(57)【要約】【課題】ＴＦＴによりアクティブ駆動される発光表示装置において、発光表示用画素を効率良く駆動させること。【解決手段】発光表示パネル１０には、発光表示用画素１０ａがマトリクス状に多数配列されると共に、測定用画素１０ｂが１つのデータ線に沿って一列に配列されている。測定用画素１０ｂには定電流源１１より定電流が供給され、電圧検出端子１２により測定用画素１０ｂにおけるＥＬ素子の順方向電圧ＶＦ  が取得される。そして、前記順方向電圧ＶＦ  に基づいて、発光表示用画素１０ａに供給される駆動電圧値が制御される。これにより、発光表示用画素１０ａを構成する駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）は、定電流特性が確保できる程度のドロップ電圧（ＶＤ  ）を確保した状態で、ＥＬ素子Ｅ１  を駆動することができ、駆動用ＴＦＴにおいて発生する電力損失を効果的に抑えることが可能となる。【選択図】      図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と当該発光素子に駆動電流を与える駆動用ＴＦＴとを少なくとも備えた発光表示用画素を多数配列したアクティブ駆動型発光表示装置であって、
前記発光表示装置には、さらに測定用素子と当該素子に駆動電流を与える駆動用ＴＦＴとを少なくとも備えた複数の測定用画素が配列され、前記測定用画素を構成する測定用素子の順方向電圧が導出できるように構成したことを特徴とするアクティブ駆動型発光表示装置。
【請求項２】
前記発光表示用画素がデータ線と制御線との交点位置にマトリクス状にそれぞれ配列されると共に、前記測定用画素は１つのデータ線に沿って一列に配列され、当該測定用画素において利用される制御線が、前記発光表示用画素において利用される制御線と共用したことを特徴とする請求項１に記載のアクティブ駆動型発光表示装置。
【請求項３】
前記測定用画素の動作電源が定電流源であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のアクティブ駆動型発光表示装置。
【請求項４】
前記定電流源の電流値が可変されるように構成したことを特徴とする請求項３に記載のアクティブ駆動型発光表示装置。
【請求項５】
前記定電流源と測定用画素との間において、前記測定用画素を構成する測定用素子の順方向電圧を得るように構成したことを特徴とする請求項３または請求項４に記載のアクティブ駆動型発光表示装置。
【請求項６】
前記測定用画素を構成する測定用素子によって得られる順方向電圧に基づいて、発光表示用画素に与える電源電圧を制御する電源回路を備えたことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のアクティブ駆動型発光表示装置。
【請求項７】
少なくとも前記発光表示用画素における発光素子が、有機化合物を発光層に用いた有機ＥＬ素子により構成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のアクティブ駆動型発光表示装置。
【請求項８】
発光素子と当該発光素子に駆動電流を与える駆動用ＴＦＴとを少なくとも備えた発光表示用画素が多数配列されると共に、さらに測定用素子と当該素子に駆動電流を与える駆動用ＴＦＴとを少なくとも備えた複数の測定用画素が配列されたアクティブ駆動型発光表示装置の駆動制御方法であって、
前記測定用画素を構成する測定用素子を駆動させるステップと、前記測定用画素における測定用素子の順方向電圧を得るステップと、前記順方向電圧に基づいて前記発光表示用画素に与える駆動電圧を制御するステップとを実行することを特徴とするアクティブ駆動型発光表示装置の駆動制御方法。
【請求項９】
前記測定用画素の動作電源として定電流源が利用され、前記定電流源の電流値を前記発光素子の発光輝度に応じて可変することを特徴とする請求項８に記載のアクティブ駆動型発光表示装置の駆動制御方法。
【請求項１０】
前記測定用画素を構成する駆動用ＴＦＴは、線形領域で動作させることを特徴とする請求項８または請求項９に記載のアクティブ駆動型発光表示装置の駆動制御方法。
【請求項１１】
前記発光表示用画素を構成する駆動用ＴＦＴは、所定のゲート電圧において飽和領域で動作させることを特徴とする請求項１０に記載のアクティブ駆動型発光表示装置の駆動制御方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、発光表示用画素に加えて測定用画素を備えたアクティブ駆動型発光表示装置に関するものであり、特に測定用画素によって発光素子の順方向電圧を取得することで、表示用画素を効率良く駆動することができるようにした発光表示装置およびその駆動制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
発光素子をマトリクス状に配列して構成される表示パネルを用いたディスプレイの開発が広く進められている。このような表示パネルに用いられる発光素子として、有機材料を発光層に用いた有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子が注目されている。これはＥＬ素子の発光層に、良好な発光特性を期待することができる有機化合物を使用することによって、実用に耐えうる高効率化および長寿命化が進んだことも背景にある。
【０００３】
前記した有機ＥＬ素子は、電気的には図１のような等価回路で表すことができる。すなわち、有機ＥＬ素子は、寄生容量成分Ｃｐ  と、この容量成分に並列に結合するダイオード成分Ｅとによる構成に置き換えることができ、有機ＥＬ素子は容量性の発光素子であると考えられている。この有機ＥＬ素子は、発光駆動電圧が印加されると、先ず、当該素子の電気容量に相当する電荷が電極に変位電流として流れ込み蓄積される。続いて当該素子固有の一定の電圧（発光閾値電圧＝Ｖｔｈ）を越えると、電極（ダイオード成分Ｅのアノード側）から発光層を構成する有機層に電流が流れ初め、この電流に比例した強度で発光すると考えることができる。
【０００４】
図２は、このような有機ＥＬ素子の発光静特性を示したものである。これによれば、有機ＥＬ素子は図２（ａ）に示すように、駆動電流（Ｉ）にほぼ比例した輝度（Ｌ）で発光し、図２（ｂ）に実線で示すように駆動電圧（Ｖ）が発光閾値電圧（Ｖｔｈ）以上の場合において急激に電流（Ｉ）が流れて発光する。換言すれば、駆動電圧が発光閾値電圧（Ｖｔｈ）以下の場合には、ＥＬ素子には電流は殆ど流れず発光しない。したがってＥＬ素子の輝度特性は、図２（ｃ）に実線で示すように前記閾値電圧（Ｖｔｈ）より大なる発光可能領域においては、それに印加される電圧（Ｖ）の値が大きくなるほど、その発光輝度（Ｌ）が大きくなる特性を有している。
【０００５】
一方、前記した有機ＥＬ素子は、長期の使用によって素子の物性が変化し、順方向電圧（ＶＦ  ）が大きくなることが知られている。このために、有機ＥＬ素子は図２（ｂ）に示したように実使用時間によって、Ｖ−Ｉ特性が矢印に示した方向（破線で示した特性）に変化し、したがって、輝度特性も低下することになる。また、前記した有機ＥＬ素子は、素子の成膜時における例えば蒸着のバラツキによっても初期輝度にバラツキが発生するという問題も抱えており、これにより、入力映像信号に忠実な輝度階調を表現することが困難になる。
【０００６】
さらに、有機ＥＬ素子の輝度特性は、概ね温度によって図２（ｃ）に破線で示すように変化することも知られている。すなわちＥＬ素子は、前記した発光閾値電圧より大なる発光可能領域においては、それに印加される電圧（Ｖ）の値が大きくなるほどその発光輝度（Ｌ）が大きくなる特性を有するが、高温になるほど発光閾値電圧が小さくなる。したがってＥＬ素子は、高温になるほど小さい印加電圧で発光可能な状態となり、同じ発光可能な印加電圧を与えても、高温時は明るく低温時は暗いといった輝度の温度依存性を有している。
【０００７】
一方、前記した有機ＥＬ素子は、電流・輝度特性が温度変化に対して安定しているのに対して、電圧・輝度特性が温度変化に対して不安定であること、また過電流により素子を劣化させるのを防止することなどの理由により、一般的には定電流駆動がなされる。この場合、定電流回路に供給されるたとえばＤＣ−ＤＣコンバータ等からもたらされる駆動電圧（Ｖ０  ）としては、次のような各要素を考慮して設定せざるを得ない。
【０００８】
すなわち、前記要素としては、ＥＬ素子の順方向電圧（ＶＦ  ）、ＥＬ素子の前記ＶＦ  のバラツキ分（ＶＢ  ）、前記ＶＦ  の経時変化分（ＶＬ  ）、前記ＶＦ  の温度変化分（ＶＴ  ）、定電流回路が定電流動作をするのに必要なドロップ電圧（ＶＤ  ）等を挙げることができる。そして、これらの各要素が相乗的に作用した場合においても、前記定電流回路の定電流特性が十部に確保できるようにするために、駆動電圧（Ｖ０  ）としては、前記各要素として示した各電圧の最大値を加算した値に設定せざるを得ない。
【０００９】
しかしながら、定電流回路に供給される駆動電圧（Ｖ０  ）として、前記のように各電圧の最大値を加算した電圧値が必要となるケースは、滅多に生ずるものではなく、通常状態においては定電流回路における電圧降下分として大きな電力損失を招来させている。したがって、これが発熱の要因になり有機ＥＬ素子および周辺回路部品等に対してストレスを与える結果となっている。
【００１０】
そこで、ＥＬ素子の順方向電圧ＶＦ  を測定し、このＶＦ  に基づいて定電流回路に与える駆動電圧（Ｖ０  ）の値を制御することで、前記したような問題点を解消しようとすることが、特許文献１に開示されている。
【００１１】
【特許文献１】
特開平７−３６４０９号公報（段落０００７以降、および図１）
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記した特許文献１に開示された構成は、各陽極線と各陰極線の交点位置にそれぞれＥＬ素子を配列したいわゆるパッシブマトリクス型表示装置について示されている。この様なパッシブマトリクス型表示装置によると、陽極ドライバーにおいて、それぞれの陽極線に対応して定電流回路が備えられているので、一つの陽極線における電圧値を検出することで、当該陽極線に接続された各ＥＬ素子における順方向電圧ＶＦ  の平均値を容易に取り出すことが可能である。
【００１３】
しかしながら、アクティブマトリクス型表示装置においては、マトリクス状に配列されたＥＬ素子の各々に、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）からなる能動素子が加えられ、このＴＦＴによって各ＥＬ素子をそれぞれ定電流駆動するように作用するために、各ＥＬ素子の順方向電圧ＶＦ  を検出するためには、各ＥＬ素子のたとえばアノード端子からＶＦ  検出用の配線を引き出す必要が生ずる。
【００１４】
この時、たとえば１つのＥＬ素子のみの順方向電圧ＶＦ  を利用して、各画素に与える駆動電圧を制御する構成とした場合、順方向電圧ＶＦ  を測定する当該ＥＬ素子に不具合が発生した場合には、表示パネルとモジュールを含む全体が実質的に不良となる。そこで、複数のＥＬ素子から前記したようなＶＦ  検出用の配線をそれぞれ引き出して各素子の順方向電圧ＶＦ  の平均値を測定するように構成することも考えられるが、これによると引出し配線数が増大するなどの物理的な問題点が発生して実現性が難しい。
【００１５】
この発明は、前記したアクティブマトリクス型駆動回路における問題点に着目してなされたものであり、複数のＥＬ素子による順方向電圧を合理的に取り出すことを可能にし、この順方向電圧に基づいて発光表示用画素に供給する駆動電圧を制御することができるアクティブ駆動型発光表示装置およびその駆動制御方法を提供することを課題とするものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
前記した課題を解決するためになされたこの発明にかかるアクティブ駆動型発光表示装置は、請求項１に記載のとおり、発光素子と当該発光素子に駆動電流を与える駆動用ＴＦＴとを少なくとも備えた発光表示用画素を多数配列したアクティブ駆動型発光表示装置であって、前記発光表示装置には、さらに測定用素子と当該素子に駆動電流を与える駆動用ＴＦＴとを少なくとも備えた複数の測定用画素が配列され、前記測定用画素を構成する測定用素子の順方向電圧が導出できるように構成した点に特徴を有する。
【００１７】
また、この発明にかかるアクティブ駆動型発光表示装置の駆動制御方法は、請求項８に記載のとおり、発光素子と当該発光素子に駆動電流を与える駆動用ＴＦＴとを少なくとも備えた発光表示用画素が多数配列されると共に、さらに測定用素子と当該素子に駆動電流を与える駆動用ＴＦＴとを少なくとも備えた複数の測定用画素が配列されたアクティブ駆動型発光表示装置の駆動制御方法であって、前記測定用画素を構成する測定用素子を駆動させるステップと、前記測定用画素における測定用素子の順方向電圧を得るステップと、前記順方向電圧に基づいて前記発光表示用画素に与える駆動電圧を制御するステップとを実行する点に特徴を有する。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、この発明にかかるアクティブ駆動型発光表示装置およびその駆動制御方法について、図に示す実施の形態に基づいて説明する。図３はこの発明にかかる主に発光表示装置（発光表示パネル）の一部の構成を示したものである。この図３に示す実施の形態においては、発光表示用画素１０ａをマトリクス状に配列した発光表示領域１０Ａと、測定用画素１０ｂを列方向に配列した測定用画素領域１０Ｂとが、発光表示パネル１０上に形成された状態を示している。
【００１９】
前記発光表示パネル１０には、後で説明するデータドライバーからのデータ線ｍ１  ，ｍ２  ，ｍ３  ，……が縦方向（列方向）に配列され、また、同様に後で説明する走査ドライバーからの制御線ｎ１  ，ｎ２  ，ｎ３  ，……が横方向（行方向）に配列されている。さらに、表示パネル１０には、前記各データ線に対応して縦方向に電源供給線ｐ１  ，ｐ２  ，ｐ３  ，……が配列されている。
【００２０】
前記発光表示領域１０Ａにおける発光表示用画素１０ａは、その代表的な一例としてコンダクタンスコントロール方式により構成されている。すなわち、発光表示領域１０Ａの左上の画素１０ａを構成する各素子に符号を付けたとおり、Ｎチャンネルで構成された制御用ＴＦＴ（Ｔｒ１）のゲートは、制御線ｎ１  に接続され、そのソースはデータ線ｍ２  に接続されている。また、制御用ＴＦＴ（Ｔｒ１）のドレインは、Ｐチャンネルで構成された駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートに接続されると共に、電荷保持用のコンデンサＣ１  の一方の端子に接続されている。
【００２１】
そして、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のソースは前記コンデンサＣ１  の他方の端子に接続されると共に、電源供給線ｐ２  に接続されている。また、駆動用ＴＦＴのドレインには、発光素子としての有機ＥＬ素子Ｅ１  のアノード端子が接続されると共に、当該ＥＬ素子Ｅ１  のカソード端子は基準電位点（アース）に接続されている。斯くして前記した構成の発光表示用画素１０ａは、前記したとおり発光表示領域１０Ａにおいて、縦横方向にマトリクス状に多数配列されている。
【００２２】
一方、測定用画素領域１０Ｂにおける測定用画素１０ｂも、発光表示用画素と同様に構成されており、その最上の測定用画素における各素子には、前記した発光表示用画素１０ａを構成する各素子と同一の符号が付けられている。そして、この測定用画素１０ｂを構成する制御用ＴＦＴ（Ｔｒ１）のゲートは、制御線ｎ１  に接続され、そのソースはデータ線ｍ１  に接続されている。また、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のソースは、電源供給線ｐ１  に接続されている。さらに、前記した測定用画素１０ｂは、測定用画素領域１０Ｂにおいて、１つのデータ線ｍ１  に沿って一列に配列されている。
【００２３】
なお、前記した測定用画素１０ｂを構成する符号Ｅ１  で示す素子は、測定用素子と称呼することにする。そして、この実施の形態においては、前記測定用素子として、発光表示用画素１０ａを構成する前記した有機ＥＬ素子Ｅ１  と同一の素子が使用されている。この様に測定用素子として有機ＥＬ素子を用いた場合には、これを駆動した場合、発光動作を伴うことになるので、必要に応じて測定用画素領域１０Ｂの表面に光を遮断させる遮蔽膜などを施すことが望ましい。
【００２４】
また、測定用素子としては必ずしも有機ＥＬ素子を用いる必要はなく、発光しない素子を測定用画素領域１０Ｂに作り込むなどの対応も考えられる。要するに前記した測定用素子としては、その経時変化特性、温度依存性などを含む電気的特性が有機ＥＬ素子の特性に近似している他の素子を使用することができる。
【００２５】
以上説明したとおり、図３に示す実施の形態においては、発光表示用画素１０ａがデータ線と制御線との交点位置にマトリクス状にそれぞれ配列されると共に、測定用画素１０ｂは１つのデータ線ｍ１  に沿って一列に配列され、当該測定用画素１０ｂにおいて利用される各制御線が、前記した発光表示用画素１０ａにおいて利用される制御線ｎ１  ，ｎ２  ，ｎ３  ，……と共用されている。したがって、測定用画素１０ｂの制御用ＴＦＴのゲート電圧は、発光表示用画素１０ａの制御用ＴＦＴのゲート電圧と共通となり、結果として、測定用画素１０ｂの駆動用ＴＦＴのゲート電圧は、発光表示用画素１０ａの駆動用ＴＦＴのゲート電圧と共通となる。
【００２６】
前記した測定用画素１０ｂにおける電源供給線ｐ１  には、定電流源１１を介して、定電流が供給されるように構成されている。そして、定電流源１１と各測定用画素１０ｂとの間において、すなわち、電源供給線ｐ１  より電圧検出端子１２が引き出され、当該端子１２において測定用画素１０ｂにおける測定用素子の順方向電圧ＶＦ  が取得できるように構成されている。
【００２７】
なお、図３に示す構成においては、測定用素子の順方向電圧ＶＦ  を取得するために電圧検出端子１２を格別に備えた形態を示しているが、これは説明の便宜上であって、現実においては前記電圧検出端子１２は、例えばＩＣ回路内の１つの信号ラインが、前記検出端子１２の機能を持つ場合もある。
【００２８】
一方、各発光表示画素１０ａには、電源供給線ｐ２  ，ｐ３  ，……をそれぞれ介して、後述する定電圧源を構成する電源回路からの駆動電圧が供給され、この駆動電圧によって発光素子としての各ＥＬ素子Ｅ１  が、選択的に点灯駆動されるようになされる。
【００２９】
図４は、前記した構成の発光表示パネル１０を駆動制御する周辺回路を含めたブロック構成を示したものである。図４に示すように縦方向に配列された各データ線ｍ１  ，ｍ２  ，ｍ３  ，……は、データドライバー１３から導出されており、また、横方向に配列された制御線ｎ１  ，ｎ２  ，ｎ３  ，……は、走査ドライバー１４から導出されている。
【００３０】
前記データドライバー１３および走査ドライバー１４には、コントローラＩＣ１５よりコントロールバスが接続されており、コントローラＩＣに供給される画像信号に基づいて、データドライバー１３および走査ドライバー１４が制御され、次に説明するような作用により発光表示領域１０Ａにおける各発光表示用画素１０ａが選択的に点灯駆動され、結果として発光表示領域１０Ａにおいて画像が再生される。
【００３１】
すなわち、発光表示用画素１０ａにおける制御用ＴＦＴ（Ｔｒ１）のゲートに、たとえば制御線ｎ１  を介して走査ドライバー１４よりオン電圧が供給されると、制御用ＴＦＴ（Ｔｒ１）はソースに供給されるデータ線ｍ２  からのデータ電圧に対応した電流を、ソースからドレインに流す。したがって、制御用ＴＦＴ（Ｔｒ１）のゲートがオン電圧の期間に、前記コンデンサＣ１  が充電され、その電圧が駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートに供給される。それ故、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）は、そのゲート電圧とソース電圧に基づいた電流をＥＬ素子Ｅ１  に流し、ＥＬ素子を発光駆動させる。すなわち、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）はＥＬ素子Ｅ１  を定電流駆動することで、ＥＬ素子Ｅ１  を発光駆動させる。
【００３２】
また、制御用ＴＦＴ（Ｔｒ１）のゲートがオフ電圧になると、制御用ＴＦＴ（Ｔｒ１）はいわゆるカットオフとなり、制御用ＴＦＴ（Ｔｒ１）のドレインは開放状態となるものの、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）はコンデンサＣ１  に蓄積された電荷によりゲート電圧が保持され、次の走査まで駆動電流を維持し、ＥＬ素子Ｅ１  の発光も維持される。
【００３３】
図４に示す電圧検出端子１２には、この電圧検出端子１２にもたらされる電圧値ＶＦ  （測定用素子の順方向電圧）をサンプリングし、ホールドするサンプリング・ホールド回路１６が接続されている。また、サンプリング・ホールド回路１６の出力は、電源回路１７における電圧制御部１８に供給されるように構成されている。
【００３４】
ここで、前記電源回路１７における電圧制御部１８は、サンプリング・ホールド回路１６によるホールド電圧を受けて、電源供給線ｐ２  ，ｐ３  ，……に与える定電圧の値を制御する。すなわち、これは前記した電圧検出端子１２にもたらされる順方向電圧値ＶＦ  に対応して、各発光表示用画素１０ａに加える駆動電圧のレベルを制御するようになされる。
【００３５】
この場合、端子１２にもたらされる順方向電圧値ＶＦ  が大きな場合においては、各発光表示用画素１０ａに加える駆動電圧のレベルを増大させるように制御し、逆に端子１２にもたらされる順方向電圧値ＶＦ  が小さな場合においては、各発光表示用画素１０ａに加える駆動電圧のレベルを低下させるように制御する。
【００３６】
これにより、発光表示用画素１０ａに印加される駆動電圧値が制御され、発光表示用画素１０ａにおける駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）は、定電流特性が確保できる程度のドロップ電圧（ＶＤ  ）を確保した状態で、ＥＬ素子Ｅ１  を駆動することができる。この場合、前記したＥＬ素子の順方向電圧ＶＦ  の経時変化分（ＶＬ  ）、ＶＦ  の温度変化分（ＶＴ  ）等の変動要素も含めて発光表示用画素１０ａに印加される駆動電圧値が制御されるので、発光表示用画素１０ａにおける駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）において発生する電力損失を効果的に抑えることができる。
【００３７】
なお、図４に示した構成における定電流源１１は、１つの測定用画素１０ｂを所定の輝度で発光させる程度の電流を出力するように構成されていることが望ましい。これにより、発光表示用画素１０ａを点灯駆動させる動作に同期して、各々の測定用画素１０ｂに対して順次定電流が印加される。すなわち、定電流源１１より複数の測定用画素１０ｂに対して同時に電流が供給されないように制御される。
【００３８】
そして、前記サンプリング・ホールド回路１６においては、測定用画素１０ｂに対して前記定電流が順次供給される周期よりも長い時定数を持たせることにより、アナログ的に平均化した各測定用画素１０ｂにおける順方向電圧ＶＦ  を電圧検出端子１２において得ることができる。これにより、発光表示用画素１０ａに印加される駆動電圧値の制御を、平均化した電圧ＶＦ  に基づいて実行することができ、前記ＶＦ  のバラツキによる影響を避けることができる。
【００３９】
また、前記発光表示用画素１０ａを構成する駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）は、所定のゲート電圧において飽和領域で動作させるが、前記した測定用画素１０ｂにおける駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）は、線形領域で、スイッチ素子として動作させることが必要である。これは、測定用画素１０ｂにおける駆動用ＴＦＴのオン抵抗が大きい場合、測定用画素１０ｂにおける順方向電圧ＶＦ  の検出が不正確になるのを避ける意味がある。
【００４０】
なお、図４に示す実施の形態においては、前記したコントローラＩＣ１５に対して、輝度制御信号が供給されるように構成されており、この輝度制御信号を受けて各発光表示用画素１０ａの発光輝度が変更できるようにされている。すなわち、輝度制御信号がコントローラＩＣ１５に供給されることにより、コントローラＩＣ１５よりデータドライバー１３に制御信号が送出され、データドライバー１３は前記輝度制御信号に基づいて、各発光表示用画素１０ａを構成する制御用ＴＦＴ（Ｔｒ１）に加えるソース電圧を制御する。
【００４１】
これにより、各発光表示用画素１０ａにおける駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲート電圧が制御され、発光表示用画素１０ａにおけるＥＬ素子Ｅ１  に供給される電流値が可変される。したがって、結果として発光表示用画素１０ａにおけるＥＬ素子Ｅ１  の発光輝度が制御される。この場合、測定用画素１０ｂを構成する測定用素子に供給される駆動電流も、前記した輝度制御信号に基づいて、制御を受けることになる。
【００４２】
それ故、この実施の形態によると、前記した輝度制御信号により測定用画素１０ｂに電流を供給する定電流源１１の電流値も可変されることになる。このように発光素子（ＥＬ素子Ｅ１  ）の発光輝度（＝駆動電流）に応じて、測定用画素１０ｂの測定用素子に流れる電流も可変されるので、発光表示用画素１０ａにおけるＥＬ素子Ｅ１  および測定用画素１０ｂにおける測定用素子は、同一条件で駆動されることになる。
【００４３】
したがって、発光表示用画素１０ａにおけるＥＬ素子Ｅ１  の順方向電圧ＶＦ  を、測定用画素１０ｂにおける測定用素子によって、より正確に把握することができる。これにより、発光表示用画素１０ａにおける駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）において発生する前記した電力損失の抑制作用を、より高い精度をもって実現させることが可能となる。
【００４４】
以上説明した実施の形態においては、各測定用画素１０ｂによって得られる順方向電圧ＶＦ  をサンプリング・ホールドし、このホールド値に基づいて発光表示用画素１０ａに加える駆動用電圧をアナログ制御するようにしているが、たとえば、前記ホールド値をＡ／Ｄ変換してデジタルデータとし、これに基づいて発光表示用画素１０ａに加える駆動用電圧を制御することもできる。このような構成を採用した場合には、前記順方向電圧ＶＦ  の平均化処理を容易にすることができ、また、測定用画素１０ｂの一部が不良になった場合、不良になった画素からのＶＦ  の取得を停止させるなどの処理も容易に行うことができる。
【００４５】
また、以上説明した実施の形態においては、発光表示用画素１０ａとしてコンダクタンスコントロール方式の構成を採用した場合に基づいて説明したが、この発明はこの様な特定な構成の発光表示装置に採用し得るだけでなく、例えば、電圧書き込み方式、電流書き込み方式、デジタル階調を実現させる３ＴＦＴ方式の駆動方式、すなわちＳＥＳ（Ｓｉｍｕｌｔａｎｅｏｕｓ−Ｅｒａｓｉｎｇ−Ｓｃａｎ  ＝同時消去方式）、さらにはスレッショルド電圧補正方式、カレントミラー方式などのアクティブ駆動型の画素構成を用いた発光表示装置にも同様に採用することができる。
【００４６】
さらに、以上説明した実施の形態においては、発光表示用画素１０ａと測定用画素１０ｂをそれぞれ構築する電気的な接続構成が、互いに同一のものを使用しているが、両者の構成は互いに異なるものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】有機ＥＬ素子の等価回路を示す図である。
【図２】有機ＥＬ素子の諸特性を示す図である。
【図３】この発明にかかる発光表示装置の一部の構成を示した結線図である。
【図４】図３に示す表示装置を駆動制御する周辺回路を含めたブロック図である。
【符号の説明】
１０            発光表示パネル（発光表示装置）
１０Ａ          発光表示領域
１０ａ          発光表示用画素
１０Ｂ          測定用画素領域
１０ｂ          測定用画素
１１            定電流源
１２            電圧検出端子
１３            データドライバー
１４            走査ドライバー
１５            コントローラＩＣ
１６            サンプリング・ホールド回路
１７            電源回路
１８            電圧制御部
Ｃ１              電荷保持用コンデンサ
Ｅ１              発光素子（有機ＥＬ素子）
Ｔｒ１            制御用ＴＦＴ
Ｔｒ２            駆動用ＴＦＴ
ｎ１  ，ｎ２  ，…  制御線
ｍ１  ，ｍ２  ，…  データ線
ｐ１  ，ｐ２  ，…  電源供給線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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