(57)【要約】【課題】樹脂封止されたＩＣ中の基準電圧の変動平均および変動のばらつき（標準偏差）を共に小さくする。また、その結果を環境対応樹脂にも適用し、通常の樹脂と同様の変動特性（平均値およびばらつき）を得る。【解決手段】１．フィラー最大粒径の小径化、２．フィラー配合量の増加、３．低応力剤の添加、の３点により、樹脂封止前後の基準電圧の変動特性の改善が得られる。また、難燃剤の添加により環境対応樹脂への対応ができる。フィラー最大粒径が小さいほど、またフィラー配合量が高いほど特性は向上するが、最大粒径が小さくなると流動性悪化やバリの発生があり、配合量が高くなると流動性悪化やワイヤ流れ等、トランスファモールド成型時に不具合が発生するため、例えば、最大粒径４４μｍ以上、配合量８３重量％以下が好ましい。【選択図】        図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂、無機フィラー、低弾力性を付与できる物質からなる低応力剤を含む樹脂組成物により基準電圧回路を含むＩＣチップを封止したＩＣパッケージであって、−４０℃から８０℃まで温度範囲での樹脂封止前後の基準電圧差の変動平均値が６ｍＶ以下であり、かつ−４０℃から８０℃まで温度範囲での樹脂封止前後の基準電圧差の標準偏差値が０．８ｍＶ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記低応力剤の添加量が樹脂組成物全体に対して０．３乃至２．５重量％であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記低応力剤の添加量が樹脂組成物全体に対して１．３乃至２．５重量％であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記樹脂が自己消化性樹脂であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記樹脂組成物に難燃剤を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記難燃剤が水和金属化合物であることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記低応力剤がシリコーンゴムもしくはアクリロニトリルブタジエンゴムであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記無機フィラーの最大粒径が７４μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記無機フィラーの最大粒径が２５μｍ以上であることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記無機フィラーの最大粒径が４４μｍ以上であることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記無機フィラーの配合量が樹脂組成物全体に対して７５重量％以上であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記無機フィラーの配合量が樹脂組成物全体に対して８０重量％以上であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記無機フィラーの配合量が封止用樹脂組成物全体に対して８３重量％以下であることを特徴とする請求項１１または１２に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電源用ＩＣ等の半導体装置に関し、特に半導体装置の樹脂充填前後の基準電圧の変動を抑制するパッケージング技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電子機器の目覚ましい普及拡大に伴い、それらに用いられる電源システムに対する、小型化・軽量化・低消費電力化の要求はますます強まっている。更に部品点数減少のため、電源システムに使用される電源用ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ
Ｃｉｒｃｕｉｔ：集積回路）の高機能化・高精度化の要求も強い。
【０００３】
電源用ＩＣは、バッテリー等の不安定な電源電圧をノイズの少ない安定的な電圧に変換し、各部品に電源を供給する。電源用ＩＣの高機能化・高精度化には、高精度な基準電圧が必要となる。基準電圧回路は、電源用ＩＣの出力電圧の基となる基準電圧を発生している。この基準電圧のゆらぎは出力電圧のゆらぎとして表れ、電源用ＩＣの精度を低下させる。ゆらぎの原因のひとつに、樹脂封止によって引き起こされる基準電圧の変動がある（非特許文献１〜６参照）。
【０００４】
樹脂封止前、トリミングによって任意の範囲に制御された基準電圧は、樹脂封止により変動する。その変動は、更にばらつきを有している。この変動の要因として、１．パッケージを構成する部材の線熱膨張係数差による熱応力、２．樹脂自体の硬化収縮により生じる応力、３．ＩＣチップ表面への無機フィラー（球状シリカ充填剤）接触による局所的な応力集中、の３種類の応力が考えられる。
【０００５】
基準電圧を安定化させる従来の技術として、例えば特許文献１がある。特許文献１の手法では、図１０に示すように、ダイパット１上に半導体チップ４を固着し、半導体チップ４と外部導出端子２とをワイヤ３で接続し、フィラー入り樹脂５で封止する。このフィラー入り樹脂５には、樹脂６にフィラー７、７ａが混入している。このフィラー７，７ａの最大粒径の範囲を１０μｍ以上で、５０μｍ以下とし、フィラーの配合量（配合割合）の範囲を５０重量％から８４重量％とすることで、樹脂封止の前と後で、基準電圧などの特性の変動を抑制する。このように、特許文献１はフィラーの最大径を限定して、封止後の基準電圧変動の標準偏差を小さくするものであるが、変動の平均値については記載がない。また、環境対応樹脂についても記載がない。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２−３５３３８１号公報（第４頁、第４図−第６図）
【０００７】
【非特許文献１】
二階堂広基：“半導体封止材料の技術動向”，光反応・電子材料研究会，２００１−１
【０００８】
【非特許文献２】
技術情報協会編集：“高分子材料の難燃化技術”、技術情報協会
【０００９】
【非特許文献３】
位地正年：“コンピュータ・電子材料のノンハロゲン系難燃性樹脂の動向”環境に優しいノンハロゲン系難燃性樹脂の動向セミナーテキスト第３講
【００１０】
【非特許文献４】
鈴木宏：“最近のＬＳＩパッケージ用封止材の材料特性とその信頼性向上策”，ＩＳＳ産業科学システムズ
【００１１】
【非特許文献５】
古森敏夫：“富士電機のＩＣの現状と展望”，富士時報，Ｖ  ＯＬ．７４，Ｎｏ．１０，２００１
【００１２】
【非特許文献６】
鶴田芳雄  他：“７００ＶワンチップパワーＩＣデバイス技術”，富士時報，ＶＯＬ．７４，Ｎｏ．１０，２００１
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の捉え難い応力の問題に鑑みて成されたもので、その目的は、樹脂封止されたＩＣ中の基準電圧の変動平均および変動のばらつき（標準偏差）を共に小さくする、また、その結果を環境対応樹脂にも適用し、通常の樹脂と同様の変動特性（平均値およびばらつき）を得ることにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本願発明は、樹脂、無機フィラー、低弾力性を付与できる物質からなる低応力剤を含む樹脂組成物により基準電圧回路を含むＩＣチップを封止したＩＣパッケージであって、−４０℃から８０℃まで温度範囲での樹脂封止前後の基準電圧差の変動平均値が６ｍＶ以下であり、かつ−４０℃から８０℃まで温度範囲での樹脂封止前後の基準電圧差の標準偏差値が０．８ｍＶ以下であることを特徴とする。
【００１５】
ここで、前記低応力剤の添加量が、前記樹脂組成物全体に対して０．３乃至２．５重量％であることを特徴とすることができる。
【００１６】
また、前記低応力剤の添加量が、樹脂組成物全体に対して１．３乃至２．５重量％であることを特徴とすることができる。
【００１７】
また、前記樹脂が自己消化性樹脂であることを特徴とすることができる。
【００１８】
また、記樹脂組成物に難燃剤を含むことを特徴とすることができる。
【００１９】
また、前記難燃剤が水和金属化合物であることを特徴とすることができる。
【００２０】
また、前記低応力剤がシリコーンゴムもしくはアクリロニトリルブタジエンゴムであることを特徴とすることができる。
【００２１】
また、前記無機フィラーの最大粒径が７４μｍ以下であることを特徴とすることができる。
【００２２】
また、前記無機フィラーの最大粒径が２５μｍ以上であることを特徴とすることができる。
【００２３】
また、前記無機フィラーの最大粒径が４４μｍ以上であることを特徴とすることができる。
【００２４】
また、前記無機フィラーの配合量が樹脂組成物全体に対して７５重量％以上であることを特徴とすることができる。
【００２５】
また、前記無機フィラーの配合量が樹脂組成物全体に対して８０重量％以上であることを特徴とすることができる。
【００２６】
また、前記無機フィラーの配合量が封止用樹脂組成物全体に対して８３重量％以下であることを特徴とすることができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００２８】
電源用ＩＣの出力電圧精度を低下させる要因の一つに、樹脂封止による基準電圧変動がある。本発明者等は、以下に説明するように、主にフィラー配合の違いによる基準電圧変動特性（変動平均、標準偏差）への影響（つまり相関性）について調査した結果、基準電圧変動特性改善には、１．フィラー最大粒径の小径化、２．フィラーの配合量（配合割合）の増加、３．低応力剤の添加、の３点の制御（調整）が重要であることがわかった。また、４．燃え易い低応力剤が多く添加される場合の環境対応樹脂への対応には、難燃剤の添加が有効であることが確認できた。これを説明すると次の通りである。
【００２９】
１．フィラー最大粒径の小径化の調整：
樹脂封止による基準電圧変動の変動ばらつきの抑制には、フィラー最大径の抑制が有効である。図１の（Ａ）は従来技術での状態を示す。隙間１４に対してフィラー１１の最大径がかなり大きいことを表わしている。しかし、フィラー１１の最大粒径をあまり小径化すると次の問題が生ずる。すなわち、隙間１４については、一般的なトランスファーモールド用金型では最大径２４μｍ以下の細かい粒子を想定していない設計となって、最大径が想定以下の粒子を使用するとバリを発生させる原因となる。バリ発生量、流動性を考慮すると、以下に述べる結果を得ることができた。
【００３０】
すなわち、後述の実験では、７４μｍ，５３μｍ，４４μｍ，２４μｍの粒径のフィラーを使用した。通常、ふるいで分ける場合、フィラーは一般に上記の様に供給される（但し、メーカにより差はある）。図１の（Ｂ）に示すように、フィラーの最大粒径を２４μｍにすると、フィラー１１が金型１３の隙間１４で止まらず、バリが発生するため、フィラー最大粒径７４μｍ以下で２４μｍ以上の範囲が好ましく、例えば４４μｍが推薦できるとの結果を得た。
【００３１】
２．フィラーの配合量の増加の調整：
樹脂封止による基準電圧変動の変動ばらつきの抑制には、フィラー配合量の増加も有効である。しかし、樹脂１２中のフィラー１１の配合量（フィラー配合割合）があまり大きくなりすぎると、フィラー１１が自由に動きづらくなる。その結果、樹脂流動中に、フィラー１１がワイヤ（図示しない）に当たった時、そのままワイヤを押してしまうという不都合が生じる。
【００３２】
最大粒径７４μｍとした場合、フィラー配合量８３重量％（重量％）以上では流動性が確保できなくなるため、無機フィラーの配合量は、樹脂組成物全体に対して７５重量％以上で８３重量％以下であることが好ましく、例えば８０重量％が推薦できるという結果を得た。
【００３３】
３．低応力剤の添加：
樹脂封止による基準電圧変動の変動平均値の抑制には、例えばシリコーンゴム（ポリジメチルシロキサン変性ゴム）、あるいはアクリロニトリルブタジエンゴム等、低弾力性を付与できる物質を低応力剤として添加することが有効である。
【００３４】
４．環境対応樹脂への対応：
フィラー最大径の抑制、フィラー配合量の増加、低応力剤の添加の手法を環境対応樹脂にも適用し、通常の樹脂と同様の変動特性（平均値およびばらつき）を得ることが可能となる。環境対応樹脂として、ビフェニル骨格を有するフェノールアラルキル型のエポキシ樹脂もしくはフェノール樹脂等の芳香環を多く含み且つ反応点間の間隔が長い構造である樹脂を用いるが、これらの樹脂は燃焼時に炭化しやすく且つ発泡することで熱と酸素を遮断して燃焼を防げる自己消化性を有している。低応力剤の条件によってこれにさらに難燃剤を添加する。即ち、燃え易い低応力剤が多く添加される場合には、難燃剤を添加して、難燃性を補う。ここで、自己消化性とは、着火はするが、火炎の供給を止めると消炎する性質をいう。また、難燃剤としては、ダイオキシン発生の原因となる可能性があるハロゲン系難燃剤、医薬外劇物に指定されていてリサイクル性に欠けるアンチモン化合物を使用することは好ましくない。これに対し、難燃剤として、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム等の水和金属化合物を使用することは、人体に害が無いので、環境上からも好ましい。このような環境対応樹脂の採用により、鉛フリー半田およびハロゲンフリーへの対応も可能となる。
【００３５】
以下に、本発明に係る上記の改善手法を適用した結果を、環境対応樹脂を含めて評価する。
【００３６】
（フィラー配合実験）
先ずその評価方法の説明をする。ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）ＩＣプロセスを用いて作製された基準電圧回路搭載のＩＣチップの、樹脂封止前後の基準電圧温度特性を測定し（同一樹脂でのロット数ｎ＝４０）、その樹脂封止前後の基準電圧差の変動平均値および標準偏差値を評価した。温度範囲は、−５０℃から８５℃まで１５℃間隔、使用したパッケージ形態は、４８ｐｉｎＬＱＦＰ（Ｌｏｗ  ｐｒｏｆｉｌｅ  Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）である。但し、樹脂封止前の測定については、樹脂封止されたパッケージを薬品で開封し、取り出したＩＣチップをセラミクスパッケージに組み直し測定したものとした。樹脂封止前と樹脂開封後の基準電圧値において、差異のないことを確認している。使用した実験樹脂一覧を表１に示す。
【００３７】
【表１】
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【００３８】
ここでは、フィラーの最大粒径と配合量をパラメータとした場合の基準電圧変動特性を評価した。図２に基準電圧回路温度特性の一例を示す。ここで、横軸は温度（℃）、縦軸は基準電圧（ｍＶ）を表わす。図中、複数の丸印のプロットを連通する実線は樹脂封止前の特性、複数の△印のプロットを連通する実線は樹脂封止後の特性を示す。樹脂封止前後で基準電圧が変動していることがわかる。
【００３９】
図３に樹脂Ａ（表１のＡの樹脂、以下同様）での基準電圧変動特性を示す。基準電圧変動が、測定温度の下降に対して、線形的に増加している。これは、高温（１７５℃）で行われるトランスファモールド工程処理温度からの乖離による応力の増加を示していると考える。更に、同一樹脂において基準電圧変動は一定ではなく、ばらつきを有していることがわかる（ロット数ｎ＝４０）。このばらつきが基準電圧精度低下の原因となる。
【００４０】
図４に基準電圧変動特性とフィラー最大粒径の相関を示す。ここで、横軸は基準電圧変動平均（ｍＶ）、縦軸は基準電圧変動標準偏差（ｍＶ）を表わす。また、本図中のＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄに関わる曲線は、表１のＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの樹脂の最大粒径での特性を表わす。フィラーは配合量８０重量％で固定、最大粒径７４、５３、４４、２４μｍの４水準である。図中プロット点の移動は温度特性を示し、最左下が８５℃、最右上が−５０℃である。基準電圧変動平均値および基準電圧変動標準偏差値が測定温度低下と共に増加している。これは、上述したように、高温で行われるトランスファモード工程処理温度からの乖離による熱応力増加を明確に示している。また、図４から、フィラー最大粒径の小径化による基準電圧変動標準偏差値の顕著な低下がわかる。これは、図６で後述するように、大粒子低減による局所応力差の低減およびフィラー絶対数増加に伴う接触確率増加による応力集中平均化によるものと推測される。
【００４１】
図５に基準電圧変動特性とフィラー配合量の相関を示す。ここで、横軸は基準電圧変動平均（ｍＶ）、縦軸は基準電圧変動標準偏差（ｍＶ）を表わす。また、同図中のＥ，Ａ，Ｆ，Ｇに関わる曲線は、表１のＥ，Ａ，Ｆ，Ｇの樹脂の配合量での特性を表わす。フィラーは最大粒径７４μｍで固定、配合量７５、８０、８３、８７重量％の４水準である。図５からフィラー配合量の増加においても、基準電圧変動標準偏差が減少することがわかる。これは、図６で後述するように、フィラー配合量増加による熱収縮に伴う応力の低減およびフィラー絶対数増加に伴う接触確率増加による応力集中平均化によるものと推測される。
【００４２】
図６にパッケージ内部のＩＣチップに加わる応力のイメージ図を示し、（Ａ）はフィラーによる応力イメージ、（Ｂ）は熱応力のイメージを表わす。樹脂封止によってフィラー６１がＩＣチップ６２の表面に接触すると、その接触した真下に局所的な応力６３が発生する。その局所応力６３の発生位置に半導体デバイス（抵抗やトランジスタ等）があると、その応力によってデバイス特性が変動する。フィラー径が大きくなるに従って、応力は大きくなり変動量も大きくなる。
【００４３】
フィラー最大粒径の小径化による効果は、大粒子による大きな局所応力の削減と、フィラー粒数増加に伴う接触確率増加による局所応力の平均化といった、ミクロ的な応力の平均化が主たる原因と考える。また、フィラー配合量増加による効果は、樹脂の線膨張係数が小さくなり、熱収縮に伴う応力が小さくなるマクロ的な効果と、フィラー粒数増加に伴う接触確率増加による局所応力の平均化によるものと考える。
【００４４】
実験では、フィラー最大粒径が小さいほど、またフィラー配合量が高いほどデバイス特性は向上するが、実際にはその最大粒径があまり小さくなると流動性悪化やバリの発生があり、配合量があまり高くなると流動性悪化やワイヤ流れ等、トランスファモールド成型時の不具合が発生するため、最大粒径４４μｍ以上、配合量８３重量％以下が実用上最適であろうと考えられる。
【００４５】
（低応力剤配合実験）
次に、更なる特性向上のアイテムとして、低応力剤配合実験を行った。実験樹脂一覧を表２に示す。
【００４６】
【表２】
2004253574.tif 000004
【００４７】
評価方法は、測定温度範囲および後述のように特性の異なる半導体チップを用いたこと以外は前項と同様で、温度範囲は−４０℃から８０℃まで１５℃間隔とした。図７に基準電圧変動特性の低応力剤の効果を示す。ここで、横軸は基準電圧変動平均（ｍＶ）、縦軸は基準電圧変動標準偏差（ｍＶ）を表わす。また、同図中のＡ，Ｈ，Ｉ，Ｊに関わる曲線は、表２のＡ，Ｈ，Ｉ，Ｊの樹脂の特性を表わす。同図から、フィラー最大粒径４４μｍ、フィラー配合量８２重量％、低応力剤２．５重量％の樹脂Ｊが、基準電圧変動平均も、基準電圧変動標準偏差も一番低いことが分かる。
【００４８】
低応力剤の添加は、主に基準電圧変動平均抑制に効果がある。低応力剤の添加により弾性率が低下し、マクロ的な応力が低減したためと考える。また、低応力剤添加樹脂においても、フィラー最大粒径小径化および配合量増加による基準電圧変動標準偏差の減少が確認された。
【００４９】
なお、図４と図７ではＡに関するデータが異なっているが、これは図４と図７では使用している半導体チップが異なる（厳密に言うと、チップの製造プロセスが異なるため違う特性を持ったチップとなっている）ことによるものである。図４内と図７内では、それぞれ同じ特性の半導体チップを使用して樹脂間の比較ができるようになっている。また、図７では、［Ａ］のデータが低応力剤０．３重量％と少ないリファレンス用データとなっている。
【００５０】
（環境対応樹脂への適用）
電源用ＩＣにおける環境問題への対応は、低消費電力化だけでは十分ではなく、鉛フリー半田への対応やハロゲンフリー化への対応も急務である。これまでのフィラー最大粒径小径化や配合量増加および低応力剤添加の手法を環境対応樹脂へ適用した。
【００５１】
使用した樹脂はビフェニル骨格を有するフェノールアラルキル型のエポキシ樹脂またはフェノール樹脂等の自己消化性樹脂で、低吸水・低熱時弾性であるため、耐リフロー性に優れている。また、難燃剤を添加しなくても、低い架橋密度と熱分解ガスによる発泡によって、十分な難燃性を備えている。この自己消化性樹脂を用いた実験樹脂一覧を表３に示す。
【００５２】
【表３】
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【００５３】
但し、実験樹脂ＫおよびＬを配合するにあたっては、燃え易い低応力剤が多く添加されるため、難燃剤として水酸化マグネシウムもしくは水酸化アルミニウム等の水和金属化合物を添加して、難燃性を補っている。難燃剤の添加量としては全組成物に対して１〜１５重量％が好ましい。１重量％以下では難燃性が十分発揮できず、１５重量％を超えると硬化性の低下が著しい。今回の検討では、耐熱厚み３．２ｍｍｔでのＵＬ９４規格Ｖ−０レベルを目標に実験樹脂Ｋ及びＬでは水酸化アルミニウムを５重量％添加した。更に薄い耐熱厚みでのＵＬ９４規格Ｖ−０レベルに対しては１５重量％を上限として添加することで対応ができる。
【００５４】
この結果、実験樹脂の全てにおいて、耐リフロークラック試験  ＪＥＤＥＣ  ＬＥＶＥＬ２  ＩＲ２６０℃（ｍａｘ  ２６５℃  １０ｓｅｃ）３回および、難燃試験ＵＬ９４Ｖ−０をクリアしている。
【００５５】
評価方法は、測定温度間隔以外は前項と同様で、温度範囲は−４０℃から８０℃まで３０℃間隔とした。図８に環境対応樹脂の低応力剤添加量依存性を示す。ここで、横軸は基準電圧変動平均（ｍＶ）、縦軸は基準電圧変動標準偏差（ｍＶ）を表わす。また、同図中のＫ，Ｌに関わる曲線は、表３のＫ，Ｌの樹脂の特性を表わす。低応力剤２．５重量％の樹脂Ｋと低応力剤１．３重量％樹脂Ｌを比較すると、同一温度において基準電圧変動標準偏差に差が無いが、基準電圧変動平均は低応力剤２．５重量％の樹脂Ｋの方が低いことが分かる。
【００５６】
図９に環境対応樹脂のフィラー配合量依存性を示す。ここで、横軸は基準電圧変動平均（ｍＶ）、縦軸は基準電圧変動標準偏差（ｍＶ）を表わす。また、同図中のＭ，Ｎ，Ｏに関わる曲線は、表３のＭ，Ｎ，Ｏの樹脂の特性を表わす。同図から、同一温度において、フィラー配合量８６重量％の樹脂Ｏが、フィラー配合量８１重量％の樹脂Ｍ、フィラー配合量８４重量％の樹脂Ｎよりも、同一温度において、基準電圧変動平均も、基準電圧変動標準偏差も一番低いことが分かる。
【００５７】
これまでの実験同様、低応力剤添加では基準電圧変動平均の低減が、フィラー配合量向上では、基準電圧変動標準偏差の低減が確認され、その値は前項までの実験樹脂と比較しても遜色のない水準である。
【００５８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、特許文献１の従来の４８ｐｉｎＬＱＦＰのパッケージで使用していた樹脂（図７のＡ）と比較して、基準電圧変動平均で８０％（２０℃で）、基準電圧変動標準偏差で４０％（２０℃で）改善され（図８のＫ）、また鉛フリー半田およびハロゲンフリーへの対応も可能となった。
【００５９】
また、本発明の対象となるデバイスは、上述した基準電圧回路以外にも、演算増幅器等のアナログ回路全般、ひいては半導体デバイス全般に当てはまるため、その応用範囲は非常に広いと期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】フィラーの最大粒径をあまり小さくした場合の影響を説明する図で、（Ａ）最大粒径が大きい場合、（Ｂ）は最大粒径が小さい場合の模式図である。
【図２】樹脂封止前後の基準電圧回路温度特性を示すグラフである。
【図３】基準電圧変動温度特性を示すグラフである。
【図４】基準電圧変動特性とフィラー最大粒径の相関を示すグラフである。
【図５】基準電圧変動特性とフィラー配合量の相関を示すグラフである。
【図６】パーケージ内部応力のイメージ図であり、（Ａ）はフィラーによる応力イメージ図、（Ｂ）は熱応力イメージ図である。
【図７】基準電圧変動特性の低応力剤の効果を示すグラフである。
【図８】環境対応樹脂の低応力剤付加量依存性を示すグラフである。
【図９】環境対応樹脂のフィラー配合量依存性を示すグラフである。
【図１０】従来技術による半導体集積回路装置の構成例を示し、（Ａ）は要部断面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ部拡大図である。
【符号の説明】
１  ダイパッド
２  外部導出端子
３  ワイヤ
４  半導体チップ
５  封止樹脂硬化体
６  フィラー入り樹脂
７、７ａ  フィラー
１１  フィラー
１２  レジン
１３  金型
１４  隙間
６１  フィラー
６２  ＩＣチップ
６３  局所応力
【図１】
2004253574.tif 000006
【図２】
2004253574.tif 000007
【図３】
2004253574.tif 000008
【図４】
2004253574.tif 000009
【図５】
2004253574.tif 000010
【図６】
2004253574.tif 000011
【図７】
2004253574.tif 000012
【図８】
2004253574.tif 000013
【図９】
2004253574.tif 000014
【図１０】
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