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【手続補正書】
【提出日】平成24年7月4日(2012.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードチップを支持し、前記発光ダイオードチップから放出される光の少なくとも一部を反射する、フルオロポリマーを含む発光ダイオード筺体。
【請求項２】
請求項１に記載の発光ダイオード筺体により支持される発光ダイオードチップを含む、発光ダイオード。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
特定の特徴はまた、明瞭にするために、別個の実施形態で記載されているが、単一の実施形態において組み合わせで提供されてもよいものと考えられる。反対に、簡潔にするために、単一の実施形態で記載された様々な特徴は、別個に、または任意のサブコンビネーションで提供されてもよい。さらに、範囲で示された値を示すとき、その範囲内のあらゆる値が含まれる。
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
１．発光ダイオードチップを支持し、前記発光ダイオードチップから放出される光の少なくとも一部を反射する、フルオロポリマーを含む発光ダイオード筺体。
２．前記１に記載の発光ダイオード筺体により支持される発光ダイオードチップを含む、発光ダイオード。
３．前記発光ダイオード筺体が、前記発光ダイオード筺体を構成する全材料の重量を基準として、少なくとも約３０重量％のフルオロポリマーを含む、前記１に記載の発光ダイオード筺体。
４．前記フルオロポリマーが、溶融処理可能な半結晶パーフルオロポリマーを含む、前記１に記載の発光ダイオード筺体。
５．前記フルオロポリマーが、前記フルオロポリマーに分散したフィラーをさらに含む、前記１に記載の発光ダイオード筺体。
６．前記フィラーが、可視光の散乱体を含む、前記５に記載の発光ダイオード筺体。
７．前記可視光の散乱体が、白色顔料を含む、前記６に記載の発光ダイオード筺体。
８．前記白色顔料が、二酸化チタンを含む、前記７に記載の発光ダイオード筺体。
９．前記白色顔料の量が、前記フルオロポリマーおよび前記白色顔料の総合重量を基準として、約０．１〜約４０重量パーセントである、前記７に記載の発光ダイオード筺体。
１０．前記発光ダイオード筺体の３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの波長範囲にわたる明所視反射率が、少なくとも約９５％である、前記７に記載の発光ダイオード筺体。
１１．前記フルオロポリマーの３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの波長範囲にわたる明所視反射率が、少なくとも約８０％である、前記１に記載の発光ダイオード筺体。
１２．前記フィラーが、前記フルオロポリマーの曲げ弾性率を修正する、前記５に記載の発光ダイオード筺体。
１３．前記フィラーが、前記フルオロポリマーの線熱膨張率を修正する、前記５に記載の発光ダイオード筺体。
１４．前記フィラーが、前記フルオロポリマーの熱伝導率を修正する、前記５に記載の発光ダイオード筺体。
１５．前記フィラーの量が、前記フルオロポリマーおよび前記フィラーの総合重量を基準として、約１〜約７０重量パーセントである、前記５に記載の発光ダイオード筺体。
１６．前記フィラーが、ガラス繊維を含む、前記５に記載の発光ダイオード筺体。
１７．前記フィラーが、中空ガラスマイクロスフェアを含む、前記５に記載の発光ダイオード筺体。
１８．前記フルオロポリマーが、発光化合物をさらに含む、前記１に記載の発光ダイオード筺体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月6日(2012.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動局装置がアップリンク変調方式を選択する方法であって、
ダウンリンク制御情報（ＤＣＩ）を受信するステップと、
スイッチングビットを含んだ前記ＤＣＩをデコードするステップと、
前記スイッチングビットによって、アップリンク変調方式として、ＳＣ−ＦＤＭＡかクラスタ化ＳＤ−ＦＤＭＡかを選択するステップと、
選択された前記アップリンク変調方式を用いて、アップリンク信号を送信するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項２】
受信した前記ＤＣＩは、プレコーディングマトリックスインデックス（ＰＭＩ）情報を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
受信した前記ＤＣＩは、変調／符号化方式（ＭＣＳ）を１つだけ含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
基地局装置で実行されることによって、アップリンク変調方式を選択する方法であって、
移動局装置で使用されるアップリンク変調方式を決定するステップと、
決定された前記アップリンク変調方式を示すスイッチングビットを含んだダウンリンク制御情報（ＤＣＩ）のフォーマットを選択するステップと、
前記移動局装置へ前記ＤＣＩを送信するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項５】
送信した前記ＤＣＩは、プレコーディングマトリックスインデックス（ＰＭＩ）情報を含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
送信した前記ＤＣＩは、変調／符号化方式（ＭＣＳ）を１つだけ含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】
アップリンク変調方式を選択する移動局装置であって、
ダウンリンク制御情報（ＤＣＩ）を受信する手段と、
スイッチングビットを含んだ前記ＤＣＩをデコードする手段と、
前記スイッチングビットによって、アップリンク変調方式として、ＳＣ−ＦＤＭＡかクラスタ化ＳＤ−ＦＤＭＡかを選択する手段と、
選択された前記アップリンク変調方式を用いて、アップリンク信号を送信する手段とを有することを特徴とする移動局装置。
【請求項８】
受信した前記ＤＣＩは、プレコーディングマトリックスインデックス（ＰＭＩ）情報を含むことを特徴とする請求項７に記載の移動局装置。
【請求項９】
受信した前記ＤＣＩは、変調／符号化方式（ＭＣＳ）を１つだけ含むことを特徴とする請求項７に記載の移動局装置。
【請求項１０】
アップリンク変調方式の選択に用いられる基地局装置であって、
移動局装置で使用されるアップリンク変調方式を決定する手段と、
決定された前記アップリンク変調方式を示すスイッチングビットを含んだダウンリンク制御情報（ＤＣＩ）のフォーマットを選択する手段と、
前記移動局装置へ前記ＤＣＩを送信する手段とを有することを特徴とする基地局装置。
【請求項１１】
送信した前記ＤＣＩは、プレコーディングマトリックスインデックス（ＰＭＩ）情報を含むことを特徴とする請求項１０に記載の基地局装置。
【請求項１２】
送信した前記ＤＣＩは、変調／符号化方式（ＭＣＳ）を１つだけ含むことを特徴とする請求項１０に記載の基地局装置。
【請求項１３】
アップリンク変調方式を選択する移動局装置に備えられる集積回路であって、
ダウンリンク制御情報（ＤＣＩ）を受信する手段と、
スイッチングビットを含んだ前記ＤＣＩをデコードする手段と、
前記スイッチングビットによって、アップリンク変調方式として、ＳＣ−ＦＤＭＡかクラスタ化ＳＤ−ＦＤＭＡかを選択する手段と、
選択された前記アップリンク変調方式を用いて、アップリンク信号を送信する手段と、として機能することを特徴とする集積回路。
【請求項１４】
受信した前記ＤＣＩは、プレコーディングマトリックスインデックス（ＰＭＩ）情報を含むことを特徴とする請求項１３に記載の集積回路。
【請求項１５】
受信した前記ＤＣＩは、変調／符号化方式（ＭＣＳ）を１つだけ含むことを特徴とする請求項１３に記載の集積回路。
【請求項１６】
アップリンク変調方式の選択に用いられる基地局装置に備えられる集積回路であって、
移動局装置で使用されるアップリンク変調方式を決定する手段と、
決定された前記アップリンク変調方式を示すスイッチングビットを含んだダウンリンク制御情報（ＤＣＩ）のフォーマットを選択する手段と、
前記移動局装置へ前記ＤＣＩを送信する手段と、として機能することを特徴とする集積回路。
【請求項１７】
受信した前記ＤＣＩは、プレコーディングマトリックスインデックス（ＰＭＩ）情報を含むことを特徴とする請求項１６に記載の集積回路。
【請求項１８】
受信した前記ＤＣＩは、変調／符号化方式（ＭＣＳ）を１つだけ含むことを特徴とする請求項１６に記載の集積回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アップリンク変調方式を選択する方法、移動局装置、基地局装置、及び集積回路
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月3日(2011.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの光起電性レシーバ（１２）と、前記光起電性レシーバ（１２）上に太陽エネルギを集中させるように構成された反射器具（１４）とを備える高集中性太陽光発電システムにおいて、
前記光起電性レシーバ（１２）は、長手方向（３０）に沿って延びる筒状体（２８）を備え、前記筒状体（２８）内に複数の帯状の光起電性材料（３２）が固定され、前記筒状体（２８）は、前記反射器具（１４）から少なくとも一つの帯状の焦点領域へ反射した太陽輻射を前記光起電性材料（３２）に集中させるように構成された少なくとも一つのレンズ（３４）を備えることを特徴とする高集光型の太陽光発電システム。
【請求項２】
前記帯状の光起電性材料（３２）は前記長手方向（３０）に対して横断するように配置され、前記長手方向（３０）に沿って相互から離間して配置されることを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電システム。
【請求項３】
前記少なくとも一つのレンズ（３４）は球面レンズ（３４）であることを特徴とする請求項２に記載の太陽光発電システム。
【請求項４】
前記帯状の光起電性材料（３２）は前記長手方向（３０）に対して平行に配置されることを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電システム。
【請求項５】
前記少なくとも一つのレンズ（３４）は前記長手方向（３０）に対して平行な円柱レンズであることを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電システム。
【請求項６】
冷却液が前記筒状体（２８）内を流動するように製造されることを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電システム。
【請求項７】
各帯状の光起電性材料（３２）は各レンズ（３４）に関連付けられることを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電システム。
【請求項８】
前記筒状体（２８）は、各前面に沿って相互に固定された軸線方向に沿った複数の部分を備え、各部分（３８）は各レンズ（３４）を備えることを特徴とする請求項３に記載の太陽光発電システム。
【請求項９】
前記筒状体（２８）内には鏡（４４）が収納され、前記鏡（４４）は前記レンズ（３４）によって集中させた前記太陽輻射を受け入れ、かつ前記帯状の光起電性材料（３２）上に反射することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の太陽光発電システム。
【請求項１０】
前記反射器具（１４）は相互に対して平行な複数の長尺状の鏡（１６）を備え、前記鏡（１６）は、前記太陽輻射を常に前記光起電性レシーバ（１２）上に集中させ続けるように配向可能であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の太陽光発電システム。
【請求項１１】
前記光起電性レシーバ（１２）は前記鏡（１６）の反射面に対して平行に延びることを特徴とする請求項１０に記載の太陽光発電システム。
【請求項１２】
太陽の方位角の移動に応じて前記反射器具（１４）を配向し、かつ独立した前記鏡（１６）を各回転軸線の周りに配向させるために二つの自由度を備えた位置決め及び位置調節システムを備えることを特徴とする請求項１０に記載の太陽光発電システム。
【請求項１３】
前記少なくとも一つの光起電性レシーバ（１２）を、前記反射器具（１４）から一定の距離だけ離間した位置に支持するための支持構造（１８）を備えることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の太陽光発電システム。
【請求項１４】
導電体および冷却液を通すためのダクト（２０、２２）を備えることを特徴とする請求項６に記載の太陽光発電システム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月27日(2012.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板上に堆積されている触媒層と、
リソグラフィプロファイルを画定する前記触媒層から非周期的パターンで成長した複数のナノ構造と、
を備えるテンプレートであって、
前記ナノ構造のアスペクト比が、ナノ構造の成長によって制御され、前記ナノ構造の少なくとも１つが、垂直圧下で前記ナノ構造の前記リソグラフィプロファイルを維持するような硬度を有するテンプレート。
【請求項２】
前記触媒層が、前記非周期的パターンでパターニングされている、請求項１に記載のテンプレート。
【請求項３】
前記テンプレートがナノインプリントリソグラフィに使用されるとき、前記テンプレートと共に連続したくぼみを生じさせる成長したナノ構造のフォレストを備える、請求項１または２に記載のテンプレート。
【請求項４】
個々に垂直方向に整列している複数のナノ構造と、
垂直方向に整列しているナノ構造の少なくとも１つのアレイと、
を更に備えるテンプレートであって、
前記テンプレートがナノインプリントリソグラフィに使用されるとき、前記垂直方向に整列しているナノ構造のそれぞれが、単一のくぼみを生じさせる、請求項３に記載のテンプレート。
【請求項５】
前記ベース基板が、シリコンウエハ、酸化した／コーティングしたシリコンウエハ、金属コーティングしたシリコンウエハ、窒化物コーティングしたシリコンウエハ、炭化ケイ素ウエハ、ガラス基板、セラミック、ポリマー、ＩＴＯ、金属および金属合金からなる群より選択される材料から製造される、請求項１〜４のいずれかに記載のテンプレート。
【請求項６】
前記少なくとも１つのナノ構造が、ナノチューブ、ナノワイヤ、ナノ繊維、ナノコーン、ナノウイスカ、およびナノホーンからなる群より選択される材料から製造される、請求項１〜５のいずれかに記載のテンプレート。
【請求項７】
前記ナノ構造のぞれぞれが、ポリマー、金属、半導体および絶縁体からなる群より選択される薄膜の形の材料で被覆されている、請求項１〜６のいずれかに記載のテンプレート。
【請求項８】
前記垂直圧が１バール〜２００バールを超える垂直圧に達し、好ましくは１バール〜６０バールの垂直圧に達する、請求項１〜７のいずれかに記載のテンプレート。
【請求項９】
前記ベース基板が紫外線透過材料製である場合、前記テンプレートがさらに、前記ベース基板と前記触媒層の間に配置された支持層を備える、請求項１〜８のいずれかに記載のテンプレート。
【請求項１０】
テンプレートを形成する方法であって、
基板を提供するステップと、
請求項１〜９のいずれかに記載のテンプレートを用いてインプリンティングによって前記基板にテンプレートパターンを転写するステップと、
前記基板上に複数のナノ構造を成長させるステップと、
を含む方法。
【請求項１１】
材料を穿孔するための、請求項１〜９のいずれかに記載のテンプレートの使用。
【請求項１２】
インプリンティングによって高密度物質に空気を取り込むことにより低誘電体を形成するための、請求項１〜９のいずれかに記載のテンプレートの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月20日(2012.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
[0051]  その後、測定されたガス圧力は、制御抽出（ステップ３１０）−充填構造からの気相緩衝流体が圧力Ｐ＞Ｐ１という所定の第１閾値を超えている場合−を示し、または制御供給（ステップ３２０）−圧力が圧力Ｐ＜Ｐ２という第２閾値未満である場合−を示す。もちろん、第１閾値圧力Ｐ１は第２閾値圧力Ｐ２未満である。従って、気液相緩衝流体の供給および／または抽出は、緩衝流体の蒸発を介して物品の温度を制御するために、測定された熱力学特性に関連して制御される。Ｐ１の表示圧力（より低い第１閾値）は、２６．４４ミリバール未満の緩衝流体としての水について、例えば、２６．４〜２６．４４ミリバールの範囲の閾値であり得る。Ｐ２の表示圧力（より高い第２閾値）は、２６．４４ミリバールを超える緩衝流体としての水について、例えば、＋／−２０ｍＫ範囲に対して２６．４８ミリバールという範囲の閾値であり得る。本明細書に記載の数値は小数点を使用して示されることが当業者には明らかである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月17日(2012.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理ツールにおいて使用するためのワンピースサセプタリングであって、
形成された開口を有するプレートと、
前記プレートの下面から延びる少なくとも１つのリブと、
前記リブに形成され、内部に温度測定装置を受け入れるように構成される穴と、を備え、
前記穴は、非貫通穴を形成する、ワンピースサセプタリング。
【請求項２】
前記穴は、円形断面形状を有する、請求項１に記載のワンピースサセプタリング。
【請求項３】
半導体処理ツールにおいて使用するためのサセプタリングであって、
形成された開口を有するプレートと、
前記プレートの下面に一体的に接続され、前記開口の反対側に位置する一対の側面リブと、
前記一対の側面リブそれぞれに形成された穴であって、前記各穴は、温度測定装置を受け入れるように構成される、穴と、
前記開口の周囲に配置され、かつ前記プレートの前記下面に接続されると共に前記プレートの前記下面から下方に延びるリングリブと、を備えるサセプタリング。
【請求項４】
前記リングリブは、前記プレートの前記下面から約０．１から１インチ延びる、請求項３に記載のサセプタリング。
【請求項５】
前記側面リブ間に位置し、かつ前記プレートの前記下面に一体的に接続される中央リブをさらに備える、請求項３に記載のサセプタリング。
【請求項６】
前記プレート及び前記側面リブは、グラファイト、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、及びケイ素（Ｓｉ）からなる群から選択された材料で形成される、請求項３に記載のサセプタリング。
【請求項７】
前記プレート及び前記側面リブは、炭化ケイ素（ＳｉＣ）で覆われる、請求項６に記載のサセプタリング。
【請求項８】
前記プレートの厚みは、約０．１から１インチである、請求項３に記載のサセプタリング。
【請求項９】
前記一対の側面リブは、長さを有し、前記穴は、前記側面リブの長さの少なくとも半分の長さまで及ぶ、請求項３に記載のサセプタリング。
【請求項１０】
半導体処理ツールにおいて使用するためのワンピースサセプタリングであって、
形成された開口と、上面及び下面とを有するプレートと、
前記プレートの前記下面に一体的に接続される第１の側面リブと、
前記第１の側面リブに形成される第１の穴と、
前記プレートの前記下面に一体的に接続される第２の側面リブと、
前記第２の側面リブに形成される第２の穴と、
前記プレートの前記下面に一体的に接続され、前記第１及び第２の側面リブの間に位置する中央リブと、
前記第中央リブに形成される第３の穴と、
前記プレートの前記下面に一体的に接続され、前記開口の周囲に位置するリングリブと、を備える、ワンピースサセプタリング。
【請求項１１】
前記第１の側面リブ、前記第２の側面リブ及び前記中央リブは、前記リングリブに一体的に接続される、請求項１０に記載のワンピースサセプタリング。
【請求項１２】
前記第１の穴、前記第２の穴及び前記第３の穴それぞれは、前記プレートの後縁に隣接して位置する開口部を含む、請求項１０に記載のワンピースサセプタリング。
【請求項１３】
前記第１の穴、前記第２の穴及び前記第３の穴それぞれの前記開口の反対端は、シールされている、請求項１２に記載のワンピースサセプタリング。
【請求項１４】
前記第１の側面リブ、前記第２の側面リブ及び前記中央リブは、線状部材である、請求項１０に記載のワンピースサセプタリング。
【請求項１５】
半導体処理ツールのためのリアクタであって、
内部に反応空間を画定し、ガス入口及びガス出口を含む反応チャンバと、
前記反応空間内に配置されるサセプタと、
前記サセプタの周囲に配置されるワンピースサセプタリングであって、前記ワンピースサセプタリングは、前記ガス入口へ向かう前縁と、前記ガス出口へ向かう後縁と、相対する一対の外側縁とを有し、前記ワンピースサセプタリングは、前記後縁から前記前縁へ向かって延びる第１、第２及び第３の穴を含み、前記第１の穴は、前記外側縁の一方と隣接して配置され、前記第２の穴は、前記外側縁の他方と隣接して配置され、前記第３の穴は、前記サセプタの下流縁に隣接する端部を有し、前記各穴は、少なくとも１つの温度測定装置を受け入れるように構成される、ワンピースサセプタリングと、を備え、
少なくとも１つの前記温度測定装置のそれぞれは、全体的に前記前縁の下流に位置する、リアクタ。
【請求項１６】
前記サセプタリングは、内部に形成された少なくとも１つの穴を含み、前記少なくとも１つの穴は、前記少なくとも１つの温度測定装置を受け入れるように構成され、前記各穴は、非貫通穴を含む、請求項１５に記載のリアクタ。
【請求項１７】
厚みを有するプレートと、
前記厚みを介して形成される開口であって、前記サセプタリングは、前記開口内に配置される、開口と、を備え、
前記穴は、前記後縁を介して前記プレート内に形成され、前記プレート内の非貫通穴として形成される、請求項１５に記載のリアクタ。
【請求項１８】
後縁をさらに備え、
前記非貫通穴は、前記後縁からのみ受け入れ可能である、請求項１に記載のワンピースサセプタリング。
【請求項１９】
後縁の反対側の前縁をさらに備え、流体は、前記前縁から前記後縁へ向かって流れるように適合され、
前記流体は、前記前縁から前記後縁へ向かって流れた場合に、前記穴へ侵入できない、請求項１に記載のワンピースサセプタリング。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月26日(2012.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板層、該基板層を覆うパッシベーション層、及び該パッシベーション層の上面の上に延在する複数のバンプ下地金属（ＵＳＢ）を有する半導体デバイスのための、誘電体封入を用いる方法であって、
前記パッシベーション層を覆うフォトイメージャブル永久誘電体層を形成するステップ、
前記誘電体層をパターン化して、前記誘電体層に複数の開口部を形成するステップであって、各開口部がそれぞれ１つの前記バンプ下地金属の上方に位置し、各開口部が側壁を有するステップ、
前記複数の開口部のそれぞれにフラックス材料を付加するステップ、
前記各開口部中の前記フラックス材料のそれぞれの上面にハンダを付与するステップ、及び
前記半導体デバイスを前記ハンダのリフローに適切なリフロー温度に加熱することにより、前記ハンダが前記各開口部のそれぞれの側壁に合致し、前記各開口部のそれぞれの側壁を被覆して、保護シールを形成するステップ、
を備える方法。
【請求項２】
前記誘電体層を形成するステップは、液体誘電体を用いることを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記誘電体層を形成するステップは、ドライフィルムラミネートを用いることを含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記誘電体層は１−３００マイクロメートルの厚さを有する、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記半導体デバイスは、前記基板層の上かつ前記バンプ下地金属の一つの下に位置する入力／出力パッドをさらに有する、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記パターン化の後、前記誘電体層はそれぞれの前記バンプ下地金属と少なくとも１ミクロンだけオーバラップする、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記基板層はシリコンを含む、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記ハンダは少なくとも一つのハンダ球である、請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記ハンダはハンダペーストである、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記ハンダは複数のハンダ球であり、前記加熱の後、各ハンダ球の外面はそれぞれの前記開口部の端部を超えて横方向に外側へ延在する請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記ハンダはフラックスを含まない請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記フラックス材料を付加するステップは、前記フラックス材料を分与またはステンシル印刷することを含む請求項１記載の方法。
【請求項１３】
基板層、該基板層を覆うパッシベーション層、及び該パッシベーション層の上面の上に延在する複数のバンプ下地金属（ＵＳＢ）を有する半導体デバイスのための、誘電体封入を用いる方法であって、
前記パッシベーション層を覆うフォトイメージャブル永久誘電体材料の層を形成するステップ、
前記フォトイメージャブル永久誘電体材料の層をパターン化して、複数の開口部を形成するステップであって、各開口部がそれぞれの入力／出力パッドの一部分を露出させるステップ、
前記各開口部内に、フラックスを含むハンダを付与するステップ、及び
前記半導体デバイスを前記ハンダのリフローに適切なリフロー温度に加熱することにより、前記ハンダが前記各開口部の側壁に合致し、さらに前記各開口部を充填して、保護シールを形成するステップ、
を備える方法。
【請求項１４】
前記フォトイメージャブル永久誘電体材料の層は液体誘電体である、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記フォトイメージャブル永久誘電体材料の層はドライフィルムラミネートである、請求項１３記載の方法。
【請求項１６】
前記フォトイメージャブル永久誘電体材料の層は１−３００マイクロメートルの厚さを有する、請求項１３記載の方法。
【請求項１７】
前記ハンダは複数のハンダ球であり、前記加熱の後、各ハンダ球の外面はそれぞれの前記開口部の端部を超えて横方向に外側へ延在する請求項１３記載の方法。
【請求項１８】
基板層、
前記基板層の上面の上に位置する少なくとも一つの入力／出力（Ｉ／Ｏ）パッド、
前記基板層の上面の上及び前記各入力／出力（Ｉ／Ｏ）パッドの上面の一部分の上に位置するパッシベーション層、
前記各入力／出力（Ｉ／Ｏ）パッドの上面の上に位置する少なくとも一つのバンプ下地金属（ＵＳＢ）、
前記基板層の上面の上及び前記バンプ下地金属（ＵＢＭ）の上面の上に位置し、各機能部の上方に開口部を有するようにパターン化されたフォトイメージャブル永久誘電体材料の層、
前記永久誘電体材料の開口部の内部に位置するフラックス材料、及び
前記フラックス材料の上面に位置する、フラックスを含まない少なくとも一つのハンダ球、
を備える半導体デバイスであって、
前記半導体デバイスは、前記少なくとも一つのハンダ球のリフローに適切なリフロー温度に加熱することにより形成され、それによって前記少なくとも一つのハンダ球が前記永久誘電体材料の開口部の側壁に合致して保護シールを形成している、半導体デバイス。
【請求項１９】
基板層、
前記基板層の上面の上に位置する少なくとも一つの入力／出力（Ｉ／Ｏ）パッド、
前記基板層の上面の上及び前記各入力／出力（Ｉ／Ｏ）パッドの上面の一部分の上に位置するパッシベーション層、
前記各入力／出力（Ｉ／Ｏ）パッドの上面の上に位置する少なくとも一つのバンプ下地金属（ＵＳＢ）、
前記基板層の上面の上及び前記バンプ下地金属（ＵＢＭ）の上面の上に位置し、各機能部の上方に開口部を有するようにパターン化されたフォトイメージャブル永久誘電体材料の層、及び
前記永久誘電体材料の開口部の内部に位置する、フラックスを含む少なくとも一つのハンダ球、
を備える半導体デバイスであって、
前記半導体デバイスは、前記少なくとも一つのハンダ球のリフローに適切なリフロー温度に加熱することにより形成され、それによって前記少なくとも一つのハンダ球が前記永久誘電体材料の開口部の側壁に合致して保護シールを形成している、半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月6日(2012.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
媒体アクセス制御（ＭＡＣ）エンティティを再構成するように構成された無線送受信ユニット（ＷＴＲＵ）において、
ＭＡＣ再構成要求をｅノードＢへ送信するように構成された送信機と、
新しいＭＡＣパラメータ値と、前記ＭＡＣパラメータ値を有効にする時間を前記ＷＴＲＵへ通知するインジケータとを含むＭＡＣ再構成コマンドを受信するように構成された受信機であって、前記ＭＡＣパラメータ値は不連続受信（ＤＲＸ）パラメータ値を含んでいる受信機と、
前記ＭＡＣ再構成コマンドの中の前記受信されたＭＡＣパラメータ値に基づいて、前記ＭＡＣエンティティを再構成するように構成されたプロセッサと
を備えたことを特徴とするＷＴＲＵ。
【請求項２】
前記ＭＡＣパラメータ値は、ランダムアクセスチャネル（ＲＡＣＨ）パラメータ値をさらに含み、前記パラメータ値は、ＲＡＣＨ手順の開始に応答して適用されることを特徴とする請求項１に記載のＷＴＲＵ。
【請求項３】
前記ＭＡＣパラメータ値は、ハイブリッド自動再送信要求（ＨＡＲＱ）プロセスパラメータをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のＷＴＲＵ。
【請求項４】
前記ＭＡＣパラメータ値は、セミパシスタントスケジューリング（ＳＰＳ）パラメータ値をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のＷＴＲＵ。
【請求項５】
前記プロセッサは、タイマーの再初期化に基づいて新しいタイマー値を調整し、カウンタの再初期化に基づいてカウンタパラメータ値を調整するようにさらに構成されていることを特徴とする請求項１に記載のＷＴＲＵ。
【請求項６】
前記受信機は、パラメータ値を調整する時間を含むメッセージを受信するようにさらに構成され、前記プロセッサは、前記メッセージに基づいてパラメータ値を調整するようにさらに構成されていることを特徴とする請求項１に記載のＷＴＲＵ。
【請求項７】
前記プロセッサは、システムフレーム番号（ＳＦＮ）に基づいてパラメータ値を調整するようにさらに構成されていることを特徴とする請求項１に記載のＷＴＲＵ。
【請求項８】
前記プロセッサは、次の時間送信間隔（ＴＴＩ）で、パラメータ値を調整するようにさらに構成されていることを特徴とする請求項１に記載のＷＴＲＵ。
【請求項９】
媒体アクセス制御（ＭＡＣ）エンティティをリセットするように構成された無線送受信ユニット（ＷＴＲＵ）において、
ＭＡＣリセット要求を無線リソースコントローラ（ＲＲＣ）へ送信するように構成された送信機と、
前記ＭＡＣリセット要求の送信に基づいて、前記ＭＡＣエンティティに関連付けられたタイマーＴｍａｃ＿ｒｅｓｅｔを始動するように構成されたプロセッサと、
ＭＡＣリセットコマンドを受信するように構成された受信機と、
前記タイマーの時間切れまたはＭＡＣリセットコマンドの受信のいずれかに応答して、の前記ＭＡＣエンティティをリセットするように構成されたプロセッサと
を備えたことを特徴とするＷＴＲＵ。
【請求項１０】
前記受信機は、高次レイヤのエンティティからＭＡＣリセット指示を受信するようにさらに構成されていることを特徴とする請求項９に記載のＷＴＲＵ。
【請求項１１】
前記受信機は、ランダムアクセスチャネル（ＲＡＣＨ）パラメータに対するＭＡＣリセットコマンドを受信するようにさらに構成されていることを特徴とする請求項９に記載のＷＴＲＵ。
【請求項１２】
前記受信機は、不連続受信（ＤＲＸ）パラメータに対するＭＡＣリセットコマンドを受信するようにさらに構成されていることを特徴とする請求項９に記載のＷＴＲＵ。
【請求項１３】
前記受信機は、ハイブリッド自動再送信要求（ＨＡＲＱ）パラメータに対するＭＡＣリセットコマンドを受信するようにさらに構成されていることを特徴とする請求項９に記載のＷＴＲＵ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月12日(2012.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置であって、
望ましい放射および望ましくない放射を含む放射ビームを、プラズマを使用して生成する放射源と、
前記放射ビームを調整し、かつ前記リソグラフィ装置の動作中に水素ガスを受ける照明システムと、
パターニングデバイスを保持するサポート構造であって、前記パターニングデバイスは、前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成することができる、サポート構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、
を備え、
前記リソグラフィ装置は、前記照明システムに入射する際の前記放射ビームが、前記プラズマにより生成された前記望ましくない放射を少なくとも５０％含み、かつ水素ラジカルを生成するための前記水素ガスと相互作用する放射波長を含む、
リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記望ましい放射は、極端紫外線放射を含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記望ましくない放射は、紫外線放射および／または深紫外線放射を含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記投影システムは、前記リソグラフィ装置の動作中に水素ガスを受け、
前記リソグラフィ装置は、前記投影システムに入射する際の前記放射ビームが、前記プラズマにより生成された前記望ましくない放射を少なくとも５０％含み、かつ水素ラジカルを生成するための前記水素ガスと相互作用する波長放射を含む、
請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記投影システム内に設けられる１つ以上のフィルタをさらに備え、前記１つ以上のフィルタは、前記水素ラジカルの生成を補助する望ましくない波長の放射をフィルタ除去する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記１つ以上のフィルタは、前記放射ビームを最後に受ける前記投影システムの端部に配置される、請求項５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記１つ以上のフィルタは、前記投影システムと前記基板テーブルとの間に配置される、請求項５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記１つ以上のフィルタは、前記リソグラフィ装置の動的ガスロックに隣接して配置される、請求項５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記１つ以上のフィルタは、スペクトル純度フィルタである、請求項５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
リソグラフィ装置であって、
プラズマを使用して放射ビームを生成するように構成された放射源と、
前記放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
パターニングデバイスを保持するように構成されたサポート構造であって、前記パターニングデバイスは、前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成することができる、サポート構造と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、
を備え、
前記放射源、前記照明システム、および前記投影システムのうちの１つ以上は、前記リソグラフィ装置の動作中に水素ガスおよび不活性ガスを受けるように構成され、前記水素ガスにより提供される洗浄量を増加させるために、前記放射ビームは、前記不活性ガスと相互作用して原子水素を生成する、
リソグラフィ装置。
【請求項１１】
放射源の一部を形成するプラズマを使用して放射ビームを生成することと、
前記放射ビームを調整する照明システムを通して前記放射ビームを誘導することと、
前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成するパターニングデバイス上に前記放射ビームを誘導することと、
投影システムを使って基板のターゲット部分上に前記パターン付き放射ビームを投影することと、
前記放射源、前記照明システム、および前記投影システムのうちの１つ以上に水素ガスおよび不活性ガスの混合物を供給することと、
前記水素ガスによって提供される洗浄量を増加させるために、前記放射ビームおよび前記不活性ガスを使って原子水素を生成することと、
を含む、
デバイス製造方法。
【請求項１２】
前記混合物は、少なくとも８０％の水素を含む、請求項１１に記載のデバイス製造方法。
【請求項１３】
前記混合物は、少なくとも９０％の水素を含む、請求項１１に記載のデバイス製造方法。
【請求項１４】
前記混合物は、少なくとも９５％の水素を含む、請求項１１に記載のデバイス製造方法。
【請求項１５】
前記混合物は、少なくとも９９％の水素を含む、請求項１１に記載のデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月3日(2012.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
【化２１】
2011530527.tif 000001
【化２２】
2011530527.tif 000002
【化２３】
2011530527.tif 000003
【化２４】
2011530527.tif 000004
【化２５】
2011530527.tif 000005
【化２６】
2011530527.tif 000006
【化２７】
2011530527.tif 000007
【化２８】
2011530527.tif 000008
からなる群から選択される構造式で表される化合物または薬学的に許容されるその塩。
【請求項２】
【化２９】
2011530527.tif 000009
からなる群から選択される構造式で表される化合物または薬学的に許容されるその塩。
【請求項３】
請求項１または２に記載の化合物または薬学的に許容されるその塩および薬学的に許容される担体、補助剤またはビヒクルを含む組成物。
【請求項４】
被験体のプロテインキナーゼ媒介状態を治療または予防するための組成物であって、有効量の請求項１から２のいずれか一項に記載の化合物もしくは薬学的に許容されるその塩を含む組成物。
【請求項５】
前記プロテインキナーゼ媒介状態がＰＫＣ媒介状態である、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
前記ＰＫＣ媒介状態がＰＫＣθ媒介状態である、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記ＰＫＣθ媒介状態が、自己免疫疾患、炎症性疾患または増殖性もしくは過剰増殖性疾患である、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
前記ＰＫＣθ媒介状態が、ぜんそく、乾癬、関節炎、関節リウマチ、関節の炎症、多発性硬化症、糖尿病、炎症性大腸炎、移植片拒絶、Ｔ細胞白血病、リンパ腫および狼瘡からなる群から選択される、請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
前記ＰＫＣθ媒介状態が自己免疫疾患である、請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
前記自己免疫疾患が、多発性硬化症、関節リウマチ、過敏性腸疾患からなる群から選択される、請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
前記自己免疫疾患が多発性硬化症である、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１２】
前記自己免疫疾患が関節リウマチである、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１３】
前記自己免疫疾患が過敏性腸疾患である、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１４】
前記ＰＫＣθ媒介状態が、Ｔ細胞白血病およびリンパ腫からなる群から選択される、請求項７に記載の組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は、例えば、以下を提供する：
（項目１）
【化２１】
2011530527.tif 000010
【化２２】
2011530527.tif 000011
【化２３】
2011530527.tif 000012
【化２４】
2011530527.tif 000013
【化２５】
2011530527.tif 000014
【化２６】
2011530527.tif 000015
【化２７】
2011530527.tif 000016
【化２８】
2011530527.tif 000017
からなる群から選択される構造式で表される化合物または薬学的に許容されるその塩。
（項目２）
【化２９】
2011530527.tif 000018
からなる群から選択される構造式で表される化合物または薬学的に許容されるその塩。
（項目３）
項目１または２に記載の化合物または薬学的に許容されるその塩および薬学的に許容される担体、補助剤またはビヒクルを含む組成物。
（項目４）
被験体のプロテインキナーゼ媒介状態を治療または予防する方法であって、前記被験体に有効量の項目１から３のいずれか一項に記載の化合物もしくは薬学的に許容されるその塩または組成物を投与することを含む方法。
（項目５）
前記プロテインキナーゼ媒介状態がＰＫＣ媒介状態である、項目４に記載の方法。
（項目６）
前記ＰＫＣ媒介状態がＰＫＣθ媒介状態である、項目５に記載の方法。
（項目７）
前記ＰＫＣθ媒介状態が、自己免疫疾患、炎症性疾患または増殖性もしくは過剰増殖性疾患である、項目６に記載の方法。
（項目８）
前記ＰＫＣθ媒介状態が、ぜんそく、乾癬、関節炎、関節リウマチ、関節の炎症、多発性硬化症、糖尿病、炎症性大腸炎、移植片拒絶、Ｔ細胞白血病、リンパ腫および狼瘡からなる群から選択される、項目７に記載の方法。
（項目９）
前記ＰＫＣθ媒介状態が自己免疫疾患である、項目８に記載の方法。
（項目１０）
前記自己免疫疾患が、多発性硬化症、関節リウマチ、過敏性腸疾患からなる群から選択される、項目９に記載の方法。
（項目１１）
前記自己免疫疾患が多発性硬化症である、項目１０に記載の方法。
（項目１２）
前記自己免疫疾患が関節リウマチである、項目１０に記載の方法。
（項目１３）
前記自己免疫疾患が過敏性腸疾患である、項目１０に記載の方法。
（項目１４）
前記ＰＫＣθ媒介状態が、Ｔ細胞白血病およびリンパ腫からなる群から選択される、項目７に記載の方法。
本発明は、一般に、キナーゼ阻害剤として有用な本明細書で説明する化合物を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月24日(2012.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
温血動物においてPDE10を阻害するための医薬の製造における、下記の構造(I)：
【化１】
2011530521.tif 000001
[式中、
Xは、-O-または-S-であり；
R1は、C1-6アルキル、C1-6ハロアルキル、C1-6アラルキル、アリール、-(CH2)nO(CH2)mCH3または-(CH2)nN(CH3)2であり；
R2およびR3は同一であるか異なっており、独立して置換もしくは無置換ヘテロシクリル、または置換もしくは無置換アリールであり；
R4およびR5は同一であるか異なっており、独立して水素、C1-6アルキルまたはC1-6ハロアルキルであり；
nは、1、2、3、4、5または6であり；かつ
mは、0、1、2、3、4、5または6である]
を有する化合物、またはその製薬上許容される塩、立体異性体、溶媒和物もしくはプロドラッグの使用。
【請求項２】
神経障害の治療を必要とする温血動物における神経障害を治療するための医薬の製造における、下記の構造(I)：
【化２】
2011530521.tif 000002
[式中、
Xは、-O-または-S-であり；
R1は、C1-6アルキル、C1-6ハロアルキル、C1-6アラルキル、アリール、-(CH2)nO(CH2)mCH3または-(CH2)nN(CH3)2であり；
R2およびR3は同一であるか異なっており、独立して置換もしくは無置換ヘテロシクリル、または置換もしくは無置換アリールであり；かつ
R4およびR5は同一であるか異なっており、独立して水素、C1-6アルキルまたはC1-6ハロアルキルであり；
nは、1、2、3、4、5または6であり；かつ
mは、0、1、2、3、4、5または6である]
を有する化合物、またはその製薬上許容される塩、立体異性体、溶媒和物もしくはプロドラッグの使用。
【請求項３】
神経障害が、精神障害、不安障害、運動障害および／または神経障害（例えば、パーキンソン病、ハンチントン病、アルツハイマー病、脳炎、恐怖症、てんかん、失語症、ベル麻痺、脳性麻痺、睡眠障害、疼痛、トゥレット症候群、統合失調症、妄想障害、双極性障害、心的外傷後ストレス障害、薬剤性精神病、パニック障害、強迫性障害、注意欠陥障害、崩壊性行動障害、自閉症、鬱病、認知症、認知障害、てんかん、不眠症および多発性硬化症）からなる群より選択される、請求項2に記載の使用。
【請求項４】
化合物が下記の構造(II)：
【化３】
2011530521.tif 000003
を有する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の使用。
【請求項５】
R4およびR5が水素である、請求項4に記載の使用。
【請求項６】
R1がC1-6アルキルである、請求項4または5に記載の使用。
【請求項７】
R1がメチルである、請求項6に記載の使用。
【請求項８】
R1がエチルである、請求項6に記載の使用。
【請求項９】
R1がイソプロピルである、請求項6に記載の使用。
【請求項１０】
R3が置換フェニルである、請求項4〜9のいずれか1項に記載の使用。
【請求項１１】
R3が4-ブロモ-3,5-ジメトキシフェニルである、請求項10に記載の使用。
【請求項１２】
R2が置換または無置換フェニルである、請求項4〜11のいずれか1項に記載の使用。
【請求項１３】
R2が置換または無置換ヘテロアリールである、請求項4〜11のいずれか1項に記載の使用。
【請求項１４】
下記の構造(II)：
【化４】
2011530521.tif 000004
[式中、
R1は、C1-6アルキル、C1-6ハロアルキル、C1-6アラルキル、アリール、-(CH2)nO(CH2)mCH3または-(CH2)nN(CH3)2であり；
R2は、置換もしくは無置換ヘテロシクリル、置換フェニル、または置換もしくは無置換ナフチルであり；
R3は、置換もしくは無置換ヘテロシクリル、または置換もしくは無置換アリールであり；かつ
R4およびR5は同一であるか異なっており、独立して水素、C1-6アルキルまたはC1-6ハロアルキルであり；
nは、1、2、3、4、5または6であり；かつ
mは、0、1、2、3、4、5または6である]
を有する化合物、またはその製薬上許容される塩、立体異性体、溶媒和物もしくはプロドラッグ。
【請求項１５】
R4およびR5が水素である、請求項14に記載の化合物。
【請求項１６】
R1がC1-6アルキルである、請求項14または15に記載の化合物。
【請求項１７】
R1がメチルである、請求項16に記載の化合物。
【請求項１８】
R1がエチルである、請求項16に記載の化合物。
【請求項１９】
R1がイソプロピルである、請求項16に記載の化合物。
【請求項２０】
R3が置換フェニルである、請求項14〜19のいずれか1項に記載の化合物。
【請求項２１】
R3が4-ブロモ-3,5-ジメトキシフェニルである、請求項20に記載の化合物。
【請求項２２】
R2が置換フェニルである、請求項14〜21のいずれか1項に記載の化合物。
【請求項２３】
R2が置換または無置換ヘテロアリールである、請求項14〜21のいずれか1項に記載の化合物。
【請求項２４】
請求項14〜23のいずれか1項に記載の化合物および製薬上許容される担体または希釈剤を含む医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月30日(2012.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケーク崩壊を回避することなく、崩壊温度または崩壊温度より高温の生成物温度において実行される一次乾燥ステップを含む、液体製剤の医薬物質を凍結乾燥する方法。
【請求項２】
前記医薬物質が、タンパク質、ペプチド、多糖、小分子、天然物、核酸、免疫原、ワクチン、ポリマー、化学化合物、およびそれらの組合せからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記医薬物質が、タンパク質である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記タンパク質が、抗体もしくはそのフラグメント、成長因子、凝固因子、サイトカイン、融合タンパク質、酵素、キャリアタンパク質もしくはＳｍａｌｌ  Ｍｏｄｕｌａｒ  ＩｍｍｕｎｏＰｈａｒｍａｃｅｕｔｉｃａｌ（ＳＭＩＰ（商標））、またはそれらの組合せからなる群から選択される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記医薬物質が、少なくとも約１ｍｇ／ｍｌの濃度である、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記医薬物質が、少なくとも５０ｍｇ／ｍｌの濃度である、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記医薬物質が、少なくとも１００ｍｇ／ｍｌの濃度である、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記凍結乾燥生成物が、非晶質材料を含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記凍結乾燥生成物が、部分的結晶質／部分的非晶質な材料を含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記液体製剤が、ショ糖ベースの製剤である、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記液体製剤が、崩壊温度がガラス転移温度の中間点（Ｔｇ’）より少なくとも１℃高くなるように製剤化される、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記液体製剤が、崩壊温度がガラス転移温度の中間点（Ｔｇ’）より少なくとも２℃高くなるように製剤化される、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記液体製剤が、崩壊温度がガラス転移温度の中間点（Ｔｇ’）より少なくとも５℃高くなるように製剤化される、請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記液体製剤が、崩壊温度がガラス転移温度の中間点（Ｔｇ’）より少なくとも１０℃高くなるように製剤化される、請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記一次乾燥が、崩壊温度、または崩壊温度より高いが共晶融点より低い温度において実行される、請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
崩壊温度または崩壊温度より高温の生成物温度での一次乾燥ステップを含む液体製剤を凍結乾燥する方法であって、前記液体製剤が医薬物質および安定化剤を含み、前記安定化剤と医薬物質の質量比が１０００以下である方法。
【請求項１７】
前記安定化剤と前記医薬物質の質量比が、５００以下である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記安定化剤と前記医薬物質の質量比が、１００以下である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記安定化剤と前記医薬物質の質量比が、５０以下である、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記安定化剤と前記医薬物質の質量比が、１０以下である、請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
前記安定化剤と前記医薬物質の質量比が、１以下である、請求項１６に記載の方法。
【請求項２２】
前記安定化剤と前記医薬物質の質量比が、０．５以下である、請求項１６に記載の方法。
【請求項２３】
前記安定化剤と前記医薬物質の質量比が、０．１以下である、請求項１６に記載の方法。
【請求項２４】
前記医薬物質が、少なくとも約１ｍｇ／ｍｌの濃度である、請求項１６から２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５】
前記医薬物質が、少なくとも１０ｍｇ／ｍｌの濃度である、請求項１６から２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
前記医薬物質が、少なくとも５０ｍｇ／ｍｌの濃度である、請求項１６から２５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２７】
前記安定化剤が、ショ糖、マンノース、ソルビトール、ラフィノース、トレハロース、マンニトール、塩化ナトリウム、アルギニン、ラクトース、ヒドロキシエチルデンプン、デキストラン、ポリビニルピロリドン、グリシン、およびそれらの組合せからなる群から選択される、請求項１６から２６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２８】
前記凍結乾燥生成物が、非晶質材料を含む、請求項１６から２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２９】
前記凍結乾燥生成物が、部分的結晶質／部分的非晶質な材料を含む、請求項１６から２８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３０】
前記医薬物質が、タンパク質、ペプチド、多糖、小分子、天然物、核酸、免疫原、ワクチン、ポリマー、化学化合物、およびそれらの組合せからなる群から選択される、請求項１６から２９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３１】
前記医薬物質が、タンパク質である、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記タンパク質が、抗体またはそのフラグメント、成長因子、凝固因子、サイトカイン、融合タンパク質、酵素、キャリアタンパク質、多糖含有抗原、Ｓｍａｌｌ  Ｍｏｄｕｌａｒ  ＩｍｍｕｎｏＰｈａｒｍａｃｅｕｔｉｃａｌ（ＳＭＩＰ（商標））、およびそれらの組合せからなる群から選択される、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記抗体が、モノクローナル抗体または単一ドメイン抗体である、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
請求項１から３３のいずれか一項に記載の方法を使用して製造される凍結乾燥医薬物質。
【請求項３５】
崩壊温度または崩壊温度より高温の生成物温度において液体製剤の医薬物質を凍結乾燥するステップを含む、凍結乾燥医薬物質の安定性または凍結乾燥サイクルの効率を向上させる方法。
【請求項３６】
前記凍結乾燥生成物が、非晶質材料を含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
前記凍結乾燥生成物が、部分的結晶質／部分的非晶質な材料を含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項３８】
医薬物質を製造する方法であって、
（ａ）ケーク崩壊を特徴とする凍結乾燥医薬物質生成物を提供するステップ、
（ｂ）前記凍結乾燥医薬物質を復元するステップであって、前記復元医薬物質が生物学的または薬剤学的に活性があるステップを含む方法。
【請求項３９】
前記医薬物質が、タンパク質、ペプチド、多糖、小分子、天然物、核酸、免疫原、ワクチン、ポリマー、化学化合物、およびそれらの組合せからなる群から選択される、請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
前記医薬物質が、タンパク質である、請求項３８または３９に記載の方法。
【請求項４１】
前記タンパク質が、抗体またはそのフラグメント、成長因子、凝固因子、サイトカイン、融合タンパク質、酵素、多糖含有抗原、キャリアタンパク質、Ｓｍａｌｌ  Ｍｏｄｕｌａｒ  ＩｍｍｕｎｏＰｈａｒｍａｃｅｕｔｉｃａｌ（ＳＭＩＰ（商標））、およびそれらの組合せからなる群から選択される、請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】
前記抗体が、モノクローナル抗体または単一ドメイン抗体である、請求項４１に記載の方法。