(57)【要約】【目的】  半導体装置の厚さを薄くすること。【構成】  半導体素子と、前記半導体素子を挟んでその両側に配置されたリードと、前記各リードの一方の面と対応する前記半導体素子の電極とをそれぞれ接続するワイヤと、前記半導体素子と前記ワイヤと前記リードを封止する樹脂とによって構成され、前記半導体素子の裏面と前記各リードの他方の面が略同一面になるように配置され前記封止樹脂から露出した構成を有する半導体装置。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、前記半導体素子を挟んでその両側に配置されたリードと、前記各リードの一方の面と対応する前記半導体素子の電極とをそれぞれ接続するワイヤと、前記半導体素子と前記ワイヤと前記リードを封止する樹脂とによって構成され、前記半導体素子の裏面と前記各リードの他方の面が略同一面になるように配置され前記封止樹脂から露出した構成を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体素子と、前記半導体素子を挟んでその両側に配置されたリードと、前記各リードと対応する前記半導体素子の電極とをそれぞれ接続するワイヤと、前記半導体素子と前記ワイヤと前記リードを封止する樹脂とによって構成され、前記半導体素子の裏側は樹脂封止部から露出しており、前記樹脂封止部側を下側にしてマウントし、前記半導体素子の裏側露出面を放熱面とするように構成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体素子と、前記半導体素子を挟んでその両側に配置されたリードと、前記各リードと対応する前記半導体素子の電極とをそれぞれ接続するワイヤと、前記半導体素子と前記ワイヤと前記リードが樹脂により封止され、前記半導体素子の裏側は樹脂封止部から露出するように構成されており、前記樹脂封止部側を下側にしてマウントされ、前記半導体素子の裏側露出面に放熱板が貼り付けられたことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
半導体素子と、前記半導体素子を挟んでその両側に配置されたリードと、前記各リードと対応する前記半導体素子の電極とをそれぞれ接続するワイヤと、前記半導体素子と前記ワイヤと前記リードを封止する樹脂とによって構成された半導体装置を複数個積層して構成した半導体装置積層体であって、前記半導体装置のそれぞれにおいて、前記半導体素子の裏面と前記各リードの一面が略同一面になるように配置され前記封止樹脂から露出した構成を有してなることを特徴とする半導体装置積層体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄型を要する半導体装置に関し、特に、ワイヤボンディングを用いた半導体装置の製造技術に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来におけるワイヤボンディングを用いた半導体装置の製造は、リードフレームに設けられたダイ（アイランド）に接着剤や接着テープで半導体素子を固定し、半導体素子とリードフレームのインナーリードとをワイヤで電気的に接続して、半導体素子とインナーリードとを樹脂で封止することによって行われていた（例えば、非特許文献１）。
【０００３】
【非特許文献１】最新サーフェイス・マウント・テクノロジー（工業調査会発行１９８６年６月１初版）、１５９〜１６１頁。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明者は、上記従来技術を検討した結果、以下の問題点を見いだした。
従来のワイヤボンディングを用いた半導体装置の製造方法では、半導体素子の固定部であるダイと固定用の接着剤や接着テープの厚さが半導体装置の厚さの一部となり、薄型にするが困難であるという問題点があった。
また、半導体素子の電極パット面とリードフレームのインナーリードのボンディングパット面では段差ができることにより、チップ周辺部とショートを考慮に入れると、ボンディングワイヤのループが高くなるため、いっそう薄型化が困難であった。
本発明の目的は、半導体装置の厚さを薄くすることが可能な技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
（１）半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子を挟んでその両側に配置されたリードと、前記各リードの一方の面と対応する前記半導体素子の電極とをそれぞれ接続するワイヤと、前記半導体素子と前記ワイヤと前記リードを封止する樹脂とによって構成され、前記半導体素子の裏面と前記各リードの他方の面が略同一面になるように配置され前記封止樹脂から露出した構成を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
前記（１）の手段によれば、本発明の半導体装置は、前記半導体素子の裏面と前記各リードの他方の面が略同一面になるように配置され、かつ前記封止樹脂から露出した構成になっていることから、半導体装置の厚さを薄くすることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の構成について、実施例とともに説明する。なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【実施例】
【０００８】
図１は、本発明の一実施例である半導体装置の製造方法を説明するための図である。なお、本実施例の製造方法を簡単に説明するため、全ての図面は、半導体装置を中央付近で切った断面図を用い、説明する上で必要ないものは省略している。
図１において、１はリードフレーム（フレーム枠の記載を除いてある）、２は接着テープ、３は半導体素子、４はワイヤ、５は樹脂をそれぞれ示す。
【０００９】
本実施例の半導体装置の製造は、まず、図１（ａ）に示すように、半導体素子搭載するダイの無いリードフレーム１を用意し、図１（ｂ）に示すように、リードフレーム１に接着テープ２を貼り付け、続いて、図１（ｃ）に示すように、リードフレーム１の所定位置にダイシングされた半導体素子３を接着する。
この接着テープ２は、粘着テープならそのまま、粘着性の無いものなら接着剤を使用して付ける。
【００１０】
また、半導体装置の信頼性の向上のために、接着テープ２の貼り付けは、半導体素子の裏面全体に行なわず、半導体素子裏面の中心部のみを接着し、かつ、リードフレームもインナーリードの部分だけ接着しないようにし、後述する樹脂封止の工程で樹脂が半導体素子、インナーリードに回り込めるようにしてもよい。
【００１１】
次に、図１（ｄ）に示すように、半導体素子３の電極パット部とリードフレーム１のボンディングパット部を金線等のワイヤ４を使い、ワイヤボンディングで接続し、図１（ｅ）に示すように、ポッティング等の方法で製品の保護を必要とする部分を樹脂５で封止する。これにより半導体素子３とリードフレーム１を固定する。
【００１２】
そして、図１（ｆ）に示すように、半導体素子３とリードフレーム１を固定していた接着テープ２を取り除き、樹脂流れ止めのダムバーを除去し、リードフレームの切断除去を施し、図１（ｇ）に示す半導体装置を得る。
【００１３】
また、例えば、図８に示すように、リードフレーム１のボンディングパッド部が平らになるようにコイニング等で段差をつけることにより、ワイヤボンディングの接着性が向上し、かつ、その段差部分がポッティングの樹脂のストッパーの役目を果たし、流動性の高い樹脂を用いて封止することができるので、半導体装置の厚さをより薄くコントロールできる。
最後に、図１（ｈ）に示すように、必要に応じてリードフレーム１のアウタリードを折り曲げる。
【００１４】
次に、図１（ｆ）に示した接着テープ２の取り除き工程を具体的に挙げ、以下に説明する。
図２、図３は、本実施例の半導体装置の製造方法における接着テープ取り除き工程の具体的手段を説明するための図である。
図２、図３において、１０は突き上げ針、１１はリードフレームの枠押さえ、１２はテープはぎ取り金型をそれぞれ示す。
【００１５】
本実施例の接着テープ取り除き工程の第一の手段は、図２に示すように、接着テープ２の下から複数の針１０を用いて半導体素子とリードフレーム１を突き上げ、取り除くものである。
【００１６】
第二の手段は、図３（ａ）に示すように、リードフレーム１の端を枠押さえ１１で押さえておき、リードフレーム１の穴あき部分からテープはぎ取り金型１２で接着テープ２を押し出すことによって取り除くものである。
上述したいずれかの手段を用いることにより、容易に接着テープ２の取り除くことができる。なお、接着テープ取り除き手段は、これに限定されない。
【００１７】
次に、本実施例の製造方法の応用について図４を用いて説明する。
まず、リードの長さが短いリードフレームと長いリードフレームとでそれぞれ上述した製造方法を用いて半導体装置の製造を行い、図４（ａ）に示すように、それぞれのリードを折り曲げ、リード整形形状の長短を組み合わせることにより半導体装置の積層化が可能となる。
【００１８】
また、図１（ｈ）に示したリードの折り曲げ工程で、リードを反対方向に折り曲げることにより、図４（ｂ）に示すようなリバース曲げタイプの半導体装置を製造することができる。
さらに、リバース曲げタイプの半導体装置において、パワーを要するものは、本実施例のリードの折り曲げ工程の後に、図４（ｃ）に示すように、半導体素子及びリードフレームの一部に絶縁された両面テープ２０を介在させ、放熱板２１を貼り付ける工程を設けることにより、効率よく熱を逃がすことが可能な半導体装置を製造できる。
【００１９】
図５は、本実施例の製造方法で製造された半導体装置における各部分の厚さを示した図であり、図５（ａ）が単体のものであり、図５（ｂ）が二つの単体を重ねた積層タイプのものである。
【００２０】
図５（ａ）に示すように、本実施例の製造方法で製造された半導体装置における各部分の厚さは、金線ループの高さが０．２ｍｍ、ループ上の樹脂厚が０．１ｍｍ、半導体素子の厚さが０．２８ｍｍ、リードフレームの厚さが０．１７±０．０５ｍｍ、リードを折り曲げないときの半導体装置全体の厚さが０．５８ｍｍである。
これにより、従来の方法で製造された半導体装置にあったダイと半導体素子固定用テープがなくなり、全体の厚さが薄くなっていることがわかり、さらに、金線のループの高さ、樹脂の厚さも薄くなっていることもわかる。
【００２１】
また、図５（ｂ）に示すように、二つの単体を重ねた積層タイプの半導体装置全体の厚さは、１．１６〜１．９ｍｍである。
したがって、上述したように本実施例では、半導体素子の固定部であるダイ及び半導体素子固定のための接着剤や接着テープが半導体装置の厚さの一部とはならないため、半導体装置の厚さを薄くすることができる。
【００２２】
また、半導体素子の固定部であるダイ及びその接着剤や接着テープを用いる必要がなくなることにより、半導体素子の電極パット面とリードフレームのインナーリードのボンディングパット面では段差が小さくなり、低ループのワイヤボンディングができるので、半導体装置の厚さを薄くすることが可能となる。
【００２３】
以上、本発明の一実施例として、リードを有する半導体装置の製造方法について説明してきたが、本発明は、これに限定されず、プリント基板に半導体素子を直接搭載するＣＯＢ型（Chip On Board)、Ｐ／Ｂ−ＬＣＣ(Print Board Leadless Chip Carrier) 型半導体装置の製造にも同様に応用可能であり、ここではＣＯＢ型半導体装置を例に挙げて以下に説明する。
【００２４】
図６は、本発明の他の実施例であるＣＯＢ型半導体装置の製造方法を説明するための図である。
図６において、３０はプリント基板を示す。
【００２５】
本実施例のＣＯＢ型半導体装置の製造は、まず、図６（ａ）に示すように、プリント基板３０に半導体素子３が入る大きさのスルーホールを形成し、図６（ｂ）に示すように、素子が形成されていない裏面に接着テープ２を貼り付け、続いて、図６（ｃ）に示すように、プリント基板３０の所定位置にダイシングされた半導体素子３を接着する。
【００２６】
次に、図６（ｄ）に示すように、半導体素子３の電極パット部とプリント基板３０のボンディングパット部を金線等のワイヤ４を使い、ワイヤボンディングで接続し、図６（ｅ）に示すように、ポッティング等の方法で製品の保護を必要とする部分を樹脂５で封止する。これにより半導体素子３とプリント基板３０を固定する。
【００２７】
そして、図６（ｆ）に示すように、半導体素子３とプリント基板３０を固定していた接着テープ２を取り除き、図６（ｇ）に示す半導体装置を得る。
なお、接着テープ２のはぎ取りは、図２に示したものと同様に、接着テープ２の下から複数の針１０を用いて半導体素子３とプリント基板３０を突き上げ、取り除くものを用いる。
【００２８】
また、Ｐ／Ｂ−ＬＣＣ型半導体装置の製造もＣＯＢ型半導体装置と同じ製造工程である。
このように、前述のリードを有する半導体装置の場合と同様な工程を行うことにより、ＣＯＢ型、Ｐ／Ｂ−ＬＣＣ型半導体装置でも薄型化が可能となる。
【００２９】
次に、上述した本実施例の方法で製造した半導体装置を積層する場合について図７を用いて説明する。
まず、図６（ａ）、図６（ｂ）に示したスルーホール付きプリント基板３０に接着テープ２を貼り付け工程を、スルーホール付きプリント基板３０の代わりに、図７（ａ）に示すように、スルーホール付きの段差があるプリント基板（以下、ザグリ基板と記す）３０ａと、接着テープ２の代わりに、ザグリ基板３０ａの段差と嵌合する形状の段差を有する段差接着テープ２ａとを用いて行い、以下、上述同様に製造していくと、図７（ｂ）に示す半導体装置が得られる。
【００３０】
この図７（ｂ）に示したザグリ基板を有する半導体装置と図６（ｇ）に示したザグリ基板を有しない半導体装置を組み合わせることにより、図７（ｃ）に示すように、ＣＯＢ型、Ｐ／Ｂ−ＬＣＣ型の半導体装置でも積層化できる。
【００３１】
次に、上述してきた各半導体装置を金型を用いて製造する方法について説明する。
図９は、本実施例の金型を用いた半導体装置の製造方法を説明するための図である。
本実施例の金型を用いた半導体装置の製造方法は、まず、図９（ａ）に示すように、仮固定治具３５に接着剤３６を塗布しておき、図９（ｂ）に示すように、リードフレーム１を用意し、図９（ｃ）に示すように、リードフレーム１を仮固定治具３５に固定する。
【００３２】
そして、図９（ｄ）に示すように、半導体素子３を仮固定治具３５に固定し、図９（ｅ）に示すように、リードフレーム１と半導体素子３をワイヤ４でボンディングする。
その後、図９（ｆ）に示すように、金型の上型４０、４１下型で用いて、図９（ｇ）に示すように、樹脂５で封止し、図９（ｈ）に示すように、金型４０、４１を取り外す。
【００３３】
その後、図９（ｉ）に示すように、仮固定治具３５と接着剤３６を取り除き、図９（ｊ）に示すように、アウタリードを曲げる。
なお、ここでは、リードを有する半導体装置について説明したが、ＣＯＢ型、Ｐ／Ｂ−ＬＣＣ型の半導体装置の製造も同様に行うことができる。
【００３４】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の一実施例である半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図２】本実施例の半導体装置の製造方法におけるテープ取り除き工程の具体的手段を説明するための図である。
【図３】本実施例の半導体装置の製造方法におけるテープ取り除き工程の具体的手段を説明するための図である。
【図４】本実施例の半導体装置の応用例について説明するための図である。
【図５】本実施例の半導体装置における各部分の厚さを示した図である。
【図６】本発明の他の実施例であるＣＯＢ型、Ｐ／Ｂ−ＬＣＣ型の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図７】本実施例の半導体装置を積層する場合について説明するための図である。
【図８】本実施例の半導体装置の応用例について説明するための図である。
【図９】本実施例の金型を用いた半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００３６】
１…リードフレーム（フレーム枠の記載を除いてある）
２、２ａ…接着テープ
３…半導体素子
４…ワイヤ
５…樹脂
１０…突き上げ針
１１…リードフレームの枠押さえ
１２…テープはぎ取り金型
３０、３０ａ…プリント基板
３５…仮固定治具
３６…接着剤
４０…金型の上型
４１…金型の下型。
【図１】
2004165695.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004165695.tif 000009
【図８】
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【図９】
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