(57)【要約】      （修正有）【課題】配線の配置の自由度が高く、かつ配線の導通不良が発生し難い配線基板、電気光学装置、電子機器、および配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】配線基板１００において、基板１１０上に形成された凸部１２０の上面の第１の辺１２１が互いに異なる方向を向いた第１、第２の線分を含み、配線部材１３０がこの第１、第２の線分の少なくとも一部を覆っている。段差は第１、第２の線分によって定まる２つの方向を有しているため、配線材料に配線を横断する不連続が生じ難くなり、配線の導通不良が防止される。【選択図】  図１
2004252107.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の主面上に形成され、かつ互いに異なる方向を向いた第１、第２の線分を含む第１の辺を上面に有する凸部と、
前記第１、第２の線分の少なくとも一部を覆う配線部材と、を具備することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第１、第２の線分の方向が、１５°以上異なることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１の辺において、前記第１、第２の線分が交互に繰り返されることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１の辺において、前記第１の線分から第２の線分に至るまで線分の方向が連続的に変化することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の配線基板。
【請求項５】
前記凸部の上面が、互いに異なる方向を向いた第３、第４の線分を含む第２の辺をさらに有する請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の配線基板。
【請求項６】
前記配線部材が、スパッタリング、ＣＶＤ、蒸着、スピンコートのいずれかで形成されることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の配線基板。
【請求項７】
前記配線部材が、導電性を有する材料からなることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の配線基板。
【請求項８】
基板と、前記基板の主面上に形成され、かつ互いに異なる方向を向いた第１、第２の線分を含む第１の辺を上面に有する凸部と、前記第１、第２の線分の少なくとも一部を覆う配線部材と、を備えた配線基板を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
基板の主面上に、互いに異なる方向を向いた第１、第２の線分を含む第１の辺を上面に有する凸部と、前記第１、第２の線分の少なくとも一部を覆う配線部材と、を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の電気光学装置を具備することを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
基板の主面上に、互いに異なる方向を向いた第１、第２の線分を含む第１の辺をその上面に有する凸部を形成するステップと、
前記凸部上に、前記第１、第２の線分の少なくとも一部を覆う配線部材を形成するステップと、
を具備することを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器、および配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板上に配線が形成された配線基板が用いられている。配線基板は例えば、液晶表示装置等の電気光学装置を形成する際に組み込まれ、表示画素の点滅の制御に用いられる。
【０００３】
ここで、配線基板上の配線に導通不良が発生する場合がある。この導通不良は、配線が基板上に形成された段差を覆っている場合に、この段差において発生しやすい。このような段差での配線の導通不良を防止するための技術が公開されている（特許文献１、２参照）。
【０００４】
特許文献１には、段差にテーパを付与して、段差の配線等への影響を低減し、配線の導通不良を防止する技術が開示されている。また、特許文献２には、段差部の延在距離を大きくして段差部の一部で段切れが生じても他の部分で導通を図る技術が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】
特開平７−６４１１１（段落番号第０００８、図１参照）。
【０００６】
【特許文献２】
特開平６−２５８６６４（段落番号第０００７参照）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、テーパを形成するにはその分の空間を確保する必要があり、またテーパの形成が困難な場合もある。また、段差部の延在距離を大きくすると、この延在経路中で素子の配置が制約され、その配置によっては却って配線に断線が生じ易くなる場合もある。
【０００８】
本発明は上記事情に鑑み、配線の配置の自由度が高く、かつ配線の導通不良が発生し難い配線基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器、および配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る配線基板は、基板と、前記基板の主面上に形成され、かつ互いに異なる方向を向いた第１、第２の線分を含む第１の辺を上面に有する凸部と、前記第１、第２の線分の少なくとも一部を覆う配線部材と、を具備することを特徴とする。
【００１０】
配線部材には、凸部と基板との間の段差によって不連続な箇所が生じ、導通不良が生じる可能性がある。このとき配線部材に生じる不連続な箇所は配線部材の成膜時に生じる方向性（基板に配線材料が供給される供給方向）と段差の方向との兼ね合いによって生じる。配線材料をどのような手段で成膜する場合でも（例えば、スパッタリング、ＣＶＤ、蒸着、イオンプレーティング、スピンコート）、基板上に配線材料を供給せねばならず、基板への配線材料の供給に方向性（例えば、スパッタリングターゲットから基板へと向かう方向（配線材料の供給方向））が生じる。この配線材料の供給が段差（凸部の側面）で遮蔽されることで、配線材料の分布に不連続性が生じる。即ち、配線材料の供給方向と段差を構成する側面の法線方向が一致すると段差の近傍で配線材料が不連続に分布し、配線に導通不良が生じやすくなる。
【００１１】
本発明に係る配線基板では、基板上に形成された凸部の上面を構成する第１の辺が互いに異なる方向を向いた第１、第２の線分を含み、配線部材がこの第１、第２の線分の少なくとも一部を覆っている。凸部の上面の第１の辺が互いに異なる方向を向いた第１、第２の線分で構成されていることから、第１の辺と基板間の段差において配線材料に導通不良が生じにくくなっている。即ち、段差は第１、第２の線分によって定まる２つの方向を有しているため、第１の辺の近傍全体で不連続に成り難くなり、配線の導通不良が発生し難くなる（仮に、第１、第２の線分の一方の近傍で配線材料に不連続が発生したとしても、他方では不連続が生じることはない）。
【００１２】
前記第１、第２の線分の方向を、１５°以上異ならせることができる。
【００１３】
２つの線分の方向が近いとその両者の近傍で配線材料が不連続になり、この不連続部分が配線を横断する可能性が生じる。このように配線材料が被覆されない領域が配線を横断すると、配線に導通不良を生じることになる。一例として、線分の方向を１５°以上異ならせると、それぞれの線分双方で配線材料に不連続が生じることがなくなる。
【００１４】
前記第１の辺において、前記第１、第２の線分が交互に繰り返されてもよい。
【００１５】
第１の辺で第１、第２の線分が交互に繰り返される場合（例えば、第１の辺がジグザグ形状の場合）でも第１、第２の線分でその方向が異なることから、第１の辺全体で配線材料に不連続性が生じ、配線に導通不良が生じることが防止される。
【００１６】
前記第１の辺において、前記第１の線分から第２の線分に至るまで線分の方向が連続的に変化してもよい。
【００１７】
第１の線分から第２の線分に至るまで線分の方向が連続的に変化する場合（例えば、第１の辺が円弧状の場合）でも辺の方向が一定ではないことから、第１の辺全体で配線材料に不連続性が生じることが防止される。
【００１８】
前記凸部の上面が、互いに異なる方向を向いた第３、第４の線分を含む第２の辺をさらに有してもよい。
【００１９】
第２の辺と基板間の段差においても配線の導通不良を防止することができる。
【００２０】
但し、配線が形成される辺の全てがこのような複数の線分から構成される必要はない。例えば、段差が配線材料の供給方向に向かう方向（供給方向から見て上流側）に形成されていれば、段差上で配線材料の不連続が生じることはないので、辺が単一の線分から構成されていても差し支えない。
【００２１】
前記配線部材が、スパッタリング、ＣＶＤ、蒸着、スピンコートのいずれかで形成することができる。
【００２２】
配線材料を成膜するに際して配線材料の供給方向との関係で、段差に不連続な箇所が生じる可能性があるからである。
【００２３】
前記配線部材が、導電性を有すれば、成膜に不連続性が生じた場合に導電性の不良が問題となりうる。但し、配線材料は、純粋な導体のみでなく半導体材料をも含み得る。
【００２４】
本発明に係る電気光学装置は、基板と、前記基板の主面上に形成され、互いに異なる方向を向いた第１、第２の線分を含む第１の辺を上面に有する凸部と、前記第１、第２の線分の少なくとも一部を覆う配線部材と、を備えた配線基板を具備することを特徴とする。
また本発明に係る電気光学装置の製造方法は、基板の主面上に、互いに異なる方向を向いた第１、第２の線分を含む第１の辺を上面に有する凸部と、前記第１、第２の線分の少なくとも一部を覆う配線部材と、を形成することを特徴とする。
【００２５】
第１の辺が互いに異なる方向を向いた第１、第２の線分を含むことで、第１の辺と基板上面間の段差において配線材料に不連続が生じること、ひいては電気光学装置の点灯不良の発生を防止できる。
【００２６】
この電気光学装置を用いて電子機器を構成してもよい。電子機器の信頼性を向上できる。
【００２７】
本発明に係る配線基板の製造方法は、基板の主面上に、その上面が互いに異なる方向を向いた第１、第２の線分を含む第１の辺を有する凸部を形成するステップと、前記凸部上に、前記第１、第２の線分の少なくとも一部を覆う配線部材を形成するステップと、を具備することを特徴とする。
【００２８】
第１の辺が互いに異なる方向を向いた第１、第２の線分を含むことで、第１の辺と基板上面間の段差において配線材料に横断的な不連続が生じること、ひいては配線の導通不良の発生を防止する。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【００３０】
＜第１の実施形態＞
図１（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ本発明の一実施形態に係る配線基板１００ａ〜１００ｃを表す上面図である。
【００３１】
図１に示すように配線基板１００ａ〜１００ｃは基板１１０上に凸部たる下地層１２０（１２０ａ〜１２０ｃ）、配線層１３０が順に形成されている。
【００３２】
基板１１０は、半導体基板、ガラス基板のいずれでもよく、あるいはこれらに半導体膜、酸化膜、金属膜等を被覆したものでも差し支えない。
【００３３】
下地層１２０は、辺１２１〜１２４を有する略矩形状である。配線層１３０はこの辺１２１、１２３上を通過している。辺１２１には切れ込み１２５（１２５ａ〜１２５ｃ）が設けられている。この切れ込み１２５があることで、後述するように、下地層１２０の辺１２１の法線方向が配線層１３０の配線材料の供給方向１３１と異なる方向の成分を有し、配線層１３０の導通不良が生じることを防止している。
【００３４】
配線基板１００ａ〜１００ｃそれぞれで、切れ込み１２５ａ〜１２５ｃの形状が円形、三角形、四角形と異なるものの、辺１２１の法線方向に配線材料の供給方向１３１と異なる箇所が生じている。この結果、配線層１３０に導通不良が生じることが防止される。
【００３５】
なお、下地層１２０は、絶縁性材料、半導体材料、導電性材料のいずれから形成されても差し支えない。
【００３６】
配線層１３０は、軸方向に長い略長方形状をしており、辺１２１、１２３上を通過している。配線層１３０は、導電性材料、半導体材料のいずれでも差し支えなく、一例として金属材料、酸化物材料（例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ））を用いることができる。
【００３７】
図２、３（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、比較例たる配線基板１００ｄで、配線層１３０ｄに導通不良の発生が防止される原理を説明した上面図および断面図である。
【００３８】
図２（Ａ）、（Ｂ）では、基板１１０ｄ上に略矩形状の下地層１２０ｄが形成された状態の断面図および上面図を表し、この状態の配線基板１００ｄにターゲットＴを用いたスパッタリング法により配線層１３０ｄを形成し、その後パターニングする場合を想定している。
【００３９】
図２に示しているようにターゲットＴから配線層１３０ｄを構成する材料が飛来することで、基板１１０、および下地層１２０ｄ上に配線層１３０ｄが形成される。ここで、ターゲットＴと下地層１２０ｄの位置関係により基板１１０ｄ、および下地層１２０ｄ上に配線層１３０ｄが形成されない箇所（不連続箇所１３５ｄ）が生じる可能性がある。
【００４０】
図３は、配線層１３０ｄを形成、パターニングした後の状態を表している。下地層１２０ｄの辺１２１ｄ〜１２４ｄの内、ターゲットＴから離れた（供給方向１３１から見て下流側の）辺１２１ｄではその側壁１２６ｄがターゲットＴから飛来する材料（供給方向１３１）を遮蔽することとなる。この結果、側壁１２６ｄおよびその近傍の基板１１０ｄには、配線材料が形成されない。この結果、配線層１３０ｄは下地層１２０ｄの辺１２１ｄ近傍で横断的な不連続箇所１３５ｄが生じ、配線層１３０ｄの左側と右側で導通がとれなくなる。
【００４１】
このように、ターゲットＴと下地層１２０の位置関係で、下地層１２０の上面のいずれかの辺近傍で、配線層１３０が不連続、即ち、導通不良となり易くなる。このようなことは、基板１１０をターゲットＴの直下においても完全に避けることはできない。また、広い基板上に多数のパターンを形成する場合には、このような配線層１３０の分布がより大きな問題に成り得る。
【００４２】
図４（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の一実施形態に係る配線基板１００ａ〜１００ｃについて、下地層１２０の辺１２１（ターゲットＴからみて下流側の辺）に切れ込み１２５ａ〜１２５ｃを形成することにより、配線層１３０の左側と右側で導通不良が生じることが防止されることを表す上面図である。配線基板１００ｂでも配線材料の供給方向１３１の下流側で配線層１３０に不連続箇所１３５ａ〜１３５ｃが生じているが、この箇所は配線層１３０の幅全域には広がっていない（配線層１３０を横断していない）、このため配線層１３０の左右で導通が確保される。
【００４３】
本実施形態では、下地層１２０の辺１２１（ターゲットＴの下流側）のみに切れ込み１２５を形成しているが、辺１２３（ターゲットＴの上流側）に併せて切れ込みを形成しても差し支えない。ターゲットＴと下地層１２０との配置関係を考慮する必要が無くなり、特に、基板上に多数の配線パターンを形成する際に有用である。
【００４４】
また、本実施形態では、辺１２１に切れ込み１２５（いわば凹部）を形成しているが、切れ込みに換えて突出部（いわば凸部）を付加しても差し支えない。
【００４５】
さらに、本実施形態では成膜方法としてスパッタリング法を用いて説明したが、これに換えて蒸着法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、さらにはスピンコート等種々の成膜方法を適用してもよい。どのような成膜方法であっても成膜材料の供給に関連し何らかの方向性があるのが通例だからである。
【００４６】
なお、本実施形態では配線材料の供給方向１３１と配線層１３０の軸方向とが一致しているが、供給方向１３１はターゲットＴから見た基板１１０の配置等により変わり得るものであり、この一致は必然的なものではない。
【００４７】
（配線基板の製造方法）
次に、本実施形態に係る配線基板の製造方法について図５の製造工程図に基づいて説明する。
【００４８】
まず、基板１１０上に下地層１２０を形成する（ＳＴ１０１）。さらに、フォトレジストを用いて下地層２１２をエッチングし、配線層１３０の配線が形成される箇所に、切り込み１２５ａが形成されるようにする（ＳＴ１０２、図６（Ａ））。
【００４９】
次に、下地層１２０上にスパッタリング法等によって配線材料を薄膜状に成膜して配線層１３０を形成し、さらにフォトリソグラフィ法を用いて、配線層１３０をパターニングする（ＳＴ１０３、図６（Ｂ））。
【００５０】
以上のようにして、配線基板１００が形成される。ここで、配線層１３０が下地層１２０の切り込み１２５ａを有する箇所を通過することで、配線層１３０に横断的に不連続な領域が生じることが防止される。
＜第１の実施形態の変形例＞
図７は、第１の実施形態の変形例に係る配線基板１００ｅを表す上面図である。
【００５１】
図７に示すように配線基板１００ｅは基板１１０ｅ上に凸部たる下地層１２０ｅ、配線層１３０ｅが順に形成されている。
【００５２】
ここでは、下地層１２０ｅがＷの字型に３カ所で折れ曲がった形状であり、配線層１３０ｅは下地層１２０ｅの２カ所の折れ曲がりに対応して配置されている。
【００５３】
配線層１３０ｅが通過する箇所で、下地層１２０ｅが折れ曲がっていることで、下地層１２０ｅの辺が方向の異なる２つの線分を含むこととなり、配線層１３０ｅに横断的に不連続な領域が生じて、導通不良が生じることが防止される。
【００５４】
＜第２の実施形態＞
次に、本発明を反射半透過型のスイッチング素子として二端子型スイッチング素子であるＴＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ）を用いた液晶装置に適用した第２実施形態について説明する。
【００５５】
図８は本発明の第２の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図、図９は図８の液晶パネルを構成する液晶装置用基板である第１基板側の概略上面図、図１０は該液晶パネルを構成する液晶装置用基板である第２基板側の部分拡大図（図９におけるＢ−Ｂ´線の断面図が図７に相当する。）である。
【００５６】
液晶装置２０１は、いわゆる反射半透過型の構造を有する液晶パネル２０２と、必要に応じ（図示しない）バックライトやフロントライト等の照明装置及びケース体等により構成される。
【００５７】
液晶パネル２０２は、図８、９に示すように第１基板２０３とこれに対向する第２基板２０５とがシール材２１９を介して貼り合わせられ、その両基板間に液晶が封入された液晶層２０７等により形成されている。
【００５８】
また、第１基板２０３の外面には位相差板２０８及び偏光板２０９が配置され、第２基板２０５の外面には位相差板２１０及び偏光板２１１が配置されている。
【００５９】
第１基板２０３の液晶層２０７側の表面には図８に示すように下地層２１２が形成され、その下地層２１２の表面に反射部材２１３が設けられた反射部２２５、下地層２１２の表面の反射部材２１３の開口部として透過部２２２、着色部材２１４（Ｒ（赤）２１４Ｒ、Ｇ（緑）２１４Ｇ、Ｂ（青）２１４Ｂ）及び境界領域に設けられた遮光層２１５、更に該着色部材２１４及び遮光層２１５を保護するオーバコート層２１６が、またオーバコート層２１６の上にはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明伝導体からなるデータ線２２６が形成されており、更にその上にポリイミド樹脂等からなる配向膜２１８が形成されている。また、第１基板２０３の辺近傍には第２基板２０５と接着・封止するためのシール層２１９が形成される。
【００６０】
ここで、図９に示すように、オーバコート層２１６のデータ線２１６と交差する２辺は、ジグザグに折れ曲がった形状をなしている（第１の実施形態の図１（Ｂ）に近似した構成）。このため、データ線２２６を形成する際にＩＴＯの層が不連続になり、データ線２２６が導通不良となることが防止される。
【００６１】
また、第２基板２０５の液晶層２０７側の表面にはマトリクス状に配列する複数の画素電極２２７と、各画素電極２２７の境界領域において上述したデータ線２２６と交差する方向（図９の上下方向）に帯状に伸びる複数の走査線２２８と、該画素電極２２７及び走査線２２８に接続されたＴＦＤ素子２２９が配置され、その上には配向膜２２０が形成されている。
【００６２】
ここで、データ線２２６は所定の方向（図９の左右方向）に伸びる帯状に形成され、複数のデータ線２２６が相互に並列してストライプ状に構成されており、該データ線２２６と画素電極２２７とによって特定される領域がドット２２１となる。
【００６３】
着色部材２１４は例えば、顔料又は染料等の着色剤を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ法によって、第１基板２０３を通過したバックライト等による光を透過する透過部２２２と、この透過部２２２の周りの反射部材２１３を覆うよう形成された原色系フィルタであってＲ（赤）２１４Ｒ、Ｇ（緑）２１４Ｇ、Ｂ（青）２１４Ｂの３色のいずれかで構成されている。
【００６４】
遮光層２１５は、各ドット２２１間の境界領域の遮光を行うためのもので、その境界領域に、第２基板の走査線２２８の長手方向（図１０の上下方向）及びこれに直交する方向（図９の左右方向）に伸びる帯状に形成されている。
【００６５】
なお、ドット２２１は例えば、原色系フィルタＲＧＢのいずれか１の着色部材２１４からなり、遮光層２１５により周囲を囲まれている領域であって反射部材２１３と透過部２２２を具備するものであり、１画素は着色部材２１４Ｒを有するドット２２１と着色部材２１４Ｇを有するドット２２１及び着色部材２１４Ｂを有するドット２２１で構成される。
【００６６】
画素電極２２７は、例えばＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明伝導体により形成されており、当該画素電極２２７に隣り合う走査線２２８とは、ＴＦＤ素子２２９を介して接続されている。
【００６７】
ＴＦＤ素子２２９は、例えば図８に示すように第２基板２０５の表面に成膜された下地層２３０の上に形成されている。下地層２３０は、例えば厚さ５０〜２００ｎｍ程度の酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）によって構成されている。
【００６８】
ＴＦＤ素子２２９は、図１０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、下地層２３０上に形成されたＴＦＤ素子２２９ａ及びＴＦＤ素子２２９ｂからなる２つのＴＦＤ素子２２９によって、いわゆるＢａｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ構造として構成されている。このため、ＴＦＤ素子２２９は、電流−電圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化されている。
【００６９】
ＴＦＤ素子２２９ａ及びＴＦＤ素子２２９ｂは、第１金属層２３１と、この第１金属層２３１の表面に形成された絶縁膜２３２と、絶縁膜２３２の表面に互いに離間して形成された第２金属層２３３ａ、２３３ｂとによって構成されている。第１金属層２３１は、例えば、厚さ１００〜５００ｎｍ、ここでは２００ｎｍ程度の反射性の金属としてＴａ単体膜、Ｔａ合金膜、タンタルタングステン（ＴａＷ）などによって形成される。
【００７０】
絶縁膜２３２は、例えば、陽極酸化法によって第１金属層２３１の表面を酸化することによって形成された厚さが１０〜３５ｎｍの酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）である。第２金属層２３３ａ、２３３ｂは、例えばクロム（Ｃｒ）などといった金属膜によって５０〜３００ｎｍ程度の厚さに形成されている。第２金属層２３３ａは、そのまま走査線２２８の第３層２４１ｃとなり、他方の第２金属層２３３ｂは、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などといった透明導電材からなる画素電極２２７に接続されている。走査線２２８は、第１金属層２３１と同時に形成された第１層２４１ａと、絶縁膜２３２と同一工程で形成された第２層２４１ｂと、第３層２４１ｃとが積層した構造となっている。
【００７１】
本実施形態では、第１金属層２３１がジグザグに折れ曲がって形成されている（第１の実施形態の変形例（図７）に近似した構成）。このため、絶縁膜２３２は第１金属層２３１の形状を反映した形に形成され、絶縁膜２３２上に第２金属層２３３ａ、２３３ｂが形成される際に第２金属層２３３ａ、２３３ｂに不連続性を生じ、導通不良の原因となることが防止される。
【００７２】
以上のように構成された本実施形態において、第２基板２０５に形成されている走査線２２８の夫々に走査信号を供給する一方、第１基板２０３側に形成されているデータ線２２６にデータ信号を供給すると、画素電極２２７とデータ線２２６とが対向する部分において保持されている液晶のみを駆動することができる。
【００７３】
更に射出光は、反射部材２１３及び透過部２２２を覆っている着色部材２１４（２１４Ｒ、２１４Ｇ、２１４Ｂ）により着色される。
【００７４】
更に、本実施形態ではＴＦＤ型のアクティブマトリックス方式であるため画面が明るくて見やすく、消費電力及び製造コストを低く抑えられる。
【００７５】
また、上述した実施形態では、スイッチング素子としてＴＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ：薄膜ダイオード）素子を用いているが、ＴＦＴ（ＴｈｉｎＦｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）素子を設けて液晶を駆動する液晶装置に適用することもできる。また、液晶装置だけでなく、エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動表示装置、電界放出表示装置、ＬＥＤ（ライトエミッティングダイオード）表示装置などにおいても本発明を同様に適用することができる。
【００７６】
＜電子機器＞
さらに、本発明の液晶装置２０１を電子機器に搭載した例を以下に記す。
【００７７】
（携帯電話機）
図１１は、本発明に係る電子機器である携帯電話機３７４を示している。ここに示す携帯電話機３７４は、複数の操作ボタン３７４ａの他、受話口３７４ｂ、送話口３７４ｃを有する外枠に、液晶装置２０１が組み込まれてなる。この液晶装置２０１は、例えば上述した実施形態に示した液晶装置２０１を用いて構成できる。
【００７８】
図１２は、本実施形態の全体構成を示す概略構成図である。ここに示す電子機器は、上記と同様の液晶装置２０１と、これを制御する制御手段１２００とを有する。ここでは、液晶装置２０１を、パネル構造体２０１ａと、駆動用ＩＣ等で構成される駆動回路２０１ｂとに概念的に分けて描いてある。また、制御手段１２００は、表示情報出力源１２１０と、表示情報処理回路１２２０と、電源回路１２３０と、タイミングジェネレータ１２４０とを有する。
【００７９】
表示情報出力源１２１０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）やＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ１２４０によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路１２２０に供給するように構成されている。
【００８０】
表示情報処理回路１２２０は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路２０１ｂへ供給する。駆動回路２０１ｂは、走査線駆動回路、データ線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路１２３０は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。
【００８１】
また、本発明に係る電子機器としては、上記の例の他に、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末機などがあげられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として本発明に係る液晶装置を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る配線基板を表す上面図である。
【図２】比較例たる配線基板において配線層に導通不良の発生が防止される原理を説明した断面図である。
【図３】比較例たる配線基板において線層に導通不良の発生が防止される原理を説明した上面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る配線基板において、配線層に導通不良が生じることが防止されることを表す上面図である。
【図５】本実施形態に係る配線基板の製造工程を表す製造工程図である。
【図６】図５に表された製造工程中における配線基板の状態を表す上面図である。
【図７】第１の実施形態の変形例に係る配線基板を表す上面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図である。
【図９】図８の液晶パネルを構成する液晶装置用基板である第１基板側の概略上面図である。
【図１０】液晶パネルを構成する液晶装置用基板である第２基板側の部分拡大図である。
【図１１】本発明に係る電子機器である携帯電話機を示した斜視図である。
【図１２】本発明に係る携帯電話機の全体構成を示す概略構成図である。
【符号の説明】
１００、１００ａ〜１００ｅ…配線基板、１１０、１１０ｄ、１１０ｅ…基板、１２０、１２０ｄ、１２０ｅ…下地層、１２１、１２３…辺、１２５…切り込み、１２６ｄ…側壁、１３０、１３０ｄ、１３０ｅ…配線層、１３１供給方向…１３５、１３５ｅ…不連続箇所、２０１…液晶装置、２０１ａ…パネル構造体、２０１ｂ…駆動回路、２０２…液晶パネル、２０３…第１基板、２０５…第２基板、２０７…液晶層、２０８…位相差板、２０９…偏光板、２１０…位相差板、２１１…偏光板、２１２…下地層、２１３…反射部材、２１４、２１４Ｒ、２１４Ｇ、２１４Ｂ…着色部材、２１５…遮光層、２１６…オーバコート層、２１６…データ線、２１８…配向膜、２１９…シール材、２１９…シール層、２２０…配向膜、２２１…ドット、２２２…透過部、２２５…反射部、２２６…データ線、２２７…画素電極、２２８…走査線、２２９、２２９ａ、２２９ｂ…ＴＦＤ素子、２３０…下地層、２３１…金属層、２３２…絶縁膜、２３３ａ、２３３ｂ…金属層、２４１ａ…第１層、２４１ｂ…第２層、２４１ｃ…第３層、３７４…携帯電話機、３７４ａ…操作ボタン、３７４ｂ…受話口、３７４ｃ…送話口、１２００…制御手段、１２１０…表示情報出力源、１２２０…表示情報処理回路、１２３０…電源回路、１２４０…タイミングジェネレータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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