【手続補正書】
【提出日】平成26年11月4日(2014.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
廃棄物処理への最小量の金属を有するバルク水素化プロセッシング触媒を形成するためのプロセスであって、前記プロセスが、
第ＶＩＢ族金属前駆体フィードの少なくとも１つと、第ＶＩＩＩ族、第ＩＩＢ族、第ＩＩＡ族、第ＩＶＡ族及びこれらの組合せから選択される少なくとも助触媒金属前駆体フィードとを、反応条件下で共沈殿させて、触媒前駆体を含む混合物を形成するステップと、
前記混合物から前記触媒前駆体を単離し、少なくとも助触媒金属残留物及び少なくとも第ＶＩＢ族金属残留物を、前記金属前駆体フィードの少なくとも１０モル％の量で含有する上澄みを形成するステップと、
化学的沈殿、イオン交換、電気凝固法、及びこれらの組合せのいずれかで前記上澄みを処理して、少なくとも金属前駆体フィードと、前記金属残留物の少なくとも１つにおける金属イオンを５０モル％未満含有する第１の流出流を生成するステップと、
前記第１の流出流を処理することによって、第１の流出流中の金属イオンの少なくとも８０モル％を回収するステップと、
少なくとも前記金属前駆体フィードを共沈殿ステップへとリサイクルするステップと、
前記触媒前駆体を硫化して前記バルク触媒を形成するステップと
を含み、
前記プロセスから廃棄物処理への流出流が５０ｐｐｍ未満の金属イオンを含有する、前記プロセス。
【請求項２】
前記硫化ステップの前に、触媒前駆体を少なくとも１５０℃の温度で乾燥させるステップをさらに含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記硫化ステップの前に、触媒前駆体を少なくとも３００℃の温度で乾燥させるステップをさらに含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項４】
前記触媒前駆体を少なくとも３２５℃の温度で乾燥させることによって、触媒前駆体が式（Ｘ）ｂ（Ｍｏ）ｃ（Ｗ）ｄＯｚ（式中、ＸはＮｉ又はＣｏであり、ｂ：（ｃ＋ｄ）のモル比は０．５／１〜３／１であり、ｃ：ｄのモル比は＞０．０１／１であり、ｚ＝［２ｂ＋６（ｃ＋ｄ）］／２である）を有するステップをさらに含む、請求項１から３のいずれかに記載のプロセス。
【請求項５】
前記触媒前駆体を最大でも２００℃の温度で乾燥させることによって、前記触媒前駆体が式Ａｖ［（ＭＰ）（ＯＨ）ｘ（Ｌ）ｎｙ］ｚ（ＭＶＩＢＯ４）
（式中、Ａは、アルカリ金属カチオン、アンモニウム、有機アンモニウム及びホスホニウムカチオンのうちの少なくとも１つであり、
ＭＰは、第ＶＩＩＩ族、第ＩＩＢ族、第ＩＩＡ族、第ＩＶＡ族及びこれらの組合せの群から選択され、Ｐは、酸化状態であり、ＭＰは、ＭＰの選択に応じて＋２又は＋４のいずれかの酸化状態を有し、Ｌは、電荷ｎ＜＝０を有する、少なくとも配位剤Ｌであり、ＭＶＩＢは、＋６の酸化状態を有する、少なくとも第ＶＩＢ族金属であり、ＭＰ：ＭＶＩＢは、１００：１〜１：１００の原子比を有し、ｖ−２＋Ｐ×ｚ−ｘ×ｚ＋ｎ×ｙ×ｚ＝０であり、０＜ｙ≦−Ｐ／ｎ；０＜ｘ≦Ｐ；０＜ｖ≦２；０＜ｚである）
を有するステップをさらに含む、請求項１又は２に記載のプロセス。
【請求項６】
バルク触媒を形成する、触媒前駆体の前記硫化ステップが、前記触媒前駆体の水素化プロセッシング反応器への充填前又は充填後いずれかである、請求項１から３のいずれかに記載のプロセス。
【請求項７】
前記上澄みが、電源により提供される正電荷又は負電荷を有する複数の電極を有する反応容器内で処理され、前記電極が金属残留物の少なくとも１つと反応して、不溶性金属化合物を含有するスラリーを形成する、請求項１から３のいずれかに記載のプロセス。
【請求項８】
スラリーから不溶性金属化合物を回収し、上澄み中の金属残留物の少なくとも１つを２０モル％未満含有する流出流を形成するステップをさらに含む、請求項７に記載のプロセス。
【請求項９】
混合条件下で、少なくとも１つの金属残留物の少なくとも一部を第１の予め選択されたｐＨで沈殿させるだけの十分な時間をかけて、酸、スルフィド含有化合物、塩基、及びこれらの組合せの少なくとも１つを流出流に加えるステップをさらに含む、請求項１から３に記載のプロセス。
【請求項１０】
前記金属残留物の少なくとも一部を含む沈殿物を単離及び回収し、前記金属残留物の少なくとも１つを１０００ｐｐｍ未満含有する第３の流出流を生成するステップをさらに含む、請求項９に記載のプロセス。
【請求項１１】
前記上澄み中の金属残留物の少なくとも１つにおける金属イオンの少なくとも５０％が交換樹脂上に結合するだけの十分な時間をかけて前記上澄みを前記樹脂に接触させ、そして未結合の金属残留物を含有する第１の流出流を形成する、請求項１から３のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１２】
電源により提供される正電荷又は負電荷を有する複数の電極を有する反応容器の中で第１の流出液を処理するステップであって、電極が金属残留物の少なくとも１つと反応して、少なくとも沈殿物を含有するスラリーを形成する前記ステップと、
前記スラリーから沈殿物を単離することによって、２０００ｐｐｍ未満の金属を含有する第２の流出液を回収するステップと
をさらに含む、請求項１から３のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１３】
少なくともカチオン交換樹脂が、金属イオンと交換されて前記金属イオンと結合するように提供される、請求項１１に記載のプロセス。
【請求項１４】
少なくともアニオン交換樹脂が、金属イオンと交換されて前記金属イオンと結合するように提供される、請求項１１に記載のプロセス。
【請求項１５】
少なくともカチオンキレート樹脂が、第ＶＩＢ族金属残留物中の金属イオンの少なくとも５０モル％と交換及び結合するように提供される、請求項１１に記載のプロセス。
【請求項１６】
バルク水素化プロセッシング触媒を形成するためのプロセスであって、前記プロセスが、
少なくとも第ＶＩＢ族金属前駆体フィードと、第ＶＩＩＩ族、第ＩＩＢ族、第ＩＩＡ族、第ＩＶＡ族及びこれらの組合せから選択される少なくとも助触媒金属前駆体フィードとを、反応条件で共沈殿させて、第１の触媒前駆体と、少なくとも助触媒金属残留物及び少なくとも第ＶＩＢ族金属残留物を、金属前駆体フィードの少なくとも１０モル％の量で含有する第１の上澄みとを含む生成混合物を形成するステップと、
少なくとも沈殿剤を、溶液中の沈殿剤と金属残留物とのモル比１．５：１〜２０：１の範囲で、前記生成混合物に加えて、前記残留物の中の金属イオンの少なくとも５０モル％を沈殿させて、追加の触媒前駆体を形成するステップと、
前記生成混合物から前記触媒前駆体を単離して、金属残留物の中の金属イオンの５０００ｐｐｍ未満を含有する第２の上澄みを形成するステップと、
前記触媒前駆体を硫化して、前記バルク触媒を形成するステップと
を含む、上記プロセス。
【請求項１７】
水素化プロセッシング触媒組成物を形成するためのプロセスであって、前記プロセスが、
少なくとも第ＶＩＢ族金属前駆体フィードと、第ＶＩＩＩ族、第ＩＩＢ族、第ＩＩＡ族、第ＩＶＡ族及びこれらの組合せから選択される少なくとも助触媒金属前駆体フィードとを反応条件で共沈殿させて、触媒前駆体を含む混合物を形成するステップと、
前記混合物から触媒前駆体を単離して、少なくとも助触媒金属残留物及び少なくとも第ＶＩＢ族金属残留物を、前記金属前駆体フィードの中の金属イオンの少なくとも１０モル％の総量で含有する上澄みを形成するステップと、
前記金属残留物の中の金属イオンの少なくとも５０モル％がイオン交換樹脂上に結合するだけの十分な時間をかけて上澄みを前記樹脂に接触させ、そして未結合の金属残留物を含有する第１の流出流を形成するステップと、
前記樹脂を溶出することによって、前記樹脂上に既に結合した金属イオンを含有する溶出液流を生成するステップと、
第１の流出流又は溶出液流を処理して、前記流れの中の金属イオンの少なくとも８０モル％を回収することによって、少なくとも金属前駆体フィードを形成するステップと、
金属前駆体フィードを共沈殿ステップへとリサイクルするステップと、
触媒前駆体を硫化してバルク触媒を形成するステップと
を含む、上記プロセス。
【請求項１８】
バルク水素化プロセッシング触媒を形成するためのプロセスにおいて、少なくとも第ＶＩＢ族金属前駆体フィードと、第ＶＩＩＩ族、第ＩＩＢ族、第ＩＩＡ族、第ＩＶＡ族及びこれらの組合せから選択される少なくとも助触媒金属前駆体フィードとを反応条件で共沈殿させることによって、触媒前駆体を含む混合物を形成するステップと、混合物から触媒前駆体を単離して、少なくとも助触媒金属残留物及び少なくとも第ＶＩＢ族金属残留物を、前記金属前駆体フィードの中の金属イオンの少なくとも１０モル％の量で含有する上澄みを形成するステップと、触媒前駆体をか焼することによって、式（Ｘ）ｂ（Ｍｏ）ｃ（Ｗ）ｄＯｚ（式中、ＸはＮｉ又はＣｏであり、ｂ：（ｃ＋ｄ）のモル比は０．５／１〜３／１であり、ｃ：ｄのモル比は＞０．０１／１であり、ｚ＝［２ｂ＋６（ｃ＋ｄ）］／２である）の触媒前駆体を形成するステップと、触媒前駆体を硫化して前記バルク触媒を形成するステップとを含むプロセスであって、前記改良が、
上澄みの中の前記金属残留物の少なくとも１つの中の金属イオンの少なくとも５０％がイオン交換樹脂上に結合するだけの十分な時間をかけて、上澄みを前記樹脂に接触させて、未結合の金属残留物を含有する第１の流出流を形成するステップと、
前記樹脂を溶出することによって、前記樹脂上に既に結合した金属イオンを含有する溶出液流を生成するステップと、
第１の流出流又は溶出液流を処理して、前記流れの中の金属イオンの少なくとも８０モル％を回収することによって、少なくとも金属前駆体フィードを形成するステップと
を含む、前記プロセス。
【請求項１９】
水素化プロセッシング触媒組成物を形成するためのプロセスであって、前記プロセスが、
第ＶＩＢ族金属前駆体フィードの少なくとも１つと、第ＶＩＩＩ族、第ＩＩＢ族、第ＩＩＡ族、第ＩＶＡ族及びこれらの組合せから選択される少なくとも助触媒金属前駆体フィードとを反応条件で共沈殿させて、触媒前駆体を含む混合物を形成するステップと、
混合物から触媒前駆体を単離して、少なくとも助触媒金属残留物及び少なくとも第ＶＩＢ族金属残留物を、前記金属前駆体フィードの少なくとも１０％の量で含有する上澄みを形成するステップと、
前記上澄みを、少なくとも酸で、予め選択されたｐＨで処理することによって、少なくとも助触媒金属残留物及び第ＶＩＢ族金属残留物を沈殿させ、前記助触媒金属残留物及び第ＶＩＢ族金属残留物の少なくとも１つの５０％未満を含有する第１の流出流を形成するステップと、
少なくとも交換樹脂を提供するステップと、
前記上澄み中の前記金属残留物の少なくとも１つにおける金属イオンの少なくとも５０モル％がイオン交換樹脂上に結合するだけの十分な時間をかけて、上澄みを前記樹脂に接触させ、そして未結合の金属残留物を含有する第１の流出流を形成するステップと、
前記樹脂を溶出して、前記樹脂に既に結合した金属イオンを含有する溶出液を生成するステップと、
前記第１の流出流中の未結合の金属残留物中の金属イオンの少なくとも８０モル％又は溶出液中の金属イオンの少なくとも８０モル％を回収して、少なくとも金属前駆体フィードを形成するステップと、
前記金属前駆体フィードを共沈殿ステップへとリサイクルするステップと、
前記触媒前駆体を硫化して前記バルク触媒を形成するステップと
を含む、前記プロセス。
【請求項２０】
最小量の廃棄物処理への金属を有するバルク水素化プロセッシング触媒を形成するためのプロセスであって、前記プロセスが、
第ＶＩＢ族金属前駆体フィードの少なくとも１つと、第ＶＩＩＩ族、第ＩＩＢ族、第ＩＩＡ族、第ＩＶＡ族及びこれらの組合せから選択される少なくとも助触媒金属前駆体フィードとを反応条件で共沈殿させることによって、触媒前駆体を含む混合物を形成するステップと、
混合物から触媒前駆体を単離して、少なくとも助触媒金属残留物及び少なくとも第ＶＩＢ族金属残留物を、前記金属前駆体フィードの少なくとも１０モル％の総量で含有する上澄みを形成するステップと、
混合条件下で、周囲温度から９０℃の温度で、前記金属残留物の少なくとも１つの中の金属イオンの少なくとも５０モル％を沈殿させるだけの十分な時間をかけて、前記上澄みを、酸、スルフィド含有化合物、塩基、及びこれらの組合せの少なくとも１つと混合するステップであって、沈殿が予め選択されたｐＨで行われる上記ステップと、
沈殿物を単離することによって、前記上澄み中の前記金属残留物の少なくとも１つにおける金属イオンの５０モル％未満を含有する第１の流出流を回収するステップと、
沈殿物又は第１の流出流の中の金属イオンを少なくとも金属前駆体フィードに変換するステップと、
少なくとも金属前駆体フィードを共沈殿ステップへリサイクルするステップと、
触媒前駆体を硫化して前記バルク触媒を形成するステップと
を含む、前記プロセス。
【請求項２１】
バルク水素化プロセッシング触媒を形成するためのプロセスにおいて、少なくとも第ＶＩＢ族金属前駆体フィード並びに第ＶＩＩＩ族、第ＩＩＢ族、第ＩＩＡ族、第ＩＶＡ族及びこれらの組合せから選択される少なくとも助触媒金属前駆体フィードを反応条件で共沈殿させることによって、触媒前駆体を含む混合物を形成するステップと、混合物から触媒前駆体を単離して、少なくとも助触媒金属残留物及び少なくとも第ＶＩＢ族金属残留物を、前記金属前駆体フィードの少なくとも１０モル％の量で含有する上澄みを形成するステップと、触媒前駆体をか焼することによって、式（Ｘ）ｂ（Ｍｏ）ｃ（Ｗ）ｄＯｚ（式中、ＸはＮｉ又はＣｏであり、ｂ：（ｃ＋ｄ）のモル比は０．５／１〜３／１であり、ｃ：ｄのモル比は＞０．０１／１であり、ｚ＝［２ｂ＋６（ｃ＋ｄ）］／２である）の触媒前駆体を形成するステップと、触媒前駆体を硫化して前記バルク触媒を形成するステップとを含むプロセスであって、改良が、
混合条件下で、周囲温度から９０℃までの温度で、前記金属残留物の少なくとも１つの中の金属イオンの少なくとも５０モル％を沈殿させるだけの十分な時間をかけて、上澄みを、酸、塩基、及びこれらの組合せの少なくとも１つと混合するステップであって、沈殿が予め選択されたｐＨで行われる上記ステップと、
その沈殿物を単離することによって、上澄みの中の前記金属残留物の少なくとも１つの中の金属イオンの２０モル％未満を含有する第１の流出液を回収するステップと、
前記沈殿物を、少なくとも塩基で溶解することによって、沈殿物の中の金属イオンを、少なくとも金属前駆体フィードに変換するステップと、
前記少なくとも金属前駆体フィードを共沈殿ステップへとリサイクルするステップと
を含む、前記プロセス。
【請求項２２】
最小量の廃棄物処理への金属を有する水素化プロセッシング触媒組成物を形成するためのプロセスであって、前記プロセスが、
少なくとも第ＶＩＢ族金属前駆体フィードと、第ＶＩＩＩ族、第ＩＩＢ族、第ＩＩＡ族、第ＩＶＡ族及びこれらの組合せから選択される少なくとも助触媒金属前駆体フィードとを反応条件で共沈殿させることによって、触媒前駆体を含む混合物を形成するステップと、
混合物から触媒前駆体を単離して、少なくとも助触媒金属残留物及び少なくとも第ＶＩＢ族金属残留物を、前記金属前駆体フィードの少なくとも１０モル％の総量で含有する上澄みを形成するステップと、
前記金属残留物の少なくとも１つの中の金属イオンの少なくとも５０モル％を沈殿させるだけの十分な時間をかけて、上澄みを、少なくとも塩基又は酸と混合するステップであって、沈殿が予め選択されたｐＨで行われる上記ステップと、
その沈殿物を単離することによって、上澄みの中の前記金属残留物の少なくとも１つの中の金属イオンを５０モル％未満含有する第１の流出液を回収するステップと、
前記第１の流出液の中の前記金属残留物の少なくとも１つの中の金属イオンの少なくとも５０モル％がキレート化イオン交換樹脂上に結合するだけの十分な時間をかけて、第１の流出液を前記樹脂に接触させることによって、前記金属残留物の少なくとも１つの金属イオンを１０００ｐｐｍ未満含有する第２の流出液を形成するステップと、
前記樹脂を溶出して、前記樹脂上に既に結合した金属イオンを含有する溶出液を生成するステップと、
前記第２の流出流又は溶出液を処理して、第２の流出流の中の金属イオンの少なくとも８０モル％を回収して、少なくとも金属前駆体フィードを形成するステップと、
前記金属前駆体フィードを共沈殿ステップへとリサイクルするステップと、
前記触媒前駆体を硫化して前記バルク触媒を形成するステップとを
含み、プロセスから廃棄物処理への流出流が５０ｐｐｍ未満の金属イオンを含有する、前記プロセス。
【請求項２３】
水素化プロセッシング触媒組成物を形成するためのプロセスであって、前記プロセスが、
少なくとも第ＶＩＢ族金属前駆体フィードと、第ＶＩＩＩ族、第ＩＩＢ族、第ＩＩＡ族、第ＩＶＡ族及びこれらの組合せから選択される少なくとも助触媒金属前駆体フィードを反応条件で共沈殿させることによって、触媒前駆体を含む混合物を形成するステップと、
混合物から触媒前駆体を単離して、少なくとも助触媒金属残留物及び少なくとも第ＶＩＢ族金属残留物を、前記金属前駆体フィードの少なくとも１０モル％の量で含有する上澄みを形成するステップと、
前記上澄みを、酸、スルフィド含有化合物、及びこれらの組合せの少なくとも１つと混合するステップと、
前記上澄み中の前記金属残留物の少なくとも１つにおける金属イオンの少なくとも５０モル％がキレート化イオン交換樹脂上に結合するだけの十分な時間をかけて、前記上澄みを、前記樹脂に接触させて、前記金属残留物の少なくとも１つを１０００ｐｐｍ未満含有する第１の流出液を形成するステップと、
前記樹脂を溶出することによって、前記樹脂上に既に結合した金属イオンを含有する溶出液を生成するステップと、
前記第１の流出流又は溶出液を処理して、前記流れの中の金属イオンの少なくとも８０モル％を回収することによって、少なくとも金属前駆体フィードを形成するステップと、
前記金属前駆体フィードを共沈殿ステップへとリサイクルするステップと、
前記触媒前駆体を硫化して前記バルク触媒を形成するステップと
を含む、前記プロセス。
【請求項２４】
水素化プロセッシング触媒組成物を形成するためのプロセスであって、前記方法が、
少なくとも第ＶＩＢ族金属前駆体フィードと、第ＶＩＩＩ族、第ＩＩＢ族、第ＩＩＡ族、第ＩＶＡ族及びこれらの組合せから選択される少なくとも助触媒金属前駆体フィードとを反応条件で共沈殿させることによって、触媒前駆体を含む混合物を形成するステップと、
混合物から触媒前駆体を単離して、少なくとも助触媒金属残留物及び少なくとも第ＶＩＢ族金属残留物を、前記金属前駆体フィードの少なくとも１０モル％の量で含有する上澄みを形成するステップと、
前記金属残留物の少なくとも１つの中の金属イオンの少なくとも一部を沈殿させるだけの十分な時間をかけて、上澄みを、酸、スルフィド含有化合物、及びこれらの組合せの少なくとも１つと混合するステップであって、沈殿が第１の予め選択されたｐＨで行われる上記ステップと、
沈殿物を単離することによって、上澄み中の前記金属残留物の少なくとも１つの金属イオンを５０モル％未満含有する第１の流出液を回収するステップと、
前記第１の流出液の中の前記金属残留物の少なくとも１つにおける金属イオンの少なくとも５０モル％が第１のキレート化イオン交換樹脂上に結合するだけの十分な時間をかけて、第１の流出液を前記樹脂と、第２の予め選択されたｐＨで接触させて、前記金属残留物の少なくとも１つの金属イオンを１０００ｐｐｍ未満含有する第２の流出液を形成するステップと、
前記第１の流出液の中の前記金属残留物の少なくとも１つにおける金属イオンの少なくとも５０モル％が第２のキレート化イオン交換樹脂上に結合するだけの十分な時間をかけて、第２の流出液を前記樹脂と第３の予め選択されたｐＨで接触させて、前記金属残留物の少なくとも１つにおける金属イオンを１００ｐｐｍ未満含有する第３の流出液を形成するステップと
を含む、前記プロセス。
【請求項２５】
水素化プロセッシング触媒組成物を形成するためのプロセスであって、前記方法が、
少なくとも第ＶＩＢ族金属前駆体フィードと、第ＶＩＩＩ族、第ＩＩＢ族、第ＩＩＡ族、第ＩＶＡ族及びこれらの組合せから選択される少なくとも助触媒金属前駆体フィードとを反応条件で共沈殿させて、触媒前駆体を含む混合物を形成するステップと、
混合物から触媒前駆体を単離して、少なくとも助触媒金属残留物及び少なくとも第ＶＩＢ族金属残留物を、前記金属前駆体フィードの少なくとも１０モル％の量で含有する上澄みを形成するステップと、
前記上澄み中の前記金属残留物の少なくとも１つの金属イオンの少なくとも５０モル％がキレート化イオン交換樹脂上に結合するだけの十分な時間をかけて、上澄みを、前記樹脂と予め選択されたｐＨで接触させて、前記金属残留物の少なくとも１つにおける金属イオンを１０００ｐｐｍ未満含有する第１の流出液を形成するステップと、
前記樹脂を溶出して、前記樹脂上に既に結合した金属イオンを含有する溶出液を生成するステップと、
第１の流出流又は溶出液を処理して、前記流れの中の金属イオンの少なくとも８０モル％を回収することによって、少なくとも金属前駆体フィードを形成するステップと、
前記金属前駆体フィードを共沈殿ステップへとリサイクルするステップと、
前記触媒前駆体を硫化して前記バルク触媒を形成するステップと
を含む、前記プロセス。
【請求項２６】
バルク水素化プロセッシング触媒を形成するためのプロセスであって、前記方法が、
少なくとも第ＶＩＢ族金属前駆体フィードと第ＶＩＩＩ族、第ＩＩＢ族、第ＩＩＡ族、第ＩＶＡ族及びこれらの組合せから選択される少なくとも助触媒金属前駆体フィードとを反応条件で共沈殿させることによって、触媒前駆体を含む混合物を形成するステップと、
前記混合物から触媒前駆体を単離して、少なくとも助触媒金属残留物及び少なくとも第ＶＩＢ族金属残留物を、前記金属前駆体フィードの少なくとも１０モル％の総量で含有する上澄みを形成するステップと、
前記上澄みを、電源により提供される正電極又は負電極を有する複数の電極を有する反応容器に供給するステップであって、電極が水に溶解して、電極溶解生成物を生成する上記ステップと、
前記電極溶解生成物を、前記金属残留物の少なくとも１つと反応させて、不溶性金属化合物を含有するスラリーを形成するステップと、
前記スラリーから不溶性金属化合物を単離して、前記金属残留物の中の金属イオンの５０モル％未満を含有する第１の流出流を形成するステップと、
第１の流出流を処理して、金属イオンの少なくとも８０モル％を回収することによって、少なくとも金属前駆体フィードを形成するステップと、
前記金属前駆体フィードを共沈殿ステップへとリサイクルするステップと、
前記触媒前駆体を硫化して前記バルク触媒を形成するステップと
を含む、前記プロセス。
【請求項２７】
バルク水素化プロセッシング触媒を形成するためのプロセスにおいて、第ＶＩＢ族金属前駆体フィードの少なくとも１つと、第ＶＩＩＩ族、第ＩＩＢ族、第ＩＩＡ族、第ＩＶＡ族及びこれらの組合せから選択される少なくとも助触媒金属前駆体フィードとを反応条件で共沈殿させることによって、触媒前駆体を含む混合物を形成するステップと、混合物から触媒前駆体を単離して、少なくとも助触媒金属残留物及び少なくとも第ＶＩＢ族金属残留物を、前記金属前駆体フィードの少なくとも１０モル％の量で含有する上澄みを形成するステップと、触媒前駆体を硫化して前記バルク触媒を形成するプロセスであって、改良が、
前記上澄みを、電源により提供される正電荷又は負電荷を有する複数の電極を有する反応容器に供給するステップと、
前記電極を、前記金属残留物の少なくとも１つと反応させることによって、不溶性金属化合物を含有するスラリーを形成するステップと、
前記不溶性金属化合物を回収して、助触媒金属残留物及び第ＶＩＢ族金属残留物の少なくとも１つの５０モル％未満を含有する第１の流出流を形成するステップと、
前記第１の流出流を処理して、金属イオンの少なくとも８０モル％を回収することによって、少なくとも金属前駆体フィードを形成するステップと、
前記少なくとも金属前駆体フィードを共沈殿ステップへとリサイクルするステップと
を含む、前記プロセス。