(57)【要約】【課題】記録層が無機材料からなる複数の反応層の積層体によって構成され、データの記録時において青色波長領域のレーザビームを用いることが可能であり、且つ、環境負荷の小さい光記録媒体を提供する。【解決手段】基板１１上に設けられた記録層１４を備え、波長が３５０ｎｍ〜４５０ｎｍのレーザビームを記録層１４に照射することによって記録層１４の所望の領域に記録マークＭを形成可能な光記録媒体であって、記録層１４が、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群より選択された一の元素を主成分とする反応層３１と、反応層３１に隣接し、前記群より選択された他の元素を主成分とする反応層３２とを含む。これにより、高密度記録及び高データ転送レートを実現するのに好適な青色波長領域のレーザビームを用いて情報の記録を行うことが可能となる。【選択図】　　　　　図２
2004079020.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた記録層を備え、波長が３５０ｎｍ〜４５０ｎｍのレーザビームを前記記録層に照射することによって前記記録層の所望の領域に記録マークを形成可能な光記録媒体であって、前記記録層が、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群より選択された一の元素を主成分とする第１の反応層と、前記第１の反応層に隣接し、前記群より選択された他の元素を主成分とする第２の反応層とを含み、前記記録マークが、前記第１の反応層に含まれる元素と前記第２の反応層に含まれる元素とが前記レーザビームの照射によって混合された領域であることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
前記記録層から見て前記基板とは反対側に設けられた光透過層をさらに備え、前記レーザビームは前記光透過層側から照射されることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】
前記光透過層と前記記録層との間に設けられた第１の誘電体層と、前記基板と前記記録層との間に設けられた第２の誘電体層とをさらに備えることを特徴とする請求項２に記載の光記録媒体。
【請求項４】
前記基板と前記第２の誘電体層との間に設けられた反射層をさらに備えることを特徴とする請求項３に記載の光記録媒体。
【請求項５】
前記光記録媒体が追記型光記録媒体であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光記録媒体。
【請求項６】
基板上に設けられた記録層を備え、前記記録層が、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群より選択された一の元素を主成分とする第１の反応層と、前記第１の反応層に隣接し、前記群より選択された他の元素を主成分とする第２の反応層とを含む光記録媒体に対し、波長が３５０ｎｍ〜４５０ｎｍのレーザビームを照射することによって、前記第１の反応層に含まれる元素と前記第２の反応層に含まれる元素とを混合し、記録マークを形成することを特徴とする光記録方法。
【請求項７】
前記レーザビームの波長をλとし、前記レーザビームを集光するための対物レンズの開口数をＮＡとした場合に
λ／ＮＡ　≦　６４０ｎｍ
の条件を満たすことを特徴とする請求項６に記載の光記録方法。
【請求項８】
前記光記録媒体は、前記記録層から見て前記基板とは反対側に設けられた光透過層をさらに備えており、前記レーザビームを前記光透過層側から照射することを特徴とする請求項６または７に記載の光記録方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体及び光記録方法に関し、さらに詳細には、記録層が複数の反応層によって構成される光記録媒体及びこのような光記録媒体に対してデータを記録する光記録方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録媒体が広く利用されている。これらの光記録媒体は、ＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭのようにデータの追記や書き換えができないタイプの光記録媒体（ＲＯＭ型光記録媒体）と、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒのようにデータの追記はできるがデータの書き換えができないタイプの光記録媒体（追記型光記録媒体）と、ＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷのようにデータの書き換えが可能なタイプの光記録媒体（書き換え型光記録媒体）とに大別することができる。
【０００３】
広く知られているように、ＲＯＭ型光記録媒体においては、製造段階において基板に形成されるプリピットによりデータが記録されることが一般的であり、書き換え型光記録媒体においては、例えば、記録層の材料として相変化材料が用られ、その相状態の変化に基づく光学特性の変化を利用してデータが記録されることが一般的である。
【０００４】
これに対し、追記型光記録媒体においては、記録層の材料としてシアニン系色素、フタロシアニン系色素、アゾ色素等の有機色素が用いられ、その化学的変化（場合によっては化学的変化に加えて物理的変形を伴うことがある）に基づく光学特性の変化を利用してデータが記録されることが一般的である。
【０００５】
しかしながら、有機色素は日光等の照射によって劣化することから、記録層の材料として有機色素を用いた場合、長期間の保存に対する信頼性を高めることは容易ではない。このため、追記型光記録媒体において長期間の保存に対する信頼性を高めるためには、記録層を有機色素以外の材料によって構成することが望ましい。記録層を有機色素以外の材料によって構成した例としては、特開昭６２−２０４４４２号公報に記載されているように、無機材料からなる複数の反応層を積層しこれを記録層として用いる技術が知られている。このような記録層の材料としては、記録に用いられる波長領域のレーザビームを十分に吸収するような材料を選択する必要がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
近年、データの記録密度が高められ、且つ、非常に高いデータ転送レートを実現可能な次世代型の光記録媒体が提案されている。このような次世代型の光記録媒体においては、大容量・高データ転送レートを実現するため、必然的に、データの記録・再生に用いるレーザビームのビームスポット径を非常に小さく絞らなければならない。ビームスポット径を小さく絞るためには、レーザビームを集束するための対物レンズの開口数（ＮＡ）を０．７以上、例えば、０．８５程度まで大きくするとともに、レーザビームの波長を青色波長領域、すなわち波長λを４５０ｎｍ以下、例えば４００ｎｍ程度まで短くする必要がある。
【０００７】
したがって、このような次世代型の光記録媒体の記録層として無機材料からなる複数の反応層を用いる場合には、かかる無機材料としてはＣＤ型の光記録媒体やＤＶＤ型の光記録媒体において用いられている赤色波長領域ではなく、青色波長領域のレーザビームを十分に吸収するような無機材料を選択する必要がある。
【０００８】
他方、近年における地球環境への関心の高まりから、光記録媒体の記録層の材料としても、より環境負荷の小さい材料を選択することが望ましい。
【０００９】
したがって、本発明の目的は、記録層が無機材料からなる複数の反応層の積層体によって構成される光記録媒体であって、データの記録時において青色波長領域のレーザビームを用いることが可能であり、且つ、環境負荷の小さい光記録媒体を提供することである。
【００１０】
また、本発明の他の目的は、このような光記録媒体に対してデータを記録する光記録方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明らは、青色波長領域のレーザビームを十分に吸収し、且つ、環境負荷の小さい無機材料について検討したところ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎがこれに該当することが判明した。本発明はかかる技術的知見に基づきなされたものであって、本発明による光記録媒体は、基板上に設けられた記録層を備え、波長が３５０ｎｍ〜４５０ｎｍのレーザビームを前記記録層に照射することによって前記記録層の所望の領域に記録マークを形成可能な光記録媒体であって、前記記録層が、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群より選択された一の元素を主成分とする第１の反応層と、前記第１の反応層に隣接し、前記群より選択された他の元素を主成分とする第２の反応層とを含み、前記記録マークが、前記第１の反応層に含まれる元素と前記第２の反応層に含まれる元素とが前記レーザビームの照射によって混合された領域であることを特徴とする。
【００１２】
本発明の光記録媒体によれば、記録時に光透過層側からレーザビームを入射して記録層に照射すると、第１の反応層を構成する主成分元素及び第２の反応層を構成する主成分元素がそれぞれ部分的又は全体的に拡散し、その結果これらが混合されて記録マークとなる。このとき、第１の反応層を構成する主成分元素と第２の反応層を構成する主成分元素とは、記録層上のレーザビームのビームスポットにおいて速やかに混合させることができる。そして、記録層において記録マークの形成された混合部分とそれ以外の部分とでは再生光に対する反射率が大きく異なることになるので、これを利用して高感度で記録情報を再生することができる。
【００１３】
ここで、本発明にかかる光記録媒体においては、第１の反応層及び第２の反応層がいずれもＣ、Ｓｉ、Ｇｅ又はＳｎを主成分としており、これら元素は青色波長領域のレーザビームを効果的に吸収することから、高密度記録及び高データ転送レートを実現するのに好適な青色波長領域のレーザビームを用いて情報の記録を行うことが可能となる。しかも、本発明にかかる光記録媒体においては、第１の反応層および第２の反応層が、上記のような元素で構成されるため、従来の光記録媒体よりも環境に与える負荷を小さくすることが可能となる。特に、Ｃ及びＳｉは非常に安価であることから、光記録媒体の材料コストを抑制することができる。
【００１４】
なお、本発明において「主成分」とは、当該反応層中において最も含有率（原子％＝ａｔｍ％）の高い元素を指す。また、本発明において、「記録マーク」とは、記録時において記録層中のレーザビームの照射を受ける部分領域の少なくとも一部が混合することにより形成される部分領域であって、第１の反応層の主成分となる元素と第２の反応層の主成分となる元素との混合物が主として含まれる部分領域を示す。
【００１５】
また、本発明においては、前記記録層から見て前記基板とは反対側に設けられた光透過層をさらに備え、前記レーザビームが前記光透過層側から照射されることが好ましい。また、前記光透過層と前記記録層との間に設けられた第１の誘電体層と、前記基板と前記記録層との間に設けられた第２の誘電体層とをさらに備えることが好ましい。これによれば、記録時における記録層の混合による基板や光透過層の熱変形が防止されるとともに、腐食等から保護されるので、光記録後において、長期間にわたって記録情報の劣化をより効果的に防止することができる。
【００１６】
また、前記基板と前記第２の誘電体層との間に設けられた反射層をさらに備えることがより好ましい。これによれば、光記録後において、多重干渉効果により高い再生信号（Ｃ／Ｎ比）が得られやすくなる。
【００１７】
また、本発明にかかる光記録媒体は、追記型光記録媒体として用いることが好ましい。
【００１８】
また、本発明の光記録方法は、基板上に設けられた記録層を備え、前記記録層が、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群より選択された一の元素を主成分とする第１の反応層と、前記第１の反応層に隣接し、前記群より選択された他の元素を主成分とする第２の反応層とを含む光記録媒体に対し、波長が３５０ｎｍ〜４５０ｎｍのレーザビームを照射することによって、前記第１の反応層に含まれる元素と前記第２の反応層に含まれる元素とを混合し、記録マークを形成することを特徴とする。
【００１９】
本発明の光記録方法によれば、光透過層側から記録層にレーザビームを照射すると、第１の反応層を構成する元素及び第２の反応層を構成する元素がそれぞれ部分的又は全体的に拡散し、混合されて記録マークとなる。このとき、記録層において記録マークの形成された混合部分とそれ以外の部分とでは再生光に対する反射率が大きく異なり、十分に大きな反射率の差が確保される。しかも、本発明においては、青色波長領域のレーザビームを用いて光記録を行っていることから、高密度記録及び高データ転送レートを容易に実現することが可能となる。
【００２０】
また、上記光記録方法においては、レーザビームの波長をλとし、レーザビームを集光するための対物レンズの開口数をＮＡとした場合に
λ／ＮＡ　≦　６４０ｎｍ
の条件を満たすことが好ましい。レーザビームの波長と対物レンズの開口数をこのように設定すれば、レーザビームのビームスポットが非常に小さく絞られることから、高密度記録及び高データ転送レートの実現により好適である。
【００２１】
また、前記光記録媒体が前記記録層から見て前記基板とは反対側に設けられた光透過層をさらに備えており、前記レーザビームを前記光透過層側から照射することがより好ましい。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施態様について詳細に説明する。
【００２３】
図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体１０の構造を概略的に示す断面図である。
【００２４】
図１に示すように、本実施態様にかかる光記録媒体１０は追記型の光記録媒体であり、基板１１と、基板１１上に設けられた反射層１２と、反射層１２上に設けられた第２の誘電体層１３と、第２の誘電体層１３上に設けられた記録層１４と、記録層１４上に設けられた第１の誘電体層１５と、第１の誘電体層１５上に設けられた光透過層１６によって構成され、光記録媒体１０の中央部分には孔１７が設けられている。このような構造を有する光記録媒体１０に対しては、光透過層１６側からレーザビームを照射することによってデータの記録／再生が行われる。
【００２５】
基板１１は、光記録媒体１０に求められる機械的強度を確保するための基体としての役割を果たし、その表面にはグルーブ１１ａ及びランド１１ｂが設けられている。これらグルーブ１１ａ及び／又はランド１１ｂは、データの記録及び再生を行う場合におけるレーザビームのガイドトラックとしての役割を果たす。基板１１の厚さは約１．１ｍｍに設定され、その材料としては種々の材料を用いることが可能であり、例えば、ガラス、セラミックス、あるいは樹脂を用いることができる。これらのうち、成形の容易性の観点から樹脂が好ましい。このような樹脂としてはポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。中でも、加工性などの点からポリカーボネート樹脂が特に好ましい。
【００２６】
反射層１２は、光透過層１６側から入射されるレーザビームを反射し、再び光透過層１６から出射させる役割を果たし、その厚さとしては１０〜３００ｎｍに設定することが好ましく、２０〜２００ｎｍに設定することが特に好ましい。反射層１２の材料はレーザビームを反射可能である限り特に制限されず、例えば、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ等を用いることができる。これらのうち、高い反射率を有することから、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ又はこれらの合金（ＡｌとＴｉとの合金等）などの金属材料が用いることが好ましい。本発明において、光記録媒体に反射層１２を設けることは必須でないが、これを設ければ、光記録後において多重干渉効果により高い再生信号（Ｃ／Ｎ比）が得られやすくなる。
【００２７】
第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３は、これらの間に設けられる記録層１４を保護する役割を果たし、記録層１４はこれら第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３に挟持されることにより、光記録後、長期間にわたって記録情報の劣化が効果的に防止される。また、第１の誘電体層１５は、基板１１等の熱変形を防止する効果があり、これによってジッター等の特性が良好となる。
【００２８】
第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３の構成材料は、透明な誘電体であれば特に限定されず、例えば、酸化物、硫化物、窒化物又はこれらの組み合わせを主成分として用いることができる。より具体的には、基板１１等の熱変形防止、並びに、記録層１４の保護の観点から、第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３が、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＧｅＮ、ＧｅＣｒＮ、ＣｅＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ及びＳｉＣからなる群より選択される少なくとも１種の誘電体を主成分とすることが好ましく、ＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる誘電体を主成分とすることがより好ましい。第１の誘電体層１５と第２の誘電体層１３は、互いに同じ構成材料で構成されてもよいが、異なる構成材料で構成されてもよい。さらに、第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３の少なくとも一方が、複数の誘電体膜からなる多層構造であっても構わない。
【００２９】
なお、「誘電体を主成分とする」とは、第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３中において、上記誘電体の含有率が最も大きいことを言う。また、「ＺｎＳ・ＳｉＯ２」とは、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物を意味する。
【００３０】
また、第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３の層厚は特に限定されないが、３〜２００ｎｍであることが好ましい。この層厚が３ｎｍ未満であると、上述した効果が得られにくくなる。一方、層厚が２００ｎｍを超えると、成膜時間が長くなり生産性が低下するおそれがあり、さらに、第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３のもつ応力によってクラックが発生するおそれがある。
【００３１】
記録層１４は記録マークが形成される層であり、反応層３１及びこれに接して設けられた反応層３２からなる。反応層３２は基板１１側に配置され、反応層３１は光透過層１６側に配置されている。記録層１４のうち未記録状態である領域は、図２（ａ）に示すように反応層３１と反応層３２が積層された状態となっているが、所定以上のパワーを持つレーザビームが照射されると、その熱によって、図２（ｂ）に示すように反応層３１を構成する元素及び反応層３２を構成する元素がそれぞれ部分的又は全体的に拡散し、混合されて記録マークＭとなる。このとき、記録層において記録マークＭの形成された混合部分とそれ以外の部分とでは再生光に対する反射率が大きく異なるため、これを利用してデータの記録・再生を行うことができる。
【００３２】
ここで、反応層３１はＣ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群より選ばれた一の元素を主成分とし、反応層３２は上記群より選ばれた他の元素を主成分とする。Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎは、赤色波長領域（５５０ｎｍ≦λ≦８５０ｎｍ）のレーザビームに対する吸収率が低い（約２０％未満）一方で、青色波長領域（３５０ｎｍ≦λ≦４５０ｎｍ）のレーザビームに対する吸収率が高い（約４０％以上）ため、データの記録に際して青色波長領域のレーザビームが用いられる次世代型の光記録媒体用の記録層の材料として好適である。また、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎは、環境に対する負荷も非常に小さい。
【００３３】
また、反応層３１及び／又は反応層３２には、主成分となる元素の他に、Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｆｅ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｇ等を添加することが好ましい。このような元素を添加すれば膜表面の平坦性が向上するので、再生信号のノイズレベルを抑制することが可能となる。しかも、これらの元素は環境に関する負荷が小さいので、これらを添加することによって環境負荷の増大を招くこともない。尚、反応層３１及び／又は反応層３２に添加する元素としては、１種類に限られず、２種類以上の元素を添加しても構わない。
【００３４】
記録層１４の層厚は、厚くなればなるほどレーザビームのビームスポットが照射される反応層３１の表面３１ｂの平坦性が悪化し、これに伴って再生信号のノイズレベルが高くなるとともに、記録感度も低下する。したがって、反応層３１の表面３１ｂの平坦性を高めることによって再生信号のノイズレベルを抑制するとともに、記録感度を高めるためには、記録層１４の層厚を薄く設定することが有効であるが、薄くしすぎると記録前後における光学定数の差が少なくなり、再生時に高いレベルの再生信号（Ｃ／Ｎ比）を得ることができなくなる。また、記録層１４の層厚を極端に薄く設定すると、成膜時における層厚制御が困難となる。以上を考慮すれば、記録層１４の層厚としては２〜３０ｎｍに設定することが好ましく、３〜２４ｎｍに設定することがより好ましく、５〜１２ｎｍに設定することがさらに好ましい。
【００３５】
反応層３１及び反応層３２それぞれの層厚は特に限定されないが、再生信号のノイズレベルを充分に抑制し、充分な記録感度を確保し、さらに、記録前後の反射率の変化を充分に大きくするためには、いずれも１〜３０ｎｍであることが好ましく、反応層３１の層厚と反応層３２の層厚との比（反応層３１の層厚／反応層３２の層厚）は、０．２〜５．０であることが好ましい。
【００３６】
光透過層１６は、レーザビームの入射面を構成するとともにレーザビームの光路となる層であり、その厚さとしては１０〜３００μｍに設定することが好ましく、５０〜１５０μｍに設定することが特に好ましい。光透過層１６の材料としては特に限定されないが、紫外線硬化性のアクリル樹脂やエポキシ樹脂を用いることが好ましい。また、紫外線硬化性のアクリル樹脂やエポキシ樹脂を硬化させてなる膜のかわりに、光透過性樹脂からなる光透過性シートと各種接着剤や粘着剤を用いて光透過層１６を形成してもよい。
【００３７】
次に、上記光記録媒体１０の製造方法の一例について説明する。
【００３８】
先ずグルーブ１１ａ及びランド１１ｂが形成された基板１１上に反射層１２を形成する。反射層１２の形成には、例えば反射層１２の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法を用いることができる。このような気相成長法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法等が挙げられる。次に、反射層１２上に第２の誘電体層１３を形成する。第２の誘電体層１３の形成においても、第２の誘電体層１３の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法を用いることができる。
【００３９】
次に、第２の誘電体層１３上に記録層１４を構成する第２の反応層３２を形成する。この第２の反応層３２も、第２の誘電体層１３と同様にして、第２の反応層３２の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法を用いて形成することができる。更に、第２の反応層３２上に第１の反応層３１を形成する。第１の反応層３１も、第１の反応層３１の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法を用いて形成することができる。
【００４０】
その後、第１の反応層３１上に第１の誘電体層１５を形成する。この第１の誘電体層１５も、第１の誘電体層１５の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法を用いて形成することができる。
【００４１】
最後に、第１の誘電体層１５上に光透過層１６を形成する。光透過層１６は、例えば、粘度調整されたアクリル系又はエポキシ系の紫外線硬化性樹脂をスピンコート法等により皮膜させ、紫外線を照射して硬化する等の方法により形成することができる。以上により、光記録媒体１０の製造が完了する。
【００４２】
なお、上記光記録媒体１０の製造方法は、上記製造方法に特に限定されるものではなく、公知の光記録媒体の製造に採用される製造技術を用いることができる。
【００４３】
次に、上記光記録媒体１０に対する光記録方法について説明する。
【００４４】
先ず図１に示すように、この光記録媒体１０に対して所定の出力を有するレーザビームＬ１０を光透過層１６側から入射し記録層１４に照射する。このとき、レーザビームＬ１０の波長は青色波長領域（３５０ｎｍ≦λ≦４５０ｎｍ）である必要があり、特に４０５ｎｍ程度であることが好ましい。また、レーザビームＬ１０を集束するための対物レンズの開口数（ＮＡ）は０．７以上、特に０．８５程度であることが好ましい。このようにして、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍとすることが好ましい。
【００４５】
このようなレーザビームＬ１０の照射により、反応層３１を構成する元素及び反応層３２を構成する元素がレーザビームにより加熱され、これら元素が移動して混合される。かかる混合部分は、図２（ｂ）に示すように、記録マークＭとなる。記録マークＭの形成された混合部分の反射率は、それ以外の記録層１４の部分（未記録領域）の反射率と十分に異なった値となることから、これを利用してデータの記録・再生を行うことが可能となる。尚、レーザビームＬ１０の波長を青色波長領域外、例えば赤色波長領域（５５０ｎｍ≦λ≦８５０ｎｍ）に設定した場合には、記録層１４にレーザビームＬ１０のエネルギーが十分に吸収されないため、記録マークＭを形成することは困難である。
【００４６】
また、記録層１４は第１の誘電体層１５と第２の誘電体層１３によって挟持されていることから、レーザビームＬ１０が照射された領域における基板１１や光透過層１６の熱変形が効果的に防止される。
【００４７】
以上説明したように、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎから選ばれた一の元素を主成分とする反応層３１及びＣ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎから選ばれた他の元素を主成分とする反応層３２の積層体からなる記録層１４を備えていることから、次世代型の光記録媒体に対して用いられる青色波長領域のレーザビームによって記録マークを形成することができるとともに、環境負荷を抑制することが可能となる。
【００４８】
本発明は、以上の実施態様に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【００４９】
例えば、上記光記録媒体１０においては、記録層１４が第１及び第２の誘電体層１５，１３間に挟持されているが、これらの一方又は両方を省略しても構わない。
【００５０】
また、上記光記録媒体１０においては、記録層１４が積層された２つの反応層によって構成されているが、本発明の光記録媒体はこれに限定されるものではなく、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群より選ばれた一の元素を主成分とする少なくとも１つの第１の反応層と、これに隣接しＣ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群より選ばれた他の元素を主成分とする少なくとも１つの第２の反応層を有するものであれば、３層以上の層から構成された記録層を有するものであってもよい。例えば、上記群より選ばれた一の元素を主成分とする２つの第１の反応層と、これら２つの第１の反応層の間に配置された上記群より選ばれた他の元素を主成分とする第２の反応層とからなる３層構造の記録層を有するものであってもよいし、また、このような第１の反応層と第２の反応層との間に、第１の反応層を構成する材料と第２の反応層を構成する材料とが混合されてなる混合層が介在していても構わない。
【００５１】
また、上記実施態様にかかる光記録媒体１０においては、反応層３１と反応層３２とが互いに接しているが、必要に応じてこれらの間に他の層（例えば誘電体層）を形成しても構わない。但し、このような層は厚すぎると本発明による効果を損うおそれがあるため、３０ｎｍ以下に設定する必要があり、２０ｎｍ以下に設定することが好ましい。
【００５２】
さらに、上記光記録媒体１０においては、基板１１上に設けられた反射層１２が備えられているが、記録マークＭが形成された領域における反射光のレベルと未記録領域における反射光のレベルが充分大きい場合には、これを省略しても構わない。
【００５３】
また、上記光記録媒体１０は、光透過層１６が非常に薄く設定されているが、本発明がこれに限定されるものではなく、青色波長領域のレーザビームを記録層に照射することによって記録マークを形成可能な光記録媒体である限り、例えばＤＶＤ型の光記録媒体に本発明を適用することも可能である。
【００５４】
【実施例】
以下、実施例を用いて本発明について更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００５５】
［光記録媒体の準備］
（実施例１）
以下に示す手順により、図１に示す光記録媒体１０から反射層１２を省略した構成を有する光記録媒体を作製した。
【００５６】
即ち、まず、厚さ：１．１ｍｍ、直径：１２０ｍｍのポリカーボネート基板１１をスパッタリング装置にセットし、このポリカーボネート基板１１上に、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物からなる第２の誘電体層１３（層厚：６０ｎｍ）、Ｓｉからなる反応層３２（層厚：６ｎｍ）、Ｇｅからなる反応層３１（層厚：６ｎｍ）、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物からなる第１の誘電体層１５（層厚：６０ｎｍ）を順次スパッタ法により形成した。
【００５７】
次に、第１の誘電体層１５上に、アクリル系紫外線硬化性樹脂をスピンコート法によりコーティングし、これに紫外線を照射して光透過層１６（層厚：１００μｍ）を形成した。
【００５８】
なお、第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３においてＺｎＳとＳｉＯ２のモル比率は、ＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２０となるようにした。
【００５９】
（実施例２）
反応層３２をＧｅで構成し、反応層３１をＳｉで構成した以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。
【００６０】
（実施例３）
反応層３２をＣで構成した以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。
【００６１】
（実施例４）
反応層３２をＧｅで構成し、反応層３１をＣで構成した以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。
【００６２】
（実施例５）
反応層３２をＣで構成し、反応層３１をＳｉで構成した以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。
【００６３】
（実施例６）
反応層３１をＣで構成した以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。
【００６４】
（実施例７）
反応層３２をＳｎで構成した以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。
【００６５】
（実施例８）
反応層３２をＧｅで構成し、反応層３１をＳｎで構成した以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。
【００６６】
（実施例９）
反応層３２をＳｎで構成し、反応層３１をＳｉで構成した以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。
【００６７】
（実施例１０）
反応層３２をＳｉで構成し、反応層３１をＳｎで構成した以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。
【００６８】
［評価］
次に、以下の手順により実施例１〜実施例１０の光記録媒体について下記のようにして情報の光記録を行った。
【００６９】
まず、実施例１〜１０の光記録媒体をそれぞれ光ディスク評価装置（商品名：ＤＤＵ１０００、パルステック社製）にセットした。そして、波長λが４０５ｎｍであるレーザビームをＮＡ（開口数）が０．８５である対物レンズを用いて集光し、光透過層１６側から実施例１〜１０の光記録媒体の記録層１４に照射して光記録を行った。記録信号は、（１，７）ＲＬＬの変調方式における２Ｔ単一信号及び８Ｔ単一信号とし、チャンネルビット長は０．１２μｍ、記録線速度は５．３ｍ／ｓ、チャンネルクロックは６６ＭＨｚに設定した。
【００７０】
そして、２Ｔ単一信号及び８Ｔ単一信号が記録された実施例１〜１０の光記録媒体に対し、波長λが４０５ｎｍであるレーザビームをＮＡ（開口数）が０．８５である対物レンズを用いて集光し、光透過層１６側から実施例１〜１０の光記録媒体の記録層１４に照射して、２Ｔ単一信号及び８Ｔ単一信号の再生を行った。
【００７１】
その結果、各光記録媒体について記録時に最も高いＣ／Ｎ比の値が得られるレーザビーム出力及びそのＣ／Ｎ比は、表１に示すとおりとなった。但し、上記光ディスク評価装置におけるレーザビームの最高出力は１０．０ｍＷであるため、最も高いＣ／Ｎ比の値が得られるレーザビーム出力が１０．０ｍＷ超であると予想される光記録媒体（レーザビーム出力を１０．０ｍＷまで高めても、Ｃ／Ｎ比の値が飽和しなかった光記録媒体）については、レーザビームの出力を１０．０ｍＷとした。なお、レーザビーム出力は盤面の出力パワーである。
【００７２】
【表１】
2004079020.tif 000003
表１に示す結果から明らかなように、実施例１〜実施例１０の光記録媒体においては、Ｃ／Ｎ比の測定が十分に可能であった。すなわち、波長λが４０５ｎｍであるレーザビームを用いた場合、実施例１〜実施例１０の光記録媒体に対する信号の記録が実質的に可能であることが確認された。また、実施例２〜５、７、９、１０の光記録媒体においては、記録時に最も高いＣ／Ｎ比の値が得られるレーザビーム出力が低く（１０ｍＷ未満）、これにより記録感度が高いことが確認された。
【００７３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、青色波長領域のレーザビームを用いて信号の記録を行うことができるとともに、環境に与える負荷を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体１０の構造を概略的に示す断面図である。
【図２】（ａ）は未記録状態である領域を拡大して示す略断面図であり、（ｂ）は記録マークＭが形成された領域を拡大して示す略断面図である。
【符号の説明】
１０　光記録媒体
１１　基板
１１ａ　ランド
１１ｂ　グルーブ
１２　反射層
１３　第２の誘電体層
１４　記録層
１５　第１の誘電体層
１６　光透過層
１７　孔
３１，３２　反応層
３１ｂ　表面
Ｌ１０　レーザビーム
Ｍ　記録マーク
【図１】
2004079020.tif 000004
【図２】
2004079020.tif 000005