(57)【要約】【課題】ダイオードの配置面積及びダイオードの高さを減少することの可能なダイオード付タッチパネル及びその製造方法を提供する。【解決手段】蒸着された抵抗膜をレーザで焼き切り、接触検知領域１３、半導体設置領域１４及び給電端子領域１５に区分けする。さらに、半導体設置領域１４を第一の半導体端子領域１４１、第二の半導体端子領域１４２及び半導体接触領域１４３に三分割する。第一の給電端子１５１（及び第二の給電端子１５２）を給電端子設置領域及び第二の半導体端子領域に、電極１３１を接触検知領域及び第一の半導体端子領域に形成する。第一の半導体端子領域及び半導体接触領域１４３に第一型半導体を、第二の半導体端子領域及び半導体接触領域に第二型半導体を印刷してダイオードを形成する。【選択図】      図３
2004199357.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抵抗膜で覆われた矩形の接触検知領域と、
前記接触検知領域の外側に、前記接触検知領域の第一辺及び前記第一辺に隣接する第二辺に沿って配置される第一の給電端子と、
前記接触検知領域の外側に、前記第一辺に対向する第三辺及び前記第三辺に隣接し前記第二辺に対向する第四辺に沿って配置される第二の給電端子と、
前記接触検知領域の辺の内側に沿って適宜の間隔を隔てて形成される複数の電極と、
前記接触検知領域の第一辺に形成された前記電極と電気的接触を維持して印刷される第一辺第一型半導体、並びに前記第一の給電端子及び前記第一辺第一型半導体と電気的接触を維持して印刷される第一辺第二型半導体で構成される第一辺ダイオードと、
前記接触検知領域の第二辺に形成された前記電極と電気的接触を維持して印刷される第二辺第二型半導体、並びに前記第一の給電端子及び前記第二辺第二型半導体と電気的接触を維持して印刷される第一型半導体で構成される第二辺ダイオードと、
前記接触検知領域の第三辺に形成された前記電極と電気的接触を維持して印刷される第三辺第二型半導体、並びに前記第二の給電端子及び前記第三辺第二型半導体と電気的接触を維持して印刷される第三辺第一型半導体で構成される第三辺ダイオードと、
前記接触検知領域の第四辺に形成された前記電極と電気的接触を維持して印刷される第四辺第一型半導体、並びに前記第二の給電端子及び前記第四辺第一型半導体と電気的接触を維持して印刷される第四辺第二型半導体で構成される第四辺ダイオードと、を具備するダイオード付タッチパネル。
【請求項２】
矩形基板内部に接触検知領域を形成する接触検知領域形成段階と、
前記接触検知領域形成段階で形成された接触検知領域の外側に、前記接触検知領域の第一辺及び前記第一辺に隣接する第二辺に沿って第一の給電端子を形成する第一の給電端子形成段階と、
前記接触検知領域形成段階で形成された接触検知領域の外側に、前記第一辺に対向する第三辺及び前記第三辺に隣接し前記第二辺に対向する第四辺に沿って第二の給電端子を形成する第二の給電端子形成段階と、
前記接触検知領域の辺の内側に沿って適宜の間隔を隔てて複数の電極を形成する電極形成段階と、
前記接触検知領域の第一辺に形成された前記電極と電気的接触を維持する第一辺第一型半導体、並びに前記第一の給電端子及び前記第一辺第一型半導体と電気的接触を維持する第二型半導体を印刷して第一辺ダイオードを形成する第一辺ダイオード印刷段階と、
前記接触検知領域の第二辺に形成された前記電極と電気的接触を維持する第二辺第二型半導体、並びに前記第一の給電端子及び前記第二辺第二型半導体と電気的接触を維持する第一型半導体を印刷して第二辺ダイオードを形成する第二辺ダイオード印刷段階と、
前記接触検知領域の第三辺に形成された前記電極と電気的接触を維持する第三辺第二型半導体、並びに前記第二の給電端子及び前記第三辺第二型半導体と電気的接触を維持する第一型半導体を印刷して第三辺ダイオードを形成する第三辺ダイオード印刷段階と、
前記接触検知領域の第四辺に形成された前記電極と電気的接触を維持する第四辺第一型半導体、並びに前記第二の給電端子及び前記第四辺第一型半導体と電気的接触を維持する第四辺第二型半導体を印刷して第四辺ダイオードを形成する第四辺ダイオード印刷段階と、を含むダイオード付タッチパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はダイオード付タッチパネル及びその製造方法に係り、特に印刷ダイオードを使用したダイオード付タッチパネル及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
タッチパネルは液晶ディスプレイ等の表示装置の前面に設置することにより、表示装置に表示されたアイコンを直接スタイラス等で押下してコンピュータに直接指令を入力することが可能となるので、ＰＤＡ、ＰＯＳ等の端末に広く使用されている。
【０００３】
従来から使用されているタッチパネルは、透明抵抗膜が形成されたガラス板と透明プラスチックシートとがスペーサを介して対向配置された構成を有し、タッチパネルの一方の対向辺（Ｙ軸に沿う辺）に沿ってガラス板に第一の電極が形成され、一方の対向辺と直交する他方の対向辺（Ｘ軸に沿う辺）にそって透明プラスチックシートに第二の電極が形成されている（特許文献１参照）。
【０００４】
Ｙ軸に沿う電極間に所定の電圧を印加してガラス板上面にＸ軸方向の電界を生成し、透明プラスチックシートの電圧を検出することによりスタイラスの接触位置のＸ座標を決定する。
【０００５】
さらに、Ｘ軸に沿う電極間に所定の電圧を印加して透明プラスチックシート下面にＹ軸方向の電界を生成し、ガラス板の電圧を検出することによりスタイラスの接触位置のＹ座標を決定する。
【０００６】
即ち、従来のタッチパネルはガラス板だけでなく、透明プラスチックシートにも電界を生成する必要がある。
【０００７】
しかし、スタイラスにより押下を繰り返すと、透明プラスチックシート下面に形成された抵抗膜にひび割れが発生したときには、透明プラスチックシートに生成される電界に歪みが生じ接触位置の検出精度が悪化することは回避できない。
【０００８】
そこで、ガラス板上の透明抵抗膜の隣接する辺に沿って連続する差金型に電極を形成し、ダイオードを介して電極に電圧を印加するダイオード付タッチパネルが提案されている（特許文献２参照）。
【０００９】
図１は従来のダイオード付タッチパネルの構成図であって、ガラス基板１０上の透明抵抗膜１１の四辺には四つの電極群１１１〜１１４が配置されている。
【００１０】
第一の電極群１１１は第一のダイオード群１２１を介して、第二の電極群１１２は第二のダイオード群１２２を介して第一の母線Ｖａに接続される。
【００１１】
第三の電極群１１３は第三のダイオード群１２３を介して、第四の電極群１１４は第四のダイオード群１２４を介して第二の母線Ｖｂに接続される。
【００１２】
第一の電圧供給線Ｖａを高電圧源に、第二の電圧供給線Ｖｂを低電圧源に接続すると、透明抵抗膜１１に第二の電極群１１２から第四の電極群１１４に向かうＸ方向の電界が形成され、接触位置のＸ座標が検出される。
【００１３】
第一の電圧供給線Ｖａを低電圧源に、第二の電圧供給線Ｖｂを高電圧源に接続すると、透明抵抗膜１１に第三の電極群１１３から第一の電極群１１１に向かうＹ方向の電界が形成され、接触位置のＹ座標が検出される。
【００１４】
図２は一つのダイオード周辺（図１の点線楕円部）の拡大図であって、（イ）は平面図、（ロ）はＢ−Ｂ断面図であって、第一の電極１１１と第二の電圧供給線Ｖｂの間にダイオード１２１が半田付けされ、全体が絶縁層２０で覆われている。
【００１５】
即ち、ダイオード付タッチパネルによれば、ガラス基板上の透明抵抗膜上にＸ軸及びＹ軸方向の電界が形成され、透明プラスチックシートの透明抵抗膜は接触位置の電位を検出できればよいので、透明プラスチックシートの透明抵抗膜にひび割れが発生しても座標検出精度が悪化することはない。
【００１６】
【特許文献１】
特開昭５９−０８５５８４号公報（第２頁、第２図、第４図）
【特許文献２】
特開平０５−２６５６３３号公報（第３頁、図４）
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記提案に係るダイオード付タッチパネルはガラス基板周辺にダイオードを配置する必要があるため、タッチパネルの有効面積が減少するだけでなく、タッチパネルの厚さが増加することも回避することはできない。
【００１８】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであって、ダイオードの配置面積及びタッチパネルの厚さを低減することの可能なダイオード付タッチパネル及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るダイオード付タッチパネルは、抵抗膜で覆われた矩形の接触検知領域と、接触検知領域の外側に接触検知領域の第一辺及び前記第一辺に隣接する第二辺に沿って配置される第一の給電端子と、接触検知領域の外側に第一辺に対向する第三辺及び第三辺に隣接し第二辺に対向する第四辺に沿って配置される第二の給電端子と、接触検知領域の辺の内側に沿って適宜の間隔を隔てて形成される複数の電極と、接触検知領域の第一辺に形成された電極と電気的接触を維持して印刷される第一辺第一型半導体並びに第一の給電端子及び第一辺第一型半導体と電気的接触を維持して印刷される第一辺第二型半導体で構成される第一辺ダイオードと、接触検知領域の第二辺に形成された電極と電気的接触を維持して印刷される第二辺第二型半導体並びに第一の給電端子及び第二辺第二型半導体と電気的接触を維持して印刷される第二辺第一型半導体で構成される第二辺ダイオードと、接触検知領域の第三辺に形成された電極と電気的接触を維持して印刷される第三辺第二型半導体並びに第二の給電端子及び第三辺第二型半導体と電気的接触を維持して印刷される第三辺第一型半導体で構成される第三辺ダイオードと、接触検知領域の第四辺に形成された電極と電気的接触を維持して印刷される第四辺第一型半導体並びに第二の給電端子及び第四辺第一型半導体と電気的接触を維持して印刷される第四辺第二型半導体で構成される第四辺ダイオードと、を具備する。
【００２０】
本発明にあっては、接触検知領域の辺に沿って配置されるダイオードは、第一型半導体及び第二型半導体を、電気的接触を維持して印刷することにより形成される。
【００２１】
【発明の実施の形態】
図３は本発明に係るダイオード付タッチパネルの製造方法の説明図であって、第一段階（ａ）で、ガラス基板１０の一方の面に透明抵抗膜を形成する。
【００２２】
第二段階（ｂ）で、線１１及び１２に沿ってレーザ光で抵抗膜を焼き切り、ガラス基板１０の中央部の接触検知領域１３、接触検知部１３の外側のダイオード設置部１４、及びダイオード設置部１４の外側の給電端子領域１５に分割する。
【００２３】
以下ではガラス基板の辺近傍の一部（ｂの○内部）を拡大して製造方法を説明する。
【００２４】
第三段階（ｃ）で、ダイオード設置部１４を以下のように加工する。
【００２５】
そして、ダイオード設置領域１４を線１１及び線１２に垂直な線１６１及び１６２で焼き切り、第一の半導体端子領域１４１、第二の半導体端子領域１４２、及び第一の半導体端子領域１４１と第二の半導体端子領域１４２に挟まれた半導体接触領域１４３に分割する。なお、半導体接触領域１４３は抵抗膜を全部除去するか、抵抗膜上面を絶縁膜で覆って、絶縁性とすることが必要である。
【００２６】
なお、線１６１及び１６２に沿う焼き切りは、給電端子領域１５に及んでも支障はない。
【００２７】
第四段階（ｄ）で、給電端子領域１５及び第二の半導体端子領域１４２に第一の給電端子１５１及び第二の給電端子１５２を形成する。
【００２８】
第一の給電端子１５１はガラス基板１０の第一辺、及び第一辺に隣接する第二辺に沿う差金形状であり、第二の給電端子１５２は第一辺に対向する第三辺、及び第二辺に対向し第三辺に隣接する第四辺に沿う差金形状である。
【００２９】
図３（ｄ’）は図３（ｄ）の○領域の拡大図であり、第一の給電端子１５１（及び第二の給電端子１５２）は、第二の半導体端子領域１４２に伸延する突起１５０を有する。
【００３０】
さらに第四段階では図３（ｄ”）に示すように、接触検知領域１３と第一の半導体端子領域１４１を跨ぐＴ字形の電極１３１も複数形成する。
【００３１】
図４は、給電端子及び電極形成後のガラス基板１０の平面図である。
【００３２】
第五段階（ｅ）で、第一の半導体端子領域１４１と半導体接触領域１４３を跨いで第一型（例えばＰ型）半導体１４４を印刷する。
【００３３】
第六段階（ｆ）で、第二の半導体端子領域１４２と半導体接触領域１４３を跨ぎ、かつ半導体接触領域１４３内で第一型（例えばＰ型）半導体１４４に接するように第二型（例えばＮ型）半導体１４５を印刷する。
【００３４】
第一辺に沿って印刷する第一型半導体をＰ型、第二型半導体をＮ型とした場合は、第二辺に沿って印刷する第一型半導体はＮ型、第二型半導体はＰ型となる。そして、第三辺に沿って印刷する第一型半導体はＮ型、第二型半導体はＰ型と、第四辺に沿って印刷する第一型半導体はＰ型、第二型半導体はＮ型となる。
【００３５】
図５はダイオード印刷後のガラス基板１０の平面図である。
【００３６】
第七の段階（ｇ）で、接触検知部１３以外の領域を絶縁物でコーティングして基板が完成する。
【００３７】
その後基板上を透明抵抗膜及び電極を印刷した例えばＰＥＴフィルムのような透明プラスチックシートで覆うことによりダイオード付きタッチパネルが完成する。
【００３８】
【発明の効果】
本発明に係るダイオード付タッチパネルによれば、Ｐ型半導体とＮ型半導体を印刷することによりダイオードが形成されるので、ダイオード設置部の幅を狭くすることができるので接触検知部の面積を大きくすることができるだけでなく、タイオードの高さを低減してタッチパネルを薄くすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のダイオード付タッチパネルの構成図である。
【図２】ダイオード周辺の拡大図である。
【図３】本発明に係るダイオード付タッチパネルの製造方法の説明図である。
【図４】給電端子及び電極形成後のガラス基板の平面図である。
【図５】ダイオード形成後のガラス基板の平面図である。
【符号の説明】
１０…ガラス基板
１３…接触検知領域
１３１…電極
１４…ダイオード設置領域
１４１…第一の半導体端子領域
１４２…第二の半導体端子領域
１４３…半導体接触領域
１４４…第一型半導体
１４５…第二型半導体
１５…給電端子領域
１５１…第一の給電端子
１５２…第二の給電端子
【図１】
2004199357.tif 000003
【図２】
2004199357.tif 000004
【図３】
2004199357.tif 000005
【図４】
2004199357.tif 000006
【図５】
2004199357.tif 000007