(57)【要約】【課題】処理ユニットへの基板の搬入および搬出時における雰囲気の漏洩による基板の清浄度の低下が十分に防止された基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】時間ｔ１において、制御部はフィルタファンユニットを動作させ、基板搬送領域に流量ｆ１のダウンフローを形成する。時間ｔ２において、制御部はポリマー除去ユニットのシャッタを開き、フィルタファンユニットによるダウンフロー流量を増加させ、基板搬送領域に流量ｆ４のダウンフローを発生する。時間ｔ４において、制御部はホットプレートのシャッタを開き、フィルタファンユニットによるダウンフロー流量を増加させ、基板搬送領域に流量ｆ３のダウンフローを発生する。時間ｔ６において、制御部はクーリングプレートのシャッタを開き、フィルタファンユニットによるダウンフロー流量を増加させ、流量ｆ２のダウンフローを発生する。【選択図】        図３
2004356295.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理領域とその処理領域に隣接する搬送領域とを有し、基板を処理する基板処理装置であって、
前記処理領域に設けられ、基板に処理を行う処理手段を収容する処理室と、
搬送領域に設けられ、基板を搬送する搬送手段と、
前記搬送領域内にダウンフローを形成するダウンフロー形成手段と、
前記ダウンフロー形成手段を制御する制御手段とを備え、
前記処理室は、前記搬送手段による前記処理手段に対する基板の搬入時および搬出時に基板が通過可能な開口部を有するとともに、前記開口部に開閉自在に設けられたシャッタを備え、
前記制御手段は、前記処理室の前記シャッタの開放時における前記ダウンフローの流量が前記処理室の前記シャッタの閉鎖時における前記ダウンフローの流量よりも大きくなるように前記ダウンフロー形成手段を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
複数の前記処理室を備え、
前記制御手段は、前記複数の処理室の前記シャッタの開放時における前記ダウンフローの流量が異なるように前記ダウンフロー形成手段を制御することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記複数の処理室は、
処理液を用いて基板に処理を行う湿式処理手段を収容する湿式処理室と、
処理液を用いずに基板に処理を行う乾式処理手段を収容する乾式処理室とを含み、
前記制御手段は、前記湿式処理室の前記シャッタの開放時における前記ダウンフローの流量が前記乾式処理室の前記シャッタの開放時における前記ダウンフローの流量よりも大きくなるように前記ダウンフロー形成手段を制御することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記複数の処理室は、
基板に第１の温度雰囲気で処理を行う第１の処理手段を収容する第１の処理室と、
基板に前記第１の温度雰囲気よりも低い第２の温度雰囲気で処理を行う第２の処理手段を収容する第２の処理室とを含み、
前記制御手段は、前記第１の処理室の前記シャッタの開放時における前記ダウンフローの流量が前記第２の処理室の前記シャッタの開放時における前記ダウンフローの流量よりも大きくなるように前記ダウンフロー形成手段を制御することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記複数の処理室は、
処理液を用いて基板に処理を行う湿式処理手段を収容する湿式処理室と、
処理液を用いずに基板に第１の温度雰囲気で処理を行う第１の乾式処理手段を収容する第１の乾式処理室と、
処理液を用いずに基板に前記第１の温度雰囲気よりも低い第２の温度雰囲気で処理を行う第２の乾式処理手段を収容する第２の乾式処理室とを含み、
前記制御手段は、前記湿式処理室の前記シャッタの開放時における前記ダウンフローの流量が前記第１の乾式処理室の前記シャッタの開放時における前記ダウンフローの流量よりも大きくなり、前記第１の乾式処理室の前記シャッタの開放時における前記ダウンフローの流量が前記第２の乾式処理室の前記シャッタの開放時における前記ダウンフローの流量よりも大きくなるように前記ダウンフロー形成手段を制御することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記複数の処理室は、
第１の面積の開口部を有する第１の処理室と、
前記第１の面積よりも小さい第２の面積の開口部を有する第２の処理室とを含み、
前記制御手段は、前記第１の処理室の前記シャッタの開放時におけるダウンフローの流量が前記第２の処理室の前記シャッタの開放時におけるダウンフローの流量よりも大きくなるように前記ダウンフロー形成手段を制御することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記複数の処理室は異なる面積の前記開口部を有し、
前記制御手段は、前記複数の処理室の前記シャッタの開放時におけるダウンフローの流量が前記開口部の面積に略比例するように前記ダウンフロー形成手段を制御することを特徴とする請求項２または６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記処理室は、内部の雰囲気を排気する排気部と、前記排気部からの排気量を調整する排気量調整手段とを有し、
前記排気量調整手段は、前記処理室の前記シャッタの開放時における排気量を前記処理室の前記シャッタの閉鎖時における排気量よりも大きくすることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記処理室内の圧力および前記搬送領域内の圧力を測定する圧力測定手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記圧力測定手段により測定された圧力に基づいてダウンフロー形成手段によるダウンフローの流量を制御することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１０】
処理領域とその処理領域に隣接する搬送領域とを有し、基板を処理する基板処理方法であって、
前記処理領域に設けられ、シャッタが開閉自在に設けられた開口部を有する処理室内で前記シャッタを閉鎖した状態で基板に処理を行う工程と、
前記処理室に隣接するように配置された搬送領域内にダウンフローを形成する工程と、
前記搬送領域内で基板を搬送する工程と、
前記シャッタを開放した状態で前記搬送領域内と前記処理室内との間で前記開口部を通して基板の搬入または搬出を行う工程と、
前記シャッタの開放時におけるダウンフローの流量を前記シャッタの閉鎖時におけるダウンフローの流量よりも大きく制御する工程とを備えたことを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板に種々の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板に種々の処理を行うために基板処理装置が用いられている。例えば、半導体ウエハの製造プロセスでは、生産効率を高めるために、一連の処理の各々をユニット化し、複数の処理ユニットを統合した基板処理装置が用いられている。このような基板処理装置では、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
製造対象となる基板には、高い処理精度および清浄度が求められる。そのため、上述のような基板処理装置はクリーンルーム内に設置される。基板の高い清浄度を得るためのクリーンルームとしては、ダウンフロー（下降流）が流れる形式のダウンフロークリーンルームが有効であるとされている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平９−４５６１０号公報
【特許文献２】
特開平１０−１３５３０７号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、基板処理装置には、基板の加熱および冷却等を行うベークユニット、基板に洗浄液を供給して基板を洗浄する洗浄処理ユニット、基板にレジスト剤を塗布するレジスト塗布ユニット、不要なレジスト剤を剥離するレジスト剥離ユニットおよびアッシング（灰化処理）ユニットまたは有機金属等のポリマー除去を行うポリマー除去ユニット等の各種処理ユニットが用途に応じて設置される。また、各々の処理ユニット間には、基板を搬送するための基板搬送路が設けられる。
【０００６】
各種処理ユニットが混在する基板処理装置においては、各々の処理ユニット間で生じる問題が指摘されてきた。
【０００７】
例えば、洗浄処理ユニット、レジスト塗布ユニット、レジスト剥離ユニット、ポリマー除去ユニット等の湿式の処理ユニットでは、基板に処理液を供給するため、基板の受け渡し時以外はシャッタを閉じることにより密閉空間が形成される。しかしながら、処理液を用いた処理が終了した基板の受け渡し時においては、シャッタが開くため処理ユニット内に残留する処理液のミスト（飛沫や蒸気）およびパーティクルを含む雰囲気が外部に漏洩する場合がある。
【０００８】
それにより、基板が処理ユニットの近くを搬送されると、処理液のミストまたはパーティクルが基板に付着し、基板の清浄度が低下する場合がある。隣接する処理ユニット内に処理液のミストまたはパーティクルが侵入しても同様の問題が生じる。
【０００９】
また、ベークユニット、アッシングユニット等の乾式の処理ユニットにおいても、基板の受け渡し時にパーティクルを含む雰囲気が処理ユニットの外部に漏洩する場合がある。それにより、処理ユニットの近くを搬送される基板上にパーティクルが付着し、基板の清浄度が低下する場合がある。隣接する処理ユニット内にパーティクルが侵入しても同様の問題が生じる。
【００１０】
以上の問題を解決すべく、例えば、クリーンルームのみならず基板処理装置自体の内部で垂直層流を供給する基板処理装置が案出されている（例えば、特許文献２参照）。この基板処理装置によれば、各種処理ユニットで使用される処理液のミストおよびパーティクル等の外部への漏洩が低減される。
【００１１】
近年、デバイスの高密度化および微細化に伴って、複数の処理ユニットを備える基板処理装置において、さらなる基板の清浄度の向上が望まれている。
【００１２】
本発明の目的は、処理ユニットへの基板の搬入および搬出時における雰囲気の漏洩による基板の清浄度の低下が十分に防止された基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
第１の発明に係る基板処理装置は、処理領域とその処理領域に隣接する搬送領域とを有し、基板を処理する基板処理装置であって、処理領域に設けられ、基板に処理を行う処理手段を収容する処理室と、搬送領域に設けられ、基板を搬送する搬送手段と、搬送領域内にダウンフローを形成するダウンフロー形成手段と、ダウンフロー形成手段を制御する制御手段とを備え、処理室は、搬送手段による処理手段に対する基板の搬入時および搬出時に基板が通過可能な開口部を有するとともに、開口部に開閉自在に設けられたシャッタを備え、制御手段は、処理室のシャッタの開放時におけるダウンフローの流量が処理室のシャッタの閉鎖時におけるダウンフローの流量よりも大きくなるようにダウンフロー形成手段を制御するものである。
【００１４】
なおここで、ダウンフローの流量とは、下降気流の単位時間当りに流れる容量のことで、たとえば、Ｌ／ｍｉｎ、ｍ３  ／ｍｉｎ、ｍ３  ／ｈ等の単位であらわすことができる。
【００１５】
第１の発明に係る基板処理装置においては、処理室内に収容された処理手段により基板に処理が行われ、搬送手段により基板が搬送領域内で搬送される。搬送領域内では、ダウンフロー形成手段によりダウンフローが形成される。また、制御手段により処理室のシャッタの開放時におけるダウンフローの流量が処理室のシャッタの閉鎖時におけるダウンフローの流量よりも大きくなるようにダウンフロー形成手段が制御される。
【００１６】
これにより、搬送領域から処理室の開口部を通して処理室内へダウンフローによる清浄な空気の流れが十分に形成される。したがって、処理室のシャッタの開放時に処理室内の雰囲気が搬送領域内に漏洩することが確実に防止される。その結果、処理室への基板の搬入および搬出時における基板の清浄度の低下を十分に防止することができる。
【００１７】
また、処理室のシャッタの閉鎖時に、シャッタの開放時よりもダウンフローの流量が小さくなるようにダウンフロー形成手段が制御されるので、過剰なダウンフローが防止され、省エネルギー化およびコストの低減化が実現される。
【００１８】
複数の処理室を備え、制御手段は、複数の処理室のシャッタの開放時におけるダウンフローの流量が異なるようにダウンフロー形成手段を制御してもよい。
【００１９】
この場合、各処理室のシャッタの開放時に、各々の処理室の雰囲気に応じてダウンフローの流量が制御されるので、各処理室の雰囲気が搬送領域内に漏洩することが確実に防止される。その結果、処理室への基板の搬入および搬出時における基板の清浄度の低下を十分に防止することができる。
【００２０】
また、各処理室に応じてシャッタの開放時のダウンフローの流量が制御されるので、過剰なダウンフローが防止され、省エネルギー化およびコストの低減化が実現される。
【００２１】
複数の処理室は、処理液を用いて基板に処理を行う湿式処理手段を収容する湿式処理室と、処理液を用いずに基板に処理を行う乾式処理手段を収容する乾式処理室とを含み、制御手段は、湿式処理室のシャッタの開放時におけるダウンフローの流量が乾式処理室のシャッタの開放時におけるダウンフローの流量よりも大きくなるようにダウンフロー形成手段を制御してもよい。
【００２２】
この場合、湿式処理室に収容される湿式処理手段により処理液を用いて基板に処理が行われ、乾式処理室に収容される乾式処理手段により処理液を用いずに基板に処理が行われる。また、制御手段により湿式処理室のシャッタの開放時におけるダウンフローの流量が乾式処理室のシャッタの開放時におけるダウンフローの流量よりも大きくなるようにダウンフロー形成手段が制御される。
【００２３】
これにより、湿式処理室のシャッタの開放時には、搬送領域から湿式処理室の開口部を通して湿式処理室内へ流れ込む空気の流れが比較的大きくなる。したがって、湿式処理室内の処理液のミストおよびパーティクルを含む雰囲気が搬送領域内に漏洩することが確実に防止される。
【００２４】
一方、乾式処理室のシャッタの開放時には、搬送領域から乾式処理室の開口部を通して乾式処理室内へ流れ込む空気の流れが比較的小さくても、乾式処理室内のパーティクルを含む雰囲気が搬送領域内に漏洩することが十分に防止される。
【００２５】
このように、湿式処理室および乾式処理室の処理形態に応じて各々のシャッタの開放時のダウンフローの流量が制御されるので、過剰なダウンフローが防止され、省エネルギー化およびコストの低減化が実現される。
【００２６】
複数の処理室は、基板に第１の温度雰囲気で処理を行う第１の処理手段を収容する第１の処理室と、基板に第１の温度雰囲気よりも低い第２の温度雰囲気で処理を行う第２の処理手段を収容する第２の処理室とを含み、制御手段は、第１の処理室のシャッタの開放時におけるダウンフローの流量が第２の処理室のシャッタの開放時におけるダウンフローの流量よりも大きくなるようにダウンフロー形成手段を制御してもよい。
【００２７】
この場合、第１の処理室に収容される第１の処理手段により基板に第１の温度雰囲気で処理が行われ、第２の処理室に収容される第２の処理手段により基板に第１の温度雰囲気よりも低い第２の温度雰囲気で処理が行われる。また、制御手段により第１の処理室のシャッタの開放時におけるダウンフローの流量が第２の処理室のシャッタの開放時におけるダウンフローの流量よりも大きくなるようにダウンフロー形成手段が制御される。
【００２８】
これにより、第１の処理室のシャッタ開放時には、搬送領域から第１の処理室の開口部を通して第１の処理室内へ流れ込む空気の流れが比較的大きくなる。したがって、第１の処理室内のパーティクルを含む雰囲気が搬送領域内に漏洩することが確実に防止される。また、第１の処理室内の第１の温度雰囲気が外部に漏洩しないため第１の処理室内の熱効率が向上し、また、他の処理室への熱雰囲気の流入が確実に防止される。
【００２９】
一方、第２の処理室のシャッタ開放時には、搬送領域から第２の処理室の開口部を通して第２の処理室内へ流れ込む空気の流れが比較的小さくても、第２の処理室内のパーティクルを含む雰囲気が搬送領域内に漏洩することが十分に防止されるとともに、他の処理室への影響を十分に抑制することができる。
【００３０】
このように、第１および第２の処理室内の各々の温度雰囲気に応じてシャッタの開放時のダウンフローの流量が制御されるので、過剰なダウンフローが防止され、省エネルギー化およびコストの低減化が実現される。
【００３１】
複数の処理室は、処理液を用いて基板に処理を行う湿式処理手段を収容する湿式処理室と、処理液を用いずに基板に第１の温度雰囲気で処理を行う第１の乾式処理手段を収容する第１の乾式処理室と、処理液を用いずに基板に第１の温度雰囲気よりも低い第２の温度雰囲気で処理を行う第２の乾式処理手段を収容する第２の乾式処理室とを含み、制御手段は、湿式処理室のシャッタの開放時におけるダウンフローの流量が第１の乾式処理室のシャッタの開放時におけるダウンフローの流量よりも大きくなり、第１の乾式処理室のシャッタの開放時におけるダウンフローの流量が第２の乾式処理室のシャッタの開放時におけるダウンフローの流量よりも大きくなるようにダウンフロー形成手段を制御してもよい。
【００３２】
この場合、湿式処理室に収容された湿式処理手段により処理液を用いて基板に処理が行われ、第１の乾式処理室に収容された第１の乾式処理手段により処理液を用いずに基板に第１の温度雰囲気で処理が行われ、第２の乾式処理室に収容された第２の乾式処理手段により処理液を用いずに基板に第１の温度雰囲気よりも低い第２の温度雰囲気で処理が行われる。また、制御手段により湿式処理室のシャッタの開放時におけるダウンフローの流量が第１の乾式処理室のシャッタの開放時におけるダウンフローの流量よりも大きくなり、第１の乾式処理室のシャッタの開放時におけるダウンフローの流量が第２の乾式処理室のシャッタの開放時におけるダウンフローの流量よりも大きくなるようにダウンフロー形成手段が制御される。
【００３３】
これにより、湿式処理室のシャッタの開放時には、搬送領域から湿式処理室の開口部を通して湿式処理室内へ流れ込む空気の流れが比較的大きくなる。したがって、湿式処理室内の処理液のミストおよびパーティクルを含む雰囲気が搬送領域内に漏洩することが確実に防止される。
【００３４】
一方、第１の乾式処理室のシャッタ開放時には、搬送領域から第１の乾式処理室の開口部を通して湿式処理室内へ流れ込む空気の流れが比較的小さくても、第１の乾式処理室内のパーティクルを含む熱雰囲気が搬送領域内に漏洩することが十分に防止される。また、第１の乾式処理室内の第１の温度雰囲気が外部に漏洩しないため第１の処理室内の熱効率が向上し、また、他の処理室への熱雰囲気の流入が確実に防止される。
【００３５】
他方、第２の乾式処理室のシャッタ開放時には、搬送領域から処理室の開口部を通して第２の処理室内へ流れ込む空気の流れがさらに小さくても、第２の乾式処理室内のパーティクルを含む雰囲気が搬送領域内に漏洩することが十分に防止される。
【００３６】
このように、湿式処理室、第１の乾式処理室および第２の乾式処理室の処理形態に応じて各々のシャッタの開放時のダウンフローの流量が制御されるので、過剰なダウンフローが防止され、省エネルギー化およびコストの低減化が実現される。
【００３７】
複数の処理室は、第１の面積の開口部を有する第１の処理室と、第１の面積よりも小さい第２の面積の開口部を有する第２の処理室とを含み、制御手段は、第１の処理室のシャッタの開放時におけるダウンフローの流量が第２の処理室のシャッタの開放時におけるダウンフローの流量よりも大きくなるようにダウンフロー形成手段を制御してもよい。
【００３８】
この場合、制御手段により、第１の面積の開口部を有する第１の処理室のシャッタの開放時におけるダウンフローの流量が第１の面積よりも小さい第２の面積の開口部を有する第２の処理室のシャッタの開放時におけるダウンフローの流量よりも大きくなるようにダウンフロー形成手段が制御される。
【００３９】
これにより、第１の処理室のシャッタの開放時に搬送領域から開口部を通して第１の処理室内へ流れ込む清浄な空気の量と第２の処理室のシャッタの開放時に搬送領域から開口部を通して第２の処理室内へ流れ込む清浄な空気の量とがほぼ等しくなる。それにより、第１および第２の処理室内の雰囲気が搬送領域内に漏洩することが確実かつ効率的に防止される。したがって、過剰なダウンフローが防止され、省エネルギー化およびコストの低減化が実現される。
【００４０】
複数の処理室は異なる面積の開口部を有し、制御手段は、複数の処理室のシャッタの開放時におけるダウンフローの流量が開口部の面積に略比例するようにダウンフロー形成手段を制御してもよい。
【００４１】
この場合、制御手段により、異なる面積の開口部を有する複数の処理室のシャッタの開放時におけるダウンフローの流量が開口部の面積に略比例するようにダウンフロー形成手段が制御されるので、異なる面積の開口部を有する複数の処理室の各々のシャッタの開放時に搬送領域から開口部を通して各々の処理室内へ流れ込む清浄な空気の量がほぼ等しくなる。それにより、異なる面積の開口部を有する複数の処理室内の雰囲気が搬送領域内に漏洩することが確実かつ効率的に防止される。
【００４２】
処理室は、内部の雰囲気を排気する排気部と、排気部からの排気量を調整する排気量調整手段とを有し、排気量調整手段は、処理室のシャッタの開放時における排気量を処理室のシャッタの閉鎖時における排気量よりも大きくしてもよい。
【００４３】
この場合、排気部により処理室内部の雰囲気が排気され、排気量調整手段により処理室のシャッタの開放時における排気部からの排気量が、処理室のシャッタの閉鎖時における排気量よりも大きくなるように調整される。
【００４４】
これにより、処理室のシャッタの開放時に搬送領域から処理室の開口部を通して処理室内へ清浄な空気の流れが十分に形成される。したがって、処理室のシャッタの開放時に処理室内の雰囲気が搬送領域内に漏洩することが確実に防止される。その結果、処理室への基板の搬入および搬出時における基板の清浄度の低下を十分に防止することができる。
【００４５】
また、処理室のシャッタの閉鎖時に、シャッタの開放時よりも排気部からの排気量が小さくなるようにダウンフロー形成手段が制御されるので、過剰な排気動作が防止され、省エネルギー化およびコストの低減化が実現される。
【００４６】
処理室内の圧力および搬送領域内の圧力を測定する圧力測定手段をさらに備え、制御手段は、圧力測定手段により測定された圧力に基づいてダウンフロー形成手段によるダウンフローの流量を制御してもよい。
【００４７】
この場合、圧力測定手段により処理室内の圧力および搬送領域内の圧力が測定され、制御手段により圧力測定手段により測定された圧力に基づいてダウンフロー形成手段によるダウンフローの流量が制御される。たとえば、処理室内の圧力＞搬送領域内の圧力である場合には、搬送領域上方のダウンフローの流量を増加させ、処理室内の圧力＜搬送領域内の圧力である場合には、搬送領域上方のダウンフローの流量を減少させるのがよい。
【００４８】
これにより、搬送領域または処理室内の圧力状態が変化した場合にダウンフローの流量を適切に制御することで、処理室内の雰囲気が搬送領域内へ漏洩することが防止され、処理室への基板の搬入および搬出時における基板の清浄度の低下を十分に防止することができる。
【００４９】
また、搬送領域または処理室内の圧力状態の変化に応じてシャッタの開放時のダウンフローの流量が制御されるので、過剰なダウンフローが防止され、省エネルギー化およびコストの低減化が実現される。
【００５０】
第２の発明に係る基板処理方法は、処理領域とその処理領域に隣接する搬送領域とを有し、基板を処理する基板処理方法であって、処理領域に設けられ、シャッタが開閉自在に設けられた開口部を有する処理室内でシャッタを閉鎖した状態で基板に処理を行う工程と、処理室に隣接するように配置された搬送領域内にダウンフローを形成する工程と、搬送領域内で基板を搬送する工程と、シャッタを開放した状態で搬送領域内と処理室内との間で開口部を通して基板の搬入または搬出を行う工程と、シャッタの開放時におけるダウンフローの流量をシャッタの閉鎖時におけるダウンフローの流量よりも大きく制御する工程とを備えたものである。
【００５１】
この場合、処理領域に設けられ、シャッタが開閉自在に設けられた開口部を有する処理室内でシャッタを閉鎖した状態で基板に処理が行われ、処理室に隣接するように配置された搬送領域内にダウンフローが形成され、搬送領域内で基板が搬送され、シャッタが開放された状態で搬送領域内と処理室内との間で開口部を通して基板の搬入または搬出が行われ、シャッタの開放時におけるダウンフローの流量がシャッタの閉鎖時におけるダウンフローの流量よりも大きくなるように制御される。
【００５２】
これにより、搬送領域から処理室の開口部を通して処理室内へダウンフローによる清浄な空気の流れが十分に形成される。したがって、処理室のシャッタの開放時に処理室内の雰囲気が搬送領域内に漏洩することが確実に防止される。その結果、処理室への基板の搬入および搬出時における基板の清浄度の低下を十分に防止することができる。
【００５３】
また、処理室のシャッタの閉鎖時に、シャッタの開放時よりもダウンフローの流量が小さくなるようにダウンフロー形成手段が制御されるので、過剰なダウンフローが防止され、省エネルギー化およびコストの低減化が実現される。
【００５４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る基板処理装置について図１〜図６に基づき説明する。
【００５５】
（第１の実施の形態）
図１は、第１の実施の形態に係る基板処理装置を説明するための模式的平面図である。
【００５６】
図１に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置１００ＡはインデクサＩＤ、制御部２、第１〜第４の処理領域３〜６、流体ボックス７１〜７４、基板搬送領域９および基板受渡部１０から構成されている。
【００５７】
基板処理装置１００Ａの長手方向の一端部には、インデクサＩＤが配置されている。インデクサＩＤは、カセット１およびインデクサロボットＩＲを備える。カセット１には、複数の基板Ｗが収納される。インデクサロボットＩＲは、基板Ｗを搬送するとともに、カセット１に対して基板Ｗの出し入れを行い、基板受渡部１０において後述の基板搬送装置ＣＲと基板Ｗの受渡しを行う。インデクサＩＤの側部には制御部２が配置されている。
【００５８】
制御部２は、基板処理装置１００Ａの各構成部の動作を制御する。例えば、インデクサロボットＩＲの動作、後述の基板搬送装置ＣＲの動作、第１〜第４の処理領域３〜６内に設けられる各種処理ユニットの動作および後述のフィルタファンユニットの動作等を制御する。
【００５９】
インデクサＩＤおよび制御部２に隣接して流体ボックス７１，７２が配置され、この流体ボックス７１，７２に隣接して第１および第２の処理領域３，４が配置されている。そして、基板受渡部１０が、流体ボックス７１と７２の間、および第１および第２の処理領域３，４の間に位置している。
【００６０】
また、第１および第２の処理領域３，４の各々に隣接して第３および第４の処理領域５，６が配置され、第３および第４の処理領域５，６の各々に隣接して流体ボックス７３，７４が配置されている。そして、第１〜第４の処理領域３〜６、流体ボックス７３，７４および基板受渡部１０に囲まれるように基板搬送領域９が位置している。
【００６１】
第１および第３の処理領域３，５にはポリマー除去ユニットＳＲが設けられ、第２および第４の処理領域４，６にはベークユニットＢＫが設けられている。ここで、本実施の形態において、ベークユニットＢＫは基板Ｗを加熱するためのホットプレートおよび基板Ｗを冷却するためのクーリングプレート等を含む。
【００６２】
基板搬送領域９は、第１〜第４の処理領域３〜６、基板受渡部１０の各々に対し基板Ｗを搬送する基板搬送装置ＣＲおよびフィルタファンユニットＦＦＵ（後述の図２参照）を備える。基板搬送装置ＣＲおよびフィルタファンユニットＦＦＵの動作の詳細については後述する。
【００６３】
流体ボックス７１〜７４には、上述の各種処理ユニットＳＲ，ＢＫへ液体または気体を供給するための処理液供給部、給気装置、排気装置およびバルブ等のうち少なくともいずれかが設けられる。処理液供給部、給気装置、排気装置およびバルブについての詳細については後述する。
【００６４】
図２は、図１の基板処理装置のＭ−Ｍ線断面図である。第３の処理領域５には回転式処理装置５０を備えるポリマー除去ユニットＳＲが設けられている。
【００６５】
本実施の形態においては、ベークユニットＢＫとしてホットプレートＨＰおよびクーリングプレートＣＰが用いられる。図２によれば、第４の処理領域６には２つのホットプレートＨＰと１つのクーリングプレートＣＰとが積層されている。ホットプレートＨＰおよびクーリングプレートＣＰは個々に処理ユニットを形成する。
【００６６】
基板搬送領域９には、上部にフィルタファンユニットＦＦＵが設けられ、下部に基板搬送装置ＣＲが設けられている。
【００６７】
ポリマー除去ユニットＳＲ、ホットプレートＨＰおよびクーリングプレートＣＰの基板搬送領域９側の一側面（前面）には各々開口部が設けられており、その開口部の各々にはシャッタＳＨが取り付けられている。これら複数のシャッタＳＨは、基板搬送領域９の基板搬送装置ＣＲの動作に応じて開閉動作を行う。この開閉動作の詳細については後述する。
【００６８】
基板搬送領域９の基板搬送装置ＣＲは、インデクサロボットＩＲから渡された基板Ｗを、第１または第３の処理領域３，５のポリマー除去ユニットＳＲに搬送し、そしてこのポリマー除去ユニットＳＲから受け取った基板Ｗを第２または第４の処理領域４，６のベークユニットＢＫに搬送する。そして、このベークユニットＢＫから受け取った基板Ｗを、基板受渡部１０を介してインデクサロボットＩＲに搬送する。
【００６９】
なお、基板搬送装置ＣＲは、基板搬送装置本体ＣＲＨ、略馬蹄形状の搬送アームｂｍ４および略楕円状の支持アームｂｍ１，ｂｍ２，ｂｍ３から構成され、いわゆる多関節アームを構成している。基板搬送装置本体ＣＲＨは矢印Ｚの方向に上下移動可能である。これにより、支持アームｂｍ１，ｂｍ２，ｂｍ３が互いに支点として回転するだけで、基板搬送装置ＣＲと周囲の各処理ユニットＳＲ，ＢＫとの間（矢印Ｘの方向）で基板Ｗを搬出したり搬入したりできる。
【００７０】
基板搬送領域９のフィルタファンユニットＦＦＵは、送風機ＦＡおよびフィルタＦＩからなる。送風機ＦＡにより雰囲気ガスとして空気が基板搬送領域９へ供給される。それにより、基板搬送領域９にダウンフローが形成され、清浄な空気の雰囲気に保たれる。
【００７１】
フィルタファンユニットＦＦＵによるダウンフロー流量は、基板搬送装置ＣＲの動作に応じて変化する。ダウンフロー流量の変化の詳細については後述する。
【００７２】
第３の処理領域５のポリマー除去ユニットＳＲには、基板搬送領域９から不要なポリマーが付着した基板Ｗが搬入される。搬入された基板Ｗは回転式処理装置５０内に保持される。回転式処理装置５０が基板Ｗを回転するとともに、処理液供給配管４１ａから処理液（ポリマー除去剤）が滴下される。これにより基板Ｗ上の不要なポリマーが剥離される。その後、不要なポリマーが除去された基板Ｗは、基板搬送装置ＣＲによりポリマー除去ユニットＳＲから搬出される。
【００７３】
ポリマー除去ユニットＳＲの開口部に取り付けられたシャッタＳＨは、ポリマー除去ユニットＳＲに対する基板Ｗの搬入および搬出時に開かれ、その他において閉じられる。
【００７４】
ここで、処理液供給配管４１ａはバルブ３１ｓを介して処理液供給部３１に接続されている。これにより、処理液供給配管４１ａからの処理液の滴下はバルブ３１ｓで制御することができる。また、ポリマー除去ユニットＳＲの下方には、排気口４１ｂ，４１ｅが設けられている。排気口４１ｂ，４１ｅはバルブ３３ｓを介して排気装置３３に接続されている。なお、排気口４１ｂは回転式処理装置５０のカップ５０ａよりも外部に開口しており、排気口４１ｅはカップ５０ａよりも内部に開口している。すなわち、排気口４１ｂは回転式処理装置５０から外部に飛散したミスト（飛沫や蒸気）やパーティクルを吸引排気し、排気口４１ｅは回転式処理装置５０の内部に飛散したミストやパーティクルを吸引排気する。
【００７５】
ベークユニットＢＫの２つのホットプレートＨＰおよび１つのクーリングプレートＣＰの各々には、基板搬送領域９から基板Ｗが搬入される。２つのホットプレートＨＰのうちのいずれか１つのホットプレートＨＰに搬入された基板Ｗには加熱処理が施された後、クーリングプレートＣＰに搬入されて基板Ｗに冷却処理が施される。その後、冷却処理の施された基板Ｗは、基板搬送装置ＣＲによりクーリングプレートＣＰから搬出される。
【００７６】
２つのホットプレートＨＰおよび１つのクーリングプレートＣＰの開口部に取り付けられた複数のシャッタＳＨの各々は、ホットプレートＨＰおよびクーリングプレートＣＰに対する基板Ｗの搬入および搬出時に開かれ、その他において閉じられる。
【００７７】
上記加熱処理および冷却処理時において、ホットプレートＨＰおよびクーリングプレートＣＰの各々には、不活性ガス供給配管４２ａ，４２ｂ，４２ｃからＮ２  ガス等の不活性ガスが導入される。
【００７８】
不活性ガス供給配管４２ａ，４２ｂ，４２ｃは、それぞれバルブ３２ａ，３２ｂ，３２ｃを介して給気装置３２に接続されている。これにより、給気装置３２からの不活性ガスの供給はバルブ３２ａ，３２ｂ，３２ｃで制御することができる。
【００７９】
さらに、ホットプレートＨＰおよびクーリングプレートＣＰの各々の下方には、排気口４３ａ，４３ｂ，４３ｃが設けられている。排気口４３ａ，４３ｂ，４３ｃはバルブ３３ａ，３３ｂ，３３ｃを介して排気装置３３に接続されている。
【００８０】
これにより、不活性ガス供給配管４２ａ，４２ｂ，４２ｃを通してホットプレートＨＰおよびクーリングプレートＣＰ内に導入される不活性ガスおよびホットプレートＨＰおよびクーリングプレートＣＰの開口部を通して流れ込むダウンフローは、排気口４３ａ，４３ｂ，４３ｃを介して排気装置３３へと排気される。
【００８１】
上記、バルブ３１ｓ，３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｓの各々の開閉動作、ホットプレートＨＰおよびクーリングプレートＣＰの複数のシャッタＳＨの各々の開閉動作およびフィルタファンユニットＦＦＵによるダウンフロー流量は、制御部２により制御される。
【００８２】
ここで、制御部２により制御されるダウンフロー流量の変化とポリマー除去ユニットＳＲ、ホットプレートＨＰおよびクーリングプレートＣＰのシャッタＳＨの開閉動作との関係について説明する。
【００８３】
図３は、図１の制御部が制御するダウンフロー流量とポリマー除去ユニット、ホットプレートおよびクーリングプレートのシャッタの開閉動作との関係を示す図である。
【００８４】
図３（ａ）は基板搬送領域９におけるダウンフロー流量の変化を示し、図３（ｂ）はポリマー除去ユニットＳＲのシャッタＳＨの開閉動作を示す。また、図３（ｃ）はホットプレートＨＰのシャッタＳＨの開閉動作を示し、図３（ｄ）はクーリングプレートＣＰのシャッタＳＨの開閉動作を示す。
【００８５】
図３（ａ）中のｆ１〜ｆ４はダウンフロー流量の値を示す。なお、本例においてホットプレートＨＰは、図２の２つのホットプレートＨＰのうちいずれであってもよい。
【００８６】
図３（ａ）の時間ｔ０においては、基板処理装置１００Ａ本体の電源がオフされており、動作が停止している。したがって、ダウンフロー流量は０である。なお、もし必要であれば、フィルタファンユニットＦＦＵの電源を別電源として、基板処理装置１００の動作に関わらず常時動作させるようにしてもよい。
【００８７】
時間ｔ１において、基板処理装置１００Ａ本体の電源がオンされると、制御部２はフィルタファンユニットＦＦＵを動作させる。これにより、基板搬送領域９には流量ｆ１のダウンフローが形成される。その結果、基板搬送領域９における基板Ｗの搬送時には、常に一定のダウンフローが形成されるので、基板Ｗ上へのパーティクルの付着等が低減される。
【００８８】
時間ｔ２において、基板搬送領域９の基板搬送装置ＣＲがポリマー除去ユニットＳＲに対して基板Ｗの搬入および搬出を行う場合、制御部２はポリマー除去ユニットＳＲのシャッタＳＨを開くとともに、フィルタファンユニットＦＦＵによるダウンフロー流量を増加させる。
【００８９】
これにより、基板搬送領域９には流量ｆ４のダウンフローが発生する。その結果、ポリマー除去ユニットＳＲのシャッタＳＨが開いているにもかかわらず、ポリマー除去ユニットＳＲ内部の雰囲気（処理液のミストおよびパーティクルを含む雰囲気等）が基板搬送領域９に漏洩することが防止される。
【００９０】
同時に、制御部２はバルブ３３ｓを開く。これにより、ポリマー除去ユニットＳＲ内部の雰囲気が排気口４１ｂ，４１ｅから排気装置３３へと排気されるとともに、基板搬送領域９のダウンフローによりシャッタＳＨの取り付けられた開口部を通してポリマー除去ユニットＳＲ内部に流れ込む清浄な空気が排気口４１ｂ，４１ｅから排気装置３３へと排気される。
【００９１】
このように、ポリマー除去ユニットＳＲのシャッタＳＨの取り付けられた開口部から排気口４１ｂ，４１ｅへと清浄な空気の流れが形成されるので、ポリマー除去ユニットＳＲ内部での基板Ｗ上へのパーティクルの付着等が低減される。
【００９２】
時間ｔ３において、制御部２はポリマー除去ユニットＳＲのシャッタＳＨを閉じるとともに、フィルタファンユニットＦＦＵによるダウンフロー流量を減少させ、バルブ３３ｓを閉じる。これにより、基板搬送領域９には再び流量ｆ１のダウンフローが形成される。
【００９３】
時間ｔ４において、基板搬送領域９の基板搬送装置ＣＲがホットプレートＨＰに対して基板Ｗの搬入または搬出動作を行う場合、制御部２はホットプレートＨＰのシャッタＳＨを開くとともに、フィルタファンユニットＦＦＵによるダウンフロー流量を増加させる。
【００９４】
これにより、基板搬送領域９には流量ｆ３のダウンフローが発生する。このとき流量ｆ３はポリマー除去ユニットＳＲのシャッタＳＨの開放時の流量ｆ４よりもやや低く設定される。その結果、ホットプレートＨＰのシャッタＳＨが開いているにもかかわらず、ホットプレートＨＰ内部の雰囲気（パーティクルを含む熱雰囲気等）が基板搬送領域９に漏洩することが防止される。
【００９５】
同時に、制御部２は、バルブ３３ｂ，３３ｃを開く。これにより、ホットプレートＨＰ内部の雰囲気が排気口４３ｂ，４３ｃから排気装置３３へと排気されるとともに、基板搬送領域９のダウンフローによりシャッタＳＨの取り付けられた開口部を通してホットプレートＨＰ内部に流れ込む清浄な空気が排気口４３ｂ，４３ｃから排気装置３３へと排気される。
【００９６】
このように、ホットプレートＨＰのシャッタＳＨの取り付けられた開口部から排気口４３ｂ，４３ｃへと清浄な空気の流れが形成されるので、ホットプレートＨＰ内部での基板Ｗ上へのパーティクルの付着等が低減される。
【００９７】
時間ｔ５において、制御部２はホットプレートＨＰのシャッタＳＨを閉じるとともに、フィルタファンユニットＦＦＵによるダウンフロー流量を減少させ、バルブ３３ｂ，３３ｃを閉じる。これにより、基板搬送領域９には再び流量ｆ１のダウンフローが形成される。
【００９８】
時間ｔ６において、基板搬送領域９の基板搬送装置ＣＲがクーリングプレートＣＰに対して基板Ｗの搬入または搬出動作を行う場合、制御部２はクーリングプレートＣＰのシャッタＳＨを開くとともに、フィルタファンユニットＦＦＵによるダウンフロー流量を増加させる。
【００９９】
これにより、基板搬送領域９には流量ｆ２のダウンフローが発生する。このときの流量ｆ２はホットプレートＨＰのシャッタＳＨの開放時の流量ｆ３よりもやや低く設定されている。その結果、クーリングプレートＣＰのシャッタＳＨが開いているにもかかわらず、クーリングプレートＣＰ内部の雰囲気（パーティクルを含む熱雰囲気等）が基板搬送領域９に漏洩することが防止される。
【０１００】
同時に、制御部２は、バルブ３３ａを開く。これにより、クーリングプレートＣＰ内部の雰囲気が排気口４３ａから排気装置３３へと排気されるとともに、基板搬送領域９のダウンフローによりシャッタＳＨの取り付けられた開口部を通してクーリングプレートＣＰ内部に流れ込む清浄な空気が排気口４３ａから排気装置３３へと排気される。
【０１０１】
このように、クーリングプレートＣＰのシャッタＳＨの取り付けられた開口部から排気口４３ａへと清浄な空気の流れが形成されるので、クーリングプレートＣＰ内部での基板Ｗ上へのパーティクルの付着等が低減される。
【０１０２】
時間ｔ７において、制御部２はクーリングプレートＣＰのシャッタＳＨを閉じるとともに、フィルタファンユニットＦＦＵによるダウンフロー流量を減少させ、バルブ３３ａを閉じる。これにより、基板搬送領域９には再び流量ｆ１のダウンフローが形成される。
【０１０３】
上記と同様に、制御部２は、基板受渡部１０の基板搬送領域９側の一側面に設けられた開口部に取り付けられるシャッタＳＨの開閉動作に応じて、ダウンフロー流量の制御を行ってもよい。
【０１０４】
このように、基板搬送領域９のダウンフロー流量は、各処理ユニットに対する基板Ｗの搬入および搬出時（シャッタＳＨの開放時）に増加するとともに、基板Ｗの搬入および搬出対象となる処理ユニットの種類に応じて異なるように制御される。
【０１０５】
本例では、ポリマー除去ユニットＳＲのシャッタＳＨ開放時に基板搬送領域９に非常に強力なダウンフローが形成される。これにより、基板搬送領域９からポリマー除去ユニットＳＲの開口部を通してポリマー除去ユニットＳＲ内へダウンフローによる清浄な空気の流れが十分に形成されるので、ポリマー除去ユニットＳＲにおいて用いられる処理液のミストおよびパーティクルを含む雰囲気が、基板搬送領域９に漏洩することが確実に防止される。また、ポリマー除去ユニットＳＲ内に非常に強力なダウンフローによる清浄な空気の流れが形成されることにより、ポリマー除去ユニットＳＲ内のパーティクルが基板Ｗに付着することが防止される。
【０１０６】
さらに、ホットプレートＨＰのシャッタＳＨ開放時に基板搬送領域９に強力なダウンフローが形成される。これにより、基板搬送領域９からホットプレートＨＰの開口部を通してホットプレートＨＰ内へダウンフローによる清浄な空気の流れが十分に形成されるので、ホットプレートＨＰ内のパーティクルを含む熱雰囲気が基板搬送領域９に漏洩することが十分に防止されるとともに、ホットプレートＨＰ内の熱効率が向上し、また、他の処理ユニットへの熱雰囲気の流入が防止される。また、ホットプレートＨＰ内に強力なダウンフローによる清浄な空気の流れが形成されるので、ホットプレートＨＰ内のパーティクルが基板Ｗ上に付着することが防止される。
【０１０７】
また、クーリングプレートＣＰのシャッタＳＨ開放時に基板搬送領域９にやや強力なダウンフローが形成される。これにより、基板搬送領域９からクーリングプレートＣＰの開口部を通してクーリングプレートＣＰ内へダウンフローによる清浄な空気の流れが十分に形成されるので、クーリングプレートＣＰ内のパーティクルを含む雰囲気が基板搬送領域９に漏洩することが十分に防止される。また、クーリングプレートＣＰ内にやや強力なダウンフローによる清浄な空気の流れが形成されるので、クーリングプレートＣＰ内のパーティクルが基板Ｗ上に付着することが防止される。
【０１０８】
各処理ユニットのシャッタＳＨが閉じている場合は、常に所定の流量のダウンフローが形成される。これにより、基板搬送領域９における基板Ｗの搬送時に、パーティクルが基板Ｗ上に付着することが防止される。
【０１０９】
以上のように、本実施の形態に係る基板処理装置１００Ａにおいては、基板搬送領域９にダウンフローが常に形成されるとともに、各処理ユニットへの基板Ｗの搬入および搬出時にダウンフロー流量が変化する。これにより、複数の処理ユニットへの基板Ｗの搬入および搬出時における基板Ｗの清浄度の低下を十分に防止することができる。また、ダウンフローを各処理ユニットごとに適した流量に制御することにより過剰なダウンフローを防止することができるので、省エネルギー化および、コストの低減化が実現される。
【０１１０】
本実施の形態においては、第３の処理領域５に設けられるベークユニットＢＫとしては、２つのホットプレートＨＰおよび１つのクーリングプレートＣＰが用いられているが、ベークユニットＢＫの種類はホットプレートＨＰおよびクーリングプレートＣＰに限定されず、ベークユニットＢＫの設置数も３つに限定されない。
【０１１１】
本実施の形態に係る基板処理装置１００Ａにおいて、第１および第３の処理領域３，５に設けられる処理ユニットはポリマー除去ユニットＳＲに限らず、洗浄液、エッチング液、ポリマー除去液、レジスト剥離液、現像液、レジスト液等の処理液またはそれらの蒸気を用いて基板Ｗに処理を施す他の湿式処理ユニットを用いてもよい。
【０１１２】
また、第２および第４の処理領域４，６のホットプレートＨＰに代えて、ランプアニール等の枚葉式加熱処理ユニット、バッチ式熱処理炉、エッチングまたはアッシング等のプラズマ処理ユニット等の他の高温乾式処理ユニットが設けられてもよい。
【０１１３】
さらに、第２および第４の処理領域４，６のクーリングプレートＣＰに代えて、他の枚葉式冷却処理ユニット、冷風チャンバ等のバッチ式冷却処理ユニット、スピン乾燥処理ユニット等の他の低温乾式処理ユニットが設けられてもよい。
【０１１４】
図２に示すように、第１〜第４の処理領域３〜６の各々に設けられる各処理ユニットおよび基板搬送領域９の内部に、差圧計または絶対値圧力計等の圧力測定装置ＰＵを設けてもよく、制御部２は圧力測定装置ＰＵにより測定される各処理ユニットおよび基板搬送領域９の圧力に基づいてフィルタファンユニットＦＦＵの動作を制御し、基板搬送領域９のダウンフロー流量を調整してもよい。
【０１１５】
この場合、各処理ユニット内の圧力状態が変化した場合にダウンフロー流量を適切に制御することで各処理ユニット内の雰囲気が基板搬送領域９内へ漏洩することが防止され、各処理ユニットへの基板Ｗの搬入および搬出時における基板Ｗの清浄度の低下を十分に防止することができる。
【０１１６】
また、本実施の形態に係る基板処理装置１００Ａにおいては、制御部２が処理ユニットのシャッタＳＨの開閉に応じてダウンフロー流量を変化させているが、これに代えて、制御部２はダウンフロー流量を一定に制御し、各処理ユニットにおけるシャッタＳＨの開放時に各々の処理ユニットに対応するバルブ３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｓを調整することにより、各処理ユニットごとの排気口４１ｂ，４１ｅ，４３ａ，４３ｂ，４３ｃからの排気量を調整してもよい。
【０１１７】
この場合、ポリマー除去ユニットＳＲ、ホットプレートＨＰおよびクーリングプレートＣＰのシャッタ開放時に基板搬送領域９から各々の処理ユニットへ清浄な空気の流れが十分に形成される。したがって、各々の処理ユニットのシャッタＳＨの開放時に処理ユニット内の雰囲気が基板搬送領域９内に漏洩することが確実に防止される。これにより、複数の処理ユニットへの基板Ｗの搬入および搬出時における基板Ｗの清浄度の低下を十分に防止することができる。
【０１１８】
なお、各処理ユニットごとの排気口４１ｂ，４１ｅ，４３ａ，４３ｂ，４３ｃからの排気量は、制御部２がバルブ３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｓを調整する代わりに、制御部２が排気装置３３を調整することにより行ってもよい。
【０１１９】
（第２の実施の形態）
図４は、第２の実施の形態に係る基板処理装置を説明するための模式的平面図である。
【０１２０】
本実施の形態に係る基板処理装置１００Ｂは、以下の点を除き第１の実施の形態に係る基板処理装置１００Ａと同様の構成を有する。
【０１２１】
図４に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置１００Ｂは、第２および第４の処理領域４，６に洗浄ユニットＭＰが設けられる。
【０１２２】
第１および第３の処理領域３，５のポリマー除去ユニットＳＲの基板搬送領域９側の一側面（前面）には各々開口部が設けられており、その開口部の各々にはシャッタＳＨ１が取り付けられている。また、第２および第４の処理領域４，６の洗浄ユニットＭＰの基板搬送領域９側の一側面（前面）には各々開口部が設けられており、その開口部の各々にはシャッタＳＨ２が取り付けられている。洗浄ユニットＭＰのシャッタＳＨ２の大きさは、ポリマー除去ユニットＳＲのシャッタＳＨ１の大きさより小さい。
【０１２３】
換言すれば、洗浄ユニットＭＰの基板搬送領域９側の一側面に設けられる開口部の面積は、ポリマー除去ユニットＳＲの基板搬送領域９側の一側面に設けられる開口部の面積より小さい。なお、本実施の形態に係るポリマー除去ユニットＳＲのシャッタＳＨ１は第１の実施の形態に係るポリマー除去ユニットＳＲのシャッタＳＨと同じである。
【０１２４】
本実施の形態において、第１および第３の処理領域３，５に設けられるポリマー除去ユニットＳＲと第２および第４の処理領域４，６に設けられる洗浄ユニットＭＰとは、いずれも、洗浄液（リンス液）および処理液（レジスト除去剤）等の液体を基板表面に塗布する湿式処理ユニットである。
【０１２５】
図５は、図４の基板処理装置のＮ−Ｎ線断面図である。上述のように、第３の処理領域５にはポリマー除去ユニットＳＲが設けられ、第４の処理領域６には洗浄ユニットＭＰが設けられている。
【０１２６】
第４の処理領域６に設けられる洗浄ユニットＭＰは回転式処理装置５１を備える。洗浄ユニットＭＰには、基板搬送領域９から洗浄対象となる基板Ｗが搬入される。搬入された基板Ｗは回転処理装置５１内に保持される。
【０１２７】
回転処理装置５１が基板Ｗを回転するとともに、処理液供給配管４１ｃから洗浄液（リンス液）が滴下される。これにより基板Ｗの表面が洗浄される。その後、洗浄の行われた基板Ｗは、基板搬送装置ＣＲにより洗浄ユニットＭＰから搬出される。
【０１２８】
洗浄ユニットＭＰの基板搬送領域９側の一側面の開口部に取り付けられたシャッタＳＨ２は、洗浄ユニットＭＰに対する基板Ｗの搬入および搬出時に開かれ、その他において閉じられる。
【０１２９】
ここで、処理液供給配管４１ｃはバルブ３１ｔを介して処理液供給部３１に接続されている。これにより、処理液供給配管４１ｃからの処理液の滴下はバルブ３１ｓで制御することができる。また、洗浄ユニットＭＰの下方には、排気口４１ｄ，４１ｆが設けられている。排気口４１ｄ，４１ｆはバルブ３３ｔを介して排気装置３３に接続されている。
【０１３０】
これにより、洗浄ユニットＭＰの開口部を通して流れ込むダウンフローは、排気口４１ｄ，４１ｆを介して排気装置３３へと排気される。
【０１３１】
上記、バルブ３１ｔ，３３ｔの各々の開閉動作、ポリマー除去ユニットＳＲおよび洗浄ユニットＭＰの複数のシャッタＳＨ１，ＳＨ２の各々の開閉動作およびフィルタファンユニットＦＦＵによるダウンフロー流量は、制御部２により制御される。
【０１３２】
ここで、制御部２により制御されるダウンフロー流量の変化とポリマー除去ユニットＳＲおよび洗浄ユニットＭＰのシャッタＳＨ１，ＳＨ２の開閉動作との関係について説明する。
【０１３３】
図６は、図４の制御部が制御するダウンフロー流量とポリマー除去ユニットのシャッタおよび洗浄ユニットのシャッタの開閉動作との関係を示す図である。
【０１３４】
図６（ａ）は基板搬送領域９におけるダウンフロー流量の変化を示し、図６（ｂ）はポリマー除去ユニットＳＲのシャッタＳＨ１の開閉動作を示す。また、図６（ｃ）は洗浄ユニットＭＰのシャッタＳＨの開閉動作を示す。
【０１３５】
図６（ａ）中のｆａ〜ｆｃはダウンフロー流量の値を示す。図６（ａ）の時間ｔ０においては、基板処理装置１００Ｂ本体の電源がオフされており、動作が停止している。したがって、ダウンフロー流量は０である。
【０１３６】
時間ｔ１において、基板処理装置１００Ｂ本体の電源がオンされると、制御部２はフィルタファンユニットＦＦＵを動作させる。これにより、基板搬送領域９には流量ｆａのダウンフローが形成される。その結果、基板搬送領域９における基板Ｗの搬送時には、常に一定のダウンフローが形成されるので、基板Ｗ上へのパーティクルの付着等が低減される。
【０１３７】
時間ｔ２において、基板搬送領域９の基板搬送装置ＣＲがポリマー除去ユニットＳＲに対して基板Ｗの搬入および搬出を行う場合、制御部２はポリマー除去ユニットＳＲのシャッタＳＨ１を開くとともに、フィルタファンユニットＦＦＵによるダウンフロー流量を増加させる。
【０１３８】
これにより、基板搬送領域９には流量ｆｃのダウンフローが発生する。その結果、基板搬送領域９には非常に強力なダウンフローが形成されるので、ポリマー除去ユニットＳＲのシャッタＳＨ１が開いているにもかかわらず、ポリマー除去ユニットＳＲ内部の雰囲気（処理液のミストおよびパーティクルを含む雰囲気等）が基板搬送領域９に漏洩することが防止される。
【０１３９】
同時に、制御部２は、バルブ３３ｓを開く。これにより、ポリマー除去ユニットＳＲ内部の雰囲気が排気口４１ｂ，４１ｅから排気装置３３へと排気されるとともに、基板搬送領域９のダウンフローによりシャッタＳＨ１の取り付けられた開口部を通してポリマー除去ユニットＳＲ内部に流れ込む清浄な空気が排気口４１ｂ，４１ｅから排気装置３３へと排気される。
【０１４０】
このように、ポリマー除去ユニットＳＲのシャッタＳＨ１の取り付けられた開口部から排気口４１ｂ，４１ｅへと清浄な空気の流れが形成されるので、ポリマー除去ユニットＳＲ内部での基板Ｗ上へのパーティクルの付着等が低減される。
【０１４１】
時間ｔ３において、制御部２はポリマー除去ユニットＳＲのシャッタＳＨ１を閉じるとともに、フィルタファンユニットＦＦＵによるダウンフロー流量を減少させ、バルブ３３ｓを閉じる。これにより、基板搬送領域９には再び流量ｆａのダウンフローが形成される。
【０１４２】
時間ｔ４において、基板搬送領域９の基板搬送装置ＣＲが洗浄ユニットＭＰに対して基板Ｗの搬入または搬出動作を行う場合、制御部２は洗浄ユニットＭＰのシャッタＳＨ２を開くとともに、フィルタファンユニットＦＦＵによるダウンフロー流量を増加させる。
【０１４３】
これにより、基板搬送領域９には流量ｆｂのダウンフローが発生する。このときの流量ｆｂはポリマー除去ユニットＳＲのシャッタＳＨ１の開放時の流量ｆｃよりもやや低く設定される。その結果、基板搬送領域９には強力なダウンフローが形成されるので、洗浄ユニットＭＰのシャッタＳＨ２が開いているにもかかわらず、洗浄ユニットＭＰ内部の雰囲気（洗浄液のミストおよびパーティクルを含む雰囲気等）が基板搬送領域９に漏洩することが防止される。
【０１４４】
同時に、制御部２は、バルブ３３ｔを開く。これにより、洗浄ユニットＭＰ内部の雰囲気が排気口４１ｄ，４１ｆから排気装置３３へと排気されるとともに、基板搬送領域９のダウンフローによりシャッタＳＨ２の取り付けられた開口部を通して洗浄ユニットＭＰ内部に流れ込む清浄な空気が排気口４１ｄ，４１ｆから排気装置３３へと排気される。
【０１４５】
このように、洗浄ユニットＭＰのシャッタＳＨ２の取り付けられた開口部から排気口４１ｄへと清浄な空気の流れが形成されるので、洗浄ユニットＭＰ内部での基板Ｗ上へのパーティクルの付着等が低減される。
【０１４６】
時間ｔ５において、制御部２は洗浄ユニットＭＰのシャッタＳＨ２を閉じるとともに、フィルタファンユニットＦＦＵによるダウンフロー流量を減少させ、バルブ３３ｔを閉じる。これにより、基板搬送領域９には再び流量ｆａのダウンフローが形成される。
【０１４７】
上記と同様に、制御部２は、基板受渡部１０の基板搬送領域９側の一側面に設けられた開口部に取り付けられるシャッタＳＨの開閉動作に応じて、ダウンフロー流量の制御を行ってもよい。
【０１４８】
基板搬送領域９のダウンフロー流量は、各処理ユニットに対する基板Ｗの搬入および搬出時（シャッタＳＨの開放時）に増加するとともに、各処理ユニットに設けられるシャッタＳＨ１，ＳＨ２の大きさ、すなわち開口部の面積の大きさに応じて異なるように制御される。
【０１４９】
本例では、ポリマー除去ユニットＳＲのシャッタＳＨ１の開放時に基板搬送領域９に非常に強力なダウンフローが形成される。これにより、基板搬送領域９からポリマー除去ユニットＳＲの開口部を通してポリマー除去ユニットＳＲ内へダウンフローによる清浄な空気の流れが十分に形成されるので、ポリマー除去ユニットＳＲにおいて用いられる処理液のミストおよびパーティクルを含む雰囲気が、基板搬送領域９に漏洩することが確実に防止される。また、ポリマー除去ユニットＳＲ内に非常に強力なダウンフローによる清浄な空気の流れが形成されることにより、ポリマー除去ユニットＳＲ内のパーティクルが基板Ｗに付着することが防止される。
【０１５０】
さらに、洗浄ユニットＭＰのシャッタＳＨ１より小さいシャッタＳＨ２の開放時に基板搬送領域９に強力なダウンフローが形成される。これにより、基板搬送領域９から洗浄ユニットＭＰの開口部を通して洗浄ユニットＭＰ内へダウンフローによる清浄な空気の流れが十分に形成されるので、洗浄ユニットＭＰにおいて用いられる洗浄液のミストおよびパーティクルを含む雰囲気が、基板搬送領域９に漏洩することが確実に防止される。また、洗浄ユニットＭＰ内に強力なダウンフローによる清浄な空気の流れが形成されることにより、洗浄ユニットＭＰ内のパーティクルが基板Ｗに付着することが防止される。
【０１５１】
ここで、上記において、各処理ユニットの開放時のダウンフロー流量は、面積の大きい開口部を有するポリマー除去ユニットＳＲのシャッタＳＨの開放時に基板搬送領域９から開口部を通してポリマー除去ユニットＳＲ内へ流れ込む清浄な空気の流量と面積の小さい開口部を有する洗浄ユニットＭＰのシャッタＳＨの開放時に基板搬送領域９から開口部を通して洗浄ユニットＭＰ内へ流れ込む清浄な空気の流量とはほぼ等しくなるように設定されている。それにより、ポリマー除去ユニットＳＲおよび洗浄ユニットＭＰ内の雰囲気が搬送領域内に漏洩することが確実かつ効率的に防止される。したがって、過剰なダウンフローが防止され、省エネルギー化およびコストの低減化が実現される。
【０１５２】
なお、各処理ユニットの開放時のダウンフロー流量の強さは、各処理ユニットの開口部の大きさに対して略比例するように設定されることが好ましい。
【０１５３】
以上のように、本実施の形態に係る基板処理装置１００Ｂにおいては、基板搬送領域９にダウンフローが常に形成されるとともに、各処理ユニットへの基板Ｗの搬入および搬出時に同一の処理形態を有する処理ユニット（湿式処理ユニット）同士であっても、各処理ユニットに設けられる開口部の面積の大きさに応じてダウンフロー流量が変化する。これにより、複数の処理ユニットへの基板Ｗの搬入および搬出時に十分に防止することができるとともに、過剰なダウンフローを防止することができるので、省エネルギー化およびコストの低減化が実現される。
【０１５４】
本実施の形態に係る基板処理装置１００Ｂにおいて、第１〜第４の処理領域３〜６の各々に設けられる処理ユニットは、湿式処理ユニットＳＲに限らず、高温乾式処理ユニットまたは低温乾式処理ユニット等の他の処理形態を有する処理ユニットであってもよい。
【０１５５】
図５に示すように、第１〜第４の処理領域３〜６の各々に設けられる各処理ユニットおよび基板搬送領域９の内部に差圧計または絶対値圧力計等の圧力測定装置ＰＵを設けてもよく、制御部２は圧力測定装置ＰＵにより測定される各処理ユニットおよび基板搬送領域９の圧力に基づいてフィルタファンユニットＦＦＵの動作を制御し、基板搬送領域９のダウンフロー流量を調整してもよい。具体的には、第１〜第４の処理領域３〜６内の圧力＞基板搬送領域９内の圧力である場合には、基板搬送領域９の上方からのダウンフローの流量を増加させ、第１〜第４の処理領域３〜６内の圧力＜基板搬送領域９内の圧力である場合には、ダウンフローの流量を減少させるよう、フィルタファンユニットＦＦＵの動作を制御する。
【０１５６】
この場合、各処理ユニット内の圧力状態が変化した場合にダウンフロー流量を適切に制御することで各処理ユニット内の雰囲気が基板搬送領域９内へ漏洩することが防止され、各処理ユニットへの基板Ｗの搬入および搬出時における基板Ｗの清浄度の低下を十分に防止することができる。
【０１５７】
また、本実施の形態に係る基板処理装置１００Ｂにおいては、制御部２が処理ユニットのシャッタＳＨ１，ＳＨ２の開閉に応じてダウンフロー流量を変化させているが、これに代えて、制御部２はダウンフロー流量を一定に制御し、各処理ユニットにおけるシャッタＳＨ１，ＳＨ２の開放時に各々の処理ユニットに対応するバルブ３３ｓ，３３ｔを調整することにより、各処理ユニットごとの排気口４１ｂ，４１ｄ，４１ｅ，４１ｆからの排気量を調整してもよい。
【０１５８】
この場合、ポリマー除去ユニットＳＲおよび洗浄ユニットＭＰのシャッタ開放時に基板搬送領域９から各々の処理ユニットへ清浄な空気の流れが十分に形成される。したがって、各々の処理ユニットのシャッタＳＨの開放時に処理ユニット内の雰囲気が基板搬送領域９内に漏洩することが確実に防止される。これにより、複数の処理ユニットへの基板Ｗの搬入および搬出時における基板Ｗの清浄度の低下を十分に防止することができる。
【０１５９】
なお、各処理ユニットごとの排気口４１ｂ，４１ｄ，４１ｅ，４１ｆからの排気量は、制御部２がバルブ３３ｓ，３３ｔを調整する代わりに、制御部２が排気装置３３を調整することにより行ってもよい。
【０１６０】
以上、第１および第２の実施の形態において、第１〜第４の処理領域３〜６の各々が処理領域に相当し、ホットプレートＨＰ、クーリングプレートＣＰおよびポリマー除去ユニットＳＲおよび洗浄ユニットＭＰが処理手段に相当し、第１〜第４の処理領域３〜６内に設けられる各処理ユニットの筐体が処理室に相当し、基板搬送領域９が搬送領域に相当し、フィルタファンユニットＦＦＵがダウンフロー形成手段に相当し、制御部２が制御手段に相当し、第１〜第４の処理領域３〜６内に設けられる各処理ユニットに設けられる開口部が開口部に相当し、シャッタＳＨ，ＳＨ１，ＳＨ２がシャッタに相当する。
【０１６１】
また、ポリマー除去ユニットＳＲおよび洗浄ユニットＭＰの筐体が湿式処理室に相当し、ホットプレートＨＰおよびクーリングプレートＣＰの筐体が乾式処理室に相当し、ホットプレートＨＰの筐体が第１の処理室に相当し、クーリングプレートＣＰの筐体が第２の処理室に相当し、ホットプレートＨＰが第１の乾式処理手段に相当し、クーリングプレートＣＰが第２の乾式処理手段に相当し、ホットプレートＨＰの筐体が第１の乾式処理室に相当し、クーリングプレートＣＰの筐体が第２の乾式処理室に相当する。
【０１６２】
さらに、ポリマー除去ユニットＳＲの筐体に設けられる開口部が第１の面積の開口部に相当し、洗浄ユニットＭＰの筐体に設けられる開口部が第２の面積の開口部に相当し、排気口４１ｂ，４１ｄ，４１ｅ，４１ｆ，４３ａ，４３ｂ，４３ｃが排気部に相当し、制御部２、排気装置３３およびバルブ３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｓ，３３ｔが排気量調整手段に相当し、圧力測定装置ＰＵが圧力測定手段に相当する。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態に係る基板処理装置を説明するための模式的平面図である。
【図２】図１の基板処理装置のＭ−Ｍ線断面図である。
【図３】図１の制御部が制御するダウンフロー流量とポリマー除去ユニット、ホットプレートおよびクーリングプレートのシャッタの開閉動作との関係を示す図である。
【図４】第２の実施の形態に係る基板処理装置を説明するための模式的平面図である。
【図５】図４の基板処理装置のＮ−Ｎ線断面図である。
【図６】図４の制御部が制御するダウンフロー流量とポリマー除去ユニットのシャッタおよび洗浄ユニットのシャッタの開閉動作との関係を示す図である。
【符号の説明】
２  制御部
３  第１の処理領域
４  第２の処理領域
５  第３の処理領域
６  第４の処理領域
９  基板搬送領域
３３  排気装置
１００Ａ，１００Ｂ  基板処理装置
３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｓ，３３ｔ  バルブ
４１ｂ，４１ｄ，４１ｅ，４１ｆ，４３ａ，４３ｂ，４３ｃ  排気口
ＳＨ，ＳＨ１，ＳＨ２  シャッタ
ＳＲ  ポリマー除去ユニット
ＭＰ  洗浄ユニット
ＨＰ  ホットプレート
ＣＰ  クーリングプレート
ＰＵ  圧力測定装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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