【手続補正書】
【提出日】平成15年6月19日(2003.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビームを用いて第１物体のパターンを縮小電子光学系を介して第２物体上に縮小投影する電子ビーム露光装置において、
前記縮小電子光学系の光軸を中心とした２つの円弧で挟まれた前記第１物体上の円弧状領域からの電子ビームが前記縮小電子光学系を通過する際に発生する収差を補正する補正手段を具備することを特徴とする電子ビーム露光装置。
【請求項２】
前記補正手段は、電子ビームを発散または収斂させる作用を有し、前記円弧状領域の接線方向と動径方向とでは前記発散または収斂させる作用が異なることを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム露光装置。
【請求項３】
前記補正手段は、円弧状の開口を有する電極を備えることを特徴とする請求項１または２に記載の電子ビーム露光装置。
【請求項４】
前記第１物体は、電子ビーム透過部と電子ビーム不透過部でパターンが形成された電子ビーム用マスクであり、前記第１物体を所定方向に移動させる手段と、前記第２物体を前記所定方向に移動させる手段と、前記第２物体の移動に同期して前記第１物体を前記所定方向に移動させる制御手段を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の電子ビーム露光装置。
【請求項５】
前記第１物体上の円弧状領域を照明領域として電子ビームを照射する照射手段を具備することを特徴とする請求項４に記載の電子ビーム露光装置。
【請求項６】
前記照射手段は、円弧状のスリットを有するアパーチャ手段と、前記第１物体の移動方向に関する前記スリットの幅を変更する手段を備えることを特徴とする請求項５に記載の電子ビーム露光装置。
【請求項７】
前記照射手段は、円弧状のスリットを有するアパーチャ手段と、前記第１物体の移動方向に関する前記スリットの幅を前記第１物体の移動方向と直交する方向に関して異ならしめる手段を備えることを特徴とする請求項５に記載の電子ビーム露光装置。
【請求項８】
前記第２物体に入射する電子ビームの総電流に関する情報を求める情報収得手段と、求められた総電流に関する情報に基づいて前記縮小電子光学系の焦点位置を補正する手段とを具備することを特徴とする請求項５に記載の電子ビーム露光装置。
【請求項９】
前記情報収得手段は、前記第１物体で散乱される散乱電子を検出する散乱電子検出手段を備えることを特徴とする請求項８に記載の電子ビーム露光装置。
【請求項１０】
前記散乱電子検出手段は、前記縮小電子光学系の瞳位置に配置された前記散乱電子を遮断する散乱電子制限アパーチャでの電流を検出する手段を有することを特徴とする請求項９に記載の電子ビーム露光装置。
【請求項１１】
前記情報収得手段は、前記第１物体の位置とその位置に対応した前記第２物体に入射する電子ビームの総電流の関係を予め記憶する手段を備えることを特徴とする請求項９に記載の電子ビーム露光装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１つに記載の電子ビーム露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１３】
電子ビームを用いて第１物体のパターンを縮小電子光学系を介して第２物体上に縮小投影する電子ビーム露光方法において、
前記縮小電子光学系の光軸を中心とした２つの円弧で挟まれた前記第１物体上の円弧状領域からの電子ビームが前記縮小電子光学系を通過する際に発生する収差を補正する補正段階を有することを特徴とする電子ビーム露光方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の電子ビーム露光方法を用いて電子ビーム露光された第２物体を現像する現像段階を有するデバイス製造方法。
【請求項１５】
電子ビームを用いて第１物体のパターンを縮小電子光学系を介して第２物体上に縮小投影する電子ビーム露光装置において、
前記電子ビームとして、前記第１物体上の前記縮小電子光学系の光軸を中心とした２つの円弧で挟まれた円弧状領域からの電子ビームを用いることを特徴とする電子ビーム露光装置。
【請求項１６】
電子源から発せられた電子ビームを、円弧状スリットにより前記第１物体上の円弧状領域に照射する照射手段と、前記照射手段からの電子ビームに対して前記第１物体および前記第２物体を走査させる走査手段を具備することを特徴とする請求項１５に記載の電子ビーム露光装置。
【請求項１７】
前記第１物体と前記第２物体の間に配置された、円弧状開口を有する電極により、前記縮小電子光学系で発生する収差を補正する補正手段をさらに具備することを特徴とする請求項１５または１６に記載の電子ビーム露光装置。
【請求項１８】
電子ビームを用いて第１物体のパターンを縮小電子光学系を介して第２物体上に縮小投影する露光段階と、
前記露光段階で露光された第２物体を現像する現像段階と、を有し、
前記露光段階では、前記電子ビームとして、前記第１物体上の前記縮小電子光学系の光軸を中心とした２つの円弧で挟まれた円弧状領域からの電子ビームを用いることを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１９】
第２物体上に露光すべきパターンが複数の小領域に分割されて形成された第１物体を使用し、前記第２物体上に各小領域内のパターンを露光して前記第２物体上に前記パターンを露光する電子ビーム露光方法において、前記第２物体上に隣り合って露光される各小領域内の、互いに隣合う側に共通のパターンが形成された、前記第１物体を準備する段階と、前記第２物体上で前記共通のパターンが重複するように露光する段階とを有することを特徴とする電子ビーム露光方法。
【請求項２０】
前記第１物体と前記第２物体を互いに走査させて前記第２物体上に各小領域内のパターンを個別に露光する段階を有することを特徴とする請求項１９に記載の電子ビーム露光方法。
【請求項２１】
請求項１９または２０に記載の電子ビーム露光方法を用いて電子ビーム露光された第２物体を現像する現像段階を有するデバイス製造方法。
【請求項２２】
ウエハ上に露光すべきパターンが複数の小領域に分割されて形成され、各小領域内のパターンを前記ウエハ上に露光することにより前記ウエハ上に前記パターンを露光する際に使用される電子ビーム用マスクにおいて、前記ウエハ上に隣り合って露光される各小領域内の、互いに隣合う側に共通のパターンが形成されていることを特徴とする電子ビーム用マスク。
【請求項２３】
前記ウエハ上に露光すべきパターンは略長方形であり、
前記パターンが短尺方向に分割されていることを特徴とする請求項２２に記載の電子ビーム用マスク。
【請求項２４】
ウエハ上に露光すべきパターンが複数の小領域に分割されて形成されたマスクを用いて、各小領域ごとにウエハ上に露光する露光装置において、
前記ウエハ上に隣り合って露光される２つの小領域内の、隣り合う側の一部が共通のパターンである、前記マスクを載置するマスクステージと、
前記ウエハ上で、前記共通のパターンが重複するように露光する露光手段と、を有する露光装置。
【請求項２５】
電子ビームを用いて第１物体のパターンを縮小電子光学系を介して第２物体上に縮小投影する電子ビーム露光装置において、
前記第１物体のパターン粗密の度合いに基づいて、前記縮小電子光学系による投影像の位置を補正することを特徴とする電子ビーム露光装置。
【請求項２６】
照射されたスリット状の電子ビームに対してマスクおよびウエハを走査させながら、前記マスクのパターンを縮小電子光学系を介して前記ウエハ上に縮小投影する電子ビーム露光装置において、
前記マスクの位置を検出する位置検出手段と、
前記縮小投影光学系の瞳位置で、前記マスクで散乱された電子を遮断する散乱電子制限アパーチャでの電流を検出する散乱電子検出手段と、
前記位置検出手段により検出された前記マスクの位置に対応させて、前記散乱電子検出手段の検出結果を記憶するメモリと、
前記位置検出手段により検出された前記マスクの位置、および、前記メモリに記憶された前記散乱電子検出手段の検出結果に基づいて、前記縮小電子光学系の焦点位置を補正する焦点位置補正手段と、を具備することを特徴とする電子ビーム露光装置。
【請求項２７】
電子ビームを用いて第１物体のパターンを縮小電子光学系を介して第２物体上に縮小投影する露光段階と、
前記露光段階で露光された第２物体を現像する現像段階と、を有し、
前記露光段階では、前記第１物体パターン粗密の度合いに基づいて、前記縮小電子光学系による投影像の位置を補正することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の電子ビーム露光装置のある形態は、電子ビームを用いて第１物体のパターンを縮小電子光学系を介して第２物体上に縮小投影する電子ビーム露光装置において、前記縮小電子光学系の光軸を中心とした２つの円弧で挟まれた前記第１物体上の円弧状領域からの電子ビームが前記縮小電子光学系を通過する際に発生する収差を補正する補正手段を具備することを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記補正手段は、電子ビームを発散または収斂させる作用を有し、前記円弧状領域の接線方向と動径方向とでは前記発散または収斂させる作用が異なることを特徴とする。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記補正手段は、円弧状の開口を有する電極を備えることを特徴とする。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前記第１物体上の円弧状領域を照明領域として電子ビームを照射する照射手段を具備することを特徴とする。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
前記照射手段は、円弧状のスリットを有するアパーチャ手段と、前記第１物体の移動方向に関する前記スリットの幅を変更する手段を備えることを特徴とする。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
前記照射手段は、円弧状のスリットを有するアパーチャ手段と、前記第１物体の移動方向に関する前記スリットの幅を前記第１物体の移動方向と直交する方向に関して異ならしめる手段を備えることを特徴とする。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
前記第２物体に入射する電子ビームの総電流に関する情報を求める情報収得手段と、求められた総電流に関する情報に基づいて前記縮小電子光学系の焦点位置を補正する手段とを具備することを特徴とする。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
前記情報収得手段は、前記第１物体で散乱される散乱電子を検出する散乱電子検出手段を備えることを特徴とする。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
前記散乱電子検出手段は、前記縮小電子光学系の瞳位置に配置された前記散乱電子を遮断する散乱電子制限アパーチャでの電流を検出する手段を有することを特徴とする。


【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
前記情報収得手段は、前記第１物体の位置とその位置に対応した前記第２物体に入射する電子ビームの総電流の関係を予め記憶する手段を備えることを特徴とする。


【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明のデバイス製造方法のある形態は、上記の電子ビーム露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とする。


【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の電子ビーム露光方法のある形態は、電子ビームを用いて第１物体のパターンを縮小電子光学系を介して第２物体上に縮小投影する電子ビーム露光方法において、前記縮小電子光学系の光軸を中心とした２つの円弧で挟まれた前記第１物体上の円弧状領域からの電子ビームが前記縮小電子光学系を通過する際に発生する収差を補正する補正段階を有することを特徴とする。


【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明のデバイス製造方法の他の形態は、上記の電子ビーム露光方法を用いて電子ビーム露光された第２物体を現像する現像段階を有する。


【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明の電子ビーム露光装置の他の形態は、電子ビームを用いて第１物体のパターンを縮小電子光学系を介して第２物体上に縮小投影する電子ビーム露光装置において、前記電子ビームとして、前記第１物体上の前記縮小電子光学系の光軸を中心とした２つの円弧で挟まれた円弧状領域からの電子ビームを用いることを特徴とする。さらに、電子源から発せられた電子ビームを、円弧状スリットにより前記第１物体上の円弧状領域に照射する照射手段と、前記照射手段からの電子ビームに対して前記第１物体および前記第２物体を走査させる走査手段を具備するようにしても良い。また、前記第１物体と前記第２物体の間に配置された、円弧状開口を有する電極により、前記縮小電子光学系で発生する収差を補正する補正手段をさらに具備するようにしても良い。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明のデバイス製造方法の他の形態は、電子ビームを用いて第１物体のパターンを縮小電子光学系を介して第２物体上に縮小投影する露光段階と、前記露光段階で露光された第２物体を現像する現像段階と、を有し、前記露光段階では、前記電子ビームとして、前記第１物体上の前記縮小電子光学系の光軸を中心とした２つの円弧で挟まれた円弧状領域からの電子ビームを用いることを特徴とする。


【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明の電子ビーム露光方法の他の形態は、第２物体上に露光すべきパターンが複数の小領域に分割されて形成された第１物体を使用し、前記第２物体上に各小領域内のパターンを露光して前記第２物体上に前記パターンを露光する電子ビーム露光方法において、前記第２物体上に隣り合って露光される各小領域内の、互いに隣合う側に共通のパターンが形成された、前記第１物体を準備する段階と、前記第２物体上で前記共通のパターンが重複するように露光する段階とを有することを特徴とする。さらに、前記第１物体と前記第２物体を互いに走査させて前記第２物体上に各小領域内のパターンを個別に露光する段階を有するようにしても良い。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明のデバイス製造方法の他の形態は、上記の電子ビーム露光方法を用いて電子ビーム露光された第２物体を現像する現像段階を有する。


【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明の電子ビーム用マスクのある形態は、ウエハ上に露光すべきパターンが複数の小領域に分割されて形成され、各小領域内のパターンを前記ウエハ上に露光することにより前記ウエハ上に前記パターンを露光する際に使用される電子ビーム用マスクにおいて、前記ウエハ上に隣り合って露光される各小領域内の、互いに隣合う側に共通のパターンが形成されていることを特徴とする。さらに、前記ウエハ上に露光すべきパターンは略長方形であり、前記パターンが短尺方向に分割されているようにしても良い。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本発明の露光装置のある形態は、ウエハ上に露光すべきパターンが複数の小領域に分割されて形成されたマスクを用いて、各小領域ごとにウエハ上に露光する露光装置において、前記ウエハ上に隣り合って露光される２つの小領域内の、隣り合う側の一部が共通のパターンである、前記マスクを載置するマスクステージと、前記ウエハ上で、前記共通のパターンが重複するように露光する露光手段と、を有する。


【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本発明の電子ビーム露光装置の他の形態は、電子ビームを用いて第１物体のパターンを縮小電子光学系を介して第２物体上に縮小投影する電子ビーム露光装置において、前記第１物体のパターン粗密の度合いに基づいて、前記縮小電子光学系による投影像の位置を補正することを特徴とする。


【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明の電子ビーム露光装置の他の形態は、照射されたスリット状の電子ビームに対してマスクおよびウエハを走査させながら、前記マスクのパターンを縮小電子光学系を介して前記ウエハ上に縮小投影する電子ビーム露光装置において、前記マスクの位置を検出する位置検出手段と、前記縮小投影光学系の瞳位置で、前記マスクで散乱された電子を遮断する散乱電子制限アパーチャでの電流を検出する散乱電子検出手段と、前記位置検出手段により検出された前記マスクの位置に対応させて、前記散乱電子検出手段の検出結果を記憶するメモリと、前記位置検出手段により検出された前記マスクの位置、および、前記メモリに記憶された前記散乱電子検出手段の検出結果に基づいて、前記縮小電子光学系の焦点位置を補正する焦点位置補正手段と、を具備することを特徴とする。


【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本発明のデバイス製造方法の他の形態は、電子ビームを用いて第１物体のパターンを縮小電子光学系を介して第２物体上に縮小投影する露光段階と、前記露光段階で露光された第２物体を現像する現像段階と、を有し、前記露光段階では、前記第１物体パターン粗密の度合いに基づいて、前記縮小電子光学系による投影像の位置を補正することを特徴とする。


【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
広い領域の電子ビームをウエハ上で結像させようとすると電子光学系の光軸から離れる（光軸に対して動径方向に離れる）に従って収差（特に像面湾曲、非点）が大きくなる。そこで本発明では、図８に示すように、従来の電子線露光装置で用いられていたような電子光学系の軸上の領域（図中Ａ）の電子ビームを用いず、光軸を中心とした２つの円弧で挟まれた円弧状領域（図中Ｂ）の電子ビームを用いる。これにより、露光領域の像面湾曲はほとんどない。また非点収差はあるが露光領域内の電子ビームは動径方向の焦点位置及び接線方向の焦点位置は略同一位置であるので露光領域内の電子ビームに対し動径方向と接線方向とで異なる発散または収斂作用を与える補正手段を備えることにより非点収差がほとんどなくなる。その結果、本発明の電子ビーム露光装置の露光領域は、従来に比べ大幅に広げることが可能である。


【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
マスク１０５上の円弧状領域からの電子ビームは、電子レンズ１０８Ａ、１０８Ｂで構成される縮小電子光学系１０８を介してウエハ１１４上に結像される。その際、電子ビームが縮小電子光学系を通過する際に発生する収差（特に非点収差）を補正する収差補正光学系１０７を介して電子ビームはウエハ上に結像する。収差補正光学系１０７は、アパーチャ１０４と同じように縮小電子光学系１０８の光軸を中心とした２つの円弧で挟まれた円弧状の形状の開口であって電子ビームマスク１０５からの電子ビームを遮らないようにアパーチャ１０４よりも広い開口を有する電極で、その電位は電子ビームマスク１０５からの電子ビームを加速、又は減速させるように設定されている。その結果、収差補正光学系１０７は、円弧状の開口の接線方向と動径方向とでは発散または収斂作用が異なる電子レンズであり、言い換えれば円弧状の開口の接線方向と動径方向とでは焦点距離が異なる電子レンズである。本実施例では電極１枚の電子レンズを採用しているが開口形状が同じ３枚の電極で構成されたユニポテンシャルレンズを採用しても構わない。


【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図２（ａ）、（ｂ）に本実施例の電子ビーム露光装置に用いる電子ビーム用のマスク１０５を示す。４０１はマスクパターン領域、４０２はマスク基板、４０３は電子ビーム透過膜、４０４は電子ビーム散乱体、４０５は補強桟、４０６はマスクフレームを示す。このマスクの構成は、例えば２ｍｍ厚のシリコンウエハ４０２上に成膜された０．１μｍ厚のＳｉＮからなるメンブレン４０３上に０．０７μｍ厚の金が散乱体４０４としてパターニングされている。このシリコンウエハは単独ではハンドリング等取り扱いが難しいので、Ｘ線露光に用いられているようなマスクフレーム４０６に固定されている。このマスクのメンブレンである０．１μｍ厚のＳｉＮは機械的強度もきわめて小さい。例えば４Ｇ−ＤＲＡＭ１チップの回路パターンは２０ｍｍ×３５ｍｍ程度の面積が必要といわれている。これを従来の光露光と同様に１／４〜１／５に縮小して転写すると仮定すると、マスク上では８０ｍｍ〜１００ｍｍ×１４０ｍｍ〜１７５ｍｍとなる。これをマスク上で一つの窓で構成することはメンブレン膜の強度上困難である。また、直径１００ｍｍを遥かに越える広い面積にこのようなきわめて薄いメンブレンを均一に成膜する事も難しい。このため、本実施例では縮小電子光学系１０８の縮小率を１／２とし、更にマスク上では露光すべきパターンを複数の小領域に分割して形成している。縮小率１／２であれば、例えば４Ｇ−ＤＲＡＭの１チップは、マスク上では４０ｍｍ×７０ｍｍ程度の面積で足りる。


【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
アパーチャ１０４の具体的な構成を図５に示す。本実施例のアパーチャは同図に示すように、円弧５０１に内接する形状の縁を持ったのブレード５０３と前記円弧と半径が同一の円弧５０２に外接する形状の縁を持ったブレード５０４とを図のように所望の距離をおいて、構成することにより、円弧状のアパーチャの開口２０１のスリット幅を一定にしている。更に、これらブレード５０３、５０４の少なくとも片方を可動にすることにより、制御系３１３は、使用されるレジストの感度もしくは照明する電子ビームの強度の情報に基づいて、アパーチャ制御回路に命じて円弧状のアパーチャの開口２０１のスリット幅を調整し、それに対応して最適なアパーチャの開口２０１のスリット長さを設定できる。マスクの項目で述べたように、縮小率が１／２の場合、例えばウエハ上に露光すべきデバイスチップのパターン幅が２０ｍｍ（マスク上では４０ｍｍ）である為に、デバイスチップパターンを１０ｍｍ幅の小領域に分割して形成したマスクを使用する場合、制御系３１３は、マスクの小領域の幅の情報に基づいてアパーチャ制御回路３０１に命じアパーチャのスリット長さを１０ｍｍ幅に設定する。本実施例では円弧の半径は８ｍｍに設定した。この円弧の半径は、縮小電子光学系１０８が許容される程度の歪みの範囲内で成り立つ最大の露光領域の半径より小さく、マスク上の一走査露光領域４０１の幅の１／２より大きい範囲内にあるということはいうまでもない。図中５０７〜５１０はそれぞれのアパーチャブレードの駆動部で、アパーチャ制御回路３０１によって制御されている。また、５１１は走査方向の中心線を示す。


【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
（実施例４）
照射領域をより拡大することにより、略長方形のデバイス１チップの短尺方向が１回の走査で露光できるようになれば問題ないが、実際はそのように拡大することは非常に困難である。前述したように、限りある照射領域を用いて走査方向と直交する方向にステップしながら複数回走査する事によって一つのデバイスパターンを露光できる構成を採らざるを得ない場合が多い。その際にの問題点は、１デバイスパターンを形成する際のパターンのつなぎ合わせの精度である。前述した例では、４回の走査によって一つのデバイスパターンを形成するため、３つのつなぎ合わせラインができる事になる。このとき走査位置が微量でもずれてしまうと露光過多や最悪の場合断線等の問題が起こる。つなぎ合わせのために１／１００〜１／１０００μｍの精度を保つ走査制御は非常にむずかしい。


【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
本実施例の照射領域を決めるアパーチャスリット形状を図７（ａ）に示す。５０３、５０４はスリット幅を規定する可動ブレードであり、５０５、５０６はスリット長さを規定する可動ブレードである。ここで、可動ブレード５０５及び５０６を走査方向に対して角度を持たせて設置する。（５１１は走査方向の中心線を示す。）これによって走査方向に対してスリット幅が徐々に狭くなる。つなぎ合わせのための重ねて露光する幅は５μｍ、スリット幅は１００μｍであるのでブレードの傾きは０．０５ｒａｄである。この構成の場合、アパーチャによって作られる照射領域長さは１０．０１ｍｍとなる。マスクは照射領域に対応した構造が必要である。前述したように、一つのデバイスパターンを４領域に分割パターンを持たせる構造であるため、分割されたパターンのそれぞれが隣のパターンを一部重複して持つ必要がある。本実施例の場合、５μｍの重複領域をもち、マスクの４つの窓のサイズは少なくとも１０．０１ｍｍ×７０ｍｍ必要である。更に、マスクに重複領域を余裕を持って多めに設けることにより、デバイスのパターンの細かさや設計値または電子線露光装置の性能によって重複露光する領域を適切に選べる構成となる。


【手続補正３０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
1998135102.tif 000001