(57)【要約】【課題】活性放射線、例えばＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ２エキシマレーザーあるいはＥＵＶに代表される遠紫外線に感応する化学増幅型レジストとして、特に放射線に対する透明性が高く高解像度の感放射性樹脂組成物を提供する。【解決手段】（Ａ）下記一般式（１）で表される化合物、（Ｂ）アルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂であって、酸の作用によりアルカリ易溶性となる樹脂、並びに（Ｃ）感放射線性酸発生剤を含有することを特徴とする感放射性樹脂組成物。【化１】
2004012798.tif 000019
〔一般式（１）において、Ｒ１は１価の酸解離性基を示し、Ｒ２は１価の有機基を示す。〕【選択図】　　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）下記一般式（１）で表される化合物、（Ｂ）アルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂であって、酸の作用によりアルカリ易溶性となる樹脂、並びに（Ｃ）感放射線性酸発生剤を含有することを特徴とする感放射性樹脂組成物。
【化１】
2004012798.tif 000017
〔一般式（１）において、Ｒ１は１価の酸解離性基を示し、Ｒ２は１価の有機基を示す。〕
【請求項２】
（Ｂ）成分の樹脂が、下記一般式（２）で表される繰り返し単位および酸解離性基を有する繰り返し単位を含む樹脂である、請求項１に記載の感放射線性樹脂組成物。
【化２】
2004012798.tif 000018
〔一般式（２）において、Ｒ３は１価の有機基を示し、Ｒ４は水素原子またはメチル基を示し、ｎは１〜３の整数であり、ｍは０〜３の整数である。〕
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、感放射線性樹脂組成物に関わり、さらに詳しくは、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ２エキシマレーザー、ＥＵＶ（極紫外線）等の遠紫外線、シンクロトロン放射線等のＸ線、電子線等の荷電粒子線の如き各種の放射線を使用する微細加工に有用な化学増幅型レジストとして好適に使用することができる感放射線性樹脂組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
集積回路素子の製造に代表される微細加工の分野においては、より高い集積度を得るために、最近では０．２０μｍ以下のレベルでの微細加工が可能なリソグラフィー技術が必要とされている。
しかし、従来のリソグラフィープロセスでは、一般に放射線としてｉ線等の近紫外線が用いられているが、この近紫外線では、サブクオーターミクロンレベルでの微細加工が極めて困難であると言われている。
そこで、０．２０μｍ以下のレベルにおける微細加工を可能とするために、より波長の短い放射線の利用が検討されている。このような短波長の放射線としては、例えば、水銀灯の輝線スペクトルやエキシマレーザーに代表される遠紫外線、Ｘ線、電子線等を挙げることができるが、これらのうち、特にＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザー（波長１５７ｎｍ）あるいはＥＵＶ（波長１３ｎｍ等）が注目されている。
前記短波長の放射線に適した感放射線性樹脂組成物として、酸解離性官能基を有する成分と放射線の照射（以下、「露光」という。）により酸を発生する感放射線性酸発生剤との間の化学増幅効果を利用した組成物（以下、「化学増幅型感放射線性組成物」という。）が数多く提案されている。
化学増幅型感放射線性組成物としては、例えば、特公平２−２７６６０号公報に、カルボン酸のｔ−ブチルエステル基またはフェノールのｔ−ブチルカーボナート基を有する重合体と感放射線性酸発生剤とを含有する組成物が提案されている。この組成物は、露光により発生した酸の作用により、重合体中に存在するｔ−ブチルエステル基あるいはｔ−ブチルカーボナート基が解離して、該重合体がカルボキシル基やフェノール性水酸基からなる酸性基を形成し、その結果、レジスト被膜の露光領域がアルカリ現像液に易溶性となる現象を利用したものである。
【０００３】
ところで、近年のフォトリソプロセスは急速に微細化が進み、特にＫｒＦフォトリソグラフィープロセスでは限界解像度が光源波長の半分以下にまで迫ろうとしている。そのためフォトレジストに求められる特性に対する要求が、益々厳しいものとなっており、特に解像度、放射線透過率および感度の向上が強く求められている。そして、フォトレジストの解像度および感度を高める方法として感放射性酸発生剤の添加量を増やすことが考えられるが、この場合は放射線透過率が低下する問題がある。
このため酸増殖剤（即ち、酸反応性酸発生剤）としてピネンジオール等のスルホン酸エステルを加えて、放射線に対する透明性を低下させることなくフォトレジストとしての解像度および感度を高める試みが特開２０００−０３４２７２号公報に提案されている。しかし、この場合はレジスト組成物としての保存安定性に難があり、またパーフルオロスルホン酸エステルのような超強酸前駆体の合成が難しいという欠点がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、活性放射線、例えばＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ２エキシマレーザーあるいはＥＵＶに代表される遠紫外線に感応する化学増幅型レジストとして、特に放射線に対する透明性が高く高解像度の感放射性樹脂組成物を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、鋭意検討した結果、化学増幅型感放射線性組成物に特定のスルホン酸誘導体を添加することにより、前記課題を解決することができることを見いだし、本発明に到達した。
【０００６】
即ち、本発明は、（Ａ）下記一般式（１）で表される化合物（以下、「化合物（Ａ）」という。）、（Ｂ）アルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂であって、酸の作用によりアルカリ易溶性となる樹脂（以下、「樹脂（Ｂ）」という。）、並びに（Ｃ）感放射線性酸発生剤（以下、「酸発生剤（Ｃ）」という。）を含有することを特徴とする感放射性樹脂組成物からなる。
【０００７】
【化３】
2004012798.tif 000002
〔一般式（１）において、Ｒ１は１価の酸解離性基を示し、Ｒ２は１価の有機基を示す。〕
【０００８】
以下、本発明を詳細に説明する。
化合物（Ａ）
化合物（Ａ）は、樹脂（Ｂ）をアルカリ易溶性とする作用を有する酸の量を増加させる酸増殖剤としての作用を有する成分である。
一般式（１）において、Ｒ１の１価の酸解離性基としては、好ましくは、例えば、置換メチル基、１−置換エチル基、１−分岐アルキル基、シリル基、ゲルミル基、アルコキシカルボニル基、アシル基および環式酸解離性基を挙げることができる。
これらの酸解離性基のうち、置換メチル基としては、例えば、メトキシメチル基、メチルチオメチル基、エトキシメチル基、エチルチオメチル基、（メトキシ）（エトキシ）メチル基、ベンジルオキシメチル基、ベンジルチオメチル基、フェナシル基、ｐ−ブロモフェナシル基、ｐ−メトキシフェナシル基、ｐ−メチルチオフェナシル基、α−メチルフェナシル基、シクロプロピルメチル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基、トリフェニルメチル基、ｐ−ブロモベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｐ−メトキシベンジル基、ｐ−メチルチオベンジル基、ｐ−エトキシベンジル基、ｐ−エチルチオベンジル基、ピペロニル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチル基、ｉ−プロポキシカルボニルメチル基、ｎ−ブトキシカルボニルメチル基、ｔ−ブトキシカルボニルメチル基、ノルボルニルメチル基、アダマンチルメチル基、トリシクロデカニルメチル基、トリシクロデセニルメチル基、テトラシクロドデカニルメチル基、テトラシクロドデセニルメチル基等を挙げることができる。
【０００９】
また、１−置換エチル基としては、例えば、１−メトキシエチル基、１−メチルチオエチル基、１，１−ジメトキシエチル基、１−エトキシエチル基、１−エチルチオエチル基、１，１−ジエトキシエチル基、１−ｎ−プロポキシエチル基、１−ｎ−プロピルチオエチル基、１−シクロヘキシルオキシエチル基、１−シクロヘキシルチオエチル基、１−フェノキシエチル基、１−フェニルチオエチル基、１，１−ジフェノキシエチル基、１−ベンジルオキシエチル基、１−ベンジルチオエチル基、１−シクロプロピルエチル基、１−フェニルエチル基、１，１−ジフェニルエチル基、１−メトキシカルボニルエチル基、１−エトキシカルボニルエチル基、１−ｎ−プロポキシカルボニルエチル基、１−ｉ−プロポキシカルボニルエチル基、１−ｎ−ブトキシカルボニルエチル基、１−ｔ−ブトキシカルボニルエチル基等を挙げることができる。
【００１０】
また、１−分岐アルキル基としては、例えば、ｉ−プロピル基、１−メチル−ｎ−プロピル基、ｔ−ブチル基、１，１−ジメチル−ｎ−プロピル基、１−メチル−ｎ−ブチル基、１，１−ジメチル−ｎ−ブチル基等を挙げることができる。また、シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、メチルジエチルシリル基、トリエチルシリル基、ｉ−プロピルジメチルシリル基、メチルジ−ｉ−プロピルシリル基、トリ−ｉ−プロピルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、メチルジ−ｔ−ブチルシリル基、トリ−ｔ−ブチルシリル基、フェニルジメチルシリル基、メチルジフェニルシリル基、トリフェニルシリル基等のトリカルビルシリル基を挙げることができる。
【００１１】
また、ゲルミル基としては、例えば、トリメチルゲルミル基、エチルジメチルゲルミル基、メチルジエチルゲルミル基、トリエチルゲルミル基、ｉ−プロピルジメチルゲルミル基、メチルジ−ｉ−プロピルゲルミル基、トリ−ｉ−プロピルゲルミル基、ｔ−ブチルジメチルゲルミル基、メチルジ−ｔ−ブチルゲルミル基、トリ−ｔ−ブチルゲルミル基、フェニルジメチルゲルミル基、メチルジフェニルゲルミル基、トリフェニルゲルミル基等のトリカルビルゲルミル基を挙げることができる。
また、アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基等を挙げることができる。
【００１２】
また、アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル基、ヘキサノイル基、バレリル基、ピバロイル基、イソバレリル基、ラウロイル基、ミリストイル基、パルミトイル基、ステアロイル基、オキサリル基、マロニル基、スクシニル基、グルタリル基、アジポイル基、ピペロイル基、スベロイル基、アゼラオイル基、セバコイル基、アクリロイル基、プロピオロイル基、メタクリロイル基、クロトノイル基、オレオイル基、マレオイル基、フマロイル基、メサコノイル基、カンホロイル基、ベンゾイル基、フタロイル基、イソフタロイル基、テレフタロイル基、ナフトイル基、トルオイル基、ヒドロアトロポイル基、アトロポイル基、シンナモイル基、フロイル基、テノイル基、ニコチノイル基、イソニコチノイル基、ｐ−トルエンスルホニル基、メシル基等を挙げることができる。
【００１３】
さらに、環式酸解離性基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メトキシシクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、４−ブロモテトラヒドロピラニル基、４−ブロモテトラヒドロチオピラニル基、４−メトキシテトラヒドロピラニル基、４−メトキシテトラヒドロチオピラニル基、３−テトラヒドロチオフェン−１，１−ジオキシド基、カンホロイル基、イソカンホロイル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、トリシクロデカニル基、トリシクロデセニル基、テトラシクロドデカニル基、テトラシクロドデセニル基、メンチル基、ビシクロ［３．３．０　］オクチル基等を挙げることができる。
【００１４】
前記酸解離性基のうち、特に、ベンジル基、トリフェニルメチル基、ｔ−ブトキシカルボニルメチル基、１−メトキシエチル基、１−エトキシエチル基、ｔ−ブチル基、トリメチルシリル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオフラニル基等が好ましい。
【００１５】
一般式（１）において、Ｒ２の１価の有機基としては、例えば、炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状の炭化水素基；炭素数３〜２０の脂環族基；炭素数６〜２０のアリール基；炭素数７〜２０のアラルキル基；炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシル基；炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキルチオ基；炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキルカルボニル基；炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシカルボニル基；炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキルスルホニル基；炭素数６〜２０のアリールオキシ基；炭素数７〜２０のアラルキルオキシ基；炭素数３〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のジアルキルアミノカルボニル基、（アルキル）（アリール）アミノカルボニル基あるいはジアリールアミノカルボニル基等を挙げることができ、これらの各基は置換されていてもよい。
【００１６】
Ｒ２の１価の有機基のうち、置換されていてもよい炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状の炭化水素基としては、例えば、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−エイコシル基等の非置換アルキル基；
【００１７】
メトキシメチル基、２−メトキシエチル基、３−メトキシ−ｎ−プロピル基等のアルコキシアルキル基；
メチルチオメチル基、２−メチルチオエチル基、３−メチルチオ−ｎ−プロピル基等のアルキルチオアルキル基；
カルボキシメチル基、２−カルボキシエチル基、３−カルボキシ−ｎ−プロピル基等のカルボキシアルキル基；
メチルカルボニルメチル基、２−メチルカルボニルエチル基、３−メチルカルボニル−ｎ−プロピル基等のアルキルカルボニルアルキル基；
【００１８】
メトキシカルボニルメチル基、２−メトキシカルボニルエチル基、３−メトキシカルボニル−ｎ−プロピル基等のアルコキシカルボニルアルキル基；
メチルスルホニルメチル基、２−メチルスルホニルエチル基、３−メチルスルホニル−ｎ−プロピル基等のアルキルスルホニルアルキル基；
フェノキシメチル基、２−フェノキシエチル基、３−フェノキシ−ｎ−プロピル基等のアリールオキシアルキル基；
ベンジルオキシメチル基、２−ベンジルオキシエチル基、３−ベンジルオキシ−ｎ−プロピル基等のアラルキルオキシアルキル基；
ジメチルアミノメチル基、２−ジメチルアミノエチル基、３−ジメチルアミノ−ｎ−プロピル基、（メチル）（フェニル）アミノメチル基、ジフェニルアミノメチル基、２−〔（メチル）（フェニル）アミノ〕エチル基、２−（ジフェニルアミノ）エチル基、３−〔（メチル）（フェニル）アミノ〕−ｎ−プロピル基、３−（ジフェニルアミノ）−ｎ−プロピル基等のジアルキルアミノアルキル基、（アルキル）（アリール）アミノアルキル基またはジアリールアミノアルキル基；
【００１９】
ジメチルアミノカルボニルメチル基、２−ジメチルアミノカルボニルエチル基、３−ジメチルアミノカルボニル−ｎ−プロピル基、（メチル）（フェニル）アミノカルボニルメチル基、ジフェニルアミノカルボニルメチル基、２−〔（メチル）（フェニル）アミノカルボニル〕エチル基、２−（ジフェニルアミノカルボニル）エチル基、３−〔（メチル）（フェニル）アミノカルボニル〕−ｎ−プロピル基、３−（ジフェニルアミノカルボニル）−ｎ−プロピル基等のジアルキルアミノカルボニルアルキル基、（アルキル）（アリール）アミノカルボニルアルキル基またはジアリールアミノカルボニルアルキル基；
フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、３，３，３−トリフルオロ−ｎ−プロピル基、３，３，３，２，２−ペンタフルオロ−ｎ−プロピル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル基、ノナフルオロ−ｎ−ブチル基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシル基、パーフルオロ−ｎ−オクチル基等のフッ素化アルキル基
等を挙げることができる。
【００２０】
また、置換されていてもよい炭素数３〜２０の脂環族基としては、例えば、
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、カンホロイル基、イソカンホロイル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、トリシクロデカニル基、トリシクロデセニル基、テトラシクロドデカニル基、テトラシクロドデセニル基、メンチル基、ビシクロ［３．３．０　］オクチル基、
ノルボルニルメチル基、アダマンチルメチル基、トリシクロデカニルメチル基、トリシクロデセニルメチル基、テトラシクロドデカニルメチル基、テトラシクロドデセニルメチル基、
【００２１】
３−メチルシクロペンチル基、４−メチルシクロヘキシル基、３−メトキシシクロペンチル基、４−メトキシシクロヘキシル基、３−カルボキシシクロペンチル基、４−カルボキシシクロヘキシル基、３−メチルカルボニルシクロペンチル基、４−メチルカルボニルシクロヘキシル基、３−メトキシカルボニルシクロペンチル基、４−メトキシカルボニルシクロヘキシル基、３−ジメチルアミノシクロペンチル基、４−ジメチルアミノシクロヘキシル基、３−ジメチルアミノカルボニルシクロペンチル基、４−ジメチルアミノカルボニルシクロヘキシル基、３−フルオロシクロペンチル基、テトラフルオロシクロペンチル基、３−トリフルオロメチルシクロペンチル基、４−フルオロシクロヘキシル基、ペンタフルオロシクロヘキシル基、４−トリフルオロメチルシクロヘキシル基、
（シクロヘキシル）（ジフルオロ）メチル基、２−ノルボルニル−１，１，２，２−テトラフルオロエチル基
等を挙げることができる。
【００２２】
また、置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、９−アントラセニル基、
ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、２，４−キシリル基、２，５−キシリル基、２，６−キシリル基、３，４−キシリル基、３，５−キシリル基、４−メチル−１−ナフチル基、２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−メトキシ−１−ナフチル基、４−カルボキシフェニル基、４−カルボキシル−１−ナフチル基、４−メチルカルボニルフェニル基、４−メトキシカルボニルフェニル基、４−ジメチルアミノフェニル基、４−ジメチルアミノカルボニルフェニル基、２−フルオロフェニル基、３−フルオロフェニル基、４−フルオロフェニル基、２，４−ジフルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、２−トリフルオロメチルフェニル基、３−トリフルオロメチルフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基
等を挙げることができる。
【００２３】
また、置換されていてもよい炭素数７〜２０のアラルキル基としては、例えば、
ベンジル基、１−ナフチルメチル基、２−ナフチルメチル基、１−アントラセニルメチル基、９−アントラセニルメチル基、フェネチル基、
２−メチルベンジル基、３−メチルベンジル基、４−メチルベンジル基、２−メトキシベンジル基、３−メトキシベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−カルボキシベンジル基、４−メチルカルボニルベンジル基、４−メトキシカルボニルベンジル基、４−ジメチルアミノベンジル基、４−ジメチルアミノカルボニルベンジル基、２−フルオロベンジル基、３−フルオロベンジル基、４−フルオロベンジル基、２−トリフルオロメチルベンジル基、３−トリフルオロメチルベンジル基、４−トリフルオロメチルベンジル基
等を挙げることができる。
【００２４】
また、置換されていてもよい炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシル基としては、例えば、
メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、２−メチル−ｎ−プロポキシ基、１−メチル−ｎ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタデシルオキシ基、ｎ−ノナデシルオキシ基、ｎ−エイコシルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、
【００２５】
メトキシメトキシ基、２−メトキシエトキシ基、３−メトキシ−ｎ−プロポキシ基、カルボキシメトキシ基、２−カルボキシエトキシ基、３−カルボキシ−ｎ−プロポキシ基、メチルカルボニルメトキシ基、２−メチルカルボニルエトキシ基、３−メチルカルボニル−ｎ−プロポキシ基、メトキシカルボニルメトキシ基、２−メトキシカルボニルエトキシ基、３−メトキシカルボニル−ｎ−プロポキシ基、ジメチルアミノメトキシ基、２−ジメチルアミノエトキシ基、３−ジメチルアミノ−ｎ−プロポキシ基、（メチル）（フェニル）アミノメトキシ基、ジフェニルアミノメトキシ基、２−〔（メチル）（フェニル）アミノ〕エトキシ基、２−（ジフェニルアミノ）エトキシ基、３−〔（メチル）（フェニル）アミノ〕−ｎ−プロポキシ基、３−（ジフェニルアミノ）−ｎ−プロポキシ基、ジメチルアミノカルボニルメトキシ基、２−ジメチルアミノカルボニルエトキシ基、３−ジメチルアミノカルボニル−ｎ−プロポキシ基、（メチル）（フェニル）アミノカルボニルメトキシ基、ジフェニルアミノカルボニルメトキシ基、２−〔（メチル）（フェニル）アミノカルボニル〕エトキシ基、２−（ジフェニルアミノカルボニル）エトキシ基、３−〔（メチル）（フェニル）アミノカルボニル〕−ｎ−プロポキシ基、３−（ジフェニルアミノカルボニル）−ｎ−プロポキシ基、フルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基、２−フルオロエトキシ基、２，２，２−トリフルオロエトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、３−フルオロ−ｎ−プロポキシ基、３，３，３−トリフルオロ−ｎ−プロポキシ基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロ−ｎ−プロポキシ基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロポキシ基
等を挙げることができる。
【００２６】
また、置換されていてもよい炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキルチオ基としては、例えば、
メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｉ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、２−メチル−ｎ−プロピルチオ基、１−メチル−ｎ−プロピルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ネオペンチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基、ｎ−ヘプチルチオ基、ｎ−オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ｎ−ノニルチオ基、ｎ−デシルチオ基、ｎ−ウンデシルチオ基、ｎ−ドデシルチオ基、ｎ−トリデシルチオ基、ｎ−テトラデシルチオ基、ｎ−ペンタデシルチオ基、ｎ−ヘキサデシルチオ基、ｎ−ヘプタデシルチオ基、ｎ−オクタデシルチオ基、ｎ−ノナデシルチオ基、ｎ−エイコシルチオ基、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基、
メチルチオメチルチオ基、２−メチルチオエチルチオ基、３−メチルチオ−ｎ−プロピルチオ基、３−メチルチオシクロペンチルチオ基、４−メチルチオシクロヘキシルチオ基
等を挙げることができる。
【００２７】
また、置換されていてもよい炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキルカルボニル基としては、例えば、
メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、ｎ−プロピルカルボニル基、ｉ−プロピルカルボニル基、ｎ−ブチルカルボニル基、２−メチル−ｎ−プロピルカルボニル基、１−メチル−ｎ−プロピルカルボニル基、ｔ−ブチルカルボニル基、ｎ−ペンチルカルボニル基、ネオペンチルカルボニル基、ｎ−ヘキシルカルボニル基、ｎ−ヘプチルカルボニル基、ｎ−オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ｎ−ノニルカルボニル基、ｎ−デシルカルボニル基、ｎ−ウンデシルカルボニル基、ｎ−ドデシルカルボニル基、ｎ−トリデシルカルボニル基、ｎ−テトラデシルカルボニル基、ｎ−ペンタデシルカルボニル基、ｎ−ヘキサデシルカルボニル基、ｎ−ヘプタデシルカルボニル基、ｎ−オクタデシルカルボニル基、ｎ−ノナデシルカルボニル基、ｎ−エイコシルカルボニル基、シクロペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、
【００２８】
メトキシメチルカルボニル基、２−メトキシエチルカルボニル基、３−メトキシ−ｎ−プロピルカルボニル基、３−メトキシシクロペンチルカルボニル基、４−メトキシシクロヘキシルカルボニル基、カルボキシメチルカルボニル基、２−カルボキシエチルカルボニル基、３−カルボキシ−ｎ−プロピルカルボニル基、３−カルボキシシクロペンチルカルボニル基、４−カルボキシシクロヘキシルカルボニル基、フルオロメチルカルボニル基、トリフルオロメチルカルボニル基、２−フルオロエチルカルボニル基、２，２，２−トリフルオロエチルカルボニル基、ペンタフルオロエチルカルボニル基、３−フルオロ−ｎ−プロピルカルボニル基、３，３，３−トリフルオロ−ｎ−プロピルカルボニル基、３，３，３，２，２−ペンタフルオロ−ｎ−プロピルカルボニル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピルカルボニル基
等を挙げることができる。
【００２９】
また、置換されていてもよい炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシカルボニル基としては、例えば、
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、２−メチル−ｎ−プロポキシカルボニル基、１−メチル−ｎ−プロポキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ネオペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基、ｎ−ヘプチルオキシカルボニル基、ｎ−オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、ｎ−ノニルオキシカルボニル基、ｎ−デシルオキシカルボニル基、ｎ−ウンデシルオキシカルボニル基、ｎ−ドデシルオキシカルボニル基、ｎ−トリデシルオキシカルボニル基、ｎ−テトラデシルオキシカルボニル基、ｎ−ペンタデシルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキサデシルオキシカルボニル基、ｎ−ヘプタデシルオキシカルボニル基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル基、ｎ−ノナデシルオキシカルボニル基、ｎ−エイコシルオキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、
【００３０】
メトキシメトキシカルボニル基、２−メトキシエトキシカルボニル基、３−メトキシ−ｎ−プロポキシカルボニル基、３−メトキシシクロペンチルオキシカルボニル基、４−メトキシシクロヘキシルオキシカルボニル基、カルボキシメトキシカルボニル基、２−カルボキシエトキシカルボニル基、３−カルボキシ−ｎ−プロポキシカルボニル基、３−カルボキシシクロペンチルオキシカルボニル基、４−カルボキシシクロヘキシルオキシカルボニル基、フルオロメトキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、２−フルオロエトキシカルボニル基、２，２，２−トリフルオロエトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、３−フルオロ−ｎ−プロポキシカルボニル基、３，３，３−トリフルオロ−ｎ−プロポキシカルボニル基、３，３，３，２，２−ペンタフルオロ−ｎ−プロポキシカルボニル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロポキシカルボニル基
等を挙げることができる。
【００３１】
また、置換されていてもよい炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキルスルホニル基としては、例えば、
メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ｎ−プロピルスルホニル基、ｉ−プロピルスルホニル基、ｎ−ブチルスルホニル基、２−メチル−ｎ−プロピルスルホニル基、１−メチル−ｎ−プロピルスルホニル基、ｔ−ブチルスルホニル基、ｎ−ペンチルスルホニル基、ネオペンチルスルホニル基、ｎ−ヘキシルスルホニル基、ｎ−ヘプチルスルホニル基、ｎ−オクチルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ｎ−ノニルスルホニル基、ｎ−デシルスルホニル基、ｎ−ウンデシルスルホニル基、ｎ−ドデシルスルホニル基、ｎ−トリデシルスルホニル基、ｎ−テトラデシルスルホニル基、ｎ−ペンタデシルスルホニル基、ｎ−ヘキサデシルスルホニル基、ｎ−ヘプタデシルスルホニル基、ｎ−オクタデシルスルホニル基、ｎ−ノナデシルスルホニル基、ｎ−エイコシルスルホニル基、シクロペンチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、
フルオロメチルスルホニル基、トリフルオロメチルスルホニル基、２−フルオロエチルスルホニル基、２，２，２−トリフルオロエチルスルホニル基、ペンタフルオロエチルスルホニル基、３−フルオロ−ｎ−プロピルスルホニル基、３，３，３−トリフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル基、３，３，３，２，２−ペンタフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル基
等を挙げることができる。
【００３２】
また、置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリールオキシ基としては、例えば、
フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、１−アントラセニルオキシ基、９−アントラセニルオキシ基、
ｏ−トリルオキシ基、ｍ−トリルオキシ基、ｐ−トリルオキシ基、２，４−キシリルオキシ基、２，５−キシリルオキシ基、２，６−キシリルオキシ基、３，４−キシリルオキシ基、３，５−キシリルオキシ基、４−メチル−１−ナフチルオキシ基、２−メトキシフェノキシ基、３−メトキシフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−メトキシ−１−ナフチルオキシ基、４−カルボキシフェノキシ基、４−カルボキシル−１−ナフチルオキシ基、４−メチルカルボニルフェノキシ基、４−メトキシカルボニルフェノキシ基、４−ジメチルアミノフェノキシ基、４−ジメチルアミノカルボニルフェノキシ基、２−フルオロフェノキシ基、３−フルオロフェノキシ基、４−フルオロフェノキシ基、２，４−ジフルオロフェノキシ基、ペンタフルオロフェノキシ基、２−トリフルオロメチルフェノキシ基、３−トリフルオロメチルフェノキシ基、４−トリフルオロメチルフェノキシ基
等を挙げることができる。
【００３３】
また、の置換されていてもよい炭素数７〜２０のアラルキルオキシ基としては、例えば、
ベンジルオキシ基、１−ナフチルメトキシ基、２−ナフチルメトキシ基、１−アントラセニルメトキシ基、９−アントラセニルメトキシ基、フェネチルオキシ基、
２−メチルベンジルオキシ基、３−メチルベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、２−メトキシベンジルオキシ基、３−メトキシベンジルオキシ基、４−メトキシベンジルオキシ基、４−カルボキシベンジルオキシ基、４−メチルカルボニルベンジルオキシ基、４−メトキシカルボニルベンジルオキシ基、４−ジメチルアミノベンジルオキシ基、４−ジメチルアミノカルボニルベンジルオキシ基、２−フルオロベンジルオキシ基、３−フルオロベンジルオキシ基、４−フルオロベンジルオキシ基、２−トリフルオロメチルベンジルオキシ基、３−トリフルオロメチルベンジルオキシ基、４−トリフルオロメチルベンジルオキシ基
等を挙げることができる。
【００３４】
また、置換されていてもよい炭素数３〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のジアルキルアミノカルボニル基、（アルキル）（アリール）アミノカルボニル基あるいはジアリールアミノカルボニル基としては、例えば、ジメチルアミノカルボニル基、（メチル）（エチル）アミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、ジ−ｎ−プロピルアミノカルボニル基、ジ−ｉ−プロピルアミノカルボニル基、（メチル）（シクロヘキシル）アミノカルボニル基、ジシクロヘキシルアミノカルボニル基、（メチル）（フェニル）アミノカルボニル基、（シクロヘキシル）（フェニル）アミノカルボニル基、ジフェニルアミノカルボニル基等を挙げることができる。
【００３５】
前記１価の有機基のうち、特に、メチル基、ｎ−プロプル基、ｎ−オクチル基、トリフルオロメチル基、ノナフルオロ−ｎ−ブチル基、パーフルオロ−ｎ−オクチル基、カンホロイル基、ノルボルニル基等が好ましい。
【００３６】
本発明において、化合物（Ａ）は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
化合物（Ａ）の使用量は、樹脂（Ｂ）１００重量部に対して、好ましくは０．１〜２０重量部、さらに好ましくは０．２〜１０重量部である。この場合、化合物（Ａ）の使用量が０．１重量部未満では、本発明の効果が十分達成できないおそれがあり、一方２０重量部を超えると、レジストとしてのドライエッチング耐性が低下する傾向がある。
【００３７】
樹脂（Ｂ）
本発明における樹脂（Ｂ）は、アルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂であって、酸の作用によりアルカリ易溶性となる樹脂からなる。
ここでいう「アルカリ不溶性またはアルカリ難溶性」とは、樹脂（Ｂ）を含有する感放射線性樹脂組成物から形成されたレジスト被膜からレジストパターンを形成する際に採用されるアルカリ現像条件下で、当該レジスト被膜の代わりに樹脂（Ｂ）のみを用いた被膜を現像した場合に、当該被膜の初期膜厚の５０％以上が現像後に残存する性質を意味する。
【００３８】
樹脂（Ｂ）としては、前記特性を有する限り特に限定されるものではないが、好ましくは下記一般式（２）で表される繰り返し単位（以下、「繰り返し単位（２）」という。）および酸解離性基を有する繰り返し単位を含む樹脂（以下、「樹脂（Ｂ１）」という。）である。
【００３９】
【化４】
2004012798.tif 000003
〔一般式（２）において、Ｒ３は１価の有機基を示し、Ｒ４は水素原子またはメチル基を示し、ｎは１〜３の整数であり、ｍは０〜３の整数である。〕
【００４０】
樹脂（Ｂ１）において、繰り返し単位（２）としては、例えば、ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシ−α−メチルスチレン、２−メチル−３−ヒドロキシスチレン、４−メチル−３−ヒドロキシスチレン、５−メチル−３−ヒドロキシスチレン、２−メチル−４−ヒドロキシスチレン、３−メチル−４−ヒドロキシスチレン、３，４−ジヒドロキシスチレン、２，４，６−トリヒドロキシスチレン等の重合性不飽和結合が開裂した単位を挙げることができる。
これらの繰り返し単位（２）のうち、ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシ−α−メチルスチレン等の重合性不飽和結合が開裂した単位が好ましい。
樹脂（Ｂ１）において、繰り返し単位（２）は、単独でまたは２種以上が存在することができる。
【００４１】
また、酸解離性基を有する繰り返し単位としては、例えば、ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシ−α−メチルスチレン、（メタ）アクリル酸等のフェノール性水酸基あるいはカルボキシル基が、例えば、置換メチル基、１−置換エチル基、１−分岐アルキル基、シリル基、ゲルミル基、アルコキシカルボニル基、アシル基、環式酸解離性基等の酸解離性基で保護されたモノマーの重合性不飽和結合が開裂した単位を挙げることができる。
【００４２】
酸解離性基を有する繰り返し単位において、酸解離性基の置換メチル基、１−置換エチル基、１−分岐アルキル基、シリル基、ゲルミル基、アルコキシカルボニル基、アシル基および環式酸解離性基としては、例えば、前記化合物（Ａ）について例示したそれぞれ対応する基を挙げることができる。
【００４３】
これらの酸解離性基のうち、ベンジル基、ｔ−ブトキシカルボニルメチル基、１−メトキシエチル基、１−エトキシエチル基、ｔ−ブチル基、トリメチルシリル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオフラニル基等が好ましい。
樹脂（Ｂ１）において、酸解離性基を有する繰り返し単位は、単独でまたは２種以上が存在することができる。
【００４４】
樹脂（Ｂ１）は、繰り返し単位（２）および酸解離性基を有する繰り返し単位以外の繰り返し単位（以下、「他の繰り返し単位」という。）を有することができる。
他の繰返し単位としては、例えば、
スチレン、α−メチルスチレン、２−メチルスチレン、３−メチルスチレン、４−メチルスチレン、２−メトキシスチレン、３−メトキシスチレン、４−メトキシスチレン、４−（２−ｔ−ブトキシカルボニルエチルオキシ）スチレン等のビニル芳香族化合物；
【００４５】
（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ−プロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸２−メチル−ｎ−プロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ペンチル、（メタ）アクリル酸ネオペンチル、（メタ）アクリル酸ｎ−ヘキシル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシ−ｎ−プロピル、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシ−ｎ−プロピル、（メタ）アクリル酸フェニル、（メタ）アクリル酸フェネチル、
【００４６】
下記式（３）で表されるモノマー
【化５】
2004012798.tif 000004
（式中、ａは１〜６の整数である。）、
【００４７】
下記式（４）で表されるモノマー
【化６】
2004012798.tif 000005
（式中、ａは１〜６の整数である。）、
【００４８】
下記式（５）で表されるモノマー
【化７】
2004012798.tif 000006
（式中、ａは１〜６の整数である。）
等の（メタ）アクリル酸エステル類；
【００４９】
（メタ）アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、無水マレイン酸、フマル酸、けい皮酸等の不飽和カルボン酸（無水物）類；
（メタ）アクリル酸２−カルボキシエチル、（メタ）アクリル酸２−カルボキシ−ｎ−プロピル、（メタ）アクリル酸３−カルボキシ−ｎ−プロピル等の不飽和カルボン酸のカルボキシアルキルエステル類；
（メタ）アクリロニトリル、α−クロロアクリロニトリル、クロトンニトリル、マレインニトリル、フマロニトリル等の不飽和ニトリル化合物；
（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、クロトンアミド、マレインアミド、フマルアミド等の不飽和アミド化合物；
マレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド等の不飽和イミド化合物；
Ｎ−ビニル−ε−カプロラクタム、Ｎ−ビニルピロリドン、２−ビニルピリジン、３−ビニルピリジン、４−ビニルピリジン、２−ビニルイミダゾール、４−ビニルイミダゾール等の他の含窒素ビニル化合物
等の重合性不飽和結合が開裂した単位を挙げることができる。
【００５０】
これらの他の繰返し単位のうち、スチレン、α−メチルスチレン、４−（２−ｔ−ブトキシカルボニルエチルオキシ）スチレン、前記式（３）で表されるモノマー、前記式（４）で表されるモノマー等の重合性不飽和結合が開裂した単位が好ましい。
樹脂（Ｂ１）において、他の繰り返し単位は、単独でまたは２種以上が存在することができる。
【００５１】
樹脂（Ｂ１）における酸解離性基の導入率（樹脂（Ｂ１）中の保護されていない酸性官能基と酸解離性基との合計数に対する酸解離性基の数の割合）は、酸解離性基や該基が導入されるアルカリ可溶性樹脂の種類により一概には規定できないが、好ましくは１０〜１００％、さらに好ましくは１５〜１００％である。
【００５２】
樹脂（Ｂ）は、例えば、繰り返し単位（２）を有し、場合により他の繰り返し単位をさらに有するアルカリ可溶性樹脂に酸解離性基を導入する方法、繰り返し単位（２）に対応するモノマーと酸解離性基を有するモノマーとを場合により他の繰り返し単位を与えるモノマーと共に共重合する方法等によって製造することができるほか、場合により、酸解離性基を有する重付加成分の（共）重付加、酸解離性基を有する重縮合成分の（共）重縮合等によっても製造することができる。
【００５３】
樹脂（Ｂ）のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定したポリスチレン換算重量分子量（以下、「Ｍｗ」という。）は、好ましくは１，０００〜１５０，０００、さらに好ましくは３，０００〜１００，０００である。
また、樹脂（Ｂ）のＭｗとゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定したポリスチレン換算数分子量（以下、「Ｍｎ」という。）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）は、通常、１〜１０、好ましくは１〜５である。
【００５４】
酸発生剤（Ｃ）
本発明における酸発生剤（Ｃ）は、露光により酸を発生する成分である。
酸発生剤（Ｃ）としては、下記一般式（６）で表される化合物（以下、「酸発生剤（Ｃ１）」という。）が好ましい。
【００５５】
【化８】
2004012798.tif 000007
〔一般式（６）において、Ｒ５は１価の有機基を示し、Ｒ６は２価の有機基を示す。〕
【００５６】
酸発生剤（Ｃ１）の具体例としては、
Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、
【００５７】
Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２、３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２、３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ナフチルイミド、
Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、
【００５８】
Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、
Ｎ−（ｏ−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ｏ−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（ｏ−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（ｏ−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｏ−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｏ−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｏ−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、
【００５９】
Ｎ−（ｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（ｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（ｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、
Ｎ−（パーフルオロベンゼンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（パーフルオロベンゼンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（パーフルオロベンゼンスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（パーフルオロベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（パーフルオロベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（パーフルオロベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（パーフルオロベンゼンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、
【００６０】
Ｎ−（ナフタレン−１−イルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ナフタレン−１−イルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（ナフタレン−１−イルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（ナフタレン−１−イルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ナフタレン−１−イルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ナフタレン−１−イルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ナフタレン−１−イルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、
Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、
【００６１】
Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、
Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）ナフチルイミド
等を挙げることができる。
【００６２】
また、酸発生剤（Ｃ１）以外の酸発生剤（Ｃ）としては、例えば、オニウム塩化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、ジスルホニルジアゾメタン化合物、ジスルホニルメタン化合物、オキシムスルホネート化合物、ヒドラジンスルホネート化合物等を挙げることができる。
以下に、これらの他の酸発生剤の例を示す。
【００６３】
オニウム塩化合物：
オニウム塩化合物としては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩（但し、テトラヒドロチオフェニウム塩を含む。）、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ピリジニウム塩等を挙げることができる。
【００６４】
オニウム塩化合物の具体例としては、
ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムピレンスルホネート、ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムベンゼンスルホネート、ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムピレンスルホネート、ジフェニルヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウムベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム１０−カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
【００６５】
ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウムピレンスルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウムベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウムピレンスルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウムベンゼンスルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
【００６６】
ｐ−ニトロフェニル・フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ｐ−ニトロフェニル・フェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ｐ−ニトロフェニル・フェニルヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ｐ−ニトロフェニル・フェニルヨードニウムピレンスルホネート、ｐ−ニトロフェニル・フェニルヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ｐ−ニトロフェニル・フェニルヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ｐ−ニトロフェニル・フェニルヨードニウムベンゼンスルホネート、ｐ−ニトロフェニル・フェニルヨードニウム１０−カンファースルホネート、ｐ−ニトロフェニル・フェニルヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ｐ−ニトロフェニル・フェニルヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ｐ−ニトロフェニル・フェニルヨードニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ｐ−ニトロフェニル・フェニルヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
ジ（ｍ−ニトロフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジ（ｍ−ニトロフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジ（ｍ−ニトロフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジ（ｍ−ニトロフェニル）ヨードニウムピレンスルホネート、ジ（ｍ−ニトロフェニル）ヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジ（ｍ−ニトロフェニル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ジ（ｍ−ニトロフェニル）ヨードニウムベンゼンスルホネート、ジ（ｍ−ニトロフェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、ジ（ｍ−ニトロフェニル）ヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ジ（ｍ−ニトロフェニル）ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ（ｍ−ニトロフェニル）ヨードニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ（ｍ−ニトロフェニル）ヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
【００６７】
ｐ−メトキシフェニル・フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ｐ−メトキシフェニル・フェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ｐ−メトキシフェニル・フェニルヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ｐ−メトキシフェニル・フェニルヨードニウムピレンスルホネート、ｐ−メトキシフェニル・フェニルヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ｐ−メトキシフェニル・フェニルヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ｐ−メトキシフェニル・フェニルヨードニウムベンゼンスルホネート、ｐ−メトキシフェニル・フェニルヨードニウム１０−カンファースルホネート、ｐ−メトキシフェニル・フェニルヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ｐ−メトキシフェニル・フェニルヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ｐ−メトキシフェニル・フェニルヨードニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ｐ−メトキシフェニル・フェニルヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムピレンスルホネート、ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
【００６８】
ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムピレンスルホネート、ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
ジナフチルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジナフチルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジナフチルヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジナフチルヨードニウムピレンスルホネート、ジナフチルヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジナフチルヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ジナフチルヨードニウムベンゼンスルホネート、ジナフチルヨードニウム１０−カンファースルホネート、ジナフチルヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ジナフチルヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジナフチルヨードニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジナフチルヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
【００６９】
ビフェニレンヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビフェニレンヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビフェニレンヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ビフェニレンヨードニウムピレンスルホネート、ビフェニレンヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ビフェニレンヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ビフェニレンヨードニウムベンゼンスルホネート、ビフェニレンヨードニウム１０−カンファースルホネート、ビフェニレンヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ビフェニレンヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビフェニレンヨードニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビフェニレンヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
２−クロロビフェニレンヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、２−クロロビフェニレンヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、２−クロロビフェニレンヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、２−クロロビフェニレンヨードニウムピレンスルホネート、２−クロロビフェニレンヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、２−クロロビフェニレンヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、２−クロロビフェニレンヨードニウムベンゼンスルホネート、２−クロロビフェニレンヨードニウム１０−カンファースルホネート、２−クロロビフェニレンヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、２−クロロビフェニレンヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、２−クロロビフェニレンヨードニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、２−クロロビフェニレンヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
【００７０】
トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムピレンスルホネート、トリフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム１０−カンファースルホネート、トリフェニルスルホニウムｎ−オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムナフタレンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
ｐ−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ｐ−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ｐ−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ｐ−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムピレンスルホネート、ｐ−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ｐ−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、ｐ−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、ｐ−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウム１０−カンファースルホネート、ｐ−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムｎ−オクタンスルホネート、ｐ−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ｐ−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウム４−トリフルオロメタンベンゼンスルホネート、ｐ−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
【００７１】
ｐ−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ｐ−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ｐ−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ｐ−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウムピレンスルホネート、ｐ−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ｐ−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、ｐ−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、ｐ−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウム１０−カンファースルホネート、ｐ−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウムｎ−オクタンスルホネート、ｐ−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ｐ−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ｐ−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
ｐ−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウムピレンスルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウム１０−カンファースルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウムｎ−オクタンスルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
【００７２】
トリ（ｐ−メトキシフェニル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリ（ｐ−メトキシフェニル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリ（ｐ−メトキシフェニル）スルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、トリ（ｐ−メトキシフェニル）スルホニウムピレンスルホネート、トリ（ｐ−メトキシフェニル）スルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、トリ（ｐ−メトキシフェニル）スルホニウムｐ−トルエンスルホネート、トリ（ｐ−メトキシフェニル）スルホニウムベンゼンスルホネート、トリ（ｐ−メトキシフェニル）スルホニウム１０−カンファースルホネート、トリ（ｐ−メトキシフェニル）スルホニウムｎ−オクタンスルホネート、トリ（ｐ−メトキシフェニル）スルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、トリ（ｐ−メトキシフェニル）スルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、トリ（ｐ−メトキシフェニル）スルホニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
ジ（ｐ−メトキシフェニル）・ｐ−トルイルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジ（ｐ−メトキシフェニル）・ｐ−トルイルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジ（ｐ−メトキシフェニル）・ｐ−トルイルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジ（ｐ−メトキシフェニル）・ｐ−トルイルスルホニウムピレンスルホネート、ジ（ｐ−メトキシフェニル）・ｐ−トルイルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−メトキシフェニル）・ｐ−トルイルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、ジ（ｐ−メトキシフェニル）・ｐ−トルイルスルホニウムベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−メトキシフェニル）・ｐ−トルイルスルホニウム１０−カンファースルホネート、ジ（ｐ−メトキシフェニル）・ｐ−トルイルスルホニウムｎ−オクタンスルホネート、ジ（ｐ−メトキシフェニル）・ｐ−トルイルスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−メトキシフェニル）・ｐ−トルイルスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−メトキシフェニル）・ｐ−トルイルスルホニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
【００７３】
フェニル・テトラメチレンスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、フェニル・テトラメチレンスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、フェニル・テトラメチレンスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、フェニル・テトラメチレンスルホニウムピレンスルホネート、フェニル・テトラメチレンスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、フェニル・テトラメチレンスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、フェニル・テトラメチレンスルホニウムベンゼンスルホネート、フェニル・テトラメチレンスルホニウム１０−カンファースルホネート、フェニル・テトラメチレンスルホニウムｎ−オクタンスルホネート、フェニル・テトラメチレンスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、フェニル・テトラメチレンスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、フェニル・テトラメチレンスルホニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
ｐ−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムピレンスルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムベンゼンスルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウム１０−カンファースルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムｎ−オクタンスルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
【００７４】
フェニルビフェニレンスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、フェニルビフェニレンスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、フェニルビフェニレンスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、フェニルビフェニレンスルホニウムピレンスルホネート、フェニルビフェニレンスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、フェニルビフェニレンスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、フェニルビフェニレンスルホニウムベンゼンスルホネート、フェニルビフェニレンスルホニウム１０−カンファースルホネート、フェニルビフェニレンスルホニウムｎ−オクタンスルホネート、フェニルビフェニレンスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、フェニルビフェニレンスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、フェニルビフェニレンスルホニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
（ｐ−フェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、（ｐ−フェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、（ｐ−フェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、（ｐ−フェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウムピレンスルホネート、（ｐ−フェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、（ｐ−フェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、（ｐ−フェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、（ｐ−フェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウム１０−カンファースルホネート、（ｐ−フェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウムｎ−オクタンスルホネート、（ｐ−フェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、（ｐ−フェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、（ｐ−フェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
【００７５】
４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジ（トリフルオロメタンスルホネート）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジ（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジ（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジ（ピレンスルホネート）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジ（ｎ−ドデシルベンゼンスルホネート）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジ（ｐ−トルエンスルホネート）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジ（ベンゼンスルホネート）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジ（１０−カンファースルホネート）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジ（ｎ−オクタンスルホネート）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジ（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジ（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジ（パーフルオロベンゼンスルホネート）、
【００７６】
１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
１−（ｐ−ｎ−ブトキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（ｐ−ｎ−ブトキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（ｐ−ｎ−ブトキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
１−（４−ヒドロキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ヒドロキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−ヒドロキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
【００７７】
１−（４−メトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−メトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−メトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
１−（４−エトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−エトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−エトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
【００７８】
１−（４−メトキシメトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−メトキシメトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−メトキシメトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
１−（４−エトキシメトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−エトキシメトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−エトキシメトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
１−〔４−（１−メトキシエトキシ）ナフタレン−１−イル〕テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−〔４−（１−メトキシエトキシ）ナフタレン−１−イル〕テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−〔４−（１−メトキシエトキシ）ナフタレン−１−イル〕テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
【００７９】
１−〔４−（２−メトキシエトキシ）ナフタレン−１−イル〕テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−〔４−（２−メトキシエトキシ）ナフタレン−１−イル〕テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−〔４−（２−メトキシエトキシ）ナフタレン−１−イル〕テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
１−（４−メトキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−メトキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−メトキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
１−（４−エトキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−エトキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−エトキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
【００８０】
１−（４−ｎ−プロポキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｎ−プロポキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−ｎ−プロポキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
１−（４−ｉ−プロポキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｉ−プロポキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−ｉ−プロポキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
１−（４−ｎ−ブトキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
【００８１】
１−（４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
１−（４−ベンジルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ベンジルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−ベンジルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
１−（１−ナフチルアセトメチル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（１−ナフチルアセトメチル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（１−ナフチルアセトメチル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
【００８２】
１−〔４−（テトラヒドロピラン−２−イルオキシ）ナフタレン−１−イル〕テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−〔４−（テトラヒドロピラン−２−イルオキシ）ナフタレン−１−イル〕テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−〔４−（テトラヒドロピラン−２−イルオキシ）ナフタレン−１−イル〕テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
１−〔４−（テトラヒドロフラン−２−イルオキシ）ナフタレン−１−イル〕テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−〔４−（テトラヒドロフラン−２−イルオキシ）ナフタレン−１−イル〕テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−〔４−（テトラヒドロフラン−２−イルオキシ）ナフタレン−１−イル〕テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート
等を挙げることができる。
【００８３】
スルホン化合物：
スルホン化合物としては、例えば、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホンや、これらのα−ジアゾ化合物等を挙げることができる。
スルホン化合物の具体例としては、フェナシルフェニルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス（フェニルスルホニル）メタン、４−トリスフェナシルスルホン等を挙げることができる。
スルホン酸エステル化合物：
スルホン酸エステル化合物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート等を挙げることができる。
スルホン酸エステル化合物の具体例としては、ベンゾイントシレート、ピロガロールトリス（トリフルオロメタンスルホネート）、ピロガロールトリス（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート）、ピロガロールトリス（メタンスルホネート）、ニトロベンジル−９，１０−ジエトキシアントラセン−２−スルホネート、α−メチロールベンゾイントシレート、α−メチロールベンゾインｎ−オクタンスルホネート、α−メチロールベンゾイントリフルオロメタンスルホネート、α−メチロールベンゾインｎ−ドデカンスルホネート等を挙げることができる。
【００８４】
ジスルホニルジアゾメタン化合物：
ジスルホニルジアゾメタン化合物としては、例えば、下記一般式（７）で表される化合物を挙げることができる。
【００８５】
【化９】
2004012798.tif 000008
〔一般式（７）において、各Ｒ７は相互に独立にアルキル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル基、ハロゲン置換アリール基等の１価の基を示す。〕
【００８６】
ジスルホニルジアゾメタン化合物の具体例としては、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキサンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメチルベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、メタンスルホニル・ｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、ビス（ｐ−ｔ−ブチルベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−クロロベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、シクロヘキサンスルホニル・ｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、シクロヘキサンスルホニル・１，１−ジメチルエタンスルホニルジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチルエタンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１−メチルエタンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（３，３−ジメチル−１，５−ジオキサスピロ［５．５］ドデカン−８−スルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，４−ジオキサスピロ［４．５］デカン−７−スルホニル）ジアゾメタン等を挙げることができる。
【００８７】
ジスルホニルメタン化合物：
ジスルホニルメタン化合物としては、例えば、下記一般式（８）で表される化合物を挙げることができる。
【００８８】
【化１０】
2004012798.tif 000009
【００８９】
〔一般式（８）において、各Ｒ８は相互に独立に直鎖状もしくは分岐状の１価の脂肪族炭化水素基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基またはヘテロ原子を有する１価の他の有機基を示し、ＶおよびＷは相互に独立にアリール基、水素原子、直鎖状もしくは分岐状の１価の脂肪族炭化水素基またはヘテロ原子を有する他の１価の有機基を示し、かつＶおよびＷの少なくとも一方がアリール基であるか、あるいはＶとＷが相互に連結して少なくとも１個の不飽和結合を有する単環または多環を形成しているか、あるいはＶとＷが相互に連結して下記式（９）で表される基を形成している。
【００９０】
【化１１】
2004012798.tif 000010
【００９１】
（但し、各Ｖ’および各Ｗ’は相互に独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基またはアラルキル基を示すか、あるいは同一のもしくは異なる炭素原子に結合したＶ’とＷ’が相互に連結して炭素単環構造を形成しており、ｂは２〜１０の整数である。）〕
【００９２】
オキシムスルホネート化合物
オキシムスルホネート化合物としては、例えば、一般式（１０）または一般式（１１）で表される化合物を挙げることができる。
【００９３】
【化１２】
2004012798.tif 000011
〔一般式（１０）および一般式（１１）において、各Ｒ９および各Ｒ１０は相互に独立に１価の有機基を示す。〕
【００９４】
一般式（１０）および一般式（１１）におけるＲ９の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ―プロピル基、フェニル基、トシル基、トリフルオロメチル基、ノナフルオロ−ｎ−ブチル基等を挙げることができる。
また、一般式（１０）および一般式（１１）におけるＲ１０の具体例としては、フェニル基、トシル基、１−ナフチル基等を挙げることができる。
【００９５】
ヒドラジンスルホネート化合物：
ヒドラジンスルホネート化合物の具体例としては、ビス（ベンゼンスルホニル）ヒドラジン、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ヒドラジン、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）ヒドラジン、ビス（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニル）ヒドラジン、ビス（ｎ−プロパンスルホニル）ヒドラジン、ベンゼンスルホニルヒドラジン、ｐ−トルエンスルホニルヒドラジン、トリフルオロメタンスルホニルヒドラジン、ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルヒドラジン、ｎ−プロパンスルホニルヒドラジン、トリフルオロメタンスルホニル・ｐ−トルエンスルホニルヒドラジン等を挙げることができる。
【００９６】
本発明において、酸発生剤（Ｃ）は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
本発明において、酸発生剤（Ｃ）の使用量は、樹脂（Ｂ）１００重量部当り、好ましくは０．１〜２０重量部、さらに好ましくは０．５〜１５重量部である。
【００９７】
その他の成分
本発明においては、さらに、酸のレジスト被膜中における拡散現象を制御し、非露光領域での好ましくない化学反応を抑制する作用を有する酸拡散制御剤を配合することが好ましい。
このような酸拡散制御剤を配合することにより、得られる感放射線性樹脂組成物の貯蔵安定性がさらに向上し、またレジストとしての解像度がさらに向上するとともに、露光から現像処理までの引き置き時間（ＰＥＤ）の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れた組成物が得られる。
酸拡散制御剤としては、レジストパターンの形成工程中の露光や加熱処理により塩基性が変化しない含窒素有機化合物が好ましい。
このような含窒素有機化合物としては、例えば、下記一般式（１２）で表される化合物（以下、「酸拡散制御剤（Ｄ）」という。）を挙げることができる。
【００９８】
【化１３】
2004012798.tif 000012
〔一般式（１２）において、各Ｒ１１は相互に独立に水素原子、直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、アリール基またはアラルキル基を示し、これらのアルキル基、アリール基およびアラルキル基は水酸基等の官能基で置換されていてもよく、Ｕは２価の有機基を示し、ｃは０〜２の整数である。〕
【００９９】
酸拡散制御剤（Ｄ）において、ｃ＝０の化合物を「含窒素化合物（α）」とし、ｃ＝１〜２の化合物を「含窒素化合物（β）」とする。また、窒素原子を３個以上有するポリアミノ化合物および重合体をまとめて「含窒素化合物（γ）」とする。
さらに、酸拡散制御剤（Ｄ）以外の含窒素有機化合物としては、例えば、４級アンモニウムヒドロキシド化合物、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等を挙げることができる。
【０１００】
含窒素化合物（α）としては、例えば、ｎ−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン、シクロヘキシルアミン等のモノ（シクロ）アルキルアミン類；ジ−ｎ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ペンチルアミン、ジ−ｎ−ヘキシルアミン、ジ−ｎ−ヘプチルアミン、ジ−ｎ−オクチルアミン、ジ−ｎ−ノニルアミン、ジ−ｎ−デシルアミン、シクロヘキシルメチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジ（シクロ）アルキルアミン類；トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ノニルアミン、トリ−ｎ−デシルアミン、シクロヘキシルジメチルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリシクロヘキシルアミン等のトリ（シクロ）アルキルアミン類；アニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２−メチルアニリン、３−メチルアニリン、４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、２，６−ジメチルアニリン、２，６−ジイソプロピルアニリン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、ナフチルアミン等の芳香族アミン類を挙げることができる。
【０１０１】
含窒素化合物（β）としては、例えば、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、１，３−ビス〔１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル〕ベンゼンテトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノジフェニルアミン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４−アミノフェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−（３−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，４−ビス〔１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル〕ベンゼン、１，３−ビス〔１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル〕ベンゼン、ビス（２−ジメチルアミノエチル）エーテル、ビス（２−ジエチルアミノエチル）エーテル等を挙げることができる。
含窒素化合物（γ）としては、例えば、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、２−ジメチルアミノエチルアクリルアミドの重合体等を挙げることができる。
前記４級アンモニウムヒドロキシド化合物としては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−プロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムヒドロキシド等を挙げることができる。
【０１０２】
前記アミド基含有化合物としては、例えば、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−オクチルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−ノニルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−デシルアミン、Ｎ―ｔ−ブトキシカルボニルジエタノールアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、Ｎ―ｔ−ブトキシカルボニルジフェニルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−１−アダマンチルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｎ−メチル−１−アダマンチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１−アダマンチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｎ−メチル−１−アダマンチルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｔ−ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，７−ジアミノヘプタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，８−ジアミノオクタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，９−ジアミノノナン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，１０−ジアミノデカン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，１２−ジアミノドデカン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、Ｎ―ｔ−ブトキシカルボニルピペリジン、Ｎ―ｔ−ブトキシカルボニルイミダゾール、Ｎ―ｔ−ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−メチルベンズイミダゾール、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−フェニルベンズイミダゾール等のＮ−ｔ−ブトキシカルボニル基含有アミノ化合物のほか、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン等を挙げることができる。
【０１０３】
前記ウレア化合物としては、例えば、尿素、メチルウレア、１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメチルウレア、１，１，３，３−テトラメチルウレア、１，３−ジフェニルウレア、トリ−ｎ−ブチルチオウレア等を挙げることができる。前記含窒素複素環化合物としては、例えば、イミダゾール、４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、２−フェニルベンズイミダゾール等のイミダゾール類；ピリジン、２−メチルピリジン、４−メチルピリジン、２−エチルピリジン、４−エチルピリジン、２−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、２−メチル−４−フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、４−ヒドロキシキノリン、８−オキシキノリン、アクリジン等のピリジン類；ピペラジン、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン等のピペラジン類のほか、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、３−ピペリジノ−１，２−プロパンジオール、モルホリン、４−メチルモルホリン、１，４−ジメチルピペラジン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン等を挙げることができる。
【０１０４】
これらの含窒素有機化合物のうち、含窒素化合物（α）、含窒素複素環化合物等が好ましい。また、含窒素化合物（α）の中では、トリ（シクロ）アルキルアミン類が特に好ましく、含窒素複素環化合物の中では、イミダゾール類、ピリジン類が特に好ましい。
前記酸拡散制御剤は、単独でまたは２種以上を一緒に使用することができる。
酸拡散制御剤の配合量は、樹脂（Ｂ）１００重量部当り、１５重量部以下、好ましくは０．００１〜１０重量部、さらに好ましくは０．００５〜５重量部である。この場合、酸拡散制御剤の配合量が１５重量部を超えると、レジストとしての感度や露光部の現像性が低下する傾向がある。なお、酸拡散制御剤の配合量が０．００１重量部未満では、プロセス条件によっては、レジストとしてのパターン形状や寸法忠実度が低下するおそれがある。
【０１０５】
また、本発明の感放射線性樹脂組成物には、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接着性等をさらに改善する作用を示す添加剤を配合することができ、該添加剤は酸解離性基を有することができる。
このような添加剤としては、例えば、
アダマンタン−１−カルボン酸ｔ−ブチル、アダマンタン−１−カルボン酸ｔ−ブトキシカルボニルメチル、アダマンタン−１−カルボン酸α−ブチロラクトンエステル、アダマンタン−１，３−ジカルボン酸ジ−ｔ−ブチル、アダマンタン−１−酢酸ｔ−ブチル、アダマンタン−１−酢酸ｔ−ブトキシカルボニルメチル、アダマンタン−１，３−ジ酢酸ジ−ｔ−ブチル、２，５−ジメチル−２，５−ジ（アダマンタン−１−イルカルボニルオキシ）ヘキサン等のアダマンタン誘導体類；
デオキシコール酸ｔ−ブチル、デオキシコール酸ｔ−ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール酸２−エトキシエチル、デオキシコール酸２−シクロヘキシルオキシエチル、デオキシコール酸３−オキソシクロヘキシル、デオキシコール酸テトラヒドロピラニル、デオキシコール酸メバロノラクトンエステル等のデオキシコール酸エステル類；
リトコール酸ｔ−ブチル、リトコール酸ｔ−ブトキシカルボニルメチル、リトコール酸２−エトキシエチル、リトコール酸２−シクロヘキシルオキシエチル、リトコール酸３−オキソシクロヘキシル、リトコール酸テトラヒドロピラニル、リトコール酸メバロノラクトンエステル等のリトコール酸エステル類：
アジピン酸ジメチル、アジピン酸ジエチル、アジピン酸ジ−ｎ−プロピル、アジピン酸ジ−ｎ−ブチル、アジピン酸ジ−ｔ−ブチル等のアルキルカルボン酸エステル類；
等を挙げることができる。
【０１０６】
これらの添加剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
前記添加剤の配合量は、樹脂（Ｂ）１００重量部当り、通常、５０重量部以下、好ましくは３０重量部以下である。この場合、該添加剤の配合量が５０重量部を超えると、レジストとしての耐熱性が低下する傾向がある。
【０１０７】
また、本発明の感放射線性樹脂組成物には、組成物の塗布性やストリエーション、レジストとしての現像性等を改良する作用を示す界面活性剤を配合することができる。
このような界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンｎ−オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンｎ−ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤のほか、以下商品名で、ＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）、ポリフローＮｏ．７５，同Ｎｏ．９５（共栄社化学（株）製）、エフトップＥＦ３０１，同ＥＦ３０３，同ＥＦ３５２（トーケムプロダクツ（株）製）、メガファックスＦ１７１，同Ｆ１７３（大日本インキ化学工業（株）製）、フロラードＦＣ４３０，同ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０，サーフロンＳ−３８２，同ＳＣ−１０１，同ＳＣ−１０２，同ＳＣ−１０３，同ＳＣ−１０４，同ＳＣ−１０５，同ＳＣ−１０６（旭硝子（株）製）等を挙げることができる。
これらの界面活性剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
前記界面活性剤の配合量は、樹脂（Ｂ）１００重量部当り、好ましくは２重量部以下である。
【０１０８】
また、本発明の感放射線性樹脂組成物には、他の増感剤を配合することができる。
好ましい他の増感剤としては、例えば、カルバゾール類、ベンゾフェノン類、ローズベンガル類、アントラセン類、フェノール類等を挙げることができる。
これらの増感剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
増感剤の配合量は、樹脂（Ｂ）１００重量部当り、好ましくは５０重量部以下である。
【０１０９】
また、本発明の感放射線性樹脂組成物には、所望により、アルカリ可溶性樹脂を添加することができる。
前記アルカリ可溶性樹脂としては、例えば、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）、部分水素添加ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）、ポリ（ｍ−ヒドロキシスチレン）、ｐ−ヒドロキシスチレン／ｍ−ヒドロキシスチレン共重合体、ｐ−ヒドロキシスチレン／スチレン共重合体、ノボラック樹脂、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸等を挙げることができる。
アルカリ可溶性樹脂のＭｗは、好ましくは１，０００〜１，０００，０００、さらに好ましくは２，０００−１００，０００である。
前記アルカリ可溶性樹脂は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
さらに、前記以外の添加剤として、４−ヒドロキシ−４’−メチルカルコン等のハレーション防止剤、形状改良剤、保存安定剤、消泡剤等を配合することもできる。
【０１１０】
溶剤
本発明の感放射線性樹脂組成物は、その使用に際して、全固形分の濃度が、通常、０．１〜５０重量％、好ましくは１〜４０重量％になるように、溶剤に均一に溶解したのち、例えば孔径０．２μｍ程度のフィルターでろ過することにより、組成物溶液として調製される。
前記組成物溶液の調製に使用される溶剤としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類；プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル等のプロピレングリコールジアルキルエーテル類；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−プロピル、乳酸ｉ−プロピル等の乳酸エステル類；ぎ酸ｎ−アミル、ぎ酸ｉ−アミル、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｎ−アミル、酢酸ｉ−アミル、プロピオン酸ｉ−プロピル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸ｉ−ブチル等の脂肪族カルボン酸エステル類；ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチル酪酸メチル、メトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルプロピオネート、３−メチル−３−メトキシブチルブチレート、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等の他のエステル類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類；Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類；γ−ブチロラクン等のラクトン類を挙げることができる。
これらの溶剤は、単独でまたは２種以上を一緒に使用することができる。
【０１１１】
レジストパターンの形成
本発明の感放射線性樹脂組成物からレジストパターンを形成する際には、前述したようにして調製された組成物溶液を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段によって、例えば、シリコンウェハー、アルミニウムで被覆されたウェハー等の基板上に塗布することにより、レジスト被膜を形成し、場合により予め７０〜１６０℃程度の温度で加熱処理（以下、「ＰＢ」という。）を行ったのち、所定のマスクパターンを介して露光する。その際に使用される放射線として、酸発生剤（Ｃ）の種類に応じ、例えば、ＥＵＶ（波長１３ｎｍ等）、Ｆ２エキシマレーザー（波長１５７ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外線、シンクロトロン放射線等のＸ線、電子線等の荷電粒子線等を適宜選択し使用する。また、露光量等の露光条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成、各添加剤の種類等に応じて、適宜選定される。
本発明においては、高精度の微細パターンを安定して形成するために、露光後に、７０〜１６０℃の温度で３０秒以上加熱処理（以下、「ＰＥＢ」という。）を行なうことが好ましい。この場合、ＰＥＢの温度が７０℃未満では、基板の種類による感度のばらつきが広がるおそれがある。
【０１１２】
その後、アルカリ現像液で、通常、１０〜５０℃で１０〜２００秒、好ましくは１５〜３０℃で１５〜１００秒、特に好ましくは２０〜２５℃で１５〜９０秒の条件で現像することにより、所定のレジストパターンを形成させる。
前記アルカリ現像液としては、例えば、アルカリ金属水酸化物、アンモニア水、モノ−、ジ−あるいはトリ−アルキルアミン類、モノ−、ジ−あるいはトリ−アルカノールアミン類、複素環式アミン類、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド類、コリン、１，８−ジアザビシクロ−［５．４．０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ−［４．３．０］−５−ノネン等のアルカリ性化合物を、通常、１〜１０重量％、好ましくは１〜５重量％、特に好ましくは１〜３重量％の濃度となるよう溶解したアルカリ性水溶液が使用される。
また、前記アルカリ性水溶液からなる現像液には、例えばメタノール、エタノール等の水溶性有機溶剤や界面活性剤を適宜添加することもできる。
なお、レジストパターンの形成に際しては、環境雰囲気中に含まれる塩基性不純物等の影響を防止するため、レジスト被膜上に保護膜を設けることもできる。
【０１１３】
【発明の実施の形態】
以下、実施例を挙げて、本発明の実施の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。ここで、部は特記しない限り重量基準である。
合成例１
ｐ−アセトキシスチレン１０１ｇ、スチレン５ｇ、ｐ−ｔ−ブトキシスチレン４２ｇ、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル６ｇおよびｔ−ドデシルメルカプタン１ｇを、プロピレングリコールモノメチルエーテル１６０ｇに溶解したのち、窒素雰囲気下、反応温度を７０℃に保持して、１６時間重合した。重合後、反応溶液を大量のｎ−ヘキサン中に滴下して、生成樹脂を凝固精製した。次いで、この精製樹脂に、再度プロピレングリコールモノメチルエーテル１５０ｇを加えたのち、さらにメタノール３００ｇ、トリエチルアミン８０ｇおよび水１５ｇを加えて、沸点にて還流させながら、８時間加水分解反応を行なった。反応後、溶剤およびトリエチルアミンを減圧留去し、得られた樹脂をアセトンに溶解したのち、大量の水中に滴下して凝固させ、生成した白色粉末をろ過して、減圧下５０℃で一晩乾燥した。
得られた樹脂は、Ｍｗが１６，０００、Ｍｗ／Ｍｎが１．７であり、１３Ｃ−ＮＭＲ分析の結果、ｐ−ヒドロキシスチレンとスチレンとｐ−ｔ−ブトキシスチレンとの共重合モル比が７２：５：２３であった。この樹脂を、樹脂（Ｂ−１）とする。
【０１１４】
樹脂（Ｂ−１）および下記合成例２〜３で得た樹脂のＭｗおよびＭｎの測定は、東ソー（株）製ＧＰＣカラム（Ｇ２０００ＨＸＬ２本、Ｇ３０００ＨＸＬ１本、Ｇ４０００ＨＸＬ１本）を用い、流量１．０ミリリットル／分、溶出溶剤テトラヒドロフラン、カラム温度４０℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定した。
【０１１５】
合成例２
ｐ−アセトキシスチレン１００ｇ、アクリル酸ｔ−ブチル２５ｇ、スチレン１８ｇ、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル６ｇおよびｔ−ドデシルメルカプタン１ｇを、プロピレングリコールモノメチルエーテル２３０ｇに溶解し、窒素雰囲気下、反応温度を７０℃に保持して１６時間重合した。重合後、反応溶液を大量のｎ−ヘキサン中に滴下して、生成樹脂を凝固精製した。次いで、この精製樹脂に、再度プロピレングリコールモノメチルエーテル１５０ｇを加えたのち、さらにメタノール３００ｇ、トリエチルアミン８０ｇおよび水１５ｇを加えて、沸点にて還流させながら、８時間加水分解反応を行った。反応後、溶剤およびトリエチルアミンを減圧留去し、得られた樹脂をアセトンに溶解したのち、大量の水中に滴下して凝固させ、生成した白色粉末をろ過して、減圧下５０℃で一晩乾燥した。
【０１１６】
得られた樹脂は、Ｍｗが１１，５００、Ｍｗ／Ｍｎが１．６であり、１３Ｃ−ＮＭＲ分析の結果、ｐ−ヒドロキシスチレンとアクリル酸ｔ−ブチルとスチレンとの共重合モル比が６１：１９：２０であった。この樹脂を、樹脂（Ｂ−２）とする。
【０１１７】
合成例３
共重合モル比９０：１０のｐ−ヒドロキシスチレン／ｐ−ｔ−ブトキシスチレン共重合物２５ｇを、酢酸ｎ−ブチル１００ｇに溶解して、窒素ガスにより３０分問バブリングを行ったのち、エチルビニルエーテル３．３ｇを加え、触媒としてｐ−トルエンスルホン酸ピリジニウム塩１ｇを添加し、室温で１２時間反応させた。その後、反応溶液を１重量％アンモニア水溶液中に滴下し、沈殿した樹脂をろ別したのち、５０℃の真空乾燥器内で一晩乾燥した。
【０１１８】
得られた樹脂は、Ｍｗが１３，０００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０１であり、１３Ｃ−ＮＭＲ分析の結果、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）中のフェノール性水酸基の水素原子の２３モル％がエトキシキシエチル基で、１０モル％がｔ−ブチル基で置換された構造を有するものであった。この樹脂を、樹脂（Ｂ−３）とする。
【０１１９】
実施例１〜３および比較例１
表１に示す各成分を混合して均一溶液としたのち、孔径０．２μｍのメンブランフィルターでろ過して、組成物溶液を調製した。その後、各組成物溶液をシリコンウェハー上にスピンコートしたのち、表２に示す条件でＰＢを行って、膜厚０．５μｍのレジスト被膜を形成した。
次いで、（株）ニコン製ステッパーＮＳＲ２２０５　ＥＸ１２Ｂ（開口数０．５５）を用い、ＫｒＦエキシマレーザーにより露光したのち、表２に示す条件でＰＥＢを行った。その後、２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用い、２３℃で１分間、パドル法により現像したのち、純水で水洗し、乾燥して、レジストパターンを形成した。各レジストの評価結果を、表３に示す。
【０１２０】
ここで、各レジストの評価は、下記の要領で実施した。
放射線透過率：
石英板上に形成した膜厚０．５μｍのレジスト被膜について、波長２４８ｎｍの放射線の透過率を測定した。
感度：
シリコンウエハー上に形成したレジスト被膜に露光し、直ちにＰＥＢを行って、アルカリ現像したのち、水洗し、乾燥して、レジストパターンを形成したとき、線幅０．１８μｍのライン・アンド・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）を１対１の線幅に形成する露光量を最適露光量とし、この最適露光量により感度を評価した。
解像度：
最適露光量で露光したときに解像されるライン・アンド・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）の最小寸法を解像度とした。
【０１２１】
表１における化合物（Ａ）、酸発生剤（Ｃ）、酸拡散制御剤（Ｄ）および溶剤は、下記のとおりである。
化合物（Ａ）
Ａ−１：トリチリウムトリフルオロメタンスルホネート（下記式（１３）で表さ
れる化合物）
【０１２２】
【化１４】
2004012798.tif 000013
【０１２３】
酸発生剤（Ｃ）
Ｃ−１：ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスル
ホネート
Ｃ−２：トリフルオロメタンスルホニルオキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド
Ｃ−３：ビス（シクロヘキサンスルホニル）ジアゾメタン
酸拡散制御剤（Ｄ）
Ｄ−１：トリ−ｎ−オクチルアミン
Ｄ−２：２−フェニルベンズイミダゾール
溶剤
Ｇ−１：乳酸エチル
Ｇ−２：３−エトキシプロピオン酸エチル
Ｇ−３：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
【０１２４】
【表１】
2004012798.tif 000014
【０１２５】
【表２】
2004012798.tif 000015
【０１２６】
【表３】
2004012798.tif 000016
【０１２７】
【発明の効果】
本発明の感放射線性樹脂組成物は、活性放射線、例えばＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザーあるいはＦ２エキシマレーザーに代表される遠紫外線に感応する化学増幅型レジストとして、特に、放射線に対する透明性が高く、かつ高解像度であり、今後ますます微細化が進行するとみられる集積回路素子の製造に極めて好適に使用することができる。