(57)【要約】【課題】耐熱性樹脂を用いながら、ＲＩＥによるコア形成において、コア部の両サイドにクラックを生じないでコア部を設計通りに容易に作製でき、光損失値が安定した低損失な光導波路作製法を提供することにある。【解決手段】下部クラッド層上に、コア部となるコア層を形成し、前記コア層上に、Ｓｉ含有レジストを塗布してレジスト層を形成し、前記レジスト層を、半透過クロムフォトマスクを用いて露光・現像し、反応性イオンエッチング法により、コア部を形成するプラスチック光導波路の製造方法において、前記コア部断面の下部クラッド層に接する一辺が、前記一辺と向かい合う一辺よりも、大きいコア部を形成することを特徴とするプラスチック光導波路の製造方法である。【選択図】図３
2004245894.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部クラッド層上に、コア部となるコア層を形成し、前記コア層上に、Ｓｉ含有レジストを塗布してレジスト層を形成し、前記レジスト層を、半透過クロムフォトマスクを用いて露光・現像し、反応性イオンエッチング法により、コア部を形成するプラスチック光導波路の製造方法において、前記コア部断面の下部クラッド層に接する一辺が、前記一辺と向かい合う一辺よりも、大きいコア部を形成することを特徴とするプラスチック光導波路の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラスチック光導波路の製造方法に関するものである。更に詳しくは、光通信分野、光情報処理分野などに用いられる光回路において、光伝搬損失量の少ないプラスチック光導波路に有用なプラスチック光導波路の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、光導波路としては、石英系光導波路とプラスチック光導波路が知られており、石英系光導波路の製造方法としては、Ｓｉ基板上に火炎堆積法やＣＶＤ法等の手段により、ガラス膜よりなる下部クラッド層を形成し、この下部クラッド層上に、これと屈折率の異なる無機質の薄膜を形成し、この薄膜を、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法を用いて、パターニングすることにより、コア部分を形成し、その後、さらに火炎堆積法によって、上部クラッド層を形成する方法が代表的である。しかしながら、この方法は、各工程の実施が相当に煩雑である上、各構成層を透明ガラス化するために、１０００℃以上の温度に加熱する工程が必要であることから、製造に長い時間を要し、本質的に低コスト化は困難であり、電気回路基板との融合性が悪いうえ、大面積化が困難である問題があった。
【０００３】
一方、プラスチックで構成された光導波路は、石英光導波路よりも作製および大面積化が容易であり、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート等のポリマーを用いたプラスチック光導波路が検討されている。
【０００４】
しかし、その構成材料の耐熱性は、１００℃前後であるため、使用環境が限定されると共に、実装回路として組み込むためには、数百℃のハンダ工程を通過することが必要となり、電気回路基板との融合性が悪くなるという問題があった。
【０００５】
そこで、プラスチック材料でありながら、３００℃以上の耐熱性を有するポリイミドやポリベンゾオキサゾール樹脂を、プラスチック光導波路に用いようとする試みがなされている。その光導波路作製法として、ＲＩＥ法を用いて、コア部を形成し、上部クラッドを埋め込むという方法が主流であるが、従来のＲＩＥ法を用いたコア部形成法は、図２に示すような形状で作製している（例えば、特許文献１、２参照。）。しかし、３００℃以上の耐熱性を有するポリイミドやポリベンゾオキサゾール樹脂は、その耐熱性のため、柔軟性に乏しく、基板との熱膨張係数がかなり違う場合、光導波路中に応力が残存し、図２に示すような形状ではコア部形成時に、その応力緩和のため、コア部の両側にランダムにクラックが生じやすく、コア部が設計どおり作製できなかった。さらに、光損失値が安定しない、また、大きくなるという問題点があった。
【０００６】
【特許文献１】
特開平４−９８０７号公報（第７頁、１、２図）
【特許文献２】
特開２００２−１７３５３２号公報（第１１頁、１図）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明は、従来の耐熱性樹脂を用いながら、ＲＩＥによるコア形成において、コア部の両端にクラックを生じないで、コア部を設計通りに容易に作製でき、光損失値が安定した低損失なプラスチック光導波路の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記従来の問題点を鑑み、鋭意検討を重ねた結果、以下に示す本発明のプラスチック光導波路の製造方法を見いだし、完成するに至った。
【０００９】
即ち、本発明は、下部クラッド層上に、コア部となるコア層を形成し、前記コア層上に、Ｓｉ含有レジストを塗布してレジスト層を形成し、前記レジスト層を、半透過クロムフォトマスクを用いて露光・現像し、反応性イオンエッチング法により、コア部を形成するプラスチック光導波路の製造方法において、前記コア部断面の下部クラッド層に接する一辺が、前記一辺と向かい合う一辺よりも、大きいコア部を形成することを特徴とするプラスチック光導波路の製造方法である。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態例について、図面を参照して説明する。
図１は、本発明により得られる埋め込み型プラスチック光導波路の実施形態を説明するための断面図である。
プラスチック光導波路は、基板ａ１上に下部クラッド層ｂ１が形成され、前記下部クラッド層ｂ１上にコア部分ｃ１が形成され、前記下部クラッド層ｂ１及びコア部分ｃ１上に形成された上部クラッド層ｄ１から構成される。
【００１１】
本発明において、コア部は、その断面において、下部クラッド層に接する一辺が、前記一辺と向かい合う一辺よりも、大きく形成されることが、好ましく、その断面形状は、図１で示されるように、階段状であっても、台形状であっても、また、側面がなだらかな形状であってもよい。
【００１２】
本発明のプラスチック光導波路の製造方法として、図１に示されたプラスチック光導波路の例について、図３を用いて説明する。
【００１３】
まず、基板ａ１上に、下部クラッド層となる樹脂を塗布し、乾燥、プリベークもしくは熱硬化して、下部クラッド層ｂ１を形成する（図３（１））。基板ａ１は、平坦な表面を有するものであれば良く、特に制限されるものではないが、シリコン基板、ガラス基板、プラスチック基板等を用いることができる。下部クラッド層ｂ１を塗布する方法としては、スピンコート法、ディッピング法、スプレー法、アプリケーター法、カーテンコート法等の方法が挙げられるが、特にスピンコート法が望ましい。
【００１４】
次いで、前記下部クラッド層ｂ１より高屈折率を有する樹脂を、前記下部クラッド層ｂ１上に塗布し、乾燥、プリベークもしくは熱硬化して、コア層ｃ１を形成する（図３（２））。コア層ｃ１を形成する方法としては、下部クラッド層ｂ１の形成と同様に、スピンコート法、ディッピング法、スプレー法、アプリケーター法、カーテンコート法等の方法が挙げられる。
【００１５】
次いで、前記コア層ｃ１上に、Ｓｉ含有レジスト層ｅを形成し、半透過クロムフォトマスクｆを用い、所望のパターンを光照射（図３（３））した後、露光部を現像して、Ｓｉ含有レジスト層ｅを凸型に形成する（図３（４））。光導波路のパターン形状は、直線、曲線、折れ曲がり、Ｓ字形、テーパ、分岐、交差、光方向結合器、２モード導波路結合器等自由に設定できる。現像は、感光性樹脂により、適宜、有機溶媒、あるいは水溶性アルカリ現像液によって処理する。
Ｓｉ含有レジスト層の厚みとしては、具体的に、式（１）で表される条件を満たす厚みでＳｉ含有レジスト層を形成することが好ましい。
【数１】
2004245894.tif 000003
（但し、ｔＡはＳｉ含有レジスト層が、現像後にほぼ完全に残った部分の厚み、ｔＨはＳｉ含有レジスト層が、露光時にフォトマスクの半透明部で覆われ、半露光部となった部分の現像後の厚み、ｔ’はＲＩＥでのコア層の切削厚み、ｘはコア層に用いる樹脂とＳｉ含有レジストのエッチング比である。）
【００１６】
その後、ＲＩＥを用い、凸型のコア部を形成し、残ったＳｉ含有レジストを除去する。（図３（５））
【００１７】
最後に、コア部ｃ１よりも低屈折率を有する樹脂で、下部クラッド層ｂ１とコア部ｃ１を被覆して、上部クラッド層ｄ１を形成し、図１に示した埋め込み型プラスチック光導波路と同様のプラスチック光導波路を製造することができる。
【００１８】
以上のようにして作製される埋め込み型プラスチック光導波路において、下部クラッド層ｂ１、上部クラッド層ｄ１、及びコア部分ｃ１の厚み、比屈折率は、特に制限されるものではないが、シングルモード用光導波路の場合は、コア部分の厚み及び幅は、数μｍ程度となり、コア層とそれぞれのクラッド層との比屈折率は、０．数％〜１．数％が好ましく、マルチモード用光導波路の場合は、コア部分の厚み及び幅は、数μｍ〜数十μｍの範囲となり、比屈折率も１％以上が好ましい。
【００１９】
コア部分ｃ１を形成する樹脂の屈折率は、下部クラッド層ｂ１および、上部クラッド層ｄ１の両クラッド層を構成する樹脂の屈折率よりも、大きいことが必要である。これらに用いる樹脂としては、種類の制限はないが、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、あるいはそれらを重水素化、フッ素化したもの、あるいはそれらの共重合体などが挙げられる。これらのうち、光透過性の観点から、重水素化、フッ素化したものが、特に好ましい。
【００２０】
また、前記樹脂として、３００℃以上の耐熱性を必要としない場合、ポリ−４−メチルペンテン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルアルコール、ジエチレングリコールビスアクリルカーボネートポリマー、ポリシクロヘキシルメタクリレート、ポリエチレン、ポリアクリロニトリル、ポリベンジルメタクリレート、スチレン−アクリロニトリル共重合体、ポリフェニルメタクリレート、ポリジアリルフタレート、ポリスチレン、ポリビニルナフタレン、ポリビニルカルバゾール、ポリカーボネート、スチレン−無水マレイン共重合体、ポリテトラメチレンテレフタレート、ポリフェニレンエーテル、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ノルボルネン系樹脂、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、エポキシシクロヘキシルメチルカルボキシレート樹脂、アリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、アクリレート樹脂、ポリメタクリル酸メチル、ベンゾシクロブテン硬化物、あるいはそれらを重水素化、フッ素化したもの、あるいはそれらの共重合体などが挙げられる。これらのうち、光透過性の観点から、重水素化、フッ素化したものが、特に好ましい。
【００２１】
下部クラッド層ｂ１および、上部クラッド層ｄ１を形成する樹脂には、性能の向上、機能化のために、反応性希釈剤、重合禁止剤、接着助剤、消泡剤、有機溶媒等を含有させることができる。
【００２２】
本発明において、埋め込み型プラスチック光導波路を構成する下部クラッド層ｂ１および上部クラッド層ｄ１は、同一の樹脂を用いることができるが、異なる透明樹脂であってもよく、その場合は、密着性向上のため密着助剤を添加したり、境界部に密着助剤をコートするなどの対処を施しても良い。通常は、同一樹脂であることが、種々の点から好ましい。
【００２３】
本発明で用いるＳｉ含有レジストは、ポジ型、ネガ型のどちらでもよく、ＲＩＥにおいて、コア層に用いる樹脂とエッチング比が、大きく取れるものであれば良く、特に好ましくは、例えば、５〜１００倍程度、好ましくは５〜２０倍、より好ましくは１０〜２０倍のものが良い。
【００２４】
本発明において、半透過クロムフォトマスクによるパターニングでは、コア部となるパターンは、クロムで完全に描画しておき、そのコア部の両側に、半透過クロム部を描画する。その幅に制限はないが、０．５〜５μｍの幅が好ましい。この半透過部分が、露光部と非露光部と中間的な部分、即ち、半露光部となり、現像後、Ｓｉ含有レジストを半溶解させ、図３（４）に示すような形状を得ることができる。
【００２５】
この状態でＲＩＥを行うと、露光部のＳｉ含有レジスト層の無い部分は、ＲＩＥ開始時から、コア層の切削が始まり、未露光部と半露光部は、Ｓｉ含有レジスト層が切削される。半露光部のＳｉ含有レジスト層の厚みは、式（１）の条件で調整されているため、コア層が半分以上切削された時点で、半透過部分のＳｉ含有レジスト層が無くなり、コア層の切削が始まり、ＲＩＥ終了後、図３（５）に示される形状を得ることができる。また、未露光部は、同様にして厚みが調整されることにより、ＲＩＥ中は、Ｓｉ含有レジスト層が無くなることは無い。
【００２６】
本発明において、Ｓｉ含有レジスト層の除去方法としては、ＲＩＥやプラズマアッシングによるドライエッチング、有機溶剤もしくはアルカリ現像液等によるウエットエッチングが可能であるが、コア部を傷つけないような方法が、より好ましい。
【００２７】
【実施例】
以下、実施例により本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されない。
【００２８】
実施例１
Ｓｉ基板上に、下部クラッド材として、フッ素化ポリイミド樹脂（セントラル硝子（株）製、ＦＬ−０１）を、スピンコート法により、塗布し、３５０℃で熱処理し、膜厚１０μｍの下部クラッド層を得た。この上に、フッ素化ポリイミド樹脂（セントラル硝子（株）製、ＣＢ−Ｌ）を、スピンコート法により、塗布し、３５０℃で熱処理し、膜厚８μｍのコア層を得た。さらに、その上に、Ｓｉ含有レジストを１．０μｍ塗布し、幅１０μｍの直線型光導波路パターンと、その両側に３μｍ幅の半透過部を持つクロムフォトマスク（大日本印刷（株）製）を用いて、超高圧水銀ランプを使用し、照射した。その後、有機溶剤現像液で２分現像した。その時の未露光部と半露光部の厚みを、それぞれ表１に示す。さらに、ＲＩＥ装置を用いて、酸素ガスを使用してエッチングを行い、コア部分となる領域を得た。その後、ＣＦ４ガスに切り替え、ＲＩＥにて、残ったＳｉ含有レジストを除去した。その時の露光部、即ち、Ｓｉ含有レジストの乗っていなかった部分のコア層切削量と、半露光部のコア層切削量を、それぞれ表１に示す。また、コア部の両側に、クラックは確認されなかった。最後に、上記で使用した下部クラッド材と同じものを用いて、スピンコート法で塗布し、３５０℃で熱処理し、上部クラッド層を形成して、埋め込み型プラスチック光導波路を製造した。
【００２９】
実施例２
Ｓｉ基板上に、下部クラッド材として、２，２’−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンと４，４’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフェニル−１，１’−ジカルボン酸クロリドから合成した光導波路用材料のフッ素化ポリベンゾオキサゾールの前駆体溶液を、スピンコート法により、塗布し、３２０℃で熱処理し、膜厚１０μｍの下部クラッド層を得た。この上に、２，２’−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンと４，４’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフェニル−１，１’−ジカルボン酸クロリド、４，４’−オキシビス安息香酸クロリドから合成したフッ素化ポリベンゾオキサゾールの前駆体溶液で、下部クラッド層より、屈折率の高い樹脂溶液を、スピンコート法により、塗布し、３２０℃で熱処理し、膜厚８μｍのコア層を得た。さらに、その上に、Ｓｉ含有レジストを、１．０μｍ塗布し、幅１０μｍの直線型光導波路パターンと、その両側に３μｍ幅の半透過部を持つクロムフォトマスク（大日本印刷（株）製）を用いて、超高圧水銀ランプを使用し、照射した。その後、有機溶剤現像液で２分現像した。その時の未露光部と半露光部の厚みを、それぞれ表１に示す。さらに、ＲＩＥ装置を用いて、酸素ガスを使用し、エッチングを行い、コア部分となる領域を得た。その後、ＣＦ４ガスに切り替え、ＲＩＥにて残ったＳｉ含有レジストを除去した。その時の露光部、即ち、Ｓｉ含有レジストの乗っていなかった部分のコア層切削量と半露光部のコア層切削量を、それぞれ表１に示す。また、コア部の両側にクラックは確認されなかった。最後に、上記で使用した下部クラッド材と同じものを用いて、スピンコート法で塗布し、３２０℃で熱処理し、上部クラッド層を形成して、埋め込み型プラスチック光導波路を製造した。
【００３０】
実施例３〜５
実施例１のコア層の厚みとＳｉ含有レジストの未露光部と半露光部の厚みを、それぞれ表１に示す値に変え、さらに、幅１０μｍの直線型光導波路パターンの両側の半透過部幅を表１に示す値に変えた。その時の露光部、即ち、Ｓｉ含有レジストの乗っていなかった部分のコア層切削量と、半露光部のコア層切削量と、コア部両側のクラックの有無を、それぞれ表１に示す。これら以外は実施例１と同様にして、埋め込み型光導波路を作製した。
【００３１】
実施例６〜８
実施例２のコア層の厚みとＳｉ含有レジストの未露光部と半露光部の厚みを、それぞれ表１に示す値に変え、さらに、幅１０μｍの直線型光導波路パターンの両側の半透過部幅を表１に示す値に変えた。その時の露光部、即ち、Ｓｉ含有レジストの乗っていなかった部分のコア層切削量と半露光部のコア層切削量とコア部両側のクラックの有無を、それぞれ表１に示す。これら以外は実施例２と同様にして、埋め込み型光導波路を作製した。
【００３２】
比較例１
Ｓｉ基板上に、下部クラッド層として、実施例１で下部クラッド層として用いたフッ素化ポリイミド樹脂（セントラル硝子（株）製、ＦＬ−０１）をスピンコート法により塗布し、３５０℃で熱処理し、膜厚１０μｍの下部クラッド層を得た。その上に実施例１でコア層として用いたフッ素化ポリイミド樹脂（セントラル硝子（株）製、ＣＢ−Ｌ）をスピンコート法により塗布し、３５０℃で熱処理し、膜厚８μｍのコア層を得た。さらにその上にＳｉ含有レジストを１．０μｍ塗布し、幅１０μｍの直線型光導波路パターンのクロムフォトマスク（大日本印刷（株）製）を用いて、超高圧水銀ランプを使用し照射した。その後、有機溶剤現像液で２分現像した。その時の未露光部厚みを表１に示す。さらに、ＲＩＥ装置を用いて、酸素ガスを使用しエッチングを行い、コア部分となる領域を得た。その後、ＣＦ４ガスに切り替え、ＲＩＥにて残ったＳｉ含有レジストを除去した。その時のコア層切削量を表１に示す。また、コア部の両側にクラックが確認された。最後に、上記で使用した下部クラッド材と同じものを用いてスピンコート法で塗布し、３５０℃で熱処理し、上部クラッド層を形成して、埋め込み型プラスチック光導波路を製造した。
【００３３】
比較例２
Ｓｉ基板上に、下部クラッド層として、実施例１で下部クラッド層として用いたフッ素化ポリイミド樹脂（セントラル硝子（株）製、ＦＬ−０１）をスピンコート法により塗布し、３５０℃で熱処理し、膜厚１０μｍの下部クラッド層を得た。その上に、実施例１でコア層として用いたフッ素化ポリイミド樹脂（セントラル硝子（株）製、ＣＢ−Ｌ）を、スピンコート法により、塗布し、３５０℃で熱処理し、膜厚８μｍのコア層を得た。さらに、その上に、Ｓｉ含有レジストを１．０μｍ塗布し、幅１０μｍの直線型光導波路パターンと、その両側に３μｍ幅の半透過部を持つクロムフォトマスク（大日本印刷（株）製）を用いて、超高圧水銀ランプを使用し、照射した。その後、有機溶剤現像液で２分現像した。その時の未露光部と半露光部の厚みを、それぞれ表１に示す。さらに、ＲＩＥ装置を用いて、酸素ガスを使用し、エッチングを行い、コア部分となる領域を得た。その後、ＣＦ４ガスに切り替え、ＲＩＥにて残ったＳｉ含有レジストを除去した。その時の露光部、即ち、Ｓｉ含有レジストの乗っていなかった部分のコア層切削量と半露光部のコア層切削量を、それぞれ表１に示す。また、コア部の両側にクラックは確認されなかった。最後に、上記で使用した下部クラッド材と同じものを用いて、スピンコート法で塗布し、３５０℃で熱処理し、上部クラッド層を形成して、埋め込み型プラスチック光導波路を製造した。
【００３４】
比較例３
比較例２のＳｉ含有レジストの未露光部と半露光部の厚みを、それぞれ表１に示す値に変え、さらに、幅１０μｍの直線型光導波路パターンの両側の半透過部幅を、表１に示す値に変えた。その時の露光部、即ち、Ｓｉ含有レジストの乗っていなかった部分のコア層切削量と半露光部のコア層切削量とコア部両側のクラックの有無を、それぞれ表１に示す。それら以外は比較例２と同様にして、埋め込み型光導波路を作製した。
【００３５】
比較例４
Ｓｉ基板上に、下部クラッド層として、実施例２で下部クラッド層として用いた２，２’−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンと４，４’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフェニル−１，１’−ジカルボン酸クロリドから合成した光導波路用材料のフッ素化ポリベンゾオキサゾールの前駆体溶液を、スピンコート法により、塗布し、３２０℃で熱処理し、膜厚１０μｍの下部クラッド層を得た。その上に、実施例２でコア層として用いた２，２’−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンと４，４’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフェニル−１，１’−ジカルボン酸クロリド、４，４’−オキシビス安息香酸クロリドから合成したフッ素化ポリベンゾオキサゾールの前駆体溶液で、下部クラッド層より屈折率の高い樹脂溶液を、スピンコート法により、塗布し、３２０℃で熱処理し、膜厚８μｍのコア層を得た。さらに、その上に、Ｓｉ含有レジストを、１．０μｍ塗布し、幅１０μｍの直線型光導波路パターンのクロムフォトマスク（大日本印刷（株）製）を用いて、超高圧水銀ランプを使用し、照射した。その後、有機溶剤現像液で２分現像した。その時の未露光部厚みを、表１に示す。さらに、ＲＩＥ装置を用いて、酸素ガスを使用し、エッチングを行い、コア部分となる領域を得た。その後、ＣＦ４ガスに切り替え、ＲＩＥにて残ったＳｉ含有レジストを除去した。その時のコア層切削量を、表１に示す。また、コア部の両側にクラックが確認された。最後に、上記で使用した下部クラッド材と同じものを用いて、スピンコート法で塗布し、３２０℃で熱処理し、上部クラッド層を形成して、埋め込み型プラスチック光導波路を製造した。
【００３６】
比較例５
Ｓｉ基板上に、下部クラッド層として、実施例２で下部クラッド層として用いた２，２’−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンと４，４’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフェニル−１，１’−ジカルボン酸クロリドから合成した光導波路用材料のフッ素化ポリベンゾオキサゾールの前駆体溶液を、スピンコート法により塗布し、３２０℃で熱処理し、膜厚１０μｍの下部クラッド層を得た。その上に、実施例２でコア層として用いた２，２’−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンと４，４’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフェニル−１，１’−ジカルボン酸クロリド、４，４’−オキシビス安息香酸クロリドから合成したフッ素化ポリベンゾオキサゾールの前駆体溶液で、下部クラッド層より屈折率の高い樹脂溶液を、スピンコート法により、塗布し、３２０℃で熱処理し、膜厚８μｍのコア層を得た。さらに、その上に、Ｓｉ含有レジストＦＨ−ＳＰ３ＣＬ（富士フィルムオーリン（株））を、１．０μｍ塗布し、幅１０μｍの直線型光導波路パターンと、その両側に３μｍ幅の半透過部を持つクロムフォトマスク（大日本印刷（株）製）を用いて、超高圧水銀ランプを使用し、照射した。その後、有機溶剤現像液で２分現像した。その時の未露光部と半露光部の厚みを、それぞれ表１に示す。さらに、ＲＩＥ装置を用いて、酸素ガスを使用し、エッチングを行い、コア部分となる領域を得た。その後、ＣＦ４ガスに切り替え、ＲＩＥにて残ったＳｉ含有レジストを除去した。その時の露光部つまり、Ｓｉ含有レジストの乗っていなかった部分のコア層切削量と半露光部のコア層切削量を、それぞれ表１に示す。また、コア部の両側にクラックは確認されなかった。最後に、上記で使用した下部クラッド材と同じものを用いて、スピンコート法で塗布し、３２０℃で熱処理し、上部クラッド層を形成して、埋め込み型プラスチック光導波路を製造した。
【００３７】
比較例６
比較例５のコア層の厚みを、表１に示す値に変え、それら以外は比較例５と同様にして、埋め込み型光導波路を作製した。その時の露光部、即ち、Ｓｉ含有レジストの乗っていなかった部分のコア層切削量と半露光部のコア層切削量とコア部両側のクラックの有無を、それぞれ表１に示す。
【００３８】
【表１】
2004245894.tif 000004
【００３９】
上記で得られた光導波路の波長１．３μｍと１．５５μｍにおける光伝搬損失値を、光導波路を切断することにより、長さを変えて、それぞれの長さにおける伝達光量を測定し、その伝達光量と長さの関係から光伝搬損失値を算出する方法（カットバック法）を用いて算出した。その結果を表２に示す。また、それぞれの光導波路を５本作製し、その中での平均値と最小・最大値を示す。
【００４０】
【表２】
2004245894.tif 000005
【００４１】
【発明の効果】
本発明によれば、耐熱性樹脂を用いながら、ＲＩＥによるコア形成において、コア部の両サイドにクラックを生じないで、コア部を設計通りに容易に作製でき、光損失値が安定した低損失な光導波路することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の埋め込み型プラスチック光導波路の例を示す断面図である。
【図２】従来の埋め込み型プラスチック光導波路の例を示す断面図である。
【図３】本発明の例の埋め込み型プラスチック光導波路の製造方法の例を示す断面図である。
【符号の説明】
ａ１，ａ２  基板
ｂ１，ｂ２  下部クラッド層
ｃ１，ｃ２  コア層、もしくはコア部分
ｄ１，ｄ２  上部クラッド層
ｅ          Ｓｉ含有レジスト層
ｆ          半透過クロムフォトマスク
【図１】
2004245894.tif 000006
【図２】
2004245894.tif 000007
【図３】
2004245894.tif 000008