(57)【要約】【課題】複数の光ビームを出力可能な光源の光量可変範囲を簡単な構成で変更可能な光走査装置を提供する。【解決手段】基準電圧Ｖｒｅｆ＝Ｖｒｅｆ０に設定した状態で、ＬＤチップＬＤ１を点灯し、受光素子によりその出力光量をモニタしたモニタ電圧が基準電圧と略一致するように、ＬＤチップＬＤ１の初期光量制御する（期間Ｔ１）。次に、Ｖｒｅｆ＝Ｖｒｅｆ０＋Ｖｒｅｆαに設定し、初期光量制御後の光量でＬＤチップＬＤ１を点灯すると共に、ＬＤチップＬＤ２の点灯を開始して、モニタ電圧が基準電圧と略一致するように、ＬＤチップＬＤ２の出力光量を制御する（期間Ｔ２）。次に、Ｖｒｅｆ＝Ｖｒｅｆ０に設定し、ＬＤチップＬＤ２を光量制御後の光量で点灯すると共に、ＬＤチップＬＤ１の点灯を開始して、モニタ電圧が基準電圧と略一致するように、ＬＤチップＬＤ１の出力光量を制御する（期間Ｔ３）。【選択図】  図５
2004272146.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光点を備え、複数の光ビームを出力可能なレーザダイオードと、
前記レーザダイオードから出力された前記光ビームを走査させる走査光学系と、
前記レーザダイオードの出力光量を検出する検出手段と、
前記検出手段による検出光量に基づいて前記発光点の光量制御を行なって、前記レーザダイオードを点灯駆動する駆動手段と、
前記光量制御後の光量で少なくとも１つの発光点を点灯させた状態で、他の発光点を光量制御対象として点灯して、前記光量制御を行うように前記駆動手段を制御する制御手段と、
を備えた光走査装置。
【請求項２】
前記制御手段が、
前記複数の発光点の何れか１つの発光点を点灯させて、前記検出光量が第１の光量となるように、当該１つの発光点の光量制御を行った後、
前記１つの発光点を光量制御後の光量で点灯させた状態で、光量制御対象として前記１つの発光点以外の発光点を順次切替えて点灯し、前記検出光量が前記第１の光量より大きい第２の光量となるように、前記１つの発光点以外の各発光点の光量制御を実行し、
前記１つの発光点以外の全発光点を各々光量制御後の光量で点灯させた状態で、光量制御対象として前記１つの発光点を点灯し、前記検出光量が第３の光量となるように、前記１つの発光点の光量制御を実行する、
ように前記駆動手段の動作を制御する、ことを特徴とする請求項１に記載の光走査装置。
【請求項３】
前記第１の光量が、前記駆動手段で制御可能な光量下限値である、
ことを特徴とする請求項２に記載の光走査装置。
【請求項４】
光量制御対象の発光点に応じて、前記検出手段の検出感度を補正する補正手段を更に備え、
前記制御手段は、前記補正手段による補正量に応じて、前記光量制御の制御値とする前記検出光量を変更する、
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の光走査装置。
【請求項５】
前記制御手段は、
前記発光点１つ当たりの必要光量が制御可能な光量下限値未満の場合に、前記制御を行う、
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１項に光走査装置。
【請求項６】
前記制御手段は、解像度の切替えを示す解像度切り替え信号に応じて、前記発光点１つ当たりの必要光量を設定する、
ことを特徴とする請求項５に記載の光走査装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光走査装置に係わり、特に、複数の発光点を備え、複数の光ビームを出力可能なレーザダイオードを光源として用いた光走査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、１光源の光ビーム（以下Ｓｉｎｇｌｅ  Ｂｅａｍ  と略す）による光走査装置では、一般に、光ビームを、例えば、スキャナモータのような駆動手段の回転駆動により高速回転するポリゴンミラーによって偏向させて、走査しながら感光材料へ照射している。このような光走査装置では、解像度に応じてスキャナモータの回転数を切り換えることによって、処理能力を低下させずに、解像度の切り換えを行ってきた。このようなＳｉｎｇｌｅ  Ｂｅａｍ  を出力するレーザダイオード（以下、ＬＤと略す）を  Ｓｉｎｇｌｅ  ＢｅａｍＬＤという。
【０００３】
一方、スキャナモータを増速すると、騒音や温度上昇の問題もあり、近年の高速化、高解像度化の要求は、スキャナモータの増速では対応できないところまできている。このため、１走査期間に同時に複数の光ビームを照射する方法が提案されている。この同時に複数の光ビームを出力可能なＬＤには複数のＬＤチップが備えられており、複数のＬＤチップを点灯することによって複数の光ビーム（以下、Ｍｕｌｔｉ  Ｂｅａｍと略す）  を出力することができる。このような複数のＬＤチップを点灯可能なＬＤをマルチビームＬＤ（Ｍｕｌｔｉ  ＢｅａｍＬＤ）という。しかし、マルチビームＬＤを使用して解像度の切り換えを行う場合には、ＬＤチップの配置間隔が一定であるため、スキャナモータの回転数を変えただけでは希望の解像度を得ることができない。これを解消するために、照射する光ビームの本数を複数／単数（Ｍｕｌｔｉ／Ｓｉｎｇｌｅ）に切り換える必要が生じた。
【０００４】
このため、マルチビームＬＤを光源として使用した光走査装置では、走査密度を切り換えるときに、使用するレーザ発光源の数を切り換えていた（特許文献１参照）。このように、走査密度に応じて複数のレーザ発光源を切り換えることで、ポリゴンミラーの回転数を例えば１万回転以下に抑えることができる。従って、ポリゴンミラー及びスキャナモータのコストアップを防止して、小型化が可能となる。
【０００５】
ところで、一般に単位時間あたりの感光材料の必要光量は、プロセススピードとスキャン長との積で決まる。スキャン長は、同一の感光材料ならば大きく変更されないため、従来の  Ｓｉｎｇｌｅ  ＢａｒｍＬＤでは、解像度が変化してもプロセススピードが変わらなければ光量を大きく変化させる必要がない。
【０００６】
しかしながら、Ｎ個のＬＤを有するマルチビームＬＤを使用し、解像度の切り換えをＭｕｌｔｉ／Ｓｉｎｇｌｅ点灯の切り換えによって行う場合には、Ｓｉｎｇｌｅ点灯はＭｕｌｔｉ  点灯のＮ倍の光量が必要となる。一般のＬＤ電流駆動素子（以下、ＬＤ  ＤＲＩＶＥＲ  ；ＬＤＤと略す）では光量可変範囲は決まっており、Ｍｕｌｔｉ／Ｓｉｎｇｌｅ点灯の両方に対応できる光量可変範囲は有していない。光量が対応する量でない場合には、必要な光量になるまで照射時間を調整する必要があり、処理の高速化の妨げになっていた。
【０００７】
このための技術として、従来より、走査密度を切換えるときに、走査密度切換え信号に同期して、使用するレーザの発生源の数と共に、光量可変範囲を切換える技術がある（特許文献２参照）。詳しくは、ＬＤの出力光量をモニタする光量調整手段の検出感度を切換えることで、光量可変範囲を切換えるようになっている。
【０００８】
【特許文献１】
特開平１−２９９０４２号公報
【特許文献２】
特開平１０−２１３７７１号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来技術では、光量可変範囲を切換えるための切換え手段を設ける必要であり、その分だけ切換え信号を供給するためのラインが増え且つ回路構成が複雑になってしまうという問題があった。
【００１０】
本発明は上記問題点を解消するためになされたもので、複数の光ビームを出力可能な光源の光量可変範囲を簡単な構成で変更可能な光走査装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の光走査装置は、複数の発光点を備え、複数の光ビームを出力可能なレーザダイオードと、前記レーザダイオードから出力された前記光ビームを走査させる走査光学系と、前記レーザダイオードの出力光量を検出する検出手段と、前記検出手段による検出光量に基づいて前記発光点の光量制御を行なって、前記レーザダイオードを点灯駆動する駆動手段と、前記光量制御後の光量で少なくとも１つの発光点を点灯させた状態で、他の発光点を光量制御対象として点灯して、前記光量制御を行うように前記駆動手段を制御する制御手段と、を備えたことを特徴としている。
【００１２】
請求項１に記載の光走査装置によれば、複数の発光点を備えたレーザダイオードを光源として用いており、複数の光ビームを走査光学系により同時走査可能となっている。このレーザダイオードは、検出手段によりその出力光量が検出され、駆動手段により、この検出光量に基づいて発光点の光量制御が行われて、点灯駆動されるので、光走査装置では所望光量で被走査面を走査することができる。
【００１３】
駆動手段では、制御手段の制御により、少なくとも１つの発光点を光量制御後の光量で点灯させた状態で、他の発光点を光量制御対象として点灯し、当該他の発光点の光量制御を行なう。すなわち、光量制御対象の発光点だけではなく、光量制御後の発光点も同時に点灯されて光量制御が行われる。したがって、このとき検出手段では、光量制御対象の発光点からの出力光量と、光量制御対象以外の発光点からの出力光量とを足し合わせた光量を検出し、駆動手段では、この検出光量が予め設定された所定の制御値、詳しくは光量制御対象の発光点の制御目標とする所望の光量に、光量制御対象以外の発光点の光量制御後の光量を足し合わせた光量となるように、光量制御対象の発光点の光量制御を行うことになる。
【００１４】
このように光量制御対象以外の発光点を同時に点灯させ、当該光量制御対象以外の発光点からの出力光も足し合わせて検出することで、光量制御対象の発光点のみでは駆動手段での制御可能な光量未満であっても、全体の検出光量を制御可能な光量以上にすることができ、光量制御対象の発光点の出力光量を制御可能な光量未満の所望の光量に制御することができる。すなわち、光量可変範囲を切換える切換え手段を設けずとも、駆動手段の光量可変範囲を低光量側に拡大することができる。
【００１５】
なお、上記の光走査装置においては、請求項２に記載されているように、前記制御手段が、前記複数の発光点の何れか１つの発光点を点灯させて、前記検出光量が第１の光量となるように、当該１つの発光点の光量制御を行った後、前記１つの発光点を光量制御後の光量で点灯させた状態で、光量制御対象として前記１つの発光点以外の発光点を順次切替えて点灯し、前記検出光量が前記第１の光量より大きい第２の光量となるように、前記１つの発光点以外の各発光点の光量制御を実行し、前記１つの発光点以外の全発光点を各々光量制御後の光量で点灯させた状態で、光量制御対象として前記１つの発光点を点灯し、前記検出光量が第３の光量となるように、前記１つの発光点の光量制御を実行する、ようにすれば、全ての発光点を制御可能な光量未満の所望の光量に制御することができる。この場合、請求項３に記載されているように、前記第１の光量が、前記駆動手段で制御可能な光量下限値であるとよい。
【００１６】
また、上記の光走査装置においては、請求項４に記載されているように、光量制御対象の発光点に応じて、前記検出手段の検出感度を補正する補正手段を更に備え、前記制御手段は、前記補正手段による補正量に応じて、前記光量制御の制御値とする前記検出光量を変更する、ようにしてもよい。
【００１７】
ここで、発光点１つ当たりの必要光量が制御可能な光量下限値以上の場合は、通常の光量制御、すなわち、制御対象の発光点のみを点灯させて、検出手段による検出光量が所定の制御値となるように、当該発光点を制御可能な光量下限値以上の所望の光量に制御することができる。
【００１８】
このため、上記の光走査装置においては、請求項５に記載されているように、前記制御手段は、前記発光点１つ当たりの必要光量が制御可能な光量下限値未満の場合に、前記制御、すなわち少なくとも１つの発光点を前記光量制御後の光量で点灯させた状態で、他の発光点を点灯し、当該他の発光点の光量制御を行うように駆動手段の動作を制御すればよい。また、請求項６に記載されているように、前記制御手段は、解像度の切替えを示す解像度切り替え信号に応じて、前記発光点１つ当たりの必要光量を設定すればよい。
【００１９】
【発明の実施の形態】
次に、図面を参照して本発明に係る実施形態の１例を詳細に説明する。
【００２０】
［第１の実施の形態］
図１に、本発明の第１の実施の形態に係る光走査装置１００を示す。この光走査装置１００は、所定速度で矢印Ａ方向に回転する円筒形の感光体１０を備えた画像形成装置に搭載され、感光体１０の軸線方向に光ビームを走査して該感光体１０上に静電潜像を形成するために用いられる。また、この光走査装置１００を搭載した画像形成装置は、解像度の切替え機能を備えており、以下では、一例として、画像の解像度を６００ｄｐｉと１２００ｄｐｉとで切替え可能な場合を例に説明する。
【００２１】
光走査装置１００は、図１に示すように、光源として、半導体レーザ１０２を備えている。半導体レーザ１０２は、２つのＬＤチップＬＤ１、ＬＤ２（図２参照）を発光点として備えたいわゆるマルチレーザダイオードであり（以下、半導体レーザのことをマルチレーザダイオードと称す）、２本の光ビームを出力可能である。すなわち、本実施形態に係る光走査装置１００は、マルチレーザダイオード１０２から出力された２本の光ビームを同時に走査可能である。なお、この２つの光ビームは、図１において紙面手前奥方向に配置されているため、重なり合って図示されている。
【００２２】
具体的には、ＬＤチップＬＤ１、ＬＤ２は、各々から出力された２本の光ビームが後述する光走査装置１００の走査光学系により感光体１０上に走査された場合に、互いの光ビームの中心位置が、１２００ｄｐｉの間隔に相当する距離である２１μｍだけ、光ビームの走査方向に直交する副走査方向（感光体１０の回転方向である矢印Ａ方向）にずれるように離間されて配置されている。すなわち、光走査装置１００では、２本の光ビームを副走査方向に２１μｍずらして、同時に感光体１０を走査することができる。
【００２３】
また、マルチレーザダイオード１０２には、マルチレーザダイオード１０２から出力される光ビームの一部（例えば後方に出力された光ビーム）を検出する受光素子ＰＤ（図２参照）が検出手段として設けられている。受光素子ＰＤは、光電変換により、検出した光量、すなわちマルチレーザダイオード１０２の出力光量に比例した電流を出力する。この受光素子ＰＤの出力により、マルチレーザダイオード１０２の出力光量を把握することができる。
【００２４】
また、光走査装置１００は、偏向手段としてのポリゴンミラー１０８を含んで構成された以下のような走査光学系を備えている。すなわち、マルチレーザダイオード１０２から射出された光ビームの進行方向下流側には、コリメータレンズ１０４、シリンダレンズ１０６が順に配置されている。コリメータレンズ１０４はマルチレーザダイオード１０２から射出された光ビームを拡散光線から平行光線に変換する。コリメータレンズ１０４で平行光線に変換された光ビームは、シリンダレンズ１０６を介してポリゴンミラー１０８に入射される。
【００２５】
ポリゴンミラー１０８は、側面に複数の反射面１０８Ａが設けられた正多角形状（本実施の形態では正八角形）に形成されており、光ビームは、シリンダレンズ１０６によりこの反射面１０８Ａに収束されて入射されるようになっている。なお、シリンダレンズ１０６は、各反射面１０８Ａの面倒れを補正する役割も有する。
【００２６】
また、ポリゴンミラー１０８は、スキャナモータ１１０（図２参照）の回転駆動により、回転軸１０８Ｂを中心に矢印Ｂ方向に定速回転されている。この回転により、各反射面１０８Ａへの光ビームの入射角は、連続的に変化し、偏向される。これにより、感光体１０の軸線方向（矢印Ｃ方向）に走査して、光ビームが感光体１０に照射されることになる。
【００２７】
ポリゴンミラー１０８により反射された光ビームの進行方向には、第１レンズ１１２Ａ及び第２レンズ１１２Ｂから構成されたｆθレンズ１１２が順に配置されている。ポリゴンミラー１０８により反射された光ビームは、ｆθレンズ１１２を透過して感光体１０に照射される。このときｆθレンズ１１２により、感光体１０に光ビームを照射するときの走査速度が等速度になるとともに、感光体１０の周面上に結像点が結ばれるようになっている。このような走査光学系により、光走査装置１００では、マルチレーザダイオード１０２から射出された光ビームを感光体上に結像させて、一定速度で走査することができる。
【００２８】
本光走査装置１００が搭載される画像形成装置は、感光体１０と共に、帯電装置、現像器、転写器、定着装置などを一般に備え、帯電装置により一様に帯電された感光体１０に、光走査装置１００により上記の如く光ビームを主走査しながら照射すると共に、感光体１０の矢印Ａ方向への回転により副走査を行って、感光体１０に静電潜像を形成する。そして、形成された静電潜像を現像器により現像し、現像されたトナー像を転写器により用紙などの画像記録媒体に転写し、定着装置により定着処理を施した後、画像形成装置外に排出する。これにより、画像が記録された画像記録媒体を得ることができる。
【００２９】
また、光走査装置１００は、ｆθレンズ１１２と感光体１０の間で、感光体１０上の光ビームの走査軌跡Ｖの先頭部に相当する位置、ミラー１１４が配置されている。また、このミラー１１４の反射方向の感光体１０と略等価な位置には、走査タイミング検知手段として、フォトディテクタなどにより光を検出する光ビーム位置検出器１１６が配置されている。すなわち、感光体１０を走査する光ビームのうち走査軌跡先頭部の光ビームは、ミラー１１４により反射されて、光ビーム位置検出器１１６へと案内されるようになっている。これにより、光ビーム位置検出器１１６には、マルチレーザダイオード１０２から出力された光ビームが感光体１０を軸線方向に走査するごとに、感光体１０に照射されるべき先頭の光ビームが入射されることになる。
【００３０】
光ビーム位置検出器１１６では、入射光の検出により、光走査装置１００による感光体１０への光ビームの１走査ごとの走査開始タイミングを示す信号（ＳＯＳ信号）を出力すると共に、入射した光ビームの光量も検知するようになっている。
【００３１】
次に、図２を参照して、光走査装置１００を駆動するための電気系の構成を説明する。
【００３２】
図２に示すようにマルチレーザダイオード１０２は、マルチレーザダイオード１０２を駆動（点灯）する駆動手段としての駆動回路（以下、ＬＤＤ）１２０を介して、光走査装置１００全体の動作を制御し、本発明の制御手段として機能する制御回路１２２と接続されている。
【００３３】
この制御回路１２２は、画像処理装置１２４及び解像度切換えスイッチ１２６と接続されている。画像処理装置１２４は、画像形成装置で形成すべき画像データを制御回路１２２に出力するものである。解像度切換えスイッチ１２６は、所定の走査によって形成する画像の解像度（６００ｄｐｉ／１２００ｄｐｉ）の切換えを実行させる解像度信号を制御回路１２２に出力するものである。これら画像処理装置１２４及び解像度切換えスイッチ１２６は、本光走査装置１００が搭載された画像処理装置に搭載されており、光走査装置１００を画像形成装置に搭載した際に、制御回路１２２と画像処理装置１２４及び解像度切換えスイッチ１２６とが接続されるようになっている。
【００３４】
また、制御回路１２２は、光走査装置１００内の前述した光ビーム位置検出器１１６とも接続されており、光ビーム位置検出器１１６から出力されたＳＯＳ信号も入力されるようになっている。
【００３５】
制御回路１２２は、これら画像データ、解像度信号、ＳＯＳ信号に応じて、画像データに基づく画像が感光体１０に形成されるように、各種制御信号を生成してＬＤＤ１２０に供給することによりマルチレーザダイオード１０２の点灯を制御する。制御回路１２２からＬＤＤ１２０に供給する制御信号としては、具体的には、イネーブル信号ＥＮＢ、基準電圧Ｖｒｅｆ、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ１、Ｐｃｏｎｔ２、画像信号ＤＡＴＡ１、ＤＡＴＡ２がある。これらの制御信号は、マルチレーザダイオード１０２の点灯を制御するために一般にＬＤＤ１２０に供給されるものである。
【００３６】
なお、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ１、Ｐｃｏｎｔ２、画像信号ＤＡＴＡ１、ＤＡＴＡ２の符号末尾の数字（１、２）は、対応するＬＤチップＬＤ１、ＬＤ２を表している。なお、特に区別しない場合には、符号末尾の数字は省略して説明する。
【００３７】
イネーブル信号ＥＮＢは、ＬＤＤ１２０の動作を許可する信号であり、本実施の形態では、ＬレベルのときにＬＤＤ１２０の動作を許可し、ＨレベルのときにＬＤＤ１２０の動作を停止させるようになっている。
【００３８】
ＬＤＤ１２０は、イネーブル信号ＥＮＢにより動作が許可されている期間のみ、マルチレーザダイオード１０２のＬＤチップＬＤ１、ＬＤ２に駆動電流を供給して、ＬＤチップＬＤ１、ＬＤ２を点灯させることが可能となる。ＬＤチップＬＤ１、ＬＤ２は、供給された駆動電流に応じた光量で発光し、これにより、マルチレーザダイオード１０２から光ビームが出力されることになる。なお、このときの出力光量は受光素子ＰＤによりモニタされ、ＬＤＤ１２０には、受光素子ＰＤから出力光量に応じた電流が入力されるようになっている。
【００３９】
ＬＤＤ１２０は、受光素子ＰＤから入力されたこの出力光量に応じた電流を用いて、マルチレーザダイオード１０２の各発光チップＬＤ１、ＬＤ２から出力される光ビームの光量（出力光量）を制御するための光量制御回路１３０を備えている。
【００４０】
詳しくは、この光量制御回路１３０では、受光素子ＰＤからの出力を電流電圧変換すると共に増幅してモニタ電圧を生成する。この生成したモニタ電圧を、制御回路１２２から供給される基準電圧Ｖｒｅｆと比較して、両者が一致するようにＬＤチップＬＤ１、ＬＤ２へ供給する駆動電流値を調整することで、各々の発光光量を制御する。したがって、制御回路１２２では、ＬＤＤ１２０の光量可変範囲内であれば、基準電圧Ｖｒｅｆの値を変化させることによって、出力光量を変化させることができる。
【００４１】
光量制御信号Ｐｃｏｎｔは、光量制御回路１３０によるＬＤチップＬＤ１、ＬＤ２の光量制御をＬＤＤ１２０に開始させるための信号である。ＬＤＤ１２０は、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ１がアクティブレベル（本実施の形態ではＬレベル）のときに、ＬＤチップＬＤ１を点灯させてＬＤチップＬＤ１の光量制御を行い、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ２がアクティブレベル（本実施の形態ではＬレベル）のときに、ＬＤチップＬＤ２を点灯させてＬＤチップＬＤ２の光量制御を行う。
【００４２】
ここで、マルチレーザダイオード１０２は、図２に示すように受光素子ＰＤを１つしか一般に備えておらず、ＬＤＤ１２０では、ＬＤチップＬＤ１とＬＤチップＬＤ２とを同時に光量制御することはできない。このため、制御回路１２２では、ＬＤチップＬＤ１とＬＤチップＬＤ２とで、別々の光量制御信号Ｐｃｏｎｔ１、Ｐｃｏｎｔ２を供給して、ＬＤチップＬＤ１、ＬＤ２が同時に光量制御されないように光量制御タイミングをコントロールしている。
【００４３】
画像信号ＤＡＴＡは、画像処理装置１２４から入力された画像データに基づいてＬＤチップＬＤ１、ＬＤ２の点灯をＯＮ／ＯＦＦするための信号である。ＬＤＤ１２０は、画像信号ＤＡＴＡ１がアクティブレベル（本実施の形態ではＨレベル）のときに、光量制御により調整した値の駆動電流をＬＤチップＬＤ１へ供給して、ＬＤチップＬＤ１を光量制御後の光量で発光させる。また、ＬＤＤ１２０は、画像信号ＤＡＴＡ２がアクティブレベル（本実施の形態ではＨレベル）のときに、光量制御により調整した値の駆動電流をＬＤチップＬＤ２に供給し、ＬＤチップＬＤ２を上記の光量制御後の光量で発光させる。なお、この画像信号ＤＡＴＡ１、ＤＡＴＡ２は、それぞれ対応するＬＤチップＬＤ１、ＬＤ２の光量制御信号Ｐｃｏｎｔ１、Ｐｃｏｎｔ２がノンアクティブレベル（本実施の形態ではＨレベル）のときに有効になる。
【００４４】
制御回路１２２では、図３（Ａ）に示すように、上記の光量制御信号Ｐｃｏｎｔ１、Ｐｃｏｎｔ２、及び画像信号ＤＡＴＡ１、ＤＡＴＡ２を、ＳＯＳ信号の入力からそれぞれ予め定められた所定時間経過後に出力し、互いの信号による点灯タイミングがずらされるようになっている。すなわち、制御回路１２２では、ＳＯＳ信号に同期して、ＬＤチップＬＤ１、ＬＤ２の光量制御開始タイミング、及びＬＤチップＬＤ１、ＬＤ２からの画像データに基づく光ビームの出力による感光体１０への画像書き込みタイミングを制御している。これにより、光ビームの１走査期間内で、画像データに基づく点灯により感光体１０に画像を書き込む画像形成領域２００外の非画像形成領域２０２を光ビームが走査しているタイミングでＬＤチップの光量制御が行われることになる（図３（Ｂ）参照）。
【００４５】
ここで、本実施形態に係る光走査装置１００では、前述した如く解像度切換えスイッチ１２６から解像度信号が入力されるようになっており、解像度切換えスイッチ１２６の所定操作により解像度が切換えられると、切換え後の解像度を示す解像度信号が制御回路１２２に入力される。制御回路１２２では、入力された解像度信号が示す解像度に応じて、出力ビームを１本とするＳｉｎｇｌｅモードと、出力ビームを２本とするＭｕｌｔｉモードとの何れか一方を選択して、モードを切り換えるようになっている。
【００４６】
Ｓｉｎｇｌｅモード選択時には、制御回路１２２では、入力された画像データに基づいて画像信号ＤＡＴＡ１を生成し、ＳＯＳ信号に同期して、マルチレーザダイオード１０２に供給する。これにより、光走査装置１００では、マルチレーザダイオード１０２のＬＤチップＬＤ１（又はＬＤチップＬＤ２）のみが画像データに基づいて点灯されて、ＬＤチップＬＤ１（又はＬＤチップＬＤ２）から出力された１本の出力ビームにより感光体１０を走査露光し、１走査毎に１走査ラインずつ感光体１０に画像を書き込む。このように出力ビームが１本のときの走査間隔は、６００ｄｐｉに相当する４２μｍとなる。
【００４７】
Ｍｕｌｔｉモード選択時には、制御回路１２２では、入力された画像データに基づいて、１走査ライン分づつ交互に画像信号ＤＡＴＡ１、画像信号ＤＡＴＡ２を生成し、生成した画像信号ＤＡＴＡ１、画像信号ＤＡＴＡ２をＳＯＳ信号に同期してマルチレーザダイオード１０２に供給する。これにより、光走査装置１００では、マルチレーザダイオード１０２のＬＤチップＬＤ１及びＬＤチップＬＤ２が互いに隣接する走査ラインの画像データに基づいて点灯されて、ＬＤチップＬＤ１及びＬＤチップＬＤ２から出力された２本の出力ビームにより感光体１０を走査露光し、１走査毎に２走査ラインずつ感光体１０に画像を書き込む。このように出力ビームが２本のときの走査間隔は、１２００ｄｐｉに相当する２１μｍとなる。
【００４８】
すなわち、解像度信号が示す解像度が６００の場合にはＳｉｎｇｌｅモードを選択し、１２００ｄｐｉの場合にはＭｕｌｔｉモードを選択することで、感光体１０に書き込む画像の解像度を切換えることができる。
【００４９】
また、制御回路１２２には、図２に示すように、スキャナモータ１１０も接続されている。制御回路１２２は、スキャナモータ１１０の駆動、すなわちポリゴンミラー１０８の回転及びその回転速度を制御する。
【００５０】
次に、本実施の形態の作用について説明する。まず、光走査装置１００の概略について説明する。
【００５１】
光走査装置１００では、スキャナモータ１１０を駆動し、ポリゴンミラー１０８を所定速度で定速回転させる。ポリゴンミラー１０８が定速回転されると、制御回路１２２によりイネーブル信号ＥＮＢがＬレベルにされて、ＬＤＤ１２０の駆動が許可される。これにより、マルチレーザダイオード１０２（ＬＤチップＬＤ１、ＬＤ２）を点灯することが可能となる。光ビーム位置検出器１１６に光ビームが入射するように、マルチレーザダイオード１０２を点灯させる。これにより、光ビームの１走査毎にＳＯＳ信号が得られる。
【００５２】
光走査装置１００では、解像度切換えスイッチ１２６からの解像度信号に応じて、詳しくは、解像度信号が６００ｄｐｉを示すものである場合には、出力ビームを１本とするＳｉｎｇｌｅモードを選択し、１２００ｄｐｉを示すものである場合には出力ビームを２本とするＭｕｌｔｉモードを選択する。
【００５３】
そして、光走査装置１００では、ＳＯＳ信号と同期させて、１走査期間のうち光ビームが非画像形成領域２０２を走査しているタイミングで、基準電圧Ｖｒｅｆに相当する光量となるように、Ｓｉｎｇｌｅモード選択時は光量制御信号Ｐｃｏｎｔ１をＬレベルにしてＬＤチップＬＤ１の光量制御を実行し、Ｍｕｌｔｉモード選択時は光量制御信号Ｐｃｏｎｔ１、Ｐｃｏｎｔ２をＬレベルにして、ＬＤチップＬＤ１、ＬＤ２の光量制御を実行する。
【００５４】
ただし、Ｍｕｌｔｉモード選択時は、マルチレーザダイオード１０２が備えている受光素子ＰＤは１つのみであるため、ＬＤチップＬＤ１、ＬＤ２の光量制御を同時に行うことはできない。このため、図３（Ａ）に示すように、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ１、Ｐｃｏｎｔ２をＬレベルにするタイミングをずらして、ＬＤチップＬＤ１、ＬＤ２の光量制御を行う。なお、図３は、ＬＤチップＬＤ２、ＬＤチップＬＤ１の順で光量制御を行う例を示している。また、図３は、光量制御のために点灯したＬＤチップＬＤ１から出力された光ビームをＳＯＳ信号を得るためにも利用している。
【００５５】
そして、光量制御終了後、Ｓｉｎｇｌｅモード選択時は、画像処理装置１２４から入力された画像データに基づいて、各走査ラインの画像信号ＤＡＴＡ１を生成し、ＳＯＳ信号と同期させて、ＬＤＤ１２０に出力する。ＬＤＤ１２０では、入力された画像信号ＤＡＴＡ１に基づいて、マルチレーザダイオード１０２のＬＤチップＬＤ１を点灯する。これによりＬＤチップＬＤ１が画像データに基づいて点灯されて、マルチレーザダイオード１０２から画像データに基づいて変調された１本の光ビームが出力される。
【００５６】
一方、Ｍｕｌｔｉモード選択時は、画像処理装置１２４から入力された画像データに基づいて、走査ライン毎に交互に画像信号ＤＡＴＡ１、画像信号ＤＡＴＡ２を生成し、ＳＯＳ信号と同期させて、ＬＤＤ１２０に出力する。ＬＤＤ１２０では、入力された画像信号ＤＡＴＡ１、ＤＡＴＡ２に基づいて、マルチレーザダイオード１０２のＬＤチップＬＤ１、ＬＤ２をそれぞれ点灯する。これによりＬＤチップＬＤ１、ＬＤ２が互いに隣接する走査ラインの画像データに基づいて点灯されて、マルチレーザダイオード１０２から画像データに基づいて変調された２本の光ビームが出力される。
【００５７】
マルチレーザダイオード１０２からの出力ビームは、光走査装置１００の走査光学系を介して感光体１０に走査しながら照射される。これにより、画像データに基づいて変調された光ビームにより感光体１０が走査露光され、１回の走査により、Ｓｉｎｇｌｅモード選択時は１走査ラインずつ、Ｍｕｌｔｉモード選択時は２走査ラインずつ感光体１０に画像が書き込まれる（静電潜像が形成される）ことになる。
【００５８】
このように光走査装置１００では、１走査ライン毎に光量制御を行った上で、画像データに基づく点灯がなされるようになっている。これにより、常に安定した光量の光ビームで感光体１０を走査露光して、画像を書き込むことができる。
【００５９】
ここで、感光体に照射する光ビームを解像度が６００ｄｐｉのときは１本（Ｓｉｎｇｌｅ）にし、解像度が１２００ｄｐｉのときは２本（Ｍｕｌｔｉ）にして解像度を切換える場合の感光体の必要光量とＬＤＤの光量可変範囲の関係を図４に示す。なお、図４は、画像形成のために感光体が必要とする必要光量を３〜１０ｎｊ／ｍｍ２とした場合の例である。
【００６０】
図４に示すように、Ｓｉｎｇｌｅ／Ｍｕｌｔｉのモード切換えによって解像度を切換える場合、１２００ｄｐｉのときは２本の光ビームで画像を形成するため、光ビーム１本当たりの必要光量、すなわちＬＤチップ１つ当たりの必要光量は、１本の光ビームで形成する６００ｄｐｉときの１／２で良い。具体的には、６００ｄｐｉの場合は、３〜１０ｎｊ／ｍｍ２の範囲内の光量に相当する基準電圧Ｖｒｅｆを設定して光ビームの光量制御を行えばよいが、１２００ｄｐｉの場合には、その半分となる１．５〜５ｎｊ／ｍｍ２の範囲内の光量に相当する基準電圧Ｖｒｅｆを設定して各光ビームの光量を設定する必要がある。
【００６１】
ここで、ＬＤＤ１２０の光量可変範囲が３〜１０ｎｊ／ｍｍ２であり、この光量範囲に相当する基準電圧Ｖｒｅｆの範囲（制御可能範囲）が０．６〜２．０Ｖであるとすると、１２００ｄｐｉのときに基準電圧Ｖｒｅｆを０．６Ｖ未満、すなわち３ｎｊ／ｍｍ２未満では光量を制御することができない。
【００６２】
参考までに、従来技術では、Ｍｕｌｔｉモード選択時には、受光素子ＰＤの感度を上げる（例えば２倍にする）ことで、可変光量範囲を低光量域側に広げていた。これにより、図１０に示すように、０．６Ｖ未満に相当する光量であっても、モニタ電圧が０．６Ｖ以上となるようにでき、ＬＤチップＬＤ１、ＬＤ２の出力光量を０．６Ｖ未満、すなわち３ｎｊ／ｍｍ２未満の光量に制御していた。なお、図１０は、受光素子ＰＤによるマルチレーザダイオード１０２からの出力光量のモニタリングで得られるモニタ電圧（Ａ）、及び、１走査期間中の光ビームが非画像形成領域を走査しているときに制御回路１２２から出力される制御信号のタイミングチャート（Ｂ）を示している。
【００６３】
これに対して、本実施形態の光走査装置では、解像度が１２００ｄｐｉの場合、すなわちＭｕｌｔｉモード選択時は、図５に示す如くマルチレーザダイオード１０２の光量制御を行う。なお、図５は、受光素子ＰＤによるマルチレーザダイオード１０２からの出力光量のモニタリングで得られるモニタ電圧（Ａ）、及び、１走査期間中の光ビームが非画像形成領域を走査しているときに制御回路１２２から出力される制御信号のタイミングチャート（Ｂ）を示している。なお、前述したように、Ｍｕｌｔｉモードでは、各ＬＤチップからの出力光量を、感光体１０に画像を形成するために必要とされる必要光量のそれぞれ１／２にする必要があり、図５は、ＬＤＤ１２０で制御可能な光量の下限値を感光体１０の必要光量とし、当該光量に相当する基準電圧をＶｒｅｆ０（＝０．６Ｖ）とした場合を示している。以下の説明においては、具体的な基準電圧値を括弧内に示す。
【００６４】
すなわち、図５に示すように、Ｍｕｌｔｉモード選択時には、まず、基準電圧ＶｒｅｆをＬＤＤ１２０で制御可能な光量の下限値に相当するＶｒｅｆ０にする。すなわちＶｒｅｆ＝Ｖｒｅｆ０（＝０．６Ｖ）に設定される。このように基準電圧Ｖｒｅｆを設定した状態で、ＳＯＳ信号（図５では省略）から所定タイミング経過後に、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ１をＨレベルからＬレベルにする。なお、このときの基準電圧Ｖｒｅｆの設定値は、ＬＤＤ１２０で制御可能な光量範囲に相当する０．６〜２．０Ｖ内の値であればよい。
【００６５】
これにより、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ１の立下りからＬＤチップＬＤ１の点灯が開始され、受光素子ＰＤによりその出力光量がモニタされて、モニタ電圧が基準電圧Ｖｒｅｆ＝Ｖｒｅｆ０（＝０．６Ｖ）と略一致するように、ＬＤチップＬＤ１の出力光量が制御（この光量制御を初期光量制御と称す）される（期間Ｔ１）。なお、この初期光量制御の制御値であるＶｒｅｆ０に相当する光量が、本発明の第１の光量に対応する。
【００６６】
初期光量制御後は、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ１をＨレベルに戻し、基準電圧Ｖｒｅｆの値を感光体の要求光量の１／２に相当する分Ｖｒｅｆαだけ増加させる。具体的に、本例では、感光体の要求光量をＶｒｅｆ０に相当する光量としているため、Ｖｒｅｆα＝（Ｖｒｅｆ０）／２（＝０．３Ｖ）となり、Ｖｒｅｆ＝Ｖｒｅｆ０＋Ｖｒｅｆα（＝０．９Ｖ）に設定される。なお、Ｖｒｅｆαは、ＬＤＤ１２０の制御可能な光量の下限値の１／２以上で且つ当該下限値未満であれば、任意の値に設定可能である。
【００６７】
このように基準電圧Ｖｒｅｆ値を切換えた後、画像信号ＤＡＴＡ１をＨレベルにすると共に、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ２をＬレベルにする。これにより、画像信号ＤＡＴＡ１の立ち上がりから、ＬＤチップＬＤ１が前述の初期光量制御後の光量で点灯されると共に、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ２の立下りからＬＤチップＬＤ２の点灯が開始され、モニタ電圧が基準電圧Ｖｒｅｆ＝Ｖｒｅｆ０＋Ｖｒｅｆαと略一致するように、ＬＤチップＬＤ２の出力光量が制御（この光量制御をＬＤチップＬＤ２の光量制御と称す）される（期間Ｔ２）。なお、このＬＤチップＬＤ２の光量制御の制御値であるＶｒｅｆ０＋Ｖｒｅｆαに相当する光量が、本発明の第２の光量に対応する。
【００６８】
このＬＤチップＬＤ２の光量制御では、ＬＤチップＬＤ１の出力光量とＬＤチップＬＤ２の出力光量とが足し合わせされて受光素子ＰＤによりモニタされ、ＬＤチップＬＤ１からは初期制御後の光量、すなわちＶｒｅｆ０に相当する光量が出力されているので、モニタ電圧が基準電圧Ｖｒｅｆ＝Ｖｒｅｆ０＋Ｖｒｅｆαと略一致するようにＬＤチップＬＤ２の光量を制御することにより、ＬＤチップＬＤ２の出力光量をＶｒｅｆαに相当する光量、すなわち感光体の必要光量の１／２に相当する光量に合わせることができる。
【００６９】
なお、前述の初期光量制御において、基準電圧Ｖｒｅｆの設定値をＶｒｅｆ０としてＬＤチップＬＤ１の光量を制御したのは、このＬＤチップＬＤ２の光量制御での制御可能な光量範囲を最大にするためである。
【００７０】
ＬＤチップＬＤ２の光量制御後は、画像信号ＤＡＴＡ１をＬレベルに、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ２をＨレベルに戻し、且つ基準電圧Ｖｒｅｆを感光体１０の必要光量に相当する電圧値に切換える。図５の例では、ＬＤＤ１２０で光量制御できる設定値の下限値Ｖｒｅｆ０（＝０．６Ｖ）を感光体１０の必要光量としているので、基準電圧Ｖｒｅｆの値をＶｒｅｆ０に戻す。すなわちＶｒｅｆ＝Ｖｒｅｆ０に設定される。
【００７１】
このように基準電圧Ｖｒｅｆ値を切換えた後、画像信号ＤＡＴＡ２をＨレベルにすると共に、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ１をＬレベルにする。これにより、画像信号ＤＡＴＡ２の立ち上がりから、ＬＤチップＬＤ２が前述のＬＤチップＬＤ２の光量制御後の光量で点灯されると共に、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ１の立下りからＬＤチップＬＤ１の点灯が開始され、モニタ電圧が基準電圧Ｖｒｅｆ＝Ｖｒｅｆ０と略一致するように、ＬＤチップＬＤ１の出力光量が制御（この光量制御をＬＤチップＬＤ１の光量制御と称す）される（期間Ｔ３）。
【００７２】
なお、ＬＤチップＬＤ１の光量制御時にＶｒｅｆ＝Ｖｒｅｆ０としたのは、感光体の要求光量をＶｒｅｆ０としたためであり、このＬＤチップＬＤ１の光量制御の制御値であるＶｒｅｆ０に相当する光量が、本発明の第３の光量に対応する。
【００７３】
このＬＤチップＬＤ１の光量制御では、ＬＤチップＬＤ１の出力光量とＬＤチップＬＤ２の出力光量とが足し合わせされて受光素子ＰＤによりモニタされ、ＬＤチップＬＤ２からはＬＤチップＬＤ２の光量制御後の光量、すなわちＶｒｅｆα＝（Ｖｒｅｆ０）／２（＝０．３Ｖ）に相当する光量が出力されているので、モニタ電圧が基準電圧Ｖｒｅｆ＝Ｖｒｅｆ０と略一致するようにＬＤチップＬＤ１の光量を制御することにより、ＬＤチップＬＤ１の出力光量をＶｒｅｆ−Ｖｒｅｆα＝（Ｖｒｅｆ０）／２（＝０．３Ｖ）に相当する光量、すなわち感光体の必要光量の１／２に相当する光量に合わせることができる。
【００７４】
このＬＤチップＬＤ１の光量制御後は、画像信号ＤＡＴＡ２をＬレベルに、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ１をＨレベルに戻す。その後は、図５では省略するが、ＳＯＳ信号から所定タイミング経過したら、画像信号ＤＡＴＡ１、ＤＡＴＡ２をＬＤＤ１２０へ供給して、ＬＤチップＬＤ１、ＬＤ２を画像信号に基づいて点灯させる。これより、ＬＤチップＬＤ１はＬＤチップＬＤ１の光量制御後の光量、ＬＤチップＬＤ２はＬＤチップＬＤ２の光量制御後の光量で、すなわち、両者とも感光体１０の必要光量の半分の光量で、画像信号ＤＡＴＡ１、ＤＡＴＡ２に基づいて点灯されることになる。
【００７５】
このようにＭｕｌｔｉモード選択時にマルチレーザダイオード１０２の光量制御を行うことで、ＬＤチップＬＤ１、ＬＤ２の出力光量を、ＬＤＤ１２０で光量制御できる設定値の下限値Ｖｒｅｆ０（＝０．６Ｖ）よりも小さい所望の光量（上記例では感光体１０の必要光量の１／２）にそれぞれ制御することができる。すなわちＬＤＤ１２０に光量可変範囲を切換える切換え手段を設けずとも、従来より光走査装置１００において、マルチレーザダイオード１０２の点灯を制御するためにＬＤＤ１２０に供給される一般的な制御信号（基準電圧Ｖｒｅｆ、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ１、Ｐｃｏｎｔ２、画像信号ＤＡＴＡ１、ＤＡＴＡ２）の信号値や出力タイミングの制御のみで、ＬＤＤ１２０の光量可変範囲を広げることができる。
【００７６】
なお、上記では、発光点としてのＬＤチップを２つ備えたマルチレーザダイオード（いわゆるＤｕａｌ  ＬＤ）を光源として用い、高解像度時にはＭｕｌｔｉモードを選択して２本の光ビームで同時走査する光走査装置１００を例に説明したが、本発明は、発光点及び同時走査時の光ビームの本数をこれに限定されるものではない。
【００７７】
［変形例］
次に、第１の実施の形態の変形例として、４つのＬＤチップを備えたマルチレーザダイオードを光源として用い、高解像度時には、Ｍｕｌｔｉモードを選択して、４本の光ビームで同時走査する場合について説明する。なお、以下では、第１の実施の形態と同一の部材については同一の符号を付与し、以下では詳細な説明を省略する。
【００７８】
この場合の光走査装置１００は、図６に示すように、マルチレーザダイオード１０２がＬＤチップＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤチップＬＤ３、ＬＤチップＬＤ４の４つのＬＤチップを備え、制御回路１２２からＬＤＤ１２０には、ＬＤチップＬＤ１〜４を光量制御するための光量制御信号Ｐｃｏｎｔ１〜４、画像データに基づいて点灯させるための画像信号ＤＡＴＡ１〜４が供給される点が第１の実施の形態と異なる。なお、各信号の符号末尾の数字（１〜４）は、対応するＬＤを示す。
【００７９】
このような光走査装置１００では、Ｍｕｌｔｉモード選択時には、図７に示す如く光量制御を行えばよい。なお、Ｍｕｌｔｉモードのときは、Ｓｉｎｇｌｅモードのときの１／４の光量に各ＬＤの出力光量を制御する必要があり、以下では、感光体の必要光量をＬＤＤ１２０で光量制御できる設定値の下限値Ｖｒｅｆ０（＝０．６Ｖ）とした場合を説明する。
【００８０】
図７に示すように、Ｍｕｌｔｉモード選択時には、まず、基準電圧ＶｒｅｆをＬＤＤ１２０で光量制御できる設定値の下限値Ｖｒｅｆ０（＝０．６Ｖ）とした状態で、ＳＯＳ信号（図７では省略）から所定タイミング経過後に、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ１をＨレベルからＬレベルにする。
【００８１】
これにより、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ１の立下りからＬＤチップＬＤ１の点灯が開始され、受光素子ＰＤによりその出力光量がモニタされて、モニタ電圧が基準電圧Ｖｒｅｆ、すなわちＶｒｅｆ０と略一致するように、ＬＤチップＬＤ１の出力光量が制御（この光量制御を初期光量制御と称す）される（期間Ｔ１）。
【００８２】
初期光量制御後は、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ１をＨレベルに戻し、基準電圧Ｖｒｅｆの値を各ＬＤの設定光量に相当する分Ｖｒｅｆβだけ増加させる。すなわちＶｒｅｆ＝Ｖｒｅｆ０＋Ｖｒｅｆβに設定される。なお、感光体の必要光量をＬＤＤ１２０で光量制御できる設定値の下限値Ｖｒｅｆ０（＝０．６Ｖ）とした場合、前述したようにＭｕｌｔｉモードでは、Ｓｉｎｇｌｅモードのときの１／４の光量に各ＬＤの出力光量を制御する必要があるので、Ｖｒｅｆβ＝（Ｖｒｅｆ０）／４（＝０．１５Ｖ）となる。
【００８３】
このように基準電圧Ｖｒｅｆ値を切換えた後、画像信号ＤＡＴＡ１をＨレベルにすると共に、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ２をＬレベルにする。これにより、画像信号ＤＡＴＡ１の立ち上がりから、ＬＤチップＬＤ１が前述の初期光量制御後の光量で点灯されると共に、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ２の立下りからＬＤチップＬＤ２の点灯が開始され、モニタ電圧が基準電圧Ｖｒｅｆ＝Ｖｒｅｆ０＋Ｖｒｅｆβと略一致するように、ＬＤチップＬＤ２の出力光量が制御（この光量制御をＬＤチップＬＤ２の光量制御と称す）される（期間Ｔ２１）。
【００８４】
このＬＤチップＬＤ２の光量制御では、ＬＤチップＬＤ１の出力光量とＬＤチップＬＤ２の出力光量とが足し合わせされて受光素子ＰＤによりモニタされ、ＬＤチップＬＤ１からは初期制御後の光量、すなわちＶｒｅｆ０に相当する光量が出力されているので、モニタ電圧が基準電圧Ｖｒｅｆ＝Ｖｒｅｆ０＋Ｖｒｅｆβと略一致するようにＬＤチップＬＤ２の光量を制御することにより、ＬＤチップＬＤ２の出力光量をＶｒｅｆβに相当する光量、すなわち感光体の必要光量の１／４に相当する光量に合わせることができる。
【００８５】
ＬＤチップＬＤ２の光量制御後は、画像信号ＤＡＴＡ１をＬレベルに、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ２をＨレベルに戻す。また、基準電圧Ｖｒｅｆの値は切換えずに、そのままの値、すなわちＶｒｅｆ＝Ｖｒｅｆ０＋Ｖｒｅｆβの設定を維持する。
【００８６】
そして、画像信号ＤＡＴＡ１をＨレベルにすると共に、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ３をＬレベルにする。これにより、ＬＤチップＬＤ２の光量制御のときと同様に、画像信号ＤＡＴＡ１の立ち上がりから、ＬＤチップＬＤ１が前述の初期光量制御後の光量で点灯されると共に、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ３の立下りからＬＤチップＬＤ３の点灯が開始され、モニタ電圧が基準電圧Ｖｒｅｆ＝Ｖｒｅｆ０＋Ｖｒｅｆβと略一致するように、ＬＤチップＬＤ２の出力光量が制御（この光量制御をＬＤチップＬＤ３の光量制御と称す）される（期間Ｔ２２）。
【００８７】
このＬＤチップＬＤ３の光量制御により、ＬＤチップＬＤ２の光量制御と同様に、ＬＤチップＬＤ１からは初期制御後の光量が出力されている状態で、モニタ電圧が基準電圧Ｖｒｅｆ＝Ｖｒｅｆ０＋Ｖｒｅｆβと略一致するようにＬＤチップＬＤ３の光量が制御されるので、ＬＤチップＬＤ３の出力光量をＶｒｅｆβに相当する光量、すなわち感光体の必要光量の１／４に相当する光量に合わせることができる。
【００８８】
ＬＤチップＬＤ３の光量制御後は、画像信号ＤＡＴＡ１をＬレベルに、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ３をＨレベルに戻す。また、基準電圧Ｖｒｅｆの値は切換えずに、そのままの値、すなわちＶｒｅｆ＝Ｖｒｅｆ０＋Ｖｒｅｆβの設定を維持する。
【００８９】
そして、画像信号ＤＡＴＡ１をＨレベルにすると共に、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ４をＬレベルにする。これにより、ＬＤチップＬＤ２の光量制御のときと同様に、画像信号ＤＡＴＡ１の立ち上がりから、ＬＤチップＬＤ１が同様に初期光量制御後の光量で点灯されると共に、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ４の立下りからＬＤチップＬＤ４の点灯が開始され、モニタ電圧が基準電圧Ｖｒｅｆ＝Ｖｒｅｆ０＋Ｖｒｅｆβと略一致するように、ＬＤチップＬＤ４の出力光量が制御（この光量制御をＬＤチップＬＤ４光量制御と称す）される（期間Ｔ２３）。
【００９０】
このＬＤチップＬＤ４光量制御により、ＬＤチップＬＤ２の光量制御と同様に、ＬＤチップＬＤ１からは初期制御後の光量が出力されている状態で、モニタ電圧が基準電圧Ｖｒｅｆ＝Ｖｒｅｆ０＋Ｖｒｅｆβと略一致するようにＬＤチップＬＤ４の光量が制御されるので、ＬＤチップＬＤ３の出力光量をＶｒｅｆβに相当する光量、すなわち感光体の必要光量の１／４に相当する光量に合わせることができる。
【００９１】
ＬＤチップＬＤ４の光量制御後は、画像信号ＤＡＴＡ１をＬレベルに、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ４をＨレベルに戻すと共に、基準電圧Ｖｒｅｆの値を、感光体の必要光量であるＶｒｅｆ０に切換える。すなわちＶｒｅｆ＝Ｖｒｅｆ０（＝０．６Ｖ）に設定される。
【００９２】
そして、画像信号ＤＡＴＡ２、ＤＡＴＡ３、ＤＡＴＡ４をＨレベルにすると共に、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ１をＬレベルにする。
【００９３】
これにより、画像信号ＤＡＴＡ２、ＤＡＴＡ３、ＤＡＴＡ４の立ち上がりから、ＬＤチップＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４が前述したそれぞれの光量制御後の光量で点灯されると共に、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ１の立下りからＬＤチップＬＤ１の点灯が開始され、モニタ電圧が基準電圧Ｖｒｅｆ＝Ｖｒｅｆ０と略一致するように、ＬＤチップＬＤ１の出力光量が制御（この光量制御をＬＤチップＬＤ１の光量制御と称す）される（期間Ｔ３）。
【００９４】
このＬＤチップＬＤ１の光量制御では、ＬＤチップＬＤ１〜ＬＤ４の出力光量が足し合わされて受光素子ＰＤによりモニタされ、ＬＤチップＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４からはそれぞれの光量制御後の光量、すなわちＶｒｅｆβ＝（Ｖｒｅｆ０）／４（＝０．１５Ｖ）に相当する光量が出力されているので、モニタ電圧が基準電圧Ｖｒｅｆ＝Ｖｒｅｆ０（＝０．６Ｖ）と略一致するようにＬＤチップＬＤ１の光量を制御することにより、ＬＤチップＬＤ１の出力光量をＶｒｅｆ−３Ｖｒｅｆβ＝（Ｖｒｅｆ０）／４（＝０．１５Ｖ）に相当する光量、すなわち感光体の必要光量の１／４に相当する光量に合わせることができる。
【００９５】
ＬＤチップＬＤ１の光量制御後は、画像信号ＤＡＴＡ２、ＤＡＴＡ３、ＤＡＴＡ４をＬレベルに、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ１をＨレベルに戻し、その後、図５では省略するが、ＳＯＳ信号から所定タイミング経過したら、画像データに基づいて生成した画像信号ＤＡＴＡ１〜４をＬＤＤ１２０へ供給して、ＬＤチップＬＤ１〜ＬＤ４を画像信号に基づいて点灯させる。これより、ＬＤチップＬＤ１〜ＬＤ４が、それぞれの光量制御後の光量、すなわち、それぞれ感光体１０の必要光量の１／４の光量で画像信号ＤＡＴＡ１〜４に基づいて点灯されることになる。
【００９６】
このようにマルチレーザダイオード１０２の光量制御を行うことで、ＬＤチップＬＤ１〜ＬＤ４の出力光量を、ＬＤＤ１２０で光量制御できる設定値の下限値Ｖｒｅｆ０（＝０．６Ｖ）よりも小さい所望の光量（上記例では感光体１０の必要光量の１／４）にそれぞれ制御することができる。
【００９７】
なお、上記では、一例として、４個の発光点数を備えたマルチビームアレイを用い、Ｍｕｌｔｉモード選択時に同時走査される光ビームの本数が４つの場合を説明したが、発光点数が３個、或いは５個以上の場合にも同様に制御を行えばよい。すなわち、Ｎ個（Ｎは３以上の整数）の発光点ＬＤチップＬＤ１〜ＬＤＮを備え、Ｎ本の光ビームで同時走査を行う場合には、上記で説明したＬＤチップＬＤ２の光量制御と同等の制御をＬＤチップＬＤ３〜ＬＤＮについて繰返し実行し、ＬＤチップＬＤ２〜ＬＤＮの光量制御が終了した後、ＬＤチップＬＤ１の光量制御を行うようにすれば、ＬＤチップＬＤ１〜ＬＤＮをそれぞれ感光体１０の必要光量の１／Ｎに相当する光量に制御することができる。
【００９８】
すなわち、マルチレーザダイオードが備えているＬＤチップの個数に係わらず、ＬＤＤ１２０に光量可変範囲を切換える切換え手段を備えずとも、ＬＤＤ１２０の光量可変範囲を広げることができる。
【００９９】
［第２の実施の形態］
ところで、上記第１の実施の形態では、受光素子ＰＤが何れのＬＤチップからの出力ビームに対しても感度が等しい場合について説明したが、実際には、ＬＤチップ毎に受光素子ＰＤの受光感度にばらつきがある。
【０１００】
第２の実施の形態では、この受光感度のばらつきを補正して光量制御を行う場合について説明する。なお、以下では、説明の簡便化のために、発光点としてのＬＤチップを２つ備えたマルチレーザダイオード（いわゆるＤｕａｌ  ＬＤ）を光源として用いる場合を例に説明するが、発光点の数は２つ以上であれば幾つであってもよい。
【０１０１】
第２の実施の形態に係る光走査装置１００は、図８に示すように、光量制御回路１３０内に、補正手段として、光量制御対象のＬＤチップに応じて受光素子ＰＤの受光感度を補正する感度補正回路１３２を備えており、制御回路１２２から出力される基準電圧Ｖｒｅｆも、この感度補正回路１３２による感度補正に応じて補正される点が第１の実施の形態と異なる。なお、基準電圧Ｖｒｅｆの補正量については、図示は省略するが制御回路１２２内に予め記憶されているものとする。
【０１０２】
感度補正回路１３２による受光素子ＰＤの感度補正方法については、特に限定されるものではなく、受光素子ＰＤに同一の光量の光ビームが入射された場合に、モニタ電圧として表れる光量が該光ビームの出射元のＬＤチップによらずに略同一になるように調整できればよい。例えば、前述したように光量制御回路１３０では受光素子ＰＤからの出力電流を電流電圧変換すると共に増幅してモニタ電圧を生成するので、このときの増幅率を変更することで、受光素子ＰＤの感度を補正することが考えられる。また、例えば、受光素子ＰＤの受光面側に透過率の異なるフィルタを出し入れすることで感度を補正することができる。
【０１０３】
また、光量制御対象のＬＤチップについては、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ１、２のうちアクティブレベルとされた光量制御信号により判別することができる。
【０１０４】
第２の実施の形態では、Ｍｕｌｔｉモード選択時には、図９に示す如く光量制御を行えばよい。なお、図９は、受光素子ＰＤが、ＬＤチップＬＤ１から出力された光ビームよりもＬＤチップＬＤ２から出力された光ビームに対する感度の方が高い（受光素子ＰＤの感度がＬＤ１＜ＬＤ２）とした場合の例に示している。この場合、感度補正回路１３２では、ＬＤチップＬＤ２の出力光量を制御する際に、ＬＤチップＬＤ１の出力光量を制御するときよりも受光素子ＰＤの感度が低くなるように切換える。また、以下では、感光体の必要光量をＬＤＤ１２０で光量制御できる設定値の下限値Ｖｒｅｆ０（＝０．６Ｖ）とした場合を例に説明する。
【０１０５】
すなわち、図９に示すように、Ｍｕｌｔｉモード選択時には、まず、第１の実施の形態と同様に、基準電圧Ｖｒｅｆ＝Ｖｒｅｆ０（＝０．６Ｖ）に設定した状態で、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ１をＨレベルからＬレベルにし、ＬＤチップＬＤ１を初期光量制御する（期間Ｔ１）。
【０１０６】
初期光量制御後は、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ１をＨレベルに戻し、基準電圧Ｖｒｅｆの値を切換えた後、画像信号ＤＡＴＡ１をＨレベルにすると共に、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ２をＬレベルにして、ＬＤチップＬＤ１を初期光量制御後の光量で点灯させながら、ＬＤチップＬＤ２の光量制御を行う（期間Ｔ２）。
【０１０７】
このとき、感度補正回路１３２により受光素子ＰＤの感度がＬＤチップＬＤ２用に低く切換えられているので、初期光量制御後の光量でＬＤチップＬＤ１を点灯させていても、モニタ電圧に含まれるＬＤチップＬＤ１の出力光量成分は低くなる（図９（Ａ）参照）。ＬＤチップＬＤ１用の感度とＬＤチップＬＤ２用の感度の比をγ：１（γ＞１）とすると、Ｖｒｅｆ０−（Ｖｒｅｆ０）／γだけモニタ電圧に含まれるＬＤチップＬＤ１の出力光量成分が低くなる。
【０１０８】
このため、ＬＤチップＬＤ２の光量制御時には、第１の実施の形態では基準電圧Ｖｒｅｆを感光体の要求光量の１／２に相当する分Ｖｒｅｆαだけ増加させたが、第２の実施の形態では、さらに受光素子ＰＤの感度切換えによるモニタ電圧に含まれるＬＤチップＬＤ１の出力光量成分の低下分だけ基準電圧Ｖｒｅｆを補正する必要がある。すなわち、Ｖｒｅｆ＝Ｖｒｅｆ０＋Ｖｒｅｆα−｛Ｖｒｅｆ０−（Ｖｒｅｆ０）／γ｝＝Ｖｒｅｆα＋（Ｖｒｅｆ０）／γ＝（Ｖｒｅｆ０）／２＋（Ｖｒｅｆ０）／γ、と基準電圧Ｖｒｅｆの値を切換えた後、ＬＤチップＬＤ２の光量制御が行われる。
【０１０９】
このように受光素子ＰＤのＬＤチップＬＤ１用からＬＤチップＬＤ２用への感度切換えに応じて、基準電圧Ｖｒｅｆ値を補正した状態で、ＬＤチップＬＤ２の光量制御を行うことにより、高精度にＬＤチップＬＤ２の光量制御を行うことができる。これにより、ＬＤチップＬＤ２の出力光量をＶｒｅｆαに相当する光量、すなわち感光体の要求光量の１／２に相当する光量に制御される。
【０１１０】
ＬＤチップＬＤ２の光量制御後は、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ２をＨレベルに戻し、基準電圧Ｖｒｅｆの値を切換えた後、画像信号ＤＡＴＡ２をＨレベルにすると共に、光量制御信号Ｐｃｏｎｔ１をＬレベルにして、ＬＤチップＬＤ２を光量制御後の光量で点灯させながら、ＬＤチップＬＤ１の光量制御を行う（期間Ｔ３）。
【０１１１】
このとき、感度補正回路１３２により受光素子ＰＤの感度がＬＤチップＬＤ２用に高く切換えられているので、光量制御後の光量でＬＤチップＬＤ２を点灯させていても、モニタ電圧に含まれるＬＤチップＬＤ２の出力光量成分は高くなる（図９（Ａ）参照）。具体的には、γ×Ｖｒｅｆα−Ｖｒｅｆαだけモニタ電圧に含まれるＬＤチップＬＤ２の出力光量成分が高くなる。
【０１１２】
このため、ＬＤチップＬＤ１の光量制御時には、第１の実施の形態では、基準電圧Ｖｒｅｆを感光体の要求光量に相当するＶｒｅｆ０にしたが、第２の実施の形態では、さらに受光素子ＰＤの感度切換えによるＬＤチップＬＤ２の出力光量成分の増加分だけ基準電圧Ｖｒｅｆを補正する必要がある。すなわち、Ｖｒｅｆ＝Ｖｒｅｆ０＋（γ×Ｖｒｅｆα−Ｖｒｅｆα）＝（Ｖｒｅｆ０）／２＋γ×（Ｖｒｅｆ０）／２、と基準電圧Ｖｒｅｆの値を切換えた後、ＬＤチップＬＤ１の光量制御が行われる。
【０１１３】
このように受光素子ＰＤのＬＤチップＬＤ２用からＬＤチップＬＤ１用への感度切換えに応じて、基準電圧Ｖｒｅｆ値を補正した状態で、ＬＤチップＬＤ１の光量制御を行うことにより、高精度にＬＤチップＬＤ１の光量制御を行うことができる。これにより、ＬＤチップＬＤ１の出力光量をＶｒｅｆ０−Ｖｒｅｆα＝Ｖｒｅｆαに相当する光量、すなわち感光体の要求光量の１／２に相当する光量に制御される。
【０１１４】
このようにマルチレーザダイオード１０２の光量制御を行うことで、ＬＤチップ毎に受光素子ＰＤの受光感度にばらつきがあり、光量制御対象のＬＤチップに応じて受光素子ＰＤの受光感度を補正する場合でも、各ＬＤチップの出力光量をＬＤＤ１２０で光量制御できる設定値の下限値Ｖｒｅｆ０（＝０．６Ｖ）よりも小さい所望の光量（上記例では感光体１０の必要光量の１／２）にそれぞれ正確に制御することができる。
【０１１５】
【発明の効果】
上記に示したように、本発明は、複数の光ビームを出力可能な光源を用いた光走査装置において、簡単な構成で光量可変範囲を変更することができるという優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態に係る光走査装置の概略構成図である。
【図２】第１の実施の形態に係る光走査装置の電気系の構成を示すブロック図である。
【図３】制御回路から出力される各種制御信号及びＬＤチップの出力光量変化を示すタイミングチャート（Ａ）と、制御信号の出力タイミングと光ビームの走査位置の関係を示す図（Ｂ）である。
【図４】感光体に画像を形成するための必要光量範囲を説明するためのグラフである。
【図５】第１の実施の形態に係るＭｕｌｔｉモード選択時の光量制御で得られるモニタ光量を示すグラフ（Ａ）と、制御信号のタイミングチャート（Ｂ）である。
【図６】第１の実施の形態の変形例の光走査装置の電気系の構成を示すブロック図である。
【図７】図６の光走査装置のＭｕｌｔｉモード選択時の光量制御で得られるモニタ光量を示すグラフ（Ａ）と、制御信号のタイミングチャート（Ｂ）である。
【図８】第２の実施の形態に係る光走査装置の電気系の構成を示すブロック図である。
【図９】第２の実施の形態に係るＭｕｌｔｉモード選択時の光量制御で得られるモニタ光量を示すグラフ（Ａ）と、制御信号のタイミングチャート（Ｂ）である。
【図１０】従来のＭｕｌｔｉモード選択時の光量制御で得られるモニタ光量を示すグラフ（Ａ）と、制御信号のタイミングチャート（Ｂ）である。
【符号の説明】
１００            光走査装置
１０２            半導体レーザ（マルチレーザダイオード）
１０８            ポリゴンミラー
１１０            スキャナモータ
１１６            光ビーム位置検出器
１２２            制御回路
１２４            画像処理装置
１２６            解像度切換えスイッチ
１３０            光量制御回路
１３２            感度補正回路
ＬＤ１〜４    ＬＤチップ
ＰＤ  受光素子
ＤＡＴＡ１〜４          画像信号
Ｐｃｏｎｔ１〜４      光量制御信号
Ｖｒｅｆ        基準電圧
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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