【事件の表示】
　平成　８年特許願第　３６０４３号「局部発振回路の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　９月　５日出願公開、特開平　９−２３２８６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【1】   本願は、平成8年2月23日の出願であって、その発明を特定するために必要な事項は、平成13年5月22日付手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項1乃至3に記載されたものであって、その請求項1に記載された発明は次のとおりのものと認められる。
「プリント基板上にチップマウント部品及びマイクロストリップラインで形成した中心導体を有する局部発振回路の製造方法において、
　前記チップマウント部品を搭載するプリント基板のパターン部及び前記マイクロストリップラインに対応させて設けた開口部を有するスクリーンマスクを介して、前記パターン部及びマイクロストリップラインに半田塗布を行った後に、前記プリント基板を加熱して前記マイクロストリップラインの表面全体に半田を広げて半田層を形成することによって、
　前記スクリーンマスクの開口部の大きさを変化させることにより前記半田層の層厚を調整することを特徴とする局部発振回路の製造方法。」
　
【2】    これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された実願平4-1013号（実開平6-5208号）のCD−ROM（以下、「引例1」という。）には、従来技術とこれに関する図面によれば、以下のことが記載されている。
（イ）この考案は、マイクロストリップ共振器を有し、多層基板上に設けられた高周波発振器の周波数調整構造に関し、特に、表面実装素子（ＳＭＤ：Surface Mount Device）による高周波発振器やＳＭＤによる周波数シンセサイザの高周波発振部の周波数調整構造に関する。（段落0001）
（ロ）図５は従来の電圧制御発振器（ＶＣＯ）の第１の構成例を示す回路図である。この図において、１は高周波発振用のトランジスタ、２〜５はＬＣ共振回路のＣ（キャパシタ）に相当するコンデンサ、６はＬＣ共振回路のＣ（キャパシタ）に相当する可変容量コンデンサ、７はλ／４型の誘電体同軸共振器である。なお、図５においては、説明を簡単にするため、トランジスタ１にバイアスを印加する抵抗等は図示していない。
　このような構成において、上述した構成のＶＣＯのフリーランの発振周波数ｆ0を調整するには、図６に示すように、プリント基板８に設けられた切欠部８aに誘電体同軸共振器７を取り付け、誘電体同軸共振器７の開放端面７aの内導体７bと、プリント基板８上に形成された半田盛り用のランド９とを接触片１０を介して半田により電気的に接続した後、発振周波数ｆ0を測定しつつ、ランド９に半田１１を盛る。
　これにより、共振インピーダンスが変化し、このインピーダンスの変化ΔＺがＶＣＯのフリーランの発振周波数ｆ0の変化となるので、所望の発振周波数ｆ0となるようにランド９に半田１１を盛る。（段落0002、段落0003、図5、図6）
（ハ）また、図７は従来のＶＣＯの第２の構成例を示す回路図である。この図において、図５の各部に対応した部分には同一の符号を付け、その説明を省略する。図７において、１２はλ／４型のマイクロストリップ共振器である。なお、図７においても、説明を簡単にするため、トランジスタ１にバイアスを印加する抵抗等は図示していない。
　このような構成において、上述した構成のＶＣＯのフリーランの発振周波数ｆ0を調整するには、発振周波数ｆ0を測定しつつ、図８に示すように、プリント基板１３上に形成されたマイクロストリップ共振器１２の開放端１２a近傍に形成された半田盛り用のランド１４に半田１５を盛る。
　これにより、第１の構成例と同様、共振インピーダンスが変化し、このインピーダンスの変化ΔＺがＶＣＯのフリーランの発振周波数ｆ0の変化となるので、所望の発振周波数ｆ0となるようにランド１４に半田１５を盛る。（段落0004、段落0005、図7、図8）
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された特開平7-178887号公報（以下、「引例2」という。）には以下のことが記載されている。
（ニ）例えば、多数個の電子部品をプリント基板上にハンダ付けにより表面実装する場合がある。このような場合、上記多数の電子部品を一括的にハンダ付けすることができるリフロ−ハンダ付け方法が一般に用いられる。（段落0002）
（ホ）上記プリント基板上にすべての電子部品が載置されたならば、上記プリント基板は電子部品ごとリフロ−炉内に挿入される。このことで、上記ハンダペ−ストは溶融して、上記電子部品は上記プリント基板に一括的に表面実装される。
　このようなリフロ−ハンダ付けを精度良く行うためには、特に上記電極パッドが微細ピッチで設けられている場合には、上記ハンダペ−ストを、上記配線パタ−ンの各電極パッド上に精度良く供給する必要がある。（段落0004、段落0005）
（ヘ）図中１は、印刷用マスク（以下「マスク」という）である。このマスク１はスクリ−ン状の薄板に、上記プリント基板の各配線パタ−ンに対応する開口１ａ…を設けてなるものである。このマスク１の縁部は、枠部材２によって保持されている。
　印刷時には、このマスク１を図に点線で示すプリント基板２の上面に重ねる。そして、図に３で示すスキ−ジを上記マスク２の上面に弾性的に当接させると共に、このスキ−ジ２で上記マスク１上に供給されたハンダペ−スト４を図に矢印（イ）で示す方向に移動させる。このことによって、上記マスク１の各開口１ａ…にはハンダペ−スト４が順次押し込まれていく。
　そして、上記マスク１を上記プリント基板２から離間させれば、上記開口１ａ内に押し込まれたハンダペ−スト５は上記プリント基板２の電極パッド上に転写される。（段落0007、段落0008、段落0009、図5）
　さらに、同じく、原査定の拒絶の理由に引用された特開昭60-185403号公報（以下、「引例3」という。）には以下のことが記載されている。
（ト）マイクロ波ストリップ線路を用いて帯域通過フィルタやトラップフィルタ、方向性結合器等を構成できるが、これは第1図に示すようなプリント基板1上の導電膜に二つ以上のストリップ線路2、3，4，7を所定の間隔だけ離して配置するようにパターンを形成すると、これらパターン間の間隔5、6，8の部分において電磁波が結合し、前述のような回路要素を形成できる。（1頁右下欄8〜15行、第1図）
（チ）本発明の回路基板は、フッ素樹脂基板の表面に形成された銅箔を含み、この基板のどちらか一表面上の銅箔によりマイクロ波ストリップ線路を形成し、同一表面上の複数のストリップ線路が、フィルタ、トラップ、方向性結合器等のマイクロ波における要素回路を構成するように所定の間隙を隔てて配置し、これら銅箔の一部分あるいは全部に、銅箔表面の酸化によるマイクロ波伝搬の損失の増大を防止するための半田層を形成した構造をもつことを特徴とする。（2頁左上欄12行〜同頁右上欄1行、第1図）
（リ）第2図は本発明の一実施例の高周波回路基板の断面図である。フッ素樹脂を用いた基板1の両面に導電箔9、10を形成した回路基板の片方に導電箔9よりなるストリップ線路を形成している。通常これら導電箔は電気抵抗を考慮して銅箔が使用される。ストリップ線路が形成された面の反対側の表面には全体に導電箔10を形成し、これを通常接地してマイクロ波ストリップ線路を形成する。（2頁右上欄4〜11行、第2図）
　
【3】    そこで、請求項1に記載された発明と引例1に記載された発明とを比較すると、引例1の「表面実装素子」は請求項1の「チップマウント部品」に相当し、また引例1の「半田を盛る」はその量により周波数調整を行うものであるから請求項1の「半田塗布」に相当する。したがって、両者は
「プリント基板上にチップマウント部品及びマイクロストリップラインで形成した中心導体を有する局部発振回路の製造方法において、
　前記チップマウント部品を搭載するプリント基板のマイクロストリップラインに半田塗布を行い、マイクロストリップラインの半田の量を調整する局部発振回路の製造方法。」である点で一致し、
（1）請求項1のプリント基板には、マイクロストリップラインの他に半田が塗布されるパターン部が具備されるのに対して、引例1のプリント基板については明示されていない点、
（2）マイクロストリップラインに塗布する半田の量の調整に、請求項1のものが、スクリーンマスクを用いその開口部の大きさを変化させて行うのに対して、引例1のものは発振周波数を測定しつつ半田を盛る点、
（3）請求項1のものが、パターン部及びマイクロストリップラインに塗布した半田を、プリント基板を加熱してマイクロストリップラインの表面全体に広げて半田層にするのに対して、引例1のものはこのようにしていない点、で相違する。
　
【4】    次に、この相違点について検討する。
（1）の相違点について、引例1でも表面実装素子を用いるとおり、プリント基板に、部品が半田により着けられるパターン部を形成することは通常であり、また、引例3には回路基板に半田層を設けたマイクロストリップ線路と共に回路要素が形成される半田層を設けたパターンを形成することが記載されているから、プリント基板に、マイクロストリップラインの他にパターン部を具備することに格別困難性を要しないものと認められる。
（2）の相違点について、引例2には多数個の電子部品が半田付けにより表面実装されるプリント基板の、配線パターンに対応した位置に開口を有する印刷用マスク（スクリーンマスク）を用いて半田ペーストを塗布することが記載されており、また、スクリーンマスクの開口の大きさにより塗布する半田の量を変化させることは周知（例えば、特開昭51-87767号公報、特開平4-35089号公報（2a,2bと2の開口の大きさの違い）、特開平7-101033号公報参照）であるから、スクリーンマスクの開口部の大きさを変化させてマイクロストリップラインに塗布する半田の量を変えることに格別困難性を要しないものと認められる。
（3）の相違点について、プリント基板のパターンに塗布された半田を加熱溶融して広げる、あるいは金属全体に盛ることは周知（例えば特開昭51-87767号公報（第3図、第4図）、特開平4-35089号公報（第3図）、特開平7-170060号公報参照）であるから、引例1に記載されたように半田を盛ることによる調整にかえて、加熱により、マイクロストリップラインの表面全体に半田を広げることにより大きな面積での調整とすることは当業者が必要に応じて適宜なしうることと認められる。
　
【5】    したがって、請求項1に記載された発明は、引例1乃至3に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。