(57)【要約】【課題】  半導体レーザーダイオードのサブマウント、その製造方法及びこれを採用した半導体レーザーダイオード組立体を提供する。【解決手段】  互いに段付きになっている第１電極及び第２電極が備えられた半導体レーザーダイオードチップとフリップ・チップ・ボンディングされる半導体レーザーダイオードのサブマウントにおいて、１電極及び第２電極の段差に対応する高低差を有する第１及び第２段差面が備えられた基板と、第１段差面と第２段差面に同じ厚さに各々形成された第１及び第２金属層と、第１金属層及び第２金属層に同じ厚さに各々形成されて第１電極と第２電極とに各々接合される第１及び第２ソルダ層と、を含む半導体レーザーダイオードのサブマウント。【選択図】            図４
2004274057.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに段付きになっている第１電極及び第２電極が備えられた半導体レーザーダイオードチップとフリップ・チップ・ボンディングされる半導体レーザーダイオードのサブマウントにおいて、
前記第１電極と第２電極との段差に対応する高低差を有する第１及び第２段差面が備えられた基板と、
前記第１段差面及び第２段差面に同じ厚さに各々形成された第１及び第２金属層と、
前記第１金属層及び第２金属層に同じ厚さに各々形成されて前記第１電極と第２電極とに各々接合される第１及び第２ソルダ層と、
を含む半導体レーザーダイオードのサブマウント。
【請求項２】
前記基板は、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＧａＮ又はこれに準ずる熱伝逹係数を有する絶縁物質からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザーダイオードのサブマウント。
【請求項３】
前記第１及び第２金属層は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕのうち、少なくとも２つ以上の合金からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザーダイオードのサブマウント。
【請求項４】
前記第１及び第２ソルダ層は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｓｎのうち、少なくとも２つ以上の合金からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザーダイオードのサブマウント。
【請求項５】
互いに段付きになっている第１電極及び第２電極が備えられた半導体レーザーダイオードチップと、前記半導体レーザーダイオードチップとフリップ・チップ・ボンディングされるサブマウントとを含む半導体レーザーダイオード組立体において、
前記サブマウントは、
前記第１電極と第２電極との段差に対応する高低差を有する第１及び第２段差面が備えられた基板と、
前記第１段差面及び第２段差面に同じ厚さに各々形成された第１及び第２金属層と、
前記第１金属層及び第２金属層に同じ厚さに各々形成されて前記第１電極と第２電極とに各々接合される第１及び第２ソルダ層と、
を含む半導体レーザーダイオード組立体。
【請求項６】
互いに段付きになっている第１電極及び第２電極が備えられた半導体レーザーダイオードチップとフリップ・チップ・ボンディングされる半導体レーザーダイオードのサブマウント製造方法において、
（ａ）基板をエッチングして前記第１電極と第２電極との間の段差に対応する高低差を有する第１及び第２段差面を形成する段階と、
（ｂ）前記第１及び第２段差面に各々金属を同じ厚さに蒸着して第１及び第２金属層を形成する段階と、
（ｃ）前記第１及び第２金属層にソルダを同じ厚さに蒸着させて前記第１電極と第２電極と各々接合される第１及び第２ソルダ層を形成する段階と、
を含む半導体レーザーダイオードのサブマウント製造方法。
【請求項７】
前記（ａ）段階は、乾式エッチングにより行われることを特徴とする請求項６に記載の半導体レーザーダイオードのサブマウント製造方法。
【請求項８】
前記基板は、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＧａＮ又はこれに準ずる熱伝逹係数を有する絶縁物質であることを特徴とする請求項６に記載の半導体レーザーダイオードのサブマウント製造方法。
【請求項９】
前記第１及び第２金属層は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕのうち、少なくとも２つ以上の合金からなることを特徴とする請求項６に記載の半導体レーザーダイオードのサブマウント製造方法。
【請求項１０】
前記第１及び第２ソルダ層は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｓｎのうち、少なくとも２つ以上の合金からなることを特徴とする請求項６に記載の半導体レーザーダイオードのサブマウント製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体レーザーダイオードに係り、特に両電極が互いに段付きになって同じ方向に形成された半導体レーザーダイオードチップにフリップ・チップ・ボンディング（ｆｌｉｐ−ｃｈｉｐ−ｂｏｎｄｉｎｇ）されたサブマウント（ｓｕｂ  ｍｏｕｎｔ）、その製造方法及びこれを採用した半導体レーザーダイオード組立体に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報記録の高密度化に対する必要性が増大するにつれ、可視光半導体レーザーダイオードの需要も増大しつつある。これに伴い、可視光レーザー発振ができる多様な形態の化合物半導体レーザーダイオードが登場しており、その中でＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザーダイオードは、遷移方式がレーザー発振確率の高い直接遷移型で青色レーザー発振が可能であるという特性をもっているため特に注目されている。
【０００３】
図１は、従来技術によるｎ型及びｐ型電極が同じ方向に形成されたリッジ導波管を具備するＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザーダイオードチップの断面図である。
【０００４】
図１を見れば、従来技術によるＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザーダイオードチップは、ｎ型及びｐ型電極が同側に設けられてｐ型電極側にリッジ導波管が備えられた半導体レーザーダイオードチップであることがわかる。
【０００５】
具体的には、サファイア基板１０上にｎ‐ＧａＮ層１２が形成されており、ｎ‐ＧａＮ層１２は第１及び第２領域Ｒ１、Ｒ２に分けられている。ｎ‐ＧａＮ層１２の第２領域Ｒ２上にｎ型電極１４が形成されている。ｎ‐ＧａＮ層１２の第１領域Ｒ１上に屈折率が順次に大きくなるｎ−ＡｌＧａＮ／ＧａＮ層１６、ｎ‐ＧａＮ層１８、及びＩｎＧａＮ層（２０、活性層）が形成されている。ＩｎＧａＮ層２０上にこれより屈折率が順次に小さくなるｐ−ＧａＮ層２２、ｐ−ＡｌＧａＮ／ＧａＮ層２４及びｐ−ＧａＮ層２６が形成されている。ｐ−ＡｌＧａＮ／ＧａＮ層２４の上部の中央部分はリッジ（或いは、リーブ）状に突出されており、突出された部分の上部にｐ−ＧａＮ層２６が形成されている。ｐ−ＡｌＧａＮ／ＧａＮ層２４は、ｐ−ＧａＮ層２６と連通したチャンネル２７が形成された保護膜２８で覆われている。保護膜２８上にはこのチャンネル２７を介してｐ−ＧａＮ層２６と接触されたｐ型電極３０が形成されている。このような構成によれば、ｐ型電極３０とｎ型電極１４はｈ１だけ段付きになる。
【０００６】
一般に、半導体レーザーダイオードのレーザー発振のための臨界電流及びレーザーモードの安定性は温度と密接な関係があり、温度が高まるにつれて両者の特性はいずれも低下する。したがって、レーザー発振中に活性層で生じる熱を除去してレーザーダイオードの温度が高まることを防止する必要があるが、前記の従来技術によるＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族半導体レーザーダイオードの場合、基板の熱伝導性が極めて低いので（サファイアの場合、０．５Ｗ／ｃｍＫ程度）、大部分の熱はリッジを通じてのみ放出される。しかし、リッジを通した熱放出は制限的で効果的な熱放出が困難であり、したがってレーザーダイオードの温度上昇を防止して素子の特性低下を防止するのには限界がある。
【０００７】
これによって、図１に示した従来技術による半導体レーザーダイオードチップの場合、図２に示すようにフリップ・チップ・ボンディング技術を用いて活性層で発生する熱の放出を促している。
【０００８】
具体的に、図２を参照すれば、参照符号５０は、半導体レーザーダイオードチップであって、図１に示した従来技術によるＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族半導体レーザーダイオードの逆転した形状を表す。参照番号４０はサブマウント（ｓｕｂ  ｍｏｕｎｔ）、４１は基板、４２ａ及び４２ｂは各々第１及び第２金属層、４４ａ及び４４ｂは各々半導体レーザーダイオードチップ５０のｎ型電極１４及びｐ型電極３０と溶融接合される第１及び第２ソルダ層である。
【０００９】
このように、半導体レーザーダイオードを別に設けられた熱放出構造体にボンディングさせることによって熱放出効率を増加させることができる。
【００１０】
ところが、図２に示すように、１ソルダ層４４ａと第２ソルダ層４４ｂは、ｎ型電極１４とｐ型電極３０との段差ｈ１を補償するためにその厚さが相異なる。即ち、第１及び第２金属層４２ａ、４２ｂの厚さが互いに同様であれば、第１ソルダ層４４ａは第２ソルダ層４４ｂよりｈ１だけ厚い。この場合、第１ソルダ層４４ａと第２ソルダ層４４ｂが各々両電極１４、３０と接合される時に不均一に溶けながら各々のボンディング状態が変わるという問題が発生し得る。図３は、図２に示した従来のサブマウントのソルダ層が溶融された状態を示す平面写真である。図３を見れば、第１ソルダ層４４ａと第２ソルダ層４４ｂが不均一に溶けながら流れたことがわかる。
【００１１】
第１及び第２ソルダ層４４ａ、４４ｂはその化学的構成比が同様であるべきである。第１ソルダ層４４ａと第２ソルダ層４４ｂの化学的構成比が互いに少しだけ異なっても夫々の溶融温度は非常に大きい差となって現れるので、第１ソルダ層４４ａと第２ソルダ層４４ｂが各々二電極１４、３０と接合される場合、同時に溶けず時差をおいて溶けながらそれぞれのボンディング状態が変動するという問題が発生し得る。このような問題点を解決するためには第１及び第２ソルダ層４４ａ、４４ｂを同じ工程で同時に形成する必要がある。
【００１２】
ところが、上述したように第１ソルダ層４４ａ及び第２ソルダ層４４ｂはその厚さが相異なる。したがって、サブマウントの製造工程において第１ソルダ層４４ａと第２ソルダ層４４ｂとを同時に形成することはできず、何れか一方を先に形成してから、他方を形成せねばならない。したがって、このような工程によれば、第１ソルダ層４４ａと第２ソルダ層４４ｂとの化学的構成比が異なる可能性が非常に高い。
【００１３】
上述したように、第１及び第２ソルダ層４４ａ、４４ｂと両電極１４、３０とのボンディング状態が相異なれば、半導体レーザーダイオードチップ５０の動作時に生じる熱が効率的にサブマウント４０に伝えられなくなって熱放出特性が低下する。これによって、活性層２０内部の熱が十分に放出できず半導体レーザーダイオードチップ５０の温度が上昇して活性層２０のレーザー発光特性が低下する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は前記問題点を解決するために案出されたものであって、本発明の目的は、その厚さと化学的構成比とが同一であるソルダ層を有するサブマウント及びその製造方法と、このサブマウントを備えた半導体レーザーダイオード組立体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前記目的を達成するために、本発明の半導体レーザーダイオードのサブマウントは、互いに段付きになっている第１電極及び第２電極が備えられた半導体レーザーダイオードチップとフリップ・チップ・ボンディングされる半導体レーザーダイオードのサブマウントにおいて、前記第１電極と第２電極との段差に対応する高低差を有する第１及び第２段差面が備えられた基板と、前記第１段差面及び第２段差面に同じ厚さに各々形成された第１及び第２金属層と、前記第１金属層及び第２金属層に同じ厚さに各々形成されて前記第１電極と第２電極とに各々接合される第１及び第２ソルダ層と、を含む。
【００１６】
また、本発明による半導体レーザーダイオード組立体は、互いに段付きになっている第１電極及び第２電極が備えられた半導体レーザーダイオードチップと、前記半導体レーザーダイオードチップとフリップ・チップ・ボンディングされるサブマウントとを含む半導体レーザーダイオード組立体において、前記サブマウントは、前記第１電極と第２電極との段差に対応する高低差を有する第１及び第２段差面が備えられた基板と、前記第１段差面及び第２段差面に同じ厚さに各々形成された第１及び第２金属層と、前記第１金属層及び第２金属層に同じ厚さに各々形成されて前記第１電極と第２電極とに各々接合される第１及び第２ソルダ層と、を含む。
【００１７】
前記目的を達成するために、本発明の半導体レーザーダイオードのサブマウント製造方法は、互いに段付きになっている第１電極及び第２電極が備えられた半導体レーザーダイオードチップとフリップ・チップ・ボンディングされる半導体レーザーダイオードのサブマウント製造方法において、（ａ）基板をエッチングして前記第１電極と第２電極との間の段差に対応する高低差を有する第１及び第２段差面を形成する段階と、（ｂ）前記第１及び第２段差面に各々金属を同じ厚さに蒸着して第１及び第２金属層を形成する段階と、（ｃ）前記第１及び第２金属層にソルダを同じ厚さに蒸着させて前記第１電極と第２電極と各々接合される第１及び第２ソルダ層を形成する段階と、を含む。
【００１８】
前記（ａ）段階は、乾式エッチングによりなることが好ましい。
【００１９】
前記基板は、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＧａＮ又はこれに準ずる熱伝逹係数を有する絶縁物質からなることが好ましい。また、前記第１及び第２金属層は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕのうち、少なくとも２つ以上の合金からなることが好ましい。また、前記第１及び第２ソルダ層は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｓｎのうち、少なくとも２つ以上の合金からなることが好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係る半導体レーザーダイオード組立体及びその製造方法によれば、次のような効果を得ることができる。
【００２１】
半導体レーザーダイオードチップの段付きになって両電極と溶融接合されるサブマウントの両ソルダ層とが同じ厚さを有し、且つ単一工程により同時に生成されてその化学的構成比もほぼ同一になるので、ほぼ同じ溶融特性を示す。
【００２２】
したがって、半導体レーザーダイオードチップとのフリップ・チップ・ボンディング時、両ソルダ層が両電極と均一に溶融接合されることで半導体レーザーダイオードチップの動作時に発生する熱を効果的に放出することができる。これによって、半導体レーザーダイオードチップの発光効率を向上させ得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、添付した図面に基づいて本発明の好ましい実施形態を詳しく説明する。
【００２４】
図４は、本発明に係る半導体レーザーダイオード組立体の一例を示した断面図である。図４は本発明に係る半導体レーザーダイオード組立体の特徴を明確に示すために多少誇張して表現したものである。
【００２５】
図４を見れば、半導体レーザーダイオードチップ１００とこれにフリップ・チップ・ボンディングされるサブマウント２００が示されている。本実施例の半導体レーザーダイオードチップ１００は、ＧａＮ系列ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザーダイオードチップである。
【００２６】
半導体レーザーダイオードチップ１００は、基板１１０上に順次に積層された第１物質層１２０と活性層１３０及び第２物質層１４０を含む。
【００２７】
基板１１０上には第１化合物半導体層１２１が設けられる。基板１１０は、ＧａＮ又はＳｉＣなどのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層基板、又はサファイア基板のような高抵抗性基板であり得る。第１化合物半導体層１２１は、ＧａＮ系列のＩＩＩ−Ｖ族窒化物化合物半導体からなるｎ型物質層または非ドープ（Ｕｎｄｏｐｅｄ）物質層であって、ｎ‐ＧａＮ層であることが好ましい。第１化合物半導体層１２１は、第１及び第２領域Ｒ１、Ｒ２に分けられている。第２領域Ｒ２上に第１電極としてｎ型電極１８０が設けられる。
【００２８】
第１化合物半導体層１２１上には第１クラッド層１２２及び共振層１５０が順次に設けられている。第１クラッド層１２２は、ｎ−ＡｌＧａＮ／ＧａＮ層である。共振層１５０は、第１クラッド層１２２上に順次に形成された第１導波層（ｗａｖｅ  ｇｕｉｄｅ  ｌａｙｅｒ）１２３、活性層１３０及び第２導波層１４１からなっている。第１化合物半導体層１２１、第１クラッド層１２２及び第１導波層１２３は、活性層１３０にレーザー発振を誘導するレージングのための第１物質層１２０である。したがって、第１化合物半導体層１２１は第１物質層１２０の最下物質層になる。活性層１３０は電子−正孔などのキャリア再結合によりレージングが起こる物質層であって、多重量子井戸（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｗｅｌｌ）構造を有するＧａＮ系列のＩＩＩ−Ｖ族窒化物化合物半導体層が好ましく、その中でもＩｎｘＡｌｙＧＡｌ−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、そしてｘ＋ｙ≦１）層であることがさらに好ましい。他に、活性層１３０は、ＧａＮ系列のＩＩＩ−Ｖ族窒化物化合物半導体層にインジウム（Ｉｎ）を所定の割合で含有する物質層、例えば、ＩｎＧａＮ層であり得る。第１及び第２導波層１２３、１４１はＧａＮ系列のＩＩＩ−Ｖ族窒化物化合物半導体層として各々ｎ‐ＧａＮ層及びｐ−ＧａＮ層であることが好ましい。第１及び第２導波層１２３、１４１は活性層１３０に比べて屈折率が低く、第１クラッド層１２２及び後述する第２クラッド層１４２よりは屈折率が高い。共振層１５０上に第２クラッド層１４２及び第２化合物半導体層１４３が順次に形成されている。第２導波層１４１、第２クラッド層１４２及び第２化合物半導体層１４３は、活性層１３０にレーザー発振を誘導するレージングのための第２物質層１４０である。したがって、第２化合物半導体層１４３は第２物質層１４０の最上物質層になる。
【００２９】
第２クラッド層１４２は、共振層１５０の中央に対応する部分がリッジ状に突出された突出部１４４及びこの突出部１４４に比べて厚さが薄い部分１４５からなっている。第２化合物半導体層１４３は、前記第２物質層１４０の最上物質層として第２クラッド層１４２の突出部１４４の上面に設けられている。第２クラッド層１４２は、ドーピング物質がｐ型であることを除いては第１クラッド層１２２と同じ物質層である。第２化合物半導体層１４３は、ＧａＮ系列のＩＩＩ−Ｖ族窒化物化合物半導体層であって、ｐ型導電性不純物がドーピングされた直接遷移型であることが好ましく、その中でもｐ−ＧａＮ層がさらに好ましい。また、第１化合物半導体層１２１と同様に、ＧａＮ層、アルミニウム（Ａｌ）やインジウム（Ｉｎ）を所定の割合で含有するＡｌＧａＮ層またはＩｎＧａＮ層であり得る。第２クラッド層１４２は、第２化合物半導体層１４３と連通したチャンネル１６１が備えられた保護膜１６０により覆われている。保護膜１６０上にはチャンネル１６１を介して第２化合物半導体層１４３と接触される第２電極としてｐ型電極１７０が設けられる。
【００３０】
前記のような半導体レーザーダイオードチップ１００においては、ｐ型電極１７０とｎ型電極１８０とが互いに段付きになっている。
【００３１】
サブマウント２００は、半導体ダイオードチップ１００とフリップ・−チップ・−ボンディングされて半導体ダイオードチップ１００の動作時に発生する熱を放出するものであって、基板２１０と第１、第２金属層２２１、２２２、及び第１、第２ソルダ層２３１、２３２を含む。
【００３２】
基板２１０には第１段差面２１１と第２段差面２１２とが備えられる。第１及び第２段差面２１１、２１２はｐ型電極１７０及びｎ型電極１８０と各々対面する位置に形成され、両段差面２１１、２１２間の高低差（ｈ２）は、ｐ型電極１８０とｎ型電極１７０との高低差と同一にすることが好ましい。基板２１０は、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＧａＮまたはこれに準ずる熱伝逹係数を有する絶縁物質からなることが好ましい。
【００３３】
第１段差面２１１及び第２段差面２１２には、各々第１金属層２２１及び第２金属層２２２が設けられる。第１及び第２金属層２２１、２２２は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕのうち少なくとも２つ以上の合金、例えば、Ｃｒ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ等からなることが好ましい。
【００３４】
第１及び第２金属層２２１、２２２上にはｐ型電極１７０及びｎ型電極１８０と各々接合される第１及び第２ソルダ層２３１、２３２が設けられる。第１及び第２ソルダ層２３１、２３２は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｓｎのうち少なくとも２つ以上の合金、例えば、Ａｕ／Ｓｎ、Ｐｔ／Ａｕ／Ｓｎ、Ｃｒ／Ａｕ／Ｓｎ等からなることが好ましい。
【００３５】
第１金属層２２１、第１ソルダ層２３１は、各々第２金属層２２２、第２ソルダ層２３２と互いに分離され、絶縁されることが好ましい。このために第１金属層２２１と第２金属層２２２との間に絶縁層２４０がさらに設けられ得る。絶縁層２４０は、図４に示すように第１段差面２１１と第２段差面２１２の境界面２１３から第１金属層２２１まで延びて形成され得る。
【００３６】
第１金属層２２１と第２金属層２２２、第１ソルダ層２３１と第２ソルダ層２３２は、その厚さが相等しいことが好ましい。このような構成によれば、第１ソルダ層２３１と第２ソルダ層２３２間の高低差はｐ型電極１７０とｎ型電極１８０間の高低差と同一になる。
【００３７】
したがって、半導体レーザーダイオードチップ１００にサブマウント２００を載せれば、ｐ型電極１７０と第１ソルダ層２３１、ｎ型電極１８０と第２ソルダ層２３２とが自然に接触される。この状態で熱を加えれば、第１及び第２ソルダ層２３１、２３２の厚さが相等しいので、第１及び第２ソルダ層２３１、２３２が同じ温度で同時に溶融されながら各々ｐ型電極１７０、ｎ型電極１８０と均一に接合される。図５は、本発明に係るサブマウント２００の第１及び第２ソルダ層２３１、２３２が溶融された状態を撮影した写真である。図５を見れば、図３と比べた時、第１及び第２ソルダ層２３１、２３２が均一に溶けたことがわかる。したがって、サブマウント２００を通した熱放出効率も向上し、これによって半導体レーザーダイオードチップ１００の発光特性も向上する。
【００３８】
以下に、図６Ａ乃至図６Ｄを参照して本発明に係るサブマウント製造方法の一例を説明する。
【００３９】
まず、図６Ａに示すように、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＧａＮ又はこれに準ずる熱伝逹係数を有する絶縁物質からなる基板２１０上にエッチングマスクＭを形成する。その後、マスキングされない基板２１０面を所定深さにエッチングし、エッチングマスクＭを除去する。前記のようにして、図６Ｂに示すようにエッチングされない第１段差面２１１と所定深さにエッチングされた第２段差面２１２とが形成される。図７は、エッチングされた基板２１０を撮影した写真である。この時、エッチング深さを調節して第１段差面２１１と第２段差面２１２との高低差を前記の半導体レーザーダイオードチップ１００のｐ型電極１７０とｎ型電極１８０との高低差と同一にする。この時、乾式エッチングを使用することが好ましい。
【００４０】
次に、第１及び第２段差面２１１、２１２に第１及び第２金属層２２１、２２２が形成される部分を定義するマスキングをし、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕのうち少なくとも２つ以上の合金、例えば、Ｃｒ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕなどを所定厚さに蒸着させる。その後、マスキングを除去すれば図６Ｃに示すように第１及び第２段差面２１１、２１２に各々第１及び第２金属層２２１、２２２が形成される。この時、第１及び第２金属層２２１、２２２はその厚さが相等しいことが好ましい。
【００４１】
次に、第１及び第２金属層２２１、２２２上に第１及び第２ソルダ層２３１、２３２が形成される部分を定義するマスキングをし、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｓｎのうち少なくとも２つ以上の合金、例えば、Ａｕ／Ｓｎ、Ｐｔ／Ａｕ／Ｓｎ、Ｃｒ／Ａｕ／Ｓｎなどを所定厚さに蒸着させる。その後、マスキングを除去すれば図６Ｄに示すように第１及び第２金属層２２１、２２２上に各々第１及び第２ソルダ層２３１、２３２が形成される。この時、第１及び第２ソルダ層２３１、２３２はその厚さが互いに同一に形成されることが好ましい。本工程においては、第１ソルダ層２３１と第２ソルダ層２３２とを同時に形成することが好ましい。そうすると、第１ソルダ層２３１と第２ソルダ層２３２とをなす金属物質の化学的構成比がほぼ同一になる。
【００４２】
前記の工程を完了すれば、第１ソルダ層２３１と第２ソルダ層２３２間の高低差と半導体レーザーダイオードチップ１００のｐ型電極１７０とｎ型電極１８０との高低差とが同一なサブマウント２００を得ることができる。
【００４３】
本発明は前記の説明及び図面に示したものに限定されることはなく、請求の範囲内で多様な変形及び変容例が可能であることは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
半導体チップ、特に両電極が互いに段付きになって同じ方向に形成された半導体レーザーダイオードチップとフリップ・チップ・ボンディングされるサブマウントと、その製造方法に適用される。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】従来技術によるｎ型及びｐ型電極が同じ方向に形成されたリッジ導波管を具備するＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザーダイオードの断面図である。
【図２】図１の半導体レーザーダイオードとサブマウントの結合を示す断面図である。
【図３】図２に示した従来のサブマウントのソルダ層が溶融された状態を示す写真である。
【図４】本発明に係る半導体レーザーダイオード組立体の一例を示す断面図である。
【図５】図４に示したサブマウントの第１及び第２ソルダが溶融された状態を撮影した写真である。
【図６Ａ】本発明に係るサブマウント製造方法の一例による工程を示す断面図である。
【図６Ｂ】本発明に係るサブマウント製造方法の一例による工程を示す断面図である。
【図６Ｃ】本発明に係るサブマウント製造方法の一例による工程を示す断面図である。
【図６Ｄ】本発明に係るサブマウント製造方法の一例による工程を示す断面図である。
【図７】図６Ａに示した本発明工程を行った後のエッチングされた基板を示す写真である。
【符号の説明】
【００４６】
２００    サブマウント、
１１０    基板、
１２０    第１物質層、
１３０    活性層、
１４０    第２物質層、
１５０    共振層、
１２１    第１化合物半導体層、
１２２    第１クラッド層、
１２３    第１導波層、
１４１    第２導波層、
１４２    第２クラッド層、
１４３    第２化合物半導体層、
１４４    突出部、
１６０    保護膜、
１６１    チャンネル、
１７０    ｐ型電極、
１８０    ｎ型電極、
２１０    基板、
２１１    第１段差面、
２１２    第２段差面、
２２１    第１金属層、
２２２    第２金属層、
２３１    第１ソルダ層、
２３２    第２ソルダ層、
２４０    絶縁層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図５】
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【図７】
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