【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年9月4日(2012.9.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＯＬＥＤ型の発光デバイス（１００、２００）であって、
前記発光デバイス（１００、２００）の画素を形成し、及び一方が部分的に反射性であり、他方が少なくとも部分的に反射性である二つの電極（１０４ａ、１０４ｂ、２０４ａ、２０４ｂ、１０６）の間に位置された電界発光有機材料に基づく少なくとも一つ層（１０２）の少なくとも一部を含んでいる少なくとも一つの光学キャビティ（１０５ａ、１０５ｂ、２０５ａ、２０５ｂ）を含んでおり、
二つの電極（１０４ａ、１０４ｂ、２０４ａ、２０４ｂ）の少なくとも一つは、屈折率ｎ１の材料に基づく少なくとも一つの層（１０４ａ、１０４ｂ、２０８ａ、２０８ｂ）を含んでおり、回帰性パターンに従って規則的に分布されかつｎ１とは異なる屈折率ｎ２の材料（１０２、１１２）で満たされた複数のリセス（１１０、２１０）を備えた構造化面を含んでおり、
前記少なくとも一つの光学キャビティ内における所与の発光波長での発光のフィルタリングが得られるように、前記リセス（１１０、２１０）のｎ１、ｎ２、形状、寸法、及び周期は、前記少なくとも一つの光学キャビティの共鳴振動数が前記所与の発光波長に対応するよう選択され、
光が前記部分的に反射性の電極の一つ（１０６）を通って前記デバイス（１００、２００）から放射されることを目的としており、
さらに、前記リセスの前記寸法及び周期は、前記フィルタリングが得られるように、前記少なくとも一つの光学キャビティに関係する所与の発光波長より小さい
発光デバイス（１００、２００）。
【請求項２】
前記リセス（１１０、２１０）は、実質的に同一の寸法である請求項１に記載のデバイス（１００、２００）。
【請求項３】
前記リセス（１１０、２１０）は、屈折率ｎ１の前記層（１０４ａ、１０４ｂ、２０８ａ、２０８ｂ）内に、約１０ｎｍと数百ｎｍの間の深さを有している請求項１または２に記載のデバイス（１００、２００）。
【請求項４】
屈折率ｎ１の前記材料（１０４ａ、１０４ｂ、２０８ａ、２０８ｂ）及び／または屈折率ｎ２の前記材料（１０２、１１２）は、電気的に導電性である請求項１ないし３のいずれか一項に記載のデバイス（１００、２００）。
【請求項５】
金属材料のような少なくとも一つの電気的な導電性材料に基づいており、その上に屈折率ｎ１の前記層（２０８ａ、２０８ｂ）が位置される少なくとも一つの下部層（２０７ａ、２０７ｂ）をさらに含んでいる請求項１ないし４のいずれか一項に記載のデバイス（２００）。
【請求項６】
前記下部層（２０７ａ、２０７ｂ）を前記構造化面に接続させる電気的な導電性材料の少なくとも一部分をさらに含んでいる請求項５に記載のデバイス（２００）。
【請求項７】
ＩＴＯのように、少なくとも一つの電気的に導電性で、及び光学的に透明な、または部分的に透明な材料に基づいており、屈折率ｎ１の前記層（２０８ａ、２０８ｂ）上に配置された上部層（２１４）をさらに含んでいる請求項１ないし６のいずれか一項に記載のデバイス（２００）。
【請求項８】
屈折率ｎ１の前記材料（２０８ａ、２０８ｂ）及び屈折率ｎ２の前記材料（１１２）は、誘電体である請求項１ないし７のいずれか一項に記載のデバイス（２００）。
【請求項９】
前記電極（２０４ａ、２０４ｂ）が前記下部層（２０７ａ、２０７ｂ）及び前記上部層（２１４）を含んでいるとき、前記下部層（２０７ａ、２０７ｂ）を前記上部層（２１４）に電気的に接続させる電気的導電性材料の少なくとも一部をさらに含んでいる請求項８に記載のデバイス（２００）。
【請求項１０】
屈折率ｎ２の前記材料（１０２、１１２）及び／または屈折率ｎ１の前記材料（１０４ａ、１０４ｂ、２０８ａ、２０８ｂ）は、透明であるか、または部分的に透明である請求項１ないし９のいずれか一項に記載のデバイス（１００、２００）。
【請求項１１】
前記リセス（２１０）は、屈折率ｎ１の前記層（２０８ａ、２０８ｂ）を通過している請求項１ないし１０のいずれか一項に記載のデバイス（２００）。
【請求項１２】
前記電極（１０４ａ、１０４ｂ）の前記構造化面の前記リセス（１１０）は、前記光学キャビティ（１０５ａ、１０５ｂ）の一側上に位置されている請求項１ないし１１のいずれか一項に記載のデバイス（１００）。
【請求項１３】
前記電極（１０４ａ、１０４ｂ）の前記構造化面の前記リセス（１１０）を満たす屈折率ｎ２の前記材料（１０２）は、両電極（１０４ａ、１０４ｂ、１０６）の間に位置された層（１０２）を形成する前記電界発光有機材料である請求項１ないし１２のいずれか一項に記載のデバイス（１００）。
【請求項１４】
前記電極（１０４ａ、１０４ｂ、２０４ａ、２０４ｂ）の前記構造化面の前記リセス（１１０、２１０）を満たす屈折率ｎ２の前記材料（１１２）は、両電極（１０４ａ、１０４ｂ、２０４ａ、２０４ｂ、１０６）の間に位置された前記層（１０２）を形成する前記電界発光有機材料と異なる材料である請求項１ないし１２のいずれか一項に記載のデバイス（１００、２００）。
【請求項１５】
前記光学キャビティ（１０５ａ、１０５ｂ、２０５ａ、２０５ｂ）の前記電極（１０４ａ、１０４ｂ、２０４ａ、２０４ｂ）の一つに接触して位置される基板（１０８）をさらに含んでいる請求項１ないし１４のいずれか一項に記載のデバイス（１００、２００）。
【請求項１６】
前記基板（１０８）に接触して位置された前記電極（１０４ａ、１０４ｂ、２０４ａ、２０４ｂ）は、構造化面を有する前記層（１０４ａ、１０４ｂ、２０８ａ、２０８ｂ）を含んでいる電極である請求項１５に記載のデバイス（１００、２００）。
【請求項１７】
屈折率ｎ１の材料に基づく少なくとも一つの層（１０４ａ、１０４ｂ、２０８ａ、２０８ｂ）を含んでおり、ｎ１とは異なる屈折率ｎ２の材料（１０２、１１２）で満たされた複数のリセス（１１０、２１０）を備えた構造化面を含んでいる電極（１０４ａ、１０４ｂ、２０４ａ、２０４ｂ）をそれぞれ備えており、及びＯＬＥＤ型の前記発光デバイス（１００、２００）の複数の画素を形成している複数の光学キャビティ（１０５ａ、１０５ｂ、２０５ａ、２０５ｂ）を含んでいる請求項１５または１６に記載のデバイス（１００、２００）。
【請求項１８】
各電極（１０４ａ、１０４ｂ、２０４ａ、２０４ｂ）の前記リセス（１１０、２１０）は、一つの画素と他では、異なる寸法、及び／または周期を有している請求項１７に記載のデバイス（１００、２００）。
【請求項１９】
構造化面を有する層（１０４ａ、１０４ｂ、２０８ａ、２０８ｂ）を含んでいる異なる画素の前記電極（１０４ａ、１０４ｂ、２０４ａ、２０４ｂ）は、互いに電気的に絶縁されている請求項１７または１８に記載のデバイス（１００、２００）。
【請求項２０】
前記基板（１０８）に接触して配置されていない各光学キャビティ（１０５ａ、１０５ｂ、２０５ａ、２０５ｂ）の前記電極（１０６）は、全ての前記光学キャビティ（１０５ａ、１０５ｂ、２０５ａ、２０５ｂ）に共通する単一の電極により形成されている請求項１７ないし１９のいずれか一項に記載のデバイス（１００、２００）。
【請求項２１】
前記基板（１０８）は、前記基板（１０８）に接触して位置された前記電極（１０４ａ、１０４ｂ、２０４ａ、２０４ｂ）に電気的に接続された少なくとも一つのアドレス回路を含んでおり、及び前記デバイス（１００、２００）の前記画素を駆動させる請求項１５ないし２０のいずれか一項に記載のデバイス（１００、２００）。
【請求項２２】
前記アドレス回路は、トランジスタ（１０７）のマトリクスを含んでおり、前記画素のそれぞれは、トランジスタ（１０７）のこのマトリクスにより、前記基板（１０８）に接触して位置された電極（１０４ａ、１０４ｂ、２０４ａ、２０４ｂ）を経て駆動させる請求項２１に記載のデバイス（１００、２００）。
【請求項２３】
屈折率ｎ１の前記材料（１０４ａ、１０４ｂ、２０８ａ、２０８ｂ）、及び屈折率ｎ２の前記材料（１０２、１１２）が誘電体であるとき、導電性材料（２１５）の一部は、前記アドレス回路を前記電極（１０４ａ、１０４ｂ、２０４ａ、２０４ｂ）に電気的に接続している請求項２１または２２に記載のデバイス（１００、２００）。
【請求項２４】
ＯＬＥＤ型の発光デバイス（１００、２００）を製造する方法であって、
ａ）基板（１０８）上に屈折率ｎ１の材料に基づく層（１０４ａ、１０４ｂ、２０８ａ、２０８ｂ）を堆積する段階と、
ｂ）前記層（１０４ａ、１０４ｂ、２０８ａ、２０８ｂ）の少なくとも一つの面を通過している複数のリセス（１１０、２１０）をエッチングする段階と、
ｃ）前記リセス内に、ｎ１とは異なる屈折率ｎ２の材料（１０２、１１２）を堆積する段階と、
を備えており、
前記デバイス（１００、２００）は、前記発光デバイス（１００、２００）の画素を形成し、及び一方が部分的に反射性であり、他方が少なくとも部分的に反射性である両電極（１０４ａ、１０４ｂ、２０４ａ、２０４ｂ、１０６）の間に位置された電界発光有機材料に基づく少なくとも一つ層（１０２）少なくとも一部を含んでいる少なくとも一つの光学キャビティ（１０５ａ、１０５ｂ、２０５ａ、２０５ｂ）を含んでおり、
前記二つの電極（１０４ａ、１０４ｂ、２０４ａ、２０４ｂ）の少なくとも一つは、屈折率ｎ１の材料に基づく少なくとも一つの層（１０４ａ、１０４ｂ、２０８ａ、２０８ｂ）を含んでおり、
光が前記部分的に反射性の電極の一つ（１０６）を通って前記デバイス（１００、２００）から放射されることを目的としており、
構造化面の前記リセス（１１０、２１０）は、ある回帰性パターンに従って規則的に分布され、
前記少なくとも一つの光学キャビティ内における所与の発光波長での発光のフィルタリングが得られるように、前記リセス（１１０、２１０）のｎ１、ｎ２、形状、寸法、及び周期は、前記少なくとも一つの光学キャビティの共鳴振動数が前記所与の発光波長に対応するよう選択され、
さらに、前記リセスの前記寸法及び周期は、前記フィルタリングが得られるように、前記少なくとも一つの光学キャビティに関係する所与の発光波長より小さい
方法。
【請求項２５】
段階ａ）の前に、少なくとも一つの電気的な導電性材料に基づく下部層（２０７ａ、２０７ｂ）を堆積する段階をさらに含んでおり、
段階ａ）において、屈折率ｎ１の材料に基づく前記層（２０８ａ、２０８ｂ）は、基板上に直接堆積されず、前記下部層（２０７ａ、２０７ｂ）上に堆積される請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
段階ｃ）の後に、前記下部層（２０７ａ、２０７ｂ）を複数のリセス（２１０）を含む前記面に接続させる電気的導電性材料の一部を製造する段階をさらに含んでいる請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
段階ｃ）の後に、屈折率ｎ１の材料の前記層（２０８ａ、２０８ｂ）上に、電気的な導電性材料に基づく上部層（２１４）を堆積する段階をさらに含んでいる請求項２４ないし２６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２８】
段階ｃ）は、屈折率ｎ１の材料の前記層（１０４ａ、１０４ｂ）の前記リセス（１１０）を含んでいる前記面上に、少なくとも一つの電界発光有機層（１０２）を堆積する段階であって、この電界発光有機層（１０２）は屈折率ｎ２の材料に基づいている請求項２４ないし２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２９】
段階ｃ）の後に、屈折率ｎ１の材料の前記層（１０４ａ、１０４ｂ、２０８ａ、２０８ｂ）上に、少なくとも一つの電界発光有機層（１０２）を堆積する段階を含んでいる請求項２４ないし２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３０】
前記電界発光有機層（１０２）を堆積する段階の後に、前記電界発光有機層（１０２）上に、電気的に導電性であり、少なくとも半透明材料に基づく層（２１４）を堆積する段階を含んでいる請求項２９に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
しかしながら、前記光学キャビティが一つの画素から他へと異なる色を変化しうるようにする一方で、全ての画素に対して有機層の同一の積層を維持し、かつ、一つの画素から他へとそれらの層の厚さを調整することは、複雑なことである。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５４】
このカソード１０６は、部分的に反射性でありうる。例えば、前記カソード１０６は、反射性を有しうるか、または約数％から数十％の間、例えば１０％を備えた反射率を有しうる。前記アノード１０４ａ、１０４ｂは反射性であり、例えば、約５０％の反射率を有しており、有利的に８０％以上、または約９０％でさえもあり、及びこのようにして、各アノード１０４ａ、１０４ｂは、電界発光有機層１０２の前記積層の一部、及び前記アノード１０４ａ、１０４ｂの上に位置された前記カソード１０６の一部と共に、前記デバイス１００の画素に一致する光学キャビティを形成する。有機層１０２の前記積層、前記カソード１０６、及び前記アノード１０４ａ、１０４ｂにより形成された前記光学キャビティ１０５ａ、１０５ｂが図１Ａにおいて図示されている。この第１実施形態において、前記アノード１０４ａ、１０４ｂ及び前記カソード１０６は、金属材料、例えばアルミニウム、及び／または銀、及び／または金、及び／またはクロム、及び／またはチタン、及び／またはこれらの金属から作られた合金、に基づいて作られている。