Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月13日(2003.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
釦とスイッチ本体の間に柔軟部材を配設して、柔軟部材の弾性力以上の力で釦を押したときに、柔軟部材がスイッチを押してＯＮし、柔軟部材の弾性力以下の力のときにはスイッチ本体がＯＮしない構造のスイッチにおいて、
前記スイッチ本体は基板に配設された二つのパターンで構成され、且つ、
前記柔軟部材は、釦を押したときに一方のパターンに接触する導電性部材と、釦を押していないときにこの導電性部材を前記一方のパターンから離すと共に他方のパターンに電気的に接続して配設された導電性部材とからなる一個の二重コイルバネで構成したスイッチの構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
スイッチ本体と釦との間のスイッチを押す部材と、ボタンを押していないときにスイッチを押す部材をスイッチから離す部材とを、一個の二重コイルバネで構成する。特に、スイッチ本体を基板に配設された二つのパターンで構成し、且つ、前記二重コイルバネは、釦を押したときに一方のパターンに接触する導電性部材と、釦を押していないときにこの導電性部材を前記一方のパターンから離すと共に他方のパターンに電気的に接続して配設された導電性部材とで構成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明の実施の形態】
スイッチ本体と釦との間に二重コイルバネを配設する。二重コイルバネの小径部分の端部はスイッチの頂部に接触して、他端の連結部は釦に接触してスイッチを押すように、二重コイルバネの大径部分の端部はスイッチ本体の取付部材に接触して、他端の連結部は釦に接触して釦をスイッチから押し離すように配設する。釦に外力が掛からないときは、二重コイルバネの小径部分がスイッチを押さないように大径部分の長さと小径部分の長さとが設定されている。特に、スイッチ本体を基板の二つパターンで構成し、また二重コイルバネは導電性部材で作ることとし、その小径部を一方のパターンに対向して配設させ、その大径部の端部を基板に取り付けるとともに基板の他方のパターンへ電気的に接続させる。これにより、二重コイルバネの連結部に装着された釦を押すと、二重コイルバネの小径部の端部が基板のパターンに接触して、基板の二つのパターンが二重コイルバネを介して電気的に接続されスイッチＯＮとなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【実施例】
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。図１は本発明の参考例たるスイッチの構造を示す断面図、図２は図１のスイッチに使用されるバネの図、図３は従来のスイッチの構造及び使用されるバネの図、図４は本発明の実施例の図である。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
これに対し本発明の参考例たるスイッチの構造は、図１のスイッチ組立(１)に示すように、従来のスイッチ組立（図３）で使用していた２個の部材（コイルバネ，パイプ）を１個の二重コイルバネ(２)で構成している。図２に示すように、二重コイルバネの小径部(３)と大径部(４)とは、釦(６)に接触する側が連結部(５)となって一体構成されている。二重コイルバネの小径部，大径部は図２(Ａ)に示すように平行コイルであっても、(Ｂ)に示すように円錐コイルであっても、図４の本発明の実施例で示すような平行コイルと円錐コイルの組み合わせであってもよい。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
図４は本発明の実施例で、スイッチを基板のパターン(１６)，(１７)で構成し、二重コイルバネは大径部の端部(１８)を基板に取り付けるとともに基板のパターン(１７)へ電気的に接続している。この実施例の場合には二重コイルバネは導電性部材で作られている。二重コイルバネの連結部 (１９)に装着された釦（図示せず）を押すと、二重コイルバネの小径部の端部(２０ )が基板のパターン(１６)に接触して、基板の二つのパターン(１６)，(１７)は二重コイルバネを介して電気的に接続されスイッチＯＮとなる。基板へ取り付けるのを小径部にして、釦を押したときにパターンへ接触するのを大径部にしてもよい。図では省略されているが、図１と同様に外枠，ガイド等が必要に応じて配設されている。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の参考例たるスイッチの構造を示す図
【図２】図１のスイッチに使用されるバネの図
【図３】従来のスイッチの構造及び使用されるバネの図
【図４】本発明の実施例の図
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月9日(2003.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体集積回路装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）露光装置のレンズにおける波面収差データまたはそれと等価な収差データに基づいてマスクのパターンデータを自動的に補正する工程、
（ｂ）前記マスクのパターンデータに基づいてマスクを製造する工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程によって製造されたマスクのパターンを前記露光装置を用いて半導体ウエハ上に転写する工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記補正は、露光領域内の平面位置毎に行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記補正は、露光領域内の平面位置に応じて異なる補正を行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記マスクのパターンデータに対して、露光領域内の平面位置に応じて同じ補正を行う工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
（ａ）マスクのパターンに対して、露光装置のレンズにおける波面収差データまたはそれと等価な収差データを用い、レンズの収差を考慮した光強度を計算する工程、
（ｂ）前記レンズの収差を考慮した光強度計算結果と、前記レンズの収差が無いとして計算した光強度計算結果とを比較する工程、
（ｃ）前記比較の結果、マスクの所定のパターンにおいて異常が許容範囲を越えている際には、そのパターンについて異常が許容範囲を越えないようにパターンの補正量を自動的に算出し、その算出結果に従ってパターンを自動的に補正する工程、
（ｄ）前記（ａ）〜（ｃ）の工程を経て作成されたマスクのパターンデータに従ってマスクを製造する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程によって製造されたマスクのパターンを前記露光装置を用いて半導体ウエハ上に転写する工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記補正は、露光領域内の平面位置毎に行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記補正は、露光領域内の平面位置に応じて異なる補正を行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記マスクのパターンデータに対して、露光領域内の平面位置に応じて同じ補正を行う工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項９】
請求項５記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記補正は、露光領域を所定のブロックに分割し、各ブロックに対応するレンズ収差に応じて各ブロック毎にパターンデータの補正を行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項５記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記マスクの製造工程に際して、前記マスクに透過光の位相を変えるための位相シフタを設ける工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項５記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記露光装置の露光光はエキシマレーザ光であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路装置の製造技術に関し、特に、半導体ウエハ上に所定のパターンを転写するための露光装置に適用して有効な技術に関するものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月27日(2003.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路情報を変更することによって機能を随時変更し再構成することが可能なプログラマブル論理回路を備えた情報処理装置において、予め使用する回路情報と順番を保持する回路情報保持手段と、与えられた処理データから前記プログラマブル論理回路の再構成に使用する最初の回路情報を特定するとともに特定された回路情報から前記回路情報保持手段に保持されている順番に前記回路情報により前記プログラマブル論理回路を再構成して処理回路を構成し該処理回路に前記処理データの処理を行わせるインタフェース手段を有していることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記処理データのヘッダ部には、あらかじめ規定された処理ステップの順番、前記順番に対応した再構成する回路情報を格納した前記回路情報保持手段のアドレス情報、前記順番に対応した回路で処理されたデータを格納するための記憶手段のアドレス情報、前記順番に対応して前記プログラマブル論理回路に連続的に同時再構成可能な回路数の情報が付加されていることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記インタフェース手段は、前記プログラマブル論理回路の構成可能な最大回路規模と再構成する回路規模との関係において、連続する処理回路が同時に再構成できる領域が確保できない場合に、処理ステップの順番に対応して回路の再構成と構成した処理回路による処理と、該処理回路で処理された中間処理データの前記記憶手段への入出力を順次行いながら連続的に処理が行われるように制御することを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記インタフェース手段は、前記プログラマブル論理回路の構成可能な最大回路規模と再構成する回路規模との関係において、複数の処理回路の再構成を行ってから、該処理回路における処理が連続して実行され、最後の処理回路による結果を中間処理データとして前記記憶手段に格納し、続けて複数の処理回路の再構成と複数の処理回路における処理が順次実行されるように制御することを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記インタフェース手段は、前記プログラマブル論理回路の構成可能な最大回路規模と再構成する回路規模との関係において、複数の処理回路の再構成を、同時に再構成できる数だけ連続的に行いながら、最初の処理回路の再構成が終了した時点で最初の処理が実行されるとともに、処理の実行と並列的に次の回路の再構成を行い、処理結果を次に再構成された処理回路に受け渡して連続して処理が行われるように制御することを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記処理回路における処理結果は中間処理データとして前記記憶手段に格納可能であることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記処理回路における処理結果は、予め規定した処理ステップの処理終了ごとに中間処理データとして前記記憶手段に格納可能であることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の情報処理装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アプリケーションプログラムによる処理の一部分を、回路構成を再構成できるプログラマブル論理回路で処理することが可能である情報処理装置に関する。特に、回路の再構成と処理を連続的に実行する方法に関するものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、プログラマブル論理回路を再構成するためのメインプロセッサの負荷を大幅に軽減させることができ、これにより低消費電力化を図るとともに、メインプロセッサを有効に活用できるようにしてシステム全体のパフォーマンスを向上させた情報処理装置を提供することを目的とするものである。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
このようにして、プログラマブル論理回路では、予め設定されている順番で、処理回路の再構成と実行が自動的に行われる。そのため、ＣＰＵなどの制御手段では、最初に実行指示を行うだけで、以後順番に行われるプログラマブル論理回路の再構成や実行指示を行う必要がない。これによってＣＰＵなどの制御手段によるプログラマブル論理回路の制御を行うための処理ステップが大幅に削減され、高速化を図ることができるとともに、消費電力を大幅に低減することができる。これとともに、プログラマブル論理回路を含めた情報処理装置における全体のパフォーマンスを向上させることができる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、あらかじめ使用する回路と順番を規定できる場合には、メインプロセッサによる最初のデータ処理開始の制御だけで、あとは処理データ（例えば処理データのヘッダ情報）を解釈するだけで、プログラマブル論理回路の複数の機能回路によるデータ処理を順次実行してゆくことができる。このため、メインプロセッサによる制御の処理ステップを削減して高速化を図ることができるとともに、消費電力も低減することができる。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
また、回路の再構成のための制御に対するメインプロセッサの負荷が軽減されることによって、その処理パワーを他の処理へ使用できるため、システム全体のパフォーマンスの向上を図ることができるという効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月12日(2003.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に電気絶縁層が形成されたカーボンフィルム基板と、前記電気絶縁層上に形成された下部電極層と、その下部電極層上に形成されたｐ型のＣＩＳ系の光吸収層と、その光吸収層上に形成されたｎ型半導体層と、そのｎ型半導体層上に形成さ胆た上部透明電極層とをそなえたことを特徴とする太陽電池。
【請求項２】
ｎ型半導体層と上部透明電極層との間に、高抵抗層が設けられていることを特徴とする請求項１の記載による太陽電池。
【請求項３】
カーボンフィルム基板は、フィルム状に加工されたポリカルボジイミドを焼成することにより得られたものであることを特徴とする請求項１の記載による太陽電池。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月26日(2004.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主電源の電源電圧Ｖssの絶対値より低い絶対値の定電圧Ｖregで省電力駆動される発振回路において、
前記発振回路の信号路と前記定電圧Ｖreg側との間に接続され、信号路に侵入する第１の極性の静電圧を第１の半導体整流素子を介して選択的に前記定電圧Ｖreg側へバイパスさせる第１の静電保護回路と、
前記発振回路の信号路と基準電位側との間に接続され、信号路に侵入する第２の極性の静電圧を第２の半導体整流素子を介して選択的に前記基準電位側へバイパスさせる第２の静電保護回路と、
を含み、
前記第１の静電保護回路は、
前記発振回路の信号路と前記電源電圧Ｖssとの間に接続され、信号路に侵入する第１の極性の静電圧を選択的に前記電源電圧Ｖss側へバイパスさせる第３の半導体整流素子を含むことを特徴とする発振回路。
【請求項２】
請求項１において、
前記第３の半導体整流素子の寄生容量値は、
前記第１の半導体整流素子の寄生容量値より小さな値に設定されたことを特徴とする発振回路。
【請求項３】
請求項１、２のいずれかにおいて、
前記各半導体整流素子の寄生容量を、
位相補償用コンデンサの一部または全部として用いることを特徴とする発振回路。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかの発振回路を含むことを特徴とする電子回路。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかの回路を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれかの回路を備えたことを特徴とする時計。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれかの回路を備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明は、主電源の電源電圧Ｖssの絶対値より低い絶対値の定電圧Ｖregで省電力駆動される発振回路において、
前記発振回路の信号路と前記定電圧Ｖreg側との間に接続され、信号路に侵入する第１の極性の静電圧を第１の半導体整流素子を介して選択的に前記定電圧Ｖreg側へバイパスさせる第１の静電保護回路と、
前記発振回路の信号路と基準電位側との間に接続され、信号路に侵入する第２の極性の静電圧を第２の半導体整流素子を介して選択的に前記基準電位側へバイパスさせる第２の静電保護回路と、
を含むことを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（２）本発明は、（１）の発明において、
前記第１の静電保護回路は、
前記発振回路の信号路と前記電源電圧Ｖssとの間に接続され、信号路に侵入する第１の極性の静電圧を選択的に前記電源電圧Ｖss側へバイパスさせる第３の半導体整流素子を含むことを特徴とする。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（３）本発明は、（２）の発明において、
前記第３の半導体整流素子の寄生容量値は、
前記第１の半導体整流素子の寄生容量値より小さな値に設定されたことを特徴とする。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（４）本発明は、（１）〜（３）の発明のいずれかにおいて、
前記各半導体整流素子の寄生容量を、
位相補償用コンデンサの一部または全部として用いることを特徴とする。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
（５）本発明の電子回路は、（１）〜（４）の発明に係るいずれかの発振回路を含むことを特徴とする。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
（６）本発明の半導体装置は、（１）〜（５）の発明に係るいずれかの回路を含むことを特徴とする。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
（７）本発明の時計は、（１）〜（５）の発明に係る回路を備えたことを特徴とする。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
（８）本発明の電子機器は、（１）〜（５）の発明に係るの回路を備えたことを特徴とする。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
特に、（７）、（８）の発明は、交換可能な電池や充電可能な二次電池等を主電源として用いる携帯型の時計や、電子機器に適用する場合に極めて好適なものとなる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月17日(2003.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】無線通信装置、利得設定方法および記憶媒体


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
利得制御手段と、
受信信号の品質を測定する測定手段と、
前記測定された品質に応じて、前記受信信号の受信終了後の前記利得制御手段の利得を設定する設定手段を備えることを特徴とする無線通信装置。
【請求項２】
前記設定手段は、測定した受信品質が基準値よりも高ければ、受信した信号に応じて利得を設定し、測定した受信品質が基準値よりも低ければ、信号を受信する前の利得に戻すことを特徴とする請求項１に記載の無線通信装置。
【請求項３】
受信品質を測定し、測定した受信品質に応じて受信終了後の利得を設定することを特徴とする利得設定方法。
【請求項４】
測定した受信品質が基準値よりも高ければ、受信した信号に応じて利得を設定し、測定した受信品質が基準値よりも低ければ、信号を受信する前の利得に戻すことを特徴とする請求項３に記載の利得設定方法。
【請求項５】
受信品質を判断し、その受信品質に応じて受信終了後の利得を設定するプログラムを記憶した記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月22日(2004.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
着呼があると着信音の鳴動を開始する通信装置において、
着信音を停止させる操作入力がなされたか否かを検出する着信音停止操作入力検出手段と、
着信音の鳴動を継続する着呼応答待機状態において、前記着信音停止操作入力検出手段により、着信音を停止させる操作入力がなされたことが検出されると、前記着呼に対する応答を保留しつつ、着信音の鳴動を停止する着信音停止手段とを備えたことを特徴とする通信装置。
【請求項２】
着信音を停止させる操作入力として、専用の操作入力を備えたことを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記着信音停止操作入力検出手段は、前記着呼応答待機状態にないときには、他の操作入力として検出するとともに、前記着呼応答待機状態にあるときには、着信音を停止する操作入力として検出するものであることを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項４】
着信音を停止させる操作入力として、他の操作入力を割り当てる着信音停止機能設定手段を備えたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の通信装置。
【請求項５】
着信音を停止させる操作入力として、他の操作入力を割り当てる着信音停止機能設定手段と、
前記割り当てを変更する着信音停止機能設定変更手段とを備えたことを特徴とする請求項1ないし３のいずれかに記載の通信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の通信装置は、着呼があると着信音の鳴動を開始する通信装置において、着信音を停止させる操作入力がなされたか否かを検出する着信音停止操作入力検出手段と、着信音の鳴動を継続する着呼応答待機状態において、前記着信音停止操作入力検出手段により、着信音を停止させる操作入力がなされたことが検出されると、前記着呼に対する応答を保留しつつ、着信音の鳴動を停止する着信音停止手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項２に記載の通信装置は、請求項１に記載の通信装置において、着信音を停止させる操作入力として、専用の操作入力を備えたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項３に記載の通信装置は、請求項１に記載の通信装置において、前記着信音停止操作入力検出手段は、前記着呼応答待機状態にないときには、他の操作入力として検出するとともに、前記着呼応答待機状態にあるときには、着信音を停止する操作入力として検出するものであることを特徴とする。
また、請求項４に記載の通信装置は、請求項１ないし３のいずれかに記載の通信装置において、着信音を停止させる操作入力として、他の操作入力を割り当てる着信音停止機能設定手段を備えたことを特徴とする。
また、請求項５に記載の通信装置は、請求項1ないし３のいずれかに記載の通信装置において、着信音を停止させる操作入力として、他の操作入力を割り当てる着信音停止機能設定手段と、前記割り当てを変更する着信音停止機能設定変更手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
【発明の効果】
請求項１に係る発明によれば、着呼応答待機状態において、着信音を停止させる操作入力がなされると、前記着呼した通信への応答が保留されつつ着信音の鳴動が停止されるため、ユーザは、着信音の鳴動が煩わしく、とりあえず着信音の鳴動を停止したいような場合には、前記着信音を停止させる操作入力を行うことにより、着信音の鳴動を停止することが可能となる。その場合、着信音の鳴動は停止していても、着呼した通信への応答は保留されたままであるため、着呼した通信に応答したければ、所定の通信開始指示操作入力を行えばよく、着呼した通信に応答したくなければ、所定の通信開始指示操作入力を行うことなくそのまま放置すれば、発呼元の通信装置側があきらめて発呼を中断して着呼した通信を未応答のまま終了させることが可能となる効果が得られる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
請求項２に係る発明によれば、着信音の停止を専用の操作入力により行うことができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
請求項３に係る発明によれば、着信音停止専用のキーを配設しなくても、他の操作入力用の既存のキーの読み替え等により着信音を停止することが可能となり、ユーザからの操作入力を受け入れるためのユーザインターフェースに制限がある場合でも、着信音停止操作を行うことが可能となる効果が得られる。
また、請求項４に係る発明によれば、着信音停止の操作入力として、他の操作入力を割り当てることが可能となり、また更に、請求項５に係る発明によれば、その割り当ての変更も行えるため、着信音停止機能をユーザが使やすく利用することが可能となる効果が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月28日(2003.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
着信を報知するための複数の報知手段と、
前記複数の報知手段それぞれを駆動する駆動手段と、
着信時に駆動させる報知手段が複数選択されたとき、各報知手段の消費電力に基づいて、第１の報知周期と、第２の報知周期とに分けて各報知手段を駆動させる駆動制御手段と
を具備することを特徴とする無線通信端末。
【請求項２】
前記駆動制御手段は、駆動する報知手段の消費電力量が最小となるように、前記第１及び第２の報知周期で報知手段を駆動する駆動手段を制御することを特徴とする請求項１に記載の無線通信端末。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る無線通信端末は、着信を報知するための複数の報知手段と、前記複数の報知手段それぞれを駆動する駆動手段と、着信時に駆動させる報知手段が複数選択されたとき、各報知手段の消費電力に基づいて、第１の報知周期と、第２の報知周期とに分けて各報知手段を駆動させる駆動制御手段とを具備することを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明に係る無線通信端末では、前記駆動制御手段は、駆動する報知手段の消費電力量が最小となるように、前記第１及び第２の報知周期で報知手段を駆動する駆動手段を制御することを特徴とする。これによって、消費する電力量が最小となる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【発明の効果】
以上説明したように本発明に係る無線通信端末によれば、着信時に駆動させる報知手段が複数選択されたとき、各報知手段の消費電力に基づいて、第１の報知周期と、第２の報知周期とに分けて各報知手段を駆動させるので、従来に比べて電力消費の低減を図ることができる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、本発明に係る無線通信端末によれば、駆動する報知手段の消費電力量が最小となるように、第１及び第２の報知周期で報知手段を駆動するので、従来に比べて電力消費の低減を図ることができる。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月11日(2003.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
眼内に挿入または眼球表面に装用する眼用レンズであって、レンズ表面が光触媒を含む光触媒層で覆われていることを特徴とする眼用レンズ。
【請求項２】
請求項１記載の光触媒は、特定の波長を吸収するとヒドロキシラジカルを発生する光触媒であることを特徴とする眼用レンズ。
【請求項３】
請求項２記載の特定の波長とは、紫外線であることを特徴とする眼用レンズ。
【請求項４】
請求項１記載の光触媒は、二酸化チタンであることを特徴とする眼用レンズ。
【請求項５】
請求項４記載の二酸化チタンは、アナターゼ型酸化チタン結晶であることを特徴とする眼用レンズ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（１）  眼内に挿入または眼球表面に装用する眼用レンズであって、レンズ表面が光触媒を含む光触媒層で覆われていることを特徴とする。
（２）  （１）の光触媒は、特定の波長を吸収するとヒドロキシラジカルを発生する光触媒であることを特徴とする。
（３）  （２）の特定の波長とは、紫外線であることを特徴とする。
（４）  （１）の光触媒は、二酸化チタンであることを特徴とする。
（５）  （４）の二酸化チタンは、アナターゼ型酸化チタン結晶であることを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月2日(2003.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
インフレータからガスが供給されることにより車室内の側部にてカーテン状に膨張展開するエアバッグが折り畳まれた状態にてピラー部とルーフサイドレール部に沿って収納されるようにした頭部保護エアバッグ装置において、前記ピラー部とこれを覆うピラーガーニッシュとの間で、前記エアバッグの一部を折り畳んだ状態で収納配置する箇所に近接して、前記ピラー部の長手方向に沿って中空状のエネルギー吸収部材を配設したものであり、前記ピラー部がＡピラー部またはＣピラー部であり、前記エアバッグの一部が膨張部を有しない基布構成であることを特徴とする頭部保護エアバッグ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
インフレータからガスが供給されることにより車室内の側部にてカーテン状に膨張展開するエアバッグが折り畳まれた状態にてピラー部とルーフサイドレール部に沿って収納されるようにした頭部保護エアバッグ装置において、前記ルーフサイドレール部とこれを覆うルーフヘッドライニングとの間で、前記エアバッグの一部を折り畳んだ状態で収納配置する箇所に近接して、前記ルーフサイドレール部の長手方向に沿って中空状のエネルギー吸収部材を配設したものであり、前記ピラー部とこれを覆うピラーガーニッシュとの間に折り畳んだ状態で収納配置されるエアバッグは膨張部を有しない基布構成であることを特徴とする頭部保護エアバッグ装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記した問題に対処すべく、本発明では、インフレータからガスが供給されることにより車室内の側部にてカーテン状に膨張展開するエアバッグが折り畳まれた状態にてピラー部とルーフサイドレール部に沿って収納されるようにした頭部保護エアバッグ装置において、前記ピラー部とこれを覆うピラーガーニッシュとの間で、前記エアバッグの一部を折り畳んだ状態で収納配置する箇所に近接して、前記ピラー部の長手方向に沿って中空状のエネルギー吸収部材を配設したものであり、前記ピラー部がＡピラー部またはＣピラー部であり、前記エアバッグの一部が膨張部を有しない基布構成であること（請求項１に係る発明）に特徴がある。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、折り畳んだ状態で収納配置した前記エアバッグの一部は、前記ガイド面に対して離間して配置されていること（請求項５に係る発明）、または前記ガイド面に対して接触して配置されていること（請求項６に係る発明）も可能である。また、本発明では、インフレータからガスが供給されることにより車室内の側部にてカーテン状に膨張展開するエアバッグが折り畳まれた状態にてピラー部とルーフサイドレール部に沿って収納されるようにした頭部保護エアバッグ装置において、前記ルーフサイドレール部とこれを覆うルーフヘッドライニングとの間で、前記エアバッグの一部を折り畳んだ状態で収納配置する箇所に近接して、前記ルーフサイドレール部の長手方向に沿って中空状のエネルギー吸収部材を配設したものであり、前記ピラー部とこれを覆うピラーガーニッシュとの間に折り畳んだ状態で収納配置されるエアバッグは膨張部を有しない基布構成であること（請求項７に係る発明）も可能である。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明では、ピラー部とピラーガーニッシュ間にエネルギー吸収部材が配設されているため、車両の衝突時等において仮に乗員の頭部がピラーガーニッシュに当接しても、その際にはエネルギー吸収部材が機能して乗員頭部への衝撃を緩和する。ところで、本発明で採用されているエネルギー吸収部材は、中空状のもので、従来の板状リブに比べてエネルギー吸収効率がよいため、所期のエネルギー吸収性能を小容積（小スペース）で得ることが可能であり、ピラーガーニッシュの室内側への張り出し量を少なくして、良好な室内空間、視認性、乗降性を確保することが可能である。また、本発明では、前記ピラー部がＡピラー部またはＣピラー部であり、前記エアバッグの一部が膨張部を有しない基布構成であるため、エアバッグの膨張展開に伴って、Ａピラー部またはＣピラー部とピラーガーニッシュとの間に折り畳んだ状態で収納配置されているエアバッグの一部（膨張部を有しない基布構成）がピラーガーニッシュの端末部とピラー部間の隙間を通して通過する際に、仮に同隙間が小さくても、エアバッグの一部は容易かつ速やかに通過可能であり、エアバッグの展開完了までの時間を短縮することが可能である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、インフレータからガスが供給されることにより車室内の側部にてカーテン状に膨張展開するエアバッグが折り畳まれた状態にてピラー部とルーフサイドレール部に沿って収納されるようにした頭部保護エアバッグ装置において、前記ルーフサイドレール部とこれを覆うルーフヘッドライニングとの間で、前記エアバッグの一部を折り畳んだ状態で収納配置する箇所に近接して、前記ルーフサイドレール部の長手方向に沿って中空状のエネルギー吸収部材を配設したものであり、前記ピラー部とこれを覆うピラーガーニッシュとの間に折り畳んだ状態で収納配置されるエアバッグは膨張部を有しない基布構成である場合（請求項７に係る発明の場合）には、ルーフサイドレール部とこれを覆うルーフヘッドライニングとの間に折り畳んだ状態で収納配置されているエアバッグの一部に近接して配設したエネルギー吸収部材が、中空状でルーフサイドレール部の長手方向に沿って設けられていて、ルーフサイドレール部の長手方向に沿って連続した壁面を備えているため、エアバッグの一部は展開時にエネルギー吸収部材に引っ掛かり難くて、エアバッグの展開方向が安定し易い。また、本発明では、ピラー部とこれを覆うピラーガーニッシュとの間に折り畳んだ状態のエアバッグが膨張部を有しない基布構成であるため、エアバッグの膨張展開に伴って、ピラー部とピラーガーニッシュとの間に折り畳んだ状態で収納配置されているエアバッグの膨張部を有しない基布構成がピラーガーニッシュの端末部とピラー部間の隙間を通して通過する際に、仮に同隙間が小さくても、エアバッグの膨張部を有しない基布構成は容易かつ速やかに通過可能であり、エアバッグの展開完了までの時間を短縮することが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月20日(2003.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
また、ｐ型エピタキシャル層６Ａの不純物濃度（ＮＡ）、および、基板深さ方向の厚み（ｄｐ）と、ｎ型エピタキシャル層３Ａの不純物濃度（ＮＤ）、および、基板深さ方向の厚み（ｄｎ）との関係において、ｄｐ＝ｄｎの場合には、２ＮＡ＝ＮＤに設けられ、２ｄｐ＝ｄｎの場合には、（ＮＡ）＝（ＮＤ）に設けられるようにしている。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月20日(2003.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板上にシリコンを含む非晶質半導体膜を堆積する第１の工程と、
前記非晶質半導体膜の全面に結晶化の助長作用を有する触媒元素をスピン添加法により添加する第２の工程と、
前記非晶質半導体膜を熱処理することによりシリコンを含む結晶質半導体膜を成膜する第３の工程とを有する結晶質半導体膜の作製方法に於いて、
前記触媒元素のスピン添加法は、回転加速度ｙを、ｙ≦Ａｘ-B（ｘは基板の対角寸法、Ａ、Ｂは定数）とすることを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項２】
絶縁性基板上に非晶質半導体膜の結晶化の助長作用を有する触媒元素をスピン添加法により添加する第１の工程と、
当該絶縁性基板上にシリコンを含む非晶質半導体膜を堆積する第２の工程と、
前記非晶質半導体膜を熱処理することによりシリコンを含む結晶質半導体膜を成膜する第３の工程とを有する結晶質半導体膜の作製方法に於いて、
前記触媒元素のスピン添加法は、回転加速度ｙを、ｙ≦Ａｘ-B（ｘは基板の対角寸法、Ａ、Ｂは定数）とすることを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項３】
絶縁性基板上にシリコンを含む非晶質半導体膜を堆積する第１の工程と、
前記非晶質半導体膜上にマスク絶縁膜を堆積し、前記マスク絶縁膜の一部の領域に開口領域を形成する第２の工程と、
前記マスク絶縁膜上に結晶化を助長する触媒元素をスピン添加法により添加する第３の工程と、
前記非晶質半導体膜を熱処理することにより結晶質半導体膜を成膜する第４の工程とを有する結晶質半導体膜の作製方法に於いて、
前記触媒元素のスピン添加法は、回転加速度ｙを、ｙ≦Ａｘ-B（ｘは基板の対角寸法、Ａ、Ｂは定数）とすることを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項において、
前記触媒元素のスピン添加法は、回転速度を５乃至１２０rpm/秒とすることを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか１項において、
前記触媒元素のスピン添加法は、回転速度を１５乃至３０rpm/秒とすることを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、前記絶縁性基板は角型であることを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、前記絶縁性基板の対角線の長さが５００mm以上であることを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項において、前記触媒元素のスピン添加法は、回転速度の最大値が８００乃至１２００rpmであることを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、前記触媒元素のスピン乾燥は、前記回転速度の最大値にて行われることを特徴とした結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項において、前記第２の工程は、前記触媒元素を含む溶液を、前記絶縁基板の回転中に滴下することを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項において、前記触媒元素はＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｕから選択された一種又は複数種類の元素であることを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項１２】
請求項２において、前記絶縁基板上に下地膜を形成した後、前記非晶質半導体膜の結晶化の助長作用を有する前記触媒元素をスピン添加法により添加することを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項１３】
基板上に形成された結晶質半導体膜であって、前記結晶質半導体膜に含まれる触媒元素の濃度が５×１０12乃至１×１０13atoms/cm2の範囲にあり、その最低濃度領域が、基板の対角線方向に対して、両端の間に位置していることを特徴とする結晶質半導体膜。
【請求項１４】
請求項１３において、前記結晶質半導体膜のドメインサイズが１５乃至２０μmであることを特徴とする結晶質半導体膜。
【請求項１５】
請求項１３において、前記触媒元素はＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｕから選択された一種又は複数種類の元素であることを特徴とする結晶質半導体膜。
【請求項１６】
請求項１３乃至請求項１５のいずれか１項に記載の結晶質半導体膜を、薄膜トランジスタの活性層として用いた半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月28日(2003.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式、
【化１】
1997110609.tif 000001
［式中、Ｒ１はＲ２ＳＯｙ、Ｈ、および（Ｃ１−Ｃ１８）アルキルから選択される、
ＲおよびＲ２は、（Ｃ１−Ｃ１８）アルキルから独立に選択される、
ＲおよびＲ２は、それらが結合している元素と一緒になり、５員または６員の飽和環または不飽和環を形成することができ、該環は任意に置換または非置換フェニル環に縮合することができる、
ＲおよびＲ１は、それらが結合している元素と一緒になり、５員または６員の飽和環または不飽和環を形成することができ、
Ｒ３はＨおよび（Ｃ１−Ｃ６）アルキルから選択される、
Ｒ１およびＲ３、またはＲおよびＲ３は、それらが結合している元素と一緒になり、５員または６員の不飽和環を形成することができ、
ｘは１または２であり、
ｙは０、１または２である］を有する抗菌活性化合物の抗菌有効量を、対象中に、対象に、または対象上に導入することを含む、微生物の成長を抑制または禁止する方法。
【請求項２】
前記対象が、木材、塗料、接着剤、コーキング剤、マスチック剤、ラテックス、パルプ及び紙スラリー、織物、皮革、プラスチック、厚紙、潤滑剤、化粧品、洗浄剤、家庭用品、工業用冷却水、金属作動流体、顔料スラリー、写真加工流体及び燃料からなる群から選択される、請求項１記載の方法。
【請求項３】
微生物の成長を禁止または抑制するために使用される抗菌活性化合物の量が、前記対象の重量の約５から３００ｐｐｍである、請求項１記載の方法。
【請求項４】
抗菌活性化合物が以下の群から選択される請求項１記載の方法：１． １−（メチルスルフィニル）−１−（メチルチオ）−２−ニトロエテン
２． １−（エチルスルフィニル）−１−（エチルチオ）−２−ニトロエテン
３． １−（ｎ−ブチルスルフィニル）−１−（ｎ−ブチルチオ）−２−ニトロエテン
４． １−（ｎ−ヘキシルスルフィニル）−１−（ｎ−ヘキシルチオ）−２−ニトロエテン
５． １−（ｎ−オクチルスルフィニル）−１−（ｎ−オクチルチオ）−２−ニトロエテン
６． １−（ｎ−デシルスルフィニル）−１−（ｎ−デシルチオ）−２−ニトロエテン
７． １−（ｎ−ドデシルスルフィニル）−１−（ｎ−ドデシルチオ）−２−ニトロエテン
８． １−（ｎ−ベンジルスルフィニル）−１−（ｎ−ベンジルチオ）−２−ニトロエテン
９． １，１−ビス（メチルスルフィニル）−２−ニトロエテン
１０． ２−（ニトロメチレン）−１−オキシド−１，３−ジチオラン
１１． ２−（ニトロメチレン）−１−オキシド−１，３−ジチアン
１２． １−ニトロ−２−（メチルスルフィニル）シクロペンテン
１３． １−ニトロ−２−（メチルスルフィニル）シクロヘキセン
１４． １−ニトロ−２−（メチルスルホニル）シクロペンテン
１５． １−ニトロ−２−（メチルスルホニル）シクロヘキセン
１６． １−ニトロ−２−（フェニスルフィニル）シクロペンテン
１７． １−ニトロ−２−（フェニルスルフィニル）シクロヘキセン
１８． １−ニトロ−２−（フェニルスルホニル）シクロペンテン
１９． １−ニトロ−２−（フェニルスルホニル）シクロヘキセン
２０． ５−ニトロ−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−１−オキシド−チオピラン
２１． ２−ニトロメチレン−１，３−ベンゾジチオール−１−Ｓ−オキシド
２２． ２−ニトロメチレン−６−メチル−１，３−ベンゾジチオール−１−Ｓ−オキシド
２３． ２−エチルスルフィニル−１−ニトロブテン
【請求項５】
式Ｉで表され、Ｒがメチルであり、ｘが１であり、Ｒ３が水素であり、Ｒ１がチオメチルではない、抗菌活性化合物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
［式中、Ｒ１はＲ２ＳＯｙ、Ｈ、および（Ｃ１−Ｃ１８）アルキルから選択される、
ＲおよびＲ２は、（Ｃ１−Ｃ１８）アルキルから独立に選択される、
ＲおよびＲ２は、それらが結合している元素と一緒になり、５員または６員の飽和環または不飽和環を形成することができ、該環は任意に置換または非置換フェニル環に縮合することができる、
ＲおよびＲ１は、それらが結合している元素と一緒になり、５員または６員の飽和環を形成することができ、
Ｒ３はＨおよび（Ｃ１−Ｃ６）アルキルから選択される、
Ｒ１およびＲ３、またはＲおよびＲ３は、それらが結合している元素と一緒になり、５員または６員の不飽和環を形成することができ、
ｘは１または２であり、
ｙは０、１または２である］
を有する抗菌活性化合物の抗菌有効量を、対象中に、対象に、または対象上に導入することを含む、微生物の成長を抑制または禁止する方法に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月12日(2003.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式ＩまたはＩＩ
【化１】
1997110841.tif 000001
〔式中、ＸおよびＹは同じかまたは異なっており、フェニル基または１または３個の、低級アルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基もしくはアルコキシ基により置換されたフェニル基を表し；Ｔ1は水素原子、クロロ基、炭素原子数１ないし４のアルキル基または−ＳＯ3Ｈを表し；Ｔ2は炭素原子数１ないし１２のアルキル基を表し；Ｅ1は水素原子、クロロ基もしくは−ＯＥ2を表し；Ｅ2は水素原子または炭素原子数１ないし１８のアルキル基を表し；Ｅ3は水素原子、炭素原子数１ないし４のアルキル基、クロロ基または−ＳＯ3Ｈを表し；Ｅ4は水素原子、クロロ基または−ＯＥ5を表し；Ｅ5は水素原子または炭素原子数１ないし１８のアルキル基を表し；Ｅ6は水素原子、ヒドロキシ基またはカルボキシ基を表し；Ｇ1は水素原子を表すか、またはＧ1がフェニル環の５位にあるときはＧ1はまた直鎖もしくは枝分れした炭素原子数１ないし２４のアルキル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基または炭素原子数７ないし１５のフェニルアルキル基を表し；Ｒは水素原子、直鎖もしくは分枝鎖の炭素原子数１ないし２４のアルキル基または炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基；または１ないし８個の、ハロゲン原子、エポキシ基、グリシジルオキシ基、フリルオキシ基、−Ｒ2、−ＯＲ3、−Ｎ（Ｒ3）2 、−ＣＯＮ（Ｒ3）2 、−ＣＯＲ3、−ＣＯＯＲ3、−ＯＣＯＲ3、−ＯＣＯＣ（Ｒ3）＝Ｃ（Ｒ3）2、−Ｃ（Ｒ3）＝ＣＣＯＯＲ3、−ＣＮ、−ＮＣＯまたは
【化２】
1997110841.tif 000002
、またはそれらの組合せにより置換されている上記アルキル基またはシクロアルキル基；あるいは１ないし６個の、エポキシ基、−Ｏ−、−ＮＲ3−、−ＣＯＮＲ3−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｃ（Ｒ3）＝Ｃ（Ｒ3）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣ（Ｒ3）＝Ｃ（Ｒ3）−、−（Ｒ3）Ｃ＝Ｃ（Ｒ3）−、フェニレン基または−フェニレン−Ｇ−フェニレン基（式中、Ｇは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−ＣＨ2−または−Ｃ（ＣＨ3）2−を表す。）、またはそれらの組合せにより中断された上記アルキル基またはシクロアルキル基；または上述した基の組合せにより置換と中断の両方がなされた上記アルキル基またはシクロアルキル基；あるいはＲは−ＳＯ2Ｒ1または−ＣＯＲ4を表し；Ｒ1は炭素原子数１ないし２０のアルキル基、炭素原子数３ないし１８のアルケニル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、炭素原子数７ないし１５のフェニルアルキル基、炭素原子数６ないし１０のアリール基または１または２個の炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された上記アリール基を表し；Ｒ2は炭素原子数６ないし１０のアリール基または１ないし３個の、ハロゲン原子、炭素原子数１ないし８のアルキル基、炭素原子数１ないし８のアルコキシ基またはそれらの組合せによって置換された上記アリール基；炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、または炭素原子数７ないし１５のフェニルアルキル基；またはフェニル環上１ないし３個の、ハロゲン原子、炭素原子数１ないし８のアルキル基、炭素原子数１ないし８のアルコキシ基またはそれらに組合せにより置換された上記フェニルアルキル基；直鎖または分枝鎖の炭素原子数２ないし１８のアルケニル基を表し；Ｒ3はＲ2で定義された意味を表すか、またはＲ3はまた水素原子または直鎖もしくは分枝鎖の炭素原子数１ないし２４のアルキル基を表すか；またはＲ3は式
【化３】
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（式中、Ｔは水素原子、オキシル基、ヒドロキシル基、炭素原子数１ないし１２のアルキル基、少なくとも１個の、ヒドロキシル基または低級アルコキシ基によって置換された上記アルキル基、ベンジル基または炭素原子数２ないし１８のアルカノイル基を表す。）で表される基を表し；Ｒ4は直鎖または分枝鎖の炭素原子数１ないし１８のアルキル基、直鎖または分枝鎖の炭素原子数２ないし１８のアルケニル基、フェニル基、炭素原子数１ないし１２のアルコキシ基、フェノキシ基、炭素原子数１ないし１２のアルキルアミノ基、炭素原子数６ないし１２のアリールアミノ基または基−Ｒ5ＣＯＯＨまたは−ＮＨ−Ｒ6−ＮＣＯを表し；Ｒ5は炭素原子数２ないし１４のアルキレン基またはｏ−フェニレン基を表し；およびＲ6は炭素原子数２ないし１０のアルキレン基、フェニレン基、トリレン基、ジフェニレンメタン基または基：
【化４】
1997110841.tif 000004
を表す。〕で表される化合物。
【請求項２】
（ａ）化学線、酸素および／または熱によって崩壊し易い有機材料および（ｂ）請求項１に記載の式Ｉおよび／またはＩＩで表される化合物の有効な安定化量からなる安定化組成物。
【請求項３】
光、酸素および熱による損傷に対して有機材料を安定化する方法であって請求項１に記載の式Ｉおよび／または式ＩＩで表される化合物の少なくとも１種をこの有機材料に混合することからなる方法。