(57)【要約】【課題】配線トラックを増加させ、配線時の自由度を高め、セル内配線もしくはセル間配線の結線率を上げて、集積度を向上させる半導体集積回路を得る。【解決手段】第１のゲート１１ａおよび第２のゲート１１ｂの中央部分に互いに異なる方向の屈曲部が形成され、第１および第４の配線接続部１２ａ，１２ｄが１本置きの同一の仮想線１４上に設けられ、第２および第３の配線接続部１２ｂ，１２ｃがそれとは異なる１本置きの同一の仮想線１４上に設けられ、且つ第１から第４の配線接続部１２ａ〜１２ｄが隣接する仮想線１４よりも内側に設けられるようにした。【選択図】　　　　図１
2004079572.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された第１の拡散領域と、
上記半導体基板上に形成された第２の拡散領域と、
上記第１の拡散領域上に等間隔に形成された複数の第１のゲートと、
上記第２の拡散領域上に上記第１のゲート同士の間隔と同一の間隔で且つ等間隔に形成された複数の第２のゲートと、
上記第１のゲートの一端に設けられた第１の配線接続部と、
上記第１のゲートの他端に設けられた第２の配線接続部と、
上記第２のゲートの一端に設けられ且つ上記第２の配線接続部に対向するように設けられた第３の配線接続部と、
上記第２のゲートの他端に設けられた第４の配線接続部とを備え、
上記第１のゲートおよび上記第２のゲートは、それらの中央部分に互いに異なる方向の屈曲部が形成され、
上記第１のゲート同士の間隔の半分の間隔で複数の仮想線を引いたとき、上記第１の配線接続部および上記第４の配線接続部は、１本置きの同一の仮想線上に設けられ、上記第２の配線接続部および上記第３の配線接続部は、上記第１の配線接続部および上記第４の配線接続部とは異なる１本置きの同一の仮想線上に設けられ、且つ上記第１の配線接続部から上記第４の配線接続部は、隣接する仮想線よりも内側に設けられたことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２】
半導体基板上に形成された第１の拡散領域と、
上記半導体基板上に形成された第２の拡散領域と、
上記第１の拡散領域上に等間隔に形成された複数の第１のゲートと、
上記第２の拡散領域上に上記第１のゲート同士の間隔と同一の間隔で且つ等間隔に形成された複数の第２のゲートと、
上記第１のゲートの一端に設けられた第１の配線接続部と、
上記第１のゲートの他端に設けられた第２の配線接続部と、
上記第２のゲートの一端に設けられ且つ上記第２の配線接続部に対向するように設けられた第３の配線接続部と、
上記第２のゲートの他端に設けられた第４の配線接続部とを備え、
上記第１のゲートおよび上記第２のゲートは、それらの中央部分に同一方向の屈曲部が形成され、
上記第１のゲート同士の間隔の半分の間隔で複数の仮想線を引いたとき、上記第１の配線接続部は、１本置きの仮想線上に設けられ、上記第２の配線接続部および上記第３の配線接続部は、上記第１の配線接続部とは異なる１本置きの同一の仮想線上に設けられ、上記第４の配線接続部は、対応する上記第１の配線接続部よりも仮想線２本分ずれた１本置きの仮想線上に設けられ、且つ上記第１の配線接続部から上記第４の配線接続部は、隣接する仮想線よりも内側に設けられたことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項３】
半導体基板上に形成された第１の拡散領域と、
上記半導体基板上に形成された第２の拡散領域と、
上記第１の拡散領域上に等間隔に形成された複数の第１のゲートと、
上記第２の拡散領域上に上記第１のゲート同士の間隔と同一の間隔で且つ等間隔に形成された複数の第２のゲートと、
上記第１のゲートの一端に設けられた第１の配線接続部と、
上記第１のゲートの他端に設けられた第２の配線接続部と、
上記第２のゲートの一端に設けられ且つ上記第２の配線接続部に対向するように設けられた第３の配線接続部と、
上記第２のゲートの他端に設けられた第４の配線接続部とを備え、
上記第１のゲートは、中央部分に屈曲部が形成され、
上記第１のゲート同士の間隔の半分の間隔で複数の仮想線を引いたとき、上記第１の配線接続部は、１本置きの仮想線上に設けられ、上記第２の配線接続部から上記第４の配線接続部は、上記第１の配線接続部とは異なる１本置きの同一の仮想線上に設けられ、且つ上記第１の配線接続部から上記第４の配線接続部は、隣接する仮想線よりも内側に設けられたことを特徴とする半導体集積回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、大規模な論理集積回路に関し、特に高集積用途のマスタースライス方式の半導体集積回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図３は従来のマスタースライス方式の半導体集積回路を示す構成図であり、図において、１ａは半導体基板上に形成された第１の拡散領域、１ｂは半導体基板上に形成された第２の拡散領域である。２ａは第１の拡散領域１ａ上に等間隔に形成された複数の第１のゲート、２ｂは第２の拡散領域１ｂ上に第１のゲート２ａ同士の間隔と同一の間隔で且つ等間隔に形成された複数の第２のゲートである。
３ａは第１のゲート２ａの一端に設けられた第１の配線接続部、３ｂは第１のゲート２ａの他端に設けられた第２の配線接続部、３ｃは第２のゲート２ｂの一端に設けられ且つ第２の配線接続部３ｂに対向するように設けられた第３の配線接続部、３ｄは第２のゲート２ｂの他端に設けられた第４の配線接続部である。
４ａは第１の拡散領域１ａ上に設けられた第５の配線接続部、４ｂは第１の拡散領域１ａ上に設けられた第６の配線接続部、４ｃは第２の拡散領域１ｂ上に設けられた第７の配線接続部、４ｄは第２の拡散領域１ｂ上に設けられた第８の配線接続部である。
５は第１のゲート２ａおよび第２のゲート２ｂ同士の間隔Ａで引いた複数の仮想線であり、第１の配線接続部３ａから第４の配線接続部３ｄ、第５の配線接続部４ａから第８の配線接続部４ｄは、この仮想線上に設けられている。
【０００３】
次に動作について説明する。
まずは、マスタースライス方式の半導体集積回路について説明する。
マスタースライス方式とは、回路構成とは独立して、半導体基板上に予め同様な構造を持つトランジスタを一定の規則で多数個並べておき、その後、回路構成にしたがってメタル配線工程のみ設計する半導体集積回路の設計手法である。
トランジスタの構造や配列が回路構成に依存しないため、工期の短縮、回路構成の改訂が比較的容易である等の利点を有する。
詳細には図３に示したように、第１の拡散領域１ａや第２の拡散領域１ｂに、屈曲のない形状をした第１のゲート２ａや第２のゲート２ｂを等間隔にて配列する場合が多い。
その半導体集積回路において、メタル配線によってゲートに接続可能な第１の配線接続部３ａから第４の配線接続部３ｄ、拡散領域に接続可能な第５の配線接続部４ａから第８の配線接続部４ｄ、すなわち、ゲートあるいは拡散領域に接続可能な配線トラックは、ゲート間隔Ａと同一の仮想線５上に設けられることになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
設計ルールにより決定される配線接続部を有する最小のゲート間隔Ａと、最小のメタル配線間隔とでは、最小のメタル配線間隔の方が狭い場合が多い。
しかしながら、従来の半導体集積回路は以上のように構成されているので、配線トラックの間隔を最小のメタル配線間隔とすることが困難であり、とりわけ配線の混雑が発生する半導体集積回路において、設計ルール上は、メタル配線間隔を詰めることが可能であるにも関わらず、ゲートの構造上、メタル配線間隔を詰めることができず、集積度を十分に高くすることができないなどの課題があった。
【０００５】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、配線トラックを増加させ、配線時の自由度を高め、セル内配線もしくはセル間配線の結線率を上げて、集積度を向上させる半導体集積回路を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る半導体集積回路は、第１のゲートおよび第２のゲートの中央部分に互いに異なる方向の屈曲部が形成され、第１および第４の配線接続部が１本置きの同一の仮想線上に設けられ、第２および第３の配線接続部がそれとは異なる１本置きの同一の仮想線上に設けられ、且つ第１から第４の配線接続部が隣接する仮想線よりも内側に設けられるようにしたものである。
【０００７】
この発明に係る半導体集積回路は、第１のゲートおよび第２のゲートの中央部分に同一方向の屈曲部が形成され、第１の配線接続部が１本置きの仮想線上に設けられ、第２および第３の配線接続部がそれとは異なる１本置きの同一の仮想線上に設けられ、第４の配線接続部が対応する第１の配線接続部よりも仮想線２本分ずれた１本置きの仮想線上に設けられ、且つ第１から第４の配線接続部が隣接する仮想線よりも内側に設けられるようにしたものである。
【０００８】
この発明に係る半導体集積回路は、第１のゲートの中央部分に屈曲部が形成され、第１の配線接続部が１本置きの仮想線上に設けられ、第２から第４の配線接続部がそれとは異なる１本置きの同一の仮想線上に設けられ、且つ第１から第４の配線接続部が隣接する仮想線よりも内側に設けられるようにしたものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の一形態を説明する。
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１によるマスタースライス方式の半導体集積回路を示す構成図であり、図において、１ａは半導体基板上に形成され、通常矩形パターンにて与えられる第１の拡散領域、１ｂは半導体基板上に形成され、同様に矩形パターンをした第２の拡散領域であり、第１の拡散領域１ａに隣接して平行にレイアウトされる。
１１ａは第１の拡散領域１ａ上に等間隔（等ピッチ）に形成され、且つ各々中央部分に同一角（例えば、第１の拡散領域１ａの長手方向に対して４５度の角度）の屈曲部が設けられた複数の第１のゲート、１１ｂは第２の拡散領域１ｂ上に第１のゲート１１ａ同士の間隔と同一の間隔で等間隔（等ピッチ）に形成され、且つ各々中央部分に上記と同一角で第１のゲート１１ａとは異なる方向の屈曲部が設けられた複数の第２のゲートで、第１のゲート１１ａと仮想線１４に対して対称なパターンを備えている。
１２ａは第１のゲート１１ａの一端に設けられた第１の配線接続部、１２ｂは第１のゲート１１ａの他端に設けられた第２の配線接続部、１２ｃは第２のゲート１１ｂの一端に設けられ且つ第２の配線接続部１２ｂに対向するように設けられた第３の配線接続部、１２ｄは第２のゲート１１ｂの他端に設けられた第４の配線接続部である。　１３ａは第１の拡散領域１ａ上に設けられた第５の配線接続部、１３ｂは第１の拡散領域１ａ上に設けられた第６の配線接続部、１３ｃは第２の拡散領域１ｂ上に設けられた第７の配線接続部、１３ｄは第２の拡散領域１ｂ上に設けられた第８の配線接続部である。ここで第５の配線接続部１３ａと第６の配線接続部１３ｂは千鳥配置を成し、一方第７の配線接続部１３ｃと第８の配線接続部１３ｄも同様の千鳥配置を成す。
１４は第１のゲート１１ａ同士の間隔Ａの半分の間隔で引いた複数の仮想線であり、第１の配線接続部１２ａおよび第４の配線接続部１２ｄは、１本置きの同一の仮想線１４上に設けられ、第２の配線接続部１２ｂおよび第３の配線接続部１２ｃは、それとは異なる１本置きの同一の仮想線１４上に設けられ、且つ第１の配線接続部１２ａから第４の配線接続部１２ｄは、隣接する仮想線１４よりも内側に設けられたものである。すなわち、仮想線ａ１上に設けられた第１の配線接続部１２ａに注目すれば、第１の配線接続部１２ａは、その隣接する仮想線ａ２，ａ３よりも内側（間隔Ａ内）に設けられたものである。
また、第５の配線接続部１３ａおよび第８の配線接続部１３ｄは、１本置きの同一の仮想線１４上に設けられ、第６の配線接続部１３ｂおよび第７の配線接続部１３ｃは、それとは異なる１本置きの同一の仮想線１４上に設けられたものである。
【００１０】
次に動作について説明する。
図１では、ゲートの屈曲により、ゲート間隔Ａを広げることなく、ゲート間隔Ａに対し狭い間隔の配線トラックを定義することが可能である。
すなわち、従来の技術では、図３で示したように、屈曲のない形状をした第１のゲート２ａや第２のゲート２ｂを等間隔にて配列し、ゲートあるいは拡散領域に接続可能な配線トラックは、ゲート間隔Ａと同一の仮想線５上に設けられることになった。
これに対して、この実施の形態１では、図１で示したように、屈曲部を有する第１のゲート１１ａや第２のゲート１１ｂを等間隔にて配列したことにより、例えば、第１の配線接続部１２ａおよび第４の配線接続部１２ｄ、第６の配線接続部１３ｂおよび第７の配線接続部１３ｃを同一の仮想線１４上に設けると共に、第２の配線接続部１２ｂおよび第３の配線接続部１２ｃ、第５の配線接続部１３ａおよび第８の配線接続部１３ｄを、その仮想線１４からゲート間隔Ａの半分離れた仮想線１４上に設けることができ、ゲート間隔Ａの１／２の狭い間隔の配線トラックを定義することが可能である。このようにして、配線トラックを増加させることができる。
また、同一ゲートまたは同一拡散領域に接続可能な配線接続部が、２つの配線トラックに渡って存在するので、配線時の自由度を高めることができる。
【００１１】
以上のように、この実施の形態１によれば、配線トラックを増加させ、配線時の自由度を高め、セル内配線もしくはセル間配線の結線率を上げて、集積度を向上させることができる効果が得られる。
【００１２】
実施の形態２．
図２はこの発明の実施の形態２によるマスタースライス方式の半導体集積回路を示す構成図であり、図において、２１ｂは第２の拡散領域１ｂ上に第１のゲート１１ａ同士の間隔と同一の間隔で等間隔に形成され、且つ各々中央部分に同一角で第１のゲート１１ａとは同一方向の屈曲部が設けられた複数の第２のゲートである。
２２ｃは第２のゲート２１ｂの一端に設けられ且つ第２の配線接続部１２ｂに対向するように設けられた第３の配線接続部、２２ｄは第２のゲート２１ｂの他端に設けられた第４の配線接続部である。
２３ｃは第２の拡散領域１ｂ上に設けられた第７の配線接続部、２３ｄは第２の拡散領域１ｂ上に設けられた第８の配線接続部である。
第１の配線接続部１２ａは、１本置きの同一の仮想線１４上に設けられ、第２の配線接続部１２ｂおよび第３の配線接続部２２ｃは、それとは異なる１本置きの同一の仮想線１４上に設けられ、第４の配線接続部２２ｄは、対応する第１の配線接続部１２ａよりも仮想線２本分ずれた１本置きの仮想線１４上に設けられたものである。
また、第６の配線接続部１３ｂは、１本置きの仮想線１４上に設けられ、第５の配線接続部１３ａおよび第８の配線接続部２３ｄは、それとは異なる１本置きの同一の仮想線１４上に設けられ、第７の配線接続部２３ｃは、対応する第６の配線接続部１３ｂよりも仮想線２本分ずれた１本置きの仮想線１４上に設けられたものである。
その他の構成については、図１と同一である。
【００１３】
次に動作について説明する。
上記実施の形態１では、第１のゲート１１ａと第２のゲート１１ｂとを異なる方向に屈曲させたが、この実施の形態２では、第１のゲート１１ａと第２のゲート２１ｂとを同一方向に屈曲させたものである。
この実施の形態２においても、配線トラックを増加させ、配線時の自由度を高め、セル内配線もしくはセル間配線の結線率を上げて、集積度を向上させることができる効果が得られる。
【００１４】
実施の形態３．
上記実施の形態１および上記実施の形態２では、第１のゲートおよび第２のゲートの両方のゲートを屈曲させたが、この実施の形態３では、第１のゲートおよび第２のゲートのうちの一方のゲートのみを屈曲させるものである。
例えば、第１のゲートのみに屈曲部を設け、第２のゲートに屈曲部を設けない場合には、第１の配線接続部が、１本置きの仮想線上に設けられ、第２の配線接続部から第４の配線接続部が、第１の配線接続部とは異なる１本置きの同一の仮想線上に設けられるように構成すれば良い。
効果については、上記実施の形態１および上記実施の形態２と同様である。
【００１５】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、第１のゲートおよび第２のゲートの中央部分に互いに異なる方向の屈曲部が形成され、第１および第４の配線接続部が１本置きの同一の仮想線上に設けられ、第２および第３の配線接続部がそれとは異なる１本置きの同一の仮想線上に設けられ、且つ第１から第４の配線接続部が隣接する仮想線よりも内側に設けられるように構成したので、ゲート同士の間隔の半分の間隔の仮想線上に配線トラックを定義することができることから、配線トラックを増加させ、配線時の自由度を高め、セル内配線もしくはセル間配線の結線率を上げて、集積度を向上させることができる効果がある。
【００１６】
この発明によれば、第１のゲートおよび第２のゲートの中央部分に同一方向の屈曲部が形成され、第１の配線接続部が１本置きの仮想線上に設けられ、第２および第３の配線接続部がそれとは異なる１本置きの同一の仮想線上に設けられ、第４の配線接続部が対応する第１の配線接続部よりも仮想線２本分ずれた１本置きの仮想線上に設けられ、且つ第１から第４の配線接続部が隣接する仮想線よりも内側に設けられるように構成したので、ゲート同士の間隔の半分の間隔の仮想線上に配線トラックを定義することができることから、配線トラックを増加させ、配線時の自由度を高め、セル内配線もしくはセル間配線の結線率を上げて、集積度を向上させることができる効果がある。
【００１７】
この発明によれば、第１のゲートの中央部分に屈曲部が形成され、第１の配線接続部が１本置きの仮想線上に設けられ、第２から第４の配線接続部がそれとは異なる１本置きの同一の仮想線上に設けられ、且つ第１から第４の配線接続部が隣接する仮想線よりも内側に設けられるように構成したので、ゲート同士の間隔の半分の間隔の仮想線上に配線トラックを定義することができることから、配線トラックを増加させ、配線時の自由度を高め、セル内配線もしくはセル間配線の結線率を上げて、集積度を向上させることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１によるマスタースライス方式の半導体集積回路を示す構成図である。
【図２】この発明の実施の形態２によるマスタースライス方式の半導体集積回路を示す構成図である。
【図３】従来のマスタースライス方式の半導体集積回路を示す構成図である。
【符号の説明】
１ａ　第１の拡散領域、１ｂ　第２の拡散領域、１１ａ　第１のゲート、１１ｂ，２１ｂ　第２のゲート、１２ａ　第１の配線接続部、１２ｂ　第２の配線接続部、１２ｃ，２２ｃ　第３の配線接続部、１２ｄ，２２ｄ　第４の配線接続部、１３ａ　第５の配線接続部、１３ｂ　第６の配線接続部、１３ｃ，２３ｃ　第７の配線接続部、１３ｄ，２３ｄ　第８の配線接続部、１４　仮想線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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