Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月13日(2012.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔度検出用のシステムであって、前記システムは、
メモリ格納装置と、
前記メモリ格納装置に接続した処理部とを有し、前記処理部は、
鋳造品について実温度プロファイルを作成し、
前記実温度プロファイルに多項式を当てはめ、
前記当てはめた多項式と前記実温度プロファイルとを比較し、
前記比較で、前記実温度プロファイルのピーク値が、前記多項式のピーク値よりも小さい場合、前記鋳造品中に空巣が存在することを示すことを特徴とする。    
【請求項２】
前記鋳造品は、銅鋳造品またはアルミニウム鋳造品の一方からなることを特徴とする、請求項１のシステム。
【請求項３】
前記鋳造品について前記温度プロファイルを作成する前記処理部が、前記鋳造品の第１の端部から前記鋳造品の第２の端部にまでの前記鋳造品の前記実温度プロファイルを作成する前記処理部を有することを特徴とする、請求項１のシステム。
【請求項４】
赤外線装置から、前記鋳造品についての前記実温度プロファイルに対応したデータを受信する前記処理部をさらに有することを特徴とする、請求項１のシステム。
【請求項５】
前記比較において、前記実温度プロファイルの前記ピーク値が、前記多項式の前記ピーク値よりも大きいか、または、前記多項式の前記ピーク値に等しいかのどちらか一方である場合、前記鋳造品中に空巣が存在しないことを示す前記処理部をさらに有することを特徴とする、請求項１のシステム。
【請求項６】
前記鋳造品中に空巣が存在しないという表示に対応して、前記鋳造品に関わる鋳造工程を加速する前記処理部をさらに有することを特徴とする、請求項１のシステム。
【請求項７】
前記鋳造品中に空巣が存在するという表示に対応して、前記鋳造品に関わる鋳造工程を減速する前記処理部をさらに有することを特徴とする、請求項１のシステム。
【請求項８】
前記実温度プロファイルに前記多項式を当てはめる工程が、２次多項式からなる多項式を当てはめる工程を有することを特徴とする、請求項１のシステム。
【請求項９】
多孔度を検出する方法であって、前記方法は、
鋳造品について実温度プロファイルを作成する工程と、
前記実温度プロファイルに２次多項式を当てはめる工程と、
前記当てはめた２次多項式と前記実温度プロファイルとを比較する工程と、
前記比較で、前記実温度プロファイルのピーク値が、前記２次多項式のピーク値よりも小さい場合、前記鋳造品中に空巣が存在することを示す工程を有する。
【請求項１０】
前記鋳造品について前記実温度プロファイルを作成する工程が、銅鋳造品またはアルミニウム鋳造品の一方からなる前記鋳造品について前記実温度プロファイルを作成する工程を有することを特徴とする、請求項９の方法。
【請求項１１】
前記鋳造品について前記実温度プロファイルを作成する工程が、前記鋳造品の第１の端部から前記鋳造品の第２の端部まで、前記鋳造品について前記実温度プロファイルを作成する工程を有することを特徴とする、請求項９の方法。
【請求項１２】
赤外線装置から、前記鋳造品についての実温度に対応したデータを受信する工程をさらに有することを特徴とする、請求項９の方法。
【請求項１３】
前記比較において、前記実温度プロファイルの前記ピーク値が、前記２次多項式の前記ピーク値よりも大きいか、または、前記２次多項式の前記ピーク値に等しいかのどちらか一方である場合、前記鋳造品中に空巣が存在しないことを示す工程をさらに有することを特徴とする、請求項９の方法。        
【請求項１４】
前記鋳造品中に空巣が存在しないという表示に対応して、前記鋳造品に関わる鋳造工程を加速する工程をさらに有することを特徴とする、請求項１３の方法。
【請求項１５】
前記鋳造品中に空巣が存在するという表示に対応して、前記鋳造品に関わる鋳造工程を減速する工程をさらに有することを特徴とする、請求項９の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月24日(2012.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に結合させた少なくとも２種類のフォーム要素から成るシート状複合材料において、(i)ブロック状の可撓性フォーム基材および(ii)ポリウレタンを基剤とする分散液から形成される泡立フォーム層であって、該可撓性フォーム基材へ二次元的に結合された該泡立フォーム層を具備することを特徴とする該シート状複合材料。
【請求項２】
泡立フォーム層が、該層の表面の全体または一部に穿孔、特に微穿孔を有することを特徴とする、請求項１に記載の複合材料。
【請求項３】
ブロック状の可撓性フォームと泡立フォーム層とを結合させることを特徴とする、請求項１または２に記載の複合材料の製造方法。
【請求項４】
以下のａ）〜ｆ）の工程が行われることを特徴とする請求項３に記載の方法：
ａ）剥離紙を準備し、泡立フォーム、特に２００〜８００ｇ／ｌの範囲の密度を有する泡立フォームを該剥離紙の表面の全体または一部に塗布し、
ｂ）特に７０℃〜１７０℃の範囲に上昇させた温度で、工程ａ）で塗布した該泡立フォーム層を硬化させることによって、泡立フォーム層を形成させ、
ｃ）接着剤層、特に水性ポリウレタン分散液に基づく接着剤層を、該泡立フォーム層の該剥離紙とは反対側の面および／またはブロック状の可撓性フォームシートに塗布し、
ｄ）該ブロック状の可撓性フォームと該泡立フォームとを、該接着剤層を介在させることによって貼合せ、
ｅ）該接着剤層を硬化させ、
ｆ）該剥離紙を取り除く。
【請求項５】
可動性または不動性の対象物もしくは装置を被覆および／または外装するための、請求項１または２に記載の複合材料の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月10日(2012.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマー材料の結晶化を達成するための複数順次処理の方法であって、
ミキサに前記ポリマー材料を給送するステップと、
前記ミキサの中で前記ポリマー材料を混合するステップと、
前記ミキサから前記ポリマー材料を押出すステップと、
押出された前記ポリマー材料をペレット化するステップと、
ペレット化された前記ポリマー材料を第１の乾燥機に搬送する第１の搬送ステップとを備え、第１の温度の前記ペレット化されたポリマー材料を第１の搬送媒体を用いて搬送し、さらに
前記ペレット化されたポリマー材料を前記第１の乾燥機の中で乾燥させる第１の乾燥ステップと、
乾燥された前記ペレット化されたポリマー材料をペレット結晶化システムへ搬送する第２の搬送ステップとを備え、第２の温度の前記ペレット化されたポリマー材料を第２の搬送媒体を用いて搬送し、さらに
前記ペレット結晶化システムの中で前記ペレット化されたポリマー材料を結晶化するステップと、
結晶化されペレット化された前記ポリマー材料を第２の乾燥機に搬送する第３の搬送ステップとを備え、第３の温度の前記結晶化されペレット化されたポリマー材料を第３の搬送媒体を用いて搬送し、さらに
前記結晶化されペレット化されたポリマー材料を乾燥させる第２の乾燥ステップを備え、
前記第１、第２および第３の温度は異なっている、複数順次処理の方法。
【請求項２】
前記第１、第２および第３の搬送媒体は水である、請求項１に記載の複数順次処理の方法。
【請求項３】
前記第１の温度は前記第３の温度よりも低く、結晶化を向上させる、請求項１に記載の複数順次処理の方法。
【請求項４】
前記ポリマー材料を混合する前記ステップは混合処理条件で起こり、前記ポリマー材料を押出す前記ステップは押出処理条件で起こり、前記混合処理条件および前記押出処理条件の両者のうち少なくとも１つの共通条件は異なっている、請求項１に記載の複数順次処理の方法。
【請求項５】
前記第１、第２および第３の搬送ステップのうち１つ以上は、加圧された不活性ガスを噴射して前記ペレット化されたポリマー材料の冷却を最小限にすることを備える、請求項１に記載の複数順次処理の方法。
【請求項６】
前記第１の乾燥機および前記第２の乾燥機は同じ乾燥機である、請求項１に記載の複数順次処理の方法。
【請求項７】
前記ペレット化されたポリマー材料を乾燥させる前記第１の乾燥ステップは第１の乾燥処理条件で起こり、前記結晶化されペレット化されたポリマー材料を乾燥させる前記第２の乾燥ステップは第２の乾燥処理条件で起こり、前記第１および第２の乾燥条件の両者のうち少なくとも１つの共通条件は異なっている、請求項１に記載の複数順次処理の方法。
【請求項８】
ポリマー材料の結晶化を達成するための複数順次処理の方法であって、
ポリマー材料を結晶化されペレット化されたポリマー材料に処理する複数順次処理ステップを設けるステップを備え、前記ステップは、
前記ポリマー材料をミキサに給送するステップと、
前記ミキサの中で前記ポリマー材料を混合するステップと、
前記ミキサから前記ポリマー材料を押出すステップと、
押出された前記ポリマー材料をペレット化するステップと、
ペレット化された前記ポリマー材料を第１の乾燥機に搬送する第１の搬送ステップと、
前記ペレット化されたポリマー材料を前記第１の乾燥機の中で乾燥させる第１の乾燥ステップと、
乾燥された前記ペレット化されたポリマー材料をペレット結晶化システムに搬送する第２の搬送ステップと、
前記ペレット結晶化システムの中で前記ペレット化されたポリマー材料を結晶化するステップと、
結晶化されペレット化された前記ポリマー材料を第２の乾燥機に搬送する第３の搬送ステップと、
前記結晶化されペレット化されたポリマー材料を乾燥させる第２の乾燥ステップとを備え、前記方法はさらに
前記処理ステップの各々を処理条件で動作させるステップを備え、
前記処理ステップの各々は前記処理ステップの他の各々とは異なる少なくとも１つの条件で動作する、複数順次処理の方法。
【請求項９】
前記搬送ステップのうち１つ以上の中に加圧された不活性ガスを噴射して搬送速度を速めて前記ペレットの冷却を最小限にすることをさらに備える、請求項８に記載の複数順次処理の方法。
【請求項１０】
処理条件は温度である、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
処理条件は圧力である、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
処理条件は流量である、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
処理条件は滞留時間である、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
処理条件は攪拌速度である、請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
処理条件は移動剤である、請求項８に記載の方法。
【請求項１６】
前記複数順次処理ステップのうち少なくとも１つの構成要素の少なくとも一部を少なくとも１つの構成要素層で表面処理するステップをさらに備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの構成要素層は、洗浄、脱脂、エッチング、下塗りコーティング、荒面仕上げ、グリットブラスト、サンドブラスト、ピーニング、酸洗い、酸洗浄、塩基洗浄、窒化、炭窒化、電解めっき、無電解めっき、溶射、熱溶射、プラズマ溶射、焼結、浸漬被覆、粉体塗装、真空蒸着、化学気相成長、物理気相成長、スパッタリング、スプレーコーティング、ロール塗布、ロッドコーティング、押出、回転成形、スラッシュ成形、反応性コーティング、またはリン酸処理剤、またはその組合せである、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記複数順次処理のうち少なくとも１つの構成要素の少なくとも一部を少なくとも１つの構成要素層で表面処理するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記少なくとも１つの構成要素層は、洗浄、脱脂、エッチング、下塗りコーティング、荒面仕上げ、グリットブラスト、サンドブラスト、ピーニング、酸洗い、酸洗浄、塩基洗浄、窒化、炭窒化、電解めっき、無電解めっき、溶射、熱溶射、プラズマ溶射、焼結、浸漬被覆、粉体塗装、真空蒸着、化学気相成長、物理気相成長、スパッタリング、スプレーコーティング、ロール塗布、ロッドコーティング、押出、回転成形、スラッシュ成形、反応性コーティング、またはリン酸処理剤、またはその組合せである、請求項１８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月7日(2011.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビデオ機器の電子回路内でリセット動作を実行する方法であって：
電源のフィルタ・キャパシタ内に電荷を満たすために該電源内に補充電流を生成し、通常動作中に前記電子回路に電力を供給する出力電源電圧を生じる段階；
切り替え制御信号を生成する段階；
前記切り替え制御信号を前記電子回路のリセット入力に印加し、前記リセット動作を実行する段階；
前記切り替え制御信号に応答して、切り替え動作により、前記フィルタ・キャパシタに抵抗器を選択的に結合し、前記キャパシタ内に切り替え放電電流を生成する段階；及び
前記電源をディスエーブルして前記補充電流の生成を止め、それにより前記切り替え制御信号に応答して、前記出力電源電圧が前記通常動作中の電圧レベルの５％未満まで低下する前に、前記フィルタ・キャパシタ内に前記電荷が満たされるのを防ぐ段階、
を有し、
前記抵抗器は、前記切り替え制御信号の生成に続く２秒間隔の終わりに、前記出力電源電圧を前記出力電源電圧の通常動作電圧レベルの５％未満に低減するのに十分低い抵抗値を有し、
１０倍大きい抵抗値では、前記出力電源電圧は、前記２秒間隔の前記終わりで５％のレベルより大きい、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記ユーティライゼーション回路はセット・トップ・ボックスに含まれる、
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
ビデオ機器であって：
電源内に補充電流を生成して該電源のフィルタ・キャパシタ内に電荷を満たし、前記ビデオ機器の電子回路に電力を供給する出力電源電圧を生じる該電源；
前記ビデオ機器の前記電子回路に結合され前記電子回路内でリセット動作を実行する切り替え制御信号を生成する第１のスイッチ；
抵抗器；及び
前記切り替え制御信号に応答して、前記フィルタ・キャパシタに抵抗器を選択的に結合し、前記キャパシタ内に切り替え放電電流を生成する第２のスイッチ；
を有し、
前記抵抗器は、前記切り替え制御信号の生成に続く２秒間隔の終わりに、前記出力電源電圧を前記出力電源電圧の通常動作電圧レベルの５％未満に低減するのに十分低い抵抗値を有し、
１０倍大きい抵抗値では、前記出力電源電圧は、前記２秒間隔の前記終わりで５％のレベルより大きく、
前記制御信号は、前記電源内の前記補充電流の生成をディスエーブルし、それにより前記フィルタ・キャパシタ内に前記電荷が満たされるのを防ぐために、前記切り替え制御信号に応答して、前記出力電源電圧が前記通常動作中の電圧レベルの５％未満まで低下する前に前記電源に印加される、
ことを特徴とするビデオ機器。
【請求項４】
前記抵抗値は、前記出力電源電圧を前記２秒間隔の終わりに２分の１ボルトより少なく低減するよう選択される、
ことを特徴とする請求項３に記載の機器。
【請求項５】
前記第２のスイッチは、トランジスタを有し、
前記抵抗器は該トランジスタのプルアップ抵抗器を有する、
ことを特徴とする請求項３に記載の機器。
【請求項６】
前記電源に電力を供給する入力電源電圧源；
を更に有し、
前記スイッチは、早期電力障害信号を生成するために該入力電源電圧にも応答する、
ことを特徴とする請求項３に記載の機器。
【請求項７】
前記早期電力障害信号は、前記第２のスイッチと前記抵抗器との間の接合端子に生成される、
ことを特徴とする請求項５に記載の機器。
【請求項８】
前記切り替え制御信号は、前記電子回路内で前記リセット動作を実行するために前記第２のスイッチを介して前記ビデオ機器の前記電子回路に結合される、
ことを特徴とする請求項３に記載の機器。
【請求項９】
前記電源に電力を供給する入力電源電圧源；
を更に有し、
前記第２のスイッチは、早期電力障害信号を生成するために該入力電源電圧にも応答する、
ことを特徴とする請求項８に記載の機器。
【請求項１０】
前記切り替え制御信号は、前記電源内の障害に応答して生成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記切り替え制御信号は、ユーザの開始したリセット動作に応答して生成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月16日(2012.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハ製造をモニタリングする方法であって、前記方法は、モニタされる対象の測定可能な特性を検出するステップを含み、前記モニタされる対象は、製造環境内の分離されたウェハ処理場所の間でウェハを輸送するために設けられた、ロードされたウェハの輸送体を備え、
前記方法は、前記検出するステップの前に、１以上の半導体ウェハを処理するステップと、前記１以上の処理されたウェハを前記ウェハの輸送体へとロードするステップとを含み、
前記処理するステップは、前記測定可能な特性を変化させ、
前記検出するステップは、前記測定可能な特性における変化を検出する、方法。
【請求項２】
前記処理するステップの前に、前記ロードされたウェハの輸送体の前記測定可能な特性を検出するステップと、前記処理するステップへ向けて前記１以上のウェハをアンロードするステップとを含み、処理後に検出された前記測定可能な特性は、前記処理工程をモニタするために、処理前に検出された前記測定可能な特性と比較される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ロードされたウェハの輸送体を、前記処理するステップが生じる処理ゾーンと、前記検出するステップが生じる測定ゾーンとの間で移動させるステップを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記処理するステップは、ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、およびＰＶＤといった材料を蒸着する技術、および／または、化学エッチング、ＣＭＰといった材料を除去する技術、クリーニング、イオン注入、リソグラフィ等を含む、請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記ウェハの輸送体は、正面開口式一体型ポッド（ＦＯＵＰ）または、標準マシンインターフェイス（ＳＭＩＦ）である、先行する請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記検出するステップは、前記ロードされたウェハの輸送体の前記質量を測定するステップを含む、先行する請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記検出するステップは、計量装置で、前記ロードされたウェハの輸送体の重力による重量を測定するステップを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記計量装置における大気によって前記ロードされたウェハの輸送体に作用する浮力を決定するステップを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記検出するステップは、前記ロードされたウェハの輸送体を振動させて、前記ウェハの輸送体の周波数応答を測定するステップを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
処理されるべき１以上の半導体ウェハがロードされたウェハの輸送体に対する第１の計量測定値を得るステップと、
第１の処理場所において、前記半導体ウェハを前記ウェハの輸送体からアンロードするステップと、
前記アンロードされた半導体ウェハに第１の処理を実行するステップと、
前記処理された半導体ウェハを前記ウェハの輸送体に再ロードするステップと、
前記処理された半導体ウェハがロードされた前記ウェハの輸送体に対する第２の計量測定値を得るステップと、
前記ウェハの前記処理をモニタするために、前記第１および第２の計量測定値を比較す
るステップと、
前記ウェハの輸送体を、前記第１の処理場所から離れた第２の処理場所へ移動させるステップと、
前記第２の処理場所において、前記半導体ウェハを前記ウェハの輸送体からアンロードするステップと、
前記アンロードされた半導体ウェハに第２の処理を実行するステップと、
前記処理された半導体ウェハを前記ウェハの輸送体に再ロードするステップと、
前記処理された半導体ウェハがロードされた前記ウェハの輸送体に対する第３の計量測定値を得るステップと、
前記ウェハの前記処理をモニタするために、前記第２および第３の計量測定値を比較するステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
半導体ウェハ製造をモニタリングする装置であって、前記装置は、
１以上の半導体ウェハがロードされたウェハの輸送体の重量を測定するための計量装置を備え、前記ウェハの輸送体は、製造環境内の分離されたウェハ処理場所の間でウェハを輸送するために設けられ、
前記計量装置における大気によって前記輸送体に作用する浮力を決定するために設けられるモニタリング手段をさらに備える、装置。
【請求項１２】
半導体ウェハ製造をモニタリングする装置であって、前記装置は、
半導体ウェハがロードされたウェハの輸送体を支持する支持構造体を備え、前記ウェハの輸送体は、製造環境内の分離されたウェハ処理場所の間でウェハを輸送するために設けられ、
前記ウェハの輸送体を振動させるために設けられる、振動励起装置と、
前記ウェハの輸送体の周波数応答を測定するための測定装置とをさらに備える、装置。
【請求項１３】
半導体ウェハ製造をモニタリングする方法であって、前記方法は、モニタされる対象の測定可能な特性を検出するステップを含み、前記モニタされる対象は、複数の半導体ウェハを備え、
前記方法は、前記検出するステップの前に、前記複数の半導体ウェハを処理するステップを含み、前記処理するステップは、前記測定可能な特性を変化させ、
前記検出するステップは、前記処理するステップによって起こされる、測定可能な特性における変化を検出する、方法。
【請求項１４】
前記各処理ステップは、各ウェハの材料の０．５％未満に対して影響を与える、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記測定可能な特性を検出するステップは、大気による浮力が補正された質量測定、フーリエ変換赤外（ＦＴＩＲ）分光、または、Ｘ線反射率測定（ＸＲＲ）のいずれかを用いて計量測定値を得るステップを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記複数の半導体ウェハの前記測定可能な特定を検出するステップは、
前記複数の半導体ウェハに対する第１のグループの計量測定値を得るステップと、
前記半導体ウェハを処理するステップと、
処理後に、前記複数の半導体ウェハに対する第２のグループの計量測定値を得るステップと、
前記第１および第２のグループの計量測定値を比較するステップとを含む、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月7日(2011.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のプロトコルおよび第２のプロトコルと互換性のある基地局（ＢＳ）と網間接続している移動局（ＭＳ）であって、
該ＢＳと同期をとるための同期ユニットと、
該ＢＳから第１のプロトコルブロードキャスト情報を取得するためのブロードキャスト情報取得ユニットと、
該ＭＳが該第１のプロトコルをサポートするか、または該第２のプロトコルをサポートするかに従って、第１のオペレーションモードまたは第２のオペレーションモードを選択するための、オペレーションモード選択ユニットとを含み、
該ＭＳが、該第２のプロトコルをサポートするとき、該第１のプロトコルブロードキャスト情報に従って、第２のプロトコルＭＡＰ情報が取得されて、該第２のプロトコルＭＡＰ情報に従って、所定のチャネルを経由して、データが該ＢＳに送信される、移動局（ＭＳ）。 
【請求項２】
請求項１に記載のＭＳにおいて、電力、タイミング、および周波数オフセットを調整するための測距ユニットをさらに含むＭＳ。
【請求項３】
請求項１に記載のＭＳにおいて、該第１のプロトコルがＩＥＥＥ８０２．１６ｅであり、該第２のプロトコルがＩＥＥＥ８０２．１６ｍであるＭＳ。
【請求項４】
請求項３に記載のＭＳにおいて、ＩＥＥＥ８０２．１６ｍフレームが、ＩＥＥＥ８０２．１６ｅフレーム内のプリアンブルを再使用する、及び／又は該ＩＥＥＥ８０２．１６ｍフレームが、ＩＥＥＥ８０２．１６ｅゾーンとＩＥＥＥ８０２．１６ｍゾーンとを含むＭＳ。
【請求項５】
請求項４に記載のＭＳにおいて、  該ＩＥＥＥ８０２．１６ｍゾーンが、ＴＴＧギャップおよびＲＴＧギャップが埋め込まれた状態で、複数のＤＬサブフレームとＵＬサブフレームとを含むＭＳ。
【請求項６】
請求項４に記載のＭＳにおいて、該ＩＥＥＥ８０２．１６ｅ内のＦＣＨフィールドが、該ＩＥＥＥ８０２．１６ｍゾーンのＩＥＥＥ８０２．１６ｍ  ＭＡＰを指すポインタを含むＭＳ。
【請求項７】
請求項４に記載のＭＳにおいて、拡張されたＭＡＰ  ＩＥまたはＤＣＤメッセージ／ＵＣＤメッセージが、該ＩＥＥＥ８０２．１６ｍゾーンのＩＥＥＥ８０２．１６ｍ  ＭＡＰを指すポインタを含むＭＳ。
【請求項８】
ＭＳが、ネットワークエントリと、第１のプロトコルおよび第２のプロトコルと互換性のあるＢＳとの通信とを実行するための方法であって、
該ＭＳによって、該ＢＳと同期をとるステップと、
該ＭＳによって、該ＢＳから第１のプロトコルブロードキャスト情報を取得するステップと、
該ＭＳが該第１のプロトコルをサポートするか、または該第２のプロトコルをサポートするかに従って、該ＭＳによって、第１のオペレーションモードまたは第２のオペレーションモードを選択するステップとを含み、
該ＭＳが該第２のプロトコルをサポートするとき、該ＭＳが、該第１のプロトコルブロードキャスト情報に従って、第２のプロトコルＭＡＰ情報を取得して、該第２のプロトコルＭＡＰ情報に従って、所定のチャネルを経由して、データを該ＢＳに送信する方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法において、該第１のプロトコルブロードキャスト情報が取得された後に、測距ステップをさらに含む方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の方法において、該第１のプロトコルがＩＥＥＥ８０２．１６ｅであり、該第２のプロトコルがＩＥＥＥ８０２．１６ｍである方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法において、ＩＥＥＥ８０２．１６ｍフレームが、ＩＥＥＥ８０２．１６ｅフレーム内のプリアンブルを再使用する、及び/又は該ＩＥＥＥ８０２．１６ｍフレームが、ＩＥＥＥ８０２．１６ｅゾーンとＩＥＥＥ８０２．１６ｍゾーンとを含む方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法において、該ＩＥＥＥ８０２．１６ｍゾーンが、ＴＴＧギャップおよびＲＴＧギャップが埋め込まれた状態で、複数のＤＬサブフレームとＵＬサブフレームとを含む方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の方法において、該ＩＥＥＥ８０２．１６ｅ内のＦＣＨフィールドが、該ＩＥＥＥ８０２．１６ｍゾーンのＩＥＥＥ８０２．１６ｍ  ＭＡＰを指すポインタを含む方法。
【請求項１４】
請求項１１に記載の方法において、拡張されたＭＡＰ  ＩＥまたはＤＣＤメッセージ／ＵＣＤメッセージが、該ＩＥＥＥ８０２．１６ｍゾーンのＩＥＥＥ８０２．１６ｍ  ＭＡＰを指すポインタを含む方法。
【請求項１５】
ＩＥＥＥ８０２．１６ｅと互換性のあるＩＥＥＥ８０２．１６ｍフレームを形成する方法であって、
ＩＥＥＥ８０２．１６ｅフレーム内のプリアンブルを再使用するステップと、
ＩＥＥＥ８０２．１６ｅゾーンならびにＩＥＥＥ８０２．１６ｍゾーンを、それぞれ、アップリンクフレームおよびダウンリンクフレームに結合するステップと、
該ダウンリンクフレームの該ＩＥＥＥ８０２．１６ｅゾーンのＦＣＨ内に、該ダウンリンクフレームの該ＩＥＥＥ８０２．１６ｍゾーンのＩＥＥＥ８０２．１６ｍ  ＭＡＰを指すポインタを提供するステップとを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月29日(2010.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
多くの場合、利用者は、使用する電子装置の設定または構成を変更することを希望する。例えば、利用者は、会議や映画館で携帯電話を振動モードに切り替え、航空機内や教会では完全にオフにすることが多い。残念なことに、利用者は、そのような設定変更を忘れ、不意の電話で他者に迷惑をかけてしまうことも多い。一部の電子装置では、特定のイベント（事象）およびアクション（行為）、または各種入力データに基づいて設定または構成が自動的に変更される。例えば、一部の電子装置では、時刻または季節に基づいて設定が変更される。他の装置では、周囲の騒音や光などの特徴が検出され、現在の環境に基づいて設定が変更される。さらに他の装置では、加速度計など動き検出器からのデータを使って、当該装置の動きに基づいて設定が変更される。ただし残念なことに、これら自己調整を行う電子装置は、設定変更が最も適切な若しくは望ましい状況で設定変更できないことが多い。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
【先行技術文献】  
【特許文献】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【特許文献１】  米国特許第６９７５８７４号明細書
【特許文献２】  米国特許第６７０１１４４号明細書
【特許文献３】  米国特許出願公開第２００６／０１５４６７４号明細書
【特許文献４】  韓国公開特許第１０−２００７−００３５２７６号公報
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明の実施形態は、自己調整を行う電子装置の分野において明確な改善をもたらすものである。より具体的にいうと、本発明の実施形態は電子装置を提供し、当該装置は、その現在の位置または期待される位置に基づいて自らの設定を自動的に調整することができる。
種々の実施形態において、前記電子装置には、通信要素と、位置決定構成要素と、コンピュータ装置と、ディスプレイ（表示装置）とを含めることができる。前記通信要素は、通信の送受信を行う。前記位置決定構成要素は、前記電子装置の位置を監視する。前記コンピュータ装置は、前記通信要素および前記位置決定構成要素に連結されており、前記電子装置の位置に基づいて当該装置の少なくとも１つの設定を変更することができる。前記ディスプレイは、前記電子装置のステータスに関する情報を利用者に表示する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月16日(2012.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
１つ以上のあらゆる利益、１つ以上の他の利点、１つ以上の課題に対する１つ以上の解決策またはそれらの任意の組合せを１つ以上の特定の実施形態に関して上述してきた。しかし、かかる利益、利点、課題に対する解決策、あるいはあらゆる利益、利点または解決策を想到させるか、またはより明白になるようにさせ得るあらゆる要素は、請求項のいずれかまたはすべての重要な、必要なまたは必須の特徴または要素として解釈されるべきではない。
別々の実施形態の文脈において上および下で分かりやすくするために記載されている本発明の特定の特徴を単一の実施形態における組合せで提供してもよい。逆に、単一の実施形態の文脈において簡潔にするために記載されている本発明の種々の特徴を別々に、またはあらゆる下位組合せにおいて提供してもよい。更に、範囲において指定された値への言及は当該範囲内の各値およびあらゆる値を含む。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
以上、本発明を要約すると下記のとおりである。
１．基材に接着された耐引掻性不粘着仕上塗料を含む物品であって、前記耐引掻性不粘着仕上塗料が、プライマー層と中間コート層とトップコート層とを含み、
前記プライマー層が、前記基材に接着されるとともに、第１のポリマー結合剤とセラミック大粒子とを含み、
前記中間コート層が第１のフルオロポリマー組成物と無機ホイスカーとを含み、
前記トップコート層が第２のフルオロポリマー組成物を含む物品。
２．無機ホイスカーが炭化ケイ素を含む上記１に記載の物品。
３．無機ホイスカーが少なくとも３．３の繊維アスペクト比を有する上記１に記載の物品。
４．無機ホイスカーが約０．４５−３μｍの範囲内の直径を有する上記１に記載の物品。５．無機ホイスカーが約５−８０μｍの範囲内の長さを有する上記１に記載の物品。
６．中間コート層の組成物が、乾燥フィルム中で０超−約５５質量％の範囲内の無機ホイ
スカーを含む上記１に記載の物品。
７．セラミック大粒子が炭化ケイ素を含む上記１に記載の物品。
８．中間コート層が第２のポリマー結合剤を更に含む上記１に記載の物品。
９．中間コート層の組成物が、乾燥フィルム中で約１−２０質量％の範囲内で第２のポリマー結合剤を含む上記８に記載の物品。
１０．第２のポリマー結合剤がポリアミドイミドを含む上記８に記載の物品。
１１．プライマー層が第３のフルオロポリマー組成物を更に含む上記１に記載の物品。
１２．セラミック大粒子が約１０−５０μｍの範囲内の平均粒度を有する上記１に記載の物品。
１３．フルオロポリマーとポリマー結合剤と無機ホイスカーとを含む不粘着仕上塗料のための液体塗料組成物であって、前記無機ホイスカーの組成物が、前記液体塗料組成物の０超−４０質量％未満の範囲内である液体塗料組成物。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材に接着された耐引掻性不粘着仕上塗料を含む物品であって、前記耐引掻性不粘着仕上塗料が、プライマー層と中間コート層とトップコート層とを含み、
前記プライマー層が、前記基材に接着されるとともに、（ｉ）ポリアミド酸塩、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアリーレン−エーテルケトン、ポリエーテルイミドおよびポリフェニレンオキシド（ＰＰＯ）の１つまたはそれ以上から選択される第１のポリマー結合剤と、（ii）約１０〜５０μｍの範囲内の平均粒度および１.５より大きいが２.５より大きくないアスペクト比を有するセラミック大粒子とを含み、
前記中間コート層が第１のフルオロポリマー組成物と、少なくとも３.３の繊維アスペクト比を有する無機ホイスカーとを含み、
前記トップコート層が第２のフルオロポリマー組成物を含み、そして
前記アスペクト比が、粒子の最長寸法に垂直に測定された短寸法の最長距離に対する粒子の最長寸法の比である、
上記物品。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月25日(2012.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者に血液ろ過療法、血液透析療法、血液吸着、又は、限外ろ過法をそれぞれ順次行うために診療所の透析処理とともに用いられるポータブル装置において：
入ってくる血流を、ほぼ細胞質内封入体のない血漿の流れと残る血液部分に分離するように構成された第一段階と；
前記第一段階からほぼ細胞質内封入体のない血漿の流れを受け取る第二段階であって、該血漿の流れから過剰な流体、毒素、及び他の物質を選択的に除去して、処理された血漿を血液標準液を消費することなく患者へ戻すように構成された第二段階と；
前記第一段階は、残りの血液部分を患者へ戻すように構成されており、
前記第一段階は、少なくとも一つのマイクロ流体流路中に流れの層を形成することによって血液から血漿を分離するメンブレンレス（膜なし）分離装置を使用して、前記層は、細胞が増大した層と少なくとも一つの細胞質内封入体が空乏化された層を含み、それによって少なくとも一つの層を捕捉し抽出することができること；及び、
前記第一及び第二の段階を収容するハウジング；
を含むポータブル装置。
【請求項２】
前記少なくとも一つのマイクロ流体流路は、多数のマイクロ流体流路を含み、その各々は、断面の縦横比が１０を超える直線流路であることを特徴とする請求項１記載のポータブル装置。
【請求項３】
更に、前記ハウジングに収容された制御モジュールであって、少なくとも一つのマイクロ流体流路から、少なくとも一つの層を形成する速度に対応する速度で血漿を搬送するように構成された制御モジュールを含む請求項１記載のポータブル装置。
【請求項４】
更に、前記ハウジング内に収容された動力源であって、コントローラ及び血液及び血漿の少なくとも一方を汲み出すポンプに接続された動力源を含む請求項１記載のポータブル装置。
【請求項５】
更に、前記ハウジング内に収容された少なくとも一つのバルブであって、血液及び血漿の少なくとも一方の流れを調節するように構成された少なくとも一つのバルブを含む請求項１記載のポータブル装置。
【請求項６】
前記ハウジングは、患者に直接隣接して着用されるように構成され、また前記ハウジングは、患者から血液を受け取る入口及び患者へ血液を戻す出口、及び限外ろ過液を除去するための廃棄物出口を備えたことを特徴とする請求項１記載のポータブル装置。
【請求項７】
前記少なくとも一つのマイクロ流体流路は、各々が、孔が規則的に配列された壁状フィルタを有して、該孔を通って血漿が流れ、該孔は、細胞質内封入体の流れを防止するが阻止されている細胞がそこを通る血流によって前記壁状フィルタから掃引されることを可能にするサイズとされることを特徴とする請求項１記載のポータブル装置。
【請求項８】
前記孔は、１０と８００ｎｍの間のサイズを有し、各壁状フィルタは、少なくとも一つのマイクロ流体流路のそれぞれの濡れた壁と連続する平面を形成する表面を有することを特徴とする請求項７記載のポータブル装置。
【請求項９】
更に、前記ハウジングに収容された制御モジュールからなり、該制御モジュールは、血液モニター装置と通信してユーザから一組の指示を受信するように構成された外部入力／出力インターフェースを含み、制御モジュールは、患者の血液又は血漿の一つの性質を検出して、その指標を前記外部入力／出力インターフェース上に出力するように血液モニター装置と通信するように構成された少なくとも一つのセンサから信号を受信するように構成されている請求項１記載のポータブル装置。
【請求項１０】
前記制御モジュールは、前記少なくとも一つのセンサからの情報を記憶するためメモリ装置を含むことを特徴とする請求項９記載のポータブル装置。
【請求項１１】
前記少なくとも一つのセンサは、ヘマトクリット値（血液容積比）センサ、電解質センサ、グルコース・センサ、及びカリウム・センサのいずれか一つを含むことを特徴とする請求項９記載のポータブル装置。
【請求項１２】
前記孔は、血液細胞を保持するサイズを有し、各壁状フィルタは、少なくとも一つのマイクロ流体流路のそれぞれの濡れた壁と連続する平面を形成する表面を有することを特徴とする請求項７記載のポータブル装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ポータブル装置
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月5日(2012.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
夫々が別個の電機子を有する第１と第２のモータを有する電動２軸のアクチュエータにおいて、前記第１のモータは出力シャフトに対し軸方向移動させるべく配置され、前記第２のモータは前記出力シャフトに対し回転運動をさせるべく配置されることを特徴とするアクチュエータ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月30日(2011.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細胞の２〜ｎ個のサブ集団を含んでなるポリクローナル細胞系統であって、各サブ集団は、組み換えポリクローナル抗ＲＳＶ抗体の１つの個別の抗体メンバーを発現し、前記細胞は、ゲノムに無作為かつ安定に組み込まれた１つの個別の抗体メンバーをコードする少なくとも１つの発現構築物を含んでなり、前記組み換えポリクローナル抗ＲＳＶ抗体の前記個別のメンバーは、下記表３に列挙したＶＨおよびＶＬの対の群から選択されるＣＤＲ１、ＣＤＲ２、およびＣＤＲ３領域を含んでなる抗体分子からなる群から選択される、ポリクローナル細胞系統：
【表１】
2011514139.tif 000001
【表２】
2011514139.tif 000002
。
【請求項２】
前記個別のメンバーが下記表６中の抗体組成物１〜５６のうちのいずれか１つとして組み合わされる、請求項１に記載のポリクローナル細胞系統：
【表３】
2011514139.tif 000003
【表４】
2011514139.tif 000004
【表５】
2011514139.tif 000005
。
【請求項３】
前記個別のメンバーが請求項１において定義したクローン７３５、７３６、７４４、７９３、７９５、７９６、７９９、８００、８０１、８０４、８１０、８１１、８１２、８１４、８１６、８１７、８１８、８１９、８２４、８２５、８２７、８２９、８３０、８３１、８３５、８３８、８４１、８５３、８５５、８５６、８５７、８５８、８５９、８６１、８６３、８６８、８７０、８７１、８８０、８８１、８８４、８８６、８８８、ならびに８９４のＶＨおよびＶＬ配列を含んでなる抗体からなる群から選択される、請求項１または２に記載のポリクローナル細胞系統。
【請求項４】
前記個別のメンバーがクローン７９３、８００、８１０、８１６、８１８、８１９、８２４、８２５、８２７、８３１、８５３、８５５、８５６、８５８、８６８、８８０、８８８、および８９４由来の抗体、ならびに前記抗体のＣＤＲを含む抗体からなる群から選択される、請求項３に記載のポリクローナル細胞系統。
【請求項５】
１つの個別の抗体メンバーがクローン８２４によってコードされる抗体またはクローン８２４のＣＤＲを含む抗体である、請求項１に記載のポリクローナル細胞系統。
【請求項６】
少なくとも１つの個別の抗体分子がＦタンパク質に結合することが可能であり、かつ少なくとも１つの個別の抗体分子は、Ｇタンパク質に結合することが可能である、請求項１〜５のいずれか一項に記載のポリクローナル細胞系統。
【請求項７】
各発現構築物が重鎖および軽鎖の両方をコードする、請求項１に記載のポリクローナル細胞系統。
【請求項８】
個別の発現ベクターが重鎖および軽鎖をコードする、請求項１に記載のポリクローナル細胞系統。
【請求項９】
請求項１に定義した表３に列挙した抗体の少なくとも相補性決定領域（ＣＤＲ）を含んでなる抗体からなる群から選択される抗ＲＳＶ抗体の発現を指令することを可能にする発現構築物を含んでなる細胞であって、ゲノムの無作為な位置に安定に組み込まれた少なくとも１つの発現構築物を含んでなる、細胞。
【請求項１０】
抗ＲＳＶ抗体がクローン７３５、７３６、７４４、７９３、７９５、７９６、７９９、８００、８０１、８０４、８１０、８１１、８１２、８１４、８１６、８１７、８１８、８１９、８２４、８２５、８２７、８２９、８３０、８３１、８３５、８３８、８４１、８５３、８５５、８５６、８５７、８５８、８５９、８６１、８６３、８６８、８７０、８７１、８８０、８８１、８８４、８８６、８８８、ならびに８９４のＶＨおよびＶＬ配列対由来のＣＤＲを含む抗体からなる群から選択される、請求項９に記載の細胞。
【請求項１１】
異なる無作為な位置で前記ゲノムに組み込まれた２つ以上の発現構築物を含んでなる、請求項９に記載の細胞。
【請求項１２】
前記抗ＲＳＶ抗体がクローン７９３、８００、８１０、８１６、８１８、８１９、８２４、８２５、８２７、８３１、８５３、８５５、８５６、８５８、８６８、８８０、８８８、および８９４由来の抗体、ならびに前記抗体のＣＤＲを含む抗体からなる群から選択される、請求項９に記載の細胞。
【請求項１３】
前記ＣＤＲがクローン８２４由来である、請求項９に記載の細胞。
【請求項１４】
抗ＲＳＶ抗体を発現することが可能な細胞を作製するための方法であって、前記細胞のゲノムへの無作為な組み込みを可能にする条件下で、前記抗ＲＳＶ抗体をコードする発現構築物で細胞をトランスフェクトすること、および無作為な位置に安定に組み込まれた発現構築物を伴う少なくとも１つの細胞を選択することを含んでなり、前記発現構築物は、請求項１に定義した表３に列挙した抗体の少なくとも相補性決定領域（ＣＤＲ）を含んでなる抗体からなる群から選択される抗ＲＳＶ抗体をコードする、方法。
【請求項１５】
トランスフェクションおよび／または選択が発現構築物の増幅を選好する条件下で行われる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
ポリクローナル抗ＲＳＶ抗体の製造方法であって、
ａ）請求項１〜８のいずれか一項に記載のポリクローナル細胞系統を提供する工程と、
ｂ）前記ポリクローナルタンパク質の発現を可能にする条件下で前記ポリクローナル細胞系統を培養する工程と、
ｃ）前記培地から前記ポリクローナル抗ＲＳＶ抗体を回収し、そして場合により精製する工程と
を含んでなる、方法。
【請求項１７】
混合された組成物が振盪フラスコ、使い捨てバイオリアクター、およびバイオリアクターからなる群から選択される容器中で培養される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
ポリクローナル抗ＲＳＶ抗体の個別の抗体メンバーの１つの集団を発現する１つのポリクローナル細胞系統は、１つの容器中で培養され、かつポリクローナル抗ＲＳＶ抗体の個別の抗体メンバーの第２の集団を発現する少なくとも第２のポリクローナル細胞系統は、第２の容器中で培養され、そして精製の前または後に、各容器由来のポリクローナル抗体は混合される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
回収しそして場合により精製したポリクローナル抗体における、個別の抗体メンバーのそれぞれの存在を確認する工程をさらに含んでなる、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
抗ＲＳＶ抗体の製造方法であって、
ａ）請求項９〜１３のいずれか一項に記載の細胞から誘導される細胞系統を提供する工程と、
ｂ）前記抗体の発現を可能にする条件下で前記細胞系統を培養する工程と、
ｃ）前記培地から前記抗ＲＳＶ抗体を回収し、そして場合により精製する工程と
を含んでなる、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月29日(2011.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
免疫グロブリンを細菌培養において産生させる方法であって、
（ａ）第１の細菌宿主細胞において、免疫グロブリンの軽鎖を含む第１のポリペプチドを、前記免疫グロブリンの軽鎖を含む封入体を形成させるように発現させること；
（ｂ）第２の細菌宿主細胞において、免疫グロブリンの重鎖を含む第２のポリペプチドを、前記免疫グロブリンの重鎖を含む封入体を形成させるように発現させること；
（ｃ）再構成された重鎖および再構成された軽鎖を得るように、前記封入体から前記第１のポリペプチドおよび前記第２のポリペプチドを回収すること；および
（ｄ）前記再構成された重鎖および再構成された軽鎖を、前記再構成された軽鎖および前記再構成された重鎖を主に無傷の免疫グロブリンとしてリフォールディングすることを可能にする条件のもとでリフォールディングすること
を含む方法。
【請求項２】
前記条件は約１：２の重鎖−軽鎖モル比を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の細菌宿主および前記第２の細菌宿主のそれぞれがグラム陰性細菌に属する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記グラム陰性細菌は大腸菌である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記免疫グロブリン分子をプロテインＡ／Ｇ／Ｌで精製することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
２．５のＯ．Ｄ．６００を誘導時に有する場合、重鎖の１リットルの細菌培養液あたり少なくとも５０ｍｇの精製された免疫グロブリン分子の収量を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のポリペプチドおよび前記第２のポリペプチドの少なくとも一方が治療用成分を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１のポリペプチドおよび前記第２のポリペプチドの少なくとも一方が確認用成分を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
主に前記無傷の免疫グロブリンとして前記リフォールディングすることが、免疫グロブリンの少なくとも８０％を前記無傷の免疫グロブリンとして含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記重鎖はγファミリーに属する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記軽鎖はκファミリーに属する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記軽鎖はλファミリーに属する、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれかに記載の方法に従って産生される免疫グロブリン。
【請求項１４】
グラム陰性調製残留物と、少なくとも９０％の免疫グロブリンとを含む組成物。
【請求項１５】
最大でも１０％の免疫グロブリンフラグメントを含む、請求項１４に記載の組成物。
【請求項１６】
前記免疫グロブリンは、ＩｇＡ、ＩｇＤ、ＩｇＥおよびＩｇＧからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記ＩｇＧは、ＩｇＧ１、ＩｇＧ２、ＩｇＧ３またはＩｇＧ４を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記免疫グロブリンは、キメラ抗体、ヒト化抗体および完全ヒト型抗体からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記免疫グロブリンは二重特異的抗体である、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記免疫グロブリンは、霊長類免疫グロブリン、ブタ免疫グロブリン、マウス免疫グロブリン、ウシ免疫グロブリン、ヤギ免疫グロブリンおよびウマ免疫グロブリンからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月13日(2012.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
塩味増強成分を形成する方法であって、以下の段階
（ｉ）Apium graveolens植物材料の水性スラリーを形成する段階、および
（ｉｉ）Apium graveolens植物材料の加水分解物を、１種または２種以上のタンパク質分解酵素を用いて酵素的加水分解をそれに施すことによって形成する段階
を含む、前記方法。