Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月7日(2014.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
麻疹ウイルスの糖タンパク質Ｈおよび糖タンパク質Ｆでシュードタイプ化したレトロウイルスベクターでＢ細胞を形質導入し、形質導入Ｂ細胞を得ることを含み、その際、前記レトロウイルスベクターは、形質Ｂ細胞に適合する異種プロモーターに作動可能に連結された目的の核酸を含み；かつ
分化した形質導入Ｂ細胞が前記目的の核酸を発現するように、前記形質導入Ｂ細胞を形質細胞に分化させるのに十分な条件下で、ＩＬ−２、ＩＬ−７、ＩＬ−１０、およびＣｐＧからなる群から選択される因子の１つ以上を含むＢ細胞活性化因子と組み合わせて、ＣＤ４０Ｌを含む組成物と前記形質導入休止Ｂ細胞を接触させることを含む、Ｂ細胞において目的の核酸を発現させる方法。
【請求項２】
前記レトロウイルスベクターがレンチウイルスベクター、または前記レトロウイルスベクターがレンチウイルスアクセサリー遺伝子を欠くレンチウイルスベクターであることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記目的の核酸が、少なくとも免疫グロブリンのＶＬ領域およびＶＨ領域、抗体タンパク質もしくはその抗原結合断片、融合タンパク質またはＤＮＡにコードされる小分子をコードする核酸を含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記抗体が、抗ＨＩＶ抗体、抗ＲＮＡ抗体、または免疫調節に関与するタンパク質に結合する抗体である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ＣＤ４０Ｌが可溶性であり、細胞または細胞株上に提供され、または組織培養プレートまたはビーズに結合されている、請求項１または２に記載の方法。
【請求項６】
前記プロモーターがＢ細胞特異的プロモーターである、請求項１または２に記載の方法。
【請求項７】
前記プロモーターがＥＥＫプロモーターである、請求項１または２に記載の方法。
【請求項８】
麻疹ウイルスの糖タンパク質Ｈおよび糖タンパク質Ｆでシュードタイプ化したレトロウイルスベクターで多数のＢ細胞を形質導入し、多数の形質導入Ｂ細胞を得ることを含み、その際、前記レトロウイルスベクターは、前記Ｂ細胞の少なくとも２０％を形質導入するのに十分な条件下で、形質Ｂ細胞に適合する異種プロモーターに作動可能に連結された目的の核酸を含み；かつ
前記形質導入Ｂ細胞の少なくとも２０％が前記目的の核酸を発現するように、前記形質導入Ｂ細胞を活性化させまたは前記形質導入Ｂ細胞を形質細胞に分化させるのに十分な条件下で、ＩＬ−２、ＩＬ−７、ＩＬ−１０、およびＣｐＧからなる群から選択される因子の１つ以上を含むＢ細胞活性化因子と組み合わせて、ＣＤ４０Ｌを含む組成物と前記多数の形質導入休止Ｂ細胞を接触させることを含む、Ｂ細胞において目的の核酸を発現させる方法。
【請求項９】
形質導入のステップの前は、多数のＢ細胞が休止Ｂ細胞である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
１つまたは多数の休止Ｂ細胞を血液から単離する、請求項１または請求項９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記レトロウイルスベクターがレンチウイルスベクターであるかまたは前記レトロウイルスベクターがレンチウイルスアクセサリー遺伝子を欠くレンチウイルスベクターであるる、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記形質細胞が、ＣＤ３８、ＣＤ７８、インターロイキン−６受容体、ＣＤ２７高、およびＣＤ１３８からなる群から選択される１つ以上のマーカーの細胞表面発現によって特徴づけられる、請求項８〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
請求項８〜１２のいずれか１項に記載の方法であって、１つ以上の：
（ａ）前記目的の核酸が、少なくとも免疫グロブリンのＶＬ領域およびＶＨ領域をコードする核酸を含み、
（ｂ）前記目的の核酸が、抗体タンパク質もしくはその抗原結合断片、融合タンパク質またはＤＮＡにコードされる小分子をコードし、  （ｃ）前記目的の核酸が、抗ＨＩＶ抗体、抗ＲＮＡ抗体、または免疫調節に関与するタンパク質に結合する抗体をコードし、かつ（ｄ）
前記ＣＤ４０Ｌが細胞または細胞株上に提供されるかまたは、組織培養プレートまたはビーズに結合されていることを特徴とする方法。
【請求項１４】
前記プロモーターがＢ細胞特異的プロモーターであるか、または、前記プロモーターがＥＥＫプロモーターである、請求項８〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法であって、前記Ｂ細胞は、ＩＬ−１、ＩＬ−２、ＩＬ−３、ＩＬ−４、ＩＬ−５、ＩＬ−６、ＩＬ−７、ＩＬ−８、ＩＬ−９、ＩＬ−１０、ＩＬ−１１、ＩＬ−１２、ＩＬ−１３、ＩＬ−１４、ＩＬ−１５、ＩＬ−１６、ＩＬ−１７、ＩＬ−１８、ＩＬ−１９、ＩＬ−２０、ＩＬ−２１、ＩＬ−２２、ＩＬ−２３、ＩＬ−２４、ＩＬ−２５、ＩＬ−２６、ＩＬ−２７、ＩＬ−２８、ＩＬ−２９、ＩＬ−３０、ＩＬ−３１、ＩＬ−３２、ＩＬ
−３３、ＩＬ−３４、およびＩＬ−３５、ＩＦＮ−γ、ＩＦＮ−α、ＩＦＮ−β、ＩＦＮ−ω、Ｃ型ケモカインＸＣＬ１およびＸＣＬ２、Ｃ−Ｃ型ケモカインおよびＣＣＬ１〜ＣＣＬ２８、およびＣＸＣ型ケモカイン、ＣＸＣＬ１〜ＣＸＣＬ１７、およびＴＮＦスーパーファミリーのＴＮＦ−α、４−１ＢＢリガンド、Ｂ細胞活性化因子（ＢＬｙＳ）、ＦＡＳリガンド、リンホトキシン、ＯＸ４０Ｌ ＲＡＮＫＬおよびＴＲＡＩＬからなる群から選択される活性化Ｂ細胞と追加的に接触することを特徴とする方法。
【請求項１６】
Ｂ細胞活性化因子と組み合わせて、ＣＤ４０Ｌを含む組成物と休止Ｂ細胞を接触させ、活性化Ｂ細胞を得ることを含み、その際、前記Ｂ細胞活性化因子は、ＩＬ−２、ＩＬ−７、ＩＬ−１０、およびＣｐＧからなる群から選択される因子の１つ以上を含み、前記接触のステップが前記Ｂ細胞を活性化するのに十分な条件下で行われ、その結果、それが形質細胞に分化し；かつ
前記活性化Ｂ細胞を、麻疹ウイルスの糖タンパク質Ｈおよび糖タンパク質Ｆでシュードタイプ化したレトロウイルスベクターで形質導入し、形質導入し、分化した形質細胞を得ることを含み、その際、前記レトロウイルスベクターは、前記形質導入し、分化した形質細胞が前記目的の核酸を発現するように、形質Ｂ細胞に適合する異種プロモーターに作動可能に連結された前記目的の核酸を含む、Ｂ細胞において目的の核酸を発現させる方法。
【請求項１７】
前記レトロウイルスベクターがレンチウイルスベクターであるか、または前記レトロウイルスベクターがレンチウイルスアクセサリー遺伝子を欠くレンチウイルスベクターである、請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月27日(2013.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ラクダ科動物VHドメイン、及びラムダ軽鎖クラス（Vλ）又はカッパ軽鎖クラス（Vκ）のいずれかのラクダ科動物VLドメインを含み、少なくとも1つのアミノ酸置換が、該VHドメイン及び／又は該VLドメイン中に存在し、該アミノ酸置換（複数可）が、以下からなる群から選択されることを特徴とする、抗体：
（a）該ラクダ科動物VHドメイン中のアミノ酸置換（複数可）、ここで、Kabatによる、該ラクダ科動物VHドメインの位置H1、H5、H7、H11、H12、H13、H14、H29、H30、H37、H40、H48、H67、H68、H69、H71、H74、H77、H78、H80、H81、H82b、H83、H84、H85、H86、H89、H93、H94、及びH108からなる群から選択される1つ又は複数のアミノ酸は、ヒトVHドメイン配列中の対応する位置に見られるアミノ酸と交換される；並びに
（b）該ラクダ科動物VLドメイン中のアミノ酸置換、ここで、該ラムダ軽鎖クラス（Vλ）のラクダ科動物VLドメインについて、Kabatによる、該ラクダ科動物Vλドメインの位置L1、L2、L3、L7、L8、L9、L11、L14、L15、L17、L18、L19、L20、L38、L39、L40、L42、L44、L46、L47、L49、L58、L59、L60、L66、L67、L69、L70、L71、L72、L74、L76、L78、L80、L84、及びL103からなる群から選択される1つ又は複数のアミノ酸は、ヒトVλドメイン配列中の対応する位置に見られるアミノ酸と交換され；かつ該カッパ軽鎖クラス（Vκ）のラクダ科動物VLドメインについて、Kabatによる、該ラクダ科動物Vκドメインの位置K1、K3、K4、K7、K9、K11、K12、K13、K14、K15、K18、K19、K36、K42、K43、K45、K46、K58、K63、K70、K77、K78、K79、K80、K83、K100、K103、K104、及びK106からなる群から選択される1つ又は複数のアミノ酸は、ヒトVκドメイン配列中の対応する位置に見られるアミノ酸と交換される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月24日(2013.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エアロゾル生成基体を収容するための電気加熱式エアロゾル発生システムであって、該システムは、エアロゾル生成基体を加熱してエアロゾルを形成するための少なくとも１つの電気加熱器を備え、前記加熱器は、複数の細長い支持要素に電気的に接続される第１の断面の加熱要素を備え、前記支持要素の各々は、前記第１の断面よりも大きな断面を有し、前記支持要素の少なくとも１つは、前記加熱要素と一体形成され、前記エアロゾル生成基体は、液体エアロゾル生成基体であり、前記システムは、液体を貯蔵するための液体貯蔵部及び該液体貯蔵部と連通する毛細ウイックを更に備え、前記支持要素は、前記毛細ウイックに隣接して固定されており、前記加熱要素は、前記支持要素の間で前記毛細ウイックの周りに延びている電気加熱式エアロゾル発生システム。
【請求項２】
前記支持要素の各々は、電気的に正のコネクタ又は電気的に負のコネクタを更に備える、請求項１に記載の電気加熱式エアロゾル発生システム。
【請求項３】
前記加熱要素は、前記支持要素の間を延びる可撓性加熱要素を備える、請求項１又は２に記載の電気加熱式エアロゾル発生システム。
【請求項４】
前記加熱要素は、電気絶縁材料シートを備える、請求項１から３のいずれかに記載の電気加熱式エアロゾル発生システム。
【請求項５】
前記加熱要素は、前記支持要素に対して実質的に平行に延びる部分、及び前記支持要素に対して実質的に直交して延びる部分を備え、前記支持要素に対して実質的に直交して延びる部分は、前記支持要素に対して実質的に平行に延びる部分の一つおきの端部において、前記支持要素に対して実質的に平行に延びる部分に結合する、請求項１から４のいずれかに記載の電気加熱式エアロゾル発生システム。
【請求項６】
前記支持要素に対して実質的に平行に延びる加熱要素の部分は、前記加熱要素の他の部分の最大断面よりも大きい最大断面を有する、請求項５に記載の電気加熱式エアロゾル発生システム。
【請求項７】
前記支持要素に対して実質的に平行に延びる加熱要素の部分は、実質的に半円形状を有する、請求項５又は６に記載の電気加熱式エアロゾル発生システム。
【請求項８】
前記加熱要素は、一方の支持要素と他方の支持要素の間で第１の方向に対角線上に延びる部分、及び一方の支持要素と他方の支持要素との間で前記第１の方向とは異なる第２の方向に対角線上に延びる部分を備える、請求項１から７のいずれかに記載の電気加熱式エアロゾル発生システム。
【請求項９】
前記第１の方向に対角線上に延びる部分は、湾曲部によって前記第２の方向に対角線上に延びる部分に接続される、請求項８に記載の電気加熱式エアロゾル発生システム。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの電気加熱器は、前記支持要素の少なくとも１つに隣接する少なくとも１つの補強部を更に備える、請求項１から９のいずれかに記載の電気加熱式エアロゾル発生システム。
【請求項１１】
前記加熱要素は、加熱要素の第１の部分及び加熱要素の第２の部分を含み、前記少なくとも１つの電気加熱器は、前記加熱要素の第１の部分と前記加熱要素の第２の部分との間に、少なくとも１つの補強部を更に備える、請求項１から１０のいずれかに記載の電気加熱式エアロゾル発生システム。
【請求項１２】
前記電気加熱器は、前記支持要素の少なくとも１つに対して実質的に直交する少なくとも１つの補強支柱を備える、請求項１から１１のいずれかに記載の電気加熱式エアロゾル発生システム。
【請求項１３】
前記支持要素が互いに隣接して固定されている請求項１から１２のいずれかに記載の電気加熱式エアロゾル発生システム。
【請求項１４】
前記加熱要素は弾性材料である請求項１から１３のいずれかに記載の電気加熱式エアロゾル発生システム。
【請求項１５】
前記支持要素が前記加熱要素より可撓性が劣る請求項１から１４のいずれかに記載の電気加熱式エアロゾル発生システム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月5日(2013.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センス鎖およびアンチセンス鎖を含む二重鎖核酸分子であって、少なくとも１つの鎖が、存在する鎖の３’末端ヌクレオチドの糖残基の３’または２’位置に、リン酸ジエステルまたはホスホロチオエート結合を介して共有結合した非ヌクレオチドオーバーハングを含み、前記非ヌクレオチドオーバーハングが、−Ｃ３ＯＨ、−Ｃ３Ｐｉおよび−Ｃ３Ｐｓからなる群より選択される少なくとも１つのＣ３アルキル部分を含む、分子、または、そのような分子の、薬学的に許容可能な塩。
【請求項２】
前記非ヌクレオチドオーバーハングが、アンチセンス鎖の３’末端ヌクレオチドの糖残基の３’または２’位置に共有結合した請求項１に記載の分子。
【請求項３】
前記非ヌクレオチドオーバーハングが、リン酸ジエステルもしくはホスホロチオエート結合により共有結合した２つまたは３つのＣ３アルキル部分を含み、前記非ヌクレオチドオーバーハングが、−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３ＯＨ、−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３Ｐｉ、−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３Ｐｓ、−Ｃ３Ｐｓ−Ｃ３ＯＨ、−Ｃ３Ｐｓ−Ｃ３Ｐｉ、−Ｃ３Ｐｓ−Ｃ３Ｐｓ、−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３ＯＨ、−Ｃ３Ｐｓ−Ｃ３Ｐｓ−Ｃ３ＯＨ、−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３Ｐｓ−Ｃ３ＯＨ、−Ｃ３Ｐｓ−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３ＯＨ、−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３Ｐｉ、−Ｃ３Ｐｓ−Ｃ３Ｐｓ−Ｃ３Ｐｓ、−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３Ｐｓ−Ｃ３Ｐｓ、−Ｃ３Ｐｓ−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３Ｐｓ、−Ｃ３Ｐｓ−Ｃ３Ｐｓ−Ｃ３Ｐｉ、−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３Ｐｓ、−Ｃ３Ｐｓ−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３Ｐｉおよび−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３Ｐｓ−Ｃ３Ｐｉ部分からなる群から選択される、請求項１に記載の分子。
【請求項４】
前記非ヌクレオチドオーバーハングが、デオキシリボ脱塩基部分（ｄＡｂ）またはリボ脱塩基部分（ｒＡｂ）から選択される脱塩基部分に、リン酸ジエステルまたはホスホロチオエート結合によって共有結合した１つのＣ３アルキル部分を含み、前記非ヌクレオチドオーバーハングは、−Ｃ３Ｐｉ−ｒＡｂ、−Ｃ３Ｐｉ−ｄＡｂ、−Ｃ３Ｐｓ−ｒＡｂ、−Ｃ３Ｐｓ−ｄＡｂ、−ｒＡｂＰｉ−Ｃ３ＯＨ、−ｒＡｂＰｓ−Ｃ３ＯＨ、−ｒＡｂＰｉ−Ｃ３Ｐｉ、−ｒＡｂＰｓ−Ｃ３Ｐｉ、−ｄＡｂＰｉ−Ｃ３ＯＨ、−ｄＡｂＰｓ−Ｃ３ＯＨ、−ｄＡｂＰｉ−Ｃ３Ｐｉ、−ｄＡｂＰｉ−Ｃ３Ｐｓ、−ｄＡｂＰｓ−Ｃ３Ｐｉおよび−ｄＡｂＰｓ−Ｃ３Ｐｓからなる群から選択される、請求項１に記載の分子。
【請求項５】
次の構造（Ａ１）を有する請求項１に記載の二重鎖核酸分子：
（Ａ１）  ５’  （Ｎ）ｘ−Ｚ  ３’  （アンチセンス鎖）
３’  Ｚ’−（Ｎ’）ｙ−ｚ"  ５’  （センス鎖）
（式中、各ＮおよびＮ’は、非修飾もしくは修飾されていてもよく、または非通常部分であるヌクレオチドであり；
各（Ｎ）ｘおよび（Ｎ’）ｙは、各連続したＮまたはＮ’が次のＮまたはＮ’に共有結合により結合しているオリゴヌクレオチドであり；
Ｚは存在し、かつ、３’末端ヌクレオチドの糖残基の３’または２’位置に、リン酸ジエステルまたはホスホロチオエート結合を介して共有結合した非ヌクレオチドオーバーハングを含み、前記非ヌクレオチドオーバーハングは、−Ｃ３ＯＨ、−Ｃ３Ｐｉおよび−Ｃ３Ｐｓからなる群より選択される少なくとも１つのＣ３アルキル部分を含み；
Ｚ’は存在するか、または存在せず；
ｚ"は、存在しても、または存在しなくてもよいが、存在する場合は、（Ｎ’）ｙの５’末端に共有結合したキャッピング部分であり；
各ｘおよびｙは、独立に、１８と４０の間の整数であり；
（Ｎ’）ｙの配列は、（Ｎ）ｘの配列に対し相補性を有し；さらに、（Ｎ）ｘの配列は、標的ＲＮＡ中の連続した配列に対し相補性を有する。）；または、そのような分子の、薬学的に許容可能な塩。
【請求項６】
Ｚ’が存在する請求項５に記載の分子。
【請求項７】
Ｚ’が無機リン酸塩であるか、または、脱塩基部分、逆位脱塩基部分、アルキル部分もしくはその誘導体、およびこれらの組合せからなる群から選択される非ヌクレオチドオーバーハングである、請求項６に記載の分子。
【請求項８】
Ｚが、−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３ＯＨ、−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３Ｐｉ、−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３Ｐｓ、−Ｃ３Ｐｓ−Ｃ３ＯＨ、−Ｃ３Ｐｓ−Ｃ３Ｐｉ、−Ｃ３Ｐｓ−Ｃ３Ｐｓ、−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３ＯＨ、−Ｃ３Ｐｓ−Ｃ３Ｐｓ−Ｃ３ＯＨ、−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３Ｐｓ−Ｃ３ＯＨ、−Ｃ３Ｐｓ−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３ＯＨ、−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３Ｐｉ、−Ｃ３Ｐｓ−Ｃ３Ｐｓ−Ｃ３Ｐｓ、−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３Ｐｓ−Ｃ３Ｐｓ、−Ｃ３Ｐｓ−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３Ｐｓ、−Ｃ３Ｐｓ−Ｃ３Ｐｓ−Ｃ３Ｐｉ、−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３Ｐｓ、−Ｃ３Ｐｓ−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３Ｐｉおよび−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３Ｐｓ−Ｃ３Ｐｉからなる群から選択される非ヌクレオチドオーバーハングを含む請求項５に記載の分子。
【請求項９】
Ｚが、−Ｃ３Ｐｉ−ｒＡｂ、−Ｃ３Ｐｉ−ｄＡｂ、−Ｃ３Ｐｓ−ｒＡｂ、−Ｃ３Ｐｓ−ｄＡｂ、−ｒＡｂＰｉ−Ｃ３ＯＨ、−ｒＡｂＰｓ−Ｃ３ＯＨ、−ｒＡｂＰｉ−Ｃ３Ｐｉ、−ｒＡｂＰｓ−Ｃ３Ｐｉ、−ｄＡｂＰｉ−Ｃ３ＯＨ、−ｄＡｂＰｓ−Ｃ３ＯＨ、−ｄＡｂＰｉ−Ｃ３Ｐｉ、−ｄＡｂＰｉ−Ｃ３Ｐｓ、−ｄＡｂＰｓ−Ｃ３Ｐｉおよび−ｄＡｂＰｓ−Ｃ３Ｐｓからなる群から選択される非ヌクレオチドオーバーハングを含む請求項５に記載の分子。
【請求項１０】
Ｚが、−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３Ｐｉまたは−Ｃ３Ｐｉ−Ｃ３ＯＨからなる請求項５に記載の分子。
【請求項１１】
Ｚ’が無機リン酸塩である、請求項７〜１０のいずれか１項に記載の分子。
【請求項１２】
Ｚ’が−Ｃ３ＯＨ、−Ｃ３Ｐｉおよび−Ｃ３Ｐｓからなる群より選択される、請求項７〜１０のいずれか１項に記載の分子。
【請求項１３】
Ｚ’がリン酸ジエステルまたはホスホロチオエート結合で相互に共有結合した少なくとも２つのＣ３アルキル部分を含む、請求項７〜１０のいずれか１項に記載の分子。
【請求項１４】
下記の構造（Ａ２）を有する請求項１〜４のいずれか１項に記載の分子：
（Ａ２）  ５’  Ｎ１−（Ｎ）ｘ−Ｚ  ３’  （アンチセンス鎖）
３’  Ｚ’−Ｎ２−（Ｎ’）ｙ−ｚ"  ５’  （センス鎖）
（式中、Ｎ、Ｎ’、Ｚ、Ｚ’およびｚ"は請求項５で上記のとおりに定義したものであり；
Ｎ２は、非修飾もしくは修飾リボヌクレオチド、または非通常部分であり；
各ｘおよびｙが、独立に、１７および３９の間の整数であり；
Ｎ１は（Ｎ）ｘに共有結合し、かつ、Ｎ２とワトソン・クリック塩基対を形成し；
Ｎ１は標的ＲＮＡにミスマッチであるか、または標的ＲＮＡに対し相補的なＤＮＡ部分であり；
Ｎ１は、天然または修飾された、ウリジン、デオキシリボウリジン、リボチミジン、デオキシリボチミジン、アデノシンまたはデオキシアデノシンからなる群より選択される部分である。）；または、そのような分子の、薬学的に許容可能な塩。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の分子、および薬学的に許容可能なキャリアを含む医薬組成物。
【請求項１６】
標的遺伝子の発現に関連する疾患または障害に罹患している対象の治療用医薬の製造のための、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の分子または請求項１５に記載の医薬組成物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月19日(2013.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動物においてカロリー制限を模倣することに有効な食餌療法であって、
動物が幼若動物の時に、カロリー制限を模倣できる１つ以上の栄養補助食品をカロリー制限模倣量で含む第１の食餌、
動物が成体動物の時に、カロリー制限を模倣できる１つ以上の栄養補助食品をカロリー制限模倣量で含む第２の食餌、及び
動物が高齢動物の時に、カロリー制限を模倣できる１つ以上の栄養補助食品をカロリー制限模倣量で含む第３の食餌を動物に投与することを含み、ここで、第１の食餌、第２の食餌及び第３の食餌の栄養補助食品を全て同じ栄養補助食品にすることはできない、食餌療法。
【請求項２】
各食餌の栄養補助食品が異なる栄養補助食品である、請求項１に記載の食餌療法。
【請求項３】
２つの食餌の栄養補助食品が異なる栄養補助食品である、請求項１に記載の食餌療法。
【請求項４】
第１の食餌の栄養補助食品がイチョウ及びＬ−カルニチンのうちの少なくとも１つであり、第２の食餌の栄養補助食品がビタミンＣ、ビタミンＥ、ブドウ種子プロアントシアニジンエキス及びシステインのうちの少なくとも２つであり、第３の食餌の栄養補助食品がＬ−カルニチンである、請求項１に記載の食餌療法。
【請求項５】
第１の食餌の栄養補助食品がイチョウである、請求項４に記載の食餌療法。
【請求項６】
第１の食餌の栄養補助食品がＬ−カルニチンである、請求項４に記載の食餌療法。
【請求項７】
第２の食餌の栄養補助食品がビタミンＣ、ビタミンＥ、ブドウ種子プロアントシアニジンエキス及びシステインである、請求項４に記載の食餌療法。
【請求項８】
第１の食餌の栄養補助食品がイチョウである、請求項７に記載の食餌療法。
【請求項９】
第１の食餌の栄養補助食品がＬ−カルニチンである、請求項７に記載の食餌療法。
【請求項１０】
第１の食餌栄養補助食品がイチョウ及びＬ−カルニチンである、請求項７に記載の食餌療法。
【請求項１１】
動物がヒトである、請求項１に記載の食餌療法。
【請求項１２】
動物が伴侶動物である、請求項１に記載の食餌療法。
【請求項１３】
動物がイヌ又はネコである、請求項１２に記載の食餌療法。
【請求項１４】
各食餌に使用される栄養補助食品の選択に応じて適切に、イチョウが約０．１〜約１０ｍｇ／ｋｇ／ｄａｙの量で動物に投与され、Ｌ−カルニチンが約０．０５〜約２０ｍｇ／ｋｇ／ｄａｙの量で動物に投与され、ビタミンＣが約０．５〜約４０ｍｇ／ｋｇ／ｄａｙの量で動物に投与され、ビタミンＥが約０．１〜約２０一日当たりの国際単位（ＩＵ）／ｋｇ／ｄａｙの量で動物に投与され、種子プロアントシアニジンエキスが約１０〜約１０００ｍｇ／ｋｇ／ｄａｙの量で動物に投与され、システインが約６〜約６００ｍｇ／ｋｇ／ｄａｙの量で動物に投与される、請求項４に記載の食餌療法。
【請求項１５】
食餌がヒトの食餌、ペットの食餌、栄養補助食品又は医薬食品として開発される、請求項１に記載の食餌療法。
【請求項１６】
食餌が少なくとも１つの他の食餌に対して少なくとも１つの特有な特徴を有する、請求項１に記載の食餌療法。
【請求項１７】
カロリー制限の模倣に有効な量で、１つ以上のＣＲ剤とともに、動物に対する１つ以上の第１の食餌、第２の食餌及び第３の食餌を動物に投与することをさらに含む、請求項１に記載の食餌療法。
【請求項１８】
少なくとも２つの食餌とともにＣＲ剤が投与される、請求項１７に記載の食餌療法。
【請求項１９】
ＣＲ剤が、レスベラトロール、メトホルミン、内在性カンナビノイド１受容体遮断薬、リポ酸、２−デオキシ−Ｄ−グルコース、マンノヘプツロース、レプチン、ペルオキシソーム増殖剤活性化受容体（ＰＰＡＲ）γ修飾因子及びそれらの組合せからなる群から選択される、請求項１７に記載の食餌療法。
【請求項２０】
動物においてカロリー制限を模倣することに有効な食餌療法であって、
動物が幼若動物の時に、カロリー制限を模倣する量のイチョウ及びＬ−カルニチンの少なくとも１つを含む第１の食餌、
動物が成体動物の時に、カロリー制限を模倣する量のビタミンＣ、ビタミンＥ、ブドウ種子プロアントシアニジンエキス及びシステインを含む第２の食餌、及び
動物が高齢動物の時に、カロリー制限を模倣する量のＬ−カルニチンを含む第３の食餌
を動物に投与することを含む食餌療法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年8月27日(2014.8.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
よって、本発明は、無機蛍光体粒子ならびにガラスおよび／またはシリカ粒子（好ましくはフレークの形態）ならびにＵＶまたは青色光発光ダイオードを含む、少なくとも１種の透明なシリコーンまたはエポキシ樹脂をベースとした成型構成物に関する。
好ましい態様において、ガラスまたはシリカ粒子および蛍光体粒子を、成型構成物中で均一に分布させる（図１Ａ参照）。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
本発明に従う目的は、さらに、無機蛍光体粒子ならびにガラスおよび／またはシリカ粒子ならびにＵＶまたは青色発光ダイオードを含む、少なくとも１種の透明なシリコーンまたはエポキシ樹脂をベースとした成型構成物の調製方法により達成され：
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
本発明は、さらに、無機蛍光体粒子ならびにガラスおよび／またはシリカ粒子ならびにＵＶまたは青色発光ダイオードを含む、少なくとも１種の透明なシリコーンまたはエポキシ樹脂をベースとした成型構成物の調製方法に関し：
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
無機蛍光体粒子ならびにガラスおよび／またはシリカ粒子ならびにＵＶまたは青色光発光ダイオードを含む、少なくとも１種の透明なシリコーンまたはエポキシ樹脂をベースとした成型構成物。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項８】
無機蛍光体粒子ならびにガラスおよび／またはシリカ粒子ならびにＵＶまたは青色光発光ダイオードを含む、少なくとも１種の透明なシリコーンまたはエポキシ樹脂をベースとした成型構成物の調製方法であって：
ａ）粉末ガラスおよび／またはシリカ粒子との無機蛍光体粒子の均一な混合、
ｂ）蛍光体およびガラスおよび／またはシリカ粒子の混合物の透明なシリコーンまたはエポキシ樹脂での分散、
ｃ）蛍光体およびガラスおよび／またはシリカ粒子を含む、シリコーンまたはエポキシ樹脂での青色発光ダイオードの被覆、
ｄ）被覆の硬化、
のプロセスステップにより特徴付けられる、前記方法。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項９】
無機蛍光体粒子ならびにガラスおよび／またはシリカ粒子ならびにＵＶまたは青色発光ダイオードを含む、少なくとも１種の透明なシリコーンまたはエポキシ樹脂をベースとした成型構成物の調製方法であって：
ａ）無機蛍光体粒子の透明なシリコーンまたはエポキシ樹脂での分散、
ｂ）発光ダイオードの蛍光体粒子およびシリコーンまたはエポキシ樹脂の混合物での被覆
ｃ）被覆の硬化、
ｄ）シリコーンまたはエポキシ樹脂中でのガラスまたはシリカ粒子の分散、
ｅ）硬化した蛍光体被覆を被覆することによる拡散障壁層の製造、
ｆ）拡散障壁層の硬化、
のプロセスステップにより特徴付けられる、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月10日(2013.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一連続性ポリマー相と第二不連続性ポリマー相とを含む非平坦研磨パッドであって、前記研磨パッドは、第一主面と、前記第一主面とは反対側の第二主面と、前記第二主面に取り付けられた柔軟性層と、を有し、更に前記第一主面は、前記面の内部に延びる複数の溝を含む、非平坦研磨パッド。
【請求項２】
第一主面と、前記第一主面とは反対側の第二主面と、を有するシート、及び、
前記第一主面から前記第一主面に対して実質的に垂直な第一方向に沿って外向きに延びる複数の研磨要素、を含む研磨パッドであって、少なくとも一部の前記研磨要素は、前記シートと一体成形され、他の研磨要素の１つ以上に対する前記研磨要素の横の動きを制限するために横向きに接続されるが、前記研磨要素の研磨表面に対して実質的に垂直な軸においては可動性を維持し、前記複数の研磨要素の少なくとも一部は、第一連続性ポリマー相と第二不連続性ポリマー相とを含む、研磨パッド。
【請求項３】
第一主面と、前記第一主面とは反対側の第二主面と、を有する支持層、及び、
各研磨要素が、前記支持層に接着することにより、前記第一主面に取り付けられた複数の研磨要素、を含む研磨パッドであって、各研磨要素は、露出した研磨表面を有し、
前記研磨要素は、前記支持層の前記第一主面から前記第一主面に対して実質的に垂直な第一方向に沿って延び、更に前記複数の研磨要素の少なくとも一部は第一連続性ポリマー相と第二不連続性ポリマー相とを含む、研磨パッド。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の研磨パッドの研磨表面に基材の表面を接触させる工程と、
前記基材の前記表面を摩耗させるために前記研磨パッドを前記基材に対して相対的に移動させる工程と、を含む、研磨パッドの使用方法。
【請求項５】
熱を適用しながら第一ポリマーを第二ポリマーと混合して流体成形組成物を形成する工程と、
前記流体成形組成物を成形型に分注する工程と、
前記流体成形組成物を冷却して、前記第一ポリマーを含む第一連続性ポリマー相と前記第二ポリマーを含む第二不連続性ポリマー相とを含む研磨パッドを形成する工程と、を含む請求項１又は２に記載の研磨パッドの製造方法であって、前記研磨パッドは、第一主表面と、第一主表面とは反対側の第二主表面と、を有する、方法。
【請求項６】
第一ポリマーを含む第一連続性ポリマー相と、第二ポリマーを含む第二不連続性ポリマー相と、を含む複数の研磨要素を形成する工程と、
第一主面とは反対側の第二主面を有する支持層の前記第一主面に前記研磨要素を接着して研磨パッドを形成する工程と、
前記第一主面上に前記複数の研磨要素を有するパターンを形成する工程と、を含む、請求項３に記載の研磨パッドの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月13日(2013.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
本発明について、それらの様々な実施形態に関連して示し説明してきたが、当業者であれば、形状及び細部における様々な他の変更が、本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、その分野においてなされ得ることが理解されよう。
以下に、本願発明に関連する発明の実施形態について列挙する。
［実施形態１］
基板の第１の主表面上に所定のパターンを備えた転写層を有する基板を形成する方法であって、
前記第１の主表面上に前記転写層を有する前記基板を用意する工程と、
本体と複数の接触部分とを有する構造化成形型を用意する工程であって、前記接触部分は、約０．５ＧＰａ〜約３０ＧＰａのヤング率を有する、工程と、
前記構造化成形型か又は前記基板のいずれかを加熱する工程と、
前記転写層を前記構造化成形型と接触させる工程と、
前記転写層を冷却する工程と、
前記転写層の各部分が前記構造化成形型と共に分離するように、前記構造化成形型を前記転写層から引き離し、前記転写層を完全に貫いて前記基板まで延びる開口部を前記転写層内に残し、前記所定のパターンを備えた前記転写層を形成する、工程と、を含む、方法。
［実施形態２］
前記転写層は、約５０ナノメートル〜約５マイクロメートルの厚さを有する、実施形態１に記載の方法。
［実施形態３］
前記複数の接触部分は、代表高さを有し、該代表高さは、前記転写層の前記厚さの少なくとも２倍〜１０倍高いものである、実施形態１に記載の方法。
［実施形態４］
前記複数の接触部分は三角形の横断面を備え、少なくとも１２マイクロメートルの前記代表高さを有する、実施形態３に記載の方法。
［実施形態５］
前記構造化成形型は、微細複製される、実施形態１に記載の方法。
［実施形態６］
前記構造化成形型は、成形型ロールである、実施形態５に記載の方法。
［実施形態７］
前記接触させる工程は、前記成形型ロールと支持ロールとの間で実施される、実施形態６に記載の方法。
［実施形態８］
前記接触させる工程は、長さの不定な材料のストリップである前記基板が、ロールツーロールプロセスにおいてニップを通じて前進されている間に実施される、実施形態１に記載の方法。
［実施形態９］
前記転写層は蝋を含む、実施形態１に記載の方法。
［実施形態１０］
前記開口部は、２０マイクロメートル未満の幅を有する、実施形態１に記載の方法。
［実施形態１１］
前記所定のパターンは、前記第１の主表面全体にわたって延びる縞を含む、実施形態１０に記載の方法。
［実施形態１２］
導電層を前記基板上に堆積して、第２の所定のパターンを形成する工程を更に含む、実施形態１に記載の方法。
［実施形態１３］
前記導電層は、インジウムスズ酸化物を含む、実施形態１２に記載の方法。
［実施形態１４］
前記導電層は、無電解めっきされた金属層を含む、実施形態１２に記載の方法。
［実施形態１５］
前記導電層は、スパッタ堆積されたパラジウム層の上の無電解めっきされた銅層を含む、実施形態１４に記載の方法。
［実施形態１６］
前記第１の主表面は金属層を含み、前記基板はエッチングされて、前記所定のパターン内の前記開口部から前記金属層を除去する、実施形態１に記載の方法。
［実施形態１７］
前記構造化成形型を前記転写層から引き離す工程の後に、前記構造化成形型を受容フィルムに対して接触させて、前記転写層のうちの前記構造化成形型と共に分離した各部分を、前記所定のパターンのネガ像として前記受容フィルム上へと熱転写する工程を更に含む、実施形態１に記載の方法。
［実施形態１８］
前記受容フィルム上に導電層を堆積する工程を更に含む、実施形態１７に記載の方法。
［実施形態１９］
前記接触部分は、約３ＧＰａ〜約７ＧＰａのヤング率を有する、実施形態１に記載の方法。
［実施形態２０］
前記接触部分は、三角形の横断面を備える、実施形態１９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の第１の主表面上に所定のパターンを備えた転写層を有する基板を形成する方法であって、
前記第１の主表面上に前記転写層を有する前記基板を用意する工程と、
本体と複数の接触部分とを有する構造化成形型を用意する工程であって、前記接触部分は、０．５ＧＰａ〜３０ＧＰａのヤング率を有する、工程と、
前記構造化成形型か又は前記基板のいずれかを加熱する工程と、
前記転写層を前記構造化成形型と接触させる工程と、
前記転写層を冷却する工程と、
前記転写層の各部分が前記構造化成形型と共に分離するように、前記構造化成形型を前記転写層から引き離し、前記転写層を完全に貫いて前記基板まで延びる開口部を前記転写層内に残し、前記所定のパターンを備えた前記転写層を形成する、工程と、を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月25日(2013.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハを保持するためのウエハカセットシステムであって、
基準部と、前記ウエハを受け入れる大きさの受け入れ表面と、複数の第１位置合わせ要素と、を有するベースと、
基板と、前記基板の表面上に配置され前記ウエハの端子と接するよう配列された複数のプローブと、前記第１位置合わせ要素に対応する複数の第２位置合わせ要素と、を有するプローブカードアセンブリと、を備え、
前記第１位置合わせ要素と前記第２位置合わせ要素は、前記受け入れ表面に略垂直な方向での前記ベース及び前記プローブカードアセンブリの相対移動を許容しつつ、前記受け入れ表面に略平行な方向での前記ベース及び前記プローブカードアセンブリの相対移動を規制する、連結可能な相補形状を有する、システム。
【請求項２】
前記第１位置合わせ要素と前記第２位置合わせ要素が、２度の並進及び３度の回転で規制され、第３度の並進における並進を可能にする、前記ベースと前記プローブカードアセンブリとの所定の相対位置を規定するよう連結可能である、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記ベースと前記プローブカードアセンブリとの間の空間をシールするよう配置される真空シールをさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記ベースと前記プローブカードアセンブリのうちの１つが、前記ベースと前記プローブカードアセンブリとの互いの方向への相対移動の制限を規定するよう配置される圧縮留め具を有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記圧縮留め具は、調整可能な高さを有する、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記第１位置合わせ要素と前記第２位置合わせ要素のうちの一方が凸部を有し、前記第１位置合わせ要素と前記第２位置合わせ要素のうちの他方がサーモセントリックスロットを有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記第１位置合わせ要素と前記第２位置合わせ要素が、運動誘導機構と直列にキネマティックカップリングを有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記運動誘導機構が屈曲部を有する、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記第１位置合わせ要素と前記第２位置合わせ要素のうちの一方が凸部を有し、前記第１位置合わせ要素と前記第２位置合わせ要素のうちの他方が屈曲部を有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記ベースと前記プローブカードアセンブリとを共にロック可能なように配置されるラッチ機構をさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記第１位置合わせ要素と前記第２位置合わせ要素により、前記端子に対する前記プローブの拭き取り動作を提供する、請求項１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月25日(2013.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体積層体を有する半導体ボディ（２）を備えた半導体チップ（１）であって、
−  前記半導体積層体が、ｎ型導電多層構造（２１）と、ｐ型導電半導体層（２２）と、放射を生成するための活性領域（２０）と、を備えており、前記活性領域が前記ｎ型導電多層構造と前記ｐ型導電半導体層との間に配置されており、
−  前記ｎ型導電多層構造が、複数の井戸層（２１１）を有する量子構造を備えており、前記複数の井戸層が、障壁層（２１２）の間に配置されており、
−  少なくとも１つのドーピングピーク（４）を備えたドーピングプロファイルが、前記ｎ型導電多層構造に形成されており、
−  前記ｎ型導電多層構造が、前記ドーピングピークに隣接する領域を備えており、前記ドーピングピークに隣接する前記領域においては、前記井戸層と前記井戸層に隣接する障壁層とが低濃度にドープされている、
半導体チップ（１）。
【請求項２】
前記少なくとも１つのドーピングピークにおけるドーピング濃度が、前記ｎ型導電多層構造の、ｎ型導電性に低濃度にドープされた領域（４５）、におけるドーピング濃度の少なくとも５倍である、
請求項１に記載の半導体チップ。
【請求項３】
前記少なくとも１つのドーピングピークにおけるドーピング濃度が少なくとも４×１０１８／ｃｍ３であり、ｎ型導電性に低濃度にドープされた前記領域におけるドーピング濃度が最大で８×１０１７／ｃｍ３である、
請求項２に記載の半導体チップ。
【請求項４】
前記ドーピングピークの垂直方向の大きさが、１ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内（両端値を含む）である、
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体チップ。
【請求項５】
前記ドーピングピークの垂直方向の大きさが、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内（両端値を含む）である、
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体チップ。
【請求項６】
前記活性領域から前記ドーピングピークまでの距離が、２ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内（両端値を含む）である、
請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体チップ。
【請求項７】
前記活性領域が複数の井戸層（２０１）を備えており、前記ドーピングピークが、前記ｎ型導電多層構造の前記井戸層のうち前記活性領域に最も近い前記井戸層と、前記活性領域の前記井戸層のうち前記ｎ型導電多層構造に最も近い前記井戸層との間に配置されている、
請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体チップ。
【請求項８】
前記ｎ型導電多層構造の前記井戸層のバンドギャップが、前記活性領域の前記井戸層（２０１）のバンドギャップと少なくとも同じ大きさである、
請求項７に記載の半導体チップ。
【請求項９】
前記ドーピングプロファイルがさらなるドーピングピーク（４１）を備えており、前記ｎ型導電多層構造の少なくとも１層の井戸層が、前記ドーピングピークと前記さらなるドーピングピークとの間に配置されている、
請求項７または請求項８に記載の半導体チップ。
【請求項１０】
前記ｎ型導電多層構造の前記量子構造のサブ領域（２１６）が、前記さらなるドーピングピーク（４１）によって高いドーピング濃度を備えている、
請求項９に記載の半導体チップ。
【請求項１１】
前記活性領域が窒化物化合物半導体材料をベースとする、
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の半導体チップ。
【請求項１２】
前記ｎ型導電多層構造の結晶構造が、Ｖ形状の凹部を備えている、
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の半導体チップ。
【請求項１３】
前記半導体積層体の成長基板が前記半導体ボディから除去されている、
請求項１から請求項１２のいずれかに記載の半導体チップ。
【請求項１４】
−  前記少なくとも１つのドーピングピークにおけるドーピング濃度が、前記ドーピングピークに隣接している、前記ｎ型導電多層構造の領域、におけるドーピング濃度の少なくとも５倍であり、
−  前記活性領域が、少なくとも１層の井戸層（２０１）を有する量子構造、を備えており、
−  前記ｎ型導電多層構造の前記井戸層のバンドギャップが、前記活性領域の前記井戸層のバンドギャップよりも大きい、
請求項１に記載の半導体チップ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月26日(2013.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
他の基地局装置に信号を送信し、
前記信号は、前記他の基地局装置に対して使用することを要求する空間領域ビームに関する情報を含むことを特徴とする基地局装置。
【請求項２】
前記他の基地局装置からの干渉を測定し、前記測定した干渉に基づいて前記空間領域ビームに関する情報を生成することを特徴とする請求項１記載の基地局装置。
【請求項３】
前記空間領域ビームに関する情報は、前記他の基地局装置において前記他の基地局装置からユーザ装置へ送信される信号を生成するために用いられることを特徴とする請求項１または２に記載の基地局装置。
【請求項４】
他の基地局装置からの信号を受信する基地局装置であって、
前記信号は、前記他の基地局装置が前記基地局装置に対して使用することを要求する空間領域ビームに関する情報を含むことを特徴とする基地局装置。
【請求項５】
前記空間領域ビームに関する情報に基づいて、ユーザ装置に送信する信号を生成することを特徴とする請求項４に記載の基地局装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月25日(2013.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トレイ積み位置と、
トレイ降ろし位置と、
トレイ積み位置からトレイ降ろし位置に延伸する４本の並行レールと、
各レールに搭載され、各々がトレイ積み位置とトレイ降ろし位置との間に配置され、レールに沿って移動するように構成されたトレイ運搬基台と、
を備えた、トレイ運搬システムであって、
前記トレイ運搬基台は、
レールと係合する往復台と、
往復台に取り付けられた旋回アームと、
選択的にトレイを保持および解放するための、旋回アームに取付けられた保持ピースと、
旋回アームを、開き位置と閉じ位置との間で移動させる手段と、
を備え、
保持ピースは、旋回アームが閉じ位置のときにトレイ高さにてトレイを保持し、保持ピースは、旋回アームが開き位置のときに、トレイを解放し、完全に前記トレイ高さより下に配置され、
トレイ運搬基台のうちの２つが第１トレイ運搬装置を構成し、前記トレイ運搬基台のうちの他の２つが第２トレイ運搬装置を構成し、
第１トレイ運搬装置は、当該第１トレイ運搬装置が開き位置のときに、閉じ位置にある第２トレイ運搬装置が運搬するトレイの下部を通過することができる、
トレイ運搬システム、
を含む集積回路のテーピングシステム。
【請求項２】
第１トレイ運搬装置の２本のレールと、第２トレイ運搬装置の２本のレールとは、交互に配置される、請求項１に記載の集積回路のテーピングシステム。
【請求項３】
各トレイ運搬装置のトレイ運搬基台の一方は、同一のトレイ運搬装置の他方のトレイ運搬基台よりも大きい、請求項１に記載の集積回路のテーピングシステム。
【請求項４】
第１トレイ運搬装置は、トレイ降ろし位置で空のトレイを処理し、トレイを保持する第２トレイ運搬装置を通過し、第２トレイ運搬装置に保持されたトレイから集積回路が空になる前に、トレイ積み位置で満杯のトレイを受け取るように構成されている、請求項１に記載の集積回路のテーピングシステム。
【請求項５】
旋回アームを動かす手段は空気圧シリンダである、請求項１に記載の集積回路のテーピングシステム。
【請求項６】
旋回アームを動かす手段がモータである、請求項１に記載の集積回路のテーピングシステム。
【請求項７】
旋回アームと往復台との間に配置され、旋回アームを動かす手段が機能しない場合に、閉じ位置で前記保持ピースを保持するように構成されたばねをさらに備える、請求項１に記載の集積回路のテーピングシステム。
【請求項８】
保持ピースは、トレイの底部を支持するための水平部と、既知の位置にトレイを整列させる垂直部とを備える、請求項１に記載の集積回路のテーピングシステム。
【請求項９】
前記垂直部は、トレイの上面よりも上側に延伸する、請求項８に記載の集積回路のテーピングシステム。
【請求項１０】
前記垂直部は、トレイの上面よりも上側に延伸しない、請求項８に記載の集積回路のテーピングシステム。
【請求項１１】
保持ピースは、トレイの底面、側面、および上面と係合するための切り込みを備える、請求項１に記載の集積回路のテーピングシステム。
【請求項１２】
集積回路を満杯にしたトレイを、トレイ積み位置にあるトレイ運搬装置に渡すためのトレイ積み場所と、
トレイ降ろし位置にあるトレイ運搬装置から空のトレイを取り去るためのトレイ降ろし場所と、
トレイ積み位置とトレイ降ろし位置との間の中間位置に配置され、トレイ運搬装置のトレイから集積回路を取り出すためのピックアンドプレース部と、
をさらに備えた請求項１に記載の集積回路のテーピングシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月9日(2013.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＯＦＤＭ装置のチャネル予測の方法であって、
受信基準信号の信号対雑音比を量子化するステップと、
前記量子化された信号対雑音比を使用して、信号対雑音比でインデックス付けされており、固定ドップラ周波数と固定遅延広がりとを使用して複数の信号対雑音比に対して予め計算されているＧ行列の集合からＧ行列を選択するステップと、
チャネル予測を得るために、前記選択されているＧ行列に前記基準信号に対する複数の最小自乗（ＬＳ）予測値を乗算するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、
Ｇ行列の前記集合は複数の処理モードの範囲に対して予め計算されており、前記信号対雑音比だけでなく前記集合内で前記処理モードについてもインデックス付けされており、
受信基準信号の前記処理モードを判断するステップと、
前記処理モードだけでなく前記量子化された信号対雑音比も使用して前記Ｇ行列を選択するステップと、
をさらに有する方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法において、
前記処理モードは、以下に挙げるパラメータ：
ＦＤＤ対ＴＤＤ、
セル固有の基準信号対ＵＥ固有の基準信号、
通常サイクリックプリフィックス対拡張サイクリックプリフィックス、
サブフレームタイプ、
時間領域内でのチャネル予測領域の大きさ、および
周波数領域内でのチャネル予測領域の大きさ
のうち、１つまたは２つ以上のパラメータに基づいている、方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の方法において、
複数の前記ＬＳ予測値を前記基準信号の全帯域幅の複数のサブセクションに対応している複数のストリームに分割するステップをさらに有し、
前記選択されているＧ行列に前記基準信号に対する複数の前記ＬＳ予測値を乗算する前記ステップには、チャネル予測値の集合を得るように、前記選択されているＧ行列に各前記帯域幅サブセクションに対する複数の前記ＬＳ予測値ストリームを乗算するステップが伴う、方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法において、
前記サブセクションは大きさが同一である、方法。
【請求項６】
請求項４または５に記載の方法において、
前記選択されているＧ行列への複数の前記ＬＳ予測値ストリームの前記乗算は並列に実施される、方法。
【請求項７】
ＯＦＤＭ装置内でのチャネル予測に使用するようにＧ行列の集合を提供する方法であって、
離散的な信号対雑音比の範囲について、固定ドップラ周波数と固定遅延広がりとを使用してＧ行列を予め計算するステップと、
複数の前記Ｇ行列に前記信号対雑音比によってインデックス付けをするステップと、
を有する方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法において、
離散的な信号対雑音比の範囲について、複数の前記Ｇ行列を予め計算する前記ステップは、複数の処理モードの範囲について実施され、前記Ｇ行列の集合に前記信号対雑音比に加えて前記処理モードでインデックス付けをするステップをさらに有する、方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法において、
複数の前記処理モードは、以下に挙げるパラメータ：
ＦＤＤ対ＴＤＤ、
セル固有の基準信号対ＵＥ固有の基準信号、
通常サイクリックプリフィックス対拡張サイクリックプリフィックス、
サブフレームタイプ、
時間領域内でのチャネル予測領域の大きさ、および
周波数領域内でのチャネル予測領域の大きさ
のうち、１つまたは２つ以上のパラメータに基づいている、方法。
【請求項１０】
ＯＦＤＭ装置のチャネル予測を実施する装置であって、
信号対雑音比によってインデックス付けされており、固定ドップラ周波数と固定遅延広がりとを使用して複数の信号対雑音比について予め計算されているＧ行列の集合を保存する不揮発性メモリと、
量子化されている信号対雑音比を使用して前記不揮発性メモリに保存されているＧ行列の前記集合からＧ行列を選択するＧ行列セレクタと、
チャネル予測値を得るように、前記選択されているＧ行列に基準信号に対する複数のＬＳ予測値を乗算するチャネル予測値生成器と、
を有する装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の装置において、
前記不揮発性メモリに保存されている前記Ｇ行列は、前記信号対雑音比に加えて処理モードによってインデックス付けされており、
前記Ｇ行列セレクタは量子化されている前記信号対雑音比に加えて前記処理モードを使用して前記チャネル予測値を得るために使用する前記Ｇ行列を選択する、装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の装置において、
異なる処理モードで受信した複数の基準信号を処理するように構成可能な基準信号デマルチプレクサをさらに有する、装置。
【請求項１３】
請求項１０から１２のいずれか一項に記載の装置において、
前記基準信号から複数の前記ＬＳ予測値を計算するＬＳ予測器をさらに有する、装置。
【請求項１４】
請求項１０から１３のいずれか一項に記載の装置において、
複数の前記ＬＳ予測値を前記基準信号の全帯域幅の複数のサブセクションに対応している複数のストリームに分離するＬＳ予測値デマルチプレクサをさらに有し、前記チャネル予測値生成器は、前記チャネル予測値の集合を得るように、選択されている前記Ｇ行列に各前記帯域幅サブセクションについて複数の前記ＬＳ予測値ストリームを乗算する、装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の装置において、
前記チャネル予測値生成器は選択されている前記Ｇ行列に複数の前記ＬＳ予測値ストリームを並列に乗算する、装置。