(57)【要約】【課題】マイクロメカニカルエレメントを製造する方法を提供する。【解決手段】基板層１と、犠牲層２と、機能層４とを提供し、犠牲層が基板層の少なくとも第１の部分５の上に位置しており、機能層が犠牲層の少なくとも第２の部分の上に位置しており、犠牲層の少なくとも一部を露出させるために機能層をエッチングし、エッチングが少なくとも１つのマイクロメカニカルエレメントのアウトラインを形成し、犠牲層の第３の部分を加熱された気体水素に曝露することによって少なくとも１つのマイクロメカニカルエレメントと基板層との間の犠牲層の少なくとも第３の部分を除去する。【選択図】図１ｅ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのマイクロメカニカルエレメントを製造する方法において、
基板層と、犠牲層と、機能層とを提供し、犠牲層が基板層の少なくとも第１の部分の上に位置しており、機能層が犠牲層の少なくとも第２の部分の上に位置しており、
犠牲層の少なくとも一部を露出させるために機能層をエッチングし、このエッチングが少なくとも１つのマイクロメカニカルエレメントのアウトラインを形成し、
少なくとも１つのマイクロメカニカルエレメントと基板層との間の犠牲層の少なくとも第３の部分を、犠牲層の第３の部分を加熱された気体水素に曝露することによって除去することを特徴とする、少なくとも１つのマイクロメカニカルエレメントを製造する方法。
【請求項２】
少なくとも除去作業が、エピタキシリアクタ環境において行われる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
除去作業の前に、基板層と、犠牲層と、機能層とのうちの少なくとも１つの少なくとも１つの面をクリーニングすることを含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
基板層又は機能層の少なくとも一方が、シリコン含有化合物を含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
犠牲層が、酸化物含有化合物を含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
除去作業がさらに、気体水素と酸化物含有化合物とを反応させ、ウェハ、一酸化ケイ素又はシランのうちの少なくとも１つを形成することを含む、請求項５記載の方法。
【請求項７】
機能層が、シリコン、シリコン／ゲルマニウム、又はシリコンカーバイドのうちの少なくとも１つを含む材料を含んでいる、請求項１記載の方法。
【請求項８】
機能層が、加熱された気体水素に対して化学的に耐性である、請求項１記載の方法。
【請求項９】
気体水素が、約６００℃〜約１４００℃の温度に加熱される、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
気体水素が、約８００℃〜約１２００℃の温度に加熱される、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
除去作業が、約１０トル未満の圧力で行われる、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
気体水素にゲルマニウム含有化合物が付加される、請求項１記載の方法。
【請求項１３】
気体水素にシリコン含有化合物が付加される、請求項１記載の方法。
【請求項１４】
提供する作業が、ＳＯＩウェハを提供することを含み、ＳＯＩウェハの上部シリコン層が機能層であり、ＳＯＩウェハの絶縁層が犠牲層である、請求項１記載の方法。
【請求項１５】
提供する作業においてさらに：
底部シリコン層を提供し、底部シリコン層が基板層であり；
底部シリコン層に、酸化物含有化合物を含む酸化物層を堆積させ、酸化物層が犠牲層であり；
酸化物層上に上部シリコン層を堆積させ、該上部シリコン層が機能層である、請求項１記載の方法。
【請求項１６】
前記上部シリコン層が、エピタキシャルリアクタ、低圧化学蒸着プロセス、又はスパッタリングプロセスの内の少なくとも１つにおいて堆積させられる、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
上部シリコン層を堆積させる前に、少なくとも１つの孔を形成するために酸化物層をパターン形成することを含み、前記少なくとも１つの孔が底部シリコン層の第４の部分を露出させる、請求項１５記載の方法。
【請求項１８】
機能層が基板層の第４の部分の上に位置している、請求項１記載の方法。
【請求項１９】
別の犠牲層を堆積させるか、又は別の機能層を堆積させることの少なくとも一方を含む、請求項１記載の方法。
【請求項２０】
別の犠牲層を堆積させること又は別の機能層を堆積させることの少なくとも一方が、除去作業の前に行われる、請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
別の犠牲層を堆積させること又は別の機能層を堆積させることの少なくとも一方が、エピタキシリアクタ環境において行われる、請求項１９記載の方法。
【請求項２２】
マイクロメカニカルエレメントを含むデバイスにおいて、
基板層と；
該基板層の少なくとも第１の部分上における犠牲層と、
該犠牲層の少なくとも第２の部分上の機能層とが設けられており、
該機能層が、デバイスを気体水素に曝露することによって基板層から解放されることを特徴とする、マイクロメカニカルエレメントを含むデバイス。
【請求項２３】
前記デバイスがエピタキシリアクタ環境において製造される、請求項２２記載のデバイス。
【請求項２４】
前記機能層が、犠牲層の第３の部分を除去することによって基板層から解放され、前記第３の部分が機能層と基板層との間に配置されている、請求項２２記載のデバイス。
【請求項２５】
基板層又は機能層の少なくとも一方がシリコンを含んでおり、
犠牲層が酸化物含有材料を含んでいる、請求項２２記載のデバイス。
【請求項２６】
基板層と、犠牲層と、機能層とが集合的にＳＯＩウェハを形成している、請求項２５記載のデバイス。
【請求項２７】
犠牲層が基板層上に堆積されており、
機能層が犠牲層上にエピタキシャルに堆積されている、請求項２５記載のデバイス。
【請求項２８】
機能層の少なくとも第３の部分上に別の犠牲層が設けられており、
該別の犠牲層の少なくとも第４の部分上に別の包囲層が設けられており、
デバイスを気体水素に曝露することによって前記別の犠牲層が機能層から解放されるようになっている、請求項２２記載のデバイス。
【請求項２９】
機能層にパターンを形成し、該機能層が犠牲層の少なくとも第１の部分の上に位置しており、パターン形成が、犠牲層の少なくとも第２の部分を露出させ、犠牲層が酸化物を含んでおり、
犠牲層の第３の部分を加熱された気体水素に曝露することによって犠牲層の酸化物を選択的にエッチングすることを含む、方法。
【請求項３０】
少なくともエッチング作業が、エピタキシリアクタ環境において行われる、請求項２９記載の方法。
【請求項３１】
エッチング作業が、気体水素と酸化物とを反応させ、ウェハ、一酸化ケイ素、又はシランのうちの少なくとも１つを形成することを含む、請求項２９記載の方法。
【請求項３２】
機能層が、シリコン、シリコン／ゲルマニウム又はシリコンカーバイドのうちの少なくとも１つを含む材料を含む、請求項２９記載の方法。
【請求項３３】
機能層が、加熱された気体水素に対して化学的に耐性である、請求項２９記載の方法。
【請求項３４】
気体水素が、約６００℃〜約１４００℃の温度に加熱される、請求項２９記載の方法。
【請求項３５】
ゲルマニウム含有化合物又はシリコン含有化合物のうちの少なくとも１つが気体水素に付加される、請求項２９記載の方法。
【請求項３６】
別の犠牲層を堆積させるか、又は別の機能層を堆積させることの少なくとも一方を含んでいる、請求項２９記載の方法。
【請求項３７】
別の犠牲層の堆積又は別の機能層の堆積のうちの少なくとも一方が、エッチング作業の前に行われる、請求項３６記載の方法。
【請求項３８】
別の犠牲層の堆積又は別の機能層の堆積のうちの少なくとも一方が、エピタキシリアクタ環境において行われる、請求項３６記載の方法。
【請求項３９】
エッチング作業が、約１ミリトル〜１００トルの圧力で行われる、請求項２９記載の方法。
【請求項４０】
エッチング作業が、約１０トル未満の圧力で行われる、請求項３９記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロメカニカルデバイスの製造、特にエピタキシャルリアクタにおける製造中にマイクロメカニカル構造物を隣接する構造物から解放する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面マイクロマシニングされたデバイスの製造中に構造層を堆積させる１つの方法では、エピタキシャルリアクタを使用する。エピタキシは、１つの結晶基板上にシリコンの単結晶層の層を製造するための及び、シリコン基板上のＳｉＯ２等の、別の基板材料上に多結晶シリコン層を形成するプロセスである。エピタキシャルリアクタは、対象基板上に堆積される層の均一な堆積及び化学的組成を保証するために、正確に制御された温度及び雰囲気環境条件を用いて作動させられる。正確な制御に加えて、エピタキシャルリアクタの使用は、ＬＰＣＶＤシステムの場合に通常見られるものよりも著しく高い速度での基板上ｈの層のビルドアップを可能にすることができる。
【０００３】
米国特許第６３１８１７５号明細書より、例えば、回転センサ等のマイクロマシニングされたデバイスを形成するための１つのアプローチは、１つ又は２つ以上のマイクロメカニカルたわみ部分が形成される箇所において、犠牲ＳｉＯ２層を単結晶シリコン基板に提供することである。次いで、ＳｉＯ２層をシリコン基板まで貫通した窓が、感光性材料の層を提供し、感光層上にマスクパターンを重ね合わせ、マスクがけされた表面を露光し、次いで現像剤を使用して、感光性材料及びＨＦの露光された部分を選択的に除去し、これらの露光された部分の直ぐ下に位置するＳｉＯ２層をエッチングすることによって形成される。ＳｉＯ２に所望の窓を形成した後に、シリコンから成る上部エピタキシャル層が、ＳｉＯ２層及び接点開口上に堆積させられる。上部エピタキシャル層は、ＳｉＯ２層上には多結晶形式で成長し、接点窓開口上には単結晶形式で成長し、シリコン基板への直接接続を提供する。マイクロメカニカルデバイスの構造エレメントは、例えば異方性プラズマエッチング技術を使用して上部シリコン層上に規定される。エッチングは、エピタキシャル層の多結晶部分をＳｉＯ２層まで貫通するように行われ、マイクロメカニカル部材の構造限界の周囲にトレンチを形成する。最後に、ＳｉＯ２層は、エッチングプロセス中に上部シリコン層におけるマイクロメカニカル部分の下方から除去され、マイクロメカニカルデバイスの形成を完了する。
【０００４】
上部シリコン層に形成されたマイクロマシニングされた構造物を、下方に位置する犠牲二酸化ケイ素層から解放するという最後のステップは以下の理由から問題がある：マイクロマシニングされた構造物のジオメトリ；構造物の下方の犠牲層にエッチング剤が完全に浸透することを保証するのが困難であること；乾燥プロセス中のデバイス変形及び接着に関する問題。解放は、マイクロマシニングされた構造部分から犠牲ＳｉＯ２を選択的に解放及び排気するために、ドイツ連邦共和国特許出願公開第１９７０４４５４号明細書及び米国特許第５６８３５９１号明細書に記載されているようなＨＦ蒸気を使用してエッチングすることによって、又は超臨界二酸化炭素（ＣＯ２）と組み合わせた液体ＨＦを提供することによって、行われる。
【０００５】
しかしながら、これらのプロセスは、関連した欠点を有している。ＨＦの化学的に攻撃的な性質は、集積回路部分が組み込まれた基板上に形成されたマイクロマシニングされたデバイスを解放させる場合のその使用を排除する。デリケートなマイクロマシニングされた構造物に衝突するエッチング液による潜在的な損傷が存在するであろう。エッチング液の不完全な排除によって生ぜしめられる問題が存在するであろう。エピタキシャルリアクタからのデバイスの除去及び／又はエピタキシャルリアクタへのデバイスの再挿入を必要とするプロセスステップに関連して、プロセス複雑さ及び支出が増大するであろう。エピタキシャルリアクタ環境において特別な状態における材料の供給及び環境制御を維持する必要が存在するであろう。
【０００６】
したがって、マイクロマシニングされた構造物を、その下方に位置する基板から解放するためのより複雑でない、より費用対効果の高い方法が必要とされている。
【特許文献１】ドイツ連邦共和国特許出願公開第１９７０４４５４号明細書
【特許文献２】米国特許第５６８３５９１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
したがって、本発明の課題は、マイクロメカニカルエレメントを製造する方法及びマイクロメカニカルエレメントを含むデバイスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の例示的な実施形態によれば、マイクロマシニングされた構造物又はデバイスをその支持基盤から解放する方法は、部分的に形成されたマイクロマシンデバイスを用いて開始し、このマイクロマシンデバイスは、例えば単結晶シリコンから成る基板層と、例えば基板層上に堆積された又は成長させられたＳｉＯ２から成る、基板層まで貫通して孔のパターン又は開放領域を形成するためにエッチングされる犠牲酸化物支持層と、マイクロメカニカル構造又はデバイスを規定し、これによりその下に位置する犠牲層を露出させるようにエッチングされる例えばエピタキシャルに堆積されたシリコンから成る機能層とを有していてよい。
【０００９】
マイクロメカニカル構造物又はデバイスのエレメントが機能層に規定されると、本発明の例示的な実施形態は、エピタキシャルリアクタ内のデバイスの現場クリーニングを提供し、その場合、表面酸化物を除去するために水素（Ｈ２）を用い、トレンチエッチングプロセスより生じるシリコン残留物及び表面欠陥を除去するために塩酸（ＨＣｌ）を用いる。クリーニングステップの後、構造物はデバイスを高温Ｈ２に曝すことによって解放され、このＨ２は、犠牲層の酸化物支持材料と結合する。それにより生じるガスは、Ｈ２流によってデバイスから流し去られる。Ｈ２への曝露は、マイクロメカニカル構造物又はデバイスのエレメントの下方の全ての犠牲層材料が排出されるまで継続される。
【００１０】
マイクロメカニカルエレメントを、その下方に位置する犠牲層支持部から前記形式で解放させることは、以下の利点を提供する：デリケートなエレメントに大きな力を加える必要性を回避する；犠牲層から解放されるマイクロメカニカルエレメントの付着（すなわち“スティッキング”）を防止する；マイクロメカニカル構造物又はデバイスからのその完全な除去が問題であるＨＦ又は液体解放剤等の著しく攻撃的なエッチング剤の必要性を減じる。この形式におけるＨ２の使用は、エピタキシャル環境との容易な適合、及び、酸等のその他の解放物質と比較して材料の比較的便利な取扱いという別の利点を有しており、これにより、プロセス作業を単純化し、マイクロマシニングされたデバイスのエピタキシャルリアクタ製造を高める。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の例示的な実施形態によれば、マイクロマシニングされた構造物又はデバイスをその支持基板から解放するための方法は、部分的に形成されたデバイスを用いて開始し、このデバイスは以下のように形成される。図１ａに断面図で示したように、部分的に形成されたデバイスはシリコンから成る基板層１に基づき、この基板層１にはＳｉＯ２から成る犠牲層２が堆積又は成長させられている。図１ｂは、エッチング技術を使用して犠牲層２に孔又は開放領域３のパターンが形成された後における図１ａの基板及び犠牲層組合せの断面図を示している。エッチング技術は、例えば、犠牲層上に感光材料を提供し、感光材料上に所望のエッチングパターンを備えたマスクを提供し、マスクがかけられた表面を露光し、次いで、エッチング剤を提供して感光材料の露光された部分と、この露光された部分の下方の犠牲ＳｉＯ２とを除去する。図１ｃは、図１ｂの部分的に形成されたデバイスの平面図を示しており、犠牲層２を貫通してエッチングプロセスによって規定された孔３を示している。図１ｂにおける断面図は、図１ｃのＩＢ−ＩＢ線に沿って見たものである。
【００１２】
次いで、部分的に形成されたデバイスは、断面図１ｄに示したように、シリコン４から成るエピタキシャルに堆積された機能層を受け取る。ＳｉＯ２上に形成された機能層４の部分５は、多結晶構造を有するのに対し、単結晶シリコン基板層１上に形成された機能層４の部分６は単結晶構造を有している。次いで、機能層４は、図１ｅに示したように、機能層４にマイクロメカニカル構造物又はデバイスを規定するために、感光性材料の露光された部分とその下に位置する機能層４の多結晶シリコンとを貫通するようにエッチングされた深くて狭いトレンチ７がエッチングされる。図１ｆは、エッチングされたトレンチ７によって規定されたマイクロメカニカルエレメント８を示す、部分的に形成されたデバイスの平面図である。図１ｄ及び図１ｅに示された断面図は、図１ｃのＩＢ−ＩＢ線に対応するＩＥ−ＩＥ線に沿って見たものである。マイクロメカニカルエレメント８のたわみ梁部分９が、図１ｅに示されているようにマイクロメカニカルエレメント８のベース部分１０から延びている。ベース部分１０はシリコン基板１に固定されているのに対して、たわみ梁部分９は、犠牲層２のＳｉＯ２から成る下に位置するコラム１１に載置されており、ひいてはこのコラム１１によって拘束されている。犠牲材料から成るこのコラムは、自由な梁９がマイクロメカニカルデバイスの作動中に静止位置からたわむように、除去されなければならない。
【００１３】
次いで、部分的に形成されたデバイスの表面は、エピタキシャルリアクタにおいて現場でクリーニングされる。デバイスの表面上の酸化物を除去するために、高温のＨ２がデバイス上を通過させられ、このことは、酸化物分子をＨ２と結合させ、水を形成し、デバイス表面から蒸発させる。あらゆる残留表面酸化物を除去した後、あらゆる残留シリコン残留物及び表面欠陥、例えば、マイクロメカニカルエレメントを規定するトレンチエッチングプロセス中にデバイス表面に残留しているシリコン残留物、をデバイスの表面から除去するために、気体ＨＣｌが使用される。
【００１４】
クリーニング作業の後、図２ａに示したように、デバイスは、８００℃〜１４００℃の温度で流れるＨ２に曝露させられる。図２ａは、マイクロメカニカルエレメント８を規定したトレンチ７と接触した犠牲層のＳｉＯ２が、トレンチ７に流入及び流出する高温Ｈ２に曝露される様子を示している。マイクロメカニカルエレメントの周囲及び下方におけるＳｉＯ２犠牲層の露出面に到達すると、気体Ｈ２は、犠牲層の表面における酸化物支持材料における酸素と結合し、水（Ｈ２Ｏ）と一酸化ケイ素（ＳｉＯ）とを形成する。水及び一酸化ケイ素は気体であり、すなわち、犠牲層の露出面から通流するＨ２ガスへ即時に開放され、Ｈ２ガスは水及び一酸化ケイ素をデバイスから排出する。図２ｂに示したように、デバイストレンチ７から水蒸気及び気体一酸化ケイ素を解放及び除去することは、犠牲層における付加的なＳｉＯ２を高温Ｈ２流に曝露させ、この付加的なＳｉＯ２を犠牲層から開放させる。図２ｃに示したように、このプロセスは、マイクロメカニカルエレメント８のたわみ梁部分９の下に位置する全てのＳｉＯ２が除去され、梁が解放されるまで継続される。
【００１５】
前記方法は以下の利点を有する：マイクロマシニングされたエレメントにいかなる著しい衝撃力をも加えることなくマイクロメカニカルエレメントの下に位置する犠牲層の除去を可能にする；マイクロメカニカルエレメントの下方の犠牲層の、デバイスからの完全な除去を保証する。この方法は、犠牲層除去の後の半導体デバイス内からの液体溶剤の不完全な乾燥に関連した問題を回避する。
【００１６】
別の択一的な例示的な実施形態において、ＳＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）ウェハがデバイスを構成するために使用され、この場合、基板層と、犠牲層と、機能層とが集合的にＳＯＩウェハを形成する。
【００１７】
より高いエッチング速度と、低減されたウェハの取扱いとにより、生産量が増大する。犠牲層の除去速度は、例えばＳｉＯ２をＨ２Ｏ及びＳｉＯに変換するために使用されるＨ２の温度を高めることによって、又は気体ゲルマニウム又は気体のシリコンを有する化合物を少量だけ導入することによってさらに高められる。Ｈ２曝露中に少量のシリコンキャリヤを付加することは、より高いＨ２ガス温度におけるシリコンピッティングの程度を緩和するためにも役立つ。この例示的な実施形態におけるＳｉＯ２除去のためのＨ２の使用は、既存のエピタキシャル機器及び高温環境との容易な適合性、及び材料の比較的便利な取扱いという利点を有している。すなわち、本実施形態の方法は、単純化されたプロセス作業を許容し、さらに、マイクロマシニングされたデバイスのエピタキシャルリアクタ製造量を高める。
【００１８】
図３は、マイクロメカニカルエレメントを解放するための前記ステップの詳細な実行を示すフローチャートである。プロセス方法は、ステップ１００においてデバイスを用いて開始し、このデバイスには、マイクロメカニカル構造又はデバイスのエレメントを規定するためにトレンチがエッチングされている。ステップ１１０において表面は化学的に洗浄される。このステップは、トレンチエッチングプロセスからの残留材料を除去し、トレンチ形成プロセスの後に残っているマイクロメカニカルデバイスの表面から残留酸化物を除去することを含んでいてよい。ステップ１１０の後にステップ１２０が続き、基板、ウェハ及び／又はマイクロメカニカルデバイスをエピタキシャルリアクタに配置する。ステップ１２０の後にステップ１３０が続いており、犠牲層ＳｉＯ２を気体Ｈ２Ｏ及びＳｉＯに変換しこれらを犠牲層から除去させかつデバイスから排出させるように十分に長く、Ｈ２ガスを高温でデバイス内に通流させることによって、曝露された犠牲層材料を除去する。除去作業は約１ミリトル〜１００トルの圧力で行われてよく、有利には約１０トルの圧力で実施されてよい。ステップ１４０は、ステップ１３０の後に続いており、マイクロマシニングされたデバイスの製造プロセスのマイクロメカニカルエレメント解放段階部分の終了を意味する。
【００１９】
択一的な例示的実施形態においては、ステップ１１０が行われず、プロセスがステップ１００から直接ステップ１２０へ進む。別の択一的な例示的実施形態においては、ステップ１２０とステップ１３０との間において現場クリーニングステップが行われてよい。現場クリーニングステップは、エピタキシャルリアクタにおいて行われ、デバイスの表面をＨ２ガスに曝露することによってマイクロメカニカルデバイスの表面から残留酸化物を除去すること、及び／又はデバイスの表面をＨＣｌに曝露することによってシリコン残留物を除去することを含んでいてよい。別の例示的実施形態においては、エピタキシャル堆積のステップは、ステップ１３０の後、ステップ１４０の前に行われてよい。
【００２０】
別の択一的な例示的実施形態においては、ＳＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）ウェハが使用されてよく、この場合、ＳＯＩウェハの上部シリコン層が機能層であり、ＳＯＩウェハの絶縁層は犠牲層である。
【００２１】
図４はシリコンウェハであってよいハンドルウェハ４１を示しており、このハンドルウェハ４１は、ハンドルウェハ４１の上方に配置されておりかつ空隙４４ａを規定したデバイス層４２を備えている。空隙４４ａは、以前は犠牲層によって示されていた空間を表している。包囲層４３は、デバイス層４２の上方に配置されており、別の空隙４４ｂに接続した穴４５を有している。この形式では、デバイス４６は、下方のハンドルウェハ４１と上方の包囲層４３とから一回の解放ステップにおいて解放される。この形式では、多数の機能層と多数の犠牲層とを有する例示的なデバイスが構成されてよい。択一的な例示的実施形態において、包囲層４３の上方により多くの犠牲層とより多くの機能層とが配置されていてよい。
【００２２】
別の択一的な例示的実施形態では、解放される２つ以上のシリコン層が存在してよい。例えば、垂直方向に積層された２つのシリコン層が、それらの下方及び中間に犠牲酸化層を備えている。これらの一層複雑な構造においては、犠牲層は、構造物の上部と、側方と、底部とに位置していてよい。
【００２３】
本発明は前記例示的実施形態に関連して説明されたが、代表的な実施形態は本質的に例示的であり、添付の請求項に示されているように発明の保護範囲を限定するものとして構成されるべきではないことは当業者に容易に明らかであるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１ａ】例示的なマイクロマシニングされたデバイスの製造の１つの段階を示す断面図である。
【図１ｂ】例示的なマイクロマシニングされたデバイスの製造の１つの段階を示す断面図である。
【図１ｃ】例示的なマイクロマシニングされたデバイスの製造の１つの段階を示す平面図である。
【図１ｄ】例示的なマイクロマシニングされたデバイスの製造の１つの段階を示す断面図である。
【図１ｅ】例示的なマイクロマシニングされたデバイスの製造の１つの段階を示す断面図である。
【図１ｆ】例示的なマイクロマシニングされたデバイスの製造の１つの段階を示す平面図である。
【図２ａ】本発明の例示的実施形態に基づく、マイクロメカニカルエレメントを解放するための犠牲材料の除去を示す図である。
【図２ｂ】本発明の例示的実施形態に基づく、マイクロメカニカルエレメントを解放するための犠牲材料の除去を示す図である。
【図２ｃ】本発明の例示的実施形態に基づく、マイクロメカニカルエレメントを解放するための犠牲材料の除去を示す図である。
【図３】本発明の例示的実施形態に基づく、マイクロメカニカルエレメントを解放するためのステップを示すフローチャートである。
【図４】シリコン含有化合物の多数の層を有する例示的デバイスの断面図である。
【符号の説明】
【００２５】
１  基板層、  ２  犠牲層、  ３  開放領域、  ４  機能層、  ５，６  部分、  ７  トレンチ、  ８  マイクロメカニカルエレメント、  ９  たわみ梁部分、  １０  ベース部分、  １１  コラム、  ４１  ハンドルウェハ、  ４２  デバイス層、  ４３  包囲層、  ４４ａ，４４ｂ  空隙
【図１ａ】
2004230546.tif 000003
【図１ｂ】
2004230546.tif 000004
【図１ｃ】
2004230546.tif 000005
【図１ｄ】
2004230546.tif 000006
【図１ｅ】
2004230546.tif 000007
【図１ｆ】
2004230546.tif 000008
【図２ａ】
2004230546.tif 000009
【図２ｂ】
2004230546.tif 000010
【図２ｃ】
2004230546.tif 000011
【図３】
2004230546.tif 000012
【図４】
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