【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年4月14日(2014.4.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板における１以上の欠陥を検出するための非破壊的信号伝搬システムであって、
１以上の周波数を電気信号から少なくとも１つの機械的パルスに変換する変換器であって、前記少なくとも１つの機械的パルスは前記基板に結合される、変換器と、
前記基板上において前記変換器の遠位に配置されるべき複数の遠位センサであって、前記基板の実体部分から受け取られる前記少なくとも１つの機械的パルスと、前記少なくとも１つの機械的パルスの任意の歪みと、を検出する複数の遠位センサと、
前記基板の実体部分から受け取られる前記検出された少なくとも１つの機械的パルスおよび前記少なくとも１つの機械的パルスの任意の歪みを、ベースライン応答と比較するために、前記複数の遠位センサに接続された信号分析器と、を備え、
前記ベースライン応答は、計算モデル、品質保証基板、および複数の基板の移動平均から選択可能な、少なくとも一つの選択ツールに基づいている、システム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムであって、さらに、前記基板から受け取られる前記少なくとも１つの機械的パルスに付加される歪みを検出するための複数の近位センサであって、前記変換器の近位に配置され、前記信号分析器に接続され、前記基板に結合される複数の近位センサを備える、システム。
【請求項３】
請求項１に記載のシステムであって、前記１以上の周波数は、電磁スペクトルの可聴帯域部分の範囲内にある、システム。
【請求項４】
請求項１に記載のシステムであって、前記１以上の周波数は、電磁スペクトルの可聴帯域部分よりも高い、システム。
【請求項５】
請求項１に記載のシステムであって、前記１以上の周波数は、単一パルスとして前記変換器に供給される、システム。
【請求項６】
請求項１に記載のシステムであって、前記１以上の周波数は、一連の複数のパルスとして前記変換器に供給される、システム。
【請求項７】
請求項１に記載のシステムであって、前記システムは、半導体装置に関連する基板操作機構内に組み込まれる、システム。
【請求項８】
基板における１以上の欠陥を検出するための非破壊的信号伝搬方法であって、
変換器において、１以上の周波数を電気信号から一連の複数の機械的パルスに変換する工程と、
前記一連の複数の機械的パルスを前記基板に結合するように前記変換器を前記基板上に配置する工程と、
複数の遠位センサを前記基板上の前記変換器の遠位に配置する工程と、
前記基板の実体部分から受け取られる前記一連の複数の機械的パルスと、前記一連の複数の機械的パルスの任意の歪みと、を前記複数の遠位センサで検出する工程と、
前記基板の実体部分から受け取られる前記検出された一連の複数の機械的パルスおよび前記一連の複数の機械的パルスの任意の歪みを、ベースライン応答と比較して、前記１以上の欠陥を検出する工程と、を備え、
前記比較する工程は、計算モデル、品質保証基板、および複数の基板の移動平均から選択可能な、少なくとも一つの選択ツールを使用して行われる、方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、さらに、前記基板から受け取られる前記一連の複数の機械的パルスに付加される歪みを検出するための複数の近位センサを、前記基板上において、前記変換器の近位に配置する工程を備える、方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の方法であって、電磁スペクトルの可聴帯域部分の範囲内に含まれるように前記１以上の周波数を選択する工程を備える、方法。
【請求項１１】
請求項８に記載の方法であって、電磁スペクトルの可聴帯域部分よりも高くなるように前記１以上の周波数を選択する工程を備える、方法。
【請求項１２】
請求項８に記載の方法であって、さらに、前記１以上の周波数を単一パルスとして前記変換器に印加する工程を備える、方法。
【請求項１３】
請求項８に記載の方法であって、さらに、前記１以上の欠陥が前記基板に存在するという結果に基づいて、前記基板の処分を決定する工程を備える、方法。
【請求項１４】
基板における１以上の欠陥を検出するための非破壊的信号伝搬システムであって、
１以上の周波数を電気信号から一連の複数の機械的パルスに変換するための変換手段であって、前記一連の複数の機械的パルスは前記基板に結合される、変換手段と、
前記基板に接続し、前記基板の実体部分から受け取られる前記一連の複数の機械的パルスと、前記一連の複数の機械的パルスの任意の歪みと、を検出するための第１の検出手段であって、前記変換手段の宴意に遠位に配置される第１の検出手段と、
前記基板の実体部分から受け取られる前記検出された一連の複数の機械的パルスおよび前記一連の複数の機械的パルスの任意の歪みを、ベースライン応答と比較するための分析手段と、
を備える、システム。
【請求項１５】
請求項１４に記載のシステムであって、さらに、前記基板におけるインピーダンス不整合による、前記基板の実体部分から受け取られる前記一連の複数の機械的パルスの任意の歪みを検出するための第２の検出手段を備える、システム。
【請求項１６】
基板における１以上の欠陥を検出するための非破壊的信号伝搬システムであって、
基板操作機構であって、
１以上の周波数を電気信号から少なくとも１つの機械的パルスに変換する変換器であって、前記少なくとも１つの機械的パルスは前記基板に結合される、変換器と、
前記基板上において前記変換器の遠位に配置されるべき複数の遠位センサであって、
前記基板の実体部分から受け取られる、前記少なくとも１つの機械的パルスと、前記少なくとも１つの機械的パルスの任意の歪みと、を検出するよう構成された複数の遠位センサと、
前記基板上において前記変換器の近位に配置されるべき複数の近位センサであって、前記少なくとも１つの機械的パルスを検出し、前記基板の実体部分から受け取られる前記少なくとも１つの機械的パルスに付加される任意の歪みを検出するよう構成された複数の近位センサと、
を備える基板操作機構と、
前記基板の実体部分から受け取られる前記検出された少なくとも１つの機械的パルスおよび前記少なくとも１つの機械的パルスの任意の歪みを、ベースライン応答と比較するために、前記複数の遠位センサおよび前記複数の近位センサに接続された信号分析器と、を備え、前記ベースライン応答は、計算モデル、品質保証基板、および複数の基板の移動平均から選択可能な、少なくとも一つの選択ツールに基づく、システム。
【請求項１７】
シリコンウエハにおける１以上の欠陥を検出するための非破壊的信号伝搬システムであって、
１以上の周波数を電気信号から少なくとも１つの機械的パルスに変換する変換器であって、前記少なくとも１つの機械的パルスは前記シリコンウエハ内の格子構造に沿って伝播するように前記シリコンウエハに結合される、変換器と、
前記シリコンウエハ上において前記変換器の遠位に配置されるべき複数の遠位センサであって、前記シリコンウエハの格子構造から受け取られる前記少なくとも１つの機械的パルスと、前記少なくとも１つの機械的パルスの任意の歪みと、を検出する複数の遠位センサと、
前記シリコンウエハの格子構造から受け取られる前記検出された少なくとも１つの機械的パルスおよび前記少なくとも１つの機械的パルスの任意の歪みを、ベースライン応答と比較するために、前記複数の遠位センサに接続された信号分析器と、を備え、
前記ベースライン応答は、計算モデル、品質保証基板、および複数の基板の移動平均から選択可能な、少なくとも一つの選択ツールに基づいている、システム。
【請求項１８】
請求項１７に記載のシステムであって、さらに、前記シリコンウエハから受け取られる前記少なくとも１つの機械的パルスに付加される歪みを受け取るための複数の近位センサであって、前記シリコンウエハにおいて前記変換器の近位に配置されるべき複数の近位センサであり、前記信号分析器に接続される複数の近位センサを備える、システム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
例えば、典型的なＩＣ加工処理において、シリコンウエハは、数多くのプラズマによる処理を施される。ウエハは、処理ツールにウエハを固定するために用いられる静電チャック（ＥＳＣ：electrostatic chuck）によって引き起こされる不均一なクランプ力と、チャンバ内でのウエハ配置によるウエハ表面上の温度の不均一、および、結果としてその後に起きるプラズマの不均一との両方によって生じる各プラズマ処理における応力、ならびに、ウエハに施された薄膜によって生じる応力を受ける。応力は、ウエハ上にヘアラインクラックを引き起こすことがあり、それによって、ウエハの完全性を損ない、処理後の機械的な操作中にウエハが完全破砕する可能性を高める。所与の基板上にＩＣを完全に製造するために複数のツールで実行されるプラズマによる処理工程の数のみを考えても、製造処理の任意の段階で基板の欠陥を検出することができれば、不十分な歩留まりを有することになる基板の処理に時間および費用の両方を多大に費やすことが防止される。結果として、所与の処理の開始時にかかる欠陥を検出することによって、時間、エネルギ、および、費用が大幅に節約される。欠陥の空間座標を記録して、後のｅｘ−ｓｉｔｕ分析のために読み出すことができるため、欠陥の根本原因解析を行うことができる。信号処理ユニットは、ウエハの表面または実体部分のいずれかを特徴付ける信号をホストコンピュータに供給しうる。信号処理ユニットからの出力は、複数のセンサの各々からの応答に基づいて、ウエハ完全性の程度および任意の欠陥の位置を示すことができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
さらに、半導体産業と同類の多くの産業が、この歪み補正技術を使用できる。例えば、データストレージ産業における薄膜ヘッド（ＴＦＨ：thin film head）処理、フラットパネルディスプレイ産業におけるアクティブマトリクス液晶ディスプレイ（ＡＭＬＣＤ：active matrix liquid crystal display）、または、微小電気機械（ＭＥＭ）産業は、本明細書に記載の処理および技術を容易に利用することができる。したがって、「半導体」という用語は、前述の産業および関連業界を含むものとして認識されるべきである。これらおよびその他のバリエーション、変形、追加、および、改良は、添付の特許請求の範囲によって表される本発明の範囲内に含まれる。したがって、明細書および図面は、限定ではなく例示を意図したものであると見なされる。
なお、本発明は以下のような態様で実現することもできる。
適用例１：
基板における１以上の欠陥を検出するための非破壊的信号伝搬システムであって、
１以上の周波数を電気信号から少なくとも１つの機械的パルスに変換するよう構成された変換器であって、前記少なくとも１つの機械的パルスは前記基板に結合されるよう構成される、変換器と、
前記変換器の遠位に配置され、前記基板に結合されるよう構成され、さらに、前記少なくとも１つの機械的パルスと、前記少なくとも１つの機械的パルスの任意の歪みと、を検出するよう構成された複数の遠位センサと、
前記検出された少なくとも１つの機械的パルスおよび前記少なくとも１つの機械的パルスの任意の歪みを、ベースライン応答と比較するために、前記複数の遠位センサに接続された信号分析器と、を備える、システム。
適用例２：
適用例１のシステムであって、さらに、前記変換器の近位に配置され、前記信号分析器に接続され、前記基板に結合されるよう構成された複数の近位センサを備える、システム。
適用例３：
適用例１のシステムであって、前記１以上の周波数は、電磁スペクトルの可聴帯域部分の範囲内にある、システム。
適用例４：
適用例１のシステムであって、前記１以上の周波数は、電磁スペクトルの可聴帯域部分よりも高い、システム。
適用例５：
適用例１のシステムであって、前記１以上の周波数は、単一パルスとして前記変換器に供給される、システム。
適用例６：
適用例１のシステムであって、前記１以上の周波数は、一連の複数のパルスとして前記変換器に供給される、システム。
適用例７：
適用例１のシステムであって、前記ベースライン応答は、計算モデル、品質保証基板、または、複数の基板の移動平均に基づく、システム。
適用例８：
適用例１のシステムであって、前記システムは、半導体装置に関連する基板操作機構内に組み込まれる、システム。
適用例９：
基板における１以上の欠陥を検出するための非破壊的信号伝搬方法であって、
変換器において、１以上の周波数を電気信号から少なくとも１つの機械的パルスに変換する工程と、
前記少なくとも１つの機械的パルスを前記基板に結合するように前記変換器を配置する工程と、
前記基板に結合されるよう構成された複数の遠位センサを前記変換器の遠位に配置する工程と、
前記少なくとも１つの機械的パルスと、前記少なくとも１つの機械的パルスの任意の歪みと、を前記複数の遠位センサで検出する工程と、
前記検出された少なくとも１つの機械的パルスおよび前記少なくとも１つの機械的パルスの任意の歪みを、ベースライン応答と比較して、前記１以上の欠陥を検出する工程と、を備える、方法。
適用例１０：
適用例９の方法であって、さらに、前記基板に結合されるよう構成された複数の近位センサを前記変換器の近位に配置する工程を備える、方法。
適用例１１：
適用例９の方法であって、電磁スペクトルの可聴帯域部分の範囲内に含まれるように前記１以上の周波数を選択する工程を備える、方法。
適用例１２：
適用例９の方法であって、電磁スペクトルの可聴帯域部分よりも高くなるように前記１以上の周波数を選択する工程を備える、方法。
適用例１３：
適用例９の方法であって、さらに、前記１以上の周波数を単一パルスとして前記変換器に印加する工程を備える、方法。
適用例１４：
適用例９の方法であって、さらに、前記１以上の周波数を一連の複数のパルスとして前記変換器に印加する工程を備える、方法。
適用例１５：
適用例９の方法であって、さらに、前記ベースライン応答を、計算モデル、品質保証基板、または、複数の基板の移動平均に基づかせる工程を備える、方法。
適用例１６：
適用例９の方法であって、さらに、前記１以上の欠陥が前記基板に存在するという結果に基づいて、前記基板の処分を決定する工程を備える、方法。
適用例１７：
基板における１以上の欠陥を検出するための非破壊的信号伝搬システムであって、
１以上の周波数を電気信号から少なくとも１つの機械的パルスに変換するための変換器手段であって、前記少なくとも１つの機械的パルスは前記基板に結合されるよう構成される、変換器手段と、
前記基板に接続し、前記少なくとも１つの機械的パルスと、前記少なくとも１つの機械的パルスの任意の歪みと、を検出するための第１の検出手段と、
前記検出された少なくとも１つの機械的パルスおよび前記少なくとも１つの機械的パルスの任意の歪みを、ベースライン応答と比較するための分析手段と、
を備える、システム。
適用例１８：
適用例１７のシステムであって、さらに、前記基板におけるインピーダンス不整合による前記少なくとも１つの機械的パルスの任意の歪みを検出するための第２の検出手段を備える、システム。
適用例１９：
基板における１以上の欠陥を検出するための非破壊的信号伝搬システムであって、
基板操作機構であって、
１以上の周波数を電気信号から少なくとも１つの機械的パルスに変換するよう構成された変換器であって、前記少なくとも１つの機械的パルスは前記基板に結合されるよう構成される、変換器と、
前記変換器の遠位に配置され、前記基板に結合されるよう構成され、さらに、前記少なくとも１つの機械的パルスと、前記少なくとも１つの機械的パルスの任意の歪みと、を検出するよう構成された複数の遠位センサと、
前記変換器の近位に配置され、前記基板に結合されるよう構成され、さらに、前記少なくとも１つの機械的パルスと、前記少なくとも１つの機械的パルスの任意の歪みと、を検出するよう構成された複数の近位センサと、
を備える基板操作機構と、
前記検出された少なくとも１つの機械的パルスおよび前記少なくとも１つの機械的パルスの任意の歪みを、ベースライン応答と比較するために、前記複数の遠位センサおよび前記複数の近位センサに接続された信号分析器と、を備える、システム。
適用例２０：
適用例１９のシステムであって、前記ベースライン応答は、計算モデル、品質保証基板、または、複数の基板の移動平均に基づく、システム。