(57)【要約】【課題】半導体製造装置の空間的温度分布の制御を可能とし、基板上の成長温度を低くして、基板に良質のエピタキシャル層を成長させることのできる半導体製造装置を提供する。【解決手段】基板８の加熱部１５を有し、第一ガス２と第二ガス３とを基板８に供給して基板８に化合物半導体のエピタキシャル層を成長させる半導体製造装置において、第一ガスの導入部５と基板８との間に、第一ガス２の加熱帯１を備える。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の加熱手段を有し、第一ガスと第二ガスとを基板に供給して基板に化合物半導体のエピタキシャル層を成長させる半導体製造装置であって、第一ガスの導入部と基板との間に、第一ガスの加熱帯を備えていることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
第一ガスがアンモニアガスであるか、又は窒素もしくは窒素化合物ガスで希釈されたアンモニアガスであることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。
【請求項３】
第二ガスが３族有機金属化合物を原料とする３族原料ガスであることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体製造装置。
【請求項４】
第二ガスが３族ハロゲン化合物を原料とする３族原料ガスであることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体製造装置。
【請求項５】
第二ガスの導入部が第一ガスの導入部より基板面に近い位置に配置されていることを特徴とする請求項  １、２、３又は４記載の半導体製造装置。
【請求項６】
第一ガスの導入部と第二ガスの導入部が空間的に離隔されていて、第一ガスの導入部と第二ガスの導入部との中間の位置に第三ガスの導入部を備えており、導入される第三ガスが窒素ガス、窒素化合物ガスの何れでもないことを特徴とする請求項  １、２、３、４又は５記載の半導体製造装置。
【請求項７】
加熱帯が触媒を備えたことを特徴とする請求項  １、２、３、４、５又は６記載の半導体製造装置。
【請求項８】
加熱帯の温度が基板の温度より高く保持されることを特徴とする請求項  １、２、３、４、５、６又は７記載の半導体製造装置。
【請求項９】
第一ガスの導入部と加熱帯との間に冷却帯を備えたことを特徴とする請求項  １、２、３、４、５、６、７又は８記載の半導体製造装置。
【請求項１０】
基板が円形の取外し可能なサセプター上に配置され、加熱帯がサセプターに対向して配置されており、基板が自転し且つサセプターとともに公転することを特徴とする請求項  １、２、３、４、５、６、７、８又は９記載の半導体製造装置。
【請求項１１】
加熱帯とサセプター間の距離がサセプターの半径の１／２以下であることを特徴とする請求項１０記載の半導体製造装置。
【請求項１２】
サセプターがおおよそ円筒形であり、基板がサセプターの内壁に配置され、加熱帯がサセプターより径の小さいおおよそ円筒形であってサセプターの内側に配置されており、サセプターと加熱帯とが回転自在であることを特徴とする請求項  １、２、３、４、５、６、７、８又は９記載の半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、化合物半導体を成長・合成する半導体製造装置に関し、特に３族窒化物半導体の気相エピタキシャル成長ウエハーの製造に好適な半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
３族窒化物半導体、特に窒化ガリウムは、緑から青色・紫外の発光デバイス材料としての用途がある材料であり、提供の形態としては、基板（ウエハー）、基板用エピタキシャル成長ウエハー、発光デバイス用エピタキシャルウエハーなどがある。
【０００３】
基板用エピタキシャル成長ウエハーは、主にサファイア、シリコン、リチウムカレイトなどの非３族窒化物基板上に３族窒化物をエピタキシー成長し、これを基板とするもので、必要によってはエピタキシー層の厚みを厚くし下地の基板を除去して所望の３族窒化物を得る。
基板用エピタキシャル成長ウエハーは低コストで製造されることが望ましく、３族のハロゲン化物（具体的には３族塩化物）を３族原料とするハライド／ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ法、以下ハライド気相成長法という）が多くの場合用いられる。この方法は、窒素原料としてアンモニアガスを用い、３族原料としてハロゲン化物を用いるもので、その利点は成膜速度を大きくすることができることであり、スループットとコストの面で有利である。
【０００４】
発光デバイス用エピタキシャルウエハーは、発光デバイスに必要な層構造をエピタキシーにより構成するものであって、ブラッグ反射層、量子井戸層構造などの微細且つ均一な成膜が必要であり、製造には３族有機金属を３族原料とする有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）が用いられる。
３族窒化物半導体の気相エピタキシャル成長技術として、ハライド気相成長法、有機金属気相成長法はともに１９７０年前後から存在している。これらの方法の他、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）などもある。
【０００５】
従来のハライド気相成長法、有機金属気相成長法に共通する技術として、基板と水平方向もしくは傾斜した方向から原料ガスを基板に供給し、基板に垂直な方向から原料を含まない押圧ガスを基板に供給することにより基板上へのエピタキシャル成長操作を向上させるものがある（特許文献１参照）。
有機金属気相成長法に関する技術としては、基板へのアンモニアガスと３族原料ガスの供給方法として、基板到達以前にアンモニアガスと３族原料ガスが混合することを避けることにより気相中での前反応を抑えるものがある（特許文献２、特許文献３参照）。
【０００６】
【特許文献１】
特許第２６２８４０４号公報
【特許文献２】
特開平０８−０９１９８９号公報
【特許文献３】
特表２００１−５０６８０３号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
有機金属気相成長法による３族窒化物の気相成長においては、結晶表面からの窒素の表面脱離が起き、結晶の品質が低下するという問題がある。
窒素の脱離は窒素原料の分圧不足が原因と考えられており、これを補うために過剰なアンモニアガスを供給する必要がある。アンモニアと３族原料の供給量比（５族／３族比）は数千にもなることがある。窒素の表面脱離の対策としては成長温度の低温化が挙げられるが、成長温度を低温化するとアンモニアが十分に分解されない。
【０００８】
ハライド気相成長法においても、有機金属気相成長法と同様に窒素の表面脱離の問題がある。
また、ハライド気相成長法においては、立方晶の窒化ガリウム及び立方晶の窒化ガリウムと他の３族窒化物の混晶の成長の問題が挙げられる。有機金属気相成長法においては、近年立方晶窒化ガリウムの成長の報告が多くなされているが、ハライド気相成長法では六方晶の成長の報告が多い。半導体レーザーなど結晶の劈開面を利用するデバイスでは六方晶系よりも立方晶系の材料に利点が多いため、立方晶窒化ガリウムの基板製造が可能な気相成長法の完成が望まれている。ハライド気相成長法においてこの問題を解決するには、従来の技術よりもさらに成長温度を下げる手法の開発が必要である。
【０００９】
ハライド気相成長法における装置構成は、反応管を発熱炉内に配置し、反応管内に基板を配置し、原料ガスとして３族ハロゲン化物とアンモニアガスを基板に供給して基板上に３族窒化物のエピタキシャル成長を施す。ハライド気相成長法においても、３族原料と５族原料を基板到達前に混合すると前反応が生じることが知られており、基板到達前に両原料ガスを混合しない工夫がなされるのが一般的である。３族ハロゲン化物は多くの場合塩化物もしくは沃化物である。例えば塩化ガリウムや塩化アルミニウム、沃化ガリウムや沃化アルミニウムが挙げられる。反応管の材質は殆どの場合石英であり、他のセラミックス製の反応管についても実施の例がある。
【００１０】
ハライド気相成長法の反応炉の温度分布は、発熱炉体の空間的な温度制御能によりほぼ決定される。具体的には発熱体のゾーンの分割数、大きさ、熱容量や強制冷却の有無などにより決定される。原料ガスの流れの方向に対して垂直な面で発熱体のゾーンを分割することになるため、１回当たりの基板の処理枚数を増やすことは反応炉の流路の断面積を大きくすることになる。反応炉の断面積が大きくなると原料ガス及びキャリアガスの供給量が増加し、発熱炉体の断面積も大きくなる。つまり、従来のハライド気相成長法では基板の処理枚数をある程度以上に増やすことができないといった問題がある。
【００１１】
本発明は、半導体製造装置における上記課題を解決するものであって、空間的温度分布の制御が可能で、基板上の成長温度を低くすることができ、ハライド気相成長法と有機金属気相成長法の何れの方法も実施可能であり、３族窒化物半導体の気相エピタキシャル成長におけるアンモニアと３族原料の供給量比（５族／３族比）を小さくできる半導体製造装置を提供することを目的とする。また、ハライド気相成長法においてもエピタキシャル成長基板の面積を大きくすることができる半導体製造装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明では、基板の加熱手段を有し、第一ガスと第二ガスとを基板に供給して基板に化合物半導体のエピタキシャル層を成長させる半導体製造装置において、第一ガスの導入部と基板との間に、第一ガスの加熱帯を備えることにより上記課題を解決している。
【００１３】
この半導体製造装置は、第一ガスの導入部と基板との間に、第一ガスの加熱帯を備えたことで、基板及び基板付近の温度を積極的に制御できる。しかも、基板加熱源からの加熱のみでは不可能であった温度勾配の設定が可能となり空間的温度分布を制御することができる。
第一ガスをアンモニアガスであるか、又は窒素もしくは窒素化合物ガスで希釈されたアンモニアガスとし、第二ガスを３族有機金属化合物、又は３族ハロゲン化合物を原料とする３族原料ガスとすることで、３族窒化物半導体の気相エピタキシャル成長を行うことができる。このとき、加熱帯でアンモニアが分解されるので、基板における成長温度を低くすることができ、３族窒化物の気相成長において結晶表面からの窒素の表面脱離を防止して結晶の品質を向上させ、アンモニアと３族原料の供給量比（５族／３族比）を小さくすることができる。
【００１４】
成長温度を下げることで、ハライド気相成長法における立方晶の窒化ガリウムの基板製造が期待できる。また基板の処理枚数を増やすこともできる。
第二ガスの導入部は第一ガスの導入部より基板面に近い位置に配置することが好ましい。
第一ガスの導入部と第二ガスの導入部は空間的に離隔して、第一ガスの導入部と第二ガスの導入部との中間の位置に第三ガスの導入部を備え、窒素ガス、窒素化合物ガスの何れでもない第三ガスをカーテンガスとなるよう導入し、第一ガス（アンモニアガス）と第二ガス（３族原料ガス）とを隔てると、基板到達前の第一ガスと第二ガスの前反応を抑えることができる。
【００１５】
加熱帯には触媒を備えることでアンモニアの分解が促進される。触媒としては窒化珪素担体に担持されたニッケルが好適である。
加熱帯の温度は基板の温度より高く保持し、加熱帯と基板の間の空間で温度勾配をつけるとよい。具体的には、３族原料ガスの流れ、カーテンガスの流れを阻害しない程度まで加熱帯を基板に近づけるのがよく、加熱帯の温度を基板の温度に対して相対的に変えることで温度勾配をつければよい。
【００１６】
第一ガスの導入部と加熱帯との間に冷却帯を備えると、第一ガスが加熱帯に到達する前に加熱帯の熱輻射で加熱されるのを防止できる。
基板を円形の取外し可能なサセプター上に配置し、加熱帯をサセプターに対向して配置し、基板を自転させ、且つサセプターとともに公転させると、原料ガスの流れ、カーテンガスの流れをスムーズにすることができる。
【００１７】
加熱帯とサセプター間の距離はサセプターの半径の１／２以下であることが好ましい。なお、サセプターの大きさに関わらず７６ｍｍ以下であることが望ましい。
サセプターをおおよそ円筒形とし、基板をサセプターの内壁に配置し、加熱帯をサセプターより径の小さいおおよそ円筒形としてサセプターの内側に配置して、サセプターと加熱帯とを回転自在とすることもできる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の実施の一形態を示す半導体製造装置の要部の構成図である。
この半導体製造装置は、反応容器（図示略）内に、基板８を取付けるサセプター９と、サセプター９を加熱するための加熱部１５と、サセプター９に対向して配置された加熱帯１と、第一ガスの導入部５と、第二ガスの導入部６と、第三ガスの導入部７とを備えている。第一ガスの導入部５と加熱帯１との間には冷却帯１０を備えている。
【００１９】
この半導体製造装置により３族窒化物半導体を製造する場合、第一ガス２は、窒素原料を供給するガスであり、窒素で希釈されたアンモニアガス、希釈されていないアンモニアガスのどちらも使用できるように原料ガス供給装置が設定される。
また、第二ガス３は、３族原料を供給するガスであり、ハライド気相成長法では３族ハロゲン化物、有機金属気相成長法では有機金属が原料となる。
【００２０】
ハロゲン化物は塩化物、具体的には塩化ガリウム、塩化アルミニウム、塩化インジウムが用いられる。
有機金属はトリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、トリメチルインジウムが用いられる。Ｐ型半導体とするためのドーパントも有機金属であるため、第二ガス６と一緒に供給される。具体的にはビスシクロペンタディエニイマグネシウムが用いられる。キャリアガスには水素もしくは水素と窒素の混合ガスが用いられる。
【００２１】
第三ガス４には水素が用いられる。Ｎ型半導体とするためのドーパントは第三ガス４と一緒に供給される。具体的にはジシランが用いられる。
反応容器は、ステンレス鋼（ＳＵＳ３１６Ｌ）製で内部を真空にすることができ、０．５ＭＰａの内部圧力にも耐えるチャンバーであり、この反応容器には複数のポートが設けられている。具体的には、サセプター９に回転を導入するための回転導入端子を接続するポート、サセプター９や加熱帯１の発熱体に電流を供給するするための電流導入端子を接続するためのポート、熱電対１２の接続ポート、真空・圧力の計測器の測定子を接続するポート、内部を観察するための覗き窓を接続するポート、プロセスモニターのためのポートなどが設けられている。
【００２２】
第一ガス２、第二ガス３、第三ガス４を導入するためのガス接続口も複数個必要に応じて設けられている。また、基板８で反応後の排ガス１８を排出するための排気ポートも設けられており、排気配管には反応容器の圧力を制御する圧力制御弁が設けられている。
排気ポートの他にターボ分子ポンプに接続される真空排気ポートが設けられており、装置の保守・管理が行いやすい構成となっている。
【００２３】
サセプター９や加熱帯１の温度が１０００度程度の高温となるため、反応容器は自身を保護するための冷却ジャケットを備えている。内壁は過度に冷却しすぎると粉体やパーティクルの発生原因となるため、内壁から僅かに離してライナーとなるステンレス鋼の板を設けるなど、反応容器の内壁の温度にも留意した構造物が設けられている。ライナーは反応による生成物から反応容器の内面を保護する役割もする。
【００２４】
サセプター９は、材質が炭化珪素で、基板８を装填するためのポケットを有していて、回転軸１７で回転自在に支持された受台１６に着脱可能であり、基板８を装填した状態で受台１６と共に回転させることができる。基板８はサセプター９上に装填された状態でサセプター９と共に加熱部１５によって加熱される。
加熱温度はエピタキシャル成長を施す材料により様々であるが、おおむね１１００度程度である。
【００２５】
サセプター９の面は上向きで水平としているが、勿論下向きや斜め向きにしてもよい。
また、サセプター９は、受台１６から取り外し可能であり、搬送のための基  板キャリアとしても機能する。
第一ガスの導入部５には、アンモニアなどの第一のガス２を基板８の面全体に均一且つ適切に供給するため、基板８の面にほぼ垂直な方向に第一ガス２を送出する構造を備えている。具体的には、網、多孔を有する板、多孔質材料を用いた板、ノズル、仕切り板などの整流手段を組み合わせた構造となっている。
【００２６】
第二ガスの導入部６は、第一ガスの導入部５から空間的に離隔され第一ガスの導入部５より基板面８に近い位置に配置されている。具体的には、サセプター９の回転軸１７に、サセプター９の面とほぼ同じ高さに配置されており、３族原料ガスなどの第二ガス３がサセプター９に水平もしくはやや斜め上方から供給される。
【００２７】
第二ガスの導入部５も第二ガス３を基板８の面全体に均一且つ適切に供給するする構造を備えている。具体的には、網、多孔を有する板、多孔質材料を用いた板、ノズル、仕切り板などの整流手段を組み合わせた構造となっている。
第二ガスの導入部６は、有機金属気相成長操作の場合には冷却を施し、温度計測をし、３族原料及び３族原料とともに供給されるドーパントの分解温度以下に温度管理を施す。冷却は水やフロロカーボンなどの冷媒１１を流通させて実施し、過度の冷却により原料が凝縮しないように留意する。
【００２８】
第二ガスの導入部６は、ハライド気相成長操作の場合には３族塩化物が凝縮しない数百度程度の温度とする必要があるため、材質を石英、セラミックスなどとし、適度の冷却と温度計測を行う。ガスの流通部分の外側に冷却を施した外套をまとうようにしてもよい。
ハライド気相成長と有機金属気相成長とは同時にあるいは切替えて操作可能な構造とすることができる。
【００２９】
第三ガスの導入部７は、第一ガスの導入部５と第二ガスの導入部６との間に配置されている。第三ガスの導入部７から供給される第三ガス４は、空間的に離隔されている第一ガスの導入部５と第二ガスのガスの導入部５とからそれぞれ供給される第一ガス２と第二ガス３を隔てるカーテンガスとなる。第三ガス４は、窒素ガス、窒素化合物ガスの何れでもない水素ガスとするのが良い。
【００３０】
第三ガス４が原料ガスを含まないバージンガスであるとき、第三ガスの導入部７は、プロセスモニターのプローブ光の射出窓１３や受光窓１４を配置するのに好適である。
加熱帯１は、第一のガスの導入部５とサセプター９の間の空間に、サセプター９と対向させるように配置されている。加熱帯１の大きさは、サセプター９と同程度であり、タングステンを発熱体としたヒーターを内蔵している。ランプによる加熱が可能であればランプでもよい。
【００３１】
加熱帯１とサセプター９間の距離はサセプターの半径の１／２以下であることが好ましい。なお、サセプターの大きさに関わらず７６ｍｍ以下であることが望ましい。
加熱帯１の加熱温度はサセプター９と同程度もしくはサセプター９より高い温度とし、エピタキシャル成長を施す材料により様々であるが、おおむね１２００度までの加熱ができる構成としている。
【００３２】
アンモニアの分解を促進するために、窒化珪素セラミックスを担体とし、ニッケルを担持させた触媒も備えている。
冷却帯１０は、第一ガスの導入部５と加熱帯１との間に配置されている。冷却帯１０は、冷却冷媒の流通する冷却配管を整然と配列し、第一ガスの導入部５を加熱しないように遮蔽して、第一ガス２が加熱帯１に到達する前に加熱帯１の熱輻射により加熱されるのを防止する。
【００３３】
冷却帯１０の冷却配管及び加熱帯１の発熱体の配置は、第一ガス２が通過する隙間が形成されるように設定されている。この隙間は圧力損失を与える構造でもそうでなくてもよい。
この半導体製造装置は、第一ガスの導入部５と基板８との間に、第一ガス２の加熱帯１を備えたことで、基板８及び基板８付近の温度を積極的に制御できる。しかも、基板８の加熱部１５からの加熱のみでは不可能である温度勾配の設定も可能になっている。
【００３４】
３族窒化物半導体の気相エピタキシャル成長を行うとき、加熱帯１でアンモニアが分解されるので、基板８における成長温度を低くすることができ、３族窒化物の気相成長において結晶表面からの窒素の表面脱離を防止して結晶の品質を向上させ、アンモニアと３族原料の供給量比（５族／３族比）を小さくすることができる。
【００３５】
成長温度を下げることで、ハライド気相成長法における立方晶の窒化ガリウムの基板８の製造が可能となる。また基板の処理枚数を増やすこともできる。
第一ガスの導入部５と第二ガスの導入部６は空間的に離隔して、第一ガスの導入部５と第二ガスの導入部６との中間の位置に第三ガスの導入部７を備え、第三ガス４をカーテンガスとなるよう導入し、第一ガス２（アンモニアガス）と第二ガス３（３族原料ガス）とを隔てて、基板８に到達前の第一ガス２と第二ガス３の前反応を抑えることができる。
【００３６】
加熱帯１には触媒を備えることでアンモニアの分解が促進される。
第一ガスの導入部と加熱帯との間に冷却帯を備えると、第一ガスが加熱帯に到達する前に加熱帯の熱輻射で加熱されるのを防止できる。
基板８を自転させ、且つサセプター９とともに公転させて、原料ガスの流れ、カーテンガスの流れをスムーズにすることができる。
【００３７】
この半導体製造装置は、３族窒化物半導体の他、これまで製造が困難であった様々な材料について適用できるのは勿論のことである。
図２は本発明の他の実施の形態を示す半導体製造装置の要部の構成図である。
この半導体製造装置では、面状のサセプター９上に基板８が配置され、基板８に対向する位置に加熱帯１が配置されている。加熱帯１のサセプター９に対向する面の形状は、サセプター９の面の形状に合わせればよい。第二ガスの導入部６及び第三ガスの導入部７は、サセプター９と加熱帯１の隙間に相当する場所の加熱領域から外れた位置に配置されている。
【００３８】
サセプター９の面の形状は平面でも曲面でもよく、又図上左右方向に長くても、紙面と垂直方向に長くてもよい。
例えば、サセプター９をおおよそ円筒形とし、基板８をサセプター９の内壁に配置し、サセプター９を外側からもしくは直接加熱できるように加熱部１５を設け、サセプター９の内側にサセプター９より径の小さいおおよそ円筒形の加熱帯１を配置し、サセプター９と加熱帯１とを両者が形成する同心円筒形の中心軸を回転中心として回転自在とするように構成することもできる。
【００３９】
なお、第一ガスの導入部５は加熱帯１のさらに内側に配置され、第二ガスの導入部６と第三ガスの導入部７は、サセプター９と加熱帯１の隙間に相当する場所の加熱領域から外れた位置に配置される。その他の構成は図１のものと同様である。
さらに他の例として、サセプター９をおおよそ円筒形とし、基板８をサセプター９の外壁に配置し、加熱帯１はサセプター９の周囲に配置して、円筒形の中心軸を回転中心として回転自在とするように構成することもできる。
【００４０】
この場合のサセプター９の形は一般にバレル型と呼ばれるものと同じ形状となる。なお、第一ガスの導入部５は加熱帯１のさらに外側に配置され、第二ガスの導入部６と第三ガスの導入部７は、サセプター９と加熱帯１の隙間に相当する場所の加熱領域から外れた位置に配置される。
図３は本発明のさらに他の実施の形態を示す半導体製造装置の要部の構成図である。
【００４１】
この半導体製造装置では、面状のサセプター９上に基板８が配置され、基板８に対向する位置に加熱帯１が配置されている。加熱帯１のサセプター９に対向する面の形状は、サセプター９の面の形状に合わせればよい。第二ガスの導入部６はサセプター９と同一水平面で加熱領域から外れた位置に配置されている。第三ガスの導入部７は、サセプター９と加熱帯１の隙間に相当する場所の加熱領域から外れた位置に配置されている。
【００４２】
サセプター９の面の形状は平面でも曲面でもよく、又図上左右方向に長くても、紙面と垂直方向に長くてもよい。その他の構成は図２のものと同様である。
【００４３】
【発明の効果】
本発明の半導体製造装置は、空間的温度分布の制御が可能で、基板上の成長温度を低くすることができ、ハライド気相成長法と有機金属気相成長法の何れの方法も実施可能であり、３族窒化物半導体の気相エピタキシャル成長におけるアンモニアと３族原料の供給量比（５族／３族比）を小さくできる。
また、ハライド気相成長法においてもエピタキシャル成長基板の面積を大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態を示す半導体製造装置の要部の構成図である。
【図２】本発明の他の実施の形態を示す半導体製造装置の要部の構成図である。
【図３】本発明のさらに他の実施の形態を示す半導体製造装置の要部の構成図である。
【符号の説明】
１      加熱帯
２      第一ガス
３      第二ガス
４      第三ガス
５      第一ガスの導入部
６      第二ガスの導入部
７      第三ガスの導入部
８      基板
９      サセプター
１０    冷却帯
１１    冷媒
１２    熱電対
１３    プロセスモニターのプローブ光の射出窓
１４    プロセスモニターのプローブ光の受光窓
１５    加熱部
１６    受台
１７    回転軸
１８    排ガス
【図１】
2004165445.tif 000003
【図２】
2004165445.tif 000004
【図３】
2004165445.tif 000005