(57)【要約】【課題】第１に、噴射された処理液が直進し、拡散されず広がらないと共に、反射され基板材の表面を流れなくなり、第２に、もって基板材の表面処理が均一化され、第３に、更に基板材への噴射インパクトが重ならずに分散され、この面からも基板材の表面処理が均一化される、表面処理装置を提案する。【解決手段】この表面処理装置３は、基板材Ａに処理液Ｂを噴射して表面処理する。そして、噴射される処理液Ｂと同じ処理液Ｂ´で満たされた液槽５と、液槽５の処理液中に配設され、基板材Ａを搬送するコンベヤ６と、液槽５の処理液Ｂ´中に配設され、基板材Ａに対向位置して処理液Ｂを噴射する、多数の孔状のスプレーノズル７と、を有してなる。そこで噴射された処理液Ｂは、処理液Ｂ´の抵抗を受けて規制され、直進した後、基板材Ａにて反射される。又、前後のスプレーノズル７は、対向位置せず、左右にずれて位置している。【選択図】        図１
2004313827.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の製造工程で使用され、基板材に処理液を噴射して表面処理する表面処理装置であって、
噴射される該処理液と同じ処理液で満たされた液槽と、該液槽の処理液中に配設され、該基板材を搬送するコンベヤと、該液槽の処理液中に配設され、搬送される該基板材に該処理液を噴射する多数の孔状のスプレーノズルと、を有してなること、を特徴とする表面処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載した表面処理装置において、該スプレーノズルは、該コンベヤの搬送ローラーやホイール間の各前後間隔間に、それぞれ介在配設されると共に、各該前後間隔間において、搬送される該基板材の全幅をカバーすべく左右の幅方向に多数列設されており、
このように前後左右に多数配設された該スプレーノズルは、それぞれ、該基板材に対向位置して垂直方向から該処理液を噴射すること、を特徴とする表面処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載した表面処理装置において、該スプレーノズルから噴射された該処理液は、該液槽中の処理液の抵抗を受けて規制され、もって噴霧状に広がり拡散されることなく、該液槽の処理液中を略柱状にストレートに直進し、
該処理液は、該基板材の処理対象を直射して回路形成用に表面処理した後は、該液槽中の処理液の抵抗を受けて規制され、もって該基板材の表面を前後左右に流れることなく、該処理対象から反射されて周囲の該液槽の処理液中に向け跳ね返ること、を特徴とする表面処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載した表面処理装置において、前後の搬送方向について観察した場合に、前後に配設された該スプレーノズル相互間が、対向位置せず左右にずれて位置していること、を特徴とする表面処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載した表面処理装置において、該表面処理装置は、モジュール基板，ガラス基板，その他の回路用の該基板の製造工程、特にその現像工程，エッチング工程，又は剥膜工程等で使用され、
該スプレーノズルは、該基板材に対し、現像液，エッチング液，又は剥離液等の該処理液を噴射すること、を特徴とする表面処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載した表面処理装置において、該表面処理装置は、多層基板の層間導通用の突起たるバンプが多数形成される該基板の製造工程、例えばそのエッチング工程等で使用され、
該スプレーノズルは、その該基板材に対し、エッチング液等を噴射すること、を特徴とする表面処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面処理装置に関する。すなわち、回路用の基板の製造工程で使用され、搬送される基板材に処理液を噴射して表面処理する、表面処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
《技術的背景》
電子機器の高性能化，高機能化，小型軽量化に伴い、その回路用の基板も高精度化，ファイン化，極薄化が進み、形成される回路の高密度化，微細化が著しい。そして、この種の基板の製造工程では、各工程において、搬送される基板材に対し処理液が噴射され、もって基板材について各種の表面処理が行われている。
例えば、現像液→エッチング液→剥離液等の処理液が順次噴射され、もって現像→エッチング→剥膜等の表面処理工程が順次実施されて、回路が形成されていた。又例えば、無電解銅メッキ液への浸漬→現像液の噴射→電解銅メッキ液への浸漬→剥離液の噴射等が順次行われ、もって化学銅メッキ→現像→電気銅メッキ→剥膜等の表面処理工程が順次実施されて、回路が形成されていた。
そして、このような表面処理工程を辿る製造工程により、例えば、半導体部品がパッケージされたモジュール多層基板、多層基板の層間導通用の小突起状のバンプが形成されたバンプ基板、その他各種の回路用の基板が製造されていた。
【０００３】
《従来技術》
さて、このような製造工程の各表面処理工程では、基板材が、それぞれの表面処理装置に供給され、コンベヤにて搬送されつつ処理液が噴射されることにより、表面処理されていた。
図４は、この種従来例の表面処理装置の説明に供し、（１）図は要部を拡大した側断面説明図、（２）図は平面説明図であり、（３）図，（４）図は、形成されたバンプの拡大した平面説明図であり、（３）図はその１例を、（４）図は他の例を示す。
例えば図４の（１）図にも示したように、表面処理工程例えば現像工程，エッチング工程，剥膜工程等では、それぞれの基板処理装置１の処理室内において、基板材Ａをコンベヤにて水平姿勢で搬送しつつ、その上面や下面の表面に対し、前後左右に多数配設された孔状のスプレーノズル２から、処理液Ｂが噴射されていた。もって、所定の表面処理が行われて、回路やバンプ（この明細書では、バンプも一種の回路と考える）が形成された基板が製造されていた。
そして、この種従来例の基板処理装置１において、コンベヤやスプレーノズル２は、処理室の雰囲気中・空中Ｃに配されており、基板材Ａは、雰囲気中・空中Ｃで処理液Ｂが噴射されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このような従来例の表面処理装置１にあっては、次の問題が指摘されていた。
《第１の問題点について》
まず第１に、図４の（１）図に示したように、スプレーノズル２から噴射された処理液Ｂは、雰囲気中・空中Ｃにおいて噴霧状に拡散され、例えば略円錐状等に広がって基板材Ａに噴射される、という問題が指摘されていた。
すなわち処理液Ｂが、ストレートにダイレクトに基板材Ａの処理対象Ｄに向けて、例えばエッチング工程では、対象の感光性レジストＥ下に広がる銅箔Ｆに向けて、垂直に直進して噴射されず、前後左右へ広がって噴射されていた。
そこで処理液Ｂが、その処理対象Ｄの前後左右に隣接位置する他の処理対象Ｄ、例えば他の感光性レジストＥ下に広がる銅箔Ｆ側面に対しても、処理液Ｂつまりエッチング液が不必要に噴射され、当ってしまっていた。なお図中Ｇは、基板材Ａの絶縁層である。
【０００５】
このような問題に加え、更に、基板材Ａに噴射された処理液Ｂが、基板材Ａの表面を前後左右に流れる、という問題も指摘されていた。
すなわち、上述により広がりつつ基板材Ａの処理対象Ｄに噴射された処理液Ｂ、例えばエッチング液が、雰囲気中・空中Ｃにおいて、基板材Ａの表面をそれまでの広がった噴射方向に沿い、前後左右に噴流となって流れて、前後左右に位置する他の各処理対象Ｄ、例えば各感光性レジストＥ下に広がる銅箔Ｆ側面に、不必要に当っていた。
特に処理液Ｂは、図４の（１）図，（２）図に矢印したように、基板材Ａの前後の搬送方向と直交する左右の幅方向Ｈに沿って流れ、途中で左右に位置する各処理対象Ｄの例えば銅箔Ｆ側面に当った後、基板材Ａの左右の側端から、流下，回収されていた。
【０００６】
《第２の問題点について》
そこで第２に、このように、スプレーノズル２から噴射された処理液Ｂが、隣接位置する他の処理対象Ｄにも噴射されて当ったり、前後左右に位置する他の処理対象Ｄにも噴流となって当るので、基板材Ａの表面処理が不均一化されてしまう、という問題が指摘されていた。
例えばエッチング工程においては、他の噴射対象Ｄの感光性レジストＥ下に広がる銅箔Ｆの一方側面が、当った処理液Ｂつまりエッチング液にて、予定された以上にオーバーエッチングされ削り取られてしまい、もって、各処理対象Ｄの銅箔Ｆ間において、処理の遅速・過不足が生じていた。
このように、この種従来例の表面処理装置１にあっては、基板材Ａについて、表面処理の均一性が阻害され、処理対象Ｄ毎の処理のバラツキが顕著化してしまい、形成される回路の精度に問題が生じていた。
【０００７】
例えば、図４の（３）図に示したように、芯ぶれしたバンプＪが形成されてしまったり、図４の（４）図に示したように、楕円状のバンプＪが形成されてしまっていた。勿論、層間導通用の小突起たるバンプＪは、頂面と下面とで円錐台状に形成されることが、予定されている。
そして、このような表面処理の不均一、回路精度の低下は、前述したように、回路の高密度化，微細化が進む基板にとって、大きな問題となっていた。
なお、この種従来例では、スプレーノズル２を、孔状ではなく左右の幅方向Ｈに連続したスリット状とした表面処理装置１や、孔状の各スプレーノズル２を、左右の幅方向Ｈに向け首振るように揺動させたり、左右の幅方向Ｈに沿って往復動させるようにした表面処理装置１も、開発使用されていたが、依然として表面処理の不均一が指摘されていた。
つまり、噴射された処理液Ｂの前述した当りや流れは解消されず、基板材Ａの表面処理が依然として不均一となり、問題となっていた。
【０００８】
《本発明について》
本発明は、このような実情に鑑み、上記従来例の課題を解決すべく、発明者の鋭意研究努力の結果なされたものである。
そして、処理液の液槽中に、コンベヤと多数の孔状のスプレーノズルとを配設してなり、スプレーノズルから噴射された処理液が、液槽中の処理液にて規制され、もって基板材に直進して直射した後、反射されるようにしたこと、を特徴とする。
そこで本発明は、第１に、噴射された処理液が直進し、拡散されず広がらないと共に、反射され基板材の表面を流れなくなり、第２に、もって基板材の表面処理が均一化され、第３に、更に基板材への噴射インパクトが重ならずに分散され、この面からも基板材の表面処理が均一化される、表面処理装置を提案すること、を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
《各請求項について》
このような課題を解決する本発明の技術的手段は、次のとおりである。まず、請求項１については次のとおり。請求項１の表面処理装置は、基板の製造工程で使用され、基板材に処理液を噴射して表面処理する。
そして、噴射される該処理液と同じ処理液で満たされた液槽と、該液槽の処理液中に配設され、該基板材を搬送するコンベヤと、該液槽の処理液中に配設され、搬送される該基板材に該処理液を噴射する、多数の孔状のスプレーノズルと、を有してなること、を特徴とする。
請求項２については次のとおり。請求項２の表面処理装置は、請求項１において、該スプレーノズルは、該コンベヤの搬送ローラーやホイール間の各前後間隔間に、それぞれ介在配設されると共に、各該前後間隔間において、搬送される該基板材の全幅をカバーすべく、左右の幅方向に多数列設されている。そして、このように前後左右に多数配設された該スプレーノズルは、それぞれ、該基板材に対向位置して垂直方向から該処理液を噴射すること、を特徴とする。
【００１０】
請求項３については次のとおり。請求項３の表面処理装置は、請求項２において、該スプレーノズルから噴射された該処理液は、該液槽中の処理液の抵抗を受けて規制され、もって噴霧状に広がり拡散されることなく、該液槽の処理液中を略柱状にストレートに直進する。
そして該処理液は、該基板材の処理対象を直射して、回路形成用に表面処理した後は、該液槽中の処理液の抵抗を受けて規制され、もって該基板材の表面を前後左右に流れることなく、該処理対象から反射されて、周囲の該液槽の処理液中に向け跳ね返ること、を特徴とする。
請求項４については次のとおり。請求項４の表面処理装置は、請求項３において、前後の搬送方向について観察した場合に、前後に配設された該スプレーノズル相互間が、対向位置せず左右にずれて位置していること、を特徴とする。
【００１１】
請求項５については次のとおり。請求項５の表面処理装置は、請求項４において、該表面処理装置は、モジュール基板，ガラス基板，その他の回路用の該基板の製造工程、特にその現像工程，エッチング工程，又は剥膜工程等で使用される。そして該スプレーノズルは、該基板材に対し、現像液，エッチング液，又は剥離液等の該処理液を噴射すること、を特徴とする。
請求項６については次のとおり。請求項６の表面処理装置は、請求項５において、多層基板の層間導通用の突起たるバンプが多数形成される該基板の製造工程、例えばそのエッチング工程等で使用される。そして該スプレーノズルは、その該基板材に対し、エッチング液等を噴射すること、を特徴とする。
【００１２】
《作用について》
本発明は、このようになっているので、次のようになる。
▲１▼この表面処理装置は、例えばバンプが形成される基板、その他の回路用基板の製造工程で使用される。
▲２▼そして、その現像工程，エッチング工程，又は剥膜工程等において、基板材をコンベヤにて搬送しつつ、スプレーノズルから現像液，エッチング液，又は剥離液等の処理液を噴射して、回路形成用に表面処理する。
▲３▼そして、この表面処理装置は、噴射される処理液と同じ処理液で満たされた液槽を備え、その中に、コンベヤとスプレーノズルが配設されている。
▲４▼スプレーノズルは、孔状をなし、搬送される基板材に対向位置し、前後左右に多数配設されている。すなわち、コンベヤ間の各前後間隔間に、それぞれ介在配設されると共に、基板材の全幅をカバーすべく、左右の幅方向に多数列設されている。
▲５▼もって、多数のスプレーノズルが、液槽の処理液中において搬送される基板材に対し、垂直方向から処理液を噴射する。
【００１３】
▲６▼噴射された処理液は、液槽中の処理液の抵抗を受けて規制され、液槽の処理液中を、略円錐状等に広がることなく、略柱状にストレートに直進する。
▲７▼そこで処理液は、基板材の処理対象のみを、強いインパクトで直射する。もって、スプレーノズルに対応位置した処理対象のみが処理され、隣接位置する他の処理対象が不必要に処理されることはなく、全体的に均一化された表面処理が実現される。
▲８▼それから処理液は、液槽中の処理液の抵抗を受けて規制され、基板材の処理対象から反射されて、液槽の処理液中に跳ね返る。もって、前後左右に位置する他の処理対象が、基板材の表面を流れる処理液にて不必要に処理されることもなく、全体的に均一化された表面処理が実現される。
▲９▼なお、スプレーノズルから噴射された処理液は、上述したように直進して強いインパクトで基板材の処理対象を処理するが、スプレーノズル相互間の位置関係を、前後の搬送方向に対向位置せず左右にずらしておくと、強いインパクトが重ならずに分散され、もって、この面からも均一化された表面処理が、実現される。
【００１４】
【発明の実施の形態】
《図面について》
以下、本発明の表面処理装置を、図面に示す発明の実施の形態に基づいて、詳細に説明する。図１，図２，図３等は、本発明の実施の形態の説明に供する。
そして図１は、側断面説明図である。図２は要部の底面説明図であり、（１）図は１例を、（２）図は他の例を示す。図３の（１）図は、要部を拡大した側断面説明図、（２）図は、（１）図の要部を更に拡大した側断面説明図であり、（３）図は、形成されたバンプの拡大した平面説明図である。
なお、図５は模式化した平面説明図であり、（１）図はプリント配線基板（材）を、（２）図はバンプが形成された基板（材）を示す。
【００１５】
《基板Ｋについて》
この表面処理装置３は、回路Ｌ用の基板Ｋの製造工程で、使用される。そこでまず、図５を参照しつつ、基板Ｋの概略を説明しておく。
回路Ｌ用の基板Ｋは、各種電子機器用に広く用いられており、片面基板，両面基板，多層基板（含、最近のビルドアップ法のもの）等、各種のものがある。そして、このような基板Ｋの一環として、ＩＣ，ＬＳＩ素子，受動部品，駆動部品，コンデンサー等々の半導体部品が、回路Ｌと一体的に組み込まれたモジュール基板（半導体一体型パッケージ基板）や、ガラスベースに回路Ｌと共に半導体部品が埋め込まれたガラス基板、つまりプラズマディスプレイＰＤＰ用のガラス基板や、液晶ＬＣＤ用のガラス基板や、ＣＳＰ，ＰＢＧＡ等も出現している。勿論、本明細書において基板Ｋとは、従来よりのプリント配線基板の外、このようなものも包含する。
そして、このような回路Ｌ用の基板Ｋは、電子機器の高性能化，高機能化，小型軽量化に伴い、高精度化，ファイン化，極薄化，多層化等が進み、外表面つまり上面・表面や下面・裏面の一方又は双方に形成される回路Ｌ、更には内部に形成される回路Ｌの高密度化，微細化が著しい。
基板Ｋ例えばプリント配線基板は、縦横が、例えば５００ｍｍ×５００ｍｍ程度よりなり、肉厚は、絶縁層部分が１．０ｍｍ〜６０μｍ程度、更に昨今では２０μｍ前後、回路Ｌ部分（銅箔Ｆ部分）が７５μｍ〜３５μｍ、昨今では１６μｍ〜１０μｍ前後まで、極薄化されている。多層基板の場合でも、全体の肉厚が１．０ｍｍ〜０．４ｍｍ程度まで、極薄化されつつある。回路Ｌ幅や回路Ｌ間スペースも、３５μｍ〜２５μｍ程度、更に昨今では１０μｍ前後と、微細化傾向にある。
基板Ｋは、概略このようになっている。
【００１６】
《基板Ｋの製造方法の例について》
次に、この表面処理装置３が使用される基板Ｌの製造方法について、図１，図３，図５等を参照しつつ説明する。まず、第１例の製造方法について述べる。第１例の製造方法において、基板Ｋ例えばプリント配線基板は、次のステップを辿って製造される。
まず、樹脂，ガラスクロス又はセラミックス製の絶縁層Ｇ（コア材）の外表面に、銅箔Ｆが熱プレス等により張り付けられた、銅張り積層板たる基板材Ａが準備される。そして、スルホール用の孔あけ加工が、レーザ等を使用して実施される。
スルホールは、基板材Ａ（基板Ｋ）の両外表面間の貫通孔よりなり、１枚について、極小径のものが数百個以上形成され、その径は、０．５ｍｍ〜０．２ｍｍ程度以下のものが多くなっている。そして、両外表面や多層基板の回路Ｌ（銅箔Ｆ）間の層間導通接続用や、回路Ｌに実装される部品の取り付け用として使用される。
なお最近は、孔あけ加工を要するスルホールに代えて、小突起状，略円錐台状の接点たるバンプＪを形成し、もって多層基板等について、このバンプＪにより、スルホールと同様の機能を実現する技術、つまり層間導通用のＮＭＢＩ（Ｎｅｏ  Ｍａｎｈａｔｔａｎ  Ｂｕｍｐ  Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）メソッド等も開発されている。そしてバンプＪは、回路Ｌに準じ、現像工程，エッチング工程，剥離工程を辿って製造される。
【００１７】
さてしかる後、基板材Ａの銅箔Ｆの外表面（上面・表面，下面・裏面の一方又は双方）に、感光性レジストＥが膜状に塗布又は張り付けられる。それから、回路Ｌのネガフィルムである回路写真を当て、露光することにより、外表面の感光性レジストＥは、露光されて硬化した回路Ｌ形成部分を残し、その他の不要部分が、処理液Ｂたる現像液の噴射により溶解除去される。
しかる後、このような基板材Ａの銅箔Ｆは、感光性レジストＥが硬化して被覆された回路Ｌ形成部分を残し、現像により感光性レジストＥが溶解除去されて露出した不要部分が、処理液Ｂたるエッチング液（塩化第二銅，塩化第二鉄，その他の腐食液）の噴射により、溶解除去・エッチングされる。
それから、残っていた回路Ｌ形成部分の感光性レジストＥが、処理液Ｂたる剥離液の噴射により剥膜除去され、残った回路Ｌ形成部分の銅箔Ｆにて、基板材Ａの外表面（上面・表面，下面・裏面の一方又は双方）に、所定の回路Ｌが形成され、もって、基板Ｋつまりプリント配線基板が製造される。
なお、上述した現像工程，エッチング工程，剥膜工程には、それぞれの後処理用に、又は剥膜工程の後にまとめての後処理用に、水洗液，中和剤液，その他の洗浄液を噴射する洗浄工程が付設されており、もって、基板材Ａの外表面に付着していた現像液，エッチング液，剥離液等の処理液Ｂが、洗浄，除去される。第１例の製造方法は、このようなウェットプロセス法よりなる。
第１例の製造方法は、このようになっている。
【００１８】
次に、第２例の製造方法について述べる。基板Ｋ例えばプリント配線基板の製造方法としては、上述した第１例のウェットプロセス法が代表的であるが、第２例のセミアディティブ法も多用されつつある。
このセミアディティブ法では、まず、予めスルホールが形成された基板材Ａの外表面（上面・表面，下面・裏面の一方又は双方）に、無電解銅メッキが施される。→それから、この無電解銅メッキに、感光性レジストＥを膜状に塗布又は張り付けた後、→回路Ｌフィルムである回路写真を当て、露光する。→そして感光性レジストＥは、露光されて硬化した部分を残し、他の部分つまり回路Ｌ形成部分が、処理液Ｂたる現像液の噴射により溶解除去される。
しかる後、→回路Ｌ形成部分、つまり現像により感光性レジストＥが溶解除去されたメッキパターン部分、つまり無電解銅メッキが露出した部分に対し、電解銅メッキが施されて、→回路Ｌが形成される。
なお、残っていた硬化した回路Ｌ形成部分以外の感光性レジストＥは、処理液Ｂたる剥離液の噴射により剥膜除去され、→露出した無電解銅メッキが、処理液Ｂたるエッチング液の噴射によりクイックエッチングされて、融解除去される。→なお、各工程の後処理用として、前述した所に準じ、洗浄工程が付設されている。
第２例のセミアディティブ法では、このようにして、電解銅メッキにて回路Ｌが形成され、もって、基板Ｋつまりプリント配線基板が製造される。第２例の製造方法は、このようになっている。
ところで、プリント配線基板の製造方法、その他の回路Ｌ用の基板Ｋの製造方法は、最近ますます多様化しつつあり、上述した第１例，第２例以外にも、各種方法が開発，使用されている。本発明は勿論、このような各種の基板Ｋの製造方法にも、適用される。
基板Ｋの製造方法は、このようになっている。
【００１９】
《表面処理装置３の概要について》
以下、本発明の表面処理装置３について、図１，図２，図３等を参照して、詳細に説明する。
この表面処理装置３は、上述した基板Ｋの製造工程で使用され、搬送される基板材Ａに対し処理液Ｂを噴射して、基板材Ａを表面処理する。すなわち、基板Ｋの製造方法の各工程、例えば現像工程，エッチング工程，又は剥膜工程等において用いられ、その基板材Ａに対し、それぞれ現像液，エッチング液，又は剥離液等の処理液Ｂを、噴射して表面処理する。
例えば表面処理装置３は、バンプＪ専用の基板Ｋの製造工程のエッチング工程で使用され、その基板材Ａに対し、エッチング液を処理液Ｂとして噴射する。
そして、この表面処理装置３は、いずれも共通に、その処理室４内に、液槽５，コンベヤ６，スプレーノズル７，貯槽８等を有してなる。
表面処理装置３は、概略このようになっている。
【００２０】
《液槽５やコンベヤ６について》
まず、この表面処理装置３の液槽５は、処理室４内の上部に区画壁９等を使用して形成されており、スプレーノズル７から噴射される処理液Ｂと同じ処理液Ｂ’で、満たされている。
次に、この表面処理装置３のコンベヤ６は、この液槽５の処理液Ｂ’中に配設されており、基板材Ａを搬送方向Ｍに搬送する。
図示例のコンベヤ６は、上下１対で対向位置する搬送ローラー１０が、搬送方向Ｍに沿って、前後相互間にそれぞれ前後間隔Ｎを存しつつ、多数個列設されている。このコンベヤ６は、前工程から、この表面処理装置３、そして後工程へと、連続的に配設されている。
そしてコンベヤ６は、液槽５の処理液Ｂ’中において、下側の各搬送ローラー１０が回転駆動され、もって前工程から供給された基板材Ａを、上下の搬送ローラー１０間に挟み込みつつ、上流側から下流側へと水平姿勢で搬送する。なお、図示例の搬送ローラー１０に代え、搬送ホイールが用いられる場合もある。
液槽５やコンベヤ６は、このようになっている。
【００２１】
《スプレーノズル７について》
次に、この表面処理装置３のスプレーノズル７について述べる。スプレーノズル７は、処理室４の液槽５の処理液Ｂ’中に、コンベヤ６と共に配設されており、搬送される基板材Ａに対向位置して処理液Ｂを噴射する。
このようなスプレーノズル７について、更に詳述する。まずスプレーノズル７としては、孔状のものが用いられるが、その孔形状については、円状が代表的であるが、楕円状，四角状，三角状，その他各種形状のものが考えられる。いずれにしても、このスプレーノズル７は、スリット状をなすものではなく、各々が独立した孔状をなしている。
そしてスプレーノズル７は、基板材Ａに対し、垂直方向Ｐから処理液Ｂを噴射する。すなわちスプレーノズル７は、水平姿勢で搬送される基板材Ａの直上や直下に、若干の上下間隔を存しつつ対向配設されている。図示例では、直上のみに配設されているが、直下のみに配設されるケースも考えられ、更に両面基板等の場合は、直上と直下の両側に配設されるケースが考えられる。
【００２２】
そして、このようなスプレーノズル７が、処理室４内の液槽５の処理液Ｂ’中において、前後左右に多数配設されている。
図示例の各スプレーノズル７は、コンベヤ６の搬送ローラー１０やホイール間の各前後間隔Ｎ毎に、それぞれ介在配設されると共に、各前後間隔Ｎ間において、搬送される基板材Ａの全幅をカバーすべく、左右の幅方向に多数列設されている。
すなわち各前後間隔Ｎについて、搬送方向Ｍに前後２個ずつ（図１，図２の（２）図，図３の（１）図を参照）で、左右の幅方向Ｈに多数個（図２の（１）図，（２）図を参照）が、それぞれ所定間隔を置きつつ配設されている。幅方向Ｈについては、搬送される基板材Ａの横幅を、余裕をもってカバーできる個数で列設されている。
【００２３】
又、このように配設された各スプレーノズル７は、前後の搬送方向Ｍについて観察した場合に、前後に配設されたスプレーノズル７相互間が、対向位置せず、左右の幅方向Ｈにずれて位置している（図２を参照）。
すなわち、前後左右に多数配設されたスプレーノズル７は、前後のものが、搬送方向Ｍに揃って列をなすことなく、左右の幅方向Ｈに若干ずらして、位置決めされている。前後のスプレーノズル７間が、搬送方向Ｍにラップして重ならないように、位置決めされている。
図２の（２）図に示した例では、幅方向Ｈに沿って２列にスプレーノズル７が列設されたスプレー管１３が、多数本準備され、それぞれについて、２列のスプレーノズル７間が前後に重ならず左右にずれるように設定されている。つまり、図示した３本その他のスプレー管１３は、すべて同一設定のものであり、このようなスプレー管１３を処理室４に配設する際に、少しずつ左右の幅方向Ｈにずらして行くことにより、全体的に左右にずれたスプレーノズル７の位置関係が実現されている。
【００２４】
なお、１つの処理室４や液槽５内に配設されたスプレーノズル７が、前後の搬送方向について観察した場合、すべてが相互に左右にずれている必要はない。
つまり図示したように、前後に対応位置するスプレーノズル７間が、左右にずれていればよく、搬送方向Ｍについて例えば５列以上〜１０列以上毎に、同じ左右位置にあるスプレーノズル７が、存在していても良い。
スプレーノズル７は、このようになっている。
【００２５】
《処理液Ｂ，処理液Ｂ’について》
そして処理液Ｂは、このようなスプレーノズル７から噴射され、液槽８は、処理液Ｂ’で満たされている。
まず、処理液Ｂ，処理液Ｂ’は、例えば現像工程で用いられた場合は、現像液よりなり、エッチング工程で用いられた場合は、エッチング液よりなり、剥膜工程で用いられた場合は、剥離液よりなる。
そして処理液Ｂは、注入管１１から、各導管１２にて分岐されて各スプレー管１３へと、圧送される。スプレー管１３は、それぞれ左右の幅方向Ｈに沿って配設されており、図示例では、コンベヤ６の搬送ローラー１０間の前後間隔Ｎに、それぞれ１本ずつ配設されている（図１，図２の（２）図を参照）。
【００２６】
図示例のスプレー管１３は、液槽５の処理液Ｂ中に、下部が浸漬されると共に、上部が処理室４の雰囲気中・空中Ｃに位置している。
そして、このようなスプレー管１３の下端部に、スプレーノズル７が設けられており、図示例では前述したように、１本のスプレー管１３について、左右の幅方向Ｈに２列にスプレーノズル７が付設されている。
そこで、各スプレー管１３へと圧送されて来た処理液Ｂは、その各スプレーノズル７の噴射孔１４から、コンベヤ６にて搬送される基板材Ａに向けて、垂直方向Ｐから噴射される。図示例では、真下に向けて噴射される。
【００２７】
そして、スプレーノズル７から噴射された処理液Ｂは、液槽５中の処理液Ｂ’の抵抗を受けて規制され、もって、噴霧状に広がり拡散される（図４の（１）図のこの種従来例を参照）ことなく、液槽５の処理液Ｂ’中を例えば円柱状，楕円柱状，角柱状その他の略柱状に、ストレートに直進する（図１，図３を参照）。
それから処理液Ｂは、基板材Ａの処理対象Ｄを直射して、回路形成用に処理する。しかる後、処理液Ｂは再び液槽５中の処理液Ｂ’の抵抗を受けて規制され、もって、基板材Ａの表面を前後左右に流れる（図４の（１）図，（２）図のこの種従来例を参照）ことなく、処理対象Ｄから反射されて、周囲の液槽５の処理液Ｂ’中に向け跳ね返る。
そして、処理液Ｂ’中でこのように跳ね返った処理液Ｂは、処理液Ｂ’に吸収，同化されて、処理液Ｂ’となる。この結果、液槽５からオーバーフローした処理液Ｂ’が、処理室４下部の貯槽８へと回収される。
そして、貯槽８に回収された処理液Ｂ’は、貯蔵されると共に、事後、再び処理液Ｂとなって、ポンプにて注入管１１，スプレー管１３，スプレーノズル７へと圧送されて、循環使用される。
処理液Ｂ，処理液Ｂ’は、このように用いられる。
【００２８】
《作用等》
本発明に係る表面処理装置３は、以上説明したように構成されている。そこで、以下のようになる。
▲１▼この表面処理装置３は、基板Ｋの製造工程で使用される。すなわち、モジュール基板，ガラス基板，その他の回路用の基板Ｋの製造工程で使用され、例えば、層間導通用の突起たるバンプＪが多数形成される基板Ｋの製造工程で使用される（図５を参照）。
▲２▼もって表面処理装置３は、例えば、その現像工程，エッチング工程，又は剥膜工程において、基板材Ａをコンベヤ６にて搬送しつつ、スプレーノズル７から現像液，エッチング液，又は剥離液等の処理液Ｂを噴射して、回路形成用に表面処理する。
【００２９】
▲３▼そして、この表面処理装置３は、噴射される処理液Ｂと同じ処理液Ｂ’で満たされた液槽５を備えており、この液槽５の処理液Ｂ’中に、コンベヤ６とスプレーノズル７とが配設されている（図１を参照）。
▲４▼この表面処理装置３のスプレーノズル７は、孔状をなし、搬送される基板材Ａに対向位置して、前後左右に多数配設されている（図２を参照）。
すなわち、孔状をなすスプレーノズル７は、コンベヤ６の搬送ローラー１０やホイール間の各前後間隔Ｎ間に、それぞれ介在配設されると共に、各前後間隔Ｎ間において、搬送される基板材Ａの左右の全幅をカバーすべく、幅方向Ｈに多数列設されている。
▲５▼もって、これら多数の孔状のスプレーノズル７は、それぞれ、液槽５の処理液Ｂ’中において、搬送される基板材Ａに対し、垂直方向Ｐから処理液Ｂを噴射する（図１，図３を参照）。
【００３０】
▲６▼そして、各スプレーノズル７から噴射された処理液Ｂは、それぞれ、液槽５中の周囲の処理液Ｂ’の抵抗を受けて規制されることにより、液槽５の処理液Ｂ’中を、円柱その他の略柱状にストレートに直進する（図１，図３参照）。噴射された処理液Ｂが、噴霧状に拡散されて、略円錐状等に広がることはない（図４の（１）図のこの種従来例を参照）。
▲７▼そこで処理液Ｂは、基板材Ａの処理対象Ｄのみをダイレクトに直射して、強いインパクトで集中的に、処理対象Ｄを回路形成用に処理する。
このように、スプレーノズル７に対応位置した基板材Ａの処理対象Ｄ（例えばエッチング工程においては、その感光性レジストＥ下に広がる銅箔Ｆ）のみが、噴射された処理液Ｂにて、処理されるようになる。
つまり、隣接位置する他の処理対象Ｄ（例えばエッチング工程においては、他の感光性レジストＥ下に広がる銅箔Ｆ）が、噴射されて広がった処理液Ｂにて、不必要に処理されてしまうこと（図４の（１）図のこの種従来例を参照）は、防止される。もって、全体的に均一化された表面処理が実現される。
【００３１】
▲８▼そして、基板材Ａの処理対象Ｄを処理した処理液Ｂは、液槽５中の周囲の処理液Ｂ’の抵抗を受けて規制されることにより、基板材Ａの処理対象Ｄから反射されて、液槽５の周囲の処理液Ｂ’中に向け跳ね返る（図１，図３を参照）。
処理対象Ｄ（例えばエッチング工程においては、その感光性レジストＥ下に広がる銅箔Ｆ）を処理した処理液Ｂが、基板材Ａの表面を、前後左右に噴流となって流れること（図４の（１）図，（２）図のこの種従来例を参照）はない。
もって、前後左右に位置する他の処理対象Ｄ（例えばエッチング工程においては、他の感光性レジストＥ下に広がる銅箔Ｆ）が、前後左右に流れる処理液Ｂにて、不必要に処理されてしまうことは防止され、この面からも、全体的に均一化された表面処理が、実現される。そこで例えば、頂面と底面とが同心円状となったバンプＪが、形成されるようになる（図３の（３）図を参照）。
つまり、バンプＪ専用の基板Ｋでは、小突起状のバンプＪが、処理対象Ｄとして基板材Ａの外表面の前後左右に、各々独立して多数点在位置している（図５の（２）図を参照）。そこで、雰囲気中・空中Ｃで処理液Ｂが噴射されると、各バンプＪ間において前後左右への流れが形成されやすいが、処理液Ｂ’中なので、このような流れの形成は防止される。
【００３２】
▲９▼なお、スプレーノズル７は、孔状をなして前後左右に多数配設されており、それぞれ噴射された処理液Ｂが、上述したように直進して強いインパクトで集中的に、基板材Ａの処理対象Ｄを処理するが、スプレーノズル７相互間の位置関係を、前後の搬送方向Ｍに対向位置せず左右の幅方向Ｈにずれるように配設しておくと、このように強いインパクトが、重ならずに分散されるようになる。
つまり、基板材Ａについて、処理液Ｂにて常に強い噴射インパクトを受け過度に処理される処理対象Ｄと、常に弱い噴射インパクトしか受けず処理液Ｂによる処理が不足しがちな処理対象Ｄとが、前後の搬送方向Ｍに沿って、帯状に発生することは防止される。基板材Ａの外表面に全面的に存在する多数の処理対象Ｄの各ポイントについて、均一に処理液Ｂが噴射されるようになる。
そこで、この面からも、全体的に均一化された表面処理が、実現される。例えば、頂面と底面とが同心円状となったバンプＪが、形成される（図３の（３）図を参照）。
【００３３】
【発明の効果】
《本発明の特徴》
本発明に係る表面処理装置は、以上説明したように、処理液の液槽中に、コンベヤと多数の孔状のスプレーノズルとを配設してなり、スプレーノズルから噴射された処理液が、液槽中の処理液にて規制され、もって基板材に直進して直射した後、反射されるようにしたこと、を特徴とする。
そこで、本発明の表面処理装置は、次の効果を発揮する。
【００３４】
《第１の効果について》
第１に、噴射された処理液が直進し、拡散されず広がらないと共に、反射され基板材の表面を流れなくなる。
すなわち、本発明の表面処理装置において、多数の孔状のスプレーノズルから噴射された処理液は、液槽中の処理液の抵抗を受けて規制され、基板材に直進して表面処理した後、反射されて液槽の処理液中に向けて跳ね返るようになる。
雰囲気中・空中でスプレーノズルから処理液を噴射していた前述したこの種従来例の表面処理装置のように、噴射された処理液が、拡散されて広がるようなことはなく、又、基板材の表面を流れるようなこともなくなる。
【００３５】
《第２の効果について》
第２に、もって基板材の表面処理が、均一化される。すなわち、本発明の表面処理装置では、上述したように噴射された処理液が広がらないと共に、基板材の表面を流れなくなるので、噴射された処理液に対応した基板材の処理対象のみが、確実に回路形成用に表面処理されるようになる。
雰囲気中・空中でスプレーノズルから処理液を噴射していた前述したこの種従来例の表面処理装置のように、噴射された処理液が、隣接位置する他の処理対象にも噴射されて当ったり、流れとなって前後左右に位置する他の処理対象に当るようなことはなくなる。
もって、処理対象間において処理の遅速・過不足の発生は防止され、処理のムラ・バラツキが解消されて、表面処理が全体的に均一化され、形成される回路の精度が飛躍的に向上するようになる。そして、回路の高密度化，微細化が進む基板となって、その意義は極めて大なるものがある。
【００３６】
《第３の効果について》
第３に、更に基板材への噴射インパクトが重ならずに分散され、この面からも、基板材の表面処理が均一化される。
すなわち、多数の孔状のスプレーノズルから噴射された処理液は、前述したように基板材に直進して強いインパクトで表面処理するが、前後に配設される各スプレーノズル相互間を、左右にずれて位置させておくと、このような強いインパクトが重ならずに分散されるようになり、この面からも、基板材の処理対象間において、処理の遅速・過不足がなくなり、表面処理が全体的に均一化され、形成される回路の精度が向上するようになる。
このように、この種従来例に存した課題がすべて解決される等、本発明の発揮する効果は、顕著にして大なるものがある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る表面処理装置について、発明の実施の形態の説明に供する側断面説明図である。
【図２】同発明の実施の形態の説明に供する要部の底面説明図であり、（１）図は、その１例を、（２）図は、他の例を示す。
【図３】同発明の実施の形態の説明に供し、（１）図は、要部を拡大した側断面説明図、（２）図は、（１）図の要部を更に拡大した側断面説明図であり、（３）図は、形成されたバンプの拡大した平面説明図である。
【図４】この種従来例の説明に供し、（１）図は、要部を拡大した側断面説明図、（２）図は、平面説明図であり、（３）図，（４）図は、形成されたバンプの拡大した平面説明図であり、（３）図は、その１例を、（４）図は、他の例を示す。
【図５】模式化した平面説明図であり、（１）図は、プリント配線基板（材）を、（２）図は、バンプが形成された基板（材）を示す。
【符号の説明】
１  表面処理装置（従来例のもの）
２  スプレーノズル（従来例のもの）
３  表面処理装置（本発明のもの）
４  処理室
５  液槽
６  コンベヤ
７  スプレーノズル（本発明のもの）
８  貯槽
９  区画壁
１０  搬送ローラー
１１  注入管
１２  導管
１３  スプレー管
１４  噴射孔
Ａ  基板材
Ｂ  処理液
Ｂ’  処理液
Ｃ  雰囲気中・空中
Ｄ  処理対象
Ｅ  感光性レジスト
Ｆ  銅箔
Ｇ  絶縁層
Ｈ  幅方向
Ｊ  バンプ
Ｋ  基板
Ｌ  回路
Ｍ  搬送方向
Ｎ  前後間隔
Ｐ  垂直方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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