(57)【要約】【課題】同一面側に電極が形成された発光素子をパッケージ凹部のリード電極に対し、安定性良くフリップチップ実装することが可能な発光装置を提供する。【解決手段】凹部を有し、その凹部の底面に正負一対のリード電極が露出するようインサート成形されてなるパッケージと、リード電極上にフェイスダウン実装されてなる発光素子とを有する発光装置であって、リード電極と発光素子との間に、発光素子を実装可能なサブマウントを有し、サブマウントは少なくとも表面に導電性部材を有し、導電性部材は、発光素子およびリード電極と導電性接合部材によって電気的に接続されてなることを特徴とする発光装置。【選択図】  図１
2004165308.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹部を有し、その凹部の底面に正負一対のリード電極が露出するようインサート成形されてなるパッケージと、前記リード電極上にフェイスダウン実装されてなる発光素子とを有する発光装置であって、
前記リード電極と前記発光素子との間に、該発光素子を実装可能なサブマウントを有し、該サブマウントは少なくとも表面に導電性部材を有し、該導電性部材は、前記発光素子および前記リード電極と導電性接合部材によって電気的に接続されてなることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記サブマウントは、前記リード電極間方向へ延長された矩形形状からなる請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記サブマウントは、短辺の長さが発光素子の対角線より長い請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記サブマウントは、前記発光素子の少なくとも２倍以上の面積を有する請求項１乃至３に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記サブマウントは、厚さ方向に貫通する貫通孔を有し、該貫通孔は内壁に該サブマウント上面および下面の導電性部材と連続する導電性部材を有し、該貫通孔を介して該サブマウントの上面と下面は導通されている請求項１乃至４に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記貫通孔は複数形成されている請求項５に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記発光素子の中心軸は前記サブマウントの中心軸と一致し、前記貫通孔は、前記発光素子の外周部において、前記中心軸に対して対称な位置に形成されている請求項６に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記貫通孔は、円柱形状からなることを特徴とする請求項５乃至７に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記接着部は、前記貫通孔の内壁の少なくとも一部と接触している請求項５乃至８に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記サブマウントは、ガラスエポキシ或いはＢＴレジンからなる請求項１乃至９に記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】
本発明は、ディスプレイ・光通信やＯＡ機器又は携帯機器の光源に最適な紫外域光から赤色光を発光する発光ダイオードに係わり、特に優れた放熱経路を有し且つ外部からの機械的応力等の耐久性に優れた発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
今日、発光装置としてＲＧＢ（赤、緑、青色）がそれぞれ高輝度に発光可能な発光ダイオードに加え紫外線が発光可能な発光ダイオード、白色発光が可能な発光ダイオードやレーザダイオードが開発された。これらの半導体発光素子は高輝度、低消費電力かつ長寿命という優れた特性を有している。そのため、屋外や屋内の各種ディスプレイ、交通や鉄道などの信号機、各種インジケータや標示や液晶装置のバックライトだけでなく、照明自体として利用されはじめている。
【０００３】
このような発光装置として、図１４および１５に示す表面実装型発光装置が用いられている。図１４および１５の表面実装型発光装置は、フレームインサートタイプと呼ばれ、発光素子が電気的に接続される正負一対のリード電極が、樹脂によって上下方向から挟み込まれるように、射出成形によってリード電極が樹脂パッケージと一体化される。リード電極の端部は外部へ突出しており、後に端部が折り曲げられることによって配線パターン等と接続される。この樹脂パッケージは開口部が形成され、リード電極上に発光素子が載置されるようにリード電極が露出している。この開口部はテーパー形状を有しており、内壁が傾斜されることで発光素子からの光を効率よく反射させることができる。また、発光素子は、対向面に正負一対の電極が形成されており、上記の樹脂パッケージのリード電極上に、発光素子の一方の電極が接続され、もう一方の電極は、導電性ワイヤーによって他のリード電極に接続されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１１−８７７８０号
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、窒化ガリウム系化合物半導体など、両面に電極を形成することが困難である発光素子を用い、フレームインサートタイプの樹脂パッケージに載置する場合、フェイスアップによる実装形態であると同一面に電極を形成し２本のワイヤによって電気的に接続する必要がある。このように、ワイヤを２本形成すると、ワイヤが陰となり光の取りだし効率が悪くなるばかりか、ワイヤの断線等による不良が生じ歩留まりが低くなる。そのため、フェイスダウンによる発光素子の実装が好ましいものとなる。しかしながら、フレームインサートタイプでは、０．１５ｍｍ厚の銅合金属を用いる場合、正負のリード電極の間隔は約０．１５ｍｍとするのが限度であり、正負の電極間が０．１ｍｍ以下である発光素子をフェイスダウンで安定性良く載置可能な距離とすることは難しい。また、リード電極は樹脂パッケージとの密着性は、必ずしも良好なものとは言えず、発光素子とリード電極との接合時に与えられる熱、加重および超音波による影響を受け、対向する双方のリード電極がそれぞれ微振動してしまうことで充分に合金化することができない。そこで、本発明は、フリップチップ方式による発光素子を用いて、安定性がよく、極めて信頼性に富んだ表面実装型発光装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に関わる半導体発光装置は、凹部を有し、その凹部の底面に正負一対のリード電極が露出するようインサート成形されてなるパッケージと、前記リード電極上にフェイスダウン実装されてなる発光素子とを有する発光装置であって、リード電極と発光素子との間に、該発光素子を実装可能なサブマウントを有し、サブマウントは少なくとも表面に導電性部材を有し、導電性部材は、発光素子およびリード電極と導電性接合部材によって電気的に接続されてなる。このような構成からなると、フェイスダウンによる実装で、発光素子とリード電極とを安定性良く電気的に接続することができるため、信頼性に富んだ表面実装型発光装置とすることができる。
【０００７】
また、本発明の請求項２に関わる半導体発光装置は、サブマウントが、前記リード電極間方向へ延長された矩形形状からなる。このような構成からなると、サブマウントが正電極上から負電極上を渡って配され、発光素子をリード電極と電気的に接続することができる。
【０００８】
また、本発明の請求項３に関わる半導体発光装置は、サブマウントが、短辺の長さが発光素子の対角線より長い。このような構成からなると、導電性接合部材によってサブマウント表面上に形成された導電性部材と発光素子との密着性を高め、安定性良く用いることができる。
【０００９】
また、本発明の請求項４に関わる半導体発光装置は、サブマウントが、発光素子の少なくとも２倍以上の面積を有する。このような構成からなると、放熱性が向上し、リード電極上に載置する際などにおいて取り扱いもしやすくなる。
【００１０】
また、本発明の請求項５に関わる半導体発光素子は、サブマウントは、厚さ方向に貫通する貫通孔を有し、該貫通孔は内壁に該サブマウント上面および下面の導電性部材と連続する導電性部材を有し、該貫通孔を介して該サブマウントの上面と下面は導通されている。このような構成からなると、発光素子と近い位置に放熱経路をさらに設けることができ、放熱効率を高めることができる。
【００１１】
また、本発明の請求項６に関わる半導体発光装置は、貫通孔が複数形成されている。このような構成からなると、上記した放熱効率をさらに高めることができる。
【００１２】
また、本発明の請求項７に関わる半導体発光装置は、発光素子の中心軸がサブマウントの中心軸と一致し、貫通孔は、発光素子の外周部において、中心軸に対して対称な位置に形成されている。このような構成からなると、発光素子の載置部の安定性が増し、密着性や放熱経路などにおいても偏りがないため好ましい。
【００１３】
また、本発明の請求項８に関わる半導体発光装置は、貫通孔が、円柱形状からなる。このような構成からなると、発光素子が載置されているサブマウントの上面および下面に形成されている導電性部材の導通を取りやすく、熱の流れもよりスムーズなものとなるため好ましい。
【００１４】
また、本発明の請求項９に関わる半導体発光装置は、接着部が、貫通孔の内壁の少なくとも一部と接触している。このような構成からなると、サブマウントと導電性接合部材との接着面積をより広くすることができるため、サブマウントのリード電極からの剥離やずれを抑制することができる。
【００１５】
また、本発明の請求項１０に関わる半導体発光装置は、サブマウントが、ガラスエポキシ樹脂或いはＢＴレジンからなる。このような構成からなると比較的容易にサブマウントを形成することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明に関わる実施の形態について説明する。
【００１７】
図１および２に本発明の実施の形態に関わる発光装置を示す。
リード電極が一体成形されたパッケージの内部に、リード電極の正負の両電極間を跨るようにサブマウントが配置されている。サブマウントの上面および下面には、導電性部材が形成されいる。サブマウント下面の導電性部材は、リード電極と導通された状態となっている。また、サブマウント上面の導電性部材は、発光素子が電極形成面側を対向させて載置され電気的に接続可能となるように、離間して形成されている。
【００１８】
このような構成とすることで、発光素子をフェイスダウンで安定性良く載置することが可能となる。発光素子からの光は、基板側から外部へ出射されることで、外部への光のとりだし効率が良くなり、また、導通させるためのワイヤーを必要としないことから、断線等による不良を出さず、歩留まりを上げることもできる。さらに、サブマウントは比較的硬質な絶縁性基板などに薄い金属薄膜からなる導電性部材が形成されているため、発光素子の電極と導電性部材とを接合させる際に起こる微振動の影響を受けることなく合金化することができる。そのため、発光素子の剥離やずれ等を防ぐことができるため、極めて信頼性の良好な発光装置を提供することが可能となる。
【００１９】
また、図３のようにサブマウントに、貫通孔が形成されていると、貫通孔内部にも導電性材料を設けることが可能となり、放熱性を高めることもでき、さらにリード電極上に配される際に用いられる導電性接合部材を貫通孔内部にまで設けることができるため、密着性もよくなる。
【００２０】
また、図４の断面図に示されるパッケージ凹部を発光素子が載置されたサブマウントが、リード電極の両電極間を渡るように設置された後、エポキシ樹脂或いはシリコーン樹脂などの透光性樹脂で封止することもできる。このようにすると、発光素子およびサブマウントを保護することができ、また、ガラスフィラーなどを混入させることで光の輝度を高めることもできる。
【００２１】
また、図７のようにパッケージ凹部に配する前に、予め発光素子とサブマウントとを封止樹脂によって一体化しておくことも可能である。このようにすると、発光素子とサブマウントの密着性はさらに向上し剥離などを防ぐことができるため、取り扱いやすくなり、蛍光物質や拡散剤などを封止樹脂内部に含有させることで、さらに発光特性を高めることもできる。以下、本発明の実施の形態における各構成について詳述する。
【００２２】
（発光素子）
本発明において、発光素子  は特に限定されないが、正負一対の電極を同一面に有するものであり、蛍光物質を用いた場合、前記蛍光物質を励起可能な発光波長を発光することのできる発光層を有する半導体発光素子が好ましい。このような半導体発光素子としてＡｌＩｎＧａＰやＧａＮなど種々の半導体を挙げることができるが、蛍光物質を効率よく励起できる短波長が発光可能な窒化物半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）が好適に挙げられる。半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やｐｎ接合などを有するホモ構造、ヘテロ構造、あるいはダブルヘテロ構造のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。また、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることもできる。
【００２３】
窒化物半導体を使用した場合、半導体基板にはサファイア、スピネル、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ等の材料が好適に用いられる。結晶性の良い窒化物半導体を量産性良く形成させるためにはサファイア基板を用いることが好ましい。このサファイア基板上にＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＡｌＮ等のバッファー層を形成しその上にｐｎ接合を有する窒化物半導体を形成させる。
【００２４】
窒化物半導体を使用したｐｎ接合を有する発光素子の例として、バッファ層上に、ｎ型窒化ガリウムで形成した第１のコンタクト層、ｎ型窒化アルミニウム・ガリウムで形成させた第１のクラッド層、窒化インジウム・ガリウムで形成した活性層、ｐ型窒化アルミニウム・ガリウムで形成した第２のクラッド層、ｐ型窒化ガリウムで形成した第２のコンタクト層を順に積層させたダブルヘテロ構造などが挙げられる。
【００２５】
窒化物半導体は、不純物をドープしない状態でｎ型導電性を示す。発光効率を向上させるなど所望のｎ型窒化物半導体を形成させる場合は、ｎ型ドーパントとしてＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を適宜導入することが好ましい。一方、ｐ型窒化物半導体を形成させる場合は、ｐ型ドーパントであるＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等をドープさせる。窒化物半導体は、ｐ型ドーパントをドープしただけではｐ型化しにくいためｐ型ドーパント導入後に、炉による加熱やプラズマ照射等により低抵抗化させることが好ましい。電極形成後、半導体ウエハーからチップ状にカットさせることで窒化物半導体からなる発光素子を形成させることができる。
【００２６】
本発明の発光ダイオードにおいて、白色系を発光させるには、蛍光物質からの発光波長との補色関係や透光性樹脂の劣化等を考慮して、発光素子の発光波長は４００ｎｍ以上５３０ｎｍ以下が好ましく、４２０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下がより好ましい。発光素子と蛍光物質との励起、発光効率をそれぞれ向上させるためには、４５０ｎｍ以上４７５ｎｍ以下がさらに好ましい。
【００２７】
（サブマウント）
図２に示すように本発明の実施の形態のサブマントは、上面に形成された導電性部材上に発光素子が載置され、下面に形成された導電性部材は、パッケージと一体化されたリード電極と接合される。導電性部材は、サブマウントの表面に形成された銅などの薄膜をエッチングによってパターン形成されるため、パッケージ内の正負のリード電極間と比較すると、より間隔を狭くして設けることができる。このような構成からなると、発光素子とリード電極とを、安定性良く電気的に接続することができる。サブマントの材料については、加工が容易で耐久性のある材料であれば任意のものを用いることができる。具体例としては、後述するガラスエポキシ樹脂や、或いは銅、アルミニウムや各種合金、セラミックなど種々のものを利用することができる。
【００２８】
サブマウントが金属材料などの導電性材料から成るものであると、絶縁性のものと比較して、熱伝導率が高いため、発光素子に生じた熱を効率的に外部へ導くことができる。導電性部材に用いる材料としては、発光素子からの熱を効率よく外部へ取り出すため、熱伝導性の良い材料が好ましく、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌやこれらの合金などを好適に利用することもできる。特に、銅やアルミニウムは加工のしやすさなどから好適に利用することができる。このようにサブマウントとして導電性材料を用いる場合は、電気的に絶縁すべくＳｉＯ２やＳｉＮＸなどの絶縁膜を形成後、銅、金、銀などの薄膜パターンやこれらの金属を含む合金、これらの金属を含む積層膜などＣＶＤやスパッタ或いはメッキによって形成させたものを好適に利用することができる。また反射率の高い金属や合金を発光波長に応じて適宜利用することができる。
【００２９】
サブマウントが半導体材料から成るものであると、サブマウント内部に保護素子を備えることも可能であり、静電耐圧を高めることができる。
【００３０】
また、絶縁性材料からなるものであると、取り扱いやすくなるため好ましい。例えば上述したガラスエポキシ樹脂の平板に導電性部材を形成することでサブマウントとすることができる。このような導電性部材は、発光素子に設けられた電極と、パッケージのリード電極とを導通させるために、サブマウントの上面から下面まで、連続するように設けられている。導電性部材は、サブマウントの側面に露出するように設けてもよく、図５のように貫通孔を設ける場合、貫通孔内部に設けてもよい。貫通孔を介して設ける場合、図６のように発光素子が配置される側にだけ設けてもよいが、貫通孔の内壁全てを覆うことでより放熱効果を得ることができる。サブマウント上面の導電性部材は、発光素子の正および負の電極間が０．１ｍｍである場合、これら電極と接合できるように約０．０５から０．０８ｍｍ程度の間隔を設けることも可能であるため、フェイスダウンでの実装も可能となる。
【００３１】
上述した貫通孔は、あらかじめ導電性部材を形成するための銅薄膜が表面に形成されたガラスエポキシ樹脂からなる平板をドリルやレーザ、打ち抜き加工によってなどを用いて形成することができる。貫通孔を設けることで、より放熱性を高め、貫通孔内壁と導電性接合部材とが接して固着することでリード電極との接合をより強固なものとすることができる。
【００３２】
このような貫通孔は、発光素子を載置するサブマウントの上面と下面とに開口部を有するように形成されている。サブマウントが発光素子と電気的に接続されるのであれば、発光素子の載置部近傍に貫通孔を設けることもできるが、貫通孔が発光素子と離間して形成されていると、安定性良く発光素子をサブマウント上に載置することができるため好ましい。
【００３３】
また、貫通孔の個数や大きさは限定されない。貫通孔を１つのみ設けることもできるが、複数の貫通孔を設けると、導電性材料によって覆われる部分が多くなり、放熱経路が拡大されるため、放熱性が向上する。またリード電極と接合されるために設けられる接合部材と、貫通孔の内壁との接触面積が増加するため、密着性が良くなる。貫通孔の位置は、偶数個設けられる場合などは、サブマウントの中心部、あるいはサブマウントの中心部に載置される発光素子の中心軸に対して対称に設けられると、安定性や放熱性において好ましい。図５では貫通孔は上面から下面に向かって同じ形状でほぼ直下方向に形成されているが、上面から下面まで傾斜して形成されてもよい。また、貫通孔が円柱形状からなると、応力が部分的に集中しにくいため不具合の起因とならず、均一に放熱させることができるため好ましい。しかし、このような形状に限らず、楕円や四角形、三角形など選択することができ、開口部の形状や貫通孔の側面の角度等は特に限定されない。また、図９のように下面に近づくにつれて小さくなるように形成させると、導電性接合部材が、硬化した際に貫通孔内部に引っかかるようになるため、より安定し、剥がれ難くなる。
【００３４】
サブマウントの大きさ等は、発光素子やパッケージに合わせて、適宜決定することができる。リード電極間を渡って設置することができ、発光素子の載置且つ導通が可能であれば、サブマウントの幅は発光素子より狭いものであってもかまわない。発光素子と同等かそれ以上で、またサブマウントが略矩形から成る場合、短辺の長さが発光素子の対角線よりも長いものであると、扱いやすく、また安定性良くリード電極上に配することができる。サブマウントの面積は、２倍以上或いは、パッケージの凹部底面の面積に対して５〜１００％、であると放熱性が良好となる。図１０のようにサブマウントをパッケージの凹部を覆うように全面に配することもできる。サブマウントがリード電極間において露出されるパッケージの一部分或いは全部分を覆い、サブマウント表面の導電性部材が、反射率の高いものとすることで、パッケージによる光の吸収を抑えて反射させることができるため、効率よく外部へ光を取り出すことが可能である。また、リード電極の間のパッケージ露出部が、サブマウントによって５〜１００％好ましくは５０％以上覆われることで前述したように反射率を高めることができる。
【００３５】
サブマウントの厚さは、パッケージ内に納まり、発光装置の指向性に影響を与えない範囲であれば特に限定されないが、０．２〜０．３ｍｍであると、放熱性が良好なものとなり、パッケージの深さに対して中間部に発光素子が位置するため、発光素子に対するパッケージを封止する樹脂の熱応力の影響が小さくなり好ましい。
【００３６】
（パッケージ）
本発明のパッケージは、凹部形状を有し、凹部の底面に正負一対のリード電極が露出されてなるものである。このようなパッケージが樹脂からなるものであると、リード電極を形成金型により挟み込み、閉じられた前記金型内にゲートから溶融させた樹脂を注入し、硬化させるインサート成形によって比較的容易に形成することができる。
【００３７】
リード電極は、鉄入り銅等の高熱伝導体を用いて構成することができる。また、発光素子からの光の反射率の向上や、リード基材の酸化防止等のために、リード電極の表面に銀、アルミニウム、銅や金等の金属メッキを施すこともできる。また、リード電極の表面の反射率を向上させるため平滑にすることが好ましい。また、リード電極の面積は大きくすることが好ましく、このようにすることで、放熱性を高めることができ、サブマウントを介して配置される発光素子の温度上昇を効果的に抑制することができる。これによって、発光素子に比較的多くの電力を投入することが可能となり光出力を向上させることができる。
【００３８】
リード電極は、長尺金属板をプレスを用いた打ち抜き加工により各パッケージ成形体の正負のリード電極となる部分を形成する。プレス加工後の長尺金属板の各パッケージ成形体に対応する部分において、正のリード電極は、成形後のパッケージ凹部の底面でその一端面が負のリード電極の一端面と対向するように負のリード電極とは分離されている。
【００３９】
上記のリード電極がインサート成形されるパッケージに用いられる材料は、液晶ポリマー、ポリフタルアミド、ポリブチレンテレフタレート等が用いられる、好ましくは、ポリフタルアミドであり、このような樹脂からなるパッケージは、発光素子からの熱や光に対して劣化しにくく、リードフレームを曲げる際などの応力にも耐えるものとなる。
【００４０】
また、パッケージ凹部の内部は、発光素子を載置したサブマウントをリード電極と接合後、モールド樹脂によって封止することもできる。
【００４１】
（導電性接合部材）
本発明の発光装置の実施の形態に関わる導電性接合部材は、発光素子とサブマウント上面の導電性部材とを接合する第１の接合部材と、サブマウントの下面の導電性部材とパッケージと一体成形されたリード電極とを接合する第２の接合部材とがある。
【００４２】
第１の接合部材は、アルミニウムや金、はんだ等によるバンプによって形成される。このようなバンプを発光素子の電極上に置き、サブマウントの発光素子載置面の配線パターンと対向させて置き、約５０〜１５０℃の温度下において、０．５〜２Ｗの超音波を与えながら発光素子に荷重をかけ、発光素子およびサブマウントの間の導電性接合部材の合金化によって接合される。
【００４３】
第２の接着部材は、銀や金、銅の導電性ペーストによって接合される。このような導電性ペーストをサブマウント載置部の２箇所に適量を塗布した後、サブマウントを実装し、１５０℃で１時間熱硬化を行うことで接合が可能となる。
【００４４】
また、サブマウントとリード電極との間の、第２の接着部材が設けられている部分以外に絶縁性接着材などからなる固定部を設けることも可能である。この際、リード電極間に露出したパッケージ部に絶縁性材料による固定部を設けると、両リード電極上に置かれた導電性接着材が流れ出したりすることによる短絡などを防ぐことができる。
【００４５】
（封止部材）
本発明の実施の形態においては、発光素子をサブマウント上に載置した後、図７に示すように封止部材によって発光素子を少なくとも一部を被覆しておくこともできる。このような封止部材は、発光素子を保護すると共に、サブマウントと発光素子とを固着させるための接着剤としての機能も有している。第１の接合部材のみでも発光素子とサブマウントを接着させることは出来るが、より強力な接着性が必要な場合は、封止部材を発光素子とその周辺を覆うように設けることで、接着性を向上させることができる。本発明では貫通孔を設け、内部にまで連続するように形成させると、サブマウントと接触する面積が大きくなり、しかも、立体的に接することが出来るので、強固な接着力が得られるため好ましい。
【００４６】
封止部材として用いる材料は、発光素子からの光を反射させる光反射部材を含むものや、その逆に光を透過させることができる透光性部材を用いることができ、熱又は光などで硬化可能な樹脂を用いることができる。光反射部材を含む封止部材を用いる場合は、発光素子の上面には設けないようにすればよく、素子の側面から貫通孔に連続するように設ける。光反射部材を含む封止部材を発光素子の側面に設けることで、発光素子の上面からのみ光を放出させることができる。封止部材として用いられる樹脂は、発光素子から放出される光の波長によっては劣化し易い場合があるので、側面だけでも光反射部材含む封止部材を用いることで、劣化を抑制することができる。樹脂が劣化して黄変してしまうと、光を吸収してしまうので、発光効率が低下するが、劣化を抑制することでそのような問題も回避することができる。
【００４７】
また、図８のように、光反射部材を含む封止部材を用いる場合は、発光素子の側面だけではなく底面にも設けることで、サブマウント側へ光が放出されるのを防ぐこともできる。サブマウントと発光素子の間には、第１の導電性部材が設けられているが、隙間が有る場合にはその隙間を埋めるように光反射部材を設けるのが好ましい。発光素子の底面とサブマウントとの距離は短いので、光が発光素子の底部から放出されると、反射を繰り返して樹脂が劣化し易くなるので、光反射部材を含む封止部材を用いることでそのような劣化を防ぐことができる。この場合、発光素子の側面から連続するように光反射部材を含む封止部材を設け、更に貫通孔まで連続するように設けることで、サブマウントとの接着性を有すると共に光の取り出し効率も向上させることができる。また、発光素子の底部から貫通孔まで連続するように設けても光の取り出し効率を向上させることができる。
【００４８】
光反射部材としては、酸化ケイ素、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも１つを用いるのが好ましい。これらの部材からなる粒子を光反射部材として封止部材に混入させて用いることができる。
【００４９】
また、透光性部材を用いる場合は、発光素子の上面から貫通孔まで連続して設けることが出来るので、より強固な接着力が得られる。そして、上記のような光反射部材と透光性部材の両方を有する封止部材を用い、例えば、図１１、１２のように発光素子の側面にのみ光反射部材を設けて、透光性部材を発光素子の上面から貫通孔に達するように形成させてもよい。このように、貫通孔に充填されるのは、透光性部材でも光反射部材を含むものであってもよく、発光素子の少なくとも側面から連続して設けられていれば接着力を向上させる効果は得られる。
【００５０】
図７に示すように透光性部材を用いる場合は、光を拡散させる光拡散材を混入させてもよい。これにより、光の分散性が向上し、均一な発光装置とすることができる。また、発光素子からの光によって励起されてその波長よりも長波長の光が発光可能な蛍光物質を混入させてもよい。これにより、発光素子からの光と蛍光物質からの光との混色光を発することができるので、様々な発光波長を有する発光装置とすることができる。蛍光物質は、発光素子が載置されたサブマウントをパッケージ凹部内に配した後、凹部を封止する樹脂に含有させることもできるが、このようにすることで、蛍光物質の使用量を減らし、また均一に混入させることができるため、輝度ムラ等を防ぐこともできる。
【００５１】
封止部材は、発光素子の少なくとも側面から貫通孔まで連続していればよく、更に下面まで連続している場合でも、貫通孔の一部の側面を介して連続するように形成されていればよい。また、第２の接合部材を貫通孔内部にまで設けることができるように、第２の接合部材のためのスペースを設けて封止することもできる。このような封止部材は、ポッティングによって設けることもできるし、発光素子の上面をマスク等で保護してから印刷塗布などの方法で設けることもできる。
【００５２】
（蛍光物質）
本発明に利用可能な蛍光物質は、発光素子から発せられる発光波長によって励起され、その光よりも長波長の可視光を発光可能な蛍光物質ならば無機蛍光体でも有機蛍光体でもよく、また、発光色は紫色〜赤色までの全ての可視光のものが適用できる。具体的には、無機蛍光体としてはケイ酸塩系蛍光体、リン酸塩系蛍光体、アルミン酸系蛍光体、希土類系蛍光体、酸希土類系蛍光体、硫化亜鉛系蛍光体などが挙げられる。具体的には緑色系発光蛍光体では、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃｅ，Ｔｂ、ＭｇＡｌ１１Ｏ１９：Ｃｅ，Ｔｂ、ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｍｎ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、ＺｎＳ：Ａｕ，Ｃｕ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ、青色系発光蛍光体では（ＳｒＣａＢａ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ、（ＢａＣａ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ、ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ、Ｓｒ５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ、Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７：Ｅｕ、ＺｎＳ：Ａｇ、Ａｌ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ（ｐｉｇｍｅｎｔｅｄ）、ＺｎＳ：ＡｇＣｌ、ＺｎＳ：ＡｇＣｌ（ｐｉｇｍｅｎｔｅｄ）、赤色系発光蛍光体ではＹ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ（ｐｉｇｍｅｎｔｅｄ）、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ、Ｙ（ＰＶ）Ｏ４：Ｅｕ、５ＭｇＯ・３Ｌｉ２Ｏ・Ｓｂ２Ｏ５：Ｍｎ、Ｍｇ２ＴｉＯ４：Ｍｎ等が挙げられる。比較的発光効率が高いものとしては、緑色系発光蛍光体ではＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ、青色系発光蛍光体ではＳｒ５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ、赤色系発光蛍光体ではＹ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕが挙げられる。
【００５３】
【実施例】
（実施例１）
サブマウントとして、ガラスエポキシからなる平板を用いる。この平板の上面および下面に導電性部材として銅薄膜を接着或いは積層などの方法で形成させる。次いで、平板にネガフィルムを貼り付けて露光し、ケミカルエッチング等によって除去することで図１３（ａ）の斜線部のような銅薄膜パターンを形成する。この銅薄膜形成板にドリル、エッチングやレーザなどを用いて図１３（ｂ）のようにＸ方向およびＹ方向に複数の貫通孔が並ぶように形成させる。次に、これら貫通孔を介して図１３（ｃ）に示す断面図のように、銅薄膜が貫通孔を介して上面から下面まで連続するように形成する。これにより、Ｘ方向に並ぶ貫通孔同士は連続するよう設けられているが、上面および下面で互いに離れてガラスエポキシ樹脂が露出するような銅薄膜が形成される。すなわち、Ｘ方向に並んだ４つの貫通孔の銅薄膜は連続しており、Ｙ方向に並んだ２つの貫通孔の銅薄膜は、接することなく形成されている。
【００５４】
次いで、図１３（ｄ）のように、Ｙ方向に並んだ貫通孔の間で、且つ離れて形成された銅薄膜の両方と接するように発光素子が銅薄膜上に配される。この時、１００℃に加熱されたヒーター上にガラスエポキシの平板を置き、バンプボンダーによって、１Ｗの超音波と６０ｇｆの荷重とを加えながら、ガラスエポキシ平板の発光素子の載置部に金バンプを形成する。その後、ガラスエポキシ平板上に発光素子をマウンターによって熱、荷重および超音波を印可しながら合金化する。
【００５５】
次いで、光反射部材としてＴｉＯ２を含む樹脂を図１３（ｆ）のように貫通孔上にポッティングする。この時、ＴｉＯ２含有樹脂が発光素子の上面を覆わないように、樹脂の量を制御しておく必要がある。ＴｉＯ２含有樹脂を硬化させた後、図１３（ｆ）の破線部で平板を切断することで、図１３（ｇ）のような、発光素子が載置された個々のサブマウントとすることができる。このようにして形成されたサブマウントは、短辺が０．６ｍｍ、長辺が１．４ｍｍ、厚さが０．３ｍｍの形状を有し、サブマウント上面の銅薄膜の間隔は０．０８ｍｍである。また載置されている発光素子の電極間は０．１ｍｍである。
【００５６】
次に、リード電極がインサート成形された樹脂パッケージ内に載置する。樹脂パッケージは、０．１５ｍｍ厚の銅合金属からなる金属板をプレスを用いた打ち抜き加工によってリード電極となる部分を形成し、このように形成された正負一対のリード電極部を金型内にインサートして閉じ、金型内に樹脂を流し込み、硬化させて形成する。樹脂パッケージは凹部形状を有しており、正負一対のリード電極と、０．１５ｍｍのリード間には、パッケージの一部が露出されている。このようなパッケージ内の正負のリード電極を渡るように、前述の発光素子が載置されたサブマウント下面の銅薄膜と各リード電極とを、銀ペーストによって接合した後、パッケージ凹部内をエポキシ樹脂によって封止することで、本発明の発光装置とすることができる。
【００５７】
（実施例２）
実施例１において、銅薄膜からなる導電性部材が形成されたガラスエポキシ樹脂の平板上に金バンプによって発光素子が載置されたものを、切断することによって発光素子が載置された個々のサブマウントとして分割した。次に、導電性接合部材として銀ペーストを用いて、サブマウントと樹脂パッケージのリード電極との接合を行った。導電性接合部材は、貫通孔内部に入り込んだ後に硬化するため、サブマウントとリード電極との接合は強固なものとすることができる。次に、パッケージの凹部内をエポキシ樹脂により封止する。エポキシ樹脂には重量比に対して５％のＹＡＧが含有されている。このような構成とすることで本発明の発光装置とすることができる。
【００５８】
【発明の効果】
本発明は、リード電極間に対し、載置するのに十分な長さを有するサブマウントを用いることによって、発光素子をフェイスダウン実装により安定性良く電気的に接続することができるため、信頼性に富んだ表面実装型発光装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の発光装置を示す模式的斜視図
【図２】本発明の発光装置を示す模式的平面図
【図３】本発明の他の発光装置を示す模式的平面図
【図４】図３のＡ−Ａを示す模式的断面図
【図５】本発明の他の発光装置を示す模式的断面図
【図６】本発明の他の発光装置を示す模式的断面図
【図７】本発明の他の発光装置を示す模式的断面図
【図８】本発明の他の発光装置を示す模式的断面図
【図９】本発明の他の発光装置を示す模式的断面図
【図１０】本発明の他の発光装置を示す模式的平面図
【図１１】本発明の他の発光装置を示す模式的断面図
【図１２】本発明の他の発光装置を示す模式的断面図
【図１３】本発明の発光装置の形成工程を示す工程図。
（ａ）導電性部材が形成された平板の模式図
（ｂ）貫通孔が形成された平板の模式図
（ｃ）図１３（ｂ）の断面図
（ｄ）発光素子が配された平板の模式図
（ｅ）図１３（ｄ）の断面図
（ｆ）光反射部材が形成された基板の模式図
（ｇ）図１３（ｆ）の断面図
【図１４】本発明と比較のために示す発光装置を示す模式的平面図
【図１５】図１４のＡ−Ａを示す模式的断面図
【符号の説明】
１．発光素子
２．サブマウント
３．導電性部材
４．リード電極
５．第１の接合部材
６．第２の接合部材
７．パッケージ
８．ワイヤ
９．貫通孔
１０．透光性部材
１１．光反射部材を含む封止部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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