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【手続補正書】
【提出日】平成24年1月25日(2012.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
強化ガラス物品であって、厚さｔを有し、以下を含む：
ａ.  外側領域であって、該外側領域が、前記物品の表面から該物品内の層の深さＤＯＬまで伸長し、該外側領域が圧縮応力ＣＳ下にある；および
ｂ.  内側領域であって、該内側領域が中央張力ＣＴ下にあり、−１５．７（ＭＰａ／ｍｍ）・ｔ（ｍｍ）＋５２．５（ＭＰａ）＜ＣＴ（ＭＰａ）≦−３８．７（ＭＰａ／ｍｍ）・ｌｎ（ｔ）（ｍｍ）＋４８．２（ＭＰａ）である、
ことを特徴とする強化ガラス物品。
【請求項２】
前記強化ガラス物品は、前記強化ガラス物品を破壊するのに十分な点衝突を受ける場合に実質的に脆弱性を有しないことを特徴とする請求項１記載の強化ガラス物品。
【請求項３】
前記強化ガラス物品は、該強化ガラス物品を破壊するのに十分な点衝突を受ける場合に、３未満の脆弱性インデックスを有することを特徴とする請求項１記載の強化ガラス物品。
【請求項４】
前記強化ガラス物品はシートであり、前記厚さｔが約０．２ｍｍから約２ｍｍまでの範囲であることを特徴とする請求項１記載の強化ガラス物品。
【請求項５】
前記厚さが約０．５ｍｍから約０．７５ｍｍまでの範囲であることを特徴とする請求項４記載の強化ガラス物品。
【請求項６】
前記厚さが約０．９ｍｍから約２．０ｍｍまでの範囲であることを特徴とする請求項４記載の強化ガラス物品。
【請求項７】
前記強化ガラス物品がアルカリアルミノシリケートガラスを含むことを特徴とする請求項１記載の強化ガラス物品。
【請求項８】
前記アルカリアルミノシリケートガラスは、以下を含むことを特徴とする請求項７記載の強化ガラス物品：
60-70 mol% SiO2；6-14mol% Al2O3；0-15mol% B2O3；0-15mol% Li2O；0-20mol% Na2O；0-10mol% K2O；0-8mol% MgO；0-10mol% CaO；0-5mol% ZrO2；0-1mol% SnO2；0-1mol% CeO2；50ppm未満のAs2O3；および50ppm未満のSb2O3；ここで、12mol%≦Li2O + Na2O + K2O≦20mol%および0mo%≦MgO + CaO≦10mol%。
【請求項９】
前記アルカリアルミノシリケートガラスは、以下を含むことを特徴とする請求項７記載の強化ガラス物品：
5-50 wt% SiO2；2-20wt% Al2O3；0-15wt% B2O3；1-20wt% Na2O；0-10wt% Li2O；0-10wt% K2O；および0-5wt% (MgO+CaO+SrO+BaO)；0-3wt% (SrO+BaO)；および0-5wt% (ZrO2+TiO2)、ここで、0≦(LiO2+K2O)/Na2O≦0.5。
【請求項１０】
前記アルカリアルミノシリケートガラスが、少なくとも１３０キロポアズ（１３キロＰａ・秒）の液体粘性を有することを特徴とする請求項７記載の強化ガラス物品。
【請求項１１】
前記アルカリアルミノシリケートガラスが、実質的にリチウムを含まないことを特徴とする請求項７記載の強化ガラス物品。
【請求項１２】
前記外側領域が、少なくとも３０μｍの深さを有することを特徴とする請求項１記載の強化ガラス物品。
【請求項１３】
圧縮応力ＣＳが少なくとも約６００ＭＰａであることを特徴とする請求項１記載の強化ガラス物品。
【請求項１４】
前記強化ガラス物品が、携帯用電子装置、インフォメーションターミナル装置、およびコンピュータのためのディスプレイのいずれかのためのカバープレートまたはウィンドウであることを特徴とする請求項１記載の強化ガラス物品。
【請求項１５】
前記外側領域が、イオン交換により強化されることを特徴とする請求項１記載の強化ガラス物品。
【請求項１６】
ＣＴ＝（ＣＳ・ＤＯＬ）／（ｔ−２ＤＯＬ）であり、ＣＳがＭＰａで示されＤＯＬがｍｍで示されることを特徴とする請求項１記載の強化ガラス物品。
【請求項１７】
強化ガラス物品であって、約２ｍｍ未満の厚さｔを有し、以下を含む：
ａ.  外側領域；および
ｂ.  内側領域であって、該内側領域が中央張力ＣＴ下にあり、ＣＴ（ＭＰａ）＞−１５．７（ＭＰａ／ｍｍ）・ｔ（ｍｍ）＋５２．５（ＭＰａ）であり、ここで、前記強化ガラス物品は、前記強化ガラス物品を破壊するのに十分な点衝突を受ける場合に実質的に脆弱性を有しない、
ことを特徴とする強化ガラス物品。
【請求項１８】
前記強化ガラス物品は、該強化ガラス物品を破壊するのに十分な点衝突を受ける場合に、３未満の脆弱性インデックスを有することを特徴とする請求項１７記載の強化ガラス物品。
【請求項１９】
前記強化ガラス物品はシートであり、前記厚さｔが約０．２ｍｍから約２ｍｍまでの範囲であることを特徴とする請求項１７記載の強化ガラス物品。
【請求項２０】
前記厚さが約０．５ｍｍから約０．７５ｍｍまでの範囲であることを特徴とする請求項１９記載の強化ガラス物品。
【請求項２１】
前記厚さが約０．９ｍｍから約２．０ｍｍまでの範囲であることを特徴とする請求項１９記載の強化ガラス物品。
【請求項２２】
前記強化ガラス物品がアルカリアルミノシリケートガラスを含むことを特徴とする請求項１７記載の強化ガラス物品。
【請求項２３】
前記強化ガラス物品が、携帯用電子装置、インフォメーションターミナル装置、およびコンピュータのためのディスプレイのいずれかのためのカバープレートまたはウィンドウであることを特徴とする請求項１７記載の強化ガラス物品。
【請求項２４】
前記外側領域が、イオン交換により強化されることを特徴とする請求項１７記載の強化ガラス物品。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月10日(2012.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粉末ホッパ（２）と、表面（３）を有するプレート（１１）とを備えた投薬デバイス（１）であって、
前記プレート（１１）に、粒状物質を受容するように適合させた少なくとも１つのキャビティ（５）と、該少なくとも１つのキャビティ（５）内へ粒状物質を移動させるために前記表面（３）に沿って移動可能な充填手段（６）とが設けられ、
該充填手段（６）は、前記粒状物質が前記少なくとも１つのキャビティ（５）内へ押し込まれるように前記表面に向かう方向において前記粒状物質に圧縮力を与えるようにしたものである投薬デバイス。
【請求項２】
スクレーパ手段（１４）をさらに備え、
該スクレーパ手段（１４）は前記表面（３）に沿って移動可能である請求項１に記載の投薬デバイス。
【請求項３】
前記充填手段（６）は、前記表面（３）に対して略垂直な方向にも移動可能である請求項１または２に記載の投薬デバイス。
【請求項４】
前記充填手段（６）は、前記表面（３）に向けて付勢されている請求項１から３のいずれか１項に記載の投薬デバイス。
【請求項５】
前記スクレーパ手段（１４）は、前記表面（３）に向けて付勢されている請求項２から４のいずれか１項に記載の投薬デバイス。
【請求項６】
前記充填手段（６）は、前記スクレーパ手段（１４）よりも小さな力で前記表面（３）に向けて付勢されている請求項４または５に記載の投薬デバイス。
【請求項７】
前記表面（３）は、円形形状を有し、且つ、幾つかのキャビティ（５）を備え、
該キャビティ（５）は、前記表面（３）の周縁部に環状に配置されている請求項１から６のいずれか１項に記載の投薬デバイス。
【請求項８】
前記充填手段（６）と前記スクレーパ手段（１４）とは、共通のボス（１５）に設けられている請求項２から７のいずれか１項に記載の投薬デバイス。
【請求項９】
前記共通のボス（１５）は、キャビティ（５）の前記環状部の中心に配置されている請求項７に組み合わされた請求項８に記載の投薬デバイス。
【請求項１０】
前記充填手段（６）は少なくとも１つのホイールで構成され、
該ホイールは前記表面（３）上で回転可能である請求項１から９のいずれか１項に記載の投薬デバイス。
【請求項１１】
共通のボス（１５）に配設された２つのホイール（６）と２つのスクレーパ（１４）とを有する充填機構（１３）を備えた請求項１から１０のいずれか１項に記載の投薬デバイス。
【請求項１２】
投薬デバイス（１）のプレート（１１）に設けられたキャビティ（５）に所定量の粒状物質を充填する方法であって、
粉末ホッパ（２）に粒状物質を供給する工程と、
充填手段（６）が前記粒状物質に対して前記プレート（１１）に向かう方向に圧縮力を与えるように該プレート（１１）の表面（３）に沿って前記充填手段（６）を移動させる工程と、を含む方法。
【請求項１３】
前記表面（３）上の圧迫された粒状物質をスクレーパ手段（１４）によりほぐす工程をさらに含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記粒状物質は、ドライパウダー吸入器に使用される医薬品粉末を含む請求項１２または１３に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法によりキャビティ（５）に充填された粒状物質を用いて、ヒトを治療する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月9日(2012.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）葉面吸収性のケイ素の農学的に許容される供給源を含む第一の成分と、
（ｂ）チオ硫酸イオンの農学的に許容される供給源、ケイ酸またはケイ酸イオンの重合を抑制するために効果的な薬剤、およびそれらの混合物から選択される第二の成分と、
（ｃ）第三の成分として、有機酸、無機陰イオンと可逆的に結合するかまたは錯化する能力のある官能基を有する有機化合物、およびそれらの混合物からなる群から選択される化合物の農学的に許容される混合物と
を水溶液中に含む、葉面に施用可能な植物栄養素組成物。
【請求項２】
前記第一の成分がアルカリ金属ケイ酸塩またはケイ酸カリウムを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記第二の成分が水溶性チオ硫酸塩またはカリウムチオ硫酸塩を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記第三の成分がフミン質を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記第三の成分の前記化合物が、約３００〜約１８，０００ダルトンの範囲の分子量を有し、前記化合物の混合物中において、合計で、
（ａ）約２５％〜約４０％の炭素がカルボキシ基およびカルボニル基中にあり、約２０％〜約４５％の炭素が芳香族基中にあり、約１０％〜約３０％の炭素が脂肪族基中にあり、約１０％〜約３０％の炭素が、アセタールおよびその他のヘテロ脂肪族基中にあり、
（ｂ）前記化合物の混合物が、元素の重量で、約２８％〜約５５％のＣ、約３％〜約５％のＨ、約３０％〜約５０％のＯ、約０．２％〜約３％のＮおよび約０．２％〜約４％のＳを含む、
請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
ケイ素以外の植物栄養素の少なくとも１種類の農学的に許容される供給源であるリン源またはピロリン酸四カリウムをさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
約０．１％〜約１０重量％のＳｉを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
前記第一の成分として、約５％〜約２０％のケイ酸カリウムを含み、前記第二の成分として、約２％〜約３５重量％のカリウムチオ硫酸塩を含み、前記第三の成分として、有機化合物または超分子凝集体の混合物の少なくとも約１重量部／１０００重量部のＳｉを含み、
（ａ）前記化合物または凝集体は、約３００〜約１８，０００ダルトンの範囲の分子量を有し、
（ｂ）約２５％〜約４０％の炭素がカルボキシ基およびカルボニル基中にあり、約２０％〜約４５％の炭素が芳香族基中にあり、約１０％〜約３０％の炭素が脂肪族基中にあり、約１０％〜約３０％の炭素が、アセタールおよびその他のヘテロ脂肪族基中にあり、
（ｃ）前記化合物の混合物が、元素の重量で、約２８％〜約５５％のＣ、約３％〜約５％のＨ、約３０％〜約５０％のＯ、約０．２％〜約３％のＮおよび約０．２％〜約４％のＳを含む、
請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
約２％〜約３０重量％のピロリン酸四カリウムをさらに含む、請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
請求項１に記載の組成物を前記植物の葉の表面に施用することを含み、前記植物が食用作物、非イネ科作物、果物または野菜作物である、植物のケイ素栄養摂取のための方法。
【請求項１１】
前記組成物が、約０．００１％〜約１０重量％のＳｉ濃度で施用される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記組成物が、約０．０５〜約２ｋｇ Ｓｉ／ｈａをもたらす速度で施用される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の組成物を前記植物の葉の表面に施用することを含む、植物の真菌もしくは細菌性病害に対する感受性を低下させるための方法であって、前記植物が食用作物、非イネ科作物、果物または野菜作物である、方法。
【請求項１４】
前記組成物が、約０．００１％〜約１０重量％のＳｉ濃度で施用される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記組成物が、約０．０５〜約２ｋｇ Ｓｉ／ｈａをもたらす速度で施用される、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月8日(2012.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器（５００）を製造するための金型システム（１）であって、
前記金型（１）システムは可動金型半体（１０）と固定金型半体（２０）とを含み、
前記半体（１０、２０）は互いに対向して配置され、
前記金型システム（１）は前記容器（５００）の製造を可能にし、
前記容器（５００）は、厚紙ブランクからプレスされた底部（５７）と、該底部（５７）に接続された複数の壁（５９）と、少なくとも部分的にプラスチックで型成形されたリムであって、前記壁（５９）の上縁部に接続され、前記壁を取り囲むリム（５０）とを含み、
前記固定金型半体（２０）に関して可動である前記金型半体（１０）は、コア（４１）を備えたコア・プレート（４）と、前記コア（４１）に関して可動であるプレート状シール・リング（５）であって、シール表面（５ａ）を有し、且つ前記コア（４１）を取り囲むプレート状シール・リング（５）と、前記コア（４１）および前記シール・リング（５）に関して可動であるカラーリング（６）であって、それらの間に取り付け可能なカラーリング（６）とを少なくとも含み、
前記固定金型半体（２０）は、金型キャビティ（７１）およびシール表面（７ａ）を備えた金型プレート（７）を少なくとも含む金型システムにおいて、
前記金型システム（１）は、前記可動金型半体（１０）の前記カラーリング（６）の基部カラー（６１１）の頂部に着脱可能に接続された上昇カラー（６１２）を含み、
前記上昇カラー（６１２）のシール表面（６１２ａ）は、前記シール表面の平面の残り部分よりも低い複数の溝または窪みを有し、
前記シール・リングの前記表面上または窪み内には、前記シール表面の平面上に、または場合によっては前記平面からわずかに上方に延びている隆起部または型押しパターンが存在可能であり、
前記溝または窪み、および前記窪みまたは溝内に存在し得る前記隆起部または型押しパターンは、前記容器（５００）の前記プラスチック・リム（５０）上に、前記リム、溝または窪みの平面の残り部分から上昇した尾根部（８０）または隆起部を提供するために使用可能であり、
前記リム、溝または窪みは、前記尾根部および隆起部の間にあり、且つ前記リム（５０）の平面上、または前記リムの平面の残り部分よりもわずかに低くにあり、また前記リム、溝または窪みは、場合によって型押しパターンまたは隆起部を含むことを特徴とする金型システム。
【請求項２】
前記上昇カラー（６１２）の前記シール表面は２以上の平行な溝（７０）を含み、該平行な溝（７０）の間には場合によって該溝をつなぐ窪みが存在し、
前記溝および窪みは、前記容器（５００）の前記プラスチック・リム（５０）を取り囲む複数の平行な尾根部（８０）を提供するために使用可能であり、該複数の平行な尾根部（８０）の間には場合によってスプール状形成体が存在することを特徴とする請求項１に記載の金型システム（１）。
【請求項３】
前記金型システム（１）の前記可動金型半体のカラーリング（６）の前記基部カラー（６１１）の頂部の上に上昇カラー（６１２）が接続されており、該上昇カラー（６１２）のシール表面の幅は、前記基部カラーの幅よりも広く、あるいは狭いことを特徴とする請求項１に記載の金型システム（１）。
【請求項４】
前記金型システム（１）の前記シール・リング（５）の中央の開口部のサイズは、前記上昇カラー（６１２）の前記シール表面の幅に対応するように適合されていることを特徴とする請求項３に記載の金型システム（１）。
【請求項５】
請求項１に記載の前記金型システムによって容器を製造する方法であって、
前記底部（５７）および前記底部を取り囲む壁（５９）を提供するために前記コア（４１）と前記金型キャビティ（７１）との間で厚紙ブランクがプレスされ、
その後、前記金型プレートのシール表面（７ａ）、前記シール・リング（５）のシール表面（５ａ）、および前記カラーリング（６）の前記シール表面（６１ａ）によって制限された前記成形キャビティ（４３）内に溶融プラスチックを導入することによって、前記壁の前記上縁部の上に成形することによって前記壁を取り囲むフランジ状リムが形成され、
前記成形キャビティの形状および／または寸法は、前記カラーリングの前記基部カラー（６１、６１１）上に上昇カラー（６１２）を配置することによって変更され、前記上昇カラー（６１２）は着脱可能に装着されて、前記シール・リング（５）または前記カラーリング（６）の動作を変化させ、また前記基部リム（５０）の前記表面は前記上昇カラー（６１２）によって、溝または窪みを備えた隆起部または尾根部を設けられ、前記隆起部または尾根部は、前記リムの前記表面（５０）平面の残り部分から上昇しており、前記溝または窪みは、前記隆起部または尾根部の平面よりも低く、場合によっては前記基部リム（５０）の前記表面の残り部分の平面よりも同じくわずかに低いことを特徴とする方法。
【請求項６】
前記厚紙ブランク（Ｋ）は、前記シール・リングの前記シール表面（５ａ）および前記カラーリングの前記シール表面（６１ａ）およびこれと反対側の前記金型プレートの前記シール表面（７ａ）の間に、少なくとも前記厚紙ブランク（Ｋ）が前記金型キャビティ（７１）内に滑り込むまで保持され、
この後まで前記金型キャビティは前記金型システム内に設けられず、それによって前記容器壁を取り囲み且つ少なくとも部分的にプラスチックで構成された前記フランジ状リム（５０）を形成することを特徴とする請求項５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月23日(2012.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の四次元飛行経路を進むように航空機を制御する方法であって：
所定の飛行経路上の対応する所望の位置に対する航空機の進路上の位置及び立向姿勢を監視し；
航空機の昇降舵を使用して、所望の進路上の位置からの航空機の進路上の位置の偏差を修正し；
立向姿勢と所望の立向姿勢との違いが閾値を超える時に、スロットルの設定を公称値から調節値へ変更することによって、航空機のスロットルを使用して、所望の立向姿勢からの航空機の立向姿勢の偏差を修正する
ステップを含む方法。
【請求項２】
航空機の高度によって変化する閾値を使用するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
高度が上がると値が上がるように変化する閾値を使用するステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
オートパイロットに軟正対気速度制御値を送信し、昇降舵を制御して進路上の位置での偏差を修正するステップを含む、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
航空機のスロットルを使用して航空機の立向姿勢の偏差を修正する方法は：
立向姿勢が所望の立向姿勢よりも第１閾値だけ低い時に、スロットル設定値を公称値から高い値へ変更し、
立向姿勢が所望の立向姿勢よりも第２閾値だけ高い時に、スロットル設定値を公称値から低い値へ変更する
ステップを含む、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
スロットル設定値を調節した後に、及びスロットル設定値が調節された高い値又は低い値にある間は、所定の飛行経路上の対応する所望の位置に対する航空機の進路上の位置と立向姿勢の監視を継続し；航空機の昇降舵を使用して、所望の進路上の位置からの航空機の進路上の位置の偏差を修正し；航空機の立向姿勢が所望の立向姿勢と一致したら、スロットル設定値を公称値に戻す
ステップをさらに含む、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
スロットル設定の高い値及び低い値が、公称値から共通量逸れている、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
スロットル設定の必要な調節値を計算して、所望の立向姿勢を実現するステップを含む、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
航空機のスロットルの使用が、予測された立向姿勢と所望の立向姿勢との違いが閾値を超えた時に、スロットルの設定を公称値から調節値に変更することによって、航空機のスロットルを使用して、所望の立向姿勢からの航空機の実際の立向姿勢の予測された偏差を修正するステップを含む、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
所望の立向姿勢からの実際の立向姿勢の現在の偏差を計算し、立向姿勢の偏差の変化度を計算し、変化度を予測期間と掛け合わせ、このように乗算した変化度を立向姿勢の現在の偏差に加算して、立向姿勢の予測偏差を取得することによって、立向姿勢の予測偏差を繰り返し計算するステップを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の方法を実行するためにプログラミングされた飛行制御コンピュータ。
【請求項１２】
請求項１１による飛行制御コンピュータを有する航空機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
当業者には、添付の請求項によって規定された本発明の範囲から必ずしも逸脱することなく、上記の実施形態への修正が可能であることが明らかである。
また、本願は以下に記載する態様を含む。
（態様１）
所定の四次元飛行経路を進むように航空機を制御する方法であって：
所定の飛行経路上の対応する所望の位置に対する航空機の進路上の位置及び立向姿勢を監視し；
航空機の昇降舵を使用して、所望の進路上の位置からの航空機の進路上の位置の偏差を修正し；
立向姿勢と所望の立向姿勢との違いが閾値を超える時に、スロットルの設定を公称値から調節値へ変更することによって、航空機のスロットルを使用して、所望の立向姿勢からの航空機の立向姿勢の偏差を修正する
ステップを含む方法。
（態様２）
航空機の高度によって変化する閾値を使用するステップを含む、態様１に記載の方法。
（態様３）
高度が上がると値が上がるように変化する閾値を使用するステップを含む、態様２に記載の方法。
（態様４）
オートパイロットに軟正対気速度制御値を送信し、昇降舵を制御して進路上の位置での偏差を修正するステップを含む、態様１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
（態様５）
航空機のスロットルを使用して航空機の立向姿勢の偏差を修正する方法は：
立向姿勢が所望の立向姿勢よりも第１閾値だけ低い時に、スロットル設定値を公称値から高い値へ変更し、
立向姿勢が所望の立向姿勢よりも第２閾値だけ高い時に、スロットル設定値を公称値から低い値へ変更する
ステップを含む、態様１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
（態様６）
スロットル設定値を調節した後に、及びスロットル設定値が調節された高い値又は低い値にある間は、所定の飛行経路上の対応する所望の位置に対する航空機の進路上の位置と立向姿勢の監視を継続し；航空機の昇降舵を使用して、所望の進路上の位置からの航空機の進路上の位置の偏差を修正し；航空機の立向姿勢が所望の立向姿勢と一致したら、スロットル設定値を公称値に戻す
ステップをさらに含む、態様１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
（態様７）
スロットル設定の高い値及び低い値が、公称値から共通量逸れている、態様６に記載の方法。
（態様８）
スロットル設定の必要な調節値を計算して、所望の立向姿勢を実現するステップを含む、態様１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
（態様９）
航空機のスロットルの使用が、予測された立向姿勢と所望の立向姿勢との違いが閾値を超えた時に、スロットルの設定を公称値から調節値に変更することによって、航空機のスロットルを使用して、所望の立向姿勢からの航空機の実際の立向姿勢の予測された偏差を修正するステップを含む、態様１乃至８のいずれか１項に記載の方法。
（態様１０）
所望の立向姿勢からの実際の立向姿勢の現在の偏差を計算し、立向姿勢の偏差の変化度を計算し、変化度を予測期間と掛け合わせ、このように乗算した変化度を立向姿勢の現在の偏差に加算して、立向姿勢の予測偏差を取得することによって、立向姿勢の予測偏差を繰り返し計算するステップを含む、態様９に記載の方法。
（態様１１）
態様１乃至１０のいずれか１項に記載の方法を実行するためにプログラミングされた飛行制御コンピュータ。
（態様１２）
態様１１による飛行制御コンピュータを有する航空機。
（態様１３）
実施された時に、態様１乃至１０のいずれか１項に記載の方法を実行するコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月25日(2012.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
磁石システムＳは、アルミニウムなどの磁化不可能な非磁性金属Ｍｅ２の両面に置かれる磁化可能金属、ここでは２枚の鉄板Ｍｅ１及び、非磁性金属Ｍｅ２の開口部内に嵌入される、丸形の断面プロファイルを持つ永久磁石の棒Ｍからなる。磁石Ｍが開口部内で回されると、これによって発生する磁界が変化する。磁石が回転され、磁界が鉄板Ｍｅ１の方向に移動すると、これにより、磁石の作用が妨げられ、磁界は挿入部７２０の中を通らない。次いで、磁石は、オフ位置に置かれる。永久磁石の棒Ｍが、反対方向に回されると、磁界は鉄板Ｍｅ１に向かって移動し、非磁性金属Ｍｅ２を通り、それによって、鉄板Ｍｅ１は磁界を強め、磁石はオン位置に来る。磁界がオフ位置に置かれるように非磁性金属Ｍｅ２にある開口部内の永久磁石の棒を回すことによって、挿入部７２０を他の挿入部と素早く交換することができる。磁石を回してオン位置に戻すことによって、挿入部７２０は、金型キャビティ７１の底部７１ｂに取り付けることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月23日(2012.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属及び金属合金からなる群から選択される腐食感受性層と接触した、約５未満の酸価を有し、かつポリ尿素、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエステル、付加硬化型シリコーン及びそれらの組み合わせからなる群から選択される接着剤を含み、約６０℃及び相対湿度９０％で約２１日間コンディショニングされた際に、腐食感受性層がその２０％以下の初期電気抵抗値からの変化を示す物品。
【請求項２】
前記腐食感受性層が、基材の第１の主表面上に配置されており、任意に、前記基材が、ガラス及びポリマーフィルムからなる群から選択される、請求項１に記載の物品。
【請求項３】
前記接着剤及び基材の少なくとも一方が、光学的に透明である、請求項２に記載の物品。
【請求項４】
前記腐食感受性層が、銅、銅合金、銀、銀合金、酸化インジウムスズ、ニッケル、アルミニウム及び酸化アンチモンスズからなる群から選択される、請求項１に記載の物品。
【請求項５】
物品の製造方法であって、
その少なくとも一部上に配置された腐食感受性層を有する基材を提供する工程と、
（ｉ）第１の主表面及び第２の主表面を有する裏材と、（ｉｉ）約５未満の酸価を有し、かつポリ尿素、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエステル、付加硬化型シリコーン及びそれらの組み合わせからなる群から選択される接着剤と、を含むテープを提供する工程と、
前記テープを前記接着剤が前記腐食感受性層と接触するように前記基材に積層する工程と、を含む、方法。
【請求項６】
前記接着剤及び前記基材の少なくとも一方が、光学的に透明であり、任意に、前記基材が、ガラス及びポリマーフィルムからなる群から選択される、請求項５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月12日(2011.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自由に流れる微細な固体を第１の容器から第２の容器に搬送するためのシステムであって、第１の容器から第２の容器への微細な固体の自由な流れを妨げる又は阻止する微細な固体の凝集塊を断片化するための手段を装備し、
Ａ．自由に流れる微細な固体を受け入れる及び放出するための第１の容器であって、前記自由に流れる微細な固体が通過する細い放出区域を備えた、第１の容器と、
Ｂ．前記第１の容器から前記第２の容器へと通過する微細な固体がプレートを通過しなければならないように、前記第１の容器の前記放出区域に又は前記放出区域の下に配置されたブレーカプレートであって、前記プレートを貫通して延びる孔を形成する相互接続されたブレードの格子状構造を備え、前記孔が、前記自由に流れる微細な固体が前記プレートを通過することができるサイズ及び構成にされた、ブレーカプレートと、
Ｃ．前記第１の容器から前記微細な固体を受け入れるための入口を備えた、第２の容器と、
Ｄ．前記入口を通って前記第２の容器に入る前記微細な固体が流れ検出器のそばを又は中を通過しなければならないように、前記第２の容器の前記入口上に、もしくは前記入口内に、又は前記入口付近に配置された流れ検出器であって、前記流れ検出器のそばの又は中の前記微細な固体の移動を感知するように設計及び装備され、前記微細な固体の流れが所定の流速未満に減少された又は停止されたという信号を送信するための信号エミッタを備えた、流れ検出器と、
Ｅ．前記第１の容器の放出区域内に、及び前記ブレーカプレートの上部表面上に又は前記上部表面のすぐ上に配置された凝集塊を断片化するためのプレスであって、前記ブレーカプレートの上部表面よりも上に及び前記上部表面の付近に配置され、（１）プレスヘッドを備えるプレスアームと、（２）前記流れ検出器の前記信号エミッタによって送信された信号を受信するための信号受信器と、（３）前記断片が前記ブレーカプレートを通過し、前記微細な固体の自由な流れが回復されるように、前記凝集塊を圧縮及び断片化するために、前記流れ検出器から信号を受信するとすぐに前記プレスアームを作動させるための手段と、を備えたプレスと、
を備えるシステム。
【請求項２】
前記第１の容器がホッパーであり、前記第２の容器が管である、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記ホッパーが可撓性の耐久性のある袋である、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記流れ検出器が前記ペレットの流れを光散乱によって測定する、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記ブレーカプレートが、一連の相互接続ブレードによって周辺部で接合された一連の同心の円形ブレードを備える、請求項１に記載のシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年7月6日(2012.7.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特に危険な液状の充填物を貯蔵及び搬送するための蓋付き容器（１０）であって、外側の容器本体（１２）と、上側の容器蓋（１４）と、容器本体（１２）内に挿入された薄壁状のインライナー（２６）とを備えており、前記容器蓋（１４）がＵ字形のテンションリング閉鎖部材（１６）によって又はテンションリングなしでスナップ蓋としてのスナップ型閉鎖部材によって、又はねじ蓋としてのねじ閉鎖部材によって、容器本体（１２）上の容器開口（３６）における相応に形成されたフランジ縁部（３４）に固定可能であり、前記容器蓋（１４）が熱可塑性プラスチックより成っていて、射出成形法又はブロー成形法により製造されており、前記容器蓋（１４）が、閉鎖蓋（３８）によって気密にかつ液密に閉鎖可能な、液状の充填物を充填及び取り出すための少なくとも１つの、前記容器開口（３６）よりも小さい蓋開口を有しており、薄壁状のインライナー（２６）が前記容器蓋（１４）の下側の外周部領域に、気密にかつ液密に溶接又は接着されており、前記容器蓋（１４）と該容器蓋（１４）に固定されたインライナー（２６）とが、気密かつ液密な１つの中空体ユニットを形成しており、前記容器蓋（１４）が、垂直外側の蓋フランジ及び垂直内側の蓋フランジ（２２，２４）を備えた、下方に向かって開放するＵ字形の縁部（２０）を有している形式のものにおいて、
前記インライナー（２６）が、内側の蓋フランジ（２４）の外側の垂直な固定領域に溶接又は接着されていることを特徴とする、蓋付き容器。
【請求項２】
容器本体（１２）、容器蓋（１４）及び溶接されたインライナー（２６）が一様に、熱可塑性プラスチック（ＨＤ−ＰＥ）より成っており、容器蓋（１４）が中央の円板形の蓋（１８）の側方に配置された口栓開口を有していて、前記容器蓋（１４）がスチール製のテンションリング閉鎖部材（１６）によって容器本体（１２）に固定されている、請求項１記載の蓋付き容器。
【請求項３】
内側の蓋フランジ（２４）が延長されていて、それによってインライナー（２６）を固定するための幅の広い固定領域（４２）が提供されている、請求項１又は２記載の蓋付き容器。
【請求項４】
インライナー（２６）が、その上端部に、外方に向かって成形された縁部を有していて、該縁部が、容器開口の端面に向き合うほぼＵ字形の蓋縁部（２０）の水平な固定領域に溶接又は接着されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の蓋付き容器。
【請求項５】
インライナー（２６）が円筒形のフィルムバッグとして構成されていて、熱可塑性プラスチックより製造されていて、補強のために布挿入体を備えている、請求項１から４までのいずれか１項記載の蓋付き容器。
【請求項６】
インライナー（２６）の上縁部の固定領域が肉厚に構成されていて、少なくとも１ｍｍの壁厚を有している、請求項１から５までのいずれか１項記載の蓋付き容器。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
本発明の実施態様によれば、容器蓋が熱可塑性プラスチックより成っていて、射出成形法又はブロー成形法により製造されており、インライナーが、容器蓋の外周部領域において気密にかつ液密に溶接又は接着されている。インライナー及び容器蓋がどちらもプラスチックより成っていれば、インライナーと容器蓋とを互いに溶接するか、若しくはインライナーを容器蓋の縁部に溶接するようにすれば、有利である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
図１において、本発明の有利な１実施例による蓋付き容器が符号１０で示されており、この蓋付き容器１０は、被せられた容器蓋１４及びテンションリング閉鎖部材１６を備えた円筒形の２２０リットルの蓋付き容器として構成されている。容器蓋１４は、直径方向で向き合って配置された２つの口栓開口を備えた中央のフラットな円板形の蓋１８と、下方に向かって開放するＵ字形の蓋縁部２０を有しており、該蓋縁部２０は、外側の環状部材２２と内側の環状部材２４とを有している（図５）。中央の円板形の蓋１８は、環状に延びる外側のフラットな環状帯３２よりもやや高く構成されている。外側の環状帯３２から中央の円板形の蓋１８への移行部に互いに直径方向で向き合って配置された、それぞれ１つの口栓プラグ３８によって気密かつ液密に閉鎖可能な２つの口栓開口が、口栓凹部内に沈めて配置されており、閉鎖状態で、ねじ込まれた口栓プラグ３８の表面が、被せ嵌められたテンションリング閉鎖部材１６及び円板形の蓋１８の表面と同一平面に位置するようになっている。容器本体１２の内側縁部に、良好な形状安定性、並びに高い安定性、及び充填された容器の傾けた状態における良好な転動性のために、中実な環状の底転がしリング若しくはフットリング４０が配置されている。テンションリング閉鎖部材１６は、その上の脚部がＵ字形の蓋縁部２０と重なり合い、その下の脚部が、容器開口３６の上で容器本体１２の外周壁に配置され、かつほぼ半径方向外方に突き出す周壁フランジ３４と重なり合っている。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
図４は、容器本体（ドラム本体）１２と、該容器本体１２に被せ嵌められた容器蓋１４と、該容器蓋１４に溶接されたインライナー（プラスチック製のフィルムバッグ）２６とを有する、本発明の有利な実施例による円筒形の蓋付き容器１０を示す。蓋付き容器の容量は、約２２０リットル若しくは５５ＵＳガロンである。この蓋付き容器１０は、高さが８９０ｍｍ及び外径が５８５ｍｍであり、相応するスチールドラム（ドラム缶）とほぼ同じ寸法を有していて、スチールドラムに用いられるものと同じドラムグリッパによって取り扱うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月30日(2012.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器であって、
容器の表面が、
フロックを含むコーティング層を含み、約０．６３と約２の間の摩擦係数を有する高摩擦表面領域の反復性又は非反復性パターンと、
０．３よりも小さい摩擦係数を有する少なくとも１つの低摩擦表面領域と、
を含む、
ことを特徴とする容器。
【請求項２】
前記高摩擦表面領域は、約１と約２の間の摩擦係数を有することを特徴とする請求項１に記載の容器。
【請求項３】
前記コーティング層における前記繊維は、前記高摩擦表面領域におけるシート材料の全重量の約１０パーセントと約３０パーセントの間を説明することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の容器。
【請求項４】
高摩擦表面領域の前記コーティング層は、容器の前記表面上に印刷されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の容器。
【請求項５】
容器の前記表面は、ゴム引き材料で形成されたコーティング層を含む１つ又はそれよりも多くの付加的な高摩擦表面領域を含むことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の容器。
【請求項６】
前記コーティング層は、更に別のコーティングによって少なくとも部分的に覆われ、
前記更に別のコーティングは、０．３よりも小さい、好ましくは、０．１５よりも小さい摩擦係数を有する、
ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の容器。
【請求項７】
喫煙物品のためのものであることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の容器。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の容器を形成するための積層ブランクであって、
フロックを含むコーティング層を含み、かつ約０．６３と約２の間の摩擦係数を有する、ブランクの表面上の高摩擦表面領域の反復性又は非反復性パターンを含むことを特徴とする積層ブランク。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月9日(2012.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
規則性メソ多孔質炭素材料は、約２〜５０ｎｍの大きさの細孔の３次元的に規則性かつ相互接続した配列を含む。規則性メソ多孔質炭素は、約２２００ｍ2／ｇの高さのＢＥＴ比表面積を示し、典型的には、不活性雰囲気での優れた熱安定性、ならびに酸および塩基による攻撃に対する強い抵抗を示しうる。規則性メソ多孔質炭素の製造のための好ましい合成経路では、マクロ形状、細孔形状および、表面活性種の随意的な取り込みを含めた界面化学を、所望の用途にしたがって調整することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月28日(2012.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体融液内に存在する浮力セルに対抗するように時間的に変化する磁場を印加する方法であって、チョクラルスキー法により該半導体融液から引き上げるシード結晶上に該半導体溶液より単結晶インゴットを成長させる該方法が、
前記浮力セルに対抗するポンプ力の方向と大きさを決定する工程と、
前記半導体融液中に前記ポンプ力を形成し前記浮力セルに対抗する時間的に変化する磁場の特性を規定する工程と、
上部コイルに第１の交流電流（ＩＵＡＣ）を供給し、かつ下部コイルに第２の交流電流（ＩＬＡＣ）を供給し、前記規定した時間的に変化する磁場を形成し、該時間的に変化する磁場が前記半導体融液にポンプ力を形成する工程と、
前記半導体融液中の前記浮力セルに対抗するように前記形成した時間的に変化する磁場を印加し、前記インゴットに対して凹となる融液―固体界面形状を形成し、前記インゴットが少なくとも２００ｍｍの直径を有する工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記ポンプ力の方向と大きさを決定する工程が、前記半導体融液中の前記浮力セルにより生ずる浮力の時間経過を求めることを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ポンプ力を形成する前記時間的に変化する磁場の特性を規定する工程が、前記半導体融液中の前記浮力セルにより生ずる前記浮力に対抗し該浮力を弱める前記ポンプ力を規定することを更に含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記浮力セルに対抗する前記ポンプ力の方向と大きさを決定する工程が、結晶成長システムのコンピュータモデリングと解析とを更に含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記前記ポンプ力の方向と大きさを決定する工程が、前記半導体融液中の前記浮力の方向に対向する方向にポンプ力を形成するＩＵＡＣおよびＩＬＡＣの位相を決定する工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記前記ポンプ力の方向と大きさを決定する工程が、前記半導体融液中の前記浮力の反対の強さのポンプ力を形成するＩＵＡＣおよびＩＬＡＣの振幅を決定する工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記形成した時間的に変化する磁場を印加し、前記インゴットに対して凹となる前記融液−固体界面形状を形成する工程が、該インゴット内に延在する放物線形状の融液−固体界面を形成することを含み、ガルウイング形状が生じないことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記形成した時間的に変化する磁場を印加し、前記インゴットに対して凹となる前記融液−固体界面形状を形成する工程が、前記インゴットの端部で０インチの高さを有し、該インゴットの中央部で０インチより大きい高さを有する融液−固体界面の形状を形成することと含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
融液−固体界面に沿ってインゴットの端部をインゴットの中心部に接続する曲線が局所的な最小高さを有さない融液−固体界面形状を形成すること更に含む請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも３００ｍｍの直径を有するインゴットを形成することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
半導体融液内に存在する浮力セルに対抗するように時間的に変化する磁場を印加するシステムであって、チョクラルスキー法により該融液から引き上げるシード結晶上に該半導体溶液より単結晶インゴットを成長させる該システムが、
２００ｍｍよりも大きな直径を有するインゴットの製造を容易にするように構成された坩堝の外側に隣接して位置する、磁場を形成するための第１の一組のコイルと第２の一組のコイルと、
プロセッサを含むコントロールユニットであって、
浮力セルからの浮力に対抗するポンプ力の方向と大きさと、
前記ポンプ力を形成する時間的に変化する磁場を規定する一組の特性と、を決定するように構成されたコントロールユニットと、
を含み、
前記コントロールユニットが、前記第１の一組のコイルへの第１の交流電流（ＩＵＡＣ）および前記第２の一組のコイルへの第２の交流電流（ＩＬＡＣ）の少なくとも１つを供給し、決定した前記の一組の特性を有する前記時間的に変化する磁場を形成するように構成され、該時間的に変化する磁場が前記浮力セルの浮力に対抗し前記インゴットに対して凹となる融液―固体界面形状を形成することを特徴とするシステム。
【請求項１２】
前記時間的に変化する磁場を規定する前記一組の特性が、ＩＵＡＣの位相、ＩＬＡＣの位相、ＩＵＡＣの大きさおよびＩＬＡＣの大きさの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記コントロールユニットが、更にＩＵＡＣとＩＬＡＣの複数の位相を保存するように構成され、該位相が前記ポンプ力の方向を決定することを特徴とする請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記コントロールユニットが、更にＩＵＡＣとＩＬＡＣの複数の大きさを保存するように構成され、該ＩＵＡＣとＩＬＡＣの大きさが前記ポンプ力の大きさを決定することを特徴とする請求項１２に記載のシステム。
【請求項１５】
前記コントロールユニットが、更に前記第１の一組のコイルおよび前記第２の一組のコイルの少なくとも１つに、直流（ＤＣ）電流を供給するように構成されていることを特徴とする請求項１１に記載のシステム。
【請求項１６】
前記コントロールユニットが、ＩＵＡＣおよびＩＬＡＣの少なくとも１つを前記少なくとも１つのＤＣ電流に重ねることを特徴とするシステム。
【請求項１７】
単結晶シリコンインゴットのチョクラルスキー法を実施している半導体融液中にポンプ力を形成する方法であって、該方法が、
前記半導体融液中に存在する浮力に対抗するポンプ力の方向と大きさを決定する工程と、
第１の交流電流（ＩＵＡＣ）および第２の交流電流（ＩＬＡＣ）の交流プロファイルを保存する工程と、
第１のコイルと第２のコイルとにそれぞれ、ＩＵＡＣとＩＬＡＣとを印加し、時間的に変化する磁場を形成する工程と、
該時間的に変化する磁場を前記半導体融液に印加し、該半導体融液中にポンプ力を形成する工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１８】
交流プロファイルを保存する工程が、ＩＵＡＣおよびＩＬＡＣのそれぞれの大きさ、周波数および位相角の少なくとも１つを保存する工程を含み、ＩＵＡＣおよびＩＬＡＣの大きさと位相角とが形成されたポンプ力の大きさと方向を決定することを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記時間的に変化する磁場を前記半導体融液に印加する工程が、２００ｍｍより大きい直径を有する半導体インゴットを製造する工程の間、前記時間的に変化する磁場を半導体融液に印加する工程を含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記時間的に変化する磁場を前記半導体融液に印加する工程が、前記インゴットに対して凹となる融液―固体界面形状を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月4日(2012.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガリウム含有ソース材料を準備すること、
鉱化剤を準備すること、
第１の表面及び前記第１の表面と対向する第２の表面を有するガリウム含有窒化物種プレートを準備することであって、前記第１の表面と前記第２の表面は、（０  ０  ０  １）Ｇａ極性ｃ面、（０  ０  ０  −１）Ｎ極性ｃ面、及び半極性面のうちから選択される結晶面から５度以内と実質的に等しい結晶方位を有し、
前記種プレートを種ラック中に支持することであって、前記種ラックは処理条件下で実質的に硬直したものであり、
前記ソース材料、前記鉱化剤及び前記種プレートを密封可能な容器内に設置すること、
前記密封可能な容器の中に窒素含有溶剤を導入すること、及び
４００℃より高い温度と２ｋｂａｒより高い圧力において、超臨界液中の前記密封可能な容器に収容された前記ソース材料、前記鉱化剤及び前記種プレートを処理することにより、前記種プレートの厚さを増加させることを含む、
ガリウム含有窒化物結晶の成長方法。
【請求項２】
前記種プレートは双晶を含む、請求項１の方法。
【請求項３】
前記第１及び前記第２の表面は、｛１  −１  ０  ＋１｝半極性面及び｛１  −１  ０  −１｝半極性面のうちから選択される結晶面から５度以内と実質的に等しい結晶方位を有する、請求項１の方法。
【請求項４】
前記第１の表面及び前記第２の表面は、（０  ０  ０  １）Ｇａ極性ｃ面から５度以内の結晶方位を有する、請求項１の方法。
【請求項５】
前記第１の表面及び前記第２の表面は、（０  ０  ０  −１）Ｎ極性ｃ面から５度以内の結晶方位を有する、請求項１の方法。
【請求項６】
前記厚さが増加された種プレートから由来したボウルをスライスし、ｃ面及び半極性の基板のうちから選択された基板を準備することをさらに含む、請求項１の方法。
【請求項７】
ガリウム含有ソース材料を準備すること、
鉱化剤を準備すること、
第１の表面及び第２の表面を有する第１のガリウム含有窒化物種プレートを準備すること、
第１の表面及び第２の表面を有する第２のガリウム含有窒化物種プレートを準備することであって、前記第１の種プレートの前記第１の表面と前記第２の種プレートの前記第１の表面は、（０  ０  ０  １）Ｇａ極性ｃ面、（０  ０  ０  −１）Ｎ極性ｃ面、及び半極性面のうちから選択される結晶面から５度以内と実質的に等しい結晶方位を有し、
前記第１の種プレート及び前記第２の種プレートを種ラック中に支持することであって、前記第１の種プレートの前記第２の表面は前記第２の種プレートの前記第２の表面と向かい合い、かつ、これらの前記第２の表面同士は５ｍｍより少ない間隔で隔てられるように、前記種ラックは処理条件下で実質的に硬直したものであり、
前記ソース材料、前記鉱化剤、前記第１の種プレート及び前記第２の種プレートを密封可能な容器内に設置すること、
前記密封可能な容器の中に窒素含有溶剤を導入すること、及び
４００℃より高い温度と２ｋｂａｒより高い圧力において、超臨界液中の前記密封可能な容器に収容された前記ソース材料、前記鉱化剤、前記第１の種プレート及び前記第２の種プレートを処理することにより、前記第１の種プレート及び前記第２の種プレートの厚さを増加させることを含む、
ガリウム含有窒化物結晶の成長方法。
【請求項８】
前記第１の種プレート及び前記第２の種プレートの間の隔たりは１ｍｍより小さい、請求項７の方法。
【請求項９】
前記第１の種プレートの前記第１の表面と前記第２の種プレートの前記第１の表面は、（０  ０  ０  １）Ｇａ極性＋ｃ面から５度以内の結晶方位を有し、前記第１の種プレートの前記第２の表面と前記第２の種プレートの前記第２の表面は、（０  ０  ０  −１）Ｎ極性−ｃ面から５度以内の結晶方位を有する、請求項７の方法。
【請求項１０】
前記第１の種プレートの前記第１の表面と前記第２の種プレートの前記第１の表面は、（０  ０  ０  −１）Ｎ極性−ｃ面から５度以内の結晶方位を有し、前記第１の種プレートの前記第２の表面と前記第２の種プレートの前記第２の表面は、（０  ０  ０  １）Ｇａ極性＋ｃ面から５度以内の結晶方位を有する、請求項７の方法。
【請求項１１】
前記第１の種プレートの前記第１の表面と前記第２の種プレートの前記第１の表面は、｛１  −１  ０  −１｝半極性面から５度以内の結晶方位を有し、前記第１の種プレートの前記第２の表面と前記第２の種プレートの前記第２の表面は、｛１  −１  ０  ＋１｝半極性面から５度以内の結晶方位を有する、請求項７の方法。
【請求項１２】
前記第１の種プレートの前記第１の表面と前記第２の種プレートの前記第１の表面は、｛１  −１  ０  ＋１｝半極性面から５度以内の結晶方位を有し、前記第１の種プレートの前記第２の表面と前記第２の種プレートの前記第２の表面は、｛１  −１  ０  −１｝半極性面から５度以内の結晶方位を有する、請求項７の方法。
【請求項１３】
前記第１の種プレート又は前記第２の種プレートのいずれかから由来したボウルをスライスし、ｃ面及び半極性の基板のうちから選択された基板を準備することをさらに含む、請求項７の方法。
【請求項１４】
一の区域にガリウム含有原料と、他の区域に少なくとも一つの種と、を有する密封可能な容器を準備すること、
超臨界液を形成することが可能な溶剤を少なくとも前記一の区域及び前記他の区域の中に導入すること、
前記溶剤を前記一の区域及び前記他の区域の中に導入する間、前記一の区域及び前記他の区域の中の圧力を約７気圧以上に維持すること、
前記超臨界液中の前記ガリウム含有原料の一以上の部分を処理することで、第１の温度において少なくともガリウム含有種を含む超臨界溶液を準備すること、
第２の温度において、前記種上の前記超臨界溶液から結晶性ガリウム含有窒化物材料を成長させることであって、前記第２の温度は、前記ガリウム含有種が前記種上に前記結晶性ガリウム含有窒化物材料を形成するようなものと特徴付けられること、
熱エネルギーを除去し、前記超臨界溶液から第２の溶剤を形成すること、及び
前記第２の溶剤を前記密封可能な容器から除去することを含む、
結晶性のガリウム含有窒化物の成長方法。
【請求項１５】
前記溶剤の前記導入は、前記溶剤が実質的に液体であるときに生じるものである、請求項１４の方法。
【請求項１６】
前記溶剤を導入する前に、前記密封可能な容器をパージすることをさらに含む、請求項１４の方法。
【請求項１７】
前記第２の溶剤を、前記密封可能な容器から精製処理に移動させることをさらに含む、請求項１４の方法。
【請求項１８】
前記第１の溶剤は実質的にＮＨ３である、請求項１４の方法。