(57)【要約】  【課題】  スプリアス抑制のための減衰特性や通過帯域近傍の減衰特性が大きく、かつ、小型化を図ることができる平衡不平衡変換回路および積層型平衡不平衡変換器を提供する。  【解決手段】  平衡不平衡変換回路２１は、１／４波長以下のストリップライン２２〜２５を有している。そして、ストリップライン２２の平衡端子２６に接続された一端２２ａとストリップライン２４の不平衡端子２８に接続された一端２４ａとを対向させて、ストリップライン２２と２４を電磁結合し、結合器を構成する。同様に、ストリップライン２３の平衡端子２７に接続された一端２３ａとストリップライン２５の開放端子２９に接続された一端２５ａとを対向させて、ストリップライン２３と２５を電磁結合し、結合器を構成する。【選択図】  図１
2004274715.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端と他端を有し、前記他端がグランドに電気的に接続された第１ストリップラインと、
一端と他端を有し、前記他端がグランドに電気的に接続された第２ストリップラインと、
前記第１ストリップラインの一端に電気的に接続された第１平衡端子と、
前記第１平衡端子とグランドとの間に電気的に接続された第１コンデンサと、
前記第２ストリップラインの一端に電気的に接続された第２平衡端子と、
前記第２平衡端子とグランドとの間に電気的に接続された第２コンデンサと、
一端と他端を有する第３ストリップラインと、
一端と他端を有し、前記他端が前記第３ストリップラインの他端に電気的に接続された第４ストリップラインと、
前記第３ストリップラインの一端に電気的に接続された不平衡端子と、
前記不平衡端子とグランドとの間に電気的に接続された第３コンデンサと、
前記第４ストリップラインの一端とグランドとの間に電気的に接続された第４コンデンサとを備え、
前記第１ストリップラインと前記第３ストリップラインが一端同士および他端同士が対向するように電磁結合し、かつ、前記第２ストリップラインと前記第４ストリップラインが一端同士および他端同士が対向するように電磁結合していること、
を特徴とする平衡不平衡変換回路。
【請求項２】
前記第１平衡端子および前記第２平衡端子にそれぞれ第１トラップ回路および第２トラップ回路を電気的に接続したことを特徴とする請求項１に記載の平衡不平衡変換回路。
【請求項３】
前記第１トラップ回路および前記第２トラップ回路をそれぞれＬＣ並列共振回路にて構成するとともに、前記第１平衡端子および前記第２平衡端子にそれぞれ前記ＬＣ並列共振回路の虚数部インピーダンスを調整する手段を電気的に接続したことを特徴とする請求項２に記載の平衡不平衡変換回路。
【請求項４】
それぞれが一端と他端を有する第１、第２、第３および第４ストリップラインと、第１、第２、第３および第４コンデンサとを誘電体層を介して積み重ねて積層体を構成し、前記積層体の表面に第１および第２平衡端子と不平衡端子とグランド端子と開放端子とを設け、
前記第１平衡端子に前記第１ストリップラインの一端を電気的に接続するとともに、前記第２平衡端子に前記第２ストリップラインの一端を電気的に接続し、かつ、前記第１ストリップラインの他端と前記第２ストリップラインの他端をそれぞれ前記グランド端子に電気的に接続し、
前記不平衡端子に前記第３ストリップラインの一端を電気的に接続するとともに、前記開放端子に前記第４ストリップラインの一端を電気的に接続し、かつ、前記第３ストリップラインの他端と前記第４ストリップラインの他端を電気的に接続し、
前記第１コンデンサを前記第１平衡端子と前記グランド端子との間に電気的に接続し、前記第２コンデンサを前記第２平衡端子と前記グランド端子との間に電気的に接続し、前記第３コンデンサを前記不平衡端子と前記グランド端子との間に電気的に接続し、前記第４コンデンサを前記開放端子と前記グランド端子との間に電気的に接続し、
前記第１ストリップラインと前記第３ストリップラインが一端同士および他端同士が対向するように電磁結合し、かつ、前記第２ストリップラインと前記第４ストリップラインが一端同士および他端同士が対向するように電磁結合していること、
を特徴とする積層型平衡不平衡変換器。
【請求項５】
前記第１および第２ストリップラインを同一層に配置し、前記第３および第４ストリップラインを同一層に配置するとともに、前記第１および第２ストリップラインと前記第３および第４ストリップラインとを前記誘電体層を介して対向させていることを特徴とする請求項４に記載の積層型平衡不平衡変換器。
【請求項６】
前記積層体内に、前記第１平衡端子および前記第２平衡端子にそれぞれ電気的に接続された第１トラップ回路および第２トラップ回路を備え、前記第１トラップ回路および前記第２トラップ回路をそれぞれＬＣ並列共振回路にて構成し、前記積層体の積み重ね方向において、前記第１、第２、第３および第４ストリップラインと前記第１および第２トラップ回路のコイルとの間に前記第１および第２コンデンサが配置されていることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の積層型平衡不平衡変換器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平衡不平衡変換回路および積層型平衡不平衡変換器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、マイクロ波などの高周波領域で用いられるフィルタ機能を有する平衡不平衡変換回路として、マーチャンド型もしくはトランス型の回路が知られている。例えば、マーチャンド型回路は、特許文献１に記載のものがある。
【０００３】
図８に示すように、この平衡不平衡変換回路１は、平衡端子６とグランド端子Ｇの間にストリップライン２を電気的に接続し、平衡端子７とグランド端子Ｇの間にストリップライン３を電気的に接続し、不平衡端子８と開放端子９の間にストリップライン４，５を電気的に直列に接続している。そして、ストリップライン２の平衡端子６に接続された一端２ａとストリップライン４の不平衡端子８に接続された一端４ａとを逆に配置して、ストリップライン２と４を対向させて電磁結合させている。同様に、ストリップライン３の平衡端子７に接続された一端３ａとストリップライン５の開放端子９に接続された一端５ａとを逆に配置して、ストリップライン３と５を対向させて電磁結合させている。
【０００４】
また、狭帯域の平衡不平衡変換回路とする場合には、平衡端子６，７、不平衡端子８および開放端子９のそれぞれとグランド端子Ｇとの間にコンデンサＣ１〜Ｃ４を電気的に接続している（図８において点線参照）。
【０００５】
また、これとは別に図９に示すように、四つのＬＣ並列共振回路１２〜１５を備えた平衡不平衡変換回路１１も知られている。図９において、Ｃ１〜Ｃ４は共振用コンデンサ、Ｌ１〜Ｌ４は共振用コイル、Ｃｓ１〜Ｃｓ６は結合用コンデンサ、１６，１７は平衡端子、１８は不平衡端子、１９は開放端子およびＧはグランド端子である。
【０００６】
しかしながら、図８に示した平衡不平衡変換回路１は、通過帯域近傍の減衰特性およびスプリアス抑制（２倍波および３倍波抑制）のための減衰特性を得ることはできるが、その減衰量には限界があった。従って、通過帯域近傍の減衰特性およびスプリアス抑制機能を得るには、別途、ローパスフィルタ、バンドパスフィルタなどのフィルタを外付けする必要があり、回路が大きくなる（部品点数が多くなる）、挿入損失が大きくなるという問題があった。
【０００７】
また、図９に示した平衡不平衡変換回路１１は、ＬＣ並列共振回路１２〜１５を有しているため、素子数が多く、挿入損失も大きいという問題があった。
【特許文献１】特開平９−２６０１４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明の目的は、スプリアス抑制のための減衰特性や通過帯域近傍の減衰特性が大きく、かつ、小型化を図ることができる平衡不平衡変換回路および積層型平衡不平衡変換器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成するため、本発明に係る平衡不平衡変換回路は、
（ａ）一端と他端を有し、他端がグランドに電気的に接続された第１ストリップラインと、
（ｂ）一端と他端を有し、他端がグランドに電気的に接続された第２ストリップラインと、
（ｃ）第１ストリップラインの一端に電気的に接続された第１平衡端子と、
（ｄ）第１平衡端子とグランドとの間に電気的に接続された第１コンデンサと、
（ｅ）第２ストリップラインの一端に電気的に接続された第２平衡端子と、
（ｆ）第２平衡端子とグランドとの間に電気的に接続された第２コンデンサと、
（ｇ）一端と他端を有する第３ストリップラインと、
（ｈ）一端と他端を有し、他端が第３ストリップラインの他端に電気的に接続された第４ストリップラインと、
（ｉ）第３ストリップラインの一端に電気的に接続された不平衡端子と、
（ｊ）不平衡端子とグランドとの間に電気的に接続された第３コンデンサと、
（ｋ）第４ストリップラインの一端とグランドとの間に電気的に接続された第４コンデンサとを備え、
（ｌ）第１ストリップラインと第３ストリップラインが一端同士および他端同士が対向するように電磁結合し、かつ、第２ストリップラインと第４ストリップラインが一端同士および他端同士が対向するように電磁結合していること、
を特徴とする。
【００１０】
例えば、積層タイプの平衡不平衡変換器は、第１、第２、第３および第４ストリップラインと第１、第２、第３および第４コンデンサとを誘電体層を介して積み重ねて積層体を構成し、積層体の表面に第１および第２平衡端子と不平衡端子とグランド端子と開放端子とを設け、積層体内に前述の平衡不平衡変換回路を内蔵している。
【００１１】
以上の構成により、２倍波や３倍波が抑圧され、スプリアス抑制のための優れた減衰特性が得られる。
【００１２】
また、第１平衡端子および第２平衡端子にそれぞれ第１トラップ回路および第２トラップ回路を電気的に接続することにより、通過帯域近傍において優れた減衰特性が得られる。第１および第２トラップ回路は例えばＬＣ並列共振回路にて構成される。
【００１３】
さらに、ＬＣ並列共振回路の虚数部インピーダンスを調整する手段を電気的に接続することにより、インピーダンス調整が容易になる。調整する手段としては、例えばストリップライン（コイル）がある。
【００１４】
また、本発明は、前述の積層タイプの平衡不平衡変換器において、第１および第２ストリップラインを同一層に配置し、第３および第４ストリップラインを同一層に配置するとともに、第１および第２ストリップラインと第３および第４ストリップラインとを誘電体層を介して対向させていることを特徴とする。これにより、平衡不平衡変換器が低背化する。
【００１５】
また、本発明は、積層体内に、第１平衡端子および第２平衡端子にそれぞれ電気的に接続された第１トラップ回路および第２トラップ回路を備え、第１トラップ回路および第２トラップ回路をそれぞれＬＣ並列共振回路にて構成し、積層体の積み重ね方向において、第１、第２、第３および第４ストリップラインと第１および第２トラップ回路のコイルとの間に第１および第２コンデンサが配置されていることを特徴とする。以上の構成により、第１および第２コンデンサの広面積のコンデンサ電極が、第１、第２、第３および第４ストリップラインと第１および第２トラップ回路との磁気結合を防止する。従って、挿入損失や減衰特性を劣化させることなく、平衡不平衡変換器の小型化が可能となる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、第１ストリップラインと第３ストリップラインを一端同士および他端同士が対向するように電磁結合させ、第２ストリップラインと第４ストリップラインを一端同士および他端同士が対向するように電磁結合させるとともに、第１平衡端子、第２平衡端子、不平衡端子および開放端子のそれぞれとグランドとの間に第１〜第４コンデンサを電気的に接続しているので、２倍波や３倍波を抑圧することができ、スプリアス抑制の優れた平衡不平衡変換回路や積層型平衡不平衡変換器が得られる。また、第１平衡端子および第２平衡端子にそれぞれ第１トラップ回路および第２トラップ回路を電気的に接続することにより、通過帯域近傍において優れた減衰特性が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明に係る平衡不平衡変換回路および積層型平衡不平衡変換器の実施例について添付の図面を参照して説明する。
【実施例】
【００１８】
［第１実施例、図１および図２］
図１に示すように、平衡不平衡変換回路２１は１／４波長以下のストリップライン２２，２３、２４，２５を有している。ストリップライン２２，２３，２４，２５はそれぞれ、一端２２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａと他端２２ｂ，２３ｂ，２４ｂ，２５ｂを有している。ストリップライン２２の一端２２ａは平衡端子２６に電気的に接続し、他端２２ｂはグランド端子Ｇに電気的に接続している。ストリップライン２３の一端２３ａは平衡端子２７に電気的に接続され、他端２３ｂはグランド端子Ｇに電気的に接続している。ストリップライン２４の一端２４ａは不平衡端子２８に電気的に接続され、他端２４ｂはストリップライン２５の他端２５ｂに電気的に接続している。ストリップライン２５の一端２５ａは開放端子２９に電気的に接続している。
【００１９】
そして、ストリップライン２２の平衡端子２６に接続された一端２２ａとストリップライン２４の不平衡端子２８に接続された一端２４ａとを対向させるとともに、ストリップライン２２のグランド端子Ｇに接続された他端２２ｂとストリップライン２４のストリップライン２５に接続された他端２４ｂとを対向させて、ストリップライン２２と２４を電磁結合させ、結合器を構成している。
【００２０】
同様に、ストリップライン２３の平衡端子２７に接続された一端２３ａとストリップライン２５の開放端子２９に接続された一端２５ａとを対向させるとともに、ストリップライン２３のグランド端子Ｇに接続された他端２３ｂとストリップライン２５のストリップライン２４に接続された他端２５ｂとを対向させて、ストリップライン２３と２５を電磁結合させ、結合器を構成している。
【００２１】
さらに、平衡端子２６，２７、不平衡端子２８および開放端子２９のそれぞれとグランド端子Ｇとの間にコンデンサＣ１〜Ｃ４が電気的に接続している。
【００２２】
この平衡不平衡変換回路２１を平衡−不平衡信号変換器として用いる場合、不平衡端子２８から入った不平衡信号は、ストリップライン２４、ストリップライン２５と伝搬する。そして、ストリップライン２４においてはストリップライン２２と電磁結合し、ストリップライン２５においてはストリップライン２３と電磁結合することによって、不平衡信号は平衡信号に変換され、この平衡信号は平衡端子２６，２７から取り出される。
【００２３】
一方、平衡端子２６，２７から入った平衡信号は、前述の作用を逆に行うことにより、平衡信号は不平衡信号に変換され、この不平衡信号は不平衡端子２８から取り出される。
【００２４】
図２は平衡不平衡変換回路２１の通過（Ｓ２１）特性および入力反射（Ｓ１１）特性を示すグラフである（実線Ｓ２１，Ｓ１１参照）。図２には比較のため、図８に示した従来の平衡不平衡変換回路の通過（Ｓ２１’）特性および入力反射（Ｓ１１’）特性も併せて記載している（点線Ｓ２１’，Ｓ１１’参照）。図２から、平衡不平衡変換回路２１は２倍波および３倍波を抑制しており、スプリアス抑制のための優れた減衰特性をもっていることがわかる。
【００２５】
［第２実施例、図３および図４］
図３に示す平衡不平衡変換回路４１は、図１に示した平衡不平衡変換回路２１の平衡端子２６とストリップライン２２の間、並びに、平衡端子２７とストリップライン２３の間にそれぞれトラップ回路４４，４５を電気的に接続したものと同様のものである。トラップ回路４４はコンデンサＣ５とコイル（ストリップライン）４２のＬＣ並列共振回路である。同様に、トラップ回路４５はコンデンサＣ６とコイル（ストリップライン）４３のＬＣ並列共振回路である。
【００２６】
図４は平衡不平衡変換回路４１の通過（Ｓ２１）特性および入力反射（Ｓ１１）特性を示すグラフである（実線Ｓ２１，Ｓ１１参照）。図４には比較のため、図１に示した平衡不平衡変換回路の通過（Ｓ２１’）特性および入力反射（Ｓ１１’）特性も併せて記載している（点線Ｓ２１’，Ｓ１１’参照）。図４から、平衡不平衡変換回路４１は、２倍波および３倍波の抑制とともに、通過帯域近傍での減衰量を大きくすることができ、より一層優れた減衰特性をもつことができる。
【００２７】
［第３実施例、図５〜図７］
図５に示す平衡不平衡変換回路５１は、図３に示した平衡不平衡変換回路４１の平衡端子２６とトラップ回路４４の間、並びに、平衡端子２７とトラップ回路４５の間にそれぞれトラップ回路４４，４５の虚数部インピーダンスを調整するためのコイル（ストリップライン）５２，５３を電気的に接続したものと同様のものである。これにより、トラップ回路４４，４５のインピーダンス調整が容易になる。具体的には、コイル５２，５３の線路長を長くしてインダクタンスを大きくすると、虚数部インピーダンスが大きくなる。逆に、コイル５２，５３の線路長を短くしてインダクタンスを小さくすると、虚数部インピーダンスが小さくなる。
【００２８】
図６は、図５に示した平衡不平衡変換回路５１を内蔵した積層型平衡不平衡変換器５１Ａの分解斜視図である。平衡不平衡変換器５１Ａは、グランド電極５４，５５を表面に形成した誘電体シート７８と、コイル４２，４３，５２，５３を表面に形成した誘電体シート７８と、配線電極５６〜５９を表面に形成した誘電体シート７８と、グランド電極６０，６１およびコンデンサ電極６２，６３を表面に形成した誘電体シート７８と、コンデンサ電極６４，６５を表面に形成した誘電体シート７８と、グランド電極６６，６７およびコンデンサ電極６８，６９を表面に形成した誘電体シート７８と、１／４波長以下のストリップライン２２，２３、２４，２５をそれぞれ表面に形成した誘電体シート７８と、コンデンサ電極７０，７１を表面に形成した誘電体シート７８と、予め電極を表面に設けていない保護用誘電体シート７８などにて構成されている。
【００２９】
誘電体シート７８の材料としては、誘電体セラミック粉末を結合剤などとともに混練したものをシート状にしたものが使用される。ストリップライン２２〜２５やコイル４２，４３，５２，５３やコンデンサ電極６２，６３などは、スパッタリング法、蒸着法、印刷法などの方法により形成され、Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕなどの材料からなる。
【００３０】
ストリップライン２２と２３はそれぞれ同一の誘電体シート７８の右半分と左半分に配置されている。ストリップライン２２の一端部は誘電体シート７８の右辺に露出し、ストリップライン２３の一端部は誘電体シート７８の左辺に露出している。ストリップライン２２，２３のそれぞれの他端部は誘電体シート７８の奥側の辺の中央部に共通に露出している。
【００３１】
ストリップライン２４と２５はそれぞれ同一の誘電体シート７８の右半分と左半分に配置されている。ストリップライン２４，２５の一端部はそれぞれ誘電体シート７８の奥側の辺の右側および左側に露出している。ストリップライン２４，２５の他端部は誘電体シート７８の中央部で電気的に接続している。ストリップライン２４はシート７８を挟んでストリップライン２２に対向するように形成されている。従って、ストリップライン２２と２４は電磁結合して結合器を構成する。また、ストリップライン２５はシート７８を挟んでストリップライン２３に対向するように形成されている。従って、ストリップライン２３と２５は電磁結合して結合器を構成する。
【００３２】
グランド電極５４，５５はそれぞれ同一の誘電体シート７８の右半分と左半分の領域に広面積に設けられている。グランド電極５４の三つの引出し部は、シート７８の手前側の辺の右側、右辺および奥側の辺の中央部右寄りの位置に露出している。グランド電極５５の三つの引出し部は、シート７８の手前側の辺の左側、左辺および奥側の辺の中央部左寄りの位置に露出している。
【００３３】
コンデンサ電極７０，７１はそれぞれ同一の誘電体シート７８の右側と左側に配置されている。コンデンサ電極７０，７１の引出し部はそれぞれシート７８の奥側の辺の右側および左側に露出している。これらのコンデンサ電極７０，７１は、シート７８を挟んでグランド電極５４，５５に対向することにより、それぞれコンデンサＣ３，Ｃ４を形成している。
【００３４】
コンデンサ電極６２，６３は、それぞれ同一のシート７８の右側と左側に配置されている。コンデンサ電極６８，６９も、それぞれ同一のシート７８の右側と左側に配置されている。コンデンサ電極６２とグランド電極６０、並びに、コンデンサ電極６８とグランド電極６６はそれぞれの電極端でコンデンサＣ１を形成している。コンデンサ電極６３とグランド電極６１、並びに、コンデンサ電極６９とグランド電極６７はそれぞれの電極端でコンデンサＣ２を形成している。
【００３５】
コンデンサ電極６４とコンデンサ電極６２，６８は、シート７８を間に挟んで対向してコンデンサＣ５を形成している。コンデンサ電極６５とコンデンサ電極６３，６９は、シート７８を間に挟んで対向してコンデンサＣ６を形成している。
【００３６】
コイル４２，４３はそれぞれ渦巻状の形状をしており、同一の誘電体シート７８の右側と左側に配置されている。コイル４２の一端はシート７８の右辺に露出している。コイル４２の他端は、シート７８に設けたビアホール７５および配線電極５６を介して、コイル５２の一端およびコンデンサ電極６４に電気的に接続している。これにより、コイル４２とコンデンサＣ５とでＬＣ並列共振回路（トラップ回路）４４を構成している。コイル４３の一端はシート７８の左辺に露出している。コイル４３の他端は、ビアホール７５および配線電極５７を介して、コイル５３の一端およびコンデンサ電極６５に電気的に接続している。これにより、コイル４３とコンデンサＣ６とでＬＣ並列共振回路（トラップ回路）４５を構成している。
【００３７】
渦巻形状のコイル５２の他端は、ビアホール７５および配線電極５８を介してシート７８の手前側の辺の中央右寄りの位置に引き出されている。渦巻形状のコイル５３の他端は、ビアホール７５および配線電極５９を介してシート７８の手前側の辺の中央左寄りの位置に引き出されている。
【００３８】
各シート７８は積み重ねられて一体的に焼成され、図７に示すような積層体８０とされる。積層体８０の手前側の側面には平衡端子２６，２７とグランド端子Ｇとが交互に形成され、奥側の側面には不平衡端子２８と開放端子２９がグランド端子Ｇを間にして形成されている。積層体８０の右側面には層間接続用端子８１とグランド端子Ｇが形成され、左側面には層間接続用端子８２とグランド端子Ｇが形成されている。
【００３９】
平衡端子２６，２７はそれぞれ配線電極５８，５９に電気的に接続している。不平衡端子２８はストリップライン２４の端部およびコンデンサ電極７０に電気的に接続し、開放端子２９はストリップライン２５の端部およびコンデンサ電極７１に電気的に接続している。層間接続用端子８１はコイル４２の端部、コンデンサ電極６２，６８およびストリップライン２２の端部に電気的に接続している。層間接続用端子８２はコイル４３の端部、コンデンサ電極６３，６９およびストリップライン２３の端部に電気的に接続している。グランド端子Ｇは、グランド電極５４，５５，６０，６１，６６，６７およびストリップライン２２，２３の共通端部に電気的に接続している。
【００４０】
以上の構成からなる積層型平衡不平衡変換器５１Ａは、ストリップライン２２，２３、並びに、ストリップライン２４，２５がそれぞれ同一誘電体シート７８上に並置されているため、低背化が可能となる。また、一般的に、ストリップライン２２〜２５とトラップ回路４４，４５が磁気結合すると、挿入損失および減衰特性が悪くなる。そこで、本第３実施形態では、ストリップライン２２，２３が形成されている層とトラップ回路４４，４５のコイル４２，４３が形成されている層との間に、広面積のコンデンサ電極６２〜６５，６８，６９やグランド電極６０，６１，６６，６７を配置している。これにより、コンデンサ電極６２〜６５，６８，６９やグランド電極６０，６１，６６，６７が、ストリップライン２２，２３とコイル４２，４３の間の磁気結合を抑えるので、ストリップライン２２，２３とコイル４２，４３の間の距離を接近させることができ、挿入損失および減衰特性を劣化させることなく、平衡不平衡変換器５１Ａを小型にできる。
【００４１】
［他の実施例］
なお、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。特に、ストリップライン２２〜２５の形状は任意であり、直線状や渦巻状や蛇行状であってもよい。また、ストリップライン２２〜２５は、必ずしも１／４波長以下の長さに設定する必要はない。
【００４２】
また、前記実施例は、ストリップラインなどが形成された誘電体シートを積み重ねた後、一体的に焼成するものであるが、必ずしもこれに限定されない。シートは予め焼成されたものを用いてもよい。また、以下に説明する製法によって積層型平衡不平衡変換器を製作してもよい。印刷などの方法によりペースト状の誘電体材料を塗布して誘電体層を形成した後、その誘電体層の表面にペースト状の導電体材料を塗布して任意の形状のストリップラインもしくは電極を形成する。次に、ペースト状の誘電体材料を前記ストリップラインなどの上から塗布する。こうして順に重ね塗りすることによって積層構造を有する平衡不平衡変換器が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明に係る平衡不平衡変換回路の基本構成を示す回路図。
【図２】図１に示した平衡不平衡変換回路の通過（Ｓ２１）特性および入力反射（Ｓ１１）特性を示すグラフ。
【図３】図１に示した平衡不平衡変換回路の基本構成にトラップ回路を接続した回路図。
【図４】図３に示した平衡不平衡変換回路の通過（Ｓ２１）特性および入力反射（Ｓ１１）特性を示すグラフ。
【図５】図３に示した平衡不平衡変換回路に虚数部インピーダンス調整手段を接続した回路図。
【図６】本発明に係る積層型平衡不平衡変換器の一実施例を示す分解斜視図。
【図７】図６に示した積層型平衡不平衡変換器の外観斜視図。
【図８】従来の平衡不平衡変換回路を示す回路図。
【図９】従来の別の平衡不平衡変換回路を示す回路図。
【符号の説明】
【００４４】
２１，４１，５１…平衡不平衡変換回路
２２〜２５…ストリップライン
２６，２７…平衡端子
２８…不平衡端子
２９…開放端子
４２，４３…コイル
４４，４５…トラップ回路
５１Ａ…積層型平衡不平衡変換器
５２，５３…コイル
７８…誘電体シート
５４，５５，６０，６１，６６，６７…グランド電極
６２〜６５，６８〜７１…コンデンサ電極
Ｃ１〜Ｃ６…コンデンサ
Ｇ…グランド端子
【図１】
2004274715.tif 000003
【図２】
2004274715.tif 000004
【図３】
2004274715.tif 000005
【図４】
2004274715.tif 000006
【図５】
2004274715.tif 000007
【図６】
2004274715.tif 000008
【図７】
2004274715.tif 000009
【図８】
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【図９】
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