【事件の表示】
　平成　３年特許願第１５０８６２号「光デイスク評価装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　４年１２月　７日出願公開、特開平　４−３５１７６１］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成３年５月２８日の出願であって、その請求項１及び２に係る発明は、平成１４年７月２５日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載されたとおりの「光デイスク評価装置」であるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
「光ディスクの欠陥評価を行う光ディスク評価装置において、光ディスク再生信号をあるしきい値で検出する第１の欠陥位置検出信号と該欠陥位置検出信号の前後に２以上の複数ビットで欠陥を拡大して得られる第２の欠陥検出信号を得るものとし、さらに第２の欠陥検出信号の欠陥位置が重なる欠陥信号が存在する場合は一つの欠陥信号として第２の欠陥検出信号の重なる部分を含めて該複数の第１の欠陥検出信号とを含める第３の欠陥検出信号を得ることを特徴とする光ディスク評価装置。」
　
２．公知刊行物（引用例）に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由で引用された実願昭６２−１３８１０９号（実開平１−４２４４６号）のマイクロフィルム（以下、「引用例」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。
　
（１）「〔産業上の利用分野〕
　本考案は、光ディスクの出荷検査項目の１つとして、記録面上の傷の有無を検出する光ディスク検査装置の改良に関するものである。」（第１頁第１５行〜第１８行）
　
（２）「〔従来の技術〕
　一般に、光デイスクの再生装置は、信号処理によるエラー訂正機能を有しており、記録面上に小さな傷が生じて、データに誤りや欠落が発生した場合にも、正しいデータに訂正することができる。したがって、光ディスク検査装置による出荷検査時においては、エラ一訂正をすることができないほどの大きさ（長さ）の傷だけを選択的に検出している。
　第３図は従来の光ディスク検査装置の一例を示す構成図である。この種の光ディスク検査装置では、光ディスクの記録面にレーザ光を照射するとともに、その反射光を検出し、反射光の強さに比例した出力信号を利用して各種の測定を行なっている。図において、１は光ディスク、２は光ディスク１を支持し、一定の速度で回転させるスピンドルモータ、３は光ディスク１にレーザ光を照射するとともに、その反射光の強さに比例した出力信号ＶＲを発生する測定ヘッドである。測定ヘッド３において、３１はレーザ光源、３２は集光レンズ、３３はビームスプリッタ、３４は受光素子であり、光ディスク１から戻ってきた反射光はビームスプリッタ３３により分離され、受光素子３４に入射する。また、測定ヘッド３はフォーカスサーボ機構およびトラッキングサーボ機構を有しており、光ディスク１に照射するレーザ光の焦点が常に案内溝に追従するように、集光レンズ３２を変位させるとともに、送り機構（図示せず）により光ディスク１の半径方向に送られている。４は測定ヘッド３の出力信号ＶＲを受け、傷の有無およびその長さなどの測定動作を行なう測定回路である。すなわち、受光素子３４に入射する反射光の強さは光ディスク１の反射率に比例したものであるので、出力信号ＶＲの大きさからは光ディスク１の反射率を知ることができる。また、光ディスク１の傷は反射光（反射率）の変化として検出されるので、出力信号ＶＲの変化の様子を観察すれば、傷の有無およびその長さを知ることができる。
　また、第４図はこのような光ディスク検査装置において傷の検出を行なう場合の構成例を示す図である。図において、４１は測定ヘッド３からの出力信号ＶＲを一定の基準レベルＶｔｈと比較する比較回路である。すなわち、第５図に示す如く、光ディスク１の表面に傷があると、その反射率が低下するので、測定ヘッド３の出力信号ＶＲを一定の基準レベルＶｔｈと比較すると、反射率の低下（傷の発生）に応じたパルス信号ＶＰ（以下、傷パルスＶＰという）を得ることができる。この傷パルスＶＰが傷測定における測定対象信号となる。なお、光ディスク１の特性により、傷の発生に応じて反射率が上昇する場合には、第５図における基準レベルＶｔｈは出力信号ＶＲの通常のレベルより高く設定される。また、基準レベルＶｔｈを上下に設ける場合もある。」（第１頁第１９行〜第４頁第１２行）
　
（３）「〔考案が解決しようとする問題点〕
　ここで、判別する傷の長さ（基地値ＮＳ）を１００μｍとし、第６図に示す如き傷パルスＶＰが印加された場合を考えてみると、Ａ，Ｂそれぞれの傷パルスＶＰはいずれも１００μｍ以下のものであり、この回路では傷として判別されることはない。
　しかしながら、このように短かい傷でも、その間の正常な部分が１０μｍ程度と狭い場合には、正確にエラー訂正を行なうことができず、再生時にエラーを発生してしまう。したがって、短かい傷が連続した場合、その間隔が狭い時には、これらを１つの連続した傷として扱い、判別を行なう必要がある。
　本考案は、上記のような従来装置の欠点をなくし、狭い間隔で傷が連続した場合には、これらを１つの傷として扱い、その長さを判別することのできる光ディスク検査装置を簡単な構成により実現することを目的としたものである。」（第５頁第１０行〜第６頁第７行）
　
（４）「〔実施例〕
　第１図は本考案の光ディスク検査装置の一実施例を示す構成図である。図において、前記第４図と同機のものは同一符号を付して示す。４４はモノマルチ、４５はオアゲート、４６はディレイラインである。モノマルチ４４はオアゲート４５を介して比較回路４１とプリセットカウンタ（判別回路）４２との間に並列に接続されている。モノマルチ４４は傷パルスＶＰの立下りでトリガされ、出力パルスＰＭを発生する。ディレイライン４６は傷パルスＶＰの立下りとモノマルチ４４の出力パルスＰＭの立上りとのタイミングを合せるために挿入されたものである。
　このように構成された光ディスク検査装置の動作を、第２図の波形図を使用して説明する。
　いま、第２図に示す如く、Ａ〜Ｃの３つの傷パルスＶＰが図のようなパルス幅および間隔で発生されたとする。また、エラー訂正に要する最低の時間を２０μｍとして、モノマルチ４４の出力パルスＰＭにおけるパルス幅Ｔ０は２０μｍに設定されている。さらに、判別すべき傷（傷パルスＶＰ）の長さＴＤを１００μｍとすれば、プリセットカウンタ４２に与えられる基準値ＮＳは、
　　　ＮＳ＝（ＴＤ＋Ｔ０）／ｔＣ　
のように選ばれている。ｔＣはクロックＣＬＫの周期である。なお、図では、モノマルチ４４による遅れ時間は無いものとし、ディレイライン４６による遅れ時間の調節動作は省略している。
　図に示す如く、傷パルスＶＰが発生されると、その立下りでモノマルチ４４がトリガされ、出力パルスＰＭが発生される。この出力パルスＰＭはオアゲート４５を介して傷パルスＶＰの後に加算される。したがって、間隔の狭い傷パルスＡ，Ｂにおいては、傷パルスＡの後に加算された出力パルスＰＭが立下る前に、傷パルスＢが立上ることになるので、これらの傷パルスＡ，Ｂが１つの傷パルスＶＰ’となり、プリセットカウンタ４２に印加される。この時、傷パルスＶＰ’は傷パルスＡ，Ｂおよび出力パルスＰＭが加算され、その長さは１００μｍを越えるので、プリセットカウンタ４２からはボロー出力Ｂ０が発生され、傷の発生が判別される。
　このように、傷パルス（Ａ）が発生された後に、出力パルスＰＭのパルス幅Ｔ０に比べて狭い間隔で次の傷パルス（Ｂ）が発生された場合には、これらの傷パルス（Ａ，Ｂ）は一連の傷パルスＶＰ’として、連続してプリセットカウンタ４２に印加されるようになるので、加算された傷長に対して判別が行なわれるようになり、光ディスクの欠陥を実際の再生状態に近い条件で、正しく評価することができる。
　また、傷パルスＣについては、傷パルスＢとの間隔（８０μｍ）がＴ０（２０μｍ）より広いので、傷パルスＣが発生される前に傷パルスＢ（出力パルスＰＭ）が立下り、連続した傷パルスＶＰ’とはならない。」（第７頁第１３行〜第１０頁第６行）
　
　したがって、これらの記載事項及び図面の記載を総合勘案すると、引用例には、「光ディスクの記録面上の傷の有無を検出する光ディスク検査装置において、光ディスクからの出力信号ＶＲを一定の基準レベルＶｔｈとの比較により得られる反射率の低下（傷の発生）に応じたパルス信号ＶＰ（以下、傷パルスＶＰという）と、傷パルスＶＰの発生により出力パルスＰＭを発生し、この出力パルスＰＭを傷パルスＶＰの後に加算するものとし、傷パルスＡが発生された後に、出力パルスＰＭのパルス幅に比べて狭い間隔で次の傷パルスＢが発生された場合には、傷パルスＡ，Ｂおよび出力パルスＰＭが加算され、これらの傷パルスＡ，Ｂが１つの傷パルスＶＰ’となる光ディスク検査装置。」の発明が記載されている。
　
３．対比
　本願発明と、引用例に記載された発明とを対比する。
　
（１）引用例に記載された発明における「光ディスクの記録面上の傷」は、本願発明における「光ディスクの欠陥」に相当するものである。したがって、引用例に記載された発明における「光ディスクの記録面上の傷の有無を検出する光ディスク検査装置」は、本願発明の「光ディスクの欠陥評価を行う光ディスク評価装置」に相当するものである。
　
（２）引用例に記載された発明における「光ディスクからの出力信号ＶＲを一定の基準レベルＶｔｈとの比較により得られる反射率の低下（傷の発生）に応じたパルス信号ＶＰ」すなわち「傷パルスＶＰ」は、本願発明の「光ディスク再生信号をあるしきい値で検出する第１の欠陥位置検出信号」に相当するものである。
　
（３）引用例に記載された発明における「出力パルスＰＭ」を「傷パルスＶＰ」の後に加算したパルスは、「傷パルスＶＰ」を拡大して得られるものであり、これは、「第１の欠陥位置検出信号」の欠陥を拡大して得られる「欠陥検出信号」であるとの点に限って、本願発明の「第２の欠陥検出信号」に相当するものである。
　
（４）引用例に記載された発明における「傷パルスＡが発生された後に、出力パルスＰＭのパルス幅に比べて狭い間隔で次の傷パルスＢが発生された場合」とは、「傷パルスＡ」を拡大して得られたパルスと「傷パルスＢ」とが重なる場合を示すものであり、これは、本願発明において「欠陥検出信号の欠陥位置が重なる欠陥信号が存在する場合」に相当する。
　
（５）更に、上記（４）で示したように「欠陥検出信号の欠陥位置が重なる欠陥信号が存在する場合」、引用例に記載された発明においては「傷パルスＡ，Ｂおよび出力パルスＰＭが加算され、これらの傷パルスＡ，Ｂが１つの傷パルスＶＰ’となる」。これは、引用例の第２図にも記載があるように、「傷パルスＡ」と「出力パルスＰＭ」とを加算したパルス（本願発明の「第２の欠陥検出信号」）と、「傷パルスＢ」（本願発明の「第１の欠陥位置検出信号」）との重なる部分と、「傷パルスＡ」及び「傷パルスＢ」（本願発明の「複数の第１の欠陥検出信号」）とを含んだ「１つの傷パルスＶＰ’」を得るものであり、本願発明における「一つの欠陥信号として欠陥検出信号の重なる部分を含めて該複数の第１の欠陥検出信号とを含める第３の欠陥検出信号を得ること」に相当する。したがって、引用例に記載された発明の「傷パルスＶＰ’」は、「欠陥検出信号」の重なる部分を含めて「複数の第１の欠陥検出信号」とを含めて得られる「欠陥検出信号」であるとの点に限って、本願発明の「第３の欠陥検出信号」に相当する。
　
　したがって、本願発明と引用例に記載された発明とは、次の点で一致している。
　
「光ディスクの欠陥評価を行う光ディスク評価装置において、光ディスク再生信号をあるしきい値で検出する第１の欠陥位置検出信号と該欠陥位置検出信号の欠陥を拡大して得られる第２の欠陥検出信号を得るものとし、さらに欠陥検出信号の欠陥位置が重なる欠陥信号が存在する場合は一つの欠陥信号として欠陥検出信号の重なる部分を含めて該複数の第１の欠陥検出信号とを含める第３の欠陥検出信号を得ることを特徴とする光ディスク評価装置。」
　
　一方、両者は、以下の点で相違している。
　
（ａ）相違点１
　本願発明においては、欠陥を拡大して得られる「第２の欠陥検出信号」が、「第１の欠陥位置検出信号」に「２以上の複数ビット」で欠陥を拡大して得られるものであるのに対し、引用例に記載された発明においては、「傷パルスＶＰ」（本願発明の「第１の欠陥位置検出信号」）に「出力パルスＰＭ」を加算することにより、欠陥を拡大したパルスを得ている点。
　
（ｂ）相違点２
　本願発明においては、欠陥を拡大して得られる「第２の欠陥検出信号」が、「第１の欠陥位置検出信号」の「前後」に欠陥を拡大して得られるものであるのに対し、引用例に記載された発明が、「傷パルスＶＰ」（本願発明の「第１の欠陥位置検出信号」）の「後」に「出力パルスＰＭ」を加算することにより、欠陥を拡大したパルスを得ている点。
　
（ｃ）相違点３
　本願発明においては、「第３の欠陥検出信号」を得る際に、欠陥位置が重なる欠陥信号が存在するか否かの判別を「第２の欠陥検出信号」を用いて行い、この「第２の欠陥検出信号」の重なる部分を含めて「第３の欠陥検出信号」を得ているのに対し、引用例に記載された発明においては、「傷パルスＶＰ’」を得る際に、「傷パルスＡ」と「出力パルスＰＭ」を加算したパルス）と、「傷パルスＢ」とを用いて欠陥位置の重なりを判別し、この「傷パルスＡ」と「出力パルスＰＭ」を加算したパルスと、「傷パルスＢ」の重なる部分を含めて「傷パルスＶＰ’」を得ている点。
　
４．当審の判断
（１）相違点１について
　相違点１で指摘した欠陥の拡大を「ビット」で行うか「パルス」で行うかとの違いは、本願発明が欠陥を「ビット」単位で検出しているのに対し、引用例に記載された発明が欠陥を「パルス幅」で検出していることに基づき生ずるものである。
　記録媒体の欠陥を「ビット」単位で検出することは、例えば、特開昭６３−２３４４５５号公報、特開平２−３１１８１号公報、及び特開昭６３−２９８８７４号公報に記載があるように、当該技術分野において周知の技術である。
　そして、このような周知技術を引用例に記載された発明に適用し、「パルス」で行っていた欠陥の拡大を「ビット」で拡大することに格別の困難性はない。
　
（２）相違点２について
　本願発明においても、引用例に記載された発明においても、欠陥を拡大した「欠陥検出信号」を得ているのは、一つの欠陥から「所定の範囲」内に別の欠陥があるか否かを検出するためのものである。つまり、連続して発生する欠陥の間隔が「所定の範囲」以下であるか否かを、欠陥を拡大した「欠陥検出信号」が重なるか否かによって検出しようとするものである。
　一般に、欠陥を検出した「欠陥位置検出信号」を拡大しようとするとき、その拡大の方法には、欠陥の「後」への拡大、欠陥の「前後」への拡大等があるが、欠陥の間隔を検出するのにあたり、欠陥の拡大を「後」にするか、或いは「前後」にするか、そのことにより格別な効果の差が生ずるものではなく、当業者が適宜選択可能な事項である。特に、「ビット」単位で検出された欠陥の拡大を、「後」だけでなく「前後」とすることに格別の困難性はない。
　
（３）相違点３について
　相違点３で指摘した「第３の欠陥検出信号」を得るために用いられる信号の違いは、相違点２で指摘した、欠陥の拡大を「欠陥検出信号」の「後」にするか「前後」にするかに基づき生ずるものである。即ち、引用例に記載された発明において欠陥の拡大を「傷パルスＶＰ」（本願発明の「第１の欠陥位置検出信号」）の「前後」とした場合には、「傷パルスＶＰ’」（本願発明の「第３の欠陥検出信号」）を得るために用いられる「傷パルスＡ」及び「傷パルスＢ」は、共に欠陥を拡大されたパルス（本願発明の「第２の欠陥検出信号」）となるものである。
　欠陥の拡大を「欠陥検出信号」の「後」にするか「前後」にするかとの点については、上記「（２）相違点２について」において判断したとおりであり、欠陥の拡大を、「後」だけでなく「前後」とすることに格別の困難性はない。
　
５．むすび
　以上のとおりであって、本願の請求項１に係る発明は、上記引用例及び周知の技術思想に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。