【事件の表示】
　平成　６年特許願第　６６８５３号「光ピックアップ」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年１０月２７日出願公開、特開平　７−２８２４８３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　本願は、平成６年４月５日の出願であって、平成１３年６月５日付け拒絶理由通知に対して平成１３年８月１０日付けで意見書及び手続補正が提出されたが、平成１３年１１月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１４年１月４日に拒絶査定に対する審判の請求がされるとともに、同年２月４日付けで手続補正が提出されたものである。
　
２．平成１４年２月４日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
〔補正却下の決定の結論〕
　平成１４年２月４日付けの手続補正（以下、「本件手続補正」という。）を却下する。
　
〔理由〕
（１）本件手続補正の概要
　本件手続補正においては、特許請求の範囲を、本件手続補正前には
「【特許請求の範囲】
　　【請求項１】
　回路基板に対して傾斜した状態で当該回路基板と一体的に構成され、光磁気ディスクに記録されている情報を読み取るためのレーザー光を放射するレーザーダイオードと、
　前記光磁気ディスクの表面で反射したレーザー光を受光して光磁気ディスクに記録されている情報を検出するために前記回路基板上に設けられた第１のフォトダイオードおよび第２のフォトダイオードと、
　前記レーザーダイオードから放射されたレーザー光の光量を検出するために前記回路基板上に設けられた第３のフォトダイオードと、
　前記光磁気ディスクの表面で反射したレーザー光を前記第１のフォトダイオードに入射させるとともに、前記第１のフォトダイオードで反射したレーザー光を前記第２のフォトダイオードに入射させる、少なくとも前記光磁気ディスクの表面で反射したレーザー光が入射する部分に１／２波長板の機能を有する平板状のプリズムと、
　前記プリズムの入射面のうち、前記レーザーダイオードから放射されたレーザー光と前記光磁気ディスクの表面で反射したレーザー光とが入射する部分に貼着され、前記レーザーダイオードから放射されたレーザー光の一部を前記光磁気ディスク方向に反射させると共に、当該レーザー光の一部を前記第３のフォトダイオードに入射させ、かつ前記光磁気ディスクの表面で反射したレーザー光を前記第１のフォトダイオードに透過させる半透過光学膜と、を有することを特徴とする光ピックアップ。」
とあったところを、本件手続補正により、
　
「【特許請求の範囲】
　　【請求項１】
　円板状回転記録媒体の記録データを偏光の回転の有無、または、円板状回転記録媒体の記録データをピットの反射率の変化によって検出する記録・再生装置に使用する、光ピックアップであって、
　光ビーム射出手段と、
　前記円板状回転記録媒体の面に対して傾斜している、平板状光透過部材と、
　該平板状光透過部材の一方の面に形成された１／２波長板の機能を有する平板状のプリズムと、
　該プリズムの面に形成された半透過光学膜と、
　前記プリズムの面に形成された全反射光学膜と、
　前記平板状光透過部材の他方の面に設けられた偏光分離光学膜と、
　前記平板状光透過部材の他方の面に位置する、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号、ＲＦ信号を検出するための第１〜第３の光検出手段を配置した回路基板と、
　を有し、
　前記偏光分離光学膜は前記第１の光検出手段の前面に位置し、
　前記光ビーム射出手段から射出されたビーム光が前記半透過光学膜に当たり、
一部のビーム光が前記半透過光学膜において反射して前記円板状回転記録媒体の前面に位置する対物レンズを指向し、残りのビーム光が前記半透過光学膜および前記平板状光透過部材を通過して前記第３の光検出手段に入射し、
　前記円板状回転記録媒体の記録面から反射し前記対物レンズを通過した光が前記半透過光学膜に入射し、前記半透過光学膜を通過して前記平板状光透過部材を通過して前記偏光分離光学膜に入射し、
　前記偏光分離光学膜において、第１偏光成分の光が前記第１の光検出手段に入射し、第２偏光成分の光が反射して前記平板状光透過部材を通過して前記全反射光学膜に向かい、
　前記全反射光学膜に到達した光が前記全反射光学膜で反射されて前記第２の光検出手段に入射する
　ように構成されている、
　光ピックアップ。」
と補正するものである。
　
（２）本件手続補正の検討
（ａ）本件手続補正の前後の特許請求の範囲について、それぞれの請求項１の記載を比較検討すると、本件手続補正後の請求項１に記載された「光ビーム射出手段」及び「光検出手段」は、それぞれ本件手続補正前の請求項１に記載された「レーザダイオード」及び「フォトダイオード」に対応するものである。すると、「光ビーム射出手段」は光ビームを射出することができる要素であればよいのであって、「レーザダイオード」に限定されないことが明らかであらから、本件手続補正前に「レーザダイオード」とあったものを「光ビーム射出手段」と補正することは、発明の構成に欠くことができない事項を限定したものとすることができない。同様に、本件手続補正前に「フォトダイオード」とあったものを「光検出手段」と補正することは、発明の構成に欠くことができない事項を限定したものとすることができない。
（ｂ）さらに付け加えると、本件手続補正前には「光磁気ディスクに記録されている情報を読み取る」とのみ記載されていたのに対し、本件手続補正後は「または、円板状回転記録媒体の記録データをピットの反射率の変化によって検出する」ことが選択肢として付加されており、この点も発明の構成に欠くことができない事項を限定したものとすることができない。
（ｃ）すると、本件手続補正は、本件手続補正前の請求項１に係る発明の構成に欠くことができない事項の全部又は一部を限定したものとすることができない。
（ｄ）さらに、本件手続補正が、請求項の削除、誤記の訂正、及び拒絶の理由に示す事項について明瞭でない記載の釈明をするもの、のいずれにも該当しないことが明らかである。
　
（３）本件手続補正についてのむすび
　以上のとおり、本件手続補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１４年２月４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成１３年８月１０日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものであり、上記２．の〔理　由〕（１）に、本件手続補正前の特許請求の範囲として掲げたとおりのものである（以下、「本願発明」という）。
　
（２）引用例
１）第１引用例
　原査定の拒絶の理由において引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平５−２６６５２８号公報（以下、「第１引用例」という。）には、図面とともに次の技術事項が記載されている。
　
（ａ）
「【０００９】
　【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために本発明の光磁気ディスク装置は、半導体レーザとこの半導体レーザからの射出光束の一部を反射し、一部を透過させる光分離面と、光分離面からの反射光束を記録面へ集光させる対物レンズと、記録面から対物レンズを通過し光分離面に到達し透過した光束を反射する反射面と、光束を検出する検出部を備え、光分離面と反射面を平行に配置し、光分離面を光束の一部を反射し、一部を透過させる無偏光膜により構成し、反射面上に少なくとも２つの光検出器を取りつけ、そのうち少なくとも１つの検出器の設置面の全部または一部を偏光膜による構成を有している。
【００１０】
【作用】本発明は上記構成において、半導体レーザと二枚の平行な反射面をもつ誘電体と検出器とを接触させ一体化することで、小型、簡素化した光磁気ディスク装置の検出光学系とすることとなる。」
　
（ｂ）
「【００１２】図１に示すように本実施例の光磁気ディスク装置は、光源としての半導体レーザ１９に設けた偏光膜２０、光分離面２１、コリメータレンズ２２、はね上げミラー２３、対物レンズ２４、記録媒体としての光磁気ディスク２６と、光分離面２１に平行に構成された反射面２８上に取りつけられた光検出器２９，３１などで構成されている。
【００１３】以上の構成要素よりなる光磁気ディスク装置について、図１および図２を用いて以下その各構成要素の関係と動作を説明する。
【００１４】まず、半導体レーザ１９から射出したレーザ光束は、偏光膜２０を透過し光軸に対して４５゜傾いた直線偏光に変換され、さらに偏光に影響されることなく光を透過、反射する無偏光膜が施されてある光分離面２１によって一部が反射される。この反射光はコリメータレンズ２２で平行光に変換されたのち、はね上げミラー２３および対物レンズ２４よりなる移動光学系２５に伝播される。対物レンズ２４により光束は光磁気ディスク２６よりなる記録面に集光され、この記録面に対して情報の記録または再生信号の読みだし、さらにフォーカス、トラッキングサーボ情報のピックアップを行う。記録面で反射し対物レンズ２４、はね上げミラー２３を通過した移動光学系２５からの戻り光は再びコリメータレンズ２２に入射し集光作用を受ける。コリメータレンズ２２によって集光された光の一部が光分離面２１を透過し、再生信号およびサーボ信号の検出系に導かれる。移動光学系２５はシャフト２７で支持されつつすべての記録面がアクセスできるように記録面の半径方向へリニアモータで駆動される。
【００１５】つぎに、検出光学系について図２を用いて詳しく説明する。光磁気ディスク２６の記録面から戻ってきた光は集光作用を受けつつ光分離面２１に対して平行に構成された反射面２８上の３分割フォトダイオードの光検出器２９が取りつけられたエリアに到達する。反射面２８におけるこのエリア上にはＰ偏光成分を透過してＳ偏光成分を反射するような偏光膜が施されており、Ｐ偏光成分は透過してＳ７〜Ｓ９のセンサ群に達して、Ｓ偏光成分は反射される。反射したＳ偏光成分はさらに光分離面２１に施された全反射面３０で全反射されたのち再び反射面２８に到達し３分割フォトダイオードの光検出器３１上のエリアＳ１０〜Ｓ１２に至る。
【００１６】再生信号の検出、エラー検出については前述のスポットサイズ法の場合とほぼ同様に行う。フォトダイオードＳ７〜Ｓ１２の出力をそれぞれＳ７〜Ｓ１２とすると、光磁気信号の再生は戻り光のＰ偏光成分を検出するＳ７，Ｓ８，Ｓ９の出力の和とＳ偏光成分を検出するＳ１０，Ｓ１１，Ｓ１２の出力の和の差動信号、なわち（Ｐ７＋Ｐ８＋Ｐ９）−（Ｐ１０＋Ｐ１１＋Ｐ１２）により得られる。また、結像スポットが記録面に合焦な位置にある場合にはコリメータレンズ２２によって集光される光は光分離面２１に施された全反射面３０に結像されるように調整されており、センサ群Ｓ７〜Ｓ９およびＳ１０〜Ｓ１２上の光のスポットのサイズは同じとなる。したがって、記録面が焦点ずれの場合にはセンサ群Ｓ７〜Ｓ９とＳ１０〜Ｓ１２で捉える光のスポットのサイズが異なってくるから、フォーカスエラー信号はＳ７，Ｓ９，Ｓ１１の出力の和とＳ８，Ｓ１０，Ｓ１２の出力の和の差動信号（Ｐ７＋Ｐ９＋Ｐ１１）−（Ｐ８＋Ｐ１０＋Ｐ１２）により得られる。トラッキングエラー信号は、１ビームプッシュプル法によりエリアＳ７，Ｓ９の出力の和とエリアＳ１０，Ｓ１２の出力の和の差動信号（Ｐ７＋Ｐ９）−（Ｐ１０＋Ｐ１２）で与えられる。
【００１７】また、半導体レーザ１９から発したレーザ光は、光分離面２１でその一部が透過し反射面２８上に取りつけられたモニタフォトダイオード３２で出力がモニターされる。」
　
　上記記載事項及び図面の記載を総合勘案すると、上記第１引用例には、結局次の発明が記載されている。
「半導体レーザと二枚の平行な反射面をもつ誘電体と検出器とを接触させ一体化することで、小型、簡素化した光磁気ディスク装置であって、
　半導体レーザ１９から射出したレーザ光束は、偏光膜２０を透過し光軸に対して４５゜傾いた直線偏光に変換され、さらに偏光に影響されることなく光を透過、反射する無偏光膜が施されてある光分離面２１によって一部が反射され、この反射光が対物レンズ２４により光磁気ディスク２６よりなる記録面に集光され、この記録面に対して情報の記録または再生信号の読みだし、さらにフォーカス、トラッキングサーボ情報のピックアップを行い、
　光磁気ディスク２６の記録面から戻ってきた光は集光作用を受けつつ光分離面２１に対して平行に構成された反射面２８上の３分割フォトダイオードの光検出器２９が取りつけられたエリアに到達し、
　反射面２８におけるこのエリア上にはＰ偏光成分を透過してＳ偏光成分を反射するような偏光膜が施されており、Ｐ偏光成分は透過してＳ７〜Ｓ９のセンサ群に達して、Ｓ偏光成分は反射され、反射したＳ偏光成分はさらに光分離面２１に施された全反射面３０で全反射されたのち再び反射面２８に到達し３分割フォトダイオードの光検出器３１上のエリアＳ１０〜Ｓ１２に至り、
　フォトダイオードＳ７〜Ｓ１２の出力に基づいて再生信号の検出及びエラー検出を行い、
　半導体レーザ１９から発したレーザ光は、光分離面２１でその一部が透過し反射面２８上に取りつけられたモニタフォトダイオード３２で出力がモニターされる
　光磁気ディスク装置の検出光学系。」
　
２）第２引用例
　また、原査定の拒絶の理由において引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平５−２５８３８２号公報（以下、「第２引用例」という）には、図面とともに次の技術事項が記載されている。
　
（ｃ）
「【００１６】
【実施例】以下本発明の実施例を図面により説明する。
図１は本発明による光ヘッドの第１実施例を示す部品構成図、図２（ａ）ないし（ｉ）は図１における各光経路の偏光状態をＰ波成分とＳ波成分との直交座標で示す説明図である。図１に示す光ヘッド１０はその全体が図示しない弾性支持部材に支持されてフォーカス補正ならびにトラッキング補正方向へ微動自在に支持されており、また光ヘッド１０全体とこれを前記弾性支持部材を介して支持している固定部との間に磁気駆動回路が設けられ、この磁気駆動回路により光ヘッド１０がフォーカスとトラッキングのそれぞれの補正方向へ微駆動されるようになっている。
【００１７】光ヘッド１０内には、透光層として平板状のガラス基板１１が斜めに配置されている。このガラス基板１１の表面側には、第１の偏光層１２と位相差層として１／２波長層１３が積層されている。第１の偏光層１２と１／２波長層１３はそれぞれ蒸着などにより膜状に形成され、あるいは板状のものが接着されるなどしてガラス基板１１と一体に構成されている。発光部材である半導体レーザ１４は前記第１の偏光層１２の外側に対向し、また半導体レーザ１４から発せられたレーザ光が偏光層１２により反射される光軸上に対物レンズ１５が設けられている。半導体レーザ１４から発せられた拡散レーザ光はＳ波方向にて前記偏光層１２に入射して反射され、対物レンズ１５により集光され光磁気ディスクなどの記録媒体Ｍに照射される。
【００１８】上記第１の偏光層１２は、直交する光成分のうちのＰ波成分の反射光量Ｒｐが小さく、Ｓ波成分の反射光量Ｒｓが大きく、またＰ波成分の透過光量Ｔｐが大きく、Ｓ波成分の透過光量Ｔｓが小さくなるように設定されている。この反射ならびに透過比率は、半導体レーザ１４から発せられる光ビームの光軸Ｂの入射角αと偏光層１２の設計条件とにより決められ、例えばＰ波成分とＳ波成分の反射光量と透過光量の比は８０％：２０％などに設定されている。
【００１９】前記１／２波長層１３は、これを透過する光に対しλ／２（λは使用光の波長）の位相差を生じさせるものであり、記録媒体Ｍにより反射され対物レンズ１５と偏光層１２を透過した戻り光は、この１／２波長層１３により偏光面が４５度回転させられる。なお位相差層としては１／２波長層に限られず、３／２波長層、５／２波長層などであっても同じである。ガラス基板１１の裏面には、第２の偏光層１６が設けられている。この偏光層１６はガラス基板１１に蒸着された膜状あるいは接着された板状のものである。この第２の偏光層１６は、戻り光の入射角と層の設計条件に基づき、Ｐ波成分に対する反射光量Ｒｐが大きく、Ｓ波成分に対する反射光量Ｒｓが小さく、またＳ波成分に対する透過光量Ｔｐが小さく、Ｓ波成分に対する透過光量Ｔｓが大きくなるように設定されている。この反射光量ならびに透過光量の比率は例えば８０％：２０％あるいは１００％：０％などである。
【００２０】前記第２の偏光層１６の裏面には第１の受光部材１７と第２の受光部材１８が密着して設けられている。記録媒体Ｍからの戻り光は集束光束としてガラス基板１１内に入るが、この光軸Ｂ１が第２の偏光層１６により反射されて光軸Ｂ２で示す経路にて戻り、さらに第１の偏光層１２により反射されて、光軸Ｂ３で示す経路で進行する。前記第１の受光部材１７は光軸Ｂ１が入射する位置に設けられ、第２の受光部材１８は光軸Ｂ３が入射する位置に設けられている。
【００２１】第１の受光部材１７と第２の受光部材１８の受光光量に基づく検出電流は、図示しない電流／電圧変換部により電圧値に変換され、それぞれ電圧増幅部１９と２０により増幅される。図１に示す実施例では、増幅部２０による増幅利得が増幅部１９による増幅利得の２倍となるように増幅抵抗がＲと２Ｒとに設定されている。各増幅部１９と２０により増幅された電圧が差動増幅器２１に入力され、電圧差を求めることにより、カー回転角の変化に基づくＲＦ信号がＭＯ再生信号として得られる。またフォーカスエラー信号は増幅部１９と２０を経たそれぞれの出力に基づき、両出力からビームサイズの差を求めることにより得ることができる。またトラッキングエラー信号は、一方の受光部材の２分割の受光領域からの信号に基づきプッシュプル法により得ることができる。」
　
（ｄ）
「【００４１】
【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、各層を積層させて光学素子を構成できるため、薄型で小型な光ヘッドを得ることができる。また、本発明による光ヘッドは、光磁気ディスクだけでなく、コンパクトディスクや相変化ディスクなどに対して同一ヘッドでの対応が可能となる。さらに、小型、軽量化ができ、光学系全体を補正駆動できるので、エラー信号へのオフセットの発生がなくなる。また１／２波長層を単独にて別体に使用する必要がないため、部品管理ならびに組み立ての簡素化を図ることができる。」
　
（３）対　比
　本願発明と第１引用例に記載された発明とを対比する。
　第１引用例に記載された発明における「検出光学系」 は、「光磁気ディスク２６よりなる記録面にレーザ光束を集光し、この記録面に対して情報の記録または再生信号の読みだし、さらにフォーカス、トラッキングサーボ情報のピックアップを行う」ものであるから、明らかに本願発明における「光ピックアップ」に相当する。
　第１引用例に記載された発明における「半導体レーザ１９」は、「光磁気ディスクに記録されている情報を読み取るためのレーザー光を放射する」ものである限りにおいて、本願発明における「レーザダイオード」に相当する。
　第１引用例に記載された発明における「光検出器２９及び光検出器３１」は、光磁気ディスク２６の表面から戻ってきた光を受けて、再生信号の検出、エラー検出を行うものであるから、「光磁気ディスクの表面で反射したレーザー光を受光して光磁気ディスクに記録されている情報を検出するために設けられた」点に限り、本願発明における「第１のフォトダイオードおよび第２のフォトダイオード」に相当する。
　第１引用例に記載された発明における「モニタフォトダイオード３２」は、半導体レーザ１９から発したレーザ光の出力をモニタするものであるから、「レーザーダイオードから放射されたレーザー光の光量を検出するために設けられた」ものである限りにおいて、本願発明における「第３のフォトダイオード」に相当する。
　第１引用例に記載された発明における「誘電体」は、光分離面２１と、同面と平行な反射面２８を有し、光磁気ディスク２６の記録面から戻ってきた光を３分割フォトダイオードの光検出器２９が取りつけられたエリアに到達させ、反射した光はさらに光分離面２１に施された全反射面３０で全反射されたのち再び反射面２８に到達し３分割フォトダイオードの光検出器３１上のエリアＳ１０〜Ｓ１２に至るものであるから、「光磁気ディスクの表面で反射したレーザー光を前記第１のフォトダイオードに入射させるとともに、前記第１のフォトダイオードで反射したレーザー光を前記第２のフォトダイオードに入射させる」ものである限りにおいて、本願発明における「平板状のプリズム」に相当する。
　第１引用例に記載された発明における光分離面２１に施された「無偏光膜」は、半導体レーザから出射したレーザ光束の一部が反射されて光磁気ディスクに集光され、同ディスクからの反射光が光分離面２１を透過して再生信号及びサーボ信号の検出系に導かれ、半導体レーザから出射したレーザ光束の一部は透過してモニタフォトダイオードでモニタされるものであるから、「レーザーダイオードから放射されたレーザー光の一部を前記光磁気ディスク方向に反射させると共に、当該レーザー光の一部を前記第３のフォトダイオードに入射させ、かつ前記光磁気ディスクの表面で反射したレーザー光を前記第１のフォトダイオードに透過させる」ものである限りにおいて本願発明における「半透過光学膜」に相当する。
　
　そうすると、本願発明と第１引用例に記載された発明とは次の点で一致する。
　一致点
「光磁気ディスクに記録されている情報を読み取るためのレーザー光を放射するレーザーダイオードと、
　前記光磁気ディスクの表面で反射したレーザー光を受光して光磁気ディスクに記録されている情報を検出するために設けられた第１のフォトダイオードおよび第２のフォトダイオードと、
　前記レーザーダイオードから放射されたレーザー光の光量を検出するために設けられた第３のフォトダイオードと、
　前記光磁気ディスクの表面で反射したレーザー光を前記第１のフォトダイオードに入射させるとともに、前記第１のフォトダイオードで反射したレーザー光を前記第２のフォトダイオードに入射させる平板状のプリズムと、
　前記プリズムの入射面のうち、前記レーザーダイオードから放射されたレーザー光と前記光磁気ディスクの表面で反射したレーザー光とが入射する部分に、前記レーザーダイオードから放射されたレーザー光の一部を前記光磁気ディスク方向に反射させると共に、当該レーザー光の一部を前記第３のフォトダイオードに入射させ、かつ前記光磁気ディスクの表面で反射したレーザー光を前記第１のフォトダイオードに透過させる半透過光学膜と、
を有することを特徴とする光ピックアップ。」
　
　一方、次の点で相違する。
　相違点
（相違点１）
本願発明では、「レーザダイオード」が「回路基板に対して傾斜した状態で当該回路基板と一体的に構成され」ているのに対し、第１引用例に記載された発明では、半導体レーザ１９と回路基板との関係に特に言及がない点
（相違点２）
本願発明では、「第１のフォトダイオード及び第２のフォトダイオード」が「前記回路基板上に」設けられているのに対し、第１引用例に記載された発明では、３分割フォトダイオードの光検出器２９，３１と回路基板との関係に特に言及がない点
（相違点３）
本願発明では、「第３のフォトダイオード」が「前記回路基板上に」設けられているのに対し、第１引用例に記載された発明では、モニタフォトダイオード３２と回路基板との関係に特に言及がない点
（相違点４）
本願発明では、「平板状のプリズム」が「少なくとも前記光磁気ディスクの表面で反射したレーザー光が入射する部分に１／２波長板の機能を有する」のに対し、第１引用例に記載された発明では、誘電体が１／２波長板の機能を有していない点
（相違点５）
本願発明では「半透過光学膜」が、プリズムに「貼着」されているのに対し、第１引用例に記載された発明では、無偏光膜は光分離面２１に「施され」たものとされている点
　
（４）判　断
　そこで、上記各相違点について検討する。
（相違点１乃至３について）
　光ピックアップにおいては、半導体レーザ、光検出器を回路基板上に設けることは周知事項にすぎない。必要ならば以下の周知例を参照されたい。
ｉ）特開平５−８９５４７号公報（以下、「周知例１」という）には、レーザダイオードＬＤ１５が明らかに回路基板であるＳｉ基板１と一体に同基板に対して傾斜した状態で構成されている。また、光磁気信号、フォーカスエラー信号、及びトラッキングエラー信号を検出する点で明らかに本願発明の第１のフォトダイオード及び第２のフォトダイオードに対応するものである光検出器２０〜２５が基板上に設けられている。
ｉｉ）特開平５−１２８６２５号公報（以下「周知例２」という）には、レーザダイオードＬＤ８が、明らかに回路基板であるシリコン基板２と一体に同基板に対して傾斜した状態で構成されている。また、光磁気信号、フォーカスエラー信号、及びトラッキングエラー信号を検出する点で明らかに本願発明の第１のフォトダイオード及び第２のフォトダイオードに対応するものである光検出器１０、１２、１４、１６が基板上に設けられている。
ｉｉｉ）特開平５−１６４９２５号公報（以下、「周知例３」という）には、半導体レーザ素子４１が、明らかに回路基板である光電子集積基板４０と一体に同基板に対して傾斜した状態で構成されている。また、信号情報、フォーカス誤差信号、及びトラッキング誤差信号を検出する点で明らかに本願発明の第１のフォトダイオード及び第２のフォトダイオードに対応するものである多分割受光素子４４が同基板上に設けられている。また、半導体レーザ素子４１から出射されるレーザビームを受光して前記半導体レーザ素子の出力レベルを一定に保つ制御回路にフィードバックするものである点において明らかに本願発明の「第３のフォトダイオード」に対応するものである受光素子４２も同基板上に設けられている。
　以上、周知例１乃至３に例示した周知事項を考慮すると、第１引用例に記載された発明の「半導体レーザ１９」、「光検出器２９」、「光検出器３１」及び「モニタフォトダイオード３２」を回路基板上に設けることで相違点１乃至３について本願発明のようにすることは当業者が容易に想到しうるものである。
　
（相違点４について）
　第２引用例に開示される光ヘッド１０内には、透光層として平板状のガラス基板１１が斜めに配置され、このガラス基板１１の表面側には、位相差層として１／２波長層１３を設けることが記載されている。
　前記１／２波長層１３は、「記録媒体Ｍにより反射され対物レンズ１５と偏光層１２を透過した戻り光は、この１／２波長層１３により偏光面が４５度回転させられる。」とあるところから、明らかに本願発明の「光磁気ディスクの表面で反射したレーザー光が入射する部分に１／２波長板の機能を有する」ものに相当するものであることが明らかであり、これを第１引用例に記載された発明の誘電体の光分離面に適用しすることで相違点４について本願発明のようにすることは当業者が容易に想到し得るものである。
　
（相違点５について）
　半透過膜を「貼着」した点については、光ピックアップの光学系において、たとえば特開平５−６７３４５号公報（偏波面変換要素１１１が透明基板１０に貼り付けられている）、特開平２−１９３３４７号公報（λ／２板１１が偏光ビームスプリッタ５の出射面に貼り付けられている）、特開平４−３３９３４３号公報（ウェッジプリズム５１が偏光分離プリズム５０に貼り付けられている）、特開平５−２０５３３９号公報（四分の一波長板１７がマイクロプリズム１６に貼り付けられている）、特開平５−２０３８２４号公報（第２７段落に「この光集積回路は、直方体状をなす透明基板３０の上下両面３０ａ、３０ｂおよび長手方向一端面に以下に示す光学部品（光学素子）および電子部品を直接形成（例えば、刻印技術を含む成型法）又は接着剤を用いて一体的に組付けて構成される。」とあり、光学部品として回折格子や全反射ミラーが示されている）など、必要な光学的機能要素を貼着により形成することが広く行われていることから、第１引用例に記載された発明において、光分離面に施された無偏光膜を、単に貼着により形成することで相違点５について本願発明のようにすることは当業者が容易に想到しうるものである。
　
（５）むすび
　以上のとおりであって、本願発明は、第１引用例及び第２引用例に記載された発明並びに周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。