Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月21日(2011.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
対照例ＡおよびＢでは高コストな整合設備は用いなかったため、放出材料の短絡のない堆積は、ＵＶ遮蔽誘電体層を用いないと達成できなかった。
本発明の方法および装置の特定の特徴を、かかる様々な特徴と組み合わせて、１つ以上の具体的な実施形態で本明細書に記載した。しかしながら、本発明の範囲は、特定の実施形態の特定の特徴のみの記載に限定されず、本発明にはまた、（１）記載した実施形態の全ての特徴よりも少ないサブコンビネーションであって、サブコンビネーションを形成するのに省かれた特徴がないことを特徴とするサブコンビネーション、（２）記載した実施形態のコンビネーションに別個に含まれる各特徴、および（３）任意で、本明細書に開示された他の特徴と併せて、２つ以上の記載された実施形態から採った選択した特徴のみをグループ化することにより形成された特徴の他のコンビネーションも含まれる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
以上、本発明を要約すると下記のとおりである。
１．カソード組立体装置であって、
ａ）基板に配置されたカソード電極と、
ｂ）カソード電極に配置されたＵＶ遮蔽絶縁誘電体と、
ｃ）誘電体に配置されたゲート電極と、
ｄ）カソード電極を露出するゲート電極および誘電体を通る複数のビアと、
ｅ）ビアに位置する電子電界エミッタと
を含む、上記装置。
２．基板が、ＵＶ放射に対して透明である上記１に記載の装置。
３．カソード電極が、ＵＶ放射に対して透明である上記１に記載の装置。
４．誘電体が、コバルトを含む上記１に記載の装置。
５．ＩおよびＧ線を組み合わせた範囲のＵＶ波長での誘電体の光学密度が、約０．５以上である上記１に記載の装置。
６．カソード電極および電子電界エミッタが、交線としてパターニングされている上記１
に記載の装置。
７．電子電界エミッタが、カーボンナノチューブを含む上記１に記載の装置。
８．上記１に記載のカソード組立体を含む電界放出トライオードデバイス。
９．上記８に記載のトライオードデバイスを含むフラットパネルディスプレイ、真空電子デバイス、放出ゲート増幅器、クライストロンまたは照明デバイス。
１０．カソード組立体を組み立てる方法であって、
ａ）基板を導電性材料の第１の層でコートする工程と、
ｂ）導電性材料の第１の層に、ＵＶ遮蔽絶縁誘電体を堆積する工程と、
ｃ）誘電体に、導電性材料の第２の層を堆積する工程と、
ｄ）導電性材料の第２の層および誘電体を通して１つまたはそれ以上のビアを形成して、導電性材料の第１の層を露出する工程と、
ｅ）ビアに、電子放出材料を堆積する工程と
を含む方法。
１１．誘電体が、コバルトを含む上記１０に記載の方法。
１２．ＩおよびＧ線を組み合わせた範囲のＵＶ波長での誘電体の光学密度が、約０．５以上である上記１０に記載の方法。
１３．カソード組立体を組み立てる方法であって、
ａ）ＵＶ透明基板の第１の側を、ＵＶ透明導電性材料の層でコートする工程と、
ｂ）導電性層上に、ＵＶ遮蔽絶縁誘電体を堆積する工程と、
ｃ）誘電体上に、導電性材料の最上層を堆積する工程と、
ｄ）ＵＶ透明導電性材料の層を露出するために、導電性材料の最上層および誘電体を通して１つ以上のビアを形成する工程と、
ｅ）導電性材料の最上層上およびビア中に、フォトレジスト材料を堆積する工程、
ｆ）フォトレジスト材料に、基板を通して照射する工程と、
ｇ）各ビアにチャネルを形成し、ＵＶ透明導電性材料の層を再露出するためにフォトレジスト材料を現像する工程と、
ｈ）フォトレジスト材料上およびビアのチャネル中に、光画像形成可能な電子放出材料を堆積する工程と、
ｉ）放出材料に、基板を通して、照射する工程と、
ｊ）フォトレジスト材料および未硬化の放出材料を除去する工程と
を含む方法。
１４．誘電体が、コバルトを含む上記１３に記載の方法。
１５．ＩおよびＧ線を組み合わせた範囲のＵＶ波長での誘電体の光学密度が、約０．５以上である上記１３に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カソード組立体装置であって、
ａ）基板に配置されたカソード電極と、
ｂ）カソード電極に配置されたＵＶ遮蔽絶縁誘電体と、
ｃ）誘電体に配置されたゲート電極と、
ｄ）カソード電極を露出するゲート電極および誘電体を通る複数のビアと、
ｅ）ビアに位置する電子電界エミッタと
を含む、上記装置。
【請求項２】
請求項１に記載のカソード組立体を含む電界放出トライオードデバイス。
【請求項３】
請求項２に記載のトライオードデバイスを含むフラットパネルディスプレイ、真空電子デバイス、放出ゲート増幅器、クライストロンまたは照明デバイス。
【請求項４】
カソード組立体を組み立てる方法であって、
ａ）基板を導電性材料の第１の層でコートする工程と、
ｂ）導電性材料の第１の層に、ＵＶ遮蔽絶縁誘電体を堆積する工程と、
ｃ）誘電体に、導電性材料の第２の層を堆積する工程と、
ｄ）導電性材料の第２の層および誘電体を通して１つまたはそれ以上のビアを形成して、導電性材料の第１の層を露出する工程と、
ｅ）ビアに、電子放出材料を堆積する工程と
を含む方法。
【請求項５】
カソード組立体を組み立てる方法であって、
ａ）ＵＶ透明基板の第１の側を、ＵＶ透明導電性材料の層でコートする工程と、
ｂ）導電性層上に、ＵＶ遮蔽絶縁誘電体を堆積する工程と、
ｃ）誘電体上に、導電性材料の最上層を堆積する工程と、
ｄ）ＵＶ透明導電性材料の層を露出するために、導電性材料の最上層および誘電体を通して１つ以上のビアを形成する工程と、
ｅ）導電性材料の最上層上およびビア中に、フォトレジスト材料を堆積する工程、
ｆ）フォトレジスト材料に、基板を通して照射する工程と、
ｇ）各ビアにチャネルを形成し、ＵＶ透明導電性材料の層を再露出するためにフォトレジスト材料を現像する工程と、
ｈ）フォトレジスト材料上およびビアのチャネル中に、光画像形成可能な電子放出材料を堆積する工程と、
ｉ）放出材料に、基板を通して、照射する工程と、
ｊ）フォトレジスト材料および未硬化の放出材料を除去する工程と
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月24日(2011.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源を電気に変化する光電池であって、
(ａ)少なくとも部分的に透明な電池壁を含み、前記電池壁が内部表面を有する、光起電電池を囲むために設けられたハウジングと、
(ｂ)前記電池壁に配置され、酸化還元種を含む電解質と、
(ｃ)前記光電池内で、前記電池壁の前記内部表面に配置された少なくとも部分的に透明な導電性コーティングと、
(ｄ)(ｉ)間隙が設けられ、該間隙によって分離された複数の連続領域を有し、前記導電性コーティング上に配置され、前記酸化還元種に密接に接触するように設けられた多孔質チタニア・フィルムと、
(ｉｉ)前記多孔質フィルムの表面に吸収された色素であって、前記フィルムとともに光を電気に変換するように設けられた色素と、
を有する陽極と、
(ｅ)前記ハウジング内で前記陽極にほぼ対向し、前記電解質経由で、前記多孔質フィルムと電解質連通するよう配置された陰極と、
(ｆ)前記間隙内に配置され、前記陽極と前記導電性コーティングに電気的に接続され、前記多孔質フィルムに接触する少なくとも２つの導電性構造体であって、それぞれ金属ワイヤを含み、少なくとも部分的に導電性セラミック層に囲まれ、少なくとも５０マイクロメートル前記多孔質フィルムの前記表面上から突出している突起を形成する少なくとも２つの導電性構造体と、を有し
前記陽極が、前記導電性構造体間に配置された前記多孔質フィルムの全幅に渡って、前記多孔質フィルムの厚さが前記多孔質フィルムの呼び厚さの５０％以内、および多孔質フィルムの厚さが、前記多孔質フィルムの前記呼び厚さの５マイクロメートル以内であるという構造的特長のうちいずれか一つを有する電池。
【請求項２】
前記導電性構造体から１ｍｍ以内の領域内で、前記多孔質フィルムの前記厚さが前記多孔質フィルムの前記呼び厚さの３０％以内である請求項１記載の電池。
【請求項３】
前記陰極が直接前記多孔質チタニア・フィルムに接触する請求項１または２のいずれか一項記載の電池。
【請求項４】
前記導電性構造体間に配置された前記多孔質フィルムの全幅に渡って、前記多孔質フィルムの前記厚さが前記多孔質フィルムの前記呼び厚さの１０マイクロメートル以内である請求項１〜３のうちいずれか一項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月28日(2011.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子コールセンターを備える通信ネットワーク、および、該通信ネットワーク上で、所望の地点にデータを送信したり、所望の地点からデータを受信したりする働きをする、通信機器であって、
該通信機器には、該通信機器と、前記電子コールセンターへの途上にある前記所望の地点と、の間で、データメッセージをルーティングする働きをする、ルーティング装置が備えられ、
前記電子コールセンターは、前記データメッセージのコピーを格納する働きをし、
前記電子コールセンターは、識別子を生成し、且つ、該識別子を、前記電子コールセンター経由で前記移動通信機器にルーティングされた、前記通信機器に着信する着信データメッセージに付与する働きをし、
前記識別子は、前記着信データメッセージが前記電子センター経由でルーティングされたことを示すものである
ことを特徴とする通信ネットワークおよび機器。
【請求項２】
請求項１に記載の通信ネットワークおよび機器であって、
前記ルーティング装置は、前記データメッセージが、必要に応じて前記通信機器のユーザまたは前記所望の地点に到達する前に、前記データメッセージを前記電子コールセンター経由でルーティングする働きをする
ことを特徴とする通信ネットワークおよび機器。
【請求項３】
請求項１または２に記載の通信ネットワークおよび機器であって、
前記通信機器は移動通信機器である
ことを特徴とする通信ネットワークおよび機器。
【請求項４】
請求項３に記載の通信ネットワークおよび機器であって、
前記ルーティング装置は、前記移動通信機器のユーザによる積極的介入が必要とならないように、前記移動通信機器の使用中に、データメッセージを自動的にルーティングする働きをする
ことを特徴とする通信ネットワークおよび機器。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の通信ネットワークおよび機器であって、
前記ルーティング装置は、どのデータメッセージがルーティングされるかを、選択する働きをする
ことを特徴とする通信ネットワークおよび機器。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の通信ネットワークおよび機器であって、
前記通信機器がデータメッセージを送信している時に、前記ルーティング装置は、送信中の前記データメッセージを本来の宛先地点に帰着させ、且つ、前記電子コールセンターの、予め設定されたアクセスコードをダイヤルする働きをし、アクセス番号が正常にダイヤルされた場合、通信機器は電子コールセンターに接続される
ことを特徴とする通信ネットワークおよび機器。
【請求項７】
請求項６に記載の通信ネットワークおよび機器であって、
最初の前記アクセスコードがダイヤルされた結果として、前記電子コールセンターからダイヤルトーンが万一受信されない場合、前記ルーティング装置は、前記電子コールセンターの代替アクセスコードをダイヤルする働きをする
ことを特徴とする通信ネットワークおよび機器。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の通信ネットワークおよび機器であって、
着信データメッセージが、前記識別子を万一含んでいない場合、前記ルーティング装置は、前記着信データメッセージを、前記電子コールセンター経由で逆ルーティングする働きをする
ことを特徴とする通信ネットワークおよび機器。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の通信ネットワークおよび機器であって、
前記データメッセージが、予め生成されたデータメッセージを含んでいる場合、前記ルーティング装置は、着信または送信される、前記予め生成されたデータメッセージのコピーを前記電子コールセンターに転送する働きをする
ことを特徴とする通信ネットワークおよび機器。
【請求項１０】
ネットワーク上で、所望の地点にデータを送信したり、所望の地点からデータを受信したりする働きをする、通信機器であって、
該通信機器には、該通信機器と、電子コールセンターへの途上にある前記所望の地点と、の間で、データメッセージをルーティングする働きをする、ルーティング装置が備えられ、
前記電子コールセンターは、前記データメッセージのコピーを格納する働きをし、
前記ルーティング装置は、電子コールセンターによって生成され、且つ、前記通信機器に着信する着信データメッセージに付与された識別子であって、前記着信データメッセージが電子コールセンターを経由してルーティングされたことを示す識別子、を処理する働きをし、
前記識別子は、前記着信データメッセージが前記電子コールセンター経由でルーティングされたことを示すものである
ことを特徴とする通信機器。
【請求項１１】
請求項１０に記載の通信機器であって、
前記ルーティング装置は、前記データメッセージが、必要に応じて前記通信機器または前記所望の地点に到達する前に、前記データメッセージを前記電子コールセンター経由でルーティングする働きをする
ことを特徴とする通信機器。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載の通信機器であって、
前記通信機器は移動通信機器である
ことを特徴とする通信機器。
【請求項１３】
請求項１２に記載の通信機器であって、
前記ルーティング装置は、前記移動通信機器のユーザによる積極的介入が必要とならないように、前記移動通信機器の使用中に、データメッセージを自動的にルーティングする働きをする
ことを特徴とする通信機器。
【請求項１４】
請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の通信機器であって、
前記ルーティング装置は、どのデータメッセージがルーティングされるかを、選択する働きをする
ことを特徴とする通信機器。
【請求項１５】
請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の通信機器であって、
前記通信機器がデータメッセージを送信している時に、前記ルーティング装置は、送信中の前記データメッセージを本来の宛先地点に帰着させ、且つ、前記電子コールセンターの、予め設定されたアクセスコードをダイヤルする働きをする
ことを特徴とする通信機器。
【請求項１６】
請求項１５に記載の通信機器であって、
最初の前記アクセスコードがダイヤルされた結果として、前記電子コールセンターからダイヤルトーンが万一受信されない場合、前記ルーティング装置は、前記電子コールセンターの代替アクセスコードをダイヤルする働きをする
ことを特徴とする通信機器。
【請求項１７】
請求項１０〜１６のいずれか１項に記載の通信機器であって、
着信データメッセージが、該着信データメッセージが前記電子コールセンターまでルーティングされたことを示す、識別子を万一含んでいない場合、前記ルーティング装置は、前記着信データメッセージを、前記電子コールセンター経由で逆ルーティングする働きをする
ことを特徴とする通信機器。
【請求項１８】
請求項１０〜１７のいずれか１項に記載の通信機器であって、
前記データメッセージが、予め生成されたデータメッセージを含んでいる場合、前記ルーティング装置は、着信または送信される、前記予め生成されたデータメッセージのコピーを前記電子コールセンターに転送する働きをする
ことを特徴とする通信機器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月8日(2011.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ある光路上にあり、光学構造体の物側面、その光学構造体の像側面、並びに光路沿いに見てそれら物側面と像側面の間に位置する第１中間反射素子の第１面を含み、且つその焦点距離が第１焦点距離である第１光学系と、
同じ光路の一部を第１光学系と共用しており、第１光学系に第１面を提供しているものと同じ中間反射素子の第２面を含み、且つその焦点距離が第１焦点距離より短い第２焦点距離である第２光学系と、
前記第１光学系に係る第２中間素子であって、前記光路のうち前記第２光学系との非共用部分に位置する光学面を有する第２中間素子と、
を備え、
前記第１中間素子、前記第２中間素子、並びに前記第１光学系に係る光学構造体の物側面及び像側面が、同一の光学素子に備わる別々の部分であるデュアル焦点距離光学系。
【請求項２】
請求項１記載のデュアル焦点距離光学系であって、前記光学素子が固体素材素子であるデュアル焦点距離光学系。
【請求項３】
請求項１記載のデュアル焦点距離光学系であって、前記第１光学系に係る第１イメージセンサと、前記第２光学系に係る第２イメージセンサと、を備えるデュアル焦点距離光学系。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月8日(2011.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エピタキシャル半導体積層体を有するオプトエレクトロニクス半導体ボディであって、前記エピタキシャル半導体積層体が、窒化物化合物半導体をベースとしており、エピタキシャルバッファ層と、活性ゾーンと、エピタキシャルコンタクト層と、を備えており、
前記バッファ層が、公称的にはドープされていない、または少なくとも一部分がｎ型導電性にドープされており、
前記バッファ層が前記半導体ボディの外側層であり、前記半導体ボディから遠い方の主面を有し、前記半導体ボディが２つの主面を有し、前記バッファ層がその主面の一方における前記半導体ボディの境界を定め、
前記活性ゾーンが、電磁放射を放出する、または受け入れるために適しており、
前記コンタクト層が、前記バッファ層と前記活性ゾーンとの間に配置されており、ｎ型導電性にドープされており、
前記コンタクト層における前記ｎ型ドーパントの濃度が、前記バッファ層におけるよりも高く、
前記半導体積層体が凹部を含んでおり、前記凹部が、前記バッファ層を貫いて延在しており、前記凹部の中に電気接触材料が配置されており前記コンタクト層に隣接している、
オプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項２】
前記バッファ層が、０．１５μｍより大きいかそれに等しい厚さを有する、請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項３】
前記バッファ層が、０．５μｍより大きいかそれに等しい厚さを有する、請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項４】
前記バッファ層の外面が、前記凹部の底面の平均粗さの２倍より大きい平均粗さを有する、請求項１から請求項３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項５】
前記バッファ層の外面の平均粗さが、前記凹部の底面の平均粗さの少なくとも５倍である、請求項１から請求項４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項６】
前記電気接触材料が、前記半導体ボディのボンディングパッドに導電接続されている、またはボンディングパッドを形成している、請求項１から請求項５のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項７】
前記コンタクト層が、３×１０１８ｃｍ−３より高いかそれに等しいドーパント濃度を有する、請求項１から請求項６のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項８】
前記コンタクト層が、７×１０１８ｃｍ−３より高いかそれに等しいドーパント濃度を有する、請求項１から請求項６のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項９】
前記凹部が前記コンタクト層の中まで延在している、請求項１から請求項８のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項１０】
前記半導体ボディがエピタキシャル基板を備えていない、請求項１から請求項９のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項１１】
前記凹部とは反対側の前記半導体積層体の面、の上にさらなる電気接触材料が配置されている、
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項１２】
前記バッファ層の外面の平均粗さが、前記半導体積層体から離れている、前記電気接触材料の面、の平均粗さの少なくとも５倍である、請求項１から請求項１１のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項１３】
前記凹部の中において、前記電気接触材料の一部分の下に電気絶縁材料が配置されており、前記電気絶縁材料が前記電気接触材料と前記コンタクト層との間に配置されている、
請求項１から請求項１２のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項１４】
前記電気接触材料がボンディングパッドおよび電気接触トラックを形成しており、
前記凹部が、異なる深さの領域を有し、
前記電気接触トラックが配置されている前記凹部の部分が、前記ボンディングパッドが配置されている前記凹部の部分よりも深い、
請求項１から請求項１３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項１５】
前記電気接触材料がボンディングパッドおよび電気接触トラックを形成しており、前記ボンディングパッドおよび前記電気接触トラックの両方が前記コンタクト層に隣接している、
請求項１から請求項１４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月24日(2011.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面プラズモン共鳴法による分析のための支持体の金属面を官能化する方法であって、前記方法は、前記支持体の前記金属面上に直接ポリ（エチレンオキシド）の自己組織化単分子層をグラフトすることを含み、
前記金属面の前記金属が金であり、そして
前記ポリ（エチレンオキシド）が、以下の化学式（Ｉ）
Ａ−（ＣＨ２）ｎ−（Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２）ｘ−Ｄ      （Ｉ）
（式中：
ｎは１または２に等しく；
ｘは５から１６までの整数であり；
Ａは、強い相互作用によってＰＥＯを前記支持体の前記金表面上に固定するための基であり；そして
Ｄは、生体分子を結合させるために、場合により修飾された基である）の化合物である、方法。
【請求項２】
ｎが２と等しいである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ｘが８と等しいである、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
Ａが−ＳＨ基に相当する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記ＰＥＯが、化学式ＨＳ−ＣＨ２−ＣＨ２−（Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２）８−ＣＯＯＨをもつＯ−（２−メルカプトエチル）−Ｏ‘−（２−カルボキシエチル）ヘプタエチレングリコールである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
以下の一連の工程：
１）前記支持体を事前に洗浄する工程；
２）前記ＰＥＯを前記支持体上にグラフトする工程；および
３）場合により、前記ＰＥＯのＤ基を修飾する工程
を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記洗浄が、ＵＶ−オゾン処理によって行われる、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
Ｄ基が、工程３）で、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド基を生じるように修飾されている−ＣＯＯＨ基を表す、請求項６または７に記載の方法。
【請求項９】
前記グラフトが、溶液中にグラフトされる前記ポリ（エチレンオキシド）を含む容器の中に前記支持体を浸漬させることにより行われる、請求項６〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
表面プラズモン共鳴法による分析のための官能化支持体であって、ポリ（エチレンオキシド）の自己組織化単分子層が直接グラフトされている金属面を含み、
前記金属面は金でできており、そして
前記ポリ（エチレンオキシド）が、以下の化学式（Ｉ）
Ａ−（ＣＨ２）ｎ−（Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２）ｘ−Ｄ      （Ｉ）
（式中：
ｎは１または２であり；
ｘは５から１６までの整数であり；
Ａは、強い相互作用によって前記ＰＥＯを前記支持体の前記金表面上に固定するための基であり；そして
Ｄは、生体分子を結合させるために場合により修飾された基である）の化合物である、官能化支持体。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法によって製造される、請求項１０に記載の官能化支持体。
【請求項１２】
グラフトされたポリ（エチレンオキシド）を用いた結合を介して前記支持体に固定された「受容体」分子をさらに含む、請求項１０または１１に記載の官能化支持体。
【請求項１３】
表面プラズモン共鳴実験、特に、表面プラズモン共鳴画像化（ＳＰＲｉ）実験における、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の官能化支持体の使用。
【請求項１４】
「受容体」分子を前記支持体の前記表面に結合させること、および表面プラズモン共鳴法によって、特にＳＰＲｉによって、前記分子の分子相互作用を調べることを含む、請求項１３に記載の使用。
【請求項１５】
質量分析実験において、前記官能化支持体に共有結合した受容体分子によって特異的に保持されている被分析物を構造的に同定するための、請求項１０から１２のいずれか一項に記載の官能化支持体の使用。
【請求項１６】
前記質量分析がＭＡＬＤＩ型イオン化によって行われる、請求項１５に記載の使用。
【請求項１７】
以下：
ＳＰＲによる分析：次いで
質量分析法による分析
の２つの連続した分析を行うための請求項１１に記載の官能化支持体の使用。
【請求項１８】
表面プラズモン共鳴による分析が、表面プラズモン共鳴画像化法による分析である、請求項１７に記載の使用。
【請求項１９】
ＭＳによる分析が、ＭＡＬＤＩ型の分析、特にＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ型の分析である、請求項１７または１８に記載の使用。
【請求項２０】
ＳＰＲによる分析、特にＳＰＲｉを、ＭＡＬＤＩ  ＭＳまたはＭＳ／ＭＳによる分析と連結する方法であって、
１）一つ以上の「受容体」分子を、請求項１０または１１に記載の官能化支持体上に固定すること；その後、
２）前記支持体をＳＰＲ解析装置に設置して、固定された前記「受容体」分子と被分析物の試料との相互作用をＳＰＲによって分析すること；その後
３）前記支持体を前記ＳＰＲ解析装置から取り出して、前記支持体を質量分析装置に設置し、前記ＳＰＲ分析の過程で前記「受容体」分子によって特異的に保持された前記被分析物をＭＳによって構造分析すること
を含む方法。
【請求項２１】
ＳＰＲによる分析、特にＳＰＲｉを、ＭＳによる分析、特にＭＡＬＤＩ  ＭＳまたはＭＳ／ＭＳによる分析と連結する方法であって、
１）一つ以上の「受容体」分子を、請求項１０または１１に記載の官能化支持体上に固定すること；その後、
２）前記支持体をＳＰＲ解析装置に設置して、固定された前記「受容体」分子と被分析物の試料との相互作用をＳＰＲによって分析すること；
３）前記官能化支持体上に固定された前記「受容体」分子の前記スポット上に保持されている前記被分析物をインサイチューで局所的に酵素分解した後、前記支持体を質量分析装置に設置し、前記官能化支持体上に存在する前記被分析物の分解産物をＭＳまたはＭＳ／ＭＳによって構造分析すること
を含む方法。
【請求項２２】
ＳＰＲによる分析、特にＳＰＲｉを、ＭＳによる分析、特にＭＡＬＤＩ  ＭＳによる分析と連結する方法であって、
１）一つ以上の「受容体」分子を、請求項１０または１１に記載の官能化支持体上に固定すること；その後、
２）前記支持体をＳＰＲ解析装置に設置して、固定された前記「受容体」分子と被分析物の試料との相互作用をＳＰＲによって分析すること；その後、
３）前記支持体を前記ＳＰＲ解析装置から取り出して、前記支持体を質量分析装置に設置し、前記ＳＰＲ分析の過程で前記「受容体」分子によって特異的に保持された前記被分析物をＭＳによって構造分析すること；その後
４）前記官能化支持体上に固定された前記「受容体」分子の前記スポット上に保持されている前記被分析物をインサイチューで局所的に酵素分解した後、前記支持体を質量分析装置に設置し、前記官能化支持体上に存在する前記分子の分解産物をＭＡＬＤＩ  ＭＳまたはＭＡＬＤＩ  ＭＳ／ＭＳによって構造分析すること
を含む方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年4月25日(2012.4.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）３重量％〜５０重量％の少なくとも１種のカーボンブラックと、
ｂ）５重量％〜３５重量％の、塩化鉄（ＩＩ）の存在下でのニトロベンゼンとアニリンとの反応生成物の硫酸化及びこれに次ぐ中和によって得られる少なくとも１種の生成物と
を含有する、水性カーボンブラック配合物であって、成分ａ）、ｂ）および水性媒体を、９０重量％より多く含むことを特徴とする水性カーボンブラック配合物。
【請求項２】
成分ａ）およびｂ）を、水性媒体中で共に均質化させることを特徴とする、請求項１に記載の水性カーボンブラック配合物の製造方法。  
【請求項３】
請求項１に記載のカーボンブラック配合物と、
ｃ）脂肪族Ｃ１〜Ｃ４アルコール、脂肪族ケトン、ポリオール、２００〜２０００ｇ／モルのモル質量を有するポリグリコール、２−ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−エチルピロリドン、１，３−ジメチルイミダゾリジノン、ジメチルアセトアミド、およびジメチルホルムアミドの群から選択される少なくとも１種の有機溶媒
を含有する、水性インク。
【請求項４】
インクジェット法によって、シート状または３次元形状の基材に印刷するための、請求項１に記載のカーボンブラック配合物または請求項３に記載のインクの使用。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
本発明は、従って、
ａ）少なくとも１種のカーボンブラックと、
ｂ）塩化鉄（ＩＩ）の存在下でのニトロベンゼンとアニリンとの反応生成物からの、少なくとも１種の中和した硫酸化生成物と
を含有する水性カーボンブラック配合物を提供する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
アシッドブラック２の硫酸化の程度は、好ましくは１５重量％〜２５重量％の範囲にある。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
硫酸化は、好ましくは、硫酸、発煙硫酸、クロロスルホン酸、アミドスルホン酸、またはＳＯ３などの硫酸化剤を用いて行う。特に、９５〜９７℃の温度における９６％硫酸、または、特に０〜２０℃、好ましくは８〜１２℃の温度における５〜３０％発煙硫酸が好ましい。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
例えば、９６％硫酸を用いる硫酸化は、好ましくは０．５〜３時間、特に１〜１．５時間を要するが、２０％発煙硫酸を用いる硫酸化は、好ましくは１２時間を要する。こうして得られる硫酸化生成物は次に中和される。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
ｂ）硫酸化
５０Ｌ撹拌容器に１６．３Ｌの９６％硫酸を装入する。１０ｋｇのソルベントブラック７を、撹拌しながら少しずつ加える。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年3月15日(2012.3.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
特徴点がひとたび追跡されると、それぞれ追跡された特徴について視差情報が計算される。視差は、水平方向における、画像Ｉ1及びＩ2における画素の位置の間の差として計算される。視差は、カメラのキャリブレーションパラメータに関連するスケーリングファクタにより深さに逆比例される。ステップ２１６で、カメラのキャリブレーションパラメータが取得され、深さマップジェネレータ１２２により、２つの画像間のオブジェクト又はシーンの深さマップを生成するために利用される。カメラパラメータは、限定するものではないが、カメラの焦点距離、２つのカメラショット間の距離を含む。カメラパラメータは、ユーザインタフェース１１２を介してシステム１００に手動で入力されるか、又は、カメラのキャリブレーションアルゴリズムから推定される。カメラパラメータを使用して、深さは、特徴点で予測される。結果的に得られる深さマップは、検出された特徴でのみ深さの値をもつまばらである（sparse）。深さマップは、空間における表面を数学的に表すための値の２次元アレイであり、この場合、アレイの行及び列は、表面のｘ及びｙ位置に対応し、アレイエレメントは、所与のポイント又はカメラ位置から表面への深さ又は距離の測定値である。深さマップは、オブジェクトのグレイスケールの画像として見ることができ、深さ情報は、オブジェクトの表面のそれぞれのポイントで、強度情報又は画素を置き換える。したがって、表面のポイントは、３Ｄグラフィカルな構築の技術での画素とも呼ばれ、２つの用語は、この開示で交換可能に使用される。視差情報はスケーリングファクタで乗じられる深さに逆比例するので、大部分の用途にとって３Ｄシーンのモデルを構築するために直接に使用することができる。これにより、カメラパラメータの計算が不要となるので、計算が簡略化される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年5月22日(2012.5.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
油圧装置であって、
中央開口と流体流入通路と流体流出通路とを有するハウジングであって、前記流体流入通路と流体連通する加圧可能なブレーキチャンバーを少なくとも部分的に画定するハウジングと、
前記中央開口に受け入れられ前記ハウジングから伸びる出力シャフトであって、前記加圧可能なブレーキチャンバーと連通する流体通路を含む出力シャフトと、
ステータ及び流体ポケットを画定する歯と協働するロータを備えるロータアッセンブリであって、前記ロータは油圧流体が流体ポケットの方へ導かれたときに前記ステータに対して回転及び旋回し、前記流体ポケットは前記流体流入通路及び前記流体流出通路と連通している、ロータアッセンブリと、
前記ロータ及び前記出力シャフトに連結され、前記ロータの回転及び旋回に基づいて前記出力シャフトを回転する揺動シャフトと、
前記出力シャフトに連結された第１のブレーキディスクと、前記ハウジングに連結された第２のブレーキディスクと、前記第１及び第２のブレーキディスクの少なくとも一つに接触するピストンと、前記出力シャフトをブレーキする作動状態に前記ピストンを押圧する付勢手段とを含むブレーキアッセンブリと、を備え、
加圧された流体は前記出力シャフトの前記流体通路を通じて前記ブレーキチャンバーに流れ、従って、前記ブレーキアッセンブリを解除する、油圧装置。
【請求項２】
請求項１記載の油圧装置において、
前記第１のブレーキディスクは、前記油圧装置によって駆動される部材と連結されるようになっている前記出力シャフトの外側端部分と隣接して前記出力シャフトに連結されていることを特徴とする油圧装置。
【請求項３】
請求項１に記載の油圧装置において、
前記出力シャフトは、互いに相互連結しない複数の小さなくぼみから成るぎざぎざのついた外面を含むことを特徴とする油圧装置。
【請求項４】
請求項１に記載の油圧装置において、
前記流体流入通路と、前記ロータアッセンブリの前記流体ポケットの少なくとも一つとの間の流体通路に配置されたバルブを更に備えることを特徴とする油圧装置。
【請求項５】
請求項４に記載の油圧装置において、
前記バルブは、一方方向の流れをチェックすることを特徴とする油圧装置。
【請求項６】
請求項１に記載の油圧装置において、
前記ハウジングと前記ピストンは、付勢部材チャンバーを少なくとも部分的に画定し、前記付勢部材は、前記付勢部材チャンバーの中に配置され、前記付勢部材チャンバーは、前記流体流出通路と流体連通することを特徴とする油圧装置。
【請求項７】
請求項１に記載の油圧装置において、
前記ブレーキディスクは、前記加圧可能なブレーキチャンバーに配置されていることを特徴とする油圧装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
周知の前述のアッセンブリと比較して、油圧装置は、油圧モータと、コンパクトなハウジングアッセンブリ及び少数の複雑な流体通路を有する前述の欠点を克服するブレーキアッセンブリを含む。油圧装置の一実施例は、ハウジング、出力シャフト、ロータアッセンブリ、揺動シャフト及びブレーキアッセンブリを含む。ハウジングは、中央開口と流体流入通路と流体流出通路とを有する。ハウジングは、流体流入通路と流体連通する加圧可能なブレーキチャンバーを少なくとも部分的に画定する。出力シャフトは、ハウジングの中央開口に受け入れられハウジングから伸びる。ロータアッセンブリは、ステータ及び流体ポケットを画定する歯と協働するロータを備える。ロータは油圧流体が流体ポケットの方へ導かれたときにステータに対して回転及び旋回する。流体ポケットは流体流入通路及び流体流出通路と連通する。揺動シャフトは、ロータ及び出力シャフトに連結され、ロータの回転移動及び軌道移動に基づいて出力シャフトを回転する。ブレーキアッセンブリは、第１のブレーキディスクと、第２のブレーキディスクと、ピストンと、付勢手段とを含む。第１のブレーキディスクは、出力シャフトに連結される。第２のブレーキディスクは、ハウジングに連結される。ピストンは、第１及び第２のブレーキディスクの少なくとも一つに接触する。付勢手段は、出力シャフトをブレーキする作動状態にピストンを押圧する。出力シャフトは、ぎざぎざのついた外面を含むことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月5日(2012.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージを形成する方法であって，
入射波面の異なる領域のそれぞれに位相シフトをもたらすための装置を提供する工程であって，
ここで前記位相シフトはリプレイフィールドにおいて生じるものと，
ゼロ次光を前記リプレイフィールドと前記装置との間に焦点が合わさるようにする工程と，
を含む方法。
【請求項２】
前記領域から前記リプレイフィールドに通過する前記ゼロ次光をブロックする工程を含む，
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
それぞれの位相シフトに関連するイメージデータを提供する工程であって，
前記位相シフトはコリメートされた入射ビームがリプレイフィールドにイメージを形成するものであり，
前記リプレイフィールドは前記装置の出力パスに設置されたフーリエレンズの焦点面に実質的に位置するものであるものと，
前記リプレイフィールドが前記焦点面を超えて位置するように前記イメージデータを処理する工程と，
を含む，請求項１に記載の方法。
【請求項４】
イメージ光がゼロ次焦点エリアを越えてリプレイフィールドを形成するような基板を前記装置に持たせる工程を含む，
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記装置は透過性があり，
装置基板を透過する光に装置基板が与える位相シフトの差を考慮して，位相シフトが前記装置上に投影されるように修正する工程をさらに含む，
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
イメージング位相シフトを投影するための第１の装置を提供する工程と，
前記第１の装置から離れていく回折光に球面状に情報を伝達するための第２の装置を提供する工程と，
を含む，
請求項１に記載の方法。
【請求項７】
位相情報の分散を伝播する装置のリプレイフィールドにイメージを形成する方法であって，
前記方法は，
前記位相情報を，イメージを表す位相情報上に球面状の特徴となるように伝播させる工程と，
コリメートされた光により前記装置を照射する工程と，
前記装置からのゼロ次光を焦点領域に焦点を合わせる工程と，
を含み，
これにより，前記球面状の特徴が，前記リプレイフィールドを，前記焦点領域を超えるようにする，
方法。

【請求項８】
前記リプレイフィールドおよび前記焦点領域が共通軸上にある請求項７に記載の方法。

【請求項９】
位相情報を前記装置上に埋め尽くす工程を含む，
請求項１に記載の方法。

【請求項１０】
前記装置が空間光変調器である，
請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
イメージを投影する方法であって，
前記方法は，
データを空間光変調器に書き込む工程と，
前記空間光変調器がコリメートした出力ビームを出力するように，コリメートされた光を前記空間光変調器に照射する工程と，
前記空間光変調器（ＳＬＭ）によって回折しない０次光を第１の位置に焦点を合わせるように，前記出力ビームを収束レンズに導入する工程と，
を含み，
ここで，前記ＳＬＭに書き込まれたデータは，イメージデータを含み，
前記ＳＬＭに書き込まれたデータは，前記イメージが前記第１の位置を越えて形成されるようにするためのデータをさらに含むことを特徴とする，
方法。

【請求項１２】
イメージを投影する方法であって，
前記方法は，
データを空間光変調器に書き込む工程と，
前記空間光変調器が出力ビームを出力するように，光を前記空間光変調器に照射する工程と，
前記出力ビームをフーリエレンズに導入する工程であって，これにより，前記空間光変調器（ＳＬＭ）によって回折しない光を前記フーリエレンズの焦点に実質的に焦点を合わせる工程と，
を含み，
ここで，前記ＳＬＭに書き込まれたデータは，対象となるイメージを回復する位相データを含み，
前記フーリエレンズと協同して前記出力ビームのイメージ内容が前記フーリエレンズの焦点を越えてリプレイフィールドを形成するように前記イメージデータが調整される，
方法。
【請求項１３】
リプレイフィールドからのゼロ次光をブロックする方法であって，
照射された際にフーリエレンズを介してホログラム像をリプレイ面に形成する位相分配を有する画素分解デバイスを提供する工程であって，前記位相分配は前記リプレイ面を前記フーリエレンズの焦点を越えた位置になるようにする工程と，
前記フーリエレンズの前記焦点からの光がリプレイ面に届くことを妨げるための装置を提供する工程と，
を含む方法。

【請求項１４】
イメージを投影する装置であって，
入射波面の異なる領域のそれぞれに位相シフトをもたらすための装置であって，ここで前記位相シフトはリプレイフィールドにおいて生じるものと，
ゼロ次光を前記リプレイフィールドと前記装置との間に焦点が合わさるようにする手段と，
を含む装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年8月17日(2012.8.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
本明細書に定義されているように、「低DP（低重合度）の高分子界面活性剤」とは、次の基準（ａ）および（ｂ）を満たす、高分子界面活性剤を指す。（ａ）高分子界面活性剤は、重量平均を基準にして、少なくとも約７で、かつ、約２，０００未満の両親媒性反復単位を有している。（ｂ）両親媒性反復単位は、高分子界面活性剤の少なくとも約１０モル％を構成している。好適な特定の低重合度の高分子界面活性剤の例には、１０〜約１，０００の両親媒性反復単位、より好ましくは、約２０〜約５００の両親媒性反復単位など、７〜２，０００の両親媒性反復単位を有する界面活性剤が含まれる。いくつかの実施の形態において、本発明の低重合度の高分子界面活性剤は、少なくとも約２５モル％の両親媒性反復単位を含有している。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
出願人等は、組成物の二つのパラメータである、（１）「流体力学的な平均ミセル径dH」、すなわち平均ミセル径の測定値、および、特に（２）「dH＜９ナノメートル（nm）を条件とするミセルの比率」が、界面活性剤を含む組成物から得られる刺激レベルの測定値を与えることをさらに見出した。換言すれば、出願人等は、界面活性剤のミセルが、その粒径および凝集数（すなわち、特定のミセル中の界面活性剤分子の平均数）に関して、滅多に、単分散とならないと認識した。これに代えて、界面活性剤のミセルは、図１の実施例によって示されているように、ミセル径の分布関数を生じさせる、粒径および凝集数の分布を呈する一群として存在する傾向にある。図１は、代表的な従来の界面活性剤系に関するミセル径の分布関数を示すグラフ１０であって、代表的な従来の界面活性剤系とはすなわち、組成物がラウレス硫酸ナトリウムおよびコカミドプロピルベタインを含む系（比較例１９を試験することで得られた実データに、理想的な対数正規分布を適合させることによって生成した曲線１１）である。出願人等は、比べると、本発明の低重合度の高分子界面活性剤が、曲線１５で示されているように、より大きな好適のミセル（実施例１２を試験することで得られた実データに、理想的な対数正規分布を適合させることによって生成した曲線）に「移行」するミセル分布を提供できることを見出した。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
サブクラス（Ｂ）：エチレン不飽和官能基を含有する、一つまたはそれ以上の調製済みの反応性両親媒性化合物と、上述したサブクラス（Ａ）の他の反応性両親媒性化合物および／または化１４の一つまたはそれ以上のエチレン不飽和性の親水性コモノマー類との共重合（以下、「EUACs」という）。
【化１４】
2009536199.tif 000001
・ここで、Ｒ５＝Ｒ６＝Ｈであり、Ｒ７はＨまたはＣＨ３であり、Ｒ８は両親媒性（Amphil）基である、あるいは、
・Ｒ５およびＲ６はそれぞれ独立してＨまたはＣＨ３であり、Ｒ７は親水性（Hphil）基であり、Ｒ８は親水性（Hphil）基である、あるいは、
・Ｒ５およびＲ７はそれぞれ独立してＨまたはＣＨ３であり、Ｒ６は親水性（Hphil）基であり、Ｒ８は親水性（Hphil）基である、あるいは、
・Ｒ６およびＲ７はそれぞれ独立してＨまたはＣＨ３であり、Ｒ５は親水性（Hphil）基であり、Ｒ８は親水性（Hphil）基であり、当該共重合により、以下の化１５で示された両親媒性の反復単位を有し、両親媒性の反復単位数をｎとし、非両親媒性の反復単位数をｍとする高分子界面活性剤が得られる。
【化１５】
2009536199.tif 000002
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
サブクラス（Ｄ）：反復単位の一部または全部に両親媒性を与える前駆体ポリマーのポスト重合改質。この改質により、以下の化１９で示された両親媒性の反復単位を有し、両親媒性の反復単位数をｎとし、非両親媒性の反復単位数をｍとする高分子界面活性剤（以下、「PPDAs」という）が得られる。
【化１９】
2009536199.tif 000003
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年10月12日(2012.10.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下：
【化１】
2009536150.tif 000001
を含む血液型抗原を含む組成物であって、ここで、
該血液型抗原は、固体支持体に結合され
該固体支持体は、ビーズ、粒子、マイクロタイタープレート、樹脂、ニトロセルロースまたはナイロンであり、
Ｒは、該固体支持体への連結点を表す、
組成物。
【請求項２】
請求項１に記載の組成物を含む吸着体。
【請求項３】
前記ビーズがマイクロビーズである、請求項１に記載の組成物または請求項２に記載の吸着体。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年4月27日(2012.4.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
図１において、符号５０で本発明のヒンジの全体が示されており、該ヒンジは固定要素又はヒンジアーム１を備え、それは家具の側部パネル又は他の適切な要素の壁部に一体となるように順に固定された底部又はプレートに固定されている。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
この装置１３は、ケーシング又は覆い１４と筐体要素６の一部から形成されるハウジングを備える。該ハウジングの内部には、有利なことに、スライダ１８と、例えばグリスといった高粘性媒体に浸された少なくとも１つの制動要素とが入れられている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
有利なことに、突起部２９には、実質的に先のとがった端部４２が設けられており、それによって、例えばドアが完全に開ききっていないという普通でない状況においてさえ、ヒンジの減衰装置を正しく作動させることが可能であり、ドアは家具に対する切り込み位置（ｒａｂｂｅｔ ｐｏｓｉｔｉｏｎ）からわずかに小さい角度だけ動かされた後に再びすぐさま閉められる。このような状況において、スライダ１８は、図１に示されている位置にあることが可能であり、その際、突起部２９は、螺旋状の溝３０によって形成された頂部にもたれかかるが、それは、カム要素１６の側部突起部によって押されることによるものである。もしドアが再び閉められるなら、カム要素１６の端部は先のとがった端部４２を下方に押しながら、先のとがった端部４２の傾斜のある表面上にもたれかかり、その結果、該先のとがった端部は、通常の動作の新しい位置に達するまで、制動ディスク２３の減速回転を生み出す溝３０によって形成される歯の頂部に圧力を加え、ヒンジに対する全体的な制動効果が得られる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
本発明にしたがうヒンジのケーシング１４の内部は既存のヒンジの標準的な筐体の内部と実質的に同じであり、減衰装置が設けられる前の筐体６の上面図が記されている図２により詳しく示されている。ケーシング１４の外部表面は実質的にシリンダの外部表面であるが、揺動部２、３の関節ピン７、８を収容するための穴７０、７１に対応する点は除かれ、そこには複数の平らな表面が設けられており、それらの平面は互いに平行であり、その各々は前記シリンダの底部円周に沿って位置づけされている。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
ケーシング１４、スライダ１８、制動ディスク２３及び平坦要素２６を備える組み立てられた減衰装置は、それから、単純かつ素早い１つの操作で前記タブ２０及び止め平面部２１によって筐体６に挿入及び固定される。したがって、この場合、筐体要素は制動装置の諸要素を設置する間の支持要素として働くことはない。予め設置された減衰装置を有する筐体６は、通常の方法でヒンジの他の構成要素とともに組み立てられる準備ができている。