Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月8日(2003.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】分布帰還型半導体レーザの製造方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
傾斜型回折格子を有する分布帰還型半導体レーザの製造方法において、
前記分布帰還型半導体レーザの共振器の長さ方向の端部では、共振器の長さ方向に垂直な方向のマスクパターン幅が最大およびマスク開口幅が最小であり、前記端部から中央部に向かって徐々に前記マスクパターン幅が小さくかつマスク開口幅が広くなる、鏡面対称形態の１対のマスクパターンを有する選択成長マスクを用いて、半導体結晶を選択成長して、共振器の長さ方向の端部での膜厚が該中央部での膜厚よりも厚くおよび前記端部から該中央部にむかって膜厚が徐々に減少した膜厚傾斜分布を有する傾斜型回折格子形成層を形成する工程
を含む分布帰還型半導体レーザの製造方法。
【請求項２】
前記傾斜型回折格子形成層の膜厚傾斜分布において、前記共振器の長さ方向の端部と該中央部との膜厚比が少なくとも３：１であることを特徴とする請求項１記載の分布帰還型半導体レーザの製造方法。
【請求項３】
前記マスクパターンは、分布帰還型半導体レーザの共振器の長さ方向の端部から該中央部に向かって
(i)共振器の長さ方向に垂直な方向のマスクパターン幅が最大でかつマスク開口幅が最小である領域、
(ii)前記マスクパターン幅は一定で、マスク開口幅が徐々に拡大する領域、および
(iii)異なるマスクパターン幅減少率ＡおよびＢが式：Ａ＞Ｂを満足する２つの部位を含み、かつマスク開口幅が一定の領域
の少なくとも３つの領域を有することを特徴とする請求項１記載の分布帰還型半導体レーザの製造方法。
【請求項４】
前記マスクパターンは、分布帰還型半導体レーザの共振器の長さ方向の端部の外側に、
(iv)前記マスクパターン幅およびマスク開口幅が前記領域(i)と同等である領域
をさらに有する請求項３記載の分布帰還型半導体レーザの製造方法。
【請求項５】
前記選択成長マスクは、分布帰還型半導体レーザの共振器の長さ方向の中央部にマスクパターンを有しない領域を含む請求項１〜４のいずれか１項に記載の分布帰還型半導体レーザの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月1日(2003.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転軸に結合した制動円板と、該制動円板の側方の車体などの非回転部分に配置されかつ断面長方形の内空部を有する非磁性体からなる案内筒と、該案内筒の内空部に回転軸方向に往復動可能に収容した磁石支持輪と、該磁石支持輪の側面に周方向等間隔に結合した多数の磁石と、各磁石の周方向両端面に基端面が接し先端側の側面が前記案内筒の内端壁と対向するように配設した１対の磁極部材と、前記磁石からの磁界により渦電流に基づく制動力を制動円板に発生させる渦電流減速装置において、前記案内筒の制動円板と対向する内端壁を非磁性体から構成したことを特徴とする渦電流減速装置。
【請求項２】
回転軸に結合した制動円板と、該制動円板の側方の車体などの非回転部分に配置されかつ断面長方形の内空部を有する非磁性体からなる案内筒と、該案内筒の内空部に回転軸方向に往復動可能に収容した磁石支持輪と、該磁石支持輪の側面に周方向等間隔に結合した多数の磁石と、該磁石の径方向の内端面と外端面に基端面が近接し先端側の側面が制動円板の一側面に対向するように前記案内筒の内端壁に配設した１対の磁極部材とを備え、前記磁石からの磁界により渦電流に基づく制動力を制動円板に発生させることを特徴とする渦電流減速装置。
【請求項３】
前記磁石の径方向の外端面に基端面が接する磁極部材の先端側を、制動円板の外周部を跨いで制動円板の他側面に対向させた、請求項２に記載の渦電流減速装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月12日(2003.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
レンズなどの光学系によって結像された光信号を電気信号に変換する複数の画素を水平方向及び垂直方向に配列した画素配列を備え、該複数の画素に蓄積した画素信号を一行毎に間引いてインターレース出力する第１の信号読出しモードと、該複数の画素に蓄積した画素信号を垂直方向に隣接した２画素毎に加算して順次出力する第２の信号読出しモードとにより、信号を出力する光電変換手段と、
該光電変換手段から第１の信号読出しモードでインターレース出力された映像信号を順次信号に変換する順次変換手段と、
該第１の信号読出しモードにおいて、該順次変換手段によって順次変換された映像信号を所定の画像フォーマットに変換して第１の映像信号を生成し、該第２の信号読出しモードにおいて、該光電変換手段から順次出力された映像信号を所定の画像フォーマットに変換して第２の映像信号を生成する信号処理手段と、
該第２の映像信号の単位時間当たりの出力画像枚数を入力画像枚数とは異なる枚数に変換するレート変換手段と、
該信号処理手段から出力される該第１または第２の映像信号を第１の符号化方法でデータ量を圧縮し、第１または第２の画像データを生成する符号化手段と、  該符号化手段から出力される該第１または第２の画像データを記録する記録媒体と、
該記録媒体に記録された該第１の画像データを復号化して第１の映像信号を再生する復号化手段と
を備えたことを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
レンズなどの光学系によって結像された光信号を電気信号に変換する複数の画素を水平方向及び垂直方向に配列した画素配列を備え、該複数の画素に蓄積した画素信号を１行毎に間引いてインターレース出力する第１の信号読出しモードと、該複数の画素に蓄積した画素信号を垂直方向に隣接した２画素毎に加算して順次出力する第２の信号読出しモードとにより、信号を出力する光電変換手段と、
該光電変換手段から該第１の読出しモードでインターレース出力された映像信号を順次信号に変換する順次変換手段と、
該第１の信号読出しモードにおいて、該順次変換手段によって順次変換された映像信号を所定の画像フォーマットに変換して第１の映像信号を生成し、該第２の信号読出しモードにおいて、該光電変換手段から順次出力された映像信号を所定の画像フォーマットに変換して第２の映像信号を生成する信号処理手段と、
該第２の映像信号の単位時間当たりの出力画像枚数を入力画像枚数とは異なる枚数に変換するレート変換手段と、
該信号処理手段から出力される該第１または第２の映像信号を、第１の符号化方法により、フレーム内のデータ量を圧縮して第１または第２の画像データを生成し、該信号処理手段から出力される該第２の映像信号を、第２の符号化方法により、フレーム内及びフレーム間のデータ量を圧縮して第３の画像データを生成する符号化手段と、
該符号化手段から出力される該第１または第２及び第３の画像データを記録する記録媒体と、
該記録媒体に記録された該第１または第２及び第３の画像データを復号化して該第１，第２の映像信号及び第３の映像信号を再生する復号化手段と
を備えたことを特徴とする撮像装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、複数の画素に蓄積した画素信号を１行毎に間引いてインターレース出力する第１の信号読出しモードと該複数の画素に蓄積した画素信号を垂直方向に隣接した２画素毎に加算して順次出力する第２の信号読出しモードとによって信号を出力する光電変換手段と、該光電変換手段から該第１の信号読出しモードでインターレース出力された映像信号を順次信号に変換する順次変換手段と、該第１の信号読出しモードにおいて、該順次変換手段によって順次変換された映像信号を所定の画像フォーマットに変換して第１の映像信号を生成し、該第２の信号読出しモードにおいて、該撮像手段から順次出力された映像信号を、４：２：２のＹＵＶ信号など、所定の画像フォーマットに変換して第２の映像信号を生成する信号処理手段と、該第２の映像信号の単位時間当たりの出力画像枚数を入力画像枚数とは異なる枚数に変換するレート変換手段と、該信号処理手段から出力される該第１または該第２の映像信号をＪＰＥＧなどの符号化方法でデータ量を圧縮して第１または第２の画像データを生成する符号化手段と、該符号化手段から出力される該第１または第２の画像データを記録する記録媒体と、該記録媒体に記録された該第１の画像データを復号化して該第１の映像信号を再生する復号化手段とによって構成する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月28日(2004.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
石英ガラス、アルミニウム、アルマイト又はそれらの組み合わせからなる部材の表面に被膜の膜厚が１０μｍ以上、被膜の厚さのばらつきが１５％以下である酸化イットリウム又はＹＡＧの被膜を形成したことを特徴とするプラズマエッチング装置用部材。
【請求項２】
さらに面粗さＲａが１μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載のプラズマエッチング装置用部材
【請求項３】
部材が石英ガラスからなることを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマエッチング装置用部材。
【請求項４】
石英ガラス部材が酸化イットリウム又はＹＡＧを１〜５重量％含有することを特徴とする請求項３記載のプラズマエッチング装置用部材。
【請求項５】
石英ガラス、アルミニウム、アルマイト又はそれらの組み合わせからなるプラズマエッチング装置用部材の製造方法において、前記部材表面に、酸化イットリウムやＹＡＧをプラズマ溶射する方法、酸化イットリウムやＹＡＧ粉末を酸水素火炎で溶融し、被覆する方法、イットリウムやイットリウム化合物又はＹＡＧを溶解する溶液を塗布し、加熱溶融する方法又はそれらの組合せのいずれか１の方法で酸化イットリウム又はＹＡＧの被膜を形成することを特徴とする請求項１記載のプラズマエッチング装置用部材の製造方法。
【請求項６】
酸化イットリウム又はＹＡＧ被膜の形成において、イットリウムやイットリウム化合物又はＹＡＧを溶解する溶液を塗布し、加熱溶融して酸化イットリウム又はＹＡＧ被膜を形成したのち、さらに酸化イットリウムやＹＡＧをプラズマ溶射することを特徴とする請求項５記載のプラズマエッチング装置用部材の製造方法。
【請求項７】
部材の稜部をＲ０．５ｍｍ以上に丸め加工したのち、酸化イットリウム又はＹＡＧの被膜を形成することを特徴とする請求項５又は６記載のプラズマエッチング装置用部材。
【請求項８】
石英ガラスからなるプラズマエッチング装置用部材の表面をフロスト処理したのち、酸化イットリウム又はＹＡＧの被膜を形成することを特徴とする請求項５ないし７のいずれか１記載のプラズマエッチング装置用部材の製造方法。
【請求項９】
フロスト処理が薬液による表面処理であることを特徴とする請求項８記載のプラズマエッチング装置用部材。
【請求項１０】
石英ガラスらなるプラズマエッチング装置用部材の製造方法において、予め石英ガラス部材に酸化イットリウム又はＹＡＧを１〜１０重量％含有せしめることを特徴とする請求項５ないし９のいずれか１記載プラズマエッチング装置用部材の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上述のとおり本発明の部材の表面は酸化イットリウム又はＹＡＧの被膜が形成された部材であるが、それを形成する素材としては石英ガラス、アルミニウム、アルマイト又はそれらの組み合わせなどが挙げられる。そして、前記部材表面に形成される酸化イットリウム又はＹＡＧの被膜の膜厚は１０μｍ以上、被膜のばらつきが１５％以下であるのがよい。さらに、被膜の面粗さＲａが１μｍ以下であるのがより好ましい。酸化イットリウム又はＹＡＧ被膜の膜膜が１０μｍ未満ではピンホールが発生し易く、部材の稜部が極端に薄くなりクラックが発生する。また、膜厚のばらつきが１５％を超えると、被膜の表面粗さＲａが１μｍ以下でも大きなうねりが生じ、このうねりにより被膜の電気的特性が劣化し、プラズマによるピンホールの発生が容易となる。さらに、表面粗さＲａが１μｍを超えると、被膜表面の電気特性に部分的な変化が生じ、異常なエッチングが起こる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
次に、本発明のプラズマエッチング装置用部材の製造方法の態様を示すと、石英ガラス、アルミニウム、アルマイト又はそれらの組み合わせからなる素材を機械加工でプラズマエッチング装置用部材に形成し、その表面に、（ｉ）酸化イットリウム又はＹＡＧをプラズマ溶射する方法、（ｉｉ）酸化イットリウム又はＹＡＧ粉を酸水素火炎中で溶融し、それで被覆する方法、（ｉｉｉ）イットリウムやイットリウム化合物又はＹＡＧを溶解する溶液を部材に塗布し、乾燥したのち、酸水素火炎で加熱溶融する方法（以下溶液塗布法という）、又はそれらの組合せからなる方法で、酸化イットリウム又はＹＡＧの被膜を形成する方法などが挙げられる。中でも、溶液塗布法で酸化イットリウム又はＹＡＧの被膜を形成しその上に酸化イットリウム又はＹＡＧをプラズマ溶射すると、膜厚が厚く均質な酸化イットリウム又はＹＡＧ被膜が形成できて好ましい。前記酸化イットリウム又はＹＡＧの被膜は膜厚が１０μｍ以上、被膜のばらつきが１５％以下であるのがよい。さらに、面粗さＲａが１μｍ以下であるのがよい。特に部材がアルミ、アルマイトで作製された場合には、耐熱性に劣るのでプラズマ溶射又は溶液塗布法又はそれらの組合せで被覆するのがよい。前記溶液塗布法で使用するイットリウム化合物としては、水酸化物、硝酸塩、炭酸塩、硫酸塩、シュウ酸塩などが挙げられる。前記イットリウムやイットリウム化合物又はＹＡＧを溶解する溶媒としては純水又は有機溶媒が挙げられ、それらの溶媒にイットリウムやイットリウム化合物又はＹＡＧを溶解して塗布液が調製される。前記溶液塗布法においてはピンホールが発生しないように３回以上塗布するのがよい。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月22日(2003.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学的異方性の溶融相を形成し得る熱可塑性ポリマーからなり、熱膨張係数が０〜１０×１０−６ｃｍ／ｃｍ／℃である、エレクトロルミネッセンス素子用防湿フィルム。
【請求項２】
フィルムの分子配向度ＳＯＲが１．３以下である請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス素子用防湿フィルム。
【請求項３】
請求項１または２に記載されたフィルムの片面の少なくとも１部に金属層が形成されてなるエレクトロルミネッセンス素子用防湿フィルム。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載されたフィルムを使用してなるエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
第１の電極と支持基体上に設けられた第２の電極の間に発光層を有するエレクトロルミネッセンス素子において、請求項１または２に記載されたフィルムからなる防湿層を設け、上記発光層を該防湿層と第２の電極または支持基体との間に封入してなるエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
防湿層の厚さ方向に第１の電極が貫通している請求項５に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
第１の電極および発光層を前記防湿層と第２の電極または支持基体との間に封入してなる請求項５に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
防湿層と第２の電極が接合されてなる請求項５〜７のいずれか１項に記載されたエレクトロルミネッセンス素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
有機ＥＬ素子用に使用される防湿フィルムの素材として、上記した公報には、三フッ化塩化エチレン樹脂膜、シリカ蒸着層や塩化ビニリデンをコートしたポリエステル樹脂フィルムなどが記載されている。
ＥＬ素子用に使用される防湿フィルムの素材としては、高度な水蒸気遮断性を有することと熱シールが可能であることが必要とされる。さらに優れた電気特性を兼ね備えていることが好ましい。かかる観点からみれば、ＥＬ素子用に使用される防湿フィルムの素材として新たなものを探索する余地が残されている。
しかして本発明は、ＥＬ素子用に使用される防湿フィルムとして好適なフィルムを新たに提供することを課題とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記した課題を解決すべく研究を重ねた結果、プリント配線板などの電気、電子分野で使用実績のある熱可塑性液晶ポリマーからなるフィルムが、上記した性質（高度な水蒸気遮断性と熱シールが可能であること）を備えており、ＥＬ素子用に使用される防湿フィルムとして有用であることを見出し、さらに検討した結果、本発明を完成させるに至った。
すなわち、本発明は、熱可塑性液晶ポリマーからなり、熱膨張係数が０〜１０×１０−６ｃｍ／ｃｍ／℃である、ＥＬ素子用防湿フィルムを提供する。さらに本発明は、該フィルムを使用してなるＥＬ素子を提供する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、熱可塑性ポリマーフィルムの熱膨張係数は、０〜１０×１０−６ｃｍ／ｃｍ／℃である。ＥＬ素子を形成する材料としては、ガラスやセラミックスが使用されることが多い。上記のような範囲の熱膨張係数を有するフィルムは、ガラスやセラミックスと熱膨張係数が同等であるので、防湿層としてＥＬ素子に組み込む場合、位置ずれすることが少ない。従って、精度よくＥＬ素子を製造することが可能である。
熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱膨張係数は、インフレーション法などの方法で得られたフィルムに熱処理を施すことにより、所望の範囲に調整することができる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
【実施例】
以下、本発明のＥＬ素子の構成を図面を参照して詳細に説明する。
図１の（ａ）は本発明にかかるＥＬ素子の第１の態様を示す断面図である。同図において、７は支持基体であり、２は第１の電極、６は支持基体７上に設けられた第２の電極である。本図においては、２が陰極（アノード）であり、６が陽極（カソード）である。第１の電極２と第２の電極６の間には発光層４が設けられており、発光層４と第２の電極６の間には正孔輸送層５が、また、発光層４と第１の電極２の間には電子輸送層３が設けられており、発光層４と第１の電極２および第２の電極６はそれぞれ電気的に接続されている。そして、８が防湿層であり、上記で説明した熱可塑性液晶ポリマーフィルムで形成されている。防湿層８は第２の電極６と接合されており、発光層４を防湿層８と第２の電極６の間に封入している。さらに、第１の電極２は、防湿層８を貫通しており、防湿層の外側と連絡可能に構成されている。


【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2003297553.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月28日(2003.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷機と共に用い、基板に供給するインキ量を調整するインキ制御装置の設定値を制御し、前記基板上の測定インキ色値を目標インキ色値に収束させる適応制御システムであって、
少なくとも１つの利得パラメータを使用し、少なくとも１つの利得パラメータと及び測定インキ色値と目標インキ色値との差であるインキ色値の差とに基づいて前記インキ制御装置の新たな設定値を算出するコントローラと、、
前記コントローラと通信し、前記少なくとも１つの利得パラメータを適応的に変更する感度アダプタであって、該少なくとも１つの利得パラメータ倍された感度変数を演算し、時点（ｔ＋１）での感度変数が所望のインキ色補正量と実際のインキ色補正量との比較により決定され、該実際のインキ色補正量が時点（ｔ）でのインキ色値の差と時点（＋１）でのインキ色値の差との比較により得られる、該感度アダプタと、
を備えることを特徴とする適応制御システム。
【請求項２】
請求項１記載の適応制御システムにおいて、前記所望のインキ色補正量と実際のインキ色補正量との差が、前記利得パラメータが調整される率を制御する加重変更子と乗算されることを特徴とする適応制御システム。
【請求項３】
請求項２記載の適応制御システムにおいて、前記加重変更子が、前記測定インキ色値と前記目標インキ色値との差によって決まることを特徴とする適応制御システム。
【請求項４】
請求項３記載の適応制御システムにおいて、前記加重変更子が、前記時点（ｔ）での測定インキ色値と前記目標インキ色値との差によって決まることを特徴とする適応制御システム。
【請求項５】
請求項３記載の適応制御システムにおいて、前記所望のインキ色補正量が、７０％ないし１００％の範囲であることを特徴とする適応制御システム。
【請求項６】
請求項３記載の適応制御システムにおいて、前記所望のインキ色補正量が、概ね７０％であることを特徴とする適応制御システム。
【請求項７】
請求項１記載の適応制御システムにおいて、前記コントロ−ラがＰＩＤコントローラを含むことを特徴とする適応制御システム。
【請求項８】
請求項７記載の適応制御システムにおいて、前記少なくとも１つの利得パラメータが、前記ＰＩＤコントローラの積分利得パラメータと比例利得パラメータの各々を含むことを特徴とする適応制御システム。
【請求項９】
印刷機において、インキ制御装置が基板に供給するインキを制御する方法であって、
前記基板上の前記インキに目標インキ色値を与えるステップと、
時点（ｔ）で前記基板上の前記インキの実際のインキ色値を測定するステップと、
前記目標インキ色値と時点（ｔ）で測定された実際のインキ色値との差である、時点（ｔ）でのインキ色誤差を演算するステップと、
時点（ｔ＋１）での前記基板上の実際のインキ色値を測定するステップと、
前記目標インキ色値と時点（ｔ＋１）で測定された実際のインキ色値の差である、時点（ｔ＋１）でのインキ色誤差を計算するステップと、
所望のインキ色補正量を決定するステップと、
時点（ｔ）でのインキ色誤差を時点（ｔ＋１）でのインキ色誤差と比較して得られた実際のインキ色補正量を決定するステップと、
前記所望のインキ色補正量と前記実際のインキ色補正量の差に基づいて時点（ｔ＋１）での感度変数を計算するステップと、
時点（ｔ＋１）でのコントローラ用の有効利得パラメータを計算するために、時点（ｔ＋１）での感度変数を公称利得パラメータにより乗算するステップと、
前記時点（ｔ＋１）でのインキ色誤差と前記時点（ｔ＋１）での有効利得パラメータとに基づいて、前記制御装置の新しい位置を計算するようにコントローラを使用し、前記測定されたインキ色値を前記目標インキ濃度値に変換するステップと、
を備える該方法。
【請求項１０】
請求項９記載の方法において、前記実際のインキ色値がインキ濃度値であることを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の方法において、前記実際のインキ色値を、光学的に測定することを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項９記載の方法において、前記感度変数が、所望のインキ色補正量とと実際のインキ色補正量との差が乗算された重み付けされた変更子により決定されることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の方法において、前記重み付けされた変更子が、時点（ｔ）での実際のインキ色値と前記目標インキ値の差に依存することを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項９記載の方法において、前記コントローラがＰＩＤコントローラであることを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の方法において、前記感度変数に、前記ＰＩＤコントローラの積分公称利得パラメータ、比例公称利得パラメータ、および微分公称利得パラメータを乗算し、前記インキ制御装置の前記新たな位置を得ることを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項９記載の方法において、前記感度変数の新しい値が、前記インキ制御装置の位置における変化後のみに、計算されることを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項９記載の方法において、時点（ｔ＋１）における前記感度変数が、更に、時点（ｔ）における前記感度変数に基づくことを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項９記載の方法において、時点（ｔ＋１）における前記感度変数が、時点（ｔ）における前記感度変数と、前記所望のインキ色補正量と前記時点（ｔ＋１）での実際のインキ色補正量の差を乗算した時点（ｔ）での前記感度変数との和として算出されることを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項９記載の方法において、時点（ｔ＋１）における前記感度変数が、時点（ｔ）における前記感度変数と、前記所望のインキ色補正量とと時点（ｔ＋１）での前記実際のインキ色補正量と差が乗算された重み付けされた変更子が乗算された時点（ｔ）における前記感度変数との和として算出されることを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項１９記載の方法において、前記重み付けされた変更子が、時点（ｔ）における前記インキ色誤差に基づくことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月19日(2004.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリエステル樹脂を主たる構成成分とする白色基材フィルムの少なくとも片面に紫外線吸収層が設けられたことを特徴とする白色耐候性積層フィルム。
【請求項２】
白色基材フィルムが、熱可塑性樹脂と、これに非相溶な樹脂、あるいは白色無機顔料を含有させ、溶融押出後、二軸方向に延伸して得られるフィルムであることを特徴とする請求項１に記載の白色耐候性積層フィルム。
【請求項３】
紫外線吸収層が、１層あるいは２層以上よりなる構成であって、少なくとも１層に紫外線吸収剤を含有することを特徴とする請求項１または２に記載の白色耐候性積層フィルム。
【請求項４】
紫外線吸収層が、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収モノマー共重合アクリル樹脂からなる層であることを特徴とする請求項１、２または３に記載の白色耐候性積層フィルム。
【請求項５】
紫外線吸収層の表面硬度が、鉛筆硬度Ｈ以上であることを特徴とする請求項１、２、３または４に記載の白色耐候性積層フィルム。
【請求項６】
紫外線吸収層の厚みが、０．５μｍ以上、１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１、２、３、４または５に記載の白色耐候性積層フィルム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明でいう白色基材フィルムとは、熱可塑性樹脂と、これに非相溶な樹脂、あるいは白色無機顔料を含有させ、溶融押出後、二軸延伸することによって得られるフィルムであって、熱可塑性樹脂として、機械的強度、寸法安定性などからポリエステル樹脂を主たる構成成分とすることを必須とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月9日(2004.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
紙基材の一面に、樹脂を含有する塗液を塗工し、得られる塗工層が湿潤状態にある間に、あるいは再湿潤した後に、加熱された鏡面ドラムに圧接、乾燥して光沢層を設けたインクジェット記録用紙において、光沢層を設けた紙基材の裏面にポリオレフィン樹脂含有層を設けたことを特徴とするインクジェット記録用紙。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、下記の態様を含む。
〔１〕紙基材の一面に、樹脂を含有する塗液を塗工し、得られる塗工層が湿潤状態にある間に、あるいは乾燥後再湿潤した後に、加熱された鏡面ドラムに圧接、乾燥して光沢層を設けたインクジェット記録用紙において、光沢層を設けた紙基材の裏面にポリオレフィン樹脂含有層を設けたことを特徴とするインクジェット記録用紙。
〔２〕ポリオレフィン樹脂含有層が二酸化チタンを含有することを特徴とする〔１〕記載のインクジェット記録用紙。
〔３〕ポリオレフィン樹脂含有層の表面がマット仕上げされてなることを特徴とする〔１〕または〔２〕記載のインクジェット記録用紙。
〔４〕ポリオレフィン樹脂含有層が溶融押し出しラミネートにより形成されてなる〔１〕、〔２〕または〔３〕記載のインクジェット記録用紙。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月18日(2003.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】サーマルプリントヘッドおよび記録装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体と接する発熱抵抗体および前記発熱抵抗体を駆動する駆動素子を支持体に搭載したサーマルプリントヘッドにおいて、
前記支持体が、前記発熱抵抗体が搭載された第１の搭載面と、駆動素子が搭載された第２の搭載面と、前記発熱抵抗体と前記記録媒体とが接するときの前記支持体の姿勢を制御する第１の姿勢制御面と、前記発熱抵抗体と前記駆動素子とを接続するときの前記支持体の姿勢を制御する第２の姿勢制御面と、
を具備したことを特徴とするサーマルプリントヘッド。
【請求項２】
記録媒体と接する発熱抵抗体および前記発熱抵抗体を駆動する駆動素子を支持体に搭載したサーマルプリントヘッドにおいて、
前記支持体が、前記発熱抵抗体が搭載された第１の搭載面と、前記駆動素子が搭載され、前記第１の搭載面に対して前記発熱抵抗体が突出するように傾斜した第２の搭載面と、前記発熱抵抗体と前記記録媒体とが接するときの前記支持体の姿勢を制御する第１の姿勢制御面と、前記発熱抵抗体と前記駆動素子とを接続するときの前記支持体の姿勢を制御する第２の姿勢制御面と、
を具備したことを特徴とするサーマルプリントヘッド。
【請求項３】
前記第１の搭載面と前記第１の姿勢制御面、および前記第２の搭載面と前記第２の姿勢制御面とが平行であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項４】
前記第１の姿勢制御面によって前記第１の搭載面が水平となるよう制御され、前記第２の姿勢制御面によって前記第２の搭載面が水平となるように制御されたことを特徴とする請求項１乃至請求項３に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項５】
発熱抵抗体を搭載した第１の搭載面と、駆動素子を搭載した第２の搭載面と、前記発熱抵抗体と前記記録媒体とが接するときの姿勢を制御する第１の姿勢制御面と、前記発熱抵抗体と前記駆動素子とを接続するときの姿勢を制御する第２の姿勢制御面とを備えた支持体を有するサーマルプリントヘッドと、前記サーマルプリントヘッドを、前記第１の姿勢制御面を基準として保持する手段と、
を具備したことを特徴とする記録装置。
【請求項６】
発熱抵抗体を搭載した第１の搭載面と、駆動素子を搭載し前記第１の搭載面に対して前記発熱抵抗体が突出するよう傾斜した第２の搭載面と、前記発熱抵抗体と前記記録媒体とが接するときの姿勢を制御する第１の姿勢制御面と、前記発熱抵抗体と前記駆動素子とを接続するときの姿勢を制御する第２の姿勢制御面とを備えた支持体を有するサーマルプリントヘッドと、
前記サーマルプリントヘッドを、前記第１の姿勢制御面を基準として保持する手段と、
を具備したことを特徴とする記録装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月30日(2004.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
双方向ＣＡＴＶシステムの伝送線路に設けられ、下り信号及び上り信号を増幅するＣＡＴＶ用幹線増幅装置において、
同軸ケーブル接続コネクタが装着されるケース本体と、
前記ケース本体に着脱可能に設けられ、光ファイバ引き込み用の開口部を備えた蓋と、
前記ケース本体内に着脱可能に設けられ、下り信号用同軸／光切替器、下り信号用増幅器、上り信号用同軸／光切替器及び上り信号用増幅器を備えた増幅ユニットと、
前記蓋内に設けられ、光ファイバケーブルにより伝送される光下り信号を受信する光受信ユニットと、
前記蓋内に設けられ、光上り信号を光ファイバケーブルに送出する光送信ユニットと、
前記光受信ユニットと増幅ユニットの下り信号用同軸／光切替器との間、及び前記光送信ユニットと増幅ユニットの上り信号用同軸／光切替器との間を接続する信号伝達ケーブルと、
前記光ファイバケーブルにより光受信ユニットに伝送される光下り信号の有無を検出して前記下り信号用同軸／光切替器及び上り信号用同軸／光切替器を切替える切替手段と
を具備したことを特徴とするＣＡＴＶ用幹線増幅装置。
【請求項２】
前記増幅ユニットの動作状態を監視する監視ユニットを蓋内に設け、該監視ユニットは、光ファイバケーブルにより光受信ユニットに伝送される光下り信号の有無を検出して下り信号用同軸／光切替器及び上り信号用同軸／光切替器を切替える切替手段を備えたことを特徴とする請求項１に記載のＣＡＴＶ用幹線増幅装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、双方向ＣＡＴＶシステムの伝送線路に設けられ、下り信号及び上り信号を増幅するＣＡＴＶ用幹線増幅装置において、
同軸ケーブル接続コネクタが装着されるケース本体と、前記ケース本体に着脱可能に設けられ、光ファイバ引き込み用の開口部を備えた蓋と、前記ケース本体内に着脱可能に設けられ、下り信号用同軸／光切替器、下り信号用増幅器、上り信号用同軸／光切替器及び上り信号用増幅器を備えた増幅ユニットと、前記蓋内に設けられ、光ファイバケーブルにより伝送される光下り信号を受信する光受信ユニットと、前記蓋内に設けられ、光上り信号を光ファイバケーブルに送出する光送信ユニットと、前記光受信ユニットと増幅ユニットの下り信号用同軸／光切替器との間、及び前記光送信ユニットと増幅ユニットの上り信号用同軸／光切替器との間を接続する信号伝達ケーブルと、前記光ファイバケーブルにより光受信ユニットに伝送される光下り信号の有無を検出して前記下り信号用同軸／光切替器及び上り信号用同軸／光切替器を切替える切替手段とを具備したことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月27日(2003.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
航空機客室の天井を、音響的に適切な面積と曲げ剛性を有するパネルを連続的に並べて構成した振動板によって形成し、各パネルに励振器ユニットを取り付け、同位相で振動させることを特徴とする航空機用天井スピーカーシステム。
【請求項２】
航空機客室の通路上部の天井を、複数のパネルを連続的に並べて構成した振動板によって形成し、前記各パネルに励振器ユニットを取り付け、同位相で振動させることを特徴とする航空機用天井スピーカーシステム。
【請求項３】
前記各パネルは、軽量で高い曲げ剛性を持つ複合材料のサンドイッチ構造を有する請求項１または２記載の航空機用天井スピーカーシステム。
【請求項４】
前記各パネルはハニカムコア材とガラス繊維布で構成される請求項１または２記載の航空機用天井スピーカーシステム。
【請求項５】
前記各パネルは、アラミッド繊維ハニカムコアと、ガラス繊維布をフェノール樹脂で固めたプリプレグ表面材と、で構成される請求項１または２記載の航空機用天井スピーカーシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月10日(2003.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】通信品質制御方法および装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
通信資源の利用率は時々刻々と変化する。これに伴い、サービス提供条件も変化する場合がある。例えばDiffServでは、同じ優先度のサービスを選択しても、ネットワークの輻輳状況によって利用できる帯域は変化する。ユーザは通信途中でも、サービス提供条件が変化するたびにサービス選択を行う必要があった。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
サービスドライバモジュール８は、統合サービス選択部９より、品質パラメータの値で表される標準形式のサービス選択条件を取得すると、その条件を、対応する通信資源のサービス選択条件に変換する。例えばＡＳＰにおける映像ストリーミングサービスの場合は、解像度、フレームレート等のパラメータ値に変換する。また、DiffServキャリア網サービスの場合は、その品質を満たす優先度クラスを設定する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
続いてサービスドライバモジュール８は、変換された条件を元に、通信資源に対しサービス制御を行う。例えばＡＳＰにおける映像ストリーミングサービスの場合は、求めた解像度、フレームレート等のパラメータ値を使用するように、アプリケーションの設定を行う。また、DiffServキャリア網サービスの場合は、求めた優先度クラスを使用して通信するように、アプリケーションの設定を行ったり、ルータの設定を行う。ただし、ユーザＬＡＮのようなベストエフォート型の通信資源に対しては何も行う必要はない。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
図２８はDiffServサービスのサービス提供条件例を示す。優先度キューイング（strict
priority queuing）を行うDiffServサービスで、優先度が高いほどデータあたりの料金が高くなるサービスの場合は、特願2001-356362に示された方式等を利用することで各優先度クラスごとの利用可能帯域を求めることができ、優先度ごとの料金情報から帯域ごとの料金を求めることができる。最高優先度でも出せない帯域では、料金を無限大にする。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
図３４は通信資源配置の一例を示す。上述の説明では通信経路が一つの場合を例に説明したが、サービスによっては、通信経路が複数ある場合もある。図３４の例では、ユーザがサービスを受ける経路が複数存在し、かつ各経路上で複数の通信資源（キャリア資源およびＡＳＰ資源）を利用している。このような場合、統合サービス選択部９は、通信資源が直列に配置されている場合は料金の合計を、並列に配置されている場合はもっとも低い料金を値とするデータに変換することによって、サービス提供条件の統合を行う。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基本的な実施形態を示す図。
【図２】サービス選択の概要を説明する図。
【図３】サービス選択処理の流れを示すフローチャート。
【図４】ユーザ要求条件取得変換処理のフローチャート。
【図５】サービス提供条件取得変換処理のフローチャート。
【図６】統合サービス選択部による処理のフローチャート。
【図７】サービス選択処理のフローチャート。
【図８】通信品質に関するユーザ要求条件の一例を示す図。
【図９】通信コストに関するユーザ要求条件の一例を示す図。
【図１０】通信品質に関するユーザ要求条件の別の例を示す図。
【図１１】通信コストに関するユーザ要求条件の別の例を示す図。
【図１２】サービス提供条件の一例を示す図。
【図１３】サービス提供条件の統合を説明する図。
【図１４】ユーザ要求条件の正規化処理のフローチャート。
【図１５】ユーザ要求条件の正規化処理の一例を示す図。
【図１６】ユーザ要求条件の正規化処理の別の例を示すフローチャート。
【図１７】ユーザ要求条件の正規化処理の一例を示す図。
【図１８】ユーザ満足度合成処理および最適解導出処理のフローチャート。
【図１９】ユーザ満足度合成処理および最適解導出処理の一例を示す図。
【図２０】ストリーム通信におけるユーザ要求入力のＧＵＩ例を示す図。
【図２１】ユーザ要求条件の例を示す図。
【図２２】ユーザ要求条件の例を示す図。
【図２３】ユーザ要求条件の例を示す図。
【図２４】ユーザ要求条件の例を示す図。
【図２５】ユーザ要求条件の例を示す図。
【図２６】ユーザ側ＬＡＮのサービス提供条件例を示す図。
【図２７】マルチＳＬＡサービスのサービス提供条件例を示す図。
【図２８】DiffServサービスのサービス提供条件例を示す図。
【図２９】ストリームサーバのサービス提供条件例を示す図。
【図３０】バルク通信におけるユーザ要求入力のＧＵＩ例を示す図。
【図３１】ユーザ要求条件の例を示す図。
【図３２】ユーザ要求条件の例を示す図。
【図３３】ユーザ要求条件の例を示す図。
【図３４】通信資源配置の一例を示す図。
【図３５】サービス提供条件の統合処理の一例を示すフローチャート。
【図３６】具体的な統合例を示す図。
【図３７】サービス提供条件の統合処理の別の例を示すフローチャート。
【図３８】具体的な統合例を示す図。
【図３９】図３４に示した通信資源配置に対するサービス提供条件の統合を説明する図。
【図４０】図３４に示した通信資源配置に対するサービス提供条件の統合を説明する図。
【図４１】図３４に示した通信資源配置に対するサービス提供条件の統合を説明する図。
【図４２】図３４に示した通信資源配置に対するサービス提供条件の統合を説明する図。
【符号の説明】
１  端末
２  ユーザ側ＬＡＮ
３  キャリア網
４  サーバ側ＬＡＮ
５  ＡＳＰサーバ
６  モジュール実行部
７  シナリオモジュール
８  サービスドライバモジュール
９  統合サービス選択部
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月11日(2003.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
該半導体基板の表面上に形成されたゲート絶縁膜と、
該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記半導体基板に形成されたソース層およびドレイン層となる拡散層と、
前記拡散層の上方に形成されたシリサイド層とを備えた半導体装置であって、
当該半導体装置の表面に対して垂直な断面において、酸素の濃度が最大となる酸素濃度ピークが前記半導体基板の表面よりも下にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
不活性物質の濃度が最大となる不活性物質濃度ピークの前記半導体基板の表面からの深さおよび前記半導体基板の表面からの前記酸素濃度ピークの深さがほぼ等しいことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体基板の表面からの前記酸素濃度ピークの深さまたは前記半導体基板の表面からの前記不活性物質濃度ピークの深さのうちいずれか一方若しくは両方は、前記半導体基板の表面からの前記拡散層の深さよりも浅いことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体基板の表面上にゲート絶縁膜を形成するステップと、
該ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成するステップと、
該ゲート電極の両側にある前記半導体基板に自己整合的に拡散層を形成するステップと、
前記拡散層における前記半導体基板の表面上に非晶質層を形成する非晶質層形成ステップと、
前記半導体基板の表面と前記非晶質層との境界を通して前記半導体基板へ不活性物質をイオン注入する注入ステップと、
前記半導体基板を比較的低温で熱処理することによって前記非晶質層の一部分を単結晶層にさせる熱処理ステップと、
前記単結晶上に金属をスパッタリングすることによって該単結晶および該金属からシリサイド層を形成するステップと、
を具備した半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記熱処理ステップにおいて、前記非晶質層のうち、前記拡散層上にある非晶質層のみを単結晶層にし、それ以外の非晶質層を非晶質層のまま、若しくは多結晶層にし、
前記熱処理ステップの後、前記非晶質層または前記多結晶層を選択的に除去するエッチングステップをさらに備えたことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月26日(2004.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窪みをもつ能動層が形成された半導体基板と、この半導体基板の前記能動層の上方に設けられたオーム性接触のソース電極およびドレイン電極と、前記能動層の前記窪みの部分に埋め込まれたショットキ接合のゲート電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極間の前記能動層上に堆積され、開口が設けられた絶縁膜とを具備し、前記窪みは、前記絶縁膜に設けられた前記開口よりも小さな幅に形成され、前記ゲート電極を構成する金属膜が前記能動層に設けた窪みの部分および前記絶縁膜の開口の部分に埋め込まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極を構成する金属膜の一部が、絶縁膜に設けられた開口のその周辺部分の前記絶縁膜上を覆っている請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体基板上に能動層を形成する第１工程と、前記能動層の上方にオーム性接触のソース電極およびドレイン電極を形成する第２工程と、前記ソース電極および前記ドレイン電極間の前記能動層上に絶縁膜を堆積する第３工程と、前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記絶縁膜上にレジスト膜を形成し、前記ソース電極および前記ドレイン電極間の前記絶縁膜上に位置する前記レジスト膜に開口パターンを形成する第４工程と、前記開口パターンを通して前記絶縁膜に開口を形成し、かつ、前記能動層を所定の深さまでエッチング除去して窪みを形成する第５工程と、前記開口パターンを通して前記絶縁膜を横方向にエッチングし、第５工程でエッチングされていない前記能動層の表面を露出する第６工程と、前記レジスト膜を除去する第７工程と、前記窪みおよび前記絶縁膜の開口を含む領域に前記ゲート電極を形成する金属を被着する第８工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
第８工程で、ゲート電極を形成する金属の一部を、絶縁膜に設けられた開口のその周辺部分の前記絶縁膜上まで被着させる請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
第５工程のエッチングがウェットエッチングである請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、窪みをもつ能動層が形成された半導体基板と、この半導体基板の前記能動層の上方に設けられたオーム性接触のソース電極およびドレイン電極と、前記能動層の前記窪みの部分に埋め込まれたショットキ接合のゲート電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極間の前記能動層上に堆積され、開口が設けられた絶縁膜とを具備し、前記窪みは、前記絶縁膜に設けられた前記開口よりも小さな幅に形成され、前記ゲート電極を構成する金属膜が前記能動層に設けた窪みの部分および前記絶縁膜の開口の部分に埋め込まれていることを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に能動層を形成する第１工程と、前記能動層の上方にオーム性接触のソース電極およびドレイン電極を形成する第２工程と、前記ソース電極および前記ドレイン電極間の前記能動層上に絶縁膜を堆積する第３工程と、前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記絶縁膜上にレジスト膜を形成し、前記ソース電極および前記ドレイン電極間の前記絶縁膜上に位置する前記レジスト膜に開口パターンを形成する第４工程と、前記開口パターンを通して前記絶縁膜に開口を形成し、かつ、前記能動層を所定の深さまでエッチング除去して窪みを形成する第５工程と、前記開口パターンを通して前記絶縁膜を横方向にエッチングし、第５工程でエッチングされていない前記能動層の表面を露出する第６工程と、前記レジスト膜を除去する第７工程と、前記窪みおよび前記絶縁膜の開口を含む領域に前記ゲート電極を形成する金属を被着する第８工程とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月26日(2004.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化合物半導体基板上に、へテロ界面を有しエッチング速度比が相違するＡｌＧａＡｓ層およびＧａＡｓ層を重ねて形成する第１工程と、上方に位置する前記ＧａＡｓ層上にレジスト層を形成し、このレジスト層に開口パターンを設ける第２工程と、前記ＡｌＧａＡｓ層および前記ＧａＡｓ層を形成した前記化合物半導体基板を回転させ、前記開口パターンを通して選択性エッチング液で前記ＧａＡｓ層をエッチングする第３工程とからなる半導体の製造方法。
【請求項２】
化合物半導体基板上に、へテロ界面を有しエッチング速度比が相違するＡｌＧａＡｓ層およびＧａＡｓ層を重ねて形成する第１工程と、上方に位置する前記ＧａＡｓ層上にレジスト層を形成し、このレジスト層に開口パターンを設ける第２工程と、前記開口パターンを通して選択性エッチング液で前記ＧａＡｓ層を垂直方向にエッチングする第３工程と、この第３工程の後、前記ＡｌＧａＡｓ層および前記ＧａＡｓ層を形成した前記化合物半導体基板を回転させ、前記開口パターンを通して選択性エッチング液で前記ＧａＡｓ層を横方向にエッチングする第４工程とからなる半導体の製造方法。
【請求項３】
化合物半導体基板を回転させて行うＧａＡｓ層のエッチングが、回転する化合物半導体基板上に選択性エッチング液を吹き付けて行われる請求項１または請求項２記載の半導体の製造方法。
【請求項４】
選択性エッチング液がクエン酸系のエッチング液である請求項１ないし請求項３のいずれか１つに記載の半導体の製造方法。
【請求項５】
ＧａＡｓ層が高電子移動度トランジスタのキャップ層で、ＡｌＧａＡｓ層が高電子移動度トランジスタの電子供給層である請求項１ないし請求項４のいずれか１つに記載の半導体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
ここで、従来の半導体装置たとえばＦＥＴについて図３を参照して説明する。図１はＦＥＴの電極部分の近傍を抜き出した図で、半導体基板たとえばＧａＡｓ基板（図示せず）上に、チャネル層やバッファ層となるアンドープＧａＡｓ層３１および電子供給層となるｎ型ＡｌＧａＡｓ層３２、キャップ層となるｎ型ＧａＡｓ層３３が順に形成されている。ｎ型ＧａＡｓ層３３の一部にリセス３４が設けられ、リセス３４内のｎ型ＡｌＧａＡｓ層３２上にゲート電極Ｇが設けられ、また、ｎ型ＧａＡｓ層３３上にソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄが設けられている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体の製造方法は、化合物半導体基板上に、へテロ界面を有しエッチング速度比が相違するＡｌＧａＡｓ層およびＧａＡｓ層を重ねて形成する第１工程と、上方に位置する前記ＧａＡｓ層上にレジスト層を形成し、このレジスト層に開口パターンを設ける第２工程と、前記ＡｌＧａＡｓ層および前記ＧａＡｓ層を形成した前記化合物半導体基板を回転させ、前記開口パターンを通して選択性エッチング液で前記ＧａＡｓ層をエッチングする第３工程とからなっている。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月5日(2003.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶構造を有する柱状硬脆性材料の長手方向及び周方向の結晶方位を測定する工程、該材料の軸方向の外周面に治具を固着する工程、該材料の結晶面の傾き角度を設定する工程、該材料端面の一方又は両方に当て板を接着又は押圧する工程、前記治具に固着した該材料の拘束していない外周面側から該材料の中心軸を横断する方向に該治具側へワイヤーソーを相対的に移動させて前記当て板と共に多数の円板状ウェーハにスライスする工程、を有する硬脆性材料の切断方法。
【請求項２】
当て板が、柱状硬脆性材料と略同径の円板又はリング状板あるいは孔あき円板である請求項1に記載の硬脆性材料の切断方法。
【請求項３】
当て板が、柱状硬脆性材料と同材質又はガラス、セラミック、カーボン、レジンのいずれかからなる請求項1に記載の硬脆性材料の切断方法。
【請求項４】
押圧する手段が、円板又はリング状板あるいは孔あき円板を複数のピンで該端面へ押圧する請求項1に記載の硬脆性材料の切断方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0012】
すなわち、この発明は、
結晶構造を有する柱状硬脆性材料の長手方向及び周方向の結晶方位を測定する工程、
該材料の外周面の一長手方向に治具を固着する工程、
該材料の結晶面の傾き角度を設定する工程、
該材料端面の一方又は両方に当て板を接着又は押圧する工程、
前記治具に固着した該材料の拘束していない外周面側から該材料の中心軸を横断する方向に該治具側へワイヤーソーを相対的に移動させて前記当て板と共に多数の円板状ウェーハにスライスする工程、
を有することを特徴とする硬脆性材料の切断方法である。
また、この発明は、上記工程を有する切断方法において、
当て板が、柱状硬脆性材料と略同径の円板又はリング状板あるいは孔あき円板である構成、
当て板が、柱状硬脆性材料と同材質又はガラス、セラミック、カーボン、レジンのいずれかからなる構成、
押圧する手段が、円板又はリング状板あるいは孔あき円板を複数のピンで該端面へ押圧する構成、からなる硬脆性材料の切断方法を併せて提案する。