Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月24日(2014.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像復号化方法において、
符号化単位に基づき符号化されたビットストリームに対してエントロピー復号化を行って、前記符号化単位に含まれた変換単位の量子化された変換係数を獲得する段階と、
前記量子化された変換係数に対して逆量子化及び逆変換を行って、前記変換単位のレジデュアル値を獲得する段階と、
前記符号化単位に含まれた少なくとも一つの予測単位に対してインター予測を行って予測映像を生成し、前記予測映像と前記レジデュアル値を用いて前記符号化単位のピクセル値を復元する段階と、を含み、
前記逆量子化及び逆変換を行う段階は、
前記予測単位の予測モードがイントラ予測モードではなくインター予測モードと決定されたとき、前記符号化単位の予測単位のサイズを問わず前記符号化単位の変換単位を決定する段階を含み、
映像は複数の最大符号化単位で分割され、前記最大符号化単位は分割情報によって現在深度と下位深度のうち少なくとも一つを含む深度の符号化単位で階層的に分割され、
前記分割情報が現在深度で分割されることを示す場合、前記現在深度の符号化単位は隣接符号化単位と独立して正方形の下位深度の符号化単位で４分割され、
前記分割情報が前記下位深度で分割されないことを示す場合、少なくとも一つ以上の予測単位は前記下位深度の符号化単位から獲得される、
ことを特徴とする映像復号化方法。
【請求項２】
前記映像復号化方法は、さらに、
前記予測単位の予測モードがインター予測モードであるか、あるいは、イントラ予測モードであるかによって、前記符号化単位の変換単位のサイズを個別的に決定する段階を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の映像復号化方法。
【請求項３】
前記符号化単位のサイズは、64x64、32x32、16x16及び8x8のうちいずれか一つである、
ことを特徴とする請求項１に記載の映像復号化方法。
【請求項４】
前記符号化単位に含まれる変換単位及び予測単位は、それぞれ前記符号化単位より小さいか等しい、
ことを特徴とする請求項３に記載の映像復号化方法。
【請求項５】
映像復号化装置において、
符号化単位に基づき符号化されたビットストリームに対してエントロピー復号化を行って、前記符号化単位に含まれた変換単位の量子化された変換係数を獲得するエントロピー復号化部と、
前記量子化された変換係数に対して逆量子化及び逆変換を行って、前記変換単位のレジデュアル値を獲得する逆変換部と、
前記符号化単位に含まれた少なくとも一つの予測単位に対してインター予測を行って予測映像を生成し、前記予測映像と前記レジデュアル値を用いて前記符号化単位のピクセル値を復元する復元部と、を備え、
前記逆変換部は、前記予測単位の予測モードがイントラ予測モードではなくインター予測モードと決定された時、前記符号化単位の予測単位のサイズを問わず前記符号化単位の変換単位を決定し、
映像は複数の最大符号化単位に分割され、前記最大符号化単位は分割情報によって現在深度と下位深度のうち少なくとも一つを含む深度の符号化単位で階層的に分割され、
前記分割情報が現在深度で分割されることを示す場合、前記現在深度の符号化単位は隣接符号化単位と独立して正方形の下位深度の符号化単位で４分割され、
前記分割情報が前記下位深度で分割されないことを示す場合、少なくとも一つ以上の予測単位は前記下位深度の符号化単位から獲得される、
ことを特徴とする映像復号化装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月24日(2014.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動きベクトルの符号化装置において、
現在ブロックの予測モードがインター予測モードの場合、リスト０またはリスト１方向に位置した時間的参照ピクチャに含まれ前記現在ブロックと同じ位置のブロックを用いて、前記現在ブロックの予測動きベクトル候補を獲得し、前記予測動きベクトル候補のうち前記現在ブロックの予測動きベクトルを獲得する予測部と、
前記現在ブロックの予測動きベクトルに対する情報を符号化する第１符号化部と、
前記現在ブロックの動きベクトルと前記現在ブロックの予測動きベクトルとの差ベクトルを符号化する第２符号化部と、
を備え、
前記予測部は、前記時間的参照ピクチャに含まれた前記現在ブロックと同じ位置のブロックによって参照される参照ピクチャと前記時間的参照ピクチャとの第１時間的距離及び現在ピクチャと前記現在ブロックによって参照される参照ピクチャとの第２時間的距離に基づき、前記現在ブロックと同じ位置のブロックの動きベクトルをスケーリングして前記現在ブロックの予測動きベクトルを獲得し、
映像が最大符号化単位サイズ情報によって複数個の最大符号化単位に分割され、最大符号化単位は深度を有する一つ以上の符号化単位に階層的に分割され、現在深度の符号化単位は上位深度の符号化単位から分割された正方形のデータ単位のうち一つであり、前記現在深度の符号化単位は、隣接符号化単位と独立して下位深度の符号化単位に分割され、前記現在深度の符号化単位が予測符号化のために少なくとも一つの予測単位に分割された場合、前記現在ブロックは前記現在深度の符号化単位から獲得された予測単位であることを特徴とする動きベクトル符号化装置。
【請求項２】
動きベクトルの復号化方法において、
ビットストリームから現在ブロックの予測モード情報を獲得する段階と、
前記現在ブロックの予測モードがインター予測モードの場合、リスト０またはリスト１方向に位置した時間的参照ピクチャに含まれ、前記現在ブロックと同じ位置のブロックを用いて、前記現在ブロックの予測動きベクトル候補を獲得する段階と、
前記予測動きベクトル候補のうち前記現在ブロックの予測動きベクトルを獲得する段階と、
前記ビットストリームから獲得された差ベクトルと、前記現在ブロックの予測動きベクトルに基づいて前記現在ブロックの動きベクトルを獲得する段階と、
を含み、
前記現在ブロックの予測動きベクトル候補を獲得する段階は、
前記時間的参照ピクチャに含まれた前記現在ブロックと同じ位置のブロックによって参照される参照ピクチャと前記時間的参照ピクチャとの第１時間的距離及び現在ピクチャと前記現在ブロックによって参照される参照ピクチャとの第２時間的距離に基づき、前記現在ブロックと同じ位置のブロックの動きベクトルをスケーリングする段階を含み、
映像が最大符号化単位サイズ情報によって複数個の最大符号化単位に分割され、最大符号化単位は深度を有する一つ以上の符号化単位に階層的に分割され、現在深度の符号化単位は上位深度の符号化単位から分割された正方形のデータ単位のうち一つであり、前記現在深度の符号化単位は、隣接符号化単位と独立して下位深度の符号化単位に分割され、前記現在深度の符号化単位が予測符号化のために少なくとも一つの予測単位に分割された場合、前記現在ブロックは前記現在深度の符号化単位から獲得された予測単位であることを特徴とする動きベクトル復号化方法。
【請求項３】
前記現在ブロックの予測モードがインター予測モードの場合、前記現在ブロックの周辺ブロックの動きベクトルのうち前記予測動きベクトル候補を獲得する段階をさらに含み、
前記周辺ブロックは、前記現在ブロックの最下側に位置した第１ブロック及び該第１ブロックの上側に位置した第２ブロックのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項２に記載の動きベクトル復号化方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月22日(2014.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信システムにおける端末（ＵＥ）において，物理アップリンク制御チャネル（ＰＵＣＣＨ）信号を送信する方法であって，
制御情報ビットを変調してＮ１個の変調シンボルを生成するステップであって，Ｎ１は１リソースブロック（ＲＢ）内の副搬送波の数の２倍である，ステップと，
第１直交符号を用いて前記Ｎ１個の変調シンボルの第１のＮ１／２個の変調シンボルを拡散して第１の複数のシーケンスを生成するステップであって，前記第１の複数のシーケンスの各シーケンスは前記第１のＮ１／２個の変調シンボルを含み，前記第１直交符号は拡散係数が５である，ステップと，
第２直交符号を用いて前記Ｎ１個の変調シンボルの第２のＮ１／２個の変調シンボルを拡散して第２の複数のシーケンスを生成するステップであって，前記第２の複数のシーケンスの各シーケンスは前記第２のＮ１／２個の変調シンボルを含む，ステップと，
第３直交符号を用いて前記Ｎ１個の変調シンボルの前記第１のＮ１／２個の変調シンボルを拡散して第３の複数のシーケンスを生成するステップであって，前記第３の複数のシーケンスの各シーケンスは前記第１のＮ１／２個の変調シンボルを含み，前記第３直交符号は拡散係数が５である，ステップと，
第４直交符号を用いて前記Ｎ１個の変調シンボルの前記第２のＮ１／２個の変調シンボルを拡散して第４の複数のシーケンスを生成するステップであって，前記第４の複数のシーケンスの各シーケンスは前記第２のＮ１／２個の変調シンボルを含む，ステップと，
別個のアンテナポートを介して，サブフレームの第１スロットを用いて，前記第１及び第３の複数のシーケンスを送信するステップであって，前記第１及び第３の複数のシーケンスの各シーケンスは，前記第１スロット内の対応する単一搬送波周波数分割多元接続（ＳＣ−ＦＤＭＡ）シンボルにマップされる，ステップと，
別個のアンテナポートを介して，前記サブフレームの第２スロットを用いて，前記第２及び第４の複数のシーケンスを送信するステップであって，前記第２及び第４の複数のシーケンスの各シーケンスは，前記第２スロット内の対応するＳＣ−ＦＤＭＡシンボルにマップされる，ステップと，を有する方法。
【請求項２】
前記第１直交符号は前記第３直交符号と異なり，
前記第２直交符号は前記第４直交符号と異なる，請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１及び第３の複数のシーケンスは，前記第１スロット内の別個のＲＢを用いて送信され，
前記第２及び第４の複数のシーケンスは，前記第２スロット内の別個のＲＢを用いて送信される，請求項１に記載の方法。
【請求項４】
複数のアンテナポートのうち第１アンテナポート用の１又は複数の直交符号インデクスは，物理ダウンリンク制御チャネル（ＰＤＣＣＨ）信号によって明示的に指示され，
前記複数のアンテナポートのうち第２アンテナポート用の１又は複数の直交符号インデクスは，前記第１アンテナポート用の前記１又は複数の直交符号インデクスと所定の関係を有する，請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１及び第３の複数のシーケンスは前記第１スロット内の同一ＲＢを用いて送信され，
前記第２及び第４の複数のシーケンスは前記第２スロット内の同一ＲＢを用いて送信される，請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２直交符号は拡散係数が５であり，前記第４直交符号は拡散係数が５である，請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の複数のシーケンスと，前記第２の複数のシーケンスと，前記第３の複数のシーケンスと，前記第４の複数のシーケンスとの各シーケンスの離散フーリエ変換を行うステップを更に有する，請求項１に記載の方法。
【請求項８】
無線通信システムにおいて物理アップリンク制御チャネル（ＰＵＣＣＨ）信号を送信するように構成された端末であって，
情報を送信するように構成された無線周波（ＲＦ）ユニットと，
プロセッサと，を備え，
前記プロセッサは，
制御情報ビットを変調してＮ１個の変調シンボルを生成し，Ｎ１は１リソースブロック（ＲＢ）内の副搬送波の数の２倍であり，
第１直交符号を用いて前記Ｎ１個の変調シンボルの第１のＮ１／２個の変調シンボルを拡散して第１の複数のシーケンスを生成し，前記第１の複数のシーケンスの各シーケンスは前記第１のＮ１／２個の変調シンボルを含み，前記第１直交符号は拡散係数が５であり，
第２直交符号を用いて前記Ｎ１個の変調シンボルの第２のＮ１／２個の変調シンボルを拡散して第２の複数のシーケンスを生成し，前記第２の複数のシーケンスの各シーケンスは前記第２のＮ１／２個の変調シンボルを含み，
第３直交符号を用いて前記Ｎ１個の変調シンボルの前記第１のＮ１／２個の変調シンボルを拡散して第３の複数のシーケンスを生成し，前記第３の複数のシーケンスの各シーケンスは前記第１のＮ１／２個の変調シンボルを含み，前記第３直交符号は拡散係数が５であり，
第４直交符号を用いて前記Ｎ１個の変調シンボルの前記第２のＮ１／２個の変調シンボルを拡散して第４の複数のシーケンスを生成し，前記第４の複数のシーケンスの各シーケンスは前記第２のＮ１／２個の変調シンボルを含み，
別個のアンテナポートを介して，サブフレームの第１スロットを用いて，前記第１及び第３の複数のシーケンスを送信し，前記第１及び第３の複数のシーケンスの各シーケンスは，前記第１スロット内の対応する単一搬送波周波数分割多元接続（ＳＣ−ＦＤＭＡ）シンボルにマップされ，
別個のアンテナポートを介して，前記サブフレームの第２スロットを用いて，前記第２及び第４の複数のシーケンスを送信し，前記第２及び第４の複数のシーケンスの各シーケンスは，前記第２スロット内の対応するＳＣ−ＦＤＭＡシンボルにマップされる，ように構成される，端末。
【請求項９】
前記第１直交符号は前記第３直交符号と異なり，
前記第２直交符号は前記第４直交符号と異なる，請求項８に記載の端末。
【請求項１０】
前記第１及び第３の複数のシーケンスは，前記第１スロット内の別個のＲＢを用いて送信され，
前記第２及び第４の複数のシーケンスは，前記第２スロット内の別個のＲＢを用いて送信される，請求項８に記載の端末。
【請求項１１】
複数のアンテナポートのうち第１アンテナポート用の１又は複数の直交符号インデクスは，物理ダウンリンク制御チャネル（ＰＤＣＣＨ）信号によって明示的に指示され，
前記複数のアンテナポートのうち第２アンテナポート用の１又は複数の直交符号インデクスは，前記第１アンテナポート用の前記１又は複数の直交符号インデクスと所定の関係を有する，請求項８に記載の端末。
【請求項１２】
前記第１及び第３の複数のシーケンスは前記第１スロット内の同一ＲＢを用いて送信され，
前記第２及び第４の複数のシーケンスは前記第２スロット内の同一ＲＢを用いて送信される，請求項８に記載の端末。
【請求項１３】
前記第２直交符号は拡散係数が５であり，前記第４直交符号は拡散係数が５である，請求項８に記載の端末。
【請求項１４】
前記第１の複数のシーケンスと，前記第２の複数のシーケンスと，前記第３の複数のシーケンスと，前記第４の複数のシーケンスとの各シーケンスは離散フーリエ変換される，請求項８に記載の端末。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月25日(2013.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１外部端子および第２外部端子と、
前記第１および第２外部端子の間に接続されるコア回路と、
前記第１および第２外部端子との間に接続されるバイポーラトランジスタ静電気放電（ＥＳＤ）クランプとを備える電子組立体において、
前記バイポーラトランジスタ静電気放電（ＥＳＤ）クランプは、
前記第１外部端子に電気的に接続される第１ドーパント濃度のエミッタ領域と、前記第２外部端子に電気的に接続される第２ドーパント濃度のコレクタ領域と、前記エミッタ領域と前記コレクタ領域の間に配置される第３ドーパント濃度のベース領域と、前記ベース領域と前記コレクタ領域の間に配置される第４ドーパント濃度のさらなる領域であって、上方の誘電体−半導体界面まで延伸している、さらなる領域とを備え、
前記ベース領域は前記さらなる領域との間に第１ドーパント境界を有し、前記コレクタ領域は前記さらなる領域との間に第２ドーパント境界を有し、前記第１および前記第２ドーパント境界の少なくとも１つが、前記誘電体・半導体界面下の距離Ｙ（Ｙ＞０）において最大ドーパント濃度を有する、電子組立体。
【請求項２】
前記ベース領域および前記コレクタ領域は前記さらなる領域より高濃度にドープされる、請求項１に記載の組立体。
【請求項３】
前記ベース領域のピークドーパント濃度および前記コレクタ領域の前記ピークドーパント濃度は、少なくとも５倍だけ、前記さらなる領域の平均ドーパント濃度を超える、請求項２に記載の組立体。
【請求項４】
前記ベース領域のピークドーパント濃度および前記コレクタ領域の前記ピークドーパント濃度が、少なくとも１０倍だけ、前記さらなる領域の平均ドーパント濃度を超える、請求項３に記載の組立体。
【請求項５】
バイポーラトランジスタ静電気放電（ＥＳＤ）クランプを製造するための方法において、
第１表面までそれぞれ延伸している、第１および第２ドーパント濃度の、第１導電型または第２導電型の第１領域を有する半導体基板を設けるステップと、
前記第１表面から前記第１領域に延伸し第１横方向境界を有する、第３導電型の第３ドーパント濃度の第１ウェル領域を形成するステップと、
前記第３導電型とは反対の第４導電型を第４ドーパント濃度で有し、前記第１ウェル領域まで延伸し前記第１横方向境界から第５ドーパント濃度の前記第１領域の中間部分を横切る最小距離Ｄをもって離隔した第２横方向境界を有する、第２ウェル領域を形成するステップと、
少なくとも前記中間部分の上方に誘電体・半導体界面を形成するステップとを備え、
（ｉ）前記最小距離Ｄは距離Ｙ＞０をもって前記誘電体・半導体界面下に配置され、または、（ｉｉ）前記第３および前記第４ドーパント濃度が少なくとも５倍だけ前記誘電体・半導体界面下の距離Ｙ＞０における第５ドーパント濃度を超える、または、（ｉｉｉ）（ｉ）および（ｉｉ）の両方である、方法。
【請求項６】
前記半導体基板を設けるステップは、第１表面まで延伸する、互いに水平方向において接する第１または第２導電型の第１および第２領域を有する半導体基板を備えるステップを含み、
前記第１ウェル領域を形成するステップにおいて、第３導電型を第３ドーパント濃度で有する前記第１ウェル領域が、前記第１表面から互いに水平方向において接する前記第１および第２領域まで延伸することによって、第１ウェル領域は前記第１領域に第１横方向境界を有し、前記第２領域に第２横方向境界を有し、
前記第２ウェル領域を形成するステップにおいて、前記第３導電型とは反対の第４導電型を有し互いに離間し、それぞれが前記第１および第２領域まで延伸する複数の第２ウェル領域を形成し、前記第１および第２ウェル領域は前記第１横方向境界から、前記第５ドーパント濃度の前記第１領域の前記中間部分を横切って距離Ｄをもって離間している第３横方向境界を有し、前記第２ウェル領域のうちの第２領域は前記第２横方向境界から前記第５ドーパント濃度の前記第１領域の中間部分を横切って距離ＤＲをもって離間している第４横方向境界を有し、
誘電体・半導体界面を形成するステップは、前記第１中間部分の上方に誘電体・半導体界面を形成し、前記第２中間部分の上方に誘電体・半導体界面を形成し、
前記距離Ｄおよび前記ＤＲはそれぞれ深さＹＤ＞０およびＹＤＲ＞０をもって前記誘電体・半導体界面下に配置される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
第１表面を有する基板に形成され、第１および第２端子に接続されるバイポーラトランジスタ静電気放電（ＥＳＤ）クランプにおいて、
前記第１端子に接続されるエミッタ、前記第２端子に接続されるコレクタ、前記エミッタとコレクタの間に配置されるベース、および、前記ベースおよび前記コレクタより低濃度にドープされ、前記ベースと前記コレクタの間に接続される中間半導体部分とを備え、
少なくとも前記中間半導体部分が誘電体・半導体界面または前記第１表面の近傍まで延伸し、
前記中間半導体部分が、前記ベースとの間に第１界面および前記誘電体・半導体界面から広がれる前記コレクタとの間に第２界面を有し、前記第１および前記第２界面が、前記誘電体・半導体界面よりも下方の距離Ｙ＞０に配置される最小離間距離Ｄを有する、バイポーラトランジスタ静電気放電（ＥＳＤ）クランプ。
【請求項８】
前記中間半導体部分は少なくとも５倍だけ前記ベースおよび前記コレクタより低濃度にドープされる、請求項７に記載のＥＳＤクランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月13日(2013.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クライアントノードにおいて、特定コンテンツの復号及び展開の決定をサポートする方法であって、
前記特定コンテンツについて予め定められた基準展開レートとは異なる、前記特定コンテンツについての少なくとも１つの展開レートに関連するレベル要求についての前記特定コンテンツに関する情報を取得（６０２）し、
取得された前記情報に基づいて、いずれの展開レートがレベルについて前記クライアントノードによりサポートされるかを判断（６０４）し、前記クライアントノードによりサポートされないレベルを要求する非基準展開レートにおける前記特定コンテンツの復号及び展開を前記クライアントノードに停止可能とさせる
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
サポートされないレベルを要求するレートにおける前記特定コンテンツの復号及び展開の停止は、少なくとも
前記特定コンテンツを取得しないことの決定、
選択可能な展開レートの制限、
前記特定コンテンツの代替バージョンの選択（６１０）、
前記特定コンテンツの代替バージョン／表現への切り替え（６１０）、
代替復号器の選択（６０６）、
前記クライアントノードによりサポートされると判断された非基準展開レートにおける前記特定コンテンツの復号及び展開、
のいずれかを含む
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つの展開レートは、前記特定コンテンツの予め定められた基準展開レートのうちの複数または一部であることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
クライアントノード（８０１）において、特定コンテンツの復号及び展開の決定をサポートする装置（８００）であって、
前記特定コンテンツについての予め定められた基準展開レートとは異なる、前記特定コンテンツについての少なくとも１つの展開レートに関連するレベル要求についての前記特定コンテンツに関する情報を取得する取得手段（８０４）と、
取得された前記情報に基づいて、いずれの展開レートが、レベルについて前記クライアントノードによりサポートされるかを判断し、前記クライアントノードによりサポートされないレベルを要求する非基準展開レートにおける前記特定コンテンツの復号及び展開を前記クライアントノードに停止可能とさせる判断手段（８０８）と、を有する
ことを特徴とする装置。
【請求項５】
予め定められた判断基準に従って、前記クライアントノードによりサポートされる前記非基準展開レートが許容可能か否かを判断し、該判断に従って操作を実行することを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記実行される操作は、少なくとも、
前記特定コンテンツを取得しないことの決定、
選択可能な展開レートの制限、
前記特定コンテンツの代替バージョンの選択、
前記特定コンテンツの代替バージョン／表現への切り替え、
前記特定コンテンツを復号する代替復号器の選択、
前記クライアントノードによりサポートされると判断された非基準展開レートにおける前記コンテンツの復号及び展開、
のいずれかを含む
ことを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記少なくとも１つの展開レートは、前記特定コンテンツの予め定められた基準展開レートのうちの複数または一部であることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
サーバノードにおける、クライアントノードでの特定コンテンツの復号及び展開の決定をサポートする方法であって、
前記特定コンテンツについての予め定められた基準展開レートとは異なる、前記特定コンテンツについての少なくとも１つの展開レートに関連するレベル要求を判断（９０２）し、
少なくとも１つの展開レートについての情報と関連付けられたレベル要求とを前記クライアントノードに提供（９０４）し、要求レベルにおいて、いずれの展開レートが前記クライアントノードによりサポートされるかを判断し、前記クライアントノードによりサポートされないレベルを要求するレートにおける前記特定コンテンツの復号及び展開を停止することを前記クライアントノードに可能にさせる
ことを特徴とする方法。
【請求項９】
前記情報は、ファイルフォーマット構造の一部として提供されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記情報は、メディア提示記述内に提供されることを特徴とする請求項８または９に記載の方法。
【請求項１１】
前記情報は、操作が実行されるコンテンツに関することを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記コンテンツにおいて実行される前記操作は、少なくとも
前記コンテンツのフレームの破棄、
前記コンテンツへのフレームの挿入、
のいずれかを含む
ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
サーバノード（１００１）における、クライアントノードでの特定コンテンツの復号及び展開の決定をサポートする装置（１０００）であって、
前記特定コンテンツについての予め定められた基準展開レートとは異なる、前記特定コンテンツについての少なくとも１つの展開レートに関連するレベル要求を判断する判断手段（１００４）と、
少なくとも１つの展開レートについての情報と関連付けられたレベル要求とを前記クライアントノードに提供し、要求レベルにおいて、いずれの展開レートが前記クライアントノードによりサポートされるか判断し、前記クライアントノードによりサポートされないレベルを要求するレートにおける前記特定コンテンツの復号及び展開を停止することを前記クライアントノードに可能とさせる提供手段（１００６）と、を有する
ことを特徴とする装置。
【請求項１４】
ファイルフォーマット構造の一部として前記情報を提供することを特徴とする請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
メディア提示記述内に提供することを特徴とする請求項１３または１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記情報は、操作が実行されるコンテンツに関することを特徴とする請求項１３乃至１５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１７】
前記コンテンツにおいて実行される操作は、少なくとも、
前記コンテンツのフレームの破棄、
前記コンテンツへのフレームの挿入、
のいずれかを含むことを特徴とする請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
請求項４乃至６、及び１３乃至１７のいずれか１項に記載の装置において実行された場合に、該装置に請求項１乃至３、７乃至１２のいずれか１項に記載の対応する手順を実行させる、コンピュータが読み取り可能なコードを含むコンピュータプログラム（１１１０）。
【請求項１９】
請求項１８に記載のコンピュータプログラムを含むことを特徴とする記録媒体（１１０８）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月10日(2014.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上りリンク送信電力制御手順を実行する無線通信装置であって、
１以上の送信アンテナポートと、
複数の上りリンクコンポーネントキャリアをサポートする手段と、
各コンポーネントキャリアに対するＰＵＳＣＨの送信電力を決定する手段と、を備え、
前記各コンポーネントキャリアに対するＰＵＳＣＨの送信電力は、予測送信電力の合計が前記無線通信装置の最大送信電力を超える場合に、ＰＵＳＣＨに対する予測送信電力を変更したものであり、
前記予測送信電力の合計は、各コンポーネントキャリアに対するＰＵＳＣＨの予測送信電力と、ＰＵＣＣＨの予測送信電力との合計であり、
前記無線通信装置の最大送信電力は、前記無線通信装置のＵＥ電力クラスに基づいて予め定義され、
前記ＵＥ電力クラスは、前記コンポーネントキャリアの全てに適用されることを特徴とする無線通信装置。
【請求項２】
前記予測送信電力の合計が、前記無線通信装置の最大送信電力を超えた場合に、前記各コンポーネントキャリアに対するＰＵＳＣＨの送信電力を０に変更し、およびＰＵＣＣＨの送信電力を変更しないことを特徴とする請求項１に記載の無線通信装置。
【請求項３】
前記決定された各コンポーネントキャリアに対するＰＵＳＣＨの送信電力を変更し、前記変更された合計送信電力を、１以上のＰＵＳＣＨが送信されるアンテナポート間で等しく分割して割り当てる手段を備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の無線通信装置。
【請求項４】
無線通信装置の上りリンク送信電力制御方法であって、
前記無線通信装置は、１以上の送信アンテナポートを有し、
複数の上りリンクコンポーネントキャリアをサポートし、
各コンポーネントキャリアに対するＰＵＳＣＨの送信電力を決定し、
前記各コンポーネントキャリアに対するＰＵＳＣＨの送信電力は、予測送信電力の合計が前記無線通信装置の最大送信電力を超える場合に、ＰＵＳＣＨに対する予測送信電力を変更したものであり、
前記予測送信電力の合計は、各コンポーネントキャリアに対するＰＵＳＣＨの予測送信電力と、ＰＵＣＣＨの予測送信電力との合計であり、
前記無線通信装置の最大送信電力は、前記無線通信装置のＵＥ電力クラスに基づいて予め定義され、
前記ＵＥ電力クラスは、前記コンポーネントキャリアの全てに適用されることを特徴とする上りリンク送信電力制御方法。
【請求項５】
前記予測送信電力の合計が、前記無線通信装置の最大送信電力を超えた場合に、前記各コンポーネントキャリアに対するＰＵＳＣＨの送信電力を０に変更し、およびＰＵＣＣＨの送信電力を変更しないことを特徴とする請求項４に記載の上りリンク送信電力制御方法。
【請求項６】
前記決定された各コンポーネントキャリアに対するＰＵＳＣＨの送信電力を変更し、前記変更された合計送信電力を、１以上のＰＵＳＣＨが送信されるアンテナポート間で等しく分割して割り当てることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の上りリンク送信電力制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月25日(2013.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホスト基板部、及び
前記ホスト基板部へ接合されるシード層であって、各領域が領域間の界面において最も近い隣り合う領域から完全に分離されている複数の領域を有するシード層、
を含む基板を提供するステップと、
前記シード層を緩和させるステップであって、前記シード層の隣接する領域は、前記緩和後、隣接する領域間における界面において互いに直接接触にある、ステップと、
前記基板において、ｎ型領域及びｐ型領域との間に配置される発光層を含む半導体構造を成長させるステップと、
を含む方法であって、
前記シード層に成長させられる半導体構造の上部表面は、前記複数のシード層領域のそれぞれよりも大きいか等しい横方向の拡がりの度合いを有し、
前記半導体構造をマウント部へ接続するステップと、
前記ホスト基板部を取り除くステップと、
前記シード層を取り除くステップと、
を有する、
方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記発光層はIII-窒化物層である、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記界面は、前記シード層の厚さ全体を通じて延在する、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、各領域は、前記界面により最も近い隣り合う領域から完全に分離されている、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記界面は、前記シード層の隣接する領域間において化学的接合が実質的にない、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、各領域は、1乃至10ミクロンの間の横方向の拡がりの度合いを有する、方法。
【請求項７】
ホスト基板部、及び
前記ホスト基板部へ接合されるシード層であって、界面により分離される複数の領域を有するシード層、
を含む基板を提供するステップであって、前記隣接する領域は、シード層材料の連続的なクモの巣状構造を形成するように接続され、シード層領域間の前記界面における隙間が１ミクロン幅よりも小さい、ステップと、
前記基板において、ｎ型領域及びｐ型領域との間に配置される発光層を含む半導体構造を成長させるステップと、
を含む方法であって、
前記シード層に成長させられる半導体構造の上部表面は、前記複数のシード層領域のそれぞれよりも大きいか等しい横方向の拡がりの度合いを有し、
前記半導体構造をマウント部へ接続するステップと、
前記ホスト基板部を取り除くステップと、
前記シード層を取り除くステップと、
を有する、
方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、前記発光層はIII-窒化物層である、方法。
【請求項９】
ホスト基板部、及び
前記ホスト基板部へ接合されるシード層であって、複数の領域を有するシード層、
を含む基板を提供するステップであって、前記シード層は、結晶ユニットセルを有する結晶材料であり、各シード層領域は、前記結晶ユニットセルの回転対称性と同じ回転対称性を有するように形成され、各シード層領域が隙間又は界面によって最も近い隣り合うシード層領域から完全に分離される、ステップと、
前記基板において、ｎ型領域及びｐ型領域との間に配置される発光層を含む半導体構造を成長させるステップと、
を含む方法であって、
前記シード層に成長させられる半導体構造の上部表面は、前記複数のシード層領域のそれぞれよりも大きいか等しい横方向の拡がりの度合いを有し、
前記半導体構造をマウント部へ接続するステップと、
前記ホスト基板部を取り除くステップと、
前記シード層を取り除くステップと、
を有する、
方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、前記発光層はIII-窒化物層である、方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の方法であって、前記シード層は、ウルツ鉱であり、各シード層領域は、三角形又は六角形として成形される、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月14日(2014.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複合材料を含む膜であって、
前記複合材料が、
０重量％よりも大きく、約９０重量％未満のケイ素粒子；
０重量％よりも大きく、約９０重量％未満の一種または複数種の炭素相；
を含み、
前記一種または複数種の炭素相の少なくとも１つが、硬質炭素を含み、前記膜を結び付け、前記ケイ素粒子が、前記複合材料の全体にわたって分散される、膜。
【請求項２】
前記ケイ素粒子が、約１０ｎｍから約４０μｍの平均最大寸法を有する、請求項１に記載の膜。
【請求項３】
前記複合材料が、約２０重量％から約８０重量％の前記ケイ素粒子を含む、請求項１または２に記載の膜。
【請求項４】
前記一種または複数種の炭素相の少なくとも１つが、電気化学的に活性であり、かつ導電性である、請求項１から３のいずれか一項に記載の膜。
【請求項５】
前記一種または複数種の炭素相の少なくとも１つが、実質的に連続相である、請求項１から４のいずれか一項に記載の膜。
【請求項６】
前記一種または複数種の炭素相が、グラファイト粒子を含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の膜。
【請求項７】
導電性粒子をさらに含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の膜。
【請求項８】
金属粒子をさらに含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の膜。
【請求項９】
前記複合材料が、実質的に電気化学的に活性である、請求項１から８のいずれか一項に記載の膜。
【請求項１０】
前記複合材料が、自立している、請求項１から９のいずれか一項に記載の膜。
【請求項１１】
非−導電性バインダー中に懸濁された微粒子炭素とは対照的に、前記一種または複数種の炭素相の少なくとも１つが、電極の全体において、実質的に連続する導電炭素相である、請求項１から１０のいずれか一項に記載の膜。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか一項に記載の前記膜を含む電池電極。
【請求項１３】
電池のサイクル寿命を改善する方法であって、
請求項１から１１のいずれか一項に記載の前記膜を含む電極を形成するステップと、
放電の間に、前記複合材料の最大重量容量の約７０％未満を利用するステップと、
を含む、方法。
【請求項１４】
膜の形成方法であって、
前駆体およびケイ素粒子を含む混合物を提供するステップと、
前記混合物を含む前駆体膜を形成するステップと、
前記前駆体を、一種または複数種の炭素相に変換し、熱分解された膜を形成し、前記一種または複数種の炭素相が、前記熱分解された膜を結び付け、前記ケイ素粒子が、前記一種または複数種の炭素相の全体にわたって分散されるように、前記前駆体を熱分解するステップと、
を含む方法。
【請求項１５】
前記前駆体を熱分解するステップの後に、前記混合物が、自立複合材料を形成する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記一種または複数種の炭素相の少なくとも１つが、実質的に連続相である、請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記一種または複数種の炭素相の少なくとも１つが、硬質炭素を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記熱分解された膜が、約２０重量％から約８０重量％の前記ケイ素粒子を含む、請求項１４から１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記混合物が、溶媒をさらに含む、請求項１４から１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記前駆体が、ポリイミドを含む、請求項１４から１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
前記前駆体が、フェノール樹脂を含む、請求項１４から１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
前記前駆体が、炭化水素化合物を含む、請求項１４から１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
前記混合物が、０重量％よりも大きく、約８０重量％未満の前記ケイ素粒子、および、約５重量％から約８０重量％の前記前駆体を含む、請求項１４から２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４】
前記前駆体膜を形成するステップが、
基板上に前記混合物をキャストするステップと、
乾燥された膜を形成するために前記混合物を乾燥するステップと、
前記基板から前記乾燥された膜を取り外すステップと、
前記前駆体膜を形成するために前記乾燥された膜を硬化するステップと、
を含む、請求項１４から２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５】
請求項１４から２４のいずれか一項に記載の方法によって作られた膜。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月20日(2013.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に流動可能な誘電体層を形成する方法であって、連続したステップの、
基板をシリコン含有ライナ前駆体および酸素含有ライナ前駆体に曝すことにより、基板上に全体的に共形な酸化ケイ素ライナ層を形成するステップであって、基板がライナ堆積温度に維持されるステップと、
基板上に無炭素の流動可能なシリコン−窒素−水素含有層を形成するステップであって、基板がバルク堆積温度に維持されるステップと
を含み、バルク堆積温度が１２０°Ｃ未満である、方法。
【請求項２】
無炭素の流動可能なシリコン−窒素−水素含有層を形成するステップが、
窒素−水素含有ガスをプラズマ領域内に流し、ラジカル−窒素前駆体を生成するステップと、
無炭素シリコン含有前駆体をラジカル−窒素前駆体と無プラズマ基板処理領域内で化合させるステップと、
シリコン−窒素含有層を基板上に堆積するステップと
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
窒素−水素含有ガスがアンモニア（ＮＨ３）を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
窒素−水素含有ガスが窒素（Ｎ２）、水素（Ｈ２）、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）およびアンモニア（ＮＨ３）のうちの少なくとも１つを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
全体的に共形な酸化ケイ素ライナの厚さが約１００Å以下である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
無炭素シリコン含有前駆体がＮ（ＳｉＨ３）３を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
無炭素の流動可能なシリコン−窒素−水素含有層が無炭素Ｓｉ−Ｎ−Ｈ層を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
バルク堆積温度がライナ堆積温度よりも低い、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ライナ堆積温度が４００°Ｃより高い、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
基板の温度をオゾン含有雰囲気で約４００°Ｃ以下に維持する硬化ステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
プラズマ領域が遠隔プラズマシステムの中である、請求項２に記載の方法。
【請求項１２】
プラズマ領域が、シャワーヘッドによって無プラズマ基板処理領域から分離される、基板処理チャンバの仕切られた部分である、請求項２に記載の方法。
【請求項１３】
酸素含有ライナ前駆体がオゾンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
酸素含有ライナ前駆体が酸素（Ｏ２）を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
シリコン含有ライナ前駆体がＴＥＯＳを含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月21日(2013.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ピクチャ中の画像ブロックの測定値ベクトルを生成し、前記測定値ベクトルを符号化し、前記符号化された測定値ベクトルに応じた前記画像ブロックの信号希薄性を最小化して前記画像ブロックを再構成することにより、前記画像ブロックを符号化するビデオエンコーダを有し、前記測定値ベクトルは前記画像ブロックに関する変換係数を含み、
前記画像ブロックの信号希薄性は、量子化パラメータに適応した重み付けファクタによる前記信号希薄性と測定誤差との重み付け和として定式化された最小化関数を用いて最小化され、前記測定誤差は前記画像ブロックの再構成された測定値と推定された測定値との間の差を表し、前記信号希薄性は画像ドメインにおいて決定される、
装置。
【請求項２】
ビデオエンコーダにおいて、
ピクチャ中の画像ブロックの測定値ベクトルを生成し、前記測定値ベクトルを符号化し、前記符号化された測定値ベクトルに応じた前記画像ブロックの信号希薄性を最小化して前記画像ブロックを再構成することにより、前記画像ブロックを符号化するステップを有し、前記測定値ベクトルは前記画像ブロックに関する変換係数を含み、
前記画像ブロックの信号希薄性は、量子化パラメータに適応した重み付けファクタによる前記信号希薄性と測定誤差との重み付け和として定式化された最小化関数を用いて最小化され、前記測定誤差は前記画像ブロックの再構成された測定値と推定された測定値との間の差を表し、前記信号希薄性は画像ドメインにおいて決定される、
方法。
【請求項３】
前記測定値ベクトルは前記画像ブロック対して決まる残差に応じて決まり、前記残差は前記画像ブロックの元のものと前記画像ブロックの予測との間の差を表す、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記測定値ベクトルは、前記残差の変換係数のサブセットを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記測定ベクトルが量子化とエントロピー符号化とを用いて符号化されている、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記信号の希薄性は画像ドメインで決定される、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記信号の希薄性はトータルバリエーションで測定され、前記トータルバリエーションは前記画像ブロック中の連続するピクセル間の差の関数である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記方法はコーディングモードとして実装され、前記コーディングモードを選択するかどうかはフラグを用いてシグナリングされる、請求項２に記載の方法。
【請求項９】
前記コーディングモードはレート歪みに基づく、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
ピクチャの画像ブロックの測定値ベクトルを受け取り、前記測定値ベクトルを復号し、前記復号された測定値ベクトルに応じた前記画像ブロックの信号希薄性を最小化して前記画像ブロックを再構成することにより、前記画像ブロックを復号するビデオデコーダを有し、前記測定値ベクトルは前記画像ブロックに関する変換係数を含み、
前記画像ブロックの信号希薄性は、量子化パラメータに適応した重み付けファクタによる前記信号希薄性と測定誤差との重み付け和として定式化された最小化関数を用いて最小化され、前記測定誤差は前記画像ブロックの再構成された測定値と推定された測定値との間の差を表し、前記信号希薄性は画像ドメインにおいて決定される、
装置。
【請求項１１】
ビデオデコーダにおいて、
ピクチャの画像ブロックの測定値ベクトルを受け取り、前記測定値ベクトルを復号し、前記復号された測定値ベクトルに応じた前記画像ブロックの信号希薄性を最小化して前記画像ブロックを再構成することにより、前記画像ブロックを復号するステップを有し、前記測定値ベクトルは前記画像ブロックに関する変換係数を含み、
前記画像ブロックの信号希薄性は、量子化パラメータに適応した重み付けファクタによる前記信号希薄性と測定誤差との重み付け和として定式化された最小化関数を用いて最小化され、前記測定誤差は前記画像ブロックの再構成された測定値と推定された測定値との間の差を表し、前記信号希薄性は画像ドメインにおいて決定される、
方法。
【請求項１２】
前記測定値ベクトルは前記画像ブロック対して決まる残差に応じて決まり、前記残差は前記画像ブロックの元のものと前記画像ブロックの予測との間の差を表す、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記測定値ベクトルは、前記残差の変換係数のサブセットを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記測定ベクトルが量子化とエントロピー符号化とを用いて符号化されている、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記信号の希薄性は画像ドメインで決定される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
ビデオ信号データがエンコードされたコンピュータ読み取り可能記憶媒体であって、
ピクチャ中の画像ブロックの測定値ベクトルを生成し、前記測定値ベクトルを符号化し、前記符号化された測定値ベクトルに応じた前記画像ブロックの信号希薄性を最小化して前記画像ブロックを再構成することにより、符号化された前記画像ブロックを有し、前記測定値ベクトルは前記画像ブロックに関する変換係数を含み、
前記画像ブロックの信号希薄性は、量子化パラメータに適応した重み付けファクタによる前記信号希薄性と測定誤差との重み付け和として定式化された最小化関数を用いて最小化され、前記測定誤差は前記画像ブロックの再構成された測定値と推定された測定値との間の差を表し、前記信号希薄性は画像ドメインにおいて決定される、
コンピュータ読み取り可能記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月6日(2014.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
図１４を参照すると、実施形態により一般的に構成されるセンサシステム１４０２を組み込んだ実施例のシステム１４００が例示されている。センサ装置は、システムに組み入れられ得るし、或いは独立型の製品として構成され得る。独立型の製品として、センサ構成要素は、筐体（図示せず）に収容されることができ、電気接続は、装置またはかかる装置を利用するシステムと接続するために曝露され得る。当業者は、本明細書に記載する実施形態によって構成されるセンサが異なる産業セクターで広範に使用されている筐体にどのようにして組み込まれ得るかを即座に理解するであろう。従って、例えば、システムにおいて、機械的な接続、設計、及び構造が、特定のアプリケーションのために必然的に変化し得る。例えば、指紋センサとしての使用のためにラップトップに組み込まれると、表面取り付けモジュールが、センサグリッドラインをユーザに曝露するために採用される必要があるだろう。携帯電話や携帯情報端末（ＰＤＡ）などに組み込まれる場合は、センサの動作能力を提供しつつ特定の装置設計に適合させるために、別種の取り付けモジュールが、必要となるだろう。再び、図１４は、図示されてはいないが、実施形態によって構成された、上部層１４０６と底部層１４０８を有し、アプリケーションに応じてそれぞれピックアップラインかプレート及び駆動ラインかプレートを有し、折り畳んだフレキシブルまたは硬質な基板１４０４を有するセンサ１４０２を組み込んだシステム１４００を図示するものである。二次元感知領域１４１１が上部に物体１４１０を伴って示されているが、ここでの物体は、指紋センサの場合、指とすることができ、その他のアプリケーションの場合はその他の物体とすることができる。上部層のピックアッププレートまたはライン（図示せず）は、受信した合成信号を送るために通信リンク１４１２を介して上部プレート処理回路と通信する。駆動ラインまたはプレートは、本明細書では図示していないが底部層１４０８に配置され、通信ライン１４１６を介して底部プレート処理回路１４１４から駆動信号を受信する。上部プレート処理回路は、ピックアッププレートまたはラインから受信した合成信号を受信し、増幅し、及び／またはバッファーリングし、或いは保存するように構成されたフロントエンドバッファー及びアンプ１４１６を含む。図９に示すようなスイッチアレー１４１８が、フロントエンド１４１６から信号を受信し、切り替え信号をデジタル信号に変換するために、アナログ・デジタル（Ａ／Ｄ）コンバータ１４２０に送信するように構成される。デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）１４２２は、Ａ／Ｄコンバータ１４２０からデジタル信号を受信し、送信のために信号を処理するように構成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
動作時、駆動信号は、プロセッサ１４４４によって制御され、底部プレート処理回路１
４１４からの駆動信号のパラメータが、プロセッサ１４４４によって底部プレート処理回路１４１４内に設定される。駆動信号は、発生器１４２６内に設定されたパラメータ内の論理回路１４２４によって生成され、通信リンク１４１６を介して底部プレート１４０８へ送信される。これらの信号は、感知領域１４１１周辺の上部層１４０６上のピックアップラインへと延在する電磁場を生成する。これらの信号は、（図示しないが、上述した）センサグリッド上の異なるピクセル電極対を通って循環され、これらの電磁場のいくつかは、物体１４１０（例えば、指紋など）によって吸収される。合成信号が（図示しないが、上述した）感知領域１４１１周辺の上部層１４０６上のピックアッププレートまたはピックアップ回路によってピックアップされる。その後、合成信号は、通信ライン１４１２を介して上部プレート処理回路に送信され、信号が処理され、さらなる処理のためにメモリ装置またはプロセッサ１４４４へ送信される。ひとたびドライバとスキャン論理回路がグリッドセンサ上のピクセルを循環すると、物体の特徴、特性に関するデータがシステムによって明確化され、利用され得る。例えば、指紋センサシステムにおいて、画像は保存された指紋画像と比較され得る指紋画像とすることができ、照合すれば、ユーザの認証に使用され得る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2013517571.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2013517571.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2013517571.tif 000003