(57)【要約】【課題】ＷＣＳＰ型のパッケージ構造を有する半導体装置において、従来よりもコイルの占有面積を増大させることなく、インダクタンスの増大を図る。【解決手段】ＷＣＳＰ１０が具える第２の絶縁層２１上に、半導体チップ１２の主表面１２ａに対して鉛直方向に、強磁性体からなる擬似ポスト部２７が延在している。この擬似ポスト部を取り囲むように、当該擬似ポスト部の延在方向に互いに平行に離間されている、第２の絶縁層及び第３の絶縁層２２のそれぞれの上面上に、四角い枠状部として構成されている第１の導電部１５ａ及び第２の導電部１５ｂがそれぞれ設けられている。第１及び第２の導電部の一端同士を電気的に接続する接続部２６と、第１の導電部と、第２の導電部とによって、実質的に螺旋状の導電路であるコイル１００が形成されている。【選択図】      図２
2004356119.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路素子を具える半導体チップと、該半導体チップの上側に設けられたコイルとを具え、前記半導体チップの外形寸法と実質的に同一の外形寸法でパッケージングされた半導体装置であって、
前記半導体チップの上側に設けられていて、前記コイルによって取り囲まれた磁性体を具えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記磁性体は、前記半導体チップの主表面に対して鉛直方向に延在しており、及び
前記コイルは、前記磁性体の延在方向と直交する平面上に実質的に渦巻き状に形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記磁性体は、前記半導体チップの主表面に対して鉛直方向に延在しており、
前記コイルは、前記磁性体の延在方向に互いに平行に離間された第１の面及び第２の面上に、前記磁性体を取り囲むように、設けられた第１の導電部及び第２の導電部と、前記第１の導電部及び前記第２の導電部の一端同士を電気的に接続する接続部とを具えており、及び
前記第１の導電部、前記第２の導電部及び前記接続部は、実質的に螺旋状の導電路を形成している
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記磁性体は、前記半導体チップの主表面に対して鉛直方向に延在しており、
前記コイルは、該コイルの該中心軸を取り囲む渦巻き形状を有しており、及び前記コイルは、前記半導体装置の上方から該コイルを平面的に見たとき、前記中心軸に直交するある１つの仮想線に対して実質的に対称な形状を有している
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置において、
前記コイルは、時計回りに前記中心軸に向かって渦巻き状に巻かれている第１の渦部と、反時計回りに前記中心軸に向かって渦巻き状に巻かれている第２の渦部とを具えており、
該第１の渦部及び前記第２の渦部の前記中心軸側の端部同士は、電気的に接続されており、
前記第１の渦部と前記第２の渦部とは、立体交差部で交差しており、
該立体交差部では、該立体交差部を構成する、前記第１の渦部又は前記第２の渦部のいずれか一方の構成部分は、前記半導体チップの主表面に対して鉛直方向に互いに平行に離間された第１の面及び第２の面のうちの一方の面に形成されている第１の導電部を具え、及び前記立体交差部を構成する前記第１の渦部及び前記第２の渦部の残りの構成部分は、他方の面に形成されている第２の導電部を具えている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４に記載の半導体装置において、
前記コイルは、前記半導体チップの主表面に対して鉛直方向に互いに平行に離間された第１の面及び第２の面のいずれか一方の面に設けられた第１の導電部と、他方の面に設けられた第２の導電部とを具えており、
前記第１の導電部は、時計回りに前記中心軸に向かって渦巻き状に巻かれている第１の渦部を構成しており、
前記第２の導電部は、反時計回りに前記中心軸に向かって渦巻き状に巻かれている第２の渦部を構成しており、及び
該第１の導電部及び第２の導電部の前記中心軸側の端部同士は、電気的に接続されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記半導体チップの主表面上に設けられており、かつ前記回路素子と電気的に接続された電極パッドと、前記電極パッドの表面を露出させるように該半導体チップ上に設けられた絶縁層と、前記電極パッドの直上とは異なる位置にそれぞれ設けられた外部端子と、前記絶縁層を挟んで半導体チップと反対側の面上に設けられ、かつ前記電極パッドと前記外部端子とを電気的に接続する配線層とを具え、
前記コイルの厚みは、前記配線層の厚みよりも厚くしてあることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか一項に記載の半導体装置において、前記半導体装置の表層として封止層を具えており、前記磁性体の頂面は、前記封止層から露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１ないし７のいずれか一項に記載の半導体装置において、前記半導体装置の表層として封止層を具えており、前記磁性体の頂面は前記封止層で覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の半導体装置において、前記磁性体は、前記半導体チップの主表面に沿って延在しており、及び
前記コイルは、前記磁性体を取り囲むように、延在方向に沿って巻かれた、実質的に螺旋状の導電路を形成していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体装置において、
前記磁性体は実質的に角柱状であり、
前記コイルは、前記半導体チップの主表面と平行な第１の面に設けられた第１の導電部と、前記第１の面とは、前記主表面に対し鉛直方向に平行に離間している第２の面に設けられた第２の導電部と、前記第１の導電部及び前記第２の導電部の端部同士とを電気的に接続する接続部とを具えており、及び
前記第１の導電部、前記第２の導電部及び前記接続部は、実質的に螺旋状の導電路を形成している
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体装置において、前記接続部は、前記磁性体の延在方向に所定間隔で２列に配設されており、及び
各列の前記接続部は、ジグザクに設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれか一項に記載の半導体装置において、前記磁性体は、前記コイルの中心軸に対応する位置に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１ないし１３のいずれか一項に記載の半導体装置において、前記磁性体は、前記コイルによって取り囲まれているとともに、さらに、前記コイルを埋設していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
回路素子を具える半導体チップと、該半導体チップの上側に設けられたコイルとを具え、前記半導体チップの外形寸法と実質的に同一の外形寸法でパッケージングされた半導体装置であって、
前記半導体チップの主表面と実質的に平行な面に沿って板状の第１の磁性層が設けられているとともに、該第１の磁性層と対向する位置に実質的にコイルが形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の半導体装置において、前記コイルを挟んで前記第１の磁性層と対向する位置に、板状の第２の磁性層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１５または１６に記載の半導体装置において、前記半導体チップの表層としてパッシベーション膜を具えており、前記第１の磁性層及び前記第２の磁性層のいずれか一方は、前記パッシベーション膜によって覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１ないし１７のいずれか一項に記載の半導体装置において、前記半導体チップの主表面上に設けられており、かつ前記回路素子と電気的に接続された電極パッドと、前記電極パッドの表面の一部を露出させるように該半導体チップ上に設けられた絶縁層と、前記電極パッドの直上とは異なる位置にそれぞれ設けられた外部端子と、前記絶縁層を挟んで半導体チップと反対側の面上に設けられ、かつ前記電極パッドと前記外部端子とを電気的に接続する配線層とを具え、
前記コイルは、前記配線層を構成する導電部材と共通の導電部材からなる部分を具えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１ないし１８のいずれか一項に記載の半導体装置において、前記磁性体は強磁性体であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
回路素子を具える半導体チップと、該半導体チップの上側に設けられたコイルとを具え、前記半導体チップの外形寸法と実質的に同一の外形寸法でパッケージングされた半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップの上側であって、かつ前記コイルによって取り囲まれる位置に、磁性体を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
回路素子を具える半導体チップと、該半導体チップの上側に形成されたコイルとを具え、前記半導体チップの外形寸法と実質的に同一の外形寸法でパッケージングされた半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップの主表面と実質的に平行な面に沿って板状の第１の磁性体を形成する工程と、
該第１の磁性体と対向配置される位置に、コイルを形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は、ＷＣＳＰ型のパッケージ構造を有する半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子器機に搭載される半導体装置の高集積化及び小型化に対する要求にい伴い、半導体チップの外形サイズと実質的に同じ外形サイズにパッケージングされた半導体装置である、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）が提案されている。
【０００３】
こうしたＣＳＰのなかで、製造コストの低減化等の目的から、ウェハ状態のまま外部端子形成工程までを完了させた後、ダイシングによって個片化されたＣＳＰである、ＷＣＳＰ（Ｗａｆｅｒｌｅｖｅｌ  ＣＳＰ）が注目されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
ＷＣＳＰでは、半導体チップ上の電極パッドと外部端子とが、外部端子を所望位置に再配置させる配線層（或いは、再配線層とも称する。）を介して電気的に接続されており、配線設計の自由度を向上させた構造である。
【０００５】
また、近年では、ＷＣＳＰの高性能化を図ることを目的として、ＷＣＳＰに誘導素子（或いは、インダクタとも称する。）としてコイルを内蔵させることにより、ＷＣＳＰのインダクタンスを増大させる構造のものがある（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２−５７２９２号公報
【特許文献２】
特開２００２−１６４４６８号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、例えば、半導体チップ上に渦巻き形状のコイルを搭載する場合には、コイルのインダクタンスの増大を図るために、コイルの巻き数をさらに増やさなくてはならない。
【０００８】
しかし、コイルの巻き数を増やすことにより、半導体チップの表面を占めるコイルの割合（すなわち、コイルの占有面積）が増大してしまう。
【０００９】
その結果、半導体チップの大型化が不可避となるため、１枚のウェハから個片化される半導体チップ数が減少して製造歩留まりの低下を招く恐れがある。
【００１０】
そこで、この発明の目的は、従来よりもコイルの占有面積を増大させることなく、インダクタンスの増大が実現可能な半導体装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
そこで、この発明の半導体装置は、下記のような構成上の特徴を有する。
【００１２】
すなわち、この発明の半導体装置は、当該半導体装置が具える半導体チップの外形寸法と実質的に同一の外形寸法でパッケージングされた、ＷＣＳＰ型構造のものである。
【００１３】
そして、半導体チップの上側にコイルが形成されているとともに、このコイルによって取り囲まれた位置に磁性体が設けられている。
【００１４】
コイルに電流が流れたときのコイルのインダクタンスは、コイル周囲の透磁率に比例する。そのため、この構成によれば、コイルによって取り囲まれた位置に磁性体が設けられているため、コイルのインダクタンスを増大させることができる。
【００１５】
さらに、このように磁性体を設けた場合と同程度のインダクタンスを磁性体を設けずに得ようとする場合に比べて、コイルの占有面積を低減することができ、半導体装置の大型化を抑制することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図１から図２６を参照して、この発明の実施の形態につき説明する。
尚、各図は、この発明に係る半導体装置の一構成例を概略的に示してある。また、各図は、この発明が理解できる程度に各構成成分の形状、大きさ及び配置関係を概略的に示してあるに過ぎず、この発明をこれら図示例に限定するものではない。また、図を分かり易くするために、断面を示すハッチング（斜線）は一部分を除き省略してある。また、以下の説明において、特定の材料及び条件等を用いることがあるが、これら材料及び条件は好適例の一つに過ぎず、従って、何らこれらに限定されない。また、各図において同様の構成成分については同一の番号を付して示し、その重複する説明を省略することもある。
【００１７】
また、以下に説明する各実施の形態では、ダイシングによって個片化された個々のＣＳＰをＷＣＳＰと称することとし、半導体装置としてこのＷＣＳＰを例に挙げて説明する。
【００１８】
＜第１の実施の形態＞
図１から図４を参照して、この発明の第１の実施の形態に係る半導体装置につき説明する。図１は、この実施の形態の半導体装置であるＷＣＳＰ１０の構成要素の一部分を省略して概略的に示す平面図であって、特に、半導体チップ上に設けられている電極パッド、導電部、ポスト部、配線層及び擬似ポスト部等の構成要素の形状と配置関係を明確に示すために、それぞれの構成要素の輪郭を実線で示す図である。また、図２（Ａ）は、図１に示す平面図のうち破線ａで囲まれた第１の領域を拡大して、かつ外部端子と封止層とを省略して概略的に示した図である。また、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）を破線部分Ａ−Ａ’線に沿って切断して得られる切り口（すなわち、断面）に相当する構成部分の一例を示す概略断面図である。また、図２（Ｃ）は、コイル１００と磁性体からなる擬似ポスト部２７との配置関係の一例を示す概略斜視図である。また、図２（Ｄ）は、図１に示す平面図のうち破線ｂで囲まれた第２の領域領域を、Ｂ−Ｂ’線に沿って切断して得られる切り口に相当する構成部分の一例を示す概略断面図である（以下の各実施の形態において図１に対応する図を省略し、この拡大概略図に対応する図を参照して説明する場合もある。）。
【００１９】
尚、図１では、便宜上、ＷＣＳＰ１０が具える有機樹脂膜等からなる封止層３８や外部端子２３の図示を省略すると共に、配線層２５及びポスト部１８の一部もその図示を省略してある。
【００２０】
図１に示すように、ＷＣＳＰ１０は、回路素子を有する半導体チップ１２の主表面１２ａ上に、アルミニウム（Ａｌ）からなる一点破線で示す電極パッド１４が半導体チップ１２の主表面１２ａの外周に沿って所定間隔毎に複数配置されている。ここでのＷＣＳＰ１０の平面形状は四角であり、各辺に沿って電極パッド１４が直線状に配列されている。ＷＣＳＰ１０の配線構造は、電極パッド１４とポスト部１８上に形成される外部端子（不図示）とが配線層２５（或いは、再配線層とも称する。）によって電気的に接続されてなる。
【００２１】
さらに、この実施の形態では、半導体チップ１２の主表面１２ａ側に、コイル１００が搭載されている。コイル１００は、その両端が一対の電極パッド１４、１４に接続された配線によって形成されている。
【００２２】
具体的には、図２（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、この実施の形態のＷＣＳＰ１０は、半導体チップ１２上に、第１の絶縁層１３、パッシベーション膜１７、第２の絶縁層２１、第３の絶縁層２２及び封止層３８が順次形成された積層構造を有している。第１の絶縁層１３は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）で形成されている。パッシベーション膜１７は、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）で形成されている。第２の絶縁層２１及び第３の絶縁層２２は、低硬度であるポリイミド樹脂膜で形成されており、製造時における半導体チップ１２に対する衝撃や、半導体チップ１２と封止層３８との間の応力による剥離を抑制する。封止層３８は、エポキシ樹脂で形成されている。
【００２３】
そして、この実施の形態では、第２の絶縁層２１上に、半導体チップ１２から遠ざかる方向に向かって、すなわち、半導体チップ１２の主表面１２ａに対し鉛直方向に、磁性体からなる円柱状の擬似ポスト部２７が形成されている。図示例では、この擬似ポスト部２７は、半導体チップ１２の主表面に対して鉛直に設けられている。擬似ポスト部２７は、第３の絶縁層２２及び封止層３８を貫通するとともに、その上端面は、封止層３８から露出していて、封止層３８の表面と同一面を形成している。また、この擬似ポスト部２７は、半導体チップ１２とは電気的に接続されていない、擬似（すなわち、ダミー）のポスト部である。この構成例の擬似ポスト部２７は、強磁性材料である鉄（Ｆｅ）によって形成されている。
【００２４】
また、図２（Ｃ）に示すように、コイル１００は、擬似ポスト部２７を取り囲むように設けられている。このコイル１００は、擬似ポスト部２７の延在方向、すなわち主表面１２ａに鉛直な方向に延びる、実質的に螺旋状の導電路として形成されている。尚、実質的に螺旋状とは、いわゆる螺旋はもとより、螺旋とみなせる形状の場合も含み、例えば、電気的に連結した二層以上の階層からなる階層的な形状も含む。
【００２５】
以下、コイル１００につき説明する。
【００２６】
コイル１００は、一対の第１の導電部１５ａ及び第２の導電部１５ｂからなる導電部１５を具えている。これら第１及び第２の導電部（１５ａ、１５ｂ）は、半導体チップ１２の主表面に鉛直な方向に階層的に分離して細線状に設けられている。すなわち、第１及び第２の導電部（１５ａ、１５ｂ）は、第１の面ｃ及び第２の面ｄ上に、それぞれ擬似ポスト部２７を取り囲むように設けられている。第１及び第２の導電部（１５ａ、１５ｂ）は、銅（Ｃｕ）によって形成されている。
【００２７】
具体的には、第１の面ｃを第２の絶縁層２１の表面とする。第１の導電部１５ａは、この第１の面ｃ上に、擬似ポスト部２７を取り囲む四角い枠状部として構成されている。そして、第１の導電部１５ａは、四角形の４つの辺にそれぞれ対応する単位導線Ｌ、Ｍ、Ｎ及びＯを具えている。単位導線Ｌは、単位導線Ｍと対向し、単位導線Ｌ及び単位導線Ｍの同一側にある一端同士をそれぞれ単位導線Ｎで接続し、単位導線Ｏは、単位導線Ｍの他端から単位導線Ｌの他端に向かって延出するとともに、単位導線Ｌとは非接触である。
【００２８】
また、同様に、第２の導電部１５ｂは、第２の面ｄである第３の絶縁層２２の表面上に第１の導電部１５ａに対応して形成されており、擬似ポスト部２７を取り囲む四角い枠状部として構成されている。そして、第２の導電部１５ｂは、単位導線Ｍに対応する単位導線Ｐと、単位導線Ｐの一端に接続されているとともに単位導線Ｎに対応する単位導線Ｑと、単位導線Ｐの他端に接続されるとともに単位導線Ｏに対応する単位導線Ｒと、単位導線Ｑの逆側の端部に接続されており、単位導線Ｒの他端に向かって延出するとともに単位導線Ｒとは非接触である、単位導線Ｌに対応する単位導線Ｓを具えている。これら単位導線Ｐ、Ｑ、Ｒ及びＳも同様に、四角形の４つの辺にそれぞれ対応している。
【００２９】
そして、この実施の形態のコイル１００では、第１の導電部１５ａの単位導線Ｌの他端と第２の導電部１５ｂの単位導線Ｒの他端とが、半導体チップ１２の主表面１２ａに対して垂直方向に延在する接続部２６によって電気的に接続ている。従って、コイル１００は、それぞれの導電部を階層状に設けたコイルであって、コイル全体は実質的に螺旋形状といえる。尚、接続部２６は、第１及び第２の導電部（１５ａ、１５ｂ）の端部に各々形成されているランド（２４、２８）とそれぞれ接続されており、銅によって形成されている。
【００３０】
また、この構成例では、擬似ポスト部２７が、コイル１００の中心軸に対応する位置に設けられているため、コイルの周囲の透磁率が、コイル１００の中心軸周りの円周方向に均一となる。よって、コイルに電流を流した際のコイルのインダクタンスを、効率良く増大させることができる。
【００３１】
さらに、この構成例のコイル１００は、ＷＣＳＰ１０が具える再配線層を構成する導電部材と共通の導電部材によって形成された部分を有している（以下の各実施の形態についても同様である）。
【００３２】
図２（Ｄ）に示すように、ＷＣＳＰ１０では、各電極パッド１４が、専用の再配線層２５、接続部３９及びポスト部１８を介して、対応する半田ボール等の外部端子２３と電気的に接続されている。すなわち、ＷＣＳＰ１０では、再配線層２５を介することにより、外部端子２３を、電極パッド１４の位置に依らず、半導体チップ１２の上側の所望位置にシフトさせて配置することができる。
【００３３】
いま、この実施の形態のＷＣＳＰ１０の配線構造は、一例として、第２の絶縁層２１上に、電極パッド１４と電気的に接続される第１の再配線層２５ａが形成されている。さらに、第１の再配線層２５ａは、外部端子２３の配置の自由度をさらに付与することを目的として第３の絶縁層２２上に形成された、第２の再配線層２５ｂと接続部３９を介して電気的に接続されている。第２の再配線層２５ｂは、ポスト部１８を介して、外部端子２３と電気的に接続されている。第１及び第２の再配線層（２５ａ、２５ｂ）、接続部３９及びポスト部１８は、銅によって形成されている。
【００３４】
そして、上述の第１及び第２の導電部（１５ａ、１５ｂ）は、第１及び第２の再配線層（２５ａ、２５ｂ）と同一の材料からなり、同一の厚みを有している。
【００３５】
続いて、図３及び図４を参照して、この実施の形態の半導体装置であるＷＣＳＰ１０の製造方法につき以下説明する。尚、図３及び図４中には、左側には上述した第１の領域（図２（Ｂ）に示す。）に対応する部分を図示し、右側には上述した第２の領域（図２（Ｄ）に示す。）に対応する部分を並べて図示してある。
【００３６】
先ず、半導体チップ１２上に、シリコン酸化膜からなる第１の絶縁層１３、シリコン窒化膜からなるパッシベーション膜１７及びポリイミド樹脂膜からなる第２の絶縁層２１を任意好適な方法によって順次形成する。その後、第２の絶縁層２１上に、ホトリソグラフィー工程によって、第１の再配線層２５ａ及び第１の導電部１５ａに対応するレジスト層パターンを形成した後、スパッタを行って第１の再配線層２５ａ及び第１の導電部１５ａを同時に形成する。このとき、第１の導電部１５ａの端部のうち後述する第２の導電部１５ｂと接続される側に、ランド２４が形成される。その後、第１の再配線層２５ａ上及び第１の導電部１５ａの端部のランド２４上に、銅からなる接続部３９及び２６をホトリソグラフィー工程及びめっきによってそれぞれ形成する。その後、第２の絶縁層２１上に、各接続部（３９、２６）の側面を覆うように第３の絶縁層２２を形成する。その後、第３の絶縁層２２上に、ホトリソグラフィー工程によって、第２の再配線層２５ｂ及び第２の導電部１５ｂに対応するレジスト層パターンを形成する。その後、スパッタによって、各接続部（３９、２６）と電気的に接続される、第２の再配線層２５ｂ及び第２の導電部１５ｂを同時に形成する。このとき、第２の導電部１５ｂの端部のうち接続部２６を介して第１の導電部１５ｂと接続される側には、ランド２８が形成される。
【００３７】
こうして、図１の破線ａで囲まれた第１の領域に対応する部分には、図３（Ａ）の左側に示す第１の積層体８８ａが形成される（以下、この工程を第１の積層体形成工程と称する。）。また、図１の破線ｂで囲まれた第２の領域に対応する部分には、図３（Ａ）の右側に示す第２の積層体８８ｂが形成される（以下、この工程を第２の積層体形成工程と称する。）。
【００３８】
この実施の形態では、コイル１００を構成する第１及び第２の導電部（１５ａ、１５ｂ）を、ＷＣＳＰの配線部分を構成する銅からなる第１及び第２の再配線層（２５ａ、２５ｂ）の形成とそれぞれ同時に、パターニング形成する。尚、以下の各実施の形態において、ＷＣＳＰの配線部分の製造工程は、実質的に上述と同様であるので、その詳細な説明を省略する。また、目的や設計によっては、ＷＣＳＰの配線部分に第２の再配線層２５ｂを形成しない場合があるが、この場合には、コイル形成用として第２の導電部のみを個別に形成すれば良い。
【００３９】
上述したこの実施の形態では、半導体チップの一般的な回路配線材料であるアルミニウム（Ａｌ）を用いて半導体チップ内にコイルを形成する場合に比べて、抵抗値の小さい銅等の導電材料によってコイルを形成することができる。
【００４０】
そのため、コイルに電流を流した際のコイルの配線抵抗を小さくでき、よって、エネルギー損失（あるいは、伝送損失）が小さいことを示す指標である高Ｑ値を得ることができる。
【００４１】
続いて、第１及び第２積層体（８８ａ、８８ｂ）上にドライフィルム８３を塗布形成した後、ホトリソグラフィー工程によって、第１の積層体８８ａ側のフィルム８３の上面から第２の絶縁層２１の表面に達する深さの開口部８９ａを形成する。この開口部８９ａは、第２の絶縁層２１の表面の一部を露出させ、擬似ポスト部の形成に用いられる（図３（Ｂ））。
【００４２】
続いて、開口部８９ａに、めっき法によって強磁性材料である鉄を充填して、擬似ポスト部２７を形成する（図４（Ａ））。尚、擬似ポスト部２７の形成材料としては、その他にニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）等の金属材料やフェライト（ＭＯ・Ｆｅ２Ｏ３（Ｍ：Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｍｇ，Ｃｄ等）等の絶縁体材料を使用することができる。また、擬似ポスト部２７の形成は、使用する磁性材料に応じて、例えば、磁性材料を含有した塗布剤を開口部８９ａに塗布する等しても良い。或いは、開口部８９ａに、あらかじめ成形された擬似ポスト部２７を挿入しても良い。
【００４３】
続いて、ドライフィルム８３を除去した後、新たなドライフィルムを形成し（不図示）、ホトリソグラフィー工程によって、第２の再配線層２５ｂの表面の一部を露出させる。こうして、後述するポスト部形成用の別の開口部８９ｂを形成する。その後、開口部８９ｂに、めっき法によって銅を充填してポスト部１８を形成する。その後、ドライフィルム（不図示）を除去した後、擬似ポスト部２７及びポスト部１８が隠れる程度まで封止層３８となるエポキシ樹脂をトランスファー成形法によって形成する。その後、グラインダー等の研磨工具によってエポキシ樹脂に対する研磨を行って、擬似ポスト部２７及びポスト部１８の上端面を露出させる（図４（Ｂ））。
【００４４】
その後、露出する擬似ポスト部２７及びポスト部１８の上端面に、外部端子２３をリフロー形成する（図２（Ｂ）及び（Ｄ）参照）。
【００４５】
既に説明したように、コイルのインダクタンスはコイル周囲の透磁率に比例するため。そのため、この実施の形態によれば、上述した説明から明らかなように、コイルに取り囲まれる位置に設けられた磁性体によって、コイルのインダクタンスを増大させることができる。
【００４６】
さらに、擬似ポスト部が、コイルの中心軸に対応する位置に設けられているため、コイルの周囲の透磁率がコイルの中心軸周りの円周方向に均一であり、よって、安定したコイルのインダクタンスが得られる。
【００４７】
さらに、このように磁性体が配置された構成と同程度のインダクタンスを当該磁性体を設けることなく得る場合に比べて、コイルの占有面積を低減することができるので、半導体装置の大型化を抑制することができる。
【００４８】
＜第２の実施の形態＞
図５及び図６を参照して、この発明の第２の実施の形態に係る半導体装置につき説明する。図５（Ａ）及び（Ｂ）は、図２（Ａ）及び（Ｂ）にそれぞれ対応する概略的な平面図及びＡ−Ａ’断面を示す図であり、図６（Ａ）及び（Ｂ）は、図５（Ｂ）に対応する部分に着目して説明する製造工程図である。
【００４９】
上述した第１の実施の形態では、擬似ポスト部２７の端面上に外部端子２３を設けているが、第２の実施の形態では、擬似ポスト部の端面に外部端子を設けずに、封止層３８によって覆われている点が第１の実施の形態との主な相違点である。第２の実施の形態では、外部端子が設けられない擬似ポスト部を磁性コア部３２として説明する。また、第１の実施の形態で既に説明した構成要素と同一の構成要素には同一の番号を付して示し、その具体的な説明を省略することもある（以下の各実施の形態についても同様）。
【００５０】
図５（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、この実施の形態のＷＣＳＰ５０における第２の絶縁層２１上には、第３の絶縁膜２２を貫通するとともにその上端面が封止層３８に覆われた円柱状の磁性コア部３２が形成されている。また、この実施の形態の磁性コア部３２の径は、第１の実施の形態の擬似ポスト部２７の径よりも小さく形成されている（説明後述）。尚、図５（Ａ）においては、封止層３８の図示を省略しており、かつ導電部（１５ａ、１５ｂ）と磁性コア部３２とを、その形状及び配置関係を示すために、実線及び破線で示してある。
【００５１】
続いて、図６を参照して、この実施の形態の半導体装置であるＷＣＳＰ５０の製造方法につき以下説明する。
【００５２】
先ず、第１の実施の形態と同様の方法で第１の積層体形成工程を行い、第１の積層体８８ａを得る（図３（Ａ）参照）。
【００５３】
続いて、第１の積層体８８ａ上にレジスト層８４を形成した後、ホトリソグラフィー工程によって第２の絶縁層２１の表面の一部を露出させて、磁性コア部形成用の開口部９１を形成する（図６（Ａ））。
【００５４】
第１の実施の形態では、擬似ポスト部形成用の深い開口部８９を形成するに当たり、レジスト層をスピンコート法等によって対応する厚みに均一塗布するのが困難なため、ドライフィルムを塗布して開口部８９を形成していた（図３（Ｂ）参照）。そのため、第１の実施の形態では、充分に厚いドライフィルムに対応する深い開口部を形成するに伴って開口部の径も大きくなってしまう（開口部径の最小値は１．５×１０５ｎｍ程度である）。
【００５５】
しかし、第２の実施の形態では、レジスト層は薄膜であっても均一な膜として形成できる点に着目し、レジスト層８４に対してホトリソグラフィー工程を行って、磁性コア部形成用の浅い開口部９１を形成する。よって、開口部径を第１の実施の形態よりも小さくすることができる（開口部径の最小値は１．５×１０５ｎｍ程度である）。
【００５６】
続いて、開口部９１にめっき法によって、強磁性材料である鉄を充填し、第１の実施の形態よりも小さな径を有する円柱状の磁性コア部３２を形成する（図６（Ｂ））。
【００５７】
続いて、レジスト層８４を除去した後、第３の絶縁層２２上に、磁性コア部３２及び第２の導電部１５ｂが埋設する封止層３８を形成する（図５（Ｂ））。
【００５８】
上述した説明から明らかなように、この実施の形態では、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００５９】
さらに、この実施の形態では、磁性コア部の径を、第１の実施の形態の擬似ポスト部の径よりも小さく形成することができる。
【００６０】
よって、当該磁性コア部を設けることによってインダクタンスの増大を充分図れる構造の場合には、第１の実施の形態よりもコイルの占有面積を低減可能なこの実施の形態を適用することによって、より一層小型なＷＣＳＰを得ることができる。
【００６１】
＜第３の実施の形態＞
図７から図９を参照して、この発明の第３の実施の形態に係る半導体装置につき説明する。図７（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ図２（Ａ）及び（Ｂ）と同様な概略的な平面図及びＡ−Ａ’断面を示す図であり、図８（Ａ）〜（Ｃ）は、図７（Ｂ）に対応する部分に着目して説明する製造工程図、及び図９（Ａ）及び（Ｂ）は、図８（Ｃ）に続く製造工程図である。尚、図７（Ａ）では、外部端子を省略してあり、また、製造工程図の各図は、断面の切り口で示してある。
【００６２】
この実施の形態では、絶縁体材料からなる擬似ポスト部３４によって、コイルとして機能するコイル１００の全体が埋設されている点が、第１の実施の形態との主な相違点である。
【００６３】
図７（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、この実施の形態のＷＣＳＰ５５の第２の絶縁層２１上には、第１の導電部１５ａの電極パッドとの接続を行う側の一部分を除き、コイル１００を実質的に埋設するとともに、その上端面が封止層３８から露出している擬似ポスト部３４が形成されている。この実施の形態の擬似ポスト部３４は、フェライト等の絶縁体材料によって形成されているため、コイル１００が短絡する恐れはない。
【００６４】
続いて、図８及び図９を参照して、この実施の形態の半導体装置であるＷＣＳＰ５５の製造方法につき以下説明する。
【００６５】
先ず、第２の絶縁層２１上に、ホトリソグラフィー工程及びスパッタ等によって、銅からなる第１の導電部１５ａをパターニング形成した後、第１の導電部１５ａのランド２４（点線図示）上に接続部２６（点線図示）を形成する。その後、第２の絶縁層２１上に、擬似ポスト部３４を形成する領域に開口部９２を画成する第３の絶縁層２２を形成する（図８（Ａ））。
【００６６】
続いて、開口部９２に、絶縁性を有する強磁性材料であるフェライトを含有したポリイミドを塗布した後、加熱処理によってポリイミドを硬化させて第１の擬似ポスト部３４ａを形成する。このとき、接続部２６の上端面は、第１の擬似ポスト部３４ａの表面から露出している（図８（Ｂ））。
【００６７】
続いて、第３の絶縁層２２上に、ホトリソグラフィー工程及びスパッタ等によって、接続部２６と電気的に接続されるランド２８（点線図示）を有する、銅からなる第２の導電部１５ｂをパターニング形成する（図８（Ｃ））。
【００６８】
続いて、第３の絶縁層２２上に、ホトリソグラフィー工程によってドライフィルム９４をパターニング形成する（図９（Ａ））。
【００６９】
続いて、ドライフィルム９４から露出している第１の擬似ポスト部３４ａ上に、フェライトを含有したポリイミドを塗布した後、加熱処理によってポリイミドを硬化させて第２の擬似ポスト部３４ｂを形成する。その後、ドライフィルム９４を除去して、第１の擬似ポスト部３４ａ及び第２の擬似ポスト部３４ｂからなる擬似ポスト３４を形成する（図９（Ｂ））。その後、封止層３８及び外部端子２３を順次形成する（図７（Ｂ））。
【００７０】
第１の実施の形態において、擬似ポスト部２７を金属材料からなる磁性体によって形成する場合には、擬似ポスト部２７とコイル１００との間に絶縁膜を介在させて双方が接触しないように設計する必要がある。
【００７１】
しかしながら、第３の実施の形態では、絶縁体材料からなる擬似ポスト部３４によってコイルとして機能するコイル１００が埋設された構成であるため、第１の実施の形態のように高いパターニング精度を要求されない。よって、第１の実施の形態に比べて、製造歩留まりに対する懸念が緩和される。尚、擬似ポスト部３４を金属材料によって形成する場合には、コイル１００を絶縁膜によって被膜するなどして擬似ポスト部３４とコイル１００とが接触させない構造とすれば良い。
【００７２】
上述した説明から明らかなように、この実施の形態では、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００７３】
さらに、この実施の形態では、コイル全体が磁性体によって覆われているので、コイル周囲の実効的な透磁率が大きくなり、よって、第１の実施の実施の形態よりもコイルのインダクタンスを増大させることができる。
【００７４】
＜第４の実施の形態＞
図１０及び図１１を参照して、この発明の第４の実施の形態に係る半導体装置につき説明する。図１０（Ａ）、１０（Ｂ）及び１０（Ｃ）は、それぞれ図２（Ａ）、２（Ｂ）及び２（Ｃ）と同様な概略的な平面図、Ａ−Ａ’断面を示す図、及びコイルと擬似ポスト部との配置関係の一例を示す概略斜視図である。尚、図１０（Ａ）では、図１０（Ｂ）に示してある外部端子と封止層とを省略してある。
【００７５】
この実施の形態では、コイル２００の厚みが、第１の実施の形態の第１の導電部１５ａ（または、第２の導電部１５ｂ）の厚みよりも厚い、すなわち第１の再配線２５ａ（または、第２の再配線層２５ｂ）の厚みよりも厚い、板塀状（或いは帯状又はリボン状とも称する。）の導電部によって擬似ポスト部２７が取り囲まれている点が第１の実施の形態との主な相違点である。
【００７６】
すなわち、図１０（Ａ）から（Ｃ）に示すように、この実施の形態のＷＣＳＰ６０では、第２の絶縁層２１上に、立設された板塀状の導電部によって、擬似ポスト部２７を取り囲む位置に枠状のコイル２００が形成されている。以下に、コイル２００につき説明する。
【００７７】
コイル２００は、第１の導電部４５ａ及び第２の導電部４５ｂが積層された構成である。なぜなら、コイル用の導電部は、上述したＷＣＳＰにおける再配線層の形成時に同時にパターニング形成されるが、１回の導電部形成工程で形成可能な導電部の厚みは、このとき形成する再配線層の厚みの制約を受けるためである。
【００７８】
続いて、図１１を参照して、この実施の形態の半導体装置であるＷＣＳＰ６０の製造方法につき以下説明する。図１１（Ａ）〜図１１（Ｃ）は、図１０（Ｂ）に対応する部分に着目した製造工程図である。
【００７９】
先ず、半導体チップ１２上に、第１の絶縁層１３、パッシベーション膜１７及び第２の絶縁層２１を順次形成する。その後、第２の絶縁層２１上に、ホトリソグラフィー工程及びスパッタ等によって、銅からなる第１の導電部４５ａ及び第２の導電部４５ｂを順次にパターニングしてコイル２００を形成する。
【００８０】
具体的には、第１の実施の形態で、図２（Ｄ）を参照して説明した第１再配線層２５ａの形成時に、第１の導電部４５ａを形成する。次に、同様に、第２の再配線層２５ｂの形成時に、第１の導電部４５ａ上に第２の導電部４５ｂを形成する。これにより、第１及び第２再配線層（２５ａ、２５ｂ）を積層させた厚みと実質的に同程度の厚みを容易に得ることができる。
【００８１】
その後、露出する第２の絶縁層２１上に第３の絶縁層２２を形成した後、ホトリソグラフィー工程によって、第２の絶縁層２１の表面の、コイル２００で囲まれている一部を露出させるようにして、擬似ポスト部形成用の開口部９６を形成する（図１１（Ａ））。尚、コイル２００は、第１の導電部４５ａ及び第２の導電部４５ｂを積層させた厚みと同程度に形成可能であれば、目的や設計に応じて単一の導電部としても良く、又は３層以上の積層体として良い。
【００８２】
続いて、第３の絶縁層２２上に、ホトリソグラフィー工程によって、開口部９８を有するドライフィルム９７をパターニングして、擬似ポスト部形成用の開口部９９を形成する（図１１（Ｂ））。
【００８３】
続いて、開口部９９に、めっき法によって強磁性材料である鉄を充填して、擬似ポスト部２７を形成する（図１１（Ｃ））。その後、封止層３８及び外部端子２３を順次形成する（図１０（Ｂ））。
【００８４】
上述した説明から明らかなように、この実施の形態では、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００８５】
さらに、この実施の形態では、コイル２００の半導体チップ１２の主表面１２ａと直交する方向に有する厚み（すなわち、高さ）が、第１の実施の形態における各導電部（１５ａ、１５ｂ）よりも充分厚く（すなわち、高く）なっている。
【００８６】
その結果、第１の実施の形態よりも、コイルの配線抵抗を小さくできるため、さらに高Ｑ値を得ることができる。
【００８７】
＜第５の実施の形態＞
図１２及び図１３を参照して、この発明の第５の実施の形態に係る半導体装置につき説明する。図１２（Ａ）は、この発明の主要部であるコイル形成領域（図１に示す平面図のうち破線ａで囲まれた第１領域と同様な領域）を拡大して各構成要素を詳細に示した図である。尚、図１２（Ａ）では、外部端子と封止層とを省略して示してある。また、図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）を破線部分Ａ−Ａ’線に沿って切断して得られる切り口を示す概略断面図である。また、図１２（Ｃ）は、図１２（Ａ）をＣ−Ｃ’線に沿って切断して得られる切り口を示す概略断面図である。また、図１２（Ｄ）は、コイル３００と磁性体からなる擬似ポスト部３５との配置関係を示す概略斜視図である。尚、図１２（Ｂ）及び１２（Ｃ）では、外部端子と封止層とを省略せずに示してある。
【００８８】
図１２（Ａ）から（Ｃ）に示すように、この実施の形態の半導体装置であるＷＣＳＰ６５は、半導体チップ１２の主表面１２ａ上に、第１の絶縁層１３、パッシベーション膜１７、第２の絶縁層２１、第３の絶縁層２２及び封止層３８が順次形成されている。
【００８９】
この実施の形態では、第３の絶縁層２２上に、半導体チップ１２から遠ざかる方向に向かって、すなわち主表面１２ａに対し鉛直な方向に、磁性体からなる円柱状の擬似ポスト部３５が形成されている。擬似ポスト部３５は、その上端面すなわち頂面が封止層３８から露出しており、封止層３８の表面と同一面を形成している。この構成例の擬似ポスト部２７は、強磁性材料である鉄によって形成されている。
【００９０】
また、コイル３００は、主として、第３の絶縁層２２上に、擬似ポスト部３５を取り囲むように設けられている。コイル３００を、当該コイル３００の中心軸Ｊ方向（すなわち、図１２（Ａ）における紙面、すなわち主表面１２ａに対して垂直方向）から見たとき、コイル３００は、中心軸Ｊを取り囲む渦巻き状に設けられているとともに、中心軸Ｊに直交する仮想線Ｋに対して実質的に対称な形状を有している。以下に、コイル３００につき説明する。
【００９１】
コイル３００は、当該コイル３００の中心軸Ｊ方向から見たとき、時計回りに中心軸Ｊに向かって渦巻き状に巻かれている第１の渦部１６１ｂと、反時計回りに中心軸Ｊに向かって渦巻き状に巻かれている第２の渦部１６２ｂとを具えている。また、第１の渦部１６１ｂ及び第２の渦部１６２ｂの中心軸Ｊ側の端部同士は同一面上の接続点Ｌで電気的に接続されている。
【００９２】
また、コイル３００は、第１の渦部１６１ｂと第２の渦部１６２ｂとが立体交差する部分及びその近傍を含む立体交差部７０を有している。この立体交差部７０の様子を、図１２（Ｃ）及び図１２（Ｄ）にそれぞれ概略的に示す。ここでは、半導体チップ１２の主表面１２ａに平行な第１の面ｃを第２の絶縁層２１の上面とし、第２の面ｄを第３の絶縁層２２の上面とする。コイル３００の立体交差部７０を除いた残部である第１及び第２の渦部（１６１ｂ及び１６２ｂ）は、第２の面ｄ上に設けられている。
【００９３】
立体交差部７０では、第１の渦部１６１ｂ又は第２の渦部１６２ｂのいずれか一方の構成部分が、半導体チップ１２から遠ざかる方向に向かって、すなわち主表面１２ａに対して鉛直方向に、第１の面ｃから離間された第２の面ｄ上に設けられ、他方の部分が、この第１の面ｃ上に設けられている。従って、この構成例では、この一方の構成部分は、第１の面ｃ上に形成された第１の導電部１６ａによって構成されている。また、立体交差部７０を構成する第１の渦部１６１ｂ及び第２の渦部１６２ｂの残りの構成部分は、第２の面ｄ上に形成された第２の導電部１６ｂによってそれぞれ構成されている。以下に、コイル３００につき詳細に説明する。
【００９４】
この構成例では、第１の渦部１６１ｂが、第２の面ｄである第３の絶縁層２２上に形成された、第２の導電部１６ｂによってすべて構成されている。
【００９５】
一方、第２の渦部１６２ｂは、立体交差部７０を除いては、第３の絶縁層２２上に形成された複数の第２の導電部１６ｂによって構成されており、立体交差部７０において第２の導電部１６ｂが分断されている。また、これら各第２の導電部１６ｂの両端には、ランド３３がそれぞれ形成されている。
【００９６】
そして、図１２（Ｄ）に示すように、第１の面ｃである第２の絶縁層２１上には、第２の渦部１６２ｂが具える各ランド３３と対向する位置に、第１の導電部１６ａからなるランド３１がそれぞれ形成されている。そして、各立体交差部７０における一対のランド３１間は、半導体チップ１２を主表面１２ａに対して垂直方向な方向から見たときに、同様に第１の導電部１６ａからなる連結部によって接続されている。第１及び第２の導電部（１６ａ、１６ｂ）は、銅によって形成されている。そして、こうして対向する位置にあるランド（３１、３３）間が銅からなる接続部２９によって電気的に接続されており、一連の第２の渦部１６２ｂが形成されている。
【００９７】
すなわち、第１の渦部１６１ｂと第２の渦部１６２ｂとは、立体交差部７０において、主表面１２ａに対して実質的に垂直な方向に離間して立体交差しており、それぞれ渦巻き形状を形成している。尚、この構成例では、第２の渦部１６２ｂが、上述のように分断された第２の導電部１６ｂを有する構造であったが、第１の渦部１６１ｂがこのような構造であっても良い。また、第１の渦部１６１ｂ及び第２の渦部１６２ｂの双方がこのように分断された部分を有していても良い。
【００９８】
コイルが渦巻き形状である場合、このようにコイルがある１つの仮想線Ｋに対して実質的に対称な形状とすることにより、コイルにどちらの端部から電流が入ってもコイルを形成する配線間の相互作用が実質的に等しい構造となる。
【００９９】
その結果、コイルを流れる電流方向に依らずコイルのインダクタンスが実質的に一定となるため、コイルの周波数特性が電流方向の制約を受けない安定なＷＣＳＰ６５となる。
【０１００】
続いて、図１３を参照して、この実施の形態の半導体装置であるＷＣＳＰ６５の製造方法につき以下説明する。尚、図１３（Ａ）及び（Ｂ）中では、左側に、図１２（Ａ）のＡ−Ａ’線で切断された断面に対応する部分を図示し、右側に、図１２（Ａ）のＣ−Ｃ’線で切断された断面に対応する部分を並べて図示してある。
【０１０１】
先ず、半導体チップ１２の主表面１２ａ上に、第１の絶縁層１３、パッシベーション膜１７及び第２の絶縁層２１を順次形成する。その後、第２の絶縁層２１上に、ホトリソグラフィー工程及びスパッタ等によって、銅からなる第１の導電部１６ａを形成する。この構成例では、第１の導電部１６ａを、第２の絶縁層２１上に所定間隔毎に複数島状に配置する。このとき、第１の導電部１６ａの両端には、ランド３１が形成される。その後、各第１の導電部１６ａの両端のランド３１上に、銅からなる接続部２９をホトリソグラフィー工程及びめっき等によって形成する。その後、第２の絶縁層２１上に、接続部２９の側面を覆い、かつ頂面を露出させるように、第３の絶縁層２２を形成する。その後、第３の絶縁層２２上に、ホトリソグラフィー工程及びスパッタ等によって、銅からなる、第１の渦部１６１ｂと、各接続部２９と電気的に接続されるランド３３を有する第２の渦部１６２ｂとを形成する。
【０１０２】
こうして、コイルの中心軸Ｊを取り囲む渦巻き形状であって、かつ中心軸Ｊに直交する仮想線Ｋに対して実質的に対称形状のコイル３００が形成される（図１２（Ａ）参照）。
【０１０３】
このとき、図１２（Ａ）のＡ−Ａ’線で切断された断面に対応する部分には、図１３（Ａ）の左側に示す第１の積層体８６ａが形成される。また、図１２（Ａ）のＣ−Ｃ’線で切断された断面に対応する部分には、図１３（Ａ）の右側に示す第１の積層体８６ｂが形成される。
【０１０４】
続いて、第１及び第２積層体（８６ａ、８６ｂ）上にドライフィルム８７を塗布形成した後、このドライフィルム８７に、ホトリソグラフィー工程によって、第１の積層体８６ａ側の第３の絶縁層２２の表面の一部を露出させる、擬似ポスト部形成用の開口部７３を形成する。その後、開口部７３に、めっき法によって強磁性材料である鉄を充填して、擬似ポスト部３５を形成する（図１３（Ｂ））。
【０１０５】
続いて、ドライフィルム８７を除去した後、擬似ポスト部３５が隠れる程度まで封止層３８となるエポキシ樹脂を形成して、露出する擬似ポスト部３５の上端面に外部端子２３をリフロー形成する（図１２（Ｂ））。
【０１０６】
上述した説明から明らかなように、この実施の形態では第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１０７】
さらに、この実施の形態では、コイルを流れる電流方向に依らずコイルのインダクタンスが実質的に一定となるため、コイルの周波数特性が電流方向の制約を受けない安定なＷＣＳＰを得ることができる。
【０１０８】
＜第６の実施の形態＞
図１４及び図１５を参照して、この発明の第６の実施の形態に係る半導体装置につき説明する。
【０１０９】
図１４（Ａ）は、この発明の主要部であるコイル形成領域（図１に示す平面図のうち破線ａで囲まれた第１の領域と同様な領域）を拡大して各構成要素を詳細に示した図である。尚、図１４（Ａ）において、外部端子と封止層とを省略して示してある。また、図１４（Ｂ）は、図１４（Ａ）を破線部分Ａ−Ａ’線に沿って切断して得られる切り口を示す概略図である。尚、図１４（Ｂ）では、外部端子と封止層とを省略せずに示してある。また、図１４（Ｃ）は、図１４（Ａ）を破線部分Ｄ−Ｄ’線に沿って切断して得られる切り口を示す概略断面図である。
【０１１０】
この実施の形態では、時計回りに中心軸Ｊに向かって渦巻き状に巻かれている第１の渦部１９０ａと、反時計回りに中心軸Ｊに向かって渦巻き状に巻かれている第２の渦部１９０ｂとがそれぞれ異なる面上に形成されている点が第５の実施の形態との主な相違点である。
【０１１１】
すなわち、図１４に示すように、この実施の形態の半導体装置であるＷＣＳＰ７５では、コイル３５０を形成する配線を、第５の実施の形態と同様に、中心軸Ｊ方向から見たとき、時計回りに中心軸Ｊに向かって渦巻き状に巻かれる第１の渦部１９０ａと、反時計回りに中心軸Ｊに向かって渦巻き状に巻かれる第２の渦部１９０ｂとを具えている。
【０１１２】
この実施の形態では、コイル３５０は、半導体チップ１２から遠ざかる方向に向かって、すなわち主表面１２ａに対して鉛直方向に、互いに離間された一対の第１の面ｃ及び第２の面ｄ上に分離されて形成されている。この構成例では、第１の面ｃを第２の絶縁層２１の上面とし、前記第２の面ｄを第３の絶縁層２２の上面としている。コイル３５０を構成する第１の渦部１９０ａである第１の導電部１９ａは、第１の面ｃ上に形成されている。また、コイル３５０を構成する他方の第２の渦部１９０ｂである第２の導電部１９ｂは、第２の面ｄ上に形成されている。以下に、コイル３５０につき詳細に説明する。
【０１１３】
第１及び第２の導電部（１９ａ、１９ｂ）は、銅によって形成されている。また、第１の渦部１９０ａ及び第２の渦部１９０ｂの中心軸Ｊ側の端部同士、すなわちランド（３６、３７）間は、銅からなる接続部４２を介して電気的に接続されている。
【０１１４】
第１の渦部１９０ａと第２の渦部１９０ｂとが立体交差する部分及びその近傍を含む領域である立体交差部７２では、第１の渦部１９０ａと第２の渦部１９０ｂとが半導体チップ１２の主表面１２ａに対して実質的に垂直な方向に離間して立体交差している。
【０１１５】
続いて、図１５を参照して、この実施の形態の半導体装置であるＷＣＳＰ７５の製造方法につき以下説明する。尚、図中では、左側に、図１４（Ａ）のＡ−Ａ’線で切断された断面に対応する部分を図示し、右側に、図１４（Ａ）のＤ−Ｄ’線で切断された断面に対応する部分を併せて図示する。
【０１１６】
先ず、半導体チップ１２の主表面１２ａ上に、第１の絶縁層１３、パッシベーション膜１７及び第２の絶縁層２１を順次形成する。その後、第２の絶縁層２１上に、ホトリソグラフィー工程及びスパッタ等によって、時計回りの渦巻き形状の第１の渦部１９０ａとして、銅からなる第１の導電部１９ａを形成する。このとき、第１の導電部１９ａの、中心軸に対応する側の端部には、ランド３６が形成される。その後、第１の導電部１９ａの渦のランド３６上に、銅からなる接続部４２をホトリソグラフィー工程及びめっき等によって形成する。その後、第２の絶縁層２１上に、接続部４２の側面を覆い、かつ頂面を露出させるように、第３の絶縁層２２を形成する（図１５（Ａ）右側）。その後、第３の絶縁層２２上に、ホトリソグラフィー工程及びスパッタ等によって、接続部４２と電気的に接続されるランド３７を有するとともに、反時計回りの渦巻き形状の第２の渦部１９０ｂとして、銅からなる第２の導電部１９ｂを形成する。
【０１１７】
こうして、コイルの中心軸Ｊを取り囲む渦巻き形状であって、かつ中心軸Ｊに直交するある１つの仮想線Ｋに対して実質的に対称形状のコイル３５０が形成される。
【０１１８】
このとき、図１４（Ａ）のＡ−Ａ’線で切断された断面に対応する部分には、図１５（Ａ）の左側に示す第１の積層体６６ａが形成される。また、図１４（Ａ）のＤ−Ｄ’線で切断された断面に対応する部分には、図１５（Ａ）の右側に示す第２の積層体６６ｂが形成される。
【０１１９】
続いて、第１及び第２積層体（６６ａ、６６ｂ）上にドライフィルム６８を塗布形成した後、ホトリソグラフィー工程によって、第１の積層体６６ａ側の第２の絶縁層２１の表面の一部を露出させる、擬似ポスト部形成用の開口部６９を形成する。その後、開口部６９に、めっき法によって強磁性材料である鉄を充填して、擬似ポスト部３５を形成する（図１５（Ｂ））。その後、封止層３８、外部端子２３を順次形成する（図１４（Ｂ））。
【０１２０】
上述した説明から明らかなように、この実施の形態では、第５の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１２１】
さらに、この実施の形態では、第１の渦部と第２の渦部とが一組の対向するランドを介して、電気的に接続された構造である。よって、複数対のランドを要する第５の実施の形態の構成に比べてコイルの占有面積を低減させることができる。
【０１２２】
また、第５の実施の形態のように導電部を島状に複数パターニングせずとも良いことから、第１の導電部及び第２の導電部を形成するに当たり、高いパターニング精度を要求されない。よって、第５の実施の形態に比べて、製造歩留まりに対する懸念が緩和される。
【０１２３】
＜第７の実施の形態＞
図１６及び図１７を参照して、この発明の第７の実施の形態に係る半導体装置につき説明する。図１６（Ａ）は、この発明の主要部であるコイル形成領域（図１に示す平面図のうち破線ａで囲まれた第１の領域と同様な領域）を拡大して各構成要素を詳細に示した図である。尚、図１６（Ａ）では、封止層３８を省略して示してある。また、図１６（Ｂ）は、図１６（Ａ）を破線部分Ａ−Ａ’線に沿って切断して得られる切り口を示す概略図である。尚、図１６（Ｂ）では、封止層３８を省略せずに示してある。また、図１６（Ｃ）は、コイル４００と磁性体からなる磁性コア部７７との配置関係を示す概略斜視図である。
【０１２４】
図１６（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、この実施の形態の半導体装置であるＷＣＳＰ８０は、磁性体からなる実質的に角柱状或いは平板状の磁性コア部７７を具えている。この磁性コア部７７は、第２の絶縁層２１上を、半導体チップ１２の主表面１２ａに沿うように、すなわち主表面１２ａと平行に延在するとともに、封止層３８に覆われている。
【０１２５】
また、コイル４００は、磁性コア部７７を取り囲むように設けられている。さらに、このコイル４００は、磁性コア部７７の延在方向に沿って主表面１２ａと平行に、実質的に螺旋状の導電路を形成している。以下に、コイル４００につき説明する。
【０１２６】
コイル４００は、第１の導電部４４ａ及び第２の導電部４４ｂを有する導電部４４と、ランド４８及び４９と、接続部４６とを具えている。コイル４００の第１及び第２の導電部（４４ａ、４４ｂ）は、半導体チップの主表面１２ａから鉛直方向に互いに離間された第１の面ｃ及び第２の面ｄ上に、階層的に分離されて設けられている。これら第１の面ｃ及び第２の面ｄは、主表面１２ａに平行な面である。この実施の形態では、第１の面を第２の絶縁層２１の上面とし、第２の面ｄを第３の絶縁層２２の上面としている。さらに、これら第１及び第２の導電部（４４ａ、４４ｂ）は、磁性コア部７７を上下方向から挟む位置にそれぞれ設けられている。
【０１２７】
具体的には、図１６（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、第１の導電部４４ａは、第２の絶縁層２１と磁性コア部７７との間に、磁性コア部７７の長尺方向、すなわち延在方向に対し斜めに交差する方向に、延在している。この第１の導電部４４ａは、磁性コア部７７の長尺方向に所定間隔で複数配置されている。
【０１２８】
また、第２の導電部４４ｂは、封止層３８と磁性コア部７７との間に、磁性コア部７７の長尺方向に対し直交する方向に、延在している。この第２導電部４４ｂは、磁性コア部７７の長尺方向に所定間隔で複数配置されている。
【０１２９】
また、第１の導電部４４ａの両端にランド４８が設けられており、第２の導電部４４ｂの両端にはランド４９が設けられていて、ランド４８と４９とは、互いに、上下方向に実質的に重なり合う位置関係で配設されている。さらに、接続部４６が、対向するランド４８及び４９間に、第３の絶縁層２２を貫通して設けられている。
【０１３０】
このようにして、コイル４００は、第１の導電部４４ａ及び第２の導電部４４ｂを有する導電部４４と、ランド４８及び４９と、接続部４６とが一体的に接続されて、実質的に螺旋状の導電路を形成している。
【０１３１】
ここでの、第１及び第２の導電部（４４ａ、４４ｂ）は、銅によって形成されている。
【０１３２】
また、この実施の形態の磁性コア部７７は、フェライト等の絶縁体材料によって形成されているため、コイル４００が短絡する懸念はない。
【０１３３】
続いて、図１７を参照して、この実施の形態の半導体装置であるＷＣＳＰ８０の製造方法につき以下説明する。
【０１３４】
先ず、半導体チップ１２の主表面１２ａ上に、第１の絶縁層１３、パッシベーション膜１７及び第２の絶縁層２１を順次形成する。その後、第２の絶縁層２１上に、ホトリソグラフィー工程及びスパッタ等によって、銅からなる第１の導電部４４ａを形成する。この構成例では、ランド４８付き第１の導電部４４ａを、後工程において形成予定の磁性コア部７７の延在方向と斜めに交差させて、かつ磁性コア部７７の延在方向に沿って所定間隔で複数形成する。その後、各第１の導電部４４ａの両端のランド４８上に、銅からなる接続部４６をホトリソグラフィー工程及びめっき等によって形成する。その後、第２の絶縁層２１上に、接続部４６の側面を覆い、かつ頂面を露出させる第３の絶縁層２２を形成する（図１７（Ａ））。
【０１３５】
続いて、ホトリソグラフィー工程によって、第３の絶縁層２２の上面から、第１の導電部４４ａの上面を露出させる深さの磁性コア部形成用の開口部５６を形成する（図１７（Ｂ））。この開口部５６は、第１の導電部４４ａの一方の端部に対応して設けられている接続部４６の配列からなる一方の接続部列と、他方の端部に対応して設けられている接続部４６の配列からなる接続部列との間の領域に設ける。尚、この実施の形態では、双方の接続部列は、それぞれ実質的に直線的にかつ互いに実質的に平行になっている。
【０１３６】
続いて、磁性コア部形成用の開口部５６に、強磁性材料であるフェライトを含有したポリイミドを塗布した後、加熱処理によってポリイミドを硬化させて磁性コア部７７を形成する（図１７（Ｃ））。磁性コア部７７の上面は、第３の絶縁層２２の上面と同一レベルとする。
【０１３７】
続いて、ホトリソグラフィー工程及びスパッタ等によって、接続部４６と電気的に接続されるランド４９を有する、銅からなる第２の導電部４４ｂを第３の絶縁層２２上に亘って形成する（図１７（Ｄ））。その後、封止層３８を形成する（図１６（Ｂ））。
【０１３８】
上述した説明から明らかなように、この実施の形態では、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１３９】
＜第８の実施の形態＞
図１８を参照して、この発明の第８の実施の形態に係る半導体装置につき説明する。図１８（Ａ）及び１８（Ｂ）は、それぞれ図２（Ａ）及び（Ｂ）と同様な概略的な平面図、及びＡ−Ａ’断面を示す図である。図１８（Ａ）では、封止層３８を省略して示し、図１８（Ｂ）では、封止層３８を省略せずに図示してある。
【０１４０】
この実施の形態では、接続部４６の配列がジグザクになっている点が第７の実施の形態との主な相違点である。
【０１４１】
すなわち、図１８（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、この実施の形態の半導体装置であるＷＣＳＰ８５では、接続部４６が、磁性体からなる磁性コア部７７の延在方向に複数配設されているとともに、当該延在方向に交差し、かつ半導体チップ１２の主表面１２ａに対して平行な方向に互い違いに形成されている。
【０１４２】
尚、この実施の形態の半導体装置であるＷＣＳＰ８５の製造方法については、第７の実施の形態において、配列された各列の接続部４６の各々をそれぞれ互い違いになるように形成すれば良く、その詳細な説明をここでは省略する。この場合、磁性コア部７７の接続部４６と対応する側端部も凹凸となる。
【０１４３】
上述した説明から明らかなように、この実施の形態では、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１４４】
さらに、この実施の形態では、接続部が上述のように互い違いに形成されているため、コイルのピッチが第７の実施の形態よりも狭められ、よって、コイルの占有面積がさらに低減されたＷＣＳＰを得ることができる。
【０１４５】
＜第９の実施の形態＞
図１９及び図２０を参照して、この発明の第９の実施の形態に係る半導体装置につき説明する。図１９（Ａ）及び１９（Ｂ）は、それぞれ図２（Ａ）及び２（Ｂ）と同様な概略的な平面図、及びＡ−Ａ’断面を示す図である。尚、図１９（Ａ）では、封止層３８を省略して示し、図１９（Ｂ）では、封止層３８を省略せずに図示してある。
【０１４６】
この実施の形態では、絶縁体材料からなる磁性コア部７８によって、コイル４００が埋設されている点が、第７の実施の形態との主な相違点である。
【０１４７】
すなわち、図１９（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、この実施の形態のＷＣＳＰ９０の第２の絶縁層２１上には、コイル４００を埋設するように磁性コア部７８が形成されている。この実施の形態の磁性コア部７８は、フェライト等の絶縁体材料によって形成されているため、コイル４００が短絡する懸念はない。
【０１４８】
続いて、図２０を参照して、この実施の形態のＷＣＳＰ９０の製造方法につき以下説明する。
【０１４９】
先ず、第７の実施の形態と同様の方法によって、半導体チップ１２の主表面１２ａ上に第３の絶縁層２２までを形成する（図１７（Ａ）参照）。
【０１５０】
続いて、ホトリソグラフィー工程によって、第３の絶縁層２２に磁性コア部形成用の開口部５８を形成する（図２０（Ａ））。この開口部５８を、第２の絶縁層２１上に形成されている第１の導電部４４ａと、ランド４８と、接続部４６との組立体の表面を露出させるように、形成する。従って、この組立体を外側から囲んで内側に含む第３の絶縁層２２の領域は、この組立体を残存させるようにして、第２の絶縁層２１の上面が露出する深さに開口すれば良い。
【０１５１】
続いて、磁性コア部形成用の開口部５８に、強磁性材料であるフェライトを含有したポリイミドを塗布した後、加熱処理によってポリイミドを硬化させて第１の磁性コア部７８ａを形成する。このとき、接続部４６の上端面、すなわち頂面は、第１の磁性コア部７８ａから露出している（図２０（Ｂ））。
【０１５２】
続いて、ホトリソグラフィー工程及びスパッタ等によって、接続部４６と電気的に接続されるランド４９を有する、銅からなる第２の導電部４４ｂを第１の磁性コア部７８ａ上に形成する。（図２０（Ｃ））。
【０１５３】
続いて、ホトリソグラフィー工程によって、第３の絶縁層２２上にこの層２２を覆うレジスト層（不図示）を形成する。その後、レジスト層から露出する第２の導電部４４ｂを埋設するように、第２の磁性コア部７８ｂを形成する。第２の磁性コア部７８ｂを、フェライトを含有したポリイミドを塗布した後、加熱処理によってポリイミドを硬化させて形成する。その後、レジスト層を除去し、第１の磁性コア部７８ａ及び第２の磁性コア部７８ｂからなる磁性コア部７８を形成する（図２０（Ｄ））。そして、第２の磁性コア部７８ｂを覆うように、封止層３８を形成する（図１９（Ｂ））。
【０１５４】
上述した説明から明らかなように、この実施の形態では、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１５５】
さらに、この実施の形態では、コイル全体が磁性体によって覆われているので、コイル周囲の実効的な透磁率が大きくなり、よって、第７の実施の実施の形態よりもコイルのインダクタンスを増大させることができる。
【０１５６】
＜第１０の実施の形態＞
図２１及び図２２を参照して、この発明の第１０の実施の形態に係る半導体装置につき説明する。図２１（Ａ）は、この発明の主要部であるコイル形成領域（図１に示す平面図のうち破線ａで囲まれた第１の領域と同様な領域）を拡大して各構成要素を詳細に示した図である。また、図２１（Ｂ）は、図２１（Ａ）を破線部分Ａ−Ａ’線に沿って切断して得られる切り口を示す概略図である。尚、図２１（Ａ）では、封止層３８を省略して示し、図２１（Ｂ）では、封止層３８を省略せずに図示してある。
【０１５７】
図２０（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、この実施の形態の半導体装置であるＷＣＳＰ９５は、半導体チップ１２の主表面１２ａ上に、第１の絶縁層１３、パッシベーション膜１７、第２の絶縁層２１、第３の絶縁層２２、第４の絶縁層１１及び封止層３８が順次形成されている。
【０１５８】
そして、この実施の形態では、第２の絶縁層２１上及び第４の絶縁層１１上に、互いに対向するように板状の第１の磁性層５２及び第２の磁性層５３がそれぞれ形成されている。この構成例の第１及び第２の磁性層（５２、５３）は四角形であって、強磁性材料である鉄によって形成されている。
【０１５９】
また、コイル５００は、第３の絶縁層２２上であって、かつ第１の磁性層５２及び第２の磁性層５３間に挟まれる領域内の位置に、渦巻き状に形成されている。この構成例では、このコイル５００の形状は、四角い渦巻きとなっている。
【０１６０】
続いて、図２２を参照して、この実施の形態の半導体装置であるＷＣＳＰ９５の製造方法につき以下説明する。
【０１６１】
先ず、半導体チップ１２の主表面１２ａ上に、第１の絶縁層１３、パッシベーション膜１７及び第２の絶縁層２１を順次形成する。その後、第２の絶縁層２１上にレジスト層６４を形成した後、ホトリソグラフィー工程によって、第２の絶縁層２１の表面の一部を露出させる第１の磁性層形成用の開口部６４ａを形成する。その後、この開口部６４ａに、めっき法によって強磁性材料である鉄を充填して、板状の第１の磁性層５２を形成する（図２２（Ａ））。
【０１６２】
続いて、レジスト層６４を除去した後、第２の絶縁層２１上に、第１の磁性層５２を埋設するように、第３の絶縁層２２を形成する。その後、第３の絶縁層２２上に、銅からなる渦巻き状のコイル５００を、ホトリソグラフィー工程及びスパッタ等によって形成する（図２２（Ｂ））。
【０１６３】
続いて、第３の絶縁層２２上に、コイル５００を埋設するように、第４の絶縁層１１を形成する。その後、第４の絶縁層１１上にレジスト層６７を形成した後、ホトリソグラフィー工程によって、第４の絶縁層１１の表面の一部を露出させる、第２の磁性層形成用の開口部５９を形成する。（図２２（Ｃ））。
【０１６４】
その後、第２の磁性層形成用の開口部５９に、めっき法によって、強磁性材料である鉄を充填して、板状の第２の磁性層５３を形成する。このとき、この第２の磁性層５３を第１の磁性層５２と正対するように設けると良い。その後、レジスト層６７を除去する（図２２（Ｄ））。その後、封止層３８を形成する（図２１（Ｂ））。
【０１６５】
上述した説明から明らかなように、この実施の形態では、コイルを上下方向から挟む磁性体によって、コイルのインダクタンスを増大させることができる。尚、この実施の形態では、第１の磁性層及び第２の磁性層によってコイルが挟まれた構成としたが、目的や設計に応じていずれか一方の磁性層が設けられた構成であっても良い。
【０１６６】
＜第１１の実施の形態＞
図２３及び図２４を参照して、この発明の第１１の実施の形態に係る半導体装置につき説明する。図２３（Ａ）及び２３（Ｂ）は、それぞれ図２（Ａ）及び２（Ｂ）と同様な概略的な平面図、及びＡ−Ａ’断面を示す図である。図２３（Ａ）では、封止層３８を省略して示し、図２３（Ｂ）では、封止層３８を省略せずに図示してある。
【０１６７】
この実施の形態では、コイル５００の下側に設けられている第１の磁性層５４が、半導体チップ１２の表面に形成されているパッシベーション膜１７によって覆われている点が第１０の実施の形態との主な相違点である。
【０１６８】
すなわち、図２３（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、この実施の形態の半導体装置であるＷＣＳＰ９９では、鉄からなる第１の磁性層５４が、半導体チップ１２の上側に形成されているパッシベーション膜１７によって覆われた構成である。従って、第１１の実施の形態は、第１の磁性層５４を第１の絶縁層１３に埋め込んだ点が第１０の実施の形態とは構成が異なっている。
【０１６９】
続いて、図２４を参照して、この実施の形態の半導体装置であるＷＣＳＰ９９の製造方法につき以下説明する。
【０１７０】
先ず、半導体チップ１２の主表面１２ａ上に第１の絶縁層１３を形成した後、ホトリソグラフィー工程によって、第１の絶縁層１３の表面領域に、第１の磁性層形成用の開口部７１を形成する（図２４（Ａ））。
【０１７１】
続いて、第１の磁性層形成用の開口部７１に、めっき法によって、強磁性材料である鉄を充填して、第１の磁性層５４を形成する（図２４（Ｂ））。
【０１７２】
続いて、第１の絶縁層１３上に、第１の磁性層５４が覆われるようにパッシベーション膜１７を形成する。その後、パッシベーション膜１７上に第２の絶縁層２１を形成する。そして、この第２の絶縁層２１上に、銅からなる渦巻き状のコイル５００を、ホトリソグラフィー工程及びスパッタ等によって形成する（図２４（Ｃ））。
【０１７３】
続いて、第２の絶縁層２１上に、コイル５００を埋設するように、第３の絶縁層２２を形成する。その後、第３の絶縁層２２上にレジスト層を形成した後、ホトリソグラフィー工程によって、第３の絶縁層２２の上面の一部を露出させる、第２の磁性層形成用の開口部（不図示）を形成する。その後、この開口部に、めっき法によって、強磁性材料である鉄からなる第２の磁性層５６を形成する。その後、レジスト層を除去する（図２４（Ｄ））。その後、封止層３８を形成する（図２３（Ｂ））。
【０１７４】
上述した説明から明らかなように、この実施の形態では、第１０の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１７５】
さらに、この実施の形態では、第１の磁性層が第１の絶縁膜の表面領域に形成されていることから第４の絶縁膜が不要となり、第１０の実施の形態よりも高集積化されたＷＣＳＰとなる。
【０１７６】
さらに、この実施の形態では、第１の磁性層の形成を、パッシベーション膜の形成よりも前段のウェハプロセスと兼用することにより、製造工程を減少させることができる。その結果、第１０の実施の形態よりも製造コストを低減することができる。尚、この実施の形態では、第１の磁性層及び第２の磁性層によってコイルが挟まれた構成としたが、目的や設計に応じていずれか一方の磁性層が設けられている構成であっても良い。
【０１７７】
＜第１２の実施の形態＞
図２５及び図２６を参照して、この発明の第１２の実施の形態に係る半導体装置につき説明する。図２５（Ａ）及び２５（Ｂ）は、それぞれ図２（Ａ）及び２（Ｂ）と同様な概略的な平面図、及びＡ−Ａ’断面を示す図である。図２５（Ａ）では、封止層３８を省略して示し、図２５（Ｂ）では、封止層３８を省略せずに図示してある。
【０１７８】
この実施の形態のコイル６００は、擬似ポスト部５７を取り囲む渦巻き形状である点が第１の実施の形態との主な相違点である。
【０１７９】
図２５（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、この実施の形態のＷＣＳＰ１２０では、擬似ポスト部５７は、半導体チップ１２の主表面１２ａに対し鉛直方向に延在させて設けられている。この擬似ポスト部５７の延在方向と直交する面を構成する第２の絶縁層２１の上面上に、コイルの中心軸に向かって反時計回りに渦巻き状に巻かれるコイル６００が形成されている。
【０１８０】
また、コイル６００の、中心軸側の端部に形成されたランド４３は、接続部４１を介して、半導体チップ１２側と電気的に接続されている配線層４７に接続されている。
【０１８１】
続いて、図２６を参照して、この実施の形態の半導体装置であるＷＣＳＰ１２０の製造方法につき以下説明する。
【０１８２】
先ず、半導体チップ１２の主表面１２ａ上に、第１の絶縁層１３、パッシベーション膜１７及び第２の絶縁層２１を順次形成する。このとき、従来公知の方法によって、パッシベーション膜１７の形成前に、第１の絶縁層１３の表面領域に配線層４７を形成する。さらに、第２の絶縁層２１の形成後に、当該配線層４７上に、パッシベーション膜１７及び第２の絶縁層２１を貫通し、かつその上端面、すなわち頂面が第２の絶縁層２１から露出する接続部４１を形成する。
【０１８３】
その後、第２の絶縁層２１上に、一端が接続部４１と接続された渦巻き状のコイル６００をパターン形成して積層体７４を得る。その後、積層体７４上に、ドライフィルム１０１を塗布形成した後、ホトリソグラフィー工程によって、第２の絶縁層２１の表面の一部を露出させる、擬似ポスト部形成用の開口部１０３を形成する（図２６（Ａ））。
【０１８４】
続いて、開口部１０３に、めっき法によって強磁性材料である鉄を充填して、擬似ポスト部５７を形成する（図２６（Ｂ））。
【０１８５】
続いて、ドライフィルム１０１を除去した後、擬似ポスト部５７の上端面、すなわち頂面が露出するように封止層３８を形成する（図２６（Ｃ））。その後、擬似ポスト部の上端面に外部端子２３を形成する（図２５（Ｂ））。
【０１８６】
上述したように、この実施の形態では、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１８７】
以上、この発明は、上述した実施の形態の組合せのみに限定されない。よって、任意好適な段階において好適な条件を組み合わせ、この発明を適用することができる。
【０１８８】
【発明の効果】
上述した説明から明らかなように、この発明の半導体装置によれば、コイルによって取り囲まれた位置に設けられた磁性体によって、コイルのインダクタンスを増大させることができる。
【０１８９】
さらに、このように磁性体を設けた場合と同程度のインダクタンスを磁性体を設けずに得ようとする場合に比べて、コイルの占有面積を低減することができ、半導体装置の大型化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施の形態の半導体装置の説明に供する図である。
【図２】（Ａ）から（Ｄ）は、この発明の第１の実施の形態の半導体装置の説明に供する図である。
【図３】（Ａ）及び（Ｂ）は、この発明の第１の実施の形態の半導体装置の製造工程の説明に供する図（その１）である。
【図４】（Ａ）及び（Ｂ）は、この発明の第１の実施の形態の半導体装置の製造工程の説明に供する図（その２）である。
【図５】（Ａ）及び（Ｂ）は、この発明の第２の実施の形態の半導体装置の説明に供する図である。
【図６】（Ａ）及び（Ｂ）は、この発明の第２の実施の形態の半導体装置の製造工程の説明に供する図である。
【図７】（Ａ）及び（Ｂ）は、この発明の第３の実施の形態の半導体装置の説明に供する図である。
【図８】（Ａ）から（Ｃ）は、この発明の第３の実施の形態の半導体装置の製造工程の説明に供する図（その１）である。
【図９】（Ａ）及び（Ｂ）は、この発明の第３の実施の形態の半導体装置の製造工程の説明に供する図（その２）である。
【図１０】（Ａ）から（Ｃ）は、この発明の第４の実施の形態の半導体装置の説明に供する図である。
【図１１】（Ａ）から（Ｃ）は、この発明の第４の実施の形態の半導体装置の製造工程の説明に供する図である。
【図１２】（Ａ）から（Ｄ）は、この発明の第５の実施の形態の半導体装置の説明に供する図である。
【図１３】（Ａ）及び（Ｂ）は、この発明の第５の実施の形態の半導体装置の製造工程の説明に供する図である。
【図１４】（Ａ）から（Ｃ）は、この発明の第６の実施の形態の半導体装置の説明に供する図である。
【図１５】（Ａ）及び（Ｂ）は、この発明の第６の実施の形態の半導体装置の製造工程の説明に供する図である。
【図１６】（Ａ）から（Ｃ）は、この発明の第７の実施の形態の半導体装置の説明に供する断面図である。
【図１７】（Ａ）から（Ｄ）は、この発明の第７の実施の形態の半導体装置の製造工程の説明に供する図である。
【図１８】（Ａ）及び（Ｂ）は、この発明の第８の実施の形態の半導体装置の説明に供する断面図である。
【図１９】（Ａ）及び（Ｂ）は、この発明の第９の実施の形態の半導体装置の説明に供する図である。
【図２０】（Ａ）から（Ｄ）は、この発明の第９の実施の形態の半導体装置の製造工程の説明に供する図である。
【図２１】（Ａ）及び（Ｂ）は、この発明の第１０の実施の形態の半導体装置の説明に供する図である。
【図２２】（Ａ）から（Ｄ）は、この発明の第１０の実施の形態の半導体装置の製造工程の説明に供する図である。
【図２３】（Ａ）及び（Ｂ）は、この発明の第１１の実施の形態の半導体装置の説明に供する図である。
【図２４】（Ａ）から（Ｄ）は、この発明の第１１の実施の形態の半導体装置の製造工程の説明に供する図である。
【図２５】（Ａ）及び（Ｂ）は、この発明の第１２の実施の形態の半導体装置の説明に供する図である。
【図２６】（Ａ）から（Ｃ）は、この発明の第１２の実施の形態の半導体装置の製造工程の説明に供する図である。
【符号の説明】
１０、５０、５５、６０、６５、７５、８０、８５、９０、９５、９９、１２０：ＷＣＳＰ
１１：第４の絶縁層
１２：半導体チップ
１３：第１の絶縁層
１４：電極パッド
１５、４４、１１６：導電部
１５ａ、１６ａ、１９ａ、４４ａ、４５ａ：第１の導電部
１５ｂ、１６ｂ、１９ｂ、４４ｂ、４５ｂ：第２の導電部
１７：パッシベーション膜
１８：ポスト部
２１：第２の絶縁層
２２：第３の絶縁層
２４、２８、３１、３３、３６、３７、４８、４９：ランド
２５：配線層
２５ａ：第１の再配線層
２５ｂ：第２の再配線層
２６、２９、３９、４１、４２、４６：接続部
２７、３４、３５、５７：擬似ポスト部
３２、７７、７８：磁性コア部
３４ａ：第１の擬似ポスト部
３４ｂ：第２の擬似ポスト部
３８：封止層
４７：配線層
５２：第１の磁性層
５３：第２の磁性層
５６、６４ａ、６９、７３、８９ａ、８９ｂ、９１、９６、９８、９９、１０３：開口部
６４、６７、８４：レジスト層
６６ａ、８６ａ、８８ａ：第１の積層体
６６ｂ、８６ｂ、８８ｂ：第２の積層体
７０、７２：立体交差部
７４：積層体
７８ａ：第１の磁性コア部
７８ｂ：第２の磁性コア部
８３、８７、９４、９７、１０１：ドライフィルム
１００、２００、３００、４００、５００、６００：コイル
１６１ｂ、１９０ａ：第１の渦部
１６２ｂ、１９０ｂ：第２の渦部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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