【手続補正書】
【提出日】平成25年12月9日(2013.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応チャンバにおいてワークピースの表面から材料を除去する方法であって、
水素分子、炭素を含有せずフッ素を含有するガス、および、保護用の化合物を含む処理用混合ガスから第１のプラズマを形成する段階を備え、
前記炭素を含有せずフッ素を含有するガスおよび前記保護用の化合物は、第１の体積流量比で供給され、
前記方法はさらに、
前記ワークピースの表面を前記第１のプラズマに暴露して、前記ワークピースの表面から材料の第１の部分を除去する段階と、
前記炭素を含有せずフッ素を含有するガスおよび前記保護用の化合物の前記第１の体積流量比を変更して、第２のプラズマを形成する段階と、
前記ワークピースの表面を前記第２のプラズマに暴露して、前記ワークピースの表面から材料の第２の部分を除去する段階と
を備える方法。
【請求項２】
前記保護用の化合物は窒素含有化合物である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記保護用の化合物はフッ化炭素化合物である請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記保護用のフッ化炭素化合物は、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、Ｃ３Ｆ８のうち１つである請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記保護用のフッ化炭素化合物は、ＣＦ４である請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記炭素を含有せずフッ素を含有するガスは、ＮＦ３、Ｆ２、ＨＦまたはＳＦ６のうち１つである請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記炭素を含有せずフッ素を含有するガスは、ＮＦ３である請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ワークピースの表面から除去される前記材料は、高ドーズ注入処理されたレジストを含む請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記炭素を含有せずフッ素を含有するガスおよび前記保護用の化合物の前記第１の体積流量比は、約１：２０−１：５の間であり、
前記第１の体積流量比を変更する段階は、前記第１の体積流量比を約１：４−１：２に変更する段階を有する請求項１から請求項８のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記炭素を含有せずフッ素を含有するガスおよび前記保護用の化合物の前記第１の体積流量比は、約１：２０−１：５の間である請求項１から請求項８のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記炭素を含有せずフッ素を含有するガスおよび前記保護用の化合物の前記第１の体積流量比を変更して、第２のプラズマを形成する段階は、前記保護用の化合物の流入を停止させる段階を有する請求項１から請求項８のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記処理用の混合ガスはさらに、二酸化炭素を含む請求項１から請求項１１のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記ワークピースは、除去後、高ドーズ注入処理されたレジストの残留物が略存在せず、
前記ワークピースのシリコン表面から失われたシリコンは約２オングストローム未満である請求項１から請求項１２のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記ワークピースは、除去後、高ドーズ注入処理されたレジストの残留物が略存在せず、
前記ワークピースのシリコン表面から失われたシリコンは約１オングストローム未満である請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
反応チャンバにおいてワークピースの表面から材料を除去する方法であって、
水素分子、炭素を含有せずフッ素を含有するガス、および、保護用の化合物を含む処理用混合ガスから第１のプラズマを形成する段階と、
前記ワークピースの表面を前記第１のプラズマに暴露して、前記ワークピースの表面から材料の第１の部分を除去すると同時に、前記ワークピースのシリコン含有表面上に保護層を形成する段階と
を備える方法。
【請求項１６】
前記保護用の化合物は窒素含有化合物である請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記保護用の化合物はフッ化炭素化合物である請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記保護用のフッ化炭素化合物は、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、Ｃ３Ｆ８のうち１つである請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記炭素を含有せずフッ素を含有するガスは、ＮＦ３、Ｆ２、ＨＦまたはＳＦ６のうち１つである請求項１５から請求項１８のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記保護用の化合物は、ＣＦ４であり、前記炭素を含有せずフッ素を含有するガスは、ＮＦ３である請求項１５に記載の方法。
【請求項２１】
前記処理用の混合ガスはさらに、二酸化炭素を含む請求項１５から請求項２０のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
前記ワークピースは、除去後、高ドーズ注入処理されたレジストの残留物が略存在せず、
前記ワークピースのシリコン表面から失われたシリコンは約２オングストローム未満である請求項１５から請求項２１のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
前記ワークピースは、除去後、前記高ドーズ注入処理されたレジストの残留物が略存在せず、前記ワークピースのシリコン表面から失われたシリコンは約１オングストローム未満である請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
反応チャンバにおいてワークピースの表面から高ドーズ注入処理されたレジストを除去する方法であって、
材料の第１の部分を除去する段階を備え、
前記第１の部分を除去する段階は、
水素分子、弱い酸化剤、炭素を含有せずフッ素を含有するガス、および、保護用のガスを含む第１のガスをプラズマ源に導入する段階と、
前記プラズマ源に導入された前記第１のガスから第１のプラズマを生成する段階と、
前記ワークピースを前記第１のプラズマに暴露して、前記材料の前記第１の部分を除去する段階と
を有し、
前記方法はさらに、前記材料の第２の部分を除去する段階を備え、
前記第２の部分を除去する段階は、
水素分子、弱い酸化剤、炭素を含有せずフッ素を含有するガスを含み、保護用のガスを実質的に含まない第２のガスをプラズマ源に導入する段階と、
前記プラズマ源に導入された前記第２のガスから第２のプラズマを生成する段階と、
前記ワークピースを前記第２のプラズマに暴露して、前記材料の前記第２の部分を除去する段階と
を有する方法。
【請求項２５】
ワークピースの表面から材料を除去する装置であって、
反応チャンバを備え、
前記反応チャンバは、
プラズマ源と、
前記プラズマ源の下流に配置されているシャワーヘッドと、
前記シャワーヘッドの下流に配置されているワークピース支持部と、
一連の命令を実行するコントローラと
を有し、
前記ワークピース支持部は、前記ワークピース支持部上で支持しているワークピースの温度を制御するための温度制御メカニズムおよびペデスタルを含み、
前記一連の命令は、水素分子、炭素を含有せずフッ素を含有するガス、および、保護用の化合物を含む処理用混合ガスから第１のプラズマを形成するための命令を含み、
前記炭素を含有せずフッ素を含有するガスおよび前記保護用の化合物は、第１の体積流量比で供給され、
前記一連の命令はさらに、
前記ワークピースの表面を前記第１のプラズマに暴露して、前記ワークピースの表面から材料の第１の部分を除去するための命令と、
前記炭素を含有せずフッ素を含有するガスおよび前記保護用の化合物の前記第１の体積流量比を変更して、第２のプラズマを形成するための命令と、
前記ワークピースの表面を前記第２のプラズマに暴露して、前記ワークピースの表面から材料の第２の部分を除去するための命令とを含む装置。
【請求項２６】
半導体デバイスの製造方法であって、請求項１から２３のいずれか一項に記載の反応チャンバにおいてワークピースの表面から材料を除去する方法を含む半導体デバイスの製造方法。
【請求項２７】
半導体デバイスの製造方法であって、請求項２４に記載の反応チャンバにおいてワークピースの表面から高ドーズ注入処理されたレジストを除去する方法を含む半導体デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
本発明をいくつかの好ましい実施形態に基づき説明してきたが、本発明は上述した具体的な構成に限定されるものではない。上述した好ましい実施形態は多くの点で変形され得る。このため、本発明は、特許請求の範囲に記載する請求項に基づき広義に解釈されたい。
反応チャンバにおいてワークピースの表面から材料を除去する方法であって、水素分子、炭素を含有せずフッ素を含有するガス、および、保護用のフッ化炭素化合物を含む処理用混合ガスから第１のプラズマを形成する段階を備え、炭素を含有せずフッ素を含有するガスおよび保護用のフッ化炭素化合物は、第１の体積流量比で供給され、方法はさらに、ワークピースの表面を第１のプラズマに暴露して、ワークピースの表面から材料の第１の部分を除去する段階と、炭素を含有せずフッ素を含有するガスおよび保護用のフッ化炭素化合物の第１の体積流量比を変更して、第２のプラズマを形成する段階と、ワークピースの表面を第２のプラズマに暴露して、ワークピースの表面から材料の第２の部分を除去する段階とを備えてよい。
反応チャンバにおいてワークピースの表面から材料を除去する方法であって、水素分子、炭素を含有せずフッ素を含有するガス、および、保護用のフッ化炭素化合物を含む処理用混合ガスから第１のプラズマを形成する段階と、ワークピースの表面を第１のプラズマに暴露して、ワークピースの表面から材料の第１の部分を除去すると同時に、ワークピースのシリコン含有表面上に保護層を形成する段階とを備えてよい。
反応チャンバにおいてワークピースの表面から高ドーズ注入処理されたレジストを除去する方法であって、材料の第１の部分を除去する段階を備え、第１の部分を除去する段階は、水素分子、弱い酸化剤、炭素を含有せずフッ素を含有するガス、および、保護用のフッ化炭素ガスを含む第１のガスをプラズマ源に導入する段階と、プラズマ源に導入された第１のガスから第１のプラズマを生成する段階と、ワークピースを第１のプラズマに暴露して、材料の第１の部分を除去する段階とを有し、方法はさらに、材料の第２の部分を除去する段階を備え、第２の部分を除去する段階は、水素分子、弱い酸化剤、炭素を含有せずフッ素を含有するガスを含み、保護用のフッ化炭素ガスを実質的に含まない第２のガスをプラズマ源に導入する段階と、プラズマ源に導入された第２のガスから第２のプラズマを生成する段階と、ワークピースを第２のプラズマに暴露して、材料の第２の部分を除去する段階とを有してよい。
ワークピースの表面から材料を除去する装置であって、反応チャンバを備え、反応チャンバは、プラズマ源と、プラズマ源の下流に配置されているシャワーヘッドと、シャワーヘッドの下流に配置されているワークピース支持部と、一連の命令を実行するコントローラとを有し、ワークピース支持部は、ワークピース支持部上で支持しているワークピースの温度を制御するための温度制御メカニズムおよびペデスタルを含み、一連の命令は、水素分子、炭素を含有せずフッ素を含有するガス、および、保護用のフッ化炭素化合物を含む処理用混合ガスから第１のプラズマを形成するための命令を含み、炭素を含有せずフッ素を含有するガスおよび保護用のフッ化炭素化合物は、第１の体積流量比で供給され、一連の命令はさらに、ワークピースの表面を第１のプラズマに暴露して、ワークピースの表面から材料の第１の部分を除去するための命令と、炭素を含有せずフッ素を含有するガスおよび保護用のフッ化炭素化合物の第１の体積流量比を変更して、第２のプラズマを形成するための命令と、ワークピースの表面を第２のプラズマに暴露して、ワークピースの表面から材料の第２の部分を除去するための命令とを含んでよい。