(57)【要約】【課題】光導波路デバイスモジュールの作製時において、ＳＨＧ素子の位置決めを行う際に位置ずれが生じていた。【解決手段】ＳＨＧ素子９を保持するためのコレット２８の、ＳＨＧ素子に対する水平方向の保持力が、ＳＨＧ素子が接着剤から受ける応力以上であるようにする。【選択図】　図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光導波路デバイス、半導体レーザおよび前記デバイスを固定するためのサブマウントから構成される光導波路デバイスモジュールの実装装置であって、前記光導波路デバイスを保持し、前記光導波路デバイスを前記サブマウント上に塗布された接着剤を介して移動し、前記光導波路デバイスの前記半導体レーザに対する位置決めを行うために用いるコレットを具備し、前記コレットの前記光導波路デバイスを保持する力が、前記光導波路デバイスが前記接着剤から受ける摩擦力以上であることを特徴とする光導波路デバイスモジュールの実装装置。
【請求項２】
前記コレットの光導波路デバイス保持部表面にゴム系の部材がコーティングまたは接着されていることを特徴とする請求項１に記載の光導波路デバイスモジュールの実装装置。
【請求項３】
前記ゴム系の部材がフッ素ゴム、ニトリルブタジエンゴム、水素化ニトリルブタジエンゴム、エチレンプロピレンゴム、ハイパロン、塩素化ポリエチレンのいずれかであることを特徴とする請求項２に記載の光導波路デバイスモジュールの実装装置。
【請求項４】
前記ゴム系の部材の厚みが５０μｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載の光導波路デバイスモジュールの実装装置。
【請求項５】
光導波路デバイス、半導体レーザおよび前記デバイスを固定するためのサブマウントから構成される光導波路デバイスモジュールの実装装置であって、前記光導波路デバイスと前記サブマウントの接着に用いる紫外線硬化剤を硬化させるために用いられる紫外光出射部を備え、前期紫外光出射部の径が、前記サブマウントの幅以下であることを特徴とする光導波路デバイスモジュールの実装装置。
【請求項６】
前記紫外光出射部の形状がピンホール型であることを特徴とする請求項５に記載の光導波路デバイスモジュールの実装装置。
【請求項７】
請求項１に記載のコレットおよび請求項５に記載の紫外光出射部を備えた光導波路デバイスモジュールの実装装置。
【請求項８】
光導波路デバイス、半導体レーザおよび前記デバイスを固定するためのサブマウントから構成される光導波路デバイスモジュールの実装方法であって、前記光導波路デバイスを前記サブマウントへ紫外線硬化剤を用いて固定する際に、紫外光照射装置より出射される紫外光照射面の前記サブマウントの位置での直径を、前記サブマウントの幅以下とし、かつ光導波路デバイスモジュールを作製するための実装装置への紫外光の照射を防ぐことを特徴とする光導波路デバイスモジュールの実装方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザと光導波路デバイスをサブマウント上に実装するための実装装置および、その実装方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
波長７８０ｎｍ帯の近赤外半導体レーザや波長６５０ｎｍの赤色半導体レーザを用いた光ディスクシステムの開発が活発である。光ディスクの高密度化を実現するためには、小さなスポット形状を再生することが望まれる。そのためには、光源の短波長化が必要となる。短波長光源として、近赤外半導体レーザと擬似位相整合（以下、ＱＰＭと記す。）方式の光導波路デバイスを用いた第２高調波発生（以下、ＳＨＧと記す）モジュールがある。
【０００３】
光導波路型波長変換デバイスを用いた光導波路デバイスモジュールの概略構成図を図８に示す。半導体レーザ４４として、波長可変半導体レーザが用いられている。波長変換素子である光導波路型波長変換デバイス４８は、Ｘ板ＭｇドープＬｉＮｂＯ３基板上に形成された光導波路５０と周期的な分極反転領域５１より構成されている。５２はＮ．Ａ．＝０．５のコリメートレンズ、５３はＮ．Ａ＝０．３９のフォーカスレンズである。半導体レーザ４４の活性層４９より出射され、コリメートレンズ５２で平行になったレーザ光は、フォーカスレンズ５３で光導波路型波長変換デバイスの光導波路５０の端面に集光され、光導波路５０を伝搬し、光導波路５０の出射端面より高調波が出射される。半導体レーザ４４の出力１００ｍＷに対して７０ｍＷのレーザ光が光導波路５０に結合された。半導体レーザ４４の発振波長を光導波路型波長変換デバイス４８の位相整合波長に固定することで、波長４１０ｎｍの青紫色光が得られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
光導波路型波長変換デバイスを用いた光導波路デバイスモジュールを光ディスク用のピックアップへ搭載するため、光導波路デバイスモジュールの小型化が求められている。図９に示すモジュールでは光ピックアップへの搭載には大きいため図１に示すような光導波路デバイスモジュールを作製し、小型化を図る必要がある。図１は光導波路デバイスモジュールの断面図である。
【０００５】
図１に示す光導波路型波長変換デバイス２と半導体レーザ１をサブマウント６上に配置することによって作製される光導波路デバイスモジュールでは、半導体レーザ１からの出射光と光導波路デバイス２上の光導波路７との高効率な光結合が要求される。特に光導波路デバイス２として擬似位相整合方式の光導波路型波長変換デバイスを用い、第２高調波発生（以下、ＳＨＧと記す）を用いた短波長光源においては、得られる高調波出力が、光結合する基本波パワーの２乗に比例するため特に重要である。
【０００６】
高効率な光結合の実現のためには図１に示す半導体レーザ１のレーザ光出射位置３に対して、光導波路型波長変換デバイス２（以下ＳＨＧ素子とする）の光導波路入射端位置４はＸＹＺ方向にそれぞれに対し、ずれ幅±０．２μｍ以内に位置制御されなければならないため、非常に高精度な実装が要求される。ＳＨＧ素子が所望の位置（この場合は光結合効率が最大となる位置）から位置ずれなく実装されることは高調波出力の高出力化において必須の条件である。
【０００７】
ＳＨＧ素子の実装方法を図２を用いて説明する。サブマウント１９上には半導体レーザ１が半田付けされ、ＳＨＧ素子５とサブマウント１９の接着固定用に紫外線硬化剤３５が塗布されている。ＳＨＧ素子５を、コレット２８を用いてサブマウント１９上へ移動する。ＳＨＧ素子５は光導波路９が下面になるように運ばれる。ＳＨＧ素子５は真空吸着によりコレット２８に保持される。ＳＨＧ素子５が所望の位置（光結合効率が最大となる位置：半導体レーザ１のレーザ光出射位置３３と、ＳＨＧ素子５の光導波路入射端位置３４が一致する位置）に移動された後、紫外線を照射し紫外線硬化剤３５を硬化させサブマウント１９へＳＨＧ素子５を固定する。
【０００８】
以上の行程を経て光導波路デバイスモジュールは作製されるのであるが、非常に高精度な位置決めが要求されるＳＨＧ素子５の実装において以下の課題があった。まず第１に、ＳＨＧ素子５の位置調整時にＳＨＧ素子５と紫外線硬化剤３５との摩擦により、コレット２８とＳＨＧ素子との間に滑りが発生し、ＳＨＧ素子５が思うように動かせず、光結合効率が最大となる位置へ移動させることが非常に困難であった。第２に、ＳＨＧ素子５の接着固定時に照射される紫外光の吸収によりコレット２８や周辺部が発熱し、実装装置の熱膨張が発生するためにＳＨＧ素子５の位置が光結合効率が最大となる位置からずれてしまい、光結合効率が低下してしまっていた。
【０００９】
上記２つの課題により、高効率な光結合効率を得ることができず、光導波路デバイスへの入射光が減少し、高調波出力が低下してしまうという問題があった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の光導波路デバイスの実装装置は、光導波路デバイス、半導体レーザおよび前記デバイスを固定するためのサブマウントから構成される光導波路デバイスモジュールの実装装置であって、前記光導波路デバイスを保持し、前記光導波路デバイスを前記サブマウント上に塗布された接着剤を介して移動し、前記光導波路デバイスの前記半導体レーザに対する位置決めを行うために用いるコレットを具備し、前記コレットの前記光導波路デバイスを保持する力が、前記光導波路デバイスが前記接着剤から受ける摩擦力以上であることを特徴とする。
【００１１】
また、前記コレットの光導波路デバイス保持部表面にゴム系の部材がコーティングまたは接着されていることが望ましい。
【００１２】
また、前記ゴム系の部材がフッ素ゴム、ニトリルブタジエンゴム、水素化ニトリルブタジエンゴム、エチレンプロピレンゴム、ハイパロン、塩素化ポリエチレンのいずれかであることが望ましい。
【００１３】
また、前記ゴム系の部材の厚みが５０μｍ以下であることが望ましい。
【００１４】
また、本発明の光導波路デバイスモジュールの実装装置は、光導波路デバイス、半導体レーザおよび前記デバイスを固定するためのサブマウントから構成される光導波路デバイスモジュールの実装装置であって、前記光導波路デバイスと前記サブマウントの接着に用いる紫外線硬化剤を硬化させるために用いられる紫外光出射部を備え、前期紫外光出射部の径が、前記サブマウントの幅以下であることを特徴とする。
【００１５】
また、前記紫外光出射部の形状がピンホール型であることが望ましい。
【００１６】
また、本発明の光導波路デバイスの実装方法は、光導波路デバイス、半導体レーザおよび前記デバイスを固定するためのサブマウントから構成される光導波路デバイスモジュールの実装方法であって、前記光導波路デバイスを前記サブマウントへ紫外線硬化剤を用いて固定する際に、紫外光照射装置より出射される紫外光照射面の前記サブマウントの位置での直径を、前記サブマウントの幅以下とし、かつ光導波路デバイスモジュールを作製するための実装装置への紫外光の照射を防ぐことを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下の実施の形態では、光導波路デバイス（本実施の形態ではＳＨＧ素子）、半導体レーザをサブマウント上に配置することにより作製される光導波路デバイスモジュールにおいて、高効率な光結合を得るための実装装置および実装方法について説明する。
【００１８】
（実施の形態１）
本実施の形態では、ＳＨＧ素子と接着剤との摩擦の影響を受けずにＳＨＧ素子の位置調整を高精度に行うための実装装置について説明する。
【００１９】
図２を用いてＳＨＧ素子５の位置ずれ発生過程を説明する。ＳＨＧ素子５が接着剤である紫外線硬化剤３５から受ける摩擦力をＦｕｖとする。一方、コレット２８がＳＨＧ素子５を保持し、ＳＨＧ素子を移動する力をＦＣＬと定義すると、ＦＵＶがＳＨＧ素子５の位置ずれ原因となる。ＳＨＧ素子を最大結合効率の位置へ確実に移動させるためにはＦＣＬをＦＵＶよりも大きくし、接着剤から受ける摩擦力の影響を無くす必要がある。ＦＣＬがＦＵＶ以上であればＳＨＧ素子５はコレット２８により強固に保持され、レーザ光出射部３３と光導波路入射部３４との位置調整が容易となり、高効率な光結合が実現される。
【００２０】
従来、ＦＣＬがＦＵＶよりも小さくなる場合があったためＳＨＧ素子５の位置ずれが発生し、所望の位置へ移動させることができなかった。ＦＣＬは吸着力とＳＨＧ素子５とコレット２８との摩擦係数により決定される。ＳＨＧ素子５はコレットにより吸着されているが、吸着圧力が４０ｋＰａ、吸着面積が１．５ｍｍ３であるので、吸着力ＦＡＢは０．０６Ｎである。また、これまで用いていたコレット２８は、ＳＨＧ素子との接触面が鉄で作られており、ＳＨＧ素子５とコレット２８との静止摩擦係数は０．００３３であった。よってＦＣＬの最大値はほぼ０．０００２Ｎであり、ＦＵＶが０．０００２Ｎ以上になった場合にＳＨＧ素子５とコレット２８との間に滑りが発生し位置ずれが起こっていた。それゆえ、レーザ光出射部３３と光導波路入射部３４との位置調整が非常に困難となり、高効率な光結合を実現することが非常に難しかった。
【００２１】
ＦＣＬを大きくする手段として吸着面積を大きくする、吸着圧力を大きくすることによりＦＣＬを大きくすることが考えられるが、ＳＨＧ素子５の幅は１ｍｍ、長さも１０ｍｍであり、吸着面積を大きくするのには限界がある。吸着面積を大きくするためにコレット２８自体を大きくすると、コレット２８がＳＨＧ素子５を覆ってしまうため接着剤である紫外線硬化剤３５への紫外線照射が困難となる。また、吸着圧力を大きくするには真空ポンプの能力を高める必要があるが、真空ポンプが高価になるだけでなく、真空度が高くなるまでに非常に時間を必要とするため、光導波路デバイスモジュールの作製に非常に時間を要することとなる。
【００２２】
よって、ＦＣＬを大きくし、位置ずれを無くすには、ＳＨＧ素子５とコレット２８との摩擦係数を大きくするという方法が最適である。コレット２８とＳＨＧ素子５との摩擦係数を大きくする手段として、コレット２８およびＳＨＧ素子５の表面を荒らすという方法を検討したが、十分な摩擦係数を得ることができなかった。
【００２３】
また、ＳＨＧ素子とコレットとの摩擦係数を大きくする別の手段として、図３のようにコレット２８の先端の鋭利な突起３７を設ける方法についても検討した。コレット２８によりＳＨＧ素子５を保持する際に、コレット２８に付加された突起３７をＳＨＧ素子５に食い込ませておけば、ＳＨＧ素子５をサブマウント１９へ実装する際に位置ずれは発生しにくくなると考えた。しかし、突起３７をＳＨＧ素子５に食い込ませた時にＳＨＧ素子のかけらが発生し、ゴミとしてＳＨＧ素子とサブマウントとの隙間へ入り込み、高精度なＳＨＧ素子の位置決めが不能になる場合があるため、量産用工法としては適していない。
【００２４】
同様に、図４のようにＳＨＧ素子５を挟んでつかむための保持装置３８を付加する方法も検討したがこの方法を用いた場合においてもＳＨＧ素子５のかけらが発生するため高精度な位置決めが確実に行えなかった。ＳＨＧ素子５の側面にはバリがあるため、側面を挟んでつかんだ際にＳＨＧ素子の側面の一部がかけらとなってしまうのである。
【００２５】
そこで、コレット２８とＳＨＧ素子５との摩擦係数を大きくしＳＨＧ素子の一部が破損することを防ぎながら保持する方法として、図５に示すようにコレット２８の表面にＳＨＧ素子５との摩擦係数の大きな材料をコーティングまたは接着することが挙げられる。本実施の形態ではコレット２８のＳＨＧ素子保持部表面にゴム系の材料１０をコーティングした。
【００２６】
ゴム系の材料を選択する際に、以下の条件が考慮される必要がある。
１）ゴムの反発弾性が比較的小さいこと。
２）薄膜コートが可能であること。
３）光導波路デバイスの剥離性がよいこと。
４）耐摩耗性に優れていること。
５）耐老化性に優れていること。
６）耐候性、耐水性、耐薬品性に優れていること。
【００２７】
上記の条件を満たすゴム系材料としてはフッ素ゴム、ニトリルブタジエンゴム、水素化ニトリルブタジエンゴム、エチレンプロピレンゴム、ハイパロン、塩素化ポリエチレンが挙げられる。前記のゴムは、ゴム材料のなかでも反発弾性のものである。ゴムの弾性が大きい場合、ゴム自体がたわみやすく、高精度な位置調整が非常に困難となり、調整時間が非常に長くなってしまう。ＳＨＧ素子５上の光導波路入射部３４とレーザ光出射部３３との位置調整精度はサブミクロンの精度が要求される。
【００２８】
例えば、半導体レーザ１からの出射光と光導波路９との最大結合効率の９０％以上を実現するには、半導体レーザ１とＳＨＧ素子５との間隔（Ｘ方向）を１μｍ以下にし、水平方向（Ｙ方向）および垂直方向（Ｚ方向）の位置を最大結合効率が達成される位置から±０．２μｍ以内に収めなければいけない。そのため、コレット２８にコーティングされたゴムの弾性は小さい方が望ましいのである。
【００２９】
また、ゴムのたわみの影響を低減するため、コーティングまたは接着されるゴムの厚みはなるべく薄くする必要がある。ゴムのたわみがＳＨＧ素子の位置調整に与える影響を小さくするには、コーティングまたは接着されるゴムの厚みは５０μｍ以下であることが望ましい。ゴムの厚みが５０μｍ以下であればゴム自体のたわみが位置調整に影響を与えないため高精度な位置調整が可能となる。
【００３０】
上記条件の３）〜６）は実装装置への利用を考えて挙げている。３）のＳＨＧ素子との剥離性はＳＨＧ素子を固定した後、コレット２８からＳＨＧ素子５を容易に取り外すために重要なファクターである。４）〜６）は光導波路デバイスモジュールの量産時において必要となる。量産時の部品交換はなるべく避けるのが望ましいためである。
【００３１】
本実施の形態では上記ゴムのなかからフッ素ゴムを選択し、コレット２８のＳＨＧ素子保持部表面へ１０μｍのコーティングを施して使用した。フッ素ゴムのコーティングによりコレットのＳＨＧ素子保持部表面とＳＨＧ素子との摩擦係数が従来の０．００３３から０．０８１７へ増大し、従来０．０００２ＮであったＦＣＬが０．００５Ｎへと大幅に向上した。コレットの保持力ＦＣＬが大幅に増大したため、ＳＨＧ素子５を紫外線硬化剤３５からの摩擦力ＦＵＶの影響を受けずに移動することが可能となり、０．１μｍオーダーの位置調整精度が実現された。コレットの保持力ＦＣＬが増大することで接着剤の粘度が高くなった場合においてもＳＨＧ素子５の高精度な位置調整が可能となった。従来、接着剤（紫外線硬化剤）との摩擦力を低減するために粘度の低い接着剤を使用していたのだが、接着剤の粘度が低い場合、接着剤が半導体レーザ１のレーザ光出射端面にまで流れ込んでしまうという問題が発生していた。
【００３２】
また、接着剤からのアウトガスを小さくするためにも高粘度の接着剤が必要となる。接着剤からのアウトガスは光導波路９から出射されるレーザ光に引きつけられて光導波路出射端面に付着し、光導波路デバイスモジュールの出力を低下させてしまう。アウトガスの少ない接着剤としては一般的にエポキシ系の接着剤が挙げられるのだが、エポキシ系の接着剤は粘度の高いものが多く、その粘度は１００００ｃｐｓ以上である。コレットの保持力ＦＣＬの増大により高粘度の接着剤が使用可能となったため、接着剤の回り込みが回避され光導波路デバイス作製時の歩留まりが向上した。さらにアウトガスの少ない接着剤が使用可能となり光導波路デバイスモジュールの信頼性が大幅に向上した。
【００３３】
以上のようにコレット２８の保持力ＦＣＬが接着剤から受ける摩擦力以上である実装装置を用いることで、ＳＨＧ素子５の位置ずれのない位置調整が可能となり、±０．２μｍ以内の位置調整精度を実現し、高効率な光結合が実現され、小型の光導波路デバイスモジュールが実現された。
【００３４】
（実施の形態２）
本実施の形態ではＳＨＧ素子とサブマウントとの接着剤である紫外線硬化剤へ紫外光を照射し、ＳＨＧ素子を固定する際に発生する位置ずれを低減するための実装装置および実装方法について説明する。
【００３５】
これまでＳＨＧ素子とサブマウントとの接着剤である紫外線硬化剤へ紫外光を照射し、ＳＨＧ素子を固定する際には、図６のように紫外光出射装置１６を用いて広範囲にわたり紫外光１５を照射していた。図６は光導波路デバイスモジュールを上面から見たものである。ここで、紫外光照射時において半導体レーザ１のレーザ光出位置２０と、ＳＨＧ素子５上に形成された光導波路９との位置関係がずれてしまい、光結合効率が１０％以上低下し、得られる青紫色高出力が低下するという問題が発生していた。紫外光照射時に大きく位置ずれが発生する原因として、紫外光照射による熱の発生が挙げられる。コレット２８などが紫外光を吸収してしまい、温度上昇が発生する。温度上昇によりコレット２８などが熱膨張するため、位置ずれが発生していた。
【００３６】
コレット２８には線膨張係数が１２×１０−６／℃の鉄を用いており、紫外光を１０秒照射した時のコレットの温度上昇が８℃程度であったためコレットが１μｍ程度膨張し、コレット２８の膨張と共にＳＨＧ素子５の位置が１μｍ程度位置ずれしたため光結合効率は３０％以上低下した。サブミクロンオーダーの高精度な位置調整が必要とされる光導波路デバイスの実装工程においては１μｍというずれ量は非常に大きく、改善が必要となる。
【００３７】
対策として熱によるコレット２８などの装置の熱膨張を押さえるために、実装装置をインバー合金で作製することも考えられたので、線膨張係数が４×１０−６／℃の合金でコレットを作製した。インバー合金を用いた場合において、熱膨張は少なからず残ってしまい、結合効率の低下は１０％程度にまで改善されたが、依然として光結合効率の低下は残った。これ以上線膨張係数の小さなインバー合金は高価であり、実装装置が高価になってしまう。
【００３８】
その他の手段として紫外線を遠方より照射し、コレット２８などの実装装置の温度上昇を防ぎながら紫外線硬化剤３５を硬化させるという方法があるが、硬化に非常に時間を要するため、モジュールの量産性に問題が発生する。
【００３９】
そこで、本実施の形態においては、紫外光照射による位置ずれを防止するため、図７のように紫外光照射装置１８からの照射によりできる紫外光照射面２４の直径を光導波路デバイスであるＳＨＧ素子５を固定するサブマウント２９の幅よりも小さくして照射し、コレット２８など実装装置への紫外光照射を防いだ。ＳＨＧ素子５は波長３２０ｎｍ程度の光まで透過するため紫外光の吸収が少なく、紫外光照射による温度上昇が小さいため、ＳＨＧ素子５の温度上昇が大きくなる前に紫外線硬化剤３５の硬化を行うことができ、位置ずれのほとんどない接着固定が可能となる。
【００４０】
本発明の実装装置は、上述の紫外光照射を実現するため、紫外光出射部１８はピンホール形状となっている。ＵＶランプ２１から出射された紫外光はファイバー２２を通過し、レンズ２３を用いて集光される。レンズ２３を用いて紫外光を集光しているが、レンズ２３だけでは集光スポットはφ９ｍｍ程度までしか集光されなかった。ＵＶランプ２１から出射される紫外光は波長分散が大きいため、様々な波長成分が含まれる。レンズ２３だけで集光スポットを小さくするには多数のレンズを組み合わせた組レンズを用いるとよいが、レンズ設計が難しく、レンズも非常に高価となる。
【００４１】
本発明においては紫外光出射部１８がピンホール形状となっているため、照射範囲を小さくすることが可能である。サブマウント２９の幅が２ｍｍであり、サブマウント以外への照射を防止する為、紫外光出射部１８の径は１ｍｍとした。さらに、紫外光の照射範囲を小さくするために、ＳＨＧ素子５と紫外光照射部１８との距離を３ｍｍ以下として紫外光を照射し、接着剤である紫外線硬化剤３５を硬化させた。
【００４２】
紫外光照射部１８の形状をピンホール形状に変化させた場合においても照射光強度に変化はなく、１０００ｍＷ／ｃｍ２であったため照射時間を長くする必要は無かった。通常、紫外線硬化剤は数千ｍＪの紫外光照射により硬化するため、１０秒程度での紫外線硬化剤の硬化が実現できた。そのためＳＨＧ素子５の温度上昇およびコレット２８などへの熱の伝搬は小さく、ほとんど位置ずれが発生することなく紫外線硬化剤による接着が実現された。
【００４３】
上記実装方法および実装装置を用いることで、紫外光照射時のＳＨＧ素子５の位置ずれは低減され、半導体レーザ１からの出射光と、ＳＨＧ素子５上に形成された光導波路９との光結合効率の低下は２〜３％程度へと低減され、青紫色光出力の低下を小さくすることが可能となり、高出力な光導波路デバイスモジュールが実現された。本発明により、光導波路デバイスモジュール作製時の歩留まりが大幅に向上した。
【００４４】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、光導波路デバイスを保持し、前記光導波路デバイスの位置を接着剤を介して移動するために用いるコレットの、前記光導波路デバイスに対する保持力が、前記光導波路デバイスが接着剤から受ける摩擦力以上とすることで、光導波路デバイスが位置ずれなく実装され、高効率な光結合が安定して得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】光導波路デバイスモジュールを示す図
【図２】光導波路デバイスモジュールの実装方法を示す図
【図３】ＳＨＧ素子の保持方法を示す図
【図４】ＳＨＧ素子の保持方法を示す図
【図５】本発明の実装装置を示す図
【図６】従来の紫外光照射方法を示す図
【図７】本発明の実装装置（方法）を示す図
【図８】ＳＨＧ素子を用いた光導波路デバイスモジュールの概略構成図
【符号の説明】
１　半導体レーザ
２　ＳＨＧ素子
３　レーザ光出射部
４　光導波路入射端
５　ＳＨＧ素子
６　サブマウント
９　光導波路
１０　ゴム系の材料
１５　紫外光照射範囲
１６　紫外光照射装置
１８　紫外光照射装置
１９　サブマウント
２０　レーザ光出射位置
２１　ＵＶランプ
２２　ファイバー
２３　レンズ
２４　紫外光照射面
２８　コレット
２９　サブマウント
３３　レーザ光出射部
３４　光導波路入射部
３５　紫外線硬化剤
３７　突起
３８　保持装置
４４　半導体レーザ
４８　光導波路型波長変換デバイス
４９　活性層
５０　光導波路
５１　周期的分極反転領域
５２　コリメートレンズ
５３　フォーカスレンズ
【図１】
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【図２】
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【図３】
2004012992.tif 000005
【図４】
2004012992.tif 000006
【図５】
2004012992.tif 000007
【図６】
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【図７】
2004012992.tif 000009
【図８】
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