【手続補正書】
【提出日】平成25年11月12日(2013.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光起電力セルを製造するための蒸着システムであって、前記蒸着システムは、
基板上の半導体材料の微結晶層を形成するために、前記半導体材料が前記基板上に蒸着されるべき反応空間を実質的に包囲する蒸着チャンバと、
前記反応空間内の前記基板を支持する基板支持部と、
互いに向かい合って距離Ｄで分離された第１および第２の電極と備え、前記第１および第２の電極は、動作可能に電源に接続されて、プラズマを点火するとともに前記蒸着の少なくとも一部の間は前記プラズマを前記反応空間内で維持するために電圧が印加され、
少なくとも部分的に前記蒸着チャンバを排気する真空サブシステムと、
プロセスガスを前記反応空間に導入する供給サブシステムとをさらに備え、前記プロセスガスは、半導体源からの半導体含有ガスと、希釈源からの希釈物質とを含み、
コントローラをさらに備え、前記コントローラは、前記真空サブシステムと前記供給サブシステムとのうちの少なくとも１つの動作を制御するようにプログラムされて、
前記半導体材料の前記蒸着の少なくとも一部の間に、準大気圧を、
５０ｍｂａｒ・ｍｍ／Ｄ
以下となる圧力（前記Ｄは、前記第１および第２の電極を分離する距離であり、ｍｍで表される）で維持するとともに、
前記半導体材料の前記蒸着の少なくとも一部の間に、体積で少なくとも５０％となる、前記プロセスガスにおける前記半導体含有ガスの濃度を確立する、蒸着システム。
【請求項２】
基板コンディショナをさらに備え、前記基板コンディショナは、前記基板に加熱効果を与える、前記基板に冷却効果を与える、あるいは前記基板に加熱効果および冷却効果を与えることで、前記基板上の前記半導体材料の蒸着のための所望の温度を確立する、請求項１に記載の蒸着システム。
【請求項３】
前記第１の電極は、前記基板支持部を含む、請求項１または２に記載の蒸着システム。
【請求項４】
前記基板コンディショナによって確立された前記基板の前記所望の温度は、約１２０℃から約２８０℃までの温度範囲内にある、請求項１から３のいずれか１項に記載の蒸着システム。
【請求項５】
前記温度範囲は、約１４０℃から約２２０℃までである、請求項１から４のいずれか１項に記載の蒸着システム。
【請求項６】
前記電源は、３５ＭＨｚ以上の周波数を有するＲＦパワーを供給するＲＦ発生器を備える、請求項１から５のいずれか１項に記載の蒸着システム。
【請求項７】
前記第１および第２の電極のうちの少なくとも１つは、表面積Ａを有する実質的に平坦な表面を含み、前記ＲＦパワーは、前記表面積Ａのｃｍ2あたり０．１Ｗ以上となる電力密度を有する、請求項６に記載の蒸着システム。
【請求項８】
前記第１および第２の電極を分離する前記距離Ｄは、約１０ｍｍ以上、約３０ｍｍ以下である、請求項１から７のいずれか１項に記載の蒸着システム。
【請求項９】
前記第１および第２の電極のうちの少なくとも１つは、表面積Ａを有する実質的に平坦な表面を含み、前記コントローラは、さらに、前記反応空間に導入されるプロセスガスの流量を、前記表面積Ａのｃｍ2あたり約０．０３ｓｃｃｍに確立するようにプログラムされる、請求項１から８のいずれか１項に記載の蒸着システム。
【請求項１０】
前記コントローラは、さらに、前記準大気圧を、０．８ｍｂａｒ以上、３．０ｍｂａｒ以下の圧力に維持するようにプログラムされる、請求項１から９のいずれか１項に記載の蒸着システム。
【請求項１１】
前記コントローラは、前記半導体材料の前記蒸着の前記一部の間に、前記プロセスガス中の前記半導体含有ガスの濃度を、体積で７０％よりも上に維持するようにプログラムされる、請求項１から１０のいずれか１項に記載の蒸着システム。
【請求項１２】
前記プロセスガスは、体積で約７５％の、前記半導体含有ガスとしてのシラン（ＳｉＨ4）と、体積で約２５％の、前記希釈物質としての水素（Ｈ2）とを含む、請求項１から１１のいずれか１項に記載の蒸着システム。
【請求項１３】
前記供給サブシステムは、前記希釈物質と組み合わされたドーパントを導入し、前記ドーパントは、前記微結晶層に含まれてドープド微結晶層を確立する不純物を含む、請求項１から１２のいずれか１項に記載の蒸着システム。
【請求項１４】
蒸着システムの蒸着チャンバ内の基板上に半導体材料を蒸着する方法であって、前記蒸着システムは、さらに、距離Ｄで分離されるとともに、プラズマを前記蒸着チャンバ内で維持するために電源に動作可能に接続された第１および第２の電極と、少なくとも部分的に前記蒸着チャンバを排気する真空サブシステムと、プロセスガスを前記蒸着チャンバに導入する供給サブシステムとを備え、
前記方法は、
コントローラで、前記半導体材料の前記蒸着の少なくとも一部の間に、前記蒸着チャンバ内に確立されるべき準大気圧を受けるステップを備え、
前記準大気圧は、
５０ｍｂａｒ・ｍｍ／Ｄ
（前記Ｄは、前記第１および第２の電極を分離する距離であり、ｍｍで表される）
以下であり、
前記方法は、さらに
前記真空サブシステムの動作を制御する圧力信号を送信して、少なくとも部分的に前記蒸着チャンバを排気して、受けた前記準大気圧を確立するステップと、
前記コントローラで、前記電源を制御するプラズマ信号を送信して、前記第１および第２の電極に電圧を印加して、前記蒸着チャンバ内に前記プラズマを確立するステップと、
供給サブシステムの動作を制御する流量信号を送信して、半導体含有ガスと適切な量の希釈物質とを前記蒸着チャンバに導入して、前記蒸着の少なくとも一部の間に、前記蒸着チャンバ内の前記半導体含有ガスの濃度を、体積で少なくとも５０％に確立するステップとを備える、方法。
【請求項１５】
前記蒸着システムは、さらに、加熱効果および冷却効果の一方または両方を前記基板に与える基板コンディショナを備え、
前記方法は、
前記コントローラで、前記蒸着のための前記基板の目標温度を受けるステップと、
前記基板コンディショナを制御する温度信号を送信して、前記目標温度に近づく温度または前記目標温度にほぼ等しい温度へと、前記基板の温度を上昇、低下、あるいは上昇および低下させるステップとを備える、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
受けた前記目標温度は、少なくとも１２０℃かつ２８０℃以下である、請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項１７】
受けた前記目標温度は、少なくとも１４０℃かつ２２０℃以下である、請求項１４から１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１および第２の電極のうちの少なくとも１つは、表面積Ａを有する実質的に平坦な表面を含み、
前記流量信号は、前記反応空間に導入されるプロセスガスの所望の流量を、前記表面積Ａのｃｍ2あたり約０．０３ｓｃｃｍに確立するために、前記流量信号を調整するための命令を含む、請求項１４から１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
前記圧力信号は、前記準大気圧を、０．８ｍｂａｒから３．０ｍｂａｒ以下の圧力に維持するための命令を含む、請求項１４から１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
ドーパント信号を送信するステップをさらに備え、
前記ドーパント信号は、前記供給サブシステムの動作を制御して、前記希釈物質と組み合わされたドーパントを導入し、前記ドーパントは、前記微結晶層の真性導電率を変更して、ドープド微結晶層を確立する不純物を含む、請求項１４から１９のいずれか１項に記載の方法。