(57)【要約】【課題】小型化、高感度化、低コスト化に優れ、且つ容易に作成可能であり、３軸磁気センサにも容易に応用でき、様々な用途に利用可能な磁気センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明のホール効果を用いる磁気センサは、可撓性を有するフレキシブル基板と、前記フレキシブル基板上に堆積されるＢｉ（ビスマス）からなるホール素子とを具備する。また、ＢｉにＳｂ（アンチモン）、Ｓｎ（スズ）又はＳｉ（シリコン）の何れかをドープすることで、磁気センサのリニアリティを補償することが可能となる。フレキシブル基板上にホール素子を３つ作成し、フレキシブル基板を折り曲げることで、ＸＹＺ軸方向の磁界を検出できるように構成することで、３軸磁気センサとすることも可能である。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホール効果を用いる磁気センサであって、該センサは、
可撓性を有するフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板上に堆積される、Ｂｉからなるホール素子と、
を具備することを特徴とする磁気センサ。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気センサにおいて、前記ホール素子は、前記Ｂｉに不純物がドープされたものからなることを特徴とする磁気センサ。
【請求項３】
請求項２に記載の磁気センサにおいて、前記不純物は、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｓｉの何れかであることを特徴とする磁気センサ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３の何れかに記載の磁気センサにおいて、前記堆積されたＢｉからなるホール素子の厚さは、約０．１μｍ以下であることを特徴とする磁気センサ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４の何れかに記載の磁気センサにおいて、前記ホール素子は、熱処理が施されたホール素子であることを特徴とする磁気センサ。
【請求項６】
請求項５に記載の磁気センサにおいて、前記熱処理が施されたホール素子は、約２５０℃〜３５０℃の温度で約１時間〜１０時間熱を加えられたものであることを特徴とする磁気センサ。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６の何れかに記載の磁気センサであって、前記フレキシブル基板上に前記ホール素子を少なくとも３つ有し、前記フレキシブル基板を折り曲げることでそれぞれのホール素子がＸＹＺ軸方向の磁界をそれぞれ検出するように構成されることを特徴とする磁気センサ。
【請求項８】
ホール効果を用いる磁気センサの製造方法であって、該方法は、
可撓性を有するフレキシブル基板上に、マスクパターンを形成する過程と、
前記マスクパターン上にＢｉを堆積する過程と、
前記マスクパターンを剥離し、前記フレキシブル基板上にホール素子を形成する過程と、
を具備することを特徴とする磁気センサの製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の磁気センサの製造方法において、前記Ｂｉを堆積する過程には、さらに不純物をドープする過程が含まれることを特徴とする磁気センサの製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の磁気センサの製造方法において、前記不純物をドープする過程は、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｓｉの何れかをドープする過程であることを特徴とする磁気センサの製造方法。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０の何れかに記載の磁気センサの製造方法において、前記マスクパターン上にＢｉを堆積する過程は、堆積されるＢｉの厚さが、約０．１μｍ以下となるようにＢｉを堆積する過程であることを特徴とする磁気センサの製造方法。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１１の何れかに記載の磁気センサの製造方法であって、前記ホール素子を形成する過程の後に、さらに、形成された前記ホール素子に対して熱処理を行う過程が含まれることを特徴とする磁気センサの製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の磁気センサの製造方法において、前記熱処理を行う過程は、約２５０℃〜３５０℃の温度で約１時間〜１０時間熱を加える過程であることを特徴とする磁気センサの製造方法。
【請求項１４】
請求項８乃至請求項１３の何れかに記載の磁気センサの製造方法であって、さらに、前記フレキシブル基板上に前記ホール素子を少なくとも３つ形成する過程と、前記フレキシブル基板を折り曲げる過程とを具備し、これによりそれぞれのホール素子がＸＹＺ軸方向の磁界をそれぞれ検出するように構成されることを特徴とする磁気センサの製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の磁気センサの製造方法であって、さらに、前記フレキシブル基板を折り曲げる過程の後に、折り曲げられた前記フレキシブル基板を立体物に固着する過程を含むことを特徴とする磁気センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気センサ及びその製造方法に関し、特に、Ｂｉ（ビスマス）からなるホール素子を用いる磁気センサ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、磁気センサは、パーソナルコンピュータや自動販売機、自動改札機等で広く使用されており、これらの機器のモータ制御や磁気記憶媒体の磁気ヘッド等に広く利用されている。これらの磁気センサは、通常、半導体磁気センサと言われるものであり、半導体磁気センサの代表的なものとしては、磁気抵抗素子（ＭＲ素子）とホール効果を利用したホール素子がある。ＭＲ素子は、磁場の強弱は分かるが、補助部材を用いなければ磁極の判別をすることができないため、用途が限定されている。これに対し、ホール素子は、磁場の強弱だけでなく、磁極の判別も可能であるため、応用範囲が極めて広い磁気センサであり、高速、高感度、超寿命、低価格等という優れた特徴がある。
【０００３】
ホール効果を用いたホール素子の材料としては、ＩｎＳｂやＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、Ｓｉ等の化合物半導体が用いられている。このような半導体ホール素子を薄膜磁気ヘッドに応用した例は、例えば特願平８−８８４２５号公報に開示されている。当該公報に開示されるように、従来のホール素子は、シリコンウェーハ等の基板に複数の層を堆積させる複数の工程が必要であった。したがって、ホール素子は比較的高価なものであった。
【０００４】
また、ホール素子は、磁界の３次元計測のためのセンサにも応用されている。３次元計測用センサは、外乱磁場による電子機器の誤動作防止のための磁場計測、道路に埋め込んだ磁石から発生する磁界を車両に搭載した磁気センサにより検出する自律走行システムにおけるセンサ、能動カテーテル等のマニピュレータ先端の姿勢・位置検出のためのセンサ等の、様々な用途がある。３次元磁気センサは、チップ表面に対して垂直な磁界のみを検出可能な一般的な半導体ホール素子（横型ホール素子）と、エピタキシャル層等を埋め込んでチップ表面に対して平行な磁界を検出可能な半導体ホール素子（縦型ホール素子）とを用いた構造により、３軸の磁界を測定可能としたものがある。また、基板上のホール素子形成部分を基板から立ち上げることにより３軸の磁界を測定可能としたものもある。この立ち上げ式の３軸磁気センサの構造を、図１０を用いて簡単に説明する。３軸磁気センサは、Ｘ，Ｙ，Ｚの３軸磁界を独立のホール素子で検出するものであり、図示のように、Ｚ素子は、ウェーハ面内に形成され、Ｘ及びＹ素子は、ウェーハ面に垂直に配置し、各素子に対して垂直な磁界を検出可能な構造としている。このような構造のセンサは、ポリイミドとカンチレバーを用い、加熱によるポリイミドの収縮によりカンチレバーを折り曲げて、ホール素子が形成された部分を立ち上げたものであった。
【０００５】
【特許文献１】
特願平８−８８４２５号公報
【非特許文献１】
「三次元集積化磁気センサ技術」精密工学会誌、５５／９／１９８９、ｐ４０−４５
【非特許文献１】
「微小組立技術により作成したホール効果型３軸磁気センサ」電学論Ｅ、１２２巻４号、平成１４年、ｐ．２１２−２１６
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、従来の半導体ホール素子は、ＩｎＳｂやＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、Ｓｉ等の半導体を用いて非常に複雑な複数の工程を経る必要があり、コストがかかるものであった。また、これらの半導体ホール素子、特に微細なものを製造するための設備も非常に高価なものであった。さらに、Ａｓ等の使用は、環境汚染の問題もあり難しくなっている。また、半導体ホール素子は基板上に形成するため硬いものであり、自由な形状に製造することが難しかった。また、半導体ウェーハを用いて製造されるため、ホール素子の単価がある程度高いものとなっていた。
【０００７】
さらに、半導体ホール素子を用いた３軸磁気センサの場合、横型ホール素子と縦型ホール素子の検出感度の差が大きいため、供給電流を調整する等しなければならず、出力調整が難しいという問題もあった。また、立ち上げ式の３軸磁気センサの場合には、立体的な構造を得る方法が非常に複雑で難しく、微細加工のための設備も高価でコストが非常にかかるものであった。
【０００８】
さらに、半導体ホール素子は、表面空乏層の存在のため、微細化（１ミクロン以下）することが困難であった。
【０００９】
したがって、製造も容易で低価格なホール素子を用いた磁気センサ及び３軸磁気センサの開発が望まれていた。
【００１０】
本発明は、斯かる実情に鑑み、簡単な方法で安価に製造でき、形状も自由に製造可能であり、環境にもやさしく、磁界検出特性も良く、様々な用途に適応可能なホール効果を用いた磁気センサ及びその製造方法を提供しようとするものである。また、３軸磁気センサも非常に容易に製造でき、ホール素子ごとの検出感度のばらつきも無いセンサを提供しようとするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上述した本発明の目的を達成するために、本発明によるホール効果を用いる磁気センサは、可撓性を有するフレキシブル基板と、前記フレキシブル基板上に堆積される、Ｂｉからなるホール素子とを具備するものである。
【００１２】
また、ホール素子は、前記Ｂｉに不純物がドープされ得る。ここで、この不純物は、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｓｉの何れかであれば良い。
【００１３】
また、堆積されたＢｉからなるホール素子の厚さは、約０．１μｍ以下であることが好ましい。
【００１４】
さらに、ホール素子は、熱処理、例えば約２５０℃〜３５０℃の温度で約１時間〜１０時間の熱処理が施されたホール素子であっても良い。
【００１５】
さらに、フレキシブル基板上に前記ホール素子を少なくとも３つ有し、前記フレキシブル基板を折り曲げることでそれぞれのホール素子がＸＹＺ軸方向の磁界をそれぞれ検出するように構成することで、３軸磁気センサとすることも可能である。
【００１６】
また、本発明のホール効果を用いる磁気センサの製造方法は、可撓性を有するフレキシブル基板上に、マスクパターンを形成する過程と、前記マスクパターン上にＢｉを堆積する過程と、前記マスクパターンを剥離し、前記フレキシブル基板上にホール素子を形成する過程とを具備するものである。
【００１７】
Ｂｉを堆積する過程には、さらに不純物をドープする過程が含まれても良い。その不純物をドープする過程は、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｓｉの何れかをドープする過程であれば良い。
【００１８】
また、マスクパターン上にＢｉを堆積する過程は、堆積されるＢｉの厚さが、約０．１μｍ以下となるようにＢｉを堆積する過程であることが好ましい。
【００１９】
さらに、ホール素子を形成する過程の後に、形成された前記ホール素子に対して熱処理を行う過程が含まれても良い。熱処理を行う過程は、約２５０℃〜３５０℃の温度で約１時間〜１０時間熱を加える過程であれば良い。
【００２０】
またさらに、前記フレキシブル基板上に前記ホール素子を少なくとも３つ形成する過程と、前記フレキシブル基板を折り曲げる過程とを具備し、これによりそれぞれのホール素子がＸＹＺ軸方向の磁界をそれぞれ検出するように構成して３軸磁気センサを製造することも可能である。
【００２１】
さらにまた、前記フレキシブル基板を折り曲げる過程の後に、折り曲げられた前記フレキシブル基板を立体物に固着する過程を有しても良い。
【００２２】
上記手段によれば、以下のような作用が得られる。即ち、Ｂｉは金属中で最大のホール係数を示す材料であるため高感度であり、また低コストの材料であるため、コストを抑えることができる。しかも、微細加工にも優れているため、簡単に微細な磁気センサも製造可能である。また、磁気センサの製造方法は半導体センサの製造工程に比べると非常に簡単であるため、ホール素子自体の単価を非常に安くすることが可能となる。また、不純物をドープすることで、リニアリティを改善することも可能であり、そうすることで利用しやすいセンサとすることが可能となる。さらに、作成したホール素子に熱処理を加えることで、ホール係数、キャリア移動度、積感度が飛躍的に向上し、さらに高感度な磁気センサの製造が可能となる。さらにまた、フレキシブル基板上にホール素子を３つ作成し、フレキシブル基板を折り曲げることで簡単に３軸磁気センサとすることが可能となる。したがって、３軸磁気センサであっても、非常に安価に製造可能となる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図示例と共に説明する。図１は、本発明のホール効果を用いる磁気センサの上平面図である。図中、１はフレキシブル基板を、２はホール素子を表わす。フレキシブル基板１は、可撓性を有するものであり、ある程度の熱にも耐えられ、その上に堆積させる材料の固着性が高いものが望まれる。これは、例えばポリイミドフィルムからなるものであり、より具体的には、本実施例では、東レ・デュポン株式会社により提供されるカプトン（登録商標）を用いた。しかしながら、本発明はカプトン（登録商標）に限らず、可撓性を有するフレキシブル基板であれば、種々のものが利用可能であることは言うまでもない。
【００２４】
ホール素子２は、Ｂｉ（ビスマス）からなるものであり、フレキシブル基板１上に形成されたものである。ここで、Ｂｉについて説明する。Ｂｉは、金属中で最大のホール係数を示す材料であり、低コストの材料である。Ｂｉは、金属の一種であるが、結晶内のキャリア数が極端に少ないことや、荷電不純物に対して半導体並に敏感であること等、一般の金属と性質が異なり、特にキャリアの少なさから半金属とも呼ばれる。単結晶のＢｉ薄膜の室温での電荷移動度は、ＩｎＳｂ、ＩｎＡｓ薄膜より大きく、また、雑音が少なく殆ど熱雑音だけであることから、Ｓ／Ｎ比が高いことが特徴である。このような特性を有するＢｉを、ホール素子となるようにパターンニングしてフレキシブル基板１上に堆積させる。
【００２５】
以下、フレキシブル基板１上にＢｉを堆積させる方法について、図２−４を用いて説明する。まず、フレキシブル基板１上に、マスクパターン３を形成する（図２）。マスクパターン３は、ホール素子の形状にくり抜いたもの等を用いれば良く、その材質はガラス乾板等適当なものを用いることができる。そして、マスクパターン３の上からＢｉを堆積する（図３）。堆積は、真空蒸着法やスパッタリング、化学気相堆積法、電着法等、種々の方法により堆積可能である。なお、ホール素子は薄ければ薄いほどその検出感度が高くなるため、堆積するＢｉ層の厚さは、約０．５μｍよりも薄く、より好ましくは約０．１μｍ以下とすれば、より高感度の磁気センサが得られる。その後、マスクパターン３を剥離することで、図１に示すような１つのホール素子が作成される（図４）。そして、所定の素子間を結ぶ結線等を作成し、磁気センサが完成する。
【００２６】
本発明による磁気センサの特性評価を行うために、具体的には、ホール素子のサイズが５ｍｍ×５ｍｍ、素子の中心部の幅が５０μｍ、厚さが０．４μｍ、配線の太さが１ｍｍのホール素子を作成した。カプトン（登録商標）上に真空蒸着法によりパターンニングされたＢｉを蒸着させた。このように作成したホール素子に磁界を加えたときの出力電圧（ホール電圧）の関係を図５に示す。図５の特性からわかるように、磁界が強くなるに従って、電圧が上昇するのが確認できた。したがって、本発明によれば、非常に安価に磁気センサを製造することができる。なお、上記の素子サイズは、あくまでも特性評価を行う上で作成したサイズであり、本発明はこれに限定されることは無いことは言うまでもない。Ｂｉは微細加工に優れているため、本発明はホール素子サイズが１μｍ以下、例えば０．１μｍ程度の非常に微細な磁気センサにも応用可能である。なお、半導体によるホール素子で１μｍ以下のものを作成した場合、起電力が低下して感度が悪くなるため実用的なものとはならないが、本発明のＢｉを用いたホール素子の場合、Ｂｉに大量の電流を流すことが可能であるので、コンマ以下の微細センサであっても、十分実用的な検出感度を得ることができる。
【００２７】
しかしながら、図５に示すように、磁界に対して電圧が比例的に上昇する特性、即ちリニアリティ特性ではないため、磁気センサとして用いる場合には、出力電圧を検出した後の後処理（補償）が必要となってくる。そこで、次にリニアリティ特性が得られる磁気センサについて説明する。
【００２８】
上記実施例では、フレキシブル基板１上に堆積するＢｉは、純粋なＢｉであり、不純物は一切含まれないものであった。図６に、Ｂｉに不純物、具体的にはＳｂ（アンチモン）をドープして作成したホール素子の磁界に対する出力電圧特性を示す。不純物をドープすると、図示のように、本発明によるホール素子の出力電圧は、電流又は磁界に比例するリニアリティ特性を有するものとなった。なお、ドープする不純物は、Ｓｂ以外に、Ｓｎ（スズ）、Ｓｉ（シリコン）等であっても同様にリニアリティ特性が得られる。このように、ホール素子を、ＢｉにＳｂをドープしたＢｉＳｂ（Ｓｎをドープした場合にはＢｉＳｎ、Ｓｉをドープした場合にはＢｉＳｉ）とすることで、リニアリティ特性が得られるため、磁気センサとして非常に利用しやすいものとなる。なお、ＳｂやＳｎ、Ｓｉのドープは、微量で構わない。
【００２９】
次に、本発明により作成されたホール素子のホール係数やキャリア移動度、積感度等を向上させる方法について説明する。フレキシブル基板１上に堆積されたＢｉ又は不純物ドープトＢｉからなるホール素子２に対して、さらに熱処理を行う。熱処理は、約２５０℃〜３５０℃で約１時間〜１０時間行われることが望ましい。より好ましくは、２８０℃で４時間の熱処理を行う。熱処理を行うことで、それを行う前と比べて、ホール素子２のシート抵抗は半分以下に、ホール係数は約３倍に、キャリア移動度は６倍程度に、キャリア密度は４倍程度に、積感度は約８倍になった。したがって、ホール素子としての特性が飛躍的に向上した。このように、本発明によれば、ホール素子にさらに熱処理を施すことによって、より高性能な磁気センサを得ることが可能となる。
【００３０】
次に、本発明の磁気センサを３軸センサとする場合について説明する。図７は、３軸磁気センサのためにパターニングされたホール素子が形成されているフレキシブル基板の上平面図である。図示のように、同一形状のホール素子３つ（ホール素子Ｘ，Ｙ，Ｚ）を、フレキシブル基板１上に形成する。この３つのホール素子の形成は、同一の堆積工程により行なわれることが望ましい。そして、配線等所定のものを形成後、折り線に沿って折り曲げ、立方体等の立体物に固着させる。簡易的な３軸磁気センサにおいては、フレキシブル基板１は、立体物には両面テープ等で止めれば良く、より高精度な３軸磁気センサの場合には、平面性等を考慮して接着剤等で適切な方法により密着させれば良い。このようにして作成された３軸磁気センサを図８に示す。図８に示すように、ホール素子Ｘ、ホール素子Ｙ、ホール素子Ｚがそれぞれ折れ線に沿って折り曲げられ、必要により所定形状にカットされて立体物４に固着され、それぞれがＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向の磁界（各面に垂直な磁界）を測定するように構成される。
【００３１】
このように構成した３軸磁気センサの特性を測定した結果を図９に示す。図９は、図８のように構成された３軸磁気センサに、Ｚ軸方向（図中の矢印の方向）に外部磁界をかけ、そのときにＸ軸を中心に３６０度回転させたときの回転角度に対する各ホール素子Ｘ，Ｙ，Ｚの出力電圧の関係を表わす。なお、作成した３軸磁気センサのホール素子は、ＢｉにＳｂがドープされたものである。図示のとおり、ホール素子Ｘは、外部磁界と平行な方向を向いているため、３軸磁気センサをＸ軸を中心に回転させてもホール素子Ｘでは外部磁界は測定されず、出力電圧はほぼ０Ｖで一定であった。また、ホール素子Ｙは、回転角が０度のときは、外部磁界と平行な方向であるため、出力電圧はほぼ０Ｖであるが、回転させるにつれて、外部磁界が測定されるようになり徐々に出力電圧が下がり（ホール素子Ｙ表面に対して入射する磁界方向ではなく出射する磁界方向であるため、マイナス側の出力電圧となる）、９０度回転させたところで完全に外部磁界に垂直となり、出力電圧も最もマイナス側に高くなる。そして、更に回転させると徐々に０Ｖに近づき、１８０度のところで外部磁界と平行となり０Ｖとなる。その後、２７０度回転させるとホール素子Ｙに垂直に外部磁界が入射するので、プラス側で最大になり、一回転、３６０度で元の平行な方向となり出力電圧が０Ｖとなる。同様に、ホール素子Ｚは、０度のところで垂直に出射する外部磁界がかかっているため、マイナス側で最大の出力となっており、ホール素子Ｙとは９０度位相が進んだ状態で同様の波形を示し、１８０度でプラス側で最大の出力電圧となる。なお、Ｙ軸を中心に回転させた場合、Ｚ軸を中心に回転させた場合にも、同様の特性が得られた。このように、本発明による３軸磁気センサは、３軸磁気センサとして良好な特性が得られた。
【００３２】
本発明による３軸磁気センサは、３つのホール素子をフレキシブル基板上に一度の蒸着で作成可能なため、素子間の感度のばらつき等を抑えることが可能となる。したがって、後補正も不要でそのまま磁界を測定するのに利用可能なものであるため、装置自体が安価になる。また、製造工程自体も簡単な装置で実現可能なものであり、複雑な工程を経ることなく安価に製造可能となる。さらに、フレキシブル基板であるため、極簡単に所望の形状とすることが可能であり、用途に応じて様々な形状、様々な方向の磁界を測定できる磁気センサを安価に実現可能となる。即ち、ホール素子の個数を増やすのは極めて容易であるため、３軸に限定されず、より多くの方向の測定も可能となる。
【００３３】
なお、本発明の磁気センサ及びその製造方法は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
【００３４】
【発明の効果】
以上、説明したように本発明の時期センサ及びその製造方法によれば、高感度で低価格な磁気センサを提供可能であるという優れた効果を奏し得る。また、環境汚染の問題となる材料を用いる必要もない。そして、製造工程に複雑な工程は含まれず、安価な装置で簡単に製造可能である。さらに、複数のホール素子をその上に形成したフレキシブル基板を自由に折り曲げることにより、複数の軸に対する磁界を測定可能であり、３軸磁気センサ等に極めて簡単に応用可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明のＢｉホール素子の概略平面図である。
【図２】図２は、本発明のＢｉホール素子の製造工程のある時点におけるフレキシブル基板の断面図である。
【図３】図３は、本発明のＢｉホール素子の製造工程の図２の次の工程におけるフレキシブル基板の断面図である。
【図４】図４は、本発明のＢｉホール素子の製造工程の図３の次の工程におけるフレキシブル基板の断面図である。
【図５】図５は、本発明のＢｉホール素子の磁界に対する出力電圧特性を表わすグラフである。
【図６】図６は、本発明の、ＢｉにＳｂをドープしたＢｉＳｂホール素子の磁界に対する出力電圧特性を示すグラフである。
【図７】図７は、本発明の３軸磁気センサを作成するための３つのホール素子の概略平面図である。
【図８】図８は、図７の３つのホール素子を立体物に固着して完成させた３軸磁気センサの概略図である。
【図９】図９は、図８の３軸磁気センサの検出特性を表わすグラフである。
【図１０】図１０は、従来の３軸磁気センサを説明するための模式図である。
【符号の説明】
１    フレキシブル基板
２    ホール素子
３    マスクパターン
４    立体物
【図１】
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【図２】
2004165362.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2004165362.tif 000007
【図６】
2004165362.tif 000008
【図７】
2004165362.tif 000009
【図８】
2004165362.tif 000010
【図９】
2004165362.tif 000011
【図１０】
2004165362.tif 000012