【事件の表示】
　平成３年特許願第２３００８３号「シリコン基板の加工方法」拒絶査定不服審判事件〔平成５年３月１２日出願公開、特開平５−６２９６４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
理　由
［１］手続の経緯・本願発明
　本願は、平成３年９月１０日（優先権主張平成２年１０月１２日、平成３年７月３日）の出願であって、その請求項１〜４に係る発明は、平成１０年９月３日付け、平成１２年１２月２５日付け、平成１３年３月２６日付け、平成１３年６月１８日付け、及び平成１３年１１月２６日付けの各手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
「シリコン基板の表面に膜厚の異なる領域を有するエッチングマスクを形成する第１工程と、エッチング液により前記エッチングマスクを順次消失させ、引き続き消失したエッチングマスクの下地のシリコン基板をエッチングすることにより、前記エッチング液による１回の工程で、前記シリコン基板に前記エッチングマスクの膜厚の異なる複数の領域に対応した複数の深さの異なる凹部を形成することを特徴とするシリコン基板の加工方法。」
　　
［２］引用刊行物の記載事項
　これに対して、前置審査において平成１３年９月１２日付けで通知した拒絶の理由に引用した、本願優先権主張日前頒布された刊行物である特開昭５７−１００７３４号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、
［２−１］「１．半導体表面にそれぞれ深さの異なる複数の凹部領域を形成するにあたり、該基板表面の露出した領域と、該基板よりもエッチングされ難い物質からなる被膜の厚さがそれぞれ異なるようにして覆われた複数の領域とを設け、次いで表面より前記被膜と半導体基体とを同時にエッチングした後、前記被膜のみにエッチングを施し、薄い被膜により覆われた領域の前記半導体基板表面を露出せしめ、次いで、再び半導体基板のエッチングを行なう工程を有することを特徴とする半導体基板のエッチング方法。」（特許請求の範囲第１項）と記載され、また、
［２−２］第１図（１）〜（８）が示されるとともに、同図と対応させて、
「第１図参照
　本発明による一実施例として、シリコン基板に深さ４０〔μｍ〕と１５〔μｍ〕の凹部領域を形成する方法について説明する。
（１）（１，０，０）面を表面に有するシリコン基板１に、例えばウェット酸化により二酸化シリコン被膜（ＳｉＯ２）２を約６００〔ｎｍ〕形成する。
（２）通常のフォトプロセスにより浅い凹部領域を形成する領域の二酸化シリコンのみを露出させる。ついでＮＨ４Ｆ−ＨＦの緩衝エッチング液（ＳｉＯ２に対するエッチングレートは１００ｎｍ／ｍｉｎ）で前記露出した領域の二酸化シリコン被膜のみを除去し、シリコン基板の露出した領域３を形成する。
（３）前記レジストを除去した後に再びウェット酸化を施し、前記シリコン基板の露出した領域３に約２５０〔ｎｍ〕の厚さの二酸化シリコン被膜４を形成する。ここでは基板上全面にウェット酸化を施すので既に形成されていた厚さ約６００〔μｍ〕の二酸化シリコン被膜でも酸化が進行し、その厚さは７００〔μｍ〕となる。
（４）フォトプロセスとエッチングにより、深い凹部領域を形成する領域の二酸化シリコン被膜２を除去し、シリコン基板の露出した領域５を形成する。
（５）レジストを除去した後、例えば水酸化カリウム（ＫＯＨ）の様なエッチングレートに異方性を有し、且つマスク材として使用している二酸化シリコンをも同時にエッチング可能な薬品で表面からエッチングを開始する。５０〔ｗｔ％〕の水溶液を、液温約７２〜７４〔℃〕で使用した場合シリコンのエッチングレートは０．３〜０．５〔μｍ／ｍｉｎ〕で、同様に二酸化シリコンのエッチングレートは２．４〜４．０〔ｎｍ／ｍｉｎ〕でシリコンに比べ約１／１２５である。シリコン基板の露出した領域５でのエッチングが約２５〔μｍ〕進んだ時点で二酸化シリコン被膜２及び４では約２００〔ｎｍ〕進行している。従って、二酸化シリコン被膜４は、約５０〔ｎｍ〕、その他領域での二酸化シリコン被膜２の膜厚は約５００〔ｎｍ〕となっている。
（６）前記ＫＯＨによるエッチングを停止し、ＮＨ４Ｆ−ＨＦ緩衝エッチング液を使用して浅い凹部領域を形成する領域の二酸化シリコン被膜４が除去され、シリコン基板の表面が露出するまでエッチングを行なう。ここでＮＨ４Ｆ−ＨＦ緩衝エッチング液は、シリコンを腐食しないため、前記（５）の工程で形成された深さ約２５〔μｍ〕の凹部領域の形状が変化することはない。
（７）再びＫＯＨを使用して、シリコン基板及び二酸化シリコン被膜のエッチングを開始する。前記（６）の工程でシリコン基板の表面を露出せしめた領域７でのエッチングが約１５〔μｍ〕進行し、浅い凹部領域８を形成した時点で、深い凹部領域６の深さは約４０〔μｍ〕となっている。」（第３頁左上欄１９行〜右下欄１６行）と記載され、また、
［２−３］「実施例では深さの異なる二つの凹部領域、又は、１つの段差を有する凹部領域の形成について説明したが、本発明によれば、３段階以上に深さの異なる凹部領域、又は、２つ以上の段差を有する凹部領域の形成も可能である。」（第５頁左上欄１６行〜右上欄１行）と記載され、また、
［２−４］「本発明と同種のものに、‥‥‥‥‥半導体基板表面に、基板よりもエッチングされ難い物質からなる被膜を、それぞれの領域で被膜の厚さが異なるように複数の領域で形成して、ついで表面より前記被膜と半導体基板とを同時にエッチングして、それぞれ深さの異なる複数の凹部領域を形成する発明が出願されている。これに対し、本発明は、エッチングマスクであるところの被膜のみをエッチングする工程を有しており、工程的には繁雑なものとなるものの、基板のみのエッチングレートにより深い凹部領域と、浅い凹部領域での深さの差を設定するものであり、正確な制御が可能である。」（第２頁右下欄７〜２０行）と記載されている。
　　
［３］対比・判断
上記［２−１］〜［２−３］に摘記した事項を総合すると、引用刊行物には、シリコン基板表面にそれぞれ深さの異なる複数の凹部領域を形成するにあたり、該シリコン基板表面の露出した領域と、該シリコン基板よりもエッチングされ難い物質である二酸化シリコン被膜の厚さがそれぞれ異なるようにして覆われた複数の領域とを設け、次いで表面より該二酸化シリコン被膜とシリコン基板とをエッチング液（以下、「第１のエッチング液」という。）で同時にエッチングした後、該二酸化シリコン被膜のみにＮＨ４Ｆ−ＨＦ緩衝エッチング液でエッチングを施し、薄い被膜により覆われた領域のシリコン基板表面を露出せしめ、次いで再び第１のエッチング液でシリコン基板のエッチングを行なう工程を有するシリコン基板のエッチング方法の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されており、また、摘記［２−３］における「本発明によれば、３段階以上に深さの異なる凹部領域、又は、２つ以上の段差を有する凹部領域の形成も可能である」との記載によれば、引用発明は、エッチングマスクに多段階に膜厚の異なる複数の領域を設け、その膜厚の異なる複数の領域に対応した複数の深さの異なる凹部をシリコン基板に形成する態様を含むことも明らかである。
　そして、本願発明１と引用発明とを対比すると、引用発明の「シリコン基板よりもエッチングされ難い物質である二酸化シリコン被膜」、「該シリコン基板表面の露出した領域と、該シリコン基板よりもエッチングされ難い物質である二酸化シリコン被膜の厚さがそれぞれ異なるようにして覆われた複数の領域とを設け」、「第１のエッチング液、及び、ＮＨ４Ｆ−ＨＦ緩衝エッチング液」、「次いで再び第１のエッチング液でシリコン基板のエッチングを行なう」、「エッチング方法」はそれぞれ、本願発明１の「エッチングマスク」、「シリコン基板の表面に膜厚の異なる領域を有するエッチングマスクを形成する」、「エッチング液」、「引き続き消失したエッチングマスクの下地のシリコン基板をエッチングする」、「加工方法」に該当するので、両者は、「シリコン基板の表面に膜厚の異なる領域を有するエッチングマスクを形成する第１工程と、エッチング液により前記エッチングマスクを順次消失させ、引き続き消失したエッチングマスクの下地のシリコン基板をエッチングすることにより、前記シリコン基板に前記エッチングマスクの膜厚の異なる複数の領域に対応した複数の深さの異なる凹部を形成するシリコン基板の加工方法。」の点で一致し、下記（イ）の点のみで相違する。
（イ）本願発明１では、エッチング液による１回の工程で、シリコン基板に前記エッチングマスクの膜厚の異なる複数の領域に対応した複数の深さの異なる凹部を形成するのに対し、引用発明では、第１のエッチング液によるエッチング工程とＮＨ４Ｆ−ＨＦ緩衝エッチング液によるエッチング工程を含む複数の工程で、同様の凹部を形成する点。
　　
　そこで、相違点（イ）について以下検討する。
  エッチング液による１回の工程でエッチングマスク及び半導体基板の露出表面をエッチングして、該半導体基板に複数の深さの異なる凹部を形成することは本願優先権主張日前周知であり（例えば、特開昭６１−１６１７２５号公報、特開昭６２−８８３３４号公報参照）、また、この周知技術については引用刊行物でも、「本発明と同種のものに、‥‥‥‥‥半導体基板表面に、基板よりもエッチングされ難い物質からなる被膜を、それぞれの領域で被膜の厚さが異なるように複数の領域で形成して、ついで表面より前記被膜と半導体基板とを同時にエッチングして、それぞれ深さの異なる複数の凹部領域を形成する発明が出願されている。これに対し、本発明は、エッチングマスクであるところの被膜のみをエッチングする工程を有しており、工程的には繁雑なものとなる」（摘記［２−４］）との記載により、引用発明の前提技術として述べられているとともに、エッチングマスクのみをエッチングする工程を有している引用発明の方が、その前提技術である上記周知技術に比して工程的に繁雑であると記載されているのであるから、引用発明において、ＮＨ４Ｆ−ＨＦ緩衝エッチング液によりエッチングマスクのみをエッチングする工程を行わず、その前提技術である上記周知技術のように、第１のエッチング液による１回の工程のみで半導体基板に複数の深さの異なる凹部を形成するように変更することは、当業者が容易に想到できることである。
　また、そのエッチング工程の繁雑さを解消し得ることは、引用刊行物の上記前提技術についての記載から当業者が普通に予測できることであるから、その効果も格別なものとはいえない。
　したがって、本願発明１は、引用発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである
　　
［５］むすび
　以上のとおり、本願発明１は、引用発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、上記のとおり本願発明１が特許を受けることができないため、本願の他の請求項２〜４に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。