を０．７５〜０．８未満とするものが含まれるから、少なくともその点において、本願発明の屈折率の要件を満たしていることは明らかである。
　ちなみに、引用例記載のものは、横方向に
実屈折率の変化
前者が後者の上側になるような（電流ブロック層の屈折率が第２のクラッド層の屈折率より小さい）範囲に設定しようとするもの
　また、引用例記載のものにおいて、「ＧａＡｌＡｓ埋め込み層のＡｌ混晶比は０．８より小さいことが望ましい」とされているのは、引用例の出願の時点において、埋め込み層におけるＡｌ混晶比の増加による欠点（上記記載事項（エ）参照）を除去する技術（埋め込み層などを選択成長させる際に、ＨＣｌガス等を微量添加する技術、例えば、原審の拒絶理由で引用した国際公開第９３／０１６１４号パンフレット参照。）の認識がなかったことによるものと考えられる。
　
　なお、原査定の拒絶の理由は、特許法第２９条第１項第３号に該当するというものではないが、審判請求人は、平成１３年１０月９日付け意見書において、本願発明と引用文献１（上記引用例と同じ）とを対比し、引用文献１は、本願発明を開示しまたは示唆するものではない旨述べているから、容易性のみならず、同一性についても検討していることは明らかである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。