(57)【要約】【課題】  ニッケル金属粉末中のアルカリ金属の含量を低減させうるニッケル金属粉末の製造方法、アルカリ金属の含量が少ないニッケル金属粉末、アルカリ金属の含量が少ないニッケル金属粉末を含む導電性ペースト、及びアルカリ金属の含量が少ないニッケル内部電極を含むＭＬＣＣを提供する。【解決手段】  有機塩基、ニッケル前駆化合物及びポリオールを含む混合物を加熱する段階を含み、この際、前記ニッケル前駆化合物は前記有機塩基と前記ポリオールとによって還元されてニッケル金属に転換されるニッケル金属粉末の製造方法である。この方法では、ＮａＯＨ、ＫＯＨなどのアルカリ金属の水酸化物に代えて有機塩基を用いるため、ニッケル金属粉末中に混入するナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属等の不純物の含量を著しく低減させうる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機塩基、ニッケル前駆化合物及びポリオールを含む混合物を加熱する段階を含み、
この際、前記ニッケル前駆化合物は、前記有機塩基と前記ポリオールとによって還元されてニッケル金属に転換されることを特徴とするニッケル金属粉末の製造方法。
【請求項２】
前記有機塩基は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルジエチルアンモニウムヒドロキシド、エチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルホスホニウムヒドロキシド、トリメチルアミン、ジエチルアミン及びエタノールアミンの中から選択される一つ以上であることを特徴とする請求項１に記載のニッケル金属粉末の製造方法。
【請求項３】
前記混合物を加熱する段階は、４５〜３５０℃の温度で行なわれることを特徴とする請求項１または２に記載のニッケル金属粉末の製造方法。
【請求項４】
前記混合物は、水をさらに含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のニッケル金属粉末の製造方法。
【請求項５】
前記混合物を加熱する段階は、１００〜３５０℃の温度で行なわれることを特徴とする請求項４に記載のニッケル金属粉末の製造方法。
【請求項６】
前記混合物を加熱する段階は、
（ａ）前記混合物を４５〜１００℃の温度で加熱する段階と、
（ｂ）前記（ａ）段階後に、前記混合物を１００〜３５０℃の温度で加熱する段階と、を含むことを特徴とする請求項４に記載のニッケル金属粉末の製造方法。
【請求項７】
前記混合物は、１価アルコールをさらに含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のニッケル金属粉末の製造方法。
【請求項８】
前記混合物は、核生成剤をさらに含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のニッケル金属粉末の製造方法。
【請求項９】
アルカリ金属含量が０．１〜５０質量ｐｐｍであることを特徴とするニッケル金属粉末。
【請求項１０】
粒子径が２０〜３００ｎｍであることを特徴とする請求項９に記載のニッケル金属粉末。
【請求項１１】
ニッケル金属粉末、有機バインダ及び有機溶媒を含む導電性ペーストにおいて、
前記ニッケル金属粉末のアルカリ金属含量は０．１〜５０質量ｐｐｍであり、及び／又は、粒子径は２０〜３００ｎｍであることを特徴とする導電性ペースト。
【請求項１２】
ニッケル内部電極を含む積層セラミックコンデンサにおいて、
前記ニッケル内部電極のアルカリ金属含量は０．１〜５０質量ｐｐｍであることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ニッケル金属粉末及びその製造方法に関する。また、本発明は、導電性ペースト及び積層セラミックコンデンサ（Ｍｕｌｔｉ−Ｌａｙｅｒ  Ｃｅｒａｍｉｃ  Ｃａｐａｃｉｔｏｒ：ＭＬＣＣ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＬＣＣは、複数の誘電層及び複数の内部電極が積層された構造を有する。このような構造を有するＭＬＣＣは、小さな体積でも大きい容量を発揮するため、例えば、コンピュータ、移動通信機器などの電子機器に広く用いられている。
【０００３】
従来、ＭＬＣＣの内部電極の材料としては、Ａｇ−Ｐｄ合金が用いられている。Ａｇ−Ｐｄ合金は、空気中で焼結されるため、ＭＬＣＣの製造に容易に適用されうるが、高価である。１９９０年代後半になって、ＭＬＣＣの価格を下げるために、内部電極の材料として安価なニッケルが用いられるようになった。ＭＬＣＣのニッケル製の内部電極は、ニッケル金属粉末を含む導電性ペーストから形成される。
【０００４】
ニッケル金属粉末を製造する方法には気相法と液相法とがある。気相法は、ニッケル金属粉末の形状及び不純物の制御が比較的容易で広く用いられているが、粒子の微細化と大量生産の面では不利である。一方、液相法は大量生産に有利であり、初期投資及び工程に要するコストが安いという長所を有している。
【０００５】
液相法はまた２種に分類される。第一の方法では、ニッケル金属粉末に転換される出発物質として水酸化ニッケルが用いられる。第二の方法では、ニッケル金属粉末に転換される出発物質として水酸化ニッケル以外のニッケル前駆物質（例えば、ニッケル塩、ニッケル酸化物など）が用いられる。
【０００６】
前記第一の方法は、その工程が比較的簡単であるという長所を有しているが、出発物質である水酸化ニッケルが高価であり、さらにニッケル金属粉末の粒度の制御が容易でないという短所を有している。
【０００７】
前記第二の方法は、その工程が比較的複雑ではあるが、出発物質として硫酸ニッケル、塩化ニッケル、酢酸ニッケルのような安価なニッケル前駆物質を用いることができ、数〜数百ナノメートルの範囲での粒子径の制御が比較的容易であるという長所を有している。
【０００８】
液相法の具体的な例は、特許文献１および２に開示されている。
【０００９】
特許文献１には、金、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銅、銀、ニッケル、コバルト、鉛、カドミウムなどの酸化物、水酸化物または塩を、還元剤である液相のポリオール中に分散させた後、加熱することで、前記金属の粉末を得る方法開示されている。
【００１０】
特許文献２には、水酸化ナトリウム水溶液を硫酸ニッケル水溶液と混合して水酸化ニッケルを生成させる段階と、生成した水酸化ニッケルをヒドラジンを用いて還元してニッケルを生成させる段階と、生成したニッケルを回収する段階と、を含むニッケル金属粉末の製造方法が開示されている。
【００１１】
液相法で水酸化ニッケルが出発物質または中間物質として用いられる理由は、水酸化ニッケルが他の形態のニッケル化合物よりも比較的容易に還元されうるためである。
【００１２】
前記第二の方法において、ニッケル前駆化合物を水酸化ニッケルへ転換するためにアルカリが添加される。前記アルカリとしては、通常、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）、水酸化カリウム（ＫＯＨ）などが用いられる。このような場合に、ニッケル金属粉末の表面にナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）などが不純物として残留する。ナトリウム、カリウムなどは表面エネルギーが非常に低いため、ニッケル金属粉末からこれらを除去することは非常に困難である。
【００１３】
高容量ＭＬＣＣに用いられるニッケル金属粉末については、さらに導電性を向上させる必要があり、誘電体の電気容量に悪影響を及ぼす不純物の量をより低減させる必要がある。ナトリウム、カリウムなどのようなアルカリ金属は、ニッケル電極の導電性を低下させるだけでなく、誘電体の容量をも低下させうる。
【００１４】
上記のような理由から、ナトリウム、カリウムなどの不純物の含量を最小化させうるニッケル金属粉末の製造方法、及び、ナトリウム、カリウムなどの不純物の含量が最小化されたニッケル金属粉末が要求されている。
【特許文献１】米国特許第４，５３９，０４１号明細書
【特許文献２】米国特許第６，１２０，５７６号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、ニッケル金属粉末中のアルカリ金属の含量を低減させうる、ニッケル金属粉末の製造方法を提供することを目的とする。
【００１６】
また本発明は、アルカリ金属の含量が低減されたニッケル金属粉末を提供することを目的とする。
【００１７】
また本発明は、アルカリ金属の含量が低減されたニッケル金属粉末を含む導電性ペーストを提供することを目的とする。
【００１８】
さらに本発明は、アルカリ金属の含量が低減されたニッケル内部電極を含むＭＬＣＣを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明により提供されるニッケル金属粉末の製造方法は、有機塩基、ニッケル前駆化合物及びポリオールを含む混合物を加熱する段階を含み、この際、前記ニッケル前駆化合物は、前記有機塩基と前記ポリオールとによって還元されてニッケル金属に転換される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の製造方法によれば、微細で均一な粒子径を有し、アルカリ金属の含量が非常に低減されたニッケル金属粉末が得られる。
【００２１】
本発明のニッケル金属粉末は、微細で均一な粒子径を有し、アルカリ金属の含量が非常に低減されているため、特にＭＬＣＣの内部電極を形成するための材料として好適に用いられうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の第１は、ニッケル金属粉末の製造方法に関する。詳細には、本発明の第１は、有機塩基、ニッケル前駆化合物及びポリオールを含む混合物を加熱する段階を含み、この際、前記ニッケル前駆化合物は、前記有機塩基と前記ポリオールとによって還元されてニッケル金属に転換されることを特徴とするニッケル金属粉末の製造方法である。
【００２３】
実験的に知られたところによれば、ニッケル前駆化合物がニッケル金属に容易に還元されるｐＨ範囲は、約９〜１１程度である。前記有機塩基の主な機能は、前記混合物のｐＨを、ニッケル前駆化合物のニッケル金属への還元に適当な値に調節することである。本発明では、ＮａＯＨ、ＫＯＨなどのようなアルカリ金属の水酸化物の代わりに有機塩基を用いることで、製造されたニッケル金属粉末中にナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属が不純物として混入することが防止される。
【００２４】
前記有機塩基としては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＥＡＨ）、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ）、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド（ＴＰＡＨ）、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルジエチルアンモニウムヒドロキシド、エチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルホスホニウムヒドロキシド、トリメチルアミン（ＴＭＡ）、ジエチルアミン（ＤＥＡ）、エタノールアミンなどが単独でまたは組み合わせて用いられうる。
【００２５】
前記混合物中の有機塩基の含量は特に制限されない。典型的な例としては、前記有機塩基は、前記混合物の初期のｐＨが、好ましくは約９以上、より好ましくは約１０以上となる程度含有されればよい。具体的には、前記混合物中の有機塩基の含量は、ニッケル前駆化合物１モルを基準として約１〜１０モル程度である。
【００２６】
前記ニッケル前駆化合物としては、有機塩基の存在下でポリオールによりニッケル金属に還元されうる化合物であればよく、特に制限されない。前記ニッケル前駆化合物の例としては、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、ニッケル塩などが挙げられる。ニッケル塩の具体的な例としては、例えば、硫酸ニッケル、硝酸ニッケル、塩化ニッケル、臭化ニッケル、フッ化ニッケル、酢酸ニッケル、ニッケルアセチルアセトネート、水酸化ニッケルなどが挙げられる。このようなニッケル前駆化合物は、単独でまたは組み合わせて用いられうる。
【００２７】
前記ポリオールは、有機塩基とニッケル前駆化合物とを溶解する溶媒として機能する。また、前記ポリオールは、ニッケル前駆化合物をニッケル金属に還元するための還元剤としても機能する。前記ポリオールは２個または３個以上のヒドロキシル基を有するアルコール化合物である。還元剤として用いられるポリオールの具体例は、米国特許第２，５３０，０４１号公報に詳細に開示されている。
【００２８】
前記ポリオールの例としては、例えば、２価アルコールである脂肪族グリコール、またはこれに対応するグリコールポリエステルなどが挙げられる。
【００２９】
脂肪族グリコールの具体的な例としては、例えば、エタンジオール、プロパンジオール、ブタンジオール、ペンタンジオール、ヘキサンジオールなどのような炭素数２〜６の主鎖を有するアルキレングリコールのほか、このようなアルキレングリコールから誘導された、例えば、ポリエチレングリコールのようなポリアルキレングリコールなどが挙げられる。
【００３０】
脂肪族グリコールの他の具体的な例としては、例えば、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ジプロピレングリコールなどが挙げられる。
【００３１】
また、前記ポリオールの他の例としては、３価アルコールであるグリセロールなどが挙げられる。
【００３２】
前記ポリオールは、上記で列挙された具体的なポリオール化合物に制限されるものではなく、また、上記のポリオール化合物は単独でまたは組み合わせて用いられうる。
【００３３】
さらに好ましくは、前記ポリオールとして、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、ジプロピレングリコール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、または２，３−ブタンジオールが用いられる。
【００３４】
前記混合物中のポリオールの含量は特に制限されず、ニッケル前駆化合物の溶解度を考慮して適切に決定されうる。典型的な例としては、前記混合物は、ニッケル前駆化合物のモル濃度が約０．０１モル〜０．５モル程度となる量で前記混合物中に含有されうる。
【００３５】
ニッケル前駆化合物のニッケル金属への還元反応を促進させるために、本発明の方法は、有機塩基、ニッケル前駆化合物及びポリオールを含む前記混合物を加熱する段階を含む。「加熱」とは、有機塩基、ニッケル前駆化合物及びポリオールを含む混合物の温度を室温、具体的には約２０℃を超過する温度に上昇させることを意味する。例えば、前記加熱段階は、室温以下の温度のポリオール、室温以下の温度の有機塩基及び室温以下の温度のニッケル前駆化合物を反応容器に投入した後、前記反応容器内の混合物の温度を室温を超過するように上昇させることにより行われうる。また、前記加熱段階は、室温を超過する温度のポリオール、室温以下の温度の有機塩基及び室温以下の温度のニッケル前駆化合物を反応容器に投入することによっても行われうる。前記加熱段階の温度は、固定値であってもよく、または室温を超過する一定の範囲で徐々に変化してもよい。当業者であれば、本発明の範囲内で容易に、かつ多様な加熱方法を用いることが可能である。
【００３６】
さらに好ましくは、前記還元反応をより効率的に促進させるため、前記加熱段階の温度は約４５℃以上である。
【００３７】
一般に、加熱段階の温度を上昇させるほど、前記還元反応は促進される。しかし、ある程度以上の温度では、前記還元反応の促進は飽和し、場合によっては反応物質の変質が生じることもある。このような点を考慮して、前記加熱段階の温度は約３５０℃以下であることが好ましい。
【００３８】
前記ポリオールは還元剤として機能するだけでなく、有機塩基及びニッケル前駆化合物に対する溶媒としても働くことから、前記加熱段階において前記ポリオールは液体状態に維持されるとよい。
【００３９】
本発明の方法は、開放された反応容器または密閉された反応容器を利用して実施されうるが、前記加熱段階の温度をポリオール及び／又は有機塩基の沸点以上に上昇させる場合には、密閉された反応容器を利用するのがより好ましい。
【００４０】
密閉された反応容器を利用する場合において、前記加熱段階の温度をポリオール及び／または有機塩基の沸点以上に上昇させると、反応容器の内部圧力は上昇するが、ポリオール及び有機塩基は液相に維持されうる。この際、密閉された反応容器内部には、適正な体積の気相領域と液相領域とが存在している。
【００４１】
本発明を実施するために利用される反応容器は、コンデンサーまたは還流コンデンサーを具備していてもよい。
【００４２】
前記加熱段階において、前記混合物の組成は時間の経過によって変化しうる。反応前は、前記混合物は有機塩基、ニッケル前駆化合物及びポリオールを含む。ニッケル前駆化合物のニッケル金属への還元反応の進行中には、前記混合物中にはニッケル前駆化合物とニッケル金属粒子とが共存している。ニッケル前駆化合物として水酸化ニッケル以外の化合物が用いられる場合、ニッケル前駆化合物の一部は水酸化ニッケルに転換された後にニッケル金属粒子に還元され、残りは水酸化ニッケルへの転換過程を経ずに直接ニッケル金属粒子に還元される。一定時間が経過すれば、実質的にすべてのニッケル前駆化合物がニッケル金属粒子に還元されうる。前記加熱段階を維持する時間は加熱段階の温度によって変動しうるが、当業者であれば容易に適切な時間を設定しうる。
【００４３】
本発明の製造方法の他の形態において、前記混合物は水をさらに含有してもよい。この場合、ニッケル前駆化合物のニッケル金属への還元は下記の二つの段階の反応経路を通過すると考えられる。しかし下記の形態のみに制限されることはない。
【００４４】
第一の段階は、ニッケル前駆化合物の水酸化ニッケルへの転換反応である。この段階では有機塩基が水と反応して水酸化物イオンが生じ、この水酸化物イオンがニッケル前駆化合物と反応することによって水酸化ニッケルが生成しうる。この第一の段階において、ニッケル前駆化合物の相当量は水酸化ニッケルに転換され、また、前記混合物中の水の大部分は蒸発することにより除去されうる。
【００４５】
第二の段階は、水酸化ニッケルのニッケル金属への還元反応である。前記混合物中に当初含有される水は酸化剤であるため、水酸化ニッケルのニッケル金属への還元を妨害しうる。しかし、本形態によれば、第一の段階において水が除去されるため、第二の段階においては、水によって水酸化ニッケルのニッケル金属への還元反応はほとんど妨害されない。
【００４６】
上記のような二つの段階は明確に区別されないまま連続的に移行する場合もありうる。
【００４７】
前記二つの段階は一定の温度で進行しうる。この場合、前記温度は水の沸点以上であることが好ましく、具体的な例としては、約１００〜３５０℃であるのが好ましい。前記第一の段階においては、気化した水を還流冷却装置等を用いて凝縮させて前記混合物中に還流させてもよく、または気化した水を連続的に反応器の外部に排出してもよい。水を混合物中に還流させる場合、第二の段階に移るためには、水の還流を止めて気化した水を反応器の外部に排出しなければならない。
【００４８】
前記二つの段階をそれぞれ異なる温度で進行させてもよい。この場合、例えば、第一の段階を水の沸点以下の温度で進行させ、第二の段階を水の沸点以上の温度で進行させてもよい。具体的には、第一の段階を約４５〜１００℃の温度で進行させ、第二の段階を約１００〜３５０℃の温度で進行させてもよい。
【００４９】
上記のように、混合物中に水が含有されると、前記二つの段階を経由することによって、ほとんどすべてのニッケル前駆化合物が水酸化ニッケルを経てニッケル金属に還元され、極めて一部のニッケル前駆化合物のみが直接ニッケル金属に還元される。このように反応経路がほとんど画一化されるため、水をさらに含む混合物から製造されたニッケル金属粉末は均一な形状を有し、その粒子径分布も狭いという利点を有する。
【００５０】
前記混合物が水をさらに含有する場合、前記混合物中の水の含量は特に制限されない。典型的な例としては、前記混合物中の水の含量は、有機塩基１モルを基準として約０．１〜１０モル程度である。
【００５１】
本発明の製造方法のさらに他の形態において、前記混合物は１価アルコールをさらに含有してもよい。１価アルコールは、１個のヒドロキシル基を有する直鎖型または分岐型アルコール化合物である。１価アルコールの具体的な例としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノールなどが挙げられる。前記混合物中の１価アルコールの含量は特に制限されない。典型的な例としては、前記混合物中の１価アルコールの含量は有機塩基１モルを基準として約０．１〜１０モル程度である。
【００５２】
本発明の製造方法のさらに他の形態において、前記混合物は核生成剤をさらに含有してもよい。前記核生成剤は、還元により生じるニッケル金属粉末の粒子径をさらに均一にするために用いられる。前記核生成剤としては、例えば、Ｋ２ＰｔＣｌ４、Ｈ２ＰｔＣｌ６、ＰｄＣｌ２、ＡｇＮＯ３などが挙げられる。前記混合物中の核生成剤の含量は特に制限されない。典型的な例としては、前記混合物中の核生成剤の含量は、ニッケル前駆化合物１モルを基準として約１／１００００〜２／１０００モル程度であり、好ましくはニッケル前駆化合物の約０．１％程度である。
【００５３】
本発明の第２は、ニッケル金属粉末に関する。すなわち、本願は、本発明の第２として、ナトリウムやカリウム等のアルカリ金属の含量が約０．１〜５０質量ｐｐｍであるニッケル金属粉末を提供する。ここで、前記ニッケル金属粉末のアルカリ金属含量は、約０．１〜２５質量ｐｐｍであることが好ましい。本発明のニッケル金属粉末において、ニッケル金属の粒子径は特別に制限されず、例えば、約２０〜３００ｎｍ程度である。本発明のニッケル金属粉末は、本発明の第１である有機塩基を用いた製造方法によって容易に製造されうる。本発明のニッケル金属粉末は、電子回路の内部配線材料、触媒などのさまざまな用途に使用されうる。特に、本発明のニッケル金属粉末は、アルカリ金属含量が非常に少ないため、ＭＬＣＣの内部電極用材料として好適に用いられうる。
【００５４】
本発明の第３は、導電性ペーストに関する。すなわち、本発明の第３は、ニッケル金属粉末、有機バインダ及び有機溶媒を含む導電性ペーストにおいて、前記ニッケル金属粉末中のナトリウムやカリウム等のアルカリ金属の含量は約０．１〜５０質量ｐｐｍであり、好ましくは０．１〜２５質量ｐｐｍであり、粒子径は約２０〜３００ｎｍであることを特徴とする導電性ペーストである。本発明の第３の導電性ペーストに含有される前記ニッケル金属粉末は、上述した本発明の第１であるニッケル金属粉末の製造方法によって容易に製造されうる。前記有機バインダとしては、例えば、エチルセルロースなどが挙げられる。前記有機溶媒としては、テルピネオール、ジヒドロキシテルピネオール、１−オクタノールケロセンなどが挙げられる。本発明の導電性ペースト中の各成分の組成は、例えば、前記ニッケル金属粉末の含量は約４０重量％、前記有機バインダの含量は約１５重量％、前記有機溶媒の含量は約４５重量％程度である。しかし、このような組成は一例に過ぎず、用途に応じて多様な組成が選択されうる。また、本発明の導電性ペーストは、例えば、可塑剤、アンチシックニング剤（ａｎｔｉ−ｔｈｉｃｋｅｎｉｎｇ  ａｇｅｎｔ）、分散剤などの添加剤をさらに含有してもよい。本発明の導電性ペーストの製造方法としては、従来公知の種々の方法が採用されうるため、ここでは詳細な説明を省略する。
【００５５】
本発明の第４は、積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ）に関する。すなわち、本発明の第４は、ニッケル内部電極を含むＭＬＣＣにおいて、前記ニッケル内部電極中のナトリウムやカリウム等のアルカリ金属の含量は約０．１〜５０質量ｐｐｍ、好ましくは０．１〜２５質量ｐｐｍであることを特徴とするＭＬＣＣである。
【００５６】
本発明のＭＬＣＣの好ましい一実施形態を図１５に示す。図１５に示されるＭＬＣＣは、内部電極１０及び誘電層２０からなる積層体３０並びに端子電極４０で構成される。前記内部電極１０は、一方の端子電極に接触するように、その先端部が積層体３０の一方の側面に露出するように形成されている。
【００５７】
本発明のＭＬＣＣの製造方法の一例は以下の通りである。しかし、この形態のみには制限されない。まず、誘電材料を含む誘電層形成用ペーストと本発明の第３である導電性ペーストとを交互に印刷する。次いで、得られた積層体を焼成する。焼成により得られた積層体３０の側面に露出した内部電極１０の先端部と電気的及び機械的に接合されるように導電性ペーストを積層体３０の側面に塗布し、焼成することによって端子電極４０が形成される。
【００５８】
本発明のＭＬＣＣは図１５に示す形態に限定されず、多様な形状、寸法、積層数、回路構成などに変更されうる。
【実施例】
【００５９】
以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。しかし、本発明の技術的範囲は下記の実施例に制限されない。
【００６０】
＜実施例１：ＴＭＡＨ＞
有機塩基であるＴＭＡＨ２３ｇをポリオールであるエチレングリコール２５０ｍＬに溶解させて第１溶液を製造した。ニッケル前駆化合物であるＮｉ（ＣＨ３ＣＯＯ）２・４Ｈ２Ｏ  ２０ｇをエチレングリコール２５０ｍＬに溶解させて第２溶液を製造した。核生成剤であるＫ２ＰｔＣｌ４  ０．０３３２ｇをエチレングリコール２ｍＬに溶解させて第３溶液を製造した。第１溶液、第２溶液及び第３溶液を還流冷却装置を具備する反応器に投入して撹拌した。
【００６１】
前記反応器に投入された混合物を、磁石撹拌器が装着されたヒーティングマントルを用いて、１９０℃の温度で６時間加熱してニッケル金属粉末を生成させた。生成したニッケル金属粉末を濾過して分離した後、蒸溜水で洗浄した。得られたニッケル金属粉末を真空オーブン内で２５℃の温度で一晩乾燥させて、ニッケル金属粉末を製造した。
【００６２】
本実施例において製造されたニッケル金属粉末のＳＥＭ写真を撮影した。その結果を図１に示す。図１に示すように、本実施例において得られたニッケル金属粉末の形態は球形であり、その粒子径は約５０〜９０ｎｍであった。
【００６３】
本実施例において製造されたニッケル金属粉末について、５゜及び８５゜の角度でＸＲＤ（Ｘ−Ｒａｙ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）分析を行った。その結果を図２に示す。図２によれば、本実施例において得られたニッケル金属粉末は、酸化ニッケル、水酸化ニッケルなどの不純物を含まない、立方晶系構造を有する純粋なニッケル金属からなることが分かる。
【００６４】
本実施例において製造されたニッケル金属粉末について、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｅ−Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）法（誘導結合プラズマ法）を用いてナトリウム含量分析を行った。その結果、ニッケル金属粉末中のナトリウム含量は９．２質量ｐｐｍであった。
【００６５】
＜実施例２：ＴＭＡＨ／Ｈ２Ｏ＞
ＴＭＡＨ２３ｇ及び蒸溜水６８ｇをエチレングリコール２５０ｍＬに溶解させて第１溶液を製造した。Ｎｉ（ＣＨ３ＣＯＯ）２・４Ｈ２Ｏ  ２０ｇをエチレングリコール２５０ｍＬに溶解させて第２溶液を製造した。核生成剤であるＫ２ＰｔＣｌ４  ０．０３３２ｇをエチレングリコール２ｍＬに溶解させて第３溶液を製造した。第１溶液、第２溶液及び第３溶液を還流冷却装置を具備する反応器に投入して撹拌した。
【００６６】
前記反応器に投入された混合物を、磁石撹拌器が装着されたヒーティングマントルを用いて、１９０℃の温度で６時間加熱してニッケル金属粉末を生成させた。生成したニッケル金属粉末を濾過して分離した後に蒸溜水で洗浄した。得られたニッケル金属粉末を真空オーブン内で２５℃の温度で一晩乾燥させて、ニッケル金属粉末を製造した。
【００６７】
本実施例において製造されたニッケル金属粉末のＳＥＭ写真を撮影した。その結果を図３に示す。図３に示すように、本実施例において得られたニッケル金属粉末の形態は球形であり、その粒子径は約５０〜１１０ｎｍ程度であった。
【００６８】
本実施例において製造されたニッケル金属粉末について、５゜及び８５゜の角度でＸＲＤ分析を行った。その結果を図４に示す。図４によれば、本実施例において得られたニッケル金属粉末は、水酸化ニッケルを含まない純粋な金属ニッケルであることが確認される。前記実施例１と同様にナトリウム含量分析を行ったところ、本実施例において得られたニッケル金属粉末中のナトリウム含量は９．５質量ｐｐｍであった。
【００６９】
＜実施例３：ＴＥＡＨ／Ｈ２Ｏ＞
ＴＥＡＨの２０質量％水溶液１８５ｇをエチレングリコール２５０ｍＬに溶解させて第１溶液を製造した。Ｎｉ（ＣＨ３ＣＯＯ）２・４Ｈ２Ｏ  ２０ｇをエチレングリコール２５０ｍＬに溶解させて第２溶液を製造した。核生成剤であるＫ２ＰｔＣｌ４  ０．０３３２ｇをエチレングリコール２ｍＬに溶解させて第３溶液を製造した。第１溶液、第２溶液及び第３溶液を反応器に投入して撹拌した。
【００７０】
前記反応器に投入された混合物を、磁石撹拌器が装着されたヒーティングマントルを用いて、１９０℃の温度で６時間加熱してニッケル金属粉末を生成させた。生成したニッケル金属粉末を濾過して分離した後、蒸溜水で洗浄した。得られたニッケル金属粉末を真空オーブン内で２５℃の温度で一晩乾燥させて、ニッケル金属粉末を製造した。
【００７１】
本実施例において製造されたニッケル金属粉末のＳＥＭ写真を撮影した。その結果を図５に示す。図５に示すように、本実施例において得られたニッケル金属粉末の形態は球形であり、その粒子径は約５０〜１１０ｎｍ程度であった。
【００７２】
本実施例において製造されたニッケル金属粉末について、５゜及び８５゜の角度でＸＲＤ分析を行った。その結果を図６に示す。図６によれば、本実施例において得られたニッケル金属粉末は、水酸化ニッケルなどの不純物を含まないことが確認される。前記実施例１と同様にナトリウム含量分析を行ったところ、ニッケル金属粉末中のナトリウム含量は８．７質量ｐｐｍであった。
【００７３】
＜実施例４：ＴＭＡＨ／ＭｅＯＨ＞
ＴＭＡＨ２３ｇ及び１価アルコールであるメタノール６８ｇをエチレングリコール２５０ｍＬに溶解させて第１溶液を製造した。Ｎｉ（ＣＨ３ＣＯＯ）２・４Ｈ２Ｏ  ２０ｇをエチレングリコール２５０ｍＬに溶解させて第２溶液を製造した。核生成剤であるＫ２ＰｔＣｌ４  ０．０３３２ｇをエチレングリコール２ｍＬに溶解させて第３溶液を製造した。第１溶液、第２溶液及び第３溶液を反応器に投入して撹拌した。
【００７４】
前記反応器に投入された混合物を、磁石撹拌器が装着されたヒーティングマントルを用いて、１９０℃の温度で６時間加熱してニッケル金属粉末を生成させた。生成したニッケル金属粉末を濾過して分離した後、蒸溜水で洗浄した。得られたニッケル金属粉末を真空オーブン内で２５℃の温度で一晩乾燥させて、ニッケル金属粉末を製造した。
【００７５】
本実施例において製造されたニッケル金属粉末のＳＥＭ写真を撮影した。その結果を図７に示す。図７に示すように、本実施例において得られたニッケル金属粉末の形態は球形であり、その粒子径は約１２０〜２２０ｎｍ程度であった。
【００７６】
本実施例において製造されたニッケル金属粉末について、５゜及び８５゜の角度でＸＲＤ分析を行った。その結果を図８に示す。図８によれば、本実施例において得られたニッケル金属粉末は、水酸化ニッケルなどの不純物を含まないことが確認される。前記実施例１と同様にナトリウム含量分析を行ったところ、ニッケル金属粉末中のナトリウム含量は１３．６質量ｐｐｍであった。
【００７７】
＜実施例５：ＴＭＡ／Ｈ２Ｏ＞
有機塩基であるＴＭＡの３０質量％水溶液５０ｇをエチレングリコール２５０ｍＬに溶解させて第１溶液を製造した。Ｎｉ（ＣＨ３ＣＯＯ）２・４Ｈ２Ｏ  ２０ｇをエチレングリコール２５０ｍＬに溶解させて第２溶液を製造した。核生成剤であるＫ２ＰｔＣｌ４  ０．０３３２ｇをエチレングリコール２ｍＬに溶解させて第３溶液を製造した。第１溶液、第２溶液及び第３溶液を反応器に投入して撹拌した。
【００７８】
前記反応器に投入された混合物を、磁石撹拌器が装着されたヒーティングマントルを用いて、１９０℃の温度で６時間加熱してニッケル金属粉末を生成させた。生成したニッケル金属粉末を濾過して分離した後、蒸溜水で洗浄した。得られたニッケル金属粉末を真空オーブン内で２５℃の温度で一晩乾燥させて、ニッケル金属粉末を製造した。
【００７９】
本実施例において製造されたニッケル金属粉末のＳＥＭ写真を撮影した。その結果を図９に示す。図９に示すように、本実施例において得られたニッケル金属粉末の形態は球形であり、その粒子径は約１２０〜３００ｎｍ程度であった。
【００８０】
本実施例において製造されたニッケル金属粉末について、５゜及び８５゜の角度でＸＲＤ分析を行った。その結果を図１０に示す。図１０によれば、本実施例において得られたニッケル金属粉末は、水酸化ニッケルなどの不純物を含まないことが確認される。前記実施例１と同様にナトリウム含量分析を行ったところ、ニッケル金属粉末中のナトリウム含量は８．７質量ｐｐｍであった。
【００８１】
＜比較例１：ＮａＯＨ＞
無機塩基であるＮａＯＨ１０ｇをエチレングリコール２５０ｍＬに溶解して第１溶液を製造した。Ｎｉ（ＣＨ３ＣＯＯ）２・４Ｈ２Ｏ  ２０ｇをエチレングリコール２５０ｍＬに溶解して第２溶液を製造した。核生成剤Ｋ２ＰｔＣｌ４０．０３３２ｇをエチレングリコール２ｍＬに溶解して第３溶液を製造した。第１溶液、第２溶液及び第３溶液を反応器に投入して撹拌した。
【００８２】
前記反応器に投入された混合物を、磁石撹拌器が装着されたヒーティングマントルを用いて、１９０℃の温度で６時間加熱してニッケル金属粉末を生成させた。生成したニッケル金属粉末を濾過して分離した後、蒸溜水で洗浄した。得られたニッケル金属粉末を真空オーブン内で２５℃の温度で一晩乾燥させて、ニッケル金属粉末を製造した。
【００８３】
本比較例において製造されたニッケル金属粉末のＳＥＭ写真を撮影した。その結果を図１１に示す。図１１に示すように、本比較例において得られたニッケル金属粉末の形態は球形であり、その粒子径は約５０〜１１０ｎｍ程度であった。
【００８４】
本比較例において製造されたニッケル金属粉末について、５゜及び８５゜の角度でＸＲＤ分析を行った。その結果を図１２に示す。図１２によれば、本比較例において得られたニッケル金属粉末は、酸化ニッケル、水酸化ニッケルなどの不純物を含まない立方晶系構造の純粋なニッケル金属からなることが分かる。しかしながら、本比較例において得られたニッケル金属粉末中のナトリウム含量は９５質量ｐｐｍと多かった。
【００８５】
＜比較例２：ＮａＯＨ／Ｈ２Ｏ＞
無機塩基であるＮａＯＨ１０ｇ及び蒸溜水６８ｇをエチレングリコール２５０ｍＬに溶解して第１溶液を製造した。Ｎｉ（ＣＨ３ＣＯＯ）２・４Ｈ２Ｏ  ２０ｇをエチレングリコール２５０ｍＬに溶解して第２溶液を製造した。核生成剤Ｋ２ＰｔＣｌ４  ０．０３３２ｇをエチレングリコール２ｍＬに溶解して第３溶液を製造した。第１溶液、第２溶液及び第３溶液を反応器に投入して撹拌した。
【００８６】
前記反応器に投入された混合物を、磁石撹拌器が装着されたヒーティングマントルを用いて、１９０℃の温度で６時間加熱してニッケル金属粉末を生成させた。生成したニッケル金属粉末を濾過して分離した後、蒸溜水で洗浄した。得られたニッケル金属粉末を真空オーブン内で２５℃の温度で一晩乾燥させて、ニッケル金属粉末を製造した。
【００８７】
本比較例において製造されたニッケル金属粉末のＳＥＭ写真を撮影した。その結果を図１３に示す。図１３に示すように、本比較例において得られたニッケル金属粉末では凝集がひどく見られ、その粒子径は約９０〜１２０ｎｍ程度であった。この粒子径は比較例１よりも大きく、粒子の凝集もひどく見られた。
【００８８】
本比較例において製造されたニッケル金属粉末について、５゜及び８５゜の角度でＸＲＤ分析を行った。その結果を図１４に示す。図１４によれば、本比較例において得られたニッケル金属粉末は、酸化ニッケル、水酸化ニッケルなどの不純物を含まない立方晶系構造の純粋な金属ニッケルからなることが確認される。前記実施例１と同様にナトリウム含量分析を行ったところ、本比較例において得られたニッケル金属粉末中のナトリウム含量は１１３質量ｐｐｍであった。
【００８９】
＜比較例３：気相法＞
気相法で製造されたニッケル金属粉末を商業的に入手し、前記実施例１と同様の方法によりナトリウム含量を分析した。その結果、気相法で製造されたニッケル金属粉末中のナトリウム含量は約２８〜３７質量ｐｐｍであった。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
本発明のニッケル金属粉末及びその製造方法、並びに導電性ペースト及びＭＬＣＣは、例えば、コンピュータ、移動通信機器などの電子機器に広く用いられうる。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】実施例１において製造されたニッケル金属粉末のＳＥＭ写真を示す図である。
【図２】実施例１において製造されたニッケル金属粉末のＸＲＤ分析の結果を示す図である。
【図３】実施例２において製造されたニッケル金属粉末のＳＥＭ写真を示す図である。
【図４】実施例２において製造されたニッケル金属粉末のＸＲＤ分析の結果を示す図である。
【図５】実施例３において製造されたニッケル金属粉末のＳＥＭ写真を示す図である。
【図６】実施例３において製造されたニッケル金属粉末のＸＲＤ分析の結果を示す図である。
【図７】実施例４において製造されたニッケル金属粉末のＳＥＭ写真を示す図である。
【図８】実施例４において製造されたニッケル金属粉末のＸＲＤ分析の結果を示す図である。
【図９】実施例５において製造されたニッケル金属粉末のＳＥＭ写真を示す図である。
【図１０】実施例５において製造されたニッケル金属粉末のＸＲＤ分析の結果を示す図である。
【図１１】比較例１において製造されたニッケル金属粉末のＳＥＭ写真を示す図である。
【図１２】比較例１において製造されたニッケル金属粉末のＸＲＤ分析の結果を示す図である。
【図１３】比較例２において製造されたニッケル金属粉末のＳＥＭ写真を示す図である。
【図１４】比較例２において製造されたニッケル金属粉末のＸＲＤ分析の結果を示す図である。
【図１５】本発明の積層セラミックコンデンサの好ましい一実施形態を示す模式断面図である。
【符号の説明】
【００９２】
１０    内部電極、
２０    誘電層、
３０    積層体、
４０    端子電極。
【図２】
2004308013.tif 000003
【図４】
2004308013.tif 000004
【図６】
2004308013.tif 000005
【図８】
2004308013.tif 000006
【図１０】
2004308013.tif 000007
【図１２】
2004308013.tif 000008
【図１４】
2004308013.tif 000009
【図１５】
2004308013.tif 000010
【図１】
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【図３】
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【図５】
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【図７】
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【図９】
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【図１１】
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【図１３】
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