【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年10月11日(2012.10.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分離した放射／受信巻線により、導電率σ１及び比透磁率μｒ１の導電部に対する渦電流検査の方法であって、電磁場を放射する少なくとも１つの放射巻線と、導電部に生じる渦電流によって発生する電磁場によって感応される少なくとも１つの受信巻線から形成される少なくとも１つのアセンブリを備えるセンサーを、当該導電部の上方を移動させて、渦電流検査を行う方法において、
当該導電部の欠陥のない部分又は欠陥のない他の部分と前記センサーとの間の間隔を基準距離として、対応する放射巻線と受信巻線との間の間隔に依存する、受信巻線の端子間における第１の複素電圧曲線を得るステップと、
当該導電部の欠陥のない部分又は欠陥のない他の部分と前記センサーとの間の当該基準距離とは異なる少なくとも１つの距離（ｅ）について、当該対応する放射巻線と受信巻線との間の間隔の関数として、受信巻線の端子間における少なくとも１つの第２の複素電圧曲線を得るステップと、
前記第１の複素電圧曲線と少なくとも１つの前記第２の複素電圧曲線との差の絶対値を最小化する、少なくとも１つの既定所定距離（ｄｉ）を決定するステップと、
前記少なくとも１つの所定距離（ｄｉ）の算術平均値を計算するステップと、
この算術平均値の＋／−２０％を２つの放射巻線及び受信巻線間の距離として選定するステップと、
導電部に１つ以上の欠陥がある場合には該欠陥を検出するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、当該導電部の欠陥のない部分又は欠陥のない他の部分にて、前記導電率σ２が、０．０５×σ１≦σ２≦２０×σ１であり、比透磁率μｒ２が０．０５×μｒ１≦μｒ２≦２０×μｒ１であることを特徴とする方法。
【請求項３】
少なくとも２つの曲線を得る前記ステップが、測定又は計算によって為されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記放射及び受信巻線が、支持部の各側に配置されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記支持部が、前記放射巻線及び受信巻線がエッチングされている可撓性を有する支持部であることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記支持部がカプトンフィルムであることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
使用する周波数の範囲が１０ヘルツと５０メガヘルツとの間であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
各放射巻線／受信巻線対における磁場回路の磁気抵抗を低減するために、磁性体を、各巻線の中心及び／又は各巻線の近くに、検査すべき前記部分とは反対側に設置することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
分離した放射／受信機能を有する、導電部に対する渦電流検査のデバイスであって、
電磁場を放射する少なくとも１つの放射巻線と、少なくとも１つの受信巻線とから形成される少なくとも１つの素子からなる少なくとも２つの列であって、各列は隣の列から距離ｐだけオフセットされ、特定の列上の同一の特性を有する各巻線が、ｎを列の数として最近接の巻線からｎｘｐの距離である、列と、
各列における各素子の放射巻線と受信巻線との間の間隔が、ｄ＋／−２０％であり、このｄは、当該導電部の欠陥のない部分又は欠陥のない他の部分と前記センサーとの間の間隔を基準距離とした複素電圧曲線と、当該基準距離とは異なる距離についての少なくとも１つの複素電圧曲線との差の絶対値を最小化する、少なくとも１つの所定距離（ｄｉ）を計算した算術平均値である、ことを特徴とするデバイス。
【請求項１０】
少なくとも２つの列が異なる高さを有することを特徴とする、請求項９に記載のデバイス。
【請求項１１】
２つの連続する列の間に電気的絶縁体が構成されていることを特徴とする、請求項９に記載のデバイス。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
本発明は、分離した放射／受信機能により、導電率σ１及び比透磁率μｒ１の導電部の渦電流検査を行う方法に関するものであり、電磁場を放射する少なくとも１つの放射巻線と、この導電部にて誘起した渦電流によって生成される電磁場によって感応される少なくとも１つの受信巻線から形成される少なくとも１つのアセンブリを備えるセンサーを、当該導電部の上方を移動させて、渦電流検査を行う方法において、
例えば導電率σ２が０．０５×σ１≦σ２≦２０×σ１及び比透磁率μｒ２が０．０５×μｒ１≦μｒ２≦２０×μｒ１である当該導電部の欠陥のない部分又は欠陥のない他の部分と前記センサーとの間の間隔を基準距離として、対応する放射巻線と受信巻線との間の間隔に依存する、受信巻線の端子間における第１の複素電圧曲線を得るステップと、
当該導電部の欠陥のない部分又は欠陥のない他の部分と前記センサーとの間の当該基準距離とは異なる少なくとも１つの距離（ｅ）について、当該対応する放射巻線と受信巻線との間の間隔の関数として、受信巻線の端子間における少なくとも１つの第２の複素電圧曲線を得るステップと、
前記第１の複素電圧曲線と少なくとも１つの前記第２の複素電圧曲線との差の絶対値を最小化する、少なくとも１つの所定距離を決定するステップと、
前記少なくとも１つの所定距離の算術平均値を計算するステップと、
この算術平均値の＋／−２０％を２つの放射巻線及び受信巻線間の距離として選定するステップと、
導電部に１つ以上の欠陥がある場合には該欠陥を検出するステップと、
を含むことを特徴とする。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
本発明はまた、導電部の渦電流検査を行うための、分離した放射／受信機能を有するデバイスに関するものであり、
例えば、支持部の各側に配置された、電磁場を放射する少なくとも１つの放射巻線と少なくとも１つの受信巻線から形成される少なくとも１つの素子からなる、例えば異なる高さの少なくとも２つの列を具え、
各列は隣の列と距離ｐだけオフセットされ、特定の列上の同一の性質の各巻線は、その最近接のものからｎ×ｐ（ｎは列数）の距離にあり、
各列における各素子の放射巻線と受信巻線との間の距離は、ｄの＋／−２０％に等しく、ここでｄは、当該導電部の欠陥のない部分又は欠陥のない他の部分と前記センサーとの間の間隔を基準距離とした複素電圧曲線と、当該基準距離とは異なる距離についての少なくとも１つの複素電圧曲線との差の絶対値を最小化する、少なくとも１つの所定距離（ｄｉ）を計算した算術平均値である、ことを特徴とする。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
【図１】本発明の方法を実装するセンサーの原理図を示している。
【図２】センサーの受信巻線の端子間にて得られた複素結合電圧を、対応する放射巻線とこの受信巻線との間の距離ｄの関数として示している。
【図３】図２における曲線間の結合電圧差を示している。
【図４】本発明によるプロセスを使用して得られた最適化されたセンサーの一実施例を示している。
【図５Ａ】本発明によるデバイスの多素子構体を示している。
【図５Ｂ】本発明によるデバイスの多素子構体を示している。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
図２は、受信巻線１２の端子間にて得られる複素結合電圧を、２つの巻線１１及び１２間の距離ｄ（ｍｍ単位）の関数として以下の３つの空隙値に対して示している。即ち、
ｅ＝１００μｍ：  曲線２０，
ｅ＝１２０μｍ：  曲線２１，
ｅ＝１５０μｍ：  曲線２２，
である。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
本発明による方法は、以下のステップ、即ち、
センサーと、導電部における欠陥のない部分又は欠陥のない他の部分（例えば導電率σ２が０．０５×σ１≦σ２≦２０×σ１であり、比透磁率μｒ２が０．０５×μｒ１≦μｒ２≦２０×μｒ１など）との間の間隔である基準距離、即ちセンサーが導電部に接触したときの（最小の空隙値）各巻線の部分と各巻線に最近接する部分との間の平均距離に等しい基準距離について、対応する放射巻線１１と、この受信巻線との間の間隔の関数として、受信巻線１２の端子間にて第１の複素電圧曲線を得るステップと、
当該センサーと、導電部における欠陥のない部分又は欠陥のない他の部分との間の当該基準距離とは異なる少なくとも１つの距離ｅにについて、対応する放射巻線とこの受信巻線との間の間隔の関数として、受信巻線の端子間にて、少なくとも１つの第２の複素電圧曲線２１，２２を得るステップと、
第１の曲線２０と少なくとも１つの第２の曲線２１，２２との差の絶対値を最小化する少なくとも１つの所定距離ｄｉを決定するステップと、
所定距離ｄｉのみがあるときにｄｉの値に等しくなるような、少なくとも１つの所定距離ｄｉの算術平均値を計算するステップと、
この算術平均値の＋／−２０％を２つの放射及び受信巻線の距離として選定するステップと、
この導電部における１つ以上の欠陥の存在を検出するステップと、
を含む。