(57)【要約】【課題】  近接トラックイレースによる影響を極力軽減する。【解決手段】  本発明にかかるディスク装置の記録電流最適化方法は，ディスク装置の動作温度に相当するテスト条件下で記録パラメータを変化させながらエラー率を調べる段階と，最も低いエラー率を示す記録パラメータ値を選択する段階と，動作環境で選択された記録パラメータ値を使用して前記ディスク装置の記録電流を最適化する段階とを有する。これにより，ヘッド毎の相異なる記録性及び近接トラックイレース（ＡＴＥ）特性を有する現状で，各個別ヘッド毎の記録性及びＡＴＥ特性を測定してシステムシリンダのバッファに記憶し，動作環境ではＡＴＥ特性を考慮してヘッドの記録性能を保障する限度での最小の書込み電流（ＷＣ）及びオーバーシュート電流（ＯＳＣ）を使用し，低温では最低ビットエラーレート（ＢＥＲ）を有する高い書込み電流（ＷＣ）及びＯＳＣを使用することによってヘッドの記録性能を保障する。【選択図】    図９
2004199860.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク装置の記録電流最適化方法であって，
前記ディスク装置の動作温度に相当するテスト条件下で記録パラメータを変化させながらエラー率を調べる段階と，
最も低いエラー率を示す記録パラメータ値を選択する段階と，
動作環境で選択された記録パラメータ値を使用して前記ディスク装置の記録電流を最適化する段階と，
を含む記録電流最適化方法。
【請求項２】
前記動作温度が常温よりも低い低温に相当するテスト条件である時，データが目標トラックに所定回数ほど書き込まれ，前記データが目標トラックから所定回数ほど読み出されることを特徴とする請求項１に記載の記録電流最適化方法。
【請求項３】
前記動作温度が常温に相当するテスト条件である時，データが目標トラックに隣接したトラックに所定回数（Ｎ）ほど書き込まれ，前記データが目標トラックから所定回数ほど読み出されることを特徴とする請求項１に記載の記録電流最適化方法。
【請求項４】
前記動作温度が常温よりも高い高温に相当するテスト条件である時，データが目標トラックに隣接したトラックに所定回数（Ｍ）ほど書き込まれ，前記データが目標トラックから所定回数ほど読み出されるようにし，
前記所定回数（Ｍ）は，前記動作温度が常温に相当するテスト条件である時に目標トラックに隣接したトラックにデータが書込まれる所定回数（Ｎ）よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の記録電流最適化方法。
【請求項５】
前記高温に相当するテスト条件である時，エラー率の測定はディスク装置のディスクの内周，中間，外周に分け，それぞれで選択されたデータゾーンに対して行われ，それぞれの選択されたデータゾーンで得られた記録パラメータを内周，中間，外周のそれぞれのデータゾーンの他の部分にも同様に適用することを特徴とする請求項４に記載の記録電流最適化方法。
【請求項６】
前記記録パラメータはオーバーシュート電流であることを特徴とする請求項１に記載の記録電流最適化方法。
【請求項７】
記録パラメータに対するエラー率を示すグラフを正規化する段階をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の記録電流最適化方法。
【請求項８】
前記正規化段階において最も低いエラー率を示す記録パラメータが複数存在する場合には，これらの記録パラメータを平均化する段階をさらに有することを特徴とする請求項７に記載の記録電流最適化方法。
【請求項９】
エラー率はビットエラーレート（ＢＥＲ）又はチャンネル統計的測定（ＣＳＭ）のいずれかであることを特徴とする請求項７に記載の記録電流最適化方法。
【請求項１０】
前記記録電流最適化方法は，前記ディスク装置の少なくとも１つのヘッド及び少なくとも１つのデータゾーンに対して行われることであることを特徴とする請求項７に記載の記録電流最適化方法。
【請求項１１】
前記選択された記録パラメータはディスク装置のシステムシリンダに書き込まれることを特徴とする請求項１０に記載の記録電流最適化方法。
【請求項１２】
ディスク装置の記録密度最適化方法であって，
所定の近接トラックイレース（Ａｄｊａｃｅｎｔ Ｔｒａｃｋ  Ｅｒａｓｅ：ＡＴＥ）テスト条件下で目標トラックのエラー率を測定する段階と，
前記エラー数を所定の閾値と比較する段階と，
前記エラー数が所定の閾値を超える場合にはトラック密度（ＴＰＩ）を変更して記録密度を調整する段階と，
を含むことを特徴とする記録密度最適化方法。
【請求項１３】
所定のテスト条件下でオーバーシュート電流が最大値に設定されることを特徴とする請求項１２に記載の記録密度最適化方法。
【請求項１４】
所定の近接トラックイレース（ＡＴＥ）テスト条件下で目標トラックに書き込まれたエラー率を測定する段階は，
前記目標トラックに隣接したトラックに所定回数ほど最初の方向にデータを書き込む段階と，
所定回数ほど目標トラックからデータを読みだす段階と，
読み出されたデータのエラー率を測定する段階と，
を含むことを特徴とする請求項１３に記載の記録密度最適化方法。
【請求項１５】
前記最初の方向に目標トラックに隣接したトラックの数は少なくとも１つであることを特徴とする請求項１４に記載の記録密度最適化方法。
【請求項１６】
エラー率を測定する前にエラー訂正コード（Ｅｒｒｏｒ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ Ｃｏｄｅ：ＥＣＣ）を使用するハードディスクのエラー訂正能力を下げることを特徴とする請求項１４に記載の記録密度最適化方法。
【請求項１７】
ディスク装置の記録電流最適化方法であって，
前記ディスク装置の動作温度範囲及び記録パラメータ値の範囲でエラー率を測定する段階と，
与えられた動作温度での最低エラー率に相当する記録パラメータ値を選択及び記憶する段階と，
ディスク装置に書き込む途中に動作温度をモニタリングする段階と，
モニタリングされた動作温度に相当する記憶された記録パラメータ値を適用する段階と，を含む記録電流最適化方法。
【請求項１８】
ディスク装置の動作温度範囲は，第１〜第３温度モードを含むことを特徴とする請求項１７に記載の記録電流最適化方法。
【請求項１９】
前記第１温度モードにおいて及びそれぞれの記録パラメータ値に対してエラー率を測定する段階は，
目標トラックに所定回数ほどデータを書き込む段階と，
データが書き込まれる度に所定回数ほど目標トラックからデータを読み込む段階と，
エラー率を測定する段階と，
を含むことを特徴とする請求項１８に記載の記録電流最適化方法。
【請求項２０】
前記第２温度モードにおいてそれぞれの記録パラメータ値に対してエラー率を測定する段階は，
目標トラックに隣接したトラックに第１の所定回数ほどデータを書き込む段階と，
データが書き込まれる度に第２の所定回数ほど隣接トラックからデータを読み込む段階と，
エラー率を測定する段階と，
を含むことを特徴とする請求項１８に記載の記録電流最適化方法。
【請求項２１】
前記第３温度モードにおいてそれぞれの記録パラメータ値に対してエラー率を測定する段階は，
目標トラックに隣接したトラックに第３の所定回数ほどデータを書き込む段階と，
データが書き込まれる度に第４の所定回数ほど隣接トラックからデータを読み込む段階と，
エラー率を測定する段階とを含み，
前記第３の所定回数は前記動作温度が前記第２温度モードにおいて目標トラックに隣接したトラックにデータが書込まれる第１の所定回数より大きいことを特徴とする請求項２０に記載の記録電流最適化方法。
【請求項２２】
与えられた動作温度で最も低いエラー率を示す記録パラメータが少なくとも２つが存在する場合，記録パラメータ値を選択する段階は，少なくとも２つの記録パラメータを正規化する段階をさらに有することを特徴とする請求項１７に記載の記録電流最適化方法。
【請求項２３】
前記第３温度モードに対して選択されたパラメータ値は，前記第２温度モードに対して選択されたパラメータ値と，前記第３温度モードに対して選択された，最低エラー率に相当するパラメータ値との間にあることを特徴とする請求項１８に記載の記録電流最適化方法。
【請求項２４】
前記記録電流最適化方法は少なくとも１つの書込みヘッド及びディスク装置の少なくとも１つのデータゾーンに対して行われ，
前記少なくとも１つのデータゾーンはディスク装置のディスクの内周，中間，そして，外周のそれぞれから選択された代表的なデータゾーンであり，
それぞれの代表的なデータゾーンに対して選択されたパラメータ値はそれぞれディスクの内周，中間，そして，外周のあらゆるデータゾーンのためにそれぞれ記憶されることを特徴とする請求項１７に記載の記録電流最適化方法。
【請求項２５】
選択された記録パラメータ値はディスク装置のシステムシリンダに記憶されることを特徴とする請求項１７に記載の記録電流最適化方法。
【請求項２６】
ディスク装置の記録密度最適化方法であって，
前記ディスク装置に対する記録パラメータの値の範囲を決定する段階と，
前記範囲内の少なくとも１つの記録パラメータ値に対し，目標トラックに第１１の所定回数ほどデータを書込み，目標トラックに隣接したトラックに第１２の所定回数ほどデータを書込み，目標トラックに隣接したトラックから第１３の所定回数ほどデータを読み出し，そして記録パラメータ値に対する書込みエラーの数を決定する段階と，
それぞれの記録パラメータ値に対する書込みエラーの総和を算出する段階と，
前記総和が所定の閾値より大きければ，前記ディスク装置の記録容量を第１値に設定する段階と，
前記総和が所定の閾値より大きくなければ，前記ディスク装置の記録容量を最大化された値に設定する段階と，
を含む記録密度最適化方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，例えばハードディスクドライブ（単に「ＨＤＤ」ともいう）のような磁気ディスク装置の記録電流最適化方法及び記録密度設定方法にかかり，より詳細には動作環境温度によって記録電流を最適化する記録電流最適化方法及び近接トラックイレース（Ａｄｊａｃｅｎｔ  Ｔｒａｃｋ Ｅｒａｓｅ：ＡＴＥ）特性を考慮してトラック密度（Ｔｒａｃｋ Ｐｉｔｃｈｐｅｒ Ｉｎｃｈ：ＴＰＩ）あるいは記録容量を設定する記録密度設定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置例えばＨＤＤは，情報を記録するために使われる書込み装置である。通常にトラックは同心円であり，情報は少なくとも１つのトラック上に書き込まれる。ディスクはスピンドルモータに回転可能に搭載され，情報はボイスコイルモータによって回転されるアクチュエータアームに搭載された記録／再生手段によってアクセスされる。ボイスコイルモータは電流によって励磁されてアクチュエータを回転させ，記録／再生ヘッドを移動させる。記録／再生ヘッドはディスクの表面から出てくる磁気の変化を感知してディスク表面に書き込まれた情報を読み出す。データトラックに書き込むために，電流がヘッドに供給される。電流は磁界を発生させ，これによりディスク書込み面の一部が磁化する。
【０００３】
ところで，近年ではＨＤＤが高容量／高密度化するに連れて，さらに高いトラック密度（ＴＰＩ）が要求されるようになっており，磁気ヘッドの記録幅（トラック幅）についてもより狭いものが要求される。
【０００４】
この点，トラック密度（ＴＰＩ）を高めて飛行高さ（Ｆｌｙｉｎｇ  Ｈｅｉｇｈｔ：ＦＨ）、すなわち磁気ヘッドのディスクに対する高さを低くすることによって記録密度を増加することができる。しかし，トラック密度（ＴＰＩ）を高めて磁気ヘッドの飛行高さ（ＦＨ）を低くすれば，磁気ヘッドで発生した磁界が隣接するトラックに位置したデータが消去される虞がある。このような現象を近接トラックイレース（Ａｄｊａｃｅｎｔ  Ｔｒａｃｋ Ｅｒａｓｅ：ＡＴＥ）という。近接トラックイレース（ＡＴＥ）は，磁気ヘッドに提供される記録電流があまり高い時に重要な問題になる。ところが，記録電流を低くし過ぎて，記録電流が十分でなければ，特に常温よりも低い低温環境において記録性能が粗悪になる虞がある。
【０００５】
ここで、記録性能を向上させるものとして例えば特許文献１には特定オフセットほどｍ＋１及びｍ−１トラックにデータを書き込んだ後，ｍ番目トラックのエラー率を調べ，所望のエラー率を満足するトラック密度（ＴＰＩ）を設定する方法が開示されている。ところが，特許文献１に記載の方法は書込み電流（Ｗｒｉｔｅ  Ｃｕｒｒｅｎｔ：ＷＣであって，記録電流（ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｃｕｒｒｅｎｔ）の一部であり、その詳細は後述する。）の大きさ（サイズ）による近接トラックイレース（ＡＴＥ）には対処していない。
【０００６】
また，従来の記録電流最適化方法によれば，ＨＤＤのバーンインテスト工程でヘッドの近接トラックイレース（ＡＴＥ）特性を考慮して最適の記録電流を設定していた。この場合は，近接トラックイレース（ＡＴＥ）を減らすためにＨＤＤ内の適応的リ―ドチャンネル最適化（Ａｄａｐｔｉｖｅ  Ｒｅａｄ Ｃｈａｎｎｅｌ Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ：ＡＲＣＯ）を通じてデータゾーン別または温度別に記録電流を抑制することが一般的である。
【０００７】
通常，製造工程で数百，または数千の隣接トラック書込み（Ａｄｊａｃｅｎｔ  Ｔｒａｃｋ Ｗｒｉｔｉｎｇ：ＡＴＷ）を通じて近接トラックイレース（ＡＴＥ）の問題を発生するヘッドを調整する。一般的にＨＤＤを製造する際は，サーボライト，機能テスト，バーンインテストなどの工程が順に実施される。サーボライト工程ではディスクに位置情報を書き込むようになり，機能テスト工程ではメンテナンスシリンダの欠陥有無とデータ領域の記録／再生の如何を判断する。そして，バーンインテスト工程ではデータ領域の欠陥有無を判断する。バーンインテスト工程ではＨＤＤのリ―ドチャンネルを最適化するためのリ―ドチャンネル最適化過程及び書込みチャンネルを最適化するための書込みチャンネル最適化過程も行われる。この最適化方法は例えばＨＤＤのコントローラによって行われる。
【０００８】
ところで，ハードディスクの保磁力（Ｃｏｅｒｃｉｖｉｔｙ）は温度によって変化し，例えば常温よりも高い高温では減少し，常温よりも低い低温では増加する。これに対応するために最近のＨＤＤは，ドライブの温度測定を通じて書込み電流（ＷＣ）又はオーバーシュート電流（Ｏｖｅｒ  Ｓｈｏｏｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ：ＯＳＣ）を最適化する方法が使われる。すなわち，低温では高い書込み電流（ＷＣ）及びオーバーシュート電流（ＯＳＣ）を使用して保磁力増加に対応し，高温では低い書込み電流（ＷＣ）及びオーバーシュート電流（ＯＳＣ）を使用して保磁力減少に対応するようにしている。
【０００９】
この点，上述したような従来の記録電流最適化方法によれば，バーンインテスト工程で常温で最適の記録電流を得るように最適化した後，常温よりも高い場合の高温モード及び常温よりも低い場合の低温モードで使われる間には一律的に記録電流を一定量加減するようになっている。
【００１０】
しかしながら，このような従来の記録電流最適化方法はヘッドの特性を考慮せずに行われるものであるので，あるヘッドにおいては記録電流が多すぎたり，逆に少なすぎたりしてかえって特性を悪化させる。特に，オーバーシュート電流（ＯＳＣ）に影響されるＴＰＴＰ（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｐｏｌｅ Ｔｉｐ  Ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ）特性を考慮していないために，ＴＰＴＰがひどいヘッドの場合には書込み電流（ＷＣ）及びオーバーシュート電流（ＯＳＣ）が過多であるか不足してヘッドとディスクの間（Ｈｅａｄ  Ｄｉｓｃ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ：ＨＤＩ）で問題を発生させてヘッド損傷，ＴＡ（Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｓｐｅｒｉｔｙ），気圧マージン（Ａｌｔｉｔｕｄｅ ｍａｒｇｉｎ：気圧によるヘッドの飛行高さ（ＦＨ）の変化によるマージン）の激減などのような不良を招く蓋然性が高い。
【００１１】
【特許文献１】米国特許６,１０１,０５３号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，近接トラックイレースによる影響を極力軽減することができる記録電流最適化方法及び記録密度設定方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，ディスク装置の記録電流最適化方法であって，前記ディスク装置の動作温度に相当するテスト条件下で記録パラメータを変化させながらエラー率を調べる段階と，最も低いエラー率を示す記録パラメータ値を選択する段階と，動作環境で選択された記録パラメータ値を使用して前記ディスク装置の記録電流を最適化する段階とを含む記録電流最適化方法が提供される。
【００１４】
また，上記前記動作温度が常温よりも低い低温に相当するテスト条件である時，データが目標トラックに所定回数ほど書き込まれ，前記データが目標トラックから所定回数ほど読み出されることを特徴とする請求項１に記載の記録電流最適化方法。
【００１５】
ここで，上記動作温度が常温に相当するテスト条件である時，データが目標トラックに隣接したトラックに所定回数（Ｎ）ほど書き込まれ，前記データが目標トラックから所定回数ほど読み出されることが望ましい。
【００１６】
また，上記動作温度が常温よりも高い高温に相当するテスト条件である時，データが目標トラックに隣接したトラックに所定回数（Ｍ）ほど書き込まれ，前記データが目標トラックから所定回数ほど読み出されるようにし，前記所定回数（Ｍ）は，前記動作温度が常温に相当するテスト条件である時に目標トラックに隣接したトラックにデータが書込まれる所定回数（Ｎ）よりも大きいことが望ましい。
【００１７】
また，上記高温に相当するテスト条件である時，エラー率の測定はディスク装置のディスクの内周，中間，外周に分け，それぞれで選択されたデータゾーンに対して行われ，それぞれの選択されたデータゾーンで得られた記録パラメータを内周，中間，外周のそれぞれのデータゾーンの他の部分にも同様に適用することが望ましい。なお，上記記録パラメータは例えばオーバーシュート電流である。
【００１８】
また，記録パラメータに対するエラー率を示すグラフを正規化する段階をさらに有していてもよい。正規化段階において最も低いエラー率を示す記録パラメータが複数存在する場合には，これらの記録パラメータを平均化する段階をさらに有していてもよい。また，上記エラー率は例えばビットエラーレート（ＢＥＲ）又はチャンネル統計的測定（ＣＳＭ）のいずれかである。
【００１９】
なお，上記記録電流最適化方法は，前記ディスク装置の少なくとも１つのヘッド及び少なくとも１つのデータゾーンに対して行われることが望ましい。この場合，上記選択された記録パラメータは例えばディスク装置のシステムシリンダに書き込まれる。
【００２０】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，ディスク装置の記録密度最適化方法であって，所定の近接トラックイレース（Ａｄｊａｃｅｎｔ  Ｔｒａｃｋ Ｅｒａｓｅ：ＡＴＥ）テスト条件下で目標トラックのエラー率を測定する段階と，前記エラー数を所定の閾値（スレッショルド値）と比較する段階と，前記エラー数が所定の閾値を超える場合にはトラック密度（ＴＰＩ）を変更して記録密度を調整する段階とを含む記録密度最適化方法が提供される。
【００２１】
また，上記所定のテスト条件下でオーバーシュート電流が最大値に設定されることが好ましい。また，所定の近接トラックイレース（ＡＴＥ）テスト条件下で目標トラックに書き込まれたエラー率を測定する段階は，前記目標トラックに隣接したトラックに所定回数ほど最初の方向にデータを書き込む段階と，所定回数ほど目標トラックからデータを読みだす段階と，読み出されたデータのエラー率を測定する段階とを含むことが好ましい。
【００２２】
また，上記最初の方向に目標トラックに隣接したトラックの数は少なくとも１つであることが好ましい。また，上記エラー率を測定する前にエラー訂正コード（Ｅｒｒｏｒ
Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ Ｃｏｄｅ：ＥＣＣ）を使用するハードディスクのエラー訂正能力を下げることが好ましい。
【００２３】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，ディスク装置の記録電流最適化方法であって，前記ディスク装置の動作温度範囲及び記録パラメータ値の範囲でエラー率を測定する段階と，与えられた動作温度での最低エラー率に相当する記録パラメータ値を選択及び記憶する段階と，ディスク装置に書き込む途中に動作温度をモニタリングする段階と，モニタリングされた動作温度に相当する記憶された記録パラメータ値を適用する段階とを含む記録電流最適化方法が提供される。この場合，ディスク装置の動作温度範囲は，例えば第１〜第３温度モードを含む。
【００２４】
また，上記第１温度モードにおいてそれぞれの記録パラメータ値に対してエラー率を測定する段階は，目標トラックに所定回数ほどデータを書き込む段階と，データが書き込まれる度に所定回数ほど目標トラックからデータを読み込む段階と，エラー率を測定する段階とを含むことが好ましい。
【００２５】
また，上記第２温度モードにおいてそれぞれの記録パラメータ値に対してエラー率を測定する段階は，目標トラックに隣接したトラックに第１の所定回数（例えば所定回数Ｎ）ほどデータを書き込む段階と，データが書き込まれる度に第２の所定回数ほど隣接トラックからデータを読み込む段階と，エラー率を測定する段階とを含むことが好ましい。
【００２６】
また，上記第３温度モードにおいてそれぞれの記録パラメータ値に対してエラー率を測定する段階は，目標トラックに隣接したトラックに第３の所定回数（例えば所定回数Ｍ）ほどデータを書き込む段階と，データが書き込まれる度に第４の所定回数ほど隣接トラックからデータを読み込む段階と，エラー率を測定する段階とを含み，前記第３の所定回数は前記動作温度が前記第２温度モードにおいて目標トラックに隣接したトラックにデータが書込まれる第１の所定回数より大きいことが好ましい。
【００２７】
また，上記与えられた動作温度で最も低いエラー率を示す記録パラメータが少なくとも２つが存在する場合，記録パラメータ値を選択する段階は，少なくとも２つの記録パラメータを正規化する段階をさらに有することが好ましい。
【００２８】
また，上記第３温度モードに対して選択されたパラメータ値は，第２温度モードに対して選択されたパラメータ値と，第３温度モードに対して選択された，最低エラー率に相当するパラメータ値との間にあることが好ましい。
【００２９】
また，上記記録電流最適化方法は少なくとも１つの書込みヘッド及びディスク装置の少なくとも１つのデータゾーンに対して行われ，前記少なくとも１つのデータゾーンはディスク装置のディスクの内周，中間，そして，外周のそれぞれから選択された代表的なデータゾーンであり，
それぞれの代表的なデータゾーンに対して選択されたパラメータ値はそれぞれディスクの内周，中間，そして，外周のあらゆるデータゾーンのためにそれぞれ記憶されることが好ましい。
【００３０】
また，上記選択された記録パラメータ値は例えばディスク装置のシステムシリンダに記憶される。
【００３１】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，ディスク装置の記録密度最適化方法であって，ディスク装置に対する記録パラメータの値の範囲を決定する段階と，前記範囲内の少なくとも１つの記録パラメータ値に対し，目標トラックに第１１の所定回数ほどデータを書込み，目標トラックに隣接したトラックに第１２の所定回数ほどデータを書込み，目標トラックに隣接したトラックから第１３の所定回数ほどデータを読み出し，そして記録パラメータ値に対する書込みエラーの数を決定する段階と，それぞれの記録パラメータ値に対する書込みエラーの総和を算出する段階と，前記総和が所定の閾値より大きければ，前記ディスク装置の記録容量を第１値に設定する段階と，前記総和が所定の閾値より大きくなければ，前記ディスク装置の記録容量を最大化された値に設定する段階とを含む記録密度最適化方法が提供される。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば，ＨＤＤにおいて例えば記憶容量の増加，磁気ヘッドの記録幅の狭小化によって発生する近接トラックイレース（ＡＴＥ）の影響を減少させることができる。
【００３３】
例えば本発明による記録電流最適化方法によれば，動作環境での温度条件に相応するテスト条件下でＴＰＴＰ特性を調べ，最低のエラー率を示す記録パラメータを設定することによって，動作環境温度に応じて記録電流を最適化することができる。
【００３４】
さらに，本発明による記録電流最適化方法によれば，ヘッド毎の相異なる記録性及び近接トラックイレース（ＡＴＥ）特性を有する現状で，各ヘッド毎の記録性及び近接トラックイレース（ＡＴＥ）特性を測定してシステムシリンダかバッファに記憶し，動作環境では近接トラックイレース（ＡＴＥ）特性を考慮してヘッドの記録性能を保障する限度での最小書込み電流（ＷＣ）及びオーバーシュート電流（ＯＳＣ）を使用し，常温よりも低い低温では最低のビットエラーレート（ＢＥＲ）を有する高い書込み電流（ＷＣ）及びオーバーシュート電流（ＯＳＣ）を使用する。したがって，各ヘッドの記録性能がこれら各自の書込み及び近接トラックイレース（ＡＴＥ）特性を考慮して保障される。
【００３５】
また，本発明による記録密度設定方法はＨＤＤに印加できる最悪の近接トラックイレース（ＡＴＥ）テスト条件でのエラー率を測定し，その結果によってトラック密度（ＴＰＩ）あるいは記録容量を設定することによってＨＤＤの最低記録容量を決定することもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００３７】
先ず，本発明を適用可能な磁気ディスク装置として例えばハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の例を図１を参照しながら説明する。図１は，ＨＤＤ１００の構成を示す図である。ＨＤＤ１００は，スピンモータ１０４によって回転される少なくとも一つの磁気ディスク（単に「ディスク」ともいう）１０２を有する。スピンモータ１０４はベースプレート１０６に搭載される。
【００３８】
ベースプレート１０６には，ディスク表面１８に隣接されるように配設したヘッド１６を有するアクチュエーターアームアセンブリ１０８が搭載される。アクチュエーターアームアセンブリ１０８には重ねて設けられた１又は複数のサスペンション１１２を有し，相応するサスペンション１１２にはそれぞれヘッド１１０が装着される。サスペンション１１２はベアリングアセンブリ１１６を中心にその周りに回転可能なアクチュエーターアーム１１４に取付けられている。またアセンブリ１０８はベースプレート１０６に搭載された磁石と結合されるボイスコイル１１８を含む。このボイスコイル１１８にエネルギーを加えることによって，ヘッド１１０をディスク１０２に対して移動させることができる。
【００３９】
ディスク１０２が複数設けられている場合には，一般に各ディスク面毎に１つのヘッドが存在する。スピンモータ１０４，ボイスコイル１１８及びヘッド１１０は回路基板１２２に搭載された多数の電子回路１２０と連結される。電子回路１２０は例えば読出しチャンネル回路，マイクロプロセッサー基盤の制御機及びランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）装置を備える。
【００４０】
次に，図１に示す電子回路１２０の構成について図面を参照しながら詳細に説明する。図２は，図１に示す電子回路１２０の詳細な構成例を示すブロック図である。電子回路１２０は読み出し／書込み（Ｒ／Ｗ）チャンネル回路１７４に連結された前置増幅器１７２を備える。Ｒ／Ｗチャンネル回路１７４はＲ／Ｗ自動利得制御（ＡＧＣ），フィルタ回路１７６，電波整流器１７８及びピーク検出器１８０を備える。電子回路１２０はマイクロプロセッサー基盤のサーボ制御機１８２をさらに備え，サーボ制御機１８２はアナログ−デジタル変換器（ＡＤＣ）１８４，デジタル信号処理器（ＤＳＰ）１８６，バーストシーケンサ及びタイミング回路１８８とＲＡＭ装置のようなメモリ１９０を備える。ＤＳＰ１８６はロジック回路１９２を備える。
【００４１】
図２に示す電子回路１２０は，磁気ディスク１０２の磁界を感知する磁気ヘッド１１０のうち１つと電気的に接続されている。ディスク１０２上のサーボフィールド領域に位置したサーボ情報を読み出す時，ヘッド１１０はディスクの磁界に相応する読出し信号を生成する。読出し信号はまず前置増幅器１７２によって増幅され，Ｒ／Ｗチャンネル回路１７４に送られる。読出し信号に含まれたＡＧＣデータはＲ／Ｗ
ＡＧＣ及びフィルタ回路１７６に送られる。
【００４２】
Ｒ／Ｗ ＡＧＣ及びフィルタ回路１７６のうちでＲ／Ｗ
ＡＧＣ回路は読出し信号によって提供されたＡＧＣデータをモニタリングし，読出し信号がＲ／Ｗ ＡＧＣ及びフィルタ回路１７６のフィルタでフィルタリングされる。電波整流器１７８は読出し信号を整流し，整流された読出し信号をピーク検出器１８０に送る。ピーク検出器１８０は読出し信号の振幅を検出する。次いで，読出し信号はアナログ読出し信号の２値化されたサンプルを提供するＡＤＣ１８４に供給される。この２値化された信号はＤＳＰ１８６の中に位置したロジック回路１９２に供給される。
【００４３】
ロジック回路１９２はヘッド１１０によって読み出されたバースト信号Ａ，Ｂ，Ｃ及びＤに基盤して位置信号Ｑを生成する。この位置信号Ｑはメモリ１９０に記憶され，以後に位置信号Ｑに基づいてアクチュエーターアームアセンブリ１０８を介してヘッド１１０が移動制御される。
【００４４】
次に，一般的なＨＤＤによる問題点を説明する。現在，ＨＤＤでは書込み用磁気ヘッドは金属（一般的にｐｅｒｍａｌｌｏｙ：Ｎｉ  ８０％／Ｆｅ ２０％）を使用して，ヘッドを支持するスライダーは非金属物質を使用している。したがって，記録動作中には記録電流が金属コイルを通じて流れるようになり，熱が発生する。
【００４５】
ところが，金属／非金属間の熱膨張係数の差によってヘッドのポール周辺部位が突き出てしまうという現象が発生する。このような現象をＴＰＴＰ（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｐｏｌｅ Ｔｉｐ  Ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ）という。一般的にＴＰＴＰはヘッドとディスク間のインターフェース（Ｈｅａｄ／ＤｉｓｋＩｎｔｅｒｆａｃｅ：ＨＤＩ）すなわちヘッドとディスク間の間隔におけるマージンを縮めるためにヘッドの飛行高さ（Ｆｌｙｉｎｇ  Ｈｅｉｇｈｔ：ＦＨ）を下げる効果を出し，したがって，過度なＴＰＴＰはＨＤＩ上に問題を招く。これが激しい場合にはヘッドとディスクとの衝突が発生してヘッドポールが損傷したり，ＴＡ（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｓｐｅｒｉｔｙ）などの原因になる場合もある。
【００４６】
ここで，上述のＴＰＴＰによる影響をより具体的に説明する。図３Ａ及び図３Ｂは，ＴＰＴＰによる影響を模式的に示す図である。図３Ａは再生動作を行う時のヘッド１１０の状態を示す図であり，図３Ｂは記録動作を行う時のヘッド１１０の状態を示す図である。図３Ｂによれば，書込みポールが突出されていることが分かる。このような書込みポールの突出は実質的に飛行高さ（ＦＨ）を下げるので（実際の飛行高さは例えば図３Ｂに示すＦ′Ｈとなる），ひどい場合にはヘッドとディスクとの衝突が発生してヘッドポールの損傷，ＴＡなどの原因になる場合もある。
【００４７】
このようなＴＰＴＰの量はｉ２Ｒに比例する。ここで，ｉは記録電流を示し，Ｒは書込みコイルの抵抗を示す。このようにＴＰＴＰの量は記録電流ｉの変化により大きく影響する。従って，ＴＰＴＰの量は記録動作中においてオーバーシュート電流（ＯＳＣ）が発生すると，これによって最も大きく影響される。図４は，記録電流の波形を示す波形図である。図４に示されたようにディスクに書き込まれるデータの転換点で記録電流は鋭い起立形状を示す。図４において記録電流のｄｃ成分を書込み電流（ＷＣ），起立成分をオーバーシュート電流（ＯＳＣ）という。書込み電流（ＷＣ）は，磁界の強さをハードディスクの保磁力と同等に維持させる役割をし，オーバーシュート電流（ＯＳＣ）は，書込み位置で磁界の強さを保磁力以上に引き上げるトリガとしての役割を果たす。記録動作中においてヘッドのＴＰＴＰはオーバーシュート電流（ＯＳＣ）によって最も大きく影響される。
【００４８】
ここで，オーバーシュート値の変化によるＴＰＴＰの変化程度を示すグラフの例を図５に示す。図５は，横軸に時間をとり，縦軸にＴＰＴＰの大きさを［ｎｍ］単位でとっている。図５は記録電流のオーバーシュートコントロールが０（ａ），１（ｂ），５（ｃ），１０（ｄ），１５（ｅ），２０（ｆ），２５（ｇ）及び３０（ｈ）である場合におけるＴＰＴＰの大きさをグラフにしたものである。
【００４９】
記録電流のオーバーシュート値を変化させながらＴＰＴＰのプロファイルを測定すれば，記録電流のオーバーシュート値が大きくなるほどＴＰＴＰの影響が大きくなることがわかる。すなわち，記録電流のオーバーシュート値が大きくなるほどヘッド１１０とディスク１０２間のギャップが小さくなる。実験によれば，記録電流のオーバーシュート値が４ステップ変化することによってＴＰＴＰは１０オングストローム（１０×１０−８ｃｍ）程度発生し，通常は飛行高さ（ＦＨ）が１００オングストローム（１００×１０−８ｃｍ）程度であることを勘案すれば，記録電流のオーバーシュート値の４ステップ変化についてヘッド１１０の飛行高さ（ＦＨ）が約１０％程度減少するものであり，ＴＰＴＰがＨＤＤの性能に相当な影響を与えられることが分かる。
【００５０】
図６は，オーバーシュート電流（ＯＳＣ）とビットエラーレート（Ｂｉｔ  Ｅｒｒｏｒ Ｒａｔｅ：ＢＥＲ）との関係を示すグラフの一例である。図６を参照すれば，オーバーシュート電流（ＯＳＣ）に対するビットエラーレート（ＢＥＲ）は概略最低のビットエラーレート（ＢＥＲ＿ｍｉｎ）を湾曲点とするＶ字状を示す。これはオーバーシュート電流（ＯＳＣ）が低ければ，低い磁界によってビットエラーレート（ＢＥＲ）が悪くなり，オーバーシュート電流（ＯＳＣ）が高ければ，ＴＰＴＰがひどくなるためにビットエラーレート（ＢＥＲ）が悪くなると解釈される。
【００５１】
図７は，オーバーシュート電流（ＯＳＣ）とチャンネル統計的測定（Ｃｈａｎｎｅｌ  Ｓｔａｔｉｓｔｉｃａｌ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ：ＣＳＭ）の関係を示すグラフの一例である。図７においても図８のオーバーシュート電流（ＯＳＣ）対ビットエラーレート（ＢＥＲ）と類似した関係が現れることが分かる。
【００５２】
ビットエラーレート（ＢＥＲ）は，ヘッド１１０によって読み出された信号に含まれた一定数のデータビットのうちから幾つのエラービットが発生したかを示す比率であり，チャンネル統計的測定（ＣＳＭ）はチャンネルチップで提供するビットエラーを測定する性能検査方法であり，チャンネル統計的測定（ＣＳＭ）によれば，ビットエラーレート（ＢＥＲ）に比べてヘッド１１０のＴＰＴＰがより早く測定できる。また，ビットエラーレート（ＢＥＲ）とチャンネル統計的測定（ＣＳＭ）とは概略ログ的な関係を有する。
【００５３】
以上説明したＴＰＴＰの大きさは，ヘッド１１０の特性に依存する。例えばヘッド１１０の材質の差，ヘッドとスライダーとの接着特性などによってＴＰＴＰの程度が変わる。ここで，色々なヘッドのＴＰＴＰ特性を図８にグラフで示す。図８に示すようにヘッドによってはＴＰＴＰの影響が大きいものがある一方，ＴＰＴＰの影響が小さいものもあることが分かる。
【００５４】
上記ＴＰＴＰがひどいヘッドの場合，すなわちＴＰＴＰの影響が大きいヘッドの場合はオーバーシュート電流（ＯＳＣ）を増加させることによってビットエラーレート（ＢＥＲ）が急増して最適のオーバーシュート電流（ＯＳＣ）と最大オーバーシュート電流（ＯＳＣ）間の差が大きい。これに対して，ＴＰＴＰが弱いヘッドの場合，すなわちＴＰＴＰの影響が小さいヘッドの場合は緩やかな増加あるいは減少を示して最適のオーバーシュート電流（ＯＳＣ）と最大のオーバーシュート電流（ＯＳＣ）間の差が大きくない。
【００５５】
一方，上述したような従来の記録電流制御方法においては，単純にヘッドの近接トラックイレース（ＡＴＥ）特性を考慮して書込み電流（ＷＣ）やオーバーシュート電流（ＯＳＣ）を最適化する。そして，一般的に与えられた書込み電流（ＷＣ）及びオーバーシュート電流（ＯＳＣ）範囲で特定トラックの両側トラックを連続的に数回繰り返して書き込んだ後，真中のトラックを読み出した時，エラーの発生有無を判断する。このとき，エラーが発生すれば，書込み電流（ＷＣ）及びオーバーシュート電流（ＯＳＣ）条件を変化させながら書込み及び読出し動作を繰り返し，エラーが発生しない書込み電流（ＷＣ）及びオーバーシュート電流（ＯＳＣ）を最適の書込み電流（ＷＣ）及びオーバーシュート電流（ＯＳＣ）として使用する。
【００５６】
またＨＤＤが常温よりも低い低温で使用される場合には，磁性体層の保磁力が増加するので，高い保磁力に対応するように書込み電流（ＷＣ）及びオーバーシュート電流（ＯＳＣ）を増加させ，常温よりも高い高温で使われる場合には磁性体層の保磁力が減少するので，低い保磁力に対応するように書込み電流（ＷＣ）及びオーバーシュート電流（ＯＳＣ）を減少させる方法が使われている。
【００５７】
しかしながら，このような従来の記録電流制御方法では，各ヘッドごとのＴＰＴＰ性能を考慮せずに，一律に高温／低温モードで書込み電流（ＷＣ）及びオーバーシュート電流（ＯＳＣ）を一定量ほど減少／増加させている。このため，ＴＰＴＰが激しいヘッドの場合には書込み電流（ＷＣ）及びオーバーシュート電流（ＯＳＣ）があまり過多であったり，又は書込み電流（ＷＣ）及びオーバーシュート電流（ＯＳＣ）が不足してヘッドとディスクのインタフェース（ＨＤＩ）上で問題を発生させてヘッド損傷，ＴＡ（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｓｐｅｒｉｔｙ），気圧マージン（Ａｌｔｉｔｕｄｅｍａｒｇｉｎ：気圧による飛行高さ（ＦＨ）の変化によるマージン）の激減などのような不良を招く可能性が非常に高い。
【００５８】
そこで，本発明では記録電流を設定するに当って各ヘッドのＴＰＴＰ特性を考慮することによって最適の記録電流制御を実現する。
【００５９】
以下，本発明にかかる記録電流制御方法について説明する。本発明による記録電流制御方法は，常温，低温，高温に合わせて個別的にテスト条件を設定し，それぞれのテスト条件でＴＰＴＰ特性を検出し，検出されたＴＰＴＰ特性で最も低いビットエラーレート（ＢＥＲ）を示す記録パラメータ例えばオーバーシュート電流（ＯＳＣ）の値を各温度モード（常温モード，低温モード，高温モード）で使用することを特徴とする。ここでいう常温，低温，高温は，例えばディスクの規格などに依存するものである。例えば常温としては１０℃以上４０℃未満，低温としては１０℃以下，高温としては４０℃〜５０℃である。但し，これらの温度に限定されるものではない。なお，低温モード，常温モード，高温モードはそれぞれ第１温度モード，第２温度モード，第３温度モードの１例を構成する。
【００６０】
それぞれのテスト条件でＴＰＴＰ特性を検出するためにオーバーシュート電流（ＯＳＣ）を変化させながら書込み及び読出しを繰り返してオーバーシュート電流（ＯＳＣ）対ビットエラーレート（ＢＥＲ），あるいはチャンネル統計的測定（ＣＳＭ）を測定する。また，それぞれのテスト条件で最も低いビットエラーレート（ＢＥＲ），あるいはチャンネル統計的測定（ＣＳＭ）を示すオーバーシュート電流（ＯＳＣ）が該当温度条件でのオーバーシュート電流（ＯＳＣ）に設定される。
【００６１】
本発明による記録電流制御方法において，低温に適したテスト条件は目標トラックにオントラック（ｏｎ  ｔｒａｃｋ）した状態であり，常温に適したテスト条件は目標トラックに隣接したトラックに第１の所定回数例えば所定回数Ｎほどデータを書き込むことである。また，高温に適したテスト条件は目標トラックに隣接したトラックに第３の所定回数所定回数Ｍ（ここで，Ｍ＞Ｎ）ほどデータを書き込むことである。
【００６２】
目標トラックに隣接したトラックにデータを書込まないか，書込み回数を別にすることは該当温度による近接トラックイレース（ＡＴＥ）の変化に相応させることであり，それぞれの条件でＴＰＴＰ特性を調べて最も低いビットエラーレート（ＢＥＲ）を示すオーバーシュート電流（ＯＳＣ）を選択することは該当温度でのＴＰＴＰによる影響を最も低くすることである。
【００６３】
このように，本発明による記録電流最適化方法によれば，近接トラックイレース（ＡＴＥ）特性及びＴＰＴＰ特性を考慮して温度によって最適化された記録電流を設定させることができる。
【００６４】
このような本発明による記録電流最適化方法を図面を参照しながらより詳細に説明する。図９は，本発明による記録電流最適化方法の１例を示すフローチャートである。図９に示す記録電流最適化方法では，まず，ステップＳ９０２にて目標トラックにオントラックした状態で目標トラックで最も低いエラー率を示すオーバーシュート電流（ＯＳＣ）を検出する。
【００６５】
そして，具体的に与えられたオーバーシュート電流（ＯＳＣ）条件で目標トラックに所定回数（例えば１０回）ほどデータを書き込んだ後，目標トラックを所定回数（例えば６００回）のみ読み出してエラー率を測定する過程をオーバーシュート電流（ＯＳＣ）条件を変えながら繰り返してＴＰＴＰ特性を検出する。エラー率はビットエラーレート（ＢＥＲ），あるいはチャンネル統計的測定（ＣＳＭ）に測定される。オーバーシュート電流（ＯＳＣ）は通常３２ステップまで制御されるが，安全のために２８ステップまでシープ（ｓｗｅｅｐ）させる。
【００６６】
そして，求められたＴＰＴＰ特性，すなわち，オーバーシュート電流（ＯＳＣ）対ビットエラーレート（ＢＥＲ），あるいはチャンネル統計的測定（ＣＳＭ）で最低のビットエラーレート（ＢＥＲ），あるいはチャンネル統計的測定（ＣＳＭ）に相当するオーバーシュート電流（ＯＳＣ＿１）を選択する。このＯＳＣ＿１が低温条件（第１の温度モード又は低温モード）で使われるオーバーシュート電流（ＯＳＣ）になる。
【００６７】
次いで，ステップＳ９０４にて目標トラックに隣接したトラックに第１の所定回数例えば所定回数Ｎ（例えば１００回）ほどデータを書き込む状態で目標トラックで最も低いエラー率を示すオーバーシュート電流（ＯＳＣ）を検出する。具体的に与えられたオーバーシュート電流（ＯＳＣ）条件で目標トラックに隣接したトラックに例えば１００回ほどデータを書き込んだ後，目標トラックを第２の所定回数例えば６００回ほど読み出してエラー率を測定する過程をオーバーシュート電流（ＯＳＣ）条件を変えてながら繰り返してＴＰＴＰ特性を検出する。
【００６８】
そして，求められたＴＰＴＰ特性，すなわちオーバーシュート電流（ＯＳＣ）対ビットエラーレート（ＢＥＲ），あるいはチャンネル統計的測定（ＣＳＭ）で最低のビットエラーレート（ＢＥＲ），あるいはチャンネル統計的測定（ＣＳＭ）に相当するオーバーシュート電流（ＯＳＣ＿２）を選択する。このＯＳＣ＿２が常温条件（第２の温度モード又は常温モード）で使われるオーバーシュート電流（ＯＳＣ）になる。
【００６９】
最後に，ステップＳ９０６にて目標トラックに隣接したトラックに第３の所定回数例えば所定回数Ｍ（ここで，Ｍ＞Ｎ），例えば１０００回ほどデータを書き込む状態で目標トラックで最も低いエラー率を示すオーバーシュート電流（ＯＳＣ）を検出する。具体的に与えられたオーバーシュート電流（ＯＳＣ）条件で目標トラックに隣接したトラックに所定回数（例えば１０００回）のみデータを書き込んだ後，目標トラックを第４の所定回数例えば６００回のみ読み出してエラー率を測定する過程をオーバーシュート電流（ＯＳＣ）条件を変えてながら繰り返してＴＰＴＰ特性を検出する。
【００７０】
そして，求められたＴＰＴＰ特性，すなわち，オーバーシュート電流（ＯＳＣ）対ビットエラーレート（ＢＥＲ），あるいはチャンネル統計的測定（ＣＳＭ）で最低のビットエラーレート（ＢＥＲ），あるいはチャンネル統計的測定（ＣＳＭ）に相当するオーバーシュート電流（ＯＳＣ＿ｄ）を選択する。このＯＳＣ＿ｄが高温条件（第３の温度モード又は高温モード）で使われるオーバーシュート電流（ＯＳＣ）になる。
【００７１】
このような図９に示す過程（処理）は，例えばヘッド及びデータゾーンを変えて繰り返して行われる。測定結果として，ヘッド別，データゾーン別，温度条件別記録電流設定パラメータが得られる。得られた記録電流設定パラメータはシステムシリンダ，あるいは不揮発性メモリに記憶され，動作環境で適切な値が選択されて使われる。
【００７２】
図９に示す各過程（処理）で得られたＴＰＴＰ特性で最も低いビットエラーレート（ＢＥＲ），あるいはチャンネル統計的測定（ＣＳＭ）を選定し難い場合が発生できる。特に，チャンネル統計的測定（ＣＳＭ）はビットエラーレート（ＢＥＲ）に比べて小さい数字であるので，若干の誤差によっても相当な書込み条件の変化を招きうる。
【００７３】
ここで，ＴＰＴＰ特性の他の例を図１０にグラフで示す。図１０において最も低いビットエラーレート（ＢＥＲ）に相応するオーバーシュート電流（ＯＳＣ）が２カ所（ＯＳＣ１，ＯＳＣ２）存在する。この場合のために正規化する過程が必要である。正規化のために２つのＯＳＣ１，ＯＳＣ２を平均化して中間値のオーバーシュート電流（ＯＳＣ＿ｍｅａｎ）とすることが考えられるが，必ずしも平均化によるものには限られない。
【００７４】
なお，チャンネル統計的測定（ＣＳＭ）の場合には正規化によって得られるオーバーシュート電流（ＯＳＣ）が最小ＣＳＭの１.３倍の範囲で選定されるように制限することが望ましい。すなわち，選定されたオーバーシュート電流（ＯＳＣ）に相応するチャンネル統計的測定（ＣＳＭ）が最小ＣＳＭの１.３倍になる範囲内に制限する。
【００７５】
また，あるデータゾーンで得られたオーバーシュート電流（ＯＳＣ）が隣接したデータゾーンで得られたオーバーシュート電流（ＯＳＣ）に比べて顕著に異なる場合には測定が誤って行われる可能性が高いので，隣接したデータゾーンで得られたオーバーシュート電流（ＯＳＣ）を参照して正規化することも含まれる。
【００７６】
さらに，図９に示すステップＳ９０４は，隣接トラックに書き込む回数が相当多いことによってテスト時間が過多にかかる。これを軽減するためにステップＳ９０４はあらゆるデータゾーンに対して行うことよりは内周（Ｉｎｎｅｒ  Ｄｉａｍｅｔｅｒ：ＩＤ），中間（Ｍｉｄｄｌｅ Ｄｉａｍｅｔｅｒ：ＭＤ），そして，外周（Ｏｕｔｅｒ Ｄｉａｍｅｔｅｒ：ＯＤ）での代表的なゾーンに対して行われ，代表ゾーンで得られた値をそれぞれＩＤ，ＭＤ，ＯＤのあらゆるゾーンに対して同一に適用するように簡略化できる。また，オーバーシュート電流（ＯＳＣ）を変化させる範囲も低い範囲内に限定できる。高温条件では高いオーバーシュート電流（ＯＳＣ）が使われないので，３２ステップに調整される場合，２−１０ステップ間で変化させる。
【００７７】
また，ＯＳＣ＿ｄは常温に適したオーバーシュート電流（ＯＳＣ＿２）とステップＳ９０６で得られる最低ビットエラーレート（ＢＥＲ）に相応するオーバーシュート電流（ＯＳＣ）間の値として設定されうる。
【００７８】
図９に示すような本発明による記録電流最適化方法は，ヘッド毎の相異なる記録性及び近接トラックイレース（ＡＴＥ）特性を有する現状においては，各ヘッド毎の記録性及び近接トラックイレース（ＡＴＥ）特性を測定してシステムシリンダかバッファに記憶し，実際動作環境では近接トラックイレース（ＡＴＥ）特性を考慮してヘッドの記録性能を保障する限度での最小の書込み電流（ＷＣ）及びオーバーシュート電流（ＯＳＣ）を使用し，低温では最低ビットエラーレート（ＢＥＲ）を有する高い書込み電流（ＷＣ）及びオーバーシュート電流（ＯＳＣ）を使用することによってヘッドの記録性能を保障する。
【００７９】
次に，本発明による記録密度設定方法を図面を参照しながら説明する。図１１は，本発明による記録密度設定方法の１例を示すフローチャートである。本発明による記録密度設定方法は最悪の使用条件でエラー率を検出し，検出されたエラー率を所定の閾値（スレッショルド値）Ｅｒｒｏｒ＿ｃと比較し，比較結果によって記録密度を設定することを特徴とする。
【００８０】
図１１に示す記録密度設定方法は，先ず，ステップＳ１１０２にてオーバーシュート電流（ＯＳＣ）条件を設定する。オーバーシュート電流（ＯＳＣ）条件は設定できる最大値になることが望ましいが，安全を考慮して最大値より若干低い値，例えば３２ステップに調整できる場合，２８ステップ程度に設定する。
【００８１】
次いで，ステップＳ１１０４にて目標トラックに第１１の所定回数例えば所定回数Ｉほどデータを書き込み，目標トラックに隣接したトラックに第１２の所定回数例えば所定回数Ｊほどデータを書き込む。そして，ステップＳ１１０６にて目標トラック及び一側隣接方向に３つのトラック（目標トラックをＮとすると例えばＮ−３，Ｎ，Ｎ＋３の全体で７つのトラック）を第１３の所定回数例えば所定回数Ｋほど読み出してエラーを検出する。例えば各トラックの２５５セクタを６００回読出してエラーを検出する。なお，目標トラックに隣接した両側３つのトラックに書き込む理由は，書込みヘッドでの磁気漏れがポール間の孔隙で発生する場合もあるが，あるヘッドの場合には書込みポール自体で発生する場合もあるためである。その他，書込みヘッドのスキューを考慮する側面などもある。
【００８２】
ここで，エラー判断条件を下げる。例えばＥＣＣ条件を１２バイトに下げ，リトライ回数も２回程度に下げる。ＥＣＣ条件を１２バイトに下げる場合，それほどエラー補正能力が低下する。また，リトライ回数を２回に下げれば，それほどエラー補正能力が低下される。
【００８３】
次いで，ステップＳ１１０８にてエラー数を計数する。続いて，ステップＳ１１１０にて，ステップＳ１１０８で検出されたエラー数と，所定の閾値（スレッショルド値）Ｅｒｒｏｒ＿ｃとを比較する。ステップＳ１１０８の結果，検出されたエラー数が所定の閾値（スレッショルド値）Ｅｒｒｏｒ＿ｃより大きければ，ステップＳ１１１２にて正常の場合（例えばステップＳ１１１４の場合）よりも低いトラック密度（ＴＰＩ）及び低い記録容量に設定する。これに対して，検出されたエラー数が所定の閾値（スレッショルド値）Ｅｒｒｏｒ＿ｃより大きくなければ，ステップＳ１１１４にて正常的なトラック密度（ＴＰＩ）及び正常な記録容量に設定する。例えば検出されたエラー率を所定の閾値（スレッショルド値）Ｅｒｒｏｒ＿ｃより大きければ，トラック密度（ＴＰＩ）を下げて低い記憶容量（例えば２０Ｇバイト）が設定され，検出されたエラー率を所定の閾値（スレッショルド値）Ｅｒｒｏｒ＿ｃより大きくなければ，現在の最大の記憶容量（例えば４０Ｇバイト）を維持するように最大のトラック密度（ＴＰＩ）が維持される。
【００８４】
なお，ステップＳ１１０４にて目標トラックにデータを書込む所定回数Ｉ，目標トラックに隣接したトラックにデータを書込む所定回数Ｊ，ステップＳ１１０６にて目標トラック及び一側隣接方向に３つのトラック（全体７つのトラック）を読出す所定回数Ｋはそれぞれ品質要求条件によって変わる。
【００８５】
また，図１１に示す過程（処理）ではオーバーシュート電流（ＯＳＣ）の変化例を挙げて説明したが，書込み電流（ＷＣ）かその他の条件を変化させることも可能である。さらに，図１１に示す過程（処理）は，例えばヘッド別，データゾーン別に行われ，その結果によってディスクの記録容量，データゾーン別のトラック密度（ＴＰＩ）などが設定できる。
【００８６】
こうして，図１１に示す過程（処理）により，ＨＤＤに印加できる最悪の近接トラックイレース（ＡＴＥ）テスト条件でのエラー率を測定し，その結果によってトラック密度（ＴＰＩ），あるいは記録容量を設定することができる。
【００８７】
このように，本発明によれば，ＨＤＤにおいて例えば記憶容量の増加，磁気ヘッドの記録幅の狭小化によって発生する近接トラックイレース（ＡＴＥ）の影響を減少させることができる。また，磁気ヘッドとディスクとの衝突を防止できるので，磁気ヘッドの雑音を低下させることもできる。
【００８８】
すなわち，本発明による記録電流最適化方法によれば，動作環境での温度条件に相応するテスト条件下でＴＰＴＰ特性を調べ，最低のエラー率を示す記録パラメータ（例えばオーバーシュート電流など）を設定することによって，動作環境温度に応じて記録電流を最適化することができる。
【００８９】
さらに，本発明による記録電流最適化方法によれば，ヘッド毎の相異なる記録性及び近接トラックイレース（ＡＴＥ）特性を有する現状で，各ヘッド毎の記録性及び近接トラックイレース（ＡＴＥ）特性を測定してシステムシリンダかバッファに記憶し，動作環境では近接トラックイレース（ＡＴＥ）特性を考慮してヘッドの記録性能を保障する限度での最小の書込み電流（ＷＣ）及びオーバーシュート電流（ＯＳＣ）を使用し，低温では最低ビットエラーレート（ＢＥＲ）を有する高い書込み電流（ＷＣ）及びオーバーシュート電流（ＯＳＣ）を使用する。したがって，各ヘッドごとに書込み及び近接トラックイレース（ＡＴＥ）特性が考慮され，各ヘッドの記録性能が保障される。
【００９０】
また，本発明による記録密度設定方法はＨＤＤに印加できる最悪の近接トラックイレース（ＡＴＥ）テスト条件でのエラー率を測定し，その結果によってトラック密度（ＴＰＩ）あるいは記録容量を設定することによってＨＤＤの最低記録容量を決定することもできる。
【００９１】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
例えば本発明を適用可能な磁気ディスク装置としては，上記実施形態で例に挙げたハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の他，光磁気ディスク装置などの様々な磁気ディスク装置に適用してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００９２】
本発明は，例えばハードディスクドライブ（単に「ＨＤＤ」ともいう）のような磁気ディスク装置の記録電流最適化方法及び記録密度設定方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】本発明を適用可能なＨＤＤの構成例を示す断面図である。
【図２】図１に示す電子回路の詳細な構成を示すブロック図である。
【図３Ａ】ＴＰＴＰによる影響を模式的に示す図であって，再生動作を行う時のヘッドの状態を示す図である。
【図３Ｂ】ＴＰＴＰによる影響を模式的に示す図であって，記録動作を行う時のヘッドの状態を示す図である。
【図４】ＨＤＤの記録電流の波形を示す波形図である。
【図５】オーバーシュートコントロールの変化によるＴＰＴＰの変化の程度をグラフで示す図である。
【図６】オーバーシュート電流（ＯＳＣ）とビットエラーレート（ＢＥＲ）との関係をグラフにした一例を示す図である。
【図７】オーバーシュート電流（ＯＳＣ）とチャンネル統計的測定（ＣＳＭ）との関係をグラフにした一例を示す図である。
【図８】色々なヘッドのＴＰＴＰ特性の例をグラフに示す図である。
【図９】本発明にかかる記録電流最適化方法を示すフローチャートである。
【図１０】ＴＰＴＰ特性の他の例をグラフに示す図である。
【図１１】本発明にかかる記録密度設定方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００９４】
１０２      ディスク
１０４      スピンモータ
１０６      ベースプレート
１０８      アクチュエーターアームアセンブリ
１１０      ヘッド
１１２      サスペンション
１１４      アクチュエーターアーム
１１６      ベアリングアセンブリ
１１８      ボイスコイル
１２０      電子回路
１２２      回路基板
１７２      前置増幅器
１７６      フィルタ回路
１７８      電波整流器
１８０      ピーク検出器
１８２      サーボ制御機
１８８      タイミング回路
１９０      メモリ
１９２      ロジック回路
【図１】
2004199860.tif 000003
【図２】
2004199860.tif 000004
【図３Ａ】
2004199860.tif 000005
【図３Ｂ】
2004199860.tif 000006
【図４】
2004199860.tif 000007
【図５】
2004199860.tif 000008
【図６】
2004199860.tif 000009
【図７】
2004199860.tif 000010
【図８】
2004199860.tif 000011
【図９】
2004199860.tif 000012
【図１０】
2004199860.tif 000013
【図１１】
2004199860.tif 000014