(57)【要約】【課題】接合材料として硬ろう材を用いたとしても、台座の過度な軟化を抑制することができ、しかも、熱伝導率を低下させることがないヒートスプレッダモジュールを提供する。【解決手段】ヒートスプレッダモジュール１０は、台座１２と、該台座１２上に配されたヒートスプレッダ材１４と、該ヒートスプレッダ材１４上に配された熱伝導層１６と、台座１２とヒートスプレッダ材１４との間に介在された第１の接合材１８と、ヒートスプレッダ材１４と熱伝導層１６との間に介在された第２の接合材２０とを有し、台座１２は、６００〜９００℃で１０分間の熱処理を行った後に、熱伝導率が２７０Ｗ／ｍＫ以上、耐力が４５ＭＰａ以上である銅合金にて構成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
台座上に少なくともヒートスプレッダ材と絶縁基板とが接合されたヒートスプレッダモジュールにおいて、
前記台座は、６００〜９００℃で１０分間の熱処理を行った後に、熱伝導率が２７０Ｗ／ｍＫ以上、耐力が４５ＭＰａ以上である銅合金にて構成されていることを特徴とするヒートスプレッダモジュール。
【請求項２】
請求項１記載のヒートスプレッダモジュールにおいて、
前記台座を構成する前記銅合金は、
（ａ）Ｃｒが０．１〜１．５質量％、残部がＣｕの銅合金、
（ｂ）Ｚｒが０．１〜０．５質量％、残部がＣｕの銅合金、
（ｃ）Ｚｒが０．０５〜０．３質量％、Ｃｒが０．３〜１．２質量％、残部がＣｕの銅合金、
（ｄ）Ａｇが０．０１〜１．５質量％、残部がＣｕの銅合金、
（ｅ）Ｆｅが１．４〜３．０質量％、Ｚｎが０．０５〜０．２質量％、Ｐが０．０１〜０．１質量％、残部がＣｕの銅合金、
（ｆ）アルミナ分散銅、
のいずれかであることを特徴とするヒートスプレッダモジュール。
【請求項３】
請求項１又は２記載のヒートスプレッダモジュールにおいて、
前記ヒートスプレッダ材は、Ｃ母材にＣｕまたはＣｕ合金が含浸された複合材、もしくはＳｉＣ母材にＣｕまたはＣｕ合金が含浸された複合材で構成されていることを特徴とするヒートスプレッダモジュール。
【請求項４】
請求項１又は２記載のヒートスプレッダモジュールにおいて、
前記ヒートスプレッダ材は、カーボンと銅または銅合金の複合材、もしくはＳｉＣと銅または銅合金の複合材を使用して構成されていることを特徴とするヒートスプレッダモジュール。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のヒートスプレッダモジュールにおいて、
前記絶縁基板は、ＡｌＮ又はＳｉ３Ｎ４で構成されていることを特徴とするヒートスプレッダモジュール。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のヒートスプレッダモジュールにおいて、
少なくとも前記台座、前記ヒートスプレッダ材、前記絶縁基板は、融点が６００℃以上の硬ろう材で接合されていることを特徴とするヒートスプレッダモジュール。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載のヒートスプレッダモジュールにおいて、
前記台座の厚さが０．５ｍｍ以上であって、かつ、前記ヒートスプレッダモジュール全体の厚さの４０％以下であることを特徴とするヒートスプレッダモジュール。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のヒートスプレッダモジュールにおいて、
前記絶縁基板上に電極を介してＩＣチップが積載されることを特徴とするヒートスプレッダモジュール。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載のヒートスプレッダモジュールにおいて、
前記ヒートスプレッダ材の下部に放熱体が接合されることを特徴とするヒートスプレッダモジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体等で構成されたＩＣチップ等を冷却するために使用されるヒートスプレッダモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ゲート隔離型バイポーラトランジスタ）等の半導体装置の発熱を効果的に放散させる部材としてのヒートスプレッダモジュールは、回路、絶縁基板及びヒートスプレッダ材（熱拡散層）からなる接合体のほかに、放熱体としてのヒートシンクに前記ヒートスプレッダ材を接合させるための台座を設けるようにしている。
【０００３】
従来、前記台座を銅にて構成しており、前記接合体と台座とを接合する際には、半田層（融点＝２５０℃程度）を用いて接合することが多かった。この場合、台座は半田層の接合温度に短時間曝される程度であり、強度を失うほどの焼鈍軟化を考慮する必要はなかった。
【０００４】
しかし、半田層が大きな熱抵抗となることと、回路と絶縁基板とのろう接合工程と、接合体と台座との接合工程の２つの工程を経由することから製造コストを高価格化させる要因となっていた。
【０００５】
そこで、発明者らは、先に特許文献１において、回路、絶縁基板及び台座を硬ろう材を用いて加圧しつつ接合することで、熱抵抗となる接合層を残留させず、かつ、１工程で接合する手法を開示した。この手法によれば高い熱伝導率をもったヒートスプレッダモジュールを安価に得ることができる。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２−４３４８２号公報（段落［００３３］、図５Ａ）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述の１工程で接合を完了する手法においては、台座が硬ろう材の融点にまで加熱されるため、台座が軟化するおそれがあり、製造過程のハンドリングにおいて容易に変形するおそれがある。
【０００８】
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、接合材料として硬ろう材を用いたとしても、台座の変形を抑制することができ、しかも、熱伝導率を低下させることがないヒートスプレッダモジュールを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るヒートスプレッダモジュールは、台座上に少なくともヒートスプレッダ材と絶縁基板とが接合されたヒートスプレッダモジュールにおいて、前記台座は、６００〜９００℃で１０分間の熱処理を行った後に、熱伝導率が２７０Ｗ／ｍＫ以上、耐力が４５ＭＰａ以上である銅合金にて構成されていることを特徴とする。
【００１０】
まず、台座とヒートスプレッダ材との接合材料、並びにヒートスプレッダ材と絶縁基板との接合材料としてそれぞれ硬ろう材を用いて１回の接合でヒートスプレッダモジュールを完成させる場合を想定したとき、硬ろう材は、一般に、溶融温度が４５０℃以上のろう材であることから、純銅を台座に用いた場合、接合のための熱履歴により、強度２５０ＭＰａ以下、耐力３０ＭＰａ以下に軟化する。このような耐力値の著しい低下は、ヒートスプレッダモジュールをヒートシンク材にねじ止めなどの手段で取り付ける等の定常的な取り扱いにおいてすら形状変形を引き起こしやすく、ヒートスプレッダモジュールの使用上、不具合を生じることがある。
【００１１】
しかし、本発明では、台座として６００〜９００℃で１０分間の熱処理を行った後に、熱伝導率が２７０Ｗ／ｍＫ以上、耐力が４５ＭＰａ以上である銅合金を用いたため、前記接合材料として硬ろう材を使用したとしても、台座を純銅で形成したヒートスプレッダモジュールのように台座が著しく軟化して取り扱いが不便になるということがない。
【００１２】
つまり、本発明においては、製造コストの低廉化を有効に図ることができる接合方法を使用したとしても、例えばその後のハンドリングの際に台座が変形するということがなく、しかも、その耐力値を確保するための弊害として生じるヒートスプレッダモジュールの熱伝導率の低下はほとんどない。
【００１３】
換言すれば、ヒートスプレッダモジュールとしての熱伝導率をほとんど低下させることなく、台座の強度を維持することができ、ヒートスプレッダモジュールの製造コストの低廉化、ハンドリングの容易性、信頼性の向上を図ることができる。
【００１４】
そして、前記構成において、前記台座を構成する前記銅合金は、
（ａ）Ｃｒが０．１〜１．５質量％、残部がＣｕの銅合金、
（ｂ）Ｚｒが０．１〜０．５質量％、残部がＣｕの銅合金、
（ｃ）Ｚｒが０．０５〜０．３質量％、Ｃｒが０．３〜１．２質量％、残部がＣｕの銅合金、
（ｄ）Ａｇが０．０１〜１．５質量％、残部がＣｕの銅合金、
（ｅ）Ｆｅが１．４〜３．０質量％、Ｚｎが０．０５〜０．２質量％、Ｐが０．０１〜０．１質量％、残部がＣｕの銅合金、
（ｆ）アルミナ分散銅、
のいずれかであることが好ましい。
【００１５】
一方、前記ヒートスプレッダ材は、Ｃ母材にＣｕまたはＣｕ合金が含浸された複合材、もしくはＳｉＣ母材にＣｕまたはＣｕ合金が含浸された複合材で構成されていてもよい。また、前記ヒートスプレッダ材は、カーボンと銅または銅合金の複合材、もしくはＳｉＣと銅または銅合金の複合材を使用して構成されていてもよい。
【００１６】
前記絶縁基板は、ＡｌＮ又はＳｉ３Ｎ４で構成されていてもよい。また、少なくとも前記台座、前記ヒートスプレッダ材、前記絶縁基板は、融点が６００℃以上の硬ろう材で接合されていてもよい。
【００１７】
また、前記台座の厚さは、０．５ｍｍ以上であって、かつ、前記ヒートスプレッダモジュール全体の厚さの４０％以下であることが好ましい。
【００１８】
なお、前記絶縁基板上に電極を介してＩＣチップが積載されていてもよいし、前記ヒートスプレッダ材の下部に放熱体が接合されていてもよい。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るヒートスプレッダモジュールの実施の形態例を図１〜図５Ｂを参照しながら説明する。
【００２０】
本実施の形態に係るヒートスプレッダモジュール１０は、図１に示すように、台座１２と、該台座１２上に配されたヒートスプレッダ材１４と、該ヒートスプレッダ材１４上に配された熱伝導層１６と、台座１２とヒートスプレッダ材１４との間に介在された第１の接合材１８と、ヒートスプレッダ材１４と熱伝導層１６との間に介在された第２の接合材２０とを有する。
【００２１】
熱伝導層１６は、絶縁基板２２と、該絶縁基板２２とヒートスプレッダ材１４との間に介在された中間層２４と、絶縁基板２２上に配されたＣｕ又はＡｌからなる回路基板２６と、中間層２４と絶縁基板２２との間に介在された第３の接合材２８と、絶縁基板２２と回路基板２６との間に介在された第４の接合材３０とを有する。
【００２２】
回路基板２６上には下地層３２を介してＩＣチップ３４が実装され、台座１２の下面に例えばＡｌやＣｕで構成された放熱体としてのヒートシンク３６が例えばねじ止め（図示せず）によって固定される。絶縁基板２２には、ＡｌＮ又はＳｉ３Ｎ４を用いることができる。
【００２３】
また、ヒートスプレッダ材１４の熱伝導率は、１５０Ｗ／ｍＫ以上であることが好ましい。１５０Ｗ／ｍＫ未満であると、ヒートスプレッダモジュール１０が使用されることに伴ってＩＣチップ３４が発した熱をヒートスプレッダモジュール１０の外部へと伝達させる速度が遅くなるので、該ヒートスプレッダモジュール１０の温度を一定に保持する効果に乏しくなるからである。
【００２４】
ヒートスプレッダ材１４の構成材料は、熱伝導率や熱膨張率が上記した範囲内となるようなものであれば特に限定されないが、ＳｉＣ、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＢｅＯ、Ａｌ２Ｏ３、Ｂｅ２Ｃ、Ｃ、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｓｉからなる群から選択された少なくとも１つを好適な例として挙げることができる。即ち、ヒートスプレッダ材１４は、これらの中から選定された単体または２つ以上からなる複合材から構成することができる。複合材としては、ＳｉＣ／Ｃｕ複合材４０（図２参照）やＣ／Ｃｕ複合材４２（図３参照）を例示することができる。
【００２５】
ＳｉＣ／Ｃｕ複合材４０は、図２に示すように、ＳｉＣで構成された多孔質焼結体４４の開気孔４６内に溶融したＣｕ又はＣｕ合金４８を含浸し、次いで、このＣｕ又はＣｕ合金４８を固化することにより得られる。
【００２６】
Ｃ／Ｃｕ複合材４２は、図３に示すように、カーボン又はその同素体を予備焼成してネットワーク化することによって得られる多孔質焼結体５０の開気孔５２内に溶融したＣｕ又はＣｕ合金５４を含浸し、次いで、このＣｕ又はＣｕ合金５４を固化することにより得られるものであって、例えば特開２００１−３３９０２２号公報に示される部材である。
【００２７】
ヒートスプレッダ材１４が上述した複合材料や合金からなる場合、熱膨張率や熱伝導率は、構成成分の組成比を設定することにより、熱膨張率３．０×１０−６〜１．０×１０−５／Ｋ、熱伝導率：１５０Ｗ／ｍＫ以上に制御することができる。
【００２８】
第１〜第４の接合材１８、２０、２８、３０は、活性元素を含む硬ろう材であることが好ましい。この場合、活性元素は、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｂｅ等の周期律表第２Ａ族、Ｃｅ等の第３Ａ族、Ｔｉ、Ｚｒ等の第４Ａ族、又は、Ｎｂ等の第５Ａ族、Ｂ、Ｓｉ等の第４Ｂ族に属する元素のうちの少なくとも１つを使用することができる。この実施の形態では、前記第１〜第４の接合材１８、２０、２８、３０として、Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉの硬ろう材又はＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ−Ｔｉの硬ろう材を使用した。この場合、活性元素はＴｉである。
【００２９】
一方、下地層３２は、図１に示すように、前記熱伝導層１６上に形成された半田層６０と、ＩＣチップ３４の半田層６０に対する濡れ性を良好にするためのＮｉ層６２とを有して構成されている。
【００３０】
そして、この実施の形態に係るヒートスプレッダモジュール１０においては、前記台座１２は、６００〜９００℃で１０分間の熱処理を行った後に、熱伝導率が２７０Ｗ／ｍＫ以上、耐力が４５ＭＰａ以上である銅合金にて構成されている。
【００３１】
台座を構成する銅合金としては、
（ａ）Ｃｒが０．１〜１．５質量％、残部がＣｕの銅合金、
（ｂ）Ｚｒが０．１〜０．５質量％、残部がＣｕの銅合金、
（ｃ）Ｚｒが０．０５〜０．３質量％、Ｃｒが０．３〜１．２質量％、残部がＣｕの銅合金、
（ｄ）Ａｇが０．０１〜１．５質量％、残部がＣｕの銅合金、
（ｅ）Ｆｅが１．４〜３．０質量％、Ｚｎが０．０５〜０．２質量％、Ｐが０．０１〜０．１質量％、残部がＣｕの銅合金、
（ｆ）アルミナ分散銅、
のいずれかであることが好ましい。
【００３２】
また、前記台座１２の厚さｔ５は、０．５ｍｍ以上であって、ヒートスプレッダモジュール１０全体の厚さｔ６の４０％以下であることが好ましい。
【００３３】
ここで、１つの実験例を示す。この実験例は、比較例１〜３並びに実施例１〜１０について、以下の接合条件にて接合した後の台座１２の耐力とヒートスプレッダモジュール１０の熱伝導率、並びにハンドリングにおける変形率をみたものである。
【００３４】
接合条件は、第１〜第４の接合材１８、２０、２８、３０としてＡｇ−２７Ｃｕ−１３Ｉｎ−１．３Ｔｉを用い、接合温度を８３０℃、処理時間を１０分間とした。
【００３５】
比較例１〜３並びに実施例１〜１０の内訳を測定結果と共に図４に示す。この図４において、ｔ１は回路基板２６の厚さ、ｔ２は絶縁基板２２の厚さ、ｔ３は中間層２４の厚さ、ｔ４はヒートスプレッダ材１４の厚さを示す。
【００３６】
ハンドリングにおける変形率は、これら比較例１〜３並びに実施例１により構成されたヒートスプレッダモジュール１０をＡｌ製のヒートシンク材にボルトでねじ止めし、評価に供した後、規格寸法を外れる変形を生起した割合を示す。
【００３７】
また、図４において、ｔ５は台座１２の厚さ、ｔ６はヒートスプレッダモジュール１０全体の厚さ、ｔ５／ｔ６はヒートスプレッダモジュール１０全体の厚さｔ６に対する台座１２の厚さｔ５の比を示す。
【００３８】
また、図４において、λｂは台座１２における接合後の熱伝導率、ＹＳは台座１２における接合後の耐力、λｍは接合されたヒートスプレッダモジュール１０の熱伝導率を示す。
【００３９】
なお、測定方法として、接合後の台座１２自体の熱伝導率、ヒートスプレッダモジュール１０全体の熱伝導率は接合体を実測したが、台座１２の接合後の耐力ＹＳは、接合するヒートスプレッダモジュール１０と同一の接合炉に入れて同一の熱履歴をかけた同一材質で同一製造ロットの試験片の測定値を用いた。
【００４０】
比較例１〜３並びに実施例１〜１０は共に、回路基板２６として厚さ０．３ｍｍの純銅板を用い、絶縁基板２２として厚さ０．３ｍｍのＳＮ基板を用い、中間層２４として厚さ０．３ｍｍの純銅板を用い、ヒートスプレッダ材１４として厚さ３ｍｍのＣ／Ｃｕ複合材を用いた。
【００４１】
そして、比較例１は、台座１２として厚さ１ｍｍの純銅板を用い、比較例２は、台座１２として厚さ２ｍｍの純銅板を用いた。比較例３は、台座１２を構成する銅合金としてＳｎが２．２質量％、残部がＣｕの厚さ２ｍｍの銅合金を用いた。
【００４２】
実施例１〜４は、台座１２を構成する銅合金としてそれぞれＣｒが０．８質量％、残部がＣｕの銅合金を用い、台座１２の厚さｔ５は、実施例１が０．５ｍｍ（ｔ６＝５．１ｍｍ、ｔ５／ｔ６＝９．８％）、実施例２が１ｍｍ（ｔ６＝５．６ｍｍ、ｔ５／ｔ６＝１７．９％）、実施例３が２ｍｍ（ｔ６＝６．６ｍｍ、ｔ５／ｔ６＝３０．３％）、実施例４が３ｍｍ（ｔ６＝７．６ｍｍ、ｔ５／ｔ６＝３９．５％）である。
【００４３】
実施例５及び６は、台座１２を構成する銅合金としてそれぞれＣｒが１．０質量％、Ｚｒが０．２質量％、残部がＣｕの銅合金を用い、台座１２の厚さｔ５は、実施例５が１ｍｍ（ｔ６＝５．６ｍｍ、ｔ５／ｔ６＝１７．９％）、実施例６が２ｍｍ（ｔ６＝６．６ｍｍ、ｔ５／ｔ６＝３０．３％）である。
【００４４】
実施例７及び８は、台座１２を構成する銅合金としてそれぞれＺｒが０．２５質量％、残部がＣｕの銅合金を用い、台座１２の厚さｔ５は、実施例７が１ｍｍ（ｔ６＝５．６ｍｍ、ｔ５／ｔ６＝１７．９％）、実施例８が２ｍｍ（ｔ６＝６．６ｍｍ、ｔ５／ｔ６＝３０．３％）である。
【００４５】
実施例９は、台座１２を構成する銅合金としてＡｇが０．７質量％、残部がＣｕの銅合金を用い、台座１２の厚さｔ５は２ｍｍ（ｔ６＝６．６ｍｍ、ｔ５／ｔ６＝３０．３％）である。
【００４６】
実施例１０は、台座１２を構成する銅合金としてＦｅが２．３質量％、Ｚｎが０．１２質量％、Ｐが０．０３質量％、残部がＣｕの銅合金を用い、台座１２の厚さｔ５は２ｍｍ（ｔ６＝６．６ｍｍ、ｔ５／ｔ６＝３０．３％）である。
【００４７】
図４の測定結果に示すように、比較例１及び２は、接合後における耐力が１４ＭＰａと低いため、ハンドリングにおいて台座に変形をきたした。一方、実施例１〜１０は、接合後における耐力が４５以上と高く、その後のハンドリングに支障をきたすことがない。しかも、実施例１〜１０は、いずれもヒートスプレッダモジュール１０の熱伝導率が２８０Ｗ／ｍｋ以上であり、純銅を台座に用いた場合に比べて熱伝導特性の劣化は１０％未満に抑えられており、銅合金として、適性な熱伝導率を有するものを用いれば、熱伝導率がほとんど低下していないことがわかる。
【００４８】
また、比較例３は、接合後における耐力が１６５ＭＰａと高いため、ハンドリングにおいて台座に変形は起こさないが、台座の熱伝導が２２５Ｗ／ｍＫと低いことから、ヒートスプレッダモジュール１０の熱伝導率が２５１Ｗ／ｍＫと、純銅を用いる場合にくらべて１０％以上の熱伝導特性の劣化となるため望ましくない。
【００４９】
次に、本実施の形態に係るヒートスプレッダモジュール１０の製造方法について図５Ａ及び図５Ｂを参照しながら説明する。
【００５０】
まず、図５Ａに示すセッティング工程において、台座１２上に、第１の接合材１８、ヒートスプレッダ材１４、第２の接合材２０、中間層２４、第３の接合材２８、絶縁基板２２、第４の接合材３０及び回路基板２６の順に載置（セッティング）する。このセッティング工程は、例えば大気中で行われる。
【００５１】
次に、図５Ｂに示す接合工程において、前記第１の接合材１８、ヒートスプレッダ材１４、第２の接合材２０、中間層２４、第３の接合材２８、絶縁基板２２、第４の接合材３０及び回路基板２６がセッティングされた台座１２を治具７０上に固定し、例えば１．０×１０−５Ｔｏｒｒ以下の真空中にて、上方から加圧を行いながら、昇温・降温を行って接合する。この接合処理によって、図１に示すように、回路基板２６、絶縁基板２２、中間層２４、ヒートスプレッダ材１４及び台座１２が一体化された接合体、即ち、ヒートスプレッダモジュール１０が得られる。
【００５２】
前記接合工程では、０．２ＭＰａ以上、１０ＭＰａ以下の力で加圧することが好ましい。この場合、接合後の第１〜第４の接合材１８、２０、２８、３０の平均厚みは、それぞれ５０μｍ以下、望ましくは１０μｍ以下、更に望ましくは５μｍ以下である。この厚みは前記加圧によって制御可能である。
【００５３】
このように、本実施の形態に係るヒートスプレッダモジュール１０は、第１〜第４の接合材１８、２０、２８、３０としてそれぞれ硬ろう材を用いて、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、１回の接合でヒートスプレッダモジュール１０を完成させる場合に、硬ろう材の融点以上の温度６００〜９００℃で１０分間の熱処理を行った場合でも、台座１２が過度に軟化することがなくなり、その後の取り扱いにおいて変形するということがなくなる。
【００５４】
つまり、本実施の形態においては、製造コストの低廉化を有効に図ることができる接合方法を使用した場合でも、例えばその後のハンドリングの際に台座１２が変形するということがなく、しかも、その耐力値を確保するための弊害として生じるヒートスプレッダモジュール１０の熱伝導率の低下もほとんどない。
【００５５】
換言すれば、ヒートスプレッダモジュール１０としての熱伝導率をほとんど低下させることなく、台座１２の強度を維持することができ、ヒートスプレッダモジュール１０の製造コストの低廉化、ハンドリングの容易性、信頼性の向上を図ることができる。
【００５６】
なお、この発明に係るヒートスプレッダモジュールは、上述の実施の形態に限らず、この発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。
【００５７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係るヒートスプレッダモジュールによれば、接合材料として硬ろう材を用いたとしても、接合後も台座の耐力値を一定以上に保てるので取り扱い時の変形を抑制することができ、しかも、熱伝導率を低下させることがない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態に係るヒートスプレッダモジュールの構成を示す縦断面図である。
【図２】ヒートスプレッダ材の構成材料の一例であるＳｉＣ／Ｃｕ複合材を示す拡大図である。
【図３】ヒートスプレッダ材の構成材料の他の例であるＣ／Ｃｕ複合材を示す拡大図である。
【図４】比較例１〜３並びに実施例１〜１０について、所定の接合条件にて接合した後の台座の耐力とヒートスプレッダモジュールの熱伝導率を測定した実験例の結果を示す表図である。
【図５】図５Ａはセッティング工程を示す説明図であり、図５Ｂは接合工程を示す説明図である。
【符号の説明】
１０…ヒートスプレッダモジュール  １２…台座
１４…ヒートスプレッダ材          １６…熱伝導層
１８…第１の接合材                ２０…第２の接合材
２２…絶縁基板                    ２４…中間層
２６…回路基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
2004253736.tif 000005
【図４】
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【図５】
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