【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年12月13日(2011.12.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
深堀エッチング工程において、マイクロエレクトロニクスデバイスのパターンを腐食から保護する構造であって、
表面を有するマイクロエレクトロニクス基板；
前記基板表面に隣接するプライマー層；および
前記プライマー層に隣接する第1の保護層；
を含み、前記第1の保護層が、それぞれ下記式を有する繰返しモノマーを含むポリマーを含み、
【化１】
2007520064.tif 000001
および
【化２】
2007520064.tif 000002
（式中、
R1はそれぞれ独立して水素およびC1-C8アルキル基からなる群から選択され；
R2はそれぞれ独立して水素、C1-C8アルキル基、およびC1-C8アルコキシ基からなる群から選択される。）
前記プライマー層が下記構造を有するシランを含むマイクロエレクトロニクス構造。
【化３】
2007520064.tif 000003
（式中、
【化４】
2007520064.tif 000004
であり；
i,j,およびkはそれぞれ独立して0および1からなる群から選択され、iおよびjの一方が1のとき、iおよびjの他方は0であり；
R3はそれぞれ独立して水素、ハロゲン、C1-C8アルキル基、C1-C8アルコキシ基、C1-C8ハロアルキル基、アミノ基、およびC1-C8アルキルアミノ基からなる群から選択され；
R4はそれぞれ独立してC1-C8脂肪族基からなる群から選択され；
R5はそれぞれ独立して水素原子およびフェニル基からなる群から選択され；
Xはそれぞれ独立してハロゲン、ヒドロキシル基、C1-C4アルコキシ基、およびC1-C4カルボキシル基からなる群から選択され；
Yは酸素および硫黄からなる群から選択され；
Zは窒素およびリンからなる群から選択され；
dはそれぞれ独立して0および1からなる群から選択される。）
【請求項２】
前記ポリマーが、ポリマーの総重量を100重量％としたときに、少なくとも50重量％のモノマー(I)を含む請求項１の構造。
【請求項３】
前記ポリマーが、ポリマーの総重量を100重量％としたときに、少なくとも15重量％のモノマー(II)を含む請求項１の構造。
【請求項４】
前記第1の保護層が1〜5μmの平均厚さを有する請求項１の構造。
【請求項５】
前記プライマー層が10nm未満の平均厚さを有する請求項１の構造。
【請求項６】
前記構造が前記第1の保護層に隣接する第2の保護層をさらに含む請求項１の構造。
【請求項７】
前記第2の保護層がハロゲン化ポリマーを含む請求項６の構造。
【請求項８】
前記ハロゲン化ポリマーが、ハロゲン化ポリマーの総重量を100重量％としたときに、少なくとも50重量％のハロゲン原子を含む請求項７の構造。
【請求項９】
前記ハロゲン化ポリマーが、下記式を有する繰返しモノマーを含む塩化ポリマーである請求項７の構造。
【化５】
2007520064.tif 000005
および
【化６】
2007520064.tif 000006
【請求項１０】
前記ハロゲン化ポリマーがポリ（塩化ビニル）、ポリ塩化ビニリデン、二塩化ビニリデン-塩化ビニル共重合体、塩素化エチレン、塩素化プロピレン、塩素化ゴム、およびこれらの混合物からなる群から選択される塩化ポリマーである請求項７の構造。
【請求項１１】
前記マイクロエレクトロニクス基板がSi基板、SiO2基板、Si3N4基板、シリコン上にSiO2が載った基板、シリコン上にSi3N4が載った基板、ガラス基板、石英基板、セラミック基板、半導体基板、および金属基板からなる群から選択される請求項１の構造。
【請求項１２】
前記マイクロエレクトロニクス基板がSi基板、SiO2基板、Si3N4基板、シリコン上にSiO2が載った基板、シリコン上にSi3N4が載った基板、ガラス基板、石英基板、セラミック基板、半導体基板、および金属基板からなる群から選択される請求項６の構造。
【請求項１３】
深堀エッチング工程において、マイクロエレクトロニクスデバイスのパターンを腐食から保護する構造を形成する方法であって、
マイクロエレクトロニクス基板表面にプライマー層を付与する工程と、
前記プライマー層に第1の保護層を付与する工程を有し、
前記第1の保護層が、それぞれ下記式を有する繰返しモノマーを含むポリマーを含み、
【化７】
2007520064.tif 000007
および
【化８】
2007520064.tif 000008
（式中、
R1はそれぞれ独立して水素およびC1-C8アルキル基からなる群から選択され；
R2はそれぞれ独立して水素、C1-C8アルキル基、およびC1-C8アルコキシ基からなる群から選択される。）
前記プライマー層が下記構造を有するシランを含む方法。
【化９】
2007520064.tif 000009
（式中、
【化１０】
2007520064.tif 000010
であり；
i,j,およびkはそれぞれ独立して0および1からなる群から選択され、iおよびjの一方が1のとき、iおよびjの他方は0であり；
R3はそれぞれ独立して水素、ハロゲン、C1-C8アルキル基、C1-C8アルコキシ基、C1-C8ハロアルキル基、アミノ基、およびC1-C8アルキルアミノ基からなる群から選択され；
R4はそれぞれ独立してC1-C8脂肪族基からなる群から選択され；
R5はそれぞれ独立して水素原子およびフェニル基からなる群から選択され；
Xはそれぞれ独立してハロゲン、ヒドロキシル基、C1-C4アルコキシ基、およびC1-C4カルボキシル基からなる群から選択され；
Yは酸素および硫黄からなる群から選択され；
Zは窒素およびリンからなる群から選択され；
dはそれぞれ独立して0および1からなる群から選択される。）
【請求項１４】
前記ポリマーが、ポリマーの総重量を100重量％としたときに、少なくとも50重量％のモノマー(I)を含む請求項１３の方法。
【請求項１５】
前記ポリマーが、ポリマーの総重量を100重量％としたときに、少なくとも15重量％のモノマー(II)を含む請求項１３の方法。
【請求項１６】
前記ポリマーが、ポリマーの総重量を100重量％としたときに、50〜85重量％のモノマー(I)および15〜40重量％のモノマー(II)を含む請求項１３の方法。
【請求項１７】
前記基板表面が複数の表面ヒドロキシル基を含み、前記方法が、前記プライマー層からの前記芳香族シランが前記表面ヒドロキシル基の少なくともいくつかと結合するように、前記プライマー層を加熱する工程をさらに含む請求項１３の方法。
【請求項１８】
前記第1の保護層が前記プライマー層と結合するように、前記第1の保護層を加熱する工程をさらに含む請求項１３の方法。
【請求項１９】
前記第１の層に第2の保護層を付与する工程をさらに含む請求項１３の方法。
【請求項２０】
前記第２の保護層がハロゲン化ポリマーを含む請求項１９の方法。
【請求項２１】
前記ハロゲン化ポリマーが、ハロゲン化ポリマーの総重量を100重量％としたときに、少なくとも50重量％のハロゲン原子を含む請求項２０の方法。
【請求項２２】
前記ハロゲン化ポリマーが塩化ポリマーである請求項２１の方法。
【請求項２３】
前記マイクロエレクトロニクス基板表面が、Si基板、SiO2基板、Si3N4基板、シリコン上にSiO2が載った基板、シリコン上にSi3N4が載った基板、ガラス基板、石英基板、セラミック基板、半導体基板、および金属基板からなる群から選択される基板上にある請求項１３の方法。
【請求項２４】
83〜87℃の温度を有する、30〜35重量％のKOH水溶液内で2時間に亘りエッチングに付されたとき、前記加熱工程が3mm未満の剥離を示すプライマー/第1の保護層結合体を生じさせる請求項１８の方法。
【請求項２５】
前記加熱工程が基板のcm2あたり0.1個未満のピンホールを有するプライマー/第1の保護層結合体を生じさせる請求項１８の方法。
【請求項２６】
深堀エッチング工程において、マイクロエレクトロニクスデバイスのパターンを腐食から保護する構造であって、
表面を有するマイクロエレクトロニクス基板；
前記基板表面に隣接するプライマー層；
前記プライマー層に隣接し、溶媒系内に分散し、または溶解したポリマーを含む組成物から形成される第1の保護層；および
前記第1の保護層に隣接し、溶媒系内に分散し、または溶解したハロゲン化ポリマーを含む組成物から形成される第2の保護層；
を含むマイクロエレクトロニクス構造。
【請求項２７】
前記ハロゲン化ポリマーが塩化ポリマーを含む請求項２６の構造。
【請求項２８】
前記塩化ポリマーが、塩化ポリマーの総重量を100重量％としたときに、少なくとも50重量％の塩素原子を含む請求項２７の構造。
【請求項２９】
前記ハロゲン化ポリマーが、下記式を有する繰返しモノマーを含む塩化ポリマーである請求項２７の構造。
【化１１】
2007520064.tif 000011
および
【化１２】
2007520064.tif 000012
【請求項３０】
前記ハロゲン化ポリマーがポリ（塩化ビニル）、ポリ塩化ビニリデン、二塩化ビニリデン-塩化ビニル共重合体、塩素化エチレン、塩素化プロピレン、塩素化ゴム、およびこれらの混合物からなる群から選択される塩化ポリマーである請求項２７の構造。
【請求項３１】
前記第1の保護層が、それぞれ下記式で示される繰返しモノマーを含むポリマーを含む請求項２６の構造。
【化１３】
2007520064.tif 000013
および
【化１４】
2007520064.tif 000014
（式中、
R1はそれぞれ独立して水素およびC1-C8アルキル基からなる群から選択され；
R2はそれぞれ独立して水素、C1-C8アルキル基、およびC1-C8アルコキシ基からなる群から選択される。）
【請求項３２】
深堀エッチング工程において、マイクロエレクトロニクスデバイスのパターンを腐食から保護する構造を形成する方法であって、
マイクロエレクトロニクス基板表面にプライマー層を付与し；
前記プライマー層に、溶媒系内に分散し、または溶解したポリマーを含む組成物から形成される第1の保護層を付与し；
前記第1の保護層に、溶媒系内に分散し、または溶解したハロゲン化ポリマーを含む組成物から形成される第2の保護層を付与する工程、
を含む方法。
【請求項３３】
前記ハロゲン化ポリマーが塩化ポリマーを含む請求項３２の方法。
【請求項３４】
前記塩化ポリマーが、塩化ポリマーの総重量を100重量％としたときに、少なくとも50重量％の塩素原子を含む請求項３３の方法。
【請求項３５】
深堀エッチング工程において、マイクロエレクトロニクスデバイスのパターンを腐食から保護する構造であって、
表面を有するマイクロエレクトロニクス基板；
前記基板表面に隣接するプライマー層；および
前記プライマー層に隣接する第1の保護層；
を含み、前記マイクロエレクトロニクス基板がSi基板、SiO2基板、Si3N4基板、シリコン上にSiO2が載った基板、シリコン上にSi3N4が載った基板、石英基板、セラミック基板、および半導体基板からなる群から選択され、前記第1の保護層が、それぞれ下記式を有する繰返しモノマーを含むポリマーを含むマイクロエレクトロニクス構造。
【化１５】
2007520064.tif 000015
および
【化１６】
2007520064.tif 000016
（式中、
R1はそれぞれ独立して水素およびC1-C8アルキル基からなる群から選択され；
R2はそれぞれ独立して水素、C1-C8アルキル基、およびC1-C8アルコキシ基からなる群から選択される。）
【請求項３６】
深堀エッチング工程において、マイクロエレクトロニクスデバイスのパターンを腐食から保護する構造であって、
表面を有するマイクロエレクトロニクス基板；
前記基板表面に隣接するプライマー層；および
前記プライマー層に隣接する第1の保護層；
を含み、前記第1の保護層が、それぞれ下記式を有する繰返しモノマーを含むポリマーを含み、前記ポリマーが、ポリマーの総重量を100重量％としたときに、20〜35重量％のモノマー(II)を含むマイクロエレクトロニクス構造。
【化１７】
2007520064.tif 000017
および
【化１８】
2007520064.tif 000018
（式中、
R1はそれぞれ独立して水素およびC1-C8アルキル基からなる群から選択され；
R2はそれぞれ独立して水素、C1-C8アルキル基、およびC1-C8アルコキシ基からなる群から選択される。）