(57)【要約】【課題】漏洩磁界等の影響に関わらずタイミングずれのない再生データを得る【解決手段】漏洩磁界等の影響での磁壁移動タイミングのずれによってエッジ検出信号に生じるタイミングのずれに応じた直流信号を生成する。そしてその直流信号によってエッジ検出信号生成の際にタイミング誤差を解消させる。例えば二次微分信号に対して直流信号をオフセットとして与え、もしくは二次微分信号を比較する基準レベルとして直流信号を与えることで、エッジ検出信号の生成の際のタイミングずれが補正されるようにする。【選択図】　　　　図２
2004139682.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体にレーザ光を照射し、上記記録媒体からの反射レーザ光の偏光面角度情報あるいは強度情報を電気信号に変換して再生信号を得る再生ヘッド手段と、
上記再生信号の立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジに対応してエッジ検出信号を生成し、このエッジ検出信号に基づいたデータ信号を出力するデータ信号検出手段と、
上記エッジ検出信号のタイミング誤差を検出する誤差検出手段と、
上記誤差検出手段で検出された上記タイミング誤差に応じた直流信号を発生させて上記データ信号検出手段に対して供給し、上記エッジ信号におけるタイミング誤差を解消するようにさせる直流信号発生手段と、
を備えたことを特徴とするデータ再生装置。
【請求項２】
上記データ信号検出手段は、
上記再生信号を２回微分した二次微分信号に、上記直流信号発生手段からの直流信号を加算し、該加算信号をゼロレベルと比較した比較結果信号を得ると共に、
上記再生信号を１回微分した一次微分信号からゲート信号を得、
上記ゲート信号と上記比較結果信号の論理演算により、上記エッジ検出信号を得る構成とされていることを特徴とする請求項１に記載のデータ再生装置。
【請求項３】
上記データ信号検出手段は、
上記再生信号を２回微分した二次微分信号を、上記直流信号発生手段からの直流信号を用いた基準レベルと比較することで比較結果信号を得ると共に、
上記再生信号を１回微分した一次微分信号からゲート信号を得、
上記ゲート信号と上記比較結果信号の論理演算により、上記エッジ検出信号を得る構成とされていることを特徴とする請求項１に記載のデータ再生装置。
【請求項４】
上記記録媒体は、少なくとも移動層、切断層、記録層がこの順に積層されてなり、上記移動層は上記記録層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな垂直磁化膜からなり、上記切断層は上記移動層及び記録層よりもキュリー温度の低い磁性層からなる光磁気情報記録媒体であることを特徴とする請求項１に記載のデータ再生装置。
【請求項５】
記録媒体にレーザ光を照射し、上記記録媒体からの反射レーザ光の偏光面角度情報あるいは強度情報を電気信号に変換して再生信号を得る信号再生手順と、
上記再生信号の立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジに対応してエッジ検出信号を生成し、このエッジ検出信号に基づいたデータ信号を出力するデータ検出手順と、
上記エッジ検出信号のタイミング誤差を検出する誤差検出手順と、
上記検出された上記タイミング誤差に応じた直流信号を発生させ、該直流信号を上記データ検出手順における上記エッジ検出信号の生成処理に供することで、生成される上記エッジ検出信号のタイミング誤差が解消するようにさせる直流信号生成手順と、
を具備することを特徴とするデータ再生方法。
【請求項６】
上記データ検出手順では、
上記再生信号を２回微分した二次微分信号に、上記直流信号を加算し、該加算信号をゼロレベルと比較した比較結果信号を得ると共に、
上記再生信号を１回微分した一次微分信号からゲート信号を得、
上記ゲート信号と上記比較結果信号の論理演算により、上記エッジ検出信号を得ることを特徴とする請求項５に記載のデータ再生方法。
【請求項７】
上記データ検出手順では、
上記再生信号を２回微分した二次微分信号を、上記直流信号を用いた基準レベルと比較することで比較結果信号を得ると共に、
上記再生信号を１回微分した一次微分信号からゲート信号を得、
上記ゲート信号と上記比較結果信号の論理演算により、上記エッジ検出信号を得ることを特徴とする請求項５に記載のデータ再生方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、記録媒体に記録された情報をレーザ光によって再生するデータ再生装置及びデータ再生方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
【特許文献１】特開平６−２９０４９６号
【特許文献２】特開２０００−３０６２８１
【特許文献３】特開２００１−１４３３３８
【０００３】
近年、書き換え可能な高密度記録媒体として光磁気ディスクが注目されており、その中で、上記特許文献１に開示されているように、少なくとも移動層、切断層、記録層の磁性３層膜からなり、信号の再生時に、磁性膜温度が切断層のキュリー温度以上となった領域で移動層の磁壁移動を利用することにより、実効的に記録された磁区の大きさを拡大し、再生キャリア信号を大きくする光磁気再生方式が注目されている。
ＤＷＤＤ（Ｄｏｍａｉｎ　Ｗａｌｌ　Ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ　Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）　と呼ばれるこの再生方式では、再生光の光学的な限界分解能以下の周期の微小記録磁区からも非常に大きな信号を再生することが可能であり、光の波長、対物レンズの開口数（ＮＡ）等を変更することなく高密度化が行える有力な方式の１つである。
【０００４】
ＤＷＤＤ再生における磁壁移動の駆動力は、温度勾配による磁壁エネルギーの変化の割合である。これを図１１により簡単に説明する。
図１１（ａ）はＤＷＤＤ再生に用いられる光磁気記録媒体の断面図であり、図示するように移動層１１、切断層１２、記録層１３が形成される。
再生レーザ光が照射されていない状態では、各層は交換結合力が働いており、移動層１１および切断層１２の原子スピンの向き（矢印で示す）は記録層１３のそれに倣っている。
【０００５】
再生用光ビームスポット１６を、この光磁気記録媒体に照射すると、例えば図１１（ｂ）に示すような磁性層の温度Ｔの分布が得られる。Ｔｓは切断層１２のキュリー温度である。
このような温度分布に伴って、磁壁エネルギー密度σ１の分布が図１１（ｃ）に示したように形成される。磁壁エネルギー密度σは一般的に温度が上昇するほど低下するので、最大温度の位置で磁壁エネルギー密度σが最も低くなるような分布になる。この結果、磁壁１５を磁壁エネルギー密度σの低い高温側へ移動させようとする磁壁駆動力Ｆ（ｘ）が図１１（ｄ）に示すように発生する。
このように図中ｘ方向に磁壁エネルギー密度σ１の勾配があると、各層の磁壁１５に対して、次の（式１）で表される磁壁駆動力Ｆ１が作用する。
Ｆ１＝−∂σ１／∂ｘ　　　　・・・（式１）
となる。
この磁壁駆動力Ｆ１が、磁壁エネルギーの低いほうへ磁壁１５を移動させるように作用する。
【０００６】
即ち媒体温度が切断層１２のキュリー温度Ｔｓよりも低い場所では、各磁性層は互いに交換結合しているため、上述の温度勾配による磁壁駆動力Ｆ（ｘ）が作用しても、記録層１３の大きな磁壁抗磁力に阻止されて磁壁１５の移動はおこらない。ところが、記録媒体の温度がキュリー温度Ｔｓよりも高い場所では移動層１１と記録層１３との間の交換結合が切断されるため、磁壁抗磁力の小さな移動層１１の磁壁は、温度勾配による磁壁駆動力Ｆ（ｘ）で移動可能になる。そのため、光ビーム１６による記録媒体への走査に伴って、磁壁がキュリー温度Ｔｓの位置を越えて結合切断領域に侵入した瞬間に、移動層１２の磁壁１５の高温側への移動が起こる。
このような原理により、記録媒体に記録信号に対応した間隔で形成されている磁壁１５が光ビーム１６による媒体の走査に伴ってキュリー温度Ｔｓの位置を通過するたびに、移動層１１の磁壁１５の移動が発生する。
そしてこの駆動力により、実効的に記録された磁区の大きさを再生層において拡大し、再生キャリア信号を大きくでき、光学限界を超えた再生が可能となる。この結果、図１１（ｅ）に示すような再生波形が得られる。
【０００７】
ところで、このＤＷＤＤ再生において、図１１（ａ）における網掛け部分▲１▼は、磁壁移動、あるいは交換結合力のどちらからも大きな作用を受けない状態となっている。このため、網掛け部分の磁化方向は不安定な状態である。このため、フォーカシングやトラッキングを行うための対物レンズアクチュエータからの漏洩磁界や、隣接トラックからの漏洩磁界、その他により、再生信号の直流レベルが突発的に変動を起こすことがある。
【０００８】
その結果、図１１（ｆ）のようなレベル変動▲２▼を含む再生信号となる場合が頻発する。
この場合、通常の２値化回路を用いると、２値化のための閾値レベルが追従しきれず、ビット誤りとして検出されてしまう恐れがある。これを解決するために、本出願人は、上記特許文献２として挙げた特開２０００−３０６２８１において、再生信号を微分することにより直流レベル変動を抑制してデータ検出する方法を提案した。
【０００９】
このデータ検出方式について、図１２，図１３で説明する。
図１２は、再生装置に搭載される磁壁移動検出回路の構成例であり、図１３は、図１２に示した回路の各ブロックにおいて処理された信号を、タイミングチャートで表したものである。
【００１０】
図示しない光ピックアップによって得られた再生信号ＳＭＯは、等化回路１５６により周波数特性が補償された信号ＳＭＯ’となり、微分回路１７１により、一次微分信号Ｓ１１とされる。
この微分処理を経ることによって、例えば図１３（ａ）（ｂ）の再生信号ＳＭＯ’、微分信号Ｓ１１からわかるように、等化処理した再生信号ＳＭＯ’の直流レベルの変動が抑制される。
【００１１】
一次微分信号Ｓ１１は、遅延回路１７３により所定時間遅延され信号Ｓ１１’とされた後、比較器１７４，１７５において夫々閾値＋Ｖ及び−Ｖと比較され、絶対値が大きい場合にハイレベルと成る信号Ｓ１３及びＳ１４が出力される（図１３（ｄ）（ｅ）参照）。
なお、遅延回路１７３は、信号Ｓ１３及びＳ１４と、後述する信号Ｓ１５との論理積を取る際に、タイミングを調整するためのものであり、必ずしも遅延は必要ではない。
【００１２】
一方、信号Ｓ１１’はもう一つの微分回路１７２により微分処理され、図１３（ｃ）に示す二次微分信号Ｓ１２と成る。
この二次微分信号Ｓ１２は比較器１７６においてゼロレベルと比較され、図１３（ｆ）の信号Ｓ１５が出力される。なお、この図１３（ｆ）において、網掛けの部分は信号Ｓ１２がゼロレベル付近にあるために、不定となる領域である。
信号Ｓ１５は、論理積回路１７７及び１７８において信号Ｓ１３及びＳ１４との論理積をとられ、図１３（ｇ）（ｈ）の信号Ｓ１６及びＳ１７となる。
信号Ｓ１６及びＳ１７は夫々、再生信号ＳＭＯ’の立ちあがり及び立下りエッジにおいてパルスを発生する信号となる。即ち、これら信号Ｓ１６及びＳ１７の論理和を、論理和回路１７９においてとることにより、再生信号ＳＭＯ’の立ちあがり及び立下りエッジに対応するパルス信号ＰＤＳ（図１３（ｉ））が得られる。
【００１３】
このようにして得られた信号ＰＤＳを、データ検出回路１５９において、クロック同期回路（ＰＬＬ）１５９により出力された再生クロック（図１３（ｊ））に従って検出することにより、再生信号ＳＭＯからデータを検出することができる。
なお、同種の信号処理方法が、上記特許文献３として挙げた特開２００１−１４３３８にも開示されている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ＤＷＤＤ再生においては、上述の突発的な直流レベル変動という問題のほかに、再生クロックに対して、図１１（ａ）に示す上向き矢印の磁区の磁壁が移動するタイミングと下向き矢印の磁区の磁壁が移動するタイミングがずれてしまうという問題が生ずる場合がある。
以下は、この問題の原因の一考察である。ＤＷＤＤ再生における磁壁駆動力を示す上記（式１）は、本来は以下に示す（式２）から導かれている。
Ｆ１＝２Ｍ（ｘ）・Ｈｄ（ｘ）　＋２Ｍ（ｘ）・Ｈａ　−σ（ｘ）／ｘ−∂σ／∂ｘ　・・（式２）
ここで、Ｍ（ｘ）は移動層の磁化、Ｈｄ（ｘ）は減磁界、Ｈａは記録層からの漏洩磁界等の外部磁界、σ（ｘ）は単位面積あたりの磁壁エネルギーである。
【００１５】
例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｍａｇｎｅｔｉｃ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｏｆ　Ｊａｐａｎ，　Ｖｏｌ．　２２　Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ　Ｎｏ．　Ｓ２（１９９８）ｐｐ．　４７−５０　に記載してあるように、移動層の磁化を非常に小さくすることにより（式２）の右辺の第一項「２Ｍ（ｘ）・Ｈｄ（ｘ）」及び第二項（２Ｍ（ｘ）・Ｈａ）を無視できるようにし、さらに、例えば記録トラックの両サイドを熱処理して磁性を無くし、閉磁区ができないようにすることにより（式２）の右辺の第三項（−σ（ｘ）／ｘ）を無視できるようにすることで、（式２）から上記（式１）を得ることができる。
【００１６】
ところが、記録媒体上にレーザ光を照射する場合、記録媒体上に温度分布が生じるので、そのすべての温度範囲で移動層の磁化を無視できるようにするには厳密な媒体設計が必要であり、実際には（式２）の右辺の第一項及び第二項は、無視できるほど小さくするのが難しい。
この場合、例えば記録層からの漏洩磁界や、レンズアクチュエータからの漏洩磁界等が媒体に加わると（式２）の右辺の第２項の影響により、磁壁移動タイミングのずれが生じてしまう。この現象は、いわゆるジッタの悪化と等価であり、再生クロックＣＬＫに対するパルスデータ信号ＰＤＳを検出する時間の余裕が少なくなり、ビット誤りの原因となる。
【００１７】
このことを図１４により説明する。例えばアクチュエータ等からの漏洩磁界が存在し、これが光磁気記録媒体の磁壁移動層の動きに影響する場合を考える。
図１４（ａ）は記録媒体上に記録された記録マークパターンを模式的に示している。
また図１４（ｂ）は波形等化後の再生パターン即ち信号ＳＭＯ’を、図１４（ｃ）はその一次微分信号Ｓ１１を、図１４（ｄ）は二次微分信号Ｓ１２を、それぞれ模式的に示すものである。
【００１８】
漏洩磁界は上向き矢印磁区と同じ方向とし、これに再生信号が影響される場合、得られる再生信号Ｓ１１’及びＳ１２は、図４（ｂ）（ｃ）に点線で示すような波形が期待されるところ、実際には、各図に実線で示されるような波形になる。
すなわち、実際に得られる再生信号の波形は、図４（ｅ）のように上向き矢印のマーク長が大きい場合に得られる再生信号波形のようになる。
このため、二次微分信号Ｓ１２を比較器１７６にそのまま入力してゼロレベルと比較した場合、信号Ｓ１５としては、本来図１４（ｅ）の破線のようになるべきところ、実線のようになり、結局、パルスデータ信号ＰＤＳについては、本来図１５（ｆ）の破線のようになるべきところ、実線のようになってしまう。つまり、実際の記録マークエッジ位置とのずれが生じる。
このようなマークエッジ位置とずれたパルスデータ信号ＰＤＳは、即ち時間軸方向の検出ずれであるため、ジッタ悪化と等価となり、再生マージンの低下やビット誤りの原因となる。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような問題に鑑みて、漏洩磁界の影響に関わらず、適切なデータ信号検出が実現できるようにすることを目的とする。
【００２０】
このため本発明のデータ再生装置は、記録媒体にレーザ光を照射し、上記記録媒体からの反射レーザ光の偏光面角度情報あるいは強度情報を電気信号に変換して再生信号を得る再生ヘッド手段と、上記再生信号の立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジに対応してエッジ検出信号を生成し、このエッジ検出信号に基づいたデータ信号を出力するデータ信号検出手段と、上記エッジ検出信号のタイミング誤差を検出する誤差検出手段と、上記誤差検出手段で検出された上記タイミング誤差に応じた直流信号を発生させて上記データ信号検出手段に対して供給し、上記エッジ信号におけるタイミング誤差を解消するようにさせる直流信号発生手段とを備えるようにする。
【００２１】
上記データ信号検出手段は、上記再生信号を２回微分した二次微分信号に、上記直流信号発生手段からの直流信号を加算し、該加算信号をゼロレベルと比較した比較結果信号を得ると共に、上記再生信号を１回微分した一次微分信号からゲート信号を得、上記ゲート信号と上記比較結果信号の論理演算により、上記エッジ検出信号を得る構成とされる。
或いは、上記データ信号検出手段は、上記再生信号を２回微分した二次微分信号を、上記直流信号発生手段からの直流信号を用いた基準レベルと比較することで比較結果信号を得ると共に、上記再生信号を１回微分した一次微分信号からゲート信号を得、上記ゲート信号と上記比較結果信号の論理演算により、上記エッジ検出信号を得る構成とされる。
また、上記記録媒体は、少なくとも移動層、切断層、記録層がこの順に積層されてなり、上記移動層は上記記録層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな垂直磁化膜からなり、上記切断層は上記移動層及び記録層よりもキュリー温度の低い磁性層からなる光磁気情報記録媒体であるとする。
【００２２】
本発明のデータ再生方法は、記録媒体にレーザ光を照射し、上記記録媒体からの反射レーザ光の偏光面角度情報あるいは強度情報を電気信号に変換して再生信号を得る信号再生手順と、上記再生信号の立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジに対応してエッジ検出信号を生成し、このエッジ検出信号に基づいたデータ信号を出力するデータ検出手順と、上記エッジ検出信号のタイミング誤差を検出する誤差検出手順と、上記検出された上記タイミング誤差に応じた直流信号を発生させ、該直流信号を上記データ検出手順における上記エッジ検出信号の生成処理に供することで、生成される上記エッジ検出信号のタイミング誤差が解消するようにさせる直流信号生成手順とが行われる。
【００２３】
この場合、上記データ検出手順では、上記再生信号を２回微分した二次微分信号に、上記直流信号を加算し、該加算信号をゼロレベルと比較した比較結果信号を得ると共に、上記再生信号を１回微分した一次微分信号からゲート信号を得、上記ゲート信号と上記比較結果信号の論理演算により、上記エッジ検出信号を得る。
或いは、上記データ検出手順では、上記再生信号を２回微分した二次微分信号を、上記直流信号を用いた基準レベルと比較することで比較結果信号を得ると共に、上記再生信号を１回微分した一次微分信号からゲート信号を得、上記ゲート信号と上記比較結果信号の論理演算により、上記エッジ検出信号を得る。
【００２４】
このような本発明によれば、漏洩磁界等の影響での磁壁移動タイミングのずれによって、エッジ検出信号に生じるタイミングのずれに応じた直流信号が生成される。そしてその直流信号が二次微分信号に対してオフセットとして与えられ、もしくは二次微分信号を比較する基準レベルとして与えられることで、エッジ検出信号の生成の際の上記ずれが補正される。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明していく。
図１は、本発明を適用した光磁気ディスク記録再生装置１００の概要を示すブロック図である。この記録再生装置１００で取り扱う光磁気ディスク１１１は、ガラスやプラスチック等からなる透明基板上に、図１１（ａ）に示したような光磁気記録膜を成膜し、さらに保護膜を形成してなるものであり、記録再生装置１００はＤＷＤＤ方式で再生を行う。
【００２６】
記録再生装置１００は、光磁気ディスク１１１を回転駆動するためのスピンドルモータ１１３を有している。光磁気ディスク１１１は、記録時および再生時には角速度一定、あるいは線速度一定で回転駆動される。スピンドルモータ１１３の回転軸には、その回転速度を検出するための周波数発電機１１４が取り付けられている。
【００２７】
また、記録再生装置１００は、外部磁界発生用の磁気ヘッド１１５と、この磁気ヘッド１１５の磁界発生を制御する磁気ヘッドドライバ１１６と、半導体レーザ、対物レンズ、光検出器（フォトディテクタ）等から構成される光学ヘッド１１７と、この光学ヘッド１１７の半導体レーザの発光駆動を行うレーザドライバ１１８と、レーザドライバ１１８に対してレーザ発光駆動レベルの制御を行うレーザパワー制御部１１９を備えている。
磁気ヘッド１１５と光学ヘッド１１７は光磁気ディスク１１１を挟むように対向して配設される。
レーザドライバ１１８は、光学ヘッド１１７内の半導体レーザに対して駆動信号を印加する。これによって半導体レーザからレーザ光が出力される。レーザパワー制御部１１９は、システムコントローラ１５１からの制御信号に基づいて、レーザドライバ１１８によるレーザ駆動が、記録時には記録パワーとなり、再生時には記録パワーより低い再生パワーとなるように制御する。またレーザパワー制御部１１９は、光学ヘッド１１７内のモニタ用ディテクタによってレーザ出力レベルを監視し、レーザ出力が一定となるように、いわゆるＡＰＣ制御を行う。
【００２８】
データ書き込み時（記録時）には、後述するように磁気ヘッドドライバ１１６にＮＲＺＩデータとしての記録データＤｒが供給され、磁気ヘッド１１５よりその記録データＤｒに対応した磁界が発生され、光学ヘッド１１７からの光ビーム（レーザビーム）との共働により光磁気ディスク１１１に記録データＤｒが記録される。
【００２９】
また、記録再生装置１００は、例えばＤＳＰ等によるサーボコントローラ１４１を有している。このサーボコントローラ１４１には、光学ヘッド１１７で生成されるフォーカスエラー信号ＳＦＥおよびトラッキングエラー信号ＳＴＥ、さらに上述した周波数発電機１１４より出力される周波数信号ＳＦＧが供給される。
サーボコントローラ１４１の動作は、後述するシステムコントローラ１５１によって制御される。このサーボコントローラ１４１によって、トラッキングコイルやフォーカスコイル、さらには光学ヘッド１７をラジアル方向に移動させるためのリニアモータを含むアクチュエータ１４５が制御され、トラッキングやフォーカスのサーボが行われ、また光学ヘッド１１７の半径方向（ラジアル方向）への移動が制御される。
また、サーボコントローラ１４１によってスピンドルモータ１１３が制御され、上述したように記録時や再生時に光磁気ディスク１１１が角速度一定、あるいは線速度一定で回転するように制御される。
【００３０】
また記録再生装置１００は、ＣＰＵを備えるシステムコントローラ１５１と、データバッファ１５２と、ホストコンピュータとの間でデータやコマンドの送受を行うためのインターフェース１５３を備える。
システムコントローラ１５１はシステム全体を制御する。ホストコンピュータ等との間でデータ等の通信を行うインターフェース１５３は、例えばＳＣＳＩ（Ｓｍａｌｌ　Ｃｏｍｐｕｔｅｒ　Ｓｙｓｔｅｍ　Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）、ＩＥＥＥ１３９４、ＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ　Ｓｅｒｉａｌ　Ｂｕｓ）等の規格によるインターフェース回路として実現される。
【００３１】
また、記録再生装置１００は、ホストコンピュータからインターフェース１５３を通じて供給される書き込みデータに対して誤り訂正符号の付加を行うと共に、後述するデータ復調器１５９の出力データに対して誤り訂正を行うためのＥＣＣ（ｅｒｒｏｒ　ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ　ｃｏｄｅ）回路１５４と、このＥＣＣ回路１５４で誤り訂正符号が付加された書き込みデータのデータビット列を例えばＲＬＬ変調ビットに変換し、その後にＮＲＺＩデータに変換して記録データＤｒを得るデータ変調器１５５とを有している。
【００３２】
また、記録再生装置１００は、光学ヘッド１１７より得られる再生信号ＳＭＯの周波数特性を補償するための等価回路１５６と、この等価回路１５６で周波数特性が補償された再生信号ＳＭＯ′より磁壁移動の発生を検出する磁壁移動検出回路１５７と、この磁壁移動検出回路１５７より出力される磁壁移動の発生の検出信号（パルスデータ信号）ＰＤＳの立ち上がりエッジに同期したクロック信号ＣＬＫを得るためのクロック同期回路（ＰＬＬ回路）１５８と、このクロック信号ＣＬＫを使用して、検出信号ＰＤＳより再生データ（ＮＲＺデータ）Ｄｐを得るデータ検出回路１５９と、この再生データＤｐ（例えば、ＲＬＬ変調データ）に対して復調処理をして読み出しデータを得るデータ復調器１６０とを有している。
【００３３】
このような記録再生装置１００の再生手順は、以下のようになる。
光磁気ディスク１１１が装着されると、システムコントローラ１５１からサーボコントローラ１４１に所定の回転数が伝達される。サーボコントローラ１４１内のスピンドルサーボ制御回路は該所定の回転数で光磁気ディスク１１１が回転するようスピンドルモータ１１３を制御する。
次に、システムコントローラ１４１からリニアアクチュエータ１４５に情報が伝達され、光学ヘッド１１７を所定の位置に移動させる。
【００３４】
次に、システムコントローラ１４１からレーザーパワー制御部１１９に情報が伝達され、所定のパワーで半導体レーザが発光するようにレーザードライバを制御させる。
半導体レーザから発せられた光は、光学ヘッド１１７に搭載されている図示せぬパワー監視用光検出器（モニタ用ディテクタ）においてパワーを検出され、レーザーパワー制御部１１９において所望のパワーとのずれ量を検出し補正制御されることにより所望のパワーに制御される。
【００３５】
また光学ヘッド１１７において、半導体レーザから発せられた光は、図示せぬ対物レンズにより、光磁気ディスク１１１の膜面に集光される。
このときレーザ光は、焦点が膜面に合うように、また、光磁気ディスクに形成されているトラックをトレースするように、サーボコントローラ１４１によりフォーカス制御、及びトラッキング制御される。
光磁気ディスク１の膜面で反射されたレーザ光は、記録されている磁区の方向によりそれぞれ偏光面が回転され、光学ヘッド１１７に搭載されている検光子により偏光面の回転情報が強度情報に変換され、光検出器（フォトディテクタ）において電気信号に変換される。この変換された電気信号から再生信号ＳＭＯが生成され、出力される。
【００３６】
再生信号ＳＭＯは、等価回路１５６により波形整形され、後述するように磁壁移動検出回路１５７において２値化信号、即ちパルスデータ信号ＰＤＳとされる。そして、クロック同期回路１５８においてパルスデータ信号ＰＤＳに同期した再生クロックＣＬＫが生成され、このクロックＣＬＫを使用して、データ検出回路１５９において再生データ（ＮＲＺデータ）Ｄｐを得る。この再生データＤｐは、例えば、ＲＬＬ変調データであり、これがデータ復調器１６０でデコード処理されることで、読出データを得ることができる。
読出データは、データバッファ１６２に格納され、ＥＣＣ回路１５４で誤り訂正された後、インターフェース１６３を介してホストコンピュータ等に出力される。
【００３７】
記録動作は次のようになる。
光磁気ディスク１１１が装着され、レーザ光が光磁気ディスクの所定の位置にトレースされるまでの手順は、上述の再生手順と同様である。
記録時にはシステムコントローラ１５１の制御に基づいて、次の動作が行われる。即ち、インターフェース１５３を介してホストコンピュータ等から供給されたデータがデータバッファ１６２に格納される。そしてエラー訂正符号化、データ変調等の必要な処理が施されてから記録データＤｒが磁気ヘッドドライバに供給され、磁気ヘッドからデータに応じた磁界が発生される。
同時に再生時のパワーよりも大きいパワーで半導体レーザが発光するように、レーザドライバ１１８およびレーザーパワー制御部１１９が動作する。
レーザ光により昇温された光磁気ディスク１１１の記録用磁性膜は、磁気ヘッドから発せられるデータに応じた磁界に、磁区の方向がそろう。これにより記録が行われる。
なお、記録動作におけるレーザ光は、一定強度でも良いし、記録クロックに同期したパルス状に強度変調してもよい。
【００３８】
このような本例の記録再生装置１００では、上述した漏洩磁界等の影響によるパルスデータ信号ＰＤＳのタイミングずれを補正し、パルスデータ信号ＰＤＳを適切に検出できるようにするため、磁壁移動検出回路１５７を図２に示すように構成するものである。
この磁壁移動検出回路１５７は、基本的には上述した図１２と同様の動作でパルスデータ信号ＰＤＳを得るものであるが、図１２の構成にゼロクロスタイミングの補正機能を付加したものといえる。
【００３９】
まず図２の磁壁移動検出回路１５７の基本的な動作を、各部の動作波形を示す図４を参照しながら説明する。
上述のように光学ヘッド１１７から出力される再生信号ＳＭＯは、等化回路１５６により周波数特性が補償された再生信号ＳＭＯ’（図４（ａ））となり、磁壁移動検出回路１５７に入力される。
【００４０】
磁壁移動検出回路１５７においては、まず微分回路７１により再生信号ＳＭＯ’の微分を行い、一次微分信号Ｓ１１（図４（ｂ））を生成する。この微分処理を経ることによって、等化処理した再生信号ＳＭＯ’における直流レベルの変動が抑制される。
一次微分信号Ｓ１１は、遅延回路７３により所定時間遅延した信号Ｓ１１’とされた後、比較器７４及び７５において、夫々閾値＋Ｖ及び−Ｖと比較され、絶対値が大きい場合にハイレベルと成る信号Ｓ１３及びＳ１４が出力される（図４（ｄ）（ｅ））。
なお、遅延回路７３は、信号Ｓ１３及びＳ１４と、後述する信号Ｓ１５との論理積を取る際のためにタイミングを調整するためのものであり、必ずしも遅延は必要ではない。
【００４１】
一方、信号Ｓ１１はもう一つの微分回路７２により微分処理され、二次微分信号Ｓ１２とされる（図４（ｃ））。
二次微分信号Ｓ１２には、加算器８２で後述する電圧付加回路８１からの直流信号であるオフセット信号ＶＯＦが加算されて信号Ｓ１２’とされる。
信号Ｓ１２’は比較器７６においてゼロレベルと比較され、信号Ｓ１５が出力される（図４（ｆ））。なお、図４（ｆ）において、網掛けの部分は、信号Ｓ１２がゼロレベル付近にあるために、不定となる領域である。
【００４２】
信号Ｓ１５は、論理積回路７７及び７８において信号Ｓ１３及びＳ１４との論理積をとられ、信号Ｓ１６及びＳ１７となる（図４（ｇ）（ｈ））。
この信号Ｓ１６及びＳ１７は夫々、再生信号の立ちあがり及び立下りエッジにおいてパルスを発生するエッジ検出信号となる。このパルス信号Ｓ１６とＳ１７は、論理和回路７９において、信号の立ちあがり及び立下りエッジの両方に対応するエッジ検出信号、すなわちパルスデータ信号ＰＤＳ（図４（ｉ））とされて、磁壁移動検出回路１５７から出力される。
そして、上述したように、クロック同期回路１５８によりパルスデータ信号ＰＤＳに同期した再生クロックＣＬＫ（図４（ｍ））が生成され、データ検出回路１５９によって、再生クロックＣＬＫを用いた検出処理が行われて再生データＤＦが出力される。
【００４３】
この磁壁移動検出回路１５７では、さらにエッジ誤差検出部８０，電圧付加回路８１が設けられている。
エッジ誤差検出部８０には、信号Ｓ１６、Ｓ１７、及び再生クロックＣＬＫが供給され、信号Ｓ１６、Ｓ１７について再生クロックＣＬＫと位相比較することで、ゼロクロス点（エッジ検出点）のタイミング誤差に起因するパルスデータ信号ＰＤＳ（信号Ｓ１６、Ｓ１７）のタイミング誤差を検出する構成とされる。
上記したように二次微分信号Ｓ１２（Ｓ１２’）は、再生信号ＳＭＯ’の立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジに対応してゼロクロスとなり、二次微分信号Ｓ１２’をゼロレベルと比較して得た信号Ｓ１５は、再生信号ＳＭＯ’の立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジに対応してエッジが生ずる波形の信号となる。
そして、論理積回路７７，７８の出力である信号Ｓ１６、Ｓ１７は、即ち再生信号ＳＭＯ’のエッジ検出信号である。
【００４４】
エッジ誤差検出部８０では、このエッジ検出信号である信号Ｓ１６、Ｓ１７を再生クロックＣＬＫと位相比較することで、エッジ検出点について、本来の検出点からのずれ量ので誤差信号を発生させる。
エッジ誤差検出部８０は、例えば図３のように構成される。
即ち、排他的論理和回路９１及び積分回路９２により、信号Ｓ１６についての位相誤差検出回路ＰＥ１が形成され、また排他的論理和回路９３及び積分回路９４により、信号Ｓ１７についての位相誤差検出回路ＰＥ２が形成される。
【００４５】
位相誤差検出回路ＰＥ１では、信号Ｓ１６と再生クロックＣＬＫについて排他的論理和がとられ、つまり、両信号のパルスの位相ずれに相当するパルスが生成されることになる。このパルスが積分回路９２で積分処理されることで、両信号の位相ずれ量に応じたレベルとなる誤差信号Ｓ１８が出力される。
また、位相誤差検出回路ＰＥ２では、信号Ｓ１７と再生クロックＣＬＫについて排他的論理和がとられ、つまり、両信号のパルスの位相ずれに相当するパルスが生成される。このパルスが積分回路９４で積分処理されることで、両信号の位相ずれ量に応じたレベルとなる誤差信号Ｓ１９が出力される。
誤差信号Ｓ１８は、差分回路９６に供給され、また誤差信号Ｓ１９は、反転回路９５で極性反転されて差分回路９６に供給される。
従って、差分回路９６の出力は、誤差信号Ｓ１８、Ｓ１９を加算した誤差信号Ｓ２０とされる。
図４（ｉ）（ｋ）には、位相誤差に応じた電圧レベルとしての誤差信号Ｓ１８、Ｓ１９を示している。（なお図４（ｋ）は極性反転される前の誤差信号Ｓ１９としている）
このような誤差信号Ｓ１８、Ｓ１９が加算された誤差信号Ｓ２０は図４（ｌ）に示される。
【００４６】
このように生成された誤差信号Ｓ２０は、電圧付加回路８１に供給される。電圧付加回路は、誤差信号Ｓ２０のレベルに応じた電圧の直流信号として、オフセット電圧ＶＯＦを発生させ、加算回路８２に供給する。
誤差信号Ｓ２０は、位相誤差ゼロの時ゼロレベルとなる信号である。従って、電圧付加回路８１では、この誤差信号Ｓ２０がゼロとなるように、オフセット電圧ＶＯＦを調整するものである。
加算回路８２では、上述のように二次微分信号Ｓ１２に対してオフセット電圧ＶＯＦを加算して信号Ｓ１２’とし、比較器７６に供給する。
【００４７】
ここで、図５を用いて、前述のように例えばアクチュエータ等からの漏洩磁界が存在し、これが光磁気ディスク１１１の磁壁移動層の動きに影響する場合を考える。
図５（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は、前述した図１４（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）と同様の波形を示している。すなわち、図５（ａ）の記録マークパターンの場合、再生信号ＳＭＯ’、一次微分信号Ｓ１１、二次微分信号Ｓ１２は、それぞれ図５（ｂ）（ｃ）（ｄ）において破線で示す波形が期待されるところ、漏洩磁界の影響によって実線で示すようになるものである。これによってエッジ検出信号であるパルスデータ信号ＰＤＳ（エッジ検出信号Ｓ１６、Ｓ１７）に、本来あるべきタイミングとのずれが生じてしまうことは、図１４の説明において述べた。
【００４８】
これはつまり、図５（ｄ）のように二次微分信号Ｓ１２において、ゼロクロス点が記録マークのエッジタイミングからずれてしまうことによる。
そこで本例の場合、上記のように、誤差信号Ｓ２０に応じたオフセット電圧ＶＯＦを生成し、二次微分信号Ｓ１２に加算する。
加算結果である信号Ｓ１２’は、例えば図５（ｅ）に示すようにオフセット電圧ＶＯＦ分だけレベルシフトされる。すると、レベルシフトされた信号Ｓ１２’は、図からわかるように、ゼロクロス点が、破線で示す本来期待される二次微分信号Ｓ１２のゼロクロス点と一致する。つまり信号Ｓ１２’のゼロクロス点は記録マークのエッジタイミングに一致することになる。
【００４９】
従って、このような信号Ｓ１２’を比較器７６でゼロレベルと比較して生成された、図４（ｆ）に示す信号Ｓ１５は、記録マークのエッジタイミングに一致する点で立ち下がりエッジまたは立ち上がりエッジが発生するものとなる。
これによって論理積回路７７，７８で得られるエッジ検出信号Ｓ１６、Ｓ１７は、記録マークのエッジを正しく検出した信号に補正されるため、パルスデータ信号ＰＤＳは、漏洩磁界の影響に関わらず、正しい再生情報となる。
【００５０】
このように本実施の形態では、磁壁移動検出回路１５７において、再生信号ＳＭＯ’の立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジに対応してエッジ検出信号Ｓ１６、Ｓ１７を生成し、このエッジ検出信号Ｓ１６、Ｓ１７に基づいたパルスデータ信号ＰＤＳを出力する構成とするが、エッジ検出信号Ｓ１６、Ｓ１７のタイミング誤差（位相誤差）を検出し、検出された誤差信号に応じたオフセット電圧ＶＯＦにより、エッジ信号Ｓ１６、Ｓ１７、ＰＤＳにおけるタイミング誤差を解消するものである。
具体的には、再生信号ＳＭＯ’の二次微分信号Ｓ１２にオフセット電圧ＶＯＦを加算し、加算信号Ｓ１２’をゼロレベルと比較した比較結果信号Ｓ１５を得ると共に、再生信号ＳＭＯ’の一次微分信号Ｓ１１（Ｓ１１’）からゲート信号Ｓ１３、Ｓ１４を得、ゲート信号Ｓ１３、Ｓ１４と比較結果信号Ｓ１５の論理演算により、エッジ検出信号Ｓ１６、Ｓ１７、ＰＤＳを得る構成とされている。
【００５１】
これによって、パルスデータ信号ＰＤＳは、実際の記録マークエッジ位置を精度良く検出できるものとなる。
また、例えば記録時に形成された記録マークのエッジ位置がずれていたとしても、それを補正することができる。
【００５２】
図６に、上記のようなエッジ補正処理を行う本例の場合と、行わない場合（即ち図１２の回路の場合）についての再生時印加磁界−ビットエラーレートの特性を示した。
記録した信号はＲＬＬ（１，７）−ＮＲＺＩ信号であり、線方向の記録密度は８０ｎｍ／ｂｉｔである。再生に用いた光ピックアップの波長は６６０ｎｍ、対物レンズの開口数は０．６である。図から、本例の場合、ビットエラーレートが改善し、印加磁界についてのマージンが向上していることが理解される。
【００５３】
続いて、各種変形例について述べていく。
まず図７に、エッジ誤差検出部８０としての変形例を示す。
図７の場合も、上記図３と同様に、排他的論理和回路９１及び積分回路９２により、信号Ｓ１６についての位相誤差検出回路ＰＥ１が形成され、また排他的論理和回路９３及び積分回路９４により、信号Ｓ１７についての位相誤差検出回路ＰＥ２が形成される。
この場合、位相誤差検出回路ＰＥ１，ＰＥ２の出力である誤差信号Ｓ１８、Ｓ１９は、加算回路９７に供給されて誤差信号Ｓ２０とされる。つまり、図３の差分回路９６に代えて加算回路９７を用いることで、図３の反転回路９５を無くした構成である。
【００５４】
図８も、エッジ誤差検出部の他の例であり、この場合、排他的論理和回路９１及び積分回路９２により、信号Ｓ１６についての位相誤差検出回路ＰＥ１が形成され、位相誤差検出回路ＰＥ１で検出される誤差信号がそのまま誤差信号Ｓ２０として電圧付加回路８１に供給される。
上記図３，図７の例は、信号Ｓ１６、Ｓ１７についての位相誤差を加算して誤差信号Ｓ２０とすることで、誤差信号Ｓ２０のレベル範囲が広がり、これは電圧付加回路８１において位相誤差量を精度良く判別することに好適である。この点、図８の構成では不利となるが、このように一方のエッジ検出信号Ｓ１６のみについて位相誤差検出を行っても、問題なく上述した動作は実現される。
なお、もちろん信号Ｓ１７を位相誤差検出対象としても良いし、さらにはパルスデータ信号ＰＤＳを位相誤差検出対象としてもよい。
【００５５】
図９は、微分回路７１、７２を、差分回路で代用する場合の例を示している。
即ち、微分回路７１，７２は、実際には、必ずしも数学的に厳密な微分特性を与えるものでなくてもよいため、例えば図９に示すように、遅延回路６６と減算器６７とで構成される差分回路で代用することができるものである。
【００５６】
次に図１０に、磁壁移動検出回路１５７としての他の構成例を示す。
図２と同一部分は同一符号を付して説明を省略するが、この図１０の場合は、比較器７６の比較基準電圧を、ゼロレベルではなく、電圧付加回路８１からのオフセット電圧ＶＯＦを比較基準電圧としている。
そして比較器７６においては二次微分信号Ｓ１２と、比較基準電圧とされたオフセット電圧ＶＯＦが比較される。
つまりこの例では、図２のように二次微分信号Ｓ１２をレベルシフトするのではなく、比較基準をゼロレベルからオフセット電圧ＶＯＦ分レベルシフトすることで、図５（ｅ）に示した場合と同等の作用、即ち二次微分信号Ｓ１２のゼロクロス点を、本来のエッジ位置に補正する作用をなすものである。
いうまでもなく、このような構成によっても、上述した効果を得ることができる。
【００５７】
以上、本発明の実施の形態、及びその変形例を述べてきたが、本発明は更に広く適用できるものである。
特に漏洩磁界による影響は、ＤＷＤＤ方式以外にも、磁気記録再生においてみられるものであるため、記録マークのエッジ検出を行う再生系において、本発明を適用できる。
【００５８】
【発明の効果】
以上の説明からわかるように本発明によれば、漏洩磁界等の影響での磁壁移動タイミングのずれによってエッジ検出信号に生じるタイミングのずれに応じた直流信号が生成され、その直流信号によってエッジ検出信号生成の際にタイミング誤差を解消するようにさせている。例えば二次微分信号に対して直流信号をオフセットとして与え、もしくは二次微分信号を比較する基準レベルとして直流信号を与えることで、エッジ検出信号の生成の際のタイミングずれが補正されるようにしている。
従って、例えば磁壁移動検出タイプの光磁気記録媒体を再生するときに、記録時あるいは再生時のマークエッジずれを補正することができ、的確なデータ再生を実現し、また漏洩磁界等の外乱に対する許容度を大きくできるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態のデータ再生装置のブロック図である。
【図２】実施の形態のデータ再生装置の磁壁移動検出回路のブロック図である。
【図３】実施の形態の磁壁移動検出回路におけるエッジ誤差検出部のブロック図である。
【図４】実施の形態の磁壁移動検出回路の動作波形の説明図である。
【図５】実施の形態の磁壁移動検出回路による補正動作の説明図である。
【図６】実施の形態の磁壁移動検出回路によるビットエラーレートの説明図である。
【図７】実施の形態のエッジ誤差検出部の他の構成のブロック図である。
【図８】実施の形態のエッジ誤差検出部のさらに他の構成のブロック図である。
【図９】実施の形態の磁壁移動検出回路における微分回路を差分回路とする例のブロック図である。
【図１０】実施の形態の磁壁移動検出回路の他の構成例のブロック図である。
【図１１】ＤＷＤＤ再生の説明図である。
【図１２】従来の磁壁移動検出回路のブロック図である。
【図１３】従来の磁壁移動検出回路の動作波形の説明図である。
【図１４】磁壁移動タイミングのずれによるゼロクロス検出ずれの説明図である。
【符号の説明】
７１，７２　微分回路、７４，７５，７６　比較器、７７，７８　論理積回路、７９　論理和回路、８０　エッジ誤差検出部、８１　電圧付加回路、８２　加算器、１５６　等価回路、１５７　磁壁移動検出回路、１５８　クロック同期回路、１５９　データ検出回路
【図１】
2004139682.tif 000003
【図２】
2004139682.tif 000004
【図３】
2004139682.tif 000005
【図４】
2004139682.tif 000006
【図５】
2004139682.tif 000007
【図６】
2004139682.tif 000008
【図７】
2004139682.tif 000009
【図８】
2004139682.tif 000010
【図９】
2004139682.tif 000011
【図１０】
2004139682.tif 000012
【図１１】
2004139682.tif 000013
【図１２】
2004139682.tif 000014
【図１３】
2004139682.tif 000015
【図１４】
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