(57)【要約】【課題】開口率を向上させる。【解決手段】遮光層７０は、第１遮光層７１と第２遮光層７２とを含む。第１遮光層７１は走査線２及びデータ線３を覆うように形成される。第２遮光層７２は、突起パターン１０に対してラビング方向の下手側に設けられている。突起パターン１０は、その一部がデータ線３と重なるように形成されている。第２遮光層７２と第１遮光層７１とは重なる。第２遮光層７１の一部又は全部を第１遮光層７１と兼用でき、開口部の面積を拡大することできる。【選択図】      図４
2004252309.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線と複数のデータ線とが形成された第１基板と、組み立てられた状態で前記走査線及び前記データ線を覆う第１遮光層が形成された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とのうちいずれか一方に形成された突起パターンにより前記第１基板と前記第２基板との距離が規制され、前記基板間に電気光学物質が充填された電気光学パネルにおいて、
前記突起パターンは、その一部又は全部が前記データ線と重なるように形成されており、
前記突起パターンを形成したことによる光り漏れを防止するための第２遮光層を、前記第１遮光層と重なるように形成して、前記第２遮光層の一部又は全部を前記第１遮光層と兼用した
ことを特徴とする電気光学パネル。
【請求項２】
前記突起パターンの中心を前記データ線上に形成したことを特徴とする請求項１に記載の電気光学パネル。
【請求項３】
複数の走査線と複数のデータ線とが形成された第１基板と、組み立てられた状態で前記走査線及び前記データ線を覆う第１遮光層が形成された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とのうちいずれか一方に形成された突起パターンにより前記第１基板と前記第２基板との距離が規制され、前記基板間に電気光学物質が充填された電気光学パネルにおいて、
前記突起パターンは、その一部又は全部が前記走査線と重なるように形成されており、
前記突起パターンを形成したことによる光り漏れを防止するための第２遮光層を、前記第１遮光層と重なるように形成して、前記第２遮光層の一部又は全部を前記第１遮光層と兼用した
ことを特徴とする電気光学パネル。
【請求項４】
前記突起パターンの中心を前記走査線上に形成したことを特徴とする請求項３に記載の電気光学パネル。
【請求項５】
複数の走査線、複数のデータ線、及び複数の容量線が形成された第１基板と、組み立てられた状態で前記走査線及び前記データ線を覆う第１遮光層が形成された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とのうちいずれか一方に形成された突起パターンにより前記第１基板と前記第２基板との距離が規制され、前記基板間に電気光学物質が充填された電気光学パネルにおいて、
前記突起パターンは、その一部又は全部が前記容量線と重なるように形成されており、
前記突起パターンを形成したことによる光り漏れを防止するための第２遮光層を、前記第１遮光層と重なるように形成して、前記第２遮光層の一部又は全部を前記第１遮光層と兼用した
ことを特徴とする電気光学パネル。
【請求項６】
前記突起パターンの中心を前記容量線上に形成したことを特徴とする請求項５に記載の電気光学パネル。
【請求項７】
複数の走査線、複数のデータ線、及び複数の容量線が形成された第１基板と、組み立てられた状態で前記走査線及び前記データ線を覆う第１遮光層が形成された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とのうちいずれか一方に形成された突起パターンにより前記第１基板と前記第２基板との距離が規制され、前記基板間に電気光学物質が充填された電気光学パネルにおいて、
前記突起パターンの一部又は全部は、前記走査線、前記データ線、及び前記容量線によって囲まれた領域と重なるように形成されており、
前記突起パターンを形成したことによる光り漏れを防止するための第２遮光層を、前記第１遮光層と重なるように形成して、前記第２遮光層の一部又は全部を前記第１遮光層と兼用した
ことを特徴とする電気光学パネル。
【請求項８】
前記突起パターンの中心を前記走査線、前記データ線、及び前記容量線によって囲まれた領域内に形成したことを特徴とする請求項７に記載の電気光学パネル。
【請求項９】
前記突起パターンは、前記データ線に対してラビング方向の上手側に延設されることを特徴とする請求項８に記載の電気光学パネル。
【請求項１０】
前記第１遮光層のラビング方向の下手側には、前記第２遮光層が延設されることを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載の電気光学パネル。
【請求項１１】
複数の走査線、複数のデータ線、並びに前記データ線と前記走査線とに囲まれた部分に光を透過する透過領域及び光を反射する反射領域とが形成された第１基板と、組み立てられた状態で前記走査線及び前記データ線を覆う第１遮光層が形成された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とのうちいずれか一方に形成された突起パターンにより前記第１基板と前記第２基板との距離が規制され、前記基板間に電気光学物質が充填された電気光学パネルにおいて、
前記突起パターンは、前記第１遮光層と重なるように形成されており、
前記突起パターンを形成したことによる光り漏れを防止するための第２遮光層を、前記第１遮光層と重なるように形成して、前記第２遮光層の一部又は全部を前記第１遮光層と兼用し、
前記突起パターンに対してラビング方向の下手側に前記反射領域を形成したことを特徴とする電気光学パネル。
【請求項１２】
複数の走査線、複数のデータ線、並びに前記データ線と前記走査線とに囲まれた部分に光を透過する透過領域及び光を反射する反射領域とが形成された第１基板と、組み立てられた状態で前記走査線及び前記データ線を覆う第１遮光層が形成された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とのうちいずれか一方に形成された突起パターンにより前記第１基板と前記第２基板との距離が規制され、前記基板間に電気光学物質が充填された電気光学パネルにおいて、
前記突起パターンは、前記第１遮光層と重なるように形成されており、
前記突起パターンを形成したことによる光り漏れを防止するための第２遮光層を、前記第１遮光層と重なるように形成して、前記第２遮光層の一部又は全部を前記第１遮光層と兼用し、
前記第１基板又は前記第２基板には、青色を含むカラーフィルタが形成されており、前記突起パターンに対してラビング方向の下手側に青色の前記カラーフィルタを形成した
ことを特徴とする電気光学パネル。
【請求項１３】
複数の走査線、複数のデータ線、並びに前記データ線と前記走査線とに囲まれた部分に光を透過する透過領域及び光を反射する反射領域とが形成された第１基板と、組み立てられた状態で前記走査線及び前記データ線を覆う第１遮光層が形成された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とのうちいずれか一方に形成された突起パターンにより前記第１基板と前記第２基板との距離が規制され、前記基板間に電気光学物質が充填された電気光学パネルにおいて、
前記突起パターンは、前記第１遮光層と重なるように形成されており、
前記突起パターンを形成したことによる光り漏れを防止するための第２遮光層を、前記第１遮光層と重なるように形成して、前記第２遮光層の一部又は全部を前記第１遮光層と兼用し、
前記第１基板又は前記第２基板にはカラーフィルタが形成されており、同じ色では各開口部の面積が同じになるように第３遮光層を形成した
ことを特徴とする電気光学パネル。
【請求項１４】
複数の走査線、複数のデータ線、並びに前記データ線と前記走査線とに囲まれた部分に光を透過する透過領域及び光を反射する反射領域とが形成された第１基板と、組み立てられた状態で前記走査線及び前記データ線を覆う第１遮光層が形成された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とのうちいずれか一方に形成された突起パターンにより前記第１基板と前記第２基板との距離が規制され、前記基板間に電気光学物質が充填された電気光学パネルにおいて、
前記第１基板又は前記第２基板には青、緑、及び赤のカラーフィルタが形成されており、
前記突起パターンは、所定の行数ごとに前記第１遮光層と重なるように形成され、且つ、左右に隣接するカラーフィルタの色の組が行方向に異なり、所定周期で総ての色の組となるように配置し、
前記突起パターンを形成したことによる光り漏れを防止するための第２遮光層を、前記第１遮光層と重なるように形成して、前記第２遮光層の一部又は全部を前記第１遮光層と兼用した
ことを特徴とする電気光学パネル。
【請求項１５】
複数の走査線、複数のデータ線、並びに前記データ線と前記走査線とに囲まれた部分に光を透過する透過領域及び光を反射する反射領域とが形成された第１基板と、組み立てられた状態で前記走査線及び前記データ線を覆う第１遮光層が形成された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とのうちいずれか一方に形成された突起パターンにより前記第１基板と前記第２基板との距離が規制され、前記基板間に電気光学物質が充填された電気光学パネルにおいて、
前記突起パターンは、前記第１遮光層と重なる平坦な部分に形成されており、前記突起パターンを形成したことによる光り漏れを防止するための第２遮光層を、前記第１遮光層と重なるように形成して、前記第２遮光層の一部又は全部を前記第１遮光層と兼用した
ことを特徴とする電気光学パネル。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のうちいずれか１項に記載した電気光学パネルを備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、２枚の基板からなりこれらの間の距離を規制する突起パターンを備えた電気光学パネル及びこれを用いた電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電気光学物質として液晶を用いる液晶パネルとしてアクティブマトリックス型のものがある。この液晶パネルは、複数の走査線と複数のデータ線を備え、データ線と走査線の交差に対応して、画素がマトリックス状に配置されている。画素は、スイッチング素子として機能する薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下、「ＴＦＴ」と称する）、画素電極、液晶、及び画素電極と液晶を挟んで対向する対向電極を備える。走査線が順次選択されると、当該走査線に接続されているＴＦＴがオン状態となり、データ線に供給される画像信号が画素に取り込まれ、電荷が液晶容量に蓄積される。
【０００３】
このような液晶パネルは、素子基板と対向基板とを備える。素子基板には、走査線、データ線及びＴＦＴが形成される。対向基板には、遮光層や対向電極等が形成される。さらに、素子基板と対向基板との間のセルギャップには液晶が充填される。セルギャップ間隔を一定に保つために対向基板に突起パターンを形成することがある。
【０００４】
突起パターンを配設すると、ラビングの不均一が発生し、液晶分子の方向を制御できなくなり、画面を表示する際に光り抜けが発生して、画質が著しく劣化する。このため、突起パターンによる光り抜けを防止するため、本来の開口部に遮光層を配置する必要がある。一方、液晶パネルの明るさを向上させるためには、開口部の面積を大きくする必要がある。
【０００５】
そこで、突起パターンが配設された画素における開口部のみに遮光層を延設する技術が知られている（例えば、特許文献１）。図２０は従来の技術における遮光層と突起パターンの関係を示す模式図である。なお、図中に示す矢印はラビングの方向を示している。この図に示すように突起パターンＴが設けられた画素においては、面積の狭い開口部Ｋ１が形成される一方、突起パターンＴが設けられていない画素においては、面積の広い開口部Ｋ２が形成される。そして、開口部Ｋ１及びＫ２は遮光層Ｓ１及びＳ２で区切られており、突起パターンＴが設けられた画素においては、遮光層Ｓ１が配設されている。この遮光層Ｓ１によって、光り抜けが防止される。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２−３４１３２９号公報（第１図）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従来の技術にあっては、突起パターンＴが遮光層Ｓ２の端部に配置されていたため、光り漏れを防止するための遮光層Ｓ１を遮光層Ｓ２とは別に設ける必要があった。また、突起パターンＴと各種の配線との関係は一切考慮されていなかった。このため、従来の技術における開口率の向上は、突起パターンＴのない画素における遮光層Ｓ１の削減に止まるものであった。
【０００８】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、より一層の開口率の向上を図ること等を解決課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学パネルは、複数の走査線と複数のデータ線とが形成された第１基板と、組み立てられた状態で前記走査線及び前記データ線を覆う第１遮光層が形成された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とのうちいずれか一方に形成された突起パターンにより前記第１基板と前記第２基板との距離が規制され、前記基板間に電気光学物質が充填されたものであって、前記突起パターンは、その一部又は全部が前記データ線と重なるように形成されており、前記突起パターンを形成したことによる光り漏れを防止するための第２遮光層を、前記第１遮光層と重なるように形成して、前記第２遮光層の一部又は全部を前記第１遮光層と兼用したことを特徴とする。
【００１０】
この発明によれば、突起パターンがデータ線と重なるので、第２遮光層の一部又は全部を第１遮光層と兼用することができる。このため、開口部に延設される第２遮光層の面積を削減できるから、開口率を向上させることができる。また、前記突起パターンの中心は前記データ線上に形成することが、開口率をより一層向上させる観点より好ましい。本明細書において「突起パターンの中心」とは、突起パターンの端面の形状が円であれば円の中心であるが、その端面の形状が複雑な場合には、その重心を意味する。
【００１１】
また、本発明に係る電気光学パネルは、複数の走査線と複数のデータ線とが形成された第１基板と、組み立てられた状態で前記走査線及び前記データ線を覆う第１遮光層が形成された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とのうちいずれか一方に形成された突起パターンにより前記第１基板と前記第２基板との距離が規制され、前記基板間に電気光学物質が充填されたものであって、前記突起パターンは、その一部又は全部が前記走査線と重なるように形成されており、前記突起パターンを形成したことによる光り漏れを防止するための第２遮光層を、前記第１遮光層と重なるように形成して、前記第２遮光層の一部又は全部を前記第１遮光層と兼用したことを特徴とする。
【００１２】
この発明によれば、突起パターンが走査線と重なるので、第２遮光層の一部又は全部を第１遮光層と兼用することができる。このため、開口部に延設される第２遮光層の面積を削減できるから、開口率を向上させることができる。ここで、前記突起パターンの中心は前記走査線上に形成することが、開口率をより一層向上させる観点より好ましい。
【００１３】
本発明に係る電気光学パネルは、複数の走査線、複数のデータ線、及び複数の容量線が形成された第１基板と、組み立てられた状態で前記走査線及び前記データ線を覆う第１遮光層が形成された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とのうちいずれか一方に形成された突起パターンにより前記第１基板と前記第２基板との距離が規制され、前記基板間に電気光学物質が充填されたものであって、前記突起パターンは、その一部又は全部が前記容量線と重なるように形成されており、前記突起パターンを形成したことによる光り漏れを防止するための第２遮光層を、前記第１遮光層と重なるように形成して、前記第２遮光層の一部又は全部を前記第１遮光層と兼用したことを特徴とする。
【００１４】
容量線は線幅が太く平坦性に優れているため、その上部の絶縁膜は膜厚及び平坦性が良好である。従って、この発明によれば突起パターン１０を安定して形成し、且つセルギャップ間隔を正確に定めることができる。ここで、前記突起パターンの中心を前記容量線上に形成することが好ましい。
【００１５】
また、本発明に係る電気光学パネルは、複数の走査線、複数のデータ線、及び複数の容量線が形成された第１基板と、組み立てられた状態で前記走査線及び前記データ線を覆う第１遮光層が形成された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とのうちいずれか一方に形成された突起パターンにより前記第１基板と前記第２基板との距離が規制され、前記基板間に電気光学物質が充填されたものにおいて、前記突起パターンの一部又は全部は、前記走査線、前記データ線、及び前記容量線によって囲まれた領域と重なるように形成されており、前記突起パターンを形成したことによる光り漏れを防止するための第２遮光層を、前記第１遮光層と重なるように形成して、前記第２遮光層の一部又は全部を前記第１遮光層と兼用したことを特徴とする。
【００１６】
第１基板に形成される絶縁膜の平坦性は、その下部に位置している各種のパターンに大きく依存する。突起パターンを配設する絶縁膜の下部に複数のパターンが存在すると、当該領域において絶縁膜厚が不均一となりやすい。この発明によれば、走査線、データ線、及び容量線によって囲まれた領域には、これらのパターンが存在しないので、当該領域は平坦性が良好である。従って、この発明によれば、突起パターンを安定して形成し、セルギャップ間隔をより一層正確に定めることができる。といった効果がある。
【００１７】
この場合、安定性をより一層高めるという観点から、突起パターンの中心を前記走査線、前記データ線、及び前記容量線によって囲まれた領域内に形成することが好ましい。
【００１８】
また、上述した電気光学パネルにおいて、前記突起パターンは、前記データ線に対してラビング方向の上手側に延設されることが好ましい。さらに、前記第１遮光層のラビング方向の下手側には、前記第２遮光層が延設されることが好ましい。
【００１９】
本発明に係る電気光学パネルは、複数の走査線、複数のデータ線、並びに前記データ線と前記走査線とに囲まれた部分に光を透過する透過領域及び光を反射する反射領域とが形成された第１基板と、組み立てられた状態で前記走査線及び前記データ線を覆う第１遮光層が形成された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とのうちいずれか一方に形成された突起パターンにより前記第１基板と前記第２基板との距離が規制され、前記基板間に電気光学物質が充填されたものであって、前記突起パターンは、前記第１遮光層と重なるように形成されており、前記突起パターンを形成したことによる光り漏れを防止するための第２遮光層を、前記第１遮光層と重なるように形成して、前記第２遮光層の一部又は全部を前記第１遮光層と兼用し、前記突起パターンに対してラビング方向の下手側に前記反射領域を形成したことを特徴とする。
【００２０】
半透過反射型の電気光学パネルにおいて、突起パターンに起因する光り抜けは、反射領域の方が透過領域より目立たない。一方、光り抜けはラビング方向の下手側に発生する。従って、突起パターンに対してラビング方向の下手側に反射領域を形成することにより、光り抜けが発生した場合に目立たなくすることができる。
【００２１】
本発明に係る電気光学パネルは、複数の走査線、複数のデータ線、並びに前記データ線と前記走査線とに囲まれた部分に光を透過する透過領域及び光を反射する反射領域とが形成された第１基板と、組み立てられた状態で前記走査線及び前記データ線を覆う第１遮光層が形成された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とのうちいずれか一方に形成された突起パターンにより前記第１基板と前記第２基板との距離が規制され、前記基板間に電気光学物質が充填されたものであって、前記突起パターンは、前記第１遮光層と重なるように形成されており、前記突起パターンを形成したことによる光り漏れを防止するための第２遮光層を、前記第１遮光層と重なるように形成して、前記第２遮光層の一部又は全部を前記第１遮光層と兼用し、前記第１基板又は前記第２基板には、青色を含むカラーフィルタが形成されており、前記突起パターンに対してラビング方向の下手側に青色の前記カラーフィルタを形成したことを特徴とする。
【００２２】
カラー表示が可能な電気光学パネルにおいて、突起パターンに起因する光り抜けは、青色が他の色（例えば、赤色又は緑色）と比較して目立たない。一方、光り抜けはラビング方向の下手側に発生する。従って、突起パターンに対してラビング方向の下手側に青色を含むカラーフィルタが形成されることにより、光り抜けが発生した場合に目だ立たなくすることができる。なお、カラーフィルタは、第１基板又は第２基板のいずれに形成されてもよい。
【００２３】
本発明に係る電気光学パネルは、複数の走査線、複数のデータ線、並びに前記データ線と前記走査線とに囲まれた部分に光を透過する透過領域及び光を反射する反射領域とが形成された第１基板と、組み立てられた状態で前記走査線及び前記データ線を覆う第１遮光層が形成された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とのうちいずれか一方に形成された突起パターンにより前記第１基板と前記第２基板との距離が規制され、前記基板間に電気光学物質が充填されたものであって、前記突起パターンは、前記第１遮光層と重なるように形成されており、前記突起パターンを形成したことによる光り漏れを防止するための第２遮光層を、前記第１遮光層と重なるように形成して、前記第２遮光層の一部又は全部を前記第１遮光層と兼用し、前記第１基板又は前記第２基板にはカラーフィルタが形成されており、同じ色では各開口部の面積が同じになるように第３遮光層を形成したことを特徴とする。
【００２４】
カラーフィルタの色濃度は、開口部の面積に応じて調整する必要がある。従って、同一色で開口部の面積が異なると、第２遮光層が設けられた画素については色濃度を異ならせる必要があり、カラーフィルタの製造工程が複雑となる。この発明によれば、第３遮光層を設けて開口部の面積が同じなるようにしたので、カラーフィルタの色設計及び製造が容易になる。ここで、開口部とは、画像の表示に寄与する光が通過する領域の意味であり、例えば、遮光層で囲まれた部分が該当する。また、「各開口部の面積が同じ」の意味には、完全に同一だけでなく製造工程における誤差を含む。
【００２５】
本発明に係る電気光学パネルは、複数の走査線、複数のデータ線、並びに前記データ線と前記走査線とに囲まれた部分に光を透過する透過領域及び光を反射する反射領域とが形成された第１基板と、組み立てられた状態で前記走査線及び前記データ線を覆う第１遮光層が形成された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とのうちいずれか一方に形成された突起パターンにより前記第１基板と前記第２基板との距離が規制され、前記基板間に電気光学物質が充填されたものであって、前記第１基板又は前記第２基板には青、緑、及び赤のカラーフィルタが形成されており、前記突起パターンは、所定の行数ごとに前記第１遮光層と重なるように形成され、且つ、左右に隣接するカラーフィルタの色の組が行方向に異なり、所定周期で総ての色の組となるように配置し、前記突起パターンを形成したことによる光り漏れを防止するための第２遮光層を、前記第１遮光層と重なるように形成して、前記第２遮光層の一部又は全部を前記第１遮光層と兼用したことを特徴とする。
【００２６】
この発明によれば、突起パターンと左右に隣接するカラーフィルタの色の組が行方向に異なり、突起パターンは所定周期で総ての色の組となるように配置される。このように突起パターンを配置することによって、各色の開口率を等しくすることができ、色間の明るさを揃えることが可能となる。くわえて、第３遮光層を設ける必要がないので、パネル全体の開口率を向上させることができる。
【００２７】
この場合、第ｎ（ｎは自然数）行において突起パターンを赤色と緑色の画素（カラーフィルタ）の間に配設し、第ｎ＋１行において突起パターンを緑色と青色の画素の間に配設し、第ｎ＋２行において突起パターンを青色と赤色の画素の間に配設してもよい。また、第ｎ行において突起パターンを赤色と緑色の画素の間に配設し、第ｎ＋１行において突起パターンを青色と赤色の画素の間に配設し、第ｎ＋２行において突起パターンを緑色と青色の画素の間に配設してもよい。
【００２８】
本発明に係る電気光学パネルは、複数の走査線、複数のデータ線、並びに前記データ線と前記走査線とに囲まれた部分に光を透過する透過領域及び光を反射する反射領域とが形成された第１基板と、組み立てられた状態で前記走査線及び前記データ線を覆う第１遮光層が形成された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とのうちいずれか一方に形成された突起パターンにより前記第１基板と前記第２基板との距離が規制され、前記基板間に電気光学物質が充填されたものであって、前記突起パターンは、前記第１遮光層と重なる平坦な部分に形成されており、前記突起パターンを形成したことによる光り漏れを防止するための第２遮光層を、前記第１遮光層と重なるように形成して、前記第２遮光層の一部又は全部を前記第１遮光層と兼用したことを特徴とする。
【００２９】
この発明によれば、突起パターンを平坦な領域に形成するので、セルギャップ間隔を正確に定めることができる。例えば、反射領域に形成される凹凸の影響を受けて波打っている領域やコンタクトホールの領域等、高さが一定でない領域は除かれ、平坦な領域に突起パターンが形成されることになる。
【００３０】
次に、本発明に係る電子機器は、上述した電気光学パネルを備えたことを特徴とするものであり、例えば、ビデオカメラに用いられるビューファインダ、携帯電話機、ノート型コンピュータ、ビデオプロジェクタ等が該当する。
【００３１】
【発明の実施の形態】
＜１．第１実施形態＞
＜１−１：液晶パネルの全体構成＞
まず、本発明に係る電気光学装置として、電気光学材料として液晶を用いた液晶装置を一例にとって説明する。液晶装置は、主要部として液晶パネルＡＡを備える。液晶パネルＡＡは、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下、「ＴＦＴ」と称する）を形成した素子基板と対向基板とを互いに電極形成面を対向させて、かつ、一定の間隙を保って貼付し、この間隙に液晶が挟持されている。
【００３２】
液晶パネルの全体構成について図１及び図２を参照して説明する。ここで、図１は、液晶パネルＡＡの構成を示す斜視図であり、図２は、図１におけるＺ−Ｚ’線の断面図である。
【００３３】
これらの図に示されるように、液晶パネルＡＡは、画素電極６等が形成されたガラスや半導体等の素子基板１５１と、対向電極１５８等が形成されたガラス等の透明な対向基板１５２とを、スペーサ１５３が混入されたシール材１５４によって一定の間隙を保って、互いに電極形成面が対向するように貼り合わせるとともに、この間隙に電気光学材料としての液晶１５５を封入した構造となっている。また、シール材１５４の内側であって、対向基板１５２には突起パターン１０が設けられている。この突起パターン１０によって、画像表示領域のセルギャップ間隔が一定に保たれることになる。なお、シール材１５４は、対向基板１５２の基板周辺に沿って形成されるが、液晶１５５を封入するために一部が開口している。このため、液晶１５５の封入後に、その開口部分が封止材１５６によって封止されている。
【００３４】
ここで、素子基板１５１の対向面であって、シール材１５４の外側一辺においては、データ線駆動回路２００が形成されて、Ｙ方向に延在するデータ線３を駆動する構成となっている。さらに、この一辺には複数の接続電極１５７が形成されて、タイミング発生回路からの各種信号や画像信号を入力する構成となっている。また、この一辺に隣接する一辺には、走査線駆動回路１００が形成されて、Ｘ方向に延在する走査線２をそれぞれ両側から駆動する構成となっている。
【００３５】
一方、対向基板１５２の対向電極１５８は、素子基板１５１との貼合部分における４隅のうち、少なくとも１箇所において設けられた導通材によって、素子基板１５１との電気的導通が図られている。ほかに、対向基板１５２には、液晶パネルＡＡの用途に応じて、例えば、第１に、ストライプ状や、モザイク状、トライアングル状等に配列したカラーフィルタが設けられ、第２に、例えば、クロムやニッケルなどの金属材料や、カーボンやチタンなどをフォトレジストに分散した樹脂ブラックなどのブラックマトリクスが設けられ、第３に、液晶パネルＡＡに光を照射するバックライトが設けられる。特に色光変調の用途の場合には、カラーフィルタは形成されずにブラックマトリクスが対向基板１５２に設けられる。
【００３６】
くわえて、素子基板１５１および対向基板１５２の対向面には、それぞれ所定の方向にラビング処理された配向膜などが設けられる一方、その各背面側には配向方向に応じた偏光板（図示省略）がそれぞれ設けられる。ただし、液晶１５５として、高分子中に微小粒として分散させた高分子分散型液晶を用いれば、前述の配向膜、偏光板等が不要となる結果、光利用効率が高まるので、高輝度化や低消費電力化などの点において有利である。
【００３７】
なお、データ線駆動回路２００、走査線駆動回路１００等の周辺回路の一部または全部を、素子基板１５１に形成する替わりに、例えば、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術を用いてフィルムに実装された駆動用ＩＣチップを、素子基板１５１の所定位置に設けられる異方性導電フィルムを介して電気的および機械的に接続する構成としても良いし、駆動用ＩＣチップ自体を、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｒａｓｓ）技術を用いて、素子基板１５１の所定位置に異方性導電フィルムを介して電気的および機械的に接続する構成としても良い。
【００３８】
図３は、素子基板１５１に形成される画像表示領域Ａの電気的な構成を示す回路図である。画像表示領域Ａには、図１に示されるように、ｍ（ｍは２以上の自然数）本の走査線２が、Ｘ方向に沿って平行に配列して形成される一方、ｎ（ｎは２以上の自然数）本のデータ線３が、Ｙ方向に沿って平行に配列して形成されている。そして、走査線２とデータ線３との交差付近においては、ＴＦＴ５０のゲートが走査線２に接続される一方、ＴＦＴ５０のソースがデータ線３に接続されるとともに、ＴＦＴ５０のドレインが画素電極６に接続される。そして、各画素は、画素電極６と、対向基板１５２に形成される対向電極１５８と、これら両電極間に挟持された液晶１５５とによって構成される。この結果、走査線２とデータ線３との各交差に対応して、画素はマトリクス状に配列されることとなる。
【００３９】
また、ＴＦＴ５０のゲートが接続される各走査線２には、走査信号Ｙ１、Ｙ２、…、Ｙｍが、パルス的に線順次で印加されるようになっている。このため、ある走査線２に走査信号が供給されると、当該走査線に接続されるＴＦＴ５０がオンするので、データ線３から所定のタイミングで供給される画像信号Ｘ１、Ｘ２、…、Ｘｎは、対応する画素に順番に書き込まれた後、所定の期間保持されることとなる。
【００４０】
各画素に印加される電圧レベルに応じて液晶分子の配向や秩序が変化するので、光変調による階調表示が可能となる。例えば、液晶を通過する光量は、ノーマリーホワイトモードであれば、印加電圧が高くなるにつれて制限される一方、ノーマリーブラックモードであれば、印加電圧が高くなるにつれて緩和されるので、液晶装置全体では、画像信号に応じたコントラストを持つ光が各画素毎に出射される。このため、所定の表示が可能となる。
【００４１】
また、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、蓄積容量５１が、画素電極６と対向電極１５８との間に形成される液晶容量と並列に付加される。蓄積容量５１は、容量線４とＴＦＴ５０のドレインとの間で形成される。例えば、画素電極６の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量５１により保持されるので、保持特性が改善される結果、高コントラスト比が実現されることとなる。
【００４２】
＜１−２：突起パターンの配置＞
図４は、突起パターン、データ線、走査線、及び遮光層の関係を模式的に示す平面図である。なお、図中の矢印はラビング方向を示している。図中太枠で囲まれた領域は遮光層７０であり、ブラックマトリックス等によって形成される。この例の遮光層７０は、対向基板１５２に形成されるが、素子基板１５１に形成してもよい。遮光層７０は、第１遮光層７１と第２遮光層７２とを含む。第１遮光層７１は走査線２及びデータ線３を覆うように形成される。第１遮光層７１のうち、走査線２及びデータ線３からはみ出している領域は、第１に素子基板１５１と対向基板１５２を張り合わせる際の位置ズレ、第２に画素電極の開始位置、第３にねじれ方向による液晶のリバースチルト部の隠蔽等を考慮して、定められる。第２遮光層７２は、突起パターン１０を形成したことによるラビングの不均一に起因して発生する光り抜けを防止するために設けられている。光り抜けは、突起パターン１０に対してラビング方向の下手側に発生する。従って、第２遮光層７２は、突起パターン１０に対してラビング方向の下手側に設けられている。
【００４３】
突起パターン１０は、その一部がデータ線３と重なるように形成されている。上述したように第１遮光層７１は、データ線３を覆うように形成されるから、突起パターン１０の一部をデータ線３と重なるように配置すると、第２遮光層７２と第１遮光層７１とが重なることになる。この例では、網掛けで示した領域７３において、第１遮光層７１と第２遮光層７２とが重なる。換言すれば、第２遮光層７２を第１遮光層７１と重なるように形成して、第２遮光層７１の一部又は全部を第１遮光層７１と兼用したのである。従って、第１遮光層７１からはみ出る第２遮光層７２の面積を縮小することができる。これにより、開口部の面積を拡大することが可能となる。
【００４４】
また、突起パターン１０の一部がデータ線３と重なる場合には、図５に示すように突起パターン１０の中心１０Ｃがデータ線３の上にない場合が含まれるが、第２遮光層７２を第１遮光層７３と兼用して開口率を向上させるという観点からは、図４に示すように、中心１０Ｃがデータ線３の上にあることが好ましい。
【００４５】
また、図４に示す例では、突起パターン１０の直径がデータ線３の幅よりも大きいが、突起パターン１０の形状やデータ線３の幅によっては、突起パターン１０の全部がデータ線３と重なることもある。そのような場合にも、開口率を向上させることが可能である。
【００４６】
図６に、開口部と遮光層との関係を模式的に示す。遮光層７０で囲まれた領域が開口部１１となる。開口部１１は、面積の大小によって３種類に分けられ、１１Ａ→１１Ｂ→１１Ｃの順に面積が大きくなっている。カラーフィルタを開口部１１に設ける場合には、面積に応じて色濃度を調整することが望ましい。
【００４７】
図７に突起パターン１０が設けられた周辺画素の詳細な構造を示す。また、図７におけるＡ−Ａ’断面を図８に示す。なお、この例では、半透過反射型の液晶パネルＡＡの構造を一例として示すが、透過型や反射型のパネルに適用してもよいことは勿論である。
【００４８】
素子基板１５１の上には、プレーナプロセスを用いて、半導体層（５０Ａ〜５０Ｃ）が形成されている。このうち、ソース領域５０Ａとドレイン領域５０Ｂにはイオンドープが施され、高濃度不純物領域が形成される。半導体層（５０Ａ〜５０Ｃ）の上にはゲート絶縁膜１６０が形成される。次に、走査線２（ゲート線）及び容量線４が形成される。具体的には、スパッタ処理等により、アルミニウム等の導電材料を積層し、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等によりパターニングを施す。次に、走査線２及び容量線４の上から第１層間絶縁膜１６１を形成し、反応性エッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより、あるいは、ウエットエッチングによりコンタクトホールを形成する。そして、データ線３（ソース線）及びドレイン電極５４をパターニングする。蓄積容量５１（図３参照）は、ＴＦＴ５０のドレイン領域５０Ｃの一部とゲート絶縁膜１６０を介して対向する容量線４によって形成される。
【００４９】
データ線３（ソース線）及びドレイン電極５４の上には、下層第２層間絶縁膜１６２が形成される。そして、反射領域においては凹凸ができるようにパターニングを行い、その上から上層第２層間絶縁膜１６３を形成する。これにより、反射領域において、波状の凸凹を形成することができる。なお、この例では、下層第２層間絶縁膜１６２に完全なホールが形成されるようにパターニングを施したが、完全なホールが形成されないように露光時間を調整し、上層第２層間絶縁膜１６３を省略してもよい。
【００５０】
反射領域において波状の凸凹が形成された後、ドライエッチングやウエットエッチングによりコンタクトホールを形成し、その上から反射電極１６４をパターニングし、さらに画素電極６をパターニングする。反射電極１６４の材料としてはアルミニウムや銀等を用いることができる。また、画素電極６の材料は、ＩＴＯ（インデウィム・ティン・オキサイド）等の透明材料からなる。そして、ＩＴＯの上から、配向膜（図示せず）が形成され、ラビング処理が施される。
【００５１】
次に、対向基板１５２の上（図中下方向）には遮光層７０が形成される。遮光層７０の材料としては、金属クロム、カーボン又はチタンをフォトレジストに分散した樹脂ブラックや、ニッケル等の金属材料等を用いることができる。また、これらを含む二つ以上の材料により積層構造を形成してもよい。遮光層７０の上には、カラーフィルタ１７１が形成され、さらに、セルギャップ調整パターン１７２が反射領域に形成される。これにより、反射領域におけるセルギャップ間隔が透過領域におけるセルギャップ間隔よりも狭くなり、反射領域と透過領域との光学特性を近付けることができる。
【００５２】
セルギャップ調整パターン１７２の上には対向電極１５８が形成される。対向電極１５８の材料は、ＩＴＯ（インデウィム・ティン・オキサイド）等の透明材料からなる。さらに、対向電極１５８の上には、上述した所定の位置に突起パターン１０が形成される。突起パターン１０は、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド等の材料からなる。その形成方法は、上記材料からなる原膜を一旦形成した後、フォトリソグラフィ技術を応用して原膜をエッチングすることで成形ないしパターニングすることができる。この形成手法では、原膜上に形成するレジスト膜に対する露光処理（パターニング）の如何によって、突起パターン１０の形状を自由に定めることができる。この例では、略円錐台の形状をしているが、四角柱状、あるいは円柱状の形状としてもよい。そして、突起パターン１０の上から配向膜（図示せず）が形成され、ラビング処理が施される。
【００５３】
そして、画素電極６と対向電極１５８が向かい合うように素子基板１５１と対向基板１５２とが張り合わせられる。突起パターン１０はセルギャップ間隔を規制するから、素子基板１５１と対向基板１５２とは一定の間隙を保つことになる。
【００５４】
＜２．第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る液晶パネルＡＡについて説明する。この液晶パネルＡＡは、突起パターン１０の配置を除いて、第１実施形態の液晶パネルＡＡと同様に構成されている。
【００５５】
図９は、第２実施形態の液晶パネルの詳細な構造を示す平面図である。図１０は、同パネルにおける突起パターン、データ線、走査線、及び遮光層の関係を模式的に示す平面図である。これらの図に示すように、突起パターン１０は、その一部が走査線２と重なるように形成されている。上述したように第１遮光層７１は、走査線２を覆うように形成されるから、突起パターン１０の一部を走査線２と重なるように配置すると、第２遮光層７２と第１遮光層７１とが領域７３において重なる。換言すれば、突起パターン１０の一部又は全部を走査線２と重なるように形成し、第２遮光層７２の一部又は全部を第１遮光層７１と兼用したのである。従って、第１遮光層７１からはみ出る第２遮光層７２の面積を縮小することができる。これにより、開口部の面積を拡大することが可能となる。
【００５６】
また、突起パターン１０の一部が走査線２と重なる場合には、図１１に示すように突起パターン１０の中心１０Ｃが走査線２の上にない場合が含まれるが、第２遮光層７２を第１遮光層７３と兼用して開口率を向上させるという観点からは、図１０に示すように、中心１０Ｃが走査線２の上にあることが好ましい。さらに、開口率をより一層向上させるという観点から、データ線３と走査線２との重複領域に中心１０Ｃがあることが好ましい。
【００５７】
＜３．第３実施形態＞
次に、第３実施形態に係る液晶パネルＡＡについて説明する。この液晶パネルＡＡは、突起パターン１０の配置を除いて、第１実施形態の液晶パネルＡＡと同様に構成されている。
【００５８】
図１２は、第３実施形態の液晶パネルの詳細な構造を示す平面図である。この図に示すように、突起パターン１０は、その一部が容量線４と重なるように形成されている。一般に素子基板１５１に形成される絶縁膜の平坦性は、その下部に位置している各種のパターンに大きく依存する。従って、突起パターン１０を配設する絶縁膜の下部に複数のパターンが存在すると、当該領域において絶縁膜厚が不均一となりやすい。しかし、容量線４は線幅が太く平坦性に優れているため、その上部の絶縁膜は膜厚及び平坦性が良好である。そこで、突起パターン１０をその一部が容量線４の上に重なるように配置したのである。これにより、第２遮光層７２を第１遮光層７１と兼用して開口率を向上できるとともに、突起パターン１０を安定して形成し、セルギャップ間隔を正確に定めることができる、といった効果がある。
【００５９】
なお、突起パターン１０の大きさが小さい場合には、突起パターン１０の全部が容量線４に重なってもよい。また、より安定性を向上する観点から、突起パターン１０の中心が容量線４と重なることが好ましい。
【００６０】
＜４．第４実施形態＞
次に、第４実施形態に係る液晶パネルＡＡについて説明する。この液晶パネルＡＡは、突起パターン１０の配置を除いて、第１実施形態の液晶パネルＡＡと同様に構成されている。本実施形態は、第３実施形態と同様に突起パターン１０の安定性に着目して、突起パターン１０を配置したものである。
【００６１】
図１３は、第４実施形態の液晶パネルの詳細な構造を示す平面図である。この図に示すように、突起パターン１０は、その全部が、走査線２、データ線３、及び容量線４によって囲まれた領域と重なるように形成されて。当該領域においては、絶縁膜の下部にメタルパターンが存在しないため、当該領域の絶縁膜は膜厚及び平坦性が最良である。従って、突起パターン１０をこの領域に形成することによって、突起パターン１０を安定して形成し、セルギャップ間隔をより一層正確に定めることができる。といった効果がある。
【００６２】
なお、突起パターン１０の大きさが大きい場合には、突起パターン１０の一部が当該領域に重なってもよい。また、より安定性を向上する観点から、突起パターン１０の中心が当該領域内となることが好ましい。
【００６３】
＜５．第５実施形態＞
次に、第５実施形態に係る液晶パネルＡＡについて説明する。この液晶パネルＡＡは、突起パターン１０及び第２遮光層７２の配置、並びに第３遮光層７３を配設した点を除いて、第１実施形態の液晶パネルＡＡと同様に構成されている。
【００６４】
図１４は、第５実施形態に係る液晶パネルＡＡにおける突起パターン、遮光層、及びカラーフィルタの関係を示す模式図である。この図に示すように突起パターン１０は、第１遮光層７１と重なるように形成されている。また、第２遮光層７２は、第１遮光層７１と重なるように形成されている。
【００６５】
そして、対向基板１５２には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）のカラーフィルタが形成されており、また、青色のカラーフィルタに対してラビング方向の上手側にだけ突起パターン１０が形成されている。このように青色のカラーフィルタと突起パターン１０とを配置したのは、他の色と比較して、光り漏れが発生した場合に視覚的に目立たないからである。従って、製造工程で突起パターン１０を形成する位置がズレたり、あるいは、素子基板１５１と対向基板１５２との張り合わせ位置に誤差があり、光り漏れが発生しても、視覚的に目立たなくすることができる。
【００６６】
また、本実施形態においては、突起パターン１０が設けられていない画素についても、突起パターン１０が設けられた画素と同じ色の画素には第３遮光層７３が設けられている。換言すれば、同じ色では開口部の面積が同じになるように第３遮光層７３を形成している。カラーフィルタの色濃度は、開口部の面積に応じて調整する必要がある。従って、同一色で開口部の面積が異なると、第２遮光層７２が設けられた画素については色濃度を異ならせる必要があり、カラーフィルタの製造工程が複雑となる。これに対して、本実施形態では、第３遮光層７３を設けたのでカラーフィルタの色設計及び製造が容易になる。なお、第３遮光層７３を設けると、開口率が低下するので、画面の明るさを優先する場合には、第３遮光層７３を設けなければよい。
【００６７】
＜６．第６実施形態＞
次に、第６実施形態に係る液晶パネルＡＡについて説明する。この液晶パネルＡＡは、突起パターン１０及び第２遮光層７２の配置、並びに第３遮光層７３を配設した点を除いて、第１実施形態の液晶パネルＡＡと同様に構成されている。
【００６８】
図１５は、第６実施形態に係る液晶パネルＡＡにおける突起パターン、遮光層、及びカラーフィルタの関係を示す模式図である。この図に示すように突起パターン１０は、第１遮光層７１と重なるように形成されている。また、第２遮光層７２は、第１遮光層７１と重なるように形成されている。ここで、第１行目の突起パターン１０に隣接するカラーフィルタの色の組はＢとＲであり、第２行目の突起パターン１０に隣接するカラーフィルタの色の組はＲとＧであり、第３行目の突起パターン１０に隣接するカラーフィルタの色の組はＧとＢである。
【００６９】
つまり、突起パターン１０は、１行ごとに第１遮光層７１と重なるように形成され、且つ、左右に隣接するカラーフィルタの色の組が行方向に異なり、３行周期で総ての色の組となるように配置されている。このように突起パターン１０を配置することによって、各色の開口率を等しくすることができ、色間の明るさを揃えることが可能となる。
【００７０】
なお、この例では１行ごとに突起パターン１０を形成したが所定の行数ごとに突起パターン１０を形成してもよい。さらに、３行周期で総ての色の組となるように突起パターン１０が配置されたが、所定行周期で総ての色の組となるように突起パターン１０が配置されてもよい。
【００７１】
＜７．第７実施形態＞
次に、第７実施形態に係る液晶パネルＡＡについて説明する。この液晶パネルＡＡは、突起パターン１０の周辺の凹凸形状部を除去した点を除いて、第１実施形態の液晶パネルＡＡと同様に構成されている。
【００７２】
図１６は、第７実施形態に係る液晶パネルＡＡの構造を示す詳細な平面図である。同図（Ａ）に示す構造では、反射領域の凹部Ｈが突起パターン１０に近接している。このため、凹部Ｈの影響を受けて突起パターン１０と接する上層第２層間絶縁膜１６３が波打っているので、突起パターン１０の安定性が十分でない。そこで、同図（Ｂ）に示すように突起パターン１０の周辺から凹部Ｈを削除する。これにより、突起パターン１０を平坦な領域に形成することができ、セルギャップを正確に定めることができる。なお、コンタクトホールの周辺等も凹凸が発生するので、突起パターン１０はコンタンクトホールと重ならないように形成することが好ましい。
【００７３】
＜８．応用例＞
＜８−１：素子基板の構成など＞
上述した各実施形態においては、液晶パネルの素子基板１５１をガラス等の透明な絶縁性基板により構成して、当該基板上にシリコン薄膜を形成するとともに、当該薄膜上にソース、ドレイン、チャネルが形成されたＴＦＴによって、画素のスイッチング素子（ＴＦＴ５０）やデータ線駆動回路２００、および走査線駆動回路１００の素子を構成するものとして説明したが、本発明はこれに限られるものではない。
【００７４】
例えば、素子基板１５１を半導体基板により構成して、当該半導体基板の表面にソース、ドレイン、チャネルが形成された絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって、画素のスイッチング素子や各種の回路の素子を構成しても良い。このように素子基板１５１を半導体基板により構成する場合には、透過型の表示パネルとして用いることができないため、画素電極６をアルミニウムなどで形成して、反射型として用いられることとなる。また、単に、素子基板１５１を透明基板として、画素電極６を反射型にしても良い。
【００７５】
さらに、上述した実施の形態にあっては、画素のスイッチング素子を、ＴＦＴで代表される３端子素子として説明したが、ダイオード等の２端子素子で構成しても良い。ただし、画素のスイッチング素子として２端子素子を用いる場合には、走査線２を一方の基板に形成し、データ線３を他方の基板に形成するとともに、２端子素子を、走査線２またはデータ線３のいずれか一方と、画素電極との間に形成する必要がある。この場合、画素は、走査線２とデータ線３との間に直列接続された二端子素子と、液晶とから構成されることとなる。
【００７６】
また、本発明は、アクティブマトリクス型液晶表示装置として説明したが、これに限られず、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ  Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）液晶などを用いたパッシィブ型にも適用可能である。さらに、電子ペーパー等の電気泳動装置等にも適用可能である。
【００７７】
＜８−２：電子機器＞
次に、上述した液晶装置を各種の電子機器に適用される場合について説明する。
＜８−２−１：プロジェクタ＞
まず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１７は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
【００７８】
この図に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【００７９】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶パネルＡＡと同等であり、画像信号処理回路（図示省略）から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００８０】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００８１】
なお、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００８２】
＜８−２−２：モバイル型コンピュータ＞
次に、この液晶パネルを、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図１８は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。この液晶表示ユニット１２０６は、先に述べた液晶パネル１００５の背面にバックライトを付加することにより構成されている。
【００８３】
＜８−２−３：携帯電話＞
さらに、この液晶パネルを、携帯電話に適用した例について説明する。図１９は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の液晶パネル１００５を備えるものである。この反射型の液晶パネル１００５にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。
【００８４】
なお、図１７〜図１９を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る液晶パネルＡＡの構成を示す斜視図である。
【図２】図１におけるＺ−Ｚ’線の断面図である。
【図３】素子基板１５１に形成される画像表示領域Ａの電気的な構成を示す回路図である。
【図４】同パネルにおける突起パターン、データ線、走査線、及び遮光層の関係の一例を模式的に示す平面図である。
【図５】同パネルにおける突起パターン、データ線、走査線、及び遮光層の関係について他の例を模式的に示す平面図である。
【図６】同パネルにおける開口部と遮光層との関係を模式的に示す平面図である。
【図７】同パネルにおけるにおける突起パターン１０が設けられた周辺画素の詳細な構造を示す平面図である。
【図８】図７におけるＡ−Ａ’断面を示す断面図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る液晶パネルＡＡにおける突起パターン１０が設けられた周辺画素の詳細な構造を示す平面図である。
【図１０】同パネルにおける突起パターン、データ線、走査線、及び遮光層の関係の一例を模式的に示す平面図である。
【図１１】同パネルにおける突起パターン、データ線、走査線、及び遮光層の関係について他の例を模式的に示す平面図である。
【図１２】本発明の第３実施形態に係る液晶パネルＡＡにおける突起パターン１０が設けられた周辺画素の詳細な構造を示す平面図である。
【図１３】本発明の第４実施形態に係る液晶パネルＡＡにおける突起パターン１０が設けられた周辺画素の詳細な構造を示す平面図である。
【図１４】本発明の第５実施形態に係る液晶パネルＡＡにおける突起パターン、遮光層、及びカラーフィルタの関係を示す模式図である。
【図１５】本発明の第６実施形態に係る液晶パネルＡＡにおける突起パターン、遮光層、及びカラーフィルタの関係を示す模式図である。
【図１６】本発明の第７実施形態に係る液晶パネルＡＡの構造を示す詳細な平面図である。
【図１７】同液晶装置を適用した電子機器の一例たるビデオプロジェクタの断面図である。
【図１８】同液晶装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１９】同液晶装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【図２０】従来の技術における遮光層と突起パターンの関係を模式的に示す平面図である。
【符号の説明】
２…走査線、３…データ線、４…容量線、１０…突起パターン、６…画素電極、５０…ＴＦＴ、７０…遮光層、７１…第１遮光層、７２…第２遮光層、７３…第３遮光層。
【図１】
2004252309.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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