(57)【要約】【課題】中性線ブスバーを一段高く配置する分電盤に多相変流器を設置する際の中性線ブスバーを一段高くするための段差形成のスペースを縮小して、分電盤の縦寸法を有効に使用できるようにする。【解決手段】６面立体の対向２面間に一次導体が貫通する３つの貫通孔を並列に設け、両端の貫通孔２に貫通形変流器素子３を配置して、中央の貫通孔を上記並列方向と直交方向に拡大した拡大貫通孔２ａにする。また、拡大貫通孔２ａは断面がＤ字形でありＤ字の直線辺部を上方に拡大する。【選択図】        図１
2004166366.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略６面立体の対向２面間に一次導体が貫通する３つの貫通孔が並列に設けられ、両端の貫通孔にそれぞれ貫通形変流器素子を配置して一体に構成された分電盤用多相変流器において、
中央の貫通孔を上記並列方向と直交上方向に拡大した拡大貫通孔を備えたことを特徴とする分電盤用多相変流器。
【請求項２】
上記拡大貫通孔は断面がＤ字状でありＤ字の直線辺方向に拡大したことを特徴とする請求項１記載の分電盤用多相変流器。
【請求項３】
貫通孔が設けられた面に装着される端子台と、この端子台から上記貫通孔に挿入される挿入突起に設けられた一次バー導体が貫通される挿通孔と、中央の拡大貫通孔に挿入される挿入突起の拡大部に上記一次バー導体とは段差を有する接続導体が貫通される第二の挿通孔とを設けたことを特徴とする請求項１または２記載の分電盤用多相変流器。
【請求項４】
端子台のブスバーが接続される側に相間絶縁壁を設けたことを特徴とする請求項３記載の分電盤用多相変流器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、分電盤内に組み込まれる貫通形の多相変流器に関する。
【０００２】
従来の分電盤用多相変流器としては例えば特開平７−２２９９２７号公報の図４に示されるようなものがある。
近年、単相３線式の分電盤内のブスバーの配置に、例えば特開平９−２９８０２６号公報の図６に示されるように中性線を一段高く配置して、ブスバー間、接続導体の絶縁距離の確保と分岐遮断器の端子が段差構造のものへの接続を簡易にすることが実施されている。
【０００３】
【特許文献１】
特開平７−２２９２７号公報（図４）
【特許文献２】
特開平９−２９８０２６号公報（図６）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の分電盤用多相変流器は一次導体の貫通孔はブスバーやケーブルを挿通させるように並列に同じ高さに設けられているので、この多相変流器を回路遮断器の負荷側に設置する場合、中性線ブスバーが一段高く配置される分電盤では多相変流器を貫通後にブスバーを屈曲させる必要がある。この屈曲部には分岐遮断器の設置ができないので無用スペースとなり分電盤の縦寸法が大きくなるという課題がある。
【０００５】
この発明は、かかる課題を解決するためになされたもので、中性線ブスバーを一段高くしたための屈曲部が分岐遮断器の設置を邪魔することなく、分電盤の縦寸法を有効に使用できる多相変流器であり、また、中性線が段差のないブスバーで同じ高さであっても、そして、一次導体がケーブルの場合でも、共用できる多相変流器の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る分電盤用多相変流器は、６面立体の対向２面間に一次導体が貫通する３つの貫通孔を並列に設け、両端の貫通孔に貫通形変流器素子を配置して、中央の貫通孔を上記並列方向と直交上方向に拡大した拡大貫通孔を備えたものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１を示す多相変流器の斜視図、図２はこの発明の多相変流器を設置した分電盤内の平面図、図３は図２の線Ａ−Ａに沿う断面図、図４は図２の線Ｂ−Ｂに沿う断面図である。図５はこの発明の多相変流器を使用した分電盤内の他の接続例の断面図である。
図１において、外殻が絶縁性樹脂からなる多相変流器１は一次導体が貫挿される貫通孔２が設けられている。三相３線式あるいは単相３線式の電流計測は２個の変流器素子でベクトル合成関係から全線の電流計測が可能であり、この多相変流器１は環状鉄心に二次巻線を施した２組の変流器素子３が両側に配置され、環状鉄心の中心孔が貫通孔２となり、中央の拡大貫通孔２ａには変流器素子は配置されていない。
従って、拡大貫通孔２ａの下部は円弧で上方に拡大され、上部が直線の断面が長Ｄ字形に形成されている。
そして、絶縁性樹脂からなる外殻表面に変流器素子３の二次巻線に通じる端子４が設けられている。また、絶縁性樹脂そのものを突出成形させた取付足５と検定封印孔６が設けられている。
【０００８】
図２〜図４によりこの発明の多相変流器の分電盤内へ取り付け例を説明する。
多相変流器１の一次導体はブスバー１１であって、３本のブスバーのうち中央の中性線ブスバー１１ａを一段高く配置している。
中性線ブスバー１１ａは一段高く配置するために、その段差寸法の導電スペーサ１２を介して回路遮断器１０の端子１０ａに接続され、拡大貫通孔２ａの上辺の拡大部を挿通して、分岐遮断器１３との接続位置へ伸長される。そして、中性線以外のブスバー１１は貫通孔２に挿通され、そのままの高さで分岐遮断器１３との接続位置へ伸長される。
【０００９】
一段高く配置した中性線ブスバー１１ａが拡大貫通孔２ａをそのまま挿通して回路遮断器１０の端子１０ａの位置で段差を得ることができるので、段差を形成するスペースを節減することができる。そして、分岐遮断器１３の入力端子の段差に対応させてブスバー１１と中性線ブスバー１１ａが段差配置されているので、分岐遮断器１３の入力端子への分岐導体１４とブスバー１１、１１ａ間の絶縁距離が確保できて直線的に分岐導体１４で接続することができる。
【００１０】
また、ブスバー１１を段差配置しない場合は、他の貫通孔２と同一高さの拡大貫通孔２ａの開口部にブスバー１１を挿通できるので、ブスバーの配置形態にとらわれず多相変流器１は共用することができる。
【００１１】
また、図５に示すように一段高く配置する中性線ブスバー１１ａへの接続導体１５を多相変流器１の一次導体にして、段差を形成する屈曲部を拡大貫通孔２ａ内に位置させることで屈曲部が占めるスペースを縮減できるので、従来のものに比べ分電盤内へ分岐遮断器１３の設置数を増やせる、または分電盤そのものを小形にすることができる。
【００１２】
実施の形態２．
図６は、この発明の実施の形態２を示す多相変流器の分解斜視図、図７は実施の形態２の多相変流器の横断面図である。図において、上記実施の形態１と同一符号のものは説明を省略する。
実施の形態２は貫通一次導体としての接続導体を保持する端子台を装備した多相変流器であり、ブスバーの安定固定と、接続導体とブスバーとの接続部の相間絶縁を確保する。
【００１３】
端子台１６には貫通孔２に嵌合される挿入突起１６ａが設けられ、挿入突起１６ａにはバー導体１７が貫挿固定される挿通孔１６ｂが設けられている。拡大貫通孔２ａに挿入される挿入突起１６ｃには接続導体１５が貫挿される第二の挿通孔１６ｄとバー導体１７が貫挿できる挿通孔１６ｅとが設けられている。そして、接続導体１５に沿う台座が設けられており、中性線ブスバー１１ａの螺着固定がなされる。
また、挿入突起１６ｃにバー導体１７の取り付けも可能となっている。
【００１４】
回路遮断器１０の端子１０ａにブスバー１１を直接接続する場合と、バー導体１７を介してブスバー１１を接続される場合の接続高さ位置を同一にするためにバー導体１７には板厚を補正するだけの段差が設けられている。バー導体１７及び接続導体１５が取り付けられた端子台１６を多相変流器１へ装着し、ネジ１８で固定して一体にする。
【００１５】
この接続導体１５及びバー導体１７が装備された端子台１６を装着した多相変流器１を回路遮断器１０へ接続することで、段差を形成する屈曲部を拡大貫通孔２ａ内に配置させることで分電盤内で屈曲部が占めていたスペースが縮減できる。そして、接続導体１５及びバー導体１７と中性線ブスバー１１ａ及びブスバー１１の接続部は絶縁壁１６ｆにより相間絶縁が確実になされる。
【００１６】
なお、上記は中性線ブスバー１１ａを一段高く配置する場合の例を説明したが、挿入突起１６ｃの接続導体１５をバー導体１７に交換すれば３本のブスバー１１が同一高さの配置にも適用できる。絶縁壁１６ｆはこの配置の場合の相間絶縁に有効となる。
また、端子台１６を取り外しすれば、貫通孔２、拡大貫通孔２ａへはケーブルの挿通が可能となる。
【００１７】
【発明の効果】
この発明の分電盤用多相変流器は、以上説明したように一段高く配置した中性線ブスバーがそのまま貫挿できるように中央の貫通孔を上方に拡大した拡大貫通孔としたことで、中性線ブスバーを一段高くするための段差を形成の占有スペースが縮小し、分電盤の縦寸法を有効に使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１の多相変流器の斜視図である。
【図２】この発明の実施の形態１の多相変流器を設置した分電盤内の平面図である。
【図３】図２の線Ａ−Ａに沿う断面図である。
【図４】図２の線Ｂ−Ｂに沿う断面図である。
【図５】この発明の実施の形態１の多相変流器を使用した分電盤内の他の接続例の断面図である。
【図６】この発明の実施の形態２を示す多相変流器の分解斜視図である。
【図７】この発明の実施の形態２の多相変流器を設置した分電盤内の断面図である。
【符号の説明】
１  多相変流器、    ２  貫通孔、    ２ａ  拡大貫通孔、
３  変流器素子、    １０  回路遮断器、    １０ａ  端子、
１１  ブスバー、    １１ａ  中性線ブスバー、
１３  分岐遮断器、    １５  接続導体、    １６  端子台、
１６ａ、１６ｃ  挿入突起、    １６ｂ、１６ｅ  挿通孔、
１６ｄ  第二の挿通孔、    １６ｆ  絶縁壁、  １７  バー導体、
【図１】
2004166366.tif 000003
【図２】
2004166366.tif 000004
【図３】
2004166366.tif 000005
【図４】
2004166366.tif 000006
【図５】
2004166366.tif 000007
【図６】
2004166366.tif 000008
【図７】
2004166366.tif 000009