(57)【要約】      （修正有）【課題】外部端子電極を所望の位置に配設することのできるウェハレベルＣＳＰ構造の縦続縦結合ＤＭＳフィルタ装置を提供する。【解決手段】圧電基板の一方の主面に振動伝搬部と該振動伝搬部の一部と電気的に接続したパッド電極を形成した弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子の主面上の前記振動伝搬部と前記パッド電極との一部を除く領域を覆うように形成した第１の絶縁膜と、前記振動伝搬部と該振動伝搬部の周縁に形成された前記第１の絶縁膜上面とを前記振動伝搬部と所定の間隙を隔てて覆うように形成した第２の絶縁膜と、前記パッド電極の一部と導通し少なくとも前記第１の絶縁膜の上面まで延びる再配線リード電極と、前記第１の絶縁膜上の前記再配線リード電極と電気的に接続された柱状電極と、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜と前記再配線リード電極とを覆うと共に前記柱状電極の上端が露出するように形成した封止部材とを備えた。【選択図】図１
2004274574.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板の一方の主面に振動伝搬部と該振動伝搬部の一部と電気的に接続したパッド電極を形成した弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子の主面上の前記振動伝搬部と前記パッド電極の一部とを除く領域を覆うように形成した第１の絶縁膜と、前記振動伝搬部と該振動伝搬部の周縁に形成された前記第１の絶縁膜上面とを前記振動伝搬部と所定の間隙を隔てて覆うように形成した第２の絶縁膜と、前記パッド電極の一部と導通し少なくとも前記第１の絶縁膜の上面まで延びる再配線リード電極と、前記第１の絶縁膜上の前記再配線リード電極と電気的に接続された柱状電極と、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜と前記再配線リード電極とを覆うと共に前記柱状電極の上端が露出するように形成した封止部材と、を備えた弾性表面波装置。
【請求項２】
圧電基板の一方の主面に振動伝搬部と該振動伝搬部の一部と電気的に接続したパッド電極とを形成した弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子の主面上の前記振動伝搬部と前記パッド電極との一部を除く領域を覆うように形成した第１の絶縁膜と、前記振動伝搬部と前記第１の絶縁膜上面とを前記振動伝搬部と所定の間隙を隔てて覆うように形成した第２の絶縁膜と、前記パッド電極の一部と導通し前記第２の絶縁膜の上面まで延びる再配線リード電極と、前記第２の絶縁膜上の前記再配線リード電極と電気的に接続された柱状電極と、前記第２の絶縁膜と前記再配線リード電極とを覆うと共に前記柱状電極の上端が露出するように形成した封止部材と、を備えた弾性表面波装置。
【請求項３】
前記第１及び前記第２の絶縁膜の少なくとも一方が感光性樹脂であることを特徴とする請求項１又は２に記載の弾性表面波装置。
【請求項４】
前記圧電基板の他方の主面に樹脂材を配設したことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の弾性表面波装置。
【請求項５】
前記樹脂材が前記圧電基板と前記前記第１の絶縁膜との境界を覆うようにこれらの側面まで延設されており、前記樹脂材の外端面夫々と対応する位置の前記封止部材の外端面夫々とが互いに略一致することを特徴とする請求項４に記載の弾性表面波装置。
【請求項６】
前記圧電基板の他方の主面に弾性表面波装置の方向を認識する手段が形成していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の弾性表面波装置。
【請求項７】
前記圧電基板の他方の主面に配設された前記樹脂材上に弾性表面波装置の方向を認識する手段が形成していることを特徴とする請求項４又は５に記載の弾性表面波装置。
【請求項８】
圧電基板の一方の主面に振動伝搬部と該振動伝搬部の一部と電気的に接続したパッド電極とを形成する電極形成工程と、
前記圧電基板の一方の主面上の前記振動伝搬部と前記パッド電極との一部を除く領域を覆うように第１の絶縁膜を形成する第１の絶縁膜形成工程と、
前記振動伝搬部と前記第１の絶縁膜上面とを前記振動伝搬部と所定の間隙を隔てて覆うように第２の絶縁膜を形成する第２の絶縁膜形成工程と、
前記パッド電極の一部と導通し且ついずれかの絶縁膜の上面まで延びる再配線リード電極を形成する再配線リード電極形成工程と、
前記いずれかの絶縁膜上に配置した前記再配線リード電極上に前記柱状電極を形成する柱状電極形成と、
前記柱状電極の上端部分を残して前記第１及び前記第２の絶縁膜と前記再配線リード電極とを覆うように封止部材を形成する封止部材形成工程と、
を有することを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項９】
前記圧電基板の他方の主面上に樹脂材を配設する樹脂材配設工程を含むことを特徴とする請求項８記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１０】
前記電極形成工程において、１枚の大型圧電基板母材から複数組の前記振動伝搬部と前記パッド電極とを形成し、該大型圧電基板母材の状態で以降の工程を行った後に個片に分割することを特徴とする請求項８又は９に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は小型、薄型化、低コストなウェハレベルＣＳＰ構造の弾性表面波装置、特に縦続縦結合ＤＭＳフィルタ装置とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、弾性表面波フィルタは通信分野で広く利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有することから特に携帯電話機等の移動体通信機器に多く用いられている。携帯電話機のＲＦ部に用いられるフィルタの１つとして、１次と３次の縦モードを利用した広帯域の縦結合二重モード弾性表面波フィルタ（以下、縦結合ＤＭＳフィルタと称す。）がある。また急峻な減衰傾度及び大きな保証減衰量を必要とする場面では、圧電基板上に縦結合ＤＭＳフィルタを２個併置する縦続接続型縦結合ＤＭＳフィルタ（以下、縦続縦結合ＤＭＳフィルタと称す。）が用いられる。
【０００３】
図６は縦続縦結合ＤＭＳフィルタ素子の電極構造の一例を示す図であって、図７は縦続縦結合ＤＭＳフィルタを構成する縦結合ＤＭＳフィルタの詳細説明図である。
図６に示す縦続縦結合ＤＭＳフィルタ素子１１は、図７（ａ）に示した圧電基板の一方の主面に表面波の伝搬方向（図中矢印）に沿って、それぞれ互いに間挿し合う複数の電極指を有する一対の櫛形電極から成るＩＤＴ電極１乃至３を近接配置し、その両側にグレーティング反射器（以下、反射器と称す。）４ａ、４ｂを配設してなる振動伝搬部、即ち縦結合ＤＭＳフィルタ５と、
図７（ｂ）に示した圧電基板の一方の主面に表面波の伝搬方向（図中矢印）に沿って、それぞれ互いに間挿し合う複数の電極指を有する一対の櫛形電極から成るＩＤＴ電極６乃至８を近接配置し、その両側に反射器９ａ、９ｂを配設してなる振動伝搬部、即ち縦結合ＤＭＳフィルタ１０と、
入力用パッド電極ＩＮと、出力用パッド電極ＯＵＴと、アース電位用のパッド電極Ｅ１乃至Ｅ４と、を備え、
パッド電極ＩＮは縦結合ＤＭＳフィルタ５の中央近傍の基板端縁側に、パッド電極ＯＵＴは縦結合ＤＭＳフィルタ１０の中央近傍の基板端縁側に、パッド電極Ｅ１乃至Ｅ４は縦結合ＤＭＳフィルタ５と縦結合ＤＭＳフィルタ１０との間隙に配設されると共にパッド電極ＩＮとパッド電極ＯＵＴとを結ぶ線と直交するように一列に配設されており、縦結合ＤＭＳフィルタ５と縦結合ＤＭＳフィルタ１０とが図中上下方向に線対称に配置されると共に、縦結合ＤＭＳフィルタ５と縦結合ＤＭＳフィルタ１０とにパッド電極Ｅ１乃至Ｅ４、パッド電極ＩＮ、パッド電極ＯＵＴ夫々を電気的に接続するリード電極は圧電基板の中央を基準として点対称になるように引き回されている。
【０００４】
更にリード電極の引き回しを詳細に説明すると、ＩＤＴ電極１が備える櫛形電極１ａ（図中上側）の略中央からリード電極を上側方向に延ばし、パッド電極ＩＮに接続する。また、ＩＤＴ電極６が備える櫛形電極６ａ（図中下側）の略中央からリード電極を下側方向に延ばし、パッド電極ＯＵＴに接続する。
ＩＤＴ電極１が備える櫛形電極１ｂ（図中下側）の略中央からリード電極を下側方向に延ばし、パッド電極Ｅ３に接続する。また、ＩＤＴ電極６が備える櫛形電極６ｂ（図中上側）の略中央からリード電極を上側方向に延ばし、パッド電極Ｅ２にそれぞれ接続する。
ＩＤＴ電極２が備える櫛形電極２ｂ（図中下側）の最下端辺の一部からリード電極を下側方向に延ばすと共にＩＤＴ電極８が備える櫛形電極８ｂ（図中上側）の最上端辺の一部からリード電極を上側方向に延ばし、パッド電極Ｅ２の外側を経由して接続する。また、ＩＤＴ電極３が備える櫛形電極３ｂ（図中下側）の最下端辺の一部からリード電極を下側方向に延ばすと共にＩＤＴ電極７が備える櫛形電極７ｂ（図中上側）の最上端辺の一部からリード電極を上側方向に延ばし、パッド電極Ｅ３の外側を経由して接続する。
ＩＤＴ電極２が備える櫛形電極２ａ（図中上側）の最上端辺の一部からリード電極を上側方向に延ばすと共にＩＤＴ電極８が備える櫛形電極８ａ（図中下側）の最下端辺の一部からリード電極を下側方向に延ばし、前記反射器４ａと前記反射器９ａとの左外側を経由してパッド電極Ｅ１にそれぞれ接続する。また、ＩＤＴ電極３が備える櫛形電極３ａ（図中上側）の最上端辺の一部からリード電極を上側方向に延ばすと共にＩＤＴ電極７が備える櫛形電極７ａ（図中下側）の最下端辺の一部からリード電極を下側方向に延ばし、前記反射器４ｂと前記反射器９ｂとの右外側を経由してパッド電極Ｅ４にそれぞれ接続する。
【０００５】
移動体通信機器の普及に伴う低価格化および小型化の急激な進展により、縦続縦結合ＤＭＳフィルタ装置に対して更なる低価格化、小型化の要求が高まっており、この要求を満足するには半導体の分野で一般化しつつあるチップサイズパッケージ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ。以下「ＣＳＰ」と記す。）のパッケージ技術が不可欠となる。ＣＳＰとは表面実装型パッケージの一種でシリコンチップサイズと同等あるいはわずかに大きい小型パッケージの総称であって、その構造はプリント基板の一方の主面にフリップチップボンディングにより接続されたシリコンチップを封止用樹脂で覆ったものである。また、プリント基板の内部配線により該プリント基板の他方の主面に備える外部端子電極をシリコンチップが有するボンディングパッドの位置とは異なる任意の位置、一般的にはプリント基板の四隅に配置することが可能であることから、如何なる外部回路基板に対応することが可能である。
【０００６】
更なる小型化、薄型化の要求に応えるため、例えば特開２０００−２６１２８４号公報で開示されたようなウェハレベルＣＳＰ構造を弾性表面波装置に適用することも提案されており、図８はそのパッケージの構成を示す縦断面図である。
同図から明らかなように、圧電基板１０１の一方主面に形成された櫛歯状を成す励振電極１０２と、励振電極１０２に電気的に接続された入出力パッド及び接地パッドを含む配線電極１０３と、配線電極１０３（少なくとも入出力パッド）上に立設した複数の柱状電極１０５と、励振電極１０２の上方を励振電極１０２の振動空間１０８を確保すべく覆う金属等から成る保護カバー１０４と、を備え、柱状電極１０５の外周部及び保護カバー１０４を覆った樹脂等の絶縁体から成る外部カバー１０６から露出した柱状電極１０５の上端部にはんだバンプ１０７を配設することで、外部回路基板（不図示）へはんだバンプ１０７が形成された側を下にして実装することが可能としている。
【０００７】
【特許文献】特開２０００−２６１２８４号公報。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
従来のウェハレベルＣＳＰ構造の弾性表面波装置では該弾性表面波装置が備える外部端子電極の位置は該外部端子電極となる柱状電極を立設する前記入出力パッドの位置に依存する。例えば、図６に示したような構造の前記縦続縦結合ＤＭＳフィルタ素子１１をウェハレベルパッケージングした弾性表面波装置の外部端子電極の位置は、縦続縦結合ＤＭＳフィルタ素子１１が備える前記パッド電極ＩＮ及び前記パッド電極ＯＵＴと前記パッド電極Ｅ２、Ｅ４との位置に依存し十字状に配置される。そのため外部回路基板のフットパターンが十字状のものに限定されてしまい、前述したＣＳＰ構造の弾性表面波装置のように任意の位置に外部端子電極を配設することが不可能である。
【０００９】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、外部端子電極を所望の位置に配設することのできるウェハレベルＣＳＰ構造の弾性表面波装置、特に縦続縦結合ＤＭＳフィルタ装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明に係わる請求項１記載の発明は、圧電基板の一方の主面に振動伝搬部と該振動伝搬部の一部と電気的に接続したパッド電極を形成した弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子の主面上の前記振動伝搬部と前記パッド電極との一部を除く領域を覆うように形成した第１の絶縁膜と、前記振動伝搬部と該振動伝搬部の周縁に形成された前記第１の絶縁膜上面とを前記振動伝搬部と所定の間隙を隔てて覆うように形成した第２の絶縁膜と、前記パッド電極の一部と導通し少なくとも前記第１の絶縁膜の上面まで延びる再配線リード電極と、前記第１の絶縁膜上の前記再配線リード電極と電気的に接続された柱状電極と、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜と前記再配線リード電極とを覆うと共に前記柱状電極の上端が露出するように形成した封止部材と、を備えたことを特徴とする。
【００１１】
また請求項２記載の発明は、圧電基板の一方の主面に振動伝搬部と該振動伝搬部の一部と電気的に接続したパッド電極とを形成した弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子の主面上の前記振動伝搬部と前記パッド電極との一部を除く領域を覆うように形成した第１の絶縁膜と、前記振動伝搬部と前記第１の絶縁膜上面とを前記振動伝搬部と所定の間隙を隔てて覆うように形成した第２の絶縁膜と、前記パッド電極の一部と導通し前記第２の絶縁膜の上面まで延びる再配線リード電極と、前記第２の絶縁膜上の前記再配線リード電極と電気的に接続された柱状電極と、前記第２の絶縁膜と前記再配線リード電極とを覆うと共に前記柱状電極の上端が露出するように形成した封止部材と、を備えたことを特徴とする。
【００１２】
また請求項３記載の発明は、請求項１又は２において、前記第１及び前記第２の絶縁膜の少なくとも一方が感光性樹脂であることを特徴とする。
【００１３】
また請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のいずれかにおいて、前記圧電基板の他方の主面に樹脂材を配設したことを特徴とする。
【００１４】
また請求項５記載の発明は、請求項４において、前記樹脂材が前記圧電基板と前記前記第１の絶縁膜との境界を覆うようにこれらの側面まで延設されており、前記樹脂材の外端面夫々と対応する位置にある前記封止部材の外端面夫々とが略平坦になることを特徴とする。
【００１５】
また請求項６記載の発明は、請求項１乃至３のいずれかにおいて、前記圧電基板の他方の主面に弾性表面波装置の方向を認識する手段が形成していることを特徴とする。
【００１６】
また請求項７記載の発明は、請求項４又は５において、前記圧電基板の他方の主面に配設された前記樹脂材上に弾性表面波装置の方向を認識する手段が形成していることを特徴とする。
【００１７】
また請求項８記載の発明は、圧電基板の一方の主面に振動伝搬部と該振動伝搬部の一部と電気的に接続したパッド電極とを形成する電極形成工程と、前記圧電基板の一方の主面上の前記振動伝搬部と前記パッド電極との一部を除く領域を覆うように第１の絶縁膜を形成する第１の絶縁膜形成工程と、前記振動伝搬部と前記第１の絶縁膜上面とを前記振動伝搬部と所定の間隙を隔てて覆うように第２の絶縁膜を形成する第２の絶縁膜形成工程と、前記パッド電極の一部と導通し且ついずれかの絶縁膜の上面まで延びる再配線リード電極を形成する再配線リード電極形成工程と、前記いずれかの絶縁膜上に配置した前記再配線リード電極上に前記柱状電極を形成する柱状電極形成と、前記柱状電極の上端部分を残して前記第１及び前記第２の絶縁膜と前記再配線リード電極とを覆うように封止部材を形成する封止部材形成工程と、を有することを特徴とする。
【００１８】
また請求項９記載の発明は、請求項８において、前記圧電基板の他方の主面上に樹脂材を配設する樹脂材配設工程を含むことを特徴とする。
【００１９】
また請求項１０記載の発明は、請求項８又は９において、前記電極形成工程において、１枚の大型圧電基板母材から複数組の前記振動伝搬部と前記パッド電極とを形成し、該大型圧電基板母材の状態で以降の工程を行った後に個片に分割することを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、図示した本発明の実施の形態に基づいて、本発明を詳細に説明する。
【００２１】
図１は本発明実施形態のウェハレベルＣＳＰ構造の縦続縦結合ＤＭＳフィルタ装置の構成を示すための図であって、図１（ａ）はその柱状電極、封止部材、はんだバンプを省略した状態、即ち再配線した面を示す平面図で、図１（ｂ）は縦断面図である。なお縦続縦結合ＤＭＳフィルタ素子１１については図６及び図７を斟酌する。
本発明実施形態の縦続縦結合ＤＭＳフィルタ装置５０は、前述の縦続縦結合ＤＭＳフィルタ素子１１と、
前記パッド電極ＩＮ、ＯＵＴ、Ｅ１〜Ｅ４夫々の略中央と前記縦結合ＤＭＳフィルタ５、１０夫々が備えるＩＤＴ電極とが開口するように形成された層間絶縁膜２１（第１の絶縁膜）と、
少なくとも前記ＩＤＴ電極の開口を閉止するように層間絶縁膜２１上に形成された絶縁膜２２（第２の絶縁膜）と、
層間絶縁膜２１上に形成されると共に縦続縦結合ＤＭＳフィルタ素子１１のパッド電極ＩＮ近傍の一方の隅部に形成されており層間絶縁膜２１から露出したパッド電極ＩＮと電気的に接続する再配線リード電極２３ａと、
層間絶縁膜２１上に形成されると共に前記再配線リード電極２３ａの対角の位置に形成されており層間絶縁膜２１から露出したパッド電極ＯＵＴと電気的に接続する再配線リード電極２３ｂと、
層間絶縁膜２１上に形成されると共に前記再配線リード電極２３ａの対辺の位置に形成されており層間絶縁膜２１から露出したパッド電極Ｅ２と電気的に接続する再配線リード電極２３ｃと、
層間絶縁膜２１上に形成されると共に前記再配線リード電極２３ｃの対角の位置に形成されており層間絶縁膜２１から露出したパッド電極Ｅ１、Ｅ３、Ｅ４（不図示）と電気的に接続する再配線リード電極２３ｄと、
層間絶縁膜２１上に形成した再配線リード電極２３ａ〜２３ｄ夫々に立設した４個の柱状電極２４と、封止部材２６と、を備え、
再配線リード電極２３ａ〜２３ｄを最短再配線で且つ層間絶縁膜２１と絶縁膜２２との境界を覆うように配設すると共に再配線リード電極２３ａ〜２３ｄで覆うことが出来なかった層間絶縁膜２１と絶縁膜２２との境界を覆うようにダミー再配線リード電極２３ｅを配設し、層間絶縁膜２１、絶縁膜２２、再配線リード電極２３ａ〜２３ｄ、ダミー再配線リード電極２３ｅ、柱状電極２４夫々の外周部を覆うように充填した封止部材２６から露出した柱状電極２４の上端面にはんだバンプ２５を配設した構造となっている。また、はんだバンプ２５を形成した面の反対面、即ち縦続縦結合ＤＭＳフィルタ素子１１の下面には配設された樹脂からなる保護層３３の表面には方向識別等に用いるマーク３４が形成されている。
前記ダミー再配線リード電極２３ｅは前記絶縁膜２２と前記層間絶縁膜２１との境界の気密性を向上させるためのものであって、絶縁膜２２周縁から該絶縁膜２２近傍の層間絶縁膜２１にかけて配設されていれば前記再配線リード電極２３ａ〜２３ｄ夫々と不通であっても構わない。
前記保護層３３は縦続縦結合ＤＭＳフィルタ装置５０を外部回路基板（不図示）へ実装する時にマウンタ等の自動機の吸着又はハンドリングによって加わる負荷を軽減するためのもので、圧電基板が備える機械的強度がこの負荷に十分耐えうるものであれば該保護層３３を圧電基板に配設しなくても構わない。
前記はんだバンプ２５の組成を変えることにより鉛フリー対応が可能である。
【００２２】
図２乃至図５を斟酌して本実施形態に係る縦続縦結合ＤＭＳフィルタ装置の製造方法について説明する。
本実施形態に係る縦続縦結合ＤＭＳフィルタ装置の製造方法では複数の縦続縦結合ＤＭＳフィルタ装置を一括製造するため、複数の縦続縦結合ＤＭＳフィルタが形成された圧電ウェハ（大型圧電基板母材）３１を用いる。
【００２３】
図２（ａ）に示すように、第１工程は層間絶縁膜の形成工程であって、圧電ウェハ３１上に形成された縦続縦結合ＤＭＳフィルタが備える縦結合ＤＭＳフィルタ５、１０（不図示）及び前記パッド電極ＩＮ、ＯＵＴ（不図示）、Ｅ１乃至Ｅ４（Ｅ２のみ図示）夫々が露出するように層間絶縁膜２１となる樹脂材、例えばポジ型感光性ポリイミドのパターニング及び硬化処理を層間絶縁膜２１が所望の厚み、前記縦結合ＤＭＳフィルタ５、１０が必要とする前記振動空間５ａ、１０ａ（不図示）の確保に必要な厚みになるまで繰り返す。
【００２４】
図２（ｂ）に示すように、第２工程は絶縁膜の形成工程であって、少なくとも前記縦結合ＤＭＳフィルタ５、１０（不図示）を露出させる層間絶縁膜２１の開口を閉止するように絶縁膜２２となる樹脂材、例えば感光性ポリイミドのパターニング及び硬化処理を絶縁膜２２が所望の厚みになるまで繰り返す。
【００２５】
図２（ｃ）乃至図２（ｄ）に示すように、第３工程は再配線リード電極の形成工程であって、層間絶縁膜２１上に再配線リード電極となる金属導体２３、例えば銅の蒸着又はスパッタ及びパターニングによって再配線リード電極、例えば２３ａ、２３ｂを形成する。またダミー再配線リード電極２３ｅを本工程において又は別工程で且つ本工程と同一の方法で形成する。
【００２６】
図３（ａ）に示すように、第４工程は柱状電極の形成工程であって、再配線リード電極及びダミー再配線リード電極が形成された面に再配線リード電極、例えば２３ａ、２３ｃに相当する部分に孔を備える金属マスク３２を被覆し、柱状電極となる導体、例えば銅をスパッタ又は蒸着によって再配線リード電極２３ａ、２３ｂに上面の柱状電極２４を形成する。または従来と同様に、フォトリソグラフィによってメッキガイド用フォトレジストを形成し電解メッキによって再配線リード電極の上面の柱状電極を形成する。
【００２７】
図３（ｂ）に示すように、第５工程は封止部材の形成工程であって、柱状電極夫々の外周部、層間絶縁膜、絶縁膜、再配線リード電極、ダミー再配線リード電極を覆うように封止部材２６となる樹脂をディスペンサ等の塗布装置で充填し加熱と紫外線照射の少なくとも一方を用いて硬化処理を施す。または従来と同様に、熱硬化樹脂フィルムの圧着であっても構わない。
【００２８】
図３（ｃ）乃至図３（ｄ）に示すように、第６工程ははんだバンプの形成工程であって、本工程は従来と同様に、封止部材２６が形成された面をフォトリソグラフィあるいは研摩して所望の厚さ、即ち縦続縦結合ＤＭＳフィルタ装置高さに略一致するように成形すると共に柱状電極２４夫々の上端面を露出させ、柱状電極２４夫々の上端面にスクリーン印刷〜リフローによりはんだバンプ２５を形成する。
【００２９】
図４（ａ）に示すように、第７工程はマーキング工程であって、前記はんだバンプ２５を形成した面の反対面、即ち圧電ウェハ材が露出した面に直接あるいは圧電ウェハ材の露出した面に感光性樹脂や感熱性樹脂で保護層３３を配設し該保護層３３の表面にフォトリソグラフィ、レーザー、印刷等を用いてマーク３４を形成する。保護層３３となる樹脂材は前記封止部材と同一のものであっても構わない。
【００３０】
図４（ａ）に示すように、第８工程は切断工程であって、本工程は従来と同様に、相隣接する縦続縦結合ＤＭＳフィルタ装置の間隙の略中央となる切断位置３７においてダイシング等で圧電ウェハ３１、層間絶縁膜２１、封止部材２６、保護層３３、切断位置によっては前記絶縁膜を一括で碁盤目に切断し個片に分割することで複数の図４（ｂ）に示す縦続縦結合ＤＭＳフィルタ装置３５が得られる。
【００３１】
なお前記層間絶縁膜２１となる樹脂材が吸湿性の高いものであれば前記縦続縦結合ＤＭＳフィルタ及び前記リード電極の耐湿対策として、前記層間絶縁膜の形成工程（第１工程）の前処理として前記パッド電極を除く前記縦続縦結合ＤＭＳフィルタ素子１１の上面にパッシベーション膜、例えばＳｉＯ２膜を形成させる。
【００３２】
図５は切断工程における切断方法（２段階切断）の説明図であって、図４（ｂ）に示す一括切断によって個片にした縦続縦結合ＤＭＳフィルタ装置３５の側面には少なくとも前記圧電ウェハ３１と前記層間絶縁膜２１と前記封止部材２６との切断面が露出すると共に圧電ウェハ３１と層間絶縁膜２１との境界或いは圧電ウェハ３１と前記パッシベーション膜との境界が露出しており該境界より吸湿し前記縦続縦結合ＤＭＳフィルタを腐食させる虞がある。
その対策として図５（ａ）に示すように、前記はんだバンプ２５を形成した面の反対面、即ち縦続縦結合ＤＭＳフィルタ素子１１の下面から圧電ウェハ３１とパッシベーション膜が形成されていれば該パッシベーション膜と層間絶縁膜２１の厚みの約半分だけ切断（第１の切断）することで溝３８を形成し、図５（ｂ）に示すように、該溝３８を含む縦続縦結合ＤＭＳフィルタ素子１１の下面が面一になるように前記保護層３３を配設しマーキングを施した上で、前記第１の切断に使用したダイシング刃より薄いダイシング刃３６により溝部の略中央で保護層３３、封止部材２６、層間絶縁膜２１の残り半分を一括に切断（第２の切断）する。図５（ｃ）に示すように、このような２段階切断によって圧電ウェハ３１と層間絶縁膜２１との境界或いは圧電ウェハ３１と前記パッシベーション膜との境界を覆った保護層３３ａと層間絶縁膜２１と封止部材２６が露出した側面（切断面）を有する縦続縦結合ＤＭＳフィルタ装置４０が得られる。
【００３３】
また本発明の製造方法を圧電ウェハに適用したときの形態例について説明したが、工程順序の変更、例えば切断工程を第１工程にすることで単体の圧電素板に適用することも可能である。
【００３４】
本発明で言う圧電ウェハ、圧電基板とは水晶、四方酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ランガサイト等の弾性表面波の励振が可能な圧電材料を示していることは云うまでもない。
【００３５】
このように構成することにより、外部端子電極を所望の位置に配設することのできるウェハレベルＣＳＰ構造の弾性表面波装置、特に縦続縦結合ＤＭＳフィルタ装置が得られる。
【００３６】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように本発明によれば、小型化、薄型化を追及したパッケージ技術の採用と圧電基板上で再配線を行う事でシンプルな構造になることにより低価格化が可能であり、さらに所望の位置に外部端子電極を配設することが可能になることにより様々な外部回路基板のフットパターンに対応することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明実施形態としてのウェハレベルＣＳＰ構造の縦続縦結合ＤＭＳフィルタ装置の構成図。
（ａ）再配線した面を示す平面図。
（ｂ）縦断面図。
【図２】本実施形態に係る縦続縦結合ＤＭＳフィルタ装置の製造方法説明図。
（ａ）層間絶縁膜の形成工程。
（ｂ）絶縁膜の形成工程。
（ｃ）乃至（ｄ）再配線リード電極の形成工程。
【図３】本実施形態に係る縦続縦結合ＤＭＳフィルタ装置の製造方法説明図。
（ａ）柱状電極の形成工程。
（ｂ）封止部材の形成工程。
（ｃ）乃至（ｄ）はんだバンプの形成工程。
【図４】本実施形態に係る縦続縦結合ＤＭＳフィルタ装置の製造方法説明図。
（ａ）切断工程。
（ｂ）縦続縦結合ＤＭＳフィルタ装置の完成図。
【図５】本実施形態に係る切断方法（２段階切断）の説明図。
【図６】縦続縦結合ＤＭＳフィルタ素子の電極図。
【図７】縦結合ＤＭＳフィルタの詳細説明図。
【図８】従来の弾性表面波装置の構成を示す縦断面図。
【符号の説明】
１〜３…ＩＤＴ電極    ４ａ、４ｂ…グレーティング反射器
５…縦結合ＤＭＳフィルタ    ６〜８…ＩＤＴ電極
９ａ、９ｂ…グレーティング反射器
１０…縦結合ＤＭＳフィルタ    １１…縦続縦結合ＤＭＳフィルタ素子
ＩＮ…パッド電極    ＯＵＴ…パッド電極    Ｅ１〜Ｅ４…パッド電極
２１…層間絶縁膜    ５ａ、１０ａ…振動空間    ２２…絶縁膜
２３…金属導体    ２３ａ〜２３ｄ…再配線リード電極
２３ｅ…ダミー再配線リード電極
２４…柱状電極    ２５…はんだバンプ  ２６…封止部材
３１…圧電ウェハ    ３２…金属マスク    ３３、３３ａ…保護層
３４…マーク    ３５…縦続縦結合ＤＭＳフィルタ装置
３６…第２のダイシング刃    ３７…切断位置    ３８溝
４０、５０…縦続縦結合ＤＭＳフィルタ装置
１０１…圧電基板    １０２…励振電極    １０３…配線電極
１０４…保護カバー    １０５…柱状電極    １０６…封止部材
１０７…はんだバンプ    １０８…振動空間
【図１】
2004274574.tif 000003
【図２】
2004274574.tif 000004
【図３】
2004274574.tif 000005
【図４】
2004274574.tif 000006
【図５】
2004274574.tif 000007
【図６】
2004274574.tif 000008
【図７】
2004274574.tif 000009
【図８】
2004274574.tif 000010