(57)【要約】【課題】優れた電界放出特性を有する、電界放出用材料として有用な二硫化モリブデンナノフラワーとその製造方法を提供する。【解決手段】酸化モリブデン薄膜を硫黄の蒸気雰囲気中で９５０〜１０００℃に加熱し、１００〜２００ナノメートルの幅と数ナノメートルの厚さの花弁状構造物が数千枚集合している二硫化モリブデンナノフラワーを作製する。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１００〜２００ナノメートルの幅と数ナノメートルの厚さの花弁状構造物が数千枚集合していることを特徴とする二硫化モリブデンナノフラワー。
【請求項２】
酸化モリブデン薄膜を硫黄の蒸気雰囲気中で９５０〜１０００℃に加熱し、請求項１記載の二硫化モリブデンナノフラワーを作製することを特徴とする二硫化モリブデンナノフラワーの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この出願の発明は、二硫化モリブデンノフラワーに関するものである。さらに詳しくは、この出願の発明は、優れた電界放出特性を有する、電界放出用材料として有用な二硫化モリブデンナノフラワーとその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
小さい曲率半径を有するナノサイズのナノチューブ、ナノワイヤー等は、その先端部に電界が集中しやすいため、電子放出材料（エミッター）として有望である。このことから、カーボンナノチューブ、針状の炭化珪素ナノロッド、タングステンナノロッド、三酸化モリブデンナノベルト等のナノ構造物について電界放出特性の検討が盛んに行われている。そして、上記ナノ構造物は、大画面のフラットパネルディスプレイへの応用に多大な関心が持たれている。
【０００３】
また、ナノチューブは、その先端が開いていると、電界放出特性が飛躍的に向上することが報告されている。
【０００４】
一方、二硫化モリブデンのナノ構造物については、電気化学的な水素の吸脱着用電極、固体潤滑剤等への応用が検討されている（たとえば、非特許文献１、２参照）。
【０００５】
【非特許文献１】
Ｊ．Ｃｈｅｎ外，ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカルソサイエティ（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ），２００１年，第１２３巻，第１１８１３頁
【非特許文献２】
Ｌ．Ｒａｐｏｐｏｒｔ外，ネイチャー（Ｎａｔｕｒｅ），１９９７年，第３８７巻，第７９１頁
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
この出願の発明は、上述の従来技術に鑑みてなされたものであり、優れた電界放出特性を有する、電界放出用材料として有用な二硫化モリブデンナノフラワーとその製造方法を提供することを解決すべき課題としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この出願の発明は、上記の課題を解決するものとして、１００〜２００ナノメートルの幅と数ナノメートルの厚さの花弁状構造物が数千枚集合していることを特徴とする二硫化モリブデンナノフラワー（請求項１）を提供する。
【０００８】
またこの出願の発明は、酸化モリブデン薄膜を硫黄の蒸気雰囲気中で９５０〜１０００℃に加熱し、請求項１記載の二硫化モリブデンナノフラワーを作製することを特徴とする二硫化モリブデンナノフラワーの製造方法（請求項２）を提供する。
【０００９】
【発明の実施の形態】
この出願の発明の二硫化モリブデンナノフラワーとその製造方法は、上記のとおりの特徴を有するものであるが、以下に実施例を示し、この出願の発明の二硫化モリブデンナノフラワーとその製造方法についてさらに詳しく説明する。
【００１０】
【実施例】
グラファイト製るつぼの中に硫黄粉末を入れ、るつぼの上方約１ｃｍのところにモリブデン箔（１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．１ｍｍ）を配置した。これら硫黄粉末及びモリブデン箔を出発原料として赤外線照射炉を用い、モリブデン箔は９５０〜１０００℃に、硫黄粉末は３００〜３５０℃に２０分間加熱した。モリブデン箔が酸化されて生成した酸化モリブデンの表面の薄層が、発生した硫黄の蒸気により還元された。
【００１１】
生成物についてＸ線回折で調べた結果、格子定数ａ＝３．１６Å、ｃ＝１２．３Åの六方晶系の二硫化モリブデン相が形成していることが確認された。また、生成物を走査型電子顕微鏡で観察した結果、生成物は、図１（ａ）（ｂ）に示したような花状の形状をしており、大きさは数百ナノメートルであった。このナノフラワーは、数千枚の花弁状物から構成されており、一枚の花弁の大きさは、幅が約１００〜２００ナノメートルで、厚さが数ナノメートルであった。
【００１２】
以上のナノフラワーが付着しているモリブデン箔から少量のナノフラワーを剥がし取り、アルコールに分散して１５分間超音波処理を行った。この分散液は、次いでカーボン膜の付いた銅グリッドに滴下して乾燥させた。Ｘ線エネルギー拡散スペクトロメーターと電子エネルギー損失スペクトロメーターを付属した高分解能透過型電子顕微鏡を用い、ナノフラワーの結晶構造及び化学組成の分析を行った。ナノフラワーは、超音波処理中でも形状が破壊されず、安定であった。
【００１３】
図２に示したように、電子エネルギー損失スペクトルの測定結果から、ナノフラワーの化学組成は、モリブデン（２２７ｅＶ）と硫黄原子（１６５ｅＶ）からなることが判明した。また、電子線回折の結果から、純粋な六方晶系の二硫化モリブデン相であることが確認された。
【００１４】
図３は、代表的なナノフラワーの高分解能透過型電子顕微鏡像であるが、六方晶系の二硫化モリブデンの（００２）結晶底面の縞模様が明りょうに観察される。花弁状物を構成している層の数は、先端に向かうにつれて減少し、先端部では、５層より少なく、厚さは約１〜３ナノメートルであった。
【００１５】
断面積１ｍｍ２の棒状のアルミニウム探針を陽極とし、二硫化モリブデンナノフラワーを陰極として２．０×１０−７Ｔｏｒｒの真空中で電界放出特性を測定した。０〜１１００Ｖの電圧を印加し、陽極とナノフラワー間の距離を１００〜１５０μｍまで変化させた時の電流密度を測定した結果を図４に示した。
【００１６】
１０μＡ／ｃｍ２、１０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度を生じさせるのに要する電圧をそれぞれ開始電圧、閾値電圧と定義すると、二硫化モリブデンナノフラワーは、開始電圧が４．５〜５．５Ｖ／μｍ、閾値電圧が７．６〜８．６Ｖ／μｍであることが判明した。このように、二硫化モリブデンナノフラワーが優れた電界放出特性を示すのは、花弁の先端が非常に薄く、かつ開いていることによる。
【００１７】
もちろん、この出願の発明は、以上の実施例によって限定されるものではない。細部については様々な態様が可能であることはいうまでもない。
【００１８】
【発明の効果】
以上詳しく説明した通り、この出願の発明によって、優れた電界放出特性を有する、電界放出用材料として有用な二硫化モリブデンナノフラワーと、これを実現する製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）（ｂ）は、それぞれ、実施例で得られた二硫化モリブデンナノフラワーの走査型電子顕微鏡像である。
【図２】実施例で得られた二硫化モリブデンナノフラワーの電子エネルギー損失スペクトルである。
【図３】実施例で得られた二硫化モリブデンナノフラワーの高分解能透過型電子顕微鏡像である。
【図４】実施例で得られた二硫化モリブデンナノフラワーの電界放出特性（電圧と電流密度の関係）を示したグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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