【手続補正書】
【提出日】平成26年9月29日(2014.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の微粉、ビーズ又は他の粒子の表面を、第１の気体状化学種を含むガスに対して実質的に露出させるための機械的手段を備え、前記機械的手段は、振動床を有し、前記振動床は、加熱される底面とそこから延びた少なくとも１つの外周壁とを有する平坦なパンを含み、前記底面及び前記少なくとも１つの外周壁はコンテナを形成し、第２の化学種の前記微粉、ビーズ又は他の粒子が、前記コンテナ内に入れられ、
前記微粉、ビーズ若しくは他の粒子、又は前記微粉、ビーズ若しくは他の粒子の前記表面を十分に高い温度まで加熱して、前記表面と接触した第１の気体状化学種が化学的に分解して前記表面上に第２の化学種を実質的に堆積させるようにするための加熱手段を更に備え、前記加熱手段は、前記振動床に結合された少なくとも一つの放射加熱要素又は電気抵抗加熱要素を含み、
加熱により、そのうちの１つが実質的に不揮発性種であって近接した熱い表面上に堆積する傾向にある１つ以上の第２の化学種に分解する化学種から選択された第１のガス源を更に備えることを特徴とする、化学蒸着反応器システム。
【請求項２】
前記第１の化学種は、シランガス（ＳｉＨ4）、トリクロロシランガス（ＳｉＨＣｌ3）、又はジクロロシランガス（ＳｉＨ2Ｃ１2）であることを特徴とする、請求項１に記載の反応器システム。
【請求項３】
前記機械的手段は振動床であり、前記振動床は、偏心フライホイールドライバ、圧電トランスデューサ又は音波トランスデューサのうちの少なくとも１つを含み、毎分約５００〜３５００サイクルの周波数、毎分約１０００〜３０００サイクルの周波数、又は毎秒約２５００サイクルの周波数を有することを特徴とする、請求項１に記載の反応器システム。
【請求項４】
前記機械的手段は、約１／１００〜４インチの振幅、約１／６４〜１／４インチの振幅、約１／３２〜１／８インチの振幅、又は約１／６４インチの振幅で振動又は揺動を発生させる少なくとも１つの振動又は揺動源を含むことを特徴とする、請求項１に記載の振動床。
【請求項５】
内部及び外部を有する格納容器を更に含み、
前記機械的手段の少なくとも一部は、前記格納容器の前記内部に配置された振動床を含
み、前記加熱手段は、前記格納容器の前記内部に少なくとも部分的に配置され、前記格納容器の前記内部は、使用時に、第１の反応物を含有するガスで満たされることを特徴とする、請求項１に記載の反応器システム。
【請求項６】
前記格納容器は、少なくとも１つの壁を含み、前記少なくとも１つの壁は、温度及び流量が制御された冷媒が中を流れる冷却ジャケットにより、又は前記格納容器の外側に配置された空冷フィンにより低温に保持され、前記格納容器の前記内部における前記ガスの温度が所望の低温に制御され、前記格納容器の前記内部における前記ガスの混合平均温度は、３０〜５００℃、５０〜３００℃、１００℃、又は５０℃に制御されることを特徴とする、請求項５に記載の格納容器。
【請求項７】
前記振動床の加熱された部分の表面温度は、１００〜１３００℃、１００〜９００℃、２００〜７００℃、３００〜６００℃、又は約４５０℃になるように制御されることを特徴とする、請求項５に記載の振動床。
【請求項８】
前記第１の化学種の分解速度は、前記表面温度を制御することによって制御されることを特徴とする、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記格納容器の前記内部における前記ガスは、前記格納容器に連続的に加えられる前記第１の反応物を含み、第１の反応物と前記分解反応により形成された前記第２の化学種のうちの１つとを含むガスが前記格納容器から引き出され、前記第１の反応物の反応率の程度が、前記格納容器の内側の蒸気空間をサンプリングし、かつ分析することにより連続的に監視されることを特徴とする、請求項５に記載のシステム。
【請求項１０】
前記格納容器の前記内部における前記ガスは、前記格納容器に連続的に加えられた、前記第１の反応物と第３の非反応性種とを含み、第１の反応物と第３の非反応性希釈剤と前記分解反応により形成された前記第２の化学種のうちの１つとを含むガスが、前記格納容器から連続的に引き出され、前記第１の反応物の反応率の程度が、前記格納容器の内側の蒸気空間をサンプリングし、かつ分析することにより連続的に監視されることを特徴とする、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記格納容器の前記内部における前記ガスは、前記格納容器にバッチ式に加えられた、前記第１の反応物と第３の非反応性種とを含み、第１の反応物と第３の非反応性希釈剤と前記分解反応により形成された前記第２の化学種のうちの１つとを含むガスが、前記格納容器からバッチ式に引き出され、前記第１の反応物の反応率の程度は、前記格納容器の内側の前記蒸気空間をサンプリングし、かつ分析することにより、及び／又は、前記格納容器内で上昇若しくは低下する圧力を監視することにより、監視されることを特徴とする、請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
前記格納容器に加えられる前記ガスは、シランガス（ＳｉＨ4）を含み、前記格納容器から引き出される前記ガスは、未反応シランガスと前記分解反応により形成された水素ガスとを含み、前記振動床に加えられる前記微粉及び前記ビーズは、シリコンを含み、シランガスの分解はポリシリコンを生成し、前記ポリシリコンは前記微粉上に堆積してビーズを形成し、前記ビーズ上に堆積してより大きなビーズを形成し、前記振動床から前記ビーズが連続的に採取され、前記採取されるビーズの平均サイズは、前記コンテナの前記外周壁の高さを調整することにより制御されることを特徴とする、請求項９に記載のシステム。
【請求項１３】
ビーズの平均サイズは、直径１／１００〜１／４インチに制御されることを特徴とする、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記格納容器内の前記ガスの圧力は、５〜３００ｐｓｉａ、１４．７〜２００ｐｓｉａ、３０〜１００ｐｓｉａ、又は７０ｐｓｉａに制御されることを特徴とする、請求項９に記載のシステム。
【請求項１５】
シランの反応率は、前記振動床の温度、前記振動の周波数、前記振動の振幅、前記格納容器内の第１の化学種の濃度、前記格納容器内のガスの圧力、及び前記格納容器内の前記ガスの滞留時間を調整することにより制御され、前記シランガスの反応率は、２０〜１００％、４０〜１００％、８０〜１００％、又は９８％に制御されることを特徴とする、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１６】
前記外周壁の高さは、１／２〜１５インチ、１／２〜５インチ、１／２〜３インチ、又は約２インチであることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項１７】
前記少なくとも一つの放射加熱要素又は電気抵抗加熱要素は、シール容器内で前記パンの前記表面の下に配置され、前記加熱要素は、前記パンの下側に直接接触する側を除く全ての側で絶縁され、前記パンの下側は、前記少なくとも一つの放射加熱要素又は電気抵抗加熱要素の上側を形成することを特徴とする、請求項７に記載のシステム。
【請求項１８】
前記格納容器から引き出された前記水素は、関連付けられたシラン製造プロセスにおける使用のため又は販売用に回収され、前記ビーズに同伴する水素ガス、又は前記ビーズを構成する前記第２の化学種の中に取り込まれる水素ガスの残留濃度は、前記格納容器に加えられる前記ガス中の前記水素希釈剤の濃度を制御することにより、０〜９０モルパーセント、０〜８０モルパーセント、０〜９０モルパーセント、０〜５０モルパーセント、又は０〜２０モルパーセントに制御されることを特徴とする、請求項９に記載のシステム。
【請求項１９】
２つ以上の分離バルブと中間の第２の格納容器とを含む吐出ロック・ホッパを更に含み、前記平坦なパンから溢れた粒子は、前記吐出ロック・ホッパを通って前記格納容器から取り出されることを特徴とする、請求項１２に記載のシステム。
【請求項２０】
２つ以上の分離バルブと中間の第２の格納容器とを含む投入ロック・ホッパを更に含み、前記投入ロック・ホッパは、前記格納容器の前記内部に結合し、粒子を前記格納容器の前記内部に選択的に供給するように動作可能であることを特徴とする、請求項５に記載のシステム。
【請求項２１】
前記複数のビーズの前記表面を第１の気体状化学種を含むガスに対して実質的に露出させるための前記機械的手段、及び、前記ビーズ又は前記ビーズの前記表面を加熱するための前記加熱手段は、金属、又は金属及びグラファイトの組合せから作られたことを特徴とする、請求項１に記載のシステム。