(57)【要約】【課題】　高いオン/オフ比率（on/off ratio）及び絶縁度（isolation）を有し、その構造が単純で容易な製造方法によって製造できるマイクロスイッチを提供する。【解決手段】　マイクロスイッチが開示される。誘電体膜は、基板の上面に配され、その所定領域の両側端あるいは一側端にヒンジ部が形成され上下に揺動できる揺動領域を有する。導電体膜は、揺動領域の上面所定の領域に形成されている。第１及び第２の導電体は、導電体膜の上方に所定の距離が離隔されて配される。複数の下部電極は、揺動領域の上面に配される。複数の上部電極は複数の下部電極の上方に所定の距離が離隔されて配され、下部電極と互いに静電気力が発生する際に導電体膜を上部へ移動させて第１及び第２の導電体と結合させることにより抵抗を減少させ、第１及び第２の導電体間に通電が許容されるようにする。【選択図】　図１
2004079534.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　基板と、
　該基板の上面に配され、その所定領域の両側端にヒンジ部が形成され上下に揺動できる揺動領域を有する誘電体膜と、
　前記揺動領域の上面の所定領域に配されている導電体膜と、
　該導電体膜の上面に形成される誘電体フィルムと、
　該誘電体フィルムの上方に所定の距離が離隔されて配される第１及び第２の導電体と、
　前記揺動領域の上面に配されている複数の下部電極と、
　前記複数の下部電極の上方に所定の距離が離隔されて配され、前記下部電極との間に静電気力が生じる際に前記導電体膜及び誘電体フィルムを上部に移動させて前記第１及び第２の導電体と結合させることにより静電容量を増大させ、前記第１及び第２の導電体間に交流信号の流れが許容されるようにするための複数の上部電極と、を含むことを特徴とするマイクロスイッチ。
【請求項２】
　前記揺動領域の下部に配した前記基板の一領域と、前記揺動領域両側の誘電体膜とその下部に配した前記基板の一領域とが選択的にエッチングされ、前記揺動領域が上下に揺動できる構造であることを特徴とする請求項１に記載のマイクロスイッチ。
【請求項３】
　前記下部電極は、前記導電体膜と前記導電体膜の両側の前記ヒンジ部との間にそれぞれ配されることを特徴とする請求項１に記載のマイクロスイッチ。
【請求項４】
　前記導電体及び上部電極をそれぞれ支持するアンカー及び前記導電体に信号を印加するための信号端子をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のマイクロスイッチ。
【請求項５】
　前記導電体膜、導電体、下部電極、上部電極、アンカー、及び信号端子の材質は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、及びＰｄのうちいずれか一つであるか、これらを組合わせた合金であることを特徴とする請求項４に記載のマイクロスイッチ。
【請求項６】
　基板と、
　該基板の上面に配され、その所定領域の一側端にヒンジ部が形成され上下に揺動できる揺動領域を有する誘電体膜と、
　前記揺動領域の上面の所定領域に配されている導電体膜と、
　該導電体膜の上面に形成される誘電体フィルムと、
　該誘電体フィルムの上方に所定の距離が離隔されて配される第１及び第２の導電体と、
　前記揺動領域の上面に配されている下部電極と、
　前記下部電極の上方に所定の距離が離隔されて配され、前記下部電極との間に静電気力が生じる際に、前記導電体膜及び誘電体フィルムを上部に移動させて前記第１及び第２の導電体と結合させることにより静電容量を増大させ、前記第１及び第２の導電体間に信号の流れが許容されるようにするための上部電極と、を含むことを特徴とするマイクロスイッチ。
【請求項７】
　前記揺動領域の下部に配した前記基板の一領域と、前記揺動領域周りのヒンジ部を除いた領域の誘電体膜と、その下部に配した前記基板の一領域が選択的にエッチングされ、前記揺動領域が上下に揺動できる構造であることを特徴とする請求項６に記載のマイクロスイッチ。
【請求項８】
　前記下部電極は、前記導電体膜と前記ヒンジ部との間に配されることを特徴とする請求項６に記載のマイクロスイッチ。
【請求項９】
　前記導電体及び上部電極をそれぞれ支持するアンカー及び前記導電体に信号を印加するための信号端子をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載のマイクロスイッチ。
【請求項１０】
　前記導電体膜、導電体、下部電極、上部電極、アンカー、及び信号端子の材質は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、及びＰｄのうちいずれか一つであるか、これらを組合わせた合金であることを特徴とする請求項９に記載のマイクロスイッチ。
【請求項１１】
　基板と、
　該基板の上面に配され、その所定領域の一側端にヒンジ部が形成され上下に揺動できる揺動領域を有する誘電体膜と、
　前記揺動領域の上面の所定領域に配されている導電体膜と、
　該導電体膜の上面に形成される誘電体フィルムと、
　該誘電体フィルムの上方に所定の距離が離隔されて配される第１及び第２の導電体と、
　前記揺動領域の上面に配され、所定の電圧が印加される場合、前記導電体膜を上部に移動させて前記第１及び第２の導電体と結合させることにより抵抗を減少させ、前記第１及び第２の導電体間に通電が許容されるようにするための圧電膜と、を含むことを特徴とするマイクロスイッチ。
【請求項１２】
　前記揺動領域の下部に配した前記基板の一領域と、前記揺動領域周りのヒンジ部を除いた領域の誘電体膜とその下部に配した前記基板の一領域とが選択的にエッチングされ、前記揺動領域が上下に揺動できる構造であることを特徴とする請求項１１に記載のマイクロスイッチ。
【請求項１３】
　前記圧電膜は、前記導電体膜と前記ヒンジ部との間に配されることを特徴とする請求項１１に記載のマイクロスイッチ。
【請求項１４】
　前記導電体をそれぞれ支持するアンカー、前記導電体に信号を印加するための信号端子、及び前記圧電膜に電圧を印加するための圧電膜電極端子をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載のマイクロスイッチ。
【請求項１５】
　前記導電体膜、導電体、アンカー、信号端子及び圧電膜電極端子の材質は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、及びＰｄのうちいずれか一つであるか、これらを組合わせた合金であることを特徴とする請求項１４に記載のマイクロスイッチ。
【請求項１６】
　基板と、
　該基板の上面に配され、その所定領域の両側端にヒンジ部が形成され上下に揺動できる揺動領域を有する誘電体膜と、
　前記揺動領域の上面の所定領域に配されている導電体膜と、
　該導電体膜の上方に所定の距離が離隔されて配される第１及び第２の導電体と、
　前記揺動領域の上面に配される複数の下部電極と、
　前記複数の下部電極の上方に所定の距離が離隔されて配され、前記下部電極との間に静電気力が生じる際に前記導電体膜を上部に移動させて前記第１及び第２の導電体と結合させることにより抵抗を減少させ、前記第１及び第２の導電体間に通電が許容されるようにするための複数の上部電極と、を含むことを特徴とするマイクロスイッチ。
【請求項１７】
　前記揺動領域の下部に配した前記基板の一領域と、前記揺動領域の両側の誘電体膜と、その下部に配した前記基板の一領域とが選択的にエッチングされ、前記揺動領域が上下に揺動できる構造であることを特徴とする請求項１６に記載のマイクロスイッチ。
【請求項１８】
　前記下部電極は、前記導電体膜と前記導電体膜の両側の前記ヒンジ部との間にそれぞれ配されることを特徴とする請求項１６に記載のマイクロスイッチ。
【請求項１９】
　前記導電体と前記上部電極とをそれぞれ支持するアンカーと、前記導電体に信号を印加するための信号端子と、をさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載のマイクロスイッチ。
【請求項２０】
　前記導電体膜、導電体、下部電極、上部電極、アンカー、及び信号端子の材質は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、及びＰｄのうちいずれか一つであるか、これらを組合わせた合金であることを特徴とする請求項１９に記載のマイクロスイッチ。
【請求項２１】
　基板と、
　該基板の上面に配され、その所定領域の一側端にヒンジ部が形成され上下に揺動できる揺動領域を有する誘電体膜と、
　前記揺動領域の上面の所定領域に配されている導電体膜と、
　該導電体膜の上方に所定の距離が離隔されて配される第１及び第２の導電体と、
　前記揺動領域の上面に配されている下部電極と、
　該下部電極の上方に所定の距離が離隔されて配され、前記下部電極との間に静電気力が生じる際に前記導電体膜を上部に移動させて前記第１及び第２の導電体と結合させることにより抵抗を減少させ、前記第１及び第２の導電体間に通電が許容されるようにするための上部電極と、を含むことを特徴とするマイクロスイッチ。
【請求項２２】
　前記揺動領域の下部に配した前記基板の一領域と、前記揺動領域周りのヒンジ部を除いた領域の誘電体膜とその下部に配した前記基板の一領域とが選択的にエッチングされ、前記揺動領域が上下に揺動できる構造であることを特徴とする請求項２１に記載のマイクロスイッチ。
【請求項２３】
　前記下部電極は、前記導電体膜と前記ヒンジ部との間に配されることを特徴とする請求項２１に記載のマイクロスイッチ。
【請求項２４】
　前記導電体と前記上部電極とをそれぞれ支持するアンカーと、前記導電体に信号を印加するための信号端子と、をさらに含むことを特徴とする請求項２１に記載のマイクロスイッチ。
【請求項２５】
　前記導電体膜、導電体、下部電極、上部電極、アンカー、及び信号端子の材質は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、及びＰｄのうちいずれか一つであるか、これらを組合わせた合金であることを特徴とする請求項２４に記載のマイクロスイッチ。
【請求項２６】
　基板と、
　該基板の上面に配され、その所定領域の一側端にヒンジ部が形成され上下に揺動できる揺動領域を有する誘電体膜と、
　前記揺動領域の上面の所定領域に配されている導電体膜と、
　該導電体膜の上方に所定の距離が離隔されて配される第１及び第２の導電体と、
　前記揺動領域の上面に配され、所定の電圧が印加される場合、前記導電体膜を上部に移動させて前記第１及び第２の導電体と結合させることにより抵抗を減少させ、前記第１及び第２の導電体間に通電が許容されるようにするための圧電膜と、を含むことを特徴とするマイクロスイッチ。
【請求項２７】
　前記揺動領域の下部に配した前記基板の一領域と、前記揺動領域周りのヒンジ部を除いた領域の誘電体膜とその下部に配した前記基板の一領域とが選択的にエッチングされ、前記揺動領域が上下に揺動できる構造であることを特徴とする請求項２６に記載のマイクロスイッチ。
【請求項２８】
　前記圧電膜は、前記導電体膜と前記ヒンジ部との間に配されることを特徴とする請求項２６に記載のマイクロスイッチ。
【請求項２９】
　前記導電体をそれぞれ支持するアンカー、前記導電体に信号を印加するための信号端子、及び前記圧電膜に電圧を印加するための圧電膜電極端子をさらに含むことを特徴とする請求項２６に記載のマイクロスイッチ。
【請求項３０】
　前記導電体膜、導電体、アンカー、信号端子、及び圧電膜電極端子の材質は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、及びＰｄのうちいずれか一つであるか、これらを組合わせた合金であることを特徴とする請求項２９に記載のマイクロスイッチ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、マイクロスイッチに関し、特に静電気力を用いて駆動される高周波用ＭＥＭＳ（Micro Electro-Mechanic System）マイクロスイッチに関する。
【背景技術】
【０００２】
　一般に、電子システムにおいて電気回路の廃路、復旧、転換などの電気的な信号を除去するために使われる高周波信号用スイッチはＦ/Ｓ（Frequency Separator）、ＦＥＴ（Field Effect Transistor）、及びＰＩＮダイオードスイッチなどがある。
【０００３】
　しかし、前記のＦ/Ｓは周波数の分離度が低く、上記の半導体スイッチは高い挿入損失や電力消耗 、低い絶縁度という短所を持つ。かかる短所を補うために最近は高周波信号用マイクロスイッチが使われるようになった。
【０００４】
　高周波信号用マイクロスイッチの種類は、スイッチの結合方式によって抵抗型結合（Resistively Coupling、以下、ＲＣと称する）スイッチと容量型結合（Capacitively Coupling、以下、ＣＣと称する）スイッチとに分けられる。
【０００５】
　また、マイクロスイッチは、ヒンジ部の構造的な特徴に応じてカンチレバー型（Cantilever）及びブリッジ型（Bridge）に分類される。そして、マイクロスイッチは高周波信号のスイッチ方式によってシャント型（Shunt）及び直列型（series）に分類される。
【０００６】
　マイクロスイッチの動作原理は、静電気力、静磁気力、及び圧電素子の振動力をエネルギー源にしてマイクロスイッチの構造物のヒンジ部を動かして信号端子の接続部位を開閉する。マイクロスイッチは駆動方式に応じて、静電駆動型（electrostatic actuation）及び圧電駆動型（piezoelectric actuation）に分類される。
【０００７】
　前述した従来のシャント型マイクロスイッチは、信号端子が静電気力を発生させる電極の役割を同時に行なう構造であって、スイッチがオフ状の場合は入力信号端子と出力信号端子とが互い通電される。そして、スイッチがオン状の場合は信号端子と接地端子とが短絡され入力信号の出力が遮断される。シャント型マイクロスイッチはその構造が簡単であるものの、絶縁度（isolation）が低くオン/オフ比率（ＯＮ/ＯＦＦ Ratio）が劣るという問題点を抱えている。
【０００８】
　一方、前述した従来の直列型マイクロスイッチは、入力信号端子と出力信号端子とが静電気力を発生させる上/下部電極と完全に分離されたリレースイッチ状であって、スイッチがオフ状の場合は入力信号端子と出力信号端子とが完全に単線され入力信号の出力が遮断される原理である。そして、スイッチがオン状の場合は入力信号端子と出力信号端子とが短絡されて入力信号が出力される。直列型マイクロスイッチは絶縁度が高く、オン/オフ比率も高いもののその構造が複雑で工程においても極めて難解である。さらに、構造物の変更がたびたび生じる問題点を抱えている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
　本発明は前述した問題点を解決するために、オン/オフ比率及び絶縁度が高くかつ構造が単純で工程においても容易な直列型マイクロスイッチを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
　前述した目的を達成するために、基板と、該基板の上面に配され、その所定領域の両側端にヒンジ部が形成され上下に揺動できる揺動領域を有する誘電体膜と、前記揺動領域の上面の所定領域に配されている導電体膜と、該導電体膜の上面に形成される誘電体フィルムと、該誘電体フィルムの上方に所定の距離が離隔されて配される第１及び第２の導電体と、前記揺動領域の上面に配されている複数の下部電極と、前記複数の下部電極の上方に所定の距離が離隔されて配され、前記下部電極との間に静電気力が生じる際に前記導電体膜及び誘電体フィルムを上部に移動させて前記第１及び第２の導電体と結合させることにより静電容量を増大させ、前記第１及び第２の導電体間に交流信号の流れが許容されるようにするための複数の上部電極と、を含む。
【００１１】
　好ましくは、前記揺動領域の下部に配した前記基板の一領域と、前記揺動領域両側の誘電体膜とその下部に配した前記基板の一領域とが選択的にエッチングされ、前記揺動領域が上下に揺動できる構造である。
【００１２】
　前記下部電極は、前記導電体膜と前記導電体膜の両側の前記ヒンジ部との間にそれぞれ配される。
【００１３】
　好ましくは、前記導電体及び上部電極をそれぞれ支持するアンカー及び前記導電体に信号を印加するための信号端子をさらに含む。
【００１４】
　前記の目的を達するために基板と、該基板の上面に配され、その所定領域の一側端にヒンジ部が形成され上下に揺動できる揺動領域を有する誘電体膜と、前記揺動領域の上面の所定領域に配されている導電体膜と、該導電体膜の上面に形成される誘電体フィルムと、該誘電体フィルムの上方に所定距離離隔されて配される第１及び第２の導電体と、前記揺動領域の上面に配されている下部電極と、前記下部電極の上方に所定の距離が離隔されて配され、前記下部電極との間に静電気力が生じる際に、前記導電体膜及び誘電体フィルムを上部に移動させて前記第１及び第２の導電体と結合させることにより静電容量を増大させ、前記第１及び第２の導電体間に交流信号の流れが許容されるようにするための上部電極と、を含む。
【００１５】
　好ましくは、前記揺動領域の下部に配した前記基板の一領域と、前記揺動領域周りのヒンジ部を除いた領域の誘電体膜と、その下部に配した前記基板の一領域が選択的にエッチングされ、前記揺動領域が上下に揺動できる構造である。
【００１６】
　そして、前記下部電極は、前記導電体膜と前記ヒンジ部との間に配される。
【００１７】
　好ましくは、前記導電体及び上部電極をそれぞれ支持するアンカー及び前記導電体に信号を印加するための信号端子をさらに含む。
【００１８】
　前記目的を達するために、基板と、該基板の上面に配され、その所定領域の一側端にヒンジ部が形成され上下に揺動できる揺動領域を有する誘電体膜と、前記揺動領域の上面の所定領域に配されている導電体膜と、該導電体膜の上面に形成される誘電体フィルムと、該誘電体フィルムの上方に所定の距離が離隔されて配される第１及び第２の導電体と、前記揺動領域の上面に配され、所定の電圧が印加される場合に前記導電体膜を上部に移動させて前記第１及び第２の導電体と結合させることにより抵抗を減少させ、前記第１及び第２の導電体間に通電が許容されるようにするための圧電膜と、を含む。
【００１９】
　好ましくは、前記揺動領域の下部に配した前記基板の一領域と、前記揺動領域周りのヒンジ部を除いた領域の誘電体膜とその下部に配した前記基板の一領域とが選択的にエッチングされ、前記揺動領域が上下に揺動できる構造である。
【００２０】
　そして、前記圧電膜は、前記導電体膜と前記ヒンジ部との間に配される。
【００２１】
　好ましくは、前記導電体をそれぞれ支持するアンカー、前記導電体に信号を印加するための信号端子、及び前記圧電膜に電圧を印加するための圧電膜電極端子をさらに含む。
【００２２】
　前記の目的を達するために基板と、該基板の上面に配され、その所定領域の両側端にヒンジ部が形成され上下に揺動できる揺動領域を有する誘電体膜と、前記揺動領域の上面の所定領域に配されている導電体膜と、該導電体膜の上方に所定の距離が離隔されて配される第１及び第２の導電体と、前記揺動領域の上面に配される複数の下部電極と、前記複数の下部電極の上方に所定の距離が離隔されて配され、前記下部電極との間に静電気力が生じる際に前記導電体膜を上部に移動させて前記第１及び第２の導電体と結合させることにより抵抗を減少させ、前記第１及び第２の導電体間に通電が許容されるようにするための複数の上部電極と、を含む。
【００２３】
　好ましくは、前記揺動領域の下部に配した前記基板の一領域と、前記揺動領域の両側の誘電体膜と、その下部に配した前記基板の一領域とが選択的にエッチングされ、前記揺動領域が上下に揺動できる構造である。
【００２４】
　そして、前記下部電極は、前記導電体膜と前記導電体膜の両側の前記ヒンジ部との間にそれぞれ配される。
【００２５】
　好ましくは、前記導電体と前記上部電極とをそれぞれ支持するアンカーと、前記導電体に信号を印加するための信号端子と、をさらに含む。
【００２６】
　前記の目的を達するために、基板と、該基板の上面に配され、その所定領域の一側端にヒンジ部が形成され上下に揺動できる揺動領域を有する誘電体膜と、前記揺動領域の上面の所定領域に配されている導電体膜と、該導電体膜の上方に所定の距離が離隔されて配される第１及び第２の導電体と、前記揺動領域の上面に配されている下部電極と、該下部電極の上方に所定の距離が離隔されて配され、前記下部電極との間に静電気力が生じる際に前記導電体膜を上部に移動させて前記第１及び第２の導電体と結合させることにより抵抗を減少させ、前記第１及び第２の導電体間に通電が許容されるようにするための上部電極と、を含む。
【００２７】
　好ましくは、前記揺動領域の下部に配した前記基板の一領域と、前記揺動領域周りのヒンジ部を除いた領域の誘電体膜とその下部に配した前記基板の一領域とが選択的にエッチングされ、前記揺動領域が上下に揺動できる構造である。
【００２８】
　そして、前記下部電極は、前記導電体膜と前記ヒンジ部との間に配される。
【００２９】
　好ましくは、 前記導電体と前記上部電極とをそれぞれ支持するアンカーと、前記導電体に信号を印加するための信号端子と、をさらに含む。
【００３０】
　前記の目的を達するために、 基板と、該基板の上面に配され、その所定領域の一側端にヒンジ部が形成され上下に揺動できる揺動領域を有する誘電体膜と、前記揺動領域の上面の所定領域に配されている導電体膜と、該導電体膜の上方に所定の距離が離隔されて配される第１及び第２の導電体と、前記揺動領域の上面に配され、所定の電圧が印加される場合、前記導電体膜を上部に移動させて前記第１及び第２の導電体と結合させることにより抵抗を減少させ、前記第１及び第２の導電体間に通電が許容されるようにするための圧電膜と、を含む。
【００３１】
　好ましくは、前記揺動領域の下部に配した前記基板の一領域と、前記揺動領域の周りのヒンジ部を除いた領域の誘電体膜とその下部に配した前記基板の一領域とが選択的にエッチングされ、前記揺動領域が上下に揺動できる構造である。
【００３２】
　そして、前記圧電膜は、前記導電体膜と前記ヒンジ部との間に配される。
【００３３】
　好ましくは、前記導電体をそれぞれ支持するアンカー、前記導電体に信号を印加するための信号端子、及び前記圧電膜に電圧を印加するための圧電膜電極端子をさらに含む。
【発明の効果】
【００３４】
　本発明に係るマイクロスイッチは、高いオン/オフ比率（オン/オフratio）及び絶縁度（isolation）を有する。さらに、その構造が単純であるため製造工程が容易になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
　以下、本発明の好ましい一実施例を添付した図面に基づいて詳説する。
【００３６】
［実施例１］
　図１は、本発明に係るマイクロスイッチの第１の実施例の平面図であり、図６は図１のマイクロスイッチの斜視図である。
【００３７】
　そして、図２及び図４は図１のマイクロスイッチがオフ状にある時に互いに直交する角度の各断面図であり、図３及び図５は図１のマイクロスイッチがオン状にある時に直交する角度の断面図である。
【００３８】
　図示するように、本発明に係るマイクロスイッチの第１の実施例は、容量型結合構造のブリッジ型静電駆動スイッチである。
【００３９】
　基板１の上面には、誘電体膜２が形成されている。誘電体膜２の中心部の一定領域の両側にエッチングされた領域１１があり、これら両側のエッチング領域１１は図２に図示されているように、中心部の誘電体膜２の下部を介して互いに連結されている。誘電体膜２の中心部は、その下部のエッチングされた領域１１及びその両側のエッチングされた領域１１によって上下に容易に揺動できる揺動領域が形成されている。そして、揺動領域の円滑な揺動のためにヒンジ部を形成する誘電体膜２の一部がエッチングされている。
【００４０】
　誘電体膜２の揺動領域の上面の中心部には、その所定の領域に導電体膜３が配されており、その上面には誘電体フィルム３が形成されている。
【００４１】
　導電体膜３の上方に所定の距離が離隔された位置に第１の導電体９ａ及び第２の導電体９ｂが互いに分離された状態で配されているが、導電体膜３が上方に移動する際に誘電体フィルム３によって相互接続される。
【００４２】
　一方、図４に図示する通りに、揺動領域の両側に形成されているヒンジと導電体膜３との間にはそれぞれ下部電極４が配される。
【００４３】
　そして、図５に示すように、下部電極４の上方に所定の距離が離隔された位置に各上部電極１０が配され、下部電極４と上部電極１０との間に所定の直流電圧が印加されれば静電気力が生じ、下部電極４が上部電極１０の方に移動される。
【００４４】
　図２に図示したように、第１の導電体９ａ及び第２の導電体９ｂは、第１の導電体用アンカー７ａ及び第２の導電体用アンカー７ｂによって支持される。
【００４５】
　また、図４に示したように、上部電極１０は上部電極用アンカー６によって支持され、上部電極用アンカー６は上部電極端子５と接続されている。
【００４６】
　前述した構造を有するマイクロスイッチは、図３及び図５に図示したように、揺動領域の両側に固定されている下部電極４が上部電極１０との静電気力によって上方に移動すれば揺動領域中心の誘電体フィルム３が第１の導電体９ａ及び第２の導電体９ｂと接続される。この際、導電体膜３と第１及び第２の導電体９ａ、９ｂ間の静電容量（Capacitance）が増加され、第１及び第２の導電体９ａ、９ｂ間に電気的信号が流れる。
【００４７】
　図７ａ乃至図７ｅを参照しながら本発明に係るマイクロスイッチの第１の実施例の工程を詳説する。
【００４８】
　図７ａから分かるように、基板１の上面に誘電体膜２を形成する。図７ａには、本発明に係るマイクロスイッチの３次元的構造の理解のためにエッチング領域１１が図示されている。しかし、エッチング領域１１は本工程の最後の段階に形成される。このため誘電体膜２の中心部には多数のバイアホール（via hole）が細かく形成される。
【００４９】
　図７ｂに図示するように、誘電体膜２の上面の中心部に導電体膜３が配され、その上面に誘電体フィルム３が形成される。この際、導電体膜３の材質は電気的に導電性が優れるＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、及びＰｄのうちいずれか一つであるか、あるいはこれらを組合した合金にする。
【００５０】
　そして、導電体膜３両側の誘電体膜２上面に下部電極４、上部電極端子５、及び信号端子８ａ、８ｂを互いに対称となる構造に配して形成する。
【００５１】
　また、図７ｃに図示するように第１及び第２の導電体用アンカー７ａ、７ｂ及び上部電極用アンカー６のパターンを形成する。
【００５２】
　図７ｄに図示するように、上部電極１０、第１の導電体９ａ、及び第２の導電体９ｂのパターンを形成する。
【００５３】
　最後の工程にて、図７ｅに図示するように、誘電体膜２の中心部に形成されている多数のバイアホールを介してドライエッチングでエッチング領域１１を形成する。この際、二つのエッチング領域１１は、誘電体膜２中心部の下部を介して連通するように形成する。
【００５４】
［実施例２］
　本発明に係るマイクロスイッチの第２の実施例には、容量型結合構造のカンチレバー型静電駆動のスイッチであって、図８を参照して説明する。
【００５５】
　同図のように、本発明に係る容量型結合構造のカンチレバー型静電駆動スイッチは、前述した第１の実施例の構造で導電体膜３を中心にその両側で対に配された下部電極４、上部電極１０、上部電極用アンカー６、及び上部電極端子５が導電体膜３を中心にその一側にだけ配される構造である。そして、導電体膜３を中心にその他側に形成されているヒンジ部が切断されていて、前記下部電極端子５が一つのヒンジ部を中心に上部へ移動できる構造である。
【００５６】
　このような構造を持つマイクロスイッチの動作は前述した本発明の第１の実施例の動作と同一である。
【００５７】
［実施例３］
　本発明に係るマイクロスイッチの第３の実施例は、容量型カンチレバー型圧電駆動スイッチであって図９を参照して詳説する。
【００５８】
　同図から分かるように、本発明に係る容量型結合構造のカンチレバー型圧電駆動スイッチは、前述した第２の実施例の構造で上部電極１０、下部電極４、上部電極用アンカー６、及び上部電極端子５が除去され、下部電極４が配された位置に圧電膜（piezoelectric film）１２が配される。圧電膜１２は、圧電膜１２に電圧を印加するための圧電膜電極端子１３ａ、１３ｂが配される。
【００５９】
　かかる構造を有するマイクロスイッチは、図９に図示したように揺動領域のヒンジ部と導電体膜3との間に固定されている圧電膜１２に圧電膜電極端子１３ａ、１３ｂを介して所定のサイズの電圧が印加されれば、誘電体フィルム３が上方へ移動し第１の導電体９ａ及び第２の導電体９ｂと接続される。この際、導電体膜３と第１及び第２の導電体９ａ、９ｂ間の静電容量が増加され、第１及び第２の導電体９ａ、９ｂ間に電気信号が流れる。
【００６０】
［実施例４］
　本発明に係るマイクロスイッチの第４の実施例は、抵抗型結合構造のブリッジ型静電駆動スイッチとして、前述した第１の実施例の構造にて導電体膜３の上面の誘電体フィルム３が除去された構造である。
【００６１】
　このような構造を有するマイクロスイッチは、揺動領域の両側に固定されている下部電極４が上部電極１０との静電気力によって上方に移動すれば、揺動領域中心の導電体膜３が第１導電体９ａ及び第２の導電体９ｂと接続される。この際、導電体膜３と第１及び第２の導電体９ａ、９ｂ間の電気的抵抗（Registance）が減少され、第１及び第２の導電体９ａ、９ｂ間に電気信号が流れる。
【００６２】
［実施例５］
　本発明に係るマイクロスイッチの第５の実施例は、抵抗型結合構造のカンチレバー型静電駆動スイッチであって、前述した本発明の第２の実施例の構造で導電体膜３上面の誘電体フィルムが除去された構造である。
【００６３】
　かかる構造を有するマイクロスイッチの動作は前述した本発明の第２の実施例の動作と同様である。
【００６４】
［実施例６］　本発明に係るマイクロスイッチの第６の実施例は、抵抗型結合構造のカンチレバー型圧電駆動スイッチであって、前述した本発明の第３の実施例の構造にて導電体膜３上面の誘電体フィルム３が除去された構造である。
【００６５】
　かかる構造を有するマイクロスイッチの動作は前述した本発明の第３の実施例の動作と同様である。
【００６６】
　前述した実施例において、上部電極１０の形態は、図に示されたように長方形であり、これを支持するアンカー６は中心部の外側に位置する。しかし、上部電極１０の形態は多様に変更することができ、これを支持するアンカーの位置も変更可能である。
【００６７】
　以上、本発明は記載された実施形態についてだけ説明したが、本発明の技術的思想の範疇内において各種の変更例又は修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的思想に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
　本発明によって製造された印刷回路基板は、磁界検出素子として用いられ、人が直接感じることのできない磁気エネルギーを検出しそのサイズを測定する用途に使われる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明に係るマイクロスイッチの第１の実施例の平面図である。
【図２】図１のマイクロスイッチがオフ状にある際の第１側断面図である。
【図３】図１のマイクロスイッチがオン状にある際の第１側断面図である。
【図４】図１のマイクロスイッチがオフ状にある際の第２側断面図である。
【図５】図１のマイクロスイッチがオン状にある際の第２側断面図である。
【図６】図１のマイクロスイッチの斜視図である。
【図７ａ】本発明に係るマイクロスイッチの工程図である。
【図７ｂ】本発明に係るマイクロスイッチの工程図である。
【図７ｃ】本発明に係るマイクロスイッチの工程図である。
【図７ｄ】本発明に係るマイクロスイッチの工程図である。
【図７ｅ】本発明に係るマイクロスイッチの工程図である。
【図８】本発明に係るマイクロスイッチの第２の実施例の斜視図である。
【図９】本発明に係るマイクロスイッチの第３の実施例の斜視図である。
【符号の説明】
【００７０】
　１　基板
　２　誘電体膜
　３　導電体膜
　３’　誘電体フィルム
　４　下部電極
　５　上部電極端子
　６　上部電極用アンカー
　７　導電体用アンカー
　８ 信号端子
　９ａ　第１の導電体
　９ｂ　第２の導電体
　１０　上部電極
　１１ エッチング領域
　１２　圧電膜
　１３　圧電膜電極端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【図７ｃ】
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【図７ｄ】
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【図７ｅ】
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【図８】
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【図９】
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