(57)【要約】【課題】温度を同時測定する、小型化で温度応答性及び気密性等信頼性の高い半導体圧力センサを提供することにある。【解決手段】あらかじめパイプ組１０に温度測定用のサーミスタ１８と、外部への接続用タンシ８を溶接固定し、これを外部との接続用コネクタ１５，取付用フランジ２３を形成させながら、合成樹脂でパイプ組１０を覆い、半導体ゲージケース組１の収納ケース１４を形成する。このケース１４内に、前記半導体ゲージケース組１を前記外部接続用端子８に溶接し、気密封止用のエポキシ樹脂１７を充填硬化させれば、半導体圧力センサが得られる。【効果】部品点数や組み立て工数の大幅削減と外装ケースの、小型化とシームレスな構造となるため、高信頼性化が可能となる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧力を検出する半導体を備えた圧力センサにおいて、被測定媒体の温度変化を電気信号に変換する温度センサを備え、パイプ組を合成樹脂で、二重モールド成形構造としたことを特徴とした圧力センサ。
【請求項２】
前記パイプ組にインサートされている、金属ターミナルに被測定媒体の温度測定用のサーミスタと、外部電気的接続用金属端子が溶接固定されていることを特徴とした圧力センサ。
【請求項３】
前記二重モールド成形構造で、パイプ組と、半導体圧力センサ収納ケース隙間と金属ターミナル及び、金属端子隙間の気密封止用としてエポキシ樹脂を、充填固定したことを特徴とした圧力センサ。
【請求項４】
前記二重モールド成形合成樹脂は、パイプ組と同一材質で、線膨張係数は１５〜３８ｐｐｍ／℃  、気密封止用エポキシ樹脂のガラス転移点は、１６０℃以上で、線膨張係数は、１５〜３８ｐｐｍ／℃  との組み合わせとしたことを特徴とした圧力センサ。
【請求項５】
前記二重モールド成形において、前記温度測定用サーミスタ収納部の構造は、サーミスタとターミナルの溶接部が被測定媒体の通気孔から見えない位置に設けられたことを特徴とした圧力センサ。
【請求項６】
前記パイプ組のサーミスタ側端部通気孔部に、壁を設けたことを特徴とした圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、圧力センサ、特には温度センサ一体型半導体圧力センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の圧力センサ端子部などの気密保持方法は、特許文献１に記載のように、金属リード材を有機樹脂材等でインサート成形した際、ゲルなどの保護部材を用いていて気密性を確保していた。しかし、各部材の線膨張係数差により、冷熱サイクルで各部界面に隙間が発生し、気密性が低下する問題があった。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１１−３０４６１９号
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決する課題は、被測定媒体の圧力変化と被測定媒体の温度変化を電気信号に変換する温度センサを兼ね備えた半導体圧力センサにおいて、端子，金属リードからの気密性低下を防止することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
被測定媒体の圧力変化と被測定媒体の温度変化を電気信号に変換する温度センサを兼ね備えた半導体圧力センサにおいて、パイプ組を合成樹脂で一体成形した後、パイプ組と半導体圧力センサ収納ケース隙間と金属ターミナル及び、金属端子隙間の気密封止用として合成樹脂と線膨張係数が近似したエポキシ樹脂を充填固定することで、気密性を確保することが可能となる。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下、図１〜図６を用いて、本発明の一実施例により、半導体圧力センサの構成に付いて説明する。最初に図１及び図２を用いて、本発明の一実施形態による半導体圧力センサのセンサ組の構成に付いて説明する。図１は、本発明の一実施形態による半導体圧力センサの構成を示す断面図である。図２は、図１の、本発明の平面図である。図３は、図１の、後外観図である。
【０００７】
図４，図５は、本発明のパイプ組の断面図である。図６は、図５の平面図である。
【０００８】
まず、図４，図５のパイプ組１０の構成はターミナル１１をインサートして、合成樹脂でモールド成形する。形状は圧力導入孔１３と、二重成形時の位置決め穴１２と水，ガソリン等の侵入防止壁１６を設けてなる。この侵入防止壁は、根元を直角にすることで、表面張力によるガソリンなどの吸い上がりを防止する効果がある。次にターミナル１１に温度測定用のサーミスタ１７と外部接続用端子８を溶接２１により、固定する。図１に示すように、外装ケース１４を構成させるために、前記パイプ組１０と外部接続用端子８ａ，８ｂ，取付フランジ形成用ブッシュ２２同時にセットし、パイプ組１０と同一合成樹脂により、二重成形で外部との接続用コネクタ部１５と外装ケース１４が形成出来る。
【０００９】
この時同時に図１のサーミスタ１８の被測定媒体を取り込む通気孔１９，２０も形成される。この通気孔は１９，２０は本実施例構造とすることで、外装ケース１４装着部の壁温に加わる熱の影響を排除すると共に、温度計測応答性の良いセンサとすることが出来る。
【００１０】
前記外装ケース１４に半導体ゲージケース組１に半導体ゲージチップ４をガラス台３に陽極接合等で接合されている。これをシリコーン接着剤２で接着する。次にリードターミナル６にアルミワイヤー５により、接続されている。更に半導体ゲージチップ４の保護としてフッソ系ゲル７で覆ってなる半導体ゲージケース組１を収納し、外部接続用端子８ｂ，８ｃ，８ｄとリードターミナル６をプロジェクション溶接２１で接合する。その後半導体ゲージチップを外部からの電磁波ノイズ等から保護するためのコンデンサ９ａをＧＮＤとＶｃｃ間９ｂをＧＮＤとＶｏｕｔ間にはんだ付けにより接続している。次に、圧力測定用のセンサは、気密漏れは特性に影響するので、完全に封止する事が重要である、そこで、パイプ組１０とターミナル１１及び外部接続用金属端子８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄを外装ケース１４モールド成形後樹脂単体が物理的に後収縮が起こり、微少な隙間が生じ漏れが発生するので、その隙間を封止させるために、エポキシ樹脂１７を充填硬化させることにより達成できる。このとき外装ケース樹脂１４と金属端子８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄとエポキシ樹脂１７の線膨張係数を近似させ物性的な動きをエポキシ樹脂の接着強度より小さくすることが重要である。特にエポキシ樹脂１７のガラス転移点温度を実使用温度より高めにしておく必要がある。なぜなら、物性的にガラス転移点を越えると急激に熱膨張が大きくなり、外装ケース１４とエポキシ樹脂１７の接着界面に剥離が生じるためである。次にＯリング２４を装着して半導体圧力温度一体センサが完成される。
【００１１】
尚、上述の各例において、基本的な考え方としては請求項に示した内容に包括されており、これらの構成要素で個別の構成要素については全く限定しないものである。
【００１２】
【発明の効果】
端子，金属リードからの気密低下を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態による半導体圧力センサの構成を示す断面図である。
【図２】図１の、本発明の平面図である。
【図３】図１の、後外観図である。
【図４】本発明のパイプ組の断面図である。
【図５】本発明のパイプ組の断面図である。
【図６】図５の平面図である。
【符号の説明】
１…半導体ゲージケース組、２…シリコーン接着剤、３…ガラス台、４…半導体ゲージチップ、５…アルミワイヤー、６…リードターミナル、７…フッソ系ゲル。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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