【手続補正書】
【提出日】平成23年12月21日(2011.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１および第２極端紫外線（ＥＵＶ）放射ビームを生成することと、
（ｂ）露光ユニットを使用して前記第１および第２ＥＵＶ放射ビームを基板上に投影することによって、前記第１および第２放射ビームが互いに干渉して前記基板の露光フィールドで第１組の平行線を露光することと、を含む、デバイス製造方法。
【請求項２】
前記基板を９０度に等しいまたは実質的に等しい角度で回転させることと、
第３および第４ＥＵＶ放射ビームを生成することと、
前記露光ユニットを使用して前記第３および第４ＥＵＶ放射ビームを前記基板上に投影することによって、前記第３および第４放射ビームが互いに干渉して前記基板のターゲット領域上で第２組の平行線を露光することと、をさらに含み、
前記第２組の平行線は、前記第１組の平行線に対して実質的に垂直である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法から得られるパターンをトリムしてフィーチャを形成すること、をさらに含む、方法。
【請求項４】
第３および第４ＥＵＶ放射ビームを生成することと、
前記露光ユニットを使用して前記第３および第４ＥＵＶ放射ビームを前記基板上に投影することによって、前記第３および第４放射ビームが互いに干渉して前記基板のターゲット領域上で第２組の平行線を露光することと、をさらに含み、
前記第２組の平行線は、それぞれ前記第１組の平行線の間で、前記第１組の平行線に対して平行である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
工程（ｂ）は、
前記露光ユニットを使用して前記第１および第２ＥＵＶ放射ビームを前記基板上に投影することによって、前記第１および第２放射ビームが互いに干渉して基板のターゲット領域上で矩形を露光することと、
ラインが前記基板上に露光されるように、前記露光ユニットに対して前記基板を移動させることと、を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記基板を９０度に等しいまたは実質的に等しい角度で回転させることと、
第３および第４ＥＵＶ放射ビームを生成することと、
前記露光ユニットを使用して前記第３および第４ＥＵＶ放射ビームを前記基板上に投影することによって、前記第３および第４放射ビームが互いに干渉して前記基板の第２ターゲット領域上で第２矩形を露光することと、
前記第１ラインに対して実質的に垂直な第２ラインが露光されるように、前記露光ユニットに対して前記基板を移動させることと、をさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
工程（ｂ）は、
第１組のミラーを使用して前記第１ビームを誘導し、かつ第２組のミラーを使用して前記第２ビームを誘導することによって、前記第１および第２ビームが、前記露光フィールドの全幅にわたって実質的に互いに空間的かつ時間的にコヒーレントであるように前記第１および第２ビームの各経路長が前記露光フィールドで実質的に等しくなることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
工程（ｂ）は、
前記第１組のミラーおよび前記第２組のミラーを使用して前記第１および第２ビームをそれぞれ低減する、拡大する、または縮小することをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
工程（ａ）は、
ＥＵＶ放射ビームを分割して前記第１および第２ビームを生成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
工程（ａ）は、
前記基板の法線ベクトルを含む平面に平行でないビームを受けることをさらに含み、
前記ビームは、前記第１ビームを分割するために使用されるビームスプリッタのラインに対して実質的に垂直であり、それによって前記ビームスプリッタのトポグラフィによって生じるシャドーイングが実質的に低減または除去される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
工程（ａ）は、
ＥＵＶ放射ビームを回折させて前記第１および第２ビームを生成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
第１極端紫外線（ＥＵＶ）放射ビームを受け、かつ基板上の露光フィールド上に前記第１ビームを誘導する第１露光システムであって、第１ビーム幅調整システムを含む第１露光システムと、
第２ＥＵＶ放射ビームを受け、かつ前記基板上の前記露光フィールド上に前記第２ビームを誘導し、それによって前記第１および第２ビームが互いに干渉して前記基板の前記露光フィールドで第１組の平行線を露光する第２露光システムであって、第２ビーム幅調整システムを含む第２露光システムと、を含み、
前記第１および第２ビーム幅調整システムは、それぞれ前記第１および第２ビームの幅を調整し、それによって前記第１および第２ビームのそれぞれの経路長は、前記第１および第２ビームが前記露光フィールドの全幅にわたって実質的に互いに空間的かつ時間的にコヒーレントであるように、前記露光フィールドで実質的に等しくなる、干渉リソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記露光フィールドにわたって形成される縞のコントラストを検知し、かつ信号を生成するディテクタと、
前記信号を受信し、かつ当該信号から制御信号を生成するコントローラと、
前記第１ビーム幅調整システムのエレメントの位置、形状、または向きを調整して、前記制御信号に基づく前記露光フィールドのコントラストを高めるアクチュエータと、をさらに含む、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記第１ビーム幅調整システムからの前記第１ビームを受信し、かつ前記基板上に前記第１ビームを反射させるミラーと、
前記ミラーの角度を調整して前記基板上に形成されたラインのピッチを調整するアクチュエータと、をさらに含む、請求項１２に記載の装置。
【請求項１５】
前記基板上に形成されたラインのピッチを調整するために、前記第１ビーム幅調整システムのエレメントを交換する、または前記第１ビーム幅調整システムのエレメントを変形させるアクチュエータをさらに含む、請求項１２に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】デバイス製造方法及び干渉リソグラフィ装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
例示的ＥＵＶ干渉の実施形態
[0040]  図３は、ビームスプリッタ３０４、凹面ミラー３０８Ａおよび３０８Ｂ、凸面ミラー３１０Ａおよび３１０Ｂ、ならびに平面ミラー３１２Ａおよび３１２Ｂを含む干渉計３００を示す。例えば、光エレメント３０８Ａ、３１０Ａおよび３１２Ａは、第１露光システムとすることができる。また、光エレメント３０８Ｂ、３１０Ｂおよび３１２Ｂは、第２露光システムとすることができる。ミラー３０８Ａ〜３１２Ａおよび３０８Ｂ〜３１２Ｂは、入射放射によって生成される熱による膨張を防ぐ低膨張ガラス上に形成されてよく、モリブデンおよびシリコンが交互に重なった層から形成されてもよい。一実施形態において、そのようなミラーは約６６％の効率を有する。ＥＵＶ３０２放射のコヒーレントビーム３０２は、ビームスプリッタ３０４に入射する。ビーム３０２は、シンクロトロンもしくはレーザアブレーションまたは高エネルギー放電などの従来のプラズマ源から生成され得る。ビームスプリッタ３０４は、ＥＵＶ放射３０２のビームを第１ビーム３０６Ａおよび第２ビーム３０６Ｂに分割する。第１ビーム３０６Ａは、凹面ミラー３０８Ａおよび凸面ミラー３１０Ａによって平面ミラー３１２Ａ上に反射され、この平面ミラー３１２Ａはビーム３０６Ａを基板３０１上に誘導する。同様に、第２ビーム３０６Ｂは、凹面ミラー３０８Ｂおよび凸面ミラー３１０Ｂによって平面ミラー３１２Ｂ上に反射され、この平面ミラー３１２Ｂはビーム３０６Ｂを基板３０１上に誘導する。一実施形態において、基板３０１は、図１を参照して説明した基板１１０または図２を参照して説明した基板２１０と実質的に同様である。通常、基板３０１は、干渉計３００の焦点面内に位置決めされ、干渉パターン３０３が基板３０１の上面で形成される。リソグラフィの例において、干渉パターン３０３は、露光フィールド３０５にわたってフォトレジスト層（図３に表示せず）を露光する。再び、この説明を読み理解することにより当業者に明らかであるように、異なる技術を用いて書込み画像に対する基板３１０の移動を可能にするステージ、テーブルなど（図示せず）の上に基板３１０を配置して、基板３０１の表面全体のパターニングを可能にすることができることが明らかである。あるいは、基板３０１は静止状態のままでもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
[0043]  一実施形態において、ビームスプリッタ３０４は、ライン群を含む回折デバイスである。そのような実施形態において、ラインは、ビーム３０２に対して垂直であるように構成されてよく、それによって、ビームスプリッタ３０４のトポグラフィによって生じ得るシャドーイングは実質的に低減または除去される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
[0047]  基板３０１上に形成されたフィーチャ（例えば、ライン）のピッチは、少なくとも部分的に平面ミラー３１２Ａの角度θによって決まる。基板３０１上に形成されたラインのピッチを調整するために、コントローラ３１６は、第２制御信号を出力するように構成されてもよい。アクチュエータ３２２は、第２制御信号を受信し、それに応じて平面ミラー３１２Ａの傾きを調整する（例えば、θを調整する）。他の実施形態においては、平面ミラー３１２Ａを傾けることが、基板３０１上に形成されたラインのピッチの微細の調整につながる。また、コントローラ３１６は、形成されたラインのピッチを粗く調整するように機能してもよい。特に、コントローラ３１６は、アクチュエータ３１８および３２０によって受信される第３制御信号を生成するように構成されてよい。第３制御信号に応答して、アクチュエータ３１８および／または３２０は、凹面ミラー３０８Ａおよび／または凸面ミラー３１０Ａを、異なる曲率を有する別のミラーと取り替える、または交換する、もしくは凹面ミラー３０８Ａおよび／または凸面ミラー３１０Ａの曲率を変更する。例えば、ラインのピッチを粗く調整するために、コントローラ３１６は、アクチュエータ３１８によって受信される信号を生成してよい。それに応じて、アクチュエータ３１８は、凹面ミラー３０８Ａを、異なる曲率を有する別のミラーと取り替える、または交換する、もしくは凹面ミラー３０８Ａの曲率を変更する。さらに、コントローラ３１６は、アクチュエータ３１８および／または３２０とともに干渉計３００のエレメント（例えば、凹面ミラー３０８Ａおよび／または凸面ミラー３１０Ａに取って代わったミラー）の位置、形状、および／または配向を再調整して時間的かつ空間的コヒーレンスが維持されるように構成されてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
[0061]  任意のブロック７１０において、露光されたパターンをさらにトリムして所望のパターンを形成する。他の実施形態においては、図６を参照して説明したように、さらなるトリミングを通じて、交差する第１および第２組の平行線を使用して基板上に形成されるフィーチャの基盤として使用可能なグリッドを形成してよい。