(57)【要約】【課題】塗布された処理液の乾燥ムラを抑制することにより、膜厚が不均一になることを防止する基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理装置に雰囲気を送風する送風機構６に、下面が開口した略箱状の筐体６０、通過する雰囲気から粉塵などを取り除くためのフィルタ６１、回転することにより所定の方向（−Ｚ方向）に雰囲気を導くファン６３、中心軸が回転軸Ｐと一致するように配置されたシャフト６４、および所定の回転方向に駆動力を生成する回転モータ６５を設ける。また、内部に回転モータ６５の回転速度を調整する調整機構７を設ける。基板処理装置において、レジスト液の塗布が行われている間、調整機構７が回転モータ６５の回転速度を落とすことによって送風機構６により送風される雰囲気の送風量を減少させて、送風による気流の乱れを減少させる。【選択図】　　　　図３
2004079836.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する保持手段と、
所定の処理液を吐出する吐出手段と、
を備え、
前記保持手段に保持された前記基板の表面に前記吐出手段から前記所定の処理液を塗布する基板処理装置であって、
前記基板処理装置に雰囲気を送風する送風手段と、
前記送風手段により前記基板の表面に送風される前記雰囲気の送風量を調整する調整手段と、
前記基板に対する処理の段階に応じて前記送風量を変化させるように前記調整手段を制御する制御手段と、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記送風手段が、
回転することにより所定の方向に雰囲気を導くファンと、
前記ファンを回転させる回転モータと、
を有し、
前記調整手段が、前記回転モータの回転速度を調整することにより前記雰囲気の送風量を調整することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記調整手段が、
前記送風手段により送風される雰囲気の流路を遮断する遮断手段と、
前記遮断手段の位置を、前記雰囲気の流路を遮断する遮断位置と、前記雰囲気の流路を解放する解放位置との間で移動させる移動手段と、
を有し、
前記移動手段によって前記遮断手段の位置を調整することにより前記雰囲気の送風量を調整することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記制御手段が、前記吐出手段による塗布処理が行われている間、前記雰囲気の送風量を減らすように前記調整手段を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記制御手段が、前記保持手段から前記基板が搬出される間、前記雰囲気の送風量を減らすように前記調整手段を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
基板を保持する保持工程と、
前記保持工程において保持された前記基板の表面に所定の処理液を吐出することにより、前記所定の処理液を塗布する塗布工程と、
を有する基板処理方法であって、
前記基板を処理する空間に雰囲気を送風する送風工程と、
前記送風工程により前記基板の表面に送風される前記雰囲気の送風量を調整する調整工程と、
前記基板処理方法における各工程の段階に応じて前記送風量を変化させるように前記調整工程を制御する制御工程と、
をさらに有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項７】
請求項６に記載の基板処理方法であって、
前記調整工程が、所定の方向に雰囲気を導くファンを回転させる回転モータの回転速度を調整することにより前記雰囲気の送風量を調整する工程であることを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】
請求項６に記載の基板処理方法であって、
前記調整工程が、
前記送風工程において送風される雰囲気の流路を遮断する遮断部材の位置を、前記雰囲気の流路を遮断する遮断位置と、前記雰囲気の流路を解放する解放位置との間で移動させる移動工程を有し、
前記移動工程において前記遮断部材の位置を調整することにより前記雰囲気の送風量を調整することを特徴とする基板処理方法。
【請求項９】
請求項６ないし８のいずれかに記載の基板処理方法であって、
前記制御工程が、前記塗布工程が行われている間、前記雰囲気の送風量を減らすように前記調整工程を制御する工程であることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１０】
請求項６ないし９のいずれかに記載の基板処理方法であって、
前記制御工程が、前記基板が搬出される間、前記雰囲気の送風量を減らすように前記調整工程を制御する工程であることを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板およびＰＤＰ用ガラス基板などの各被処理基板に対して塗布処理を行う技術に関する。より詳しくは、当該塗布処理を行う際の送風技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板にレジスト液などの所定の処理液を塗布する塗布装置（基板処理装置）では、ＦＦＵ（Ｆａｎ　Ｆｉｌｔｅｒ　Ｕｎｉｔ）を常時稼働させることによって、基板処理装置内に清浄な気流を導入し、当該気流により基板処理装置内の雰囲気へのパーティクルなどの進入を阻止している。すなわちこのような基板処理装置では、クリーンルーム内の作業雰囲気から粉塵などが装置内に進入しないように、ＨＥＰＡフィルタ若しくはＵＬＰＡフィルタを介して清浄な雰囲気を装置内に供給して装置内部を陽圧にしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、このようにＦＦＵが常時稼働している状況において、基板に対して溶剤を含む処理液を塗布すると、ＦＦＵによって発生する気流の流速分布が不均一であるために、溶剤の乾燥ムラが発生するという問題があった。特に、レジスト液を基板上に塗布する場合には、その膜厚は１０μｍ以下とされることもあり、高い精度が要求されるために、このような乾燥ムラによる影響を受けやすいという特徴がある。
【０００４】
このような問題を解決するためには、処理液を高粘度にして用いることも考えられるが、この場合、
（１）膜厚の薄い膜を形成することが難しい
（２）塗布する膜厚のバラツキによる影響が大きい
（３）塗布する速度が遅い
（４）レベリング性（流動性）が悪い
などの問題があるため、適切ではない。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、塗布された処理液の乾燥ムラを抑制することにより、膜厚が不均一になることを防止する基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、請求項１の発明は、基板を保持する保持手段と、所定の処理液を吐出する吐出手段とを備え、前記保持手段に保持された前記基板の表面に前記吐出手段から前記所定の処理液を塗布する基板処理装置であって、前記基板処理装置に雰囲気を送風する送風手段と、前記送風手段により前記基板の表面に送風される前記雰囲気の送風量を調整する調整手段と、前記基板に対する処理の段階に応じて前記送風量を変化させるように前記調整手段を制御する制御手段とをさらに備える。
【０００７】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置であって、前記送風手段が、回転することにより所定の方向に雰囲気を導くファンと、前記ファンを回転させる回転モータとを有し、前記調整手段が、前記回転モータの回転速度を調整することにより前記雰囲気の送風量を調整する。
【０００８】
また、請求項３の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置であって、前記調整手段が、前記送風手段により送風される雰囲気の流路を遮断する遮断手段と、前記遮断手段の位置を、前記雰囲気の流路を遮断する遮断位置と、前記雰囲気の流路を解放する解放位置との間で移動させる移動手段とを有し、前記移動手段によって前記遮断手段の位置を調整することにより前記雰囲気の送風量を調整する。
【０００９】
また、請求項４の発明は、請求項１ないし３のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記制御手段が、前記吐出手段による塗布処理が行われている間、前記雰囲気の送風量を減らすように前記調整手段を制御する。
【００１０】
また、請求項５の発明は、請求項１ないし４のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記制御手段が、前記保持手段から前記基板が搬出される間、前記雰囲気の送風量を減らすように前記調整手段を制御する。
【００１１】
また、請求項６の発明は、基板を保持する保持工程と、前記保持工程において保持された前記基板の表面に所定の処理液を吐出することにより、前記所定の処理液を塗布する塗布工程と、を有する基板処理方法であって、前記基板を処理する空間に雰囲気を送風する送風工程と、前記送風工程により前記基板の表面に送風される前記雰囲気の送風量を調整する調整工程と、前記基板処理方法における各工程の段階に応じて前記送風量を変化させるように前記調整工程を制御する制御工程とをさらに有する。
【００１２】
また、請求項７の発明は、請求項６の発明に係る基板処理方法であって、前記調整工程が、所定の方向に雰囲気を導くファンを回転させる回転モータの回転速度を調整することにより前記雰囲気の送風量を調整する工程である。
【００１３】
また、請求項８の発明は、請求項６の発明に係る基板処理方法であって、前記調整工程が、前記送風工程において送風される雰囲気の流路を遮断する遮断部材の位置を、前記雰囲気の流路を遮断する遮断位置と、前記雰囲気の流路を解放する解放位置との間で移動させる移動工程を有し、前記移動工程において前記遮断部材の位置を調整することにより前記雰囲気の送風量を調整する。
【００１４】
また、請求項９の発明は、請求項６ないし８のいずれかの発明に係る基板処理方法であって、前記制御工程が、前記塗布工程が行われている間、前記雰囲気の送風量を減らすように前記調整工程を制御する工程である。
【００１５】
また、請求項１０の発明は、請求項６ないし９のいずれかの発明に係る基板処理方法であって、前記制御工程が、前記基板が搬出される間、前記雰囲気の送風量を減らすように前記調整工程を制御する工程である。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。
【００１７】
＜１．　第１の実施の形態＞
＜１．１　構成の説明＞
図１は、本発明の実施の形態である基板処理装置１の概略を示す斜視図である。図２は、基板処理装置１の本体２の正面図である。基板処理装置１は、本体２と制御系８とに大別され、液晶表示装置の画面パネルを製造するための角形ガラス基板を被処理基板９０としており、基板９０の表面に形成された電極層などを選択的にエッチングするプロセスにおいて、基板９０の表面に処理液としてのレジスト液を塗布する塗布装置として構成されている。したがって、この実施の形態では、スリットノズル４１はレジスト液を吐出するようになっている。
【００１８】
なお、基板処理装置１は、液晶表示装置用のガラス基板だけでなく、一般に、フラットパネルディスプレイ用の種々の基板に処理液（薬液）を塗布する装置として変形利用することもできる。
【００１９】
また、基板処理装置１は、スリットノズル４１によりレジスト液を基板９０に直接塗布するいわゆるスリットコータとして構成されている。スリットコータは、処理液を基板に直接塗布するため、用いる処理液の粘度が低い（より液体に近い）という特徴があり、送風による気流の乱れの影響を受けやすく、前述のような問題が顕著に現れる傾向がある。しかし、本発明は、このようなスリットコートによって塗布を行う基板処理装置のみならず、基板を回転させつつレジスト液を塗布するいわゆるスピンコータにおいても、もちろん利用することができる。
【００２０】
本体２は、被処理基板９０を載置して保持するための保持台として機能するとともに、付属する各機構の基台としても機能するステージ３を備える。ステージ３は直方体形状の一体の石製であり、その上面（保持面３０）および側面は平坦面に加工されている。
【００２１】
ステージ３の上面は水平面とされており、基板９０の保持面３０となっている。保持面３０には多数の真空吸着口が分布して形成されており、基板処理装置１において基板９０を処理する間、基板９０を吸着することにより、基板９０を所定の水平位置に保持する。
【００２２】
この保持面３０のうち基板９０の保持エリア（基板９０が保持される領域）を挟んだ両端部には、略水平方向に平行に伸びる一対の走行レール３１ａが固設される。走行レール３１ａは、架橋構造４の両端部に固設される支持ブロック３１ｂとともに、架橋構造４の移動を案内し（移動方向を所定の方向に規定する）、架橋構造４を保持面３０の上方に支持するリニアガイドを構成する。
【００２３】
ステージ３の上方には、このステージ３の両側部分から略水平に掛け渡された架橋構造４が設けられている。架橋構造４は、カーボンファイバ補強樹脂を骨材とするノズル支持部４０と、その両端を支持する昇降機構４３，４４とから主に構成される。
【００２４】
ノズル支持部４０には、スリットノズル４１とギャップセンサ４２とが取り付けられている。すなわち、スリットノズル４１は、ノズル支持部４０を介して架橋構造４に取り付けられている。
【００２５】
水平Ｙ方向に伸びる直線状のスリットノズル４１には、スリットノズル４１へ薬液を供給する配管やレジスト用ポンプを含む吐出機構（図示せず）が接続されている。スリットノズル４１は、レジスト用ポンプによりレジスト液が送られ、基板９０の表面を走査することにより、基板９０の表面の所定の領域（以下、「塗布領域」と称する。）にレジスト液を吐出する。
【００２６】
ギャップセンサ４２は、スリットノズル４１の近傍となるよう、ノズル支持部４０に取り付けられ、下方の存在物（例えば、基板９０の表面や、レジスト膜の表面）との間の高低差（ギャップ）を測定して、測定結果を制御系８に伝達する。これにより、制御系８はギャップセンサ４２の測定結果に基づいて、上記存在物とスリットノズル４１との距離を制御できる。
【００２７】
昇降機構４３，４４はスリットノズル４１の両側に分かれて、ノズル支持部４０によりスリットノズル４１と連結されている。昇降機構４３，４４は主に図示しないＡＣサーボモータおよびボールネジからなり、制御系８からの制御信号に基づいて、架橋構造４の昇降駆動力を生成する。これにより昇降機構４３，４４は、スリットノズル４１を並進的に昇降させるとともに、スリットノズル４１のＹＺ平面内での姿勢を調整するためにも用いられる。
【００２８】
架橋構造４の両端部には、ステージ３の両側の縁側に沿って別れて配置され、それぞれ固定子（ステータ）５０ａと移動子５０ｂおよび固定子５１ａと移動子５１ｂを備える一対のＡＣコアレスリニアモータ（以下、単に、「リニアモータ」と略する。）５０，５１が、それぞれ固設され、架橋構造４を基板９０の表面に沿った略水平方向に移動させる。
【００２９】
また、架橋構造４の両端部には、それぞれスケール部と検出子とを備えたリニアエンコーダ５２，５３が、それぞれ固設される。これにより、制御系８は、リニアエンコーダ５２，５３からの検出結果に基づいて、リニアモータ５０，５１の位置を検出することができ、当該検出結果に基づいてリニアモータ５０を位置制御することができる。
【００３０】
送風機構６は、柱状の支持部材６６によりステージ３の上方に支持されており、下面が開口した略箱状の筐体６０および通過する雰囲気から粉塵などを取り除くためのフィルタ６１を備えている。
【００３１】
図３は、送風機構６および調整機構７を示す部分断面図である。送風機構６は、回転することにより所定の方向（−Ｚ方向）に雰囲気を導くファン６３、中心軸が回転軸Ｐと一致するように配置されたシャフト６４、および所定の回転方向に駆動力を生成する回転モータ６５をさらに備えている。また、内部に調整機構７が設けられている。なお、図３において図示は省略しているが、送風機構６の回転モータ６５および調整機構７は制御系８に信号のやり取りが可能な状態で接続されている。
【００３２】
筐体６０は、上面にＸ軸方向に沿ってのびるスリット６２が形成されており、スリット６２の開口部からクリーンルーム内の雰囲気を筐体６０の内部に取り入れることができるようにされている。
【００３３】
ファン６３を回転させる回転モータ６５は、シャフト６４を介してファン６３と接続されており、回転軸Ｐを中心に所定の方向に回転することによって、ファン６３に所定の回転方向の駆動力を与える。なお、回転モータ６５の回転方向は、ファン６３が雰囲気を（−Ｚ）方向に導くために必要な方向である。
【００３４】
このような構成により、送風機構６は、回転モータ６５を回転させることによりファン６３を回転させ、フィルタ６１を介して基板処理装置１に清浄な雰囲気（具体的にはエアー）を送風することができる。したがって、送風機構６が雰囲気を送風することにより発生する気流によって、基板処理装置１の内部への塵埃の進入を防ぎ、基板処理装置１の内部のパーティクルを除去することができる。
【００３５】
調整機構７は、回転モータ６５の回転速度を調整するための一般的な変速機構である。このような構成により、調整機構７が回転モータ６５の回転速度を調整すれば、ファン６３によって導かれる雰囲気の送風量が変化する。すなわち、調整機構７は送風機構６により基板９０の表面に送風される雰囲気の送風量を調整する機能を有している。
【００３６】
制御系８は、プログラムに従って各種データを処理する演算部８０、プログラムや各種データを保存する記憶部８１を内部に備える。また、前面には、オペレータが基板処理装置１に対して必要な指示を入力するための操作部８２、および各種データを表示する表示部８３を備える。
【００３７】
制御系８は、図示しないケーブルにより本体２に付属する各機構と接続されており、操作部８２および各種センサなどからの信号に基づいて制御信号を生成し、ステージ３、昇降機構４３，４４、リニアモータ５０，５１、送風機構６、および調整機構７などの各構成の動作を制御する。
【００３８】
なお、具体的には、記憶部８１としてはデータを一時的に記憶するＲＡＭ、読み取り専用のＲＯＭ、および磁気ディスク装置などが該当し、可搬性の光磁気ディスクやメモリーカードなどの記憶媒体、およびそれらの読み取り装置などであってもよい。また、操作部８２は、ボタンおよびスイッチ類（キーボードやマウスなどを含む。）などであるが、タッチパネルディスプレイのように表示部８３の機能を兼ね備えたものであってもよい。表示部８３は、液晶ディスプレイや各種ランプなどが該当する。
【００３９】
＜１．２　動作の説明＞
次に、基板処理装置１の動作について説明する。図４および図５は、第１の実施の形態における基板処理装置１の動作を示す流れ図である。なお、以下に示す各部の動作制御は特に断らない限り制御系８により行われる。
【００４０】
まず、送風機構６が回転モータ６５を回転させ、雰囲気の送風を開始する（ステップＳ１１）。なお、このときの回転モータ６５の回転速度は、送風機構６が基板処理装置１からパーティクルなどを除去するために十分な送風量（通常は風速０．２ないし０．４ｍ／ｓｅｃ程度）を発生させることができる速度である。
【００４１】
制御系８は、オペレータまたは図示しない搬送機構により、所定の位置に基板９０が搬送されたか否かを判定し（ステップＳ１２）、基板９０が搬入された場合はステージ３を制御して基板９０を吸着保持させる（ステップＳ１３）。
【００４２】
次に、ギャップセンサ４２が所定の測定高度を保ちながら、基板９０表面の塗布領域における基板９０表面とスリットノズル４１とのギャップを測定する（ステップＳ１４）。ここで、塗布領域とは、基板９０の表面のうちでレジストを塗布しようとする領域であって、通常、基板９０の全面積から、端縁に沿った所定幅の領域を除いた領域である。
【００４３】
このとき、リニアエンコーダ５２，５３の検出結果に基づいてリニアモータ５０，５１が架橋構造４を（＋Ｘ）方向に移動させる。これにより、ギャップセンサ４２が塗布領域を走査し、走査中の測定結果は制御系８に伝達される。そして、制御系８は、伝達されたギャップセンサ４２の測定結果を、リニアエンコーダ５２，５３によって検出される水平位置（Ｘ軸方向の位置）と関連づけて記憶部８１に保存する。なお、ギャップの測定を開始するための指示は、基板９０の搬送が完了した時点で、オペレータが操作部８２を操作することにより入力されてもよい。
【００４４】
ギャップセンサ４２による走査が終了すると、制御系８は、架橋構造４をその位置で停止させる。また、ギャップセンサ４２からの測定結果に基づいて、スリットノズル４１のＹＺ平面における姿勢が、適切な姿勢（スリットノズル４１と塗布領域との間隔がレジストを塗布するために適切な間隔となる姿勢。以下、「適正姿勢」と称する。）となるノズル支持部４０の位置を算出する。さらに、当該算出結果に基づいて、それぞれの昇降機構４３，４４を制御して、スリットノズル４１を適正姿勢に調整する。
【００４５】
スリットノズル４１の姿勢制御が終了すると、リニアモータ５０，５１が架橋構造４をＸ軸方向に移動させ、スリットノズル４１を吐出開始位置に移動させる。ここで、吐出開始位置とは、塗布領域の（＋Ｘ）側の辺にスリットノズル４１がほぼ沿う位置である。
【００４６】
スリットノズル４１が吐出開始位置まで移動すると、送風量調整処理（ステップＳ１５）が実行される。図６は、第１の実施の形態における送風量調整処理の詳細を示す流れ図である。
【００４７】
送風量調整処理では、まず、制御系８が処理の段階に応じて送風機構６による雰囲気の送風量を減らすのか増やすのかを判定する（ステップＳ１０１）。ステップＳ１５では、この後、送風による気流の乱れの影響を受けやすい塗布処理が開始される段階であるため、制御系８は雰囲気の送風量を減少させる判定を行う。
【００４８】
したがって、制御系８が回転モータ６５の回転速度を落とす制御信号を調整機構７に伝達し（ステップＳ１０２）、その制御信号に基づいて調整機構７が回転モータ６５の回転速度を落とす（ステップＳ１０３）。
【００４９】
このように、回転モータ６５の回転速度が下がると、ファン６３の回転速度も低下するため、送風機構６による雰囲気の送風量が減少し、基板処理装置１内の送風による気流の乱れを減少させることができる。
【００５０】
送風機構６による送風量が十分に減少した時点で送風量調整処理を終了して図４の処理に戻り、塗布処理を実行する（ステップＳ１６）。
【００５１】
基板処理装置１における塗布処理を具体的に説明すると、まず、リニアモータ５０，５１の駆動により架橋構造４が（−Ｘ）方向に移動しつつ、レジスト用ポンプ（図示せず）によりスリットノズル４１にレジスト液が送られ、スリットノズル４１が塗布領域にレジスト液を吐出する。これにより、基板９０の表面上の塗布領域にレジストの層（膜）が形成される。そして、スリットノズル４１が塗布領域の塗布終了端まで移動すると、架橋構造４の移動およびレジスト液の供給が停止され、塗布処理が終了する。
【００５２】
レジスト塗布処理が終了すると、昇降機構４３，４４がギャップセンサ４２を測定高度に移動させ、さらに、リニアモータ５０，５１が架橋構造４を（−Ｘ）方向に移動させることでギャップセンサ４２が塗布領域を走査し、基板９０上に形成されたレジスト膜とのギャップを測定して制御系８に伝達する（ステップＳ１７）。制御系８は、レジスト塗布前に測定したギャップの値（基板９０の表面との距離）と、レジスト塗布後に測定したギャップの値（レジスト膜の表面との距離）とを比較することにより、基板９０上のレジスト膜の厚さを算出し、算出結果を表示部８３に表示する。
【００５３】
このように、制御系８が、スリットノズル４１による塗布処理が行われている間、雰囲気の送風量を減らすように調整機構７を制御することにより、レジスト液の膜が最も液状に近い状態であって、最も送風による乾燥ムラなどの悪影響を受けやすい状態のときに送風量を減らすことができる。したがって、塗布されたレジスト液が不均一になることを効果的に抑制することができる。
【００５４】
なお、送風機構６による送風量を減少させるためには、回転モータ６５を停止させてもよいが、その場合には、回転モータ６５を再始動させるときに、振動などのためにパーティクルなどが舞う可能性があるため、本実施の形態に基板処理装置１のように、送風による気流の乱れが塗布処理に影響を与えない程度に低速で回転させておく方が好ましい。
【００５５】
レジスト膜の検査が終了すると、再び送風量調整処理が実行される（ステップＳ２１）。ここでも、ステップＳ１５における送風量調整処理と同様に、まず、制御系８により処理の段階に応じて雰囲気の送風量を減らすか増やすかの判定が行われる（図６：ステップＳ１０１）。ステップＳ２１では、すでに塗布処理（ステップＳ１６）が終了した段階であるから、制御系８は雰囲気の送風量を増加させる判定を行う。
【００５６】
したがって、制御系８が回転モータ６５の回転速度を上げる制御信号を調整機構７に伝達し（ステップＳ１０４）、その制御信号に基づいて調整機構７が回転モータ６５の回転速度を上げる（ステップＳ１０５）。
【００５７】
このように、回転モータ６５の回転速度があがると、ファン６３の回転速度も上昇するため、送風機構６による雰囲気の送風量が増加し、基板処理装置１内のパーティクルを除去することができる。
【００５８】
送風機構６による送風量が十分に増加した時点で送風量調整処理を終了して図５の処理に戻り、ステージ３が基板９０の吸着を停止し、オペレータまたは搬送機構が基板９０を保持面３０から取り上げ、次の処理工程に搬出する（ステップＳ２２）。
【００５９】
次に、連続して他の基板９０に対して以上の処理を行うか否かを判定し（ステップＳ２３）、処理すべき他の基板９０が存在する場合は、図４のステップＳ１２に戻って処理を繰り返し実行する。
【００６０】
一方、処理すべき他の基板９０が存在しない場合には、送風機構６が雰囲気の送風を停止し（ステップＳ２４）、処理を終了する。
【００６１】
以上、説明したように、本実施の形態における基板処理装置１では、制御系８が基板９０に対する処理の段階に応じて調整機構７を制御することにより、送風による気流の乱れが、基板９０に塗布されたレジスト液の膜に乾燥ムラなどの悪影響を及ぼすことを抑制することができる。したがって、塗布されたレジスト液の膜が不均一になることを防止することができる。
【００６２】
特に、制御系８が、スリットノズル４１による塗布処理が行われている間、送風機構６による送風量を減らすように調整機構７を制御することにより、レジスト液の膜が最も液体に近い状態であって、最も送風によって乾燥ムラを起こしやすい状態のときに送風量を減らすことから、塗布されたレジスト液が不均一になることを効果的に抑制することができる。
【００６３】
＜２．　第２の実施の形態＞
第１の実施の形態では、回転モータ６５の回転速度を調整することによって、送風機構６による雰囲気の送風量を調整していたが、送風量を調整する手法はこれに限られるものではなく、例えば、雰囲気の流路を遮る遮断板（ルーバーなど）を用いることにより、送風量を調整するようにしてもよい。
【００６４】
図７は、このような原理に基づいて構成した第２の実施の形態における送風機構６および調整機構７ａを示す部分断面図である。
【００６５】
第２の実施の形態における基板処理装置１は、図７に示すように、送風機構６によって送風される雰囲気の送風量を調整する機構として調整機構７ａを備える。なお、第２の実施の形態における基板処理装置１は、調整機構７ａの構成以外の構成については、第１の実施の形態における基板処理装置１の構成とほぼ同様であるため、それぞれ同符号を用いるとともに、適宜説明を省略する。
【００６６】
調整機構７ａは、送風機構６により送風される雰囲気を遮断する複数の遮断部材７０、各遮断部材７０が取り付けられた複数のシャフト７１、および各遮断部材７０の位置を移動させる移動機構７２を備える。
【００６７】
各遮断部材７０は、Ｘ軸方向を長手方向とする板状の部材であり、それぞれに円柱状のシャフト７１が挿入されている。遮断部材７０と当該遮断部材７０に挿入されたシャフト７１とは互いに固定されており、各遮断部材７０はそれぞれのシャフト７１の中心軸を回転軸として、図７に矢印で示すように、解放位置（図７において実線で示す位置）と遮断位置（図７において点線で示す位置）との間で移動（回動）することができるように構成されている。
【００６８】
なお、各遮断部材７０が解放位置にある場合には、送風機構６により送風される雰囲気の流路は解放され（スリットが開いた状態）、基板処理装置１からパーティクルを除去するために十分なダウンフローが得られる。また、各遮断部材７０が遮断位置にある場合には、当該流路がほぼ遮断され（スリットが閉じた状態）、送風機構６による雰囲気の送風量が減少する。
【００６９】
移動機構７２は、図示しない駆動部材を介してそれぞれのシャフト７１と接続されており、制御系８からの制御信号に基づいて、各シャフト７１を所定の方向に所定の回転量だけ連動して回動させることにより、前述のように、各遮断部材７０を遮断位置と解放位置との間で移動させる機能を有する。
【００７０】
このように、移動機構７２により遮断部材７０の位置を調整する調整機構７ａによっても、第１の実施の形態における調整機構７と同様に、送風機構６による雰囲気の送風量を調整することができる。
【００７１】
次に、本実施の形態における基板処理装置１の動作について説明する。図８は、第２の実施の形態における送風量調整処理の詳細を示す流れ図である。なお、本実施の形態における基板処理装置１の動作は、送風量調整処理のみが第１の実施の形態における基板処理装置１と異なっているため、主に当該送風量調整処理についてのみ説明する。
【００７２】
ギャップセンサ４２によるギャップの測定が終了すると（図４：ステップＳ１４）、ステップＳ１５の送風量調整処理が実行され、第１の実施の形態におけるステップＳ１０１と同様に、制御系８が送風機構６による雰囲気の送風量を減らすのか増やすのかを判定する（ステップＳ２０１）。ステップＳ１５では、この後、送風による気流の乱れの影響を受けやすい塗布処理が開始されるため、制御系８は送風量を減らすと判定する。
【００７３】
したがって、制御系８が流路を遮断する制御信号を調整機構７ａに伝達し（ステップＳ２０２）、その制御信号に基づいて調整機構７ａが移動機構７２により各遮断部材７０を遮断位置に移動させる（ステップＳ２０３）。
【００７４】
このように、遮断部材７０が遮断位置に移動すると、図７に点線で示すように、送風機構６による雰囲気の流路が遮断され、当該送風量が減少することから、基板処理装置１内の気流の乱れを減少させることができる。したがって、レジスト液の乾燥ムラを抑制することができるため、レジスト液の膜が不均一になることを防止することができる。
【００７５】
また、第１の実施の形態と同様に、ステップＳ１７のレジスト膜の検査が終了すると、再び送風量調整処理が実行され（図５：ステップＳ２１）、制御系８により送風量を減らすか増やすかの判定が行われる（図８：ステップＳ２０１）。ステップＳ２１では、すでに塗布処理（ステップＳ１６）が終了しているので、制御系８は送風量を増やすと判定する。
【００７６】
したがって、制御系８が流路を開く制御信号を調整機構７ａに伝達し（ステップＳ２０４）、その制御信号に基づいて調整機構７ａが移動機構７２により各遮断部材７０を解放位置に移動させる（ステップＳ２０５）。
【００７７】
このように、各遮断部材７０が解放位置に移動すると、送風機構６による雰囲気の流路が開き、当該送風量が増加することから、基板処理装置１からパーティクルを除去することができる。
【００７８】
以下、第１の実施の形態における基板処理装置１と同様に順次ステップＳ２２ないしＳ２４の処理が行われた後、処理を終了する。
【００７９】
以上により、第２の実施の形態における基板処理装置１においても、調整機構７ａが、遮断部材７０の位置により送風量を調整することにより、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００８０】
＜３．　第３の実施の形態＞
上記実施の形態では、スリットノズルが処理液を基板に塗布している間のみ雰囲気の送風量を減少させるように制御していた。しかし、基板にレジスト液など高精度が要求される処理液を塗布する場合、塗布された処理液を均一に乾燥させるために、塗布処理を行う基板処理装置において乾燥処理を行うのではなく、専用の乾燥装置に搬送してから乾燥処理を行う場合がある。この場合、塗布処理が終了した基板を乾燥装置に搬送する間は、できる限り処理液が乾燥することを抑制する必要がある。
【００８１】
図９および図１０は、このような原理に従って構成した第３の実施の形態における基板処理装置１の動作を示す流れ図である。以下、図９および図１０を用いて第３の実施の形態における基板処理装置１の動作を説明する。なお、本実施の形態における基板処理装置１の構成は上記実施の形態と同様であるため説明を省略する。
【００８２】
まず、上記実施の形態におけるステップＳ１１ないしＳ１５と同様に、送風機構６による送風が開始され（ステップＳ３１）、搬入された基板９０をステージ３が吸着保持し（ステップＳ３２およびＳ３３）、ギャップセンサ４２による測定が行われた後、送風量調整処理が行われる（ステップＳ３４およびＳ３５）。
【００８３】
ステップＳ３５の送風量調整処理により送風機構６による雰囲気の送風量を減少させた後、上記実施の形態におけるステップＳ１６およびＳ１７と同様に、スリットノズル４１による塗布処理（ステップＳ３６）およびギャップセンサ４２による膜厚測定（ステップＳ３７）が実行される。
【００８４】
次に、オペレータまたは図示しない搬送機構が、基板９０上に塗布されたレジスト液ができるだけ乾燥しないうちに、基板９０を図示しない乾燥装置に搬出する（ステップＳ４１）。
【００８５】
基板９０が搬出されると、送風量調整処理が実行され（ステップＳ４２）、上記実施の形態におけるステップＳ２１と同様に、制御系８の制御信号に基づいて、送風機構６が雰囲気の送風量を増加させ、基板処理装置１内のパーティクルの除去が行われる。
【００８６】
その後、さらに、処理すべき基板９０が存在するか否かを判定し（ステップＳ４３）、処理すべき基板９０がなくなるまでステップＳ３２からの処理を繰り返しつつ、当該基板９０がなくなると、送風機構６による雰囲気の送風を停止して（ステップＳ４４）、処理を終了する。
【００８７】
以上により、第３の実施の形態における基板処理装置１においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。また、制御系８が、ステージ３から基板９０が搬出される間、雰囲気の送風量を減らすように調整機構７（７ａ）を制御することにより、レジスト液の膜が未乾燥な状態のときに送風量を減らすことから、乾燥ムラを抑制することができる。したがって、塗布された処理液が不均一になることをさらに抑制することができる。
【００８８】
＜４．　変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【００８９】
例えば、送風機構６によって送風される雰囲気は、クリーンルーム内の雰囲気に限られるものではなく、所定のガスを供給する装置から配管などを介して清浄なガスが送風されるように構成してもよい。
【００９０】
また、第２の実施の形態における調整機構７ａでは、遮断部材７０を回動させることにより位置を移動させ、送風機構６による雰囲気の送風量を調整するが、遮断部材７０をＹ方向にスライド移動させることにより雰囲気の流路（スリット）の開閉を行い、当該送風量を調整するように構成してもよい。
【００９１】
また、第２の実施の形態では、遮断部材７０により雰囲気の流路を遮断することによって、雰囲気の風量を減少させていたが、遮断部材７０により雰囲気の流路の方向を変えることによって、送風される雰囲気が基板９０に直接当たらないようにしてもよい。
【００９２】
【発明の効果】
請求項１ないし５に記載の発明では、送風手段により送風される雰囲気の送風量を調整する調整手段と、基板に対する処理の段階に応じて前記送風量を変化させるように調整手段を制御する制御手段とを備えることにより、送風による気流の乱れが、基板に塗布された処理液の膜に乾燥ムラなどの悪影響を及ぼすことを抑制することができる。したがって、塗布された処理液の膜が不均一になることを防止することができる。
【００９３】
請求項２に記載の発明では、調整手段が、回転モータの回転速度を調整することにより雰囲気の送風量を調整することができることから、請求項１に記載された発明を容易に実現できる。
【００９４】
請求項３に記載の発明では、調整手段が、移動手段によって遮断手段の位置を調整することにより雰囲気の送風量を調整することができることから、請求項１に記載された発明を容易に実現できる。
【００９５】
請求項４に記載の発明では、制御手段が、吐出手段による塗布処理が行われている間、雰囲気の送風量を減らすように調整手段を制御することにより、処理液の膜が最も液体に近い状態であって、最も送風による乾燥ムラなどの悪影響を受けやすい状態のときに送風量を減らすことから、塗布された処理液が不均一になることを効果的に抑制することができる。
【００９６】
請求項５に記載の発明では、制御手段が、保持手段から基板が搬出される間、雰囲気の送風量を減らすように調整手段を制御することにより、処理液の膜が未乾燥な状態のときに送風量を減らすことから、乾燥ムラを抑制することができる。したがって、塗布された処理液が不均一になることを抑制することができる。
【００９７】
請求項６ないし１０に記載の発明では、送風工程により送風される雰囲気の送風量を調整する調整工程と、基板処理方法における各工程の段階に応じて前記送風量を変化させるように調整工程を制御する制御工程とを有することにより、送風による気流の乱れが、基板に塗布された処理液の膜に乾燥ムラなどの悪影響を及ぼすことを抑制することができる。したがって、塗布された処理液の膜が不均一になることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態である基板処理装置の概略を示す斜視図である。
【図２】基板処理装置の本体の正面図である。
【図３】第１の実施の形態における送風機構および調整機構を示す部分断面図である。
【図４】基板処理装置の動作を示す流れ図である。
【図５】基板処理装置の動作を示す流れ図である。
【図６】第１の実施の形態における送風量調整処理の詳細を示す流れ図である。
【図７】第２の実施の形態における送風機構および調整機構を示す部分断面図である。
【図８】第２の実施の形態における送風量調整処理の詳細を示す流れ図である。
【図９】第３の実施の形態における基板処理装置の動作を示す流れ図である。
【図１０】第３の実施の形態における基板処理装置の動作を示す流れ図である。
【符号の説明】
１　基板処理装置
２　本体
３　ステージ
４１　スリットノズル
６　送風機構
６３　ファン
６５　回転モータ
７，７ａ　調整機構
７０　遮断部材
７２　移動機構
８　制御系
９０　基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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