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【手続補正書】
【提出日】平成23年12月29日(2011.12.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のシリコンエラストマーコーティングで被覆された第１の織布層と、
第２のシリコンエラストマーコーティングで被覆された第２の織布層と、
熱硬化性シリコン接着剤と、を備え、
前記熱硬化性シリコン接着剤は、袋状構造体が作製されるように前記第１及び第２の層との間にシーム接着部を形成し、
前記袋状構造体は、外周部が無縫製のカーテンエアバッグであるように構成される、
ことを特徴とするエアバッグ。
【請求項２】
前記熱硬化性シリコン接着剤は、前記第１の被覆織布層及び前記第２の被覆織布層に直接接着される、請求項１に記載のエアバッグ。
【請求項３】
前記熱硬化性シリコン接着剤は、衝突事故でのエアバッグ展開時に前記袋状構造体が破裂しないような充分な強さを有する、請求項１に記載のエアバッグ。
【請求項４】
前記第１及び第２の被覆織布層は、単に前記熱硬化性シリコン接着剤によって、互いに付着されるだけである、請求項１に記載のエアバッグ。
【請求項５】
前記熱硬化性シリコン接着剤は、白金ヒドロシレーション反応による付加硬化型である、請求項１に記載のエアバッグ。
【請求項６】
前記シーム接着部の接着強度は、最小値96lbs〜最小値120lbsの間である、請求項１に記載のエアバッグ。
【請求項７】
前記熱硬化性シリコン接着剤は、加熱促進硬化性シリコン接着剤である、請求項１に記載のエアバッグ。
【請求項８】
前記熱硬化性シリコン接着剤は、150〜190℃の間で硬化されるように構成される、請求項１に記載のエアバッグ。
【請求項９】
乗員安全モジュールであって、
ガスインフレータと、前記ガスインフレータと流体を連通するカーテンエアバッグと、を備え、
前記カーテンエアバッグは、第１のシリコンエラストマーコーティングで被覆された第１の織布層と、第２のシリコンエラストマーコーティングで被覆された第２の織布層と、  熱硬化性シリコン接着剤と、を備え、
前記熱硬化性シリコン接着剤は、袋状構造体が作製されるように前記第１及び第２の層との間にシーム接着部を形成し、
前記カーテンエアバッグは、無縫製外周部を有する、
ことを特徴とする乗員安全モジュール。
【請求項１０】
前記熱硬化性シリコン接着剤は、衝突事故でのエアバッグ展開時に前記袋状構造体が破裂しないような充分な強さを有する、請求項９に記載の乗員安全モジュール。
【請求項１１】
前記第１及び第２の被覆織布層は、単に前記熱硬化性シリコン接着剤によって、互いに付着されるだけである、請求項９に記載の乗員安全モジュール。
【請求項１２】
前記熱硬化性シリコン接着剤は、白金ヒドロシレーション反応による付加硬化型である、請求項９に記載の乗員安全モジュール。
【請求項１３】
前記シーム接着部の接着強度は、最小値96lbs〜最小値120lbsの間である、請求項９に記載の乗員安全モジュール。
【請求項１４】
前記熱硬化性シリコン接着剤は、加熱促進硬化性シリコン接着剤である、請求項９に記載の乗員安全モジュール。
【請求項１５】
前記熱硬化性シリコン接着剤は、150〜190℃の間で硬化されるように構成される、請求項９に記載の乗員安全モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月12日(2012.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成が次に定められた範囲で次の構成成分を有するガラスストランド：
ＳｉＯ２            ５０〜６５ｗｔ％
Ａｌ２Ｏ３          １２〜２３ｗｔ％
ＳｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３  ＞  ７９ｗｔ％
ＣａＯ              １〜１０ｗｔ％
ＭｇＯ              ６〜１２ｗｔ％
Ｌｉ２Ｏ            １〜３ｗｔ％
ＢａＯ＋ＳｒＯ      ０〜３ｗｔ％
Ｂ２Ｏ３            ０〜３ｗｔ％
ＴｉＯ２            ０〜３ｗｔ％
Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ    ＜  ２ｗｔ％
Ｆ２                ０〜１ｗｔ％
Ｆｅ２Ｏ３          ＜  １ｗｔ％。
【請求項２】
前記ガラスストランドが、有機マトリックス及び／又は無機マトリックスを有する複合材料の生産用である、請求項１に記載のガラスストランド。
【請求項３】
前記組成が、１〜２ｗｔ％のＬｉ２Ｏ含有量を有することを特徴とする、請求項１又は２に記載のガラスストランド。
【請求項４】
前記組成が、８０％超のＳｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３含有量を有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載のガラスストランド。
【請求項５】
前記組成が、８１％超のＳｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３含有量を有することを特徴とする、請求項４に記載のガラスストランド。
【請求項６】
前記組成が、３％以上のＣａＯ含有量を有することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載のガラスストランド。
【請求項７】
前記組成が、５％以上のＣａＯ含有量を有することを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載のガラスストランド。
【請求項８】
前記組成が、６％以上のＣａＯ含有量を有することを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載のガラスストランド。
【請求項９】
前記ＣａＯ含有量が、９％以下であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載のガラスストランド。
【請求項１０】
前記ＣａＯ含有量が、８％以下であることを特徴とする、請求項９に記載のガラスストランド。
【請求項１１】
前記組成が、０．５〜１．３の範囲となるＣａＯ／ＭｇＯ重量比を有することを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載のガラスストランド。
【請求項１２】
前記組成が、０．７〜１．１の範囲となるＣａＯ／ＭｇＯ重量比を有することを特徴とする、請求項１１に記載のガラスストランド。
【請求項１３】
前記組成が、０．４〜０．７の範囲となるＡｌ２Ｏ３／（Ａｌ２Ｏ３＋ＣａＯ＋ＭｇＯ）重量比を有することを特徴とする、請求項１〜１２のいずれかに記載のガラスストランド。
【請求項１４】
前記組成が、０．５〜０．６の範囲となるＡｌ２Ｏ３／（Ａｌ２Ｏ３＋ＣａＯ＋ＭｇＯ）重量比を有することを特徴とする、請求項１〜１３のいずれかに記載のガラスストランド。
【請求項１５】
前記組成が、次の構成成分を有することを特徴とする、請求項１〜１４のいずれかに記載のガラスストランド：
ＳｉＯ２            ５８〜６３ｗｔ％
Ａｌ２Ｏ３          １２〜２３ｗｔ％
ＳｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３  ＞  ７９ｗｔ％
ＣａＯ              ５〜９ｗｔ％
ＭｇＯ              ９〜１２ｗｔ％
Ｌｉ２Ｏ            １〜２ｗｔ％
ＢａＯ＋ＳｒＯ      ０〜１ｗｔ％
Ｂ２Ｏ３            ０〜２ｗｔ％
ＴｉＯ２            ０〜１ｗｔ％
Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ    ＜  ０．８ｗｔ％
Ｆ２                ０〜１ｗｔ％
Ｆｅ２Ｏ３          ＜  ０．５ｗｔ％。
【請求項１６】
前記組成が、１８〜２３ｗｔ％のＡｌ２Ｏ３含有量を有することを特徴とする、請求項１５に記載のガラスストランド。
【請求項１７】
前記組成が、６〜８ｗｔ％のＣａＯ含有量を有することを特徴とする、請求項１５又は１６に記載のガラスストランド。
【請求項１８】
Ｂ２Ｏ３又はＦ２を含有しないことを特徴とする、請求項１〜１７のいずれかに記載のガラスストランド。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれかに記載されたガラスストランドを有することを特徴とする、ガラスストランドの組み立て体。
【請求項２０】
請求項１〜１８のいずれかに記載されたガラスストランドを有することを特徴とする、メッシュ又は織布の形態であるガラスストランドの組み立て体。
【請求項２１】
請求項１〜１８のいずれかに記載されたガラスストランドを有することを特徴とする、ガラスストランド並びに有機材料及び／又は無機材料で構成される複合材料。
【請求項２２】
請求項１〜１８のいずれかに記載されたガラスストランドの製造用のガラス組成物であって、次に定められた範囲で次の構成成分を有するガラス組成物：
ＳｉＯ２            ５０〜６５ｗｔ％
Ａｌ２Ｏ３          １２〜２３ｗｔ％
ＳｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３  ＞  ７９ｗｔ％
ＣａＯ              １〜１０ｗｔ％
ＭｇＯ              ６〜１２ｗｔ％
Ｌｉ２Ｏ            １〜３ｗｔ％
ＢａＯ＋ＳｒＯ      ０〜３ｗｔ％
Ｂ２Ｏ３            ０〜３ｗｔ％
ＴｉＯ２            ０〜３ｗｔ％
Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ    ＜  ２ｗｔ％
Ｆ２                ０〜１ｗｔ％
Ｆｅ２Ｏ３          ＜  １ｗｔ％。
【請求項２３】
前記Ｌｉ２Ｏが１〜２ｗｔ％である、請求項２２に記載のガラス組成物。
【請求項２４】
６０℃以上の形成範囲（Ｔ（ｌｏｇη＝３）−Ｔｌｉｑｕｉｄｕｓ）を有することを特徴とする、請求項２２又は２３に記載の組成物。
【請求項２５】
前記形成範囲が、７０℃以上である、請求項２４に記載の組成物。
【請求項２６】
前記形成範囲が、８０℃以上である、請求項２４に記載の組成物。
【請求項２７】
前記形成範囲が、約９０℃である、請求項２４に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月19日(2012.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロテアーゼを阻害するために使用するシリカ。
【請求項２】
胃腸菅内の有害なプロテアーゼ活性と関連する疾患または症状の、治療または予防のためのシリカ。
【請求項３】
胃腸菅内の有害なタンパク質分解と関連する疾患または症状の、治療または予防のためのシリカ。
【請求項４】
ディスペプシア、胃炎、胃潰瘍、胃食道逆流症、咽喉頭酸逆流症（extra-oesophageal reflux disease）、過敏性大腸症候群、直腸関連炎症疾患、および炎症性腸疾患からなる群より選択される疾患または症状の、治療または予防のためのシリカ。
【請求項５】
プロテアーゼが、セリンプロテアーゼ、スレオニンプロテアーゼ、システインプロテアーゼ、アスパラギン酸プロテアーゼ、メタロプロテアーゼ、およびグルタミン酸プロテアーゼからなる群より選択される、請求項１〜４のいずれか一つのシリカ。
【請求項６】
プロテアーゼが、セリンプロテアーゼおよびアスパラギン酸プロテアーゼからなる群より選択される、請求項１〜５のいずれか一つのシリカ。
【請求項７】
プロテアーゼが、アスパラギン酸プロテアーゼである、請求項５のシリカ。
【請求項８】
アスパラギン酸プロテアーゼが、ペプシンである、請求項７のシリカ。
【請求項９】
ペプシンが、ヒトペプシン、ブタペプシン、ウマペプシン、マウスペプシン、ヒツジペプシン、およびウシペプシンからなる群より選択される、請求項８のシリカ。
【請求項１０】
ペプシンが、ヒトペプシンである、請求項９のシリカ。
【請求項１１】
ペプシンが、ヒト胃ペプシンである、請求項１０のシリカ。
【請求項１２】
ヒト胃ペプシンが、ペプシン１、ペプシン３ａ、ペプシン３ｂ、ペプシン３ｃ、およびガストリクシン（gastricsin）のいずれかから選択される、請求項１１のシリカ。
【請求項１３】
プロテアーゼが、セリンプロテアーゼである、請求項５のシリカ。
【請求項１４】
セリンプロテアーゼが、トリプシンである、請求項１３のシリカ。
【請求項１５】
シリカが、ヒュームドシリカ、沈降シリカ、非晶質シリカ、コアセルベートシリカ（coacervated silica）、非晶質シリカゲル、（アクア）シリカゾル、ヒドロゲルシリカ、およびキセロゲルシリカ（xerogel silica）からなる群より選択される、請求項１〜１４のいずれか一つのシリカ。
【請求項１６】
シリカが、非晶質シリカである、請求項１５のシリカ。
【請求項１７】
シリカが、ナノ粒子として存在する、請求項１〜１６のいずれか一つのシリカ。
【請求項１８】
シリカが、２０，０００ｎｍ未満の平均粒径（ｄ５０）を有する、請求項１７のシリカ。
【請求項１９】
シリカが、１０，０００ｎｍ未満の平均粒径（ｄ５０）を有する、請求項１８のシリカ。
【請求項２０】
シリカが、約１ｎｍおよび５，０００ｎｍの間の平均粒径（ｄ５０）を有する、請求項１９のシリカ。
【請求項２１】
シリカが、５ｎｍおよび１００ｎｍの間の平均粒径（ｄ５０）を有する、請求項２０のシリカ。
【請求項２２】
シリカが、５ｎｍおよび５０ｎｍの間の平均粒径（ｄ５０）を有する、請求項２１のシリカ。
【請求項２３】
シリカが、１０から８０ｎｍまでの平均粒径（ｄ５０）および５０から３５０ｍ２／ｇまでの表面積を有する、請求項１〜２２のいずれか一つのシリカ。
【請求項２４】
プロテアーゼが、胃腸菅にある構成タンパク質、胃腸菅にある糖タンパク質、胃腸菅にある機能タンパク質、およびそれらの組み合わせから選択される基質に対する活性について阻害される、請求項１〜２３のいずれか一つのシリカ。
【請求項２５】
基質が、胃腸菅にある糖タンパク質または胃腸菅にある構成タンパク質である、請求項２４のシリカ。
【請求項２６】
基質が、胃腸菅にある構成タンパク質である、請求項２４のシリカ。
【請求項２７】
基質が、コラーゲンおよびムチンから選択される、請求項２６のシリカ。
【請求項２８】
基質が、胃腸菅にある機能タンパク質である、請求項２４のシリカ。
【請求項２９】
機能タンパク質が、アルブミンである、請求項２８のシリカ。
【請求項３０】
シリカが、シリカ懸濁剤の形態である、請求項１〜２９のいずれか一つのシリカ。
【請求項３１】
懸濁剤が、アルカリ性懸濁剤である、請求項３０のシリカ。
【請求項３２】
懸濁剤が、水を含み、またアンモニアまたは水酸化ナトリウムから選択されるアルカリ培地を含む、請求項３１のシリカ。
【請求項３３】
シリカが、懸濁剤の重量に基づいて約１０％から約５０％の量で懸濁剤中に存在する、請求項３０〜３２のいずれか一つのシリカ懸濁剤。
【請求項３４】
シリカが、懸濁剤の重量に基づいて約１５％から約４５％の量で懸濁剤中に存在する、請求項３０〜３３のいずれか一つのシリカ懸濁剤。
【請求項３５】
シリカが、懸濁剤の重量に基づいて約２５％未満の量で懸濁剤中に存在する、請求項３４のシリカ懸濁剤。
【請求項３６】
保存剤をさらに含む、請求項２４〜２９のいずれか一つのシリカ懸濁剤。
【請求項３７】
イントラ（intra）ムチン相互作用を増加させるのに使用するための、請求項１〜３６のいずれか一つのシリカ。
【請求項３８】
粘液粘度を増加させるのに使用するための、請求項１〜３７のいずれか一つのシリカ。
【請求項３９】
粘液ゲル特性を改善するのに使用するための、請求項１〜３８のいずれか一つのシリカ。
【請求項４０】
ムチンが結腸ムチンもしくは胃ムチンであるか、または粘液が結腸粘液もしくは胃粘液である、請求項３７、３８、または３９のシリカ。
【請求項４１】
実施例に関して、本明細書中で実質的に定義されるシリカ。
【請求項４２】
実施例に関して、本明細書中で実質的に定義されるシリカ懸濁剤。
【請求項４３】
実施例に関して、本明細書中で実質的に定義される使用。
【請求項４４】
実施例に関して、本明細書中で実質的に定義される医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月13日(2012.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）３〜１０重量％のエチレン誘導単位；及び
（ｂ）２〜１０重量％のプロピレン誘導単位；
を含み、以下の特性：
・ＧＰＣによって測定して３より低い分子量分布Ｍｗ／Ｍｎ；
・ＤＳＣにおいて検出できる融点を有しない；
・室温において１０日間熟成した後に測定して１２〜２０Ｊ／ｇの溶融エンタルピー；
を有する１−ブテン／エチレン／プロピレンターポリマー。
【請求項２】
ＩＳＯ−８６８にしたがって測定して９０より低いショアＡ硬度を有する、請求項１に記載の１−ブテン／エチレン／プロピレンターポリマー。
【請求項３】
ＩＳＯ−２２８５にしたがって測定して１００％変形において３０％より低い引張永久歪みを有する、請求項１に記載の１−ブテン／エチレン／プロピレンターポリマー。
【請求項４】
室温において１０日間熟成した後に測定される溶融エンタルピーが１４〜１８Ｊ／ｇである、請求項１に記載の１−ブテン／エチレン／プロピレンターポリマー。
【請求項５】
テトラヒドロナフタレン中で測定して１より高い固有粘度（ＩＶ）を有する、請求項１〜３のいずれかに記載の１−ブテン／エチレン／プロピレンターポリマー。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月9日(2012.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリ（ヒドロキシアルカン酸）およびエチレン−アクリル酸アルキル共重合体を含むかまたはこれらから製造された組成物であって、
前記ポリ（ヒドロキシアルカン酸）が、グリコール酸、乳酸、３−ヒドロキシプロピオン酸、２−ヒドロキシ酪酸、３−ヒドロキシ酪酸、４−ヒドロキシ酪酸、３−ヒドロキシ吉草酸、４−ヒドロキシ吉草酸、５−ヒドロキシ吉草酸、またはこれらの２種以上の組合せに基づく重合単位を含み、
前記エチレン−アクリル酸アルキル共重合体が、前記組成物中に、前記組成物の総重量を基準として約０．１〜約５重量％未満存在し、
前記エチレン−アクリル酸アルキル共重合体が、エチレン−（メタ）アクリル酸メチル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エチル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸ブチル共重合体、およびこれらの２種以上の組合せからなる群から選択され、
前記エチレン−アクリル酸アルキル共重合体が、グリシジル基を有する共単量体を実質的に含まない、組成物。
【請求項２】
前記ポリ（ヒドロキシアルカン酸）が、ポリ（グリコール酸）、ポリ（乳酸）、ポリ（ヒドロキシ酪酸）、ポリ（ヒドロキシ酪酸−ヒドロキシ吉草酸）共重合体、グリコール酸および乳酸の共重合体、またはこれらの２種以上の組合せであり、前記エチレン−アクリル酸アルキルが、約１〜約４重量％存在する、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記ポリ（ヒドロキシアルカン酸）が、ポリ（乳酸）であり、前記エチレン−アクリル酸アルキル共重合体が、エチレン−アクリル酸ブチル共重合体であり、前記エチレン−アクリル酸アルキルが、約２〜約３重量％存在し、前記ポリ（乳酸）が、ポリ（Ｄ−乳酸）およびポリ（Ｌ−乳酸）のステレオコンプレックスである、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物を含むかまたはこれから製造される物品であって、前記物品は、フィルム、シート、成形品、押出成形品または熱成形品であり、かつ任意で圧延成形品である、物品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
【表４】
2011518246.tif 000001
次に、本発明の態様を示す。
１.  ポリ（ヒドロキシアルカン酸）およびエチレン−アクリル酸アルキル共重合体を含むかまたはこれらから製造された組成物であって、
前記ポリ（ヒドロキシアルカン酸）が、６−ヒドロキシヘキサン酸、３−ヒドロキシヘキサン酸、４−ヒドロキシヘキサン酸、３−ヒドロキシヘプタン酸、またはこれらの２種以上の組合せの重合単位を含み、
前記エチレン−アクリル酸アルキル共重合体が、前記組成物中に、前記組成物の総重量を基準として約０．１〜約５重量％未満存在し、
前記エチレン−アクリル酸アルキル共重合体が、前記共重合体の総重量を基準として、エチレンの重合単位を約５０〜約９５重量％および１種またはそれ以上の式ＣＨ2＝Ｃ（Ｒ1）ＣＯ2Ｒ2のアクリル酸アルキルの重合単位を５〜約５０重量％を含み、
Ｒ1が、水素または１〜８個の炭素原子を有するアルキル基であり、Ｒ2が、１〜８個の炭素原子を有するアルキル基であり、
前記エチレン−アクリル酸アルキル共重合体が、グリシジル基を有する共単量体を実質的に含まない、組成物。
２.  前記ポリ（ヒドロキシアルカン酸）が、グリコール酸、乳酸、３−ヒドロキシプロピオン酸、２−ヒドロキシ酪酸、３−ヒドロキシ酪酸、４−ヒドロキシ酪酸、３−ヒドロキシ吉草酸、４−ヒドロキシ吉草酸、５−ヒドロキシ吉草酸、またはこれらの２種以上の組合せに基づく重合単位を含み、
前記エチレン−アクリル酸アルキル共重合体が、エチレン−（メタ）アクリル酸メチル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エチル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸ブチル共重合体、およびこれらの２種以上の組合せからなる群から選択される、上記１に記載の組成物。
３.  前記ポリ（ヒドロキシアルカン酸）が、ポリ（グリコール酸）、ポリ（乳酸）、ポリ（ヒドロキシ酪酸）、ポリ（ヒドロキシ酪酸−ヒドロキシ吉草酸）共重合体、グリコール酸および乳酸の共重合体、またはこれらの２種以上の組合せであり、前記エチレン−アクリル酸アルキルが、約１〜約４ｗｔ存在する、上記１または２に記載の組成物。
４.  前記ポリ（ヒドロキシアルカン酸）が、ポリ（乳酸）であり、前記エチレン−アクリル酸アルキル共重合体が、エチレン−アクリル酸ブチル共重合体であり、前記エチレン−アクリル酸アルキルが、約２〜約３重量％存在する、上記１〜３のいずれか一項に記載の組成物。
５.  前記ポリ（乳酸）が、ポリ（Ｄ−乳酸）およびポリ（Ｌ−乳酸）のステレオコンプレックスである、上記４に記載の組成物。
６.  上記１〜５のいずれか一項に記載の組成物を含むかまたはこれから製造される物品。
７.  前記物品が、フィルムまたはシートである、上記６に記載の物品。
８.  前記物品が、成形品である、上記６に記載の物品。
９.  前記物品が、押出成形品である、上記６に記載の物品。
１０.  前記物品が、熱成形品である、上記６に記載の物品。
１１.  前記物品が、圧延成形品である、上記６に記載の物品。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月9日(2012.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種のジエンエラストマー、補強用充填剤及び加硫系をベースとする組成物を含む、補強用要素又はプライの端部用の少なくとも１つの境界ゴムを含むタイヤであって、
前記組成物が下記のような形でグラファイトも含むことを特徴とするタイヤ：
補強用充填剤含有量が、（Ａ−Ｘ）ｐｈｒに等しく；グラファイト含有量は、Ｘ／６ｐｈｒと２Ｘ／３ｐｈｒの間であり；
Ａは、２０と１２０の間の数であり；
Ｘは、４と４８の間の数であり；そして、
ＸとＡは、次の関係：Ｘ＜０．４Ａを満たす。
【請求項２】
前記境界ゴムの組成物が、２ｐｈｒと３０ｐｈｒの間の含有量でグラファイトを含む、請求項１記載のタイヤ。
【請求項３】
前記境界ゴムの組成物が、３ｐｈｒと２０ｐｈｒの間の含有量でグラファイトを含む、請求項１及び２のいずれか１項記載のタイヤ。
【請求項４】
前記グラファイト含有量が、Ｘ／２に等しい、請求項１〜３のいずれか１項記載のタイヤ。
【請求項５】
前記グラファイト含有量が、Ｘ／６に等しい、請求項１〜３のいずれか１項記載のタイヤ。
【請求項６】
ジエンエラストマーが、ポリブタジエン、天然ゴム、合成ポリイソプレン、ブタジエンコポリマー、イソプレンコポリマー及びこれらのエラストマーの混合物によって形成される群から選ばれる、請求項１〜５のいずれか１項記載のタイヤ。
【請求項７】
ジエンエラストマーが、イソプレンエラストマー、好ましくは、合成ポリイソプレン又は天然ゴムである、請求項１〜６のいずれか１項記載のタイヤ。
【請求項８】
ジエンエラストマーが、４０ｐｈｒよりも多い天然ゴム及び／又は合成ポリイソプレンを含む、請求項７記載のタイヤ。
【請求項９】
補強用充填剤が、カーボンブラックを含む、請求項１〜８のいずれか１項記載のタイヤ。
【請求項１０】
補強用充填剤が、主要成分としてカーボンブラックを含む、請求項９記載のタイヤ。
【請求項１１】
少なくとも１種のジエンエラストマー、補強用充填剤及び加硫系をベースとする組成物を含む、タイヤの補強用要素又はプライの端部用の境界ゴムの製造方法であって、
前記組成物が、
補強用充填剤含有量が（Ａ−Ｘ）ｐｈｒに等しく；グラファイト含有量がＸ／６ｐｈｒと２Ｘ／３ｐｈｒの間であり；
Ａが２０と１２０の間の数であり；
Ｘが４と４８の間の数であり；及び、
ＸとＡが次の関係：Ｘ＜０．４Ａを満たすような形で、グラファイトも含むことを特徴とし、
下記の工程を含む前記製造方法：
ジエンエラストマー中に、少なくとも１種の補強用充填剤を、１１０℃と１９０℃との間の最高温度に達するまで１回以上成分の全てを熱機械的に混合することによって混入する工程；
混合物を、１００℃よりも低い温度に冷却する工程；
その後、架橋系を混入する工程；及び、
全てを、１１０℃よりも低い最高温度に達するまで混合する工程。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月2日(2012.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
リウマチ性多発性関節炎（polyarthrite rhumatoide：ＰＲ）は、その正確な発生源が不明の自己免疫疾患であり、慢性多発性関節炎の最も頻発する原因である。これは、成人において最も多く見られる炎症性リウマチのタイプである。その有病率は、国によって０．３から０．８％と推定される。これは、しばしば左右の対称な関節の症状によって特徴づけられ、発作によって、冒された関節の変形及び破壊へと進行する。この疾患は、一般的に、多発性関節炎、すなわち、４つ以上の関節の炎症によって始まり、炎症性の時間的な苦痛（夜間の覚醒、３０分を越える朝のウォーミングアップ）、関節の硬直、及び滑膜炎と呼ばれる腫れによって特徴づけられる。最も多くは、数十年にわたる進行が、予知できないリズムと期間の小康状態をはさんで発作によって進展する。発作の間、一般的な症状(微熱、無力症)と組合わされて、及びしばしば生物的炎症の兆候によって、関節の大部分が腫れて痛む。この疾患の活動状態の検査は、種々のスコアによって行うことができる。臨床上実際に最もよく利用されているのは、DAS28で、これは、４つのパラメータから計算される。そのパラメータとは、関節指標（痛みのある関節の数、但し相容れない足のくるぶしと腰を除く）、滑液指標（腫れた関節の数、但し足のくるぶしと腰を除く）、患者によって０から１００の尺度で評価される疾患の活動状態、及び血球沈降速度である。対症治療には、発作時の単純な休息、伝統的な鎮痛治療、非ステロイドの抗炎症薬、副作用を制限するための１０ｍｇ／日未満の少量のコルチコステロイドが含まれうる。疾患の深刻さに従った根本的な治療については、現在、一連の分子が存在し、これらは、特にメソトレクサート、アザチオプリンやシクロスポリンのような特定の免疫抑制剤、抗TNFアルファ、CTLA4の阻害剤、又は抗CD20として使用されうる。しかし、これらの分子の幾つかは、誘発される重大な副作用のため慎重に使用されなければならず、又は、特定の患者には充分に有効でなく、従って組み合わせて用いなければならない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
乾癬は、皮膚病であるが、その起源は、部分的には遺伝によるものとされるが、あまり知られていない。この皮膚病変は、男女を問わず、人口の１〜３％に影響を及ぼす。数種の乾癬タイプがある：尋常性乾癬、突発的な乾癬（psoriasis eruptiva）、乾癬性紅皮症、膿疱性乾癬、乾癬性関節炎がある。その良性型において、乾癬は、頭皮、爪、膝、肘、足、手及び時には性器に限定される。重症の場合、それは全身にまで広がる。この慢性皮膚疾患は非常に独特な発症を示し、発疹を伴うが、寛解も伴い、その間は病変が消失する。その後、乾癬は「白くなる」といわれている。休止期間の長さにはかなりのばらつきがあり、寛解はしばしば不完全である。今日まで、乾癬からの完全な回復を可能にする治療的処置は知られていない；しかし、乾癬を抑制し、病変範囲を減少させ、患者の生活を向上させることは可能である。以下の種々のタイプの治療法がある；
−  重症でないタイプの局所治療であり、これは、コルチコステロイド、カルシポトリエン又はタザロテンを含むクリームを乾癬の領域に塗布することからなる：これらの治療法は、乾癬において有利な効果を有するが、残念ながら治療を停止すると、斑がしばしば再発する：最後の治療は脱感作の形態をも形成し、時間の経過とともに、投与量を増加させることが強いられる：更に、これらのポマードが広い領域に塗布される場合、効果は局所だけではない：従って、この治療形態は、短期間かつ限定された領域内での、急性又は非常に不快な形態に限定されるべきである；
−  光線療法：太陽光への暴露は、一般的に乾癬に有利な影響を有する。しかし、１０％の場合において、この暴露は有害であろう：その場合、患者は、日光を回避し、又は少なくとも直射日光を浴びることを回避しなければならないであろう；
−  全身治療：乾癬のほとんどの重症型について、開業医は、経口投与又は注射による治療を処方することができる：この場合、メトトレキサート、シクロスポリン又は抗−ＴＮＦα抗体が用いられ得る：これらの治療法は、全身的と呼ばれる：薬物が身体の全てに広まることが意図されるからである：しばしば、それらは、副作用を起こし、時には重い副作用を起こす場合もある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明による医薬組成物は、
−  腹腔内、皮下、静脈内又は筋肉内経路に適した、注射可能な製剤の形態におけるような非経口経路；
−  コーティングされているか又はされていない錠剤、カプセル剤、粉末、丸薬、懸濁液又は経口液剤の形態のような経口経路：経口経路による投与のためのそのような形態は、有効成分の即効性、持続性または遅延性の放出のいずれか与えることができる；持続性または遅延性の放出を伴うそのような形態は、例えば、特許出願EP 253104またはEP 576643に記載されている
−  直腸経路、例えば、座剤の形態；
−  局所経路、特に、パッチ、ポマード又はゲルの形態での経皮経路；
−  エアロゾル及びスプレーの形態などでの鼻腔内経路；
−  舌下経路；
−  眼内経路
による投与に適した剤形で提示される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
（結論）
測定された種々のパラメータを参照すると、マイコバクテリウムによって関節炎が誘導されたラットは、人間において進行したものと似た一般的に深刻な多発性関節炎を進展させる。ＰＡＴペプチドは、少なくとも０．４μｇ／ｋｇ（ｉ．ｐ．）の服用量で、関節炎の進行を非常に大幅に減少させることを可能とし、その作用状態は、体の種々の部分で（脚部、周辺の過敏症及び血液の沈降速度）検出可能であることが確認される。最後に、０．４μｇ／ｋｇ（ｉ．ｐ．）の服用量で投与されたＰＡＴペプチドが、３ｍｇ／ｋｇの服用量で投与されたＡＩＮＳインドメタシンに類似した、それよりも優れた効能を有すること、すなわち、後者に対して７５００倍少ない服用量で効能を有することに注目することは興味深い。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月16日(2012.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタリング表面を備えたスパッタリングターゲットであって、
前記スパッタリング表面が、前記スパッタリング表面の少なくとも１つの十分に浸食していない領域に配置された少なくとも１つの湾曲特性を備えるフィールド増加設計プロファイルを有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】
前記スパッタリング表面の少なくとも１つの高い浸食領域に配置された少なくとも１つの湾曲特性を更に備えることを特徴とする、請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３】
前記スパッタリングターゲットの少なくとも１つの十分に浸食していない領域が、エッジトラック、レーストラック、瘤塊または絶縁領域からなることを特徴とする、請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月19日(2012.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
堆積反応炉内の加熱された基板上に順次自己飽和表面反応によって材料を堆積させるように構成された前駆体ソースと、
前記基板を収容し前記反応炉に備えられた反応室に、前記前駆体ソースからの前駆体蒸気を供給する供給管路と、
前記前駆体ソースと前記反応室との間で前駆体蒸気が液相または固相に凝縮することを防止するために反応室加熱器からの熱を利用するように構成された構造と、
を備える装置。
【請求項２】
前記前駆体ソースは、
前記反応炉からの熱を受けるように構成された突起を備える、
請求項１に記載の前記装置。
【請求項３】
前記突起内の内側首部と前記突起の周囲の外側首部とを備え、前記内側首部と前記外側首部とはその間にギャップを形成する、
請求項２に記載の前記装置。
【請求項４】
熱伝導部を前記供給管路の周囲に備える、
請求項１に記載の前記装置。
【請求項５】
熱エネルギーの損失を減らすための空隙を前記熱伝導部の周囲に備える、
請求項４に記載の前記装置。
【請求項６】
着脱可能なソースカートリッジを受け入れるように構成されたソースフレームワークを備える、
請求項１に記載の前記装置。
【請求項７】
前記ソースカートリッジを加熱するための加熱器を備える、
請求項６に記載の前記装置。
【請求項８】
前記供給管路は真空室の壁を通り、
前記構造は、前記供給管路の周囲に配される熱伝導突部であって、前記真空室の壁から突出する熱伝導突部の熱を利用するように構成される、
請求項１に記載の前記装置。
【請求項９】
堆積反応炉内の加熱された基板上に順次自己飽和表面反応によって材料を堆積させるように構成された前駆体ソースと、
前記基板を収容し前記反応炉に備えられた反応室への前記前駆体ソースからの前駆体蒸気の供給を制御するように構成される、前記前駆体ソースに搭載されたパルス送出弁と、
を備える装置であって、前記装置は、
圧力を上昇させて前記反応室に向かう前駆体蒸気と不活性ガスとの混合物の順次流を容易にするために、不活性ガスを前記パルス送出弁経由で前駆体ソースカートリッジに搬送するように構成される、
装置。
【請求項１０】
前記装置は、
前記圧力上昇後、次の前駆体パルス期間の開始まで前記前駆体カートリッジを閉じるように構成され、さらに、
前記次の前駆体パルス期間の開始時に前記パルス送出弁経由で前記反応室に向かうルートを開くように構成される、
請求項９に記載の前記装置。
【請求項１１】
前駆体蒸気を堆積反応炉の前駆体ソースから供給管路に沿って、加熱された基板を収容する反応室に供給することと、
前記堆積反応炉内の前記加熱された基板に順次自己飽和表面反応によって材料を堆積させることと、
前記前駆体ソースと前記反応室との間で前記前駆体蒸気が液相または固相に凝結することを防止するために反応室加熱器からの熱を使用することと、
を含む方法。
【請求項１２】
前記ソース内の突起内に前記反応炉からの熱を受け入れること
を含み、前記突起は前記供給管路を有し、前記受け入れた熱が前記供給管路を加熱する、
請求項１１に記載の前記方法。
【請求項１３】
前記突起内の内側首部と前記突起の周囲の外側首部とを備え、前記内側首部と前記外側首部とはその間にギャップを形成すること、
を含む、請求項１２に記載の前記方法。
【請求項１４】
熱伝導部を前記供給管路の周囲に配すること、
を含む、請求項１１に記載の前記方法。
【請求項１５】
熱エネルギーの損失を減らすための空隙を前記熱伝導部の周囲に配すること、
を含む、請求項１４に記載の前記方法。
【請求項１６】
前記供給管路は真空室の壁を通り、
前記真空室の壁から突出し、前駆体蒸気の前記凝結を防ぐために反応室加熱器の熱を利用するように構成される熱伝導突部が、前記供給管路の周囲に配される、
請求項１１に記載の前記方法。
【請求項１７】
堆積反応炉内の加熱された基板上に順次自己飽和表面反応によって材料を堆積することと、
前記基板を収容し前記反応炉に備えられた反応室への前駆体ソースからの前駆体蒸気の供給を、前記前駆体ソースに搭載されたパルス送出弁によって制御することと、
圧力を上昇させて前記反応室に向かう前駆体蒸気と不活性ガスとの混合物の順次流を容易にするために、不活性ガスを前記パルス送出弁経由で前駆体ソースカートリッジに搬送することと、
を含む方法。
【請求項１８】
前記圧力上昇後、次の前駆体パルス期間の開始まで、前記前駆体カートリッジを閉じることと、
前記次の前駆体パルス期間の開始時に前記パルス送出弁経由で前記反応室に向かうルートを開くことと、
を含む、請求項１７に記載の前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月13日(2012.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理チャンバにおいてスパッタリングターゲット及び基板支持体を取り囲むための下方シールドであって、
スパッタリングターゲットのスパッタリング面及び基板支持体を取り囲む寸法設計の第１直径を有する円筒状外方バンドを備え、円筒状バンドは、
基板支持体を取り囲むように構成された底部壁と、
スパッタリングターゲットのスパッタリング面を取り囲むように構成された上部壁とを備え、上部壁は、
内部に面し、底部壁へ向かって垂直線から半径方向内側に傾斜する内周部と、
内部に面する外周部であって、外周部は傾斜段差部を形成するように延び、傾斜段差部が垂直線から半径方向外側に傾斜し且つ底部壁から離れている外周部とを備え、
下方シールドが更に、
載置面を備え且つ円筒状外方バンドから半径方向外側に延びる支持棚部と、
円筒状バンドの底部壁から半径方向内側に延びるベースプレートと、
ベースプレートに連結され且つ基板支持体の周縁部を部分的に取り囲むように構成された円筒状内方バンドとを備える下方シールド。
【請求項２】
傾斜段差部が垂直線から約５°〜約１０°半径方向外側に傾斜している、請求項１記載の下方シールド。
【請求項３】
円筒状内方バンドと、ベースプレートと円筒状外方バンドとがＵ型チャネルを形成し、
円筒状内方バンドが、円筒状外方バンドの高さより低い高さを有する、請求項１記載の下方シールド。
【請求項４】
円筒状外方バンドと、上部壁と、支持棚部と、底部壁と内方円筒状バンドとが一体構造をなす、請求項１記載の下方シールド。
【請求項５】
下方シールドの露出面をビードブラスト加工して表面粗さを１７５±７５マイクロインチにする、請求項１に記載の下方シールド。
【請求項６】
処理チャンバにおいて基板支持体の周壁を取り囲むための堆積リングであって、
基板支持体の周壁を取り囲むための環状バンドを備え、環状バンドが、環状バンドから横方向に延び且つ基板支持体の周壁と実質的に平行である内方リップ部を備え、内方リップ部が、基板の周縁部及び基板支持体を取り囲む堆積リングの内周を定め、処理中、基板によって覆われない支持体の領域を保護して周壁上へのスパッタリング堆積物の堆積を軽減する又は完全に防止し、
堆積リングが更に、
バンドの中央部位に沿って延びるＶ型突起部を備え、Ｖ型突起部の両側には内方リップ部に隣接した第１半径方向内側凹部及び第２半径方向内側凹部がある堆積リング。
【請求項７】
Ｖ型突起部の対向する面が約２５°〜約３０°の角度を形成する、請求項６記載の堆積リング。
【請求項８】
第１半径方向内側凹部が第２半径方向内側凹部の水平面より若干下の水平面に位置し、
第１半径方向内側凹部及び第２半径方向内側凹部が堆積リングの底面に平行である、請求項６記載の堆積リング。
【請求項９】
環状バンドの底面がＶ型突起部及び内方リップ部の下を延びるノッチを有し、ノッチが約０．６インチ〜約０．７５インチの幅及び約０．０２０インチ〜０．０３０インチの高さを有する、請求項６記載の堆積リング。
【請求項１０】
第２半径方向内側凹部が約１３インチ〜約１３．５インチの外径及び約１２インチ〜約１２．５インチの内径を有し、Ｖ型突起部の先端が約１２インチ〜約１２．３インチの直径を有し、内方リップ部が約１１インチ〜約１２インチの外径を有する、請求項６記載の堆積リング。
【請求項１１】
堆積リングを取り囲み且つ堆積リングをスパッタリング堆積物から少なくとも部分的に守るためのカバーリングであって、
環状ウェッジを備え、環状ウェッジが、上面と、半径方向内側に傾斜し且つ上面に連結された内周部及び外周部を有する傾斜上面と、堆積リングの棚部に載置される底面とを備え、上面が実質的に底面に平行であり、環状ウェッジが更に、傾斜上面によって上面に連結された突出ブリムを備え、傾斜上面が突出ブリムと協働して視線方向の堆積物が内部容積から流出してチャンバ本体キャビティへと侵入するのを阻止し、環状ウェッジが更に、
環状ウェッジの傾斜上面下に位置し且つ突出ブリムを底面と連結している傾斜段差部を備え、
カバーリングが更に、
環状ウェッジから下方向に延びる内方円筒状バンド及び外方円筒状バンドを備え、内方円筒状バンドが外方円筒状バンドより低い高さを有するカバーリング。
【請求項１２】
傾斜段差部が、環状ウェッジから下方向に且つ内周部から半径方向外側に延び、傾斜段差部が、底面に対して約４０°〜約５０°の角度で傾斜している、請求項１１記載のカバーリング。
【請求項１３】
カバーリングが、ステンレススチール、チタン、アルミニウム、酸化アルミニウム及びこれらの組み合わせを含む群から選択された材料から作製される、請求項１１記載のカバーリング。
【請求項１４】
カバーリングの表面を、ツインワイヤアルミニウムアーク溶射コーティングで処理する、請求項１１記載のカバーリング。
【請求項１５】
カバーリングが約１４．５インチ〜約１５インチの外径及び約１１．５インチ〜約１２．５インチの内径を有し、傾斜上面が、上面に対して約５°〜約１５°の角度で傾斜している、請求項１１記載のカバーリング。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月11日(2011.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低温時に自己着火式内燃機関を始動する方法であって、
ａ）内燃機関の圧縮行程中にパイロット噴射より第一の燃料量が燃焼室内に導入され、部分的に均質な予混合気が燃焼室内で形成されるステップと、
ｂ）メイン噴射によってメイン燃料量が燃焼室に導入され、自己着火によって混合気が燃焼するステップを有し、
パイロット噴射の噴射開始は、部分的に均質な予混合気がごく短い着火遅れで着火可能であるように選択され、メイン噴射の噴射開始は、燃焼段階中か又は着火した予混合気の燃焼段階の直後にメイン燃料量が燃焼室に導入されるように選択され、パイロット噴射がピストン上死点前クランク角度２２°から１００°の間、特に２５°から３０°の間の範囲で行われ、メイン噴射がピストン上死点前クランク角度２０°からピストン上死点後クランク角度２０°の間の範囲で行われ、メイン噴射が複数回のパーシャル噴射に分割され、内燃機関の始動動作の初めに第一のパーシャル噴射が上死点前クランク角度２°と上死点後クランク角度２°の間の範囲で、第二のパーシャル噴射が上死点後クランク角度２°と５°の間の範囲で行われることを特徴とする方法。
【請求項２】
第一のパーシャル噴射の噴射開始が回転数の増大につれて進角方向にずらされることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第二の及び／又は後続のパーシャル噴射の噴射開始が回転数の増大につれて遅角の方向にずらされることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
第二の及び／又は後続のパーシャル噴射中に導入される燃料量が、先行するパーシャル噴射中に導入される燃料量よりも大きいことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
さらなるパイロット噴射が行われることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
１回又は複数回のパイロット噴射中に導入された燃料量の合計が、１回の作動サイクル中に導入された燃料量全体の５〜２０重量％であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
パイロット噴射の噴射開始が回転数の増大につれて進角方向にずらされることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
コモンレール式噴射システムを使用して噴射が行われることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
始動動作中の噴射圧が、内燃機関の回転数に依存して調整されることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
メイン燃料量とパイロット噴射中に導入される燃料の部分量の合計との間の量比が回転数及び／又は内燃機関内の温度に依存して調整されることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月13日(2012.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
縦方向に延びる波形の隔壁、及び
内部に波形の隔壁が配置される溝（flute）
を備え、波形の隔壁及び溝がセラミック基複合（ＣＭＣ）材料からなり、波形の隔壁と溝とが仕切られたＣＭＣ溝アセンブリを画定している、複合構造。
【請求項２】
複合構造が、第１及び第２の表面板と、それら表面板の間に配置された複数の仕切られたＣＭＣ溝アセンブリとを更に備えている、請求項１に記載の複合構造。
【請求項３】
仕切られたＣＭＣ溝アセンブリが側断面に半分にされた隅部を有している、請求項１に記載の複合構造。
【請求項４】
波形の隔壁に近接して溝内部に配置されたバルク吸音装置を更に備える請求項１に記載の複合構造。
【請求項５】
複合構造の作製方法であって、
縦方向に延びる波形の隔壁を準備することと、
波形の隔壁を硬化させることと、
溝を形成することと
硬化させた波形の隔壁を溝内部に配置して仕切られた溝アセンブリを形成することと
を含む方法であって、波形の隔壁を準備することが波形の隔壁をセラミック基複合（ＣＭＣ）材料から形成することを含み、溝を形成することが溝をＣＭＣ材料から形成することを含み、溝内部に波形の隔壁を配置することが、仕切られたＣＭＣ溝アセンブリを形成する、方法。
【請求項６】
第１の表面板と第２の表面板との間に複数の仕切られたＣＭＣ溝アセンブリを配置することを更に含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】
波形の隔壁を溝内部に配置することに先立って、バルク吸音装置を波形の隔壁の近位に配置することを更に含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
バルク吸音装置を配置することが、バルク吸音装置を剛性化して、剛性化したバルク吸音装置のブロックを波形の隔壁に結合することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
溝内部に波形の隔壁を結合することを更に含む請求項５に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
当業者であれば、本明細書に記載された実施形態に関連して、上述の説明及び添付図面に示された教示の利点を有する、多数の修正例及び他の実施形態を想起するであろう。したがって、本発明は、開示された特定の実施形態に限定されず、且つそのような修正例及び他の実施形態は特許請求の範囲に含まれる。例えば、特定の作製技術が記載されていても、複合構造１０は他の方法で形成することができ、例えば、溝の半分を形成して個別のツーリングで部分的に硬化した後で波形の隔壁１２を挿入する作製方法で形成することができる。本明細書において使用されている特定の用語は、一般的な意味で且つ説明を目的として使用されているにすぎず、限定を目的としていない。
（態様１）
縦方向に延びる波形の隔壁、及び
内部に波形の隔壁が配置される溝（flute）
を備えた複合構造。
（態様２）
波形の隔壁及び溝がセラミック基複合（ＣＭＣ）材料からなる態様１に記載の複合構造。
（態様３）
波形の隔壁に近接して溝内部に配置されたバルク吸音装置を更に備える態様２に記載の複合構造。
（態様４）
バルク吸音装置が波形の隔壁の屈曲部に分散配置されている態様３に記載の複合構造。
（態様５）
バルク吸音装置がセラミック材料からなる態様３に記載の複合構造。
（態様６）
波形の隔壁と溝とが仕切られたＣＭＣ溝アセンブリを画定しており、複合構造が、第１及び第２の表面板と、それら表面板の間に配置された複数の仕切られたＣＭＣ溝アセンブリとを更に備えている、態様２に記載の複合構造。
（態様７）
波形の隔壁と溝とが仕切られたＣＭＣ溝アセンブリを画定しており、仕切られたＣＭＣ溝アセンブリが側断面に半分にされた隅部を有している、態様２に記載の複合構造。
（態様８）
壁部材、及び
壁部材の上に配置された複数の仕切られた溝アセンブリ
を備えた排気浄化構造であって、仕切られた溝アセンブリの各々は、壁部材に沿って縦方向に延びており、別の仕切られた溝アセンブリと横方向に隣接して配置されており、且つ
縦方向に延びる波形の隔壁、及び
内部に波形の隔壁が配置される溝
を備えている、排気浄化構造。
（態様９）
仕切られた溝アセンブリの各々が一つの波形の隔壁を含んでおり、各溝がセラミック基複合（ＣＭＣ）材料からなる、態様８に記載の排気浄化構造。
（態様１０）
壁部材が、壁部材に沿って縦方向に離間して位置する複数のセクションを画定しており、複数の仕切られたＣＭＣ溝アセンブリが、壁部材の各セクションの上に配置されており、仕切られたＣＭＣ溝アセンブリの各々が、壁部材の対応するセクションに沿って縦方向に延びており、且つ壁部材の対応するセクションの内部で別の仕切られたＣＭＣ溝アセンブリに隣接して配置されている、態様９に記載の排気浄化構造。
（態様１１）
仕切られたＣＭＣ溝アセンブリの各々の高さが縦方向に沿って変化する態様９に記載の排気浄化構造。
（態様１２）
仕切られたＣＭＣ溝アセンブリの各々が、波形の隔壁に近接して対応する溝内部に配置されたバルク消音装置を更に備えている、態様９に記載の排気浄化構造。
（態様１３）
バルク消音装置が波形の隔壁の屈曲部に分散配置されている態様１２に記載の排気浄化構造。
（態様１４）
バルク消音装置がセラミック材料からなる態様１２に記載の排気浄化構造。
（態様１５）
複数の仕切られたＣＭＣ溝アセンブリの各側に配置された第１の表面板と第２の表面板とを更に備える態様９に記載の排気浄化構造。
（態様１６）
仕切られたＣＭＣ溝アセンブリの各々が側断面に半分の隅部を有する態様９に記載の排気浄化構造。
（態様１７）
複合構造の作製方法であって、
縦方向に延びる波形の隔壁を準備することと、
波形の隔壁を硬化させることと、
溝を形成することと
硬化させた波形の隔壁を溝内部に配置して仕切られた溝アセンブリを形成することと
を含む方法。
（態様１８）
波形の隔壁を準備することが波形の隔壁をセラミック基複合（ＣＭＣ）材料から形成することを含み、溝を形成することが溝をＣＭＣ材料から形成することを含み、溝内部に波形の隔壁を配置することが、仕切られたＣＭＣ溝アセンブリを形成する、態様１７に記載の方法。
（態様１９）
波形の隔壁を溝内部に配置することに先立って、バルク吸音装置を波形の隔壁の近位に配置することを更に含む、態様１８に記載の方法。
（態様２０）
バルク吸音装置を配置することが、バルク吸音装置を剛性化して、剛性化したバルク吸音装置のブロックを波形の隔壁に結合することを含む、態様１９に記載の方法。
（態様２１）
第１の表面板と第２の表面板との間に複数の仕切られたＣＭＣ溝アセンブリを配置することを更に含む態様１８に記載の方法。
（態様２２）
溝内部に波形の隔壁を結合することを更に含む態様１５に記載の方法。