(57)【要約】【課題】酸化還元反応を利用することにより、処理液中の金属イオンを回収・除去して基板への悪影響を防止することができる。【解決手段】析出過程（ステップＳ２，Ｓ３）において、電極を介して処理液に第１電圧を印加すると還元反応が生じ、処理液中の金属イオンが金属として電極に析出する。イオン化過程（ステップＳ５〜Ｓ７）では、洗浄液を流通させつつ第１電圧より高い第２電圧を印加すると、電極の金属が酸化され再びイオンとなり、電極から離脱した金属を流し去ることができる。したがって、処理液に含まれている金属イオンを回収・除去でき、金属イオンに起因する基板への悪影響を防止できる。【選択図】        図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するための処理液に含まれている金属イオンの除去方法において、
供給配管を流れる処理液に対して電極を介して第１電圧を印加する析出過程と、
前記供給配管に対して洗浄液を流通させつつ前記第１電圧より高い第２電圧を前記電極に印加するイオン化過程と、
を備えたことを特徴とする金属イオンの除去方法。
【請求項２】
請求項１に記載の金属イオンの除去方法において、
前記洗浄液は、酸化還元電位が高い酸性の液体であることを特徴とする金属イオンの除去方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の金属イオンの除去方法において、
前記第１電圧は、電極間電位が０[E/V vs. NHE]より高い電位に相当することを特徴とする金属イオンの除去方法。
【請求項４】
請求項３に記載の金属イオンの除去方法において、
前記第１電圧は、析出しようとする金属の標準電位より低い電位に相当し、前記第２電圧は、析出した金属の標準電位より高い電位に相当することを特徴とする金属イオンの除去方法。
【請求項５】
基板に対して処理液を供給して処理を施す基板処理装置において、
処理液を基板に供給する供給配管と、
前記供給配管に処理液を供給する第１の供給手段と、
前記供給配管に洗浄液を供給する第２の供給手段と、
前記供給配管に、処理液に電圧を印加するための電極とを備え、
前記第１の供給手段から前記供給配管に供給される処理液に前記電極を介して第１電圧を印加した後、前記第２の供給手段から前記供給配管に洗浄液を流通させつつ前記第１電圧より高い第２電圧を前記電極に印加することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置において、
前記電極は、前記供給配管を分岐した複数本の分岐管の各々に設けられていることを特徴とすることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項５または６に記載の基板処理装置において、
前記洗浄液は、酸化還元電位が高い酸性の液体であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項５から７のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記供給配管が連通接続され、基板を浸漬する処理槽を備え、
前記電極は、前記供給配管内に配設されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項８に記載の基板処理装置において、
前記処理槽は、溢れた処理液を回収する回収槽を備え、
前記供給配管は、前記回収槽に連通接続され、回収された処理液を再び前記処理槽に供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項８に記載の基板処理装置において、
前記処理槽は、溢れた処理液を回収する回収槽を備え、
前記回収槽に回収された処理液を排出する排出管を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
請求項５から１０のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第１電圧は、電極間電位が０[E/V vs. NHE]より大きな電位に相当することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の基板処理装置において、
前記第１電圧は、析出しようとする金属の標準電位より低い電位に相当し、前記第２電圧は、析出した金属の標準電位より高い電位に相当することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板（以下、単に基板と称する）等の基板に対して処理を施すための処理液に含まれている金属イオンの除去方法及び基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種の基板処理装置として、処理液を貯留して基板を処理するための処理槽と、処理槽から溢れた処理液を回収する回収槽と、前記処理槽と前記回収槽に連通接続された供給配管とを備えたものが例示される（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特許第２７３９４１９号公報
【０００４】
このような構成を備えた装置では、処理液を循環させて利用することができるので、処理液を繰り返し利用できて処理液の消費量を抑えることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、処理の際に処理液に混入した金属イオンが循環し、これが基板に付着してその表面に金属として析出するという問題点がある。
【０００６】
また、回収槽に回収された処理液を循環させずに排出する構成の基板処理装置においても、処理液に金属イオンが混入している場合があり、このような場合にも上記同様の問題が生じる。
【０００７】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、酸化還元反応を利用することにより、処理液中の金属イオンを回収・除去して基板への悪影響を防止することができる金属イオンの除去方法及び基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板を処理するための処理液に含まれている金属イオンの除去方法において、供給配管を流れる処理液に対して電極を介して第１電圧を印加する析出過程と、前記供給配管に対して洗浄液を流通させつつ前記第１電圧より高い第２電圧を前記電極に印加するイオン化過程と、を備えたことを特徴とするものである。
【０００９】
（作用・効果）析出過程において、電極を介して処理液に第１電圧を印加すると金属イオンの還元反応が生じ、処理液中の金属イオンが還元されて金属として電極に析出する。イオン化過程では、洗浄液を流通させつつ第１電圧より高い第２電圧を印加すると、電極に析出した金属が酸化されて再びイオンとなり、電極から離脱してイオン化した金属を流し去ることができる。したがって、処理液に含まれている金属イオンを回収・除去することができ、金属イオンに起因する基板への悪影響を防止することができる。
【００１０】
また、析出過程では、酸化還元電位の高い酸性の洗浄液を流通させつつ実施することが好ましい（請求項２）。
【００１１】
（作用・効果）酸化還元電位の高い酸性の洗浄液を流通させることにより、電極に析出した金属がイオン化しやすくなる。
【００１２】
なお、酸化還元電位の高い酸性の処理液としては、塩酸などの酸やオゾン水などがある。
【００１３】
また、前記第１電圧は、電極間電位が０[E/V vs. NHE]より高い電位に相当することが好ましく（請求項３）、析出しようとする金属の標準電位より低い電位に相当し、前記第２電圧は、析出した金属の標準電位より高い電位に相当することが好ましい（請求項４）。
【００１４】
（作用・効果）第１電圧が電極間電位０[E/V vs. NHE]（NHE: normal hydrogen electrode 標準水素電極）より高く、析出しようとする金属（例えば、銅（Ｃｕ））の標準電位より低いと、銅（Ｃｕ）などの金属を析出させることができる。また、銅の標準電位より高い電位に相当する第２電圧を印加することで、析出した銅が酸化され、再びイオンにすることができる。また、第１電圧よりもさらに低い電圧を印加することにより、通常は還元作用を生じにくい、金属イオンが「錯体」を形成しているものについても還元させることができ、金属イオンの除去率を高めることができる。
【００１５】
また、請求項５に記載の発明は、基板に対して処理液を供給して処理を施す基板処理装置において、処理液を基板に供給する供給配管と、前記供給配管に処理液を供給する第１の供給手段と、前記供給配管に洗浄液を供給する第２の供給手段と、前記供給配管に、処理液に電圧を印加するための電極とを備え、前記第１の供給手段から前記供給配管に供給される処理液に前記電極を介して第１電圧を印加した後、前記第２の供給手段から前記供給配管に洗浄液を流通させつつ前記第１電圧より高い第２電圧を前記電極に印加することを特徴とするものである。
【００１６】
（作用・効果）第１の供給手段から処理液を供給している際に、電極を介して処理液に第１電圧を印加すると還元反応が生じ、処理液中の金属イオンが金属として電極に析出する。次に、第２の供給手段から洗浄液を供給させつつ第１電圧より高い第２電圧を印加すると、電極の金属が酸化されて再びイオンとなり、電極から離脱した金属を流し去ることができる。したがって、処理液に含まれている金属イオンを回収・除去することができ、金属イオンに起因する基板への悪影響を防止することができる。
【００１７】
前記電極は、前記供給配管を分岐した複数本の分岐管の各々に設けられていることが好ましい（請求項６）。
【００１８】
（作用・効果）電極を設けることにより流路抵抗が高くなるが、複数本の分岐管にわけて電極を設けることにより十分な流量をかせぐことができる。
【００１９】
前記洗浄液は、酸化還元電位が高い酸性の液体であることが好ましい（請求項７）。
【００２０】
また、請求項８に記載の発明は、請求項５から７のいずれかに記載の基板処理装置において、前記供給配管が連通接続され、基板を浸漬する処理槽を備え、前記電極は、前記供給配管内に配設されていることものである。
【００２１】
（作用・効果）基板を浸漬する処理槽により多くの基板を同時に処理するバッチ処理が可能である。
【００２２】
また、前記処理槽は、溢れた処理液を回収する回収槽を備え、前記供給配管は、前記回収槽に連通接続され、回収された処理液を再び前記処理槽に供給することが好ましい（請求項９）。
【００２３】
また、前記処理槽は、溢れた処理液を回収する回収槽を備え、前記回収槽に回収された処理液を排出する排出管を備えていることが好ましい（請求項１０）。
【００２４】
また、前記第１電圧は、電極間電位が０[E/V vs. NHE]より低い電位に相当することが好ましく（請求項１１）、前記第１電圧は、析出しようとする金属の標準電位より低い電位に相当し、前記第２電圧は、析出した標準電位より高い電位に相当することが好ましい（請求項１２）。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
＜第１実施例＞
図１は本発明の一実施例に係り、図１は本発明に係る金属イオンの除去方法を適用する、第１実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【００２６】
この基板処理装置は、保持アーム１と、処理槽３と、供給配管５とを備えている。保持アーム１は、処理を施すための複数枚の基板Ｗを保持し、処理槽３の上方（待機位置）と、図１に示す浸漬位置（処理位置）との間を昇降可能に構成されている。また、待機位置からは水平方向に移動して、図示しない洗浄槽に移動可能に構成されている。
【００２７】
処理槽３は、その底部に、処理液を注入する注入管７を備えている。また、その上部周囲には、溢れた処理液を回収して排出する回収槽９を備えている。注入管７には、一端側が回収槽９に接続された供給配管５の他端側が接続されている。処理槽３の谷状の底部には、処理液を排出するための排出口１１が設けられ、ここには排出管１３が連通接続されている。排出管１３には、開閉弁１５が取り付けられている。
【００２８】
供給配管５は、その下流側から上流側に、フィルタ１７と、三方弁１９と、酸化還元部（カラム電極）２１と、制御弁２３と、ヒータ２５と、ミキシングバルブ２７と、ポンプ２９とをその順に備えている。ミキシングバルブ２７には、制御弁３１を介して処理液供給源３３が接続され、制御弁３５を介して洗浄液供給源３７が接続されている。
【００２９】
制御部３９は、制御弁２３，３１，３５を制御して、弁の開閉及び処理液や洗浄液の流量を調整する。また、開閉弁１５と三方弁１９の開閉を制御する。また、酸化還元部２１に対して印加する電圧（後述する第１電圧及び第２電圧）等を制御する。
【００３０】
図２及び図３を参照して、酸化還元部２１について説明する。なお、図２は供給配管から分岐した分岐管を示す図であり、図３は酸化還元部の概略構成を示す図であって、（ａ）はユニットの斜視図であり、（ｂ）はその正面図である。
【００３１】
上述した酸化還元部２１は、例えば、４本の分岐管５ａに分岐した供給配管５に備えられている。各々の分岐管５ａには、後述するユニット４１が取り付けられている。このように分岐管５ａにユニット４１を分散して配備しているので、流路抵抗が大きなユニット４１を配備したことによる悪影響を防止することができる。
【００３２】
ユニット４１は、容器４３と、第１電極４５と、第２電極４７とを備えている。第１電極４５及び第２電極４７は、それぞれ矩形状の金属からなり、互いに近接した状態で、流路方向から見て渦巻き状に丸め込まれている。第１電極４５及び第２電極４７の間には、制御部３９によって第１電圧または、この第１電圧より低い第２電圧が印加される。
【００３３】
なお、上記の第１電極４５と第２電極４７とが本発明における電極に相当する。
【００３４】
次に、上述した構成の基板処理装置の動作について図４を参照して説明する。なお、図４は、処理の流れを示すフローチャートである。
【００３５】
制御部３９は、制御弁３１を制御して処理液供給源３３から所定流量で供給配管５に処理液を供給し、ポンプ２９をさせて処理液を循環させているものとする。なお、このときヒータ２５を作動させて、処理液を所定の温度に加熱するようにしてもよい。
【００３６】
ステップＳ１
基板Ｗを処理槽３に浸漬する。
基板Ｗを載置した状態の支持アーム１を、待機位置から処理位置に移動させて、処理槽３内に基板Ｗを位置させる。
【００３７】
ステップＳ２
上記のステップＳ１と同時あるいは、その前に電極に第１電圧を印加する。
例えば、第２電極４７をグランドレベルに保持するとともに、例えば、１０-10[mol/l]のＣｕ2+を還元するときには第１電極４５に＋０．０３５Ｖを印加する。
【００３８】
ステップＳ３
所定時間処理液を循環させることにより、基板Ｗに対して処理液による処理が施される。このとき循環している処理液には、処理槽３に浸漬された基板Ｗから金属がイオンとして溶出する。溶出する金属イオンは基板Ｗの種類や施された処理によって異なるが、例えば、基板Ｗに銅メッキが施されたものを処理している場合には銅イオンが挙げられる。
【００３９】
ユニット４１では、第１電極４５と第２電極４７の間に電圧が印加されているので、この隙間において酸化還元反応（電子移動反応）が発生する。したがって、処理液に溶出して循環している金属イオンが金属に還元され、第１電極４５または第２電極４７のいずれかに析出して捉えられることになる。
【００４０】
上記の第１電圧を、例えば、電極間電圧が０[E/V vs. NHE]より高い電位で、析出しようとする金属（銅Ｃｕ））の標準電位より低い電位に相当する電圧とすると、処理液中の銅（Ｃｕ）イオンを析出させることができる。この作用について図５を参照しながら説明する。なお、図５は、電流−電位曲線を模式的に示したグラフである。
【００４１】
電極間電位が０[E/V vs. NHE]より高い電圧で、析出しようとする金属である銅（Ｃｕ）の標準電位より低い電位Ｅ１に相当する電圧にすると、銅（Ｃｕ）イオンが還元されて、銅が負電極側の電極に析出される（２Ｃｕ2+＋４ｅ→２Ｃｕ）。また、上記電圧Ｅ１よりもさらに低い電位を印加することにより、銅イオンの錯体を形成しているものについても還元させることができ、処理液中における銅イオンの除去率を高めることができる。
【００４２】
なお、上記ステップＳ２，Ｓ３が本発明における析出過程に相当する。
【００４３】
ステップＳ４
基板Ｗを洗浄槽（図示省略）に移動する。
指示アーム１を待機位置に移動した後、水平方向に移動させて基板Ｗを洗浄槽に移動させる。
【００４４】
ステップＳ５
洗浄液を流通させる。
制御部３９は、制御弁３１を閉止した後、制御弁３５を開放して洗浄液を供給配管５に流通させる。
【００４５】
なお、ここでいう洗浄液は、金属イオン排出用のものであり、洗浄液としては、後述する酸化還元反応が生じやすいように、酸化還元電位が高く酸性のものが好ましい。例えば、塩酸などの酸やオゾン水などが挙げられる。
【００４６】
ステップＳ６
上記ステップＳ２で印加した第１電圧より高い第２電圧を印加する。例えば、銅として析出させた銅（Ｃｕ）イオンの電位Ｅ0Cuよりも高い電位Ｅ２に相当する第２電圧を印加する。
【００４７】
例えば、上記ステップＳ２では、第２電極４７をグランドレベルに保持するとともに、第１電極４５に＋０．０３５Ｖを印加したので、ここでは第１電極４５をグランドレベルにするとともに第２電極４７に第１電圧に相当する電位Ｅ１よりも高い＋０．６３５Ｖを印加する。
【００４８】
このときユニット４１では、再び酸化還元反応が生じ、第１電極４５、第２電極４７のいずれかまたは双方に析出している金属が酸化され再びイオンになり、洗浄液中に溶出する。
【００４９】
ステップＳ７
洗浄液を循環させた状態で所定時間経過したか否かに応じて処理を分岐する。すなわち、第１電極４５、第２電極４７から洗浄液中に金属イオンが溶出するために十分な時間が経過したらステップＳ８に移行する。
【００５０】
なお、上記ステップＳ５〜Ｓ７が本発明におけるイオン化過程に相当する。
【００５１】
ステップＳ８
開閉弁１５を開放して処理槽３内の洗浄液を排出するとともに、三方弁１９を排出側に切り換え、金属イオンを含む洗浄液を排出する。
【００５２】
上記のステップＳ２，Ｓ３において、第１電極４５及び第２電極４７を介して処理液に第１電圧を印加すると酸化還元反応が生じ、処理液中の金属イオンが金属として第１電極４５・第２電極４７のいずれかまたは双方に析出する。続くステップＳ５〜Ｓ７において、洗浄液を流通させつつ第１電圧より高い第２電圧を印加すると、電極の金属が酸化され再びイオンになり、第１電極４５及び第２電極４７電極から離脱した金属を洗浄液により流し去ることができる。したがって、処理液に含まれている金属イオンを回収・除去でき、金属イオンに起因する基板への悪影響を防止できる。
【００５３】
＜第２実施例＞
図６は本発明の一実施例に係り、図７は本発明に係る金属イオンの除去方法を適用する、第２実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【００５４】
本実施例装置は、処理液を循環させて基板Ｗを処理するのではなく、供給した処理液を排出してしまう点において上記第１実施例と相違する。なお、第１実施例と同じ構成については同符号を付すことにより詳細な説明を省略する。
【００５５】
回収槽９は、回収された処理液を排出するための排出管５１を備えている。供給配管５５は、一端側が注入管７に連通し、他端側が分岐して処理液供給源３３と洗浄液供給源３７に連通している。
【００５６】
このように構成された基板処理装置では、制御弁３５を閉止し、制御弁３１を開放して処理液供給源３３から所定流量の処理液を供給配管５５に流通させ、処理槽３に処理液を供給する。溢れた処理液は回収槽９に回収された後、排液管５１を通して排出される。このとき酸化還元部２１に対して上記第１実施例と同様に第１電圧を印加することにより、処理液中に混入している金属や金属イオンを酸化還元反応により回収することができる。
【００５７】
基板Ｗを処理槽３から引き上げた後、制御弁３１を閉止し、制御弁３５を開放して洗浄液を供給配管５５に供給する。このとき酸化還元部２１には、第１電圧より高い第２電圧を印加する。すると、酸化還元部２１内に析出した金属が金属イオンとして洗浄液中に溶出し、排出管５１を通して排出される。
【００５８】
このような構成の基板処理装置であっても、上記第１実施例と同様の作用効果を奏する。
【００５９】
＜第３実施例＞
図７は本発明の一実施例に係り、図７は本発明に係る金属イオンの除去方法を適用する、第３実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【００６０】
上記第１実施例及び第２実施例は、複数枚の基板Ｗを同時に処理する、いわゆる「バッチ式」の装置であったが、本実施例では、基板Ｗを一枚ずつ処理する、いわゆる「枚葉式」の装置について説明する。なお、第１実施例及び第２実施例と同じ構成については同符号を付すことにより詳細な説明を省略する。
【００６１】
この装置では、基板Ｗが回転保持部５７に水平姿勢で保持されて処理される。回転保持部５７は、図示しないモータ等を備え、鉛直方向の回転軸心Ｐ周りに基板Ｗを回転させる。回転保持部５７の上方には、回転保持部５７と、図示しない基板搬送手段との間における受け渡し時に、退避位置と処理位置（図６の位置）とに揺動移動可能に構成されたノズル５９が配備されている。
【００６２】
ノズル５９には、供給配管５５が連通され、処理液又は洗浄液が選択的に供給される。ノズル５９から吐出された処理液は、基板Ｗの上面に供給され、図示しない回収カップを経て排出される。
【００６３】
このような構成の基板処理装置では、基板Ｗを回転保持部５７に載置・吸着し、基板Ｗを回転させた状態で処理液をノズル５９から供給する。この状態を所定時間維持することにより、基板Ｗに対する処理が施される。このとき、上述したように酸化還元部２１に第１電圧を印加することにより、処理液に含まれている金属及び金属イオンが析出・回収される。
【００６４】
そして、基板Ｗを回転保持部５７から搬出した後、製品となる基板Ｗとは相違するダミー基板Ｗを回転保持部５７に載置する。この状態で、洗浄液を供給配管５５に供給しつつ、酸化還元部２１に、第１電圧より高い第２電圧を印加する。これにより、酸化還元部２１内に析出した金属が金属イオンとして洗浄液中に溶出し、外部に排出される。
【００６５】
このような構成の基板処理装置であっても、上記第１実施例及び第２実施例と同様の作用効果を奏する。
【００６６】
なお、酸化還元部２１を構成するユニット４１としては、図８のような構成であってもよい。図８は、酸化還元部の変形例に係る概略構成を示す図であり、（ａ）はユニットの斜視図であり、（ｂ）はその正面図である。
【００６７】
ユニット４１は、第１電極６１と第２電極６３とを備えている。第１電極６１は矩形状の金属板を環状に丸めた電極であり、第２電極６３は繊維状の電極である。第１電極６１は、第２電極６３を包むように形成されている。なお、図８（ｂ）では、図示の関係上、微小間隔が空けられていないように描かれているが、第１電極６１は第２電極６３の外周面と微小間隔を空けてある。
【００６８】
このような構成のユニット４１では、第２電極６３の表面積が極めて大きいので、金属イオンの析出面積を多くとることができ、金属イオンを効率的に回収することができる。
【００６９】
本発明は、上記各実施例に限定されるものではなく、以下のように変形実施が可能である。
【００７０】
（１）ユニット４１は、螺旋状に形成した電極を一対備えた構成としてもよい。また、網状の電極を備えた構成としてもよい。
【００７１】
（２）供給配管５，５５を４本の分岐管５ａに分岐させずに供給配管５，５５に直接一つのユニット４１を備える構成としてもよい。また、５本以上の分岐管５ａを備える構成としてもよい。
【００７２】
（３）上述した構成の基板処理装置以外の装置に本発明に係る金属イオン除去方法を適用するようにしてもよい。
【００７３】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、析出過程において、電極を介して処理液に第１電圧を印加すると還元反応が生じ、処理液中の金属イオンが金属として電極に析出する。イオン化過程では、洗浄液を流通させつつ第１電圧より高い第２電圧を印加すると、電極の金属が酸化され再びイオンとなり、電極から離脱した金属を流し去ることができる。したがって、処理液に含まれている金属イオンを回収・除去でき、金属イオンに起因する基板への悪影響を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】金属イオンの除去方法を適用する、第１実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】供給配管から分岐した分岐管を示す図である。
【図３】酸化還元部の概略構成を示す図であって、（ａ）はユニットの斜視図であり、（ｂ）はその正面図である。
【図４】処理の流れを示すフローチャートである。
【図５】電流−酸化還元電位曲線を模式的に示したグラフである。
【図６】第２実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図７】第３実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図８】酸化還元部の変形例に係る概略構成を示す図であり、（ａ）はユニットの斜視図であり、（ｂ）はその正面図である。
【符号の説明】
Ｗ  …  基板
１  …  保持アーム
３  …  処理槽
５  …  供給配管
５ａ  …  分岐管
７  …  注入管
９  …  回収槽
１１  …  排出口
１３  …  排出管
２１  …  酸化還元部
４５  …  第１電極（電極）
４７  …  第２電極（電極）
【図１】
2004165623.tif 000003
【図２】
2004165623.tif 000004
【図３】
2004165623.tif 000005
【図４】
2004165623.tif 000006
【図５】
2004165623.tif 000007
【図６】
2004165623.tif 000008
【図７】
2004165623.tif 000009
【図８】
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