(57)【要約】【課題】リフロー実装時において、シールドケースが離脱することのない半導体装置を提供する。【解決手段】基板４の導電性パターンにチップが実装され、全体が樹脂にて封止された半導体装置であって、封止樹脂にシールドケース３が埋め込まれている。そして、シールドケース３の一部が封止樹脂の外面から突出されてＧＮＤ端子３ａに形成されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の導電性パターンにチップが実装され、全体が樹脂にて封止された半導体装置であって、前記封止樹脂にシールドケースが埋め込まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記シールドケースが封止樹脂の外面から突出するＧＮＤ端子を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
チップを搭載するための複数個の導電性パターンが縦横に形成された基板の各導電性パターンにチップを実装した後、基板の各導電性パターン上にシールドケースを被せ、次いで、全体を樹脂にて封止し、基板を各導電性パターンごとに切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記基板に位置決め穴が形成されていることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記シールドケースが、基板の各導電性パターンにそれぞれ対向するように、多連シールドケース板に設けられていることを特徴とする請求項３または４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記多連シールドケース板に、基板の位置決め穴に対応して位置決め穴が形成されていることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記基板に、シールドケースのＧＮＤ端子を折り曲げるためのスリットが形成されていることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光空間伝送デバイスなどの半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在、赤外線によるデータ通信を行うには、ＩｒＤＡ１．０（伝送速度２．４ｋｂｐｓ〜１１５．２ｋｂｐｓ）や、ＩｒＤＡ１．１（伝送速度９．６ｋｂｐｓ〜４Ｍｂｐｓ）の他に、ローパワー用のＩｒＤＡ１．２が規格化されており、ＰＤＡ（携帯情報端末）や携帯電話などの製品に広く利用されている。
【０００３】
これらの製品に搭載される半導体装置、具体的には、面実装型光空間伝送デバイス（以下、光空間伝送デバイスという。）には、基板上にフォトダイオードチップと集積回路チップと発光ダイオードチップなどが搭載され、全体が樹脂によって封止された素子が用いられている。
【０００４】
光空間伝送デバイスを構成する素子は、電磁ノイズや外乱光によって影響を受け易いことから、周囲を金属製のシールドケースで被覆する必要がある。
【０００５】
例えば、光空間伝送デバイス１１は、図８に示すように、基板上に搭載されたフォトダイオードチップと集積回路チップと発光ダイオードチップなどを基板とともに樹脂にて封止してなる素子１２と、素子１２の上面と接着剤を介して接着された金属製シールドケース１３と、から構成されている。
【０００６】
そして、このような光空間伝送デバイス１１を製造するには、縦横方向に複数個の導電性パターン４ａを形成した基板４（図９参照）の各導電性パターン４ａに、フォトダイオードチップ５、集積回路（ＩＣ）チップ６、発光ダイオードチップ７などをＡｇペーストなどの接着剤を介して接着するとともに、フォトダイオードチップ５、集積回路（ＩＣ）チップ６、発光ダイオードチップ７の各電極を、Ａｕ線などの導電性素材で基板４の各導電性パターン４ａと接続する（図１０および図１１参照）。この後、全体を発光レンズ８および受光レンズ９とともに樹脂モールドして多連素子板１２Ｚ（図１２参照）を形成する。次いで、多連素子板１２Ｚを各導電性パターン４ａごとに切断し、図８に示す単品状の素子１２を得る。
【０００７】
一方、別工程において、金属製の板材を切断し、折り曲げ加工しておいたシールドケース１３（図８参照）をその上面部が下方になるように作業台に配置し、シールドケース１３の上面部の内面に接着剤を塗布した後、素子１２の上面を下方に向けてシールドケース１３に嵌め込み、素子１２の上面とシールドケース１３の上面部とを接着するようにしている（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００１−１６０５９６号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１に記載された光空間伝送デバイスにおいては、素子およびシールドケースが接着剤を介して接着されていることから、接着剤の塗布量や硬化条件などによっては、シールドケースが素子に必ずしも強固に接着していない場合があり、光空間伝送デバイスをリフロー実装するとき、シールドケースが素子から離脱することがある。
【００１０】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、リフロー実装時において、シールドケースが離脱することのない半導体装置およびその製造方法を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基板の導電性パターンにチップが実装され、全体が樹脂にて封止された半導体装置であって、前記封止樹脂にシールドケースが埋め込まれていることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明によれば、シールドケースが封止樹脂に埋め込まれて一体化されていることにより、半導体装置をリフロー実装するとき、シールドケースが離脱することを確実に防止することができる。
【００１３】
本発明において、前記シールドケースが封止樹脂の外面から突出するＧＮＤ端子を有すると、半導体装置をリフロー実装する際、容易に接地することができる。
【００１４】
本発明は、チップを搭載するための複数個の導電性パターンが縦横に形成された基板の各導電性パターンにチップを実装した後、基板の各導電性パターン上にシールドケースを被せ、次いで、全体を樹脂にて封止し、基板を各導電性パターンごとに切断することを特徴とするものである。
【００１５】
本発明によれば、シールドケースが封止樹脂に埋め込まれて一体化され、リフロー実装時に離脱することのない半導体装置を簡単に製造することができる。
【００１６】
本発明において、前記基板に位置決め穴が形成されていると、基板の各導電性パターンに対してチップなどを正確に実装することができる。
【００１７】
本発明において、前記シールドケースが、基板の各導電性パターンにそれぞれ対向するように、多連シールドケース板に設けられていると、基板に多連シールドケース板を被せることにより、基板に形成された各導電性パターンに、多連シールドケース板の各シールドケースをそれぞれ対向させることができる。
【００１８】
本発明において、前記多連シールドケース板に、基板の位置決め穴に対応して位置決め穴が形成されていると、基板の位置決め穴に多連シールドケース板の位置決め穴を合わせて、基板に多連シールドケース板を被せた場合、基板の各導電性パターンに、多連シールドケース板の各シールドケースを正確に対向させることができる。
【００１９】
本発明において、前記基板に、シールドケースのＧＮＤ端子を折り曲げるためのスリットが形成されていると、基板のスリットに臨むように設けられたシールドケースの突出部をスリットを通して折り曲げ、ＧＮＤ端子を形成することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００２１】
なお、先に説明した部材と同一の部材については、同一の符号を用いるものとする。
【００２２】
図１には、本発明の半導体装置、具体的には、光空間伝送デバイス１の一実施形態が示されている。
【００２３】
この光空間伝送デバイス１は、後述するように、基板４上に搭載されたフォトダイオードチップ５と、集積回路（ＩＣ）チップ６と、発光ダイオードチップ７などを樹脂にて封止してなる素子２と、チップ５，６，７とともに封止樹脂に埋め込まれた金属製のシールドケース３と、から構成され、シールドケース３の一部は、封止樹脂の外面から突出してＧＮＤ端子３ａに形成されている。
【００２４】
また、基板４には、シールドケース３のＧＮＤ端子３ａが設けられた面に、複数個の端子４ａが設けられている。
【００２５】
この結果、この光空間伝送デバイス１は、シールドケース３が封止樹脂に埋め込まれて一体化されていることから、光空間伝送デバイス１をリフロー実装するとき、シールドケース３が離脱することを確実に防止することができる。
【００２６】
なお、シールドケース３の一部は、ＧＮＤ端子３ａとして封止樹脂の外面に突出しているため、実装時に容易に接地することができる。
【００２７】
次に、このように構成された光空間伝送デバイス１の製造方法について説明する。
【００２８】
まず、縦横方向に複数個の導電性パターン４ａを形成した基板４（図２参照）を用意し、基板４の各導電性パターン４ａに、フォトダイオードチップ５、集積回路（ＩＣ）チップ６、発光ダイオードチップ７などをＡｇペーストなどの接着剤を介して接着するとともに、フォトダイオードチップ５、集積回路（ＩＣ）チップ６、発光ダイオードチップ７の各電極を、Ａｕ線などの導電性素材で基板４の各導電性パターン４ａと接続する（図３参照）。
【００２９】
なお、基板４には、チップ５，６，７などを実装するため、位置決め穴４ｘが形成されている。したがって、基板４の各導電性パターン４ａに対して、チップ５，６，７などを正確に実装することができる。さらに、基板４には、後述するように、シールドケース３のＧＮＤ端子３ａを形成するため、各導電性パターン４ａの近傍に位置して、スリット４ｙが形成されている。
【００３０】
次いで、基板４の複数個の導電性パターン４ａに対応する複数個のシールドケース３を形成した多連シールドケース板３Ｚを、チップ５，６，７を実装した基板４の上に重ね合わせる（図４および図５参照）。
【００３１】
ここで、多連シールドケース板３Ｚは、詳細には図示しないが、金属板材を金型を介して切断し、折り曲げることによって製造され、各シールドケース３は、ＩＣチップ６を覆うとともに、各光空間伝送デバイス１の周囲を覆うような形状に形成され、合わせて、基板４のスリット４ｙに臨むように、突出部３ｐが形成されている。
【００３２】
また、多連シールドケース板３Ｚには、基板４の位置決め穴４ｘに対応して位置決め穴３ｘが形成されており、基板４の位置決め穴４ｘに位置決め穴３ｘを合わせて多連シールドケース板３Ｚを被せた場合、基板４の各導電性パターン４ａに、多連シールドケース板３Ｚの各シールドケース３が正確に対向するとともに、基板４の各スリット４ｙに、各シールドケース３の突出部３ｐが臨むように設定されている。
【００３３】
この後、基板４および基板４に重ね合わされた多連シールドケース板３Ｚを図示しない樹脂封止用金型に配置する。次いで、基板４の各導電性パターン４ａに搭載されたチップ５，６，７および多連シールドケース板３Ｚの各シールドケース３を発光レンズ８および受光レンズ９とともに樹脂モールドして多連基板４Ｚを形成する（図６参照）。
【００３４】
この際、各シールドケース３の突出部３ｐは、封止樹脂の外面から突出し、各スリット４ｙに臨んでいる。
【００３５】
次いで、多連基板４Ｚの各スリット４ｙに臨んで突出している各シールドケース３の突出部３ｐをスリット４ｙを通して折り曲げ、ＧＮＤ端子３ａを形成した後（図７参照）、多連基板４Ｚを各導電性パターン４ａごとに切断すれば、図１に示すように、光空間伝送デバイス１を得ることができる。
【００３６】
この結果、シールドケース３が封止樹脂に埋め込まれて一体化されている光空間伝送デバイス１を容易に製造することができる。この場合、基板４および多連シールドケース板３Ｚには、位置決め穴４ｘ，３ｘが形成されているため、基板４にチップ５，６，７などを正確に実装することができるとともに、基板４の各導電性パターン４ａと多連シールードケース板３Ｚの各シールドケース３が正確に対向した状態で樹脂にて封止することができる。
【００３７】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、シールドケースが樹脂封止部に埋め込まれたことにより、リフロー実装時にシールドケースが離脱することを確実に防止することができる。
【００３８】
また、リフロー実装時にシールドケースが離脱することのない半導体装置を簡単に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置である光空間伝送デバイスの一実施形態を示す正面図および底面図である。
【図２】図１の光空間伝送デバイスを製造する工程を説明する工程図であって、縦横方向に複数個の導電性パターンを形成した基板を示す平面図および正面図である。
【図３】図１の光空間伝送デバイスを製造する工程を説明する工程図であって、基板の各導電性パターンにチップを実装した状態を示す平面図および正面図である。
【図４】図１の光空間伝送デバイスを製造する工程を説明する工程図であって、チップを実装した基板に多連シールドケース板を重ね合わせた状態を示す平面図および正面図である。
【図５】図４（ｂ）のＡ部の拡大図である。
【図６】図１の光空間伝送デバイスを製造する工程を説明する工程図であって、基板に実装されたチップを多連シールドケース板とともに樹脂にて封止した状態を示す平面図および正面図である。
【図７】図１の光空間伝送デバイスを製造する工程を説明する工程図であって、シールドケースのＧＮＤ端子を形成した状態を示す平面図および正面図である。
【図８】従来の光空間伝送デバイスを示す分解斜視図である。
【図９】図８の光空間伝送デバイスを製造する工程を説明する工程図であって、縦横方向に複数個の導電性パターンを形成した基板を示す平面図および正面図である。
【図１０】図８の光空間伝送デバイスを製造する工程を説明する工程図であって、基板の各導電性パターンにチップを実装した状態を示す平面図および正面図である。
【図１１】図１０（ｂ）のＢ部の拡大図である。
【図１２】図８の光空間伝送デバイスを製造する工程を説明する工程図であって、基板に実装されたチップを樹脂にて封止した状態を示す平面図および正面図である。
【符号の説明】
１    半導体装置（光空間伝送デバイス）
２  素子
３  シールドケース
３Ｚ  多連シールドケース板
３ａ  ＧＮＤ端子
３ｘ  位置決め穴
４  基板
４Ｚ  多連基板
４ａ  導電性パターン
４ｘ  位置決め穴
４ｙ  スリット
５  フォトダイオードチップ
６  集積回路（ＩＣ）チップ
７  発光ダイオードチップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2004253455.tif 000012
【図１１】
2004253455.tif 000013
【図１２】
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