(57)【要約】  【課題】グリーンシートの積層ズレによる容量値のばらつきを小さくしたセラミックコンデンサを提供する。  【解決手段】本発明のセラミックコンデンサは、導電体で形成された第１導体パターン(31)と第２導体パターン(30)とが誘電体層(42)を挟むように対向して設けられ、前記第１導体パターン(31)と前記第２導体パターン(30)とは面積が異なり、前記第２導体パターン(30)の方が小さく、前記第１導体パターン(31)と前記第２導体パターン(32)とが重なり合う部分で容量部を形成しているセラミックコンデンサであって、前記第２導体パターン(30)の両端縁には、互いに逆方向に延びる前記導電体で形成された第１延長部(301)と第２延長部(302)が形成されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電体で形成された第１導体パターンと第２導体パターンとが誘電体層を挟むように対向して設けられ、
前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとは面積が異なり、前記第２導体パターンの方が小さく、
前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとが重なり合う部分で容量部を形成しているセラミックコンデンサであって、
前記第２導体パターンの両端縁には、互いに逆方向に延びる前記導電体で形成された第１延長部と第２延長部が形成されていることを特徴とするセラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記第２導体パターンの外周縁が前記第１導体パターンの外周縁からはみ出さないように形成されている請求項１に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記第２導体パターンの第１延長部と第２延長部は、それぞれ前記第１導体パターンの外周縁から外方にはみだしている請求項１に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記第２導体パターンの第１延長部と第２延長部のそれぞれの幅は、前記第１導体パターンの幅よりも狭い請求項１に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項５】
前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとは、ともに開口部が存在しない請求項１に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項６】
前記第１導体パターンは、開口部が存在する請求項１に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項７】
前記第２導体パターンは、その中央部が前記第１導体パターン開口部に跨り、かつその両端部が前記第１導体パターンと重なり合う帯状のパターンにより形成されている請求項６に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項８】
前記帯状に形成された前記第２導体パターンは、前記第１導体パターンの前記開口部と重なり合う部分において、他の部分よりも幅が広くされたビア電極を接続するための膨らみ部分を有している請求項７に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項９】
前記第２導体パターンの少なくとも一方の端部には前記第１導体パターンと重なり合い、容量を形成する第３の導体パターンがさらに一体的に形成されている請求項７に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項１０】
前記第２導体パターンの第１延長部と第２延長部のそれぞれの幅が同一である請求項１に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項１１】
前記第２導体パターンの第１延長部と第２延長部は、同一線上に存在する請求項１に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項１２】
前記第２導体パターンの第１延長部と第２延長部は、平行線上に存在する請求項１に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項１３】
第１のグリーンシートに、コンデンサの一方の電極となる第１導体パターンを形成し、
第２のグリーンシートに、コンデンサの他方の電極となる第２導体パターンを形成し、
前記第１のグリーンシートと前記第２のグリーンシートを積層し、その後これらを焼結する工程とを備えたセラミックコンデンサの製造方法において、
前記積層方向の投影において、前記第２導体パターンの本体部外周縁が、前記第１導体パターンの外周縁からはみ出さないように、前記第２導体パターンの本体部を前記第１導体パターンより小さく形成し、
前記第２導体パターンの互いに対向する両端縁に、互いに逆方向に延び、かつ、そのそれぞれが、前記積層方向への投影において、前記第１導体パターンの外周縁から外方にはみだしている第１延長部と第２延長部を形成することを特徴とするセラミックコンデンサの製造方法。
【請求項１４】
前記第１延長部と第２延長部の幅を前記第１導体パターンの幅よりも狭く形成する請求項１３に記載のセラミックコンデンサの製造方法。
【請求項１５】
第１のグリーンシートに、コンデンサの一方の電極となる第１導体パターンを形成し、
第２のグリーンシートに、コンデンサの他方の電極となる第２導体パターンを形成し、
前記第１のグリーンシートと前記第２のグリーンシートを積層し、その後これらを焼結する工程とを備えたセラミックコンデンサの製造方法において、
前記第１導体パターンに、積層方向と同じ方向に貫通する開口部を形成し、
前記積層方向への投影において、前記第２導体パターンを、その中央部が前記開口部に跨り、かつその両端部が前記第１導体パターンと重なり合う帯状のパターンにより形成することを特徴とするセラミックコンデンサの製造方法。
【請求項１６】
複数の誘電体層と複数の導体パターンが間隔を隔てて交互に垂直方向に積層され、かつコンデンサがその中に造り込まれてなる誘電体積層デバイスにおいて、
前記コンデンサは、第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層の厚み方向に、該第１の誘電体層を挟むように対向させて設けられ、導電体で形成された第１導体パターンと第２導体パターンとを備え、
前記厚み方向への投影において、前記第２導体パターンの外周縁が前記第１導体パターンの外周縁からはみ出さないように、前記第２導体パターンは前記第１導体パターンより小さくされており、
前記第２導体パターンの互いに対向する両端縁には、互いに逆方向に延びる、前記導電体で形成された第１延長部と第２延長部が設けられており、
前記厚み方向への投影において、前記第１延長部と第２延長部は、それぞれ、前記第１導体パターンの外周縁から外方にはみだしていることを特徴とする誘電体積層デバイス。
【請求項１７】
前記第１延長部と第２延長部のそれぞれの幅は、前記第１導体パターンの幅よりも狭くされている請求項１６に記載の誘電体積層デバイス。
【請求項１８】
前記コンデンサを形成する前記第１の誘電体層は、前記第１および第２導体パターン以外の、他の導体パターン間に挟まれる誘電体層のいずれのものよりも薄く形成されている請求項１６に記載の誘電体積層デバイス。
【請求項１９】
複数の誘電体層と複数の導体パターンが間隔を隔てて交互に垂直方向に積層され、かつコンデンサがその中に造り込まれてなる誘電体積層デバイスにおいて、
前記コンデンサは、第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層の厚み方向に、該第１の誘電体層を挟むように対向させて設けられ、導電体で形成された第１導体パターンと第２導体パターンと、を備え、
前記第１導体パターンには、前記第１の誘電体層の厚み方向と同じ方向に貫通するように形成された開口部が設けられており、
前記厚み方向への投影において、前記第２導体パターンは、その中央部が前記開口部に跨り、かつその両端部が前記第１導体パターンと重なり合う帯状のパターンにより形成されていることを特徴とする誘電体積層デバイス。
【請求項２０】
前記コンデンサを形成する前記第１の誘電体層は、前記第１および第２導体パターン以外の、他の導体パターン間に挟まれる誘電体層のいずれのものよりも薄く形成されている請求項１９に記載の誘電体積層デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般にセラミックコンデンサに関するものであり、より具体的には、再現性よく、同一の特性のものを多く作る事ができるように改良された、低容量のセラミックコンデンサに関する。本発明はまた、歩留まりをよくするように改良された、低容量のセラミックコンデンサの製造方法に関する。本発明は、さらに、そのようなセラミックコンデンサを用いた、周波数特性が安定化するように改良された誘電体積層デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、セラミックコンデンサ及びこれを用いた誘電体積層デバイスは、主に通信機器に使用されている。図１６は、フィルタ等の誘電体積層デバイスを内蔵した通信機器である、例えば携帯電話のブロック図である。携帯電話は、送信機１００と受信機１０１とベースバンド部１１と分波器２と発振子６とアンテナ１とを備える。送信機１００は、周波数変換部５とフィルタ４と送信アンプ３とを備える。受信機１０１は、受信アンプ７とフィルタ８と周波数変換部９とフィルタ１０とを備える。分波器２や、フィルタ４、８、１０は、個別に独立して積層誘電体デバイスとして構成されることもあるし、送信器１００や受信器１０１の内部に一体化して設けられることもある。フィルタ４、８、１０や分波器２中に造り込まれるフィルタとしては、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタなどが用いられる。これらのフィルタは所望の周波数範囲の信号を通過もしくは減衰させるために使用される。
【０００３】
図１７は、ローパスフィルタの一例を示す等価回路図である。ローパスフィルタは、インダクタ１５とコンデンサ１２、１３、１４を含む。
【０００４】
図１８は、シート積層法によって、上述したローパスフィルタを作製する方法の模式図である。導体パターン２２〜２７がそれぞれ施されたグリーンシート（バインダを含有するセラミック製の誘電体シート原料）１６〜２１を準備する。これらを、アライメントマーク１１０を用いて、位置合わせし、積層する。その後、焼結することによって、ローパスフィルタが得られる。ローパスフィルタに限らず、フィルタは、図１７に示されるようにいくつかのコンデンサを用いて構成される。これらの容量値は、フィルタの周波数特性を決定するものである。
【０００５】
図１９は、コンデンサをシート積層法により形成する、第１の従来技術（例えば下記特許文献１）を説明するための概念図である。ここでは、図の理解を容易にするために、誘電体層となるグリーンシートの図示を省略している。図１９Ａに示すように、上部電極となる第２導体パターン２８の面積をＳ0とし、該上部電極２８と下部電極となる第１導体パターン２９の間隔をｄとし、図示しない誘電体層の誘電率をεとすると、容量Ｃ0は、次式１で表される。
【０００６】
Ｃ0＝ε×（Ｓ0／ｄ）      （式１）
図１９Ｂに示すように、従来は、グリーンシートの積層ずれを考慮して、第２導体パターン２８の面積Ｓ0と第１導体パターン２９の面積とを異ならせている。すなわち、誘電体層（図示せず）の厚み方向への投影において、第２導体パターン２８の外縁と第１導体パターン２９の外縁との間に、図のように、間隔Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４を設けている。
【０００７】
このようなコンデンサの対向する電極の面積に差を設けることは、他の特許文献にも開示されている（例えば下記特許文献２）。
【０００８】
図１９Ｃに示すように、第２導体パターン２８には、図示しない別回路と接続するための引出し線３０が取り付けられる。このとき、引出し線３０は導体であるため、引出し線３０の、第１導体パターン２９と重なる部分３０ａと、第１導体パターン２９との間で容量Ｃ1が形成される。この場合、全体のコンデンサの容量Ｃは、以下の式２で与えられる。
【０００９】
Ｃ＝Ｃ0＋Ｃ1      （式２）
第１の従来例にかかるコンデンサの形成方法は、以上のように構成されている。この場合、引出し線３０と第１導体パターン２９との重なり部分３０ａの面積Ｓ1が一定の場合には、何ら問題はない。
【００１０】
しかし、図２０Ａに示すように、グリーンシートの積層時の積層ずれにより、例えば、第２導体パターン２８が、図中、左方向にずれて、重なり部分３０ａの面積が大きくなる場合や、逆に、第２導体パターン２８が、図中、右方向にずれて、図２０Ｂに示すように、重なり部分３０ａの面積が小さくなる場合があった。積層時の位置合わせの精度を上げても、積層ずれをゼロにすることはできない。このような場合、容量Ｃ1が変動するため、容量Ｃにばらつきが生じる。ひいてはコンデンサの容量Ｃが一定しないため、同じ容量のものが多く得られず、歩留まりを悪化させていた。このような問題は、シートを積層する際の、第２導体パターン２８のθ回転方向への積層ずれ（水平面内での回転ずれ）の場合にも生じていた。
【００１１】
上述のようなばらつきは、図２１Ａに示すように、第２導体パターン２８および第１導体パターン２９の面積が小さくされた、小型、低容量のコンデンサの製造において、特に大きな問題となっていた。すなわち、面積Ｓ0が小さい場合には、重なり部分３０ａの面積の変動がコンデンサの容量値Ｃに大きく影響するからである。
【００１２】
そこで、第２の従来例では、図２１Ｂに示すように、誘電体積層デバイス中に形成される低容量のコンデンサにおいて、グリーンシートの積層ずれによる容量値のばらつきを低減させるために、第２導体パターン２８の面積を大きくし（例えば２倍）、第２導体パターン２８と第１導体パターン２９の距離を大きくしていた（例えば２倍）。このように構成すると、本体の容量形成部の面積が大きくなるため、本体の容量形成部における容量値Ｃ0が大きくなる。したがって、グリーンシートの積層ずれが生じても、引出し線路部分３０の、第１導体パターン２９との重なり部分の容量Ｃ1が、本体の容量形成部における容量値Ｃ0と比較して相対的に小さくなり、容量Ｃ1のばらつきは無視できるようになる。その結果、グリーンシートの積層ずれが生じても、コンデンサの容量値Ｃのばらつきは無視できるようになる。
【００１３】
しかし、前記第２の従来方法は、第２導体パターン２８の面積が大きくなり、かつ、第２導体パターン２８と第１導体パターン２９との間の距離が大きくなるため、素子の小型化において問題点があった。
【００１４】
誘電体積層デバイスの小型化、薄型化を図っていく上で、各回路に形成する素子はできる限りコンパクトに形成しなければならない。一方で、シート積層法を採用するかぎり、グリーンシートの積層ずれを避けることはできない。したがって、上述した２つの従来方法では、シート積層法で低容量のコンデンサを形成する上で、その小型化に限界があった。
【特許文献１】特開昭６０−８９９１２号公報（第５頁、第４図）
【特許文献２】特開２００２−２２２７３０号公報（第４頁、図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、容量値のばらつきを小さくしたセラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【００１６】
本発明の他の目的は、容量値のばらつきが小さい、小型化された低容量のセラミックコンデンサを提供することである。
【００１７】
本発明のさらに他の目的は、再現性よく、同じ特性のものを多く作ることができるように改良されたセラミックコンデンサの製造方法を提供することにある。
【００１８】
本発明のさらに他の目的は、歩留まりが高められように改良されたセラミックコンデンサの製造方法を提供することにある。
【００１９】
本発明のさらに他の目的は、そのような容量値のばらつきが少ない低容量のセラミックコンデンサを用い、ひいては周波数特性が安定するように改良された誘電体積層デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明のセラミックコンデンサは、導電体で形成された第１導体パターンと第２導体パターンとが誘電体層を挟むように対向して設けられ、前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとは面積が異なり、前記第２導体パターンの方が小さく、前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとが重なり合う部分で容量部を形成しているセラミックコンデンサであって、前記第２導体パターンの両端縁には、互いに逆方向に延びる前記導電体で形成された第１延長部と第２延長部が形成されていることを特徴とする。
【００２１】
本発明のセラミックコンデンサの製造方法は、第１のグリーンシートに、コンデンサの一方の電極となる第１導体パターンを形成し、第２のグリーンシートに、コンデンサの他方の電極となる第２導体パターンを形成し、前記第１のグリーンシートと前記第２のグリーンシートを積層し、その後これらを焼結する工程とを備えたセラミックコンデンサの製造方法において、前記積層方向の投影において、前記第２導体パターンの本体部外周縁が、前記第１導体パターンの外周縁からはみ出さないように、前記第２導体パターンの本体部を前記第１導体パターンより小さく形成し、前記第２導体パターンの互いに対向する両端縁に、互いに逆方向に延び、かつ、そのそれぞれが、前記積層方向への投影において、前記第１導体パターンの外周縁から外方にはみだしている第１延長部と第２延長部を形成することを特徴とする。
【００２２】
本発明の別のセラミックコンデンサの製造方法は、第１のグリーンシートに、コンデンサの一方の電極となる第１導体パターンを形成し、第２のグリーンシートに、コンデンサの他方の電極となる第２導体パターンを形成し、前記第１のグリーンシートと前記第２のグリーンシートを積層し、その後これらを焼結する工程とを備えたセラミックコンデンサの製造方法において、前記第１導体パターンに、積層方向と同じ方向に貫通する開口部を形成し、前記積層方向への投影において、前記第２導体パターンを、その中央部が前記開口部に跨り、かつその両端部が前記第１導体パターンと重なり合う帯状のパターンにより形成することを特徴とする。
【００２３】
本発明の誘電体積層デバイスは、複数の誘電体層と複数の導体パターンが間隔を隔てて交互に垂直方向に積層され、かつコンデンサがその中に造り込まれてなる誘電体積層デバイスにおいて、前記コンデンサは、第１の誘電体層と、前記第１の誘電体層の厚み方向に、該第１の誘電体層を挟むように対向させて設けられ、導電体で形成された第１導体パターンと第２導体パターンとを備え、前記厚み方向への投影において、前記第２導体パターンの外周縁が前記第１導体パターンの外周縁からはみ出さないように、前記第２導体パターンは前記第１導体パターンより小さくされており、前記第２導体パターンの互いに対向する両端縁には、互いに逆方向に延びる、前記導電体で形成された第１延長部と第２延長部が設けられており、前記厚み方向への投影において、前記第１延長部と第２延長部は、それぞれ、前記第１導体パターンの外周縁から外方にはみだしていることを特徴とする。
【００２４】
本発明の別の誘電体積層デバイスは、複数の誘電体層と複数の導体パターンが間隔を隔てて交互に垂直方向に積層され、かつコンデンサがその中に造り込まれてなる誘電体積層デバイスにおいて、前記コンデンサは、第１の誘電体層と、前記第１の誘電体層の厚み方向に、該第１の誘電体層を挟むように対向させて設けられ、導電体で形成された第１導体パターンと第２導体パターンと、を備え、前記第１導体パターンには、前記第１の誘電体層の厚み方向と同じ方向に貫通するように形成された開口部が設けられており、前記厚み方向への投影において、前記第２導体パターンは、その中央部が前記開口部に跨り、かつその両端部が前記第１導体パターンと重なり合う帯状のパターンにより形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、容量値のばらつきが小さくされたセラミックコンデンサを提供できる。また、容量値のばらつきが小さい、小型化された低容量のセラミックコンデンサを提供できる。また、再現性よく、同じ特性のものを量産できるように改良されたセラミックコンデンサの製造方法を提供できる。また、歩留まりが高められように改良されたセラミックコンデンサの製造方法を提供できる。さらに、そのような容量値のばらつきが少ない低容量のセラミックコンデンサを用い、ひいては周波数特性が安定するように改良された誘電体積層デバイスを提供できる。また、そのような周波数特性が安定する誘電体積層デバイスが組み込まれた無線機器を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明のセラミックコンデンサは、誘電体層の厚み方向に、誘電体層を挟むように対向させて、導電体で形成された第１導体パターンと第２導体パターンが設けられている。上記厚み方向への投影において、上記第２導体パターンの本体部外周縁が上記第１導体パターンの外周縁からはみ出さないように、上記第２導体パターンの本体部は上記第１導体パターンより小さく形成されている。上記第２導体パターンの互いに対向する両端縁には、互いに逆方向に延びる、上記導電体で形成された前記本体部には含まれない第１延長部と第２延長部が設けられている。厚み方向への投影において、上記第１延長部と第２延長部は、それぞれ、上記第１導体パターンの外周縁から外方にはみだしている。これにより、第２導体パターンの互いに対向する両端縁に、互いに逆方向に延びる、導電体で形成された第１延長部と第２延長部が設けられており、かつ、厚み方向への投影において、上記第１延長部と第２延長部は、それぞれ、上記第１導体パターンの外周縁から外方にはみだしているので、グリーンシートの積層時に、たとえ積層ずれが生じていたとしても、焼結後のセラミックコンデンサ中の、上部電極と下部電極の総対向面積は変動しない。
【００２７】
本発明の好ましい実施態様によれば、上記第１延長部と第２延長部のそれぞれの幅は、上記第１導体パターンの幅よりも狭くされている。これにより、第１導体パターンから外方にはみ出している部分の面積を小さく抑えることができる。
【００２８】
本発明のセラミックコンデンサは、誘電体層の厚み方向に、誘電体層を挟むように対向させて、導電体で形成された第１導体パターンと第２導体パターンが設けられている。上記第１導体パターンには、上記誘電体層の厚み方向と同じ方向に貫通するように形成された開口部が設けられている。上記厚み方向への投影において、上記第２導体パターンは、その中央部が上記開口部に跨り、かつその両端部が上記第１導体パターンと重なり合う帯状のパターンにより形成されている。これにより、上部電極と下部電極の対向面積が小さくなり、より低容量のコンデンサとなる。また、第２導体パターンの両端部が、第１導体パターンと重なり合っているので、グリーンシートの積層時に積層ずれが生じていたとしても、上部電極と下部電極の総対向面積は変動しない。
【００２９】
本発明の好ましい実施態様によれば、上記帯状に形成された前記第２導体パターンは、上記第１導体パターンの上記開口部と重なり合う部分において、他の部分よりも幅が広くされた、ビア電極を接続するための膨らみ部分を有している。これにより、この部分に、ビア電極を形成し易くなる。
【００３０】
本発明の応用例として、上記第２導体パターンの少なくとも一方の端部に、上記第１導体パターンと重なり合い、容量を形成する第３の導体パターンが一体的に形成されている形態もとり得る。この例においては、第２導体パターンの平面形状を、左右対称にしなくてもよい。
【００３１】
本発明においては、前記第２導体パターンの第１延長部と第２延長部のそれぞれの幅が同一であることが好ましい。これにより、積層時に積層ずれが生じていたとしても、上部電極と下部電極の総対向面積は変動しない。また、前記第２導体パターンの第１延長部と第２延長部は、同一線上又は平行線上に存在することが好ましい。
【００３２】
本発明のセラミックコンデンサの製造方法においては、まず、第１のグリーンシートに、コンデンサの一方の電極となる第１導体パターンを施す。第２のグリーンシートに、コンデンサの他方の電極となる第２導体パターンを施す。上記第１のグリーンシートと上記第２のグリーンシートを積層し、その後これらを焼結する。このようなセラミックコンデンサの製造方法において、上記積層方向の投影において、上記第２導体パターンの外周縁が、上記第１導体パターンの外周縁からはみ出さないように、上記第２導体パターンを上記第１導体パターンより小さく形成し、かつ、上記第２導体パターンの互いに対向する両端縁に、互いに逆方向に延び、かつ、そのそれぞれが、上記積層方向への投影において、上記第１導体パターンの外周縁から外方にはみだしている第１延長部と第２延長部を形成する。
【００３３】
本発明によれば、上記第２導体パターンの互いに対向する両端縁に、互いに逆方向に延び、かつ、そのそれぞれが、上記積層方向への投影において、上記第１導体パターンの外周縁から外方にはみだしている第１延長部と第２延長部を形成するので、グリーンシートの積層時に、積層ずれが生じても、上部電極と下部電極の総対向面積は変動しない。
【００３４】
本発明の好ましい実施態様によれば、上記第１延長部と第２延長部の幅を上記第１導体パターンの幅よりも狭く形成する。これにより、第１導体パターンから外方にはみ出している部分の面積を小さく抑えることができる。
【００３５】
本発明の従うセラミックコンデンサの製造方法においては、まず、第１のグリーンシートに、コンデンサの一方の電極となる第１導体パターンを施す。第２のグリーンシートに、コンデンサの他方の電極となる第２導体パターンを施す。上記第１のグリーンシートと上記第２のグリーンシートを積層し、その後これらを焼結する。このようなセラミックコンデンサの製造方法において、上記第１導体パターンに、積層方向と同じ方向に貫通する開口部を持たせる。さらに、上記積層方向への投影において、上記第２導体パターンを、その中央部が上記開口部に跨り、かつその両端部が上記第１導体パターンと重なり合う帯状のパターンにより形成する。これにより、第２導体パターンの両端部が上記第１導体パターンと重なっているので、積層ずれが生じても、上部電極と下部電極の総対向面積は変動しない。また、上記第１導体パターンに開口部を持たせているので、上部電極と下部電極の対向面積が小さくなり、容量を小さくすることができる。
【００３６】
本発明の誘電体積層デバイスは、複数の誘電体層と複数の導体パターンが間隔を隔てて交互に垂直方向に積層され、かつコンデンサがその中に造り込まれてなるものである。上記コンデンサは、第１の誘電体層と、該第１の誘電体層の厚み方向に、該第１の誘電体層を挟むように対向させて設けられ、導電体で形成された第１導体パターンと第２導体パターンとを備える。上記厚み方向への投影において、上記第２導体パターンの外周縁が上記第１導体パターンの外周縁からはみ出さないように、上記第２導体パターンは上記第１導体パターンより小さくされている。上記第２導体パターンの互いに対向する両端縁には、互いに逆方向に延びる、上記導電体で形成された第１延長部と第２延長部が設けられている。厚み方向への投影において、上記第１延長部と第２延長部は、それぞれ、上記第１導体パターンの外周縁から外方にはみだしている。
【００３７】
この誘電体積層デバイスによれば、その中に造り込まれているコンデンサの大きさを小さくしても、積層ずれによる容量値のばらつきが無視できるようになる。そのため、コンデンサをコンパクトに形成することができる。
【００３８】
本発明の好ましい実施態様によれば、上記第１延長部と第２延長部のそれぞれの幅は、上記第１導体パターンの幅よりも狭くされている。この例によれば、第１延長部および第２延長部の幅が第１導体パターンの幅よりも狭くされているので、コンデンサの容量の増加を少なくすることができる。
【００３９】
本発明のさらに好ましい実施態様によれば、上記コンデンサを形成する上記第１の誘電体層は、上記第１および第２導体パターン以外の、他の導体パターン間に挟まれる誘電体層のいずれのものよりも薄く形成されている。
【００４０】
本発明によれば、コンデンサを小型化することができるので、誘電体積層デバイス中の、小型化が特に要求されるコンデンサの部分に、本発明を好ましく適用することができる。
【００４１】
本発明の誘電体積層デバイスは、複数の誘電体層と複数の導体パターンが間隔を隔てて交互に垂直方向に積層され、かつコンデンサがその中に造り込まれてなるものである。上記コンデンサは、第１の誘電体層と、上記第１の誘電体層の厚み方向に、該第１の誘電体層を挟むように対向させて設けられ、導電体で形成された第１導体パターンと第２導体パターンとを備える。上記第１導体パターンには、上記第１の誘電体層の厚み方向と同じ方向に貫通するように形成された開口部が設けられている。上記厚み方向への投影において、前記第２導体パターンは、その中央部が上記開口部に跨り、かつその両端部が上記第１導体パターンと重なり合う帯状のパターンにより形成されている。これにより、その中に造り込まれているコンデンサの大きさを小さくしても、積層ずれによる容量値のばらつきが無視できるようになる。そのため、コンデンサをコンパクトに形成することができる。
【００４２】
本発明の好ましい実施態様によれば、上記コンデンサを形成する第１の誘電体層は、上記第１および第２導体パターン以外の、他の導体パターン間に挟まれる誘電体層のいずれのものよりも薄く形成されている。これにより、コンデンサを小型化することができ、誘電体積層デバイス中の、小型化が特に要求されるコンデンサの部分に、本発明を好ましく適用することができる。
【００４３】
本発明は、誘電体積層デバイスが組み込まれた無線機器にかかる。上記誘電体積層デバイスは、複数の誘電体層と複数の導体パターンが間隔を隔てて交互に垂直方向に積層され、かつコンデンサがその中に造り込まれてなる。上記コンデンサは、第１の誘電体層と、該第１の誘電体層の厚み方向に、該第１の誘電体層を挟むように対向させて設けられ、導電体で形成された第１導体パターンと第２導体パターンとを備える。上記厚み方向への投影において、上記第２導体パターンの外周縁が上記第１導体パターンの外周縁からはみ出さないように、上記第２導体パターンは上記第１導体パターンより小さくされている。上記第２導体パターンの互いに対向する両端縁には、互いに逆方向に延びる、上記導電体で形成された第１延長部と第２延長部が設けられている。厚み方向への投影において、上記第１延長部と第２延長部は、それぞれ、上記第１導体パターンの外周縁から外方にはみだしている。これにより、その中に組み込まれている誘電体積層デバイスの周波数特性を安定化できる。
【００４４】
本発明の好ましい実施態様によれば、上記第１延長部と第２延長部のそれぞれの幅は、上記第１導体パターンの幅よりも狭くされている。
【００４５】
本発明のさらに好ましい実施態様によれば、上記コンデンサを形成する上記第１の誘電体層は、上記第１および第２導体パターン以外の、他の導体パターン間に挟まれる誘電体層のいずれのものよりも薄く形成されている。
【００４６】
本発明は、誘電体積層デバイスが組み込まれた無線機器にかかる。上記誘電体積層デバイスは、複数の誘電体層と複数の導体パターンが間隔を隔てて交互に垂直方向に積層され、かつコンデンサがその中に造り込まれてなる。上記コンデンサは、第１の誘電体層と、上記第１の誘電体層の厚み方向に、該第１の誘電体層を挟むように対向させて設けられ、導電体で形成された第１導体パターンと第２導体パターンとを備える。上記第１導体パターンには、上記第１の誘電体層の厚み方向と同じ方向に貫通するように形成された開口部が設けられている。上記厚み方向への投影において、前記第２導体パターンは、その中央部が上記開口部に跨り、かつその両端部が上記第１導体パターンと重なり合う帯状のパターンにより形成されている。これにより、無線機器の中に組み込まれている誘電体層の周波数特性が安定化する。
【００４７】
本発明のさらに好ましい実施態様によれば、上記コンデンサを形成する上記第１の誘電体層は、上記第１および第２導体パターン以外の、他の導体パターン間に挟まれる誘電体層のいずれのものよりも薄く形成されている。
【００４８】
本発明のセラミックコンデンサ、及びこれを用いた誘電体積層デバイスは、電極間距離（誘電体厚み）が１２μｍ以下の薄いものに有効である。また、容量は、５ｐＦ以下の低容量のセラミックコンデンサに有効である。
【００４９】
以下、本発明の具体的実施の形態を、図面を用いて説明する。
【００５０】
（実施の形態１）
図１Ａは、実施の形態１にかかるセラミックコンデンサの平面図であり、図１Ｂは、図１におけるＩ−Ｉ線に沿う断面図である。
【００５１】
図１Ａ−Ｂに示すように、実施の形態１にかかるセラミックコンデンサは、誘電体層４２を備える。誘電体層４２の厚み方向に、誘電体層４２を挟むように対向させて、導電体で形成された第１導体パターン３１と第２導体パターン３０が設けられている。第１導体パターン３１は、コンデンサの下部電極になり、第２導体パターン３０は上部電極になるものである。
【００５２】
図１Ａに示すように、誘電体層４２の厚み方向への投影において、第２導体パターン３０の外周縁が第１導体パターン３１の外周縁からはみ出さないように、第２導体パターン３０は第１導体パターン３１より小さくされている。第２導体パターン３０の互いに対向する両端縁には、互いに逆方向に延び、同じ導電体で形成された第１延長部３０１と第２延長部３０２が設けられている。第１の延長部３０１と第２延長部３０２は、それぞれが導電体で形成されているので、第１導体パターン３１との間で容量を形成する。誘電体層４２の厚みは焼き上がりの厚みで８μｍ以上が好ましい。第１導体パターン３１と第２導体パターン３０の厚みはそれぞれ５〜２０μｍが好ましい。第２導体パターン３０の一辺の長さは８０μｍ以上で、所望の容量値となる面積にする。第２導体パターン３０の第１延長部３０１と第２延長部３０２の長さは各々５０μｍ以上が好ましい。第１導体パターン３１は第２導体パターン３０より、厚み方向への投影において、最も狭い場所でも５０μｍ以上の幅を持って大きく形成されることが好ましい。第１導体パターン３１と第２導体パターン３０の材質は、例えば銀、銅、金、白金及びパラジウムから選ばれる少なくとも一つを含む金属であることが好ましい。誘電体層４２の材質は、Ｂｉ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｎｂ2Ｏ5系セラミック、Ｂｉ2Ｏ3−ＣａＯ−ＺｎＯ−Ｎｂ2Ｏ5系セラミック、ＢａＯ−ＴｉＯ2−Ｎｄ2Ｏ3−ガラス系セラミック、Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯ−Ｇｄ2Ｏ3ガラス系セラミック等が好ましい。
【００５３】
上記厚み方向への投影において、第１延長部３０１と第２延長部３０２は、それぞれ、第１導体パターン３１の外周縁から外方にはみだしている。第１延長部３０１と第２延長部３０２のそれぞれの幅は、第１導体パターン３１の幅よりも狭くされている。すなわち、第１延長部３０１は、第１導体パターン３１と重なり合う部分３０１ａと、重なり合う部分３０１ａからさらに延びて、第１導体パターン３１と重なり合わないように、はみ出しているはみ出し部分３０１ｂとからなる。また、第２延長部３０２は、第１導体パターン３１と重なり合う部分３０２ａと、重なり合う部分３０２ａからさらに延びて、第１導体パターン３１と重なり合わないように、はみ出しているはみ出し部分３０２ｂとからなる。
【００５４】
第２の延長部３０２は、例えば、別回路と接続するための引出し線等に用いられる。第１延長部３０１は、ダミーとして形成されてもよいし、他の別回路に接続されてもよい。
【００５５】
本実施の形態によれば、グリーンシートの積層ずれ（例えば、図中、右側への第２導体パターン３０のずれ）が生じ、第２の延長部３０２の、第１導体パターン３１との重なり部分３０２ｂの面積が小さくなっても、その分、第１延長部３０１の、第１導体パターン３１との重なり部分３０１ａの面積が増大する。したがって、グリーンシートの積層ずれが生じても、上部電極（第２導体パターン３０、第１延長部３０１および第２延長部３０２からなる）と下部電極（第１導体パターン３１）との総対向面積が変動しない。その結果、グリーンシートの積層ずれによる容量値のばらつきは生じない。
【００５６】
このようなばらつきの抑制方法は、上部電極と下部電極を小型化した場合であっても、その効果を発揮するので、小型化せざるを得ない低容量のコンデンサの製造において、本実施の形態は特に効果を発揮する。
【００５７】
なお、上記説明では、グリーンシートの積層ずれが、図中、右側方向に起こる場合を説明したが、第２導体パターン３０がθ方向に回転するような積層ずれが生じても、上部電極と下部電極の総対向面積は変動しない。
【００５８】
また、はみ出し部分３０１ｂ、３０２ｂを設けているので、グリーンシートの積層ずれの余裕を十分にとることができる。
【００５９】
なお、上記実施の形態では、第１延長部３０１と第２延長部３０２のそれぞれの幅が、第１導体パターン３１の幅よりも狭くされている場合を例示した。これによると、重なり部分３０１ａ、３０２ａと第１導体パターン３１との間で形成される容量を小さくすることができるという利点がある。しかし、本実施の形態はこれに限られるものでなく、第１延長部３０１と第２延長部３０２のそれぞれの幅が、第１導体パターン３１の幅と同じであってもよい。このように構成しても、グリーンシートの積層ずれによる容量値のばらつきは生じない。
【００６０】
また、上記実施の形態では、第２導体パターン３０を上部電極として構成し、第１導体パターン３１を下部電極として構成する場合を例示したが、本実施の形態はこれに限られるものでなく、逆の場合、すなわち、第２導体パターン３０を下部電極として構成し、第１導体パターン３１を上部電極として構成してもよい。
【００６１】
図２は図１Ａ−Ｂの応用例であり、図１Ａ−Ｂにおいては第１延長部３０１と第２延長部３０２は同一線上に存在したが、図２においては平行線上に存在している。このようにしても図１Ａ−Ｂの例と同じ効果が得られる。
【００６２】
図３は、実施の形態１にかかるセラミックコンデンサの製造方法の概念図である。
【００６３】
図３に示すように、それぞれのグリーンシートには、図示しないが、導体パターンが形成されている。グリーンシート４２は、図１Ｂに示す誘電体層４２に相当するものである。グリーンシート４２に、コンデンサの上部電極となる第２導体パターン３０が施されている。導体パターン３０は、例えば印刷によって形成される。
【００６４】
グリーンシート４２の下方に位置するグリーンシートの上には、第１導体パターン３１が施されている。このような複数のグリーンシートを積層し、その後焼結することにより、複数の誘電体層と複数の導体パターンが間隔を隔てて交互に垂直方向に積層され、かつコンデンサがその中に造り込まれてなる誘電体積層デバイスが得られる。
【００６５】
誘電体積層デバイスの使用例としては、例えばローパスフィルタが挙げられる。ローパスフィルタは、例えば図１７に示す等価回路を有するものであり、図１６のブロック図で示されるような回路を有する携帯電話に使用される。
【００６６】
図４は、誘電体積層デバイスの断面図である。
【００６７】
図４に示すように、第１の導体パターン３１と第２の導体パターン３０とを有するコンデンサが設けられている。このコンデンサは、図１Ａ−Ｂに示す、実施の形態１にかかるセラミックコンデンサである。この誘電体積層デバイスは、その他の複数の導体パターン３２、３３、３４、３５を含む。
【００６８】
本実施の形態にかかる誘電体積層デバイスでは、第１導体パターン３１と第２導体パターン３０との間隔ｄ1が、第１および第２導体パターン３０、３１以外の、他の導体パターン３２、３３、３４、３５に挟まれる誘電体層の厚みｄ2、ｄ3、ｄ4のいずれのものよりも小さくされている。間隔ｄ1は、例えば、１２μｍである。
【００６９】
本実施の形態にかかるばらつきの抑制方法によれば、上部電極と下部電極を小型化した場合であっても、その効果を発揮するので、誘電体積層デバイス中に造り込まれる素子のうち、比較的専有体積が大きくなりがちであることから小型化の要望の強いコンデンサに、本実施の形態を適用すると、特に効果が大きい。
【００７０】
このような容量のばらつきの少ないコンデンサを有するローパスフィルタは、その周波数特性が安定化する。また、そのような周波数特性が安定化したローパスフィルタが組み込まれた無線機器は、電気特性の良いものとなる。
【００７１】
（実施の形態２）
図５は、実施の形態２にかかるセラミックコンデンサの、誘電体層の厚み方向に見た投影図である。図６は、図５におけるＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【００７２】
図５および図６に示すように、実施の形態２にかかるセラミックコンデンサは、誘電体層４２を備える。誘電体層４２の厚み方向に、誘電体層４２を挟むように、対向させて、導電体で形成された第１導体パターン３６と第２導体パターン３７が設けられている。第１導体パターン３６には、誘電体層４２の厚み方向と同じ方向に貫通するように開口部３６ａが設けられている。
【００７３】
誘電体層４２の厚み方向への投影において、第２導体パターン３７は、その中央部が開口部３６ａに跨り、かつその両端部３７ａ、３７ｂが第１導体パターン３６と重なり合う帯状のパターンにより形成されている。帯状に形成された第２導体パターン３７は、第１導体パターン３６の開口部３６ａと重なり合う部分において、他の部分よりも幅が広くされた膨らみ部分３７ｃを有している。膨らみ部分３７ｃには、ビア電極３８が接続される。
【００７４】
本実施の形態にかかるセラミックコンデンサによれば、グリーンシートの積層ずれ、例えば、図中、右の方向に積層ずれが生じ、端部３７ｂの第１導体パターン３６との重なり部分の面積が増大しても、その分、端部３７ａの第１導体パターン３６との重なり部分の面積が減少する。従って、グリーンシートの積層ずれが生じても、上部電極（端部３７ａと端部３７ｂとからなる）と下部電極（第１導体パターン３６からなる）との総対向面積は変動しない。従って、グリーンシートの積層ずれが生じても、容量値のばらつきは生じない。
【００７５】
なお、第２導体パターン３７がθ方向に回転するような、グリーンシートの積層ずれが生じても、上部電極と下部電極の総対向面積は変動しない。
【００７６】
また、第２導体パターン３７の中央部が、第１導体パターン３６に設けられた開口部３６ａの上に位置しているので、この部分では、容量が形成されない。従って、低容量のコンデンサとなる。なお、膨らみ部分３７ｃを設けているのは、ビア電極３８の接続を容易にするためである。
【００７７】
なお、図６に示す実施の形態では、ビア電極３８が上部電極の上方に引き出されている場合を例示したが、本実施の形態はこれに限られるものでなく、図７に示すように、ビア電極３８が第１導体パターン３６の開口部３６ａを貫くように下方に設けられてもよい。
【００７８】
図８は、実施の形態２にかかるセラミックコンデンサの製造方法を概念的に説明するための図である。
【００７９】
それぞれのグリーンシートには、図示しないが、導体パターンが形成されている。グリーンシート４２は、図６における誘電体層４２に相当するものである。
【００８０】
この方法の特徴は、第１導体パターン３６に、誘電体層４２の厚み方向と同じ方向に貫通するように開口部３６ａを形成し、厚み方向の投影において、第２導体パターン３７を、その中央部が開口部３６ａに跨り、かつその両端部が第１導体パターン３６と重なり合う帯状のパターンにより形成することにある。
【００８１】
この方法によると、グリーンシートの積層時に、積層ずれが生じても、上述したように、容量値のばらつきは生じない。このようなばらつきの抑制は、上部電極と下部電極を小型化しても、行えるので、小型化せざるを得ない低容量のコンデンサの製造に、本実施の形態にかかる実施の形態は効果を発揮する。
【００８２】
（実施の形態３）
図９は、実施の形態３にかかるセラミックコンデンサの、誘電体層の厚み方向への投影図である。図１０は、図９におけるIII−III線に沿う断面図である。
【００８３】
以下の点を除いて、実施の形態３にかかるセラミックコンデンサは、実施の形態２にかかるセラミックコンデンサと同様であるので、同一または相当する部分には、同一の参照番号を付し、その説明を繰り返さない。図９〜１０において、３７は第２導体パターンの本体部（単に「第２導体パターン」ともいう。）、３７ａ，３７ｂはその延長部である。３７Ｃは第２導体パターン３７の中央のふくらみ部である。
【００８４】
実施の形態３のセラミックコンデンサが、実施の形態２のセラミックコンデンサと異なる点は、図９に示すように、第２導体パターン３７の一方の端部に、第１導体パターン３６と誘電体層を介して重なり合う、容量を形成する第３の導体パターン３９が一体的に形成されている点である。本実施の形態のように構成しても、グリーンシートの積層ずれによる、コンデンサの容量のばらつきは生じない。なお、第３の導体パターン３９を、第２導体パターン３７の一方のみならず、その他方に形成しても、すなわち、第３の導体パターン３９を、第２導体パターン３７の両端部に形成しても同様の効果を奏する。
【００８５】
また、図１０に示す実施の形態では、ビア電極３８が上部電極の上方に引き出されている場合を例示したが、本実施の形態はこれに限られるものでなく、ビア電極３８が第１導体パターン３６の開口部３６ａを貫くように下方に設けられてもよい。
【００８６】
実施の形態２にかかるセラミックコンデンサによれば、帯状のパターンが、図中左右対称に形成されていたが、本実施の形態によれば、帯状のパターンを左右対称に形成しなくてもよい、という効果を奏する。また、本実施の形態にかかるセラミックコンデンサによれば、第３の導体パターン３９の面積を調整することにより、コンデンサの容量を調節することができる。
【００８７】
なお、上記実施の形態では、誘電体積層デバイスの使用例として、ローパスフィルタを例示したが、本実施の形態はこれに限られるものでなく、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタ、あるいは、これらのフィルタを何個か組み合わせたモジュールに本実施の形態を適用しても、同様の効果が得られる。
【実施例】
【００８８】
以下本発明の実施例を図面を用いて説明する。なお本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
【００８９】
（実施例１）
本実施例は、実施の形態１にかかる発明の効果を、実験により確認するために行った。
【００９０】
図１１Ａは比較例にかかるセラミックコンデンサの、誘電体層の厚み方向への投影図である。比較例にかかるセラミックコンデンサは、第１導体パターン３１と第２導体パターン３０とを有し、第２導体パターン３０には、その一方端縁にのみ延長部３０２が設けられている。
【００９１】
図１１Ｂは実施例１にかかるセラミックコンデンサの、誘電体層の厚み方向への投影図である。実施例１にかかるセラミックコンデンサは、第１導体パターン３１と第２導体パターン３０とを有し、第２導体パターン３０の両端縁には、互いに逆方向に延びる第１延長部３０１と第２延長部３０２が設けられている。第１延長部３０１と第２延長部３０２は、それぞれ、第１導体パターン３１の外周縁から外方にはみだしている。
【００９２】
測定サンプルの作成は、図１２に示すシート積層法により、行った。
【００９３】
すなわち、セラミックコンデンサとなる２枚のグリーンシートの上下に、測定用電極パターン５１を施したグリーンシートと測定用電極パターン５２を施したグリーンシートを積層した。測定用電極パターン５１と第２導体パターン３０との接続および測定用電極パターン５２と第１導体パターン３１との接続は、ビア電極３８で行った。測定用電極パターン５１と第２導体パターン３０との間に設けられる誘電体層の膜厚、および測定用電極パターン５２と第２導体パターン３０との間に設けられる誘電体層の膜厚は、それぞれ任意とした。
【００９４】
比較例、実施例ともに、誘電体層には比誘電率７．４の誘電体を使用し、第１導体パターン３１と第２導体パターン３０との間隔（誘電体層の厚み）は、焼結後で１２μｍとした。
【００９５】
また、比較例、実施例ともに、５つの目標容量値を設定し、それぞれ１００個のサンプルについて容量値を測定し、標準偏差（σ）の３倍を、容量値のばらつきとして評価した。上記５つの目標容量値は、延長部３０１、３０２による面積の加算も考慮して、正方形の導体パターン３０の面積（従来例の場合、ｘ1×ｘ1、実施例の場合、ｘ2×ｘ2）を変えることによって設計した。延長部３０１、３０２の幅は１５０μｍと一定にした。
【００９６】
得られた測定結果を基に、縦軸に容量値ばらつき３σをとり、横軸に容量値平均（ｐＦ）をとり、図示したものを図１３に示す。
【００９７】
図１３から明らかなように、本実施例の場合は比較例に比べて、容量値のばらつきが著しく減少していた。
【００９８】
なお、容量値は、印刷時の、導体パターンの形状のばらつきや、誘電体層の厚みのばらつきによっても変動するため、実施例のように、積層ずれによる影響が取り除かれても、容量値は多少ばらつく。
【００９９】
（実施例２）
本実施例では、実施の形態２にかかる発明の効果を実験により確認した。
【０１００】
図１４Ａは比較例にかかるセラミックコンデンサの、誘電体層の厚み方向への投影図である。比較例にかかるセラミックコンデンサは、第１導体パターン３６と第２導体パターン３７とを有する。第１導体パターン３６には開口部３６ａが設けられている。第２導体パターン３７は帯状のパターンで形成されているが、その一方端部のみが第１導体パターン３６と重なり合っている。その重なり部分３７ａの長さをｙとする。
【０１０１】
図１４Ｂは実施例２にかかるセラミックコンデンサの、誘電体層の厚み方向への投影図である。実施例２にかかるセラミックコンデンサは、第１導体パターン３６と第２導体パターン３７とを有する。第１導体パターン３６には開口部３６ａが設けられている。第２導体パターン３７は帯状のパターンで形成されており、その両端部が第１導体パターン３６と重なり合っている。その重なり部分３７ａ、３７ｂの長さを、それぞれｙ/２とする。
【０１０２】
測定サンプルの作成は、実施例１と同様に、図１２に示すシート積層法により行い、測定電極用パターンの形成などは、実施例１と同様の条件で行った。
【０１０３】
比較例、実施例ともに、誘電体層には比誘電率５８の誘電体を使用し、第１導体パターン３１と第２導体パターン３０との間隔（誘電体層の厚み）は焼結後で１２μｍとした。
【０１０４】
また、比較例、実施例ともに、５つの目標容量値を設定し、それぞれ１００個のサンプルについて容量値を測定し、標準偏差（σ）の３倍を容量値ばらつきとして評価した。上記５つの目標容量値は、帯状パターン３７と第１導体パターン３６との重なり部分の長さ（従来例の場合、ｙ、実施例の場合、１/２ｙ）を変えることによって設計した。帯状パターン３７の幅は１５０μｍと一定にした。
【０１０５】
得られた測定結果を基に、縦軸に容量値のばらつき３σをとり、横軸に容量値の平均（ｐＦ）をとり、図示したものを図１５に示す。
【０１０６】
図１５から明らかなように、本実施例の場合は比較例に比べて、容量値のばらつきが著しく減少していた。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】Ａは本発明の実施の形態１におけるセラミックコンデンサの誘電体層の厚み方向への投影図、ＢはＡにおけるＩ−Ｉ線に沿う断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１における別のセラミックコンデンサの誘電体層の厚み方向への投影図である。
【図３】同実施の形態１におけるセラミックコンデンサの製造方法を概念的に説明するための図である。
【図４】同実施の形態１におけるセラミックコンデンサを用いた誘電体積層デバイスの断面図である。
【図５】同実施の形態２におけるセラミックコンデンサの誘電体層の厚み方向への投影図である。
【図６】図５におけるII−II線に沿う断面図である。
【図７】本発明の実施の形態２におけるセラミックコンデンサの他の例にかかる断面図である。
【図８】同実施の形態２におけるセラミックコンデンサの製造方法を概念的に説明する図である。
【図９】本発明の実施の形態３におけるセラミックコンデンサの誘電体層の厚み方向への投影図である。
【図１０】図９におけるIII−III線に沿う断面図である。
【図１１】Ａは比較例にかかるセラミックコンデンサの誘電体層の厚み方向への投影図、Ｂは実施例１におけるセラミックコンデンサの誘電体層の厚み方向への投影図である。
【図１２】シート積層法により測定サンプルを作成する方法を説明するための概念図である。
【図１３】本発明の実施例１における容量値ばらつき３σと容量値平均（ｐＦ）との関係を示す。
【図１４】Ａは比較例にかかるセラミックコンデンサの、誘電体層の厚み方向への投影図、Ｂは実施例２にかかるセラミックコンデンサの誘電体層の厚み方向への投影図である。
【図１５】実施例２における容量値ばらつき３σと容量値平均（ｐＦ）との関係を示す。
【図１６】従来及び本発明の携帯電話のブロック図である。
【図１７】同、携帯電話に用いられるフィルタの等価回路図である。
【図１８】従来のフィルタを形成するシート積層法を説明するための概念図である。
【図１９】Ａ−Ｃは第１の従来例にかかるセラミックコンデンサの製造方法を説明するための図である。
【図２０】Ａ−Ｂは第１の従来例にかかるセラミックコンデンサの製造方法の問題点を示す図である。
【図２１】Ａ−Ｂは第２の従来例にかかるセラミックコンデンサの製造方法の問題点を示す図である。
【符号の説明】
【０１０８】
３０  第２導体パターン
３１  第１導体パターン
４２  誘電体層
３０１  第２導体パターンの第１延長部
３０２  第２導体パターンの第２延長部
【図１】
2004165641.tif 000003
【図２】
2004165641.tif 000004
【図３】
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【図４】
2004165641.tif 000006
【図５】
2004165641.tif 000007
【図６】
2004165641.tif 000008
【図７】
2004165641.tif 000009
【図８】
2004165641.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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