(57)【要約】【課題】サセプタの上に置かれたウエーハを下側から加熱して処理を行う装置において、サセプタの上にウエーハを降ろす際及びサセプタの上からウエーハを持ち上げる際に、ウエーハの面内に生ずる温度差を小さく抑えることができるウエーハ搬送用ハンドを提供する。【解決手段】サセプタ１の上方において、ウエーハ搬送用ハンド５とウエーハ１の下側に配置された複数の突き上げピン４との間でウエーハ１の受け渡しが行われる。本発明のウエーハ搬送用ハンド５は、ウエーハ１を支持する面６がウエーハ１の直径と同一またはそれ以上の幅を有し、この面６に当該ウエーハ搬送用ハンド５の移動方向に対して平行な複数のスリット状の切り込み７が形成されている。ウエーハ１の受け渡しの際、各突き上げピン４は、各スリット状の切り込み７の中を僅かなクリアランスを介して貫通し且つ通過する。【選択図】    図１
2004356209.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サセプタの上に置かれたウエーハをその下側に配置されたヒータを用いて加熱して処理を行う装置において、サセプタの上にウエーハを降ろす際及びサセプタの上からウエーハを持ち上げる際に、ウエーハの下側に配置された複数の突き上げピンとの間でウエーハの受け渡しを行うためのウエーハ搬送用ハンドであって、
ウエーハを支持する面がウエーハの直径と同一またはそれ以上の幅を有し、この面に複数のスリット状の切り込みが当該ウエーハ搬送用ハンドの移動方向に対して平行に形成され、ウエーハの受け渡しの際、各突き上げピンが前記各スリット状の切り込みの中を僅かなクリアランスを介して貫通し且つ通過するように構成されていることを特徴とするウエーハ搬送用ハンド。
【請求項２】
前記スリット状の切り込みの幅と前記突き上げピンの直径の差が、１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のウエーハ搬送用ハンド。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばＣＶＤ装置などの、サセプタの上に置かれたウエーハを下側からヒータを用いて加熱して処理を行う装置において、サセプタの上にウエーハを降ろす際及びサセプタの上からウエーハを持ち上げる際に使用されるウエーハ搬送用ハンドの形状に係る。
【０００２】
【従来の技術】
図６に、従来のウエーハ搬送用ハンド（エンドエフェクタ）の例を示す。ウエーハ搬送用ハンドは、通常、フォーク型の形状に作られている。しかし、このようなフォーク型のウエーハ搬送用ハンド１５を用いた場合、サセプタの上にウエーハ１を降ろす際及びサセプタの上からウエーハ１を持ち上げる際、サセプタの下側に配置されたヒータ（作動状態のまま維持されている）からの放射熱がフォークの歯１６の部分で遮られるので、ウエーハ１の面内に温度差が生ずる。その結果、ウエーハ１に反りが発生する。また、最悪の場合、ウエーハの内部の応力が増大して、ウエーハに割れが発生することもある。
【０００３】
【特許文献１】
特開平５−５５１４８号公報（例えば、図１、図２）
【０００４】
【特許文献２】
特開平９−１９９４２７号公報（図４）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、以上のような従来のウエーハ搬送用ハンドの問題点に鑑み成されたものであり、本発明の目的は、サセプタの上にウエーハを降ろす際及びサセプタの上からウエーハを持ち上げる際に、ウエーハの面内に生ずる温度差を小さく抑えることができるウエーハ搬送用ハンドを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明のウエーハ搬送用ハンドは、
サセプタの上に置かれたウエーハをその下側に配置されたヒータを用いて加熱して処理を行う装置において、サセプタの上にウエーハを降ろす際及びサセプタの上からウエーハを持ち上げる際に、ウエーハの下側に配置された複数の突き上げピンとの間でウエーハの受け渡しを行うためのウエーハ搬送用ハンドであって、
ウエーハを支持する面がウエーハの直径と同一またはそれ以上の幅を有し、この面に複数のスリット状の切り込みが当該ウエーハ搬送用ハンドの移動方向に対して平行に形成され、ウエーハの受け渡しの際、各突き上げピンが前記各スリット状の切り込みの中を僅かなクリアランスを介して貫通し且つ通過するように構成されていることを特徴とする。
【０００７】
本発明のウエーハ搬送用ハンドは、上記のような形状を備えているので、サセプタの上にウエーハを降ろす際及びサセプタの上からウエーハを持ち上げる際に、ヒータからウエーハの下面に入射する放射熱を一様に遮ることができる。これによって、ウエーハの面内に生ずる温度差を小さく抑え、熱変形や熱応力を低減させることができる。
【０００８】
好ましくは、前記スリット状の切り込みの幅と前記突き上げピンの直径の差を、１ｍｍ以上１０ｍｍ以下程度に設定する。
【０００９】
【発明の実施の形態】
図１に、本発明に基づくウエーハ搬送用ハンドの一例を示す。この例では、ウエーハ搬送用ハンド５の支持面６（ウエーハを支持する手のひら状の部分）の幅が、ウエーハ１の直径と同一に設定されている。この支持面６には、スリット状の切り込み７が３本、形成されている。各スリット状の切り込み７は、突き上げピン４の上方におけるウエーハ搬送用ハンド５の移動方向に対して平行に形成されている。ウエーハ搬送用ハンド５と３本の突き上げピン４の間でウエーハ１の受け渡しを行うとき、各突き上げピン４は、各スリット状の切り込み７の中を貫通し且つ通過することができる。
【００１０】
ここで、突き上げピン４の直径は、一般的に、２〜５ｍｍ程度である。各スリット状の切り込み７の幅と突き上げピン４の直径の差は、１ｍｍ以上１０ｍｍ以下程度に設定される。
【００１１】
図２〜図４を用いて、ウエーハ１の受け渡しを行う際のウエーハ搬送用ハンド５及び突き上げピン４の動作について説明する。
【００１２】
図２に示すように、処理室９（例えば、ＣＶＤ装置の反応室）の中には、サセプタ２が設置されている。サセプタ２は、リング状の形状を備え、中央の開口部の内周側の縁でウエーハ１を支持するように構成されている。サセプタ２の下側には、ヒータ３及び突き上げピン４が配置されている。処理対象のウエーハ１は、ウエーハ搬送用ハンド５の上に載せられて処理室９内に搬入される。
【００１３】
図３に示すように、ウエーハ搬送用ハンド５をサセプタ２の上方で停止させ、ウエーハ１の中心をサセプタ２の中心に合わせる。次いで、突き上げピン４を上昇させ、ウエーハ搬送用ハンド５の支持面のスリット状の切り込み７（図１）の中を下から上に貫通させて、ウエーハ１の下面に突き当てる。突き上げピン４の上にウエーハ１を保持した後、ウエーハ搬送用ハンド５を後退させて反応室９の外に退避させる。このとき、各突き上げピン４が各スリット状の切り込み７（図１）の中を通過することによって、突き上げピン４とウエーハ搬送用ハンド５の間の干渉を避ける。
【００１４】
図４に示すように、ウエーハ搬送用ハンド５を反応室９の外に退避させた後、突き上げピン４を下降させ、ウエーハ１をサセプタ２の上に降ろす。
【００１５】
図５に、本発明に基づくウエーハ搬送用ハンドの他の例を示す。この例では、ウエーハ搬送用ハンド５の支持面６に、スリット状の切り込み（７ａ、７ｂ）が２本、形成されている。この場合、一方のスリット状の切り込み７ａには、２本の突き上げピン４ａ、４ｃが貫通し、他方のスリット状の切り込み７ｂには、１本の突き上げピン４ｂが貫通する。
【００１６】
【発明の効果】
本発明のウエーハ搬送用ハンドによれば、サセプタの上にウエーハを降ろす際及びサセプタの上からウエーハを持ち上げる際に、突き上げピンとの間でウエーハの受け渡しを行うとき、ヒータからウエーハの下面に入射する放射熱を一様に遮ることができる。その結果、ウエーハの面内に生ずる温度差を小さく抑え、熱変形や熱応力を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に基づくウエーハ搬送用ハンドの一例を示す図。
【図２】ウエーハの受け渡しを行う際のウエーハ搬送用ハンド及び突き上げピンの動作について説明する図であって、ウエーハ搬送用ハンドが処理室内に前進した状態を示す図。
【図３】ウエーハの受け渡しを行う際のウエーハ搬送用ハンド及び突き上げピンの動作について説明する図であって、ウエーハ搬送用ハンドから突き上げピンの上にウエーハを移す状態を示す図。
【図４】ウエーハの受け渡しを行う際のウエーハ搬送用ハンド及び突き上げピンの動作について説明する図であって、サセプタの上にウエーハを降ろした状態を示す図。
【図５】本発明に基づくウエーハ搬送用ハンドの他の例を示す図。
【図６】従来のウエーハ搬送用ハンドの一例を示す図。
【符号の説明】
１…ウエーハ、
２…サセプタ、
３…ヒータ、
４、４ａ、４ｂ、４ｃ…突き上げピン、
５…ウエーハ搬送用ハンド、
６…支持面、
７、７ａ、７ｂ…スリット状の切り込み、
９…反応室。
【図１】
2004356209.tif 000003
【図２】
2004356209.tif 000004
【図３】
2004356209.tif 000005
【図４】
2004356209.tif 000006
【図５】
2004356209.tif 000007
【図６】
2004356209.tif 000008