(57)【要約】【課題】面内で均一な電子放出特性を実現可能とする自発光型平面表示装置を提供する。【解決手段】ガラス基板４０１上にチューブ側面を化学修飾したシングルカーボンナノチューブ４０２と導電性支持体４０３とを有機樹脂材４０４に混練させて形成したカーボンナノチューブペーストをスクリーン印刷法により塗布し、乾燥及び焼成することにより、有機樹脂材４０４は消失し、導電性支持体４０３の隙間にカーボンナノチューブ４０２が凝集することなく、ばらばらに且つ均一に突き刺さって配置されるので、これを電子源として用いた場合、面内で均一な電子放出特性を実現することができる。【選択図】        図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界の印加により電子を放出する電子源を陰極配線に具備した自発光型平面表示装置において、
前記電子源は、少なくとも一種類の原子または原子団または少なくとも一種類の原子と原子団が側面の少なくとも一箇所で化学修飾基と結合しているナノチューブを用いたことを特徴とする自発光型平面表示装置。
【請求項２】
前記ナノチューブとして炭素原子により構成されたシングルウォールカーボンナノチューブを用いたことを特徴とする請求項１に記載の自発光型平面表示装置。
【請求項３】
前記ナノチューブとして炭素原子により構成されたマルチウォールカーボンナノチューブを用いたことを特徴とする請求項１に記載の自発光型平面表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくとも一箇所が化学修飾基と結合しているナノチューブを電子源として用いた自発光型平面表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電界放射型のパネル表示装置（ＦＥＤ）の一形式として、電界の印加により電子を放出する電子源としてカーボンナノチューブやカーボンナノファイバー等の無機質炭素材料を用い、これを電子源とした自発光型平面表示装置が数多く報告されている。例えば、公称４．５インチの自発光型平面表示装置を作製した例がＳＩＤ９９Ｄｉｇｅｓｔのｐｐ．１１３４〜１１３７に記載されている。
【０００３】
従来、カーボンナノチューブ電子源を陰極配線等の導電膜上にスクリーン印刷法により作製する場合、カーボンナノチューブを混練した例えば銀ペーストを作製し、この銀ペーストを基板上にスクリーン印刷した後、乾燥（焼成）を行うことにより、電子源として使用する。その際、カーボンナノチューブを銀ペースト中で均一に分散させるために適当な分散材を用いる方法が一般的であった。なお、この種のカーボンナノチューブを電子源として用いたカーボンナノチューブ電子放出素子については、例えば下記特許文献１，特許文献２または非特許文献１などに開示されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００２−２５４２５号公報
【特許文献２】
特開２００２−２０３４７１号公報
【非特許文献１】
ＳＩＤ９９Ｄｉｇｅｓｔのｐｐ．１１３４〜１１３７
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の形成方法では、カーボンナノチューブの銀ペースト中での分散が不十分であり、また、銀ペーストを乾燥する段階でカーボンナノチューブ同士がファンデルワールス引力により凝集してバンドルを形成するためにカーボンナノチューブが面内で不均一に存在し、均一な電子放出特性を実現することが極めて困難であった。
【０００６】
したがって、本発明は、前述した従来の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、面内で均一な電子放出特性が得られる自発光型平面表示装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために本発明による自発光型平面表示装置は、チューブ側面を化学修飾したナノチューブまたはチューブ最外側面を化学修飾したナノチューブを電子源として用いることにより、この化学修飾による立体障害によりナノチューブ同士がファンデルワールス引力により、バンドル化するのを効率的に防止し、個々のナノチューブが面内でばらばらに均一に分散される。
【０００８】
なお、本発明は、上記構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明による自発光型平面表示装置の一実施例を説明する前提として電子源に用いられるナノチューブとしてシングルウォールカーボンナノチューブをチューブの軸方向に対して斜め方向から見た立体図を示したものである。
【００１０】
図１において、ナノチューブにおいて六員環（六角形が繋がってできた筒型構造）を形成する炭素原子のうち、一部の炭素原子の結合状態をｓｐ２からｓｐ３状態に変化させて余った結合手に化学修飾基を付けたナノチューブを電子源として用いることが本発明の基本概念である。
【００１１】
図１では、ｓｐ３状態の炭素原子１０１に化学修飾基１０２が結合した状態を示している。ここで、ｓｐ３状態の炭素原子１０１を２個のみを描いたが、可能な限り、多くの炭素原子に化学修飾基を結合させた方が、ナノチューブの高い分散効果が得られる。また、化学修飾基１０２は複数の原子から構成された原子団である。
【００１２】
図２は、図１と同様にｓｐ３状態の炭素原子２０１に化学修飾基２０２が結合した状態を示している。図１と異なる点は、化学修飾基２０２が単独の原子で構成されている。ここで、ｓｐ３状態に炭素原子２０１を２個のみを描いたが、可能な限り、多くの炭素原子に化学修飾基を結合させた方が、カーボンナノチューブの分散効果が高くなる。
【００１３】
図３では、ｓｐ３状態の第１の炭素原子３０１に化学修飾基Ａ３０２が結合し、ｓｐ３状態の第２の炭素原子３０３に化学修飾基Ｂ３０４が結合した状態を描いている。すなわち、複数の種類の化学修飾基が１本のカーボンナノチューブの側面に結合した状態を示している。
【００１４】
ここで、化学修飾基Ａ３０２および化学修飾基Ｂ３０４は、単独の原子でも原子団でも良い。また、ここで、ｓｐ３状態の第１の炭素原子３０１を１個及びｓｐ３状態の第２の炭素原子３０２を１個のみを描いたが、可能な限り、多くの炭素原子に化学修飾基を結合させた方が、カーボンナノチューブの分散効果が高くなる。また、１本のカーボンナノチューブの結合する化学修飾基の種類は２種類以上あっても良い。
【００１５】
ここで、化学修飾基（−Ｒ）１０２，２０２，Ａ３０２，Ｂ３０４の例としては、原子の化学修飾基として−Ｆ，−Ｃｌ，−Ｂｒ，−Ｉなどを挙げることができる。また、原子団の化学修飾基として−ＯＨ，−ＣＯＨ，−ＣＯＯＨ，−ＣＮ，−ＮＨ２，−ＳＨ，−ＣＯＮＨ２，−Ｒ（Ｒは一般的な炭化水素基およびその誘導体を表す），−ＯＲ，−ＣＯＲ，−ＣＯＯＲ，−ＮＨＲ，−ＮＨＲＲ´（Ｒ´はＲとは異なる一般的な炭化水素基およびその誘導体を表す），−ＳＲ，ＣＯＮＨＲ，−ＣＯＮＲＲ´などを挙げることができる。
【００１６】
また、前述した化学修飾基がカーボンナノチューブと結合しているか否かについては、赤外線吸収スペクトルにより検出することができる。例えば、Ｃ−Ｆ結合は、１０００〜１４００ｃｍ−１に特有なスペクトルが見られる。また、Ｃ＝０結合は、１６９０〜１７６０ｃｍ−１に、Ｃ−Ｎ結合は、１１８０〜１３６０ｃｍ−１にそれぞれ特有なスペクトルが見られる。これにより、化学修飾基の有無を調べることが可能となる。
【００１７】
また、図１，図２及び図３では、シングルウォールカーボンナノチューブを用いて説明したが、マルチウォールカーボンナノチューブの最外側面に同様に化学修飾基を結合させることにより、上記同様の効果を得ることができる。いずれにしても、１本のカーボンナノチューブに対する化学修飾基の数は多いほど、また、化学修飾基が大きいほど、立体障害が大きいために凝集防止の効果が大きい。
【００１８】
図４は、本発明に係わるチューブ側面を化学修飾したシングルウォールカーボンナノチューブを含有したペーストをガラス基板上に塗布した塗布膜の乾燥前後の様子を模式的に示した断面図であり、図４（ａ）はガラス基板４０１上にカーボンナノチューブペーストをスクリーン印刷法により塗布した直後の状態を示している。
【００１９】
図４（ａ）において、カーボンナノチューブペーストは、チューブ側面を化学修飾したシングルウォールカーボンナノチューブ４０２，導電性支持体４０３及び有機樹脂材４０４により形成される。これを乾燥及び焼成した後の状態を図４（ｂ）に示す。
【００２０】
図４（ｂ）において、図４（ａ）に示した有機樹脂材４０４は消失し、導電性支持体４０３の隙間にカーボンナノチューブ４０２が突き刺さっている。チューブ側面を化学修飾したシングルウォールカーボンナノチューブは、凝集することなく、ばらばらに且つ均一に配置されるので、これを電子源として用いた場合、面内で均一な電子放出特性を実現することができる。
【００２１】
なお、本実施例では、シングルウォールカーボンナノチューブを例に説明したが、マルチウォールカーボンナノチューブに関しても同様の化学修飾法により均一な電子放出特性を実現することができる。また、本実施例では、一本のカーボンナノチューブに同種類の化学修飾基を結合させた場合について説明したが、何種類かの化学修飾基を一本のカーボンナノチューブに結合させた場合でも同様の効果が得られる。
【００２２】
これに対して通常のカーボンナノチューブを用いたペーストの乾燥前後の様子を模式的に図５に示した。図５（ａ）は、ガラス基板５０１上にカーボンナノチューブペーストをスクリーン印刷法により塗布した直後の状態を示す。図５（ａ）において、カーボンナノチューブペーストは、通常のカーボンナノチューブ５０２，導電性支持体５０３及び有機樹脂材５０４により形成されている。これを乾燥及び焼成した後の状態を図５（ｂ）に示す。
【００２３】
図５（ｂ）において、図５（ａ）に示した有機樹脂材５０４は消失し、導電性支持体５０３の隙間にカーボンナノチューブ５０２が突き刺さっている構造となる。このカーボンナノチューブ５０２は、ファンデルワールス引力により、乾燥時または焼成時に激しく凝集し、このためにこれを電子源として用いた場合、面内で不均一な電子放出特性になってしまう。
【００２４】
（第１の実施例）
次に本発明による自発光型平面表示装置の第１の実施例を図６〜図１３を用いて詳細に説明する。まず、図６を用いて本発明による自発光型平面表示装置の全体構成を説明する。図６（ａ）は自発光型平面表示装置を斜め上方から見た展開斜視図を、図６（ｂ）はその斜め下方から見た展開斜視図をそれぞれ示している。
【００２５】
この自発光型平面表示装置は、走査信号Ｓｓとゲート信号Ｓｇとがそれぞれ供給される電子源アレイを作製した電子源板６０１と、加速電圧Ｖａが供給され、電子源の位置と対応する位置に蛍光体ストライプまたはドットを作製した蛍光表示板６０３と、電子源板６０１と蛍光表示板６０３との間を一定間隔に保持固定する枠ガラス６０２とを有して構成される。
【００２６】
なお、図中には示さなかったが、画面寸法が大きくなると、枠ガラス６０２の内部にも電子源板６０１と蛍光表示板６０３との間を一定間隔に保持させるスペーサが必要となる。
【００２７】
次に図７（ａ），（ｂ）を用いて電子源板６０１の構造を説明する。図７（ａ）に示すように電子源板６０１には横方向に複数本のカソード電極ストライプ７０１を、その垂直方向に複数本のゲート電極ストライプ７０２をそれぞれ形成する。これらのカソード電極ストライプ７０１及びゲート電極ストライプ７０２は、図示しないが、絶縁膜を挟んで交差し、図７（ｂ）に図７（ａ）のＡ部の拡大平面図に示すようにそれぞれの交差点に電子源７０３を形成する。この電子源７０３は、ゲート電極ストライプ７０２とその下の絶縁膜を貫通した穴の底部のカソード電極ストライプ７０１の表面に形成する。
【００２８】
次に図８（ａ），（ｂ）を用いて蛍光表示板６０３の構造を説明する。図８（ａ）に示すようにこの蛍光表示板６０３は、電子源と対応する位置に合わせて赤，緑，青の蛍光体ストライプを形成した構造になっている。まず、電子源の横方向のピッチに合わせて電子源間の中央の位置にフラックマトリクスのストライプをリフトオフ法により作製する。
【００２９】
次にスラリー法により赤蛍光体ストライプ８０１，緑蛍光体ストライプ８０２，青蛍光体ストライプ８０３による繰り返し、ストライプパターンを形成する。各々の蛍光体ストライプ８０１，８０２，８０３は、両側のブラックストライプの中央に配置する。また、図には示さなかったが、蛍光体ストライプを作製した後、全面にアルミニウムを約５０μｍの厚さに蒸着し、アノード電極を形成した。
【００３０】
このようにして作製した電子源板と蛍光表示板とを枠ガラスを用いて一定間隔で対峙するように配置し、電子源と蛍光体ストライプとの位置を合わせた後、内部を真空にして封止することにより、表示装置が完成する。封止の際に電子源板と蛍光表示板とを枠ガラスの接着にはフリットガラスを用いた。接着面にフリットガラスを印刷し、大気中約４５０℃で加熱することにより接着し、別途装置に取り付けた排気管から装置内部を排気して排気管を封止切ることにより、封止を行った。
【００３１】
そして、カソード電極ストライプに走査信号を、ゲート電極ストライプに画像信号をそれぞれ印加し、さらに蛍光表示板のアノード電極にカソード電極に対して正の加速電圧を印加することにより画像を表示させることができた。
【００３２】
次に電子源板上の詳細な構造について図９を用いて説明する。図９（ａ）は上方から見た拡大平面図を、図９（ｂ）は図９（ａ）のＡ−Ａ´線の断面図を、図９（ｃ）は図９（ａ）のＢ−Ｂ´線の断面図をそれぞれ示している。図９において、まず、ガラス基板９０９の表面にチューブ側面を化学修飾したシングルウォールカーボンナノチューブまたは最外側面を化学修飾したマルチウォールカーボンナノチューブを含有した厚さが０．２〜１０μｍ，幅が約３００μｍ，間隔が約６０μｍのカソード電極ストライプ９０１を６００本形成する。次に絶縁層９０５を形成する。この絶縁層９０５の厚さは１〜５０μｍであり、カソード電極ストライプ９０１とゲート電極ストライプ９０２との交差部分に直径１〜５０μｍの電子源穴９０３が穿設された構造となっている。
【００３３】
この絶縁層９０５を焼成した後、その上に厚さが０．２〜１０μｍ，幅が約９０μｍ，間隔が約３０μｍのゲート電極ストライプ９０２を２４００本形成する。なお、ゲート電極ストライプ９０２も、カソード電極ストライプ９０１とゲート電極ストライプ９０２との交差部分に絶縁層９０５と同じ電子源穴９０３が穿設された構造となっている。
【００３４】
このようにして作製した配線構造を用いてカソード電極ストライプ９０１に走査信号を、ゲート電極ストライプ９０２に画像信号をそれぞれ印加し、さらにカソード電極ストライプ９０１と図８に示した蛍光表示板に設けたアノード電極との間に加速電圧を印加することにより、均一に発光する画像を表示させることができた。
【００３５】
次に電子源作製プロセスの詳細について図１０〜図１３を用いて説明する。なお、これらの図中、図（ａ）は電子源を形成するガラス基板の上方から見た要部拡大平面図を、図（ｂ）は図（ａ）のＡ−Ａ´線の断面図を、図（ｃ）は図（ａ）のＢ−Ｂ´線の断面図をそれぞれ示している。図１０において、まず、ガラス基板１００９上に幅が約３００μｍで間隔が約６０μｍのカソード電極ストライプ１００１を６００本形成する。
【００３６】
このカソード電極ストライプ１００１は、チューブ側面を化学修飾したシングルウォールカーボンナノチューブを含有した銀ペーストをスクリーン印刷することにより形成した。この厚みは約１μｍである。
【００３７】
次に感光性誘電体ペーストを全面にスクリーン印刷した後、通常のフォトリソグラフィープロセスにより、図１１（ａ），（ｂ）に示すように電子源穴１００３を形成する。これを大気中約５５０℃で約３０分間の焼成を行うことにより、絶縁層１００５を形成する。この絶縁層１００５の厚さは約１０μｍである。
【００３８】
次に図１２（ａ），（ｂ）に示すように感光性銀ペースト１００２を全面にスクリーン印刷する。そして、通常のフォトリソグラフィー法により、図１３（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すようにゲート電極ストライプ１００２ａを形成し、大気中約５００℃で約３０分間の焼成を行った。
【００３９】
このゲート電極ストライプ１００２ａは、幅が約９０μｍで間隔が約３０μｍであり、これを２４００本形成した。また、このゲート電極ストライプ１００２ａの厚さは約５μｍであり、絶縁層１００５と同じ部分に同じ大きさまたは若干大きめの穴構造を形成した。
【００４０】
このような構成において、電子源としてチューブ側面を化学修飾したシングルウォールカーボンナノチューブを含有した銀ペーストを用いてカソード電極ストライプ１００１を作製したので、カーボンナノチューブの凝集を防止して面内でばらばらに且つ均一に分散させることができた。
【００４１】
このような構成によれば、電子放出点密度が１平方センチメートル当り、１０００００００個以上となり、面内で均一な電子放出特性を実現することができた。この電子放出特性に関しては、３Ｖ／μｍの電界で１０ｍＡ／ｃｍ２の放出電流密度を得ることができた。また、この結果として自発光型平面表示装置の隣接ピクセル間の輝度ばらつきを約１％以下に抑えることができた。
【００４２】
なお、本実施例では、シングルウォールカーボンナノチューブを例に説明したが、マルチウォールカーボンナノチューブに関しても同様の化学修飾法によりカーボンナノチューブの凝集を防止して面内でばらばらに且つ均一に分散させることができる。
【００４３】
また、本実施例では、カソード電極ストライプ１００１及びゲート電極ストライプ１００２ａを例えば銀ペーストを用いて形成した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、所要の電気伝導度を有するいかなる金属を用いることも可能である。また、合金または金属多層膜を用いることも可能である。
【００４４】
（第２の実施例）
次に本発明による自発光型平面表示装置の第２の実施例を図１４〜図１８を用いて説明する。なお、これらの図中、図（ａ）は電子源板を上方から見た要部拡大平面図を、図（ｂ）は図（ａ）のＡ−Ａ´線の断面図を、図（ｃ）は図（ａ）のＢ−Ｂ´線の断面図をそれぞれ示している。本実施例では、電子源板上の構造が前述した第１の実施例とは異なる構造を有している。
【００４５】
まず、電子源板の構造について図１４を用いて説明する。まず、ガラス基板１１０９の表面に厚さが０．２〜１０μｍで幅が約３００μｍ，間隔が約６０μｍのカソード電極ストライプ１１０１を６００本形成する。次に絶縁層１１０５を形成する。この絶縁層１１０５の厚さは１〜５０μｍであり、カソード電極ストライプ１１０１とゲート電極ストライプ１１０２との交差部分には直径１〜５０μｍの電子源穴１１０３が穿設された構造となっている。
【００４６】
次にこの絶縁層１１０５を焼成後、この絶縁層１１０５上に厚さが０．２〜１０μｍで幅が約９０μｍ，間隔が約３０μｍのゲート電極ストライプ１１０２を２４００本形成する。なお、ゲート電極ストライプ１１０２も、カソード電極ストライプ１１０１とゲート電極ストライプとの交差部分に絶縁層１１０５と同じ電子源穴１１０３が穿設された構造となっている。最後に、電子源層１１０６を電子源穴１１０３の底部に形成する。
【００４７】
このようにして作製した配線構造を用いてカソード電極ストライプ１１０１に走査信号を、ゲート電極ストライプ１１０２に画像信号をそれぞれ印加し、さらに、カソード電極ストライプ１１０１と図８に示す蛍光表示板に設けたアノード電極との間に加速電圧を印加することにより、所望に画像を表示させることができた。
【００４８】
次にこの電子源の作製プロセスの詳細について図１５〜図１８を用いて説明する。まず、図１５に示すようにガラス基板１２０９上に幅が約３００μｍで間隔が約６０μｍのカソード電極ストライプ１２０１を６００本形成する。このカソード電極ストライプ１２０１の材質は銀（Ａｇ）であり、その厚さは約１μｍである。次に感光性誘電体ペーストを全面にスクリーン印刷した後、通常のフォトリソグラフィープロセスにより、図１６に示すように電子源穴１２０３を形成する。これを大気中で約５５０℃の温度で約３０分間の焼成を行うことにより、絶縁層１２０５を形成する。この絶縁層１００５の厚さは約１０μｍである。
【００４９】
次に図１７に示すように感光性銀ペースト１２０２を全面にスクリーン印刷する。そして、通常のフォトリソグラフィー法により、図１８に示すようにゲート電極ストライプ１２０２ａを形成し、大気中約５００℃で約３０分間の焼成を行った。このゲート電極ストライプ１２０２ａは、幅が約９０μｍで間隔が約３０μｍであり、これを２４００本形成した。また、このゲート電極ストライプ１２０２ａの厚さは約５μｍであり、絶縁層１２０５と同じ部分に同じ大きさまたは若干大きめに穴構造を形成した。
【００５０】
最後に、チューブ側面を化学修飾したシングルウォールカーボンナノチューブを含有した銀ペーストをインクジェット法により、電子源穴１２０３の底部に電子源層１２０６を形成する。
【００５１】
なお、本実施例では、カソード電極ストライプ１２０１及びゲート電極ストライプ１２０２ａを例えば銀ペーストを用いて形成した場合について説明したが、所要の電気伝導度を有するいかなる金属を用いることも可能である。また、合金または金属多層膜を用いることも可能である。
【００５２】
また、本実施例では、電子源としてチューブ側面を化学修飾したシングルウォールカーボンナノチューブまたは最外側面を化学修飾したマルチウォールカーボンナノチューブを含有したペーストをインクジェット法により、所望の位置に塗布する方法を用いたが、他のいかなる方法を用いてシングルウォールカーボンナノチューブを電子源穴１２０３の底部に配置することも可能である。
【００５３】
このような構成において、電子源としてチューブ側面を化学修飾したシングルウォールカーボンナノチューブを含有したペーストを用いて電子源層１２０６を作製したので、シングルウォールカーボンナノチューブの凝集を防止して面内でばらばらに且つ均一に分散させることができた。
【００５４】
このような構成によれば、電子放出点密度が１平方センチメートル当り、１０００００００個以上となり、面内で均一な電子放出特性を実現することができるようになった。この電子放出特性に関しては、３Ｖ／μｍの電界で１０ｍＡ／ｃｍ２の放出電流密度を得ることができた。また、この結果として自発光型平面表示装置の隣接ピクセル間の輝度ばらつきを約１％以下に抑えることができた。
【００５５】
なお、本実施例では、シングルウォールカーボンナノチューブを例に説明したが、マルチウォールカーボンナノチューブに関しても同様の化学修飾法によりカーボンナノチューブの凝集を防止して面内でばらばらに且つ均一に分散させることができる。
【００５６】
また、本実施例においては、電子源として炭素から構成されたカーボンナノチューブを用いた場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、硼素と窒素から構成されるＢＮナノチューブまたは硼素と炭素と窒素とから構成されるＢＣＮナノチューブを用いても前述と全く同様の効果が得られることは勿論である。
【００５７】
【発明の効果】
以上、説明したように本発明による自発光型平面表示装置によれば、チューブ側面を化学修飾したナノチューブまたはチューブ最外側面を化学修飾したナノチューブを電子源として用いたことにより、この化学修飾による立体障害に起因するナノチューブ同士がファンデルワールス引力により、バンドル化を効率的に防止させることができるので、個々のナノチューブが面内でばらばらにかつ均一に分散され、面内で均一な電子放出特性が得られ、面内発光の均一化が実現可能となるので、画素を構成する隣接ピクセル間の輝度のばらつきが最小限に抑えられ、高輝度，高品質の表示画像が得られるという極めて優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】側面を化学修飾したシングルウォールカーボンナノチューブをチューブの軸方向に対して斜め方向から見た立体図である。
【図２】側面を化学修飾したシングルウォールカーボンナノチューブをチューブの軸方向に対して斜め方向から見た立体図である。
【図３】側面を化学修飾したシングルウォールカーボンナノチューブをチューブの軸方向に対して斜め方向から見た立体図である。
【図４】側面を化学修飾したシングルウォールカーボンナノチューブを用いたペーストの焼成前後の様子を模式的に示す断面図である。
【図５】側面を化学修飾していない通常のカーボンナノチューブを用いたペーストの焼成前後の様子を模式的に示す断面図である。
【図６】本発明による自発光型平面表示装置の構成を示す展開図である。
【図７】本発明による自発光型平面表示装置の第１の実施例に係わる電子源板の構造を示す要部平面図である。
【図８】本発明による自発光型平面表示装置の第１の実施例に係わる蛍光表示板の構造を示す要部平面図である。
【図９】本発明による自発光型平面表示装置の第１の実施例に係わる電子源板の詳細な構造を示す図である。
【図１０】本発明による自発光型平面表示装置の第１の実施例に係わる電子源の作製プロセスを説明する図である。
【図１１】本発明による自発光型平面表示装置の第１の実施例に係わる電子源の作製プロセスを説明する図である。
【図１２】本発明による自発光型平面表示装置の第１の実施例に係わる電子源の作製プロセスを説明する図である。
【図１３】本発明による自発光型平面表示装置の第１の実施例に係わる電子源の作製プロセスを説明する図である。
【図１４】本発明による自発光型平面表示装置の第２の実施例に係わる電子源板の構造を説明する図である。
【図１５】本発明による自発光型平面表示装置の第２の実施例に係わる電子源の作製プロセスを説明する図である。
【図１６】本発明による自発光型平面表示装置の第２の実施例に係わる電子源の作製プロセスを説明する図である。
【図１７】本発明による自発光型平面表示装置の第２の実施例に係わる電子源の作製プロセスを説明する図である。
【図１８】本発明による自発光型平面表示装置の第２の実施例に係わる電子源の作製プロセスを説明する図である。
【符号の説明】
１０１  炭素原子
１０２  化学修飾基
２０１  炭素原子
２０２  化学修飾基
３０１  炭素原子
３０２  化学修飾基Ａ
３０３  炭素原子
３０４  化学修飾基Ｂ
４０１  ガラス基板
４０２  カーボンナノチューブ
４０３  導電性支持体
４０４  有機樹脂材
５０１  ガラス基板
５０２  カーボンナノチューブ
５０３  導電性支持体
５０４  有機樹脂材
６０１  電子源板
６０２  枠ガラス
６０３  蛍光表示板
７０１  カソード電極ストライプ
７０２  ゲート電極ストライプ
７０３  電子源
８０１  赤蛍光体ストライプ
８０２  緑蛍光体ストライプ
８０３  青蛍光体ストライプ
９０１  カソード電極ストライプ
９０２  ゲート電極ストライプ
９０３  電子源穴
９０５  絶縁層
９０９  ガラス基板
１００１  カソード電極ストライプ
１００２  感光性銀ペースト
１００２ａ  ゲート電極ストライプ
１００３  電子源穴
１００５  絶縁層
１００９  ガラス基板
１１０１  カソード電極ストライプ
１１０２  ゲート電極ストライプ
１１０３  電子源穴
１１０５  絶縁層
１１０６  電子源層
１１０９  ガラス基板
１２０１  カソード電極ストライプ
１２０２  感光性銀ペースト
１２０２ａ  ゲート電極ストライプ
１２０３  電子源穴
１２０５  絶縁層
１２０６  電子源層
１２０９  ガラス基板
【図１】
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【図２】
2004356015.tif 000004
【図３】
2004356015.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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