【手続補正書】
【提出日】平成15年7月22日(2003.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電気光学装置の製造方法及び電気光学装置並びにプロジェクタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に画素スイッチング用素子を形成する工程と、
前記画素スイッチング用素子の上方に研磨処理に対するストッパ層を形成する工程と、
前記ストッパ層上に前記ストッパ層の表面段差以上の厚みを有する一の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記ストッパ層の表面が露出するまで前記一の層間絶縁膜を研磨する工程と、
前記研磨された一の層間絶縁膜上に他の層間絶縁膜を形成する工程と、
該他の層間絶縁膜上にコンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子に接続されるように画素電極を形成する工程と
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記他の層間絶縁膜は平坦であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記ストッパ層を形成する工程は、コンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子に接続されるようにデータ線を形成する工程を含み、
前記ストッパ層は、前記データ線の少なくとも一部からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記データ線を形成する工程は、前記データ線を複数の導電膜から積層形成する工程を含み、
前記ストッパ層は、前記複数の導電膜のうち最上に位置するものの少なくとも一部からなることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記ストッパ層を形成する工程は、コンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子に接続されるようにデータ線を形成すると同時に前記データ線を構成する導電膜と同一層から前記データ線とは異なる個所に前記ストッパ層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記ストッパ層を形成する工程は、前記画素電極と前記画素スイッチング用素子との間に介在する中継用導電層を形成する工程を含み、
前記ストッパ層は、前記中継用導電層の少なくとも一部からなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記ストッパ層を形成する工程は、前記画素電極と前記画素スイッチング用素子との間に介在する中継用導電層を形成すると同時に前記中継用導電層と同一層から前記中継用導電層とは異なる個所に前記ストッパ層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記画素スイッチング用素子の上方に、コンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子に接続されるようにデータ線を形成する工程を更に含み、
前記ストッパ層を形成する工程では、前記データ線上に前記ストッパ層を形成することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記ストッパ層を形成する工程は、前記基板及び前記ストッパ層の間にある全ての膜が堆積された前記基板上の所定個所に前記ストッパ層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記基板並びに前記基板及び前記ストッパ層の間にある膜のうち少なくとも一つは、前記画素スイッチング用素子及びその配線の少なくとも一部に対向する部分が溝状に窪んで形成されていることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
基板上に画素スイッチング用素子を形成する工程と、
前記画素スイッチング用素子の上方に平坦化膜を形成する工程と、
前記平坦化膜上にコンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子に接続されるように画素電極を形成する工程と
を含み、
前記基板並びに前記基板及び前記平坦化膜の間にある膜のうち少なくとも一つは、前記画素スイッチング用素子及びその配線の少なくとも一部に対向する部分が溝状に窪んで形成されていることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
前記平坦化膜の下地となる膜の表面段差が５００ｎｍ（ナノメータ）以下となるように、前記画素スイッチング用素子及びその配線の少なくとも一部に対向する部分が溝状に窪んで形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
前記基板並びに前記基板及び前記平坦化膜の間にある膜のうち少なくとも一つは、前記基板上に形成される周辺回路を構成する素子に対向する部分も溝状に窪んで形成されていることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
基板と、
該基板上に形成された画素スイッチング用素子と、
該画素スイッチング用素子の上方に形成された研磨処理に対するストッパ層と、
該ストッパ層上に形成されており前記研磨処理により前記ストッパ層の表面レベルまで研磨されて平坦化された一の層間絶縁膜と、
該一の層間絶縁膜上に形成された他の層間絶縁膜と、
該他の層間絶縁膜上に形成されておりコンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子に接続されている画素電極と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１５】
基板と、
該基板上に形成された画素スイッチング用素子と、
該画素スイッチング用素子の上方に形成された平坦化膜と、
該平坦化膜上に形成されておりコンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子に接続されている画素電極と
を備えており、
前記基板並びに前記基板及び前記平坦化膜の間にある膜のうち少なくとも一つは、前記画素スイッチング用素子及びその配線の少なくとも一部に対向する部分が溝状に窪んで形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１６】
請求項１４又は１５に記載の電気光学装置を備えることを特徴とするプロジェクタ。
【請求項１７】
基板上に画素スイッチング用素子を形成する工程と、
前記画素スイッチング用素子の上方に一の平坦化膜を形成する工程と、
前記一の平坦化膜の上方に他の平坦化膜を形成する工程と
前記他の平坦化膜上にコンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子に接続されるように画素電極を形成する工程と
を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１８】
前記一の平坦化膜と前記他の平坦化膜の間に、別の平坦化膜を形成することを特徴とする請求項１７に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１９】
前記画素スイッチング用素子の上方に研磨処理に対するストッパ層を形成する工程と、
前記ストッパ層上に前記ストッパ層の表面段差以上の厚みを有する前記一の平坦化膜を形成する工程と、
前記ストッパ層の表面が露出するまで前記一の平坦化膜を研磨する工程と、
前記研磨された一の平坦化膜上に前記他の平坦化膜を形成する工程と
を備えることを特徴とする請求項１７に記載の電気光学装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に画素スイッチング用素子を形成する工程と、前記画素スイッチング用素子の上方に研磨処理に対するストッパ層を形成する工程と、前記ストッパ層上に前記ストッパ層の表面段差以上の厚みを有する一の層間絶縁膜を形成する工程と、前記ストッパ層の表面が露出するまで前記一の層間絶縁膜を研磨する工程と、前記研磨された一の層間絶縁膜上に他の層間絶縁膜を形成する工程と、該他の層間絶縁膜上にコンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子に接続されるように画素電極を形成する工程とを含む。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、先ず、基板上に、例えばＴＦＴ素子、ＴＦＤ素子等の画素スイッチング用素子が形成され、この画素スイッチング用素子の上方に、例えば層間絶縁膜等を介して研磨処理に対するストッパ層が形成され、更に、このストッパ層上に一の層間絶縁膜が形成される。従ってこの時点で、基板及び一の層間絶縁膜の間に存在する画素スイッチング素子やその配線などにより、一の層間絶縁膜の表面には段差が生じている。続いて、一の層間絶縁膜が研磨されるが、ここで一の層間絶縁膜はストッパ層の表面段差以上の厚みを有すると共にストッパ層と比べて研磨され易いので、ストッパ層の最も高くに位置する個所における表面が露出する以前に、一の層間絶縁膜の表面の段差は研磨により消滅する。そして、ストッパ層の表面が露出すると、研磨処理をストップ（停止）する。次に、研磨された一の層間絶縁膜上に他の層間絶縁膜が形成される。最後に、このように形成された他の層間絶縁膜上に、コンタクトホールを介して画素スイッチング用素子に接続されるように画素電極が形成される。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
以上の結果、本発明の電気光学装置の製造方法によれば、比較的容易に画素電極を平坦化可能であり、画素スイッチング用素子と画素電極とをコンタクトホールを介して比較的容易に電気接続可能である。この結果、段差のない画素電極を画素スイッチング用素子によりコンタクトホールを介して駆動することにより高品位の画像表示が可能な電気光学装置を製造できる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の電気光学装置の製造方法の一の態様では、前記研磨処理は、ＣＭＰ処理からなる。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記ストッパ層を形成する工程は、コンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子に接続されるようにデータ線を形成する工程を含み、前記ストッパ層は、前記データ線の少なくとも一部からなる。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記データ線を形成する工程は、前記データ線を複数の導電膜から積層形成する工程を含み、前記ストッパ層は、前記複数の導電膜のうち最上に位置するものの少なくとも一部からなる。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記ストッパ層を形成する工程は、コンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子に接続されるようにデータ線を形成すると同時に前記データ線を構成する導電膜と同一層から前記データ線とは異なる個所に前記ストッパ層を形成する工程を含む。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記ストッパ層を形成する工程は、前記画素電極と前記画素スイッチング用素子との間に介在する中継用導電層を形成する工程を含み、前記ストッパ層は、前記中継用導電層の少なくとも一部からなる。


【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記ストッパ層を形成する工程は、前記画素電極と前記画素スイッチング用素子との間に介在する中継用導電層を形成すると同時に前記中継用導電層と同一層から前記中継用導電層とは異なる個所に前記ストッパ層を形成する工程を含む。


【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記画素スイッチング用素子の上方に、コンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子に接続されるようにデータ線を形成する工程を更に含み、前記ストッパ層を形成する工程では、前記データ線上に前記ストッパ層を形成する。


【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記ストッパ層を形成する工程は、前記基板及び前記ストッパ層の間にある全ての膜が堆積された前記基板上の所定個所に前記ストッパ層を形成する工程を含む。


【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記基板並びに前記基板及び前記ストッパ層の間にある膜のうち少なくとも一つは、前記画素スイッチング用素子及びその配線の少なくとも一部に対向する部分が溝状に窪んで形成されている。


【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に画素スイッチング用素子を形成する工程と、前記画素スイッチング用素子の上方に平坦化膜を形成する工程と、前記平坦化膜上にコンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子に接続されるように画素電極を形成する工程とを含み、前記基板並びに前記基板及び前記平坦化膜の間にある膜のうち少なくとも一つは、前記画素スイッチング用素子及びその配線の少なくとも一部に対向する部分が溝状に窪んで形成されている。


【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、先ず、基板上に、例えばＴＦＴ素子、ＴＦＤ素子等の画素スイッチング用素子が形成され、この画素スイッチング用素子の上方に、層間絶縁膜等を介して、例えば上面が研磨処理により平坦化された酸化シリコン膜、スピンコートされた有機膜などの平坦化膜が形成される。ここで得に、平坦化膜を形成する前段階で、基板やその他の膜の溝に対応して、平坦化膜の下地となる膜の表面における段差が、ある程度緩和されている。即ち、平坦化のために最低限必要な平坦化膜の厚みは、溝の深さに応じて薄くてよくなる。従って、平坦化膜が薄い分だけ、画素電極と画素スイッチング用素子とを結ぶコンタクトホールの長さも短くて済むので製造上有利である。また特に研磨処理を用いて平坦化膜を形成する場合には、その下地膜との界面で発生するストレスを効率的に緩和することができ、その部分におけるクラックの発生防止にも役立つ。更に平坦化に必要な研磨量も溝の深さに応じて低減可能である。
これらに加えて、前述した従来例の如き厚い層間絶縁膜を形成した場合に層間絶縁膜の表面が荒れる事態も未然に防ぐことができ、良好に研磨処理を施すことが可能となる。


【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
以上の結果、本発明の電気光学装置の製造方法によれば、比較的容易に画素電極を平坦化可能であり、画素スイッチング用素子と画素電極とをコンタクトホールを介して比較的容易に電気接続可能である。この結果、段差のない画素電極を画素スイッチング用素子によりコンタクトホールを介して駆動することにより高品位の画像表示が可能な電気光学装置を製造できる。


【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
本発明の電気光学装置の製造方法の一の態様では、前記平坦化膜の下地となる膜の表面段差が５００ｎｍ以下となるように、前記画素スイッチング用素子及びその配線の少なくとも一部に対向する部分が溝状に窪んで形成されている。


【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記基板並びに前記基板及び前記平坦化膜の間にある膜のうち少なくとも一つは、前記基板上に形成される周辺回路を構成する素子に対向する部分も溝状に窪んで形成されている。


【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板と、該基板上に形成された画素スイッチング用素子と、該画素スイッチング用素子の上方に形成された研磨処理に対するストッパ層と、該ストッパ層上に形成されており前記研磨処理により前記ストッパ層の表面レベルまで研磨されて平坦化された一の層間絶縁膜と、該一の層間絶縁膜上に形成された他の層間絶縁膜と、該他の層間絶縁膜上に形成されておりコンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子に接続されている画素電極とを備える。


【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
本発明の電気光学装置によれば、その製造の際に、研磨処理を時間管理ではなくストッパ層を用いてストップしているので、平坦化時に高い精度で研磨量（研磨する膜厚）が制御されている。このため、平坦化膜における研磨量不足により残った段差に起因して液晶の配向不良等が生じたり、研磨量過剰により断線やショートなどの配線不良等が生じたり、或いは研磨量過剰により画素電極と画素スイッチング用素子との寄生容量の増大等が生じたりすることによる装置欠陥や表示不良が低減されている。この結果、製造歩留まり及び装置信頼性が高く、段差のない画素電極を画素スイッチング用素子によりコンタクトホールを介して駆動することにより高品位の画像表示が可能となる
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板と、該基板上に形成された画素スイッチング用素子と、該画素スイッチング用素子の上方に形成された平坦化膜と、該平坦化膜上に形成されておりコンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子に接続されている画素電極とを備えており、前記基板並びに前記基板及び前記平坦化膜の間にある膜のうち少なくとも一つは、前記画素スイッチング用素子及びその配線の少なくとも一部に対向する部分が溝状に窪んで形成されている。


【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
本発明の電気光学装置によれば、基板やその他の膜の溝に対応して、平坦化膜の下地表面における段差が、ある程度緩和されているので、その分だけ平坦化膜の厚みは薄く構成可能である。従って、平坦化膜が薄い分だけ、画素電極と画素スイッチング用素子とを結ぶコンタクトホールの長さも短くて済むので、コンタクトホールの径も比較的小さくて済む。これにより画素開口率の向上が可能となる。また特に研磨処理を用いて形成された平坦化膜を備えた場合には、平坦化膜とその下地膜との界面におけるクラックが低減されている。この結果、製造歩留まり及び装置信頼性が高く、段差のない画素電極を画素スイッチング用素子によりコンタクトホールを介して駆動することにより高品位の画像表示が可能となる。