【手続補正書】
【提出日】平成15年9月11日(2003.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レベル変換回路および表示デバイス
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型トランジスタと、当該第１導電型トランジスタに接続される負荷回路とを有する１段目の回路と、
第１導電型トランジスタと、当該第１導電型トランジスタに接続される第２導電型トランジスタとを有する２段目の回路とを備え、
前記１段目の回路の第１導電型トランジスタ、および前記２段目の回路の第１導電型トランジスタの電極の中で、出力または次段への出力に接続される電極以外の電極は全て、前記外部入力信号電圧または直流電圧が印加されることを特徴とするレベル変換回路。
【請求項２】
前記１段目の回路の前記負荷回路は、第２導電型トランジスタから成り、
前記負荷回路の前記第２導電型トランジスタのゲート電極には、外部から入力信号が印加されないことを特徴する請求項１に記載のレベル変換回路。
【請求項３】
前記負荷回路の前記第２導電型トランジスタのゲート電極は、前記負荷回路の前記第２導電型トランジスタのドレイン電極に接続されることを特徴とする請求項２に記載のレベル変換回路。
【請求項４】
前記負荷回路の前記第２導電型トランジスタのゲート電極には、直流電圧が印加されることを特徴とする請求項２に記載のレベル変換回路。
【請求項５】
前記負荷回路は、抵抗素子から成ることを特徴とする請求項１に記載のレベル変換回路。
【請求項６】
前記１段目の回路の前記第１導電型トランジスタのゲート電極、および、前記２段目の回路の前記第１導電型トランジスタのソース電極には、前記外部入力信号が印加されることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載のレベル変換回路。
【請求項７】
前記２段目の回路の前記第１導電型トランジスタのゲート電極には、前記外部入力信号の低電圧レベルより高レベルで、かつ、前記外部入力信号の高電圧レベル以下のレベルの直流電圧が印加されることを特徴とする請求項６に記載のレベル変換回路。
【請求項８】
前記１段目の回路の前記第１導電型トランジスタのソース電極、および、前記２段目の回路の前記第１導電型トランジスタのゲート電極には、前記外部入力信号が印加されることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載のレベル変換回路。
【請求項９】
前記１段目の回路の前記第１導電型トランジスタのゲート電極には、前記外部入力信号の低電圧レベルより高レベルで、かつ、前記外部入力信号の高電圧レベル以下のレベルの直流電圧が印加されることを特徴とする請求項８に記載のレベル変換回路。
【請求項１０】
振幅が、第１の電圧レベルと、当該第１の電圧レベルより低電位の第２の電圧レベルとの間の入力信号を、前記第１の電圧レベルよりも高電位の第３の電圧レベルと、前記第２の電圧レベルとの間の振幅の電圧に変換して出力するレベル変換回路で、前記第３の電圧レベルを出力するための電源電圧が供給されるレベル変換回路であって、
前記入力信号が前記第１の電圧レベルのときに、前記電源電圧、あるいは、外部から供給される前記入力信号電圧を出力し、
前記入力信号が前記第２の電圧レベルのときに、外部から供給される前記入力信号電圧、あるいは、前記電源電圧を出力することを特徴とするレベル変換回路。
【請求項１１】
前記レベル変換回路は、第１導電型トランジスタと、当該第１導電型トランジスタに接続される第２導電型トランジスタとを有する出力回路を有し、
前記入力信号が前記第１の電圧レベルのときに、前記第２導電型トランジスタを介して前記電源電圧、あるいは、前記第１導電型トランジスタを介して前記外部から供給される入力信号電圧を出力し、
前記入力信号が前記第２の電圧レベルのときに、前記第１導電型トランジスタを介して前記外部から供給される入力信号電圧、あるいは、前記第２導電型トランジスタを介して前記電源電圧を出力することを特徴とする請求項１０に記載のレベル変換回路。
【請求項１２】
前記出力回路の前段に、インバータ回路、あるいは、バッファ回路を有し、
前記インバータ回路、およびバッファ回路は、前記出力回路の第２導電型トランジスタのＯＮ、ＯＦＦは制御するが、前記出力回路の第１導電型トランジスタのＯＮ、ＯＦＦは直接制御しないことを特徴とする請求項１１に記載のレベル変換回路。
【請求項１３】
透明な基板上に薄膜トランジスタと画素電極とを有する複数の画素と、
前記画素を駆動する駆動回路とを備える表示デバイスであって、
前記駆動回路は、前記請求項１に記載のレベル変換回路を介して外部回路からの信号が入力され、
前記レベル変換回路の第１導電型トランジスタは、前記画素の前記薄膜トランジスタと同時に形成されることを特徴とする表示デバイス。
【請求項１４】
前記レベル変換回路の第１導電型トランジスタの半導体層は、多結晶シリコンから成ることを特徴とする請求項１３に記載の表示デバイス。
【請求項１５】
透明な基板上に薄膜トランジスタと画素電極とを有する複数の画素と、
前記画素を駆動する駆動回路とを備える表示デバイスであって、
前記駆動回路は、前記請求項１に記載のレベル変換回路を介して外部回路からの信号が入力され、
前記レベル変換回路の第２導電型トランジスタは、前記画素の前記薄膜トランジスタと同時に形成されることを特徴とする表示デバイス。
【請求項１６】
複数の画素と、
前記複数画素へ信号を供給する駆動回路とを有し、
前記駆動回路は、第１の電圧と前記第１の電圧よりも低い第２の電圧との間で振幅する信号が入力される入力端子と、前記第１の電圧よりも高い第３の電圧と、前記第２の電圧との間で振幅する信号を出力する出力端子と、第１導電型の第１トランジスタと、第２導電型の第２トランジスタと、第１導電型の第３トランジスタと、負荷回路とを有し、
前記入力端子は、前記第１トランジスタのゲート電極と前記第３トランジスタのソース領域とに接続され、
前記出力端子は、前記第２トランジスタのソース領域と前記第３トランジスタのドレイン領域とに接続され、
前記第１トランジスタのドレイン領域は前記第２トランジスタのゲート電極に接続され、
前記第１トランジスタのソース領域には接地電位が供給され、
前記第２トランジスタのドレイン領域は前記第３の電圧を供給する電源線に接続され、
前記第３トランジスタのゲート電極には、前記第２の電圧より高く、前記第１の電圧以下の直流電圧が供給され、
前記第２トランジスタのゲート電極と前記電源線との間には前記負荷回路が接続され、
前記入力端子に前記第１の電圧が入力された場合には前記第３の電圧が前記出力端子から出力され、前記入力端子に前記第２の電圧が入力された場合には前記第２の電圧が前記出力端子から出力されるレベル変換回路を有することを特徴とする表示デバイス。
【請求項１７】
前記第１トランジスタの半導体層は、多結晶シリコンで構成されることを特徴とする請求項１６に記載の表示デバイス。
【請求項１８】
前記負荷回路は、前記第２導電型のトランジスタにより構成されることを特徴とする請求項１６または請求項１７に記載の表示デバイス。
【請求項１９】
前記複数の画素の各々は、第２導電型のトランジスタを有することを特徴とする請求項１５ないし請求項１７のいずれか１項に記載の表示デバイス。
【請求項２０】
前記表示デバイスは、液晶表示装置であることを特徴とする請求項１５ないし請求項１９のいずれか１項に記載の表示デバイス。