(57)【要約】      （修正有）【課題】新規液晶材料の提供と、それを鍵成分とする、温度範囲が広く絶対値の大きい負の誘電率異方性を有する液晶組成物を提供する。さらにそれを用いて信頼性が高いＶＡ型等の液晶表示素子を提供する。【解決手段】一般式（１）2004352931.tif 000033（式中、Ｒａは炭素原子数２〜５の直鎖状アルキル基を表し、Ｒｂは炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基を表す。）で表される化合物とその製法、製造中間体、及び（１）を含有する液晶組成物、及びこれを用いた液晶表示素子。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
2004352931.tif 000023
（式中、Ｒａは炭素原子数２〜５の直鎖状アルキル基を表し、Ｒｂは炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基を表す。）で表される化合物を１種もしくは２種以上含有し、一般式（５）
【化２】
2004352931.tif 000024
（式中、Ｒｍは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基又はアルケニル基を表し、Ｒｎは炭素原子数１〜１２の直鎖状アルキル基、アルケニル基、アルコキシル基又はアルケニルオキシ基を表し、ｍ６は０又は１を表し、Ｍｌ及びＭｍはそれぞれ独立的に単結合、−ＣＯＯ−又は−ＣＨ２ＣＨ２−を表し、環Ｇはトランス−１，４−シクロヘキシレン基又は１，４−フェニレン基を表す。）で表される化合物の１種もしくは２種以上を含有し、誘電率異方性が−３以下であることを特徴とする液晶組成物。
【請求項２】
一般式（２）
【化３】
2004352931.tif 000025
（式中、Ｒｃは炭素原子数１〜７のアルキル基を表し、Ｒｄは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基、アルコキシル基又はアルケニルオキシ基を表し、ｍ１は０又は１を表し、Ｍａ及びＭｂはそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、又は−ＣＯＯ−を表し、Ｂはトランス−１，４−シクロヘキシレン基あるいは１〜２個のフッ素により置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表す。）で表される化合物を１種もしくは２以上含有する請求項１記載の液晶組成物。
【請求項３】
一般式（３ａ）、一般式（３ｂ）、一般式（４ａ）及び一般式（４ｂ）
【化４】
2004352931.tif 000026
（式中、Ｒｅ、Ｒｇ、Ｒｉ及びＲｋは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基を表し、Ｒｆ、Ｒｈ、及びＲｌは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基、アルコキシル基又はアルケニルオキシ基を表し、Ｒｊは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基を表し、ｍ２、ｍ３、ｍ４及びｍ５は０又は１を表し、Ｍｃ及びＭｄ、Ｍｅ及びＭｆ、Ｍｈ及びＭｉ、Ｍｊ及びＭｋはそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＣＯＯ−を表し、Ｃ、Ｄ、Ｅ及びＦはトランス−１，４−シクロヘキシレン基あるいは１〜２個のフッ素により置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表す。ただし、（４ａ）において、ｍ４が０の場合、Ｍｉは単結合でないか、あるいはＥは１〜２個のフッ素により置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表す。）で表される化合物群から選ばれる１種もしくは２種以上を含有する請求項１又は２記載の液晶組成物。
【請求項４】
一般式（２）で表される化合物を１種もしくは２種以上含有し、一般式（３ａ）、（３ｂ）、（４ａ）又は（４ｂ）で表される化合物群から選ばれる１種もしくは２種以上を含有する請求項３記載の液晶組成物。
【請求項５】
ネマチック相上限温度（ＴＮ−Ｉ）が７０℃以上であり、ネマチック相下限温度（Ｔ−Ｎ）が−２０℃以下であり、化合物（１）の含有量が１〜５０質量％の範囲である請求項１〜４の何れかに記載の液晶組成物。
【請求項６】
一般式（１）で表される化合物
【化５】
2004352931.tif 000027
（式中、Ｒａは炭素原子数２〜７の直鎖状アルキル基を表し、Ｒｂは炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基を表す。）
【請求項７】
一般式（１）で表される化合物の製造方法であって、一般式（６）
【化６】
2004352931.tif 000028
（式中、Ｒｂは炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基を表す。）で表されるテトラヒドロナフトール誘導体を塩基存在下にアルコラートとし、これを一般式（７）
【化７】
2004352931.tif 000029
（式中、Ｒａは炭素原子数２〜５の直鎖状アルキル基を表し、Ｘは塩素、臭素、ヨウ素のハロゲン原子、あるいはｐ−トルエンスルホニル基、メタンスルホニル基、トリフルオロメタンスルホニル基の脱離基を表す。）で表される化合物と反応させることを特徴とする製造方法。
【請求項８】
一般式（１）で表される化合物の製造方法であって、一般式（８）
【化８】
2004352931.tif 000030
（式中、Ｒｂは炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基を表す。）で表されるトリフルオロテトラヒドロナフタレン誘導体に、塩基存在下に一般式（９）
【化９】
2004352931.tif 000031
（式中、Ｒａは炭素原子数２〜５の直鎖状アルキル基を表す。）で表されるアルコールと反応させることを特徴とする製造方法。
【請求項９】
一般式（８）
【化１０】
2004352931.tif 000032
（式中、Ｒｂは炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基を表す。）で表される化合物
【請求項１０】
請求項１〜５記載の液晶組成物を使用した液晶表示素子。
【請求項１１】
アクティブマトリックス駆動される請求項１０記載の液晶表示素子。
【請求項１２】
ＶＡモードで表示される請求項１１記載の液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電気光学的液晶表示材料として有用な、テトラヒドロナフタレン誘導体と、それを含有する誘電率異方性が負でその絶対値が大きい液晶組成物に関し、さらにそれを用いた液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、家庭用各種電気機器、測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いられるようになっている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲスト・ホスト）型、ＩＰＳ（インプレーンスイッチング）型、ＯＣＢ（光学補償複屈折）型、ＥＣＢ（電圧制御複屈折）型、ＶＡ（垂直配向）型、ＣＳＨ（カラースーパーホメオトロピック）型、あるいはＦＬＣ（強誘電性液晶）等を挙げることができる。また駆動方式としても従来のスタティック駆動からマルチプレックス駆動が一般的になり、単純マトリックス方式、最近ではＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やＭＩＭにより駆動されるアクティブマトリックス（ＡＭ）方式が主流となっている。
【０００３】
これらの表示方式において、ＩＰＳ型、ＥＣＢ型、ＶＡ型、あるいはＣＳＨ型等は現在汎用のＴＮ型やＳＴＮ型と異なり、誘電率異方性が負の、いわゆるｎ型の液晶材料を用いるという特徴を有する。これらの中で特にＡＭ駆動によるＶＡ型表示は、高速で広視野角の要求される表示素子、例えばテレビ等への応用において、現在最も期待されているものである。
【０００４】
液晶材料としては、これまでにも非常に多種類の化合物が合成されてきており、その表示方式や駆動方式あるいはその用途に応じて使用されているが、上記のＶＡ型等の表示方式に用いられるｎ型の液晶材料についてはそれほど多くの化合物が知られているわけではない。特に、ＡＭ駆動することを考えると、使用可能と言えるｎ型の液晶材料は分子内に２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基を有する化合物に限られているのが実情である。
【０００５】
ＶＡ型等の表示方式においても通常の表示方式と同様に、低電圧駆動や高速応答に加えて、広い作動温度範囲が要求される。またセル厚等に合わせた適当な屈折率異方性（Δｎ）も要求される。
【０００６】
駆動電圧を低減さるためには、液晶材料（組成物として）の誘電率異方性（Δε）の絶対値がなるべく大きいことが必要である。上記ＶＡ表示においてはそのΔεは−３以下望ましくは−４以下であることが好ましい。また、応答の高速化のためには液晶材料の粘性をなるべく小さくすることが必要である。
【０００７】
作動温度範囲としてはネマチック相上限温度（ＴＮ−Ｉ）が少なくとも７０℃以上であることが好ましく、ネマチック相下限温度（Ｔ−Ｎ）が少なくとも−２０℃以下であることが好ましい。
【０００８】
またセルの構成（セル厚や表示モード等）にも依存するが、Δｎは通常０．０８〜０．１０程度が要求されることが多い。
【０００９】
これらの要求特性を単独で満足できるような液晶化合物は存在せず、従って液晶材料は上記の２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン誘導体を主として多くの液晶化合物（特許文献１参照）から調製される液晶組成物（特許文献２参照）が用いられているのが現状である。
【００１０】
ところが、これまで知られている２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン誘導体はそのほとんどが、他の環構造としてトランス−１，４−シクロヘキシレン基及び１，４−フェニレン基を有する化合物であるが、これらは他の液晶化合物との相溶性において必ずしも良好ではないという問題点が存在した。そのために温度範囲の広い液晶組成物、特に低温で長時間保存しても結晶の析出や相分離を生じ難い液晶組成物を調製することは容易でなく、ホモログ（側鎖アルキル基の炭素数だけが異なった同族体）等を加えて、非常に多種の化合物を混合することにより溶解性を高め、組成物の融点を低下させる必要があった。
【００１１】
液晶組成物の融点を低下させるためには、骨格構造の異なる液晶化合物の添加が効果的であることはよく知られている。従って、広い温度範囲を有する液晶組成物の調製を容易とするために、従来化合物とは異なる骨格構造、特に液晶化合物に強い負の誘電率異方性を寄与でき、かつ２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン骨格とは異なる新しい骨格構造、例えばフッ素置換されたナフタレン構造（特許文献３及び特許文献４参照）あるいはテトラヒドロナフタレン構造（特許文献５及び６参照）を含み、他の液晶化合物との相溶性に優れ、その添加により、ｎ型液晶としての特性を向上させ、かつ組成物の温度範囲を拡大できるような液晶性化合物が望まれていた。
【００１２】
又、前述の特許文献５にはこの５，６−ジフルオロ−テトラヒドロナフタレン骨格を有する広範囲な一般式が示されている。しかしながら、当該文献に記載の発明はスメクチック液晶である強誘電性液晶を目的としたもので、ネマチック液晶についてはほとんど触れられていない。
【００１３】
一方、特許文献６には、テトラヒドロヒドロナフタレン骨格を有する一連の化合物がその一般式とともに記載されているが、５，６−ジフルオロテトラヒドロナフタレン誘導体を用いたΔεが負の液晶組成物については記載が無く、５，６−ジフルオロテトラヒドロナフタレン誘導体の中のどの化合物が、温度範囲の広いΔεが負の液晶組成物（ｎ型組成物）の調製に特に好適であるかについては具体的な開示はない。
【特許文献１】
公表特許公報平２−５０３４４１号公報
【特許文献２】
公表特許公報平１０−１７６１６７号公報
【特許文献３】
ドイツ特許１９５２２１６７号
【特許文献４】
公開特許公報２００１−３１５９７号公報
【特許文献５】
ドイツ特許１９５２２１４５号
【特許文献６】
公開特許公報２００１−１９６４８号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする課題は、従来化合物とは異なる骨格である５，６−ジフルオロ−テトラヒドロナフタレン構造を含み、他の液晶化合物との相溶性に優れる誘電率異方性（Δε）が負の液晶性化合物及びその製造方法を提供し、それを鍵成分とするΔεが負で温度範囲の広い液晶組成物を提供し、さらにそれを用いたＶＡ型等の液晶表示素子を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、５，６−ジフルオロ−テトラヒドロナフタレン骨格を有する化合物が、その絶対値が大きい負のΔεを有し、かつ従来の液晶化合物との相溶性に非常に優れていること。そしてそれを用いることによってＶＡ型等の液晶表示素子において低電圧駆動と高速応答を可能とできるような液晶組成物が調製できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１６】
即ち、本発明における液晶組成物は、一般式（１）
【００１７】
【化１１】
2004352931.tif 000002
（式中、Ｒａは炭素原子数２〜５の直鎖状アルキル基を表し、Ｒｂは炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基を表す。）で表される化合物を１種もしくは２種以上含有し、一般式（５）
【００１８】
【化１２】
2004352931.tif 000003
（式中、Ｒｍは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基又はアルケニル基を表し、Ｒｎは炭素原子数１〜１２の直鎖状アルキル基、アルケニル基、アルコキシル基又はアルケニルオキシ基を表し、ｍ６は０又は１を表し、Ｍｌ及びＭｍはそれぞれ独立的に単結合、−ＣＯＯ−又は−ＣＨ２ＣＨ２−を表し、環Ｇはトランス−１，４−シクロヘキシレン基又は１，４−フェニレン基を表す。）で表される化合物の１種もしくは２種以上を含有し、誘電率異方性が−３以下であることを特徴とするものである。
さらに、当該液晶組成物を用いた液晶表示素子も併せて提供する。
【００１９】
本願発明に於いてはテトラヒドロヒドロナフタレン誘導体の中で、５，６−ジフルオロテトラヒドロナフタレン骨格がその７位でメチレンオキシ基を介してシクロヘキシレン基と結合した一般式（１）の構造を有し、かつ（１）においてＲａが炭素原子数２〜５の直鎖状アルキル基、Ｒｂが炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基である化合物が、特に上記の液晶組成物の構成材料として有効であることを見いだしたものであり、本発明はこの化合物及びその製造方法、又、当該化合物の製造に有用な化合物も提供する。
【００２０】
すなわち、一般式（１）で表される化合物
【化１３】
2004352931.tif 000004
（式中、Ｒａは炭素原子数２〜７の直鎖状アルキル基を表し、Ｒｂは炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基を表す。）を提供し、一般式（１）で表される化合物の製造方法として
【００２１】
一般式（６）
【化１４】
2004352931.tif 000005
【００２２】
（式中、Ｒｂは炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基を表す。）で表されるテトラヒドロナフトール誘導体を塩基存在下にアルコラートとし、これを一般式（７）
【化１５】
2004352931.tif 000006
（式中、Ｒａは炭素原子数２〜５の直鎖状アルキル基を表し、Ｘは塩素、臭素、ヨウ素のハロゲン原子、あるいはｐ−トルエンスルホニル基、メタンスルホニル基、トリフルオロメタンスルホニル基の脱離基を表す。）で表される化合物と反応させる製造方法、及び
【００２３】
一般式（８）
【化１６】
2004352931.tif 000007
（式中、Ｒｂは炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基を表す。）で表されるトリフルオロテトラヒドロナフタレン誘導体に、塩基存在下に一般式（９）
【００２４】
【化１７】
2004352931.tif 000008
（式中、Ｒａは炭素原子数２〜５の直鎖状アルキル基を表す。）で表されるアルコールと反応させる製造方法を提供する。
【００２５】
さらに、当該製造方法に有用な製造中間体として一般式（８）
【化１８】
2004352931.tif 000009
（式中、Ｒｂは炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基を表す。）で表される化合物を提供する。
【００２６】
一般式（１）で表される化合物は本発明者等が初めてその製造に成功し、その特性を明らかにした化合物であるが、広範な一般式としてこの化合物（１）を包含しうる報告例は存在している。しかしながら、前述の特許文献５に開示される範囲では、本願発明の化合物（１）の物性及び電気光学特性の記載は全くなく、その製造方法すら開示されておらず、本願発明に対して何ら示唆を与えるものとは言い難い。特許文献６に開示される範囲では、本発明の一般式（１）の化合物の如く、５，６−ジフルオロテトラヒドロナフタレンの７位においてメチレンオキシ基によりシクロヘキサン環と連結した形の化合物は記載されていない。さらに、当該文献には５，６−ジフルオロテトラヒドロナフタレン誘導体を用いたΔεが負の液晶組成物の具体的な開示はない。
【００２７】
【発明の実施の形態】
一般式（１）において、Ｒａは、エチル基、プロピル基、ブチル基又はペンチル基が好ましく、プロピル基が特に好ましい。Ｒｂは炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基を表すが、エチル基又はプロピル基が好ましく、プロピル基が特に好ましい。
【００２８】
本発明の液晶組成物においては一般式（１）の化合物を組成物中に１質量％（以下組成物中の％は質量％を表す）以上５０％以下含有することが好ましく、２％〜４０％含有することがより好ましく、４〜３０％含有することがさらに好ましい。
【００２９】
また、本発明の液晶組成物においては、一般式（５）で表される化合物の少なくとも１種をさらに含有する。一般式（５）において、Ｒｍは炭素原子数２〜７の直鎖状アルキル基、炭素原子数２〜５の１−アルケニル基、又は炭素原子数４〜５の３−アルケニル基が好ましく、直鎖状アルキル基としてはエチル基、プロピル基、ブチル基及びペンチル基がより好ましく、１−アルケニル基としてはビニル基及びトランス−１−プロペニル基がより好ましく、３−アルケニル基としては３−ブテニル基、トランス−３−ブテニル基がより好ましい。Ｒｎは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基、炭素原子数２〜５の１−アルケニル基、炭素原子数４〜５の３−アルケニル基、炭素原子数１〜３の直鎖状アルコキシル基が好ましく、特にＣがトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表す場合にはエチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ビニル基、トランス−１−プロペニル基、３−ブテニル基、トランス−３−ブテニル基、メトキシ基、エトキシ基又はプロポキシ基が好ましく、Ｃが１個のフッ素により置換されていてもよい１，４−フェニレン基の場合、上記に加えてアリルオキシ基及びクロチルオキシ基も好ましい。ｍ６は０又は１が好ましい。ＭＬ及びＭｍはＭＬが存在する場合にはＭＬ及びＭｍの少なくとも一方は単結合が好ましい。Ｇはトランス−１，４−シクロヘキシレン基又は１，４−フェニレン基を表すことが好ましい。
【００３０】
一般式（５）で表される化合物は、具体的には以下の一般式（５ａ）〜（５ｍ）で表される化合物が好ましく、一般式（５ａ）、（５ｂ）、（５ｄ）、（５ｅ）で表される化合物が特に好ましい。
【化１９】
2004352931.tif 000010
（式中、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立的に炭素原子数２〜７の直鎖状アルキル基、炭素原子数２〜３の１−アルケニル基又は炭素原子数４〜５の３−アルケニル基を表し、Ｒ９は炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基又は炭素原子数３〜４の直鎖状２−アルケニル基を表し、Ｒ１０は炭素原子数１〜３の直鎖状アルキル基又は炭素原子数４〜５の３−アルケニル基を表し、Ｒ１１は炭素原子数１〜３の直鎖状アルキル基又は炭素原子数３〜４の直鎖状２−アルケニル基を表す。）
【００３１】
本発明の液晶組成物においては、一般式（２）
【化２０】
2004352931.tif 000011
（式中、Ｒｃは炭素原子数１〜７のアルキル基を表し、Ｒｄは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基、アルコキシル基又はアルケニルオキシ基を表し、ｍ１は０又は１を表し、Ｍａ及びＭｂはそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、又は−ＣＯＯ−を表し、Ｂはトランス−１，４−シクロヘキシレン基あるいは１〜２個のフッ素により置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表す。）で表される２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン誘導体の少なくとも１種をさらに含有することが好ましい。
一般式（２）において、Ｒｃは炭素原子数２〜７の直鎖状アルキル基が好ましく、Ｒｄは炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基又は直鎖状アルコキシル基が好ましく、炭素原子数１〜３の直鎖状アルキル基又は炭素原子数１〜３の直鎖状アルコキシル基が特に好ましく、ｍ１は０又は１が好ましく、Ｍａ及びＭｂは少なくとも一方は単結合であることが好ましく、他方は単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−又は−ＣＯＯ−であることが好ましく、Ｂは調製すべき液晶組成物の屈折率異方性（Δｎ）に応じて、小さいΔｎが要求される場合にはトランス−１，４−シクロヘキシレン基が好ましく、大きいΔｎが要求される場合には１，４−フェニレン基が好ましい。
【００３２】
一般式（２）で表される化合物は具体的には、以下の一般式（２ａ）〜（２ｇ）で表される化合物が好ましい。
【化２１】
2004352931.tif 000012
（式中、Ｒ５は炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基を表し、Ｒ６は炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基又は炭素原子数１〜３の直鎖状アルコキシル基を表す。）
【００３３】
また、本発明の液晶組成物においては一般式（１）の化合物に加えて、一般式（３ａ）、一般式（３ｂ）、一般式（４ａ）及び一般式（４ｂ）からなる群
【化２２】
2004352931.tif 000013
【００３４】
（式中、Ｒｅ、Ｒｇ、Ｒｉ及びＲｋは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基を表し、Ｒｆ、Ｒｈ、及びＲｌは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基、アルコキシル基又はアルケニルオキシ基を表し、Ｒｊは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基を表し、ｍ２、ｍ３、ｍ４及びｍ５は０又は１を表し、Ｍｃ及びＭｄ、Ｍｅ及びＭｆ、Ｍｈ及びＭｉ、Ｍｊ及びＭｋはそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＣＯＯ−を表し、Ｃ、Ｄ、Ｅ及びＦはトランス−１，４−シクロヘキシレン基あるいは１〜２個のフッ素により置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表す。ただし、（４ａ）において、ｍ４が０の場合、Ｍｉは単結合でないか、あるいはＥは１〜２個のフッ素により置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表す。）から選ばれる化合物を少なくとも１種をさらに含有することが好ましい。
【００３５】
Ｒｋは炭素原子数２〜７の直鎖状アルキル基を表すことが好ましく、Ｒｆ、Ｒｈ、及びＲｌは、炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基又は直鎖状アルコキシル基を表すことが好ましく、炭素原子数１〜３の直鎖状アルキル基又は炭素原子数１〜３の直鎖状アルコキシル基を表すことが特に好ましく、Ｒｊは炭素原子数１〜３の直鎖状アルキル基が好ましく、ｍ２、ｍ３、ｍ４及びｍ５はそれぞれ独立して０又は１を表すことが好ましく、Ｍｃ及びＭｄ、Ｍｅ及びＭｆ、Ｍｈ及びＭｉ、Ｍｊ及びＭｋの組み合わせは、一方は単結合であることが好ましく、他方は単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−又は−ＣＯＯ−であることが好ましく、Ｃ、Ｄ、Ｅ及びＦは、調製すべき液晶組成物の屈折率異方性（Δｎ）に応じて、小さいΔｎが要求される場合にはトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表すことが好ましく、大きいΔｎが要求される場合には１，４−フェニレン基を表すことが好ましい。
【００３６】
以上より、本願発明の液晶組成物は以下の構成であることが好ましい。
一般式（１）で表される化合物を１種又は２種以上含有し、一般式（５ａ）〜（５ｍ）からなる化合物群から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有し、一般式（２ａ）〜（２ｇ）からなる化合物群から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有する液晶組成物。
一般式（１）で表される化合物を１種又は２種以上含有し、一般式（５ａ）〜（５ｍ）からなる化合物群から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有し、一般式（３ａ）、一般式（３ｂ）、一般式（４ａ）及び一般式（４ｂ）からなる化合物群から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有する液晶組成物。
【００３７】
以下の構成はより好ましい。
一般式（１）で表される化合物を１種又は２種以上含有し、一般式（５ａ）、一般式（５ｂ）、一般式（５ｄ）及び一般式（５ｅ）からなる化合物群から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有し、一般式（２ａ）〜（２ｇ）からなる化合物群から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有する液晶組成物。
一般式（１）で表される化合物を１種又は２種以上含有し、一般式（５ａ）、一般式（５ｂ）、一般式（５ｄ）及び一般式（５ｅ）からなる化合物群から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有し、一般式（３ａ）、一般式（３ｂ）、一般式（４ａ）及び一般式（４ｂ）からなる化合物群から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有する液晶組成物。
一般式（１）で表される化合物を１種又は２種以上含有し、一般式（５ａ）〜（５ｍ）からなる化合物群から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有し、一般式（２ａ）〜（２ｇ）からなる化合物群から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有し、一般式（３ａ）、一般式（３ｂ）、一般式（４ａ）及び一般式（４ｂ）からなる化合物群から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有する液晶組成物。
【００３８】
又、以下の構成は特に好ましい。
一般式（１）で表される化合物を１種又は２種以上含有し、一般式（５ａ）、一般式（５ｂ）、一般式（５ｄ）及び一般式（５ｅ）からなる化合物群から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有し、一般式（２ａ）〜（２ｇ）からなる化合物群から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有し、一般式（３ａ）、一般式（３ｂ）、一般式（４ａ）及び一般式（４ｂ）からなる化合物群から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有する液晶組成物。
【００３９】
本願発明の液晶組成物に置いて、Δεは−３以下であることが好ましく、−４以下であることがより好ましい。
【００４０】
一般式（１）で表される化合物は以下のようにして製造することができる。
【００４１】
すなわち、一般式（６）で表される３−アルキル−５，６−ジフルオロテトラヒドロナフタレン−７−オール（この化合物は５，６−ジフルオロテトラヒドロナフタレン−３−オンに種々の有機金属反応剤を反応させて、次いで必要に応じて多重結合を還元し、脱水後、再度二重結合を還元して得られる３−アルキル−５，６−ジフルオロテトラヒドロナフタレンにアルキルリチウム（ｎ−ブチルリチウム、メチルリチウムが好ましい）を反応させてリチオ化し、得られたリチオ化合物をホウ酸エステルと反応させ、加水分解した後、過酸化水素等で酸化することにより得ることができる。）を塩基存在下に一般式（７）で表される化合物と反応させることにより、製造することができる。一般式（６）において、Ｘは塩素、臭素、ヨウ素のハロゲン原子、あるいはｐ−トルエンスルホニル基、メタンスルホニル基、トリフルオロメタンスルホニル基の脱離基を表すが、塩素又は臭素が好ましい。
【００４２】
反応は溶媒中で行われるが、溶媒としてはジイソプロピルエーテル（ＩＰＥ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン等のエーテル系溶媒、ベンゼンやトルエン等の炭化水素系溶媒、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）、ヘキサメチルリン酸トリアミド（ＨＭＰＴＡ）、テトラメチルエチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ）等の非プロトン性極性溶媒あるいはこれらの混合溶媒が好適である。
【００４３】
反応は−８０℃付近の冷却下から１００℃以上の加熱下において実施されるが、通常氷冷下から溶媒の還流温度の間が好ましく、１０〜５０℃がより好ましい。
【００４４】
塩基としては一般式（６）で表される化合物からフェノラートを生成できる限り特に制限はないが、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属の水酸化物、炭酸カリウム等のアルカリ金属の弱酸塩、水素化ナトリウム等の金属水素化物、アルキルリチウム、アルキルマグネシウムハライド等の有機金属反応剤、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ｔ−ブトキシカリウム等のアルカリ金属アルコラート、ジアザビシクロウンデカン（ＤＢＵ）等の有機アミン系強塩基等が好ましく、金属水素化物及び金属アルコラートが特に好ましい。
【００４５】
あるいは、一般式（１）で表される化合物は一般式（８）で表されるトリフルオロテトラヒドロナフタレン誘導体に塩基存在下で一般式（９）で表されるアルコールと反応させることによっても得ることができる。
【００４６】
反応は溶媒中で行われるが、溶媒としてはＩＰＥ、ＴＨＦ、ＤＭＥ、１，４−ジオキサン等のエーテル系溶媒、ベンゼンやトルエン等の炭化水素系溶媒、ＤＭＦ、ＤＭＡ、ＨＭＰＴＡ、ＴＭＥＤＡ等の非プロトン性極性溶媒あるいはこれらの混合溶媒が好適である。
【００４７】
反応は−８０℃付近の冷却下から１００℃以上の加熱下において実施されるが、通常氷冷下から溶媒の還流温度の間が好ましく、０〜５０℃がより好ましい。
【００４８】
塩基としては（９）の化合物からアルコラートを生成できる限り特に制限はないが、水素化ナトリウム等の金属水素化物、アルキルリチウム、アルキルマグネシウムハライド等の有機金属反応剤、ｔ−ブトキシカリウム等のアルカリ金属アルコラート、リチウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ）等のアミドが好ましく、金属水素化物が特に好ましい。
ここで一般式（９）の化合物は液晶中間体として有用性の高い化合物であり、本発明はこの化合物をも提供する。
【００４９】
（９）の化合物は５，６，７−トリフルオロテトラヒドロナフタレン−３−オン（この化合物は２，３、４−トリフルオロフェニル酢酸を塩化チオニル等の塩素化剤で酸クロリドとした後、塩化アルミニウム等のルイス酸存在下にエチレンと反応させることにより製造することができる）に種々の有機金属反応剤を反応させて、次いで必要に応じて多重結合を還元し、脱水後、再度二重結合を還元して得ることができる。有機金属としてはアリルマグネシウムハライド及びその誘導体、アリルハロゲン化亜鉛及びその誘導体、ビニルマグネシウムハライド及びその誘導体、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属のアセチリド及びその誘導体が好ましい。
【００５０】
【実施例】
以下に実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、前述の通り、組成物における％は質量％を表す。
（参考例）  ３−プロピル−５，６−ジフルオロテトラヒドロナフタレンの製造
５，６−ジフルオロテトラヒドロナフタレン−３−オン５４．６５ｇ（この化合物は２，３−ジフルオロフェニル酢酸クロリドに塩化アルミニウムとエチレンを反応させて得られた。）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２８０ｍＬに溶解し、これに粉末状亜鉛２９．４２ｇ及びトリメチルシリルクロリド１．５ｍＬを加え窒素雰囲気下攪拌した。臭化アリル少量加え、反応の開始を確認した後、計５４．４４ｇの臭化アリルを溶媒が穏やかに還流を続ける速度で滴下した。滴下終了後１時間加熱還流させた、室温まで放冷した。不溶物を濾別した後、酢酸エチルを加え、水次いで飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。減圧下に溶媒を溜去して３−アリル−５，６−ジフルオロテトラヒドロナフタレン−３−オール５７．５９ｇを得た。
この４８．８０ｇ酢酸エチル１５０ｍＬに溶解し、５％パラジウム炭素（５０％含水）９．７６ｇとともにオーツクレーブ中に加え、水素圧０．５ＭＰａで室温下に３時間接触還元した。触媒を濾別した後、溶媒を溜去して３−プロピル−５，６−ジフルオロテトラヒドロナフタレン−３−オール４９．１３ｇを得た。
【００５１】
この４８．８６ｇをトルエン２００ｍＬに溶解し、ｐ−トルエンスルホン酸１水和物２．４７ｇを加え、共沸する水を除去しながら２時間加熱還流させた。室温まで放冷し、水、炭酸ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で順次洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。減圧下に溶媒を溜去して３−プロピル−５，６−ジフルオロ−１、２−ジヒドロナフタレン３８．０１ｇを得た。
【００５２】
この２０．８３ｇをエタノール１００ｍＬに溶解し、５％パラジウム炭素（５０％含水）４．１７ｇとともにオーツクレーブ中に加え、水素圧０．５ＭＰａで室温下に３時間接触還元した。触媒を濾別した後、溶媒を溜去して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製して３−プロピル−５，６−ジフルオロテトラヒドロナフタレン１９．２３ｇを得た。
【００５３】
（実施例１）  ３−プロピル−５，６−ジフルオロテトラヒドロナフタレン−７−オールの製造
【化２３】
2004352931.tif 000014
【００５４】
滴下漏斗、温度計及び窒素導入管を取り付けた４つ口フラスコに、窒素気流下参考例で得られた３−プロピル−５，６−ジフルオロテトラヒドロナフタレン１０．５１ｇをＴＨＦ５０ｍＬに溶解して加えた。ドライアイス−メタノール浴にて−５０℃に冷却、攪拌した。ｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．５７Ｍ）３８ｍＬを滴下漏斗より１時間かけて滴下し、滴下終了後さらに４時間−５０〜−４０℃で攪拌した。そこへ、ホウ酸トリメチル６．２３ｇのＴＨＦ２５ｍＬ溶液を内温が−３０℃を超えないように滴下し、滴下終了後１時間−５０〜−４０℃に保った後、ドライアイス−メタノール浴を除き、０℃まで攪拌した。反応混合物に酢酸７．２ｍＬを加え、０℃で３０分攪拌した。３０％過酸化水素水７．２ｍＬを加え、室温に戻して１時間攪拌した。水１５０ｍＬを加え、酢酸エチル１００ｍＬで抽出し、有機層は水次いで飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。減圧下に溶媒を溜去して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）で精製して３−プロピル−５，６−ジフルオロテトラヒドロナフタレン−７−オール９．０２ｇを得た。
【００５５】
（実施例２）  ７−（トランス−４−プロピルシクロヘキシルメチルオキシ）−３−プロピル−５，６−ジフルオロテトラヒドロナフタレン（１−ａ）の製造（１）
【化２４】
2004352931.tif 000015
【００５６】
水素化ナトリウム（６０％油性）１．５０ｇを乾燥させたＤＭＦ１０ｍＬ中に懸濁させ、氷冷下に攪拌した。これに実施例１で得られた３−プロピル−５，６−ジフルオロテトラヒドロナフタレン−７−オール６．７９ｇのＤＭＦ２５ｍＬ溶液を滴下し、氷冷下１時間攪拌させた。これにトランス−４−プロピルシクロヘキシルメチルブロミド７．８９ｇのＤＭＦ２０ｍＬ溶液を滴下し、次いでヨウ化カリウム２．４９ｇを加え、氷冷下（２〜３℃）に５時間攪拌した。水５０ｍＬを加え、酢酸エチル１００ｍＬで抽出し、有機層は水次いで飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。溶媒を溜去して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、さらにエタノールから３回再結晶させて７−（トランス−４−プロピルシクロヘキシルメチルオキシ）−３−プロピル−５，６−ジフルオロテトラヒドロナフタレン４．５２ｇを得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：  δ（ｐｐｍ）＝０．８６〜１．０８（ｍ，１０Ｈ），１．１５〜１．４５（ｍ，１０Ｈ），１．５５〜１．６２（ｍ，１Ｈ），１．７７〜１．８０（ｍ，３Ｈ），１．８８〜１．９０（ｍ，３Ｈ），２．０９〜２．１６（ｍ，１Ｈ），２．６９（ｍ，２Ｈ），２．８１〜２．８７（ｍ，１Ｈ），３．７６（ｄ，２Ｈ），６．４２（ｄ，１Ｈ）
ＭＳ：  ｍ／ｅ＝３６４（Ｍ＋）
ＩＲ（ＫＢｒ）：  ２９５６，２９２１，２８５８，２３６８，１６３９，１５１７，１４４６，１３６１，１２９４，１１２８ｃｍ−１
この化合物の融点は５１℃で、単独ではネマチック相を示さなかったが、後述の母体液晶に添加し外挿により求めたネマチック相上限温度（ＴＮ−Ｉ）は１５℃であった。
【００５７】
（実施例３）  ７−（トランス−４−エチルシクロヘキシルメチルオキシ）−３−プロピル−５，６−ジフルオロテトラヒドロナフタレン（１−ｂ）の製造
【化２５】
2004352931.tif 000016
実施例２において、トランス−４−プロピルシクロヘキシルメチルブロミドに換えて、トランス−４−エチルシクロヘキシルメチルブロミドを用いた他は同様にして７−（トランス−４−エチルシクロヘキシルメチルオキシ）−３−プロピル−５，６−ジフルオロテトラヒドロナフタレン（１−ｂ）を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：  δ（ｐｐｍ）＝０．８６〜１．１１（ｍ，１０Ｈ），１．１９〜１．４５（ｍ，８Ｈ），１．５５〜１．６２（ｍ，１Ｈ），１．７５〜１．８２（ｍ，３Ｈ），１．８９〜１．９１（ｍ，３Ｈ），２．０９〜２．１６（ｍ，１Ｈ），２．６９（ｍ，２Ｈ），２．８２〜２．８７（ｍ，１Ｈ），３．７６（ｄ，２Ｈ），６．４２（ｄ，１Ｈ）
ＭＳ：  ｍ／ｅ＝３５０（Ｍ＋）
ＩＲ（ＫＢｒ）：  ２９６０，２９２１，２８５０，１６３１，１５１７，１４５４，１３６１，１２９０，１２１２，１１２２，１０８９，８６９ｃｍ−１
この化合物の融点は４４℃で、単独ではネマチック相を示さなかった。
【００５８】
（実施例４）  ３−プロピル−５，６，７−トリフルオロテトラヒドロナフタレンの製造
５，６，７−トリフルオロテトラヒドロナフタレン−３−オン３５．６ｇ（この化合物は２，３、４−トリフルオロフェニル酢酸クロリドに塩化アルミニウムとエチレンを反応させて得られた。）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２００ｍＬに溶解し、これに粉末状亜鉛２０．０ｇ及びトリメチルシリルクロリド１．０ｍＬを加え窒素雰囲気下で攪拌した。臭化アリルを少量加え、反応の開始を確認した後、計３６．０ｇの臭化アリルを溶媒が穏やかに還流を続ける速度で滴下した。滴下終了後１時間加熱還流させた、室温まで放冷した。不溶物を濾別した後、酢酸エチルを加え、水次いで飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。減圧下に溶媒を溜去して３−アリル−５，６，７−トリフルオロテトラヒドロナフタレン−３−オール３７．３ｇを得た。
この全量を酢酸エチル１００ｍＬに溶解し、５％パラジウム炭素（５０％含水）７．０ｇとともにオーツクレーブ中に加え、水素圧０．５ＭＰａで室温下に３時間接触還元した。触媒を濾別した後、溶媒を溜去して３−プロピル−５，６，７−トリフルオロテトラヒドロナフタレン−３−オール３４．７ｇを得た。
【００５９】
この全量をトルエン１５０ｍＬに溶解し、ｐ−トルエンスルホン酸１水和物１．７ｇを加え、共沸する水を除去しながら２時間加熱還流させた。室温まで放冷し、水、炭酸ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で順次洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。減圧下に溶媒を溜去して３−プロピル−５，６，７−トリフルオロ−１、２−ジヒドロナフタレン３５．０ｇを得た。
この全量をエタノール１４０ｍＬに溶解し、５％パラジウム炭素（５０％含水）５．５ｇとともにオーツクレーブ中に加え、水素圧０．５ＭＰａで室温下に３時間接触還元した。触媒を濾別した後、溶媒を溜去して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製して油状の３−プロピル−５，６，７−トリフルオロテトラヒドロナフタレン２６．０ｇを得た。
【００６０】
（実施例５）  ７−（トランス−４−プロピルシクロヘキシルメチルオキシ）−３−プロピル−５，６−ジフルオロテトラヒドロナフタレン（１−ａ）の製造（２）
水素化ナトリウム（６０％油性）１．０ｇを乾燥させたＤＭＦ１０ｍＬ中に懸濁させ、氷冷下に攪拌した。これにトランス−４−プロピルシクロヘキシルメタノール３．９ｇのＤＭＦ１０ｍＬ溶液を滴下し、２５℃で１時間攪拌した。再度氷冷し、これに実施例４で得られた３−プロピル−５，６，７−トリフルオロテトラヒドロナフタレン５．５ｇのＤＭＦ１５ｍＬ溶液を滴下し、氷冷下３時間攪拌させた。室温に戻し、水５０ｍＬを加え、酢酸エチル１００ｍＬで抽出し、有機層は水次いで飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。溶媒を溜去して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、さらにエタノールから４回再結晶させて７−（トランス−４−プロピルシクロヘキシルメチルオキシ）−３−プロピル−５，６−ジフルオロテトラヒドロナフタレン４．２ｇを得た。
【００６１】
（実施例６）ｎ型液晶組成物の調製（１）
以下の化合物からなる非極性の標準母体液晶組成物（Ｍ）を調製した。
【化２６】
2004352931.tif 000017
そのネマチック相上限温度（ＴＮ−Ｉ）は１０３．２℃であった。２０℃でその物性値を測定したところ、屈折率異方性（Δｎ）は０．０９８６、誘電率異方性（Δε）は０．０３であった。また、回転粘度は１５．６（ｍＰａ・ｓ）であった。
【００６２】
次にこの（Ｍ）の８０％と実施例１で得られた（１−ａ）の化合物２０％からなる液晶組成物（Ｍ−１）を調製した。
この（Ｍ−１）は８５℃以下でネマチック相を示した。これから外挿した（１−ａ）のＴＮ−Ｉは１５℃であった。これを−２０℃で１週間放置しても結晶の析出や相分離は観察されなかった。２０℃においてその物性値を測定したところ、Δｎは０．０９３１、Δεは−０．８３であった。以上から外挿した化合物（１−ａ）のΔｎは０．０６８であり、Δεは−４．４と比較的強いｎ型の化合物であることが確認できた。また、この組成物の粘度は２０．７（ｍＰａ・ｓ）で比較的低粘性であった。
【００６３】
（比較例１）
これに対して、（Ｍ）の８０％と一般式（２ａ）で表される化合物（２ａ−１）２０％からなる液晶組成物（Ｒ−１）を調製した。
【化２７】
2004352931.tif 000018
（Ｒ−１）のネマチック相上限温度（ＴＮ−Ｉ）は７１℃で（Ｍ−１）と比較して約１４°も低下してしまった。さらに−２０℃で放置したところ、２４時間で相分離が観察された。２０℃において測定したその物性値は、Δｎが０．０８９８、Δεは−０．８５であった。従って（２ａ−１）の化合物は本発明の（１−ａ）の化合物と比較して、同程度の強い（絶対値の大きい）Δεを有するものの、高温域におけるネマチック相温度範囲において劣っていることがわかる。
【００６４】
（比較例２）
（Ｍ）の８０％と一般式（２ｃ）で表される化合物（２ｃ−１）２０％からなる液晶組成物（Ｒ−３）を調製した。
【化２８】
2004352931.tif 000019
この組成物のネマチック相上限温度（ＴＮ−Ｉ）は１０９．５℃であり、（Ｍ−１）と比較して約２４°も高かった。しかしながら−２０℃で放置したところ、３日以内に結晶の析出が観察された。また２０℃で測定した物性値は、Δｎが０．０９９と（Ｍ−１）よりやや大きく、Δεは−０．３７とその絶対値が（Ｍ−１）の半分以下に小さくなった。
以上から、化合物（２ｃ−１）は本発明の（１−ａ）の化合物と比較して、ネマチック相温度範囲がより高温域まで可能であるけれども、Δεの絶対値がより小さく、従来液晶との相溶性や低温での安定性に於いても劣っていることがわかる。
【００６５】
（実施例７）ｎ型液晶組成物の調製（２）
（Ｍ）の２０％、（１−ａ）の２０％、（２ａ−１）の２０％（２ｃ−１）の２０％、及び一般式（３ｂ）で表される（３ｂ−１）の化合物２０％
【化２９】
2004352931.tif 000020
からなる液晶組成物（Ｍ−２）を調製した。この（Ｍ−５）は７８℃以下で安定にネマチック相を示し、−２０℃で１週間放置しても結晶の析出や相分離は観察されなかった。２０℃においてその物性値を測定したところ、Δｎは０．０９９、Δεは−３．４４であった。またこの組成物の粘度は３７（ｍＰａ・ｓ）で比較的低粘性であり、実用的なｎ型の液晶材料として好適であった。
【００６６】
（実施例８）ｎ型液晶組成物の調製（３）
（Ｍ）の２０％、（１−ａ）の２０％、（２ａ−１）の１０％、（２ｃ−１）の１０％及び一般式（３ａ）で表される（３ａ−１）、（３ａ−２）の化合物各２０％
【化３０】
2004352931.tif 000021
【化３１】
2004352931.tif 000022
からなる液晶組成物（Ｍ−３）を調製した。この（Ｍ−３）は８６．５℃以下で安定にネマチック相を示し、−２０℃で１週間放置しても結晶の析出や相分離は観察されなかった。２０℃においてその物性値を測定したところ、Δｎは０．１１１、Δεは−４．５７であった。またこの組成物の粘度は４４（ｍＰａ・ｓ）とΔεの絶対値が大きい割には比較的低粘性であり、実用的なｎ型の液晶材料として好適であった。
【００６７】
（実施例９）表示素子の作成（１）
実施例７で得られた液晶組成物（Ｍ−２）を透明電極（片側の電極はジグザグ状に配列）を備え、垂直配向処理を施したセル厚３．５μｍのＶＡ表示用セルに充填し、ＶＡ表示素子を作成した。この素子に電界を印加して２５℃におけるその電気光学特性を測定したところ、暗視野から明視野への閾値電圧（Ｖｔｈ）は３．２Ｖであった。次に５Ｖ印加時の応答時間を測定したところ、立ち上がり時間（τｒ）と立ち下がり時間（τｄ）の和は２９ｍ秒であった。また、この素子の７０℃における電圧保持率（ＨＲ）を測定したところ、８８％であった。同様の条件で測定した非極性の母体液晶（Ｍ）のＨＲが９０％であったので、この値は充分に高いものと判断できる。
【００６８】
（実施例１０）表示素子の作成（２）
実施例８で得られた（Ｍ−３）を用いて同様にしてＶＡ表示素子を作成し、その電気光学特性（２５℃）を測定したところ、閾値電圧（Ｖｔｈ）は２．８Ｖでありより低電圧駆動が可能であることが確認できた。また、５Ｖ印加時の応答時間（立ち上がり時間（τｒ）と立ち下がり時間（τｄ）の和）は３２ｍ秒であった。さらに７０℃における電圧保持率（ＨＲ）８７％と充分高いものであった。
【００６９】
【発明の効果】
本発明の液晶化合物の組み合わせによって、絶対値の大きい負の誘電率異方性と広いネマチック温度範囲を有し、かつ好適な屈折率異方性を有する液晶組成物が得られた。この組成物を用いることにより、高温域まで高い電圧保持率を維持できる信頼性に優れた液晶表示素子が提供され、このディスプレイはＶＡ方式やＥＣＢ方式、ＩＰＳ方式等の、特にＶＡ方式のアクティブマトリックス駆動液晶ディスプレイとして非常に実用的である。