(57)【要約】【課題】半導体製造工場（ｆａｂ）中の、ウエハ製造工程間での、ウエハ汚染を防ぐ方法を提供する。【解決手段】具体例において、本方法は、ウエハ製造設備の製造管理システム（Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ  Ｅｘｅｃｕｔｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍ、ＭＥＳ）と整合される。この方法は、汚染源製造工程を特定する工程と、この汚染源製造工程の後続の改善措置を定義する工程と、からなる。この方法は、ウエハが半導体製造工場（ｆａｂ）における製造工程記録を追跡し、ウエハが汚染源製造工程を特定した後、或いは改善措置を定義した後、ウエハを表示する。製造管理システム（ＭＥＳ）はウエハが汚染源製造工程を特定した後、すでに定義された後続の改善措置を実施するかどうかを検証、確認するのに用いられる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造工場（ｆａｂ）のウエハ製造工程におけるウエハ汚染を防止する方法であって、
汚染源製造工程を特定する工程と、
前記特定された汚染源製造工程により処理されるウエハへの次の改善措置を定義する工程と、
前記半導体製造工場（ｆａｂ）により処理された前記ウエハの処理記録を追跡する工程と、
前記特定された汚染源製造工程により処理された前記ウエハを表示する工程と、
前記定義された改善措置により処理された前記ウエハを表示する工程と、
前記特定された汚染源製造工程により処理された前記ウエハが、前記定義された改善措置により処理されたかを検証する工程と、
からなることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記処理記録の追跡、前記特定された汚染源製造工程により処理された前記ウエハの表示、前記定義された改善措置により処理された前記ウエハの表示、及び前記特定された汚染源製造工程により処理された前記ウエハが、前記定義された改善措置により処理されたかを検証するのは、前記半導体製造工場（ｆａｂ）の製造管理システム（ＭＥＳ）により実現されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ウエハが前記定義された改善措置により処理されていないと判定された場合、前記特定された汚染源製造工程により処理された前記ウエハの処理を中断する工程を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記特定された汚染源製造工程により処理された前記ウエハが、前記定義された改善措置により処理されたかを検証するのは、ウエハロットの合併、分割、放棄を含むウエハ処理事象で繰り返されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記定義された改善措置はシーリング及び洗浄手段を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
半導体ウエハ製造設備の製造管理システム（ＭＥＳ）において、ウエハ汚染を防止するコンピュータ実行プログラムは、
前記ウエハ製造設備により処理されるウエハの処理記録を追跡するプログラム指令と、
特定された汚染源製造工程により処理されたウエハを表示するプログラム指令と、
定義された改善措置により処理された前記ウエハを表示するプログラム指令と、
前記特定された汚染源製造工程により処理された前記ウエハが、前記定義された改善手段により処理されたかを検証するプログラム指令と、
からなることを特徴とする方法。
【請求項７】
更に、
各ウエハ処理事象で、ウエハ処理記録を再検証するプログラム指令と、
ウエハ処理記録の再検証が、前記ウエハが前記特定された汚染源製造工程により処理されたが、前記定義された改善措置により処理されていないことを示した場合、ウエハ処理を中止するプログラム指令と、
からなることを特徴とする請求項６に記載のプログラム。
【請求項８】
前記ウエハ処理事象は、ウエハ製造工程の初期化、ウエハロットの合併、分割、放棄を含むことを特徴とする請求項７に記載のプログラム。
【請求項９】
前記定義された改善措置はシーリング及び洗浄手段を含むことを特徴とする請求項６に記載のプログラム。
【請求項１０】
半導体ウエハの製造方法であって、
半導体ウエハ製造設備において、汚染源製造工程を特定する工程と、
前記特定された汚染源製造工程による処理に続いて実施される改善措置を定義する工程と、
前記半導体製造工場（ｆａｂ）における、前記特定された汚染源製造工程の処理と前記定義された改善措置とを含むウエハ処理を追跡する製造管理システム（ＭＥＳ）を実施する工程と、
前記特定された前記汚染源製造工程により処理されたウエハを表示する工程と、
前記定義された改善措置により処理されたウエハを表示する工程と、
各ウエハ処理事象で、ウエハの処理過程をチェックする工程と、
前記判定された前記汚染源製造工程により処理されたウエハが、前記定義された改善措置により処理されたかを検証する工程と、
ウエハ処理記録の再検証が、ウエハが特定された汚染源製造工程により処理されたが、定義された改善措置により処理されていないことを示した場合、ウエハ処理を中止する工程と、
からなることを特徴とする製造の方法。
【請求項１１】
前記ウエハ処理事象は、ウエハ製造工程の初期化、ウエハロットの合併、分割、放棄を含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記特定された汚染源製造工程により処理されたウエハが、前記定義された改善措置により処理されたかを検証するのは、前記処理過程を用いて、前記製造管理システム（ＭＥＳ）により実現されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記ウエハの処理の中止の操作は、前記製造管理システム（ＭＥＳ）により実施されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
ウエハの処理の中止が生じる時、半導体製造工場（ｆａｂ）オペレーターに警告する工程を更に含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記警告は、少なくとも一つの可聴警報、フラッシュライト、システムインターフェース上に表示されるテキストメッセージを含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハの製造に関するものであって、特に、製造工程におけるウエハ汚染を防止するウエハ製造の設備と装備、及び、実施のシステムと方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウエハの製造工程において、半導体製造工場（以下“ｆａｂ”とする）は通常、複数のベイ（ｂａｙ）に配置及び組織化される。複数のベイのそれぞれは、特定の製造工程或いは工程段階で構成され、この製造工程或いは工程段階に相関する一つ或いはそれ以上の製造ツール、付属材料、ハンドリングシステムを備える。搬送システム、或いはある場合は、通常、  “ロット（ｌｏｔｓ）”を単位として、複数のベイ間、或いは個々のベイの製造ツール間で、ウエハを搬送する。
【０００３】
ある設備において、個々のベイ、或いはベイ内の個々の製造ツールは、“バッファ（ｂｕｆｆｅｒ）”或いは“ストッカ（ｓｔｏｃｋｅｒ）”を備え、処理するロットのウエハを順に収容し、ロットのウエハが、ロットの方式で、全製造工程及び工程段階が実施されているかを確認する。ストッカは通常、全て或いは一部分のウエハロットを固定及び配列するのに用いられ、一つ或いはそれ以上のウエハを、一つ一つ或いはバッチ（ｂａｔｃｈ）の方式で、製造ツール或いは処理ツールに提供する。ウエハがバッチ方式で提供される時、カセット（ｃａｓｓｅｔｔｅ）、トレイ（ｔｒａｙ）、密閉容器（ｐｏｄ）或いはその他の類似のものは、バッチウエハを収納するのに用いられる。
【０００４】
ある搬送システムは、ＡＧＶシステム（ａｕｔｏｍａｔｉｃ  ｇｕｉｄｅｄ  ｖｅｈｉｃｌｅｓ、ＡＧＶｓ）により、半導体製造工場（ｆａｂ）中のベイ、ベイの製造ツール間で、ロット或いはバッチのウエハを搬送する。通常、製造管理システム（ＭＥＳ）は半導体製造工場（ｆａｂ）中の複数の製造ツールの機能、搬送システム、或いはそれが使用するシステムを制御及び整合すると共に、半導体製造工場（ｆａｂ）中、ロットの方式でウエハの製造の進行を追跡する。多くの場合、半導体製造工場（ｆａｂ）が自動化される程、製造管理システム（ＭＥＳ）が制御、整合及び追跡される機能、工程及び付属材料等は多くなる。
【０００５】
多くの製造工程は、ウエハロット中の一つ或いはそれ以上のウエハに対し、汚染の潜在的リスクがある。半導体ウエハの構造は複雑度が増すほど、半導体構造の尺寸が減少するほど、製造環境への清潔度の要求は更に高くなる。周知のように、粒子は汚染の不変リスクを表している。ある半導体ウエハ製造工程は、汚染危険度が他の製造工程よりも明らかに高い。例えば、ウエハ表面で実施されるスピンコート（ｓｐｉｎ−ｃｏａｔ）は、ウエハ表面に薄膜を形成し、薄膜が熱安定炉（ｔｈｅｒｍａｌ  ｃｕｒｅ  ｆｕｒｎａｃｅ）で硬化されるまでに、他の表面に転移する可能性がある。もし、ウエハがスピンコートツールからストッカに転移する場合、ストッカがウエハの汚染源になる可能性がある。後にストッカに転移するウエハは、前のウエハロットにより生じる汚染或いは二次汚染（ｃｒｏｓｓ−ｃｏｎｔａｍｉｎａｔｉｏｎ）の危険性がある。
【０００６】
上述より、汚染源製造工程を特定し、汚染源を消去する改善方法を定義する方法とシステムが必要であり、半導体製造工場（ｆａｂ）中のウエハ処理を追跡し、半導体製造工場（ｆａｂ）中のウエハ製造工程の次の工程に入る前に、汚染源製造工程により処理されたウエハロットが、改善措置により処理されたかどうかを確認する。この方法は効果的に汚染と二次汚染経路を隔離及び除去し、且つ、製造管理システム（ＭＥＳ）と整合して、持続的なウエハロット追跡及び製造を維持しなければならない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は半導体製造工程において、ウエハの汚染と二次汚染を防止する方法及びシステムデザイン機構を提供することにより、上述の問題を解決することを目的とする。本発明は、プロセス、設備、システム、装置、方法或いはコンピューター可読媒体を含む数々の方法により実施される。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明によると、半導体製造工場（ｆａｂ）中の、ウエハ製造工程間での、ウエハ汚染を防ぐ方法が提供される。具体例において、本方法は、汚染源製造工程を特定する工程と、特定されたウエハ汚染源製造工程により処理されたウエハが採取しなければならない改善措置を定義する工程と、からなる。本方法は更に、半導体製造工場（ｆａｂ）を経るウエハの処理記録を追跡する工程を含み、特定された汚染源製造工程により処理されたウエハを追跡し、定義された改善措置及び工程により処理されたウエハを表示する工程を含む。特定された汚染製造工程により処理されたウエハは、定義された改善措置により処理されたかどうかを確認する。
【０００９】
更に、本発明は半導体ウエハの製造方法を提供する。具体例において、この方法は、半導体ウエハの製造設備において、汚染源製造工程を特定する工程と、汚染源製造工程により処理された後に実施しなければならない改善措置及び工程を定義する工程と、からなる。製造実施システムは、半導体製造工場（ｆａｂ）内でウエハの製造工程を追跡するのに用いられ、追跡は、特定された汚染源製造工程による処理と、定義された改善措置及び工程による処理と、を含む。特定された汚染源製造工程により処理され、定義された改善措置により処理されたウエハが表示される。本方法は更に、各ウエハ処理事象において、ウエハの処理記録をチェックすると共に、特定された汚染源製造工程により処理されたウエハが、定義された改善措置及び工程により処理されたかを調べる工程を含む。ウエハが汚染源製造工程により処理されたが、改善措置及び工程を未だ経ていない場合は、ウエハ製造工程を中止する。
【００１０】
更に、本発明はコンピューター実施可能方法を提供し、半導体ウエハ製造設備の製造実施システム中のウエハ汚染を防止する。このコンピューター実施可能方法は、工程指令を含み、半導体ウエハ製造設備により処理されたウエハの処理記録を追跡する工程指令を含む。この工程指令は、特定された汚染源製造工程により処理されたウエハを表示する工程指令と、定義された改善措置により処理されたウエハを表示する工程指令と、を含む。コンピューター実施可能方法は、更に、特定された汚染製造工程により処理されたウエハが、定義された改善措置により処理されたかどうかを確認する工程指令を含む。
【００１１】
本発明は多くの長所があり、中でも優れているのは、半導体製造工程における製造実施システムにより、ウエハ汚染と二次汚染を防止する方法の整合である。本発明が実現すれば、半導体ウエハ製造と半導体製造工場（ｆａｂ）管理の多項設備の連続処理（ｒｕｎ−ｔｏ−ｒｕｎ）の制御により、自動製造操作を可能にする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
上述した本発明の目的、特徴、及び長所をいっそう明瞭にするため、以下に本発明の好ましい実施の形態を挙げ、図を参照にしながらさらに詳しく説明する。
【００１３】
半導体製造工場（ｆａｂ）における製造工程時のウエハ汚染を防ぐ好ましい具体例が記述される。本具体例において、半導体製造工程時のウエハ汚染を防ぐ方法は、潜在的な汚染源製造工程を定義する工程と、改善措置を定義する工程と、からなる。ウエハ処理は製造管理システム（ＭＥＳ）により追跡されて、特定された汚染源製造工程に続く、改善措置が採取されるように確保する。具体例は製造方法を含み、具体例中の製造管理システム（ＭＥＳ）システムデザイン機構と関連する。以下の記述において、本発明への十分な理解を提供するため、特定の詳細事項が述べられる。注意すべきことは、この技術を熟知した者なら、本発明はそれら特定の詳細なしでも実施できることである。この他、公知の操作は本発明を不明瞭にするのを避けるため詳述しない。
【００１４】
一具体例において、高度関連性或いは潜在性を有し、ウエハ環境に汚染をもたらす特定のウエハ製造工程及び工程段階が特定される。ウエハ環境は、カセット、トレイ、密封容器、バッファ、ストッカ、及び処理を施すウエハロットの一つ或いはそれ以上のウエハを収容、保持、記録、配列及び収納するあらゆる位置、或いは装置、を含む。ウエハ環境汚染は、唯、ウエハが汚染源により直接汚染されることを指すのではなく、二次汚染も含む。一例として、ウエハ環境はウエハのカセットで、ウエハがカセットから離され、汚染源製造工程により処理される。もし、このウエハがカセットに戻されて、カセットを汚染すれば、次のウエハがそのカセットにより汚染され、二次汚染が発生する。
【００１５】
潜在的な汚染源製造工程は、特定の半導体製造工場（ｆａｂ）或いは半導体製造工場（ｆａｂ）中のベイでの半導体ウエハ製造工程によって変わってくる。具体例において、ウエハ製造方法は半導体製造工場（ｆａｂ）中の各工程或いは工程段階を評定して、詳細な工程或いは工程段階による汚染危険レベルを判定する。査定された半導体製造工場（ｆａｂ）の製造パラメータにしたがって、高度汚染或いは二次汚染の危険性を備えると認められた製造工程或いは工程段階は、ポスト処理（ｐｏｓｔ−ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）改善措置或いは工程を実施する。
【００１６】
具体例において、汚染源製造工程の特定は、汚染源を消去或いは隔離する改善措置或いは工程の特定と実施に付随する。上述のように、ある製造工程は潜在的な汚染源であるが、この製造工程が必要或いは保留すべき工程の場合、この工程を消去するのは好ましくない。よって、汚染源の隔離が好ましい改善方法である。特定された汚染源製造工程或いは工程段階にとって、適切な改善措置或いは工程が特定及び実施される。好ましい改善措置或いは工程は、中間すすぎ（ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  ｒｉｎｓｉｎｇ）工程、プリベーク（ｐｒｅ−ｂａｋｅ）或いはその他、汚染の転移を防ぐための薄膜に対して実施する処理を含み、このような汚染の転移は、シーリング工程、洗浄工程、清潔な或いは汚染されていない工程からカセット、或いはその他搬送設備を移す過程、及びウエハ汚染或いは二次汚染の危険性を除去或いは許容できるレベルにまで低下させる改善措置過程で発生する。
【００１７】
一旦、潜在的な汚染源が特定されて、改善措置或いは工程が特定及び実施されれば、特定された処理記録或いは工程を組み込んだ工程は、特定された改善措置を半導体製造工場（ｆａｂ）中に整合した製造管理システム（ＭＥＳ）により維持される。製造管理システム（ＭＥＳ）は、一般に、仕掛品（ｗｏｒｋ−ｉｎ−ｐｒｏｇｒｅｓｓ）追跡、製造方法管理、環境コミュニケーション等の設備情報と処理パラメータを追跡するのに用いられる。製造管理システム（ＭＥＳ）に整合された改善措置及び工程は、望ましいプロトコルに付加されるよう確保する。
【００１８】
具体例によると、シングルウエハ、バッチウエハ、ウエハロットの追跡が実施され、特定された汚染源製造工程により処理されたウエハが、適当な改善措置或いは工程により処理されたかどうか確認する。具体例において、特定された汚染源製造工程により処理された時、バッチウエハが表示される。どの汚染源製造工程及び表示を識別するのも、対応する改善措置及び工程があり、表示されたバッチウエハは汚染源製造工程に続く改善措置と工程を継続する。改善措置と工程により処理された時、表示が更新され、改善措置と工程の完了に反映する。万が一、バッチウエハが次に処理するベイ、ステーション（ｓｔａｔｉｏｎ）、ツール（ｔｏｏｌ）に達しても、表示されない或いは改善措置或いは工程の指示がない場合は、この製造工程を中断する。具体例において、後続工程を継続する前、所望の処理と表示のために、中断されたバッチウエハは、対応する改善措置或いは工程ステーション、ツール或いはベイに送られる。
【００１９】
半導体製造工場（ｆａｂ）の模範的なシステム機構において、製造工程追跡、汚染源製造工程表示、改善措置或いは工程表示及び表示確認に付随する後続工程は皆、製造管理システム（ＭＥＳ）に整合されて、製造管理システム（ＭＥＳ）により制御される。製造管理システム（ＭＥＳ）はシングルウエハ、バッチウエハ、ウエハロットのウエハ特定情報、属性及び製造過程を維持する。製造管理システム（ＭＥＳ）はまた、半導体製造工場（ｆａｂ）、ベイ或いは処理ステーション等の場所でウエハ製造工程を指示するのに用いられる。具体例において、汚染源製造工程であると特定された処理は、対応する改善措置或いは工程と同様に、製造管理システム（ＭＥＳ）中で特定される。製造管理システム（ＭＥＳ）がウエハ製造工程を制御或いは指示する時、ウエハ処理記録が保存される。シングルウエハ、バッチウエハ或いはウエハロットが半導体製造工場（ｆａｂ）中の処理ツール、ステーション或いはベイに達する時、処理記録が製造管理システム（ＭＥＳ）によりチェックされる。特定された汚染源製造工程により処理されたどのシングルウエハ、バッチウエハ或いはウエハロットも、対応する改善措置或いは工程を表示しなければならない。シングルウエハ、バッチウエハ或いはウエハロットが対応する改善措置或いは工程を表示しないなら、製造管理システム（ＭＥＳ）は後続の製造工程を中断する。具体例において、後続工程が中断される場合、フラッシュライト（ｆｌａｓｈｉｎｇ  ｌｉｇｈｔ）、ベル、ブザー、等の警告或いは警告信号を半導体製造工場（ｆａｂ）オペレーターに発信し、文字情報或いはランプがシステム制御者或いはシステム制御界面上に表示される。具体例によると、ウエハがチェックインする時、処理記録及び改善措置或いは工程が検証され、即ち、ウエハがベイ、ステーション或いはツールに達する以外に、ロットが分割（ｓｐｉｔ）、合併（ｍｅｒｇｅ）、リワーク（ｒｅ−ｗｏｒｋ）、放棄（ｗａｉｖｅｄ）或いはその他のこの種の処理工程を実施する時も、検証を実施する。
【００２０】
図１は本発明の具体例によるウエハ汚染を防ぐ方法を示すフローチャート１００である。本方法は工程１０２から開始され、この工程において、汚染源製造工程が特定される。上述のように、粒子汚染は、半導体ウエハの製造において、絶えず付きまとうリスクである。汚染源の数は、製造工程の数やタイプと同様に、数多くある。ウエハ製造工程は特に汚染源が生成されやすいと判定される。例として、フォトレジストのアプリケーション、或いは熱硬化を必要とする薄膜のアプリケーション、成形、シェ−ピング（ｓｈａｐｉｎｇ）、金属層除去、ＣＭＰ工程、粒子生成の可能性を有する他の製造工程、表面汚染等は、全て、汚染源製造工程であると特定される可能性がある。
【００２１】
続いて、工程１０４では、工程１０２において特定された汚染を消去する改善措置と工程が特定及び実施される。具体例において、工程１０２で特定された各汚染源製造工程は、対応する改善措置と工程からなり、汚染源を消去或いは隔離する。改善措置と工程は、工程１０４で特定及び実施される。改善措置と工程は、シーリング処理を含み、表面からもう一つの表面への汚染を防ぎ、二次汚染を防止する。その他の洗浄、すすぎ或いは隔離等は、改善措置及び工程の更なる例であり、工程１０４中で特定、実施される。
【００２２】
次に、本方法は工程１０６を実施し、汚染源製造工程を経たウエハロットが表示される。具体例において、ウエハの半導体製造工場（ｆａｂ）における製造工程は、製造管理システム（ＭＥＳ）により制御及び追跡される。シングル、バッチ、ウエハロットの処理記録は、製造管理システム（ＭＥＳ）により、記録、追跡されて、処理手段（ｒｅｃｉｐｅ）或いは処理方式（ｒｅｇｉｍｅ）中に付加されたかどうかを厳密に確認する。工程１０６において、特定された汚染源製造工程により処理されたウエハが表示されて、その処理を記録する。
【００２３】
工程１０８まで進むと、特定された汚染源製造工程により処理されたウエハは、その後、改善措置及び工程が実施され、ウエハが、改善措置及び工程により処理されたことを表示する。
【００２４】
工程１１０では、表示されたウエハロットが監視される。工程１０６を参照すると、製造管理システム（ＭＥＳ）は半導体製造工場（ｆａｂ）中のウエハ処理を追跡、制御するのに用いられる。シングル、バッチ、ウエハロットの処理記録が記録及び追跡される。製造管理システム（ＭＥＳ）は、工程１１０での表示されたウエハロットを監視する。具体例において、ロットを次の工程に伝送する、チェックインする、分割する、合併する、リワークする、放棄する、或いはその他のこの種の処理工程等の各処理で、製造管理システム（ＭＥＳ）は処理記録をチェックする。
【００２５】
判定ブロック１１２において、製造管理システム（ＭＥＳ）はウエハが汚染源処理工程により処理されたかどうかを判定する。具体例において、工程１０６で表示されたウエハが、特定された汚染源製造工程により処理され、その処理記録が、ウエハが汚染源製造工程により処理されていないと示した場合、つまり、判定ブロック１１２で“ＮＯ”の場合、ウエハは１１８で示されるように、製造工程を続行する。処理記録が、ウエハが汚染源製造工程により処理されたことを示した場合、つまり、判定ブロック１１２で“ＹＥＳ”の場合、判定ブロック１１４に進む。
【００２６】
判定ブロック１１４は汚染源製造工程により処理されたと特定されたウエハが、改善措置及び工程により処理されたかどうかを判定する。具体例において、各特定された汚染源製造工程に対して、対応する改善措置及び工程を有する。製造管理システム（ＭＥＳ）は通常、改善措置及び工程によりウエハを処理し、工程１０８において、それらを表示する。判定ブロック１１４において、処理記録がチェックされ、改善措置及び工程が検証される。製造管理システム（ＭＥＳ）により制御され、判定ブロック１１４の期待される答えは“ＹＥＳ”であるため、この状況の下、ウエハは１１８で示されるように、製造工程を続行する。もし、判定ブロックの答案が“ＮＯ”なら、工程１１６を実施する。この工程において、ウエハは要求される改善措置及び工程に戻される。具体例において、アラーム或いは警告信号が半導体製造工場（ｆａｂ）オペレーターに発信され、バッチ或いはウエハロットは汚染源製造工程により処理されたが、後続の改善措置及び工程が未だ実施されていないことを通知する。具体例において、一旦、適当な改善措置及び工程が完了されれば、ウエハは１１８で示されるように、後続工程が実施される。
【００２７】
フローチャート１００は、半導体製造工程において、ウエハ汚染を防止する方法の一具体例を示している。本方法は工程１１８で終了する。本工程において、後続工程が継続される。理解しておかなければならないのは、工程１１８中の後続工程は本方法の実施を繰り返す工程を含むことである。後続工程は、次の工程に伝送する、ロットにチェックインする、ロットを分割する、ロットを合併する、ロットをリワークする、ロットを放棄する、等の処理事象を含む。前述のように、どの工程事象においても、処理記録は監視、チェックされる。この他、後続工程ステーションが汚染源製造工程である可能もあることから、本方法はウエハ製造工程期間、実施、繰り返される。
【００２８】
本方法の一具体例は、半導体製造工場（ｆａｂ）中でウエハ製造工程を追跡及び制御するのに用いられる製造管理システム（ＭＥＳ）により実施される。図２は本発明の具体例による、ウエハ汚染を防止する機能的要素を示す製造管理システム（ＭＥＳ）の模範的なブロック１５０である。本発明が示す模範的な機能は、工程１５２で、ウエハの半導体製造工場（ｆａｂ）により処理されたウエハの処理記録を追跡するプログラム指令と、工程１５４で、特定された汚染源製造工程により処理されたウエハ（シングル、バッチ、ウエハロット或いはその他のグループウエハ）を表示するプログラム指令と、工程１５６で、定義された改善措置により処理されたウエハ（シングル、バッチ、ウエハロット或いはその他のグループウエハ）を表示するプログラム指令と、工程１５８において、ウエハを特定及び追跡するのに加え、例えば、ウエハを表示するなど、特定された汚染源製造工程により処理されたウエハが、定義された改善手段により処理されたかを検証するプログラム指令と、工程１６０において、各ウエハ処理事象で、ウエハ処理記録を再検証するプログラム指令と、工程１６２において、ウエハ処理記録の再検証が、ウエハが特定された汚染源製造工程により処理されたが、定義された改善措置及び工程により処理されていないことを示した場合、ウエハ処理を中止するプログラム指令と、からなる。上述のように、製造管理システム（ＭＥＳ）は半導体製造工場（ｆａｂ）操作、設備搬送、ウエハ製造工程操作に関連する多項功能に設定することが出来る。前述のプログラミング指令は本発明の具体例による機能の実例として記載したものであって、製造管理システム（ＭＥＳ）の機能、性能或いは実施の説明ではない。
【００２９】
本発明は、コンピューターシステムに記録されたデータに関連する様々なコンピューター実施操作（ｃｏｍｐｕｔｅｒ−ｉｍｐｌｅｍｅｎｔｅｄ  ｏｐｅｒａｔｉｏｎ）を用いる。これらの操作は物理量（ｐｈｙｓｉｃａｌ  ｑｕａｎｔｉｔｉｅｓ）の物理運算が必要である。必然ではないが、物理量は通常、保存、転換、結合、比較及び運算の電子或いは電磁信号の形になる。更に、運算はしばしば、生産、識別、判定或いは比較等の名称で明確に表示される。
【００３０】
以上で提示された本発明のどの操作も、効果的な機械操作である。本発明は装置、或いは設備に関連して上述の操作を実施する。前記設備は要求された目的により特別に設置されるか、或いは、選択的に起動される汎用（ｇｅｎｅｒａｌ  ｐｕｒｐｏｓｅ）コンピューターで、コンピューター内に記憶されたコンピュータープログラムにより、起動或いは設定される。特に、コンピュータープログラムに付帯した汎用コンピューターを使用するか、好ましい方法としては、特殊な機能を備える設備を設置して必要な機能を実行する。
【００３１】
本発明はコンピューター可読媒体上のコンピューターの読み取り可能コードとしても具体化される。このコンピューター可読媒体は、資料を記憶する資料保存装置として用いられ、コンピューターシステムにより読み取られる。コンピューター可読媒体は、ハードディスク（ｈａｒｄ  ｄｒｉｖｅ）、ネットワーク接続ストレージ（Ｎｅｔｗｏｒｋ  ａｔｔａｃｈｅｄ  ｓｔｏｒａｇｅ、ＮＡＳ）、読み取り専用メモリ（ｒｅａｄ−ｏｎｌｙ  ｍｅｍｏｒｙ）、ランダムアクセスメモリ（ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ  ｍｅｍｏｒｙ）、ＣＤ、ＤＶＤ、磁気テープ（ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｔａｐｅ）及びその他の光学或いは非光学的なデータ保存装置等を含む。コンピューター可読媒体は、コンピューターと接続されるネットワークに分布し、コンピューター読み取り可能コードは分散型方式により、記憶及び実施される。
【００３２】
更に、本発明は複数のプログラミング言語の一つによる実施が示されている。他のプログラミング言語は本発明の具体例を実施するのに用いられる（Ｃ、Ｃ＋＋、優先されたプログラミング言語等）。
【００３３】
本発明では好ましい具体例を前述の通り開示したが、これらは決して本発明に限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と領域を脱しない範囲内で各種の変動や潤色を加えることができ、従って本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
【００３４】
【発明の効果】効果的にウエハ汚染を防ぐ。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の具体例によるウエハ汚染を防ぐ方法のフローチャートである。
【図２】本発明の具体例によるウエハ汚染を防ぐ製造管理システム（ＭＥＳ）の機能を示す図である。
【符号の説明】
１５０…製造管理システム（ＭＥＳ）の機能ブロック
１５２〜１６２…プログラム指令
【図１】
2004165176.tif 000003
【図２】
2004165176.tif 000004
【外国語明細書】
2004165176.tif 000005
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