【手続補正書】
【提出日】平成24年8月10日(2012.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリを制御する方法であって、
ユーザにとって使用可能なメモリ内の最大容量を定義する蓄積容量とメモリ内での内部使用のために取っておかれるメモリ容量を定義する作業領域容量とを有する前記メモリにて入力を受信するステップと、
前記入力が第１の入力を備える場合に、第１の書き込み性能レベルと第１の蓄積容量として構成された蓄積容量とを提供する第１の動作モードに前記メモリを構成するステップと、
前記入力が第２の入力を備える場合に、第２の書き込み性能レベルと第２の蓄積容量として構成された蓄積容量とを提供する第２の動作モードに前記メモリを構成するステップと、を含み、
前記第１の書き込み性能レベルは、前記第２の書き込み性能レベルより低く、
前記第１の蓄積容量は、前記第２の蓄積容量より大きく、
前記第１の動作モードと前記第２の動作モードは、１セル当たり同一数のビットを前記メモリに蓄積し、
前記第１の動作モードの第１の蓄積容量に関連する第１の作業領域容量は、前記第２の動作モードの第２の蓄積容量に関連する第２の作業領域容量より少ない方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、
前記メモリが既にフォーマット済みである場合に、前記第２の動作モードに前記メモリを構成することを禁止するステップをさらに含む方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法において、
前記入力を受信するステップは、前記メモリがフォーマットされる前または前記メモリがフォーマットされているときに、入力を受信することを含む方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、
前記第１および第２の書き込み性能レベルは、バースト書き込み速度またはサステインド書き込み速度のうちの少なくとも一方を備える方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法において、
前記第１の動作モードに前記メモリを構成するステップは、合計容量から前記第１の蓄積容量を引いたものに満たないかこれに等しい第１の作業領域容量のための容量を割り当てることを含み、
前記第２の動作モードに前記メモリを構成するステップは、合計容量から前記第２の蓄積容量を引いたものに満たないかこれに等しい第２の作業領域容量のための容量を割り当てることを含む方法。
【請求項６】
請求項５記載の方法において、
前記第１および第２の作業領域容量は、バッファまたはガーベッジコレクション空間のうちの少なくとも一方を備える方法。
【請求項７】
請求項１記載の方法において、
前記入力は、書き込み性能レベルまたは蓄積容量のうちの少なくとも一方を指定するソフトウェアコマンドを備える方法。
【請求項８】
請求項７記載の方法において、
前記ソフトウェアコマンドは、ホストから受信される方法。
【請求項９】
請求項１記載の方法において、
前記入力は、書き込み性能レベルまたは蓄積容量のうちの少なくとも一方を指定するハードウェア設定を備える方法。
【請求項１０】
請求項９記載の方法において、
前記ハードウェア設定は、スイッチおよびジャンパのうちの少なくとも一方を備える方法。
【請求項１１】
請求項１記載の方法において、
前記入力は、前記メモリの蓄積容量の一部分にのみ作用する方法。
【請求項１２】
メモリデバイスであって、
ユーザにとって使用可能なメモリ内の最大容量を定義する蓄積容量とメモリ内での内部使用のために取っておかれるメモリ容量を定義する作業領域容量とを有するメモリと、
前記メモリを制御するコントローラであって、
前記メモリにて入力を受信し、
前記入力が第１の入力を備える場合に、第１の書き込み性能レベルと第１の蓄積容量として構成された蓄積容量とを提供する第１の動作モードに前記メモリを構成し、かつ
前記入力が第２の入力を備える場合に、第２の書き込み性能レベルと第２の蓄積容量として構成された蓄積容量とを提供する第２の動作モードに前記メモリを構成するように構成されたコントローラと、を備え、
前記第１の書き込み性能レベルは、前記第２の書き込み性能レベルより低く、
前記第１の蓄積容量は、前記第２の蓄積容量より大きく、
前記第１の動作モードと前記第２の動作モードは、１セル当たり同一数のビットを前記メモリに蓄積し、
前記第１の動作モードの第１の蓄積容量に関連する第１の作業領域容量は、前記第２の動作モードの第２の蓄積容量に関連する第２の作業領域容量より少ないメモリデバイス。
【請求項１３】
請求項１２記載のメモリデバイスにおいて、
前記コントローラは、前記メモリが既にフォーマット済みである場合に、前記第２の動作モードに前記メモリを構成することを禁止するようにさらに構成されるメモリデバイス。
【請求項１４】
請求項１２記載のメモリデバイスにおいて、
前記入力を受信することは、前記メモリがフォーマットされる前または前記メモリがフォーマットされているときに、入力を受信することを含むメモリデバイス。
【請求項１５】
請求項１２記載のメモリデバイスにおいて、
前記第１および第２の書き込み性能レベルは、バースト書き込み速度またはサステインド書き込み速度のうちの少なくとも一方を備えるメモリデバイス。
【請求項１６】
請求項１２記載のメモリデバイスにおいて、
前記コントローラは、前記第１の動作モードにおいて、前記メモリデバイスの合計容量から前記第１の蓄積容量を引いたものに満たないかこれに等しい第１の作業領域容量のための容量を割り当てるようにさらに構成され、
前記コントローラは、前記第２の動作モードにおいて、前記メモリデバイスの合計容量から前記第２の蓄積容量を引いたものに満たないかこれに等しい第２の作業領域容量のための容量を割り当てるようにさらに構成されるメモリデバイス。
【請求項１７】
請求項１６記載のメモリデバイスにおいて、
前記第１および第２の作業領域容量は、バッファまたはガーベッジコレクション空間のうちの少なくとも一方を備えるメモリデバイス。
【請求項１８】
請求項１２記載のメモリデバイスにおいて、
前記入力は、書き込み性能レベルまたは蓄積容量のうちの少なくとも一方を指定するソフトウェアコマンドを備えるメモリデバイス。
【請求項１９】
請求項１８記載のメモリデバイスにおいて、
前記メモリデバイスは、前記ソフトウェアコマンドを受信するように配設されたインターフェイスを備えるメモリデバイス。
【請求項２０】
請求項１２記載のメモリデバイスにおいて、
前記メモリデバイスは入力を受信するハードウェアインターフェイスを備え、前記入力は書き込み性能レベルまたは蓄積容量のうちの少なくとも一方を指定するメモリデバイス。
【請求項２１】
請求項２０記載のメモリデバイスにおいて、
前記ハードウェアインターフェイスは、スイッチまたはジャンパのうちの少なくとも一方を備えるメモリデバイス。
【請求項２２】
請求項１２記載のメモリデバイスにおいて、
前記入力は、前記メモリの蓄積容量の一部分にのみ作用するメモリデバイス。
【請求項２３】
メモリを制御する方法であって、
メモリとやり取りするコントローラを有するメモリデバイスにて、前記コントローラは、
書き込み性能レベルまたは蓄積容量のうちの少なくとも一方を指定する入力を受信するステップと、
前記入力が第１の入力を備える場合に、前記メモリを第１の比に構成するステップと、
前記入力が第２の入力を備える場合に、前記メモリを第２の比に構成するステップと、を含み、
前記メモリは、合計容量を備え、
前記第１の比は第１の作業領域容量に対する第１の蓄積容量の比を備え、前記第１の蓄積容量はユーザにとってメモリデバイスにて使用可能なメモリ内の第１の蓄積容量を定義し、前記第１の作業領域容量は合計容量から前記第１の蓄積容量を引いたものに満たないかこれに等しく、
前記第２の比は第２の作業領域容量に対する第２の蓄積容量の比を備え、前記第２の蓄積容量はユーザにとってメモリデバイスにて使用可能なメモリ内の第２の蓄積容量を定義し、前記第２の作業領域容量は合計容量から前記第２の蓄積容量を引いたものに満たないかこれに等しく、
前記第１の比は、前記第２の比より高い方法。
【請求項２４】
請求項２３記載の方法において、
前記メモリが既にフォーマット済みである場合に、前記メモリを前記第２の比に構成することを禁止するステップをさらに含む方法。
【請求項２５】
請求項２３記載の方法において、
前記入力を受信するステップは、前記メモリがフォーマットされる前または前記メモリがフォーマットされているときに、前記入力を受信することを含む方法。
【請求項２６】
請求項２３記載の方法において、
前記第１および第２の作業領域容量は、バッファまたはガーベッジコレクション空間のうちの少なくとも一方を備える方法。
【請求項２７】
請求項２３記載の方法において、
前記入力は、ソフトウェアコマンドまたはハードウェア設定のうちの少なくとも一方を備える方法。