(57)【要約】【課題】無電解錫メッキ液中で銅配線に無電解錫メッキを施す際に銅の異常溶解を防止することによって銅配線の腐食を防止することができる電子部品搭載用テープおよびその製造方法を提供する。【解決手段】ポリイミドテープ１上に金属膜を成膜し、この金属膜上に電子部品搭載用の銅配線３ａを形成することによって電子部品搭載用テープを作製する。金属膜の成膜時に、無電解錫メッキ液中における銅配線３ａとの電位差が０．５Ｖ以内となる金属合金の膜であるニッケル合金スパッタ膜５を成膜する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性テープ上に金属膜を介して電子部品搭載用の銅配線を形成し、前記銅配線上に無電解錫メッキによって錫を形成した電子部品搭載用テープにおいて、
前記金属膜は、無電解錫メッキ液中における前記銅配線との電位差が０．５Ｖ以内の電位を有する金属膜によって構成される
ことを特徴とする電子部品搭載用テープ。
【請求項２】
前記金属膜は、アルミニウムを含有するニッケル合金膜である
ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品搭載用テープ。
【請求項３】
絶縁性テープ上に金属膜を介して電子部品搭載用の銅配線を形成し、前記銅配線上に無電解錫メッキによって錫を形成した電子部品搭載用テープの製造方法において、
前記金属膜を、無電解錫メッキ液中における前記銅配線との電位差が０．５Ｖ以内となる金属合金の膜で成膜する
ことを特徴とする電子部品搭載用テープの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣ等の電子部品が搭載されるＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープなどの電子部品搭載用テープおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器の小型化、薄型化の要求増大に伴い、ＩＣ等の電子部品を搭載する基材の配線微細化が進行している。微細配線を有する基材として、最近、ＴＡＢテープの適用が加速している。ＴＡＢテープ上に例えば液晶駆動用ＩＣを搭載する場合、一般的にはＩＣのアルミ電極パッド上の金バンプと、ＴＡＢテープのインナーリードとを位置合わせして一括接合するインナーリードボンディング法（別名ギャングボンディング法）が用いられる。
【０００３】
このため、ＴＡＢテープにはＩＣ搭載部にホールが設けられ、インナーリードがホールに突出するフライングリード構造となっている。しかし、インナーリードの配線ピッチが５０μｍを下回ると、フライングリード構造のリードピン成形が困難になる上、リードピンが曲がりやすく、ＩＣとの接合が極めて困難になる。
【０００４】
この解決策の一つとして、最近、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ）と称されるパッケージが適用され始めた。このパッケージは、ポリイミドテープに銅箔を接合した材料でテープが作られることは従来と同様であるが、デバイスホールやフライングリードがなく、銅箔による微細配線はポリイミドテープに接合された状態で成形される。したがって微細なフライングリードの変形は起きない。
【０００５】
このＣＯＦ用テープにＩＣチップを接合する際、従来のインナーリードボンダーを用いる場合は、ポリイミドテープ側からインナーリードとＩＣチップのバンプを透かしてアライメントする必要があるため、ポリイミドテープには透明性が求められる。
【０００６】
このようなＣＯＦ用テープを製造する場合、まず、図２（ａ）に示すように、透明なポリイミドテープ１に蒸着法やスパッタリング法を用いて、金属膜であるニッケルスパッタ膜２を厚さ３〜２０ｎｍの範囲で成膜し、これを銅メッキ液に浸漬し、ニッケルスパッタ膜２を陰極として電気銅メッキで銅箔３を厚さ８〜１２μｍ成膜する。この構成の場合、中間の金属膜２は電気メッキの電極以外に、銅の密着性向上やマイグレーション防止に寄与する。
【０００７】
次に、（ｂ）に示すように、銅箔３上の所定位置に、フォトレジスト４を塗布し、露光・現像を行う。この後、（ｃ）に示すように、微細配線を形成するために銅箔３およびニッケルスパッタ膜２をエッチング加工し、（ｄ）に示すように、フォトレジスト４を剥離する。これによって、微細配線である銅配線３ａが形成される。この銅配線３ａが形成されたＣＯＦ用テープを、錯化剤のチオ尿素が添加された無電解錫メッキ液に浸漬することにより、銅配線３ａ上に錫メッキを施す（例えば、特許文献１参照。）。
【０００８】
【特許文献１】
特開平５−２９９８２０号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の電子部品搭載用テープの製造方法においては、銅配線３ａ上に錫メッキを施す際にチオ尿素の影響によって、銅配線３ａの電位が−０．７Ｖｖｓ．ＳＣＥ付近にまで低下するのに対して、ニッケルスパッタ膜２の電位は０Ｖｖｓ．ＳＣＥ程度なので、両者の電位差が大きくなり銅が異常溶解することによる異種金属接触腐食を引き起こし、銅配線３ａの他層との界面部分が腐食するという問題がある。
【００１０】
場合によっては、銅が異常溶解することによって放出された電子を、錫イオンが授受し、錫の異常析出も生じる。
【００１１】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、無電解錫メッキ液中で銅配線に無電解錫メッキを施す際に銅の異常溶解を防止することによって銅配線の腐食を防止することができる電子部品搭載用テープおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の電子部品搭載用テープは、絶縁性テープ上に金属膜を介して電子部品搭載用の銅配線を形成し、前記銅配線上に無電解錫メッキによって錫を形成した電子部品搭載用テープにおいて、前記金属膜は、無電解錫メッキ液中における前記銅配線との電位差が０．５Ｖ以内の電位を有する金属膜によって構成されることを特徴としている。
【００１３】
また、前記金属膜は、アルミニウムを含有するニッケル合金膜であることを特徴としている。
【００１４】
また、本発明の電子部品搭載用テープの製造方法は、絶縁性テープ上に金属膜を介して電子部品搭載用の銅配線を形成し、前記銅配線上に無電解錫メッキによって錫を形成した電子部品搭載用テープの製造方法において、前記金属膜を、無電解錫メッキ液中における前記銅配線との電位差が０．５Ｖ以内となる金属合金の膜で成膜することを特徴としている。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１６】
（実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態に係るＣＯＦ用テープの製造工程におけるＣＯＦ用テープ形成状態を示す図である。
【００１７】
本実施の形態の特徴は、チオ尿素を含む無電解錫メッキ液中で、銅配線の電位がニッケルスパッタ膜より著しく低下することにより両者の電位差が大きくなって異種金属接触腐食が起きることに着目し、ニッケルスパッタ膜の電位を低下させ、両者の電位差を少なくするようにしたことにある。このため、ニッケルスパッタ膜に代え、ニッケルに無電解錫メッキ液中での表面電位を低下させる合金成分を含有させたニッケル合金スパッタ膜を用いるようにした。
【００１８】
ニッケルスパッタ膜に含有させる合金元素は、アルミニウムが最も簡便で効果があった。アルミニウムを含有させることにより、銅配線の異常溶解現象が抑制されることを確認した。この他の合金元素としては、チタン、ジルコニウム、タンタル、ニオブ、ガリウム、インジウムなどが考えられる。いずれにしても無電解錫メッキ液中での銅配線の表面電位の−０．６５Ｖｖｓ．ＳＣＥと比較して、０．５Ｖ以内の電位差、すなわちニッケル合金スパッタ膜の表面電位が−０．１５Ｖｖｓ．ＳＣＥより低ければ、異種金属接触腐食並びに銅の異常溶解現象が生じないことがわかった。
【００１９】
以下、実際に行ったＣＯＦ用テープの製造の具体例を説明する。
【００２０】
図１（ａ）に示すテープ基材を形成する工程において、透明なポリイミドテープ１である３８μｍ厚さのカプトンＥＮ（東レ・デュポン）に、ターゲット組成を変えてスパッタリング法で、１００％ニッケル膜、９３％ニッケル−７％アルミニウム膜、８５％ニッケル−１５％アルミニウム膜、８０％ニッケル−２０％アルミニウム膜を、それぞれ約１０ｎｍ成膜した。
【００２１】
これらの膜の小片（５×２０ｍｍ）をメタンスルホン酸１００ｍＬ／Ｌと、チオ尿素７０ｇ／Ｌの混合水溶液に浸漬し、ポテンショスタットで直ちにスパッタ膜の表面電位を測定した。対極は白金板、参照極は飽和カロメル電極（ＳＣＥ）とした。
【００２２】
その結果、それぞれの膜の表面電位は、１００％ニッケル膜が約０Ｖｖｓ．ＳＣＥ、９３％ニッケル−７％アルミニウム膜が約−０．２Ｖｖｓ．ＳＣＥ、８５％ニッケル−１５％アルミニウム膜が約−０．３Ｖｖｓ．ＳＣＥ、８０％ニッケル−２０％アルミニウム膜約０．３５Ｖｖｓ．ＳＣＥと測定された。
【００２３】
そして、ポリイミドテープ１に上記各々のニッケル合金スパッタ膜５が形成された複合材に、銅箔３を８μｍ成膜してＣＯＦ用テープ材を準備した。
【００２４】
次に、（ｂ）に示すように、銅箔３上の所定位置に、フォトレジスト４を塗布し、露光・現像を行う。この後、（ｃ）に示すように、微細配線を形成するために銅箔３およびニッケル合金スパッタ膜５をエッチング加工し、（ｄ）に示すように、フォトレジスト４を剥離する。これによって、インナーリードピッチ５０μｍの微細配線である銅配線３ａを形成した。
【００２５】
この銅配線３ａが形成されたＣＯＦ用テープを、液温７０℃の無電解錫メッキ液に５分間浸漬して、銅配線３ａ上に、厚さ０．７μｍの錫メッキを成膜した。そして、インナーリードの側面下部を顕微鏡観察した結果、ニッケル合金スパッタ膜５の組成が、１００％ニッケルの場合に、銅の異常溶解が認められたが、９３％ニッケル−７％アルミニウム膜、８５％ニッケル−１５％アルミニウム膜、８０％ニッケル−２０％アルミニウム膜では、異常溶解現象は観察されなかった。
【００２６】
これは、無電解錫メッキ液中での銅とニッケル合金膜との電位差の大小が影響しているものである。すなわちニッケル合金スパッタ膜５が純ニッケルの場合には、無電解錫メッキ液中での銅配線３ａとの電位差が０．５Ｖ以上となり、銅が溶解しやすくなるが、アルミニウムを含有させることにより、ニッケルとの電位差が０．５Ｖ以内に緩和され、銅の溶解が抑制された。
【００２７】
つまり、銅の異常溶解を防止することができるので、銅配線３ａの腐食を防止することができる。また、銅が異常溶解が起因する錫の異常析出も防止することができる。
【００２８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、絶縁性テープ上に金属膜を介して電子部品搭載用の銅配線を形成し、銅配線上に無電解錫メッキによって錫を形成した電子部品搭載用テープにおいて、金属膜は、無電解錫メッキ液中における銅配線との電位差が０．５Ｖ以内の電位を有する金属膜によって構成されるものとしたので、無電解錫メッキ液中で銅配線に無電解錫メッキを施す際に、金属膜と銅配線との大きな電位差で生じる銅の異常溶解を防止することができる。これによって銅配線の腐食を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係るＣＯＦ用テープの製造工程におけるＣＯＦ用テープ形成状態を示す図である。
【図２】従来のＣＯＦ用テープの製造工程におけるＣＯＦ用テープ形成状態を示す図である。
【符号の説明】
１  ポリイミドテープ
２  ニッケルスパッタ膜
３  銅箔
３ａ  銅配線
４  フォトレジスト
５  ニッケル合金スパッタ膜
【図１】
2004165450.tif 000003
【図２】
2004165450.tif 000004