(57)【要約】【課題】膜厚の均一性を高めることができる減圧乾燥装置および減圧乾燥方法を提供すること。【解決手段】塗布液が表面に塗布されたレチクル基板Ｒを配管５５によって減圧乾燥する減圧乾燥装置１であって、レチクル基板Ｒが載置される載置台４を有しこの載置台４上におけるレチクル基板Ｒに対向する面が鏡面加工された整流板６を内蔵する気密容器２と、この気密容器２の載置台４に昇降自在に挿通され載置台４上にレチクル基板Ｒを載置する基板受け渡し用部材３とを備え、この基板受け渡し用部材３は、レチクル基板Ｒの非塗布領域を支持するような位置に配置されている。【選択図】　　　図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
塗布液が塗布された被処理基板を減圧乾燥する減圧乾燥装置であって、
前記被処理基板が載置される載置台がその内部に設けられた気密容器と、
前記載置台に載置された被処理基板と所定の隙間を介して対向して設けられた整流板と、
前記載置台に昇降自在に挿通され、前記載置台上に前記被処理基板を載置する基板受け渡し用部材と、
前記気密容器内を減圧し、塗布液に含まれる溶剤成分を蒸発させるための減圧排気手段とを備え、
前記基板受け渡し用部材が、前記被処理基板の塗布液の非塗布領域を支持するように配置されると共に、前記被処理基板と対向する整流板の面が鏡面加工されていることを特徴する減圧乾燥装置。
【請求項２】
前記基板受け渡し用部材が、
前記被処理基板を一端部側で支持する水平部と、前記水平部の他端側下面に取り付けられた前記載置台を挿通する垂直部とを備える支持部材によって構成されていることを特徴とする請求項１に記載された減圧乾燥装置。
【請求項３】
前記載置台に、前記被処理基板の載置状態における載置面下方に前記水平部を収容する空間部が設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載された減圧乾燥装置。
【請求項４】
前記被処理基板と対向する整流板の面の表面粗さＲａが、０．０２５μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載された減圧乾燥装置。
【請求項５】
前記整流板に、前記被処理基板の温度を調整する温度調整手段が設けられていることを特徴とする請求項１に記載された減圧乾燥装置。
【請求項６】
前記載置台に、前記被処理基板の温度を調整する温度調整手段が設けられていることを特徴とする請求項１に記載された減圧乾燥装置。
【請求項７】
塗布液が塗布された被処理基板を減圧乾燥する減圧乾燥装置であって、
前記被処理基板が載置される載置台がその内部に設けられた気密容器と、
前記載置台に載置された被処理基板と所定の隙間を介して対向して設けられた整流板と、
前記載置台に昇降自在に挿通され、前記載置台上に前記被処理基板を載置する基板受け渡し用部材と、
前記気密容器内を減圧し、塗布液に含まれる溶剤成分を蒸発させるための減圧排気手段と、
前記基板受け渡し用部材が挿通する挿通孔に接続された減圧排気手段とを備えていることを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項８】
前記挿通孔に接続された減圧排気手段の減圧レートと、気密容器内を減圧する減圧排気手段の減圧レートとが同一のレートに設定されていることを特徴とする請求項７に記載された減圧乾燥装置。
【請求項９】
前記基板受け渡し用部材が、前記被処理基板の塗布液の非塗布領域を支持するように配置されると共に、前記被処理基板と対向する整流板の面が鏡面加工されていることを特徴する請求項７に記載された減圧乾燥装置。
【請求項１０】
前記基板受け渡し用部材が、
前記被処理基板を一端部側で支持する水平部と、前記水平部の他端側下面に取り付けられた前記載置台を挿通する垂直部とを備える支持部材によって構成されていることを特徴とする請求項７に記載された減圧乾燥装置。
【請求項１１】
前記載置台に、前記被処理基板の載置状態における載置面下方に前記水平部を収容する空間部が設けられていることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載された減圧乾燥装置。
【請求項１２】
前記被処理基板と対向する整流板の面の表面粗さＲａが、０．０２５μｍ以下であることを特徴とする請求項７に記載された減圧乾燥装置。
【請求項１３】
前記整流板に、前記被処理基板の温度を調整する温度調整手段が埋設されていることを特徴とする請求項７に記載された減圧乾燥装置。
【請求項１４】
前記載置台に、前記被処理基板の温度を調整する温度調整手段が埋設されていることを特徴とする請求項７に記載された減圧乾燥装置。
【請求項１５】
前記請求項１に記載された減圧乾燥装置における減圧乾燥方法において、
前記気密容器の載置台上に基板受け渡し用部材によって前記被処理基板を載置する工程と、
前記載置台上における被処理基板を、整流板の鏡面加工された面に対向させた状態で、減圧排気手段によって前記気密容器内を減圧する工程とを備えていることを特徴とする減圧乾燥方法。
【請求項１６】
前記請求項７に記載された減圧乾燥装置における減圧乾燥方法において、
前記気密容器の載置台上に基板受け渡し用部材によって前記被処理基板を載置する工程と、
前記載置台上における被処理基板を、整流板に対向させた状態で、減圧排気手段によって前記気密容器内を減圧する工程とを備え、
前記気密容器内を減圧するにあたり、前記載置台に設けられた前記基板受け渡し用部材の挿通孔に接続された減圧排気手段が、気密容器内を減圧する減圧排気手段の減圧レートと同一のレートで、減圧排気することを特徴とする減圧乾燥方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばレジスト液等の塗布液が塗布された被処理基板に減圧乾燥処理を施すことにより、被処理基板上の塗布液を乾燥させる減圧乾燥装置および減圧乾燥方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスやＬＣＤの製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィと呼ばれる技術によって被処理基板へのレジスト処理が行われている。このレジスト処理では、表面に所定のマスクパターンが形成されたレチクル基板が用いられる。
一般に、この種のレチクル基板へのマスクパターンの形成は、レチクル基板の表面に所定の塗布液を塗布して成膜し、次にこの成膜を露光した後に現像することにより行われる。
ここで、塗布液の塗布方法には、塗布液供給用のノズルを一方向に往復させるとともに、この往復方向と交差する方向にレチクル基板を間欠送りしながら、ノズルから塗布液をレチクル基板の表面上に吐出させ、塗布液をいわゆる「一筆書き」の要領で塗布する方法がある。
【０００３】
このような塗布方法を実施するにあたっては、塗布液に含まれる溶剤として揮発性の低いものが使用されることや、溶剤を基板表面から速やかに除去して塗布膜の膜厚均一性を確保すること等の理由から、レチクル基板上に塗布液を塗布した直後、レチクル基板を減圧乾燥装置内に搬入して減圧乾燥することが好ましいと考えられている。
【０００４】
従来、この種の減圧乾燥装置には、例えば図１１に示すように構成されたものが知られている。
この装置につき、図１１を用いて説明すると、同図において、符号１０１で示す減圧乾燥装置は、気密容器１０２および真空ポンプ１０３を備えている。前記気密容器１０２は、蓋体１０４および載置台１０５を有している。前記蓋体１０４は、全体が下方に開口する有頭円筒体によって形成されている。この蓋体１０４の天井部には開口部１０４ａが設けられている。前記載置台１０５は、前記蓋体１０４の下方に配設され、レチクル基板Ｒを載置するように構成されている。一方、真空ポンプ１０３は、前記開口部１０４ａに排気管１０６を介して接続され、前記気密容器１０２内を減圧するように構成されている。
【０００５】
このような減圧乾燥装置において、レチクル基板Ｒを減圧乾燥するには、塗布液が表面に塗布されたレチクル基板Ｒを載置台１０５上に基板受け渡し用ピン（図示せず）によって載置し、次に温度調整手段（図示せず）によってレチクル基板Ｒの温度を調整するとともに、真空ポンプ１０３を駆動させて気密容器１０２内を減圧することにより行う。
【０００６】
ところで、前記した減圧乾燥装置に搬送されたレチクル基板Ｒの表面にある塗布液（減圧乾燥前）の状態は、図１２（ａ）に示すように、レチクル基板Ｒの周縁領域（周縁から例えば２０ｍｍ程度内側の領域）において、塗布液１０８自体の表面張力によって角部が丸くなる。
このため、図１２（ｂ）に示すように、載置台１０５（図１１に図示）上に載置されているレチクル基板Ｒの上方に整流板１０７（図１１では破線で示す）を設け、整流板１０７とレチクル基板Ｒとの間で広がる気流によって前記周縁領域における塗布液１０８が丸くならないような手法が検討されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の減圧乾燥装置においては、整流板に施される表面加工が不十分な場合、即ち整流板の表面に微小な凹凸部（深さ５０μｍ以上の傷）が形成されている場合には、前記凹凸部によって対向するレチクル基板の面内に温度差が生じていた。この温度差は、前記凹凸部によるレチクル基板と整流板の間隙の不均一性、あるいは前記凹凸部によるレチクル基板と整流板の間隙を流れる気流の不均一性によるものと考えられる。しかもこの温度差に起因して、レチクル基板の塗布面には、整流板の凹凸部に対応した凹凸が形成される、いわゆる転写現象を引き起こし、一定の膜厚を有する塗布膜を得ることができないという技術的課題があった。
【０００８】
また、気密容器（載置台）には、基板受け渡し用ピンを挿通させる挿通孔がレチクル基板のパターン形成面内に配置されている。
そのため、気密容器内部を減圧排気すると、前記挿通孔から気密容器内部に流入する気体の流れが生じ、この気体の流れによって、レチクル基板の面内温度が不均一となり、一定の膜厚を有する塗布膜を得ることができないという技術的課題があった。
【０００９】
本発明は、このような技術的課題を解決するためになされたもので、減圧乾燥時に被処理基板の面内温度の均一性を向上させることにより、膜厚の均一性を高める減圧乾燥装置および減圧乾燥方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前記した目的を達成するためになされた本発明に係る減圧乾燥装置は、塗布液が塗布された被処理基板を減圧乾燥する減圧乾燥装置であって、前記被処理基板が載置される載置台がその内部に設けられた気密容器と、前記載置台に載置された被処理基板と所定の隙間を介して対向して設けられた整流板と、前記載置台に昇降自在に挿通され、前記載置台上に前記被処理基板を載置する基板受け渡し用部材と、前記気密容器内を減圧し、塗布液に含まれる溶剤成分を蒸発させるための減圧排気手段とを備え、前記基板受け渡し用部材が、前記被処理基板の塗布液の非塗布領域を支持するように配置されると共に、前記被処理基板と対向する整流板の面が鏡面加工されていることを特徴としている。
【００１１】
このように、基板受け渡し用部材が前記被処理基板の塗布液の非塗布領域を支持するように配置されるため、基板受け渡し用部材からの熱の影響を極力抑制でき、前記被処理基板の塗布液の塗布領域の面内温度の均一性を確保することができる。
しかも、前記被処理基板と対向する整流板の面が鏡面加工されているため、整流板と被処理基板との間の間隙が一定に保たれ、また整流板と被処理基板との間の気流が整流され、被処理基板の面内での熱移動による温度差の発生が防止される。
その結果、減圧乾燥時に被処理基板の面内温度の均一性を向上させることができ、均一な膜厚を得ることができる。
【００１２】
ここで、前記基板受け渡し用部材が、前記被処理基板を一端部側で支持する水平部と、前記水平部の他端側下面に取り付けられた前記載置台を挿通する垂直部とを備える支持部材によって、構成されていることが望ましい。
このように構成されているため、被処理基板の塗布領域から十分離間する位置に基板受け渡し用部材の挿通孔を配置することができ、前記挿通孔から気密容器内に流入する気体による熱の影響を極力抑制することができる。
【００１３】
また前記載置台に、前記被処理基板の載置状態における載置面下方に前記水平部を収容する空間部が設けられていることが望ましい。
このように基板受け渡し用部材の挿通孔と載置状態の被処理基板との間に空間部が介在するため、被処置基板上の塗布液の塗布領域に与える挿通孔からの気体の流れによる悪影響を少なくすることができる。
【００１４】
また、前記被処理基板と対向する整流板の面の表面粗さＲａが、０．０２５μｍ以下であることが望ましい。
このように、前記被処理基板と対向する整流板の面が滑らかに形成されているため、前記被処理基板と整流板の間隙の不均一性、前記被処理基板と整流板の間隙を流れる気流の不均一性を抑制でき、前記被処理基板の面内温度を均一になすことができる。
【００１５】
また、前記整流板に、前記被処理基板の温度を調整する温度調整手段が設けられていることが望ましい。このように前記整流板に、前記被処理基板の温度を調整する温度調整手段が設けられているため、前記被処理基板の面内温度をより均一になすことができる。
また、前記載置台に、前記被処理基板の温度を調整する温度調整手段が設けられていることが望ましい。このように前記載置台に、前記被処理基板の温度を調整する温度調整手段が設けられているため、前記被処理基板の面内温度をより均一になすことができる。
【００１６】
また、前記した目的を達成するためになされた本発明に係る減圧乾燥装置は、塗布液が塗布された被処理基板を減圧乾燥する減圧乾燥装置であって、前記被処理基板が載置される載置台がその内部に設けられた気密容器と、前記載置台に載置された被処理基板と所定の隙間を介して対向して設けられた整流板と、前記載置台に昇降自在に挿通され、前記載置台上に前記被処理基板を載置する基板受け渡し用部材と、前記気密容器内を減圧し、塗布液に含まれる溶剤成分を蒸発させるための減圧排気手段と、前記基板受け渡し用部材が挿通する挿通孔に接続された減圧排気手段とを備えていることを特徴としている。
このように、基板受け渡し用部材が挿通する挿通孔に減圧排気手段が設けられているため、挿通孔と気密容器内の差圧を抑制でき、挿通孔から気密容器内に気体が流入するのを防止でき、被処理基板の挿通孔周辺の温度低下を抑制できる。その結果、減圧乾燥時に被処理基板の面内温度の均一性を向上させることができ、均一な膜厚を得ることができる。
【００１７】
ここで、前記挿通孔に接続された減圧排気手段の減圧レートと、気密容器内を減圧する減圧排気手段の減圧レートとが同一のレートに設定されていることが望ましい。このように構成されているため、挿通孔から気密容器内に気体が流入するのを防止でき、被処理基板の挿通孔周辺の温度低下をより抑制できる。
【００１８】
また、前記基板受け渡し用部材が、前記被処理基板の塗布液の非塗布領域を支持するように配置されると共に、前記被処理基板と対向する整流板の面が鏡面加工されていることが望ましい。
このように、基板受け渡し用部材が前記被処理基板の塗布液の非塗布領域を支持するように配置されるため、基板受け渡し用部材の影響を極力抑制でき、前記被処理基板の塗布液の塗布領域の面内温度の均一性を確保することができる。
しかも、前記被処理基板と対向する整流板の面が鏡面加工されているため、整流板と被処理基板との間の間隙が一定に保たれ、また整流板と被処理基板との間の気流が整流され、被処理基板の面内での熱移動による温度差の発生が防止される。
その結果、減圧乾燥時に被処理基板の面内温度の均一性を向上させることができ、均一な膜厚を得ることができる。
【００１９】
また、前記基板受け渡し用部材が、前記被処理基板を一端部側で支持する水平部と、前記水平部の他端側下面に取り付けられた前記載置台を挿通する垂直部とを備える支持部材によって、構成されていることが望ましく、また前記載置台に、前記被処理基板の載置状態における載置面下方に前記水平部を収容する空間部が設けられていることが望ましい。また、前記被処理基板と対向する整流板の面の表面粗さＲａが、０．０２５μｍ以下であることが望ましい。
更に、前記整流板に、前記被処理基板の温度を調整する温度調整手段が埋設されていることが望ましく、前記載置台に、前記被処理基板の温度を調整する温度調整手段が埋設されていることが望ましい。
【００２０】
また、前記した目的を達成するためになされた本発明に係る減圧乾燥方法は、前記減圧乾燥装置における減圧乾燥方法において、前記気密容器の載置台上に基板受け渡し用部材によって前記被処理基板を載置する工程と、前記載置台上における被処理基板を、整流板の鏡面加工された面に対向させた状態で、減圧排気手段によって前記気密容器内を減圧する工程とを備えていることを特徴としている。
このように、前記被処理基板を整流板の鏡面加工された面に対向させた状態で、減圧乾燥させるため、整流板と被処理基板との間の間隙が一定に保たれ、また整流板と被処理基板との間の気流が整流され、被処理基板の面内での熱移動による温度差の発生が防止される。
その結果、減圧乾燥時に被処理基板の面内温度の均一性を向上させることができ、均一な膜厚を得ることができる。
【００２１】
また、前記した目的を達成するためになされた本発明に係る減圧乾燥方法は、前記減圧乾燥装置における減圧乾燥方法において、前記気密容器の載置台上に基板受け渡し用部材によって前記被処理基板を載置する工程と、前記載置台上における被処理基板を、整流板に対向させた状態で、減圧排気手段によって前記気密容器内を減圧する工程とを備え、前記気密容器内を減圧するにあたり、前記載置台に設けられた前記基板受け渡し用部材の挿通孔に接続された減圧排気手段が、気密容器内を減圧する減圧排気手段の減圧レートと同一のレートで、減圧排気することを特徴としている。
このように、基板受け渡し用部材の挿通孔に接続された減圧排気手段が、気密容器内を減圧する減圧排気手段の減圧レートと同一のレートで、減圧排気するため、挿通孔から気密容器内に気体が流入するのを防止でき、被処理基板の挿通孔周辺の温度低下を抑制できる。その結果、被処理基板の面内温度の均一性を向上させることができ、均一な膜厚を得ることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る減圧乾燥装置および減圧乾燥方法につき、図に示す実施の形態に基づいて説明する。先ず、減圧乾燥装置および減圧乾燥方法を説明する前に、本減圧乾燥装置が組み込まれた塗布装置の一例につき、図１を用いて説明する。図１は、本発明が適用された減圧乾燥装置を組み込んだ塗布装置を示す斜視図である。
図１において、符号２１で示すものは、例えば複数枚のレチクル基板が収納されたカセットＣを搬入・搬出するためのカセットステーションである。
前記カセットステーション２１には、カセットＣを載置可能な載置部２１ａが設けられている。このカセットステーション２１の奥側には、カセットステーション側から見て左側から右側に順に塗布ユニット２２と棚ユニット２３〜２５とがそれぞれ配置されている。また、前記カセットステーション２１には、ユニット間でレチクル基板の受け渡しを行うためのアーム２６ａを有する搬送機構２６が配設されている。
【００２３】
前記塗布ユニット２２には、後述する塗布手法を実施可能な塗布装置が配設されている。前記棚ユニット２３〜２５には、加熱ユニット２０１および冷却ユニット２０２の他、本発明の減圧乾燥装置である減圧乾燥ユニット２０３が、さらには疎水化処理ユニット２０４等が上下方向に配置されている。
【００２４】
このような塗布ユニット２２の塗布装置によるレチクル基板に対するパターン形成方法について説明する。
先ず、レチクル基板を収納してなるカセットＣが装置外から載置部２１ａに載置されると、搬送機構２６によってカセットＣ内からレチクル基板が取り出される。
次に、疎水化処理ユニット２０４内の処理部において疎水化処理が行われた後、冷却ユニット２０２で所定の温度に冷却され、塗布ユニット２２において塗布液としてのレジスト液が塗布される。
続いて、レチクル基板が減圧乾燥ユニット２０３に搬送され、減圧乾燥処理によってレジスト膜が形成される。
【００２５】
そして、レジスト膜が形成されたレチクル基板が加熱ユニット２０１において所定の温度に加熱された後、冷却ユニット２０２において所定の温度に冷却され、載置部２１ａ上のカセットＣ内に戻される。
この後、カセットＣに収納されたレチクル基板が露光装置（図示せず）に搬送され、この露光装置によって露光処理が行われた後、現像装置によって現像処理が行われ、所望のマスクパターンが形成される。
【００２６】
ここで、前記した塗布ユニットにおいて、レジスト成分と溶剤とを混合してなる塗布液（レジスト液）をレチクル基板の表面に塗布する手法につき、図２および図３を用いて説明する。図２は、塗布ユニットの要部を概略して示す斜視図である。図３は、塗布液の塗布状態を示す斜視図である。
本塗布ユニットの基板処理空間内において、図２に示すように、基板保持部（図示せず）によって水平に保持されたレチクル基板Ｒの表面に対し、塗布液供給ノズル３０を一方向（図中Ｘ方向）に往復させながら塗布液（レジスト液ＲＥ）を供給する。この場合、塗布領域外に供給されないようにスリット付きのプレート３１が用いられる。
【００２７】
次に、塗布液供給ノズル３０がレチクル基板Ｒの一方端縁から他方端縁に移動すると、この移動方向と交差する方向（図３に示す矢印方向（Ｙ方向））にそのタイミングに合わせて移動機構（図示せず）によってレチクル基板Ｒを間欠送りする。
このような動作を繰り返すことにより、いわゆる「一筆書き」の要領で塗布液がレチクル基板Ｒに塗布される。
【００２８】
次に、本発明が適用された減圧乾燥装置につき、図４〜図６を参照して説明する。図４は、本発明の第一実施形態に係る減圧乾燥装置を示す断面図である。図５は、本発明の第一実施形態に係る減圧乾燥装置の基板支持状態を示す斜視図である。図６は、本発明の第一実施形態に係る減圧乾燥装置の基板支持状態を拡大して示す断面図である。
図４において、符号１で示す減圧乾燥装置は、気密容器２および基板受け渡し用部材３を備えている。
前記気密容器２は、塗布液が塗布されたレチクル基板Ｒが載置される載置台４と、この載置台４の上方に位置する蓋体５とを有し、全体が円筒体形状に形成されている。
【００２９】
前記載置台４には、レチクル基板Ｒの温度を調整するための温度調整手段４１（例えば、ペルチェ素子からなる温調部）が埋設されている。これにより、前記載置台４が温調プレートとして機能するように構成されている。
前記載置台４の中央部には、レチクル基板Ｒの大きさより僅かに大きい基板収納用の凹部４ｂが設けられている。また、前記載置台４には、図５および図６に示すように、前記凹部４ｂの底面に突出する基板保持用の突起部４３が設けられている。これにより、レチクル基板Ｒを凹部４ｂ内の底面に僅かな間隙を介して保持するように構成されている。さらに、前記載置台４には、前記凹部４ｂの底面および開口周縁に開口する四つ（図４では二つのみ図示）の挿通孔４ａが設けられている。
【００３０】
前記蓋体５は、下方に開口する有頭円筒体からなり、前記載置台４の上方に昇降機構（図示せず）によって昇降自在に配設されている。そして、レチクル基板Ｒの搬入・搬出時に上昇して気密容器２を開放し、減圧乾燥時には下降して気密容器２を密閉するように構成されている。
この蓋体５の天井略中央部には、真空ポンプ５４に配管５５を介して接続される排気口５１が設けられている。また、前記蓋体５内には、前記載置台４上におけるレチクル基板Ｒの表面（上面）に対向する表面（下面）をもつ整流板６が固定されている。なお、図中符号５２は開閉弁を、また符号５３は圧力調整部をそれぞれ示す。
【００３１】
前記整流板６は、前記排気口５１の下方に配置され、レチクル基板Ｒ上面の面積より大きい面積をもつステンレス等の円形板によって形成されている。
そして、前記整流板６の少なくとも下面には、表面粗さＲａを０．０２５μｍ程度とする鏡面加工が施されている。
これにより、整流板６において傷等の微小（５０μｍ程度）な凹凸部が無くなり、この凹凸部によるレチクル基板Ｒにおける表面（膜形成面）に対する転写を防止するように構成されている。即ち、前記したように前記レチクル基板Ｒと対向する整流板の面が滑らかに形成されているため、前記レチクル基板Ｒと整流板の間隙の不均一性、前記レチクル基板Ｒと整流板の間隙を流れる気流の不均一性を抑制でき、前記レチクル基板Ｒの面内温度を均一になすことができ、一定の膜厚を有する塗布膜を得ることができる。
また、前記整流板６には、レチクル基板Ｒの温度を調整するための温度調整手段４２（例えば、ヒータからなる加熱部）が埋設されている。これにより、前記整流板６が温調プレートとして機能するように構成され、レチクル基板Ｒの面内温度の均一性を確保することができる。また、前記整流板６には、図４に示すように、モータにより支持棒を回転させることによって整流板６の高さを調整する高さ調整機構６Ａが設けられている。この高さ調整機構６Ａにより、整流板６とレチクル基板Ｒとの間隔を調整できるように構成されている。
【００３２】
一方、前記基板受け渡し用部材３は四つの支持部材からなり、図４に示すように、昇降ベース６３上に立設され、かつ前記載置台４の各挿通孔４ａに昇降機構６４によって昇降自在に挿通されている。
そして、これら各基板受け渡し部材３は、図６に示すように、レチクル基板Ｒの面取り部４４（パターン非形成領域）に対応して傾斜する支持面３ａを有し、これら支持面３ａで面取り部４４を支持するように構成されている。
【００３３】
前記昇降機構６４は、モータＭの駆動によって回転するボールねじ６６およびこのボールねじ６６上を進退する移動子６５を有し、前記昇降ベース６３の下方に配設されている。前記ボールねじ６６は、固定ベース７０上に回転自在に保持され、前記モータＭからの回転が伝達ベルト７１およびプーリ６７を介して伝達されるように構成されている。前記移動子６５は、前記昇降ベース６３の中央部に揺動子６８を介して連結され、前記ボールねじ６６の回転による進退によって昇降ベース６３を昇降させるように構成されている。
【００３４】
なお、図中符号６９は、前記気密容器２内の減圧状態を維持するためのベローズで、前記基板受け渡し用部材３の周囲に配設され、前記挿通孔４ａの開口周縁と前記昇降ベース６３の上面との間に介装されている。
また、前記モータＭと前記温度調整手段４１，４２および前記圧力調整部５３とはコントローラ７に接続され、その動作がレチクル基板Ｒの減圧乾燥処理を行う際に制御されるように構成されている。
【００３５】
以上の構成により、レチクル基板Ｒを減圧乾燥するには、次に示すようにして行う。
先ず、蓋体５が上昇した状態において、既述の手法にて塗布液が塗布されたレチクル基板Ｒが搬送アーム（図示せず）によって基板受け渡し用部材３に引き渡される。
次いで、基板受け渡し用部材３によってレチクル基板Ｒの非塗布領域が支持されながら、レチクル基板Ｒが凹部４ｂ内に収まるように載置台４上に載置される。
このように、基板受け渡し用部材３が前記レチクル基板Ｒの塗布液の非塗布領域を支持するため、基板受け渡し用部材３の影響を極力抑制でき、前記レチクル基板Ｒの塗布液の塗布領域の面内温度の均一性を確保することができる。
そして、レチクル基板Ｒが載置台４上載置されると、レチクル基板Ｒの非塗布領域が基板受け渡し用部材３の挿通孔４ａの上方に配置される。
しかる後、蓋体５が下降して載置台４に当接し、レチクル基板Ｒを囲む気密容器２が形成される。この場合、レチクル基板Ｒの上面と整流板６の下面とが互いに対向する。
【００３６】
そして、開閉弁５２が開放され、真空ポンプ５４によって気密容器２の減圧が開始される。
この場合、気密容器２の減圧が開始されると、レチクル基板Ｒ表面の塗布液（レジスト液ＲＥ）に含まれる溶剤の蒸発が始まると共に、レチクル基板Ｒと整流板６との間隙に気体の流れが形成される。この際、レチクル基板Ｒと整流板６との間における気体の流れが前記整流板によって整流される。この整流により、レチクル基板Ｒの面内で熱移動による温度差の発生が防止され、面内温度の均一性が確保される。また、前記したように整流板の面が滑らかに形成されているため、前記レチクル基板Ｒと整流板の間隙が均一となり、前記レチクル基板Ｒの面内温度を均一になすことができる。更に、レチクル基板Ｒの非塗布領域が挿通孔４ａの上方に配置されているため、挿通孔４ａから流入する気体に起因する熱の影響を、レチクル基板Ｒの塗布領域は受け難い。
このようにして、レチクル基板Ｒが減圧乾燥され、一定の膜厚を有する塗布膜を得ることができる。
【００３７】
次に、本発明の第二実施形態につき、図７および図８を参照して説明する。図７は、本発明の第二実施形態に係る減圧乾燥装置における基板受け渡し部材による被処理基板の支持状態を示す斜視図である。図８は、本発明の第二実施形態に係る減圧乾燥装置の要部を拡大して示す断面図である。これら図において、図４〜図６と同一または同等の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
本実施形態における減圧乾燥装置は、図７および図８に示すように、基板受け渡し用部材７３が、レチクル基板Ｒを支持する水平部７３ａおよび前記載置台４の挿通孔４ａを挿通する垂直部７３ｂを有する鉤形状の支持部材によって形成されている点に特徴がある。なお、図中の符号７４は、前記載置台４上に形成された温調プレート部である。
【００３８】
前記水平部７３ａは、基板支持側端部から１０ｍｍ程度離間する位置において前記垂直部７３ｂに保持され、全体が角棒によって形成されている。この水平部７３ａの先端部には、レチクル基板Ｒの面取り部４４（非塗布領域）に対応して傾斜する支持面７３Ａが設けられている。
前記垂直部７３ｂは、前記昇降ベース６３上に立設され、全体が丸棒によって形成されている。この垂直部７３ｂの周囲には、前記ベローズ６９（図４に図示）が配設されている。
【００３９】
このように、基板受け渡し用部材７３が、水平部７３ａおよび垂直部７３ｂを有する鉤形状の支持部材によって形成されているため、レチクル基板Ｒの塗布領域から十分離間する位置に挿通孔４ａが配置される。これにより、挿通孔４ａから気密容器内に流れ込む気体によるレチクル基板Ｒの温度変化を抑制でき、均一な膜形成を行うことができる。
しかも、レチクル基板Ｒの載置状態における載置面（温調プレート部７４）の下方に水平部７３ａを収容する空間部Ａが載置台４に設けられているため、レチクル基板Ｒと挿通孔４ａとの間に空間部Ａが介在し、レチクル基板Ｒに対する挿通孔４ａからの気体の流れによる影響を抑制することができる。
【００４０】
また、第一の実施形態の場合と同様に、載置台４の上方（蓋体５内）には整流板６が配設されているため、整流板６の下面とレチクル基板Ｒの上面との間における気体の流れが整流され、レチクル基板Ｒの面内での熱移動による温度差が抑制される。
【００４１】
したがって、本実施形態においても、第一実施形態と同様に、レチクル基板Ｒの面内温度の均一性、気流の均一性が維持されるため、均一な膜厚を有する塗布膜を得ることができる。
【００４２】
次に、本発明の第三実施形態につき、図９および図１０を参照して説明する。図９は、本発明の第三実施形態に係る減圧乾燥装置の要部を示す断面図である。図１０は、本発明の第三実施形態に係る減圧乾燥装置の減圧・排気ラインを説明するために示す回路図である。これら図において、図４〜図６と同一または同等の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００４３】
図１０に示すように、本実施形態における減圧乾燥装置８０（図９に図示）は、コントローラ８１によって排気圧を調整可能な四つの配管８２ａ〜８２ｄを前記各挿通孔４ａに接続し、これら配管８２ａ〜８２ｄの排気圧レートと前記配管５５の排気圧レートとが同一の減圧レートに設定されている点に特徴がある。
前記コントローラ８１には流量計８３ａ〜８３ｅおよび電磁弁８４ａ〜８４ｄ，５２が接続されている。また、前記流量計８３ａ〜８３ｄは、前記各挿通孔４ａに接続された配管８２ａ〜８２ｄに設置されている。前記流量計８３ｅは排気口５１に接続された前記配管５５に設置されている。
【００４４】
また、前記電磁弁８４ａ〜８４ｄは、前記流量計８３ａ〜８３ｄと前記マニホールド８５の間の配管８２に設置されている。前記電磁弁（開閉弁）５２は、排気口５１と流量計８３ｅの間の配管５５に設置されている。前記マニホールド８５は前記真空ポンプ５４に接続されている。
【００４５】
そして、前記コントローラ８１は、減圧乾燥時に電磁弁５２を開閉制御するとともに、各流量計８３ａ〜８３ｅによる流量値に基づいて各電磁弁８４ａ〜８４ｄの開閉度を制御し、配管８２ａ〜８２ｄの減圧レートと配管５５の減圧レートとを同一のレートに設定される。
【００４６】
以上の構成により、レチクル基板Ｒを減圧乾燥するには、次に示すようにして行う。
先ず、蓋体５が上昇した状態において、既述の手法にて塗布液が塗布されたレチクル基板Ｒが搬送アーム（図示せず）によって基板受け渡し用部材３に引き渡される。
次いで、基板受け渡し用部材３によってレチクル基板Ｒの非塗布領域が支持されながら、レチクル基板Ｒが凹部４ｂ内に収まるように載置台４上に載置される。しかる後、蓋体５が下降して載置台４に当接し、レチクル基板Ｒを囲む気密容器２が形成される。この場合、レチクル基板Ｒと整流板６とが互いに対向する。
【００４７】
そして、電磁弁８４ａ〜８４ｄ，５２が開放され、真空ポンプ５４によって気密容器２の減圧が開始される。この際、コントローラ８１によって電磁弁８４ａ〜８４ｄの開閉度が制御され、配管８２ａ〜８２ｄの減圧レートと配管５５の減圧レートとが同一のレートに設定される。
したがって、配管８２ａ〜８２ｄの圧力が配管５５の圧力と一致するため（各挿通孔４ａと気密容器２内の差圧を抑制できるため）、各挿通孔４ａから気密容器内に気体が流入するのを防止でき、レチクル基板Ｒの挿通孔周辺の温度低下が抑制される。その結果、レチクル基板Ｒの面内温度の均一性を向上させることができる。
【００４８】
また、気密容器２の減圧が開始されると、レチクル基板Ｒ表面の塗布液（レジスト液ＲＥ）に含まれる溶剤の蒸発が始まると共に、レチクル基板Ｒと整流板６との間隙に気体の流れが形成される。このため、レチクル基板Ｒと整流板６との間における気体の流れが整流され、レチクル基板Ｒの面内で熱移動による温度差が抑制される。
このようにして、レチクル基板Ｒの面内温度の均一性が維持された状態でレチクル基板Ｒが減圧乾燥され、第一実施形態および第二実施形態と同様に、均一な膜厚を有する塗布膜を得ることができる。
【００４９】
なお、各実施形態においては、被処理基板としてレチクル基板Ｒである場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、例えば半導体ウエハ，ＬＣＤ基板，ＣＤ等の他の被処理基板であっても勿論よい。
【００５０】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなとおり、本発明に係る減圧乾燥装置および減圧乾燥方法によると、被処理基板の面内温度の均一性を向上させることにより、膜厚の均一性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用された減圧乾燥装置を組み込んだ塗布装置を示す斜視図である。
【図２】塗布ユニットの要部を概略して示す斜視図である。
【図３】塗布液の塗布状態を示す斜視図である。
【図４】本発明の第一実施形態に係る減圧乾燥装置を示す断面図である。
【図５】本発明の第一実施形態に係る減圧乾燥装置の基板支持状態を示す斜視図である。
【図６】本発明の第一実施形態に係る減圧乾燥装置の基板支持状態を拡大して示す断面図である。
【図７】本発明の第二実施形態に係る減圧乾燥装置における基板受け渡し部材による被処理基板の支持状態を示す斜視図である。
【図８】本発明の第二実施形態に係る減圧乾燥装置の要部を拡大して示す断面図である。
【図９】本発明の第三実施形態に係る減圧乾燥装置の要部を示す断面図である。
【図１０】本発明の第三実施形態に係る減圧乾燥装置の減圧・排気ラインを説明するために示す回路図である。
【図１１】従来の減圧乾燥装置を示す断面図である。
【図１２】（ａ）および（ｂ）は、従来の減圧乾燥装置を用いた場合の塗布状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１　　　　　　　　減圧乾燥装置
２　　　　　　　　気密容器
３　　　　　　　　基板受け渡し用部材
３ａ　　　　　　　支持面
４　　　　　　　　載置台
４ａ　　　　　　　挿通孔
４ｂ　　　　　　　凹部
５　　　　　　　　蓋体
６　　　　　　　　整流板
７　　　　　　　　コントローラ
２１　　　　　　　カセットステーション
２１ａ　　　　　　載置部
２２　　　　　　　塗布ユニット
２３〜２５　　　　棚ユニット
２６　　　　　　　搬送機構
２６ａ　　　　　　アーム
３０　　　　　　　塗布液供給ノズル
３１　　　　　　　プレート
４１，４２　　　　温度調整手段
４４　　　　　　　面取り部
５１　　　　　　　排気口
５２　　　　　　　開閉弁
５３　　　　　　　圧力調整部
６３　　　　　　　昇降ベース
６４　　　　　　　昇降機構
６５　　　　　　　移動子
６６　　　　　　　ボールねじ
６７　　　　　　　プーリ
６８　　　　　　　揺動子
６９　　　　　　　ベローズ
７０　　　　　　　固定ベース
７１　　　　　　　伝達ベルト
２０１　　　　　　加熱ユニット
２０２　　　　　　冷却ユニット
２０３　　　　　　減圧乾燥ユニット
２０４　　　　　　疎水化処理ユニット
Ａ　　　　　　　　空間部
Ｃ　　　　　　　　カセット
Ｍ　　　　　　　　モータ
Ｒ　　　　　　　　レチクル基板
ＲＥ　　　　　　　レジスト液
【図１】
2004079651.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2004079651.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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