【事件の表示】
　平成　８年特許願第１９４４５１号「液晶表示装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　９年　６月３０日出願公開、特開平　９−１７１１９６］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成８年７月２４日（先の出願に基づく優先権主張：平成７年１０月１６日）の出願であって、平成１３年１０月１６日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１１月２１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　　　
２．平成１３年１１月２１日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１３年１１月２１日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の発明
　平成１３年１１月２１日付けの手続補正（以下、本件補正という）により特許請求の範囲が補正され、そのうち請求項１は次のとおりに補正された。
　「基板上に、複数の走査線と信号線とをマトリクス状に設け、該走査線と信号線との交差部にスイッチング素子を設け、該スイッチング素子の上部に有機材料からなる層間絶縁膜を設け、該層間絶縁膜上に画素電極を設けてなる液晶表示装置において、
画素電極と対応する付加容量共通配線を、前記層間絶縁膜の上方であって少なくとも走査線、信号線のうち何れか一方とオーバーラップする位置に形成し、前記画素電極との間で付加容量部を形成し、前記付加容量共通配線は、遮光膜として機能することを特徴とする液晶表示装置。」
　本件補正は、発明を特定するために必要な事項である「付加容量共通配線」について「画素電極と対応する付加容量共通配線を、前記層間絶縁膜の上方であって少なくとも走査線、信号線のうち何れか一方とオーバラップする位置に形成し、」との限定を付加するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、本件補正発明という）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下検討する。
（２）引用例の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願前に頒布された刊行物である特開平７−１２８６８５号公報（以下、引用例１という）には、次のように記載されている。
　「複数本のソース線と複数本のゲート線により、格子状に区画形成され、前記データ線およびゲート線に導電接続するソース及びゲートを備える薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのドレインに導電接続する画素電極とを有するアクティブマトリクス基板と前記基板に平行配置する対向基板に液晶を狭持してなる液晶表示装置において、少なくとも前記ソース線の大部分を層間絶縁膜Ａを介して被覆する配線層を形成し、特定電位を印可すると共に、前記配線層を層間絶縁膜Ｂで被覆し、その上に画素電極の一部を重ねて形成し、前記配線層とで保持容量を形成することを特徴とする液晶表示装置。」（特許請求の範囲請求項１）
　「【００１０】
【実施例】本発明の第１の実施例を、図１、図２を参照にして説明する。
【００１１】図１は、液晶表示装置のマトリクスアレイの一部を示す平面図。図２は、そのＡ−ａ線における断面図である。・・・・
【００１２】製造工程順に説明すると以下の如くである。統計絶縁基板（「透明絶縁基板」の誤記と解される。）９上に多結晶シリコン薄膜１０を堆積し、パターニング後、ゲート絶縁膜１１、多結晶シリコン薄膜を連続で堆積する。次に高濃度の不純物リンをドープしてＮ型の低抵抗配線にしたのち、パターニングしてゲート電極５を形成する。ゲート電極をマスクしてイオン打ち込みによって、ソース・ドレイン領域４、６を形成する。次に第１の層間絶縁膜１２を堆積し、アニールしたのち、ソース領域４上にスルーホールを形成する。Ａｌ合金薄膜を堆積し、ソース線２をパターン形成する。続いて第２の層間絶縁膜１３（層間絶縁膜Ａ）と、遮光膜を連続で堆積し遮光膜をパターニングしてブラックマトリクス８を形成する。ブラックマトリクスは、少なくともソース線上をおおうようにする。（ソース線幅よりも２μｍ以上太くする）と、ソース線からの電界漏れが軽減し、ソース線と画素電極の容量結合成分が軽減するため、クロストークや上下方向の電圧−透過率特性むらが緩和される。次に第３の層間絶縁膜（層間絶縁膜Ｂ）を形成してからゲート絶縁膜、第１〜３層間絶縁膜にスルーホールを形成し、透明導電膜（ＩＴＯ）を堆積し、画像電極３をパターン形成するとアクティブマトリクス基板ができあがる。画素電極３とブラックマトリクス８は部分的にオーバーラップする領域と確保することのよって、この領域で層間絶縁膜Ｂにより蓄積容量を形成する。十分狭いオーバーラップ領域を用いて、十分な蓄積容量を確保するには、層間絶縁膜Ｂとして、誘電率の高い材料、または、薄くしても絶縁性の高い材料を選定すれば、有利である。前者を優先すれば、Ｔａ２Ｏ５ 、Ａｌ２Ｏ３ が考えられ、後者では、ＳｉＯ２ 、Ｓｉ３Ｎ４ が当たる。層間絶縁膜Ｂとしてピンホール欠陥の少ない膜として、ブラックマトリクス８の陽極酸化膜を用いると点欠陥対策となる。具体的には、ブラックマトリクス８としてβ−Ｔａ金属を３０００Å堆積し、フレオンでドライエチングしたあと、希クエン酸水溶液中にて、ＤＣバイアス（２０Ｖ印可の陽極酸化により、）２０００ÅのＴａ２Ｏ５ を形成する。ブラックマトリクスは、連続パターンであり、その一部を基板周辺に取り出し、陽極とする、Ｔａ２Ｏ５ は、誘電率が約２５であり、図１に示すような画素電極３とブラックマトリクスのオーバーラップ領域で十分な保持容量を確保でき、絶縁性も十分であった。・・・・
【００１３】本構造では、ソース線２、又はゲート線１とブラックマトリクスが第１、第２の層間絶縁膜のピンホールでショートすると線欠陥となる可能性がある。ゲート線上は、第１、第２の層間絶縁膜があるため発生確率は低くなるがソース線上は第２の層間絶縁膜のみであるため、発生確率が高くなる。そこで遮光膜８を形成する前に、ソース線上の第２の層間絶縁膜のピンホールを埋める意味で、スチーム酸化を行って欠陥の防止を行った。また、遮光膜８を堆積する前にＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５の絶縁膜を堆積するのも効果かがあった。」（段落【００１０】〜【００１３】）
　「【００２０】
【発明の効果】以上のとおり、本発明の液晶表示装置は、遮光性ブラッックマトリクスをアクティブマトリクス基板上で、画素電極層とソース線層の間に層間絶縁膜を介して配置し、特定電位を印可することで、ソース線をシールドし、かつ、画素電極とで蓄積容量を形成しているので以下の効果を奏する。
【００２１】（１）透明基板の表面側に、マトリクスアレイと共にブラックマトリクスも形成されているので、画素領域間の境界領域とブラックマトリクスとが高い精度で位置合わせ、ブラックマトリクスの幅にマージンを設ける必要がないので開口率を向上させることができる。
【００２２】（２）ブラックマトリクスは、特定電位にあり、縦横のクロストークがなく、表示品質が往生する。特定電位を対向電極電位とする場合は信頼性が向上する。
【００２３】（３）ソース線をブラックマトリクスがシールドしているため上下方向の電圧−透過率特性むらや、クロストークが発生しにくい。
【００２４】（４）画素電極とブラックマトリクスの重なり部分で蓄積容量を形成するため画素電極パターンのアライメントが左右、上下方向にずれても、均等な蓄積容量を形成でき、フリッカー等の発生を防止できる。特にブラックマトリクスとしてＴａ膜を使用し、層間絶縁膜Ｂとして、ＴａＯ５ Ｔａ膜の陽極酸化等で形成する場合、ピンホールによる欠陥が無いばかりか狭い面積で大きな蓄積容量を形成でき、開口率の向上がはかれる。
【００２５】（５）ブラックマトリククスを行列方向に分離した構造にし、偶数ライン毎に、特定電位を印可して駆動することで、ラインむらを軽減できる。
【００２６】（６）表示エリア周辺に、遮光用の見切り枠を、ブラックマトリクスと同一材料で同時に形成できる。」（段落【００２０】〜【００２６】）
　「１…ゲート線　２…ソース線・・・・７…薄膜トランジスタ　８…遮光膜（ブラックマトリックス）・・・・」（【符号の説明】）
　また、図１に液晶表示装置のマトリクスアレイの一部の平面図が示され、図２に断面図が示されており、図では、薄膜トランジスタ７がソース線２とゲート線１との交差部に形成され、画素電極３は第２の層間絶縁膜上と第３の層間絶縁膜上とに形成され、第１〜２の層間絶縁膜に形成されたスルーホールを介して薄膜トランジスタのドレイン領域に接続されていることが見てとれる。
　以上の記載からすれば、引用例１には、「透明絶縁基板９上に複数本のソース線２と複数本のゲート線１により格子状に区画形成され、ゲート線１とソース線２との交差部に薄膜トランジスタ７が形成され、薄膜トランジスタ７上に第１の層間絶縁膜１２が形成され、その上にソース線２が形成され、その上に第２の層間絶縁膜１３が形成され、その上に遮光膜をパターニングしたブラックマトリクス８が、少なくともソース線２上を覆うように形成され、ブラックマトリクス８上に第３の層間絶縁が形成され、さらに透明導電膜の画素電極３が第２の層間絶縁膜上と第３の層間絶縁膜上とにパターン形成され、画素電極３は第１〜２の層間絶縁膜に形成されたスルーホールを介して薄膜トランジスタのドレイン領域に接続され、画素電極３とブラックマトリクス８とが第３の層間絶縁膜を介して部分的にオーバラップする領域を有して、それにより蓄積容量を形成するようにしたマトリクスアレイを備える液晶表示装置」が記載されているものと認める。
　同じく引用された刊行物である特開平７−８４２８４号公報（以下、引用例２という）には、次のように記載されている。
　「【００２３】図１は、本発明の第１の実施例に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置の概略構成を示す模式図である。
【００２４】図中、１１は画素電極を示しており、この画素電極１１はＴＦＴのソース電極８に接続されている。また、画素電極１０，１１上には液晶層１２を介して対向電極１３が設けられている。」（段落【００２３】〜【００２４】）
　「【００４２】また、本実施例によれば、信号線９と画素１１，１２との間のカップリング容量は、層間絶縁膜であるフッ素系ポリイミド膜の比誘電率が２．８で、その膜厚が１．５μｍであるので、通常用いられている比誘電率が６．４のシリコン窒化膜（典型的な厚さが５００ｎｍ）を用いた場合の容量の約１／７となる。したがって、本実施例によれば、信号線９と画素電極１１，１２との間のカップリング容量を十分小さくでき、クロストークを大幅に低減できる。・・・・」（段落【００４２】）
（３）対比
　本件補正発明と引用例１に記載のものとを対比すると、引用例１に記載のものにおける「透明絶縁基板」、「ソース線」、「ゲート線」、「薄膜トランジスタ」、「第１〜２の層間絶縁膜」は、それぞれ本件補正発明の「基板」、「走査線」、「信号線」、「スイッチング素子」、「層間絶縁膜」に相当するものであり、また、引用例１に記載のものにおける「遮光膜をパターンニングしたブラックマトリクス」は、画素電極に対応し、第２の層間絶縁膜の上方であって少なくともソース線上を覆うように形成され、画素電極との間に蓄積容量を形成するものであって、本件補正発明における「層間絶縁膜の上方であって少なくとも走査線、信号線のうちいずれか一方とオーバラップする位置に形成し、画素電極との間で付加容量部を形成し、遮光膜として機能する、画素電極と対応する付加容量共通配線」に相当するものであるから、本件補正発明と引用例１に記載のものとは、「基板上に、複数の走査線と信号線とをマトリクス状に設け、該走査線と信号線との交差部にスイッチング素子を設け、該スイッチング素子の上部に層間絶縁膜を設け、該層間絶縁膜上に画素電極を設けてなる液晶表示装置において、画素電極と対応する付加容量共通配線を、前記層間絶縁膜の上方であって少なくとも走査線、信号線のうち何れか一方とオーバーラップする位置に形成し、前記画素電極との間で付加容量部を形成し、前記付加容量共通配線は、遮光膜として機能することを特徴とする液晶表示装置」である点において一致するが、次の点において相違する。
＜相違点＞
　層間絶縁膜が、本件補正発明においては有機材料からなるものであるのに対し、引用例１に記載のものにおいては、無機材料ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５からなるものについて記載され、有機材料からなるものについては記載されていない点。
（４）判断
　そこで、上記相違点について検討する。
　液晶表示装置において、層間絶縁膜としてポリイミド等の有機材料からなるものを用いることは周知の事項である。また、本件補正発明において有機材料からなる層間絶縁膜を用いるのは、付加容量を形成するための絶縁膜より層間絶縁膜の比誘電率を小さくして付加容量を小面積で効果的に形成するためであるが、層間絶縁膜を比誘電率の小さいポリイミド系の有機材料により形成することは、引用例２に示されるように、従来の液晶表示装置において用いられている手段である。そうすると、引用例１に記載のものにおいて、第１〜２の層間絶縁膜を有機材料からなるものとすることは、当業者が必要に応じて適宜考慮し得るところであり、このように層間絶縁膜として有機材料からなるものを用いたことによる作用効果も予測の域を出ない。
　したがって、本件補正発明は、引用例１〜２に各々記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により出願の際独立して特許を受けることができないものである。
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　　　
３．本願発明について
　平成１３年１１月２１日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜６に係る発明は、平成１３年９月１３ 日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に各々記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下、本願発明という）は、次のとおりの事項により特定されるものである。
　「基板上に、複数の走査線と信号線とをマトリクス状に設け、該走査線と信号線との交差部にスイッチング素子を設け、該スイッチング素子の上部に有機材料からなる層間絶縁膜を設け、該層間絶縁膜上に画素電極を設けてなる液晶表示装置において、前記層間絶縁膜の上部に付加容量共通配線を形成し、前記付加容量共通配線は、遮光膜として機能することを特徴とする液晶表示装置。」
（１）引用例の記載事項
　原査定の拒絶査定に引用された上記引用例１及び２には、２．（２）に記載したとおりの事項が記載されている。
（２）対比、判断
　本願発明は、上記２．で検討した本件補正発明を特定する事項のうち、「付加容量共通配線」について「画素電極と対応する付加容量共通配線を、前記層間絶縁膜の上方であって少なくとも走査線、信号線のうち何れか一方とオーバラップする位置に形成し、」との限定を省いたものであるから、本願発明と引用例１に記載のものとの相違点は、２．（３）において前記した相違点のほかにはない。
　したがって、本願発明は、２．（４）において前述したのと同様に、引用例１〜２に各々記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１〜２に各々記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。