(57)【要約】      （修正有）【課題】ウェハーのチャック解除のプロセスを容易にしかつウェハーの裏面におけるパーティクルの発生を最小化できる静電チャック装置を提供する。【解決手段】静電チャック装置はバイポーラ型またはユニポーラ型であり、その上面に複数のエンボス２を備えた絶縁ブロック１を有する。薄い金属電極３は各エンボス２の上に設けられており、全ての金属電極３はＤＣ電圧供給器６に接続された金属ワイヤ５によって共に接続されている。薄い誘電体層４は金属電極３の各々の上に設けられている。金属プレート８はエンボス２の位置を除いて絶縁ブロック１の上面を被っている。金属プレート８は電気的に接地された状態にあるかまたは電気的に浮遊状態にあり、さらに電気的に金属電極３から絶縁されている。上記構造を有する絶縁ブロック１は金属ブロック９の上に配置される。【選択図】      図１Ｂ
2004253402.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハーが配置され、クランプされる静電チャック装置であり、この静電チャック装置は、
上面に複数のエンボスを有する絶縁ブロックと、
前記エンボスの各々の上に配置される薄い金属電極であって、全ての金属電極は少なくとも１つのＤＣ（直流）電圧供給器に接続された少なくとも１つの金属ワイヤによって共に接続され、
前記金属電極の各々の上に配置される薄い誘電体層と、
前記エンボスの位置を除いて前記絶縁ブロックの上面を覆う金属プレートであって、前記金属プレートは、電気的に接地状態にあるかまたは電気的に浮遊状態にあり、電気的に前記金属電極から絶縁されており、そして
その上に前記絶縁ブロックが配置された金属ブロックと、
から成ることを特徴とする静電チャック装置。
【請求項２】
前記全ての金属電極は、ユニポーラ型として、１つのＤＣ電圧供給器に接続された金属ワイヤによって共に接続される請求項１記載の静電チャック装置。
【請求項３】
前記複数の金属電極は２つのグループに分けられ、バイポーラ型として、１つのグループの前記金属電極は前記金属ワイヤの１つを介して前記ＤＣ電圧供給器の１つに接続され、他方、他のグループの前記電極は前記金属電極の他方を介して前記ＤＣ電圧供給器の他方に接続される請求項１記載の静電チャック装置。
【請求項４】
前記金属ブロックはその上で所望の温度を維持するために冷却機構または加熱機構を有する請求項１から３のいずれか１項に記載の静電チャック装置。
【請求項５】
前記金属ブロックは１００ｋＨｚから１００ＭＨｚの範囲での周波数で動作するｒｆ電流を供給される請求項１〜３のいずれか１項に記載の静電チャック装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の応用の分野】
本発明は静電チャック装置に関し、特に、半導体産業における半導体デバイス製造においてプラズマに支援されまたは支援を受けずウェハーを化学的にまたは物理的に処理するためウェハーを静電的にクランプするのに用いられる静電チャック装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウェハーが処理される間、電極の上でウェハーをクランプすることはウェハーの温度を制御するため重要である。ウェハーのクランプは２つの異なる方法によって達成することができる。１つの方法は機械的なクランプであり、ウェハーは電極上のＯリングに対して機械的に上面から押さえつけられる。他の方法は静電的なクランプであり、電極の上にウェハーをクランプするために静電力が用いられる。現在、機械的なクランプは一般的にはウェハーの上面におけるパーティクル汚染が理由で用いられていない。他方、静電的なクランプはウェハーをクランプすることに関して、より良好で、最も人気がある。しかしながら、この方法は、同様にまた、未だ改善の必要性があるいくつかの技術的な困難な点を持っている。特にウェハーの裏面（背面）におけるパーティクルの発生、そしてウェハーを取り外すときの容易性は、さらに技術的な進歩が必要である。これらの問題は図５、図６、図７、図８を参照して説明される。
【０００３】
静電チャック（ＥＳＣ）には２つの型、ユニポーラ型ＥＳＣおよびバイポーラ型ＥＳＣと呼ばれる２つの型がある。ユニポーラ型ＥＳＣの作動にはウェハー表面の全面に渡りプラズマを必要とする。プラズマはウェハーと接地との間に静電力を作るために必要な電気的な接続関係を作る。しかしながら、バイポーラ型ＥＳＣは、プラズマが存在しなくても動作する。それ故に、それらはプラズマプロセスにおいて使うこともでき、同様にプラズマが全く存在しない他のウェハーのプロセスにおいても使うことができる。従来のＥＳＣに関連する問題は図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃに示されたユニポーラ型ＥＳＣを用いて説明される。
【０００４】
図５Ａは従来のユニポーラ型ＥＳＣの１つの概略構成図を示し、図５Ｂは当該ＥＳＣの上面図を示し、図５Ｃは、図５Ａにおいて文字“Ａ”によって記された箇所における拡大された断面図を示す。
【０００５】
図５Ａ，５Ｂ，５Ｃに示されたＥＳＣ８０は、金属電極５１、金属電極５１上の誘電体層５３、絶縁ブロック５４、そして絶縁ブロック５４の底部および側部の表面の大部分を覆う金属シールド５２から構成されている。金属電極５１は絶縁物質５４に置かれることによりハードウェアの他の部分から電気的に絶縁されている。金属電極５１の厚みは重要な事項ではなく、数マイクロメータから数センチメータの範囲に存在することができる。金属電極５１は、スイッチ部７０を介して、ＤＣ電圧供給器５５または接地のいずれにも接続できる。
【０００６】
通常、誘電体層５３のための物質としてはＡｌ２Ｏ３，ＡｌＮ，ポリイミドなどが採用される。誘電体層５３の厚みと抵抗特性はウェハーのクランプおよびクランプ解除（またはチャック解除）の効率に覆い大いに影響を与える。しかしながら、誘電体層５３の厚みは重要な事項ではなく、通常およそ１００ ｍ程度である。誘電体層５３の上面には複数のエンボス（ｅｍｂｏｓｓ）５７が形成されている。ウェハー５８がＥＳＣの上に配置されるとき、ウェハーの裏面はエンボス５７のみと接触する。エンボス５７の高さは５ ｍから２５ ｍの範囲に存在する。これらのエンボス５７のため、ウェハー５８と誘電体層５３の間にはスペース５９が存在し、そのスペースには、通常、ウェハー５８とＥＳＣ８０の間のより良い熱伝達のため不活性ガスによって満たされている。
【０００７】
作動の間、金属電極５１はＤＣ電圧供給器５５に接続され、適当なＤＣ（直流）電圧が与えられている。そのとき、図５Ａおよび図５Ｃに示されるように、金属電極５１の上に電荷が堆積する金属電極５１とシリコン（Ｓｉ）ウェハー５８の間には誘電体層５３があるので、ウェハー５８の裏面には反対の電荷が誘導される。ウェハー５８とＥＳＣ８０の上の反対の極性を持った電荷は静電力を生じ、これはＥＳＣ８０上にウェハー５８を固定させる。
【０００８】
加えて、ここで、従来技術として特許文献１が挙げられる。
【０００９】
【特許文献１】
米国特許第５，５３０，６１６号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする問題】
パーティクルの発生とウェハーの裏面への付着に関する問題が存在する。金属電極５１にＤＣ電圧が与えられるとき、電荷が金属電極５１上に蓄積する。しかしながら、これらの電荷は、ウェハー５８と金属電極５１の間の強い電界Ｅ１の存在によって誘電体層５３の上面に移動する。これが図６において概略的に示される。誘電体層すなわち絶縁層５３の上面への電荷の移動は、同様にまた、誘電体層５３が通常では完全な絶縁体でないという事実によって基づいている。さらに、誘電物質５３は、意図的に電気的抵抗特性を減じる目的のため不純物をドープされるかもしれない。最終的な結果は、図６に示されるように誘電体層５３の上面上に電荷が蓄積するということである。
【００１１】
微視的なスケールにおいて、シリコンウェハー５８の下面および誘電体層５３の上面は荒れた表面を持っている。それ故に、ウェハー５８と誘電体層５３の間の実際的な接触は、図７に示されるごとく、２、３の場所でのみなされている。ウェハー５８と誘電体層５３の間の分離はそれらの間の真空または空気のポケット６１の厚みに制限される。すなわち、反対の電荷の間の距離は非常に小さなものになっている。このことはウェハー５８とＥＳＣ８０の間で極めて強い引付けの静電力の生成をもたらす。生成された静電力は、ウェハーのクランプのために実際に要求される静電力よりもあまりにも強すぎるものである。この非常に強い力は、図８において示されるように、シリコンウェハー５８と誘電体層５３の両方またはいずれか一方の摩擦による削れに起因してパーティクル５６を発生する原因となる。
【００１２】
これらのパーティクル５６のいくつかは直ぐにウェハーの裏面に付着する。他のパーティクル５６はエンボス５７から落下し、誘電体層５３の表面上に蓄積される。これが、図８において示されている。ＥＳＣ上におけるシリコンウェハー５８に関して繰り返される工程によって、誘電体層５３上に蓄積されるパーティクル５６の数は増大し、ウェハー裏面に付着し始める。ウェハーの裏面へのパーティクル付着は２つの理由によって起こる。第１の理由は、これらの蓄積されたパーティクル５６は、金属電極５１にＤＣ電圧が印加されたとき、帯電するからである。これらの誘導電荷のため、パーティクル５６は静電力によってウェハー裏面に付着する。第２のメカニズムは、パーティクル５６が、エンボス５７を通して吹きこまれる不活性ガスの流れによって浮遊し始めることである。帯電された状態にあるパーティクル６３は、そのとき容易に静電力の吸引によってウェハーの裏面に付着する。
【００１３】
従来のＥＳＣには他の欠点がある。それはウェハーのチャック解除である。誘電体層５３の上面上に堆積された電荷のために、ウェハー５８と金属電極５１の間の電界Ｅ１が減じられる。その代わりに誘電体層５３の上面とシリコンウェハー５８の間の電界Ｅ２が強くなる。こうして、誘電体層５３の上面上における電荷の強化が時間と共に低下する。このことは、静電力を用いるウェハーのクランプについて何も問題を起こさないとしても、クランプ解除（取り外し）のときには問題を起こす。何故ならば、金属電極５１がウェハーの取り外しのため接地に接続されるとき、誘電体層５３の上面における電荷は金属電極５１に直ぐに戻れないからである。金属電極５１への電荷の戻りの流れは誘電体層５３の電気的抵抗特性に依存して変化する。金属電極５１への電荷の戻りの流れを容易にするために、誘電体層５３にはその電気的抵抗特性を減少させるための不純物がドープされている。しかしながら、金属電極５１への電荷の戻りの流れで、誘電体層５３内の電界は弱められ、こうして電荷の戻りの流れも同様にまた時と共にだんだんゆっくりになる。こうして、電荷の戻りの流れによる誘電体層５３の完全な中性化はかなりの時間が必要となる。それ故に、ウェハーの迅速なチャック解除を達成することができない。
【００１４】
本発明の目的は、ウェハーの裏面におけるパーティクルの発生を最小化することができ、ウェハーの取り外しプロセスを簡単化することができる静電チャック装置を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明による静電チャック装置は、上記の目的を達成するため、次の通り構成される。
【００１６】
ウェハーを配置しかつクランプするために用いられる静電チャック装置は絶縁ブロックを備えている。絶縁ブロックの上面は複数のエンボスを有している。薄い金属電極が各エンボスの上に配置される。全ての金属電極は、好ましくは、少なくとも１つのＤＣ電圧供給器に接続される少なくとも１つの金属ワイヤーによって共に接続されている。薄い誘電体層は金属電極の各々に設けられている。金属プレートは、エンボスが存在する場所を除いて、絶縁ブロックの上面を覆っている。金属プレートは、電気的接地状態または電気的浮遊状態にあり、かつ金属電極から電気的に絶縁されている。上記の構造を有した絶縁ブロックは金属ブロックの上に配置される。
【００１７】
上記の静電チャック装置において、金属電極の全ては、好ましくは、ユニポーラ型として、１つのＤＣ電圧供給器に接続される金属ワイヤよって共に接続されている。
【００１８】
上記の静電チャック装置において、複数の金属電極は、バイポーラータイプとして、２つのグループに分けられ、そして１つのグループの金属電極は金属ワイヤの１つを通してＤＣ電圧供給器の１つに接続され、他方、他のグループの電極は金属ワイヤの他のものを通してＤＣ電圧供給器の他のものに接続される。
【００１９】
上記の静電チャック装置において、金属ブロックは好ましくはその上の温度を希望の温度に維持するため冷却機構または加熱機構を有している。
【００２０】
上記の静電チャックにおいて、金属ブロックは好ましくは１００ＫＨｚから１００ＭＨｚの範囲における周波数で動作するｒｆ電流（高周波電流）を好ましくは供給される。
【００２１】
電極の上に半導体ウェハーをクランプするための本発明のＥＳＣによれば、複数のエンボスが絶縁体または誘電体のブロックの上面の上に形成されている。当該誘電体ブロックにおいて、エンボスは、金属電極と当該金属電極の上の薄い誘電体層とから構成され、ＥＳＣの上面を覆う金属プレートは電気的絶縁状態または接地状態にある。上記の構成は、ウェハー裏面に付着するパーティクルを減少させるかまたは除き、かつウェハーのチャック解除を容易にする。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下に、好ましい実施形態を添付図面に従って説明する。実施形態のこの説明を通して本発明の詳細が明らかにされる。
【００２３】
本発明の第１の実施形態が図１Ａ，１Ｂ，１Ｃを参照して説明される。説明を簡単にするために、この第１実施形態では、ユニポーラ型のＥＳＣが想定される。第１実施形態のＥＳＣの断面図は図１Ａに示され、“Ｂ”として符号が付された箇所の拡大された断面図は図１Ｂに示される。
【００２４】
ＥＳＣ３０の主部分は絶縁ブロック１で作られている。絶縁ブロック１の平面形状は好ましくは円形である。絶縁ブロック１の上面上に、複数のエンボス（ｅｍｂｏｓｓ）２が存在する。エンボス２の高さは重要なことではなく、１０ ｍから数ミリメータの範囲にある。エンボス２の水平断面形状は通常は円形である。しかしながら、エンボスに対して異なる断面形状を選択することができる。もしエンボスの断面形状が円形であるならば、エンボス２の直径は通常１ｍｍから１０ｍｍの範囲に存在する。エンボスの数およびエンボス２の間の間隔は重要な事項ではない。
【００２５】
図１Ｂはエンボス２の拡大された縦断面図を示す。各エンボス２は金属電極３とその上面における薄い誘電体層４を備えている。金属電極３と薄い誘電体層４の厚みは重要な事項ではなく、基本的にエンボス２の全高さに依存している。エンボスの全高さは、図１Ｂにおいて、文字“ｈ”によって示されている。金属電極３の直径はエンボス２の直径に等しいかまたはより小さい。もし金属電極３の直径がエンボスの直径よりも小さいならば、金属電極３は絶縁ブロック１のエンボスの頂面内に埋め込まれる。この構造は図１Ｃに示されている。絶縁ブロック１のエンボスの上に設けられるか、またはエンボス内に設けられる全ての金属電極３は共に金属ワイヤ５によって接続され、そして金属ワイヤ５を通してＤＣ電圧供給器６に接続される。金属ワイヤー５は絶縁ブロック１の内部に配線される。従って、金属電極３の各々は適当なＤＣ電圧が与えられうる。
【００２６】
薄い誘電体層４と絶縁ブロック１の物質は同じであってもよいし、同じでなくてもよい。通常、薄い誘電体層４にとって、より低い抵抗を持った物質がよりよい。誘電体層４の厚みは通常できるだけ薄いものがよく、例えば１ ｍよりも小さい。低い抵抗を有する薄い誘電体層４はウェハーのチャック解除プロセスを簡易化する。このことは後で説明される。
【００２７】
絶縁ブロック１の上面において金属プレート８が固定される。絶縁ブロック１の上面は、エンボス２を除いて、金属プレート８によって覆われている。これは模式的に図１Ａ，１Ｂ，１Ｃにおいて示される。各エンボス２は金属プレート８に形成された対応する孔を通して飛び出ている。金属プレート８の厚みは重要なことではなく、１ ｍから数ミリメータの範囲で変化される。この金属プレート８は電気的に接地がされているか、または、浮遊状態にあるかのどちらかである。金属プレート８を接地に接続するための電気的回路は、図１Ａでは示されていない。図１Ａ，１Ｃにおいて、金属プレート８は接地されたものとして示されている。
【００２８】
ＥＳＣ３０の前述した複合的な構造は金属ブロック９の上に配置される。金属ブロック９は冷却または加熱の装置を有している。例えば、図１Ａに示される金属ブロック９は冷却媒体の流れのための通路１６によって形成された冷却装置を備えている。通路１６は冷却媒体の入り口１４と冷却媒体の出口１５を有している。金属ブロック９の厚みは重要な事項ではなく、通常、１ｃｍから１０ｃｍの範囲に含まれている。金属ブロック９はその底部と側部の表面を絶縁物質１１で覆われることによってハードウェアの残りの部分から電気的に絶縁されている。さらに、絶縁物質１１の外側の底部および側部の表面と絶縁ブロック１の外側の周囲縁は金属シールド１２によって覆われている。金属ブロック９はｒｆ電源１０からのｒｆ電流が与えられてもよいし、与えられなくてもよい。この構成は、例えば図２に示される。もしｒｆ電流が金属ブロック９に与えられるのであれば、ｒｆ電流の周波数は重要な事項ではなく、１ＫＨｚから１０ＭＨｚの範囲内に存在する。
【００２９】
ウェハーのクランプ機構はすでに従来技術の箇所で詳細に説明された。第１実施形態のＥＳＣ３０におけるウェハー７のクランプでも同じ静電力が用いられる。ウェハー７は絶縁ブロック１の上に配置される。金属電極３がＤＣバイアス電圧を与えられるとき、電荷が金属電極３とウェハー表面の上に図３に示されるごとく蓄積する。金属電極上の電荷は、誘電体層４は低抵抗の物質で作られているので、すぐに薄い誘電体層４の表面に移動する。それ故に、各エンボス２上で、ウェハー７と薄い誘電体層４との間に静電力が発生し、それがウェハー７をクランプするという結果をもたらす。
【００３０】
ここで、ウェハー７をクランプするための静電力はエンボス２の上のみに生成するということに注意すべきである。ＥＳＣの表面の他の領域の上では静電力は全く存在しない。何故ならば、ＥＳＣ３０の全ての他の領域は、エンボスの表面領域を除いて金属プレート８によって覆われており、それは電気的に接地されるか、または浮遊状態にある。従って、ウェハー７はエンボス２とウェハー７との間に生成された静電力によってのみクランプされる。
【００３１】
ＥＳＣ３０において、金属電極３の上における誘電体層４の厚みは非常に薄いものである。例えば、それは１００ｎｍの程度に薄いものにできる。それ故に、薄い誘電体層４を通した電荷の移動による時間の変化に伴なう静電力の増大は有意義な変化を作らない。さらに、誘電体層４が非常に薄いので、薄い誘電体層４の上面への電荷の移動は非常に短い時間間隔内に完了すると考えられる。それ故に、必要な静電力を発生させる目的で印加される必要な電圧がより正確に計算できる。さらに、この力は時間の変化に伴なってほとんど一定であると考えることができる。このことが非常に強い静電力の発生を防止し、こうしてパーティクルの発生を減少する。
【００３２】
ＥＳＣ３０におけるパーティクル汚染の減少の第２の理由は、以下に説明される。先に述べられたように、上面の全体は、エンボスが存在する表面領域を除いて、金属プレート８で作られており、それは電気的な接地状態、または浮遊状態にある。金属プレートが電気的に接地された状態にあると仮定する。この状態において、ＥＳＣ３０の上面におけるパーティクルは帯電されない、なぜならそれは接地された金属表面にあるからである。それ故に、これらのパーティクルは静電力によってウェハーの裏面に付着できない。もしＥＳＣ３０の上面における金属プレート８が浮遊状態にあるならば、その表面におけるパーティクルは再び帯電されることはない。というのは、パーティクルへの電荷の流れのための路がないからである。従って、ウェハーの裏面へのパーティクルの付着は第１実施形態によるＥＳＣの構成によって効果的に防止される。
【００３３】
前述したＥＳＣの構成では他の利点もある。“ｈ”で示されたエンボス２の高さは数ミリメータまで増すことができる。その理由は、金属プレート８にとって、静電力を作ること、ウェハー７をクランプすることの役割がないことにある。ウェハーのクランプはウェハー７と金属電極３との間に発生された静電力によってのみ起き、当該静電力はウェハー７に非常に接近して存在する。パーティクルとウェハーの裏面の間の距離は、エンボス２の高さを増大させることによって大きくなる。それ故に、より高い引力の静電力が、ウェハーの裏面にパーティクルを付着させるためには要求される。パーティクルは非常に小さく、例えば１ ｍより小さいので、パーティクルでのより高い電荷蓄積は期待されない。それ故に、エンボスの高さを増大することは、ウェハーの裏面に付着するパーティクルを減少させる。
【００３４】
前述した従来のＥＳＣと同様に、金属電極３がＤＣバイアス電圧を与えられるとき、誘電体層４の上面上に電荷が蓄積する。しかしながら、誘電体層４の厚みは非常に小さく、当該抵抗は低い値である。それ故に、金属電極３がＤＣ電圧供給器６に付加されたスイッチ部（例えば図１における６ａ）によってウェハーのチャック解除のために電気的に接地されるとき、蓄積した電荷は、電荷の再フローのプロセスによって直ぐに中性化される。さらに、他のＤＣ電圧供給器（例えば図１における１０６）を用いることによって瞬時に反対のＤＣ電圧を金属電極３に与えることによって、金属電極への電荷の再フローはさらに強化される。従って、この構成はウェハーのチャック解除のプロセスを容易にする。
【００３５】
次に図４を参照して第２の実施形態を説明する。ここでは、バイポーラ型ＥＳＣの構成が示される。この実施形態における金属電極３は、中央領域のグループと周縁領域のグループの２つのグループに分けられる。金属電極３の２つのグループはそれぞれ２つの異なるＤＣ電源６，１３に接続されている。金属電極３の周縁領域のグループはＤＣ電源６によって正の電圧が与えられており、金属電極３の他の中央領域のグループはＤＣ電源１３によって負の電圧が与えられている。金属電極の各グループに印加されるべき適当な電圧は、第１実施形態において説明されたそれと類似して同様に計算される。金属電極の構成に関する前述の差異を除いて、全ての他のハードウェアの構成は第１実施形態において説明されたそれと同じである。それ故に、他のハードウェアはここでは説明されない。
【００３６】
第２実施形態のＥＳＣは、同様にまた、第１実施形態において述べられた利点の全てを与える。加えて、このバイポーラ型ＥＳＣはウェハーの表面の全面に渡りプラズマが存在しないときであっても採用することができる。
【００３７】
【発明の効果】
本発明のＥＰＣに従えば、ウェハーの裏面に付着するパーティクルを減じることができ、かつウェハーのチャック解除が容易に行われる。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】この図は第１実施形態のＥＳＣの縦断面図である。
【図１Ｂ】この図は図１における縁の部分“Ｂ”の拡大図である。
【図１Ｃ】この図は、エンボスの内部に設けられた金属電極の他の構成を示す拡大図である。
【図２】この図は金属ブロックに付加されたｒｆ電源を備える第１実施形態の変形例を示す縦断面図である。
【図３】この図はＥＳＣの上面における電荷の分布を示す拡大された断面図である。
【図４】この図は第２実施形態のＥＳＣの縦断面図である。
【図５Ａ】この図は従来のユニポーラ型のＥＳＣの縦断面図である。
【図５Ｂ】この図は図５Ａに示された従来のＥＳＣの平面図である。
【図５Ｃ】この図は、図５Ａにおいて“Ａ”としてラベルが付された箇所を示す拡大図である。
【図６】この図は誘電体層の上面とウェハーの裏面の近傍における電荷の蓄積を示す拡大された断面図である。
【図７】この図はウェハーの裏面と誘電体層の間の接触の性質を示す拡大された断面図である。
【図８】この図は従来のＥＳＣにおけるパーティクルが蓄積する場所を示す拡大された縦断面図である。
【参照符号の説明】
１              絶縁ブロック
２              エンボス
３              金属電極
４              誘電体層
５              金属ワイヤ
６              ＤＣ電圧供給器
７              ウェハー
８              金属プレート
９              金属ブロック
１０            Ｒｆ発生器
１１            絶縁物質
１３            ＤＣ電圧供給器
３０            ＥＳＣ（静電チャック）
【図１Ａ】
2004253402.tif 000003
【図１Ｂ】
2004253402.tif 000004
【図１Ｃ】
2004253402.tif 000005
【図２】
2004253402.tif 000006
【図３】
2004253402.tif 000007
【図４】
2004253402.tif 000008
【図５Ａ】
2004253402.tif 000009
【図５Ｂ】
2004253402.tif 000010
【図５Ｃ】
2004253402.tif 000011
【図６】
2004253402.tif 000012
【図７】
2004253402.tif 000013
【図８】
2004253402.tif 000014
【外国語明細書】
2004253402.tif 000015
2004253402.tif 000016
2004253402.tif 000017
2004253402.tif 000018
2004253402.tif 000019
2004253402.tif 000020
2004253402.tif 000021
2004253402.tif 000022
2004253402.tif 000023
2004253402.tif 000024
2004253402.tif 000025
2004253402.tif 000026
2004253402.tif 000027
2004253402.tif 000028
2004253402.tif 000029
2004253402.tif 000030
2004253402.tif 000031
2004253402.tif 000032
2004253402.tif 000033
2004253402.tif 000034
2004253402.tif 000035
2004253402.tif 000036
2004253402.tif 000037
2004253402.tif 000038
2004253402.tif 000039
2004253402.tif 000040
2004253402.tif 000041
2004253402.tif 000042
2004253402.tif 000043
2004253402.tif 000044
2004253402.tif 000045
2004253402.tif 000046
2004253402.tif 000047
2004253402.tif 000048
2004253402.tif 000049
2004253402.tif 000050
2004253402.tif 000051
2004253402.tif 000052
2004253402.tif 000053
2004253402.tif 000054
2004253402.tif 000055