(57)【要約】【課題】全ての減衰モードでインピーダンス整合を維持し得る可変減衰器を提供しようとする。【解決手段】固定電圧によってＲＦ信号を減衰する第１減衰器２０と、該第１減衰器の入出力端子間に接続されて、減衰モードを決定する制御電圧によってＲＦ信号を減衰する第２減衰器４０と、該第２減衰器の入出力インピーダンス整合を維持する第１インピーダンス整合部３０と、を包含して可変減衰器を構成する。これにより、各減衰モードで常に入出力インピーダンスを維持し得る。【選択図】  図１
2004166205.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定電圧によってＲＦ信号を減衰する第１減衰器と、
該第１減衰器の入出力端子間に接続されて、減衰モードを決定する制御電圧によってＲＦ信号を減衰する第２減衰器と、
該第２減衰器の入出力インピーダンス整合を維持する第１インピーダンス整合部と、を含んで構成されることを特徴とする可変減衰器。
【請求項２】
前記第１減衰器のインピーダンス整合のために接続された第２インピーダンス整合部を更に含むことを特徴とする請求項１記載の可変減衰器。
【請求項３】
入力ＲＦ信号から直流成分を除去して第１減衰器に出力する第１キャパシターと、
第１、第２減衰器の出力信号から直流成分を除去する第２キャパシターを更に含むことを特徴とする請求項１記載の可変減衰器。
【請求項４】
前記第１減衰器は、
ＰＩＮダイオード及びショットキーダイオードから構成されていて、前記固定電圧は、所定レベルに分配された電源電圧であることを特徴とする請求項１記載の可変減衰器。
【請求項５】
前記ＲＦ信号は、
低減衰モードでは第１減衰器のみに流れ、高減衰モードでは第２減衰器のみに流れることを特徴とする請求項１記載の可変減衰器。
【請求項６】
前記ＲＦ信号は、中間減衰モードから第１、第２減衰器のすべてに流れることを特徴とする請求項１記載の可変減衰器。
【請求項７】
前記第２減衰器は、
第１減衰器の入力端子に並列接続された第３キャパシターと、
第３キャパシターに直列接続された第１ショットキーダイオードと、
第１減衰器の出力端子に並列接続された第２ショットキーダイオードと、
第１、第２ショットキーダイオードの各アノード間に接続された第１、第２抵抗と、
第１、第２抵抗間に形成された制御信号入力端子と、を含んで構成されることを特徴とする請求項１記載の可変減衰器。
【請求項８】
固定電圧によってＲＦ信号を減衰する第１減衰器と、
低減衰モードで該第１減衰器のインピーダンス整合を維持する第１インピーダンス整合部と、
該第１減衰器の入出力端子間に接続されて、減衰モードを決定する制御電圧によって該ＲＦ信号を減衰する第２減衰器と、
高減衰モードで該第２減衰器の入出力インピーダンス整合を維持する第２インピーダンス整合部と、を含んで構成されることを特徴とする可変減衰器。
【請求項９】
前記第１および第２インピーダンス整合部は、同一の抵抗を有する、請求項８記載の可変減衰器。
【請求項１０】
前記第２インピーダンス整合部は、前記第２減衰器と接地との間に接続された２つの抵抗からなり、各抵抗は５０Ωである、請求項８記載の可変減衰器。
【請求項１１】
前記ＲＦ信号は、低減衰モードでは前記第１減衰器のみに流れ、高減衰モードでは前記第２減衰器のみに流れる、請求項８記載の可変減衰器。
【請求項１２】
前記ＲＦ信号は、中間減衰モードでは第１、第２減衰器のすべてに流れる、請求項８記載の可変減衰器。
【請求項１３】
前記第２減衰器は、
第１減衰器の入力端子に並列接続され、制御電圧が第１減衰器側に印加されることを遮断する第３キャパシターと、
該第３キャパシターを通して伝えられたＲＦ信号を減衰する第１ショットキーダイオードと、
第１減衰器の出力端子に並列接続された第２ショットキーダイオードと、
制御電圧をそれぞれ印加するために第１、第２ショットキーダイオードの各アノードに接続された第１、第２抵抗と、を含んで構成される、請求項８記載の可変減衰器。
【請求項１４】
固定電圧によってＲＦ信号を減衰する第１ショットキーダイオードと、
第１ショットキーダイオードのアノードに並列接続されて、制御電圧によってＲＦ信号を減衰する第２ショットキーダイオードと、
第１ショットキーダイオードのカソードに並列接続されて、制御電圧によってＲＦ信号を減衰する第３ショットキーダイオードと、
ショットキーダイオードのカソードと接地との間に接続された第１抵抗と、
第３ショットキーダイオードのカソードと接地との間に接続された第２抵抗と、を含んで構成されることを特徴とする可変減衰器。
【請求項１５】
前記第１ショットキーダイオードのアノードに接続されて、制御電圧が第１ショットキーダイオードに印加されることを遮断するキャパシターを更に含む、請求項１４記載の可変減衰器。
【請求項１６】
第２および第３ショットキーダイオードの各アノードに前記制御電圧を印加する第３および第４抵抗を更に含む、請求項１４記載の可変減衰器。
【請求項１７】
前記第１および第２抵抗は、５０Ωである、請求項１４記載の可変減衰器。
【請求項１８】
前記ＲＦ信号は、低減衰モードでは第１ショットキーダイオードに流れ、高減衰モードでは第２および第３ショットキーダイオードに流れる、請求項１４記載の可変減衰器。
【請求項１９】
前記ＲＦ信号は、中間減衰モードでは第１、第２、第３のショットキーダイオードのすべてに流れる、請求項１４記載の可変減衰器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、可変減衰器に係るもので、詳しくは、減衰モードで入出力インピーダンス整合（Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ  ｍａｔｃｈｉｎｇ）を維持し得る可変減衰器に関するものである。
【従来の技術】
一般の移動通信システムで基地局（Ｂａｓｅ  Ｓｔａｔｉｏｎ）は受信機を具備し、該受信機は可変減衰器を利用して、移動通信端末機から受信された無線周波数信号を減衰させ、受信機の信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）を調節することで全体の受信経路の受信感度を調節する。
【０００２】
且つ、前記可変減衰器は、制御電圧により減衰値が制御され、受信信号を減衰する場合には制御電圧に比例して線形的な減衰特性を有し、受信信号を減衰しない場合には小さな挿入損失を有する。
【０００３】
従って、前記可変減衰器は、線形的な減衰特性を維持するために高周波回路で減衰調整範囲（高減衰モード）を大きくするとしても、入出力端のインピーダンス整合が維持し得るように設計されるべきである。
【０００４】
図２は従来可変減衰器の回路図で、図示されたように、従来可変減衰器においては、入力及び出力端子（ＲＦｉｎ、ＲＦｏｕｔ）間に直列接続された各キャパシター（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）（Ｃ１、Ｃ２）と、前記入力及び出力端子（ＲＦｉｎ、ＲＦｏｕｔ）にそれぞれ並列接続されてインピーダンス整合部を形成する各抵抗（Ｒ１、Ｒ２）と、各キャパシター（Ｃ１、Ｃ２）間に並列接続されたインダクター（Ｉｎｄｕｃｔｏｒ）（Ｌ１）と、制御電圧が印加されるインダクター（Ｌ２）と、それらインダクター（Ｌ１、Ｌ２）間に直列接続されたＰＩＮダイオード（Ｄ１）と、該ＰＩＮダイオード（Ｄ１）のアノード（ａｎｏｄｅ）に並列接続されたキャパシター（Ｃ３）とから構成されている。
【０００５】
この時、前記各キャパシター（Ｃ１、Ｃ２）はＲＦ信号からＤＣ成分を除去し、各インダクター（Ｌ１、Ｌ２）は制御電圧からＲＦ成分を除去する。
【０００６】
以下、このように構成された従来可変減衰器の動作に対して説明する。
【０００７】
一般に、ＰＩＮダイオードは、ＤＣバイアス（制御電圧）によってダイオードの抵抗成分が変化する特性を有している。従って、このような特性を利用する場合にはＰＩＮダイオードの減衰量を調節し得るが、例えば、ＲＦ信号の減衰量を大きくする場合にはＤＣバイアスを増加させ、ＲＦ信号の減衰量を小さくする場合にはＤＣバイアスを減少させる。また、ＲＦ信号を減衰させない場合にはＤＣバイアスを印加しない。
【０００８】
まず、０ＶのＤＣバイアス、即ち、０Ｖの制御電圧が印加されると、可変減衰器は低減衰モードで動作され、該低減衰モードでＰＩＮダイオード（Ｄ１）は０Ｖの制御電圧によってターンオフされて内部抵抗が∞になる。
【０００９】
従って、入力端子（ＲＦｉｎ）を通して印加されたＲＦ信号は、減衰なしに各キャパシター（Ｃ１、Ｃ２）を通して出力端子（ＲＦｏｕｔ）に伝えられ、この時、入出力インピーダンスは抵抗（Ｒ１、Ｒ２）によって５０Ωを維持する。
【００１０】
次いで、制御電圧が増加してＰＩＮダイオード（Ｄ１）のターンオン電圧（０．６〜０．７Ｖ）に到達すると、ＰＩＮダイオード（Ｄ１）はターンオンされて抵抗が減少される。よって、キャパシター（Ｃ１）を通して伝えられたＲＦ信号はＰＩＮダイオード（Ｄ１）及びキャパシター（Ｃ３）を通してグラウンドに抜け出されるため、ＲＦ信号は急激に減衰されるようになる。この時、キャパシター（Ｃ３）は減衰される周波数範囲をセッティングする役割を遂行する。
【００１１】
次いで、可変減衰器は、制御電圧が一層増加して１．３Ｖ以上になると高減衰モードで動作されるが、高減衰モードでＰＩＮダイオード（Ｄ１）の抵抗は０Ωになるため、キャパシター（Ｃ１）を通して伝えられたＲＦ信号はＰＩＮダイオード（Ｄ１）及びキャパシター（Ｃ３）を通してグラウンドにすべて抜け出される。従って、出力端子（ＲＦｏｕｔ）には如何なるＲＦ信号も伝えられず、この時、入出力インピーダンスは０Ωになる。
【００１２】
このように、従来減衰器は、制御電圧が０Ｖの低減衰モードでは入出力インピーダンスが５０Ωを維持するが、制御電圧が１．３Ｖ以上の高減衰モードでは入出力インピーダンスは０Ωになる。
【００１３】
一般に、減衰器はＰＩＮダイオードの減衰量とは関係なしにインピーダンス整合を維持しなければならない。即ち、低減衰モード及び高減衰モードで入出力端のインピーダンスが持続的に５０Ωを維持し得る場合のみに他の素子と安定したマッチングをなすことができる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
然るに、従来可変減衰器においては、低減衰モードではインピーダンス整合をなすが、高減衰モードではインピーダンス整合を維持し得ないため、システムの安全性（Ｓｔａｂｉｌｉｔｙ）を確保し得ないという不都合な点があった。
【００１５】
従って、従来減衰器が受信端の低雑音増幅器（Ｌｏｗ  Ｎｏｉｓｅ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ：ＬＮＡ）で使用される場合、デュプレックサー（ｄｕｐｌｅｘｅｒ）及び高周波フィルターの通過帯域（Ｐａｓｓ  Ｂａｎｄ）特性を変更しなければならず、特に、アンテナとのインピーダンスミスマッチングによりＲＦ信号の受信レベルを低下させる問題点が誘発される。
【００１６】
本発明は、このような従来の課題に鑑みてなされたもので、全ての減衰モードでインピーダンス整合を維持し得る可変減衰器を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するため、本発明に係る可変減衰器は、固定電圧によってＲＦ信号を減衰する第１減衰器と、該第１減衰器に並列接続されて、減衰モードを決定する制御電圧によってＲＦ信号を減衰する第２減衰器と、該第２減衰器の入出力インピーダンス整合を維持する第１インピーダンス整合部とから構成されている。
【００１８】
且つ、本発明に係る可変減衰器は、固定電圧によってＲＦ信号を減衰する第１減衰器と、低減衰モードで第１減衰器の入出力インピーダンス整合を維持する第１インピーダンス整合部と、第１減衰器の入出力端子間に接続されて、減衰モードを決定する制御電圧によって前記ＲＦ信号を減衰する第２減衰器と、高減衰モードで第２減衰器の入出力インピーダンス整合を維持する第２インピーダンス整合部とから構成されている。
【００１９】
又、前記ＲＦ信号は、低減衰モードでは第１減衰器のみに流れ、高減衰モードでは第２減衰器のみに流れ、中間減衰モードでは第１、第２減衰器すべてに流れることを特徴とする。
【００２０】
前記第２減衰器は、第１減衰器の入力端子に並列接続された第３キャパシターと、該第３キャパシターに直列接続された第１ショットキーダイオードと、第１減衰器の出力端子に並列接続された第２ショットキーダイオードと、第１、第２ショットキーダイオードの各アノード間に接続された第１、第２抵抗と、該第１、第２抵抗間に形成された制御信号入力端子とから構成されている。
【００２１】
前記第１、第２インピーダンス整合部は同様な抵抗に構成されて、各抵抗は５０Ωであることを特徴とする。
【００２２】
且つ、本発明に係る可変減衰器は、固定電圧によってＲＦ信号を減衰する第１ショットキーダイオードと、該第１ショットキーダイオードのアノードに並列接続されて、制御電圧によってＲＦ信号を減衰する第２ショットキーダイオードと、第１ショットキーダイオードのカソードに並列接続されて、制御電圧によって前記ＲＦ信号を減衰する第３ショットキーダイオードと、第２ショットキーダイオードのカソードと接地間に接続された第１抵抗と、第３ショットキーダイオードのカソードと接地間に接続された第２抵抗とから構成されている。
【００２３】
前記第１、第２抵抗は５０Ωであることを特徴とする。
【００２４】
本発明の可変減衰器は、固定電圧によってＲＦ信号を減衰する第１減衰器と、該第１減衰器の入出力端子間に接続されて、減衰モードを決定する制御電圧によってＲＦ信号を減衰する第２減衰器と、該第２減衰器の入出力インピーダンス整合を維持する第１インピーダンス整合部と、を含んで構成されることを特徴とする。
【００２５】
上記本発明の可変減衰器において、前記第１減衰器のインピーダンス整合のために接続された第２インピーダンス整合部を更に含むことが好ましい。
【００２６】
上記本発明の可変減衰器において、入力ＲＦ信号から直流成分を除去して第１減衰器に出力する第１キャパシターと、第１、第２減衰器の出力信号から直流成分を除去する第２キャパシターを更に含むことが好ましい。
【００２７】
上記本発明の可変減衰器において、前記第１減衰器は、ＰＩＮダイオード及びショットキーダイオードから構成されていて、前記固定電圧は、所定レベルに分配された電源電圧であることが好ましい。
【００２８】
上記本発明の可変減衰器において、前記ＲＦ信号は、低減衰モードでは第１減衰器のみに流れ、高減衰モードでは第２減衰器のみに流れることが好ましい。
【００２９】
上記本発明の可変減衰器において、前記ＲＦ信号は、中間減衰モードから第１、第２減衰器のすべてに流れることが好ましい。
【００３０】
上記本発明の可変減衰器において、前記第２減衰器は、第１減衰器の入力端子に並列接続された第３キャパシターと、第３キャパシターに直列接続された第１ショットキーダイオードと、第１減衰器の出力端子に並列接続された第２ショットキーダイオードと、第１、第２ショットキーダイオードの各アノード間に接続された第１、第２抵抗と、第１、第２抵抗間に形成された制御信号入力端子と、を含んで構成されることが好ましい。
【００３１】
また、本発明の可変減衰器は、固定電圧によってＲＦ信号を減衰する第１減衰器と、低減衰モードで該第１減衰器のインピーダンス整合を維持する第１インピーダンス整合部と、該第１減衰器の入出力端子間に接続されて、減衰モードを決定する制御電圧によって該ＲＦ信号を減衰する第２減衰器と、高減衰モードで該第２減衰器の入出力インピーダンス整合を維持する第２インピーダンス整合部と、を含んで構成されることを特徴とする。
【００３２】
上記本発明の可変減衰器において、前記第１および第２インピーダンス整合部は、同一の抵抗を有することが好ましい。
【００３３】
上記本発明の可変減衰器において、前記第２インピーダンス整合部は、前記第２減衰器と接地との間に接続された２つの抵抗からなり、各抵抗は５０Ωであることが好ましい。
【００３４】
上記本発明の可変減衰器において、前記ＲＦ信号は、低減衰モードでは前記第１減衰器のみに流れ、高減衰モードでは前記第２減衰器のみに流れることが好ましい。
【００３５】
上記本発明の可変減衰器において、前記ＲＦ信号は、中間減衰モードでは第１、第２減衰器のすべてに流れることが好ましい。
【００３６】
上記本発明の可変減衰器において、前記第２減衰器は、第１減衰器の入力端子に並列接続され、制御電圧が第１減衰器側に印加されることを遮断する第３キャパシターと、該第３キャパシターを通して伝えられたＲＦ信号を減衰する第１ショットキーダイオードと、第１減衰器の出力端子に並列接続された第２ショットキーダイオードと、制御電圧をそれぞれ印加するために第１、第２ショットキーダイオードの各アノードに接続された第１、第２抵抗と、を含んで構成されることが好ましい。
【００３７】
また、本発明の可変減衰器は、固定電圧によってＲＦ信号を減衰する第１ショットキーダイオードと、第１ショットキーダイオードのアノードに並列接続されて、制御電圧によってＲＦ信号を減衰する第２ショットキーダイオードと、第１ショットキーダイオードのカソードに並列接続されて、制御電圧によってＲＦ信号を減衰する第３ショットキーダイオードと、ショットキーダイオードのカソードと接地との間に接続された第１抵抗と、第３ショットキーダイオードのカソードと接地との間に接続された第２抵抗と、を含んで構成されることを特徴とする。
【００３８】
上記本発明の可変減衰器において、前記第１ショットキーダイオードのアノードに接続されて、制御電圧が第１ショットキーダイオードに印加されることを遮断するキャパシターを更に含むことが好ましい。
【００３９】
上記本発明の可変減衰器において、第２および第３ショットキーダイオードの各アノードに前記制御電圧を印加する第３および第４抵抗を更に含むことが好ましい。
【００４０】
上記本発明の可変減衰器において、前記第１および第２抵抗は、５０Ωであることが好ましい。
【００４１】
上記本発明の可変減衰器において、前記ＲＦ信号は、低減衰モードでは第１ショットキーダイオードに流れ、高減衰モードでは第２および第３ショットキーダイオードに流れることが好ましい。
【００４２】
上記本発明の可変減衰器において、前記ＲＦ信号は、中間減衰モードでは第１、第２、第３のショットキーダイオードのすべてに流れることが好ましい。
【００４３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態に対し、図面を用いて説明する。
【００４４】
図１は本発明に係る可変減衰器の回路図で、図示されたように、本発明に係る可変減衰器においては、ＲＦ信号から直流成分を除去するキャパシター（Ｃ１）と、所定レベルの固定電圧を出力する電源部１０と、該電源部１０の固定電圧によってキャパシター（Ｃ１）を通して伝えられたＲＦ信号を減衰する減衰器２０と、低減衰モードで減衰器２０のインピーダンス整合を維持するインピーダンス整合部３０と、前記減衰器２０に並列接続されて、減衰モードを決定する制御電圧によってキャパシター（Ｃ１）を通して伝えられたＲＦ信号を減衰する減衰器４０と、高減衰モードで減衰器４０の入出力インピーダンス整合を維持するインピーダンス整合部５０とから構成されている。
【００４５】
又、前記各インピーダンス整合部３０、５０はそれぞれ５０Ωの抵抗（Ｒ−Ｒ４）から構成されている。
【００４６】
且つ、前記電源部１０は、電源電圧（Ｖｃｃ）を分配して約１．３Ｖの固定電圧を出力し、前記減衰器２０は少なくとも一つ以上のＰＩＮダイオード及びショットキーダイオードから構成されるが、本発明の実施形態では一つのショットキーダイオード（Ｄ１）のみを使用した場合を例示して説明する。
【００４７】
即ち、前記減衰器４０は、前記減衰器２０の入力端子に並列接続されたキャパシター（Ｃ３）と、該キャパシター（Ｃ３）を通して伝えられたＲＦ信号を減衰するショットキーダイオード（Ｄ２）と、前記減衰器２０の出力端子に並列接続されたショットキーダイオード（Ｄ３）と、それらショットキーダイオード（Ｄ２、Ｄ３）の各アノード間に接続された各抵抗（Ｒ５、Ｒ６）とから構成されている。
【００４８】
このとき、該各抵抗（Ｒ５、Ｒ６）は、制御電圧入力端子を通して入力された制御電圧をショットキーダイオード（Ｄ２、Ｄ３）に印加する役割をし、前記キャパシター（Ｃ３）は制御電圧が減衰器２０の方に伝えられることを遮断する。
【００４９】
以下、このように構成された本発明に係る可変減衰器の動作に対して詳細に説明する。
【００５０】
本発明で、可変減衰器の減衰モードは制御電圧のレベルによって決定される。例えば、制御電圧が０Ｖ−０．６Ｖ以下の場合は可変減衰器が低減衰モードで動作され、制御電圧が０．６Ｖ−１．３Ｖ以下の場合は中間減衰モードで動作され、制御電圧が１．３Ｖ以上の場合は高減衰モードで動作される。この時、減衰モードを決定する電圧範囲は固定されたものではなく、電源部１０から出力される固定電圧の範囲によって変更することができる。
【００５１】
このような減衰モードで、キャパシター（Ｃ１）を通過したＲＦ信号はそれぞれ異なる経路を通して減衰される。即ち、低減衰モードでキャパシター（Ｃ１）を通過したＲＦ信号は減衰器２０のみに流れ、中間減衰モードでＲＦ信号は減衰器２０、４０すべてを通して流れ、高減衰モードでＲＦ信号は減衰器４０のみに流れる。
【００５２】
まず、可変減衰器は、０Ｖの制御電圧が印加されると低減衰モードで動作される。前記０Ｖの制御電圧により減衰器４０の各ショットキーダイオード（Ｄ２、Ｄ３）の内部抵抗は∞になり、キャパシター（Ｃ１、Ｃ３）を通して伝えられたＲＦ信号は減衰器４０に流れなくなる。
【００５３】
この時、電源部１０は電源電圧（Ｖｃｃ）を分配して、約１．３Ｖの固定電圧を減衰器２０に印加し、該固定電圧によりショットキーダイオード（Ｄ１）のアノードにはターンオン−電圧より高い１．３Ｖの電圧が印加される。
【００５４】
従って、ショットキーダイオード（Ｄ１）の内部抵抗は０Ωになるため、入力端子（ＲＦｉｎ）及びキャパシター（Ｃ１）を通して伝えられたＲＦ信号は、減衰なしにそのまま減衰器２０及びキャパシター（Ｃ２）を通して出力端子（ＲＦｏｕｔ）に伝えられる。この場合、減衰器２０の入出力インピーダンスはインピーダンス整合部３０により５０Ωを維持する。
【００５５】
次いで、制御電圧が増加すると、各ショットキーダイオード（Ｄ２、Ｄ３）のアノードに順方向バイアス（Ｆｏｒｗａｒｄ  Ｂｉａｓ）がかかり、各ショットキーダイオード（Ｄ２、Ｄ３）はターンオンされるようになる。即ち、制御電圧が０．６Ｖになると、ショットキーダイオード（Ｄ１）はターンオン状態を維持するが、制御電圧が０Ｖの時より内部抵抗がやや増加した状態になり、各ショットキーダイオード（Ｄ２、Ｄ３）はターンオンされるための過渡的状態になって、それらショットキーダイオード（Ｄ２、Ｄ３）には∞より少し減少された内部抵抗が設定される。
【００５６】
従って、キャパシター（Ｃ１）を通して伝えられたＲＦ信号は主に減衰器２０で減衰されるが、減衰器４０でも少しずつ減衰されるようになる。この時、入出力インピーダンスは依然として整合状態を維持するが、抵抗（Ｒ１−Ｒ４）によって５０Ωより小さくなる。
【００５７】
次いで、制御電圧が１Ｖになると、ショットキーダイオード（Ｄ１）の内部抵抗は増加する反面、各ショットキーダイオード（Ｄ２、Ｄ３）の内部抵抗が一層減少される。従って、キャパシター（Ｃ１）を通して伝えられたＲＦ信号は主に各ショットキーダイオード（Ｄ２、Ｄ３）を通して減衰され、この時の入出力インピーダンスは各インピーダンス整合部３０、５０の抵抗（Ｒ１−Ｒ４）によって５０Ωより小さくなる。
【００５８】
このように、各減衰器２０、４０がすべて動作される中間減衰モードで、ＲＦ信号は全てのショットキーダイオード（Ｄ１−Ｄ３）を通して減衰され、この時の入出力インピーダンスは前記各インピーダンス整合部３０、５０の各抵抗（Ｒ１−Ｒ４）によって５０Ωより小さな値を有するようになる。
【００５９】
そして、前記中間減衰モードは、ショットキーダイオード（Ｄ１）のアノードとカソードとの電圧差が０Ｖになるまで維持される。現在、ショットキーダイオード（Ｄ１）のアノードには電源部１０から出力された１．３Ｖの固定電圧が印加されているため、該固定電圧（１．３Ｖ）に対応してカソードに１．３Ｖより高い制御電圧を印加すると、可変減衰器は中間減衰モードから高減衰モードに進入する。
【００６０】
次いで、可変減衰器が高減衰モードで動作されると、ショットキーダイオード（Ｄ１）のカソード電圧がアノード電圧（１．３Ｖ）より大きくなる。よって、ショットキーダイオード（Ｄ１）の内部抵抗は∞になり、キャパシター（Ｃ１）を通して伝えられたＲＦ信号はすべて各ショットキーダイオード（Ｄ２、Ｄ３）を通して流れるようになる。そして、入出力インピーダンスは、中間減衰モードの所定時点から再び増加しはじめ、高減衰モードではインピーダンス整合部５０によって再び５０Ωになる。これは、各抵抗（Ｒ３、Ｒ４）に入出力インピーダンスが強制的に５０Ωに設定されるためである。
【００６１】
このように、本発明は、減衰器４０にインピーダンス整合部５０を接続することで、高減衰モードでも入出力インピーダンスを５０Ωに維持し得るようになる。
【００６２】
本発明の可変減衰器では、低減衰モード用の第１減衰器と、高減衰モード用の第２減衰器とを別々に構成し、かつ、高減衰モードでの入出力インピーダンス整合のためにさらなるインピーダンス整合部を第２減衰器に接続することによって、各減衰モードにおいて常時５０Ωとして入出力インピーダンスを維持することが可能である。
【００６３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る可変減衰器においては、低減衰モードで動作する第１減衰減衰器と高減衰モードで動作する第２減衰器とを別途に構成して、高減衰モードにおけるインピーダンスを整合するために第２減衰器に５０Ωの抵抗を強制的に接続することで、各減衰モードで常に５０Ωの入出力インピーダンスを維持し得るという効果がある。
【００６４】
従って、本発明は、各モードで安定したインピーダンスマッチングを維持し得るため、可変減衰器の安全性を確保することができるし、受信機の低雑音増幅器（ＬＮＡ）に使用する場合はデュプレックサー及び受信フィルターの通過帯域（Ｐａｓｓ  Ｂａｎｄ）特性を変更する必要がなくなる。
【００６５】
また、無線で受信した場合、従来のようにアンテナとのミスマッチングによって受信レベルが低下される現象を予防し得るという効果がある。
【００６６】
そして、本発明の実施形態は、ただ一つの例であって、請求範囲をはずれない限り、多様な形態に変更して使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る可変減衰器の構成を示したブロック図である。
【図２】従来可変減衰器の構成を示したブロック図である。
【符号の説明】
１０  電源部
２０、４０  減衰器
３０、５０  インピーダンス整合部
【図１】
2004166205.tif 000003
【図２】
2004166205.tif 000004