【事件の表示】
　平成４年特許願第１６３４４１号「半導体製造装置及びそれを用いた半導体基板の冷却方法」拒絶査定不服審判事件〔平成５年１２月１７日出願公開、特開平５−３３５２７６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯・本願発明
　本願は、平成４年５月２９日の出願であって、その請求項１〜７に係る発明は、平成１０年１０月２９日付け、平成１３年６月１５日付け、平成１３年９月６日付けの各手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜７に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項２に記載された発明（以下、「本願発明２」という。）は次のとおりである。
「半導体基板が載置される試料台を処理室に配置してなる本体と、この本体の外部に配置され、前記試料台に冷却配管を介して冷却溶剤を供給する冷却器とを備え、前記冷却器から供給される冷却溶剤の冷却作用によって前記試料台に載置した半導体基板を冷却する半導体製造装置において、前記冷却配管は、前記試料台に前記冷却溶剤を供給するための第１の配管と、この第１の配管の周囲を取り囲むようにして該第１の配管を内部に配置してなる第２の配管とからなり、前記第１の配管及び前記第２の配管の外周面又は内周面の少なくとも一方の面が、前記各配管の素材よりも熱伝導率の低い材料でコーティングされていることを特徴とする半導体製造装置。」
　　
［２］引用刊行物の記載事項
　これに対して、原査定の拒絶理由に引用された本願出願前頒布された刊行物である特開平１−１０７５４０号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、以下の事項が記載されている。
［２−１］「本発明は．プラズマ処理装置に係り、特に半導体素子基板等の試料を０℃以下の低温に冷却してプラズマ処理するのに好適なプラズマ処理装置に関するものである。」（第１頁右下欄１〜４行）、
［２−２］第１図に、プラズマ処理装置の要部縦断面図が示されるとともに、同図に対応させて、「第１図で、処理室１０内には試料台２０が設けられている。つまり、試料台軸２１が、この場合、その上部を処理室１０内に突出して設けられている。試料台軸２１の頂部には、試料設置面を上面として試料設置台２２が設けられている。試料台２０の試料設置面を除く処理室内露出面には、断熱手段が設けられている。この場合、試料設置台２２の試料設置面を除く面および試料台軸２１の回りには断熱材３０が設けられている。断熱材３０はカバー３１で保持されている。カバー３１は、処理室１０の底壁に気密に設けられている。試料設置台２２には、試料設置面に対応して冷媒流路２３が形成されている。試料台軸２１、試料設置台２２には、冷媒流路２３にそれぞれ連通して冷媒供給路２４、冷媒排出路２５が形成されている。冷媒供給路２４は、試料４０を所定温度に冷却するための冷媒供給源（図示省略）に連結されている。断熱材３０としては、処理室１０内の圧力下における処理ガス、反応生成物の露点温度以上の温度にカバー３１の処理室１０内露出面の温度を試料４０の温度に対応して保持可能なものが選択される。例えば、試料４０の温度が−４０℃程度である場合、断熱材としては、例えば、発泡スチロールが選択され、試料４０の温度が−１５０℃程度である場合は、例えば、パーライトが選択される。‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥第１図で、処理室１０内には、公知の搬送手段（図示省略）により試料４０が、この場合、１個搬入されて試料台２０の試料設置面に被処理面上向姿勢で設置される。一方、冷媒供給源から冷媒が冷媒供給路２４を介して冷媒流通路２３に供給され、該冷媒流通路２３を流通した後に冷媒排出路２５より系外へ排出される。これにより試料台２０は冷却される。しかし、カバー３１の処理室１０内露出面の温度は、断熱材３０により処理室１０内の圧力下における処理ガス、反応生成物の露点温度以上に保持される。」（第２頁右上欄１４行〜右下欄１７行）と記載されている。
　　
［３］対比・判断
　上記［２−１］〜［２−２］に摘記した事項を総合すると、引用刊行物には、「半導体素子基板等の試料が載置される試料設置台を処理室に配置し、この処理室の外部に配置され、試料台軸とそのカバーを介して前記試料設置台に冷媒を供給する冷媒供給源とを備え、前記冷媒供給源から供給される冷媒の冷却作用によって前記試料設置台に載置した半導体素子基板等の試料を冷却するプラズマ処理装置において、前記試料台軸とそのカバーは、前記試料設置台に前記冷媒を供給するための冷媒供給路及び冷媒排出路が形成された試料台軸と、該試料台軸を内部に配置して前記処理室の底壁に気密に設けられている前記カバーとからなり、前記試料台軸の回りには断熱材が前記カバーで保持されて設けられているプラズマ処理装置」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　そして、本願発明２と引用発明とを対比すると、引用発明の「半導体素子基板等の試料」、「試料設置台」、「処理室」、「冷媒」、「冷媒供給源」、「断熱材」、「プラズマ処理装置」はそれぞれ、本願発明２の「半導体基板」、「試料台」、「本体」、「冷却溶剤」、「冷却器」、「熱伝導率の低い材料」、「半導体製造装置」に相当する。また、引用発明における「試料台軸とそのカバー」、「冷媒供給路及び冷媒排出路が形成された試料台軸」、「試料台軸を内部に配置して前記処理室の底壁に気密に設けられている前記カバー」はいずれも、冷媒を配送するための軸方向の貫通孔を有し、冷媒を配送する配管状のものといえるから、これらはそれぞれ、本願発明２の「冷却配管」、「第１の配管」、「第２の配管」に相当する。更にまた、引用発明における「前記試料台軸の回りには断熱材が前記カバーで保持されて設けられている」は、「試料台軸の外周面」及び「カバーの内周面」を層状に覆って「断熱材」が設けられているのであって、断熱材をコーティングして設けることは慣用手段であるから、本願発明２における「前記第１の配管及び前記第２の配管の外周面又は内周面の少なくとも一方の面が、熱伝導率の低い材料でコーティングされている」に相当する。
　そうすると、両発明は、「半導体基板が載置される試料台を処理室に配置してなる本体と、この本体の外部に配置され、前記試料台に冷却配管を介して冷却溶剤を供給する冷却器とを備え、前記冷却器から供給される冷却溶剤の冷却作用によって前記試料台に載置した半導体基板を冷却する半導体製造装置において、前記冷却配管は、前記試料台に前記冷却溶剤を供給するための第１の配管と、この第１の配管の周囲を取り囲むようにして該第１の配管を内部に配置してなる第２の配管とからなり、前記第１の配管及び前記第２の配管の外周面又は内周面の少なくとも一方の面が、熱伝導率の低い材料でコーティングされている半導体製造装置。」の点で一致し、下記（イ）の点で相違する。
（イ）本願発明２では、配管の面にコーティングする材料の熱伝導率が、各配管の素材の熱伝導率よりも低いのに対し、引用発明では、そのように記載されていない点。  
　　
　そこで、上記相違点（イ）について以下検討する。
　引用刊行物には、「断熱材３０としては、処理室１０内の圧力下における処理ガス、反応生成物の露点温度以上の温度にカバー３１の処理室１０内露出面の温度を試料４０の温度に対応して保持可能なものが選択される。」（第２頁左下欄１０〜１３行）と記載されており、かかる断熱材としては、試料の低温に対応してカバーの露出面温度を常に確実に露点温度以上に保持できるように、その熱伝導率が低いほど望ましいことは自明の事項であるから、該断熱材の熱伝導率を各配管の素材の熱伝導率より低くすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　そして、本願発明２の上記相違点（イ）に係る事項によってもたらされる作用・効果について検討してみても、上記引用刊行物の記載から当業者が普通に予測できる程度のものであって、格別なものは見当たらない。
　したがって、本願発明２は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである
　　
［５］むすび
　以上のとおり、本願発明２は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、上記のとおり本願発明２が特許を受けることができないため、本願の他の請求項１、３〜７に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。