【手続補正書】
【提出日】平成24年6月1日(2012.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するための電極アセンブリであって、
処理中に前記基板に面するように構成された非平面状の表面を有する導電性フェースプレートを備え、電極を有する基板支持体に前記非平面状の表面が対向するように、前記導電性フェースプレートが配置され、前記導電性フェースプレートおよび前記基板支持体が、プラズマ体積を形成し、ＲＦ電源が、前記導電性フェースプレートと前記電極との間に付加され、前記非平面状の表面が、前記基板の縁部領域近くの電場の密度を低減させるように構成されており、前記導電性フェースプレートの前記非平面状の表面が、
前記基板の中央部分に対応する内側平面部分と、
前記内側平面部分の外側の、前記基板の前記縁部領域に対応する凹所と、
前記凹所の外側の外側平面部分と
を備え、前記凹所が、前記内側平面部分および前記外側平面部分に角がなく滑らかに接続されており、前記凹所が内側斜面および外側斜面から形成され、前記内側斜面が前記内側平面部分から外向きに始まり、前記外側斜面が前記外側平面部分から内向きに始まり、前記内側斜面および前記外側斜面が前記凹所の底部で交わり、前記凹所が、前記導電性フェースプレートの中央から約１３０ｍｍから約１４０ｍｍの半径の位置で約０．５ｍｍから約２ｍｍの最大深さを有し、前記内側斜面が約８０ｍｍから約１００ｍｍの半径位置で開始し、前記外側斜面が約１４０ｍｍから約１４５ｍｍの半径位置で開始する、電極アセンブリ。
【請求項２】
前記非平面状の表面の反対側で前記導電性フェースプレートに結合されたガス分配プレートをさらに備え、前記ガス分配プレートおよび前記導電性フェースプレートが縁部領域で封止しながら接続され、前記ガス分配プレートと前記導電性フェースプレートとの間に内部体積が形成され、前記内部体積と流体的に連通している複数のガス分配孔を前記導電性フェースプレートが有する、請求項１に記載の電極アセンブリ。
【請求項３】
前記ガス分配プレートが、
処理ガスを受けるように構成された吸気ポートを有するガスボックスと、
前記ガスボックスに取り付けられ、前記導電性フェースプレートに面する障害物プレートと
を備え、前記吸気ポートと前記内部体積との間に流体的な連通を与えるように構成された複数の貫通孔を前記障害物プレートが有する、請求項２に記載の電極アセンブリ。
【請求項４】
前記非平面状の表面が、局所電場の密度を低減させるように構成された凹状部分を備える、請求項１に記載の電極アセンブリ。
【請求項５】
基板を処理するための装置であって、
側壁を有するチャンバ本体と、
前記チャンバ本体内に配置され、前記基板を支持するように構成された基板支持体であって、電極を備える基板支持体と、
前記チャンバ本体の前記側壁に配置された蓋アセンブリであって、前記基板支持体と共にプラズマ体積を画定し、前記基板支持体に面した非平面状の表面を有する導電性フェースプレートを備える蓋アセンブリと、
前記導電性フェースプレートまたは前記電極に結合され、前記プラズマ体積内にプラズマを発生させるように構成されたＲＦ電源と
を備え、前記非平面状の表面が、前記基板の縁部領域近くの電場の密度を低減させるように構成されており、前記導電性フェースプレートの前記非平面状の表面が、
前記基板の中央部分に対応する内側平面部分と、
前記内側平面部分の外側の、前記基板の前記縁部領域に対応する凹所と、
前記凹所の外側の外側平面部分と
を備え、前記凹所が、前記内側平面部分および前記外側平面部分に角がなく滑らかに接続されており、前記凹所が内側斜面および外側斜面から形成され、前記内側斜面が前記内側平面部分から外向きに始まり、前記外側斜面が前記外側平面部分から内向きに始まり、前記内側斜面および前記外側斜面が前記凹所の底部で交わり、前記凹所が、前記導電性フェースプレートの中央から約１３０ｍｍから約１４０ｍｍの半径の位置で約０．５ｍｍから約２ｍｍの最大深さを有し、前記内側斜面が約８０ｍｍから約１００ｍｍの半径位置で開始し、前記外側斜面が約１４０ｍｍから約１４５ｍｍの半径位置で開始する、装置。
【請求項６】
前記凹所が円形で、凹所の半径と前記基板の半径との比が、約１３：１５から約１４：１５の間にある、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記蓋アセンブリが、前記非平面状の表面の反対側で前記導電性フェースプレートに結合したガス分配プレートをさらに備え、前記ガス分配プレートおよび前記導電性フェースプレートが縁部領域で封止しながら接続され、前記ガス分配プレートと前記導電性フェースプレートとの間に内部体積が形成され、前記内部体積が、前記導電性フェースプレートの複数のガス分配孔を通して前記プラズマ体積と流体的に連通している、請求項５に記載の装置。
【請求項８】
基板を処理するための方法であって、
処理チャンバ内に配置された基板支持体上に前記基板を位置決めするステップであって、前記基板支持体が電極を有する、位置決めステップと、
前記処理チャンバに処理ガスを供給するステップと、
前記基板支持体の前記電極と前記基板の上に配置された導電性フェースプレートとの間にＲＦ電力を印加することによって前記処理ガスのプラズマを発生させるステップと
を含み、前記導電性フェースプレートが、前記基板の縁部領域近くの電場の密度を低減させるように構成された非平面状の表面を有し、前記導電性フェースプレートの前記非平面状の表面が、
前記基板の中央部分に対応する内側平面部分と、
前記内側平面部分の外側の、前記基板の前記縁部領域に対応する凹所と、
前記凹所の外側の外側平面部分と
を備え、前記凹所が、前記内側平面部分および前記外側平面部分に角がなく滑らかに接続されており、前記凹所が内側斜面および外側斜面から形成され、前記内側斜面が前記内側平面部分から外向きに始まり、前記外側斜面が前記外側平面部分から内向きに始まり、前記内側斜面および前記外側斜面が前記凹所の底部で交わり、前記凹所が、前記導電性フェースプレートの中央から約１３０ｍｍから約１４０ｍｍの半径の位置で約０．５ｍｍから約２ｍｍの最大深さを有し、前記内側斜面が約８０ｍｍから約１００ｍｍの半径位置で開始し、前記外側斜面が約１４０ｍｍから約１４５ｍｍの半径位置で開始する、方法。
【請求項９】
前記非平面状の表面が、前記基板の縁部部分に対応する凹所を備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記プラズマを発生させるステップが、局所プラズマ密度を低減させるために導電性フェースプレート上の凹状部分を使用することを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記導電性フェースプレートが、当該プレートを通って形成された複数のガス分配孔を有する、請求項１に記載の電極アセンブリ。
【請求項１２】
前記非平面状の表面が、局所電場の密度を増大させるように構成された凸状部分を備える、請求項１に記載の電極アセンブリ。
【請求項１３】
前記導電性フェースプレートが、当該プレートを通って形成され、且つ前記プラズマ体積へ処理ガスを分配するように構成された、複数のガス分配孔を有する、請求項４に記載の電極アセンブリ。
【請求項１４】
前記ガス分配プレートが、
処理ガスを受けるように構成された吸気ポートを有するガスボックスと、
前記ガスボックスに取り付けられ、前記導電性フェースプレートに面する障害物プレートと
を備え、前記吸気ポートと前記内部体積との間に流体的な連通を与えるように構成された複数の貫通孔を前記障害物プレーが有する、請求項７に記載の装置。
【請求項１５】
前記プラズマを発生させるステップが、局所プラズマ密度を増大させるために凸状部分を有する導電性フェースプレートを使用することを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１６】
前記処理ガスを供給するステップが、前記導電性フェースプレートを通って形成された複数のガス分配孔から処理ガスを流すことを含む、請求項８に記載の方法。