(57)【要約】【課題】停電等に伴う半導体メモリへの誤書き込みを防止することで、この誤書き込みによる真空ポンプの動作不良を無くし、その信頼性を高めることが可能な真空ポンプを提供する。【解決手段】商用電源２５０に電源オフや停電が発生した場合、制御装置４００には、交流電圧が供給されなくなるが、通常運転中に、充放電回路４２０内のコンデンサに所定の電荷が蓄えられているため、この蓄えられた電荷により、一定期間は、半導体メモリ１４２、２０５及びデータ書き込み回路２０４に直流電圧を供給し続けることができる。また、一定期間経過後は、データ書き込み回路２０４から半導体メモリ１４２、２０５への書き込み動作を制限することで、この期間後に、書き込み動作が行われないように制御される。【選択図】　　　　図１
2004084547.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被対象設備より所定のガスを吸引するポンプ本体と、
該ポンプ本体の制御を行う制御装置と、
該制御装置に交流電圧を供給する商用電源とを備えた真空ポンプであって、
前記ポンプ本体は、
該ポンプ本体を正常に運転するための固有データが書き込まれる第１の半導体メモリとを備え、
前記制御装置は、
前記データが書き込まれる第２の半導体メモリと、
前記第１の半導体メモリ及び前記第２の半導体メモリの書き込み動作を制御するデータ書き込み回路と、
該データ書き込み回路が前記第１の半導体メモリ及び前記第２の半導体メモリに所定データ長だけ書き込み動作を行うのに必要な電荷量を少なくとも蓄える充放電回路と、
前記商用電源の電源オフ又は停電を検出したときに停電検出信号を出力する停電検出回路とを備え、
前記データ書き込み回路は、前記停電検出回路から停電検出信号が出力されてから前記所定データ長の書き込み動作を終了した後は、前記第１の半導体メモリ及び／又は前記第２の半導体メモリへの書き込み動作が制限されることを特徴とする真空ポンプ。
【請求項２】
被対象設備より所定のガスを吸引するポンプ本体と、
該ポンプ本体の制御を行う制御装置と、
該制御装置に交流電圧を供給する商用電源とを備えた真空ポンプであって、
前記ポンプ本体は、
該ポンプ本体を正常に運転するための固有データが書き込まれる第１の半導体メモリとを備え、
前記制御装置は、
前記データが書き込まれる第２の半導体メモリと、
前記第１の半導体メモリ及び前記第２の半導体メモリの書き込み動作を制御するデータ書き込み回路と、
該データ書き込み回路が前記第１の半導体メモリ及び前記第２の半導体メモリに所定データ長だけ書き込み動作を行うのに必要な電荷量を少なくとも蓄える充放電回路と、
前記商用電源の電源オフ又は停電を検出したときに停電検出信号を出力する停電検出回路とを備え、
前記データ書き込み回路は、前記停電検出回路より停電検出信号が出力されてから前記所定データ長の書き込み動作を終了した時点で、
前記停電検出回路から停電検出信号が出力されているときは、その後の前記第１の半導体メモリ及び／又は前記第２の半導体メモリへの書き込み動作が制限され、
前記停電検出回路から停電検出信号が出力されていないときは、その後も前記第１の半導体メモリ及び／又は前記第２の半導体メモリへの書き込み動作が続行されることを特徴とする真空ポンプ。
【請求項３】
前記制御装置は、
前記交流電圧を第１の直流電圧に変換するＡＣ／ＤＣ変換器と、
前記第１の直流電圧を第２の直流電圧に降圧する少なくとも１つのＤＣ／ＤＣ変換器とを備え、
前記データ書き込み回路、前記第１の半導体メモリ及び／又は前記第２の半導体メモリには、前記第２の直流電圧が供給され、
前記充放電回路は、前記ＡＣ／ＤＣ変換器の出力及び／又は前記ＤＣ／ＤＣ変換器の出力に接続され、
前記停電検出回路は、前記ＡＣ／ＤＣ変換器の入力、前記ＡＣ／ＤＣ変換器の出力及び前記ＤＣ／ＤＣ変換器の出力のうちのいずれかに接続されていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の真空ポンプ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は真空ポンプに関わり、停電等に伴う半導体メモリへの誤書き込みを防止することで、この誤書き込みによる真空ポンプの動作不良を無くし、その信頼性を高めることが可能な真空ポンプに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年のエレクトロニクスの発展に伴い、集積回路を備えた半導体の需要が急激に増大している。
これらの半導体は、極めて純度の高い半導体基板に不純物をドープして電気的性質を与えたり、エッチングにより半導体基板上に微細な回路を形成したりなどして製造される。
【０００３】
そして、これらの作業は空気中の塵等による影響を避けるため高真空状態のチャンバ内で行われる必要がある。このチャンバの排気には、一般に真空ポンプが用いられているが、特に残留ガスが少なく、保守が容易等の点から真空ポンプの中の１つであるターボ分子ポンプが多用されている。
【０００４】
また、半導体の製造工程では、さまざまなプロセスガスを半導体の基板に作用させる工程が数多くあり、ターボ分子ポンプはチャンバ内を真空にするのみならず、これらのプロセスガスをチャンバ内から排気するのにも使用される。
このターボ分子ポンプは、プロセスガスを吸引排気するターボ分子ポンプ本体と、このターボ分子ポンプ本体を制御する制御装置とから構成されている。
【０００５】
このターボ分子ポンプ本体の縦断面図を図２に、制御装置のブロック図を図３に示す。
図２において、ターボ分子ポンプ本体１００は、円筒状の外筒１２７の上端に吸気口１０１が形成されている。外筒１２７の内方には、ガスを吸引排気するためのタービンブレードによる複数の回転翼１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ・・・を周部に放射状かつ多段に形成した回転体１０３を備える。
この回転体１０３の中心にはロータ軸１１３が取り付けられており、このロータ軸１１３は、例えば、いわゆる５軸制御の磁気軸受により空中に浮上支持かつ位置制御されている。
【０００６】
上側径方向電磁石１０４は、４個の電磁石がＸ軸とＹ軸とに対をなして配置されている。この上側径方向電磁石１０４に近接かつ対応されて４個の電磁石からなる上側径方向センサ１０７が備えられている。この上側径方向センサ１０７は回転体１０３の径方向変位を検出し、その信号を図３に示す制御装置２００に送るように構成されている。
【０００７】
制御装置２００においては、上側径方向センサ１０７が検出した変位信号に基づき、ＰＩＤ調節機能を有する補償回路２０１を介したアンプ２０２の出力により、上側径方向電磁石１０４の励磁を制御し、ロータ軸１１３の上側の径方向位置を調整する。
【０００８】
ロータ軸１１３は、高透磁率材（鉄など）などにより形成され、上側径方向電磁石１０４の磁力により吸引されるようになっている。かかる調整は、Ｘ軸方向とＹ軸方向とにそれぞれ独立して行われる。
また、下側径方向電磁石１０５及び下側径方向センサ１０８が、上側径方向電磁石１０４及び上側径方向センサ１０７と同様に配置され、ロータ軸１１３の下側の径方向位置が、上側の径方向位置と同様に、制御装置２００において調整されている。
【０００９】
さらに、軸方向電磁石１０６Ａ、１０６Ｂが、ロータ軸１１３の下部に備えた円板状の金属ディスク１１１を上下に挟んで配置されている。金属ディスク１１１は、鉄などの高透磁率材で構成されている。ロータ軸１１３の軸方向変位を検出するために軸方向センサ１０９が備えられ、その軸方向変位信号が制御装置２００に送られるように構成されている。
【００１０】
そして、軸方向電磁石１０６Ａ、１０６Ｂは、この軸方向変位信号に基づき制御装置２００のＰＩＤ調節機能を有する補償回路２０１を介したアンプ２０２の出力により、励磁制御されるようになっている。軸方向電磁石１０６Ａは、磁力により金属ディスク１１１を上方に吸引し、軸方向電磁石１０６Ｂは、金属ディスク１１１を下方に吸引する。
【００１１】
このように、制御装置２００では、この軸方向電磁石１０６Ａ、１０６Ｂが金属ディスク１１１に及ぼす磁力を適当に調節し、ロータ軸１１３を軸方向に磁気浮上させ、空間に非接触で保持する。
【００１２】
モータ１２１は、ロータ軸１１３を取り囲むように周状に配置された複数の磁極を備えている。これら各磁極は、制御装置２００の駆動回路２０３から出力される動力信号により、モータ１２１を回転駆動するよう制御されている。
また、モータ１２１には、図示しない回転数センサ及びモータ温度センサが取り付けられており、これらの回転数センサ及びモータ温度センサの検出信号を受けて、制御装置２００においてロータ軸１１３の回転が制御されている。
【００１３】
回転翼１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ・・・とわずかの空隙を隔てて複数枚の固定翼１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ・・・が配設されている。回転翼１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ・・・は、それぞれ排気ガスの分子を衝突により下方向に移送するため、ロータ軸１１３の軸線に垂直な平面から所定の角度だけ傾斜して形成されている。
【００１４】
また、固定翼１２３も、同様にロータ軸１１３の軸線に垂直な平面から所定の角度だけ傾斜して形成され、かつ外筒１２７の内方に向けて回転翼１０２の段と互い違いに配設されている。
【００１５】
そして、固定翼１２３の一端は、複数の段積みされた固定翼スペーサ１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃ・・・の間に嵌挿された状態で支持されている。
固定翼スペーサ１２５はリング状の部材であり、例えばアルミニウム、鉄、ステンレス、銅などの金属、又はこれらの金属を成分として含む合金などの金属によって構成されている。
【００１６】
固定翼スペーサ１２５の外周には、わずかの空隙を隔てて外筒１２７が固定されている。外筒１２７の底部にはベース部１２９が配設され、固定翼スペーサ１２５の下部とベース部１２９の間にはネジ付きスペーサ１３１が配設されている。そして、ベース部１２９中のネジ付きスペーサ１３１の下部には排気口１３３が形成され、外部に連通されている。
【００１７】
ネジ付きスペーサ１３１は、アルミニウム、銅、ステンレス、鉄、又はこれらの金属を成分とする合金などの金属によって構成された円筒状の部材であり、その内周面に螺旋状のネジ溝１３１ａが複数条刻設されている。
ネジ溝１３１ａの螺旋の方向は、回転体１０３の回転方向に排気ガスの分子が移動したときに、この分子が排気口１３３の方へ移送される方向である。
【００１８】
回転体１０３の回転翼１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ・・・に続く最下部には回転翼１０２ｄが垂下されている。この回転翼１０２ｄの外周面は、円筒状で、かつネジ付きスペーサ１３１の内周面に向かって張り出されており、このネジ付きスペーサ１３１の内周面と所定の隙間を隔てて近接されている。
【００１９】
ベース部１２９は、ターボ分子ポンプ本体１００の基底部を構成する円盤状の部材であり、一般には鉄、アルミニウム、ステンレスなどの金属によって構成されている。
ベース部１２９はターボ分子ポンプ本体１００を物理的に保持すると共に、熱の伝導路の機能も兼ね備えているので、鉄、アルミニウムや銅などの剛性があり、熱伝導率も高い金属が使用されるのが望ましい。
【００２０】
また、ベース部１２９には、コネクタ１６０が配設されており、このコネクタ１６０は、ターボ分子ポンプ本体１００と制御装置２００との間の信号線の出口になっている。
【００２１】
かかる構成において、ロータ軸１１３がモータ１２１により駆動されて回転翼１０２と共に回転すると、回転翼１０２と固定翼１２３の作用により、吸気口１０１を通じてチャンバからの排気ガスが吸気される。
吸気口１０１から吸気された排気ガスは、回転翼１０２と固定翼１２３の間を通り、ベース部１２９へ移送される。そして、ベース部１２９に移送されてきた排気ガスは、ネジ付きスペーサ１３１のネジ溝１３１ａに案内されつつ排気口１３３へと送られる。
【００２２】
さらに、ターボ分子ポンプ本体１００は、個々に調整された固有データに基づいた制御を要する。この固有データを格納するために、ターボ分子ポンプ本体１００は、その本体内に電子回路部１４１を備えている。
【００２３】
電子回路部１４１は、ターボ分子ポンプ本体１００の固有データを保存するための図３に示す不揮発性の半導体メモリ１４２（例えば、シリアルＥＥＰ−ＲＯＭ等）や、それらのアクセスのための半導体素子等の電子部品、それら実装用の基板１４３等から構成されており、この電子回路部１４１は、ターボ分子ポンプ本体１００の下部を構成するベース部１２９の中央付近の軸方向センサ１０９の下部に収容され、機密性の底蓋１４５によって閉じられている。
【００２４】
半導体メモリ１４２は、電気的にそのデータが書き換え可能であるとともに、停電時にもデータの保存ができるため、この半導体メモリ１４２には、ターボ分子ポンプ本体１００が動作する上で極めて重要なデータが保存されている。
【００２５】
例えば、半導体メモリ１４２には、各ターボ分子ポンプ本体１００を正常に運転するためのポンプ機種識別情報、回転数等の運転設定情報、可動範囲の中央にポンプを浮上させるためのチューニング情報等の固有データが保存されている。そして、この固有データは、例えばターボ分子ポンプ本体１００と制御装置２００との間の接続ケーブルを交換したときや、ターボ分子ポンプ本体１００や制御装置２００が故障により交換されたとき等に、再度設定されるとともに、その情報が半導体メモリ１４２に書き込まれる。
また、半導体メモリ１４２には、ターボ分子ポンプ本体１００や制御装置２００に異常が発生した場合等に、その異常発生の内容が書き込まれる。
【００２６】
さらに、この種の半導体メモリは、制御装置２００内にも備えられており、ターボ分子ポンプ本体１００内の半導体メモリ１４２と同じ内容のデータが、半導体メモリ２０５に書き込まれている。ターボ分子ポンプ本体１００や制御装置２００だけに半導体メモリ１４２が配設されていると、ターボ分子ポンプ本体１００や制御装置２００を交換した際に、交換したターボ分子ポンプ本体１００あるいは制御装置２００の正常な識別ができなくなってしまうからである。
【００２７】
半導体メモリ１４２、２０５への書き込み動作は、制御装置２００のデータ書き込み回路２０４によって、以下のように制御されている。
半導体メモリ１４２、２０５が、シリアル型のメモリの場合、メモリへの送信データ（１あるいは０のビット列）として、書き込み動作を指定するコマンド、所要アドレス、所要データの順で送信データを構成させた後、これらの送信データを一度にメモリへ送信して、所要アドレスに所要データを書き込む（以下、書き込み動作という。）。
【００２８】
また、メモリセルの欠陥やノイズ等によって誤書き込みが発生していないか、あるいは正常に書き込めたかどうかを確認するための読み込み動作を指定するコマンドと、所要アドレスからなる送信データをメモリに送信する。そして、この送信データに応じてメモリから出力された所要アドレスのデータが、最初に書き込み動作で送信した所要データと一致するかどうかを比較する必要がある（以下、ベリファイ動作という）。
【００２９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このようなターボ分子ポンプ本体１００及び制御装置２００においては、作業者の誤動作による電源オフや、落雷による停電等が発生する場合がある。
【００３０】
ここで、制御装置内の電源の接続関係を図３を用いて説明する。
図３において、制御装置２００には、商用電源２５０が接続されている。この商用電源２５０は、制御装置２００に交流電圧を供給するものである。
【００３１】
そして、この商用電源２５０には、ＡＣ／ＤＣ変換器２６０が接続されている。このＡＣ／ＤＣ変換器２６０は、交流電圧を直流電圧に変換し、モータ１２１を駆動する駆動回路２０３に直流電圧を供給している。
【００３２】
また、ＡＣ／ＤＣ変換器２６０の出力には、ＤＣ／ＤＣ変換器２７０が分岐接続されている。このＤＣ／ＤＣ変換器２７０は、ＡＣ／ＤＣ変換器２６０の出力電圧レベルを降圧するものであり、電磁石１０４、１０５、１０６Ａ、１０６Ｂを励磁するアンプ２０２に直流電圧を供給している。
【００３３】
さらに、ＤＣ／ＤＣ変換器２７０には、ＤＣ／ＤＣ変換器２８０が分岐接続されており、このＤＣ／ＤＣ変換器２８０は、ＤＣ／ＤＣ変換器２７０の電圧レベルをさらに降圧するものである。この降圧された直流電圧は、補償回路２０１、データ書き込み回路２０４及び半導体メモリ２０５に供給されており、さらに、ターボ分子ポンプ本体１００の半導体メモリ１４２にも供給されている。
【００３４】
かかる構成において、商用電源２５０がオフしたり、停電した場合、制御装置２００には、交流電圧が供給されなくなり、制御装置２００内の全ての直流電圧がオフしてしまう。
そして、商用電源２５０の電源オフや停電が、半導体メモリ１４２、２０５への書き込み動作中に発生した場合には、以下のような問題点を生じるおそれがある。
【００３５】
例えば、書き込み動作中に起これば、入力される書き込み動作を指定するコマンドを誤って認識したり、あるいは所要アドレスや所要データを誤って認識して、誤ったアドレス空間に、誤ったデータを書き込んでしまうおそれがある。
また、ベリファイ動作中に起これば、半導体メモリ１４２、２０５への書き込みが、正常に行われたかどうか確認できないで、終わってしまう可能性がある。
【００３６】
そして、このような半導体メモリ１４２、２０５への誤書き込みは、ターボ分子ポンプ本体１００の固有データの破壊に繋がるため、ターボ分子ポンプ本体１００及び制御装置２００の動作不良を引き起こすおそれがあった。
【００３７】
本発明はこのような従来の課題に鑑みてなされたものであり、停電等に伴う半導体メモリへの誤書き込みを防止することで、真空ポンプの動作不良を無くし、その信頼性を高めることが可能な真空ポンプを提供することを目的とする。
【００３８】
【課題を解決するための手段】
このため本発明は、被対象設備より所定のガスを吸引するポンプ本体と、該ポンプ本体の制御を行う制御装置と、該制御装置に交流電圧を供給する商用電源とを備えた真空ポンプであって、前記ポンプ本体は、該ポンプ本体を正常に運転するための固有データが書き込まれる第１の半導体メモリとを備え、前記制御装置は、前記データが書き込まれる第２の半導体メモリと、前記第１の半導体メモリ及び前記第２の半導体メモリの書き込み動作を制御するデータ書き込み回路と、該データ書き込み回路が前記第１の半導体メモリ及び前記第２の半導体メモリに所定データ長だけ書き込み動作を行うのに必要な電荷量を少なくとも蓄える充放電回路と、前記商用電源の電源オフ又は停電を検出したときに停電検出信号を出力する停電検出回路とを備え、前記データ書き込み回路は、前記停電検出回路から停電検出信号が出力されてから前記所定データ長の書き込み動作を終了した後は、前記第１の半導体メモリ及び／又は前記第２の半導体メモリへの書き込み動作が制限されることを特徴とする。
【００３９】
制御装置は電源オフや停電を検知するための停電検出回路と、停電等が発生した場合に、第１の半導体メモリ及び第２の半導体メモリに直流電圧を供給できる充放電回路とを備えて構成したことから、通常運転中に、充放電回路に電荷を蓄えることができ、停電時に、この電荷によって、第１の半導体メモリ、第２の半導体メモリ、データ書き込み回路に電圧を供給し続けることができる。
また、データ書き込み回路は、第１の半導体メモリ、第２の半導体メモリに所定データ長だけ書き込み動作を行った後は、その後の書き込み動作を制限する。よって、停電等に伴う半導体メモリへの誤書き込みを防止して、この誤書き込みによる真空ポンプの動作不良を無くし、その信頼性を高めることが可能である。
なお、所定データ長の書き込み動作は、１回の書き込み動作であっても良いし、一連のデータ列の書き込み動作であっても良い。
【００４０】
また、本発明は、被対象設備より所定のガスを吸引するポンプ本体と、該ポンプ本体の制御を行う制御装置と、該制御装置に交流電圧を供給する商用電源とを備えた真空ポンプであって、前記ポンプ本体は、該ポンプ本体を正常に運転するための固有データが書き込まれる第１の半導体メモリとを備え、前記制御装置は、前記データが書き込まれる第２の半導体メモリと、前記第１の半導体メモリ及び前記第２の半導体メモリの書き込み動作を制御するデータ書き込み回路と、該データ書き込み回路が前記第１の半導体メモリ及び前記第２の半導体メモリに所定データ長だけ書き込み動作を行うのに必要な電荷量を少なくとも蓄える充放電回路と、前記商用電源の電源オフ又は停電を検出したときに停電検出信号を出力する停電検出回路とを備え、前記データ書き込み回路は、前記停電検出回路より停電検出信号が出力されてから前記所定データ長の書き込み動作を終了した時点で、前記停電検出回路から停電検出信号が出力されているときは、その後の前記第１の半導体メモリ及び／又は前記第２の半導体メモリへの書き込み動作が制限され、前記停電検出回路から停電検出信号が出力されていないときは、その後も前記第１の半導体メモリ及び／又は前記第２の半導体メモリへの書き込み動作が続行されることを特徴とする。
【００４１】
商用電源に起きた停電が瞬間的なものであり、所定データ長の書き込み動作を終了した時点で商用電源が復旧している場合には、データ書き込み回路は、所定データ長だけ書き込んだ後も、第１の半導体メモリ、第２の半導体メモリへの書き込み動作を制限することなく、通常通り、書き込み動作を続行することができる。
【００４２】
さらに、本発明は、前記制御装置は、前記交流電圧を第１の直流電圧に変換するＡＣ／ＤＣ変換器と、前記第１の直流電圧を第２の直流電圧に降圧する少なくとも１つのＤＣ／ＤＣ変換器とを備え、前記データ書き込み回路、前記第１の半導体メモリ及び／又は前記第２の半導体メモリには、前記第２の直流電圧が供給され、前記充放電回路は、前記ＡＣ／ＤＣ変換器の出力及び／又は前記ＤＣ／ＤＣ変換器の出力に接続され、前記停電検出回路は、前記ＡＣ／ＤＣ変換器の入力、前記ＡＣ／ＤＣ変換器の出力及び前記ＤＣ／ＤＣ変換器の出力のうちのいずれかに接続されていることを特徴とする。
【００４３】
商用電源に電源オフや停電が起きたとき、制御装置には、交流電圧が供給されなくなるが、通常運転中に、ＡＣ／ＤＣ変換器の出力やＤＣ／ＤＣ変換器の出力に接続された充放電回路に電荷が蓄えられているため、この蓄えられた電荷により、第１の半導体メモリ、第２の半導体メモリ、データ書き込み回路に直流電圧を供給し続けることができる。
なお、停電検出回路は、ＡＣ／ＤＣ変換器の出力又はＤＣ／ＤＣ変換器の出力の電圧レベルを検知しても良い。また、充放電回路も、ＡＣ／ＤＣ変換器の出力とＤＣ／ＤＣ変換器の出力とに分散配置されていても良い。
【００４４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。図１に、本発明の実施形態である制御装置のブロック図を示す。なお、図３と同一要素のものについては同一符号を付して説明は省略する。
図１において、制御装置４００は、ＡＣ／ＤＣ変換器２６０の出力に、充放電回路４２０が接続されている。そして、この充放電回路４２０は、例えば、ＡＣ／ＤＣ変換器２６０から供給される直流電圧の電荷を所定容量だけ蓄えることができるコンデンサである。
【００４５】
また、制御装置４００は、ＡＣ／ＤＣ変換器２６０の入力に接続された停電検出回路４１０を備えている。この停電検出回路４１０は、フォトカプラー等の光半導体素子を備えて構成されており、商用電源２５０の交流電圧が、所定電圧よりも低いときに、停電検出信号を出力するようになっている。そして、この停電検出信号は、データ書き込み回路２０４に出力されるようになっている。
【００４６】
かかる構成において、商用電源２５０に電源オフや停電が発生した場合、制御装置４００には、交流電圧が供給されなくなるが、通常運転中に、充放電回路４２０内のコンデンサに所定の電荷が蓄えられているため、この蓄えられた電荷により、一定期間は、半導体メモリ１４２、２０５及びデータ書き込み回路２０４に直流電圧を供給し続けることができる。
よって、この期間（以下、電圧維持可能期間という。）中は、通常運転中と同様に、データ書き込み回路２０４は、半導体メモリ１４２、２０５への書き込み動作を続けることができる。
【００４７】
しかしながら、電圧維持可能期間の経過後も、半導体メモリ１４２、２０５への書き込み動作を続行させると、結局は半導体メモリ１４２、２０５及びデータ書き込み回路２０４に直流電圧が供給できなくなるので、従来と同様に、半導体メモリ１４２、２０５への誤書き込みを発生するおそれがある。そのため、電圧維持可能期間の経過後は、半導体メモリ１４２、２０５への書き込み動作を制限する必要がある。
【００４８】
停電検出回路４１０が商用電源２５０の電源オフや停電を検出すると、停電検出回路４１０は、データ書き込み回路２０４へ停電検出信号を出力する。この停電検出信号を受けたデータ書き込み回路２０４は、それ以降、所定データ長の書き込み動作のみを行い、その書き込み動作を通常通り終了させるよう動作する。そして、その後は、電圧維持可能期間の経過前であっても、データ書き込み回路２０４から半導体メモリ１４２、２０５への書き込み動作を制限することで、電圧維持可能期間の経過後に、書き込み動作が行われないよう保証する。
【００４９】
そのため、電圧維持可能期間は、少なくとも前述した所定データ長の書き込み動作を行うことができる時間だけ必要である。
なお、商用電源２５０に起きた停電が瞬間的なもので、データ書き込み回路２０４が所定データ長書き込む前に商用電源２５０が復旧した場合には、データ書き込み回路２０４は、半導体メモリ１４２、２０５への書き込み動作を制限することなく、通常通り、書き込み動作を続行する。
【００５０】
以上により、商用電源２５０が電源オフや停電しても、一定期間、半導体メモリ１４２、２０５の書き込み動作を保証し、かつ、その期間経過後、半導体メモリ１４２、２０５への書き込み動作を制限することで、半導体メモリ１４２、２０５への誤書き込みを防止することができ、商用電源２５０の復旧後のターボ分子ポンプ本体１００及び制御装置４００の動作不良を無くして、その信頼性を高めることが可能である。
【００５１】
なお、本実施形態においては、停電検出回路４１０はＡＣ／ＤＣ変換器２６０の入力に接続され、かつ充放電回路４２０はＡＣ／ＤＣ変換器２６０の出力に接続されているとして説明してきたが、これに限られるものではない。
すなわち、停電検出回路４１０は、ＡＣ／ＤＣ変換器２６０の出力、ＤＣ／ＤＣ変換器２７０の出力、ＤＣ／ＤＣ変換器２８０の出力のいずれかに接続されていれば良い。ＡＣ／ＤＣ変換器２６０の出力、ＤＣ／ＤＣ変換器２７０の出力、ＤＣ／ＤＣ変換器２８０の出力の電圧レベルを検知することによっても、商用電源２５０の電源オフや停電を検出することができるからである。
【００５２】
また、充放電回路４２０も、ＤＣ／ＤＣ変換器２７０の出力、ＤＣ／ＤＣ変換器２８０の出力のいずれかに接続されていても良いし、ＡＣ／ＤＣ変換器２６０の出力、ＤＣ／ＤＣ変換器２７０の出力、ＤＣ／ＤＣ変換器２８０の出力のうち、２つ又は全てに分散配置されていても良い。すなわち、最終的には、充放電回路４２０から半導体メモリ１４２、２０５やデータ書き込み回路２０４に直流電圧を供給できるように接続されていれば良い。
【００５３】
さらに、本実施形態においては、充放電回路４２０は、コンデンサとして説明してきたが、これに限られるものではない。すなわち、蓄電池（バッテリー）であっても良い。
【００５４】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、制御装置に電源オフや停電を検知するための停電検出回路と、かかる場合に半導体メモリとデータ書き込み回路に直流電圧を供給できる充放電回路とを備えて構成したことから、停電等に伴う半導体メモリへの誤書き込みを防止して、この誤書き込みによる真空ポンプの動作不良を無くし、その信頼性を高めることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態である制御装置のブロック図
【図２】ターボ分子ポンプ本体の縦断面図
【図３】従来の制御装置のブロック図
【符号の説明】
１００　ターボ分子ポンプ本体
１４１　電子回路部
１４２、２０５　半導体メモリ
２００、４００　制御装置
２０４　データ書き込み回路
２５０　商用電源
２６０　ＡＣ／ＤＣ変換器
２７０、２８０　ＤＣ／ＤＣ変換器
４１０　停電検出回路
４２０　充放電回路
【図１】
2004084547.tif 000003
【図２】
2004084547.tif 000004
【図３】
2004084547.tif 000005