Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年2月4日(2014.2.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾力性がある細長なキャリア要素と、縦長なワイパーブレード（２）とを備え、拭取対象であるフロントガラスに隣接して配設可能であり、前記ワイパーブレード（２）が少なくとも１つの縦溝（３）を含み、該溝（３）にキャリア要素の縦片部材（４）が配され、該縦片部材（４）の端部（５）がそれぞれ連結部品（６）に連結されているフロントガラス用ワイパー装置（１）であって、揺動アーム（８）用の連結具（７）を備え、前記ワイパーブレード（２）が可撓性素材からなる縦長な上側把持部（１２）と縦長な下側ワイピング部（１３）とを備え、前記把持部（１２）が前記縦片部材（１４）を保持し、前記ワイピング部（１３）がワイピングリップ（１４）を備え、かつ、前記把持部（１２）と前記ワイピング部（１３）とが角度可変ウェブ手段（１５）によって相互連結されているフロントガラス用ワイパー装置（１）において、
前記把持部（１２）、前記ワイピング部（１３）および前記角度可変ウェブ（１５）の間に形成されたスリット（１６）に騒音抑制断面が設けられ、前記ワイパーブレード（２）を横切る方向に延びている前記騒音抑制断面の幅が、前記縦方向に沿って変化しており、
前記連結具（７）の位置における前記幅は、前記連結部品（６）における前記幅より、前記振動アーム（８）により前記ワイパーブレード（２）にもたらされる圧力変動を抑制するために、大きくなっていることを特徴とするフロントガラス用ワイパー装置。
【請求項２】
前記幅は、前記連結具の位置から前記連結部品の位置に向かうにつれて次第に減少する請求項１に記載のフロントガラス用ワイパー装置。
【請求項３】
前記各スリットの前記騒音抑制断面は、前記角度可変ウェブから外方に延びる相隔てた突起によって形成されている請求項１または２に記載のフロントガラス用ワイパー装置。
【請求項４】
前記突起は、前記角度可変ウェブから前記各スリットの中央部まで外方に延びている請求項３に記載のフロントガラス用ワイパー装置。
【請求項５】
前記角度可変ウェブの両側の前記突起は、互いに前記スリットに対向して配されている請求項３または４に記載のフロントガラス用ワイパー装置。
【請求項６】
前記角度可変ウェブの両側の前記突起は、前記スリットに食い違い状に配されている請求項３または４に記載のフロントガラス用ワイパー装置。
【請求項７】
前記連結具の位置における前記突起の幅は、０．７ｍｍ〜２．２ｍｍの範囲内で選択される請求項３ないし６の何れかに記載のフロントガラス用ワイパー装置。
【請求項８】
前記連結部品の位置における前記突起の幅は、０．１ｍｍ〜１．２ｍｍの範囲内で選択される請求項３ないし７の何れかに記載のフロントガラス用ワイパー装置。
【請求項９】
前記角度可変ウェブと前記騒音抑制断面とは、一部品で作られている請求項１ないし８の何れかに記載のフロントガラス用ワイパー装置。
【請求項１０】
前記騒音抑制断面は、前記ワイパーブレードの上側角度可変ウェブ両側の上側スリット、ならびに前記ワイパーブレードの下側角度可変ウェブ両側の下側スリットに設けられている請求項１ないし９の何れかに記載のフロントガラス用ワイパー装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
本発明に係るフロントガラス用ワイパー装置の別の好ましい実施形態では、前記角度可変ウェブの両側の前記突起が、互いに前記スリットに対向して配されている。別の手段では、前記突起が、前記スリット内に食い違い状に前記角度可変ウェブの両側に配されている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
図１および図２には示されていないが、揺動アーム８が小型モータによって駆動されるシャフトに固定されて回転する取付ヘッドに連結されていることは、当業者にとって十分に理解し得ることである。使用の際、シャフトは、取付ヘッドも回転する時計回りと反時計回りとで交互に回転し、これにより揺動アーム８を回転するとともに、連結具７による手段を介してワイパーブレード２を動かすようになっている。そして、角度可変ウェブ１５は、拭取り方向の力を受ける中間部分として機能する。この力は、専ら角度可変ウェブ１５に作用し、その結果、ワイピング部１３に取り付けられたワイピングリップ１４は、拭取り方向とは逆方向に案内される。既に上述したように、拭取対象であるフロントガラスに沿ったワイピングリップの揺動運動は、「ガタガタと音を立てる」雑音（『反転騒音』と呼ばれる）をもたらし、特にこれは、その揺動運動の各転換点でワイピングリップが傾倒されることによって生じる。この騒音を削減するために、騒音抑制断面が各スリット１６に設けられ、この各スリット１６の騒音抑制断面は、角度可変ウェブ１５から外方に延びる相隔てた突起１７によって形成されている。ワイパーブレード２の縦方向を横切る方向に延びる突起１７の幅は、その縦方向に沿って変化し、連結具７の位置における突起１７の幅は、連結部品６の位置における突起の幅よりも大きくなっている。より正確に言えば、図２ｂを参照すると、位置Ａ（例えば片部材４の端部５）における突起１７の幅は位置Ｂにおける突起１７の幅よりも小さく、位置Ｂにおける突起１７の幅は位置Ｃにおける突起１７の幅よりも小さく、位置Ｃにおける突起１７の幅は位置Ｄにおける突起１７の幅よりも小さく、位置Ｄにおける突起１７の幅は位置Ｅにおける突起１７の幅よりも小さく、かつ、位置Ｅにおける突起１７の幅は位置Ｆにおける突起１７の幅よりも小さくなっている。換言すれば、突起１７の幅は、Ａ＜Ｂ＜Ｃ＜Ｄ＜Ｅ＜Ｆとなっている。したがって、連結具７から両側の連結部品６までを見れば、突起１７の幅は、ワイパーブレード２の長さに沿って減少している。図２ｂから分かるように、角度可変ウェブ１５の両側の突起１７は、スリット１６に食い違い状（staggered  manner）に配されている。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
図３ａおよび図３ｂは、それぞれ図２ａおよび図２ｂに対応しているが、騒音抑制断面に相当するものが、上側角度可変ウェブ１９の両側の上側スリット１８にも設けられているという点で相違している。したがって、ここでは、角度可変ウェブ１５およびスリット１６を、それぞれ下側角度可変ウェブ１５および下側スリット１６と呼ぶ。図３ｂの下図から分かるように、この追加された騒音抑制断面は、角度可変ウェブ１９から外方に延びる対応突起２０からなり、食い違い状に角度可変ウェブ１９の両側に形成されている。突起２０の幅に関しては、再びＡ＜Ｂ＜Ｃ＜Ｄ＜Ｅ＜Ｆの関係が適用される。したがって、連結具７から両側の連結部品６までを見れば、突起２０の幅は、ワイパーブレード２の長さに沿って減少している。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年2月27日(2014.2.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２３】
本発明の他の主題は、不安状態、ストレス及びストレスと関連する症候群、鬱病、てんかん、アルツハイマー病、老人性痴呆、一般的な認識機能障害、学習及び記憶障害（向知性薬として）、禁断症状、アルコール乱用及び／又はドラッグ乱用及び／又薬物乱用、アルコール依存症及び／又はドラッグ依存症及び／又薬物依存症、性的機能障害、心臓血管疾患、低血圧症、高血圧症、耳鳴り、掻痒、偏頭痛、難聴、腸の運動性の不足、摂食障害、拒食症、過食症、運動器官障害、下痢、悪液質、尿失禁の治療のため、筋弛緩剤、鎮痙剤又は麻酔剤として、又はオピオイド系鎮痛剤又は麻酔剤を用いた治療の際の同時投与のため、利尿又は抗ナトリウム利尿、抗不安のため、運動活力の調節のため、神経伝達物質放出の調節のため及びそれに関連する神経変性疾患の治療のため、禁断症状の治療のため及び／又はオピオイド依存症の可能性の低下のための医薬の製造のための、本発明による化合物の使用に関する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項９】
不安状態、ストレス及びストレスと関連する症候群、鬱病、てんかん、アルツハイマー病、老人性痴呆、一般的な認識機能障害、学習及び記憶障害（向知性薬として）、禁断症状、アルコール乱用及び／又はドラッグ乱用及び／又薬物乱用、アルコール依存症及び／又はドラッグ依存症及び／又薬物依存症、性的機能障害、心臓血管疾患、低血圧症、高血圧症、耳鳴り、掻痒、偏頭痛、難聴、腸の運動性の不足、摂食障害、拒食症、過食症、運動器官障害、下痢、悪液質、尿失禁の治療のため、筋弛緩剤、鎮痙剤又は麻酔剤として、又はオピオイド系鎮痛剤又は麻酔剤を用いた治療の際の同時投与のため、利尿又は抗ナトリウム利尿、抗不安のため、運動活力の調節のため、神経伝達物質放出の調節のため及びそれに関連する神経変性疾患の治療のため、禁断症状の治療のため及び／又はオピオイド依存症の可能性の低下のための医薬を製造するための、個々の立体異性体又はその混合物、遊離化合物及び／又はその生理学的に許容し得る塩の形態での請求項１から６のいずれか一項に記載の化合物の使用。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年4月1日(2014.4.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１４】
本発明のもう一つの対象は、不安状態、ストレスおよびストレスに伴う症候群、鬱病、てんかん、アルツハイマー病、老年性認知症、一般的な認知的機能障害、学習障害および記憶障害（向知性薬として）、禁断症状、アルコール−および／またはドラッグ−および／または薬剤乱用および／または−依存症、性機能障害、心血管疾患、低血圧、高血圧、耳鳴り（Ｔｉｎｉｔｕｓ）、そう痒症、偏頭痛、聴覚異常、腸運動の欠如（ｍａｎｇｅｌｎｄｅｒ  Ｄａｒｍｍｏｔｉｌｉｔａｅｔ）、食物摂取障害、食欲不振症、肥満症、運動器官障害（ｌｏｋｏｍｏｔｏｒｉｓｃｈｅｎ  Ｓｔｏｅｒｕｎｇｅｎ）、下痢、悪液質、尿失禁の治療のための、ないしは筋弛緩薬（Ｍｕｓｋｅｌｒｅｌａｘａｎｚ）、抗けいれん剤または麻酔剤としての、ないしはオピオイド鎮痛薬もしくは麻酔剤を用いた治療における併用投与のための、利尿または抗ナトリウム排泄増加（Ａｎｔｉｎａｔｒｉｕｒｅｓｅ）、不安緩解のための、運動活動の調節のための、神経伝達物質の放出（Ｎｅｕｒｏｔｒａｎｓｍｉｔｔｅｒ−Ａｕｓｓｃｈｕｅｔｔｕｎｇ）の調整およびこれに伴う神経組織変性疾患の治療のための、禁断症状の治療のための、および／またはオピオイド依存性の可能性（Ｓｕｃｈｔｐｏｔｅｎｔｉａｌｓ）の軽減のための医薬の製造への本発明による化合物の使用に関する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１０】
不安状態、ストレスおよびストレスに伴う症候群、鬱病、てんかん、アルツハイマー病、老年性認知症、一般的な認知的機能障害、学習障害および記憶障害（向知性薬として）、禁断症状、アルコール−および／またはドラッグ−および／または薬剤乱用および／または−依存症、性機能障害、心血管疾患、低血圧、高血圧、耳鳴り、そう痒症、偏頭痛、聴覚異常、腸運動の欠如、食物摂取障害、食欲不振症、肥満症、運動器官障害、下痢、悪液質、尿失禁の治療のための、ないしは筋弛緩薬、抗けいれん剤または麻酔剤としての、ないしはオピオイド鎮痛薬もしくは麻酔剤を用いた治療における併用投与のための、利尿または抗ナトリウム排泄増加、不安緩解のための、運動活動の調節のための、神経伝達物質の放出の調整およびこれに伴う神経組織変性疾患の治療のための、禁断症状の治療のための、および／またはオピオイド依存性の可能性の軽減のための医薬の製造への、個々の立体異性体もしくはこれらの混合物、遊離化合物および／またはその生理学的に許容し得る塩および／または溶媒和化合物の形の請求項１〜７のいずれか一項に記載の化合物の使用。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年6月17日(2014.6.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
一端面が開口したカバー２内にある記憶フィルムを、この開口した端面を下向きにして、挿入口１８内の載置面１０の上に載せると、センサが制御ユニットＰに信号Ｓ１を与え、この信号Ｓ１が、直ちに又は短い遅れで駆動装置Ｍによりスライダ４をカバー２の平らな面に対して直角に左方向（閉方向）に移動させる。この代わりに、信号Ｓ１がハウジング５における押ボタン１９（図８参照）によって発生させられてもよい。スライダ４の左方向への移動によって、カバー２は、その中にある記憶フィルム１と共に、カバーの平らな面がストッパ部材６に当接するまでストッパ部材６に向けて押圧される。その際に、圧縮部材７が圧縮されて、圧縮部材７が所定のばね力にてカバー２を外側から挟んで固定する。記憶フィルム１がカバー２と共にストッパ部材６に当接するとき、カバー２の端面が進入スリット９と一直線上に並ぶ。ストッパ部材６、圧縮部材７及びカバー２の当接面同士の間の静止摩擦が、カバー２とその内部にある記憶フィルム１との間の静止摩擦よりも明らかに大きいことが重要である。換言するならば、記憶フィルム１とカバー２の内面との間の静止摩擦係数が、カバー２の外面とストッパ部材６の当接面もしくはスライダ４の圧縮部材７との間の静止摩擦係数よりも小さいということである。このために、カバー２の内面は、記憶フィルム１の摩耗を低減すべく軟らかい摩擦の少ない材料からなっている。記憶フィルム１が付加的に少なくとも１つの摩耗の少ない表面層を備えることも可能で、この表面層はカバー２の当該内面における材料よりも高い表面硬度を有することが好ましい。更に、記憶フィルム１は、カバー２に対向した摩耗の少ない、かつカバー２の対応内面における材料よりも高い表面硬度を有するラベルを有することができる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項３１】
記憶フィルム（１）が、カバー（２）に比べて摩耗の少ないラベルを有する請求項２８、２９又は３０記載の記憶フィルム。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項３２】
ラベルが、カバー（２）の対応する内面における材料よりも高い表面硬度を有する請求項３１記載の記憶フィルム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年1月23日(2014.1.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９２】
この懸濁液の一部をインキュベータ内で２００℃にて乾燥させると、ＸＲＤ分析用のＣｅＯ２粉末が得られる。この粉末のＸ線ディフラクトグラムは、結晶性ＣｅＯ２の特徴を有している（シートＡＳＴＭ３４−３９４）。シェラー・モデルを適用することにより２θ＝２８．６°、４７．５°及び５６．４°に位置している回折ピークの中位幅から計算されたコヒーレンス域の平均サイズは、４０ｎｍである。窒素吸着により求められたＢＥＴ比表面積は、２３．５ｍ２／ｇであり、一次粒子の平均サイズは３５ｎｍとなる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液相中の酸化セリウム粒子の懸濁液であり、これらの二次粒子は最高２００ｎｍの平均サイズを有し、これらの二次粒子は、平均サイズが１０ｎｍ〜１００ｎｍであり標準偏差が前記平均サイズ値の最高３０％である一次粒子から成ることを特徴とする懸濁液。
【請求項２】
前記一次粒子は、前記平均サイズの値の最高２０％である標準偏差を示すサイズを有していることを特徴とする、請求項１に記載の懸濁液。
【請求項３】
前記一次粒子は、前記平均サイズの値の最高１５％である標準偏差を示すサイズを有していることを特徴とする、請求項２に記載の懸濁液。
【請求項４】
前記一次粒子は、前記平均サイズの値の最高１０％である標準偏差を示すサイズを有していることを特徴とする、請求項３に記載の懸濁液。
【請求項５】
前記一次粒子は、最高８０ｎｍの平均値を示すサイズを有していることを特徴とする、請求項１から４の一項に記載の懸濁液。
【請求項６】
前記一次粒子は、最高６０ｎｍの平均値を示すサイズを有していることを特徴とする、請求項５に記載の懸濁液。
【請求項７】
前記一次粒子は、少なくとも３０ｎｍの平均サイズを有していることを特徴とする、請求項６に記載の懸濁液。
【請求項８】
前記二次粒子は、最高０．５の分散指数を有していることを特徴とする、請求項１から７の一項に記載の懸濁液。
【請求項９】
前記二次粒子は、最高０．４の分散指数を有していることを特徴とする、請求項８に記載の懸濁液。
【請求項１０】
前記二次粒子は、最高０．３の分散指数を有していることを特徴とする、請求項９に記載の懸濁液。
【請求項１１】
前記二次粒子は、最高１５０ｎｍの平均サイズを有していることを特徴とする、請求項１から１０の一項に記載の懸濁液。
【請求項１２】
前記二次粒子は、最高１００ｎｍの平均サイズを有していることを特徴とする、請求項１１に記載の懸濁液。
【請求項１３】
前記液相は水であることを特徴とする、請求項１から１２の一項に記載の懸濁液。
【請求項１４】
前記液相は有機溶媒であることを特徴とする、請求項１から１２の一項に記載の懸濁液。
【請求項１５】
（ａ）セリウムＩＶも包含するセリウムＩＩＩ塩の溶液が調製される段階、
（ｂ）この溶液を、不活性雰囲気下で塩基と接触させて沈殿物を得る段階、
（ｃ）前段階で得られた媒体を不活性雰囲気下で熱処理に供する段階（段階（ａ）、（ｂ）又は（ｃ）の少なくとも１つは、硝酸イオンの存在下で行われる。）、
（ｄ）このようにして得られた媒体の酸性化及び洗浄を、連続的であるが任意の順番で行って懸濁液を得る段階
を包含することを特徴とする、請求項１から１３の一項に記載の懸濁液を調製するための方法。
【請求項１６】
段階（ａ）の前記セリウムＩＩＩ塩の溶液が、セリウムＩＶを、１／５０００から１／５０のセリウムＩＶ／セリウムＩＩＩモル比にて含有していることを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
段階（ａ）の前記セリウムＩＩＩ塩の溶液が、セリウムＩＶを、１／２０００から１／５０のセリウムＩＶ／セリウムＩＩＩモル比にて含有していることを特徴とする、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
ＮＯ３−／Ｃｅ３＋モル比によって表される、段階（ａ）、（ｂ）又は（ｃ）の少なくとも１つを実行中の硝酸イオンの含有量が、１／３から５であることを特徴とする、請求項１５から１７の一項に記載の方法。
【請求項１９】
（ａ）過酸化水素水も包含するセリウムＩＩＩ塩の溶液が調製される段階、
（ｂ）この溶液を、不活性雰囲気下で塩基と接触させて沈殿物を得る段階、
（ｃ）前段階で得られた媒体を不活性雰囲気下で熱処理に供する段階（段階（ａ）、（ｂ）又は（ｃ）の少なくとも１つは硝酸イオンの存在下で行われる。）、
（ｄ）このようにして得られた媒体の酸性化及び洗浄を、連続的であるが任意の順番で行って懸濁液を得る段階
を包含することを特徴とする、請求項１から１３の一項に記載の懸濁液を調製するための方法。
【請求項２０】
前記第１段階の溶液が、過酸化水素水を、１／１００００から１／１００のＨ２Ｏ２／ＣｅＩＩＩモル比にて含有することを特徴とする、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記第１段階の溶液が、過酸化水素水を、１／４０００から１／１００のＨ２Ｏ２／ＣｅＩＩＩモル比にて含有することを特徴とする、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記熱処理が、最高９５℃の温度にて行われることを特徴とする、請求項１５から２１の一項に記載の方法。
【請求項２３】
請求項１から１３の一項に記載の懸濁液又は請求項１５から２２の一項に記載の方法によって得られるような懸濁液を、前記有機溶媒と接触させることを特徴とする請求項１４に記載の懸濁液を調製するための方法。
【請求項２４】
液相中における再分散後に請求項１から１４の一項に記載の懸濁液が得られることを特徴とする、酸化セリウム粒子の再分散性粉末。
【請求項２５】
請求項１から１４の一項に記載の懸濁液又は請求項１５から２３の一項に記載の方法によって得られるような懸濁液又は請求項２４に記載の粉末を液相中に再分散させることにより得られる懸濁液を包含することを特徴とする研磨のための懸濁液。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月28日(2014.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
布製スリーブを電気コネクタに結合するように構成されるフェルールであって、
細長い電気部材をそれを通して受けるようにサイズ決めされる空洞を設ける内面を有する円筒形の壁を備え、前記円筒形の壁は、布製スリーブの空洞内での取付のために構成される第１の端と、電気コネクタへの取付のために構成される径方向外向きに延在する環状リムを有する第２の端との間に延在し、前記リムは前記第２の端に隣接する略Ｃ形の環状ポケットを設け、前記略Ｃ形の環状ポケット内にあるエラストマーシールをさらに備え、前記円筒形の壁は、前記第１の端に隣接して少なくとも１つの径方向外向きに延在する環状ビードを有し、前記環状ビードは径方向内向きに面する環状ポケットを設け、さらに
前記内面および細長い電気部材との封止された当接のために前記空洞の中に配設される少なくとも１つの封止部材を備える、フェルール。
【請求項２】
前記少なくとも１つの封止部材は前記ポケットの中に配設される、請求項１に記載のフェルール。
【請求項３】
前記少なくとも１つの封止部材は前記ポケットと前記第２の端との間に延在する、請求項１に記載のフェルール。
【請求項４】
前記円筒形の壁は、環状の凹部によって互いから軸方向に離間された少なくとも２つの径方向外向きに延在する環状ビードを有し、前記ビードの各々は径方向内向きに面する環状ポケットを設ける、請求項１に記載のフェルール。
【請求項５】
前記少なくとも１つの封止部材は複数の封止部材を含み、前記封止部材の別々の１つは前記ポケットの各々の中に配設される、請求項４に記載のフェルール。
【請求項６】
前記少なくとも１つの径方向外向きに延在する環状ビードはハーフビードである、請求項１に記載のフェルール。
【請求項７】
前記少なくとも１つの径方向外向きに延在する環状ビードは、凹状の輪郭を有する前記径方向内向きに面する環状ポケットを形成するフルビードである、請求項１に記載のフェルール。
【請求項８】
導電性布製スリーブ、前記布製スリーブで受けられる細長い電気部材、および導電性電気コネクタとフェルールとの組合わせであって、
前記細長い電気部材をそれを通して受けるようにサイズ決めされる空洞を設ける内面を有する円筒形の壁を備え、前記円筒形の壁は、前記布製スリーブの空洞内での取付のために構成される第１の端と、前記電気コネクタへの取付のために構成される径方向外向きに延在する環状リムを有する第２の端との間に延在し、前記リムは前記第２の端に隣接する略Ｃ形の環状ポケットを設け、前記略Ｃ形の環状ポケット内にあるエラストマーシールをさらに備え、前記円筒形の壁は、前記第１の端に隣接して少なくとも１つの径方向外向きに延在する環状ビードを有し、前記環状ビードは径方向内向きに面する環状ポケットを設け、さらに
前記内面および前記細長い電気部材との封止された当接のために前記空洞の中に配設される少なくとも１つの封止部材を備える、組合せ。
【請求項９】
前記少なくとも１つの封止部材は前記ポケットの中に配設される、請求項８に記載の組合せ。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの封止部材は前記ポケットと前記第２の端との間に延在する、請求項８に記載の組合せ。
【請求項１１】
前記円筒形の壁は、環状の凹部によって互いから軸方向に離間された少なくとも２つの径方向外向きに延在する環状ビードを有し、前記ビードの各々は径方向内向きに面する環状ポケットを設ける、請求項８に記載の組合せ。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの封止部材は複数の封止部材を含み、前記封止部材の別々の１つは前記ポケットの各々の中に配設される、請求項１１に記載の組合せ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月24日(2014.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造が成長し得るIII族窒化物材料であるドナー層と、III族窒化物材料である歪み層とを有する、エピタキシャル構造を提供するステップと、
前記歪み層を緩和させるように前記エピタキシャル構造を処理するステップと、を有し、
前記歪み層の緩和は、前記ドナー層の面内格子定数を変化させる、方法。
【請求項２】
前記エピタキシャル構造は、前記ドナー層と前記歪み層との間に配置された緩和層をさらに有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記エピタキシャル構造は、前記ドナー層と前記歪み層との間に配置された第２の緩和層をさらに有する、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記エピタキシャル構造は、前記ドナー層と前記歪み層との間に配置されたキャップ層をさらに有し、前記キャップ層は、前記ドナー層からの脱離を低減または防止する、請求項２記載の方法。
【請求項５】
前記緩和層は、アルミニウムを有する、請求項２記載の方法。
【請求項６】
前記提供するステップは、第１の基板に前記エピタキシャル構造を成長させるステップを含み、
前記方法は、
前記エピタキシャル構造を第２の基板に接続するステップと、
前記第１の基板を除去するステップと、をさらに有する、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記エピタキシャル構造は、ボンディング層を通じて前記第２の基板に接続され、
前記処理するステップは、前記ボンディング層を加熱するステップを含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記ドナー層を第３の基板に接続するステップと、
前記歪み層を除去するステップと、をさらに有する、請求項６記載の方法。
【請求項９】
前記エピタキシャル構造は、前記ドナー層と前記歪み層との間に配置された低バンドギャップ層をさらに有し、前記低バンドギャップ層は、前記ドナー層及び前記歪み層のバンドギャップよりも低いバンドギャップを持ち、
前記歪み層を除去するステップは、レーザで前記低バンドギャップ層を溶融させるステップを含む、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記歪み層の歪みは、前記ドナー層内の歪みと少なくとも同程度である、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記ドナー層は、ＩｎＧａＮまたはＧａＮであり、
前記歪み層は、ＡｌＧａＮまたはＧａＮであり、
前記エピタキシャル構造は、前記ドナー層と前記歪み層との間に配置された緩和層をさらに有し、前記緩和層は、アルミニウムを有する、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記処理するステップの後に、前記ドナー層は、少なくとも３．２Åの面内格子定数を持つ、請求項１記載の方法。
【請求項１３】
前記処理するステップの後に、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層を有する構造を前記ドナー層に成長させるステップをさらに有する、請求項１記載の方法。
【請求項１４】
前記処理するステップの前に、前記ドナー層は圧縮状態にあり、
前記処理するステップは、前記処理するステップの後に前記ドナー層が少なくとも部分的に緩和されるように、前記ドナー層の前記面内格子定数を増加させるステップを有する、請求項１記載の方法。
【請求項１５】
前記処理するステップの前に、前記ドナー層は緩和され、
前記処理するステップは、前記処理するステップの後に前記ドナー層が引っ張られた状態となるように、前記ドナー層の前記面内格子定数を増加させるステップを有する、請求項１記載の方法。
【請求項１６】
前記処理するステップの前に、前記歪み層は圧縮状態にある、請求項１記載の方法。
【請求項１７】
前記処理するステップの前に、前記歪み層の歪みは、少なくとも０．１％である、請求項１記載の方法。
【請求項１８】
基板と、
ボンディング層によって前記基板に取り付けられたエピタキシャル構造と、を有し、
前記エピタキシャル構造は、
半導体構造が成長し得るIII族窒化物材料であるドナー層と、
III族窒化物材料である歪み層と、
前記ドナー層と前記歪み層との間に配置された緩和層と、を有する、構造体。
【請求項１９】
前記ボンディング層は、ほうりんけい酸ガラスである、請求項１８記載の構造体。
【請求項２０】
前記ドナー層は、ＩｎＧａＮまたはＧａＮであり、
前記歪み層は、ＡｌＧａＮまたはＧａＮであり、
前記緩和層は、アルミニウムを有する、請求項１８記載の構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月6日(2014.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本発明によれば、２つの支持部（Ｈ）が、装置の長手方向、すなわち処理方向において二重交換可能に取り付けられている。従って、この２つの支持部（Ｈ）は、装置の長手方向に沿って移動可能となるように取り付けられており、これにより、装置内におけるスリーブの搬送が容易となる。「二重交換可能」という用語は、第１に２つの支持部（Ｈ）が、他の好適な装置を用いて交換及び移動自在に取り付けられていることを意味する。すなわち、各支持部は、それらが長手方向に移動交換可能に取り付けられており且つ、装置自体が順番に移動可能で交換可能に取り付けられていることを意味する。この二重交換可能の取り付けにより、搬送装置（Ｔ）を、非常にコンパクトに設計することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月14日(2014.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オーミック接触を形成する方法であって、
半導体構造を得るまたは与えるステップと、
前記半導体構造の少なくとも一部に連続的にＴｉＡｌｘＮｙ材料を堆積させることであって、前記堆積させることは、原子層堆積、物理気相堆積、または化学気相堆積の少なくとも一つを含み、前記ＴｉＡｌｘＮｙ材料は任意のその後のアニーリングの前に前記蒸着によって形成され、
ｘおよびｙが同時にゼロであることはなく、ｙがゼロである時、ｘは１ではなく、および
前記半導体構造および前記ＴｉＡｌｘＮｙ材料をアニーリングしてオーミック接触を形成するステップ、
を含む方法。
【請求項２】
前記ＴｉＡｌｘＮｙ材料を前記半導体材料の少なくとも一部に連続的に堆積させるステップは、前記ＴｉＡｌｘＮｙ材料をｎ型ドープＧａＮ材料に少なくとも部分的に隣接して堆積させるステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＴｉＡｌｘＮｙ材料は、約５０〜２０００オングストロームの厚さである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ＴｉＡｌｘＮｙ材料の少なくとも一部に連続的にアルミニウム材料を堆積し、前記ＴｉＡｌｘＮｙ材料は前記半導体構造と前記アルミニウム材料との間にあるようにするステップをさらに含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記アルミニウム材料は、約５〜４０００オングストロームの厚さである請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記アニーリングする工程は、約５００℃〜約１５００℃以下で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記アニーリングする工程は、約０．００１分〜約２００分間で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ＴｉＡｌｘＮｙはＴｉＡｌｘであり、ｘは約３である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
オーミック接触を形成する方法であって、
ｎ型ドープされたＧａＮ材料を含む半導体構造を得るまたは提供するステップと、
前記ｎ型ドープされたＧａＮ材料の少なくとも一部と連続的にＴｉＡｌｘＮｙ材料を約２００〜２０００オングストロームの厚さに堆積させるステップであって、前記堆積させることは、原子層堆積、物理気相堆積、または化学気相堆積の少なくとも一つを含み、前記ＴｉＡｌｘＮｙ材料は任意のその後のアニーリングの前に前記蒸着によって形成され、
ｘおよびｙが同時にゼロであることはなく、
ｙがゼロである時、ｘは１ではなく、ｘは約３であるステップと、
前記半導体構造および前記ＴｉＡｌｘＮｙ材料を、約６６０℃〜約８００℃以下で、約３０秒〜約６０秒の継続時間でアニーリングするステップと、
を含む方法。
【請求項１０】
半導体構造上にオーミック接触を形成する方法であって、
ｎ型ドープされたＧａＮ材料を含む半導体構造を得るまたは提供するステップと、
前記ｎ型ドープされたＧａＮ材料の少なくとも一部と連続的にＴｉＡｌｘＮｙ材料を約５０〜２００オングストロームの厚さに堆積させるステップであって、前記堆積させることは、原子層堆積、物理気相堆積、または化学気相堆積の少なくとも一つを含み、前記ＴｉＡｌｘＮｙ材料は任意のその後のアニーリングの前に前記蒸着によって形成され、
ｘおよびｙが同時にゼロであることはなく、
ｙがゼロである時、ｘは１ではなく、ｘは約３であるステップと、
前記ＴｉＡｌｘＮｙ材料が約１０００オングストロームの厚さであるアルミニウム材料とｎ型ドープされたＧａＮ材料との間にあるように、前記ＴｉＡｌｘＮｙ材料の少なくとも一部と連続的に前記アルミニウム材料を堆積させるステップと、
前記半導体構造および前記ＴｉＡｌｘＮｙ材料を、約６６０℃〜約８００℃以下で、約３０秒〜約６０秒の継続時間でアニーリングするステップと、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月6日(2014.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース及び制御手段を含むパルプ製造用の豆乳メーカであって、
前記ベースに設けられる粉砕熟成化機と、前記ベースにおいて前記粉砕熟成化機内に配置される粉砕カッターと、前記ベースに設けられ、前記粉砕カッターを回動するように前記制御手段によって制御される電動モータとを含み、
前記粉砕熟成化機内で混合される原料と水を粉砕カッターによって濃いパルプ又は泥又は糊に粉砕されると同時に、その濃いパルプ又は泥又は糊と粉砕カッターとの間と、その濃いパルプ又は泥又は糊と粉砕熟成化機との間とで生じる摩擦によって、濃いパルプ又は泥又は糊を加熱し熟成させ、
前記粉砕熟成化機の容積は、50ミリリットル〜1000ミリリットルであることを特徴とするパルプ製造用の豆乳メーカ。
【請求項２】
前記粉砕熟成化機の容積は100ミリリットル〜500ミリリットルであることを特徴とする請求項１に記載のパルプ製造用の豆乳メーカ。 
【請求項３】
前記粉砕熟成化機は密閉容器又は略密閉容器であることを特徴とする請求項１に記載のパルプ製造用の豆乳メーカ。
【請求項４】
前記豆乳メーカは、更に加熱手段を含み、前記加熱手段は前記制御手段によって制御されることを特徴とする請求項１に記載のパルプ製造用の豆乳メーカ。
【請求項５】
前記粉砕熟成化機などの容器が略球体に形成され、その球体の直径をD、前記粉砕カッ
ターの回転面の直径をｄ、前記回転面の直径dに対する前記球体の直径Dの比率D/dをαと
すると、1＜α≦3の関係を満たすことを特徴とする請求項１に記載のパルプ製造用の豆乳メーカ。
【請求項６】
前記粉砕熟成化機は、略中空球体又は略中空柱体または略中空楕球体であることを特徴とする請求項１に記載のパルプ製造用の豆乳メーカ。
【請求項７】
前記粉砕熟成化機には、原料入口と原料出口が設けられていることを特徴とする請求項１に記載のパルプ製造用の豆乳メーカ。
【請求項８】
前記加熱手段は、前記粉砕熟成化機に設けられていることを特徴とする請求項４に記載のパルプ製造用の豆乳メーカ。
【請求項９】
前記加熱手段は、前記粉砕熟成化機の上流側に設けられていることを特徴とする請求項４に記載のパルプ製造用の豆乳メーカ。
【請求項１０】
前記豆乳メーカは、更に前記粉砕熟成化機に互いに連通される水槽を含み、前記加熱手段が前記水槽に、又は前記水槽と前記粉砕熟成化機とを連通させる水搬送通路に設けられており、
あるいは、前記豆乳メーカは、更に前記粉砕熟成化機に原料入口が設けられる自動原料供給手段を含み、前記自動原料供給手段が前記粉砕熟成化機の前記原料入口に相互に連通され、前記加熱手段が前記自動原料供給手段に設けられていることを特徴とする請求項９に記載のパルプ製造用の豆乳メーカ。
【請求項１１】
前記原料と水から混合された混合物の体積が前記粉砕熟成化機の容積に対する比率は1
：1から1：2であることを特徴とする請求項１に記載のパルプ製造用の豆乳メーカ。
【請求項１２】
前記粉砕熟成化機には、更に開口が設けられており、前記開口に蓋体が開閉可能に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のパルプ製造用の豆乳メーカ。
【請求項１３】
前記電動モータは、
前記ベースの内において、その電動モータ軸が前記粉砕熟成化機の側壁を通り抜け当該電動モータ内に突き出すように、前記粉砕熟成化機の一方側に横倒して配置されており、
あるいは、駆動軸を介して前記粉砕カッターを回動し、前記ベースの内において、前記駆動軸が前記粉砕熟成化機の天壁上に設けられる軸孔を通り抜けて下方へ粉砕熟成化機の内に突き出すように、粉砕熟成化機の上方に配置されており、
あるいは、駆動軸を介して前記粉砕カッターを回動し、前記ベースの内において、前記駆動軸が前記粉砕熟成化機の底壁上に設けられる軸孔を通り抜けて上方へ粉砕熟成化機の内に突き出るように、粉砕熟成化機の下方に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のパルプ製造用の豆乳メーカ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
本発明は、食品加工機に関わり、特に豆乳メーカに関わる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記実状に鑑み、快速的なパルプ製造を図るために、粉砕效率が高い豆乳メーカを提供することは必要である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
以下に、図面及び実施例に基づき本発明を更に詳細に記述する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
実施形態四：
図6に示す本発明の豆乳メーカの原料供給機構などの第四の比較的好適な実施形態を参
照し、第一の比較的好適な実施形態との相違点として、本実施形態は二重層のカッターを採用し、即ち、上粉砕カッター531及び下粉砕カッター532を含み、この上粉砕カッター531及び下粉碎カッター532が何れもこの粉砕熟成化機131内に配置されていることである。
二重層の粉砕カッターを設けることによって、粉砕效率を高めることのみならず、クリーニング中において、二重層の粉砕カッターによって水の流れを効果的に粉砕熟成化機131
のトップ層に案内されて電動モータ135の電動モータ軸の根元部及び粉砕熟成化機131のトップ部を洗い流し、徹底的にクリーニングされることができる。
複数層の粉砕カッターを採用してもよいと理解できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
実施形態五：
図7に示す本発明の豆乳メーカの原料供給機構などの第五の比較的好適な実施形態を参
照し、第一の比較的好適な実施形態との相違点として、この粉砕カッター134がこの粉砕
熟成化機131の内壁に装着され、この電動モータ135が該粉砕熟成化機131の外部に位置し
、この電動モータ135が一つの軸継ぎ手631を介して粉砕カッター134を運動駆動すること
によって、この電動モータ135が粉砕カッター134から便利に離間、取り外しができるようにされている。
この軸継ぎ手が接触型軸継ぎ手または非接触型軸継ぎ手であってもよいと理解できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
実施形態六：
図8に示す本発明の豆乳メーカの粉砕熟成化機の第六の比較的好適な実施形態を参照し
、当該粉砕熟成化機731の粉砕熟成化機131に対する相違点として、この粉砕熟成化機731
が矩形状の中空柱体である。矩形状の中空柱体である粉砕熟成化機731が更に便利にその
外周壁に電動モータ152などの部材を装着することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月9日(2014.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者の子宮内膜の受容性を評価するための方法であって、以下からなる工程：
ｉ）患者から得られた子宮内膜生検試料中の１１の遺伝子の発現レベルを測定する工程、ここで該遺伝子がＭＦＡＰ５、ＡＮＧＰＴＬ１、ＰＲＯＫ１、ＮＬＦ２、ＬＡＭＢ３、ＢＣＬ２Ｌ１０、ＣＤ６８、ＴＲＰＣ４、ＳＯＲＣＳ１、ＦＳＴおよびＫＲＴ８０である；および
ｉｉ）子宮内膜生検試料中の遺伝子の発現レベルを対照と比較する工程、ここで、子宮内膜生検試料と対照との間の遺伝子の発現レベルの差の検出が子宮内膜が受容性であるかどうかを示す
を含む、方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法に従って、受容性と考えられた子宮内膜から入手可能な子宮内膜外植片であって、ここで前記１１の遺伝子の全てが過剰発現している、子宮内膜外植片。
【請求項３】
子宮内膜−胚同時培養のための子宮内膜同時培養の系を調製するための、請求項２記載の子宮内膜外植片の使用。
【請求項４】
請求項１記載の方法を実行するためのキットであって、ここで該キットがＭＦＡＰ５、ＡＮＧＰＴＬ１、ＰＲＯＫ１、ＮＬＦ２、ＬＡＭＢ３、ＢＣＬ２Ｌ１０、ＣＤ６８、ＴＲＰＣ４、ＳＯＲＣＳ１、ＦＳＴおよびＫＲＴ８０の発現レベルを測定するための手段を含む、キット。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月28日(2014.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カルシウムＨＭＢおよびタンパク質を含み、２．８〜４．６のｐＨを有し、総タンパク質の６５重量％〜１００重量％が可溶性タンパク質である、目に見えて清澄な栄養液体。
【請求項２】
可溶性タンパク質が、総タンパク質の８５重量％〜１００重量％を表し、前記可溶性タンパク質が、ホスホセリン含有タンパク質１キログラム当たり少なくとも１００ミリモルのホスホセリンを有するホスホセリン含有タンパク質を含む、請求項１に記載の目に見えて清澄な栄養液体。
【請求項３】
可溶性タンパク質が、ホエータンパク質濃縮物、ホエータンパク質単離物、カゼイン加水分解物、加水分解コラーゲン、これらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１種のタンパク質を含む、請求項１に記載の目に見えて清澄な栄養液体。
【請求項４】
カルシウムＨＭＢが、目に見えて清澄な栄養液体の０．１重量％〜５．０重量％である、請求項１に記載の目に見えて清澄な栄養液体。
【請求項５】
目に見えて清澄な液体栄養補助食品が、脂質１．０重量％未満を含む、請求項１に記載の目に見えて清澄な栄養液体。
【請求項６】
ベータアラニン０．１重量％〜３．０重量％をさらに含む、請求項１に記載の目に見えて清澄な栄養液体。
【請求項７】
液体が、３．１〜３．９のｐＨを有する、請求項１に記載の目に見えて清澄な栄養液体。
【請求項８】
ビタミンＤをさらに含む、請求項１に記載の目に見えて清澄な栄養液体。
【請求項９】
カルシウムＨＭＢおよびタンパク質を含み、２．８〜４．６のｐＨを有し、総タンパク質の６５重量％〜１００重量％が可溶性タンパク質であり、カルシウムＨＭＢ対可溶性カルシウムの重量比が４．５：１〜７．３：１である、目に見えて清澄な栄養液体。
【請求項１０】
可溶性タンパク質が、総タンパク質の８５重量％〜１００重量％を表し、前記可溶性タンパク質が、ホスホセリン含有タンパク質１キログラム当たり少なくとも１００ミリモルのホスホセリンを有するホスホセリン含有タンパク質を含む、請求項９に記載の目に見えて清澄な栄養液体。
【請求項１１】
可溶性タンパク質が、ホエータンパク質濃縮物、ホエータンパク質単離物、カゼイン加水分解物、加水分解コラーゲンおよびこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１種のタンパク質を含む、請求項９に記載の目に見えて清澄な栄養液体。
【請求項１２】
可溶性タンパク質が、目に見えて清澄な栄養液体の１重量％〜２０重量％である、請求項９に記載の目に見えて清澄な栄養液体。
【請求項１３】
カルシウムＨＭＢが、目に見えて清澄な栄養液体の０．１重量％〜２．５重量％である、請求項９に記載の目に見えて清澄な栄養液体。
【請求項１４】
ベータアラニン０．１重量％〜３．０重量％をさらに含む、請求項９に記載の目に見えて清澄な栄養液体。
【請求項１５】
カルシウムＨＭＢ、タンパク質、イソマルツロース、ベータアラニンおよびビタミンＤを含み、２．８〜４．６のｐＨを有し、総タンパク質の６５重量％〜１００重量％が可溶性タンパク質であり、カルシウムＨＭＢ対可溶性カルシウムの重量比が４．５：１〜７．３：１であり、ビタミンＤが最大１０００ＩＵの量で存在する、目に見えて清澄な栄養液体。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月28日(2014.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
立体表現用のサブタイトルを生成する方法であって、
調整情報に従ってサブタイトルを処理するステップと、
処理された前記サブタイトルを少なくとも１つの立体画像内に組み込み、立体表現用の少なくとも１つの平行移動された立体画像を生成するステップと
を有する方法。
【請求項２】
前記調整情報が、スケール因子、平行移動量及びディスパリティの変化のうちの少なくとも１つを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記調整情報は、
前記サブタイトルのフットプリントと前記少なくとも１つの立体画像の所定の領域とを比較し、
前記フットプリントの或る部分が前記所定の領域の外にあった場合、調整されたフットプリントを伴う調整されたサブタイトルが前記所定の領域内に完全に収まるように前記サブタイトルに適用する前記調整情報を決定することで決定される、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記所定の領域は、前記サブタイトルに関する寸法及び位置の内の一方に関する少なくとも１つのパラメータを決定する較正手順で設定される、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記調整情報に基づいて品質パラメータを導出するステップと、
前記品質パラメータが所定値を超える場合、前記調整されたサブタイトルを形成するステップと
を更に有する請求項３記載の方法。
【請求項６】
前記調整されたフットプリントを、前記フットプリント及び前記所定の領域の間の交わりとして規定するステップと、
前記調整されたフットプリントを形成するために前記フットプリントに適用する前記スケール因子を決定するステップと
を更に有する請求項３記載の方法。
【請求項７】
前記所定の領域の外にある前記サブタイトルの部分を減らすように前記サブタイトルを平行移動させるステップと、
平行移動させた前記サブタイトルのフットプリントの或る部分が前記所定の領域の外にあった場合、前記平行移動させたサブタイトルにスケール因子を適用し、平行移動及び縮小させられたサブタイトルが前記所定の領域内に完全に入るようにするステップと、
ディスパリティが調整されたサブタイトルの調整後のフットプリントの中に見えるオブジェクトの最小ディスパリティと同程度に、平行移動及び選択的に縮小させられたサブタイトルのディスパリティを調整するステップと
を更に有する請求項３記載の方法。
【請求項８】
前記調整されたフットプリントが前記所定の領域外の部分を有する場合、前記ディスパリティが調整されたサブタイトルを更に縮小し、更に調整されたサブタイトルのフットプリントの中にあるオブジェクトの最小ディスパリティと同程度に、更に縮小させたサブタイトルのディスパリティを調整するステップを更に有する請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記所定の領域と前記少なくとも１つの立体画像内の領域との間で交わった領域を規定するステップであって、前記領域内のオブジェクトのディスパリティは前記サブタイトルのディスパリティに少なくとも等しい、ステップと、
スケール因子及びある量の平行移動を前記サブタイトルに適用し、前記交わった領域の中に縮小され平行移動したサブタイトルを形成するステップと
を更に有し、前記スケール因子及びある量の平行移動は所定の品質基準に従って選択されている、請求項３記載の方法。
【請求項１０】
前記交わった領域内の他のオブジェクトのディスパリティから、所定量の範囲内にある調整されたディスパリティに、前記縮小され平行移動したサブタイトルを変更するステップを有する請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記サブタイトルの調整されたディスパリティが、前記交わった領域内の他のオブジェクトのディスパリティより大きくない、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの立体画像が複数の画像である、請求項１記載の方法。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの立体画像が、処理されたサブタイトルと共に形成された複数の立体画像であり、本方法は、
前記複数の立体画像の個々の部分のディスパリティを検査するサブステップであって、個々の立体画像の個々の部分は調整されたサブタイトルの調整されたフットプリントに重なっている、サブステップと、
個々の立体画像の個々の部分各々の最小ディスパリティにせいぜい等しくなるように、調整されたサブタイトルのディスパリティを変更するサブステップと
を実行することで前記サブタイトルのディスパリティの変更量を決定するステップを更に有する、請求項３記載の方法。
【請求項１４】
前記複数の立体画像が或る時間期間にわたる表示用の画像のシーケンスを表す、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
立体表現用のサブタイトルを生成するシステムであって、
スケール因子、並進量及び差異の変化のうちの少なくとも１つを含む調整情報に従ってサブタイトルを自動的に処理し、処理された前記サブタイトルを立体像内に組み込み、立体像用に使用する並進された画像を生成する第１のプロセッサ
を有するシステム。
【請求項１６】
第２のプロセッサを更に含み、該第２のプロセッサは、前記サブタイトルのフットプリントと前記立体画像の所定の領域とを比較し、前記サブタイトルのフットプリントの或る部分が前記所定の領域の外にあった場合、調整されたフットプリントを伴う調整されたサブタイトルが前記所定の領域内に完全に収まるように前記サブタイトルに適用する前記調整情報を決定する、請求項１５記載のシステム。
【請求項１７】
前記第１のプロセッサが前記第２のプロセッサと同一である、請求項１６記載のシステム。
【請求項１８】
前記第２のプロセッサが、前記調整情報に基づいて品質パラメータを導出し、前記品質パラメータが所定値を超える場合、前記調整されたサブタイトルを形成する、請求項１６記載のシステム。
【請求項１９】
組み込まれたサブタイトルを含む変換後の立体画像を格納するメモリを更に有する請求項１５記載のシステム。
【請求項２０】
前記第１のプロセッサが、セットトップボックス、テレビジョンモニタ、ビデオレコーダ、ディジタルビデオプレーヤ、パーソナルコンピュータ及びモバイル装置を含む消費者装置及びディジタルシネマサーバの内の何れかに設けられている、請求項１５記載のシステム。