(57)【要約】【課題】端面の盛り上がりや窪みなどの不良形状がない良品質のバイアホールを有する多層プリント配線板を提供する。【解決手段】多層プリント配線板は、複数の絶縁層からなる積層体を主構造体とし、前記絶縁層の各々に自層又は隣接層の導体回路間を電気的に接続するためのバイアホール（柱状導体３１ａ）を具備し、前記バイアホールは、導電性を有する金属箔３１をパターニングして形成される。バイアホールの高さＨ（バイアホール形成層の厚さ方向の寸法）は、もっぱら元の材料である金属箔３１の厚みＤによって決定されるため、導電性ペーストや電解めっきの充填を行うことなくバイアホールを形成でき、端面の盛り上がりや窪みなどの不良形状がない良品質のバイアホールを有する多層プリント配線板を製造できる。【選択図】　図３
2004079773.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁層からなる積層体を主構造体とし、前記絶縁層の各々に自層又は隣接層の導体回路間を電気的に接続するためのバイアホールを具備するＩＶＨ構造の多層プリント配線板において、
前記バイアホールは、導電性を有する金属箔をパターニングして形成されたものであることを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項２】
前記絶縁層は樹脂材料で形成されており、且つ、前記バイアホールは少なくとも該樹脂材料に接する面が粗化処理されていることを特徴とする請求項１記載の多層プリント配線板。
【請求項３】
前記バイアホールは少なくとも隣接層の導体回路に接する面が低温拡散金属によって被膜処理されていることを特徴とする請求項１記載の多層プリント配線板。
【請求項４】
ＩＶＨ構造の多層プリント配線板を構成する積層体の各層を製造する際に、
導電性を有する金属箔をシート状の支持体の片面に剥離可能に張り付けて支持させる第１工程と、
前記第１工程後にその金属箔をパターニングしてバイアホール用の金属導体片を形成する第２工程と、
前記第２工程後に前記金属導体片をシート状の絶縁樹脂に転写する第３工程と、
前記第３工程後に前記支持体を剥離する第４工程と
を行うことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
【請求項５】
前記金属導体片の少なくとも前記絶縁樹脂に接する面を粗化処理する第５の工程を含むことを特徴とする請求項４記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項６】
前記金属導体片を低温拡散金属によって被膜処理する第６の工程を含むことを特徴とする請求項４記載の多層プリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層プリント配線板及びその製造方法に関し、詳しくは、インターステシャル・バイア・ホール（Ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ　Ｖｉａ　Ｈｏｌｅ：以下「ＩＶＨ」と略記する）構造を有する多層プリント配線板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
“スルーホール構造”の多層プリント配線板、すなわち、銅張積層板とプリプレグとを交互に積み重ねて一体化した積層体の厚さ方向に形成された多数の孔（スルーホール）を介して、積層体の表面導体回路と裏面導体回路との間、及び／又は、それらの回路の一方又は双方と積層体内部の内層導体回路との間を電気的に接続する構造の多層プリント配線板の欠点は、スルーホールを形成するための領域を確保しなければならず、部品実装の高密度化を阻害する点にある。
【０００３】
そこで、高密度化に適したＩＶＨ構造の多層プリント配線板、とりわけ、全層ＩＶＨ構造の多層プリント配線板が注目されている。全層ＩＶＨ構造の多層プリント配線板は、積層体を構成する各絶縁層ごとに、導体回路間を電気的に接続するためのバイアホールを設けている。つまり、このタイプの多層プリント配線板は、内層導体回路相互間あるいは内層導体回路と表面／裏面導体回路間が、配線板を貫通しないバイアホール（ベリードバイアホールまたはブラインドバイアホールともいう）によって電気的に接続されており、且つ、層間の電気的接続経路を柔軟にレイアウトできるようになっている。このため、ＩＶＨ構造の多層プリント配線板は、スルーホールを形成するための領域を確保する必要がなく、また、層間の電気的接続経路を自由に設計できるので、部品の高密度実装に好適であり、電子機器の小型化や信号伝搬の高速化を容易に実現することができる。
【０００４】
図１０は、従来のＩＶＨ構造多層プリント配線板の製造工程図である（たとえば、特開２０００−１０１２４８号公報または特開２０００−１８３５２８号公報参照）。この工程では、（ａ）まず、アラミド不織布にエポキシ樹脂を含有させたプリプレグ１に所要数のバイアホール用孔１ａを穿設し、各々のバイアホール用孔１ａに導電性ペースト又は電解めっき２を充填する。（ｂ）次に、プリプレグ１の両面に銅箔３、４を重ねて加熱プレスする。これにより、プリプレグ１のエポキシ樹脂と、バイアホール用孔１ａに充填した導電性ペースト又は電解めっき２が接触し、全体が一体化されると共に、プリプレグ１の両面の銅箔３、４の間が導電性ペースト又は電解めっき２を介して電気的に接続される。（ｃ）そして、銅箔３、４を所望形状にパターニングすることにより、両面の導電回路５、６（パターニング後の銅箔３、４）の間を電気的に接続するバイアホール７、８（硬化後の導電性ペースト又は電解めっき２）を有する硬質の両面基板９が得られる。
【０００５】
このようにして作られた両面基板９をコア層として多層化する場合、たとえば、４層のプリント配線板とする場合は、（ｄ）両面基板９の両面に、導電性ペースト又は電解めっき１０を充填したプリプレグ１１を位置合わせしながら順次に積層する。（ｅ）そして、その積層体１２と、上下に配設した銅箔１３とを加熱プレスし、銅箔１３を所望形状にパターニングして、４層基板１４を得る。また、さらに多層化（６層、８層・・・・）する場合は、上記の工程を繰り返す。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の従来技術のように、バイアホール用孔１ａの充填材に導電性ペースト又は電解めっき２を使用した場合、各々のバイアホール用孔１ａで、導電性ペースト又は電解めっき２の充填量にバラツキを生じることがある。このため、たとえば、図１１（ａ）に示すように、充填量過多の場合は、プリプレグ１５に形成されたバイアホール１６の露出面に盛り上がり部１７を生じたり、又は、同図（ｂ）に示すように、充填量不足の場合は、バイアホール１６の露出面に窪み部１８を生じたりすることがあり、結局、隣接層を積層して加熱プレスした際に、その盛り上がり部１７や窪み部１８の影響で隣接層の厚み（絶縁膜厚）が不本意に変化するという問題点がある。もちろん、充填量を精密に制御すればこのような不都合を生じないが、充填量の精密制御は、一方で、製造工程における管理工数の増大を招き、製造コストのアップにつながるから、好ましい対策とはいえない。
【０００７】
したがって、本発明の目的は、導電性ペーストや電解めっきの充填を行うことなくバイアホールを形成することができ、もって、端面の盛り上がりや窪みなどの不良形状がない良品質のバイアホールを有する多層プリント配線板及びその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、以下の特徴的事項を有する。すなわち、複数の絶縁層からなる積層体を主構造体とし、前記絶縁層の各々に自層又は隣接層の導体回路間を電気的に接続するためのバイアホールを具備するＩＶＨ構造の多層プリント配線板において、前記バイアホールは、導電性を有する金属箔をパターニングして形成されたものであることを特徴とするものである。
【０００９】
ここで、「バイアホール」とは、ＩＶＨ構造の多層プリント配線板の主構造体である積層体の各層に形成され、自層の表裏面の導体回路間、又は、隣接する一方の層の導体回路と他方の層の導体回路との間の電気的な接続を行うものである。一般にバイアホールは、絶縁層に形成された孔（ホール）の内部に電気的導電材料（導電ペーストや電解めっきなど）を“充填”し、それを“硬化”させることによって作られる電気的な導電経路のことと解されているが、この解釈は、本発明のバイアホールには当てはまらない。本発明のバイアホールは、導電性を有する金属箔をパターニングして形成されたものであり、“充填”や“硬化”の過程を必要としないからである。
【００１０】
本発明では、導電性を有する金属箔をパターニングしてバイアホールを形成するので、バイアホールの高さ（バイアホール形成層の厚さ方向の寸法）は、もっぱら元の材料である金属箔の厚みによって決定される。したがって、導電性ペーストや電解めっきの充填を行うことなくバイアホールを形成することができ、端面の盛り上がりや窪みなどの不良形状がない良品質のバイアホールを有する多層プリント配線板を製造することができる。
【００１１】
又、本発明の好ましい態様は、前記絶縁層は樹脂材料で形成されており、且つ、前記バイアホールは少なくとも該樹脂材料に接する面が粗化処理されていることを特徴とするものである。
この態様では、バイアホールの樹脂材料に接する面が粗化処理（微細な凹凸を形成する処理）されているので、当該面の接触面積を拡大し、樹脂材料との接合を堅固なものにして、剥離等の不都合を回避し、信頼性の向上を図ることができる。
又、本発明の他の好ましい態様は、前記バイアホールは少なくとも隣接層の導体回路に接する面が低温拡散金属によって被膜処理されていることを特徴とするものである。
この態様では、バイアホールの所定面（隣接層の導体回路に接する面）が低温拡散金属によって被膜処理されているので、加熱プレスの際に当該面の軟化を促し、バイアホールと隣接層の導体回路との接合を堅固なものにして、剥離等の不都合を回避し、信頼性の向上を図ることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
図１及び図２は、本発明の思想を適用して製作された多層プリント配線板の断面構造図及びその積層状態図である。図１において、多層プリント配線板２０は、ｎ層（特に限定しないが、便宜的にｎ＝５とする）構造の積層体２１（表層の導体層も含む）を主構造体としており、積層体２１の各層は、両面に導電回路を有する両面基板２２と、その両面基板２２同士を接合するための接合基板２３とからなっている。すなわち、図示の構造例においては、下位層から上位層に向かって、両面基板２２、接合基板２３、両面基板２２、接合基板２３、両面基板２２の順に交互に積み重ね、加熱プレス処理を経て一体化した積層体２１を得ている（図２参照）。
【００１３】
以下、説明の都合上、最下位層の両面基板２２を「第１両面基板２２」と呼ぶことにし、同様に、その上の接合基板２３を「第１接合基板２３」、中間層の両面基板２２を「第２両面基板２２」、その上の接合基板２３を「第２接合基板２３」、最上位層の両面基板２２を「第３両面基板２２」と呼ぶことにする。
【００１４】
第１〜第３両面基板２２の表裏面には、所望形状にパターニングされた下面側導体回路２４と上面側導体回路２５がそれぞれ形成されている。なお、両面基板２２と接合基板２３とが接している場合、その接触面に位置する導体回路２４、２５は、隣接する接合基板２３の内部に埋め込まれている。これは、接合基板２３の主材料に、熱硬化型などの柔軟性を有する絶縁材料、たとえば、エポキシ系樹脂、シアネートエステル系樹脂、ポリフェニレンエーテル系樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、ポリイミド系樹脂等が用いられているからであり、上記の順番に積み重ねた後、加熱プレスする際に接触面に位置する導体回路２４、２５が隣接する接合基板２３の内部に入り込む（埋め込まれる）からである。さらに、接合基板２３は、熱硬化型絶縁材料に限定されるものではなく、その接触面に位置する導体回路２４、２５が隣接する接合基板２３の内部に埋め込まれれば、熱可塑型絶縁材料を用いることができる。
【００１５】
第１〜第３両面基板２２の内部と第１及び第２接合基板２３の内部には、それぞれ所望数のバイアホール２６が設けられている。各々のバイアホール２６は、その層に隣接する一方の層の導体回路２４、２５と他方の層の導体回路２４、２５との間の電気的な接続を行うものである。たとえば、第２両面基板２２の右端に形成されたバイアホール２６（波線円形内を参照）は、その上位層に位置する第２接合基板２３の下面側導体回路２５の一つと、その下位層に位置する第１接合基板２３の上面側導体回路２４の一つとの間の電気的接続を担っている。
【００１６】
ここで、一般に「バイアホール」とは、従来より、積層体の各層に形成された孔（ホール）の内部に、導電性ペーストや電解めっきを“充填”し、加熱処理等によって“硬化”させた電気的接続経路と解されているが、本実施の形態におけるバイアホール２６は、以下の説明からも明らかになるように、“充填”や“硬化”の過程を必要としない点で、上記従来の解釈によるバイアホールと相違する。
【００１７】
以下、この点を明確にすべく、さらに詳しく説明する。
＜両面基板２２の製造工程＞
図３及び図４は、両面基板２２（第１両面基板２２〜第３両面基板２２）の製造工程図である。
【００１８】
図３（ａ）の工程：まず、剥離可能なシート状の支持体３０を用意し、その支持体３０の一面（図では上面）に、良導電性の金属箔（たとえば、銅箔）３１を張り合わせる。支持体３０には、たとえば、積水化学工業の回路形成転写シートを用いることができる。
【００１９】
ここで、両面基板２２に形成するバイアホール２６の設計高をＨとした場合、金属箔３１の厚さＤは、このＨと相等しい値を持つ。すなわち、Ｄ＝Ｈである。したがって、たとえば、Ｈ＝１８μｍのバイアホールを作りたい場合は、Ｄ＝１８μｍの金属箔３１を支持体３０に張り合わせればよい。
【００２０】
図３（ｂ）の工程：次に、金属箔３１の全面を感光性レジスト３２で被膜する。
図３（ｃ）の工程：次に、バイアホールの形成パターンに従って露光・現像し、感光性レジスト３２の余分な部分を取り除き、バイアホール形成用のエッチングレジスト３２ａを形成する。
【００２１】
図３（ｄ）、（ｅ）の工程：次に、金属箔３１を選択的にエッチング（エッチングレジスト３２ａによって保護されていない部分をエッチング）した後、不要になったエッチングレジスト３２ａを除去する。これにより、図３（ｅ）に示すように、金属箔３１が所望形状にパターニングされ、支持体３０の上に複数の柱状の金属導体片（以下「柱状導体」という）３１ａが残される。これらの柱状導体３１ａは、元々は金属箔３１から作られたものであるから、当然ながら電気的な良導電性を有し、且つ、金属箔３１の厚さＤと等しい高さＨを有している。
【００２２】
図４（ａ）、（ｂ）の工程：次に、支持体３０の一面（柱状導体３１ａを有する側の面）に、軟化状態のシート状絶縁樹脂（樹脂材料）３３を加圧して張り合わせる。これにより、図４（ｂ）に示すように、シート状絶縁樹脂３３の内部に、支持体３０の一面に形成された柱状導体３１ａが入り込み（埋め込まれ）、シート状絶縁樹脂３３に柱状導体３１ａが“転写”された状態になる。
【００２３】
図４（ｃ）の工程：次に、上記の転写によって不要になった支持体３０を剥離する。
図４（ｄ）の工程：次に、シート状絶縁樹脂３３の両面に、導体回路用金属箔３４、３５（好ましくは銅箔等の良導電性金属箔）を張り合わせ、加熱プレスして一体化する。
【００２４】
図４（ｅ）の工程：最後に、導体回路用金属箔３４、３５のそれぞれを、所定の導体回路パターンに従ってパターニングし、所望の上面側導体回路３４ａと下面側導体回路３５ａとを形成することにより、一つの両面基板２２を得ることができる。
【００２５】
そして、この両面基板２２を、図１の第１両面基板２２〜第３両面基板２２に用いた場合は、上面側導体回路３４ａと下面側導体回路３５ａがそれぞれ、図１の第１両面基板２２〜第３両面基板２２の上面側導体回路２５と下面側導体回路２４になり、また、シート状絶縁樹脂３３に転写された柱状導体３１ａが、図１の第１両面基板２２〜第３両面基板２２のバイアホール２６になる。
【００２６】
以上の説明からも明らかなように、本実施の形態における第１両面基板２２〜第３両面基板２２のバイアホール２６は、シート状絶縁樹脂３３に転写された柱状導体３１ａそのものであり、この柱状導体３１ａは、金属箔３１からパターニングされたものであるから、電気的な良導電性を有し、且つ、柱状導体３１ａの高さＨは金属箔３１の厚さＤと相等しい。
【００２７】
したがって、本実施の形態のバイアホール２６は、“充填”や“硬化”の工程を必要としないから、たとえば、充填量の過不足に伴うバイアホールの高さ不揃い等の不良形状がなく、従来技術のバイアホール（図１１のバイアホール１６参照）の欠点を解消できるという格別な効果を有している。
【００２８】
なお、この製造工程では、図４（ｄ）の工程段階で、シート状絶縁樹脂３３の両面にそれぞれ導体回路用金属箔３４、３５を張り合わせているが、これに限定されない。たとえば、図４（ａ）〜（ｄ）の工程を次のように変形してもよい。
【００２９】
図５は、図４（ａ）〜（ｄ）の工程に置き換わる両面基板２２（第１両面基板２２〜第３両面基板２２）の製造工程図である。
図５（ａ）、（ｂ）の工程：まず、支持体３０の一面（柱状導体３１ａを有する側の面）に樹脂付金属箔３６（あらかじめ導体回路用金属箔３４を張り付けた軟化状態のシート状絶縁樹脂３３）の樹脂面側を加圧して張り合わせる。これにより、図５（ｂ）に示すように、シート状絶縁樹脂３３の内部に、支持体３０の一面に形成された柱状導体３１ａが入り込み（埋め込まれ）、シート状絶縁樹脂３３に柱状導体３１ａが“転写”された状態になる。
【００３０】
図５（ｃ）の工程：次に、上記の転写によって不要になった支持体３０を剥離した後、シート状絶縁樹脂３３の下面に導体回路用金属箔３５を張り合わせ、加熱プレスして一体化する。
【００３１】
このようにしても、シート状絶縁樹脂３３の両面に導体回路用金属箔３４、３５を張り付けた構造の両面基板２２を得ることができる。
【００３２】
＜接合基板２３の製造工程＞
次に、接合基板２３の製造工程について説明する。この製造工程も基本的には両面基板２２と同様であり、そのポイントとするところは、やはり“充填”や“硬化”の過程を必要とせずにバイアホールを作ることができる点にある。
【００３３】
図６は、接合基板２３（第１接合基板２３、第２接合基板２３）の製造工程図である。
図６（ａ）の工程：まず、前記の支持体３０と同様の剥離可能なシート状の支持体６０を用意し、その支持体６０の一面（図では上面）に、良導電性の金属箔（たとえば、銅箔）６１を張り合わせる。両面基板２２の時と同様に、接合基板２３に形成するバイアホール２６の設計高をＨとした場合、金属箔６１の厚さＤは、このＨと相等しい値を持つ。すなわち、Ｄ＝Ｈである。したがって、たとえば、Ｈ＝１８μｍのバイアホールを作りたい場合は、Ｄ＝１８μｍの金属箔６１を支持体６０に張り合わせればよい。
【００３４】
図６（ｂ）の工程：次に、金属箔６１の表面にバイアホール形成用のエッチングレジスト６２を形成する。
【００３５】
図６（ｃ）、（ｄ）の工程：次に、金属箔６１を選択的にエッチング（エッチングレジスト６２によって保護されていない部分をエッチング）した後、不要になったエッチングレジスト６２を除去する。これにより、図６（ｄ）に示すように、金属箔６１の一部がパターニングされ、支持体６０の上に、複数の柱状の金属導体片（以下「柱状導体」という）６１ａが残される。これらの柱状導体６１ａは、元々は金属箔６１から作られたものであるから、当然ながら電気的な良導電性を有し、且つ、金属箔６１の厚さＤと等しい高さＨを有している。
【００３６】
図６（ｅ）、（ｆ）の工程：次に、支持体６０の一面（柱状導体６１ａを有する側の面）に、軟化状態のシート状絶縁樹脂（樹脂材料）６３を加圧して張り合わせる。これにより、図６（ｆ）に示すように、シート状絶縁樹脂６３の内部に、支持体６０の一面に形成された柱状導体６１ａが入り込み（埋め込まれ）、シート状絶縁樹脂６３に柱状導体６１ａが“転写”された状態になる。
図６（ｇ）の工程：最後に、上記の転写によって不要になった支持体６０を剥離して、一つの接合基板２３を得る。
【００３７】
そして、この接合基板２３を、図１の第１接合基板２３や第２接合基板２３に用いた場合は、シート状絶縁樹脂６３に転写された柱状導体６１ａが、図１の第１接合基板２３や第２接合基板２３のそれぞれのバイアホール２６になる。
【００３８】
以上の説明からも明らかなように、本実施の形態における第１接合基板２３や第２接合基板２３のバイアホール２６も、シート状絶縁樹脂６３に転写された柱状導体６１ａそのものであり、この柱状導体６１ａは、金属箔６１からパターニングされたものであるから、電気的な良導電性を有し、且つ、柱状導体６１ａの高さＨは、金属箔６１の厚さＤと相等しい。
【００３９】
したがって、第１接合基板２３や第２接合基板２３のバイアホール２６も、　“充填”や“硬化”の工程を必要としないから、たとえば、充填量の過不足に伴うバイアホールの高さ不揃い等の不良形状がなく、従来技術のバイアホール（図１１のバイアホール１６参照）の欠点を解消できるという格別な効果を有している。
【００４０】
本発明は、以上の実施の形態に限定されない。発明の思想の範囲において、様々な変形態様を含むことはもちろんである。
図７は、その変形態様の一例を示す要部工程図である。（ａ）は図６（ａ）のＡ部拡大図、（ｂ）は図６（ｄ）のＢ部拡大図、（ｃ）は図６（ｅ）のＣ部拡大図である。（ａ）において、この変形態様では、支持体６０の一面に良導電性の金属箔６１を張り合わせる際に、支持体６０と金属箔６１の間に、低温拡散金属（たとえば、錫など）からなる中間層６４を介在させる。そして、（ｂ）に示すように、金属箔６１を選択的にエッチング（図６（ｃ）の工程）して柱状導体６１ａを形成する際に、この中間層６４も同時にエッチングして、柱状導体６１ａの底面を被膜する底面被膜部６４ａを形成する。次に、柱状導体６１ａの非被膜面（側面と上面）を、中間層６４と同一の金属材料（錫などの低温拡散金属）６５で被膜する。そして、（ｃ）に示すように、シート状絶縁樹脂６３に柱状導体６１ａを“転写”する（図６（ｅ）の工程）ことにより、周囲を低温拡散金属（６４ａ、６５）で覆った柱状導体６１ａをシート状絶縁樹脂６３に埋め込むことができる。
【００４１】
このようにすると、バイアホール２６として機能する柱状導体６１ａの少なくとも両端面（接合基板２３の表裏側の面）が低温拡散金属（６４ａ、６５）で被膜されるので、その接合基板２３に隣接する両面基板２２の導体回路（下面側導体回路２４や上面側導体回路２５）と、接合基板２３のバイアホール２６との接合性を高めることができるというメリットが得られる。
【００４２】
図８は、その変形態様の他の一例を示す要部工程図であり、（ａ）は図６（ｄ）のＢ部拡大図、（ｂ）は図６（ｅ）のＣ部拡大図である。（ａ）において、この変形態様では、金属箔６１を選択的にエッチング（図６（ｃ）の工程）して柱状導体６１ａを形成した後、この柱状導体６１ａの表面（図では上面と側面であるが、少なくとも側面）に微細な凹凸６１ｂを形成するという“粗化処理”を施すことをポイントとする。
【００４３】
これによれば、（ｂ）に示すように、柱状導体６１ａをシート状絶縁樹脂６３に埋め込んだ際に、柱状導体６１ａの側面の凹凸６１ｂを介してシート状絶縁樹脂６３と柱状導体６１ａが接触する（図中の符号Ｄで示す部分を参照）から、その凹凸６１ｂによって両者の実質的な接触面積を拡大し、シート状絶縁樹脂６３と柱状導体６１ａとの接合強度を堅固なものとして、剥離等の不都合を回避し、信頼性の向上を図ることができる。
【００４４】
なお、図９は、粗化処理を施す前（ａ）と粗化処理を施した後（ｂ）を比較するための柱状導体６１ａの表面写真を示す図である。これらの写真は、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）によって撮影したものである。撮影条件はいずれも、１５ＫＶ（印加電圧）、×５０００（倍率）である。両者を見比べると、（ａ）は、ほぼ無視できる程度の微小で滑らかなうねりしか観察されないのに対して、（ｂ）では、ほぼ等間隔で繰り返される微細な凹凸で表面が埋め尽くされており、明らかに（ｂ）の方に表面粗化の痕跡が認められる。
【００４５】
なお、この変形態様では、接合基板２３の柱状導体６１ａを粗化処理する例を説明したが、これに限定されない。両面基板２２の柱状導体３１ａを粗化処理してもよい。さらに、他の変形態様としては、支持体６０の一面に良導電性の金属箔６１を張り合わせる際に、支持体６０と金属箔６１の間に、低温拡散金属（たとえば、錫など）からなる中間層６４を介在させる。そして、（ｂ）に示すように、金属箔６１を選択的にエッチング（図６（ｃ）の工程）して柱状導体６１ａを形成する際に、この中間層６４も同時にエッチングして、柱状導体６１ａの底面を被膜する底面被膜部６４ａを形成する。そして、柱状導体６１ａを形成した後、この柱状導体６１ａの表面に微細な凹凸６１ｂを形成するという“粗化処理”を施す。次に、柱状導体６１ａの非被膜面（側面と上面）を、中間層６４と同一の金属材料（錫などの低温拡散金属）６５で被膜する。そして、（ｃ）に示すように、シート状絶縁樹脂６３に柱状導体６１ａを“転写”する（図６（ｅ）の工程）ことにより、周囲を低温拡散金属（６４ａ、６５）で覆った柱状導体６１ａをシート状絶縁樹脂６３に埋め込むことができる。
【００４６】
また、他の変形態様としては、たとえば、必要に応じ、図４（ｄ）におけるシード層の形成前に過マンガン酸またはレーザによる柱状導体３１ａの表裏面のクリーニングを行ってもよく、あるいは、接合基板２３を製作する際、柱状導体６１ａをシート状絶縁樹脂６３に転写した後に柱状導体６１ａの表面をレーザ等によりクリーニングしてもよい。
【００４７】
【発明の効果】
本発明によれば、導電性を有する金属箔をパターニングしてバイアホールを形成するので、バイアホールの高さ（バイアホール形成層の厚さ方向の寸法）は、もっぱら元の材料である金属箔の厚みによって決定される。したがって、導電性ペーストや電解めっきの充填を行うことなくバイアホールを形成することができ、端面の盛り上がりや窪みなどの不良形状がない良品質のバイアホールを有する多層プリント配線板を製造することができる。
又、本発明の好ましい態様によれば、バイアホールの樹脂材料に接する面が粗化処理（微細な凹凸を形成する処理）されているので、当該面の接触面積を拡大し、樹脂材料との接合を堅固なものにして、剥離等の不都合を回避し、信頼性の向上を図ることができる。
又、本発明の他の好ましい態様によれば、バイアホールの所定面（隣接層の導体回路に接する面）が低温拡散金属によって被膜処理されているので、加熱プレスの際に当該面の軟化を促し、バイアホールと隣接層の導体回路との接合を堅固なものにして、剥離等の不都合を回避し、信頼性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の思想を適用して製作した多層プリント配線板の断面構造図である。
【図２】本発明の思想を適用して製作した多層プリント配線板の積層状態図である。
【図３】両面基板２２（第１両面基板２２〜第３両面基板２２）の製造工程図（その１）である。
【図４】両面基板２２（第１両面基板２２〜第３両面基板２２）の製造工程図（その２）である。
【図５】図４（ａ）〜（ｄ）の工程に置き換わる両面基板２２（第１両面基板２２〜第３両面基板２２）の製造工程図である。
【図６】接合基板２３（第１接合基板２３、第２接合基板２３）の製造工程図である。
【図７】本発明の思想を適用して製作した多層プリント配線板の変形態様の一例を示す要部工程図である。
【図８】本発明の思想を適用して製作した多層プリント配線板の変形態様の他の一例を示す要部工程図である。
【図９】粗化処理を施す前（ａ）と粗化処理を施した後（ｂ）を比較するための柱状導体６１ａの表面写真を示す図である。
【図１０】従来のＩＶＨ構造多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１１】従来技術の問題点を示す図である。
【符号の説明】
２０　多層プリント配線板
２１　積層体
２２　両面基板（絶縁層）
２３　接合基板（絶縁層）
２４　下面側導体回路（導体回路）
２５　上面側導体回路（導体回路）
２６　バイアホール
３０　支持体
３１　金属箔
３１ａ　柱状導体（金属導体片）
３３　シート状絶縁樹脂（樹脂材料）
６０　支持体
６１　金属箔
６１ａ　柱状導体（金属導体片）
６３　シート状絶縁樹脂（樹脂材料）
６４ｂ　底面被膜部（低温拡散金属）
６５　金属材料（低温拡散金属）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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