(57)【要約】【課題】パッドと、ＩＣチップやプリント基板との間の接合を良好に保つことが可能な配線基板を提供すること。【解決手段】基板本体１０に配列されたＦＣパッド１１の表面には、無電解ニッケルメッキ層１２が形成されている。また、その上層には、無電解ニッケルメッキ層表面を被覆するようにして、パラジウムによる無電解金属メッキ層１３が形成されている。更に、その上層には、ハンダバンプ１８が形成されている。無電解金属メッキ層は、無電解ニッケルメッキ層内のニッケル原子がハンダバンプ内へ拡散するのを防止する機能を果たす。結果、配線基板１によれば、ハンダバンプにニッケル原子が拡散することはなく、ハンダバンプに金属間化合物が生成されるのを防止することができる。【選択図】　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板本体と、
該基板本体表面に形成された銅製のパッドと、
該パッド表面に形成された無電解ニッケルメッキ層と、
該無電解ニッケルメッキ層よりパッド上部に形成されたハンダ層と、
を備える配線基板であって、
前記無電解ニッケルメッキ層と前記ハンダ層との間に、
前記無電解ニッケルメッキ層表面を被覆し、前記無電解ニッケルメッキ層と前記ハンダ層とを隔離する無電解金属メッキ層、
を備え、
前記ハンダ層は、前記無電解金属メッキ層表面に形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記無電解金属メッキ層は、パラジウム、又はスズ、又はスズ合金、からなることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
基板本体表面に形成された銅製のパッド上部に、ハンダ層を形成してなる配線基板の製造方法であって、
前記基板本体表面に形成された前記パッド表面に、無電解ニッケルメッキ層を形成する第一メッキ工程と、
該第一メッキ工程後、前記無電解ニッケルメッキ層表面を被覆するようにして、前記無電解ニッケルメッキ層と前記ハンダ層とを隔離するための無電解金属メッキ層を形成する第二メッキ工程と、
該第二メッキ工程後、前記無電解金属メッキ層表面にハンダペーストを印刷して溶融することにより、前記パッド表面に、前記無電解ニッケルメッキ層及び前記無電解金属メッキ層を介して前記ハンダ層を形成するハンダ層形成工程と、
を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記第二メッキ工程では、パラジウム、又はスズ、又はスズ合金、を用いて、無電解金属メッキ層を形成することを特徴とする請求項３に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板本体表面に形成された銅製のパッドに、ハンダ層を形成してなる配線基板、及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、配線基板としては、合成樹脂製又はセラミック製の基板本体表面に、複数の入出力端子を主表面に備えるＩＣチップ（半導体集積回路チップ）を搭載するための銅製パッドを備えたＩＣチップ搭載用の配線基板が知られている。また、この種の配線基板としては、ＩＣチップをフリップチップ実装方式にて接合するためのハンダ層としてのハンダバンプを、パッド表面に備えたものが知られている。
【０００３】
フリップチップ実装方式は、配線基板表面に配列されたパッドに、ＩＣチップをフェイスダウンでハンダ付けにより接続するものであり、マイクロコンピュータなどの高密度ＩＣチップを搭載するための配線基板に応用されている。
このフリップチップ実装用のハンダバンプを備える配線基板は、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）、ピングリッドアレイ（ＰＧＡ）などといったタイプのパッケージ製造に用いられ、そのハンダバンプが形成されたパッドを有する基板本体の第一面とは異なる第二面には、例えば、球状のハンダ（所謂ハンダボール）を取り付けてＢＧＡパッケージを作製するためのハンダ層が、第二面のパッド表面に形成されている。
【０００４】
ところで、このような配線基板では、良好なハンダ濡れ性を得るために、フリップチップ実装用の上記ハンダバンプ又はハンダボール取付用の上記ハンダ層をパッド表面に形成する前において、パッド表面に無電解ニッケルメッキ層を形成するのが一般的である。また、この無電解ニッケルメッキ層には、無電解ニッケルメッキ層の酸化を防ぎ、安定したはんだ付け性を得るために、金メッキを施すことが多い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来では、無電解ニッケルメッキ層をパッド表面に形成すると、ハンダペーストを溶融（リフロー）してハンダバンプや第二面側のハンダ層を形成する際に、金メッキが蒸発し、それが原因で、無電解ニッケルメッキ層と上層のハンダ層（ハンダバンプ若しくは第二面側のハンダ層）が直接接触し、無電解ニッケルメッキ層とハンダ層との間で、金属間化合物が生成されてしまうことが問題となっていた。尚、図６は、パッド１１表面の無電解ニッケルメッキ層１２と直接接触している結果、金属間化合物１８ａが生成されたハンダバンプ１８周辺の態様を表す説明図である。
【０００６】
つまり、無電解ニッケルメッキ層とハンダ層が直接接触すると、無電解ニッケルメッキ層内のニッケル原子がハンダ層内部に拡散して、無電解ニッケルメッキ層とハンダ層（ハンダバンプ若しくは第二面側のハンダ層）との境界に、ニッケルとスズによる脆い金属間化合物が形成され、これが原因でＩＣチップ又はハンダボールとパッドとの間の接合強度が十分に確保できないといった問題があった。
【０００７】
ＩＣチップと配線基板との間や、配線基板とハンダボールを介して接続されるプリント基板（マザーボードなど）との間には、熱膨張率の違いにより応力が働くから、上述のようにして脆い金属間化合物が形成されると、熱サイクルの繰り返しによって、パッド表面に形成された無電解ニッケルメッキ層とハンダ層との境界に、亀裂（クラック）が発生するなどし、これが原因でパッドとＩＣチップ又はプリント基板との間の電気的接続を良好に保持できなくなり、製品の信頼性を損なう結果となっていたのである。
【０００８】
本発明は、こうした問題に鑑みなされたものであり、無電解ニッケルメッキ層とハンダ層との境界に、金属間化合物が形成されるのを抑制可能な配線基板と、その製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するためになされた請求項１に記載の発明は、基板本体と、基板本体表面に形成された銅製のパッドと、パッド表面に形成された無電解ニッケルメッキ層と、無電解ニッケルメッキ層よりパッド上部に形成されたハンダ層と、を備える配線基板であって、無電解ニッケルメッキ層とハンダ層との間に、無電解ニッケルメッキ層表面を被覆し、無電解ニッケルメッキ層とハンダ層とを隔離する無電解金属メッキ層、を備え、ハンダ層が、無電解金属メッキ層表面に形成されていることを特徴とする。
【００１０】
このように構成された請求項１に記載の配線基板においては、無電解ニッケルメッキ層とハンダ層との間に無電解金属メッキ層が介在しているから、無電解ニッケルメッキ層内のニッケル原子がハンダ層内へ拡散するのを抑制することができて、ハンダ層下面に、ニッケルとスズの金属間化合物が形成されるのを抑制することができる。したがって、パッド表面に形成された無電解ニッケルメッキ層とハンダ層との境界に、熱サイクルの繰り返しよって亀裂（クラック）が発生するのを抑制することができ、配線基板の信頼性を向上させることができる。
【００１１】
尚、無電解ニッケルメッキ層内のニッケル原子のハンダ層内への拡散を抑制するためには、無電解ニッケルメッキ層及び上層のハンダ層とは異なる金属であって、上層のハンダ層よりも高い融点を有し、ニッケル原子拡散通過を抑止する性質を備える金属を無電解金属メッキ層に用いるのが良い。これらの金属を無電解金属メッキ層に用いれば、ニッケル原子の拡散を効果的に抑制することができる。
【００１２】
また、無電解金属メッキ層としては良好なハンダ濡れ性を有していることが求められるから、請求項１に記載の配線基板においては、請求項２に記載のようにして、無電解金属メッキ層を形成するのが良い。
請求項２に記載の配線基板は、無電解金属メッキ層が、パラジウム（Ｐｄ）又はスズ（Ｓｎ）又はスズ合金からなることを特徴とする。尚具体的に、スズ合金としては、スズ−銀（Ｓｎ−Ａｇ）、スズ−ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）、スズ−鉛（Ｓｎ−Ｐｂ）合金等が挙げられる。
【００１３】
請求項２に記載の配線基板によれば、ニッケル原子の拡散抑制機能を備え良好なハンダ濡れ性を示す無電解金属メッキ層が、無電解ニッケルメッキ層表面に形成されているから、ハンダ層形成時において無電解金属メッキ層表面に適切にハンダ層を形成することができる。したがって、配線基板の歩留まり等を向上することができ、信頼性の高い配線基板を安価に製造することができる。
【００１４】
続いて、請求項３に記載の発明は、基板本体表面に形成された銅製のパッド上部に、ハンダ層を形成してなる配線基板の製造方法であって、基板本体表面に形成されたパッド表面に、無電解ニッケルメッキ層を形成する第一メッキ工程と、第一メッキ工程後、無電解ニッケルメッキ層表面を被覆するようにして、無電解ニッケルメッキ層とハンダ層とを隔離するための無電解金属メッキ層を形成する第二メッキ工程と、第二メッキ工程後、無電解金属メッキ層表面にハンダペーストを印刷して溶融（リフロー）することにより、パッド表面に、無電解ニッケルメッキ層及び無電解金属メッキ層を介してハンダ層を形成するハンダ層形成工程と、を備えることを特徴とする。
【００１５】
請求項３に記載の配線基板の製造方法では、無電解ニッケルメッキ層と、ハンダ層との間に、無電解ニッケルメッキ層内のニッケル原子がハンダ層内へ拡散するのを抑制することが可能な無電解金属メッキ層を形成するから、製造後の配線基板における上記ハンダ層の下面に、ニッケルとスズによる脆い金属間化合物が形成されるのを抑制することができる。したがって、パッド表面に形成された無電解ニッケルメッキ層とハンダ層との境界に、熱サイクルの繰り返しよって亀裂（クラック）が発生するのを抑制することができ、信頼性の高い配線基板を製造することができる。
【００１６】
尚、第二メッキ工程では、無電解ニッケルメッキ層内のニッケル原子のハンダ層内への拡散を抑制するために、無電解ニッケルメッキ層及び上層のハンダ層とは異なる金属であって、上層のハンダ層よりも高い融点を有し、ニッケル原子拡散通過を抑止する性質を備える金属を用いて無電解金属メッキ層を形成するのが良い。上記性質を示す金属を用いて無電解金属メッキ層を形成すれば、ニッケル原子の拡散を効果的に抑制することができる。
【００１７】
請求項４に記載の配線基板の製造方法は、第二メッキ工程において、パラジウム（Ｐｄ）又はスズ（Ｓｎ）又はスズ合金を用いて、無電解金属メッキ層を形成することを特徴とする。尚具体的に、スズ合金としては、スズ−銀、スズ−ビスマス、スズ−鉛合金等が挙げられる。
【００１８】
請求項４に記載の配線基板の製造方法によれば、上記ニッケル原子の拡散抑制機能を備え良好なハンダ濡れ性を示す無電解金属メッキ層を形成することができるから、金属間化合物が生成されるのを抑制することができ、更には、パッド上部に適切にハンダ層を形成することができる。したがって、信頼性の高い配線基板を製造することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施例について、図面とともに説明する。
図１は、ＩＣチップ３及びハンダボール５が取り付けられた配線基板１の側面の構成を表す概略側面図である。また、図２は、配線基板１の断面の構成を概略的に表す概略断面図である。また、図３は、基板本体１０の第一面に形成されたパッド１１周辺の断面構成を表す概略拡大断面図である。この他、図４は、基板本体１０の第二面に形成されたパッド１４周辺の断面構成を表す概略拡大断面図である。
【００２０】
本発明が適用された配線基板１は、２９ｍｍ四方の基板本体１０を備え、その基板本体１０の両面に銅メッキからなるパッド１１，１４を備えている。基板本体１０は、エポキシ樹脂などの合成樹脂から構成される基体２０と、銅メッキ２１，２２，２６，３３による配線層と、樹脂絶縁層２９，３５と、を備えている。
【００２１】
この基板本体１０表面には、第一面の中央部（中央の概ね１０ｍｍ四方）に、最上層の配線層として、ＩＣチップ３の入出力端子の配列パターンに対応する配列で、複数の上記パッド１１（以下、「ＦＣパッド１１」とも表現する。）が形成されている。また、基板本体１０の第二面には、略全面（概ね２５ｍｍ四方）に分散して複数の上記パッド１４（以下、「ＢＧＡパッド１４」とも表現する。）が配列されている。
【００２２】
また、基板本体１０の表面には、ＦＣパッド１１及びＢＧＡパッド１４を構成する銅メッキ２１，２２の一部を露出した状態で、ソルダーレジスト層１７が形成されている。即ち、両面のパッド（ＦＣパッド１１及びＢＧＡパッド１４）は、基板本体１０最上部のソルダーレジスト層１７に周囲（周縁）を包囲され、そのソルダーレジスト層１７が形成されていない基板本体１０の凹部１０ａ，１０ｂ内に形成されている。
【００２３】
また、この基板本体１０の第一面に配列されたＦＣパッド１１表面には、ニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）を用いた無電解ニッケルメッキ層１２が、ＦＣパッド１１表面を被覆するようにして形成されている。更に、その無電解ニッケルメッキ層１２表面には、無電解ニッケルメッキ層１２内のニッケル原子がハンダバンプ１８内へ拡散するのを抑制するための無電解金属メッキ層１３が、無電解ニッケルメッキ層１２表面を被覆するようにして形成されている。
【００２４】
この他、ＦＣパッド１１上部の上記無電解金属メッキ層１３表面には、フリップチップ実装方式にてＩＣチップ３を接合するためのＰｂ−Ｓｎ共晶ハンダからなるハンダバンプ１８が、ソルダーレジスト層１７より突出するように形成されている。つまり、本実施例の配線基板１では、下層の無電解ニッケルメッキ層１２と上層のハンダバンプ１８との間に形成された無電解金属メッキ層１３により、無電解ニッケルメッキ層１２とハンダバンプ１８とが隔離されている。
【００２５】
同様に、第二面に配列されたＢＧＡパッド１４表面には、ニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）を用いた無電解ニッケルメッキ層１５が、ＢＧＡパッド１４表面を被覆するようにして形成され、更に、その無電解ニッケルメッキ層１５表面には、無電解ニッケルメッキ層１５とハンダ層１９とを隔離して、無電解ニッケルメッキ層１５内のニッケル原子がハンダ層１９内へ拡散するのを抑制可能な無電解金属メッキ層１６が、無電解ニッケルメッキ層１５表面を被覆するようにして形成されている。
【００２６】
そして、ハンダボール５を接合して取り付けるためのＰｂ−Ｓｎ共晶ハンダからなるハンダ層１９は、その無電解金属メッキ層１６を被覆するようにしてＢＧＡパッド１４上部に形成されている。尚、上記Ｐｂ−Ｓｎ系ハンダに代えて、Ｓｎ−Ａｇ系ハンダ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系ハンダ、Ｓｎ−Ｓｂ系ハンダ等を使用してもよい。
【００２７】
次に、上記構成の配線基板１の製造方法について説明する。本実施例においては、基板本体１０の作製工程、第一メッキ工程、第二メッキ工程、印刷工程、リフロー工程、の各工程を経て配線基板１を製造しているため、以下では、この順に各工程について説明する。
【００２８】
基板本体１０の作製工程では、まず基体２０の両面に、銅箔２５を形成する。この後、ドリル等で基体２０にスルーホール（貫通孔）を形成し、銅箔２５が形成された基体２０の両面及びスルーホール内の側面に銅メッキ２６を施して、基体２０の両面の銅メッキ２６をスルーホールを介して接続する。更に、基体２０上の銅メッキ２６表面を粗化し、スルーホールを充填材２７（例えば、エポキシ樹脂）にて充填する。
【００２９】
そして、両面の銅メッキ２６上にエッチングレジスト層（図示せず）を形成し、配線パターンに対応するガラスマスクを用いて露光、現像処理を施すことにより、エッチングレジスト層を一部除去し、更に、このエッチングレジスト層上部からエッチング液を用いてエッチング処理を施すことにより、銅メッキ２６及びそれより下層の上記銅箔２５を一部除去して、銅メッキ２６による配線層を形成する。
【００３０】
この後、残留するエッチングレジスト層を基体２０から除去して、銅メッキ２６を表面粗化し、この上に絶縁フィルムによる樹脂絶縁層２９を形成する。この樹脂絶縁層２９の形成後、露光、現像により一部の樹脂絶縁層２９を除去してビア３１（孔）を形成し、更に、樹脂絶縁層２９を熱硬化、表面粗化する。そして、樹脂絶縁層２９の表面に所定のパターンのめっきレジストを形成し、選択的に銅メッキ３３を施し、一層目の銅メッキ２６（配線層）に接続するようにして、二層目の配線層を形成する。
【００３１】
また更に、この二層目の配線層が形成された基体２０上に樹脂絶縁層３５を形成する。尚、このような方法（公知のフォトリソグラフィ技術、アディティブ法、サブトラクティブ法など）で銅メッキによる配線層の形成及び樹脂絶縁層の形成を繰り返すことにより多層に配線層を形成する。
【００３２】
そして、最上層の配線層を形成した後に、その配線層を構成する銅メッキ２１，２２の表面を粗化し、この上にソルダーレジスト層１７を形成する。このソルダーレジスト層１７の形成後には、露光、現像により、配列するパッド１１，１４表面のソルダーレジスト層１７のみを選択的に除去して上記凹部１０ａ，１０ｂを形成し、これにより銅メッキ２１，２２を露出させてソルダーレジスト層１７に周囲を包囲されるパッド１１，１４を形成する。
【００３３】
このパッド１１，１４形成後には、ソルダーレジスト層１７に対して熱硬化などの処理を施す。以上の処理により、表面にＦＣパッド１１とＢＧＡパッド１４とを備える基板本体１０が完成する。
また、このように基板本体１０が完成した後においては、第一メッキ工程に処理を移行する。尚、図５は、基板本体１０完成後における配線基板１の製造方法を示す説明図である。第一メッキ工程では、パッド（ＦＣパッド１１及びＢＧＡパッド１４）の表面に、ニッケルーリン（Ｎｉ−Ｐ）を用いて無電解メッキ処理を施すことにより、パッド１１，１４の表面全体に、無電解ニッケルメッキ層１２，１５を形成する。
【００３４】
この第一メッキ工程後には、第二メッキ工程に処理を移し、パッド（ＦＣパッド１１及びＢＧＡパッド１４）に形成された無電解ニッケルメッキ層１２，１５表面を被覆するようにして、各無電解ニッケルメッキ層１２，１５と上層のハンダ層（ハンダバンプ１８、ハンダ層１９）とを隔離するための無電解金属メッキ層１３，１６を形成する。
【００３５】
尚具体的に、本実施例の第二メッキ工程では、無電解ニッケルメッキ層１２，１５内のニッケル原子が、リフロー工程後にパッド１１，１４上部に形成されるハンダバンプ１８及びハンダ層１９内に拡散しないように、ニッケル原子の拡散抑制効果を奏するパラジウム（Ｐｄ）を用いて、無電解金属メッキ層１３，１６を形成する。この後、パッド１１，１４の無電解金属メッキ層１３，１６表面に、ハンダペースト４１をスクリーン印刷（即ちハンダ印刷）する（印刷工程）。
【００３６】
この印刷工程では、最初に、ＦＣパッド１１に対応する配列パターンの貫通孔を有するメタルマスク４３を、基板本体１０の第一面に載置した後、ハンダペースト４１を、そのメタルマスク４３の上面から塗布することにより、メタルマスク４３の貫通孔を介して基板本体１０の第一面に形成されたＦＣパッド１１上部の無電解金属メッキ層１３表面にハンダペースト４１を印刷する。尚、本実施例では、メタルマスク４３を用いてハンダペースト４１の印刷量を調節することにより、リフロー後において、ＦＣパッド１１上部にソルダーレジスト層１７より突出するハンダバンプ１８が形成されるようにしている。
【００３７】
上記ＦＣパッド１１表面へのハンダ印刷後には、基板本体１０を裏返し、ＢＧＡパッド１４に対応するパターンの貫通孔を有するメタルマスクを、基板本体１０の第二面に載置し、この後、メタルマスクの上面からハンダペースト４１を塗布することにより、貫通孔を介して基板本体１０の第二面に形成されたＢＧＡパッド１４上部の無電解金属メッキ層１６表面にハンダペースト４１を印刷する。
【００３８】
この後、リフロー工程において、両面がハンダ印刷された基板本体１０をリフロー炉内に収容し、そのリフロー炉内でハンダペースト４１を加熱して溶融（リフロー）することにより、ＦＣパッド１１上部に無電解ニッケルメッキ層１２及び無電解金属メッキ層１３を介してフリップチップ実装用のハンダバンプ１８を形成し、ＢＧＡパッド１４上部に無電解ニッケルメッキ層１５及び無電解金属メッキ層１６を介してハンダボール取付用のハンダ層１９を形成する。以上のような工程を経て配線基板１は完成する。
【００３９】
また、このように製造された配線基板１のＦＣパッド１１には、周知の技法にて、ＩＣチップ３が載置された状態で、ハンダバンプ１８が溶融され、これによりＩＣチップ３がＦＣパッド１１に接合される。この他、配線基板１のＢＧＡパッド１４には、ハンダボール５が載置された状態で、ハンダ層１９が溶融され、これによりハンダボール５がＢＧＡパッド１４に接合される。また同時に、ハンダボール５はプリント基板７（マザーボード等）の入出力端子と接合され、これにより配線基板１は、プリント基板７（マザーボード等）に接合される。
【００４０】
以上、本実施例の配線基板１の構成及びその製造方法について説明したが、上記実施例の配線基板１では、第二メッキ工程で、パラジウム（Ｐｄ）を用いて無電解金属メッキ層１３，１６を形成しているから、リフロー工程時などに、無電解ニッケルメッキ層１２，１５のニッケル原子が、ハンダバンプ１８若しくはハンダ層１９内に拡散するのを抑制することができて、ハンダバンプ１８若しくはハンダ層１９に金属間化合物が生成されるのを防止することができる。
【００４１】
尚、パラジウムを用いて無電解金属メッキ層１３，１６を、無電解ニッケルメッキ層１２，１５及びハンダ層（ハンダバンプ１８，ハンダ層１９）との間に形成すると、ニッケル原子の拡散防止効果が得られるのは、パラジウムが、上層のハンダ層（ハンダバンプ１８，ハンダ層１９）よりも高い融点を有し、ニッケル原子拡散通過を抑止する性質を備えているからである。
【００４２】
パラジウムが上記性質を備える結果、リフロー工程において、無電解金属メッキ層１３，１６は、従来の金メッキのように蒸発せず、無電解ニッケルメッキ層１２，１５及びハンダ層（ハンダバンプ１８，ハンダ層１９）を隔離することができる。したがって、無電解ニッケルメッキ層１２，１５に含まれるニッケル原子は拡散されず、その結果、ハンダ層（ハンダバンプ１８，ハンダ層１９）には、ニッケルを含む金属間化合物が形成されないのである。
【００４３】
結果、上記製造方法で製造された配線基板１においては、パッド１１，１４表面に形成された無電解ニッケルメッキ層１２，１５とハンダ層（ハンダバンプ１８，ハンダ層１９）との境界に、熱サイクルの繰り返しよってクラックが発生するのを抑制することができる。したがって、配線基板１を用いれば、ＩＣチップ３と配線基板１との間の接続、配線基板１とプリント基板７の間の接続を、長期に渡って良好に保つことができる。つまり、配線基板１の信頼性を向上させることができる。
【００４４】
また、パラジウムは、ハンダに対し良好な濡れ性を有することから、リフロー工程時においてハンダペースト４１が濡れないなどの問題が発生しにくく、製品の歩留まりを向上させることができる。したがって、信頼性の高い配線基板１を安価にユーザに提供することができる。
【００４５】
また、上記実施例の第二メッキ工程では、パラジウムを用いて無電解メッキ処理を施すことにより、無電解ニッケルメッキ層１２，１５表面に無電解金属メッキ層１３，１６を形成したが、パラジウムに代えて、スズを用いてもよい。
その他、上記性質を示すスズ−銀合金や、スズ−ビスマス合金や、スズ−鉛合金を用いてもよい。
【００４６】
これらの金属は、上層のハンダ層（ハンダバンプ１８，ハンダ層１９）よりも高い融点を有し、ニッケル原子拡散通過を抑止する性質を示すため、上記パラジウムを用いて無電解金属メッキ層１３，１６を形成する場合と同様に、無電解ニッケルメッキ層１２，１５及びハンダ層（ハンダバンプ１８，ハンダ層１９）を隔離することができ、ハンダ層（ハンダバンプ１８，ハンダ層１９）に、金属間化合物が形成されるのを防止することができる。
【００４７】
尚、本発明におけるハンダ層形成工程は、本実施例において印刷工程とリフロー工程とからなる。
以上、本発明の実施例について説明したが、本発明の配線基板及びその製造方法は、上記実施例に限定されるものではなく、種々の態様を採ることができる。例えば、上記実施例では、ＩＣチップ搭載用の配線基板の製造方法を採り上げて説明したが、その他の配線基板に、本発明を適用しても構わない。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＩＣチップ３及びハンダボール５が取り付けられた本実施例の配線基板１の側面の構成を表す概略側面図である。
【図２】配線基板１の断面構成を概略的に表す概略断面図である。
【図３】パッド１１周辺の断面構成を表す概略拡大断面図である。
【図４】パッド１４周辺の断面構成を表す概略拡大断面図である。
【図５】配線基板１の製造方法に関する説明図である。
【図６】金属間化合物１８ａが生成されたハンダバンプ周辺の態様を表す説明図である。
【符号の説明】
１…配線基板、３…ＩＣチップ、５…ハンダボール、７…プリント基板、１０…基板本体、１０ａ，１０ｂ…凹部、１１，１４…パッド、１２，１５…無電解ニッケルメッキ層、１３，１６…無電解金属メッキ層、１７…ソルダーレジスト層、１８…ハンダバンプ、１８ａ…金属間化合物、１９…ハンダ層、２０…基体、２１，２２，２６，３３…銅メッキ、２９，３５…樹脂絶縁層、４１…ハンダペースト、４３…メタルマスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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