(57)【要約】【課題】捕獲された反応生成物が処理対象上に落下することを防止する。【解決手段】ベルジャ２を外壁２ａおよび内壁２ｂからなる２重壁構造とし、内壁２ｂの側面部分には、アスペクト比が１以下の開口部３を形成するとともに、外壁２ａの外側に冷却装置４を設け、外壁２ａの側面を冷却する。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理対象を隔離するチャンバと、
前記チャンバ内に反応ガスを導入するガス導入手段と、
前記チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記チャンバ内を排気する排気手段と、
前記チャンバ内で生成された反応生成物が前記処理対象に向かって逆流しない位置に設けられ、前記反応生成物をトラップするトラップ手段とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
処理対象を隔離するチャンバと、
前記チャンバ内に反応ガスを導入するガス導入手段と、
前記チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記チャンバ内を排気する排気手段と、
前記処理対象の配置位置の側方に設けられ、前記チャンバ内で生成された反応生成物をトラップするトラップ手段と、
前記トラップ手段の内側に設けられ、前記チャンバ内で生成された反応生成物を前記トラップ手段に誘導する誘導手段とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記誘導手段は、アスペクト比が１以下の開口部が形成された仕切板であることを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記トラップ手段は、前記反応生成物を冷却する冷却手段であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
処理対象を隔離するチャンバと、
前記チャンバ内に反応ガスを導入するガス導入手段と、
前記チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記チャンバ内を排気する第１排気手段と、
前記チャンバ内で生成された反応生成物を通過させる通過手段と、
前記通過手段により通過された反応生成物を冷却する冷却手段と、
前記冷却手段により冷却された反応生成物を排気する第２排気手段とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
２重壁構造を有し、アスペクト比が１以下の開口部が内壁に設けられたチャンバと、
前記チャンバ内に反応ガスを導入するガス導入手段と、
前記チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記チャンバ内を排気する第１排気手段と、
前記２重壁で挟まれた空間を排気する第２排気手段とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項７】
２重壁構造を有するチャンバと、
前記チャンバ内に反応ガスを導入するガス導入手段と、
前記チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記チャンバ内を排気する第１排気手段と、
前記２重壁で挟まれた空間を排気する第２排気手段と、
前記チャンバ内壁の側面に設けられた開口部と、
前記チャンバ外壁の側面を冷却する冷却手段とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】
２重壁構造を有するチャンバと、
前記チャンバ内に反応ガスを導入するガス導入手段と、
前記チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記チャンバ内を排気する第１排気手段と、
前記２重壁で挟まれた空間を排気する第２排気手段と、
前記チャンバ内壁の側面に設けられた開口部と、
前記開口部を通過した反応生成物を吸着する吸着手段とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はプラズマ処理装置に関し、特に、内壁面への反応生成物の付着を抑制する場合に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のプラズマ処理装置では、例えば、特開平７−１２２５３５号公報に開示されているように、反応生成物が真空処理室の壁面で反射し、反応生成物がウェハ上に付着することを防止するため、真空処理室の被処理物対面の壁面にアスペクト比が５程度の凹凸形状を設ける方法があった。
【０００３】
図４は、従来のプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。
図４において、プラズマ処理装置には、真空処理室３１が設けられ、真空処理室３１内には、ウェハＷを載置する載置台３６が設けられ、載置台３６には、ＲＦバイアスを印加するＲＦ電源３７が接続されている。
さらに、プラズマ処理装置には、真空処理室３１に反応ガスを導入する導入管３９が設けられるとともに、導入管３９には、反応ガスの流量を制御するガス流量コントローラ３８が設けられている。
【０００４】
また、真空処理室３１は、導波管３３を介してマイクロ波発生器３２に接続され、導波管３３内には、マイクロ波を真空処理室３１に導入するマイクロ波導入窓３４が設けられている。
さらに、真空処理室３１および導波管３３の周辺には、放電効率を向上させるための磁界発生用コイル４０、４１がそれぞれ設けられている。
【０００５】
また、真空処理室３１は、真空処理室３１内を排気するための排気管４５に接続され、真空処理室３１内の排気経路には、排気速度を変化させるコンダクタンスバルブ４４が設けられている。
さらに、マイクロ波導入窓３４の内側には、アスペクト比５以上の貫通孔が多数形成されたマイクロ波導入板３５が設置され、真空処理室３１の周囲には、マイクロ波導入窓３４とマイクロ波導入板３５とで挟まれた空間を排気するための排気管４３が配設されるとともに、排気管４３には、排気速度を変化させるコンダクタンスバルブ４２が設けられている。
【０００６】
また、載置台３６の斜め上方には、反応生成物を吸着通過させる吸着通過板４６が設けられ、載置台３６の側方には、吸着通過板４６を通過した反応生成物の逆流を防止する敷居板４７が設けられている。
そして、ウェハＷが載置台３６上に載置されると、真空処理室３１内が排気管４５を介して排気されるとともに、マイクロ波導入窓３４とマイクロ波導入板３５とで挟まれた空間が排気管４３を介して排気され、真空処理室３１内が所定の真空度に達すると、反応ガスが導入管３９を介して真空処理室３１内に導入される。
【０００７】
そして、マイクロ波発生器３２にて、２．４５ＧＨｚの高周波が発生され、マイクロ波発生器３２にて発生された２．４５ＧＨｚの高周波が導波管３３を導波して、マイクロ波導入窓３４およびマイクロ波導入板３５を介して真空処理室３１内に導入される。
そして、磁界発生用コイル４０、４１にて、真空処理室３１の周辺に磁場が生成され、電子サイクロトロン共鳴により、高密度プラズマが真空処理室３１内に生成される。
【０００８】
そして、載置台３６には、ＲＦ電源３７によりＲＦバイアスが印加され、プラズマガスによるウェハＷのエッチング処理が行われる。
ここで、ウェハＷのエッチング処理中に生成された反応生成物は、マイクロ波導入板３５および吸着通過板４６で吸着され、マイクロ波導入板３５で吸着されずにマイクロ波導入板３５を通過した反応生成物は、排気管４３を介して外部に排気されるとともに、吸着通過板４６で吸着されずに吸着通過板４６を通過した反応生成物は、敷居板４７の外側を通って排気管４５に導かれ、外部に排気される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のプラズマ処理装置では、マイクロ波導入板３５および吸着通過板４６での反応生成物の吸着効率を向上させるため、アスペクト比が５以上に設定されている。
このため、従来のプラズマ処理装置では、真空処理室３１内で生成された反応生成物の排気コンダクタンスが劣化し、反応生成物の排気効率が悪くなるという問題があった。
【００１０】
また、従来のプラズマ処理装置では、マイクロ波導入板３５および吸着通過板４６がウェハＷの上方に設置されるため、マイクロ波導入板３５および吸着通過板４６に堆積した反応生成物が剥離すると、剥離した反応生成物がウェハＷ上に落下し、ウェハＷの異物の発生の原因になるという問題があった。
そこで、本発明の第１の目的は、反応生成物の排気効率の劣化を抑制しつつ、反応生成物を捕獲することが可能なプラズマ処理装置を提供することである。
【００１１】
また、本発明の第２の目的は、堆積した反応生成物が処理対象上に落下することを防止することが可能なプラズマ処理装置を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、請求項１記載のプラズマ処理装置によれば、処理対象を隔離するチャンバと、前記チャンバ内に反応ガスを導入するガス導入手段と、前記チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、前記チャンバ内を排気する排気手段と、前記チャンバ内で生成された反応生成物が前記処理対象に向かって逆流しない位置に設けられ、前記反応生成物をトラップするトラップ手段とを備えることを特徴とする。
【００１３】
これにより、トラップ手段により捕獲された反応生成物がトラップ手段から剥離した場合においても、その反応生成物が処理対象に付着することを防止することができ、処理対象に異物が発生することを低減することができる。
また、請求項２記載のプラズマ処理装置によれば、処理対象を隔離するチャンバと、前記チャンバ内に反応ガスを導入するガス導入手段と、前記チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、前記チャンバ内を排気する排気手段と、前記処理対象の配置位置の側方に設けられ、前記チャンバ内で生成された反応生成物をトラップするトラップ手段と、前記トラップ手段の内側に設けられ、前記チャンバ内で生成された反応生成物を前記トラップ手段に誘導する誘導手段とを備えることを特徴とする。
【００１４】
これにより、チャンバ内で生成された反応生成物をトラップ手段で効率よく捕獲させることが可能となるとともに、トラップ手段により捕獲された反応生成物がトラップ手段から剥離した場合においても、その反応生成物が処理対象上に落下することを防止することができ、処理対象に異物が発生することを低減することができる。
【００１５】
また、請求項３記載のプラズマ処理装置によれば、前記誘導手段は、アスペクト比が１以下の開口部が形成された仕切板であることを特徴とする。
これにより、反応生成物の排気コンダクタンスの劣化を抑制しつつ、処理対象から隠れる位置に反応生成物を導いて、反応生成物を堆積させることが可能となる。
【００１６】
このため、反応生成物をチャンバ内から効率よく除去することが可能となるとともに、堆積した反応生成物が剥離した場合においても、堆積した反応生成物が処理対象に付着することを低減することが可能となり、処理対象に異物が発生することを低減することができる。
また、請求項４記載のプラズマ処理装置によれば、前記トラップ手段は、前記反応生成物を冷却する冷却手段であることを特徴とする。
【００１７】
これにより、反応生成物の排気コンダクタンスの劣化を抑制しつつ、チャンバ内で生成された反応生成物を効率よく捕獲することが可能となり、反応生成物をチャンバ内から効率よく除去することができる。
また、請求項５記載のプラズマ処理装置によれば、処理対象を隔離するチャンバと、前記チャンバ内に反応ガスを導入するガス導入手段と、前記チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、前記チャンバ内を排気する第１排気手段と、前記チャンバ内で生成された反応生成物を通過させる通過手段と、前記通過手段により通過された反応生成物を冷却する冷却手段と、前記冷却手段により冷却された反応生成物を排気する第２排気手段とを備えることを特徴とする。
【００１８】
これにより、反応生成物の排気コンダクタンスの劣化を抑制しつつ、チャンバ内で生成された反応生成物を捕獲することが可能となるとともに、捕獲された反応生成物の逆流を抑制することが可能となる。
このため、反応生成物をチャンバ内から効率よく除去することが可能となるとともに、捕獲された反応生成物が剥離した場合においても、剥離した反応生成物が処理対象に付着することを低減することが可能となり、処理対象に異物が発生することを低減することができる。
【００１９】
また、請求項６記載のプラズマ処理装置によれば、２重壁構造を有し、アスペクト比が１以下の開口部が内壁に設けられたチャンバと、前記チャンバ内に反応ガスを導入するガス導入手段と、前記チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、前記チャンバ内を排気する第１排気手段と、前記２重壁で挟まれた空間を排気する第２排気手段とを備えることを特徴とする。
【００２０】
これにより、反応生成物の排気コンダクタンスの劣化を抑制しつつ、チャンバ内で生成された反応生成物を効率よく排気することが可能となり、チャンバ内壁に反応生成物が付着することを抑制することが可能となることから、反応生成物の落下量を低減させて、処理対象に異物が発生することを低減することが可能となる。
【００２１】
また、請求項７記載のプラズマ処理装置によれば、２重壁構造を有するチャンバと、前記チャンバ内に反応ガスを導入するガス導入手段と、前記チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、前記チャンバ内を排気する第１排気手段と、前記２重壁で挟まれた空間を排気する第２排気手段と、前記チャンバ内壁の側面に設けられた開口部と、前記チャンバ外壁の側面を冷却する冷却手段とを備えることを特徴とする。
【００２２】
これにより、反応生成物の排気コンダクタンスの劣化を抑制しつつ、チャンバ内で生成された反応生成物を捕獲することが可能となるとともに、捕獲された反応生成物の逆流を抑制することが可能となる。
このため、反応生成物をチャンバ内から効率よく除去することが可能となるとともに、捕獲された反応生成物が剥離した場合においても、剥離した反応生成物が処理対象上に落下することを低減することが可能となり、処理対象に異物が発生することを低減することができる。
【００２３】
また、請求項８記載のプラズマ処理装置によれば、２重壁構造を有するチャンバと、前記チャンバ内に反応ガスを導入するガス導入手段と、前記チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、前記チャンバ内を排気する第１排気手段と、前記２重壁で挟まれた空間を排気する第２排気手段と、前記チャンバ内壁の側面に設けられた開口部と、前記開口部を通過した反応生成物を吸着する吸着手段とを備えることを特徴とする。
【００２４】
これにより、チャンバ内で生成された反応生成物を捕獲することが可能となるとともに、捕獲された反応生成物が剥離した場合においても、剥離した反応生成物が処理対象上に落下することを低減することが可能となり、処理対象に異物が発生することを低減することができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置について、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。
【００２６】
図１において、プラズマ処理装置には、外壁２ａおよび内壁２ｂからなる２重壁構造のベルジャ２が設けられ、内壁２ｂの側面部分には、アスペクト比が１以下の開口部３が形成されるとともに、外壁２ａの外側には、外壁２ａの側面を冷却する冷却装置４が設けられている。
また、ベルジャ２は、ベルジャ２内を排気するための排気管８に接続されるとともに、外壁２ａと内壁２ｂとの間の空間を排気するための排気管７に接続されている。
【００２７】
また、ベルジャ２内には、ウェハＷを載置する載置台９が設けられ、載置台９には、ＲＦバイアスを印加するＲＦ電源１０が接続されている。
さらに、プラズマ処理装置には、ベルジャ２内に反応ガスを導入する導入管６が設けられるとともに、マイクロ波をベルジャ２内に導入する導波管１が設けられ、さらに、ベルジャ２の周辺には、放電効率を向上させるための磁界発生用コイル５が設けられている。
【００２８】
そして、ウェハＷが載置台９上に載置されると、ベルジャ２内が排気管８を介して排気されるとともに、外壁２ａと内壁２ｂとの間の空間が排気管７を介して排気され、ベルジャ２内が所定の真空度に達すると、反応ガスが導入管６を介してベルジャ２内に導入される。
そして、２．４５ＧＨｚの高周波が導波管１を介してベルジャ２内に導入されるとともに、磁界発生用コイル５にて、ベルジャ２の周辺に磁場が生成され、電子サイクロトロン共鳴により、高密度プラズマがベルジャ２内に生成される。
【００２９】
そして、載置台９には、ＲＦ電源１０によりＲＦバイアスが印加され、プラズマガスによるウェハＷのエッチング処理が行われる。
そして、ウェハＷのエッチング処理中に生成された反応生成物は、開口部３で吸着されるとともに、開口部３で吸着されずに開口部３を通過した反応生成物は、冷却装置４により冷却されて、外壁２ａに堆積する。そして、外壁２ａに堆積されずに、外壁２ａと内壁２ｂとの間に浮遊する反応生成物は、排気管７を介して外部に排気される。
【００３０】
ここで、ベルジャ２を２重壁構造とするとともに、開口部３のアスペクト比を１以下とすることにより、ベルジャ２で生成された反応生成物の排気コンダクタンスの劣化を抑制しつつ、反応生成物を効率よく排気することが可能となり、反応生成物の堆積量を低減させて、ウェハＷ上に異物が発生することを低減することが可能となる。
【００３１】
また、開口部３を内壁２ｂの側面に設けることにより、開口部３に堆積した反応生成物が剥離した場合においても、剥離した反応生成物がウェハＷ上に落下することを防止することが可能となり、ウェハＷ上に異物が発生することをより一層低減することが可能となる。
さらに、外壁２ａの側面を冷却する冷却装置４を設けることにより、ウェハＷが隠れる位置で、反応生成物を効率よく堆積させることが可能となり、反応生成物がウェハＷ方向に逆流することを低減することが可能となるとともに、外壁２ａに堆積した反応生成物が剥離した場合においても、剥離した反応生成物がウェハＷ上に落下することを防止することが可能となり、ウェハＷ上に異物が発生することをさらに低減することが可能となる。
【００３２】
図２は、本発明の第２実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。
図２において、プラズマ処理装置には、ベルジャ１２が設けられ、ベルジャ１２の側面部分には、アスペクト比が１以下の開口部１３が形成されるとともに、開口部１３の配置位置に対応して排気管１７が接続され、排気管１７の外側には、排気管１７を冷却する冷却装置１４が設けられている。
【００３３】
また、ベルジャ１２は、ベルジャ１２内を排気するための排気管１８に接続されるとともに、ベルジャ１２内には、ウェハＷを載置する載置台１９が設けられ、載置台１９には、ＲＦバイアスを印加するＲＦ電源２０が接続されている。
さらに、プラズマ処理装置には、ベルジャ１２内に反応ガスを導入する導入管１６が設けられるとともに、マイクロ波をベルジャ１２内に導入する導波管１１が設けられ、さらに、ベルジャ１２の周辺には、放電効率を向上させるための磁界発生用コイル１５が設けられている。
【００３４】
そして、ウェハＷが載置台１９上に載置されると、ベルジャ１２内が排気管１８を介して排気されるとともに、開口部１３の配置領域が排気管１７を介して排気され、ベルジャ１２内が所定の真空度に達すると、反応ガスが導入管１６を介してベルジャ１２内に導入される。
そして、２．４５ＧＨｚの高周波が導波管１１を介してベルジャ１２内に導入されるとともに、磁界発生用コイル１５にて、ベルジャ１２の周辺に磁場が生成され、電子サイクロトロン共鳴により、高密度プラズマがベルジャ１２内に生成される。
【００３５】
そして、載置台１９には、ＲＦ電源２０によりＲＦバイアスが印加され、プラズマガスによるウェハＷのエッチング処理が行われる。
そして、ウェハＷのエッチング処理中に生成された反応生成物は、開口部１３で吸着されるとともに、開口部１３で吸着されずに開口部１３を通過した反応生成物は、冷却装置１４により冷却されて、排気管１７内に堆積する。そして、排気管１７に堆積されずに、排気管１７内に浮遊する反応生成物は、排気管１７を介して外部に排気される。
【００３６】
ここで、開口部１３の配置位置に対応して排気管１７を設けるとともに、開口部１３のアスペクト比を１以下とすることにより、ベルジャ１２で生成された反応生成物の排気コンダクタンスの劣化を抑制しつつ、反応生成物を効率よく排気することが可能となり、反応生成物の堆積量を低減させて、ウェハＷ上に異物が発生することを低減することが可能となる。
【００３７】
また、開口部１３をベルジャ１２の側面に設けることにより、開口部１３に堆積した反応生成物が剥離した場合においても、剥離した反応生成物がウェハＷ上に落下することを防止することが可能となり、ウェハＷ上に異物が発生することをより一層低減することが可能となる。
さらに、排気管１７を冷却する冷却装置１４を設けることにより、ウェハＷが隠れる位置で、反応生成物を効率よく堆積させることが可能となり、反応生成物がウェハＷ方向に逆流することを低減することが可能となるとともに、排気管１７に堆積した反応生成物が剥離した場合においても、剥離した反応生成物がウェハＷ上に落下することを防止することが可能となり、ウェハＷ上に異物が発生することをさらに低減することが可能となる。
【００３８】
また、ベルジャ１２の回りに排気管１７を設けることにより、ベルジャ１２を１層構造としたままで、反応生成物の排気経路を確保することが可能となり、反応生成物の排気効率の向上を図りつつ、プラズマ処理装置の大型化を抑制することが可能となる。
図３は、本発明の第３実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。
【００３９】
図３において、プラズマ処理装置には、外壁２２ａおよび内壁２２ｂからなる２重壁構造のベルジャ２２が設けられ、内壁２２ｂの側面部分には、アスペクト比が１以下の開口部２３が形成されるとともに、外壁２２ａの内側には、ベルジャ２２内で生成された反応生成物を吸着する吸着板２４が設けられている。
ここで、吸着板２４には、反応生成物を吸着し易くするための粗面２４ａが設けられている。なお、吸着板２４の構造としては、粗面２４ａを設ける方法以外にも、微細孔を設けるようにしてもよく、編目構造にしてもよい。
【００４０】
また、ベルジャ２２は、ベルジャ２２内を排気するための排気管２８に接続されるとともに、外壁２２ａと内壁２２ｂとの間の空間を排気するための排気管２７に接続されている。
また、ベルジャ２２内には、ウェハＷを載置する載置台２９が設けられ、載置台２９には、ＲＦバイアスを印加するＲＦ電源３０が接続されている。
【００４１】
さらに、プラズマ処理装置には、ベルジャ２２内に反応ガスを導入する導入管２６が設けられるとともに、マイクロ波をベルジャ２２内に導入する導波管２１が設けられ、さらに、ベルジャ２２の周辺には、放電効率を向上させるための磁界発生用コイル２５が設けられている。
そして、ウェハＷが載置台２９上に載置されると、ベルジャ２２内が排気管２８を介して排気されるとともに、外壁２２ａと内壁２２ｂとの間の空間が排気管２７を介して排気され、ベルジャ２２内が所定の真空度に達すると、反応ガスが導入管２６を介してベルジャ２２内に導入される。
【００４２】
そして、２．４５ＧＨｚの高周波が導波管２１を介してベルジャ２２内に導入されるとともに、磁界発生用コイル２５にて、ベルジャ２２の周辺に磁場が生成され、電子サイクロトロン共鳴により、高密度プラズマがベルジャ２２内に生成される。
そして、載置台２９には、ＲＦ電源３０によりＲＦバイアスが印加され、プラズマガスによるウェハＷのエッチング処理が行われる。
【００４３】
そして、ウェハＷのエッチング処理中に生成された反応生成物は、開口部２３で吸着されるとともに、開口部２３で吸着されずに開口部２３を通過した反応生成物は、吸着板２４により吸着されて、吸着板２４に堆積する。そして、吸着板２４に吸着されずに、外壁２２ａと内壁２２ｂとの間に浮遊する反応生成物は、排気管２７を介して外部に排気される。
【００４４】
ここで、ベルジャ２２を２重壁構造とするとともに、開口部２３のアスペクト比を１以下とすることにより、ベルジャ２２で生成された反応生成物の排気コンダクタンスの劣化を抑制しつつ、反応生成物を効率よく排気することが可能となり、反応生成物の堆積量を低減させて、ウェハＷ上に異物が発生することを低減することが可能となる。
【００４５】
また、開口部２３を内壁２２ｂの側面に設けることにより、開口部２３に堆積した反応生成物が剥離した場合においても、剥離した反応生成物がウェハＷ上に落下することを防止することが可能となり、ウェハＷ上に異物が発生することをより一層低減することが可能となる。
さらに、外壁２２ａの内側に吸着板２４を設けることにより、ウェハＷが隠れる位置で、反応生成物を効率よく堆積させることが可能となり、反応生成物がウェハＷ方向に逆流することを低減することが可能となるとともに、吸着板２４に堆積した反応生成物が剥離した場合においても、剥離した反応生成物がウェハＷ上に落下することを防止することが可能となり、ウェハＷ上に異物が発生することをさらに低減することが可能となる。
【００４６】
なお、吸着板２４は、ベルジャ２２から脱着可能としてもよく、これにより、反応生成物が堆積した吸着板２４を容易に取替可能として、反応生成物の剥離を抑制することができる。
また、上述した実施形態では、エッチング処理を例にとって説明したが、ＣＶＤなどの成膜処理に適用するようにしてもよい。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、反応生成物の排気コンダクタンスの劣化を抑制しつつ、チャンバ内で生成された反応生成物を捕獲することが可能となるとともに、捕獲された反応生成物が剥離した場合においても、剥離した反応生成物が処理対象に付着することを低減することが可能となり、処理対象に異物が発生することを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。
【図３】本発明の第３実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。
【図４】従来のプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１、１１、２１　導波管、２、１２、２２　ベルジャ、２ａ、２２ａ　外壁、２ｂ、２２ｂ　内壁、３、１３、２３　開口部、４、１４　冷却装置、５、１５、２５　磁界発生用コイル、６、１６、２６　ガス導入管、７、８、１７、１８、２７、２８　排気管、９、１９、２９　載置台、１０、２０、３０　ＲＦ電源、Ｗ　ウェハ、２４　吸着板、２４ａ　粗面
【図１】
2004079806.tif 000003
【図２】
2004079806.tif 000004
【図３】
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【図４】
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