(57)【要約】【課題】ＣＮＴを用いて可飽和吸収チップを構成するが、これまでは、機械的に脆弱な状態であって、大量生産に不向きな構造となっていた。しかも、可飽和吸収特性についても改善の余地があった。【解決手段】本発明では、機械的に脆弱であった構造を、２枚の光学材料を用いることで強化したもので、併せて、この光学材料を用いることで大量生産に適した、しかも、反射損失を抑え安定した可飽和吸収特性を有するチップ構造とした可飽和吸収チップ、その製造方法、および可飽和吸収チップを用いた可飽和吸収デバイスの提供を実現したものである。【選択図】図１
2004280028.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明な光学材料を用いた２枚の基板を用い、その間にカーボンナノチューブを挟み、紫外線硬化樹脂で固定することにより構成したことを特徴とする可飽和吸収チップ。
【請求項２】
請求項１に記載の可飽和吸収チップにおいて、各基板の外側表面上に無反射コートを施したことを特徴とする可飽和吸収チップ。
【請求項３】
透明な光学材料であって外側表面上には無反射コートを、内側には反射ミラー施した２枚の基板を用い、２枚の基板の内側対面間にカーボンナノチューブを挟み、紫外線硬化樹脂で固定することにより構成したことを特徴とする可飽和吸収チップ。
【請求項４】
透明な光学材料であって外側表面上に無反射コートを施した第１の基板と、透明な光学材料であって内側表面上に反射ミラーを施した第２の基板とを用い、第１の基板の内側と、第２の基板の内側との間にカーボンナノチューブを挟み、紫外線硬化樹脂で固定することにより構成したことを特徴とする可飽和吸収チップ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４に記載の可飽和吸収チップにおいて、紫外線硬化樹脂の屈折率が、光学材料の屈折率と同じ、あるいはほぼ同程度のものとしたことを特徴とする可飽和吸収チップ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５に記載の可飽和吸収チップにおいて、不純物を少なくすることを目的として加熱処理を加えたことを特徴とする可飽和吸収チップ。
【請求項７】
透明な光学材料であって外側表面上に無反射コートを施した２枚の基板を用い、一方の基板の内側に、カーボンナノチューブと紫外線硬化樹脂を施すとともにもう一方の基板を内側に向けて積層し、その後、紫外線を照射して樹脂を硬化させ、２枚の基板を一体にして構成したことを特徴とする可飽和吸収チップの製造方法。
【請求項８】
透明な光学材料であって外側表面上には無反射コートを、内側には反射ミラー施した２枚の基板を用い、２枚の基板の内側対面間に、カーボンナノチューブと紫外線硬化樹脂を施して２枚の基板を積層し、その後、紫外線を照射して樹脂を硬化させ、２枚の基板を一体にして構成したことを特徴とする可飽和吸収チップの製造方法。
【請求項９】
透明な光学材料であって外側表面上に無反射コートを施した第１の基板と、透明な光学材料であって内側表面上に反射ミラーを施した第２の基板とを用い、第１の基板の内側と、第２の基板の内側との間に、カーボンナノチューブと紫外線硬化樹脂を施して積層し、その後、紫外線を照射して樹脂を硬化させ、２枚の基板を一体にして構成したことを特徴とする可飽和吸収チップの製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜４および請求項６に記載の可飽和吸収チップの両端に、集光コリメータを一体に配して成る可飽和吸収デバイス。
【請求項１１】
請求項５に記載の可飽和吸収チップの無反射コート端に、非焦点型非球面レンズを用いた集光コリメータを一体に配して成る可飽和吸収デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は筒状の炭素分子であるカーボンナノチューブ（Ｃａｒｂｏｎ  ＮａｎｏＴｕｂｅ：以下、ＣＮＴという）を用いた可飽和吸収チップに関わり、その散乱損失を少なくした可飽和吸収チップ、その製造方法、および可飽和吸収チップを用いたデバイスに関するものである。
特にこの発明に関わるチップでは、光通信波長帯域（波長０．８μｍ〜２μｍ）での光ノイズを効果的に減少させることを実現したものである。
【０００２】
【従来の技術】
光通信分野においては、光アンプなどによる光ノイズを減少させＳＮ比を向上させる試みが行われている。
ここでは、ＣＮＴを用いた可飽和吸収チップに着目したもので、このＣＮＴを用いた可飽和吸収チップの作製は、本出願人が提案した発明、具体的には、特願２００２−０４８３９２に開示されている。
【０００３】
ここでの可飽和吸収チップの作成は、一例としてＣＮＴを溶液に混ぜてスプレー法により膜状に形成している。具体的には、ＣＮＴを必要により界面活性剤等を添加した溶液に混ぜて分解液を得、これを透明な光学材料、ここではガラス基板の被塗布物上にスプレー塗布し、乾燥することで可飽和吸収チップを作製している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の如き構成では、ＣＮＴが１枚のガラス基板上に塗布された状態のままであり、表面上に剥き出し状態で大気の雰囲気中での使用形態となって、環境変化、特に湿度の変化に対し無防備であるとともに、機械的に脆弱な状態にあることから、期間を経ることで、チップとしての信頼性に欠ける欠点が懸念されていた。
また、上記従来例で用いるＣＮＴは普通、絡まっていてその大きさ等が一様でなく、しかも露出状態にあることから表面での光散乱損失が大きく、チップとしての特性の安定性に欠ける問題もあった。
更に、その構造上、ＣＮＴがスプレー塗布されたままの露出構造にあり、しかもその加工技術に高度のものが要求されることから大量生産に適しているとは云えず、チップの量産効果による低価格の実現が求められていた。
更に、反射損失を抑えてその吸収性能を向上させるとともに、透過損失を抑えて可飽和吸収性能を向上させた特性要求を満たす可飽和吸収デバイスの早期実現が期待されているのである。
【０００５】
本発明は上記課題を解消するためになされたものであって、ＣＮＴを用いた可飽和吸収チップとして要求される可飽和吸収特性を満たすことは勿論であるが、透過損失を少なくして素子としての安定性の向上を図るとともに、機械的に脆弱であったＣＮＴを光学材料より成る２枚の基板で挟み込み紫外線硬化樹脂で閉じ込めることで、安定で生産性に優れた構造を持つチップを提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明では可飽和吸収チップを提案するにあたり、丈夫で作製し易いチップ構造にしたものである。
具体的には、反射防止膜（Ａｎｔｉ  Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ  Ｃｏａｔｉｎｇ：以下、ＡＲコートという）を施した光学材料を用いた２枚の基板の間に、ＣＮＴを紫外線硬化樹脂を用いてシート状に固めて閉じ込めることにより生産性とともに環境耐性を向上させ、更には、入射光に対する散乱が少なく、また、反射損失が小さい安定したチップ構造を実現したものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による可飽和吸収チップの実施形態を図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明に関わる可飽和吸収チップの一実施形態の説明図である。今回、ＣＮＴを用いた可飽和吸収チップにおいて、光の散乱損失を削減させるため反射防止膜であるＡＲコートを付加した光学材料、ここでは、２枚のガラス基板を用いてＣＮＴを挟み、その後、紫外線硬化樹脂により固めて安定させ、且つ光散乱を減少させた構成となっている。以下、詳述する。
【０００８】
尚、以下の図を用いた説明では、使用するＣＮＴ、紫外線硬化樹脂、ＡＲコート、反射ミラーは、２枚のガラス基板の厚みと較べ非常に薄いものであることから、本発明を理解し易くするためにデフォルメした形で現している。
【０００９】
図１において、１Ａ、１Ｂはガラス基板であって、石英ガラス、あるいは光学ガラス（例えば、ＢＫ７）の表面を光学研磨したものとなっている。そして、その片面の表面にはそれぞれ光の反射防止膜であるＡＲコート１ａ、１ｂが施されている。
また、１ｃは、前記ガラス基板１のＡＲコートが施されていない他面に形成されたＣＮＴの膜であり、その膜厚は数μｍ、望ましくは１〜２μｍの程度に形成され、使用するＣＮＴは、光ノイズを効果的に減少出来るよう、使用される光通信の波長帯域、例えば０．８μｍ〜２μｍの波長帯域で最大吸収となるようにその直径、長さについて適宜選択される。
２は、ＣＮＴを溶かし込んだ分散液を散布するスプレー手段であり、３は紫外線硬化樹脂樹脂である。
【００１０】
この時の紫外線硬化樹脂３は、その屈折率を上記使用するガラス基板１Ａ，１Ｂの屈折率と同じ、あるいはほぼ同程度のものを使用することが望ましく、このことで、後述する工程により可飽和吸収チップが完成した場合、そのチップ全体が光学的に一体になることが出来、散乱を抑えることが出来るのである。
【００１１】
以下、可飽和吸収チップの作製について、順を追って説明する。
先ず、図１（Ａ）に示すように、一例として一辺が２０〜３０ｍｍ程度のサイズで光学研磨され片面にＡＲコート１ａが施されたガラス基板１Ａの他面に、スプレー手段２を用いて、ＣＮＴを吹き付け、ＣＮＴ膜１ｃを形成する。
【００１２】
ここで、ＣＮＴ膜１ｃの形成であるが、精製されたＣＮＴを、例えばアルコール、ジクロロエタン、あるいはヂメチルフォルムアミド等の溶液に均一分散させて調整した分散液を使用する。この調整された分散液を、スプレー手段２の吐出口からガラス基板１Ａに向けてスプレー散布することで、良質なＣＮＴ膜１ｃを得ることが出来る。この状態を示しているのが図１（Ｂ）である。
この時の、スプレー法により形成するＣＮＴ膜１ｃの膜厚は、１〜２μｍ程度に形成される。
また、上記調整した分散液でのＣＮＴの分散濃度は、例えば、ヂメチルフォルムアミドを分散媒とした場合には、５〜１００ｍｇ／ｍｌ以下が好適であり、また、調整時に、必要により界面活性剤、水酸化ナトリウム等を添加することで、より良質なＣＮＴ薄膜を形成することが期待出来る。
【００１３】
次いで、図１（Ｃ）に示すように、上記形成したＣＮＴ膜１ｃ表面上に紫外線硬化樹脂３を適量落とす。この時、紫外線硬化樹脂３は、自身の表面張力によりＣＮＴ膜１ｃ上に拡がって行く。
この後、図１（Ｄ）に示すように、上記紫外線硬化樹脂３が滴下されているガラス基板１ＡのＣＮＴ膜１ｃ上に、光学研磨され、片面にＡＲコート１ｂが施されたガラス基板１Ｂを、この場合ガラス面が露出した面を向けて重ねる。
【００１４】
この時、紫外線硬化樹脂３がＣＮＴ膜１ｃ全面に広がるように、必要によりガラス基板１Ａ、１Ｂの片方あるいは両方に均一に加圧することで、紫外線硬化樹脂３はガラス基板１Ａ，１Ｂ間全面に均一に広がり、余分な紫外線硬化樹脂３ははみ出ることになる。
【００１５】
次いで、図１（Ｅ）にあるように、上記積層したガラス基板１Ａ、１Ｂのどちらか一方、あるいはその両方の平面に紫外線４を照射する。これにより、ＣＮＴ膜１ｃを、紫外線硬化樹脂３の硬化とともに、ガラス基板１Ａ、１Ｂ間に閉じ込めることが出来たことになる。
【００１６】
以上により、屈折率を高めるための反射防止膜であるＡＲコートを端面に形成した２枚のガラス基板を用い、加えて、散乱原因を保有していたＣＮＴを、屈折率がガラス基板と同じ、あるいはほぼ同程度である紫外線硬化樹脂を利用して閉じ込めつつ２枚のガラス基板との一体化を実現出来た。
【００１７】
この後、上記得られたガラス基板を例えばＩＣチップウエハーの切断と同様に、所望のチップサイズ、例えば１ｍｍ〜数ｍｍ程度になるように切断し、１枚のガラス基板、ここでは２０〜３０ｍｍサイズのガラス基板から、多数の可飽和吸収チップを切り出すことで、機械的に安定した壊れ難い強度を確保しつつ、環境耐性に優れ、散乱を抑え、長期間安定した特性を維持出来る可飽和吸収チップを得ることが出来る。
【００１８】
図２は、上記切り出した可飽和吸収チップ１の外側両端面に共焦点型の非球面レンズ５ａ〜５ｄを用いた集光コリメータを配し、一体型として構成した可飽和吸収デバイスを示す原理図である。同図において、６ａ，６ｂは光信号を伝送するファイバであり、７ａ，７ｂはファイバ６ａ，６ｂ端部を保護するフェルールである。
ここでは、直径１ｍｍ〜数ｍｍ程度の非球面レンズ５ａ〜５ｄの光学位置調整をすることで、可飽和吸収チップ１のＣＮＴのところでファイバ６ａあるいは６ｂからの光信号を最少に絞込み、可飽和吸収デバイスとしてより大きな可飽和性能を得ることが出来ることになる。
【００１９】
次に、本発明に関わる他の可飽和吸収デバイスの実施形態について説明する。図３（Ａ）は、全体図であり、同図（Ｂ）は、主要部の可飽和吸収チップ１１の構成を説明する分解図である。
【００２０】
図３において、１２Ａ，１２Ｂは先に説明の実施形態と同様、光学研磨された第１と第２のガラス基板であり、その片面には無反射防止膜であるＡＲコート１２ａ，１２ｂが、他面には高反射（例えば１００％の）ミラー１３ａ，１３ｂが形成されている。また、１４は本発明の主要構成要素であるＣＮＴ、１５は紫外線硬化樹脂であり、他は図２と同様の構成となっている。
【００２１】
以上の構成において、可飽和吸収チップ１１は図１で説明した同様の手順により得ることが出来る。この場合、ガラス基板１２Ａ，１２Ｂを反射ミラー１３ａ，１３ｂが向かい合う基板間にＣＮＴ１４を含む紫外線硬化樹脂１５の薄膜を挟み込み、その後、紫外線（図示せず）を照射することで硬化させ、両ガラス基板１２Ａ，１２Ｂを一体に形成し、可飽和吸収チップ１１を構成している。
【００２２】
ここでは、高反射ミラー１３ａ，１３ｂを形成したことで透過光を多重反射させることになり非線形性をより強めるので、ここでの可飽和吸収チップ１１では、先の図１及び図２で用いた可飽和吸収チップ１と較べて、より大きな可飽和吸収効果を得る事が出来る。
【００２３】
図４は、これまでと異なる構造のチップを用いた可飽和吸収デバイスの実施形態を示す原理図であり、同図（Ａ）は、全体図であり、同図（Ｂ）は、主要部の可飽和吸収チップ２１の構成を説明する分解図である。
【００２４】
図４において、２２Ａ，２２Ｂは先に説明の実施形態と同様、光学研磨された第１と第２のガラス基板であり、第１のガラス基板２２Ａの外側表面には無反射防止膜であるＡＲコート２２ａが、第２のガラス基板２２Ｂの内側表面には高反射（例えば１００％の）ミラー２２ｂが形成されている。また、１４は本発明の主要構成要素であるＣＮＴ、１５は紫外線硬化樹脂である。
【００２５】
以上の構成において、ガラス基板２２Ａの内側表面と，ガラス基板２２Ｂの反射ミラー２２ｂが形成された内側表面が向い合い、その基板間にＣＮＴ１４を含む紫外線硬化樹脂１５の薄膜を挟み込み、その後、紫外線（図示せず）を照射することで硬化させ、両ガラス基板２２Ａ，２２Ｂを一体に形成し、可飽和吸収チップ２１を構成している。
【００２６】
ここでは、高反射ミラー２２ｂを形成したことにより、可飽和吸収ミラーとして用いることが出来るもので、これは、モード同期レーザ発信器等に非常に有効なものとなる。
【００２７】
2004280028.tif 000003
表−１
表−１は、これまでの可飽和吸収チップについてその特性を纏めたものであって、表中、透過率は光の透過損失の割合を示し、ｄＢ値、％値は大きいことが望ましく、又、変化量は可飽和性能を示すもので、大きいことが望ましいものである。
サンプル１は、従来例として述べた可飽和吸収チップの片面（ガラス基板面）にＡＲコートを施したものであり、サンプル２は、本発明を適用した一実施形態で、ＡＲコートを施した２枚のガラス基板の間にＣＮＴを紫外線硬化樹脂を用いてシート状に固めて閉じ込めたものである。このサンプル２のサンプル１との比較では、両面のＡＲコートと紫外線硬化樹脂の作用で散乱を抑えられたので、透過率が向上して大きく改善されていることが確認出来る。
【００２８】
サンプル３は、サンプル２に対して更に改良を進めた実施形態例であって、この場合、真空中加熱処理を施したものであり、後述する加熱作用による効果で、サンプル２と較べ変化量が大きく改善され、サンプル１との比較では、透過率、変化量とも改善されていることが確認出来る。
ここでの真空中加熱処理は、製造過程で混入した残留金属（ニッケル、コバルト等）を除去するための塩酸処理や、ＣＮＴ膜の形成過程で用いた溶媒が、それぞれＣＮＴの内部やＣＮＴ間の隙間に侵入して残留塩酸や残留溶媒となり、これが得られる可飽和吸収チップの特性に少なからず影響を与えていると推定し、それを除去することを意図したものである。ここでは、真空中の２００度前後で、１時間加熱した結果、上記残留塩酸、残留溶媒等が昇華によりほぼなくなり、結果、可飽和吸収チップとしての更なる特性の改善を確認することが出来たものである。
尚、加熱温度を高くすることで、加熱時間を短くすることも可能であり、同様に特性の改善を得ることが出来る。
【００２９】
次に、本発明を適用した他の実施形態について説明する。
図５は、本発明に関わるのチップ構造を光ファイバの相互接続に適用した実施形態を示す説明図である。
図５において、５１ａ，５１ｂはシングルモードファイバ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｍｏｄｅ  Ｆｉｂｅｒ：以下、ＳＭＦという）であり、５２ａ，５２ｂはこのＳＭＦ５１ａ，５１ｂを保護するフェルールである。
【００３０】
先ず、図５の（Ａ）に示すように、ＳＭＦ５１ａの端部をフェルール５２ａに通し、図示の状態でＳＭＦ５１ａの端面をフェルール５２ａの端面とともに清浄し、研磨する。
次いで、ＳＭＦ５１ａとフェルール５２ａの端面表面にＣＮＴ５３をスプレー法等によって塗布し、併せて紫外線硬化樹脂５４を塗布する。
【００３１】
この塗布面に上記同様に端面を清浄、研磨したＳＭＦ５１ｂ、フェルール５２ｂを、図５（Ｃ）に示すように、ＳＭＦ５１ａの中心軸と合うように調整・固定手段（図示せず）を用いて調整して面接触させ、固定する。
その後、上記接触面に対し、紫外線（図示せず）を照射して紫外線硬化樹脂５４を硬化させ、図５（Ｄ）に示すようにＳＭＦ５１ａ，５１ｂを一体化する。
尚、この後、上記一体化出来た個所に対して、必要により保護キャップ（図示せず）被せることで、その強度を確保、維持することが出来る。
【００３２】
ここで、ＣＮＴにあっては、従来技術の説明の項で述べた先願発明、具体的には特願２００２−０４８３９２にも記載するように、光の吸収率はその強度により非線形に変化することが知られており、より強い光は透過率が高く、より弱い光は吸収率が高くなって透過率が低下し、遮断される。これにより透過光は入射光に対してＳＮ比が大きくなる。このことからＣＮＴの透過率は光強度により変化するものであること、ＣＮＴの部分での光ビーム断面積に逆比例して光強度が高くなることが理解出来る。
このため光強度の低いところでも可飽和吸収性能を発揮するために光ビーム断面積を小さくすることで光強度を高くすることになるが、光ファイバの場合、一本の直径が１ｍｍ未満で、実質的に光が通過するコアの直径は１０μｍ以下であることから、その表面で通過する断面積は小さく光強度が高いことが理解出来る。
【００３３】
以上の説明ではＳＭＦを用いて行ったが、本発明はこれのみではなく、例えば、分散シフトファイバ（ＤＳＦ：Ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ  Ｓｉｆｔ  Ｆｉｂｅｒ）に適用しても、本発明の所期の目的を損なうことなく、充分な効果を期待することが出来ることは説明するまでもない事項である。
【００３４】
このように、２枚のガラス基板を配し、その間にＣＮＴとともにその屈折率がガラス基板と同じ紫外線硬化樹脂を挟み込むことで散乱ロスを２４％（１ｄＢ）改善し、加えて、使用するガラス（石英ガラスまたはＢＫ７等の光学ガラス）に無反射コートを施すことにより反射ロスを約８％改善したものである。
以上のようにガラス基板と紫外線硬化樹脂を用いてＣＮＴを機械的に安定させることにより、扱う光の透過率が高く、対環境性に優れ、取扱が簡単で、汚損したときも洗うことが可能な安定した可飽和吸収チップを実現することが出来た。尚、ＣＮＴ自身は機械的に安定にすることにより１ＧＷまでの光強度、１２００度程度までの高温に対しほとんど変質しないことが判っている。
【００３５】
また、光学材料、ＣＮＴの直径及び長さ、紫外線硬化樹脂を適宜選択し、組合せることで、吸収波長を所望の波長、ここでは、光通信波長帯域とされる０．８μｍ〜２μｍに調整することにより吸収強度を高くし、相対的に可飽和吸収性能を高めることも出来ることは説明するまでもないことである。
【００３６】
ここで、可飽和吸収チップの両端に図２で示したように非球面レンズを用いた集光コリメータを配して一体にした可飽和吸収デバイスを透過する光強度についてみると、その強度は光ピークパワーにより変化する。
ＣＮＴの場合、光強度が大きければ大きいほど透過率が高く、低ければ低いほど吸収が大きく透過率は下がり、遮断されることになる。
すなわち、光通信などの光伝送系において光ノイズなどの低いパワーレベルのものは受動的に吸収が大きくなって透過率は低くなり、逆に必要な信号などのパワーレベルの高いものは受動的に透過率が高くなって、ＣＮＴをその主要構成要素として用いる本発明の可飽和吸収チップが有効であることが理解出来る。
【００３７】
尚、このＣＮＴを用いた本発明が光通信に有効であることは、光強度により吸収強度の変化を確認するために入射強度対透過強度量の測定により確認出来るが、これについては、前出の特願２０００−０４８３９２にＺ−スキャン法として詳述されているので、ここでは説明しない。
【００３８】
以上の説明では、光学材料として、ガラス基板としたが、本発明はこれのみに限定されるものではなく、その他の光学材料として、プラスチック材や、アクリル材を使用しても本発明の所期の課題を解決し、有効な効果を得ることが出来るものであることは、説明するまでもない。
【００３９】
さらに、光学材料としてサファイアを用いることも有効である。これは、デバイスとして使用した場合、大きな光パワーを受けることが予想され、その際には、温度が上昇し、挟み込む紫外線硬化樹脂を変質させる可能性があることから、熱伝導率が高いサファイアを用いることで、本発明の所期の課題を解決し、併せて有効な効果を期待出来るものである。
【００４０】
また、使用するＣＮＴとして、そのチューブ構造は、単層ＣＮＴ（Ｓｉｎｇｌｅ−Ｗａｌｌ  ＣＮＴ）に限定されず、多層ＣＮＴ（Ｍｕｌｔｉ−Ｗａｌｌ  ＣＮＴ）であっても、本発明の所期の効果を期待することが出来る。
【００４１】
【発明の効果】
ＣＮＴは普通、絡まっていて太さなどが一様でなく光散乱が大きいが、本発明のように、ＡＲコートした光学材料の基板で挟み、紫外線硬化樹脂で固定することにより安定で壊れにくい可飽和吸収チップ構造とすることができた。
また、光学材料基板を、ＡＲコートしたことで表面反射一面の反射を少なく（数パーセント程度）し、更に、ＣＮＴ自身の散乱を、使用する光学材料基板とほぼ同じ屈折率である紫外線硬化樹脂を用いて閉じ込めることで、損失を少なく（１ｄｂ程度）することができた。
【００４２】
更に、これまで機械的に脆弱であったＣＮＴを２枚のＡＲ付ガラス基板に紫外線硬化樹脂で閉じ込める構造としたことにより、機械的強度の強化とともに環境変化にも対応出来ることになって特性の安定が得られ、扱い易さの向上による生産性の向上とともに価格を抑え、しかも反射損出が小さい安定したチップ、デバイスとすることが可能になった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に関わる可飽和吸収チップの一実施形態の工程説明図
【図２】本発明に関わる可飽和吸収チップを用いたデバイスを示す原理図である。
【図３】本発明に関わる可飽和吸収チップを用いた他のデバイスを示す原理図であり、同図（Ａ）は全体図、同図（Ｂ）はそこで使用する可飽和吸収チップの構成を説明する分解図である。
【図４】本発明に関わる可飽和吸収チップを用いた他のデバイスを示す原理図であり、同図（Ａ）は全体図、同図（Ｂ）はそこで使用する可飽和吸収チップの構成を説明する分解図である。
【図５】本発明に関わるチップ構造を光ファイバに適用した実施形態を示す原理図である。
【符号の説明】
１，１１，２１・・・可飽和吸収チップ
１Ａ，１Ｂ，１２Ａ，１２Ｂ，２２Ａ，２２Ｂ・・・ガラス基板
１ａ，１ｂ，１２ａ，１２ｂ，２２ａ・・・ＡＲコート
１ｃ，１４・・・ＣＮＴ膜
２・・・スプレー手段
３，１５，５４・・・紫外線硬化樹脂
４・・・紫外線
５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ・・・非球面レンズ
６ａ，６ｂ・・・ファイバ
７ａ，７ｂ，５２ａ，５２ｂ・・・フェルール
１３ａ，１３ｂ，２２ｂ・・・高反射ミラー
５１ａ，５１ｂ・・・ＳＭＦ（シングルモードファイバ）
５３・・・ＣＮＴ
【図１】
2004280028.tif 000004
【図２】
2004280028.tif 000005
【図５】
2004280028.tif 000006
【図３】
2004280028.tif 000007
【図４】
2004280028.tif 000008