【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年5月28日(2012.5.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
したがって、本発明の第一の目的物は半導体構造物でコートされた基板である。この基板は、以後、「コートされた基板」と呼称する。本発明の第二の目的物は、第一目的物を製造するのに特別に適合させた、すなわちＩＩＩ−Ｎ形またはＩＩ−ＶＩ形の半導体構造物をエピタキシャル成長させる特別の基板である。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
中間層は、酸化亜鉛ベース層が堆積される前は無定形である方が好ましい。用語「無定形の」は、Ｘ線回折法で、有意な量の結晶相を検出できないことを意味するものとする。無定形相の比率は、好ましくは、材料の全重量に対して９０重量％以上、特に９５重量％および９９重量％である。単一の酸化物（ＳｎＯ２、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、他の元素をドープされることがある）は、堆積される際に、窒化ガリウムの結晶化を改善する効果を得られない少なくともほとんど結晶化した形態で概して生成されるので、除外される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
好ましくは、ＺｎＯベースの層は、ＺｎＯ、特に、その六方晶形（ウルツ型構造）で結晶化された多結晶ＺｎＯからなる層である。これは、上に位置する窒化ガリウムベース層の結晶化を改善するため、上記形でＺｎＯの結晶化を、できる限り促進することが必要であるからである。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
材料が、多数の結晶で構成され、したがって単結晶でない場合、前記結晶の配向（各結晶について同一であることがある）とは関係なく、その材料は、本発明の文脈内では「多結晶」と呼称される。好ましくは、これらＺｎＯ結晶は、特に、基板の主表面に垂直のｃ−軸に沿って単一の配向をしている。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
ＩＩＩ−Ｎタイプの半導体構造物は、好ましくは、少なくとも一つのｎ−ドープされたＧａＮ層（例えばＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅなどの原子でドープされた）およびｐ−ドープされたＧａＮ層（例えば、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどの原子でドープされた）を含んでいる。その結果、好ましくは、前記ＺｎＯベース層は、少なくとも一つのｎ−ドープされたＧａＮ層と直接接触される。あるいは、無定形のアルミニウムおよび／または窒化ガリウムに基づいた緩衝層を、前記ＺｎＯベース層と前記半導体構造物の間に配置してもよい。かような緩衝層は、ＧａＮベース層の結晶化をさらに促進することを目的としている。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
前記半導体構造物は、ナノワイヤなどのナノ構造物、またはナノロッド、ナノピラー、若しくはナノワイヤという名称で一般に呼ばれている構造物から形成された少なくとも一つの不連続層を含んでいるかまたは前記少なくとも一つの不連続層からなっている。これらの構造物は、一般に基板の表面にほぼ垂直の軸に沿って向いているワイヤまたは柱の形を取っている。これらのワイヤまたは柱は、好ましくは、直径が５０−５００ｎｍの間の大きさで、高さは５００ｎｍと５ミクロンの間の大きさである。これらの構造物は、ダイオードの側面における光の損失を最小限にすることによって、光の誘導を改善するのに役立っている。また、これらの構造物はキャビティ効果を起こして光を増幅する。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７３】
図３と４は、１００，０００倍の倍率にて走査型電子顕微鏡で撮った実施例Ｃ２及び１の顕微鏡写真である。これらの顕微鏡写真は端縁の写真なのでＺｎＯ／ＧａＮのスタックをみることができる。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７７】
表３は、実施例Ｃ１、３および４について得た測定値である。
【表３】
2010533371.tif 000001
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その面の少なくとも一方を、少なくとも一つの酸化亜鉛ベース層（１３、２４）を含む少なくとも一つの多層スタックでコートされた保持体（１１、２１）を備えた、ＩＩＩ−ＮタイプまたはＩＩ−ＶＩタイプの半導体層をエピタキシャル成長させるための基板として使用できる基板であって、
前記保持体（１１、２１）と前記少なくとも一つの酸化亜鉛ベース層（１３、２４）の間に、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）およびアンチモン（Ｓｂ）から選択される少なくとも２種の元素の酸化物を含む少なくとも一つの中間層（１２、２３）が配置されていることを特徴とする基板。
【請求項２】
保持体（１１、２１）がその面の一方だけコートされ、および前記多層が、単一の酸化亜鉛ベース層（１３、２４）および／または単一の中間層（１２、２３）だけを含んでいる請求項１に記載の基板。
【請求項３】
保持体（１１、２１）が、サファイア、炭化ケイ素、ケイ素、金属、石英、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、スピネル、またはガラス質若しくは無定形の物質から選択される物質である請求項１または２に記載の基板。
【請求項４】
前記ガラス質若しくは無定形の物質がシリカベースのガラスである、請求項３に記載の基板。
【請求項５】
保持体（１１、２１）が、ストレインポイントが５５０℃以上であるシリカベースガラスである請求項１−４のいずれか一項に記載の基板。
【請求項６】
少なくとも一つの副層（２２）が、保持体（２１）と中間層（２３）の間に配置されている請求項１−５のいずれか一項に記載の基板。
【請求項７】
副層（２２）が、アルカリ金属イオンの移行に対するバリヤーとして働く副層である、請求項６に記載の基板。
【請求項８】
副層（２２）が、ＳｉＯＣ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、ＴｉＮ、及びＡｌ２Ｏ３のいずれか一つの物質からなっているか、前記物質の一つに基づいているか、または前記物質の混合物の一つに基づいている、請求項７に記載の基板。
【請求項９】
中間層（１２、２３）が、酸化亜鉛ベース層（１３、２４）の下に，直接接触して配置されている請求項１−８のいずれか一項に記載の基板。
【請求項１０】
中間層（１２、２３）は、酸化亜鉛ベース層（１３、２４）が堆積される前、無定形である請求項１−９のいずれか一項に記載の基板。
【請求項１１】
中間層（１２、２３）が酸化スズ亜鉛ベース層である請求項１−１０のいずれか一項に記載の基板。
【請求項１２】
酸化スズ亜鉛ベース層（１２、２３）が、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｂ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＮｂおよびＴａから選択された少なくとも一つの原子でドープされている請求項１１に記載の基板。
【請求項１３】
酸化亜鉛ベース層（１３、２４）が、酸化亜鉛からなる層である請求項１−１２のいずれか一項に記載の基板。
【請求項１４】
前記酸化亜鉛が、その六方晶系形に、ウルツ鉱構造で結晶化された多結晶酸化亜鉛である、請求項１３に記載の基板。
【請求項１５】
酸化亜鉛ベース層（１３、２４）が前記多層の最終層である請求項１−１４のいずれか一項に記載の基板。
【請求項１６】
酸化亜鉛ベース層（１２、２３）の厚さが、１０ｎｍと５００ｎｍの間の厚さである、請求項１−１５のいずれか一項に記載の基板。
【請求項１７】
中間層（１２、２３）の厚さが、２ｎｍと１００ｎｍの間の厚さである、請求項１−１６のいずれか一項に記載の基板。
【請求項１８】
ＩＩＩ−ＮタイプまたはＩＩ−ＶＩタイプの半導体構造物でコートされた請求項１−１７のいずれか一項に記載の基板。
【請求項１９】
ＩＩＩ−Ｎタイプの半導体構造物が窒化ガリウム（ＧａＮ）ベースの少なくとも一つの層を含む請求項１８に記載の基板。
【請求項２０】
ＩＩ−ＶＩタイプの半導体構造物が酸化亜鉛（ＺｎＯ）ベースの少なくとも一つの層を含む請求項１８に記載の基板。
【請求項２１】
半導体構造物が、前記基板の表面にほぼ垂直の軸に沿って向いているワイヤ形状または柱形状のナノ構造物で製造された少なくとも一つの不連続層を含むかまたはその不連続層からなる請求項１８−２０のいずれか一項に記載の基板。
【請求項２２】
前記少なくとも一つの酸化亜鉛ベース層（１３、２４）および前記少なくとも一つの中間層（１２、２３）をスパッタリングで堆積させる、請求項１−２１のいずれか一項に記載の基板を得る方法。
【請求項２３】
中間層（１２、２３）を堆積させるステップが無定形層を生成する請求項２２に記載の方法。