(57)【要約】【目的】導体の腐食を防止できるサーマルヘッド基板、サーマルヘッド及びその製造方法を得る。【構成】基板１上に保温層２、抵抗層３、コモン導体５ａ及び複数の個別導体５ｂ、メッキシード層７及びコモン電極８を順に備え、個別導体５ｂの長手方向に対して直交する機械切断面Ｐ１と平行な機械切断面Ｐ２によって外囲が規定されたサーマルヘッドであって、メッキシード層８が耐腐食性金属材料により形成され、機械切断面Ｐ１、Ｐ２には、コモン導体５ａ及び複数の個別導体５ｂが露出せずに、保温層２のみ、メッキシード層８と保温層２、又はメッキシード層８と抵抗層３と保温層２が露出している。【選択図】  図７
2004351868.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に保温層と、抵抗層と、この抵抗層に給電するコモン導体及び複数の個別導体と、コモン導体上に形成されたメッキシード層と、このメッキシード層上に電解メッキにより形成されたコモン電極とを順に備え、前記個別導体の長手方向に対して平行な機械切断面と該長手方向に対して直交する機械切断面によって外囲が規定されているサーマルヘッドにおいて、
前記メッキシード層は、耐腐食性金属材料により形成されており、
前記機械切断面には、前記コモン導体及び前記複数の個別導体が露出せずに、前記保温層のみ、前記メッキシード層と前記保温層、又は前記メッキシード層と前記抵抗層と前記保温層が露出していることを特徴とするサーマルヘッド。
【請求項２】
請求項１記載のサーマルヘッドにおいて、前記コモン導体及び前記複数の個別導体はＡｌ導体膜により形成されており、前記メッキシード層は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒのいずれか一種により形成された密着層と、Ａｕ又はＡｕ合金からなる耐腐食金属層とによる２層構造で形成されているサーマルヘッド。
【請求項３】
保温層を有する基板上に複数のサーマルヘッド形成エリアが設定され、各サーマルヘッド形成エリアには、抵抗層と、この抵抗層に給電するコモン導体及び複数の個別導体と、コモン導体上に形成されたメッキシード層と、このメッキシード層上に電解メッキにより形成されたコモン電極とが順に形成されており、各サーマルヘッド形成エリアの間に、前記個別導体の長手方向に対して平行及び直交するダイシングラインが設定されているサーマルヘッド基板において、
前記メッキシード層は、耐腐食性金属材料により形成されており、
前記ダイシングライン上には、前記コモン導体及び前記複数の個別導体が存在せず、前記保温層のみ、前記メッキシード層と前記保温層、又は前記メッキシード層と前記抵抗層と前記保温層が存在していることを特徴とするサーマルヘッド基板。
【請求項４】
請求項３記載のサーマルヘッド基板において、前記コモン導体及び前記複数の個別導体はＡｌ導体膜により形成されており、前記メッキシード層は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒのいずれか一種により形成された密着層と、Ａｕ又はＡｕ合金により形成された耐腐食金属層とによる２層構造で形成されているサーマルヘッド基板。
【請求項５】
保温層を有する基板上に設定された複数のサーマルヘッド形成エリアにそれぞれ、抵抗層と導体膜を順に形成する工程と、
フォトリソグラフィ技術を用いて、前記導体膜及び前記抵抗層を所望形状にパターニングする工程と、
前記基板を各サーマルヘッド形成エリア毎に切断するためのダイシングライン上に位置する前記導体膜及び前記抵抗層を除去し、該ダイシングラインを挟んで離間する導体パターンとメッキ給電用電極を得る工程と、
前記導体パターンの一部を除去して前記抵抗層の表面を露出させる開放部を複数形成し、この開放部の両側に位置するコモン導体及び複数の個別導体を得る工程と、
耐腐食性金属材料を用いて、前記コモン導体上、前記メッキ給電用電極上、及び前記コモン導体と前記メッキ給電用電極の間に露出する前記保温層上に、メッキシード層を形成する工程と、
前記メッキシード層を介して前記メッキ給電用電極から前記コモン導体に給電し、前記コモン導体上に形成されたメッキシード層の上に、コモン電極を電解メッキ法により形成する工程と、
前記ダイシングラインで基板を切断する工程と、
を有していることを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。
【請求項６】
請求項５記載のサーマルヘッドの製造方法において、前記導体膜及び前記抵抗層をパターニングする工程と、前記ダイシングライン上の前記導体膜及び前記抵抗層を除去する工程とを同時に行なうサーマルヘッドの製造方法。
【請求項７】
保温層を有する基板上に設定された複数のサーマルヘッド形成エリアにそれぞれ、抵抗層と導体膜とを順に形成する工程と、
フォトリソグラフィ技術を用いて、前記導体膜及び前記抵抗層を所望形状にパターニングする工程と、
前記導体膜の一部を除去して前記抵抗層の表面を露出させる開放部を複数形成し、この開放部の両側に位置するコモン導体及び複数の個別導体を得る工程と、
前記基板を各サーマルヘッド形成エリア毎に切断するためのダイシングライン上に位置する前記導体膜を除去し、該ダイシングラインを挟んで前記コモン導体から離間させた前記メッキ給電用電極を得る工程と、
耐腐食性金属材料を用いて、前記コモン導体上、前記メッキ給電用電極上、及び前記コモン導体と前記メッキ給電用電極の間に露出する前記保温層上に、メッキシード層を形成する工程と、
前記コモン導体と前記メッキ給電用電極の間に介在するメッキシード層を介して前記メッキ給電用電極から前記コモン導体に給電し、前記コモン導体上に形成されたメッキシード層の上に、コモン電極を電解メッキ法により形成する工程と、
前記ダイシングライン上で基板を切断する工程と、
を有していることを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。
【請求項８】
請求項７記載のサーマルヘッドの製造方法において、前記抵抗層の表面を露出させる開放部を形成する工程と、前記ダイシングライン上の前記導体膜を除去する工程とを同時に行なうサーマルヘッドの製造方法。
【請求項９】
請求項５ないし８のいずれか一項に記載のサーマルヘッドの製造方法において、前記導体はＡｌ又はＡｌ合金により形成され、前記メッキシード層は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒのいずれか一種により形成された密着層上に、Ａｕ又はＡｕ合金により形成された耐腐食金属層を積層して形成されるサーマルヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】
本発明は、フォトプリンタやサーマルプリンタ等に搭載されるサーマルヘッド、このサーマルヘッドが複数形成されているサーマルヘッド基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術およびその問題点】
サーマルヘッドには、多数の発熱抵抗部に電流を供給するための導体として、全ての発熱抵抗部に接続されたコモン導体と、各発熱抵抗部を個別に選択して通電するための複数の個別導体とが備えられている。このようなサーマルヘッドでは、コモン導体における電圧降下（コモンドロップ）が印字品質のばらつきの原因となるため、コモン導体での抵抗（コモン抵抗）を最小限に抑えることが好ましく、従来では、コモン導体の上にコモン電極を形成してコモン抵抗を低減させる対策が提案されている。
【０００３】
コモン電極は、例えば１０μｍ程度の厚い膜厚を要するため、電解メッキ法により形成される。具体的には、コモン導体及び複数の個別導体をパターン形成する際にコモン導体に連続するメッキ給電用電極を同時形成し、このメッキ給電用電極を介してコモン導体を通電して、電解メッキ法により、コモン導体上にコモン電極を形成している。
【０００４】
ところで、従来では、サーマルヘッドの生産性を向上させるため、基板上に複数のサーマルヘッド形成エリアを設定し、各サーマルヘッド形成エリアに上記サーマルヘッド構造を同時形成した後に、基板を各サーマルヘッド形成エリア毎に切断することで、個々のサーマルヘッドを得ている。各サーマルヘッド形成エリアの間には、個別導体の長手方向及び短手方向に対して平行なダイシングラインが複数設定されている。このダイシングラインの一部は、メッキ給電用電極とコモン導体との間に位置していて、コモン電極形成後に不要となるメッキ給電用電極は、基板切断時にコモン導体から切り離される。
【０００５】
しかしながら、メッキ給電用電極とコモン導体の間に位置するダイシングラインに沿って基板を切断すると、その切断面（機械切断面）には、コモン導体（あるいはメッキ給電用電極の残部）が露出することとなる。一般に、コモン導体及びメッキ給電用電極はＡｌ又はＡｌ合金により形成されているため、切断面に露出していると、該露出部分から腐食される虞があった。
【０００６】
【特許文献】
特開昭６１−２０２８５７号公報
【０００７】
【発明の目的】
本発明は、導体の腐食を防止できるサーマルヘッド及びその製造方法を得ることを目的とする。
【０００８】
【発明の概要】
本発明は、腐食されやすいＡｌ膜又はＡｌ合金膜がダイシングライン上に存在していなければ、基板切断面にＡｌ膜又はＡｌ合金膜が露出されず、導体の腐食を防止できることに着目してなされたものである。
【０００９】
すなわち、本発明は、基板上に、保温層と、抵抗層と、この抵抗層に給電するコモン導体及び複数の個別導体と、コモン導体上に形成されたメッキシード層と、このメッキシード層上に電解メッキにより形成されたコモン電極とを順に備え、個別導体の長手方向に対して平行な機械切断面と該長手方向に対して直交する機械切断面によって外囲が規定されているサーマルヘッドにおいて、メッキシード層は、耐腐食性金属材料により形成されており、機械切断面には、コモン導体及び複数の個別導体が露出せずに、保温層のみ、メッキシード層と保温層、又はメッキシード層と抵抗層と保温層が露出していることを特徴としている。
【００１０】
上記構成によれば、腐食されやすいコモン導体及び複数の個別導体が機械切断面に露出していないので、サーマルヘッドが水で濡らされたり素手で直接触れられたりしても、コモン導体及び複数の個別導体が腐食される虞がなく、コモン導体及び複数の個別導体の断線を防止することができる。
【００１１】
また本発明は、保温層を有する基板上に複数のサーマルヘッド形成エリアが設定され、各サーマルヘッド形成エリアには、抵抗層と、この抵抗層に給電するコモン導体及び複数の個別導体と、コモン導体上に形成されたメッキシード層と、このメッキシード層上に電解メッキにより形成されたコモン電極とが順に形成されており、各サーマルヘッド形成エリアの間に、個別導体の長手方向に対して平行及び直交するダイシングラインが設定されているサーマルヘッド基板において、メッキシード層は、耐腐食性金属材料により形成されており、ダイシングライン上には、コモン導体及び複数の個別導体が存在せず、保温層のみ、メッキシード層と保温層、又はメッキシード層と抵抗層と保温層が存在していることを特徴としている。
【００１２】
上記構成によれば、基板を切断するためのダイシングライン上にコモン導体及び複数の個別導体が存在していないので、基板を各サーマルヘッド形成エリア毎に切断したとき、該切断面にコモン導体及び複数の個別導体が露出することがない。よって、個々のサーマルヘッドが水で濡らされたり素手で直接触れられたりしても、コモン導体及び複数の個別導体が腐食されることがない。
【００１３】
また、本発明による製造方法では、保温層を有する基板上に設定された複数のサーマルヘッド形成エリアにそれぞれ、抵抗層と導体膜を順に形成する工程と、フォトリソグラフィ技術を用いて、導体膜及び抵抗層を所望形状にパターニングする工程と、基板を各サーマルヘッド形成エリア毎に切断するためのダイシングライン上に位置する導体膜及び抵抗層を除去し、該ダイシングラインを挟んで離間する導体パターンとメッキ給電用電極を得る工程と、導体パターンの一部を除去して抵抗層の表面を露出させる開放部を複数形成し、この開放部の両側に位置するコモン導体及び複数の個別導体を得る工程と、耐腐食性金属材料を用いて、コモン導体上、メッキ給電用電極上、及びコモン導体とメッキ給電用電極の間に露出する保温層上に、メッキシード層を形成する工程と、メッキシード層を介してメッキ給電用電極からコモン導体に給電し、コモン導体上に形成されたメッキシード層の上に、コモン電極を電解メッキ法により形成する工程と、ダイシングラインで基板を切断する工程とを有することを特徴としている。
【００１４】
上記製造方法において、導体膜及び抵抗層をパターニングする工程とダイシングライン上の導体膜及び抵抗層を除去する工程は、同時に行なうことができる。
【００１５】
さらに本発明による製造方法は、別の態様では、保温層を有する基板上に設定された複数のサーマルヘッド形成エリアにそれぞれ、抵抗層と導体膜とを順に形成する工程と、フォトリソグラフィ技術を用いて、導体膜及び抵抗層を所望形状にパターニングする工程と、導体膜の一部を除去して抵抗層の表面を露出させる開放部を複数形成し、この開放部の両側に位置するコモン導体及び複数の個別導体を得る工程と、基板を各サーマルヘッド形成エリア毎に切断するためのダイシングライン上に位置する導体膜を除去し、該ダイシングラインを挟んでコモン導体から離間させたメッキ給電用電極を得る工程と、耐腐食性金属材料を用いて、コモン導体上、メッキ給電用電極上、及びコモン導体とメッキ給電用電極の間に露出する保温層上に、メッキシード層を形成する工程と、コモン導体とメッキ給電用電極の間に介在するメッキシード層を介してメッキ給電用電極からコモン導体に給電し、コモン導体上に形成されたメッキシード層の上に、コモン電極を電解メッキ法により形成する工程と、ダイシングライン上で基板を切断する工程とを有していることを特徴としている。
【００１６】
上記製造方法において、抵抗層の表面を露出させる開放部を形成する工程とダイシングライン上の導体膜を除去する工程は、同時に行なうことができる。
【００１７】
上記各態様の製造方法によれば、ダイシングライン上の導体膜を予め除去しておき、耐腐食性のメッキシード層を介してコモン導体とメッキ給電用電極を接続してコモン電極を電解メッキにより形成するので、ダイシングラインで基板を切断したとき、その切断面にコモン導体及び複数の個別導体が露出することはない。よって、完成後にサーマルヘッドが水で濡らされたり素手で直接触れられたりしても、コモン導体及び複数の個別導体の腐食を防止することができる。
【００１８】
コモン導体及び複数の個別導体は、Ａｌ導体膜により形成されていることが実際的である。この場合、Ａｌ導体膜により形成されたコモン導体と良好に密着できるように、メッキシード層は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒのいずれか一種により形成された密着層と、Ａｕ又はＡｕ合金からなる耐腐食金属層とによる２層構造で形成されていることが好ましい。ただし、コモン導体及び複数の個別導体が例えばＣｕやＡｕなどの導電材料で形成されている場合は、メッキシード層は、Ａｕ又はＡｕ合金からなる耐腐食金属層の１層構造で形成することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照し、本発明を適用したサーマルヘッド基板、サーマルヘッド及びその製造方法の一実施形態について説明する。図１〜図６において、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う横断面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う縦断面図をそれぞれ示している。
【００２０】
本発明による製造方法では、一枚の基板上に複数のサーマルヘッド形成エリアを設定し、各サーマルヘッド形成エリアにそれぞれサーマルヘッド構造を形成した後、基板を各サーマルヘッド形成エリア毎に切断して、個々のサーマルヘッドを得る。各サーマルヘッド形成エリアの間には、個別導体の長手方向に対して平行な水平ダイシングラインＤｈｉ（ｉ＝自然数）と、個別導体の長手方向に対して直交する垂直ダイシングラインＤｐｉ（ｉ＝自然数）とがそれぞれ複数設けられている。本発明によるサーマルヘッドは、その外囲が、一対の水平ダイシングラインＤｈ１、Ｄｈ２と一対の垂直ダイシングラインＤｐ１、Ｄｐ２で切断されてなる機械切断面により規定される。
【００２１】
本製造方法では、先ず、グレーズ保温層２を全面的に有する基板１を準備する。基板１には、アルミナセラミック基板、アルミナ基板、シリコン基板などを用いることができる。
【００２２】
次に、図１に示すように、グレーズ保温層２の各サーマルヘッド形成エリア上にそれぞれ抵抗層３及び導体膜５を同一真空中で連続成膜した後、アニール処理を施す。成膜にはスパッタや蒸着法を用いることができる。このアニール処理は、予め大きい熱的負荷を加えて抵抗層３の抵抗値を安定させる加速処理である。
【００２３】
グレーズ保温層２は、断熱性の高いガラスにより形成される。抵抗層３は、高抵抗化しやすいＴａ−Ｓｉ−Ｏ、Ｔｉ−Ｓｉ−Ｏ、Ｃｒ−Ｓｉ−Ｏ等の高融点金属のサーメット材料により、例えば１００ｎｍ程度の膜厚で形成される。導体膜５は、Ａｌ−ＣｕやＡｌ−Ｓｃ等のＡｌ合金又はＡｌにより形成することができる。本実施形態の導体膜５は、Ａｌにより例えば３００ｎｍ程度の膜厚で形成する。
【００２４】
アニール処理後は、フォトリソグラフィ技術を用いて、図２に示すように、ダイシングラインＤｈ１、Ｄｈ２、Ｄｐ１、Ｄｐ２上に位置する導体膜５及び抵抗層３をすべて除去すると共に、導体膜５及び抵抗層３を所望形状にパターニングする。導体膜５及び抵抗層３を除去した部分は、グレーズ保温層２が露出するギャップ領域（穴部）６となる。グレーズ保温層２上には、ダイシングラインＤを挟んで離間する導体パターン５’とメッキ給電用電極５ｃが残る。本実施形態では、メッキ給電用電極５ｃを図示左右方向に延ばして形成しているため、該メッキ給電用電極５ｃと導体パターン５’の間には水平ダイシングラインＤｈ１が位置している。
【００２５】
続いて、図３に示すように、導体パターン５’の一部を除去し、抵抗層３の表面を露出させる開放部αを複数形成する。開放部αから露出している抵抗層３は、給電により発熱する発熱抵抗部３ａとなる。また導体パターン５’は、開放部αを挟んで、全ての発熱抵抗部３ａに導通する１つのコモン導体５ａと、各発熱抵抗部３ａに独立して導通する複数の個別導体５ｂとに分離される。コモン導体５ａと複数の個別導体５ｂは、発熱抵抗部３ａの抵抗長方向の両端部にそれぞれ接する。各発熱抵抗部３ａの抵抗長Ｌは開放部αにより規定され、各発熱抵抗部３ａ及び各個別導体５ｂの幅寸法Ｗはギャップ領域６により規定される。
【００２６】
続いて、図４に示すように、コモン導体５ａ上、メッキ給電用電極５ｃ上、コモン導体５ａとメッキ給電用電極５ｃの間のグレーズ保温層２上及び図示左右方向に隣り合うメッキ給電用電極５ｃの間のグレーズ保温層２上にメッキシード層７をパターン形成すると共に、各個別導体５ｂの電極パッド形成範囲上にパッド用メッキシード層９をそれぞれパターン形成する。図４（ｃ）に示すようにダイシングラインＤｈ１を挟んで離間しているコモン導体５ａとメッキ給電用電極５ｃは、該ダイシングラインＤｈ１に直交する方向に長く延びた上記メッキシード層７を介して、電気的に接続される。また各サーマルヘッドエリアの図示左右方向に隣り合うメッキ給電用電極５ｃは、図示左右方向に延びたメッキシード層７を介して、電気的に接続される。
【００２７】
メッキシード層７及びパッド用メッキシード層９は、耐腐食性金属材料を用いて形成する。耐腐食性金属材料として具体的には、ＡｕやＡｕ合金を用いる。本実施形態のメッキシード層７は、Ａｌにより形成されたコモン導体５ａ及びメッキ給電用電極５ｃとの密着性を高めるため、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒのいずれか一種により形成された密着層７ａと、ＡｕやＡｕ合金により形成された耐腐食金属層７ｂとによる２層構造で形成する。
【００２８】
続いて、電解メッキ法を用いて、図５に示すようにコモン導体５ａ上に形成したメッキシード層７の上に、コモン電極８を形成する。このとき、コモン導体５ａには、不図示の外部電源からメッキ給電用電極５ｃ及びメッキシード層７を介して給電する。コモン電極８は、例えば、低抵抗であるＣｕにより約１０μｍの膜厚で形成する。このコモン電極８がコモン導体５ａ上に形成されれば、コモン抵抗（コモン導体５ａ、メッキシード層７及びコモン電極８の全体抵抗）が低減され、コモン導体５ａでの電圧降下を抑制することができる。
【００２９】
コモン電極８を形成したら、図６に示すように、コモン電極８、メッキシード層７、コモン導体５ｂ、各発熱抵抗部３ａ、及びパッド用メッキシード層９が形成された領域付近を除く各個別導体５ｂを覆う保護層１１を形成する。保護層１１は、ＳｉＡｌＯＮやＴａ２Ｏ５等の耐摩耗材料により、例えば６μｍ程度の膜厚で形成する。保護層１１の形成には、バイアススパッタ法を用いることができる。続いて、露出している個別導体５ｂ上から保護層１１の端面にかけて有機絶縁層１２を形成し、同時に、コモン電極８が形成されている範囲に対応する保護層１１の上面位置にも有機絶縁層１２を形成する。有機絶縁層１２は、例えばレジスト材料により約２μｍの膜厚で形成する。有機絶縁層１２を形成したら、パッド用メッキシード層９の上に電極パッド１０を形成する。電極パッド９は、メッキ法により、Ａｕを用いて例えば１．５μｍ程度の膜厚で形成する。
【００３０】
以上の工程により、各サーマルヘッド形成エリア上にサーマルヘッド構造が完成する。
【００３１】
このヘッド構造完成状態において、図６に示されるように各サーマルヘッド形成エリア間に位置するダイシングライン上には、コモン導体５ａ及び複数の個別導体５ｂが存在していない。別言すれば、垂直ダイシングラインＤｐ１、Ｄｐ２及び一方の水平ダイシングラインＤｈ２上にはグレーズ保温層２のみが存在し、他方の水平ダイシングラインＤｈ１上にはメッキシード層７とグレーズ保温層２が存在している。
【００３２】
ヘッド構造が完成したら、水平ダイシングラインＤｈ１、Ｄｈ２及び垂直ダイシングラインＤｐ１、Ｄｐ２で基板１を切断し、個々のサーマルヘッドに分割する。この際、水平ダイシングラインＤｈ１で基板１が切断されることにより、メッキシード層７を介してコモン導体５ａに接続されていたメッキ給電用電極５ｃが切り離される。完成状態のサーマルヘッドには、メッキ給電用電極５ｃは備えられない。
【００３３】
完成状態のサーマルヘッドは、個別導体５ｂの長手方向及び短手方向に対して平行な機械切断面を有する。上述したようにダイシングライン上にコモン導体５ａ及び複数の個別導体５ｂが存在していなかったので、上記機械切断面には、コモン導体５及び複数の個別導体５ｂが露出せず、グレーズ保温層２のみ、又はグレーズ保温層２とメッキシード層７が露出している。具体的には、垂直ダイシングラインＤｐ１、Ｄｐ２及び一方の水平ダイシングラインＤｈ２で切断されてなる機械切断面Ｐ１には、図７（ａ）に示すように、グレーズ保温層２のみが露出している。他方の水平ダイシングラインＤｈ１で切断されてなる機械切断面Ｐ２には、図７（ｂ）に示すように、メッキシード層７とグレーズ保温層２が露出している。
【００３４】
以上のように本実施形態では、ダイシングライン上の導体膜５を予め除去しておき、耐腐食性のメッキシード層７を介してコモン導体５ａとメッキ給電用電極５ｃを接続してコモン電極８を電解メッキにより形成しているので、ダイシングラインＤｈ１、Ｄｈ２、Ｄｐ１、Ｄｐ２で基板１を切断したとき、その切断面（機械切断面）には、グレーズ保温層２のみ、又は腐食されないメッキシード層７とグレーズ保温層２が露出することとなる。すなわち、腐食されやすいコモン導体５ａ及び複数の個別導体５ｂは機械切断面に露出しない。よって、完成後にサーマルヘッドが水で濡らされたり素手で直接触れられたりしても、コモン導体５ａ及び複数の個別導体５ｂの腐食を防止することができ、コモン導体５ａ及び複数の個別導体５ｂの断線を防止できる。これにより、ヘッドの耐久性が向上する。
【００３５】
本実施形態では、導体膜５及び抵抗層３を所望形状にパターニングする工程（図２）で同時にダイシングライン上の導体膜５及び抵抗層３を両方とも除去しているが、ダイシングライン上の導体膜５は、抵抗層３の表面を露出させる開放部αを形成する工程（図３）で除去してもよい。この開放部αを形成する工程で同時にダイシングライン上の導体膜５を除去した場合、図８に示すように、コモン導体５ａとメッキ給電用電極５ｃの間に位置するダイシングラインＤｈ１上には、メッキシード層７と抵抗層３とグレーズ保温層２とが残る。つまり、切断面には、グレーズ保温層２のみ、又は腐食されないメッキシード層７と抵抗層３とグレーズ保温層２が露出することとなる。なお、導体５及び抵抗層３を所望形状にパターニングする工程（図２）と、ダイシングライン上の導体膜５を除去する工程と、抵抗層３の表面を露出させる開放部αを形成する工程（図３）とをそれぞれ独立に行なってもよいのは勿論である。
【００３６】
また本実施形態では、導体膜５を所望形状にパターニングしてメッキ給電用電極５ｃを形成しているが、メッキ給電用電極はメッキシード層７のみによって形成することも可能である。
【００３７】
また本実施形態では、メッキ給電用電極５ｃを個別導体５ｂの長手方向に対して平行な方向に長く延ばして形成しているが、個別導体５ｂの短手方向に対して平行な方向に長く延ばして形成することも可能である。メッキ給電用電極を個別導体５ｂの短手方向に長く延ばして形成した場合には、垂直ダイシングラインＤｐ１（又はＤｐ２）で切断してなる機械切断面に、メッキシード層とグレーズ保温層が露出することとなる。
【００３８】
さらに本実施形態では、密着層７ａと金属層７ｂによる２層構造でメッキシード層７を形成しているが、メッキシード層７は２層以上で構成されていてもよい。また、導体膜５（コモン導体５ａ、複数の個別導体５ｂ、メッキ給電用電極５ｃ）が例えばＣｕやＡｕなどＡｌ以外の導電材料により形成されている場合には、メッキシード層７をＡｕ膜又はＡｕ合金膜の単層構造で形成してもよい。
【００３９】
本実施形態では、グレーズ保温層２を基板全面に有する全面グレーズタイプのサーマルヘッドＨについて説明したが、本発明は、部分グレーズやリアルエッジ、ダブルグレーズ、ＤＯＳ等の他タイプにも適用可能である。さらに本発明は、シリアルヘッドにもラインヘッドにも適用可能である。
【００４０】
【発明の効果】
本発明によれば、腐食されやすいコモン導体及び複数の個別導体が機械切断面（基板切断面）に露出しないサーマルヘッドを形成することができる。よって、完成後にサーマルヘッドが水で濡らされたり素手で直接触れられたりしても、塩素や水がコモン導体及び複数の個別導体に付着することがなく、コモン導体及び複数の個別導体の腐食を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態によるサーマルヘッドの製造方法を示す（ａ）平面図、（ｂ）（ａ）のｂ−ｂ線に沿う横断面図、（ｃ）（ａ）のｃ−ｃ線に沿う縦断面図である。
【図２】図１の工程の次工程を示す（ａ）平面図、（ｂ）（ａ）のｂ−ｂ線に沿う横断面図、（ｃ）（ａ）のｃ−ｃ線に沿う縦断面図である。
【図３】図２の工程の次工程を示す（ａ）平面図、（ｂ）（ａ）のｂ−ｂ線に沿う横断面図、（ｃ）（ａ）のｃ−ｃ線に沿う縦断面図である。
【図４】図３の工程の次工程を示す（ａ）平面図、（ｂ）（ａ）のｂ−ｂ線に沿う横断面図、（ｃ）（ａ）のｃ−ｃ線に沿う縦断面図である。
【図５】図４の工程の次工程を示す（ａ）平面図、（ｂ）（ａ）のｂ−ｂ線に沿う横断面図、（ｃ）（ａ）のｃ−ｃ線に沿う縦断面図である。
【図６】図５の工程の次工程を示す（ａ）平面図、（ｂ）（ａ）のｂ−ｂ線に沿う横断面図、（ｃ）（ａ）のｃ−ｃ線に沿う縦断面図である。
【図７】完成後のサーマルヘッドが有する、（ａ）個別導体の長手方向に平行な切断面と（ｂ）個別導体の短手方向に平行な切断面をそれぞれ示す断面図である。
【図８】図３に示す工程でダイシングライン上の導体を除去した場合を示す縦断面図である。
【符号の説明】
１    基板
２    グレーズ保温層
３    抵抗層
３ａ  発熱抵抗部
５    導体膜
５’  導体パターン
５ａ  コモン導体
５ｂ  個別導体
５ｃ  メッキ給電用電極
６    ギャップ領域
７    メッキシード層
７ａ  密着層
７ｂ  耐腐食金属層
８    コモン電極
９    パッド用メッキシード層
１０    電極パッド
１１    保護層
１２    有機絶縁層
Ｄｐ１  垂直ダイシングライン
Ｄｐ２  垂直ダイシングライン
Ｄｈ１  水平ダイシングライン
Ｄｈ２  水平ダイシングライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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