(57)【要約】【課題】平板構造の実装基板を備えたＳＡＷフィルタにおいて、全体形状を大型化することなく、実装基板上の外周縁に位置するデッドスペース上に、インダクタンスとして機能する導体パターンを配置することにより、複数の接地用上部電極間を十分に大きな値のインダクタンスとしての導体パターンを介して接続して、十分な減衰特性を得る。【解決手段】平板状の絶縁基板３、絶縁基板の下部に設けた複数の外部電極４、及び上部電極５、を備えた実装基板２と、圧電基板１１、圧電基板の下面に形成され且つ各上部電極上に導体バンプを介してフリップチップ実装される複数の接続パッド１２、及び機能部パターン１３、を備えたＳＡＷチップ１０と、ＳＡＷチップ外面全体を被覆する封止樹脂２０と、を備え、絶縁基板上面の外周部には、接地用上部電極を包囲するようにインダクタンスを得るための環状の導体パターン３０が形成され、該導体パターンは接地用上部電極５と導通接続されている。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板状の絶縁基板、該絶縁基板の下部に設けた表面実装用の複数の外部電極、及び各外部電極と導通し且つ該絶縁基板の上部に設けた複数の上部電極、を備えた実装基板と、
圧電基板、該圧電基板の下面に形成され且つ前記各上部電極上に導体バンプを介してフリップチップ実装される複数の接続パッド、及び該圧電基板の下面に形成され且つ該各接続パッドと導通接続された機能部パターン、を備えたＳＡＷチップと、
該ＳＡＷチップ下面と前記実装基板上面との間に気密空間を形成するようにＳＡＷチップ外面全体を被覆する封止樹脂と、を備え、
前記複数の接続パッドの内の接地用接続パッドが、前記複数の上部電極の内の接地用上部電極と導通接続された表面実装型ＳＡＷフィルタにおいて、
前記絶縁基板上面の外周部には、前記接地用上部電極を包囲するようにインダクタンスを得るための環状の導体パターンが形成され、該導体パターンは前記接地用上部電極と導通接続されていることを特徴とする表面実装型ＳＡＷフィルタ。
【請求項２】
前記実装基板上の導体パターンは、前記各接地用上部電極を包囲する連続環状体であり、該導体パターンと各接地用上部電極とを接続する各リードパターン間の距離は最も離間するように設定されていることを特徴とする請求項１に記載の表面実装型ＳＡＷフィルタ。
【請求項３】
前記実装基板上の導体パターンは、前記各接地用上部電極を包囲する非連続環状体であり、該導体パターンと各接地用上部電極とを接続する各リードパターン間の距離は最も離間するように設定されていることを特徴とする請求項１に記載の表面実装型ＳＡＷフィルタ。
【請求項４】
前記実装基板上の導体パターンは、前記各接地用上部電極を包囲する非連続環状体であり、該導体パターンと各接地用上部電極とを接続する各リードパターンは導体パターンの両端部から各接地用上部電極に接続され、各リードパターン間の距離は最も接近するように設定されていることを特徴とする請求項１に記載の表面実装型ＳＡＷフィルタ。
【請求項５】
前記機能部パターンは、ＩＤＴ電極と反射器を縦結合二重モード構造とし、更に前記縦結合二重モード構造を２段縦続接続したことを特徴とする請求項１、２、３、又は４の何れか一項に記載の表面実装型ＳＡＷフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、弾性表面波チップを平板状の実装基板上にバンプを用いてフェイスダウン搭載してから弾性表面波チップを樹脂にて封止した小型構造でありながら、金属キャップを用いたＳＡＷフィルタと同等の減衰特性を得ることを可能にした表面実装型ＳＡＷフィルタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
弾性表面波フィルタ（ＳＡＷフィルタ）は、水晶、タンタル酸リチウム等の圧電基板上に櫛歯状の電極指から成るＩＤＴ電極（インターディジタルトランスジューサ）電極、反射器等の機能部パターンを配置した構成を備え、例えばＩＤＴ電極に高周波電界を印加することによって弾性表面波を励起し、弾性表面波を圧電作用によって高周波電界に変換することによってフィルタ特性を得るものである。
ＳＡＷフィルタは、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を発揮するため、通信分野で広く利用されている。近年、通信端末の高性能化に伴い、ＳＡＷフィルタには更に小型かつ高減衰な特性が強く要求されている。
従来の表面実装型ＳＡＷフィルタ１００として、例えば図６（ａ）に示すように、ＳＡＷチップ１０１を、パッケージ１１０の凹所１１６内に収容したものが知られている。即ち、このＳＡＷチップ１０１は、圧電基板１０２の主面上に、櫛形電極としてのＩＤＴ電極及び反射器から成る機能部パターン１０３と、ＩＤＴ電極の各端子と接続された接続パッド１０４と、を備えた構成を備えている。パッケージ１１０は、絶縁材料から成る底板１１１と、底板の上面周縁に沿って立設されることにより凹所１１６を形成する絶縁材料から成る外周壁１１２と、底板１１１の底面に配置した複数の外部電極１１３と、底板１１１の上面に配置され且つ各外部電極１１３と導通した複数の上部電極１１４と、外周壁１１３の上面に配置されて各上部電極１１４と導通したシールリング１１５と、シールリング１１５上に固定されることにより凹所１１６を気密封止する金属キャップ１１７と、を備えている。
このＳＡＷフィルタ１００にあっては、機能部パターン１０３が下向きになるようにＳＡＷチップをフェイスダウン状態にし、この状態で、底板１１１上の上部電極１１４と接続パッド１０４とを導体バンプ１４１を介して接続してフリップチップ実装することによりＳＡＷチップ１０１のマウントを行い、最後にシールリング１１５上に金属キャップ１１７を固着することにより気密構造が完成する。
【０００３】
このように従来のＳＡＷフィルタ１００にあっては、圧電基板１０２やパッケージ１１０側の各パターンだけではなく、パッケージのシールリングや金属キャップも利用して所望の減衰特性を得ていた。すなわち、パッケージのシールリング１１５や金属キャップ１１７は、パッケージ上の複数の接地用上部電極１１４ａ、１１４ｂ間にインダクタンスとして接続され、フィルタの減衰特性に影響を与えている。図６（ｂ）はそのフィルタ特性例を示しており、良好な減衰特性が得られている。
しかしながら、このように外周壁１１２を備えたパッケージ構造では、ＳＡＷチップ１０１の周囲に外周壁１１２が存在することになるため、ＳＡＷフィルタ１００の平面形状は必然的に大きくなり、市場の小型化の要求を満足できないという致命的欠点を持つこととなる。
特開平９−１１６３７７号公報（富士通）には、パッケージ側のＧｎｄ端子間をあるインピーダンスをもって接続した構造が開示されており、接続手段としては金属キャップを用いることが前提となっているため、ＳＡＷフィルタの大型化を回避することができない。
特開２０００−４９５６５公報（富士通）は、特開平９−１１６３７７号公報の場合と同様に、導電性キャップを用いることが前提となっているため、ＳＡＷフィルタの大型化を回避することができない。
これに対して、金属キャップを用いずに小型化の要求を満たしたＳＡＷフィルタ１３０として、図７（ａ）に示すように、外周壁を有しない平板構造の実装基板１３１上に、ＳＡＷチップ１０１をフェイスダウン状態でフリップチップ搭載してから、ＳＡＷチップ外面を封止樹脂１３５を用いて気密封止するようにしたＣＳＰ（チップサイズパッケージ）タイプが知られている。
しかしながら、この構造にあっては、図６（ａ）に示したタイプのＳＡＷフィルタとは異なり、シールリング１１５や金属キャップ１１７を、複数の接地用上部電極１１４ａ、１１４ｂ間にインダクタンスとして接続しないため、図７（ｂ）のフィルタ特性例の如く、ＳＡＷフィルタとしての減衰特性が著しく劣化する。
【０００４】
また、図８（ａ）は図７（ａ）のＳＡＷフィルタの変形例であり、実装基板１３１上の複数の接地用上部電極１１４ａ、１１４ｂ間を、非常に小さい値のインダクタンスとなる短尺の金属配線１４０にて接続した構造を備えている。
図８（ｂ）は図８（ａ）のＳＡＷフィルタのフィルタ特性例を示しており、これによればフィルタの減衰特性が劣化していることが明らかである。即ち、実装基板１３１上の複数の接地用上部電極１１４ａ、１１４ｂ間を接続する金属配線１４０が持つインダクタンスをある程度大きな値にしなければ、所望の減衰特性を得ることはできないことが明らかである。
特開２０００−４０６４００（京セラ）には、減衰特性向上のために圧電基板の下面もしくは外周部にＧｎｄ電極が励振電極を取り囲むように配置されたＳＡＷフィルタが開示されている。しかし、後述するように、本発明においては、Ｇｎｄ電極が励振電極を取り囲む必要はないので、本発明とは異なった発明である。
【特許文献１】特開平９−１１６３７７号公報
【特許文献２】特開２０００−０４９５６５公報
【特許文献３】特開２０００−４０６４００公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、金属キャップを備えないＣＳＰ構造のＳＡＷフィルタでありながら、金属キャップを用いた構造のＳＡＷフィルタと同等の減衰特性を得ることが可能なＳＡＷフィルタを提供することを目的としている。
即ち、平板構造の実装基板を備えたＳＡＷフィルタにおいて、ＳＡＷフィルタの全体形状を大型化することなく、実装基板上の周縁に位置するスペースを活用してインダクタンスとして機能する導体パターンを配置することにより、複数の接地用上部電極間を十分に大きな値のインダクタンスとしての導体パターンを介して接続して、十分な減衰特性を得ることを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１の発明は、平板状の絶縁基板、該絶縁基板の下部に設けた表面実装用の複数の外部電極、及び各外部電極と導通し且つ該絶縁基板の上部に設けた複数の上部電極、を備えた実装基板と、圧電基板、該圧電基板の下面に形成され且つ前記各上部電極上に導体バンプを介してフリップチップ実装される複数の接続パッド、及び該圧電基板の下面に形成され且つ該各接続パッドと導通接続された機能部パターン、を備えたＳＡＷチップと、該ＳＡＷチップ下面と前記実装基板上面との間に気密空間を形成するようにＳＡＷチップ外面全体を被覆する封止樹脂と、を備え、前記複数の接続パッドの内の接地用接続パッドが、前記複数の上部電極の内の接地用上部電極と導通接続された表面実装型ＳＡＷフィルタにおいて、前記絶縁基板上面の外周部には、前記接地用上部電極を包囲するようにインダクタンスを得るための環状の導体パターンが形成され、該導体パターンは前記接地用上部電極と導通接続されていることを特徴とする。
小型でかつ高減衰な特性のＳＡＷフィルタを実現するために、本発明では外周壁のない平板構造のパッケージ（実装基板）を用い、金属キャップを用いずに封止樹脂を用いてＳＡＷチップを気密封止する構造を得ると共に、所望の減衰特性を得るために実装基板上の複数の接地用上部電極間をある程度大きな値のインダクタンスで接続する。この際、インダクタンスとしての導体パターン（金属配線）を実装基板上面外周部に設けることにより、距離の長い導体パターン、即ち値の大きなインダクタンスが実現できる。
請求項２の発明では、請求項１において、前記実装基板上の導体パターンは、前記各接地用上部電極を包囲する連続環状体であり、該導体パターンと各接地用上部電極とを接続する各リードパターン間の距離は最も離間するように設定されていることを特徴とする。
請求項３の発明では、請求項１において、前記実装基板上の導体パターンは、前記各接地用上部電極を包囲する非連続環状体であり、該導体パターンと各接地用上部電極とを接続する各リードパターン間の距離は最も離間するように設定されていることを特徴とする。
【０００７】
請求項４の発明では、請求項１において、前記実装基板上の導体パターンは、前記各接地用上部電極を包囲する非連続環状体であり、該導体パターンと各接地用上部電極とを接続する各リードパターンは導体パターンの両端部から各接地用上部電極に接続され、各リードパターン間の距離は最も接近するように設定されていることを特徴とする。
請求項２、３、４に記載の発明によれば、平板構造の実装基板外周部に設けた導体パターンの面積や形状を調整したり、導体パターンと各接地用上部電極との接続箇所を種々変更設定することにより、インダクタンスの値を容易に調整できるため、市場の要求に合わせて減衰特性を容易に調整できることとなる。
請求項５の発明は、請求項１、２、３、又は４において、前記機能部パターンは、ＩＤＴ電極と反射器を縦結合二重モード構造とし、更に前記縦結合二重モード構造を２段縦続接続したことを特徴とする。
本発明はあらゆるタイプの機能部パターン構造を備えたＳＡＷフィルタに適用可能である。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面を用いて詳細に説明する。
図１（ａ）及び（ｂ）は本発明に係るＳＡＷフィルタの構造の一例を示す縦断面図及び実装基板の平面図である。
このＳＡＷフィルタ１は、外周壁を有しない平板状の実装基板２上に、ＳＡＷチップ１０をフェイスダウン状態でフリップチップ実装すると共に、ＳＡＷチップ１０の下面と実装基板上面との間にＳＡＷ伝搬用の気密空間Ｓを形成するように封止樹脂２０をＳＡＷチップ１０の外面に被覆形成した構成を備えている。
実装基板２は、平板状の絶縁基板３と、絶縁基板３の下部に設けた表面実装用の複数の外部電極４と、各外部電極４と導通し且つ絶縁基板３の上部に設けられた複数の上部電極５と、を備えている。
ＳＡＷチップ１０は、水晶、或いはタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）等の圧電材料から成る圧電基板１１と、圧電基板下面に形成されて実装基板２側の上部電極５上に導体バンプ２１を介してフリップチップ接続される複数の接続パッド１２と、圧電基板下面に形成されて接続パッド１２と導通接続された機能部パターン１３と、を備えている。機能部パターン１３は、後述するＩＤＴ電極（インターディジタルトランスジューサ）電極と、反射器等から構成されている。また、ＳＡＷチップ下面と実装基板上面との間に気密空間Ｓを形成するようにＳＡＷチップ外面全体に封止樹脂２０が被覆形成されている。
接続パッド１２は、入力用、出力用の各接続パッド１２ｉ、１２ｏの他に、接地用接続パッド１２ｇ、１２ｇ’を備えている。また、実装基板側の上部電極５も、入力用、出力用の上部電極５ｉ、５ｏの他に、接地用上部電極５ｇ、５ｇ’を備えている。これらの接地用接続パッド１２ｇ、１２ｇ’が夫々接地用上部電極５ｇ、５ｇ’と、導体バンプ２１によって導通接続されている。
【０００９】
本発明の特徴的な構成は、実装基板２の上面周縁のデッドスペース内に、接地用の上部電極５ｇ、５ｇ’を包囲するようにインダクタンスを得るための環状の導体パターン３０を形成し、導体パターン３０を各接地用上部電極５ｇ、５ｇ’と導通接続している点にある。この実施形態に係る実装基板２は、平板状の絶縁基板３の上面外周縁部に沿って環状長尺の金属配線から成る導体パターン３０を配置し、この導体パターン３０をリードパターン３１を介して接地用上部電極５ｇ、５ｇ’と接続することにより、接地用上部電極５ｇ、５ｇ’間に大きな値のインダクタンスを接続した構成を実現している。
図２は、図１のＳＡＷフィルタ１のフィルタ特性例を示しており、導体パターン３０が存在しない従来品と比較して、本発明のＳＡＷフィルタにおいては減衰量が向上している。これは、上述の如く複数の接地用上部電極間に接続されて大きな値のインダクタンスとして機能する長尺の導体パターン３０を設けたことによる本発明特有の効果である。
【００１０】
次に、図３は、圧電基板１１上の配線パターン（機能部パターン１３及び接続パッド１２）の詳細な構成を示しており、本実施形態例に係る機能部パターン１３は、縦結合二重モードＳＡＷフィルタを２段縦続接続した構造を備えている。圧電基板１１にはタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）を用い、この圧電基板１１上に形成される一方（入力側）の機能部パターン１３は、３個のＩＤＴ電極４０ａ、４０ｂ、４０ｃと、これらのＩＤＴ電極４０ａ、４０ｂ、４０ｃのＳＡＷ伝搬方向両側に夫々配置した反射器４１ａ、４１ｂを備えた構造となっている。また、他方（出力側）の機能部パターン１３’は、３個のＩＤＴ電極４０ａ’、４０ｂ’、４０ｃ’と、これらのＩＤＴ電極４０ａ’、４０ｂ’、４０ｃ’のＳＡＷ伝搬方向両側に夫々配置した反射器４１ａ’、４１ｂ’を備えた構造となっている。
各ＩＤＴ電極４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ａ’、４０ｂ’、４０ｃ’は、それぞれ互いに交差した複数本の電極指を有する一対の櫛形電極により構成されている。中央のＩＤＴ電極４０ｂに入力された信号は両側のＩＤＴ電極４０ａ、４０ｃから並列に出力され、１段の縦結合二重モードＳＡＷフィルタとして機能する。本実施例ではこれを２段縦続接続しており、ＩＤＴ電極４０ａ、４０ｃから並列に出力された信号は出力側のＩＤＴ電極４０ａ’、４０ｃ’に入力され、ＩＤＴ電極４０ｂ’から出力される。また、反射器４１ａ、４１ｂ（出力側の反射器４１ａ’、４１ｂ’も同様）はＩＤＴ電極からの漏洩弾性表面波を反射する機能を有し、ＩＤＴ電極で励起される弾性表面波のエネルギーを両反射器間に閉じ込めることにより縦１次モードと縦３次モードを分離して励起し、この二つのモードの共振周波数差を利用して縦結合二重モードＳＡＷフィルタを実現する。
接地用接続パッド１２ｇ、１２ｇ’は、導体バンプ２１を介して図１（ｂ）の平板構造の実装基板２上に接続される。即ち、接地用接続パッド１２ｇは、接地用上部電極５ｇに、接地用接続パッド１２ｇは接地用上部電極５ｇに夫々接続される。なお、他の２つの接地用接続パッド１２ｇ”は、夫々接地用上部電極５ｇ、５ｇ’と導体バンプにより接続される。
【００１１】
従来例の説明中にて述べた通り、ＳＡＷフィルタの減衰特性を良好に維持するためには、接地用上部電極間インダクタンスはある程度大きな値でなければならない。本発明では、接地用上部電極間インダクタンスを得るための金属配線としての導体パターン３０を平板構造の実装基板２の上面外周部に設けることで、距離の長い導体パターン３０を実現している。しかも、接地用上部電極間インダクタンスを得るための導体パターン３０を平板構造実装基板の上面外周部に設けることによる効果は、そのインダクタンスの値を大きくしやすいという点だけではなく、接地用上部電極間の導体パターン３０と他の信号線との不要な電磁的結合を抑圧しやすく、しかもインダクタンスの値を調整して市場の多様な減衰特性要求に容易に対応できる、といった利点をも有する。
このことを図４に基づいて詳細に説明する。図４（ａ）〜（ｃ）はいずれも平板構造の実装基板２上の導体パターン３０の構成例を示しており、（ａ）は図１（ｂ）と同一構造であり、（ｂ）（ｃ）は変形構造を示している。これらの実施形態では、いずれも絶縁基板３上に所定の間隔を隔てて対向配置された接地用上部電極５ｇ、５ｇ’を包囲するように環状（連続環状、或いは非連続環状）に導体パターン３０が配置されてリードパターン３１によって接続されているため、接地用上部電極５ｇ、５ｇ’間にインダクタンスとして動作する導体パターン３０が接続された構造になっている。
具体的には、図４（ａ）においては、連続的な環状体としての導体パターン３０が両接地用上部電極５ｇ、５ｇ’を完全に包囲するように配置され、各接地用上部電極５ｇ、５ｇ’と導体パターン３０との間は、リードパターン３１によって導通されている。２つのリードパターン３１の位置は、最も離間した位置となるように矩形の導体パターン３０の対角線に沿った位置に配置されている。
図４（ｂ）の例では、導体パターン３０は、連続した環状体ではなく、両接地用上部電極５ｇ、５ｇ’間の境界に相当する位置にて切断された非連続的な環状体である。リードパターン３１の位置は図４（ａ）の例と同様である。
図４（ｃ）の例では、導体パターン３０は、図４（ｂ）と同様に非連続的な環状体であるが、リードパターン３１の位置は互いに最も接近した位置となるように設定されている。
上記各実施形態に係る実装基板２においては、いうまでもなく接地用上部電極間インダクタンスの大きさは、（ａ）＜（ｂ）＜（ｃ）の順となっており、そのインダクタンスの値は図４（ａ）の例が０．８４ｎＨ、（ｂ）の例が１．６０ｎＨ、（ｃ）の例が２．６９ｎＨである。
図５（ａ）〜（ｃ）は、図４（ａ）〜（ｃ）の各実施形態に係る実装基板を用いたＳＡＷフィルタのフィルタ特性を示しており、いずれの減衰特性も接地用上部電極間インダクタンス接続が無い従来構造品と比べて大幅に改善され、しかも容易にその減衰特性を調整できることがわかる。本実施形態の場合、例えば通過帯域近傍減衰量を重視するならば、接地用上部電極間インダクタンスを大きくすればよい。すなわち図４（ｃ）のような導体パターン構造にすればよい。
尚、本発明による効果は、各実施形態にて例示した縦結合二重モードＳＡＷフィルタを２段縦続接続したような構造に限らず、例えばラダー型ＳＡＷフィルタ等でも得られることは自明である。
【００１２】
本発明は以上説明したように、外壁のない平板構造の実装基板をパッケージとして用い、金属キャップを用いずに封止樹脂を用いてＳＡＷチップの気密構造を実現するＳＡＷフィルタにおいて、実装基板上の複数の接地用上部電極間をある程度大きなインダクタンスで接続するために、実装基板上面外周部のデッドスペースを利用してインダクタンスとしての導体パターン（金属配線）を設けた。このように、距離が長く面積が大きい導体パターン、すなわち値の大きなインダクタンスを接地用上部電極間に接続した構造とすることで、小型でかつ高減衰な特性のＳＡＷフィルタを供給することが可能となる。しかも平板構造の実装基板外周部に設けた導体パターンの面積や形状を調整したり、導体パターンと各接地用上部電極との接続箇所を種々変更設定することにより、インダクタンスの値を容易に調整できるため、市場の要求に合わせて減衰特性を容易に調整できることとなる。
【００１３】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、金属キャップを備えないＣＳＰ構造のＳＡＷフィルタでありながら、金属キャップを用いた構造のＳＡＷフィルタと同等の減衰特性を得ることが可能となる。即ち、平板構造の実装基板を備えたＳＡＷフィルタにおいて、ＳＡＷフィルタの全体形状を大型化することなく、実装基板上の外周縁に位置するデッドスペース上に、インダクタンスとして機能する導体パターンを配置することにより、複数の接地用上部電極間を十分に大きな値のインダクタンスとしての導体パターンを介して接続して、十分な減衰特性を得ることができる。しかも、本発明では、インダクタンスの値を任意に調整することにより、任意の減衰量を得ることが可能となる。
即ち、請求項１の発明によれば、インダクタンスとしての導体パターン（金属配線）を実装基板上面外周部に設けることにより、パッケージを大型化することなく、距離の長い導体パターン、即ち値の大きなインダクタンスが実現でき、所望の減衰量を得ることができる。
請求項２、３、４に夫々記載された発明によれば、平板構造の実装基板外周部に設けた導体パターンの面積や形状を調整したり、導体パターンと各接地用上部電極との接続箇所を種々変更設定することにより、インダクタンスの値を容易に調整できるため、市場の要求に合わせて減衰特性を容易に調整できることとなる。
請求項５の発明のように、本発明はあらゆるタイプの機能部パターン構造を備えたＳＡＷフィルタに適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は本発明に係るＳＡＷフィルタの構造の一例を示す縦断面図及び実装基板の平面図。
【図２】図１のＳＡＷフィルタ１のフィルタ特性例を示す図。
【図３】圧電基板上の配線パターンの詳細な構成を示す図。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は平板構造の実装基板上の導体パターンの構成例を示す図。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、図４（ａ）〜（ｃ）の各実施形態に係る実装基板を用いたＳＡＷフィルタのフィルタ特性を示す図。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は従来のＳＡＷフィルタの構成を示す断面図、及びその減衰特性を示す図。
【図７】（ａ）及び（ｂ）は他の従来例に係るＳＡＷフィルタの構成を示す断面図、及びその減衰特性を示す図。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は他の従来例に係るＳＡＷフィルタの構成を示す断面図、及びその減衰特性を示す図。
【符号の説明】
１  ＳＡＷフィルタ、２  実装基板、３  絶縁基板、４  外部電極、５  上部電極、５ｉ、５ｏ  上部電極、５ｇ、５ｇ’  接地用上部電極、１０  ＳＡＷチップ、１１  圧電基板、１２  接続パッド、１２ｉ、１２ｏ  接続パッド、１２ｇ、１２ｇ’  接地用接続パッド、１３  機能部パターン、Ｓ  気密空間、２０封止樹脂、２１  導体バンプ、３０  導体パターン、３１  リードパターン、４０ａ、４０ｂ、４０ｃ  、４０ａ’、４０ｂ’、４０ｃ’  ＩＤＴ電極、４１ａ、４１ｂ、４１ａ’、４１ｂ’  反射器。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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