(57)【要約】【課題】  ＷｘＮｙ薄膜を形成する方法を提供すること。【解決手段】  集積回路に窒化タングステン薄膜を形成する方法は、シリコンウェハ上にシリコン基板を準備して、このシリコンウェハをＣＶＤ真空チャンバ内の加熱可能チャックに配置する工程と、可変温度バブラ内に既知量のタングステンソースを配置して、ガスタングステンソースを提供する工程と、可変温度バブラを所定の温度に設定する工程と、キャリアガスを可変温度バブラに通して、ガスタングステンソースをキャリアガスと共にＣＶＤ真空チャンバの中に搬送する工程と、窒素含有反応性ガスをＣＶＤ真空チャンバに導入する工程と、堆積プロセス中に、ガスタングステンソースと窒素含有反応性ガスとをシリコンウェハの表面上で反応させて、シリコンウェハの表面上にＷｘＮｙ薄膜を堆積させる工程と、ＷｘＮｙ薄膜を含む集積回路を完成させる工程とを包含する。【選択図】  図１
2004308012.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化タングステン薄膜を集積回路に形成する方法であって、
シリコンウェハ上にシリコン基板を準備して、該シリコンウェハをＣＶＤ真空チャンバ内の加熱可能チャックに配置する工程と、
既知量のタングステンソースを可変温度バブラ内に配置して、ガスタングステンソースを提供する工程と、
該可変温度バブラを所定の温度に設定する工程と、
キャリアガスを該可変温度バブラに通して、該ガスタングステンソースを該キャリアガスと共に該ＣＶＤ真空チャンバ内に搬送する工程と、
窒素含有反応性ガスを該ＣＶＤ真空チャンバに導入する工程と、
堆積プロセス中に、該ガスタングステンソースと該窒素含有反応性ガスとをシリコンウェハの表面上で反応させて、該シリコンウェハの表面上にＷｘＮｙ薄膜を堆積させる工程と、
該ＷｘＮｙ薄膜を含む該集積回路を完成させる工程と
を包含する、方法。
【請求項２】
前記既知量のタングステンソースを可変温度バブラ内に配置する工程は、既知量のＷ（ＣＯ）６を該可変温度バブラ内に配置する工程を包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記可変温度バブラを所定の温度に設定する工程は、該可変温度バブラを、ほぼ周囲の室温〜２００℃の間の温度に設定する工程を包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記キャリアガスを前記可変温度バブラに通す工程は、水素キャリアガスを該可変温度バブラに通す工程を包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記水素キャリアガスを前記可変温度バブラに通す工程は、約２０ｓｃｃｍ〜２００ｓｃｃｍの間の流速で該水素キャリアガスを該可変温度バブラに通す工程を包含する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記窒素含有反応性ガスを前記ＣＶＤ真空チャンバに導入する工程は、ガスＮＨ３を前記ＣＶＤ真空チャンバに導入する工程を包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ＮＨ３ガスを前記ＣＶＤ真空チャンバに導入する工程は、ＮＨ３ガスを約２０ｓｃｃｍ〜２００ｓｃｃｍの間の流速で導入する工程を包含する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
堆積プロセス中に、前記ガスタングステンソースと前記窒素含有反応性ガスとを前記シリコンウェハの表面上で反応させて、該シリコンウェハの表面上にＷｘＮｙ薄膜を堆積させる工程は、Ｗ２Ｎ薄膜を該シリコンウェハの表面上に形成する工程を包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記Ｗ２Ｎ薄膜を前記シリコンウェハの表面上に形成する工程は、該シリコンウェハを約３５０℃〜４３０℃の間の温度に加熱する工程を包含する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
Ｗ２Ｎ薄膜を前記シリコンウェハの表面上に形成する工程は、前記ＣＶＤ真空チャンバ内の圧力を約３００ｍｔｏｒｒ〜１０００ｍｔｏｒｒの間に保つ工程を包含する、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
Ｗ２Ｎ薄膜を前記シリコンウェハの表面上に形成する工程は、約１分〜６０分間にわたって前記堆積プロセスを実行する工程を包含する、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
窒化タングステン薄膜を集積回路に形成する方法であって、
シリコンウェハ上にシリコン基板を準備して、該シリコンウェハをＣＶＤ真空チャンバ内の加熱可能チャックに配置する工程と、
可変温度バブラ内に既知量のＷ（ＣＯ）６を配置して、ガスＷ（ＣＯ）６を提供する工程と、
該可変温度バブラを所定の温度に設定する工程と、
水素キャリアガスを該可変温度バブラに通して、該ガスＷ（ＣＯ）６を該水素キャリアガスと共に該ＣＶＤ真空チャンバに搬送する工程と、
ＮＨ３反応性ガスを該ＣＶＤ真空チャンバに導入する工程と、
堆積プロセス中に、該ガスＷ（ＣＯ）６と該ＮＨ３反応性ガスとを該シリコンウェハの表面上で反応させて、該シリコンウェハの表面上にＷ２Ｎ薄膜を堆積させる工程と、
該Ｗ２Ｎ薄膜を含む該集積回路を完成させる工程と
を包含する方法。
【請求項１３】
前記可変温度バブラを所定の温度に設定する工程は、該可変温度バブラをほぼ周囲の室温〜２００℃の間の温度に設定する工程を包含する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記水素キャリアガスを前記可変温度バブラに通す工程は、約２０ｓｃｃｍ〜２００ｓｃｃｍの間の流速で該水素キャリアガスを該可変温度バブラに通す工程を包含する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記ＮＨ３ガスを前記ＣＶＤ真空チャンバに導入する工程は、ＮＨ３ガスを約２０ｓｃｃｍ〜２００ｓｃｃｍの間の流速で導入する工程を包含する、請求項６に記載の方法。
【請求項１６】
前記Ｗ２Ｎ薄膜をシリコンウェハの表面上に形成する工程は、該シリコンウェハを約３５０℃〜４３０℃の間の温度に加熱する工程を包含する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記Ｗ２Ｎ薄膜をシリコンウェハの表面上に形成する工程は、前記ＣＶＤ真空チャンバ内の圧力を約３００ｍｔｏｒｒ〜１０００ｍｔｏｒｒの間に保つ工程を包含する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記Ｗ２Ｎ薄膜をシリコンウェハの表面上に形成する工程は、前記堆積プロセスを約１分〜６０分間にわたって実行する工程を包含する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
窒化タングステン薄膜を集積回路に形成する方法であって、
シリコンウェハ上にシリコン基板を準備して、該シリコンウェハをＣＶＤ真空チャンバ内の加熱可能チャックに配置する工程と、
該シリコンウェハを約３５０℃〜４３０℃の間の温度に加熱する工程と、
該ＣＶＤ真空チャンバ内の圧力を約３００ｍｔｏｒｒ〜１０００ｍｔｏｒｒの間に保つ工程と
可変温度バブラ内に既知量のＷ（ＣＯ）６を配置して、ガスＷ（ＣＯ）６を提供する工程と、
該可変温度バブラを所定の温度に設定する工程と、
水素キャリアガスを該可変温度バブラに通して、該ガスＷ（ＣＯ）６を該水素キャリアガスと共に該ＣＶＤ真空チャンバ内に搬送する工程と、
ＮＨ３反応性ガスを該ＣＶＤ真空チャンバに導入する工程と、
堆積プロセス中に、該ガスＷ（ＣＯ）６と該ＮＨ３反応性ガスとを該シリコンウェハの表面上で反応させて、約１分〜６０分間にわたって、Ｗ２Ｎ薄膜を該シリコンウェハの表面上に堆積させる工程と、
該Ｗ２Ｎ薄膜を含む該集積回路を完成させる工程と
を包含する、方法。
【請求項２０】
前記可変温度バブラを所定の温度に設定する工程は、該可変温度バブラをほぼ周囲の室温〜２００℃の間の温度に設定する工程を包含し、前記水素キャリアガスを前記可変温度バブラに通す工程は、約２０ｓｃｃｍ〜２００ｓｃｃｍの間の流速で該水素キャリアガスを該可変温度バブラに通す工程を包含し、前記ＮＨ３ガスを前記ＣＶＤ真空チャンバに導入する工程は、約２０ｓｃｃｍ〜２００ｓｃｃｍの間の流速でＮＨ３ガスを導入する工程を包含する、請求項１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銅インターコネクトに応用するためのバリアメタル薄膜のＭＯＣＶＤに関し、特に、関連するＩＣ構造に、フッ素を混入させることなく窒化タングステン薄膜を堆積させる方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体業界において、タングステン薄膜は、通常、ＷＦ６プリカーサと、Ｈ２またはＳｉＨ４キャリアガスとを用いることによって堆積される。しかしながら、このプロセスは、ＷＦ６プリカーサおよびＮＨ３反応性ガスからＷＮ薄膜を形成できない。なぜなら、ＷＦ６が用いられた場合、常にフッ素混入の問題が生じるからである。このため、ＳｉまたはＳｉＯ２とＷＦ６との直接的な接触を防止するために、ＴｉＮ等の、さらなるバリア層の堆積が必要とされる。
【非特許文献１】ＹＵら、「Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ  ｉｎ  ｔｈｅ  ＣＶＤ  ｏｆ  Ｔｕｎｇｓｔｅｎ  ｂｙ  ＷＦ６  ａｎｄ  ＷＦ６／ＳｉＨ４  Ｍｉｘｔｕｒｅｓ」、Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｓｏｃｉｅｔｙ、（１９８９年）２２１〜２３０ページ
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、ＷｘＮｙ薄膜を形成する方法を提供することである。
【０００４】
本発明の別の目的は、固体タングステンプリカーサおよび窒素含有反応性ガスを用いて、ＷｘＮｙ薄膜を形成する方法を提供することである。
【０００５】
本発明のさらなる目的は、フッ素含有成分の使用を必要としない、ＷｘＮｙ薄膜を形成する方法を提供することである。
【０００６】
本発明の要旨および目的は、本発明の本質を速やかに理解することを可能にするために提供される。本発明のより詳細な理解は、本発明の以下における好適な実施形態の詳細な説明を図面と共に参照することによって得られ得る。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
集積回路に窒化タングステン薄膜を形成する方法は、シリコンウェハ上にシリコン基板を準備して、このシリコンウェハをＣＶＤ真空チャンバ内の加熱可能チャックに配置する工程と、既知量のタングステンソースを可変温度バブラ内に配置して、ガスタングステンソースを提供する工程と、可変温度バブラを所定の温度に設定する工程と、キャリアガスを可変温度バブラに通して、ガスタングステンソースをキャリアガスと共にＣＶＤ真空チャンバの中に搬送する工程と、窒素含有反応性ガスをＣＶＤ真空チャンバに導入する工程と、ガスタングステンソースと窒素含有反応性ガスとをシリコンウェハの表面上で堆積プロセス中に、反応させて、シリコンウェハの表面上にＷｘＮｙ薄膜を堆積させる工程と、ＷｘＮｙ薄膜を含む集積回路を完成させる工程とを包含する。
【０００８】
本発明による方法は、窒化タングステン薄膜を集積回路に形成する方法であって、シリコンウェハ上にシリコン基板を準備して、該シリコンウェハをＣＶＤ真空チャンバ内の加熱可能チャックに配置する工程と、既知量のタングステンソースを可変温度バブラ内に配置して、ガスタングステンソースを提供する工程と、該可変温度バブラを所定の温度に設定する工程と、キャリアガスを該可変温度バブラに通して、該ガスタングステンソースを該キャリアガスと共に該ＣＶＤ真空チャンバ内に搬送する工程と、窒素含有反応性ガスを該ＣＶＤ真空チャンバに導入する工程と、堆積プロセス中に、該ガスタングステンソースと該窒素含有反応性ガスとをシリコンウェハの表面上で反応させて、該シリコンウェハの表面上にＷｘＮｙ薄膜を堆積させる工程と、該ＷｘＮｙ薄膜を含む該集積回路を完成させる工程とを包含し、これにより上記目的を達成する。
【０００９】
前記既知量のタングステンソースを可変温度バブラ内に配置する工程は、既知量のＷ（ＣＯ）６を該可変温度バブラ内に配置する工程を包含してもよい。
【００１０】
前記可変温度バブラを所定の温度に設定する工程は、該可変温度バブラを、ほぼ周囲の室温〜２００℃の間の温度に設定する工程を包含してもよい。
【００１１】
前記キャリアガスを前記可変温度バブラに通す工程は、水素キャリアガスを該可変温度バブラに通す工程を包含してもよい。
【００１２】
前記水素キャリアガスを前記可変温度バブラに通す工程は、約２０ｓｃｃｍ〜２００ｓｃｃｍの間の流速で該水素キャリアガスを該可変温度バブラに通す工程を包含してもよい。
【００１３】
前記窒素含有反応性ガスを前記ＣＶＤ真空チャンバに導入する工程は、ガスＮＨ３を前記ＣＶＤ真空チャンバに導入する工程を包含してもよい。
【００１４】
前記ＮＨ３ガスを前記ＣＶＤ真空チャンバに導入する工程は、ＮＨ３ガスを約２０ｓｃｃｍ〜２００ｓｃｃｍの間の流速で導入する工程を包含してもよい。
【００１５】
堆積プロセス中に、前記ガスタングステンソースと前記窒素含有反応性ガスとを前記シリコンウェハの表面上で反応させて、該シリコンウェハの表面上にＷｘＮｙ薄膜を堆積させる工程は、Ｗ２Ｎ薄膜を該シリコンウェハの表面上に形成する工程を包含してもよい。
【００１６】
前記Ｗ２Ｎ薄膜を前記シリコンウェハの表面上に形成する工程は、該シリコンウェハを約３５０℃〜４３０℃の間の温度に加熱する工程を包含してもよい。
【００１７】
Ｗ２Ｎ薄膜を前記シリコンウェハの表面上に形成する工程は、前記ＣＶＤ真空チャンバ内の圧力を約３００ｍｔｏｒｒ〜１０００ｍｔｏｒｒの間に保つ工程を包含してもよい。
【００１８】
Ｗ２Ｎ薄膜を前記シリコンウェハの表面上に形成する工程は、約１分〜６０分間にわたって前記堆積プロセスを実行する工程を包含してもよい。
【００１９】
本発明による方法は、窒化タングステン薄膜を集積回路に形成する方法であって、シリコンウェハ上にシリコン基板を準備して、該シリコンウェハをＣＶＤ真空チャンバ内の加熱可能チャックに配置する工程と、可変温度バブラ内に既知量のＷ（ＣＯ）６を配置して、ガスＷ（ＣＯ）６を提供する工程と、該可変温度バブラを所定の温度に設定する工程と、水素キャリアガスを該可変温度バブラに通して、該ガスＷ（ＣＯ）６を該水素キャリアガスと共に該ＣＶＤ真空チャンバに搬送する工程と、ＮＨ３反応性ガスを該ＣＶＤ真空チャンバに導入する工程と、堆積プロセス中に、該ガスＷ（ＣＯ）６と該ＮＨ３反応性ガスとを該シリコンウェハの表面上で反応させて、該シリコンウェハの表面上にＷ２Ｎ薄膜を堆積させる工程と、該Ｗ２Ｎ薄膜を含む該集積回路を完成させる工程とを包含し、これにより上記目的を達成する。
【００２０】
前記可変温度バブラを所定の温度に設定する工程は、該可変温度バブラをほぼ室温〜２００℃の間の温度に設定する工程を包含してもよい。
【００２１】
前記水素キャリアガスを前記可変温度バブラに通す工程は、約２０ｓｃｃｍ〜２００ｓｃｃｍの間の流速で該水素キャリアガスを該可変温度バブラに通す工程を包含してもよい。
【００２２】
前記ＮＨ３ガスを前記ＣＶＤ真空チャンバに導入する工程は、ＮＨ３ガスを約２０ｓｃｃｍ〜２００ｓｃｃｍの間の流速で導入する工程を包含してもよい。
【００２３】
前記Ｗ２Ｎ薄膜をシリコンウェハの表面上に形成する工程は、該シリコンウェハを約３５０℃〜４３０℃の間の温度に加熱する工程を包含してもよい。
【００２４】
前記Ｗ２Ｎ薄膜をシリコンウェハの表面上に形成する工程は、前記ＣＶＤ真空チャンバ内の圧力を約３００ｍｔｏｒｒ〜１０００ｍｔｏｒｒの間に保つ工程を包含してもよい。
【００２５】
前記Ｗ２Ｎ薄膜をシリコンウェハの表面上に形成する工程は、前記堆積プロセスを約１分〜６０分間にわたって実行する工程を包含してもよい。
【００２６】
本発明による方法は、窒化タングステン薄膜を集積回路に形成する方法であって、シリコンウェハ上にシリコン基板を準備して、該シリコンウェハをＣＶＤ真空チャンバ内の加熱可能チャックに配置する工程と、該シリコンウェハを約３５０℃〜４３０℃の間の温度に加熱する工程と、該ＣＶＤ真空チャンバ内の圧力を約３００ｍｔｏｒｒ〜１０００ｍｔｏｒｒの間に保つ工程と可変温度バブラ内に既知量のＷ（ＣＯ）６を配置して、ガスＷ（ＣＯ）６を提供する工程と、該可変温度バブラを所定の温度に設定する工程と、水素キャリアガスを該可変温度バブラに通して、該ガスＷ（ＣＯ）６を該水素キャリアガスと共に該ＣＶＤ真空チャンバ内に搬送する工程と、ＮＨ３反応性ガスを該ＣＶＤ真空チャンバに導入する工程と、堆積プロセス中に、該ガスＷ（ＣＯ）６と該ＮＨ３反応性ガスとを該シリコンウェハの表面上で反応させて、約１分〜６０分間にわたって、Ｗ２Ｎ薄膜を該シリコンウェハの表面上に堆積させる工程と、該Ｗ２Ｎ薄膜を含む該集積回路を完成させる工程とを包含し、これにより上記目的を達成する。
【００２７】
前記可変温度バブラを所定の温度に設定する工程は、該可変温度バブラをほぼ周囲の室温〜２００℃の間の温度に設定する工程を包含し、前記水素キャリアガスを前記可変温度バブラに通す工程は、約２０ｓｃｃｍ〜２００ｓｃｃｍの間の流速で該水素キャリアガスを該可変温度バブラに通す工程を包含し、前記ＮＨ３ガスを前記ＣＶＤ真空チャンバに導入する工程は、ＮＨ３ガスを約２０ｓｃｃｍ〜２００ｓｃｃｍの間の流速で導入する工程を包含してもよい。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の方法により、固体タングステンプリカーサＷ（ＣＯ）６、および窒素含有反応性ガスＮＨ３を用いて窒化タングステン薄膜を堆積させることができる。結果として堆積された膜は、鏡面および導電性であり、多結晶立方Ｗ２Ｎ相を有している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
図１を参照して、金属有機ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ）のために適切である、可変温度バブラ１０が、水素キャリアガスソース１２と化学気相成長（ＣＶＤ）チャンバ１４との間に配置される。Ｗ（ＣＯ）６パウダー１６がバブラ１０に配置され、これは、可変温度バブラの所定の温度が既知である限りは、室温に保たれてもよいし、約２００℃までの温度に加熱されてもよい。Ｗ（ＣＯ）６の蒸気圧はバブラの温度と比例して変化するため、これは重要である。Ｗ（ＣＯ）６の蒸気をＭＯＣＶＤチャンバの中に搬送するために、水素ガスが用いられ、このチャンバの中で、タングステンソースがＮＨ３ガス等の窒素含有反応性ガスと混合される。タングステンソースは、熱分解プロセスを経て、加熱された基板表面上でＮＨ３ガスと反応して、ＷｘＮｙ薄膜を形成する。Ｈ２キャリアガスおよびＮＨ３反応性ガスの流速は、約２０ｓｃｃｍ〜２００ｓｃｃｍの間で変化する。基板温度は、約３５０℃〜４３０℃の範囲である。ＭＯＣＶＤチャンバ内の圧力は、約３０ｍｔｏｒｒ〜１０００ｔｏｒｒであり、本実施例では、約３００ｍｔｏｒｒ〜１０００ｍｔｏｒｒの間に保たれる。堆積時間は、約１分から６０分である。生じたＷｘＮｙ膜は、輝き、かつ導電性である。５０ｎｍ厚さのＷｘＮｙ薄膜の抵抗率は、約５００μｏｈｍ−ｃｍである。Ｘ線回折解析は、金属相の炭化タングステンおよびタングステンが堆積された薄膜中にどちらも存在しないことを示す。ＷｘＮｙ相は、多結晶立方Ｗ２Ｎである。本発明の方法で用いられる固体Ｗ（ＣＯ）６ソースは、ＳｉまたはＳｉＯ２に対してあまり反応せず（ｑｕｉｔｅ  ｂｅｎｉｇｎ）、従って、Ｗ（ＣＯ）６およびＮＨ３からなる窒化タングステン膜は、銅バリアとしての使用に適切である。
【実施例】
【００３０】
ＷＮ膜を堆積させるために用いられるＷ（ＣＯ）６パウダー等の固体タングステンソースをバブラ１０に配置する。Ｗ（ＣＯ）６蒸気を水素ガスと共にＭＯＣＶＤチャンバ１４の中に搬送する。ＭＯＣＶＤ真空チャンバ１４内で、加熱したチャック上にシリコン基板を配置し、この基板を約４３０℃に加熱する。チャンバ内の圧力が約５００ｍｔｏｒｒに達するまで、ＮＨ３およびＨ２ガスをＭＯＣＶＤ真空チャンバに導入する。水素ガスは、Ｗ（ＣＯ）６蒸気をバブラからＭＯＣＶＤチャンバの中に搬送し、このバブラを室温に保つ。ＮＨ３およびＨ２ガスの好適な流速は、それぞれ２０ｓｃｃｍおよび１００ｓｃｃｍである。堆積プロセスは、約３分間継続し、その結果、約５０ｎｍの厚さ、および約５００μｏｈｍ−ｃｍの抵抗率を有するＷ２Ｎ膜をもたらす。
【００３１】
これまで、バリアに応用するためのＷ（ＣＯ）６およびＮＨ３を用いる窒化タングステン薄膜のＭＯＣＶＤの方法が開示された。これは、銅バリアに応用するために特に有用である。このさらなる変形および改変が添付の特許請求の範囲に定義される本発明の範囲内で成され得ることが明らかである。
【００３２】
以上のように、本発明の好ましい実施形態を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。
【００３３】
（要約）
集積回路に窒化タングステン薄膜を形成する方法は、シリコンウェハ上にシリコン基板を準備して、このシリコンウェハをＣＶＤ真空チャンバ内の加熱可能チャックに配置する工程と、可変温度バブラ内に既知量のタングステンソースを配置して、ガスタングステンソースを提供する工程と、可変温度バブラを所定の温度に設定する工程と、キャリアガスを可変温度バブラに通して、ガスタングステンソースをキャリアガスと共にＣＶＤ真空チャンバの中に搬送する工程と、窒素含有反応性ガスをＣＶＤ真空チャンバに導入する工程と、堆積プロセス中に、ガスタングステンソースと窒素含有反応性ガスとをシリコンウェハの表面上で反応させて、シリコンウェハの表面上にＷｘＮｙ薄膜を堆積させる工程と、ＷｘＮｙ薄膜を含む集積回路を完成させる工程とを包含する。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】図１は、本発明の方法を実行するために用いられる装置の一部を示す。
【符号の説明】
【００３５】
１０  可変温度バブラ
１２  キャリアガスソース
１４  チャンバ
１６  Ｗ（ＣＯ）６パウダー
【図１】
2004308012.tif 000003