(57)【要約】【課題】  発光デバイスアレイを収容するパッケージングアセンブリを提供すること。【解決手段】  オプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリとその製造方法。一実施形態においてオプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリ(10)は取り付け面(18)を有する電気サブマウント(12)と、デバイス回転マウント(14)と、発光デバイス(16)とを含む。デバイス回転マウント(14)は電気サブマウント(14)の取り付け面(18)に取り付けられたサブマウント取り付け面(20)と、電気サブマウントの取り付け面(18)に対して実質的に垂直の面に配置されたデバイス取り付け面(22)とを有する。発光デバイス(16)は共通の発光面(24)を端部とする１以上の半導体層を有し、それらが発光面(24)から光を放射するよう動作する。発光デバイス(16)は発光面が電気サブマウント(12)の取り付け領域(18)に対して実質的に平行な面に配置される向きでデバイス回転マウント(14)のデバイス取り付け領域(22)に取り付けられる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
取り付け面(18)を有する電気サブマウント(12)と、
前記電気サブマウント(12)の取り付け面(18)に対して取り付けられたサブマウント取り付け面(20)と、前記電気サブマウント(12)の前記取り付け面(18)に対して実質的に垂直な面に配置されたデバイス取り付け領域(22)とを有する、デバイス回転マウント(14)と、
共通の発光面(24)を端部とする１以上の半導体層を有し、該発光面(24)から光を放射するように動作する、発光デバイス(16)とからなり、
前記発光デバイス(16)は、前記発光面が前記電気サブマウント(12)の取り付け領域(18)に対して実質的に垂直な面に配置される向きで、前記デバイス回転マウント(14)の前記デバイス取り付け領域に取り付けられる、オプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリ(10)。
【請求項２】
前記電気サブマウント(12)と前記発光デバイス(16)との間の直接的な電気接続を更に含む、請求項１のオプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリ。
【請求項３】
前記電気接続がワイヤを含む、請求項２のオプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリ。
【請求項４】
前記ワイヤ(62)の一端が前記発光デバイス(16)にワイヤボンディングされ、該ワイヤの他端が前記電気サブマウント(12)にワイヤボンディングされる、請求項３のオプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリ。
【請求項５】
前記ワイヤ(62)の一端が前記発光デバイス(16)にスタッドバンプボンディングされ、該ワイヤの他端が前記電気サブマウント(12)にワイヤボンディングされる、請求項３のオプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリ。
【請求項６】
前記電気接続が前記電気サブマウント(12)に接合されたはんだバンプ(68,74)を含む、請求項２のオプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリ。
【請求項７】
前記電気接続が前記発光デバイス(16)と第１のはんだバンプ(68)とに接合された第２のはんだバンプ(66)を含む、請求項６のオプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリ。
【請求項８】
前記電気接続が前記発光デバイス(16)と前記はんだバンプ(66)とに接合されたワイヤスタッドバンプ(72)を含む、請求項６のオプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリ。
【請求項９】
前記電気接続が前記発光デバイス(16)を前記電気サブマウント(12)に電気的に接続するはんだ塊(82)に対応する、請求項２のオプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリ。
【請求項１０】
取り付け領域(18)を有する電気サブマウント(12)と、
前記電気サブマウント(12)の前記取り付け領域(18)に対して取り付けられたサブマウント取り付け面(20)と、前記電気サブマウント(12)の前記取り付け領域(18)に対して実質的に垂直な面に配置されたデバイス取り付け面(22)とを有する、デバイス回転マウント(14)と、
前記電気サブマウント(12)に対して実質的に垂直な方向へ光を放射する向きで前記デバイス回転マウント(14)の前記デバイス取り付け領域(18)に取り付けられた端面発光型レーザー(16)のアレイであって、該端面発光型レーザーのそれぞれがレーザーボンディングパッドと前記電気サブマウントの対応するボンディングパッドとの間の直接的な電気接続によって前記電気サブマウントと電気的に接続される、端面発光型レーザーのアレイと、
からなる、オプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリ(10)。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はオプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリとその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザーや発光ダイオード（ＬＥＤ）は一般に、光通信システムにおいて光信号の生成に用いられる。それらの光信号は、光信号を目的地まで搬送するための導波路としての働きを持つ光ファイバを通じて伝送される。半導体レーザーやＬＥＤは通常、窓またはレンズを設けたトランジスタアウトライン（ＴＯ）パッケージ（または容器）の中にパッケージングされる。このＴＯパッケージは、半導体発光デバイスに必要とされる環境からの保護を提供するものである。そして、この第一レベルのパッケージ（デバイスを含むＴＯ容器）を光学素子及びファイバに対して位置合わせすると、光通信システムの一部を構成するアセンブリが完成する。第一レベルのパッケージと光デバイスを含み、ファイバに関する何らかの位置合わせ手段を有する位置合わせされたサブシステムは、一般に光サブアセンブリ（ＯＳＡ）と呼ばれる。
【０００３】
発光デバイスには、幾何学的構造上２つの異なるタイプがある。第１のタイプの発光デバイスには、垂直共振器型面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）や大多数のＬＥＤのように、上面から光を放射する素子が含まれる。第２のタイプの発光デバイスは側面から光を放射するタイプである。このグループにはファブリペロー（ＦＰ）レーザー、分布帰還型（ＤＦＢ）レーザー、及び分布反射型（ＤＢＲ）レーザーなどが含まれる。一般に、上面から光を発するデバイスは面発光デバイスと呼ばれ、側面から光を発するデバイスは端面発光型デバイスと呼ばれる。
【０００４】
光通信システムでは、データ伝送量を増やすためファイバ及びデバイスの密度を高めることが必要となる。一般に、この密度の向上に関する要求は、半導体レーザーのアレイを含むパラレル光モジュールを提供することによって満たされる。半導体レーザーのアレイは、レンズのアレイを通して光を光ファイバのアレイに伝送する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従って、本発明の目的の１つは、発光デバイスのアレイを収容するパッケージングアセンブリを提供することである。本発明の他の目的は、そのパッケージングアセンブリの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、オプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリとその製造方法を提供する。本発明によると、垂直の向きに（支持サブ基板の面に対して）配置されたオプトエレクトロニクスデバイス・モジュールに端面発光型オプトエレクトロニクスデバイスを組み込むことが可能になるため、光学的な位置合わせ手順が、水平の向きに配置されたオプトエレクトロニクスデバイス・モジュールに比べて簡単になる。このように、本発明によると、端面発光型デバイスを面発光デバイスと幾何学的に同じ方法で取り扱うことが可能になる。さらに、本発明によると、水平の向きに配置された端面発光型オプトエレクトロニクスデバイスからの光を垂直方向へ向けるのに通常ならば必要となる光学部品の追加も不要となるため、位置合わせの必要な光学部品の数も少なくなる。
【０００７】
本発明の一態様において、オプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリは、取り付け領域を有する電気サブマウントと、デバイス回転マウントと、発光デバイスとを含む。デバイス回転マウントは、電気サブマウントの取り付け領域に対して取り付けられたサブマウント取り付け面と、電気サブマウントの取り付け領域に対して実質的に垂直な面に配置されたデバイス取り付け領域を有するデバイス取り付け面とを有する。発光デバイスは、共通の発光面を端部とした１以上の半導体層を含み、それらが発光面から光を放射するように動作する。発光デバイスは、その発光面が電気サブマウントの取り付け領域に対して実質的に平行な面に配置される向きで、デバイス回転マウントのデバイス取り付け領域に取り付ける。
【０００８】
他の態様において、本発明は、オプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリの製造方法を提供する。本発明の方法によれば、取り付け領域を有する電気サブマウントを設ける。デバイス回転マウントを設ける。デバイス回転マウントは、サブマウント取り付け面と、デバイス取り付け面とを有する。この基板取り付け面は、デバイス取り付け面が電気サブマウントの取り付け領域に対して実質的に垂直な面に配置される向きで、電気サブマウントの取り付け領域に取り付けられる。発光デバイスを設ける。発光デバイスは、共通の発光面を端部とした１以上の半導体層を含み、それらが発光面から光を放射するように動作する。発光デバイスは、その発光面が電気サブマウントの取り付け面に対して実質的に平行な面に配置される向きで、デバイス回転マウントのデバイス取り付け領域に取り付ける。
【０００９】
他の態様において、本発明は、電気サブマウントと、デバイス回転マウントと、端面発光型レーザーのアレイとを含むオプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリを提供する。電気サブマウントは取り付け領域を有する。デバイス回転マウントは、電気サブマウントの取り付け領域に対して取り付けするためのサブマウント取り付け面と、電気サブマウントの取り付け領域に対して実質的に垂直な平面に配置されたデバイス取り付け領域を有するデバイス取り付け面とを有する。端面発光型レーザーアレイは、各端面発光型レーザーが電気サブマウントに対して実質的に垂直な方向に光を放射する向きで、デバイス回転マウントのデバイス取り付け領域に取り付ける。各端面発光型レーザーはそれぞれ、レーザーボンディングパッドと電気サブマウントの対応するボンディングパッドとの間の直接的な電気接続により、電気サブマウントに電気的に接続される。
【００１０】
本発明の他の特徴及び利点は、図面および特許請求の範囲の記載と合わせて、下記の説明から明らかになるであろう。
【００１１】
以下の説明において、同じ符号は同じ構成要素を識別するのに用いている。また、図面は、例示的実施形態の主要な構成要素を概略的に示すために描いたものである。図面は、実際の実施形態のあらゆる構成要素を描くことを意図したものでも、図示した構成要素間の相対的寸法を示すことを意図したものでもなく、また、必ずしも一定の縮尺で描かれている訳でもいない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１を参照すると、一実施形態においてオプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリ１０は、電気サブマウント１２と、デバイス回転マウント１４と、発光デバイス１６とを含む。電気サブマウント１２は取り付け領域１８を有する。デバイス回転マウント１４は、電気サブマウント１２の取り付け領域１８に対して取り付けられたサブマウント取り付け面２０を有する。デバイス回転マウント１４は更に、電気サブマウント１２の取り付け領域１８に対して実質的に垂直な面に配置されたデバイス取り付け領域２２を有するデバイス取り付け面も有する。発光デバイス１６は、共通の発光面２４を端部とした１以上の半導体層を含み、それらが発光面２４から光２６を放射するように動作する。発光デバイス１６は、その発光面２４が電気サブマウント１２の取り付け領域１８に対して実質的に平行な面に配置される向きで、デバイス回転マウント１４のデバイス取り付け領域２２に取り付けられる。このように、デバイス回転マウント１４により、発光デバイス１６は光２６を電気サブマウント１２に対して実質的に垂直な方向に向けることが出来るようになっている。
【００１３】
電気サブマウント１２は、高い熱伝導率を有する種々の材料の中からいずれか１つを用いて形成することができる。一実施形態では、電気サブマウント１２がシリコンから形成される場合がある。一実施形態では、電気サブマウント１２をプリント回路基板その他の基板上に設けた後、その基板を最終的なデバイスパッケージ内に取り付ける場合がある。
【００１４】
デバイス回転基板１４は、発光デバイス１６を支持する働きを持ち、剛性で高い熱伝導率を有し、発光デバイスと同じ熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する。デバイス回転マウント１４は、高い熱伝導率を有する種々の材料の中からいずれか１つを用いて形成することができる。デバイス回転マウント１４は、発光デバイス１６と電気サブマウントとの間の電気接続がどのように構成されるかに応じて、電気的に絶縁性にしても導電性にしてもよい。絶縁性の実施形態の場合、デバイス回転マウント１４は、セラミック材料（例えば窒化アルミニウムや酸化ベリリウム等）や、ダイアモンドから形成することができる。導電性の実施形態の場合、デバイス回転マウント１４は、金属（例えばモリブデン等）から形成することができる。デバイス回転マウント１４の電気サブマウント１２への取り付けは、デバイス回転マウント１４及び電気サブマウント１２の材料に適した方法で、且つ、デバイス回転マウント１４から電気サブマウント１２への良好な熱移動が可能になる種々の既知の方法の中から、いずれか１つを用いて行なうことができる。
【００１５】
発光デバイス１６は、シングルモード又はマルチモードの端面発光型レーザー及び発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む、いかなる端面発光型半導体デバイスでもよい。発光デバイス１６は、デバイス回転マウント１４及び発光デバイス１６の材料に適した方法で、且つ、発光デバイス１６からデバイス回転マウント１４への良好な熱伝導が可能になる種々の既知の方法の中からいずれか１つを用いて、デバイス回転マウント１４のデバイス取り付け領域２２に取り付けることができる。一実施形態において、発光デバイス１６は、デバイス回転マウント１４のデバイス取り付け領域２２にダイアタッチ（共晶ダイアタッチ）される場合がある。
【００１６】
図示の実施形態において、デバイス回転マウント１４及び発光デバイス１６はハウジング２８に封入されている。ハウジング２８は、電気サブマウントに取り付けられ、レンズ３０を支持する。一実施形態において、ハウジング２８はシリコンから形成される場合がある。図示の実施形態において、発光デバイス１６は、従来のアライメント技術を用いてレンズ３０に対して正確に位置合わせすることができる。このオプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリ１０は、光ファイバ３２に対してレンズ３０を位置合わせするように構成された光ファイバコネクタ・ハウジング（図示せず）の内部に取り付けされる場合もある。
【００１７】
図２〜図９に示すように、発光デバイス１６と電気サブマウント１２との間の電気接続は、複数の異なる方法で構成することができる。
【００１８】
次に図２を参照する。一実施形態において、発光デバイスアレイの各発光デバイス１６はそれぞれ、ワイヤボンディング対３４、３６によって電気サブマウント１２に電気接続される。この実施形態の場合、デバイス回転マウント３８は電気絶縁性であり、電気トレースのアレイを備え、各トレースがそれぞれサブマウント結合端４０及びデバイス結合端４２を有する。サブマウント結合端４０は、電気サブマウント１２の取り付け領域１８に対して実質的に平行な面に配置される。デバイス結合端４２は、電気サブマウント１２の取り付け領域１８に対して実質的に垂直な面に配置される。
【００１９】
図３Ａ及び図３Ｂを参照すると、一実施形態においてデバイス回転マウント３８は次のようにして製造することができる。電気絶縁性基板４６（例えばテープキャスト法による窒化アルミニウム又は酸化ベリリウムの層など）に穴（即ちバイア）４４のアレイを形成する（例えばパンチング又はドリリングなどにより）。穴４４に導電性充填材（例えばモリブデンペーストなど）を充填する。基板４６の表面に、穴４４の上まで延びる導電性トレース４８のアレイを形成する。第２の電気絶縁性基板５０（例えばテープキャスト法による窒化アルミニウム又は酸化ベリリウムの層など）を第１の基板４６に取り付けて、発光デバイス１６用の取り付け領域２２を作成する。基板４６、５０は、例えば従来の焼結処理によって取り付けることができる。基板４６をその上面に対して垂直かつ穴４４アレイの並びに沿った面で切断することにより、穴４４の中の導電性充填材を露出させる。基板４６に形成された溝内の導電性充填材に対応する電気トレース４２には、金メッキを施してもよい。
【００２０】
図２に戻ると、オプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリを製造する際には、デバイス回転マウント３８に発光デバイス１６を取り付ける。次いで、デバイス回転マウント３８を電気サブマウント１２に取り付ける。発光デバイス１６は、電気サブマウント１２から遠ざかる方向へ光線のアレイを放射する向きに配置する。次いで発光デバイス１６をデバイス回転マウント３８にワイヤボンディングし、デバイス回転マウント３８の電気トレースを電気サブマウント１２にワイヤボンディングする。
【００２１】
図４を参照すると、第２の実施形態では、発光デバイスアレイの各発光デバイス１６をワイヤボンディング対５２、５４によって電気サブマウント１２に電気的に接続する。発光デバイス１６は、光線のアレイを電気サブマウント１２の方向へ放射する向きに配置される。この実施形態では、デバイス回転マウント５６が電気的に絶縁性であり、サブマウント結合部５８及びデバイス結合部を有する電気トレースのアレイを備える。サブマウント結合部５８は電気サブマウント１２の取り付け領域１８に対して実質的に平行な面に配置され、デバイス結合部６０は電気サブマウント１２の取り付け領域１８に対して実質的に垂直な面に配置される。図４のオプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリは、図２に示したオプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリの製造に用いたプロセスと同様のプロセスで製造することができる。
【００２２】
上記の実施形態では、デバイス回転マウントの電気トレース４０を通して発光デバイス１６のボンディングパッドを電気サブマウント１２の対応するボンディングパッドに間接的に接続していた。以下で説明する実施形態では、直接電気接続によって、発光デバイス１６のボンディングパッドを電気サブマウント１２の対応するボンディングパッドに直接接続する。本明細書での使用に関し、「直接電気接続」という用語は、発光デバイスのボンディングパッドと電気サブマウントの対応するボンディングパッドとの間に中間的なボンディングパッドを介した電気接続を含まない電気接続を意味する。
【００２３】
図５を参照すると、第３の実施形態では、アレイ中の発光デバイス１６をそれぞれ、１本の直角ワイヤボンディング６２によって電気サブマウント１２に電気的に接続する。まず、発光デバイス１６のアレイをデバイス回転マウント６４に取り付ける。そしてデバイス回転マウント６４を電気サブマウント１２に取り付ける。図示の実施形態では、電気サブマウント１２から遠ざかる方向へ光を放射する向きに発光デバイス１６を配置してある。次いで発光デバイス１６を電気サブマウント１２にワイヤボンディングする。この実施形態の場合、デバイス回転マウント６４は電気的に絶縁性のものであっても、導電性のものであってもよい。
【００２４】
次に図６Ａ及び図６Ｂを参照すると、第４の実施形態では、アレイ中の発光デバイス１６をそれぞれ、はんだバンプ対６６、６８によって電気サブマウント１２に電気的に接続する。まず、発光デバイス１６アレイをデバイス回転マウント７０に取り付ける。次いで、発光デバイス１６及び電気サブマウント１２にはんだバンプを取り付ける（図６Ａ参照）。そして、デバイス回転マウント７０を電気サブマウント１２に取り付ける。接触するはんだバンプ対はそれぞれ、デバイス回転マウント７０を電気サブマウント１２に取り付けるのに用いたのと同じプロセスを用いて接合（例えばはんだリフローによって）することができる（図６Ｂ参照）。図示の実施形態では、電気サブマウント１２から遠ざかる方向へ光を放射する向きに発光デバイス１６を配置してある。この実施形態の場合、デバイス回転マウント７０は電気的に絶縁性のものであっても、導電性のものであってもよい。この実施形態に基づく一実施形態では、各はんだバンプ対６６、６８に代えて、単一のはんだバンプを用いる場合もある。
【００２５】
図７を参照すると、第５の実施形態では、アレイ中の発光デバイス１６をそれぞれ、スタッドバンプ７２とはんだボール７４の対によって電気サブマウント１２に電気的に接続する。まず、発光デバイス１６のアレイをデバイス回転マウント７６に取り付ける。次いで発光デバイス１６にスタッドバンプを取り付け、電気サブマウント１２にはんだボール７４を取り付ける。そしてデバイス回転マウント７６を電気サブマウント１２に取り付ける。スタッドバンプ７２とはんだボール７４の対はそれぞれ、デバイス回転マウント７６を電気サブマウント１２に取り付けるのに用いたのと同じプロセスを用いて接合（例えばはんだリフローによって）することができる。図示の実施形態では、電気サブマウント１２から遠ざかる方向へ光を放射する向きに発光デバイス１６を配置してある。この実施形態の場合、デバイス回転マウント７６は電気的に絶縁性のものであっても、導電性のものであってもよい。
【００２６】
図８Ａ及び図８Ｂを参照すると、第６の実施形態では、アレイ中の発光デバイス１６をそれぞれ、ワイヤスタブ７８によって電気サブマウント１２に電気的に接続する。まず、発光デバイス１６のアレイをデバイス回転マウント８０に取り付ける。次いでスタッドバンプ接合プロセスを用いて、発光デバイス１６にワイヤスタブを取り付ける。このプロセスは、スタッドバンプから延びるワイヤスタブを残すように変更したものである（図８Ａ）。そしてデバイス回転マウント８０を電気サブマウント１２に取り付ける。次いでワイヤスタブ７８の端部を電気サブマウントへとワイヤボンディングすることにより、発光デバイス１６を電気サブマウント１２に電気的に接続する。図示の実施形態では、電気サブマウント１２から遠ざかる方向へ光を放射する向きに発光デバイス１６を配置している（図８Ｂ）。この実施形態の場合、デバイス回転マウント８０は電気的に絶縁性のものであっても、導電性のものであってもよい。
【００２７】
図９を参照すると、第７の実施形態では、アレイ中の発光デバイス１６をそれぞれ、ショットボール接続８２によって電気サブマウント１２に電気的に接続する。まず、発光デバイス１６のアレイをデバイス回転マウント８４に取り付ける。そしてデバイス回転マウント８４を電気サブマウント１２に取り付ける。次いで発光デバイスの接触部と電気サブマウント１２の接触部との間にできた接合部に向けて、導電性材料（例えば金など）から成るボールを射出する。それらのボールは、接合部に射出を行なってる間に瞬間的に加熱（例えばレーザーを用いて）してもよいし、あるいは接合部に射出した後でリフローしてもよい。結果得られる導電性のくさびはそれぞれ、電気サブマウント１２に接続された面と発光デバイス１６に接触する面とから成る実質的に直交する２つの面を有することになる。図示の実施形態では、電気サブマウント１２から遠ざかる方向へ光を放射する向きに発光デバイス１６を配置してある。この実施形態の場合、デバイス回転マウント８４は電気的に絶縁性のものであっても、導電性のものであってもよい。
【００２８】
特許請求の範囲に記載した発明の範囲に入る実施形態は他にもある。例えば、上記の実施形態はオプトエレクトロニクス・送信デバイスに関して説明したものであるが、それらの実施形態はオプトエレクトロニクス・送受信モジュールにも容易に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】オプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリの断面図である。
【図２】図１のオプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリの一実施形態を示す斜視図である。
【図３Ａ】導電性充填材で満たされた複数の穴のそれぞれまで延びる複数の電気トレースを有するデバイス回転マウントを示す分解図である。
【図３Ｂ】図３Ａのデバイス回転マウントを穴の並びに沿った面で切断し、導電性充填材を露出させた後の状態を示す斜視図である。
【図４】オプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリの第２の実施形態を示す斜視図である。
【図５】オプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリの第３の実施形態を示す斜視図である。
【図６Ａ】第４の実施形態のオプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリの製造過程における一工程を示す斜視図である。
【図６Ｂ】第４の実施形態のオプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリの製造過程における一工程を示す斜視図である。
【図７】オプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリの第５の実施形態を示す斜視図である。
【図８Ａ】オプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリの第６の実施形態を示す斜視図である。
【図８Ｂ】オプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリの第６の実施形態を示す斜視図である。
【図９】オプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリの第７の実施形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００３０】
１０  オプトエレクトロニクスデバイス・パッケージングアセンブリ
１２  電気サブマウント
１４  デバイス回転マウント
１６  発光デバイス
１８  電気サブマウントの取り付け領域
２０  デバイス回転マウントのサブマウント取り付け面
２２  デバイス回転マウントのデバイス取り付け領域
２４  発光面
６２  ワイヤ
６６、６８、７４  はんだバンプ
７２  スタッドバンプ
７８  ワイヤスタブ
８２  ショットボール接続
【図１】
2004274064.tif 000003
【図２】
2004274064.tif 000004
【図３Ａ】
2004274064.tif 000005
【図３Ｂ】
2004274064.tif 000006
【図４】
2004274064.tif 000007
【図５】
2004274064.tif 000008
【図６Ａ】
2004274064.tif 000009
【図６Ｂ】
2004274064.tif 000010
【図７】
2004274064.tif 000011
【図８Ａ】
2004274064.tif 000012
【図８Ｂ】
2004274064.tif 000013
【図９】
2004274064.tif 000014