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【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年4月24日(2012.4.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
これらの調査結果に基づいて、タンパク質中の自己会合領域（「β−凝集性ストレッチまたはセグメント」と同義）を予測し得るコンピュータアルゴリズムを開発した。１つの該アルゴリズム、ＴＡＮＧＯは統計力学アルゴリズムに基づいており、これは上述の３つの物理化学的パラメーターを考え、ならびに異なる構造的立体構造：ベータターン、アルファヘリックス、ベータシート凝集構造および折り畳み構造間の競合も考えるものである（Fernandez-Escamilla, AMら、(2004) Nat. Biotechnol. 22, 1302-1306, 特に１３０５および１３０６ページの方法の項を参照により本明細書に援用する。また、方法でさらに詳述した同じ項の補足注記１および２ならびにＴＡＮＧＯアルゴリズムの較正および試験に使用のデータセット）。したがって、標的タンパク質にある自己会合領域はＴＡＮＧＯなどのコンピュータアルゴリズムにより得られる。自己会合領域は多くの場合標的タンパク質のコア内に埋まっており１０、これは標的タンパク質の安定性に対応するエネルギーバリアにより分子内会合からペプチドを効果的に保護するものである１１。その正常環境下（例えば細胞質、細胞外マトリックス）では、標的タンパク質は、機能的な単量体形態を維持する際にタンパク質を助ける分子シャペロンから援助される１２。ＴＡＮＧＯアルゴリズムにより使用されたモデル６は、ペプチドやタンパク質中のベータ凝集を予測するように設計されており、ランダムコイルおよび元のコンフォメーションならびに他の主要な立体構造状態、すなわちベータターン、アルファヘリックスおよびベータ凝集構造を包含する位相空間からなる。ペプチドのすべてのセグメントはボルツマン分布にしたがってこれらの状態をそれぞれ集合させることが可能である。したがって、ペプチドの自己会合領域を予測するため、ＴＡＮＧＯは位相空間の分配関数を簡単に計算する。特定のアミノ酸配列の凝集傾向を見積もるため、以下の仮説を立てる：（ｉ）整列したベータシート凝集構造において、主な二次構造はベータ鎖である。（ｉｉ）凝集プロセスに関与している領域は完全に埋まっており、したがって完全な溶媒和の収支、完全なエントロピーを効果的に使い、Ｈ結合ポテンシャルを最適化することができる（すなわち、凝集構造内で起こるＨ結合の数は受容器で補われる供与体群の数と関連している。供与体または受容器が過剰量でも満足のいかないものである）。（ｉｉｉ）選択されたウィンドウの相補的変化は好ましい静電相互作用を構築し、ウィンドウの内外のペプチドの全体的な実効電荷は凝集を嫌う。ＴＡＮＧＯはWorld Wide Web、http://tango.embl.de/でアクセス可能である。ジグリゲーター（zyggregator）アルゴリズムは別の例である（Pawar APら、(2005) J. Mol. Biol. 350, 379-392）。これらのアルゴリズムは、類似した長さの配列の１セットから算出した平均的性向で所与のアミノ酸配列の凝集性向スコアを比較することで凝集傾向配列を同定する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年8月3日(2012.8.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１５】
本発明による提案の特定の利点は、凝固浴又は媒質、特に水に沈殿した炭水化物、特にデンプン、セルロース及び／又はデンプンとセルロースの誘導体を、問題なく分離し、残った液相を、場合により部分的な蒸発の後で回収し、再生される新たな炭水化物が組み込まれる元の溶液系の製造のために用いることができることである。分離は、例えば濾過、遠心分離又は他の適切な手段により実施することができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年9月25日(2012.9.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負に帯電した、または帯電可能な固体微粒子および分散剤を含む水性分散物であって、
ポリマー親水性部分に結合されたアンカー部分を有し、アンカー部分は少なくとも１つの塩基性基を含み、全体として塩基性を有し、かつポリマー部分はポリアクリルアミドまたはポリメタクリルアミドを含み且つアンカー部分よりも微粒子表面に対し低い親和性を有する化合物を含み、
前記化合物は式（Ｉ）を有する、水性分散物。
【化１】
2009520863.tif 000001
（式（Ｉ）において、
Ａは炭素または窒素であり、
Ｒ’は水素または非置換もしくは置換の、アルキル、アリールまたは複素環基であり、Ａが炭素である場合にはｍは１であり、Ａが窒素である場合にはｍは０であり、
Ｂは塩基性基であり、
ＤおよびＥはそれぞれ、独立して水素、非置換もしくは置換の、アルキルまたは塩基性基であり、または酸性基またはエステルまたはそのアミドであり、ｙは０または１であり、
Ｌ、ＬＢおよびＬＤは結合基であり、これは同じかまたは異なり、ｚは１、ｐおよびｑはそれぞれ、独立して０または１であり、
Ｌは、硫黄原子、ポリアルキレンチオ基［−（ＣＨ２）ｑ−Ｓ］基（式において、ｑは１〜２０の整数）、−ＣＯ（ＣＨ２）ｓ−Ｓ基（式において、ｓは１〜２０である）、（ＣＨ２）ｒＣＯ（ＣＨ２）ｒ−Ｓ基、−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）ｒ−Ｓ基、または（ＣＨ２）ｒＮＨＣＯ（ＣＨ２）ｒＳ基（それぞれｒは独立して１〜５である）から選択され、
ＬＢおよびＬＤが存在する場合、１つまたは複数の非置換または置換アルキレン、アリーレン、エステル、チオエステル、アミド、チオアミド、ケトン、チオケトン、エーテルまたはチオエーテル基を含む、１〜２０の原子のフラグメントから選択され、
Ｂ、ＬＢ、Ｄ、ＬＤおよびＬはＡと結合して、１または複数の環を形成してもよく、この環は窒素、酸素および硫黄から選択される１つまたは複数の別のヘテロ原子を含んでもよく、
各Ｍはモノマーユニットであり、これは同じかまたは異なってもよく、非置換または置換の、アクリルアミドまたはメタクリルアミドを含み、ｘは１０〜２００であり、
Ｆは水素、または、ハロゲン原子、非置換または置換アルキル基、チオール、中性チオエーテル、エーテル、エステル、またはアルキル−スルホン基もしくはアリール−スルホン基から選択される置換基であり、
ただし、アンカー部分における塩基性基の数はその中の任意の酸性基の数より大きいことを条件とする。）
【請求項２】
各塩基性基は、非置換または置換の、アミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ピペリジノ、ピペラジノ、チオモルホリノ、モルホリノ、ベンズイミダゾロ、ベンゾピロリジノ、ピリジノまたはピラゾロ基から独立して選択される、請求項１に記載の水性分散物。
【請求項３】
前記ポリマー親水性部分は、ポリアクリルアミド、ポリメタクリルアミド、ポリ−Ｎ−メチルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−メチルメタクリルアミドまたはそれらの混合物から選択される、請求項１または２に記載の水性分散物。
【請求項４】
前記分散剤が、下記構造式を有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の水性分散物。
【化２】
2009520863.tif 000002
（上記構造式において、ｘは１５〜３５である。）
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の水性分散物を、水性分散媒質と共に含み、
負に帯電した、または帯電可能な固体微粒子は、等電点がｐＨ５．８未満である、金属および非金属の酸化物類、水酸化物類、セラミック類、金属類およびラテックス類から選択され、バインダを必要に応じて含む、コーティング組成物。
【請求項６】
前記組成物中の前記負に帯電した、または帯電可能な固体微粒子の量は、約０．２から約０．５の固体の体積分率であり、前記分散剤量は５０：１０００から５００：１０００ｗ／ｗ負に帯電した、または帯電可能な固体微粒子である、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
（ａ）負に帯電した、または帯電可能な固体微粒子の組成物を提供する工程と、
（ｂ）１つまたは複数の分散剤を有する組成物を、水性分散媒質と、必要に応じてバインダと共に混合し、請求項５または６に記載のコーティング組成物を形成させる工程と、
（ｃ）前記コーティング組成物を基材に適用しその上にコーティングを形成させる工程と、
（ｄ）得られたコーティングを乾燥させる工程と、
を含む、基材をコートする方法。
【請求項８】
請求項１から４のいずれか１項で規定された１つまたは複数の分散剤を、水性分散媒質と、必要に応じてバインダと共に添加することを含む、ｐＨを約９またはそれ以下で維持しながら、負に帯電した、または帯電可能な固体微粒子の分散物の粘度および／またはゲルもしくは降伏応力材料を形成する傾向を減少させる方法。
【請求項９】
少なくとも１つの画像受理層をその上に有する支持体を備え、請求項５または６に記載のコーティング組成物を含む、インクジェット印刷要素。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】水性分散物、コーティング組成物、基材をコートする方法、固体微粒子の分散物の粘度および／またはゲルもしくは降伏応力材料を形成する傾向を減少させる方法、および、インクジェット印刷要素
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
Ｌは存在する場合、好ましくは硫黄原子でありｚ＝１である。しかしながら、Ｌはまた、例えば、１つまたは複数の非置換または置換アルキレン、エステル、チオエステル、アミド、チオアミド、ケトン、チオケトン、エーテルまたはチオエーテル基を含んでもよい約２０までの原子の鎖であってもよい。このようにＬは、例えば、例示にすぎないが、ポリアルキレンチオ基［−（ＣＨ２）ｑ−Ｓ］基（式において、ｑは１〜２０の整数、とりわけ９である）、−ＣＯ（ＣＨ２）ｓ−Ｓ基（式において、ｓは１〜２０である）、（ＣＨ２）ｒＣＯ（ＣＨ２）ｒ−Ｓ基、−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）ｒ−Ｓ基、または（ＣＨ２）ｒＮＨＣＯ（ＣＨ２）ｒＳ基（それぞれｒは独立して１〜５である）であってもよい。ｚはまた０であってもよく、そのため、結合基Ｌは存在しない。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月29日(2012.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の一般式１を有するポリマー主鎖中の第１の繰り返し単位から構成される半導体ポリマーであって、
【化１】
2009520864.tif 000001
上記式において、ａ＝１または２、ｂ＝０または１、およびＣ＝０、１または２であり、ただし、ｃ＝０のとき、ｂ＝０であり、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4、Ａｒ5およびＡｒ6は、それぞれ独立してアリールまたはヘテロアリール環、またはこれらの縮合誘導体を表し、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ4およびＡｒ5の少なくとも１つは非共役であり、ただし、（ａ）ａ＝１のとき、Ａｒ1はＡｒ2に直接結合によって結合されておらず、（ｂ）ｂ＝１およびｃ＝１のとき、Ａｒ4はＡｒ5に直接結合によって結合されておらず、（ｃ）ｂ＝０およびｃ＝１のとき、Ａｒ2はＡｒ5に直接結合によって結合されておらず、（ｄ）ａ＝２のとき、Ａｒ1基は単結合によって結合されておらず、（ｅ）ｃ＝２のとき、Ａｒ5基は単結合によって結合されていないポリマー。
【請求項２】
前記第１の繰り返し単位は下記の一般式３〜５の１つから構成され、
【化２】
2009520864.tif 000002
【化３】
2009520864.tif 000003
【化４】
2009520864.tif 000004
上記式において、Ａｒ1〜Ａｒ6は請求項１で定義されるものであり、−−−は直接結合を表し、Ｘは架橋基または架橋原子を表し、ｄ＝０または１であり、図示される−−Ｘ−−および−−（Ｘ）d−−結合の１つまたは組合せが存在する請求項１に記載のポリマー。
【請求項３】
Ａｒ3および／またはＡｒ6は少なくとも１つの置換基を有する請求項１または２に記載のポリマー。
【請求項４】
Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4、Ａｒ5およびＡｒ6はそれぞれフェニルから構成される請求項１ないし３のいずれかに記載のポリマー。
【請求項５】
前記第１の繰り返し単位の両末端のＡｒは非共役である請求項１ないし４のいずれかに記載のポリマー。
【請求項６】
前記第１の繰り返し単位の両末端のＡｒは独立してメタ結合フェニル基を表す請求項５に記載のポリマー。
【請求項７】
前記第１の繰り返し単位は、一般式１０、１１または１２から構成され、
【化５】
2009520864.tif 000005
【化６】
2009520864.tif 000006
【化７】
2009520864.tif 000007
上記式において、Ｒは水素または置換基を表し、−−−は直接結合を表し、Ｘは架橋基または架橋原子を表し、一般式１０における前記−−Ｘ−−結合は任意に存在する請求項６に記載のポリマー。
【請求項８】
ｃ＝１または２であるとき、Ａｒ2およびＡｒ4の１つまたは両者は非共役である請求項１ないし４のいずれかに記載のポリマー。
【請求項９】
Ａｒ2およびＡｒ4の１つまたは両者は独立してメタ結合フェニルを表し、ｃ＝１およびｂ＝０であるとき、Ａｒ2はメタ結合フェニルを表す請求項８に記載のポリマー。
【請求項１０】
前記第１の繰り返し単位は一般式１４から構成され、
【化８】
2009520864.tif 000008
上記式において、−−−は直接結合を表し、各Ｘは独立して架橋基または架橋原子を表し、ｃ＝０または１であり、各Ｒは独立して置換基を表し、前記−−（Ｘ）c−−結合は独立して任意に存在する請求項９に記載のポリマー。
【請求項１１】
前記半導体ポリマーは実質的に非共役である請求項１ないし１０のいずれかに記載のポリマー。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれかに記載される半導体ポリマーの、有機電子装置における正孔輸送または燐光金属錯体のホスト材料としての使用。
【請求項１３】
請求項１ないし１１のいずれかに記載される半導体ポリマーの製造のためのモノマーであって、前記モノマーは次の一般式１から構成され、
【化９】
2009520864.tif 000009
上記式において、ａ、ｂ、ｃ、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4、Ａｒ5およびＡｒ6は請求項１ないし１０のいずれかで定義されるものであり、離脱基ＬおよびＬ’は重合に関与することができるモノマー。
【請求項１４】
前記モノマーは一般式２１または２２から構成され、
【化１０】
2009520864.tif 000010
【化１１】
2009520864.tif 000011
上記式において、ＬおよびＬ’は請求項１３で定義されるものであり、Ｙは不活性基を表し、「繰り返し単位」は請求項１ないし１０のいずれかで定義される第１の繰り返し単位を表す請求項１３に記載のモノマー。
【請求項１５】
請求項１ないし１１のいずれかに記載される半導体ポリマーの製造方法であって、前記方法は、前記半導体ポリマーを形成するための条件下において請求項１３または１４に記載される複数のモノマーを重合する工程を含む方法。
【請求項１６】
請求項１ないし１１のいずれかに記載される半導体ポリマーを含む有機電子装置。
【請求項１７】
前記装置は、基板、アノード、カソード、前記アノードと前記カソードの間の発光層、および任意に前記アノードと前記発光層の間の正孔輸送層を含む発光装置から構成され、請求項１ないし１１のいずれかに記載される半導体ポリマーが前記発光層中または前記正孔輸送層中に位置する請求項１６に記載の電子装置。
【請求項１８】
請求項１ないし１１のいずれかに記載される半導体ポリマーを含む溶液を溶液処理によって堆積させて層を形成する工程を含む請求項１６または１７に記載される電子装置の製造方法。
【請求項１９】
前記形成される層は正孔輸送層であり、前記方法は、前記装置の次の層を堆積させる前に前記正孔輸送層を架橋する工程をさらに含む請求項１８に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年10月9日(2012.10.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
図３は、ハンドヘルド装置、例えば、セルラー電話のようなワイヤレスハンドヘルド装置（これに限定されないが）に取り付けて、実際上セルラー電話をワイヤレスポインティング装置へ転換する個別のアタッチメント装置として設計されたワイヤレスポインティング装置３００の一例を示すブロック図である。このワイヤレスポインティング装置３００は、ハンドヘルド装置を内部に保持するための構造体３０２を含む。この構造体３０２は、そのベース部分３０４に装置移動検出器１１２のような移動検出器を備え、グラフィックユーザインターフェイス制御情報１２０を与えるように動作する。ベース部分３０４は、例えば、フラットにされ、移動検出器１１２がフラットな表面に対する移動を検出できるようにする。又、ワイヤレスポインティング装置３００は、コネクタ３０６も備え、これは、ハンドヘルド装置の対応コネクタと電気的に且つ望ましくは機械的に係合されて、ポインティング装置３００がハンドヘルド装置からバッテリ電力を得られるようにする。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
ハンドヘルド装置４００を内部に保持するポインティング装置３００の平面図である図５を参照すれば、側壁３０８−３１１の各々は、ハンドヘルド装置４００を位置保持するために内方に延びる壁部分５００−５０６を含む。しかしながら、対向する側壁３０８及び３０９又は全部より少ない側壁だけが、内方に延びる部分５０４を含むことができ、且つ他の適当な構成を使用して、ハンドヘルド装置４００をポインティング装置３００との適切な位置に適当に保持できることが明らかであろう。又、側壁の長さ及び形式は、ハンドヘルド装置をポインティング装置３００との適切な関連で保持するに充分な適当な長さでよい。ポインティング装置３００は、それ自身のバッテリ（１つ又は複数）を含み、そしてコネクタ３０６は、搭載バッテリが低レベルであるときに必要に応じて付加的な電力を供給できることが明らかであろう。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
図６、７及び８は、ワイヤレスハンドヘルド装置が移動検出器１１２を使用する別の実施形態を示すもので、個別のポインティング装置がハンドヘルド装置へのアタッチメントとして構成された図３−５に示す構成とは対照的である。この例では、従来の機能、及びユーザインターフェイス構造体、例えば、キーパッド、仮想キーパッドとして働くディスプレイ、又は他の適当なユーザインターフェイスメカニズムに加えて、ワイヤレスハンドヘルド装置６００が、この例では、例えば、ハウジング移動検出器１１２を内部に伴うセルラー電話として示されており、ディスプレイ４０４、キーパッド６０１及び付加的な制御キー６０２を備えている。この技術で知られたように、これら制御キー６０２は、通常、装置のための種々のオペレーションに使用され、そして音量制御、住所録選択、及び他の適当な機能のような異なる機能を遂行するのに使用できる。それらは、又、例えば、ユーザがディスプレイ４０４に表示されるアイテムをアップ方向及びダウン方向にスクロールしそして選択できるようにするグラフィックユーザインターフェイス制御ボタンとして使用されてもよい。一実施形態では、既存の制御キー６０２又は付加的な制御キーは、ハウジング移動検出器１１２により与えられるグラフィックユーザインターフェイス制御情報１２０を送信するマウスモードと、グラフィックユーザインターフェイス制御情報１２０のワイヤレス送信を許さない非マウスモードとの間をユーザがスイッチできるように動作するホットキーとして使用される。例えば、非マウスモードは、ワイヤレス送信器１１０を通してグラフィックユーザインターフェイス制御情報１２０を出力しない装置６００のセルラー電話モード、ビデオ再生モード、オーディオ再生モード、又は他の適当な動作モードを含む。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年12月2日(2011.12.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８２】
さらには、２つの熱出力センサ１２８にはガラスコーティングされたセラミック小プレート１３１がそれぞれ設けられている。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年1月17日(2012.1.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
本発明によれば、第２保持手段５０が提供されて、前記部分をシリンダー１に搭載する際に、バルブ要素１０が受容窪み２３から出ることを可能にする直交変位に対して、バルブ要素１０を受容窪み２３に少なくとも一時的に保持するように働く。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年10月22日(2012.10.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
また、状態フィードバックのゲインは、Ｇ＝（Ｇ１Ｇａ＋Ｇ１Ｔａ）で与えられる。システムダイナミックレンジは変えずに、単に外乱ｄの除去を行うため、Ｇ１＝（０００）となる。そのため、結局、
2009520634.tif 000001
となる。したがって、外乱除去のための制御は、
2009520634.tif 000002
で表される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
図３に示す実施形態では、アンチロールシステム１０は、前述のような外乱除去手段と同時に、フランス国特許出願第０５０７１１３号に記載されているような、横方向加速度または前輪の操舵角に応じて、車両の動的および静的ロール応答を設定する開ループ制御を行う。そのため、制御ユニット１１は、トルク設定値μｃが入力ブロック２４に再びループバックされる点を除いて、前記実施形態の場合と同じデータを入力側に受ける状態オブザーバ２５と、入力側に横方向加速度γＴおよび運転状態データ「状況」を受け、出力側に制御トルクμｆｆを出力する外乱除去モジュール２８とを備える。制御ユニット１１は、制御トルクμｆｆとトルク設定値「μ除去（μｒｅｊｅｃｔｉｏｎ）」を入力する加算器２９を備え、その２つの値を合計して出力側にトルク設定値μｃを出力する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項４】
モジュール（２６）は、
少なくともフィードバックされたトルク設定値μｃ及び前記車両の速度に基づいて、車両の動的及び静的横揺れ（ロール）応答を制御するトルク設定値μｆｆを生成する外乱除去モジュール（２８）と、
前記横揺れ（ロール）の状態に基づいて生成されたトルク設定値μｒｅｊｅｃｔｉｏｎとトルク設定値μｆｆとの加算結果を、トルク設定値μｃとして出力する加算器（２９）と、を備える、
請求項１に記載の車両のロール制御装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年7月9日(2012.7.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
したがって本デバイスは、照射操作の間における、照射コースおよび照射を受けている腫瘍組織の動きについての、正確な情報が得られるというという事実によって特徴づけられる。照射のコースと腫瘍組織の動きの間の相互の関係は、モジュール内の相関ユニットによって記録される。相関ユニットのデータは、吸収量がどの腫瘍範囲すなわちどのラスターポイント（ｒａｓｔｅｒ  ｐｏｉｎｔ）に、どれだけ配分されたかについての情報を与える。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年4月24日(2012.4.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）０．１から３０重量％の油中水型乳化シリコーン界面活性剤；
（ｉｉ）０．１から３０重量％の有機日焼け止め剤；および
（ｉｉｉ）０．１から１０％の共役リノール酸
を含み、有機日焼け止め剤がエチルヘキシルメトキシシンナメートである、油中水型エマルジョンである化粧品組成物。
【請求項２】
油中水型界面活性剤が、シリコーンコポリオールである、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
共役リノール酸が、組成物の約０．５から約５重量％の量で存在する、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
組成物中に存在する全共役リノール酸の本質的に少なくとも３０重量％の共役リノール酸が、シス−９，トランス−１１型およびトランス−１０，シス−１２型リノール酸の混合物からなる、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
組成物中に存在する全共役リノール酸の本質的に少なくとも４０重量％の共役リノール酸がシス−９，トランス−１１型およびトランス−１０，シス−１２型リノール酸の混合物からなる、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
０．０１から３０重量％の架橋シリコーンエラストマーをさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
シリコーンエラストマーが、ポリシロキサン主鎖上のＳｉ−Ｈ結合と反応する少なくとも２つの遊離ビニル基を有するシロキサンポリマーから形成される、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
シリコーンエラストマーが、ジメチコン／ビニルジメチコンクロスポリマー、ジメチコンクロスポリマーおよびポリシリコーン−１１からなる群から選択される、請求項６に記載の組成物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８２】
【表４】
2009520712.tif 000001
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年9月28日(2012.9.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両駆動装置のためのリンクプレートチェーンであって、
押圧部材（２，３）を介してジョイント式に互いに結合される複数のチェーンリンクプレート（１１）が設けられており、
押圧部材（２，３）が、リンクプレートチェーンの長手方向に対して横方向で延在して、チェーンリンクプレート（１１）の開口（１２）に配置されていて、
押圧部材（２，３）とチェーンリンクプレート（１１）とにそれぞれ湾曲して形成された接触面（７，８，９，１０）が配置されており、該接触面（７，８，９，１０）に沿って押圧部材（２，３）とチェーンリンクプレート（１１）とが、力伝達のために互いに接触しており、
押圧部材（２，３）に湾曲して形成された転動面（５，６）が配置されており、該転動面（５，６）に沿って押圧部材（２，３）が力伝達のために接し合って転動し、
押圧部材（２，３）が、リンクプレートチェーンの長手方向で延在している横断面において押圧部材高さ方向で非対称的に形成されており、接触面（７，８，９，１０）が、押圧部材高さ方向で押圧部材（２，３）とチェーンリンクプレート（１１）との間の上側の接触面領域と下側の接触面領域とに設けられている形式のものにおいて、
チェーンリンクプレート（１１）の開口（１２）が、内側方向で湾曲している少なくとも１つの領域（１３）を有しており、
該内側方向で湾曲している領域（１３）が、上側の接触面領域又は下側の接触面領域に設けられており、
前記内側方向で湾曲している領域（１３）から前記転動面（５，６）までの長手方向長さが、前記押圧部材（２，３）の広幅な領域の長手方向長さ（Ｂ）よりも短いことを特徴とする、車両駆動装置のためのリンクプレートチェーン。
【請求項２】
押圧部材（２，３）が互いに規定通りの状態にある場合にのみ開口（１２）での押圧部材（２，３）の配置が可能であるように、前記領域（１３）が開口（１２）内に延びている、請求項１記載のリンクプレートチェーン。
【請求項３】
前記領域（１３）が、凸状の周縁部（１６）から凹状に離れて延びている突出部である、請求項１または２記載のリンクプレートチェーン。
【請求項４】
押圧部材（２，３）が、転動面（５，６）に相対している背面（１４）に凹部（１５）を有しており、内方に湾曲した領域（１３）が、開口（１２）において押圧部材（２，３）が規定通りに配置されている場合に凹部（１５）に十分に相対して配置されている周縁部（１６）の領域に配置されている、請求項１から３までのいずれか一項記載のリンクプレートチェーン。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか一項記載のリンクプレートチェーンのためのチェーンリンクプレートであって、２つの押圧部材対偶を収容するための２つの開口（１２）が設けられている形式のものにおいて、各開口（１２）が、該開口（１２）の周縁部（１６）から内側方向に方向付けられて延びている領域（１３）を有していることを特徴とする、チェーンリンクプレート。
【請求項６】
前記領域（１３）が、押圧部材（２，３）の背面（１４）に形成された凹部（１５）に対して十分に形状・面補完的であり、押圧部材（２，３）と前記領域（１３）との重畳が、押圧部材（２，３）の配向が開口（１２）に対する規定通りの相対的な配向とは異なっている場合に起こるように開口（１２）の内方に延びている、請求項５記載のチェーンリンクプレート。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月22日(2012.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＲＦ電力をプラズマチャンバに結合するための装置であって、
複数のＲＦ接続点を備える電極を備えたプラズマチャンバと、
第１のＲＦ電源を含む複数のＲＦ電源であって、各ＲＦ電源が、前記ＲＦ接続点の１つにそれぞれ接続された出力端を有する、複数のＲＦ電源と、を備え、
前記第１のＲＦ電源が、その出力端に第１のＲＦ電力信号を生成し、
前記第１のＲＦ電源以外の各ＲＦ電源が、そのそれぞれの出力端に、前記第１のＲＦ電力信号と同じ周波数、および前記第１のＲＦ電力信号に対して相対的な、異なる非ゼロ位相オフセットを有するそれぞれのＲＦ電力信号を生成する、装置。
【請求項２】
ＲＦ電力をプラズマチャンバに結合するための装置であって、
第１、第２、第３、第４のＲＦ接続点を備える電極を備えたプラズマチャンバと、
第１、第２、第３、第４のＲＦ電源と、を備え、
各ＲＦ電源が、前記ＲＦ接続点の１つにそれぞれ接続された出力端を有し、そのそれぞれの出力端に、第１、第２、第３、第４のＲＦ電力信号を生成し、
各ＲＦ電源が、それぞれの前記ＲＦ接続点に、それぞれのＲＦ電力信号を供給するために接続される、それぞれの出力端を有し、
当該それぞれの第２、第３、第４のＲＦ電力信号は、前記第１のＲＦ電力信号と同じ周波数、および前記第１のＲＦ電力信号に対して相対的な、異なる非ゼロ位相オフセットを有する、装置。
【請求項３】
ＲＦ電力をプラズマチャンバに結合するための装置であって、
複数のＲＦ接続点を備える電極を備えたプラズマチャンバと、
第１のＲＦ電源を含む複数のＲＦ電源であって、各ＲＦ電源が、前記ＲＦ接続点の１つにそれぞれ接続された出力端を有する、複数のＲＦ電源と、を備え、
前記第１のＲＦ電源が、その出力端に第１のＲＦ電力信号を生成し、
前記第１のＲＦ電源以外の各ＲＦ電源が、そのそれぞれの出力端に、前記第１のＲＦ電力信号と同じ周波数、および前記第１のＲＦ電力信号に対して相対的な、調整可能な位相オフセットを有するそれぞれのＲＦ電力信号を生成する、装置。
【請求項４】
前記ＲＦ接続点が、前記電極の２次元表面上に配置され、
前記ＲＦ接続点の位置が、前記表面の両次元に沿って配置される、請求項１ないし３の何れか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記ＲＦ接続点が、前記電極の矩形表面上に配置され、
前記ＲＦ接続点の位置が、前記矩形表面のＸ軸およびＹ軸の両方に沿って配置される、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
前記ＲＦ接続点のそれぞれが、前記電極にそれぞれ対応する隅部の付近に位置する、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
前記ＲＦ接続点のそれぞれが、前記電極にそれぞれ対応する隅部に位置する、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記ＲＦ接続点のそれぞれが、前記電極の矩形表面の４つの隅部の付近に位置する、請求項５に記載の装置。
【請求項９】
前記ＲＦ接続点のそれぞれが、前記電極の矩形表面の４つの隅部に位置する、請求項５に記載の装置。
【請求項１０】
前記非ゼロ位相オフセットのそれぞれが経時変化する、請求項１ないし９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
ＲＦ発振器と、
複数の位相シフタと、をさらに備え、
各位相シフタが、前記ＲＦ発振器の出力端に接続された入力端を有し、
各ＲＦ電源が、同期入力端を有し、
前記第１のＲＦ電源以外の各ＲＦ電源の前記同期入力端が、前記位相シフタの出力端の１つにそれぞれ接続され、
前記第１のＲＦ電源の前記同期入力端が、前記ＲＦ発振器の前記出力端に接続される、請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１２】
前記ＲＦ発振器の前記出力端と前記第１のＲＦ電源の前記同期入力端との間に接続された位相シフタをさらに備える、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記電極が、マニホルド後壁と、シャワーヘッドと、前記シャワーヘッドを前記マニホルド後壁に接続するサスペンションとを備えるガス入口マニホルドであり、
前記ＲＦ接続点が、前記マニホルド後壁上にある、請求項１ないし１２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】
複数のインピーダンス整合回路網をさらに備え、
各インピーダンス整合回路網が、前記ＲＦ電源の１つにそれぞれ対応するＲＦ電源の前記出力端と、前記ＲＦ接続点の１つにそれぞれ接続される、請求項１ないし１３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１５】
ＲＦ電力をプラズマチャンバに結合するための装置であって、
複数のＲＦ接続点を備える電極を備えたプラズマチャンバと、
第１のＲＦ電源を含む複数のＲＦ電源と、を備え、
各ＲＦ電源が、それぞれの前記ＲＦ接続点に、それぞれのＲＦ電力信号を供給するために接続される、それぞれの出力端を有し、
各ＲＦ電源が、前記ＲＦ接続点の１つにそれぞれ対応するＲＦ接続点に接続された出力端を有し、それぞれのＲＦ電力信号は同じ周波数を有し、
ＲＦ発振器と、
複数の位相シフタと、をさらに備え、
各位相シフタが、前記ＲＦ発振器の出力端に接続された入力端を有し、
各ＲＦ電源が、同期入力端を有し、
前記第１のＲＦ電源以外の各ＲＦ電源の前記同期入力端が、前記位相シフタの出力端の１つにそれぞれ接続され、
前記第１のＲＦ電源の前記同期入力端が、前記ＲＦ発振器の前記出力端に接続される、装置。
【請求項１６】
前記ＲＦ発振器の前記出力端と前記第１のＲＦ電源の前記同期入力端との間に接続された位相シフタをさらに備える、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
各位相シフタが異なる位相シフトを生成し、前記第１のＲＦ電源以外の各ＲＦ電源が、そのそれぞれの出力端に、前記第１のＲＦ電力信号と同じ周波数、および前記第１のＲＦ電力信号に対して相対的な、異なる非ゼロ位相オフセットを有する前記第１のＲＦ電源によって生成されたそれぞれのＲＦ電力信号を生成する、請求項１５または１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記非ゼロ位相オフセットのそれぞれが経時変化する、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記電極が、マニホルド後壁と、シャワーヘッドと、前記シャワーヘッドを前記マニホルド後壁に接続するサスペンションとを備えるガス入口マニホルドであり、
前記ＲＦ接続点が、前記マニホルド後壁上にある、請求項１５ないし１８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２０】
複数のインピーダンス整合回路網をさらに備え、
各インピーダンス整合回路網が、前記ＲＦ電源の１つにそれぞれ対応するＲＦ電源の前記出力端と、前記ＲＦ接続点の１つにそれぞれ対応するＲＦ接続点との間に接続される、請求項１５ないし１９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２１】
ＲＦ接続点の数およびＲＦ電源の数が、少なくとも４であり、
前記ＲＦ接続点が、前記電極の２次元表面上に配置され、
前記ＲＦ接続点の位置が、前記表面の両次元に沿って配置される、請求項１５ないし２０のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２２】
前記ＲＦ接続点が、前記電極の矩形表面上に配置され、
前記ＲＦ接続点の位置が、前記矩形表面のＸ軸およびＹ軸の両方に沿って配置される、請求項１５ないし２１のいずれか一項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月17日(2011.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
少なくとも１つの注目信号に対して計算された合成重みに従って、前記第１或は第２のグループにある前記少なくとも１つの注目信号の信号品質を評価する工程をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記非共用の相関推定値の関数として前記第１のグループの各注目信号についての合成重みを計算する工程は、
前記第１のグループにある各注目信号から信号固有の相関推定値を導出する工程と、
対応する前記信号固有の相関推定値から前記第１のグループにある各注目信号についての合成重みを計算する工程とを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記第２のグループにある前記注目信号についての処理遅延の差のセットに対応する遅延差で前記受信複合信号から得られた信号標本相関のセットとして前記共用の相関推定値を維持する工程をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記第２のグループにある前記注目信号についての処理遅延の差のセットに対応する遅延差で前記受信複合信号から得られた信号標本相関のセットとして前記共用の相関推定値を維持する工程は、
前記第２のグループにある注目信号のマルチパス特性を変更することに反映し、注目信号を前記第２のグループに追加したり、前記第２のグループから削除したりすることに反映するために、前記データ標本相関のセットを更新する工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
前記受信機システム（１４）は、前記第１のグループにある各注目信号から信号固有の相関推定値を導出することにより、前記第１のグループにある各注目信号についての合成重みを計算し、対応する前記信号固有の相関推定値から前記第１のグループにある各注目信号についての合成重みを計算するよう構成されることを特徴とする請求項１４に記載の受信機システム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月1日(2012.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも部分的に溶解できる無機半導体成分を含み、前記無機半導体成分が、金属セレン化物、金属硫化物、金属酸化物、金属テルル化物、金属プニクチド、金属リン化物、金属窒化物、金属炭化物、金属ヒ化物、及びそれらの組合せから選択された化合物を含んでいて、金属が１２族〜１５族金属から選択され、前記無機半導体成分が一つ以上の金属塩と有機塩基を含む前駆体組成物から作られる、第１流体媒体を作ること、
前記第１流体媒体を基板成分と接触させること、
前記無機半導体成分をアニール処理して無機半導体膜を形成すること、
少なくとも部分的に溶解できる誘電体成分を含む第２流体媒体を作ること、及び
前記誘電体成分を前記無機半導体膜に結合すること
を含む薄膜トランジスタデバイス製造用の溶液相方法。
【請求項２】
前記有機塩基は、前記薄膜トランジスタデバイスの移動度を最大にする、少なくとも一つ以上の前記金属塩の前記金属に対するモル比で存在する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記有機塩基は、アミノアルコールである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
一つ以上の前記金属塩が、ハロゲン化物、オキサレート、カーボネート、アセテート、ホルメート、プロピオネート、サルファイト、サルフェート、アセチルアセトネート、水酸化物、ニトレート、過塩素酸塩、トリフルオロアセテート、トリフルオロアセチルアセトネート、トリフルオロメタンスルホネート、トシレート、メシレート、及びそれらの水和物から選択され、
一つ以上の前記金属塩の前記金属が、インジウム、スズ、亜鉛、及びガリウムから選択され、
前記無機半導体成分が金属酸化物である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも一つの前記金属塩における少なくとも一つの前記金属は、インジウムであり、前記無機半導体成分は、Ｉｎ2Ｏ3、ＩｎＳｎＯ2、ＩｎＺｎＯ2、及びＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２流体媒体は、少なくとも部分的に熔解できる有機誘電体成分を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記有機誘電体成分が、π分極可能な部分を含む有機双極子層を含み、前記有機双極子層の少なくとも一つがシロキサン結合連鎖で架橋される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記有機双極子層が、スチルバゾリウム部分を含む非線形光学発色団を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第２流体媒体は、さらに、炭化水素層を含む有機誘電体成分を含み、前記炭化水素層は、少なくとも一つの前記前記有機双極子層にシリコン−酸素結合で結合する、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも一つの前記有機双極子層は、シリコン−酸素結合でシロキサンキャッピング層に結合する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも一つの前記有機双極子層は、一方の端において、シリコン−酸素結合で第１のシロキサンキャッピング層に結合し、他方の端において、シリコン−酸素結合で第２のシロキサンキャッピング層に結合し、前記第１及び第２のシロキサンキャッピング層の一つは、前記有機双極子層と前記炭化水素層との間にあり、前記炭化水素層は、前記第１及び第２のシロキサンキャッピング層の一つにシリコン−酸素結合で結合する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記有機誘電体成分が、ポリ（ビニルフェノール）、ポリスチレン、ポリ（メチルメタクリレート）、及びそれらの共重合体から選択される誘電体ポリマーを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１３】
前記第２流体媒体は、無機誘電体成分を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１流体媒体と接触する前に薄膜組成物を作るように、前記基板成分に前記第２流体媒体を堆積することを含み、
前記薄膜組成物の前記第１流体媒体との接触は、インクジェット印刷法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、パッド印刷法、リソグラフ印刷法、フレキソ印刷法、マイクロコンタクト印刷法、スピンコート法、ドロップ成形法、ゾーン成形法、浸漬コーティング法、ナイフコーティング法、及び噴霧法から選択した処理法による、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記誘電体成分を前記無機半導体膜に結合させることには、インクジェット印刷法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、パッド印刷法、リソグラフ印刷法、フレキソ印刷法、マイクロコンタクト印刷法、スピンコート法、ドロップ成形法、ゾーン成形法、浸漬コーティング法、ナイフコーティング法、及び噴霧法から選択される処理により、前記第２流体媒体を前記無機半導体膜に堆積させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記無機半導体成分が、４００℃より低い温度で、あるいは約４００℃の温度でアニール処理される、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記無機半導体成分が、２５０℃より低い温度、あるいは約２５０℃の温度でアニール処理される、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記誘電体成分は、実質的に透明な基板に結合される、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれか１項に記載の方法により作られる薄膜トランジスタデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月7日(2011.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基地局のセットと、該基地局毎の移動局のセットとを含む直交周波数分割多元接続ネットワークにおいてチャネル資源を配分するための方法であって、
マルチグラフを構築するステップであって、該マルチグラフ内のノードは直交周波数分割多元接続ネットワーク内の前記移動局を表し、ノード対間の各エッジは、該ノード対によって表される前記移動局によって使用されるチャネルに関する起こり得る干渉及びチャネル品質を表すものと、
重みを各前記エッジに割り当てるステップであって、前記重みは前記起こり得る干渉に比例し、且つ前記チャネルの前記チャネル品質に反比例し、
前記重みは、
ｗＢ，ｗＳ，ｗＮ，ｗ０，ｗ１，ｗ２，ｗＡ
から選択され、ここで、重みｗＢは基地局協調に関連付けられる重みに対応し、ｗＳは空間分割多元接続に関連付けられる重みに対応し、ｗＮは非干渉に関連付けられる重みに対応し、ｗＡはセル内干渉に関連付けられる重みに対応し、ｗ０，ｗ１，及びｗ２は、前記ノードによって表される前記移動局の地理的ロケーションに依拠する様々な干渉レベルにおけるチャネル間干渉重みであり、
前記重みは、
ｗＢ≒ｗＳ＜＜ｗＮ＜ｗ０＜ｗ１＜ｗ２＜＜ｗＡ
のようにランク付けされ、
前記マルチグラフの構造、前記起こり得る干渉、及び前記チャネル品質に基づいて、前記移動局に前記チャネル資源を配分するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記移動局毎にダイバーシティセットを保持するステップであって、該ダイバーシティセットは、該移動局のためのアンカー基地局及び任意の隣接する基地局を示し、前記マルチグラフの前記構造及び前記起こり得る干渉は、前記ダイバーシティセットに基づくものをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
各前記基地局において、前記ダイバーシティセットに基づいて、該基地局によってサービス提供される移動局のセットが、空間分割多元接続を実施することができるか否かを判断すること、
各前記基地局において、前記ダイバーシティセットに基づいて、該基地局によってサービス提供される前記移動局のセットが、基地局協調を実施することができるか否かを判断すること、
各前記基地局において、前記ダイバーシティセット内の情報に基づいて、該基地局によってサービス提供される前記移動局のセットが、前記隣接する基地局によってサービス提供される前記移動局のセットにおいてセル間干渉を引き起こすか否かを判断すること、及び
各前記基地局において、該基地局によってサービス提供される前記移動局が、該基地局によってサービス提供される前記移動局のセット内でセル内干渉を引き起こすか否かを判断すること、
をさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
セル内干渉によって引き起こされる干渉に関して前記マルチグラフ内の全てのサブチャネルに関連付けられる固有のエッジ重みを割り当てること、
セル間干渉によって引き起こされる干渉に関して前記マルチグラフ内の全てのサブチャネルに関連付けられる固有のエッジ重みを割り当てること、
空間分割多元接続によって引き起こされる干渉に関して前記マルチグラフ内の全てのサブチャネルに関連付けられる固有のエッジ重みを割り当てること、及び
基地局協調によって引き起こされる干渉に関して前記マルチグラフ内の全てのサブチャネルに関連付けられる固有のエッジ重みを割り当てること、
をさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記直交周波数分割多元接続ネットワークの周波数再利用係数は１である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記チャネル資源はセル間干渉調整に従って配分され、該配分されるチャネル資源は別個である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記チャネル資源は基地局協調に従って配分され、該配分されるチャネル資源は共有される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記基地局協調は空間分割多元接続を使用する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ノードａとノードｂとの間のエッジにおける重みｗａｂ，ｎは、
ｗａｂ，ｎ＝ｗａｂ＊ｆａｂ，ｎ
であり、ただし、ｗａｂは起こり得る干渉であり、ｆａｂ，ｎは瞬時信号強度ｆａｂ，ｎに依拠し、該信号強度は前記チャネル品質に反比例する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
各前記クラスタ内の前記エッジの重みの総計が最小になるように、前記グラフ内の前記ノードを複数のクラスタに分割することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記分割は、最小ｋ分割プロセスを使用する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
特定のクラスタ内の前記ノードによって表される全ての移動局に同じチャネル資源が割り当てられる、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記重みは、
ｗＢ，ｗＳ，ｗＮ，ｗ０，ｗ１，ｗ２，ｗＡ
から選択され、
ｗａｂ∈｛ｗＮ，ｗ０，ｗ１，ｗ２，ｗＡ｝について、ｗａｂ，ｎを以下のように定義し、
【数１】
2011512046.tif 000001
ｗａｂ集合｛ｗＢ，ｗＳ｝について、ｗａｂ，ｎを以下のように定義し、
【数２】
2011512046.tif 000002
ただし、ｈａｎはノードａのためのサブチャネルｎにおける瞬時チャネル利得であり、ｈｂｎはノードｂのためのサブチャネルｎにおける瞬時チャネル利得である、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記直交周波数分割多元接続ネットワークにおいて全ての隣接する基地局間で前記ダイバーシティセットを交換することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月10日(2012.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界効果トランジスタ内の複数のソースコンタクトと、
前記電界効果トランジスタ内の複数の電界効果トランジスタセルであって、それぞれが対応する前記ソースコンタクトを含む複数の電界効果トランジスタセルと、
前記電界効果トランジスタ内のソースインターコネクトと、
前記電界効果トランジスタ内の複数のソースヒューズリンクであって、各ソースヒューズリンクが所定のソースコンタクトを前記ソースインターコネクトに接続する複数のソースヒューズリンクと、
を含む電界効果トランジスタ装置。
【請求項２】
各ソースヒューズリンクがキャビティを含む請求項１に記載の電界効果トランジスタ装置。
【請求項３】
不具合がある電界効果トランジスタセルで高電流が発生した際に、対応するソースヒューズリンクが飛ぶ、請求項１に記載の電界効果トランジスタ装置。
【請求項４】
特定の電界効果トランジスタセルにソース−ドレイン間の短絡があるとき、ソースヒューズリンクにより対応する電界効果トランジスタセルが使用不可になる請求項１に記載の電界効果トランジスタ装置。
【請求項５】
特定の電界効果トランジスタセルにゲート−ソース間の短絡があるとき、ソースヒューズリンクにより対応する電界効果トランジスタセルが使用不可になる請求項１に記載の電界効果トランジスタ装置。
【請求項６】
複数のソースコンタクトが相対的に高融点を有する金属を含み、複数のソースヒューズリンクが相対的に低融点を有する金属を含む請求項１に記載の電界効果トランジスタ装置。
【請求項７】
複数の電界効果トランジスタセルが約５００〜５０億個の電界効果トランジスタセルを含む請求項１に記載の電界効果トランジスタ装置。
【請求項８】
電界効果トランジスタセルが平面型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタセルを含む請求項１に記載の電界効果トランジスタ装置。
【請求項９】
電界効果トランジスタセルが縦型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタセルを含む請求項１に記載の電界効果トランジスタ装置。
【請求項１０】
ソースコンタクト、ソースヒューズリンクおよびソースインターコネクトソースインターコネクトが電界効果トランジスタ装置の作製表面に対して直交する線に配置されている、請求項１に記載の電界効果トランジスタ装置。
【請求項１１】
ドレイン領域と、
ゲート領域の第１の部分が第１の実質的に平行な複数の細長い構造として形成され、ゲート領域の第２の部分が第１の実質的に平行な複数の細長い構造に直交するの第２の実質的に平行な複数の細長い構造として形成され、前記ドレイン領域の上に位置するゲート領域と、
第１のの実質的に平行な複数の細長い構造と第２の実質的に平行な複数の細長い構造の間のゲート領域の周辺近傍に位置する複数のソース領域と、
ドレイン領域と複数のソース領域との間、および第１のの実質的に平行な複数の細長い構造と第２の実質的に平行な複数の細長い構造の間に位置する複数のボディ領域と、
ゲート領域と複数のソース領域との間、ゲート領域と複数のボディ領域との間、およびゲート領域とドレイン領域との間に位置するゲート絶縁体領域と、
各ソースコンタクトが対応するソース領域およびボディ領域に接続された複数のソースコンタクトと、
ソースインターコネクトと、
複数のセルとソースインターコネクトとの間に位置する誘電体層と、
各ソースヒューズリンクが所定のソースコンタクトをソースインターコネクトに接続する複数のソースヒューズリンクと、
を含む集積回路。
【請求項１２】
各ソースヒューズリンクが熱を集中させるように構成されたキャビティを含む、請求項１１に記載の集積回路。
【請求項１３】
各ソースヒューズリンクが対応するソースコンタクトからソースインターコネクトに実質的に延びるキャビティを有する金属を含む、請求項１１に記載の集積回路。
【請求項１４】
各ソースヒューズリンクがソースヒューズリンクの実質的に中央にあるキャビティを有する金属を含む、請求項１１に記載の集積回路。
【請求項１５】
各ソースヒューズリンクが金属を含み、不具合モードレベルの電流によって飛ぶように調節されている、請求項１１に記載の集積回路。
【請求項１６】
各セルがソース領域を含む複数の電界効果トランジスタセルを電界効果トランジスタ内に形成し、各所定のソースコンタクトが対応するソース領域に接続された複数のソースコンタクトを前記電界効果トランジスタ内に形成し、ソースインターコネクトを前記電界効果トランジスタ内に形成し、ソースヒューズリンクが対応するソースコンタクトとソースインターコネクトとの間に接続された各複数のソースヒューズリンクを前記電界効果トランジスタ内に形成することを含む電界効果トランジスタ装置の製造方法。  
【請求項１７】
複数のソースヒューズリンクが銅、アルミニウム、ビスマス、インジウムおよびスズからなる群より選ばれる１以上の金属を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
複数のソースコンタクトがタンタル、チタニウム、タングステン、窒化チタン、窒化タンタルおよびケイ化チタンからなる群より選ばれる１以上の金属を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
各ソースヒューズリンクがキャビティを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
複数のソースコンタクトがタンタル、チタニウム、タングステン、窒化チタン、窒化タンタルおよびケイ化チタンからなる群から選ばれる１以上の金属を含む、請求項１６に記載の方法。