(57)【要約】【課題】  外部光、外部反射光及び背面透過光が遮断してコントラストを向上させることができ、画像を観測する方向と反対方向の両方向で外部光を遮断して画質鮮明度を向上させることができる両面発光型有機電界発光表示装置を提供する。【解決手段】本発明の有機電界発光表示装置は、上部基板１６０及び下部基板１１０と、上部基板１６０の内側面と下部基板１１０の内側面との間に形成されて所定の色を発光する発光素子１３０と、上部基板の内側面及び外側面のうち、一つに配列されている上部偏光部材１８０Ａと、下部基板の内側面及び外側面のうち、少なくとも一つに配列されている上部偏光部材１７０Ａを備える。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部基板及び下部基板と，
前記上部基板の内側面と下部基板の内側面との間に形成され，所定の色を発光する素子と，
前記上部基板の内側面及び外側面のうち，一つに配列された上部偏光物質膜と，
前記下部基板の内側面及び外側面のうち，少なくとも一つに配列された下部偏光物質膜と，
を含むことを特徴とする両面発光型表示装置。
【請求項２】
前記上部及び下部偏光物質膜は，各々上部及び下部基板の外側面に各々コーティングされたコーティング膜として，前記上部及び下部偏光物質膜の偏光軸は，相互に直角を成すように配列されることを特徴とする請求項１に記載の両面発光型表示装置。
【請求項３】
前記上部及び下部偏光物質膜は，各々上部及び下部基板の内側面に各々コーティングされたコーティング膜として，前記上部及び下部偏光物質膜の偏光軸は相互に直角を成すように配列されることを特徴とする，請求項１に記載の両面発光型表示装置。
【請求項４】
前記上部偏光物質膜は，前記上部基板の内側面にコーティングされたコーティング膜であり，前記下部偏光物質膜は，前記下部基板の外側面にコーティングされたコーティング膜として，前記上部偏光物質膜と下部偏光物質膜の偏光軸は，相互に直交するように配列されることを特徴とする請求項１に記載の両面発光型表示装置。
【請求項５】
前記上部偏光物質膜は，前記上部基板の外側面にコーティングされたコーティング膜であり，前記下部偏光物質膜は，前記下部基板の内側面にコーティングされたコーティング膜として，前記上部偏光物質膜と下部偏光物質膜の偏光軸は，相互に直交するように配列されることを特徴とする請求項１に記載の両面発光型表示装置。
【請求項６】
前記上部偏光物質膜の偏光軸が前記下部偏光物質膜の偏光軸に直交するように，前記上部偏光物質膜及び下部偏光物質膜が前記上部基板及び下部基板の一側面に各々配列されることを特徴とする請求項１に記載の両面発光型表示装置。
【請求項７】
前記上部偏光物質膜及び下部偏光物質膜は，各々０．１〜５０μｍの厚さを有するコーティング膜であることを特徴とする請求項１に記載の両面発光型表示装置。
【請求項８】
上部基板及び下部基板と，
前記上部基板の内側面及び下部基板の内側面との間に形成され，所定の色を発光する発光素子と，
前記上部基板の外側面と内側面のうち，一つの側面に配列された上部偏光板と，
前記下部基板の内側面と外側面のうち，一つの側面に配列された下部偏光板と，
を含むことを特徴とする両面発光型表示装置。
【請求項９】
前記上部偏光板と下部偏光板は，前記上部基板と下部基板の内側面に各々付着された偏光フィルムとして，前記上部偏光板と下部偏光板の偏光軸が相互に直交するように配列されることを特徴とする請求項８に記載の両面発光型表示装置。
【請求項１０】
前記上部偏光板は，前記上部基板の内側面に付着された偏光フィルムであり，前記下部偏光板は，前記下部基板の外側面に付着された偏光フィルムとして，前記上部偏光板と前記下部偏光板の偏光軸が相互に直交するように配列されることを特徴とする請求項８に記載の両面発光型表示装置。
【請求項１１】
前記上部偏光板は，前記上部基板の外側面に付着された偏光フィルムであり，前記下部偏光板は，前記下部基板の内側面に付着された偏光フィルムとして，前記上部偏光板と前記下部偏光板の偏光軸が相互に直交するように配列されることを特徴とする請求項８記載の両面発光型表示装置。
【請求項１２】
前記上部偏光板と下部偏光板は，前記上部基板と下部基板の外側面に各々付着された偏光フィルムとして，前記上部偏光板と下部偏光板の偏光軸が相互に直交するように配列されることを特徴とする請求項８に記載の両面発光型表示装置。
【請求項１３】
前記上部偏光板と下部偏光板は，各々厚さが５０〜３００μｍである偏光フィルムであることを特徴とする請求項８に記載の両面発光型表示装置。
【請求項１４】
前記上部偏光板の偏光軸は，下部偏光板の偏光軸と直交するように配列されることを特徴とする請求項８に記載の両面発光型表示装置。
【請求項１５】
上部及び下部基板と，
前記上部基板の内側面と下部基板の内側面との間に形成され，所定の色を発光する発光素子と，
前記上部基板の一側面に配列される上部偏光部材と，
前記下部基板の一側面に配列される下部偏光部材と，
前記上部偏光部材と前記発光素子との間に配列される上部補償板と，
前記下部偏光部材と前記発光素子との間に配列される下部補償板と，
を含み，
前記上部補償板，前記下部補償板の位相差遅延値をｘであるとする場合，位相差遅延値ｘは下記の式を満足することを特徴とする両面発光型有機電界表示装置。
ｎλ／２≦ｘ≦（ｎ＋１）λ／２，ここでｎは整数である。
【請求項１６】
前記下部偏光部材と前記発光素子との間に配列された下部補償板の位相差遅延軸が前記下部偏光部材の偏光軸と成す角と，
前記上部偏光部材と前記発光素子との間に配列された上部補償板の位相差遅延軸が前記上部偏光部材の偏光軸と成す角と，が相互に反対であることを特徴とする請求項１５に記載の両面発光型表示装置。
【請求項１７】
前記下部偏光部材は，前記下部基板の外側面に配列され，前記下部補償板は，前記下部偏光部材と前記下部基板の外側面との間に配列され，
前記上部偏光部材は，前記上部基板の外側面に配列され，前記上部補償板は，前記上部偏光部材と前記上部基板の外側面との間に配列されることを特徴とする請求項１５に記載の両面発光型表示装置。
【請求項１８】
前記下部偏光部材は，前記下部基板の外側面に配列され，前記下部補償板は，前記下部偏光部材と前記下部基板の外側面との間に配列され，
前記上部偏光部材は，前記上部基板の内側面に配列され，前記上部補償板は，前記上部偏光部材と前記上部基板の内側面との間に配列されることを特徴とする請求項１５に記載の両面発光型表示装置。
【請求項１９】
前記下部偏光部材は，前記下部基板の内側面に配列され，前記下部補償板は，前記下部偏光部材と前記下部基板の内側面との間に配列され，
前記上部偏光部材は，前記上部基板の内側面に配列され，前記上部補償板は，前記上部偏光部材と前記上部基板の内側面との間に配列されることを特徴とする請求項１５に記載の両面発光型表示装置。
【請求項２０】
前記下部偏光部材は，前記下部基板の内側面に配列され，前記下部補償板は，前記下部偏光部材と前記下部基板の内側面との間に配列され，
前記上部偏光部材は，前記上部基板の外側面に配列され，前記上部補償板は，前記上部偏光部材と前記上部基板の外側面との間に配列されることを特徴とする請求項１５に記載の両面発光型表示装置。
【請求項２１】
前記上部補償板と前記下部補償板は，所定の位相差遅延軸を有する一つ以上の補償フィルムを含むことを特徴とする請求項１５に記載の両面発光型表示装置。
【請求項２２】
前記上部補償板の位相差遅延軸と前記下部補償板の位相差遅延軸が同一である場合，前記上部偏光部材と前記下部偏光部材の偏光軸は，相互に平行していることを特徴とする請求項１５に記載の両面発光型表示装置。
【請求項２３】
前記上部補償板の位相差遅延軸と前記下部補償板の位相差遅延軸が相互に反対である場合，前記上部偏光部材と前記下部偏光部材の偏光軸は，相互に垂直であることを特徴とする請求項１５に記載の両面発光型表示装置。
【請求項２４】
上部基盤及び下部基板と，
前記上部基板の内側面と前記下部基板の内側面との間に形成され，所定の色を発光する発光素子と，
前記上部基板の一側面に配列される上部偏光部材と，
前記下部基板の一側面に配列される下部偏光部材と，
前記上部偏光部材と前記発光素子との間及び前記下部偏光部材と前記発光素子との間に少なくとも一つに配列される補償板と，
を含み，
前記発光素子から光が前記上部基板と前記下部基板に発光されることを特徴とする両面発光型表示装置。
【請求項２５】
前記下部偏光部材と前記発光素子との間に配列された下部補償板が前記下部偏光部材と成す回転角と，前記上部偏光部材と前記発光素子との間に配列された上部補償板が前記上部偏光部材と成す回転角は，相互に反対であることを特徴とする請求項２４に記載の両面発光型表示装置。
【請求項２６】
前記下部偏光部材と前記発光素子との間に配列された下部補償板が前記下部偏光部材と成す位相差と，前記上部偏光部材と前記発光素子との間に配列された上部補償板が前記上部偏光部材と成す位相差の合は，ｎλ／２（ｎは０を除く正数）になることを特徴とする請求項２４に記載の両面発光型表示装置。
【請求項２７】
前記上部補償板，前記下部補償板の位相差遅延値をｘであるとする場合，位相差遅延値ｘは，下記の式を満足することを特徴とする請求項２４に記載の両面発光型有機電界表示装置。
ｎλ／２≦ｘ≦（ｎ＋１）λ／２，ここでｎは整数である。
【請求項２８】
前記補償板は，少なくとも一つ以上の補償フィルムを含むことを特徴とする請求項２４に記載の両面発光型表示装置。
【請求項２９】
前記補償板は，同じ位相差遅延軸を有する補償フィルムを含むことを特徴とする請求項２８に記載の両面発光型表示装置。
【請求項３０】
前記補償板は，相互に違う位相差遅延軸を有する補償フィルムを含むことを特徴とする請求項２８に記載の両面発光型表示装置。
【請求項３１】
前記補償板は，前記上部偏光部材と前記発光素子との間に配列される上部補償板を含むことを特徴とする請求項２４に記載の両面発光型表示装置。
【請求項３２】
前記上部偏光部材は，前記上部基板の内側面に配列され，前記上部補償板は，前記上部偏光部材と前記基板の内側面との間に配列されることを特徴とする請求項３１に記載の両面発光型表示装置。
【請求項３３】
前記上部偏光部材は，前記上部基板の外側面に配列され，前記上部補償板は，前記上部偏光部材と前記上部基板の外側面との間に配列されることを特徴とする請求項３１に記載の両面発光型表示装置。
【請求項３４】
前記上部補償板は，所定の位相差遅延軸を有する少なくとも一つ以上の補償フィルムを含むことを特徴とする請求項３１に記載の両面発光型表示装置。
【請求項３５】
前記補償板は，前記下部偏光部材と発光素子との間に配列される下部補償板を含むことを特徴とする請求項２４に記載の両面発光型表示装置。
【請求項３６】
前記下部偏光部材は，前記下部基板の外側面に配列され，前記下部補償板は，前記下部偏光部材と前記下部基板の外側面との間に配列されることを特徴とする請求項３５に記載の両面発光型表示装置。
【請求項３７】
前記下部偏光部材は，前記下部基板の内側面に配列され，前記下部補償板は，前記下部偏光部材と前記下部基板の内側面との間に配列されることを特徴とする請求項３５に記載の両面発光型表示装置。
【請求項３８】
前記下部補償板は，所定の位相差遅延軸を有する少なくとも一つ以上の補償フィルムを含むことを特徴とする請求項３５に記載の両面発光型表示装置。
【請求項３９】
前記補償板は，
上部偏光部材と発光素子との間に配列される上部補償板と，
下部偏光部材と発光素子との間に配列される下部補償板と，
を含むことを特徴とする請求項２４に記載の両面発光型表示装置。
【請求項４０】
前記上部補償板の位相差遅延軸と前記下部補償板の位相差遅延軸が同一である場合，前記上部偏光部材と前記下部偏光部材の偏光軸は相互に平行していることを特徴とする請求項３９に記載の両面発光型表示装置。
【請求項４１】
前記上部補償板の位相差遅延軸と前記下部補償板の位相差遅延軸が相互に反対である場合，前記上部偏光部材と前記下部偏光部材の偏光軸は相互に垂直であることを特徴とする請求項３９に記載の両面発光型表示装置。
【請求項４２】
前記下部偏光部材は，前記下部基板の外側面に配列され，前記下部補償板は，前記下部偏光部材と前記下部基板の外側面との間に配列され，  
前記上部偏光部材は，前記上部基板の外側面に配列され，前記上部補償板は，前記上部偏光部材と前記上部基板の外側面との間に配列されることを特徴とする請求項３９に記載の両面発光型表示装置。
【請求項４３】
前記下部偏光部材は，前記下部基板の外側面に配列され，前記下部補償板は，前記下部偏光部材と前記下部基板の外側面との間に配列され，  
前記上部偏光部材は，前記上部基板の内側面に配列され，前記上部補償板は，前記上部偏光部材と前記上部基板の内側面との間に配列されることを特徴とする請求項３９に記載の両面発光型表示装置。
【請求項４４】
前記下部偏光部材は，前記下部基板の内側面に配列され，前記下部補償板は，前記下部偏光部材と前記下部基板の内側面との間に配列され，  
前記上部偏光部材は，前記上部基板の内側面に配列され，前記上部補償板は，前記上部偏光部材と前記上部基板の内側面との間に配列されることを特徴とする請求項３９に記載の両面発光型表示装置。
【請求項４５】
前記下部偏光部材は，前記下部基板の内側面に配列され，前記下部補償板は，前記下部偏光部材と前記下部基板の内側面との間に配列され，  
前記上部偏光部材は，前記上部基板の外側面に配列され，前記上部補償板は，前記上部偏光部材と前記上部基板の外側面との間に配列されることを特徴とする請求項３９に記載の両面発光型表示装置。
【請求項４６】
前記下部補償板と下部補償板は，所定の位相差遅延軸を有する少なくとも一つ以上の補償フィルムを含むことを特徴とする請求項３９に記載の両面発光型表示装置。
【請求項４７】
前記上部補償板，下部補償板の位相差遅延値をｘであるとする場合，位相差遅延値ｘは，下記の式を満足することを特徴とする請求項４６に記載の両面発光型表示装置。
ｎλ／２≦ｘ≦（ｎ＋１）λ／２，ここでｎは整数である。
【請求項４８】
上部基板及び下部基板と，
前記上部基板の内側面と前記下部基板の内側面との間に形成され，所定の色を発光する発光素子と，
前記上部基板の一側面に配列される上部偏光部材と，
前記下部基板の一側面に配列される下部偏光部材と，
前記上部偏光部材と前記発光素子との間に配列される上部補償板と，
前記下部偏光部材と前記発光素子との間に配列される下部補償板と，
を含み，
前記発光素子から発光される光を観測する位置で，前記発光素子から発光される光は放出され，光の観測位置，そして光の観測位置に対向する位置に入射されるすべての外部光は遮断され，前記発光素子内から反射された外部光が遮断されることを特徴とする両面発光型表示装置。
【請求項４９】
前記上部補償板の位相差遅延軸と下部補償板の位相差遅延軸が同一である場合，前記上部偏光部材と下部偏光部材の偏光軸は，相互に平行であることを特徴とする請求項４８に記載の両面発光型表示装置。
【請求項５０】
前記上部補償板の位相差遅延軸と前記下部補償板の位相差遅延軸が相互に反対である場合，前記上部偏光部材と下部偏光部材の偏光軸は相互に垂直であることを特徴とする請求項４８に記載の両面発光型表示装置。
【請求項５１】
前記下部偏光部材は，前記下部基板の外側面に配列され，前記下部補償板は，前記下部偏光部材と前記下部基板の外側面との間に配列され，  
前記上部偏光部材は，前記上部基板の外側面に配列され，前記上部補償板は，前記上部偏光部材と前記上部基板の外側面との間に配列されることを特徴とする請求項４８に記載の両面発光型表示装置。
【請求項５２】
前記下部偏光部材は，前記下部基板の外側面と内側面のうち，一つに配列され，前記下部補償板は，前記下部偏光部材と前記下部基板との間に配列され，  
前記上部偏光部材は，前記上部基板の内側面と外側面のうち，一つに配列され，前記上部補償板は，前記上部偏光部材と前記上部基板との間に配列されることを特徴とする請求項４８に記載の両面発光型表示装置。
【請求項５３】
前記下部補償板と前記上部補償板は，所定の位相差遅延軸を有する少なくとも一つ以上の補償フィルムを含むことを特徴とする請求項４８に記載の両面発光型表示装置。
【請求項５４】
前記下部偏光部材と前記下部補償板が成す角がｎπ／４であり，前記上部偏光部材と前記上部補償板が成す角が−ｎπ／４であり，前記補償板がλ／４の位相差遅延値を有することを特徴とする請求項４８に記載の両面発光型表示装置。
【請求項５５】
上部基板及び下部基板と，
前記上部基板の内側面と前記下部基板の内側面との間に形成され，所定の色を発光する発光素子と，
前記上部基板の一側面に配列される上部偏光部材と，
前記下部基板の一側面に配列される下部偏光部材と，を含み
前記上部偏光部材と前記下部偏光部材の偏光軸が相互に直交するように配列され，
前記発光素子から発光される光を観測する位置で，前記発光素子から発光される光は放出され，光の観測位置，そして光の観測位置に対向する位置に入射されるすべての外部光は，遮断されることを特徴とする両面発光型表示装置。
【請求項５６】
前記上部偏光部材と前記下部偏光部材は，各々０．１〜５０μｍの厚さを有する偏光物質コーティング膜であることを特徴とする請求項５５に記載の両面発光型表示装置。
【請求項５７】
前記上部偏光部材と前記下部偏光部材は，各々５０〜３００μｍの厚さを有する偏光フィルムであることを特徴とする請求項５５に記載の両面発光型表示装置。
【請求項５８】
前記上部偏光部材と前記下部偏光部材は，前記上部基板と前記下部基板の内側面に各々配列されるか，または上部基板と下部基板の外側面に各々配列されることを特徴とする請求項５５に記載の両面発光型表示装置。
【請求項５９】
前記上部偏光部材と前記下部偏光部材は，前記上部基板の内側面と前記下部基板の外側面に各々配列されるか，または前記上部基板の外側面と前記下部基板の内側面に各々配列されることを特徴とする請求項５５に記載の両面発光型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，平板表示装置に関する。さらに詳しく説明すると，外光による画質鮮明図低下を防止することができる両面発光型有機電界発光表示装置（Ｄｏｕｂｌｅ−ｓｉｄｅｄ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｄｅｖｉｃｅ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光表示装置，ＦＥＤ（ｆｉｅｌｄ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｄｉｓｐｌａｙ）等のような平板表示装置は，外光の強さによってコントラストが大きく減少する。外光によるコントラストの低下を防止するために，外光遮断用ブラックマトリックス（ｂｌａｃｋ  ｍａｔｒｉｘ）等を使用した。しかし，ブラックマトリックスを使用する場合も実際に発光領域で外光を完全に遮断してブラック状態を作るのはとても難しい。
【０００３】
一方，円偏光板を利用して外光を遮断する有機電界発光表示装置は，開示されている（特許文献１参照）。従来の円偏光板を利用した有機電界発光表示装置は，絶縁基板上に透明電極，有機発光層及び反射電極でなっている有機ＥＬ素子が形成される。シーラント（図示せず）を用いて絶縁基板を封止基板で封止させ，絶縁基板の外側面に線偏光板とλ／４補償板による円偏光板が配列される。ここで，λ／４補償板の位相差遅延軸は線偏光板の偏光軸と４５°をなすように配列される。従って，外光は線形偏光板を通って線形偏光となり，線形偏光となった光はλ／４補償板を通って円偏光板となり，円偏光となった光は反射電極を通って反射される。そして，λ／４補償板を通って線形偏光となった光は，線偏光板を通って吸収され遮断される。
【０００４】
【特許文献１】米国特許第５，５９６，２４６号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし，前述したような従来の有機電界発光表示装置は，円偏光板を利用して外部光を遮断し，コントラストを向上させることはできるが，外部光を遮断するためにさらに反射板を必要とするという問題点があった。
【０００６】
そこで，本発明はこのような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，外部光を遮断してコントラストを向上させることができる両面発光型有機電界発光表示装置を提供することにある。
【０００７】
また，本発明の他の目的は，外部反射光だけではなく背面透過光も遮断できる両面発光型有機電界発光表示装置を提供することにある。
【０００８】
また，本発明の他の目的は，ディスプレーされる画質の鮮明度を増加させることができる両面発光型有機電界発光表示装置を提供することにある。
【０００９】
また，本発明の他の目的は，画像を観測する方向と反対方向の全部で外部光を遮断して画質鮮明度を向上させることができる両面発光型有機電界発光表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために，本発明の第１の観点によれば，上部基板及び下部基板と，前記上部基板の内側面と下部基板の内側面との間に形成され，所定の色を発光する発光素子と，前記上部基板の内側面及び外側面のうち，一つに配列されている上部偏光物質膜と，前記下部基板の内側面及び外側面のうち，少なくとも一つに配列されている下部偏光物質膜と，を含む両面発光型表示装置が提供される。
【００１１】
上部及び下部偏光物質膜は，各々上部及び下部基板の外側面に各々コーティングされたコーティング膜，各々上部及び下部基板の内側面に各々コーティングされたコーティング膜，上部偏光物質膜は，前記上部基板の内側面にコーティングされたコーティング膜であり下部偏光物質膜は，下部基板の外側面にコーティングされたコーティング膜であるか，または上部偏光物質膜は，上部基板の外側面にコーティングされたコーティング膜であり，下部偏光物質膜は，下部基板の内側面にコーティングされたコーティング膜である。上部偏光物質膜と下部偏光物質膜は，その偏光軸が相互に直交するように配列され，各々０．１μｍ〜５０μｍの厚さを有するコーティング膜である。
【００１２】
上記課題を解決するために，本発明の第２の観点によれば，本発明は上部基板及び下部基板と，上部基板の内側面及び下部基板の内側面との間に形成され，所定の色を発光する発光素子と，上部基板の外側面と内側面のうち，一つの側面に配列された上部偏光板と，下部基板の内側面と外側面のうち，一つの側面に配列された下部偏光板と，を含む両面発光型表示装置を提供する。
【００１３】
上部偏光板と下部偏光板は，前記上部基板と下部基板の内側面に各々付着された偏光フィルム，上部偏光板は上部基板の内側面上に付着された偏光フィルムであり，下部偏光板は下部基板の外側面に付着された偏光フィルム，上部偏光板は上部基板の外側面上に付着された偏光フィルムであり，下部偏光板は下部基板の内側面に付着された偏光フィルムであるか，または上部偏光板と下部偏光板は，上部基板と下部基板の外側面に各々付着された偏光フィルムである。上部偏光板と下部偏光板の偏光軸が相互に直交するように配列され，上部偏光板と下部偏光板は，各々厚さが５０〜３００μｍである偏光フィルムである。
【００１４】
上記課題を解決するために，本発明の第３の観点によれば，本発明は上部基板及び下部基板と，上部基板の内側面と下部基板の内側面との間に形成され，所定の色を発光する発光素子と，上部基板の一側面に配列される上部偏光部材と，下部基板の一側面に配列される下部偏光部材と，上部偏光部材と発光素子との間に配列される上部補償板と，下部偏光部材と発光素子との間に配列される下部補償板を含み，各々の上，下部補償板の位相差遅延値はλ／４であり，上，下部補償板と上，下部偏光部材が各々なす角が４５°である両面発光型表示装置を提供する。
【００１５】
このとき，下部偏光部材と発光素子との間に配列された下部補償板の位相差遅延軸が前記下部偏光部材の偏光軸となす角と，上部偏光部材と発光素子との間に配列された上部補償板の位相差遅延軸が上部偏光部材の偏光軸となす角は，相互に方向が反対になるよう配列される。
【００１６】
下部偏光部材は下部基板の外側面に配列され，下部補償板は下部偏光部材と下部基板の外側面との間に配列され，上部偏光部材は上部基板の外側面に配列され，上部補償板は上部偏光部材と上部基板の外側面との間に配列される。下部偏光部材は前記下部基板の外側面に配列され，下部補償板は下部偏光部材と下部基板の外側面との間に配列され，上部偏光部材は上部基板の内側面に配列され，上部補償板は上部偏光部材と上部基板の内側面との間に配列される。
【００１７】
下部偏光部材は下部基板の内側面に配列され，下部補償板は下部偏光部材と下部基板の内側面との間に配列され，上部偏光部材は上部基板の内側面に配列され，上部補償板は上部偏光部材と上部基板の内側面との間に配列される。上部偏光部材は下部基板の内側面に配列され，下部補償板は下部偏光部材と下部基板の内側面との間に配列され，上部偏光部材は上部基板の外側面に配列され，上部補償板は上部偏光部材と上部基板の外側面との間に配列される。
【００１８】
下部補償板と下部補償板は，所定の位相差遅延軸を有する少なくとも一つ以上の補償フィルムを含む。発光素子から発光される光の観測位置に対向する位置から入射されて透過される外部光は，上部補償板と下部補償板の位相差遅延軸がλ／４であり，上，下部補償板の位相差遅延軸が上，下部偏光部材の偏光軸がなす角が相互に反対方向である場合，上部偏光部材の偏光軸と上，下部補償板の位相差遅延軸がなす角，そして，下部偏光部材の偏光軸と上，下部補償板の遅延軸がなす角に関係なく観測者の方に透過することができない。
【００１９】
上記課題を解決するために，本発明の第４の観点によれば，本発明は上部基板及び下部基板と，上部基板の内側面と下部基板の内側面との間に形成され，所定の色を発光する発光素子と，上部基板の一側面に配列される上部偏光部材と，下部基板の一側面に配列される下部偏光部材と，上部偏光部材と発光素子との間に配列される上部補償板と，下部偏光部材と発光素子との間に配列される下部補償板を含み，上部補償板の位相差遅延軸と上部偏光部材の偏光軸がなす角と下部補償板の位相差遅延軸と下部偏光部材の偏光軸がなす角は，相互に反対となり，発光素子から発光される光を観測する位置で，発光素子から発光される光は放出され，光の観測位置，そして光の観測位置に対向する位置で入射されるすべての外部光は遮断され，発光素子内で反射された外部光が遮断される両面発光型表示装置を提供する。
【００２０】
上記課題を解決するために，本発明の第５の観点によれば，本発明は上部基板及び下部基板と，上部基板の内側面と下部基板の内側面の間に形成され，所定の色を発光する発光素子と，上部基板の一側面に配列される上部偏光部材と，下部基板の一側面に配列される下部偏光部材を含み，上部偏光部材と下部偏光部材の偏光軸が相互に直交するように配列され，発光素子から発光される光を観測する位置で，発光素子から発光される光は放出され，光の観測位置，そして光の観測位置に対向する位置で入射されるすべての外部光は，遮断される両面発光型表示装置を提供する。
【００２１】
上部偏光部材と下部偏光部材は，各々０．１〜５０μｍの厚さを有する偏光物質コーティング膜，または上部偏光部材と下部偏光部材は，各々５０〜３００μｍの厚さを有する偏光フィルムである。上部偏光部材と下部偏光部材は，上部基板と下部基板の内側面に各々配列されるか，または上部基板と下部基板の外側面に各々配列される。上部偏光部材と下部偏光部材は，上部基板の内側面と下部基板の外側面に各々配列されるか，または上部基板の外側面と下部基板の内側面に各々配列される。
【発明の効果】
【００２２】
以上説明したように本発明によれば，偏光板を有機電界発光表示装置の両側に付着して外光を遮断し，高いコントラストを有する有機電界発光表示装置を提供できるものである。また，フォルダー型の両面表示素子として適用される場合，外光を遮断するだけでなく，上部基板および／または下部基板のいづれかに付着された偏光フィルムが，上部および／または下部基板を保護する耐衝撃の役割を具現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２４】
図１は，本発明の第１実施形態による両面発光型有機電界発光表示装置の断面構造を示した図である。
【００２５】
図１を参照すると，下部基板１１０として絶縁基板上にアノード電極１２０が形成され，アノード電極１２０上に有機薄膜層１３０が形成され，有機薄膜層１３０上にカソード電極１４０が形成される。カソード電極１４０上に保護膜１５０が形成され，上部基板として封止基板１６０をシーラント（図示せず）を利用して下部基板１１０に接着させて封止する。
【００２６】
上部基板１６０及び下部基板１１０は，ガラスのような透明な基板を使用する。アノード電極１２０は，透過電極として，下部基板１１０の内側面上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ），ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜を蒸着した後，パッターニングして形成する。有機薄膜層１３０は，正孔注入層（ＨＩＬ（ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）），正孔輸送層（ＨＴＬ（ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）），発光層（Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ），正孔抑制層（ＨＢＬ（ｈｏｌｅ  ｂｌｏｃｋｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）），電子輸送層（ＥＴＬ（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）），電子注入層（ＥＩＬ（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ））のうち，少なくとも一つ以上の薄膜層を含む。カソード電極１４０は，透過電極として，ワーク関数（ｗｏｒｋ  ｆｕｎｃｔｉｏｎ）が低いＣａ，ＬｉＦ等の金属膜を蒸着して形成する。保護膜１５０は，透明な封止（ｓｅａｌ）材を使用して形成し，大気に露出された有機電界発光表示装置の寿命（ｌｉｆｅ  ｔｉｍｅ）を保障することたけではなく，カソード電極１４０，またはアノード電極１２０の酸化を防止する。
【００２７】
下部基板１１０の外側面と上部基板１６０の外側面上に各々下部偏光部材１７０Ａ及び上部偏光部材１８０Ａが配列される。偏光部材１７０Ａ，１８０Ａは，各々基板１１０，１６０の外側面にコーティングされた偏光物質膜として，偏光物質膜はオップティバー（ｏｐｔｉｖａ）社のコーティング偏光液を０．１〜５０μｍの厚さにコーティングして形成する。
【００２８】
このとき，下部基板１１０の外側面に配列された下部偏光部材１７０Ａと上部基板１６０の外側面に配列された上部偏光部材１８０Ａは，その偏光軸が相互に垂直になるように形成することが望ましい。従って，偏光軸が相互に垂直な上部偏光部材１８０Ａと下部偏光部材１７０Ａを，上部基板１６０及び下部基板１１０と一体型で形成できる。
【００２９】
第１実施形態では，ＥＬ素子１００が形成された下部基板１１０を上部基板１６０で封止した後，上部基板１６０及び下部基板１１０の外側面に上部偏光物質膜１８０Ａ，下部偏光物質膜１７０Ａをコーティングすることにより，上部偏光部材および下部偏光部材を形成して，有機電界発光表示装置を製造することができる。
【００３０】
一方，上部基板１６０及び下部基板１１０の外側面に偏光物質膜をコーティングして，上部偏光部材１８０Ａおよび下部偏光部材１７０Ａを形成した後，下部基板１１０上にＥＬ素子１００を形成し，下部基板１１０を上部基板１６０で封止して，有機電界発光表示装置を製造することもできる。
【００３１】
図２は，本発明の第２実施形態による両面発光型有機電界発光表示装置の断面構造を示した図である。第２実施形態による有機電界発光表示装置は，第１実施形態と同様に，下部偏光部材１７０Ｂ，上部偏光部材１８０Ｂが，下部基板１１０の外側面と上部基板１６０の外側面に各々形成される構造を有する。
【００３２】
下部偏光部材１７０Ｂと上部偏光部材１８０Ｂは，下部基板１１０および上部基板１６０の外側面上に各々付着される偏光板として，５０〜３００μｍの偏光フィルムを下部基板１１０の外側面と上部基板１６０の外側面上に各々付着して形成する。このとき，下部基板１１０の外側面に付着された下部偏光部材１７０Ｂと上部基板１６０の外側面上に付着された上部偏光部材１８０Ｂは，その偏光軸が相互に垂直であるように付着することが望ましい。
【００３３】
第２実施形態では，ＥＬ素子１００が形成されている下部基板１１０を上部基板１６０で封止した後，上部基板１６０及び下部基板１１０の外側面に，上部偏光フィルム１８０Ｂと下部偏光フィルム１７０Ｂを付着して偏光部材を形成して有機電界発光表示装置を製造することができる。
【００３４】
また，上部基板１６０及び下部基板１１０の外側面に偏光フィルムを付着して，上部偏光部材１８０Ｂおよび下部偏光部材１７０Ｂを形成した後，下部基板１１０上にＥＬ素子１００を形成し上部基板１６０で下部基板１１０を封止して有機電界発光表示装置を製造することもできる。
【００３５】
図３は，本発明の第３実施形態による両面発光型有機電界発光表示装置の断面構造を示した図である。第３実施形態による有機電界発光表示装置は，下部偏光部材２７０Ａが下部基板２１０の外側面に配列され，上部偏光部材２８０Ａが上部基板２６０の内側面に配列される構造を有する。
【００３６】
図３を参照すると，下部基板２１０の内側面上に第１実施形態と同様に，下部電極であるアノード電極２２０，有機薄膜層２３０及び上部電極であるカソード電極２４０を備えたＥＬ素子２００が形成され，カソード電極２４０上に保護膜２５０が形成され，上部基板２６０を，シーラントを利用して下部基板２１０に接着させて封止する。
【００３７】
下部基板２１０の外側面に下部偏光部材２７０Ａが配列され，上部基板２６０の内側面に上部偏光部材２８０Ａが配列される。下部偏光部材２７０Ａと上部偏光部材２８０Ａは，下部基板２１０の外側面と上部基板２６０の内側面上に偏光物質膜としてコーティングされた，偏光物質膜はオプティバ（Ｏｐｔｉｖａ）社のコーティング偏光液を０．１〜５０μｍの厚さでコーティングして形成する。
【００３８】
下部基板２１０の外側面に配列された下部偏光部材２７０Ａと上部基板２６０の内側面に配列された上部偏光部材２８０Ａは，その偏光軸が相互に垂直になるように形成することが望ましい。従って，偏光軸が相互に垂直な上部偏光部材２８０Ａ及び下部偏光部材２７０Ａを上部基板２６０及び下部基板２１０と一体型に形成することができる。
【００３９】
第３実施形態では，下部基板２００上にＥＬ素子２００を形成し，下部基板２１０の外側面と上部基板２６０の内側面に偏光物質膜をコーティングして，上部偏光部材２８０Ａと下部偏光部材２７０Ａを形成した後，下部基板２１０を上部基板２６０で封止して有機電界発光表示装置を製造することができる。
【００４０】
また，下部基板２１０の外側面と上部基板２６０の内側面に偏光物質膜をコーティングして，上部偏光部材２８０Ａと下部偏光部材２７０Ａを形成した後，下部基板２１０の上にＥＬ素子２００を形成し，下部基板２１０を上部基板２６０で封止して有機電界発光表示装置を製造することもできる。
【００４１】
図４は，本発明の第４実施形態による両面発光型有機電界発光表示装置の断面構造を示した図である。第４実施形態による有機電界発光表示装置は，第３実施形態と同様に，下部偏光部材２７０Ｂが下部基板２１０の外側面に配列され，上部偏光部材２８０Ｂが上部基板２６０の内側面に配列される構造を有する。
【００４２】
下部偏光部材２７０Ｂと上部偏光部材２８０Ｂは，下部基板２１０の外側面と上部基板２６０の内側面上に各々付着された偏光板であり，偏光板は，５０〜３００μｍの偏光フィルムを下部基板２１０の外側面と上部基板２６０の内側面上に各々付着して，下部偏光部材２７０Ｂと上部偏光部材２８０Ｂを形成する。この時，下部基板２１０の外側面に付着された下部偏光部材２７０Ｂと上部基板２６０の内側面上に付着された上部偏光部材２８０Ｂは，その偏光軸が相互に垂直になるよう付着することが望ましい。
【００４３】
第４実施形態では，下部基板２１０の上にＥＬ素子２００を形成し，下部基板２１０の外側面と上部基板２６０の内側面に偏光フィルムを付着して，下部偏光部材２８０Ｂと上部偏光部材２７０Ｂを形成した後，下部基板２１０を上部基板２６０で封止して有機電界発光装置を製造することができる。
【００４４】
また，下部基板２１０の外側面と上部基板２６０の内側面に偏光フィルムを付着して下部偏光部材２８０Ｂと上部偏光部材２７０Ｂを形成した後，下部基板２１０上にＥＬ素子２００を形成し，下部基板２１０を上記基板２６０で封止して有機電界発光表示装置を製造することもできる。
【００４５】
図５は，本発明の第５実施形態による有機電界発光表示装置を示した図である。第５実施形態による有機電界発光表示装置は，下部偏光部材３７０Ａが下部基板３１０の内側面に配列され，上部偏光部材３８０Ａが上部基板３６０の外側面に配列される構造を有する。
【００４６】
図５を参照すると，下部基板３１０の内側面に第１実施形態と同様に，下部電極であるアノード電極３２０，有機薄膜層３３０及び上部電極であるカソード電極３４０を備えたＥＬ素子３００が形成され，カソード電極３４０上に保護膜３５０を形成し，上部基板３６０を，シーラントを利用して下部基板３１０に接着させて封止する。
【００４７】
下部基板３１０の内側面と上部基板３６０の外側面に各々下部偏光部材３７０Ａ，上部偏光部材３８０Ａが配列される。下部偏光部材３７０Ａ，上部偏光部材３８０Ａは，下部基板３１０の内側面と上部基板３６０の外側面上にコーティングされた偏光物質膜であり，偏光物質膜はオプティバ（Ｏｐｔｉｖａ）社のコーティング偏光液を０．１〜５０μｍの厚さでコーティングして形成する。
【００４８】
この時，下部基板３１０の内側面に配列されている下部偏光部材３７０Ａと上部基板３６０の外側面に配列されている上部偏光部材３８０Ａは，その偏光軸が相互に垂直になるよう形成することが望ましい。偏光軸が相互に垂直な上部偏光部材３８０Ａ及び下部偏光部材３７０Ａを，上部基板３６０及び下部基板３１０と一体型に形成することもできる
第５実施形態では，下部基板３００の内側面と上部基板３６０の外側面上に偏光物質膜をコーティングして下部偏光部材３７０Ａ及び上部偏光部材３８０Ａを形成し，下部偏光部材３７０Ａの上にＥＬ素子３００を形成し，外側面に上部偏光部材３８０Ａを備えた上部基板で封止して有機電界発光表示装置を製造することができる。
【００４９】
図６は，本発明の第６実施形態による両面発光型有機電界発光表示装置の断面構造を示した図である。第６実施形態による有機電界発光表示装置は，第５実施形態のように，下部偏光部材３７０Ｂが下部基板３１０の内側面に配列され，上部偏光部材３８０Ｂが上部基板３６０の外側面に配列される構造を有する。
【００５０】
下部偏光部材３７０Ｂと上部偏光部材３８０Ｂは，下部基板３１０の内側面と上部基板３６０の外側面上に各々付着された偏光板であり，偏光板３７０Ｂ，３８０Ｂは，５０〜３００λｍの偏光フィルムを下部基板３１０の内側面と上部基板３６０の外側面上に各々付着して形成する。この時，下部基板３１０の内側面に付着された下部偏光部材３７０Ｂと上部基板３６０の外側面に付着された上部偏光部材３８０Ｂは，その偏光軸が相互に垂直になるように付着することが望ましい。
【００５１】
第６実施形態では，下部基板３１０の内側面と上部基板３６０の外側面に偏光フィルムを付着して下部偏光部材３８０Ｂと上部偏光部材３７０Ｂを形成した後，下部偏光部材３７０Ｂの上にＥＬ素子３００を形成し，下部基板３１０を上部基板３６０で封止して有機電界発光表示装置を製造することができる。
【００５２】
図７は，本発明の第７実施形態による両面発光型有機電界発光表示装置の断面構造を示した図である。第７実施形態による両面発光型有機電界発光表示装置は，下部基板４１０と上部基板４６０の内側面に各々下部偏光部材４７０Ａ，上部偏光部材４８０Ａが配列される。
【００５３】
図７を参照すると，下部基板４１０の内側面上に第１実施形態と同様に，下部電極であるアノード電極４２０，有機薄膜層４３０及び上部電極であるカソード電極４４０を備えたＥＬ素子４００が形成され，カソード電極４４０上に保護膜４５０が形成され，下部基板４１０に上部基板４６０をシーラントを利用して封止する。
【００５４】
下部基板４１０と上部基板４６０の内側面上に各々下部偏光部材４７０Ａ及び上部偏光部材４８０Ａが配列される。下部偏光部材４７０Ａ及び上部偏光部材４８０Ａは，各々下部基板４１０，上部基板４６０の内側面上にコーティングされた偏光物質膜であり，前記偏光物質膜は，オプティバ（Ｏｐｔｉｖａ）社のコーティング偏光液を０．１〜５０μｍの厚さでコーティングして形成する。
【００５５】
この時，下部基板４１０の内側面に配列された下部偏光部材４７０Ａと上部基板４６０の内側面に配列された上部偏光部材４８０Ａは，その偏光軸が相互に垂直になるように形成することが望ましい。偏光軸が相互に垂直な上部偏光部材４８０Ａ及び下部偏光部材４７０Ａを，上部基板４６０及び下部基板４１０と一体型に形成することができる。
【００５６】
第７実施形態では，上部基板４６０及び下部基板４１０の内側面に偏光物質膜，下部偏光部材４８０Ａと上部偏光部材４７０Ａを形成した後，下部偏光部材４７０Ａの上にＥＬ素子４００を形成し，上部基板４６０で封止して有機電界発光表示装置を製造することができる。
【００５７】
図８は，本発明の第８実施形態による両面発光型有機電界発光表示装置の断面構造を示した図である。第８実施形態による有機電界発光表示装置は，第７実施形態と同様に，下部偏光部材４７０Ｂと上部４８０Ｂが下部基板４１０の内側面と上部基板４６０の内側面に各々形成する構造を有する。
【００５８】
下部偏光部材４７０Ｂと上部偏光部材４８０Ｂは各々下部基板４１０と上部基板４６０の内側面上に付着されている偏光板であり，５０〜３００μｍの偏光フィルムを下部基板４１０の内側面と上部基板４６０の内側面上に各々付着して形成する。この時，下部基板４１０の内側面に付着されている下部偏光部材４７０Ｂと上部基板４６０の内側面に付着されている上部偏光部材４８０Ｂはその偏光軸が相互に垂直になるよう付着することが望ましい。
【００５９】
第８実施形態では，上部基板４６０及び下部基板４１０の内側面に偏光フィルムを付着して，下部偏光部材４８０Ｂと上部偏光部材４７０Ｂを形成し，下部偏光部材４７０Ｂの上にＥＬ素子４００を形成し，上部基板で封止して有機電界発光表示装置を製造することができる。
【００６０】
本発明の第１実施形態による両面発光型有機電界発光表示装置において，外部光が遮断される原理を図９及び図１０を参照して説明すると次のようである。
【００６１】
図９に示されているように，観測者１９０が封止基板である上部基板１６０側で観察する場合，発光層１３０から発光された光１９１は，上部偏光部材１８０Ａを通じて線形偏光されて矢印方向１９２に進行するため，上部基板１６０を通じて観測者１９０に観測される。線形偏光された光は，上部偏光部材１８０Ａの偏光軸と同一な方向に振動する。
【００６２】
一方，観測者１９０から封止基板１６０側に入射される外部光１９５は，上部偏光部材１８０Ａを通じて線形偏光されて矢印方向１９６に進行する。上部偏光部材１８０Ａを通じて線形偏光された内部透過光は，ＥＬ素子１００の膜構造によって反射され，反射外部光は線形偏光の方向が変わるので本来の上部基板１６０を通じて入射される光の入射角と９０度をなし透過できなくなる。
【００６３】
また，観測者１９０の位置と対向する位置から入射される外部光，すなわち下部基板１１０に入射されて透過する透過外部光の場合，下部偏光部材１７０Ａを通じて線形偏光される。この時，上部偏光部材１８０Ａと下部偏光部材１７０Ａの偏光軸が相互に垂直に配列されるため，線形偏光された透過外部光は上部偏光部材１８０Ａを透過できない。すなわち，線偏光された透過外部光の偏光軸は，下部基板１１０から入射する時の偏光軸と直交するため，観測者１９０の位置と反対の位置である下部基板１１０を透過した透過外部光は上部偏光部材１８０Ａを通じて放出できず遮断される。
【００６４】
図１０に示されたように，観測者１９０が下部基板１１０側で観察する場合，発光層１３０から発光された光１９１は，下部偏光部材１７０Ａを通じて線形偏光されて矢印方向１９２に進行するため，下部基板１１０を通じて観測者１９０に観測される。線形偏光された光は，下部偏光部材１７０Ａの偏光軸と同一な方向に振動する。
【００６５】
一方，観測者１９０側から絶縁基板１１０側に入射される外部光１９５は，下部偏光部材１７０Ａを通じて線形偏光されて矢印方向１９６に進行する。下部偏光部材１７０Ａを通じて線形偏光された内部透過光は，ＥＬ素子１００の膜構造によって反射され，反射外部光は線形偏光の方向が変わり，基板１１０を通じて入射される光の入射角と９０度をなし透過できなくなる。
【００６６】
また，観測者１９０の位置と対向する位置から入射される外部光，すなわち上部基板１６０に入射されて透過する透過外部光の場合，上部偏光部材１８０Ａを通じて線形偏光される。この時，上部偏光部材１８０Ａと下部偏光部材１７０Ａの偏光軸が相互に垂直に配列されるため，線形偏光された透過外部光は下部偏光部材１７０Ａを透過できない。すなわち，線偏光された透過外部光の偏光軸は，上部基板１６０から入射される時の偏光軸とは直交するため，観測者１９０の位置と対向する位置である上部基板１６０を透過する透過外部光は下部偏光部材１７０Ａを通じて放出されず遮断される。
【００６７】
ここで，反射外部光とは，上部基板１６０から下部基板１１０に，また下部基板１１０から上部基板１６０に入射されて内部ＥＬ素子１００を通じて反射されて再び上部基板１６０，または下部基板１１０側に進行する光を意味する。また，透過外部光とは，封止基板１６０を通じて入射されて上部基板１１０側に透過する光，または下部基板１１０を通じて入射されて上部基板１６０側に透過する光を意味する。
【００６８】
上記で説明したように観測者１９０が下部基板，または上部基板のどちらからの方向で見ても，発光層１３０から発光する光だけが下部基板１１０，または上部基板１６０を通じて放出されるだけであり，反射外部光及び透過外部光は，下部基板１１０，または上部基板１６０を通じて放出されず消失するため，外部光によるコントラストの低下が防げる両面発光構造を具現することができる。
【００６９】
外部光が遮断される原理を図９及び図１０に示したように，第１実施形態の両面発光型有機電界発光表示装置に限定して説明したが，本発明の第１実施形態〜第８実施形態のように，上，下部絶縁基板の内側面と外側面のうち，一側面上に偏光軸が相互に直交するように上，下部偏光部材を配列することで前述したような外部光遮断効果が得られる。また，本発明の第１実施形態〜第８実施形態は，他のタイプの発光素子を備える表示装置にも適用できる。
【００７０】
図１１は，本発明の第９実施形態に他の有機電界発光表示装置の断面構造を示した図である。図１１を参照すると，ガラス基板のような透明な下部絶縁基板５１０上に下部電極５２０であるアノード電極を形成し，下部電極５２０上に有機薄膜層５３０と上部電極５４０であるカソード電極を形成する。下部電極５２０は，アノード電極として，ＩＴＯ，ＩＺＯなどのような透明導電膜でできた透過電極を形成する。有機薄膜層５３０は，正孔注入層（ＨＩＬ），正孔輸送層（ＨＴＬ），発光層（Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ），正孔抑制層（ＨＢＬ），電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）から選択される少なくとも一つ以上の有機膜を含む。上部電極５４０はカソード電極として，Ｃａ，ＬｉＦのようなワーク関数が低い金属膜で形成してＥＬ素子５００を形成する。
【００７１】
ガラスのような透明な封止基板５６０をシーラント（図示せず）を利用して下部基板５１０に接着させて封止する。下部基板５１０と封止基板５５０の外側面に各々下部円偏光板５７０と上部円偏光板５８０を配置する。下部円偏光板５７０は，下部線偏光板５７５と下部補償板５７１を含む。下部補償板５７１はλ／４補償板を使用する。上部円偏光板５８０は，上部線偏光板５８５と上部補償板５８１を含む。上部補償板５８１はλ／４補償板を使用する。
【００７２】
上記の構造を有する両面発光型有機電界発光表示装置は，上部補償板５７１及び下部補償板５８５の位相差遅延値をｘとした場合，位相差遅延値ｘは，下記の数学式を満足する。
ｎλ／２≦ｘ≦（ｎ＋１）λ／２、ここでｎは整数である。
【００７３】
図１５及び図１６を参照して本発明の第９実施形態による両面発光型有機電界発光表示装置の外光遮断原理を説明する。まず，観測者５９０が上部基板５６０側から観察した場合，発光層５３０から発光された光は，上部円偏光板５８０を通じて観測される。観測者５９０から上部基板５６０側に入射される外部光５９５は，上部円偏光板５８０を構成する上部線形偏光板５８５と上部補償板５８１を通じて円形偏光されて矢印方向５９６に進行する。
【００７４】
このような円偏光板５８０を通じて円形偏光された光は，ＥＬ素子５００の膜構造によって反射されて円形偏光の方向が変わる。この時，左偏光方向の円形偏光は，右偏光方向の円形偏光に変わる。従って，偏光方向が変わり円形偏光された光は，上部補償板５８１によって線偏光に変わる。よって，上部補償板５８１を通じて線偏光された光は上部基板５６０を通じて入射される光の入射角と９０度を成し透過できなくなる。
【００７５】
一方，観測者５９０の位置と対向する位置から入射される外部光，すなわち下部基板５１０に入射されて透過する透過外部光の場合，上部補償板５８１と下部補償板５７１との位相差遅延軸が各々λ／４であり，上部偏光板５８５の偏光軸に対して上部補償板５８１の位相差遅延軸が成す角と下部偏光板５７５に対して下部補償板５７１の位相差遅延軸が成す角が反対であると，下部基板５１０を透過する透過外部光は，上部偏光板５８５と上部補償板５８１及び下部補償板５７１，そして下部偏光板５７５と上部補償板５８１及び下部補償板５７１が成す角とは関係なく，観測者５９０側に透過できなくなる。
【００７６】
従って，本発明の有機電界発光表示装置は，観察者がどの方向で見ても外光を遮断し，また外部光が発光素子５００の内部から発光される場合，反射された外部光も遮断することができるため，高いコントラストを有することができる。
【００７７】
例えば，図１５のように上部円形偏光板５８０の上部線形偏光板５８５と下部円形偏光板５７０の下部線形偏光板５７５の偏光軸が平行になるよう下部線形偏光板５７５，上部線形偏光板５８５を配列すると，下部基板５１０側に入射されて透過する透過外部光５９６は，下部円偏光板５７０を構成する線形偏光板５７５と補償板５７１を通じて円形偏光されて上部基板５６０側に進行する。
【００７８】
この時，上部補償板５８１と下部補償板５７１との位相差遅延軸が同一であるため，透過外部光は同じ方向にλ／４ほど２回移動するようになり，総λ／２ほど移動し線偏光となる。従って，線偏光された光の偏光軸は，絶縁基板５１０から入射される時の偏光軸とは直交するため，観測者５９０の位置と対向する位置である下部基板５１０を透過する外部透過光は，上部円偏光板５８０を通じて放出されず遮断される。
【００７９】
図１６のように，上部円形偏光板５８０の上部線形偏光板５８５と下部円形偏光板５７０の下部線形偏光板５７５の偏光軸が垂直になるように下部線形偏光板５７５，上部線形偏光板５８５を配列する場合にも，図１５と同じ原理で上部基板５６０を通じて入射されて発光素子５００を通じて反射された外部光，すなわち反射外部光は遮断される。
【００８０】
また，下部基板５１０側に入射されて下部基板５１０を透過した外部光，すなわち透過外部光は，下部円偏光板５７０を構成する下部線形偏光板５７５と下部補償板５７１を通じて円形偏光されて封止基板５６０側に進行する。この時，上部補償板５８１と下部補償板５７１との位相差遅延軸が相互に垂直であるため透過入射光は，下部基板５１０に透過する時の方向と同じ方向に線偏光となる。従って，上部基板５６０側の上部線偏光板５８５は，下部線偏光板５７５と直交方向であるため，絶縁基板５１０を透過した透過外部光は，上部円偏光板５８０を通じて観測者５９０側に放出されず遮断される。
【００８１】
ここで，外部反射光とは，上部基板５６０から下部基板５１０に，または下部基板５１０から上部基板５６０に入射されて内部ＥＬ素子５００を通じて反射されて，再び上部基板５６０，または下部基板５１０側に進行する光を意味する。また，外部透過光とは，上部基板５６０を通じて入射されて下部基板５１０側に透過する光，または下部基板５１０を通じて入射されて上部基板５６０側に透過する光を意味する。
【００８２】
従って，観測者５９０には，発光層５３０から発光された光５９１だけが観測され，上部基板５６０側から入射される外部光は遮断される。よって，発光層５３０から光が両面に発光されても上部基板５６０側に入射される外部光が遮断できるため絶縁基板側の背景が透過できない。よって，観測者５９０の目には発光層５３０から発光する光だけが認識できるため，画質鮮明度が向上できる。
【００８３】
本発明の有機電界発光表示装置では，観測者５９０の方向と反対方向から入射される透過外部光は，上部補償板５８１と下部補償板５７１との位相差遅延軸が各々の上部線形偏光板５８５と下部線形偏光板５８１の偏光軸と成す角が上，下基板で相互に反対である回転角を有することが望ましい。
【００８４】
図１２は，本発明の第１０実施形態による有機電界発光表示装置の断面構造を示した図である。図１２を参照すると，第１０実施形態による有機電界発光表示装置は，第９実施形態と同じである。しかし，補償板を，第９実施形態では一つのλ／４補償板として構成したが，第１０実施形態では補償板を各々の位相差遅延軸を有する多数の補償フィルムを使用し構成してλ／４補償板の役割をする。
【００８５】
すなわち，第１０実施形態による有機電界発光表示装置は，下部絶縁基板６１０上に下部電極６２０を形成し，下部電極６２０上に有機薄膜層６３０と上部電極６４０を形成する。上部基板６６０を，シーラントを利用して下部基板６１０に接着させ封止する。下部基板６１０と上部基板６６０の外側面に各々下部円偏光板６７０と上部円偏光板６８０を配置する。下部円偏光板６７０は，下部線偏光板６７５Ａと下部補償板６７１Ａを含み，下部補償板６７１Ａはλ／４補償板を使用する。上部円偏光板６８０は，上部線偏光板６８５Ａと補償板６８１Ａを含み，補償板６８１Ａは各々の位相差遅延軸を有する多数の補償フィルム６８２〜６８４を使用してλ／４補償板の役割をするように構成する。この時，補償フィルム６８２〜６８４の位相差遅延軸は，相互に同じであるか，また違う場合もある。
【００８６】
図１３は，本発明の第１１実施形態による有機電界発光表示装置の断面構造を示した図である。図１３を参照すると，第１１実施形態による有機電界発光表示装置は，第９実施形態と同じである。しかし，下部円偏光板６７０の補償板６７１Ｂを第１実施形態では，一つのλ／４補償板として構成したが，第３実施形態では，下部円偏光板６７０の補償板６７１Ｂを各々の位相差遅延軸を有する多数の補償フィルム６７２〜６７４で使用し構成してλ／４補償板の役割をする。
【００８７】
図１４は，本発明の第１２実施形態による有機電界発光表示装置の断面構造を示した図である。図１４を参照すると，第１２実施形態による有機電界発光表示装置は，第９実施形態と同じである。しかし，下部円偏光板６７０の補償板６７１Ｃと上部偏光板６８０の補償板６８１Ｃを，第１実施形態では，一つのλ／４補償板で構成したが，第１２実施形態では，補償板６７１Ｃと６８１Ｃを各々の位相差遅延軸を有する多数の補償フィルム６７２〜６７４と６８２〜６８４で使用し構成してλ／４補償板の役割をする。
【００８８】
図１２，図１３及び図１４に示された第１０実施形態，第１１実施形態及び第１２実施形態による有機電界発光表示装置は，第９実施形態と同様に，上部補償板４７１と下部補償板４８１との位相差遅延値をｘとする時，位相差遅延値ｘは下記の数学式を満足する。
ｎλ／２≦ｘ≦（ｎ＋１）λ／２、ここでｎは整数である。
【００８９】
従って，第９実施形態と同様に，図１５及び図１６に示されたような原理で透過外部光及び反射外部光をすべて遮断するため画質鮮明度を改善することができる。
【００９０】
図１７は，本発明の第１３実施形態による有機電界発光表示装置の断面構造を示した図である。図１７を参照すると，第１３実施形態による有機電界発光表示装置は，第９実施形態と同じである。しかし，円偏光板を上部基板側のみに設置して下部基板よりは上部基板側の光遮断効果を改善しようとする場合に適用可能である。
【００９１】
すなわち，第１３実施形態による有機電界発光表示装置は，下部絶縁基板７１０上に下部電極７２０を形成し，下部電極７２０上に有機薄膜層７３０と上部電極７４０を形成する。上部基板７６０を，シーラントを利用して下部基板７１０に接着させて封止する。上部基板７６０の外側面に円偏光板７８０を配列し，絶縁基板７１０の外側面には線偏光板７７６を配列する。円偏光板７８０は，線偏光板７８５と補償板７８１を含み，補償板７８１はλ／４補償板を使用する。
【００９２】
図１７に示された第１３実施形態では，図２２及び図２３に示されたように，観測者７６０の位置，すなわち封止基板側のみに入射される外部光及びこの外部光の反射光の遮断効果を得ることができる。
【００９３】
図１８は，本発明の第１４実施形態による有機電界発光表示装置の断面構造を示した図である。図１８を参照すると，第１４実施形態による有機電界発光表示装置は，第１３実施形態と同じである。しかし，下部基板側に円偏光を構成して封止基板よりは下部基板側での光遮断効果を改善しようとすることだけが違う。下部円偏光板７７０を線形偏光板７７５と補償板７７１で構成し，補償板７７１を一つのλ／４補償板で構成する。従って，観測者７９０が下部基板７１０側で観測する場合には，下部基板７６０側のみに入射される外部光及びこの外部光の反射光の遮断効果を得ることができる。
【００９４】
図１９は，本発明の第１５実施形態による有機電界発光表示装置の断面構造を示した図である。図１９を参照すると，第１５実施形態による有機電界発光表示装置は，第１４実施形態と同じである。しかし，上部円偏光板８８０の補償板８８１を各々の位相差遅延軸を有する多数の補償フィルム８８２〜８８４を使用して構成することだけが違う。
【００９５】
図２０は，本発明の第１６実施形態による有機電界発光表示装置の断面構造を示した図である。図２０を参照すると，第１６実施形態による有機電界発光表示装置は，第１４実施形態と同じである。しかし，下部円偏光板８７０の補償板８７１を各々の位相差遅延軸を有する多数の補償フィルム８７２〜８７４を使用して構成することだけが違う。
【００９６】
図２１は，本発明の第１７実施形態による有機電界発光表示装置の断面構造を示した図である。図２１を参照すると，第１７実施形態による有機電界発光表示装置は，第９実施形態と同じである。しかし，円偏光板９７０，９８０を構成する偏光板９７１，９８１と補償板９７５，９８５を第１実施形態，または第２実施形態と同様にフィルム，またはコーティング膜形態で形成する場合，円偏光板９７０，９８０を各々下部基板９１０と封止基板９６０の内側面に配列する。そして，他の例として，円偏光板９７０，９８０を構成する偏光板９７１，９８１と補償板９７５，９８５のうち，偏光板９７１，９８１は各々上部基板９６０，９１０の外側面に配列し，補償板９７５，９８５は各々上部基板９６０と下部基板９１０の内側面に各々配列することもできる。
【００９７】
一方，他の実施形態として，上部偏光板１７５及び下部偏光板１８５のうち，一つは下部基板１１０と封止基板１５０のうち，一つの内側面に形成し，他の一つは他の基板の外側面に形成することもできる。そして，上，下部補償板を基板の内側面及び外側面と発光層との間に配置することもできる。
【００９８】
本発明の第９実施形態〜第１７実施形態は，上，下部基板の一側面に線形偏光板とλ／４補償板を有する円形偏光板を各々付着して透過外部光及び反射外部光を遮断する有機電界表示装置について例示したが，前述のような原理を他の発光素子に適用することが可能である。また，ＥＬ素子のカソード電極上に透明保護膜をさらに形成することもできる。
【００９９】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【０１００】
本発明は，両面発光型表示装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】本発明の第１実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態を示す断面図である。
【図３】本発明の第３実施形態を示す断面図である。
【図４】本発明の第４実施形態を示す断面図である。
【図５】本発明の第５実施形態を示す断面図である。
【図６】本発明の第６実施形態を示す断面図である。
【図７】本発明の第７実施形態を示す断面図である。
【図８】本発明の第８実施形態を示す断面図である。
【図９】本発明の第１実施形態において，外部光を遮断する原理を説明するための図である。
【図１０】本発明の第１実施形態において，外部光を遮断する原理を説明するための図である。
【図１１】本発明の第９実施形態を示す断面図である。
【図１２】本発明の第１０実施形態を示す断面図である。
【図１３】本発明の第１１実施形態を示す断面図である。
【図１４】本発明の第１２実施形態を示す断面図である。
【図１５】本発明の第９実施形態において，外部光が遮断される原理を説明するための図である。
【図１６】本発明の第９実施形態において，外部光が遮断される原理を説明するための図である。
【図１７】本発明の第１３実施形態を示す断面構造図である。
【図１８】本発明の第１４実施形態を示す断面構造図である。
【図１９】本発明の第１５実施形態を示す断面図である。
【図２０】本発明の第１６実施形態を示す断面図である。
【図２１】本発明の第１７実施形態を示す断面図である。
【図２２】本発明の第１３実施形態において，外部光を遮断する原理を説明するための図である。
【図２３】本発明の第１３実施形態において，外部光を遮断する原理を説明するための図である。
【符号の説明】
【０１０２】
１００  ＥＬ素子
１１０  下部基板
１２０  アノード電極
１３０  有機薄膜層
１４０  カソード電極
１５０  保護膜
１６０  上部基板
１７０  下部偏光部材
１８０  上部部偏光部材
５００  ＥＬ素子
５１０  下部基板
５２０  アノード電極
５３０  有機薄膜層
５４０  カソード電極
５６０  上部基板
５７０  下部円偏光板
５７１  下部補償板
５７５  下部線偏光板
５８０  上部円偏光板
５８１  上部補償板
５８５  上部線偏光板
６００  ＥＬ素子
６１０  下部基板
６２０  アノード電極
６３０  有機薄膜層
６４０  カソード電極
６６０  上部基板
６７０  下部円偏光板
６７１  下部補償板
６７２  補償フィルム
６７３  補償フィルム
６７４  補償フィルム
６７５  下部線偏光板
６８０  上部円偏光板
６８１  上部補償板
６８２  補償フィルム
６８３  補償フィルム
６８４  補償フィルム
６８５  上部線偏光板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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