(57)【要約】【課題】焼成時の基板中央領域と外周領域とで生じる収縮量の差によって生じる応力集中などの不具合を解消することができるセラミック電子部品集合体を提供する。【解決手段】セラミック電子部品集合体１の主面上には、複数のブレイク用溝２が格子状に形成されている。これらブレイク用溝２によって区画された複数の領域に電子部品５が構成されている。セラミック電子部品集合体１の縁部、すなわち、電子部品５が配置されている領域の周囲には、ブレイク用溝２によって区画されたマージン領域７が配置されている。該マージン領域７には、ブレイク用溝２によって仕切られた区画毎に２個の貫通穴８が配置されている。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
格子状に配置された複数のブレイク用溝が主面上に設けられ、前記複数のブレイク用溝に沿って分割することによって複数の電子部品が取り出されるセラミック電子部品集合体において、
前記セラミック電子部品集合体の縁部に、前記ブレイク用溝によって区画されたマージン領域が配置され、該マージン領域の前記ブレイク用溝から離れた位置に、機械強度脆弱部を設けたことを特徴とするセラミック電子部品集合体。
【請求項２】
前記機械強度脆弱部が前記マージン領域に設けた貫通穴であることを特徴とする請求項１に記載のセラミック電子部品集合体。
【請求項３】
前記機械強度脆弱部が前記マージン領域に設けた溝であることを特徴とする請求項１に記載のセラミック電子部品集合体。
【請求項４】
該溝の深さが前記ブレイク用溝の深さよりも大きいことを特徴とする請求項３に記載のセラミック電子部品集合体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミック電子部品集合体、特に、ブレイク用溝に沿って分割することによって複数の電子部品が取り出されるセラミック電子部品集合体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図４に示すように、従来のセラミック電子部品集合体５１は、例えば、複数のセラミックグリーンシートを積み重ねて構成した積層体を焼成することによって得られる。セラミック電子部品集合体５１の主面上には、複数のブレイク用溝５２が格子状に形成されている。このブレイク用溝５２は、通常、セラミック電子部品集合体５１を焼成する前に、ダイシングソーやカット刃等で一定の深さ寸法を有するように形成される。
【０００３】
これら複数のブレイク用溝５２によって区画された複数の領域に、所望の電子部品５５が配置されている。そして、ブレイク用溝５２に沿って分割することによって、このセラミック電子部品集合体５１から複数の電子部品５５を取り出すことができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、一般に、セラミック電子部品集合体５１を得るための焼成工程において、セラミック電子部品集合体５１の中央領域と外周領域（マージン領域）とで焼成時の収縮量が異なるという問題がある。つまり、セラミック電子部品集合体５１の外周領域の収縮は、通常、中央領域の収縮よりも大きい。従って、セラミック電子部品集合体５１の中央領域と外周領域の収縮差によって応力が生じ、この応力がセラミック電子部品集合体５１の外周領域のブレイク用溝５２に集中し、ここで基板割れが発生する。
【０００５】
さらに、焼成後の製造工程で、機械的ストレスがセラミック電子部品集合体５１に加わり、外周領域のブレイク用溝５２を起点にしてセラミック電子部品集合体５１が不所望に割れてしまうことがあった。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、焼成時の基板中央領域と外周領域とで生じる収縮量の差によって生じる応力集中などの不具合を解消することができるセラミック電子部品集合体を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段および作用】
前記目的を達成するため、本発明に係るセラミック電子部品集合体は、格子状に配置された複数のブレイク用溝が主面上に設けられ、複数のブレイク用溝に沿って分割することによって複数の電子部品が取り出されるセラミック電子部品集合体であって、セラミック電子部品集合体の縁部に、ブレイク用溝によって区画されたマージン領域が配置され、該マージン領域のブレイク用溝から離れた位置に、機械強度脆弱部を設けたことを特徴とする。機械強度脆弱部としては、マージン領域に設けた貫通穴や溝などがある。
【０００８】
以上の構成により、焼成時に発生する応力がブレイク用溝に集中しないで、貫通穴や溝の機械強度脆弱部にも分散して負荷されるため、セラミック電子部品集合体の割れが抑制される。また、焼成工程後の加工作業で機械的ストレス等が加わっても、そのストレスがブレイク用溝に集中しないで、機械強度脆弱部にも分散するため、セラミック電子部品集合体の割れが抑制される。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るセラミック電子部品集合体の実施の形態について添付の図面を参照して説明する。
【００１０】
［第１実施形態、図１および図２］
図１に示すように、セラミック電子部品集合体１は、複数のセラミックグリーンシートを積み重ねて構成した積層体を焼成することによって得られたものである。
【００１１】
セラミック電子部品集合体１の主面上には、複数のブレイク用溝２が格子状に形成されている。これらブレイク用溝２によって区画された複数の領域に電子部品５が構成されている。なお、図１において、電子部品５は、配線パターン等の図示が省略されている。電子部品５はセラミック電子部品集合体１の中央部に配置されている。個々の電子部品５の内部にはコンデンサ、インダクタ、抵抗、遅延線などが形成され、また必要により、電子部品５の表面にはコンデンサ、インダクタ、ダイオード、ＩＣなどのチップ部品が搭載されて、高周波フィルタや高周波スイッチや高周波モジュールが構成されている。
【００１２】
セラミック電子部品集合体１の縁部、すなわち、電子部品５が配置されている領域の周囲には、ブレイク用溝２によって区画されたマージン領域７が配置されている。該マージン領域７には、ブレイク用溝２によって仕切られた区画毎に２個の貫通穴８が配置されている。各貫通穴８は０．２ｍｍ角〜５ｍｍ角の矩形穴であり、ブレイク用溝２にかからないようにブレイク用溝２から離れた位置に設けられている。貫通穴８とセラミック電子部品集合体１のエッジまでの距離ｄ２（図２参照）は、０ｍｍ〜２ｍｍとし、貫通穴８がセラミック電子部品集合体１のエッジにかかっていてもよい。
【００１３】
本第１実施形態の場合、セラミック電子部品集合体１の厚みは１．０ｍｍ、電子部品５のサイズは７．５ｍｍ×６ｍｍである。そして、図２に示すように、マージン領域７の幅Ｗ１は６ｍｍ、ブレイク用溝２の幅Ｗ２は０．２ｍｍ、その深さは０．４ｍｍ、貫通穴８のサイズは１ｍｍ角、隣接する二つの貫通穴８の間隔ｄ１は２ｍｍ、貫通穴８とセラミック電子部品集合体１のエッジまでの距離ｄ２は０．３ｍｍである。
【００１４】
このようなセラミック電子部品集合体１は、例えば以下のようにして作成される。複数のセラミックグリーンシートが用意され、所定のセラミックグリーンシート上に必要な配線パターンが印刷法などによって形成される。ビアホールを形成する場合には、セラミックグリーンシートに貫通穴が設けられ、この貫通穴に導電ペーストが充填される。
【００１５】
次に、複数のセラミックグリーンシートを積み重ねて圧着し、積層体を作成する。この積層体の主面上に、ダイシングソーやカット刃等で一定の深さ寸法を有するブレイク用溝２を格子状に形成する。さらに、積層体の外周部に矩形の貫通穴８をレーザやプレス抜きなどの方法により形成する。
【００１６】
この後、積層体を焼成してセラミック電子部品集合体１を得る。このとき、セラミック電子部品集合体１はマージン領域７に機械強度脆弱部、すなわち貫通穴８を設けているので、焼成時に発生する応力がブレイク用溝２に集中しないで、貫通穴８にも分散して負荷される。この結果、焼成時におけるセラミック電子部品集合体１の割れを防止することができる。
【００１７】
例えば、セラミック電子部品集合体１の一辺に１０本のブレイク用溝２が交わっている場合、セラミック電子部品集合体１の外周領域（マージン領域７）と中央領域の収縮差により発生する応力は、１０本のブレイク用溝２に分散される。しかし、隣接する二つのブレイク用溝２の間に、貫通穴８が形成されていると、この貫通穴８にも収縮差により発生する応力が分散されるため、ブレイク用溝１本当たりの応力は緩和されることになる。貫通穴８にかかる応力は、貫通穴８の形成で細くなっているマージン領域７の部分に吸収される。
【００１８】
さらに、焼成後の製造工程で、機械的ストレスがセラミック電子部品集合体１に加わっても、本第１実施形態のセラミック電子部品集合体１はマージン領域７に貫通穴８を設けているので、機械的ストレスがブレイク用溝２だけでなく、貫通穴８にも分散して負荷される。この結果、セラミック電子部品集合体１の割れを防止することができる。
【００１９】
こうして得られたセラミック電子部品集合体１を、ブレイク用溝２に沿ってローラなどにより折って分割することにより、このセラミック電子部品集合体１から複数の電子部品５が取り出される。なお、このような分割を行う前に、例えば、電子部品５の表面に形成された電極にめっきを施したり、ボンディングを行ったり、チップ部品を実装したりしておくことが好ましい。
【００２０】
以上のような加工工程を終えた後、外部端子の形成やケースの装着や電気特性測定などが、電子部品５に対して実施される。
【００２１】
［第２実施形態、図３］
図３に示すように、セラミック電子部品集合体２１は、複数のセラミックグリーンシートを積み重ねて構成した積層体を焼成することによって得られたものである。
【００２２】
セラミック電子部品集合体２１の主面上には、複数のブレイク用溝２２が格子状に形成されている。これらブレイク用溝２２によって区画された複数の領域に電子部品２５が構成されている。
【００２３】
セラミック電子部品集合体２１の外周部には、ブレイク用溝２２によって区画されたマージン領域２７が配置されている。該マージン領域２７には、ブレイク用溝２２によって仕切られた区画毎に１個の溝２８が、ダイシングソーなどにより形成されている。各溝２８は幅が０．０５ｍｍ〜３ｍｍの長溝であり、ブレイク用溝２２にかからないようにブレイク用溝２２の間に配置されている。溝２８の深さは、ブレイク用溝２２の深さよりも大きくなるように設定されている。溝２８の一端はセラミック電子部品集合体２１の一辺に達している。
【００２４】
本第２実施形態の場合、セラミック電子部品集合体２１の厚みは１．０ｍｍ、電子部品２５のサイズは７．５ｍｍ×６ｍｍである。そして、マージン領域２７の幅は６ｍｍ、ブレイク用溝２２の幅は０．２ｍｍ、その深さは０．４ｍｍ、溝２８の長さは５ｍｍ、溝２８の幅は０．２ｍｍ、その深さは０．６ｍｍである。
【００２５】
以上の構成からなるセラミック電子部品集合体２１は、前記第１実施形態のセラミック電子部品集合体１と同様の作用効果を奏する。
【００２６】
［他の実施形態］
なお、本発明に係るセラミック電子部品集合体は、前記実施形態に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。特に、貫通穴や溝の形状は任意であり、円形穴、三角形穴、長円穴、半円形穴や、半円形溝、三角形溝、長円形溝などであってもよい。また、貫通穴や溝の個数も任意である。さらに、貫通穴や溝は、セラミック電子部品集合体の外周の四辺すべてに形成する必要はなく、少なくとも一辺に形成されていればよい。
【００２７】
また、セラミック電子部品集合体は、多層基板に限るものではなく、単板であってもよいことは言うまでもない。
【００２８】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、焼成時に発生する応力がブレイク用溝に集中しないで、貫通穴や溝の機械強度脆弱部にも分散して負荷されるため、セラミック電子部品集合体の割れを抑制することができる。また、焼成工程後の加工作業で機械的ストレス等が加わっても、そのストレスがブレイク用溝だけでなく、機械強度脆弱部にも分散するため、セラミック電子部品集合体の割れを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るセラミック電子部品集合体の第１実施形態を示す平面図。
【図２】図１に示したセラミック電子部品集合体の外周縁部を示す一部拡大平面図。
【図３】本発明に係るセラミック電子部品集合体の第２実施形態を示す平面図。
【図４】従来のセラミック電子部品集合体を示す平面図。
【符号の説明】
１，２１…セラミック電子部品集合体
２，２２…ブレイク用溝
５，２５…電子部品
７，２７…マージン領域
８…貫通穴
２８…溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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