(57)【要約】【課題】電子部品の高性能化に対応した基板の一方主面に少なくとも二つ以上の微細なパターンを有する高精度な微細レジストの露光方法および弾性表面波装置の製造方法を提供する。【解決手段】フォトマスク基板８上に、同一露光量毎に構成された、ＩＤＴ電極５と配線７とで構成されたグループ９と、ＩＤＴ電極６で構成されたグループ１０とを備える。基板の一方主面に設けられたレジストに対し、グループ９を露光時には、グループ１０を遮蔽し、また、グループ１０を露光時には、グループ９を遮蔽することにより、異なる露光量のレジストパターンを同一基板上に形成する。形成されたレジストパターンを用いて、弾性表面波装置を製造する。【効果】これにより、製造コストの大幅な上昇させることなく電子機器の高性能化に対応した高精度な微細レジストの露光方法および弾性表面波装置を提供することが出来る。【選択図】            図４
2004354603.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方主面に設けられたレジストを、少なくとも二つ以上の露光量が異なる領域を有するように露光するレジストの露光方法であって、
前記露光に用いるフォトマスクは、同一のフォトマスク内に、同一露光量のフォトマスクパターン毎にグループを構成し、
前記グループのうち所定のグループのフォトマスクパターンで露光する時には、少なくとも前記露光する以外のグループのフォトマスクパターンが遮蔽されていることを特徴とするレジストの露光方法。
【請求項２】
前記露光は、斜め入射照明を用いることを特徴とする、請求項１に記載のレジストの露光方法。
【請求項３】
前記フォトマスクは、位相シフト領域を含むことを特徴とする、請求項１または２に記載のレジストの露光方法。
【請求項４】
請求項１乃至３に記載レジストの露光方法によって露光し、現像することにより形成されたレジストパターンを用いて、弾性表面波装置の電極パターンを形成する工程を備えることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板の一方主面に少なくとも二つ以上の微細なパターンを形成する際の、レジストの露光方法およびそれを用いた弾性表面波装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話等の移動体通信の発展に伴い、圧電基板に所望の金属膜パターンが形成された弾性表面波素子が、弾性表面波フィルターや弾性表面波共振子として盛んに利用されている。その中で、弾性表面波素子における高周波化への対応としては、その金属膜の薄膜化、また金属膜パターンの微細化が必要となる。
【０００３】
この微細な金属膜パターンの形成法としては、フォトリソグラフィー技術を用いた金属膜パターンの形成法が一般に展開されている。この金属膜パターンの形成方法としては、先ず、圧電基板上に形成された金属膜上に感光性レジストを塗布し、所定のフォトマスクを介して露光する。次に、現像処理することにより、微細なレジストパターンを形成する。その後、形成したレジストパターンをマスクとして、ウェットエッチング、またはドライエッチングにより不要な金属膜部を除去することにより微細な金属膜パターンを形成する手法がある。
【０００４】
また、この微細な金属膜パターンを形成するためのフォトリソグラフィー技術を用いたレジストパターンの形成方法としては、露光装置の短波長化、位相シフトマスクおよび変形照明等の各種超解像技術が用いられる。
【０００５】
一方、弾性表面波素子の更なる高周波化に伴い求められる微細な金属パターンは、フォトリソグラフィー技術における解像度が限界に近い領域において、用いるフォトマスクパターン寸法と、露光・現像処理後のレジストパターン寸法との関係が直線性を示さない領域が現れる。また、微細なレジストパターンの露光は、そのレジストパターン毎に最適な露光量が存在し、同一の露光量での露光では、レジストパターンの形成が困難であるとの課題を有している。
【０００６】
そこで、用いる照明光の極端な短波長化を図ることなく、所望する微細なパターンを形成する方法として、所望する全体パターンを複数のマスク上のパターンに分割し、それを順次相互に重ね合わせて露光する。それにより微細なパターンを露光する方法が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００７】
【特許文献１】
特開平１１−１２６７４８号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来技術による微細なパターンの露光方法においては、以下の問題点が存在する。
【０００９】
特許文献１においては、所望する微細パターンに屈曲した線状パターンを有する時には、屈曲部でパターンを分割し、基板上に順次位置合わせして、順次露光する。また、所望する微細パターンに平行な線状パターンを有する時には、その線状パターンを分解し、基板上に順次位置合わせして、順次露光する。この時、露光量は、それぞれの分解されたパターンに対応した最適露光量が設定される。
【００１０】
これは、一つの基板に所望する微細なパターンを形成する時に、複数のマスクが必要であり、また、露光時に順次マスクを変更することが必要であることから、製造コストの上昇に繋がるとの課題を有する。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記問題を解決すべく本発明のレジストの露光方法は、基板の一方主面に設けられたレジストを、少なくとも二つ以上の露光量が異なる領域を有するように露光するレジストの露光方法であり、露光に用いるフォトマスクは、同一のフォトマスク内に、同一露光量のフォトマスクパターン毎にグループを構成していることを特徴とするレジストの露光方法である。更に、グループのうちの所定のグループのフォトマスクパターンで露光する時には、少なくとも露光する以外のグループのフォトマスクパターンが遮蔽されていることを特徴とする。
【００１２】
また、露光は、斜め入射照明を用いることを特徴とする。また、フォトマスクは、位相シフト領域を含むことを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の弾性表面波装置の製造方法は、上記に記載したレジストの露光方法によって露光、現像処理することにより形成されたレジストパターンを用いて、弾性表面波装置の電極パターンを形成する工程を備えることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法である。
【００１４】
本発明のレジストの露光方法によって、製造コストの大幅な上昇をさせることなく、電子機器の高性能化に対応した高精度な微細なレジストパターンを形成することができる。また、本発明の弾性表面波の製造方法によって、製造コストの大幅な上昇をさせることなく、電子機器の高性能化に対応した高精度な微細な電極パターンを有する弾性表面波装置を提供することが出来る。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例について添付図に基いて詳細に説明する。
【００１６】
図１は、本発明のレジストの露光方法および弾性表面波装置の製造方法により得られた弾性表面波装置２０の概略平面図を示す。
【００１７】
図１に示した弾性表面波装置２０は、基板１と、基板１上に複数の第一のＩＤＴ電極２と、複数の第二のＩＤＴ電極３と、配線４を有する。
【００１８】
基板１は、例えば、ＬｉＮｂＯ３基板またはＬｉＴａＯ３基板が用いられる。また、第一のＩＤＴ電極２は、主に０．３６μｍピッチパターンからなる領域により構成される櫛歯状の電極パターンが形成されている。この時、ライン幅は、０．１４μｍに形成されている。また、第二のＩＤＴ電極３は、主に０．３８μｍピッチパターンからなる領域により構成される櫛歯状の電極パターンが形成されている。この時、ライン幅は、０．１８μｍに形成されている。
【００１９】
第一のＩＤＴ電極２および第二のＩＤＴ電極３の電極膜は、その比重が小さいこと、また電気抵抗が小さいとの理由により、Ａｌを主成分とした金属が用いられる。
【００２０】
また、配線４は、これらを電気的に接合する配線パターンである。
【００２１】
図２、３は、０．１８μｍＬ／Ｓのマスクパターン、０．１９μｍＬ／Ｓのマスクパターンの露光量におけるデフォーカスとレジスト線幅との関係の実験結果を示す。
【００２２】
図２より、０．１８μｍＬ／Ｓのマスクパターンの安定した露光量が、２６００Ｊ／ｍ２であることが確認できる。また、図３より、０．１９μｍＬ／Ｓのマスクパターンの安定した露光量が、２２００Ｊ／ｍ２であることが確認できる。
【００２３】
これは、フォーカスの変化に対し、安定したレジスト寸法が形成される領域が広い露光量を安定した露光量と判断したものである。
【００２４】
また、０．１８μｍＬ／Ｓのマスクパターンの安定した露光量である２６００Ｊ／ｍ２でもって、０．１９μｍＬ／Ｓのマスクパターンを露光すると、レジストが解像しないで、レジストのパターン倒れが生じることが確認されている。
【００２５】
これらの結果は、微細なレジストパターンを形成する時には、そのレジストのパターン寸法に適した露光量が設定されることを意味するものである。
【００２６】
一般に知られるように、フォトリソグラフィー技術を用いた露光方法においては、解像度が限界に近い領域において、同一の露光量では、用いるフォトマスクパターン寸法と、露光・現像処理後のレジストパターン寸法との関係が直線性を示さない領域が現れる。また、形成するパターン寸法に対して、最適な露光量の存在を意味するものである。
【００２７】
次に、図４は、本発明のレジストの露光方法におけるフォトマスクのパターンの概略平面図を示す。
【００２８】
図４に示したフォトマスク３０は、マスク基板８上に、図１に示した第一のＩＤＴ電極２に対応するパターン５、第二のＩＤＴ電極３に対応するパターン６および配線４に対応するパターン７が形成されている。また、実施例としては、用いるレジストをポジタイプとして、フォトリソマスクのパターンを示した。
【００２９】
フォトマスク３０は、マスク基板８上に、２つのグループのパターンに構成されており、第一のグループ９には、第一のＩＤＴ電極２に対応するパターン５と配線４に対応するパターン７が形成されている。また、第二のグループ１０には、第二のＩＤＴ電極３に対応するパターン６が形成されている。マスク３０の斜線部は、これらのパターンを形成する領域を示す。また、これらのグループが構成されるパターン内に、位相シフトパターン領域を含むこともある。
【００３０】
以下に、図５に本発明のレジストの露光方法について詳細を説明する。
【００３１】
先ず、図５（ａ）に示すように基板１上に形成された所定の電極膜上にレジスト１１をスピンコーター等を用いて、所定の膜厚を塗布する。
【００３２】
次に、所望するパターンが形成されたフォトマスクを介して、レジスト１１を露光する。この際、フォトマスクは図４に示したフォトマスク３０を用い、次に、図５（ｂ）に示すように、グループ１０部を露光する。この時の露光量は、前述したグループ１０の安定した露光量２２００Ｊ／ｍ２にて露光される。この時、グループ９は、例えば、露光装置内に設置された遮蔽板により遮蔽されている。そのため、レジスト１１には、グループ１０のパターンのみが露光される。図５（ｂ）には、レジスト１１上の露光される部分を斜線にて図示した。但し、ＩＤＴ電極部はその領域を示すにとどめる。
【００３３】
次に、図５（ｃ）に示すように、グループ９部を露光する。この時の露光量は、前述したグループ９の安定した露光量２６００Ｊ／ｍ２にて露光される。
【００３４】
この時、グループ１０は、例えば、露光装置内に設置された遮蔽板により遮蔽されている。そのため、レジスト１１は、グループ１０のパターンのみが露光される。この際、マスク上に基板１に対する位置を示すパターンを設け、それを基準にアライメントするとよい。また、露光は、斜め入射照明を用いることが好ましい。
【００３５】
また、この露光する順序は、特に定めるものではない。続いて、現像処理することにより、図１の弾性表面波装置２０に対応するレジストパターンが形成される。
【００３６】
露光に用いたフォトマスクは、複数の微細なパターンに対し、一つのマスク内に、露光量毎にグループ構成されたパターンを備える。また、露光時には、そのグループ毎に安定した露光量により露光がなされる。
【００３７】
このように本発明のレジストの露光方法によって、基板上の一方主面に露光量の異なる領域のレジストパターンの形成を一つのマスクで、それぞれ安定した露光量で、製造コストの大幅な上昇をさせることなく、微細なレジストパターンを形成することができる。また、本発明の弾性表面波の製造方法によって、製造コストの大幅な上昇をさせることなく、基板上の一方主面に露光量の異なる領域の微細な電極膜パターンを有する弾性表面波装置を提供することが出来る。
【００３８】
【発明の効果】
本発明のレジストの露光方法によって、製造コストの大幅な上昇をさせることなく、電子機器の高性能化に対応した高精度な微細なレジストパターンを形成することができる。また、本発明の弾性表面波の製造方法によって、製造コストの大幅な上昇をさせることなく、電子機器の高性能化に対応した高精度な微細な電極パターンを有する弾性表面波装置を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のレジストの露光方法および弾性表面波装置の製造方法の一実施例の弾性表面波装置の概略平面図である。
【図２】本発明の一実験の露光量におけるフォーカスとレジスト線幅の関係を示すグラである。
【図３】本発明の別の実験の露光量におけるフォーカスとレジスト線幅の関係を示すグラである。
【図４】本発明のレジストの露光方法の一実施例のマスクパターンの概略平面図である。
【図５】本発明のレジストの露光方法および弾性表面波装置の製造方法の一実施例の弾性表面波装置の概略製造フローである。
【符号の説明】
１…基板
２…第一のＩＤＴ電極
３…第二のＩＤＴ電極
４…配線
５、６、７…フォトマスクパターン
８…マスク基板
９…第一のグループ
１０…第二のグループ
１１…レジスト
２０…弾性表面波装置
３０…フォトマスク
【図１】
2004354603.tif 000003
【図２】
2004354603.tif 000004
【図３】
2004354603.tif 000005
【図４】
2004354603.tif 000006
【図５】
2004354603.tif 000007