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【手続補正書】
【提出日】平成24年11月1日(2012.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスであって、
電子回路と、
センサ及び／又は作動要素と、
前記センサ及び／又は作動要素に前記電子回路を結合するコネクタとを有し、
前記コネクタが、ｉ個の接続ポイントを持つ少なくとも１つの接続表面を含み、
前記ｉ個の接続ポイントは、
前記要素のｊ個の対応する要素に前記電子回路を結合するｊ個のプライマリ接続ポイントと、
前記要素のうちの少なくとも１つに前記電子回路を冗長に結合するｋ個の冗長な接続ポイントとを含み、
前記要素の少なくとも１つに対する前記プライマリ及び前記冗長な接続ポイントが、前記接続表面にわたり分散される、電子デバイス。
【請求項２】
前記要素の１つへの結合に関する前記プライマリ接続ポイントと前記要素の同じ１つへの結合に関する少なくとも１つの冗長な接続ポイントとが、前記要素の別の１つへの結合に関する少なくとも１つの接続ポイントにより物理的に分離される、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記要素の１つへの結合に関する前記プライマリ接続ポイントと前記要素の同じ１つへの結合に関する少なくとも１つの冗長な接続ポイントとが、前記要素の別の１つへの結合に関する少なくとも２つの接続ポイントにより物理的に分離される、請求項２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
要素当たりの冗長な接続ポイントの数が、異なる要素に対して異なる、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記要素が、より重要な要素とあまり重要でない要素とを有し、要素当たりの冗長な接続ポイントの数が、前記あまり重要でない要素に対してよりも前記より重要な要素に対して大きい、請求項４に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記要素が、より重要な要素とあまり重要でない要素とを有し、前記より重要な要素に前記電子回路を結合する２つの接続ポイント間の距離は、前記あまり重要でない要素に前記電子回路を結合する２つの接続ポイント間の距離より大きい、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項７】
前記コネクタが、少なくとも１つの追加的な接続表面を有し、前記要素の１つへの結合に関する前記プライマリ接続ポイントが、前記接続表面に提供され、前記要素の同じ１つへの結合に関する少なくとも１つの冗長な接続ポイントは、前記追加的な接続表面に提供される、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項８】
前記接続ポイントが、前記コネクタの接続表面の周縁に提供される、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項９】
前記要素の１つへの結合に関する前記プライマリ接続ポイントと前記要素の同じ１つへの結合に関する少なくとも１つの冗長な接続ポイントとが、前記接続表面の前記周縁に対向する位置で提供される、請求項８に記載の電子デバイス。
【請求項１０】
前記コネクタが、埋め込み型医療デバイスの前記電子回路を前記埋め込み型医療デバイスの埋め込み型センサ及び／又は作動要素に結合するよう構成される、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項１１】
隣接して埋め込まれる２つの要素に前記電子回路を結合する前記接続ポイントが、前記接続表面上で隣接して提供されるものではない、請求項１０に記載の電子デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月16日(2012.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機発光構成素子の製造方法において、
Ａ）動作時に電磁光線を放射するのに適した少なくとも一つの有機機能層（３）と透明層（１１）とを備える有機発光層列（１０）を準備するステップと、
Ｂ）表面構造（２１）を備える透明光線出射層（２０）を、少なくとも一つの機能層（３）とは反対側の、透明層（１１）の表面（１２）にスプレーによって施与するステップであって、この際、互いに溶け合わない少なくとも二つの材料（６１，６２）を施与するステップと
を有する方法。
【請求項２】
有機発光構成素子の製造方法において、
Ａ）動作時に電磁光線を放射するのに適した少なくとも一つの有機機能層（３）と透明層（１１）とを備える有機発光層列（１０）を準備するステップと、
Ｂ）表面構造（２１）を備える透明光線出射層（２０）を、少なくとも一つの機能層（３）とは反対側の、透明層（１１）の表面（１２）にスプレーによって施与するステップ、
とを有し、
方法ステップＢは、
Ｂ１）第１の材料（６１）をスプレーする部分ステップと、
Ｂ２）第２の材料（６２）を第１の材料（６１）の上にスプレーする部分ステップとを含む
ことを特徴とする方法。
【請求項３】
第１の材料（６１）と第２の材料（６２）は互いに溶け合わない、請求項２記載の方法。
【請求項４】
方法ステップＢで、光線出力層（２０）を個々の水滴（６）の形にスプレーし、
水滴（６）が透明層（１１）の表面（１２）上で個別に、光線出力層（２０）を形成しながら乾燥する、請求項１から３までのいずれか一項記載の方法。
【請求項５】
方法ステップＢで、架橋可能な材料（６１）が、液相、溶液、懸濁液またはそれらの組合せで水滴（６）の形で施与され、材料（６１）の乾燥（６３）および／または架橋によって光線出力層（２０）が形成される、請求項４記載の方法。
【請求項６】
水滴（６）は、乾燥時にプリズム形、ピラミッド形、半月形、またはそれらの組合せの形状の残滓（７）を形成する、請求項４または５記載の方法。
【請求項７】
方法ステップＢで、アクリラート、シリコン、エポキシド、ポリカーボネート、天然ゴムにより形成される群からの一つまたは複数の材料（６１，６２）がスプレーされる、請求項１から６までのいずれか一項記載の方法。
【請求項８】
方法ステップＢで、散乱粒子（８）を有する材料（６１）がスプレーされる、請求項１から７までのいずれか一項記載の方法。
【請求項９】
方法ステップＢで、光線出力層（２０）が側方で構造化され、透明層（１１）の表面（１２）上に施与される、請求項１から８までのいずれか一項記載の方法。
【請求項１０】
動作時に電磁光線を放射するのに適した少なくとも一つの有機機能層（３）と透明層（１１）とを備える有機発光層列（１０）と、
少なくとも一つの機能層（３）とは反対側の透明層（１１）の表面（１２）上にある透明光線出力層（２０）とを含む有機発光構成素子であって、
光線出力層（２０）は、個別に乾燥された複数の水滴（６）の残滓（７）から形成された表面構造（２１）を有し、
光線出力層（２０）は、第１の材料（６１）を備える第１の層（２２）と、第２の材料（６２）を備える第２の層（２３）を有する構成素子。
【請求項１１】
残滓（７）は、１マイクロメートル以下の大きさを有する、請求項１０に記載の構成素子。
【請求項１２】
残滓（７）は、プリズム形、ピラミッド形、半月形、またはそれらの組合せの形状を有する、請求項１０または１１記載の構成素子。
【請求項１３】
残滓（７）は、０．１以上の高さ対底面積比を有する、請求項１０から１２までのいずれか一項記載の構成素子。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月2日(2012.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに隣接して配置され、プリント回路基板（４）の導体へのはんだ付けのために、直角コネクタ（２０ａ、２０ｂ）の後ろに提供される複数のコンタクト要素（５０ａ、５０ｂ）を備える直角コネクタであって、
前記直角コネクタ（２０ａ、２０ｂ）の少なくとも上側に配置される上部シールド（２２ａ、２２ｂ）と、
下側に配置される下部シールド（３４ａ、３４ｂ）と、
を備える直角コネクタであり、
下部シールド（３４ａ、３４ｂ）は、コネクタ側において下部シールド要素（３６ａ、３６ｂ）を含み、前記要素のシールド表面（３７ａ、３７ｂ）が、接続方向（２８）に向いており、
前記下部シールド（３４ａ、３４ｂ）は、別々の、後部の下部シールド要素（３８ａ、３８ｂ）を更に含み、
該下部シールド要素（３６ａ、３６ｂ、３８ａ、３８ｂ）が互いに電気的に接続されている、ことを特徴とする、直角コネクタ。
【請求項２】
前記後部の下部シールド要素（３８ａ）の前記シールド表面（３９ａ）が、前記接続方向（２８）に対して垂直であることを特徴とする請求項１に記載の直角コネクタ。
【請求項３】
前記後部の下部シールド要素（３８ａ）の前記シールド表面（３９ａ）が、少なくとも切片において、前記コンタクト要素（５０ａ、５０ｂ）に対して平行な向きであることを特徴とする請求項１に記載の直角コネクタ。
【請求項４】
前記後部の下部シールド要素（３８ａ）は、少なくとも概略前記コンタクト要素（５０ａ、５０ｂ）のはんだ付け接続（４８ａ、４８ｂ）までガイドされることを特徴とする請求項１に記載の直角コネクタ。
【請求項５】
前記下部シールド要素（３６ａ、３８ａ、３６ｂ、３８ｂ）は、前記下部シールド要素（３６ａ、３６ｂ、３８ａ、３８ｂ）の電気的接続のために溶接される接続表面（４０ａ、４２ａ、４０ｂ、４２ｂ）を有することを特徴とする請求項１に記載の直角コネクタ。
【請求項６】
前記接続表面（４０ａ、４２ａ、４０ｂ、４２ｂ）は、平らな接続表面（４０ａ、４２ａ、４０ｂ、４２ｂ）であることを特徴とする請求項５に記載の直角コネクタ。
【請求項７】
少なくとも１つの開口部が、前記後部の下部シールド要素（３８ａ、３８ｂ）の少なくとも１つの接続表面（４０ａ、４０ｂ）において提供されることを特徴とする請求項５に記載の直角コネクタ。
【請求項８】
前記コネクタ側の上の前記下部シールド要素（３６ａ、３６ｂ）が、複数のコンタクト要素（５０ａ、５０ｂ）にわたるリセスなしで均一な接続表面（４２ａ、４２ｂ）を有することを特徴とする請求項１に記載の直角コネクタ。
【請求項９】
前記後部の下部シールド要素（３８ａ、３８ｂ）は、少なくとも部分的に、前記直角コネクタ（２０ａ、２０ｂ）の前記コンタクト要素（５０ａ、５０ｂ）を収納するコネクタ・ハウジング（４４ａ、４４ｂ）の内部の少なくとも前記コネクタ側下部シールド要素（３６ａ、３６ｂ）への前記接続の領域において配置されることを特徴とする請求項１に記載の直角コネクタ。
【請求項１０】
後部の下部シールド要素（３８ａ、３８ｂ）が複数の別々に形成された接続表面（４０ａ、４０ｂ）を有し、ガイドのための前記接続表面（４０ａ、４０ｂ）に対応し、少なくとも部分的に、後部の下部シールド要素（３８ａ、３８ｂ）を収納する前記コネクタ・ハウジング（４４ａ、４４ｂ）は、別々のリセス（４６ａ、４６ｂ）を有することを特徴とする請求項９に記載の直角コネクタ。
【請求項１１】
上部シールド（２２ａ、２２ｂ）が互いに電気的に接続したコネクタ側上部及び後部の上部シールド要素（２４ａ、２６ａ、２４ｂ、２６ｂ）を含むことを特徴とする請求項１に記載の直角コネクタ。
【請求項１２】
上部シールド要素（２４ａ、２６ａ、２４ｂ、２６ｂ）が、前記上部シールド要素（２４ａ、２６ａ、２４ｂ、２６ｂ）の電気的接続のために溶接された接続表面（３０ａ、３２ａ、３０ｂ、３２ｂ）を有することを特徴とする請求項１０に記載の直角コネクタ。
【請求項１３】
後部の上部シールド要素（２６ａ、２６ｂ）の少なくとも１つの接続表面（３０ａ、３０ｂ）に、開口部（６１ａ、６１ｂ）が提供されることを特徴とする請求項１２に記載の直角コネクタ。
【請求項１４】
前記開口部（６１ａ、６１ｂ、６２ａ、６２ｂ）は、ホールとして設計されることを特徴とする請求項７及び請求項１３に記載の直角コネクタ。
【請求項１５】
少なくとも１つのコネクタ側シールド要素（２４ａ、３６ａ、２４ｂ、３６ｂ）が、拡張オフセットを有し、前記上部及び下部コネクタ側シールド要素（２４ａ、３６ａ、２４ｂ、３６ｂ）の少なくとも１つは、対応する直角コネクタ（２０ａ、２０ｂ）の対応するシールド要素（２４ａ、３６ａ、２４ｂ、３６ｂ）を固定するためのバネ凸縁（６０）を有することを特徴とする請求項１又は請求項１０に記載の直角コネクタ。
【請求項１６】
少なくとも下部シールド要素（２６ａ、３６ａ、２６ｂ、３６ｂ）の溶接接続が、レーザ溶接によってなされることを特徴とする、請求項１ないし１５のいずれか１項に記載の直角コネクタを生成する方法。
【請求項１７】
ネオジムＹＡＧレーザがレーザ溶接のために使用されることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記ネオジムＹＡＧレーザは、パルス・モードで動作することを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月27日(2012.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスであって、該デバイスは、
第１導電型の半導体材質の基板層と、
前記基板の層の上部表面上の前記第１導電型の半導体材質のチャネル層を備え、前記チャネル層は、上部表面と下部表面により分離される第１及び第２側壁を備える１又はそれより多い隆起領域を備え、前記下部表面に隣接する前記隆起領域の前記第１側壁及び第２側壁は、内側に向かってテーパー状になっていて、前記基板層の上部表面に対する垂直線から少なくとも５°の角度を形成し、
前記１又はそれより多い隆起領域は、前記第１導電型の半導体材質の内側部位と、前記第１導電型とは異なる第２導電型の半導体材質の外側部位を備え、前記外側部位は、前記外側部位は、前記第１及び第２側壁と隣接し、
前記デバイスはさらに、
前記チャネル層の前記下部表面における前記第２導電型の半導体材質のゲート領域を備え、チャネル層の下部表面は、隣接する隆起領域の前記外側部位に隣接するとともに接触し、
前記デバイスはさらに、
１又はそれより多い隆起領域の前記上部表面上に前記第１導電型の半導体材質のソース層を備えることを特徴とする、半導体デバイス。
【請求項２】
前記１又はそれより多い隆起領域の前記上部表面に隣接する前記第１及び第２側壁は、前記基板層の前記上部表面に対する垂直線から、＜５°の角度で配向され、随意に、前記基板層の前記上部表面に対する垂直線から、＜２°の角度で配向されることを特徴とする、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記チャネル層の前記下部表面に隣接する前記第１及び第２側壁は、内側に向かってテーパー状になっていて、  前記基板層の近接する前記ゲート領域の下方表面と、前記隆起領域の前記上部表面との間の距離の少なくとも半分について、前記基板層の前記上部表面に対する垂直線から少なくとも５°の角度を形成することを特徴とする、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記基板に近接する前記チャネル層の前記表面と、前記隆起表面の前記上部表面との間の垂直の距離は、０．５から５μｍであり、前記チャネル層は、１×１０１６から１×１０１８ｃｍ−３のドーピング濃度を有することを特徴とする、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記基板は１００から５００μｍの厚さを有し、１×１０１９から５×１０１９ｃｍ−
３までのドーピング濃度を有し、
前記ソース層は、０．１から１．０μｍの厚さを有し、１×１０１９から１×１０２０ｃｍ−３までのドーピング濃度を有し、
前記隆起領域と前記ゲート領域のそれぞれの前記外側部位は、５×１０１８から１×１０２０ｃｍ−３のドーピング濃度を有することを特徴とする、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記基板と前記チャネル層との間に前記第１導電型の半導体材質のドリフト層をさらに備え、
前記ドリフト層は、５から１５μｍまでの厚さを有し、４×１０１５から２×１０１６ｃｍ−３のドーピング濃度を有することを特徴とする、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記基板と前記チャネル層との間のバッファ層をさらに備え、前記バッファ層は、０．１から１μｍの厚さを有し、５×１０１７から５×１０１８ｃｍ−３のドーピング濃度を有することを特徴とする、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記基板と前記ドリフト層との間に、バッファ層をさらに備えることを特徴とする、請求項６記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記デバイスは、複数の隆起領域を備え、前記複数の隆起領域は、細長く、フィンガーとして間隔をおいた関係で配されることを特徴とする、請求項１記載の半導体デバイス。    
【請求項１０】
前記第１導電型の前記半導体材質は、ｎ型半導体材質であり、前記第２導電型の前記半導体材質は、ｐ−型半導体材質であること、
前記半導体材質は、広バンドギャップ半導体材質であること、
前記半導体材質は、ＳｉＣであり、
前記デバイスは、接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）であること、
前記チャネル層の前記下部表面上の第１ゲートコンタクトと、前記ソース層のソースコンタクトと、前記チャネル層に対向する前記基板層上のドレインコンタクトを更に備えること
のうちの少なくとも１つを備えることを特徴とする、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項１１】
請求項１〜１０記載の半導体デバイスを含み、前記回路は、集積回路であることを特徴とする回路。
【請求項１２】
第１導電型とは異なる第２導電型の半導体材質の注入されたゲート領域を形成するために、第１導電型の半導体材質のチャネル層へとイオンを注入する工程を備え、前記チャネル層は、基板層の上部表面上にあり、前記チャネル層は、上部表面と、下部表面により分離される第１及び第２側壁を備える１又はそれより多い隆起された領域を備え、前記下部表面に隣接する前記隆起領域の前記第１及び第２側壁は内側にテーパー状になっていて、前記基板の前記上部表面に対する垂直線から少なくとも５°の角度を形成し、前記注入されたゲート領域は、側壁及び、前記チャネル層の前記下部表面において形成され、
方法はさらに、
１又はそれより多い隆起領域の前記上部表面上に前記第１導電型の半導体材質のソース層を形成する工程を備えることを特徴とする、方法。
【請求項１３】
前記イオンが、前記基板の前記上部表面に対する垂直線から、＋／−２°の角度でチャネル層へと注入されることを特徴とする、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記１又はそれより多い隆起領域の上部表面に隣接する前記第１及び第２側壁が、前記基板層の前記上部表面に対する垂直線から＜５°の角度で配向され、随意に前記基板層の前記上部表面に対する垂直線から＜２°の角度で配向されることを特徴とする、請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
前記基板と前記チャネル層との間に前記第１導電型の半導体材質のドリフト層をさらに備えること、
前記基板と前記チャネル層との間にバッファ層をさらに備えること、
前記バッファ層は、随意に、０．１から１μｍの厚さを有し、５×１０１７から５×１０１８ｃｍ−３までのドーピング濃度を有すること、前記デバイスは、複数の隆起領域を備え、前記複数の隆起領域は、細長く、フィンガーとして間隔をおいた関係で配されること、
前記第１導電型の前記半導体材質は、ｎ型半導体材質であり、前記第２導電型の前記半導体材質は、ｐ−型半導体材質であること、
前記製法が、さらに、前記チャネル層の前記下部表面上のゲートコンタクトを形成する工程と、前記ソース層上でソースコンタクトを形成する工程と、前記チャネル層に対向して前記基板層上にドレインコンタクトを形成する工程を含む備えること
のうちの少なくとも１つを含む請求項１２記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月9日(2012.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス半導体チップを製造する方法であって、
Ａ）  少なくとも１種類のドーパントおよび少なくとも１種類の共ドーパントを有する結合複合体を備えている少なくとも１層のドープされた機能層（７）、を有する半導体積層体（２００）、を形成するステップであって、前記ドーパントおよび前記共ドーパントのうち選択される一方が電子受容体であり、他方が電子供与体であり、前記少なくとも１層のドープされた機能層（７）は２層のさらなる機能層の間に配置されている埋め込み層である、ステップと、
Ｂ）  エネルギを導入することにより前記結合複合体を切り離すことによって、前記ドーパントを活性化するステップであって、前記共ドーパントの少なくとも一部分が前記半導体積層体（２００）内にとどまり、少なくとも一部分が前記ドーパントとの結合複合体を形成しない、ステップと、
を含んでいる、方法。
【請求項２】
−  方法ステップＡにおいて、ドープされた前記機能層（７）が２層のさらなる機能層（２，８）の間に配置されているように、前記半導体積層体（２００）を形成する、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
−  方法ステップＡにおいて、前記半導体積層体（２００）をウェハアセンブリにおいて完成させ、その後に個片化する、
請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
−  前記ドーパントがマグネシウムを備えており、前記共ドーパントが水素を備えている、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
−  方法ステップＢにおいて、ドープされた前記機能層（７）において電流を発生させることによって前記エネルギを導入する、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
−  前記電流が誘導によって無接触式に生成される、
請求項５に記載の方法。
【請求項７】
−  少なくとも１層のドープされた前記機能層（７）を外部の電流源（１２）に電気的に接続することによって、前記電流を発生させる、
請求項５に記載の方法。
【請求項８】
−  前記電流の発生に加えて、熱エネルギ（１３）を供給する、
請求項５〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
−  前記熱エネルギ（１３）の少なくとも一部分が前記電流によって供給される、
請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
−  方法ステップＢにおいて、電磁放射（１５）を照射することによって前記エネルギを導入する、
請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
−  前記電磁放射（１５）の少なくとも一部分が、ドープされた前記機能層（７）の吸収波長に共鳴する、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
−  前記電磁放射（１５）の少なくとも一部分が、ドープされた前記機能層（７）の吸収波長に共鳴しない、
請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１３】
オプトエレクトロニクス半導体チップであって、少なくとも１種類のドーパントおよび少なくとも１種類の共ドーパントを有する少なくとも１層のドープされた機能層（７）、を有する半導体積層体（２００）を備えており、
−  前記少なくとも１層のドープされた機能層（７）は、２層のさらなる機能層の間に配置されている埋め込み層であり、
−  前記半導体積層体（２００）が、格子構造を有する半導体材料を備えており、
−  前記ドーパントおよび前記共ドーパントのうち選択される一方が電子受容体であり、他方が電子供与体であり、
−  前記共ドーパントが、前記半導体材料に結合している、もしくは、格子間位置に配置されている、またはその両方であり、
−  前記共ドーパントの少なくとも一部分が前記ドーパントとの結合複合体を形成していない、
オプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項１４】
−  ドープされた前記機能層（７）が２層のさらなる機能層（３，８）の間に配置されている、
請求項１３に記載の半導体チップ。
【請求項１５】
−  前記ドーパントがマグネシウムを備えており、前記共ドーパントが水素を備えている、
請求項１３または１４に記載の半導体チップ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月22日(2012.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップエジェクタ（２）が、半導体チップ（１）のフォイル（３）からの剥離を支援し、チップグリッパ（１１）が前記半導体チップ（１）を取り上げ、前記チップエジェクタ（２）は、前記フォイル（３）が接触する接触面を有しており、
次に取り上げる前記半導体チップ（１）を前記フォイル（３）に完全に接触したままで前記チップエジェクタ（２）の前記接触面（１３）に準備する工程と、
前記チップエジェクタ（２）上の前記フォイル（３）を保持するために、前記チップエジェクタ（２）にバキューム圧を加える工程と、
機械的手段によって、準備された前記半導体チップ（１）から前記フォイル（３）を部分的に剥がすことによって接着剤の力を弱める工程と、
前記半導体チップ（１）の画像を撮影し、前記半導体チップの位置又は実測位置と規定位置との差異を特定する工程と、を備える前記チップグリッパ（１１）の関与しない第１段階を含み、
前記チップグリッパ（１１）が前記半導体チップ（１）の表面に接触するまで前記チップグリッパ（１１）を下降させ、前記チップグリッパ（１１）にバキューム圧を加え、前記半導体チップ（１）を保持する工程と、
前記チップグリッパ（２）の支援によって、準備された前記半導体チップ（１）から前記フォイル（３）をさらに剥がす工程と、を備える第２段階を含み、
前記チップグリッパ（１１）を持ち上げ、送り出す工程を備える第３段階を含む、前記半導体チップ（１）の前記フォイル（３）からの剥離及び取外し方法。
【請求項２】
言及した前記半導体チップ（１）の前記フォイル（３）からの部分的な剥離は、スライド（２１）をずらすことにより行われるため、前記チップエジェクタ（２）の前記接触面（１３）において、準備された前記半導体チップ（１）のエッジ下部にギャップ（２２）が形成され、前記ギャップ（２２）内のバキューム圧によって前記フォイル（３）が前記ギャップ（２２）の中に引っぱられて、前記半導体チップ（１）から剥がれる、請求項１による方法。
【請求項３】
前記半導体チップ（１）の前記フォイル（３）からの剥離が、前記接触面（１３）に対して垂直又は斜めに移動可能なニードル（７）によって支援され、該ニードル（７）の先端が前記接触面（１３）から突き出している部分の距離を高さと呼び、既に述べた、準備された前記半導体チップ（１）からの前記フォイル（３）の部分的な剥離が、
前記ニードル（７）を規定の高さＺ１まで上昇させることにより、前記ニードル（７）が前記接触面から突き出す工程と、
前記高さＺ１よりも小さい、規定の高さＺ２まで前記ニードル（７）を下げる工程と、によって行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ニードル（７）が前記接触面（１３）から突き出さないように、前記高さＺ２が選択されていることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月5日(2012.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面基板を処理する急速熱処理装置であって、
熱源を含むチャンバと、
前記チャンバ内の前記基板を第１の位置で保持する第１の基板支持体と、
熱処理中に前記基板を保持し、前記基板を前記熱源へ近づけたり遠ざけたりする方向に可動である、第２の位置の第２の基板支持体と、
前記第２の基板支持体に対する前記基板の位置を感知し、アクチュエータと通信して前記第２の基板支持体の軸方向の位置に対する前記基板の位置を変化させるセンサとを備える装置。
【請求項２】
前記センサが、
前記基板の表面上へ光ビームを誘導する光源と、
前記基板から反射された光の強度を監視するように位置決めされた検出器とを備え、前記検出器と前記基板の一方または両方が、前記検出器と前記基板の間の相対的な運動を提供するように可動である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記センサが、前記検出器と通信する電子制御装置をさらに備え、前記制御装置が、前記検出器によって検出された反射から複数の測定値を生成し、前記測定値のうちどれが前記基板の縁部に対応するかを判定することを含めて、反射が発生した前記基板表面上の場所を計算する、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記センサが、前記第２の基板支持体によって前記基板上に、または前記基板によって前記第２の基板支持体上に投じられる影を評価して、前記第２の基板支持体の位置に対する前記基板の位置を検出する、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記センサが、カメラと、照射システムと、前記第２の基板支持体および基板の中心を検出する視覚画像分析システムとを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
チャンバの蓋および少なくとも２つの位置センサをさらに備え、前記少なくとも２つの位置センサが前記チャンバの蓋の上に位置し、かつ、反射する光ビームを任意選択で前記少なくとも２つのセンサから前記チャンバの蓋を通って伝送することができる、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記基板を複数の軸方向に動かすように前記基板に隣接して位置決めされた液体または気体噴射をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記基板と同じ平面に向けた複数の位置決め棒をさらに備え、前記位置決め棒が、前記基板の縁部に接触して前記基板を前記基板の平面内で複数の方向に押すように適合されている、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記第２の基板支持体に結合された磁気的に浮上させたロータと、前記磁気的に浮上させたロータに結合された磁界生成デバイスとをさらに備え、前記磁界が、前記浮上させたロータを前記基板の平面内で複数の軸方向に動かすように変更可能である、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
基板を処理する方法であって、
縁部を有する平面基板を処理チャンバ内の中間基板支持体上へ搬送するステップと、
前記基板の前記縁部の場所を判定するステップと、
第２の基板支持体に対する前記基板の位置を、前記基板と前記第２の基板支持体が実質上中心で位置決めされた向きになるように調整するステップと、
前記基板を前記第２の基板支持体へ搬送するステップと
前記基板を熱処理するステップとを含む、方法。
【請求項１１】
前記基板が、ロボットブレード上で前記処理チャンバ内へ搬送され、前記中間基板支持体がリフトピンを備え、前記第２の基板支持体に対する前記基板の相対的な位置が、前記基板を前記リフトピン上へ搬送する前に調整される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２の基板支持体に対する前記基板の相対的な位置が、前記基板の場所、前記第２の基板支持体の場所、または前記中間基板支持体の場所の１つまたは複数を変化させることによって調整される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
１つのセンサからの反射する光ビームを前記基板と前記基板支持体の間の空間を通って伝送して、前記基板を前記第２の基板支持体の中心位置上へ配置するシータ調整値を判定するステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板支持体に隣接する複数の磁石と通信する制御システムと通信する１つまたは複数のセンサが、センサによって取得された位置に応答して、前記基板支持体に隣接して１つまたは複数の磁界を印加することによって、前記第２の基板支持体の位置を調整する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記シータ調整値が、前記第２の基板支持体と前記基板の間の少なくとも２つの位置ＸおよびＹからの距離を測定することによって判定され、かつ、前記シータ調整のための前記少なくとも２つの位置ＸおよびＹからの前記距離を判定するために、少なくとも２つのセンサが使用される、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月9日(2012.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面と背面とを有する半導体ウェーハから集光型太陽光電池を作る方法であって、
(a)  当該ウェーハの背面にドープして、当該ウェーハの背面に第一のドープ領域を作り、
(b)  前面および背面に不活性化層を付着させ、ドーパントマスクを作り、
(c)  当該不活性化層を貫通して、ウェーハの前面から1拡散距離以内の深さまで、背面に深溝を作り、
(d)  当該背面にドープして、当該深溝内だけに第二のドープ領域を作り、当該第二のドープ領域は当該第一のドープ領域とは反対符号にドープし、当該不活性化層がマスクとして作用してウェーハ内への拡散を深溝領域のみに限定し、
(e)  背面不活性化層を貫通して当該第一のドープ領域に達する開口を作り、
(f)  第一および第二のドープ領域に電気的に接続するために、当該背面上に電気接点を作る、
各ステップからなることを特徴とする方法。
【請求項２】
第一および第二のドープ領域の電気接点が、背面のけがきによって電気的に絶縁されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項３】
ステップ(f)で当該電気接点が無電解めっきによって作られ、当該無電解めっきが、
(i)  無電解ニッケル付着、
(ii)  無電解ニッケル焼結、
(iii)  無電解銅付着、
(iv)  銅表面の銀不活性化、
のうち一つ以上のステップからなることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
【請求項４】
ステップ(a)における背面のドーピングが、ドーパント供給源物質を塗布して当該ウェーハをベルト炉又は石英管炉により約1000℃に加熱することによって行われることを特徴とする請求項1から3の中のいずれか一つに記載の方法。
【請求項５】
加熱が、100Ω/squareとなる拡散を生じるのに必要な時間だけ保たれることを特徴とする請求項4に記載の方法。
【請求項６】
ステップ(b)で付着させられる不活性化層が500 cm/sよりも小の前面および背面再結合速度を与えることを特徴とする請求項1から5の中のいずれか一つに記載の方法。
【請求項７】
複数の溝が背面に作られ、当該溝が相互に2拡散距離よりも小の間隔だけ離れて等間隔配置されていることを特徴とする請求項1から6の中のいずれか一つに記載の方法。
【請求項８】
ステップ(d)において、ドーパントの溝内への拡散が、10Ω/sqよりも小のシート抵抗を与えるのに十分な接合深さまでなされることを特徴とする請求項1から7の中のいずれか一つに記載の方法。
【請求項９】
複数の細長い開口が、当該溝の間に背面を貫通するように作られることを特徴とする請求項1から8の中のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１０】
集光型太陽光電池であって、
- 前面および背面を有する半導体ウェーハ、
- ドーパントマスクとして機能する、当該前面および背面上に付着させられた不活性化層、
- ウェーハの背面の第一のドープ領域、
- 背面不活性化層を貫通する背面内への開口内に作られ、当該第一のドープ領域と接触しているpタイプ電気接点、
- 背面からウェーハ内にウェーハの前面から1拡散距離以内の深さまで延びる深溝内に作られるnタイプ電気接点、
- 当該深溝を作ったあと、当該nタイプ電気接点の付着に先立って、当該溝内からドープされた、深溝内の第二のドープ領域であって、当該nタイプ電気接点と電気的に接続する第二のドープ領域、
からなることを特徴とする集光型太陽光電池。
【請求項１１】
当該不活性化層が10 nmの深さの酸化ケイ素膜からなることを特徴とする請求項10に記載の集光型太陽光電池。
【請求項１２】
当該不活性化層がさらにLPCVD窒化ケイ素膜を有することを特徴とする請求項11に記載の集光型太陽光電池。
【請求項１３】
不活性化層が交互に非晶質炭化ケイ素と酸化ケイ素から成る層であることを特徴とする請求項10に記載の集光型太陽光電池。
【請求項１４】
当該第一のドープ領域がp+タイプドープ領域であり、当該第二のドープ領域がn+タイプドープ領域であることを特徴とする請求項10から13の中のいずれか一つに記載の集光型太陽光電池。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月24日(2012.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）キャリアを、垂直軸を中心に回転させると共に、１以上の基板を４００℃以上の基板温度に維持しながら、反応チャンバ内において前記キャリアの上で前記基板を、該基板の表面が前記チャンバ内で上方に向くように支持するステップと、
（ｂ）ＩＩＩ族金属有機化合物及びＶ族水素化物を含む反応性のガスを、前記基板の上方に配置された流入口要素から前記チャンバ内に向けるステップであって、それにより前記ＩＩＩ族金属有機化合物及び前記Ｖ族水素化物は、前記流入口要素から下方に延在する流れ領域において実質的に分離した流れとなり、前記基板に向かって下方に流れ、かつ前記ガスは、前記流れ領域と前記基板との間の境界領域において前記基板の前記表面上を前記軸から外側へ離れる方向に流れると共に、反応して前記基板上にＩＩＩ−Ｖ族化合物を形成し、前記ガスの流れが非再循環動作で流れるようにし、前記ガスは、前記チャンバ内に導入されるときに７５℃を上回る入口温度である、向けるステップと
を含んでなる化学気相成長方法。
【請求項２】
前記チャンバの壁を７５℃と３５０℃との間の壁温度に維持するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記チャンバの壁を前記入口温度の５０℃以内の壁温度に維持するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記入口温度は７５℃〜３５０℃である請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記チャンバ内の圧力を１０トル以上に維持するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記圧力は１００トル以上である請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記圧力は２００トル〜７５０トルである請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記キャリアは２５回転／分以上の速度で回転するものである請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記キャリアは１００回転／分〜１５００回転／分の速度で回転するものである請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記向けるステップは、前記ガスが前記流入口要素から層状栓流で下方に、前記軸に対して平行に流れるように行われるものである請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記層状栓流は、水平面における断面積が水平面における前記キャリア及び前記基板の面積に実質的に等しいか又はそれより大きいものである請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記層状栓流は、前記キャリア及び前記基板の１ｃｍ２の面積あたり２５標準ｍｌ／分〜２５０標準ｍｌ／分を提供するものである請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記キャリアの下で前記チャンバからガスを排出するステップであって、それにより、前記軸から外側へ離れる方向に進むガスが、前記キャリアの外縁と前記チャンバの壁との間を一般に下方に移動するものである、排出するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記ＩＩＩ族金属源は１以上のＩＩＩ族金属の１以上の有機化合物を含み、前記Ｖ族元素源は１以上のＶ族元素の１以上の水素化物を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記ＩＩＩ族金属源は、ＩＩＩ族金属のハロゲン化物を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記ガスは、１以上のキャリアガスを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記入口温度が前記基板温度に満たないものであり、前記入口温度と前記基板温度との間に少なくとも２００℃の温度差がある前記請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記温度差は少なくとも４００℃である請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記入口温度の５０℃以内に前記チャンバの壁温度を維持するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
（ａ）１以上の壁を有するチャンバと、
（ｂ）前記チャンバ内に配置され、かつ１以上の基板を、該基板の表面が前記チャンバ内で上方に向くように保持するように構成されたウェハキャリアと、
（ｃ）前記ウェハキャリアを、実質的に垂直な軸を中心に回転させるように適合されたウェハキャリア駆動機構と、
（ｄ）前記基板を４００℃以上の基板温度に維持するように適合されたヒータと、
（ｅ）ＩＩＩ族金属有機化合物及び前記Ｖ族水素化物を含むガスを供給するように構成された１以上のガス供給源と、
（ｆ）前記ウェハキャリアよりも上方で前記チャンバと連通する流入口要素であって、前記ＩＩＩ族金属有機化合物及び前記Ｖ族水素化物は、前記流入口要素から下方に延在する流れ領域において実質的に分離した流れとなり、前記基板に向かって下方に向かうように構成され、かつ前記ガスは、前記流れ領域と前記基板との間の境界領域において前記基板の前記表面上を前記軸から外側へ離れる方向に流れるように構成された、流入口要素と、
（ｇ）前記流入口要素を、７５℃を上回るが前記基板温度よりも低い入口温度に維持し、それにより前記入口温度と前記基板温度との温度差が少なくとも２００℃であるように構成された、流入口温度制御機構と
を備える化学気相成長反応器。
【請求項２１】
７５℃を上回る壁温度に維持するように前記チャンバの壁を構成したチャンバ温度制御機構をさらに備える請求項２０に記載の反応器。
【請求項２２】
前記チャンバの壁は、実質的に前記軸を中心とする回転面の形態の１以上の内面を有するものである請求項２０に記載の反応器。
【請求項２３】
前記ウェハキャリアは、略水平上面と、前記基板を保持する該上面のポケットとを有するディスクの形態であり、前記ディスクは外径を有し、前記反応チャンバの前記内面は、直径が前記ウェハキャリアよりも大きいキャリア領域を画定し、前記ウェハキャリアは、前記キャリア領域内に、前記ディスクと前記チャンバの前記内面との間に間隙があるように配置され、前記チャンバは、前記ウェハキャリアの下方に前記チャンバと連通する１以上の排気ポートを有するものである請求項２２に記載の反応器。
【請求項２４】
前記反応チャンバの前記内面は、直径が前記キャリア領域の前記直径よりも小さい前記流れ領域を画定し、前記流れ領域は、前記流入口要素から前記キャリア領域まで下方に延在している請求項２３に記載の反応器。
【請求項２５】
前記反応チャンバの前記内面は、前記流れ領域と前記キャリア領域との接合部において直径の急峻な増大を画定している請求項２４に記載の反応器。
【請求項２６】
前記流入口要素は、水平面における断面積が水平面における前記キャリア及び前記基板の面積に実質的に等しいか又はそれよりも大きい層状栓流により、前記ガスを向けるように構成されている請求項２０に記載の反応器。
【請求項２７】
前記１以上のガス供給源は、ＩＩＩ族金属源及びＶ族化合物を含むガスを供給するように動作するものである請求項２０〜２６のいずれか一項に記載の反応器。
【請求項２８】
前記ガスが、非再循環動作で流れ、前記基板上にＩＩＩ−Ｖ族化合物を形成するように反応するよう構成されて配置されている請求項１７に記載の反応器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月30日(2012.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザ所持の携帯デバイスを用いて、ユーザの環境から音声又は画像データを取り込むステップであり、取り込まれたデータが第１のオーディオビジュアル放送コンテンツに対応する、該ステップと、
第１の情報を生成するよう前記取り込まれたデータを処理するステップと、
前記第１の情報の少なくとも一部をデータ機構に送出し、前記送出に関連する別の第２のデータを受け取るステップと、
前記第２のデータに基づいて前記ユーザに出力情報を提供するステップと、
を含み、
前記第２のデータが、前記第１のオーディオビジュアル放送コンテンツに先行した、又は後に続く１以上の別のオーディオビジュアル放送番組を識別するデータを含む、方法。
【請求項２】
オーディオビジュアルコンテンツと連携する方法であって、
ポケットサイズ通信デバイスを用いて、テレビでレンダリングされている第１の番組項目の一部を取り込む動作と、
対応する識別情報を導出するよう、該一部を処理する動作と、
前記第１の番組項目を識別するために、導出された識別情報を用いてデータベースに問い合わせを行なう動作と、
前記第１の番組項目に先行した、又は後に続く少なくとも１つの別の第２の番組項目を前記データベースから更に識別する動作と、
前記データベースから識別された情報のうちの少なくとも一部をユーザに提示する動作と、
を含む方法。
【請求項３】
前記提示する動作が、前記番組項目の１つである少なくとも題名をポケットサイズ通信デバイスの画面に提示することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記処理する動作が、音声の一部を処理して、該音声の取込み前にステガノグラフィによるデジタル透かしとして該音声に付加されている複数ビットの補助データを復号することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記処理する動作が、取り込まれた音声の一部からフィンガプリントデータを導出することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記提示する動作が、前記ユーザに複数の番組項目及びそれらの相対的順番のグラフィック表示を提示することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記グラフィック表示が、番組項目及びそれらのシーケンスのカバーフロー状の提示を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記更に識別する動作が、前記第１の番組項目に先行した少なくとも１つの別の番組項目を識別することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項９】
前記更に識別する挙動が、前記第１の番組項目に続く少なくとも１つの別の番組項目を識別することを含む、請求項２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月23日(2012.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
独立して生成された音声信号によって生成されたサウンドと同時に、ユーザインターフェースデバイスに触覚効果をもたらすための方法であって、
上記音声信号をフィルタリング回路に送り、
既定の周波数よりも下の周波数の範囲をフィルターにかけることにより、触覚ドライブ信号を作り出すために上記音声信号を変化させ、
上記触覚ドライブ信号を電場応答性高分子変換器に連結された電力源に提供して、上記電力源が上記電場応答性高分子変換器を作動させ、上記音声信号によって生成された上記サウンドと同時に上記触覚効果を起こさせること
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
上記フィルターをかけた信号を用いてサウンドエフェクトを生成するために、上記電場応答性高分子変換器を駆動することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、
上記既定の周波数が、上記電場応答性高分子アクチュエータの最適な周波数を含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法において、
上記音声信号を変化させることが、上記触覚ドライブ信号を作るために、上記音声信号の音声波形の正の部分をフィルターにかけることを含むこと特徴とする方法。
【請求項５】
独立して生成された音声信号によって生成されたサウンドと同時に、ユーザインターフェースデバイスに触覚効果をもたらすための方法であって、
上記音声信号をトリガー回路に送り、
上記音声信号の特性に基づいて触覚ドライブ信号を生成し、
上記触覚ドライブ信号を電場応答性高分子変換器に連結された電力源に提供し、上記電力源が上記電場応答性高分子変換器を作動させ、この電場応答性高分子変換器の触覚出力周波数を制御することによって上記触覚効果を起こさせること
を含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
電場応答性高分子フィルムを備え、
この電場応答性高分子フィルムは上部フレーム部材と下部フレーム部材との間に広がり、フレームの中心部分が、上記電場応答性高分子フィルムの中央表面を露出するよう開口しており、
また、
上記電場応答性高分子フィルムの上記中央表面上に位置する第１出力部材と、
上記第１出力部材に取り付けられた慣性マスと
を備え、上記電場応答性高分子フィルムの第１電極および第２電極間に電圧差を与えることで、上記電場応答性高分子フィルムを変位させて上記慣性マスを動かす
ことを特徴とする慣性電場応答性高分子変換器。
【請求項７】
請求項６に記載の慣性電場応答性高分子変換器において、
第２電場応答性高分子フィルムと、第２出力部材とをさらに備え、
上記第２電場応答性高分子フィルムは、上部第２フレーム部材と下部第２フレーム部材との間に挟まれ、第２フレームの中心部分が、上記電場応答性高分子フィルムの第２中央表面を露出するよう開口していて、
上記第２出力部材は、上記電場応答性高分子フィルムの上記中央表面上に位置していて、上記第１出力部材および上記第２出力部材との間に、上記慣性マスが配置されていること
を特徴とする慣性電場応答性高分子変換器。
【請求項８】
請求項６に記載の慣性電場応答性高分子変換器において、
上記電場応答性高分子が、上記電場応答性高分子フィルムの面で変位するよう構成されていることを特徴とする慣性電場応答性高分子変換器。
【請求項９】
請求項６に記載の慣性電場応答性高分子変換器において、
上記電場応答性高分子が、上記電場応答性高分子フィルムの面に垂直の方向に変位するよう構成されていることを特徴とする慣性電場応答性高分子変換器。
【請求項１０】
請求項６に記載の慣性電場応答性高分子変換器において、
上記電場応答性高分子がバネ付勢されていることを特徴とする慣性電場応答性高分子変換器。
【請求項１１】
請求項６に記載の慣性電場応答性高分子変換器において、
上記慣性電場応答性高分子変換器が、少なくとも１つのハウジングアセンブリをさらに備えることを特徴とする慣性電場応答性高分子変換器。
【請求項１２】
請求項１１に記載の慣性電場応答性高分子変換器において、
上記ハウジングアセンブリが、上記慣性電場応答性高分子変換器を電気的に絶縁するよう構成されていることを特徴とする慣性電場応答性高分子変換器。
【請求項１３】
請求項１１に記載の慣性電場応答性高分子変換器において、
上記ハウジングアセンブリが、少なくとも１つの機械的止め具をさらに備えて、過度の動作からもたらされるアクチュエータカートリッジへの損傷を防ぐために上記慣性マスの動作を制限することを特徴とする慣性電場応答性高分子変換器。
【請求項１４】
請求項６に記載の慣性電場応答性高分子変換器において、
上記慣性マスが、ハウジング内の止め具を嵌め込むための形状面を備えて、上記慣性マスの動作を上記形状面と上記止め具との間の距離に制限し、過度の動作からもたらされるアクチュエータカートリッジへの損傷を防ぐことを特徴とする慣性電場応答性高分子変換器。
【請求項１５】
請求項６に記載の慣性電場応答性高分子変換器において、
上記ハウジングアセンブリが、ユーザインターフェースデバイスのハウジングの一部であることを特徴とする慣性電場応答性高分子変換器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月3日(2012.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１のリチウム含有遷移金属硫化物及び炭素を含む組成物であって、
前記炭素の粒子が、前記リチウム含有遷移金属硫化物の個々の粒子に顕微鏡レベルで分散しており、
さらに、前記炭素の粒子の分散が、前記リチウム含有遷移金属硫化物の合成の際に達成されることを特徴とする組成物。
【請求項２】
前記少なくとも１のリチウム含有遷移金属硫化物が、化学式Ｌｉ２−ｘ−ｙＡｙＦｅ１−ｚＭｚＳ２であってｘ＝０乃至０．５、ｙ＝０乃至１；ｚ＝０乃至１であり、Ａは、銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）、銅（Ｃｕ（Ｉ））及びカリウム（Ｋ）の１又はそれ以上から選択され、Ｍは、１又はそれ以上の遷移金属の一般的表現であることを特徴とする請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記少なくとも１のリチウム含有遷移金属硫化物の遷移金属が、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅及び亜鉛の１又はそれ以上を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の組成物。
【請求項４】
前記遷移金属が、マンガン、鉄、コバルト、及びニッケルの１又はそれ以上を含むことを特徴とする請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
少なくとも１のリチウム含有遷移金属硫化物及び炭素を含む組成物であって、前記少なくとも１のリチウム含有遷移金属硫化物が、化学式Ｌｉ２−ｘ−ｙＡｙＦｅＳ２であってｘ＝０乃至０．５、ｙ＝０乃至１であり、Ａは、銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）、銅（Ｃｕ（Ｉ））及びカリウム（Ｋ）の１又はそれ以上から選択されることを特徴とする組成物。
【請求項６】
前記炭素の粒子が、加熱の際に炭素源を作り出すのに適した炭素質材料に由来することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項７】
粉末状の請求項１乃至６のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項８】
さらに、１又はそれ以上の鉱化剤を含むことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項９】
前記１又はそれ以上の鉱化剤が、アルカリ金属ハロゲン化物を含むことを特徴とする請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
電極の製造時における請求項１乃至９のいずれか１項に記載の組成物の使用。
【請求項１１】
カソードの製造時における請求項１乃至９のいずれか１項に記載の組成物の使用。
【請求項１２】
さらに、前記リチウム含有遷移金属硫化物−炭素組成物とスラリー又はペーストを形成するための溶剤とともに使用される結合剤を含むことを特徴とする請求項１０に記載の電極。
【請求項１３】
１又はそれ以上の溶剤が、非極性の低分子量の炭化水素溶剤を含むことを特徴とする請求項１２に記載の電極。
【請求項１４】
リチウムイオン電池で、対電極及び電解質とともに使用されることを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれか１項に記載の電極。
【請求項１５】
低電圧の充電式バッテリ電源で、対電極及び電解質とともに使用されることを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれか１項に記載の電極。
【請求項１６】
請求項１に記載のリチウム含有遷移金属硫化物−炭素組成物を含むカソードを具えることを特徴とするリチウムイオンバッテリ。
【請求項１７】
請求項２に記載のリチウム含有遷移金属硫化物−炭素組成物を含むカソードを具えることを特徴とするリチウムイオンバッテリ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月1日(2012.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
所定量の電力をガス放電ランプに供給するための方法であって、
当該方法は、電力対電圧グラフに応じて電力の供給を制御するステップを有し、前記電力対電圧グラフは、第１の電力量を供給するための第１の状態を規定し、前記電力対電圧グラフは、第２の電力量を供給するための第２の状態を規定し、前記第１の状態は、電圧信号の境界電圧値で終了し、前記第２の状態は、前記境界電圧値で開始し、
前記制御するステップは、前記ガス放電ランプの低温始動からの予め規定された時間間隔の後に測定された、前記電圧信号の測定された電圧値の関数として前記境界電圧値を計算するサブステップを有する、方法。