【手続補正書】
【提出日】平成15年12月24日(2003.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
珪素の結晶化を助長する金属元素を利用して得られた結晶性珪素膜上に選択的にマスクを形成し、
該結晶性珪素膜のうち、マスクされなかった領域に１５族の元素を加速注入し、
前記マスクおよび結晶性珪素膜を覆って、非晶質珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜をＲＴＡ法により加熱することを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項２】
珪素の結晶化を助長する金属元素を利用して得られた結晶性珪素膜上に選択的にマスクを形成し、
該結晶性珪素膜のうち、マスクされなかった領域に１５族の元素を加速注入し、
前記マスクおよび結晶性珪素膜を覆って、非晶質珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜をＲＴＡ法により加熱し、
前記非晶質珪素膜を除去し、
前記マスクを除去することを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項３】
珪素の結晶化を助長する金属元素を利用して得られた結晶性珪素膜上に選択的にマスクを形成し、
該結晶性珪素膜のうち、マスクされなかった領域に１５族の元素を加速注入し、
前記マスクおよび結晶性珪素膜を覆って、非晶質珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜をＲＴＡ法により加熱し、前記金属元素を前記マスクされた領域から他部に移動させることを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項４】
珪素の結晶化を助長する金属元素を利用して得られた結晶性珪素膜上に選択的にマスクを形成し、
該結晶性珪素膜のうち、マスクされなかった領域に１５族の元素を加速注入し、
前記マスクおよび結晶性珪素膜を覆って、非晶質珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜をＲＴＡ法により加熱し、前記金属元素を前記マスクされた領域から他部に移動させ、
前記非晶質珪素膜を除去し、
前記マスクを除去することを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項５】
珪素の結晶化を助長する金属元素を利用して得られた結晶性珪素膜上にマスクを形成し、
前記マスクおよび結晶性珪素膜を覆って、非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜および前記マスクで覆われていない領域の結晶性珪素膜に１５族の元素を加速注入し、
前記結晶性珪素膜をＲＴＡ法により加熱することを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項６】
珪素の結晶化を助長する金属元素を利用して得られた結晶性珪素膜上にマスクを形成し、
前記マスクおよび結晶性珪素膜を覆って、非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜および前記マスクで覆われていない領域の結晶性珪素膜に１５族の元素を加速注入し、
前記結晶性珪素膜をＲＴＡ法により加熱し、
前記非晶質珪素膜を除去し、
前記マスクを除去することを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項７】
珪素の結晶化を助長する金属元素を利用して得られた結晶性珪素膜上にマスクを形成し、
前記マスクおよび結晶性珪素膜を覆って、非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜および前記マスクで覆われていない領域の結晶性珪素膜に１５族の元素を加速注入し、
前記結晶性珪素膜をＲＴＡ法により加熱し、前記金属元素を前記マスクされた領域から他部に移動させることを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項８】
珪素の結晶化を助長する金属元素を利用して得られた結晶性珪素膜上にマスクを形成し、
前記マスクおよび結晶性珪素膜を覆って、非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜および前記マスクで覆われていない領域の結晶性珪素膜に１５族の元素を加速注入し、
前記結晶性珪素膜をＲＴＡ法により加熱し、前記金属元素を前記マスクされた領域から他部に移動させ、
前記非晶質珪素膜を除去し、
前記マスクを除去することを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項９】
珪素の結晶化を助長する金属元素を利用して得られた結晶性珪素膜上にマスクを形成し、
前記マスクおよび結晶性珪素膜を覆って、１５族の元素を含んだ非晶質珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜をＲＴＡ法により加熱することを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項１０】
珪素の結晶化を助長する金属元素を利用して得られた結晶性珪素膜上にマスクを形成し、
前記マスクおよび結晶性珪素膜を覆って、１５族の元素を含んだ非晶質珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜をＲＴＡ法により加熱し、
前記非晶質珪素膜を除去し、
前記マスクを除去することを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項１１】
珪素の結晶化を助長する金属元素を利用して得られた結晶性珪素膜上にマスクを形成し、
前記マスクおよび結晶性珪素膜を覆って、１５族の元素を含んだ非晶質珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜をＲＴＡ法により加熱し、前記金属元素を前記マスクされた領域から他部に移動させることを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項１２】
珪素の結晶化を助長する金属元素を利用して得られた結晶性珪素膜上にマスクを形成し、
前記マスクおよび結晶性珪素膜を覆って、１５族の元素を含んだ非晶質珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜をＲＴＡ法により加熱し、前記金属元素を前記マスクされた領域から他部に移動させ、
前記非晶質珪素膜を除去し、
前記マスクを除去することを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項１３】
珪素の結晶化を助長する金属元素を利用して得られた結晶性珪素膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記結晶性珪素膜を島状の結晶性珪素膜にし、
前記マスクおよび島状の結晶性珪素膜を覆って、非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜に１５族の元素を加速注入し、
前記島状の結晶性珪素膜をＲＴＡ法により加熱することを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項１４】
珪素の結晶化を助長する金属元素を利用して得られた結晶性珪素膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記結晶性珪素膜を島状の結晶性珪素膜にし、
前記マスクおよび島状の結晶性珪素膜を覆って、非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜に１５族の元素を加速注入し、
前記島状の結晶性珪素膜をＲＴＡ法により加熱し、
前記非晶質珪素膜を除去し、
前記マスクを除去することを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項１５】
珪素の結晶化を助長する金属元素を利用して得られた結晶性珪素膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記結晶性珪素膜を島状の結晶性珪素膜にし、
前記マスクおよび島状の結晶性珪素膜を覆って、非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜に１５族の元素を加速注入し、
前記島状の結晶性珪素膜をＲＴＡ法により加熱し、前記金属元素を前記マスクされた領域から他部に移動させることを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項１６】
珪素の結晶化を助長する金属元素を利用して得られた結晶性珪素膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記結晶性珪素膜を島状の結晶性珪素膜にし、
前記マスクおよび島状の結晶性珪素膜を覆って、非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜に１５族の元素を加速注入し、
前記島状の結晶性珪素膜をＲＴＡ法により加熱し、前記金属元素を前記マスクされた領域から他部に移動させ、
前記非晶質珪素膜を除去し、
前記マスクを除去することを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項１７】
珪素の結晶化を助長する金属元素を利用して得られた結晶性珪素膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記結晶性珪素膜を島状の結晶性珪素膜にし、
前記マスクおよび島状の結晶性珪素膜を覆って、１５族の元素を含んだ非晶質珪素膜を形成し、
前記島状の結晶性珪素膜をＲＴＡ法により加熱することを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項１８】
珪素の結晶化を助長する金属元素を利用して得られた結晶性珪素膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記結晶性珪素膜を島状の結晶性珪素膜にし、
前記マスクおよび島状の結晶性珪素膜を覆って、１５族の元素を含んだ非晶質珪素膜を形成し、
前記島状の結晶性珪素膜をＲＴＡ法により加熱し、
前記非晶質珪素膜を除去し、
前記マスクを除去することを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項１９】
珪素の結晶化を助長する金属元素を利用して得られた結晶性珪素膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記結晶性珪素膜を島状の結晶性珪素膜にし、
前記マスクおよび島状の結晶性珪素膜を覆って、１５族の元素を含んだ非晶質珪素膜を形成し、
前記島状の結晶性珪素膜をＲＴＡ法により加熱し、前記金属元素を前記マスクされた領域から他部に移動させることを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項２０】
珪素の結晶化を助長する金属元素を利用して得られた結晶性珪素膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記結晶性珪素膜を島状の結晶性珪素膜にし、
前記マスクおよび島状の結晶性珪素膜を覆って、１５族の元素を含んだ非晶質珪素膜を形成し、
前記島状の結晶性珪素膜をＲＴＡ法により加熱し、前記金属元素を前記マスクされた領域から他部に移動させ、
前記非晶質珪素膜を除去し、
前記マスクを除去することを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項２１】
請求項１から２０のいずれか一項において、前記金属元素は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種類の元素であることを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項２２】
請求項１から２０のいずれか一項において、前記金属元素は、Ｎｉであることを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項２３】
請求項１から２０のいずれか一項において、前記１５族の元素として、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉから選ばれた元素が利用されることを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項２４】
請求項１から２０のいずれか一項において、マスクは窒化珪素を主成分とすることを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項２５】
請求項１から２０のいずれか一項において、ＲＴＡの照射は基板側から行われることを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項２６】
請求項１から２０のいずれか一項において、結晶性珪素膜は、強光照射前にパルス幅１μｓｅｃ以下のパルスレーザーによりアニール処理されることを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。