(57)【要約】【課題】外部電源との結線の効率化が図られたセラミクスヒータを提供する。【解決手段】本発明に係るセラミクスヒータ１０は、一面１２ｂに光導波路素子５が載置されるセラミクス基板１２と、セラミクス基板１２の面のうち、光導波路素子５が載置される面１２ｂと反対の面１２ａに敷設され、通電により発熱する発熱抵抗体１４と、この発熱抵抗体１４の両端部１４ｃと電気的に接続された一対の電極１５とを備え、電極１５は、発熱抵抗体１４が敷設された面１２ａの一端部に設けられた電極形成領域１２Ｂに配置されることを特徴とする。このセラミクスヒータ１０においては、電極形成領域１２Ｂに、発熱抵抗体１４の両端部１４ｃと電気的に接続された一対の電極１５が配置されている。このように、セラミクス基板１２上の端部の一領域に電極１５を配置することで、この電極１５にボンディングワイヤ１７を容易に取り付けることができ、外部電源との結線が効率化される。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面に加熱対象物が載置されるセラミクス基板と、
前記セラミクス基板の面のうち、前記加熱対象物が載置される面と反対の面に敷設され、通電により発熱する発熱抵抗体と、
この発熱抵抗体の両端部と電気的に接続された一対の電極とを備え、
前記電極は、前記発熱抵抗体が敷設された面の一端部に設けられた電極形成領域に配置されることを特徴とするセラミクスヒータ。
【請求項２】
前記電極は、前記セラミクス基板の面のうち、この電極が配置される面の一辺に沿って、配置されていることを特徴とする請求項１に記載のセラミクスヒータ。
【請求項３】
前記発熱抵抗体は、少なくともその一部に方形波パターンを有することを特徴とする請求項１又は２に記載のセラミクスヒータ。
【請求項４】
前記方形波パターンの振幅方向に延在する直線パターンの間隔が、前記発熱抵抗体の中央部より端部のほうが短いことを特徴とする請求項３に記載のセラミクスヒータ。
【請求項５】
前記電極形成領域は、前記方形波パターンの発熱抵抗体の振幅方向に並んで設けられており、
前記電極は、この電極形成領域のうち、前記発熱抵抗体が近接する領域に配置されることを特徴とする請求項３又は４に記載のセラミクスヒータ。
【請求項６】
ヒータ温度を検出する温度検出素子をさらに備え、
この温度検出素子は、前記発熱抵抗体の中央部付近に配置されることを特徴とする請求項４又は５に記載のセラミクスヒータ。
【請求項７】
前記温度検出素子の電極が、前記電極形成領域に配置されることを特徴とする請求項６に記載のセラミクスヒータ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミクスヒータに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、このような分野の技術は、例えば、特許文献１に示した公報に開示されている。この公報に開示されたセラミクスヒータにおいては、方形波パターンを有する発熱抵抗体及びこの発熱抵抗体に外部電源からの電力を供給する電極がセラミクス基板上に形成されている。そして、この発熱抵抗体の端部のパターン幅及びパターン間距離を小さくすることで、熱が逃げやすい基板端部の発熱量を上昇させ、発熱抵抗体領域及び電極領域を含む基板全体にわたった均熱を図っている。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００２−１４１１６３号公報
【特許文献２】
国際公開０１／５５７５８号パンフレット
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述した従来のセラミクスヒータには、次のような課題が存在している。すなわち、電極が方形波パターンの発熱抵抗体に挟まれた位置に配置されて、電極形成領域と発熱抵抗体とが混在していたり、電極が方形波パターンの発熱抵抗体の両端に配置されて、電極形成領域が分散していたりしている。電極形成領域がこのような場合には、電極をワイヤボンディングによって外部電源と電気的に接続する際、ワイヤボンディングの複雑化や工程増加を招いてしまうため、セラミクスヒータの外部電源への結線を効率よくおこなえないという問題があった。
【０００５】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、外部電源との結線の効率化が図られたセラミクスヒータを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明に係るセラミクスヒータは、一面に加熱対象物が載置されるセラミクス基板と、セラミクス基板の面のうち、加熱対象物が載置される面と反対の面に敷設され、通電により発熱する発熱抵抗体と、この発熱抵抗体の両端部と電気的に接続された一対の電極とを備え、電極は、発熱抵抗体が敷設された面の一端部に設けられた電極形成領域に配置されることを特徴とする。
【０００７】
このセラミクスヒータにおいては、セラミクス基板の発熱抵抗体が敷設された面の一端部に、電極形成領域が設けられている。そして、この電極形成領域に、発熱抵抗体の両端部と電気的に接続された一対の電極が配置されている。このように、セラミクス基板上の端部の一領域に電極を配置することで、この電極にボンディングワイヤを容易に取り付けることができ、外部電源との結線が効率化される。
【０００８】
また、電極は、セラミクス基板の面のうち、この電極が配置される面の一辺に沿って、配置されていることが好ましい。この場合、電極へのボンディングワイヤの取り付けがより容易になり、外部電源との結線の更なる効率化が図られる。
【０００９】
また、発熱抵抗体は、少なくともその一部に方形波パターンを有することが好ましい。この場合、少なくとも発熱抵抗体が方形波パターンである基板領域においては、基板は発熱抵抗体が発する熱で略均等に加熱されるため、基板の均熱化が図られる。
【００１０】
また、方形波パターンの振幅方向に延在する直線パターンの間隔が、発熱抵抗体の中央部より端部のほうが短いことが好ましい。この場合、熱が外部に放出しやすい、すなわち冷えやすい発熱抵抗体の端部の発熱量が増加するため、基板のさらなる均熱化が図られる。
【００１１】
また、電極形成領域は、方形波パターンの発熱抵抗体の振幅方向に並んで設けられており、電極は、この電極形成領域のうち、発熱抵抗体が近接する領域に配置されることが好ましい。一般に、電極及びこの電極と外部電源とを電気的に接続するボンディングワイヤの材料には抵抗が低い材料（Ａｕ等）が採用され、この電極が形成された領域の熱は電極及びボンディングワイヤを介して外部に放出されやすい。すなわち、電極は周囲の熱を吸収しやすいため、この電極を発熱抵抗体に近接するように配置することにより電極の吸熱作用がある程度抑制され、基板の均熱化が図られる。
【００１２】
また、ヒータ温度を検出する温度検出素子をさらに備え、この温度検出素子は、発熱抵抗体の中央部付近に配置されることが好ましい。この場合、発熱抵抗体の中央部は端部に比べて直線パターンの間隔が広くなっているため、温度検出素子を配置する領域を確保しやすい。また、温度検出素子を発熱抵抗体と同一面に配置することで、温度検出素子を加熱対象物が載置される面に配置した場合に比べて、加熱対象物の載置面積を広くすることができる。
【００１３】
また、温度検出素子の電極が、電極形成領域に配置されることが好ましい。この場合、上述した発熱抵抗体の電極同様、温度検出素子の電極もセラミクス基板上の端部の一領域に配置することで、この電極にボンディングワイヤを容易に取り付けることができ、外部電源との結線が効率化される。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明に係るセラミクスヒータ製造方法の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、同一又は同等の要素については同一の符号を付し、説明が重複する場合にはその説明を省略する。
【００１５】
図１は、本発明の実施形態に係る温調パッケージ１を示した概略図である。この温調パッケージ１は、ヒータモジュール２と、ヒータモジュール２を収容する筐体３とを備えている。ヒータモジュール２は、筐体３の底面３ａに設けられた４つの円柱台４によって支持されており、ヒータモジュール２下部に間隙が形成される。このように、ヒータモジュール２を台４で支持することで、ヒータモジュール２の放熱効率の向上が図られている。この温調パッケージ１においては、ヒータモジュール２の上面に光導波路素子（加熱対象物：例えば、ＡＷＧ合分波素子等）５が載置されると共に、その光導波路素子５の両端に光学的に接続された光ファイバ６が筐体３の挿通孔（図示せず）を通ってモジュール外部に延ばされるため、ヒータモジュール２の温度を調整することで光導波路素子５の温度が保持される。
【００１６】
ヒータモジュール２は、断熱性を有する断熱基板９とこの断熱基板９に支持されたセラミクスヒータ１０から構成されている。断熱基板９には、セラミクスヒータ１０の断面形状と相似関係を保ちつつ縮小した断面形状を有する矩形凹部９ａが形成されており、この凹部９ａの縁とセラミクスヒータ１０の外縁部が接着固定されている。それにより、セラミクスヒータ１０と断熱基板９との間における放熱性の改善が図られている。なお、このような放熱性を改善する方法としては、断熱基板９に矩形凹部９ａを設ける方法以外に、例えば、断熱基板９上に複数の突起を設けてこの突起でセラミクスヒータ１０を支持する方法等がある。また、セラミクスヒータ１０と断熱基板９との固定は、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂などの樹脂接着剤を用いる接着固定を採用しているが、必要に応じてネジ留めなどの機械的固定や溶接固定などの固定方法に変更することが可能である。
【００１７】
次に、セラミクスヒータ１０について、図２を参照しつつ詳細に説明する。図２に本発明の実施形態に係るセラミクスヒータ１０を示す。このセラミクスヒータ１０は、主に、セラミクス基板１２と発熱抵抗体１４とにより構成されており、Ａｇ製の電極１５が外部電源からの電力を発熱抵抗体１４に供給することにより発熱抵抗体１４が通電されて発熱する。この発熱により生じた熱は、セラミクス基板１２内を伝搬し、発熱抵抗体１４が敷設された面１２ａの裏面１２ｂに搭載される光導波路素子５（図１参照）を加熱する。
【００１８】
なお、セラミクス基板１２の面のうち、光導波路素子が搭載される面１２ｂの表面粗さ、うねり及び反りは小さい方が好ましい。これは、光導波路素子５は熱伝導良好な樹脂又はグリースを介して基板１２に貼り付けられるが、搭載面１２ｂの表面粗さ、うねり及び反りが小さいと、この樹脂等を薄くムラなく塗布できるからである。すなわち、樹脂等には、セラミクス基板１２より熱伝導率が低いものが一般に用いられ、搭載面１２ｂの表面粗さ、うねり及び反りが大きいと、基板面１２ｂの均熱特性をそのままデバイスへ転写させることが難しい。しかしながら、セラミクス基板面１２ｂの、デバイス製造過程で残留した反りに対して適合する程度の反りに関しては、適合層を均一にする効果があるため、一様に決められるものではない。なお、通常、発熱抵抗体１４の絶縁保護層として、発熱抵抗体１４上には厚さ５０μｍ程度の低融点ガラス膜が形成されるが、説明の便宜上、図示しない。
【００１９】
セラミクス基板１２はＡｌＮ製の平板形状を有しており、熱伝導率は１４０Ｗ／ｍ・Ｋ、サイズは５０ｍｍ×４０ｍｍ×０．９ｍｍである。また、セラミクス基板１２の表面１２ａの粗さ（Ｒａ）は、０．６８μｍである。発熱抵抗体１４は、セラミクス基板１２の表面１２ａ上に載置されており、線幅１．２ｍｍ、厚さ１５μｍの方形波パターンを有している。このように、発熱抵抗体１４が方形波パターンである場合、発熱抵抗体１４の熱が基板全面に伝播しやすいため、基板１２を略均等に加熱することができる。そのため、セラミクス基板１２の表面１２ａのうち、この発熱抵抗体１４が形成された領域及びその周辺領域は均熱領域１２Ａとなっており、光導波路素子５は、この均熱領域１２Ａに対応する裏面１２ｂの領域に搭載される。方形波パターンは、等間隔に並列する同じ長さの６本の横直線パターン１２Ａと、２本の横直線パターン１４ａの端部を互い違いに連結すると共に、横直線パターン１４ａに直交する５本の縦直線パターン１４ｂとで構成されている。  また、この発熱抵抗体１４は、後述するスクリーン印刷法で形成した後、大気中９００℃で焼成させたものである。この発熱抵抗体１４の主成分はＡｇ及びＰｄである。以下、説明の便宜上、方形波パターンの波進行方向をＸ方向、波振幅方向をＹ方向とする。
【００２０】
偶数本（６本）の横直線パターン１４ａをもった方形波パターンを有する発熱抵抗体１４では、その両端部１４ｃが同じ側で終端している。そして、この両端部１４ｃからはそれぞれ電極１５までＡｇ製リード１６が延びている。発熱抵抗体１４の両端部１４ｃとリード１６を介して接続された一対の電極１５は、電極形成領域１２Ｂに設けられており、このリード１６がボンディングワイヤ１７（Ａｕ製）により外部電源（図示せず）と電気的に接続されている。この電極形成領域１２Ｂは、上述した均熱領域１２ＡのＹ方向に並ぶように形成されており、セラミクス基板１２の縁に沿って延びている。このように、電極１５をセラミクス基板１２上の端部の電極形成領域１２Ｂに配置した場合、電極１５が発熱抵抗体１４と混在せず、一つの領域に集結するため、ボンディングワイヤ１７を電極１５に容易に取り付けることができ、外部電源との結線が効率化される。なお、電極１５の表面のうち、ボンディングワイヤ１７が接続される部分はＡｕで被覆してもよい。
【００２１】
また、電極１５は、この電極形成領域１２Ｂのうち、縦直線パターン１４ｂに隣接する位置に設けられている。一般に、高い熱伝導率を有する材料で構成される電極１５やワイヤ１７は、基板の熱を吸収して外部に放出してしまい、基板１２の均熱に悪影響を及ぼすため、このように電極１５を発熱抵抗体１４に近接するように配置することで、高温の発熱抵抗体１４が電極１５の吸熱作用を抑制するので、基板１２の均熱化が図られる。また、電極１５は、セラミクス基板の一辺１２ｃに沿って配置されており、ワイヤ１７取り付けの容易化、すなわち結線の効率化が図られている。
【００２２】
次に、セラミクス基板１２上に発熱抵抗体１４をスクリーン印刷により形成する方法について、図３及び図４を参照しつつ説明する。図３は、スクリーン印刷の際の要素の配置関係を示す斜視図であり、図４は、スクリーン印刷の方向を示す平面図である。
【００２３】
まず、スクリーン印刷に用いる道具について説明する。図３に示すように、スクリーン印刷をするにあたり、上述したセラミクス基板１２と、ペースト状の発熱抵抗体（発熱抵抗ペースト）１４Ａと、発熱抵抗体１４を所望の形状に成形するスクリーン版１８と、スクリーン版１８を介して発熱抵抗ペースト１４Ａをセラミクス基板１２にこすり付けるスキージ２０を用意する。なお、発熱抵抗ペースト１４Ａとは、焼成により固化させることで上述した発熱抵抗体１４になる、Ａｇ及びＰｄを含むペーストである。
【００２４】
スクリーン版１８は、エマルジョン（乳剤）版２２上にメッシュ（ステンレス製）２４を重ねた構成となっており、エマルジョン版２２側がセラミクス基板１０に対面している。このスクリーン版１８は、セラミクス基板１０からわずかに離間した位置で、張力が加えられた状態でセラミクス基板１０と対面している。
エマルジョン版２２には、上述したセラミクスヒータ１０の方形波状発熱抵抗体１４に対応する方形波状の開口パターン２３が形成されている。すなわち、方形波状の開口パターン２３は、等間隔に並列する同じ長さの複数本の横直線パターン２３ａと、２本の横直線パターン２３ａの端部を互い違いに連結すると共に、横直線パターン２３ａに直交する複数本の縦直線パターン２３ｂとで構成されている。
【００２５】
スキージ２０は、平板形状を有する硬質ゴムであり、種々の移動機構及び作業者の手により移動される。このスキージ２０は、移動の際、スクリーン版１８をセラミクス基板１０側に押圧すると共に、押圧面（発熱抵抗体押圧面）２０ａで発熱抵抗ペースト１４Ａをセラミクス基板１０にこすり付ける。ここで、スキージ２０は、図４に示すように、波進行方向（Ｘ軸方向）の直交方向（Ｙ軸方向）に延在する従来のスキージ２０Ａから、所定角度θだけ傾けた状態で移動される。この所定角度θは、スキージ２０のエマルジョン版２２で支持されない部分（不支持部分）の長さLが短縮するように選択される。
【００２６】
次に、上述した道具により、セラミクス基板１２上に発熱抵抗体１４をスクリーン印刷により形成する方法について説明する。
【００２７】
図３及び図４に示すように、セラミクス基板１０に対面配置されたスクリーン版１８上に発熱抵抗ペースト１４Ａを載置する。そして、図４に示すように、スキージ２０を、その押圧面２０ａがＹ軸方向からθだけ傾いた状態となるようにセットすると共に、発熱抵抗ペースト１４Ａをスクリーン版１８にこすり付けるようにスキージ２０をＸ軸方向に移動させる。このように押圧面２０ａがＹ軸方向からθだけ傾いた状態では、スキージ２０の不支持部分の長さが、Ｌから（Ｌ１＋Ｌ２）に短縮される。この不支持部分のうち、符号Ｌ１の長さは方形波パターン２３の振幅方向（Ｙ軸方向）に延在する直線パターンの不支持部分の長さであり、符号Ｌ２の長さは方形波パターン２３の進行方向（Ｘ軸方向）に延在する直線パターンの不支持部分の長さである。それにより、弾性体のスキージ２０はスクリーン版１８へ押し込まれにくくなり、発熱抵抗ペースト１４Ａの厚さが不均等になることが抑制される。
【００２８】
なお、従来のスクリーン印刷機（以下、単に「印刷機」と称す。）において、スキージ２０をスクリーン版１８に対して傾ける方法としては、印刷機のスキージの方をスクリーン版に対して傾ける方法と、又は印刷機のスクリーン版設置台の方をスキージに対して傾ける方法とが考えられる。また、スキージ２０の進行方向は、Ｘ軸方向ではなく、スキージ２０の延在方向に直交する方向（図４の二点鎖線矢印の方向）でもよい。
【００２９】
そして、スキージ２０の押圧面２０ａがＹ軸方向からθだけ傾いた状態で、スキージ２０をスクリーン版１８全体にわたってスキージングすることにより、発熱抵抗ペースト１４Ａのスクリーン印刷が完了する。なお、必要により、適宜、発熱抵抗ペースト１４Ａのスクリーン印刷を繰り返してもよい。その後、方形波パターンに発熱抵抗ペーストが印刷されたセラミクス基板１０を適切な温度で焼成することにより、セラミクスヒータ１０が作製される。
【００３０】
上述したようなスクリーン印刷が採用されたスクリーン製造方法で製造されるセラミクスヒータ１０は、均等な厚さの発熱抵抗体１４が形成されるため、ヒータ全体にわたって均一な発熱をおこなうことが可能となる。なお、θが４５度の場合、Ｘ軸方向に延在する直線パターンと、Ｙ軸方向に延在する直線パターンの両方に対して、スキージ２０の押圧面２０ａが４５度傾くため、両パターン部分において同程度にスキージ２０の押し込み量を抑制することができる。そのため、θを４５度に設定することにより、発熱抵抗体１４はより均一な発熱をおこなうことができる。
【００３１】
なお、スクリーン印刷の技術は、例えば、特開平８−８２９２０号公報に開示されている。この公報に開示されたセラミクスヒータ製造方法においては、図５及び図６に示すように、セラミクス基板３０のスクリーン印刷には、スクリーン版３２が用いられる。このスクリーン版３２は、開口のパターン３４ａが形成されたエマルジョン（乳剤）版３４と、このエマルジョン版３４上に載置されたスクリーンメッシュ３６とで構成されている。そして、スクリーンメッシュ３６の上からペースト状の抵抗発熱体３８をスキージ（へら）４０でこすり付ける（スキージングする）ことにより、エマルジョン版３４のパターン３４ａどおりに抵抗発熱体３８をセラミクス基板３０上に転写することができる。なお、エマルジョン版３４のパターン３４ａには方形波が採用されており、この方形波パターン３４ａの波進行方向（図中の矢印Ｘ方向）にスキージ４０を移動させて、抵抗発熱体３８をセラミクス基板３０上にスキージングする。
【００３２】
しかしながら、前述した従来のセラミクスヒータ製造方法には、次のような課題が存在している。すなわち、一般にスキージ４０はゴム等の弾性体で形成されるため、パターンの幅が広い部分ではスキージ４０が抵抗発熱体３８をスクリーン版３２に押し込んでしまうという問題があった（図７参照）。特に、方形波パターン３４ａを有するエマルジョン版３４が採用されたスクリーン版３２においては、方形波の振幅方向（図中のＹ方向）に延在する直線パターン部分でパターン３４ａの幅が著しく広くなり、スキージ４０の進行方向（Ｘ方向）に直交するこの部分で抵抗発熱体３８が押し込まれやすくなっている。そのため、スキージ４０に押し込まれた部分の抵抗発熱体３８の厚さが薄くなってしまい、抵抗発熱体３８の厚さが均等になりにくかった（すなわち、ｄ2＜ｄ1）。それにより、抵抗発熱体３８の発熱量に偏りが生じてしまい、ヒータの均熱が図れないという問題があった。
【００３３】
次に、上述したセラミクスヒータ１０の異なる態様のセラミクスヒータについて説明する。
【００３４】
図８は、セラミクスヒータとは異なる態様のセラミクスヒータ１０Ａを示した図である。このセラミクスヒータ１０Ａは、発熱抵抗体の方形波パターンの形状が異なる点、基板温度を検出するサーミスタ（温度検出素子）５０が取り付けられている点でのみ、セラミクスヒータ１０と異なる。
【００３５】
このセラミクスヒータ１０Ａの発熱抵抗体１４おいては、発熱抵抗体１４の隣接する横直線パターン１４ａの間隔が、中央部に比べて端部の方が狭くなっている。このように発熱抵抗体１４の密度を高くして、冷えやすい基板１２端部の発熱量を増加することで、セラミクス基板１２のさらなる均熱化が図られる。また、隣接する横直線パターンの間隔が端部よりも広い中央部の横直線パターン１４ａの間には、サーミスタ５０が配置されている。このように、発熱抵抗体１４の中央部は、端部に比べて直線パターンの間隔が広くなっているため、サーミスタ５０を配置する領域の確保が容易である。また、サーミスタ５０を発熱抵抗体１４と同一面１２ａに配置することで、光導波路素子５を載置する面１２ｂにサーミスタ５０を配置した場合に比べて、光導波路素子５の載置面積を広くすることができる。
【００３６】
このサーミスタは、外部電源（図示せず）と電気的に接続された一対のサーミスタ用電極５２から配線５４を介して給電される。サーミスタ用電極は、発熱抵抗体１４の端部１４ｃに接続された一対の電極１５と同様に電極形成領域に配置されていると共に、電極１５の間に並設されている。このような位置にサーミスタ用電極を配置することで、電極１５同様、ボンディングワイヤ５６を容易に取り付けることができる。
【００３７】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、発熱抵抗体１４の電極１５及びサーミスタ用電極５２と外部電極との電気的接続はワイヤボンディングに限定されず、例えば、被覆電線を介したハンダ接続であってもよい。また、発熱抵抗体の形状は、方形波パターンに限定されず、均熱領域を形成する形状であれば、例えば、同心円パターンや櫛歯パターンであってもよい。
【００３８】
【発明の効果】
本発明によれば、外部電源との結線の効率化が図られたセラミクスヒータが提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る温調パッケージを示した概略斜視図である。
【図２】図１のセラミクスヒータを示す斜視図である。
【図３】図２のセラミクスヒータの製造方法を説明するための斜視図である。
【図４】図２のセラミクスヒータの製造方法を説明するための平面図である。
【図５】従来のセラミクスヒータ製造方法を説明するための斜視図である。
【図６】図５のＶＩ−ＶＩ線断面図である。
【図７】図５のＶＩＩ−ＶＩＩ線断面図である。
【図８】セラミクスヒータの一例を示した概略斜視図である。
【符号の説明】
５…光導波路素子、１０，１０Ａ…セラミクスヒータ、１２…セラミクス基板、１２Ｂ…電極形成領域、１４…発熱抵抗体、１４ａ，１４ｂ…直線パターン、１５…電極、１７，５６…ボンディングワイヤ、５０…サーミスタ、５２…サーミスタ用電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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