(57)【要約】【課題】フリップチップ実装用のアンダーフィル材として好適な充填性に優れる封止用エポキシ樹脂成形材料及びこれにより封止されたボイド等の成形不良が良好なフリップチップ実装型の半導体装置を提供する。【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）無機充填剤を必須成分とする半導体パッケージの封止用であるエポキシ樹脂成形材料において、前記無機充填剤（Ｃ）の平均粒径が１２μｍ以下で、且つ比表面積が３．０ｍ２／ｇ以上であることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。【選択図】      なし。【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）無機充填剤を少なくとも含む封止用エポキシ樹脂成形材料であって、
前記無機充填剤（Ｃ）は、平均粒径が１２μｍ以下で、且つ比表面積が３．０ｍ２／ｇ以上である封止用エポキシ樹脂成形材料。
【請求項２】
前記無機充填剤（Ｃ）は、粒子径１２μｍ以下が５０ｗｔ．％以上、粒子径２４μｍ以下が７０ｗｔ．％以上、粒子径３２μｍ以下が８０ｗｔ．％以上、粒子径４８μｍ以下が９０ｗｔ．％以上の条件のうち少なくとも１つの条件を満たす請求項１記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【請求項３】
（Ｃ）無機充填剤の平均粒径が１０μｍ以下である請求項１又は２記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【請求項４】
（Ｃ）無機充填剤の比表面積が３．５〜５．５ｍ２／ｇである請求項１から３のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【請求項５】
（ａ１）〜（ｆ１）の構成を１以上を備える半導体装置に用いる請求項１〜４のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
（ａ１）フリップチップのバンプ高さが１５０μｍ以下である
（ｂ１）フリップチップのバンプピッチが５００μｍ以下である
（ｃ１）半導体チップの面積が２５ｍｍ２以上である
（ｄ１）封止材の総厚さが２ｍｍ以下である
（ｅ１）フリップチップのバンプ数が１００個以上である
（ｆ１）成型時のエアベント厚みが４０μｍ以下である
【請求項６】
（ａ２）〜（ｆ２）の構成を１以上を備える半導体装置に用いる請求項５に記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
（ａ２）フリップチップのバンプ高さが１００μｍ以下である
（ｂ２）フリップチップのバンプピッチが４００μｍ以下である
（ｃ２）半導体チップの面積が５０ｍｍ２以上である
（ｄ２）封止材の総厚さが１．５ｍｍ以下である
（ｅ２）フリップチップのバンプ数が１５０個以上である
（ｆ２）成型時のエアベント厚みが３０μｍ以下である
【請求項７】
（Ｄ）２級アミノ基を有するシランカップリング剤をさらに含有する請求項１〜６のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【請求項８】
（Ｄ）２級アミノ基を有するシランカップリング剤が下記一般式（Ｉ）で示される化合物を含有する請求項７記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【化１】
2004307645.tif 000026
（ここで、Ｒ１は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基及び炭素数１〜２のアルコキシ基から選ばれ、Ｒ２は炭素数１〜６のアルキル基及びフェニル基から選ばれ、Ｒ３はメチル基又はエチル基を示し、ｎは１〜６の整数を示し、ｍは１〜３の整数を示す。）
【請求項９】
（Ｅ）リン化合物をさらに含有する請求項１〜８のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【請求項１０】
（Ｅ）リン化合物がリン酸エステルを含有する請求項９記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【請求項１１】
リン酸エステルが下記一般式（ＩＩ）で示される化合物を含有する請求項１０記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【化２】
2004307645.tif 000027
（ここで、式中の８個のＲは炭素数１〜４のアルキル基を示し、全て同一でも異なっていてもよい。Ａｒは芳香族環を示す。）
【請求項１２】
（Ｅ）リン化合物がホスフィンオキサイドを含有する請求項９〜１１のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【請求項１３】
ホスフィンオキサイドが下記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物を含有する請求項１２記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【化３】
2004307645.tif 000028
（ここで、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は炭素数１〜１０の置換又は非置換のアルキル基、アリール基、アラルキル基及び水素原子を示し、すべて同一でも異なってもよい。ただしすべてが水素原子である場合を除く。）
【請求項１４】
（Ａ）エポキシ樹脂の１５０℃における溶融粘度が２ポイズ以下である請求項１〜１３のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【請求項１５】
（Ａ）エポキシ樹脂がビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、硫黄原子含有エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂及びトリフェニルメタン型エポキシ樹脂の少なくとも１種を含有する請求項１〜１４のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【請求項１６】
（Ｂ）硬化剤の１５０℃における溶融粘度が２ポイズ以下である請求項１〜１５のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【請求項１７】
（Ｂ）硬化剤がビフェニル型フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、トリフェニルメタン型フェノール樹脂及びノボラック型フェノール樹脂の少なくとも１種を含有する請求項１〜１６のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【請求項１８】
（Ｆ）硬化促進剤をさらに含有する請求項１〜１７のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料により封止された半導体装置。
【請求項２０】
以下の（ａ１）〜（ｆ１）の構成を１以上を備える請求項１９記載の半導体装置。
（ａ１）フリップチップのバンプ高さが１５０μｍ以下である
（ｂ１）フリップチップのバンプピッチが５００μｍ以下である
（ｃ１）半導体チップの面積が２５ｍｍ２以上である
（ｄ１）封止材の総厚さが２ｍｍ以下である
（ｅ１）フリップチップのバンプ数が１００個以上である
（ｆ１）成型時のエアベント厚みが４０μｍ以下である
【請求項２１】
以下の（ａ２）〜（ｆ２）の構成を１以上を備える請求項１９記載の半導体装置。
（ａ２）フリップチップのバンプ高さが１００μｍ以下である
（ｂ２）フリップチップのバンプピッチが４００μｍ以下である
（ｃ２）半導体チップの面積が５０ｍｍ２以上である
（ｄ２）封止材の総厚さが１．５ｍｍ以下である
（ｅ２）フリップチップのバンプ数が１５０個以上である
（ｆ２）成型時のエアベント厚みが３０μｍ以下である
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置に関する。
さらに詳しくは、本発明はフリップチップ実装用のアンダーフィル材として好適な充填性に優れる封止用エポキシ樹脂成形材料及びこれにより封止されたボイド等の成形不良や耐リフロー性、耐湿性等の信頼性が良好なフリップチップ実装型の半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、トランジスタ、ＩＣ等の電子部品装置の素子封止の分野では生産性、コスト等の面から樹脂封止が主流となり、エポキシ樹脂成形材料が広く用いられている。この理由としては、エポキシ樹脂が電気特性、耐湿性、耐熱性、機械特性、インサート品との接着性などの諸特性にバランスがとれているためである。また近年、電子部品のプリント配線板への高密度実装化が進んでいる。これに伴い、半導体装置は従来のピン挿入型のパッケージから、表面実装型のパッケージが主流になっている。表面実装型のＩＣ、ＬＳＩなどは、実装密度を高くし実装高さを低くするために、薄型、小型のパッケージになっており、素子のパッケージに対する占有体積が大きくなり、パッケージの肉厚は非常に薄くなってきた。また素子の多機能化、大容量化によって、チップ面積の増大、多ピン化が進み、さらにはパッド（電極）数の増大によって、パッドピッチの縮小化とパッド寸法の縮小化、いわゆる狭パッドピッチ化も進んでいる。
また、さらなる小型軽量化に対応すべく、パッケージの形態もＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）といったものから、より多ピン化に対応しやすく、かつより高密度実装が可能なＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）やＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）へ移行しつつある。これらのパッケージは近年、高速化、多機能化を実現するために、フェースダウン型、積層（スタックド）型、フリップチップ型、ウェハーレベル型等、新しい構造のものが開発されている。
フリップチップ実装は従来のワイヤーボンディングに代わる接続技術であり、半導体チップのパッド上にはんだバンプを付着させ、このバンプを利用して配線板上のランドと接続させるものである。はんだバンプを付着させたチップは配線板上で位置合わせを行った後、リフローによってはんだが溶融し、セルフアライメントプロセスを経て電気的、機械的な接続が形成される。このように実装されたデバイスには各種信頼性を向上させる目的で、はんだバンプで接合されたチップ／配線板の隙間にアンダーフィル材が注入される。このはんだバンプが配列された狭い隙間をボイド等の空隙を発生させずに完全に充填させるために、アンダーフィル材には高い充填性が要求される。
【０００３】
この課題を解決するために、従来はビスフェノール型エポキシ樹脂を主成分とする溶剤又は無溶剤系の液状タイプの封止用エポキシ樹脂成形材料を使用し、毛細管現象を利用してチップ／配線板の隙間に浸透させ、硬化させる方式がとられてきた（例えば特許文献１〜３、非特許文献１参照。）。
【０００４】
【特許文献１】
特開２０００−２６０８２０号公報
【特許文献２】
特開２０００−２７３２８７号公報
【特許文献３】
特開２００２−３８０４８３号公報
【非特許文献１】
表面実装評議会監修  「フリップチップおよび関連チップスケール技術の実際」（株）産業科学システムズ出版  １９９８年９月３０日発行、ｐ８７
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
近年、コスト低減の観点から固形タイプの封止用エポキシ樹脂成形材料を使用した真空方式の新規な成形技術がフリップチップのアンダーフィル用に開発されてきた。しかし従来の固形タイプの成形材料では充填性が低く、ボイド等の不良を発生させずに封止することが困難な状況にある。
例えば、ファインピッチのはんだバンプ等を備える次世代フリップチップ型半導体装置の製造において、従来の固形タイプの封止用エポキシ樹脂を用いて封止する場合、直径０．１ｍｍ程度のやや大きめのボイドの発生に起因してアンダーフィル部の充填は満足できるものではなかった。
さらにはフリップチップ実装型半導体装置におけるファイン化、すなわち、バンプ高さ、バンプピッチの低減や、また入出力数増大に伴うバンプ数、チップ面積の増大といった動向によって、今後はさらに高い充填性が要求される。
【０００６】
そのため、フリップチップ実装用のアンダーフィル材として好適な充填性に優れる封止用エポキシ樹脂成形材料が求められていた。さらに成形不良がなくしかも耐リフロー性及び耐湿性等の信頼性が良好な、ファインピッチのはんだバンプ等を備えるフリップチップ型半導体装置が求められていた。
本発明の第１の側面によれば、ファインピッチなバンプを有し、入出力数（バンプ数）の多いフリップチップ実装型半導体装置の封止に適した封止用エポキシ樹脂成形材料が提供される。
本発明の第２の側面によれば、前記本発明に係る封止用エポキシ樹脂成形材料により封止された、ファインピッチなバンプを有し、入出力数（バンプ数）の多いフリップチップ実装型半導体装置が提供される。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
発明者らは上記の課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、特定の無機充填剤を必須成分とする、特定の半導体装置用の封止用エポキシ樹脂成形材料及びこれにより封止された半導体装置により上記の目的を達成しうることを見い出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
すなわち、本発明は以下の記載事項に関する。
１．  （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）無機充填剤を少なくとも含む封止用エポキシ樹脂成形材料であって、
前記無機充填剤（Ｃ）は、平均粒径が１２μｍ以下で、且つ比表面積が３．０ｍ２／ｇ以上である封止用エポキシ樹脂成形材料。
２．  前記無機充填剤（Ｃ）は、粒子径１２μｍ以下が５０ｗｔ．％以上、粒子径２４μｍ以下が７０ｗｔ．％以上、粒子径３２μｍ以下が８０ｗｔ．％以上、粒子径４８μｍ以下が９０ｗｔ．％以上の条件のうち少なくとも１つの条件を満たす請求項１記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
３．  （Ｃ）無機充填剤の平均粒径が１０μｍ以下である請求項１又は２記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
４．  （Ｃ）無機充填剤の比表面積が３．５〜５．５ｍ２／ｇである請求項１から３のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
５．  （ａ１）〜（ｆ１）の構成を１以上を備える半導体装置に用いる請求項１〜４のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
（ａ１）フリップチップのバンプ高さが１５０μｍ以下である
（ｂ１）フリップチップのバンプピッチが５００μｍ以下である
（ｃ１）半導体チップの面積が２５ｍｍ２以上である
（ｄ１）封止材の総厚さが２ｍｍ以下である
（ｅ１）フリップチップのバンプ数が１００個以上である
（ｆ１）成型時のエアベント厚みが４０μｍ以下である
６．  （ａ２）〜（ｆ２）の構成を１以上を備える半導体装置に用いる請求項５に記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
（ａ２）フリップチップのバンプ高さが１００μｍ以下である
（ｂ２）フリップチップのバンプピッチが４００μｍ以下である
（ｃ２）半導体チップの面積が５０ｍｍ２以上である
（ｄ２）封止材の総厚さが１．５ｍｍ以下である
（ｅ２）フリップチップのバンプ数が１５０個以上である
（ｆ２）成型時のエアベント厚みが３０μｍ以下である
７．  （Ｄ）２級アミノ基を有するシランカップリング剤をさらに含有する請求項１〜６のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
８．  （Ｄ）２級アミノ基を有するシランカップリング剤が下記一般式（Ｉ）で示される化合物を含有する請求項７記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【化４】
2004307645.tif 000002
（ここで、Ｒ１は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基及び炭素数１〜２のアルコキシ基から選ばれ、Ｒ２は炭素数１〜６のアルキル基及びフェニル基から選ばれ、Ｒ３はメチル基又はエチル基を示し、ｎは１〜６の整数を示し、ｍは１〜３の整数を示す。）
９．  （Ｅ）リン化合物をさらに含有する請求項１〜８のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
１０．  （Ｅ）リン化合物がリン酸エステルを含有する請求項９記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
１１．  リン酸エステルが下記一般式（ＩＩ）で示される化合物を含有する請求項１０記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【化５】
2004307645.tif 000003
（ここで、式中の８個のＲは炭素数１〜４のアルキル基を示し、全て同一でも異なっていてもよい。Ａｒは芳香族環を示す。）
１２．  （Ｅ）リン化合物がホスフィンオキサイドを含有する請求項９〜１１のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
１３．  ホスフィンオキサイドが下記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物を含有する請求項１２記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【化６】
2004307645.tif 000004
（ここで、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は炭素数１〜１０の置換又は非置換のアルキル基、アリール基、アラルキル基及び水素原子を示し、すべて同一でも異なってもよい。ただしすべてが水素原子である場合を除く。）
１４．  （Ａ）エポキシ樹脂の１５０℃における溶融粘度が２ポイズ以下である請求項１〜１３のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
１５．  （Ａ）エポキシ樹脂がビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、硫黄原子含有エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂及びトリフェニルメタン型エポキシ樹脂の少なくとも１種を含有する請求項１〜１４のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
１６．  （Ｂ）硬化剤の１５０℃における溶融粘度が２ポイズ以下である請求項１〜１５のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
１７．  （Ｂ）硬化剤がビフェニル型フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、トリフェニルメタン型フェノール樹脂及びノボラック型フェノール樹脂の少なくとも１種を含有する請求項１〜１６のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
１８．  （Ｆ）硬化促進剤をさらに含有する請求項１〜１７のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
１９．  請求項１〜１８のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料により封止された半導体装置。
２０．  以下の（ａ１）〜（ｆ１）の構成を１以上を備える請求項１９記載の半導体装置。
（ａ１）フリップチップのバンプ高さが１５０μｍ以下である
（ｂ１）フリップチップのバンプピッチが５００μｍ以下である
（ｃ１）半導体チップの面積が２５ｍｍ２以上である
（ｄ１）封止材の総厚さが２ｍｍ以下である
（ｅ１）フリップチップのバンプ数が１００個以上である
（ｆ１）成型時のエアベント厚みが４０μｍ以下である
２１．  以下の（ａ２）〜（ｆ２）の構成を１以上を備える請求項１９記載の半導体装置。
（ａ２）フリップチップのバンプ高さが１００μｍ以下である
（ｂ２）フリップチップのバンプピッチが４００μｍ以下である
（ｃ２）半導体チップの面積が５０ｍｍ２以上である
（ｄ２）封止材の総厚さが１．５ｍｍ以下である
（ｅ２）フリップチップのバンプ数が１５０個以上である
（ｆ２）成型時のエアベント厚みが３０μｍ以下である
【０００９】
さらに、本発明の第３の側面によれば、ファインピッチなバンプを有し、入出力数（バンプ数）の多いフリップチップ実装型半導体装置の製造方法及びその製造方法により製造された半導体装置が提供される。
また本発明の第４の側面によれば、ファインピッチなバンプを有し、入出力数（バンプ数）の多いフリップチップ実装型半導体装置への封止用エポキシ樹脂成形材料の使用（方法）が提供される。すなわち、本発明は以下の記載事項にも関する。
２２．  配線板上に２以上のはんだバンプを所定のバンプピッチで配置する工程と、前記はんだバンプを介して所定のバンプ高さで半導体チップを前記配線板上に設ける工程と、前記配線板と前記半導体チップ間に形成されるアンダーフィル部を含む部分を封止用エポキシ樹脂成形材料を用いて封止する工程とを少なくとも有する半導体装置の製造方法であって、
前記アンダーフィル部を封止する封止材として、前記第１又は第２の封止用エポキシ樹脂成形材料が用いられ、
前記製造方法により得られる半導体装置は、以下の（ａ１）〜（ｆ１）：
（ａ１）フリップチップ実装時のバンプ高さが３００μｍ以下である；
（ｂ１）フリップチップのバンプピッチが５００μｍ以下である；
（ｃ１）半導体チップの面積が２５ｍｍ２以上である；
（ｄ１）封止材の総厚さが２ｍｍ以下である；
（ｅ１）フリップチップのバンプ数が１００個以上である
（ｆ１）成型時のエアベント厚みが４０μｍ以下である
の構成を１以上備える半導体装置である半導体装置の製造方法。
２３．  以下の（ａ１）〜（ｆ１）：
（ａ１）フリップチップ実装時のバンプ高さが３００μｍ以下である；
（ｂ１）フリップチップのバンプピッチが５００μｍ以下である；
（ｃ１）半導体チップの面積が２５ｍｍ２以上である；
（ｄ１）封止材の総厚さが２ｍｍ以下である；
（ｅ１）フリップチップのバンプ数が１００個以上である；
（ｆ１）  成型時のエアベント厚みが４０μｍ以下である；
の構成を１以上備える半導体装置の封止材としての前記１又は２の封止用エポキシ樹脂成形材料の使用（方法）。
【００１０】
【発明の実施の形態】
（エポキシ樹脂）
本発明において用いられる（Ａ）エポキシ樹脂は、封止用エポキシ樹脂成形材料に一般に使用されているもので特に制限はないが、たとえば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン骨格を有するエポキシ樹脂をはじめとするフェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等のフェノール類及び／又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック樹脂をエポキシ化したもの、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、アルキル置換又は非置換のビフェノール等のジグリシジルエーテル、スチルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、フタル酸、ダイマー酸等の多塩基酸とエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルエステル型エポキシ樹脂、ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸等のポリアミンとエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンとフェノ−ル類の共縮合樹脂のエポキシ化物、ナフタレン環を有するエポキシ樹脂、フェノール・アラルキル樹脂、ナフトール・アラルキル樹脂等のアラルキル型フェノール樹脂のエポキシ化物、トリメチロールプロパン型エポキシ樹脂、テルペン変性エポキシ樹脂、オレフィン結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環族エポキシ樹脂、硫黄原子含有エポキシ樹脂などが挙げられ、これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
なかでも、充填性及び耐リフロー性の観点からはビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂及び硫黄原子含有エポキシ樹脂が好ましく、硬化性の観点からはノボラック型エポキシ樹脂が好ましく、低吸湿性の観点からはジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂が好ましく、耐熱性及び低反り性の観点からはナフタレン型エポキシ樹脂及びトリフェニルメタン型エポキシ樹脂が好ましく、これらのエポキシ樹脂の少なくとも１種を含有していることが好ましい。
【００１１】
ビフェニル型エポキシ樹脂としてはたとえば下記一般式（ＩＶ）で示されるエポキシ樹脂等が挙げられ、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂としてはたとえば下記一般式（Ｖ）で示されるエポキシ樹脂等が挙げられ、スチルベン型エポキシ樹脂としてはたとえば下記一般式（ＶＩ）で示されるエポキシ樹脂等が挙げられ、硫黄原子含有エポキシ樹脂としてはたとえば下記一般式（ＶＩＩ）で示されるエポキシ樹脂等が挙げられる。
【化７】
2004307645.tif 000005
（ここで、Ｒ１〜Ｒ８は水素原子及び炭素数１〜１０の置換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、全てが同一でも異なっていてもよい。ｎは０〜３の整数を示す。）
【化８】
2004307645.tif 000006
（ここで、Ｒ１〜Ｒ８は水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシル基、炭素数６〜１０のアリール基、及び炭素数６〜１０のアラルキル基から選ばれ、全てが同一でも異なっていてもよい。ｎは０〜３の整数を示す。）
【化９】
2004307645.tif 000007
（ここで、Ｒ１〜Ｒ８は水素原子及び炭素数１〜５の置換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、全てが同一でも異なっていてもよい。ｎは０〜１０の整数を示す。）
【化１０】
2004307645.tif 000008
（ここで、Ｒ１〜Ｒ８は水素原子、置換又は非置換の炭素数１〜１０のアルキル基及び置換又は非置換の炭素数１〜１０のアルコキシ基から選ばれ、全てが同一でも異なっていてもよい。ｎは０〜３の整数を示す。）
上記一般式（ＩＶ）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂としては、たとえば、４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）ビフェニル又は４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニルを主成分とするエポキシ樹脂、エピクロルヒドリンと４，４’−ビフェノール又は４，４’−（３，３’，５，５’−テトラメチル）ビフェノールとを反応させて得られるエポキシ樹脂等が挙げられる。なかでも４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニルを主成分とするエポキシ樹脂が好ましい。
上記一般式（Ｖ）で示されるビスフェノールＦ型エポキシ樹脂はとしては、例えば、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ６及びＲ８がメチル基で、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５及びＲ７が水素原子であり、ｎ＝０を主成分とするＹＳＬＶ−８０ＸＹ（新日鉄化学株式会社製商品名）が市販品として入手可能である。
上記一般式（ＶＩ）で示されるスチルベン型エポキシ樹脂は、原料であるスチルベン系フェノール類とエピクロルヒドリンとを塩基性物質存在下で反応させて得ることができる。この原料であるスチルベン系フェノール類としては、たとえば３−ｔ−ブチル−４，４′−ジヒドロキシ−３′，５，５′−トリメチルスチルベン、３−ｔ−ブチル−４，４′−ジヒドロキシ−３′，５′，６−トリメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジ−ｔ−ブチル−５，５’−ジメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジ−ｔ−ブチル−６，６’−ジメチルスチルベン等が挙げられ、なかでも３−ｔ−ブチル−４，４′−ジヒドロキシ−３′，５，５′−トリメチルスチルベン、及び４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルスチルベンが好ましい。これらのスチルベン型フェノール類は単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。上記一般式（ＶＩＩ）で示される硫黄原子含有エポキシ樹脂のなかでも、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ６及びＲ７が水素原子で、Ｒ１、Ｒ４、Ｒ５及びＲ８がアルキル基であるエポキシ樹脂が好ましく、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ６及びＲ７が水素原子で、Ｒ１及びＲ８がｔ−ブチル基で、Ｒ４及びＲ５がメチル基であるエポキシ樹脂がより好ましい。このような化合物としては、ＹＳＬＶ−１２０ＴＥ（新日鐵化学社製）等が市販品として入手可能である。
これらのエポキシ樹脂はいずれか１種を単独で用いても２種以上を組合わせて用いてもよいが、その配合量は、その性能を発揮するためにエポキシ樹脂全量に対して合わせて２０重量％以上とすることが好ましく、３０重量％以上がより好ましく、５０重量％以上とすることがさらに好ましい。
【００１２】
ノボラック型エポキシ樹脂としては、たとえば下記一般式（ＶＩＩＩ）で示されるエポキシ樹脂等が挙げられる。
【化１１】
2004307645.tif 000009
（ここで、Ｒは水素原子及び炭素数１〜１０の置換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、ｎは０〜１０の整数を示す。）
上記一般式（ＶＩＩＩ）で示されるノボラック型エポキシ樹脂は、ノボラック型フェノール樹脂にエピクロルヒドリンを反応させることによって容易に得られる。なかでも、一般式（ＶＩＩＩ）中のＲとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基等の炭素数１〜１０のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜１０のアルコキシル基が好ましく、水素原子又はメチル基がより好ましい。ｎは０〜３の整数が好ましい。上記一般式（ＶＩＩＩ）で示されるノボラック型エポキシ樹脂のなかでも、オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。
ノボラック型エポキシ樹脂を使用する場合、その配合量は、その性能を発揮するためにエポキシ樹脂全量に対して２０重量％以上とすることが好ましく、３０重量％以上がより好ましい。
【００１３】
ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂としては、たとえば下記一般式（ＩＸ）で示されるエポキシ樹脂等が挙げられる。
【化１２】
2004307645.tif 000010
（ここで、Ｒ１及びＲ２は水素原子及び炭素数１〜１０の置換又は非置換の一価の炭化水素基からそれぞれ独立して選ばれ、ｎは０〜１０の整数を示し、ｍは０〜６の整数を示す。）
上記式（ＩＸ）中のＲ１としては、たとえば、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基等のアルケニル基、ハロゲン化アルキル基、アミノ基置換アルキル基、メルカプト基置換アルキル基などの炭素数１〜５の置換又は非置換の一価の炭化水素基が挙げられ、なかでもメチル基、エチル基等のアルキル基及び水素原子が好ましく、メチル基及び水素原子がより好ましい。Ｒ２としては、たとえば、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基等のアルケニル基、ハロゲン化アルキル基、アミノ基置換アルキル基、メルカプト基置換アルキル基などの炭素数１〜５の置換又は非置換の一価の炭化水素基が挙げられ、なかでも水素原子が好ましい。
ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂を使用する場合、その配合量は、その性能を発揮するためにエポキシ樹脂全量に対して２０重量％以上とすることが好ましく、３０重量％以上がより好ましい。
【００１４】
ナフタレン型エポキシ樹脂としてはたとえば下記一般式（Ｘ）で示されるエポキシ樹脂等が挙げられ、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂としてはたとえば下記一般式（ＸＩ）で示されるエポキシ樹脂等が挙げられる。
【化１３】
2004307645.tif 000011
（ここで、Ｒ１〜Ｒ３は水素原子及び置換又は非置換の炭素数１〜１２の一価の炭化水素基から選ばれ、それぞれ全てが同一でも異なっていてもよい。ｐは１又は０で、ｌ、ｍはそれぞれ０〜１１の整数であって、（ｌ＋ｍ）が１〜１１の整数でかつ（ｌ＋ｐ）が１〜１２の整数となるよう選ばれる。ｉは０〜３の整数、ｊは０〜２の整数、ｋは０〜４の整数を示す。）
上記一般式（Ｘ）で示されるナフタレン型エポキシ樹脂としては、ｌ個の構成単位及びｍ個の構成単位をランダムに含むランダム共重合体、交互に含む交互共重合体、規則的に含む共重合体、ブロック状に含むブロック共重合体が挙げられ、これらのいずれか１種を単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【化１４】
2004307645.tif 000012
（ここで、Ｒは水素原子及び炭素数１〜１０の置換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、ｎは１〜１０の整数を示す。）
これらのエポキシ樹脂はいずれか１種を単独で用いても両者を組合わせて用いてもよいが、その配合量は、その性能を発揮するためにエポキシ樹脂全量に対して合わせて２０重量％以上とすることが好ましく、３０重量％以上がより好ましく、５０重量％以上とすることがさらに好ましい。
【００１５】
上記のビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、硫黄原子含有エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂及びトリフェニルメタン型エポキシ樹脂は、いずれか１種を単独で用いても２種以上を組合わせて用いてもよいが、その配合量はエポキシ樹脂全量に対して合わせて５０重量％以上とすることが好ましく、６０重量％以上がより好ましく、８０重量％以上がさらに好ましい。
【００１６】
本発明において用いられる（Ａ）エポキシ樹脂の１５０℃における溶融粘度は、充填性の観点から２ポイズ以下が好ましく、１ポイズ以下がより好ましく、０．５ポイズ以下がさらに好ましい。ここで、溶融粘度とはＩＣＩコーンプレート粘度計で測定した粘度を示す。
【００１７】
（硬化剤）
本発明において用いられる（Ｂ）硬化剤は、封止用エポキシ樹脂成形材料に一般に使用されているもので特に制限はないが、たとえば、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール類及び／又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂、フェノール類及び／又はナフトール類とジメトキシパラキシレン又はビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるフェノール・アラルキル樹脂、ナフトール・アラルキル樹脂等のアラルキル型フェノール樹脂、フェノール類及び／又はナフトール類とシクロペンタジエンから共重合により合成される、ジクロペンタジエン型フェノールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂等のジクロペンタジエン型フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂などが挙げられ、これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
なかでも、難燃性の観点からはビフェニル型フェノール樹脂が好ましく、耐リフロー性及び硬化性の観点からはアラルキル型フェノール樹脂が好ましく、低吸湿性の観点からはジシクロペンタジエン型フェノール樹脂が好ましく、耐熱性、低膨張率及び低そり性の観点からはトリフェニルメタン型フェノール樹脂が好ましく、硬化性の観点からはノボラック型フェノール樹脂が好ましく、これらのフェノール樹脂の少なくとも１種を含有していることが好ましい。
【００１８】
ビフェニル型フェノール樹脂としては、たとえば下記一般式（ＸＩＩ）で示されるフェノール樹脂等が挙げられる。
【化１５】
2004307645.tif 000013
上記式（ＸＩＩ）中のＲ１〜Ｒ９は全てが同一でも異なっていてもよく、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基等の炭素数１〜１０のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜１０のアルコキシル基、フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数６〜１０のアリール基、及び、ベンジル基、フェネチル基等の炭素数６〜１０のアラルキル基から選ばれ、なかでも水素原子とメチル基が好ましい。ｎは０〜１０の整数を示す。
上記一般式（ＸＩＩ）で示されるビフェニル型フェノール樹脂としては、たとえばＲ１〜Ｒ９が全て水素原子である化合物等が挙げられ、なかでも溶融粘度の観点から、ｎが１以上の縮合体を５０重量％以上含む縮合体の混合物が好ましい。このような化合物としては、ＭＥＨ−７８５１（明和化成株式会社製商品名）が市販品として入手可能である。
ビフェニル型フェノール樹脂を使用する場合、その配合量は、その性能を発揮するために硬化剤全量に対して３０重量％以上とすることが好ましく、５０重量％以上がより好ましく、６０重量％以上がさらに好ましい。
【００１９】
アラルキル型フェノール樹脂としては、たとえばフェノール・アラルキル樹脂、ナフトール・アラルキル樹脂等が挙げられ、下記一般式（ＸＩＩＩ）で示されるフェノール・アラルキル樹脂が好ましく、一般式（ＸＩＩＩ）中のＲが水素原子で、ｎの平均値が０〜８であるフェノール・アラルキル樹脂がより好ましい。具体例としては、ｐ−キシリレン型フェノール・アラルキル樹脂、ｍ−キシリレン型フェノール・アラルキル樹脂等が挙げられる。これらのアラルキル型フェノール樹脂を用いる場合、その配合量は、その性能を発揮するために硬化剤全量に対して３０重量％以上とすることが好ましく、５０重量％以上がより好ましい。
【化１６】
2004307645.tif 000014
（ここで、Ｒは水素原子及び炭素数１〜１０の置換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、ｎは０〜１０の整数を示す。）
【００２０】
ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂としては、たとえば下記一般式（ＸＩＶ）で示されるフェノール樹脂等が挙げられる。
【化１７】
2004307645.tif 000015
（ここで、Ｒ１及びＲ２は水素原子及び炭素数１〜１０の置換又は非置換の一価の炭化水素基からそれぞれ独立して選ばれ、ｎは０〜１０の整数を示し、ｍは０〜６の整数を示す。）
ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂を用いる場合、その配合量は、その性能を発揮するために硬化剤全量に対して３０重量％以上とすることが好ましく、５０重量％以上がより好ましい。
【００２１】
トリフェニルメタン型フェノール樹脂としては、たとえば下記一般式（ＸＶ）で示されるフェノール樹脂等が挙げられる。
【化１８】
2004307645.tif 000016
（ここで、Ｒは水素原子及び炭素数１〜１０の置換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、ｎは１〜１０の整数を示す。）
トリフェニルメタン型フェノール樹脂を用いる場合、その配合量は、その性能を発揮するために硬化剤全量に対して３０重量％以上とすることが好ましく、５０重量％以上がより好ましい。
【００２２】
ノボラック型フェノール樹脂としては、たとえばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂等が挙げられ、なかでもフェノールノボラック樹脂が好ましい。ノボラック型フェノール樹脂を用いる場合、その配合量は、その性能を発揮するために硬化剤全量に対して３０重量％以上とすることが好ましく、５０重量％以上がより好ましい。
【００２３】
上記のビフェニル型フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、トリフェニルメタン型フェノール樹脂及びノボラック型フェノール樹脂は、いずれか１種を単独で用いても２種以上を組合わせて用いてもよいが、その配合量は硬化剤全量に対して合わせて６０重量％以上とすることが好ましく、８０重量％以上がより好ましい。
【００２４】
本発明において用いられる（Ｂ）硬化剤の１５０℃における溶融粘度は、充填性の観点から２ポイズ以下が好ましく、１ポイズ以下がより好ましい。ここで、溶融粘度とはＩＣＩ粘度を示す。
【００２５】
（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）硬化剤との当量比、すなわち、エポキシ樹脂中のエポキシ基数に対する硬化剤中の水酸基数の比（硬化剤中の水酸基数／エポキシ樹脂中のエポキシ基数）は、特に制限はないが、それぞれの未反応分を少なく抑えるために０．５〜２の範囲に設定されることが好ましく、０．６〜１．３がより好ましい。成形性及び耐リフロー性に優れる封止用エポキシ樹脂成形材料を得るためには０．８〜１．２の範囲に設定されることがさらに好ましい。
【００２６】
（無機充填剤）
本発明において用いられる（Ｃ）無機充填剤は、吸湿性、線膨張係数低減、熱伝導性向上及び強度向上のために封止用エポキシ樹脂成形材料に配合されるものであり、たとえば、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、ジルコン、珪酸カルシウム、炭酸カルシウム、チタン酸カリウム、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミ、窒化ホウ素、ベリリア、ジルコニア、ジルコン、フォステライト、ステアタイト、スピネル、ムライト、チタニア等の粉体又はこれらを球形化したビーズ、ガラス繊維などが挙げられる。さらに、難燃効果のある無機充填剤としては水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硼酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛などが挙げられる。
これらの無機充填剤は単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。なかでも、充填性、線膨張係数の低減の観点からは溶融シリカが、高熱伝導性の観点からはアルミナが好ましく、無機充填剤の形状は充填性及び金型摩耗性の点から球形が好ましい。
【００２７】
本発明において用いられる（Ｃ）無機充填剤はその平均粒径が１５μｍ以下、比表面積が３．０〜６．０ｍ２／ｇであることがファインピッチなバンプを有するフリップチップ実装のアンダーフィル用途の充填性を満足させる観点から必要である。平均粒径はより好ましくは１０μｍ以下、さらに好ましくは８μｍ以下である。１５μｍを超えた場合はバンプで接合されたチップ／配線板の隙間にエポキシ樹脂成形材料が注入され難くなり、充填性が低下する。また比表面積はより好ましくは３．５〜５．５ｍ２／ｇ、さらに好ましくは４．０〜５．０ｍ２／ｇである。３．０ｍ２／ｇ未満及び６．０ｍ２／ｇを超えた場合はバンプで接合されたチップ／配線板の隙間中にボイドが発生し易くなり、充填性が低下する。
また充填性の観点からは（Ｃ）無機充填剤の粗粒子分を篩にてカットしてもよい。この時５３μｍ以上の（Ｃ）成分が０．５重量％以下であることが好ましく、３０μｍ以上の（Ｃ）成分が０．５重量％以下であることがより好ましく、２０μｍ以上の（Ｃ）成分が０．５重量％以下であることがさらに好ましい。
（Ｃ）無機充填剤の配合量は、充填性、信頼性の観点から封止用エポキシ樹脂成形材料に対して６０〜９５重量％が好ましい。７０〜９０重量％がより好ましく、７５〜８５重量％がさらに好ましい。６０重量％未満であると耐リフロー性が低下する傾向にあり、９５重量％を超えると充填性が低下する傾向にある。
【００２８】
（２級アミノ基を有するシランカップリング剤）
本発明において用いられる（Ｄ）２級アミノ基を有するシランカップリング剤は分子内に２級アミノ基を有するシラン化合物であれば特に制限はないが、たとえば、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリエトキシシラン、γ−アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アニリノプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アニリノプロピルエチルジエトキシシラン、γ−アニリノプロピルエチルジメトキシシラン、γ−アニリノメチルトリメトキシシラン、γ−アニリノメチルトリエトキシシラン、γ−アニリノメチルメチルジメトキシシラン、γ−アニリノメチルメチルジエトキシシラン、γ−アニリノメチルエチルジエトキシシラン、γ−アニリノメチルエチルジメトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミノプロピルエチルジエトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミノプロピルエチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−ブチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−ベンジル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ−ブチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ−ベンジル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ−メチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−ブチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−ベンジル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（β−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００２９】
なかでも充填性の観点からは、下記一般式（Ｉ）で示されるアミノシランカップリング剤が好ましい。
【化１９】
2004307645.tif 000017
（ここで、Ｒ１は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基及び炭素数１〜２のアルコキシ基から選ばれ、Ｒ２は炭素数１〜６のアルキル基及びフェニル基から選ばれ、Ｒ３はメチル基又はエチル基を示し、ｎは１〜６の整数を示し、ｍは１〜３の整数を示す。）
上記一般式（Ｉ）で示されるアミノシランカップリング剤としては、たとえばγ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリエトキシシラン、γ−アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アニリノプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アニリノプロピルエチルジエトキシシラン、γ−アニリノプロピルエチルジメトキシシラン、γ−アニリノメチルトリメトキシシラン、γ−アニリノメチルトリエトキシシラン、γ−アニリノメチルメチルジメトキシシラン、γ−アニリノメチルメチルジエトキシシラン、γ−アニリノメチルエチルジエトキシシラン、γ−アニリノメチルエチルジメトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミノプロピルエチルジエトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミノプロピルエチルジメトキシシラン等が挙げられる。特に好ましくは、γ−アニリノプロピルトリメトキシシランである。
【００３０】
（Ｄ）２級アミノ基を有するシランカップリング剤の配合量は、封止用エポキシ樹脂成形材料に対して０．０３７〜４．７５重量％であることが好ましく、０．０８８〜２．３重量％であることがさらに好ましい。０．０３７重量％未満では流動性が低下し、ボイド等充填性に関する成形不良が発生しやすくなる傾向や、配線板との接着性が低下する傾向がある。４．７５重量％を超えると揮発分が多くなり、ボイド等充填性に関する成形不良が発生しやすくなる傾向があるとともにパッケージの成形性が低下する傾向がある。
【００３１】
本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料には、樹脂成分と充項剤との接着性を高めるために、カップリング剤を配合することが好ましい。カップリング剤としては、（Ｄ）２級アミノ基を有するシランカップリング剤が好ましいが、本発明の効果を達成できる範囲内で必要に応じてその他のカップリング剤を併用することができる。
（Ｄ）２級アミノ基を有するシランカップリング剤と併用できるその他のカップリング剤としては、封止用エポキシ樹脂成形材料に一般に使用されているもので特に制限はないが、たとえば、１級アミノ基及び／又は３級アミノ基を有するシラン化合物、エポキシシラン、メルカプトシラン、アルキルシラン、フェニルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等の各種シラン系化合物、チタン系化合物、アルミニウムキレート類、アルミニウム／ジルコニウム系化合物等が挙げられる。これらを例示すると、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジブチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチル）アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジエチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジブチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ−メチル）アニリノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アニリノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジブチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチル）アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミン、Ｎ−（ジメトキシメチルシリルイソプロピル）エチレンジアミン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン等のシラン系カップリング剤、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート等のチタネート系カップリング剤などが挙げられ、これらの１種を単独で用いても２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３２】
これらその他のカップリング剤を用いる場合、（Ｄ）２級アミノ基を有するシランカップリング剤の配合量は、その性能を発揮するためにカップリング剤全量に対して３０重量％以上とすることが好ましく、５０重量％以上がより好ましい。
上記（Ｄ）２級アミノ基を有するシランカップリング剤を含むカップリング剤の全配合量は、封止用エポキシ樹脂成形材料に対して０．０３７〜４．７５重量％であることが好ましく、０．０８８〜２．３重量％であることがより好ましい。０．０３７質量％未満では配線板との接着性が低下する傾向があり、４．７５質量％を超えると揮発分が多くなり、ボイド等充填性に関する成形不良が発生しやすくなる傾向があるとともにパッケージの成形性が低下する傾向がある。尚、上記カップリング剤の配合量は、（Ｃ）無機充填剤に対して０．０５〜５重量％であることが好ましく、０．１〜２．５重量％がより好ましい。配合量を規定した理由は前記と同様である。
（カップリング剤被覆率）
本発明においてカップリング剤を用いる場合、無機充填剤へのカップリング剤の被覆率は０．３〜１．０とすることが好ましく、さらに好ましくは０．４〜０．９、より好ましくは０．５〜０．８の範囲とすることが都合がよい。カップリング剤の被覆率が１．０より大きい場合、成形時に発生する揮発分による気泡が増加して、薄肉部のボイドが発生しやすくなる傾向がある。また、カップリング剤の被覆率が０．３より小さい場合、樹脂と充填材との接着力が低下するため、成型品強度が低下する傾向がある。
エポキシ樹脂成形材料のカップリング剤被覆率Ｘは（ｘｘｘ）式のように定義される。
Ｘ（％）＝Ｓｃ／Ｓｆ      （ｘｘｘ）
Ｓｃ及びＳｆは、それぞれエポキシ樹脂成形材料における全カップリング剤の総最小被覆面積と全充填材の総表面積を表し、（ｙｙｙ）式、（ｚｚｚ）式で定義される。
Ｓｃ＝Ａ１×Ｗ１＋Ａ２×Ｗ２＋…＋Ａｎ×Ｍｎ（ｎは使用カップリング剤種数）（ｙｙｙ）
Ｓｆ＝Ｂ１×Ｗ１  ＋Ｂ２×Ｗ２＋…  ＋Ｂｌ×Ｗｌ（ｌは使用充填材種数）          （ｚｚｚ）
ここで、ＡとＭはそれぞれ各カップリング剤の最小被覆面積およびその使用量、ＢとＷはそれぞれ各充填材の比表面積およびその使用量を表す。
（カップリング剤被覆率の制御方法）
エポキシ樹脂成形材料に使用する各カップリング剤および無機充填剤それぞれの最小被覆面積および比表面積が既知であれば、（ｘｘｘ）式、（ｙｙｙ）式および（ｚｚｚ）式より、目的のカップリング剤被覆率となるカップリング剤および充填材の使用量を算出することが可能である。
【００３３】
（リン化合物）
充填性、難燃性の観点からは、本発明において、さらに（Ｅ）リン化合物を配合することが好ましい。本発明において用いられる（Ｅ）リン化合物としては特に制限はないが、耐湿信頼性の観点からリン酸エステル、ホスフィンオキサイドが好ましい。
リン酸エステルはリン酸とアルコール化合物又はフェノール化合物のエステル化合物であれば特に制限はないが、例えばトリメチルホスフェート、トリエチルホスフェート、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、トリキシレニルホスフェート、クレジルジフェニルホスフェート、キシレニルジフェニルホスフェート、トリス（２，６−ジメチルフェニル）ホスフェート及び芳香族縮合リン酸エステル等が挙げられる。なかでも耐加水分解性の観点からは、下記一般式（ＩＩ）で示される芳香族縮合リン酸エステルが好ましい。
【化２０】
2004307645.tif 000018
（ここで、式中の８個のＲは炭素数１〜４のアルキル基を示し、全て同一でも異なっていてもよい。Ａｒは芳香族環を示す。）
上記式（ＩＩ）のリン酸エステルを例示すると、下記構造式（ＸＶＩ）〜  （ＸＸ）で示されるリン酸エステル等が挙げられる。
【化２１】
2004307645.tif 000019
【００３４】
これらリン酸エステルの添加量は、充填剤を除く他の全配合成分に対して、燐原子の量で０．２〜３．０質量％の範囲内であることが好ましい。０．２質量％より少ない場合は充填性が低下し、ボイド等の成形不良が発生しやすくなる。また難燃効果が低くなる傾向がある。３．０質量％を超えた場合は成形性、耐湿性の低下や、成形時にこれらのリン酸エステルがしみ出し、外観を阻害する場合がある。
【００３５】
ホスフィンオキサイドとしては下記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物が好ましい。
【化２２】
2004307645.tif 000020
（ここで、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は炭素数１〜１０の置換又は非置換のアルキル基、アリール基、アラルキル基及び水素原子を示し、すべて同一でも異なってもよい。ただしすべてが水素原子である場合を除く。）
上記一般式（Ｉ）で示されるリン化合物の中でも、耐加水分解性の観点からはＲ１〜Ｒ３が置換又は非置換のアリール基であることが好ましく、特に好ましくはフェニル基である。
【００３６】
ホスフィンオキサイドの配合量は封止用エポキシ樹脂成形材料に対してリン原子の量が０．０１〜０．２重量％であることが必要である。好ましくは０．０２〜０．１重量％であり、さらに好ましくは０．０３〜０．０８重量％である。０．０１重量％未満であると難燃性が低下し、０．２重量％を超えると成形性、耐湿性が低下する。
【００３７】
（硬化促進剤）
硬化性の観点からは、本発明において、さらに（Ｆ）硬化促進剤を配合することが好ましい。本発明において用いられる（Ｆ）硬化促進剤としては封止用エポキシ樹脂成形材料に一般に使用されているものであれば特に制限はないが、たとえば、１，８−ジアザ−ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、１，５−ジアザ−ビシクロ（４，３，０）ノネン、５、６−ジブチルアミノ−１，８−ジアザ−ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等のシクロアミジン化合物及びこれらの化合物に無水マレイン酸、１，４−ベンゾキノン、２，５−トルキノン、１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルベンゾキノン、２，６−ジメチルベンゾキノン、２，３−ジメトキシ−５−メチル−１，４−ベンゾキノン、２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノン、フェニル−１，４−ベンゾキノン等のキノン化合物、ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂などのπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有する化合物、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等の３級アミン類及びこれらの誘導体、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール類及びこれらの誘導体、トリブチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（４−メチルフェニル）ホスフィン、ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィン等の有機ホスフィン類及びこれらのホスフィン類に無水マレイン酸、上記キノン化合物、ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂等のπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有するリン化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾールテトラフェニルボレート、Ｎ−メチルモルホリンテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩及びこれらの誘導体などが挙げられ、これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。なかでも充填性及び耐リフロー性の観点からは有機ホスフィンとキノン化合物との付加物が好ましい。
【００３８】
硬化促進剤の配合量は、硬化促進効果が達成される量であれば特に制限されるものではないが、封止用エポキシ樹脂成形材料に対して０．００５〜２重量％が好ましく、より好ましくは０．０１〜０．５重量％である。０．００５重量％未満では短時間での硬化性に劣る傾向があり、２重量％を超えると硬化速度が速すぎて良好な成形品を得ることが困難になる傾向がある。
【００３９】
（難燃剤）
本発明には難燃性の観点から、さらに各種難燃剤を添加してもよい。難燃剤は封止用エポキシ樹脂成形材料に一般に使用されているもので特に制限はないが、たとえば、テトラブロモビスフェノールＡのジグリシジルエーテル化物やブロム化フェノールノボラックエポキシ樹脂等のブロム化エポキシ樹脂。酸化アンチモン、赤リン及び前述のリン酸エステル等の燐化合物、メラミン、メラミンシアヌレート、メラミン変性フェノール樹脂及びグアナミン変性フェノール樹脂等の含窒素化合物、シクロホスファゼン等の燐／窒素含有化合物、酸化亜鉛、酸化鉄、酸化モリブデン、フェロセン、上記水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム及び複合金属水酸化物等の金属化合物などが挙げられる。
近年の環境問題や高温放置特性の観点からは非ハロゲン、非アンチモン系の難燃剤が好ましい。なかでも充填性の観点からはリン酸エステルが好ましく、安全性、耐湿性の観点からは複合金属水酸化物が好ましい。
【００４０】
複合金属水酸化物は下記組成式（ＸＸＩ）で示される化合物が好ましい。
ｐ（Ｍ１ａＯｂ）・ｑ（Ｍ２ｃＯｄ）・ｒ（Ｍ３ｃＯｄ）・ｍＨ２Ｏ    （ＸＸＩ）
（ここで、Ｍ１、Ｍ２及びＭ３は互いに異なる金属元素を示し、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｐ、ｑ及びｍは正の数、ｒは０又は正の数を示す。）
なかでも、上記組成式（ＸＸＩ）中のｒが０である化合物、すなわち、下記組成式（ＸＸＩａ）で示される化合物がさらに好ましい。
ｍ（Ｍ１ａＯｂ）・ｎ（Ｍ２ｃＯｄ）・ｌ（Ｈ２Ｏ）    （ＸＸＩａ）
（ここで、Ｍ１及びＭ２は互いに異なる金属元素を示し、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｍ、ｎ及びｌは正の数を示す。）
上記組成式（ＸＸＩ）及び（ＸＸＩａ）中のＭ１及びＭ２は互いに異なる金属元素であれば特に制限はないが、難燃性の観点からは、Ｍ１とＭ２が同一とならないようにＭ１が第３周期の金属元素、ＩＩＡ族のアルカリ土類金属元素、ＩＶＢ族、ＩＩＢ族、ＶＩＩＩ族、ＩＢ族、ＩＩＩＡ族及びＩＶＡ族に属する金属元素から選ばれ、Ｍ２がＩＩＩＢ〜ＩＩＢ族の遷移金属元素から選ばれることが好ましく、Ｍ１がマグネシウム、カルシウム、アルミニウム、スズ、チタン、鉄、コバルト、ニッケル、銅及び亜鉛から選ばれ、Ｍ２が鉄、コバルト、ニッケル、銅及び亜鉛から選ばれることがより好ましい。流動性の観点からは、Ｍ１がマグネシウム、Ｍ２が亜鉛又はニッケルであることが好ましく、Ｍ１がマグネシウムでＭ２が亜鉛であることがより好ましい。  上記組成式（ＸＸＩ）中のｐ、ｑ、ｒのモル比は本発明の効果が得られれば特に制限はないが、ｒ＝０で、ｐ及びｑのモル比ｐ／ｑが９９／１〜５０／５０であることが好ましい。すなわち、上記組成式（ＸＸＩａ）中のｍ及びｎのモル比ｍ／ｎが９９／１〜５０／５０であることが好ましい。
なお、金属元素の分類は、典型元素をＡ亜族、遷移元素をＢ亜族とする長周期型の周期率表（出典：共立出版株式会社発行「化学大辞典４」１９８７年２月１５日縮刷版第３０刷）に基づいて行った。
複合金属水酸化物の形状は特に制限はないが、流動性、充填性の観点からは、平板状より、適度の厚みを有する多面体形状が好ましい。複合金属水酸化物は、金属水酸化物と比較して多面体状の結晶が得られやすい。
複合金属水酸化物の配合量は特に制限はないが、封止用エポキシ樹脂成形材料に対して０．５〜２０重量％が好ましく、０．７〜１５重量％がより好ましく、１．４〜１２重量％がさらに好ましい。０．５重量％未満では難燃性が不十分となる傾向があり、２０重量％を超えると充填性及び耐リフロー性が低下する傾向がある。
【００４１】
（加熱減量率）
エポキシ樹脂成形材料の加熱減量率は０．２５質量％以下が必須であるが、好ましくは０．２２質量％以下、より好ましくは０．２０質量％以下である。加熱減量率が０．２５質量％を超えると、成形時に発生する揮発分による気泡が増加して、薄肉部のボイドが発生しやすくなる。
（加熱減量率の定義）
重量Ａの耐熱性容器に樹脂組成物を加えた重量Ｗ０を測定する。これを２００℃雰囲気下にて１時間放置した後、容器と樹脂組成物の合計重量Ｗを測定する。このとき加熱減量率Ｙは次式により求まる。
Ｙ＝１００×（Ｗ０−Ｗ）／（Ｗ０−Ａ）
（加熱減量率の制御方法）
加熱減量率測定時に発生する揮発成分は、主に水分とアルコール類である。従って、成形前エポキシ樹脂成形材料の含水率低減、カップリング剤の最小必要量への最適化、揮発成分を生成し難いカップリング剤の使用等が有効である。
【００４２】
本発明に係る封止用エポキシ樹脂成形材料について好ましい態様をいくつか挙げてさらに説明する。
（第１の態様）
本発明に係る封止用エポキシ樹脂成形材料の第１の好ましい態様としては、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）平均粒径が１２μｍ以下、比表面積が３．０ｍ２／ｇ以上である無機充填剤を含有する封止用エポキシ樹脂成形材料が挙げられる。この場合、所望によりその他の添加剤を加えてもよい。各成分の組み合わせ及び配合量を調整することによって、フリップチップ実装型のアンダーフィル用封止用エポキシ樹脂成形材料を得ることができる。なかでも、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）平均粒径が１２μｍ以下、比表面積が３．０ｍ２／ｇ以上である無機充填剤の選定とその配合量が特に重要である。
（第２の態様）
本発明に係る封止用エポキシ樹脂成形材料の第２の好ましい態様としては、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）平均粒径が１２μｍ以下、比表面積が３．０ｍ２／ｇ以上である無機充填剤、さらに（Ｄ）２級アミノ基を有するシランカップリング剤を含有する封止用エポキシ樹脂成形材料が挙げられる。この場合、所望によりその他の添加剤を加えてもよい。各成分の組み合わせ及び配合量を調整することによって、フリップチップ実装型のアンダーフィル用封止用エポキシ樹脂成形材料を得ることができる。なかでも、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）平均粒径が１２μｍ以下、比表面積が３．０ｍ２／ｇ以上である無機充填剤及び、（Ｄ）２級アミノ基を有するシランカップリング剤の選定と配合量が特に重要である。
（第３の態様）
本発明に係る封止用エポキシ樹脂成形材料の第３の好ましい態様としては、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）平均粒径が１２μｍ以下、比表面積が３．０ｍ２／ｇ以上である無機充填剤、さらに（Ｄ）２級アミノ基を有するシランカップリング剤、（Ｅ）硬化促進剤を含有する封止用エポキシ樹脂成形材料が挙げられる。この場合、所望によりその他の添加剤を加えてもよい。各成分の組み合わせ及び配合量を調整することによって、フリップチップ実装型のアンダーフィル用封止用エポキシ樹脂成形材料を得ることができる。なかでも、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）平均粒径が１２μｍ以下、比表面積が３．０ｍ２／ｇ以上である無機充填剤及び、（Ｄ）２級アミノ基を有するシランカップリング剤、（Ｅ）硬化促進剤の選定と配合量が特に重要である。
【００４３】
（第４の態様）
本発明に係る封止用エポキシ樹脂成形材料の第４の好ましい態様として、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）最大粒径が６３μｍ以下で、且つ粒子径２０μｍ以上が５ｗｔ．％以上の無機充填剤を含有する封止用エポキシ樹脂成形材料が挙げられる。この場合、所望により他の添加剤を加えてもよい。各成分の組み合わせ及び配合量を調整することによって、フリップチップ実装型のアンダーフィル用封止用エポキシ樹脂成形材料を得ることができる。なかでも、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）最大粒径が６３μｍ以下で、且つ粒子径２０μｍ以上が５ｗｔ．％以上の無機充填剤の選定とその配合量が特に重要である。
【００４４】
（第５の態様）
本発明に係る封止用エポキシ樹脂成形材料の第５の好ましい態様としては、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）最大粒径が６３μｍ以下で、且つ粒子径２０μｍ以上が５ｗｔ．％以上の無機充填剤、さらに（Ｄ）２級アミノ基を有するシランカップリング剤を含有する封止用エポキシ樹脂成形材料が挙げられる。この場合、所望によりその他の添加剤を加えてもよい。各成分の組み合わせ及び配合量を調整することによって、フリップチップ実装型のアンダーフィル用封止用エポキシ樹脂成形材料を得ることができる。なかでも、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）最大粒径が６３μｍ以下で、且つ粒子径２０μｍ以上が５ｗｔ．％以上の無機充填剤及び、（Ｄ）２級アミノ基を有するシランカップリング剤の選定と配合量が特に重要である。
【００４５】
（第６の態様）
本発明に係る封止用エポキシ樹脂成形材料の第６の好ましい態様としては、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）最大粒径が６３μｍ以下で、且つ粒子径２０μｍ以上が５ｗｔ．％以上の無機充填剤、さらに（Ｄ）２級アミノ基を有するシランカップリング剤、（Ｅ）硬化促進剤を含有する封止用エポキシ樹脂成形材料が挙げられる。この場合、所望により他の添加剤を加えてもよい。各成分の組み合わせ及び配合量を調整することによって、フリップチップ実装型のアンダーフィル用封止用エポキシ樹脂成形材料を得ることができる。なかでも、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）最大粒径が６３μｍ以下で、且つ粒子径２０μｍ以上が５ｗｔ．％以上の無機充填剤及び、（Ｄ）２級アミノ基を有するシランカップリング剤、（Ｅ）硬化促進剤の選定と配合量が特に重要である。
【００４６】
（第７の態様）
本発明に係る封止用エポキシ樹脂成形材料の第７の好ましい態様としては、前第１から第６の態様において、前記（Ｃ）無機充填剤は、粒子径１２μｍ以下が５０ｗｔ．％以上、粒子径２４μｍ以下が７０ｗｔ．％以上、粒子径３２μｍ以下が８０ｗｔ．％以上、粒子径４８μｍ以下が９０ｗｔ．％以上の条件のうち少なくとも１つの条件を満たす封止用エポキシ樹脂成形材料が挙げられる。この場合、前記（Ｃ）無機充填剤は、粒子径１２μｍ以下が５０ｗｔ．％以上、粒子径２４μｍ以下が７０ｗｔ．％以上、粒子径３２μｍ以下が８０ｗｔ．％以上、粒子径４８μｍ以下が９０ｗｔ．％以上の条件の総ての条件を満たすことが好ましい。
なかでも、粒子径１２μｍ以下が５０ｗｔ．％以上、粒子径４８μｍ以下が９０ｗｔ．％以上の組合せが好ましく、前記のすべての条件を満たすことがさらに好ましい。
【００４７】
（第８の態様）
本発明に係る封止用エポキシ樹脂成形材料の第７の好ましい態様としては、前記第１から第７の態様において、前記（Ｃ）無機充填剤が以下の（１）及び（２）の条件を同時に満たす封止用エポキシ樹脂成形材料が挙げられる。
（１）平均粒径が１２μｍ以下で、且つ比表面積が３．０ｍ２／ｇ以上である；
（２）最大粒径が６３μｍ以下で、且つ粒子径２０μｍ以上の無機充填剤を５ｗｔ．％以上含有する；
【００４８】
ファインピッチのはんだバンプ等を備える次世代フリップチップ型半導体装置の製造において、従来の固形タイプの封止用エポキシ樹脂を用いて封止する場合、直径０．１ｍｍ程度のやや大きめのボイドの発生に起因してアンダーフィル部の充填は満足できるものではなかった。ところが前記第１から第８の態様に代表される本発明の封止用エポキシ樹脂を封止材として用いることにより、前記問題は解消されるに至った。
【００４９】
ここで、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）無機充填剤の選定は以下の観点から行われることが好ましい。
（Ａ）エポキシ樹脂の選定においては１５０℃における溶融粘度が２ポイズ以下であるものを選択することが好ましく、１ポイズ以下であるものを選択することがより好ましい。（Ｃ）無機充填剤の配合割合が高い場合にこの選択は特に有効である。中でもビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂及び硫黄原子含有エポキシ樹脂を選択することが信頼性の観点から好ましい。
（Ｂ）硬化剤の選定においては１５０℃における溶融粘度は２ポイズ以下であるものを選択することが好ましく、１ポイズ以下であるものを選択することがより好ましい。（Ｃ）無機充填剤の配合割合が高い場合にこの選択は特に有効である。また成形性の観点から（Ａ）エポキシ樹脂としてノボラック型エポキシ樹脂を選択した場合、低吸湿性の観点からジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂を選択した場合、耐熱性及び低反り性の観点からナフタレン型エポキシ樹脂及びトリフェニルメタン型エポキシ樹脂を選択した場合も上記選択は特に有効である。
（Ｃ）平均粒径が１２μｍ以下、比表面積が３．０ｍ２／ｇ以上である無機充填剤の選定においては、平均粒径は１２μｍ以下の範囲で、適用するフリップチップ実装型半導体装置におけるバンプ高さ及びバンプピッチを考慮して注入可能な大きさのものを選択することが必要であるが、必要以上に小さいものを選択することは流動性低下を起こすため避けるべきである。また比表面積は３．０ｍ２／ｇ以上の範囲内で、注入可能な平均粒径のものの中でできるだけ小さいものを選択することが有効である。平均粒径、比表面積両者を上記範囲で満たすためには市販の無機充填剤２種以上を組み合せることが有効である。
さらに必要により（Ｃ）無機充填剤の粗粒子分を篩にてカットしてもよい。５３μｍ以上の（Ｃ）成分が０．５重量％以下であることが好ましく、３０μｍ以上の（Ｃ）成分が０．５重量％以下であることがより好ましく、２０μｍ以上の（Ｃ）成分が０．５重量％以下であることがさらに好ましい。
【００５０】
また、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料には、ＩＣ等の半導体素子の耐湿性及び高温放置特性を向上させる観点から陰イオン交換体を添加することもできる。陰イオン交換体としては特に制限はなく、従来公知のものを用いることができるが、たとえば、ハイドロタルサイト類や、マグネシウム、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、ビスマス等から選ばれる元素の含水酸化物等が挙げられ、これらを単独又は２種以上を組み合わせて用いることができる。なかでも、下記組成式（ＸＸＩ）で示されるハイドロタルサイトが好ましい。
Ｍｇ１−ＸＡｌＸ（ＯＨ）２（ＣＯ３）Ｘ／２・ｍＨ２Ｏ・・・（ＸＸＩ）
（０＜Ｘ≦０．５、ｍは正の数）
【００５１】
さらに、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料には、その他の添加剤として、高級脂肪酸、高級脂肪酸金属塩、エステル系ワックス、ポリオレフィン系ワックス、ポリエチレン、酸化ポリエチレン等の離型剤、カーボンブラック等の着色剤、シリコーンオイルやシリコーンゴム粉末等の応力緩和剤などを必要に応じて配合することができる。
【００５２】
（調製・使用方法）
本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料は、各種原材料を均一に分散混合できるのであれば、いかなる手法を用いても調製できるが、一般的な手法として、所定の配合量の原材料をミキサー等によって十分混合した後、ミキシングロール、押出機、らいかい機、プラネタリミキサ等によって混合又は溶融混練した後、冷却し、必要に応じて脱泡、粉砕する方法等を挙げることができる。また、必要に応じて成形条件に合うような寸法及び重量でタブレット化してもよい。
本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料を封止材として用いて、半導体装置を封止する方法としては、低圧トランスファ成形法が最も一般的であるが、インジェクション成形法、圧縮成形法等も挙げられる。ディスペンス方式、注型方式、印刷方式等を用いてもよい。充填性の観点からは減圧状態にて成形できる成形法が好ましい。
【００５３】
（半導体装置）
続いて本発明の半導体装置について説明する。また、かかる半導体装置の説明を介して本発明のエポキシ樹脂成形材料の好適な用途及び使用方法について説明する。
本発明の半導体装置としては、配線済みのテープキャリア、配線板、ガラス等の支持部材や実装基板に、半導体チップ、トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子、コンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子等の素子を搭載し、封止用エポキシ樹脂成形材料で封止したフリップチップ実装型の半導体装置などが挙げられる。
ここで、封止用エポキシ樹脂成形材料としては、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料を用いることができる。即ち、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び（Ｃ）無機充填剤として以下の（１）及び（２）のうちの少なくともいずれか一方の条件を満たすものを含有し、
（１）平均粒径が１２μｍ以下で、且つ比表面積が３．０ｍ２／ｇ以上である；
（２）最大粒径が６３μｍ以下で、且つ粒子径２０μｍ以上の無機充填剤を５ｗｔ．％以上含有する；
所望により（Ｄ）２級アミノ基を有するシランカップリング剤、（Ｅ）硬化促進剤を含有する封止用エポキシ樹脂成形材料が用いられる。
前記（Ｃ）無機充填剤としては、充填性向上の観点からは前記（１）の条件を満たす無機充填剤が好ましく、バリ性の向上の観点からは前記（２）の条件を満たす無機重点剤を用いることが好ましく、両者の観点からは前記（１）及び（２）の条件を満たす充填剤が好ましい。
前記実装基板としては特に制限するものではなく、たとえば、有機基板、有機フィルム、セラミック基板、ガラス基板等のインターポーザ基板、液晶用ガラス基板、ＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｍｏｄｕｌｅ）用基板、ハイブリットＩＣ用基板等が挙げられる。
【００５４】
本発明の半導体装置としては、それぞれ所定の値に規定された（ａ）フリップチップのバンプ高さ、（ｂ）フリップチップのバンプピッチ、（ｃ）半導体チップの面積、（ｄ）封止材の総厚さ、（ｅ）フリップチップのバンプ数、（ｆ）成型時のエアベント厚みの構成を１以上備えるものが好ましい。
具体的には、以下の（ａ１）〜（ｆ１）の構成を１以上備えるものが好ましい。
（ａ１）フリップチップ実装時のバンプ高さが３００μｍ以下である
（ｂ１）フリップチップのバンプピッチが５００μｍ以下である
（ｃ１）半導体チップの面積が２５ｍｍ２以上である
（ｄ１）封止材の総厚さが２ｍｍ以下である
（ｅ１）フリップチップのバンプ数が１００個以上である
（ｆ１）成型時のエアベント厚みが４０μｍ以下である
以下の（ａ２）〜（ｆ２）の構成を１以上を備える半導体装置がより好ましい。
（ａ２）フリップチップ実装時のバンプ高さが２００μｍ以下である
（ｂ２）フリップチップのバンプピッチが４００μｍ以下である
（ｃ２）半導体チップの面積が５０ｍｍ２以上である
（ｄ２）封止材の総厚さが１．５ｍｍ以下である
（ｅ２）フリップチップのバンプ数が１５０個以上である
（ｆ２）成型時のエアベント厚みが３０μｍ以下である
以下の（ａ３）〜（ｆ３）の構成を１以上を備える半導体装置がさらに好ましい。
（ａ３）フリップチップ実装時のバンプ高さが１５０μｍ以下である
（ｂ３）フリップチップのバンプピッチが３００μｍ以下である
（ｃ３）半導体チップの面積が８０ｍｍ２以上である
（ｄ３）封止材の総厚さが１．０ｍｍ以下である
（ｅ３）フリップチップのバンプ数が２００個以上である
（ｆ３）成型時のエアベント厚みが２０μｍ以下である
好ましい態様を挙げて半導体装置について説明したが、なかでも前記（ａ）〜（ｆ）の構成を以下の組み合わせで備える半導体装置が特に好ましい。
充填性の観点からは、構成（ａ）及び構成（ｂ）の少なくとも一方を備える半導体装置が好ましい。より具体的には構成（ａ１）及び（ｂ１）を備える半導体装置、構成（ａ１）及び（ｄ１）を備える半導体装置、構成（ａ１）及び（ｃ１）を備える半導体装置、構成（ｂ）及び（ｄ）を備える半導体装置、並びに構成（ｂ１）及び（ｃ１）を備える半導体装置が好ましい。さらに構成（ａ２）及び（ｂ２）を備える半導体装置、構成（ａ２）及び（ｄ２）を備える半導体装置、構成（ａ２）及び（ｃ２）を備える半導体装置、構成（ｂ２）及び（ｄ２）を備える半導体装置、並びに構成（ｂ２）及び（ｃ２）を備える半導体装置が好ましい。さらにまた構成（ａ３）及び（ｂ３）を備える半導体装置、構成（ａ３）及び（ｄ３）を備える半導体装置、構成（ａ３）及び（ｃ３）を備える半導体装置、構成（ｂ３）及び（ｄ３）を備える半導体装置、並びに構成（ｂ３）及び（ｃ３）を備える半導体装置が好ましい。
【００５５】
このような半導体装置としては、たとえば、配線板やガラス上に形成した配線に、フリップチップボンディングで接続した半導体チップを、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で封止したＣＯＢ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｂｏａｒｄ）、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）等のベアチップ実装した半導体装置、配線板やガラス上に形成した配線に、フリップチップボンディングで接続した半導体チップ、トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子及び／又はコンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子を、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で封止したハイブリッドＩＣ、ＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｍｏｄｕｌｅ）マザーボード接続用の端子を形成したインターポーザ基板に半導体チップを搭載し、バンプにより半導体チップとインターポーザ基板に形成された配線を接続した後、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で半導体チップ搭載側を封止したＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｐａｃｋａｇｅ）などが挙げられる。また、これらの半導体装置は、実装基板上に素子が２個以上重なった形で搭載されたスタックド（積層）型パッケージであっても、２個以上の素子を一度に封止用エポキシ樹脂成形材料で封止した一括モールド型パッケージであってもよい。
【００５６】
本発明の半導体装置の好ましい態様を図１〜図３を参照しながら説明する。
尚、本発明の半導体装置はこれらに限られるものではない。
図１には、アンダーフィルタイプのフリップチップ型ＢＧＡの断面図が示されており、図２には、オーバーモールドタイプのフリップチップ型ＢＧＡの断面図が示されている。また図３にはフリップチップ型ＢＧＡの配線板１上にはんだバンプ２を介して半導体チップ３を配置した際の上面図（一部透視図）が示されている。
図１に示されるアンダーフィルタイプのフリップチップ型ＢＧＡの半導体装置１０は、図３に示されるように配線板１上にはんだバンプ２を所定のバンプピッチｂで配置し；そのはんだバンプ２を介してバンプ高さａで半導体チップ３を配線板１上に接続・固定し；そして配線板１と半導体チップ３間に形成されるアンダーフィル部５を封止用エポキシ樹脂成形材料（封止材）４を用いて封止することにより得られるものである。図２に示されるオーバーモールドタイプのフリップチップ型ＢＧＡの半導体装置２０は、前記封止工程においてアンダーフィル部５を封止すると共に半導体チップ３全体を覆うように封止することを除いて、前記と同様にして製造されるものである。
ここで、本発明の半導体装置の製造に際しては、半導体装置のバンプ高さａ、バンプピッチｂ、半導体チップの面積ｄ及び封止材の総厚さｅを以下のように設定することが好ましい。
はんだバンプ２の高さａは３００μｍ以下であることが好ましく、２００μｍ以下であることがより好ましく、１５０μｍ以下であることがさらに好ましい。
はんだバンプ２のピッチｂすなわちはんだバンプの中心間隔は５００μｍ以下であることが好ましく、４００μｍ以下であることがより好ましく、３００μｍ以下であることがさらに好ましい。
はんだバンプ２の数は１００個以上であることが好ましく、１５０個以上であることがより好ましく、２００個以上であることがさらに好ましい。
半導体チップ３の面積ｄは２５ｍｍ２以上であることが好ましく、５０ｍｍ２以上であることがより好ましく、８０ｍｍ２以上でることがさらに好ましい。
封止材４の総厚さｅは２ｍｍ以下であることが好ましく、１．５ｍｍ以下であることがより好ましく、１．０ｍｍ以下であることがさらに好ましい。
尚、アンダーフィルタイプにあっては総厚さとバンプ高さａは同一の値となる。
【００５７】
【実施例】
次に本発明の実施例を示すが、本発明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、各封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置の評価は特記しない限り後に説明する評価方法に基づいて行った。
（実施例１〜７、比較例１〜６）
表１〜表３に示す配合組成で、各素材を予備混合（ドライブレンド）した後、ロール表面温度約８０℃の二軸ロールで１０分間混練し、次いで冷却粉砕して実施例１〜７及び比較例１〜６の各封止用エポキシ樹脂成形材料１〜１３を製造した。なお、表中の組成は重量部で示す。
（Ａ）エポキシ樹脂
ビフェニル型エポキシ樹脂としてジャパンエポキシレジン社製品名エピコートＹＨ−４０００Ｈ（エポキシ当量１９６、融点１０６℃）、臭素化エポキシ樹脂として住友化学社製品名ＥＳＢ−４００（エポキシ当量４００、臭素含有率４９％のエピビス型エポキシ樹脂、２，２´−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモフェニル）プロパンのエピクロルヒドリンによるジグリシジルエーテル化変性物）を使用した。
（Ｂ）硬化剤
また、（Ｂ）硬化剤としては、水酸基当量１５６、軟化点７３℃の下記構造式（ＸＸＩＩ）で示されるフェノール・ベンズアルデヒド・キシリレンジメトキサイド重縮合物（住金ケミカル社製品名ＨＥ５１０−０５）、水酸基当量１００、軟化点８３℃の下記構造式（ＸＸＩＩＩ）で示されるフェノール・ヒドロキシベンズアルデヒド樹脂（明和化成社製品名ＭＥＨ−７５００−３Ｓ）を使用した。
【化２３】
2004307645.tif 000021
（ここで、ｎは０〜８の正の数を示す。）
【化２４】
2004307645.tif 000022
（ここで、ｎは０〜８の正の数を示す。）
【００５８】
作製した合計１３種類の成形材料を、トランスファ成形機を用い、金型温度１８０℃、成形圧力６．９ＭＰａ、硬化時間９０秒の条件でそれぞれ成形し、スパイラルフロー、ゲルタイム試験により評価した。
【００５９】
〔半導体装置１（フリップチップＢＧＡ）の作製〕
次に、封止用エポキシ樹脂成形材料１〜１３を用いて、実施例１〜７及び比較例１〜６の半導体装置を作製した。なお、封止用エポキシ樹脂成形材料による封止は、トランスファ成形機を用いて、金型温度１８０℃、成形圧力６．９ＭＰａ、硬化時間９０秒の条件で成形後、１８０℃で５時間後硬化することにより行った。
実施例１〜７（表）：絶縁ベース基材（ガラス布ーエポキシ樹脂積層板、日立化成製、商品名  Ｅ−６７９）上に微細配線パターンを形成し、半導体素子搭載側の金メッキ端子及び反対側の外部接続端子を除いた面に絶縁保護レジスト（太陽インキ製、商品名  ＰＳＲ４０００ＡＵＳ５）を塗布した外形が縦２２ｍｍ×横１４ｍｍ×厚さ０．３ｍｍの半導体素子搭載用基板を１２０℃、２時間乾燥後、縦９ｍｍ×横８ｍｍ×厚さ０．４ｍｍ（面積７２ｍｍ２）、バンプ径１４５μｍ、バンプピッチ２００μｍ、バンプ数１６０個の半導体素子をＩＲリフローにて２６０℃、１０秒の条件でリフロー処理を行って実装した。実装後のバンプ高さは１００μｍであった。次に、封止用エポキシ樹脂成形材料１〜７を用いて、半導体素子搭載面を縦２２ｍｍ×横１４ｍｍ×厚さ０．７ｍｍの寸法に上記条件で真空トランスファ成形し、実施例１〜７のフリップチップＢＧＡ装置を作製した。
比較例１〜６（表）：封止用エポキシ樹脂成形材料８〜１３を用いたことを除いて、実施例１〜７と同様にして、比較例１〜６の半導体装置を作製した。
【００６０】
〔半導体装置２（フリップチップＢＧＡ）の作製〕
次に、封止用エポキシ樹脂成形材料１〜１３を用いて、実施例１〜７及び比較例１〜６の半導体装置を作製した。なお、封止用エポキシ樹脂成形材料による封止は、トランスファ成形機を用いて、金型温度１８０℃、成形圧力６．９ＭＰａ、硬化時間９０秒の条件で成形後、１８０℃で５時間後硬化することにより行った。
実施例１〜７（表）：絶縁ベース基材（ガラス布ーエポキシ樹脂積層板、日立化成製、商品名  Ｅ−６７９）上に微細配線パターンを形成し、半導体素子搭載側の金メッキ端子及び反対側の外部接続端子を除いた面に絶縁保護レジスト（太陽インキ製、商品名  ＰＳＲ４０００ＡＵＳ５）を塗布した外形が縦２２ｍｍ×横１４ｍｍ×厚さ０．３ｍｍの半導体素子搭載用基板を１２０℃、２時間乾燥後、縦６ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ０．４ｍｍ（面積３０ｍｍ２）、バンプ径３００μｍ、バンプピッチ４９０μｍ、バンプ数１２０個の半導体素子をＩＲリフローにて２６０℃、１０秒の条件でリフロー処理を行って実装した。実装後のバンプ高さは２６０μｍであった。次に、封止用エポキシ樹脂成形材料１〜７を用いて、半導体素子搭載面を縦２２ｍｍ×横１４ｍｍ×厚さ１．２ｍｍの寸法に上記条件で真空トランスファ成形し、実施例〜のフリップチップＢＧＡ装置を作製した。
比較例１〜６（表）：封止用エポキシ樹脂成形材料８〜１３を用いたことを除いて、実施例１〜７と同様にして、比較例１〜６の半導体装置を作製した。
【００６１】
〔半導体装置３（フリップチップＢＧＡ）の作製〕
次に、封止用エポキシ樹脂成形材料１〜１３を用いて、実施例１〜７、及び比較例１〜６の半導体装置を作製した。なお、封止用エポキシ樹脂成形材料による封止は、トランスファ成形機を用いて、金型温度１８０℃、成形圧力６．９ＭＰａ、硬化時間９０秒の条件で成形後、１８０℃で５時間後硬化することにより行った。
実施例１〜７（表）：絶縁ベース基材（ガラス布ーエポキシ樹脂積層板、日立化成製、商品名  Ｅ−６７９）上に微細配線パターンを形成し、半導体素子搭載側の金メッキ端子及び反対側の外部接続端子を除いた面に絶縁保護レジスト（太陽インキ製、商品名  ＰＳＲ４０００ＡＵＳ５）を塗布した外形が縦２２ｍｍ×横１４ｍｍ×厚さ０．３ｍｍの半導体素子搭載用基板を１２０℃、２時間乾燥後、縦５ｍｍ×横４ｍｍ×厚さ０．４ｍｍ（面積２０ｍｍ２）、バンプ径３９０μｍ、バンプピッチ７００μｍ、バンプ数４０個の半導体素子をＩＲリフローにて２６０℃、１０秒の条件でリフロー処理を行って実装した。実装後のバンプ高さは３５０μｍであった。次に、封止用エポキシ樹脂成形材料１〜７を用いて、半導体素子搭載面を縦２２ｍｍ×横１４ｍｍ×厚さ２．５ｍｍの寸法に上記条件で真空トランスファ成形し、実施例１〜７のフリップチップＢＧＡ装置を作製した。
比較例１〜６（表）：封止用エポキシ樹脂成形材料８〜１３を用いたことを除いて、実施例１〜７と同様にして、比較例１〜６の半導体装置を作製した。
【００６２】
作製した実施例１〜７及び比較例１〜６の半導体装置を次の試験により評価した。評価結果を表１〜表３に示す。
【００６３】
【表１】
2004307645.tif 000023
【００６４】
【表２】
2004307645.tif 000024
【００６５】
【表３】
2004307645.tif 000025
【００６６】
〔評価方法〕
（１）スパイラルフロー（流動性の指標）
ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用金型を用いて成形し、流動距離を求めた。
（２）ゲルタイム
ＪＳＲ製キュラストメータを用い、試料３ｇ、温度１８０℃で、トルク曲線の立ち上がりまでの時間（ｓ）を測定した。
（３）ボイド発生量
超音波探査映像装置（日立建機社製ＨＹＥ−ＨＯＣＵＳ型）を用いて、半導体装置の透視観察を行って、直径０．１ｍｍ以上のボイドの発生の有無を観察し、ボイド発生半導体装置数／試験半導体装置数で評価した。
（４）バリ
ポットより厚さ１０μｍのスリットを設けた金型を用いて成形し、スリット内を流れたバリの長さをノギスで求めた。なお、スリット内のバリ長さが１０μｍ未満を良好とし、１０μｍ以上をＮＧとした。
【００６７】
【発明の効果】
本発明のフリップチップ実装用の封止用エポキシ樹脂成形材料は、アンダーフィル材として要求される高い充填性を有し、ボイド等の成形不良が少ないため、その工業的価値は大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１には、封止用エポキシ樹脂成形材料（封止材）を用いて封止したフリップチップ型ＢＧＡ（アンダーフィルタイプ）の断面図が示されている。
【図２】図２には、封止用エポキシ樹脂成形材料（封止材）を用いて封止したフリップチップ型ＢＧＡ（オーバーモールドタイプ）の断面図が示されている。
【図３】図３には、配線板１上にはんだバンプ２を介して半導体チップ３を配置した際の上面図（一部透視図）が示されている。
【符号の説明】
１：配線板
２：はんだバンプ
３：半導体チップ
４：封止材
５：アンダーフィル部
ａ：バンプ高さ
ｂ：バンプピッチ
ｄ：半導体チップの面積
ｅ：封止材の総厚さ
【図１】
2004307645.tif 000029
【図２】
2004307645.tif 000030
【図３】
2004307645.tif 000031