(57)【要約】【課題】ボイド発生によるパターンの断線を防止し、応力の分散によりパターンの強度を増加させ、電気的特性の低下が発生しないテープ基板及びその製造方法を提供すること。【解決手段】絶縁フィルム60、絶縁フィルムの一側に形成され、電子部品が実装される接続部を備える銅箔パターン70、接続部上にメッキされ、内部に多数の空隙が形成されたバリヤ層75、バリヤ層上にメッキされ、空隙を通じて接続部と合金層を形成するすず層77とを含んで構成される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁フィルムと、
前記絶縁フィルムの一側に形成され、電子部品が実装される接続部を備える銅箔パターンと、
前記接続部上にメッキされ、内部に多数の空隙が形成されたバリヤ層と、
前記バリヤ層上にメッキされ、前記空隙を通じて前記接続部と合金層を形成するすず層とを含んで構成されることを特徴とするテープ基板。
【請求項２】
前記バリヤ層は、金と銀を主成分とする化合物からなることを特徴とする請求項１記載のテープ基板。
【請求項３】
前記バリヤ層は、ＳｅまたはＰｂ添加剤がさらに含まれて構成されることを特徴とする請求項２記載のテープ基板。
【請求項４】
前記バリヤ層は、前記空隙の表面積が前記銅箔パターンの表面積の９５％未満で形成されることを特徴とする請求項１記載のテープ基板。
【請求項５】
前記バリヤ層は、０.０１μｍないし１μｍ未満の厚さで形成されることを特徴とする請求項１記載のテープ基板。
【請求項６】
前記すず層は、０.０１μｍないし１μｍ未満の厚さで形成されることを特徴とする請求項１記載のテープ基板。
【請求項７】
絶縁フィルムの表面に接続部を備える銅箔パターンを形成する第１段階と、
前記第１段階で形成された銅箔パターンの前記接続部以外の部位にソルダーレジストを塗布する第２段階と、
前記第２段階でソルダーレジストが塗布された後、前記接続部にバリヤ層をメッキする第３段階と、
前記第３段階でバリヤ層がメッキされた後、前記バリヤ層にすず層が形成されるようにすずをメッキする第４段階と、を含んでいることを特徴とするテープ基板の製造方法。
【請求項８】
第４段階ですず層がメッキされた後、前記バリヤ層とすず層の接合部が合金層を形成するように加熱する第５段階をさらに含んでいることを特徴とする請求項７記載のテープ基板の製造方法。
【請求項９】
絶縁フィルムの表面に接続部を備える銅箔パターンを形成する第１段階と、
前記第１段階で形成された銅箔パターンにバリヤ層をメッキする第２段階と、
前記第２段階でバリヤ層がメッキされた後、前記接続部以外の部位にソルダーレジストを塗布する第３段階と、
前記第３段階でソルダーレジストが塗布された後、前記接続部にメッキされたバリヤ層にすず層が形成されるようにすずをメッキする第４段階とを含んでいることを特徴とするテープ基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第４段階ですず層がメッキされた後、前記バリヤ層とすず層の接合部が合金層を形成するように加熱する第５段階をさらに含んで構成されることを特徴とする請求項９記載のテープ基板の製造方法。
【請求項１１】
絶縁フィルムの表面に接続部を備える銅箔パターンを形成する第１段階と、
前記第１段階で形成された銅箔パターンにバリヤ層をメッキする第２段階と、
前記第２段階でバリヤ層がメッキされた後、前記バリヤ層にすず層が形成されるようにすずをメッキする第３段階と、
前記第３段階ですず層が形成された後、接続部以外の部位にソルダーレジストを塗布する第４段階と、を含んでいることを特徴とするテープ基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第３段階ですず層がメッキされた後、前記バリヤ層とすず層の接合部が合金層を形成するように加熱する加熱段階をさらに含んでいることを特徴とする請求項１１記載のテープ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テープ基板及びその製造方法に関し、より詳細にはテープ基板の電子部品が実装されるパターン部にボイドまたはウィスカーの発生無しに、すずメッキが施されるテープ基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、テープ基板は液晶基板や携帯電話、ノートパソコン等の折り畳み式の電子製品に主に適用される形式の基板であって、電子製品が小型軽量化されるにつれてＴＡＢ(Tape Automated Bonding)基板、ＴＢＧＡ(Tape Ball Grid Array)基板、ＡＳＩＣ(Application Specific Integrated Circuit)基板、ＣＯＦ(Chip on Film)基板等の各種多様な基板が開発されている。
【０００３】
図１は従来の技術によるテープ基板を示した断面図であり、このテープ基板はポリイミド、ポリエーテルスルホン等の材質からなる絶縁フィルム１０の表面に２０μｍ程度の銅箔層が接着剤１２で接着され、銅箔層の表面にフォトレジストが塗布された後、フォトレジストにマスクを用いて配線パターンを露光させることによりフォトレジストにパターンが転写される。
【０００４】
上記のようにパターンが転写されると、銅箔エッチングにて希望のパターンが形成された後、フォトレジストが取り除かれて銅箔パターン２０の形成が完了する。
【０００５】
一方、上記のように銅箔パターン２０の完了したテープ基板は、接続部を除いた部分にソルダーレジスト３０を塗布し、露出された接続部の酸化防止と電子部品の実装のためにすず層２７が形成されるようにすずをメッキする。
【０００６】
上記のようにメッキされたすず層２７は、柔軟性に優れ、人体に対する毒性が少ない上に低融点なので、はんだ付け性に優れる。また、低コストなので生産コストが低減されて、１μｍ以下の薄膜を均等に形成するのが容易となり、液の管理も容易で、金からなるバンプとの接合強度が高くてますます使用範囲が拡大されつつある。
【０００７】
ところが、従来の技術によるテープ基板及びその製造方法は、テープ基板にすずをメッキする場合、すず無電解メッキ液がソルダーレジスト３０の端部と銅箔パターン２０の間に染み込むが、この際、銅箔からなるパターンとすず無電解メッキ液の間に局部電池が形成されるために、銅箔パターンで銅が溶出し、凹んだボイド(void)(Ｃ)が形成されてボイド(Ｃ)が大きくなる場合に、銅箔パターン２０が断線される問題点がある。
【０００８】
上記のように凹んだボイド(Ｃ)のためにテープ基板に反り応力が作用してテープ基板が変形されたり、甚だしくはテープ基板が折れて銅箔パターンが壊されてしまう問題点がある。
【０００９】
また、通常的にすずあるいはすず合金は、メッキされたすず層及び銅との合金層で異性質体のストレスによる応力が発生してメッキ直後から数日あるいは数年に至るまでウィスカーと呼ばれる針状の析出物が生成されるが、このウィスカーが成長して隣接したパターンと短落して回路を傷つける問題点があるが、未だウィスカーの発生を押さえられる方法が分からないのが現状である。
【００１０】
その故に、ウィスカーの発生を押さえるために熱処理方法や合金処理する場合があるが、熱処理方法は、時間がかかり過ぎるために生産性に劣り、加熱条件に応じて基板が劣化して不良発生の可能性があるという問題点と、加熱される際にすず層２７のすず成分と結合してすず−銅合金層２３が形成されるため、純粋すず層２７の厚さを所定のものに形成するためには長時間かけてメッキ処理するのが必須であることから、すず−銅合金層２３の厚さが必要以上に厚く形成されるという問題点がある。
【００１１】
合金処理によりウィスカーの発生を押さえる場合、電気的特性の低下、さらに、はんだ付け性の低下のために電子部品の実装強度が弱くなる問題点が発生するなど根元的な解決方法が、未だ提示されていない現状にある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、従来の問題点を解決するために案出されたものであり、技術の発達に応じて電子部品が高密度、高集積の微細回路パターンへと発展していくため、すずのメッキ前にウィスカーの発生が押さえられるようにバリヤ層を形成することにより、微細回路パターンの品質信頼性を増加させ、ボイド発生によるパターンの断線を防止し、応力の分散によりパターンの強度を増加させ、電気的特性の低下が発生しないテープ基板及びその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明によるテープ基板は、絶縁フィルムと、前記絶縁フィルムの一側に形成され、電子部品が実装される接続部を備える銅箔パターンと、前記接続部上にメッキされ、内部に多数の空隙が形成されたバリヤ層と、前記バリヤ層上にメッキされ、前記空隙を通じて前記接続部と合金層を形成するすず層とを含んで構成される。
【００１４】
また、本発明によるテープ基板の製造方法は、絶縁フィルムの表面に接続部を備える銅箔パターンを形成する第１段階と、第１段階で形成された前記銅箔パターンの前記接続部以外の部位にソルダーレジストを塗布する第２段階と、第２段階で前記ソルダーレジストが塗布された後、前記接続部にバリヤ層をメッキする第３段階と、第３段階で前記バリヤ層がメッキされた後、前記バリヤ層にすず層が形成されるようにすずをメッキする第４段階とを含んで構成される。
【００１５】
そして、本発明の他の実施形態によるテープ基板の製造方法は、絶縁フィルムの表面に接続部を備える銅箔パターンを形成する第１段階と、第１段階で形成された前記銅箔パターンにバリヤ層をメッキする第２段階と、第２段階で前記バリヤ層がメッキされた後、前記接続部以外の部位にソルダーレジストを塗布する第３段階と、第３段階で前記ソルダーレジストが塗布された後、前記接続部にメッキされた前記バリヤ層にすず層が形成されるようにすずをメッキする第４段階とを含んで構成される。
【００１６】
また、本発明のさらに他の実施形態によるテープ基板の製造方法は、絶縁フィルムの表面に接続部を備える銅箔パターンを形成する第１段階と、第１段階で形成された前記銅箔パターンにバリヤ層をメッキする第２段階と、第２段階で前記バリヤ層がメッキされた後、前記バリヤ層にすず層が形成されるようにすずをメッキする第３段階と、第３段階で前記すず層が形成された後、前記接続部以外の部位にソルダーレジストを塗布する第４段階とを含んで構成される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によるテープ基板及びその製造方法において、テープ基板は銅箔パターンの接続部に多数の空隙が形成されたバリヤ層が形成され、このバリヤ層の上にメッキされて空隙を通じて接続部と合金されたすず層を含んで構成され、銅箔パターンがすず無電解メッキ液に接続する時間が低減されるので、銅成分の溶出が防止されてボイドの発生による断線が発生せず、バリヤ層によりメッキ効率が増加して合金層の厚さが薄くなって純粋すず層の形成が容易となるので、工程時間の短縮による輸率増加はもちろん銅箔パターンの厚さを薄くでき、微細回路パターンの形成に有利である。
【００１８】
また、バリヤ層が層間発生される内部応力を低減させてウィスカーの生成を押さえるので、ウィスカーの成長による短絡を防止する効果がある。さらに、電子部品の実装時、バリヤ層のために異種金属層による電気特性の変化が低下し、ウィスカーを防止するための別途の工程が要らなくて低コスト及び工程時間の短縮という効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明によるテープ基板が示された実施例を添付した図面を参照して詳細に説明する。
図２は本発明によるテープ器板が示された平面図であり、図３は本発明によるテープ器板が示された断面図である。
【００２０】
本発明によるテープ器板は図２及び図３に示したように、絶縁フィルム６０の一側に電子部品が実装される接続部を備える銅箔パターン７０が形成され、この接続部上には内部に多数の空隙が形成されたバリヤ層７５がメッキされ、バリヤ層７５上にすず層７７がメッキされる。ここで、バリヤ層７５の上にメッキされたすず層７７は、空隙を通じて銅箔パターン７０と接触され、加熱されることにより合金が形成される。
【００２１】
より詳細には、絶縁フィルム６０は、可塑性樹脂フィルムからなるが、メッキ過程でバリヤまたはすず無電解メッキ液に漬かって加熱されるので、耐薬品性及び耐熱性を有する材料から形成されるのが望ましい。
【００２２】
普通の絶縁フィルム６０は、主にエポキシ、エステルまたはポリイミド、ポリアミド等の材料から形成され、本発明ではポリイミドからなる絶縁フィルム６０が主に用いられる。さらに、絶縁フィルム６０は、通常１０μｍないし１００μm未満の厚さを持つ絶縁フィルム６０が用いられ、絶縁フィルム６０はリール・ツー・リール方式の移送装備にて移送されるが、的確な移送及び整列ができるように両側端にアライン・ホール６５が等間隔で連続して形成され、移送装備に形成されたアライン・ピンに係止されて移送できるように構成される。
【００２３】
図４は、本発明によるテープ基板の製造方法が示された流れ図である。
上記のように構成されたテープ基板は、図４に示したように、絶縁フィルム６０の表面に接続部を備える銅箔パターン７０を形成させる第１段階(Ｓ１１)と、第１段階(Ｓ１１)で形成された銅箔パターン７０の接続部を除いた部分にソルダーレジスト８０を塗布する第２段階(Ｓ１２)と、第２段階(Ｓ１２)でソルダーレジスト８０が塗布された後、接続部にバリヤ層７５をメッキする第３段階(Ｓ１３)と、第３段階(Ｓ１３)でメッキされたバリヤ層７５にすず層７７をメッキする第４段階(Ｓ１４)とを含んで構成される。
【００２４】
第１段階(Ｓ１１)で絶縁フィルム６０は銅箔パターン７０を形成するために銅箔が施されるが、銅箔は耐熱性、耐薬品性及び所定の接着性のある接着剤６２にて取付けられるか、電解メッキを通じて形成される。
【００２５】
通常的に、電解メッキを通じて形成される銅箔の厚さは、６μmないし２５μm未満の厚さで形成され、微細パターンの場合には厚さを薄くするためにスパッタ工法を通じて銅箔が蒸着される。
【００２６】
上記のように銅箔が接着された絶縁フィルム６０はコーティング、露光、現像、エッチング及び剥離段階を経るフォトリソグラフィ工程を通じて銅箔パターン７０が形成される。
【００２７】
そして、上記のように第１段階(Ｓ１１)で形成された銅箔パターン７０は、銅箔パターン７０の酸化を防止し、銅箔パターン７０が電気的に絶縁されるようにソルダーレジスト８０を塗布する第２段階(Ｓ１２)を経る。
【００２８】
ここで、ソルダーレジスト８０は、通常的にエポキシ、ポリイミド、ウレタン等が用いられ、銅箔パターン７０と絶縁フィルム６０に容易に接着できる物質が用いられる。また、ソルダーレジスト８０としては塗布後に紫外線または熱により硬化される硬化樹脂を用いることもできる。
【００２９】
一方、ソルダーレジスト８０は電子部品が実装できるように接続部を除いた部分に塗布するが、この際、接続部にはソルダーレジスト８０が塗布されないように接続部の上にスクリーンマスクを覆った後にソルダーレジスト８０を塗布する。
【００３０】
ここで、ソルダーレジスト８０は、５μmないし５０μm未満の厚さで塗布され、熱硬化性樹脂からなるソルダーレジスト８０は、１２０℃ないし１６０℃未満の温度で約３０分以上を加熱して乾燥させる。
【００３１】
この際、ソルダーレジスト８０は、加熱過程で気泡が発生するが、加熱温度を適宜に昇温させて気泡の発生を遮ると同時に硬化加熱過程でソルダーレジスト８０に含まれたレジストソルベントが露出されて銅箔パターン７０に残留しないようにする。
【００３２】
上記のように第２段階(Ｓ１２)でソルダーレジスト８０が塗布されると、ソルダーレジスト８０が塗布されていない接続部にバリヤ層７５をメッキする第３段階(Ｓ１３)を経るようになる。
【００３３】
バリヤ層７５は、金(Ａｕ)と銀(Ａｇ)を主成分とする化合物からなるが、メッキ強度を増加させるためにセレニウム(Ｓｅ)または鉛(Ｐｂ)等の添加剤がさらに含まれる。
【００３４】
バリヤ層７５は無電解メッキ法によりメッキされるが、このためのバリヤ無電解メッキ液の組成比を見てみると、水溶性Ａｕ０.０１−５wt％、水溶性Ａｇ０.１−５wt％、ＫＣＮまたはＮａＣＮ０.１−２０wt％、イミダゾール(Imidazole)あるいはイミダゾール誘導体０.１−２０wt％、非イオン界面活性剤０.１-２０wt％、グリシン(Glycine)/ＥＤＴＡ/キレート(Chelate)剤０.１−２０wt％から組成される。
【００３５】
上記のようなバリヤ無電解メッキ液にて無電解メッキされるバリヤ層７５は、０.０１μmないし１μm未満の厚さで形成されるが、特に０.０５μmないし０.５μm未満の厚さで形成されるのが望ましい。
【００３６】
これは、バリヤ層７５の厚さが厚すぎる場合には、すずの工程処理時間が増加し、バリヤ層７５の厚さが薄すぎる場合には、すずメッキ時にすずと銅箔が合金される層が厚くなるため、最終的に必要とするすず層７７の厚さに応じて適宜な厚さで形成されるべきである。
【００３７】
また、バリヤ層７５はドット状態でメッキされ、内部に多数の空隙が形成されるが、この空隙が銅箔パターン７０の表面積の９５％未満になるようにし、特に空隙が銅箔パターン７０の表面積の５０％を超えないようにするのが望ましい。
【００３８】
第４段階(Ｓ１４)は、バリヤ層７５の上にすず層７７をメッキする段階であって、第３段階(Ｓ１３)でメッキされたバリヤ層７５の上に、すず無電解メッキが施されて銅箔の銅成分とすず無電解メッキ液のすず成分が置換され、すず層７７が形成されるようにすずメッキを施す。
【００３９】
すず無電解メッキ液は、メタンスルホン酸(Methane Sulfonic Acid) １−３０wt％、スズ−メタンスルホネート(Tin Methane Sulfonate) １−３０wt％、チオ尿酸(Thiourea) １−３０wt％、界面活性剤(負イオン)０.１−１０wt％、カルボン酸(Carboxylic Acid) ０.１−２０wt％、芳香族アミン(Aromatic Amine) ０.１−２０wt％から構成される。
【００４０】
上記のようなすず無電解メッキ液にて無電解メッキされるすず層７７は、０.０１μmないし１μm未満の厚さで形成されるが、特に０.０５μmないし０.５μm未満の厚さで形成されるのが望ましい。
【００４１】
この際、バリヤ層７５とすず層７７の接合部は加熱されるにつれて、すず(Ｓｎ)−銅(Ｃｕ)合金層７３を形成する第５段階(Ｓ１５)に進む。即ち、すず層７７は、バリヤ層７５の空隙にすず無電解メッキ液が浸透して露出された銅箔パターン７０の銅成分と置換反応を生じてすず−銅合金層７３が形成され、すず−銅合金層７３の上に純粋なすず層７７がメッキされる。
ここで、空隙にはすず−銅合金層７３が形成されて、バリヤ層７５とすず−銅合金層７３が同一位相に位置して相互結合される。
【００４２】
また、空隙の間に形成されたすず−銅合金層７３によりすず層７７に発生される層間の内部応力が押さえられるので、ウィスカーの発生可能性が下がり、すず層７７の厚さを短時間に所定の厚さでメッキさせることが可能になる。
【００４３】
さらに、バリヤ層７５により、すず無電解メッキ液と銅箔パターン７０が接触される面積が減少し、メッキ時間が短縮できて、銅箔パターン７０がすず無電解メッキ液との過度な置換によって、回路を断線させることを防止する。
【００４４】
上記のようにすずメッキされた銅箔パターン７０には電子部品の接続電極が実装されるが、接続電極は普通金材料から形成され、すず層７７のすず成分と結合されて共晶合金となり、堅固に接合される。
以上のように本発明によるテープ基板及びその製造方法を例示された図面に基づき説明したが、本発明は、本明細書に開示された実施形態と図面に限られるものはなく、その発明の技術思想の範囲内で材質を含んだ多様な変形が可能であることは当該業者に周知のものである。
【００４５】
本発明のテープ基板の製造方法は、工程の順序を変更することができ、一例として図５は、本発明の他の実施形態によるテープ基板の製造方法を示す流れ図であり、絶縁フィルムの表面に接続部を備える銅箔パターンを形成した後(Ｓ２１)、銅箔パターンにバリヤ層をメッキさせ(Ｓ２２)、銅箔パターンにバリヤ層がメッキされると接続部にメッキされたバリヤ層を除いた部分に酸化防止及び絶縁のためにソルダーレジストを塗布する(Ｓ２３)。
【００４６】
上記のように接続部を除いた部分にソルダーレジストの塗布が完了したら、接続部の上にメッキされたバリヤ層にすずをメッキする(Ｓ２４)ことにより、すず層を形成することも可能である。
【００４７】
即ち、本発明の他の実施形態によるテープ基板の製造方法は、本発明によるテープ基板の製造方法と比べて、銅箔パターンの上に形成されるソルダーレジストまたはバリヤ層の工程順序を変更したたもので、上記のようにソルダーレジストまたはバリヤ層の工程順序を変更することも可能である。そして、バリヤ層とすず層との接合部が加熱されるにつれて、すず−銅(Ｃｕ)合金層７３が形成されるように加熱する第５段階(Ｓ２５)に進む。
【００４８】
図６は、本発明のさらに他の実施形態によるテープ基板の製造方法を示す流れ図であり、絶縁フィルムの表面に接続部を備える銅箔パターンを形成した後(Ｓ３１)、銅箔パターンにバリヤ層をメッキし(Ｓ３２)、銅箔パターンにバリヤ層がメッキされるとバリヤ層にすず層が形成されるようにすずをメッキする(Ｓ３３)。
上記のようにすずがメッキされると、接続部を除いた部分に酸化防止及び絶縁のためにソルダーレジストを塗布する(Ｓ３４)。
【００４９】
一方、第３段階は、すず層がメッキされた後、バリヤ層とすず層との接合部に合金が施されるように加熱する加熱段階(Ｓ３５)をさらに含むように構成される。
【００５０】
本発明によるテープ基板の製造方法により形成されたすずメッキの実験例を詳細に説明すると次の通りである。
【００５１】
＜実験例１＞
ポリイミドフィルム上に厚さ１８μｍの銅箔からなる銅箔パターンの全面に０.１μｍのバリヤ層を形成しソルダーレジストを３０μｍの厚さで印刷した後、１５０℃の温度で６０分間硬化させて、６５℃のすずメッキ槽で形成されるすず層の厚さがそれぞれ０.２、０.３、０.４μｍになるように施した結果、ソルダーレジストの境界面にボイド及びウィスカーの発生は起こらず、一週間の時間が経過した後にもウィスカーは発生しなかった。
【００５２】
＜実験例２＞
ポリイミドフィルム上に厚さ１８μｍの銅箔からなる銅箔パターンに接続部を除いたすべての部分の全面にソルダーレジストを３０μｍの厚さで印刷及び塗布した後、１５０℃の温度で６０分間硬化させて、０.１μｍのバリヤ層を形成して６５℃のすずメッキ槽において、すず層の厚さがそれぞれ０.１、０.２、０.３μｍになるように施した結果、ソルダーレジストの境界面にボイド及びウィスカーの発生が起こらず、４５日間の時間が経過した後にもウィスカーは発生しなかった。
【００５３】
＜実験例３＞
ポリイミドフィルム上に厚さ１８μｍの銅箔からなる銅箔パターンに接続部を除いたすべての部分の全面にソルダーレジストを３０μｍの厚さで印刷及び塗布した後、１５０℃の温度で６０分間硬化させて、０.１μｍのバリヤ層を形成して６５℃のすずメッキ槽ですず層の厚さがそれぞれ０.２、０.３、０.４μｍになるように施した後、１２０℃の温度で１２０分間乾燥した結果でも良好な特性を示した。
【００５４】
＜実験例４＞
ポリイミドフィルム上に厚さ１８μｍの銅箔からなる銅箔パターンに接続部を除いたすべての部分の全面にソルダーレジストを３０μｍの厚さで印刷及び塗布した後、１５０℃の温度で６０分間硬化させて、０.１μｍのバリヤ層を形成して６５℃のすずメッキ槽で、すず層の厚さが０.１μｍになるように施した後、１２０℃の温度で１２０分間１次乾燥してから再び２次のすずメッキを施して純粋すず層の厚さが０.１μｍになるようにメッキを施した結果 、何の問題点も発見されなかった。
【００５５】
上記の実験例の無電解すずメッキ処理において、最適のバリヤ層を形成させるために、銅箔パターンの形成されたテープ基板を硫酸(H2SO4)を主成分とする溶液中に４５℃で６０秒間酸脱脂し、常温純水で洗浄した後、銅表面の酸化膜の除去のためのマイクロエッチングし、洗浄後にバリヤ層を形成し、すずメッキの場合には、表面光沢のためにＭＳＡ(Methane Sulfonic Acid)が１５％の割合で組成したすずメッキ液を用いて施した後、４５℃の温度で３０秒間洗浄してから乾燥させた。
バリヤ層とすずメッキを別途に施した場合にも実施条件とは変わらない。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】図１は、 従来の技術によるテープ基板を示す断面図である。
【図２】図２は、 本発明によるテープ基板を示す平面図である。
【図３】図３は、 本発明によるテープ基板を示す断面図である。
【図４】図４は、 本発明によるテープ基板の製造方法を示す順序図である。
【図５】図５は、本発明の他の実施例によるテープ基板の製造方法を示す順序図である。
【図６】図６は、本発明のさらに他の実施例によるテープ基板の製造方法を示す順序図である。
【符号の説明】
【００５７】
６０：絶縁フィルム
６２：接着剤
６５：アライン・ホール
７０：銅箔パターン
７３：すず−銅合金層
７５：バリヤ層
７７：すず層
８０：ソルダーレジスト
【図１】
2004307995.tif 000003
【図２】
2004307995.tif 000004
【図３】
2004307995.tif 000005
【図４】
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【図５】
2004307995.tif 000007
【図６】
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