(57)【要約】【課題】半導体レーザに対し高周波重畳制御を行う際に発生する放射電波について外部に漏れる放射電波を低減することができる画像形成装置を提供する。【解決手段】この画像形成装置は、画像形成のための光源としての半導体レーザと、半導体レーザに対し高周波重畳制御を行う高周波重畳制御部と、を備え、高周波重畳制御部を構成する高周波重畳制御回路を含む基板２０１にシールドパターンを設け、基板２０１を第１のシールド部材２０３，２０４と第２のシールド部材２０５との間で一体的に固定し、シールドパターンが第１のシールド部材と第２のシールド部材とに面接触するように構成した。【選択図】  図５
2004338316.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成のための光源としての半導体レーザと、前記半導体レーザに対し高周波重畳制御を行う高周波重畳制御部と、を備える画像形成装置であって、
前記高周波重畳制御部を構成する高周波重畳制御回路を含む基板にシールドパターンを設け、前記基板を第１のシールド部材と第２のシールド部材との間で一体的に固定し、前記シールドパターンが前記第１のシールド部材と前記第２のシールド部材とに面接触するように構成したことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記シールドパターンは前記基板の端部に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記シールドパターンは半田が盛り上がるように形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記第１のシールド部材及び前記第２のシールド部材は前記基板を基板端部も含め実質的に包囲するように向き合うように配置されていることを特徴とする請求項１，２または３に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記第１のシールド部材は前記基板との間にスペースが形成されるようにその外周に枠部材が設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記第１のシールド部材の枠部材は、所定幅を有する四辺の外周部のうちの少なくとも一辺を省略し、前記省略された辺の外周部分を前記第２のシールド部材が覆うように構成されたことを特徴とする請求項５に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記半導体レーザからのレーザ光により熱現像感光フィルムに潜像を形成することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記基板に取り付けられた部品に対する調整のための調整用開口が前記第２のシールド部材に設けられていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記調整用開口を閉塞する閉塞部材を配置したことを特徴とする請求項８に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記半導体レーザ及び前記基板はベース部材に取り付けられ、前記ベース部材は前記半導体レーザからのレーザ光が前記ベース部材から出射するように開口部を有し、
前記基板は前記基板で発生する放射電波が前記開口部から外部に漏れ難い位置に配置されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１１】
前記ベース部材が防塵カバー部材で覆われるとともに、前記防塵カバー部材にシールド機能を持たせることで２重シールド構造としたことを特徴とする請求項１０に記載の画像形成装置。
【請求項１２】
前記基板に対する配線の少なくとも一部をシールドする配線シールド部材を備えることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、画像形成のための光源である半導体レーザに対し高周波重畳制御を行うようにした画像形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
感光フィルムにレーザ光を照射することにより潜像を形成する画像形成装置等では、半導体レーザを高周波が重畳された電流で駆動することでフィルム上での干渉縞の発生等の悪影響を防止することが公知である（下記特許文献１参照）。ところが、半導体レーザの高周波重畳の制御時に高周波重畳制御回路を構成した基板から比較的強い放射電波が発生し電気的ノイズとして外部に漏れ、他の電気部品や電気回路等に悪影響を与えてしまうおそれがあった。また、感光フィルムとして熱現像感光フィルムを用いると、熱現像感光フィルムは比較的感度が低いため、光源である半導体レーザのパワーが必要となる結果、放射電波も大きくなってしまう。
【０００３】
かかる放射電波の対策として、例えば下記特許文献２に記載のように、基板をシールドケースで覆うこと、基板の片面がシールド構造の多層基板を用いること、基板のシールド面に対向してループ状グランドパターンを形成し、その間を適当な間隔のスルーホールで結ぶこと、基板のシールド用グランドパターン上に半田で盛り上げること等が提案されている。
【０００４】
しかし、上述の対策のうち、シールドケースで覆うだけでは基板のグランドレベルに対しシールドケースの電位が変動し放射電波が外部に漏れるという問題があった。また、画像形成装置ではレーザ半導体や光学系等を内部に含む光学ユニットにおいてレーザ光を出射させる開口部から放射電波が漏れるという問題があった。また、１重のシールドでは不十分な場合があった。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−３４７３１１公報
【０００６】
【特許文献２】
特開平７−２４０５９５号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記従来技術の問題に鑑み、半導体レーザに対し高周波重畳制御を行う際に発生する放射電波について外部に漏れる放射電波を低減することができる画像形成装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明による画像形成装置は、画像形成のための光源としての半導体レーザと、前記半導体レーザに対し高周波重畳制御を行う高周波重畳制御部と、を備える画像形成装置であって、前記高周波重畳制御部を構成する高周波重畳制御回路を含む基板にシールドパターンを設け、前記基板を第１のシールド部材と第２のシールド部材との間で一体的に固定し、前記シールドパターンが前記第１のシールド部材と前記第２のシールド部材とに面接触するように構成したことを特徴とする。
【０００９】
この画像形成装置によれば、基板が第１のシールド部材と第２のシールド部材との間で一体的に固定されるとともにシールドパターンが第１のシールド部材と第２のシールド部材とに面接触するシールド構造により、基板とシールド部材との間のインピーダンスを減らすことができ、半導体レーザに対し高周波重畳制御を行う際に外部に漏れる放射電波を低減することができる。なお、半導体レーザは半導体レーザ駆動回路を含む半導体レーザ駆動部で駆動される。
【００１０】
上記画像形成装置において前記シールドパターンは前記基板の端部に形成されることが好ましい。基板の端部で基板全体をシールドすることができる。
【００１１】
また、前記シールドパターンは半田が盛り上がるように形成されていることが好ましく、基板が第１のシールド部材及び第２のシールド部材に対し一体的に固定され面接触するときに、盛り上がりの半田がつぶれて接触面積が増え、両者間のインピーダンスを更に減らすことができる。
【００１２】
また、前記第１のシールド部材及び前記第２のシールド部材は前記基板を基板端部も含め実質的に包囲するように向き合うように配置されていることが好ましく、基板のいずれの部分からの放射電波について、その外部への漏れを低減できる。
【００１３】
また、前記第１のシールド部材は前記基板との間にスペースが形成されるようにその外周に枠部材が設けられていることで、例えば、基板と半導体レーザとを接続するためのコネクタ部を第１のシールド部材に取り付けることができる。
【００１４】
また、前記第１のシールド部材の枠部材は、所定幅を有する四辺の外周部のうちの少なくとも一辺を省略し、前記省略された辺の外周部分を前記第２のシールド部材が覆うように構成されることが好ましい。第１のシールド部材の枠部材の四辺の外周部のうちの少なくとも一辺を省略することで、基板と第１，第２のシールド部材とによるシールド構造をコンパクトに構成でき、装置の小型化に寄与できるとともに、省略した辺を第２のシール部部材で覆うので、シールド効果に影響がない。なお、第１のシールド部材と枠部材とは別部材で構成し、ねじ等により固定するようにしてもよい。
【００１５】
また、前記半導体レーザからのレーザ光により熱現像感光フィルムに潜像を形成するようにできる。熱現像感光フィルムは一般に感度が低いため光源のパワーが必要となり放射電波も大きくなるが、上述のシールド構造により放射電波を低減できる。
【００１６】
また、前記基板に取り付けられた部品に対する調整のための調整用開口が前記第２のシールド部材に設けらることで、調整を行い易くなり、調整性が向上する。この場合、前記調整用開口を閉塞する閉塞部材を配置することで、調整用開口からの放射電波の漏れを低減できる。
【００１７】
また、前記半導体レーザ及び前記基板はベース部材に取り付けられ、前記ベース部材は前記半導体レーザからのレーザ光が前記ベース部材から出射するように開口部を有し、前記基板は前記基板で発生する放射電波が前記開口部から外部に漏れ難い位置に配置されていることが好ましく、開口部からの放射電波の漏れを低減できる。
【００１８】
また、前記ベース部材が防塵カバー部材で覆われるとともに、前記防塵カバー部材にシールド機能を持たせることで２重シールド構造とすることが好ましく、放射電波の漏れをより低減できる。
【００１９】
また、前記基板に対する配線の少なくとも一部をシールドする配線シールド部材を備えることが好ましく、配線から出射する放射電波の漏れを低減させることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による実施の形態について図面を用いて説明する。図８は本発明の実施の形態による画像形成装置の要部を示す正面図である。
【００２１】
図８に示すように画像形成装置１は、シート状の記録媒体である熱現像感光フィルム（以下、単に「フィルム」ともいう。）を所定枚数でパーケージした包装体を装填する第１及び第２の装填部Ｃ１，Ｃ２と、フィルムを１枚づつ露光・現像のために搬送し供給するサプライ部９１とを有する供給部１１０’と、供給部１１０’から給送されたフィルムを露光し潜像を形成する露光部１２０と、潜像を形成されたフィルムを熱現像する現像部１３０’と、現像されたフィルムの濃度を測定し濃度情報を得る濃度計２００’と、を備える。
【００２２】
供給部１１０’の第１及び第２の装填部Ｃ１，Ｃ２からフィルムが１枚づつサプライ部９１、搬送ローラ対３９，４１，１４１により図８の矢印方向（１）に搬送され、露光部１２０で搬送ローラ対１４２により矢印方向（２）に搬送され副走査されながら露光され、フィルムに潜像が形成される。潜像の形成されたフィルムは、更に、搬送ローラ対１４２により矢印方向（２）に搬送され、搬送ローラ対１４３により現像部１３０’へと矢印方向（３）に搬送される。
【００２３】
図８に示すように、現像部１３０’はフィルムを外周に保持しつつ加熱可能なドラム１４と、ドラム１４との間でフィルムを挟んで保持する複数のロール１６とを有する。ドラム１４は、ヒータ（図示省略）を内部に備え、フィルムＦを所定の最低熱現像温度（例えば１１０℃前後）以上の温度に所定の熱現像時間維持することでフィルムＦを熱現像する。これによって、上述の露光部１２０でフィルムＦに形成された潜像を可視画像として形成する。
【００２４】
熱現像部１３０’の左側方には、複数の搬送ローラ対１４４及び濃度計２００を内部に備えるとともに加熱されたフィルムを冷却するための冷却搬送部１５０が設けられている。加熱ドラム１４から離れたフィルムＦを冷却搬送部１５０で図８の矢印（３）に示すように右斜め下方に搬送しつつ、冷却する。そして、搬送ローラ対１４４が冷却されたフィルムＦを搬送しつつ、濃度計２００’がフィルムＦの濃度を測定する。その後、複数の搬送ローラ対１４４は、フィルムＦを図８の矢印（４）のように更に搬送し、画像形成装置１の上部から取り出せるように、画像形成装置１の右上方部に設けられた排出トレイ１６０’に排出する。
【００２５】
次に、上述の画像形成装置の露光部について図１を参照して説明する。図１は図８の画像形成装置の露光部を概略的に示す図である。
【００２６】
図１に示すように図８の画像形成装置１の露光部１２０は、ＡＰＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ｐｏｗｅｒ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路を含む半導体レーザ駆動回路１００を備え、画像信号出力装置４５から出力した光量指令信号（画像信号）Ｓに基づいて駆動された半導体レーザ６０から出射した所定波長のレーザ光Ｌを、回転多面鏡１１３によって偏向して、シート状の記録媒体である熱現像感光フィルムＦ上を主走査するとともに、フィルムＦをレーザ光Ｌに対して主走査の方向Ｘと略直角な方向Ｙに相対移動させることにより副走査し、レーザ光Ｌを用いてフィルムＦに潜像を形成するように構成されている。
【００２７】
画像信号出力装置４５から出力された光量指令信号（画像信号）Ｓが半導体レーザ駆動回路１００に入力し、半導体レーザ駆動回路１００からの駆動電流Ｉで半導体レーザ６０を駆動し、半導体レーザ６０から画像信号Ｓで変調されたレーザ光Ｌを照射させる。レーザ光Ｌは、コリメートレンズ１２を通過した後、その一部がＡＰＣ回路の構成のためにビームスプリッタ１３で反射し受光素子５０の受光面１７に入射する一方、ビームスプリッタ１３を透過し、シリンドリカルレンズ１１５により上下方向にのみ収束されて、図１の矢印Ａ方向に回転する回転多面鏡１１３に対し、その駆動軸に垂直な線像として入射する。
【００２８】
回転多面鏡１１３はレーザ光Ｌを主走査方向に反射偏向し、偏向されたレーザ光Ｌは、４枚のレンズを組み合わせてなるシリンドリカルレンズを含むｆθレンズ１１４を通過した後、光路上に主走査方向に延在して設けられたミラー１１６で反射されて、副走査搬送部１４２により矢印Ｙ方向に搬送され副走査されているフィルムＦの被走査面１１７上を、矢印Ｘ方向に繰り返し主走査される。
【００２９】
上述のようにして、レーザ光ＬがフィルムＦ上の被走査面１１７のほぼ全面にわたって走査することで、フィルムＦに画像信号Ｓに基づく潜像が形成される。その後、フィルムＦは熱現像処理が施されることで潜像が可視像化される。
【００３０】
次に、図１の半導体レーザ駆動回路１００について図２、図３を参照して説明する。図２は図１の半導体レーザ駆動回路１００を概略的に示す図である。図３は図２の半導体レーザ駆動回路１００から半導体レーザに流れる駆動電流の波形例を示す図である。
【００３１】
図２に示すように、半導体レーザ駆動回路１００は、半導体レーザ６０を駆動する駆動電流を生成するとともに半導体レーザ６０から光を安定にして出力させるためのフィードバック制御によるＡＰＣ回路を構成し、また高周波重畳制御回路２００で半導体レーザ６０の駆動電流に高周波成分を重畳するようになっている。
【００３２】
図２のように、半導体レーザ駆動回路１００では、半導体レーザ６０からの光の一部が入射する受光素子５０等から構成される光量モニタ部９９からフィードバックされた受光信号Ｍと、画像信号である光量指令信号Ｓとが加減算器１０に入力すると、それらの偏差を示す偏差信号を出力し、偏差信号増幅回路２０に送る。偏差信号増幅回路２０は、加減算器１０からの偏差信号を増幅してレーザ駆動信号を線形駆動電流出力回路３０と非線形駆動電流出力回路４０に送る。
【００３３】
線形駆動電流出力回路３０と非線形駆動電流出力回路４０は、偏差信号増幅回路２０からのレーザ駆動信号を電圧電流変換して半導体レーザを駆動する電流を出力する。線形駆動電流出力回路３０は、光量指令信号の増減に対応して線形な駆動電流を出力する。非線形駆動電流出力回路４０は、半導体レーザの自然発光領域におけるレーザ駆動電流に対する非線形な光出力特性を補償するための非線形駆動電流出力を行い、両者を合わせて光量指令信号と光出力の線形応答を実現して広い光出力のダイナミックレンジで確保している。線形駆動電流出力回路３０と非線形駆動電流出力回路４０から出力されたレーザ駆動電流は、合わせて高周波重畳制御回路２００に送られて半導体レーザ６０を駆動する。
【００３４】
光量モニタ部９９では、フォトダイオード等からなる受光素子５０が半導体レーザ６０から発せられる前方出射光の一部を受光して電流信号に変換しフィルタ７０に送る。即ち、受光素子５０は、図１のように、レーザ光Ｌの一部がビームスプリッタ１３で反射し受光面１７に入射可能な位置に光軸調整されている。フィルタ７０はローパスフィルタであり、電流信号に含まれる高周波成分を遮断し、受光信号増幅回路８０に送る。受光信号増幅回路８０では、高周波成分がカットされた電流信号を電流電圧変換して電圧出力を所定の電圧レベルまで増幅し、フィードバックゲイン変更回路９０に送る。
【００３５】
フィードバックゲイン変更回路９０は、後述する高周波重畳制御回路２００を使用する場合と使用しない場合とで、フィードバックゲインを切り替えるためのものである。高周波重畳制御回路２００を使用する場合は、半導体レーザ６０は半導体レーザに対置して設けられた電流経路上の負荷１０１と交互に通電されることになり平均光量が減少する。そこで、光量指令信号Ｓに対応する一定の光量を確保するために、高周波重畳制御回路２００を使用しない場合と比較してフィードバックゲインを高く設定する。
【００３６】
フィードバックゲイン変更回路９０で調整された受光信号Ｍは、加減算器１０に送られ、閉ループが完成し、ＡＰＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ｐｏｗｅｒ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路が構成される。なお、高周波重畳制御回路２００を使用する時のフィードバックゲインを基準として、高周波重畳制御回路２００を使用しない場合のフィードバッグゲインを低く設定するようにフィードバッグゲイン変更回路９０を作用させても良い。
【００３７】
上記の構成によれば、受光信号およびレーザ駆動信号に高周波重畳制御回路２００における高周波的な変調の影響が及びにくく、光量指令信号に基づいた半導体レーザの発光量の直接変調が交互駆動に依存しないように時間的に平均された光出力によるフィードバックに基づいて行われて、発光量の制御が安定化する。
【００３８】
次に、図２の高周波重畳制御回路２００は、半導体レーザ６０に対置された電流経路と、半導体レーザ及び対置された電流経路の各々に通電するための電流駆動用トランジスタ１１０、１２０と、インバータ１３０およびバッファゲート１４０からなる駆動回路部と、発振器からなる制御信号発生回路１５０とを有する。図２では、半導体レーザ６０に対置する電流経路に負荷１０１が設けられている。
【００３９】
線形駆動電流出力回路３０と非線形駆動電流制御回路４０との出力を合成して得られるレーザ駆動電流Ｉは、制御信号発生回路１５０の制御信号により、交互に半導体レーザ６０、負荷１０１のいずれかに流すことになり、負荷１０１は、半導体レーザ６０の代わりとなるダミーとしての負荷として作用する。そのため、負荷１０１の一端は、半導体レーザ６０と同じく正電源に接続されている。負荷１０１の他端は、電流駆動用トランジスタ１２０のコレクタに接続されている。図２の負荷１０１は可変抵抗素子が使用されている。
【００４０】
電流駆動用トランジスタ１１０のベースはバッファゲート１４０の出力ピンに接続されており、エミッタは線形駆動電流出力回路３０と非線形駆動電流出力回路４０に接続されている。また、コレクタは半導体レーザ６０に接続されている。
【００４１】
電流駆動用トランジスタ１２０のベースはインバータ１３０の出力ピンに接続され、エミッタは電流駆動用トランジスタ１１０と同様に線形駆動電流出力回路３０と非線形駆動電流出力回路４０に接続されている。また、コレクタは負荷１０１に接続されている。
【００４２】
制御信号発生回路１５０は、半導体レーザ６０と負荷１０１に交互に通電するための基準となる信号を発生するための発振器である。発振周波数は、光量指令信号Ｓが有する周波数の約１０倍になるように設定されている。制御信号発生回路１５０の一端は接地され、他端は、インバータ１３０とバッファゲート１４０の入力ピンに接続されている。
【００４３】
制御信号発生回路１５０から基準信号が発振されると、バッファゲート１４０で同位相の増幅された信号が電流駆動用トランジスタ１１０に伝えられる。また、基準信号はインバータ１３０で逆位相に反転され、電流駆動用トランジスタ１２０に伝えられる。電流駆動用トランジスタ１１０，１２０は互いに逆の位相で半導体レーザ６０と負荷１０１に交互に通電する動作を繰り返す。
【００４４】
上述のようにして、レーザ駆動電流Ｉが交互に半導体レーザ６０と負荷１０１に流れるようにオンオフ制御されることで高周波重畳制御が行われ、図３のように半導体レーザ６０には高周波成分が重畳したレーザ駆動電流が流れ、半導体レーザ６０がパルセーション駆動される。
【００４５】
次に、図１，図２に示す画像形成装置の露光部を収容した光学ユニットについて図４、図５を参照して説明する。図４は図１，図２の露光部１２０を収容した光学ユニット３００を防塵カバー部材３０２を取り外した状態で示す斜視図である。図５は図４の光学ユニットのベース部材上の要部平面を断面的に示す要部平面図である。
【００４６】
図４に示すように、光学ユニット３００は、図１の露光部１２０を構成する各部品が取り付けられたベース部材３０１と、ベース部材３０１を防塵等のために覆う防塵カバー部材３０２と、を備える。ベース部材３０１及び防塵カバー部材３０２は金属材料等の導電性材料から構成される。
【００４７】
図４のように、ベース部材３０１上には、図１の露光部１２０を構成する半導体レーザ６０、回転多面鏡１１３、ｆθレンズ１１４及びミラー１１６等の光学系が取り付けられている。
【００４８】
また、図４，図５のように、ベース部材３０１上には、図２の半導体レーザ駆動回路１００を構成した駆動制御基板１０１をシールドしたシールドケース１０２と、図２の高周波重畳制御回路２００を構成した重畳制御基板２０１をシールドしたシールドケース２０２が取り付けられている。
【００４９】
図６は図５の重畳制御基板２０１をシールドしたシールドケース２０２のシールド構造を示す分解斜視図である。
【００５０】
図６に示すように、重畳制御基板２０１のためのシールドケース２０２は、重畳制御基板２０１の外形形状に対応した矩形状の第１のシールド部材２０３と、第１のシールド部材２０３の外周に取り付けられ矩形形状の一辺が省略されたコ字状の枠部材２０４と、板状に構成された第２のシールド部材２０５と、から構成され、枠部材２０４と第２のシールド部材２０５との間に重畳制御基板２０１が挟み込まれるようになっている。
【００５１】
図６のように、第１のシールド部材２０３と枠部材２０４とは比較的厚みのあるブロック状に構成され、第１のシールド部材２０３に半導体レーザ６０が取り付けられており、枠部材２０４との間の空間に半導体レーザ６０のコネクタピン２０６ａが延びており、重畳制御基板２０１に電気接続されている。
【００５２】
また、重畳制御基板２０１は、矩形形状４辺の外周囲にシールドパターン２０１ａが帯状に両面側にグランド面として形成されており、シールドパターン２０１ａには半田が多数の線状に盛り上げられており、またねじ固定のための複数の孔２０１ｃが形成されている。シールドパターン２０１ａの内側の矩形状部分が電気部品の実装部２０１ｂである。
【００５３】
図５，図６のように、第２のシールド部材２０５は、重畳制御基板２０１の図６の縦方向端部２０１ｅを覆うように第１のシール部材２０５に向けて延びた第１端部覆い部２０９と、第１のシールド部材２０３の横方向端部２０３ａまで覆うように延びた第２端部覆い部２１０を、有する。第１端部覆い部２０９と、第２端部覆い部２１０とにより、シールドケース２０２では第２のシールド部材２０５が重畳制御基板２０１をほぼ完全に覆うことができる。
【００５４】
また、第１のシールド部材２０３の枠部材２０４は、所定幅を有する四辺の外周部のうちの横方向の辺を省略することで第１及び第２のシールド部材２０３〜２０５によるシールドケース２０２をコンパクトに構成でき、装置の小型化に寄与でき、また、省略した辺を第２のシール部部材２０２の第２端部覆い部２１０で覆うので、シールド効果に影響が少ない。
【００５５】
第２のシールド部材２０５の背面側には重畳制御基板２０１に実装された電気部品のための長円状の調整用開口２０７が形成されており、調整後は調整用開口２０７は閉塞部材２０８が回動部２０８ａで回動して閉塞され、シールド効果に影響が少なくなる。調整用開口２０７で調整される電気部品としては、例えば図２の負荷１０１を構成する可変抵抗素子等がある。
【００５６】
また、図５、図６に示すように、重畳制御基板２０１には配線用のコネクタ部２０１ｆが配置されており、また、駆動制御基板１０１には配線用のコネクタ部１０１ａが配置されており、両コネクタ部２０１ｆ、１０１ａが配線ケーブル２１６で接続されることで、重畳制御基板２０１と駆動制御基板１０１とが電気的に接続される。配線ケーブル２１６はシールドケース１０２及びシールドケース２０２の外部にいったん出るので、この外部に出た配線ケーブル２１６を覆うように断面Ｌ字状の配線シールド部材２１５をシールドケース１０２とシールドケース２０２との間に設けている。この配線シールド部材２１５により配線ケーブル２１６から発生する放射電波の外部への漏れを低減できる。配線シールド部材２１５は、接着またはねじ止め等で各シールドケース１０２、２０２に取り付けることができる。
【００５７】
なお、第１のシールド部材２０３、枠部材２０４、第２のシールド部材２０５、及び配線シールド部材２１５は金属材料等の導電性材料から構成される。
【００５８】
上述のようなシールドケース２０２は、第１のシールド部材２０３と一体になる枠部材２０４と第２のシールド部材２０５との間に重畳制御基板２０１を挟んだ状態で図５のように第１のシールド部材２０３、枠部材２０４、重畳制御基板２０１及び第２のシールド部材２０５を複数のねじ部材２１１で一体に固定し、図４のベース部材３０１に取り付けられる。このとき、重畳制御基板２０１の両面に形成されたシールドパターン２０１ａでは、半田がつぶれることにより接触面積が増えることで、両者間のインピーダンスを減らすことができる。
【００５９】
また、ねじ部材２１１のねじ込みにより比較的強く締め付けることができ、面接触をより確実にすることができる。また、ねじ部材２１１によるねじ込み固定部分は重畳制御基板２０１の四隅を含めて複数部に設けることで、重畳制御基板２０１を確実に固定することができ、シールド効果が増す。
【００６０】
以上のように、重畳制御基板２０１をシールドするシールドケース２０２のシールド構造によれば、重畳制御基板２０１を第１のシールド部材２０３，２０４と第２のシールド部材２０５との間で一体的に固定しかつ重畳制御基板２０１の両面のシールドパターン２０１ａを第１のシールド部材２０３，２０４と第２のシールド部材２０５とに面接触させ、更にシールドパターン２０１ａで盛り上がりの半田がつぶれて接触面積が増えるので、重畳制御基板２０１とシールド部材２０３〜２０５との間のインピーダンスを減らすことができ、半導体レーザ１０の制御時に重畳制御基板２０１で発生する放射電波の外部への漏れを低減することができる。
【００６１】
また、シールドケース２０２では、第１のシールド部材２０３，２０４及び第２のシールド部材２０５が重畳制御基板２０１を基板端部２０１ｄ、２０１ｅも含め実質的に包囲するように向き合うように配置されることで、重畳制御基板２０１のいずれの部分からの放射電波について、その外部への漏れを低減できる。
【００６２】
上述のように、図５，図６のシールドケース２０２内にシールドされる重畳制御基板２０１は、図２の半導体レーザ駆動回路１００の高周波重畳制御回路２００を構成する。このとき、例えば、半導体レーザ６０に対する駆動電流Ｉを高速（例えば４８０ＭＨｚ）に図３のようにＯＮ・ＯＦＦ制御し、このため半導体レーザ６０の駆動電流が百数十ｍＡ程度高速に変化することになり、不要な放射電波が図２の高周波重畳制御回路２００のトランジスタ１１０、１２０等の近傍から発生してしまい、更に、熱現像感光フィルムは感度が低いので光源である半導体レーザ６０の出力を大きくする必要があり、このためレーザ駆動電流も大きくなり、２００ｍＡを超える場合も想定され、発生する放射電波も大きくなるのであるが、上述のように、図５，図６のシールドケース２０２による重畳制御基板２０１のシールド構造によれば、重畳制御基板２０１をシールドケースで単純に覆うだけでなく、シールド部材２０３〜２０５と重畳制御基板２０１のグランド面とを点接触ではなく面接触させることにより、またねじ部材２１１の強い締め付け力で接触させることにより接触面積が増大し、接触面積を大きくでき、重畳制御基板２０１とシールド部材２０３〜２０５との間のインピーダンスを減らすことで、放射電波の外部への漏れを低減できるのである。
【００６３】
特に、放射電波（例えば５００ＭＨｚ）の高調波の１ＧＨｚ、１．５ＧＨｚ、２ＧＨｚ・・・、という非常に高い領域の周波数が問題となる場合には、その高周波数領域における抵抗値、つまりインピーダンスが問題となるが、上述のようなシールド構造によりインピーダンスを低下でき、かかる高周波数領域の放射電波の漏れを低減できる。
【００６４】
また、図４の光学ユニット３００において、細長く延びるミラー１１６の下部のベース部材３０１に、ミラー１１６で反射した光ビームが外部に出射するようにミラー１１６と同じ方向に延びた開口部１０６ａが形成されているが、重畳制御基板２０１は基板２０１で発生する放射電波が開口部１０６ａから外部に漏れ難い位置に配置され（例えば、互いにほぼ直角方向に配置する）、開口部１０６ａからの放射電波の漏れを低減できる。
【００６５】
また、ベース部材３０１及び防塵カバー部材３０２を金属材料等から構成し、ベース部材３０１を覆う防塵カバー部材３０２がシールド機能を持つことで２重シールド構造とすることができ、放射電波の漏れをより低減できる。
【００６６】
以上のように本発明を実施の形態により説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で各種の変形が可能である。例えば、重畳制御基板２０１のシールド構造は、図５，図６の構造に限定されず、例えば図７のようなシールド構造としてもよい。即ち、第１のシールド部材２０３の枠部材２０４の外周の内側に段部２０４ａを設け、段部２０４ａに重畳制御基板２０１を載せ、シールドパターン２０１ａが段部２０４ａに面接触した状態で第２のシールド部材２０５を更に重畳制御基板２０１の上に載せて面接触させてからねじ部材２１１で締め付ける。図７のシールド構造によれば、重畳制御基板２０１をその端部２０１ｅ等を含めて完全にシールド部材２０３〜２０５で覆うことができ、放射電波の外部への漏れを低減できる。なお、第１のシールド部材２０３と枠部材２０４は一体の部材としてもよい。
【００６７】
【発明の効果】
本発明の画像形成装置によれば、半導体レーザに対し高周波重畳制御を行う際に発生する放射電波について外部に漏れる放射電波を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態による画像形成装置の露光部を概略的に示す図である。
【図２】図１の半導体レーザ駆動回路を概略的に示す図である。
【図３】図２の半導体レーザに流れる駆動電流に高周波成分が重畳した波形例を示す図である。
【図４】図１の露光部を収容した光学ユニットを防塵カバー部材を取り外した状態で示す斜視図である。
【図５】図４の光学ユニットのベース部材上の要部平面を断面的に示す要部平面図である。
【図６】図５の重畳制御基板をシールドしたシールドケースのシールド構造を示す分解斜視図である。
【図７】図５，図６のシールド構造の変形例を示す側断面図である。
【図８】本実施の形態による画像形成装置の要部を示す正面図である。
【符号の説明】
１・・・画像形成装置
５０・・・受光素子
６０・・・半導体レーザ
１００・・・半導体レーザ駆動回路
２００・・・高周波重畳制御回路
２０１・・・重畳制御基板
２０１ａ・・・シールパターン
２０２・・・シールドケース
２０３・・・第１のシールド部材
２０４・・・枠部材
２０５・・・第２のシールド部材
２０７・・・調整用開口
２０８・・・閉塞部材
２１６・・・配線シールド部材
３００・・・光学ユニット
３０１・・・ベース部材
３０２・・・防塵カバー部材
【図１】
2004338316.tif 000003
【図２】
2004338316.tif 000004
【図３】
2004338316.tif 000005
【図４】
2004338316.tif 000006
【図５】
2004338316.tif 000007
【図６】
2004338316.tif 000008
【図７】
2004338316.tif 000009
【図８】
2004338316.tif 000010