【手続補正書】
【提出日】平成23年9月16日(2011.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物発光ダイオードであって、
パターン化した基板上に形成された、ｎ型層、窒化物中間層、窒化物ベースの活性領域、およびｐ型層を備え、
該ｎ型層と該ｐ型層との間に形成された該窒化物中間層は異なるインジウム（Ｉｎ）組成を有するＩｎ含有層の少なくとも２つの周期の交互層を有し、
該窒化物中間層の上または該窒化物中間層の上方に、かつ該ｎ型層と該ｐ型層との間に形成された該窒化物ベースの活性領域は、少なくとも１つの量子井戸構造を含む、窒化物発光ダイオード。
【請求項２】
前記２つの周期の交互層は、少なくとも２つの第二の窒化物層と交互配置される、少なくとも２つの第一の窒化物層を備える、請求項１に記載の窒化物発光ダイオード。
【請求項３】
前記第一の層はインジウムを含有し、前記第二の層は実質的に全くインジウムを含有しない、請求項２に記載の窒化物発光ダイオード。
【請求項４】
前記２つの周期の交互層は、窒化物の臨界弾性厚さよりも小さい厚さを有し、それにより、前記窒化物中間層は、該交互層が該臨界厚さよりも大きい厚さで成長させられた構造と比較して、前記活性領域の結晶品質を改善するための緩衝層の役割を果たす、請求項１に記載の窒化物発光ダイオード。
【請求項５】
前記交互層は、第一の層と第二の層とを備え、第一の層の厚さは、該交互層の屈折率を変動させるために、該第一の層から前記活性領域までの距離が減少するにつれて増加または減少する、請求項１に記載の窒化物発光ダイオード。
【請求項６】
前記交互層は、第一の層と第二の層とを備え、第一の層のインジウム組成は、該交互層の屈折率を変動させるために、該第一の層から前記活性領域までの距離が減少するにつれて増加または減少する、請求項１に記載の窒化物発光ダイオード。
【請求項７】
前記交互層は、少なくとも２つの第一の層と、少なくとも２つの第二の層とを備え、該第一の層は、ＩｎｘＧａ１−ｘＮであり、該第二の層は、ＩｎｙＧａ１−ｙＮであり、０＜ｘ＜１かつ０≦ｙ＜１である、請求項１に記載の窒化物発光ダイオード。
【請求項８】
前記少なくとも１つの量子井戸のバンドギャップは、前記窒化物中間層のバンドギャップ未満である、請求項１に記載の窒化物発光ダイオード。
【請求項９】
前記窒化物発光ダイオードの前記ｐ型窒化物層の最上部に形成される、少なくとも１つの透明導電酸化物（ＴＣＯ）層と、該ｐ型窒化物層と該ＴＣＯ層との間に、または該ｐ型窒化物層および該ＴＣＯ層に隣接して配置される、トンネル接合層とをさらに備える、請求項１に記載の窒化物発光ダイオード。
【請求項１０】
前記透明導電酸化物層は、前記ｐ型窒化物層に対するｐ型接触として使用される、請求項９に記載の窒化物発光ダイオード。
【請求項１１】
前記パターン化した基板は、ｃ面、ｒ面、またはａ面によって表される、その主表面を有する、パターン化したサファイア基板である、請求項１に記載の窒化物発光ダイオード。
【請求項１２】
前記パターン化した基板は、尖晶石（ＭｇＡｌ２Ｏ４）のパターン化したサファイア絶縁基板、または、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、または３Ｃを含む）、Ｓｉ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、またはＧａＮで構成されているパターン化した半導体基板である、請求項１に記載の窒化物発光ダイオード。
【請求項１３】
前記パターン化した基板は、窒化ガリウム（ＧａＮ）の半極性または無極性の表面から構成されている、請求項１に記載の窒化物発光ダイオード。
【請求項１４】
窒化物発光ダイオードを製造する方法であって、
パターン化した基板上に、ｎ型層、窒化物中間層、窒化物ベースの活性領域、およびｐ型層を形成することを含み、
該ｎ型層と該ｐ型層との間に形成された該窒化物中間層は、異なるインジウム（Ｉｎ）組成を有するＩｎ含有層の少なくとも２つの周期の交互層を有し、
該窒化物中間層の上または該窒化物中間層より上方で、かつ該ｎ型層と該ｐ型層との間に形成された該窒化物ベースの活性領域は、少なくとも１つの量子井戸構造を含む、方法。
【請求項１５】
窒化物発光ダイオードから発光する方法であって、
パターン化した基板上に形成された、ｎ型層、窒化物中間層、窒化物ベースの活性領域、およびｐ型層から構成される構造から光を発することを含み、
該ｎ型層と該ｐ型層との間に形成された該窒化物中間層は、異なるインジウム（Ｉｎ）組成を有するＩｎ含有層の少なくとも２つの周期の交互層を有し、
該窒化物中間層の上または該窒化物中間層より上方で、かつ該ｎ型層と該ｐ型層との間に形成された該窒化物ベースの活性領域は、少なくとも１つの量子井戸構造を含む、方法。
【請求項１６】
前記２つの周期の交互層は、少なくとも２つの第二の窒化物層と交互配置される、少なくとも２つの第一の窒化物層を備える、請求項１４に記載の窒化物発光ダイオードを製造する方法。
【請求項１７】
前記第一の層はインジウムを含有し、前記第二の層は実質的に全くインジウムを含有しない、請求項１６に記載の窒化物発光ダイオードを製造する方法。
【請求項１８】
前記２つの周期の交互層は、窒化物の臨界弾性厚さよりも小さい厚さを有し、それにより、前記窒化物中間層は、該交互層が該臨界厚さよりも大きい厚さで成長させられた構造と比較して、前記活性領域の結晶品質を改善するための緩衝層の役割を果たす、請求項１４に記載の窒化物発光ダイオードを製造する方法。
【請求項１９】
前記交互層は、第一の層と第二の層とを備え、第一の層の厚さは、該交互層の屈折率を変動させるために、該第一の層から前記活性領域までの距離が減少するにつれて増加または減少する、請求項１４に記載の窒化物発光ダイオードを製造する方法。
【請求項２０】
前記交互層は、第一の層と第二の層とを備え、第一の層のインジウム組成は、該交互層の屈折率を変動させるために、該第一の層から前記活性領域までの距離が減少するにつれて増加または減少する、請求項１４に記載の窒化物発光ダイオードを製造する方法。
【請求項２１】
前記交互層は、少なくとも２つの第一の層と、少なくとも２つの第二の層とを備え、該第一の層は、ＩｎｘＧａ１−ｘＮであり、該第二の層は、ＩｎｙＧａ１−ｙＮであり、０＜ｘ＜１かつ０≦ｙ＜１である、請求項１４に記載の窒化物発光ダイオードを製造する方法。
【請求項２２】
前記少なくとも１つの量子井戸のバンドギャップは、前記窒化物中間層のバンドギャップ未満である、請求項１４に記載の窒化物発光ダイオードを製造する方法。
【請求項２３】
前記窒化物発光ダイオードの前記ｐ型窒化物層の最上部に形成される、少なくとも１つの透明導電酸化物（ＴＣＯ）層と、該ｐ型窒化物層と該ＴＣＯ層との間に、または該ｐ型窒化物層および該ＴＣＯ層に隣接して配置される、トンネル接合層とをさらに備える、請求項１４に記載の窒化物発光ダイオードを製造する方法。
【請求項２４】
前記透明導電酸化物層は、前記ｐ型窒化物層に対するｐ型接触として使用される、請求項２３に記載の窒化物発光ダイオードを製造する方法。
【請求項２５】
前記パターン化した基板は、ｃ面、ｒ面、またはａ面によって表される、その主表面を有する、パターン化したサファイア基板である、請求項１４に記載の窒化物発光ダイオードを製造する方法。
【請求項２６】
前記パターン化した基板は、尖晶石（ＭｇＡｌ２Ｏ４）のパターン化したサファイア絶縁基板、または、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、または３Ｃを含む）、Ｓｉ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、またはＧａＮで構成されているパターン化した半導体基板である、請求項１４に記載の窒化物発光ダイオードを製造する方法。
【請求項２７】
前記パターン化した基板は、窒化ガリウム（ＧａＮ）の半極性または無極性の表面から構成されている、請求項１４に記載の窒化物発光ダイオードを製造する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
本発明は、パターン化した基板上に窒化物発光ダイオードを製造する方法であって、ｎ型層とｐ型層との間に窒化物中間層を形成するステップであって、窒化物中間層は、異なるインジウム（Ｉｎ）組成を有するＩｎ含有層の少なくとも２つの周期の交互層を有する、ステップと、窒化物中間層の上またはそれより上側で、かつｎ型層とｐ型層との間に、窒化物に基づく活性領域を形成するステップであって、窒化物に基づく活性層は、少なくとも１つの量子井戸構造を含む、ステップとを含む方法をさらに開示する。本発明は、パターン化した基板上の窒化物発光ダイオードから発光する方法であって、窒化物中間層の上、またはそれより上側で、かつｎ型層とｐ型層との間で、窒化物に基づく活性領域から発光するステップであって、窒化物に基づく活性層は、少なくとも１つの量子井戸構造を含む、ステップを含む方法をさらに含む。
例えば、本発明は以下の項目を提供する。
（項目１）
パターン化した基板上の窒化物発光ダイオードであって、
ｎ型層およびｐ型層と、
該ｎ型層と該ｐ型層との間にあり、異なるインジウム（Ｉｎ）組成を有するＩｎ含有層の少なくとも２つの周期の交互層を有する、窒化物中間層と、
少なくとも１つの量子井戸構造を含む、該窒化物中間層の上またはそれより上側に、かつ該ｎ型層と該ｐ型層との間に形成される、窒化物に基づく活性領域と
を備える、窒化物発光ダイオード。
（項目２）
上記２つの周期の交互層は、少なくとも２つの第二の窒化物層と交互配置される、少なくとも２つの第一の窒化物層を備える、項目１に記載の窒化物発光ダイオード。
（項目３）
上記第一の層はインジウムを含有し、上記第二の層は実質的に全くインジウムを含有しない、項目２に記載の窒化物発光ダイオード。
（項目４）
上記２つの周期の交互層は、窒化物の臨界弾性厚さよりも小さい厚さを有し、それにより、上記窒化物中間層は、該交互層が該臨界厚さよりも大きい厚さで成長させられた構造と比較して、上記活性領域の結晶品質を改善するための緩衝層の役割を果たす、項目１に記載の窒化物発光ダイオード。
（項目５）
上記交互層は、第一の層と第二の層とを備え、第一の層の厚さは、該交互層の屈折率を変動させるために、該第一の層から上記活性層までの距離が減少するにつれて増加または減少する、項目１に記載の窒化物発光ダイオード。
（項目６）
上記交互層は、第一の層と第二の層とを備え、第一の層のインジウム組成は、該交互層の屈折率を変動させるために、該第一の層から上記活性層までの距離が減少するにつれて増加または減少する、項目１に記載の窒化物発光ダイオード。
（項目７）
上記交互層は、少なくとも２つの第一の層と、少なくとも２つの第二の層とを備え、該第一の層は、ＩｎｘＧａ１−ｘＮであり、該第二の層は、ＩｎｙＧａ１−ｙＮ、０＜ｘ＜１かつ０≦ｙ＜１である、項目１に記載の窒化物発光ダイオード。
（項目８）
上記少なくとも１つの量子井戸のバンドギャップは、上記窒化物中間層のバンドギャップ未満である、項目１に記載の窒化物発光ダイオード。
（項目９）
上記窒化物発光ダイオードの上記ｐ型窒化物層の最上部に形成される、少なくとも１つの透明導電酸化物（ＴＣＯ）層と、該ｐ型窒化物層と該ＴＣＯ層との間に、またはそれらに隣接して配置される、トンネル接合層とをさらに備える、項目１に記載の窒化物発光ダイオード。
（項目１０）
上記透明導電酸化物層は、上記ｐ型窒化物層に対するｐ型接触として使用される、項目９に記載の窒化物発光ダイオード。
（項目１１）
上記パターン化した基板は、ｃ面、ｒ面、またはａ面によって表される、その主表面を有する、パターン化したサファイア基板である、項目１に記載の窒化物発光ダイオード。
（項目１２）
上記パターン化した基板は、尖晶石（ＭｇＡｌ２Ｏ４）のパターン化したサファイア絶縁基板、または、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、または３Ｃを含む）、Ｓｉ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、またはＧａＮでできているパターン化した半導体基板である、項目１に記載の窒化物発光ダイオード。
（項目１３）
上記パターン化した基板は、窒化ガリウム（ＧａＮ）の半極性または無極性の表面から成る、項目１に記載の窒化物発光ダイオード。
（項目１４）
パターン化した基板上に窒化物発光ダイオードを製造する方法であって、
ｎ型層とｐ型層との間に窒化物中間層を形成することであって、該窒化物中間層は、異なるインジウム（Ｉｎ）組成を有するＩｎ含有層の少なくとも２つの周期の交互層を有する、ことと、
該窒化物中間層の上またはそれより上側で、かつ該ｎ型層と該ｐ型層との間に、窒化物に基づく活性領域を形成することであって、該窒化物に基づく活性層は、少なくとも１つの量子井戸構造を含む、ことと
を含む、方法。
（項目１５）
パターン化した基板上の窒化物発光ダイオードから発光する方法であって、
ｎ型層とｐ型層との間に窒化物中間層を形成することであって、該窒化物中間層は、異なるインジウム（Ｉｎ）組成を有するＩｎ含有層の少なくとも２つの周期の交互層を有する、ことと、
該窒化物中間層の上またはそれより上側で、かつ該ｎ型層と該ｐ型層との間で、窒化物に基づく活性領域から発光することであって、該窒化物に基づく活性層は、少なくとも１つの量子井戸構造を含む、ことと
を含む、方法。