Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月30日(2012.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の式ＩＩで表される構造単位を含むポリマー。
【化１】
2010513293.tif 000001
式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ5、Ｒ6及びＲ7は各々独立にＣ1−Ｃ20脂肪族基、Ｃ3−Ｃ20芳香族基又はＣ3−Ｃ20脂環式基であり、Ｒ4及びＲ8は各々独立に水素、Ｃ1−Ｃ20脂肪族基、Ｃ3−Ｃ20芳香族基又はＣ3−Ｃ20脂環式基であり、ａ及びｅは各々独立に０又は１〜４の整数であり、ｂ、ｃ、ｄ及びｆは各々独立に０又は１〜３の整数である。
【請求項２】
当該ポリマーが、ポリエステル、ポリエーテル、ポリカーボネート、ポリエステルカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリアリールエーテルケトン又はポリアリールエーテルスルホンである、請求項１記載のポリマー。
【請求項３】
Ｒ4及びＲ8が各々独立に水素、トリアリールシリル、トリアルキルシリル、ｔ−ブチル、ジフェニルホスフィンオキシド、ジフェニルホスフィンスルフィド及びこれらの組合せからなる群から選択される、請求項１記載のポリマー。
【請求項４】
ａ及びｅが０である、請求項１記載のポリマー。
【請求項５】
ｂ、ｃ、ｄ及びｆが０である、請求項１記載のポリマー。
【請求項６】
次式で表される、請求項１記載のポリマー。
【化２】
2010513293.tif 000002
式中、Ｒ4及びＲ8は各々独立に水素、トリアリールシリル、トリアルキルシリル、ｔ−ブチル、ジフェニルホスフィンオキシド、ジフェニルホスフィンスルフィド及びこれらの組合せからなる群から選択される。
【請求項７】
次式で表される、請求項１記載のポリマー。
【化３】
2010513293.tif 000003
【請求項８】
さらに、次式で表される構造単位を含む、請求項１記載のポリマー。
【化４】
2010513293.tif 000004
【請求項９】
少なくとも１つの電極と、少なくとも１つの正孔注入層と、少なくとも１つの発光層を備える発光デバイスであって、前記発光層が請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載のポリマーを含有する、発光デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月24日(2012.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
広汎性発達障害の治療のための1日の唯一のタンパク源として或いは限定食に対する栄養補充として投与される薬剤の製造のための、経口投与可能な栄養製剤の使用であって、
該栄養製剤が、唯一のタンパク源としての（ａ）遊離アミノ酸組成物、（ｂ）脂肪及び（ｃ）炭水化物を含み、
（ａ）遊離アミノ酸組成物が、少なくともL-アラニン、L-アルギニン、L-アスパラギン酸、L-シスチン、グリシン、L-ヒスチジン、L-イソロイシン、L-リシン、L-メチオニン、L-フェニルアラニン、L-プロリン、L-セリン、L-トレオニン、L-トリプトファン、L-チロシン、L-バリン、L-カルニチン及びタウリンを含み、
（ｂ）脂肪が、長鎖多価不飽和脂肪酸を含み、
（ｃ）炭水化物が、食物繊維を含み、
該栄養製剤中のアミノ酸が、1日の唯一のタンパク源であるか又は食事においてある種のタンパクを取り除くことによる欠乏を一部補充する、前記使用。
【請求項２】
広汎性発達障害が、自閉症である、請求項1に記載の使用。
【請求項３】
広汎性発達障害が、アスペルガー障害又はレット障害である、請求項1に記載の使用。
【請求項４】
（ｂ）脂肪が、栄養製剤中の脂肪の質量に基づいて少なくとも10 wt%の長鎖多価不飽和脂肪酸を含み、
（ｃ）炭水化物が、栄養製剤中の炭水化物の全質量に基づいて5〜50 wt%の食物繊維を含み、且つ
アミノ酸の質量パーセントが、栄養製剤の乾燥質量の少なくとも5%であり、
脂肪の質量パーセントが、栄養製剤の乾燥質量の20%までであり、
炭水化物の質量パーセントが、栄養製剤の乾燥質量の10〜70%である、請求項1に記載の使用。
【請求項５】
遊離アミノ酸組成物が、更に、L-グルタミンを含む、請求項1に記載の使用。
【請求項６】
栄養製剤が、ビタミンとミネラルを組み込んでいる、請求項1〜5のいずれか1項に記載の使用。
【請求項７】
製剤が、プロバイオティクス細菌を組み込んでいる、請求項1〜6のいずれか1項に記載の使用。
【請求項８】
広汎性発達障害の治療のための栄養製剤であって、
該栄養製剤が、唯一のタンパク源としての（ａ）遊離アミノ酸組成物、（ｂ）脂肪及び（ｃ）炭水化物を含み、
（ａ）遊離アミノ酸組成物が、少なくともL-アラニン、L-アルギニン、L-アスパラギン酸、L-シスチン、グリシン、L-ヒスチジン、L-イソロイシン、L-リシン、L-メチオニン、L-フェニルアラニン、L-プロリン、L-セリン、L-トレオニン、L-トリプトファン、L-チロシン、L-バリン、L-カルニチン及びタウリンを含み、
（ｂ）脂肪が、長鎖多価不飽和脂肪酸を含み、
（ｃ）炭水化物が、食物繊維を含む、前記栄養製剤。
【請求項９】
広汎性発達障害が、自閉症である、請求項8に記載の製剤。
【請求項１０】
広汎性発達障害が、アスペルガー障害又はレット障害である、請求項8に記載の製剤。
【請求項１１】
（ｂ）脂肪が、栄養製剤中の脂肪の質量に基づいて少なくとも10 wt%の長鎖多価不飽和脂肪酸を含み、
（ｃ）炭水化物が、栄養製剤中の炭水化物の全質量に基づいて5〜50 wt%の食物繊維を含み、且つ
アミノ酸の質量パーセントが、栄養製剤の乾燥質量の少なくとも5%であり、
脂肪の質量パーセントが、栄養製剤の乾燥質量の20%までであり、
炭水化物の質量パーセントが、栄養製剤の乾燥質量の10〜70%である、請求項8に記載の製剤。
【請求項１２】
遊離アミノ酸組成物が、更に、L-グルタミンを含む、請求項8に記載の製剤。
【請求項１３】
栄養製剤が、ビタミンとミネラルを組み込んでいる、請求項8〜12のいずれか1項に記載の製剤。
【請求項１４】
製剤が、プロバイオティクス細菌を組み込んでいる、請求項8〜13のいずれか1項に記載の製剤。
【請求項１５】
唯一のタンパク源としてのアミノ酸、脂肪及び炭水化物を含む組成物であって、
a.アミノ酸組成物が、少なくともL-アラニン、L-アルギニン、L-アスパラギン酸、L-シスチン、グリシン、L-ヒスチジン、L-イソロイシン、L-リシン、L-メチオニン、L-フェニルアラニン、L-プロリン、L-セリン、L-トレオニン、L-トリプトファン、L-チロシン、L-バリン、L-カルニチン及びタウリンを含み、
b.脂肪が、組成物中の脂肪の質量に基づいて少なくとも10 wt%の長鎖多価不飽和脂肪酸を含み、
c.炭水化物が、組成物中の炭水化物の全質量に基づいて5〜50 wt%の食物繊維を含み、且つ
アミノ酸の質量パーセントが、組成物の乾燥質量の少なくとも5%であり、
脂肪の質量パーセントが、組成物の乾燥質量の20%までであり、
炭水化物の質量パーセントが、組成物の乾燥質量の10〜70%である、前記組成物。
【請求項１６】
プロバイオティクス細菌を更に含む、請求項15に記載の組成物。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年8月30日(2012.8.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）少なくとも７０％の繊維体積分率を有する熱および圧力を用いて圧縮された織基材であって、前記繊維が非溶融性の剛性ロッドフィラメントを含むフィラメント束として存在し、前記フィラメント束が１デニール当たり少なくとも１５グラム（１デシテックス当たり１３．６グラム）の靱性を有し、前記フィラメントの過半数が角張った断面を有する織基材と、
ｂ）前記織基材とコーティングとを合わせた総重量の２５重量％以下の量で存在する織基材上のコーティングと
を含み、
非溶融性の剛性ロッド繊維は、ポリ（パラ−フェニレンテレフタレート）、ポリ（パラ−フェニレンベンゾビスオキサゾール）、ポリ（ベンゾビスチアゾール）、ポリ｛２，６−ジイミダゾ［４，５−ｂ，４’，５’−ｅ］ピリジニレン−１，４（２，５−ジヒドロキシ）フェニレン｝ならびにそれらのコポリマーおよび混合物からなる群から選択され、
フィラメント束における過半数のフィラメントは、尖った角、又は、エッジを含む角張った断面を有し、
前記コーティングなしの、角張った断面を有するフィラメントのフィラメント束の前記織基材のガーレー気孔率が、熱および圧力を用いて圧縮されていない同じ重量の織基材の少なくとも５倍である、弾道衝撃から保護するための剛性物品を強化するために好適なコーティング布。
【請求項２】
請求項１に記載のコーティング布の少なくとも２層を含有するラミネート。
【請求項３】
請求項１に記載のコーティング布で強化された物品。
【請求項４】
（ａ）円形の、非溶融性の剛性ロッドフィラメントの束を含有する織基材を熱および圧力を用いて圧縮してフィラメントの束を平らにする工程であって、前記フィラメント束が１デニール当たり少なくとも１５グラム（１デシテックス当たり１３．６グラム）の靱性を有する工程と、
（ｂ）前記基材を圧縮し続けて前記フィラメントの円形断面を角張った断面にさらに変形させ、そして少なくとも７０％の繊維体積分率を有する基材を形成する工程と、
（ｃ）前記基材の表面をコーティング材料と接触させる工程と
を含み、
非溶融性の剛性ロッド繊維がポリ（パラ−フェニレンテレフタレート）、ポリ（パラ−フェニレンベンゾビスオキサゾール）、ポリ（ベンゾビスチアゾール）、ポリ｛２，６−ジイミダゾ［４，５−ｂ，４’，５’−ｅ］ピリジニレン−１，４（２，５−ジヒドロキシ）フェニレン｝およびそれらのコポリマーからなる群から選択される
コーティング布の製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
織基材はフィラメントの束から製造される。多くの実施態様では、「フィラメントの束」は連続のマルチフィラメント糸である。本明細書での目的のためには、用語「フィラメント」は、長さ対その長さに垂直のその断面積を横切る幅の高い比を有する比較的柔軟な巨視的に均一な物体と定義される。幾つかの実施態様では、フィラメントは、約０．５デシテックス〜約４デシテックスの線密度を有し、幾つかの好ましい実施態様では、フィラメント線密度は約０．７デシテックス〜約２．０デシテックスである。フィラメント断面は一般に、織基材の圧縮の前に円形またはほぼ円形である。圧縮後に、円形断面フィラメントの過半数は角張った断面を有する、すなわち、それらは、フィラメントの弾性限界を超えることによって形成された鋭い鋭角を有する。幾つかの好ましい実施態様では、フィラメントの７０パーセント以上が角張った断面を有する。角張った断面の鋭さは、「交差箇所」とも呼ばれる、たて糸がよこ糸と交差する織基材中の箇所でより顕著であることができる。しかしながら、たて糸およびよこ糸の全体にわたって、圧縮後に７０％繊維体積を達成するために、フィラメントの過半数は、光学顕微鏡法によって確認した際に角張った断面を有する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年2月13日(2012.2.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
本発明に関連して、漂白シーケンスの最後に高温でオゾン処理を実施すると、その品質を低下させることなく特にパルプの白色度が向上することが示された。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
1997年9月のTAPPI JOURNALの論評記事（vol.80, No.9, pp.209-14）において発表されているもののようなより最近の論文においては、漂白の最後にオゾンを用いることが提案されている。不完全に漂白され、したがって残留リグニンを含むパルプに対してオゾン段階を適用することにより、このリグニンが実質的に即時に消失し、その結果、パルプの白色度が速やかに向上する。記載されている方法は劇的であるが、過剰量のオゾンを適用してセルロースの品質を低下させることを避けたい場合には、殆どの場合において白色度は２〜３％ポイントしか増加しなかった。従来の教示を考慮すると、報告されている実験は、温度が過度に上昇することを避けることに注意を払って行っている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
より正確には、化学パルプを予備漂白するという事項は、その白色度レベル及び／又はその残留リグニン含量によって評価することができる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
而して、本発明方法は、有利には、その白色度レベルが７０％より高く、有利には８０％より高く、好ましくは８５％付近であるパルプに対して行う。白色度レベルは、標準規格ＮＦ−ＩＳＯ−３６８８にしたがって測定する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
本発明方法は、有利には、これらの２つの基準（白色度及びカッパー価）の少なくとも１つ、或いは両方を満足するパルプに対して行う。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
実施例１：
２０付近のカッパー価に相当する残留リグニン含量を有する軟材クラフトパルプを、公知の方法で、予備漂白Ｄ（ＥＰ）Ｄシーケンスを用いて処理した。得られた白色度は８３．７％−ＩＳＯであった。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
この処理の後、パルプを洗浄し、通常の標準的な方法によってその白色度を測定した。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
実施例２：
２７付近のカッパー価に相当する残留リグニン含量を有する軟材クラフトパルプを、公知の方法で、ＤＥＤＥＤ漂白シーケンスを用いて処理した。得られた白色度は８１．９％−ＩＳＯであった。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
０．１９％の量のオゾンをパルプに徐々に加えた。この処理の後、パルプを洗浄し、通常の標準的な方法によってその白色度を測定した。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
実施例３：
８１．９の白色度を得るために、上述の実施例と同じパルプをＤＥＤＥＤシーケンスによって部分的に漂白した。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５６】
８９％−ＩＳＯの白色度が得られ、これはＤ段階の後に洗浄を行った実施例２と同等の結果を示す。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図１】
2010513728.tif 000001
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図３】
2010513728.tif 000002
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年10月1日(2012.10.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
図１Ａは、本発明の好ましい実施の形態の、紙側の表面上の相対的なポケット寸法を強調する、紙側の図および表面の奥行きの図である。図１Ａに示すように、本実施の形態に従った布５０は、三角形の断面形状を有する緯糸２０を用いて形成される。緯糸２０を三角形の断面形状を有すると述べたが、実際には、断面形状は図１Ｂに示されるものである。図１Ｂに示されるように、緯糸２０は、わずかに丸くされた端部２２を含む、幾分または実質的に三角形の断面形状を有する。側部２４を有する正三角形状が示されるが、本目的に好適な他の三角形状もまた、望ましい結果を提供し得る。図１Ａでは、三角形の緯糸２０は横に延び、経糸１０は縦に延びることが示される。緯糸２０は、布５０の内部において、三角形の平坦な表面または側部２４が布５０の機械側に対向し、三角形の尖った側部が布５０の紙側または表面側に対向し、経糸１０が三角形の緯糸２０の上を越えまたは下を通って経糸１０と織り交ざる点を有して、より深いポケット深さを形成するような態様で、配向されてもよい。図１Ｃはまた、本実施の形態に従った布の形態のための経糸１０のうねりを示す。経糸１０に関し、円形の断面形状を有することが示されていることに留意する。本目的に好適な他の断面形状も可能である。このうねりに見られるように、布５０はより深いポケット３０，４０を有する。これらは、布５０の紙側の表面上において、対応して強調されている。布５０の紙側の表面に示された隆起した緯糸２０および隆起した経糸１０とは、これらが互いに織り合わさる点、または三角形の緯糸２０の上を超えまたは下を通るように経糸が織り交ざる点において、ポケット３０，４０を形成して、より深いポケット深さを形成することが認められ得る。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
本発明に従った布は、たとえば平織り、あや織り、緯または経の浮糸のみを有するシート表面、またはこれらの組合せのような、任意の織成パターンを用いて形成されてもよいことに留意する。本発明は、異なる寸法および形状のポケット、異なるポケット深さ、および異なる糸のうねりを有する、他の布の形態を包含することが意図される。したがって、本発明は、上記に開示された好ましい実施の形態に限定されるように解釈されるべきではない。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
本発明に従った布は、好ましくは、モノフィラメントの糸のみを備える。ポリエステル、ナイロン、ポリアミドまたはその他のポリマーからなるものが好ましい。当業者により理解されるように、いずれかの糸として複数のポリマーの組合せを使用してもよい。布のＣＤ糸は、異なる寸法の三角形の断面形状の糸を有してもよく、たとえば円や他の形状のような三角形ではない異なる断面を有する糸と交互に入れ替えられてもよい。この交互の入れ替えは、本目的に好適な方法で、一本の糸ごと、または対の糸ごと、またはその他の偶数または奇数の糸の組合せごとであってもよい。同様に、ＭＤ糸は、一以上の異なる径を有する円形状の断面を有してもよい。さらに、三角形および円形の断面形状に加えて、たとえば図２に示す「家」形状の糸６０のような、他の形状が考えられる。その上、ＭＤ糸を含む糸のいくつかは、たとえば矩形状の断面形状のような他の断面形状、もしくは、たとえば三角形または実質的に三角形のような円形でない断面形状を有してもよい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抄紙機に用いられる布であって、
複数の緯糸に織り合わされ、前記布の紙側の表面上にポケットを形成する、複数の経糸と、
三角形状の断面を有する前記緯糸と、を備え、
前記緯糸は、平坦な表面が前記布の機械側表面に対向して配向されており、
前記経糸が前記緯糸と織り交ざる点は、深さおよび容積がより大きいポケットを前記布内に形成する、布。
【請求項２】
経糸および緯糸の複数のうねりを含む５杼口の織成パターンを有する、請求項１に記載の布。
【請求項３】
前記複数の経糸および前記複数の緯糸の少なくともいくつかは、ポリアミドの糸またはポリエステルの糸のいずれかである、請求項１に記載の布。
【請求項４】
前記布は、単層の通気性乾燥（ＴＡＤ）布である、請求項１に記載の布。
【請求項５】
前記複数の経糸の少なくともいくつかは、円形の断面形状、矩形の断面形状、円形でない断面形状、もしくは三角形状の断面形状のいずれかを有する、請求項１に記載の布。
【請求項６】
前記複数の緯糸の少なくともいくつかは、三角形状でない断面を有する、請求項１に記載の布。
【請求項７】
前記三角形状の緯糸と、三角形状でない緯糸とが、交互に入れ替えられ、対ごとに交互に入れ替えられ、または所望の本数の組みごとに交互に入れ替えられる、請求項１に記載の布。
【請求項８】
抄紙機に用いられる布を形成する方法であって、
複数の経糸を複数の緯糸と織り合わせ、前記布の紙側の表面上にポケットを形成するステップと、
前記緯糸が三角形状の断面を有するステップと、を備え、
前記緯糸は、平坦な表面が前記布の機械側表面に対向して配向されており、
前記経糸が前記緯糸と織り交ざる点は、深さおよび容積がより大きいポケットを前記布内に形成する、方法。
【請求項９】
前記布は、経糸および緯糸の複数のうねりを含む５杼口の織成パターンである、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記複数の経糸および前記複数の緯糸の少なくともいくつかは、ポリアミドの糸またはポリエステルの糸のいずれかである、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記布は、単層の通気性乾燥（ＴＡＤ）布である、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記複数の経糸の少なくともいくつかは、円形の断面形状、矩形の断面形状、円形でない断面形状、もしくは三角形状の断面形状のいずれかを有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記複数の緯糸の少なくともいくつかは、三角形状でない断面を有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記三角形の緯糸と、三角形でない緯糸とが、交互に入れ替えられ、対ごとに交互に入れ替えられ、または所望の本数の組ごとに交互に入れ替えられる、請求項１３に記載の方法。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図１Ｂ
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図１Ｂ】
2010513733.tif 000001
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年7月3日(2012.7.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オキシジェネート含有原材料から軽質オレフィン類を製造するプロセスであって、
オキシジェネート転化反応器（14、104、204、304、404）中でオキシジェネート含有原材料とオキシジェネート転化触媒とを、オキシジェネート-含有原材料を軽質オレフィン類とC4+炭化水素とを含むオキシジェネート転化流出液流に転化させるのに有効な反応条件下で接触させる、ここで前記軽質オレフィン類はエチレンを含み、前記C4+炭化水素は、1-ブテンとイソブテンを含むブテン類を含む；
分離領域（24、114、214、314、414）で前記オキシジェネート転化流出液流を分離し、前記オキシジェネート転化流出液流から、前記1-ブテンの少なくとも一部と、前記イソブテンの少なくとも一部を含む前記ブテン類の少なくとも一部を含む混合ブテン流を形成する；
前記混合ブテン流からの前記ブテン類の少なくとも一部を、プロピレンを含むメタセシス流出液流を製造するための有効な条件で、メタセシス領域(60、154、260、360、468)でメタセシス触媒と接触させる；
前記メタセシス流出液流はプロピレンを含む第一の分離流及びC4+炭化水素を含む第二の分離流に分離される第二の分離領域において前記メタセシス流出液流からプロピレンを回収する；
異性化領域（146、256、356、462）で前記混合ブテン流から前記1-ブテンの少なくとも一部を異性化して、2-ブテンを含む異性化流を形成する；及び
前記メタセシス領域（60、154、260、360、468）で前記異性化流からの2-ブテンの少なくとも一部をメタセシスしてメタセシス流出液流を製造する
各段階を含む、前記プロセス。
【請求項２】
エチレンを前記メタセシス領域（60、154、260、360、468）に導入して、前記混合ブテン流からのブテン類の少なくとも一部をメタセシスしてプロピレンを製造することをさらに含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記分離段階がさらに、前記オキシジェネート転化流出液流からエチレンの少なくとも一部を含むプロセス流を形成し、且つこのプロセス流からのエチレンの少なくとも一部を前記メタセシス領域（60、154、260、360、468）に導入する、請求項２に記載のプロセス。
【請求項４】
前記メタセシス領域（60、154、260、360、468）が前記メタセシス触媒の固定床（164）を含む蒸留カラム（162）を使用する反応を含み、且つ前記メタセシス触媒と接触させるとき、前記混合ブテン流からのブテン類の少なくとも一部を固定床（164）でエチレンでメタセシスして、メタセシス流出液流と、未反応ブテンを含むメタセシス底部流を生成する、請求項１に記載のプロセス。
【請求項５】
前記混合ブテン流がさらに2-ブテンを含み、且つ前記メタセシス触媒と接触させるとき、前記混合ブテン流からの前記1-ブテンの少なくとも一部と前記2-ブテンの少なくとも一部を交差メタセシスしてプロピレンを製造する、請求項1に記載のプロセス。
【請求項６】
イソブテン転化領域（246、346、450）で前記混合ブテン流からイソブテンの少なくとも一部を転化して、1-ブテンを含む第二のプロセス流と転化生成物を含むプロセス流とを形成する転化段階；及び異性化領域（146、256、356、462）で前記第二のプロセス流から前記1-ブテンの少なくとも一部を異性化して、前記異性化流に追加の2-ブテンを生成する異性化段階をさらに含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項７】
前記転化段階が前記イソブテン転化領域（246、346、450）に前記オキシジェネート含有原材料の一部を導入することを含み、ここで前記イソブテン転化反応の間に、前記イソブテン類の少なくとも一部が転化されて、メチルtert-ブチルエーテルを含む転化生成物を生成する、請求項６に記載のプロセス。
【請求項８】
前記転化段階が、前記イソブテン転化領域（246、346、450）で前記混合ブテン流から前記イソブテンの少なくとも一部を二量体化して、転化生成物を生成する、請求項６に記載のプロセス。
【請求項９】
前記メタセシス流出液流がさらにブテン類を含み、前記プロセスはさらに、前記メタセシス流出液流からの前記ブテン類の少なくとも一部を分離する；及び前記分離されたブテン類の少なくとも一部をイソブテン転化領域（246、346、450）にリサイクルすることをさらに含む、請求項６に記載のプロセス。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
メタセシス反応は通常、図１に説明されているようにメタセシス領域６０と連動して上記に詳細が記載されているような触媒を使用することができる。通常、2-ブテンのエチレンとの不均化(メタセシス)はたとえば、エチレン対2-ブテン比に依存して、ワンスルー転化率(one-through  conversion)15％で50〜100のWHSVで、300〜350℃で、0.5MPa絶対(75psia)の気相中で実施することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月31日(2011.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３３】
【数１５】
2010513506.tif 000001
ＡｃｔＲＩＩａ−ｈＦｃおよびＡｃｔＲＩＩａ−ｍＦｃは共に、組換え発現にとって際立って扱いやすかった。図１に示されるように、タンパク質は、単一の十分に画定されたタンパク質のピークとして精製された。Ｎ末端の配列決定は、−ＩＬＧＲＳＥＴＱＥ（配列番号１１）の単一の配列を明らかにした。精製は、例えば、以下のうちの３またはそれ以上を任意の順序で含む一連のカラムクロマトグラフィー工程によって達成され得る：プロテインＡクロマトグラフィー、Ｑセファロースクロマトグラフィー、フェニルセファロースクロマトグラフィー、サイズ排除クロマトグラフィーおよびカチオン交換クロマトグラフィー。精製は、ウイルス濾過およびバッファの交換により完了され得る。ＡｃｔＲＩＩａ−ｈＦｃタンパク質は、サイズ排除クロマトグラフィーによって決定すると、９８％を超える純度、そして、ＳＤＳ  ＰＡＧＥによって決定すると、９５％を超える純度まで精製された。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】配列表
【補正方法】変更
【補正の内容】
【配列表】
2010513506000001.app
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月20日(2012.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つ以上の参照層方向を備える強磁性薄膜ベースの磁場センサの製造方法であって、
基板を提供すること、
前記基板の上に第１の絶縁層を形成すること、
前記第１の絶縁層の上にセンサ層スタックを形成することであって、前記センサ層スタックは前記第１の絶縁層の上に形成された参照層構造と、前記参照層構造の上に形成された非磁性中間層と、前記非磁性中間層の上に形成された検知層とを含む、前記センサ層スタックを形成すること、
前記センサ層スタックを選択的にエッチングして第１の電極スタックおよび第２の電極スタックを形成することであって、前記第１の電極スタックは第１の参照方向を設定するための第１の形状異方性を有し、前記第２の電極スタックは第２の参照方向を設定するための第２の形状異方性を有する、前記第１の電極スタックおよび第２の電極スタックを形成すること、
前記第１および第２の電極スタックの各参照層構造が飽和磁場と実質的に整列する磁化を有するまで前記第１および第２の参照方向間に配向される前記基板に実質的に平行な飽和磁場を印加すること、
前記飽和磁場を除去して、前記第１の形状異方性が前記第１の電極スタックの前記参照層構造の磁化を設定可能とし、前記第２の形状異方性が前記第２の電極スタックの前記参照層構造の磁化を設定可能とすること
を含む方法。
【請求項２】
前記第１および第２の電極スタックを冷却する前に、前記飽和磁場を除去した後、それぞれ前記第１および第２の電極スタックにおいて形成された第１および第２の反磁性層の反磁性結晶相形成温度で、または該反磁性結晶相形成温度よりも高い温度で、前記第１および第２の電極スタックを加熱することにより、第１の形状定義された軸に沿って前記第１の電極スタックにおけるピン止め層の磁化をピン止めし、第２の形状定義された軸に沿って前記第２の電極スタックにおけるピン止め層の磁化をピン止めすることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記参照層構造はスペーサ層によって分離された第１および第２の強磁性体層で形成される不平衡合成反強磁性体を備え、第１および第２の強磁性層は異なる磁気モーメントを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
２つ以上の参照層磁化方向を備える強磁性薄膜ベースの磁場センサであって、
基板と、
前記基板の上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上の第１のセンサ層スタックであって、前記第１の絶縁層の上に第１の参照層構造を備える前記第１のセンサ層スタックと、
前記第１の絶縁層の上の第２のセンサ層スタックであって、前記第１の絶縁層の上に第２の参照層構造を備える前記第２のセンサ層スタックと
を備え、
第１の電極スタックは前記第１の参照層構造に対して第１の参照方向を定める第１の形状異方性を有し、第２の電極スタックは前記第２の参照層構造に対して第１の参照方向とは異なる第２の参照方向を定める第２の形状異方性を有する、強磁性薄膜ベースの磁場センサ。
【請求項５】
前記第１および第２の参照層構造は、スペーサ層によって分離された第１および第２の強磁性体層で形成される不平衡合成反強磁性体をそれぞれ備え、第１および第２の強磁性層は異なる磁気モーメントを有する、請求項４に記載の強磁性薄膜ベースの磁場センサ。
【請求項６】
第１の参照層の上の第１の中間層と、
第１の参照層上の第１の検知層と、
第２の参照層上の第２の中間層と、
第２の参照層上の第２の検知層と
をさらに備える、請求項４に記載の強磁性薄膜ベースの磁場センサ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月11日(2012.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信ネットワークにおける無線通信の方法であって、
前記ネットワークにおいて危殆化された暗号キー処理素材を管理するステップと、
捕捉されたノードを前記ネットワークから除外するステップと、
危殆化されていない装置における危殆化されたキー処理素材を更新するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
前記キー処理素材を更新するステップが、危殆化されたアルファセキュアキー処理素材の一部を置換するステップを更に有する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記アルファキー処理素材の一部が、危殆化された多項式を有する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記キー処理素材が、アルファセキュアキー処理素材の幾つかの独立した部分を有するアルファセキュアキー処理素材である請求項２に記載の方法。
【請求項５】
アルファセキュアキー処理素材の前記独立した部分が多項式である請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記更新するステップが、ネットワークの負荷、又はノードの負荷、又はこれら両方を最小化するために順次の態様で生じる請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記除外するステップの前に、取り消されるべきノードを識別するステップを更に有する請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記識別されたノードを取り消すように動作するキー取り消しツール（ＫＲＴ）を設けるステップを更に有する請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記キー処理素材はアルファセキュアキー処理素材であり、前記ＫＲＴは、取り消されるべきノードの識別子が与えられた場合に、アルファセキュアキー処理素材の独立した部分の取り消しパラメータを自動的に処理する請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記アルファセキュアキー処理素材が単一の多項式又は複数の多項式を有する請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記除外するステップの前に、該除外するステップ及び前記更新するステップの評価基準を与える取り消しレベルを設定するステップを更に有する請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
セキュリティの侵害の数を追跡するステップ及び該数を方針の閾値に対して比較するステップを更に有する請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
キー取り消しツール（ＫＲＴ）を有する無線局と、
各々がキー処理素材を有する複数の無線ノードと、
を有する無線通信システムであって、前記ＫＲＴは、危殆化されたノードを当該システムから除外すると共に危殆化されていないノードにおけるキー処理素材を更新するように動作する無線通信システム。
【請求項１４】
前記ＫＲＴは、前記キー処理素材を、危殆化されたアルファセキュアキー処理素材の一部又は複数の部分を置換することにより更新する請求項１３に記載の無線通信システム。
【請求項１５】
前記ＫＲＴは、取り消されるべきノードを、該ノードを除外する前に識別する請求項１３に記載の無線通信システム。
【請求項１６】
前記ノードが照明装置を有する請求項１３に記載の無線通信システム。
【請求項１７】
前記ノードが、無線センサネットワーク内で使用される医療装置を有する請求項１３に記載の無線通信システム。
【請求項１８】
前記更新されたキー処理素材がアルファセキュアキー処理素材の置換部分を更に有する請求項１３に記載の無線通信システム。
【請求項１９】
前記キー処理素材はアルファセキュアキー処理素材であり、前記ＫＲＴは、取り消されるべきノードの識別子が与えられた場合に、アルファセキュアキー処理素材の独立した部分の取り消しパラメータを自動的に処理する請求項１３に記載の無線通信システム。
【請求項２０】
アルファセキュアキー処理素材の前記部分が多項式である請求項１８に記載の無線通信システム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月8日(2012.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
当該構造体の形状をしている生体適合性材料を含有してなる三次元生体適合性構造体であって、当該構造体が少なくとも架橋されている部分の第１セクション及び少なくとも架橋されていない部分の第２セクションを含有していて、そこで当該第１及び第２セクションは、第２セクションが接合する組織と接触可能になるように構成されていて、そして当該第２セクションと当該組織を光増感剤と接触させ、そして電磁エネルギーを照射することによって、当該架橋されていない部分が接合する組織のタンパク質と架橋できる、三次元生体適合性構造体。
【請求項２】
神経組織を導管と接触させること（当該導管は羊膜を含有していて、当該羊膜は少なくとも架橋しているタンパク質の第１セクション及び少なくとも架橋していないタンパク質の第２セクションを含有していて、そこでは当該神経組織は羊膜の第２セクションと接触する）；
神経組織及び羊膜の第２セクションを光増感剤で処理すること；及び
神経組織及び羊膜の第２セクションに、神経組織中のタンパク質と羊膜の第２セクション部分の間に架橋を形成するのに十分な量及び時間で、電磁エネルギーを照射すること；それによって、神経組織と導管の間に組織接合を作成すること：
を含有してなる、神経組織を接合する方法。
【請求項３】
羊膜を含有してなる導管であって、当該膜が少なくとも架橋されているタンパク質の第１セクション及び少なくとも架橋されていないタンパク質の第２セクションを含有していて（ここで、当該第１及び第２セクションは、第２セクションが接合する組織と接触可能になるように構成されていて、そして当該第２領域と当該組織を光増感剤と接触させ、そして電磁エネルギーを照射することによって、当該架橋されていないタンパク質が接合する組織のタンパク質と架橋できる）、当該導管は、当該羊膜の第１セクションを光増感剤と接触させること（ここで、当該羊膜の第２セクションは当該光増感剤と接触しない）；当該羊膜を導管に形成すること；電磁エネルギーを当該羊膜に照射すること（ここで当該第１セクションの部分の間に架橋が形成される）それによって導管が形成されることによって作成される、導管。
【請求項４】
当該生体適合性材料が生体適合性膜である、請求項１に記載の三次元生体適合性構造体。
【請求項５】
当該光増感剤が、キサンテン、フラビン、フェノチアジン、トリフェニルメチル、シアニン、モノアゾ染料、アジンモノアゾ染料、フェノチアジン染料、ローダミン染料、ベンジフェンオキサジン染料、オキサジン、アントロキノン染料、及びプロフィリンよりなる群から選ばれる、請求項１に記載の三次元生体適合性構造体、請求項２に記載の方法又は請求項３に記載の導管。
【請求項６】
当該生体適合性材料が、羊膜、ＳＩＳ、筋膜、硬膜、腹膜、及び心膜よりなる群から選ばれる、請求項１に記載の三次元生体適合性構造体。
【請求項７】
当該生体適合性材料が羊膜である、請求項１に記載の三次元生体適合性構造体。
【請求項８】
当該生体適合性材料がヒトの羊膜である、請求項１に記載の三次元生体適合性構造体。
【請求項９】
当該構造体が管である、請求項１に記載の三次元生体適合性構造体。
【請求項１０】
当該第２セクションが境界領域である、請求項１に記載の三次元生体適合性構造体、請求項２に記載の方法又は請求項３に記載の導管。
【請求項１１】
当該構造体が管であって、そして当該境界領域が当該管の末端に位置している、請求項１に記載の三次元生体適合性構造体。
【請求項１２】
当該境界領域が当該管の両端にある、請求項１１に記載の三次元生体適合性構造体。
【請求項１３】
当該キサンテンがローズベンガルである、請求項１に記載の三次元生体適合性構造体、請求項２に記載の方法又は請求項３に記載の導管。
【請求項１４】
電磁エネルギーを１．５Ｗ／ｃｍ２未満の放射照度で照射する、請求項１に記載の三次元生体適合性構造体、請求項２に記載の方法又は請求項３に記載の導管。
【請求項１５】
電磁エネルギーを約０．５０Ｗ／ｃｍ２の放射照度で照射する、請求項１に記載の三次元生体適合性構造体、請求項２に記載の方法又は請求項３に記載の導管。
【請求項１６】
当該第２セクションが当該導管の末端に位置している境界領域である、請求項２に記載の方法又は請求項３に記載の導管。
【請求項１７】
神経組織と導管の間に、環状で耐水性の接合を作出する、請求項２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月31日(2012.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列番号４のアミノ酸配列を含む単離ポリペプチドであって、（ａ）配列番号４の位置９８にアルギニン残基、及び（ｂ）配列番号４の位置１７１にグリシン残基を含む、前記単離ポリペプチド。
【請求項２】
異種のポリペプチドに連結された、請求項１に記載のポリペプチドを含む融合ポリペプチド。
【請求項３】
異種のポリペプチドがＦｃポリペプチドである、請求項２に記載の融合ポリペプチド。
【請求項４】
Ｆｃポリペプチドが配列番号１３のアミノ酸配列を含む、請求項３に記載の融合ポリペプチド。
【請求項５】
ポリペプチドがリンカーによってＦｃポリペプチドに連結されている、請求項４に記載の融合ポリペプチド。
【請求項６】
リンカーがＧＧＧＧＧＳＧＧＧＳＧＧＧＧＳ（配列番号２３）である、請求項５に記載の融合ポリペプチド。
【請求項７】
リンカーがＧＧＧＧＳＧＧＧＧＳＧＧＧＧＳ（配列番号３１）である、請求項５に記載の融合ポリペプチド。
【請求項８】
配列番号３７のヌクレオチド１〜１２７２によってコードされる、融合ポリペプチド。
【請求項９】
配列番号３８のアミノ酸配列を含む、請求項６に記載の融合ポリペプチド。
【請求項１０】
請求項９に記載の融合ポリペプチドの２以上のコピーを含むマルチマー。
【請求項１１】
請求項９に記載の融合ポリペプチドと、医薬的に許容可能な製剤用物質とを含む、医薬組成物。
【請求項１２】
配列番号３６のアミノ酸配列を含む、請求項７に記載の融合ポリペプチド。
【請求項１３】
請求項１２に記載の融合ポリペプチドの２以上のコピーを含むマルチマー。
【請求項１４】
請求項１２に記載の融合ポリペプチドと、医薬的に許容可能な製剤用物質とを含む、医薬組成物。
【請求項１５】
位置１８０にさらに変異を含む、請求項１に記載の単離ポリペプチド。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月8日(2012.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記装置は、円錐部と、腰部と、本体部とを含み、前記中間層は前記装置の前記本体部にある、請求項２に記載の膨張可能な医療装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
膨張可能な医療装置を形成する方法において、前記膨張可能な医療装置は多層構造からなり、かつ前記装置は少なくとも一つの定常状態、少なくとも一つの膨張状態及び少なくとも一つの収縮状態を有し、前記方法は、
少なくとも一つの内層を提供する工程と、
少なくとも一つの外層であって、内面及び外面を有するとともに第一の壁厚にて画定されている外層、を提供する工程と、
前記外層の前記内面又は前記外層の前記外面にある少なくとも一つの領域であって、前記第一の厚みよりも薄い第二の壁厚を有する少なくとも一つの領域を形成する工程と、
を含み、
前記少なくとも一つの領域は、前記膨張可能な医療装置が前記定常状態にある場合には閉じられており、前記膨張可能な医療装置が前記少なくとも一つの膨張状態にある場合に開いている、方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
前記外層の前記内面又は前記外層の前記外面に格子構造を形成する工程を含む、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月16日(2012.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スピーカーを備えた聴覚保護具であって、閉鎖型耳あて（２）と、１つのスピーカー（４）と、前記スピーカーを駆動するための駆動部と、を含み、前記閉鎖型耳あて（２）は使用者の各耳に配置され、密閉的に使用者の頭部に接触し、これにより耳あて内及び使用者の耳周りに包囲空間を形成し、前記スピーカー（４）は前記耳あての少なくとも１つに配置され、膜（５）を見せており、前記膜（５）は一方の面が使用者の耳に向けられ、その反対面が前記膜及び包囲部により画定される閉鎖容積に向けられ、前記包囲空間の内部は、少なくとも１つの孔又は導管を介して、前記耳あて（２）の前記閉鎖空間の外側の周囲環境に連通していることを特徴とする、聴覚保護具。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月15日(2011.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上に酸化層を形成する方法であって、
分離領域を有するデバイス基板、多層の相互結合構造、およびデバイス基板と多層の相互結合構造との間の絶縁層を含む半導体基板を得る工程と、
分離領域を通って、デバイス基板の裏側から絶縁層に、少なくとも１つのホールをエッチングする工程と、
酸性の電解質溶液中で基板を陽極酸化することにより、基板の上に酸化層を形成する工程と、を含む方法。
【請求項２】
酸性の電解質溶液中で基板を陽極酸化する工程は、クエン酸、酢酸、シュウ酸、硫酸、リン酸、硝酸、またはそれらの組み合わせを含む電解質溶液中に、基板を浸責する工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
酸性の電解質溶液中で基板を陽極酸化する工程は、０％（含有せず）と２０％の間の酸濃度を有する電解質溶液中に基板を浸責する工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
基板の上に酸化層を形成する工程は、少なくとも１つのホールの側壁に、酸化層を形成する工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
基板の上に酸化層を形成する工程は、
電解質溶液中に基板を浸責する工程と、
電解質溶液中に配置されたカソードと、基板の上または基板のそばに形成されたアノードとの間に電位を与え、これにより基板を陽極酸化する工程と、で行われる請求項１に記載の方法。
【請求項６】
電位を与える工程は、１０Ｖと４００Ｖの間の電位を与えることにより行われる請求項５に記載の方法。
【請求項７】
電位を与える工程は、時間の関数として基板を通る電流密度が変化するように、電位を与えて行われる請求項５に記載の方法。
【請求項８】
陽極酸化工程は２工程のプロセスで行われ、電位を与える工程は、
最初に、所定の時間、固定された電流密度が、基板を通って得られる工程と、
所定の時間が経過した後に、固定された電位を与える工程と、で行われる請求項５に記載の方法。
【請求項９】
半導体デバイスの製造プロセスにおける、請求項１〜８のいずれかに記載の方法の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月7日(2012.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトンネル障壁と、前記トンネル障壁を介して電流を通す電気的接触手段とを有する情報用記憶装置であって、
前記第１のトンネル障壁は、記憶材料と接触しており、
前記トンネル障壁は、メモリ特性を有するメモリ材料と接触しており、前記メモリ特性は、書込み信号によって変化し、前記メモリ特性の変化は、前記第１のトンネル障壁を通って流れる電流に対するトンネル抵抗を変化させることを特徴とする情報用記憶装置において、
記憶材料は、第２のトンネル障壁を有し、このトンネル障壁の、メモリ特性としてのトンネル抵抗は、前記書き込み信号によって可変であることを特徴とする情報用記憶装置。
【請求項２】
両方のトンネル障壁が全体の障壁を形成し、この全体の障壁の２つの部分障壁の空間的な分割は、書込み信号によって可変であることを特徴とする請求項１記載の情報用記憶装置。
【請求項３】
メモリ材料はメモリ特性を有し、前記メモリ特性が変化することで、第１のトンネル障壁内の伝導帯のエネルギー準位が変化することを特徴とする、請求項１又は２に記載の記憶装置。
【請求項４】
メモリ材料内で、メモリ特性としてのイオンの位置が書込み信号によって変化することを特徴とする、請求項３記載の記憶装置。
【請求項５】
メモリ材料が、固体電解質を含むことを特徴とする、請求項４記載の記憶装置。
【請求項６】
第１のトンネル障壁および電気的接触手段に対するメモリ材料の境界面が不活性であることを特徴とする、請求項１〜５の一項記載の記憶装置。
【請求項７】
第１のトンネル障壁が、アモルファス材料を含むことを特徴とする、請求項１〜６の一項記載の記憶装置。
【請求項８】
第２のトンネル障壁内に、書込み信号によって移動可能な金属膜を備えることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか記載の記憶装置。
【請求項９】
メモリ材料のメモリ特性が、書込み信号の中止後さらに少なくとも１００ｎｓは安定なままであることを特徴とする、請求項１〜８の一項記載の記憶装置。
【請求項１０】
メモリ材料が、双安定または多重安定メモリ特性を有することを特徴とする、請求項１〜９の一項記載の記憶装置。
【請求項１１】
トンネル障壁を含む記憶装置に情報を格納する方法並びに格納された情報を読み出す方法において、
複数の部分障壁へのトンネル障壁の空間的な分割が、情報を格納するために変えられ、並びにトンネル障壁を通るトンネル確率の値である測定量が、情報を読み出すために測定されることを特徴とする、方法。
【請求項１２】
トンネル障壁内の伝導帯エッジのエネルギー準位が変えられることを特徴とする、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
トンネル障壁内の伝導帯エッジのエネルギー準位は、トンネル障壁のエッジに印加された電界を変化させることによって、変化することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の装置。
【請求項１４】
書込み電流を用いて情報を格納するために、また、読出し電流を用いて情報を読み出すために記憶装置が備えられ、
前記書込み電流は前記読出し電流より大きいことを特徴とする、請求項１１〜１３のいずれかに記載の方法。