(57)【要約】【課題】薄く形成され基板に固定された半導体ウェーハを、効率良くダイシングテープに貼着して移し替えることにより、生産性を向上させる。【解決手段】半導体ウェーハと基板１０３との間に介在している粘着層に外的刺激を与える外的刺激付与手段３０と、半導体ウェーハから基板１０３を取り外す基板取り外し手段２５とを少なくとも備え、外的刺激を受けて粘着力が低下する粘着層を介して半導体ウェーハに固定された基板１０３を、外的刺激付与手段３０において外的刺激を与えて粘着力を低下させた後に、基板取り外し手段２５によって半導体ウェーハから取り外し、ダイシングフレーム１０１に移し替えて固定する半導体ウェーハ移し替え装置１０を提供する。【選択図】　図１
2004079613.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外的刺激を受けて粘着力が低下する粘着層を介して基板に固定された半導体ウェーハをダイシングフレームに移し替えて固定する半導体ウェーハ移し替え装置であって、
半導体ウェーハと基板との間に介在している粘着層に外的刺激を与える外的刺激付与手段と、
該半導体ウェーハから該基板を取り外す基板取り外し手段と
を少なくとも備えた半導体ウェーハ移し替え装置。
【請求項２】
基板に固定された半導体ウェーハとダイシングフレームとにダイシングテープを貼着するダイシングテープ貼着手段と、
基板取り外し手段によって半導体ウェーハから離脱した基板を収容する基板収容手段と、
該ダイシングテープを介して該半導体ウェーハを支持するダイシングフレームを収容するフレーム収容手段と
を備えた請求項１に記載の半導体ウェーハ移し替え装置。
【請求項３】
基板取り外し手段は、
基板を保持する基板保持部と、
ダイシングフレームを保持するダイシングフレーム保持部と、
ダイシングテープを介して半導体ウェーハを保持する半導体ウェーハ保持部と、
該基板保持部と該半導体ウェーハ保持部とを相対的に離反させる離反部と
から構成される請求項１または２に記載の半導体ウェーハ移し替え装置。
【請求項４】
基板取り外し手段には、基板と半導体ウェーハとの間にエアーを吹き付けるエアー噴射ノズルを備えた請求項３に記載の半導体ウェーハ移し替え装置。
【請求項５】
基板の外周には、半導体ウェーハが固定される表面から裏面に向けて径を大きくする傾斜面が形成される請求項４に記載の半導体ウェーハ移し替え装置。
【請求項６】
粘着層は紫外線によって粘着力が低下する粘着剤により構成され、外的刺激は紫外線の照射である請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体ウェーハ移し替え装置。
【請求項７】
粘着層は熱によって粘着力が低下する粘着剤により構成され、外的刺激は加熱である請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体ウェーハ移し替え装置。
【請求項８】
粘着層はレーザー光によって粘着力が低下する粘着剤により構成され、外的刺激はレーザー光の照射である請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体ウェーハ移し替え装置。
【請求項９】
粘着層は溶剤によって溶解して粘着力が低下する粘着剤により構成され、外的刺激は溶剤の供給である請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体ウェーハ移し替え装置。
【請求項１０】
基板は、ガラス、セラミックス、合金、金属、樹脂のいずれかによって構成される請求項１乃至９のいずれかに記載の半導体ウェーハ移し替え装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、剛性の高い基板に固定されて加工された半導体ウェーハをダイシングフレームに移し替えて固定する半導体ウェーハ移し替え装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣ、ＬＳＩ等の集積回路が表面に複数形成された半導体ウェーハは、裏面の研削によって所定の厚さに形成された後に、ダイシング装置等の切削装置によって個々の半導体チップに分割され、各種の電子機器に利用されている。
【０００３】
近年は、電子機器の小型化、軽量化の要望に対応すべく、半導体チップの厚さも１００μｍ以下、５０μｍ以下というように薄型化が求められており、これに応じて半導体ウェーハもその厚さが１００μｍ以下、５０μｍ以下となるように薄く研削されるようになってきている。
【０００４】
このように薄く研削された半導体ウェーハは、剛性が極めて低くなって破損しやすいことから、研削後の半導体ウェーハを破損させることなく次の工程に搬送するために、図１５に示すように、半導体ウェーハＷを予め剛性の高い基板Ｐに固定して研削を行い、その基板Ｐに固定された状態で搬送を行うこととしている。
【０００５】
従って、次のダイシング工程において個々の半導体チップに分割するためには、半導体ウェーハＷを基板Ｐから取り外すと共に、図１６に示すようにダイシングテープＴに貼着してダイシングフレームＦと一体化させる必要がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、基板に固定されていない通常の半導体ウェーハをダイシングテープＴに貼着する装置は開発されているが（例えば特開平１０−１８９６９３号公報）、基板Ｐから半導体ウェーハＷを取り外してダイシングテープＴに貼着する装置は存在しないため、半導体ウェーハＷを基板Ｐから取り外す作業は、別個の装置を用いて行うか、または手作業にて行わなければならず、生産性の低下を招くという問題がある。
【０００７】
従って、基板に固定された半導体ウェーハをダイシングテープに貼着して移し替える場合においては、作業を効率良く行うことにより生産性を向上させることに課題を有している。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための具体的手段として本発明は、外的刺激を受けて粘着力が低下する粘着層を介して基板に固定された半導体ウェーハをダイシングフレームに移し替えて固定する半導体ウェーハ移し替え装置であって、半導体ウェーハと基板との間に介在している粘着層に外的刺激を与える外的刺激付与手段と、半導体ウェーハから基板を取り外す基板取り外し手段とを少なくとも備えた半導体ウェーハ移し替え装置を提供する。
【０００９】
そしてこの半導体ウェーハ移し替え装置は、基板に固定された半導体ウェーハとダイシングフレームとにダイシングテープを貼着するダイシングテープ貼着手段と、基板取り外し手段によって半導体ウェーハから離脱した基板を収容する基板収容手段と、ダイシングテープを介して半導体ウェーハを支持するダイシングフレームを収容するフレーム収容手段とを備えたこと、基板取り外し手段は、基板を保持する基板保持部と、ダイシングフレームを保持するダイシングフレーム保持部と、ダイシングテープを介して半導体ウェーハを保持する半導体ウェーハ保持部と、基板保持部と半導体ウェーハ保持部とを相対的に離反させる離反部とから構成されること、基板取り外し手段には、基板と半導体ウェーハとの間にエアーを吹き付けるエアー噴射ノズルを備えたこと、基板の外周には、半導体ウェーハが固定される表面から裏面に向けて径を大きくする傾斜面が形成されること、粘着層は紫外線によって粘着力が低下する粘着剤により構成され、外的刺激は紫外線の照射であること、粘着層は熱によって粘着力が低下する粘着剤により構成され、外的刺激は加熱であること、粘着層はレーザー光によって粘着力が低下する粘着剤により構成され、外的刺激はレーザー光の照射であること、粘着層は溶剤によって溶解して粘着力が低下する粘着剤により構成され、外的刺激は溶剤の供給であること、基板は、ガラス、セラミックス、合金、金属、樹脂のいずれかによって構成されること、を付加的な要件とする。
【００１０】
上記のように構成される半導体ウェーハ移し替え装置においては、半導体ウェーハと基板との間に介在する粘着層に外的刺激を与える外的刺激付与手段と、その基板を半導体ウェーハから取り外す基板取り外し手段とを備えたことにより、手作業によることなく容易かつ効率良く半導体ウェーハを基板から取り外すことができる。
【００１１】
また、基板に固定された半導体ウェーハとダイシングフレームとにダイシングテープを貼着するダイシングテープ貼着手段と、基板取り外し手段によって半導体ウェーハから離脱した基板を収容する基板収容手段と、ダイシングテープを介して半導体ウェーハを支持するダイシングフレームを収容するフレーム収容手段とを備えたことにより、取り外した基板をまとめて半導体ウェーハに貼着する工程に戻すことができると共に、ダイシングテープを介してダイシングフレームと一体となった半導体ウェーハをまとめてダイシング工程に搬送することができ、全体としての作業を効率化することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態として、図１に示す半導体ウェーハ移し替え装置１０について、図２〜図１４を参照しながら説明する。この半導体ウェーハ移し替え装置１０においては、図２に示すダイシングフレーム１０１がフレーム収容手段１００に複数収容され、フレーム収容手段載置領域１１に載置される。このダイシングフレーム１０１は、ステンレス等の剛性の高い部材によりリング状に形成され、中央部には開口部１０２が形成されている。
【００１３】
図１に示したフレーム収容手段載置領域１１は、基台１２に対して昇降することによってフレーム収容手段１００を適宜の高さに位置付けることができる。
【００１４】
図１に示したフレーム収容手段１００に収納されたダイシングフレーム１０１は、Ｘ軸方向に移動可能なフレーム搬出入手段１３が＋Ｘ方向に移動してフレーム収容手段１００に近づき、その先端に形成された挟持部１３ａがダイシングフレーム１０１を挟持し、そのままの状態で−Ｘ方向に移動することにより搬出される。そして、フレーム載置領域１４において挟持状態を解除することにより、ダイシングフレーム１０１がフレーム載置領域１４に載置される。
【００１５】
フレーム載置領域１４には、基台１２から上方に突出してＹ軸方向に移動可能な一対の位置調整手段１５が対峙して配設されており、一対の位置調整手段１５が互いに近づく方向に同じだけ移動することにより、ダイシングフレーム１０１が一定の位置に位置合わせされる。
【００１６】
こうして位置合わせされたダイシングフレーム１０１は、フレーム搬送手段１６を構成するフレーム保持部１６ａに吸着されて保持される。このフレーム搬送手段１６は、ダイシングフレーム１０１を保持するフレーム保持部１６ａと、Ｙ軸方向に架設されたレール１６ｂと、レール１６ｂにガイドされてＸ軸方向に水平移動する水平移動部１６ｃと、水平移動部１６ｃに連結されフレーム保持部１６ａを昇降させる昇降駆動部１６ｄとから構成される。
【００１７】
昇降駆動部１６ｄに駆動されてフレーム保持部１６ａが下降してダイシングフレーム１０１を吸着保持すると、フレーム保持部１６ａが上昇した後に水平移動部１６ｃが−Ｘ方向に移動し、ダイシングフレーム１０１をダイシングテープ貼着手段２４の直上に位置付けて停止する。そして、フレーム保持部１６ａが下降し、吸着を解除することにより、ダイシングテープ貼着手段２４を構成するフレーム保持テーブル２４ａにダイシングフレーム１０１が載置され、保持される。
【００１８】
一方、半導体ウェーハＷは、図３に示すように、基板１０３の表面に固定されており、図４に示すように、基板１０３と半導体ウェーハＷとの間には粘着層１０６が介在している。基板１０３は、例えば、０．５ｍｍ〜３ｍｍ程の厚さからなるガラス、セラミックス、合金、金属、樹脂等の剛性の高い材質により形成され、厚さが１００μｍ以下のように薄く形成された半導体ウェーハでも安定的に支持することができる。
【００１９】
こうして半導体ウェーハＷが固着された基板１０３は、図１に示す基板収容手段２００に収容されており、この基板収容手段２００は、基台１２に対して昇降可能な基板収容手段載置領域２０に載置されている。そして、基板１０３に固定された半導体ウェーハＷは、基板搬出入手段２１によって搬出される。
【００２０】
基板搬出入手段２１は、上下動及び屈曲可能なアーム部２１ａと、アーム部２１ａの先端に対して垂直方向に回動可能な保持部２１ｂとから構成され、保持部２１ｂは、基板収容手段２００に進入して基板１０３の裏面１０３ａを吸着して搬出し、基板位置調整手段２２に搬送する。この搬送の途中では、保持部２１ｂが垂直方向に１８０度回転することにより、半導体ウェーハＷ及び基板１０３の表裏を反転し、図５に示すように、基板１０３の裏面１０３ａが上を向き、半導体ウェーハＷの裏面が下を向いた状態とする。
【００２１】
図１を参照して説明を続けると、基板位置調整手段２２は、半導体ウェーハＷ及び基板１０３が載置される載置部２２ａと、載置部２２ａにおいて載置された半導体ウェーハＷ及び基板１０３の外周側に複数配設され載置部２２ａの中心に接近する方向または当該中心から離反する方向に移動可能な突起状の位置合わせ部２２ｂとから構成され、載置部２２ａにおいて保持され半導体ウェーハＷが固定された基板１０３は、すべての位置合わせ部２２ｂが接近する方向に同じだけ移動することにより一定の位置に位置合わせされる。
【００２２】
基板位置調整手段２２の近傍には、昇降及び回動可能なアーム部２３ａと、アーム部２３ａの先端部において基板１０３を吸着して保持する保持部２３ｂとから構成される基板搬送手段２３が配設されており、保持部２３ｂにおいて基板１０３を保持してアーム部２３ａが昇降及び回転することにより、基板位置調整手段２２によって位置合わせされた半導体ウェーハＷ及び基板１０３をダイシングテープ貼着手段２４に搬送する。
【００２３】
ダイシングテープ貼着手段２４は、ダイシングフレーム１０１を保持するフレーム保持テーブル２４ａと、貼着しようとするダイシングテープ１０４を送り出すテープ送り部２４ｂと、ダイシングテープ１０４を巻き取るテープ巻き取り部２４ｃと、回動及びＸ軸方向に移動可能な押圧ローラー２４ｄと、ダイシングテープ１０４をダイシングフレーム１０１の外周に沿ってカットするテープカッター２４ｅとから構成される。
【００２４】
帯状のダイシングテープ１０４は、フレーム保持テーブル２４ａの上方において、粘着面が上を向いた状態でテープ送り部２４ｂからテープ巻き取り部２４ｃに架設されており、フレーム搬送手段１６によって搬送されてきたダイシングフレーム１０１は、フレーム保持部１６ａが下降することによって、図６（Ａ）に示すようにダイシングテープ１０４の上に載置され、ダイシングテープ１０４を介してダイシングフレーム１０１が保持される。
【００２５】
一方、基板搬送手段２３によって搬送されてきた半導体ウェーハＷ及び基板１０３は、半導体ウェーハＷの裏面が下を向いた状態で、図６（Ｂ）に示すように、ダイシングフレーム１０１の開口部１０２においてダイシングテープ１０４の上に載置される。
【００２６】
そして、図６（Ｃ）に示すように、押圧ローラ２４ｄが回動及びＸ軸方向の移動を伴って下方に向けて押圧力を加えることにより、半導体ウェーハＷの裏面がダイシングテープ１０４の粘着面に貼着されると共に、ダイシングフレーム１０１も粘着面に貼着され、テープカッター２４ｅがダイシングフレーム１０１の外周に沿って作用して円形に切断し、帯状のダイシングテープ１０４から分離され、図７に示すように、半導体ウェーハＷ、基板１０３、及びダイシングフレーム１０１が円形に切断されたダイシングテープ１０４を介して一体となる。こうして一体となったものを、以降ではウェーハユニット１０５と呼ぶ。
【００２７】
図１を参照して説明を続けると、次にウェーハユニット１０５は、フレーム保持部１６ａによって保持され、フレーム保持部１６ａが−Ｘ方向に移動することにより基板取り外し手段２５の直上に位置付けられる。
【００２８】
基板取り外し手段２５は、基板を保持する基板保持部２６と、ダイシングフレーム１０１を保持する複数の（図示の例では４つの）ダイシングフレーム保持部２７と、ダイシングテープ１０４を介して半導体ウェーハＷを保持する半導体ウェーハ保持部２８と、基板保持部２６と半導体ウェーハＷとを相対的に離反させる離反部２９とを備えている。ここで、離反部２９は、基板保持部２６を支持するアーム部２９ａと、アーム部２９ａの先端部に配設されエアーを吹き付けるエアー噴射ノズル２９ｂと、アーム部２９ａを水平方向及び垂直方向に回動させる駆動部２９ｃとから構成される。
【００２９】
また、基板取り外し手段２５の近傍には、外的刺激付与手段３０が配設されている。この外的刺激付与手段３０は、半導体ウェーハＷと基板１０３との間に介在する粘着層に作用する作用部３１と、作用部３１を所定角度回動させて作用位置と非作用位置とに位置付ける駆動部３２とから構成されている。
【００３０】
図７に示したウェーハユニット１０５が基板取り外し手段２５の直上に位置付けられると、フレーム保持部１６ａが下降して吸着を解除することにより、図８（Ａ）に示すように、ダイシングテープ１０４を介して半導体ウェーハＷが半導体ウェーハ保持部２８によって吸引保持され、更に、ダイシングフレーム１０１がダイシングフレーム保持部２７によって保持される。
【００３１】
そして、外的刺激付与手段３０を構成する作用部３１が基板１０３の直上に移動し、半導体ウェーハＷと基板１０３との間に介在する粘着層の粘着力を低下させる。例えば、図４に示した粘着層１０６が、紫外線により粘着力が低下する粘着剤により構成される場合は、図８（Ｂ）に示すように、外的刺激として作用部３１から紫外線を照射することによって粘着力を低下させることができる。この場合、基板１０３は、ガラスのように透明または半透明な部材により構成される。
【００３２】
なお、粘着層１０６が、熱が加えられることによって粘着力が低下する粘着剤の場合には、外的刺激は加熱であり、作用部３１から粘着層１０６に対して加熱処理を行う。
【００３３】
また、粘着層１０６が、レーザー光が照射されることによって粘着力が低下する粘着剤の場合には、外的刺激はレーザー光の照射であり、作用部３１から粘着層１０６に対してレーザー光の照射を行う。
【００３４】
更に、粘着層１０６が、溶剤によって溶解して粘着力が低下する粘着剤の場合には、外的刺激は溶剤の供給であり、作用部３１から粘着層１０６に対して溶剤を供給する。この場合は、基板１０３の表裏を貫通する細孔を複数設け、その細孔を通って溶剤が粘着層１０６に供給されるようにする。粘着剤が糊のように水によって粘着力が低下するタイプのものである場合も、作用部３１から粘着層１０６に水を供給するために、基板１０３に細孔が形成される。
【００３５】
次に、離反部２９を構成する駆動部２９ｃによる駆動によりアーム部２９ａが垂直方向に回動し、基板保持部２６が下降して基板１０３を吸着し、図８（Ｃ）に示すように、駆動部２９ｃの駆動により基板保持部２６が上昇することにより、基板１０３が持ち上げられて半導体ウェーハＷから分離される。このとき、半導体ウェーハＷと基板１０３との間に介在する粘着層１０６の粘着力は、外的刺激付与手段３０によって弱められているため、基板１０３を半導体ウェーハＷから容易に取り外すことができる。このようにして、半導体ウェーハＷのダイシングフレーム１０１に移し替えが行われる。
【００３６】
また、基板１０３を持ち上げる際には、図８（Ｃ）に示すように、エアー噴射ノズル２９ｂから基板１０３と半導体ウェーハＷとの間にエアーを噴射することにより、半導体ウェーハＷからの取り外しをより容易に行うことができる。この場合は、図示したように、基板１０３の外周に、半導体ウェーハＷが固定される表面から裏面に向けて径を大きくする傾斜面１０３ｂを形成しておくことにより、基板１０３と半導体ウェーハＷとの間にエアーを効果的に供給することができる。
【００３７】
図８（Ｃ）の例においては、基板保持部２６が基板１０３の端部を保持しているため、離反部２９の駆動により基板１０３が端部から上昇していき、徐々に半導体ウェーハＷから分離させていく構成とすることが好ましいが、基板１０３の全面を保持して半導体ウェーハＷと平行な状態を保ちながら持ち上げて一度に分離させるようにしてもよい。また、基板１０３の一部を保持する場合であっても、アーム部２９ａを半導体ウェーハＷと平行な状態を保ちながら持ち上げることにより、一度に分離させることもできる。
【００３８】
こうして半導体ウェーハＷから分離し、基板保持部２６によって保持された基板１０３は、駆動部２９ｃの駆動によってアーム部２９ａが水平方向に回動し、仮置きテーブル３３の上に位置付けられ、アーム部２９ａが垂直方向に回動して吸着を解除することにより、仮置きテーブル３３の上に載置される。
【００３９】
そして、基板搬送手段２３によって基板１０３が基板位置調整手段２２に搬送され、ここで載置部２２ａに載置されると共に位置合わせ部２２ｂによって一定の位置に位置合わせされた後、基板搬出入手段２１によって収容手段２００に収容される。こうして収容手段２００に収容された基板１０３は、半導体ウェーハを基板に固定する工程にまとめて戻して何度も使用することができる。
【００４０】
一方、基板１０３が取り外された後の半導体ウェーハＷをダイシングテープ１０４を介して支持するダイシングフレーム１０１は、フレーム搬送手段１６を構成するフレーム保持手段１６ａによって保持され、＋Ｘ方向に移動してフレーム載置領域１４に載置された後、フレーム搬出入手段１３によってフレーム収容手段１００に収容される。そして、フレーム収容手段１００は、次のダイシング工程に搬送される。
【００４１】
なお、上記に実施の形態においては、離反部２９が基板保持部２６を持ち上げることにより基板１０３を半導体ウェーハＷから分離させる構成としたが、半導体ウェーハ保持部２８が下降することにより基板保持部２６に保持された基板１０３が半導体ウェーハＷから分離するように構成してもよい。即ち、離反部は、基板保持部と半導体ウェーハ保持部とを相対的に離反させることができればよい。
【００４２】
例えば、図９に示す半導体ウェーハ保持部４０は、ポーラス部材により構成され吸引源に連通する複数の吸引部４１を備え、その表面は、図１０に示すように、中央部を頂点とする円弧状に形成されている。そして、これらの吸引部４１を支持する基部４２は、図１１に示すように、２つのピストン４３ａ、４３ｂによって昇降可能に構成されている。また、図１１の例における基板保持部４４は、基板１０３の全面を保持するタイプのものである。
【００４３】
ピストン４３ａとピストン４３ｂは、それぞれが独立して上下動可能であり、図１１において実線で示した場合においては、ピストン４３ａが最も高い位置にあると共にピストン４３ｂが下降しており、半導体ウェーハＷは円弧状の吸引面に沿って吸引されているため、ピストン４３ｂに近い側の吸引部から半導体ウェーハＷと基板１０３とが分離していき、ピストン４３ａも下降したときに、基板１０３が半導体ウェーハＷから完全に分離する。基板１０３を半導体ウェーハＷから分離させる際は、エアー噴射ノズル４５からエアーを噴射させることができる。
【００４４】
半導体ウェーハ保持部は、図１２のように構成することもできる。図１２に示す半導体ウェーハ保持部５０は、吸引源に連通する複数の吸引部５１が、それぞれが別部材を構成する基部５２によって支持されており、複数の吸引部５１によって１つの吸引面が形成されている。
【００４５】
図１３に示すように、個々の基部５２は、それぞれピストン５３によって個別に昇降可能となっており、図１４に示すように、基板保持部４４によって基板１０３を保持し、吸引面において半導体ウェーハＷを吸引した状態で、基部５２をピストン５３によって個々に下降させていくことにより、基板１０３が半導体ウェーハＷから分離していき、すべての基部５２が下降したときに基板１０３が半導体ウェーハＷから完全に分離される。なお、基部５２を下降させる際は、エアー噴射ノズル４５からエアーを噴射させることができる。
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る半導体ウェーハ移し替え装置においては、半導体ウェーハと基板との間に介在する粘着層に外的刺激を与える外的刺激付与手段と、その基板を半導体ウェーハから取り外す基板取り外し手段とを備えたことにより、手作業によることなく容易かつ効率良く半導体ウェーハを基板から取り外すことができるため、生産性を向上させることができる。
【００４７】
また、基板に固定された半導体ウェーハとダイシングフレームとにダイシングテープを貼着するダイシングテープ貼着手段と、基板取り外し手段によって半導体ウェーハから離脱した基板を収容する基板収容手段と、ダイシングテープを介して半導体ウェーハを支持するダイシングフレームを収容するフレーム収容手段とを備えたことにより、取り外した基板をまとめて半導体ウェーハに貼着する工程に戻すことができると共に、ダイシングテープを介してダイシングフレームと一体となった半導体ウェーハをまとめてダイシング工程に搬送することができ、全体としての作業を効率化することができ、この点でも生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体ウェーハ移し替え装置の実施の形態の一例を示す斜視図である。
【図２】ダイシングフレームを示す斜視図である。
【図３】基板に固定された半導体ウェーハを示す斜視図である。
【図４】基板と半導体ウェーハとの間に介在する粘着層を示す断面図である。
【図５】半導体ウェーハが固定された基板を裏返した状態を示す斜視図である。
【図６】（Ａ）は、ダイシングテープにダイシングフレームが載置された状態を示す略示的断面図であり、（Ｂ）は、基板に固定された半導体ウェーハをダイシングテープに載置する様子を示す略示的断面図であり、（Ｃ）は、基板及びダイシングフレームを押圧ローラーを用いてダイシングテープに押圧する様子を示す略示的断面図である。
【図７】基板に固定された半導体ウェーハがダイシングテープを介してダイシングフレームと一体となった状態を示す斜視図である。
【図８】（Ａ）は、基板に固定されダイシングテープを介してダイシングフレームと一体となった半導体ウェーハが半導体ウェーハ保持部に保持された様子を示す略示的断面図であり、（Ｂ）は、粘着層に紫外線を照射する様子を示す略示的断面図であり、（Ｃ）は、基板を半導体ウェーハから取り外す様子を示す略示的断面図である。
【図９】半導体ウェーハ保持部の構成の第二の例を示す斜視図である。
【図１０】同半導体ウェーハ保持部の構成を示す断面図である。
【図１１】同半導体ウェーハ保持部に保持された半導体ウェーハから基板を取り外す様子を示す正面図である。
【図１２】半導体ウェーハ保持部の構成の第三の例を示す斜視図である。
【図１３】同半導体ウェーハ保持部の構成を示す断面図である。
【図１４】同半導体ウェーハ保持部に保持された半導体ウェーハから基板を取り外す様子を示す正面図である。
【図１５】基板に固定された半導体ウェーハを示す斜視図である。
【図１６】ダイシングテープを介してダイシングフレームと一体となった半導体ウェーハを示す斜視図である。
【符号の説明】
１０…半導体ウェーハ移し替え装置
１１…フレーム収容手段載置領域　１２…基台
１３…フレーム搬出入手段　１３ａ…挟持部
１４…フレーム載置領域　１５…位置調整手段
１６…フレーム搬送手段　１６ａ…フレーム保持部
１６ｂ…レール　１６ｃ…水平移動部
１６ｄ…昇降駆動部
２０…基板収容手段載置領域　２１…基板搬出入手段
２１ａ…アーム部　２１ｂ…保持部
２２…基板位置調整手段　２２ａ…載置部
２２ｂ…位置合わせ部　２３…基板搬送手段
２３ａ…アーム部　２３ｂ…保持部
２４…ダイシングテープ貼着手段
２４ａ…フレーム保持テーブル
２４ｂ…テープ送り部　２４ｃ…テープ巻き取り部
２４ｄ…押圧ローラー　２４ｅ…テープカッター
２５…基板取り外し手段　２６…基板保持部
２７…ダイシングフレーム保持部
２８…半導体ウェーハ保持部　２９…離反部
２９ａ…アーム部　２９ｂ…エアー噴射ノズル
２９ｃ…駆動部　３０…外的刺激付与手段
３１…作用部　３２…駆動部　３３…仮置きテーブル
４０…半導体ウェーハ保持部　４１…吸引部
４２…基部　４３ａ、４３ｂ…ピストン
４４…基板保持部　４５…エアー噴射ノズル
５０…半導体ウェーハ保持部　５１…吸引部
５２…基部　５３…ピストン
１００…フレーム収容手段　１０１…ダイシングフレーム
１０２…開口部　１０３…基板　１０３ａ…裏面
１０３ｂ…傾斜面　１０４…ダイシングテープ
１０５…ウェーハユニット　１０６…粘着層
２００…基板収容手段
【図１】
2004079613.tif 000003
【図２】
2004079613.tif 000004
【図３】
2004079613.tif 000005
【図４】
2004079613.tif 000006
【図５】
2004079613.tif 000007
【図６】
2004079613.tif 000008
【図７】
2004079613.tif 000009
【図８】
2004079613.tif 000010
【図９】
2004079613.tif 000011
【図１０】
2004079613.tif 000012
【図１１】
2004079613.tif 000013
【図１２】
2004079613.tif 000014
【図１３】
2004079613.tif 000015
【図１４】
2004079613.tif 000016
【図１５】
2004079613.tif 000017
【図１６】
2004079613.tif 000018