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【手続補正書】
【提出日】平成15年10月16日(2003.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板主面に回路及び複数の外部端子が形成された半導体チップと、第１の領域及び第２の領域を有するインナーリード部と前記のインナーリード部と一体に形成されたアウターリード部とを夫々有する複数のリードと、前記外部端子とインナーリード部の第１の領域とを夫々電気的に接続するボンディングワイヤと、前記半導体チップ、インナーリード部、ボンディングワイヤを封止する封止体とを備えた半導体装置において、
前記インナーリード部の第１の領域及び第２の領域は、前記半導体チップの主面上に配置され、前記インナーリード部の第２の領域は、半導体チップ主面と実質的に平行に配設され、インナーリード部の第２の領域上に絶縁コート材を塗布しないでワイヤボンディングしたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記インナーリード部の第２の領域の半導体チップ主面と実質的に平行に配設される部分を半導体チップ主面側に折り曲げて半導体チップ主面に近づけ、インナーリード部の第２の領域上に絶縁コート材を塗布しないでワイヤボンディングしたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記インナーリード部の第２の領域の半導体チップ主面と実質的に平行に配設される部分の高さを前記インナーリード部の第１の領域の高さより低くし、インナーリード部の第２の領域上に絶縁コート材を塗布しないでワイヤボンディングしたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記インナーリード部の第１の領域のワイヤボンディングされる先端部を前記第２の領域と同じ高さとし、前記第１の領域の他の部分はそれより高くし、前記第２の領域上に絶縁コート材を塗布しないでワイヤボンディングしたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体基板主面に回路及び複数の外部端子が形成された半導体チップと、前記複数の外部端子と電気的に接続される複数のインナーリード部と、前記複数の外部端子と前記複数のインナーリード部との間に配置されたバスバーと、前記バスバーを越えて前記複数の外部端子と前記複数のインナーリード部とを接続するボンディングワイヤと、前記半導体チップ、ボンディングワイヤ、複数のインナーリード部、バスバーを封止する封止体とを備えた半導体装置であって、
前記バスバーの表面は、前記複数のインナーリード部のボンディングワイヤが接続される箇所よりも低い場所に位置していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
半導体基板主面に回路及び複数の外部端子が形成された半導体チップと、前記複数の外部端子の配列方向を横切る方向に延在するように設けられた複数のインナーリード部と、前記複数の外部端子と前記インナーリード部との間に配置されたバスバーと、前記バスバーを越えて前記複数の外部端子と前記複数のインナーリード部とを接続するボンディングワイヤと、前記半導体チップ、ボンディングワイヤ、複数のインナーリード部、バスバーを封止する封止体とを備えた半導体装置であって、
前記バスバーの厚さは、前記複数のインナーリード部の厚さよりも薄いことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月29日(2004.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
織布を構成する縦繊維糸或いは横繊維糸の一部として、前記縦繊維糸又は横繊維糸と同程度の径を有する導電線を集合した、幅が３ｍｍ〜７ｍｍの可撓性を有する導電性電極帯体を、４０ｍｍ〜８０ｍｍの間隔を置いて４本以上配設して該繊維糸と共に織成し、隣接する前記電極帯体どうしを異なる電極に接続し、このようにして織成された織布にカーボン系の導電材を付着させ、これらカーボン系導電材の上下両面を電気絶縁性被覆材で被覆し、該各電極帯体の端部に電極端子を取り付けてなることを特徴とする面状発熱体。
【請求項２】
予めカーボン系の導電材を含浸させてなる繊維糸を用いて織布を形成するに当たって、該織布を構成する縦繊維糸或いは横繊維糸の一部として、前記縦繊維糸又は横繊維糸と同程度の径を有する導電線を集合した、幅が３ｍｍ〜７ｍｍの導電性電極帯体を、４０ｍｍ〜８０ｍｍの間隔を置いて４本以上配設して該繊維糸と共に織成し、隣接する前記電極帯体どうしを異なる電極に接続し、これらの繊維糸と電極帯体を織成してなる織布の上下両面を電気絶縁性被覆材で被覆し、該各電極帯体の端部に電極端子を取り付けてなることを特徴とする面状発熱体。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月11日(2003.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ素子用組成物であって、
発光層を形成する高分子有機化合物の前駆体と、
前記発光層の発光特性を変化させるための少なくとも１種の色素と、を含むこと、
を特徴とする有機ＥＬ素子用組成物。
【請求項２】
前記前駆体はポリアリレンビニレン前駆体である請求項１に記載の有機ＥＬ素子用組成物。
【請求項３】
前記ポリアリレンビニレン前駆体はポリパラフェニレンビニレンまたはその誘導体の前駆体である請求項２に記載の有機ＥＬ素子用組成物。
【請求項４】
前記色素はローダミンまたはローダミン誘導体である請求項１ないし３のいずれかに記載の有機ＥＬ素子用組成物。
【請求項５】
前記色素はジスチリルビフェニルおよびその誘導体である請求項１ないし３に記載の有機ＥＬ素子用組成物。
【請求項６】
前記色素はクマリンまたはクマリン誘導体である請求項１ないし３のいずれかに記載の有機ＥＬ素子用組成物。
【請求項７】
前記色素はテトラフェニルブタジエン（ＴＰＢ）またはテトラフェニルブタジエン誘導体である請求項１ないし４に記載の有機ＥＬ素子用組成物。
【請求項８】
前記色素はキナクリドンまたはキナクリドン誘導体である請求項１ないし３のいずれかに記載の有機ＥＬ素子用組成物。
【請求項９】
前記前駆体および前記色素が溶媒に溶解または分散された状態で存在する請求項１ないし３のいずれかに記載の有機ＥＬ素子用組成物。
【請求項１０】
前記色素の添加量は、前記高分子有機化合物の前駆体の固型分に対し０．５〜１０wt％である請求項１ないし８のいずれかに記載の有機ＥＬ素子用組成物。
【請求項１１】
有機ＥＬ素子用組成物であって、
潤滑剤を含むこと、
を特徴とする有機ＥＬ素子用組成物。
【請求項１２】
請求項１１に記載の有機ＥＬ素子用組成物において、
前記潤滑剤は、多価アルコールであること、
を特徴とする有機ＥＬ素子用組成物。
【請求項１３】
請求項１１または１２に記載の有機ＥＬ素子組成物において、
色素を含んでいること、
を特徴とする有機ＥＬ素子組成物。
【請求項１４】
前記請求項１ないし１３のいずれかの組成の有機ＥＬ素子用組成物を用いて、
インクジェット方式により前記有機ＥＬ素子用組成物をヘッドから噴出させてパターンを形成する工程を含むこと、
を特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の有機ＥＬ素子用組成物は、発光層を形成する高分子有機化合物の前駆体と、前記発光層の発光特性を変化させるための少なくとも１種の色素と、を含むこと、を特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記の有機ＥＬ素子用組成物において、前記前駆体はポリアリレンビニレン前駆体であってもよい。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記の有機ＥＬ素子用組成物において、前記ポリアリレンビニレン前駆体はポリパラフェニレンビニレンまたはその誘導体の前駆体であってもよい。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記の有機ＥＬ素子用組成物において、前記色素はローダミンまたはローダミン誘導体であってもよい。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記の有機ＥＬ素子用組成物において、前記色素はジスチリルビフェニルおよびその誘導体であってもよい。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記の有機ＥＬ素子用組成物において、前記色素はクマリンまたはクマリン誘導体であってもよい。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記の有機ＥＬ素子用組成物において、前記色素はテトラフェニルブタジエン（ＴＰＢ）またはテトラフェニルブタジエン誘導体であってもよい。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記の有機ＥＬ素子用組成物において、前記色素はキナクリドンまたはキナクリドン誘導体であってもよい。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記の有機ＥＬ素子用組成物において、前記前駆体および前記色素が溶媒に溶解または分散された状態で存在していることが好ましい。


【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記の有機ＥＬ素子用組成物において、前記色素の添加量は、前記高分子有機化合物の前駆体固型分に対し０．５〜１０wt％であることが好ましい。


【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の第２の有機ＥＬ素子用組成物は潤滑剤を含むこと、を特徴とする。


【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記の有機ＥＬ素子用組成物において、前記潤滑剤は、多価アルコールであることが好ましい。


【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記の有機ＥＬ素子用組成物において、色素を含んでいることが好ましい。


【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、前記請求項１ないし１１のいずれかの組成の有機ＥＬ素子用組成物を用いて、インクジェット方式により前記有機ＥＬ素子用組成物をヘッドから噴出させてパターンを形成する工程を含むこと、を特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月18日(2003.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御対象を制御する制御装置と、前記制御対象を制御するために前記制御装置を操作する操作手段と、を備えた電子機器であって、
前記制御対象の現在の状態を検出する検出手段を備え、前記検出手段により検出した情報に基づき、前記操作手段の操作に応じた前記制御対象の制御方法を異ならせることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
請求項１に記載の電子機器において、
前記検出手段により検出した情報に基づき、前記操作手段の操作量に応じた前記制御対象の制御方法を異ならせることを特徴とする電子機器。
【請求項３】
請求項２に記載の電子機器において、
前記電子機器は映像信号を記録する記録装置を備え、前記操作手段は前記映像信号を得る撮影画角を変更するものであり、前記検出手段は前記記録装置が記録中であるか否かを検出することを特徴とする電子機器。
【請求項４】
請求項３に記載の電子機器において、
前記記録装置が記録中であるか否に基づいて、前記操作手段の操作量に対する撮影画角の変更速度を異ならせること特徴とする電子機器。
【請求項５】
請求項３に記載の電子機器において、
前記操作手段は操作位置に応じた信号を出力し、前記記録装置が記録中である場合は、前記信号が所定範囲内の値のときは撮影画角の変更が行われないが、前記記録装置が記録中でない場合は、前記信号が所定範囲内の値であっても撮影画角の変更が行われることを特徴とする電子機器。
【請求項６】
請求項１に記載の電子機器において、
前記検出手段により検出した情報に基づき、前記操作手段の操作時間に応じた前記制御対象の制御方法を異ならせることを特徴とする電子機器。
【請求項７】
請求項６に記載の電子機器において、
前記電子機器は映像信号を記録する記録装置を備え、前記操作手段は前記映像信号を得るためのカメラ部の向きを変更するものであり、前記検出手段は前記映像信号を得る撮影画角を検出することを特徴とする電子機器。
【請求項８】
請求項７に記載の電子機器において、
前記映像信号を得る撮影画角に基づいて、前記カメラ部の向きの変更を開始するために必要な前記操作手段の操作時間を異ならせること特徴とする電子機器。
【請求項９】
請求項７に記載の電子機器において、
前記撮影画角が大きい場合は、撮影画角が小さい場合に比べて、前記カメラ部の向きの変更を開始するために必要な前記操作手段の操作時間が短く設定されることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の電子機器は、制御対象を制御する制御装置と、前記制御対象を制御するために前記制御装置を操作する操作手段と、を備えた電子機器であって、前記制御対象の現在の状態を検出する検出手段を備え、前記検出手段により検出した情報に基づき、前記操作手段の操作に応じた前記制御対象の制御方法を異ならせることを特徴とする。
また、本発明の電子機器において、前記検出手段により検出した情報に基づき、前記操作手段の操作量に応じた前記制御対象の制御方法を異ならせることを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明の電子機器において、前記電子機器は映像信号を記録する記録装置を備え、前記操作手段は前記映像信号を得る撮影画角を変更するものであり、前記検出手段は前記記録装置が記録中であるか否かを検出することを特徴とする。
また、本発明の電子機器において、前記記録装置が記録中であるか否に基づいて、前記操作手段の操作量に対する撮影画角の変更速度を異ならせること特徴とする。
また、本発明の電子機器において、前記操作手段は操作位置に応じた信号を出力し、前記記録装置が記録中である場合は、前記信号が所定範囲内の値のときは撮影画角の変更が行われないが、前記記録装置が記録中でない場合は、前記信号が所定範囲内の値であっても撮影画角の変更が行われることを特徴とする。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の電子機器において、前記検出手段により検出した情報に基づき、前記操作手段の操作時間に応じた前記制御対象の制御方法を異ならせることを特徴とする。
また、本発明の電子機器において、前記電子機器は映像信号を記録する記録装置を備え、前記操作手段は前記映像信号を得るためのカメラ部の向きを変更するものであり、前記検出手段は前記映像信号を得る撮影画角を検出することを特徴とする。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の電子機器において、前記映像信号を得る撮影画角に基づいて、前記カメラ部の向きの変更を開始するために必要な前記操作手段の操作時間を異ならせること特徴とする。
また、本発明の電子機器において、前記撮影画角が大きい場合は、撮影画角が小さい場合に比べて、前記カメラ部の向きの変更を開始するために必要な前記操作手段の操作時間が短く設定されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月16日(2003.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基材と、前記ガラス基材上に形成するエネルギー硬化型樹脂からなる樹脂層とから構成される複合型光学素子において、前記ガラス基材および前記樹脂層の外周の少なくとも一部の形状を光軸に対して非軸対称に形成したことを特徴とする複合型光学素子。
【請求項２】
前記樹脂層の外周の少なくとも一部の形状を前記ガラス基材の外周の形状と同様に形成したことを特徴とする請求項１記載の複合型光学素子。
【請求項３】
ガラス基材と、前記ガラス基材上に形成するエネルギー硬化型樹脂からなる樹脂層とから構成される複合型光学素子において、前記ガラス基材の外周の形状を光軸に対して軸対称にすると共に、前記樹脂層の外周の形状を光軸に対して非軸対称に形成したことを特徴とする複合型光学素子。
【請求項４】
ガラス基材と、前記ガラス基材上に形成するエネルギー硬化型樹脂からなる樹脂層とから構成される複合型光学素子において、前記ガラス基材の外周より内径側に、前記樹脂層の外周の形状を形成し、かつ前記樹脂層の外周の形状を光軸に対して非軸対称に形成したことを特徴とする複合型光学素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
さらに、第３の発明に係る複合型光学素子は、ガラス基材と、前記ガラス基材上に形成するエネルギー硬化型樹脂からなる樹脂層とから構成される複合型光学素子において、前記ガラス基材の外周の形状を光軸に対して軸対称にすると共に、前記樹脂層の外周の形状を光軸に対して非軸対称に形成したものである。
加えて、第４の発明にかかる複合型光学素子は、ガラス基材と、前記ガラス基材上に形成するエネルギー硬化型樹脂からなる樹脂層とから構成される複合型光学素子において、前記ガラス基材の外周より内径側に、前記樹脂層の外周の形状を形成し、かつ前記樹脂層の外周の形状を光軸に対して非軸対称に形成したものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
さらに、第３の発明に係る複合型光学素子は、ガラス基材と、前記ガラス基材上に形成するエネルギー硬化型樹脂からなる樹脂層とから構成される複合型光学素子において、前記ガラス基材の外周の形状を光軸に対して軸対称にすると共に、前記樹脂層の外周の形状を光軸に対して非軸対称にして、形状をコンパクト化する。
加えて、第４の発明にかかる複合型光学素子は、ガラス基材と、前記ガラス基材上に形成するエネルギー硬化型樹脂からなる樹脂層とから構成される複合型光学素子において、前記ガラス基材の外周より内径側に、前記樹脂層の外周の形状を形成し、かつ前記樹脂層の外周の形状を光軸に対して非軸対称に形成したことにより、非軸対称形状となり、光学性能上不要な部分を極力少なくすることが可能となり、複合型光学素子７自体の小型化に伴い、スペースを最大限有効に利用することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
【発明の効果】
請求項１または請求項２による本発明の複合型光学素子によれば、形状をコンパクト化することができる効果を奏する。また、請求項３による本発明の複合型光学素子によれぱ、形状をコンパクト化し、光軸方向へのスペースを広げることができる効果を奏する。
さらに、請求項４における本願発明の複合型光学素子によれば、非軸対称形状となり、光学性能上不要な部分を極力少なくすることが可能となり、複合型光学素子７自体の小型化に伴い、スペースを最大限有効に利用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月12日(2003.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高効率増幅方式と低ノイズ高分解能増幅方式とが切り換え可能なパワーアンプによりステージの駆動モータの推力を発生するステージ制御装置であって、
前記ステージの位置と目標位置との差である位置偏差を演算する位置偏差演算手段と；
前記位置偏差演算手段で演算された位置偏差に基づいて前記ステージの動作状態を判断する動作状態判断手段と；
前記動作状態判断手段で判断された動作状態に応じて前記パワーアンプの動作方式を切り換える切り換え手段とを有するステージ制御装置。
【請求項２】
前記ステージの位置と前記駆動モータの駆動推力とに基づいて前記パワーアンプに与えられる推力指令値を補正する補正手段を更に有する請求項１に記載のステージ制御装置。
【請求項３】
与えられる推力指令値の大小に応じて高効率増幅方式と低ノイズ高分解能増幅方式との切り換えが行われるパワーアンプによりステージの駆動モータの推力を発生するステージ制御装置であって、
前記ステージの位置と前記駆動モータの駆動推力とに基づいて前記推力指令値を補正する補正手段を有するステージ制御装置。
【請求項４】
与えられる推力指令値の所定のしきい値に対する大小に応じて高効率増幅方式と低ノイズ高分解能増幅方式との切り換えが行われるパワーアンプによりステージの駆動モータの推力を発生するステージ制御装置であって、
前記ステージの位置と前記駆動モータの駆動推力とに基づいて前記しきい値を変更する変更手段を有するステージ制御装置。
【請求項５】
前記動作状態判断手段は、前記位置偏差演算手段で演算された位置偏差に基づいて前記ステージの動作状態が加減速動作中か整定動作中かを判断することを特徴とする請求項１に記載のステージ制御装置。
【請求項６】
前記切り換え手段は、動作状態判断手段で判断された前記ステージの動作状態が加減速動作中である場合に前記パワーアンプを高効率増幅方式に切り換えることを特徴とする請求項５に記載のステージ制御装置。
【請求項７】
前記補正手段は、前記ステージの位置と前記駆動モータの駆動推力とに基づいて前記ステージに作用する前記ステージの位置に応じた外乱力を算出し、該外乱力に応じて前記推力指令値を補正することを特徴とする請求項３に記載のステージ制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
これによれば、パワーアンプに与えられる推力指令値の所定のしきい値に対する大小に応じて高効率増幅方式と低ノイズ高分解能増幅方式とを切り換える場合に、この動作方式切り換えのためのしきい値が、変更手段によりステージ位置とステージを駆動するモータの駆動推力とに基づいて変更される。例えば、ステージに外乱力が加わると、推力指令値が変動するが、このような場合に、変更手段ではステージ位置と駆動モータの駆動推力とに基づいてステージに加わる外乱力の影響を打ち消すようにしきい値を変更する。従って、外乱力の影響を受けることなく、適正にパワーアンプの動作方式を切り換えることができる。請求項１に記載の発明において、動作状態判断手段（２３）は、位置偏差演算手段（２２）で演算された位置偏差に基づいてステージ（１２）の動作状態が加減速動作中か整定動作中かを判断するものとすることができる。これによれば、ステージの動作状態が加減速中か整定中かを判断することができるので、ステージの動作状態に応じてパワーアンプの動作方式を最適な方式に切り換えることができる。この場合において、切り換え手段（２８）は、動作状態判断手段（２３）で判断されたステージ（１２）の動作状態が加減速動作中である場合に前記パワーアンプを高効率増幅方式に切り換えることがのぞましい。これによれば位置決め精度を問題としない加減速動作中にはエネルギ効率の高い高効率増幅方式でステージを駆動することができるので、ステージ制御装置全体としてのエネルギ効率を高めることができる。請求項３に記載の発明において、補正手段（３６）は、ステージ（１２）の位置と駆動モータ（１６）の駆動推力とに基づいてステージに作用するステージの位置に応じた外乱力を算出し、該外乱力に応じて推力指令値を補正するものとするのが望ましい。これによれば、ステージの位置によって外乱力が異なる場合であっても推力指令値を適切に補正することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１ないし７に記載の発明によれば、ステージを駆動する駆動モータの推力を発生させる複合型パワーアンプを駆動効率と位置合わせ精度の観点から、その動作状態を状況に応じて適切に切り換えることができるという従来にない優れた効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月3日(2003.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
【表１】
1998177220.tif 000001
また、視野角は液晶プロジェクタからの光をスクリーン面に垂直に当て、その状態を保ったまま輝度計により10°刻みで0°〜50°までそれぞれ測定し、0°の輝度を100とした場合の値をそれぞれ計算した。この結果は表２にまとめた。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
【表３】
1998177220.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月28日(2003.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カメラの背面部内側に配置されカメラの主要な電気部品が搭載された第１の硬質プリント基板と、
前記カメラのグリップ部内で前記第１の硬質プリント基板と略垂直に配置された第２の硬質プリント基板と、
前記第１および第２の硬質プリント基板を固定するカメラボディとを備え、
前記第１および第２の硬質プリント基板を前記カメラボディに固定した状態で前記第１および第２の硬質プリント基板を略垂直状態で当接させることにより、この当接部において前記第１および第２の硬質プリント基板を相互に位置決めした状態で電気接続部により電気的に接続したことを特徴とするカメラの電気部品実装構造。
【請求項２】
請求項１記載のカメラの電気部品実装構造において、
第１および第２の硬質プリント基板の当接部にはんだ接続部を設け、
このはんだ接続部をカメラのグリップ部背面側の膨出部の内側に設けたことを特徴とするカメラの電気部品実装構造。
【請求項３】
請求項１記載のカメラの電気部品実装構造において、
第１および第２の硬質プリント基板の当接部における電気的接続をコネクタ接続部によって構成したことを特徴とするカメラの電気部品実装構造。
【請求項４】
請求項１、請求項２または請求項３記載のカメラの電気部品実装構造において、
第２の硬質プリント基板に、カメラのストロボ回路、ＤＣ／ＤＣコンバータ回路の少なくとも一方を含む回路を搭載したことを特徴とするカメラの電気部品実装構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述した後者の特開平６−２５８７０１号公報に記載されているものでは、カメラ背面部内側に設けた硬質プリント基板は可撓性をもたないので、背面部の硬質プリント基板から離した位置に配置する硬質プリント基板との電気的な接続のために中継手段としてＦＰＣを使用することが必要であった。そのため、この中継用のＦＰＣを用いないものと比べて、コスト高を招くとともに組立性も低下するという問題がある。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
このような目的に応えるために本発明に係るカメラの電気部品実装構造は、カメラの背面部内側に配置されカメラの主要な電気部品が搭載された第１の硬質プリント基板と、カメラのグリップ部内で前記第１の硬質プリント基板と略垂直に配置された第２の硬質プリント基板と、第１および第２の硬質プリント基板を固定するカメラボディとを備え、これら第１および第２の硬質プリント基板をカメラボディに固定した状態で第１、第２の硬質プリント基板を略垂直状態で当接させることにより、この当接部において第１および第２の硬質プリント基板を相互に位置決めした状態で電気接続部により電気的に接続したものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、カメラ１のグリップ部１１ａの側面部寄りの部分には、前記背面側の硬質プリント基板２０とは別の第２の硬質プリント基板２１を、前記第１の基板２０に略垂直に当接するように配置させている。この第２の硬質プリント基板２１は、前記グリップ部１１ａの背面側側部であって、コンデンサ１５やバッテリ１６を避けた位置に配設されている。
これらの第１、第２の硬質プリント基板２０，２１は、それぞれカメラボディ４の一部にねじ等の締結部品（図３中２５参照）によって固定され、この状態で略垂直に当接している。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明に係るカメラの電気部品実装構造によれば、カメラの背面部内側にカメラの主要な電気部品を搭載した第１の硬質プリント基板を配置し、グリップ部内に第２の硬質プリント基板を配置するとともに、これら両硬質プリント基板をカメラボディに固定した状態で略垂直に当接し、その当接部においてはんだ接続部等の電気接続部で電気的に接続する構成としたので、従来のような中継用のＦＰＣを必要としない分だけコストを下げることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月10日(2003.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モニタ表示された画像中の臓器領域に複数個の輪郭点を設定するステップを備えた領域認識方法において、
該設定された輪郭点のうちの隣り合う輪郭点同士を結ぶ複数の直線を基準直線として形成するステップと、
該形成された基準直線と前記輪郭点同士を結ぶ被判定曲線とでなす角度を、前記複数個の輪郭点のうちの基準輪郭点を原点としてその隣り合う輪郭点までの輪郭線に沿った距離に従う関数となるように演算するステップと、
該演算された関数と予め用意された複数種の臓器領域の基準曲線との相関を求めるステップと、
前記求められた相関に基づいて前記被判定曲線で囲まれる領域が前記臓器領域であるか否かを判定、認識するステップと、
を備えたことを特徴とする領域認識方法。
【請求項２】
請求項１に記載の領域認識方法において、
前記相関を求めるステップでは、前記被判定曲線と前記基準曲線間におけるデータ値の積和又はそのデータ値の差の総和により相関が求められることを特徴とする領域認識方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、モニタ表示された画像中の臓器領域に複数個の輪郭点を設定するステップを備えた領域認識方法において、該設定された輪郭点のうちの隣り合う輪郭点同士を結ぶ複数の直線を基準直線として形成するステップと、該形成された基準直線と前記輪郭点同士を結ぶ被判定曲線とでなす角度を、前記複数個の輪郭点のうちの基準輪郭点を原点としてその隣り合う輪郭点までの輪郭線に沿った距離に従う関数となるように演算するステップと、該演算された関数と予め用意された複数種の臓器領域の基準曲線との相関を求めるステップと、前記求められた相関に基づいて前記被判定曲線で囲まれる領域が前記臓器領域であるか否かを判定、認識するステップと、を備えることにより達成される。
これによれば、データベースの検索と規則判定処理を要する従来方法に比較して単純な演算処理で済み、簡単，迅速な領域認識が可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月9日(2003.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
例えば、頂点Ａの画素に貼り付けられるテクスチャデータの格納位置として、図８に示されるように図９のテクスチャマップ上の座標データ（Ｔx0，Ｔy0）を有する。同様に、頂点Ｂは座標データ（Ｔx1，Ｔy1）を有し、頂点Ｃは座標データ（Ｔx2，Ｔy2）を有する。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
更に、例えば頂点Ａと頂点Ｂの稜線上の点Ｄの画素に対しては、頂点Ａの座標データ（Ｔx0，Ｔy0）と頂点Ｂの座標データ（Ｔx1，Ｔy1）を線型もしくはパースペクティブ補間をして、図９に示されるように、テクスチャマップ上の座標Ｄのデータ（Ｔxi，Ｔyi）が求められる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月3日(2003.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
図３は従来の電極の固体高分子電解質と接触したカーボン粒子の表層の状態を示す概念図である。従来の電極では、例えばこの図に示すように、カーボン粒子１の表層をプロトン伝導経路２とＰＴＦＥ骨格部３よりなる固体高分子電解質が被覆しており、カーボン粒子１表面に触媒粒子４，５が担持されている。ところが、触媒粒子５は、プロトン伝導経路２に位置しているために有効に作用するが、触媒粒子４は、ＰＴＥＦ骨格部３に位置しているために有効に作用しないと考えられるのである。また、Ａの領域は、三相界面が形成されている領域ではあるが、触媒粒子が存在しない領域であって、触媒粒子が担持されていないために反応に関与しない領域となっていると考えられる。すなわち、このような電極においては、触媒粒子５の存在は触媒の利用率の低下を、三相界面Ａの存在は電極の活性度の低下を招いているのである。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月21日(2003.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下層の配線上に第１の層間絶縁膜と第２の層間絶縁膜が形成され、前記第１および第２の層間絶縁膜を貫通し前記下層の配線に接続するタングステンからなるプラグが形成され、前記第２の層間絶縁膜および前記プラグ上に第３の層間絶縁膜が形成され、前記第３の層間絶縁膜には前記プラグの上面を露出するような溝が形成され、前記溝内にバリア絶縁膜と導電膜が埋め込まれた半導体集積回路装置であって、前記プラグの上面は前記第２の層間絶縁膜の上面と略同一の平面上に形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
下層の配線上に第１の層間絶縁膜と第２の層間絶縁膜が形成され、前記第１および第２の層間絶縁膜を貫通し前記下層の配線に接続するプラグが形成され、前記第２の層間絶縁膜上に第３の層間絶縁膜および第４の層間絶縁膜が形成され、前記第３の層間絶縁膜および前記第４の層間絶縁膜には前記プラグの上面を露出するような溝が形成され、前記溝内にバリア絶縁膜と導電膜が埋め込まれた半導体集積回路装置であって、前記プラグの上面は前記第２の層間絶縁膜の上面より突出して形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体集積回路装置において、前記第１の層間絶縁膜は酸化シリコン膜からなり、前記第２の層間絶縁膜は窒化シリコン膜からなり、前記第３の層間絶縁膜は酸化シリコン膜であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項４】
請求項２記載の半導体集積回路装置において、前記第１の層間絶縁膜は酸化シリコン膜、前記第２の層間絶縁膜はＳＯＧ膜、前記第３および第４の層間絶縁膜は酸化シリコン膜からなる積層膜であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項５】
下層の配線上に層間絶縁膜を介して上層の配線を形成する半導体集積回路装置の製造方法であって、(a).前記下層の配線を形成した後、半導体基板上に第１の絶縁膜および第２の絶縁膜を順次堆積して、前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜からなる前記層間絶縁膜を形成する工程と、(b).前記第２の絶縁膜および前記第１の絶縁膜を順次加工して、前記下層の配線に達するスルーホールを形成する工程と、(c).前記スルーホールにタングステンからなるプラグを形成する工程と、(d).前記半導体基板上に第３の絶縁膜を堆積する工程と、(e).前記第２の絶縁膜をエッチングのストッパとして前記第３の絶縁膜を加工して、前記プラグの上面を露出する溝パターンを形成する工程と、(f).前記半導体基板上にバリア膜および金属膜を順次堆積する工程と、(g).前記金属膜の表面および前記バリア膜の露出した表面を化学的機械研磨法によって研磨し、前記溝パターンに前記バリア膜および前記金属膜を埋め込むことによって、前記金属膜からなる前記上層の配線を形成する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
下層の配線上に層間絶縁膜を介して上層の配線を形成する半導体集積回路装置の製造方法であって、(a).前記下層の配線を形成した後、半導体基板上に第１の絶縁膜、第２の絶縁膜および第３の絶縁膜を順次堆積して、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜および前記第３の絶縁膜からなる前記層間絶縁膜を形成する工程と、(b).前記第３の絶縁膜、前記第２の絶縁膜および前記第１の絶縁膜を順次加工して、前記下層の配線に達するスルーホールを形成する工程と、(c).前記スルーホールにプラグを形成する工程と、(d).前記半導体基板上に第４の絶縁膜を堆積する工程と、(e).前記第２の絶縁膜をエッチングのストッパとして前記第４の絶縁膜と第３の絶縁膜を加工して、前記プラグの上面が前記第２の絶縁膜の上面より上に露出する溝パターンを形成する工程と、(f).前記半導体基板上にバリア膜および金属膜を順次堆積する工程と、(g).前記金属膜の表面および前記バリア膜の露出した表面を化学的機械研磨法によって研磨し、前記溝パターンに前記バリア膜および前記金属膜を埋め込むことによって、前記金属膜からなる前記上層の配線を形成する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
なお、前記層間絶縁膜を用いたダマシンプロセスについて、例えばプレスジャーナル発行「月刊セミコンダクター・ワールド（Semiconductor World ）」１９９８年２月号、ｐ１０８〜ｐ１０９などに記載されている。また先願特願平９−２６３０４０号（特開平１１−１０２９０９号公報）および特願平９−２４４９２５号（特開平１１−８７４９５号公報）には下層配線上に形成したシリコン酸化膜上とシリコン窒化膜を貫通するプラグ上にシリコン酸化膜を形成し上層配線用の溝を前記シリコン窒化膜をエッチングストッパ膜として形成して上層配線を埋め込んだ配線構造の形成方法の開示がある。また特開昭６２−１０２５４４号公報および特開平１０−１５０１０５号公報にはシリコン窒化膜をエッチングストッパ膜としたデュアルダマシン配線構造の開示がある。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月11日(2003.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トンネル接合を形成する方法において：１組のドーム形領域と１組の介入低下領域とを含む地形構造を有する上部表面をもつ第一強磁性層を形成するステップと；絶縁層の上部表面が実質的に平坦になるように前記第一強磁性層の上に該絶縁層を形成して、前記トンネル接合における前記第一強磁性層と第二強磁性層間の電子移動の経路が前記介入低下領域上より前記ドーム形領域上で短くなるようにするステップとを設けて成るトンネル接合の形成方法。
【請求項２】
前記第一強磁性層を形成するステップが前記第一強磁性層の下に１つ以上の複数材料の層を形成するステップを含み、該複数材料の層の厚さが前記第一強磁性層の形成中にドーム形領域の形成を引き起こすように選択されることを特徴とする請求項１に記載のトンネル接合の形成方法。
【請求項３】
前記複数材料の層が前記第一強磁性層における磁化の方位を固定する固定層を形成することを特徴とする請求項２に記載のトンネル接合の形成方法。
【請求項４】
前記介入低下領域が前記第一強磁性層の多結晶構造における粒界に対応することを特徴とする請求項２に記載のトンネル接合の形成方法。
【請求項５】
前記複数材料の層の１つが前記第一強磁性層との格子不整合をもたらすべく選択されることを特徴とする請求項２に記載のトンネル接合の形成方法。
【請求項６】
さらに、前記絶縁層と前記第一強磁性層との界面に第一界面層を形成するステップを包含することを特徴とする請求項１に記載のトンネル接合の形成方法。
【請求項７】
さらに、前記絶縁層と前記第二強磁性層との界面に第二界面層を形成するステップを包含することを特徴とする請求項６記載のトンネル接合の形成方法。
【請求項８】
前記第一、第二界面層が、前記絶縁層に対するぞれぞれの界面近くの前記第一、第二強磁性層の磁気偏極を高めるべく選択されることを特徴とする請求項７に記載のトンネル接合の形成方法。
【請求項９】
１組のドーム形領域と１組の介入低下領域とを含む地形構造を有する上部表面をもつ第一強磁性層と；前記第一強磁性層上にあって、トンネル接合における前記第一強磁性層と第二強磁性層間の電子移動の経路が前記介入低下領域上より前記ドーム形領域上で短くなるように絶縁層の上部表面を実質的に平坦にした該絶縁層と；を含んで成るトンネル接合。
【請求項１０】
前記第一強磁性層の下に１つ以上の複数材料の層をさらに包含し、該複数材料の層の厚さが前記第一強磁性層の形成中に前記ドーム形領域の形成を引き起こすように選択されることを特徴とする請求項９に記載のトンネル接合。
【請求項１１】
前記複数材料の層が前記第一強磁性層における磁化の方位を固定する固定層を形成することを特徴とする請求項１０に記載のトンネル接合。
【請求項１２】
前記介入低下領域が前記第一強磁性層の多結晶構造における粒界に対応することを特徴とする請求項１０に記載のトンネル接合。
【請求項１３】
前記複数材料の層の１つが前記第一強磁性層との格子不整合をもたらすべく選択されることを特徴とする請求項１０に記載のトンネル接合。
【請求項１４】
さらに、前記絶縁層と前記第一強磁性層との界面に第一界面層を含むことを特徴とする請求項９に記載のトンネル接合。
【請求項１５】
さらに、前記絶縁層と前記第二強磁性層との界面に第二界面層を含むことを特徴とする請求項１４に記載のトンネル接合。
【請求項１６】
前記第一、第二界面層が、前記絶縁層に対する界面近くの前記第一、第二強磁性層の磁気偏極特性を高めるべく選択されることを特徴とする請求項１５に記載のトンネル接合。
【請求項１７】
トンネル接合において：第一強磁性層と；絶縁層と；該絶縁層と該第一強磁性層との間の界面近くの該第一強磁性層の磁気偏極特性を高めるべく選択されるところの、該絶縁層と該第一強磁性層との間の薄い第一界面層とを含んで成るトンネル接合。
【請求項１８】
さらに：第二強磁性層と；前記絶縁層と該第二強磁性層との間にあって、前記絶縁層と該第二強磁性層との間の界面近くの該第二強磁性層の磁気偏極特性を高めるべく選択されるところの薄い第二界面層とを含むことを特徴とする請求項１７に記載のトンネル接合。
【請求項１９】
前記第一，第二界面層は、それぞれ、４ナノメートル厚未満の強磁性材料から成る層であることを特徴とする請求項１８に記載のトンネル接合。
【請求項２０】
トンネル接合を形成する方法において：第一強磁性層を形成するステップと；第一強磁性層上に薄い第一界面層を形成するステップと；該第一界面層上に絶縁層を形成するステップとを設けて成り、前記第一界面層が前記第一強磁性層と前記絶縁層との間の界面近くの前記第一強磁性層の磁気偏極特性を高めることを特徴とするトンネル接合の形成方法。
【請求項２１】
さらに、前記絶縁層上に薄い第二界面層を形成するステップと；該第二界面層上に第二強磁性層を形成するステップとを設けて成り、前記第二界面層が前記絶縁層と前記第二強磁性層との間の界面近くの前記第二強磁性層の磁気偏極特性を高めることを特徴とする請求項２０に記載のトンネル接合の形成方法。
【請求項２２】
前記第一、第二界面層を形成するステップが、それぞれ、４ナノメートル厚未満の強磁性材料から成る層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項２１に記載のトンネル接合の形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月26日(2003.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】靴ブラシ
【特許請求の範囲】
【請求項１】表面にパイルを植毛した生地であって、該生地の裏面には厚紙にて形成される保護紙が貼着されており、且つ、前記パイルは所定の長さと、太さに加工されると共に、シリコン液に浸漬させ、該シリコンを含浸して成ることを特徴とする靴ブラシ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、靴ブラシに関するものであり、特に、皮靴に艶出しと撥水効果を付与できるようにした靴ブラシに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来此種靴ブラシはフェルト、布、紙、スポンジ等に油剤を含浸させて形成されており、該油剤の含浸したフェルト、布、紙、スポンジを皮靴に当接して摺擦することにより、該油剤が皮靴に添着して保革されると共に、該皮靴の表面に付着した塵埃が除去される。或いは、毛足の短いパイル織物を用いた靴ブラシは、該靴ブラシを皮靴に当接して摺擦することにより、該皮靴に付着した塵埃を除去できるように構成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上述した靴ブラシはフェルト、布、紙、スポンジ等に油剤を含浸させるか、又は、毛足の短いパイル織物で使い捨て靴ブラシを形成しているので、該靴ブラシを使用して皮靴を摺擦すれば、前者の場合は該皮靴の表面に付着した塵埃は除去されると共に、該皮靴の表面に油剤が添着し、従って該皮靴は保革されるが、皮靴の艶出し、撥水性の付与並びに皮靴の縫い目の奥まで侵入した塵埃の除去には適していなかった。又、後者の場合は、単に皮靴表面に付着している塵埃のみが除去されるが、前記皮靴の艶出し及び撥水性は全く期待できない。
【０００４】
そこで、皮靴に艶出し効果と撥水効果とを付与させると共に、効率良く塵埃除去ができる靴ブラシを得るために解決せらるべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明は該課題を解決することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を解決するために提案されたものであり、表面にパイルを植毛した生地であって、該生地の裏面には厚紙にて形成される保護紙が貼着されており、且つ、前記パイルは所定の長さと、太さに加工されると共に、シリコン液に浸漬させ、該シリコンを含浸して成る靴ブラシを提供するものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な一実施の形態を図１乃至図２に従って詳述する。図に於て１は使い捨て靴ブラシ１を示し、該使い捨て靴ブラシ１は生地２の表面に多数のパイル３，３…が突設するようにして植毛されており、且つ、該生地２の裏面に厚紙から成る保護紙４が貼着されている。
【０００７】
而して、該生地２に植毛された前記パイル３，３…はレーヨン原糸から成る。そこで、該レーヨン原糸をシリコン液に浸漬し、そして、該シリコン液を該レーヨン原糸に含浸させ、然る後、該レーヨン原糸を該シリコン液より引き上げて乾燥させることにより、該シリコンを該レーヨン原糸に安定的に含侵させる。
【０００８】
又、該レーヨン原糸を用いて前記パイル３，３…を形成するのであるから、該パイル３，３…を皮靴表面に摺擦し乍らブラッシングするとき適度な反撥力を有するものであり、該皮靴の縫い目の奥まで侵入した塵埃を、該パイル３，３…の先端部３ａ，３ａ…の反撥力により除去できるように該パイル３，３…の太さ及び靱性が形成されている。
【０００９】
一方、前記厚紙から成る保護紙４は前記生地２の裏面に貼着することにより、該生地２及び該パイル３，３…を一体的に維持し、ブラッシング中に於て該パイル３，３…が該生地２から不慮抜落しないように構成されている。
【００１０】
次に、図２に従って使い捨て靴ブラシ１の製造方法を説明する。図２（ａ）に於て、生地２は前記シリコンが付着されている多数のレーヨン原糸５，５…を緯糸とすると共に、該緯糸６，６…及び経糸７，７…とにより製織して形成される。そこで、図２（ａ）の矢印の位置で前記シリコンが含浸されているレーヨン原糸５，５…を裁断すれば、図２（ｂ）に示すように前記生地２の表面に毛足が４mmから６mmの長さのパイル３，３…が該生地２の表面に立設した状態で植毛される。そこで、該生地２の裏面に、該裏面と略同形の厚紙から成る保護紙４を貼着して使い捨て靴ブラシ１が形成される。
【００１１】
尚、前記パイル３，３…に使用される原糸はレーヨン原糸に限定されるものではなく、適度な反撥力を有する太さのフィラメント原糸でもよく、又、該レーヨン原糸を製織するときの経糸及び緯糸もレーヨン原糸に限定されるものではなく、反撥力のあるポリプロピレン原糸を混合して製織してもよい。更に、レーヨン原糸をパイル３，３…の生地２に対する植毛手段は、前記構成に限定せられるものではなく、例えば経緯糸にて織成された生地と同時に織成されることなく、該生地に後で植毛したものを用いることもでき、その他の諸種の手段によって形成されることができる。
【００１２】
又、本発明を使用するときは、前記厚紙から成る保護紙４を把持し、前記パイル３，３…を皮靴に当接して摺擦し乍らブラッシングするので、前記パイル３，３…の先端部３ａ，３ａ…が皮靴の縫い目等にも侵入し、該皮靴の縫い目の奥まで侵入した塵埃を該パイル３，３…の反撥力により除去すると共に、該パイル３，３…に保持されているシリコンが皮靴の表面に添着されて該皮靴の艶出しが効率的に行われ、且つ、該皮靴に撥水性が付与されることになる。
【００１３】
尚、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り種々の改変を為すことができ、そして、本発明が該改変されたものに及ぶことは当然である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は、上記一実施の形態で詳述したように、生地の表面に所定の太さ及び長さを有し、且つ、シリコンが含浸されているパイルを植毛し、更に、該生地の裏面に厚紙から成る保護紙を貼着しているので、該保護紙によって生地とパイルとを一体的に保全でき、且つ、該保護紙に指頭を当てて該パイルにて皮靴をブラッシングするとき、該皮靴は前記シリコンが転嫁されて効果的に艶出しが可能となり、且つ、該シリコンによる撥水性が付与されることになる等、正に諸種の効果を奏する発明である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好適な一実施の形態を示し、使い捨て靴ブラシの斜視図。
【図２】（ａ）本発明の一実施の形態を示し、表面にパイルを植毛した生地の一部切欠側断面図。
【００１７】
（ｂ）図２（ａ）の状態からパイルを裁断した状態を示す生地の一部切欠側断面図。
【符号の説明】
【００１８】
１        使い捨て靴ブラシ
２        生地
３        パイル
４        保護紙
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月6日(2003.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主メモリからの値を記憶する複数のキャッシュラインと、
該複数のキャッシュラインの各々と関連するタイマとを含み、
該タイマの各々は、減退間隔後に該関連キャッシュラインへの電力を除去する信号を制御するように構成されるキャッシュメモリ。
【請求項２】
請求項１記載のキャッシュメモリにおいて、所定のキャッシュラインと関連するタイマは、該関連キャッシュラインがアクセスされるたびにリセットされるキャッシュメモリ。
【請求項３】
請求項１記載のキャッシュメモリにおいて、さらに、前記電力が前記減退間隔後に前記関連キャッシュラインから除去される前に、前記キャッシュラインの内容を主メモリに戻して書き込まなければならない時を示す、前記キャッシュラインの各々と関連するダーティビットを含むキャッシュメモリ。
【請求項４】
請求項１記載のキャッシュメモリにおいて、前記キャッシュメモリはマルチレベルキャッシュメモリであり、前記電力は、前記電力が該マルチレベルキャッシュメモリの対応するさらに上のレベルで除去される場合のみ、前記減退間隔後にキャッシュラインから除去されるキャッシュメモリ。
【請求項５】
複数のキャッシュラインを有するキャッシュメモリにおける漏洩電力を低減する方法であって、
該キャッシュラインの各々のためのタイマを用意するステップと、
該キャッシュラインがアクセスされるたびに、該タイマをリセットするステップと、
減退間隔後に該関連キャッシュラインから電力を除去するステップとを含む方法。
【請求項６】
請求項５記載の方法において、前記関連キャッシュラインから電力を除去するステップは、さらに、前記キャッシュラインと関連する有効ビットをリセットするステップを含む方法。
【請求項７】
請求項５記載の方法において、給電が停止されたキャッシュラインへの最初のアクセスは、さらに、キャッシュミスを確立し、前記対応するタイマをリセットし、前記キャッシュラインへの電力を回復するステップを含む方法。
【請求項８】
請求項５記載の方法において、給電が停止されたキャッシュラインへの最初のアクセスは、さらに、電力が回復された後、前記キャッシュラインが安定するまでの適当な時間だけ前記アクセスを遅延するステップを含む方法。
【請求項９】
主メモリからの値を記憶する複数のキャッシュラインと、
該複数のキャッシュラインの各々と関連するタイマとを含み、
該キャッシュラインは各々、１つ以上のダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）セルを含み、
該ＤＲＡＭセルは各々、該キャッシュラインがアクセスされるたびにリフレッシュされ、
該ＤＲＡＭセルは各々、安全期間の間該値を確実に記憶し、
前記タイマは各々、該安全期間後に該キャッシュラインと関連する有効ビットをリセットする信号を制御するキャッシュメモリ。
【請求項１０】
キャッシュメモリにおける漏洩電力を低減する方法であって、該キャッシュメモリは、キャシュメモリからの値を記憶する複数のキャッシュラインを有し、該キャッシュラインは各々、１つ以上のダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）セルを含み、該ＤＲＡＭセルは各々、安全期間の間該値を確実に記憶する方法において、
該対応するキャッシュラインがアクセスされるたびに、該ＤＲＡＭセルをリフレッシュするステップと、
該キャッシュラインの各々のためのタイマを用意するステップと、
該キャッシュラインがアクセスされるたびに、該タイマをリセットするステップと、
該安全期間後に該キャッシュラインと関連する有効ビットをリセットするステップとを含む方法。