Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月11日(2012.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
グラファイト部品（１１０）の表面であるグラファイト部品表面を前処理する方法であって、前記方法は、
処理室（１１４）内に前記グラファイト部品（１１０）を設置する工程と；
前記グラファイト部品表面上にある全てのグラファイト微粒子が前記グラファイト部品表面から除去されるように、前記グラファイト部品（１１０）を反応性プラズマにかける工程と；
前記プラズマの放電率を制御する工程と
を有する、方法。
【請求項２】
前記方法は更に、前記グラファイト部品（１１０）を次の前処理工程にかけることを有し、
前記次の前処理工程は、
液体媒体を充填した容器（２３０）内に前記グラファイト部品（１１０）を設置する工程であって、前記容器（２３０）は、変換器（２３６）に接続された超音波／メガソニック発生器（２３４）と連通することと；
或る周波数を有するエネルギ波に前記グラファイト部品（１１０）をさらす工程と
を有する、
請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記エネルギ波の周波数は、４０ｋＨｚである、
請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記エネルギ波の周波数は、８０ｋＨｚである、
請求項２記載の方法。
【請求項５】
前記液体媒体は、フロン、炭化水素、および水からなる群から選択される、
請求項２記載の方法。
【請求項６】
高密度炭化ケイ素部品の表面を前処理する方法であって、前記方法は、
処理室（１１４）内に前記高密度炭化ケイ素部品を設置することと、
前記高密度炭化ケイ素部品を反応性プラズマにかけることと、
プラズマの放電率を制御することと
を有し、
前記高密度炭化ケイ素部品は、
全体が炭化ケイ素から形成されると共に開孔多孔性を有する多孔質炭化ケイ素予備成形物を供給する工程であって、前記多孔質炭化ケイ素予備成形物は、網状のグラファイト成形体から形成されることと；
前記多孔質炭化ケイ素予備成形物内の相当数の孔を、炭素前駆体で充填することによって、充填された充填炭化ケイ素予備成形物を形成する工程と；
前記充填炭化ケイ素予備成形物を、予め選択された熱分解温度で加熱することによって、前記多孔質炭化ケイ素予備成形物の孔内に、炭素質多孔質構造を形成する工程と；
前記炭素質多孔質構造をケイ素に接触させることによって、前記炭素質多孔質構造を通じて前記ケイ素を拡散させ、且つ前記多孔質炭化ケイ素予備成形物の孔内に含有される炭素と反応させる工程であって、前記多孔質炭化ケイ素予備成形物の孔内に炭化ケイ素の第２相を形成することによって、結果として得られる前記高密度炭化ケイ素部品は、炭化ケイ素によって高密度化され、且つ前記多孔質炭化ケイ素予備成形物よりも低い多孔性を示し、且つ炭化ケイ素複合材料であることと
によって生成される、方法。
【請求項７】
前記処理室（１１４）は、放電のためのプラズマトーチを含むプラズマ処理室である、
請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記プラズマの放電率を制御することは、前記プラズマトーチの放電率をコンピュータ制御（ＣＮＣ）システムの使用を介して制御する、
請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記処理室は、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）を用いるエッチャーを有する、
請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記エネルギ波の周波数は、メガソニック帯域に位置する、
請求項２記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月28日(2012.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
緊急関連メッセージに応答するユーザ機器（ＵＥ）のための方法であって、該方法は、
第１のメッセージが緊急関連要求であることを示すインジケータを含む応答メッセージを受信することと、
該ＵＥに関連付けられた情報を含む第２のメッセージを送信することと
を包含し、
該ＵＥは、該第１のメッセージが緊急関連要求であることを認識していない、方法。
【請求項２】
前記応答メッセージを受信すると、前記方法は、
前記第１のメッセージが緊急関連要求であることを示すものをユーザに提供すること
をさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２のメッセージに含まれる前記ＵＥに関連付けられた前記情報は、ＵＥアイデンティティを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第２のメッセージに含まれる前記ＵＥに関連付けられた前記情報は、ＵＥ位置を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第２のメッセージに含まれる前記ＵＥに関連付けられた前記情報は、ＵＥアクセスネットワーク情報を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２のメッセージは、ＳＩＰ（セッション確立プロトコル）ＵＰＤＡＴＥ要求である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のメッセージは、ＳＩＰ要求である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記応答メッセージは、ＳＩＰ１ｘｘまたは２００（ＯＫ）応答のうちの１つである、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第２のメッセージは、
ＳＩＰ  ＡＣＫと、
ＳＩＰ  ＰＲＡＣＫと、
ＳＩＰターゲットリフレッシュと、
ＳＩＰ  ＵＰＤＡＴＥと、
ＳＩＰ  ＲＥ−ＩＮＶＩＴＥ要求と
のうちの１つである、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１のメッセージは、対話に対する初期要求である、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記ＵＥアイデンティティは、ｇｌｏｂａｌｌｙ  ｒｏｕｔａｂｌｅ  ｕｓｅｒ  ａｇｅｎｔ  ｕｎｉｆｏｒｍ  ｒｅｓｏｕｒｃｅ  ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｒ（ＧＲＵＵ）である、請求項３に記載の方法。
【請求項１２】
前記ＵＥ位置を指示するＵＲＩ（Ｕｎｉｆｏｒｍ  Ｒｅｓｏｕｒｃｅ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｒ）を前記ＵＥが認識している場合、前記方法は、前記第２のメッセージの地理的位置ヘッダフィールドに該ＵＲＩを含めることをさらに包含する、請求項４に記載の方法。
【請求項１３】
前記ＵＥの地理的位置情報が該ＵＥに利用可能である場合、前記第２のメッセージのメッセージ本文にＰＩＤＦ位置オブジェクトとして該地理的位置情報を含めることをさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
公開ＧＲＵＵ値が公開ユーザアイデンティティに関連付けられて保存された場合、前記第２のメッセージのコンタクトヘッダフィールドに該公開ＧＲＵＵ値を含めることをさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記ＵＥアクセスネットワーク情報は、前記第２のメッセージにおいてＰ−アクセス−ネットワーク情報ヘッダフィールドに含まれ、位置識別子、セル識別子またはＩ−ＷＬＡＮアクセスノードのアイデンティティのうちの１つを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項１６】
ユーザ機器（ＵＥ）であって、該ＵＥは、
第１のメッセージが緊急関連要求であることを示すインジケータを含む応答メッセージを該ＵＥが受信するように、かつ、該ＵＥに関連付けられた情報を含む第２のメッセージを該ＵＥが送信するように構成された構成要素を含み、
該ＵＥは、該第１のメッセージが緊急関連要求であることを認識していない、ＵＥ。
【請求項１７】
前記応答メッセージを受信すると、前記ＵＥは、前記第１のメッセージが緊急関連要求であることを示すものをユーザに提供する、請求項１６に記載のＵＥ。
【請求項１８】
前記第２のメッセージに含まれる前記ＵＥに関連付けられた前記情報は、ＵＥアイデンティティを含む、請求項１６に記載のＵＥ。
【請求項１９】
前記第２のメッセージに含まれる前記ＵＥに関連付けられた前記情報は、ＵＥ位置を含む、請求項１６に記載のＵＥ。
【請求項２０】
前記第２のメッセージに含まれる前記ＵＥに関連付けられた前記情報は、ＵＥアクセスネットワーク情報を含む、請求項１６に記載のＵＥ。
【請求項２１】
前記第２のメッセージは、セッション確立プロトコル（ＳＩＰ）ＵＰＤＡＴＥ要求である、請求項１６に記載のＵＥ。
【請求項２２】
前記第１のメッセージは、ＳＩＰ要求である、請求項１６に記載のＵＥ。
【請求項２３】
前記応答メッセージは、ＳＩＰ１ｘｘまたは２００（ＯＫ）応答のうちの１つである、請求項１６に記載のＵＥ。
【請求項２４】
前記第２のメッセージは、
ＳＩＰ  ＡＣＫと、
ＳＩＰ  ＰＲＡＣＫと、
ＳＩＰターゲットリフレッシュと、
ＳＩＰ  ＵＰＤＡＴＥと、
ＳＩＰ  ＲＥ−ＩＮＶＩＴＥ要求と
のうちの１つである、請求項１６に記載のＵＥ。
【請求項２５】
前記第１のメッセージは、対話に対する初期要求である、請求項１６に記載のＵＥ。
【請求項２６】
前記ＵＥアイデンティティは、ｇｌｏｂａｌｌｙ  ｒｏｕｔａｂｌｅ  ｕｓｅｒ  ａｇｅｎｔ  ｕｎｉｆｏｒｍ  ｒｅｓｏｕｒｃｅ  ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｒ（ＧＲＵＵ）である、請求項１８に記載のＵＥ。
【請求項２７】
前記ＵＥ位置を指示するＵＲＩ（Ｕｎｉｆｏｒｍ  Ｒｅｓｏｕｒｃｅ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｒ）を前記ＵＥが認識している場合、該ＵＥは、前記第２のメッセージの地理的位置ヘッダフィールドに該ＵＲＩを含める、請求項１９に記載のＵＥ。
【請求項２８】
前記ＵＥの地理的位置情報が該ＵＥに利用可能である場合、該ＵＥは、前記第２のメッセージのメッセージ本文にＰＩＤＦ位置オブジェクトとして該地理的位置情報を含める、請求項１６に記載のＵＥ。
【請求項２９】
公開ＧＲＵＵ値が公開ユーザアイデンティティに関連付けられて保存された場合、前記ＵＥは、前記第２のメッセージのコンタクトヘッダフィールドに該公開ＧＲＵＵ値を含める、請求項１６に記載のＵＥ。
【請求項３０】
前記ＵＥアクセスネットワーク情報は、前記第２のメッセージにおいてＰ−アクセス−ネットワーク情報ヘッダフィールドに含まれ、位置識別子、セル識別子またはＩ−ＷＬＡＮアクセスノードのアイデンティティのうちの１つを含む、請求項２０に記載のＵＥ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月27日(2012.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘッドセットにおいて、
前記ヘッドセットがユーザーによって着用中であるか否かを表すヘッドセットの方位を画定するセンサーデータを得るためのセンサー論理部と、
前記ヘッドセットを前記センサーデータに基づいて構成するための構成論理部と、を備え、
前記センサーデータが動作シグネチャとヘッドセット方位データとを含み、該動作シグネチャはヘッドセットの物理的動作の指標であり、前記ヘッドセットの方位はセンサーデータによって画定されており、前記構成論理部は前記動作シグネチャとヘッドセットの異なる物理的動作の複数の所定の動作シグネチャ指標とを比較し、該比較に基づいてヘッドセットの方位と一致した動作シグネチャに基づいてヘッドセットが着用中であるかどうかを判定することを特徴とするヘッドセット。
【請求項２】
前記ヘッドセットが着用中であることと関連付けられる特定の方位を画定するように構成されているヘッドセット形状を更に備えており、該ヘッドセット形状は、前記特定の方位が、確実に、前記ヘッドセットがどこか他の場所に置かれているときに繰り返されることのないように、構成されている、請求項１に記載のヘッドセット。
【請求項３】
前記ヘッドセットは、以下のもの、即ち、イヤーバッド、ヘッドフォン、マイクロフォンとスピーカーを含むヘッドセット、スピーカーが組み込まれた眼鏡、のうちの１つを備えている、請求項１に記載のヘッドセット。
【請求項４】
前記構成論理部は、前記ヘッドセットを、待機から及び待機へ切り替える電力論理部を備えている、請求項１に記載のヘッドセット。
【請求項５】
前記センサーは、
前記ヘッドセットをユーザーの頭部に宛がうことと前記ヘッドセットを前記ユーザーの頭部から取り外すことを備えるジェスチャを検出する加速度計を備えている、請求項１に記載のヘッドセット。
【請求項６】
前記センサーは、
特定の行動と関連付けられている動作の定義された動作シグネチャを備える動作コマンドを検出するための加速度計と、
コマンドストアと干渉するためのコマンド論理部を備え、該コマンドストアは異なる動作コマンドと関連する複数の動作シグネチャを格納しており、各動作コマンドは特定のアクションに関係する定義されたセットの動作を含んでおり、
及び、
前記動作シグネチャに基づいて前記動作コマンドと関連付けられているコマンドを識別するためのコマンドマッパーと、を備えている、請求項１に記載のヘッドセット。
【請求項７】
前記動作コマンドは、以下のもの、即ち、前記ヘッドセットが着用中でないときのシェイクシェイクコマンドと、前記ヘッドセットが着用中であるときのタップタップコマンドのうちの１つ又はそれ以上を備えている、請求項６に記載のヘッドセット。
【請求項８】
前記識別されたコマンドに関して、フィードバックを前記ユーザーに提供するためのフィードバック論理部を更に備えている、請求項６に記載のヘッドセット。
【請求項９】
前記ヘッドセットが動いていないとき、即ち前記ヘッドセットがユーザーによって着用中ではないことが表されているとき、前記ヘッドセットを自動的に待機に入れるための電力論理部を更に備えている、請求項４に記載のヘッドセット。
【請求項１０】
前記ヘッドセットの設定を前記センサーデータに基づいて調節するためのプロファイル調節部を更に備えている、請求項１に記載のヘッドセット。
【請求項１１】
前記センサーデータに基づいて前記ヘッドセットにリンクされている携帯デバイスの設定を調節する前記プロファイル調節部を更に備えている、請求項１０に記載のヘッドセット。
【請求項１２】
単ボタンと非視覚的フィードバックを利用した前記ヘッドセットの機能の制御を可能にするためのボタン論理部を更に備えている、請求項１に記載のヘッドセット。
【請求項１３】
ヘッドセットの動作シグネチャを、センサーデータに基づいて求める段階であって、前記動作シグネチャが前記ヘッドセットの物理的動作の指標であり、前記動作シグネチャとユーザーの異なる動作を指示する複数の異なる所定の動作シグネチャとの比較に基づいて前記センサーデータから判定されるようになっている段階と、
前記ヘッドセットがユーザーによって着用中であるか否かを、前記比較によって一致した前記動作シグネチャに基づいて判定する段階と、
前記ヘッドセットを、前記ヘッドセットがユーザーによって着用中であるか否かに基づいて構成する段階と、から成る方法。
【請求項１４】
前記異なる所定の動作シグネチャが少なくともユーザーの耳に上にあるヘッドセットの位置を示す動作シグネチャをユーザーの耳から前記ヘッドセットが離れたことを示す動作シグネチャを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記コマンドは、以下のこと、即ち、前記ヘッドセットの構成を改変する、前記ヘッドセットに連結されているデバイスの構成を改変する、前記ヘッドセットの出力特性を改変する、前記ヘッドセットに連結されているデバイスの出力特性を改変する、のうちの１つ又はそれ以上を備えている、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
ユーザーが、単ボタンと音声フィードバックを利用して、メニューのセットを進んで行けるようにする単ボタンインターフェースを提供する段階を更に含んでいる、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月7日(2012.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷蓄積域を複数個有する電荷結合デバイス（ＣＣＤ）シフトレジスタと、
リセットドレインと、
個々の電荷蓄積域からリセットドレインへと電荷を転送できるようＣＣＤシフトレジスタ・リセットドレイン間に設けられた転送機構と、
前記複数の電荷蓄積域内の非画像電荷をリセットドレインへと転送する第１リセット動作を可能とし、その第１リセット動作の実行後にクロック信号を発生させることで電荷蓄積域のうち少なくとも１個に残留している非画像電荷を別の電荷蓄積域へとシフトさせ、更にその残留非画像電荷をリセットドレインへと転送する第２リセット動作を実行させるタイミング発生器と、
を備えるイメージセンサ。
【請求項２】
請求項１記載のイメージセンサであって、上記転送機構が複数個の転送ゲートを有し、各転送ゲートが電荷蓄積域に隣接しているイメージセンサ。
【請求項３】
請求項２記載のイメージセンサであって、上記ＣＣＤシフトレジスタとして構成された水平ＣＣＤシフトレジスタを備えるイメージセンサ。
【請求項４】
請求項２記載のイメージセンサであって、上記ＣＣＤシフトレジスタとして構成された垂直ＣＣＤシフトレジスタを備え、当該垂直ＣＣＤシフトレジスタ、上記リセットドレイン及び上記複数個の転送ゲートが、画素アレイ内に形成されるカラムに組み込まれているイメージセンサ。
【請求項５】
請求項１記載のイメージセンサであって、上記リセットドレインが、上記ＣＣＤシフトレジスタ内の全ての電荷蓄積域から電荷を受け入れるコモンリセットドレインであるイメージセンサ。
【請求項６】
請求項１記載のイメージセンサであって、撮影装置に組み込まれているイメージセンサ。
【請求項７】
複数個の電荷蓄積域を有する電荷結合デバイス（ＣＣＤ）シフトレジスタからリセットドレインへと残留非画像電荷を排出させるためイメージセンサ内で実行される方法であって、
（ａ）ＣＣＤシフトレジスタからリセットドレインへと非画像電荷を転送するステップと、
（ｂ）ＣＣＤシフトレジスタ内の電荷蓄積域のうち少なくとも１個に残留している非画像電荷を別の電荷蓄積域へとシフトさせるステップと、
（ｃ）シフト先の電荷蓄積域からリセットドレインへとその残留非画像電荷を転送するステップと、
を有する方法。
【請求項８】
請求項７記載の方法であって、（ｄ）ステップ（ｂ）及び（ｃ）を所定回数に亘り繰り返すステップを有する方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、さらにステップ（ａ）に先だって転送処理が可能である方法。
【請求項１０】
請求項９記載の方法であって、転送方法においてステップ（ｃ）及び（ｄ）を繰り返すことを可能とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月21日(2012.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高分子電解質メンブレン（ＰＥＭ）を用いた燃料電池用の、構造化された親水性部を有するカーボン繊維に基づくガス拡散層において、０．５〜８０μｍの平均ドメインサイズにおける金属酸化物の群から選択される親水性の性質を有する材料が、ガス拡散層中で親水性の芯として存在することを特徴とするガス拡散層。
【請求項２】
金属酸化物が、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｂ、Ｓｎ、Ｚｒからなる群から選択されることを特徴とする、請求項１に記載のガス拡散層。
【請求項３】
親水性のドメインが、疎水性のドメインによって離間されていることを特徴とする、請求項１に記載のガス拡散層。
【請求項４】
疎水性のドメインが、好ましくはＰＴＦＥ、ＰＶＤＦからなる群から選択される、フッ素含有ポリマーまたは疎水性のゾル−ゲルを含有することを特徴とする、請求項３に記載のガス拡散層。
【請求項５】
親水性ドメイン間の距離が１０μｍ〜３ｍｍの範囲であることを特徴とする、請求項３に記載のガス拡散層。
【請求項６】
親水性のドメインがパターン状に存在することを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項に記載のガス拡散層。
【請求項７】
親水性のドメインが、線形で配列されていることを特徴とする、請求項６に記載のガス拡散層。
【請求項８】
親水性のドメインが、多角形、好ましくは菱形または六角形の形態で配列されていることを特徴とする、請求項７に記載のガス拡散層。
【請求項９】
疎水性ドメインに対する親水性ドメインの面積比が、１０〜９０％の範囲、好ましくは４０ないし６０％の間であることを特徴とする、請求項１から８までのいずれか１項に記載のガス拡散層。
【請求項１０】
親水性のドメインが、粒子または繊維からなることを特徴とする、請求項１から９までのいずれか１項に記載のガス拡散層。
【請求項１１】
高分子電解質メンブレン（ＰＥＭ）を用いた燃料電池用の、構造化された親水性部を有するガス拡散層の製造方法において、０．１μｍ〜１０μｍの平均粒径を有する、ゾル−ゲル、金属酸化物前駆体、揮発性の金属化合物の群から選択される、微細に分散された親水性材料またはその前駆物質をガス拡散層内に導入することを特徴とする方法。
【請求項１２】
前記導入が、スクリーン印刷またはグラビア印刷によって行われることを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記導入が、マスクを用いて、スプレー塗布、レーザー処理または放射線処理、プラズマ堆積、化学または物理気相堆積によって行われることを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記導入を、
ａ）  ガス拡散層の仕上げ後に、
ｂ）  ガス拡散層の製造中に親水性繊維を混合することによって、
ｃ）  疎水性物質および／または孔径制御物質の施与前に、および／または
ｄ）  疎水性物質および／または孔径制御物質の施与と同時に、
行うことを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１から１０までのいずれか１項に記載のガス拡散層の、メンブレン−電極−ユニット、ＰＥＭ−燃料電池、電気化学センサまたは電解質電池における使用。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月11日(2012.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
プラグハウジングシェル１１４は、フレキシブルケーブルコネクタ１１６を収容して固定するための後部開口部１３２を更に有する。この例示的態様において、フレキシブルケーブルコネクタ１１６は概して円状の溝１３４を有し、この溝は、第１シェル部分１１４ａと第２シェル部分１１４ｂとを互いに取り付ける際に後部開口部１３２において固定される。当業者に理解されるように、フレキシブルケーブルコネクタ１１６は任意の長さであってよく、別の電気機器または電気接続に終端接続および／または接続してよい（図示せず）。もう一つの態様において、フレキシブルケーブルコネクタ１１６およびプラグハウジングシェル１１４は、フレキシブルケーブル１１６をプラグハウジングシェル１１４に固定するために、クランプ、ピン、スロットまたは他の留め具と共に別の方法で構成してよい。更に、概して円形状を有する後部開口部１３２および溝１３４を示しているが、後部開口部１３２および溝１３４が、正方形、長方形および楕円形を含むがこれらに限定されない任意の形状を有してよいことを、当業者は理解するべきである。更に、フレキシブルケーブルコネクタ１１６は鍵かけ機能１３７を含んでよい。当業者に理解されるように、操作において、複数の導体を有するケーブルまたはワイヤ（図示せず）を、フレキシブルケーブルコネクタ１１６を通して与え、上面、底面および／またはエッジ面を含む面においてパッド、配線、複数のコンタクト１５０（図３）および／または他の終端機能に終端接続する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
図３および４において更にわかるように、プラグハウジング１１０は、コンタクトアセンブリスロット１３６を中に有する前部プラグハウジング面１３４、およびコンタクトサブアセンブリ支持構造１３８を更に有する。コンタクトアセンブリ支持構造１３８をより詳細に示すプラグハウジング１１０の背面図を図５に示す。図５においてわかるように、コンタクトアセンブリ支持構造１３８は、プラグコンタクトサブアセンブリ１４４を収容して支持するように構成されたガイドレール１４０およびスロット支持体１４２を有する。この例示的態様において、プラグ１０２は４つのコンタクトサブアセンブリ１４４を収容し、コンタクトアセンブリ支持構造１３８は、各コンタクトサブアセンブリ１４４を支持するためにガイドレール１４０およびスロット支持体１４２で構成される。もう一つの態様において、プラグハウジング１１０は、対応する数のスロット１３６を収容して支持するためのガイドレール１４０およびスロット支持体１４２と共に、１つまたはそれより多くのスロット１３６を備えてよい。更にもう一つの態様において、全てのスロット１３６、ガイドレールおよびスロット支持体１４２が必ずしもサブアセンブリ１４４を支持しなくてよく、換言すると空いたままでよい。もう一つの態様において、前部プラグハウジング面１３４およびコンタクトアセンブリ支持構造１３８を有するプラグハウジング１１０の内部面１１５を電気シールド材料でめっきしてよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
レセプタクルハウジングシェル１６４は、外面１７４および内面１７６を更に有する。レセプタクルコンタクトサブアセンブリ支持面１７７は内面１７６に配置される。レセプタクルハウジングシェル１６４は、タブ１８０が上に配置された前部係合部分１７８も有する（レセプタクルハウジングシェル１６４の反対側に同様のタブ１８０が存在するが図示せず）。タブ１８０は、レセプタクルハウジング１６２における対応するスロット１８２（レセプタクルハウジング１６２の反対側に同様のスロット１８２が存在するが図示せず）と係合して、レセプタクルシェルハウジング１６４をレセプタクルハウジング１６２に固定する。別の態様において、当業者に理解されるように、レセプタクルハウジングシェル１６４およびレセプタクルハウジング１６２は、レセプタクルハウジング１６２とレセプタクルシェルハウジング１６４とを互いに固定するために、タブ、スロット、ピン、開口部または他の同様の留め具の任意の対応する組み合わせを備えてよい。更に、他の態様において、係合部分１７８は、例示的態様におけるようにレセプタクルハウジング１６２の中に収容される替わりに、レセプタクルハウジング１６２の上に設けられてよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図１１および１２において更にわかるように、レセプタクルハウジング１６２は、スプリングコンタクトアセンブリスロット１９２を中に有する前部レセプタクルハウジング面１９０を更に有する。スプリングコンタクトアセンブリスロット１９２を示すレセプタクルハウジング１６２の背面図を、図１３に示す。図１３においてわかるように、スプリングコンタクトアセンブリ支持スロット１９２は、スプリングコンタクトサブアセンブリ１６８を収容して支持するように構成されたガイドレール１９４を有する。この例示的態様において、レセプタクル１０２は４つのスプリングコンタクトサブアセンブリ１６８を有する。もう一つの態様において、レセプタクルハウジング１６２は、対応する数のスプリングコンタクトサブアセンブリ１６８を収容して支持するための１つまたはそれより多くのスロット１９２を備えてよい。更にもう一つの態様において、全てのスロット１９２が必ずしもスプリングコンタクトサブアセンブリ１６８を支持しなくてよく、換言すると空いたままでよい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月17日(2012.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）２つの最も外側の表面を含む細長い多孔性ウエブを提供する工程；
（ｉｉ）前記細長い多孔性ウエブを、前記細長い多孔性ウエブに対して平行である、上部スロット面および下部スロット面（ただし、前記面は垂直方向または垂直からのずれが１０°以下である方向を持つ）をそれぞれが有する２つのスロットを含む２つの含浸ヘッド［６］および［６’］の間において下側に輸送し、これにより、少なくとも１つの膜ポリマーと、そのための少なくとも１つの溶媒とを含むドープの計量された量を前記細長い多孔性ウエブの両側の表面に同時に提供する工程（ただし、両側の表面上の前記量は同一であるかまたは同一からのずれが５％以下である）；
（ｉｉｉ）それにより、前記細長い多孔性ウエブに前記ドープを完全に含浸し、等しい厚さまたは等しい厚さからのずれが５％以下である厚さで、前記下部スロット面の１つと、それに最も近い前記細長い多孔性ウエブの表面との間の隙間に依存しない厚さのドープ層を、前記細長い多孔性ウエブの前記最も外側の表面のそれぞれの表面に提供する工程；
（ｉｖ）前記細長い多孔性ウエブに関連する前記ドープを、ドープ含浸後直ちに、少なくとも１つの非溶媒とともに相反転（ただし、前記ドープ層の前記相反転は前記ウエブのそれぞれの表面において対称的である）に供し、それにより膜を形成する工程；および、
（ｖ）前記少なくとも１つの膜ポリマーのための前記少なくとも１つの溶媒の残渣を前記膜から除き、それによりイオン透過性ウエブ強化セパレータを製造する工程
を含むプロセスにおいて、前記ドープは、少なくとも２．５の含浸温度での１００ｓ−１の剪断での粘度に対する１ｓ−１の剪断での粘度の比率を有することを特徴とするプロセス。
【請求項２】
前記工程（ｉｖ）および工程（ｖ）が同時に行われる、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記含浸は押出し塗布技術を使用して行われる、請求項１または２に記載のプロセス。
【請求項４】
前記含浸はスロット塗布技術を使用して行われる、請求項１または２に記載のプロセス。
【請求項５】
前記含浸は断続的に行われる、請求項１〜４のいずれかに記載のプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月11日(2012.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上の熱可塑性脂肪族ポリエステルと、
アルキルカルボキシレート、アルケニルカルボキシレート、アラルキルカルボキシレート、アルキルエトキシ化カルボキシレート、アラルキルエトキシ化カルボキシレート、アルキルラクチレート、アルケニルラクチレート、及びこれらの混合物からなる群から選択される粘度調整剤と、を含む、微細繊維。
【請求項２】
前記粘度調整剤が、以下の構造：
Ｒ−ＣＯ２−Ｍ＋
を有し、式中、Ｒは分岐鎖又は直鎖炭素としてＣ８〜Ｃ３０アルキル若しくはアルキレン、又はＣ１２〜Ｃ３０アラルキルであり、エチレンオキシド、プロピレンオキシド基、オリゴマー乳酸及び／若しくはグリコール酸、又はこれらの組み合わせからなる群から選択される０〜１００個のアルキレンオキシド基で置換されてもよく、
ＭはＨ、アルカリ金属、アルカリ土類金属、又はアンモニウム基である、請求項１に記載の微細繊維。
【請求項３】
微細繊維の作製方法であって、
熱可塑性脂肪族ポリエステルを提供する工程と、
アルキルカルボキシレート、アルケニルカルボキシレート、アラルキルカルボキシレート、アルキルエトキシ化カルボキシレート、アラルキルエトキシ化カルボキシレート、アルキルラクチレート、アルケニルラクチレート、及びこれらの混合物からなる群から選択される粘度調整剤を提供する工程と、
前記脂肪族ポリエステルと前記粘度調整剤を混合する工程と、
前記混合物から繊維を形成する工程と、を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月7日(2012.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性樹脂と、
Ｎ−置換アミノ炭素環式芳香族材料を含む帯電促進添加剤と、を含む、エレクトレットウェブ。
【請求項２】
前記Ｎ−置換アミノ炭素環式芳香族材料が、以下の構造（ａ）を含む、請求項１に記載のエレクトレットウェブ。
（ａ）
Ｒ１Ｒ２Ｎ−Ａｒ（Ｇ）ｎ
式中、Ａｒはアリール基であり、
Ｒ１基は、水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアルキル又は置換アルキルであり、
Ｒ２基は、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアルキル又は置換アルキルであり、
各Ｇは独立して、水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアルキル、置換アルキル又は
−ＮＲ３Ｒ４であり、式中、各Ｒ３は独立して、水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアルキル又は置換アルキルであり、各Ｒ４は独立して、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアルキル又は置換アルキルであり、
Ａｒは、ｎが５の場合はフェニル基、ｎが７の場合はナフタレン基、又はｎが９の場合はアントラセン基である。
【請求項３】
前記Ｎ−置換アミノ炭素環式芳香族材料が、以下の構造（ｂ）を含む、請求項２に記載のエレクトレットウェブ。
【化１】
2011524472.tif 000001
式中、Ｚ１及びＺ２は独立して、水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアルキル又は−ＮＲ３Ｒ４であり、各Ｒ３は独立して、水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアルキル又は置換アルキルであり、各Ｒ４は独立して、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアルキル又は置換アルキルであり、
Ｒ１は、水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアルキル又は置換アルキルであり、
Ｒ２は、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアルキル又は置換アルキルである。
【請求項４】
前記Ｎ−置換アミノ炭素環式芳香族材料が、以下の構造（ｃ）〜（ｆ）又はこれらの組み合わせを含む、請求項２に記載のエレクトレットウェブ。
【化２】
2011524472.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月11日(2012.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的に接地されたチャンバと、
前記チャンバによって支持され、前記チャンバから電気的に絶縁され、ＤＣ電源に電気的に結合されたスパッタリングターゲットと、
前記スパッタリングターゲットの下方に位置し、前記スパッタリングターゲットのスパッタ面に実質的と平行な基板支持面を有する、ＲＦ電源に電気的に結合された基板支持台と、
前記チャンバによって支持され、前記チャンバに電気的に結合されたシールド部材と、
前記シールド部材に機械的及び電気的に結合され、前記スパッタリングターゲットと前記基板支持台との間に位置するコリメータと、
を備え、前記コリメータが、該コリメータを貫いて延びる複数の開口部を有し、中心領域に位置する前記開口部の方が、周辺領域に位置する前記開口部よりも高いアスペクト比を有し、
ガス源と、
前記ガス源、ＤＣ電源及び前記ＲＦ電源を制御するための信号を供給するようにプログラムされるとともに、前記基板支持台に高バイアスを与えるようにプログラムされたコントローラと、
をさらに備えることを特徴とする蒸着装置。
【請求項２】
ＲＦコイルをさらに備え、前記コントローラが、前記基板支持台が高バイアスと低バイアスの間で交互に切り替わるように前記ＲＦ電源を制御するための信号を供給するようにプログラムされるとともに、前記ＲＦコイル及び前記ガス源に供給される電力を制御して前記チャンバ内の第２のプラズマを制御するようにプログラムされる、
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記開口部のアスペクト比が、前記中心領域から前記周辺領域にかけて持続的に減少する、
ことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記コリメータの厚みが、前記中心領域から前記周辺領域にかけて持続的に減少する、
ことを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記開口部のアスペクト比が、前記中心領域から前記周辺領域にかけて非直線的に減少する、
ことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項６】
前記コリメータの厚みが、前記中心領域から前記周辺領域にかけて非直線的に減少する、
ことを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記コリメータが前記シールド部材に、外側にねじ山のある部材と、該外側にねじ山のある部材と係合する内側にねじ山のある部材とを備えたブラケットを介して結合される、
ことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項８】
前記コリメータが前記シールド部材に溶接される、
ことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項９】
前記コリメータが、アルミニウム、銅及びステンレス鋼から成る群から選択された材料から成る、
ことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項１０】
前記コリメータの前記開口部間の壁厚が約０．０６インチ〜約０．１８インチの間である、
ことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項１１】
電気的に接地されたチャンバと、
前記チャンバによって支持されるとともに前記チャンバから電気的に絶縁されたスパッタリングターゲットと、
前記スパッタリングターゲットの下方に位置し、前記スパッタリングターゲットのスパッタ面と実質的に平行な基板支持面を有する基板支持台と、
前記チャンバによって支持されるシールド部材と、
前記シールド部材に機械的及び電気的に結合され、前記スパッタリングターゲットと前記基板支持台との間に位置するコリメータと、
を備え、前記コリメータが、該コリメータを貫いて延びる複数の開口部を有し、中心領域に位置する前記開口部の方が、周辺領域に位置する前記開口部よりも高いアスペクト比を有する、
ことを特徴とする蒸着装置。
【請求項１２】
前記コリメータが前記シールド部材と一体化される、
ことを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記コリメータの厚みが、前記中心領域から前記周辺領域にかけて持続的に減少する、
ことを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
基板上に材料を蒸着させる方法であって、
コリメータを有するチャンバ内のスパッタリングターゲットにＤＣバイアスを印加するステップを含み、前記コリメータは、前記スパッタリングターゲットと基板支持台との間に位置するとともに、前記コリメータを貫いて延びる複数の開口部を有し、中心領域に位置する前記開口部の方が、周辺領域に位置する前記開口部よりも高いアスペクト比を有し、
前記チャンバ内の前記スパッタリングターゲットに隣接する領域内に加工ガスを供給するステップと、
前記基板支持台にバイアスを印加するステップと、
前記基板支持台に印加した前記バイアスを高バイアスと低バイアスの間でパルスするステップと、
をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】
前記チャンバの内部に位置するＲＦコイルに電力を印加して前記チャンバの内部に第２のプラズマを供給するステップをさらに含み、前記開口部のアスペクト比が、前記中心領域から前記周辺領域にかけて持続的に減少する、
ことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月1日(2012.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属と炭化ケイ素チタンまたは炭化アルミニウムチタン出発セラミック材料との複合材料を形成する方法であって、
炭化ケイ素チタンまたは炭化アルミニウムチタン出発セラミック材料を含む高密度化されていない出発体を形成すること、前記出発体の外面と前記金属とを、前記金属の溶融温度を超えるが前記セラミック材料の分解、粗大化または酸化温度未満である温度で、且つ、準大気圧、大気圧または２気圧以下の過圧下で、前記金属の少なくとも一部が前記出発体内に浸潤して高密度化された複合材料を形成するのに十分な時間にわたって接触させること、次いで、得られた複合材料を前記金属の溶融温度未満に冷却することを含む方法。
【請求項２】
前記出発セラミック材料および前記金属が、前記金属の溶融温度を超えた温度で、前記金属の少なくとも一部が、前記出発セラミック材料の粒体内に浸透し、出発セラミック材料の粒体が剥離されて、それぞれ３〜１００ｎｍの厚みを有する交互するプレート状相を有する層構造を形成するのに十分な時間にわたって維持される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記金属が、銅、または少なくとも７５重量％の銅を含有する銅合金である、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記温度が少なくとも１２５０℃である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記銅または銅合金が、粉末もしくは微粒子状物の形態で出発体内に分散しているか、または、出発体内の炭化ケイ素チタンもしくは炭化ケイ素チタン粒子の一部または全てが銅または銅合金でコーティングされており、前記温度が１１２５℃から１２５０℃である、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記金属が、アルミニウムまたは少なくとも７５重量％のアルミニウムを含有するアルミニウム合金である、請求項１または２記載の方法。
【請求項７】
前記温度が少なくとも１１００℃である、請求項６記載の方法。
【請求項８】
金属と炭化ケイ素チタンまたは炭化アルミニウムチタン出発セラミック材料との複合材料を形成する方法であって、
炭化ケイ素チタンまたは炭化アルミニウムチタン出発セラミック材料を含む高密度化された出発体を形成すること、前記出発体の外面と前記金属とを、準大気圧、大気圧または２気圧以下の過圧下で、且つ、前記金属の溶融温度を超えるが前記セラミック材料の分解、粗大化または酸化温度未満である温度で、前記金属の少なくとも一部が前記出発体内に浸潤して、前記出発セラミック材料の粒体間に浸透し、前記出発セラミック材料の一部が剥離されて、それぞれ３〜１００ｎｍの厚みを有する交互するプレート状相を有する層構造を形成し、複合材料を形成するのに十分な時間にわたって接触させること、次いで、得られた複合材料を前記金属の溶融温度未満に冷却することを含む方法。
【請求項９】
前記金属が、銅、または少なくとも７５重量％の銅を含有する銅合金である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記金属が、アルミニウムまたは少なくとも７５重量％のアルミニウムを含有するアルミニウム合金である、請求項８記載の方法。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか１項に従って作製された、高密度化された複合材料。
【請求項１２】
金属相と炭化ケイ素チタンまたは炭化アルミニウムチタンセラミック相とを有する高密度化された複合材料であって、
前記金属相が、前記複合材料の体積の約１０〜９０％を構成し、
前記複合体が、前記複合材料体のある領域が、複合材料体の他の領域が有するのに比べて、巨視的規模でより高い金属含量を有するような、金属の巨視的濃度が前記複合材料体の一つまたは複数の寸法に沿って変化する勾配構造を有し、且つ、その外周に少なくとも１０μｍの厚みを有する金属面を有している、高密度化された複合材料。
【請求項１３】
前記金属面が、少なくとも１ｍｍの厚みである、請求項１２に記載の高密度化された複合材料。
【請求項１４】
金属相と炭化ケイ素チタンまたは炭化アルミニウムチタンセラミック相とを有する高密度化された複合材料であって、
前記金属相が、前記複合材料の体積の約１０〜９０％を構成し、
前記セラミック相の一部が剥離されて、それぞれ３〜１００ｎｍの厚みを有する交互するプレート状相を有する層構造を形成し、
前記層構造が、前記高密度化された複合材料の重量の１０〜７５％を構成する、高密度化された複合材料。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月18日(2012.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マグネシウム合金であって、
０．５重量パーセントから８．０重量パーセントのイッテルビウムと、
０．１重量パーセントから２．０重量パーセントのカルシウムと、
０．８重量パーセントの亜鉛とを含有し、
１００重量パーセントまでの残余はマグネシウムであるマグネシウム合金。
【請求項２】
請求項１に記載の合金において、
合金元素として、さらに４．０重量パーセントまでのスカンジウムを含有することを特徴とする合金。
【請求項３】
請求項２に記載の合金において、
合金元素として、さらに２．０重量パーセントまでのイットリウムを含有することを特徴とする合金。
【請求項４】
請求項３に記載の合金において、
合金元素として、さらに０．０５重量パーセントから１．０重量パーセントのマンガンを含有することを特徴とする合金。
【請求項５】
請求項４に記載の合金において、
合金元素として、さらに１．０重量パーセントまでのジルコニウムを含有することを特徴とする合金。
【請求項６】
請求項５に記載の合金において、
合金元素として、さらに２．０重量パーセントまでのアルミニウムを含有することを特徴とする合金。
【請求項７】
インプラントであって、請求項１乃至６の何れか一項に記載のマグネシウム合金を含有するインプラント。
【請求項８】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の合金において、
前記合金は粒子の大きさが約５μｍである粒状構造である合金。
【請求項９】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の合金において、
前記合金の時効硬化硬度値はビッカースのＨＶ５尺度で約７０である合金。
【請求項１０】
マグネシウム合金であって、
０．５重量パーセントから８．０重量パーセントのイッテルビウムと、
０．１重量パーセントから２．０重量パーセントのカルシウムと、
０．２重量パーセントから６．０重量パーセントの亜鉛とを含有し、
１００重量パーセントまでの残余はマグネシウムであり、
粒子の大きさが約５μｍである粒状構造であるマグネシウム合金。
【請求項１１】
請求項１０に記載の合金において、
合金元素として、さらに４．０重量パーセントまでのスカンジウムを含有することを特徴とする合金。
【請求項１２】
請求項１０に記載の合金において、
合金元素として、さらに２．０重量パーセントまでのイットリウムを含有することを特徴とする合金。
【請求項１３】
請求項１０に記載の合金において、
合金元素として、さらに０．０５重量パーセントから１．０重量パーセントのマンガンを含有することを特徴とする合金。
【請求項１４】
請求項１０に記載の合金において、
合金元素として、さらに１．０重量パーセントまでのジルコニウムを含有することを特徴とする合金。
【請求項１５】
請求項１０に記載の合金において、
合金元素として、さらに２．０重量パーセントまでのアルミニウムを含有することを特徴とする合金。
【請求項１６】
請求項１０乃至１５の何れか一項に記載の合金において、
前記合金の時効硬化硬度値はビッカースのＨＶ５尺度で約７０である合金。
【請求項１７】
マグネシウム合金であって、
０．５重量パーセントから８．０重量パーセントのイッテルビウムと、
０．１重量パーセントから２．０重量パーセントのカルシウムと、
０．２重量パーセントから６．０重量パーセントの亜鉛とを含有し、
１００重量パーセントまでの残余はマグネシウムであるマグネシウム合金。
【請求項１８】
請求項１７に記載の合金において、
前記合金は粒子の大きさが約５μｍである粒状構造である合金。
【請求項１９】
インプラントであって、請求項１７又は１８に記載のマグネシウム合金を含有するインプラント。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月18日(2012.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記（ａ）〜（ｃ）の修飾を有し、
ＧＩＰ受容体に対する天然ＧＩＰの活性の少なくとも１％の活性を示す、
ＧＩＰアゴニスト活性を有する、グルカゴン（配列番号１）の類縁体：
（ａ）ＧＩＰアゴニスト活性を付与する、位置１でのアミノ酸修飾、
（ｂ）下記から成る群から選ばれる修飾：
（ｉ）位置ｉとｉ＋４のアミノ酸の側鎖の間、または位置ｊとｊ＋３のアミノ酸の側鎖の間のラクタム架橋（ここで、ｉは１２、１３、１６、１７、２０または２４であり、ｊは１７である）、および
（ｉｉ）類縁体の位置１６、２０、２１および２４のうちの１、２、３つ、または全てのアミノ酸が、α，α−二置換アミノ酸で置換されている、
ならびに、
（ｃ）１〜１０個の更なるアミノ酸修飾。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月3日(2012.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）キャリアタンパク質と、Ｇｌｏｂｏ  Ｈもしくはその免疫原性フラグメント、胚発生段階特異抗原−３（ＳＳＥＡ−３）、または胚発生段階特異抗原−４（ＳＳＥＡ−４）から本質的に構成され、リンカーを通じて前記キャリアタンパク質と共役する糖鎖と、を含む糖鎖共役体；および
（ｂ）樹状細胞上のＣＤ１ｄ分子と結合できる糖脂質を含むアジュバント、
を含む、免疫原性組成物であって、ＩｇＭアイソタイプ抗体と比較して、ＩｇＧアイソタイプ抗体を相対的に高いレベルで産生する免疫応答を誘導する、免疫原性組成物。
【請求項２】
前記キャリアタンパク質が、ジフテリア毒素交差反応物質１９７（ＤＴ−ＣＲＭ１９７）、破傷風ウイルス（ＢＶ）、破傷風トキソイド（ＴＴ）、またはウシ血清アルブミン（ＢＳＡ）である、請求項１に記載の免疫原性組成物。
【請求項３】
前記キャリアタンパク質が、ＤＴ−ＣＲＭ１９７である、請求項２に記載の免疫原性組成物。
【請求項４】
前記アジュバントが、α−ガラクトシルセラミド（α−ＧａｌＣｅｒ）のアナログである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の免疫原性組成物。
【請求項５】
前記α−ＧａｌＣｅｒのアナログが、下記構造式：
【化１】
2011524417.tif 000001
で表されるＣ１、Ｃ２３、Ｃ３４、または７ＤＷ８−５である、請求項４に記載の免疫原性組成物。
【請求項６】
前記α−ＧａｌＣｅｒのアナログが、下記構造式：
【化２】
2011524417.tif 000002
で表されるＣ３４である、請求項５に記載の免疫原性組成物。
【請求項７】
前記リンカーが、ｐ−ニトロフェニルリンカーである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の免疫原性組成物。
【請求項８】
少なくとも１つのアジュバントが、液性および細胞性免疫応答を誘導できる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の免疫原性組成物。
【請求項９】
前記免疫応答によって産生した抗体が、がん細胞またはがん幹細胞で発現する抗原を中和する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の免疫原性組成物。
【請求項１０】
前記抗原が、Ｇｌｏｂｏ  Ｈ抗原、ＳＳＥＡ−３、およびＳＳＥＡ−４の少なくとも１つである、請求項９に記載の免疫原性組成物。
【請求項１１】
前記Ｇｌｏｂｏ  Ｈ抗原、前記ＳＳＥＡ−３、および前記ＳＳＥＡ−４の少なくとも１つが、乳癌幹細胞で発現する、請求項１０に記載の免疫原性組成物。
【請求項１２】
前記Ｇｌｏｂｏ  Ｈ抗原が、乳房、消化管、膵臓、前立腺、または子宮頸部の上皮細胞で発現する、請求項１０に記載の免疫原性組成物。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の免疫原性組成物を含む、腫瘍成長抑制剤。
【請求項１４】
（ａ）請求項１〜１２のいずれか１項に記載の免疫原性組成物；および
（ｂ）薬学的に許容される賦形剤：
を含む、がんワクチン。
【請求項１５】
前記がんワクチンが、乳癌、肺癌、肝癌、口腔癌、胃癌、大腸癌、上咽頭癌、皮膚癌、腎癌、脳腫瘍、前立腺癌、卵巣癌、子宮頸癌、結腸直腸癌、および膀胱癌からなる群から選択されるがんの治療に適する、請求項１４に記載のがんワクチン。
【請求項１６】
前記がんが、細胞表面にＧｌｏｂｏ  Ｈ抗原、ＳＳＥＡ−３、ＳＳＥＡ−４、またはＢｂ４を発現する細胞から構成される、請求項１５に記載のがんワクチン。
【請求項１７】
前記細胞が、乳房の腫瘍上皮細胞である、請求項１６に記載のがんワクチン。
【請求項１８】
前記がんワクチンが、腫瘍サイズの縮小、抗がん免疫応答の誘導をするために投与される、請求項１４〜１７のいずれか１項に記載のがんワクチン。
【請求項１９】
リンカーを通じてＤＴ−ＣＲＭ１９７と共役するＧｌｏｂｏ  Ｈ、および樹状細胞上のＣＤ１ｄ分子と結合できる糖脂質を含むアジュバントを含む、乳癌幹細胞に対する治療剤。
【請求項２０】
前記アジュバントがＣ３４である、請求項１９に記載の治療剤。
【請求項２１】
被験者への前記治療剤の投与が、乳癌幹細胞で発現する抗原を認識する抗体の産生を誘導する、請求項１９または２０に記載の治療剤。
【請求項２２】
リンカーを通じてＤＴ−ＣＲＭ１９７と共役するＳＳＥＡ−３、および樹状細胞上のＣＤ１ｄ分子と結合できる糖脂質Ｃ３４を含むアジュバントを含む、乳癌幹細胞に対する治療剤。
【請求項２３】
被験者への前記治療剤の投与が、乳癌幹細胞で発現する抗原を認識する抗体の産生を誘導する、請求項２２に記載の治療剤。
【請求項２４】
リンカーを通じてＤＴ−ＣＲＭ１９７と共役するＳＳＥＡ−４を含む、乳癌幹細胞に対する治療剤。
【請求項２５】
樹状細胞上のＣＤ１ｄ分子と結合できる糖脂質Ｃ３４を含むアジュバントをさらに含む、請求項２４に記載の治療剤。
【請求項２６】
前記アジュバントがＣ３４である、請求項２５に記載の治療剤。
【請求項２７】
被験者への前記治療剤の投与が、乳癌幹細胞で発現するＳＳＥＡ−４またはその切断構造を認識する抗体の産生を誘導する、請求項２４〜２６のいずれか１項に記載の治療剤。