Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月14日(2012.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種のウィルス様粒子（ＶＬＰ）と糖ガラスとを含む組成物。
【請求項２】
前記糖ガラスが単糖および／または二糖からなる、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記単糖または二糖が、グルコース、ソルビトール、ガラクトース、マンノース、マンニトール、トレハロース、マルトース、マルトトリオース、ラクトース、ラクツロース、およびスクロースからなる群から選択される、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
前記ＶＬＰおよび糖ガラスが粉末である、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記粉末が、約０．１ｎｍ〜約１００ミクロンの間の平均粒径を有する、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
前記粉末が、前記糖ガラスを溶解しない非水性溶媒中に懸濁される、請求項４に記載の組成物。
【請求項７】
前記非水性溶媒が、トリアセチン、ミリスチン酸イソプロピル、中鎖トリグリセリド、短鎖／中鎖／長鎖のモノ／ジ／トリグリセリド、脂肪族および芳香族アルコール、またはこれらの組合せからなる群から選択される、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
前記粉末が、動物に対して経口、吸入により、皮内、鼻腔内、筋内、腹腔内、静脈内、皮下、または粘膜（例えば舌下または頬側）投与される、請求項４に記載の組成物。
【請求項９】
前記ＶＬＰが、少なくとも１種のインフルエンザタンパク質を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
前記インフルエンザタンパク質がＨＡまたはＮＡである、請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
前記ＶＬＰが、少なくとも１種のＲＳＶタンパク質を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項１２】
前記ＶＬＰが、少なくとも１種のＶＺＶタンパク質を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項１３】
少なくとも１種のＶＬＰと糖ガラスとを含む組成物であって、糖ガラスなしの組成物と比べた場合、前記ＶＬＰが増加した安定性を有する組成物。
【請求項１４】
前記増加した安定性が増加した熱安定性である、請求項１３に記載の組成物。
【請求項１５】
前記糖ガラスが単糖または二糖からなる、請求項１３に記載の組成物。
【請求項１６】
前記単糖または二糖が、グルコース、ソルビトール、ガラクトース、マンノース、マンニトール、トレハロース、マルトース、マルトトリオース、ラクトース、ラクツロース、およびスクロースからなる群から選択される、請求項１５に記載の組成物。
【請求項１７】
前記安定化糖ガラスＶＬＰが粉末である、請求項１３に記載の組成物。
【請求項１８】
前記粉末が、約０．１ｎｍ〜約１００ミクロンの間の平均粒径を有する、請求項１７に記載の組成物。
【請求項１９】
前記粉末が、前記糖ガラスを溶解しない非水性溶媒中に懸濁される、請求項１７に記載の組成物。
【請求項２０】
前記粉末が、動物に対して経口、吸入により、皮内、鼻腔内、筋内、腹腔内、静脈内、または皮下投与される、請求項１７に記載の組成物。
【請求項２１】
前記ＶＬＰが、少なくとも１種のインフルエンザタンパク質を含む、請求項１３に記載の組成物。
【請求項２２】
前記インフルエンザタンパク質がＨＡまたはＮＡである、請求項２１に記載の組成物。
【請求項２３】
前記ＶＬＰが、少なくとも１種のＲＳＶタンパク質を含む、請求項１３に記載の組成物。
【請求項２４】
前記ＶＬＰが、少なくとも１種のＶＺＶタンパク質を含む、請求項１３に記載の組成物。
【請求項２５】
前記組成物がアジュバントをさらに含む、請求項１３に記載の組成物。
【請求項２６】
ＶＬＰおよび糖ガラスを含む乾燥粉末製剤。
【請求項２７】
前記糖ガラスが単糖または二糖からなる、請求項２６に記載の乾燥粉末製剤。
【請求項２８】
前記単糖または二糖が、グルコース、ソルビトール、ガラクトース、マンノース、マンニトール、トレハロース、マルトース、マルトトリオース、ラクトース、ラクツロース、およびスクロースからなる群から選択される、請求項２７に記載の乾燥粉末製剤。
【請求項２９】
前記粉末が、約０．１ｎｍ〜約１００ミクロンの間の平均粒径を有する、請求項２６に記載の乾燥粉末製剤。
【請求項３０】
前記粉末が、動物に対して経口、吸入により、皮内、鼻腔内、筋内、腹腔内、静脈内、または皮下投与される、請求項２６に記載の乾燥粉末製剤。
【請求項３１】
前記粉末が、投与前に溶媒中で再構成される、請求項３０に記載の乾燥粉末製剤。
【請求項３２】
前記粉末が、動物に対して、吸入器を用いて吸入により、および／または高圧空気の噴射を用いて皮下に、投与される、請求項３０に記載の乾燥粉末製剤。
【請求項３３】
糖ガラスで安定化したＶＬＰを送達するための医薬組成物であって、固形の糖ガラス化ＶＬＰを溶媒中で再構成して得られる再構成したＶＬＰを含む医薬組成物。
【請求項３４】
動物に対して、経口、吸入により、皮内、鼻腔内、筋内、腹腔内、静脈内、または皮下投与される、請求項３３に記載の医薬組成物。
【請求項３５】
固形の糖ガラス化ＶＬＰを含む、糖ガラスで安定化したＶＬＰを送達するための医薬組成物であって、吸入および／または注入により投与される医薬組成物。
【請求項３６】
前記注入が高圧空気の噴射により投与される、請求項３５に記載の医薬組成物。
【請求項３７】
ＶＬＰの熱安定性を高める方法であって、前記ＶＬＰを糖ガラス中に製剤化することを含む方法。
【請求項３８】
前記糖ガラスが単糖および／または二糖からなる、請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
前記単糖または二糖が、グルコース、ソルビトール、ガラクトース、マンノース、マンニトール、トレハロース、マルトース、マルトトリオース、ラクトース、ラクツロース、およびスクロースからなる群から選択される、請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
前記ＶＬＰを含む糖ガラスが粉末である、請求項３７に記載の方法。
【請求項４１】
前記粉末が、約０．１ｎｍ〜約１００ミクロンの間の平均粒径を有する、請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】
前記粉末が、前記糖ガラスを溶解しない非水性溶媒中に懸濁される、請求項４０に記載の方法。
【請求項４３】
前記ＶＬＰが、少なくとも１種のインフルエンザタンパク質を含む、請求項３７に記載の方法。
【請求項４４】
前記インフルエンザタンパク質が、ＨＡまたはＮＡである、請求項４３に記載の方法。
【請求項４５】
前記ＶＬＰが、少なくとも１種のＲＳＶタンパク質を含む、請求項３７に記載の方法。
【請求項４６】
前記ＶＬＰが、ＶＺＶタンパク質を含む、請求項３７に記載の方法。
【請求項４７】
前記組成物が、バッファー、担体、保存剤、コロイド安定剤、充填剤、希釈剤、滑沢剤、両親媒性物質、および安定剤からなる群から選択される少なくとも１種の賦形剤を含む、請求項１に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月19日(2012.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
合成多孔質結晶分子篩を製造するためのプロセスであって、
（ａ）  Ｘ2Ｏ3の供給源、ＹＯ2の供給源、および金属水酸化物ＭＯＨの供給源を含有する水性反応混合物を形成する工程であって、Ｘは三価元素を表し、Ｙは四価元素を表し、Ｍはアルカリ金属を表し、反応混合物の中、
（ｉ）Ｈ2Ｏ／ＭＯＨのモル比は７０から１２６の範囲内であり、
（ｉｉ）少なくとも前記Ｘ2Ｏ3および前記ＹＯ2の一部分はＸ2Ｏ3およびＹＯ2の両方を含有する非晶質材料によって製造され、前記非晶質材料は１５またはそれ未満のＹＯ2／Ｘ2Ｏ3モル比を有する工程と、
（ｂ）  前記多孔質結晶分子篩を製造するための前記反応混合物を結晶化する工程と、
（ｃ）  前記結晶化された材料を回収する工程と、を含むプロセス。
【請求項２】
請求項１に記載のプロセスにおいて、
Ｘはアルミニウムであり、Ｙはケイ素であるプロセス。
【請求項３】
請求項１または２に記載のプロセスにおいて、
前記反応混合物の中のＨ2Ｏ／ＭＯＨのモル比は８０から１２６の範囲であるプロセス。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載のプロセスにおいて、
結晶化は８０℃から２２５℃の範囲の温度で達成されるプロセス。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載のプロセスにおいて、
Ｘ2Ｏ3およびＹＯ2の両方を含有する前記非晶質材料に加えて、前記反応混合物は、Ｘ2Ｏ3の別個の供給源をも含有するプロセス。
【請求項６】
請求項５に記載のプロセスにおいて、
Ｘ2Ｏ3の前記別個の供給源は前記反応混合物の中の前記Ｘ2Ｏ3の総量の５０％または５０％未満に寄与するプロセス。
【請求項７】
請求項５または６に記載のプロセスにおいて、
Ｘ2Ｏ3の前記別個の供給源は結晶材料であるプロセス。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載のプロセスにおいて、
Ｘ2Ｏ3およびＹＯ2の両方を含有する前記非晶質材料は、１．０質量％未満のＮａ2Ｏを含有するプロセス。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載のプロセスにおいて、
Ｘ2Ｏ3およびＹＯ2の両方を含有する前記非晶質材料はＹＯ2／Ｘ2Ｏ3モル比が１４または１４未満である非晶質材料であるプロセス。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載のプロセスにおいて、
工程（ａ）において形成される前記反応混合物はＹＯ2／Ｘ2Ｏ3モル比が２から１５であるプロセス。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかに記載のプロセスにおいて、
工程（ａ）において形成される前記反応混合物はさらに構造指向剤を含有するプロセス。
【請求項１２】
ＭＦＩ構造タイプ、ＴＯＮ構造タイプまたはゼオライトベータ構造タイプを有する合成多孔質結晶分子篩であって、
Ｙは四価元素であり、Ｘは三価元素であり、ｎは２から１２である（ｎ）ＹＯ2：Ｘ2Ｏ3を含有する合成多孔質結晶分子篩。
【請求項１３】
請求項１２に記載の分子篩において、
Ｘはアルミニウムであり、Ｙはケイ素である分子篩。
【請求項１４】
請求項１２または１３に記載の分子篩において、
ＢＥＴが２００ｍ2ｇ-1またはそれよりも大きい分子篩。
【請求項１５】
炭化水素を転化する転化プロセスであって、
炭化水素供給流の転化を生じさせるために、請求項１２乃至１４のいずれかに記載の合成多孔質結晶分子篩、または請求項１乃至１１のいずれかに記載のプロセスによって製造される合成多孔質結晶分子篩と、炭化水素供給流と、を炭化水素転化条件のもとで接触する工程を含む炭化水素を転化する転化プロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月2日(2012.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
必要な患者への筋肉内注射、経皮、もしくは局所経路によって投与するためのフルベストラント配合物であって、
フルベストラントのための医薬として許容可能なビヒクルと前記ビヒクル中の少なくとも４０ｍｇ／ｍＬの濃度のフルベストラントとを含み、前記ビヒクルが、
Ａ．グリコフロール単独、又は、ポリエチレングリコール、ポロキサマー、リバースポロキサマー、プロピレングリコール、ジヒドロリポ酸、及びそれらの混合物からなる群から選択される１つ以上のものと組み合わせたグリコフロール、
Ｂ．ジヒドロリポ酸単独、又は、ポリエチレングリコール、ポロキサマー、リバースポロキサマー、及びそれらの混合物からなる群から選択される１つ以上のものと組み合わせたジヒドロリポ酸、及び
Ｃ．ポロキサマー、リバースポロキサマー、及びプロピレングリコールのうちの少なくとも１つと組み合わせたポリエチレングリコール、
からなる群から選択される少なくとも１つの溶媒を含み、さらに
Ｄ．任意選択で場合によっては、フルベストラントと相容性のある相溶性共溶媒、
を含んでいてもよい、実質的にひまし油及びひまし油誘導体を含まない、フルベストラント配合物。
【請求項２】
２５℃で少なくとも１年間安定である、請求項１に記載の配合物。
【請求項３】
安定性が前記フルベストラントの分解によって測定され、且つその表示量の少なくとも８０％が前記期間の終わりに前記配合物中に残っている場合に安定であるとみなされる、請求項２に記載の配合物。
【請求項４】
前記ビヒクルが、グリコフロール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジヒドロリポ酸、ポロキサマー、リバースポロキサマー、及びそれらの混合物からなる群から選択される溶媒を含み、任意選択で場合によっては少なくとも１種の酸化防止剤を含んでいてもよい、請求項１に記載の配合物。
【請求項５】
前記ポリエチレングリコールが、ポリエチレングリコール２００乃至ポリエチレングリコール８００から選択される、請求項４に記載の配合物。
【請求項６】
前記フルベストラントが、４５ｍｇ／ｍｌ、５０ｍｇ／ｍｌ、５５ｍｇ／ｍｌ、６０ｍｇ／ｍｌ、６５ｍｇ／ｍｌ、７０ｍｇ／ｍｌ、７５ｍｇ／ｍｌ、８０ｍｇ／ｍｌ、８５ｍｇ／ｍｌ、９０ｍｇ／ｍｌ、９５ｍｇ／ｍｌ、１００ｍｇ／ｍｌ、１０５ｍｇ／ｍｌ、１１０ｍｇ／ｍｌ、１１５ｍｇ／ｍｌ、１２０ｍｇ／ｍｌ、１２５ｍｇ／ｍｌ、１３０ｍｇ／ｍｌ、１３５ｍｇ／ｍｌ、１４０ｍｇ／ｍｌ、１４５ｍｇ／ｍｌ、１５０ｍｇ／ｍｌ、１５５ｍｇ／ｍｌ、１６０ｍｇ／ｍｌ、１６５ｍｇ／ｍｌ、１７０ｍｇ／ｍｌ、１７５ｍｇ／ｍｌ、１８０ｍｇ／ｍｌ、１８５ｍｇ／ｍｌ、１９０ｍｇ／ｍｌ、１９５ｍｇ／ｍｌ、２００ｍｇ／ｍｌ、２０５ｍｇ／ｍｌ、２１０ｍｇ／ｍｌ、２１５ｍｇ／ｍｌ、２２０ｍｇ／ｍｌ、２２５ｍｇ／ｍｌ、２３０ｍｇ／ｍｌ、２３５ｍｇ／ｍｌ、２４０ｍｇ／ｍｌ、２４５ｍｇ／ｍｌ、及び２５０ｍｇ／ｍｌ、２７５ｍｇ／ｍｌ、３００ｍｇ／ｍｌ、３２５ｍｇ／ｍｌ、３５０ｍｇ／ｍｌ、３７５ｍｇ／ｍｌ、４００ｍｇ／ｍｌ、４２５ｍｇ／ｍｌ、４５０ｍｇ／ｍｌ、４７５ｍｇ／ｍｌ、又は５００ｍｇ／ｍｌから選択される量で存在する、請求項４に記載の配合物。
【請求項７】
前記ポロキサマーが、その他の溶媒の総量を基準にして１．５〜２．５％の量で存在する、請求項４に記載の配合物。
【請求項８】
少なくとも１種の酸化防止剤を含み、前記酸化防止剤が、リポ酸、ジヒドロリポ酸、メチオニン、及びその他の硫黄含有アミノ酸、アセトン重硫酸ナトリウム、没食子酸プロピル、ＢＨＴ、ＢＨＡ、及びナトリウムホルムアルデヒドスルホキシル酸からなる群から選択される、請求項４に記載の配合物。
【請求項９】
単回注射で投与されるフルベストラントの用量を２５０ｍｇよりも多くして用いるための請求項１〜８のいずれか一項に記載の配合物であって、５０ｍｇ／ｍｌを超えるフルベストラント濃度を有する配合物。
【請求項１０】
フルベストラントを４０ｍｇ／ｍｌよりも多く溶かす能力を有するフルベストラント用溶媒混合物であって、
（Ａ）グリコフロール単独、又は、ポリエチレングリコール、ポロキサマー、リバースポロキサマー、プロピレングリコール、ジヒドロリポ酸、及びそれらの混合物からなる群から選択される１つ以上のものと組み合わせたグリコフロール、
（Ｂ）ジヒドロリポ酸単独、又は、ポリエチレングリコール、ポロキサマー、リバースポロキサマー、及びそれらの混合物からなる群から選択される１つ以上のものと組み合わせたジヒドロリポ酸、及び
（Ｃ）ポロキサマー、リバースポロキサマー、及びプロピレングリコールのうちの少なくとも１つと組み合わせたポリエチレングリコール、
からなる群から選択される少なくとも１つのものを含み、
（Ｄ）任意選択で場合によっては、フルベストラントと相容性のある相溶性共溶媒、
を含んでいてもよく、実質的に水を含まず、且つ実質的にひまし油及びひまし油誘導体を含まない、溶媒混合物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月2日(2012.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有効量のカルシリティック化合物または薬学的に許容されるこの塩を含む、対象における胃酸過多疾患または障害を治療するための医薬組成物。
【請求項２】
胃酸過多障害が、ＧＥＲＤである、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
胃酸過多障害が、ＮＥＲＤである、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項４】
胃酸過多疾患が、消化性食道狭窄、バレット食道、または胃腺癌である、請求項３に記載の医薬組成物。
【請求項５】
ＧＥＲＤが、軽度、中程度または重度である、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項６】
胃酸過多障害が、ヘリコバクター・ピロリのコロニー形成、裂孔ヘルニア、胃炎、活動性十二指腸潰瘍、胃潰瘍、ゾリンジャー・エリソン症候群、消化不良、十二指腸胃逆流、または胃内容排出遅延によって引き起こされる、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項７】
胸やけ治療用化合物をさらに含む、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項８】
酸逆流治療用化合物をさらに含む、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項９】
嚥下障害治療用化合物をさらに含む、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
呑酸、嚥下痛、おくび、しゃっくり、悪心、または嘔吐の治療用化合物をさらに含む、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
非心臓性胸痛、喘息、後部咽頭炎、逆流咽頭炎、慢性咳嗽、再発性肺炎、または歯牙浸食の治療用化合物をさらに含む、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
制酸剤をさらに含む、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
運動促進剤をさらに含む、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
Ｈ２受容体アンタゴニストをさらに含む、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１５】
プロトンポンプ阻害剤をさらに含む、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１６】
維持療法と組合せる、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１７】
カルシウム模倣化合物をさらに含む、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１８】
対象が、ヒトである、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１９】
対象が、高齢であるまたは妊娠している、請求項１８に記載の医薬組成物。
【請求項２０】
カルシリティック化合物が、２−クロロ−６−（２−ヒドロキシ−３−（２−メチル−１−（ナフタレン−２−イル）プロパン−２−イルアミノ）プロポキシ）ベンゾニトリルである、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項２１】
有効量のカルシウム模倣化合物または薬学的に許容されるこの塩を、ＰＰＩと組合せて含む、胃酸過多障害を治療するための医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月16日(2012.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記希ガスは、アルゴンを含む、請求項５に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図３は、エタン及びアルゴンを処理ガスとして用いてのビームスペクトルを例示するグラフである。本実施例では、アルゴンをエタンと一緒に、希釈ガスとして導入した。同一の分子組成を有するピークには、図３で同様な番号をつけている。従って、図２の場合と同様に、ピーク３００、３０１、３０２は、それぞれH+、H2+、H3+に対応する。このテストは、２３．７sccmのエタン及び１．５sccmのアルゴンのガス流を用いて実施した。さらに、アーク電圧は８０Vとし、ソース磁石電流は０．８Aとした。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月27日(2012.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）
ＳｎaＰｂ1-a(x1+…+xn)Ａ1x1．．．Ａnxn（Ｔｅ1-p-q-rＳｅpＳqＸr）1+z    （Ｉ）
［但し、式中、
０．１＜ａ＜０．９、
ｎ≧１（但し、ｎはＳｎ及びＰｂとは異なる化学元素の数である）、
いずれの場合も独立して、
１ ｐｐｍ≦ｘ１．．．ｘｎ≦０．０５、
ｎ＝２では、Ａ１．．．Ａｎは互いに異なり、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｎ、Ａｇ、Ｇｅからなる群から選択され、又はｎ＝１では、Ａ１．．．Ａｎは互いに異なり、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ａｇからなる群から選択され、
Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり、
ａ＋ｘ１＋．．．＋ｘｎ≦１、及びｘ１．．．ｘｎの合計が０．０００５〜０．１の条件において、
０≦ｐ≦１、
０≦ｑ≦１、
０≦ｒ≦０．０１、
−０．０１≦ｚ≦０．０１である]
で表される化合物を含むことを特徴とするｐ−又はｎ−導電性の半導体材料。
【請求項２】
前記一般式（Ｉ）中、ｐ＝ｑ＝ｒ＝０である請求項１に記載の半導体材料。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体材料を製造する方法であって、
特定の元素成分又はそれらの合金の混合物を反応性粉砕、又は共溶融することにより材料を製造する工程を含む製造方法。
【請求項４】
前記共溶融が、誘導加熱オーブン中で行われる請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
以下の工程：
（１）特定の元素成分又はそれらの合金と、少なくとも４元素又は３元素の化合物との混合物を共溶融する工程、
（２）工程（１）で得られた材料を粉砕する工程、
（３）工程（２）で得られた材料を加圧又は押出して成形する工程、及び
（４）工程（３）で得られた成形品を焼結する工程、
を含む請求項３又は４に記載の製造方法。
【請求項６】
請求項１又は２に記載の半導体材料を含む熱電発電装置又はペルチェ配置。
【請求項７】
請求項６に記載の熱電発電装置又はペルチェ配置を少なくとも１種含むヒートポンプ、冷却機、冷蔵庫、（洗濯物）乾燥機、熱源利用による発電機、熱エネルギーを電気エネルギーに変換する発電機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明の目的は、  一般式（Ｉ）
ＳｎaＰｂ1-a(x1+…+xn)Ａ1x1．．．Ａnxn（Ｔｅ1-p-q-rＳｅpＳqＸr）1+z    （Ｉ）
［但し、式中、
０．１＜ａ＜０．９、
ｎ≧１（但し、ｎはＳｎ及びＰｂとは異なる化学元素の数である）、
いずれの場合も独立して、
１ ｐｐｍ≦ｘ１．．．ｘｎ≦０．０５、
ｎ＝２では、Ａ１．．．Ａｎは互いに異なり、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｎ、Ａｇ、Ｇｅからなる群から選択され、又はｎ＝１では、Ａ１．．．Ａｎは互いに異なり、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ａｇからなる群から選択され、
Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり、
ａ＋ｘ１＋．．．＋ｘｎ≦１、及びｘ１．．．ｘｎの合計が０．０００５〜０．１の条件において、
０≦ｐ≦１、
０≦ｑ≦１、
０≦ｒ≦０．０１、
−０．０１≦ｚ≦０．０１である]
で表される化合物を含むことを特徴とするｐ−又はｎ−導電性の半導体材料によって達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月6日(2012.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に位置する高粘度液内の気体を低減する方法であって、
型組立体を前記高粘度液の近くに配置することにより、前記基板に近接し、且つ雰囲気を有する処理領域を決定するステップと、
前記雰囲気内の前記気体の前記移送が増加するように、前記雰囲気の特性を変化させるステップと、
から構成され、
前記気体の移送によって、前記気体は、前記型組立体、前記基板、前記高粘度液、あるいはこれらの組合せを通過することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記変化させるステップは、前記高粘度液、前記基板、前記型組立体、またはその組合せにおける前記雰囲気の溶解性、または拡散性を向上させるステップをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記変化させるステップは二酸化炭素および／またはヘリウムを含む気体のグループから選択された気体を、前記雰囲気の中に導入するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記選択されたガスはヘリウムであることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記変化させるステップは、前記雰囲気に流体を導入するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項６】
凝固したパターンの層を前記高粘度液から形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記方法はインプリント・リソグラフィ中に実行されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記高粘度液は基板上に堆積した粘性の層であることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項９】
前記変化させるステップは、初期の気体を含む前記雰囲気に、前記高粘度液内の初期の気体の溶解性より大きい溶解性、あるいは拡散性を有する追加の気体を導入するステップをさらに含み、または、前記変化させるステップは、前記高粘度液で飽和された流体を導入することにより前記基板に近接した前記雰囲気を制御するステップをさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。  
【請求項１０】
前記基板に近接した雰囲気の圧力を減らすステップをさらに含むことを特徴とする請求項３、５、または８のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月20日(2012.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法であって、
第１の時間における複数の基準セルの最高出力電流を有するものとして、メモリデバイスのビット・セル・アレイの複数のビットセルに関連する前記複数の基準セルの第１の基準セルを前記第１の時間において決定すること、
前記第１の基準セルの第１の出力電流を用いて前記複数のビットセルの第１のビットセルに記憶されたデータ値を検知すること
を備える方法。
【請求項２】
前記第１の時間と前記第２の時間との間の第１の期間に前記第１の基準セルを除く前記複数の基準セルの各基準セルをディセーブルすること、
前記第２の時間の後の第２の期間に前記第２の基準セルを除く前記複数の基準セルの各基準セルをディセーブルすること
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
メモリデバイスであって、
複数のビットセルを備えるビット・セル・アレイと、
前記複数のビットセルに関連する複数の基準セルと、
基準電流を受け取るための入力を備える検知増幅器であって、前記基準電流に基づいて前記ビット・セル・アレイのビットセルに記憶されたデータ値を検知するように構成される前記検知増幅器と、
前記複数の基準セルの第１の基準セルの出力電流を、前記複数の基準セルの最高出力電流を有するものとして前記第１の基準セルを決定することに対応して、前記複数のビットセルのビットセルを検知する前記基準電流として前記検知増幅器に供給するように構成される基準コントローラと
を備えるメモリデバイス。
【請求項４】
前記基準コントローラは、
前記複数の基準セルの第１の基準セルの電流電極に結合された第１の入力と、前記複数の基準セルの第２の基準セルの電流電極に結合された第２の入力とを備える比較器であって、前記第１の入力で検出される第１の電流と第２の入力で検出される第２の電流との比較を表す出力値を供給するように構成される前記比較器と、
前記複数の基準セルの前記第１の基準セルの制御電極に結合された第１のワードラインと、前記第２の基準セルの制御電極に結合された第２のワードラインとを備えるワード・ライン・ドライバであって、前記比較器の前記出力値に基づいて前記第１のワードラインと前記第２のワードラインの一方を選択的にイネーブルするように構成される前記ワード・ライン・ドライバと
を備える、請求項３に記載のメモリデバイス。
【請求項５】
前記基準コントローラは、前記第１の基準セルおよび前記第２の基準セルの少なくとも一方の電流に基づく前記基準電流を供給するように構成された電流和モジュールをさらに備える、請求項４に記載のメモリデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月6日(2012.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
頂部を有する先端部を備える電子またはイオンビーム源であって、前記先端部が第１電気伝導性材料からなっており、表面を有し、前記先端部がコーティングをさらに備える電子またはイオンビーム源において、
前記先端部からの平均放出電流密度が先端部からの最大放出電流密度の５０％以下である場所でのみ、前記コーティングが前記第１電気伝導性材料によって支持されることを特徴とする電子またはイオンビーム源。
【請求項２】
頂部を有する先端部を備える電子またはイオンビーム源であって、前記先端部が第１電気伝導性材料からなっており、表面を有し、前記先端部がコーティングをさらに備える電子またはイオンビーム源において、
前記第１電気伝導性材料の前記表面における垂線と、前記第１電気伝導性材料の頂部における軸線との間の角度（α）が少なくとも１５°である場所でのみ、前記コーティングが前記第１電気伝導性材料によって支持されることを特徴とする電子またはイオンビーム源。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電子またはイオンビーム源において、
前記第１電気伝導性材料の前記表面における垂線と、前記第１電気伝導性材料の頂部における軸線との間の角度（α）が少なくとも２５°である場所でのみ、前記コーティングが前記第１電気伝導性材料によって支持されることを特徴とする電子またはイオンビーム源。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか一項に記載の電子またはイオンビーム源において、
前記第１電気伝導性材料の前記表面に沿って測定した前記第１電気伝導性材料における頂部の２００ｎｍの距離範囲内を除いて、前記コーティングが前記第１電気伝導性材料によって支持されている電子またはイオンビーム源。
【請求項５】
頂部を有する先端部を備える電子またはイオンビーム源であって、前記先端部が第１電気伝導性材料からなり、表面を有し、前記先端部がコーティングをさらに備える電子またはイオンビーム源において、
記第１電気伝導性材料の表面に沿って測定した前記第１電気伝導性材料における頂部の２００ｎｍの距離範囲内を除いて、前記コーティングが前記第１電気伝導性材料によって支持されていることを特徴とする電子またはイオンビーム源。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか一項に記載の電子またはイオンビーム源において、
前記コーティングが、第２電気伝導性材料を備える電子またはイオンビーム源。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか一項に記載の電子またはイオンビーム源において、
前記先端部の頂部が、２００ｎｍ未満の平均曲率半径を有している電子またはイオンビーム源。
【請求項８】
請求項１から７までのいずれか一項に記載の電子またはイオンビーム源において、
前記第１電気伝導性材料が、三量体である終端原子層を有する電子またはイオンビーム源。
【請求項９】
請求項１から８までのいずれか一項に記載の電子またはイオンビーム源において、
前記先端部からの平均放出電流密度が最大放出電流密度のせいぜい２５％である場所でのみ、前記コーティングが前記第１電気伝導性材料によって支持される電子またはイオンビーム源。
【請求項１０】
請求項１から８までのいずれか一項に記載の電子またはイオンビーム源において、
前記先端部からの平均放出電流密度が最大放出電流密度の１０％以下である場所でのみ、前記コーティングが前記第１電気伝導性材料によって支持される電子またはイオンビーム源。
【請求項１１】
電子またはイオンビーム源のための先端部を製造する方法において、
電気伝導性材料によって支持されたコーティングを形成するステップと、
前記コーティングを除去するステップと
を含み、
前記コーティングの一部を除去した後に、前記第１電気伝導性材料の前記表面における垂線と、前記第１電気伝導性材料の頂部に対して垂直な軸線との間の角度（α）が少なくとも１５°である場所でのみ、前記第１電気伝導性材料によって前記コーティングを支持することを特徴とする方法。
【請求項１２】
電子またはイオンビーム源のための先端部を製造する方法において、
電気伝導性材料の表面によって支持されたコーティングを形成するステップと、
前記コーティングを除去するステップと
を含み、
前記コーティングの一部を除去した後に、前記第１電気伝導性材料の前記表面に沿って測定した前記第１電気伝導性材料における頂部の２００ｎｍの距離範囲内を除いて、前記第１電気伝導性材料によって前記コーティングを支持することを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１から１０までのいずれか一項に記載の電子またはイオンビーム源と光学系とを備えるシステムにおいて、
前記光学系が、使用時に電子またはイオンビーム源がイオンビームを放出した場合にイオンビームを試料の表面に向けるように構成されていることを特徴とするシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月3日(2012.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出力面を有する中空の光リサイクリング・キャビティを形成する、前面反射体及び背面反射体であって、前記前面反射体が、第１軸に沿って伸長されたプリズムのアレイを含む第１の指向性リサイクリング・フィルムと、第２軸に沿って伸長されたプリズムのアレイを含む第２の指向性リサイクリング・フィルムと、を有し、前記第２の指向性リサイクリング・フィルムは、前記第１の指向性リサイクリング・フィルムが前記第２の指向性リサイクリング・フィルムと前記背面反射体との間にあるように配置されている、前面反射体及び背面反射体と、
前記前面反射体と前記背面反射体との間に配置された半鏡面ディフューザーと、
発光軸に対して限定された角度分布にわたって前記光リサイクリング・キャビティ内に光を放射するように配置された１つ以上の光源と、を具備し、
前記第１軸は前記発光軸に対して実質的に平行である、バックライト。
【請求項２】
前記前面反射体が、第３の指向性リサイクリング・フィルムを更に有し、前記第３の指向性リサイクリング・フィルムは、前記第２の指向性リサイクリング・フィルムが前記第３の指向性リサイクリング・フィルムと前記第１の指向性リサイクリング・フィルムとの間にあるように配置されている、請求項１に記載のバックライト。
【請求項３】
前記前面反射体が、非偏光可視光に対して半球反射率Ｒfhemiを有し、前記背面反射体が、非偏光可視光に対して半球反射率Ｒbhemiを有し、積Ｒfhemi＊Ｒbhemiが少なくとも０．７０である、請求項１に記載のバックライト。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月16日(2012.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット材料を照射領域に該照射領域とターゲット材料放出点の間の非垂直経路に沿って送出するターゲット材料液滴源と、
ＥＵＶ反射光学系と、
ＥＵＶ放射線を生成するプラズマを発生させるために液滴を前記照射領域で照射するビームを生成するレーザと、
前記反射光学系を保護するためにターゲット材料を受け取るように位置決めされた捕獲部と、
を含むことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記捕獲部は、チューブを含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記照射領域は、前記チューブに位置し、該チューブは、前記ＥＵＶ放射線を該照射領域から前記反射光学系まで通すオリフィスと共に形成されることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記チューブを該チューブが前記経路に沿って配置された位置から該チューブが前記ＥＵＶ反射光学系から反射されたＥＵＶ光を妨害しない位置まで移動するための原位置機構を更に含むことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記チューブは、前記非垂直経路から外れるターゲット材料から前記反射光学系を保護する遮蔽体であることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項６】
前記チューブは、該チューブが少なくとも部分的に前記ターゲット材料放出点を取り囲む位置から該放出点と前記照射領域の間に位置決めされたチューブ終点まで延びることを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記捕獲部は、前記反射光学系の作動可能表面にわたって延長可能な格納式カバーを含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記捕獲部は、前記照射領域を通過したターゲット材料を受け取って受け取った材料が跳ね返って前記反射光学系に到達することを防止するように位置決めされた構造体を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記構造体は、細長チューブを含むことを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記ターゲット材料液滴源は、
壁を有し、かつオリフィスが形成された原材料導管と、
前記壁上に堆積された導電コーティングと、
前記導電コーティング上に堆積された絶縁コーティングと、
熱を生成するために前記導電コーティングに電流を通す電源と、
前記絶縁コーティングに接触し、かつ前記壁を変形させて原材料の放出を調節するように作動可能な電気作動式要素と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記導管は、チューブを含むことを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記チューブは、ガラスから作られ、前記導電コーティングは、ニッケル−コバルト−鉄合金を含むことを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記絶縁コーティングは、金属酸化物を含むことを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１４】
前記ターゲット材料液滴源は、
熱膨張率（ＣＴＥガラス）を有する管状ガラス部分と、該ガラス部分に結合され、摂氏２５から２５０度の温度の範囲にわたってＣＴＥガラスから５ｐｐｍ／度摂氏未満だけ異なる熱膨張率（ＣＴＥ金属）を有する金属とを含む原材料導管、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
前記ターゲット材料液滴源は、
原材料受け取り端部と原材料出口端部とを有する原材料導管と、
液滴流不安定性を低減するために前記導管の前記原材料出口端部の移動を制限する閉込め構造体と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月1日(2012.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一のデバッグ命令のデバッグ命令インスタンスである少なくとも第１インスタンスと第２インスタンスを有するコードをプロセッサ上で実行する実行ステップと；
前記プロセッサによってアドレス可能なメモリ内の前記デバッグ命令インスタンスのそれぞれのアドレスに基づき、個々の前記デバッグ命令インスタンスのための実行モードを選択する選択ステップと
を有するデバッグ方法であって、
それぞれの前記アドレスに基づき、前記第１インスタンスがノーオペレーションセマンティクスで実行され、前記第２インスタンスがデバッグ関連セマンティクスで実行されることを特徴とする、デバッグ方法。
【請求項２】
前記選択ステップは更に、
前記デバッグ命令の特定のインスタンスが駐在する、メモリページのデバッグ属性をチェックするステップと；
少なくとも一部は前記デバッグ属性に基づき、前記ノーオペレーションセマンティクスと前記デバッグ関連セマンティクスのうちのいずれか一方を選択するステップと
を有する、
請求項１記載のデバッグ方法。
【請求項３】
前記選択ステップは更に、
前記デバッグ命令の特定のインスタンスのためのメモリアドレスを、前記メモリの１個以上の各部分を区切る１個以上の記憶域の内容と比較するステップと；
前記メモリアドレスと区切られた部分とのうちの少なくとも一部の一致に基づき、前記ノーオペレーションセマンティクスと前記デバッグ関連セマンティクスとのうちのいずれか一方を選択するステップと
を有する、
請求項１記載のデバッグ方法。
【請求項４】
前記選択ステップは更に、
ページ属性チェックと、前記メモリの区切られた部分に対する比較との両方を行うステップと；
前記ページ属性チェックと前記比較との構成に基づき、前記ノーオペレーションセマンティクスと前記デバッグ関連セマンティクスとのうちのいずれか一方を選択するステップと
を有する、
請求項１記載のデバッグ方法。
【請求項５】
デバッグ型命令を有する命令セットを実行するプロセッサと；
前記プロセッサによってアドレス可能なメモリ内のインスタンスそれぞれのアドレスに基づき、前記デバッグ型命令のインスタンスそれぞれに対する実行モードをそれぞれ選択する、前記プロセッサの論理と
を備える、デバッグ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月9日(2012.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低解像度画像のシーケンスを用いて超解像画像を生成する方法を実行する１つ以上のプロセッサによる実行のための１つ以上の命令の１つ以上のシーケンスを伝えるコンピュータ可読媒体であって、
前記命令は、前記１つ以上のプロセッサによって実行されたときに、前記１つ以上のプロセッサに、
（ａ）第１の推定された高解像度画像と前記低解像度画像のシーケンスからの複数の比較画像との間でのモーション推定結果を用いて前記第１の推定された高解像度画像をモーション補償逆投影することにより第２の推定された高解像度画像を生成することと、
（ｂ）前記第２の推定された高解像度画像をモーションフリー逆投影することにより第１の超解像画像を生成することと、をさせるコンピュータ可読媒体。
【請求項２】
前記第１の推定された高解像度画像と前記複数の比較画像との間での前記モーション推定結果は、
（ａ）第１の一連の比較画像と第２の一連の比較画像と前記第１の推定された高解像度画像とを含む第１の動作中シーケンスを時間的に順序付けることと、
（ｂ）前記第１の動作中シーケンスからの各一対の近接する画像の間でモーションベクトルを算出することと、
（ｃ）前記第１の動作中シーケンスにおける第１の動作中画像と他の画像との間で一連の推定されたモーションベクトルを生成することと、
（ｄ）前記推定されたモーションベクトルを精製することと、を備えた方法により生成され、
前記第１の一連の比較画像における各画像は前記低解像度画像のシーケンスにおける第１の低解像度画像よりも先に生じる対応する低解像度画像を有しており、
前記第２の一連の比較画像における各画像は前記低解像度画像のシーケンスにおける前記第１の低解像度画像よりも後に生じる対応する画像を有しており、
前記一連の推定されたモーションベクトルは各一対の近接する画像の間でモーションベクトルを算出することにおいて生成されたモーションベクトルを組み合わせることによって生成される、請求項１に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項３】
前記各一対の近接する画像の間でモーションベクトルを算出することにおいて生成されたモーションベクトルを組み合わせることは、
（ａ）第１の参照フレーム内で第１のブロックを識別することと、
（ｂ）中間フレーム内で第２のブロックを識別することと、
（ｃ）目標フレーム内で複数の第３のブロックを識別することと、
（ｄ）前記複数の第３のブロックの代表値を算出することと、を備えており、
前記第１のブロックは前記第１の参照フレーム内で格子位置合わせされており、
前記第２のブロックは前記第１のブロックに最も整合するブロックであり、
前記第２のブロックは各第３のブロックからの画素を含んでおり、
前記各第３のブロックは前記目標フレーム内で格子位置合わせされている、請求項２に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項４】
低解像度画像のシーケンスを用いて超解像画像を生成する方法であって、
（ａ）第１の推定された高解像度画像と低解像度画像のシーケンスからの複数の比較画像との間でモーション推定して複数のモーション推定結果を生成することと、
（ｂ）前記モーション推定結果を用いて前記第１の推定された高解像度画像をモーション補償逆投影して第２の推定された高解像度画像を生成することと、
（ｃ）前記第２の推定された高解像度画像をモーションフリー逆投影して第１の超解像画像を生成することと、を備えた方法。
【請求項５】
超解像画像を生成するためのシステムであって、
（ａ）高解像度画像推定モジュールと、
（ｂ）モーション推定モジュールと、
（ｃ）モーション補償逆投影モジュールと、
（ｄ）モーションフリー逆投影モジュールと、を備え、
低解像度画像のシーケンスが前記高解像度画像推定モジュール、前記モーション推定モジュール、前記モーション補償逆投影モジュール、及び前記モーションフリー逆投影モジュールにおいて用いられて超解像画像が生成されるシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月28日(2011.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線中継器を備えるセルラーネットワークにおいて使用するジョイントアナログネットワーク符号化及び中継の方法であって、
複数の基地局ｅＮＢから情報信号を受信するステップ、
前記受信した信号をサンプリングしてアナログ−デジタル変換するステップ、
前記複数のｅＮＢからの前記情報信号を搬送する前記アナログ信号レベルをアナログネットワーク符号化するステップ、
アナログネットワーク符号化された後にシンボルを転送するステップ、及び
前記転送されたシンボルを受信して、前記シンボルを前記情報信号に変換するステップを備える方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記基地局はデータを転送するための先行中継局を備え、アナログネットワーク符号化は前記基地局ｅＮＢ及び前記先行中継局からの信号に実行される方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記中継局時間は交互に入れ替わり、前記アナログネットワーク符号化された情報信号を搬送する方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、前記アナログネットワーク符号化は物理信号の加算を備える方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、物理信号の前記加算は、タイムスロットから分割された信号ブロックに重み付け加算を実行するステップを備える方法。
【請求項６】
無線中継器を備えるセルラーネットワークにおいて使用するジョイントアナログネットワーク符号化及び中継による受信の方法であって、
複数のｅＮＢ又は中継器から受信した信号に協調的多入力多出力操作を実行するステップ、及び
ジョイント検出技法により前記ＭＩＭＯ操作を通じて受信した前記信号をユーザ機器がデコーディングするステップを備える方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、前記ジョイント検出技法はＭＩＭＯ空間逆多重化を備える方法。
【請求項８】
請求項６に記載の方法であって、前記ジョイント検出技法は逐次干渉除去ＳＩＣを備える方法。
【請求項９】
請求項６に記載の方法であって、前記デコーディングの方法は最尤ＭＬ法である方法。
【請求項１０】
請求項６に記載の方法であって、前記デコーディングの方法は、ゼロフォーシングアルゴリズムと併せた最小平均２乗誤差アルゴリズムである方法。
【請求項１１】
請求項６に記載の方法であって、前記ＵＥが前記信号を受信した後デコーディングするためにＣｈａｓｅ結合又はＩＲ結合が採用される方法。
【請求項１２】
送信される信号をサンプリングしてアナログ−デジタル変換するように適合されたサンプリング及びＡＤＣユニット、
複数のｅＮＢからの情報を搬送するアナログ信号レベルをアナログネットワーク符号化するように適合された符号化ユニット、及び
アナログネットワーク符号化されたシンボルを転送するように適合された送信ユニットを備える基地局。
【請求項１３】
請求項１２に記載の基地局であって、前記符号化ユニットは物理信号の加算によってアナログ信号符号化を実行する基地局。
【請求項１４】
基地局ｅＮＢから情報を受信するように適合された受信ユニット、
ジョイント検出技法によりデコーディングを実行するように適合されたデコーディングユニット、及び
デコーディングされた信号を転送するように適合された送信ユニットを備えるユーザ機器。
【請求項１５】
コンピュータ実行可能プログラムが記録されているコンピュータ可読媒体であって、前記プログラムは、コンピュータに搭載された場合、請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の方法を前記コンピュータに実行させるコンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月8日(2012.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分極化電気浸透により液体の移動を誘発するためのポンプであって、
流体を移送するための流れ経路を形成する流路と、
前記流路内に少なくとも１つの孔を形成するように前記流路内に設けられる少なくとも１つの分極化可能手段とを備えており、
前記ポンプが、前記流路を横切って設けられているとともに前記少なくとも１つの分極化可能手段の近傍に位置している非伝導性多孔質膜をさらに備えており、該膜が、前記流路の長手方向の軸線に対して少なくとも部分的に平行な方向に沿って延びているとともに前記分極化可能手段によって形成されている前記少なくとも１つの孔よりも小さな孔サイズを具備する孔を有しており、このことにより、使用時、電界が前記流路の長手方向に沿って前記分極化可能手段を横切って生成されると、分極化電気浸透作用の下で、前記流路内の流体が流れるように構成されてなる、ポンプ。
【請求項２】
前記少なくとも１つの分極化可能手段が、前記孔の壁の少なくとも一部分を前記流路の長手方向の軸線に対して湾曲または傾斜させるような形状に形成されてなる、請求項１に記載のポンプ。
【請求項３】
前記少なくとも１つの分極化可能手段が、前記流路の長手方向に対してほぼ垂直な表面と、前記流路の長手方向に対してほぼ平行な表面とだけを有してなる、請求項１に記載のポンプ。
【請求項４】
前記膜が単方向性の均一な孔を有してなる、請求項１乃至３のうちのいずれか１項に記載のポンプ。
【請求項５】
前記多孔質膜が、前記少なくとも１つの分極化可能手段と直接接触してなる、請求項１乃至４のうちのいずれか１項に記載のポンプ。
【請求項６】
前記多孔質膜の前記孔が、前記流路の長手方向の軸線に対して平行な方向に沿って測定される場合、前記分極化可能手段の長さより少なくとも１／１０小さい、請求項１乃至５のうちのいずれか１項に記載のポンプ。
【請求項７】
前記分極化可能手段が少なくとも１つの分極化可能粒子を有してなる、請求項１乃至６のうちのいずれか１項に記載のポンプ。
【請求項８】
前記分極化可能手段が複数の隣接する分極化可能粒子を有してなる、請求項７に記載のポンプ。
【請求項９】
前記多孔質膜が、前記流路の長手方向に沿って測定される１つの分極化可能粒子のサイズよりも少なくとも１／１０小さい孔サイズを有してなる、請求項７または８に記載のポンプ。
【請求項１０】
前記分極化可能手段が多孔質膜を含む、請求項１乃至６のうちのいずれか１項に記載のポンプ。
【請求項１１】
前記分極化可能手段が、前記流路内で、前記流路の長手方向の軸線に対して少なくとも部分的に平行な方向に沿って延びる孔を有している多孔質シール要素と前記多孔質膜との間の位置に固定されてなる、請求項１乃至１０のうちのいずれか１項に記載のポンプ。
【請求項１２】
一対の非伝導性多孔質膜を備えており、該一対の非伝導性多孔質膜が前記少なくとも１つの分極化可能手段の各側に１つずつ設けられ、各非伝導性多孔質膜が前記少なくとも１つの分極化可能手段の近傍に位置してなる、請求項１乃至１０のうちのいずれか１項に記載のポンプ。
【請求項１３】
前記ポンプが、前記流路の長手方向に沿って前記分極化可能手段の両側に設けられているとともに、使用時、流体を分極化電気浸透の作用の下で流れさせるように前記分極化可能手段を横切って電界を生じるように構成されている電極をさらに備えてなる、請求項１乃至１２のうちのいずれか１項に記載のポンプ。
【請求項１４】
前記電極のうちの少なくとも１つが前記多孔質膜と直接接触してなる、請求項１３に記載のポンプ。
【請求項１５】
前記流路がハウジング内の貫通孔を含み、前記分極化可能手段が、前記多孔質膜と多孔性シール要素との間の前記貫通孔内に詰め込まれる複数の隣接する分極化可能粒子を含んでなる、請求項１に記載のポンプ。
【請求項１６】
マイクロ流体システムであって、
マイクロチャネルと、
前記マイクロチャネル内に設けられている電極であって、これらの電極の間にポンプ部が形成されている電極と、
前記ポンプ部に少なくとも１つの孔を形成するように、前記ポンプ部内に設けられている少なくとも１つの分極化可能手段と、
前記ポンプ部を横切ってかつ前記少なくとも１つの分極化可能手段の近傍に位置する非伝導性多孔質膜とを備えており、
前記膜が、前記ポンプ部の長手方向の軸線に対して少なくとも部分的に平行な方向に沿って延びているととともに前記分極化可能手段によって形成されている前記少なくとも１つの孔よりも小さな孔サイズを具備する孔を有しており、
前記ポンプ部は、使用時、前記電極が前記マイクロチャネル内の流体が分極化電気浸透の作用の下で流れるように前記分極化可能手段を横切って電界を生じさせるように構成されてなる、マイクロ流体システム。
【請求項１７】
分極化電気浸透により液体の移動を誘発するためのポンプであって、
流路を形成する貫通孔を有しているハウジングと、
前記貫通孔の少なくとも一部分をシールする多孔質シール要素と、 
前記シール要素間に詰め込まれている複数の隣接する分極化可能粒子とを備えており、
前記分極化可能粒子が前記流路に孔を形成しており、
前記シール要素のうちの１つが、前記流路の長手方向の軸線に対して少なくとも部分的に平行な方向に沿って延びているとともに前記分極化可能粒子によって形成されている孔よりも小さな孔サイズを具備する孔を有している非伝導性多孔質膜を含んでなる、ポンプ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月12日(2012.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記第１の方法は、Ｍ個の受信基準シンボルのコヒーレントな平均化と、続くＮ個のコヒーレント平均値のコヒーレントでない平均化と、を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記制御器は、絶対信号電力値又は相対信号電力値に基づいて、前記第１の方法と前記第２の方法との何れが用いられるのかを決定することを特徴とする、請求項８に記載の装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記制御器は、前記信号が少なくとも２つのアンテナによって送信されたのか否かに従って、前記第１の方法と前記第２の方法との何れが用いられるのかを決定し、
前記第２の方法は少なくとも、当該第２の方法が前記少なくとも２つのアンテナによって送信された前記パターンに基づいて前記第２のシーケンスを生成する点で、前記第１の方法とは異なることを特徴とする、請求項８に記載の装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
前記第１の方法は、Ｍ個の受信基準シンボルのコヒーレントな平均化と、続くＮ個のコヒーレント平均値のコヒーレントでない平均化と、を含むことを特徴とする、請求項８に記載の装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】
前記第１の方法は、Ｍ個の受信基準シンボルのコヒーレントな平均化と、続くＮ個のコヒーレント平均値のコヒーレントでない平均化と、を含むことを特徴とする、請求項１５に記載のコンピュータ読み取り可能な媒体。