(57)【要約】　　　（修正有）【課題】磁場に対し荷電粒子線露光装置の光路内の磁場を保つための磁気シールド解析方法を提供する。【解決手段】解析の対象領域を複数のサブ領域４〜５に分割し、サブ領域の磁界の初期状態を設定するステップＳ０と、サブ領域間の相関関係を持たせてサブ領域の磁界の境界条件をクーロン及びビオ・サバールの方程式による積分方程式法により求めるステップＳ３と、この境界条件からマクッスウェルの方程式による有限要素法により各サブ領域内の磁界の状態を求めるステップＳ１と、各サブ領域内の磁界状態の収束判定をするステップＳ２により、磁場強さが異なる要素が多数存在する大型装置の磁気シールドの解析を高精度に且つ高速に行う。【選択図】　図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
解析の対象領域を複数のサブ領域に分割し、
前記サブ領域の磁界の初期状態を設定するステップと、
前記初期状態から積分方程式を用いて解くことにより前記サブ領域間の相関関係を持たせて前記サブ領域の磁界の境界条件を求めるステップと、
前記サブ領域ごとに、前記境界条件を用いて有限要素法により前記サブ領域内の磁界の状態を求めるステップとから構成される磁気シールド解析手法。
【請求項２】
前記サブ領域の初期状態を設定するステップが、前記サブ領域ごとに有限要素法により前記サブ領域内の前記磁界の初期状態を求めるように構成したことを特徴とする請求項１に記載の磁気シールド解析手法。
【請求項３】
前記境界条件を求めるステップが、クーロン及びビオ・サバールの法則より導出される積分方程式を用いて前記サブ領域の前記磁界の境界条件を求めるように構成したことを特徴とする請求項１または２に記載の磁気シールド解析手法。
【請求項４】
コンピュータに請求項１〜３のいずれかに記載の磁気シールド解析手法のステップを実行させるための磁気シールド解析プログラム。
【請求項５】
荷電粒子源と前記荷電粒子源から放射された電子ビームをレチクルに照射する照明光学系と、前記レチクルを透過した前記電子ビームの像を感応基板上に結像形成する結像光学系と、外部磁場の影響を遮断する磁気シールド手段とを備えた荷電粒子線露光装置の設計手法において、
前記解析対象を前記荷電粒子線露光装置として請求項１〜３のいずれかに記載の磁気シールド解析手法を適用して、前記磁気シールド手段の設計を行うことを特徴とする荷電粒子線露光装置の設計手法。
【請求項６】
前記荷電粒子線露光装置を
前記荷電粒子源が配設された電子光学鏡筒を対象とする第１のサブ領域と、
前記感応基板及びこの感応基板を載置するステージが含まれた真空チャンバを対象とする第２のサブ領域と、
前記レチクルを交換するレチクルローダーを対象とする第３のサブ領域と、
前記感応基板を交換するウェハローダーを対象とする第４のサブ領域とに分割することを特徴とする請求項５に記載の荷電粒子線露光装置の設計手法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイスの製造工程でリソグラフィに用いる荷電粒子線露光装置において、外部磁場や鏡筒の外皮を流れる磁場に対し荷電粒子線露光装置の光路内の磁場を目的の状態に保つための磁気シールド解析手法、磁気シールド解析プログラム及びその解析手法を用いた荷電粒子線露光装置の設計手法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体用縮小投影露光装置の使用波長は、半導体素子の高密度化、対象線幅の細線化に伴って年々短波長化する傾向にある。使用する光線の波長は水銀灯のｉ線（波長３６５．０１５ｎｍ）から、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）へ移り、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）を光源とした縮小投影露光装置も実用化の段階に入っている。しかし、近年においてはパターンの微細化の要求がさらに強まっており、Ｆ２エキシマレーザー（波長１５７ｎｍ）のようなさらに波長の短い光の利用の他に、荷電粒子線（電子ビーム）を用いて回路パターンをウェハ上に描画する方法が、次世代の半導体リソグラフィの有力手段として研究されている。
【０００３】
荷電粒子線を利用した縮小投影露光装置の場合、電子光学系の光学特性が外部の静磁場や変動磁場に影響され劣化するおそれがあるため、これらの装置に対する磁気シールドを設計したり対策を施すために、コンピュータによる磁場解析プログラムが用いられている。解析では、マクスウェルの方程式、電磁現象を表す基本方程式並びにクーロンの法則とビオ・サバールの法則を基本方程式として一次方程式を作成し、対象空間をモデル化して解析を行っていた。このモデルの解析手法としては、大きく分けて有限要素法と積分方程式法を用いるものがある。
【０００４】
有限要素法は、微分方程式で表された支配方程式を汎関数または重み付き残差方程式を用いて定式化し、離散化された未知変数の節点の値に関する連立一次方程式を作成し反復法等で解く手法で、解析領域全体を要素分割して節点を定義する必要があるが、連立一次方程式の係数行列が対称な疎行列になるという利点があるため要素分割を密にして解析対象物の形状をより正確にモデリングすることが可能である。しかし、要素分割の仕方による精度のばらつきや、領域内における精度はその性質上５桁程度とされており、高い励起源とシールドされた空間を同じ領域で計算するのには適していない。また、モデル作成においても空間を含めてモデル化するため３次元モデリングが困難である。
【０００５】
積分方程式法は、磁荷、磁気モーメント等の仮想的なソースを考え、このソースによって磁性体を模擬する方法である。これらのソースは、磁性体領域または媒体の境界に定義され離散化される。そして、積分方程式から連立一次方程式が作成される。この手法では、作成される連立一次方程式の係数行列は密行列で非対称であるため、その解法はガウスの消去法などの直接解法に限られ、計算モデルの規模が大きくなると計算量が急激に増加することになる。そのためモデル形状は簡略化せざるを得なくなり、形状精度が阻害される。その反面、距離の関数であるため、磁場の強さが異なっていても解析領域内の至る所で精度が高いことと、空間を除いた物体のみのモデル化のため３次元モデリングが容易な利点がある。
【０００６】
図７は通常の有限要素法で解析する際の概念図を示している。解析の対象となる空間に存在する物体１′，２′，３′を含む一つの空間４′としてモデル化し、その外周５′に境界条件を与えて計算を行う。一般的に有限要素法を用いた磁場解析では、解析精度を得るために物体に対し物体の大きさの３倍以上離れた外周を持つ空間までモデリングすると良いと言われているため、大きな空間をモデル化して解析する必要がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来は上述の有限要素法と積分方程式法の得失を考慮して使い分けて設計に必要な解析を行ってきたが、解析に時間がかかることや、形状を正確にモデル化することが困難なことや、十分な精度が確保できないことなどから、納期が守れない問題やコストがかかりすぎる問題及び精度の良い解析結果が得られず十分な性能を持つ装置が開発できないという問題があった。特に、荷電粒子線露光装置のような複雑な構成で磁場強さの異なる要素が多数存在する大型の装置の形状に依存するシールドの設計では、高精度の解析を行うことは非常に難しい状況であった。
【０００８】
本発明はこのような問題に鑑みなされたものであり、複雑な形状を正確に解析モデルにし、磁場強さの異なる要素が多数存在する大型の装置のシールド設計において、高精度な解を高速に得ることのできる磁気シールド解析手法、磁気シールド解析プログラム及びこの解析手法を適用した荷電粒子線露光装置の設計手法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明に係る磁気シールド解析手法は、解析の対象領域を複数のサブ領域に分割し、サブ領域の磁界の初期状態を設定するステップと、この初期状態から積分方程式を用いて解くことによりサブ領域間の相関関係を持たせてサブ領域の磁界の境界条件を求めるステップと、サブ領域ごとに境界条件を用いて有限要素法によりサブ領域内の磁界の状態を求めるステップとから構成される。
【００１０】
なお、このサブ領域の初期状態を設定するステップは、サブ領域ごとに有限要素法によりサブ領域内の磁界の初期状態を求めるように構成されることが好ましい。
【００１１】
また、境界条件を求めるステップが、クーロン及びビオ・サバールの法則より導出される積分方程式法を用いてサブ領域の磁界の境界条件を求めるように構成されることが好ましい。
【００１２】
本発明に係る磁気シールド解析プログラムは、コンピュータに上述した磁気シールド解析手法のステップを実行させるように構成される。
【００１３】
本発明に係る荷電粒子線露光装置の設計手法は、荷電粒子源とこの荷電粒子源から放射された電子ビームをレチクルに照射する照明光学系と、レチクルを透過した電子ビームの像を感応基板（例えば、実施形態におけるウェハ１９）上に結像形成する結像光学系と、外部磁場の影響を遮断する磁気シールド手段とを備えた荷電粒子線露光装置に対して、解析対象をこの荷電粒子線露光装置として上述した磁気シールド解析手法を適用して、磁気シールド手段の設計を行う。
【００１４】
なお、この荷電粒子線露光装置の設計手法においては、解析対象とする荷電粒子線露光装置を、荷電粒子源が配設された電子光学鏡筒を対象とする第１のサブ領域と、感応基板及びこの感応基板を載置するステージが含まれた真空チャンバを対象とする第２のサブ領域と、レチクルを交換するレチクルローダーを対象とする第３のサブ領域と、感応基板を交換するウェハローダーを対象とする第４のサブ領域とに分割するように構成されることが好ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して説明する。荷電粒子線露光装置は、電子銃から放射した電子ビームをレチクル上に形成された回路パターン上に照射して得る電子ビーム（荷電粒子線）のパターンを、電子レンズ（磁界の作用を利用）を用いて半導体ウェハ上に縮小投影して転写する装置である。まず、図２を用いてこの荷電粒子線露光装置の電子光学系の構成について説明を行う。荷電粒子線露光装置１０の最上流には電子銃１１が配設されている。電子銃１１は、下方に向けて電子線を放射するものであり、この電子銃１１の下方にはコンデンサレンズ１２及び照明レンズ１３が備えられており、電子銃１１から放射された電子線ＩＢはこれらのレンズ１２，１３を通ってレチクル１４を照明する。このコンデンサレンズ１２及び照明レンズ１３を主な構成要素とする照明光学系中には、図示されていないが、照明ビーム成形開口やブランキング偏向器、ブランキング開口、照明ビーム偏向器等が配設されている。照明光学系において成形された照明ビーム（電子線ＩＢ）は、レチクル１４上で順次走査され、照明光学系の視野内にあるレチクル１４の各サブフィールドの照明を行う。レチクル１４は多数のサブフィールドを有し、移動可能なレチクルステージ１５に載置されている。レチクルステージ１５を光軸に対して垂直面内で移動させることにより、照明光学系の視野よりも広い範囲に広がるレチクル１４上の各サブフィールドを照明する。
【００１６】
レチクル１４の下方には第１投影レンズ１６、第２投影レンズ１７及び収差補正や像位置調整に用いられる偏向器１８（１８−１〜６で構成される）で構成される結像光学系が配設されている。レチクル１４の一つのサブフィールドを通過した電子線ＩＢは、第１及び第２投影レンズ１６，１７及び偏向器１８によってウェハ（感応基板）１９上の所定の位置に結像する。ウェハ１９上には適当なレジストが塗布されており、レジスト上に電子線ＩＢのドーズが与えられ、レチクル１４上のパターンが縮小（例えば１／４に縮小投影する）されてウェハ１９に結像投影されて転写される。
【００１７】
レチクル１４とウェハ１９の間を縮小比率で内分する点にクロスオーバーＣ．Ｏ．が形成され、このクロスオーバーＣ．Ｏ．の位置にはコントラスト開口２０が設けられている。このコントラスト開口２０は、レチクル１４の非パターン部で散乱された電子線ＩＢがウェハ１９に到達しないように遮断するものである。
【００１８】
ウェハ１９は、静電チャックを介して結像光学系の光軸に垂直な面内で移動可能なウェハステージ２１上に載置されている。レチクルステージ１５とウェハステージ２１とを互いに逆方向に同期操作することにより、投影光学系の視野を超えてレチクル１４上に広がるデバイスパターンの各部を順次露光することができる。
【００１９】
このように、荷電粒子線露光装置１０は電子ビームを利用するため、外部の静磁場や変動磁場に影響されて露光性能が悪くなるおそれがある。そこで、その対策が行われている。その一例である荷電粒子線露光装置の磁気シールドの構成について説明する。図３は上述した荷電粒子線露光装置１０の全体を示す概略図であり、電子光学鏡筒２２と真空チャンバ２３で構成されている。電子光学鏡筒２２には、上述した電子銃１１やレチクル１４等が配設されており、真空チャンバ２３にはウェハステージ２１に載置されたウェハ１９が配設されている。なお、電子光学鏡筒２２と真空チャンバ２３には、それぞれ真空配管２４ａ，２４ｂが配設されており、そこからレチクルローダー２５やウェハローダー２６を用いて、レチクル１４やウェハ１９を交換することが可能である。この電子光学鏡筒２２と真空チャンバ２３をパーマロイ等の初透磁率の高い材料で作られた磁気シールド２７を用いて覆うような構成としたり、電子光学鏡筒２２や真空チャンバ２３自体を構造部材としては比較的透磁率の高い軟鉄等で形成することで、外部磁場の影響を遮断している。
【００２０】
また、電子光学鏡筒２２や真空チャンバ２３からある程度離れた距離に、任意方向の磁場を発生することができるコイルで構成され、このコイルで発生する磁場により外部の磁場をキャンセルするアクティブキャンセラーを用いて荷電粒子線露光装置１０に影響する静磁場や変動磁場等の外部磁場を取り除く方法もある。図４にアクティブキャンセラーの構造を示す。２８と２８′、２９と２９′、３０と３０′がそれぞれコイル対になっており、図中の矢印はコイルに流れる電流の向きを表している。３対のコイルはそれぞれ直交する方向の磁場を発生することができ、それぞれに流す電流の強さを調整することにより、アクティブキャンセラー内部に任意方向で任意強度の磁場を作り外部磁場を打ち消すような構造となっている。
【００２１】
以上説明したような荷電粒子線露光装置は形状が大きな部材（ｍ，メートルのオーダー）から小さな部材（ｍｍ，ミリメートルのオーダー）が混在して多数構成されており、また、磁場強度についてもオーダーの違う部材が３次元的に混在しており、磁気シールドの設計に関してはコンピュータを利用して行う必要がある。以下、本発明に係る磁気シールド解析手法について説明を行う。まず、磁気シールド解析のための電磁界のモデリングは、次のような式で表される。電磁界は次式（１）〜（４）で示されるマクスウェルの電磁方程式で表される。
【００２２】
【数１】
2004079603.tif 000003
【００２３】
なお、Ｂ、Ｈ、Ｄ、Ｅ、Ｊの間には次式（５）〜（８）で示される電磁現象を表す基本方程式の関係がある。
【００２４】
【数２】
2004079603.tif 000004
【００２５】
さらに、式（９）で表されるクーロンの法則と式（１０）で表されるビオ・サーバルの法則から式（１１）で示される一次方程式が導出される。
【００２６】
【数３】
2004079603.tif 000005
【００２７】
本発明に係る磁気シールド解析手法では、対象となる領域を複数のサブ領域に分割して解析を行う。図１において、磁気的に空間で遮断されている物体１〜３ごとにサブ領域に分割し、サブ領域４〜６としている。各サブ領域の外周７〜９における磁界の境界条件は各々の物体１〜３からの距離で定まり、上述したクーロンの法則とビオ・サバールの法則から求められる一次方程式（１１）を用いて積分方程式法により各サブ領域の相関関係１０を含んで決定される。そして、このように求められた磁界の境界条件より、各サブ領域４〜６の各々の領域内の磁界の状態を、上述したマクスウェルの方程式（１）〜（４）を用いて有限要素法により求める。本手法では、境界条件が、相互関係を持って各々の物体からの距離で定められるため従来例で述べたような物体全体を含む大きな空間を周囲に設ける必要はない。また、各物体の周りにサブ領域を設けてその中に対して有限要素法を適用して解析を行っているため、空間全てをモデル化する必要がないことから解析モデルを小さくすることができ、省解析環境とすることができる。
【００２８】
本実施例に係る磁気シールド解析手法およびこの磁気シールド解析手法を適用したプログラムについて図５を用いて説明する。なお、ここではサブ領域はｎ個に分割しているものとして説明する。まず、ステップ０において解析対象の磁界の初期状態を求める。初期状態では他のサブ領域の影響を考慮せず、各サブ領域ごとに閉じた自然境界条件（境界面に対して磁束が平行になる条件）でマクスウェルの方程式（１）〜（４）を用いて有限要素法により磁界の状態を求め、その結果からクーロンの法則とビオ・サバールの法則から求められる一次方程式（１１）を用いて積分方程式法により各サブ領域の境界条件を求めておく。
【００２９】
次に、図中のステップ１−１から１−２〜ｎにおいて複数に分割されたサブ領域ごとにそのサブ領域の中の磁界の状態をマクスウェルの方程式（１）〜（４）を用いて有限要素法により解析する。このとき、境界条件は上述したステップ０で得られた初期状態から求めた境界条件を用いている。そしてステップ２において、ステップ０で求めた磁界の状態とステップ１で求めた磁界の状態を比較して収束判定を行い、収束していれば（ステップ０とステップ１で求めた磁界の状態の差が予め決められた閾値以下になっていれば）計算を終了し、ステップ１で求めた磁界の状態を解析の対象とした領域の磁界の状態とする。ステップ２において各サブ領域の磁界の状態が収束していないと判断される場合は、ステップ３に進み、ステップ１の結果及びクーロンの法則とビオ・サバールの法則から求められる一次方程式（１１）を用いて積分方程式法で各サブ領域の境界条件を求め、この境界条件をステップ１に適用して解析し、その結果をステップ２で収束判定を行い各サブ領域の磁界の状態が収束するまで上記ステップ１〜３の処理を繰り返す。
【００３０】
なお、本実施例においては、静磁場解析を対象としており、有限要素法による磁場解析手法として、Ω法を適用した。磁場解析手法には、主にマクスウェルの方程式を磁気ベクトルポテンシャルＡと電位φを用いた方程式に展開して解くＡ−φ法と、電流ベクトルポテンシャルＴと磁位Ωを用いた方程式に展開して解くＴ−Ω法があり、静磁場ではＡ法またはΩ法となる。この２つの方法をその方程式が持つ未知数に着目して比較すると、Ａ法が３変数なのに対し、Ω法は１変数であるため、本実施例においては、未知数の少ないΩ法を採用した。
【００３１】
Ω法における具体的算出は次の通りである。まず、変位電流は伝導電流に比べ無視できるとする準定常近似では、マクスウェルの方程式の式（１）は式（１２）のようになる。
【００３２】
【数４】
2004079603.tif 000006
【００３３】
この式（１２）より、次式（１３），（１４）を満たす磁位Ωを定義することができる。
【００３４】
【数５】
2004079603.tif 000007
【００３５】
そして、式（１４）の両辺に重み関数Ｗを乗じて部分積分法を適用すると、式（１５）で表されるように、磁束密度の法線成分が表面積分項に現れる。
【００３６】
【数６】
2004079603.tif 000008
【００３７】
また、任意の空間点の磁場強度は式（１１）に示したクーロンの法則とビオ・サバールの法則から導出される一次方程式から算出することができる。
【００３８】
従来の有限要素法による解析手法では、式（１５）のＨ・ｎを未知変数として繰り返し計算を行うが、本発明では、各領域の有限要素法解析の外部で、領域全体のＨ・ｎを全磁性体からの寄与として積分方程式法で求め、分割された各領域の相互関係を保持するため、Ｈ・ｎを有限要素法において既知の量として扱うことができる。このため、各領域において有限要素法と積分方程式法を連立して解く必要がなくなり、本発明を適用して磁気シールドを解析するプログラムにおいて一時ファイルの増加を防ぐことができる。
【００３９】
表１に本発明に係る方法と従来の方法をプログラムにし、図１に示すように領域に３つの物体がある場合について適用して比較した結果を示す。
【００４０】
【表１】
2004079603.tif 000009
【００４１】
本実施例では、磁場強度が５桁違う３つの物体（物体１としてモータを想定し磁束密度が１［Ｔ］オーダの磁性体とし、物体２を磁束密度が１×１０Ｅ−３［Ｔ］オーダの磁性体とし、物体３を磁束密度が１×１０Ｅ−５［Ｔ］オーダの磁性体とした）を有する解析モデルとしたが、通常の有限要素法では最大５桁の精度であるところを、各サブ領域に磁場強さのオーダーの違う物体を分けているので、各々のサブ領域において有限要素法を適用する部分で５桁の精度を確保し、かつ、全体の境界条件を積分方程式法により求める部分で１０桁の精度を持つ解析を行うことができた。また、解析モデルを３分割することで、計算に必要な処理時間及びディスク（メモリ）とも、約３分の１ににすることができた。
【００４２】
また、収束判定には、磁束密度の相対誤差を判定値として用いた。判定に際しては、各領域ごとに前回の計算結果との相対誤差を求め、その最大値を判定値とすることで、全ての領域において収束した結果を得ることができる流れとした。図６に上記実施例に対応した各サブ領域ごとの相対誤差と収束回数の関係をグラフにしたものを示す。
【００４３】
最後に、本発明に係る磁気シールド解析手法を用いて荷電粒子線露光装置を設計した実施例について説明する。ここでは、図３に示す荷電粒子線露光装置１０を第１〜第４のサブ領域ＦＥＭ１〜４の４つに分けて解析を行っている。
【００４４】
第１のサブ領域ＦＥＭ１では、電子光学鏡筒２２を備え荷電粒子源（電子銃１１）から照射される電子線ＩＢの軌道と、レチクル１４及びその交換口（真空配管２４ａ）を解析の対象としている。第２のサブ領域ＦＥＭ２では、真空チャンバ２３及びウェハステージ２１に載置されたウェハ１９を解析の対象としている。第３と第４のサブ領域ＦＥＭ３，ＦＥＭ４では、それぞれ内部に磁石を含む駆動機構を備えたレチクルローダー２５、ウェハローダー２６を解析の対象としている。なお、上述したように電子光学鏡筒２２や真空チャンバ２３には磁気シールドが設けられている。
【００４５】
本実施例では、このレチクルローダー２５やウェハローダー２６の駆動機構部からの上述した電子光学系（照明光学系や結像光学系等）に対する影響を解析するものであり、この駆動機構部からの影響を１［μＴ］以下とすることを目的とした設計を行った。本実施例において、駆動機構部の最大磁束密度は約２［Ｔ］であり、本発明に係る磁気シールド解析手法による解析の結果、電子光学系の光軸への影響は０．１［μＴ］であるという結果が得られた。この解析結果を実測した値と比較したところ、磁束密度で±１０％以下の誤差であり、また、精度は７桁を確保することができ、物性誤差やモデルの簡略化部の影響を加味すると、十分な精度で解析を行うことができた。
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、有限要素法で解析することにより複雑な形状を正確に解析モデルにし、且つ、積分方程式法を併用することにより解析領域をサブ領域に分割して解析することが可能であり、磁場強さが異なる要素が多数存在する大型の装置のシールド設計において高精度な解を高速に得ることのできる磁気シールド解析手法を提供することができる。また、この解析手法を用いたプログラムにより、このような大型の装置の設計工程に迅速に対応し、高精度の解を得ることができるため、質の高い設計ができ、また、省解析環境とすることができる上に、計算速度が改善されるため、納期を短くしコストを低くすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る磁気シールド解析手法において、解析の対象領域をサブ領域に分割した場合の概念図である。
【図２】本発明に係る荷電粒子線露光装置の電子光学系を示す図である。
【図３】本発明に係る荷電粒子線露光装置を示す図である。
【図４】アクティブキャンセラーを示す図である。
【図５】本発明に係る磁気シールド解析手法を示すフローチャートである。
【図６】本発明に係る磁気シールド解析手法を適用した場合の収束状況を示すグラフである。
【図７】従来の解析手法を適用した場合の概念図である。
【符号の説明】
４〜６　サブ領域
１０　荷電粒子線露光装置
１１　電子銃（荷電粒子源）
１４　レチクル
１９　感応基板（ウェハ）
２１　ウェハステージ
２２　電子光学鏡筒
２３　真空チャンバ
２５　レチクルローダー
２６　ウェハローダー
２７　磁気シールド
ＩＢ　電子ビーム
Ｓ０　初期状態を設定するステップ
Ｓ１　サブ領域内の磁界の状態を求めるステップ
Ｓ２　収束判定のステップ
Ｓ３　サブ領域の磁界の境界条件を求めるステップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
2004079603.tif 000012
【図４】
2004079603.tif 000013
【図５】
2004079603.tif 000014
【図６】
2004079603.tif 000015
【図７】
2004079603.tif 000016