(57)【要約】【課題】省スペースかつ配置自由度の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置およびこれを用いた携帯端末並びに照明装置の提供を目的とする。【解決手段】支持体８上に、正孔を注入する陽極２、正孔輸送層３、発光領域を有する発光層４および電子を注入する陰極５を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子と、この有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動するドライバーＩＣ６とを有した画像形成装置において、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣ６とを、異なる平面上に形成した。【選択図】　図１
2004139892.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に、少なくとも正孔を注入する陽極と、発光領域を有する発光層と、電子を注入する陰極を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子と、同有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動するドライバーＩＣとを有した画像形成装置において、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとを、異なる平面上に形成したことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置。
【請求項２】
前記有機エレクトロルミネッセンス素子の光取り出し面と前記ドライバーＩＣとを、互いに平行でない位置に形成したことを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置。
【請求項３】
前記陽極がストライプ状に個々電気的に分離され、前記陰極がストライプ状に個々電気的に分離された画像表示配列を有することを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置。
【請求項４】
前記陽極あるいは前記陰極のいずれかの電極が、個々電気的に画素毎に分離され、この分離された電極が、スイッチング素子によって走査される画像表示配列を有することを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置。
【請求項５】
前記有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとを一つの支持体により支持し、前記有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとを、前記支持体の互いに対向する面上に形成したことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置。
【請求項６】
前記有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとを一つの支持体により支持し、前記有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとを、それぞれ前記支持体における隣接する面上に形成したことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置。
【請求項７】
前記有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとが、異方性導電フィルムにより電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置。
【請求項８】
前記有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとが、導電ワイヤにより電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載に有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置。
【請求項９】
前記ドライバーＩＣは、チップ・オン・フィルムにより形成されたものであることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置。
【請求項１０】
前記支持体は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子が形成された面と前記ドライバーＩＣが形成された面との面のなす角度が９０°以上であることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置。
【請求項１１】
前記支持体は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子が形成された面と前記ドライバーＩＣが形成された面との間で面取りしてあることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置を表示手段として備えたことを特徴とする携帯端末。
【請求項１３】
請求項１から１１のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置を光源として備えたことを特徴とする照明装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フルカラーディスプレイやセグメント表示装置等に用いられる有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置およびこれを用いた携帯端末並びに複写機やプリンタ等の照明装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
エレクトロルミネッセンス素子とは、固体蛍光性物質の電界発光を利用した発光デバイスである。現在、無機系材料を発光体として用いた無機エレクトロルミネッセンス素子が実用化され、液晶ディスプレイのバックライトやフラットディスプレイ等への応用展開が一部で図られている。
【０００３】
しかし、無機エレクトロルミネッセンス素子は、発光させるために必要な電圧が１００Ｖ以上と高く、しかも青色発光が難しいため、ＲＧＢの三原色によるフルカラー化が困難である。
【０００４】
一方、有機材料を用いたエレクトロルミネッセンス素子に関する研究も古くから注目され、様々な検討が行われてきたが、発光効率が非常に悪いことから本格的な実用化研究へは進展しなかった。
【０００５】
しかし、１９８７年にコダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらにより、有機材料を正孔輸送層と発光層との２層に分けた機能分離型の積層構造を有する有機エレクトロルミネッセンス素子が提案され、１０Ｖ以下の低電圧にもかかわらず１０００ｃｄ／ｍ２以上の高い発光輝度が得られることが明らかとなった（例えば、非特許文献１を参照。）。
【０００６】
これ以降、有機エレクトロルミネッセンス素子が俄然注目され始め、現在も同様な機能分離型の積層構造を有する有機エレクトロルミネッセンス素子についての研究が盛んに行われている。
【０００７】
ここで、従来の一般的な有機エレクトロルミネッセンス素子の構成について、図８を用いて説明する。
【０００８】
図８は従来の有機エレクトロルミネッセンス素子の要部断面図である。
【０００９】
図８に示す有機エレクトロルミネッセンス素子は、ガラス基板１上にスパッタリング法や抵抗加熱蒸着法等により形成されたＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明な導電性膜からなる陽極２と、陽極２上に同じく抵抗加熱蒸着法等により形成されたＮ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１、１’−ジフェニル−４、４’−ジアミン（以下、「ＴＰＤ」と略称する。）等からなる正孔輸送層３と、正孔輸送層３上に抵抗加熱蒸着法等により形成された８−Ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ　Ａｌｕｍｉｎｕｍ（以下、「Ａｌｑ３」と略称する。）等からなる発光層４と、発光層４上に抵抗加熱蒸着法等により形成された１００ｎｍ〜３００ｎｍの膜厚の金属膜からなる陰極５とを備えている。
【００１０】
上記構成の有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極２をプラス極とし、また陰極５をマイナス極として、直流電圧または直流電流を印加すると、陽極２から正孔輸送層３を介して発光層４に正孔が注入され、陰極５から発光層４に電子が注入される。発光層４では正孔と電子の再結合が生じ、これに伴って生成される励起子が励起状態から基底状態へ移行する際に発光現象が起こる。
【００１１】
このような有機エレクトロルミネッセンス素子を、様々な画像形成手段として応用することができる。具体的には、種々の表示装置や照明装置の光源またはバックライト、もしくは光通信機器に使用される発光素子等の画像形成装置、並びに、これらの画像形成装置を用いた表示装置および携帯端末、あるいは、電子写真方式の複写機、プリンタ等に用いる照明装置などである。
【００１２】
このような有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置において、高精細な表示を実現するためには、高精細に配列された有機エレクトロルミネッセンス素子と、これらを適宜駆動するためのドライバーＩＣとが必要となる。有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとを支持体上に配する場合、簡単な配線により実現するため、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとは、支持体の同一平面上に形成され、電気的に接続される。
【００１３】
携帯端末のような表示装置や、複写機、プリンタ等の照明装置などに用いられる画像形成装置においては、いずれについても、小型化、省スペース化が要求されている。有機エレクトロルミネッセンス素子は、超薄膜により構成されているため、この小型化の要求を満たすにのに最適なデバイスである。
【００１４】
【非特許文献１】
シー・ダブリュー・タンとエス・エー・ヴァンスライク（Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇａｎｄ　Ｓ．Ａ．Ｖａｎｓｌｙｋｅ），アプライド・フィジクス・レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ、１９８７年、第５１号、ｐ．９１３
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、有機エレクトロルミネッセンス素子は、素子単体は小型化が可能であるが、それを駆動するドライバーＩＣを含めると十分な小型化が実現されていない。特に、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとが同一平面上に配置されている場合は、平面方向での小型化に限界がある。また、表示装置や照明装置等における画像形成装置の配置の自由度を考えると、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとを同一平面上に配置すると、装置内における画像形成装置の配置の自由度は低くなる。
【００１６】
そこで、本発明においては、省スペースかつ配置自由度の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置およびこれを用いた携帯端末並びに照明装置を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置は、支持体上に、少なくとも正孔を注入する陽極と、発光領域を有する発光層と、電子を注入する陰極を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子と、同有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動するドライバーＩＣとを有した画像形成装置において、前記有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとを、異なる平面上に形成したことを特徴とする。
【００１８】
本発明によれば、省スペースかつ配置自由度の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置が得られる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
請求項１に記載の発明は、支持体上に、少なくとも正孔を注入する陽極と、発光領域を有する発光層と、電子を注入する陰極を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子と、同有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動するドライバーＩＣとを有した画像形成装置において、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとを、異なる平面上に形成したことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置であり、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとを異なる平面上で自由にレイアウトすることができ、用途に応じた省スペースかつ配置自由度の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置が得られる。
【００２０】
請求項２に記載の発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子の光取り出し面とドライバーＩＣとを、互いに平行でない位置に形成したことを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置であり、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとを互いに平行でない位置に自由にレイアウトすることができ、用途に応じた省スペースかつ配置自由度の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置が得られる。
【００２１】
請求項３に記載の発明は、陽極がストライプ状に個々電気的に分離され、陰極がストライプ状に個々電気的に分離された画像表示配列を有することを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置であり、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとを自由にレイアウトすることができ、用途に応じた省スペースな単純マトリックス方式の画像形成装置を実現することができる。
【００２２】
請求項４に記載の発明は、陽極あるいは陰極のいずれかの電極が、個々電気的に画素毎に分離され、この分離された電極が、スイッチング素子によって走査される画像表示配列を有することを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置であり、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとを自由にレイアウトすることができ、用途に応じた省スペースなアクティブマトリックス方式の画像形成装置を実現することができる。
【００２３】
請求項５に記載の発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとを一つの支持体により支持し、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとを、支持体の互いに対向する面上に形成したことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置であり、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとを一つの支持体の対向する面上に配置しているため、平面方向の面積を最適に設計することのできる有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置を実現することができる。
【００２４】
請求項６に記載の発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとを一つの支持体により支持し、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとを、それぞれ支持体における隣接する面上に形成したことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置であり、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとが隣接する面に配置されているため、厚み方向の面積を最小に設計することができ、狭小空間に配置することのできる画像形成装置を実現することができる。
【００２５】
請求項７に記載の発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとが、異方性導電フィルムにより電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置であり、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとの間の配線を加熱圧着工程により容易に形成することができる。
【００２６】
請求項８に記載の発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとが、導電ワイヤにより電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置であって、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとの間の配線が容易であるため、画像形成装置を容易に実現することができる。
【００２７】
請求項９に記載の発明は、ドライバーＩＣは、チップ・オン・フィルムにより形成されたものであることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置であり、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとの間の配線が容易であり、支持体自体に可撓性があるため、用途に応じた省スペース化の可能な画像形成装置を容易に実現することができる。
【００２８】
請求項１０に記載の発明は、支持体は、有機エレクトロルミネッセンス素子が形成された面とドライバーＩＣが形成された面との面のなす角度が９０°以上であることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置であり、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとの間の配線が断線しにくいため、省スペース化された画像形成装置を容易に実現することができる。
【００２９】
請求項１１に記載の発明は、支持体は、有機エレクトロルミネッセンス素子が形成された面とドライバーＩＣが形成された面との間で面取りしてあることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置であって、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとの間の配線が断線しにくいため、省スペース化された画像形成装置を容易に実現することができる。
【００３０】
請求項１２に記載の発明は、請求項１から１１のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置を表示手段として備えた携帯端末であり、省スペース化の容易な有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置を用いるため、小型・薄型の携帯端末を容易に実現することができる。
【００３１】
請求項１３に記載の発明は、請求項１から１１のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置を光源として備えた照明装置であり、省スペース化の容易な有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置を用いるため、小型・薄型の照明装置を容易に実現することができる。
【００３２】
以下、本発明の実施の形態について、図１から図７を用いて説明する。
【００３３】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１における有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置の概略斜視図である。
【００３４】
図１において、陽極２、正孔輸送層３、発光層４および陰極５は、既に図８において説明したものと同様であるので、同一の符号を付して説明を省略する。
【００３５】
本実施の形態における有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置では、主に陽極２、正孔輸送層３、発光層４および陰極５から構成された有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣ６とが、配線電極７を介して電気的に接続されている。ここで、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣ６とは、図１に示すように支持体８上の異なる平面上、特に隣接する面上に形成されている。
【００３６】
このような構成の画像形成装置では、平面方向の大きさがドライバーＩＣ６の大きさによって制限されないため、この平面方向の大きさを大幅に低減することができる。また、表示装置や照明装置の構造上の要求に合わせて、ドライバーＩＣ６の配置を変えることができ、配置自由度の高い画像形成装置を実現できる。
【００３７】
また、本実施の形態における画像形成装置では、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣ６とが一つの支持体８の隣接する面に配置されているため、厚み方向の面積を最小に設計することができ、狭小空間に配置することのできる画像形成装置を実現することができる。
【００３８】
なお、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の基板は、有機エレクトロルミネッセンス素子を保持できる強度があればよく、光の取り出し面として用いない場合は、透明あるいは不透明、いずれの基板も用いることができ、基板側から光を取り出す場合は、透明基板を用いる。また、本実施の形態における支持体８のように有機エレクトロルミネッセンス素子の基板をドライバーＩＣ６の支持体として共用することもできる。
【００３９】
基板の形状は、任意の形状で、有機エレクトロルミネッセンス素子あるいはドライバーＩＣ６を支持できればよいが、ドライバーＩＣ６と有機エレクトロルミネッセンス素子とが異なる平面上に形成されるため、これらを接続する配線電極を容易に形成できる形状であることが好ましい。特に、基板の角において配線電極の断線が生じやすいため、これを防止する形状であることが好ましく、二つの平面がなす角度が９０°以上であることが好ましい。このような構成により、断線の生じにくい配線が実現できる。あるいは、図１に示したような配線を形成する角を面取りした基板を用いても良い。このような構成とすることで、断線することのない配線電極を容易に形成できる。すなわち、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣ６との間の配線が断線しにくいため、省スペース化された画像形成装置を容易に実現することができる。
【００４０】
ここで、透明または半透明とは、有機エレクトロルミネッセンス素子による発光の視認を妨げない程度の透明性を有することをいう。
【００４１】
このような基板は、例えば、透明または半透明のソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスや石英ガラス等の無機酸化物ガラス、無機フッ化物ガラス等の無機ガラス、透明または半透明のポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリフッ化ビニル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリアクリレート、非晶質ポリオレフィンやフッ素系樹脂等の高分子フィルム等、透明または半透明のＡｓ２Ｓ３、Ａｓ４０Ｓ１０やＳ４０Ｇｅ１０等のカルコゲノイドガラス、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＯ、Ｓｉ３Ｎ４、ＨｆＯ２やＴｉＯ２等の金属酸化物および窒化物等の材料、不透明のシリコン、ゲルマニウム、炭化シリコン、ガリウム砒素や窒化ガリウム等の半導体材料、顔料等を含んだ透明基板材料、あるいは、表面に絶縁処理を施した金属材料等から適宜選択して用いることができ、また、複数の基板材料を積層した積層基板を用いることもできる。さらに、この基板表面あるいは基板内部には、有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動するための抵抗・コンダクタ・インダクタ・ダイオード・トランジスタ等からなる回路を形成しても良い。
【００４２】
陽極２は、正孔を注入する電極であり、正孔を効率良く発光層４あるいは正孔輸送層３に注入することが必要である。
【００４３】
陽極２としては、透明電極を用いることができる。透明電極の材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ２）や酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の金属酸化物、ＳｎＯ：Ｓｂ（アンチモン）やＺｎＯ：Ａｌ（アルミニウム）といった混合物からなる透明導電膜、透明度を損なわない程度の厚さのＡｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、Ｔｉ（チタン）やＡｇ（銀）といった金属薄膜、これら金属の混合薄膜や積層薄膜といった金属薄膜、あるいは、ポリピロール等の導電性高分子等を用いることができる。また、複数の透明電極材料を積層した透明電極とすることもでき、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタ法または電界重合法等の各種の重合法等により形成する。なお、透明電極は、十分な導電性を持たせるため、または、基板表面の凹凸による不均一発光を防ぐために、１ｎｍ以上の厚さにすることが望ましい。また、十分な透明性を持たせるために、５００ｎｍ以下の厚さにすることが望ましい。
【００４４】
さらに、陽極２としては、上記透明電極以外にも、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｕ（銅）、Ｓｎ（錫）、Ｗ（タングステン）やＡｕ（金）等の仕事関数の大きな金属、その合金、あるいは酸化物等を用いることができる。また、これらの陽極材料を複数用いて積層構造とすることもできる。ただし、陽極２として透明電極を用いない場合、光の角度変換手段の効果を最大限に利用するために、陽極２は光を反射する材料で形成することが好ましい。なお、陽極２として透明電極を用いない場合には、陰極５が透明電極であればよい。
【００４５】
また、陽極２に非晶質炭素膜を設けてもよい。この場合には、共に正孔注入電極としての機能を有する。すなわち、陽極２から非晶質炭素膜を介して発光層４あるいは正孔輸送層３に正孔が注入される。また、非晶質炭素膜は、陽極２と発光層４あるいは正孔輸送層３との間に、スパッタ法により形成される。スパッタリングによるカーボンターゲットとしては、等方性グラファイト、異方性グラファイトやガラス状カーボン等があり、特に限定するものではないが、純度の高い等方性グラファイトが適している。非晶質炭素膜が優れている点を具体的に示すと、理研計器製の表面分析装置ＡＣ−１を使って測定した非晶質炭素膜の仕事関数が、Ｗｃ＝５．４０ｅＶであることである。ここで、一般に陽極２としてよく用いられるＩＴＯの仕事関数は、ＷＩＴＯ＝５．０５ｅＶであることから、非晶質炭素膜を用いた方が発光層４あるいは正孔輸送層３に効率よく正孔を注入できることが分かる。また、非晶質炭素膜をスパッタリング法にて形成する際、非晶質炭素膜の電気抵抗値を制御するために、窒素あるいは水素とアルゴンの混合ガス雰囲気下で反応性スパッタリングする。さらに、スパッタリング法などによる薄膜形成技術では、膜厚を５ｎｍ以下にすると膜が島状構造となり均質な膜が得られない。そのため、非晶質炭素膜の膜厚が５ｎｍ以下では、効率のよい発光が得られず、非晶質炭素膜の効果が期待できない。また、非晶質炭素膜の膜厚を２００ｎｍ以上とすると、膜の色が黒味を帯び、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光が十分に透過しなくなる。
【００４６】
発光層４としては、可視領域で蛍光特性を有し、かつ成膜性のよい蛍光体からなるものが好ましく、Ａｌｑ３やＢｅ−ベンゾキノリノール（ＢｅＢｑ２）の他に、２、５−ビス（５、７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）−１、３、４−チアジアゾール、４、４’−ビス（５、７−ベンチル−２−ベンゾオキサゾリル）スチルベン、４、４’−ビス〔５、７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル〕スチルベン、２、５−ビス（５、７−ジ−ｔ−ベンチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフィン、２、５−ビス（〔５−α、α−ジメチルベンジル〕−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、２、５−ビス〔５、７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル〕−３、４−ジフェニルチオフェン、２、５−ビス（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、４、４’−ビス（２−ベンゾオキサイゾリル）ビフェニル、５−メチル−２−〔２−〔４−（５−メチル−２−ベンゾオキサイゾリル）フェニル〕ビニル〕ベンゾオキサイゾリル、２−〔２−（４−クロロフェニル）ビニル〕ナフト〔１、２−ｄ〕オキサゾール等のベンゾオキサゾール系、２、２’−（ｐ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾール等のベンゾチアゾール系、２−〔２−〔４−（２−ベンゾイミダゾリル）フェニル〕ビニル〕ベンゾイミダゾール、２−〔２−（４−カルボキシフェニル）ビニル〕ベンゾイミダゾール等のベンゾイミダゾール系等の蛍光増白剤、ビス（８−キノリノール）マグネシウム、ビス（ベンゾ−８−キノリノール）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウムオキシド、トリス（８−キノリノール）インジウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、８−キノリノールリチウム、トリス（５−クロロ−８−キノリノール）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−キノリノール）カルシウム、ポリ〔亜鉛−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリノニル）メタン〕等の８−ヒドロキシキノリン系金属錯体やジリチウムエピンドリジオン等の金属キレート化オキシノイド化合物、１、４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、１、４−（３−メチルスチリル）ベンゼン、１、４−ビス（４−メチルスチリル）ベンゼン、ジスチリルベンゼン、１、４−ビス（２−エチルスチリル）ベンゼン、１、４−ビス（３−エチルスチリル）ベンゼン、１、４−ビス（２−メチルスチリル）２−メチルベンゼン等のスチリルベンゼン系化合物、２、５−ビス（４−メチルスチリル）ピラジン、２、５−ビス（４−エチルスチリル）ピラジン、２、５−ビス〔２−（１−ナフチル）ビニル〕ピラジン、２、５−ビス（４−メトキシスチリル）ピラジン、２、５−ビス〔２−（４−ビフェニル）ビニル〕ピラジン、２、５−ビス〔２−（１−ピレニル）ビニル〕ピラジン等のジスチルピラジン誘導体、ナフタルイミド誘導体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、クマリン系誘導体や、芳香族ジメチリディン誘導体等が用いられる。さらに、アントラセン、サリチル酸塩、ピレン、コロネン等も用いられる。あるいは、ファク−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム等の燐光��光材料、ＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニレン）、あるいは、ポリフルオレン等のポリマー発光材料等を用いてもよい。
【００４７】
図２は有機エレクトロルミネッセンス素子の他の積層構造を示す断面図である。有機エレクトロルミネッセンス素子は、図２に示すように各機能分離した複数層からなる構造であってもよい。あるいは、これらの層のうち、発光層４を除くいずれかの機能層がない構造であってもよい。この場合、その機能を他の層が併せ持つ構造、あるいはその機能自身がない素子構造となる。すなわち、発光層４のみの単層構造の他に、正孔輸送層３と発光層４、または、発光層４と電子輸送層２４の２層構造や、正孔輸送層３と発光層４と電子輸送層２４の３層構造のいずれの構造でもよい。但し、このような２層構造または３層構造の場合には、正孔輸送層３と陽極２が、または、電子輸送層２４と陰極５が接するように積層して形成される。あるいは、正孔輸送層３と発光層４との間に電子ブロック層２２を設けた構造、発光層４と電子輸送層２４との間に正孔ブロック層２３を設けた構造、陽極２と正孔輸送層３との間に正孔注入層２１を設けた構造や、電子輸送層２４と陰極５の間に電子注入層２５を設けた構造など、機能分離した層を適宜選択し、積層あるいは混合層とした複数層構造であってもよい。
【００４８】
正孔輸送層３としては、正孔移動度が高く、透明で成膜性の良いものが好ましい。ＴＰＤの他に、ポルフィン、テトラフェニルポルフィン銅、フタロシアニン、銅フタロシアニンやチタニウムフタロシアニンオキサイド等のポリフィリン化合物、１、１−ビス｛４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）フェニル｝シクロヘキサン、４、４’、４’’−トリメチルトリフェニルアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラキス（Ｐ−トリル）−Ｐ−フェニレンジアミン、１−（Ｎ、Ｎ−ジ−Ｐ−トリルアミノ）ナフタレン、４、４’−ビス（ジメチルアミノ）−２−２’−ジメチルトリフェニルメタン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラフェニル−４、４’−ジアミノビフェニル、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−４、Ｎ、Ｎ−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１、１’−４、４’−ジアミン、４’−ジアミノビフェニルやＮ−フェニルカルバゾ−ル等の芳香族第三級アミン、４−ジ−Ｐ−トリルアミノスチルベンや４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）−４’−〔４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン等のスチルベン化合物、トリアゾール誘導体、オキサジザゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アニールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、ポリシラン系アニリン系共重合体、高分子オリゴマー、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、あるいは、ポリ３−メチルチオフェン等の有機材料が用いられる。また、ポリカーボネート等の高分子中に低分子の正孔輸送層３用の有機材料を分散させた、高分子分散系の正孔輸送層３も用いられる。また、これらの正孔輸送層材料は正孔注入層材料、あるいは、電子ブロック層材料として用いることもできる。
【００４９】
電子輸送層２４としては、１、３−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１、３、４−オキサジアゾリル）フェニレン（ＯＸＤ−７）等のオキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）、ＢＡｌｑやＢＣＰ（バソフプロイン）等が用いられる。また、これらの電子輸送層材料は電子注入材料、あるいは、正孔ブロック材料として用いることもできる。
【００５０】
陰極５は、電子を注入する電極であり、電子を効率良く発光層４あるいは電子輸送層２４に注入することが必要であり、仕事関数の小さいＡｌ（アルミニウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｔｉ（チタン）、Ａｇ（銀）、Ｃａ（カルシウム）やＳｒ（ストロンチウム）等の金属、あるいは、これらの金属の酸化物、フッ化物、その合金や積層体等が一般に用いられる。一度光／空気界面へと到達して、フレネル反射等により空気中へ取り出されなかった光は、再び素子内部へと伝播し、陰極５へと到達する。あるいは、発光層４において、光は等方的に放射されるため、発光層４で放射される光のうち半分は、光取り出し面に到達する前に陰極５へと到達する。このとき、陰極５が光を反射する材料で形成されていた場合、この陰極５へ到達した光は反射され、再び、光取出し面方向へと伝播することができ、有効な光として利用される可能性がある。この効果を有効にするためには、陰極５は光を反射する材料で形成することが好ましく、さらに光の反射率が５０％以上であることが好ましい。なお、以上のことは、陰極５を透明電極として用いた場合には、陽極２に適用される。
【００５１】
また、陰極５としては、発光層４あるいは電子輸送層２４と接する界面に、仕事関数の小さい金属を用いた光透過性の高い超薄膜を形成し、その上部に透明電極を積層することで、透明陰極を形成することもできる。特に仕事関数の小さなＭｇ、Ｍｇ−Ａｇ合金、特開平５−１２１１７２号公報記載のＡｌ−Ｌｉ合金、Ｓｒ−Ｍｇ合金、Ａｌ−Ｓｒ合金やＡｌ−Ｂａ合金等、あるいは、ＬｉＯ２／ＡｌやＬｉＦ／Ａｌ等の積層構造は、陰極材料として好適である。
【００５２】
さらに、これら陰極５の成膜方法としては抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタ法が用いられる。
【００５３】
なお、陽極２および陰極５は少なくとも一方が透明電極であればよい。あるいは、陽極２および陰極５が共に透明電極であってもよいが、光の取り出し効率を向上させるためには、一方が透明電極であれば、他方が光を反射する材料で形成することが好ましい。
【００５４】
また、有機エレクトロルミネッセンス素子を外気から遮断し、長時間安定性を保証するために素子表面に保護膜を形成することもある。保護膜の材料としては、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ、ＳｉＮ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３やＬｉＦ等の無機酸化物、無機窒化物、無機フッ化物からなる薄膜、無機酸化物、無機窒化物や無機フッ化物等、それらの混合物等からなるガラス膜、あるいは、熱硬化性、光硬化性の樹脂や封止効果のあるシラン系の高分子材料等が挙げられ、蒸着やスパッタリング等もしくは塗布法により形成される。
【００５５】
ドライバーＩＣ６は、ＳｉやＧａＡｓ等の無機半導体、および、これらの酸化物絶縁体や金属配線等からなり、抵抗、コンダクタ、インダクタ、トランジスタや電源等の電気回路により構成される。ドライバーＩＣ６は、各有機エレクトロルミネッセンス素子の配線パターンを介して、選択的に電流を流すことにより、任意の有機エレクトロルミネッセンス素子を点灯することができる。
【００５６】
ドライバーＩＣ６には、任意の有機エレクトロルミネッセンス素子に任意の電圧を印加する電圧駆動型と、任意の電流を印加する電流駆動型との２種類があるが、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光は電流値に対して直線的に変化するため、電流駆動型ドライバーであれば簡単な方式の駆動が可能である。あるいは、発光輝度と電圧の関係を把握し設計することで、安価な電圧駆動型ドライバーを用いた駆動を行うことも可能である。有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣ６とは、配線電極７を介して電気的に接続されており、適宜、任意の画像を形成することが可能である。
【００５７】
また、多数の画素で画像を形成する場合、画像の品質を安定させるために、印加した電流値をフィードバックする回路や、トランジスタ特性を補正する回路などの画像品質補償回路をドライバーＩＣ６に内蔵することが好ましい。
【００５８】
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置は、画像を表示する表示装置として用いることができ、この表示装置は、携帯電話、ＰＨＳ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ　Ｈａｎｄｙｐｈｏｎｅ　Ｓｙｓｔｅｍ）やＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ　Ｄａｔａ　Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）等の携帯情報端末のディスプレイ、テレビジョン、パーソナルコンピュータやカーナビゲーション等のディスプレイ、あるいは、ステレオやラジオ等のＡＶ機器のディスプレイ等に用いることができる。
【００５９】
配線電極７は、陽極２あるいは陰極５のいずれかの電極材料であってもよい。あるいは、支持体８の角における断線防止あるいは異なる平面にあるドライバーＩＣ６と有機エレクトロルミネッセンス素子とを容易な方法で接続するために、異方性導電フィルムや導電ワイヤにより配線電極７を形成しても良い。
【００６０】
このような配線電極７によれば、支持体８上に直接電極を形成しないため、断線する可能性の低い配線を容易に実現することができる。また、異方性導電フィルムとドライバーＩＣ６とを一体化したＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｆｉｌｍ；チップ・オン・フィルム）のような形態とすることで、さらに配置自由度が高く、安定な配線電極を実現できる。すなわち、ＣＯＦによれば、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣ６との間の配線が容易であり、支持体自体に可撓性があるため、用途に応じた省スペース化の可能な画像形成装置を容易に実現することができる。
【００６１】
さらに、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置は、レーザプリンタやスキャナ等の光源としての照明装置に用いることができる。あるいは、室内灯やライトスタンド等の照明器具のような単なる光源としての照明装置として用いることもできる。
【００６２】
これらの中でも、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置の低消費電力、軽量薄型化が容易、応答速度が速い等の優位性を考慮すれば、様々な電子機器において画像を表示するディスプレイとしての表示装置や、レーザプリンタ、スキャナ等の光源としての照明装置に用いることが好ましい。
【００６３】
（実施の形態２）
図３は本発明の実施の形態２における有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置の概略斜視図である。
【００６４】
図３において、陽極２、正孔輸送層３、発光層４、陰極５、ドライバーＩＣ６および支持体８は、実施の形態１において説明したものと同様であるので、同一の符号を付して説明を省略する。
【００６５】
本実施の形態における有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置では、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣ６とが、異方性導電フィルムからなる配線電極７ａを介して電気的に接続されている。配線電極７ａは、加熱圧着工程により容易に形成することができる。ここで、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣ６とは、図３に示すように一つの支持体８上の互いに対向する面に配されている。
【００６６】
さらに、図３に示すように、有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極２はストライプ状にパターニングされることにより個々電気的に分離され、これと略直交する形で陰極５も同様にストライプ状にパターニングされることにより個々電気的に分離された画像表示配列を有している。そして、陽極２をプラス側、陰極５をマイナス側として、配線電極７ａを介してドライバーＩＣ６に接続し、選択した陽極２、陰極５に直流電圧または直流電流を印加すれば、直交する部分の発光層４が発光し、単純マトリクス形式による平面ディスプレイが形成される。
【００６７】
このように、平面ディスプレイとドライバーＩＣ６とが対向する面に配置されることにより、平面方向に小さなディスプレイが容易に実現できる。特に、単純マトリックス方式のディスプレイにおいては、ディスプレイ部以外に多くの配線引き回し部があり、平面方向の大きさが大きくなる。このため、このような異なる平面上にドライバーＩＣ６を配置することは、装置の小型化には重要である。
【００６８】
このような構成の画像形成装置では、平面方向の大きさがドライバーＩＣ６の大きさによって制限されず、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣ６とを自由にレイアウトすることができるため、この平面方向の大きさを大幅に低減することができる。これにより、用途に応じた省スペースな単純マトリックス方式の画像形成装置を実現することができる。また、配線電極７ａを異方性導電フィルムで形成したことにより、複雑な配線を形成することなく、表示装置や照明装置からの構造上の要求に合わせて、ドライバーＩＣ６の配置を容易に変えることができ、配置自由度の高い画像形成装置を実現できる。
【００６９】
（実施の形態３）
図４は本発明の実施の形態３における有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置の概略斜視図である。
【００７０】
図４において、陽極２、正孔輸送層３、発光層４、陰極５、ドライバーＩＣ６および支持体８は、実施の形態１において説明したものと同様であるので、同一の符号を付して説明を省略する。
【００７１】
本実施の形態における有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置では、陰極５は十分に厚い透明な媒質で構成されており、光取り出し面は正孔輸送層３および発光層４の形成する面とは異なる方向（図４の矢印方向）から取り出される。また、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣ６とは、Ｎｉ等を積層した金属電極からなる配線電極７ｂを介して電気的に接続されている。ここで、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣ６とは、支持体８上の同一平面上に配されているが、有機エレクトロルミネッセンス素子の光取り出し面とドライバーＩＣ６とは互いに平行でない位置に配されている。有機エレクトロルミネッセンス素子は、単純マトリックス方式による線状照明装置を形成している。このように、線状照明装置とドライバーＩＣ６とが互いに平行でない面に配置されることにより、支持体８の厚さ方向に非常に薄い小さな線状照明装置が容易に実現できる。
【００７２】
このような構成の画像形成装置では、厚み方向の大きさがドライバーＩＣ６の大きさ、支持体８の大きさや光取り出し面方向によって制限されず、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣ６とを自由にレイアウトすることができるため、この厚み方向の大きさを、大幅に低減することができる。これにより、用途に応じた省スペースな単純マトリックス方式の画像形成装置を実現することができる。
【００７３】
なお、上記実施の形態１〜３においては、正孔輸送層３と発光層４からなる二層構造の場合について示しているが、この構造に特に限定されるものではない。また、本実施の形態においては、基板上面に陽極２を形成する構造の場合について示しているが、この構造に特に限定されるものではなく、基板上面に陰極５を形成することも可能である。封止の形態については、保護膜を形成して封止する等の適宜手段を採用することができる。また、保護膜とシールド材等との組み合わせであっても何等問題ない。
【００７４】
また、本実施の形態においては、単純マトリックス方式の画像形成装置について説明したが、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板上に有機エレクトロルミネッセンス素子を形成することで、陽極２あるいは陰極５のいずれかの電極が個々電気的に画素毎に分離され、分離された電極が、ＴＦＴのスイッチング素子によって走査されて、画像配列が形成される、いわゆるアクティブマトリックス方式の表示装置でもよい。さらに、効率の良い発光を得るために、光取り出し面に有効な光の角度変換手段を形成して、光の取り出し効率を向上させることもできる。
【００７５】
（実施の形態４）
次に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置を使用した携帯端末について説明する。
【００７６】
図５は本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置からなる表示装置を備えた携帯端末を示す斜視図、図６はそのブロック図である。
【００７７】
図５および図６において、９は音声を音声信号に変換するマイク、１０は音声信号を音声に変換するスピーカー、１１はダイヤルボタン等から構成される操作部、１２は着信等を表示する表示部である。表示部１２は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置からなる表示装置により構成されている。また、１３はアンテナ、１４はマイク９からの音声信号を送信信号に変換する送信部である。送信部１４で作製された送信信号は、アンテナ１３を通して外部に放出される。１５はアンテナ１３で受信した受信信号を音声信号に変換する受信部である。受信部１５で作成された音声信号は、スピーカー１０にて音声に変換される。１６は送信部１４、受信部１５、操作部１１および表示部１２を制御する制御部である。
【００７８】
マイク９には、使用者（発信者）の通話時の音声等が入力され、スピーカー１０からは相手側の音声や告知音が出力されて使用者（受信者）に伝達される。なお、携帯端末として、ページャ（Ｐａｇｅｒ）を用いる場合には、マイク９は特に設けなくてもよい。
【００７９】
操作部１１には、ダイヤルボタンとしてのテンキーや各種の機能キーを備えている。また、テンキーや各種の機能キーだけでなく、文字キー等を備えていてもよい。この操作部１１から、電話番号、氏名、時刻、各種機能の設定、Ｅメールアドレス、ＵＲＬ（Ｕｎｉｆｏｒｍ　Ｒｅｓｏｕｒｃｅ　Ｌｏｃａｔｏｒ）等の所定のデータが入力される。さらに、操作部１１には、このようなキーボードによる操作だけでなく、ペン入力装置、音声入力装置、磁気または光学入力装置を用いてもよい。
【００８０】
表示部１２には、操作部１１から入力される所定のデータやメモリに記憶された電話番号、Ｅメールアドレス、ＵＲＬ等のデータあるいはキャラクタアイコン等が表示される。
【００８１】
アンテナ１３は、電波の送信か受信の少なくとも一方を行う。なお、本実施の形態では、信号の送信、受信を電波で行うので、アンテナ（ヘリカルアンテナ、平面アンテナ等）を設けているが、光通信等を行う場合には、発光素子や受光素子をアンテナの代わりに設けてもよい。この場合には、発光素子で信号を他の通信機器などに送信し、受光素子で外部からの信号を受信する。
【００８２】
送信部１４は音声信号を送信信号に変換し、受信部１５は受信した受信信号を音声信号に変換する。
【００８３】
制御部１６は、図示しないＣＰＵ（中央処理装置）やメモリ等を用いた従来公知の手法により構成されており、送信部１４、受信部１５、操作部１１および表示部１２を制御する。より具体的には、これら各部に設けられた図示しない各制御回路、駆動回路等に命令を与える。例えば、制御部１６からの表示命令を受けた表示制御回路は、表示駆動回路を駆動することにより、表示部１２に表示を行う。
【００８４】
以下、上記構成の携帯端末の動作の一例について説明する。
【００８５】
まず、着信があった場合には、受信部１５から制御部１６に着信信号を送出し、制御部１６は、その着信信号に基づいて、表示部１２に所定のキャラクタ等を表示させる。さらに、操作部１１から着信を受ける旨のボタン等が押されると、信号が制御部１６に送出されて、制御部１６は、着信モードに各部を設定する。これにより、アンテナ１３で受信した信号は、受信部１５で音声信号に変換され、音声信号はスピーカー１０から音声として出力されると共に、マイク９から入力された音声は、音声信号に変換され、送信部１４を介し、アンテナ１３を通して外部に送出される。
【００８６】
次に、発信する場合について説明する。
【００８７】
発信する場合、操作部１１から発信する旨の信号が、制御部１６に入力される。続いて、電話番号に相当する信号が操作部１１から制御部１６に送られてくると、制御部１６は送信部１４を介して、電話番号に対応する信号をアンテナ１３から送出する。その送出信号によって、相手方との通信が確立されたら、その旨の信号がアンテナ１３を介し受信部１５を通して制御部１６に送られ、制御部１６は発信モードに各部を設定する。これにより、アンテナ１３で受信した信号は、受信部１５で音声信号に変換され、音声信号はスピーカー１０から音声として出力されると共に、マイク９から入力された音声は、音声信号に変換され、送信部１４を介し、アンテナ１３を通して外部に送出される。
【００８８】
なお、本実施の形態では、音声を送信受信した例を示したが、音声に限らず、文字データ等の音声以外のデータの送信もしくは受信の少なくとも一方を行う携帯端末についても同様な効果を得ることができる。
【００８９】
このような本実施の形態における携帯端末においては、画像形成装置の小型化、省スペース化が特に強く求められており、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置を、その表示装置として用いることで大幅な小型化、省スペース化が実現できる。
【００９０】
特に近年、携帯端末に用いる表示装置は、より高精細な表示機能を実現したままでの小型化が求められており、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣ６とを異なる平面上に配置することで、この要求を満たすことが可能となる。
【００９１】
【実施例】
（実施例１）
実施例１として、図１の画像形成装置を作成した。
【００９２】
支持体８として、ガラスからなる面状基板の任意の一辺を面取りし、角が滑らかである支持基板を作成した。
【００９３】
次に、面取りされた辺に接する二つの面上に、０．６７ｍＰａ（＝５×１０−６Ｔｏｒｒ）以下の真空度まで減圧したスパッタリング装置内にて、陽極２として膜厚１２０ｎｍのＣｒ膜および５０ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタリング法にて形成した後、ＩＴＯ／Ｃｒ膜上にレジスト材（東京応化社製、ＯＦＰＲ−８００）をスピンコート法により塗布して厚さ５μｍのレジスト膜を形成し、マスク、露光、現像してレジスト膜を所定の形状にパターニングした。次に、この基板を６０℃で５０％の塩酸および２０％のクロムのエッチャント中に浸漬して、レジスト膜が形成されていない部分のＩＴＯ／Ｃｒをエッチングした後、レジスト膜も除去し、所定のパターンのＩＴＯ／Ｃｒからなる反射型の陽極２および配線電極７が形成されたパターニング基板を得た。
【００９４】
次に、このパターニング基板を、洗剤（フルウチ化学社製、セミコクリーン）による５分間の超音波洗浄、純水による１０分間の超音波洗浄、アンモニア水１（体積比）に対して過酸化水素水１と水５を混合した溶液による５分間の超音波洗浄、７０℃の純水による５分間の超音波洗浄の順に洗浄処理した後、窒素ブロアーで基板に付着した水分を除去し、さらに加熱して乾燥した。
【００９５】
次に、パターニング基板の陽極２のうち、小さい面に形成された陽極２側の表面に、０．２７ｍＰａ（＝２×１０−６Ｔｏｒｒ）以下の真空度まで減圧した抵抗加熱蒸着装置内にて、正孔輸送層３としてＴＰＤを約５０ｎｍの膜厚で形成し、同様に抵抗加熱蒸着装置内にて、正孔輸送層３上に発光層４としてＡｌｑ３を約６０ｎｍの膜厚で形成した。なお、ＴＰＤとＡｌｑ３の蒸着速度は、共に０．２ｎｍ／ｓであった。
【００９６】
次に、同様に抵抗加熱蒸着装置内にて、発光層４上に１５ａｔ％のＬｉを含むＡｌ−Ｌｉ合金を蒸着源として、陽極２とクロスするような方向で陰極５を５ｎｍの膜厚で成膜し、更に、スパッタリング装置内にて、Ａｌ−Ｌｉ合金と同一のマスクを用いてＩＴＯを形成し、有機エレクトロルミネッセンス素子を形成した。陰極５は、ＩＴＯ／Ｃｒからなる配線電極７と電気的に接続するように形成されており、次に形成するドライバーＩＣ６を通じて、自由に駆動することができる。
【００９７】
次に、基板上に接着剤を用いてドライバーＩＣ６を固定し、それぞれ対応するドライバーＩＣ６端子と配線電極７とをワイヤーボンディングにより電気的に接続し、側面照射型の画像形成装置を得た。
【００９８】
（実施例２）
実施例２として、図３の画像形成装置を作成した。
【００９９】
支持体８として、ガラスからなる透明基板上に膜厚１６０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、ＩＴＯ膜上にレジスト材（東京応化社製、ＯＦＰＲ−８００）をスピンコート法により塗布して厚さ１０μｍのレジスト膜を形成し、マスク、露光、現像してレジスト膜を所定の形状にパターニングした。次に、この基板を６０℃で５０％の塩酸中に浸漬して、レジスト膜が形成されていない部分のＩＴＯ膜をエッチングした後、レジスト膜も除去し、所定のパターンのＩＴＯ膜からなる陽極２が形成されたパターニング基板を得た。
【０１００】
次に、このパターニング基板を、洗剤（フルウチ化学社製、セミコクリーン）による５分間の超音波洗浄、純水による１０分間の超音波洗浄、アンモニア水１（体積比）に対して過酸化水素水１と水５を混合した溶液による５分間の超音波洗浄、７０℃の純水による５分間の超音波洗浄の順に洗浄処理した後、窒素ブロアーで基板に付着した水分を除去し、さらに加熱して乾燥した。
【０１０１】
次に、パターニング基板の陽極２側の表面に、０．２７ｍＰａ（＝２×１０−６Ｔｏｒｒ）以下の真空度まで減圧した抵抗加熱蒸着装置内にて、正孔輸送層３としてＴＰＤを約５０ｎｍの膜厚で形成した。
【０１０２】
次に、同様に抵抗加熱蒸着装置内にて、正孔輸送層３上に発光層４としてＡｌｑ３を約６０ｎｍの膜厚で形成した。なお、ＴＰＤとＡｌｑ３の蒸着速度は、共に０．２ｎｍ／ｓであった。
【０１０３】
次に、同様に抵抗加熱蒸着装置内にて、発光層４上に１５ａｔ％のＬｉを含むＡｌ−Ｌｉ合金を蒸着源として、陽極２とクロスするような方向で、陰極５を５ｎｍの膜厚で成膜し、さらに、スパッタリング装置内にて、Ａｌ−Ｌｉ合金と同一のマスクを用いてＩＴＯを形成し、有機エレクトロルミネッセンス素子を形成した。
【０１０４】
次に、ＩＴＯからなる配線電極７ａの端部と基板裏面に配置されたドライバーＩＣ６とを異方性導電性フィルムを加熱圧着することにより電気的に接続し、裏面にドライバーＩＣ６の形成された平面ディスプレイを形成した。
【０１０５】
（比較例）
比較例として、図７の画像形成装置を作成した。なお、図７は比較例としての画像形成装置を示す斜視図である。
【０１０６】
ガラス基板１上に膜厚１６０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、ＩＴＯ膜上にレジスト材（東京応化社製、ＯＦＰＲ−８００）をスピンコート法により塗布して厚さ５μｍのレジスト膜を形成し、マスク、露光、現像してレジスト膜を所定の形状にパターニングした。次に、このガラス基板１を６０℃で５０％の塩酸中に浸漬して、レジスト膜が形成されていない部分のＩＴＯ膜をエッチングした後、レジスト膜も除去し、所定のパターンのＩＴＯ膜からなる陽極２が形成されたパターニング基板を得た。
【０１０７】
次に、このパターニング基板を、洗剤（フルウチ化学社製、セミコクリーン）による５分間の超音波洗浄、純水による１０分間の超音波洗浄、アンモニア水１（体積比）に対して過酸化水素水１と水５を混合した溶液による５分間の超音波洗浄、７０℃の純水による５分間の超音波洗浄の順に洗浄処理した後、窒素ブロアーで基板に付着した水分を除去し、さらに加熱して乾燥した。
【０１０８】
次に、パターニング基板の陽極２側の表面に、０．２７ｍＰａ（＝２×１０−６Ｔｏｒｒ）以下の真空度まで減圧した抵抗加熱蒸着装置内にて、正孔輸送層３としてＴＰＤを約５０ｎｍの膜厚で形成した。
【０１０９】
次に、同様に抵抗加熱蒸着装置内にて、正孔輸送層３上に発光層４としてＡｌｑ３を約６０ｎｍの膜厚で形成した。なお、ＴＰＤとＡｌｑ３の蒸着速度は、共に０．２ｎｍ／ｓであった。
【０１１０】
次に、同様に抵抗加熱蒸着装置内にて、発光層４上に１５ａｔ％のＬｉを含むＡｌ−Ｌｉ合金を蒸着源として、陰極５を１５０ｎｍの膜厚で成膜した。
【０１１１】
次にガラス基板１と同一平面上に、接着剤を用いてドライバーＩＣを固定し、それぞれ対応するドライバーＩＣ端子とＩＴＯ配線とをワイヤーボンディングにより電気的に接続した。
【０１１２】
【表１】
2004139892.tif 000003
【０１１３】
ここで、（表１）の評価項目における評価方法およびその評価基準について説明する。
【０１１４】
素子の大きさは、有機エレクトロルミネッセンス画像形成装置の平面方向の面積と厚さについて評価した。評価は、◎、○、△の三段階評価であり、その評価基準は、比較例１の素子に対して、◎：非常に優れている、○：優れている、△：許容できる、である。この結果は画像形成装置の配置の自由度を示しており、面積および厚さはそれぞれ小面積化、薄型化の要求に対して、自由に配置できるか否かの評価結果に等しい。
【０１１５】
また、配線の容易さは、基板上の有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとの間の配線について断線しにくさ、工法の容易さについて評価した。評価は、◎、○、△の三段階評価であり、その評価基準は、比較例１の配線に対して、◎：非常に優れている、○：優れている、△：許容できる、である。
【０１１６】
（表１）から分かるように、実施例１の画像形成装置では、ドライバーＩＣと有機エレクトロルミネッセンス素子とをそれぞれ別の面に配置しているため、装置全体の面積や厚さが、比較例に対して小さくなっている。また、角が滑らかな基板を用いているため、有機エレクトロルミネッセンス素子とドライバーＩＣとを立体的に配置しているにも関わらず、断線しにくい構造となっている。一方、実施例２の画像形成装置では、ドライバーＩＣと有機エレクトロルミネッセンス素子とをそれぞれ別の面に配置しているため、装置全体の面積や厚さが、比較例に対して小さくなっている。また、簡単な工法により立体的に配置することができ、また断線しにくい構造となっている。
【０１１７】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、有機エレクトロルミネッセンス素子と、この有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動するドライバーＩＣとを、異なる平面上に形成した構成とすることで、省スペースかつ配置自由度の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置の概略斜視図
【図２】有機エレクトロルミネッセンス素子の他の積層構造を示す断面図
【図３】本発明の実施の形態２における有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置の概略斜視図
【図４】本発明の実施の形態３における有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置の概略斜視図
【図５】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置からなる表示装置を備えた携帯端末を示す斜視図
【図６】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像形成装置からなる表示装置を備えた携帯端末のブロック図
【図７】比較例としての画像形成装置を示す斜視図
【図８】従来の有機エレクトロルミネセンス素子の要部断面図
【符号の説明】
１　ガラス基板
２　陽極
３　正孔輸送層
４　発光層
５　陰極
６　ドライバーＩＣ
７，７ａ，７ｂ　配線電極
８　支持体
９　マイク
１０　スピーカー
１１　操作部
１２　表示部
１３　アンテナ
１４　送信部
１５　受信部
１６　制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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