(57)【要約】【課題】大気開放型の物理量検出器においてもシリコンウェハ等から好適に切り出すことが可能な物理量検出器の製造方法を提供する。【解決手段】可動極板をシリコン基盤１０２に形成するとともに、固定極板をガラス基盤１０１、１０３に形成するとともに、前記シリコン基盤の所定の位置に、幅方向に沿って溝部Ｍを設け、次いで、前記可動極板と前記固定極板とを対面させて、前記シリコン基盤と前記ガラス基盤とを陽極接合し、次いで、前記ガラス基盤に、前記溝部に対応した位置に幅方向に沿って切り込みを入れてガラス切込部（例えば、第１の切り込み部Ｋ１）を設け、次いで、前記溝部および前記ガラス切込部に沿って前記シリコン基盤と前記ガラス基盤の一部を切除する。【選択図】　図１
2004012408.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性部によって変位自在に支持された可動極板と、前記可動極板と対面する位置に配置された固定極板とで形成されるキャパシタ内が大気開放され、当該キャパシタの静電容量に基づいて被測定体の変位、速度、加速度の何れかの物理量を検出する物理量検出器の製造方法であって、
前記可動極板をシリコン基盤に形成し、前記固定極板をガラス基盤に形成するとともに、前記シリコン基盤の所定の位置に、幅方向に沿って溝部を設ける工程と、
次いで、前記可動極板と前記固定極板とを対面させて、前記シリコン基盤と前記ガラス基盤とを陽極接合する工程と、
次いで、前記ガラス基盤に、前記溝部に対応した位置に幅方向に沿って切り込みを入れてガラス切込部を設ける工程と、
次いで、前記溝部および前記ガラス切込部に沿って折り曲げて前記シリコン基盤と前記ガラス基盤の一部を切除する工程と、
を備えることを特徴とする物理量検出器の製造方法。
【請求項２】
弾性部によって変位自在に支持された可動極板と、前記可動極板と対面する位置に配置された固定極板とで形成されるキャパシタ内が大気開放され、当該キャパシタの静電容量に基づいて被測定体の変位、速度、加速度の何れかの物理量を検出する物理量検出器の製造方法であって、
前記可動極板をシリコン基盤に形成し、前記固定極板を第１、第２のガラス基盤に形成するとともに、前記シリコン基盤の所定の位置に、幅方向に沿って溝部を設ける第１工程と、
次いで、前記可動極板と前記固定極板とが対面するように、前記シリコン基盤と前記第１、第２のガラス基盤とを陽極接合する第２工程と、
次いで、前記第１のガラス基盤の外面に、前記溝部に対応した位置に幅方向に沿って切り込みを入れて第１の切込部を形成するとともに、前記第１の切込部よりも長手方向外側に、幅方向に沿って切り込みを入れて第２の切込部を形成する第３工程と、
前記第２のガラス基盤に、前記第２の切込部に対応した位置に幅方向に沿って切り込みを入れて第３の切込部を設ける第４工程と、
次いで、前記第２の切込部と、前記第３の切込部に沿って折り曲げて、前記シリコン基盤および前記第１、第２のガラス基盤の一部を切除する第５工程と、
次いで、前記溝部と前記第１の切込部に沿って折り曲げて、前記シリコン基盤および前記第１のガラス基盤の一部を切除する第６工程と、
を備えることを特徴とする物理量検出器の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の物理量検出器の製造方法において、
前記第６工程によって切除されるシリコン基盤の切除部と、この切除部と対面する前記第２のガラス基盤との間に隙間が形成されるように、前記切除部の板厚を他のシリコン基盤の板厚よりも薄く形成することを特徴とする物理量検出器の製造方法。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の物理量検出器の製造方法において、
第１工程は、前記第６工程によって露出される第２のガラス基盤の露出部に、電極パッドを形成する工程を含むことを特徴とする物理量検出器の製造方法。
【請求項５】
請求項２〜４の何れか一項に記載の物理量検出器の製造方法において、
前記シリコン基盤に、前記第６工程によって該シリコン基盤から切り離される島部を形成する工程を備えることを特徴とする物理量検出器の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の物理量検出器の製造方法において、
前記島部を形成する工程は、前記シリコン基盤において、
前記溝部よりも長手方向中央側に、幅方向端部から中央に向かって厚み方向に貫通する第１の隙間と、前記第１の隙間の先端から前記溝部まで達し、厚み方向に貫通する第２の隙間と、を形成する工程を備えることを特徴とする物理量検出器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、加速度、変位、圧力その他の物理量を静電容量差により検出する物理量検出器の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、物理量検出器には様々なものが提供されており、例えば、特開平９−２４３６５４号公報に記載された静電容量型の加速度センサが知られている。
かかる加速度センサ１０００は、例えば、図５に示すように、シリコン基盤１００１の下面に、第１のガラス基盤１００２が接合され、シリコン基盤１００１の上面に第２のガラス基盤１００３が接合されている。シリコン基盤１００１はエッチング加工により平面がロ字状に形成された支持枠１００１ａに重り部１００１ｂが梁部１００１ｃを介して片持ち支持されて連結されている。更に、重り部１００１ｂの上下両面と、対向する両ガラス基盤１００２、１００３の対向面との間には、所定の隙間が形成されている。これにより、加速度を受けると梁部１００１ｃが撓み、重り部１００１ｂが変位し、前記隙間の距離が変化するようになっている。
【０００３】
そして、重り部１００１ｂの両表面に可動電極１００４が形成され、この可動電極１００４と対向するように、第１のガラス基盤１００２と第２のガラス基盤１００３の内側面にそれぞれ第１の固定電極１００５と第２の固定電極１００６が形成される。従って、重り部１００１ｂが変位して隙間の距離が変化すると、可動電極１００４と第１の固定電極１００５間に第１のキャパシタが形成され、可動電極１００４と第２の固定電極１００６間に第２のキャパシタが形成され、可動電極１００４の移動に伴って第１のキャパシタ及び第２のキャパシタの静電容量も変化する。この静電容量の変化を検出することにより、重り部１００１ｂの変位に基づく加速度を検出することができるようになる。
【０００４】
ところで、従来、例えば一つのシリコンウェハから複数の加速度センサ１０００が製造されるようになっており、シリコンウェハ状のシリコン基盤１００１に、第１のガラス基盤１００２、第２のガラス基盤１００３を接合させた後、ダイサー等の切断装置により、個々に切断して加速度センサ１０００を切り出して製造していた。そして、ダイサー等で加速度センサ１０００を切り出す場合に、水を流しながら切断していたが、キャパシタ内が密閉された加速度センサの場合には、水を流してもキャパシタ内に水が入り込むことはなかったので、問題はなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、キャパシタ内を密閉せず、大気開放する加速度センサ等の場合には、切断装置による切断時の水が、切りくず等とともにキャパシタ内に入り込んでしまうという問題があった。
【０００６】
本発明の課題は、大気開放型の物理量検出器においてもシリコンウェハ等から好適に切り出すことが可能な物理量検出器の製造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、以下の手段を提供する。なお、括弧の数字は、実施の形態において対応する構成の符号を示す。
請求項１記載の発明は、弾性部２２によって変位自在に支持された可動極板２１と、前記可動極板と対面する位置に配置された固定極板１１、３１とで形成されるキャパシタ内が大気開放され、当該キャパシタの静電容量に基づいて被測定体の変位、速度、加速度の何れかの物理量を検出する物理量検出器（例えば、加速度センサチップ１）の製造方法であって、
前記可動極板をシリコン基盤１０２に形成し、前記固定極板をガラス基盤１０１、１０３に形成するとともに、前記シリコン基盤の所定の位置に、幅方向に沿って溝部Ｍを設ける工程と、
次いで、前記可動極板と前記固定極板とを対面させて、前記シリコン基盤と前記ガラス基盤とを陽極接合する工程と、
次いで、前記ガラス基盤に、前記溝部に対応した位置に幅方向に沿って切り込みを入れてガラス切込部（例えば、第１の切り込み部Ｋ１）を設ける工程と、
次いで、前記溝部および前記ガラス切込部に沿って前記シリコン基盤と前記ガラス基盤の一部を切除する工程と、
を備えることを特徴とする。
【０００８】
請求項１記載の発明によれば、大気開放型の物理量検出器において、シリコン基盤とガラス基盤とが陽極接合された後、溝部とガラス切込部に沿ってシリコン基盤およびガラス基盤の一部を切除することができるので、キャパシタ内に水や切りくず等が入り込むことなく物理量検出器を切り出すことができる。
【０００９】
請求項２記載の発明は、弾性部２２によって変位自在に支持された可動極板２１と、前記可動極板と対面する位置に配置された固定極板１１、３１とで形成されるキャパシタ内が大気開放され、当該キャパシタの静電容量に基づいて被測定体の変位、速度、加速度の何れかの物理量を検出する物理量検出器（例えば、加速度センサチップ１）の製造方法であって、
前記可動極板をシリコン基盤１０２に形成し、前記固定極板を第１、第２のガラス基盤１０１、１０３に形成するとともに、前記シリコン基盤の所定の位置に、幅方向に沿って溝部Ｍを設ける第１工程と、
次いで、前記可動極板と前記固定極板とが対面するように、前記シリコン基盤と前記第１、第２のガラス基盤とを陽極接合する第２工程と、
次いで、前記第１のガラス基盤の外面に、前記溝部に対応した位置に幅方向に沿って切り込みを入れて第１の切込部Ｋ１を形成するとともに、前記第１の切込部よりも長手方向外側に、幅方向に沿って切り込みを入れて第２の切込部（Ｋ２１、Ｋ２２）を形成する第３工程と、
前記第２のガラス基盤の外面に、前記第２の切込部に対応した位置に幅方向に沿って切り込みを入れて第３の切込部（Ｋ３１、Ｋ３２）を設ける第４工程と、次いで、前記第２の切込部と、前記第３の切込部に沿って折り曲げて、前記シリコン基盤および前記第１、第２のガラス基盤の一部を切除する第５工程と、
次いで、前記溝部と前記第１の切込部に沿って折り曲げて、前記シリコン基盤および前記第１のガラス基盤の一部を切除する第６工程と、
を備えることを特徴とする。
【００１０】
ここで、第３工程における各切込部を形成する順番は任意である。また、第３工程と第４工程の順番は逆でもよい。
請求項２記載の発明によれば、シリコン基盤と第１、第２のガラス基盤とが陽極接合されたのち、第２の切込部と、第３の切込部に沿ってシリコン基盤および第１、第２のガラス基盤の一部が切除され、次いで、溝部と第１の切込部に沿って、シリコン基盤と第１のガラス基盤の一部が切除されるので、水を使う切断装置を使用することなくシリコン基盤とガラス基盤とを切断することができることとなって、キャパシタ内に水や切りくず等が入り込むことなく物理量検出器を切り出すことができるとともに、第２のガラス基盤の陽極接合面の一部を露出させることができる。
【００１１】
請求項３記載の発明は、請求項２記載の物理量検出器の製造方法において、
前記第６工程によって切除されるシリコン基盤の切除部（例えば、薄板厚部２４）と、この切除部と対面する前記第２のガラス基盤との間に隙間ａが形成されるように、前記切除部の板厚を他のシリコン基盤の板厚よりも薄く形成することを特徴とする。
【００１２】
請求項３記載の発明によれば、第６工程によって切除されるシリコン基盤の切除部と、この切除部と対面する第２のガラス基盤との間に隙間が形成されるように、切除部の板厚が他のシリコン基盤の板厚よりも薄く形成されるので、第６工程の際に溝部と第２の切込部に力を加えた時に、第１のガラス基盤およびシリコン基盤が隙間内に折れ曲がって切除しやすくなる。
【００１３】
請求項４記載の発明は、請求項２又は３に記載の物理量検出器の製造方法において、
第１工程は、前記第６工程によって露出されるガラス基盤に、電極パッド１３ａ、１４ａ、１５ａ、１６ａ、１７ａを形成する工程を含むことを特徴とする。
【００１４】
請求項４記載の発明によれば、第１工程において、第６工程によって露出されるガラス基盤に電極パッドが形成されるので、陽極接合後の工程が簡略化され、製造し易くなる。
【００１５】
請求項５記載の発明は、請求項２〜４の何れか一項に記載の物理量検出器の製造方法において、
前記シリコン基盤に、前記第６工程によって該シリコン基盤から切り離される島部（例えば、島部４、５）を形成する工程を備えることを特徴とする。
【００１６】
請求項５記載の発明によれば、第６工程によって、シリコン基盤から切り離される島部が形成されるので、別個に島部を形成する場合に比べて島部の形成が容易となる。
また、陽極接合時には、シリコン基盤と一体化されているので、可動極板の張り付きを防止するため極板間を等電位にするショート配線を設ける必要がない。
【００１７】
請求項６記載の発明は、請求項５記載の物理量検出器の製造方法において、
前記島部を形成する工程は、前記シリコン基盤において、
前記溝部よりも長手方向中央側に、幅方向端部から中央に向かって厚み方向に貫通する第１の隙間と、前記第１の隙間の先端から前記溝部まで達し、厚み方向に貫通する第２の隙間と、を形成する工程を備えることを特徴とする。
【００１８】
請求項６記載の発明によれば、シリコン基盤において、溝部よりも長手方向中央側に、幅方向端部から中央に向かって厚み方向に貫通する第１の隙間が形成されるとともに、第１の隙間の先端から溝部まで達する厚み方向に貫通する第２の隙間が形成されるので、第６工程によってシリコン基盤から切り離された島部を形成することができることとなって、島部の形成が容易となる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態において、物理量検出器として、静電容量型加速度センサを例に、図１〜図４を参照しながら説明する。
図１、２に示すように、静電容量型の加速度センサチップ（物理量検出器）１は、中央に配置されたシリコン基盤１０２と、このシリコン基盤１０２を上下両側から挟む２つの第１のガラス基盤１０１及び第２のガラス基盤１０３と、をそれぞれ陽極接合する事により構成されている。シリコン基盤１０２の大部分は、シリコン製の本体部２０によって構成されており、当該本体部２０には、板ばね状に形成された弾性部２２と、この弾性部２２によって厚さ方向に変位自在に支持された平面視円形の可動極板２１とがエッチングによって一体的に設けられている。
【００２０】
上側の第１のガラス基盤１０１に於いて、可動極板２１と対面する位置には、これと数ミクロンのギャップ（隙間）を確保して、第１の固定極板１１が蒸着やスパッタリング等の方法によって成膜されている。
この第１の固定極板１１は、投影視において可動極板２１及び弾性部２２が占める領域に一致している。この第１の固定極板１１と可動極板２１とにより、第１のキャパシタが形成される。
第１の固定極板１１からは、チタンと白金の合金から成る平面Ｌ字状の第１の検出用配線１２、１２が、シリコン基盤１０２の各島部４、５の投影領域に向かって延設されている。
【００２１】
一方、下側のガラス基盤１０３に於いて、可動極板２１と対面する位置には、これと数ミクロンのギャップを確保して、第２の固定極板３１が蒸着やスパッタリング等の方法によって成膜されている。
この第２の固定極板３１は、投影視において可動極板２１及び弾性部２２が占める領域に一致している。この第２の固定極板３１と可動極板２１とにより、第２のキャパシタが形成される。
【００２２】
ガラス基盤１０３には、上側ガラス基盤１０１やシリコン基盤１０２よりも延出した延出部３３が設けられ、この延出部３３の上面に電極バッド１３ａ、１４ａ、１５ａ、１６ａ、１７ａが５つ設けられている。
第２の固定極板３１からは、チタンと白金の合金から成る平面Ｌ字状の第２の検出用配線３２が、電極パッド１４ａ、１５ａと接続されている。
【００２３】
また、シリコン基盤１０２に於いて電極パッド１３ａ、１７ａ側の角部には、二つの端面がシリコン基盤１０２の端面と面一となる電極取出用のシリコン製の島部４、５が設けられている。当該各島部４、５は、他の島部及び本体部２０と接触せぬ様に隔離されて配置されており、従って他の島部及び本体部２０とは電気的に絶縁されている。
また、シリコン基盤１０２の第２のガラス基盤１０３側には、第２の検出用配線３２とシリコン基盤１０２とが接触しないようにするための電極通路となる通気孔２３、２３が設けられており、この通気孔２３、２３によりキャパシタ内は大気開放されるようになっている。
【００２４】
電極パッド１３ａ、１７ａは、第１の検出用配線１２を介して第１の固定極板１１と電気的に接続され、電極パッド１５ａは、第２の固定極板３１と電気的に接続され、電極パッド１６ａは、本体部２０を介して可動極板２１と電気的に接続される。
また、電極パッド１３ａ、１４ａ、１５ａ、１６ａ、１７ａは、ワイヤボンディング等により外部基板に接続される。
【００２５】
なお、図３に示すように、弾性部２２を可動極板２１の表面より内側にくぼみを設けて配置したり、可動極板２１にストッパ２１ａ…を設けることにより、陽極接合時における可動極板２１の張り付きを防止する。
また、可動極板２１の一部に孔を空けることにより第１のキャパシタと第２のキャパシタとの間を連通させてもよい。
【００２６】
次いで、上記静電容量型加速度センサ１の製造方法について、図３、４を用いて以下に説明する。
この静電容量型加速度センサ１の製造方法は、第１のガラス基盤１０１、第２のガラス基盤１０３、及びシリコン基盤１０２の各々を個別に加工する前工程と、陽極接合以降の後工程とに大別できる。なお、基盤面に対し、便宜的に、電極パッド１３ａ〜１７ａが並設される方向を幅方向とし、これと直交する方向を長手方向とする。
【００２７】
まず、前工程について説明する。
シリコン基盤１０２の溝部Ｍとなる部分の長手方向外側に、下面側をウエットエッチングして板厚を薄くした薄板厚部２４を形成する。この薄板厚部２４は、後に切除される切除部となる。そして、シリコン基盤１０２に、可動極板２１および弾性部２２をドライエッチングにより一体的に形成する（第１工程）。このとき、シリコン基盤１０２の所定の位置に、その下面から幅方向に沿って溝部Ｍを形成する。
【００２８】
更に、シリコン基盤１０２において、溝部Ｍよりも長手方向中央側に、幅方向の両端部１ａから幅方向中央に向かって厚み方向に貫通する第１の隙間ｂと、この第１の隙間ｂの先端から、溝部Ｍまで達し、厚み方向に貫通する第２の隙間ｃと、をドライエッチングにより一体的に形成する。即ち、この隙間ｂと隙間ｃによって、シリコン基盤１０２に板厚方向に貫通したＬ字状の隙間が形成される。
【００２９】
一方、第１のガラス基盤１０１の下面に固定極板１１を蒸着やスパッタリング等により形成し、同様に第２のガラス極板１０３の上面に固定極板３１を形成する（第１工程）。このとき、第２のガラス基盤１０３に電極パッド１３ａ、１４ａ、１５ａ、１６ａ、１７ａも同時に形成する（第１工程）。
なお、上記前工程における加工順番は任意であり、必ずしも上述した順番でなくともよい。
【００３０】
次に、後工程について説明する。
まず、図３（ａ）に示すように、可動極板２１と固定極板１１、３１が対面するように、シリコン基盤１０２と第１のガラス基盤１０１、第２のガラス基盤１０２とを陽極接合する（第２工程）。
次いで、第１のガラス基盤１０１に、シリコン基盤１０２の溝部Ｍに対応した位置に、第１のガラス基盤１０１の幅方向に沿って切り込みを入れて第１の切込部Ｋ１を設ける（第３工程）。また、この第１の切込部Ｋ１よりも長手方向外側に、幅方向に沿って切り込みを入れて第２の切込部Ｋ２１、Ｋ２２を２つ設ける（第３工程）。
なお、第３工程における切り込みの形成順番は任意であり、必ずしも上述した順番でなくともよい。
【００３１】
また、第２のガラス基盤１０３に、第２の切込部Ｋ２１、Ｋ２２に対応した位置に、幅方向に沿って切り込みを入れて第３の切込部Ｋ３１、Ｋ３２を設ける（第４工程）。
【００３２】
次いで、第２の切込部Ｋ２１、Ｋ２２と、第３の切込部Ｋ３１、Ｋ３２に沿って折り曲げて、シリコン基盤１０２と第１のガラス基盤１０１、第２のガラス基盤１０３の一部（図３（ａ）の▲１▼）を切除する（第５工程）。すると、図３（ｂ）に示すように、隙間ａが露出する。
【００３３】
次いで、第１の切込部Ｋ１と溝部Ｍに沿って、シリコン基盤１０２と第１のガラス基盤１０１の一部（図３（ａ）（ｂ）の▲２▼）を切除する（第６工程）。これにより、ガラス基盤１０３の上面に形成した電極パッド１３ａ、１４ａ、１５ａ、１６ａ、１７ａが露出する（図３（ｃ）参照）。
また、この第６工程によって、島４、５がシリコン基盤１０２と絶縁される。なお、上記後工程における加工順番は、必ずしも上述した順番でなくともよく、適宜変更してもよい。
また、この後工程では、静電容量型加速度センサ１のガラス基盤１０１、１０３の長手方向にも切り込みを入れて、当該切り込みに沿って切断することにより、ガラス基盤が陽極接合された大きなシリコン基盤から個々の静電容量型加速度センサ１を切り出す工程も行う。
【００３４】
以上説明した本発明にかかる加速度センサチップ１の製造方法によれば、シリコン基盤１０２と第１のガラス基盤１０１、第２のガラス基盤１０３とが陽極接合されたのち、第２の切込部Ｋ２１、Ｋ２２と、第３の切込部Ｋ３１、３２に沿ってシリコン基盤１０２と第１のガラス基盤１０１、第２のガラス基盤１０３の一部が切除され、次いで、第１の切込部Ｋ１と溝部Ｍに沿って、シリコン基盤１０２と第１のガラス基盤１０１の一部が切除されるので、水を使う切断装置を使用することなくシリコン基盤１０２とガラス基盤１０１、１０３とを切断することができることとなって、キャパシタ内に水や切りくず等が入り込むことなく加速度センサチップ１を切り出すことができるとともに、第２のガラス基盤１０３の陽極接合面の一部を露出させることができる。
【００３５】
この際、切除されるシリコン基盤１０２と第２のガラス基盤１０３との間に隙間ａが形成されているので、第１の切込部Ｋ１と溝部Ｍに力を加えた時に、第１のガラス基盤１０１およびシリコン基盤１０２が隙間ａ内に折り曲げ易くなって切除しやすくなる。
また、第６工程によって露出される第２のガラス基盤１０３の上面に、陽極接合前に電極パッド１３ａ〜１７ａが形成されるので、陽極接合後の工程が簡略化され、製造し易くなる。
【００３６】
加えて、第６工程によって、シリコン基盤１０２から切り離される島部４、５が形成されるので、別個に島部を形成する場合に比べて製造が容易となる。
特に、シリコン基盤１０４において、溝部Ｍよりも長手方向中央側の位置に、中央に向かって厚み方向に第１の隙間ｂと、第１の隙間ｂの先端から、第４の切込部Ｋ４まで達する厚み方向の第２の隙間ｃとが形成されるので、第６工程より以前は、島部４、５がシリコン基盤１０２に一体化され、第６工程によって島部を切り離すことができることとなって、島部４、５の形成が容易となる。
また、陽極接合時には、シリコン基盤１０２と一体化されているので、可動極板２１の張り付きを防止するため極板間を等電位にするショート配線を設ける必要がない。
【００３７】
以上、本発明が適用された静電容量型加速度センサについて説明したが、本発明の技術思想はこれに限られるものではない。例えば、次の事等は本発明と均等であると云うことができる。
例えば、加速度以外にも、圧力その他の物理量を検出する様に設計変更する事が可能である。この事は、外部からの圧力その他の物理量に起因して可動極板２１が変位する様に構成することで容易に実現できる。
また、本発明にかかる静電容量型物理量センサ１は、傾斜計にも適用可能である。
【００３８】
【発明の効果】
請求項１記載の発明によれば、大気開放型の物理量検出器において、シリコン基盤とガラス基盤とが陽極接合された後、溝部とガラス切込部に沿ってシリコン基盤およびガラス基盤の一部を切除することができるので、水を使う切断装置を使用することなくシリコン基盤とガラス基盤とを切断することができることとなって、キャパシタ内に水や切りくず等が入り込むことなく物理量検出器を切り出すことができる。
【００３９】
請求項２記載の発明によれば、シリコン基盤と第１、第２のガラス基盤とが陽極接合されたのち、第２の切込部と、第３の切込部に沿ってシリコン基盤および第１、第２のガラス基盤の一部が切除され、次いで、溝部と第１の切込部に沿って、シリコン基盤と第１のガラス基盤の一部が切除されるので、水を使う切断装置を使用することなくシリコン基盤とガラス基盤とを切断することができることとなって、キャパシタ内に水や切りくず等が入り込むことなく物理量検出器を切り出すことができるとともに、第２のガラス基盤の陽極接合面の一部を露出させることができる。
【００４０】
請求項３記載の発明によれば、第６工程によって切除されるシリコン基盤の切除部と、この切除部と対面する第２のガラス基盤との間に隙間が形成されるように、切除部の板厚が他のシリコン基盤の板厚よりも薄く形成されるので、第７工程の際に溝部と第２の切込部に力を加えた時に、第１のガラス基盤およびシリコン基盤が隙間内に折れ曲がって切除しやすくなる。
【００４１】
請求項４記載の発明によれば、第１工程において、第６工程によって露出されるガラス基盤に電極パッドが形成されるので、陽極接合後の工程が簡略化され、製造し易くなる。
【００４２】
請求項５記載の発明によれば、第６工程によって、シリコン基盤から切り離される島部が形成されるので、別個に島部を形成する場合に比べて島部の形成が容易となる。
また、陽極接合時には、シリコン基盤と一体化されているので、可動極板の張り付きを防止するため極板間を等電位にするショート配線を設ける必要がない。
【００４３】
請求項６記載の発明によれば、シリコン基盤において、溝部よりも長手方向中央側に、幅方向端部から中央に向かって厚み方向に貫通する第１の隙間が形成されるとともに、第１の隙間の先端から溝部まで達する厚み方向に貫通する第２の隙間が形成されるので、第６工程によってシリコン基盤から切り離された島部を形成することができることとなって、島部の形成が容易となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】静電容量型加速度センサの概略構成を模式的に示す斜視図である。
【図２】図１の静電容量型加速度センサの分解斜視概略図である。
【図３】静電容量型加速度センサの製造工程を説明するための正面図である。
【図４】静電容量型加速度センサの左側面図（ａ）と、平面図（ｂ）である。
【図５】従来技術に於ける静電容量型加速度センサを示す断面図である。
【符号の説明】
１　　加速度センサチップ（物理量検出器）
４、５　　島部
１１　　第１の固定極板（固定極板）
１３ａ、１４ａ、１５ａ、１６ａ、１７ａ　　電極パッド
２０　　本体部
２１　　可動極板（可動極板）
２２　　弾性部
２３　　通気孔
２４　　薄板厚部
３１　　第２の固定極板（固定極板）
１０１　　ガラス基盤
１０２　　シリコン基盤
１０３　　ガラス基盤
Ｋ１　　　第１の切込部
Ｋ２１、Ｋ２２　　第２の切込部
Ｋ３１、Ｋ３２　　第３の切込部
Ｍ　　溝部
ａ　　隙間
ｂ　　第１の隙間
ｃ　　第２の隙間
【図１】
2004012408.tif 000003
【図２】
2004012408.tif 000004
【図３】
2004012408.tif 000005
【図４】
2004012408.tif 000006
【図５】
2004012408.tif 000007