(57)【要約】【課題】本発明の目的は、機械的及び光学的にけがき線を入れたのち、別ステージに移し変えをせず、１つのステージで分割を行う。分割工程の削減と光電変換素子への歩留まり向上を考えた製造方法である。【解決手段】光電変換素子にスイッチ素子が接続された画素を基板上に、２次元的に複数個備えて構成されるＸ線撮像装置において、光源変換素子及び端子部が形成されている大判ガラス基板に、けがき線を入れ、そのけがき線を境に複数分割ができる手法として、けがきと分割が１つの吸着ステージによって行えることを特徴とするＸ線撮像装置の製造方法。【選択図】　　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子にスイッチ素子が接続された画素を基板上に、２次元的に複数個備えて構成されるＸ線撮像装置において、光電変換素子及び端子部が形成されている大判ガラス基板に、けがき線を入れ、そのけがき線を境に複数分割ができる手法として、けがきと分割が１つの吸着ステージによって行える事を特徴とするＸ線撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記、けがき線は、金属やダイヤモンド等からなるホイール状の刃によるスクライブ方法または、炭酸ガスレーザやＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等によるレーザ照射方法、ダイシングによる削りながら、けがく方法を特徴とする請求項１に記載されるＸ線撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はマトリックス上に配列された光電変換素子を有する光電変換装置を利用する撮影装置に関するものである。また、人体用のＸ線撮像装置に利用した場合には特に有効な手段となる。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＸ線撮像装置はフィルム上にＸ線を可視光に変換する蛍光体を載せていた。これは、現像に時間が掛かり、フィルムの高コストになってしまうので問題があった。近年、水素化アモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと記す）に代表される光電変換半導体材料の開発により、光電変換素子及び信号処理部とを大面積の基板に形成し、情報の読み取り原稿と等倍の光学系で読み取る、密着型センサの開発がめざましい。特にａ−Ｓｉは、光電変換材料としてだけでなく、薄膜電界効果型トランジスタ（以下ＴＦＴと記す）としても用いることができるので、光電変換半導体層とＴＦＴの半導体層とを同時に形成することができる要素を持っている。
【０００３】
また、同時に形成するＴＦＴ等のスイッチ素子および容量素子とは相性が良く、同一膜構成のため共通な膜として同時に形成可能であり、さらに光電変換装置を高Ｓ／Ｎ化、低コスト化することができる効果がある。また容量素子のコンデンサも中間層に絶縁層を含んでおり、良好な特性で形成でき、複数の光電変換素子で得られた光情報の値を、簡単な構成で出力できる高機能の光電変換装置が提供出来る効果がある。このようなことから、低コスト、大面積、高機能、高特性のファクシミリや、スキャナ、Ｘ線撮像装置を提供できるという効果もある。
【０００４】
従来のＸ線撮像装置は、４枚の小基板をセル状（２×２）に合せて、１つの大面積パネルであった。そのＸ線撮像装置の光電変換素子の切断する工程として、ガラスカッター等による機械的にけがき線を入れ、そのけがき線を境に分割治具を使用して分割を行っていた。光電変換素子領域と非光電変換領域に分かれていた為、非光変換領域側の表面を接触して分割を行っていた。
【０００５】
最近では、大判基板の表面に広範囲による光電変換素子が形成される様になってきた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来例では、けがき線を入れたのち、別ステージにて分割作業を行うといった、けがき、分割の別作業方法を行っていた。ガラス表面には広範囲にわたって光電変換素子が形成されている為、物理的に表面を接触する事が出来ない。
【０００７】
但し、大面積ながらも光電変換素子が形成されていない一部分が存在するので、その一部分の小面積箇所を分割用治具である非金属ピンセットや真空吸着ピンセット等を使用して分割を行っていた。その分割の際に使用している分割治具である真空吸着ピンセットの密着や非金属ピンセットの接触の悪さが原因で、光電変換素子が形成されているガラス表面に落下する可能性があった。
【０００８】
（発明の目的）
本発明の目的は、機械的及び光学的にけがき線を入れたのち、別ステージに移し変えをせず、１つのステージで分割を行う。分割工程の削減と光電変換素子への歩留り向上を考えた製造方法である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を解決する方法として、光電変換素子にスイッチ素子が接続された画素を基板上に、２次元的に複数個備えて構成されるＸ線撮像装置において、光電変換素子及び端子部が形成されている大判ガラス基板に、けがき線を入れ、そのけがき線を境に複数分割ができる手法として、けがきと分割が１つの吸着ステージによって行える事を特徴とする。けがき線は、金属やダイヤモンド等からなるホイール状の刃によるスクライブ方法または、炭酸ガスレーザやＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等によるレーザ照射方法、ダイシングによる削りながらけがく方法を特徴とするＸ線撮像装置の製造方法
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。
【００１１】
（実施形態１）
図１は本発明の特徴とする、けがき線を入れる際の吸着ステージと分割する吸着ステージが同一であることを示す平面図である。１０１はガラスであり、表面には光電変換素子が形成されている。１０２は中央吸着ステージであり、１０１のガラスを吸着するステージである。１０４は本発明の特徴とする可動式吸着ステージであり、１０２の中央吸着ステージの周辺に８つの可動式ステージとして設けてあり、それぞれ、スクライブを行った後に中央吸着ステージから外側に可動したことを示す。
【００１２】
図２は図１のＡ−Ａ’の断面図を示している。１０４の可動式吸着ステージは横方向に移動しているが、図３のように下斜め方向に移動しても良い。２０１は吸着穴であり、１０１のガラスを真空吸着行っている。図２、図３では、２０個の吸着穴で示しているが、ガラスや真空圧に影響が無ければ数個増やした方が望ましい。
【００１３】
図４は、切断前のステージ断面図である。１０４の可動式吸着ステージが初期状態に待機しており、１０３の中央吸着ステージと平行に位置している事を示す。この時、１０５の可動式吸着ステージの真空吸着はＯＦＦの状態であり、１０３の中央吸着ステージのみ真空吸着を行っている。
【００１４】
図５は、スクライブにより形成された垂直クラックが形成された断面図である。５０１は垂直クラックであり、決められた切断部に沿って、金属、又はダイヤモンド等からなるホイール状の刃が走査することで形成される。５０１垂直クラックはガラスの裏まで到達せず、数μｍほど、ガラスが繋がった状態になる。
【００１５】
必要な切断線の本数に沿って垂直クラックを形成した後、本発明の特徴とする１０４可動式吸着ステージが真空吸着を行い、図１のように、１０２中央吸着ステージから離れることによって、同一ステージで、分断作業が行われることを特徴とするＸ撮像装置の製造方法。
【００１６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明にかかるけがき線と分割を同一ステージで行うことで、分割の際に使用している真空吸着ピンセットの密着や非金属ピンセットの接触の悪さが原因で、光電変換素子が形成されているガラス表面に落下する可能性を無くし、作業効率及び品質の高いＸ線撮像装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の特徴とする、けがき線を入れる際の吸着ステージと分割する吸着ステージが同一であることを示す平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ’の断面図。
【図３】可動式吸着ステージが下斜め方向に移動した図。
【図４】切断前のステージ断面図。
【図５】スクライブにより形成された垂直クラックが形成された断面図。
【符号の説明】
１０１：ガラス
１０２：中央吸着ステージ
１０４：可動式吸着ステージ
２０１：吸着穴
５０１：垂直クラック
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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