(57)【要約】【課題】ガラス基板を容易な手法で分離するとともに、表示素子構成物質を表示ガラス基板及び背面側ガラス基板からきれいに剥ぎ取ることが低コストで実現できるＰＤＰの再利用方法を提供すること。【解決手段】表示側ガラス基板２と背面側ガラス基板３とが対向配置され、これら一対のガラス基板の対向領域の周縁をシール部４により密封して内部に放電空間を形成して表示デバイスとしたプラズマディスプレイパネル１の再利用方法において、シール部４の幅より大きい幅のカッターで両ガラス基板２，３をシール部４と共に切断することによって分離し、この分離した両ガラス基板の放電空間側の内面を研削して両ガラス基板２，３に付着している電極を含む表示素子構成物質の全てを両ガラス基板２，３から剥離する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示側ガラス基板と背面側ガラス基板とが対向配置され、これら一対のガラス基板の対向領域の周縁をシール部により密封して内部に放電空間を形成して表示デバイスとしたプラズマディスプレイパネルの再利用方法であって、両ガラス基板を前記シール部の幅より大きい幅のカッターでシール部と共に切断することによって分離し、この分離した両ガラス基板の放電空間側の内面を研削して両ガラス基板に付着している電極を含む表示素子構成物質の全てを両ガラス基板から剥離することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの再利用方法。
【請求項２】
前記両ガラス基板の切断は、先ず一方のガラス基板の非電極形成側をシール部と共に切断すると同時に、他方のガラス基板の放電空間側の一部を僅かに切削し、その後他方のガラス基板の非電極形成側をシール部と共に切断すると同時に、一方のガラス基板の放電空間側の一部を僅かに切削する請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの再利用方法。
【請求項３】
前記両ガラス基板の内面側の研削は、電着ホイールで行う請求項１または２に記載のプラズマディスプレイパネルの再利用方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示側ガラス基板と背面側ガラス基板とが対向配置され、これら一対のガラス基板の対向領域の周縁をシール部により密封して内部に放電空間を形成して表示デバイスとしたプラズマディスプレイパネルの再利用方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、パネル自体が発光し明るい映像を映し出し、高精細度、軽量薄形の表示デバイスとしてプラズマディスプレイパネル（以下「ＰＤＰ」という）が注目されており、図８（ａ）はこのようなＰＤＰの斜視図であり、図８（ｂ）はその一部断面図を示したものである（特許文献１参照）。
【０００３】
図８（ａ）に示すように、ＰＤＰ０１は表示側ガラス基板０２と背面側ガラス基板０３が約１００から２００μｍの間隔を隔てて対向配置されており、これら一対のガラス基板０２，０３の対向領域の周縁は封止ガラスで熱融着して、内部に放電のための密封空間を形成している。そして、何千という数の単位発光領域Ｕを有し、そのうちの一つの単位発光領域Ｕの内部構造は、図８（ｂ）に示すように、その領域内に表示側ガラス基板０２に設けた表示電極Ｘ、Ｙと、背面側ガラス基板０３に設けたアドレス電極Ａが直交するように対峙し、両者間に放電空間０４が形成されている。
【０００４】
これら表示電極Ｘ、Ｙは幅広の透明導電膜０６と、導電性を補うために、例えばクロム−銅−クロムの３層構造のバス金属膜０７とから成り、そして全ての電極Ｘ、Ｙは数十μｍ程度の厚さを有する誘電体層０８と低融点ガラス層０９で覆われ、さらに最終外表面には放電による劣化を抑えるために、例えばＭｇＯから成る保護層０１０が蒸着されている。誘電体層０８としては焼成時の気泡を抑えるために非脱泡性の、例えばＰｂＯを主成分とし、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等から成る低融点ガラスが選択される。
【０００５】
一方、背面側ガラス基板０３上にはアドレス電極Ａが表示電極Ｘ、Ｙと直交する方向に配線され、各アドレス電極Ａは各放電空間０４の干渉を防ぐためのグリッド隔壁０１１により隔離されその上面は誘電体層０８で覆われている。アドレス電極Ａを挟んで延びる２つのグリッド隔壁０１１は単位発光領域Ｕの放電空間０４を画成し、この放電空間０４の上面を除く周面は、放電空間０４内の放電ガスが放つ紫外線により励起して発光する蛍光体０１２で被覆されている。そして、Ｒ、Ｇ、Ｂの発光色を有する３つの単位発光領域を１単位として、１画素セルが構成されている。
【０００６】
そして、これら２つのガラス基板０２、０３が封止ガラス０１３により密封接続されるが、この際、封止ガラス０１３内の両ガラス基板０２、０３で挟まれた空間は真空状態にされ、その内部にヘリウム、ゼノン、或いはネオン等の放電ガスが充填される。
【０００７】
【特許文献１】
特開平７−６５７２９号公報（段落００１９−００２７、第１、２図）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１に記載のＰＤＰを再利用しようとすると、２枚のガラス基板０２、０３を先ずは熱融着した封止ガラス０１３から分離しなければならず、困難な作業を伴うばかりでなく、分離後においても微少間隔で立設しているグリッド隔壁０１１間に、金属体で構成された電極Ａ、誘電体層０８およびＲ、Ｇ、Ｂの蛍光物質から成る蛍光体０１２が埋設し、表示ガラス基板０２面にも保護層０１０、誘電体層０８および電極Ｘ，Ｙが付着しているため、これら各種の表示素子構成物質を表示ガラス基板０２、背面側ガラス基板０３からきれいに剥ぎ取ることが殆ど不可能であることから、従来はクラッシャーにかけ産業廃棄物として埋め立て処理するか、表示素子構成物質が付着したまま粉砕して、鋭利な角部を取り除いた小さい粒形状に仕上げ、ガラスカレットとして舗装材の骨材として、あるいは外装壁タイル原料として使用される程度であり、コスト面および技術上の困難性からＰＤＰのガラス基板を再度ガラス基板の原料として再利用する構想はどこにもなかった。
【０００９】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、ガラス基板を容易な手法で分離するとともに、表示素子構成物質を表示ガラス基板及び背面側ガラス基板からきれいに剥ぎ取ることが低コストで実現できるＰＤＰの再利用方法を提供することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明のプラズマディスプレイパネルの再利用方法は、表示側ガラス基板と背面側ガラス基板とが対向配置され、これら一対のガラス基板の対向領域の周縁をシール部により密封して内部に放電空間を形成して表示デバイスとしたプラズマディスプレイパネルの再利用方法であって、両ガラス基板を前記シール部の幅より大きい幅のカッターでシール部と共に切断することによって分離し、この分離した両ガラス基板の放電空間側の内面を研削して両ガラス基板に付着している電極を含む表示素子構成物質の全てを両ガラス基板から剥離することを特徴としている。
この特徴によれば、シール部の幅より大きい幅のカッターでシール部を直接切り取るので、容易かつ迅速に分離することができ、しかもガラス基板に付着した表示素子構成物質を研削という手法で剥ぎ取ることにより、低コストで且つ完全にガラス基板から剥離することができる。
【００１１】
本発明のプラズマディスプレイパネルの再利用方法において、前記両ガラス基板の切断は、先ず一方のガラス基板の非電極形成側をシール部と共に切断すると同時に、他方のガラス基板の放電空間側の一部を僅かに切削し、その後他方のガラス基板の非電極形成側をシール部と共に切断すると同時に、一方のガラス基板の放電空間側の一部を僅かに切削することが好ましい。
これによれば、分離した両ガラス基板はシール部があったところより外側の部分も基板本体と接続しているので再利用が可能であり、再利用率の向上が図れる。
【００１２】
本発明のプラズマディスプレイパネルの再利用方法において、前記両ガラス基板の内面側の研削は、電着ホイールで行うことが好ましい。
これによれば、例えばダイヤモンドや、ＣＢＮで固定した電着ホイールを用いることで、迅速且つ確実に表示素子構成物質をガラス基板から剥離することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【００１４】
図１は本発明の一実施形態に係るＰＤＰの外観形状を示す斜視図、図２はＰＤＰの１画素に対応する部分の基本的な構造を示す分解斜視図、図３はＰＤＰの切断部位を示す平面図、図４は図３のＡ−Ａに沿った断面図であって、カッターを使用して背面側ガラス基板が残るように表示側ガラス基板をシール部と共に切除する状態を示す説明図、図５の（ａ）はカッターを使用して表示側ガラス基板の両側端と背面側ガラス基板の内面をシール部と共に切除する状態を示す工程図、（ｂ）は反転した背面側ガラス基板の両側端と表示側ガラス基板の内面をシール部と共に切除する状態を示す工程図、図６はＰＤＰから分離された背面側ガラス基板内面側の電極を含む表示素子構成物質を研磨によって剥離する状態を示す作用説明図であり、図７はＰＤＰから分離された表示側ガラス基板内面側の電極を含む表示素子構成物質を研削によって剥離する状態を示す作用説明図である。
【００１５】
最初に、ＰＤＰに付き図１および図２を参照して説明する。
【００１６】
図１および図２に示すように、ＰＤＰ１は薄い肉厚（３ｍｍ程度）で構成される表示側ガラス基板２と背面側ガラス基板３が、約１００から２００μｍの間隔を隔てて張合わされたもので、これら一対のガラス基板２，３の対向領域周縁は、封止ガラス４で熱融着して、内部に放電のための密封空間を形成している。
【００１７】
そして、その密封空間には複数（数千単位）の単位発光領域Ｕを有し、そのうちの一つの単位発光領域Ｕの内部構造は、図１に示すように、その領域内に表示側ガラス基板２に設けた表示電極Ｓ、Ｔと、背面側ガラス基板３に設けたアドレス電極Ｅが直交するように対峙し、両者間に放電空間が形成されている。
【００１８】
これら表示電極Ｓ、Ｔは幅広の透明導電膜８と、導電性を補うために、例えばクロム−銅−クロムの３層構造のバス金属膜６とから成り、そして全ての電極Ｓ，Ｔは数十μｍ程度の厚さを有する誘電体層１０と保護膜（ＭｇＯ膜）となる封止ガラス４の低融点ガラス層（不図示）で覆われ、さらに最終外表面には放電による劣化を抑えるために、例えばＭｇＯから成る保護層１２が蒸着されている。誘電体層１０としては焼成時の気泡を抑えるために非脱泡性の、例えばＰｂＯを主成分とし、ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３等から成る低融点ガラスが選択される。
【００１９】
一方、背面側ガラス基板３上には、アドレス電極Ｅが表示電極Ｓ、Ｔと直交する方向に配線され、各アドレス電極Ｅは各放電空間の干渉を防ぐためのグリッド隔壁１４により隔離されその上面は誘電体層１６で覆われている。アドレス電極Ｅを挟んで延びる２つのグリッド隔壁１４は、単位発光領域Ｕの放電空間を画成し、この放電空間の上面を除く周面は、放電空間内の放電ガスが放つ紫外線により励起して発光する蛍光体１５で被覆されている。そして、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の発光色を有する３つの単位発光領域を１単位として、１画素セルＤが構成されている。
【００２０】
そして、これら２つのガラス基板２，３がシール部となる封止ガラス４により密封接続されるが、この際、封止ガラス４内の両ガラス基板２，３で挟まれた空間は真空状態にされ、その内部にヘリウム、ゼノン、或いはネオン等の放電ガスが充填される。
【００２１】
このようにして、表示画面を構成する各画素セルＤには，ライン方向に並ぶ同一面積の３つの単位発光領域Ｕが対応づけられている。各単位発光領域Ｕにおいて、表示電極Ｓ、Ｔによって面放電セル（表示のための主放電セル）が画定され、アドレス電極Ｅとの電位によって表示又は非表示セルが特定される。これにより、アドレス電極Ｅの延長方向に連続する蛍光体１５の内、各単位発光領域Ｕに対応した部分を選択的に発光させることができ、Ｒ，Ｇ，Ｂの組み合わせによるフルカラー表示が可能になる。
【００２２】
そこで、上記のように構成されたＰＤＰ１の表示側ガラス基板２と背面側ガラス基板３を再利用するに際し、封止ガラス４により張合わされている両ガラス基板２，３を分離して該両ガラス基板２，３に付着している電極を含む表示素子構成物質の全てを、図２に示される厚みの範囲Ｓ２，Ｓ１で剥離する作業が行われる。
【００２３】
表示側ガラス基板２と背面側ガラス基板３を分離するに際し、図４に示すように、封止ガラス４の幅（約５ｍｍ）より幅広のカッターＧ（約６ｍｍ幅）を使用して密封状に接続している封止ガラス４部位が表示側ガラス基板２、または背面側ガラス基板３と共に切除される。
【００２４】
表示側ガラス基板２と背面側ガラス基板３の対接する両側端内面は、図３に示すように封止ガラス４により密封状に接続されており、表示側ガラス基板２の切除する領域は電極が形成されていない２つの非電極形成側で、封止ガラス４の中心線に対応する２本の平行な切断線Ｃ３，Ｃ４がカッターＧの中心と位置合わせされて、図５の（ａ）に示すように、カッターＧにより封止ガラスと共に削り代２０ａ，２０ｂが切断される。
【００２５】
この時、背面側ガラス基板３は、図４に示すように、放電空間側がカッターＧの幅に亘って僅かな削除代をもって切除され、切断線Ｃ３，Ｃ４に沿った浅溝２２が形成される。この状態においては封止ガラスの一部はまだ残されているので、ガラス基板２，３は分離することはできない。
【００２６】
その後、図５の（ｂ）に示すように、表示側ガラス基板２をひっくり返して下側にし、裏面側ガラス基板３の電極が形成されていない２つの非電極形成側が、封止ガラス４の中心線に対応する２本の平行な切断線Ｃ１，Ｃ２とカッターＧの中心とを位置合わせした後、カッターＧにより封止ガラスと共に削り代２０ｃ，２０ｄが切断される。この時、表示側ガラス基板２は、放電空間側がカッターＧの幅に亘って僅かな削除代をもって切除され、切断線Ｃ１，Ｃ２に沿って浅溝２２が形成される。
【００２７】
これにより封止ガラス４の全てが切除されたことになり、表示側ガラス基板２及び背面側ガラス基板３は二つに分離することができる。表示側ガラス基板２の両浅溝２２外側には、図５の（ｂ）に示すように、複数の表示電極が露呈した非切断部Ｘ３，Ｘ４が連接され、同様に、裏面側ガラス基板３の両浅溝２２外側には、図５の（ａ）に示すように、複数のアドレス電極が露呈した非切断部Ｘ１，Ｘ２が連接されている。
【００２８】
両ガラス基板２，３が分離されると、両対接面に形成される電極を含む表示素子構成物質２４及び２５を上に向けて図示しない研削盤の移動テーブル上にそれぞれ載置される。
【００２９】
研削盤の移動テーブル上に載置された背面側ガラス基板３は、図６に示すように、図示しない移動テーブルの移動により例えばホイール状の砥石Ｇ１を使用して対接面に付着している電極を含む表示素子構成物質２５の全てを削り取るまで研削することで、背面側ガラス基板３に不純物のない研磨面３ａを形成することができる。このホイール状の砥石Ｇ１としては、ダイヤモンドやＣＢＮ（立体晶窒化硼素）固定した電着ホイールを使用すると効率的である。
【００３０】
一方、表示側ガラス基板２は、図７に示すように、移動テーブルの移動により、同様にホイール状の砥石Ｇ１を使用して対接面に付着している電極を含む表示素子構成物質２４の全てを研削して、表示側ガラス基板２に不純物のない研磨面２ａを形成する。
【００３１】
このように、対接面に付着している不純物が研削によって剥離された両ガラス基板２，３の純粋な部分のみが溶解されて再利用することができるだけでなく、研削によって形成されたスラッジ内に含まれる電極などの組成物として貴金属となる、Ａｇ，Ｓｎ及びＩｎも、電気分解によって回収することができる。
【００３２】
上記のような再利用方法によれば、封止ガラス４の幅より幅広のカッターＧで封止ガラス４を表示側ガラス基板２及び背面側ガラス基板３と共に直接切り取り、しかも分離した表示側ガラス基板２及び背面側ガラス基板３は封止ガラス４があったところより外側の部分も再利用可能であり、かつ、ガラス基板２，３の両対接面に付着した電極を含む表示素子構成物質２４及び２５を研削という手法で剥ぎ取ることにより、低コストで且つ完全にガラス基板から剥離することができる。
【００３３】
また、両ガラス基板２，３の対接する内面側の研削には、例えばダイヤモンドや、ＣＢＮで固定した電着ホイールの砥石Ｇ１を用いることで、迅速且つ確実に電極を含む表示素子構成物質２４及び２５をガラス基板２，３から剥離することができる。
【００３４】
以上、本発明の実施形態を図面により説明してきたが、具体的な構成はこれら実施例に限られるものではなく、例えば、簡便且つ迅速にガラス基板を分離するには、再利用率は若干劣るが、カッターで両ガラス基板をシール部と共に切断するようにしてもよい。
【００３５】
【発明の効果】
本発明は以下の効果を奏する。
【００３６】
（ａ）請求項１項の発明によれば、シール部の幅より大きい幅のカッターでシール部を直接切り取るので、容易かつ迅速に分離することができ、しかもガラス基板に付着した表示素子構成物質を研削という手法で剥ぎ取ることにより、低コストで且つ完全にガラス基板から剥離することができる。
【００３７】
（ｂ）請求項２項の発明によれば、分離した両ガラス基板はシール部があったところより外側の部分も基板本体と接続しているので再利用が可能であり、再利用率の向上が図れる。
【００３８】
（ｃ）請求項３項の発明によれば、例えばダイヤモンドや、ＣＢＮで固定した電着ホイールを用いることで、迅速且つ確実に表示素子構成物質をガラス基板から剥離することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係るＰＤＰの外観形状を示す斜視図である。
【図２】ＰＤＰの１画素に対応する部分の基本的な構造を示す分解斜視図である。
【図３】ＰＤＰの切断部位を示す平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａに沿った断面図であって、カッターを使用して背面側ガラス基板が残るように表示側ガラス基板をシール部と共に切除する状態を示す説明図である。
【図５】（ａ）はカッターを使用して表示側ガラス基板の両側端と背面側ガラス基板の内面をシール部と共に切除する状態を示す工程図、（ｂ）は反転した背面側ガラス基板の両側端と表示側ガラス基板の内面をシール部と共に切除する状態を示す工程図である。
【図６】ＰＤＰから分離された背面側ガラス基板内面側の電極を含む表示素子構成物質を研磨によって剥離する状態を示す作用説明図である。
【図７】ＰＤＰから分離された表示側ガラス基板内面側の電極を含む表示素子構成物質を研削によって剥離する状態を示す作用説明図である。
【図８】（ａ）は従来のＰＤＰの斜視図であり、（ｂ）はその部分断面図を示したものである。
【符号の説明】
１                      ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）
２                      表示側ガラス基板
３                      背面側ガラス基板
２ａ，３ａ              研磨面
４                      封止ガラス（シール部）
６                      バス金属膜
８                      透明導電膜
１０、１６              誘電体層
１２                    保護層
１４                    グリッド隔壁
１５                    蛍光体
２０ａ，２０ｂ          削り代
２０ｃ，２０ｄ          削り代
２２                    浅溝
２４，２５              表示素子構成物質
Ｃ１〜Ｃ４              切断線
Ｄ                      画素セル
Ｅ                      アドレス電極
Ｇ                      カッター
Ｇ１                    砥石
Ｓ，Ｔ                  表示電極
Ｓ２，Ｓ１              剥離する厚みの範囲
Ｕ                      単位発光領域
Ｘ１，Ｘ２              非切断部
Ｘ３，Ｘ４              非切断部
【図１】
2004313850.tif 000003
【図２】
2004313850.tif 000004
【図３】
2004313850.tif 000005
【図４】
2004313850.tif 000006
【図５】
2004313850.tif 000007
【図６】
2004313850.tif 000008
【図７】
2004313850.tif 000009
【図８】
2004313850.tif 000010