(57)【要約】【課題】基板ないし下地との密着性に優れた軟磁性めっき層ないし軟磁性部を有する記録媒体基板、および、その製造方法を提供することを、目的とする。【解決手段】記録媒体基板Ｘ１において、コア基板Ｓ１、軟磁性めっき層１１、並びに、当該コア基板Ｓ１および軟磁性めっき層１１の間の多孔質酸化物層２０、よりなる積層構造を有することとした。或は、コア基板Ｓ１と、複数の軟磁性めっき層１１および軟磁性めっき層間に介在し且つ軟磁性めっき層１１よりも高電気抵抗率の部位を含むインターカレート層１２からなる積層構造を有する軟磁性部１０と、当該コア基板Ｓ１および軟磁性部１０の間の多孔質酸化物層２０と、からなる積層構造を有することとした。【選択図】  図１
2004253103.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材、軟磁性めっき層、並びに、当該基材および軟磁性めっき層の間の多孔質酸化物層よりなる積層構造を有することを特徴とする、記録媒体基板。
【請求項２】
基材と、
複数の軟磁性めっき層、および、軟磁性めっき層間に介在し且つ前記軟磁性めっき層よりも高電気抵抗率の部位を含むインターカレート層、からなる積層構造を有する軟磁性部と、
前記基材および前記軟磁性部の間の多孔質酸化物層と、からなる積層構造を有することを特徴とする、記録媒体基板。
【請求項３】
前記軟磁性めっき層は、当該軟磁性めっき層を構成する軟磁性材料よりも高電気抵抗率の粒子を含む、請求項１または２に記載の記録媒体基板。
【請求項４】
基材に対して多孔質酸化物層を形成するための多孔質酸化物層形成工程と、
前記多孔質酸化物層の上に軟磁性めっき層を形成するための軟磁性めっき層形成工程と、を含むことを特徴とする、記録媒体基板の製造方法。
【請求項５】
前記多孔質酸化物層形成工程は、易溶性金属ターゲットおよび酸化物ターゲットを用いて行うコスパッタリング法により、或は、易溶性金属および酸化物を含むターゲットを用いて行うスパッタリング法により、易溶性金属分散酸化物膜を形成するための工程と、当該易溶性金属分散酸化物膜における少なくとも表面に存在する易溶性金属を溶出除去するための工程と、を含む、請求項４に記載の記録媒体基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録媒体や光磁気記録媒体などの記録媒体の作製に用いることのできる記録媒体基板、および、その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
コンピュータシステムにおける情報処理量の増大に伴い、ハードディスクなどの記憶装置を構成する磁気記録媒体に対しては、記憶容量の増大化が要求される。そのような要求を満たし得る媒体として、近年、垂直磁気記録方式の磁気記録媒体が注目を集めている。
【０００３】
図８は、垂直磁気記録方式の従来の磁気記録媒体の一例である磁気記録媒体Ｘ４を表す。磁気記録媒体Ｘ４は、基板Ｓ２と、記録磁性層８１と、軟磁性層８２と、非磁性層８３と、保護層８４と、潤滑層８５とからなる積層構造を有する。各層は、軟磁性層８２、非磁性層８３、記録磁性層８１、保護層８４、および潤滑層８５の順で、基板Ｓ２の側から積層形成されたものである。
【０００４】
記録磁性層８１は、この層を構成する磁性膜の膜面に対して垂直な方向に磁化容易軸を有して磁化された垂直磁化膜である。軟磁性層８２は、比較的に大きな飽和磁化と比較的に小さな保磁力とを有する磁性膜により構成され、当該磁性膜の膜面に平行な方向（面内方向）に磁化容易軸を有して磁化された面内磁化膜である。非磁性層８３は、非磁性材料よりなり、主に、記録磁性層８１および軟磁性層８２を磁性的に適切に分離するためのものである。保護層８４は、記録磁性層８１を外界から物理的および化学的に保護するためのものであり、潤滑層８５は、磁気記録媒体Ｘ４の表面（記録磁性層８１に対して基板Ｓ２とは反対の側）における磁気記録ヘッドの潤滑性を確保するためのものである。
【０００５】
磁気記録媒体Ｘ４では、大きな飽和磁化と小さな保磁力とを有する軟磁性層８２が記録磁性層８１に近接して存在するため、記録処理時において、磁気記録ヘッドから記録磁性層８１に印加される記録磁界の磁束は記録磁性層８１にて拡散せずに集中する。したがって、記録磁性層８１の記録感度は、軟磁性層８２が存在しない場合よりも向上している。記録磁性層８１の記録感度の向上は、磁気記録ヘッドによる印加磁界の低減を可能にし、その結果、より高周波での記録すなわち高速記録を適切に実現することが可能となる。このような高速記録化は、記録密度の高い垂直磁気記録媒体の実用化を図るうえで重要である。
【０００６】
一方、高密度記録に適した記録媒体として光磁気記録媒体も注目を集めている。光磁気記録媒体は、磁性材料における種々の磁気特性を利用して構成され、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担う書換え可能な記録媒体である。
【０００７】
図９は、従来の光磁気記録媒体の一例である光磁気記録媒体Ｘ５を表す。光磁気記録媒体Ｘ５は、基板Ｓ３と、記録磁性部９１と、軟磁性層９２と、溝形成層９３と、放熱反射層９４と、誘電体層９５，９６とからなる積層構造を有し、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。各層は、軟磁性層９２、溝形成層９３、放熱反射層９４、誘電体層９５、記録磁性部９１、および誘電体層９６の順で、基板Ｓ３の側から積層形成されたものである。
【０００８】
記録磁性部９１は、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担うことが可能な、再生方式に応じた１または２以上の磁性膜よりなる磁性構造を有する。当該磁性膜は希土類−遷移金属アモルファス合金垂直磁化膜よりなる。軟磁性層９２は、比較的に大きな飽和磁化と比較的に小さな保磁力とを有する磁性膜により構成され、当該磁性膜の膜面に平行な方向（面内方向）に磁化容易軸を有して磁化された面内磁化膜である。溝形成層９３は、樹脂材料よりなり、ランド／グルーブ形成用の層である。放熱反射層９４は、読取り用レーザの反射光量を増強し、且つ、記録磁性部９１にて発生する熱を基板側に効率よく伝導するためのものである。誘電体層９５，９６は、記録磁性部９１に対する外部からの物理的および化学的な影響を回避するためのものである。
【０００９】
光磁気記録媒体Ｘ５では、大きな飽和磁化と小さな保磁力とを有する軟磁性層９２が記録磁性部９１に近接して存在するため、記録処理時において、磁気記録ヘッドから記録磁性部９１に印加される記録磁界の磁束は記録磁性部９１にて拡散せずに集中する。すなわち、記録磁性部９１の記録感度は、軟磁性層９２が存在しない場合よりも向上している。したがって、光磁気記録媒体Ｘ５においては、磁気記録媒体Ｘ４と同様に、より高周波での記録すなわち高速記録を適切に実現することが可能となる。このような高速記録化は、記録密度の高い光磁気記録媒体の実用化を図るうえで重要である。
【００１０】
記録密度の高い垂直磁気記録媒体や光磁気記録媒体では、それらの実用化を図るため、上述のように、記録磁性層ないし記録磁性部と基板との間において軟磁性層が設けられる場合がある。このように軟磁性層を有する記録媒体については、例えば特許文献１および特許文献２に開示されている。
【００１１】
【特許文献１】
特開平０３−１０５７４１号公報
【特許文献２】
特開２００１−２８３４１９号公報
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
磁気記録媒体や光磁気記録媒体の製造において、基板上に軟磁性層を形成する手法としては、一般にスパッタリング法が採用されるが、工業的生産において良好なスループットを実現するという観点からは、スパッタリング法に代えて湿式めっき法を採用するのが好ましい。
【００１３】
しかしながら、従来の技術においては、めっき法により基板上に軟磁性層を形成すると、即ち、軟磁気特性を示す磁性材料をめっき法により基板上に成膜すると、形成される軟磁性層と基板との間の密着力は、磁気記録媒体や光磁気記録媒体において実用に耐え得るほどには充分ではなかった。
【００１４】
本発明は、このような状況の下で考え出されたものであって、基板ないし下地との密着性に優れた軟磁性めっき層を有する記録媒体基板、および、その製造方法を提供することを、目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の側面によると記録媒体基板が提供される。この記録媒体基板は、基材、軟磁性めっき層、並びに、当該基材および軟磁性めっき層の間の多孔質酸化物層よりなる積層構造を有することを特徴とする。基材とは、その上に形成される多孔質酸化物層以上の多層構造のベースとなる部材であって、例えばガラス基板、シリコン基板、樹脂基板、アルミニウム合金基板、およびマグネシウム合金基板などの基板単体、並びに、これら基板単体の表面を所定の金属材料で被覆した複合基板を含む。
【００１６】
このような構成を有する記録媒体基板では、めっき法により形成される軟磁性めっき層と基材との間において高い密着力を達成することができる。本発明の第１の側面における軟磁性めっき層は、基材に対して固着形成された多孔質酸化物層を介して基材上に設けられている。多孔質酸化物層は、軟磁性めっき層との界面において多数の細孔を有しており、めっき法により多孔質酸化物層上に積層形成された軟磁性めっき層における多孔質酸化物層との界面は、この多数の細孔に入り込んでいる。界面におけるこのような微細係合構造に由来して、軟磁性めっき層および多孔質酸化物層の間には良好なアンカー効果が得られる。その結果、軟磁性めっき層と基材との間において、高い密着力が得られるのである。
【００１７】
また、めっき法により形成される軟磁性めっき層は金属性を有する。そのため、記録媒体の記録処理や再生処理においては、軟磁性めっき層を面内方向に流れる渦電流が発生する。本発明の第１の側面における多孔質酸化物層は、充分な絶縁性を有するので、例えばアルミニウム合金基板のような金属基板を基材として採用する場合であっても、記録媒体の記録処理や再生処理において軟磁性めっき層中を流れる渦電流が当該金属基板にまで流れ込むという不具合は、適切に防止され得る。
【００１８】
このように、本発明の第１の側面によると、大きな飽和磁化と小さな保磁力とを有し且つ基材との密着性に優れた軟磁性めっき層を有する記録媒体基板を適切に得ることができる。このような記録媒体基板は、高記録密度化を図るのに適した垂直磁気記録媒体や光磁気記録媒体などの記録媒体を作製するうえで、好適に用いることが可能である。記録磁性層ないし記録磁性部を含む所定の多層構造を本記録媒体基板上に積層形成することによって、垂直磁気記録媒体や光磁気記録媒体などを作製することができる。
【００１９】
本発明の第２の側面によると他の記録媒体基板が提供される。この記録媒体基板は、基材と、複数の軟磁性めっき層、および、軟磁性めっき層間に介在し且つ軟磁性めっき層よりも高電気抵抗率の部位を含むインターカレート層（挿入層）、からなる積層構造を有する軟磁性部と、基材および軟磁性部の間の多孔質酸化物層と、からなる積層構造を有することを特徴とする。
【００２０】
このような構成を有する記録媒体基板では、軟磁性部と基材との間において高い密着力を達成することができる。本発明の第２の側面における軟磁性部は、多孔質酸化物層の上に軟磁性めっき層およびインターカレート層を交互に所定数積層して形成されたものであり、当該軟磁性部における少なくとも最下層（基材に最も近い層）は、軟磁性めっき層である。最下軟磁性めっき層は、基材に対して固着形成された多孔質酸化物層を介して基材上に設けられている。多孔質酸化物層は、軟磁性めっき層との界面において多数の細孔を有しており、めっき法により多孔質酸化物層上に積層形成された最下軟磁性めっき層における多孔質酸化物層との界面は、この多数の細孔に進入ないし入り込んでいる。界面におけるこのような微細係合構造に由来して、最下軟磁性めっき層および多孔質酸化物層の間には良好なアンカー効果が得られる。その結果、最下軟磁性めっき層ひいては軟磁性部と基材との間において、高い密着力が得られるのである。
【００２１】
加えて、本発明の第２の側面に係る記録媒体基板は、軟磁性部において高電気抵抗を達成するうえで好適である。軟磁性部は、軟磁気特性を有する複数の軟磁性めっき層と、当該軟磁性めっき層間に挿設されているインターカレート層よりなり、当該インターカレート層は、軟磁性めっき層よりも高電気抵抗率の部位を有するか、或は、軟磁性めっき層よりも高電気抵抗率の材料よりなる。したがって、インターカレート層の厚さを適宜設定することによって、軟磁性めっき層間を電気的に適切に分断し、各軟磁性めっき層について、層厚方向の電子伝導パスを短くして電気抵抗を大きくすることができる。各軟磁性めっき層ひいては軟磁性部全体の電気抵抗を増大することにより、記録媒体の記録処理や再生処理において軟磁性部にて発生する渦電流を低減することが可能となる。軟磁性部にて発生する渦電流の低減は、良好な高周波記録を達成するうえで好適である。
【００２２】
このように、本発明の第２の側面によると、正味の飽和磁化および電気抵抗が大きく且つ正味の保磁力が小さく、加えて基材との密着性に優れた軟磁性部、を有する記録媒体基板を得ることができる。このような記録媒体基板は、高記録密度化を図るのに適した垂直磁気記録媒体や光磁気記録媒体などの記録媒体を作製するうえで、好適に用いることが可能である。記録磁性層ないし記録磁性部を含む所定の多層構造を本記録媒体基板の上に積層形成することによって、垂直磁気記録媒体や光磁気記録媒体などを作製することができる。
【００２３】
本発明の第１および第２の側面において、好ましくは、インターカレート層は、酸化物またはアモルファス物質よりなる。酸化物またはアモルファス物質は、本発明において充分な絶縁性を有し、軟磁性めっき層間の電気的分離を適切に達成するためのインターカレート材料として好適である。また、酸化物が多孔質である場合には、軟磁性めっき層間において良好な密着力を得ることができる。
【００２４】
好ましくは、軟磁性めっき層は、当該軟磁性めっき層を構成する軟磁性材料よりも高電気抵抗率の粒子を含む。この粒子は、好ましくは酸化亜鉛よりなる。このような構成によると、軟磁性めっき層の電気抵抗を適切に増大することができ、その結果、記録媒体の記録処理や再生処理に際して当該軟磁性めっき層にて発生し得る渦電流を適切に低減することが可能となる。
【００２５】
好ましくは、基材における少なくとも表面は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、およびタンタルよりなる群より選択される単体金属、または、当該群より選択される金属を主成分として含む合金よりなる。本構成における単体金属および合金は、その表面に不働態酸化皮膜を形成しやすい。したがって、本構成は、基材表面にて多孔質酸化物層を形成するための手法として陽極酸化処理を採用するうえで好適である。
【００２６】
本発明の第３の側面によると記録媒体基板の製造方法が提供される。この製造方法は、基材に対して多孔質酸化物層を形成するための多孔質酸化物層形成工程と、多孔質酸化物層の上に軟磁性めっき層を形成するための軟磁性めっき層形成工程と、を含むことを特徴とする。
【００２７】
このような方法によると、本発明の第１の側面に係る記録媒体基板を製造することができる。したがって、本発明の第３の側面によると、製造される記録媒体基板において、第１の側面に関して上述したのと同様の効果が奏される。
【００２８】
本発明の第３の側面において、好ましくは、多孔質酸化物層形成工程は、易溶性金属ターゲットおよび酸化物ターゲットを用いて行うコスパッタリング法により、或は、易溶性金属および酸化物を含むターゲットを用いて行うスパッタリング法により、易溶性金属分散酸化物膜を形成するための工程と、当該易溶性金属分散酸化物膜における少なくとも表面に存在する易溶性金属を溶出除去するための工程と、を含む。このような構成によると、多孔質酸化物層形成工程において、多数の緻密な細孔を露出面に有する多孔質酸化物層を、基材上に適切に積層形成することができる。
【００２９】
好ましくは、多孔質酸化物層形成工程では、基材の表面に対する陽極酸化処理により多孔質酸化物層は形成される。このような構成によると、多孔質酸化物層形成工程において、多数の緻密な細孔を露出面に有する多孔質酸化物層を、基材表面に適切に形成することができる。
【００３０】
好ましくは、軟磁性めっき層形成工程では、無電解めっき法により軟磁性めっき層は形成される。当該無電解めっき法では、好ましくは、軟磁性めっき層を構成するための軟磁性材料よりも高い電気抵抗率を有する物質を、めっき成長時にめっき膜にて析出させる。或は、当該無電解めっき法では、好ましくは、軟磁性めっき層を構成するための軟磁性材料よりも高い電気抵抗率を有する粒子を含む、めっき浴を使用する。これらの構成によると、めっき法により形成される軟磁性めっき層において高電気抵抗粒子を適切に分散させることができ、その結果、当該軟磁性めっき層の電気抵抗または軟磁性部の正味の電気抵抗を、適切に増大することが可能となる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
図１および図２は、本発明に係る記録媒体基板Ｘ１を表す。図１は、記録媒体基板Ｘ１の部分断面模式図であり、図２は、記録媒体基板Ｘ１の積層構成を表す。記録媒体基板Ｘ１は、コア基板Ｓ１と、軟磁性部１０と、多孔質酸化物層２０とを備え、フロントイルミネーション方式の光磁気記録媒体や垂直磁気記録媒体などの記録媒体を製造するのに用いることのできるディスク基板として構成されている。
【００３２】
コア基板Ｓ１は、ガラス基板、シリコン基板、樹脂基板、または金属基板、若しくは、ガラス基板、シリコン基板、または樹脂基板などの非金属基板の表面を金属材料で被覆した複合基板である。樹脂基板としては、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂、エポキシ樹脂、またはポリオレフィン樹脂よりなる基板を採用することができる。金属基板としては、例えば、アルミニウム合金基板やマグネシウム合金基板を採用することができる。コア基板Ｓ１として上述のような複合基板を採用する場合、非金属基板を被覆するための金属材料としては、その表面に不働態酸化皮膜が形成されやすいものを採用するのが好ましい。そのような金属材料としては、アルミニウム、マグネシウム、チタン、タンタル、または、これらから選択される金属を主成分として含む合金が挙げられる。これらのような金属材料を採用すると、多孔質酸化物層２０の形成に際し、陽極酸化処理を採用することができる。複合基板における表面金属皮膜の膜厚は、例えば０．５〜１０μｍである。コア基板Ｓ１が垂直磁気記録媒体用の基板である場合、コア基板Ｓ１の表面は、化学的方法、物理的方法、または機械的方法により、平滑化されている。
【００３３】
軟磁性部１０は、記録媒体に対する記録処理の際に記録磁性層を通過する磁束の密度を増大することによって、当該記録磁性層の記録感度を向上するためのものであり、複数の軟磁性層１１および当該軟磁性層間のインターカレート層１２よりなる積層構造を有する。図２においては、一部の軟磁性層１１およびインターカレート層１２を省略する。また、図１および図２は、軟磁性部１０の最上層が軟磁性層１１である構成を表すが、このような構成に代えて、軟磁性部１０の最上層が、直下に軟磁性層１１を伴うインターカレート層１２である構成を、採用してもよい。
【００３４】
軟磁性層１１は、めっき法により成膜された軟磁性材料１１ａよりなる。或は、軟磁性層１１は、図３に示すように、めっき法により成膜された軟磁性材料１１ａと、当該軟磁性材料膜の内部に分散している粒子１１ｂとからなる。図３は、軟磁性部１０における最下層の軟磁性層１１が粒子１１ｂを含む場合の部分拡大図である。軟磁性材料１１ａとしては、例えば、ＦｅＣｏＮｉ，ＦｅＮｉ，またはＣｏＮｉが挙げられる。粒子１１ｂは、軟磁性材料１１ａよりも高い電気抵抗率を有する材料よりなる。粒子１１ｂの構成材料としては、例えば、酸化亜鉛、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、または炭素が挙げられる。粒子１１ｂの粒径は、例えば１０〜１００ｎｍである。軟磁性層１１が粒子１１ｂを含む場合、軟磁性部１０の電気抵抗を適切に増大することができ、その結果、記録媒体の記録処理や再生処理に際して当該軟磁性層１１にて発生し得る渦電流を適切に低減することが可能となる。このような構成の軟磁性層１１の厚さは、例えば０．１〜０．５μｍである。
【００３５】
インターカレート層１２は、軟磁性部１０における複数の軟磁性層１１の間を電気的に適切に分離するためのものであり、軟磁性層１１よりも高い電気抵抗率を有する材料よりなる。この場合、インターカレート層１２は、例えば、高電気抵抗の酸化物またはアモルファス物質よりなる。酸化物としては、例えば、ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＺｎＯ，またはＴｉＯ２が挙げられる。アモルファス物質としては、例えば、ＮｉＰ，ＮｉＢ，またはアモルファス炭素が挙げられる。インターカレート層１２が多孔質な酸化物よりなる場合、軟磁性部１０を構成する軟磁性層１１の間において良好な密着力が得られる傾向にある。或は、インターカレート層１２は、軟磁性層１１よりも高い電気抵抗率を有する材料よりなる部位を含んでなる。この場合、インターカレート層１２は、例えば、金属材料層および当該金属材料層表面を陽極酸化処理することによって形成された多孔質酸化物層よりなる積層構造を有する。このような多孔質酸化物層の存在によっても、軟磁性部１０を構成する軟磁性層１１の間において良好な密着力が得られる傾向にある。インターカレート層１２の厚さは、０．０１〜０．１μｍであるのが好ましい。軟磁性部１０における軟磁性層１１の間を電気的に適切に分離するためには、インターカレート層１２の厚さは０．０１μｍ以上であるのが好ましい。一方、軟磁性部１０における複数の軟磁性層１１の軟磁気特性を適切に一体化させるためには、インターカレート層１２の厚さは０．１μｍ以下であるのが好ましい。
【００３６】
多孔質酸化物層２０は、コア基板Ｓ１および軟磁性部１０の間に介在してこれらの間において良好な密着力を得るためのものであり、多孔質な酸化物膜よりなる。多孔質酸化物層２０は、例えば、Ａｌ２Ｏ３，ＭｇＯ，ＴｉＯ２，またはＴａ２Ｏ５よりなる。多孔質酸化物層２０は、軟磁性部１０における最下層の軟磁性層１１との界面において多数の細孔を有しており、当該軟磁性層１１における多孔質酸化物層２０との界面は、この多数の細孔に進入ないし入り込んでいる。多孔質酸化物層２０および軟磁性層１１の界面におけるこのような微細係合構造に由来して、軟磁性部１０と多孔質酸化物層２０の間には良好なアンカー効果が得られ、その結果、軟磁性部１０ないしその最下層の軟磁性層１１とコア基板Ｓ１との間において高い密着力が得られるのである。多孔質酸化物層２０の厚さは、例えば０．１〜１μｍである。コア基板Ｓ１と軟磁性部１０との間において良好な密着力を確保するとう観点からは多孔質酸化物層２０の厚さは０．１μｍ以上であるのが好ましく、製造効率および経済性の観点からは多孔質酸化物層２０の厚さは１μｍ以下であるのが好ましい。
【００３７】
図４は、記録媒体基板Ｘ１の製造方法を表す。記録媒体基板Ｘ１の製造においては、まず、図４（ａ）に示すように、コア基板Ｓ１に対して多孔質酸化物層２０を形成する。コア基板Ｓ１が金属基板である場合、或は金属材料により被覆された複合基板である場合、本工程では、コア基板Ｓ１の全体を覆うように多孔質酸化物層２０を形成する。一方、コア基板Ｓ１が、後出のめっき工程におけるめっき浴にて不当に侵食されないガラス基板、シリコン基板、または樹脂基板である場合には、軟磁性部１０が積層形成される面のみに多孔質酸化物層２０を形成してもよい。
【００３８】
多孔質酸化物層２０の形成においては、まず、コア基板Ｓ１の上に易溶性金属が内部に分散した酸化物膜を形成する。本発明において易溶性金属とは、酸溶液やアルカリ溶液に容易に溶解する金属をいうものとする。易溶性金属分散酸化物膜の形成は、易溶性金属よりなるターゲットおよび酸化物よりなるターゲットを同時にスパッタするコスパッタリング法により、或は、易溶性金属および酸化物を含む単一のターゲットを用いて行うスパッタリング法により、行うことができる。易溶性金属としては、例えばアルミニウムやマグネシウムが挙げられる。また、酸化物としては、ＳｉＯ２やＴｉＯ２が挙げられる。易溶性金属分散酸化物膜における易溶性金属の含有率は、２０〜５０ｖｏｌ％であるのが好ましい。
【００３９】
多孔質酸化物層２０の形成においては、次に、易溶性金属分散酸化物膜に対して酸溶液またはアルカリ溶液を作用させることによって、当該膜における表面およびその近傍に存在する易溶性金属を溶出させる。酸溶液としては、易溶性金属の種類に応じて、例えば、１０〜２０％の希塩酸、若しくは、１０〜２０％のアンモニア水または水酸化ナトリウム水溶液を使用することができる。このようにして、多孔質酸化物層２０を形成することができる。
【００４０】
多孔質酸化物層２０の形成においては、本発明では、上述の手法に代えて陽極酸化処理を採用してもよい。不働態を形成し易い例えば上掲の金属材料によりコア基板Ｓ１が構成されている場合、或は、不働態を形成し易い例えば上掲の金属材料によりコア基板Ｓ１の表面が被覆されている場合には、陽極酸化処理によって、多孔質酸化物層２０を適切に形成することができる。本手法においては、５〜１０％の希塩酸などによりコア基板Ｓ１の表面に対して清浄化処理を施した後、陽極に電気的に接続したコア基板Ｓ１を対電極とともに電解浴に浸漬し、陽極酸化処理を行なう。電解浴の組成および電解条件については、例えば下記の表１〜表３に掲げる組成および条件を採用することができる。このような手法によっても、多孔質酸化物層２０を形成することができる。
【００４１】
【表１】
2004253103.tif 000003
【００４２】
【表２】
2004253103.tif 000004
【００４３】
【表３】
2004253103.tif 000005
【００４４】
記録媒体基板Ｘ１の製造においては、次に、図４（ｂ）に示すように、多孔質酸化物層２０の上に軟磁性層１１を積層形成する。具体的には、まず、多孔質酸化物層２０を表面に形成したコア基板Ｓ１を、塩化スズ水溶液（１〜５ｗｔ％、室温）に浸漬した後、充分な水洗を行う。当該水溶液に含まれる塩化スズは、多孔質酸化物層２０の表面に吸着し、後出のパラジウムの吸着核として機能する。次に、多孔質酸化物層２０が形成されているコア基板Ｓ１を塩化パラジウム水溶液（０．０１〜０．１ｗｔ％、室温）に浸漬した後、充分な水洗を行う。当該水溶液に含まれるパラジウムは、塩化スズを核として多孔質酸化物層２０の表面に吸着し、後出のめっき成長における触媒核として機能する。次に、コア基板Ｓ１をめっき浴に浸漬し、無電解めっき法によりめっき膜を成長させる。このようにして、めっき膜としての軟磁性層１１を形成することができる。コア基板Ｓ１が金属材料よりなる場合であっても、或は金属材料により被覆された複合基板であっても、その場合には、コア基板Ｓ１は、上述のようにその全体が多孔質酸化物層２０で被覆されているので、当該無電解めっき工程においてめっき浴には溶解しない。
【００４５】
めっき浴の組成および温度については、例えば下記の表４〜表６に掲げる組成および温度を採用することができる。めっき浴について表４に示す組成および温度を採用する場合、軟磁性材料１１ａよりなる軟磁性層１１が形成される。表５に示す組成および温度を採用する場合、軟磁性材料１１ａがめっき成長する過程において当該軟磁性材料１１ａに酸化亜鉛粒子が粒子１１ｂとして取りこまれ、その結果、粒子１１ｂが分散している軟磁性層１１が形成される。表６に示す組成および温度を採用する場合、軟磁性材料１１ａがめっき成長する過程において硝酸亜鉛として浴に溶解された亜鉛が、当該軟磁性材料膜にて酸化亜鉛として粒状に析出し、その結果、酸化亜鉛よりなる粒子１１ｂが分散している軟磁性層１１が形成される。
【００４６】
【表４】
2004253103.tif 000006
【００４７】
【表５】
2004253103.tif 000007
【００４８】
【表６】
2004253103.tif 000008
【００４９】
記録媒体基板Ｘ１の製造においては、次に、図４（ｃ）に示すように、軟磁性層１１の上にインターカレート層１２を積層形成する。本発明においては、上述のように、インターカレート層１２は、酸化物やアモルファス物質などにより構成することができる。
【００５０】
インターカレート層１２を多孔質酸化物により構成する場合、当該インターカレート層１２の形成においては、例えば、まず、軟磁性層１１の上に易溶性金属が内部に分散した酸化物膜を形成する。この易溶性金属分散酸化物膜の形成は、多孔質酸化物層２０の形成に関して上述したのと同様に、易溶性金属よりなるターゲットおよび酸化物よりなるターゲットを同時にスパッタするコスパッタリング法により、或は、易溶性金属および酸化物を含む単一のターゲットを用いて行うスパッタリング法により、行うことができる。次に、多孔質酸化物層２０の形成に関して上述したのと同様に、易溶性金属分散膜に対して酸溶液またはアルカリ溶液を作用させることによって、当該膜における表面およびその近傍に存在する易溶性金属を溶出させる。このようにして、多孔質酸化物よりなるインターカレート層１２を形成することができる。
【００５１】
インターカレート層１２の形成においては、上述のような手法に代えて陽極酸化処理を利用することもできる。その場合、例えば、まず、軟磁性層１１の上にスパッタリング法により所定の金属を成膜する。この金属としては、不働態酸化皮膜を形成しやすい、アルミニウム、マグネシウム、チタン、タンタル、または、これらから選択される金属を主成分として含む合金を採用するのが好ましい。次に、このようにして形成された金属膜表面を陽極酸化処理により酸化する。具体的には、５〜１０％の希塩酸などにより軟磁性層上の金属膜の表面に対して清浄化処理を施した後、陽極に電気的に接続した金属膜を有するコア基板Ｓ１を対電極とともに電解浴に浸漬し、陽極酸化処理を行なう。電解浴の組成および電解条件については、例えば上記の表１〜表３に掲げる組成および条件を採用することができる。このような手法によると、金属膜およびその表面の多孔質酸化物膜よりなるインターカレート層１２を形成することができる。
【００５２】
インターカレート層１２をアモルファス物質により構成する場合、当該インターカレート層１２の形成においては、例えば、まず、軟磁性層１１が表面に形成されているコア基板Ｓ１を、塩化スズ水溶液（１〜５ｗｔ％、室温）に浸漬した後、充分な水洗を行う。次に、軟磁性層１１が形成されているコア基板Ｓ１を塩化パラジウム水溶液（０．０１〜０．１ｗｔ％、室温）に浸漬した後、充分な水洗を行う。次に、下記の表７に示す組成および温度のめっき浴にコア基板Ｓ１を浸漬し、無電解めっき法によりニッケルめっき膜を成長させる。このようにして、アモルファス物質よりなるインターカレート層１２を形成することができる。形成されるニッケルめっき膜は、リン化合物含有量が１０原子％以上と高く、アモルファスの状態をとる。このような高リン含有率のニッケルめっき膜は、低リン含有率のニッケルめっき膜に比べて電気抵抗が３〜７倍程度大きいことが知られている。
【００５３】
【表７】
2004253103.tif 000009
【００５４】
インターカレート層１２を酸化亜鉛により構成する場合、当該インターカレート層１２の形成においては、例えば、まず、軟磁性層１１が表面に形成されているコア基板Ｓ１を、塩化スズ水溶液（１〜５ｗｔ％、室温）に浸漬した後、充分な水洗を行う。次に、軟磁性層１１が形成されているコア基板Ｓ１を塩化パラジウム水溶液（０．０１〜０．１ｗｔ％、室温）に浸漬した後、充分な水洗を行う。次に、下記の表８に示す組成および温度のめっき浴にコア基板Ｓ１を浸漬し、無電解めっき法により酸化亜鉛めっき膜を成長させる。このようにして、酸化亜鉛よりなるインターカレート層１２を形成することができる。
【００５５】
【表８】
2004253103.tif 000010
【００５６】
以上のようなインターカレート層１２の形成、および、当該インターカレート層１２の上への更なる軟磁性層１１の積層形成を、所定の回数繰り返すことにより、図１に示すような軟磁性部１０を形成する。その後、軟磁性層１１の密着力の向上や軟磁気特性の改善などを目的として、形成された軟磁性部１０に対して熱処理を施してもよい。軟磁性部１０における各軟磁性層１１および各インターカレート層１２の形成手法については、上述の軟磁性層１１およびインターカレート層１２の形成手法と同様である。図１には、軟磁性部１０における軟磁性層１１の積層数が５である場合を表す。各軟磁性層１１の厚さおよび積層数は、軟磁性部１０において所望される軟磁気特性に応じて適宜決定される。
【００５７】
また、本発明においては、インターカレート層１２を設けずに軟磁性部１０を形成することもできる。具体的には、軟磁性部１０を軟磁性層１１により構成することによって、コア基板Ｓ１、軟磁性層１１、並びに、当該コア基板Ｓ１および軟磁性層１１の間の多孔質酸化物層２０よりなる積層構造からなる記録媒体基板Ｘ１として構成することもできる。
【００５８】
図５は、記録媒体基板Ｘ１を用いて作製された磁気記録媒体Ｘ２の積層構成を表す。磁気記録媒体Ｘ２は、記録媒体基板Ｘ１と、記録磁性層２１と、非磁性層２２と、保護層２３と、潤滑層２４とからなる積層構成を有し、垂直磁気記録方式の磁気記録ディスクとして構成されたものである。各層は、非磁性層２２、記録磁性層２１、保護層２３、および潤滑層２４の順で、記録媒体基板Ｘ１の側から積層形成されたものである。
【００５９】
記録磁性層２１は、この層を構成する磁性膜の膜面に対して垂直な方向に磁化容易軸を有して磁化された垂直磁化膜であり、例えば、所定の組成のＴｂＦｅＣｏ膜、ＣｏＣｒＰｔ膜、またはＰｄ／Ｃｏ多層膜からなる。非磁性層２２は、記録媒体基板Ｘ１の軟磁性部１０と記録磁性層２１とを磁性的に分離するとともに、記録磁性層２１の積層形成の際に軟磁性部１０の結晶格子構造の影響を回避するためのものである。このような非磁性層２２は、例えば、ＣｏＣｒ膜、ＣｏＣｒＰｔ膜、Ｓｉ膜、Ｃ膜、ＮｉＰ膜、ＲｕＯｘ／Ａｇ／Ｃ多層膜、またはＳｉＮ／Ｃｒ／Ａｇ／Ｃ多層膜などの非磁性材料よりなる。保護層２３は、記録磁性層２１を外界から物理的および化学的に保護するためのものであり、例えば、ＳｉＮ膜、ＳｉＯ２膜、Ｙ添加ＳｉＯ２膜、またはダイアモンドライクカーボン膜よりなる。潤滑層２４は、磁気記録媒体Ｘ２の表面における磁気記録ヘッドの潤滑性を確保するためのものであり、例えば、塗布形成されたフッ素オイル膜よりなる。
【００６０】
図６は、記録媒体基板Ｘ１を用いて作製された光磁気記録媒体Ｘ３の積層構成を表す。光磁気記録媒体Ｘ３は、記録媒体基板Ｘ１と、記録磁性部３１と、溝形成層３２と、放熱反射層３３と、誘電体層３４，３５とを備え、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担う書換え可能な、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。各層は、溝形成層３２、放熱反射層３３、誘電体層３４、記録磁性部３１、および誘電体層３５の順で、記録媒体基板Ｘ１の側から積層形成されたものである。
【００６１】
記録磁性部３１は、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担うことが可能な、１または２以上の磁性膜よりなる磁性構造を有し、光磁気記録媒体Ｘ３における情報トラックを構成する。例えば、記録磁性部３１は、記録機能および再生機能を併有する単一の記録層よりなる。或は、記録磁性部３１は、相対的に保磁力が大きくて記録機能を担う記録層と、再生用レーザにおけるカー回転角が相対的に大きくて再生機能を担う再生層とからなる、２層構造を有する。或は、記録磁性部３１は、ＭＳＲ方式、ＭＡＭＭＯＳ方式、またはＤＷＤＤ方式を実現するための、記録層、再生層、およびこれらの間の中間層よりなる３層構造を有する。記録磁性部３１のとり得る各構造における各層は、希土類元素と遷移金属とのアモルファス合金よりなり、垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直磁化膜である。具体的には、記録層は、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅＣо，ＤｙＦｅＣо，またはＴｂＤｙＦｅＣоよりなる。再生層を設ける場合、当該再生層は、例えば、所定の組成を有するＧｄＦｅＣо，ＧｄＤｙＦｅＣо，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣо，ＮｄＤｙＦｅＣо，ＮｄＧｄＦｅＣо，またはＰｒＤｙＦｅＣоよりなる。中間層を設ける場合、当該中間層は、例えば、所定の組成を有するＧｄＦｅ，ＴｂＦｅ，ＧｄＦｅＣо，ＧｄＤｙＦｅＣо，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣо，ＮｄＤｙＦｅＣо，ＮｄＧｄＦｅＣо，またはＰｒＤｙＦｅＣоよりなる。各層の厚さは、記録磁性部３１に所望される磁性構造に応じて決定される。
【００６２】
溝形成層３２は、ランド／グルーブ形成用の層であり、例えば光硬化性樹脂などの樹脂材料よりなり、情報を記録するためのトラックに応じた凹凸形状を放熱反射層３３の側に有する。放熱反射層３３は、読取り用レーザの反射光量を増強し、且つ、記録磁性部３１にて発生する熱をコア基板Ｓ１の側に効率よく伝導するためのものであり、例えば、Ａｇ合金膜やＡｌ合金膜よりなる。誘電体層３４，３５は、記録磁性部３１に対する外部からの物理的および化学的な影響を回避するためのものであり、例えば、ＳｉＮ膜、ＳｉＯ２膜、Ｙ添加ＳｉＯ２膜、またはＡｌＮ膜よりなる。
【００６３】
記録媒体基板Ｘ１では、軟磁性部１０は、多孔質酸化物層２０の上に軟磁性層１１およびインターカレート層１２を交互に所定数積層して形成されたものであり、その最下層は軟磁性層１１である。最下の軟磁性層１１は、コア基板Ｓ１に対して固着形成された多孔質酸化物層２０を介してコア基板Ｓ１の上に設けられている。多孔質酸化物層２０は、軟磁性層１１との界面において多数の細孔を有しており、多孔質酸化物層２０の上にめっき法により積層形成された軟磁性層１１における多孔質酸化物層２０との界面は、この多数の細孔に進入ないし入り込んでいる。界面におけるこのような微細係合構造に由来して、最下の軟磁性層１１および多孔質酸化物層２０の間には良好なアンカー効果が得られる。その結果、記録媒体基板Ｘ１では、最下の軟磁性層１１ひいては軟磁性部１０とコア基板Ｓ１との間において高い密着力が得られるのである。
【００６４】
記録媒体基板Ｘ１では、めっき法により形成される軟磁性層１１は金属性を有するが、多孔質酸化物層２０は充分な絶縁性を有する。したがって、例えばアルミニウム合金基板のような金属基板をコア基板Ｓ１として採用する場合であっても、記録媒体Ｘ２，Ｘ３の記録処理や再生処理において軟磁性層１１の内部を流れる渦電流が当該金属基板にまで流れ込むことを防止することができる。
【００６５】
記録媒体基板Ｘ１では、軟磁性部１０は、軟磁気特性を有する複数の軟磁性層１１と、当該軟磁性層間に挿設されているインターカレート層１２よりなり、インターカレート層１２は、軟磁性層１１よりも電気抵抗率の高い部位を有する。したがって、インターカレート層１２の厚さを適宜設定することによって、２つの軟磁性層１１の間を電気的に適切に分離し、各軟磁性層１１について、層厚方向の電子伝導パスを短くして電気抵抗を大きくすることができる。各軟磁性層１１ひいては軟磁性部１０の全体の電気抵抗を増大することにより、記録媒体Ｘ２，Ｘ３の記録処理や再生処理において軟磁性部１０にて発生する渦電流を低減することが可能となる。軟磁性部１０にて発生する渦電流の低減は、良好な高周波記録を達成するうえで好適である。
【００６６】
【実施例】
次に、本発明の実施例について、比較例とともに記載する。
【００６７】
【実施例１】
本実施例の記録媒体基板の製造においては、まず、コア基板としての磁気ディスク用アルミニウム合金基板（φ３．５インチ）の全面に対し、ＲＦスパッタリング法によりＡｌ−ＳｉＯ２を成膜することにより、厚さ０．５μｍの易溶性金属分散酸化物膜（Ａｌ分散ＳｉＯ２膜）を形成した。本スパッタリングでは、Ａｌ（３０ｖｏｌ％）およびＳｉＯ２（７０ｖｏｌ％）の圧粉体からなるターゲット（φ６インチ）を用い、ガス圧力を０．５Ｐａとし、投入電力をＲＦ１ｋＷとし、基板温度を室温とした。このような成膜の後、基板を１５ｗｔ％ＨＣｌ水溶液（３５℃）に３分間浸漬した後、純水で洗浄した。このようにして、コア基板（アルミニウム合金基板）上に多孔質酸化物層（多孔質ＳｉＯ２層、厚さ０．５μｍ）を形成した。
【００６８】
次に、多孔質酸化物層の上に軟磁性層を積層形成した。具体的には、まず、多孔質酸化物層が形成された基板を３ｗｔ％塩化スズ水溶液（３５℃）に１分間浸漬した後、純水で洗浄した。次に、当該基板を０．０５ｗｔ％塩化パラジウム水溶液（３５℃）に１分間浸漬した後、純水で洗浄した。次に、当該基板を、無電解めっき浴（５５℃）に５分間浸漬した後、純水で洗浄した。本無電解めっき浴は、０．１ｗｔ％のジメチルアミンボラン、０．３ｗｔ％の硫酸ニッケル、０．３ｗｔ％の硫酸鉄、および３ｗｔ％の硫酸コバルトを含む水溶液である。このようにして、無電解めっき法により厚さ２μｍの軟磁性層（ＦｅＣｏＮｉ）を形成した。以上のようにして、本実施例の記録媒体基板を作製した。
【００６９】
【実施例２】
本実施例の記録媒体基板の製造においては、まず、コア基板としての磁気ディスク用アルミニウム合金基板（φ３．５インチ）を７ｗｔ％ＨＣｌ水溶液（室温）で洗浄し、陽極に接続した後に当該基板を対電極とともに４ｗｔ％シュウ酸水溶液（３５℃）に浸漬し、陽極酸化処理を行った。陽極酸化処理においては、直流電圧を１５Ｖとし、電流密度を１５ｍＡ／ｃｍ２とし、処理時間を２分間とした。このようにして、コア基板（アルミニウム合金基板）上に多孔質酸化物層（Ａｌ合金陽極酸化膜、厚さ０．５μｍ）を形成した。次に、実施例１と同様にして、無電解めっき法により当該多孔質酸化物層の上に軟磁性層（厚さ２μｍ）を積層形成した。以上のようにして、本実施例の記録媒体基板を作製した。
【００７０】
【実施例３】
本実施例の記録媒体基板の製造においては、まず、実施例１と同様にして、コア基板としての磁気ディスク用アルミニウム合金基板の上に多孔質酸化物層（多孔質ＳｉＯ２層、厚さ０．５μｍ）を形成した。
【００７１】
次に、多孔質酸化物層の上に軟磁性層を積層形成した。具体的には、まず、多孔質酸化物層が形成された基板について、３ｗｔ％塩化スズ水溶液（３５℃）への１分間の浸漬、純水洗浄、０．０５ｗｔ％塩化パラジウム水溶液（３５℃）への１分間の浸漬、および純水洗浄を順次行った。次に、当該基板を、無電解めっき浴（６０℃）に５分間浸漬した後、純水で洗浄した。本無電解めっき浴は、０．１ｗｔ％のジメチルアミンボラン、０．３ｗｔ％の硫酸ニッケル、０．３ｗｔ％の硫酸鉄、３ｗｔ％の硫酸コバルト、３ｗｔ％の硝酸亜鉛を含む水溶液である。この無電解めっき工程においては、硝酸亜鉛として浴中に溶解された亜鉛は、酸化亜鉛粒子としてめっき膜内にて析出する。このように、無電解めっき法により、内部に酸化亜鉛粒子が分散する厚さ２μｍの軟磁性層（酸化亜鉛粒子含有率２０ｖｏｌ％）を形成した。以上のようにして、本実施例の記録媒体基板を作製した。
【００７２】
【実施例４】
本実施例の記録媒体基板の製造においては、まず、実施例２と同様にして、コア基板としての磁気ディスク用アルミニウム合金基板の上に多孔質酸化物層（Ａｌ合金陽極酸化膜、厚さ０．５μｍ）を形成した。次に、実施例３と同様にして、無電解めっき法により当該多孔質酸化物層の上に軟磁性層（酸化亜鉛粒子含有率２０ｖｏｌ％、厚さ２μｍ）を積層形成した。以上のようにして、本実施例の記録媒体基板を作製した。
【００７３】
【実施例５】
本実施例の記録媒体基板の製造においては、まず、実施例１と同様にして、コア基板としての磁気ディスク用アルミニウム合金基板の上に多孔質酸化物層（多孔質ＳｉＯ２層、厚さ０．５μｍ）を形成した。次に、厚さを２μｍに代えて０．２μｍとした以外は実施例１と同様にして、無電解めっき法により当該多孔質酸化物層の上に軟磁性層を積層形成した。
【００７４】
次に、軟磁性層上に、インターカレート層としての多孔質酸化物層を形成した。具体的には、まず、ＲＦスパッタリング法により、軟磁性層上にＡｌ−ＳｉＯ２を成膜して厚さ０．０５μｍの易溶性金属分散酸化物膜（Ａｌ分散ＳｉＯ２膜）を形成した。本スパッタリングでは、Ａｌ（３０ｖｏｌ％）およびＳｉＯ２（７０ｖｏｌ％）の圧粉体からなるターゲット（φ６インチ）を用い、ガス圧力を０．５Ｐａとし、投入電力をＲＦ１ｋＷとし、基板温度を室温とした。このような成膜の後、基板を１５ｗｔ％ＨＣｌ水溶液（３５℃）に３分間浸漬した後、純水で洗浄した。このようにして、軟磁性層上に多孔質酸化物層（多孔質ＳｉＯ２層、厚さ０．０５μｍ）を形成した。
【００７５】
本実施例について上述した軟磁性層（厚さ０．２μｍ）の形成、および、インターカレート層（多孔質ＳｉＯ２層、厚さ０．０５μｍ）の形成を、更に交互に繰り返すことによって、合計１０層の軟磁性層および軟磁性層間に介在する合計９層のインターカレート層よりなる軟磁性部を形成した。以上のようにして、本実施例の記録媒体基板を作製した。
【００７６】
【実施例６】
本実施例の記録媒体基板の製造においては、まず、実施例２と同様にして、コア基板としての磁気ディスク用アルミニウム合金基板の上に多孔質酸化物層（Ａｌ合金陽極酸化膜、厚さ０．５μｍ）を形成した。次に、実施例５と同様にして、合計１０層の軟磁性層（厚さ０．２μｍ）および軟磁性層間に介在する合計９層のインターカレート層（多孔質ＳｉＯ２層、厚さ０．０５μｍ）よりなる軟磁性部を形成した。以上のようにして、本実施例の記録媒体基板を作製した。
【００７７】
【実施例７】
本実施例の記録媒体基板の製造においては、まず、実施例１と同様にして、コア基板としての磁気ディスク用アルミニウム合金基板の上に多孔質酸化物層（多孔質ＳｉＯ２層、厚さ０．５μｍ）を形成した。次に、厚さを２μｍに代えて０．２μｍとした以外は実施例３と同様にして、無電解めっき法により当該多孔質酸化物層の上に軟磁性層（酸化亜鉛粒子含有率２０ｖｏｌ％）を積層形成した。次に、軟磁性層上に、実施例５と同様にして、インターカレート層としての多孔質酸化物層（多孔質ＳｉＯ２層、厚さ０．０５μｍ）を形成した。
【００７８】
本実施例について上述した軟磁性層（酸化亜鉛粒子含有率２０ｖｏｌ％、厚さ０．２μｍ）の形成、および、インターカレート層（多孔質ＳｉＯ２層、厚さ０．０５μｍ）の形成を、更に交互に繰り返すことによって、合計１０層の軟磁性層および軟磁性層間に介在する合計９層のインターカレート層よりなる軟磁性部を形成した。以上のようにして、本実施例の記録媒体基板を作製した。
【００７９】
【実施例８】
本実施例の記録媒体基板の製造においては、まず、実施例２と同様にして、コア基板としての磁気ディスク用アルミニウム合金基板の上に多孔質酸化物層（Ａｌ合金陽極酸化膜、厚さ０．５μｍ）を形成した。次に、実施例７と同様にして、合計１０層の軟磁性層（酸化亜鉛粒子含有率２０ｖｏｌ％、厚さ０．２μｍ）および軟磁性層間に介在する合計９層のインターカレート層（多孔質ＳｉＯ２層、厚さ０．０５μｍ）よりなる軟磁性部を形成した。以上のようにして、本実施例の記録媒体基板を作製した。
【００８０】
【実施例９〜１２】
インターカレート層として、多孔質ＳｉＯ２層（厚さ０．０５μｍ）に代えてアモルファスＮｉＰ層（厚さ０．０５μｍ）を形成した以外は、実施例５〜８と同様にして、実施例９〜１２の記録媒体基板を作製した。アモルファスＮｉＰ層の形成においては、まず、最表面に軟磁性層が形成された基板について、３ｗｔ％塩化スズ水溶液（３５℃）への１分間の浸漬、純水洗浄、０．０５ｗｔ％塩化パラジウム水溶液（３５℃）への１分間の浸漬、および純水洗浄を順次行った。次に、当該基板を、無電解めっき浴（７０℃）に１分間浸漬した後、純水で洗浄した。本無電解めっき浴は、２ｗｔ％の次亜リン酸ナトリウムおよび０．３ｗｔ％の硫酸ニッケルを含む水溶液である。
【００８１】
【実施例１３〜１６】
インターカレート層として、多孔質ＳｉＯ２層（厚さ０．０５μｍ）に代えて酸化亜鉛層（厚さ０．０５μｍ）を形成した以外は、実施例５〜８と同様にして、実施例１３〜１６の記録媒体基板を作製した。酸化亜鉛層の形成においては、まず、最表面に軟磁性層が形成された基板について、３ｗｔ％塩化スズ水溶液（３５℃）への１分間の浸漬、純水洗浄、０．０５ｗｔ％塩化パラジウム水溶液（３５℃）への１分間の浸漬、および純水洗浄を順次行った。次に、当該基板を、無電解めっき浴（５５℃）に２分間浸漬した後、純水で洗浄した。本無電解めっき浴は、０．１ｗｔ％のジメチルアミンボランおよび３ｗｔ％の硝酸亜鉛を含む水溶液である。この無電解めっき工程においては、硝酸亜鉛として浴中に溶解された亜鉛は、酸化亜鉛粒子としてめっき膜内にて析出する。
【００８２】
【比較例１】
コア基板の表面に多孔質酸化物層を形成しない以外は実施例１と同様にして、本比較例の記録媒体基板を作製した。したがって、本比較例の記録媒体基板は、コア基板としてのアルミニウム合金基板上にめっき法により直接形成された軟磁性層（厚さ２μｍ）を有する。
【００８３】
【比較例２】
コア基板の表面に多孔質酸化物層を形成しない以外は実施例３と同様にして、本比較例の記録媒体基板を作製した。したがって、本比較例の記録媒体基板は、コア基板としてのアルミニウム合金基板上にめっき法により直接形成された軟磁性層（酸化亜鉛粒子含有率２０ｖｏｌ％、厚さ２μｍ）を有する。
【００８４】
【密着性試験】
実施例１〜１６および比較例１，２の記録媒体基板を各々３枚作製し、各基板について、コア基板に対する軟磁性層または軟磁性部の密着性を調べた。具体的には、まず、コア基板上において軟磁性層または軟磁性部を１００ヶの区域（各々１ｍｍ×１ｍｍ四方）に分断した。次に、分断された軟磁性部ないし軟磁性層に対して、粘着テープを荷重１ｋｇｆ／ｃｍ２で貼りつけた後、当該粘着テープを引き剥がした。このような引き剥がし作業によっても剥離を生じずにコア基板上に適切に残存している区域数を計測した。残存区域数が５０未満の場合を密着性１、残存区域数５０以上８０未満の場合を密着性２、残存区域数８０以上９０未満の場合を密着性３、残存区域数９０以上９５未満の場合を密着性４、残存区域数９５以上の場合を密着性５、と規定し、各記録媒体基板における軟磁性層または軟磁性部の密着性を調べた。これらの結果は、図７の表に掲げる。図７の表において、例えば密着性評価５は、３枚全ての記録媒体基板の密着性の評価が５であったことを意味する。また、密着性評価３〜４は、３枚の記録媒体基板のうち、少なくとも１枚について密着性の評価が３であり且つ少なくとも１枚について密着性の評価が４であったことを意味する。
【００８５】
【電気抵抗測定】
実施例１〜１６および比較例１，２の記録媒体基板を各々３枚作製し、各基板について、軟磁性部全体の電気抵抗を調べた。電気抵抗の測定においては、４端子式電気抵抗率測定器を使用した。軟磁性部の電気抵抗率が５０μΩｃｍ未満の場合を電気抵抗１、電気抵抗率５０μΩｃｍ以上８０μΩｃｍ未満の場合を電気抵抗２、電気抵抗率８０μΩｃｍ以上１００μΩｃｍ未満の場合を電気抵抗３、電気抵抗率１００μΩｃｍ以上１２０μΩｃｍ未満の場合を電気抵抗４、電気抵抗率１２０μΩｃｍ以上の場合を電気抵抗５、と規定し、各記録媒体基板における軟磁性部の電気抵抗を調べた。これらの結果は、図７の表に掲げる。図７の表において、例えば電気抵抗評価５は、３枚全ての記録媒体基板の電気抵抗の評価が５であったことを意味する。また、密着性評価３〜４は、３枚の記録媒体基板のうち、少なくとも１枚について電気抵抗の評価が３であり且つ少なくとも１枚について電気抵抗の評価が４であったことを意味する。
【００８６】
【評価】
図７の表からは、コア基板と軟磁性層または軟磁性部との間に多孔質酸化物層が介在している実施例１〜１６の記録媒体基板では、コア基板に対して軟磁性層が直接積層形成されている比較例１，２の記録媒体基板よりも、コア基板に対する軟磁性層または軟磁性部の密着性が高いことが判る。多孔質二酸化ケイ素または酸化亜鉛よりなるインターカレート層を含む軟磁性部を備える実施例５〜８，１３〜１６の記録媒体基板では、特に優れた密着性が達成されている。また、酸化亜鉛粒子が軟磁性層中に分散している実施例３，４，７，８，１１，１２，１５，１６の記録媒体基板では、軟磁性層中に酸化亜鉛粒子が分散していない以外は各々に対応する同一の積層構造を有する実施例１，２，５，６，９，１０，１３，１４の記録媒体基板よりも、軟磁性部または軟磁性層は高電気抵抗であることが判る。多孔質二酸化ケイ素または酸化亜鉛よりなるインターカレート層を含む軟磁性部を備える実施例７，８，１５，１６の記録媒体基板では、特に高電気抵抗が達成されている。
【００８７】
以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。
【００８８】
（付記１）基材、軟磁性めっき層、並びに、当該基材および軟磁性めっき層の間の多孔質酸化物層よりなる積層構造を有することを特徴とする、記録媒体基板。
（付記２）基材と、
複数の軟磁性めっき層、および、軟磁性めっき層間に介在し且つ前記軟磁性めっき層よりも高電気抵抗率の部位を含むインターカレート層、からなる積層構造を有する軟磁性部と、
前記基材および前記軟磁性部の間の多孔質酸化物層と、からなる積層構造を有することを特徴とする、記録媒体基板。
（付記３）前記インターカレート層は、酸化物またはアモルファス物質よりなる、付記２に記載の記録媒体基板。
（付記４）前記軟磁性めっき層は、当該軟磁性めっき層を構成する軟磁性材料よりも高電気抵抗率の粒子を含む、付記１から３のいずれか１つに記載の記録媒体基板。
（付記５）前記粒子は酸化亜鉛よりなる、付記４に記載の記録媒体基板。
（付記６）前記基材における少なくとも表面は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、およびタンタルよりなる群より選択される単体金属、または、当該群より選択される金属を主成分として含む合金よりなる、付記１から５のいずれか１つに記載の記録媒体基板。
（付記７）基材に対して多孔質酸化物層を形成するための多孔質酸化物層形成工程と、
前記多孔質酸化物層の上に軟磁性めっき層を形成するための軟磁性めっき層形成工程と、を含むことを特徴とする、記録媒体基板の製造方法。
（付記８）前記多孔質酸化物層形成工程は、易溶性金属ターゲットおよび酸化物ターゲットを用いて行うコスパッタリング法により、或は、易溶性金属および酸化物を含むターゲットを用いて行うスパッタリング法により、易溶性金属分散酸化物膜を形成するための工程と、当該易溶性金属分散酸化物膜における少なくとも表面に存在する易溶性金属を溶出除去するための工程と、を含む、付記７に記載の記録媒体基板の製造方法。
（付記９）前記多孔質酸化物層形成工程では、前記基材の表面に対する陽極酸化処理により前記多孔質酸化物層は形成される、付記７に記載の記録媒体基板の製造方法。
（付記１０）前記軟磁性めっき層形成工程では、無電解めっき法により前記軟磁性めっき層は形成される、付記７から９のいずれか１つに記載の記録媒体基板の製造方法。
（付記１１）前記無電解めっき法では、前記軟磁性めっき層を構成するための軟磁性材料よりも高い電気抵抗率を有する物質を、めっき成長時にめっき膜にて析出させる、付記１０に記載の記録媒体基板の製造方法。
（付記１２）前記無電解めっき法では、前記軟磁性めっき層を構成するための軟磁性材料よりも高い電気抵抗率を有する粒子を含む、めっき浴を使用する、付記１０に記載の記録媒体基板の製造方法。
【００８９】
【発明の効果】
本発明によると、基板ないし下地との密着性に優れた軟磁性めっき層ないし軟磁性部を有する記録媒体基板を得ることができる。このような記録媒体基板は、高記録密度化に適した垂直磁気記録媒体や光磁気記録媒体を実用化するうえで好適である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る記録媒体基板の部分断面模式図である。
【図２】図１に示す記録媒体基板の積層構成を表す。
【図３】多孔質酸化物層が粒子を含有する場合の拡大断面図である。
【図４】図１に示す記録媒体基板の製造方法における一部の工程を表す。
【図５】本発明に係る記録媒体基板を用いて作製された磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図６】本発明に係る記録媒体基板を用いて作製された光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図７】実施例１〜１６および比較例１，２について、構造、並びに、密着性評価および電気抵抗測定の結果を掲げる。
【図８】従来の磁気記録媒体における積層構成の一例を表す。
【図９】従来の光磁気記録媒体における積層構成の一例を表す。
【符号の説明】
Ｘ１      記録媒体基板
Ｘ２      磁気記録媒体
Ｘ３      光磁気記録媒体
Ｓ１      コア基板
１０      軟磁性部
１１      軟磁性層
１１ａ      軟磁性材料
１１ｂ      粒子
１２      インターカレート層
２０      多孔質酸化物層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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