(57)【要約】【課題】磁気抵抗効果ヘッドの製造プロセスにおいて、絶縁破壊あるいは放電等の発生によって歩留りが悪化する問題が生じている。また、磁気記録再生装置においても磁気記録媒体とヘッド間において放電が発生し、ヘッドと媒体がダメージを受け当該装置が読出し不良となる現象が問題になってきている。【解決手段】基板１と下部磁気シールド層３の間の下地絶縁層２、下部磁気シールド層３と電極層８の間の下部ギャップ層４、電極層８と上部磁気シールド層１０の間の上部ギャップ層９および上部磁気シールド層１０と下部磁気コア１２の間の分離絶縁層１１の一部を、絶縁体と導電体の積層膜体２１で構成し、その電気抵抗が１０５〜１０９Ωの範囲になるように制御する。積層体２１はシリコン層とカーボン層を積層して形成する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に下地絶縁層を介して設けられた、下部磁気シールド層と、下部ギャップ層と、磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子の両端部に位置する磁区制御層と電極層と、これらの上部に位置する上部ギャップ層と、上部磁気シールド層とを有する再生ヘッド部と、該再生ヘッド部の上に分離絶縁層を介して設けられた、下部磁気コアと、上部磁気コアと、該下部磁気コア及び上部磁気コアの間に位置する磁気ギャップと導体コイルとを有する記録ヘッド部とを具備する磁気抵抗効果ヘッドにおいて、前記下地絶縁層、下部ギャップ層、上部ギャップ層及び分離絶縁層の少なくとも一部は電気的絶縁体と導電体の積層体で構成され、該積層体の電気抵抗は１０５〜１０９Ωであることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項２】
前記積層体はシリコン層とカーボン層の積層であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項３】
前記積層体はアルミナ層とタンタル層の積層であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項４】
基板の上に下地絶縁層を介して設けられた、下部磁気シールド層と、下部ギャップ層と、磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子の両端部に位置する磁区制御層と電極層と、これらの上部に位置する上部ギャップ層と、上部磁気シールド層とを有する再生ヘッド部と、該再生ヘッド部の上に分離絶縁層を介して設けられた、下部磁気コアと、上部磁気コアと、該下部磁気コア及び上部磁気コアの間に位置する磁気ギャップと導体コイルとを有する記録ヘッド部と、該記録ヘッド部と前記再生ヘッド部の浮上面に設けられた電気抵抗が１０５〜１０９Ωの保護層とを有することを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項５】
前記保護層はシリコン層と３０％以上がダイヤモンド構造を有するカーボン層との積層であることを特徴とする請求項４記載の磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項６】
前記下地絶縁層、下部ギャップ層、上部ギャップ層及び分離絶縁層の少なくとも一部は電気的絶縁体と導電体の積層体で構成され、該積層体の電気抵抗は１０５〜１０９Ωであることを特徴とする請求項４または５記載の磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項７】
前記積層体はシリコン層とカーボン層の積層であることを特徴とする請求項６記載の磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項８】
前記積層体はアルミナ層とタンタル層の積層であることを特徴とする請求項６記載の磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項９】
基板の後端面に下地絶縁層を介して設けられた、下部磁気シールド層と、下部ギャップ層と、磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子の両端部に位置する磁区制御層と電極層と、これらの上部に位置する上部ギャップ層と、上部磁気シールド層とを有する再生ヘッド部と、該再生ヘッド部の上に分離絶縁層を介して設けられた、下部磁気コアと、上部磁気コアと、該下部磁気コア及び上部磁気コアの間に位置する磁気ギャップと導体コイルとを有する記録ヘッド部と、該記録ヘッド部の上に設けられた絶縁保護層と、該絶縁保護層の上に形成された前記電極層のパッドと前記導体コイルのパッドとを有する磁気抵抗効果ヘッドと、該磁気抵抗効果ヘッドが導電性接着剤で接着され、前記電極層のパッドと前記導体コイルのパッドに電気的に接続された配線を有するサスペンションとを有し、該サスペンションの配線に接続された前記電極層のパッドと前記導体コイルのパッドは絶縁体で被覆されていることを特徴とする磁気ヘッドアセンブリ。
【請求項１０】
前記下地絶縁層、下部ギャップ層、上部ギャップ層及び分離絶縁層の少なくとも一部は電気的絶縁体と導電体の積層体で構成され、該積層体の電気抵抗は１０５〜１０９Ωであることを特徴とする請求項９記載の磁気ヘッドアセンブリ。
【請求項１１】
前記積層体はシリコン層とカーボン層の積層であることを特徴とする請求項１０記載の磁気ヘッドアセンブリ。
【請求項１２】
前記積層体はアルミナ層とタンタル層の積層であることを特徴とする請求項１０記載の磁気ヘッドアセンブリ。
【請求項１３】
前記記録ヘッド部と前記再生ヘッド部の浮上面に、シリコン層と３０％以上がダイヤモンド構造を有するカーボン層の積層保護層を有することを特徴とする請求項９乃至１２のいずれか１項に記載の磁気ヘッドアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録再生装置に搭載する磁気ヘッドに係り、特に書込み専用の電磁誘導型記録ヘッドと再生専用の磁気抵抗効果型再生ヘッドとを複合化した磁気抵抗効果ヘッドおよび磁気抵抗効果ヘッドをサスペンションに取付けた磁気ヘッドアッセンブリに関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気記録再生装置の記録密度の向上に伴い、磁気抵抗効果ヘッドの再生ギャップ長は狭まる一方である。特許文献１には、再生ギャップの狭ギャップ化による下部磁気シールド層のエッジ部や電極のエッジ部における絶縁耐圧の低下を防止するために、下部磁気シールド層のエッジ部や電極のエッジ部の上の絶縁層を多層化することが開示されている。
【０００３】
【特許文献１】
特開平７−２８２４２３号公報（第３頁、図７）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
書込み専用の電磁誘導型記録ヘッドと再生専用の磁気抵抗効果型再生ヘッドとを複合化した磁気抵抗効果ヘッドでは、近年の磁気記録再生装置における磁気記録密度の大幅な向上に伴い、記録ヘッド部と再生ヘッド部における磁気的、電気的な絶縁層の膜厚を薄くすると同時に、磁気記録再生装置における磁気記録媒体と磁気抵抗効果ヘッドの間の浮上間隔を狭くして行かざるを得ない状況になっている。これに伴い、磁気抵抗効果ヘッドにおいては、ヘッド製造プロセスの特にヘッドアッセンブリ工程におけるヘッド特性選別試験において顕著であるが、上記絶縁層の絶縁破壊、あるいは放電等の現象によりヘッドが破壊され、歩留りが悪化するという問題が生じている。また、磁気記録再生装置においても磁気記録媒体と上記磁気抵抗効果ヘッドとの間において摩擦帯電等による電位差が生じ、これによりヘッド／媒体間で放電が発生しヘッドと媒体がダメージを受けることになり、場合によっては当該装置が読出し不良となる、という現象が問題になってきている。
【０００５】
このように放電等によりヘッド、媒体が破壊されるようになった要因の一つは、上述したように磁気記録密度の大幅な向上に伴い記録ヘッド部と再生ヘッド部における絶縁層の膜厚を薄くすると同時に、該磁気記録媒体と磁気抵抗効果ヘッド間の浮上間隔も狭くせざるを得ない状況になっていることにある。すなわち、膜厚が薄くなったことにより絶縁層の絶縁耐圧が低下し、また浮上間隔の狭小化によりヘッドと媒体間の電解強度が低下したため、摩擦帯電等によりヘッド内あるいはヘッド／媒体間に発生した電位差に対して持ち堪えられなくなったものと考えられる。
【０００６】
これらの問題に対し、上述した従来の技術においては何ら解決策を開示していない。
【０００７】
本発明の第１の目的は、上記従来の問題点を解決し、高密度磁気記録再生に最適な、高歩留りで高信頼性を有する磁気抵抗効果ヘッドを提供することである。
【０００８】
本発明の第２の目的は、上記従来の問題点を解決し、高信頼性を有する磁気ヘッドアセンブリを提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記第１の目的を達成するために本発明の磁気抵抗効果ヘッドは、基板の上に下地絶縁層を介して設けられた、下部磁気シールド層と、下部ギャップ層と、磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子の両端部に位置する磁区制御層と電極層と、これらの上部に位置する上部ギャップ層と、上部磁気シールド層とを有する再生ヘッド部と、該再生ヘッド部の上に分離絶縁層を介して設けられた、下部磁気コアと、上部磁気コアと、該下部磁気コア及び上部磁気コアの間に位置する磁気ギャップと導体コイルとを有する記録ヘッド部とを具備し、前記下地絶縁層、下部ギャップ層、上部ギャップ層及び分離絶縁層の少なくとも一部は電気的絶縁体と導電体の積層体で構成され、該積層体の電気抵抗は１０５〜１０９Ωであることを特徴とする。
【００１０】
前記積層体はシリコン層とカーボン層で構成される。
【００１１】
また、前記積層体はアルミナ層とタンタル層で構成されても良い。
【００１２】
上記第１の目的を達成するために本発明の磁気抵抗効果ヘッドは、基板の上に下地絶縁層を介して設けられた、下部磁気シールド層と、下部ギャップ層と、磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子の両端部に位置する磁区制御層と電極層と、これらの上部に位置する上部ギャップ層と、上部磁気シールド層とを有する再生ヘッド部と、該再生ヘッド部の上に分離絶縁層を介して設けられた、下部磁気コアと、上部磁気コアと、該下部磁気コア及び上部磁気コアの間に位置する磁気ギャップと導体コイルとを有する記録ヘッド部と、該記録ヘッド部と前記再生ヘッド部の浮上面に設けられた電気抵抗が１０５〜１０９Ωの保護層とを有することを特徴とする。
【００１３】
前記保護層はシリコン層と３０％以上がダイヤモンド構造を有するカーボン層との積層保護層である。
【００１４】
前記下地絶縁層、下部ギャップ層、上部ギャップ層及び分離絶縁層の少なくとも一部は電気的絶縁体と導電体の積層体で構成され、該積層体の電気抵抗は１０５〜１０９Ωである。
【００１５】
前記積層体はシリコン層とカーボン層で構成される。
【００１６】
また、前記積層体はアルミナ層とタンタル層で構成されても良い。
【００１７】
上記第２の目的を達成するために本発明の磁気ヘッドアセンブリは、基板の後端面に下地絶縁層を介して設けられた、下部磁気シールド層と、下部ギャップ層と、磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子の両端部に位置する磁区制御層と電極層と、これらの上部に位置する上部ギャップ層と、上部磁気シールド層とを有する再生ヘッド部と、該再生ヘッド部の上に分離絶縁層を介して設けられた、下部磁気コアと、上部磁気コアと、該下部磁気コア及び上部磁気コアの間に位置する磁気ギャップと導体コイルとを有する記録ヘッド部と、該記録ヘッド部の上に設けられた保護絶縁層と、該保護絶縁層の上に形成された前記電極層のパッドと前記導体コイルのパッドとを有する磁気抵抗効果ヘッドと、該磁気抵抗効果ヘッドが導電性接着剤で接着され、前記電極層のパッドと前記導体コイルのパッドに電気的に接続された配線を有するサスペンションとを有し、該サスペンションの配線に接続された前記電極層のパッドと前記導体コイルのパッドは絶縁体で被覆されていることを特徴とする。
【００１８】
前記下地絶縁層、下部ギャップ層、上部ギャップ層及び分離絶縁層の少なくとも一部は電気的絶縁体と導電体の積層体で構成され、該積層体の電気抵抗は１０５〜１０９Ωである。
【００１９】
前記積層体はシリコン層とカーボン層で構成される。
【００２０】
また、前記積層体はアルミナ層とタンタル層で構成されても良い。
【００２１】
前記記録ヘッド部と前記再生ヘッド部の浮上面に、シリコン層と３０％以上がダイヤモンド構造を有するカーボン層の積層保護膜が設けられる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明を実施例により詳しく説明する。
＜実施例１＞
図１（ａ）は本発明の第１の実施例による磁気抵抗効果ヘッドのＡＢＳ（ａｉｒ  ｂｅａｒｉｎｇ  ｓｕｒｆａｃｅ）側からみた正面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。本実施例においては、まず、電気的に導通を有するアルミナチタンカーバイト等からなる基板１の上に下地絶縁層２を形成する。下地絶縁層２は、図１（ｂ）に示されるように、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）あるいはシリカ（ＳｉＯ２）、あるいは両者の混合物からなる膜をスパッタリング法で形成し、一部にシリコン（Ｓｉ）層とカーボン（Ｃ）層からなる積層体２１をスパッタリング法で形成する。また、下地絶縁層２全体をＳｉ層とＣ層の積層体２１で形成しても良い。
【００２３】
続いて、下部磁気シールド層３をスパッタリング法で積層し所定の形状に加工した後、下部ギャップ層４を形成する。下部ギャップ層４も前記下地絶縁層２と同様に、アルミナあるいはシリカ、あるいは両者の混合物からなる膜をスパッタリング法で形成し、一部にＳｉ層とＣ層からなる積層体２１をスパッタリング法で形成する。また、下部ギャップ層４全体をＳｉ層とＣ層の積層体２１で形成しても良い。
【００２４】
この後、磁気抵抗効果素子部５をスパッタリング法で形成し、続いて、リフトオフ法等により磁区制御層となる永久磁石膜６と、Ｔａ／ＴａＷ，Ａｕ等の導体層７からなる電極層８を、上記磁気抵抗効果素子部５の端部に形成する。以上のようにして電極層８までを形成した後、上部ギャップ層９を上記下部ギャップ層４と同じ材料及び手法で形成する。次いで上部磁気シールド層１０をスパッタリング法で積層し、所定形状に加工して再生ヘッド部を作製する。
【００２５】
その後、上記上部磁気シールド層１０の上に分離絶縁層１１を、上記下地絶縁層２と同じ材料及び手法で形成する。続いて下部磁気コア１２をスパッタリングで積層し、所定の形状に加工する。さらに、磁気ギャップ層１３をスパッタリング法で形成し、導体コイル１４をめっき法で形成し、上部磁気コア１５、および保護絶縁層１６をスパッタリングで順次形成して記録ヘッド部を作製する。上部磁気コア１５はＡＢＳ側に下部磁気コア１２との間に磁気ギャップ１３を形成し、ＡＢＳと反対側で下部磁気コア１２に磁気的に接続されて磁気回路を構成する。最後に媒体対向面、いわゆるＡＢＳにＡＢＳ保護層１７をスパッタリングにより所定の厚さに積層し、当該磁気抵抗効果ヘッド１８を形成する。
【００２６】
上記実施例による磁気抵抗効果ヘッド１８の特徴は、基板１と下部磁気シールド層３の間の下地絶縁層２、および下部磁気シールド層３と電極層８の間の下部ギャップ層４、さらには電極層８と上部磁気シールド層１０の間の上部磁気ギャップ層９、および上部磁気シールド層１０と下部磁気コア１２間の分離絶縁層１１の一部を、絶縁体のシリコン（Ｓｉ）層と導電体のカーボン（Ｃ）層からなる積層体２１で置換していることであり、これにより基板１と下部磁気シールド層３間および下部磁気シールド層３と電極層８間、電極層８と上部磁気シールド層１０間および上部磁気シールド層１０と下部磁気コア１２間は１０５〜１０８Ωの電気抵抗で接続された状態となる。因みにアルミナの電気抵抗は１０１２〜１０１３Ωである。
【００２７】
従来は、ヘッド製造プロセスの特にヘッドアッセンブリ工程におけるヘッド特性選別試験において顕著であったが、上記絶縁層２、４、９および１１における絶縁破壊、あるいは放電等の現象によりヘッドが破壊し、歩留りが悪化するという問題が生じていた。この原因のひとつは、例えば浮上選別試験においては、浮上測定用のガラス媒体と磁気ヘッドとの測定時の摩擦によって主としてヘッド基板１で摩擦帯電が起り、この帯電電圧とこれによる誘導電圧によって基板１と電極層８あるいは下部磁気シールド層３の間、場合によっては上部磁気シールド層１０と下部磁気コア１２の間で放電が発生するためと考えられる。
【００２８】
これに対し、上記本実施例による磁気抵抗効果ヘッド１８は、基板１と下部磁気シールド層３間、下部磁気シールド層３と電極層８間、電極層８と上部磁気シールド層１０間および上部磁気シールド層１０と下部磁気コア１２間が、電気抵抗が１０５〜１０８Ωの物質で短絡されていることになる。これにより磁気抵抗効果型再生ヘッドの出力が変化することなく、基板１に帯電した電荷が放電発生臨界電圧に達する以前に下地絶縁層２、下部磁気シールド層３、下部ギャップ層４を通して電極層８に徐々に流れ込み、電極層８を介して徐々に放散する。したがって、上記各層がほぼ等電位となるので、上述したような放電の発生を抑制することが可能となる。
【００２９】
実際、本実施例による磁気抵抗効果ヘッドを使用することによって、ヘッドアッセンブリ工程における歩留りが大幅に改善される効果が顕著に見られた。図２はその結果の一例であり、本実施例による磁気抵抗効果ヘッド１８の適用前と後とでの歩留りの推移を、不良率の比で比較したものである。
【００３０】
また、磁気記録再生装置においても、磁気記録媒体と磁気ヘッド間で摩擦帯電等による電位差により放電が発生し、ヘッド、媒体がダメージを受け当該装置が読出し不良となるという現象が問題になってきているが、上記実施例の磁気抵抗効果ヘッド１８を使用すれば上述したような効果により同様に放電を抑制できることは明らかである。
【００３１】
なお、本実施例では上記各層間の電気抵抗を制御するためにシリコン（Ｓｉ）層とカーボン（Ｃ）層からなる積層体２１を用いたが、このような積層体の他に電気抵抗が１０５〜１０９Ω内になるように各種材料を組合せて用いても良く、さらに上記絶縁層２、４、９、１１自体をそれらが１０５〜１０９Ω内の抵抗を持つ材料で置換えても良い。
【００３２】
以上のように本実施例による磁気抵抗効果ヘッド１８を使用することにより、上述したような磁気抵抗効果ヘッドにおける絶縁破壊、放電を抑制し、さらに磁気記録再生装置における磁気記録媒体とヘッド間の放電をも抑制することが可能になり、磁気抵抗効果ヘッドの歩留りと信頼性を大幅に向上するとともに磁気記録再生装置における磁気抵抗効果ヘッドの安定性、信頼性を高める効果がある。＜実施例２＞
図３は、本発明の第２の実施例による磁気抵抗効果ヘッドの側断面図を示したものである。本実施例の磁気抵抗効果ヘッドの基本的な構成材料およびヘッド構造は上記第１の実施例の磁気抵抗効果ヘッド１８と同様であるが、本実施例においては、上記第１の実施例における下地絶縁層２、下部ギャップ層４、上部ギャップ層９および分離絶縁層１１の一部を、アルミナ絶縁体とタンタル（Ｔａ）等の導電体の積層体２２で形成したことを特徴とするものであり、該積層体２２の電気抵抗は１０６〜１０９Ωの範囲で制御が可能である。
【００３３】
このため、基板１と下部磁気シールド層３間、下部磁気シールド層３と電極層８間、電極層８と上部磁気シールド層１０間および上部磁気シールド層１０と下部磁気コア１２間は、電気抵抗が１０６〜１０９Ωの物質で接続された状態となる。したがって、上記第１の実施例と同様、本実施例でも各層が１０６〜１０９Ωの電気抵抗で短絡されていることになり、これにより磁気抵抗効果型再生ヘッドの出力が変化することなく、基板１に帯電した電荷が放電発生臨界電圧に達する以前に電極層８を通して徐々に放散し、上記各層がほぼ等電位となることで放電の発生を抑制することが可能となる。
【００３４】
本実施例による効果は、上記第１の実施例における図２に示した場合と同様であり、磁気抵抗効果ヘッドにおける絶縁破壊、放電の抑制、さらに磁気記録再生装置における磁気記録媒体とヘッド間の放電の抑制が可能になり、磁気抵抗効果ヘッドの歩留りと信頼性の向上、磁気記録再生装置における磁気抵抗効果ヘッドの安定性、信頼性を高めることができる。
＜実施例３＞
本実施例による磁気抵抗効果ヘッドにおいては、ヘッドの基本的な構成材料およびヘッド構造は上記実施例１および２の磁気抵抗効果ヘッド１８と同じであるが、図１（ｂ）および図３に示されるＡＢＳに積層され上記記録ヘッド部および上記再生ヘッド部に接するＡＢＳ保護層１７をシリコン層とカーボン層との２層で構成し、積層された該カーボン層の３０％以上がダイヤモンド構造からなるように層構造を制御する。これにより、ＡＢＳ保護層１７の電気抵抗が、通常１０１０Ω以上ある上部磁気コア１５、下部磁気コア１２と導体コイル１４間の絶縁層の絶縁抵抗、および上部磁気シールド層１０、下部磁気シールド層３と磁気抵抗効果素子部５ないしは電極層８間の絶縁層（下部ギャップ層４）、（上部ギャップ層９）の絶縁抵抗に比較して３桁〜５桁低い値となる。ＡＢＳ保護層１７の絶縁破壊耐電圧は、磁気記録再生装置内で使用される状態において、記録時に導体コイル１４に印加される記録電圧によって上部磁気コア１５、下部磁気コア１２および上部磁気シールド層１０に誘導される誘導電圧、磁気抵抗効果素子部５に印加される再生電圧よりも高い状態で保たれることになる。
【００３５】
以上の構成により、磁気記録媒体とヘッド間における摩擦帯電、あるいは導体コイルに印加される記録電圧によって上部磁気コア１５、下部磁気コア１２および上部磁気シールド層１０に誘導される誘導電圧等により帯電した電荷を放電発生以前に、ＡＢＳ保護層１７を経由して電極層８を通して逃がすことが可能となるため、本実施例による磁気抵抗効果ヘッドでは磁気記録再生装置における放電を抑制する効果が期待できる。
【００３６】
図４は、磁気記録再生装置に実際に本実施例による磁気抵抗効果ヘッドを使用した場合の不良発生率と従来の磁気抵抗効果ヘッドの場合の不良発生率とを、厳しい条件において比較実験した結果であり、明らかに本実施例の磁気抵抗効果ヘッドの方が不良発生率が低い。
【００３７】
以上のように本実施例による磁気抵抗効果ヘッドを磁気記録再生装置に用いることにより磁気記録媒体とヘッド間における放電を抑制することが可能になり、磁気抵抗効果ヘッドの信頼性および安定性の向上、当該磁気記録再生装置自体の信頼性を大幅に高めることができる。
【００３８】
なお、本実施例では、磁気抵抗効果ヘッドの基本的な構成材料およびヘッド構造を前記実施例１および２の磁気抵抗効果ヘッドと同じにしたが、下地絶縁層２、下部ギャップ層４、上部ギャップ層９および分離絶縁層１１を従来と同じアルミナで形成しても、前記と同様のＡＢＳ保護層１７による効果は得られる。
＜実施例４＞
図５は本実施例による磁気ヘッドアッセンブリ３０の一例を模式的に示したものである。本実施例においては、上記実施例１、２および３による磁気抵抗効果ヘッド１８をサスペンション３１に導電性接着剤にて接着し、該磁気抵抗効果ヘッド１８の後端面となる配線接続面に保護絶縁層１６から露出して形成された書込み電流用の電極パッド３２および再生電流用の電極パッド３３を、サスペンション３１に積層接着されたＦＰＣ配線３４に接続し、この後各電極パッド部３２，３３を有機絶縁材３５によって被服したものである。
【００３９】
さらに磁気抵抗効果ヘッドではその他の目的により配線接続面に各種露出パッド部３６が設けられることがあり、このような露出パッド部３６も有機絶縁材３５で被服したものであるが、このような露出パッドは内部で上部および下部磁気シールド層あるいは上部および下部磁気コア等と接続されている場合が多く、やはり有機絶縁材３５で被覆することが望ましい。図５はその一例でもある。
【００４０】
本実施例では被覆材として有機絶縁材を使用したが、特に有機絶縁材と限ったものではなく、その他の絶縁材料を用いてパッド部を覆っても良い。
【００４１】
なお、本実施例では、磁気抵抗効果ヘッドの基本的な構成材料およびヘッド構造を前記実施例１、２および３の磁気抵抗効果ヘッドと同じにしたが、ヘッド構造は前記実施例１の磁気抵抗効果ヘッドと同じで、下地絶縁層２、下部ギャップ層４、上部ギャップ層９および分離絶縁層１１を従来と同じアルミナで形成した場合でも、同様の効果が得られる。
【００４２】
また、本実施例による磁気ヘッドアッセンブリ３０を磁気記録再生装置に使用する場合、該磁気ヘッドアッセンブリは、磁気記録媒体、スピンドル等と同じように、磁気記録再生装置における接地電位となるように設定されているのが望ましい。
【００４３】
既に述べたように、従来、ヘッドの選別工程および磁気記録再生装置内において、磁気記録媒体とヘッド間における摩擦帯電等により磁気抵抗効果ヘッドの上部下部磁気コアあるいは上部下部磁気シールド層が帯電し、さらには磁気記録媒体が帯電し、該磁気記録媒体とヘッド間で放電が発生、ヘッド、媒体がダメージを受けるという現象が問題になっているが、上記ヘッド各層への帯電は電極パッドや各種パッドが露出していると助長され、ヘッド内および磁気記録媒体／ヘッド間で絶縁破壊、放電が発生し易くなることがわかってきており、本実施例は、このように露出したパッド部を絶縁材で被覆することによりパッドを通した帯電を抑制し、この結果絶縁破壊、放電の発生を抑制するものである。
【００４４】
したがって、本実施例による磁気ヘッドアッセンブリ３０を用いた場合のヘッド特性選別工程および磁気記録再生装置における効果は、上記図２および図４に示した効果と同様である。すなわち、ヘッドの歩留りおよび信頼性の大幅な向上、磁気記録再生装置におけるヘッドの安定性、信頼性を高め、装置自体の信頼性の大幅な向上ができる。
【００４５】
【発明の効果】
上記のとおり本発明によれば、ヘッド製造プロセスにおける磁気抵抗効果ヘッドの絶縁破壊、放電を抑制し、さらに磁気記録再生装置における磁気記録媒体とヘッド間の放電を抑制することが可能であり、磁気抵抗効果ヘッドの製造歩留りと信頼性の大幅な向上および磁気記録再生装置における磁気抵抗効果ヘッドの安定性、信頼性を高め、装置自体の信頼性を大幅に高める効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例による磁気抵抗効果ヘッドの正面図および断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例による磁気抵抗効果ヘッドの効果を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施例による磁気抵抗効果ヘッドの断面図である。
【図４】本発明の第３の実施例よる磁気抵抗効果ヘッドの効果を示す図である。
【図５】本発明の第４の実施例による磁気ヘッドアッセンブリを示す構成図である。
【符号の説明】
１：基板、２：下地絶縁層、３：下部磁気シールド層、４：下部ギャップ層、
５：磁気抵抗効果素子部、６：磁区制御層、７：導体層、８：電極層、
９：上部ギャップ層、１０：上部磁気シールド層、１１：分離絶縁層、
１２：下部磁気コア、１３：磁気ギャップ、１４：導体コイル、
１５：上部磁気コア、１６：保護絶縁層、１７：ＡＢＳ保護層、
１８：磁気抵抗効果ヘッド、２１，２２：積層体、
３０：磁気ヘッドアッセンブリ、３１：サスペンション、
３２，３３，３６：パッド部、３４：ＦＰＣ配線、３５：有機絶縁材料。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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