(57)【要約】【課題】装置の設置形態にかからわらず、常に適切な強調変換データを求めて、液晶表示パネルに供給することにより、高画質の画像表示を実現することが可能な液晶表示装置を提供する。【解決手段】装置内温度を検出する温度センサー８と、当該装置の設置形態を検出する設置形態検出部１１と、前記温度センサー８による温度データと、前記設置形態検出部１１による設置形態データとに基づいて、ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ａ〜１ｄのいずれかを切替選択するための制御ＣＰＵ１９と、切替選択されたＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ａ〜１ｄのいずれかを参照して、液晶表示パネル５の光学応答特性を補償する強調変換データ（書込階調データ）を求める強調変換部３とを備えてなる。【選択図】  図１
2004272050.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１垂直表示期間前の画像データと現垂直表示期間の画像データとの比較を行い、該比較結果から得られる強調変換パラメータに基づいて、液晶表示パネルへ供給する画像データを強調変換することにより、前記液晶表示パネルの光学応答特性を補償する液晶表示装置において、
装置内温度を検出する温度検出手段と、
当該装置の設置形態を検出する設置形態検出手段と、
前記温度検出手段により検出された温度データと、前記設置形態検出手段により検出された設置形態データとに基づいて、前記強調変換パラメータを可変制御する制御手段とを備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記請求項１に記載の液晶表示装置において、
現垂直表示期間の画像データと１垂直表示期間前の画像データとから指定される強調変換パラメータを複数の温度毎に対応して保持しているテーブルメモリと、
該複数の温度毎に対応して保持された強調変換パラメータのいずれかを切替選択して、現垂直表示期間の画像データに強調変換を施す強調変換部とを備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
前記請求項１又は２に記載の液晶表示装置において、
前記制御手段は、前記温度検出手段により検出された温度データに対して、前記設置形態検出手段により検出された設置形態データにより決められる所定の演算を施す演算部と、
前記演算部により演算が施された温度データと、予め決められた所定の閾値温度データとを比較する閾値判別部と、
前記閾値判別部による比較結果に応じて、前記強調変換パラメータを可変制御するための切替制御信号を生成する制御信号出力部とを有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
前記請求項１又は２に記載の液晶表示装置において、
前記制御手段は、前記温度検出手段により検出された温度データと、前記設置形態検出手段により検出された設置形態データにより決められる所定の閾値温度データとを比較する閾値判別部と、
前記閾値判別部による比較結果に応じて、前記強調変換パラメータを可変制御するための切替制御信号を生成する制御信号出力部とを有することを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示パネルを用いて画像を表示する液晶表示装置に関し、特に液晶表示パネルの光学応答特性を改善することができる液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近来、パーソナルコンピュータやテレビ受信機などの軽量化、薄形化によってディスプレイ装置も軽量化、薄形化が要求されており、このような要求に従って陰極線管（ＣＲＴ）の代わりに液晶表示装置（ＬＣＤ）のようなフラットパネル型ディスプレイが開発されている。
【０００３】
ＬＣＤは二つの基板の間に注入されている異方性誘電率を有する液晶層に電界を印加し、この電界の強さを調節して基板を透過する光の量を調節することによって所望の画像信号を得る表示装置である。このようなＬＣＤは携帯の簡便なフラットパネル型ディスプレイのうちの代表的なものであり、この中でも薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をスイッチング素子として用いたＴＦＴ  ＬＣＤが主に用いられている。
【０００４】
最近は、ＬＣＤがコンピュータのディスプレイ装置だけでなくテレビ受信機のディスプレイ装置として広く用いられるため、動画像を具現する必要が増加してきた。しかしながら、従来のＬＣＤは応答速度が遅いために動画像を具現するのは難しいという短所があった。
【０００５】
このような液晶の応答速度の問題を改善するために、１フレーム前の入力画像信号と現フレームの入力画像信号の組み合わせに応じて、予め決められた現フレームの入力画像信号に対する階調電圧より高い（オーバーシュートされた）駆動電圧或いはより低い（アンダーシュートされた）駆動電圧を液晶表示パネルに供給する液晶駆動方法が知られている。以下、本願明細書においては、この駆動方式をオーバーシュート（ＯＳ）駆動と定義する。
【０００６】
また、液晶の応答速度は温度依存性が非常に大きいことが知られており、液晶表示パネルの温度が変化しても、これに対応して表示品位を損なうことなく、常に階調変化の応答速度を最適な状態に制御する液晶パネル駆動装置が、例えば特開平４−３１８５１６号公報に記載されている。
【０００７】
このように、使用環境温度に応じて、液晶表示パネルの光学応答特性を補償すべくオーバーシュート駆動を行うものについて、図５乃至図９とともに説明する。ここで、図５は従来の液晶表示装置の要部構成を示すブロック図、図６はＯＳテーブルメモリの内容例を示す説明図、図７は制御ＣＰＵの概略構成を示す機能ブロック図、図８は装置内温度と参照テーブルメモリとの関係を示す説明図、図９は液晶に加える電圧と液晶の応答との関係を示す説明図である。
【０００８】
図５において、１ａ〜１ｄは入力画像データの１フレーム期間前後における階調遷移に応じた印加電圧データ（強調変換パラメータ）を、装置内温度毎に対応して格納しているＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）、２は入力画像データを１フレーム分記憶するフレームメモリ（ＦＭ）、３はこれから表示するＭ番目のフレームの入力画像データ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｄａｔａ）と、フレームメモリ２に保存されたＭ−１番目のフレームの入力画像データ（Ｐｒｅｖｉｏｕｓ  Ｄａｔａ）とを比較し、該比較結果（階調遷移）に対応する強調変換パラメータをＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ａ〜１ｄのいずれかより読み出して、この強調変換パラメータに基づいてＭ番目のフレームの画像表示に要する強調変換データ（書込階調データ）を決定する強調変換部である。
【０００９】
また、４は強調変換部３からの強調変換データに基づいて、液晶表示パネル５のゲートドライバ６及びソースドライバ７に液晶駆動信号を出力する液晶コントローラ、８は当該装置内の温度を検出するための温度センサー、９は温度センサー８で検出された装置内温度に応じて、ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ａ〜１ｄのいずれかを選択して、強調変換パラメータを切り替えるための切替制御信号を強調変換部３に出力する制御ＣＰＵである。
【００１０】
ここで、ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ａ〜１ｄに格納されている強調変換パラメータＬＥＶＥＬ  １〜ＬＥＶＥＬ  ４は、それぞれ基準温度Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４（Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３＜Ｔ４）の環境下における、液晶表示パネル５の光学応答特性の実測値から予め得られるものであり、それぞれの強調変換度合いはＬＥＶＥＬ  １＞ＬＥＶＥＬ  ２＞ＬＥＶＥＬ  ３＞ＬＥＶＥＬ  ４の関係となっている。
【００１１】
尚、例えば表示信号レベル数すなわち表示データ数が８ビットの２５６階調である場合、ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ａ〜１ｄには、２５６の全ての階調に対する強調変換パラメータ（実測値）を持っていても良いが、例えば図６に示すように、３２階調毎の９つの代表階調についての９×９の強調変換パラメータ（実測値）のみを記憶しておき、その他の階調に対する強調変換信号は、上記実測値から線形補完等の演算で求めるように構成することで、ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）の記憶容量を抑制することができる。
【００１２】
また、制御ＣＰＵ９は、図７に示すように、温度センサー８による温度検出データを、予め決められた所定の閾値温度データ値Ｔｈ１，Ｔｈ２，Ｔｈ３と比較する閾値判別部９ａと、該閾値判別部９ａによる比較結果に応じて、ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ａ〜１ｄのいずれかを選択し、強調変換パラメータＬＥＶＥＬ  １〜ＬＥＶＥＬ  ４を切り替えるための切替制御信号を生成して出力する制御信号出力部９ｂとを有している。
【００１３】
ここでは、例えば図８に示すように、温度センサー８で検出された装置内温度Ｔが閾値温度Ｔｈ１（＝１０℃）以下であれば、制御ＣＰＵ９は強調変換部３に対し、ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ａを選択して参照するように指示する。これによって、強調変換部３はＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ａに格納されている強調変換パラメータＬＥＶＥＬ  １を用いて、入力画像データの強調変換処理を行う。
【００１４】
また、温度センサー８で検出された装置内温度Ｔが閾値温度Ｔｈ１（＝１０℃）より大きく且つ閾値温度Ｔｈ２（＝２０℃）以下であれば、制御ＣＰＵ９は強調変換部３に対し、ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ｂを選択して参照するように指示する。これによって、強調変換部３はＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ｂに格納されている強調変換パラメータＬＥＶＥＬ  ２を用いて、入力画像データの強調変換処理を行う。
【００１５】
さらに、温度センサー８で検出された装置内温度Ｔが閾値温度Ｔｈ２（＝２０℃）より大きく且つ閾値温度Ｔｈ３（＝３０℃）以下であれば、制御ＣＰＵ９は強調変換部３に対し、ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ｃを選択して参照するように指示する。これによって、強調変換部３はＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ｃに格納されている強調変換パラメータＬＥＶＥＬ  ３を用いて、入力画像データの強調変換処理を行う。
【００１６】
そしてまた、温度センサー８で検出された装置内温度Ｔが閾値温度Ｔｈ３（＝３０℃）より大きければ、制御ＣＰＵ９は強調変換部３に対し、ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ｄを選択して参照するように指示する。これによって、強調変換部３はＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ｄに格納されている強調変換パラメータＬＥＶＥＬ  ４を用いて、入力画像データの強調変換処理を行う。
【００１７】
一般的に液晶表示パネルにおいては、ある中間調から別の中間調に変更させる時間は長く、また低温時の入力信号に対する追従性が極端に悪くなり、応答時間が増大するため、中間調を１フレーム期間（例えば６０Ｈｚのプログレッシブスキャンの場合は１６．７ｍｓｅｃ）内に表示することができず、残像が発生するだけでなく、中間調を正しく表示することができないという課題があったが、上述のオーバーシュート駆動回路を用いることにより、図９に示すように、目標の中間調を短時間（１フレーム期間内）で表示することが可能となる。
【００１８】
【特許文献１】
特開平４−３６５０９４号公報
【特許文献２】
特開平４−３１８５１６号公報
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、温度センサー８は、その本来の目的から液晶表示パネル５内に設けることが望ましいが、これは困難であるため、回路基板などの他部材に取り付ける必要がある。このため、図１０（ａ）に示す通常設置形態（設置形態Ａ）においてバックライト光源を点灯駆動するためのインバータトランスや電源ユニット等の他部材による発熱作用を最も受けにくい場所に温度センサー８を配設し、できるだけ正確に液晶表示パネル５の温度を検出するようにしている。
【００２０】
しかしながら、例えば図１０（ｂ）に示すように、表示画面の縦横を切り替えるべくディスプレイを９０度回転させた使用形態（設置形態Ｂ）とした場合、周辺基板や放熱孔などの配置関係が変化し、装置内の熱気流の経路が変わるため、温度センサー８は他部材による発熱作用の影響を大きく受けることとなり、液晶表示パネル５の温度を正確に検出することができなくなり、温度センサー８による検出温度と液晶表示パネル５の温度との間の温度誤差が変化する。
【００２１】
その結果、液晶表示パネル５の温度に対応した適切な強調変換パラメータを選択することができず、正しい強調変換データ（書込階調データ）を液晶表示パネル５に供給することが不可能となるため、過小の強調変換データ（書込階調データ）が液晶表示パネル５に供給されて、黒尾引きが発生したり、過大な強調変換データ（書込階調データ）が液晶表示パネル５に供給されて、画素の白点化が生じるなど、表示画像の画質を著しく劣化させてしまうという問題があった。
【００２２】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、装置の設置形態にかからわらず、常に適切な強調変換データを求めて、液晶表示パネルに供給することにより、高画質の画像表示を実現することが可能な液晶表示装置を提供するものである。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
本願の第１の発明は、少なくとも１垂直表示期間前の画像データと現垂直表示期間の画像データとの比較を行い、該比較結果から得られる強調変換パラメータに基づいて、液晶表示パネルへ供給する画像データを強調変換することにより、前記液晶表示パネルの光学応答特性を補償する液晶表示装置において、装置内温度を検出する温度検出手段と、当該装置の設置形態を検出する設置形態検出手段と、前記温度検出手段により検出された温度データと、前記設置形態検出手段により検出された設置形態データとに基づいて、前記強調変換パラメータを可変制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。
【００２４】
本願の第２の発明は、現垂直表示期間の画像データと１垂直表示期間前の画像データとから指定される強調変換パラメータを複数の温度毎に対応して保持しているテーブルメモリと、該複数の温度毎に対応して保持された強調変換パラメータのいずれかを切替選択して、現垂直表示期間の画像データに強調変換を施す強調変換部とを備えたことを特徴とする。
【００２５】
本願の第３の発明は、前記制御手段が、前記温度検出手段により検出された温度データに対して、前記設置形態検出手段により検出された設置形態データにより決められる所定の演算を施す演算部と、前記演算部により演算が施された温度データと、予め決められた所定の閾値温度データとを比較する閾値判別部と、前記閾値判別部による比較結果に応じて、前記強調変換パラメータを可変制御するための切替制御信号を生成する制御信号出力部とを有することを特徴とする。
【００２６】
本願の第４の発明は、前記制御手段が、前記温度検出手段により検出された温度データと、前記設置形態検出手段により検出された設置形態データにより決められる所定の閾値温度データとを比較する閾値判別部と、前記閾値判別部による比較結果に応じて、前記強調変換パラメータを可変制御するための切替制御信号を生成する制御信号出力部とを有することを特徴とする。
【００２７】
本発明の液晶表示装置によれば、温度検出手段により検出された温度データと、設置形態検出手段により検出された設置形態データとに基づいて、常に適切な強調変換パラメータを切替選択することが可能となるので、当該装置をどのような設置形態で使用した場合であっても、高画質の画像表示を実現することができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第１実施形態を、図１乃至図３とともに詳細に説明するが、上記従来例と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。ここで、図１は本実施形態の液晶表示装置における要部構成を示すブロック図、図２は本実施形態の液晶表示装置における制御ＣＰＵの概略構成を示す機能ブロック図、図３は本実施形態の液晶表示装置における各設置形態での装置内温度と参照テーブルメモリとの関係を示す説明図である。
【００２９】
本実施形態の液晶表示装置は、図１に示すように、装置内温度を検出するための温度センサー８と、当該装置の設置形態を検出するための設置形態検出部１１と、前記温度センサー８による温度検出データと、前記設置形態検出部１１による設置形態検出データとに基づいて、ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ａ〜１ｄのいずれかを切替選択し、液晶表示パネル５の光学応答特性を補償する強調変換処理を入力画像データに対して施すための制御ＣＰＵ１９とを備えている。
【００３０】
尚、温度センサー８は、１個のみならず複数個をそれぞれ装置内の異なる位置に設けても良い。また、設置形態検出部１１は、ジャイロセンサーなどの方位センサーや重力スイッチ、機械的スイッチを利用して構成するものの他、ユーザによる切替信号に基づいて、装置設置形態を検出するように構成しても良い。
【００３１】
ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ａ〜１ｄは、上述した従来例と同様、それぞれ基準温度Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４（Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３＜Ｔ４）に対応した、現フレームの画像データと１フレーム前の画像データとから指定される強調変換パラメータＬＥＶＥＬ  １〜ＬＥＶＥＬ  ４を保持しており、強調変換部３は、制御ＣＰＵ１９からの切替制御信号に応じて、ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ａ〜１ｄを切替選択し、強調変換パラメータＬＥＶＥＬ  １〜ＬＥＶＥＬ  ４のいずれかを用いて、液晶コントローラ４へ出力する強調変換データ（書込階調データ）を求める。
【００３２】
ここでは、４段階の温度範囲のそれぞれに対応した４種類のＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ａ〜１ｄを設け、各々のＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ａ〜１ｄを装置内温度の検出データに基づいて切換え参照することにより、オーバーシュート駆動（強調変換処理）を行うものについて説明するが、３種類以下或いは５種類以上の温度範囲に対応したＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）を設けても良いことは言うまでもない。
【００３３】
次に、本実施形態における制御ＣＰＵ１９は、図２に示すように、装置設置形態毎に決められた所定値を、温度センサー８による温度検出データに対して加減算する等の演算式が格納された設置形態別演算式格納部１９ａと、設置形態検出部１１により検出された設置形態データに応じて、該設置形態別演算式格納部１９ａから読み出された演算式を用いて、温度センサー８による温度検出データに補正演算を施す演算部１９ｂと、該演算部１９ｂにより演算が施された温度データと、予め決められた所定の閾値温度データ値Ｔｈ１，Ｔｈ２，Ｔｈ３とを比較する閾値判別部１９ｃと、該閾値判別部１９ｃによる比較結果に応じて、ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ａ〜１ｄのいずれかを選択し、強調変換パラメータＬＥＶＥＬ  １〜ＬＥＶＥＬ  ４を切り替えるための切替制御信号を生成する制御信号出力部１９ｄとを有している。
【００３４】
ここでは、例えば図３に示すように、通常設置形態（設置形態Ａ）での使用時においては、温度センサー８で検出された装置内温度Ｔが閾値温度Ｔｈ１（＝１０℃）以下であれば、制御ＣＰＵ１９は強調変換部３に対し、ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ａを選択して参照するように指示する。これによって、強調変換部３はＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ａに格納されている強調変換パラメータＬＥＶＥＬ  １を用いて、入力画像データの強調変換処理を行う。
【００３５】
また、温度センサー８で検出された装置内温度Ｔが閾値温度Ｔｈ１（＝１０℃）より大きく且つ閾値温度Ｔｈ２（＝２０℃）以下であれば、制御ＣＰＵ１９は強調変換部３に対し、ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ｂを選択して参照するように指示する。これによって、強調変換部３はＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ｂに格納されている強調変換パラメータＬＥＶＥＬ  ２を用いて、入力画像データの強調変換処理を行う。
【００３６】
さらに、温度センサー８で検出された装置内温度Ｔが閾値温度Ｔｈ２（＝２０℃）より大きく且つ閾値温度Ｔｈ３（＝３０℃）以下であれば、制御ＣＰＵ１９は強調変換部３に対し、ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ｃを選択して参照するように指示する。これによって、強調変換部３はＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ｃに格納されている強調変換パラメータＬＥＶＥＬ  ３を用いて、入力画像データの強調変換処理を行う。
【００３７】
そしてまた、温度センサー８で検出された装置内温度Ｔが閾値温度Ｔｈ３（＝３０℃）より大きければ、制御ＣＰＵ１９は強調変換部３に対し、ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ｄを選択して参照するように指示する。これによって、強調変換部３はＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ｄに格納されている強調変換パラメータＬＥＶＥＬ  ４を用いて、入力画像データの強調変換処理を行う。
【００３８】
一方、画面縦横切替設置形態（設置形態Ｂ）での使用時においては、温度センサー８で検出された装置内温度Ｔと実際の液晶表示パネル５の温度との間で誤差が生じるため、この誤差分を補正するため、演算部１９では設置形態別演算式格納部１９ａより読み出された演算式を用いて、温度センサー８による温度検出データから誤差を除去（ここでは５℃分を減算）した上で、閾値判別部１９ｃに出力する。
【００３９】
これによって、温度センサー８で検出された装置内温度Ｔが１５℃以下であれば、制御ＣＰＵ１９は強調変換部３に対し、ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ａを選択して参照するように指示する。これによって、強調変換部３はＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ａに格納されている強調変換パラメータＬＥＶＥＬ  １を用いて、入力画像データの強調変換処理を行う。
【００４０】
また、温度センサー８で検出された装置内温度Ｔが１５℃より大きく且つ２５℃以下であれば、制御ＣＰＵ１９は強調変換部３に対し、ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ｂを選択して参照するように指示する。これによって、強調変換部３はＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ｂに格納されている強調変換パラメータＬＥＶＥＬ  ２を用いて、入力画像データの強調変換処理を行う。
【００４１】
さらに、温度センサー８で検出された装置内温度Ｔが閾値温度２５℃より大きく且つ３５℃以下であれば、制御ＣＰＵ１９は強調変換部３に対し、ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ｃを選択して参照するように指示する。これによって、強調変換部３はＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ｃに格納されている強調変換パラメータＬＥＶＥＬ  ３を用いて、入力画像データの強調変換処理を行う。
【００４２】
そしてまた、温度センサー８で検出された装置内温度Ｔが３５℃より大きければ、制御ＣＰＵ１９は強調変換部３に対し、ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ｄを選択して参照するように指示する。これによって、強調変換部３はＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ｄに格納されている強調変換パラメータＬＥＶＥＬ  ４を用いて、入力画像データの強調変換処理を行う。
【００４３】
以上のように、本実施形態の液晶表示装置においては、装置設置形態によって、温度センサー８で検出した温度データが実際の液晶表示パネル５の温度と異なり、誤差を含んでいる場合であっても、この温度誤差を補正演算した上で、予め決められた所定の閾値温度データ値Ｔｈ１，Ｔｈ２，Ｔｈ３と比較し、強調変換パラメータＬＥＶＥＬ  １〜ＬＥＶＥＬ  ４を切替可変するための切替制御信号を生成しているので、常に適切な強調変換データを求めて、液晶表示パネル５に供給することが可能となり、高画質の画像表示を実現することができる。
【００４４】
尚、上記第１実施形態においては、強調変換部３とＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ａ〜１ｄとによって強調変換データ（書込階調データ）を求める構成としているが、ＯＳテーブルメモリを設ける代わりに、例えば遷移前の階調と遷移後の階調とを変数とする２次元関数ｆ（ｐｒｅ，ｃｕｒ）により、液晶表示パネル５の光学応答特性を補償する強調変換データ（書込階調データ）を求める構成としても良い。
【００４５】
次に、本発明の第２実施形態について、図３とともに詳細に説明するが、上述した第１実施形態と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。ここで、図３は本実施形態の液晶表示装置における制御ＣＰＵの概略構成を示す機能ブロック図である。本実施形態の液晶表示装置は、図１とともに上述した第１実施形態と基本構成は同様であり、強調変換パラメータを可変制御するための制御ＣＰＵの内部構成のみが異なるため、この点について以下説明する。
【００４６】
本実施形態における制御ＣＰＵ２９は、図３に示すように、装置設置形態毎に決められた所定の閾値温度データが格納された設置形態別閾値温度データ格納部２９ａと、設置形態検出部１１により検出された設置形態データに応じて、該設置形態別閾値温度データ格納部２９ａから読み出された閾値温度データ値Ｔｈ１，Ｔｈ２，Ｔｈ３と、温度センサー８による温度検出データとを比較する閾値判別部２９ｂと、該閾値判別部１９ｂによる比較結果に応じて、ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ａ〜１ｄのいずれかを選択し、強調変換パラメータＬＥＶＥＬ  １〜ＬＥＶＥＬ  ４を切り替えるための切替制御信号を生成する制御信号出力部１９ｃとを有している。
【００４７】
ここでは、通常設置形態（設置形態Ａ）での使用時において、温度センサー８で検出された装置内温度Ｔが閾値温度Ｔｈ１（＝１０℃）以下であれば、制御ＣＰＵ１９は強調変換部３に対し、ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ａを選択して参照するように指示する。これによって、強調変換部３はＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ａに格納されている強調変換パラメータＬＥＶＥＬ  １を用いて、入力画像データの強調変換処理を行う。
【００４８】
また、温度センサー８で検出された装置内温度Ｔが閾値温度Ｔｈ１（＝１０℃）より大きく且つ閾値温度Ｔｈ２（＝２０℃）以下であれば、制御ＣＰＵ１９は強調変換部３に対し、ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ｂを選択して参照するように指示する。これによって、強調変換部３はＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ｂに格納されている強調変換パラメータＬＥＶＥＬ  ２を用いて、入力画像データの強調変換処理を行う。
【００４９】
さらに、温度センサー８で検出された装置内温度Ｔが閾値温度Ｔｈ２（＝２０℃）より大きく且つ閾値温度Ｔｈ３（＝３０℃）以下であれば、制御ＣＰＵ１９は強調変換部３に対し、ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ｃを選択して参照するように指示する。これによって、強調変換部３はＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ｃに格納されている強調変換パラメータＬＥＶＥＬ  ３を用いて、入力画像データの強調変換処理を行う。
【００５０】
そしてまた、温度センサー８で検出された装置内温度Ｔが閾値温度Ｔｈ３（＝３０℃）より大きければ、制御ＣＰＵ１９は強調変換部３に対し、ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ｄを選択して参照するように指示する。これによって、強調変換部３はＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ｄに格納されている強調変換パラメータＬＥＶＥＬ  ４を用いて、入力画像データの強調変換処理を行う。
【００５１】
一方、画面縦横切替設置形態（設置形態Ｂ）での使用時においては、温度センサー８で検出された装置内温度Ｔと実際の液晶表示パネル５の温度との間で誤差が生じるため、この誤差分を吸収するため、閾値判別部２９ｂでは設置形態別閾値温度データ格納部２９ａより読み出された閾値温度データを用いて、温度センサー８による温度検出データの比較判別を行い、その結果を制御信号出力部２９ｃに出力する。
【００５２】
これによって、温度センサー８で検出された装置内温度Ｔが閾値温度Ｔｈ１（＝１５℃）以下であれば、制御ＣＰＵ１９は強調変換部３に対し、ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ａを選択して参照するように指示する。これによって、強調変換部３はＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ａに格納されている強調変換パラメータＬＥＶＥＬ  １を用いて、入力画像データの強調変換処理を行う。
【００５３】
また、温度センサー８で検出された装置内温度Ｔが閾値温度Ｔｈ１（＝１５℃）より大きく且つ閾値温度Ｔｈ２（＝２５℃）以下であれば、制御ＣＰＵ１９は強調変換部３に対し、ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ｂを選択して参照するように指示する。これによって、強調変換部３はＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ｂに格納されている強調変換パラメータＬＥＶＥＬ  ２を用いて、入力画像データの強調変換処理を行う。
【００５４】
さらに、温度センサー８で検出された装置内温度Ｔが閾値温度Ｔｈ２（＝２５℃）より大きく且つ閾値温度Ｔｈ３（＝３５℃）以下であれば、制御ＣＰＵ１９は強調変換部３に対し、ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ｃを選択して参照するように指示する。これによって、強調変換部３はＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ｃに格納されている強調変換パラメータＬＥＶＥＬ  ３を用いて、入力画像データの強調変換処理を行う。
【００５５】
そしてまた、温度センサー８で検出された装置内温度Ｔが閾値温度Ｔｈ３（＝３５℃）より大きければ、制御ＣＰＵ１９は強調変換部３に対し、ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ｄを選択して参照するように指示する。これによって、強調変換部３はＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ｄに格納されている強調変換パラメータＬＥＶＥＬ  ４を用いて、入力画像データの強調変換処理を行う。
【００５６】
以上のように、本実施形態の液晶表示装置においては、装置設置形態によって、温度センサー８で検出した温度データが実際の液晶表示パネル５の温度と異なり、誤差を含んでいる場合であっても、この温度誤差を考慮した閾値温度データＴｈ１，Ｔｈ２，Ｔｈ３を用いて、温度センサー８による温度検出データの比較判別を行うことにより、強調変換パラメータＬＥＶＥＬ  １〜ＬＥＶＥＬ  ４を切替可変するための切替制御信号を生成しているので、常に適切な強調変換データを求めて、液晶表示パネル５に供給することが可能となり、高画質の画像表示を実現することができる。
【００５７】
尚、上述した本発明の実施形態においては、各温度範囲に対応した強調変換パラメータＬＥＶＥＬ  １〜ＬＥＶＥＬ  ４を、それぞれ個別に設けられたＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）１ａ〜１ｄに格納しているが、単一のＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）の異なるテーブル領域に格納しておき、制御ＣＰＵ１９，２９からの切替制御信号に応じて、参照するテーブル領域を適応的に切り替えることにより、強調変換パラメータＬＥＶＥＬ  １〜ＬＥＶＥＬ  ４を切替選択して、強調変換データを求めるように構成しても良い。
【００５８】
【発明の効果】
本発明の液晶表示装置は、上記のような構成としているので、温度検出手段により検出された温度データと、設置形態検出手段により検出された設置形態データとに基づいて、常に適切な強調変換パラメータを切替選択することが可能となるので、当該装置をどのような設置形態で使用した場合であっても、高画質の画像表示を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の液晶表示装置の第１実施形態における要部構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の液晶表示装置の第１実施形態における制御ＣＰＵの概略構成を示す機能ブロック図である。
【図３】本発明の液晶表示装置の第１実施形態における各設置形態での装置内温度と参照テーブルメモリとの関係を示す説明図である。
【図４】本発明の液晶表示装置の第２実施形態における制御ＣＰＵの概略構成を示す機能ブロック図である。
【図５】従来の液晶表示装置における要部構成を示すブロック図である。
【図６】オーバーシュート駆動回路に用いるＯＳテーブルメモリの一例を示す概略説明図である。
【図７】従来の液晶表示装置における制御ＣＰＵの概略構成を示す機能ブロック図である。
【図８】従来の液晶表示装置における装置内温度と参照テーブルメモリとの関係を示す説明図である。
【図９】液晶に加える電圧と液晶の応答との関係を示す説明図である。
【図１０】液晶表示装置の（ａ）通常設置状態、（ｂ）９０度回転設置状態を示す説明図である。
【符号の説明】
１ａ〜１ｄ  ＯＳテーブルメモリ（ＲＯＭ）
２  フレームメモリ
３  強調変換部
４  液晶コントローラ
５  液晶表示パネル
６  ゲートドライバ
７  ソースドライバ
８  温度センサー
１１  設置形態検出部
１９、２９  制御ＣＰＵ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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