Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月9日(2014.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明導電酸化膜上へ薄膜電極を堆積させる方法であって、前記方法は、
基板上へ前記透明導電酸化膜を堆積させることと、
スパッタリングガスと、前記透明導電酸化膜に対するドナー材料またはアクセプタ材料として作用する処理ガスとを含有する処理環境に、前記基板および前記透明導電酸化膜をさらすことと、
前記透明導電酸化膜の少なくとも部分上へ前記薄膜電極を堆積させることとを含み、
前記透明導電酸化膜の少なくとも部分上へ前記薄膜電極を堆積させながら、前記透明導電酸化膜に対する前記ドナー材料または前記アクセプタ材料として作用する前記処理ガスの分圧を前記スパッタリングガスの圧力に対して変動させる、方法。
【請求項２】
前記処理環境が、Ａｒ、Ｈ２、Ａｒ／Ｈ２、ＮＨ３、Ａｒ／ＮＨ３、およびこれらの任意の組合せからなる群から選択されるガス組成物を含み、または前記処理環境が、Ａｒ、Ｎ２、Ａｒ／Ｎ２、Ａｒ／Ｎ２Ｏ、およびこれらの任意の組合せからなる群から選択されるガス組成物を含むか、または前記処理環境が、Ａｒ、Ｈ２、Ａｒ／Ｈ２、Ａｒ／Ｎ２Ｏ、およびこれらの任意の組合せからなる群から選択されるガス組成物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記薄膜電極を堆積させる前に、前記透明導電酸化膜上へ前駆体層を堆積させることをさらに含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記薄膜堆積処理中に少なくとも１つの堆積パラメータが制御され、前記少なくとも１つの堆積パラメータが、スパッタリングカソードに印加される電力、スパッタリングガスの圧力、堆積混合ガスの組成、基板温度、およびこれらの任意の組合せからなる群から選択される、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記スパッタリングガスに対する前記ドナー材料または前記アクセプタ材料として作用する前記処理ガスの流量比が、０．５％〜６０％の範囲内で変動される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記前駆体層が、Ｍｏ、Ｔｉ、ＭｏＴｉ、Ａｌ、Ｃｕ、およびこれらの任意の組合せからなる群から選択される金属をスパッタリングすることによって堆積される、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
透明導電酸化膜上へ薄膜電極を堆積させるように適合された堆積装置であって、前記堆積装置は、
処理すべき基板を保持するように適合された基板キャリアと、
前記基板上へ前記透明導電酸化膜をスパッタリングし、前記透明導電酸化膜の少なくとも部分上へ少なくとも１つの薄膜電極をスパッタリングするように適合されたスパッタリングデバイスと、
ガスミキサを有し、スパッタリングガスおよびドナーガスまたはアクセプタガスの所望のガス流を前記スパッタリングデバイス内へ提供し且つ前記基板および前記透明導電酸化膜の処理環境の組成を制御するように適合されたガス流コントローラであって、前記処理環境が前記スパッタリングガスおよび処理ガスを含有し、前記処理ガスが前記透明導電酸化膜に対するドナー材料またはアクセプタ材料として作用する、ガス流コントローラとを備え、
前記ガス流コントローラが、前記透明導電酸化膜の少なくとも部分上へ前記薄膜電極を堆積させながら、前記透明導電酸化膜に対する前記ドナー材料またはアクセプタ材料として作用する前記処理ガスの分圧を前記スパッタリングガスの圧力に対して変動させるようにさらに適合される、堆積装置。
【請求項８】
処理すべき前記基板を加熱するように適合された加熱デバイスをさらに備える、請求項７に記載の堆積装置。
【請求項９】
前記スパッタリングデバイスが、Ｍｏ、Ｔｉ、ＭｏＴｉ、Ａｌ、Ｃｕ、およびこれらの任意の組合せからなる群から選択される金属をスパッタリングするように適合されたマグネトロンスパッタリングユニットとして提供される、請求項７または８に記載の堆積装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月19日(2014.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実質的な固定面において物体を保持する静電クランプであって、
基部と該基部から延在する複数のバールとを含むサポートであって、該複数のバールの各々は頂部と底部とを含み、該バールの該頂部は前記物体が保持される平面を決定する、サポートと、
隣接するバール間に設けられた材料の第１層および材料の第２層であって、該第１層および該第２層は該隣接するバールの頂部より高く延在せず、該隣接するバールの底部より低く延在しない、第１層および第２層と、
前記隣接するバール間に設けられ、かつ前記第１層および前記第２層によって囲まれた電極と、を備え、
前記第１層は、各バールから第１距離だけ離れて設けられる、静電クランプ。
【請求項２】
前記第２層は、各バールから第２距離だけ離れて設けられる、請求項１に記載の静電クランプ。
【請求項３】
前記第２層は、前記第１層と前記バールとの間の前記第１距離によって形成された領域の少なくとも一部内に設けられる、請求項１または２に記載の静電クランプ。
【請求項４】
前記第１層および前記第２層は、同様の材料である、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の静電クランプ。
【請求項５】
前記第２層は、前記第１層の上に設けられる、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の静電クランプ。
【請求項６】
前記第１層、前記第２層、またはそれら両方は、誘電体材料を含む、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の静電クランプ。
【請求項７】
物体を物体サポートに対して静電的にクランプするように構成された静電クランプを製造する方法であって、該静電クランプは、基部と該基部から延在する複数のバールとを含むサポートであって、該複数のバールの各々は頂部と底部とを含み、該バールの該頂部は前記物体が保持される平面を決定する、サポートを備え、該方法は、
前記基部および前記バールの頂部の上に材料の第１層を設けることと、
前記第１層を含んで、前記基部および前記バールの上に電極を設けることと、
少なくとも前記第１層が前記バールから前記第１距離だけ離れるように、少なくとも第１層において前記複数のバールの周囲に第１凹みをエッチングで形成することと、
前記第１層を含む前記基部、前記第１凹み、および前記バールの前記頂部の上に材料の第２層を設けることと、
少なくとも前記材料の第２層が前記バールから前記第２距離だけ離れるように、少なくとも第２層において前記複数のバールの周囲に第２凹みをエッチングで形成することと、を含む、方法。
【請求項８】
前記第１層および前記第２層は、同様の材料である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１層、前記第２層、またはそれら両方は、誘電体材料を含む、請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１層および／または前記第２層を設けることは、スパッタリングプロセスを用いること、化学蒸着プロセスを用いること、またはそれら両方を含む、請求項７乃至９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１凹みをエッチングで形成すること、および／または、前記第２凹みをエッチングで形成することは、レーザアブレーションプロセスを用いることを含む、請求項７乃至９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
装置であって、
放射ビームのビーム経路において物体を支持する物体サポートと、
前記物体サポートに対して前記物体を静電的にクランプする静電クランプであって、
基部と該基部から延在する複数のバールとを含むサポートであって、該複数のバールの各々は頂部と底部とを含み、該バールの該頂部は前記物体が保持される平面を決定する、サポートと、
隣接するバール間に設けられた材料の第１層および材料の第２層であって、該第１層および該第２層は該隣接するバールの頂部より高く延在せず、該隣接するバールの底部より低く延在しない、第１層および第２層と、
前記隣接するバール間に設けられ、かつ前記第１層および前記第２層によって囲まれた電極と、を備える、静電クランプと、を備え、
前記第１層は、各バールから第１距離だけ離れて設けられる、装置。
【請求項１３】
前記物体は、前記放射ビームによって露光される基板である、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記物体は、前記放射ビームにパターンを付けるように構成されたパターニングデバイスである、請求項１２または１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記装置はリソグラフィ装置であり、放射ビームにパターンを付けてパターン付き放射ビームを形成するように構成されたパターニングデバイスを保持するパターニングデバイスサポートと、基板を保持する基板サポートと、パターン付き放射ビームを前記基板上に投影する投影システムと、を備え、前記物体サポートは、前記パターニングデバイスまたは前記基板サポートである、請求項１２乃至１４のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月16日(2014.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンを放出するイオン源と、
第１の導体と第２の導体とを含むコンデンサであって、
前記第１の導体が、前記イオン源によって放出された前記イオンにさらされ、
前記第２の導体が、前記イオン源によって放出された前記イオンから遮蔽される、コンデンサと、を備える、電離平衡装置。
【請求項２】
イオン源のイオン平衡を測定するように構成される回路であって、
第１の導体と第２の導体とを含み、前記第１の導体が前記イオン源によって放出されたイオンにさらされ、前記第２の導体が前記イオン源によって放出された前記イオンから遮蔽される、第１のコンデンサと、
前記第１のコンデンサの前記第２の導体、及び第３の導体を備える、第２のコンデンサと、
前記第２のコンデンサと並列に位置付けられた抵抗器であって、前記抵抗器と前記第２のコンデンサとの前記並列の組合せが、前記第１のコンデンサと直列である、抵抗器と、
スイッチが開いていると、前記第１の導体が前記イオン源からの放出イオンを蓄積し、前記スイッチが閉じられると、前記第１のコンデンサが蓄積電荷を放電する、スイッチと、を備える、回路。
【請求項３】
イオン源のイオン平衡を測定するように構成される回路であって、
第１の導体と第２の導体とを含む、第１のコンデンサと、
前記第１のコンデンサの前記第２の導体、及び第３の導体を備える、第２のコンデンサと、
前記第２のコンデンサと並列に位置付けられた抵抗器であって、前記抵抗器と前記第２のコンデンサとの前記並列の組合せが、前記第１のコンデンサと直列であり、前記抵抗器がおよそ１０メガオーム未満の抵抗を規定する、抵抗器と、を備える、回路。
【請求項４】
イオンを放出するイオン源と、
前記イオン源からの放出イオンを受け取り、前記イオン源のイオン平衡を表示する信号を出力するように構成され、前記信号が、前記放出イオンによって生成されない外部電磁場の影響をほぼ受けない、回路と、を備える、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月24日(2014.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのフルオロアルコール含有ユニットを有する、フェノール系分子性ガラスであって、該フェノール系分子性ガラスが、下記構造式（Ｉ）のカリックス［４］レソルシナレン：
【化１】
2014502646.tif 000001
[式中、Ｒ’は、前記少なくとも１つのフルオロアルコール含有ユニットを含み、Ｒは、水素および酸に不安定な官能基からなる群から独立に選択され、かつ、ＸおよびＹは、水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アリール、アラルキル、アルカリル、ハロ、シアノ、ニトロおよびカルボキシレートからなる群からそれぞれ独立に選択される。]
であり、
前記少なくとも１つのフルオロアルコール含有ユニットが、構造式（ＩＩ）：
【化２】
2014502646.tif 000002
[式中、Ｒ１は、直鎖または分枝アルキレン基、置換または非置換脂環式基、置換または非置換アリーレン基、置換または非置換ヘテロアリーレン基、置換または非置換複素環式基であり、Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立に、フッ素化アルキル基である。]
である、
フェノール系分子性ガラス。
【請求項２】
前記Ｒが、構造式（ＩＩＩ）：
【化３】
2014502646.tif 000003
[式中、ｍは０から４であり、ｎは０または１であり、かつＲ４はＣＲ５Ｒ６Ｒ７またはＳｉＲ８Ｒ９Ｒ１０であり、ここで、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、独立に、水素、アルキル、アルコキシ、アリールもしくはアリールオキシであるか、または連結してシクロアルキルもしくはシクロオキシアルキル環を形成し、かつ、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、それぞれアルキル置換基である。]
を有する酸に不安定な官能基である、請求項１に記載のフェノール系分子性ガラス。
【請求項３】
前記Ｒが水素である、請求項１に記載のフェノール系分子性ガラス。
【請求項４】
少なくとも１つのフルオロアルコール含有ユニットを有する、フェノール系分子性ガラスを含むフォトレジスト組成物であって、該フェノール系分子性ガラスが、下記構造式（Ｉ）のカリックス［４］レソルシナレン：
【化４】
2014502646.tif 000004
（式中、Ｒ’は、前記少なくとも１つのフルオロアルコール含有ユニットを含み、Ｒは、水素および酸に不安定な官能基からなる群から独立に選択され、かつ、ＸおよびＹは、水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アリール、アラルキル、アルカリル、ハロ、シアノ、ニトロおよびカルボキシレートからなる群からそれぞれ独立に選択される。）
であり、
前記少なくとも１つのフルオロアルコール含有ユニットが、構造式（ＩＩ）：
【化５】
2014502646.tif 000005
[式中、Ｒ１は、直鎖または分枝アルキレン基、置換または非置換脂環式基、置換または非置換アリーレン基、置換または非置換ヘテロアリーレン基、置換または非置換複素環式基であり、Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立に、フッ素化アルキル基である。]
である、
フォトレジスト組成物。
【請求項５】
前記Ｒが、構造式（ＩＩＩ）：
【化６】
2014502646.tif 000006
[式中、ｍは０から４であり、ｎは０または１であり、かつＲ４はＣＲ５Ｒ６Ｒ７またはＳｉＲ８Ｒ９Ｒ１０であり、ここで、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、独立に、水素、アルキル、アルコキシ、アリールもしくはアリールオキシであるか、または連結してシクロアルキルもしくはシクロオキシアルキル環を形成し、かつ、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、それぞれアルキル置換基である。]
を有する酸に不安定な官能基である、請求項４に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項６】
前記Ｒが水素であり、前記フォトレジスト組成物が、架橋剤を含む、請求項４に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項７】
顔料、増感剤、防腐剤、酸拡散制御剤、接着促進剤、コーティング助剤、可塑剤、表面改質剤または溶解抑制剤あるいはその組合せをさらに含む、請求項４に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項８】
基板上にレジスト像を発生させるための方法であって、
少なくとも１つのフルオロアルコール官能基を有するフェノール系分子性ガラス、光酸発生剤および溶媒を含むフォトレジスト組成物を含むフィルムで、基板をコーティングするステップと、
前記フィルムを放射線に像様暴露して、その中に潜像を形成するステップと、
前記レジスト像を塩基水溶液の現像液で現像するステップと
を含み、
該フェノール系分子性ガラスが、下記構造式（Ｉ）のカリックス［４］レソルシナレン：
【化７】
2014502646.tif 000007
[式中、Ｒ’は、前記少なくとも１つのフルオロアルコール含有ユニットを含み、Ｒは、水素および酸に不安定な官能基からなる群から独立に選択され、かつ、ＸおよびＹは、水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アリール、アラルキル、アルカリル、ハロ、シアノ、ニトロおよびカルボキシレートからなる群からそれぞれ独立に選択される。]
であり、前記少なくとも１つのフルオロアルコール含有ユニットが、構造式（ＩＩ）：
【化８】
2014502646.tif 000008
[式中、Ｒ１は、直鎖または分枝アルキレン基、置換または非置換脂環式基、置換または非置換アリーレン基、置換または非置換ヘテロアリーレン基、置換または非置換複素環式基であり、Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立に、フッ素化アルキル基である。]
である、方法。
【請求項９】
前記Ｒが、構造式（ＩＩＩ）：
【化９】
2014502646.tif 000009
（式中、ｍは０から４であり、ｎは０または１であり、かつＲ４はＣＲ５Ｒ６Ｒ７またはＳｉＲ８Ｒ９Ｒ１０であり、ここで、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、独立に、水素、アルキル、アルコキシ、アリールもしくはアリールオキシであるか、または連結してシクロアルキルもしくはシクロオキシアルキル環を形成し、かつ、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、それぞれアルキル置換基である。）を有する酸に不安定な官能基である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記Ｒが水素であり、前記フォトレジスト組成物が、架橋剤を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記フィルムを放射線に像様暴露するステップの後、かつ現像するステップの前に、前記フィルムを２５℃から１５０℃の範囲内の温度に加熱する、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記放射線が、紫外線放射、ｘ線、ＥＵＶまたは電子ビームである、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
顔料、増感剤、防腐剤、酸拡散制御剤、接着促進剤、コーティング助剤、可塑剤、表面改質剤または溶解抑制剤あるいはその組合せをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月3日(2014.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
消火栓マニホールドと、
スイベル付き消火栓マニホールドを形成するため前記消火栓マニホールドと工業用給水管系との間を直接的または間接的に接続するような構造のスイベルとを備え、
前記スイベルが、少なくとも６インチ（１５２．４ｍｍ）の流通管を提供し、少なくとも１８０°の相対回転が可能な構造で互いに結合するステンレス鋼の雄スリーブと雌スリーブとを含み、少なくとも２組のステンレス鋼玉軸受をそれらの間に有し、
前記スイベルは、軸受接触領域を水の浸入から保護する構造の、前記雄スリーブと前記雌スリーブとの間にある、内側水圧シール用の場所を有する、恒久的設置用工業用消火のための少なくとも６インチ（１５２．４ｍｍ）のスイベル付き消火栓マニホールド。
【請求項２】
少なくとも８インチ（２０３．２ｍｍ）の水管を提供するスイベルを含む請求項１に記載のスイベル付き消火栓マニホールド。
【請求項３】
少なくとも１２インチ（３０４．８ｍｍ）の水管を提供するスイベルを含む、請求項１に記載のスイベル付消火栓マニホールド。
【請求項４】
環境に近い、前記雄スリーブと前記雌スリーブ間の外部破片シール用の場所を提供するスイベルを含む、請求項１に記載のスイベル付き消火栓マニホールド。
【請求項５】
前記雌スリーブ内に、ベアリングの周囲の前記雄スリーブと前記雌スリーブとの間の潤滑領域を構成するグリース適用場所を含む、請求項１に記載のスイベル付き消火栓マニホールド。
【請求項６】
前記２組の軸受と前記スリーブが３１６ステンレス鋼を含む請求項１に記載のスイベル付き消火栓マニホールド。
【請求項７】
前記雄スリーブと前記雌スリーブ間に調節可能で、選択的なロック機構を含む、請求項１に記載のスイベル付き消火栓マニホールド。
【請求項８】
前記雄スリーブと前記雌スリーブ間に第３組の玉軸受を含む請求項１に記載のスイベル付き消火栓マニホールド。
【請求項９】
直接的にまたは間接的に、かつ固定的に、消火栓マニホールドの流入弁または立ち管に取り付ける構造の第１の取り付け具と、
ステンレス鋼の雄スリーブと雌スリーブの結合と、その間の少なくとも２組のステンレス鋼玉軸受と水圧シールとを含むスイベル本体であって、前記スリーブは前記シールと、その間の回転動作をシールする前記玉軸受を構成し、一つのスリーブは前記第１の取り付け具に直接的にまたは間接的に取り付けるためのものであるスイベル本体と、
直接的にまたは間接的に他のスリーブに取付け、消火栓マニホールドに直接的にまたは間接的に固定時に取り付ける構造を有する第２の取り付け具と、
回転可能な取り付け部の位置を前記雄スリーブと雌スリーブとの間で固定する構造のロック装置とを備え、
前記第１の取り付け具、第２の取り付け具および前記スイベル本体が、少なくとも６インチ（１５２．４ｍｍ）の流体導管を提供する、工業用消火のための少なくとも６インチ（１５２．４ｍｍ）の消火栓マニホールド用スイベル装置。
【請求項１０】
前記消火栓マニホールドの流入弁または立ち管に固定的に取り付けるためのフランジを有する前記第１の取り付け具を含む請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記第２の取り付け具が、前記消火栓マニホールドに固定的に取り付けるためのフランジを含む請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
前記ロック装置が、前記スイベル本体上のロック部分と、前記第１の取り付け具上のロック用フランジとを含み、前記ロック部分とフランジとにはピンを挿入するための孔が設けられている請求項９に記載の装置。
【請求項１３】
環境に近い、回転可能な雄スリーブと雌スリーブの結合間の外部破片を含む請求項９に記載の装置。
【請求項１４】
前記雄スリーブと前記雌スリーブとが３１６ステンレス鋼を含む請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記雄スリーブと前記雌スリーブとの間に位置する、ステンレス鋼玉軸受の少なくとも３つのリングを含む請求項１３に記載の装置。
【請求項１６】
前記スリーブ同士の間および前記玉軸受の周辺に潤滑油を流すグリス供給具を備える請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
一定の地面の場所で直接的または間接的に工業用給水管系に固定的に取り付けられるスイベル付き消火栓マニホールドを含む、請求項１に記載のスイベル付き消火栓マニホールド。
【請求項１８】
前記消火栓マニホールドと前記工業用給水管系の間で、前記消火栓マニホールドの上流および前記工業用給水管系の下流、で直接的に連結される構造のスイベルを含む、請求項１に記載のスイベル付き消火栓マニホールド。
【請求項１９】
前記消火栓マニホールドが前記スイベルの上方に位置し、その上に載置される、請求項１に記載のスイベル付き消火栓マニホールド。
【請求項２０】
前記少なくとも２組のステンレス鋼玉軸受のそれぞれは、雄スリーブのレース内に一部が位置することを特徴とする、請求項１に記載のスイベル付き消火栓マニホールド。
【請求項２１】
前記少なくとも２組のステンレス鋼玉軸受のそれぞれは、雄スリーブに形成されたレース内および雌スリーブに形成されたレース内に一部が位置し、前記レースと前記玉軸受の組はスリーブ間のアタッチメントを提供するように、組み合わされて構成されることを特徴とする、請求項１に記載のスイベル付き消火栓マニホールド。
【請求項２２】
前記雄スリーブと雌スリーブの結合面には本質的に突起がないことを特徴とする、請求項１に記載のスイベル付き消火栓マニホールド。
【請求項２３】
前記少なくとも２組のステンレス鋼玉軸受のそれぞれは雄スリーブのレース内に一部が位置することを特徴とする、請求項９に記載のスイベル付き消火栓マニホールド。
【請求項２４】
前記少なくとも２組のステンレス鋼玉軸受のそれぞれは、雄スリーブに形成されたレース内および雌スリーブに形成されたレース内に一部が位置し、前記レースと前記玉軸受の組はスリーブ間のアタッチメントを提供するように、組み合わされて構成されることを特徴とする、請求項９に記載のスイベル付き消火栓マニホールド。
【請求項２５】
前記雄スリーブと雌スリーブの結合面には本質的に突起がないことを特徴とする、請求項９に記載のスイベル付き消火栓マニホールド。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月29日(2014.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プルランを含む新しい硬カプセル
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水性溶媒、少なくとも一つのゲル化剤、設定システム、及びプルランを含むことを特徴とする、硬カプセル殻の製造のための水性組成物であって、ここでプルランが、乾燥固体ベースで、プルランの全質量当たり約２．５％より少ない単糖、二糖、及びオリゴ糖を含む、上記水性組成物。
【請求項２】
さらに場合により、薬学的に又は食品として許容可能な色素、及び／又は着色剤、薬学的に又は食品として許容可能な金属イオン封鎖剤、薬学的に又は食品として許容可能な可塑剤、薬学的に又は食品として許容可能な甘味剤及び／又は香味剤、及び薬学的に又は食品として許容可能な界面活性剤、並びにそれらの組み合わせ又は混合物、から成る群から選択される少なくとも一つの成分を含む、請求項１に記載の水性組成物。
【請求項３】
ゲル化剤、並びに単糖、二糖、及びオリゴ糖フリーのプルランを含む、硬カプセル殻であって、ここで単糖、二糖、及びオリゴ糖フリーのプルランが、乾燥固体ベースで、プルランの全質量当たり約２．５％より少ない単糖、二糖、及びオリゴ糖を含む、上記硬カプセル殻。
【請求項４】
単糖、二糖、及びオリゴ糖フリーのプルランが、約１００ＫＤａから約４００ＫＤａの範囲の平均分子量を有する、請求項３に記載の硬カプセル殻。
【請求項５】
単糖、二糖、及びオリゴ糖フリーのプルランが、約６０℃において、約５００ｃＰｓから１５００ｃＰｓの範囲の溶融粘度を有する、請求項３に記載の硬カプセル殻。
【請求項６】
プルランが、乾燥固体ベースで、プルラン試料の全質量当たり２．５質量％より少ない
単糖、二糖、及びオリゴ糖を含む、請求項３に記載の硬カプセル殻。
【請求項７】
プルランが、乾燥固体ベースで、プルラン試料の全質量当たり１．０質量％より少ない単糖、二糖、及びオリゴ糖を含む、請求項６に記載の硬カプセル殻。
【請求項８】
単糖、二糖、及びオリゴ糖フリーのプルランが、トウモロコシ又はタピオカ澱粉から製造される、請求項３に記載の硬カプセル殻。
【請求項９】
単糖、二糖、及びオリゴ糖フリーのプルランが、殻に存在する全プルランの質量当たり５０質量％より多い量で存在する、請求項３に記載の硬カプセル殻。
【請求項１０】
単糖、二糖、及びオリゴ糖フリーのプルランが、殻に存在するフィルム形成ポリマーの質量当たり５０質量％より多い量で存在する、請求項３に記載の硬カプセル殻。
【請求項１１】
さらに、薬学的に又は食品として許容可能な色素、及び／又は着色剤、薬学的に又は食品として許容可能な金属イオン封鎖剤、薬学的に又は食品として許容可能な可塑剤、薬学的に又は食品として許容可能な甘味剤及び／又は香味剤、及び薬学的に又は食品として許容可能な界面活性剤、並びにそれらの組み合わせ又は混合物、から成る群から選択される少なくとも一つの成分を含む、請求項３に記載の硬カプセル殻。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一つに記載の殻を含み、そして固体、半固体、及び／又は液体形態で少なくとも一つの物質で充填される、硬カプセル。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一つに記載の硬カプセル殻の製造のための浸漬成形方法であって、該プロセスは：
（ａ）ピンを前記定義された水性組成物内に少しだけ少しだけ浸漬する工程；
（ｂ）水性組成物から浸漬ピンを引き揚げる工程； 及び
（ｃ）殻を得るために、浸漬ピン上に接着した組成物を乾燥する工程；
を含み、ここで、工程（ａ）〜（ｃ）は、それらが示される順に行なわれる、上記浸漬成形方法。
【請求項１４】
硬カプセル殻の製造のための単糖、二糖、及びオリゴ糖フリーのプルランの使用方法。
【請求項１５】
カプセルが、少なくとも一つの吸湿性物質で充填されている、請求項１２に記載の硬カプセル。
【請求項１６】
カプセルが、水接触により化学分解を起こしやすい少なくとも一つの物質で充填されている 、請求項１２に記載の硬カプセル。
【請求項１７】
アセトアミノフェン、胎盤粉末、アロエ抽出物粉末、花粉、活性化炭、グルコサミン、カルニチン、α−リポ酸、ロイヤルジェリー、プロポリス抽出物、ガーリック、海草抽出物、鉱物塩、ごま抽出物、補酵素、キチン、キトサン、コンドロイチン、グルタチオン、ヒトデ抽出物、大豆粉末、レシチン、紅茶又はハーブ粉末、トウモロコシの毛粉末、乳酸桿菌(lactobacillus)、ベリー、小麦アルブミン、アルギニン、ツリミミズ粉末（angleworm powder）、ショウガ粉末、シャンピニオン粉末、キーウィ抽出物、人参抽出物、ヒアルロン酸、ブドウ種子抽出物、コラーゲン抽出物、リコペン、ウコン抽出物、ルテイン、カテキン、植物抽出物、核酸、糖類、クロレラ、ビタミン、アスタキサンチン、イースト、サメ抽出物、甲殻類抽出物、抗酸化性化合物、及びそれらの混合物から成るグループから選択される、少なくとも一つの物質で充填されている、請求項１２に記載の硬カプセル。
【請求項１８】
殻が、約５００μｍより薄い殻の厚さを有する、請求項３に記載の硬カプセル殻。
【請求項１９】
殻が、約２５０μｍより薄い殻の厚さを有する、請求項３に記載の硬カプセル殻。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月10日(2014.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともある程度複合材料（１４８）のシートからなる容器（１４６）であって、前記複合材料（１４８）が、
第１の表面（１０１）および第２の表面（１０２）を有するアルミ箔（１００、１０６）と、
２つの表面（１０１、１０２）のうちの少なくとも１つと結合している第１のポリマー層（１０４）
とを含み、前記ポリマー層（１０４）によって前記アルミ箔（１００、１０６）が、ホルダ（１１３）の少なくとも１つの開口部（１１７、１１８）を被覆し、前記複合材料（１４８）および前記ホルダ（１１３）が共に前記容器（１４６）を形成し、前記ホルダ（１１３）が少なくとも１つの分析用補助器具（１１２）を切り欠き（１３４）中に受容し、アルミ箔がプレスまたは深絞りされている容器。
【請求項２】
前記ポリマー層（１０４）が熱可塑性ポリマーから構成される請求項１記載の容器（１４６）。
【請求項３】
前記熱可塑性ポリマーがポリエステルである請求項２記載の容器（１４６）。
【請求項４】
前記ポリエステルが、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレートおよびポリエステル樹脂、ならびに少なくともそれら２つの混合物からなる群より選択される１つである請求項３記載の容器（１４６）。
【請求項５】
前記アルミ箔（１００、１０６）の厚みが１０〜３０μｍである請求項１〜４のいずれか１項に記載の容器（１４６）。
【請求項６】
前記複合材料（１４８）が追加のポリマー層（１１４）を含む請求項１〜５のいずれか１項に記載の容器（１４６）。
【請求項７】
少なくとも１つの前記分析用補助器具（１１２）が、体液中の分析物の検出のために、穿刺エレメント（１２０）、または試験領域（１２２）、またはそれら両方を備える請求項１〜６のいずれか１項に記載の容器（１４６）。
【請求項８】
前記分析用補助器具（１１２）が親水性コーティング（１２４）を含んでいる請求項１〜７のいずれか１項に記載の容器（１４６）。
【請求項９】
前記第１のポリマー層（１０４）が、分析用補助器具（１１２）が使用前には親水性に保たれるようにデザインされている請求項１〜８のいずれか１項に記載の容器（１４６）。
【請求項１０】
前記第１のポリマー層（１０４）の厚さが、０．５〜１０μｍの範囲である請求項１〜９のいずれか１項に記載の容器（１４６）。
【請求項１１】
前記第１のポリマー層（１０４）の厚さが、２〜８μｍの範囲の範囲である請求項１〜９のいずれか１項に記載の容器（１４６）。
【請求項１２】
前記第１のポリマー層（１０４）の厚さが、３〜６μｍの範囲である請求項１〜９のいずれか１項に記載の容器（１４６）。
【請求項１３】
前記容器（１４６）が少なくとも１つのエンボス（２０２）を有するアルミ箔（１００、１０６）から得られる請求項１〜１２のいずれか１項に記載の容器（１４６）。
【請求項１４】
複数の分析用補助器具（１１２）を有するホルダ（１１３）を設ける工程、
ホルダ（１１３）の少なくとも一部分を、ポリマー層（１０４）に結合されたアルミ箔（１００、１０６）を含む複合材料（１４８）のシートで保護的に被覆する工程であって、前記ポリマー層（１０４）がホルダ（１１３）に対向している被覆する工程、
少なくとも前記ポリマー層（１０４）を加熱する工程であって、これにより前記ポリマー層（１０４）が少なくともある程度溶融し、そして前記ホルダ（１１３）に結合し、容器（１４６）を形成する工程を含み、
前記ホルダの少なくとも一部分を、前記複合材料のシートで保護的に被覆する工程の前、またはそのあいだに、アルミ箔がプレスまたは深絞りされる分析用補助器具（１１２）の保管のための容器（１４６）の製造方法。
【請求項１５】
前記ポリマー層（１０４）が熱可塑性ポリマーから構成される請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記熱可塑性ポリマーがポリエステルである請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記ポリエステルが、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレートおよびポリエステル樹脂、ならびに少なくともそれら２つの混合物からなる群より選択される１つである請求項１６記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
図２ｄの分析用補助器具１１２は、少なくとも１つの穿刺エレメント１２０または少なくとも１つの試験領域１２２、またはその両方を備える。図２ｄに示される実施例において、環状の分析用補助器具１１２は、ランセット１２０の形状である複数の穿刺エレメント１２０、および複数の試験領域１２０を備える。この実施例において、試験領域１２２およびランセット１２０は、それぞれ複数の切り欠き１３４内に適応した。ある好ましい実施態様はそれぞれ、それぞれに対してランセット１２０に付着している液体を試験領域１２２上へと移送することを可能とするような方法で配置されている、１つのランセット１２０および１つの試験領域１２２を有する。この実施例に示されるように、これは、ランセット１２０および試験領域１２２を互いに重ね合わせる配置であり、ランセット１２０または試験領域１２２上にわずかな圧力が適用された場合に、液体、この実施例においては血液が、試験領域１２２に移送され得る配置によって達成され得る。本明細書には示していないが、代わりの実施態様においては、親水性コーティング１２４をもつキャピラリーがランセット１２０および試験領域１２２に接続されている。この例は分析用補助器具１２２としてのマイクロサンプラーを備える。好ましく記載される全ての実施態様は、分析用補助器具１２２を切り欠き１３４を有するリング形のホルダ１１３の中にともに保持した。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月8日(2014.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）の化合物：
【化１】
2014502599.tif 000001
（式中、Ｒ１はシクロへキシルまたはエチルである。）；
およびそれらの塩、水和物および溶媒和物。
【請求項２】
ジ−２−ピリジルケトン４−エチル−４−メチル−３−チオセミカルバゾンである請求項１に記載の化合物およびそれらの塩、水和物および溶媒和物。
【請求項３】
ジ−２−ピリジルケトン４−シクロへキシル−４−メチル−３−チオセミカルバゾンである請求項１に記載の化合物およびそれらの塩、水和物および溶媒和物。
【請求項４】
前記塩が薬学的に許容可能な塩である、請求項１に記載の化合物。
【請求項５】
ジ−２−ピリジルケトン４−エチル−４−メチル−３−チオセミカルバゾン塩酸塩である、請求項２に記載の化合物。
【請求項６】
ジ−２−ピリジルケトン４−シクロへキシル−４−メチル−３−チオセミカルバゾン塩酸塩である、請求項３に記載の化合物。
【請求項７】
薬学的に許容可能な賦形剤、希釈剤またはアジュバントと共に、請求項１に記載の式（Ｉ）の化合物またはそれらの塩、水和物もしくは溶媒和物を含む、医薬組成物。
【請求項８】
哺乳動物において癌を治療するための、有効量の、請求項１に記載の式（Ｉ）の化合物またはそれらの塩、水和物もしくは溶媒和物を含む医薬組成物、あるいは請求項７に記載の医薬組成物。
【請求項９】
前記癌が、メラノーマ、皮膚癌、乳癌、前立腺癌、膀胱癌、肝臓癌、消化管癌、結腸直腸癌、脳腫瘍、頭頸部癌、骨癌、膵臓癌、子宮癌、卵巣癌、子宮頸癌、肺癌および血液系腫瘍（例えば白血病およびリンパ腫）から選択される、請求項８に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
前記癌が、膵臓癌、肺癌および脳腫瘍から選択される、請求項９に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
前記癌が固形腫瘍である、請求項８に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
前記哺乳動物がヒトである、請求項８に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月26日(2014.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
心臓ペーシングデバイスであって、
ペーシングパルスを発生させるためのパルス発生回路と、
心臓電気活動を感知するための感知回路と、
ペーシングタイミング間隔を定める心イベントを検出し、かつプログラムされたモードに従ってペーシングパルスの送出を制御するためのコントローラと、
選択された感知チャンネル及びペーシングチャンネルを形成するために前記パルス発生回路及び感知回路を選択された電極に接続するように前記コントローラによって作動可能なスイッチマトリックスと、
を含み、
前記コントローラは、
右心室感知チャンネルを通じて心臓活動を感知し、
右心室感知によってリセットされる心周期間隔中にＬＶ１及びＬＶ２と指定された少なくとも２つの左心室部位への左心室ペーシングチャンネルを通じたペースの送出を予定し、
感知チャンネルが不応の時に、心イベント検出の目的に対して該感知チャンネルが無効にされるか又は感知された活動が無視されるように選択不応期を定め、
第１の心室ペースが心周期中に送出される時に前記右心室感知チャンネルに対してペース後不応期を開始し、
第１の心室ペースが部位ＬＶ１に送出された時の前記右心室感知チャンネルに対するペース後不応期の開始後に、前記ペース後不応期を部位ＬＶ２への次のペースによって影響されない状態にする、
ようにプログラムされる、
ことを特徴とする心臓ペーシングデバイス。
【請求項２】
前記コントローラは、
左心室感知チャンネルを通じて心臓活動を感知し、
第１の心室ペースが心周期中に送出される時に前記左心室感知チャンネルに対してペース後不応期を開始する、
ように更にプログラムされる、
ことを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記コントローラは、いずれかの感知チャンネルに対して感知がその感知チャンネルにおいて検出された時に感知後不応期を開始するようにプログラムされることを特徴とする請求項１から請求項２のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項４】
前記コントローラは、
心房感知チャンネルを通じて心房活動を感知し、
心周期中に送出される各心室ペースに対して前記心房感知チャンネルに対するペース後不応期を開始する、
ように更にプログラムされる、
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項５】
前記コントローラは、部位ＬＶ１及びＬＶ２に左心室ペースを送出する際に開始される前記ペース後不応期が同じプログラムされた設定を使用するようにプログラムされることを特徴とする請求項２に記載のデバイス。
【請求項６】
前記コントローラは、
右心室感知により抑制されない限り、心周期間隔中に右心室ペーシングチャンネルを通じて前記右心室にペースを送出し、次に、該心周期間隔中に部位ＬＶ１及びＬＶ２に左心室ペースを送出し、
右心室感知又は右心室ペースのいずれかに対して前記心周期間隔をリセットし、
前記右心室ペースが送出された時の前記右及び左心室感知チャンネルに対するペース後不応期の開始後に、該ペース後不応期をＬＶ１及びＬＶ２への次のペースによって影響されない状態にする、
ように更にプログラムされる、
ことを特徴とする請求項５又は請求項２に記載のデバイス。
【請求項７】
前記コントローラは、
部位ＬＶ１及びＬＶ２への左心室ペースの送出後に、右心室感知により抑制されない限り、心周期間隔中に右心室ペーシングチャンネルを通じて前記右心室にペースを送出し、  右心室感知又は右心室ペースのいずれかに対して前記心周期間隔をリセットし、
第１の心室ペースが部位ＬＶ１に送出された時の前記右及び左心室感知チャンネルに対するペース後不応期の開始後に、該ペース後不応期を部位ＬＶ２への次のペース及び前記右心室ペースによって影響されない状態にする、
ように更にプログラムされる、
ことを特徴とする請求項２に記載のデバイス。
【請求項８】
前記コントローラは、
右心室感知により抑制されない限り、右心室疑似ペースと同期する左心室ペースを部位ＬＶ１に送出し、次に、心周期間隔中に部位ＬＶ２に左心室ペースを送出し、
右心室感知又は右心室疑似ペースのいずれかに対して前記心周期間隔をリセットし、
第１の心室ペースが部位ＬＶ１に送出された時の前記右及び左心室感知チャンネルに対するペース後不応期の開始後に、該ペース後不応期を部位ＬＶ２への次のペースによって影響されない状態にする、
ように更にプログラムされる、
ことを特徴とする請求項２に記載のデバイス。
【請求項９】
前記コントローラは、
右心室感知により抑制されない限り、部位ＬＶ１に左心室ペースを送出し、次に、心周期間隔中に右心室疑似ペースと同期する左心室ペースを部位ＬＶ２に送出し、
右心室感知又は右心室疑似ペースのいずれかに対して前記心周期間隔をリセットし、
前記ペースが部位ＬＶ１に送出された時の前記右及び左心室感知チャンネルに対するペース後不応期の開始後に、該ペース後不応期を部位ＬＶ２への次のペースによって影響されない状態にする、
ように更にプログラムされる、
ことを特徴とする請求項２に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記コントローラは、
部位ＬＶ１に左心室ペースを送出し、次に、心周期中に部位ＬＶ２に左心室ペースを送出し、
部位ＬＶ１へのペースの送出時に、部位ＬＶ１の全ての更なるペーシングが抑制される左心室保護期を開始する、
ように更にプログラムされ、
前記左心室保護期は、部位ＬＶ２へのペースによって影響されない、
ことを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月26日(2014.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
心臓ペーシングデバイスであって、
ペーシングパルスを発生させるためのパルス発生回路と、
心臓電気活動を感知するための感知回路と、
ペーシングタイミング間隔を定める心イベントを検出し、かつプログラムされたモードに従ってペーシングパルスの送出を制御するためのコントローラと、
選択された感知チャンネル及びペーシングチャンネルを形成するために前記パルス発生回路及び感知回路を選択された電極に接続するように前記コントローラによって作動可能なスイッチマトリックスと、
を含み、
前記コントローラは、
右心室及び左心室感知チャンネルを通じて心臓活動を感知し、
右心室感知によってリセットされる心周期間隔中に少なくとも２つの左心室部位への左心室ペーシングチャンネルを通じたペースの送出を予定し、該左心室ペースが、右心室感知によってリセットされる補充収縮間隔の満了に対する時間関係において送出され、該補充収縮間隔の該満了が、基準点として作用する右心室疑似ペースによって示され、
１つ又はそれよりも多くの左心室ペースが抑制される左心室保護期を左心室感知後に開始し、
全ての予定された左心室ペースが、左心室保護期又は他の方法によって心周期間隔中に抑制されるか否かを判断し、全ての予定された左心室ペースが抑制される場合に、前記右心室疑似ペースと同期して右心室安全ペースを送出する、
ようにプログラムされる、
ことを特徴とする心臓ペーシングデバイス。
【請求項２】
前記コントローラは、１つ又はそれよりも多くの予定された左心室ペースが左心室保護期又は他の方法によって心周期間隔中に抑制されるが、少なくとも１つの左心室ペースが該左心室保護期外に予定されている場合に、右心室安全ペースが送出されないように更にプログラムされることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記コントローラは、１つ又はそれよりも多くの予定された左心室ペースが左心室保護期又は他の方法によって心周期間隔中に抑制されるが、少なくとも１つの左心室ペースが該左心室保護期外に予定されている場合に、右心室安全ペースを送出せず、かつ該左心室保護期によって抑制されていた該左心室ペースをその満了直後に送出するように更にプログラムされることを特徴とする請求項１から請求項２のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項４】
前記コントローラは、前記右心室疑似ペースの前に又はこれに同期して発生するように予定された全ての左心室ペースが、左心室保護期又は他の方法によって心周期間隔中に抑制される場合に、該右心室疑似ペースと同期して右心室安全ペースを送出し、かつ該心周期間隔中に全ての残りの予定された左心室ペースを抑制するように更にプログラムされることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項５】
前記コントローラは、前記右心室疑似ペースの前に又はこれに同期して発生するように予定された全ての左心室ペースが、左心室保護期又は他の方法によって心周期間隔中に抑制される場合に、該右心室疑似ペースと同期して右心室安全ペースを送出し、かつ左心室保護期から外れてかつそれ以外の方法で抑制されていない全ての残りの予定された左心室ペースをそれらの予定の時点で該心周期間隔中に送出するように更にプログラムされることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項６】
前記コントローラは、前記右心室疑似ペースの前に又はこれに同期して発生するように予定された全ての左心室ペースが、左心室保護期又は他の方法によって心周期間隔中に抑制される場合に、該右心室疑似ペースと同期して右心室安全ペースを送出し、かつ該左心室保護期から外れる全ての残りの予定された左心室ペースをその満了の直後に送出するように更にプログラムされることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項７】
前記コントローラは、前記右心室疑似ペースの前に又はこれに同期して発生するように予定された全ての左心室ペースが、左心室保護期又は他の方法によって心周期間隔中に抑制されない場合に、右心室安全ペースを送出しないように更にプログラムされることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項８】
前記コントローラは、最小心周期間隔を実施し、かつ抑制しなければ指定の最小心周期間隔に違反する左心室ペースを抑制するようにプログラムされることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項９】
前記コントローラは、抑制しなければ指定の最小心周期間隔に違反する左心室ペースを抑制し、かつ該最小心周期間隔が経過した直後に抑制されていた該左心室ペースを送出するようにプログラムされることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記コントローラは、抑制しなければ指定の最小心周期間隔に違反すると考えられる左心室ペースを抑制することによって最小心周期間隔を実施するようにプログラムされ、かつ心周期間隔中の全ての左心室ペースが該指定の最小心周期間隔の違反に対して抑制される場合に、該最小心周期間隔が経過した後に指定の部位にかつ指定の時点で１つ又はそれよりも多くの左心室ペースを送出するように更にプログラムされることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月26日(2014.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
心臓ペーシングデバイスであって、
ペーシングパルスを発生させるためのパルス発生回路と、
心臓電気活動を感知するための感知回路と、
ペーシングタイミング間隔を定める心イベントを検出し、かつプログラムされたモードに従ってペーシングパルスの送出を制御するためのコントローラと、
選択された感知チャンネル及びペーシングチャンネルを形成するために前記パルス発生回路及び感知回路を選択された電極に接続するように前記コントローラによって作動可能なスイッチマトリックスと、
を含み、
選択された電極は、心房、右心室及び左心室部位に配置され、心房、右心室及び左心室の感知チャンネル及びペーシングチャンネルを形成し、
前記コントローラは、
右心室感知チャンネルを通じて心臓活動を感知し、
通常ペーシングモードで作動し、又は心房性不整脈があるときに両心室トリガ式ペーシングモードで作動し、
前記通常ペーシングモードにおいて、右心室感知によってリセットされる心周期間隔中に少なくとも２つの左心室部位への左心室ペーシングチャンネルを通じたペースの送出を予定し、
前記両心室トリガ式ペーシングモードにおいて、右心室感知によってトリガされた時に、右心室ペーシングチャンネルを通じて右心室にペースを送出し、かつ選択された左心室部位で左心室に単一のペースを送出する、
ようにプログラムされる、
ことを特徴とする心臓ペーシングデバイス。
【請求項２】
前記コントローラは、前記両心室トリガ式ペーシングモードでペーシングされる前記選択された左心室部位が、前記通常モードでペーシングされる前記左心室部位の中から選択されるようにプログラムされることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記コントローラは、前記両心室トリガ式ペーシングモードでペーシングされる前記選択された左心室部位が、前記通常モードでペーシングされる前記左心室部位と異なるようにプログラムされることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
心臓ペーシングデバイスであって、
ペーシングパルスを発生させるためのパルス発生回路と、
心臓電気活動を感知するための感知回路と、
ペーシングタイミング間隔を定める心イベントを検出し、かつプログラムされたモードに従ってペーシングパルスの送出を制御するためのコントローラと、
選択された感知チャンネル及びペーシングチャンネルを形成するために前記パルス発生回路及び感知回路を選択された電極に接続するように前記コントローラによって作動可能なスイッチマトリックスと、
を含み、
選択された電極は、心房、右心室及び左心室部位に配置され、心房、右心室及び左心室の感知チャンネル及びペーシングチャンネルを形成し、
前記コントローラは、
右心室感知チャンネルを通じて心臓活動を感知し、
通常ペーシングモードで作動し、又は心房性不整脈があるときに両心室トリガ式ペーシングモードで作動し、
前記通常ペーシングモードにおいて、右心室感知によってリセットされる心周期間隔中に少なくとも２つの左心室部位への左心室ペーシングチャンネルを通じたペースの送出を予定し、
前記両心室トリガ式ペーシングモードにおいて、右心室感知によってトリガされた時に、右心室ペーシングチャンネルを通じて右心室にペースを送出し、かつ選択された左心室部位で左心室に複数のペースを送出する、
ようにプログラムされる、
ことを特徴とする心臓ペーシングデバイス。
【請求項５】
前記コントローラは、前記両心室トリガ式ペーシングモードでペーシングされる前記選択された左心室部位が、前記通常モードでペーシングされる前記左心室部位の中から選択されるようにプログラムされることを特徴とする請求項４に記載のデバイス。
【請求項６】
前記コントローラは、前記両心室トリガ式ペーシングモードでペーシングされる前記選択された左心室部位の少なくとも１つが、前記通常モードでペーシングされる前記左心室部位と異なるようにプログラムされることを特徴とする請求項４に記載のデバイス。
【請求項７】
前記コントローラは、前記両心室トリガ式モードにおいて、右心室感知の直後に前記右心室ペースと同期する少なくとも１つの第１の左心室ペースを送出し、次に、選択された間隔の後に少なくとも１つの次の左心室ペースを送出するようにプログラムされることを特徴とする請求項４から請求項６のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項８】
前記コントローラは、前記次の左心室ペースが、前記通常モードに使用される左心室ペース間の間隔と同じである選択された間隔で前記第１の左心室ペースの後に送出されるようにプログラムされることを特徴とする請求項７に記載のデバイス。
【請求項９】
前記コントローラは、前記次の左心室ペースが、前記通常モードに使用される左心室ペース間の間隔と異なる選択された間隔で前記第１の左心室ペースの後に送出されるようにプログラムされることを特徴とする請求項７に記載のデバイス。