(57)【要約】【課題】半導体装置内の接続用電極間あるいは導電体配線間の狭ピッチ化に伴う短絡（ショート）の発生が抑制され信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】絶縁基板１上に接続用電極部２を介して半導体素子３が搭載され、絶縁基板１と半導体素子３は電気的に接続されている。そして、絶縁基板１の半導体素子３搭載面側を、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化体である封止樹脂４ａにより樹脂封止されている。（Ａ）エポキシ樹脂。（Ｂ）フェノール樹脂。（Ｃ）上記接続用電極部２間距離より大きな粒径を備えた下記の無機質充填剤（ｃ）の含有割合が、無機質充填剤全体の２．５ｐｐｍ以下に設定されている無機質充填剤。（ｃ）粒子表面がカーボンにて被覆された無機質充填剤。【選択図】図１
2004165381.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板もしくはリードフレーム上に半導体素子が搭載され、上記絶縁基板もしくはリードフレームと半導体素子が接続用電極部あるいは導電体配線により導通され、半導体素子を包含するよう封止樹脂層によって樹脂封止されてなる半導体装置であって、上記封止樹脂層が、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物硬化体により形成されていることを特徴とする半導体装置。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）フェノール樹脂。
（Ｃ）上記接続用電極部間距離または導電体配線間距離より大きな粒径を備えた下記の無機質充填剤（ｃ）の含有割合が、無機質充填剤全体の２．５ｐｐｍ以下に設定されている無機質充填剤。
（ｃ）粒子表面がカーボンにて被覆された無機質充填剤。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置内の接続用電極間あるいは導電体配線間の狭ピッチ化に伴う短絡（ショート）等の発生が抑制され信頼性の高い半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子は、通常、エポキシ樹脂組成物を用いてトランスファー成形により樹脂封止される。この種のパッケージとして、従来から各種形態のパッケージが開発されている。
【０００３】
このようなパッケージの一例として、例えば、図１に示すようなタイプのパッケージがあげられる。１は絶縁基板であり、その絶縁基板１上に接続用電極部２を介して半導体素子３が搭載され、絶縁基板１と半導体素子３は電気的に接続されている。そして、絶縁基板１の半導体素子３搭載面側を封止材料であるエポキシ樹脂組成物の硬化体である封止樹脂４ａにより樹脂封止されている。また、上記タイプ以外に図２に示すようなパッケージがあげられる。このパッケージは、絶縁基板５上に半導体素子３が搭載され、この絶縁基板５と半導体素子３がワイヤー６にて電気的に接続されている。そして、このワイヤー６を含む半導体素子３がエポキシ樹脂組成物硬化体である封止樹脂４ｂにより樹脂封止されている。さらに、図３に示すパッケージがあげられる。このパッケージは、金属製のリードフレーム７上に半導体素子３が搭載され、この半導体素子３とインナーリード８とがワイヤー６にて電気的に接続されている。そして、このワイヤー６を含む半導体素子３がエポキシ樹脂組成物硬化体である封止樹脂４ｃにより樹脂封止されている。また、上記パッケージタイプ以外に図４に示すパッケージがあげられる。このパッケージは、金属製のリードフレーム１０上に半導体素子３が搭載され、この半導体素子３とリードフレーム１０の周囲に設けられたインナーリード１１とがワイヤー６にて電気的に接続されている。そして、このワイヤー６を含む半導体素子３がエポキシ樹脂組成物硬化体である封止樹脂４ｄにより樹脂封止されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
このような半導体装置において、近年、その性能向上に伴い半導体装置内の接続用電極部２間またはワイヤー６間の狭ピッチ化が要望されている。この狭ピッチ化に伴い、その封止作業工程において、短絡（ショート）の発生が頻繁になっていた。このような状況に対して、通常、カーボンの凝集物の低減等が種々検討されているが、抜本的な解決には至っていないのが実情である。そして、この半導体装置の短絡（ショート）による不良品の発生を抑制し信頼性の高い半導体装置を得ることが要望されている。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、半導体装置内の接続用電極間あるいは導電体配線間の狭ピッチ化に伴う短絡（ショート）の発生が抑制され信頼性の高い半導体装置の提供をその目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の半導体装置は、絶縁基板もしくはリードフレーム上に半導体素子が搭載され、上記絶縁基板もしくはリードフレームと半導体素子が接続用電極部あるいは導電体配線により導通され、半導体素子を包含するよう封止樹脂層によって樹脂封止されてなる半導体装置であって、上記封止樹脂層が、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物硬化体により形成されているという構成をとる。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）フェノール樹脂。
（Ｃ）上記接続用電極部間距離または導電体配線間距離より大きな粒径を備えた下記の無機質充填剤（ｃ）の含有割合が、無機質充填剤全体の２．５ｐｐｍ以下に設定されている無機質充填剤。
（ｃ）粒子表面がカーボンにて被覆された無機質充填剤。
【０００７】
本発明者らは、まず、封止作業工程において、短絡（ショート）の発生原因となる物質を突き止めるべく鋭意検討を重ねた。そして、上記短絡原因となるものが、封止材料として通常配合されるカーボンブラックではなく無機質充填剤にあることを突き止めた。すなわち、従来から無機質充填剤として、例えば、溶融シリカ粉末が用いられているが、この溶融シリカ粉末を詳しく調べた結果、溶融シリカ粉末の一部に、粒子表面にカーボンが付着して粒子表面をカーボンが被覆した状態の溶融シリカ粉末が混入しているという事実を突き止めた。このカーボンが粒子表面を被覆した溶融シリカ粉末が半導体装置内の接続用電極間あるいは導電体配線間に存在して、この電極間あるいは配線間が導通し短絡（ショート）の発生を生起していることを突き止めたのである。このような知見に基づき、半導体装置内の接続用電極間あるいは導電体配線間より大きな粒径となる、粒子表面がカーボンにて表面が被覆された無機質充填剤の割合を無機質充填剤全体のどの程度にすれば、封止作業工程において短絡（ショート）発生が抑制可能となるかさらに研究を重ねた。その結果、半導体装置における接続用電極部間距離または導電体配線間距離より大きな粒径を備えた上記粒子表面がカーボンにて被覆された無機質充填剤を無機質充填剤全体の２．５ｐｐｍ以下の含有割合に設定すると、封止作業工程時における短絡（ショート）の発生が抑制されることを見出し本発明に到達した。
【０００８】
【発明の実施の形態】
つぎに、本発明の実施の形態について詳しく説明する。
【０００９】
本発明の半導体装置の封止材料として用いられるエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ成分）と、フェノール樹脂（Ｂ成分）と、特定の無機質充填剤（Ｃ成分）を用いて得られ、通常、粉末状もしくはこれを打錠したタブレット状になっている。
【００１０】
本発明に用いるエポキシ樹脂（Ａ成分）は、特に限定されるものではなく通常用いられるエポキシ樹脂が用いられる。例えば、クレゾールノボラック型、フェノールノボラック型、ビスフェノールＡ型、ビフェニル型、トリフェニルメタン型やナフタレン型等の各種エポキシ樹脂等があげられる。これらは、単独で使用できるほか、２種以上を併用してもよい。
【００１１】
上記エポキシ樹脂（Ａ成分）とともに用いられるフェノール樹脂（Ｂ成分）は、上記エポキシ樹脂の硬化剤としての作用を奏するものであり、特に限定するものではなく従来公知のもの、例えば、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、ビスフェノールＡ型ノボラック、ナフトールノボラック、フェノールアラルキル樹脂等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００１２】
上記エポキシ樹脂（Ａ成分）とフェノール樹脂（Ｂ成分）の配合割合は、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量あたり、硬化剤中の水酸基当量が０．５〜２．０当量となるように配合することが好ましい。より好ましくは０．８〜１．２当量である。
【００１３】
上記Ａ成分およびＢ成分とともに用いられる特定の無機質充填剤（Ｃ成分）は、先に述べたような形態の各種半導体装置内における接続用電極部間距離または導電体配線間距離より大きな粒径を備えた下記の無機質充填剤（ｃ）が無機質充填剤全体の２．５ｐｐｍ以下の割合で含有されている。
（ｃ）粒子表面がカーボンにて被覆された無機質充填剤。
【００１４】
すなわち、半導体装置内の接続用電極部間距離または導電体配線間距離より大きな粒径を備えた上記無機質充填剤（ｃ）が無機質充填剤全体の２．５ｐｐｍを超えると、半導体装置内の接続用電極間あるいは導電体配線間に存在して電極間または配線間が導通してしまい短絡（ショート）の発生が多くみられるようになるからである。上記（ｃ）の含有割合の下限は、少なければ少ないほど好ましいものであるが、一般に、０．０２ｐｐｍである。なお、上記粒子表面がカーボンにて被覆された無機質充填剤（ｃ）の、無機質充填剤全体中における含有割合の測定・算出は、例えば、つぎのようにして行われる。まず、５ｃｍ×４．８ｃｍの大きさの四角形のケースに、所定の無機質充填剤を投入した後、摺り切り、その表面を光学顕微鏡にて所定の粒径の黒点（カーボンで被覆された無機質充填剤）の個数（Ａ）を計測する。また、上記５ｃｍ×４．８ｃｍの大きさの四角形のケースの一面に存在する所定の無機質充填剤の総数（Ｂ）を、その無機質充填剤の平均粒径（Ｃ）を用いて、下記の式（１）にて概算する。そして、無機質充填剤全体中における所定粒径の黒点の含有割合（Ｄ）を下記の式（２）により算出する。
【００１５】
【数１】
2004165381.tif 000003
【００１６】
上記無機質充填剤としては、特に限定するものではなく従来公知のもの、例えば、石英ガラス粉末，シリカ粉末，アルミナ，タルク等があげられる。特に好ましくは球状溶融シリカ粉末があげられる。
【００１７】
上記無機質充填剤自身の平均粒径は、２〜４０μｍの範囲であることが好ましく、特に好ましくは５〜３０μｍである。上記平均粒径は、レーザー散乱式粒度分布測定装置により測定することができる。
【００１８】
そして、このような特定の無機質充填剤（Ｃ成分）の含有割合は、エポキシ樹脂組成物全体の７５重量％以上であることが好ましく、より好ましくは８０〜９１重量％の範囲である。すなわち、７５重量％未満のように少なすぎると、耐半田特性等の半導体装置の信頼性に劣る傾向がみられるからである。
【００１９】
本発明では、上記Ａ〜Ｃ成分に加えて、必要に応じて硬化促進剤、ブロム化エポキシ樹脂等のハロゲン系難燃剤や三酸化アンチモン等の難燃助剤、カーボンブラック等の顔料、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシランやγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤、カーボンブラック等の顔料、カルナバワックス等の離型剤等他の添加剤が適宜に用いられる。
【００２０】
上記硬化促進剤としては、アミン型，リン型等のものがあげられる。アミン型としては、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール類、トリエタノールアミン，ジアザビシクロウンデセン等の三級アミン類等があげられる。また、リン型としては、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフィン等があげられる。これらは単独でもしくは併せて用いられる。そして、この硬化促進剤の配合割合は、エポキシ樹脂組成物全体の０．１〜１．０重量％の割合に設定することが好ましい。さらに、エポキシ樹脂組成物の流動性を考慮すると好ましくは０．１５〜０．３５重量％である。
【００２１】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、例えば、つぎのようにして製造することができる。すなわち、上記Ａ〜Ｃ成分および必要に応じて他の添加剤を配合し混合した後、ミキシングロール機等の混練機にかけ加熱状態で溶融混合し、これを室温に冷却した後、公知の手段によって粉砕し、必要に応じて打錠するという一連の工程により製造することができる。あるいは、予め顔料であるカーボンブラックをエポキシ樹脂の一部と混合して予備混合物を作製する。ついで、この予備混合物と残りの配合成分を混合して溶融混合し、後は上記と同様の工程を経由することにより製造する。
【００２２】
このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の封止は、特に制限するものではなく、通常のトランスファー成形等の公知のモールド方法により行うことができる。
【００２３】
このようにして得られる半導体装置としては、具体的には、先に述べたように、図１〜図４に示す構造のパッケージ形態があげられる。すなわち、図１に示すパッケージは、絶縁基板１上に接続用電極部２を介して半導体素子３が搭載され、絶縁基板１と半導体素子３は電気的に接続されている。そして、絶縁基板１の半導体素子３搭載面側を封止樹脂４ａにより樹脂封止されている。また、図２に示すパッケージは、絶縁基板５上に半導体素子３が搭載され、この絶縁基板５と半導体素子３がワイヤー６にて電気的に接続されている。そして、このワイヤー６を含む半導体素子３が封止樹脂４ｂにより樹脂封止されている。さらに、図３に示すパッケージは、金属製のリードフレーム７上に半導体素子３が搭載され、この半導体素子３とインナーリード８とがワイヤー６にて電気的に接続されている。そして、このワイヤー６を含む半導体素子３が封止樹脂４ｃにより樹脂封止されている。また、図４に示すパッケージは、金属製のリードフレーム１０上に半導体素子３が搭載され、この半導体素子３とリードフレーム１０の周囲に設けられたインナーリード１１とがワイヤー６にて電気的に接続されている。そして、このワイヤー６を含む半導体素子３が封止樹脂４ｄにより樹脂封止されている。
【００２４】
そして、本発明において、接続用電極部とは、例えば、図１に示すように、絶縁基板１と半導体素子３とを電気的に接続するものであって、周知の電極のみでもよいが、電極とジョイントボール等の電極に配備される導電体を含む概念である。また、本発明において、導電体配線とは、図２〜図４に示すように、半導体素子３と絶縁基板５、半導体素子３とインナーリード８、半導体素子３とインナーリード１１とをそれぞれ電気的に接続する各ワイヤー６、さらにインナーリード８，１１および絶縁基板５上の配線をも含む概念である。
【００２５】
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。
【００２６】
下記に示す各成分を準備した。
【００２７】
〔エポキシ樹脂ａ〕
下記の一般式（ａ）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ当量１７３、融点１００℃）
【化１】
2004165381.tif 000004
【００２８】
〔エポキシ樹脂ｂ〕
下記の一般式（ｂ）で表される繰り返し単位を有するエポキシ樹脂（エポキシ当量１７０、融点６０℃）
【化２】
2004165381.tif 000005
【００２９】
〔フェノール樹脂〕
フェノールノボラック樹脂（水酸基当量１０７、融点６０℃）
【００３０】
〔硬化促進剤〕
トリフェニルホスフィン
【００３１】
〔難燃剤〕
ブロム化エポキシ樹脂
【００３２】
〔難燃助剤〕
三酸化アンチモン
【００３３】
〔離型剤〕
カルナバワックス
【００３４】
〔顔料〕
カーボンブラック
【００３５】
〔無機質充填剤ａ〕
球状溶融シリカ粉末（平均粒径２０μｍ）であり、下記に示すカーボン被覆溶融シリカ粉末ａ１〜ａ３を含有するものである。
ａ１：粒径６０μｍを超えるカーボン被覆溶融シリカ粉末    １０ｐｐｍ
ａ２：粒径３０μｍを超えるカーボン被覆溶融シリカ粉末    ２０ｐｐｍ
ａ３：粒径２０μｍを超えるカーボン被覆溶融シリカ粉末    ４０ｐｐｍ
【００３６】
〔無機質充填剤ｂ〕
球状溶融シリカ粉末（平均粒径１０μｍ）であり、下記に示すカーボン被覆溶融シリカ粉末ｂ１〜ｂ３を含有するものである。
ｂ１：粒径６０μｍを超えるカーボン被覆溶融シリカ粉末      ０ｐｐｍ
ｂ２：粒径３０μｍを超えるカーボン被覆溶融シリカ粉末      ５ｐｐｍ
ｂ３：粒径２０μｍを超えるカーボン被覆溶融シリカ粉末    １０ｐｐｍ
【００３７】
〔無機質充填剤ｃ〕
球状溶融シリカ粉末（平均粒径２μｍ）であり、下記に示すカーボン被覆溶融シリカ粉末ｃ１〜ｃ３を含有するものである。
ｃ１：粒径６０μｍを超えるカーボン被覆溶融シリカ粉末      ０ｐｐｍ
ｃ２：粒径３０μｍを超えるカーボン被覆溶融シリカ粉末      ０ｐｐｍ
ｃ３：粒径２０μｍを超えるカーボン被覆溶融シリカ粉末      ０ｐｐｍ
【００３８】
〔無機質充填剤ｄ〕
球状溶融シリカ粉末（平均粒径１５μｍ）であり、下記に示すカーボン被覆溶融シリカ粉末ｄ１〜ｄ３を含有するものである。
ｄ１：粒径６０μｍを超えるカーボン被覆溶融シリカ粉末      ０ｐｐｍ
ｄ２：粒径３０μｍを超えるカーボン被覆溶融シリカ粉末      ５ｐｐｍ
ｄ３：粒径２０μｍを超えるカーボン被覆溶融シリカ粉末    １０ｐｐｍ
【００３９】
（１）半導体装置Ａの封止
【実施例Ａ１〜Ａ８、比較例Ａ１〜Ａ６】
下記の表１〜表３に示す各原料を、同表に示す割合でヘンシェルミキサーに投入した後、３０分間混合した。この際、顔料であるカーボンブラックは、予めエポキシ樹脂ａと３本ロールにて混合（カーボンブラック／エポキシ樹脂ａの混合重量比＝１／１０）して予備混合物を作製し、これを用いた。この後、上記混合物を混練押出機に供給し溶融混合した。つぎに、この溶融物を冷却した後粉砕し、さらにタブレット成形金型にて打錠することによりエポキシ樹脂組成物製タブレットを作製した。
【００４０】
【表１】
2004165381.tif 000006
【００４１】
【表２】
2004165381.tif 000007
【００４２】
【表３】
2004165381.tif 000008
【００４３】
このようにして得られた実施例および比較例の各エポキシ樹脂組成物製タブレットを用い、半導体素子（チップサイズ：１０×１０ｍｍ）をトランスファー成形（条件：１７５℃×１２０秒）し、１７５℃×５時間の後硬化することにより図３に示す半導体装置を得た。このパッケージは、２０８ピンＱＦＰ（クワッドフラットパッケージ）である。
【００４４】
〔パッケージ形態〕
２０８ピンＱＦＰ（クワッドフラットパッケージ）タイプ：サイズ２８ｍｍ×２８ｍｍ×厚み２．８ｍｍ
半導体素子３サイズ：１０ｍｍ×１０ｍｍ×厚み３７０μｍ
金属リードフレーム７：銅製（サイズ：１１ｍｍ×１１ｍｍ×厚み１００μｍ）
ワイヤー６：金製、直径２５μｍ、ピッチ８５μｍ、ワイヤー間距離６０μｍ
【００４５】
上記のようにして得られた各半導体装置について、短絡（ショート）発生状況を測定・評価した。すなわち、半導体素子上で導通がとられていない、隣接するインナーリード８間の電気抵抗値を測定し、１ｋΩ以下となったものを短絡（ショート）とした。そして、試料３０００個のうちショートが発生したものをカウントした。その結果を下記の表４〜表６に示した。
【００４６】
【表４】
2004165381.tif 000009
【００４７】
【表５】
2004165381.tif 000010
【００４８】
【表６】
2004165381.tif 000011
【００４９】
上記表４〜表６から、実施例品は、全く短絡（ショート）が発生しなかった。これに対して、カーボンにて被覆された溶融シリカ粉末が溶融シリカ粉末全体の２．５ｐｐｍを超えて含有されている溶融シリカ粉末を用いた比較例品は、短絡（ショート）が発生した。
【００５０】
（２）半導体装置Ｂの封止
【実施例Ｂ１〜Ｂ８、比較例Ｂ１〜Ｂ６】
下記の表７〜表９に示す各原料を、同表に示す割合でヘンシェルミキサーに投入した後、３０分間混合した。この際、顔料であるカーボンブラックは、予めエポキシ樹脂ａと３本ロールにて混合（カーボンブラック／エポキシ樹脂ａの混合重量比＝１／１０）して予備混合物を作製し、これを用いた。この後、上記混合物を混練押出機に供給し溶融混合した。つぎに、この溶融物を冷却した後粉砕し、さらにタブレット成形金型にて打錠することによりエポキシ樹脂組成物製タブレットを作製した。
【００５１】
【表７】
2004165381.tif 000012
【００５２】
【表８】
2004165381.tif 000013
【００５３】
【表９】
2004165381.tif 000014
【００５４】
上記のようにして得られた各エポキシ樹脂組成物製タブレットを用い、絶縁基板上に搭載された半導体素子をトランスファー成形（条件：１７５℃×１分＋１７５℃×５時間の後硬化）することにより図２に示す片面封止タイプの半導体装置を作製した。
【００５５】
〔パッケージ形態〕
ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）タイプ：サイズ３５ｍｍ×３５ｍｍ×厚み１．５ｍｍ
樹脂封止層４ｂ（エポキシ樹脂組成物硬化体）サイズ：３５ｍｍ×３５ｍｍ×厚み１．２ｍｍ
半導体素子３サイズ：１０ｍｍ×１０ｍｍ×厚み３７０μｍ
絶縁基板５：ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）樹脂／ガラスクロス基板（サイズ：４０ｍｍ×４０ｍｍ×０．３ｍｍ）
ワイヤー６：金製、直径２０μｍ、ピッチ５０μｍ、ワイヤー間距離３０μｍ
【００５６】
上記のようにして得られた各半導体装置について、先に述べた方法と同様にして短絡（ショート）発生状況を測定・評価した。その結果を下記の表１０〜表１２に示した。
【００５７】
【表１０】
2004165381.tif 000015
【００５８】
【表１１】
2004165381.tif 000016
【００５９】
【表１２】
2004165381.tif 000017
【００６０】
上記表１０〜表１２から、実施例品は、全く短絡（ショート）が発生しなかった。これに対して、カーボンにて被覆された溶融シリカ粉末が溶融シリカ粉末全体の２．５ｐｐｍを超えて含有されている溶融シリカ粉末を用いた比較例品は、短絡（ショート）が発生した。
【００６１】
（３）半導体装置Ｃの封止
【実施例Ｃ１〜Ｃ８、比較例Ｃ１〜Ｃ６】
下記の表１３〜表１５に示す各原料を、同表に示す割合でヘンシェルミキサーに投入した後、３０分間混合した。この際、顔料であるカーボンブラックは、予めエポキシ樹脂ａと３本ロールにて混合（カーボンブラック／エポキシ樹脂ａの混合重量比＝１／１０）して予備混合物を作製し、これを用いた。この後、上記混合物を混練押出機に供給し溶融混合した。つぎに、この溶融物を冷却した後粉砕し、さらにタブレット成形金型にて打錠することによりエポキシ樹脂組成物製タブレットを作製した。
【００６２】
【表１３】
2004165381.tif 000018
【００６３】
【表１４】
2004165381.tif 000019
【００６４】
【表１５】
2004165381.tif 000020
【００６５】
上記のようにして得られた各エポキシ樹脂組成物製タブレットを用い、絶縁基板上に搭載された半導体素子をトランスファー成形（条件：１７５℃×１分＋１７５℃×５時間の後硬化）することにより図１に示す片面封止タイプの半導体装置（ＦＣ−ＢＧＡ）を作製した。
【００６６】
〔パッケージ形態〕
フリップチップボールグリッドアレイ（ＦＣ−ＢＧＡ）タイプ：サイズ１２ｍｍ×１２ｍｍ×厚み１ｍｍ
樹脂封止層４ａ（エポキシ樹脂組成物硬化体）サイズ：１２ｍｍ×１２ｍｍ×厚み６００μｍ
半導体素子３サイズ：１０ｍｍ×１０ｍｍ×厚み３７０μｍ
絶縁基板１：ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）樹脂／ガラスクロス基板（サイズ：１４ｍｍ×１４ｍｍ×厚み３００μｍ）
接続用電極部２：金バンプ、直径２０μｍ、ピッチ５０μｍ、金バンプ間距離３０μｍ
【００６７】
上記のようにして得られた各半導体装置について、先に述べた方法と同様に、導通がとられていない、隣接する金バンプ間の電気抵抗値を測定して、１ｋΩ以下となったものを短絡（ショート）とし、短絡（ショート）発生状況を測定・評価した。その結果を下記の表１６〜表１８に示した。
【００６８】
【表１６】
2004165381.tif 000021
【００６９】
【表１７】
2004165381.tif 000022
【００７０】
【表１８】
2004165381.tif 000023
【００７１】
上記表１６〜表１８から、実施例品は、全く短絡（ショート）が発生しなかった。これに対して、カーボンにて被覆された溶融シリカ粉末が溶融シリカ粉末全体の２．５ｐｐｍを超えて含有されている溶融シリカ粉末を用いた比較例品は、短絡（ショート）が発生した。
【００７２】
【発明の効果】
以上のように、本発明の半導体装置は、その封止樹脂層が、接続用電極部間距離または導電体配線間距離より大きな粒径を備えた、粒子表面がカーボンにて被覆された無機質充填剤（ｃ）の含有割合が、無機質充填剤全体の２．５ｐｐｍ以下に設定されている無機質充填剤（Ｃ）を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物硬化体により形成されている。このため、上記接続用電極部間または導電体配線間での導通による短絡（ショート）発生の問題が抑制され信頼性に優れた半導体装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体装置の一パッケージ形態を示す断面図である。
【図２】半導体装置の他のパッケージ形態を示す断面図である。
【図３】半導体装置の他のパッケージ形態を示す断面図である。
【図４】半導体装置の他のパッケージ形態を示す断面図である。
【符号の説明】
１，５  絶縁基板
２  接続用電極部
３  半導体素子
４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ  封止樹脂
６  ワイヤー
７，１０  リードフレーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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