【事件の表示】
　平成　８年特許願第３２１０２６号「半導体発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　６月　２日出願公開、特開平１０−１５０２２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成８年１１月１５日の出願であって、その請求項１〜３に係る発明は、平成１３年９月７日付け及び平成１４年６月６日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に各々記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という）は次のとおりである。
　「ＧａＮ系の化合物半導体で形成される発光素子であって、
導電性であり、かつ前記発光素子の発光する光を透過させるｎ型のＧａＮ系化合物半導体で形成される基板と、
該基板の一の面の一部を被覆して取り付けられるｎ電極と、
前記基板の他の面の上に形成されるＧａＮ系化合物半導体からなる発光素子構造であって、前記基板側からｎ型の第１の半導体層、発光層及びｐ型の第２の半導体層が順次積層され、
前記第２の半導体層のほぼ全面を被覆して前記第２の半導体層に取り付けられるｐ電極と、を備えてなり、
前記ｐ電極を下側にしてリードフレームに固定される、ことを特徴とする半導体発光素子。」
　　　
２．引用例に記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願前に頒布された刊行物である特開平８−３２１１３号公報（以下、「引用例１」という）には、次のように記載されている。
　「・・・・本発明のｐ型ＧａＮ系半導体の製造方法を、図１に示す一般的な発光ダイオードＤを製造する場合を例としてさらに具体的に説明する。
【００１２】（１）半導体層の形成
　まず、基板１上に、バッファ層２を介してｎ型ＧａＮクラッド層３１、ＧａＩｎＮ活性層３２およびｐ型ＧａＮクラッド層３３をこの順に成膜して、図１に示すものと同様の多層部３を形成する。」（段落【００１１】〜【００１２】）
　「【００２４】（２）半導体層の冷却
　ついで、上記のようにして成長させた多層部３を、成長時の高温（通常１０５０℃程度）から室温まで冷却する。」（段落【００２４】）
　「【００２９】（３）電極形成およびチップ化
　上記のようにして冷却した後、多層部３上面には上部電極４を、基板１下面には下部電極５を形成し、この後この積層体をダイシングしてチップ化し、発光ダイオードＤを得る。
【００３０】上記上部電極４は、直下層がｐ層の場合、ＡｕＢｅ、ＡｕＺｎ、Ａｕ等を、また直下層がｎ層の場合、ＡｕＧｅ、Ｉｎ等を多層部３上面に真空蒸着等により被着した後、パターニング、アニーリング等の処理により該面の適当な位置に任意の形状に成形することにより形成される。この上部電極４の形状は特に限定されないが、形成の容易なこと等からドット状電極とすることが好ましい。
【００３１】また上記下部電極５は、直上層がｐ層の場合、ＡｕＢｅ、ＡｕＺｎ、Ａｕ等を、また直上層がｎ層の場合、ＡｕＧｅ、Ｉｎ、Ａｌ等を基板１下面に被着した後、アニーリング処理により基板１と合金化させることにより形成される。」（段落【００２９】〜【００３１】）
　「【００３４】実施例１
（半導体層の形成）厚さ３００μｍのｎ型ＧａＮ基板を反応容器内に設置し、容器内を真空排気した後、Ａｌ源としてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を２５μｍｏｌ／分、Ｎ源としてＮＨ３ を５ リットル／分の割合で流入させてＡｌＮ層を成長させ、厚さ２５０Åのバッファ層を形成した。ついで、上記ガスに加えＧａ源としてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）を３０μｍｏｌ／分、Ｓｉ源として１０ｐｐｍのＳｉＨ４を４ｎｍｏｌ／分の割合で流入させて、上記バッファ層上に、Ｓｉをドープした厚さ４μｍのｎ型ＧａＮクラッド層を成長させた。ついで、上記ガスに加えてＩｎ源としてトリメチルインジウム（ＴＭＩ）を２５μｍｏｌ／分、ＴＭＧを２μｍｏｌ／分、ＳｉＨ４ にかえてＺｎ源としてジメチル亜鉛（ＤＭＺ）を３μｍｏｌ／分の割合で流入させて、上記ｎ型ＧａＮクラッド層上に、Ｚｎをドープした厚さ２００ÅのＧａＩｎＮ層を成長させた。ついで、上記ガスのうち、ＤＭＺにかえてＭｇ源としてビス（シクロペンタジエニル）マグネシウム（Ｃｐ２ Ｍｇ）を５μｍｏｌ／分の割合で流入させて、ＴＭＩを止め、上記ＧａＩｎＮ層上に、Ｍｇをドープした厚さ0.８μｍのＧａＮ層を成長させた。
【００３５】（半導体層の冷却）上記ＧａＮ層成長後、反応容器内を窒素置換し、ＰＩＤ制御の温度コントローラーにより温度を０．５°Ｃ／分の速度で降下させるようにして室温まで冷却し、電極の形成およびダイシングを行って、図１に示すものと同様のＬＥＤチップを得た。」（段落【００３４】〜【００３５】）
　「図面の簡単な説明】
【図１】
　ＧａＮ系半導体を用いた一般的な発光ダイオード（ＬＥＤ）の一例を示す模式断面図である。
【符号の説明】
１　基板　　　２　バッファ層　　　３　多層部　　　３１　ｎ型ＧａＮクラッド層　　３２　ＧａＩｎＮ活性層　　　３３　ｐ型ＧａＮクラッド層　　４　上部電極　　５　下部電極　　Ｄ　発光ダイオード（ＬＥＤ）」（図面の簡単な説明）
　また、図１には、製造されたＧａＮ系半導体を用いた発光ダイオードの構成断面図が示されており、この発光ダイオードは、ｎ型ＧａＮ基板１上にバッファ層２を介してｎ型ＧａＮクラッド層３１、ＧａＩｎＮ活性層３２およびｐ型ＧａＮクラッド層３３からなる多層部３が形成され、多層部３上面の適当な位置に任意の形状の上部電極４が形成され、基板１の下面に下部電極５が形成されている。この図から、上部電極４は多層部３の上面の一部を被覆し、下部電極５は基板の下面のほぼ全面を被覆していることが見てとれる。
　以上の記載からすれば、引用例には、「ｎ型のＧａＮ基板１と、基板１下面にそのほぼ全面を被覆するように形成された下部電極５と、基板１の上面にバッファ層を介して形成され基板側から順にｎ型ＧａＮクラッド層３１、ＧａＩｎＮ活性層３２及びｐ型ＧａＮクラッド層３３からなる多層部３が積層形成され、多層部３上面の一部を被覆するように上部電極４が形成された発光ダイオード」が記載されているものと認める。
　同じく引用された特開平７−１５３９９２号公報（以下、「引用例２」という）には、次のように記載されている。
　「【００２９】図４は図１に示す発光ダイオード素子を備えた発光ダイオード装置の模式断面構造図である。尚、図１と同一部分には同一符号を付してその説明は割愛する。
【００３０】（段落【００２９】〜【００３０】）
  １１は光反射部１２と発光ダイオード素子１０を載置する載置部１３を有する導電性金属からなるステムである。素子１０はｐ型オーミック電極７側でステム１１の載置部１３上に銀ペースト等の導電性接着材１４を介して固着されている。そして、図示しない他の導電性金属からなるステムと前記ｎ型側オーミック電極８とは金ワイヤ１５でボンディング接合されている。この装置において、ｎ型ＳｉＣ単結晶基板１側から主に光が取り出される。」
　「【符号の説明】
  １      ｎ型ＳｉＣ単結晶基板
  ２      ｎ型ＳｉＣ単結晶層
  ３      ｐ型ＳｉＣ単結晶層
  ４      ｐ型ＳｉＣ単結晶層
  ５      ｐ型ＳｉＣ単結晶層
  ６      ｐ型ＳｉＣ単結晶層」（符号の説明）
　また、拒絶査定において、周知の事項を示す例として引用された特開平５−６３２４２号公報（以下、「引用例３」という）には、次のように記載されている。
　「・・・・発光ダイオードチップ１２の端面から出た光は、この凹部側面の傾斜面１１ｃにより反射され、ランプ上部（図４における紙面手前方向、図５における上方向）に放出される。
【０００５】
　他方のリードフレーム１１ｂは、発光ダイオードチップ１２の上面の電極２４に、ボンディングワイヤ１３を通して電流を導入する端子となっている。１４は発光ダイオードチップ１２の周囲を覆うための丸型に固化されたエポキシ樹脂であり、リードフレーム１１ａの凹部底面１１ｄ上に装着される発光ダイオードチップ１２がその中心に位置するようにモールドされている。」（段落【０００４】〜【０００５】）
　「【０００７】図６及び７には、発光ダイオードチップ１２の構造が示されている。・・・・図６においては、基板２１の下側に成長膜２２および成長膜２３が順次積層され、基板２１の上面には電極２４が接続され、基板２１の上面には電極２４が接続され、成長膜２３の下面には電極２５が接続されている。基板２１、成長膜２２、成長膜２３の組合せとしては、ｎ型基板、ｎ型成長膜、ｐ型成長膜という組合せ、あるいはｐ型基板、ｐ型成長膜、ｎ型成長膜という組合せが可能である。
【０００９】
　図７においては、基板２６の上側に成長膜２７および成長膜２８が順次積層され、基板２６の下面に電極２５が接続され、成長膜２８の上面には電極２４が接続されている。この場合にも、基板２６、成長膜２７、成長膜２８の組合せとしては、ｎ型基板、ｎ型成長膜、ｐ型成長膜という組合せ、あるいはｐ型基板、ｐ型成長膜、ｎ型成長膜という組合せが可能である。」（段落【０００７】〜【０００９】）
　「【００１１】図６に示すものは、成長膜２２、２３のｐｎ接合側を下向きにして、図４および図５のリードフレームの凹部底面１１ｄに装着されるタイプであり、ジャンクションダウン型と呼ばれている。図７に示すものは、ｐｎ接合側を上向きにして装着されるタイプでジャンクションアップ型と呼ばれている。」（段落【００１１】）
　　　
３．対比、判断
　本願発明と引用例１に記載のものとを対比すると、引用例１に記載のものにおけるＧａＮ及びＧａＩｎＮはいずもＧａＮ系の化合物半導体であることを考慮すれば、引用例１に記載のものにおける「ｎ型ＧａＮクラッド層３１」、「ＧａＩｎＮ活性層３２」、「ｐ型ＧａＮクラッド層３３」、「下部電極５」、「上部電極４」、「発光ダイオード」は、それぞれ本願発明における「ｎ型の第１の半導体層」、「発光層」、「ｐ型の第２の半導体層」、「ｎ電極」、「ｐ電極」、「発光素子」または「半導体発光素子」に相当する。また、引用例１に記載のものにおける「基板１」は本願発明の「基板１」と同じｎ型のＧａＮで形成されたものであって、導電性でありかつ発光素子の発光する光を透過させるものであるから、本願発明と引用例１に記載のものとは、「ＧａＮ系の化合物半導体で形成される発光素子であって、導電性であり、かつ前記発光素子の発光する光を透過させるｎ型のＧａＮ系化合物半導体で形成される基板と、該基板の一の面に取り付けられるｎ電極と、前記基板の他の面の上に形成されるＧａＮ系化合物半導体からなる発光素子構造であって、前記基板側からｎ型の第１の半導体層、発光層及びｐ型の第２の半導体層が順次積層され、前記第２の半導体層に取り付けられるｐ電極と、を備えてなる半導体発光素子」である点において一致するが、次の点において相違する。
ａ．本願発明において、ｎ電極が基板の一の面の「一部を被覆して」取り付けられ、ｐ電極が第２の半導体層の「ほぼ全面を被覆して」第２の半導体層に取り付けられているのに対して、引用例に記載のものにおいては、下部電極５が基板１下面に「そのほぼ全面を被覆するように」形成され、上部電極４が多層部３上面（すなわちｐ型ＧａＮクラッド層３３上面）の「一部を被覆するように」形成されている点。
ｂ．本願発明の半導体発光素子はｐ電極を下側にしてリードフレームに固定されるものであるのに対して、引用例１においては、発光ダイオードがリードフレームに固定されることについて明記されていない点。
　そこで、上記相違点について検討する。
相違点ａについて：
　ｎ型の基板上に形成された半導体発光素子において、ｐ電極がｐ型層上のほぼ全面を被覆し、ｎ電極が基板下側面の一部を被覆するように形成することは引用例３に示されるように周知の事項であり、このように電極を形成するのは、半導体層の材料に依存することではないから、相違点ａの事項とすることは、引用例１に記載されるＧａＮ系化合物半導体を用いた半導体発光素子において上記周知の事項を適用することにより、容易になし得るところである。また、ＧａＮ系化合物半導体を用いた半導体発光素子においてこのように電極を形成したことによる作用効果についても予測可能なものである。
相違点ｂについて：
　半導体発光素子を、ｐ電極を下側にしてリードフレームに固定することは、引用例２及び引用例３に示されるように周知の事項であって、半導体発光素子の実装にあたってこのような形態をとることは適宜設計し得る事項である。
　さらに、相違点ａ及びｂを総合しても、何ら格別な技術的特徴は与えられない。
　　　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。