【事件の表示】
　平成　５年特許願第１５７６９７号「液晶表示装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　７年　１月１７日出願公開、特開平　７−　１３１９０］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成５年６月２８日に出願された特許出願であって、原審において、平成１３年６月１８日付で拒絶理由が通知され、これに対し、同年８月２４日に意見書が提出されたところ、同年１１月１３日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月２１日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものであって、その請求項１に係る発明は、明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるとおりのものと認める。（以下、「本願発明」という。）
　　
「【請求項１】　マトリクス状に配線された複数本の信号線および走査線、各画素毎に設けられそれぞれ薄膜トランジスタによる画素用スイッチング素子を介して前記信号線および走査線に接続された画素電極、画像信号および走査信号を前記信号線および走査線の対応するものに供給する薄膜トランジスタにより構成された駆動回路を有する第１の電極基板と、この第１の電極基板に間隙を対向し前記画素電極に対向して配置される対向電極を有する第２の電極基板と、これら第１の電極基板および第２の電極基板の間隙に挟持された液晶層とを備え、前記画素用スイッチング素子を構成する薄膜トランジスタとして、少数キャリアの拡散長が、前記駆動回路を構成する薄膜トランジスタの少数キャリアの拡散長より短いものを用いたことを特徴とする液晶表示装置。」
　　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前の他の出願であって、その出願後に出願公開された特願平５−１４４０３６号（特開平７−２０４８８号公報参照）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下、「先願明細書」という。）には、
「　　【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　本発明は、アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置に好適に用いられるドライバモノリシック型のアクティブマトリクス基板およびその製造方法に関する。」、
「　　【００１０】
　本発明は、・・・、光起電力によるリーク電流が小さい表示用ＴＦＴと、高移動度でバラツキの少ない駆動用ＴＦＴとを備え、生産性よく製造することができるアクティブマトリクス基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
　　　【００１１】
　　【課題を解決するための手段】
  本発明のアクティブマトリクス基板は、基板上の表示部に、マトリクス状に配設された絵素電極と、該絵素電極の近傍を通って相互に交差して設けられたデータ線およびゲート線と、該絵素電極、走査線および信号線にそれぞれ電気的に接続された表示用薄膜トランジスタとが形成され、該基板の表示部以外の部分上に、該表示部を駆動すべく駆動用薄膜トランジスタを有する駆動回路部が形成されたアクティブマトリクス基板において、該表示用薄膜トランジスタおよび該駆動用薄膜トランジスタが、共に多結晶半導体層を有し、該駆動用薄膜トランジスタの多結晶半導体層は水素化処理が施され、該表示用薄膜トランジスタの多結晶半導体層は水素化処理が施されておらず、そのことにより上記目的が達成される。」、
「　　【００３３】
　さらに、上記アクティブマトリクス基板と、対向電極が形成された対向基板とを貼り合わせた後、それらの基板間に液晶を注入することにより液晶表示装置を作製する。」、
が記載されている。
　　
３．対比
　そこで、本願発明と先願明細書に記載された発明とを比較すると、先願明細書に記載された発明の「アクティブマトリクス基板」は、本願発明の「第１の電極基板」に相当し、同様に「対向基板」は、「第２の電極基板」に、「絵素電極」は、「画素電極」に、「データ線およびゲート線」は、「信号線および走査線」に、「表示用薄膜トランジスタ」は、「画素用スイッチング素子」に、「駆動用薄膜トランジスタを有する駆動回路部」は、「薄膜トランジスタにより構成された駆動回路」に、相当するから、
　両者は、
「マトリクス状に配線された複数本の信号線および走査線、各画素毎に設けられそれぞれ薄膜トランジスタによる画素用スイッチング素子を介して前記信号線および走査線に接続された画素電極、画像信号および走査信号を前記信号線および走査線の対応するものに供給する薄膜トランジスタにより構成された駆動回路を有する第１の電極基板と、この第１の電極基板に間隙を対向し前記画素電極に対向して配置される対向電極を有する第２の電極基板と、これら第１の電極基板および第２の電極基板の間隙に挟持された液晶層とを備えた液晶表示装置。」
である点で一致し、次の点で一応相違している。
　　
［形式上の相違点］本願発明は、「画素用スイッチング素子を構成する薄膜トランジスタとして、少数キャリアの拡散長が、駆動回路を構成する薄膜トランジスタの少数キャリアの拡散長より短いものを用いた」ものであるのに対して、先願明細書に記載されたものは、「少数キャリアの拡散長の長短」について言及していない点。
　　
４．判断
　本願発明において、「画素用スイッチング素子を構成する薄膜トランジスタとして、少数キャリアの拡散長が、駆動回路を構成する薄膜トランジスタの少数キャリアの拡散長より短いものを用いた」ことの趣旨は、「画素用スイッチング素子として構成される薄膜トランジスタの光リーク電流を有効に抑止して、画素電位の変動による画像品質の劣化を防止した液晶表示装置を提供することにある。」（段落【００１５】）と解される。
　そして、本願明細書には、この薄膜トランジスタの拡散長を短くするための手段として３つの製造方法が開示されている。そのうち第１の方法を摘記すると以下のとおりである。
「　　　【００４４】
　まず、第１の方法として、前述したように、薄膜トランジスタの性能を向上させるべく水素化処理を行なう場合、薄膜トランジスタ２３のみ、選択的に水素化処理を行なわないようにする。
　　　【００４５】
　ここで、水素化処理は、プラズマＣＶＤ装置等のチャンバー内に水素を導入し、高周波を印加してプラズマをたてることによって行なう。この場合、薄膜トランジスタを含む基板表面を、たとえばシリコン窒化膜等のように膜中における水素の拡散係数の小さいもので覆っておけば、この覆われた部分での水素化処理は行なわれない。そこで、水素化処理に先立って、各薄膜トランジスタが形成された基板全面にシリコン窒化膜を堆積させ、その後、フォトリソグラフィにより、水素化処理を行なわない画素用スイッチング素子部分のみに、シリコン窒化膜を残す。そして、この状態で基板全体を水素化処理することにより、画素用スイッチング素子を除いた部分的な水素化処理が行なわれる。
　　　【００４６】
　図３は水素化工程を示しており、図３（ｂ）で示す薄膜トランジスタ２３上をシリコン窒化膜４０で覆っている。この状態において前述のように水素４１を導入し、高周波を印加してプラズマを立てることによって水素化処理を行なう。また、水素は窒化膜４０中での拡散が小さいため、水素化の時間を調整することにより、図３（ａ）で示す駆動回路用の薄膜トランジスタ２８では水素化処理が行なわれ、図３（ｂ）で示す薄膜トランジスタ２３では水素化処理が行なわれない。
　　　【００４７】
　ここで、水素化が行なわれなかった部分の薄膜トランジスタ２３は、局在準位が多く存在し、この局在準位が再結合準位として働くため、拡散長は短くなり、光リーク電流は少なくなる。」
　また、本願図面の【図８】には、薄膜トランジスタの光リーク電流の測定結果を、水素化処理ありの場合となしの場合についてそれぞれ示したものが記載されており、これによれば、水素化処理をしない薄膜トランジスタの光リーク電流が、同処理をしたものの光リーク電流よりも低いことが見て取れる。
　これによれば、本願発明の「薄膜トランジスタの少数キャリアの拡散長より短いものを用いた」との事項は、具体的には水素処理を含む手段によって達成されるものであることが把握できる。
　　
　他方、先願明細書に記載されたものも、上記２．に記載されているように、画素用スイッチング素子として構成される薄膜トランジスタの光リーク電流を有効に抑止することを目的とするものであって、水素化処理を施すについて、駆動回路を構成する薄膜トランジスタのみに水素化処理を実施し、画素用スイッチング素子として構成される薄膜トランジスタには水素化処理を行わないものであるから、本願明細書に記載された上記第１の方法及び上記図８の記載に照らせば、このものの画素用スイッチング素子を構成する薄膜トランジスタの少数キャリアの拡散長が、駆動回路を構成する薄膜トランジスタの少数キャリアの拡散長より短いものであることは明らかである。
　なお、本願明細書には、上記拡散長を測定した結果の開示も、同拡散長の長短と光リーク電流の多少の因果関係を示す具体的データの開示もないことを付記しておく。
　したがって、上記相違点は、実質的に先願明細書に記載されている事項であるから、両者は同一である。
　　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本願発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願発明は、特許法第２９条の２第１項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。