【事件の表示】
　平成　５年特許願第２９４８０４号「光情報記録媒体」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年　５月１９日出願公開、特開平　７−１２９９９９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成５年１０月２９日の出願であって、その請求項１，２に係る発明は、平成１２年６月２７日付け及び平成１４年９月２日付けの手続補正で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１，２に記載されたとおりのものと認められるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。     なお、【数１】の式は、分数表示を含む式を便宜的に１行で表記する際の計算順序に誤解を生じないように、「３（１−ν）ｌ」に［］を付し、かつ「Ｅｂ２／３（１−ν）ｌ」に｛｝を付して認定した。
　【請求項１】「プラスチック基板上に第１保護層、記録層、第２保護層、反射放熱層及び第３保護層を順次積層した構成を有し、レーザービームの照射により情報の記録・消去・再生を可能とする光情報記録媒体において、第１保護層、記録層、第２保護層、反射放熱層及び第３保護層の全応力Ｓが下記一般式を満足することを特徴とする光情報記録媒体。
【数１】
　　　　−｛Ｅｂ２／［３（１−ν）ｌ］｝sinθ≦Ｓ≦＋｛Ｅｂ２／［３（１−ν）ｌ］｝sinθ
（但し、θ：フォーカスサーボ及び／又はトラッキングサーボを可能とするレーザービームの基板への入射角
　　　　Ｅ：基板のヤング率
　　　　ｂ：基板の厚さ
　　　　ｌ：（基板の外径−基板の孔径）×１／２
　　　　ν：基板のポアソン比　　　　　　　　　である）」
　
ＩＩ．引用例
　これに対し、原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前の刊行物である、特開平５−１５１６１８号公報（以下、「引用例１」という。）、及び特開平２−２８５５３４号公報（以下、「引用例２」という。）には、次のように記載されている。
　
　引用例１（特開平５−１５１６１８号公報）には、
　（1-i）「【請求項１】　厚さ０．０５〜１．２ｍｍの熱可塑性を有する基板と、該基板上に形成された高融点物質及び無機記録媒体とを有する光記録媒体において、前記光記録媒体は成膜された基板上の残留応力が３０ＭＰａ以下であることを特徴とする光記録媒体。」（請求項１参照）、
　（1-ii）「【請求項２】　請求項１記載の光記録媒体において、該記録媒体が結晶−非晶質及び結晶−結晶間で可逆的相変化するものであることを特徴とする光記録媒体。」（請求項２参照）、
　（1-iii）「【請求項４】　請求項１記載の光記録媒体の製造方法において、前記高融点物質及び／又は無機記録媒体の成膜中に派生する成膜応力による基板の変形を、逐次矯正処理を施しながら、前記高融点物質及び／又は無機記録媒体を成膜形成することを特徴とする光記録媒体の製造方法。」（請求項４参照）、
　（1-iv）「【０００１】【産業上の利用分野】　本発明は、光ディスク等の光記録媒体に係り、特に、記録再生時のトラッキング特性及び書き換え寿命が良好で、小さな半導体レーザ出力で書き換え可能な高感度の書き換え可能型光記録媒体に関する。」（段落【０００１】参照）こと、
　（1-v）「【０００４】　このように、光ディスクは記録再生効率の向上や信頼性の増加を目的として多層膜構造とする場合が多い。記録媒体を多層膜構造とすれば、記録媒体成膜時の成膜応力によって、基板に変形が生じる。この基板の変形は、成膜材料によっても異なるが、記録媒体が多層膜構造となるほど大きくなる。　一方、ラップトップコンピュータやその他のポータブルな情報処理装置のメモリとして光ディスクを使用する場合は、記録媒体の薄型化が要求されている。記録媒体を薄型化するには、光記録媒体の基板を従来の１．２ｍｍから１．２ｍｍ以下に薄くする必要がある。ここで、基板を薄くすれば基板の薄型化に伴って、記録媒体成膜時の、成膜応力による基板の変形が著しい。このような基板の変形は、記録再生時のトタッキング性能や記録再生信号のＣ／Ｎ、又は書き換え特性を損なうため、その対策が必要である。」（段落【０００４】参照）こと、
　（1-vi）「【０００６】　このように光ディスクの特性向上を目的として前記の誘電体膜又は反射膜を成膜形成させる場合、大きな成膜応力が基板に作用する。この基板に作用する成膜応力は基板を変形させて、記録再生時のトタッキング性能や記録再生信号のＣ／Ｎ、又は書き換え特性を損なう場合が多い。特に、ラップトップコンピュータやその他のポータブルな情報処理装置のメモリとして光記録媒体の基板を従来の１．２ｍｍから１．２ｍｍ以下に薄くする場合、基板が薄くなるほど記録媒体の変形量が増大する。前述したように、このような基板の変形は、記録再生時のトタッキング性能や記録再生信号のＣ／Ｎ又は書き換え特性を損なうため、その対策が必要である。　本発明の目的は、かかる問題を解決して、Ｃ／Ｎ及び消去比特性、並びに書き換え寿命が良好な情報記録媒体、特に、書き換え可能型光記録媒体とその製造方法を提供することにある。」（段落【０００６】参照）こと、
　（1-vii）「【０００９】　次に、本発明を詳細に説明する。　本発明は、光ディスクの記録再生効率の向上や信頼性の増加を目的として、多層膜構造とする場合の、基板の変形を防止して記録再生時のトラッキング性能や記録再生信号のＣ／Ｎ、又は書き換え特性を改善するものであり、光記録媒体、特に、結晶の相変化を利用した相変化型記録媒体として、例えばＩｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金を用い、透明基板／誘電体膜／Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録媒体／誘電体膜／反射膜／保護層からなる構成で、基板を１．２ｍｍ以下に薄くした光記録媒体において、光記録媒体の成膜方法を改善させることにより、記録膜及び光干渉膜又は反射膜を有する光記録媒体の、成膜による基板の変形を防止して、トラッキング性能や記録再生信号のＣ／Ｎ、又は書き換え特性を改善する光記録媒体を得ることを特徴とする。」（段落【０００９】参照）こと、
　（1-viii）「【００１０】　すなわち、光記録媒体の膜構成を前述の透明基板／誘電体膜／Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録媒体／誘電体膜／反射膜／保護層とする多層膜構造とした場合、各層には成膜応力が派生するため、この成膜応力の作用により基板の変形が余儀なくされる。この基板の変形は、成膜層が多層になるほど増大する。これは、各成膜層での成膜応力が基板の変形に加算されるためである。また、光記録媒体の基板厚さが異なっても、記録媒体の成膜形成量はほとんど変化しない。このため、基板が薄くなる場合ほど成膜応力が大きく作用し、記録媒体の変形を増大させる。　ここで、記録媒体の変形防止には、成膜中に基板と成膜物質との収縮率の差によって生じる成膜応力を減少させる必要がある。しかしながら、スパッタ成膜法の場合では、成膜応力を減じるために、スパッタ電流及び電圧又はスパッタガス等のスパッタ条件を変化させても基板の変形を防止することは不可能であった。　【００１１】　ところが、記録媒体をスパッタ法により成膜形成する場合において、各記録媒体層を成膜形成する際に派生する成膜応力は軽減できないが、各記録媒体層を成膜形成後、記録媒体成膜層に応力緩和処理を施すことにより、記録媒体の各成膜層に派生する成膜応力を軽減して基板の変形を防止することができる。そして、この記録媒体の各成膜層に応力緩和処理を施す場合に、各成膜層の矯正処理も同時に施行することにより光記録媒体の変形を防止するものである。すなわち、記録媒体成膜層に応力緩和処理を施すのみでは、記録媒体に残留する成膜応力は軽減できるが、記録媒体への成膜応力により変形は修正できない。一方、記録媒体を平坦にする矯正処理のみでは、記録媒体は平坦になるが、記録媒体に残留応力が残存する。記録媒体に残留応力が残存すれば、光記録媒体を記録再生する際、書き換え特性を低下させる。そのため、光記録媒体はトラッキング特性を良好にするためには平坦で、記録再生信号のＣ／Ｎ、又は書き換え特性を改善するには、残留応力が残存しない記録媒体とすることが望ましい。」（段落【００１０】〜【００１１】参照）こと、
　（1-ix）「【００１５】　本発明は、記録再生のトラッキング性能や書き換え寿命を改善し、記録再生信号のＣ／Ｎを高めるために、光記録媒体の各成膜層の残留応力を３０ＭＰａ以下にするものである。　すなわち、光ディスクの構造を、透明基板／光干渉層／Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録媒体／光干渉層／反射膜／保護層とした場合において、トラッキング性能や書き換え寿命の改善、及び記録再生信号のＣ／Ｎを高めるために、光記録媒体の成膜形成に際して、応力緩和処理及び矯正処理を逐次施した成膜形成法とすることにより前述の光記録媒体特性を得ることが出来る。　・・・（後略）。」（段落【００１５】参照）こと、
　（1-x）「【００１６】【作用】　本発明の、応力緩和処理及び矯正処理を逐次施した成膜形成法により作製した光記録媒体は、成膜中に生じる記録媒体の反り等の変形を防止できるために記録再生のトラッキング性能を向上できる。また、記録媒体の表面応力を３０ＭＰａ以下とすることができ、書き換え寿命を改善し、記録再生信号のＣ／Ｎを高める効果がある。　繰返しの書換え寿命が改善される理由は、前記光記録媒体の表面応力３０ＭＰａ以下とすることにより、書換え時の光記録媒体への熱歪等が緩和される構成膜の熱疲労寿命を向上させるためと考える。　すなわち、光記録媒体の表面応力３０ＭＰａ以下とすることにより、光記録媒体の熱疲労強度を増加させる作用があり、このため、記録媒体に従来生じた膜の剥離及び亀裂の発生を防止する作用があり、繰返しの書換え寿命及び記録再生信号のＣ／Ｎ、消去比特性を改善することができるものと考える。　また、本発明により基板厚さ０．０５〜１．２ｍｍの範囲で、反りなどの変形の少ない前記光記録媒体を作成できる。このため、従来は反りなどの変形を防止することが困難であった基板厚さ０．０５ｍｍの光記録媒体を、反りなどの変形を防止して作成できる。このため、該光記録媒体を用いて装置の小型化を計ることができる。」（段落【００１６】参照）こと、
　（1-xi）「【００２９】【発明の効果】　本発明によれば、光情報記録媒体における反り量を低減できるため、トラッキング特性を良好にする効果がある。また、記録媒体の残留応力も減少するため、記録、消去、書換え時の膜の剥離及び亀裂の生成を防止する効果があり、書き換え寿命を回数で従来ものに比べて２桁以上向上することができる。また、本発明によれば、従来の基板（１．２ｍｍ）よりも厚さを薄くすることができる。そのため、光情報記録装置の小型薄型化が容易となる効果を有する。」（段落【００２９】参照）こと、が記載されている。
　
　引用例２（特開平２−２８５５３４号公報）には、
　（2-i）「（１）樹脂基板上に無機誘電体層と記録層の積層膜および樹脂保護層を有する光記録媒体に於て、該樹脂保護層が２．５〜５．５Ｋｇ／ｍｍ２の引っ張り応力を有し、該記録層及び該無機誘電体層の積層膜が１５〜５５Ｋｇ／ｍｍ２の圧縮応力を有することを特徴とする光記録媒体。」（特許請求の範囲参照）、
　（2-ii）「［産業上の利用分野］　本発明は光ビームにより再生のみまたは記録、再生、消去を行なうことのできる光記録媒体に関する。　　［従来の技術］　光記録媒体は、特開昭５７−７８６５２等に開示されているように、案内溝やプリフォーマット信号が形成された基板に、記録層、記録層をサンドイッチ状に挟む無機誘電体保護層、および光記録媒体の表面保護層（以下、保護層と略）が形成されてなる。この保護層としては、従来ＳｉＯ２等の無機化合物の層が用いられてきた。しかし、表面の保護の為には保護層を厚く、例えば数μｍの厚さに形成する必要があり、ＳｉＯ２等の無機化合物層は脆く、自然に亀裂が生じ易いという問題点があった。そこで、光重合性有機化合物、例えばアクリレート系樹脂組成物を用いた樹脂保護層が提案されている。　しかしながら、従来の樹脂保護層を用いた場合、上記の様な構成の光記録媒体は、無機誘電体保護層の応力が大きいため、初期の反りやスキューが大きく、さらに環境耐久試験（例えば、８０℃、９０ＲＨ、２０００ｈｒ放置）により反りやスキューが大きくなり、評価装置にかからなくなり、記録、再生、消去ができなくなることもあった。また、記録層及び無機誘電体保護層の成膜時の基板の温度上昇を抑え積層膜の応力を小さくした場合、反り及びスキューは減少するが、積層膜の膜質の劣化、例えば無機誘電体薄膜の膜割れや膜の剥離が生じ易く、記録層の腐蝕等が発生し耐久性に劣るという問題点があった。　但し、ここで“反り”は第２図に示す様に媒体の径方向の変形Ａを意味し、“スキュー”は媒体の円周方向の変形を意味する。」（第１頁左下欄１２行〜第２頁左上欄５行参照）こと、
　（2-iii）「また積層膜６の応力は以下の方法により測定した。　即ち積層膜６の応力（σ’）は下式（２）で求められる。
　　σ’＝Ｅｂ２／６（１−ν）ｒｄ　・・・（２）
　　　　Ｅ：基板のヤング率
　　　　ν：　〃のポアソン比
　　　　ｒ：　〃の曲率半径
　　　　ｄ：膜厚
　　　　ｂ：基板の厚さ」（第５頁左上欄１〜９行参照）こと、が記載されている。
　
ＩＩＩ．対比、判断
　そこで、本願発明と引用例１記載の発明とを対比する。
　引用例１には、上記摘示の記載からみて、反り等の変形（成膜応力による基板の変形）を抑制した光記録媒体に関し、「透明基板上に誘電体膜、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録媒体、誘電体膜、反射膜及び保護層を順次積層した構成を有し、レーザ−ビームの照射により情報の記録・消去・再生を可能とする光記録媒体において、光記録媒体は成膜された基板上の残留応力（光記録媒体の表面応力）が３０ＭＰａ以下である光記録媒体。」の発明が記載されているものと認められる。　
　そして、引用例１記載の発明の透明基板上に形成された「誘電体膜」、「Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録媒体」、「誘電体膜」、「反射膜」及び「保護層」は、それぞれ本願発明の「第１保護層」、「記録層」、「第２保護層」、「反射放熱層」、「第３保護層」に相当する。　更に、引用例１記載の発明の「成膜された基板上の残留応力（光記録媒体の表面応力）」とは、「誘電体膜又は反射膜を成膜形成させる場合、大きな成膜応力が基板に作用する。この基板に作用する成膜応力は基板を変形させ」（摘示（1-vi）参照）や「多層膜構造とした場合、各層には成膜応力が派生するため、この成膜応力の作用により基板の変形が余儀なくされる。この基板の変形は、成膜層が多層になるほど増大する。これは、各成膜層での成膜応力が基板の変形に加算されるためである。」（摘示（1-viii）参照）等の記載からみて、透明基板上の誘電体膜、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録媒体、誘電体膜、反射膜及び保護層からなる積層膜の残留全応力（即ち、全応力と等価）と解するのが相当である。
　してみると、両発明は、いずれも基板上の積層膜の全応力を制御することにより基板の反りを抑制した光情報記録媒体に関し、
「プラスチック基板上に第１保護層、記録層、第２保護層、反射放熱層及び第３保護層を順次積層した構成を有し、レーザービームの照射により情報の記録・消去・再生を可能とする光情報記録媒体において、第１保護層、記録層、第２保護層、反射放熱層及び第３保護層の全応力Ｓが特定の条件（式）を満足することを特徴とする光情報記録媒体。」
の発明で一致し、プラスチック基板上の第１保護層、記録層、第２保護層、反射放熱層及び第３保護層の全応力（Ｓ）の特定の条件（式）に関して、本願発明では下記の一般式（以下、「数１式」という。）を満足することと規定されているのに対し、引用例１記載の発明では３０ＭＰａ以下と規定されている点で相違する。
　数１式　　　−｛Ｅｂ２／［３（１−ν）ｌ］｝sinθ≦Ｓ≦＋｛Ｅｂ２／［３（１−ν）ｌ］｝sinθ
　（但し、θ：フォーカスサーボ及び／又はトラッキングサーボを可能とするレーザービームの基板への入射角　Ｅ：基板のヤング率　ｂ：基板の厚さ　ｌ：（基板の外径−基板の孔径）×１／２　ν：基板のポアソン比　である。）
　
　この相違点について検討する。
　ところで、引用例２には、無機誘電体保護層などを形成した光記録媒体において、無機誘電体保護層の応力が大きいため、反りが大きくなる旨記載（摘示（2-ii）参照）され、また、無機誘電体保護層と記録膜の積層膜について、「積層膜６の応力（σ’）は下式（２）で求められる。
　　σ’＝Ｅｂ２／６（１−ν）ｒｄ　・・・（２）
　　　　Ｅ：基板のヤング率　　ν：　〃のポアソン比　　ｒ：　〃の曲率半径　　ｄ：膜厚　　ｂ：基板の厚さ」と記載（摘示（2-iii）参照）されている。
そして、上記（２）式の右辺は「Ｅｂ２」を「６（１−ν）ｒｄ」で割ることを意味すると解するのが相当であるから、（２）式は、
　　１／ｒ＝６ｄ（１−ν）σ’／［Ｅｂ２］
と変形することができ、更に、ｒ，ｄ，ν，σ’，Ｅ，ｂを、それぞれＲ，ｄ，νS，σ，ＥS，Ｄと表記を代えると、次のように表記（以下、（２）’式という。）できる。
　　１／Ｒ＝６ｄ（１−νS）σ／［ＥSＤ２］  ・・・（２）’
　
　ここで、基板上の薄膜の応力について、薄膜の厚さｄが極めて小さく基板の厚さＤに比べて無視でき、中立面が基板の中央にある場合に、次の（７）式で表すことができること、及び、薄板の一端を固定しその自由端の変位を測定する場合に基板の長さをｌとすれば、（７）式は次の（８）式に書けることが知られている（例えば、「薄膜の力学的特性評価技術−トライポロジ−・内部応力・密着性−」株式会社リアライズ社、平成４年３月１９日発行、第２２５〜２３１頁、参照）。
　　　　１／Ｒ＝６ｄ（１−νS）σ／［ＥSＤ２］　　 （７）
　　　　　　δ＝３ｌ２（１−νS）σ／［ＥSＤ２］　 （８）
　（ここで、σ：薄膜の応力，　δ：変位量，　ｌ：薄膜の長さ＝基板の長さ，　νS：基板のポアソン比，　ＥS：基板のヤング率，　Ｄ：基板の厚さ，　Ｒ：曲率半径　ｄ：薄膜の膜厚　である。）
　してみると、（２）’式と（７）式中の各記号Ｒ、ｄ、νS、σ、ＥSが両式で同じ意味であることを勘案して、前記（２）’式は、周知例で示した（７）式に相当することが明らかである。
　更に、前記薄板の一端を固定しその自由端の変位を測定する場合に基板の長さをｌとする場合には、本願明細書の図２において中心部を固定しかつ中心部からｌ（即ち、（基板の外径−基板の孔径）×１／２に相当）だけ離れた最外周の変位δを測定することと等価であると認められるところ、周知例のこの（７）式（即ち（２）’式）を、
　　δ＝３ｌ２（１−νS）σ／ＥSＤ２  　　　（８）
と書き換えできることが示されていて、薄膜の応力σは、薄膜の全応力Ｓfに他ならないから、この式を本願発明での表示で書き改めると、次式（８）’となる。
　　δ＝｛３（１−νS）ｌ２／ＥSＤ２｝Ｓf　　（８）’
この（８）’式は本願明細書の段落【０００７】に示された（４）式そのものである。
　そうであるから、本願明細書に記載された（４）式は、光記録媒体における積層膜の全応力を表す式であることが、前記周知技術を勘案して引用例２に明らかにされているものと認められる。　なお、本願明細書にも「基板変形量δは式（４）の関係を示すことが知られている」と記載されている。
　
　以上の如く、プラスチック基板の反り（記録媒体の反り）が、記録媒体の全応力Ｓによって生じることが明らかである。　かつ、プラスチック基板の反り（記録媒体の反り）δが、光情報の記録・再生・消去を行う際のフォーカスサーボやトラッキングサーボを可能にする範囲に調整されなければならないことは当然のことである。
　そして、反りに相当するδは、充分小さいことを考慮すれば、反り角θとは、δ＝ｌsinθの関係で表せることが自明であるから、前記（８）’式（即ち（４）式）は、
　　ｌsinθ＝｛３ （１−νS）ｌ２／ＥSＤ２｝Ｓｆ　即ち、
　　ｌsinθ＝｛３ （１−ν）ｌ２／Ｅｂ２｝Ｓｆ
となり、更に、
　　Ｓｆ＝｛Ｅｂ２／［３（１−ν）ｌ］｝sinθ　・・（Ａ）’
と変形でき、Ｓｆ＝Ｓであるから、
　　Ｓ＝｛Ｅｂ２／［３（１−ν）ｌ］｝sinθ　・・・（Ａ）
と書き表すことができる。
　一方、フォーカスサーボ、トラッキングサーボを可能とする変形（反り）限界を±θとすれば、前記（Ａ）式に±θを代入して表されるＳが最大許容限界を意味することに他ならないから、基板の反りの発生原因となる基板上の積層膜の全応力Ｓは、下記の数１式で規定されることが自ずと明らかである。
　数１式　　−｛Ｅｂ２／［３（１−ν）ｌ］｝sinθ≦Ｓ≦＋｛Ｅｂ２／［３（１−ν）ｌ］｝sinθ
　よって、数１式は、当業者であれば容易に導き出せるものと認められる。
　
　ところで、本願発明で特定する数１式の規定による意義（作用効果）について検討すると、本願発明は、数１式によってフォーカスサーボやトラッキングサーボを可能とする変形限界をしめしているところ、数１式を満たせばサーボが可能となり、数１式を満たさなければサーボが出来ないことを意味するに他ならない。　このことは、ある光情報記録媒体を再生装置で再生してサーボが可能であれば本願発明の記録媒体であり、サーボが適切にできなければ本願発明の記録媒体でないことを意味するものである。
　そうであるから、本願発明は、再生装置で適切に再生できる記録媒体すべてを発明としていることになり、本願発明の記録媒体は、適切に再生できるという記録媒体が当然に有している作用効果を奏しているに過ぎず、その点に何ら予想外の作用効果はないというべきである。　なお、ものの発明を特定する表現形式が異なるとしても、その発明とされるもの（記録媒体）が実体として本質的に同じあれば、それは単なる表現上の相違にすぎない。
　
　審判請求人は、請求理由において、「文献１（注：引用例１）に記載の発明においては、基板変形を基板に生じる応力を緩和させることにより、具体的には、基板を加熱、加圧処理することにより解決しているのであります。本願発明では、このような処理は、特に必要とされないものであります。　これに対し、本願発明は、膜の質を制御し、各層の応力バランスを制御することにより、基板変形を低減させるものであります。　したがって、本願発明と文献１に記載の発明とはその技術思想において明確に相違し」と主張しているけれども、本願発明では単に積層構成と積層の全応力が規定されているだけで、その応力をどのように制御するのかは構成とされていないのであるから、前記審判請求人の主張は採用できない。
　
　以上のとおりであるから、引用例１記載の発明において全応力を数値限定する代わりに数１式の如き不等式で規定することは、格別の創作能力が必要とされるものではなく、また格別予想外の作用効果を奏しているとも認められない。
　よって、本願発明は、周知技術を勘案し引用例１と引用例２記載の発明に基づいて当業者が容易に想到し得る。
　
ＩＶ．むすび
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。