【手続補正書】
【提出日】平成25年12月11日(2013.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
先の説明によって相当程度詳細に本発明を説明してきたが、この詳細は例示の目的であり、特許請求の範囲への限定と解釈すべきではない。
以下もまた開示される。
［１］  ノルマル（Ｎ）およびイソ（Ｉ）アルデヒドをＮ：Ｉ比で製造するための複数反応ゾーンのヒドロホルミル化プロセスを制御する方法であって、該方法が、オレフィン性不飽和化合物を、一酸化炭素、水素、ならびに、（Ａ）遷移金属、（Ｂ）オルガノポリホスファイトおよび（Ｃ）オルガノモノホスファイトリガンドを含む触媒と接触させることを含み、該接触を、第１および後続の反応ゾーン内で、各ゾーン内のオレフィン性不飽和化合物分圧を含むヒドロホルミル化条件で行い、該方法が、第１の反応ゾーン内のオレフィン性不飽和化合物分圧を低減させてＮ：Ｉ比を低減させること、または、第１の反応ゾーン内のオレフィン性不飽和化合物分圧を増大させてＮ：Ｉ比を増大させることを含む、方法。
［２］  ノルマル（Ｎ）およびイソ（Ｉ）アルデヒドをＮ：Ｉ比で製造するための複数反応ゾーンのヒドロホルミル化プロセスを制御する方法であって、該方法が、オレフィン性不飽和化合物を、一酸化炭素、水素、ならびに、（Ａ）遷移金属、（Ｂ）オルガノビスホスファイトおよび（Ｃ）オルガノモノホスファイトリガンドを含む触媒と接触させることを含み、該接触を、第１および後続の反応ゾーン内で、各ゾーン内のオレフィン性不飽和化合物分圧を含むヒドロホルミル化条件で行い、該方法が、以下：
（１）第１の反応ゾーン内の温度を変化させること；
（２）総オレフィン供給物の２０％以下を後続の反応ゾーン内に供給すること；
（３）後続の反応ゾーン内へのオレフィン供給物の量を低減させること；および
（４）第１の反応ゾーンへのオレフィン供給速度を変化させること；
の１つ以上によってＮ：Ｉ比を変化させることを含む、方法。
［３］  オレフィン性不飽和化合物が、全部で３〜１０個の炭素原子を有するオレフィンである、上記［１］または［２］に記載の方法。
［４］  オレフィン性不飽和化合物が、ブテン−１、ブテン−２、イソブチレン、ブタン、および任意にブタジエンを含む、Ｃ4ラフィネートＩまたはＣ4ラフィネートＩＩの異性体混合物である、上記［１］または［２］に記載の方法。
［５］  オレフィン性不飽和化合物がプロピレンである、上記［１］または［２］に記載の方法。
［６］  合成ガスが、一酸化炭素および水素を、Ｈ2：ＣＯモル比１０：１〜１：１０で含む、上記［１］または［２］に記載の方法。
［７］  触媒が、（Ａ）ロジウムカルボニル水素化物；（Ｂ）触媒系において安定化触媒錯体のロジウム金属成分に対する濃度が１以下：１モル基準で得られるビスホスファイトリガンド；および（Ｃ）安定化触媒錯体のロジウム金属成分に対して過剰モル量で得られるモノデンテートホスファイトリガンド、の安定化錯体を含む、上記［１］または［２］に記載の方法。
［８］  触媒が、５〜１００モルのモノデンテートホスファイトリガンドに対して１モルのロジウム源で混合すること、およびヒドロホルミル化反応の開始後、０．１モルから１モル未満のビスホスファイトリガンドを添加することによって得られる、上記［１］または［２］に記載の方法。
［９］  モノデンテートホスファイトリガンドが、式
【化１】
2013515063.tif 000001
のものであり、ビスホスファイトリガンドが式
【化２】
2013515063.tif 000002
のものである、上記［８］に記載の方法。
［１０］  ヒドロホルミル化条件が、反応温度−２５℃超および２００℃未満、ならびにオレフィン性反応物質、一酸化炭素、水素、および任意の不活性軽質物を含む総ガス圧１ｐｓｉａ（６．８ｋＰａ）〜１０，０００ｐｓｉａ（６８．９ＭＰａ）を含む、上記［１］または［２］に記載の方法。
［１１］  第１の反応ゾーン内で生じる反応を低減させることによって後続の反応器内のオレフィン性不飽和化合物の分圧を増大させる、上記［１］または［２］に記載の方法。
［１２］  第１の反応ゾーン内の温度を低減させることによって後続の反応ゾーン内のオレフィン性不飽和化合物の分圧を増大させる、上記［１］または［２］に記載の方法。
［１３］  第１の反応ゾーン内の温度を増大させることによって後続の反応ゾーン内のオレフィン性不飽和化合物の分圧を低減させる、上記［１］または［２］に記載の方法。
［１４］  総オレフィン供給物の一部を後続の反応ゾーンに供給することによって第２の反応器内のオレフィン性不飽和化合物の分圧を増大させる、上記［１］または［２］に記載の方法。
［１５］  第１の反応ゾーンへのオレフィン供給物を増大させることによって後続の反応器内のオレフィン性不飽和化合物の分圧を増大させる、上記［１］または［２］に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノルマル（Ｎ）およびイソ（Ｉ）アルデヒドをＮ：Ｉ比で製造するための複数反応ゾーンのヒドロホルミル化プロセスを制御する方法であって、該方法が、オレフィン性不飽和化合物を、一酸化炭素、水素、ならびに、（Ａ）遷移金属、（Ｂ）オルガノポリホスファイトおよび（Ｃ）オルガノモノホスファイトリガンドを含む触媒と接触させることを含み、該接触を、第１および後続の反応ゾーン内で、各ゾーン内のオレフィン性不飽和化合物分圧を含むヒドロホルミル化条件で行い、該方法が、第１の反応ゾーン内のオレフィン性不飽和化合物分圧を低減させてＮ：Ｉ比を低減させること、または、第１の反応ゾーン内のオレフィン性不飽和化合物分圧を増大させてＮ：Ｉ比を増大させることを含む、方法。
【請求項２】
ノルマル（Ｎ）およびイソ（Ｉ）アルデヒドをＮ：Ｉ比で製造するための複数反応ゾーンのヒドロホルミル化プロセスを制御する方法であって、該方法が、オレフィン性不飽和化合物を、一酸化炭素、水素、ならびに、（Ａ）遷移金属、（Ｂ）オルガノビスホスファイトおよび（Ｃ）オルガノモノホスファイトリガンドを含む触媒と接触させることを含み、該接触を、第１および後続の反応ゾーン内で、各ゾーン内のオレフィン性不飽和化合物分圧を含むヒドロホルミル化条件で行い、該方法が、以下：
（１）第１の反応ゾーン内の温度を変化させること；
（２）総オレフィン供給物の２０％以下を後続の反応ゾーン内に供給すること；
（３）後続の反応ゾーン内へのオレフィン供給物の量を低減させること；および
（４）第１の反応ゾーンへのオレフィン供給速度を変化させること；
の１つ以上によってＮ：Ｉ比を変化させることを含む、方法。
【請求項３】
オレフィン性不飽和化合物が、ブテン−１、ブテン−２、イソブチレン、ブタン、および任意にブタジエンを含む、Ｃ4ラフィネートＩまたはＣ4ラフィネートＩＩの異性体混合物である、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
触媒が、（Ａ）ロジウムカルボニル水素化物；（Ｂ）触媒系において安定化触媒錯体のロジウム金属成分に対する濃度が１以下：１モル基準で得られるビスホスファイトリガンド；および（Ｃ）安定化触媒錯体のロジウム金属成分に対して過剰モル量で得られるモノデンテートホスファイトリガンド、の安定化錯体を含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
モノデンテートホスファイトリガンドが、式
【化１】
2013515063.tif 000003
のものであり、ビスホスファイトリガンドが式
【化２】
2013515063.tif 000004
のものである、請求項４に記載の方法。