【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年7月18日(2014.7.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む、マイクロエレクトロニクス構造を形成する方法：
（ａ）  表面を有する基板を準備する工程；
（ｂ）  前記表面の上に反射防止層を形成する工程であって、前記反射防止層は、溶剤系中に溶解または分散されたビニルエーテル架橋剤およびポリマーを含有する反射防止組成物から形成され、前記ポリマーは酸に不安定なアダマンチル基を有する繰り返しモノマー単位を含み、前記反射防止組成物は、該組成物の総質量を１００質量％とするときに、０．００５質量％未満の酸発生剤を含む、工程；および
（ｃ）  前記反射防止層にフォトレジストを塗布し、画像形成層を形成する工程。
【請求項２】
前記形成工程（ｂ）の後に、前記反射防止層を架橋する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記架橋工程は、フォトレジスト溶剤に対する剥離試験を行うと、剥離率が０％になる反射防止層を生成する請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記アダマンチル基は、前記架橋工程には、関与しない、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
以下の工程を更に含む、請求項２に記載の方法：
（ｄ）  前記画像形成層および前記反射防止層を放射線に露光して、前記画像形成層および前記反射防止層に露光部分を、生成する工程。
【請求項６】
以下の工程を更に含む、請求項５に記載の方法：
（ｅ）  前記画像形成層および前記反射防止層を、現像剤に接触させ、前記基板表面から前記露光部分を除去する工程。
【請求項７】
前記露光する工程は、前記反射防止層に脱架橋をもたらす、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記脱架橋した反射防止層は遊離アダマンチルを含有する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記反射防止層は、塩基性現像剤中で、初期溶解度を有し、前記露光工程（ｄ）の後、前記反射防止層の前記露光部分は、塩基性現像剤中で、最終溶解度を有し、前記最終溶解度は、前記初期溶解度よりも大きい、請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
前記画像形成層は、前記露光工程（ｄ）の間に酸を発生し、それによって、前記反射防止層の前記露光部分を脱架橋する、請求項５に記載の方法。
【請求項１１】
前記ポリマーは、アダマンチルアクリラート類およびアダマンチルメタクリラート類から成る群から選択される第１の化合物と、スチレニックス、アクリリックス、メタクリリックス、ビニリックス、ビニルエーテル類、それらの誘導体，およびそれらの組合せ、から成る群から選択される第２の化合物との重合から形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
以下を含む、マイクロエレクトロニクス構造：
表面を有する基板；
前記基板表面に隣接する、硬化した反射防止層であって、該反射防止層は、溶剤系中に溶解または分散されたビニルエーテル架橋剤およびポリマーを含有する反射防止組成物から形成され、前記ポリマーは酸に不安定なアダマンチル基を有する繰り返しモノマー単位を含み、前記反射防止組成物は、該組成物の総質量を１００質量％とするときに、０．００５質量％未満の酸発生剤を含む、反射防止層；および
前記反射防止層に隣接するフォトレジスト層。
【請求項１３】
前記反射防止層は湿式現像可能である、請求項１２に記載の構造。
【請求項１４】
前記基板は、ケイ素、ＳｉＧｅ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、アルミニウム、タングステン、ケイ化タングステン、ガリウム砒素、ゲルマニウム、タンタル、窒化タンタル、サンゴ、ブラックダイヤ、リンまたはホウ素ドープガラス、イオン注入層、窒化チタン、酸化ハフニウム、酸窒化ケイ素、およびそれらの混合物、から成る群から選択される、請求項１２に記載の構造。
【請求項１５】
溶剤系中に溶解または分散された架橋可能なポリマーとビニルエーテル架橋剤とを含有する反射防止組成物であって、前記ポリマーは酸に不安定なアダマンチル基を有する繰り返しモノマー単位と、酸基を有する繰り返しモノマー単位とを含み、前記反射防止組成物は、該組成物の総質量を１００質量％とするときに、０．００５質量％未満の酸発生剤を含む、反射防止組成物。
【請求項１６】
前記酸基を有する繰り返しモノマー単位は、以下から成る群から選択される、請求項１５に記載の組成物：
【化１】
2012518812.tif 000001
式中、
各Ｒｌは、−Ｈ、分岐および非分岐アルキル、および環状系、から成る群から選択され；
各Ｒ２は、−ＯＨ、−Ｌ−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、Ｌ−ＣＯＯＨ、および−Ｌ−Ｃ（ＣＦ３）２ＯＨ、から成る群から独立に選択され、ここでＬは、任意の適切な連結基でありうる。
【請求項１７】
前記酸に不安定なアダマンチル基を有する繰り返しモノマー単位は、以下から成る群から選択されるアダマンチル基を有する、請求項１５に記載の組成物：
【化２】
2012518812.tif 000002
式中：
各Ｒｌは、−Ｈ、分岐および非分岐アルキル、および環状系、から成る群から選択され：そして
各Ｒ３は、以下から成る群から独立に選択され、
【化３】
2012518812.tif 000003
式中、
Ｒ４は、分岐および非分岐アルキルおよびシアノアルキルから成る群から独立に選択される。
【請求項１８】
前記ポリマーは以下の繰り返しモノマーを含有する請求項１５に記載の組成物：
【化４】
2012518812.tif 000004
式中：
各Ｒｌは、−Ｈ、分岐および非分岐アルキル、および環状系、から成る群から選択され；
各Ｒ２は、−ＯＨ、−Ｌ−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−Ｌ−ＣＯＯＨ、および−Ｌ−Ｃ（ＣＦ３）２ＯＨ、から成る群から独立に選択され、ここで、Ｌは、任意の適切な連結基であり；そして
各Ｒ３は、以下から成る群から独立に選択され、
【化５】
2012518812.tif 000005
式中、
Ｒ４は、分岐および非分岐アルキルおよびシアノアルキルから成る群から独立に選択される。
【請求項１９】
染料を更に含む、請求項１５に記載の組成物。
【請求項２０】
前記染料は前記ポリマーに結合している、請求項１９に記載の組成物。
【請求項２１】
前記溶剤系は、エチルラクテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコール  ｎ−プロピルエーテル、シクロヘキサノン、ガンマ‐ブチロラクトン、およびそれらの混合物、から成る群から選択される、請求項１５に記載の組成物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
組成物は、溶剤系中に溶解または分散された、架橋可能なポリマー（ポリマー結合剤）を含有することが好ましく、熱的に架橋可能なポリマーを含有することがより好ましい。また、組成物は溶剤系中にポリマーと共に分散または溶解した架橋剤（架橋用薬剤と称することもある）を含有することが好ましい。いくつかの実施態様では、組成物は、また、光酸発生剤（ＰＡＧ）および／またはクエンチャーを含有することもある。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
ポリマーは、好ましくは、アダマンチル基を有する繰り返しモノマー単位を含む。アダマンチル基はポリマーの主鎖の一部であってもよく、または側鎖のアダマンチル基であってもよい。１つの実施態様では、アダマンチル基は、好ましくは、連結基（例えば、エステル、またはエーテルなど）を介してポリマー主鎖に結合する。アダマンチル基は、好ましくは、酸に不安定（開裂性）である。本明細書中、「酸に不安定な」または「酸開裂性」アダマンチルとは、ポリマーへの連結基上の酸素に結合した炭素（α−炭素）のところに、置換基（例えば、メチル、エチル、イソプロピル、またはシアノメチル）を持つアダマンチル基を意味する。アダマンチル基を持つ繰り返しモノマー単位は、好ましくは、熱的架橋中は、ポリマーの架橋に関与しない。また、アダマンチル基は、それ自体、酸基を含まない（例えば、−ＯＨ基がない）ことが好ましい。ポリマーの形成に用いるのに特に好ましいアダマンチルモノマーとしては、アダマンチルアクリラート類およびメタクリラート類が含まれ、ここで、アダマンチルメタクリラート類が特に好ましく、２−イソプロピル−２−アダマンチルメタクリラート（ＩＰＭ）、２−エチル−２−アダマンチルメタクリラート（ＥＭ）、（２−アダマンチロキシ）メチルメタクリラート（ＡＭ）、２−（シアノメチル）−２−アダマンチルメタクリラート（ＣＡＭ）、および２−［（２−メチル−アダマンチル）−オキシ］−カルボニルメチルメタクリラート（ＭＡＣＭ）から成る群から選択される。アダマンチルモノマーは、ポリマーの総質量を１００質量％とするときに、好ましくは約１０質量％以上、より好ましくは約１０質量％〜約６０質量％、更により好ましくは約１５質量％〜約５５質量％のレベルでポリマー中に存在する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
また、好ましいポリマーは、酸官能基を有する繰り返しモノマー単位を含む（すなわち、側鎖に酸性官能性を持つ）ことがある。好ましい酸基は、ヒドロキシル基（−ＯＨ）、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、フェノール樹脂（−Ａｒ−ＯＨ）、フルオロアルコール（−Ｃ（ＣＦ３）２ＯＨ）、およびそれらの混合物から成る群から選択される。上述したように、側鎖アダマンチル基は、好ましくは、酸含有ではない。同様に、本発明では、酸性官能性を有する繰り返しモノマー単位は、好ましくは、非アダマンチルを主体とするモノマーである（すなわち、アダマンチルを含まない）。好ましくは酸基は、ポリマーの総質量を１００質量％とするときに、約３質量％以上、好ましくは約４質量％〜約３０質量％、さらにより好ましくは約５質量％〜約２５質量％のレベルでポリマー中に存在する。先行技術の組成物と異なり、架橋部位（または架橋部分）として機能する酸基は、保護基によって保護されていないことが好ましい。すなわち、酸基の約９５％以上、好ましくは約９８％以上、好ましくは約１００％が保護基を含まない。保護基とは、酸基が反応するのを防ぐ基である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
より好ましくは、染料は、ポリマーの官能基に結合している、または更により好ましくは、ポリマーの主鎖に直接（すなわち、それ自体のモノマー繰り返し単位から）結合している。また、染料はポリマー主鎖に組み込むことができる（すなわち、上述の方法でモノマー単位の一部として、またはそれ自体追加のモノマー単位として）。反射防止膜組成物に用いるのに適切な染料は、好ましくは、スチレン、フェニル、ナフタレン、アントラセン、それらの誘導体およびそれらの組合せ、から成る群から選択される。染料が結合される実施態様に関しては、染料は、好ましくは、ポリマーの総質量を１００質量％とするときに、約１５質量％以上、好ましくは約１８質量％〜約６５質量％、更により好ましくは約２０質量％〜約５５質量％のレベルでポリマー中に存在する。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
更に詳細には、ポリマーは好ましくは、アダマンチルアクリラート類およびアダマンチルメタクリラート類から成る群から選択される第１の化合物と、スチレニックス（styrenics）、アクリリックス（acrylics）、メタクリリックス（methacrylics）、ビニリックス（vinylics）、ビニルエーテル類（vinyl ethers）、それらの誘導体、およびそれらの組合せ、から成る群から選択される、少なくとも１つの、第２の化合物との重合から形成される。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
ポリマー中に組み込むことができる追加のモノマーとしては、架橋部位に加えて、側鎖多環式芳香族官能基、または任意の潜在的に酸の架橋基、または、その他の基、例えば、ポリマーの極性または疎水性を変換することができ、反射防止膜の架橋密度、疎水性、または極性を修正するのに用いることができ、それによって、膜を更に脱架橋が困難にすることができ、かつ／または、より疎水性になり、そして膜の露光していない領域は、現像剤の影響をより受けなくすることを可能にするような基が含まれる。適切なモノマーは、２−ナフトエ酸−３−メタクリラート（ＮＡＭＡ）、モノ−２−（メタクリロイルオキシ）エチルサクシネート、フッ化アルコールメタクリラート、およびｔ−Ｂｏｃ−オキシスチレン（ｔＢＳＭ）、から成る群から選択される。存在するときは、これらのモノマーは、好ましくは、ポリマーの総質量を１００質量％とするときに、約０．５質量％〜約５０質量％、より好ましくは約２質量％〜約２２質量％、更により好ましくは約３質量％〜約２０質量％、そして最も好ましくは約４質量％〜約１５質量％のレベルでポリマー中に存在する。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
実施態様にかかわらず、ポリマーは、反射防止組成物の総質量を１００質量％とするときに、約１０質量％以下、好ましくは約０．６質量％〜約３．６質量％、より好ましくは約０．７質量％〜約３．２質量％、そして更により好ましくは約０．８質量％〜約３質量％のレベルで、反射防止組成物中に存在する。また、好ましくは、ポリマーの重量平均分子量（ＭＷ）は、約１００，０００ｇ／ｍｏｌ以下、より好ましくは約２，５００ｇ／ｍｏｌ〜約７０，０００ｇ／ｍｏｌ、そして更により好ましくは約４，０００ｇ／ｍｏｌ〜約６０，０００ｇ／ｍｏｌである。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
上述したように、組成物は、また、好ましくは、架橋剤を含有する。好ましい架橋剤はビニルエーテル架橋剤である。架橋剤が多官能性（２−、３−、および４−官能性）であることが特に好ましい。市販のビニルエーテルの例としては、商品名ＶＥＣＴｏｍｅｒ（ＴＭ）（Ａｌｄｒｉｃｈ社、Ｓｔ．Ｌｏｕｉｓ、ＭＯ州）として販売されているものが含まれる。適切なビニルエーテル架橋剤は、本明細書の記載に従って作製することができる。架橋剤は、好ましくは、組成物の総質量を１００質量％とするときに、約０．１５質量％〜約１．０８質量％、好ましくは約０．２質量％〜約０．９質量％、そして更により好ましくは約０．２２質量％〜約０．８質量％のレベルで組成物中に存在する。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
反射防止組成物に用いられるのに好ましいＰＡＧは：オニウム塩（例えば、ＴＰＳノナフレート、ＴＰＳトリフレート、ＴＰＳトシレートのような、トリフェニルスルフォニウムペルフルオロスルフォネート、およびそれらの置換基、トリス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）スルフォニウムペルフルオロ−１−ブタンスルフォネート（アルキル−置換ＦＰＳモノフレート）のような、それらの置換された形態（すべて、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社から市販されているもの））；オキシム−スルフォネート（例えば、商品名ＣＧｌ（Ｒ）としてＣＩＢＡ社から市販されているもの）；トリアジン（例えば、ＴＡＺ１０８（Ｒ）としてＭｉｄｏｒｉ  Ｋａｇａｋｕ  Ｃｏｍｐａｎｙ社から市販されているもの）；サクシニミジル主体のスルフォネート（Ｍｉｄｏｒｉ  Ｋａｇａｋｕ  Ｃｏｍｐａｎｙ社）；ナフタリミジル主体のスルフォネート（Ｍｉｄｏｒｉ  Ｋｄｇａｋｕ  Ｃｏｍｐａｎｙ社）；ヨードニウム塩、およびそれらの組合せ、から成る群から選択される。存在する時は、ＰＡＧは、組成物の総質量を１００質量％とするときに、約０．００５質量％〜約０．０８質量％、好ましくは約０．００８質量％〜約０．０７質量％、より好ましくは約０．０１質量％〜約０．０６質量％のレベルで組成物に存在するものとする。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
いくつかの実施態様において、反射防止組成物は、好ましくは、実質的に酸発生剤（ＰＡＧまたは熱的酸発生剤（ＴＡＧ））を含まず、従って、非感光性である。すなわち、膜組成物は、好ましくは約０．０１質量％未満の酸発生剤、より好ましくは約０．００５質量％未満の酸発生剤、より好ましくは約０質量％の酸発生剤を含む。そのような実施態様において、上述したように、反射防止膜は、積層中の他の層からの酸拡散に依存して、脱架橋反応を開始し、組成物を現像剤可溶性にさせる。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
組成物に用いるのに好ましいクエンチャーは、好ましくは、主鎖または側鎖部分の一部として塩基官能性を有する、アミンまたはポリマーのような低分子である。適切なクエンチャーは、１−Ｂｏｃ−４−ヒドロキシピペリジン、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、トリメタノールアミン、トリメチルアミン、トリイソプロパノールアミン、トリイソプロピルアミン、トリ−ｔ−ブタノールアミン、トリ−ｔ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ブタノールアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ジエタノールアミン、ジエチルアミン、ジメタノールアミン、ジメチルアミン、ジイソプロパノールアミン、ジイソプロピルアミン、ジ−ｔ−ブタノールアミン、ジ−ｔ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ブタノールアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、エタノールアミン、エチルアミン、メタノールアミン、メチルアミン、イソプロパノールアミン、イソプロピルアミン、ｔ−ブタノールアミン、ｔ−ブチルアミン、ｎ−ブタノールアミン、およびｎ−ブチルアミン、ｔ−Ｂｏｃ−オキシスチレン／４−ビニルピリジン共重合体、および４−ビニルピリジンをモノマーとして用いる任意のポリマー、およびそれらの組合せ、から成る群から選択されるものを含む。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
反射防止膜組成物が存在する場合は、組成物の総質量を１００質量％とするときに、好ましくは約０．０５質量％未満のクエンチャー、より好ましくは約０．０００２質量％〜約０．０２質量％のクエンチャー、より好ましくは約０．０００２５質量％〜約０．０１８質量％、更により好ましくは約０．０００３質量％〜約０．０１７質量％、を含有することになる。また、反射防止膜組成物は、実質的にクエンチャーを含まないこともある。それらの実施態様において、組成物は、好ましくは、約０．０００１質量％未満のクエンチャー、より好ましくは、約０．００００５質量％未満のクエンチャー、更により好ましくは約０質量％のクエンチャーを含有する。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
好ましい溶剤系としては、エチルラクテート（ＥＬ）、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコール ｎ−プロピルエーテル（ＰｎＰ）、シクロヘキサノン、ガンマ−ブチロラクトンおよびそれらの混合物から成る群から選択される溶剤が含まれる。好ましくは、溶剤系の沸点は、約１１８℃〜約１６０℃であり、より好ましくは約１１８℃〜約１４６℃である。溶剤系は、組成物の総質量を１００質量％とするときに、約９０質量％以上、好ましくは約９６．５質量％〜約９９．４質量％、より好ましくは約９６．９質量％〜約９９．２質量％、更により好ましくは約９７．５質量％〜約９９質量％のレベルで用いられるべきである。組成物は、好ましくは、組成物の総質量を１００質量％とするときに、約０．６質量％〜約３．５質量％、好ましくは約０．８質量％〜約３１質量％、更により好ましくは約１質量％〜約２．５質量％、の固形物を含む。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
図１の（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の新規な反射防止膜を用いて構造を形成する方法を示す。この方法では、表面１０ａを有する基板１０を準備する。本発明では、任意のマイクロエレクトロニクス基板を使用することができる。好ましい基板としては、ケイ素、ＳｉＧｅ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、アルミニウム、タングステン、ケイ化タングステン、ガリウム砒素、ゲルマニウム、タンタル、窒化タンタル、サンゴ、ブラックダイヤ、リンまたはホウ素ドープガラス、イオン注入層、窒化チタン、酸化ハフニウム、酸窒化ケイ素、およびそれらの混合物から成る群から選択されるものが含まれる。方法は、一定量の本発明の反射防止組成物を基板１０の上に塗布し、基板１０の表面１０ａの上に組成物の層１２を形成する工程を含む。組成物は、任意の公知の方法によって塗布することができるが、好ましい方法の１つは、組成物を、約７５０ｒｐｍ〜約５，０００ｒｐｍ（好ましくは約７５０ｒｐｍ〜約４，０００ｒｐｍ、より好ましくは約１，０００ｒｐｍ〜約３．５００ｒｐｍ）の速度で、約２０秒〜約９０秒（好ましくは約３０秒〜約６０秒）の間スピンコートすることである。基板１０は、平坦な表面を備えることもあり、あるいはトポグラフィー特徴（ビア孔、トレンチ、コンタクトホール、隆起構造的特徴、線など）を備えることもある。本書中「トポグラフィー」とは、基板表面の中あるいは上にある構造の高さまたは深さを意味する。例えば、基板１０は、ホールと定義される構造を備えることができ、それは側壁と下層壁とを持つ。このように、反射防止組成物を基板に塗布する方法は、好ましくは、組成物を、これらホールの側壁と下層壁と一部分以上に、塗布することを含む。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
実施態様に関係なく、次に、パターン形成された積層２２の上に、従来のエッチング、メタライゼーション等を実施して、デバイス製造を完成させることができる。また、多重の露光プロセスを所望するときは、パターン形成された反射防止膜に隣接して第２の画像形成層を塗布して、露光−現像プロセスを、繰り返すことができる。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
透明の１２５−ｍｌナルゲンボトルに、０．６８ｇ（４．１４ｍｍｏｌ）の２．２’−アゾビスイソブチルニトリル（ＡＩＢＮ、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社、Ｓｔ．Ｌｏｕｉｓ、ＭＯ州）および６７．６３ｇのＰＧＭＥを投入した。この混合物を室温で０．６４時間の間混転して、溶液を生成した。フラスコに取付けられている滴下漏斗に、ＡＩＢＮ溶液を投入し、そして次に反応系を、室温で２．０時間の間、窒素でパージした。次にフラスコを１０２．５〜１０３℃のオイルバス中に浸漬した。反応混合物を窒素下で攪拌した。反応溶液温度が１０３℃で、ＡＩＢＮ溶液を３分間にわたり徐々に反応フラスコに加えた。その結果の反応混合物を、次に、９８℃〜１０５℃で２４時間の間、窒素下で攪拌した。収量は、２９９．５ｇ溶液（９９％回収）、１０．１８質量％のポリマー固形物であった。ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）による溶液中のターポリマーＩのＭｗは１５，１５０ｇ／ｍｏｌ、分散度（Ｄ）は２．８であった。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５５】
（ターポリマーＩを用いる下層反射防止膜の作製）
この手順では、上述の実施例１のターポリマーＩ（ＩＰＭ）を、ＰＡＧおよびクエンチャーと共に用いて、下層反射防止膜を作製した。２５０−ｍｌアンバーナルゲンボトルに、０．７１８ｇの自製ビニルエーテル架橋剤（実施例２７参照）、２．４２３ｇのターポリマーＩ、１５６．１８６１ｇのＰＧＭＥ、および３９．３６ｇのＰＧＭＥＡを投入した。この混合物を室温で１５．２時間混転した。次に、ＰＧＭＥ溶液中の、１．２５９６ｇの１％クエンチャー（ｌ−Ｂｏｃ−４−ヒドロキシピペリジン：Ｓｉｇｍａ  Ａｌｄｒｉｃｈ社、Ｓｔ．Ｌｏｕｉｓ、ＭＯ州）を加え、その後、０．０４２３ｇのＣＧＩＴＰＳ−Ｃｌ（Ｃｉｂａ社、Ｔａｒｒｙｔｏｗｎ、ＮＹ州）を加えた。次にボトルを室温で一晩混転し、その内容物を、０．１μｍのエンドポイントフィルタを通して２回ろ過して、４個の６０ｍｌアンバーナルゲンボトルに入れた。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５６】
その結果の下層反射防止膜の様々な特性について試験した。光学および膜特性の試験では、下層反射防止膜を、最初に１，５００ｒｐｍで３０秒または６０秒間の間、シリコンウエハにスピン塗布し、熱硬化させた（すなわち、１６０℃で６０秒間焼成した）。その結果の膜の初期厚みを、ガートナーエリプソメータを用いて測定し、記録した。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６０】
光が２４８−ｎｍのバンドパスフィルタを介してから露光する、Ｏｒｉｅｌ（ＴＭ）  ＤＵＶ  露光装置を用い、下層反射防止膜の対比曲線を決定した。下層反射防止膜を、シリコンウエハに、１，５００ｒｐｍで３０または６０秒間スピン塗布し、１６０℃で６０秒間焼成した。２つのウエハを露光し、その後１００℃で６０秒間、または１２０℃で６０秒間、ＰＥＢを行った。次に膜用レジスト（ＡＲＸ３００１ＪＮ；ＪＳＲ  Ｍｉｃｒｏ社）を１９５−ｎｍの厚みで塗布し、その後、１１０℃で６０秒間のＰＡＢを行い，露光し、そして、１１０℃で６０秒間のＰＥＢを行った。レジストを含むものと、含まないものの、双方のＰＥＢの対比曲線の結果を、図２の（ａ）〜（ｃ）に示す。この下層反射防止膜は、図２の（ａ）〜（ｃ）に示す下層反射防止膜の中で、最も低いＥ０を示した。
【誤訳訂正２１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６２】
（ターポリマーＩを用いる、ＰＡＧ−無し、下層反射防止膜の作製）
この手順では、ターポリマーＩ（ＩＰＭ）を用い、ＰＡＧまたはクエンチャーを用いずに、下層反射防止膜を作製した。１２５−ｍｌアンバーナルゲンボトルに、１．２１５６ｇのターポリマーＩ、０．３５９ｇの実施例２７の架橋剤、７４．３０９ｇのＰＧＭＥ、および１９，６７９ｇのＰＧＭＥＡ、を投入した。混合物を、室温で一晩混転し、次に、０．１−ｕｍフィルタを用いて、エンドポイントろ過した。その結果の下層反射防止膜を、（ａ）１，５００ｒｐｍで３０〜６０秒間、または（ｂ）２，７３８ｒｐｍで３０または６０秒間、のいずれかでシリコンウエハにスピン塗布し、それぞれ、その後１６０℃で６０秒間焼成を行った。スピンパラメータ（ａ）は、５４〜５５ｎｍの熱硬化下層反射防止膜を生成し、スピンパラメータ（ｂ）は、３８ｎｍの熱硬化下層反射防止膜を生成した。次に、膜用レジストＡＲＸ３００１ＪＮを、１９５−ｎｍの厚みで用いて、実施例２に記載した方法で、１９３−ｎｍリソグラフィーを実施した。ＳＥＭ写真（Ｃａｒｌ  Ｚｅｉｓｓ  ＳＭＴ  Ｉｎｃ社製のＬＥＯ１５６０を用いて作成したもの）を、図４に示す。双方の厚みに関し、非常に良好な１５０−ｎｍ  Ｌ／Ｓ（１：１）が得られた。
【誤訳訂正２２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６６】
次に、１２５−ｍｌナルゲンボトルに、０．６５４ｇ（３．９８ｍｍｏｌ）のＡＩＢＮおよび６６．８８ｇのＰＧＭＥを投入した。混合物を、室温で０．６時間、混転し、溶液を生成した。ＡＩＢＮ溶液を、次に、滴下漏斗に移した。反応系は、窒素で１５分間、フラッシし、そして、次にフラスコをＩ００℃のオイルバス中に浸漬した。混合物を窒素下で、２４時間、９８℃〜１０４℃で攪拌した。収量は、２９４．４ｇの溶液（９９％回収）、１０．１８質量％のポリマー固形物であった。ＧＰＣによる、溶液中の、ターポリマーのＭｗは１５，２５０ｇ／ｍｏｌ、Ｄは２．５であった。
【誤訳訂正２３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６８】
（ターポリマーＩＩを用いる、下層反射防止膜の作製）
この手順では、上述の実施例４のターポリマーＩＩ（ＥＭ）、ＰＡＧおよびクエンチャーを用いて、下層反射防止膜を作製した。２５０−ｍｌナルゲンボトルに、０．５３５３ｇの実施例２７の架橋剤、１．８２１５ｇのターポリマーＩＩ、１１７．１５７９ｇのＰＧＭＥ、２９．５２１０ｇのＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ中の０．９４５６ｇの１％クエンチャー（１−Ｂｏｃ−４−ヒドロキシピペリジン）、および０．０３１６ｇのＴＰＳ−Ｃ１、を投入した。混合物を、一晩混転し、次に、０．１μｍのエンドポイントフィルタを通してろ過した。
【誤訳訂正２４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７１】
（ターポリマーＩＩを用いる、ＰＡＧ−無し、下層反射防止膜の作製）
この手順では、実施例４のターポリマーＩＩ（ＥＭ）を用いて、ＰＡＧまたはクエンチャーを用いずに、下層反射防止膜を作製した。２５０−ｍｌアンバーナルゲンボトルに、０．３５９ｇの実施例２７の架橋剤、７８．７１５ｇのＰＧＭＥ、１９．６７６ｇのＰＧＭＥＡ、１．２１４ｇのターポリマーＩＩ、を投入した。混合物を、室温で、３．５時間より長く、混転した。次に、膜を０．１−μｍエンドポイントフィルタを通してろ過した。
【誤訳訂正２５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７４】
次に、６０−ｍｌナルゲンボトルに、０．６８ｇ（４．１４ｍｍｏｌ）のＡＩＢＮおよび５４．５９５ｇのＰＧＭＥを投入した。混合物を２時間室温で混転し、溶液を生成し、次にその溶液を滴下漏斗に加えた。約１２．１１ｇのＰＧＭＥを６０ｍｌナルゲンボトルに加え、ボトルの内部を完全にすすぎ洗いし、このすすぎ液を、また、滴下漏斗に加えた。反応系を、窒素で１５分間室温でフラッシし、次にそのフラスコを９９．５℃のオイルバス中に浸漬した。反応混合物を、窒素雰囲気下で攪拌した。反応溶液の温度を１０２．５℃にし、ＡＩＢＮ溶液を、フラスコに、約３分間にわたり、滴下添加した。反応混合物を、窒素下で２４時間約９７℃〜１０５℃で攪拌した。収量は、２９５．４ｇの溶液（９９％回収）、１０．１７質量％の固形物であった。ＧＰＣによる溶液中の、ターポリマーＩＩＩのＭｗは、１８，６５０ｇ／ｍｏｌ、Ｄは２．６であった。
【誤訳訂正２６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７６】
（ターポリマーＩＩＩを用いる下層反射防止膜の作製）
この手順では、実施例７のターポリマーＩＩＩ（ＡＭ）、ＰＡＧ、およびクエンチャーを用いて、下層反射防止膜を作製した。２５０−ｍｌアンバーナルゲンボトルに、０．７１５ｇの実施例２７の架橋剤、２．４２１ｇのターポリマーＩＩＩ、１５７．０６０ｇのＰＧＭＥ、および３９．５４ｇのＰＧＭＥＡを投入した。
【誤訳訂正２７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７７】
次に、ＰＧＭＥ溶液中の約１．２５６ｇの１％クエンチャー（１−Ｂｏｃ−４−ヒドロキシピペリジン）を加え、その後、０．０４２７ｇのＴＰＳ−Ｃｌを加えた。混合物を一晩室温で混転し、次に、０．１μｍのエンドポイントフィルタを通してろ過した。
【誤訳訂正２８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８３】
次に、６０−ｍｌナルゲンボトルに、０．６５ｇ（３．９６ｍｍｏｌ）のＡＩＢＮおよび、５４．９１ｇのＰＧＭＥを投入した。混合物を室温で０．５時間混転し、溶液を得た。溶液を滴下漏斗に加えた。約１２．１９ｇのＰＧＭＥを用いて、ナルゲンボトルをすすぎ洗いし、ＰＧＭＥすすぎ液を滴下漏斗に加えた。反応系を、窒素で１５分間フラッシュし、次にフラスコを１０３．５℃のオイルバス中に浸漬した。反応混合物を窒素雰囲気下で攪拌した。反応溶液の温度を１０１．５℃にし、ＡＩＢＮ溶液を約３分間にわたりフラスコに滴下添加した。反応溶液を窒素下で２４時間９７℃〜１０６℃で攪拌した。収量は、２９５．９ｇの溶液（９８．５％回収）、１０．１９質量％のポリマー固形物であった。ＧＰＣによる、溶液中の、ターポリマーＩＶのＭｗは、１４，８５０ｇ／ｍｏｌ、Ｄは２．６であった。
【誤訳訂正２９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８５】
（ターポリマーＩＶを用いる下層反射防止膜の作製）
この手順では、上述の実施例９のターポリマーＩＶ（ＣＡＭ）、ＰＡＧ、およびクエンチャーを用いて、下層反射防止膜を作製した。１２５−ｍｌアンバーナルゲンボトルに、０．３５８５ｇの実施例２７の架橋剤、ＰＧＭＥ中の、０．６３３５ｇの１．００１％クエンチャー（ｌ−Ｂｏｃ−４−ヒドロキシピペリジン）、１．２１３ｇのターポリマーＩＶ、７８．０９８５ｇのＰＧＭＥ、および９．６８７ｇのＰＧＭＥＡ、を投入した。混合物を室温で３３分間混転し、その後、２０．９ｍｇのＴＰＳ−Ｃｌを加えた。混合物を室温でおよそ７２時間混転し、その後、０．１−μｍのエンドポイントフィルタを通してろ過した。
【誤訳訂正３０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９０】
次に、１２５−ｍｌナルゲンボトルに、０．６５０ｇ（３．９６ｍｍｏｌ）のＡＩＢＮおよび６９．６５ｇのＰＧＭＥを投入した。混合物を０．６５時間混転し、溶液を生成し、次に、滴下漏斗に投入した。反応系を、窒素を用いて０．４時間およそ室温でパージし、そして次にフラスコを９９．５℃のオイルバス中に浸漬した。反応混合物を窒素下で攪拌した。攪拌した溶液の温度を１０２℃にし、窒素を流して、ＡＩＢＮ溶液を、反応溶液に２．７５分間にわたり徐々に加えた。次に、反応溶液を約９５℃〜１０６℃で２４時間窒素下で攪拌した。収量は、３０８．５ｇの溶液（９９％回収）、１０．１８質量％のポリマー固形物であった。ＧＰＣによる、溶液中のターポリマーＶのＭｗは、１７，９００ｇ／ｍｏｌ、Ｄは２．６であった。
【誤訳訂正３１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９２】
（ターポリマーＶを用いる下層反射防止膜の作製）
この手順では、実施例１１のターポリマーＶ（ＭＡＣＭ）、ＰＡＧ、およびクエンチャーを用いて、下層反射防止膜を作製した。２５０−ｍｌアンバーナルゲンボトルに、０．５３５ｇの実施例２７の架橋剤、１．８１２ｇのターポリマーＶ、１１７．１３１ｇのＰＧＭＥ、および２９．５１７ｇのＰＧＭＥＡ、を投入した。混合物を室温で２．１時間混転し、その後、ＰＧＭＥ中の、０．９４３ｇの１．００１質量％クエンチャー（１−Ｂｏｃ−４−ヒドロキシピペリジン）を加えた。混合物を室温で０．５時間、混転し、その後、３２．０ｍｇのＴＰＳ−Ｃｌを加えた。生成物を約７２時間室温で混転し、０．１−μｍのエンドポイントフィルタを通してろ過した。
【誤訳訂正３２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９４】
（ターポリマーＶＩの合成およびその沈殿）
この手順では、比較のために、１２．９ｍｏｌ％のｔ−ブチルメタクリラート、メタクリル酸、およびスチレンを用いて、従来の、酸に不安定なターポリマーを合成した。磁気攪拌棒、温度計、窒素吸気付きの追加の漏斗、および窒素排気付きの凝縮器、を備える、三つ口フラスコに、２５．９８ｇ（３０１．８ｍｍｏｌ）のメタクリル酸、１３．５ｇ（９４．９ｍｍｏｌ）のｔ−ブチルメタクリラート、３５．３７ｇ（３３９．６ｍｍｏｌ）のスチレン、および５０５．１１ｇのＰＧＭＥを投入した。
【誤訳訂正３３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９７】
（ターポリマーＶＩを用いる下層反射防止膜の作製）
この手順では、実施例１３のターポリマーＶＩ、ＰＡＧ、およびクエンチャーを用いて、下層反射防止膜を作製した。容器に、１．２１３６ｇのターポリマーＶＩ、０．３５８８ｇの実施例２７の架橋剤、７８．７２０ｇのＰＧＭＥ、１９．６８０ｇのＰＧＭＥＡ、０．００６３ｇのクエンチャー（１−Ｂｏｃ−４−ヒドロキシピペリジン）、および０．０２１３ｇのＴＰＳ−Ｃｌ、を投入した。混合物を室温で攪拌し、溶液を生成し、次にそれを０．ｌ−μｍのエンドポイントフィルタを通してろ過した。
次に、その結果の下層反射防止膜の膜および光学特性を、実施例２に記載の方法で、決定した。それを後の結果の表２に示す。
ターポリマーＩＩＩ下層反射防止膜の対比曲線を、上述の方法で、決定した。それを図２に示す。
次に、実施例２に記載した方法で、１９３−ｎｍリソグラフィーを実施した。その結果、図３に示す。
【誤訳訂正３４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０１】
（ターポリマーＶＩＩを用いる下層反射防止膜の作製）
この手順では、実施例１５のターポリマーＶＩＩ（２１．９ｍｏｌ％ＥＭ）、ＰＡＧ、およびクエンチャーを用いて、下層反射防止膜を作製した。容器に、１．２１２９ｇのターポリマーＶＩＩ、０．３６０ｇの実施例２７の架橋剤、７８．０８ｇのＰＧＭＥ、１９．６７ｇのＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ中の０．６３９ｇの１％クエンチャー（１−Ｂｏｃ−４−ヒドロキシピペリジン）、および０．０２２０ｇのＴＰＳ−Ｃｌ、を投入した。混合物を室温で攪拌し、溶液を生成し、次に、０．１μｍのエンドポイントフィルタを通して、ろ過した。
【誤訳訂正３５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０４】
（ターポリマーＶＩＩを用いるＰＡＧ−無し、下層反射防止膜の作製）
この手順では、実施例１５のターポリマーＶＩＩを用いて、ＰＡＧまたはクエンチャーを用いずに、下層反射防止膜を作製した。１２５−ｍｌアンバーナルゲンボトルに、１．２１３３ｇのターポリマーＶＩＩ、０．１８３ｇの実施例２７の架橋剤、６８．６７９ｇのＰＧＭＥ、および１７．１６９ｇのＰＧＭＥＡ、を投入した。混合物を、室温で、４．１時間、混転し、次に、０．１μｍのエンドポイントフィルタを通して、ろ過した。
【誤訳訂正３６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０６】
（実施例１〜１７の結果）
高活性化エネルギーグループである、ｔ−ブチルエステルのような、従来の酸に不安定なモノマー（実施例１３および１４参照）を、実施例１〜１２および１５〜１７では、活性化エネルギーが低くてよいアダマンチルメタクリラートモノマーに置き換えた。酸に不安定なモノマーが全体のポリマーに占めるパーセンテージが低いことを考慮すると、この小規模の変更によって、（１）誘導された下層反射防止膜の対比曲線と、ドーズツークリア（ｄｏｓｅ−ｔｏ−ｃｌｅａｒ（クリアにするのに必要な線量））（Ｅ０）：および（２）１９３−ｎｍリソグラフィーにおける、下層反射防止膜の性能、において、劇的な、予想外の変化が起った。
【誤訳訂正３７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０９】
（ターポリマーＩおよびポリマーアミン添加剤を用いる、ＰＡＧ−無し、下層反射防止膜の作製）
この手順では、実施例１のターポリマーＩ（ＩＰＭ）を、ポリマーアミン添加剤（クエンチャー）と共に用いて、ＰＡＧ−無し、下層反射防止膜を作製した。２５０−ｍｌアンバーナルゲンボトルに、０．５３６ｇの実施例２７の架橋剤、４−ビニルピリジンとｔ−Ｂｏｃ−オキシスチレン（自社合成）の０．５２ｍｇの１：１ｍｏｌの共重合体、１１６．７１０ｇのＰＧＭＥ、２９．１８６ｇのＰＧＭＥＡ、および１．８１７ｇのターポリマーＩ、を投入した。混合物を室温で１７時間混転し、溶液を生成した。次に、０．１μｍのエンドポイントフィルタを通して２回ろ過した。
【誤訳訂正３８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１４】
（ＮＡＭＡを含むアダマンチルポリマーの合成）
この手順では、第４のモノマー、２−ナフトエ酸−３−メタクリラート（ＮＡＭＡ）を、ターポリマーＩ結合剤に、モノマー混合物の１４質量％の量で、組み込むことによって、新規なポリマー溶液を作製した。磁気攪拌棒および温度計を備える５００−ｍｌ三つ口フラスコに、９．０９ｇ（１０５．６ｍｍｏｌ）のメタクリル酸、１０．５６ｇ（１０１．４ｍｍｏｌ）のスチレン、８．７２ｇ（３３．２ｍｍｏｌ）のＡｄａｍａｎｔａｔｅ（Ｒ）Ｍ−１０５（ＩＰＭ；出光興産、東京、日本）、４．５６ｇ（１７．８ｍｍｏｌ）のＮＡＭＡ、および２２１．５５ｇのＰＧＭＥ、を投入した。窒素排気アダプタ付きの凝縮器および窒素吸気アダプタ滴下漏斗を、フラスコに取付けた。混合物を室温で約４．５分間攪拌し、塵状の懸濁剤／溶液を得た。
【誤訳訂正３９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１５】
７３．６０ｇのＰＧＭＥ中で、０．６８０ｇ（４．１４ｍｍｏｌ）のＡＩＢＮの溶液を作製し、滴下漏斗に投入した。反応混合物を室温で約１５分間、窒素でパージし、次にフラスコを１０６℃のオイルバスに浸漬した。攪拌した反応溶液が１０４℃に到達した時に、ＡＩＢＮ溶液を２分間にわたり滴下添加した。反応混合物を、約９６〜１０４℃で２４時間攪拌し、次に冷却させた。収量は、３２１．１ｇの溶液（９８％回収）、１０．１９質量％のポリマー固形物であった。ＧＰＣによる、溶液中の、ＮＡＭＡ−アダマンチルポリマーのＭｗは、１３．２００ｇ／ｍｏｌ、Ｄは２．３４であった。
【誤訳訂正４０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２８】
（ＰＡＧ−無し、ターポリマーＩの反射防止膜の昇華物）
この手順では、実施例３の手順に従って作製されたＰＡＧ−無し、反射防止膜からの、焼成工程中の、昇華物を、２種の市販の１９３−ｎｍの乾式下層反射防止膜からの、昇華物と比較した。ガラスのベルジャーに取付けられたノズルの上に、水晶振動子の微量天秤（ＱＣＭ）を取付けた。回収のために、真空を適用して昇華物を水晶まで上に移動させた。そこで凝縮昇華物を、水晶振動の変化に基づいて、記録する。凝縮しない溶剤は測定されない。電極を水晶に接続し、次に、データをコンピュータに転送し、コンピュータは振動の変化を、リアルタイムでグラフ化する。これを計算して、昇華物対加熱時間（秒）のナノグラムにした。標準の１９３−ｎｍ乾式現像下層反射防止膜コントロールは、ＡＲＣ（Ｒ）  ２９Ａ−８およびＡＲＣ（Ｒ）１６２−３０４−２（双方ともＢｒｅｗｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  Ｉｎｃ社製，ローラ，ＭＯ州）であった。焼成パラメータは、ＰＡＧ−無し、ターポリマーＩ下層反射防止膜（厚みは４９．５ｎｍ）に関しては、１６０℃で１２０秒間であり、乾式下層反射防止膜（厚みは、それぞれ７５．３ｎｍおよび３９．１ｎｍ）に関しては、２０５℃で１２０秒間であった。昇華物回収のために、ホットプレートを指定された温度でおよそ１分間保持してから、コーティングしたばかりのウエハを、ガラス製のベル・ジャーの下に配置した。その結果および比較を図１１〜１２に示す。ＰＡＧ−無し、ターポリマー１下層反射防止膜の昇華物は、乾式下層反射防止膜ＡＲＣ（Ｒ）２９Ａ−８に比べてかなり低く、乾式下層反射防止膜ＡＲＣ（Ｒ）１６２−３０４−２の昇華物とほぼ同じレベルであった。