(57)【要約】【課題】膨出部底部のみを交換可能な熱遮蔽部材を得る。【解決手段】熱遮蔽部材３３は、石英るつぼ１３に貯留されたシリコン融液１２からシリコン単結晶棒２５を引上げる装置に設けられ、シリコン単結晶棒２５の外周面を包囲してヒータ１８からの輻射熱を遮る外筒部材３４と、筒部の下部に設けられた膨出部４１と、膨出部の内部に設けられたリング状の蓄熱部材４７とを備える。外筒部材３４の下部内周にフランジ３４ａが全周に形成され、膨出部４１は、外筒部材３４に上側から挿入され外周がフランジ３４ａに設置され内周がシリコン単結晶棒２５の外周面近傍に達するリング状の底壁４２と、外筒部材３４に上側から挿入され底壁４２の内周に下縁が密接する円筒状の縦壁４４と、縦壁４４の上縁に内周が連設されて縦壁４４と一体的に形成され外周が外筒部材３４に接続される上壁４６とにより構成される。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
石英るつぼ（１３）の外周面を包囲するヒータ（１８）により加熱されて前記石英るつぼ（１３）に貯留されたシリコン融液（１２）からシリコン単結晶棒（２５）を引上げる装置に設けられ、下端が前記シリコン融液（１２）表面から間隔をあけて上方に位置しかつ前記シリコン単結晶棒（２５）の外周面を包囲して前記ヒータ（１８）からの輻射熱を遮る外筒部材（３４）と、前記外筒部材（３４）の下部に筒内の方向に膨出して設けられた膨出部（４１）と、前記膨出部（４１）の内部に設けられ前記シリコン単結晶棒（２５）の下部外周面を包囲するリング状の蓄熱部材（４７）とを備えた熱遮蔽部材において、
前記外筒部材（３４）の下部内周にフランジ（３４ａ）が全周に形成され、
前記膨出部（４１）は、前記外筒部材（３４）に上側から挿入され外周が前記フランジ（３４ａ）に設置され内周が前記シリコン単結晶棒（２５）の外周面近傍に達するリング状の底壁（４２）と、
前記外筒部材（３４）に上側から挿入され前記底壁（４２）の内周に下縁が密接する円筒状の縦壁（４４）と、
前記縦壁（４４）の上縁に内周が連設されて前記縦壁（４４）と一体的に形成され外周が前記外筒部材（３４）に接続される上壁（４６）とにより構成された
ことを特徴とするシリコン単結晶引上げ装置の熱遮蔽部材。
【請求項２】
外筒部材（３４）と所定の間隔を開けて前記外筒部材（３４）と同心に設けられた内筒部材（３７）と、前記外筒部材（３４）と前記内筒部材（３７）の間に介在された断熱材（３８）とを更に備え、
前記内筒部材（３７）は下端が上壁（４６）の内周に連設されて前記上壁（４６）及び縦壁（４４）と一体的に形成された請求項１記載のシリコン単結晶引上げ装置の熱遮蔽部材。
【請求項３】
縦壁（４４）の下縁に下方に突出する凸条（４４ａ）が全周に形成され、底壁（４２）の内周に前記凸条（４４ａ）が挿入可能な凹溝（４２ｂ）が全周に形成された請求項１又は２記載のシリコン単結晶引上げ装置の熱遮蔽部材。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコン単結晶棒を引上げて育成する装置に設けられた熱遮蔽部材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種のシリコン単結晶引上げ装置として、チャンバ内にシリコン融液が貯留された石英るつぼが収容され、シリコン単結晶棒の外周面と石英るつぼの内周面との間にシリコン単結晶棒を包囲するように熱遮蔽部材が挿入された引上げ装置（例えば、特許文献１参照。）が開示されている。この装置における熱遮蔽部材は熱的に安定な黒鉛により作られ、引上げられるシリコン単結晶棒の外周面を包囲しかつ下端がシリコン融液表面から間隔をあけて上方に位置しヒータからの輻射熱を遮る筒部を有する。そしてこの熱遮蔽部材はシリコン単結晶棒の外周面と筒部の内周面との間を流下する不活性ガスをスムーズに導くように構成される。この引上げ装置では、露出した石英るつぼの内周壁からの輻射熱を熱遮蔽部材が遮ることにより、輻射熱がシリコン単結晶棒の外周面に達することを防止して、引上げ中のシリコン単結晶棒の凝固を促進し、シリコン単結晶棒を速やかに冷却するようになっている。
【０００３】
一方、シリコン融液から引上げられるシリコン単結晶棒中のシリコン融液近傍の温度分布は、シリコン単結晶棒の外周面からの放熱量が多いため、中心部で最も高く外周面に向うに従って次第に低くなり、外周部で急激に低くなる。特に、シリコン単結晶棒の大口径化が進むと、上記シリコン単結晶棒の中心部と外周部との温度差は更に大きくなることが予想される。このため、シリコン単結晶棒中に上記温度差に基づく熱的ストレスが発生するおそれがある。このため、筒部の下部に筒内の方向に膨出して設けられた膨出部を形成し、その膨出部の内部にシリコン単結晶棒の下部外周面を包囲するリング状の蓄熱部材を設けたシリコン単結晶引上げ装置の熱遮蔽部材が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。この熱遮蔽部材では、シリコン単結晶棒からの放熱が膨出部によって反射されるか、又は膨出部自体が高温のヒータ及びシリコン融液によって温度上昇することにより、シリコン単結晶棒の外周部の急激な温度低下を阻止し、シリコン単結晶棒中の温度分布を中心から外周面に向って略均一にして、シリコン単結晶棒中の熱的ストレスの発生を抑制することができるものとしている。
【０００４】
【特許文献１】
特公昭５７−４０１１９号公報
【特許文献２】
特開２０００−２４７７６号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、膨出部を有する熱遮蔽部材では、シリコン原料融解時又はシリコン原料供給時に溶融シリコンがはねてそのシリコン融液が膨出部の下面に付着したり、シリコン融液表面から蒸発するＳｉＯガスに膨出部がさらされている。その下面における黒鉛がＳｉＣ化することで、膨出部表面の変質劣化が発生する。また、特に膨出部の下面にはシリコン付着物がつきやすい。膨出部表面の材質が劣化すると、熱輻射率が変化し、熱遮蔽部材の特性が変化することにより、引き上げられるシリコン単結晶棒の品質に経時変化を生じさせる不具合がある。また、膨出部に付着した付着物が引き上げ中に融液に落下することがあり、シリコン単結晶棒が有転位化する不具合がある。
この点を解消するために、遮蔽部材の膨出部の下面が変質劣化することに起因してシリコン単結晶棒の品質に影響を与える前に、熱遮蔽部材全体を交換し、引き上げられるシリコン単結晶棒の品質を均一化させている。しかし、本来有効な部分を含むにもかかわらず熱遮蔽部材全体を交換することはシリコン単結晶棒の引き上げ費用を押し上げる不具合があった。
本発明の目的は、多数回シリコン単結晶を引き上げたときに変質劣化しやすい膨出部底部のみを交換可能なシリコン単結晶引上げ装置の熱遮蔽部材を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、図３に示すように、石英るつぼ１３の外周面を包囲するヒータ１８により加熱されてその石英るつぼ１３に貯留されたシリコン融液１２からシリコン単結晶棒２５を引上げる装置に設けられ、下端がシリコン融液１２表面から間隔をあけて上方に位置しかつシリコン単結晶棒２５の外周面を包囲してヒータ１８からの輻射熱を遮る外筒部材３４と、外筒部材３４の下部に筒内の方向に膨出して設けられた膨出部４１と、膨出部４１の内部に設けられシリコン単結晶棒２５の下部外周面を包囲するリング状の蓄熱部材４７とを備えた熱遮蔽部材の改良である。
その特徴ある構成は、図１に示すように、外筒部材３４の下部内周にフランジ３４ａが全周に形成され、膨出部４１は、外筒部材３４に上側から挿入され外周がフランジ３４ａに設置され内周がシリコン単結晶棒２５の外周面近傍に達するリング状の底壁４２と、外筒部材３４に上側から挿入され底壁４２の内周に下縁が密接する円筒状の縦壁４４と、縦壁４４の上縁に内周が連設されて縦壁４４と一体的に形成され外周が外筒部材３４に接続される上壁４６とにより構成されたところにある。
【０００７】
この請求項１に記載されたシリコン単結晶引上げ装置の熱遮蔽部材は、多数回シリコン単結晶を引き上げた後、その底壁４２が変質劣化する。この場合には図２に示すように、一体的に形成された縦壁４４と上壁４６を上方に移動して外筒部材３４から一旦取り出し、引続いて蓄熱部材４７を取り出した後、変質した底壁４２を上方に移動して外筒部材３４から取り出す。次に新しい底壁４２を外筒部材３４に上方から挿入してその外周を外筒部材３４の底部に形成されたフランジ３４ａに設置する。その後一旦取り出していた蓄熱部材４７、縦壁４４及び上壁４６を外筒部材３４に上方から順次挿入して縦壁４４の下端を底壁４２の内周を密接させる。このようにして多数回シリコン単結晶を引き上げたときに変質劣化し易い底壁４２のみを交換することができ、他の部分を交換することなく引き続いて使用することができる。
【０００８】
請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明であって、外筒部材３４と所定の間隔を開けて外筒部材３４と同心に設けられた内筒部材３７と、外筒部材３４と内筒部材３７の間に介在された断熱材３８とを更に備え、内筒部材３７は下端が上壁４６の内周に連設されて上壁４６及び縦壁４４と一体的に形成されたシリコン単結晶引上げ装置の熱遮蔽部材である。
この請求項２に記載されたシリコン単結晶引上げ装置の熱遮蔽部材では、内筒部材３７及び断熱材３８がヒータ１８や石英るつぼ１３の内周壁からシリコン単結晶棒２５に向う輻射熱を有効に遮り、膨出部４１を越えて引上げられたシリコン単結晶棒２５の冷却を促進させることができる。また、内筒部材３７を上壁４６と一体的に形成することにより、底壁４２を交換する際に内筒部材３７を上壁４６と一緒に取り外すことができ、その交換作業に支障をきたすことはない。
【０００９】
請求項３に係る発明は、請求項１又は２に係る発明であって、縦壁４４の下縁に下方に突出する凸条４４ａが全周に形成され、底壁４２の内周に凸条４４ａが挿入可能な凹溝４２ｂが全周に形成された請求項１又は２記載のシリコン単結晶引上げ装置の熱遮蔽部材である。
この請求項３に記載されたシリコン単結晶引上げ装置の熱遮蔽部材３３では、膨出部４１内部に設けられた蓄熱部材４７から生じる脱ガスやパーティクルがこの接合部分から外部に放出されることを抑制することができ、これらに起因して引き上げられるシリコン単結晶棒２５が有転位化すること又は汚染されることを防止することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図３に示すように、シリコン単結晶の引上げ装置１０のチャンバ１１内には、シリコン融液１２を貯留する石英るつぼ１３が設けられ、この石英るつぼ１３の外周面は黒鉛サセプタ１４により被覆される。石英るつぼ１３の下面は上記黒鉛サセプタ１４を介して支軸１６の上端に固定され、この支軸１６の下部はるつぼ駆動手段１７に接続される。るつぼ駆動手段１７は図示しないが石英るつぼ１３を回転させる第１回転用モータと、石英るつぼ１３を昇降させる昇降用モータとを有し、これらのモータにより石英るつぼ１３が所定の方向に回転し得るとともに、上下方向に移動可能となっている。石英るつぼ１３の外周面は石英るつぼ１３から所定の間隔をあけてヒータ１８により包囲され、このヒータ１８は保温筒１９により包囲される。ヒータ１８は石英るつぼ１３に投入された高純度のシリコン多結晶体を加熱・融解してシリコン融液１２にする。
【００１１】
またチャンバ１１の上端には円筒状のケーシング２１が接続される。このケーシング２１には引上げ手段２２が設けられる。引上げ手段２２はケーシング２１の上端部に水平状態で旋回可能に設けられた引上げヘッド（図示せず）と、このヘッドを回転させる第２回転用モータ（図示せず）と、ヘッドから石英るつぼ１３の回転中心に向って垂下されたワイヤケーブル２３と、上記ヘッド内に設けられワイヤケーブル２３を巻取り又は繰出す引上げ用モータ（図示せず）とを有する。ワイヤケーブル２３の下端にはシリコン融液１２に浸してシリコン単結晶棒２５を引上げるための種結晶２４が取付けられる。
更にチャンバ１１にはこのチャンバ１１のシリコン単結晶棒側に不活性ガスを供給しかつ上記不活性ガスをチャンバ１１のるつぼ内周面側から排出するガス給排手段２８が接続される。ガス給排手段２８は一端がケーシング２１の周壁に接続され他端が上記不活性ガスを貯留するタンク（図示せず）に接続された供給パイプ２９と、一端がチャンバ１１の下壁に接続され他端が真空ポンプ（図示せず）に接続された排出パイプ３０とを有する。供給パイプ２９及び排出パイプ３０にはこれらのパイプ２９，３０を流れる不活性ガスの流量を調整する第１及び第２流量調整弁３１，３２がそれぞれ設けられる。
【００１２】
一方、引上げ用モータの出力軸（図示せず）にはエンコーダ（図示せず）が設けられ、るつぼ駆動手段１７には支軸１６の昇降位置を検出するエンコーダ（図示せず）が設けられる。２つのエンコーダの各検出出力はコントローラ（図示せず）の制御入力に接続され、コントローラの制御出力は引上げ手段２２の引上げ用モータ及びるつぼ駆動手段の昇降用モータにそれぞれ接続される。またコントローラにはメモリ（図示せず）が設けられ、このメモリにはエンコーダの検出出力に対するワイヤケーブル２３の巻取り長さ、即ちシリコン単結晶棒２５の引上げ長さが第１マップとして記憶される。また、メモリには、シリコン単結晶棒２５の引上げ長さに対する石英るつぼ１３内のシリコン融液１２の液面レベルが第２マップとして記憶される。コントローラは、引上げ用モータにおけるエンコーダの検出出力に基づいて石英るつぼ１３内のシリコン融液１２の液面を常に一定のレベルに保つように、るつぼ駆動手段１７の昇降用モータを制御するように構成される。
【００１３】
シリコン単結晶棒２５の外周面と石英るつぼ１３の内周面との間にはシリコン単結晶棒２５の外周面を包囲する熱遮蔽部材３３が設けられる。この熱遮蔽部材３３は円筒状に形成されヒータ１８からの輻射熱を遮る外筒部材３４と、この外筒部材３４の上縁に連設され外方に略水平方向に張り出すフランジ部３６とを有する。上記フランジ部３６を保温筒１９上に載置することにより、外筒部材３４の下縁がシリコン融液１２表面から所定の距離だけ上方に位置するように熱遮蔽部材３３はチャンバ１１内に固定される。図１に示すように、外筒部材３４には、その外筒部材３４と所定の間隔を開けるように構成された内筒部材３７が挿入され、その内筒部材３７は外筒部材３４と同心に設けられる。外筒部材３４と内筒部材３７の間には断熱材３８が充填される。この実施の形態における外筒部材３４は下方に向かって縮径するコーン状の筒状体であり、断熱材３８は、カーボン繊維からなるフェルト材からなる。そしてこの外筒部材３４の下部には筒内の方向に膨出する膨出部４１が設けられる。
【００１４】
図１に示すように、膨出部４１は、リング状の底壁４２と、円筒状の縦壁４４と、この縦壁４４の上縁に連設された上壁４６とにより構成される。リング状の底壁４２の外径は外筒部材３４の下部内径と略同一か或いは僅かに小さく形成され、外筒部材３４の下部内周には内方に向かってフランジ３４ａが全周に形成される。底壁４２の外周にはその下部にフランジ３４ａの厚さに等しい段部４２ａが形成され、リング状の底壁４２はその外筒部材３４に上側から挿入されてその外周がフランジ３４ａに設置される。底壁４２の外周がフランジ３４ａに設置された状態で段部４２ａの外周面がフランジ３４ａの内周面に対向して断面クランク状の接合線を形成するように構成される。一方、底壁４２の内周は引き上げられるシリコン単結晶棒２５の外周面近傍に達するように形成され、円筒状の縦壁４４はその内径がリング状に形成された底壁４２の内径と略同一に形成される。底壁４２の外周がフランジ３４ａ上に設置された状態で縦壁４４は外筒部材３４に上側から挿入され、底壁４２の内周に下縁が密接される。
【００１５】
ここで、縦壁４４の下縁には下方に突出する凸条４４ａが全周に形成され、その下縁に対向する底壁４２の内周にはその凸条４４ａが挿入可能な凹溝４２ｂが全周に形成される。縦壁４４の下端が底壁４２の内周に当接した状態で凸条４４ａが凹溝４２ｂに挿入することにより、縦壁４４の下縁と底壁４２の内周は密接される。上壁４６は縦壁４４の上縁に内周が連設されて縦壁４４と一体的に形成される。上壁４６の外周には内筒部材３７の下端が連接され、内筒部材３７は上壁４６及び立壁４４と一体的に形成される。内筒部材３７の上端にはリング状のフランジ３７ａが外側に向かって形成され、外筒部材３４の上端にはそのフランジ３７ａの外周が設置される段部３４ｂが形成される。このフランジ３７ａの外周を段部３４ｂに設置することにより内筒部材３７の上部と外筒部材３４の上部との接続箇所における断面がクランク状の接合面が形成される。上壁４６の外周はこの内筒部材３７を介して外筒部材３４に接続される。内筒部材３７，外筒部材３４，底壁４２，縦壁４４及び上壁４６は、熱的に安定で高純度な黒鉛或いは表面にＳｉＣがコーティングされた黒鉛によって作ることが好ましいが、熱的に安定なＭｏ（モリブデン）やＷ（タングステン）等の材料を使うこともできる。
【００１６】
外筒部材３４の下部と底壁４２と縦壁４４と上壁４６とにより囲まれる膨出部４１の内部にはリング状の蓄熱部材４７が設けられる。この実施の形態における蓄熱部材４７は、膨出部４１の内部にカーボン繊維からなる０．０５〜０．５０ｇ／ｃｍ３のフェルト材で充填することにより形成され、このカーボン繊維を蓄熱部材４７として用いることにより、その蓄熱部材４７の熱伝導率は５Ｗ／（ｍ・℃）以下に制限される。但し、蓄熱部材４７は、このカーボン繊維からなるフェルト材に限らず、熱伝導率が５Ｗ／（ｍ・℃）以下であれば、アルミナ等の断熱材を使用することも可能である。
【００１７】
このように構成されたシリコン単結晶の引上げ装置の動作を説明する。
本実施の形態のシリコン単結晶引上げ装置の熱遮蔽部材３３では、膨出部４１より下方のシリコン融液１２近傍におけるシリコン単結晶棒２５の周囲は高温のヒータ１８及びシリコン融液１２によって積極的に加熱される。一方、膨出部４１の内部に設けられた蓄熱部材４７も高温のヒータ１８及びシリコン融液１２によって積極的に加熱され、この膨出部４１に対向するシリコン単結晶棒２５の周囲は加熱された蓄熱部材４７によって加熱される。これにより、シリコン単結晶棒２５の下部外周部の急激な温度低下は阻止され、この部分におけるシリコン単結晶棒２５の軸方向における温度勾配の径方向分布が略均一にとなり、ボロンコフのＶ／Ｇモデルにより、グローイン欠陥の検出されないシリコン単結晶棒２５を製造することができる。
【００１８】
シリコン単結晶棒２５の製造に際して、シリコン原料融解時又はシリコン原料供給時に溶融シリコンがはねてそのシリコン融液が膨出部４１の下面に付着したり、シリコン融液表面から蒸発するＳｉＯガスに膨出部４１がさらされている。そのため、シリコン単結晶棒２５の製造を繰り返すと膨出部４１の下面を構成する底壁４２の黒鉛がＳｉＣ化することで、底壁４２が変質劣化する。その一方、他の部分、即ち外筒部材３４、縦壁４４、上壁４６及び内筒部材３７におけるシリコン融液の付着及びＳｉＯガスにさらされる量は底壁４２に比較して少ない。従って、これらの部分は底壁４２に比較して変質する程度が少なく、底壁４２が変質したとしても十分に使用可能である。また、底壁４２にはシリコン融液はねが付着しやすい。
【００１９】
このため、多数回シリコン単結晶を引き上げたときに変質劣化し易い底壁４２のみを交換することにより、他の部分は交換することなく引き続いて使用することができる。この底壁４２を取り替えるには、図２に示すように、一体的に形成された縦壁４４、上壁４６及び内筒部材３７を上方に移動して外筒部材３４から一旦取り出し、引続いて断熱材３８及び蓄熱部材４７をこの順序で取り出した後、変質した底壁４２を上方に移動して外筒部材３４から取り出す。次に新しい底壁４２を外筒部材３４に上方から挿入してその外周を外筒部材３４の底部に形成されたフランジ３４ａに設置する。その後一旦取り出されていた蓄熱部材４７及び断熱材３８をこの順序で挿入する。更に縦壁４４、上壁４６及び内筒部材３７を外筒部材３４に上方から挿入して縦壁４４の下端に形成された凸条４４ａを底壁４２の内周に形成された凹溝４２ｂに挿入し、縦壁４４の下縁と底壁４２の内周を密接させる。このようにして多数回シリコン単結晶を引き上げたときに変質劣化し易い底壁４２のみを交換することができ、熱遮蔽部材全体を交換する従来に比較して熱遮蔽部材の費用が低減され、比較的安価にシリコン単結晶棒２５を引き上げることが可能になる。
【００２０】
また、この実施の形態では、内筒部材３７の上端に形成されたフランジ３７ａの外周が設置される段部３４ｂを外筒部材３４の上端に形成し、内筒部材３７の上部と外筒部材３４の上部との接続箇所に断面クランク状の接合面を形成したので、外筒部材３４と内筒部材３７の間に介在された断熱材３８から生じる脱ガスやパーティクルがこの接合部分から外部に放出されることを抑制することができる。また、底壁４２の外周がフランジ３４ａに設置された状態で断面クランク状の接合線を形成するように構成され、縦壁４４の下縁に形成された凸条４４ａを底壁４２の内周に形成された凹溝４２ｂに挿入させるので、膨出部４１内部に設けられた蓄熱部材４７から生じる脱ガスやパーティクルがこの接合部分から外部に放出されることも抑制することができる。この結果、脱ガスやパーティクルが漏れることに起因して引き上げられるシリコン単結晶棒２５が有転位化し又は汚染されることを防止することができる。
【００２１】
なお、上記実施の形態では、外筒部材３４を下方に向うに従って直径が小さくなる中空の円錐台状に形成したが、外筒部材３４は円筒状に形成してもよい。
また、上記実施の形態では、内筒部材３７と外筒部材３４の間に断熱材３８を充填したが、外筒部材３４における熱遮蔽効果が十分である限り内筒部材３７及び断熱材３８は必ずしも設けなくても良い。
【００２２】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、外筒部材の下部内周にフランジを全周に形成し、そのフランジにリング状の底壁の外周を設置し、底壁の内周に縦壁の下縁を密接させ、縦壁の上縁に内周が連設された上壁の外周を外筒部材に接続することにより膨出部を構成するので、縦壁と上壁を上方に移動して外筒部材から一旦取り出し、引き続いて断熱材及び蓄熱部材を取り出し、その後底壁を上方に移動することにより膨出部の下部を構成する底壁を外筒部材から比較的容易に取り出すことができる。そして新しい底壁を外筒部材に上方から挿入してその外周を外筒部材の底部に形成されたフランジに設置し、その後一旦取り出されていた蓄熱部材及び断熱材を挿入し、更に縦壁及び上壁を外筒部材に上方から挿入して縦壁の下端を底壁の内周を密接させるだけの作業で底壁のみを交換することができる。この結果、他の部分を交換することなく引き続いて使用することができ、シリコン単結晶棒の引き上げ費用を安価にさせることができる。
【００２３】
また、外筒部材と所定の間隔を開けて外筒部材と同心に設けられた内筒部材と、外筒部材と内筒部材の間に介在された断熱材とを更に備えれば、内筒部材及び断熱材がヒータや石英るつぼの内周壁からシリコン単結晶棒に向う輻射熱を有効に遮り、膨出部を越えて引上げられたシリコン単結晶棒の冷却を促進させることができる。この場合、内筒部材は下端を上壁の内周に連設させて上壁及び縦壁と一体的に形成すれば、底壁を交換する際に内筒部材を上壁と一緒に取り外すことができ、その交換作業に支障を来すことを防止することができる。
更に、縦壁の下縁に下方に突出する凸条を全周に形成し、底壁の内周に凸条が挿入可能な凹溝を全周に形成すれば、膨出部内部に設けられた蓄熱部材から生じる脱ガスやパーティクルがこの接合部分から外部に放出されることを抑制することができ、これらに起因して引き上げられるシリコン単結晶棒が有転位化することや汚染されることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明シリコン単結晶引上げ装置の熱遮蔽部材３３を示す図３のＡ部拡大断面図。
【図２】その熱遮蔽部材の構成を示す分解構成図。
【図３】そのシリコン単結晶引上げ装置の断面構成図。
【符号の説明】
１３  石英るつぼ
１２  シリコン融液
１８  ヒータ
２５  シリコン単結晶棒
３４  外筒部材
３４ａ  フランジ
３７  内筒部材
３８  断熱材
４１  膨出部
４２  底壁
４２ｂ  凹溝
４４  縦壁
４４ａ  凸条
４６  上壁
４７  蓄熱部材
【図１】
2004352581.tif 000003
【図２】
2004352581.tif 000004
【図３】
2004352581.tif 000005