(57)【要約】【課題】簡易な構成により発光量の増加を適切に図ることが可能な発光モジュールを提供する。【解決手段】複数のトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２にオン・オフ動作を繰り返し生じさせてＬＥＤ２に周期的に電流が流れるように構成された電気回路を有する発光モジュールＡであって、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２としては、第１導電形のベース電極接続部と第２導電形の拡散領域とがｐｎ接合された構成のトランジスタが用いられている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電源と、少なくとも１つのＬＥＤと、複数のトランジスタとを含み、かつこれらのトランジスタにオン・オフ動作を繰り返し生じさせて上記ＬＥＤに周期的に電流が流れるように構成された電気回路を有する、発光モジュールであって、
上記各トランジスタとしては、コレクタ領域としての第１導電形半導体層と、この第１導電形半導体層に接触した第２導電形のベース領域と、このベース領域に接触した第１導電形のエミッタ領域と、ベース電極に接触し、かつ周囲が上記ベース領域に囲まれるように形成された第１導電形のベース電極接続部と、上記ベース電極接続部との関係においてｐｎ接合を形成する第２導電形の拡散領域とを備えたトランジスタが用いられていることを特徴とする、発光モジュール。
【請求項２】
上記第２導電形の拡散領域は、上記ベース電極接続部と上記ベース領域との間に介在し、この第２導電形の拡散領域と上記ベース電極接続部とは、所定の電圧でツェナー降伏するツェナーダイオードを構成している、請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項３】
上記ベース電極は、外部接続用の導電層と、これに導通する抵抗体とを有しており、かつ上記導電層と上記ベース電極接続部との間に上記抵抗体が介在する構成を有している、請求項１または２に記載の発光モジュール。
【請求項４】
直流電源と、少なくとも１つのＬＥＤと、複数のトランジスタとを含み、かつこれらのトランジスタにオン・オフ動作を繰り返し生じさせて上記ＬＥＤに周期的に電流が流れるように構成された電気回路を有する、発光モジュールであって、
上記各トランジスタとしては、コレクタ領域としての第１導電形半導体層と、この第１導電形半導体層に接触した第２導電形のベース領域と、このベース領域に接触した第１導電形のエミッタ領域と、ベース電極に接触し、かつ周囲が上記ベース領域に囲まれるように形成された第１導電形のベース電極接続部とを備えたトランジスタであって、上記ベース電極は、外部接続用の導電層と、これに導通する抵抗体とを有しており、かつ上記導電層と上記ベース電極接続部との間に上記抵抗体が介在する構成とされたトランジスタが用いられていることを特徴とする、発光モジュール。
【請求項５】
上記電気回路の構成部品のうち、少なくとも上記直流電源以外の部品は、１つの基板に実装されている、請求項１ないし４のいずれかに記載の発光モジュール。
【請求項６】
樹脂パッケージ型の半導体装置を備えており、かつこの半導体装置の１つのパッケージ内に上記複数のトランジスタが内蔵された構成とされている、請求項１ないし５のいずれかに記載の発光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、ＬＥＤを発光駆動させる発光モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＥＤを用いて小型の照明装置などを構成する場合、たとえば発光閾値が３ＶのＬＥＤを、それよりも低電圧の１．５Ｖの１個の電池を用いて駆動することができれば便利である。そこで、従来においては、非特許文献１に記載された電気回路が提案されている。この電気回路の動作は、本願発明の内容の理解に必要であるため、以下にその概略を説明する。
【０００３】
この電気回路は、本願の図６に示すような構成を有し、直流電源１を用いて１つのＬＥＤ２を所定の周波数で発光駆動可能となっており、コイルＬ１およびコンデンサＣ１が直列に接続された共振回路を含んでいる。この回路において、スイッチＳ１がオンされると、直流電源１から抵抗Ｒ２を通じてトランジスタＱ２にベース電流が供給される。すると、このトランジスタＱ２がオンされ、そのコレクタ電流が抵抗Ｒ３を通じてトランジスタＱ１をオンさせる。このトランジスタＱ１のオンにより、コイルＬ１に流れる電流は徐々に増加していき、この電流がトランジスタＱ１の利得により定まる最大値まで達すると、この電流は増加から減少へと切り替わる。この電流の増加から減少への切り替わり点においては、コイルＬ１の端子電圧は正から負へ切り替わり、この負電圧はコンデンサＣ１を介してトランジスタＱ２をオフとする。すると、これに引き続いてトランジスタＱ１もオフとなる。一方、コイルＬ１の端子電圧は、ＬＥＤ２の順方向電圧に達するまで負方向に増加する。このときにコイルＬ１の電流がＬＥＤ２を駆動することとなり、この駆動は電流値がゼロになるまで続く。その後は、抵抗Ｒ２からの電流によりトランジスタＱ２が再度オンし、上記したのと同様なサイクルが繰り返される。
【０００４】
上記した回路によれば、ＬＥＤ２を駆動するのに利用されるコイルＬ１のピーク電流は、抵抗Ｒ３の値とトランジスタＱ１の利得により決まり、たとえば１．５Ｖの電源を用いて発光閾値が３ＶのＬＥＤを所定の周波数で駆動することができる。非特許文献１には、ＬＥＤ２を周波数が約３０ｋＨｚ、ピーク電流が２０ｍＡで駆動する例が記載されている。
【０００５】
【非特許文献１】
「ＥＤＮ  Ｊａｐａｎ」２００２年１０月号，ｐ．８９
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記したような回路を利用した発光モジュールを作製し、これをたとえば照明装置として利用する場合、その明るさを高めたい場合がある。具体的には、既述したとおり、非特許文献１には、周波数が約３０ｋＨｚ、ピーク電流が２０ｍＡの条件でＬＥＤ２を駆動する例が記載されているが、発光モジュールを実際に作製し、実用化する場合には、上記の例では発光量に不足を生じる場合があり、発光量をさらに多くすることが望まれる。
【０００７】
本願発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、簡易な構成により発光量の増加を適切に図ることが可能な発光モジュールを提供することをその課題としている。
【０００８】
【発明の開示】
上記の課題を解決するため、本願発明では、次の技術的手段を講じている。
【０００９】
本願発明の第１の側面によって提供される発光モジュールは、直流電源と、少なくとも１つのＬＥＤと、複数のトランジスタとを含み、かつこれらのトランジスタにオン・オフ動作を繰り返し生じさせて上記ＬＥＤに周期的に電流が流れるように構成された電気回路を有する、発光モジュールであって、上記各トランジスタとしては、コレクタ領域としての第１導電形半導体層と、この第１導電形半導体層に接触した第２導電形のベース領域と、このベース領域に接触した第１導電形のエミッタ領域と、ベース電極に接触し、かつ周囲が上記ベース領域に囲まれるように形成された第１導電形のベース電極接続部と、上記ベース電極接続部との関係においてｐｎ接合を形成する第２導電形の拡散領域とを備えたトランジスタが用いられていることを特徴としている。
【００１０】
好ましい実施の形態においては、上記第２導電形の拡散領域は、上記ベース電極接続部と上記ベース領域との間に介在し、この第２導電形の拡散領域と上記ベース電極接続部とは、所定の電圧でツェナー降伏するツェナーダイオードを構成している。
【００１１】
このような構成によれば、上記各トランジスタは、後に詳述するように、スイッチング動作時に少数キャリアがベース領域に蓄積する現象がｐｎ接合により構成されたツェナーダイオードの作用により防止され、スイッチング速度が高速なものとなる。したがって、従来技術よりもＬＥＤの駆動周波数を高め、発光モジュールの発光量を多くすることが可能となる。また、上記各トランジスタにおいては、ベース電極接続部の不純物濃度を低下させることなくツェナー電圧を下げることが可能となり、ベース電極接続部の抵抗を小さくしたままツェナー電圧の調整幅を広げることができる。
【００１２】
本願発明の第２の側面によって提供される発光モジュールは、直流電源と、少なくとも１つのＬＥＤと、複数のトランジスタとを含み、かつこれらのトランジスタにオン・オフ動作を繰り返し生じさせて上記ＬＥＤに周期的に電流が流れるように構成された電気回路を有する、発光モジュールであって、上記各トランジスタとしては、コレクタ領域としての第１導電形半導体層と、この第１導電形半導体層に接触した第２導電形のベース領域と、このベース領域に接触した第１導電形のエミッタ領域と、ベース電極に接触し、かつ周囲が上記ベース領域に囲まれるように形成された第１導電形のベース電極接続部とを備えたトランジスタであって、上記ベース電極は、外部接続用の導電層と、これに導通する抵抗体とを有しており、かつ上記導電層と上記ベース電極接続部との間に上記抵抗体が介在する構成とされたバイポーラトランジスタが用いられていることを特徴としている。
【００１３】
このような構成によれば、上記各トランジスタは、ベース電極が抵抗体を備えていることにより、高破壊耐量化が図られたものとなる。したがって、ＬＥＤの数を多くして上記各トランジスタに流れる電流量を多くしても、上記各トランジスタはこれに対処し得るものとなり、ＬＥＤの数を増やして発光モジュールの発光量を多くすることが適切に実現可能となる。上記各トランジスタは、ベース電極に接触したベース電極接続部が設けられている構造を有しているが、この構造によれば、上記ベース電極接続部を具備しないものと比較すると、スイッチング速度の高速化が図られる。
【００１４】
本願発明の好ましい実施の形態においては、本願発明の第１の側面により提供される発光モジュールにおいて、本願発明の第２の側面により提供される発光モジュールの特徴的な構成を組み合わせた構成とすることができる。より具体的には、本願の第１の側面により提供される発光モジュールにおいて、上記ベース電極は、外部接続用の導電層と、これに導通する抵抗体とを有しており、かつ上記導電層と上記ベース電極接続部との間に上記抵抗体が介在した構成とすることができる。このような構成によれば、上記各トランジスタは、スイッチングの高速性と高破壊耐量性とのいずれにも優れたものとなり、ＬＥＤの駆動周波数を高めることと、ＬＥＤの数を増やすこととを同時に図ることができ、発光量を多くするのにより好適となる。
【００１５】
本願発明の好ましい実施の形態においては、上記電気回路の構成部品のうち、少なくとも上記直流電源以外の部品は、１つの基板に実装されている。このような構成によれば、発光モジュールの小型化を図ることができる。
【００１６】
本願発明の好ましい実施の形態においては、樹脂パッケージ型の半導体装置を備えており、かつこの半導体装置の１つのパッケージ内に上記複数のトランジスタが内蔵された構成とされている。このような構成によれば、上記複数のトランジスタのいわゆるワンパッケージ化が図られているために、実装作業の容易化などによるコストの低減、ならびに全体の小型化を好適に図ることができる。
【００１７】
本願発明のその他の特徴および利点については、以下に行う発明の実施の形態の説明から、より明らかになるであろう。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の好ましい実施の形態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。
【００１９】
図１は、本願発明に係る発光モジュールの回路構成の一例を示している。図６に示した従来技術と同一または類似の要素には、従来技術と同一の符号を付している。本実施形態の発光モジュールＡは、２つのトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２、直流電源１、複数のＬＥＤ２、およびその他の後述する電気部品とを備えて構成されている。
【００２０】
発光モジュールＡの電気回路としての基本的な構成は、図６に示した電気回路と同様である。したがって、この発光モジュールＡにおいては、スイッチＳ１をオンにすると、２つのトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２、コイルＬ１、コンデンサＣ１、および３つの抵抗Ｒ１〜Ｒ３の作用により、複数のＬＥＤ２に周期的に電流が流れるようになっている。その具体的な作用の内容は、従来技術において述べたのと同様であるため、その説明は省略する。直流電源１としては、たとえば１．５Ｖの電池が用いられているとともに、複数のＬＥＤ２としては、白色光を発するもの、Ｒ，Ｇ，Ｂのそれぞれの色彩の光を発するもの、あるいは赤外光を発するものなど、種々のものを用いることが可能であり、その種類は発光モジュールＡの用途に応じて適宜選択することができる。２つのトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２は、後述するように、従来の一般のトランジスタとは異なる構造を有しており、また１つの半導体装置５に内蔵されている。
【００２１】
発光モジュールＡの全体の機械的な構造は、図２に示すように、エポキシ樹脂製やセラミック製などの絶縁部材からなる基板３の片面に、複数のＬＥＤ２が実装されているとともに、基板３の反対側の面には、半導体装置５や抵抗Ｒ１〜Ｒ３など、上記電気回路を構成する複数のＬＥＤ２以外の部品群が集約して実装された構造となっている。ただし、直流電源１については基板３に実装されていない。ＬＥＤ２は、たとえばその裏面の電極が基板３の端子上に機械的および電気的に接続され、かつ表面の電極がワイヤＷ１を介して基板３の他の端子上に電気的に接続されるようにして実装された上で、透明樹脂２０により覆われて保護されている。この発光モジュールＡにおいては、複数のＬＥＤ２を所望の照明領域に向けた姿勢にすると、発光モジュールＡのそれ以外の電気回路部分については、基板３の照明領域とは反対側を向いて基板３の裏面側に隠れることとなる。したがって、発光モジュールＡを所望箇所に取り付けたときの体裁を良くしたり、電気回路の保護を図るのに好都合となる。
【００２２】
トランジスタＴｒ１は、ｐｎｐ形であるのに対し、トランジスタＴｒ２は、ｎｐｎ形である。図３に示すように、トランジスタＴｒ２は、第１導電形（ｎ＋  ）の半導体基板４０の表裏面に、コレクタ領域としての第１導電形（ｎ形）半導体層４１およびコレクタ電極４１Ａとが設けられた構成を有している。第１導電形半導体層４１の表面部には、この第１導電形半導体層４１によって周囲が囲まれた第２導電形（ｐ形）のベース領域４２が設けられている。このベース領域４２の表面部には、このベース領域４２によって周囲が囲まれた第１導電形（ｎ＋  ）のエミッタ領域４３が設けられ、かつこれにエミッタ電極４３Ａが導通接触している。第１導電形半導体層４１、ベース領域４２、およびエミッタ領域４３のそれぞれの表層部分は、酸化シリコンなどの絶縁膜４９により覆われており、この絶縁膜４９上には、エミッタ電極４３Ａや後述するベース電極４２Ａの一部を覆う窒化シリコンなどからなる保護膜４８が形成されている。
【００２３】
ベース電極４２Ａは、２つの導電層４２ａ，４２ｂと、抵抗体４２ｃとを備えて構成されている。導電層４２ａ，４２ｂは、たとえば金属からなり、導電層４２ａは、その一部分が保護膜４８から外部に露出した外部接続用の導電層である。導電層４２ｂは、絶縁膜４９を貫通してベース領域４２との導通を図るための内部接触用の導電層である。抵抗体４２ｃは、たとえばポリシリコンからなり、２つの導電層４２ａ，４２ｂはこの抵抗体４２ｃを介して繋がっている。したがって、導電層４２ａからベース領域４２に流れる電流は、この抵抗体４２ｃを通過するようになっている。
【００２４】
ベース領域４２の表面部のうち、導電層４２ｂの直下には、第１導電形（ｎ＋  ）のベース電極接続部４４が設けられている。また、このベース電極接続部４４の周囲には、第２導電形（ｐ＋  ）のツェナー電圧コントロール拡散領域４５が設けられている。このツェナー電圧コントロール拡散領域４５が、本願発明でいう第２導電形の拡散領域の一例に相当する。ベース電極接続部４４およびツェナー電圧コントロール拡散領域４５は、ｐｎ接合を形成しており、所望の電圧でツェナー降伏するツェナーダイオードとして機能する。したがって、このトランジスタＴｒ２は、ベースにツェナーダイオードおよび抵抗体が直列に接続されて内臓された構造をもつバイポーラトランジスタとなっている。このトランジスタＴｒ２のベース電極４２Ａやその他の主要部分の平面的な配置は、図４に示すとおりである。
【００２５】
トランジスタＴｒ１は、ｐｎｐ形であるため、上記したトランジスタＴｒ２とは、ｎ形とｐ形とが反対の関係にあり、それ以外の構成はトランジスタＴｒ２と同様である。本願発明でいう第１導電形および第２導電形の具体的な内容は、トランジスタがｎｐｎ形とｐｎｐ形とのいずれであるかによってその内容が異なり、ｎｐｎ形の場合の第１導電形はｎ形であり、ｐｎｐ形の場合の第１導電形はｐ形である。
【００２６】
図５に示すように、半導体装置５は、２つのトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２を１つのパッケージング樹脂５０によってパッケージした構成を有している。より具体的には、２つのトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２は、金属板からなる２つのリード５１ａ，５１ｂ上に搭載されて、その裏面の電極（コレクタ）がリード５１ａ，５１ｂに導通している。トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の上面のベース電極４２Ａおよびエミッタ電極４３Ａは、ワイヤＷ２を介して複数のリード５１ｃに接続されている。パッケージング樹脂５０は、それらワイヤＷ２やトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２を覆っており、このパッケージング樹脂５０の外部に、リード５１ａ〜５１ｃの一部が突出し、この突出部分が面実装用の端子部となっている。このように、２つのトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２を１つのパッケージに纏めると、実装作業工程数の減少による作業能率の向上、および実装スペースの狭小化を図ることができる。
【００２７】
次に、本実施形態の発光モジュールＡの作用について説明する。
【００２８】
この発光モジュールＡは、既述したとおり、２つのトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２にオン・オフ動作を繰り返し生じさせることにより、複数のＬＥＤ２を所定の周波数で発光駆動させることが可能である。この発光モジュールＡの電気回路は、共振回路を含んでおり、その共振周波数は、コイルＬ１およびコンデンサＣ１のインダクタンスとキャパシタンスにより決定されるものの、ＬＥＤ２の実際の駆動周波数には、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２のスイッチング速度が大きく関係する。２つのトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２のスイッチング速度が高速であれば、複数のＬＥＤ２の駆動周波数を高めることが可能となる。また、複数のＬＥＤ２を同時に発光させる場合には、比較的大きな電流がトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２に流れることとなるため、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２は高破壊耐量のものである必要がある。この発光モジュールＡは、次に述べるように、そのような要件を満たすものとなっている。
【００２９】
トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２においては、図３に示したように、ベース電極接続部４４およびツェナー電圧コントロール拡散領域４５は、ｐｎ接合を形成しており、所望の電圧でツェナー降伏するツェナーダイオードとして機能する。したがって、ベース電極４２Ａとベース領域４２との間に、少数キャリアとしての電子がせき止められて、スイッチング動作時にベース領域４２に電子の蓄積が生じないようにすることができる。これにより、スイッチング損失を少なくし、高速スイッチングが可能となる。なお、ツェナー電圧以上の入力電圧が印加されないと、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２が動作しないため、デジタルトランジスタとして好適に動作することとなる。
【００３０】
また、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２においては、ベース電極接続部４４の周囲に、ベース領域４２と同じ導電形のツェナー電圧コントロール拡散領域４５が設けられているために、このツェナー電圧コントロール拡散領域４５の不純物濃度をベース電極接続部４４の不純物濃度に近づけることにより、ツェナー電圧を下げることができる。ツェナー電圧は、ｐｎ接合における不純物濃度の差が小さいほど小さくなるからである。したがって、本実施形態の発光モジュールＡにおいては信号電圧が比較的低いものの、このような場合であってもベース電極接続部４４の不純物濃度を大幅に下げることなく、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２を的確に動作させることが可能となる。
【００３１】
ｐｎ接合を形成し、かつツェナーダイオードを構成するだけであれば、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の構造とは異なり、たとえばツェナー電圧コントロール拡散領域４５を設けることなく、ベース電極４２Ａとのコンタクト部分にベース電極接続部４４を形成するだけでも可能である。ところが、この場合にはベース電極接続部４４の不純物濃度を余り下げると、ベース電極４２Ａとのコンタクト抵抗が増大してトランジスタが所望の特性を発揮しないものとなる虞れがある。これに対し、本実施形態で用いられているトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２においては、ベース電極接続部４４の不純物濃度を余り下げることなく（すなわち、ベース電極接続部４４の抵抗を増大させることなく）、ツェナー電圧を下げることが可能となる。したがって、ツェナー電圧の調整幅を広げ、しかもその調整を適切に行なうことができるのである。
【００３２】
なお、ツェナー電圧コントロール拡散領域４５は、ベース領域４２よりも不純物濃度の高い領域を形成し、低い電圧でもツェナー降伏を起こさせるものであるため、ベース電極接続部４４とのｐｎ接合の一部に形成されていれば、そこでツェナー降伏をする。そのため、ベース電極接続部４４の周囲全体にわたって形成されていなくても、周囲の一部やベース電極接続部４４の拡散深さより浅い拡散領域で十分に目的を達成することができる。また、ツェナー電圧コントロール拡散領域４５の形成は、たとえばベース電極接続部４４を形成した後に、その上面にマスクを施した状態でツェナー電圧コントロール拡散領域４５の形成用の不純物を拡散させることによって形成するのが好ましい。このようにすれば、ベース電極接続部４４の不純物濃度を下げる虞れがないためである。この場合、ベース電極接続部４４とツェナー電圧コントロール拡散領域４５とが離れすぎたり、オーバラップしないようにマスク合わせする必要があるが、少々のマスクずれは余り問題にならない。
【００３３】
トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２においては、ベース電極４２Ａが抵抗体４２ｃを有しているために、ベース電流の増加に伴ってコレクタ電流が増大する現象に起因する破壊も抑制される。すなわち、ベースにツェナーダイオードが実質的に組み込まれたトランジスタにおいては、印加電圧がツェナー電圧を超えない限りベース電流は流れないものの、ツェナー電圧を超えてベース電流が流れ始めた場合において、ベース・エミッタ間電圧がツェナー電圧を超えると、ベース電流は急激に増大する。そのため、コレクタ電流も急激に増大し、トランジスタの破壊に至る虞れがある。これに対し、本実施形態で用いられているトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２においては、抵抗体４２ｃを備えていることにより電圧降下が生じ、ベース領域４２とエミッタ領域４３との間に印加される電圧はその電圧降下分だけ低くなるため、上記したような不具合が解消され、高破壊耐量化が図られる。
【００３４】
このように、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２は、高速スイッチング性能に優れ、かつ高破壊耐量化が図られている。したがって、ＬＥＤ２の駆動周波数を、たとえば２００ｋＨｚ程度あるいはそれ以上に高めて発光量を多くすることができるのに加え、電流の増大に対処できることから、ＬＥＤ２の数を多くすることによっても発光量を多くすることが可能となる。
【００３５】
本願発明は、上記実施形態の内容に限定されない。本願発明において用いられるトランジスタとしては、たとえば上記実施形態の図３に示したトランジスタＴｒ２において、ベース電極４２Ａに抵抗体４２ｃを具備させない構成としたり、あるいはベース電極４２Ａの構成はそのままにしてツェナー電圧コントロール拡散領域４５を具備しない構成とすることもできる。前者の場合には高速スイッチング性能に優れ、また後者の場合には高破壊耐量化が図られているために、いずれの場合にも従来技術と比較して発光モジュールの発光量を多くすることが可能である。
【００３６】
本願発明の発光モジュールの電気回路としては、その構成を簡素化する観点からすると、上記実施形態のような電気回路が好ましいものの、やはりこれに限定されず、異なる構成にすることもできる。ＬＥＤの種類や数も限定されない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明に係る発光モジュールの電気回路の一例を示す説明図である。
【図２】本願発明に係る発光モジュールの概略側面断面図である。
【図３】本願発明に係る発光モジュールに用いられているトランジスタの一例を示す断面図である。
【図４】図３に示すトランジスタの主要部分の配置を模式的に示す平面図である。
【図５】（ａ）は、トランジスタを備えた半導体装置の一例を示す平面説明図であり、（ｂ）は、その正面断面図である。
【図６】従来技術の電気回路図である。
【符号の説明】
Ａ  発光モジュール
Ｔｒ１，Ｔｒ２  トランジスタ
１  直流電源
２  ＬＥＤ
３  基板
５  半導体装置
４１  第１導電形半導体層（コレクタ領域）
４２  ベース領域
４２Ａ  ベース電極
４２ａ  外部接続用の導電層
４２ｃ  抵抗体
４３  エミッタ領域
４４  ベース電極接続部
４５  ツェナー電圧コントロール拡散領域（第２導電形の拡散領域）
５０  パッケージング樹脂
【図１】
2004253691.tif 000003
【図２】
2004253691.tif 000004
【図３】
2004253691.tif 000005
【図４】
2004253691.tif 000006
【図５】
2004253691.tif 000007
【図６】
2004253691.tif 000008