(57)【要約】【課題】ウォーターマークの発生を抑制しつつ基板を乾燥させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板９０の乾燥を行う基板処理装置１に、チャンバ１０、石英槽１１、窒素供給部１２、送風機構１３、温水ユニット２０、および基板保持機構４０を設ける。純水による洗浄を行った後の基板９０を、チャンバ１０内の石英槽１１において、温水ユニット２０から供給された温水（脱気され加熱された純水）に浸漬することにより温め、基板保持機構４０によりチャンバ１０内の雰囲気中に引き上げる。チャンバ１０内の雰囲気は、窒素供給部１２および送風機構１３から供給される窒素ガスにより低酸素状態とされている。これにより基板９０に付着した純水は、低酸素雰囲気中で基板９０の蓄熱により蒸発する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
所定の処理液を溜める処理槽と、
前記処理槽内で基板を保持する保持手段と、
前記処理槽に加熱された処理液を供給する処理液供給手段と、
前記処理槽の上方に配置され、基板の乾燥を行う処理室と、
処理室内へ不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、
前記処理槽内において加熱された処理液により基板を昇温した後、前記不活性ガス供給手段により前記処理室内に不活性ガスを供給した状態で、基板が処理液に浸漬される第１位置から基板が処理液に浸漬されることのない第２位置へ前記保持手段に保持された基板を変更する位置変更手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記処理室内の雰囲気の温度を加温状態に調整する処理室温調手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記処理室が光透過性を有する透明な部材を有しており、
前記処理室温調手段が、光輻射型の加熱手段であって、前記処理室の外部に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記位置変更手段により前記保持手段に保持された基板を第１位置から第２位置へ変更させた状態で、前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記処理液供給手段は、前記処理槽へ薬液を供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記処理液供給手段は、前記所定の処理液として摂氏７０度以上に加熱した純水を前記処理槽に供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記処理液供給手段は、前記処理槽に供給する前に処理液に含まれる気泡を抑制する気泡抑制手段を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記不活性ガス供給手段は、前記処理室内に供給する前記不活性ガスを清浄化するフィルター手段を有し、
前記不活性ガスを前記処理室の上面から供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項１ないし７のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記不活性ガス供給手段は、前記不活性ガスを前記処理室内に吐出するパージ手段を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の基板処理装置であって、
前記排気手段は、前記処理室内に設けられた排気口を有し、
前記排気口は、前記処理槽内に貯留された前記所定の処理液の液面近傍に設けられており、
前記パージ手段は、前記排気口の上方近傍に設けられることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の基板処理装置であって、
前記パージ手段は、前記不活性ガスを前記所定の処理液の液面に対して略平行方向に吐出することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記不活性ガス供給手段は、
前記処理室内に供給する不活性ガスの湿度を調整する調整手段を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記不活性ガス供給手段は、
前記処理室内に供給する不活性ガスの温度を加温状態に調整する不活性ガス温調手段を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１４】
請求項１ないし１３のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記保持手段は、
基板の処理面が前記処理室内で鉛直方向と略平行状態となるように基板を保持することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１５】
基板に所定の処理を行う基板処理方法であって、
処理槽に加熱された処理液を供給する処理液供給工程と、
基板を前記処理槽に浸漬させる浸漬工程と、
処理室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給工程と、
前記浸漬工程により、基板を昇温した後、前記処理室内に不活性ガスを供給した状態で、基板が前記処理槽内の処理液に浸漬される第１位置から基板が処理液に浸漬されることのない第２位置へ基板を変更させる位置変更工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の基板処理方法であって、
前記処理室内の雰囲気の温度を加温状態に調整する処理室温調工程をさらに有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１７】
請求項１５または１６に記載の基板処理方法であって、
前記位置変更工程により基板を第１位置から第２位置へ位置を変更させている状態で、前記処理室内の雰囲気を排気する排気工程をさらに有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１８】
請求項１５ないし１７のいずれかに記載の基板処理方法であって、
前記処理液供給工程は、前記所定の処理液として摂氏７０度以上に加熱した純水を前記処理槽に供給する工程であることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１９】
請求項１５ないし１８のいずれかに記載の基板処理方法であって、
前記処理液供給工程は、前記処理槽に供給する前に前記所定の処理液に含まれる気泡を抑制する気泡抑制工程をさらに有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２０】
請求項１５ないし１９のいずれかに記載の基板処理方法であって、
前記不活性ガス供給工程は、前記処理室内に供給する不活性ガスを清浄化する工程を有し、
前記不活性ガスを前記処理室の上面から供給することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２１】
請求項１５ないし１９のいずれかに記載の基板処理方法であって、
前記不活性ガス供給工程は、パージ手段によって前記不活性ガスを前記処理室内に吐出することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の基板処理方法であって、
前記不活性ガス供給工程は、前記不活性ガスを前記所定の処理液の液面に対して略平行方向に吐出することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２３】
請求項１５ないし２２のいずれかに記載の基板処理方法であって、
前記不活性ガス供給工程は、前記処理室内に供給する不活性ガスの湿度を調整する調整工程を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２４】
請求項１５ないし２３のいずれかに記載の基板処理方法であって、
前記不活性ガス供給工程は、前記処理室内に供給する不活性ガスの温度を加温状態に調整する不活性ガス温調工程を有することを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板や液晶用基板（以下、単に「基板」と称する）の製造工程において、当該基板に対する洗浄処理などを行った後に、基板に付着した処理液を乾燥させる技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板の製造工程においては、基板の表面（処理面）に回路やパターンを形成するため、露光・現像処理やエッチング処理などが行われる。このような処理では、基板の表面に現像液やエッチング用の薬液などが用いられ、これらの液体を除去するために、後工程においてさらに洗浄・乾燥処理が行われる。
【０００３】
従来より、基板に付着した純水などの処理液を後工程において乾燥除去する基板処理装置として、洗浄を行った後の基板を温調した純水中に浸漬して温め、その後基板を取り出し、基板に蓄えられた熱によって付着した純水を乾燥させる装置が提案されている。このような基板処理装置は、例えば、特許文献１に紹介されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平１−１３０７７１号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記特許文献１に記載されている装置は、基板を純水から取り出して乾燥させる際に、ハウジング（処理室）内の雰囲気に高純度の空気を供給している。一般的に空気には酸素が含まれていることから、当該装置では被処理基板は比較的多量の酸素が存在する状況下において乾燥処理されることとなる。このように、基板に付着した純水を乾燥させる際に酸素が存在すると、酸素が基板表面の純水に溶け、基板材料の珪素（Ｓｉ）などと化学反応を起こすことにより、いわゆるウォーターマークと呼ばれるダメージが基板の表面に発生し、基板の乾燥不良の原因になるという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、ウォーターマークの発生を抑制しつつ基板を乾燥させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、所定の処理液を溜める処理槽と、前記処理槽内で基板を保持する保持手段と、前記処理槽に加熱された処理液を供給する処理液供給手段と、前記処理槽の上方に配置され、基板の乾燥を行う処理室と、処理室内へ不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、前記処理槽内において加熱された処理液により基板を昇温した後、前記不活性ガス供給手段により前記処理室内に不活性ガスを供給した状態で、基板が処理液に浸漬される第１位置から基板が処理液に浸漬されることのない第２位置へ前記保持手段に保持された基板を変更する位置変更手段とを備える。
【０００８】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置であって、前記処理室内の雰囲気の温度を加温状態に調整する処理室温調手段をさらに備える。
【０００９】
また、請求項３の発明は、請求項２の発明に係る基板処理装置であって、前記処理室が光透過性を有する透明な部材を有しており、前記処理室温調手段が、光輻射型の加熱手段であって、前記処理室の外部に設けられている。
【００１０】
また、請求項４の発明は、請求項１ないし３のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記位置変更手段により前記保持手段に保持された基板を第１位置から第２位置へ変更させた状態で、前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段をさらに備える。
【００１１】
また、請求項５の発明は、請求項１ないし４のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記処理液供給手段は、前記処理槽へ薬液を供給する。
【００１２】
また、請求項６の発明は、請求項１ないし５のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記処理液供給手段は、前記所定の処理液として摂氏７０度以上に加熱した純水を前記処理槽に供給する。
【００１３】
また、請求項７の発明は、請求項１ないし６のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記処理液供給手段は、前記処理槽に供給する前に処理液に含まれる気泡を抑制する気泡抑制手段を有する。
【００１４】
また、請求項８の発明は、請求項１ないし７のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記不活性ガス供給手段は、前記処理室内に供給する前記不活性ガスを清浄化するフィルター手段を有し、前記不活性ガスを前記処理室の上面から供給する。
【００１５】
また、請求項９の発明は、請求項１ないし７のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記不活性ガス供給手段は、前記不活性ガスを前記処理室内に吐出するパージ手段を備える。
【００１６】
また、請求項１０の発明は、請求項９の発明に係る基板処理装置であって、前記排気手段は、前記処理室内に設けられた排気口を有し、前記排気口は、前記処理槽内に貯留された前記所定の処理液の液面近傍に設けられており、前記パージ手段は、前記排気口の上方近傍に設けられる。
【００１７】
また、請求項１１の発明は、請求項９または１０の発明に係る基板処理装置であって、前記パージ手段は、前記不活性ガスを前記所定の処理液の液面に対して略平行方向に吐出する。
【００１８】
また、請求項１２の発明は、請求項１ないし１１のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記不活性ガス供給手段は、前記処理室内に供給する不活性ガスの湿度を調整する調整手段を有する。
【００１９】
また、請求項１３の発明は、請求項１ないし１２のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記不活性ガス供給手段は、前記処理室内に供給する不活性ガスの温度を加温状態に調整する不活性ガス温調手段を有する。
【００２０】
また、請求項１４の発明は、請求項１ないし１３のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記保持手段は、基板の処理面が前記処理室内で鉛直方向と略平行状態となるように基板を保持する。
【００２１】
また、請求項１５の発明は、基板に所定の処理を行う基板処理方法であって、処理槽に加熱された処理液を供給する処理液供給工程と、基板を前記処理槽に浸漬させる浸漬工程と、処理室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給工程と、前記浸漬工程により、基板を昇温した後、前記処理室内に不活性ガスを供給した状態で、基板が前記処理槽内の処理液に浸漬される第１位置から基板が処理液に浸漬されることのない第２位置へ基板を変更させる位置変更工程とを有する。
【００２２】
また、請求項１６の発明は、請求項１５の発明に係る基板処理方法であって、前記処理室内の雰囲気の温度を加温状態に調整する処理室温調工程をさらに有する。
【００２３】
また、請求項１７の発明は、請求項１５または１６の発明に係る基板処理方法であって、前記位置変更工程により基板を第１位置から第２位置へ位置を変更させている状態で、前記処理室内の雰囲気を排気する排気工程をさらに有する。
【００２４】
また、請求項１８の発明は、請求項１５ないし１７のいずれかの発明に係る基板処理方法であって、前記処理液供給工程は、前記所定の処理液として摂氏７０度以上に加熱した純水を前記処理槽に供給する工程である。
【００２５】
また、請求項１９の発明は、請求項１５ないし１８のいずれかの発明に係る基板処理方法であって、前記処理液供給工程は、前記処理槽に供給する前に前記所定の処理液に含まれる気泡を抑制する気泡抑制工程をさらに有する。
【００２６】
また、請求項２０の発明は、請求項１５ないし１９のいずれかの発明に係る基板処理方法であって、前記不活性ガス供給工程は、前記処理室内に供給する不活性ガスを清浄化する工程を有し、前記不活性ガスを前記処理室の上面から供給する。
【００２７】
また、請求項２１の発明は、請求項１５ないし１９のいずれかの発明に係る基板処理方法であって、前記不活性ガス供給工程は、パージ手段によって前記不活性ガスを前記処理室内に吐出する。
【００２８】
また、請求項２２の発明は、請求項２１の発明に係る基板処理方法であって、前記不活性ガス供給工程は、前記不活性ガスを前記所定の処理液の液面に対して略平行方向に吐出する。
【００２９】
また、請求項２３の発明は、請求項１５ないし２２のいずれかの発明に係る基板処理方法であって、前記不活性ガス供給工程は、前記処理室内に供給する不活性ガスの湿度を調整する調整工程を有する。
【００３０】
また、請求項２４の発明は、請求項１５ないし２３のいずれかの発明に係る基板処理方法であって、前記不活性ガス供給工程は、前記処理室内に供給する不活性ガスの温度を加温状態に調整する不活性ガス温調工程を有する。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。
【００３２】
＜１．  第１の実施の形態＞
図１は、本発明に係る基板処理装置１の概略図である。本実施の形態における基板処理装置１は、ＬＳＩなどの電子部品を製造するための円形の半導体基板を被処理基板９０としている。なお、基板処理装置１は、半導体基板だけでなく、一般に、液晶表示装置の画面パネルを製造するための角形ガラス基板やフラットパネルディスプレイ用の種々の基板に対しても、付着した純水（処理液）を乾燥させる装置として変形利用することができる。
【００３３】
基板処理装置１は、チャンバ１０、石英槽１１、窒素供給部１２、送風機構１３、ハロゲンランプ１４、温水ユニット２０、薬液ユニット２１、純水ユニット２２、液配管機構２３、排気機構３０、基板保持機構４０および制御部５０を備える。基板処理装置１は、基板９０に対して薬液による洗浄処理を行った後、薬液を除去するために純水による洗浄をさらに行い、その後純水を乾燥させる装置として構成されている。なお、基板９０を洗浄する薬液としては、ＡＰＭ（Ammonia-Hydrogen Peroxide Mixture），ＨＰＭ（Hydrochloricacid-Hydrogen Peroxide Mixture），ＦＰＭ（Hydrofluoricacid-Hydrogen Peroxide Mixture），ＤＨＦ（Diluted Hydrofluoric acid），Ｏ３／ＤＩＷ（オゾン水）などが、基板９０上の形成膜の種類などに応じて適宜、選択的に用いられる。
【００３４】
チャンバ１０は、例えば石英などの光透過性を有する部材を用いて構成され、その内部に空洞部１００が形成されており、基板処理装置１が基板９０に対して所定の処理（洗浄処理や乾燥処理など）を行う場合に、基板９０の周辺雰囲気（チャンバ１０内の雰囲気）と外部雰囲気とを隔離するための処理室として機能する。また、下部が温水や薬液、または純水などの液体を溜めるための石英槽１１となっている。
【００３５】
図２は、窒素供給部１２および送風機構１３の構成を示すブロック図である。窒素供給部１２は、チャンバ１０内の空洞部１００に対して送風機構１３を介して窒素ガスを供給する。窒素供給部１２は、加熱装置１２０により窒素ガスを加熱して加温状態とすることが可能であるとともに、除湿装置１２１により供給する窒素ガスを除湿することも可能である。
【００３６】
窒素供給部１２から供給される窒素ガスの温度および湿度は、制御部５０が加熱装置１２０および除湿装置１２１をそれぞれ制御することにより、所定の温度および所定の湿度に調整される。すなわち、制御部５０および加熱装置１２０が主に本発明における不活性ガス温調手段に相当し、制御部５０および除湿装置１２１が主に本発明における調整手段に相当する。なお、本実施の形態においては、供給する窒素ガスの所定の温度として摂氏８５度、所定の湿度として６〜７％がそれぞれ予め設定されるが、もちろんこれに限られるものではない。
【００３７】
送風機構１３は、略箱状の筐体１３０、図示しない回転モータにより回転するファン１３２、通過するガス（主に窒素供給部１２から供給される窒素ガス）からパーティクルなどを除去するフィルタ１３３を有している。送風機構１３は、当該回転モータによりファン１３２を所定の方向に回転させることにより、送風機構１３の下面全面に渡って設けられたスリット１３４からフィルタ１３３に向けて窒素供給部１２から供給された窒素ガスを送風する。窒素供給部１２から送風された窒素ガスは、フィルタ１３３を通過することにより粉塵などの汚染物が取り除かれ、清浄化された後、チャンバ１０の上面から一面に渡ってほぼ一様な状態で（−Ｚ）方向に供給される。なお、送風機構１３による窒素ガスの送風量は、送風機構１３から送風される窒素ガスによって石英槽１１内の温水の液面が波立たない程度に調整されることが好ましい。
【００３８】
このように、送風機構１３がフィルタ１３３を有していることから、チャンバ１０内に清浄な窒素ガスを供給することができ、パーティクルなどの汚染物が処理中の基板９０に付着することを防止することができる。また、送風機構１３がチャンバ１０の上面から一様に窒素ガスを送風することにより、例えば、所定の位置に設けられた送風口などから窒素ガスを送風する場合に比べて、チャンバ１０内に発生するダウンフローを一様な状態にすることができることから、基板９０の乾燥ムラを防止することができる。
【００３９】
移動機構１３１は、送風機構１３を筐体１３０ごと軸Ｐを中心として回動させ、送風機構１３を図２に実線で示す位置（以下、「閉鎖位置」と称す）と２点鎖線で示す位置（以下、「開放位置」と称す）との間で移動させる。すなわち、送風機構１３は、チャンバ１０の蓋部材としての機能を有しており、送風機構１３が開放位置にある場合にはチャンバ１０に対して基板９０の搬入・搬出を行うことができる。一方、送風機構１３が閉鎖位置にある場合にはチャンバ１０の内部雰囲気と外部雰囲気とが隔離される。なお、移動機構１３１が送風機構１３を移動させる手法はこれに限られるものではなく、例えば、送風機構１３をＺ軸方向に昇降させる、あるいは送風機構１３を水平方向にスライドさせるように移動させてもよい。
【００４０】
図１に戻って、ハロゲンランプ１４は、チャンバ１０の外部に設けられており、点灯することにより所定の光を出射する。出射された光は、チャンバ１０が光透過性部材を用いて構成されていることから、チャンバ１０によって遮蔽されることなく、図１に点線矢印で示す方向に直進し、空洞部１００内の雰囲気（主に窒素ガスおよび蒸気から構成される）を加熱する。すなわち、ハロゲンランプ１４は光輻射型の加熱手段として機能する。
【００４１】
基板処理装置１がこのような構成を有することにより、制御部５０がハロゲンランプ１４の光出力または出射時間を制御することによって、チャンバ１０内の雰囲気の温度を調整することができる。したがって、チャンバ１０内の雰囲気の温度を所定の温度（加温状態）に保つことにより、乾燥処理中の基板９０の温度降下を防止することができることから、乾燥効率を向上させることができる。すなわち、制御部５０およびハロゲンランプ１４が主に本発明における処理室温調手段に相当する。
【００４２】
また、チャンバ１０内の温度を調整する機構（ハロゲンランプ１４）をチャンバ１０の外部に設けることにより、チャンバ１０の内部を洗浄する際などにおいてメンテナンスを容易に行うことができる。さらに、装置構成を簡素化することができる。なお、図１では、ハロゲンランプ１４を２つのみ図示しているが、ハロゲンランプ１４の個数はこれに限られるものではない。また、チャンバ１０内の雰囲気を加熱させるための光輻射型の加熱手段としては、赤外線ヒーターを用いるよう構成してもよい。
【００４３】
図３は、温水ユニット２０の構成を示すブロック図である。温水ユニット２０は、純水を一時的に蓄えるタンク２００、タンク２００内の純水を加熱する加熱装置２０１、タンク２００内の純水を脱気する脱気装置２０２を備えている。温水ユニット２０は、制御部５０からの制御に基づいて、加熱装置２０１により純水を所定の温度に加熱しつつ、加熱された純水から脱気装置２０２により気泡などを取り除く脱気処理を行う。このようにして生成された脱気された加熱純水（以下、単に「温水」と称する）は、液配管機構２３を介して石英槽１１に供給される。なお、本実施の形態において温水ユニット２０が温水を供給する流量は８ＬＰＭ（Liter Par Minute）に調整されるが、温水ユニット２０から供給される温水によって石英槽１１内の温水の液面が波立つことのない流量であればよい。
【００４４】
このように、温水ユニット２０が所定の温度に加熱された純水を石英槽１１に供給することにより、後述の処理において、純水に基板９０を浸漬することによって、基板９０を昇温させ、蓄熱させることができる。また、脱気装置２０２が加熱純水を脱気処理し、温水ユニット２０が石英槽１１に供給する純水に含まれる気泡の発生や残留を抑制することにより、基板９０の乾燥ムラを抑制することができる。なお、本実施の形態においては、温水の温度（所定の温度）は摂氏８５度に設定されるが、これに限られるものではない。ただし、摂氏７０度以上沸点以下の温度であることが好ましい。また、加熱装置２０１としては、温水に含まれる気泡を抑制するために、加熱時に内沸を抑制することができる加熱装置を用いることが好ましい。
【００４５】
図１に戻って、薬液ユニット２１は、石英槽１１に基板９０の表面を洗浄するための薬液を供給するユニットである。なお、本実施の形態では１つの薬液ユニット２１のみ示しているが、複数種類の薬液を使用する場合には、同様の構成を有する薬液ユニット２１をそれぞれの薬液毎に設けるようにしてもよい。また、純水ユニット２２は、石英槽１１に純水を供給するユニットである。
【００４６】
温水ユニット２０は、液配管機構２３により石英槽１１に接続されている。液配管機構２３には、図示しない複数の電磁弁が所定の位置に適宜設けられており、制御部５０がこれらの電磁弁を必要に応じて制御することにより、石英槽１１に導かれる液体（温水、薬液または純水）が必要に応じて選択される。また、石英槽１１に溜められた液体を排出する際にもこれらの電磁弁が制御される。なお、本実施の形態における基板処理装置１では、石英槽１１から排出される温水はすべて温水ユニット２０に回収されるよう循環系を構成しているが、使用した液体の再利用が不可能な場合は、もちろん廃棄するように構成してもよい。
【００４７】
排気機構３０は、石英槽１１に溜められた液体の液面より上部に設けられた吸引口から図示しないブロアに接続された配管により、チャンバ１０内の雰囲気を吸引して装置外に排気する機構である。
【００４８】
このように排気機構３０が蒸発などによって湿度の増加した雰囲気を外に排気しつつ、窒素供給部１２が前述のように湿度調整された窒素ガスを供給することによって、チャンバ１０内の雰囲気から蒸気が取り除かれ、湿度を下げることができる。したがって、基板９０の乾燥効率を向上させることができる。なお、排気機構３０が吸引するチャンバ１０内の雰囲気の吸引量は、吸引によって石英槽１１内の温水の液面が波立たないように調整されることが好ましい。
【００４９】
基板保持機構４０は、基板９０の下端部と当接することにより、基板９０の表面（処理面）がＺ軸と略平行となるように基板９０を保持する機能を有する。なお、図１には一枚の基板９０のみ図示しているが、本実施の形態における基板処理装置１では、Ｘ軸方向に複数の基板９０が互いに略平行状態で同時に基板保持機構４０に保持されており、複数の基板９０を同時に処理（バッチ処理）できるように構成されている。
【００５０】
また、基板保持機構４０は、基板９０を保持した状態で、基板９０をＺ軸方向に昇降させる。すなわち、石英槽１１内に所定量以上の液体が存在する状態においては、基板保持機構４０が石英槽１１内の第１位置（図１に示す位置）にある場合には、保持された基板９０の全体が石英槽１１内の液体に浸漬された状態となり、チャンバ１０内の第２位置にある場合には、保持された基板９０の全体が液体から引き上げられた状態となる。したがって、基板保持機構４０は、石英槽１１内の液体と基板９０との相対位置を変更することにより、基板９０を石英槽１１内の液体に漬けたり、引き上げたりすることができ、主に本発明における位置変更手段に相当する。
【００５１】
制御部５０は、基板処理装置１の内部に設けられ、図示しないケーブルにより窒素供給部１２、送風機構１３、移動機構１３１、ハロゲンランプ１４、および基板保持機構４０などの各構成と信号のやり取りが可能な状態で接続されている。また、プログラムや各種データを記憶するとともに、当該プログラムに従って各種データを適宜処理することによって制御信号を生成し、それらの構成を制御する。なお、プログラムや各種データは、それらの情報を一時的に記憶するＲＡＭ、読み取り専用のＲＯＭ、および磁気ディスク装置などにより記憶される。
【００５２】
以上が、基板処理装置１の主な構成の説明である。次に、基板処理装置１において実行される基板９０に対する処理動作を説明する。図４は、本実施の形態における基板処理装置１の動作を示す流れ図である。なお、以下に示す各構成の動作制御は、特に断らない限り制御部５０により行われるものとする。
【００５３】
まず、基板処理装置１では、図４に示す処理に先立って、供給する窒素ガスや温水の温度や窒素ガスの湿度の設定など、所定の初期設定が行われた後、移動機構１３１が送風機構１３を開放位置に回動させることによりチャンバ１０を開放し、図示しない搬送装置が基板９０を基板処理装置１のチャンバ１０内に搬送する。
【００５４】
次に、基板保持機構４０が搬送された基板９０をチャンバ１０内に保持しつつ（ステップＳ１１）、基板９０を第１位置に移動させる。この動作と並行して移動機構１３１が送風機構１３を閉鎖位置に移動させることにより、チャンバ１０の内部雰囲気と外部雰囲気とを隔離し、チャンバ１０の空洞部１００は密閉状態とされる。
【００５５】
チャンバ１０が密閉状態になると、窒素供給部１２が送風機構１３を介してチャンバ１０内に対して窒素ガスの供給を開始するとともに、排気機構３０がチャンバ１０内の雰囲気の吸引を開始する（ステップＳ１２）。
【００５６】
図５は、窒素供給部１２および送風機構１３によって窒素ガスが供給される工程を示す流れ図である。窒素供給部１２は、制御部５０からの制御信号に基づいて、加熱装置１２０により窒素ガスの温度を摂氏８５度の加温状態に調整するとともに（ステップＳ３１）、除湿装置１２１により窒素ガスの湿度を４０％に調整する（ステップＳ３２）。
【００５７】
このようにして、温度および湿度が調整された窒素ガスを、送風機構１３のファン１３２により所定の方向（図１における（−Ｚ）方向）に送風し、フィルタ１３３を通過させることによって清浄化させつつ（ステップＳ３３）、チャンバ１０の上面から一様に供給する（ステップＳ３４）。ステップＳ１２では、同時にチャンバ１０内の雰囲気の吸引が開始されていることから、基板９０の搬出入によりチャンバ１０内に取り込まれた外部雰囲気（主に空気）が排出され窒素ガスに置換される。
【００５８】
本実施の形態においては、図５に示す処理（ステップＳ３１ないしＳ３４）は、窒素ガスの供給が行われている間、継続して行われる。ただし、ステップＳ３１，Ｓ３２の処理は、窒素ガスの供給を開始する処理（ステップＳ１２）に先立って予め開始されていてもよいし、後述の乾燥処理が開始されるタイミングに合わせてこれらの調整が開始されてもよい。すなわち、基板９０の乾燥処理が行われている間に供給される窒素ガスについては、温度および湿度が調整されていればよい。
【００５９】
次に、基板処理装置１は、チャンバ１０内に搬入された基板９０に対して純水による洗浄を行う（ステップＳ１３）。具体的には、制御部５０が液配管機構２３の電磁弁を適宜制御することにより、純水ユニット２２から石英槽１１内に純水を所定量供給する。これにより、チャンバ１０内で第１位置にある基板９０を純水に浸漬させることができるため、基板９０が純水によって洗浄される。この純水による洗浄処理は、所定の時間経過後、制御部５０により液配管機構２３の電磁弁が開放され、石英槽１１内の純水が排出されることにより終了する。
【００６０】
続いて、基板処理装置１は薬液による基板９０の洗浄を行う（ステップＳ１４）。この場合にも、制御部５０が液配管機構２３の電磁弁を適宜制御することにより、薬液ユニット２１から石英槽１１内に薬液を所定量供給する。これにより、チャンバ１０内で第１位置にある基板９０が薬液に浸漬されるため、基板９０が薬液によって洗浄される。薬液による洗浄もステップＳ１３の純水による洗浄と同様に、所定の時間経過後に当該薬液が石英槽１１から排出されることにより終了し、その後基板処理装置１では、ステップＳ１３と同様の純水による洗浄が行われる（ステップＳ１５）ことにより、基板９０に付着した薬液が純水により洗浄・除去される。
【００６１】
基板９０上の形成膜に対して薬液による洗浄を行う洗浄装置と洗浄後の乾燥を行う乾燥装置とが別々に設けられている場合、洗浄装置において洗浄を行った後、濡れた状態の基板を乾燥装置に搬送することとなる。濡れた基板を搬送すると、基板に付着している液体が搬送時に他の機構（搬送機構など）に付着してパーティクルの原因となる。また、搬送中に基板が部分的に乾燥することによって乾燥ムラが生じるなどの問題がある。しかし、本実施の形態における基板処理装置１は、後述の乾燥処理に先立って、同じチャンバ１０内で薬液による洗浄を行うことができることから、基板９０を濡れた状態で搬送する必要がなく、前述のような問題を有効に防止することができる。
【００６２】
ステップＳ１５の純水による洗浄によって基板９０に付着した薬液の洗浄・除去が終了すると、基板処理装置１は、温水供給処理を実行するとともに（ステップＳ１６）、制御部５０がハロゲンランプ１４を制御してチャンバ１０内の温度調節を開始する（ステップＳ１７）。
【００６３】
図６は、図４の温水供給処理の詳細を示す図である。温水供給処理では、まず、加熱装置２０１によりタンク２００の純水の温度を摂氏８５度に調整する（ステップＳ４１）。次に、脱気装置２０２によりタンク２００内の純水を脱気し（ステップＳ４２）、液配管機構２３を介して石英槽１１に循環供給する（ステップＳ４３）。なお、循環供給とは、温水ユニット２０から温水を供給すると同時に、石英槽１１内の温水を温水ユニット２０に回収することにより、温水ユニット２０と石英槽１１との間で温水を循環させることをいう。
【００６４】
このように、温水ユニット２０が所定の温度に調整された温水を循環供給することにより、石英槽１１内の温水の温度をほぼ一定に保つことができる。なお、石英槽１１に加熱装置２０１および脱気装置２０２と同様の構成を設けた場合には、温水を循環供給しなくてもよい。また、その場合には、温水ユニット２０は、純水ユニット２２と同様の構成となるため、これらを兼用するようにしてもよい。
【００６５】
石英槽１１内に温水が供給されると、第１位置にある基板９０が温水に浸漬され、基板加熱処理が開始される（ステップＳ１８）。基板加熱処理では、基板９０に温水から熱が伝わることによって基板９０が蓄熱される。ここで、前述のように、制御部５０および加熱装置２０１によって、石英槽１１内の温水の温度はほぼ一定に保たれているため、温水の温度降下がほとんどなく、基板処理装置１は基板９０を効率よく加熱処理することができる。
【００６６】
制御部５０は、加熱処理中の基板９０の温度を熱センサなどにより検出し、基板９０の温度が温水とほぼ同じ温度になると、基板９０の引き上げ処理を開始する（ステップＳ１９）。なお、基板９０が温水に浸漬されてからほぼ温水の温度になるまでの時間を予め測定しておき、この時間が経過することにより、基板９０の引き上げ開始タイミングを判断してもよい。
【００６７】
基板９０の表面のうち、温水から引き上げられた部分に付着している温水（純水）は、チャンバ１０内の雰囲気（温度および湿度が適度に調整された窒素ガス）中に置かれ、かつ基板９０が蓄熱されていることから速やかに蒸発し、基板９０の乾燥が進行する。すなわち、ステップＳ１９における基板９０の引き上げ処理は、基板９０に付着した純水を乾燥させる処理に相当する。なお、基板９０の引き上げ動作は、制御部５０が基板保持機構４０を制御することによって、基板９０を第２位置へ移動することにより行われる。
【００６８】
これにより、基板保持機構４０が第１位置において基板９０を昇温した後に、基板９０の第２位置への移動を開始することができ、基板９０が十分に温まって（蓄熱されて）から乾燥を開始することができる。なお、本実施の形態では、基板保持機構４０による基板９０の移動速度（引き上げ速度）は、制御部５０により１ｍｍ／ｓｅｃに制御されるが、基板９０の形状・大きさなどの状態や温水の温度などによって速度を適宜設定することが好ましい。
【００６９】
基板９０が第２位置への移動を完了し、基板９０全体が温水から引き上げられた状態になってから所定の時間が経過すると、基板処理装置１は、基板９０の乾燥が完了したとみなして、窒素ガスの供給およびチャンバ１０内の雰囲気の吸引を停止する（ステップＳ２０）。なお、このときに同時に、温水ユニット２０からの温水の循環供給を停止するようにしてもよい。
【００７０】
次に、移動機構１３１が送風機構１３を開放位置に移動させるとともに、図示しない搬送機構が基板保持機構４０に保持されている基板９０を受け取り、チャンバ１０から搬出する。
【００７１】
さらに、基板処理装置１は、他に処理すべき基板９０が存在するか否かを判定し（ステップＳ２１）、処理すべき基板９０が存在する場合には基板９０に対してステップＳ１１からの処理を繰り返し実行し、一方、処理すべき基板９０が存在しない場合には処理を終了する。
【００７２】
以上により、第１の実施の形態における基板処理装置１は、窒素供給部１２および送風機構１３によってチャンバ１０内に窒素ガスを供給しつつ、基板９０の乾燥処理を行うことにより、従来の装置に比べて低酸素雰囲気中で基板９０を乾燥させることがでる。したがって、基板９０の表面にウォーターマークが発生することを抑制することができ、基板９０の乾燥不良を防止することができる。
【００７３】
また、基板９０の乾燥処理中（基板９０の引き上げ処理中）は、石英槽１１内の温水の液面を波立たせないように、窒素ガスの送風量、チャンバ１０内の雰囲気の吸引量および温水の供給流量が制御されているため、一旦、乾燥した基板９０の表面に温水が再度付着することを防止することができる。
【００７４】
＜２．  第２の実施の形態＞
第１の実施の形態では、送風機構１３によって窒素供給部１２から供給される窒素ガスをチャンバ１０内に送風していた。しかし、チャンバ１０内に窒素ガスを送り出す機構としてはこれに限られるものではなく、いわゆるパージ管が用いられてもよい。
【００７５】
図７は、このような原理に基づいて構成した第２の実施の形態における基板処理装置２を示す図である。なお、本実施の形態における基板処理装置２において、第１の実施の形態における基板処理装置１と同様の機能を有する構成については同符号を付し、適宜説明を省略する。
【００７６】
基板処理装置２は、上方パージ管１２２および下方パージ管１２３を備えている。なお、図７においては、ハロゲンランプ１４および移動機構１３１を省略している。また、第１の実施の形態における移動機構１３１は、送風機構１３を回動させることによってチャンバ１０の開放・閉鎖を行っていたが、本実施の形態における移動機構１３１は筐体１３０のみを回動させる機構として構成される。さらに、排気機構３０は、チャンバ１０に設けられた排気口３０ａを介してチャンバ１０内と連通接続されている。
【００７７】
上方パージ管１２２および下方パージ管１２３は、Ｘ軸方向に伸びる管状部材であって、円筒側面の所定の位置に窒素ガスを噴出させるためのスリット（図示せず）を有している。また、上方パージ管１２２および下方パージ管１２３は、窒素供給部１２と配管によって連通接続され、窒素供給部１２から供給された窒素ガスをチャンバ１０内に略均一な分布で吐出する機能を有している。基板処理装置２においては、上方パージ管１２２および下方パージ管１２３の配置位置、およびこれらに設けられる前述のスリットの位置によって、チャンバ１０内に送り出される窒素ガスの流れの方向が規定される。すなわち、基板処理装置２は、チャンバ１０内における窒素ガスの流れを容易に制御することができる。なお、上方パージ管１２２および下方パージ管１２３には、前述のスリットの代わりに、所定の間隔で噴出口を設けてもよい。また、パージ管の位置および数は本実施の形態に示すものに限られるものではない。
【００７８】
上方パージ管１２２は、チャンバ１０の上方に一対配置されており、図７に示すように、窒素ガスの噴出方向が下向きとなるようにスリットが設けられている。これにより、上方パージ管１２２は、主にチャンバ１０内に窒素ガスのダウンフローを形成する。
【００７９】
下方パージ管１２３は、チャンバ１０の下方、排気口３０ａの上方近傍に一対設けられており、窒素ガスの噴出方向が略水平方向となる位置にスリットが設けられている。すなわち、下方パージ管１２３の窒素ガスの噴出方向は、石英槽１１内に溜められている液体の液面に対して略平行となる。基板処理装置２では、下方パージ管１２３をこのように配置することにより、チャンバ１０内において液面と略平行方向にいわゆるエアカーテンを形成する。また、下方パージ管１２３から送り出される窒素ガスは、液面から引き上げられた基板９０に直接吹き付けられる。
【００８０】
次に、本実施の形態における基板処理装置２の動作を説明する。図８は、基板処理装置２の動作を示す流れ図である。なお、基板処理装置２の動作は、第１の実施の形態における基板処理装置１の動作とほぼ同様であるため、適宜説明を省略する。
【００８１】
まず、基板処理装置２では、供給する窒素ガスや温水の温度や窒素ガスの湿度の設定など、所定の初期設定が行われる。その後、移動機構１３１が筐体１３０を開放位置に回動させることによりチャンバ１０を開放し、図示しない搬送装置が基板処理装置２のチャンバ１０内に基板９０を搬送する。
【００８２】
次に、基板保持機構４０が搬送された基板９０を保持しつつ（ステップＳ５１）、基板９０を第１位置に移動させる。この動作と並行して移動機構１３１が筐体１３０を閉鎖位置に移動させる。これによって、チャンバ１０の空洞部１００は密閉状態とされる。
【００８３】
チャンバ１０が密閉状態になると、窒素供給部１２が上方パージ管１２２および下方パージ管１２３を介して窒素ガスの供給を開始する。また、排気機構３０が排気口３０ａを介してチャンバ１０内の雰囲気の吸引を開始する（ステップＳ５２）。
【００８４】
図９は、窒素供給部１２、上方パージ管１２２および下方パージ管１２３によって窒素ガスが供給される工程を示す流れ図である。窒素供給部１２は、加熱装置１２０および除湿装置１２１によって、供給する窒素ガスの温度調整および湿度調整を行う（ステップＳ７１，Ｓ７２）。その後、窒素供給部１２は、上方パージ管１２２および下方パージ管１２３から、温度および湿度が調整された窒素ガスをチャンバ１０内に吐出する（ステップＳ７３）。
【００８５】
ここで、上方パージ管１２２から窒素ガスが噴出され、排気機構３０が排気口３０ａから雰囲気の排気を行うことにより、チャンバ１０内には前述のようにダウンフローが形成される。したがって、チャンバ１０の開放によってチャンバ１０内に取り込まれた外部雰囲気（主に空気）は、速やかにチャンバ１０外に排気され、チャンバ１０内の雰囲気が効率よく窒素ガスに置換される。これにより、基板処理装置２は、低酸素濃度の雰囲気中で以下の処理を行うことができるため、ウォーターマークの発生を抑制することができる。
【００８６】
次に、基板処理装置２は、基板処理装置１におけるステップＳ１３ないしＳ１７と同様の処理を行う。具体的には、チャンバ１０内に搬入された基板９０に対して純水による洗浄を行い（ステップＳ５３）、薬液による基板９０の洗浄を行った後（ステップＳ５４）、再度薬液を除去するための純水による洗浄を行う（ステップＳ５５）。さらに、温水供給処理（ステップＳ５６）を実行するとともに、ハロゲンランプ１４を制御してチャンバ１０内の温度調節を開始する（ステップＳ５７）。
【００８７】
石英槽１１内に温水が供給されると、石英槽１１内の純水が徐々に温水に置換される。これにより、第１位置にある基板９０が温水に浸漬され、基板加熱処理（ステップＳ５８）が開始される。
【００８８】
ここで、基板処理装置２では、下方パージ管１２３によってチャンバ１０内にエアカーテンが形成され、気化によって液面から発生した蒸気は上方への拡散が抑制される。したがって、液面から発生した蒸気はエアカーテンの下方にとどまり、排気機構３０によって速やかにチャンバ１０外に排気される。これにより、基板処理装置２は空洞部１００内の湿度の上昇を抑制することができる。
【００８９】
基板処理装置２は、第１の実施の形態における基板処理装置１と同様のタイミングで基板９０の引き上げ処理を開始する（ステップＳ５９）。これにより、基板９０の表面のうち、温水から引き上げられた部分に付着している温水は、チャンバ１０内の雰囲気中に置かれ、かつ基板９０が蓄熱されていることから速やかに蒸発する。
【００９０】
本実施の形態における基板処理装置２では、下方パージ管１２３から基板９０に対して窒素ガスを直接吹き付けるため、基板９０に付着した純水を効率よく乾燥させることができる。また、チャンバ１０内にエアカーテンを形成することにより、液面から発生する蒸気のチャンバ１０内への拡散を防止し、空洞部１００内の湿度の上昇を抑制しているため、温水から引き上げられた基板９０に対する純水の結露を抑制することができる。さらに、エアカーテンにより、上方パージ管１２２から下方に噴出された窒素ガスが直接温水の液面に当たることを抑制しているため、温水液面の揺れを抑制することができる。
【００９１】
基板９０の引き上げ処理により基板９０が第２位置への移動を完了し、基板９０全体が温水から引き上げられた状態になってから所定の時間が経過すると、基板処理装置２は、基板９０の乾燥が完了したとみなして、窒素ガスの供給およびチャンバ１０内の雰囲気の吸引を停止する（ステップＳ６０）。
【００９２】
次に、移動機構１３１が筐体１３０を開放位置に移動させてチャンバ１０を開放する。続いて、図示しない搬送機構が基板保持機構４０に保持されている基板９０を受け取り、チャンバ１０から搬出する。
【００９３】
さらに、基板処理装置１は、他に処理すべき基板９０が存在するか否かを判定し（ステップＳ６１）、処理すべき基板９０が存在する場合には基板９０に対してステップＳ５１からの処理を繰り返し実行する。一方、処理すべき基板９０が存在しない場合には処理を終了する。
【００９４】
以上のように、本実施の形態における基板処理装置２においても、第１の実施の形態における基板処理装置１と同様の効果を得ることができる。
【００９５】
また、チャンバ１０内に窒素ガスを吐出する機構としてパージ管を用いることにより、チャンバ１０内の窒素ガスの流れを必要に応じて容易に制御することができるため、効率のよい乾燥処理を行うことができる。
【００９６】
また、下方パージ管１２３から基板９０に対して窒素ガスを直接吹き付けるため、基板９０に付着した純水を効率よく乾燥させることができる。
【００９７】
また、チャンバ１０内にエアカーテンを形成することにより、液面から発生する蒸気のチャンバ１０内への拡散を防止し、空洞部１００内の湿度の上昇を抑制するため、温水から引き上げられた基板９０に対する純水の結露を抑制することができる。
【００９８】
また、エアカーテンにより、上方パージ管１２２から下方に噴出された窒素ガスが直接温水の液面に当たることを抑制するため、温水液面の揺れを抑制することができる。したがって、引き上げ処理中の基板９０を効率よく乾燥させることができる。
【００９９】
なお、基板処理装置２においては、上方パージ管１２２および下方パージ管１２３のいずれから噴出される窒素ガスも加熱装置１２０によって加熱されるとして説明したが、例えば、下方パージ管１２３から噴出させる窒素ガスのみ加熱するように構成してもよい。これにより、加熱装置１２０の加熱容量を抑制することができる。
【０１００】
また、ステップＳ５２において、上方パージ管１２２および下方パージ管１２３から同時に窒素ガスの噴出を開始すると説明したが、それぞれが別々のタイミングで窒素ガスを噴出するように構成してもよい。例えば、主にチャンバ１０内の雰囲気を窒素ガスに置換する間は上方パージ管１２２からのみ窒素ガスを噴出させてダウンフローを形成し、ステップＳ５６の温水供給処理が開始され、液面からの蒸気の発生が増加する前に、下方パージ管１２３から窒素ガスを噴出させてエアカーテンを形成するようにしてもよい。
【０１０１】
＜３．  変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【０１０２】
例えば、上記実施の形態では、石英槽１１に温水、薬液または純水が各ユニットから供給される際に、液配管機構２３の配管が部分的に共有されてるが、各ユニット毎にそれぞれ別々の配管を設けるようにしてもよい。
【０１０３】
また、上記実施の形態では、基板保持機構４０が基板９０を温水から引き上げることによって、石英槽１１内の温水と基板９０との相対位置を変更し、基板９０をチャンバ１０内の雰囲気中にさらして乾燥させるよう構成している。しかし、基板９０がチャンバ１０内の雰囲気中にさらされるように前述の相対位置を変更する手法はこれに限られるものではない。例えば、石英槽１１内の温水を図示しない排液機構で排出することによって、石英槽１１内に溜められている温水の量を順次減少させるように構成してもよい。
【０１０４】
また、乾燥処理中にチャンバ１０内に供給される気体は、窒素ガスに限られるものではなく、酸素を含まないガスとしての種々の不活性ガス、例えば、ネオンガスやアルゴンガスなどであってもよい。
【０１０５】
また、上記実施の形態における基板処理装置１は、薬液ユニット２１を備えており、基板９０に対して薬液による洗浄を行う（ステップＳ１４）ことも可能な装置として構成されているが、本発明に係る基板処理装置としては、このような処理を他の装置で行い、基板９０に付着した純水（処理液）を乾燥させる装置としてのみ構成することもできる。
【０１０６】
【発明の効果】
請求項１ないし１４に記載の発明では、処理室内に不活性ガスを供給することにより、ウォーターマークの生成を抑制しつつ基板を乾燥させることができる。
【０１０７】
請求項２に記載の発明では、処理室内の雰囲気の温度を加温状態に調整する処理室温調手段をさらに備えることにより、乾燥処理中の基板の温度降下を防止することができることから、乾燥効率を向上させることができる。
【０１０８】
請求項３に記載の発明では、処理室温調手段が、光輻射型の加熱手段であって、処理室の外部に設けられていることにより、装置構成を簡素化することができる。
【０１０９】
請求項４に記載の発明では、処理室内の雰囲気を排気する排気手段をさらに備えることにより、処理液の蒸気を排気することができることから、乾燥効率を向上させることができる。
【０１１０】
請求項５に記載の発明では、処理液供給手段が処理槽へ薬液を供給し、処理槽内において薬液による洗浄処理が行えるので、濡れた状態の基板を搬送する必要がない。
【０１１１】
請求項６に記載の発明では、所定の処理液として摂氏７０度以上に加熱した純水を処理槽に供給することにより、基板を十分に温めることができることから、効率的に基板を乾燥させることができる。
【０１１２】
請求項７に記載の発明では、処理槽に供給する前に所定の処理液に含まれる気泡を抑制する気泡抑制手段を有することにより、気泡のない処理液を供給することができることから、基板の乾燥ムラを抑制することができる。
【０１１３】
請求項８に記載の発明では、処理室内に供給する不活性ガスを清浄化するフィルター手段を有し、不活性ガスを処理室の上面から供給することにより、パーティクルなどが基板に付着することを防止することができるとともに、乾燥ムラを防止することができる。
【０１１４】
請求項９に記載の発明では、不活性ガス供給手段が、不活性ガスを処理室内に吐出するパージ手段を備えることにより、処理室内における不活性ガスの流れを容易に制御することができる。
【０１１５】
請求項１２に記載の発明では、処理室内に供給する不活性ガスの湿度を調整する調整手段を有することにより、適切な湿度の不活性ガスを供給することができることから、効率のよい乾燥処理を行うことができる。
【０１１６】
請求項１３に記載の発明では、処理室内に供給する不活性ガスの温度を加温状態に調整する不活性ガス温調手段を有することにより、乾燥処理中の基板の温度降下を防止することができることから、乾燥効率を向上させることができる。
【０１１７】
請求項１４に記載の発明では、基板の処理面が処理室内で鉛直方向と略平行状態となるように基板を保持することにより、基板を第２位置に移動させる際に、処理液の液切れをよくすることができることから、乾燥効率を向上させることができる。
【０１１８】
請求項１５ないし２４に記載の発明では、処理室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給工程を有することにより、ウォーターマークの生成を抑制しつつ基板を乾燥させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板処理装置の概略図である。
【図２】窒素供給部および送風機構の構成を示すブロック図である。
【図３】温水ユニットの構成を示すブロック図である。
【図４】本実施の形態における基板処理装置の動作を示す流れ図である。
【図５】窒素供給部および送風機構によって窒素ガスが供給される工程を示す流れ図である。
【図６】図４の温水供給処理の詳細を示す図である。
【図７】第２の実施の形態における基板処理装置を示す図である。
【図８】基板処理装置の動作を示す流れ図である。
【図９】窒素供給部、上方パージ管および下方パージ管によって窒素ガスが供給される工程を示す流れ図である。
【符号の説明】
１，２  基板処理装置
１０  チャンバ
１００  空洞部
１１  石英槽
１２  窒素供給部
１２０  加熱装置
１２１  除湿装置
１２２  上方パージ管
１２３  下方パージ管
１３  送風機構
１３１  移動機構
１３３  フィルタ
１４  ハロゲンランプ
２０  温水ユニット
２０１  加熱装置
２０２  脱気装置
２１  薬液ユニット
２３  液配管機構
３０  排気機構
３０ａ  排気口
４０  基板保持機構
５０  制御部
９０  基板
【図１】
2004165624.tif 000003
【図２】
2004165624.tif 000004
【図３】
2004165624.tif 000005
【図４】
2004165624.tif 000006
【図５】
2004165624.tif 000007
【図６】
2004165624.tif 000008
【図７】
2004165624.tif 000009
【図８】
2004165624.tif 000010
【図９】
2004165624.tif 000011