(57)【要約】【課題】高さの揃った導電突起を安定して形成することができ、更にこれら導電突起の形成工程と同時に導電突起と電気的に接続する配線の形成も可能な導電突起付き基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】導体１にエッチングストップ層２を積層する工程と、導体１にエッチングを行いエッチングストップ層２に達する孔５を形成する工程と、その孔５を突起形成材料６ａ、６ｂで埋める工程と、エッチングストップ層２を剥離した後、導体１をエッチングして、孔５に埋め込まれた突起形成材料６ａ、６ｂの先端を露出させ導電突起６を形成する工程と、その導電突起６付きの導体１を支持する絶縁体８を形成する工程とを有する。【選択図】　　　　図１
2004103750.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さの均一な導体の厚さ方向を貫通する孔に突起形成材料を埋め込むことによって得られた導電突起を有する前記導体が、絶縁体に支持されてなる
ことを特徴とする導電突起付き基板。
【請求項２】
前記導体はパターニングされている
ことを特徴とする請求項１に記載の導電突起付き基板。
【請求項３】
前記導電突起は、コア部と、前記コア部を囲んで形成され前記導体と電気的に接続する導電部とからなる
ことを特徴とする請求項１に記載の導電突起付き基板。
【請求項４】
厚さの均一な導体の一方の面にエッチングストップ層を積層する工程と、
前記導体の他方の面にエッチングレジストを形成する工程と、
前記エッチングレジストをマスクとして前記導体の前記他方の面側からエッチングを行い、前記導体に前記エッチングストップ層に達する孔を形成する工程と、
前記孔を突起形成材料で埋める工程と、
前記エッチングストップ層の剥離後、前記導体の前記一方の面をエッチングして、前記孔に埋め込まれた前記突起形成材料の先端を露出させ導電突起を形成する工程と、
前記導電突起付きの前記導体を支持する絶縁体を形成する工程を有する
ことを特徴とする導電突起付き基板の製造方法。
【請求項５】
前記孔を前記突起形成材料で埋めた後、前記導体をパターニングする工程を有する
ことを特徴とする請求項４に記載の導電突起付き基板の製造方法。
【請求項６】
前記突起形成材料の先端を露出させる工程と、前記導体をパターニングする工程とを、同一のエッチング工程にて行う
ことを特徴とする請求項５に記載の導電突起付き基板の製造方法。
【請求項７】
前記孔を前記突起形成材料で埋める工程は、前記孔の表面に前記導体と電気的に接続する導電材を形成した後、残りの部分をコア材で埋める工程からなる
ことを特徴とする請求項４に記載の導電突起付き基板の製造方法。
【請求項８】
厚さの均一な導体の厚さ方向を貫通する孔に突起形成材料を埋め込むことによって得られた導電突起を有する前記導体が絶縁体に支持されてなる導電突起付き基板に、半導体チップが実装されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
前記導電突起付き基板の前記導体はパターニングされており、前記導体を介して、前記半導体チップの電極パッドが前記導電突起に接続されている
ことを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記導電突起は、コア部と、前記コア部を囲んで形成され前記導体と電気的に接続する導電部とからなる
ことを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１１】
厚さの均一な導体の一方の面にエッチングストップ層を積層する工程と、
前記導体の他方の面にエッチングレジストを形成する工程と、
前記エッチングレジストをマスクとして前記導体の前記他方の面側からエッチングを行い、前記導体に前記エッチングストップ層に達する孔を形成する工程と、
前記孔を突起形成材料で埋める工程と、
前記エッチングストップ層の剥離後、前記導体の前記一方の面をエッチングして、前記孔に埋め込まれた前記突起形成材料の先端を露出させ導電突起を形成する工程と、
前記導電突起付きの前記導体を絶縁体で支持して導電突起付き基板を得る工程と、
前記導電突起付き基板に半導体チップを実装する工程を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記孔を前記突起形成材料で埋めた後、前記導体をパターニングする工程を有する
ことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記突起形成材料の先端を露出させる工程と、前記導体をパターニングする工程とを、同一のエッチング工程にて行う
ことを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記孔を前記突起形成材料で埋める工程は、前記孔の表面に前記導体と電気的に接続する導電材を形成した後、残りの部分をコア材で埋める工程からなる
ことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、外部との電気的接続端子として機能する導電突起を備えた導電突起付き基板及びその製造方法、更にはその導電突起付き基板に半導体チップを実装してなる半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、複数の配線基板どうしを接着してより多層の配線基板とするために用いられる導電突起付きの基板が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
図８を参照して、その導電突起付き基板の製造方法について説明する。
【０００４】
先ず、図８Ａに示すように、銅板４１の上に熱可塑性ポリイミド膜４２を形成する。
【０００５】
次いで、ポリイミド膜４２上に、図示されていないレジストパターンを形成した後、ドライエッチングもしくはレーザーエッチングにより、図８Ｂに示すような複数のビアホール４２ａを形成する。
【０００６】
次いで、銅板４１をウェットエッチングし、図８Ｃに示すように、ビアホール４２ａの底部を半球状にする。
【０００７】
次いで、銅板４１をめっき電極として電気めっきを行い、図８Ｄに示すように、ビアホール４２ａに金を埋め込み、ビア４３を形成する。電気めっきをポリイミド膜４２の膜厚よりも厚く行うことにより、ポリイミド膜４２の表面から突出した形状の金のビア４３が得られる。
【０００８】
次いで、銅板４１をウェットエッチングして、銅板４１をポリイミド膜４２から除去する。これにより、導電突起４３付きの基板４４が得られる。
【０００９】
この導電突起付き基板４４の上下に、接合すべき配線基板を配置し、更に、導電突起と、上下の配線基板に形成されたスルーホール部とを位置合わせして、これらを熱圧着する。これにより、上下の配線基板のスルーホール部が導電突起を介して電気的に接続されて、より多層の配線基板が得られる。
【００１０】
他従来例として、導電突起に、別途工程にて作製した導電性のボールを用いたものもある。
【００１１】
これは、先ず、図９Ａに示すように、絶縁性の樹脂シート５１を用意し、その樹脂シート５１にレーザーにて、図９Ｂに示すような複数の貫通孔５１ａを形成する。次いで、図９Ｃに示すように、その貫通孔５１ａに、導電性のボール５２を嵌め込んで導電突起付き基板とする。
【００１２】
【特許文献１】
特開平８−１８１４５０号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来例では、何れも樹脂に導電突起用の孔を形成している。しかし、樹脂は吸湿や温度変化によって形状や寸法変化を生じやすいため、孔をあける工程の際、あるいは孔あけ後の状態を通じて、孔の形状や寸法が安定的ではない。したがって、その孔に埋め込まれる導電突起の形状や高さにばらつきが生じやすく、これは、導電突起と外部の導電部（配線基板のスルーホール部など）との間で電気的な接合不良を生じさせることにつながる。
【００１４】
特に、図９に示した、孔に導電性のボールを嵌め込むようにしたものでは、ボール自体の寸法精度のばらつきや、そのボールを嵌め込むときに生じる位置精度のばらつきの問題もあり、高さの揃った導電突起を安定して形成することが困難である。
【００１５】
更に、上記従来例の導電突起付き基板では、絶縁体によって相互に絶縁分離された複数の導電突起が形成されているだけであり、導電突起と電気的に接続する配線を有していない。導電突起に電気的に接続する配線を形成したい場合には、上記導電突起付き基板を製造した後、別途配線を形成する工程を必要とする。また、この場合、絶縁体上に直接電気めっきで配線を形成することができないため、先に無電解めっきを行う工程を必要として面倒であったり、導電突起との接続信頼性も高いものが得られない。
【００１６】
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、その目的とするところは、高さの揃った導電突起を安定して形成することができ、更にこれら導電突起の形成工程と同時に導電突起と電気的に接続する配線の形成も可能な導電突起付き基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明の導電突起付き基板は、厚さの均一な導体の厚さ方向を貫通する孔に突起形成材料を埋め込むことによって得られた導電突起を有する導体が、絶縁体に支持されてなることを特徴としている。
【００１８】
また、本発明の導電突起付き基板の製造方法は、厚さの均一な導体の一方の面にエッチングストップ層を積層する工程と、
導体の他方の面にエッチングレジストを形成する工程と、
そのエッチングレジストをマスクとして導体の他方の面側からエッチングを行い、導体にエッチングストップ層に達する孔を形成する工程と、
その孔を突起形成材料で埋める工程と、
エッチングストップ層を剥離した後、導体の一方の面をエッチングして、孔に埋め込まれた突起形成材料の先端を露出させ導電突起を形成する工程と、
その導電突起付きの導体を支持する絶縁体を形成する工程とを有することを特徴としている。
【００１９】
また、本発明の半導体装置は、厚さの均一な導体の厚さ方向を貫通する孔に突起形成材料を埋め込むことによって得られた導電突起を有する導体が絶縁体に支持されてなる導電突起付き基板に、半導体チップが実装されていることを特徴としている。
【００２０】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、厚さの均一な導体の一方の面にエッチングストップ層を積層する工程と、
導体の他方の面にエッチングレジストを形成する工程と、
そのエッチングレジストをマスクとして導体の他方の面側からエッチングを行い、導体に前記エッチングストップ層に達する孔を形成する工程と、
その孔を突起形成材料で埋める工程と、
エッチングストップ層を剥離した後、導体の一方の面をエッチングして、孔に埋め込まれた突起形成材料の先端を露出させ導電突起を形成する工程と、
その導電突起付きの導体を絶縁体で支持して導電突起付き基板を得る工程と、導電突起付き基板に半導体チップを実装する工程を有することを特徴としている。
【００２１】
導体には、樹脂に比べ比較的材質を選ばずにウェットエッチングやレーザーエッチングを容易に行え、更に形成される孔の形状や高さ、ピッチなども再現性良く安定して形成することができる。また、その孔の内表面が導体であるので様々な表面処理を容易に行える。例えば電気めっきが可能となり、導体との電気的接続の信頼性に優れた導電突起を容易に形成することができる。
【００２２】
また、導電突起が形成されたときには、必然的にその導電突起には導体が電気的に接続しているので、その導体をパターニングすれば、別途工程を必要とすることなく、所望の回路配線を有する導電突起付き基板が容易に得られる。
【００２３】
導電突起付き基板に半導体チップを実装すれば、導電突起が外部との接続端子として機能する半導体装置とすることができる。すなわち、導電突起付き基板を半導体チップのインターポーザ基板として利用し、半導体チップの電極パッドは、導体を介して導電突起に電気的に接続する。あるいは、半導体チップの電極パッドを直接導電突起に接続させてもよい。これら接続に関しては、フェイスボンディングでもワイヤボンディングでもよい。
なお、導電突起付き基板に実装する半導体チップは１個に限らず、複数個実装したマルチチップモジュールとしてもよい。また、半導体チップを実装後、必要であれば樹脂で封止してもよい。
【００２４】
上記導体の材料としては、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｚｎ合金、Ｚｎ−Ｆｅ、Ｚｎ−Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｓｎ合金、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｐｔ族金属、貴金属合金、その他合金、その他単金属などを一例として挙げることができる。
【００２５】
上記導体を支持する絶縁体としては、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ＡＢＳ樹脂、シリコン系樹脂などを一例として挙げることができる。
【００２６】
突起形成材料としては、少なくとも導体との電気的接続をとるため、孔の内表面は導電材を用いる。孔の残りの部分もそのまま導電材で埋めてしまってもよいが、例えば樹脂やゴムを充填することで、導電突起にクッション性を持たせることができ、導電突起と他の電極などとの間の接合信頼性を高くすることができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２８】
（第１の実施の形態）
図１〜図４は、第１の実施の形態による導電突起付き基板の製造工程を示す。
【００２９】
（図１Ａの工程）
先ず、導体１及びエッチングストップ層２が支持体３にて支持された積層体を作製する。例えば、銅板である支持体３の上にＮｉを電気めっきで形成することでエッチングストップ層２を形成し、更にそのエッチングストップ層２の上に、Ｃｕを電気めっきで形成することで導体１を形成する。
【００３０】
導体１は厚さが均一な銅箔であり、例えばその厚さは数μｍ〜数百μｍである。この導体１の厚さが、後述する導電突起の高さとなる。したがって、その導電突起が必要とする高さとするべく、導体１の厚さは設定される。
【００３１】
本実施の形態では、ハンドリング性を向上させるため、導体１よりも厚さの厚い支持体３に導体１を支持させている。これは、導電突起の高さが低い、すなわち導体１の厚さが薄い場合に有効である。もちろん、支持体３はなくてもよく、導体１とその片面側に形成されたエッチングストップ層２だけでもよい。
【００３２】
（図１Ｂの工程）
次いで、導体１の表面（エッチングストップ層２が形成された面の反対側の面）に、エッチングレジスト４を形成する。このエッチングレジスト４には、公知のフォトリソグラフィ技術により、選択的に複数の開口（例えば丸孔形状）が形成されている。開口の大きさやピッチは、導体１に形成すべき複数の導電突起の大きさやピッチに合わせている。
【００３３】
（図１Ｃの工程）
次いで、上記エッチングレジスト４をマスクとして、導体１を例えばウェットエッチングする。導体１はその表面側から厚さ方向にエッチングされていく。このとき、導体１の裏面側には、導体１と異種の材料（Ｎｉ）でなるエッチングストップ層２が形成されているため、例えばアンモニア系エッチング液の場合、このエッチングストップ層２でエッチングが止まる。したがって、図１Ｃに示すように、導体１には厚さ方向に貫通し、エッチングストップ層２の表面に至る複数の孔５が形成される。導体１の厚さは均一なので各孔５の深さは等しい。
【００３４】
なお、エッチングストップ層２としては、導体１をエッチング可能なエッチング液に対して耐エッチング性を有するものであれば何でもよく、上記Ｎｉ以外にもＣｒや導電樹脂などを用いてもよい。
【００３５】
また、上記エッチングにより複数の孔５があけられた導体１は強度が弱まり変形しやすくなるが、支持体３で支持されているため、安定して平面状態を維持することができる。このことは、孔５の形状及び寸法の安定化につながる。
【００３６】
（図２Ｄの工程）
次いで、孔５の表面に電気めっきを行う。この場合、上記エッチングレジスト４をめっきレジストとしてそのまま流用する。例えば、Ｎｉ、Ａｕ、Ｓｎ、はんだ（Ｓｎ−Ｐｂ）などを電気めっきにより形成する。これにより、導体１と電気的に接続される導電部６ａが孔５の内表面に形成される。導電部６ａの材質は、後述する図３Ｈにおける導体１のエッチングを考慮して、導体１の材質（Ｃｕ）とは異なるものにしておく。
【００３７】
（図２Ｅの工程）
次いで、やはり、そのまま残されているエッチングレジスト４をマスクとして、孔５の残りの部分を金属、樹脂、ゴムなどで充填して、孔５を完全に塞ぐ。例えば、金属の場合には電気めっき法が、樹脂やゴムの場合には印刷法が用いられる。なお、必要ならば、孔５の上面を平坦にするため、孔埋め後研磨をすることもある。
【００３８】
上記にて埋められた金属、樹脂、ゴムなどは、導電突起の硬さやクッション性を決定するためのコア部５ｂとなる。すなわち、コア部５ｂの材料を適切に選定することで、導電突起に適度な弾性を持たせて、外部と確実に電気的接触を行わせることができる。
【００３９】
（図２Ｆの工程）
支持体３を剥離する。この剥離は人手による剥離も可能である。あるいは、エッチングによる除去も可能である。次いで、エッチングストップ層２もエッチングで剥離し、更にレジスト４もエッチングで剥離する。このあと、導体１表面の平坦化が必要な場合には研磨を行う。
【００４０】
（図３Ｇの工程）
導体１の表面に、所望のパターンにパターニングされたエッチングレジスト７を形成する。
【００４１】
（図３Ｈの工程）
次いで、導体（Ｃｕ）１は溶かすが導電部（Ｎｉなど）６ａは溶かさない性質のエッチング液を、導体１の両面側からスプレーで吹きつけて導体１のエッチングを行う。これにより、導体１の表面側からはレジスト７が開口された部分のみが厚さ方向にエッチングされていき、裏面側からは導電部６ａ以外の部分がほぼ均一に厚さ方向にエッチングされていく。
【００４２】
この結果、導電部６ａが露出し導電突起６の先端を構成する。更に、導体１は所望のパターンにパターニングされる。パターニングされた導体１は、導電突起６の根元部分で導電部６ａを介して導電突起６と電気的に接続している。各導電突起６は互いに絶縁分離されている。
【００４３】
（図４Ｉの工程）
導体１表面からレジスト７を剥離した後、導電突起付き導体１と、絶縁体であるフィルム状シート８とを熱圧着する。このとき、軟化したフィルム状シート８は、導体１のパターン間に入り込み、更に、導電突起６の先端はフィルム状シート８を突き破ってフィルム状シート８から露出する。
【００４４】
以上の工程を経て、図４Ｊに示すように、導電突起６と電気的に接続され、且つ所望の回路にパターニングされた導体１が、絶縁体８に支持されてなる導電突起付き基板１０が得られる。
【００４５】
このような、導電突起付き基板１０は、例えば配線基板間の接着シートとして利用可能であり、あるいは後述する他の実施の形態のように半導体チップのインターポーザ基板として利用可能である。
【００４６】
上述したように、厚さの均一な導体１の厚さ方向に貫通する孔５に突起形成材料（導電部６ａ及びコア部６ｂの材料）を埋め込むことで導電突起６を形成しているので、形状や高さの揃った導電突起６を所望のピッチで安定して得ることができ、よって配線基板のスルーホール部や半導体チップの電極パッドなどと、接続不良を起こすことなく良好に電気的接続を行うことができる。更に、コア部６ｂの材料を適切に選定することで、導電突起６にクッション性を持たせて、より電気的接続の信頼性を高めることも可能である。
【００４７】
以下、その他の実施の形態について説明する。なお、上記第１の実施の形態と同じ構成部分には同一の符号を付しその詳細な説明は省略する。
【００４８】
（第２の実施の形態）
本実施の形態では、上記第１の実施の形態における図４Ｉの工程の代わりに、図５に示す工程を行っている。
【００４９】
すなわち、図３Ｈの工程までにて得られた導電突起６付きの導体１を、導電突起６の先端を上にして型１２に収容する（図５Ａ）。そして、その型１２にワニス状の絶縁樹脂を流し込んで、その後その樹脂８’を熱硬化させる（図５Ｂ）。このような方法によっても、導電突起６と電気的に接続され、且つ所望の回路にパターニングされた導体１が、絶縁体８’に支持された導電突起付き基板１０１０’を得ることができる。
【００５０】
従来のように絶縁体はレーザーエッチング可能な材料である必要はなく、図４Ｉの方法、図５の方法何れにしても、従来に比べて絶縁体８（８’）の材料選択に制限を受けない。
【００５１】
（第３の実施の形態）
第３の実施の形態による導電突起付き基板の断面図を図６に示す。
【００５２】
この導電突起付き基板２０では、導体２１の片面側だけでなく、導電突起６の先端側の面もパターニングされた構成となっている。このような構成は、上記図３Ｇの工程にて、導電突起６の先端側の面にも所望のパターンのレジストマスクを形成し、その後、導体２１の両面側からエッチングを行うことで得られる。
【００５３】
（第４の実施の形態）
本実施の形態は、上述した導電突起付き基板を半導体チップ（ベアチップ）のインターポーザ基板として利用する形態である。図７は、導電突起付き基板１０に半導体チップ２５が実装されてなる半導体装置３０の断面図を示す。
【００５４】
先ず、上記各実施の形態と同様な工程にて、導電突起付き基板１０を得る。そして、その導電突起付き基板１０の導体１側に接着性の絶縁層２７を形成する。次いで、パターニングされた導体１の上に位置する絶縁層２７の部分に選択的に開口を形成し、その開口に導電材２８を埋める。次いで、半導体チップ２５を絶縁層２７に接着する。このとき、半導体チップ２５の表面に形成された電極パッド２６の位置を、上記開口に充填された導電材２８の位置に合わせる。
【００５５】
これにより、電極パッド２６は導電材２８を介して導体１に電気的に接続する。したがって、パターニングされた導体１を再配線として利用することができ、電極パッド２６は導体１を介して、よりピッチの拡大された導電突起６として再配列される。これらピッチが拡大された導電突起６が、半導体装置３０をプリント配線板などに実装するときの電極端子となるので、その実装が容易になると共に、導電突起６間でショートを起こす可能性も低減でき電気的接合の信頼性も高めることができる。
【００５６】
以上、本発明の各実施の形態について説明したが、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００５７】
上記実施の形態では、ウェットエッチングにて孔５を形成したが、ドライエッチングやレーザーエッチングにて孔５を形成してもよい。例えば、ドライエッチングの場合には、導体１はエッチング可能であるがエッチングストップ層２はエッチングしないエッチングガスを用いる。あるいは、レーザーエッチングの場合には、レーザーの照射エネルギーの調節にて、導体１のみがエッチングされるように制御する。
【００５８】
また、孔５の内表面に形成される導電部６ａは、電気めっきに限らず、スパッタ法や蒸着法にて形成してもよい。電気めっきを用いないのであれば、エッチングストップ層２は絶縁材であってもよい。
【００５９】
また、図３Ｈに示す導体１のエッチング工程にて、導体１のパターニングと、導電突起６の先端部の露出とを同時に行っているが、これらはそれぞれ別々のエッチング工程にて行ってもよい。ただし、同時に行った方が工程数の削減及び製造時間の短縮が図れる。
【００６０】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、厚さの均一な導体の厚さ方向に貫通する孔に突起形成材料を埋め込むことで導電突起を形成しているので、形状や高さの揃った導電突起を安定して得ることができ、よって、導電突起に接続される他部材の導電部や半導体チップとの電気的接続不良を防ぐことができる。
【００６１】
また、導電突起が形成されたときには、必然的にその導電突起には導体が電気的に接続しているので、その導体をパターニングすれば、別途工程を必要とすることなく、所望の回路配線を有する導電突起付き基板が容易に得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による、導電突起付き基板の製造工程を示す断面図である。
【図２】図１に続く製造工程を示す断面図である。
【図３】図２に続く製造工程を示す断面図である。
【図４】図３に続く製造工程を示す断面図である。
【図５】第２の実施の形態による、導電突起付き基板の製造工程を示す断面図である。
【図６】第３の実施の形態による、導電突起付き基板の断面図である。
【図７】第４の実施の形態による、半導体装置の断面図である。
【図８】従来例の、導電突起付き基板の製造工程を示す断面図である。
【図９】他従来例の、導電突起付き基板の製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１…導体、２…エッチングストップ層、３…支持体、５…孔、６…導電突起、６ａ…導電部、６ｂ…コア部、８，８’…絶縁体、１０，１０’…導電突起付き基板、２０…導電突起付き基板、２１…導体、２５…半導体チップ、２６…電極パッド、３０…半導体装置。
【図１】
2004103750.tif 000003
【図２】
2004103750.tif 000004
【図３】
2004103750.tif 000005
【図４】
2004103750.tif 000006
【図５】
2004103750.tif 000007
【図６】
2004103750.tif 000008
【図７】
2004103750.tif 000009
【図８】
2004103750.tif 000010
【図９】
2004103750.tif 000011