(57)【要約】【課題】回路面同士を接続するＣＨＩＰ　ＯＮ　ＣＨＩＰ構造の半導体は二つのチップ同士の平行度を±５μｍにする必要がある。リードフレーム上でチップ同士を接続するためにはリードフレーム内のダイパッドとチップの平行度を高精度で確保せねばならないが熱硬化性接着剤で接着されたチップとダイパッドは高平行度で接着することは困難である。【解決手段】二つのチップの回路面同士を接続するＣＨＩＰ　ＯＮ　ＣＨＩＰ構造の製造方法においてリードフレーム内のダイパッドに既に接着された１ＳＴチップをダイパッドをさけた形状でかつ１ＳＴチップを直接載置できる接続台座にて１ＳＴチップを載置し、かつ接続用突起電極が下を向いた２ＮＤチップをボンディングツールで吸着し、接続することで１ＳＴチップと２ＮＤチップ間の接続が高平行度で確保できる。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームのダイパッドと、前記ダイパッドよりも大きい第１の半導体チップの裏面とを接着する工程と、前記第１の半導体チップの裏面の前記ダイパッドからはみ出した部分を支持台により支持する工程と、前記第１の半導体チップの電極と前記第２の半導体チップの電極とを接続部材を介して電気的に接続する工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
第１の半導体チップの電極と第２の半導体チップの電極とを接続部材を介して電気的に接続する工程は、前記第１の半導体チップの裏面側から、前記ダイパッドの表面に平行な押圧面を有するツールにより押圧することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
リードフレームのダイパッドに接着された第１の半導体チップの裏面の前記ダイパッドからはみ出した部分を支持する支持台と、前記第１の半導体チップの電極と第２の半導体チップの電極とを電気的に接続する際に、前記第２の半導体チップの裏面を押圧し、その表面が前記ダイパッドの表面と平行な押圧面を有する押圧ツールとを備えた半導体装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体素子である二つのチップとチップを各チップに設けられている接続用突起電極５同士を対向状態にて接続するＣＨＩＰ　ＯＮ　ＣＨＩＰ構造（以下ＣＯＣ構造と示す）の半導体製造方法、及び半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体素子上に設けられた接続用突起電極５同士を接続するＣＯＣ構造の半導体の製造方法は、図２に示すようにベアチップ状態で接続しており、１ＳＴチップ３をベアチップ状態にて平坦で平行な基準となる接続台座４上に接続用突起電極５をフェイスアップ状態で設置し、もう一方の上側の２ＮＤチップ６をベアチップ状態で接続台座４との平行度が５μｍ以下の高精度に調整されたボンディングツール７でフェイスダウンの状態で吸着し接続を実施していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来技術には以下に記す課題がある。半導体素子を個片で扱うためこの製造方法は生産性が悪い。また生産性向上を図る為リードフレーム１単位でチップを扱い製造する場合次の課題があった。図４に示すようにリードフレーム１内のダイパッド２に接着されている１ＳＴチップ３に対して、２ＮＤチップ６をボンディングツール７でフェイスダウンの状態で吸着し接続用突起電極５同士にて接続する場合、リードフレーム１のダイパッド２と１ＳＴチップ３は熱硬化性接着剤８により接着されており熱硬化時の収縮によりリードフレーム１内のダイパッド２と１ＳＴチップ３の平行度は２５μｍ程度傾斜を含む状態で接着されている。１ＳＴチップ３に２ＮＤチップ６を対向状態で接続する時１ＳＴチップ３と２ＮＤチップ６の平行度を±５μｍ以内で接続させないと互いの接続用突起電極５がつぶれたり、一部の電極が先に接触しチップの回路面にダメージを与えてしまったりする。そこで特願平１０−１２１８１６号で出願されているような、ボンディングツール７に圧力センサー９を埋設し、傾きを計測し、接続面が平行になるよう調整したのち接続することが必要であった。その為、図４に示すようにボンディングツール７に傾き調整機構１０、傾き検知用圧力センサー９が必要となり高価な専用装置を必要とし、また毎チップの測定が必要であり接続に要する時間が長くなる問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
課題を解決する手段を図１に示す。本発明は接続台座４に図３に示すようにダイパッド２形状を避けかつ１ＳＴチップ３の４辺を直接受ける接続台座４を設ける。この台座の形状はダイパッド２に接触しない形状でかつチップの接続用突起電極５を接続する時の加圧力を受けられる形状であればよい。この接続台座４の１ＳＴチップ３の載置面を基準としてボンディングツール７の平行度を調整し固定している。リードフレーム１内のダイパッド２に熱硬化性接着剤８で接着されたダイパッド２に対して平行度が確保されていないフェイスアップ１ＳＴチップ３を１ＳＴチップ３の４辺を保持する接続台座４で直接載置する。これによりダイパッド２とフェイスアップ１ＳＴチップ３の平行度が出ていない状態でもフェイスアップ１ＳＴチップ３とボンディングツール７にて吸着されたフェイスダウン２ＮＤチップ６は高平行度を保つことができる。これによりリードフレーム１上で二つのチップを接続用突起電極５同士で高平行度状態で接続することができる。この発明でリードフレーム１単位でチップ接続を実施でき、チップを個片で扱う従来の製造工程より生産性を上げることができ、またリードフレーム１上で接続する場合従来必要であった１ＳＴチップ３の傾きを測定しボンディングツール７の傾きを調整する工程が無くなり安価な装置で高速に接続することができる。
【０００５】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の半導体製造方法における実施の形態を図１に基づいて説明する。
【０００６】
図２は二つのチップが接続用突起電極５同士を対向して接続しているＣＯＣ構造の半導体を説明する図である。１ＳＴチップ３と２ＮＤチップ６の回路面同士、すなわち１ＳＴチップ回路面１１と２ＮＤチップ回路面１２を接続用突起電極５を介して電気的に接続する。この際電気的特性を保証するために、１ＳＴチップ３と２ＮＤチップ６の平行度±５μｍ以内が要求される。この半導体の従来の組立方法を図５の従来の工程の説明図と図４の従来の接続方法の説明図を使って説明していく。まずステップＳ２１の処理で接続台座４上に載置されたダイパッド２に熱硬化性接着剤８を塗布後、ステップＳ２２の処理で１ＳＴチップ３を接着し、ステップＳ２３の処理で熱硬化処理後、ステップＳ２４で接続台座４を基準とした時の１ＳＴチップ３の傾きを計測しステップＳ２５にてステップＳ２４で得た１ＳＴチップ３の傾きデータをもとにボンディングツール７を接続台座４と平行になるよう傾き調整機構１０にて調整する。ステップＳ２６で２ＮＤチップ６と１ＳＴチップ３の接続用突起電極５同士を接続する。これに対して本発明の組立方法を図６の本発明の工程説明図と図１の本発明の概略図を使って説明していく。まず既存の一般的ダイスボンダー工程においてステップＳ３１の処理でダイパッド２に熱硬化性接着剤８を塗布後、ステップＳ３２の処理で１ＳＴチップ３を接着し、ステップＳ３３の処理で熱硬化処理する。ステップＳ３４でダイパッド２に１ＳＴチップ３が接着されたリードフレーム１を本発明である接続台座４を有する装置に載置し、２ＮＤチップ６と１ＳＴチップ３の接続突起電極５同士を接続する。本発明では、リードフレーム１内のダイパッド２への接着後の１ＳＴチップ３とダイパッド２の平行度が確保されていない状態でも、１ＳＴチップ３を直接接続台座４に載置することでダイパッド２との傾きの影響を排除することが出来、センサーにより傾きを測定する必要が無く、また初めから接続台座４と平行が保証されているボンディングツール７で２ＮＤチップ６を吸着することでボンディングツール７を１ＳＴチップ３の傾きに合わせて平行度を出す為に調整する必要が無くなる。
【０００７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体製造方法によれば次のような効果がある。すなわち本発明のようなリードフレーム１内のダイパッド２に接着された１ＳＴチップ３を直接載置する接続台座４を使った製造方法を採れば、１ＳＴチップ３の傾きを圧力センサー９などで測定する必要が無くなり、測定ミス等による傾き調整ミスも無くなり安定したかつ生産速度の速い二つのチップを接続する半導体製造方法、及び半導体製造装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の構成を示す概略図
【図２】ＣＯＣ構造の半導体の説明図
【図３】本発明の接続台座４形状例を示す図
【図４】従来技術の実施例（特願平１０−１２１８１６号）を示す図
【図５】従来の工程説明図
【図６】本発明の工程説明図
【記号の説明】
１　リードフレーム
２　ダイパッド
３　１ＳＴチップ
４　接続台座
５　接続用突起電極
６　２ＮＤチップ
７　ボンディングツール
８　熱硬化性接着剤
９　圧力センサー
１０　傾き調整機構
１１　１ＳＴチップ回路面
１２　２ＮＤチップ回路面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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