Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月21日(2003.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コード生成機構によって生成されたコードにおいて、自動変数の記憶域割り付けを行う方法であって、
関連した型情報が変数のサイズおよび他の特徴を含む、変数型を宣言するステップと、
記憶域エンティティに型を結合して、所定の予め宣言した型を有することを示す、型結合記憶域エンティティを作成するステップと、
上記変数用の上記型結合記憶域エンティティを参照することによって、上記変数の読み書きを可能にするステップと、を備え、生成されたコードの中間表現が言語に依存しないように、コード生成機構によって記憶域割り付けを実行する方法。
【請求項２】
上記型結合記憶域エンティティを収集するステップと、型によって決められる、最小サイズの記憶エンティティが先頭にまた最大サイズの記憶エンティティが末尾にソートされるように、上記型結合記憶域エンティティをそのサイズでソートするステップと、を更に備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
最小のサイズを持つ記憶域エンティティの記憶域割り付けをそのサイズの記憶エンティティがなくなるまで実行するステップと、
次に最も小さいサイズの項目を選択するステップと、を更に備え、最小サイズの記憶域エンティティが活性化レコードの基底アドレスに最も隣接した位置に割り付けられ、最大サイズの記憶域エンティティが上記活性化レコードの基底アドレスから最も離れた位置に割り付けられ、その結果活性化レコードにおいて、すべての記憶域エンティティの上記基底アドレスからのオフセット値の総和が最小に保たれる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
最大のアライメント制約を持つ記憶域エンティティに対する記憶域割り付けを、次の記憶域エンティティに対する割り付けを行うために埋め込み穴が必要となるまで、実行するステップと、上記埋め込み穴が必要となった時次に使用可能なアドレスに割り付けできる最大のアライメント制約を持つ項目を特定するステップと、上記特定した最大のアライメント制約を持つ項目を割り付けるステップと、を更に備える請求項１に記載の方法。
【請求項５】
データ・ポイントからのオフセットに基づいて静的データを配置するステップを更に備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
記憶域エンティティに対する最大アクセス回数が最小数の命令で実行されることが保証されるように局所領域の基底アドレスに最も隣接した位置に最も頻繁にアクセスされる記憶域エンティティを割り付ける方法であって、  プロファイルに基づく計測の仕組みが組み入れられたプログラムをコンパイルするステップと、
共通使用を表す入力ストリームを用いて上記プログラムを実行するステップと、
上記プログラムの実行の間のアクセス回数が最大の記憶域エンティティを特定するステップと、
上記特定した記憶域エンティティに、局所領域基底アドレスに最も近接した次に使用可能な記憶位置を割り付けるステップと、
各記憶域エンティティに対するアクセス総回数を記録するステップと、
上記プログラムの実行の間に収集されたアクセス様態を使用して上記プログラムを再コンパイルするステップとを含む方法。
【請求項７】
データ・ポイントからのオフセットに基づいて静的データを配置するステップを更に備える、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
互いに時間的に接近してアクセスされる記憶域エンティティを同一キャッシュ線上に割り付けることによってキャッシュ・ヒット率を向上させる記憶域割り付け方法であって、
各記憶域エンティティがノードとして示されるグラフを作成するステップであって、２つのノードの間の辺に、一方のノードのアクセスの直前または直後に別の一方のノードがアクセスされた回数の累計を表す値を持たせ、グラフが一時的局所性の大きさを表すステップと、
最大の一時的局所性を持つ記憶エンティテイを同一キャッシュ線上に割り付けるステップと、
自動変数がキャッシュ線パターンに静的に割り付けられるように、当該アーキテクチャのキャッシュ線サイズの倍数の境界制約内にスタック・フレームの各々を割り付けるステップとを備える方法。
【請求項９】
現在読み出し中のキャッシュ線の直後に続く１以上のキャッシュ線をメモリから読み出す請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
共通使用を表す入力ストリームを用いて、プロファイルに基づく計測の仕組みが組み入れられたプログラムを実行するステップと、
上記プログラムの実行と共に上記グラフを作成するステップと、
各記憶域エンティティがアクセスされる毎に上記グラフの該当する辺に１を加算して、上記辺の一方のノードが現在時記憶域エンティティを表し他方が最後にアクセスされた記憶域エンティティを表す辺であることを判断するステップと、
すべてのノードを未割り付けノードとマークするステップと、
上記プログラムの実行の間に収集されたアクセス様態を使用して上記プログラムを再コンパイルするステップと、を更に備える請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
上記辺の中から最大値を持つ辺を特定するステップと、
上記特定した辺の両側のノードをノード１およびノード２と命名するステップと、
上記ノード１およびノード２が共に割り付け済とマークされていればその辺をグラフから消去するステップと、
片方のノードが割り付け済で他方が未割り付けとマークされていれば、未割り付けとマークされているノードを次の使用可能位置に割り付けるステップと、
そのノードを割り付け済とマークするステップと、を更に備える請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
上記ノード１およびノード２によって表される上記２つの記憶域エンティティを次の使用可能位置に割り付けるステップと、
それらノードを割り付け済とマークするステップと、を更に備える請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
ノード１およびノード２の結合を表す新しいノードすなわちNode.Newを作成するステップと、
上記Node.Newを割り付け済とマークするステップと、
上記グラフの中でノード１が一方の側にあるすべての辺について、
当該辺の他方のノードをNode.Otherと命名するステップと、
Node.NewとNode.Otherの間に新しい辺を作成するステップと、
その辺の初期的大きさにノード１とNode.Otherとの間の辺の大きさを割り当てるステップと、
ノード２とNode.Otherの間の辺があれば、その辺の大きさをNode.NewとNode.Otherの間の辺に加算するステップと、
ノード１とNode.Otherの間の上記辺を削除するステップと、
ノード２とNode.Otherの間の辺があればそれを削除するステップと、
ノード１を上記グラフから削除するステップと、
上記グラフの中で一方にノード２をもつすべての辺について、
当該辺のもう一方のその他のノードをNode.Otherと命名するステップと、
Node.NewとNode.Otherの間の新しい辺を作成するステップと、
この辺の大きさにノード２とNode.Otherの間の辺の大きさを割り当るステップと、
ノード２とNode.Otherの間の辺を削除するステップと、
ノード２を上記グラフから削除するステップと、を更に備える請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月5日(2004.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１命令セットの命令を実行する第１プロセッサと、
第１命令セットとは異なる第２命令セットの命令を実行する第２プロセッサとを有するデータ処理装置であって、
前記第１プロセッサが前記第１命令セットの中の所定命令を実行したとき、前記第２プロセッサが前記第２命令セットの命令を実行し、
前記データ処理装置は、前記第２命令セットの命令へ分岐後、引き続き実行される前記第２命令セットの命令の動作と前記第２命令セットの命令実行後に復帰する前記第１命令セットの命令の動作に関連性があるかを調べる回路をさらに有し、関連性がない場合に前記第２命令セットの命令の完了を待たずに復帰先の前記第１命令セットの命令を並列に実行可能であることを特徴とするデータ処理装置。
【請求項２】
前記第１命令セットの命令は可変長であり、前記第２命令セットの命令は固定長であることを特徴とする請求項１に記載のデータ処理装置。
【請求項３】
前記第２命令セットは、３次元画像処理のための命令を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のデータ処理装置。
【請求項４】
前記第１命令セットの命令と前記第２命令セットの命令は共に固定長であることを特徴とする請求項１に記載のデータ処理装置。
【請求項５】
前記第１命令セットの命令の語長は、前記第２命令セットの命令の語長より短いことを特徴とする請求項４に記載のデータ処理装置。
【請求項６】
演算器を有し、第１命令群を格納する第１記憶部から命令を読み出して実行する第１データ処理部と、
並列動作可能な複数の演算器を有し、同時に実行可能な命令を１命令として実行する第２データ処理部と、
前記第２データ処理部が実行する命令群を格納する第２記憶部とを具備するデータ処理装置であって、
前記第１データ処理部が読み出した命令が所定の命令であるとき、前記第２データ処理部で実行する命令を前記第２記憶部から読み出し、
前記データ処理装置は、前記第２命令セットの命令へ分岐後、引き続き実行される前記第２命令セットの命令の動作と前記第２命令セットの命令実行後に復帰する前記第１命令セットの命令の動作に関連性があるかを調べる回路をさらに有し、関連性がない場合に前記第２命令セットの命令の完了を待たずに復帰先の前記第１命令セットの命令を並列に実行可能であることを特徴とするデータ処理装置。
【請求項７】
ＲＩＳＣ命令を実行するＲＩＳＣコアと、
ＶＬＩＷ命令を格納するＶＬＩＷテーブルと、
ＶＬＩＷ命令を実行するＶＬＩＷコアと、
前記ＲＩＳＣコアと前記ＶＬＩＷコアとの動作切り替えを制御するＶＬＩＷ起動判定ユニットとを有するマイクロプロセッサであって、
前記ＲＩＳＣコアがＲＩＳＣ命令のうちサブルーチンコール若しくは分岐命令を実行したとき、分岐先アドレスで前記ＶＬＩＷテーブルからＶＬＩＷ命令を読み出し、前記ＶＬＩＷ起動判定ユニットが前記ＲＩＳＣコアから前記ＶＬＩＷコアへ動作を移し、前記ＶＬＩＷテーブルからＶＬＩＷ命令の完了コードが読み出されるまで前記ＶＬＩＷコアが動作し、
前記マイクロプロセッサは、ＶＬＩＷ命令へ分岐後、引き続き実行されるＶＬＩＷ命令の動作とＶＬＩＷ命令実行後に復帰するＲＩＳＣ命令の動作に関連性があるかを調べる回路をさらに有し、関連性がない場合にＶＬＩＷ命令の完了を待たずに復帰先のＲＩＳＣ命令を並列に実行可能なマイクロプロセッサ。
【請求項８】
ＲＩＳＣ命令を実行するＲＩＳＣコアと、
ＶＬＩＷ命令を格納するＶＬＩＷテーブルと、
ＶＬＩＷ命令を実行するＶＬＩＷコアと、
前記ＲＩＳＣコアと前記ＶＬＩＷコアとの動作切り替えを制御するＶＬＩＷ起動判定ユニットとを有するマイクロプロセッサであって、
前記ＲＩＳＣコアがＲＩＳＣ命令のうちサブルーチンコール若しくは分岐命令を実行したとき、分岐先アドレスで前記ＶＬＩＷテーブルからＶＬＩＷ命令を読み出し、前記ＶＬＩＷ起動判定ユニットが前記ＲＩＳＣコアから前記ＶＬＩＷコアへ動作を移し、前記ＶＬＩＷテーブルからＶＬＩＷ命令の完了コードが読み出されるまで前記ＶＬＩＷコアが動作し、
前記マイクロプロセッサは、ＶＬＩＷ命令の実行を制御するレジスタをさらに有し、ＶＬＩＷ命令実行禁止時にはＶＬＩＷ命令と同等の動作を行うＲＩＳＣ命令列に分岐することで、ＶＬＩＷコアの動作を停止させるマイクロプロセッサ。
【請求項９】
前記ＶＬＩＷテーブルは、不揮発性メモリに内蔵されることを特徴とする請求項７又は８に記載のマイクロプロセッサ。
【請求項１０】
前記不揮発性メモリは、マスクＲＯＭ、フラッシュメモリ、強誘電体メモリのうちのいずれか１つであることを特徴とする請求項９に記載のマイクロプロセッサ。
【請求項１１】
前記ＶＬＩＷテーブルは、揮発性メモリに内蔵されることを特徴とする請求項７又は８に記載のマイクロプロセッサ。
【請求項１２】
前記揮発性メモリは、ＳＲＡＭ或いはＤＲＡＭのうちのいずれか一つであることを特徴とする請求項１１に記載のマイクロプロセッサ。
【請求項１３】
前記ＶＬＩＷテーブルは、前記ＲＩＳＣコアのプロセッサで書き換え可能なメモリに内蔵されることを特徴とする請求項７又は８に記載のマイクロプロセッサ。
【請求項１４】
ＲＩＳＣ命令を実行するＲＩＳＣコアと、ＶＬＩＷ命令を実行するＶＬＩＷコアとを有するマイクロプロセッサ。
【請求項１５】
第１命令セットと前記第１命令セットとは異なる第２命令セットを実行可能なマイクロプロセッサであって、
前記マイクロプロセッサは、命令キャッシュと、テーブルと、実行部とを具備し、
前記マイクロプロセッサが前記第１命令セットに含まれる命令に基づいて動作する場合は、前記実行部は、前記命令キャッシュから出力される命令を実行し、
前記マイクロプロセッサが前記第２命令セットに含まれる命令に基づいて動作する場合は、前記実行部は、前記テーブルから供給される命令を実行し、
前記第１命令セットは、前記実行部が実行する命令の供給元を前記命令キャッシュからテーブルに変更する命令を含むことを特徴とするマイクロプロセッサ。
【請求項１６】
前記第１命令セットに含まれる命令のビット長は、前記第２命令セットに含まれる命令のビット長より長いことを特徴とする請求項１６に記載のマイクロプロセッサ。
【請求項１７】
前記マイクロプロセッサは、命令アドレスを保持するための命令フェッチユニットを更に具備し、
前記命令キャッシュは、前記命令フェッチユニットから命令アドレスを受けて、前記実行部に前記命令アドレスに対応する命令を出力することを特徴とする請求項１５又は１６に記載のマイクロプロセッサ。
【請求項１８】
前記命令キャッシュは、前記第１命令セットに含まれる命令を出力し、前記テーブルは、前記第２命令セットに含まれる命令を出力することを特徴とする請求項１５乃至１７の何れか１項に記載のマイクロプロセッサ。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月25日(2003.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メータと止水栓と逆止弁とが、ベースの長手方向に沿って該ベースに取り付けられ、前記ベースの長手方向の両端部に前記長手方向に延びる取付け部が設けられているメータユニット用の保温カバーにおいて、内部に前記メータユニットを収受可能なスペースを備えたカバー本体と、前記メータの表示部を覆い、開閉可能なメータ部蓋と、前記止水栓の操作ハンドルを覆い、開閉可能な止水栓部蓋とを含んでなり、前記カバー本体には、前記ベースの前記取付け部が該カバー本体の内部から外部へ挿通される取付け部挿通孔と、前記止水栓と前記逆止弁にそれぞれ接続される配管の端部が挿通可能な配管挿通孔とを備えたことを特徴とする、メータユニット用の保温カバー。
【請求項２】
請求項１に記載のメータユニット用の保温カバーにおいて、前記カバー本体は、前記ベースの長手方向に沿って左右に分割された２つの半部分により構成されていることを特徴とする、メータユニット用の保温カバー。
【請求項３】
請求項２に記載のメータユニット用の保温カバーにおいて、前記取付け部挿通孔は、前記２つの半部分にそれぞれ部分的に形成され、前記２つの半部分が組み合わされることにより前記取付け部挿通孔が画成されることを特徴とする、メータユニット用の保温カバー。
【請求項４】
請求項２又は３に記載のメータユニット用の保温カバーにおいて、前記配管挿通孔少なくとも一方は、前記２つの半部分にそれぞれ部分的に形成され、前記２つの半部分が組み合わされることにより前記少なくとも一方の配管挿通孔が画成されることを特徴とする、メータユニット用の保温カバー。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１に記載のメータユニット用の保温カバーにおいて、前記カバー本体には、前記メータユニットと前記カバー本体との相対位置を位置決めする位置決め部材が設けられていることを特徴とする、メータユニット用の保温カバー。
【請求項６】
請求項５に記載のメータユニット用の保温カバーにおいて、前記メータユニットの前記ベースは、底面と、前記底面から所定の高さに設けられた前記止水栓と逆止弁とがそれぞれその上に載置される止水栓載置部と逆止弁載置部と、前記メータがその上方に位置することとなる、前記止水栓載置部と逆止弁載置部との間に前記ベースの長手方向所定の範囲で形成された凹部とを備え、前記カバー本体は前記ベースの長手方向に伸びる側壁部を備え、前記位置決め部材は、前記側壁部の内側面から内方へ広がる、前記ベースの長手方向及びそれに直交する方向でそれぞれ所定の長さに形成された張出し部により構成され、前記張出し部が前記凹所に入ることにより前記メータユニットと前記カバー本体とは相互に位置決めされることを特徴とする、メータユニット用の保温カバー。
【請求項７】
請求項６に記載のメータユニット用の保温カバーにおいて、前記カバー本体はそれぞれ前記ベースの長手方向に沿って左右に分割され、それぞれ前記ベースの長手方向に伸びる左右側壁部を備えた２つの半部分により構成され、前記張出し部は、前記左右の側壁部の内壁面から互いに向かって内方へ延びている左右の張出し部により構成されることを特徴とする、メータユニット用の保温カバー。
【請求項８】
請求項２記載のメータユニット用の保温カバーにおいて、さらに前記二つの半部分を一体化した状態に維持する面状ファスナーを備えていることを特徴とする、メータユニット用の保温カバー。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１に記載のメータユニット用の保温カバーにおいて、前記保温カバーは発泡ポリエチレンで作られていることを特徴とする、メータユニット用の保温カバー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本願発明はメータと止水栓と逆止弁とが、ベースの長手方向に沿って該ベースに取り付けられ、そのベースの長手方向の両端部に長手方向に延びる取付け部が設けられているメータユニット用の保温カバーを提供し、その保温カバーは、内部にメータユニットを収受可能なスペースを備えたカバー本体と、メータの表示部を覆い、開閉可能なメータ部蓋と、止水栓の操作ハンドルを覆い、開閉可能な止水栓部蓋とを含んでなる。そして、そのカバー本体には、ベースの取付け部が該カバー本体の内部から外部へ挿通される取付け部挿通孔と、止水栓と逆止弁にそれぞれ接続される配管の端部が挿通可能な配管挿通孔とが設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月28日(2003.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
また、ステップＳ８の比較においては、下記の式（２）のような計算を行うようにしてもよい。
式（２）｜ＳＦｘ−ＳＢｘ｜≦Ｃｘ
ここで、式（２）は、先印刷サイズＳＦと後印刷サイズＳＢのＸ方向のサイズを比較したとき、その差異がＸ方向の許容値Ｃｘの範囲内であるか否かを判定するための式である。式（２）の計算の結果が、Ｃｘよりも小さいもしくは０ならば、後印刷サイズＳＢが先印刷サイズＳＦより大きい場合であっても、積み崩れの可能性はないものとして、ステップＳ９の判定に移る。結果がＣｘよりも大きい場合には、積み崩れの可能性があるものとして、ステップＳ１０へ移行する。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
ステップＳ９は、先印刷サイズＳＦと後印刷サイズＳＢのＹ方向のサイズとを比較する。ステップＳ９においても、下記のような式（３）もしくは式（４）により、先印刷サイズＳＦと後印刷サイズＳＢのサイズ比較を行うことができる。
式（３）ＳＦｙ−（ＳＢｙ＋Ｃｙ）≧０
あるいは、
式（４）｜ＳＦｙ−ＳＢｙ｜≦Ｃｙ
図示するように、式（３）あるいは式（４）は、比較方向が式（１）あるいは式（２）と異なるだけである。従って、ステップＳ８の比較と同様、式（３）あるいは式（４）の比較により、積み崩れの可能性がない場合はステップＳ１２へ、積み崩れの可能性がある場合にはステップＳ１０へ移行する。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月31日(2003.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
後部の旅客座席（家族含む）の側に折りたたみ式の補助座席を取りつけ、添乗介護提供者が後ろ向き（進行方向と対面）になる事で、常に車椅子の被介護者（進行方向）と介護提供者が対面して介護が出来る様にした事で車椅子利用の被介護者と介護提供者が対面状態で安全・容易に見守り的介護が行える所に特徴がある。従って車椅子利用者より前方部分に、補助座席（従業員用座席であって旅客座席とする事の出来ない座席、又は対面介護を目的とした介護提供者用座席）や回転装置のある座席等を車床の如何なる箇所に配置設置したとしても、対面状態で介護提供の出来る座席においては、被介護者の前方から終始安全な見守り的介護輸送を可能にした、画期的な対面的介護座席を備えた事業用専門の介護タクシーである。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月19日(2003.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記容器本体１の内底部には、位置決め用の突条12が形成されており、図３に示すように、容器本体１内に飲料容器Ｂを収容したときに、この飲料容器Ｂが突条12によって容器本体１のほぼ中央に位置決めされる。前記飲料容器Ｂは、上方に開口部（図示せず）が形成されていると共に、この開口部に対して注出機構13が着脱自在に取り付けられている。この注出機構13は、前記チューブ10を接続するための圧縮空気導入部14と、ハンドル15と、注出口16を有しており、この注出口16の先端側は下方に曲げられていると共に、容器本体１内に収容した飲料容器Ｂの開口部に注出機構13を取り付けた際に、容器本体１の外周よりも外方に突出する長さに形成されている。なお、前記飲料容器Ｂの外周には保冷材Ｃが巻き付けられている。


【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2002211698.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月25日(2003.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明は、ポリオレフィン系熱可塑性樹脂からなる芯鞘型複合繊維を含む不織布であって、芯鞘型複合繊維の芯部が、オレフィン系エラストマーを含むことを特徴とする柔軟性不織布を提供するものである。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
さらに、このエチレン・α−オレフィン共重合体の１９０℃における２．１６ｋｇ荷重でのメルトフローレート（ＭＦＲ）は、０．５〜１００ｇ／１０分、好ましくは１５〜５０ｇ／１０分の範囲にあることが望ましい。また、Ｘ線回折によって測定される結晶化度は５〜４０％、好ましくは７〜３０％である。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月8日(2003.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【化７】
1999310555.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
（参考例１）  トリエチルメチルアンモニウムメチル炭酸塩の合成
内容積５Ｌのオートクレーブに、トリエチルアミン１０１２ｇ（１０モル）、炭酸ジメチル１３５１ｇ（１５モル）、およびメタノール５９１ｇを仕込み、密閉した後、１２０℃で２０時間反応させた。反応を終了し、常温まで冷却後、オートクレーブを開放し、得られた反応混合物を減圧濃縮、乾燥することにより、トリエチルメチルアンモニウムメチル炭酸塩の粗製固形物１８１７ｇが得られた（収率９５％）。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
（参考例２）  トリエチルメチルアンモニウム重炭酸塩の粗製固形物の精製
参考例１で得られたトリエチルメチルアンモニウムメチル炭酸塩の粗製固形物１８１７ｇに、水２０００ｇを加え、含有するメタノールおよび炭酸ジメチルを減圧加熱して留去、乾燥した結果、トリエチルメチルアンモニウム重炭酸塩の固形物１６８３ｇ（トリエチルアミンからの通算収率９５％）が得られた。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
（実施例１）  トリエチルメチルアンモニウムテトラフルオロボレート（Ｃ２Ｈ５）３  （ＣＨ３  ）Ｎ＋  ・ＢＦ４  −  の合成
参考例１で得られたトリエチルメチルアンモニウムメチル炭酸塩１８１７ｇ（９．５モル）を、内容積５Ｌのフッ素樹脂製反応容器に入れ、氷−  水浴で冷やしながら、あらかじめ冷却した液体ＨＦ  ３リットルを徐々に注いで反応させ、過剰のＨＦと、反応により生成した（Ｃ２Ｈ５）３  （ＣＨ３  ）Ｎ＋  Ｆ−  ・ｎＨＦとを含む反応混合物を得た。この際、反応で生成したメタノールおよび二酸化炭素が激しく発生した。この反応容器を、徐々に１７０℃まで加温して過剰のＨＦの大部分を蒸発させた。さらに、余分なＨＦを除去するために、１７０℃で乾燥窒素ガスを２０時間吹き込んだ結果、（Ｃ２Ｈ５）３（ＣＨ３）Ｎ＋  Ｆ−  ・２ＨＦ１６６０ｇが得られた。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
この（Ｃ２Ｈ５）３（ＣＨ３）Ｎ＋  Ｆ−  ・２ＨＦ  １６６０ｇと、ＢＦ３  −２メタノール錯体（ＢＦ３  含有率５１重量％）１３１２ｇ（１０モル）とを、５Ｌのフッ素樹脂製容器中で室温（２５℃）で反応させて、反応生成物である（Ｃ２Ｈ５）３（ＣＨ３）ＮＢＦ４  がメタノールとＨＦに溶解した液状の反応混合物を得た。この反応混合物を１５０℃に加温し、大部分のメタノール、ＨＦ、および過剰のＢＦ３  −２メタノール錯体を留去させると、（Ｃ２Ｈ５）３（ＣＨ３）Ｎ＋  ・ＢＦ４  −  の固形物が得られた。この固形物を取り出して、フッ素樹脂製のバットに広げ、１５０℃に加温した熱風乾燥器に入れて、窒素流通下で１２時間乾燥すると、純度９９．８％の  （Ｃ２Ｈ５）３  （ＣＨ３）Ｎ＋  ・ＢＦ４  −  の乾燥白色固体が１９１０ｇ得られた（収率９９％）。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
（実施例２）  トリエチルメチルアンモニウムテトラフルオロボレート（Ｃ２Ｈ５）３（ＣＨ３）Ｎ＋  ・ＢＦ４  −  の合成
参考例２で得られたトリエチルメチルアンモニウム重炭酸塩１６８３ｇ（９．５モル）を、内容積５Ｌのフッ素樹脂製反応容器に入れ、氷−  水浴で冷やしながら、あらかじめ冷却した液体ＨＦ  ３リットルを徐々に注いで反応させ、過剰のＨＦと、反応により生成した（Ｃ２Ｈ５）３（ＣＨ３）Ｎ＋  Ｆ−  ・ｎＨＦとを含む反応混合物を得た。この際、反応で生成した二酸化炭素が激しく発生した。この反応容器を、徐々に１７０℃まで加温して過剰のＨＦの大部分を蒸発させた。さらに、余分なＨＦを除去するために、１７０℃で乾燥窒素ガスを１５時間吹き込んだ結果、（Ｃ２Ｈ５）３（ＣＨ３）Ｎ＋  Ｆ−  ・３ＨＦ１８５０ｇが得られた。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
この（Ｃ２Ｈ５）３（ＣＨ３）Ｎ＋  Ｆ−  ・３ＨＦ  １８５０ｇと、ＢＦ３  −エチルエーテル錯体（ＢＦ３  含有率４７％）１４２０ｇ（１０モル）とを、５Ｌのフッ素樹脂製容器中で室温で反応させて、反応生成物である（Ｃ２Ｈ５）３（ＣＨ３）Ｎ＋  ・ＢＦ４  −  がエチルエーテルとＨＦに溶解した液状の反応混合物を得た。この反応混合物を、徐々に１５０℃まで加温し、大部分のエチルエーテル、ＨＦおよび過剰のＢＦ３  −エチルエーテル錯体を留去させると、（Ｃ２Ｈ５）３（ＣＨ３）Ｎ＋  ・ＢＦ４  −  の固形物が得られた。
この固形物を取り出して、フッ素樹脂製のバットに広げ、１５０℃に加温した熱風乾燥器に入れて、窒素流通下で１５時間乾燥すると、純度９９．９％の（Ｃ２Ｈ５）３（ＣＨ３）Ｎ＋  ・ＢＦ４  −  の乾燥白色固体が１９０７ｇ得られた（収率９９％）。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
【発明の効果】
本発明の方法によれば、短い簡便な工程で、高純度（例えば、純度９９％以上）の４級アルキルアンモニウムテトラフルオロボレート類を、高収率（例えば、収率９０％以上）で製造することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月30日(2003.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶性樹脂（Ａ）と、該（Ａ）と同一または異なる液晶性樹脂（Ｂ）の合計１００重量部に対して赤燐０．０１〜３０重量部を含有してなる難燃性樹脂組成物を製造する方法であって、まず、液晶性樹脂（Ｂ）１００重量部に対して赤燐０．５〜１００重量部を含有してなる高濃度液晶性樹脂組成物（Ｃ）を溶融混練により製造し、その後、液晶性樹脂（Ａ）１００重量部に対して高濃度液晶性樹脂組成物（Ｃ）０．５〜１００重量部を溶融混練して所望の赤燐含有量に調整することを特徴とする難燃性樹脂組成物の製造方法。
【請求項２】
液晶性樹脂（Ｂ）の溶融混練時の粘度が液晶性樹脂（Ａ）よりも低いことを特徴とする請求項１記載の難燃性樹脂組成物の製造方法。
【請求項３】
液晶性樹脂（Ａ）および（Ｂ）のいずれかまたはいずれもが液晶性ポリエステルおよび／または液晶性ポリエステルアミドからなる液晶性樹脂である請求項１または２記載の難燃性樹脂組成物の製造方法。
【請求項４】
液晶性樹脂（Ａ）および（Ｂ）のいずれかまたはいずれもがエチレンジオキシド単位を含有する液晶性ポリエステルおよび／またはエチレンジオキシド単位を含有する液晶性ポリエステルアミドからなる液晶性樹脂である請求項１〜３いずれか１項記載の難燃性樹脂組成物の製造方法。
【請求項５】
液晶性樹脂（Ａ）および（Ｂ）のいずれかまたはいずれもが下記構造単位(I)、(II)、(III) および(IV)からなり、構造単位(I)と(II)の合計が構造単位(I)と(II)と(III)の合計に対して６０〜９５モル％、構造単位(III) が構造単位(I)と(II)と(III)の合計に対して４０〜５モル％であり、構造単位(I)と構造単位(II)のモル比［(I)／(II)］が７５／２５〜９５／５である液晶性ポリエステルである請求項１〜４いずれか１項記載の難燃性樹脂組成物の製造方法。
【化１】
1999310725.tif 000001
（ただし式中のＲ1は
【化２】
1999310725.tif 000002
から選ばれた１種以上の基を示し、Ｒ2は
【化３】
1999310725.tif 000003
から選ばれた１種以上の基を示す。ただし式中Ｘは水素原子または塩素原子を示す。また構造単位(IV)は構造単位(II)と(III)の合計と実質的に等モルである。）
【請求項６】
赤燐が不活性物質で被覆した赤燐である請求項１〜５いずれか１項記載の難燃性樹脂組成物の製造方法。
【請求項７】
赤燐の平均粒径が５〜１００μｍである請求項１〜６いずれか１項記載の難燃性樹脂組成物の製造方法。
【請求項８】
液晶性樹脂（Ａ）１００重量部に対して、充填材１〜２００重量部をさらに配合してなる請求項１〜７いずれか１項記載の難燃性樹脂組成物の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月22日(2004.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水深を計測する水深計測手段と、
潜水中の時間経過を計測する計時手段と、
前記計時手段の計測結果および前記水深計測手段の計測結果に基づいて浮上時の浮上速度を計測する浮上速度計測手段と、
前記浮上速度計測手段の計測結果と予め設定されている浮上速度上限値とを比較して現在の浮上速度が前記浮上速度上限値より速い場合には浮上速度違反との警告を行う浮上速度違反警告手段と、
を有するダイバーズ用情報処理装置において、
前記ダイバーズ用情報処理装置には、腕バンドが装着され、
前記浮上速度の測定間隔は、前記水深計測手段の測定間隔よりも長く設定されていることを特徴とするダイバーズ用情報処理装置。
【請求項２】
請求項１において、前記浮上速度違反警告手段は、前記浮上速度上限値として水深範囲毎に所定の浮上速度上限値を備え、現在水深に対応する浮上速度上限値と現在の浮上速度との比較結果に基づいて前記警告を行うように構成されていることを特徴とするダイバーズ用情報処理装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記浮上速度違反警告手段は、現在水深が所定値よりも浅いときには浮上速度違反の警告を発しないように構成されていることを特徴とするダイバーズ用情報処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、さらに、潜水結果を記録しておく潜水結果記録手段を有し、
前記潜水結果記録手段は、前記浮上速度違反警告手段が１回の潜水中に連続して複数回の警告を発したときに浮上速度違反があった旨を前記潜水結果として記録するように構成されていることを特徴とするダイバーズ用情報処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明のダイバーズ用情報処理装置は、水深を計測する水深計測手段と、
潜水中の時間経過を計測する計時手段と、前記計時手段の計測結果および前記水深計測手段の計測結果に基づいて浮上時の浮上速度を計測する浮上速度計測手段と、前記浮上速度計測手段の計測結果と予め設定されている浮上速度上限値とを比較して現在の浮上速度が前記浮上速度上限値より速い場合には浮上速度違反との警告を行う浮上速度違反警告手段と、を有するダイバーズ用情報処理装置において、前記ダイバーズ用情報処理装置には、腕バンドが装着され、前記浮上速度の測定間隔は、前記水深計測手段の測定間隔よりも長く設定されていることを特徴とする。
本発明によれば、ダイバーズ用情報処理装置を装着した腕の動きが浮上速度に影響を及ぼすことを防ぐことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月14日(2004.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成装置本体から排出された用紙の用紙搬送方向中央部を綴じ合わせる中綴じ手段と、前記用紙の用紙搬送方向中央部を中折り処理する中折り手段とを有する用紙後処理装置を備えた画像形成装置において、
前記用紙搬送方向の中心位置の基準折り線を記録したテストチャートを記憶する記憶手段と、前記中綴じ処理された用紙の停止位置を調整可能にする停止位置調整手段と、を有し、
前記画像形成装置本体により、前記記憶手段に記憶された前記テストチャートを印字し、前記停止位置に停止された印字後の用紙を前記中折り手段により中折り処理することを特徴とする用紙後処理装置を備えた画像形成装置。
【請求項２】
前記テストチャートは、用紙搬送方向の中心位置に形成した基準折り線と、前記基準折り線の近傍に等間隔に形成したスケール線とを有することを特徴とする請求項１に記載の用紙後処理装置を備えた画像形成装置。
【請求項３】
前記中折り位置を調整可能にする調整手段は、用紙の進行方向先端部を当接して停止させ、用紙の位置決めを行う移動調整可能な先端部ストッパであることを特徴とする請求項１に記載の用紙後処理装置を備えた画像形成装置。
【請求項４】
画像形成装置本体から排出された用紙を中綴じ処理、中折り処理して作製される冊子の小口を断裁手段により断裁して冊子を仕上げる用紙後処理装置を備えた画像形成装置において、
前記断裁手段による小口断裁位置を調整可能にする調整手段と、前記用紙搬送方向の両端部位置近傍に断裁位置調整用の端部スケール線を記録したテストチャートを記憶する記憶手段と、を有し、
前記画像形成装置本体により前記記憶手段に記憶された前記テストチャートを印字して、前記調整手段により位置決めされた印字後の用紙の小口を断裁処理することを特徴とする用紙後処理装置を備えた画像形成装置。
【請求項５】
前記断裁位置を調整可能にする調整手段は、中折り処理された用紙の進行方向先端部に当接して停止させ、用紙の位置決めを行う移動調整可能な先端部ストッパであることを特徴とする請求項４に記載の用紙後処理装置を備えた画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
（１）  本発明の用紙後処理装置を備えた画像形成装置は、用紙中央の基準折り線とスケール線とが記録されているテストチャートを、画像形成装置本体の記憶手段に読み出し可能に備えることにより、中折り処理における中折り位置の調整を容易かつ正確に実施可能である。即ち、調整に不慣れなユーザでも、調整不良を繰り返す事なく、最小の処理時間で正確に実施可能である。また、テストチャートは画像データとして画像形成装置に記憶しているため、専用のテストチャートを持ち歩くことなく、中折り処理における中折り位置の調整が速やかに実施可能である（請求項１〜３）。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
（２）  本発明の用紙後処理装置を備えた画像形成装置は、用紙の両端部位置近傍に端部スケール線が記録されているテストチャートを、画像形成装置本体の記憶手段に読み出し可能に備えることにより、断裁位置を容易かつ正確に調整可能である。また、テストチャートは画像データとして画像形成装置に記憶しているため、専用のテストチャートを持ち歩くことなく、断裁位置を容易かつ正確に調整可能である（請求項４，５）。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月10日(2003.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
給紙装置から供給される用紙を印刷し、給紙装置まで排出する記録装置であって、
前記給紙装置の概直上でかつ該給紙装置の開放部分を覆うよう配置され、記録後の用紙を積み重ねて収容するスタッカ本体を有し、該スタッカ本体には給紙装置の用紙に対向して、用紙の規制部が設けられ、
該規制部は、給紙ローラの数と配置に関係して設けられている、
ことを特徴とする記録装置。
【請求項２】
請求項１の記載において、規制部は用紙の供給方向に延設されたリブ状突起であることを特徴とする記録装置。
【請求項３】
請求項１又は２の記載において、規制部は給紙装置の側壁の上端より底部側に突出して設けられていることを特徴とする記録装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかの記載において、規制部は給紙装置の側壁に近い内側に設けられていることを特徴とする記録装置。
【請求項５】
請求項１の記載において、記録後の用紙を積み重ねるスタッカ本体に、用紙排出方向に凸状リブを複数配設したことを特徴とする記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、給紙装置から供給される用紙を印刷し、給紙装置まで排出する記録装置であって、給紙装置の概直上でかつ該給紙装置の開放部分を覆うよう配置され、記録後の用紙を積み重ねて収容するスタッカ本体を有し、該スタッカ本体には給紙装置の用紙に対向して、用紙の規制部が設けられ、該規制部は、給紙ローラの数と配置に関係して設けられていることを特徴とする。
請求項１の発明によれば、排紙スタッカの底面に規制部を設けたことにより用紙が給紙装置から供給される際に斜行し、給紙装置の側壁部に擦れて生ずる紙ループが抑えられ、用紙搬送路へ真っ直ぐ進入させることができるので、スキューの発生が抑えられると共に、紙ジャムが防止できるなど給紙の信頼性が向上される。また、用紙を給紙装置に入れたままで放置すると湿度等により紙変形を起こすが、規制部を設けることで紙変形を許容限度以下に抑えることができる。更に、排紙スタッカが給紙装置の直上に配置されているため、給紙装置の紙収納部が分離している給紙カセットの様な場合、挿入時の紙案内も兼ねており、仮に用紙が上反りしていても規制部により押さえ付けられ、スムースにセットできる。
加えて、規制部は給紙ローラの数と配置に関係して設けられているので、スキューや紙ジャム防止に関し必要最少限の規制部が設けられるので、構造の複雑化を回避できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項２の発明は、請求項１の記載において、規制部は用紙の供給方向に延設されたリブ状突起であることを特徴とする。
請求項２の発明によれば、スタッカ本体に一体成形することで、製造コストの低減が図れる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項３の発明は、請求項１又は２の記載において、規制部は給紙装置の側壁の上端より底部側に突出して設けられていることを特徴とする。
請求項３の発明によれば、用紙側端を揃える給紙装置の側壁部を低くでき、小型化が図れる。従って、相対的に用紙セット量を増加させることが可能となる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項４の発明は、請求項１〜３のいずれかの記載において、規制部は給紙装置の側壁に近い内側に設けられていることを特徴とする。
請求項４の発明によれば、紙ループを給紙装置の側壁付近で規制することで、用紙の進行に伴って紙ループが成長するのを抑えられるから、紙ループが側壁部を乗り越えるのを確実に防止できる。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項５の発明は、請求項１の記載において、記録後の用紙を積み重ねるスタッカ本体に、用紙排出方向に凸状リブを複数配設したことを特徴とする。
請求項５の発明によれば、複数の凸状リブにより、用紙とスタック本体の平面部との接触面積が小さくなり、静電気等による貼りつきがなくなって排出不良を防止できる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月22日(2004.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体及び化学機械研磨方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）複素環を有する化合物、（Ｂ）スルホン酸塩であるアニオン系界面活性剤、および（Ｃ）酸化剤を含有する化学機械研磨用水系分散体であって、上記（Ａ）複素環を有する化合物と上記（Ｂ）界面活性剤との質量比（Ａ）：（Ｂ）が１：１０〜１：０．０３であることを特徴とする銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体。
【請求項２】
上記質量比（Ａ）：（Ｂ）が１：３〜１：０．０５である請求項１記載の銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体。
【請求項３】
更に（Ｄ）砥粒を含有する請求項１又は２記載の銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体。
【請求項４】
上記（Ｄ）砥粒として少なくとも有機無機複合粒子を含む請求項３記載の銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体。
【請求項５】
上記（Ａ）複素環を有する化合物が、ベンゼン環またはナフタレン環と、窒素原子を少なくとも１個有する複素五員環または複素六員環と、により構成される縮合環を有する化合物である請求項１乃至４のうちのいずれか１項に記載の銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体。
【請求項６】
上記縮合環を有する化合物が、キノリン、イソキノリン、インドール、イソインドール、キナゾリン、シンノリン、キノキサリン、フタラジン、およびアクリジンの中から選ばれる構造を有する化合物である請求項５記載の銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体。
【請求項７】
上記縮合環を有する化合物がキナルジン酸である請求項５記載の銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体。
【請求項８】
上記（Ａ）複素環を有する化合物の含有量が０．０１〜１質量％である請求項１乃至７のうちのいずれか１項に記載の銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体。
【請求項９】
上記スルホン酸塩がドデシルベンゼンスルホン酸カリウムおよび／またはドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウムである請求項１乃至８のうちのいずれか１項に記載の銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体。
【請求項１０】
上記（Ｂ）スルホン酸塩であるアニオン系界面活性剤の含有量が０．００１〜０．１質量％である請求項１ないし９のうちのいずれか１項に記載の銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体。
【請求項１１】
上記（Ｃ）酸化剤が過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウムおよび過酸化水素のうちの少なくとも１種である請求項１ないし１０のうちのいずれか１項に記載の銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体。
【請求項１２】
上記（Ｃ）酸化剤の含有量が０．０１〜１５質量％である請求項１ないし１１のうちのいずれか１項に記載の銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体。
【請求項１３】
上記（Ｄ）砥粒がシリカである請求項３に記載の銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体。
【請求項１４】
上記シリカがコロイダルシリカであり、該コロイダルシリカに含有される不純物金属イオンが１０ｐｐｍ以下である請求項１３に記載の銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体。
【請求項１５】
上記コロイダルシリカの平均粒子径が１００ｎｍ以下である請求項１４に記載の銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体。
【請求項１６】
上記（Ｄ）砥粒の含有量が０．００１〜１５質量％である請求項３、４、１３、１４、または１５に記載の銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体。
【請求項１７】
請求項１ないし１６のうちのいずれか１項に記載の銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体を用いて、銅を研磨することを特徴とする化学機械研磨方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造において銅の研磨に有用な化学機械研磨用水系分散体（以下、単に「水系分散体」ともいう。）及び該水系分散体を用いた化学機械研磨方法に関する。さらに詳しくは、ＤＲＡＭおよび高速ロジックＬＳＩ等の０．１μｍ程度の微細な配線から１００μｍ程度の広い配線までの混載を必要とする半導体装置の配線形成工程において好適に使用できる化学機械研磨用水系分散体及び該水系分散体を用いた化学機械研磨方法に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記課題を解決するものであり、化学機械研磨工程において、高い研磨速度を実現し、かつ、オーバーポリッシュ実施時のエロージョンおよびエロージョン速度を低く抑制することができる銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体及び該水系分散体を用いた化学機械研磨方法を提供することを目的とする。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、上記目的は、（Ａ）複素環を有する化合物、（Ｂ）スルホン酸塩であるアニオン系界面活性剤（以下、単に「（Ｂ）界面活性剤」という。）、および（Ｃ）酸化剤を含有する化学機械研磨用水系分散体であって、上記（Ａ）複素環を有する化合物と上記（Ｂ）界面活性剤との質量比（Ａ）：（Ｂ）が１：１０〜１：０．０３である銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体によって達成される。
以下に本発明について、詳細に説明する。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記（Ｂ）界面活性剤としては、アニオン系界面活性剤として、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、α−オレフィンスルホン酸塩等のスルホン酸塩を挙げることができる。特に、ドデシルベンゼンスルホン酸カリウムおよび／またはドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウム等のスルホン酸塩が好ましい。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の化学機械研磨方法は、本発明の化学機械研磨用水系分散体を用いて、銅を研磨することを特徴とする。本発明の化学機械研磨方法のように、本発明の化学機械研磨用水系分散体を用いて、銅の化学機械研磨を実施する際には、市販の化学機械研磨装置（株式会社荏原製作所製、型式「ＥＰＯ−１１２」、「ＥＰＯ−２２２」、ラップマスターＳＦＴ社製、型式「ＬＧＰ−５１０」、「ＬＧＰ−５５２」、アプライドマテリアル社製、商品名「Ｍｉｒｒａ」等）を用いて所定の研磨条件で研磨することができる。
研磨後、被研磨面に残留する砥粒は除去することが好ましい。この砥粒の除去は通常の洗浄方法によって行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月28日(2003.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
粗ラクタムの水素添加処理は、水素添加触媒（以下、「触媒」ということがある）の存在下に水素ガスまたは水素含有ガスと接触させることにより行うことができる。該触媒としては、例えば、ニッケル、パラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム等のVIII族遷移金属が挙げられ、必要に応じてその２種以上を用いることもできる。触媒は、適当な担体に担持された担持触媒として用いるのが好ましく、該担体としては、例えば、活性炭、アルミナ、シリカ、チタニア等が挙げられる。中でも、触媒活性や触媒寿命の点から、パラジウムを活性炭の表面に担持したものや、さらに白金やルテニウムを共担持したものが好ましく、エッグシェルタイプの触媒が特に好ましい。パラジウムを活性炭に担持した触媒を用いる場合、パラジウムの担持量は、担持触媒全体に対して、通常０．１〜２０重量％、好ましくは０．５〜５重量％である。また、さらに白金やルテニウムが共担持された触媒を用いる場合、その担持量は、担持触媒全体に対して、通常２重量％以下である。なお、触媒の寿命は、使用する粗ラクタムや水添処理の条件により異なるが、本発明の方法によれば、１年以上とすることもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月29日(2003.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明において、モノマーＡとモノマーＢを重合させる方法としては、ラジカル重合に用いられるあらゆる手段が適用可能である。例えば、乾熱処理、スチーム処理、浸漬法、コールドバッチ法、マイクロ波処理、紫外線処理などが挙げられる。マイクロ波処理とは、２４５０ＭＨｚまたは９２０ＭＨｚの波長の高周波を被加熱物に当てることで発熱させるものである。これらの処理手段は、単独で適用してもよいし、加熱効率を高めるために、例えば、スチーム処理または乾熱処理時にマイクロ波処理または紫外線処理を併用するなどしてもよい。なお、空気中の酸素が存在すると重合が進みにくくなるので、乾熱処理、マイクロ波処理、紫外線処理の場合には、不活性ガス雰囲気下で処理するのが好ましく、コールドバッチ法の場合にも、シール材で密封するのが好ましい。