(57)【要約】【課題】キャビティの底面部の端部においてクラックが生じないように改良された多層セラミック基板の製造方法を提供することを主要な目的とする。【解決手段】ガラス成分とセラミック材料を含有する第１グリーンシートの両面に、第１拘束層用セラミックシートを積層し、焼成した後、第１拘束層用セラミックシートを除去し、焼成セラミック積層体１５Ｃを形成する。キャビティを形成するための第１貫通孔１７を有し、かつ第１グリーンシートと同一のガラス成分およびセラミック材料で形成された第２グリーンシート１８の一方の主面に、第２拘束層用セラミックシート１９を積層し、第２グリーンシート１８の他方の主面が焼成セラミック積層体１５Ｃの一方の面と接触するように、両者を張り合わせ、その後、これらを圧着させ、焼成し、多層セラミック基板を得る。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともその一方の主面にキャビティを有する多層セラミック基板の製造方法であって、
（１）  ガラス成分とセラミック材料を含有する第１グリーンシートを準備し、
前記第１グリーンシートの一方の主面と他方の主面の両面に、前記第１グリーンシートを構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第１拘束層用セラミックシートを積層し、
前記第１拘束層用セラミックシートが両面に積層された状態で前記第１グリーンシートを焼成し、それによって第１焼結体を形成し、
前記第１焼結体から前記第１拘束層用セラミックシートを除去することにより、焼成セラミック積層体を形成する第１工程と、
（２）  前記キャビティを形成するための第１貫通孔を有し、かつ前記第１グリーンシートと同一のガラス成分およびセラミック材料で形成された第２グリーンシートを準備し、
前記第２グリーンシートの一方の主面に、前記第２グリーンシートを構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第２拘束層用セラミックシートを積層する第２工程と、
（３）  前記第２グリーンシートの他方の主面が前記焼成セラミック積層体の一方の面と接触するように、両者を張り合わせ、その後、これらを圧着させることにより圧着複合体を作成する第３工程と、
（４）  前記圧着複合体を焼成し、それによって第２焼結体を得る第４工程と、
（５）  前記第２焼結体から前記第２拘束層用セラミックシートを除去することにより多層セラミック基板を得る第５工程と、を備える多層セラミック基板の製造方法。
【請求項２】
少なくともその一方の主面に、キャビティを有する多層セラミック基板の製造方法であって、
（１）  前記キャビティを形成するための第１貫通孔を有し、かつガラス成分とセラミック材料を含有する第１グリーンシートを準備し、
前記第１グリーンシートの一方主面と他方主面の両面に、前記第１グリーンシートを構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第１拘束層用セラミックシートを積層し、
前記第１拘束層用セラミックシートが両面に積層された状態で前記第１グリーンシートを焼成し、それによって第１焼結体を形成し、
前記第１焼結体から前記第１拘束層用セラミックシートを除去することにより、前記第１貫通孔を有する焼成セラミック積層体を形成する第１工程と、
（２）  前記第１グリーンシートと同一のガラス成分およびセラミック材料で形成された第２グリーンシートを準備し、
前記第２グリーンシートの一方の主面に、前記第２グリーンシートを構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第２拘束層用セラミックシートを積層する第２工程と、
（３）  前記第２グリーンシートの他方の主面が前記焼成セラミック積層体の一方面と接触するように、両者を張り合わせ、その後、これらを圧着させることにより圧着複合体を作成する第３工程と、
（４）  前記圧着複合体を焼成し、それによって第２焼結体を得る第４工程と、
（５）  前記第２焼結体から前記第２拘束層用セラミックシートを除去することにより多層セラミック基板を得る第５工程と、を備える多層セラミック基板の製造方法。
【請求項３】
前記焼成セラミック積層体の他方の主面に電極が形成されている場合、
前記第１工程の後、前記第３工程に先立ち、前記電極を覆うように、前記焼成セラミック積層体の他方の主面に、前記焼成セラミック積層体を構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする材料で形成された、前記電極の劣化を防止するための保護セラミック層を形成する工程をさらに備える、請求項１または２に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項４】
前記第１グリーンシートに第１ビア電極を作り込む工程と、
前記第２グリーンシートに第２ビア電極を作りこむ工程と、
前記焼成セラミック積層体と前記第２グリーンシートの界面にランド電極を設ける工程と、をさらに備え、
前記第１ビア電極と前記ランド電極が接続し、かつ前記第２ビア電極と前記ランド電極が接続し、さらに、前記第１ビア電極と前記第２ビア電極が積層方向の投影において互いに重ならないように、前記第１ビア電極を形成する位置と前記第２ビア電極を形成する位置を選んで行う、請求項１から３のいずれか１項に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項５】
一方の主面に第１のキャビティを有し、他方の主面に第２のキャビティを有する多層セラミック基板の製造方法であって、
（１）  ガラス成分とセラミック材料を含有する第１グリーンシートを準備し、
前記第１グリーンシートの一方の主面と他方の主面の両面に、前記第１グリーンシートを構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第１拘束層用セラミックシートを積層し、
前記第１拘束層用セラミックシートが両面に積層された状態で前記第１グリーンシートを焼成し、それによって第１焼結体を形成し、
前記第１焼結体から前記第１拘束層用セラミックシートを除去することにより、焼成セラミック積層体を形成する第１工程と、
（２）  前記第１のキャビティを形成するための第１貫通孔を有し、かつ前記第１グリーンシートと同一のガラス成分およびセラミック材料で形成された第２グリーンシートを準備し、
前記第２グリーンシートの一方の主面に、前記第２グリーンシートを構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第２拘束層用セラミックシートを積層する第２工程と、
（３）  前記第２のキャビティを形成するための第２貫通孔を有し、かつ前記第１グリーンシートと同一のガラス成分およびセラミック材料で形成された第３グリーンシートを準備し、
前記第３グリーンシートの一方の主面に、前記第３グリーンシートを構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第３拘束層用セラミックシートを積層する第３工程と、
（４）  前記第２グリーンシートの他方の主面が前記焼成セラミック積層体の一方の主面と接触し、かつ前記第３グリーンシートの他方の主面が前記焼成セラミック積層体の他方の主面と接触するように、これらを張り合わせ、その後、これらを圧着することによって圧着複合体を作成する第４工程と、
（５）  前記圧着複合体を焼成し、それによって第２焼結体を得る第５工程と、
（６）  前記第２焼結体から前記第２および第３拘束層用セラミックシートを除去することにより多層セラミック基板を得る第６工程と、を備える多層セラミック基板の製造方法。
【請求項６】
少なくともその一方の主面に、段差のあるキャビティを有する多層セラミック基板の製造方法であって、
（１）  前記キャビティを形成するための第１貫通孔を有し、かつガラス成分とセラミック材料を含有するする第１のグリーンシートを準備し、
前記第１グリーンシートの一方の主面と他方の主面の両面に、前記第１グリーンシートを構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第１拘束層用セラミックシートを積層し、
前記第１拘束層用セラミックシートが両面に形成された状態で前記第１グリーンシートを焼成し、それによって第１焼結体を形成し、
前記第１焼結体から前記第１拘束層用セラミックシートを除去することにより、前記第１貫通孔を有する焼成セラミック積層体を形成する第１工程と、
（２）  前記キャビティを形成するための、前記第１貫通孔よりも大きく、かつ積層方向への投影において、前記第１貫通孔に覆い被さるように重なる第２貫通孔を有し、かつ前記第１グリーンシートと同一のガラス成分およびセラミック材料で形成された第２グリーンシートを準備し、
前記第２グリーンシートの一方の主面に、前記第２グリーンシートを構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第２拘束層用セラミックシートを積層する第２工程と、
（３）  前記第１グリーンシートと同一のガラス成分およびセラミック材料で形成された第３グリーンシートを準備し、
前記第３グリーンシートの一方主面に、前記第３グリーンシートを構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第３拘束層用セラミックシートを積層する第３工程と、
（４）  前記第２グリーンシートの他方主面が前記焼成セラミック積層体の一方主面と接触し、前記第３グリーンシートの他方主面が前記焼成セラミック積層体の他方主面と接触するように、これらを張り合わせ、その後、これらを圧着させることにより圧着複合体を形成する第４工程と、
（５）  前記圧着複合体を焼成し、それによって第２焼結体を得る第５工程と、
（６）  前記第２焼結体から前記第２および第３拘束層用セラミックシートを除去することにより多層セラミック基板を得る第６工程と、を備える多層セラミック基板の製造方法。
【請求項７】
その中に空洞を有する多層セラミック基板の製造方法であって、
（１）  前記空洞を形成するための貫通孔を有し、かつガラス成分とセラミック材料を含有する第１グリーンシートを準備し、
前記第１グリーンシートの一方主面と他方主面の両面に、前記第１グリーンシートを構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第１拘束層用セラミックシートを積層し、
前記第１拘束層用セラミックシートが両面に積層された状態で前記第１グリーンシートを焼成し、それによって第１焼結体を形成し、
前記第１焼結体から前記第１拘束層用セラミックシートを除去することにより、前記貫通孔を有する焼成セラミック積層体を形成する第１工程と、
（２）  前記第１グリーンシートと同一のガラス成分およびセラミック材料で形成された第２グリーンシートを準備し、
前記第２グリーンシートの一方の主面に、前記第２グリーンシートを構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第２拘束層用セラミックシートを積層する第２工程と、
（３）  前記第１グリーンシートと同一のガラス成分およびセラミック材料で形成された第３グリーンシートを準備し、
前記第３グリーンシートの一方の主面に、前記第３グリーンシートを構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第３拘束層用セラミックシートを積層する第３工程と、
（４）  前記第２グリーンシートの他方の主面が前記焼成セラミック積層体の一方の主面と接触し、かつ前記第３グリーンシートの他方の主面が前記焼成セラミック積層体の他方の主面と接触するように、これらを張り合わせ、その後これらを圧着することにより圧着複合体を作成する第４工程と、
（５）  前記圧着複合体を焼成し、それによって第２焼結体を得る第５工程と、
（６）  前記第２焼結体から前記第２および第３拘束層用セラミックシートを除去することにより多層セラミック基板を得る第６工程と、を備える多層セラミック基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１グリーンシートに第１ビア電極を作り込む工程と、
前記第２グリーンシートおよび／または第３グリーンシートに第２ビア電極を作りこむ工程と、
前記焼成セラミック積層体と、前記第２ビア電極が形成された前記第２グリーンシートおよび／または第３グリーンシートとの界面にランド電極を設ける工程と、をさらに備え、
前記第１ビア電極と前記ランド電極が接続し、かつ前記第２ビア電極と前記ランド電極が接続し、さらに、前記第１ビア電極と前記第２ビア電極が積層方向の投影において互いに重ならないように、前記第１ビア電極を形成する位置と前記第２ビア電極を形成する位置を選んで行う、請求項５から７のいずれか１項に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項９】
前記焼成セラミック積層体の表面の算術平均粗さは０．３μｍ以上である請求項１から８のいずれか１項に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項１０】
前記圧着複合体を形成する工程において、前記焼成セラミック積層体と、これに張り合わせるグリーンシートとの界面に接着剤層を塗布した後、これらを張り合わせ、その後、これらを圧着する、請求項１から９のいずれか１項に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項１１】
前記キャビティが積層方向の投影において角部を有する場合、その角部にすべてアールを形成する、請求項１から１０のいずれか１項に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項１２】
少なくともその一方の主面にキャビティを有する多層セラミック基板を備え、
前記多層セラミック基板は、
第１の多層セラミック基板部と、
前記第１の多層セラミック基板部の上に設けられ、前記キャビティを形成するための貫通孔が設けられた第２の多層セラミック基板部と、を含み、
前記第１の多層セラミック基板部には第１ビア電極が作り込まれており、
前記第２の多層セラミック基板部には第２ビア電極が作り込まれており、
前記第１の多層セラミック基板部と前記第２の多層セラミック基板部の界面にはランド電極が設けられており、
前記第１ビア電極と前記ランド電極が接続し、かつ前記第２ビア電極と前記ランド電極が接続し、さらに、前記第１ビア電極と前記第２ビア電極が積層方向の投影において互いに重ならないように、前記第１ビア電極を形成する位置と前記第２ビア電極を形成する位置が選ばれている、誘電体積層デバイス。
【請求項１３】
少なくともその一方の主面にキャビティを有する多層セラミック基板を備え、
前記多層セラミック基板は、
第１の多層セラミック基板部と、
前記第１の多層セラミック基板部の上に設けられ、前記キャビティを形成するための貫通孔が設けられた第２の多層セラミック基板部と、を含み、
前記多層セラミック基板内にはアイソレータを構成するためのアイソレータ回路が設けられており、
前記キャビティ内にはフェライトが配置されている、誘電体積層デバイス。
【請求項１４】
誘電体積層デバイスを備え、
前記誘電体積層デバイスは、少なくともその一方の主面にキャビティを有する多層セラミック基板を含み、
前記多層セラミック基板は、
第１の多層セラミック基板部と、
前記第１の多層セラミック基板部の上に設けられ、前記キャビティを形成するための貫通孔を有する第２の多層セラミック基板部と、を備え、
前記多層セラミック基板内にはアイソレータを構成するためのアイソレータ回路が設けられており、
前記キャビティ内にはフェライトが配置されている、無線機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、一般に多層セラミック基板の製造方法に関するものであり、より特定的には、電子部品を実装かつ収容するためのキャビティ若しくは空洞を有する多層セラミック基板の製造方法に関する。この発明は、また、そのような多層セラミック基板を用いた誘電体積層デバイスおよび無線機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器に対する小型軽量化、多機能化、高信頼性化等の要望が、近年ますます高まっており、これに伴い、基板への実装技術の向上も求められている。基板への実装技術の向上を図る効果的な方法として、基板での配線の高密度化を図ることがある。
【０００３】
このような基板での配線の高密度化に対応するため、図３８に示すような多層セラミック基板４の開発が進められている。多層セラミック基板４は、セラミックグリーンシート１にビアホール２を形成し、さらに導体膜３等を印刷によって形成したものを複数枚積み重ね、プレスした後、焼成することによって作製される。多層セラミック基板４の上には、電子部品５が実装される。
【０００４】
しかし、図３８に示すような従来の多層セラミック基板では、電子部品５が実装されると、電子部品５の厚み分、デバイス全体の高さが高くなる。
【０００５】
そこで、多層セラミック基板自身の小型化および低背化を図るため、図３９を参照して、多層セラミック基板４の表面に、電子部品５を実装するためのキャビティ６を形成する技術が提案されている。
【０００６】
次に、多層セラミック基板にキャビティを形成する従来の方法について説明する。
【０００７】
例えば、特許文献１において、仮焼結部材を組み合わせて、凹凸部や中空部を有するセラミック接合体の形成方法が提案されている。しかし、この方法では、仮焼結部材接合後の焼成過程において仮焼結体が収縮するため、基板の主面上に電極パターンを形成した場合、その配線精度の制御が困難であり、表面実装部品の高密度実装困難という問題があった。
【０００８】
一方、焼成時の主面の面内方向における収縮を抑制した無収縮焼成でキャビティ構造を作製する方法として、以下に示すような作製方法が提案されている。すなわち、図４０を参照して、ガラスセラミック材料で形成された孔無しグリーンシート７の上に、ガラスセラミック材料で形成された孔開きグリーンシート８を積層する。グリーンシートの枚数によって、厚みが調整される。更に、積層方向における一方主面と他方主面の両面にグリーンシートの焼成時に生じる主面の面内方向の収縮を抑制する拘束層用グリーンシート１３、１４を積層する。この拘束層用グリーンシート１３、１４は、焼成後、ブラスト等により除去される。
【０００９】
図４１を参照して、積層したグリーンシートを焼結する。この焼結時に、キャビティ９の底面部の端部においてクラック１０が発生する。このようなクラック１０の発生の原因は、次のように考えられる。すなわち、焼成工程の前において、多層セラミック基板４となるべきグリーンシート積層体をプレスするとき、キャビティ９が存在しているために、グリーンシート積層体全体に対して均一な圧力をかけることが困難となる。そのため、キャビティ９の底面部７ａの端部に残留応力がもたらされる。これが原因でクラック１０が発生するものと考えられる。
【００１０】
上述の問題を解決するため、特許文献２においては、キャビティを有するグリーンシート積層体を、１対のゴムシートで挟んだ状態で真空パックし、静止流体中で等方加圧することによってプレスする方法が提案されている。
【００１１】
また、特許文献３においては、図４２に示すように、キャビティ９と同形状の凸部分を有する弾性体１２をもって、グリーンシート積層体を加圧することによってプレス工程を実施することが記載されている。しかしながら、このような方法は、いずれも、プレス時に、均等な圧力をかけることを目的とするものであるが、実際には、圧力を均等にかけることは非常に困難である。
【００１２】
【特許文献１】
特開平６−２９８５７４号公報
【特許文献２】
特開平９−３９１６０号公報
【特許文献３】
特開平９−１８１４４９号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
それゆえに、この発明の目的は、無収縮焼成において、キャビティの底面部の端部においてクラックを発生させない、多層セラミック基板の製造方法を提供することにある。
【００１４】
この発明の他の目的は、Ａｇ、Ｃｕ等の高導電率を有する導体配線を内層化できるように改良された、多層セラミック基板の製造方法を提供することにある。
【００１５】
この発明の他の目的は、表面実装部品の高密度実装が容易になるように改良された、多層セラミック基板の製造方法を提供することにある。
【００１６】
この発明のさらに他の目的は、そのような多層セラミック基板を用いた誘電体積層デバイスを提供することにある。
【００１７】
この発明のさらに他の目的は、そのような多層セラミック基板を用いた無線機器を提供することにある。
【００１８】
この発明のさらに他の目的は、キャビティ内にフェライトが配置されたアイソレータを提供することにある。
【００１９】
この発明のさらに他の目的は、そのようなアイソレータを有する無線機器を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
この発明の第１の局面に従う方法は、少なくともその一方の主面にキャビティを有する多層セラミック基板の製造方法にかかる。
【００２１】
（１）まず、第１工程として、ガラス成分とセラミック材料を含有する第１グリーンシートを準備する。上記第１グリーンシートの一方の主面と他方の主面の両面に、上記第１グリーンシートを構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第１拘束層用セラミックシートを積層する。上記第１拘束層用セラミック積層シートが両面に積層された状態で上記第１グリーンシートを焼成し、それによって第１焼結体を形成する。上記第１焼結体から上記第１拘束層用セラミックシートを除去することにより、焼成セラミック積層体（以下、コア部と略することがある）を形成する。
【００２２】
（２）次に、第２工程として、上記キャビティを形成するための第１貫通孔を有し、かつ上記第１グリーンシートと同一のガラス成分およびセラミック材料で形成された第２グリーンシートを準備する。上記第２グリーンシートの一方の主面に、該第２グリーンシートを構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第２拘束層用セラミックシートを積層する。
【００２３】
（３）第３工程として、上記第２グリーンシートの他方の主面が上記焼成セラミック積層体の一方の面と接触するように、両者を張り合わせ、その後、これらを圧着させることにより圧着複合体を作成する。
【００２４】
（４）第４工程として、上記圧着複合体を焼成し、それによって第２焼結体を得る。
【００２５】
（５）第５工程として、上記第２焼結体から上記第２拘束層用セラミックシートを除去することにより多層セラミック基板を得る。
【００２６】
この方法によれば、低温焼結セラミック材料を用いて、上記コア部を先に無収縮焼成することができる。ここで、低温焼結セラミックとは、１０００℃以下の融点を有する高導電率導体Ａｇ、Ｃｕ等との同時焼成が可能なセラミックスを指す。以下、この低温焼結セラミックをＬＴＣＣ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃｓ）と略することがある。その後、同一材料で形成された第２グリーンシートをこのコア部に張り付けて再度焼成する。この方法によると、低温焼結セラミック材料で上記コア部を形成できるので、コア部へ、Ａｇ、Ｃｕを用いて、内層配線を形成することが可能となる。また、再焼成時にコア部と第２拘束層用セラミックシートで第２グリーンシートの両主面を拘束するため、キャビティの底面部の端部においてクラックは発生しない。また、第２グリーンシートをコア部と同一材料で形成しているので、再焼成後において、コア部と第２グリーンシートの界面部分における接合性に優れる。また、無収縮焼成であるので、無収縮方式のメリットである、表層電極の配線精度が活かせる。さらに、キャビティの底面部の平坦性も向上する。
【００２７】
この発明の第２の局面に従う方法は、少なくともその一方の主面に、キャビティを有する多層セラミック基板の製造方法にかかる。
【００２８】
（１）まず、第１工程として、上記キャビティを形成するための第１貫通孔を有し、かつガラス成分とセラミック材料を含有する第１グリーンシートを準備する。上記第１グリーンシートの一方主面と他方主面の両面に、該第１グリーンシートを構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第１拘束層用セラミックシートを積層する。上記第１拘束層用セラミックシートが両面に積層された状態で上記第１グリーンシートを焼成し、それによって第１焼結体を形成する。上記第１焼結体から上記第１拘束層用セラミックシートを除去することにより、上記第１貫通孔を有する焼成セラミック積層体（コア部）を形成する。
【００２９】
（２）第２工程として、上記第１グリーンシートと同一のガラス成分およびセラミック材料で形成された第２グリーンシートを準備する。上記第２グリーンシートの一方の主面に、該第２グリーンシートを構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第２拘束層用セラミックシートを積層する。
【００３０】
（３）第３工程として、上記第２グリーンシートの他方の主面が上記焼成セラミック積層体の一方面と接触するように、両者を張り合わせ、その後、これらを圧着させることにより圧着複合体を作成する。
【００３１】
（４）第４工程として、上記圧着複合体を焼成し、それによって第２焼結体を得る。
【００３２】
（５）第５工程として、上記第２焼結体から上記第２拘束層用セラミックシートを除去することにより多層セラミック基板を得る。
【００３３】
この発明によれば、ＬＴＣＣを用いて先に無収縮焼成し、キャビティとなる第１貫通孔を有するコア部を得ることができる。また、再焼成時にコア部と第２拘束層用セラミックシートで第２グリーンシートの両主面を拘束するため、キャビティの底面部の端部においてクラックは発生しない。また、第２グリーンシートをコア部と同一材料で形成しているので、再焼成後において、コア部と第２グリーンシートの界面部分における接合性に優れる。また、無収縮焼成であるので、無収縮方式のメリットである、表層電極の配線精度が活かせる。さらに、キャビティの底面部の平坦性も向上する。
【００３４】
さらに、この発明によれば、コア部に張り付ける第２グリーンシートのシート数を調節することにより、キャビティ底部の厚みの薄いものを作製することができる。さらに、コア部を低温焼結セラミック材料で形成しているので、コア部へＡｇ、Ｃｕを用いて、内層配線することが可能となる。また、上記第１グリーンシートの積層数を調節することにより、アスペクト比の大きいキャビティを形成することもできる。
【００３５】
上記第１の局面および上記第２の局面に従う発明の好ましい実施態様によれば、上記焼成セラミック積層体の他方の主面に電極が形成されている場合、この電極を、該焼成セラミック積層体を構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする材料で形成された保護セラミック層で保護する。もし、この電極を保護セラミック層で保護しないで、次の焼成工程に入った場合、該電極が劣化を引き起こす。しかしながら、本発明によれば、この電極を、該焼成セラミック積層体を構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする材料で形成された保護セラミック層で保護するので、電極の劣化が防止される。また、焼成セラミック積層体を構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする材料で保護セラミック層を形成するので、この保護セラミック層は、焼結時収縮しないため、配線の精度は劣化しない。また、この保護セラミック層は焼成後ブラスト等により容易に除去することができる。
【００３６】
この発明のさらに好ましい実施態様によれば、上記第１グリーンシートに第１ビア電極を作り込む工程と、上記前記第２グリーンシートに第２ビア電極を作りこむ工程と、上記焼成セラミック積層体と上記第２グリーンシートの界面にランド電極を設ける工程とをさらに備える。上記第１ビア電極と上記ランド電極が接続し、かつ上記第２ビア電極と上記ランド電極が接続し、さらに、上記第１ビア電極と上記第２ビア電極が積層方向の投影において互いに重ならないように、上記第１ビア電極を形成する位置と上記第２ビア電極を形成する位置を選んで行う。
【００３７】
上記第１ビア電極と上記第２ビア電極が積層方向の投影において重なると、圧着複合体を作製するとき、重なり部分において、焼成セラミック積層体と第２グリーンシートの界面に欠陥が入り易い。しかしながら、この発明の好ましい実施態様によれば、上記第１ビア電極と上記第２ビア電極が積層方向の投影において互いに重ならないように、第１ビア電極を形成する位置と第２ビア電極を形成する位置を選んで行うので、セラミック焼成基板と第２グリーンシートとの界面に欠陥が入らない。
【００３８】
この発明の第３の局面に従う方法は、一方の主面に第１のキャビティを有し、他方の主面に第２のキャビティを有する多層セラミック基板の製造方法にかかる。
【００３９】
（１）まず、第１工程において、ガラス成分とセラミック材料を含有する第１グリーンシートを準備する。上記第１グリーンシートの一方の主面と他方の主面の両面に、上記第１グリーンシートを構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第１拘束層用セラミックシートを積層する。上記第１拘束層用セラミックシートが両面に積層された状態で上記第１グリーンシートを焼成し、それによって第１焼結体を形成する。上記第１焼結体から上記第１拘束層用セラミックシートを除去することにより、焼成セラミック積層体（コア部）を形成する。
【００４０】
（２）第２工程として、上記第１のキャビティを形成するための第１貫通孔を有し、かつ上記第１グリーンシートと同一のガラス成分およびセラミック材料で形成された第２グリーンシートを準備する。上記第２グリーンシートの一方の主面に、該第２グリーンシートを構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第２拘束層用セラミックシートを積層する。
【００４１】
（３）第３工程として、上記第２のキャビティを形成するための第２貫通孔を有し、かつ上記第１グリーンシートと同一のガラス成分およびセラミック材料で形成された第３グリーンシートを準備する。上記第３グリーンシートの一方の主面に、該第３グリーンシートを構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第３拘束層用セラミックシートを積層する。
【００４２】
（４）第４工程として、上記第２グリーンシートの他方の主面が上記焼成セラミック積層体の一方の主面と接触し、かつ上記第３グリーンシートの他方の主面が上記焼成セラミック積層体の他方の主面と接触するように、これらを張り合わせ、その後、これらを圧着することによって圧着複合体を作成する。
【００４３】
（５）第５工程として、上記圧着複合体を焼成し、それによって第２焼結体を得る。
【００４４】
（６）第６工程として、上記第２焼結体から上記第２および第３拘束層用セラミックシートを除去することにより多層セラミック基板を得る。
【００４５】
この発明によれば、ＬＴＣＣを用いて、上記コア部を先に無収縮焼成することができる。その後、同一材料で形成された第２および第３グリーンシートをこのコア部に張り付けて再度焼成する。この方法によると、ＬＴＣＣで上記コア部を形成できるので、コア部へ、Ａｇ、Ｃｕを用いて、内層配線を形成することが可能となる。また、再焼成時にコア部と第２拘束層用セラミックシートで第２グリーンシートの両主面を拘束し、かつコア部と第３拘束層用セラミックシートで第３グリーンシートの両主面を拘束するため、第１および第２キャビティの底面部の端部においてクラックは発生しない。また、第２および第３グリーンシートをコア部と同一材料で形成しているので、再焼成後において、コア部と第２グリーンシートとの界面部分、およびコア部と第３グリーンシートとの界面部分における接合性に優れる。また、無収縮方式の焼成であるので、該方法のメリットである、表層電極の配線精度が活かせる。さらに、キャビティの底面部の平坦性も向上する。
【００４６】
この発明の第４の局面に従う方法は、少なくともその一方の主面に、段差のあるキャビティを有する多層セラミック基板の製造方法にかかる。
【００４７】
（１）まず、第１工程として、上記キャビティを形成するための第１貫通孔を有し、かつガラス成分とセラミック材料を含有するする第１のグリーンシートを準備する。上記第１グリーンシートの一方の主面と他方の主面の両面に、該第１グリーンシートを構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第１拘束層用セラミックシートを積層する。上記第１拘束層用セラミックシートが両面に形成された状態で上記第１グリーンシートを焼成し、それによって第１焼結体を形成する。上記第１焼結体から上記第１拘束層用セラミックシートを除去することにより、上記第１貫通孔を有する焼成セラミック積層体（コア部）を形成する。
【００４８】
（２）第２工程として、上記キャビティを形成するための、上記第１貫通孔よりも大きく、かつ積層方向への投影において、該第１貫通孔に覆い被さるように重なる第２貫通孔を有し、かつ上記第１グリーンシートと同一のガラス成分およびセラミック材料で形成された第２グリーンシートを準備する。上記第２グリーンシートの一方の主面に、該第２グリーンシートを構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第２拘束層用セラミックシートを積層する。
【００４９】
（３）第３工程として、上記第１グリーンシートと同一のガラス成分およびセラミック材料で形成された第３グリーンシートを準備する。上記第３グリーンシートの一方主面に、該第３グリーンシートを構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第３拘束層用セラミックシートを積層する。
【００５０】
（４）第４工程として、上記第２グリーンシートの他方主面が上記焼成セラミック積層体の一方主面と接触し、上記第３グリーンシートの他方主面が上記焼成セラミック積層体の他方主面と接触するように、これらを張り合わせ、その後、これらを圧着させることにより圧着複合体を形成する。
【００５１】
（５）第５工程として、上記圧着複合体を焼成し、それによって第２焼結体を得る。
【００５２】
（６）第６工程として、上記第２焼結体から上記第２および第３拘束層用セラミックシートを除去することにより多層セラミック基板を得る。
【００５３】
この発明によれば、第１貫通孔を有する焼成セラミック積層体を、ＬＴＣＣで先に無収縮焼成できる。次に、上記第１貫通孔よりも大きく、かつ積層方向への投影において、該第１貫通孔に覆い被さるように重なる第２貫通孔を有し、かつ、上記第１グリーンシートと同一のガラス成分およびセラミック材料で形成された第２グリーンシートを張り付けて、再度、無収縮焼成を行う。この方法によると、ＬＴＣＣで上記コア部を形成できるので、コア部へ、Ａｇ、Ｃｕを用いて、内層配線を形成することが可能となる。また、再焼成時にコア部と第２拘束層用セラミックシートで第２グリーンシートの両主面を拘束し、かつコア部と第３拘束層用セラミックシートで第３グリーンシートの両主面を拘束するため、段差のあるキャビティの底面部の端部においてクラックは発生しない。また、第２および第３グリーンシートをコア部と同一材料で形成しているので、再焼成後において、コア部と第２グリーンシートとの界面部分、およびコア部と第３グリーンシートとの界面部分における接合性に優れる。また、無収縮方式の焼成であるので、該方法のメリットである、表層電極の配線精度が活かせる。さらに、キャビティの底面部の平坦性も向上する。これによると、キャビティの底面部の端部において、応力が発生しないため、キャビティの底面部端部で欠陥が抑制された、段差のあるキャビティを有する多層セラミック基板が得られる。
【００５４】
この発明の第５の局面に従う方法は、その中に空洞を有する多層セラミック基板の製造方法にかかる。
【００５５】
（１）第１工程として、上記空洞を形成するための貫通孔を有し、かつガラス成分とセラミック材料を含有する第１グリーンシートを準備する。上記第１グリーンシートの一方主面と他方主面の両面に、該第１グリーンシートを構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第１拘束層用セラミックシートを積層する。上記第１拘束層用セラミックシートが両面に積層された状態で上記第１グリーンシートを焼成し、それによって第１焼結体を形成する。上記第１焼結体から上記第１拘束層用セラミックシートを除去することにより、上記貫通孔を有する焼成セラミック積層体（コア部）を形成する。
【００５６】
（２）第２工程として、上記第１グリーンシートと同一のガラス成分およびセラミック材料で形成された第２グリーンシートを準備する。上記第２グリーンシートの一方の主面に、該第２グリーンシートを構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第２拘束層用セラミックシートを積層する。
【００５７】
（３）第３工程として、上記第１グリーンシートと同一のガラス成分およびセラミック材料で形成された第３グリーンシートを準備する。上記第３グリーンシートの一方の主面に、該第３グリーンシートを構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第３拘束層用セラミックシートを積層する。
【００５８】
（４）第４工程として、上記第２グリーンシートの他方の主面が上記焼成セラミック積層体の一方の主面と接触し、かつ上記第３グリーンシートの他方の主面が上記焼成セラミック積層体の他方の主面と接触するように、これらを張り合わせ、その後これらを圧着することにより圧着複合体を作成する。
【００５９】
（５）第５工程として、上記圧着複合体を焼成し、それによって第２焼結体を得る。
【００６０】
（６）第６工程として、上記第２焼結体から上記第２および第３拘束層用セラミックシートを除去することにより多層セラミック基板を得る。
【００６１】
この発明によれば、貫通孔を有する焼成セラミック積層体であるコア部をＬＴＣＣで先に無収縮焼成できる。その後、コア部と同一材料で形成された第２グリーンシートと第３グリーンシートを、該コア部の両面に張り付けて、再度、無収縮焼成を行うので、コア部と、第２グリーンシートおよび第３グリーンシートとの界面での欠陥の発生が抑制される。また、コア部へのＡｇ、Ｃｕ内層配線が可能となる。また無収縮方式のメリットである表層電極の配線精度を活かせる。
【００６２】
上記第５、第６および第７の局面に従う発明の好ましい実施態様によれば、上記第１グリーンシートに第１ビア電極を作り込む。上記第２グリーンシートおよび／または第３グリーンシートに第２ビア電極を作り込む。上記焼成セラミック積層体と、上記第２ビア電極が形成された上記第２グリーンシートおよび／または第３グリーンシートとの界面にランド電極を設ける。上記第１ビア電極と上記ランド電極が接続し、かつ上記第２ビア電極と上記ランド電極が接続し、さらに、上記第１ビア電極と上記第２ビア電極が積層方向の投影において互いに重ならないように、上記第１ビア電極を形成する位置と上記第２ビア電極を形成する位置を選んで行う。
【００６３】
上記第１ビア電極と上記第２ビア電極が積層方向の投影において重なると、圧着複合体を作製するとき、重なり部分において、焼成セラミック積層体と第２グリーンシートの界面に欠陥が入り易い。しかしながら、この発明の好ましい実施態様によれば、上記第１ビア電極と上記第２ビア電極が積層方向の投影において互いに重ならないように、第１ビア電極を形成する位置と第２ビア電極を形成する位置を選んで行うので、上記セラミック焼成基板と、上記第２グリーンシートおよび／または第３グリーンシートとの界面に欠陥が入らない。
【００６４】
この発明のさらに好ましい実施態様によれば、上記焼成セラミック積層体（コア部）の表面の算術平均粗さは０．３μｍ以上である。
【００６５】
焼成セラミック積層体の表面の算術平均粗さが０．３μｍ以上にされているので、これに、グリーンシートを張り付けた時、アンカー効果により、両者が強く密着する。
【００６６】
この発明のさらに好ましい実施態様によれば、上記圧着複合体を形成する工程において、上記焼成セラミック積層体と、これに張り合わせるグリーンシートとの界面に接着剤層を塗布した後、これらを張り合わせ、その後、これらを圧着する。
【００６７】
かかる実施態様によれば、上記焼成セラミック積層体と、これに張り合わせるグリーンシートとの界面に接着剤層を塗布するので、両者の接着性が向上する。
【００６８】
この発明のさらに好ましい実施態様によれば、上記キャビティが積層方向の投影において角部を有する場合、その角部にすべてアールを形成する。キャビティが積層方向の投影において角部を有する場合には、角部において欠陥が発生し易い。本実施態様によれば、その角部に全てアールを形成するので、欠陥が発生しなくなる。
【００６９】
この発明の第６の局面に従う誘電体積層デバイスは、少なくともその一方の主面にキャビティを有する多層セラミック基板を備える。上記多層セラミック基板は、第１の多層セラミック基板部と、上記第１の多層セラミック基板部の上に設けられ、上記キャビティを形成するための貫通孔が設けられた第２の多層セラミック基板部とを含む。上記第１の多層セラミック基板部には第１ビア電極が作り込まれている。上記第２の多層セラミック基板部には第２ビア電極が作り込まれている。上記第１の多層セラミック基板部と上記第２の多層セラミック基板部の界面にはランド電極が設けられている。上記第１ビア電極と上記ランド電極が接続し、かつ上記第２ビア電極と上記ランド電極が接続し、さらに、上記第１ビア電極と上記第２ビア電極が積層方向の投影において互いに重ならないように、上記第１ビア電極を形成する位置と上記第２ビア電極を形成する位置が選ばれている。
【００７０】
この発明によれば、第１ビア電極と第２ビア電極を積層方向の投影において互いに重ならないように位置を選んで形成しているので、第１の多層セラミック基板部と第２の多層セラミック基板部との界面で、欠陥の発生が抑制される。従って、電気特性の優れた誘電体積層デバイスとなる。
【００７１】
この発明の第７の局面に従う誘電体積層デバイスは、少なくともその一方の主面にキャビティを有する多層セラミック基板を備える。上記多層セラミック基板は、第１の多層セラミック基板部と、上記第１の多層セラミック基板部の上に設けられ、上記キャビティを形成するための貫通孔が設けられた第２の多層セラミック基板部と、を含む。上記多層セラミック基板部内にはアイソレータを構成するためのアイソレータ回路が設けられており、上記キャビティ内にはフェライトが配置されている。
【００７２】
この発明によれば、キャビティ内にフェライトが配置されているので、誘電体積層デバイスの低背化が図れる。
【００７３】
この発明の第８の局面に従う通信機器は、誘電体積層デバイスを備える。上記誘電体積層デバイスは、少なくともその一方の主面にキャビティを有する多層セラミック基板を含む。上記多層セラミック基板は、第１の多層セラミック基板部と、上記第１の多層セラミック基板部の上に設けられ、上記キャビティを形成するための貫通孔を有する第２の多層セラミック基板部と、を備える。上記多層セラミック基板部内にはアイソレータを構成するためのアイソレータ回路が設けられており、上記キャビティ内にはフェライトが配置されている。
【００７４】
この発明によれば、キャビティ内にフェライトが配置されているので、誘電体積層デバイスの小型化が図れ、ひいては通信機器の小型化を図ることができる。
【００７５】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を、図を用いて説明する。
【００７６】
（実施の形態１）
本実施の形態１は、少なくともその一方の主面にキャビティを有する多層セラミック基板の製造方法にかかる。
【００７７】
図１を参照して、ガラス成分とセラミック材料を含有する、ＬＴＣＣで形成された第１グリーンシート１５を準備する。ＬＴＣＣとして、例えば、ａｌｕｍｉｎａ−ｍａｇｎｅｓｉａ−ｓｉｌｉｃａ−ｇｌａｓｓ系誘電体材料（以下、ＡＭＳＧと略することがある。）が用いられる。第１グリーンシート１５の一方の主面と他方の主面の両面に、第１グリーンシート１５を構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第１拘束層用セラミックシート１６を積層した。
【００７８】
無機材料としては、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウムの少なくとも１つ含む材料が用いられた。第１拘束層用セラミック積層シート１６が両面に積層された状態で第１グリーンシート１５を１０００℃以下の温度、例えば９２５℃で焼成し、それによって第１焼結体を形成した。第１グリーンシート１５の焼結する温度では、第１拘束層用セラミックシート１６は焼結しないため、第１グリーンシート１５は、主面の面内方向（積層方向をｚ方向とした場合のｘ−ｙ方向）には実質的に収縮せず、かつ基板全体の反りやうねりを抑制した状態で、第１焼結体を作成することができた。
【００７９】
図１と図２を参照して、第１焼結体から第１拘束層用セラミックシート１６を除去することにより、焼成セラミック積層体（コア部）１５Ｃを形成した。このとき、条件を選んで、焼成セラミック積層体１５Ｃの表面の算術平均粗さＲａが０．３μｍ以上になるようにするのが好ましい。焼成セラミック積層体１５Ｃの表面の算術平均粗さＲａが０．３μｍ以上になると、後述する圧着複合体を作成するとき、アンカー効果により、圧着時の接着性が良好となる。これは、後述するいずれの実施の形態においてもその効果を発揮する。
【００８０】
図３を参照して、キャビティを形成するための第１貫通孔１７を有し、かつ第１グリーンシート１５と同一のガラス成分およびセラミック材料であるＬＴＣＣで形成された第２グリーンシート１８を準備する。第２グリーンシート１８の一方の主面に、第２グリーンシート１８を構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第２拘束層用セラミックシート１９を積層する。
【００８１】
次に、第２グリーンシート１８の他方の主面が焼成セラミック積層体１５Ｃの一方の面と接触するように、両者を張り合わせ、その後、これらを圧着させることにより圧着複合体を作成する。
【００８２】
その後、図４を参照して、圧着複合体を１０００℃以下の温度、例えば９２５℃で焼成し、それによって第２焼結体を得る。
【００８３】
図４と図５を参照して、第２焼結体から第２拘束層用セラミックシート１９を、ブラストなどにより除去することにより、多層セラミック基板を得る。
【００８４】
図６を参照して、キャビティ内に、パワーアンプ、弾性表面波デバイス等の電子部品２０を実装する。
【００８５】
この方法によれば、ＬＴＣＣ、上記コア部を先に無収縮焼成することができる。その後、同一材料で形成された第２グリーンシートをこのコア部に張り付けて再度焼成する。この方法によると、低温焼結セラミック材料で上記コア部を形成できるので、コア部へ、Ａｇ、Ｃｕを用いて、内層配線を形成することが可能となる。また、再焼成時にコア部と第２拘束層用セラミックシートで第２グリーンシートの両主面を拘束するため、キャビティの底面部の端部においてクラックは発生しない。また、第２グリーンシートをコア部と同一材料で形成しているので、再焼成後において、コア部と第２グリーンシートの界面部分における接合性に優れる。また、無収縮焼成であるので、無収縮方式のメリットである、表層電極の配線精度が活かせる。さらに、キャビティの底面部の平坦性も向上する。そして、キャビティ内に電子部品を実装することにより、多層セラミック基板の低背化を図ることができる。ひいては、小型、薄型、軽量化が可能となる。
【００８６】
図７は、実施の形態１にかかる多層セラミック基板の変形例である。貫通孔２１が設けられたコア部１５Ｃと、貫通孔２２を有するグリーンシート１７０を準備し、実施の形態１と同様の工程を経ることにより、両面にキャビティを有する多層セラミック基板が得られる。
【００８７】
図８は、実施の形態１にかかる多層セラミック基板の他の変形例である。貫通孔２３が設けられたコア部１５Ｃと、貫通孔２２、２４を有するグリーンシート１７０を準備し、実施の形態１と同様の工程を経ることにより、貫通孔２２と貫通孔２５を有する多層セラミック基板が得られる。
【００８８】
（実施の形態２）
実施の形態２にかかる方法も、少なくともその一方の主面に、キャビティを有する多層セラミック基板の他の製造方法に係る。
【００８９】
図９を参照して、キャビティを形成するための第１貫通孔２６を有し、かつガラス成分とセラミック材料を含有するＬＴＣＣで形成された第１グリーンシート２７を準備する。第１グリーンシート２７の一方主面と他方主面の両面に、第１グリーンシート２７を構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第１拘束層用セラミックシート２８を積層する。第１拘束層用セラミックシート２８が両面に積層された状態で第１グリーンシート２７を焼成し、それによって第１焼結体を形成する。
【００９０】
図９と図１０を参照して、第１焼結体から第１拘束層用セラミックシート２８を除去することにより、第１貫通孔２６を有する焼成セラミック積層体（コア部）２９を形成する。
【００９１】
図１１を参照して、上記第１グリーンシートと同一のガラス成分およびセラミック材料で形成された第２グリーンシート３０を準備する。第２グリーンシート３０の一方の主面に、第２グリーンシート３０を構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第２拘束層用セラミックシート３１を積層する。第２グリーンシート３０の他方の主面が焼成セラミック積層体２９の一方面と接触するように、両者を張り合わせ、その後、これらを圧着させることにより圧着複合体を作成する。上記圧着複合体を焼成し、それによって第２焼結体を得る。
【００９２】
図１１と図１２を参照して、第２焼結体から第２拘束層用セラミックシート３１を除去することにより多層セラミック基板を得る。
【００９３】
本実施の形態によれば、ＬＴＣＣを用いて先に無収縮焼成し、キャビティとなる第１貫通孔２６を有するコア部２９を得ることができる。また、再焼成時にコア部２９と第２拘束層用セラミックシート３１で第２グリーンシート３０の両主面を拘束するため、キャビティの底面部の端部においてクラックは発生しない。また、第２グリーンシート３０をコア部２９と同一材料で形成しているので、再焼成後において、コア部２９と第２グリーンシート３０の界面部分における接合性に優れる。また、無収縮焼成であるので、無収縮方式のメリットである、表層電極の配線精度が活かせる。さらに、キャビティの底面部の平坦性も向上する。
【００９４】
さらに、本実施の形態によれば、コア部２９に張り付ける第２グリーンシート３０のシート数を調節することにより、キャビティ底部の厚みの薄いものを作製することができる。さらに、コア部を低温焼結セラミック材料で形成しているので、コア部へＡｇ、Ｃｕを用いて、内層配線することが可能となる。また、上記第１グリーンシートの積層数を調節することにより、アスペクト比の大きいキャビティを形成することもできる。接着剤層を介在させることにより、コア部２９と第２グリーンシート３０の接着力を高めることができる。
【００９５】
図１３は、実施の形態２にかかる多層セラミック基板の変形例である。貫通孔２６が設けられたコア部２９と、貫通孔３３を有するグリーンシート３０を準備し、実施の形態２と同様の工程を経ることにより、両面にキャビティを有する多層セラミック基板が得られる。
【００９６】
図１４は、実施の形態２にかかる多層セラミック基板の他の変形例である。貫通孔２６、３４が設けられたコア部２９と、貫通孔３５を有するグリーンシート３０を準備し、実施の形態２と同様の工程を経ることにより、貫通孔２６と貫通孔３６を有する多層セラミック基板が得られる。
【００９７】
本実施の形態にかかる無収縮焼成による、キャビティを有する多層セラミック基板は、大版工程で実現可能となる。すなわち、図１５とそのＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿う断面図である図１６を参照して、複数個の貫通孔２６が設けられたコア部２９と、拘束層用セラミックシート３７が積層されたグリーンシート３０を準備し、実施の形態２と同様の工程を経由し、その後チップにカットすることにより、キャビティを有する多層セラミック基板を大量に得ることができる。
【００９８】
（実施の形態３）
本実施の形態は、実施の形態１および２の好ましい具体例にかかる。
【００９９】
図１７を参照して、焼成セラミック積層体は、両方の主面に電極３８ａ、３８ｂが形成されたグリーンシート２７を、拘束層用セラミックシート１６をその両面に貼り付けた状態で焼成する。なお、電極３８ａ、３８ｂは、グリーンシート２７の主面に印刷することによって形成される。
【０１００】
図１７と図１８を参照して、拘束層用セラミックシート１６を除去する。この時、電極３８ａ、３８ｂが露出する。
【０１０１】
図１９（ａ）を参照して、焼成セラミック積層体（コア部）１５Ｃの一方の面に、拘束層用セラミックシート１９が積層されたグリーンシート１８を貼り付け、他方の面を露出させた状態で次の焼成工程に入った場合、一方の面に形成された電極３８ａは保護されるが、他方の面に形成された電極３８ｂが劣化する。例えば、電極３８ｂが酸化され、劣化を生じる。
【０１０２】
しかしながら、本実施の形態によれば、図１９（ｂ）を参照して、焼成セラミック積層体１５Ｃの他方の面に形成された電極３８ｂを、焼成セラミック積層体１５Ｃを構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする材料で形成された保護セラミック層３９で保護するので、電極３８ｂの酸化劣化が防止される。また、保護セラミック層３９を、焼成セラミック積層体１５Ｃを構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする材料で形成するので、この保護セラミック層３９は、焼結時収縮しないため、電極３８ｂを含む配線の精度は劣化しない。なお、保護セラミック層３９は、拘束層用セラミックシート１９と同じ材料のものであってもよい。また、保護セラミック層３９は、拘束層用セラミックシート１９と同様、焼成後に除去される。
【０１０３】
（実施の形態４）
図２０は、実施の形態４にかかる方法を説明するための断面図であり、図２１はその平面図である。本実施の形態は、実施の形態１から３、および後述する実施の形態５から７のいずれにも適用されるものである。
【０１０４】
図２０と図２１を参照して、キャビティ２６を有する焼成セラミック積層体２９内に、第１ビア電極４０が作り込まれている。後から積層する第２グリーンシート３０に第２ビア電極４１が作り込まれている。焼成セラミック積層体２９と第２グリーンシート３０の界面にランド電極４２を設ける。このとき、第１ビア電極４０とランド電極４２が接続し、かつ第２ビア電極４１とランド電極４２が接続し、さらに、第１ビア電極４０と第２ビア電極４１が積層方向の投影において互いに重ならないように、第１ビア電極４０を形成する位置と第２ビア電極４１を形成する位置を選んで行う。
【０１０５】
図２２を参照して、第１ビア電極４０と第２ビア電極４１が積層方向の投影において重なると、圧着複合体を作製するとき、重なり部分において、焼成セラミック積層体２９と第２グリーンシート３０の界面に欠陥が入り易い。しかしながら、本実施の形態によれば、図２０と図２１を参照して、第１ビア電極４０と第２ビア電極４１が積層方向の投影において互いに重ならないように、第１ビア電極４０を形成する位置と第２ビア電極４１を形成する位置を選んで行うので、焼成セラミック積層体２９と第２グリーンシート３０との界面に欠陥が入らない。
【０１０６】
（実施の形態５）
本実施の形態は、一方の主面に第１のキャビティを有し、他方の主面に第２のキャビティを有する多層セラミック基板の製造方法にかかる。
【０１０７】
まず、図１と図２に示す工程と同様の工程を経て、焼成セラミック積層体（コア部）１５Ｃを形成する。
【０１０８】
次に、図２３を参照して、第１のキャビティを形成するための第１貫通孔４３を有し、かつ焼成セラミック積層体１５Ｃを形成した第１グリーンシートと同一のガラス成分およびセラミック材料で形成された第２グリーンシート４４を準備する。第２グリーンシート４４の一方の主面に、第２グリーンシート４４を構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第２拘束層用セラミックシート４５を積層する。
【０１０９】
一方、第２のキャビティを形成するための第２貫通孔４６を有し、かつ第１グリーンシートと同一のガラス成分およびセラミック材料で形成された第３グリーンシート４７を準備する。第３グリーンシート４７の一方の主面に、第３グリーンシート４７を構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第３拘束層用セラミックシート４８を積層する。
【０１１０】
その後、第２グリーンシート４４の他方の主面が焼成セラミック積層体１５Ｃの一方の主面と接触し、かつ第３グリーンシート４７の他方の主面が焼成セラミック積層体１５Ｃの他方の主面と接触するように、これらを張り合わせ、その後、これらを圧着することによって圧着複合体を作成する。
【０１１１】
次に、圧着複合体を焼成し、それによって第２焼結体を得る。
【０１１２】
第２焼結体から第２拘束層用セラミックシート４５および第３拘束層用セラミックシート４８を除去することにより多層セラミック基板を得る。
【０１１３】
本実施の形態によれば、ＬＴＣＣを用いて、焼成セラミック積層体１５Ｃであるコア部を先に無収縮焼成することができる。その後、同一材料で形成された第２および第３グリーンシート４４、４７をこのコア部に張り付けて再度焼成する。この方法によると、ＬＴＣＣで上記コア部を形成できるので、コア部へ、Ａｇ、Ｃｕを用いて、内層配線を形成することが可能となる。また、再焼成時にコア部１５Ｃと第２拘束層用セラミックシート４５で第２グリーンシート４４の両主面を拘束し、かつコア部１５Ｃと第３拘束層用セラミックシート４８で第３グリーンシート４７の両主面を拘束するため、第１および第２キャビティの底面部の端部においてクラックは発生しない。また、第２グリーンシート４４と第３グリーンシート４７をコア部１５Ｃと同一材料で形成しているので、再焼成後において、コア部１５Ｃと第２グリーンシート４４との界面部分、およびコア部１５Ｃと第３グリーンシート４７との界面部分における接合性に優れる。また、無収縮方式の焼成であるので、該方法のメリットである、表層電極の配線精度が活かせる。さらに、キャビティの底面部の平坦性も向上する。
【０１１４】
なお、実施の形態５の場合、以下の実施の形態６および７でも同様であるが、第１グリーンシートに第１ビア電極を作り込み、第２グリーンシートおよび／または第３グリーンシートに第２ビア電極を作り込み、焼成セラミック積層体と、第２ビア電極が形成された前記第２グリーンシートおよび／または第３グリーンシートとの界面にランド電極を設ける場合においては、第１ビア電極とランド電極が接続し、かつ第２ビア電極とランド電極が接続し、さらに、第１ビア電極と第２ビア電極が積層方向の投影において互いに重ならないように、第１ビア電極を形成する位置と前記第２ビア電極を形成する位置を選んで行うのが好ましい。
【０１１５】
なぜなら、上記第１ビア電極と上記第２ビア電極が積層方向の投影において重なると、圧着複合体を作製するとき、重なり部分において、焼成セラミック積層体と第２グリーンシートの界面に欠陥が入り易い。しかしながら、上述のように、上記第１ビア電極と上記第２ビア電極が積層方向の投影において互いに重ならないように、第１ビア電極を形成する位置と第２ビア電極を形成する位置を選んで行うので、上記セラミック焼成基板と、上記第２グリーンシートおよび／または第３グリーンシートとの界面に欠陥が入らない。
【０１１６】
（実施の形態６）
本実施の形態に従う方法は、少なくともその一方の主面に、段差のあるキャビティを有する多層セラミック基板の製造方法にかかる。
【０１１７】
図２４を参照して、上記キャビティを形成するための第１貫通孔４９を有し、かつガラス成分とセラミック材料を含有するする第１のグリーンシート５０を準備する。第１グリーンシート５０の一方の主面と他方の主面の両面に、該第１グリーンシート５０を構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第１拘束層用セラミックシート５１を積層する。第１拘束層用セラミックシート５１が両面に形成された状態で第１グリーンシート５０を焼成し、それによって第１焼結体を形成する。
【０１１８】
図２４と図２５を参照して、第１焼結体から第１拘束層用セラミックシート５１を除去することにより、第１貫通孔４９を有する焼成セラミック積層体（コア部）５２を形成する。
【０１１９】
図２６を参照して、上記キャビティを形成するための、第１貫通孔４９よりも大きく、かつ積層方向への投影において、第１貫通孔４９に覆い被さるように重なる第２貫通孔５３を有し、かつ第１グリーンシートと同一のガラス成分およびセラミック材料で形成された第２グリーンシート５４を準備する。第２グリーンシート５４の一方の主面に、該第２グリーンシート５４を構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第２拘束層用セラミックシート５５を積層する。
【０１２０】
一方、第１グリーンシートと同一のガラス成分およびセラミック材料で形成された第３グリーンシート５６を準備する。第３グリーンシート５６の一方主面に、該第３グリーンシート５６を構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第３拘束層用セラミックシート５７を積層する。
【０１２１】
次に、第２グリーンシート５４の他方主面が上記焼成セラミック積層体５２の一方主面と接触し、第３グリーンシート５６の他方主面が焼成セラミック積層体５２の他方主面と接触するように、これらを張り合わせ、その後、これらを圧着させることにより圧着複合体を形成する。
【０１２２】
上記圧着複合体を焼成し、それによって第２焼結体を得る。第２焼結体から第２拘束層用セラミックシート５５および第３拘束層用セラミックシート５７を除去することにより多層セラミック基板を得る。
【０１２３】
本実施の形態によれば、第１貫通孔４９を有する焼成セラミック積層体５２を、ＬＴＣＣで先に無収縮焼成できる。この方法によると、ＬＴＣＣで上記コア部５２を形成できるので、コア部５２へ、Ａｇ、Ｃｕを用いて、内層配線を形成することが可能となる。また、再焼成時にコア部５２と第２拘束層用セラミックシート５５で第２グリーンシート５４の両主面を拘束し、かつコア部５２と第３拘束層用セラミックシート５７で第３グリーンシート５６の両主面を拘束するため、段差のあるキャビティの底面部の端部においてクラックは発生しない。また、第２および第３グリーンシート５４、５６をコア部５２と同一材料で形成しているので、再焼成後において、コア部５２と第２グリーンシート５４の界面部分、およびコア部５２と第３グリーンシート５６の界面部分における接合性に優れる。また、無収縮方式の焼成であるので、該方法のメリットである、表層電極の配線精度が活かせる。さらに、キャビティの底面部の平坦性も向上する。これによると、キャビティの底面部端部で欠陥が抑制された、段差のあるキャビティを有する多層セラミック基板が得られる。
【０１２４】
図２７は、実施の形態６にかかる、少なくともその一方の主面に、段差のあるキャビティを有する多層セラミック基板の製造方法の変形例にかかる。この多層セラミック基板によれば、貫通孔５８が形成され、両主面に段差のあるキャビティ５９、６０が形成されている。このような多層セラミック基板は、図２４、図２６および図２７を参照して、コア部５２を形成するための第１グリーンシート５０に形成する貫通孔の数と位置と大きさを選び、第２グリーンシート５４に形成する貫通孔の数と位置と大きさを選び、第３グリーンシート５６に形成する貫通孔の数と位置と大きさを選び、図２４から図２６と同様の工程を経由することによって、得られる。
【０１２５】
図２８は、実施の形態６にかかる、少なくともその一方の主面に、段差のあるキャビティを有する多層セラミック基板の製造方法の他の変形例にかかる。この多層セラミック基板によれば、貫通孔５８が形成され、一方の面に段差のあるキャビティ５９が形成され、他方の面に段差のないキャビティ６１が形成されている。
【０１２６】
このような多層セラミック基板は、図２４、図２６および図２８を参照して、コア部５２を形成するための第１グリーンシート５０に形成する貫通孔の数と位置と大きさを選び、第２グリーンシート５４に形成する貫通孔の数と位置と大きさを選び、第３グリーンシート５６に形成する貫通孔の数と位置と大きさを選び、図２４から図２６と同様の工程を経由することによって、得られる。
【０１２７】
（実施の形態７）
本実施の形態は、その中に空洞を有する多層セラミック基板の製造方法にかかる。
【０１２８】
図２９を参照して、まず図９と図１０と同様の工程を経由することにより、貫通孔２６を有する焼成セラミック積層体（コア部）２９を形成する。
【０１２９】
焼成セラミック積層体（コア部）２９の基になった第１グリーンシートと同一のガラス成分およびセラミック材料で形成された第２グリーンシート６２を準備する。第２グリーンシート６２の一方の主面に、第２グリーンシート６２を構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第２拘束層用セラミックシート６３を積層する。
【０１３０】
上記第１グリーンシートと同一のガラス成分およびセラミック材料で形成された第３グリーンシート６４を準備する。第３グリーンシート６４の一方の主面に、該第３グリーンシート６４を構成する材料よりも焼結温度の高い無機材料を主成分とする、主面の面内方向の収縮を防止するための第３拘束層用セラミックシート６５を積層する。
【０１３１】
次に、第２グリーンシート６２の他方の主面が焼成セラミック積層体２９の一方の主面と接触し、かつ第３グリーンシート６４の他方の主面が焼成セラミック積層体２９の他方の主面と接触するように、これらを張り合わせ、その後これらを圧着することにより圧着複合体を作製する。
【０１３２】
図２９と図３０を参照して、その後圧着複合体を焼成し、それによって第２焼結体を得る。第２焼結体から第２拘束層用セラミックシート６３および第３拘束層用セラミックシート６５を除去することにより多層セラミック基板を得る。
【０１３３】
本実施の形態によれば、貫通孔を有する焼成セラミック積層体２９であるコア部をＬＴＣＣで先に無収縮焼成できる。また、再焼成時にコア部２９と第２拘束層用セラミックシート６３で第２グリーンシート６２の両主面を拘束し、かつコア部２９と第３拘束層用セラミックシート６５で第３グリーンシート６４の両主面を拘束するため、空洞部の底面部の端部においてクラックは発生しない。また、第２および第３グリーンシート６２、６４をコア部２９と同一材料で形成しているので、再焼成後において、コア部２９と第２グリーンシート６２の界面部分、およびコア部２９と第３グリーンシート６４の界面部分における接合性に優れる。また、コア部へのＡｇ、Ｃｕ内層配線が可能となる。また無収縮方式のメリットである表層電極の配線精度を活かせる。
【０１３４】
図３０と図３１を参照して、得られた多層セラミック基板の中央部を切断する。
【０１３５】
図３２を参照して、空洞部６６にＩＣ６７、チップ部品等の電子部品を実装する。この後、空洞部６６を樹脂等で封止する。また、空洞部６６を金属キャップで蓋をしてもよい。図３３は、上から見た平面図である。ＩＣ、チップ部品等の電子部品６７を、空洞部６６に実装するので、低背化を図ることができる。これにより、デバイスの小型化が可能となる。
【０１３６】
図３４は、実施の形態７にかかる、空洞を有する多層セラミック基板の製造方法の変形例にかかる。この多層セラミック基板によれば、空洞６８が形成され、両面にキャビティ６９、７０が形成されている。
【０１３７】
このような多層セラミック基板は、図９、図１０および図２９と図３０に示す工程において、コア部２９を形成するための第１グリーンシートに形成する貫通孔の大きさを選び、第２グリーンシート６２に形成する貫通孔の位置と大きさを選び、第３グリーンシート６４に形成する貫通孔の位置と大きさを選び、図２９から図３０と同様の工程を経由することによって、得られる。また上記の選びかたを種々変えることにより、片面だけにキャビティを有し、かつ空洞を有する多層セラミック基板や、貫通孔を有し、かつ空洞を有する多層セラミック基板、あるいは、両面に段差のあるキャビティを有し、かつ空洞を有する多層セラミック基板等、種々組み合わされ多層セラミック基板が得られる。
【０１３８】
（実施の形態８）
本実施の形態は、実施の形態１から７のいずれにも適用できるものである。
【０１３９】
すなわち、図３５を参照して、圧着複合体を形成する工程において、焼成セラミック積層体１５Ｃと、拘束層用セラミックシート１９が積層されたグリーンシート１８との界面に接着剤層７１を形成した後、これらを張り合わせ、その後、これらを圧着する。かかる方法によれば、焼成セラミック積層体１５Ｃと、これに張り合わせるグリーンシート１８との界面に接着剤層７１を形成するので、両者の接着性が向上する。
【０１４０】
接着剤としては、アクリル系樹脂、エチルセルロース系樹脂、ブチラール系樹脂、メタクリル系樹脂を用いる。これらの接着剤は焼結過程前に連続して行われる、脱脂過程により飛散するため焼結体内には残留せず、セラミック多層基板の特性劣化を招くことはない。
【０１４１】
（実施の形態９）
本実施の形態は、実施の形態１から８のいずれにも適用できるものである。
【０１４２】
図３６を参照して、キャビティ７２が積層方向の投影において角部を有する場合、その角部にすべてアール７３を形成する。キャビティ７２が積層方向の投影において角部を有する場合には、角部において欠陥が発生し易い。本実施の形態によれば、その角部に全てアールを形成するので、欠陥が発生しなくなる。
【０１４３】
（実施の形態１０）
図３７は、実施の形態１０にかかる誘電体積層デバイスの一例であるアイソレータの断面図である。図３７（ａ）を参照して、アイソレータは、少なくともその一方の主面にキャビティ７４を有する多層セラミック基板７５を備える。多層セラミック基板７５は、例えば実施の形態１にかかる方法によって得られたものである。多層セラミック基板７５は、第１の多層セラミック基板部７５ａと、第１の多層セラミック基板部７５ａの上に設けられ、キャビティ７４を形成するための貫通孔が設けられた第２の多層セラミック基板部７５ｂとを含む。
【０１４４】
第１の多層セラミック基板部７５ａ内にはアイソレータを構成するためのアイソレータ回路７６が設けられており、キャビティ７４内には例えばフェライト７７が配置されている。第２の多層セラミック基板部７５ｂ内には、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）７８やアンテナスイッチ（ＡＮＴ−ＳＷ）７９の機能が組み込まれている。なお、この実施の形態はこれに限られるものでなく、アイソレータ回路７６、ローパスフィルタ７８およびアンテナスイッチ７９は、第１の多層セラミック基板部７５ａまたは第２の多層セラミック基板部７５ｂのいずれに組み込まれていてもよい。また、第１の多層セラミック基板部７５ａおよび第２の多層セラミック基板部７５ｂにまたがって形成されてもよい。
【０１４５】
図３７（ｂ）を参照して、アイソレータを構成するフェライト７７が多層セラミック基板７５の上に形成されている場合には、デバイス全体の高さが高くなる。一方、本実施の形態によれば、図３７（ａ）を参照して、キャビティ７４内にフェライトが配置されているので、アイソレータの低背化が図れる。
【０１４６】
このようなアイソレータを、携帯電話等の通信機器に用いることにより、通信機器の小型化を図ることができる。
【０１４７】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【０１４８】
【発明の効果】
以上説明したとおり、この発明の第１の局面に従う方法によれば、再焼成時にコア部と第２拘束層用セラミックシートで第２グリーンシートの両主面を拘束するため、キャビティの底面部の端部においてクラックは発生しない。また、第２グリーンシートをコア部と同一材料で形成しているので、再焼成後において、コア部と第２グリーンシートの界面部分における接合性に優れる。また、コア部がＬＴＣＣであるため、高導電率のＡｇ、Ｃｕ等を用いて内層配線を形成することが可能である。また、無収縮焼成であるので、無収縮方式のメリットである、表層電極の配線精度が活かせる。さらに、キャビティの底面部の平坦性も向上する。
【０１４９】
この発明の第２の局面に従う方法によれば、ＬＴＣＣを用いて先に無収縮焼成し、キャビティとなる第１貫通孔を有するコア部を得ることができる。また、再焼成時にコア部と第２拘束層用セラミックシートで第２グリーンシートの両主面を拘束するため、キャビティの底面部の端部においてクラックは発生しない。また、第２グリーンシートをコア部と同一材料で形成しているので、再焼成後において、コア部と第２グリーンシートの界面部分における接合性に優れる。また、コア部がＬＴＣＣであるため、高導電率のＡｇ、Ｃｕ等を用いて内層配線を形成することが可能である。さらに、無収縮焼成であるので、無収縮方式のメリットである、表層電極の配線精度が活かせる。さらに、キャビティの底面部の平坦性も向上する。
【０１５０】
この発明の第３の局面に従う方法によれば、第１および第２キャビティの底面部の端部においてクラックが発生しない多層セラミック基板が得られる。
【０１５１】
この発明の第４の局面に従う方法によれば、キャビティの底面部の端部においてクラックが発生しない、段差のあるキャビティを有する多層セラミック基板が得られる。
【０１５２】
この発明の第５の局面に従う方法によれば、界面での欠陥の発生が抑制された、その中に空洞を有する多層セラミック基板が得られる。
【０１５３】
この発明の第６の局面に従う誘電体積層デバイスによれば、第１ビア電極と第２ビア電極を積層方向の投影において互いに重ならないように位置を選んで形成しているので、第１の多層セラミック基板部と第２の多層セラミック基板部との界面で、欠陥の発生が抑制される。従って、電気特性の優れた誘電体積層デバイスが得られる。
【０１５４】
この発明の第７の局面に従う誘電体積層デバイスによれば、キャビティ内にフェライトが配置されているので、アイソレータ機能を内蔵した誘電体積層デバイスの低背化が図れる。
【０１５５】
この発明の第８の局面に従う通信機器によれば、キャビティ内にフェライトが配置されているので、アイソレータ機能を内蔵した誘電体積層デバイスの小型化が図れ、ひいては通信機器の小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１にかかる多層セラミック基板の製造方法の順序の第１の工程における基板の断面図
【図２】実施の形態１にかかる多層セラミック基板の製造方法の順序の第２の工程における基板の断面図
【図３】実施の形態１にかかる多層セラミック基板の製造方法の順序の第３の工程における基板の断面図
【図４】実施の形態１にかかる多層セラミック基板の製造方法の順序の第４の工程における基板の断面図
【図５】実施の形態１にかかる多層セラミック基板の製造方法の順序の第５の工程における基板の断面図
【図６】実施の形態１にかかる多層セラミック基板の製造方法の順序の第６の工程における基板の断面図
【図７】実施の形態１にかかる多層セラミック基板の変形例を示す図
【図８】実施の形態１にかかる多層セラミック基板の他の変形例を示す図
【図９】実施の形態２にかかる多層セラミック基板の製造方法の順序の第１の工程における基板の断面図
【図１０】実施の形態２にかかる多層セラミック基板の製造方法の順序の第２の工程における基板の断面図
【図１１】実施の形態２にかかる多層セラミック基板の製造方法の順序の第３の工程における基板の断面図
【図１２】実施の形態２にかかる多層セラミック基板の製造方法の順序の第４の工程における基板の断面図
【図１３】実施の形態２にかかる多層セラミック基板の変形例を示す図
【図１４】実施の形態２にかかる多層セラミック基板の他の変形例を示す図
【図１５】実施の形態２にかかる多層セラミック基板の製造方法を、大版工程で実施した場合の斜視図
【図１６】図１５におけるＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿う断面図
【図１７】実施の形態３にかかる多層セラミック基板の製造方法の順序の第１の工程における基板の断面図
【図１８】実施の形態３にかかる多層セラミック基板の製造方法の順序の第２の工程における基板の断面図
【図１９】実施の形態３にかかる多層セラミック基板の製造方法の順序の第３の工程における基板の断面図
【図２０】実施の形態４にかかる方法を説明するための基板の断面図
【図２１】図２０に示す基板の平面図
【図２２】実施の形態４にかかる方法を採用しない場合の問題点を説明するための基板の断面図
【図２３】実施の形態５にかかる多層セラミック基板の製造方法における基板の断面図
【図２４】実施の形態６にかかる多層セラミック基板の製造方法の順序の第１の工程における基板の断面図
【図２５】実施の形態６にかかる多層セラミック基板の製造方法の順序の第２の工程における基板の断面図
【図２６】実施の形態６にかかる多層セラミック基板の製造方法の順序の第３の工程における基板の断面図
【図２７】実施の形態６にかかる多層セラミック基板の変形例を示す図
【図２８】実施の形態６にかかる多層セラミック基板の他の変形例を示す図
【図２９】実施の形態７にかかる多層セラミック基板の製造方法の順序の第１の工程における基板の断面図
【図３０】実施の形態７にかかる多層セラミック基板の製造方法の順序の第２の工程における基板の断面図
【図３１】実施の形態７にかかる多層セラミック基板の製造方法の順序の第３の工程における基板の断面図
【図３２】実施の形態７にかかる多層セラミック基板の製造方法の順序の第４の工程における基板の断面図
【図３３】図３２に示す基板の平面図
【図３４】実施の形態７にかかる多層セラミック基板の変形例を示す図
【図３５】実施の形態８にかかる多層セラミック基板の製造方法における基板の断面図
【図３６】実施の形態９にかかる多層セラミック基板の製造方法における基板の平面図
【図３７】実施の形態１０にかかる誘電体積層デバイスの一例であるアイソレータの断面図
【図３８】従来の多層セラミック基板の断面図
【図３９】他の従来例にかかる多層セラミック基板の断面図
【図４０】従来の多層セラミック基板の製造方法の順序の第１の工程における基板の断面図
【図４１】従来の多層セラミック基板の製造方法の順序の第２の工程における基板の断面図
【図４２】他の従来の多層セラミック基板の製造方法の断面図
【符号の説明】
１５  第１グリーンシート
１５Ｃ  焼成セラミック積層体
１６  第１拘束層用セラミックシート
１７  第１貫通孔
１８  第２グリーンシート
１９  第２拘束層用セラミックシート
【図１】
2004165339.tif 000003
【図２】
2004165339.tif 000004
【図３】
2004165339.tif 000005
【図４】
2004165339.tif 000006
【図５】
2004165339.tif 000007
【図６】
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【図７】
2004165339.tif 000009
【図８】
2004165339.tif 000010
【図９】
2004165339.tif 000011
【図１０】
2004165339.tif 000012
【図１１】
2004165339.tif 000013
【図１２】
2004165339.tif 000014
【図１３】
2004165339.tif 000015
【図１４】
2004165339.tif 000016
【図１５】
2004165339.tif 000017
【図１６】
2004165339.tif 000018
【図１７】
2004165339.tif 000019
【図１８】
2004165339.tif 000020
【図１９】
2004165339.tif 000021
【図２０】
2004165339.tif 000022
【図２１】
2004165339.tif 000023
【図２２】
2004165339.tif 000024
【図２３】
2004165339.tif 000025
【図２４】
2004165339.tif 000026
【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
2004165339.tif 000030
【図２９】
2004165339.tif 000031
【図３０】
2004165339.tif 000032
【図３１】
2004165339.tif 000033
【図３２】
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【図３３】
2004165339.tif 000035
【図３４】
2004165339.tif 000036
【図３５】
2004165339.tif 000037
【図３６】
2004165339.tif 000038
【図３７】
2004165339.tif 000039
【図３８】
2004165339.tif 000040
【図３９】
2004165339.tif 000041
【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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