Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月8日(2012.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベアウェハ上で相互接続構造体が処理された後にのみ半導体機能デバイスの製造が行われる製法に従ってウェハレベルインテグレーションモジュールを製造する方法であって、
前記ウェハの第１面に前記相互接続構造体を形成するステップと、
前記相互接続構造体の壁同士を絶縁するように、前記ウェハの前記第１面に第１の絶縁層を堆積するステップと、
前記第１の絶縁層上に第１の導電層を堆積するステップであって、前記第１の導電層は、前記相互接続構造体の壁上の前記第１の絶縁層に接触するように前記相互接続構造体を充填し、前記第１の導電層は、前記ウェハの前記第１面との相互接続コンタクト及び前記ウェハ内へ延びる相互接続ビアを形成し、
前記第１の導電層を露出させて、前記ウェハの前記第１面との相互接続コンタクトを形成するステップと、
前記ウェハの前記第１面に半導体機能デバイスを製造するステップであって、当該半導体機能デバイスが、当該半導体機能デバイスを製造する間に、前記相互接続コンタクトに相互接続されるステップと、
前記第１の導電層のうち少なくとも前記相互接続ビアに接続された部分を前記ウェハの第２面から露出させるステップと、
を備える方法。
【請求項２】
前記相互接続構造体がマイクロ構造体を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記導電層が高温導電性膜である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の導電層が高温導電性膜を含み、前記第１の導電層を露出させる前記ステップが、化学的機械的研磨により前記第１の導電層を露出させる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の導電層が高温導電性膜を含み、前記第１の導電層を露出させる前記ステップが、裏面研削により前記第１の導電層を露出させる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記半導体機能デバイスを保護するように前記ウェハの前記第１面を覆う保護基板を設けるステップを更に備える、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ウェハの前記第２面上に第２の絶縁層を堆積するステップと、
前記第２の絶縁層をパターン化し、前記相互接続ビアを露出させるステップと、
外部デバイスとの接触のために第２の導電層を、パターン化された前記第２の絶縁層上に堆積するステップと
を更に備える、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記半導体機能デバイスを製造する前記ステップが、新しい機能デバイスを形成するための付加的な層を堆積することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記付加的な層が複数の前記新しい機能デバイスを形成する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記付加的な層が積層形態で形成される、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記相互接続ビア構造体、前記半導体機能デバイス、及び前記相互接続構造体を充填する前記第1の導電層、前記相互接続コンタクト及び前記相互接続ビアが、前記ウェハ上に形成された複数のダイの一つとして形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
分離ゾーンに沿って前記複数のダイを分離するステップを更に備える、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記半導体機能デバイスがトランジスタを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記複数の半導体機能デバイスがトランジスタを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記半導体機能デバイスをその製造後にテストするステップを更に備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記半導体機能デバイスをテストする前記ステップが、前記ウェハの前記第１面にテストパッドを形成することを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記テストの後であって、次の半導体機能デバイスの製造前に、前記テストパッドを除去するステップを更に備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１の導電層が前記相互接続構造体に付されるときに、前記第１の導電層に第３の絶縁層を堆積するステップであって、前記第３の絶縁層が前記相互接続構造体を部分的に充填して、得られる前記相互接続ビアの抵抗を制御し、前記ウェハの前記第１面上において前記第１の導電層を平坦化及び保護するように、前記第３の絶縁層を堆積するステップを更に備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
ウェハの第１面上に形成された相互接続構造体であって、前記ウェハの前記第１面から第１の絶縁層が付された壁を有する相互接続構造体と、
前記相互接続構造体の前記壁上の前記第１の絶縁層に付された第１の導電層であって、前記相互接続構造体を充填し、かつ、前記ウェハの前記第１面との相互接続コンタクト及び前記ウェハ内へ所定の深さまで延びる相互接続ビアを形成する第１の導電層と、
前記ウェハの前記第１面との相互接続コンタクトであって、前記第１の導電層の露出部分を含む相互接続コンタクトと、
前記ウェハの前記第１面上に製造された半導体機能デバイスであって、前記相互接続構造体が形成された後、当該半導体機能デバイスを製造する間に、前記相互接続コンタクトに相互接続された半導体機能デバイスと、
前記ウェハの第２面との相互接続ビアコンタクトであって、前記第１の導電層のうち前記相互接続ビアに接続された露出部分から形成された相互接続ビアコンタクトと、
を備えるウェハレベルインテグレーションモジュール。
【請求項２０】
前記ウェハの前記第２面上の前記露出部分が、化学的機械的研磨された露出部分を含んでいる、請求項１９に記載のウェハレベルインテグレーションモジュール。
【請求項２１】
前記ウェハの前記第２面上の前記露出部分が、裏面研削された露出部分を含んでいる、請求項１９に記載のウェハレベルインテグレーションモジュール。
【請求項２２】
前記ウェハの前記第１面上の保護基板であって、前記半導体機能デバイスを覆う保護基板を更に備える、請求項１９に記載のウェハレベルインテグレーションモジュール。
【請求項２３】
前記ウェハの前記第２面上の第２の絶縁層であって、前記相互接続ビアの少なくとも一部を露出させる相互接続パターンを有する第２の絶縁層と、
外部デバイスとの接触のために、パターン化された前記第２の絶縁層上に堆積された第２の導電層と、
を更に備える、請求項１９に記載のウェハレベルインテグレーションモジュール。
【請求項２４】
新しい機能デバイスを構成する付加的な層を更に備える、請求項１９に記載のウェハレベルインテグレーションモジュール。
【請求項２５】
前記ウェハの前記第１面上のテストパッドであって、前記半導体機能デバイスに接続されたテストパッドをに更に備える、請求項１９に記載のウェハレベルインテグレーションモジュール。
【請求項２６】
前記ウェハの前記第１面上において前記第１の導電層に付された抵抗制御層であって、前記相互接続構造体の抵抗を制御する抵抗制御層を更に備える、請求項１９に記載のウェハレベルインテグレーションモジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月10日(2012.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板であって、
回路担体（１）と、
非導電性材料からできており、有機物質を含み、回路担体（１）上に配置される被覆層（４）と、
少なくとも部分的に被覆層（４）上に配置される第１の金属化層（５）とを含み、
前記第１の金属化層（５）は可撓領域（１０）を有し、可撓領域において電子部品を接触させるための少なくとも１つの接触区域（９）を含み、
被覆層（４）は可撓領域（１０）に切欠き（５０）を有し、前記切欠き（５０）により、接触区域（９）の領域における可撓領域（１０）の可撓性が高められる、回路基板。
【請求項２】
被覆層（４）が可撓領域（１０）において付加的に可撓性を有する、請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
可撓領域（１０）は少なくとも１つの軸を備え、前記少なくとも１つの軸に沿って、前記可撓領域（１０）が回路基板の残りの部分に対して逆の方向を向いて曲がり得る、請求項１または２に記載の回路基板。
【請求項４】
可撓領域（１０）が、前記軸を中心として回路基板の残りの部分に向かう方向およびそこから離れる方向に移動することができる、請求項３に記載の回路基板。
【請求項５】
可撓領域（１０）は一方側のみがその周囲に接続されている、請求項１から４のいずれかに記載の回路基板。
【請求項６】
可撓領域（１０）が凸縁（６）として形成される、請求項１から５のいずれかに記載の回路基板。
【請求項７】
可撓領域（１０）が空き空間（７）の上方に配置される、請求項１から６のいずれかに記載の回路基板。
【請求項８】
被覆層（４）上の第１の金属化層（５）が、可撓領域（１０）の部分領域において、導電性トラックおよび接触区域として形成される、請求項１から７のいずれかに記載の回路基板。
【請求項９】
導電性トラックが湾曲した経路を有する、請求項８に記載の回路基板。
【請求項１０】
切欠き（５０）は可撓領域（１０）の外端縁から始まって可撓領域（１０）へと延在するか、または、切欠き（５０）は可撓領域（１０）における穴またはスロットであり、可撓領域（１０）の外端縁ほどまでには延びていない、請求項１から９のいずれかに記載の回路基板。
【請求項１１】
可撓領域（１０）において、切欠き（５０）が部分領域を形成し、部分領域には接触区域（９）が配置され、部分領域は、その角部によってその周囲に接続されていない、請求項１から１０のいずれかに記載の回路基板。
【請求項１２】
被覆層（４）は安定化組織を含む、請求項１から１１のいずれかに記載の回路基板。
【請求項１３】
電子部品（５５）は可撓領域（１０）上に配置されており、前記電子部品は、接触区域（９）を介して第１の金属化層（５）に導電的に接続されている、請求項１から１２のいずれかに記載の回路基板。
【請求項１４】
回路基板面の方向への引張応力に対する可撓領域（１０）の可撓性が、切欠き（５０）によって高められる、請求項１から１３のいずれかに記載の回路基板。
【請求項１５】
構成要素を収容するための囲まれた体積が少なくとも部分領域において形成されるように、覆い（４５）が回路基板上に配置される、請求項１から１４のいずれかに記載の回路基板。
【請求項１６】
回路基板がインタポーザとして用いられる、請求項１から１５のいずれかに記載の回路基板。
【請求項１７】
回路基板は、回路基板面に対する線熱膨張係数を有し、前記線熱膨張係数は、回路基板上に搭載された電子部品の線熱膨張係数よりも高い少なくとも４ｐｐｍ／Ｋである、請求項１から１６のいずれかに記載の回路基板。
【請求項１８】
回路基板を製造するための方法であって、
回路担体（１）を設けるステップと、
回路担体（１）のうち空間的に区切られた部分領域に対して層間剥離層（３）を貼り付けるステップと、
回路担体（１）の部分領域および層間剥離層（３）に対して層シーケンスを施すステップとを含み、前記層シーケンスは、
有機材料を含む被覆層（４）と、
被覆層（４）上における第１の金属化層（５）とを含み、前記方法はさらに、
被覆層（４）および第１の金属化層（５）を構造化するステップを含み、
第１の金属化層（５）の可撓領域（１０）が規定される、方法。
【請求項１９】
層間剥離層（３）が、さらなる方法ステップにおいて可撓領域（１０）を形成するために除去される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
層間剥離層（３）として、可溶層、選択的にエッチング可能な層、揮発層または分解可能層、気化可能層、および低融点層から選択される犠牲層が貼り付けおよび構造化される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
層間剥離層（３）は、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンまたはセルロース誘導体を含む、請求項１８から２０のいずれかに記載の方法。
【請求項２２】
回路基板を製造するための方法であって、
回路担体（１）を設けるステップと、
回路担体（１）における窪み（８）を加工するステップと、
窪み（８）を覆うものの充填せず、結果として空き空間（７）を形成するように回路担体（１）に層シーケンスを施すステップとを含み、前記層シーケンスは、有機材料を含む被覆層（４）と、被覆層（４）上における第１の金属化層（５）とを含み、前記方法はさらに、
第１の金属化層（５）の可撓領域（１０）が形成されるように空き空間（７）の上方に被覆層（４）および第１の金属化層（５）を構造化するステップを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月23日(2012.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
以上記載したように、改善された太陽電池形成及び構造を提供することができる。本発明の特定の実施形態が記載されたが、これらの実施形態は、本発明を明確に例示する目的で示したものであり、限定する目的で提供されていない。また、本開示を読むことにより、様々な改良を加えた実施形態が考えられることは、当業者にとって明らかである。
［項目７］
太陽電池基板の上に第１の誘電体層を形成する工程と、
前記太陽電池基板は、通常動作時に太陽に向けられるよう設けられた前面及び前記前面に対向する裏面を有するＮ型シリコンウエハを含み、前記太陽電池基板の前記裏面側であって前記第１の誘電体層の上にＰ型ドープ領域及びＮ型ドープ領域を形成する工程と、
前記Ｐ型ドープ領域及び前記Ｎ型ドープ領域との間を分離するトレンチを形成する工程と、
前記トレンチ内に第２の誘電体層を堆積する工程と
を備える太陽電池を製造する方法。
［項目８］
前記トレンチは、前記Ｐ型ドープ領域及び前記Ｎ型ドープ領域が形成される前に形成される項目７に記載の方法。
［項目９］
前記第２の誘電体層は、窒化シリコンを含む項目７に記載の方法。
［項目１０］
前記太陽電池基板の前記裏面側で、第１の金属接触子を前記Ｐ型ドープ領域と電気的に接続する工程と、
前記太陽電池基板の前記裏面側で、第２の金属接触子を前記Ｎ型ドープ領域と電気的に接続する工程と
をさらに備える項目７に記載の方法。
［項目１１］
前記Ｐ型ドープ領域は、前記第１の誘電体層上に堆積される前にＰ型ドーパントでプリドープされるポリシリコンを含み、前記Ｎ型ドープ領域は、前記第１の誘電体層上に形成される前にＮ型ドーパントでプリドープされるポリシリコンを含む項目７に記載の方法。
［項目１２］
前記Ｐ型ドープ領域を形成する工程は、
ドーパント源からポリシリコン層へとドーパントを拡散する工程を含み、
前記ドーパント源は、前記ポリシリコン層上に形成された層の材料である項目７に記載の方法。
［項目１３］
前記ドーパント源は、Ｐ型ドープ二酸化シリコン層を含む項目１２に記載の方法。
［項目１４］
前記トレンチの表面に不規則なテクスチャ加工を施す工程をさらに備える項目７に記載の方法。
［項目２０］
前記トレンチ構造の下の前記基板に設けられるパッシベーション領域をさらに含む構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通常動作時に太陽に向けられるよう設けられた前面及び前記前面に対向する裏面を有するシリコン基板と、
ポリシリコンを含むＰ型ドープ領域及びＮ型ドープ領域と、
前記基板上の前記Ｐ型ドープ領域及び前記Ｎ型ドープ領域それぞれの下に設けられる第１の誘電体層と、
前記Ｎ型ドープ領域から前記Ｐ型ドープ領域を分離するトレンチと、
前記トレンチに形成される第２の誘電体層と
を備える太陽電池構造。
【請求項２】
前記第１の誘電体層は、前記シリコン基板の表面に５から４０オングストロームの厚さで形成される二酸化シリコンを含む請求項１に記載の太陽電池構造。
【請求項３】
前記トレンチは、前記太陽電池の前記裏面に入射する太陽放射を吸収するテクスチャ表面を有する請求項１または２に記載の太陽電池構造。
【請求項４】
前記第２の誘電体層と前記基板との間に、パッシベーション層をさらに備える請求項１から３の何れか１項に記載の太陽電池構造。
【請求項５】
前記トレンチの下の基板に拡散パッシベーション領域をさらに備え、
前記パッシベーション領域は、Ｎ型ドーパントでドープされている請求項１から４の何れか１項に記載の太陽電池構造。
【請求項６】
前記第２の誘電体層を貫通して前記Ｐ型ドープ領域及び前記Ｎ型ドープ領域と電気的に接続されるインターデジテイト加工された金属接触子をさらに備える請求項１から５の何れか１項に記載の太陽電池構造。
【請求項７】
シリコン基板の裏面側であって誘電体層上に形成されたポリシリコンを含むＰ型ドープ領域及びＮ型ドープ領域と、
前記Ｐ型ドープ領域と前記Ｎ型ドープ領域との間を分離するトレンチ構造と
を備える太陽電池構造。
【請求項８】
前記シリコン基板は、Ｎ型シリコン基板を含む請求項７に記載の太陽電池構造。
【請求項９】
前記トレンチの表面は、不規則なテクスチャ加工が施されている請求項７または８に記載の太陽電池構造。
【請求項１０】
前記誘電体層は、５から４０オングストロームの厚さで形成された二酸化シリコンを含む請求項７から９の何れか１項に記載の太陽電池構造。
【請求項１１】
前記トレンチ構造の表面に形成されたパッシベーション層をさらに備える請求項７から９の何れか１項に記載の太陽電池構造。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月1日(2012.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）光源に面した、ガラス板またはプラスチック層の形態の透明層Ａ）、
ｂ）太陽電池が埋め込まれている中間層としての接着層Ｂ）、
ｃ）少なくとも１つのコア層と、該コア層の両側に位置する少なくとも１つの外層からなり、場合により締め具および電気的接続素子を有するサンドイッチ素子Ｃ）
からなるソーラーモジュール。
【請求項２】
請求項１に記載のソーラーモジュールの製造方法であって、
ｉ）少なくとも１つのコア層と、該コア層の両側に位置する少なくとも１つの外層からなり、場合により締め具および電気的接続素子を有するサンドイッチ素子Ｃ）を準備し、
ｉｉ）接着層Ｂ）を、プラスチック板の形態で、またはサンドイッチ素子Ｃ）上にコンパウンドとして適用し、
ｉｉｉ）太陽電池を接着層Ｂ）に設置し、または接着層Ｂ）に組み込み、あるいはソーラー板を適用し、
ｉｖ）場合により接着層Ｂ）を含んでなる透明プラスチック板Ａ）、および／または透明層Ａ）を太陽電池上に適用し、
ｖ）前記層構造を、場合により、必要に応じて温度影響下および／または必要に応じて真空中で加圧する
ことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載のソーラーモジュールの製造方法であって、
ｉ）場合により接着層Ｂ）を含んでなる透明プラスチック板Ａ）、および／または透明層Ａ）を準備し、
ｉｉ）接着層Ｂ）を、プラスチック板の形態で、または層Ａ）上にコンパウンドとして適用し、
ｉｉｉ）太陽電池を接着層Ｂ）に設置し、または接着層Ｂ）に組み込み、あるいはソーラー板を適用し、
ｉｖ）少なくとも１つのコア層と、該コア層の両側に位置する少なくとも１つの外層からなるサンドイッチ素子Ｃ）を、太陽電池上に適用し、
ｖ）前記層構造を、場合により、必要に応じて温度影響下および／または必要に応じて真空中で加圧する
ことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載のソーラーモジュールの製造方法であって、
ｉ）予め太陽電池またはソーラー層を含んでなる、層Ａ）およびＢ）からなる既製のシートモジュールを加圧ツールに設置し、
ｉｉ）好ましくは未加圧のサンドイッチ素子Ｃ）を、接着層を含んでなるシートモジュールの側面に設置し、
ｉｉｉ）必要に応じて温度影響下および／または必要に応じて真空中で加圧を行う
ことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１に記載のソーラーモジュールの製造方法であって、
ｉ）未接続のシートモジュールを準備し、初めに層Ａ）を加圧ツールに設置し、その後接着層Ｂ）を適用し、その後、これらの太陽電池またはソーラー板を接着層Ｂ）に適用し、または組み込み、
ｉｉ）場合により、さらに接着層Ｂ）を適用し、
ｉｉｉ）好ましくは未加圧のサンドイッチ素子Ｃ）を、接着層を含んでなるシートモジュールの側面に設置し、
ｉｖ）必要に応じて温度影響下および／または必要に応じて真空中で加圧を行う
ことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１に記載のソーラーモジュールの、屋根仕上げ材および屋根断熱材としての使用。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月11日(2012.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の基板（３０）を処理するように構成されたクラスタツールであって、
基板支持面をそれぞれ有する複数の移送要素（２０）、および
前記クラスタツール内に実質的に閉じた回路（１９）を形成し、前記複数の移送要素（２０）を前記実質的に閉じた回路（１９）に沿って移動させるように構成されたアクチュエータ（２１Ｃ）を有するガイド（１８）
を含む自動制御組立体（５０）と、
移送要素（２０）の基板支持面（２７）上に配設された基板（３０）の表面上に層を堆積させるように構成された、少なくとも１つの堆積ステーション（１２）と、
前記移送要素（２０）の前記基板支持面（２７）上に配設された前記基板（３０）上に形成された、前記堆積させた層を乾燥させるように構成された、少なくとも１つの乾燥オーブン（１４）と、
前記移送要素（２０）の前記基板支持面（２７）上に配設された前記基板（３０）の表面を光学的に検査するように構成された、検査ステーション（１３）と
を備え、前記ガイド（１８）によって形成された前記閉じた回路が、前記堆積ステーション（１２）、前記乾燥オーブン（１４）、そして前記検査ステーション（１３）を順次通過する、クラスタツール。
【請求項２】
前記基板を試験するための少なくとも１つの試験ステーション（１６）と、
前記基板を格納するための少なくとも１つの格納ステーション（１７）と
をさらに備える、請求項１に記載のクラスタツール。
【請求項３】
前記移送要素（２０）の前記基板支持面上に配設された基板を処理するように構成された焼結オーブン（１５）をさらに備える、請求項１に記載のクラスタツール。
【請求項４】
前記移送要素（２０）が、
前記基板支持面が上に形成されたプラテン（２７）と、
給送スプール（２３Ｂ）と、
巻取スプール（２３Ｃ）と、
前記給送スプール（２３Ｂ）および前記巻取スプール（２３Ｃ）に結合され、前記プラテン（２７）の前記基板支持面を横切って配設されたベルト（２２）と
をさらに備える、請求項１に記載のクラスタツール。
【請求項５】
前記ベルト（２２）が多孔材から形成される、請求項４に記載のクラスタツール。
【請求項６】
前記少なくとも１つの乾燥オーブン（１４）が、
移送要素（２０）の前記基板支持面上に配置された前記基板に、１つまたは複数の波長の電磁エネルギーを供給するように構成された放射伝熱組立体（２０４）と、
加熱素子（２４１）が中に配設されたプレナム（２４０）、および
ガスを、前記プレナム内に配設された前記加熱素子（２４１）を通り過ぎ、前記移送要素（２０）の前記基板支持面上に配置された前記基板の表面を通り過ぎて移動させるように構成された流体供給デバイス（２２９）
を含む対流伝熱組立体（２０３）と
をさらに備える、請求項１に記載のクラスタツール。
【請求項７】
前記複数の移送要素（２０）のうち少なくとも１つが、前記プラテン（２７）の前記基板支持面とは反対の側にあるプラテンの表面に隣接して配設されたランプ（２９）を備える、請求項１に記載のクラスタツール。
【請求項８】
前記複数の移送要素（２０）のうち少なくとも１つが、前記基板支持面上に配設された基板を加熱するように構成された加熱素子を備える、請求項１に記載のクラスタツール。
【請求項９】
システムコントローラとそれぞれ連通する複数の認識デバイスであって、基板上に配設された識別要素を認識するようにそれぞれ構成された複数の認識デバイスをさらに備える、請求項１に記載のクラスタツール。
【請求項１０】
移送要素（２０）上に形成された基板支持面（２７）上に基板（３０）を配置するステップであって、
基板（３０）を、前記基板支持面（２７）の上に配設されたベルト（２２）の第１の表面上に受け取ること、および
前記ベルト（２２）を、前記基板支持面（２７）を横切って移動させること
を含む、基板を配置するステップと、
前記ベルト（２２）の前記第１の表面上に配設された前記基板（３０）を、ガイド（１８）に沿って形成された閉回路（１９）に沿って搬送するステップと、
前記ガイド（１８）に沿って位置する堆積ステーション（１２）で、前記移送要素（２０）の前記基板支持面（２７）上に配設された前記基板（３０）の表面上に材料層を堆積させるステップと、
前記ガイド（１８）に沿って前記堆積ステーション（１２）の下流に位置する検査ステーション（１３）で、前記移送要素（２０）の前記基板支持面（２７）上に配設された基板（３０）の表面を検査するステップと、
前記材料層を堆積させた後に、前記移送要素（２０）の前記基板支持面（２７）上に配設された前記基板（３０）を、前記ガイド（１８）に沿って前記検査ステーション（１３）の下流に位置する乾燥オーブン（１４）の処理領域に搬送するステップと、ならびに
前記移送要素（２０）の前記基板支持面（２７）上に配置された前記基板（３０）の表面に、ある量の電磁エネルギーを供給するステップと
を含む、基板を処理する方法。
【請求項１１】
加熱ガスを、前記移送要素（２０）の前記基板支持面上に配置された前記基板の前記表面を通り過ぎて供給することをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記基板の表面上に材料層を堆積させるステップが、前記基板上に前記材料層をスクリーン印刷プロセスを用いて堆積させることを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記材料層を堆積させた後に、前記移送要素（２０）の前記基板支持面上に配設された第１の基板を、検査ステーション（１３）内に配設されたカメラを用いて検査することをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記移送要素（２０）の前記基板支持面上に配設された前記基板の前記表面上に堆積させた前記材料層を焼結することをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記基板支持面上に配設された基板を、前記移送要素（２０）が前記ガイド（１８）に沿って搬送されている間に、前記移送要素（２０）内に配設された加熱素子を用いて加熱することをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記移送要素（２０）の前記基板支持面上に配設された前記基板上に配設されている識別要素を、前記移送要素（２０）が前記ガイド（１８）に沿って搬送されているときに認識することをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月10日(2012.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からエネルギーを集光する装置であって、
開口を有する反射器を備え、該反射器は、反射器の表面上もしくは反射器の近位にある複数のスポットもしくはバンド上でその光軸に平行な光を収束するものであり、
前記反射器は複数の反射面を備え、それぞれの反射面は放物線の回転の一部の形状を備えており、反射面の焦点は前記スポットもしくはバンドの一つと一致し、反射面の光軸は反射器の前記光軸と平行である装置。
【請求項２】
複数の受光器を備え、それぞれの受光器は少なくとも一つの前記反射面の焦点の近位にある請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記反射器は複数のライザーを備え、それぞれのライザーは複数の反射面のうちの第１の反射面と第２の反射面に接続されており、
第１の反射面は前記開口の近くにあり、第２の反射面は前記開口から遠くにあり、第１の反射面の焦点と第２の反射面の焦点が第１のライザーに対向する第２のライザーの近位にある請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
ライザーが少なくとも一つの反射面の焦点に近位する穴を備え、受光器が該穴の近位に設けられる請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記反射器の対称軸に沿って前記開口から見た際に、前記第１の反射面が前記穴の近位に設けられる前記受光器を隠している請求項４に記載の装置。
【請求項６】
ライザーが少なくとも一つの反射面の焦点に近位して設けられた受光器を備えている請求項３に記載の装置。
【請求項７】
複数の反射面のそれぞれが単一の放物線の回転の一部の形状を備えている請求項１に記載の装置。
【請求項８】
少なくとも一つの反射面の放物線軸が少なくとも一つの反射面の回転軸からずらされている請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記反射器がヒートシンクとして働く請求項１〜８のいずれかに記載の装置。
【請求項１０】
前記反射器は、２つの回転対称および２面の反射対称、４つの回転対称および４面の反射対称、および、６つの回転対称および６面の反射対称から選択される対称を有している請求項１〜９のいずれかに記載の装置。
【請求項１１】
２軸追跡のためのモジュールをさらに備えている請求項１〜１０のいずれかに記載の装置。
【請求項１２】
反射器の前記開口の直径を有する隙間形状の中で完全に嵌りながら、反射器はその上端の重心を中心に運動の無制限の範囲で枢動するように寸法決めされている請求項１〜１１のいずれかに記載の装置。
【請求項１３】
前記開口の直径は反射器の高さのほぼ２倍である請求項１〜１２のいずれかに記載の装置。
【請求項１４】
光源からエネルギーを集光するシステムであって、請求項１〜１３のいずれかに記載の装置のアレイからなるシステム。
【請求項１５】
開口を有する反射器を使用して光源からエネルギーを集光する方法であって、
前記方法は、反射器の表面上もしくは反射器の近位にある複数のスポットもしくはバンド上で該反射器の光軸に平行な光を収束するものであり、
前記反射器は複数の反射面を備え、それぞれの反射面は放物線の回転の一部の形状を備えており、反射面の焦点は前記スポットもしくはバンドの一つと一致し、反射面の光軸は反射器の前記光軸と平行である方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月19日(2012.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の波長及び第２の波長で発光する発光デバイスであって、
ポンプ波長で発光するエレクトロルミネッセンスデバイスと、
前記エレクトロルミネッセンスデバイスの第１及び第２の領域を覆う第１のフォトルミネッセンス素子であって、前記エレクトロルミネッセンスデバイスの前記第１の領域からの前記ポンプ波長の前記入射光の少なくとも一部を、前記第１の波長の光に変換する能力を有する、第１のフォトルミネッセンス素子と、
前記第１のフォトルミネッセンス素子と前記エレクトロルミネッセンスデバイスとの間に配置された第２のフォトルミネッセンス素子であって、当該第２のフォトルミネッセンス素子が前記エレクトロルミネッセンスデバイスの前記第２の領域を覆い、かつ、前記エレクトロルミネッセンスデバイスの前記第１の領域は覆わないものであり、当該第２のフォトルミネッセンス素子が、前記エレクトロルミネッセンスデバイスの前記第２の領域からの前記ポンプ波長の前記入射光の少なくとも一部を前記第１の波長とは異なる前記第２の波長の光に変換する能力を有するものである、第２のフォトルミネッセンス素子と、を備える、発光デバイス。
【請求項２】
前記第１のフォトルミネッセンス素子が、前記エレクトロルミネッセンスデバイスからの前記ポンプ波長の前記入射光を吸収する吸収性半導体層の間に配置される複数の第１のポテンシャル井戸を有し、前記第１のポテンシャル井戸が前記第１の波長の光を発する能力を有するものである、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記第２のフォトルミネッセンス素子が、前記エレクトロルミネッセンスデバイスからの前記ポンプ波長の前記入射光を吸収する吸収性半導体層の間に配置される複数の第２のポテンシャル井戸を有し、当該第２のポテンシャル井戸が前記第２の波長の光を発する能力を有するものである、請求項２に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月18日(2012.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ボディ（２）であって、
−  ｎ型導電半導体層（２１）と、
−  ｐ型導電半導体層（２２）と、
を備えており、
−  前記ｐ型導電半導体層（２２）がｐ型ドーパントを含んでおり、
−  前記ｎ型導電半導体層（２１）がｎ型ドーパントおよびさらなるドーパントを含んでおり、
−  前記ｐ型導電半導体層（２２）と前記ｎ型導電半導体層（２１）との間に、放射の発生を目的とする活性領域（２０）、もしくはトンネル接合（２３，２４）、またはその両方が形成されている、
半導体ボディ（２）。
【請求項２】
前記トンネル接合（２３，２４）は、第１のトンネル層と第２のトンネル層を備え、前記第１のトンネル層と前記第２のトンネル層とは導電型に関して互いに異なっている、
請求項１に記載の半導体ボディ。
【請求項３】
前記ｐ型導電半導体層（２２）が、前記活性領域（２０）と、キャリア（５）または成長基板（５０）との間に配置されている、
請求項１または請求項２に記載の半導体ボディ。
【請求項４】
以下の積層体、すなわち、
−  前記成長基板（５０）と、
−  前記成長基板（５０）の上の前記ｐ型導電半導体層（２２）と、
−  前記ｐ型導電半導体層（２２）の上の前記活性領域（２０）と、
−  前記活性領域（２０）の上の前記ｎ型導電半導体層（２１）と、
を有する、極性が逆の構造、
を備えている、
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体ボディ。
【請求項５】
前記さらなるドーパントが、前記ｎ型導電半導体層（２１）において、前記ｎ型導電半導体層（２１）の水素に対する透過性が増大するように、材料および濃度に関して設定されている、
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体ボディ。
【請求項６】
前記ｎ型導電半導体層（２１）における前記さらなるドーパントが、アクセプタとしての役割を果たす、
請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体ボディ。
【請求項７】
前記さらなるドーパントが、前記ｐ型導電半導体層（２２）の前記ｐ型ドーパントと同じである、
請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体ボディ。
【請求項８】
前記ｎ型導電半導体層（２１）における前記さらなるドーパントの濃度が、１×１０１７ｃｍ−３〜５×１０１８ｃｍ−３の範囲（両端値を含む）である、
請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体ボディ。
【請求項９】
前記ｎ型導電半導体層（２１）における前記さらなるドーパントの濃度が、前記ｎ型ドーパントの濃度の最大で５０％である、
請求項１から請求項８のいずれかに記載の半導体ボディ。
【請求項１０】
前記半導体ボディ（２）が、前記活性領域（２０）とさらなる活性領域（２５）とを備えており、前記活性領域（２０）および前記さらなる活性領域（２５）のそれぞれが、放射の発生を目的としており、前記活性領域（２０）と前記さらなる活性領域（２５）との間に前記ｎ型導電半導体層（２１）が設けられている、
請求項１から請求項９のいずれかに記載の半導体ボディ。
【請求項１１】
前記半導体ボディ（２）が窒化物化合物半導体材料をベースとしている、
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の半導体ボディ。
【請求項１２】
請求項１から請求項９のいずれかに記載の半導体ボディ（２）を有する半導体チップ（１）であって、
発光ダイオードチップとして、またはレーザダイオードチップとして具体化されている、
半導体チップ（１）。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体ボディ（２）を有する半導体チップ（１）であって、薄膜半導体チップとして具体化されている、
半導体チップ（１）。
【請求項１４】
ｎ型導電半導体層（２１）およびｐ型導電半導体層（２２）を有する半導体ボディ（２）、を製造する方法であって、
ａ）ｐ型ドーパントおよび水素を含んでいる半導体層（２２０）を堆積させるステップと、
ｂ）ｎ型ドーパントおよびさらなるドーパントを含んでいる前記ｎ型導電半導体層（２１）を堆積させるステップと、
ｃ）前記半導体層（２２０）の前記ｐ型ドーパントを活性化させて前記ｐ型導電半導体層（２２）を形成するステップであって、前記半導体層（２２０）からの水素が前記ｎ型導電半導体層（２１）を通り抜ける、前記ステップと、
を含んでおり、
前記ｐ型導電半導体層（２２）と前記ｎ型導電半導体層（２１）との間に、放射の発生を目的とする活性領域（２０）、もしくはトンネル接合（２３，２４）、またはその両方が形成されている、方法。
【請求項１５】
ステップｃ）における前記活性化を熱的に行う、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の半導体ボディ（２）が製造される、
請求項１４または請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月7日(2012.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線ネットワークで動作するよう構成された端末の単一のスペクトラム集約を用いる無線受信器のための方法であって、
受信されるスペクトラム集約の周波数特性についての制御信号の情報を前記無線ネットワークのネットワークノードから受信する工程と、
分散して存在するブロック干渉波の少なくとも一つと前記スペクトラム集約のパスバンドとを含む前記受信された情報から前記スペクトラム集約についての情報を判定する工程と、
所望の信号が通過し、どんなブロック干渉波も減衰されるように、前記スペクトラム集約について前記判定された情報に基づきフィルタを提供する工程とを有することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記スペクトラム集約についての情報を判定する工程は、分散したブロック干渉波の影響を受けない周波数を推定することを含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記スペクトラム集約についての情報を判定する工程は、前記スペクトラム集約のパスバンドについての情報を前記ネットワークノードから受信することを含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記フィルタを提供する工程は、前記スペクトラム集約に分散して存在するどんなブロック干渉波も減衰されるようにノッチフィルタバンクを割り当てることを含むことを特徴とする、請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記フィルタを提供する工程は、前記スペクトラム集約の内の所望の信号のみが通過するようにパスバンドフィルタバンクを割当てることを含むことを特徴とする、請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
端末とネットワークノードの間の通信が前記スペクトラム集約において可能になるように、前記パスバンドと前記パスバンドの信号対干渉波比とについての情報を前記ネットワークノードに送信する工程をさらに有することを特徴とする、請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記スペクトラム集約についての情報を判定する工程と前記判定された情報に基づきフィルタを提供する工程とを定期的に更新することを特徴とする、請求項１から６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記フィルタは複素フィルタを含むことを特徴とする、請求項１から７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載された方法を実行するためのプロセッサが実行可能な命令を含むプログラム。
【請求項１０】
無線ネットワークで動作するよう構成された端末の単一のスペクトラム集約を用いる無線受信器であって、
プログラマブルフィルタを備えるフロントエンド受信回路と、
受信されるスペクトラム集約の周波数特性について前記無線ネットワークのネットワークノードから受信された制御信号の情報を検出し、分散して存在するブロック干渉波の内の少なくとも一つと前記スペクトラム集約内のパスバンドとを含む前記受信された情報から前記スペクトラム集約についての情報を判定し、
前記プログラマブルフィルタが前記スペクトラム集約について前記判定された情報に基づいて所望の信号を通過しどんなブロック干渉波も減衰されるように設定されるように構成される制御信号検出器を有することを特徴とする無線受信器。
【請求項１１】
前記制御信号検出器は、前記スペクトラム集約についての情報が判定されるように、分散されたブロック干渉波の影響を受けない周波数を推定するよう構成されたことを特徴とする、請求項１０に記載の無線受信器。
【請求項１２】
前記制御信号検出器はさらに、前記スペクトラム集約についての情報が判定されるように、前記ネットワークノードからの前記スペクトラム集約内のパスバンドについての情報を受信するよう構成されたことを特徴とする、請求項１０または１１に記載の無線受信器。
【請求項１３】
前記プログラマブルフィルタは前記スペクトラム集約内に分散されているどんなブロック干渉波も減衰されるようにノッチフィルタバンクに構成されることを特徴とする、請求項１０から１２のいずれか１項に記載の受信器。
【請求項１４】
前記プログラマブルフィルタは前記スペクトラム集約中の所望の信号のみが通過できるようなパスバンドフィルタバンクに構成されることを特徴とする、請求項１０から１２のいずれか１項に記載の無線受信器。
【請求項１５】
前記スペクトラム集約において前記端末と前記ネットワークノードとの間の通信を可能にするように、前記ネットワークノードに対して前記パスバンドと前記パスバンドの信号対干渉波比についての情報を送信する送信器をさらに有することを特徴とする、請求項１０から１４のいずれか１項に記載の無線受信器。
【請求項１６】
前記スペクトラム集約についての情報を判定し、前記判定された情報に基づいてフィルタを更新することを定期的に行うようさらに構成されたことを特徴とする、請求項１０から１５のいずれか１項に記載の無線受信器。
【請求項１７】
前記フィルタは複素フィルタを含むことを特徴とする、請求項１０から１６のいずれか１項に記載の無線受信器。
【請求項１８】
請求項１０から１７のいずれか１項に記載の受信器を含む、無線ネットワークで動作する端末。
【請求項１９】
前記端末は移動電話、携帯情報端末、ラップトップコンピュータ、あるいはデジタルカメラであることを特徴とする、請求項１８に記載の端末。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】単一のスペクトラム集約を用いる無線（Ａ  ＳＩＮＧＬＥ  ＲＡＤＩＯ  ＡＧＧＲＥＧＡＴＥＤ  ＳＰＥＣＴＲＵＭ）受信器のための方法、コンピュータプログラム、受信器及び端末
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月23日(2012.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
本開示内容によれば、太陽電池の製造プロセスおよび太陽電池の構造が改善される。本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、上記の実施形態は本発明を例示するために記載したものであって本発明を限定するものではないと理解されたい。当業者であれば、本開示内容を参照することによって、上記以外にも多くの実施形態に想到するであろう。
［項目７］
太陽電池を製造する方法であって、
Ｎ型シリコンウェハを含む太陽電池基板の上に第１の誘電体層を形成する段階と、
前記第１の誘電体層の上方に配置されるようにＰ型ドーピング領域およびＮ型ドーピング領域を、前記太陽電池の正面の反対側の面であり、前記正面は、通常動作時に太陽の方を向く面である前記太陽電池基板の裏面に形成する段階と、
所与の箇所において前記Ｐ型ドーピング領域および前記Ｎ型ドーピング領域を互いから物理的に分離して、他の箇所においては前記Ｐ型ドーピング領域および前記Ｎ型ドーピング領域を互いに接触させる段階と、
前記Ｐ型ドーピング領域および前記Ｎ型ドーピング領域の上方に第２の誘電体層を成膜する段階と
を備える方法。
［項目８］
断続的なトレンチによって、前記Ｐ型ドーピング領域および前記Ｎ型ドーピング領域を互いから物理的に分離する項目７に記載の方法。
［項目９］
前記断続的なトレンチの表面を不規則に粗面化する段階をさらに備える項目８に記載の方法。
［項目１０］
前記第２の誘電体層は、窒化シリコンを含む項目７に記載の方法。
［項目１１］
前記太陽電池基板の前記裏面において、前記Ｐ型ドーピング領域に第１の金属コンタクトフィンガー部を電気接合する段階と、
前記太陽電池基板の前記裏面において、前記Ｎ型ドーピング領域に第２の金属コンタクトフィンガー部を電気接合する段階と
をさらに備える項目７に記載の方法。
［項目１２］
前記Ｐ型ドーピング領域は、前記第１の誘電体層の上方に成膜される前にＰ型ドーパントで事前にドーピングされていたポリシリコンを含み、前記Ｎ型ドーピング領域は、前記第１の誘電体層の上方に形成される前にＮ型ドーパントで事前にドーピングされていたポリシリコンを含む項目７に記載の方法。
［項目１３］
前記Ｐ型ドーピング領域を形成する段階は、
ドーパントソースからポリシリコン層へとドーパントを拡散させる段階
を有し、
前記ドーパントソースは、前記ポリシリコン層の上方に形成される材料層である項目７に記載の方法。
［項目１４］
前記ドーパントソースは、Ｐ型ドーピングニ酸化シリコン層を含む項目１３に記載の方法。
［項目２０］
前記断続的なトレンチ構造の表面に形成されているパッシベーション層をさらに備える太陽電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通常動作時に太陽の方を向く正面および前記正面の反対側の裏面を有するシリコン基板と、
ある箇所では物理的に互いから分離しており、別の箇所では互いに接触して隣接接合を形成しており、ポリシリコンを有するＰ型ドーピング領域およびＮ型ドーピング領域と、
前記Ｐ型ドーピング領域および前記Ｎ型ドーピング領域それぞれの下方であって前記基板の上方に形成されている第１の誘電体層と、
前記Ｐ型ドーピング領域および前記Ｎ型ドーピング領域の上方に形成されている第２の誘電体層と
を備える太陽電池構造。
【請求項２】
前記第１の誘電体層は、前記シリコン基板の表面上に５〜４０オングストロームの範囲内の厚みで形成される二酸化シリコンを有する請求項１に記載の太陽電池構造。
【請求項３】
前記Ｐ型ドーピング領域および前記Ｎ型ドーピング領域は、断続的なトレンチ構造によって互いから物理的に分離されている請求項１または２に記載の太陽電池構造。
【請求項４】
前記第２の誘電体層と前記基板との間に形成されているパッシベーション層をさらに備える請求項１から３の何れか１項に記載の太陽電池構造。
【請求項５】
前記トレンチ構造の下方であって前記基板の内部に形成されており、Ｎ型ドーパントでドーピングされている拡散パッシベーション領域をさらに備える請求項３に記載の太陽電池構造。
【請求項６】
前記第２の誘電体層を貫通して前記Ｐ型ドーピング領域および前記Ｎ型ドーピング領域に電気的に結合されている、インターデジット式の複数の金属コンタクトフィンガー部をさらに備える請求項１から５の何れか１項に記載の太陽電池構造。
【請求項７】
シリコン基板の裏面上に形成されており、ポリシリコンを有し、それぞれが誘電体層の上方に形成されているＰ型ドーピング領域およびＮ型ドーピング領域と、
前記Ｐ型ドーピング領域および前記Ｎ型ドーピング領域を互いから分離しており、第１の箇所において前記Ｐ型ドーピング領域および前記Ｎ型ドーピング領域を互いに接触させている断続的なトレンチ構造と
を備える太陽電池。
【請求項８】
前記シリコン基板は、Ｎ型シリコン基板を含む請求項７に記載の太陽電池。
【請求項９】
前記Ｐ型ドーピング領域および前記Ｎ型ドーピング領域が互いに接触している第２の箇所をさらに備える請求項７または８に記載の太陽電池。
【請求項１０】
前記第１の箇所および前記第２の箇所は、局所的動作温度が同一である同じ領域内にある請求項７から９の何れか１項に記載の太陽電池。
【請求項１１】
前記第１の箇所は、前記太陽電池において前記Ｐ型ドーピング領域および前記Ｎ型ドーピング領域が互いに接触する唯一の箇所である請求項７から９の何れか１項に記載の太陽電池。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月19日(2012.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）導電性粉末と；
ｂ）２つ以上の添加剤であって、第１の添加剤が、（ｉ）ビスマス含有添加剤およびリン含有添加剤；（ｉｉ）ビスマス、およびリンの１つまたは複数の金属酸化物；（ｉｉｉ）焼成の際に（ｉｉ）の金属酸化物を生成することができる任意の化合物；および（ｉｖ）それらの混合物からなる群から選択され；第２の添加剤が、（ｉ）金属酸化物添加剤；（ｉｉ）焼成の際に金属酸化物を生成することができる化合物からなる群から選択される２つ以上の添加剤と；
ｃ）１つまたは複数のガラスフリットとを；
ｄ）有機媒体
に分散させて含む厚膜導電性組成物。
【請求項２】
前記導電性粉末がＡｇを含む請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記第２の添加剤が、（ａ）Ｚｎ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｕおよびＣｒから選択される金属；（ｂ）Ｚｎ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｕおよびＣｒから選択される金属の１つまたは複数の金属酸化物；（ｃ）焼成の際に（ｂ）の金属酸化物を生成することができる任意の化合物；および（ｄ）それらの混合物からなる群から選択される請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
半導体デバイスの製造方法であって、
（ａ）１つまたは複数の半導体基材、１つまたは複数の絶縁膜、および請求項１に記載の厚膜組成物を提供するステップと；
（ｂ）前記半導体基材上に前記絶縁膜を適用するステップと、
（ｃ）前記半導体基材上の絶縁上に前記厚膜組成物を適用するステップと、
（ｄ）前記半導体、絶縁膜および厚膜組成物を焼成するステップとを含み、
焼成の際に、前記有機ビヒクルが除去され、前記銀とガラスフリットとが焼結され、前記絶縁膜に前記厚膜組成物の成分が浸透する方法。
【請求項５】
前記絶縁膜が、酸化チタン、窒化ケイ素、ＳｉＮｘ：Ｈ、酸化ケイ素、および酸化ケイ素／酸化チタンから選択される１つまたは複数の成分を含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】
焼成の前に、請求項１に記載の組成物を含む電極を含む半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月18日(2012.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）又は（ＩＩ）：
【化１】
2011523421.tif 000001
（式中、
Ａは、Ｒf−（ＣＨ2）k−［（ＣＦ2ＣＦ２）y−（ＣＨ2ＣＨ2）z］mＯであり、約８〜約２２の炭素原子を含有し、
Ｒfは、ＣnＦ2n+1であり、
ｎおよびｋは、それぞれ独立して１〜約６であり、
ｙ、ｚおよびｍは、それぞれ独立して１、２、３又はこれらの混合であり、
ｗは、１又は２又はこれらの混合であり、
Ｍは、水素、アンモニウムイオン、アルカリ金属イオン、又はアルカノールアンモニウムイオンである）
の化合物を含む組成物。
【請求項２】
液体に請求項１に記載の化合物又はこれらの混合物を添加する工程を含む、液体の表面の性質を変化させる方法。
【請求項３】
基材に堆積する前に、コーティング組成物に、請求項１に記載の１種類以上の化合物を含む組成物を添加する工程を含む、コーティング組成物が堆積される基材に耐ブロッキング性を付与する方法。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の方法に従って処理された基材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
【表１】
2011523421.tif 000002
本出願は、特許請求の範囲に記載の発明を含め、以下の発明を包含する。
（１）  式（Ｉ）又は（ＩＩ）：
【化２】
2011523421.tif 000003
（式中、
Ａは、Ｒf−（ＣＨ2）k−［（ＣＦ2ＣＦ２）y−（ＣＨ2ＣＨ2）z］mＯであり、約８〜約２２の炭素原子を含有し、
Ｒfは、ＣnＦ2n+1であり、
ｎおよびｋは、それぞれ独立して１〜約６であり、
ｙ、ｚおよびｍは、それぞれ独立して１、２、３又はこれらの混合であり、
ｗは、１又は２又はこれらの混合であり、
Ｍは、水素、アンモニウムイオン、アルカリ金属イオン、又はアルカノールアンモニウムイオンである）
の化合物を含む組成物。
（２）  Ｒfが４〜６の炭素原子を有し、ｙ、ｚおよびｍがそれぞれ１であり、Ｍがアンモニウムイオン又はアルカノールアンモニウムイオンである、（１）に記載の組成物。
（３）  式（Ｉ）（式中、ｘは１である）のモノ（フルオロアルキル）ホスフェート約１５〜約８０モル％と、式（Ｉ）（式中、ｘは２である）のビス（フルオロアルキル）ホスフェート約２０〜約８５モル％の混合物を含む、（１）に記載の組成物。
（４）  液体に（１）に記載の化合物又はこれらの混合物を添加する工程を含む、液体の表面の性質を変化させる方法。
（５）  前記表面の性質の変化が、表面張力の低下である、（４）に記載の方法。
（６）  前記表面の性質が、濡れ、浸透、延展、レベリング、流動、乳化、分散、撥水撥油、防汚、潤滑、エッチング、結合、および安定化からなる群から選択される、（４）に記載の方法。
（７）  前記液体が、コーティング組成物、ラテックス、ポリマー、床仕上剤、インク、乳化剤、発泡剤、離型剤、撥水撥油剤、流れ調整剤、皮膜蒸発抑制剤、湿潤剤、浸透剤、クリーナー、研削剤、電気めっき剤、腐食防止剤、エッチング液、半田剤、分散助剤、微生物剤、パルプ剤、すすぎ助剤、艶出剤、パーソナルケア組成物、乾燥剤、帯電防止剤、床磨き剤、床仕上剤、又は結合剤である、（４）に記載の方法。
（８）  基材に堆積する前に、コーティング組成物に、（１）に記載の１種類以上の化合物を含む組成物を添加する工程を含む、コーティング組成物が堆積される基材に耐ブロッキング性を付与する方法。
（９）  前記コーティング組成物が、水分散コーティング、アルキドコーティング、タイプＩウレタンコーティング、又は不飽和ポリエステルコーティングである、（８）に記載の方法。
（１０）  （４）又は（８）に記載の方法に従って処理された基材。