(57)【要約】【課題】高密度記録が可能であり、リニア方式での記録再生に適した磁気記録媒体を提供する。【解決手段】長尺状の非磁性支持体２と、非磁性支持体の一方の面に真空薄膜形成技術によって形成された斜方柱状構造を有する磁性層３と、磁性層上に形成されたカーボンを含有する保護膜４、好適には化学気相成長またはスパッタにより形成されたダイヤモンドライクカーボン膜とを有し、リニア方式で信号の記録および再生が行われる磁気記録媒体１。【選択図】  図１
2004272946.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺状の非磁性支持体と、
前記非磁性支持体の一方の面に真空薄膜形成技術によって形成された斜方柱状構造を有する磁性層と、
前記磁性層上に形成されたカーボンを含有する保護膜とを有し、
リニア方式で信号の記録および再生が行われる
磁気記録媒体。
【請求項２】
前記保護膜は化学気相成長により形成されたダイヤモンドライクカーボン膜を含む
請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記保護膜はスパッタにより形成されたダイヤモンドライクカーボン膜を含む
請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記保護膜の厚さが４ｎｍ以上１６ｎｍ以下である
請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記磁性層に記録された信号が、磁気抵抗効果型磁気ヘッドまたは巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッドの摺動により再生される
請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記磁性層は第１の強磁性金属薄膜と、
前記第１の強磁性金属薄膜上に形成され、斜方柱状構造の成長方向が前記非磁性支持体の長手方向において前記第１の強磁性金属薄膜と逆向きである第２の強磁性金属薄膜とを有する
請求項１記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はリニア方式の磁気記録システムに用いられる磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、コンピュータストレージ用の記録媒体に対して更なる高密度化が期待されている。いくつかの記録媒体のうちテープ記録媒体は記録保存に要する費用、いわゆるビットコストに優れており、その重要性は益々高まっている。テープストレージには大きく分けて、ヘッドが回転するドラム上に配置されているヘリカルスキャン方式と、ヘッドが固定されていてテープが何度も往復するリニア方式の２方式が存在する。
【０００３】
ヘリカルスキャン方式はビデオカムコーダに利用されており、特に磁性層を真空蒸着法にて成膜した、いわゆる蒸着テープとの組み合わせで高い記録密度を実現している。リニア方式はコンピュータのストレージの分野で広く採用されており、テープコストの安い、いわゆる塗布型テープとの組み合わせで大容量を実現してきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、さらなる大容量化に対し、リニア方式と塗布型テープの組み合わせでは十分に対応することができなくなりつつある。そこで、高記録密度化が可能な蒸着テープをリニア方式で利用する検討が始まっている。しかしながら、蒸着テープは記録層（磁性層）が金属薄膜で構成されるため、引っ掻きに対する強度が塗布型テープに比較して明らかに劣る。
【０００５】
塗布型テープの磁性層は、磁性粉末を結合剤および溶剤とともに混合した磁性塗料を非磁性支持体上に塗布して形成されるため、結合剤を含有する。さらに、塗布型テープの場合、磁性塗料に潤滑剤や帯電防止剤等の各種添加剤を添加することにより、磁性層の耐久性や走行性が高められる。それに対し、蒸着テープの磁性層は結合剤や添加剤を含有しないため、引っ掻きに対する強度が低い。
【０００６】
また、蒸着テープは磁性層が結合剤等を含有しないことから、磁性層の厚さが塗布型テープより薄い。したがって、蒸着テープでは磁性層の摩耗がより深刻な問題となる。特に、テープを高速で走行させるリニア方式に蒸着テープを用いる場合、テープの走行中にヘッドやガイドにより磁性層の一部が破壊される可能性が高い。このような磁性層の破壊は再生出力を低下させるため、蒸着テープを用いたリニア方式の磁気記録テープシステムを実用化する上での妨げとなっている。
【０００７】
近年、磁気記録媒体のさらなる高記録密度化のため、磁気記録媒体の再生ヘッドとして従来の誘導型ヘッドにかわり磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド；ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  ｈｅａｄ）や巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド；ｇｉａｎｔ  ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｔｉｖｅ  ｈｅａｄ）が用いられるようになってきている。ＭＲヘッドやＧＭＲヘッドは磁性層からの微小な漏洩磁束を高感度に検出できるため、記録密度の向上に有効である。
【０００８】
ＭＲヘッドやＧＭＲヘッドは漏洩磁束に対する感度が飽和する検出限界があり、ヘッドの設計に依存する検出限界よりも大きな漏洩磁束を検出できない。リニア方式のシステムでＭＲヘッドあるいはＧＭＲヘッドを採用する場合、ヘッドの飽和を防止できるように磁気記録媒体の磁性層を薄くする必要があり、磁気テープの走行耐久性が大きな問題となる。
【０００９】
図５に模式的に示すように、蒸着テープ１０１の磁性層１０２は磁化容易軸が磁性層１０２の面内方向になく、非磁性支持体１０３の表面に対して斜めに立ち上がっている（斜方柱状構造）。したがって、リニア方式で信号の記録再生を行うと、ヘッドが正方向（矢印Ａ方向）に摺動する場合は良好な記録再生特性が得られても、逆方向（矢印Ｂ方向）に摺動する場合は出力特性等が劣ったり、最適記録電流等が変化したりして、十分な記録再生特性が得られない。
【００１０】
この問題を解決する方法として、結晶成長の向きが異なる２層の蒸着膜を積層させて磁性層を形成する方法が考えられる。しかしながら、この場合、磁性層の化学的安定性が問題となる。蒸着テープは磁性層が結合剤等を含有しないため、一般に、塗布型テープに比較して磁性層の腐食による保存安定性の低下が問題となりやすい。
【００１１】
例えば、高温高湿環境で磁気記録媒体を保存した場合や、磁気記録媒体を長期間保存した場合、結晶成長の向きが異なる２層の蒸着膜の界面が存在すると、磁性層の酸化等が特に起こりやすくなる。このような磁性層の腐食により、磁気記録媒体の再生出力が低下する。これも、蒸着テープをリニア方式の磁気記録テープシステムに用いる上で問題となっていた。
【００１２】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、したがって本発明は、高密度記録が可能であり、リニア方式での記録再生に適した磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の磁気記録媒体は、長尺状の非磁性支持体と、前記非磁性支持体の一方の面に真空薄膜形成技術によって形成された斜方柱状構造を有する磁性層と、前記磁性層上に形成されたカーボンを含有する保護膜とを有し、リニア方式で信号の記録および再生が行われることを特徴とする。
【００１４】
好適には、前記保護膜は化学気相成長またはスパッタにより形成されたダイヤモンドライクカーボン膜を含む。好適には、前記保護膜の厚さは４〜１６ｎｍである。これにより、リニア方式でヘッドに対して高速で磁気記録媒体を摺動させた場合も、磁性層の破壊が防止される。また、保護膜の厚さを上記の範囲とすることにより、磁気記録媒体の良好な電磁変換特性が得られる。
【００１５】
本発明の磁気記録媒体は、好適にはＭＲヘッドまたはＧＭＲヘッドにより信号の再生が行われる磁気記録媒体である。したがって、高密度記録が可能である。本発明の磁気記録媒体は、好適には、前記磁性層は結晶成長の向きが異なる２層の強磁性金属薄膜の積層膜である。したがって、リニア方式の磁気記録システムにおいて、ヘッドが磁性層の斜方柱状構造に対して正方向に摺動する場合と、逆方向に摺動する場合での記録再生特性の差が低減される。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の磁気記録媒体の実施の形態について、図面を参照して説明する。図１は本発明の実施形態の磁気記録媒体を示す断面図である。図１に示すように、磁気記録媒体１は長尺状の非磁性支持体２上に磁性層３が形成され、その上層に保護膜４が形成された構造を有する。磁性層３は下層強磁性金属薄膜３ａと上層強磁性金属薄膜３ｂの２層構造である。
【００１７】
保護膜４は化学気相成長（ＣＶＤ）またはスパッタリングにより形成された、厚さ４〜１６ｎｍのダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜である。非磁性支持体２の磁性層３が形成されている側と反対側の面に、バックコート層５が形成されている。
【００１８】
次に、上記の磁気記録媒体１を構成する各層について詳細に説明する。非磁性支持体２としては、従来の磁気テープに用いられている公知の非磁性支持体をいずれも適用できる。非磁性支持体２の材料として、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテート等のセルロース誘導体、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド等のプラスチック類等が挙げられる。
【００１９】
図示しないが、非磁性支持体２と磁性層３の界面に下地層を設けてもよい。下地層は磁気記録媒体１の耐久性や走行性を高めたり、磁気記録媒体１の製造過程でのハンドリング性を高めたりする目的で、必要に応じて設けられる。下地層は例えば結合剤、フィラー粒子、界面活性剤等を含有する塗料を非磁性支持体２上に塗布して形成される。
【００２０】
磁性層３は斜方蒸着により形成された斜方柱状構造を有する。下層強磁性金属薄膜３ａと上層強磁性金属薄膜３ｂの成長方向は互いに逆である。磁気記録媒体１をヘッドに対して一方向（矢印Ａ方向）に走行させて記録再生を行った場合と、逆方向（矢印Ｂ方向）に走行させて記録再生を行った場合での記録再生特性の差が許容範囲内となるように、下層強磁性金属薄膜３ａと上層強磁性金属薄膜３ｂの厚さが制御されている。
【００２１】
磁性層３は図２に示すような真空蒸着装置を用いて形成される。図２に示す真空蒸着装置１０の真空室１１には頭部と底部に排気口１２ａ、１２ｂが設けられ、排気口１２ａ、１２ｂを介して真空室１１内が排気される。真空室１１の内部は例えば１×１０−３Ｐａ程度の真空にされる。
【００２２】
真空室１１内には供給ロール１３と巻き取りロール１４が設けられ、供給ロール１３と巻き取りロール１４はそれぞれ定速で回転する。非磁性支持体２は供給ロール１３から図中矢印Ａで示す方向に送り出され、冷却キャン１５の周面に沿って走行した後、巻き取りロール１４に巻き取られる。冷却キャン１５は供給ロール１３や巻き取りロール１４よりも大径で、図中矢印Ｂで示す方向に定速で回転する。
【００２３】
供給ロール１３、巻き取りロール１４および冷却キャン１５はそれぞれ非磁性支持体２の幅と同程度の長さの軸を有する円筒状である。冷却キャン１５の内部には図示しない冷却装置が設けられており、冷却キャンは例えば−２０℃程度に冷却される。これにより、非磁性支持体２の温度上昇による変形等が防止されている。
【００２４】
供給ロール１３と冷却キャン１５の間にはガイドロール１６が設けられ、冷却キャン１５と巻き取りロール１４の間にはガイドロール１７が設けられている。非磁性支持体２が供給ロール１３から巻き取りロール１４に円滑に走行するようにガイドロール１６、１７によって非磁性支持体２の張力が適切に調節されている。
【００２５】
真空室１１内には冷却キャン１５と対向するように蒸着源１８が配置されている。蒸着源１８は磁性層３を形成するための金属磁性材料であり、るつぼ１９内に充填されている。るつぼ１９は冷却キャン１５の軸の長さと同程度の幅で形成されている。これにより、非磁性支持体１上に均一に磁性層３を形成することが可能となっている。
【００２６】
真空室１１の側壁には、蒸着源１８を加熱し、蒸発させるための電子銃２０が取り付けられている。電子銃２０から放出された電子線２１が蒸着源１８に照射される。電子線２１の照射により蒸着源１８から蒸発した金属磁性材料が、冷却キャン１５上の非磁性支持体２に堆積することにより、磁性層が形成される。
【００２７】
冷却キャン１５と蒸着源１８との間の冷却キャン１５近傍には、シャッタ２２が設けられている。シャッタ２２は冷却キャン１５上を走行する非磁性支持体２の所定領域を覆う形状で形成されている。これにより、金属磁性材料の非磁性支持体２に対する入射角が所定の範囲に制限され、斜方柱状構造の磁性層が形成される。
【００２８】
図２に示すように、真空室１１の側壁を貫通する酸素ガス導入口２３を、シャッタ２２と冷却キャン１５の間に設けることにより、蒸着雰囲気に酸素を導入できる。この場合、形成される磁性層に酸素が導入される。磁性層の酸化を適切に制御することにより、磁性層の磁気特性や耐久性等を向上させることができる。
【００２９】
なお、図２には蒸着位置の下流側（巻き取りロール１４側）に設けられたシャッタ２２を示しているが、複数のシャッタを設けてもよい。例えば、蒸着位置の上流側（供給ロール１３側）にシャッタを設けたり、上流側と下流側の両方にシャッタを設けたりしてもよい。また、蒸着源の加熱には上記のような電子線による加熱手段の他、例えば抵抗加熱手段、高周波加熱手段、レーザ加熱手段等の公知の手段を使用できる。
【００３０】
本実施形態の磁気記録媒体の磁性層３は、下層強磁性金属薄膜３ａの斜方柱状構造の傾きと上層強磁性金属薄膜３ｂの斜方柱状構造の傾きが逆となっている。このような２層構造は、リニア方式の磁気記録テープシステムに適している。このような２層構造の磁性層を形成するには、まず、ロール状の非磁性支持体２を一方向に進行させながら斜方蒸着を行い、図１に示す下層強磁性金属薄膜３ａを形成して、図２の巻き取りロール１４によりロール状に巻き取る。その後、巻き取られた巻き取りロールを供給ロール２４に替え、図２に示すようにして再び斜方蒸着を行う。これにより、下層強磁性金属薄膜３ａと斜方柱状構造の向きが異なる上層強磁性金属薄膜３ｂが形成される。
【００３１】
保護膜４は例えば図３に示すようなＣＶＤ装置または図４に示すようなマグネトロンスパッタ装置を用いて形成される。まず、図３に示すＣＶＤ装置３０による保護膜の形成方法を説明する。図３に示すＣＶＤ装置３０の真空室３１は、真空室３１の頭部に設けられた真空排気系３２によって、内部が高真空状態にされる。
【００３２】
真空室３１内には供給ロール３３と巻き取りロール３４が設けられ、供給ロール３３と巻き取りロール３４はそれぞれ定速で回転する。磁性層が形成された非磁性支持体２は、供給ロール３３から図中矢印Ａで示す方向に送り出され、巻き取りロール３４により巻き取られる。
【００３３】
供給ロール３３と巻き取りロール３４の間に、供給ロール３３および巻き取りロール３４よりも大径の対向電極用キャン３５が設けられている。対向電極用キャン３５は図中矢印Ｂで示す方向に定速で回転する。供給ロール３３、巻き取りロール３４および対向電極用キャン３５は、それぞれ非磁性支持体２の幅と同程度の長さの軸を有する円筒状である。
【００３４】
供給ロール３３から送り出された非磁性支持体２は、対向電極用キャン３５の周面に沿って走行し、巻き取りロール３４に巻き取られる。供給ロール３３と対向電極用キャン３５の間にはガイドロール３６が設けられ、対向電極用キャン３５と巻き取りロール３４の間にはガイドロール３７が設けられている。非磁性支持体２が供給ロール３３から巻き取りロール３４に円滑に走行するようにガイドロール３６、３７によって非磁性支持体２の張力が適切に調節されている。
【００３５】
真空室３１内には、対向電極用キャン３５の下方に耐熱ガラス（例えばパイレックスガラス（米コーニング社の商品名））、プラスチック等からなる反応管３８が設けられている。反応管３８は一方の端部３９が真空室３１の底部を貫通しており、この端部３９から成膜ガスが反応管３８内に導入される。保護膜４の成膜ガスとしては例えばメタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、エチレン、アセチレン、プロペン、ブテン、ペンテン、ベンゼン等の炭化水素系ガスが挙げられる。
【００３６】
反応管３８内の中間部分に金属メッシュ等からなる電極４０が取り付けられている。電極４０は真空室３１の外部に設けられた直流電源４１と接続されており、例えば５００〜２０００Ｖの電圧が印加される。このＣＶＤ装置３０では、電極４０に電圧が印加されることで電極４０と対向電極用キャン３５との間にグロー放電が生じる。反応管３８内に導入された成膜ガスは、電極４０と対向電極用キャン３５との間で生じたグロー放電によって分解し、非磁性支持体２上に保護膜４（図１参照）として堆積する。
【００３７】
次に、図４に示すマグネトロンスパッタ装置５０による保護膜の形成方法を説明する。まず、図４に示すマグネトロンスパッタ装置５０のチャンバ５１内を、真空ポンプ５２によって例えば約１０−４Ｐａ程度まで減圧する。その後、真空ポンプ５２側へ排気するバルブ５３を調節して、チャンバ５１の排気速度を落とすとともに、ガス導入管５４からアルゴン（Ａｒ）ガスを導入し、チャンバ５１内の真空度を例えば約０．８Ｐａとする。
【００３８】
マグネトロンスパッタ装置５０のチャンバ５１内には、例えば−４０℃に冷却され、図中矢印Ａで示す方向に定速で回転する冷却キャン５５が設けられている。冷却キャン５５と対向するようにターゲット５６が配置される。ターゲット５６は保護膜４（図１参照）の材料となり、ターゲット５６として例えばカーボンが用いられる。ターゲット５６はカソード電極を構成するバッキングプレート５７に支持されている。バッキングプレート５７の裏側には、磁場を形成するマグネット５８が配置されている。このターゲット５６は自由に位置を変更することができる。
【００３９】
磁性層３（図１参照）が形成された非磁性支持体２は、チャンバ５１内において、供給ロール５９から図中矢印Ｂで示す方向に送り出され、冷却キャン５５の周面に沿って走行した後、巻き取りロール６０に巻き取られる。巻き取りロール６０の軸は図示しない駆動源によって回転駆動される。
【００４０】
供給ロール５９と冷却キャン５５の間にはガイドロール６１が設けられ、冷却キャン５５と巻き取りロール６０の間にはガイドロール６２が設けられている。非磁性支持体２が供給ロール５９から巻き取りロール６０に円滑に走行するようにガイドロール６１、６２によって非磁性支持体２の張力が適切に調節されている。
【００４１】
マグネトロンスパッタ装置５０において保護膜を形成する際には、ガス導入管５４からＡｒガスを導入するとともに、冷却キャン５５をアノード、バッキングプレート５７をカソードとして例えば約３０００Ｖの電圧を印加して、約１．４Ａの電流が流れる状態に維持する。
【００４２】
この電圧の印加によってＡｒガスがプラズマ化し、電離されたイオンがターゲット５６に衝突することにより、ターゲット５６の原子がはじき出される。ターゲット５６からはじき出された原子が、非磁性支持体２上に堆積することにより、保護膜が形成される。保護膜が形成された非磁性支持体２は、巻き取りロール６０に巻き取られる。
【００４３】
バックコート層５（図１参照）は、粉末成分と結合剤とを有機溶媒に混合分散させたバックコート用塗料を非磁性支持体２の磁性層３と反対側の面に塗布して形成される。粉末成分としては、導電性を付与するためのカーボンブラックや表面粗度のコントロールおよび耐久性向上のためのフィラー粒子が挙げられる。バックコート層に添加するフィラー粒子としては、例えばα−酸化鉄、α−アルミナ、及び酸化クロム等からなる粒子が挙げられる。バックコート用塗料に潤滑剤等の添加剤を添加してもよい。
【００４４】
磁気記録媒体の磁性層側の最上層には潤滑剤を含有する潤滑剤層を形成することが望ましい。潤滑剤層はフッ素系潤滑剤、好適にはパーフルオロポリエーテル構造を有するフッ素系潤滑剤を溶剤に溶解させ、保護膜上に塗布することにより形成できる。特に、主骨格がフルオロカーボン系、アルキルアミンまたはアルキルエステルである潤滑剤が好ましい。潤滑剤層を設けることにより、磁気テープの耐久性や走行性が良好となる。
【００４５】
【実施例】
以下、実施例に基づいて本発明の磁気記録媒体をさらに詳細に説明する。
（実験例１〜５）
非磁性支持体として８μｍ厚、１５０ｍｍ幅のＰＥＴフィルムを用い、図２に示す真空蒸着装置において２層構造の磁性層を形成した。蒸着条件は蒸着源１８（インゴット）をコバルト（Ｃｏ）１００ｗｔ％、非磁性支持体に対する金属磁性材料の入射角を４５〜９０°、導入ガスを酸素ガス、酸素導入量を３．３×１０−６ｍ３／秒、蒸着時真空度を２×１０−２Ｐａとした。
【００４６】
上記の蒸着条件で厚さ５０ｎｍ、コバルト−酸素系（Ｃｏ−Ｏ系）の下層強磁性金属薄膜を形成した後、非磁性支持体２を巻き返さずに、巻き取りロール１４を供給ロール１３に、供給ロール１３を巻き取りロール１４に入れ替えて、再度同様の蒸着条件で蒸着を行った。
【００４７】
これにより、下層強磁性金属薄膜上に厚さ２５ｎｍ、Ｃｏ−Ｏ系の上層強磁性金属薄膜を形成した。また、下層強磁性金属薄膜と上層強磁性金属薄膜の斜方柱状構造の成長方向は、非磁性支持体の長尺方向（非磁性支持体の走行方向）において、互いに逆向きとなった。
【００４８】
次に、図３に示すＣＶＤ装置において、磁性層上に保護膜としてＤＬＣ膜を形成した。ＤＬＣ膜の成膜条件は反応ガスをトルエン、反応ガス圧を１０Ｐａ、導入電力をＤＣ１．５ｋＶとした。非磁性支持体の送り速度を変化させることにより、各実験例で互いに異なる厚さの保護膜を形成した。表１に示すように、保護膜の厚さは実験例１で２ｎｍ、実験例２で４ｎｍ、実験例３で１０ｎｍ、実験例４で１６ｎｍ、実験例５で２０ｎｍとした。
【００４９】
【表１】
2004272946.tif 000003
【００５０】
磁性層上にＣＶＤにより保護膜を形成した後、非磁性支持体の磁性層が形成されている面と反対側の面にバックコート用塗料を塗布し、０．６μｍ厚のバックコート層を形成した。バックコート用塗料は下記の組成物と溶剤をボールミルに投入して２４時間分散、混合した後、架橋剤を添加して調製した。
【００５１】
（バックコート用塗料）
カーボンブラック  ５０ｗｔ％
ポリウレタン樹脂  ５０ｗｔ％
【００５２】
また、保護膜上に潤滑剤層を形成した。以上のようにして磁性層、保護膜、バックコート層および潤滑剤層が形成された磁気テープ原反を１／２インチ幅に裁断し、サンプルテープを作製した。
【００５３】
得られたサンプルテープの電磁変換特性、保存耐久性および走行耐久性を以下の方法で評価した。保存耐久性は、経時的な磁化劣化率を指標として評価した。走行耐久性は、後述する角柱摩耗量を指標として評価した。
【００５４】
電磁変換特性の評価にはドラムテスタを用いた。記録ヘッドにはギャップ長０．２２μｍ、トラック幅２０μｍのＭＩＧ（ｍｅｔａｌ  ｉｎ  ｇａｐ）ヘッドを用いた。電磁変換特性は、ＭＩＧヘッドで記録波長２．０μｍと０．３μｍにて記録し、トラック幅５μｍ、ＮｉＦｅのＭＲヘッドを用いて再生したときに測定されるキャリア出力を評価した。
【００５５】
磁気テープと磁気ヘッドが相対的に一方向で動作する状態と、磁気テープと磁気ヘッドが相対的に逆方向で動作する状態でそれぞれ測定を行い、これらの測定結果を平均化した。磁気テープと再生用のＭＲヘッドとの相対速度は７ｍ／秒とした。キャリア出力は、後述する実験例８のキャリア出力を基準（０ｄＢ）にしてｄＢで表示した。キャリア出力が−３ｄＢ以下のとき、記録再生システムとして十分な信号とならない。
【００５６】
保存耐久性は以下のように評価した。まず、１／２インチ幅に裁断されたサンプルテープを２０ｃｍの長さに裁断した。裁断されたサンプルテープを、サンプルテープの磁性層側の面（表面に潤滑剤層を有する面）が保存環境に暴露するように、プラスチック製の枠に貼り付けて固定した。
【００５７】
プラスチック枠に貼り付けたサンプルは２つ用意し、一方のサンプルを４０℃、８０％ＲＨに保たれた恒温槽に入れ、加熱加湿した環境に４週間暴露した。他方のサンプルは２５℃、３０％ＲＦの常温常湿環境で４週間保存した。４週間後、両方のサンプルの磁化量を測定し、４０℃、８０％ＲＨで保存したサンプルの磁化量Ｍａが２５℃、３０％ＲＦで保存したサンプルの磁化量Ｍｂに対してどの程度劣化しているか、次式（２）により求めたものを磁化劣化率Ｄ（％）とした。
【００５８】
【数１】
Ｄ＝（Ｍｂ−Ｍａ）×１００／Ｍｂ  ・・・（２）
過去の知見より、十分な保存耐久性を得るには、磁化劣化率が１０％以下であることが望ましい。
【００５９】
走行耐久性は以下のように評価した。走行耐久性の評価機は取り出し可能な巻き出し用リール、ガイド、試験片角柱および巻き取り用リールから構成される。評価機において、巻き出し用リールから磁気テープが供給され、ガイドおよび試験片角柱を通過した磁気テープが巻き取り用リールに巻き取られる。評価機では逆方向に磁気テープを走行させることも可能であり、磁気テープの往復運動が可能となっている。
【００６０】
評価機で巻き出し用リールと巻き取り用リールのモーターの電流量を変えることにより、磁気テープの張力を任意に調節できる。試験片角柱に磁気テープがラップ角度１６°（片側８°）で接するように、ガイド系が構成されている。
【００６１】
上記の評価機の巻き出し用リールに磁気テープを５８０ｎｍの長さで巻き、磁気テープの送り速度を３ｍ／秒、張力を１０Ｎとして、２３±２℃、４５±５％ＲＨの環境で磁気テープを５０往復走行させた。試験片角柱の材料はＡｌ−Ｆｅ−Ｓｉとした。過去の知見より、リニア方式で十分な走行耐久性を得るには、上記の条件で２回の試験を行い、１回目の角柱摩耗量が３５〜６５μｍであり、２回目の角柱摩耗量が１回目の測定値の３０％以内であればよい。なお、１回目の試験を行った後、新しい試験片角柱に交換する。
【００６２】
リニア方式のシステムに用いられる塗布型テープの走行耐久性を、角柱摩耗量の２回の測定結果に基づいて評価する方法は、ＥＣＭＡインターナショナルで規格されている。本発明の磁気記録媒体はリニア方式のシステムに用いられる蒸着テープであり、Ｓｔａｎｄａｒｄ  ＥＣＭＡ−１２０  Ａｎｎｅｘ  Ｃ（Ｔａｐｅ  Ａｂｒａｓｉｖｉｔｙ  Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ  Ｐｒｏｃｅｄｕｒｅ  Ｐ４５）を用いて走行耐久性の評価を行った。
【００６３】
（実験例６〜１０）
上記の実験例１〜５で、ＣＶＤにより磁性層を形成するかわりに、スパッタにより磁性層を形成した。具体的には、図４に示すマグネトロンスパッタ装置において、磁性層上に保護膜としてＤＬＣ膜を形成した。ＤＬＣ膜の成膜条件はターゲット材料をカーボン１００％、到達真空度を１０−４Ｐａ未満、Ａｒガス導入量を８０ｓｃｃｍ、成膜圧力を０．５Ｐａ、放電電圧を３０００Ｖとした。
【００６４】
非磁性支持体の送り速度を変化させることにより、各実験例で互いに異なる厚さの保護膜を形成した。表１に示すように、保護膜の厚さは実験例６で２ｎｍ、実験例７で４ｎｍ、実験例８で１０ｎｍ、実験例９で１６ｎｍ、実験例１０で２０ｎｍとした。これらの実験例のサンプルテープの電磁変換特性、保存耐久性および走行耐久性を実験例１〜５と同様の方法で評価した。
【００６５】
（実験例１１）
上記の実験例１〜５で保護膜を形成せず、磁性層上に潤滑剤層のみ形成し、サンプルテープを作製した。実験例１１のサンプルテープの電磁変換特性、保存耐久性および走行耐久性を実験例１〜５と同様の方法で評価した。
【００６６】
実験例１〜１１の評価結果を表１に示す。表１の実験例２〜４および実験例７〜９に示すように、保護膜をＣＶＤにより形成した場合と、スパッタにより形成した場合のいずれも、保護膜の厚さが４〜１６ｎｍのとき、電磁変換特性、磁化劣化率（保存耐久性）および角柱摩耗量（走行耐久性）が良好となった。
【００６７】
実験例１および６では保護膜の厚さが薄すぎ、磁化劣化率が１０％を超え、角柱摩耗量も規定の範囲より少なかった。さらに、実験例６では角柱摩耗量の測定でテープに傷が生じた。したがって、電磁変換特性は許容範囲内であったが、保存耐久性と走行耐久性に問題があった。
【００６８】
実験例５および１０では保護膜の厚さが厚すぎ、電磁変換特性が−３ｄＢ以下となった。さらに、実験例１０では１回目の角柱摩耗量が６５μｍを超え、２回目の角柱摩耗量が１回目の測定値の３０％を超えた。したがって、実験例５については、保存耐久性と走行耐久性は許容範囲内であったが、電磁変換特性に問題があった。また、実験例１０については、保存耐久性は許容範囲内であったが、電磁変換特性と走行耐久性に問題があった。
【００６９】
実験例１１では保護膜がないため、磁化劣化率が著しく高く、角柱も摩耗しなかった。また、角柱摩耗量の測定でテープに傷が生じた。この傷により電磁変換特性は測定できなかった。したがって、電磁変換特性、保存耐久性および走行耐久性に問題があった。
【００７０】
また、保護膜の厚さが４ｎｍである実験例２と実験例７、保護膜の厚さが１０ｎｍである実験例３と実験例８、および保護膜の厚さが１６ｎｍである実験例４と実験例９をそれぞれ比較するとわかるように、保護膜の厚さが同じであれば、ＣＶＤ膜の方がスパッタ膜よりも磁化劣化率が低く、より保存耐久性が高い。したがって、保存耐久性を特に重視する場合、ＣＶＤにより保護膜を形成することが望ましいといえる。一方、角柱摩耗量はＣＶＤ膜よりもスパッタ膜の方が大きくなる傾向がある。そこで、保護膜の厚さを決定する際には、このようなＣＶＤ膜とスパッタ膜の性質の違いを考慮する。
【００７１】
以上のように、磁性層上にＣＶＤまたはスパッタにより厚さ４〜１６ｎｍのＤＬＣ膜を形成することにより、磁気記録媒体の電磁変換特性、保存耐久性および走行耐久性を良好にできる。
【００７２】
【発明の効果】
本発明の磁気記録媒体によれば、リニア方式での記録再生を高記録密度で行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の磁気記録媒体の断面図である。
【図２】図２は本発明の磁気記録媒体の磁性層の形成に用いられる蒸着装置の概略図である。
【図３】図３は本発明の磁気記録媒体の保護膜の形成に用いられるＣＶＤ装置の概略図である。
【図４】図４は本発明の磁気記録媒体の保護膜の形成に用いられるスパッタ装置の概略図である。
【図５】図５は従来の磁気記録媒体の断面図である。
【符号の説明】
１…磁気記録媒体、２…非磁性支持体、３…磁性層、３ａ…下層強磁性金属薄膜、３ｂ…上層強磁性金属薄膜、４…保護膜、５…バックコート層、１０…真空蒸着装置、１１…真空室、１２ａ、１２ｂ…排気口、１３…供給ロール、１４…巻き取りロール、１５…冷却キャン、１６、１７…ガイドロール、１８…蒸着源、１９…るつぼ、２０…電子銃、２１…電子線、２２…シャッタ、２３…酸素ガス導入口、３０…ＣＶＤ装置、３１…真空室、３２…真空排気系、３３…供給ロール、３４…巻き取りロール、３５…対向電極用キャン、３６、３７…ガイドロール、３８…反応管、３９…反応管端部、４０…電極、４１…直流電源、５０…マグネトロンスパッタ装置、５１…チャンバ、５２…真空ポンプ、５３…バルブ、５４…ガス導入管、５５…冷却キャン、５６…ターゲット、５７…バッキングプレート、５８…マグネット、５９…供給ロール、６０…巻き取りロール、６１、６２…ガイドロール、１０１…蒸着テープ、１０２…磁性層、１０３…非磁性支持体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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