(57)【要約】【課題】時間とコストを削減して、フォトマスク自体の特性を評価する。【解決手段】フォトマスク評価方法は、規格データを記憶するステップ（Ｓ１００）と、予め定められた複数の評価項目にそれぞれ対応した複数のパターンを含むフォトマスク評価マスクについての測定データを入力するステップ（Ｓ１１０）と、測定データを統計的処理するステップ（Ｓ１２０）と、統計的処理されたデータと規格データとを比較して（Ｓ１３０）、規格範囲内にあると（Ｓ１４０にてＹＥＳ）、評価対象のフォトマスク評価マスクが良品であると判定するステップ（Ｓ１５０）とを含む。【選択図】        図１６
2004272160.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスク評価マスクを使用したフォトマスク評価方法であって、
フォトマスクの評価を判定するためのデータを記憶するステップと、
前記フォトマスク評価マスクに形成された複数のパターンの形態を計測して、フォトマスク特性データを取得するステップと、
前記フォトマスク特性データを処理するステップと、
前記処理されたフォトマスク特性データと、前記記憶されたデータとを比較するステップと、
前記比較した結果に基づいて、前記フォトマスクを評価するステップとを含む、フォトマスク評価方法。
【請求項２】
前記データを記憶するステップは、前記フォトマスクの互換性に関する評価を判定するための基準となるフォトマスクの基準データと、前記フォトマスクの特性に関する評価を判定するための規格データとを記憶するステップを含む、請求項１に記載のフォトマスク評価方法。
【請求項３】
前記フォトマスク評価方法は、前記複数の評価項目の中から、フォトマスクを評価するために用いる評価項目を選択するステップをさらに含む、請求項１または２に記載のフォトマスク評価方法。
【請求項４】
前記フォトマスク特性データを取得するステップは、予め定められた回数だけ繰返して、前記パターンの形態を計測して、フォトマスク特性データを取得するステップを含む、請求項１〜３のいずれかに記載のフォトマスク評価方法。
【請求項５】
前記フォトマスク特性データを取得するステップは、予め定められた測定装置を用いて、前記パターンの形態を計測して、フォトマスク特性データを取得するステップを含む、請求項１〜４のいずれかに記載のフォトマスク評価方法。
【請求項６】
前記フォトマスク評価方法は、良好であると評価されなかったフォトマスクに対して、フォトマスクの特性を再評価するステップをさらに含む、請求項１〜５のいずれかに記載のフォトマスク評価方法。
【請求項７】
前記フォトマスク評価方法は、前記処理されたフォトマスク特性に基づいて、良好であると評価されなかったフォトマスクについての要因を分析するステップをさらに含む、請求項１〜６のいずれかに記載のフォトマスク評価方法。
【請求項８】
予め定められた複数の評価項目にそれぞれ対応した複数のパターンを含むフォトマスクであって、
前記フォトマスク上に形成された前記複数のパターンの形態が計測されることにより前記フォトマスクが評価される、フォトマスク評価マスク。
【請求項９】
前記複数の評価項目は、ＣＤリニアリティー特性、Ｄｕｔｙ依存特性、パターンつき合わせ特性、フォトマスク面内ＣＤ特性、ローディング効果特性、フォギング効果特性、近接効果特性、ショット分割特性、パターン形状特性およびパターン位置精度特性のいずれかの評価項目である、請求項８に記載のフォトマスク評価マスク。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造技術に関し、特に、フォトマスクの評価技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、顧客が要求した仕様によって配線パターンが変更される回路を備えたＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）チップが生産されている。ＩＣチップの製造工程の１つであるウェハ処理工程において、合成石英基板上に金属薄膜で遮光パターンを形成したフォトマスクをマスクパターン（原版）として、ＩＣチップが製造される。
【０００３】
マスクパターンは、フォトリソグラフィ技術を用いて、フォトマスク上のパターンをウェハなどの基板に露光転写するときのマスタパターンとなる。転写されたパターンが正確に設計パターンを再現するかどうかは、フォトマスクの品質に大きく起因する。このようなフォトマスクの品質は厳格に管理されている。
【０００４】
特開平１０−１１５９１０号公報（特許文献１）は、工程マージンのテストに要する時間の低減を図ったフォトマスクおよびこれを利用した工程マージンテスト方法を開示する。このテスト方法は、ウェハを提供するステップと、ウェハに感光膜を塗布するステップと、第１ないし第３工程マージンパターンが一つの単位でなり、チップ全体に亘り多数個配列されたフォトマスクを利用し感光膜を露光および現像して感光膜パターンを形成するステップと、フォトマスクの工程マージンパターンに対するデータが貯蔵されたＣＡＤデータと、感光膜パターンのイメージを比較して工程マージンをテストするステップとを含む。
【０００５】
特許文献１に開示されたテスト方法によると、一つのフォトマスクに多様なライン／スペースおよびコンタクトホールの線幅と長さを変化させ、繰り返し形成される工程マージンテストパターンをチップの全体に均等に形成されるようにするフォトマスクを利用することにより、１回の露光および現像ステップで形成しようとする半導体素子製造工程の際に必要な各種状況の工程マージンをテストすることができる。その結果、工程マージンのテストに要する時間を低減することができ、生産性が向上する。
【０００６】
特開平７−３２５３８６号公報（特許文献２）は、ウェハなどの平板の表面に形成したホトレジストの密着性の度合いを効果的に評価する評価方法を開示する。この評価方法は、半導体ウェハなどの平板の表面に評価しようとするホトレジストを被覆するステップ、このホトレジストの被覆表面全面に評価用マスクを用いて露光および現像するステップと、これら現像されたパターンのホトレジストの密着および剥離状態を顕微鏡で確認するステップと、ホトレジストの平板の表面への密着性を評価するステップとを含む。
【０００７】
特許文献２に開示された評価方法によると、同一の下地に対する各種ホトレジストの密着性や、同一の下地に対し、ベイクやアドヒージョン処理条件を振った時の各ホトレジストの密着性や、異なる下地に対するそのホトレジストの密着性や、下地の表面状態に変化に対する各種ホトレジストの密着性や半導体ウェハ内面でのホトレジストの密着性など評価できる。
【０００８】
特開平４−１０００４４号公報（特許文献３）は、予め設計された通りのマスクパターンを有する認定されたマスクを製造するためのマスクパターンの照合装置を開示する。この照合装置は、予め認定処理されたマスク本体からそのマスクパターン形状をデジタルデータに変換して記憶する基準データ記憶回路と、被検査用のマスクのマスクパターンをデジタルデータに変換して記憶する変換記憶回路と、基準データ記憶回路のマスクパターンデータと変換記憶回路からのマスクパターンデータとを比較処理する比較回路と、比較処理の結果を出力する表示回路とを含む。
【０００９】
特許文献３に開示された照合装置によると、既に完成した正確なパターンを有するマスクあるいがレクチルで予め認定されたマスクパターンを基準として、そのマスクのパターンをデジタルデータに変換して基準の検査照合データとして登録しておき、この基準の検査照合データを用いて使用途中のマスクのパターン照合に使用することができる。その結果、従来のパターン照合方法に比較して正確に照合できるので、マスクに対する信頼性が大幅に向上する。
【００１０】
特開２０００−２５８３４９公報（特許文献４）は、フォトマスクの外観検査を、実際にステッパでウェハ上に露光するときと同じ条件で、迅速かつ良好な精度で行なう検査方法を開示する。この検査方法は、フォトマスクのパターンを画像入力処理によって取込むステップと、取込んだパターンをマスクパターンデータに変換する画像データ変換ステップと、ＣＡＤパターンをマスクパターンデータに変換するＣＡＤデータ変換ステップと、両者のマスクパターンデータに対してマスクパターンデータ照合処理および抽出処理を行ない、欠陥を含むパターン範囲を抽出するステップと、その範囲のマスクパターンデータを、入力した光学条件の下で光強度シミュレーション処理を行なうステップと、光強度分布データをデータ比較評価処理してデータ比較評価結果を得るステップとを含む。
【００１１】
特許文献４に開示された検査方法によると、ＣＡＤパターンとマスクパターンの照合によってシミュレーションするパターン範囲を効率的に抽出し、抽出された範囲でのＣＡＤパターンとマスクパターンの両者の光強度分布を比較することによって、フォトマスクの外観検査において単に可視光波長でのパターン検査だけでなく、露光波長で実際にウェハ上に転写された状態での欠陥判定を行なうことができる。その結果、露光転写実験を行なうことなく迅速に、デフォーカスなどの光学条件を変化させた場合のパターンの評価および欠陥の影響の解析を精度良く行なうことができる。
【００１２】
特開平１１−２１２２４８号公報（特許文献５）は、２個のマスクパターンの同一性の検図を短時間で確実に行なうマスクパターンの検図装置を開示する。この検図装置は、比較する２個のマスクパターンのパターンデータ、およびそれらの差異パターンのパターンデータを入力して記憶するパターン入力部と、差異パターンを格子状のブロック単位に分割して、それぞれにアドレスを付してデータベース化するブロック分割部と、差異パターンを有するブロックを抽出する抽出部と、ブロック毎にパターンデータをデータベース化するデータベース作成部と、抽出されたブロックのパターン情報を拡大表示する機能を有するパターン表示部と、抽出したブロックの差異パターンをアドレスの番号の昇順または降順に、順次、パターン表示部に表示させる制御部とを含む。
【００１３】
特許文献５に開示された検図装置によると、全体差異パターンをデータフォーマットのブロック単位に分割して記憶し、差異パターンを有するブロックを順次、または逐次表示させることが可能になる。従って、全ての差異パターンを短時間で確実に表示させることが可能になり、マスクパターンの検査にかかる時間を大幅に短縮させることができる。
【００１４】
【特許文献１】
特開平１０−１１５９１０号公報
【００１５】
【特許文献２】
特開平７−３２５３８６号公報
【００１６】
【特許文献３】
特開平４−１０００４４号公報
【００１７】
【特許文献４】
特開２０００−２５８３４９公報
【００１８】
【特許文献５】
特開平１１−２１２２４８号公報
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した特許文献１〜５のいずれに開示された技術を用いても、フォトマスク自体の特性やフォトマスク間の互換性を正確にかつ容易に判定することは困難であった。
【００２０】
これは、フォトマスク自体の特性（ＣＤリニアリティーなど）を評価するための評価パターンをまとめたマスクがなく、またフォトマスク自体の特性を一括して評価する装置もないためである。そのため、評価される特性ごとに多くのマスクを作成する必要があり、時間と費用とを無駄にしていた。
【００２１】
さらに、ウェハ製造時の写真製版時に問題になる光近接効果（ＯＰＥ）を補正するための光近接効果補正（ＯＰＣ）が適用されることが多くなってきている。そのためにフォトマスクの互換性を評価する必要性が高まっている。それにも関わらず、異なる時期または異なる場所で作成されたフォトマスクの互換性を評価するための評価パターンをまとめたマスクがなく、またフォトマスク自体の特性を一括して評価する装置もないので、互換性を評価する特性ごとに多くのマスクを作成する必要があり、時間と費用とを無駄にしていた。
【００２２】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであって、その目的は、時間とコストとを掛けることなく、フォトマスク自体の特性およびフォトマスク間の互換性を評価するとともに、容易にエラー要因を分析できる、フォトマスク評価方法およびフォトマスク評価マスクを提供することである。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るフォトマスク評価方法は、フォトマスク評価マスクを使用したフォトマスク評価方法である。この評価方法は、フォトマスクの評価を判定するためのデータを記憶するステップと、フォトマスク評価マスクに形成された複数のパターンの形態を計測して、フォトマスク特性データを取得するステップと、フォトマスク特性データを処理するステップと、処理されたフォトマスク特性データと、記憶されたデータとを比較するステップと、比較した結果に基づいて、フォトマスクを評価するステップとを含む。
【００２４】
この発明の別の局面に係るフォトマスク評価マスクは、予め定められた複数の評価項目にそれぞれ対応した複数のパターンを含む。このフォトマスク評価マスクは、フォトマスク上に形成された複数のパターンの形態が計測されることによりフォトマスクが評価される。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下の説明では、同一の部品には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがってそれらについての詳細な説明は繰返さない。
【００２６】
＜第１の実施の形態＞
図１に、本実施の形態に係るフォトマスク評価装置の一例であるコンピュータシステムの外観を示す。図１を参照してこのコンピュータシステム１００は、ＦＤ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｄｉｓｋ）駆動装置１０６およびＣＤ−ＲＯＭ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ−Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）駆動装置１０８を備えたコンピュータ１０２と、モニタ１０４と、キーボード１１０と、マウス１１２とを含む。
【００２７】
図２に、このコンピュータシステム１００の構成をブロック図形式で示す。図２に示すように、コンピュータ１０２は、上述したＦＤ駆動装置１０６およびＣＤ−ＲＯＭ駆動装置１０８に加えて、相互にバスで接続されたＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）１２０と、メモリ１２２と、固定ディスク１２４とを含む。ＦＤ駆動装置１０６にはＦＤ１１６が装着される。ＣＤ−ＲＯＭ駆動装置１０８にはＣＤ−ＲＯＭ１１８が装着される。
【００２８】
本実施の形態に係るフォトマスク評価装置は、コンピュータハードウェアとＣＰＵ１２０により実行されるソフトウェアとにより実現される。一般的にこうしたソフトウェアは、ＦＤ１１６、ＣＤ−ＲＯＭ１１８などの記録媒体に格納されて流通し、ＦＤ駆動装置１０６またはＣＤ−ＲＯＭ駆動装置１０８などにより記録媒体から読取られて固定ディスク１２４に一旦格納される。さらに固定ディスク１２４からメモリ１２２に読出されて、ＣＰＵ１２０により実行される。図１および図２に示したコンピュータのハードウェア自体は一般的なものである。したがって、本発明に係るフォトマスク評価方法は、ＦＤ１１６、ＣＤ−ＲＯＭ１１８、固定ディスク１２４などの記録媒体に記録されたソフトウェアにより実現される点が特徴であるとも言える。なお、図１および図２に示したコンピュータ自体の動作は周知であるので、ここではその詳細な説明は繰返さない。
【００２９】
図３および図４を参照して、本実施の形態に係るフォトマスク評価装置における評価対象である特性評価用マスクについて説明する。
【００３０】
図３に、ＣＤ／形状特性および位置精度特性評価用マスク７を、図４に、ローディング効果／フォギング効果特性評価用マスク２０を示す。図３および図４に示すように、このＣＤ／形状特性および位置精度特性評価用マスク７およびローディング効果／フォギング効果特性評価用マスク２０は、その評価パターンとして、Ｘ方向配線系ＣＤ特性評価パターン８、Ｙ方向配線系ＣＤ特性評価パターン９、ホール系ＣＤ特性評価パターン１０、Ｘ方向パターンつき合わせ特性評価パターン１１、Ｙ方向パターンつき合わせ評価パターン１２、マスク面内ＣＤ精度／位置精度特性評価パターン１３、パターン形状特性評価パターン１４、Ｘ方向近接効果特性評価パターン１５、Ｙ方向近接効果特性評価パターン１６、斜め線ＣＤ特性評価パターン１７、１０００μｍ  ＣＤ精度／位置精度特性評価パターン１８、ショット分割精度特性評価パターン１９、フォギング特性評価パターン２１、３０％描画面積調整用パターン２２、５０％描画面積調整用パターン２３、７０％描画面積調整用パターン２４を含む。
【００３１】
なお、図３および図４に示すそれぞれの評価項目に対応する評価パターンは、適宜組合せて特性評価用マスクを構成するものであればよく、特に、図３および図４に示すマスクに限定されるものではない。さらに、これらの評価項目に対応する評価パターンは一例であって、これらの評価項目に対応するパターンに限定されるものではない。
【００３２】
図５に、Ｘ方向配線系ＣＤ特性評価パターン８を示す。図５に示すように、Ｘ方向配線系ＣＤ特性評価パターン８は、ラインとスペースとからなるパターンが横方向に繰返し配列された評価パターンを有する。なお、Ｙ方向配線系ＣＤ特性評価パターン９は、図５に示すＸ方向配線系ＣＤ特性評価パターン８を９０°回転させたものである。
【００３３】
図６に、ホール系ＣＤ特性評価パターン１０を示す。図６に示すように、ホール系ＣＤ特性評価パターン１０は、間隔および大きさが異なる複数のドットからなるマトリックスを複数有する。
【００３４】
図７に、Ｘ方向パターンつき合わせ特性評価パターン１１を示す。図７に示すように、Ｘ方向パターンつき合わせ特性評価パターン１１は、長さが等しい複数のラインが横方向に繰返されるパターンである。なお、Ｙ方向パターンつき合わせ特性評価パターン１２は、図７に示すＸ方向パターンつき合わせ特性評価パターン１１を９０°回転させたものである。
【００３５】
図８に、マスク面内ＣＤ精度／位置精度特性評価パターン１３を、図９に、パターン形状特性評価パターン１４を、それぞれ示す。図１０に、Ｘ方向近接効果特性評価パターン１５を示す。
【００３６】
図１０に示すように、Ｘ方向近接効果特性評価パターン１５は、描画面積率がそれぞれ異なる複数のパターンを有する。なお、Ｙ方向近接効果特性評価パターン１６は、図１０に示すＸ方向近接効果特性評価パターン１５を９０°回転させたものである。
【００３７】
図１１に、斜め線ＣＤ特性評価パターン１７を示す。図１１に示すように、斜め線ＣＤ特性評価パターン１７は、０°から１３５°までの複数の角度を有する同じ長さの複数のラインが配列されたパターンを有する。
【００３８】
図１２を参照して、１０００μｍ  ＣＤ精度／位置精度特性評価パターン１８を、図１３に、ショット分割精度特性評価パターン１９を、図１４にフォギング特性評価パターン２１をそれぞれ示す。図１５に、描画面積調整用パターン２３〜２４を示す。
【００３９】
図１５に示すように、描画面積調整用パターンは、３０％描画面積調整用パターン２２と、５０％描画面積調整用パターン２３と、７０％描画面積調整用パターン２４とを含み、それぞれ、同じ長さかつ太さであって、スペースが異なる複数のラインを配列したパターンを有する。
【００４０】
以上のようなＣＤ／形状特性および位置精度特性評価用マスク７およびローディング効果／フォギング効果特性評価用マスク２０を、マスク上に形成するために用いられるマスクデータは、電子データとして固定ディスク１２４などに記憶される。固定ディスク１２４などに記憶されたマスクデータを用いて、一般的なフォトマスク製造プロセスにより、フォトマスク上に、図３に示すＣＤ／形状特性および位置精度特性評価用マスク７や、図４に示すローディング効果／フォギング効果特性評価用マスク２０が形成される。
【００４１】
図１６を参照して、本実施の形態に係るフォトマスク評価装置で実行されるプログラムの制御構造について説明する。
【００４２】
なお、本実施の形態に係るフォトマスク評価装置を実行するコンピュータシステムは前述の図１および図２に示すような構成を有する。したがって、本実施の形態に係るフォトマスク評価装置で実行されるプログラムは、図２に示すＣＰＵ１２０により実行されるプログラムであって、固定ディスク１２４やメモリ１２２に記憶される。
【００４３】
ステップ（以下、ステップをＳと略す。）１００にて、ＣＰＵ１２０は、規格データを固定ディスク１２４に記憶する。Ｓ１１０にて、ＣＰＵ１２０は、フォトマスク評価マスク７、２０についての測定データ（フォトマスク特性データ）の入力を検知する。この入力は、ユーザにより、測定装置（寸法測定装置、位置精度評価装置、形状評価装置など）を用いて測定されたフォトマスク特性評価マスクの形態に関する測定データが、キーボード１１０やマウス１１２などから入力される。なお、フォトマスク特性評価用マスク７、２０は、一般的に用いられるフォトマスク製造プロセスを用いて、異なる製造プロセス（ブランクの遮光膜種／レジスト種、描画、現像、エッチング）で作成するマスクごとに作成される。
【００４４】
Ｓ１２０にて、ＣＰＵ１２０は、Ｓ１１０にて入力されたフォトマスク特性データに対して統計的処理を実行する。このとき、図５〜図１５に示す各種パターンに対して、寸法測定装置、位置精度評価装置、形状評価装置などにより測定されたデータの平均値を算出したり、標準偏差を算出したり、ばらつきを算出したりする。この統計的処理により、固定ディスク１２４に記憶された規格データとフォトマスク特性データとを直接的に比較することができるようになる。
【００４５】
Ｓ１３０にて、ＣＰＵ１２０は、統計的処理されたフォトマスク特性データと規格データとを比較する。Ｓ１４０にて、ＣＰＵ１２０は、統計的処理されたフォトマスク特性データと規格データとを比較した結果、フォトマスク特性データが規格データにより規定される規格範囲内であるか否かを判断する。規格範囲内であると（Ｓ１４０にてＹＥＳ）、処理はＳ１５０へ移される。もしそうでないと（Ｓ１４０にてＮＯ）、処理はＳ１６０へ移される。
【００４６】
Ｓ１５０にて、ＣＰＵ１２０は、フォトマスク特性評価マスク７、２０により評価されるフォトマスクは良品であると判定する。Ｓ１６０にて、ＣＰＵ１２０は、フォトマスク特性評価マスク７、２０により評価されるフォトマスクは良品でないと判定する。
【００４７】
以上のような構造およびフローチャートに基づく、本実施の形態に係るフォトマスク評価装置の動作について説明する。
【００４８】
ＣＤ／形状特性および位置精度特性評価用マスク７（図３）やローディング効果／フォギング効果特性評価用マスク２０（図４）などが、フォトマスク製造プロセスを用いて作成される。フォトマスク評価装置であるコンピュータシステム１００のキーボード１１０やマウス１１２から規格データが入力されて、固定ディスク１２４に記憶される（Ｓ１００）。
【００４９】
フォトマスク製造プロセスを用いて作成されたフォトマスク評価マスク７、２０について、寸法測定装置、位置精度評価装置、形状評価装置などによりフォトマスク評価マスク７、２０上に形成された各種パターンの形態についての計測が行なわれる。計測されたデータが、フォトマスク評価マスク７、２０についての測定データ（フォトマスク特性データ）として作業者によりキーボード１１０やマウス１１２から入力される（Ｓ１１０）。入力されたフォトマスク特性データに対して統計的処理が実行され（Ｓ１２０）、統計的処理されたフォトマスク特性データと規格データとが比較される（Ｓ１３０）。フォトマスク特性データが規格範囲内であると（Ｓ１４０にてＹＥＳ）、フォトマスク特性評価マスク７、２０により評価されるフォトマスクは良品であると判定される（Ｓ１５０）。このとき、図５〜図１５に示す、各種の評価項目に基づいて、総合的にフォトマスクの評価が実行される。
【００５０】
以上のようにして、本実施の形態に係るフォトマスク評価装置やこのフォトマスク評価装置により実現されるフォトマスク評価方法および特性評価用マスクによると、ＣＤ／形状特性および位置精度特性評価用マスクやローディング効果／フォギング効果特性評価用マスクを用いて、フォトマスク自体に形成されたパターンの形態を測定および計測した結果であるフォトマスク特性データが取得される。フォトマスク特性データを統計的に処理した結果と規格データとを比較して、規格範囲内にあるときにはそのマスクは良品であると判定する。その結果、時間とコストとを削減して、フォトマスク自体の特性を容易に評価することができる。
【００５１】
＜第２の実施の形態＞
以下、本発明の第２の実施の形態に係るフォトマスク評価装置について説明する。なお、本実施の形態に係るフォトマスク評価装置において用いられる評価項目およびフォトマスク特性評価マスクは、前述の第１の実施の形態に係るフォトマスク評価装置において用いられるものと同じである。したがって、それらについての詳細な説明は繰返さない。また、本実施の形態に係るフォトマスク評価装置は、前述の第１の実施の形態に係るフォトマスク評価装置と同様に、図１および図２に示すコンピュータシステムにより実現される。したがって、それらについての詳細な説明は繰返さない。
【００５２】
図１７を参照して、本実施の形態に係るフォトマスク評価装置で実行されるプログラムの制御構造について説明する。なお、図１７に示すフローチャートの中で、前述の図１６に示したフローチャートと同じ処理については同じステップ番号を付してある。それらについての処理も同じである。したがって、それらについての詳細な説明はここでは繰返さない。
【００５３】
Ｓ２００にて、ＣＰＵ１２０は、比較対象のフォトマスクのフォトマスク特性データを固定ディスク１２４に記憶する。なお、比較対象のフォトマスクのフォトマスク特性データは、作業者によりキーボード１１０やマウス１１２を用いて入力される。
【００５４】
Ｓ２１０にて、ＣＰＵ１２０は、統計的処理されたフォトマスク特性データと、比較対象のフォトマスク特性データとを比較する。Ｓ２２０にて、ＣＰＵ１２０は、統計的処理されたフォトマスク特性データと比較対象のフォトマスク特性データとを比較した結果、それら２つのフォトマスク特性データが互換性の許容範囲内にあるか否かを判断する。互換性の範囲内にある場合には（Ｓ２２０にてＹＥＳ）、処理はＳ１３０へ移される。もしそうでないと（Ｓ２２０にてＮＯ）、処理はＳ１６０へ移される。
【００５５】
以上のような構造およびフローチャートに基づく、本実施の形態に係るフォトマスク評価装置の動作について説明する。
【００５６】
規格データや、比較対象のフォトマスクのフォトマスク特性データが固定ディスクに記憶される（Ｓ１００、Ｓ２００）。互換性評価対象のフォトマスク評価マスク７、２０についての測定データ（フォトマスク特性データ）が入力され（Ｓ１１０）、フォトマスク特性データが統計的処理される（Ｓ１２０）。統計的処理されたフォトマスク特性データと、固定ディスク１２４に記憶された比較対象のフォトマスク特性データとが比較される（Ｓ２１０）。
【００５７】
それぞれの評価項目について比較された結果、互換性の許容範囲内にある場合には（Ｓ２２０にてＹＥＳ）、評価対象のフォトマスク特性評価マスク７、２０のフォトマスク特性データと、固定ディスク１２４に記憶された規格データとが比較される（Ｓ１３０）。評価対象のフォトマスク特性評価マスク７、２０のフォトマスク特性データが規格範囲内にあると（Ｓ１４０にてＹＥＳ）、評価対象のフォトマスク特性評価マスク７、２０は良品であると判定される（Ｓ１５０）。
【００５８】
以上のようにして、本実施の形態に係るフォトマスク評価装置やこのフォトマスク評価装置により実現されるフォトマスク評価方法および特性評価用マスクによると、前述の第１の実施の形態の効果に加えて、フォトマスク間の互換性を容易に評価することができる。
【００５９】
なお、図１７に示すフローチャートにおいてＳ２２０にてＹＥＳのときには、処理をＳ１５０に進めるようにしてもよい。
【００６０】
＜その他の実施の形態＞
以下、本発明のその他の実施の形態に係るフォトマスク評価装置やこのフォトマスク評価装置により実現されるフォトマスク評価方法について説明する。
【００６１】
たとえば、前述の第１の実施の形態に係るフォトマスク評価装置やフォトマスク評価方法および第２の実施の形態に係るフォトマスク評価装置やフォトマスク評価方法において、図５〜図１５に示した複数の評価項目の中から、必要な評価項目に対応するパターンのみを選択するようにしてもよい。このようにすることにより、フォトマスクの特性評価に必要な時間やコストがさらに短縮することができるようになる。
【００６２】
また、前述の第１の実施の形態に係るフォトマスク評価装置やフォトマスク評価方法および第２の実施の形態に係るフォトマスク評価装置やフォトマスク評価方法において、Ｓ１１０におけるフォトマスク評価マスク７、２０についての測定データ（フォトマスク特性データ）が寸法測定装置などによって測定された寸法データが入力される場合には、以下のようにしてもよい。すなわち、寸法測定装置などの測定精度や寸法再現性などを考慮して、寸法測定回数を制御したり、測定パターンや測定パターンの周囲の状況に応じて、寸法測定装置を選択したりするようにしてもよい。このようにすることにより、フォトマスク特性データの信頼性を高めることができるとともに、フォトマスク特性評価に必要な時間やコストをさらに短縮することができる。
【００６３】
さらに、前述の第１の実施の形態に係るフォトマスク評価装置やフォトマスク評価方法および第２の実施の形態に係るフォトマスク評価装置やフォトマスク評価方法において、規格や互換性に対する良否判断において良品でないと判定されたフォトマスクを以下のように処理するようにしてもよい。良品でないと判定された原因となったパターン（評価項目）に対して再評価の指示を行なうようにする。これにより、規格に対する判定および互換性に対する判定の信頼性をさらに向上させることができる。
【００６４】
さらに、前述の第１の実施の形態に係るフォトマスク評価装置やフォトマスク評価方法および第２の実施の形態に係るフォトマスク評価装置やフォトマスク評価方法において、フォトマスク特性データや、フォトマスク特性データを統計的処理したデータに基づいて、エラーバジェット解析を行なうようにしてもよい。このようにすることにより、良品でないと判定されたフォトマスクに対してその要因分析を行なうことができ、不具合点の改善を行なうことができるとともに、さらなる高精度化が可能となる。
【００６５】
さらに、前述の第１の実施の形態に係るフォトマスク評価装置やフォトマスク評価方法および第２の実施の形態に係るフォトマスク評価装置やフォトマスク評価方法において、フォトマスク特性評価マスク７、２０を公知の写真製版技術を用いて、ウェハ上にパターンを転写して現像したウェハに対する評価をするようにしてもよい。このとき、ウェハを評価することにより、フォトマスクの特性とそのフォトマスクを用いて転写されたウェハ上の特性と比較することができる。さらに、そのウェハをエッチング処理したエッチング後の特性とフォトマスクとの特性を比較するようにしてもよい。
【００６６】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係るフォトマスク評価装置を実現するコンピュータの外観図である。
【図２】図１に示すコンピュータシステムの制御ブロック図である。
【図３】ＣＤ／形状特性および位置精度特性評価用マスクを示す図である。
【図４】ローディング効果／フォギング効果特性評価用マスクを示す図である。
【図５】Ｘ方向配線系ＣＤ特性評価パターンを示す図である。
【図６】ホール系ＣＤ特性評価パターンを示す図である。
【図７】Ｘ方向パターンつき合わせ特性評価パターンを示す図である。
【図８】マスク面内ＣＤ精度／位置精度特性評価パターンを示す図である。
【図９】パターン形状特性評価パターンを示す図である。
【図１０】Ｘ方向近接効果特性評価パターンを示す図である。
【図１１】斜め線ＣＤ特性評価パターンを示す図である。
【図１２】１０００μｍ  ＣＤ精度／位置精度特性評価パターンを示す図である。
【図１３】ショット分割精度特性評価パターンを示す図である。
【図１４】フォギング特性評価パターンを示す図である。
【図１５】描画面積調整用パターンを示す図である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態に係るフォトマスク評価装置で実行される特性評価処理のプログラムの制御構造を示すフローチャートである。
【図１７】本発明の第２の実施の形態に係るフォトマスク評価装置で実行される互換性評価処理のプログラムの制御構造を示すフローチャートである。
【符号の説明】
７  ＣＤ／形状特性および位置精度特性評価用マスク、８  Ｘ方向配線系ＣＤ特性評価パターン、９  Ｙ方向配線系ＣＤ特性評価パターン、１０  ホール系ＣＤ特性評価パターン、１１  Ｘ方向パターンつき合わせ特性評価パターン、１２Ｙ方向パターンつき合わせ評価パターン、１３  マスク面内ＣＤ精度／位置精度特性評価パターン、１４  パターン形状特性評価パターン、１５  Ｘ方向近接効果特性評価パターン、１６  Ｙ方向近接効果特性評価パターン、１７  斜め線ＣＤ特性評価パターン、１８  １０００μｍ  ＣＤ精度／位置精度特性評価パターン、１９  ショット分割精度特性評価パターン、２０  ローディング効果／フォギング効果特性評価用マスク、２１  フォギング特性評価パターン、２２  ３０％描画面積調整用パターン、２３  ５０％描画面積調整用パターン、２４  ７０％描画面積調整用パターン、１００  コンピュータシステム、１０２  コンピュータ、１０４  モニタ、１０６  ＦＤ駆動装置、１０８  ＣＤ−ＲＯＭ駆動装置、１１０  キーボード、１１２  マウス。
【図１】
2004272160.tif 000003
【図２】
2004272160.tif 000004
【図３】
2004272160.tif 000005
【図４】
2004272160.tif 000006
【図５】
2004272160.tif 000007
【図６】
2004272160.tif 000008
【図７】
2004272160.tif 000009
【図８】
2004272160.tif 000010
【図９】
2004272160.tif 000011
【図１０】
2004272160.tif 000012
【図１１】
2004272160.tif 000013
【図１２】
2004272160.tif 000014
【図１３】
2004272160.tif 000015
【図１４】
2004272160.tif 000016
【図１５】
2004272160.tif 000017
【図１６】
2004272160.tif 000018
【図１７】
2004272160.tif 000019