【手続補正書】
【提出日】平成16年1月13日(2004.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を有する半導体装置の製造方法。
第１の導体膜上にメチルシロキサン系膜を形成する第１工程
上記メチルシロキサン系膜上に上記メチルシロキサン系膜と異なる絶縁膜を形成する第２工程
上記絶縁膜上にハードマスクを形成する第３工程
レジストをマスクとして上記ハードマスクにパターンを転写した後、上記レジストを除去する第４工程
上記ハードマスクをマスクとして上記メチルシロキサン系膜と上記絶縁膜の積層膜を部分的に除去し、上記第１の導体膜の一部を露出する開口部を形成する第５工程
上記ハードマスクを除去し上記上記第５工程で形成された上記積層膜に形成された開口部に上記第１の導体膜と電気的に接続された第２の導体膜を形成する第６工程
【請求項２】
前記絶縁膜は、エッチング速度が前記ハードマスクの１／３以下である請求項１記載の半導体装置の製造方法
【請求項３】
前記絶縁膜が、酸化ケイ素系膜である請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記メチルシロキサン系膜が有機ＳＯＧ膜である請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ハードマスクが、窒化珪素系膜或いは炭化珪素系膜である請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１工程の前に、前記第１の導体膜上にエッチング保護膜を形成する工程を有し、前記第１工程で上記エッチング保護膜上に前記メチルシロキサン系膜を形成し、前記第５工程で前記メチルシロキサン系膜と前記絶縁膜の積層膜を部分的に除去したのち開口部から露出する上記エッチング保護膜と上記ハードマスクを除去することを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記エッチング保護膜が、窒化珪素系膜或いは炭化珪素系膜である請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２の導体膜が、バリヤメタル膜と銅膜の積層膜である請求項５記載の半導体装置の製造装置。
【請求項９】
前記バリヤメタル膜が、窒素チタン膜或いは窒化タンタル膜である請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の導体膜が層間接続のためのプラグであり、前記第２の導体膜が埋め込み配線である請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の導体膜が埋め込み配線であり、前記第２の導体膜が層間接続を行う部分である請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
以下の工程を有する半導体装置の製造方法。
第１の配線上に第１のメチルシロキサン系膜を形成する第１工程
上記第１のメチルシロキサン系膜上にメチルシロキサン系膜と異なる第１の絶縁膜を形成する第２工程
上記第１の絶縁膜上に第１のハードマスクを形成する第３工程
第１のレジストをマスクとして上記第１のハードマスクに孔パターンを転写した後、上記第１のレジストを除去する第４工程
上記第１のハードマスク上に第２のメチルシロキサン系膜を形成する第５工程
上記第２のメチルシロキサン系膜上にメチルシロキサン系膜と異なる第２の絶縁膜を形成する第６工程
上記第２の絶縁膜上に第２のハードマスクを形成する第７工程
第２のレジストをマスクとして上記第２のハードマスクに上記孔パターンとの平面的重なりを有する溝パターンを転写した後、上記第２のレジストを除去する第８工程
上記第１及び第２のハードマスクをマスクとして、上記第２のメチルシロキサン系膜と上記第２の絶縁膜の積層膜中に溝を、上記第１のメチルシロキサン系膜と上記第１の絶縁膜の積層膜中に孔をそれぞれ形成し上記第２のハードマスクを除去して、上記第１の配線の一部を露出する第９工程
上記第９工程で形成された上記溝と上記孔の内部に上記第１の配線と電気的に接続された導体膜を形成する第１０工程
【請求項１３】
前記第１及び第２の絶縁膜は、エッチング速度が前記第１及び第２のハードマスクの１／３以下である請求項１２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１及び第２の絶縁膜が、酸化ケイ素系膜である請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１及び第２のメチルシロキサン系膜が有機ＳＯＧ膜である請求項１４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１及び第２のハードマスクが、窒化珪素系膜或いは炭化珪素系膜である請求項１５記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記第１工程の前に、前記第１の配線上にエッチング保護膜を形成する工程を有し、前記第１工程で上記エッチング保護膜上に前記第１のメチルシロキサン系膜を形成し、第９工程で前記第１のメチルシロキサン系膜と前記第１絶縁膜の積層膜中に孔を形成したのち開口部から露出する上記エッチング保護膜と上記第２のハードマスクを除去することを特徴とする請求項１６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記エッチング保護膜が、窒化珪素系膜或いは炭化珪素系膜である請求項１７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第９工程で、前記溝に露出する前記第１のハードマスクも除去される請求項１８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記導体膜が、バリヤメタル膜と銅膜の積層膜である請求項１６記載の半導体装置の製造装置。
【請求項２１】
前記バリヤメタル膜が、窒素チタン膜或いは窒化タンタル膜である請求項２０記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
前記孔内の前記導体膜が層間接続部分であり、前記溝内の前記導体膜が第２の配線である請求項１６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
以下の工程を有する半導体装置の製造方法。
第１の配線上に第１のメチルシロキサン系膜を形成する第１工程
上記第１のメチルシロキサン系膜上にメチルシロキサン系膜と異なる第１の絶縁膜を形成する第２工程
上記第１の絶縁膜上に第１のハードマスクを形成する第３工程
上記第１のハードマスク上に第２のメチルシロキサン系膜を形成する第４工程
上記第２のメチルシロキサン系膜上にメチルシロキサン系膜と異なる第２の絶縁膜を形成する第５工程
上記第２の絶縁膜上に第２のハードマスクを形成する第６工程
第１のレジストをマスクとして上記第２のハードマスクに溝パターンを転写した後、上記第１のレジストを除去する第７工程
第２のレジストをマスクとして、上記第１のハードマスクと上記第２のメチルシロキサン系膜と上記第２の絶縁膜の積層膜に上記溝パターンとの平面的重なりを有する孔パターンを転写した後、上記第２のレジストを低圧酸素プラズマ処理により除去する第８工程
上記第１のハードマスクの孔パターン及び第２のハードマスクの溝パターンをマスクとして、上記第２のメチルシロキサン系膜と上記第２の絶縁膜の積層膜中に溝を、上記第１のメチルシロキサン系膜と上記第１の絶縁膜の積層膜中に孔をそれぞれ形成し、上記第１の配線の一部を露出し、上記第２のハードマスクを除去する第９工程
上記第９工程で形成された上記溝と上記孔の内部に上記第１の配線と電気的に接続された導体膜を形成する第１０工程
【請求項２４】
前記第１及び第２の絶縁膜は、エッチング速度が前記第１及び第２のハードマスクの１／３以下である請求項２３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
前記第１及び第２の絶縁膜が、酸化ケイ素系膜である請求項２４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
前記第１及び第２のメチルシロキサン系膜が有機ＳＯＧ膜である請求項２５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２７】
前記第１及び第２のハードマスクが、窒化珪素系膜或いは炭化珪素系膜である請求項２６記載の半導体装置。
【請求項２８】
前記第１工程の前に、前記第１の配線上にエッチング保護膜を形成する工程を有し、前記第１工程で上記エッチング保護膜上に前記第１のメチルシロキサン系膜を形成し、第９工程で前記第１のメチルシロキサン系膜と前記第１絶縁膜の積層膜中に孔を形成したのち開口部から露出する上記エッチング保護膜と上記第２のハードマスクを除去することを特徴とする請求項２７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２９】
前記エッチング保護膜が、窒化珪素系膜或いは炭化珪素系膜である請求項２８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３０】
前記第９工程で、前記溝に露出する前記第１のハードマスクも除去される請求項２９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３１】
前記導体膜が、バリヤメタル膜と銅膜の積層膜である請求項２７記載の半導体装置の製造装置。
【請求項３２】
前記バリヤメタル膜が、窒素チタン膜或いは窒化タンタル膜である請求項３１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３３】
前記孔内の前記導体膜が層間接続部分であり、前記溝内の前記導体膜が第２の配線である請求項２７記載の半導体装置の製造方法。