【手続補正書】
【提出日】平成26年11月4日(2014.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）ｉ）窒素、酸素、炭素、硫黄またはセレンをベースとする有機配位子を有する銅錯体、硫化銅、セレン化銅、およびそれらの混合物からなる群から選択される銅供給源、
ｉｉ）窒素、酸素、炭素、硫黄またはセレンをベースとする有機配位子を有するインジウム錯体、硫化インジウム、セレン化インジウム、およびそれらの混合物からなる群から選択されるインジウム供給源、
ｉｉｉ）任意選択的に、窒素、酸素、炭素、硫黄またはセレンをベースとする有機配位子を有するガリウム錯体、硫化ガリウム、セレン化ガリウム、およびそれらの混合物からなる群から選択されるガリウム供給源、および
ｉｖ）液体カルコゲン化合物、溶媒またはそれらの混合物を含む媒体
を含むＣＩＧＳ／Ｓｅの分子前駆体と、
ｂ）ＣＩＧＳ／Ｓｅ粒子、元素状Ｃｕ、ＩｎまたはＧａ含有粒子、２成分系または３成分系Ｃｕ、ＩｎまたはＧａ含有カルコゲニド粒子、およびそれらの混合物からなる群から選択される複数の粒子と
を含むインク。
【請求項２】
Ａ）基板と、
Ｂ）前記基板上に配置される少なくとも１つの層と
を含むコーティングされた基板であって、
前記基板上に配置される少なくとも１つの層が、
ａ）ｉ）窒素、酸素、炭素、硫黄またはセレンをベースとする有機配位子を有する銅錯体、硫化銅、セレン化銅、およびそれらの混合物からなる群から選択される銅供給源、
ｉｉ）窒素、酸素、炭素、硫黄またはセレンをベースとする有機配位子を有するインジウム錯体、硫化インジウム、セレン化インジウム、およびそれらの混合物からなる群から選択されるインジウム供給源、および
ｉｉｉ）任意選択的に、窒素、酸素、炭素、硫黄またはセレンをベースとする有機配位子を有するガリウム錯体、硫化ガリウム、セレン化ガリウム、およびそれらの混合物からなる群から選択されるガリウム供給源
を含むＣＩＧＳ／Ｓｅの分子前駆体と、
ｂ）ＣＩＧＳ／Ｓｅ粒子、元素Ｃｕ、ＩｎまたはＧａ含有粒子、２成分系または３成分系Ｃｕ、ＩｎまたはＧａ含有カルコゲニド粒子、およびそれらの混合物からなる群から選択される複数の粒子と
を含む、
コーティングされた基板。
【請求項３】
基板上にインクを配置して、コーティングされた基板を形成する工程を含む方法であって、前記インクが、
ａ）ｉ）窒素、酸素、炭素、硫黄またはセレンをベースとする有機配位子を有する銅錯体、硫化銅、セレン化銅、およびそれらの混合物からなる群から選択される銅供給源、
ｉｉ）窒素、酸素、炭素、硫黄またはセレンをベースとする有機配位子を有するインジウム錯体、硫化インジウム、セレン化インジウム、およびそれらの混合物からなる群から選択されるインジウム供給源、
ｉｉｉ）任意選択的に、窒素、酸素、炭素、硫黄またはセレンをベースとする有機配位子を有するガリウム錯体、硫化ガリウム、セレン化ガリウム、およびそれらの混合物からなる群から選択されるガリウム供給源、および
ｉｖ）液体カルコゲン化合物、溶媒またはそれらの混合物を含む媒体
を含むＣＩＧＳ／Ｓｅの分子前駆体と、
ｂ）ＣＩＧＳ／Ｓｅ粒子、元素Ｃｕ、ＩｎまたはＧａ含有粒子、２成分系または３成分系Ｃｕ、ＩｎまたはＧａ含有カルコゲニド粒子、およびそれらの混合物からなる群から選択される複数の粒子と
を含む
方法。
【請求項４】
ａ）無機マトリックスと、
ｂ）０．５〜２００ミクロンの平均最長寸法を特徴とし、前記無機マトリックスに包埋されたＣＩＧＳ／Ｓｅ微粒子と
を含む膜。
【請求項５】
請求項４に記載の膜を含む光電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８６】
実施例２の予言的部分：上記のとおり、銅（ＩＩ）アセチルアセトネート、セレン化インジウム（ＩＩＩ）および２−メルカプトエタノールから製造された分子前駆体の一部（１．０ｇ）を、撹拌棒を備えた４０ｍＬ隔壁キャップ琥珀ガラス瓶で、上記のとおり水性合成から製造されたＣＩＳ粒子（０．１６ｇ）と組み合わせる。得られる混合物を約２４時間１００℃の温度で攪拌し、ＣＩＳ／Ｓｅ分子前駆体およびＣＩＳ粒子のインクを得る。上記コーティング、乾燥、アニール手順に続いて、インクの膜をＳＬＧスライド上で形成する。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
［１］  ａ）ｉ）窒素、酸素、炭素、硫黄またはセレンをベースとする有機配位子を有する銅錯体、硫化銅、セレン化銅、およびそれらの混合物からなる群から選択される銅供給源、
ｉｉ）窒素、酸素、炭素、硫黄またはセレンをベースとする有機配位子を有するインジウム錯体、硫化インジウム、セレン化インジウム、およびそれらの混合物からなる群から選択されるインジウム供給源、
ｉｉｉ）任意選択的に、窒素、酸素、炭素、硫黄またはセレンをベースとする有機配位子を有するガリウム錯体、硫化ガリウム、セレン化ガリウム、およびそれらの混合物からなる群から選択されるガリウム供給源、および
ｉｖ）液体カルコゲン化合物、溶媒またはそれらの混合物を含む媒体
を含むＣＩＧＳ／Ｓｅの分子前駆体と、
ｂ）ＣＩＧＳ／Ｓｅ粒子、元素状Ｃｕ、ＩｎまたはＧａ含有粒子、２成分系または３成分系Ｃｕ、ＩｎまたはＧａ含有カルコゲニド粒子、およびそれらの混合物からなる群から選択される複数の粒子と
を含むインク。
［２］  前記分子前駆体または前記インクの少なくとも１種が、約９０℃より高い温度で熱処理されている、［１］に記載のインク。
［３］  前記インク中において、Ｃｕ：（Ｉｎ＋Ｇａ）のモル比が約１である、［１］に記載のインク。
［４］  前記インク中における（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ）に対する全カルコゲンのモル比が少なくとも約１である、［１］に記載のインク。
［５］  前記分子前駆体がカルコゲン化合物を含む、［１］に記載のインク。
［６］  前記分子前駆体が、元素状Ｓ、元素状Ｓｅ、ＣＳ2、ＣＳｅ2、ＣＳＳｅ、Ｒ1Ｓ−Ｚ、Ｒ1Ｓｅ−Ｚ、Ｒ1Ｓ−ＳＲ1、Ｒ1Ｓｅ−ＳｅＲ1、Ｒ2Ｃ（Ｓ）Ｓ−Ｚ、Ｒ2Ｃ（Ｓｅ）Ｓｅ−Ｚ、Ｒ2Ｃ（Ｓｅ）Ｓ−Ｚ、Ｒ1Ｃ（Ｏ）Ｓ−Ｚ、Ｒ1Ｃ（Ｏ）Ｓｅ−Ｚおよびそれらの混合物からなる群から選択されるカルコゲン化合物を含み、
各Ｚは、Ｈ、ＮＲ44およびＳｉＲ53からなる群から独立して選択され、
各Ｒ1およびＲ5は、ヒドロカルビル、およびＯ−、Ｎ−、Ｓ−、Ｓｅ−、ハロゲン−またはトリ（ヒドロカルビル）シリルで置換されたヒドロカルビルからなる群から独立して選択され、
各Ｒ2は、ヒドロカルビル、Ｏ−、Ｎ−、Ｓ−、Ｓｅ−、ハロゲン−またはトリ（ヒドロカルビル）シリルで置換されたヒドロカルビル、およびＯ−、Ｎ−、Ｓ−またはＳｅをベースとする官能基からなる群から独立して選択され、および
各Ｒ4は、水素、Ｏ−、Ｎ−、Ｓ−、Ｓｅ−、ハロゲン−またはトリ（ヒドロカルビル）シリルで置換されたヒドロカルビル、およびＯ−、Ｎ−、Ｓ−またはＳｅをベースとする官能基からなる群から独立して選択される
［１］に記載のインク。
［７］  前記窒素、酸素、炭素、硫黄またはセレンをベースとする有機配位子が、アミド；アルコキシド；アセチルアセトネート；カルボキシレート；ヒドロカルビル；Ｏ−、Ｎ−、Ｓ−、Ｓｅ−、ハロゲン−またはトリ（ヒドロカルビル）シリルで置換されたヒドロカルビル；チオレートおよびセレノレート；チオ−、セレノ−およびジチオカルボキシレート；ジチオ−、ジセレノ−およびチオセレノカルバメート；ならびにジチオキサントゲネートからなる群から選択される、［１］に記載のインク。
［８］  Ａ）基板と、
Ｂ）前記基板上に配置される少なくとも１つの層と
を含むコーティングされた基板であって、
前記基板上に配置される少なくとも１つの層が、
ａ）ｉ）窒素、酸素、炭素、硫黄またはセレンをベースとする有機配位子を有する銅錯体、硫化銅、セレン化銅、およびそれらの混合物からなる群から選択される銅供給源、
ｉｉ）窒素、酸素、炭素、硫黄またはセレンをベースとする有機配位子を有するインジウム錯体、硫化インジウム、セレン化インジウム、およびそれらの混合物からなる群から選択されるインジウム供給源、および
ｉｉｉ）任意選択的に、窒素、酸素、炭素、硫黄またはセレンをベースとする有機配位子を有するガリウム錯体、硫化ガリウム、セレン化ガリウム、およびそれらの混合物からなる群から選択されるガリウム供給源
を含むＣＩＧＳ／Ｓｅの分子前駆体と、
ｂ）ＣＩＧＳ／Ｓｅ粒子、元素Ｃｕ、ＩｎまたはＧａ含有粒子、２成分系または３成分系Ｃｕ、ＩｎまたはＧａ含有カルコゲニド粒子、およびそれらの混合物からなる群から選択される複数の粒子と
を含む、
コーティングされた基板。
［９］  基板上にインクを配置して、コーティングされた基板を形成する工程を含む方法であって、前記インクが、
ａ）ｉ）窒素、酸素、炭素、硫黄またはセレンをベースとする有機配位子を有する銅錯体、硫化銅、セレン化銅、およびそれらの混合物からなる群から選択される銅供給源、
ｉｉ）窒素、酸素、炭素、硫黄またはセレンをベースとする有機配位子を有するインジウム錯体、硫化インジウム、セレン化インジウム、およびそれらの混合物からなる群から選択されるインジウム供給源、
ｉｉｉ）任意選択的に、窒素、酸素、炭素、硫黄またはセレンをベースとする有機配位子を有するガリウム錯体、硫化ガリウム、セレン化ガリウム、およびそれらの混合物からなる群から選択されるガリウム供給源、および
ｉｖ）液体カルコゲン化合物、溶媒またはそれらの混合物を含む媒体
を含むＣＩＧＳ／Ｓｅの分子前駆体と、
ｂ）ＣＩＧＳ／Ｓｅ粒子、元素Ｃｕ、ＩｎまたはＧａ含有粒子、２成分系または３成分系Ｃｕ、ＩｎまたはＧａ含有カルコゲニド粒子、およびそれらの混合物からなる群から選択される複数の粒子と
を含む
方法。
［１０］  約３５０℃〜約８００℃でのアニール工程をさらに含み、前記アニール工程が、熱処理、急速熱処理、急速熱アニール、パルス熱処理、レーザービーム曝露、ＩＲランプによる加熱、電子ビーム露光、パルス電子ビーム処理、マイクロ波照射による加熱、またはそれらの組み合わせを含む、［９］に記載の方法。
［１１］  前記アニール工程を、不活性気体およびカルコゲン供給源を含む雰囲気下で実施する、［１０］に記載の方法。
［１２］  前記アニール工程を不活性気体を含む雰囲気下で実施し、前記インク中の（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ）に対する全カルコゲンのモル比が少なくとも約１である、［１０］に記載の方法。
［１３］  緩衝層、上部接触層、電極パッドおよび反射防止層からなる群から選択される１つまたは複数の層を、層状配列で前記アニールされたＣＩＧＳ／Ｓｅ膜上に配置する工程をさらに含む、［１１］に記載の方法。
［１４］  ａ）無機マトリックスと、
ｂ）０．５〜２００ミクロンの平均最長寸法を特徴とし、前記無機マトリックスに包埋されたＣＩＧＳ／Ｓｅ微粒子と
を含む膜。
［１５］  ［１４］に記載の膜を含む光電池。