【事件の表示】
　平成１０年特許願第２８６２１６号「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年４月２１日出願公開、特開２０００−１１４３０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年１０月８日の出願であって、平成１５年２月６日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月１０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月９日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成１５年４月９日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１５年４月９日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「半導体基板上に、少なくとも一部にアルミニウムを主成分とする金属層とニッケルを主成分とする金属層とが相接して積層された金属層を有する半導体装置において、３００℃から５００℃の熱処理により、アルミニウムを主
成分とする金属層とニッケルを主成分とする金属層との境界面に形成されるＡｌ−Ｎｉ金属間化合物がＮｉＡｌ３を含み、相接して積層された部分のアルミニウムを主成分とする金属層の膜厚（ｔＡｌ）とニッケルを主成分とする金属層の膜厚（ｔＮｉ　）との比（ｔＡｌ／ｔＮｉ）が、５以上であることを特徴とする半導体装置。」と補正された。
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「熱処理」について「３００℃から５００℃の」との限定を付加するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか、つまり特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するかについて以下に検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である国際公開第９８／９３３２号パンフレット（以下、引用例１という。）には、図面とともに、
(2a)「１．A semiconductor device comprising electrodes formed on a semiconductor chip, and bumps each consisting of a spherically formed low melting point metal ball having a given size, and adhesive bonded to the elctrodes.」(請求項１)
(2b)「４．The semiconductor device according to claim 3, wherein the electrodes each comprise a layer of an electrode material composed of Al or Al alloy, and at least one metal layer or metal alloy layer laminated to the electrode material layer and having a melting point higher than the electrode material.
    　５．The semiconductor device according to claim 4, wherein the at least one layer laminated to the electrode material layer is formed from a metal selected from Ti, W, Ni, Cr, Au, Pd, Cu, Pt, Ag, Sn, Pb, or an alloy of these metals.」(請求項４，５)
(2c)「１０．A process for producing a semiconductor device provided with low melting point metal bumps on a semiconductor chip, the process comprising the steps of :
adhesive bonding low melting point metal balls each being spherically formed and having a given size to the electrodes, andreflowing the low melting point metal balls.」（請求項１０）
(2d)「Fig.1 shows a semicondutor device 1 of the present invention. The semiconductor device 1 is provided with low melting point metal ball bump 3 adhesive bonded onto the electrodes (not shown) formed on a surface of a semiconductor chip2.
 The low melting metal balls 3 can be formed from one of the various solders used for mounting a semiconductor device on a substrate. Examples of the solders include solders of Sn alloys such as a Sn-Pb alloy and a Sn-Ag alloy and solders of Pb alloys such as a Pb-In alloy.  」(４頁２８〜３７行)
(2e)「examples of the laminated structure of the electrode in which Al or its alloy is used as an electrode material may include Al/Ni, Al/Ni/Au，」（６頁７〜９行）
(2f)「An example of the production of a semiconductor device in the present invention will be explained by making reference to Fig. 4.
 As shown in Fig. 4A, a 100 x 100 μm electrode 42 1.0μm thick of an Al alloy (Al-Si-Cu alloy) is formed on a semiconductor chip 41 by sputtering. The reference numeral 43 in the figure designates a passivation film which compartments the electrode thus formed. Next, a metal layer 44 of Ni and a metal layer 45 of Cu each having a thickness of 80 nm are successively laminated to the chip electrode 42 by sputtering, as shown in Fig. 4B. 」
(８頁７〜１７行)
(2g)「The semiconductor device of the present invention provided with the bumps of solder balls 46 as shown in Fig. 4C may also be flip chip bonded to the substrate after forming semispherical bumps 47 by reflowing the solder balls once as shown in Fig. 4D.」
（９頁１〜５行）という記載があり、上記摘記事項（２ａ）〜（２ｇ）の日本語訳は以下のとおりである。
　
　摘記事項（２ａ）「１．半導体チップ上に形成された電極と、これらの電極に接着結合された、球状に形成された所定寸法の低融点金属ボールからなるバンプとを含む半導体装置。」、
（２ｂ）「４．前記電極が、Ａｌ又はＡｌ合金から構成された電極材料の層と、この電極材料層に積層された、当該電極材料よりも融点が高い金属層又は金属合金層を少なくとも一つ含む、請求項３記載の半導体装置。５．前記電極材料の層に積層された前記少なくとも一つの層が、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｓｎ又はＰｂから選択された金属又はこれらの金属の合金で形成されている、請求項４記載の半導体装置。」、
（２ｃ）「１０．半導体チップ上に低融点金属のバンプを備えた半導体装置を製造する方法であって、球状に形成された所定寸法の低融点金属のボールを電極に接着結合する工程、及びこの低融点金属ボールをリフローさせる工程を含むことを含む半導体装置製造方法」、
（２ｄ）「図１に、本発明の半導体装置１を示す。この半導体装置１は、半導体チップ２の表面に形成した電極（図示せず）上に接着結合された低融点金属ボールのバンプ３を備えている。低融点金属ボール３は、半導体装置を基板へ実装するのに使用される各種の半田類の一つから形成することができる。それらの半田の例には、Ｓｎ合金、例えばＳｎ−Ｐｂ合金及びＳｎ−Ａｇ合金等の半田や、Ｐｂ合金、例えばＰｂ−Ｉｎ合金等の半田が含まれる。」、
（２ｅ）「電極材料としてＡｌ又はその合金を使用する電極の積層構造の例には、・・・Ａｌ／Ｎｉ、Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕ」、
（２ｆ）「次に、図４を参照して、本発明の半導体装置の製造の一例を説明する。図４Ａに示すように、半導体チップ４１上に、１００×１００μｍのＡｌ合金（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金）の電極４２を、スパッタ法により１．０μｍの厚さで形成する。この図中の４３は、こうして形成した電極を区画しているパッシベーション膜を示している。次に、図４Ｂに示すように、チップ電極４２にＮｉの金属層４４とＣｕの金属層４５とをスパッタ法によりそれぞれ８０ｎｍの厚さで順次積層する。」、
（２ｇ）「図４Ｃに示された半田ボール４６のバンプを備えた本発明の半導体装置は、図４Ｄに示したように半田ボールを一旦リフローさせて半球状のバンプ４７を形成してから基板にフリップチップボンディングしてもよい。」
　そして摘記事項（２ａ）〜（２ｇ）を総合すると、引用例１には、
「半導体チップ上に、Ａｌ合金の電極を１．０μｍの厚さで形成し、次に
Ｎｉの金属層を８０ｎｍの厚さで積層した半導体装置で、電極上の低融点金属ボールをリフローさせる半導体装置。」との発明（以下「引用例１発明」という。）が開示されていると認めることができる。
　
（３）対比・判断
　そこで、本願補正発明と引用例１発明とを比較すると、引用例１発明の「半導体チップ」は、本願補正発明の「半導体基板」に相当し、以下同様に、「Ａｌ合金の電極」は「アルミニウムを主成分とする金属層」に、「Ｎｉの金属層」は「ニッケルを主成分とする金属層」に、それぞれ相当し、引用例１発明の「Ａｌ合金の電極を１．０μｍの厚さで形成し、次にＮｉの金属層を８０ｎｍの厚さで積層した」ことは、本願補正発明の「アルミニウムを主成分とする金属層の膜厚（ｔＡｌ）とニッケルを主成分とする金属層の膜
厚（ｔＮｉ）との比（ｔＡｌ／ｔＮｉ）が、５以上であること」に該当するから、両者は、
「半導体基板上に、少なくとも一部にアルミニウムを主成分とする金属層とニッケルを主成分とする金属層とが相接して積層された金属層を有する半導体装置において、相接して積層された部分のアルミニウムを主成分とする金属層の膜厚（ｔＡｌ）とニッケルを主成分とする金属層の膜厚（ｔＮｉ）との比（ｔＡｌ／ｔＮｉ）が、５以上である半導体装置。」
の点で一致する。そして、以下の点で一応相違している。
　本願補正発明では、３００℃から５００℃の熱処理により、アルミニウムを主成分とする金属層とニッケルを主成分とする金属層との境界面に形成されるＡｌ−Ｎｉ金属間化合物がＮｉＡｌ３を含む点が特定されているのに対して、引用例１発明においては、この点の記載がなく、電極上の低融点金属ボールをリフローさせることが特定されている点。
　上記相違点について検討すると、摘記事項（２ｄ）に「図１に、本発明の半導体装置１を示す。この半導体装置１は、半導体チップ２の表面に形成した電極（図示せず）上に接着結合された低融点金属ボールのバンプ３を備えている。低融点金属ボール３は、半導体装置を基板へ実装するのに使用される各種の半田類の一つから形成することができる。それらの半田の例には、
Ｓｎ合金、例えばＳｎ−Ｐｂ合金及びＳｎ−Ａｇ合金等の半田や、Ｐｂ合金、例えばＰｂ−Ｉｎ合金等の半田が含まれる。」と記載されているから、引用例１発明の低融点金属ボールとは、融点が３００℃以上のものも含まれていることになり（Ｐｂ−Ｉｎの典型的な組成であるＰｂ９５％−Ｉｎ５％：３１４℃）、バンプを形成するボールの材質としては種々の組成の半田ボールや融点が４００℃以下の、いわゆる、低融点合金あるいは金属が使用できることが知られているので（特開平８−３０６６９５号公報【００１１】３〜５行）、引用例１発明において、低融点金属ボールをリフローさせることは、３００℃から５００℃の熱処理をすることであるといえる。また、さらに、３００℃から５００℃の熱処理により、アルミニウムを主成分とする金属層とニッケルを主成分とする金属層の境界面にＮｉＡｌ３の金属間化合物が生成することは、アルミニウムを主成分とする金属層とニッケルを主成分とする金属層の境界面においては、Ａｌ原子とＮｉ原子が混合され、混合状態において、ＡｌとＮｉの金属間化合物が形成されることが自明であり、そして、ＮｉＡｌ３は、その典型的なＡｌ−Ｎｉ金属間化合物であることから、明らかである。
　したがって、引用例１発明の低融点金属ボールをリフローさせる処理によっても、当然、アルミニウムを主成分とする金属層とニッケルを主成分とする金属層との境界面にＮｉＡｌ３を含むＡｌ−Ｎｉ金属間化合物が形成されるといえる。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に適合しないものであり、特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１５年４月９日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願請求項に係る発明は、平成１５年１月９日付手続補正書の特許請求の範囲に記載された事項により特定されるものと認められ、そのうち請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「半導体基板上に、少なくとも一部にアルミニウムを主成分とする金属層とニッケルを主成分とする金属層とが相接して積層された金属層を有する半導体装置において、熱処理により、アルミニウムを主成分とする金属層とニッケルを主成分とする金属層との境界面に形成されるＡｌ−Ｎｉ金属間化合物がＮｉＡｌ３を含み、相接して積層された部分のアルミニウムを主成分とする金属層の膜厚（ｔＡｌ）とニッケルを主成分とする金属層の膜厚（ｔＮｉ　）との比（ｔＡｌ／ｔＮｉ）が、５以上であることを特徴とする半導体装置。」
　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１、および、その記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から「熱処理」の限定事項である「３００℃から５００℃の」との特定するために必要な事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の特定事項を全て含み、さらに他の特定事項を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（３）」に記載したとおり、引用例１に記載された発明であるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１に記載された発明である。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができないものであり、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。