(57)【要約】【課題】ソルダーレジストのパターンに依存せず、レジスト表面への異物の付着を効果的に防止できる、簡単かつ汎用性に富むソルダーレジストの形成方法を提供する。【解決手段】基材表面にレジスト層を設け、該レジスト層を乾燥してレジスト層内の溶媒成分を揮発させた後、該レジスト層の上にソルダーレジストパターンを設けて露光し、現像後、加熱処理してソルダーレジストを形成する方法において、前記レジスト層を乾燥してレジスト層内の溶媒成分を揮発させた後、該レジスト層表面に光透過性の保護フィルムをラミネートし、該保護フィルムの上にソルダーレジストパターンを設けて露光した後、保護フィルムを除去し、現像することを特徴とする。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材表面にレジスト層を設け、該レジスト層を乾燥してレジスト層内の溶媒成分を揮発させた後、該レジスト層の上にソルダーレジストパターンを設けて露光し、現像後、加熱処理してソルダーレジストを形成する方法において、前記レジスト層を乾燥してレジスト層内の溶媒成分を揮発させた後、該レジスト層表面に光透過性の保護フィルムをラミネートし、該保護フィルムの上にソルダーレジストパターンを設けて露光した後、保護フィルムを除去し、現像することを特徴とするソルダーレジストの形成方法。
【請求項２】
前記保護フィルムは紫外線を透過するものであることを特徴とする請求項１記載のソルダーレジストの形成方法。
【請求項３】
前記保護フィルムは厚さ１０〜２５μｍのＰＥＴフィルムであることを特徴とする請求項１または２記載のソルダーレジストの形成方法。
【請求項４】
前記保護フィルムは加熱することなく、加圧のみでラミネートすることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載のソルダーレジストの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、各種電気機器に使用する半導体パッケージ用材料の製造方法に係り、より詳しくは半導体パッケージ用材料製造時のソルダーレジストの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＴＡＢテープをはじめとする半導体パッケージ用材料には、実装時に半田や接着剤が必要範囲外に流出しないようにソルダーレジストが設けられる。このソルダーレジストを形成する方法として、配線が設けられた基材表面に例えば感光性液状レジストを塗布し、乾燥して溶媒成分を揮発させてレジスト層の乾燥を行う。その後、レジスト層の上に所望のソルダーレジストパターンを有するマスクを密接し、紫外線を照射して露光し、現像してパターンを形成し、要すれば所望サイズに切断して加熱処理してレジスト層を硬化させてソルダーレジストを得る方法が知られている。
【０００３】
ところで、ＴＡＢテープをはじめとする長尺の基材にソルダーレジストを形成するためには、通常基材にレジスト層を設け乾燥した後や露光した後にレジスト層を有する基材をスプールに巻き取ることが行われる。これはレジスト層の形成工程と露光工程を一体化して連続化することが必ずしも好ましいとは限らないためであり、また条件によっては容易でないからである。
こうした場合、前記方法で得られる乾燥後のレジスト層は未硬化であることや残存する溶媒成分等により、レジスト層表面は僅かながらタック性を有している。このため、乾燥したレジスト層が設けられた基材をスプールに巻き取る際には、レジスト層が設けられていない基材表面とレジスト層表面とが直接接触しないように手段をこうじることが必要となる。従来はこの目的のために、図２に示すような両端に突起１０−１を有するエンボステープ１０を基材表面とレジスト層表面の間に巻き込むようにしてスプールに巻き取っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、基材表面とレジスト層表面の間にエンボステープを介在させてスプールに巻き取る方法では、以下に記載する問題があった。
エンボステープは図２に示すように、その両サイドに突起が設けられているために、レジスト層表面は常に外気に曝されている状態となっており、外気中の埃等の異物がレジスト層表面に付着し易いという問題がある。フィルム状基材表面に異物が付着した場合は、粘着ローラ等を用いて異物を除去する方法が一般的であるが、前記したタック性を有するレジスト層表面に付着した異物はレジスト層に固着されるため、粘着ローラ等では簡単に除去できない。
【０００５】
また、エンボステープは両サイドに設けた突起によって材料どうしの接触を防止する作用を有するものであるが、基材の幅が広い場合はエンボステープの両サイドのみならず中央部分にも突起を設ける必要がある。したがって、幅広基材に対しては、形成するソルダーレジストのパターンに合せ、品種毎に突起配列の異なるエンボステープを使用しなくてはならないという問題があった。
【０００６】
本発明は、このような現状に鑑みてなされたもので、ソルダーレジストのパターンに依存せず、レジスト表面への異物の付着を効果的に防止できる、簡単かつ汎用性に富むソルダーレジストの形成方法を提案しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るソルダーレジストの形成方法は、基材表面にレジスト層を設け、該レジスト層を乾燥してレジスト層内の溶媒成分を揮発させた後、該レジスト層の上にソルダーレジストパターンを設けて露光し、現像後、加熱処理してソルダーレジストを形成する方法において、前記レジスト層を乾燥してレジスト層内の溶媒成分を揮発させた後、該レジスト層表面に光透過性の保護フィルムをラミネートし、該保護フィルムの上にソルダーレジストパターンを設けて露光した後、保護フィルムを除去し、現像することを特徴とする。また、前記保護フィルムは紫外線を透過するものであること、該保護フィルムはラミネート時のフィルムの伸び、レジスト層表面への追従性等を考慮して厚さが１０〜２５μｍのＰＥＴフィルムが好適であること、さらにこの保護フィルムは加熱することなく、加圧のみでラミネートすることを特徴とするものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】
図１は本発明に係るソルダーレジストの形成方法の一実施例を示す工程図で、（Ａ）は基板表面にレジスト層を設ける工程を示す概略説明図、（Ｂ）はレジスト層表面に保護フィルムをラミネートする工程を示す概略説明図、（Ｃ）は保護フィルムの上にソルダーレジストパターンを設けて露光を行う工程を示す概略説明図、（Ｄ）はソルダーレジストパターンを有するレジスト層を得る工程を示す概略説明図で、１は基板、２は配線部、３はレジスト層、４は保護フィルム、Ａは未露光部、Ｂは露光部である。
【０００９】
すなわち、まず図１（Ａ）に示すように、配線部２が設けられた基板１の配線部側表面にレジスト層３を設ける。レジスト層３を設ける方法としては、例えば液状レジストを印刷法やロールコータ方式等を用いて塗布する方法を用いることができる。その後、レジスト層３が設けられた基板１を加熱乾燥してレジスト層に含まれる溶媒成分を揮発させる。
【００１０】
次に、図１（Ｂ）に示すように、レジスト層３の表面に保護フィルム４をラミネートする。ラミネートは、乾燥後のレジスト層が有するタック性を利用して行う。このため、ラミネートのために加熱をする必要がなく、加圧のみでラミネートすることができる。また、保護フィルム４は、紫外線を透過するものであれば使用できるが、前記したようにラミネート時のフィルムの伸び、レジスト層表面への追従性等を考慮すると厚さが１０〜２５μｍのＰＥＴフィルムが好適である。
【００１１】
レジスト層３の表面に保護フィルム４をラミネートした後、この状態で該保護フィルム表面に、ソルダーレジストパターンを有するマスクを密接し、マスクの上から紫外線を照射し、しかる後、マスクを取り除く。図１（Ｃ）はマスクを取り除いた状態を示したもので、未露光部Ａと露光部Ｂができる。本発明では、この露光工程はレジスト層３表面に保護フィルム４が設けられたままの状態で行われるため、保護フィルム４表面に異物が付着しても、該フィルム表面はタック性を有しないため粘着ローラ等で容易に異物を除去することができる。
【００１２】
最終工程では、図（Ｄ）に示すように、保護フィルム４を除去し、レジスト層３表面と現像液を接触させてレジスト層３の現像を行い、ソルダーレジストパターンを有するレジスト層３を得る。その後、必要に応じてスプールに巻き取るが、この工程において残存するレジスト層は露光工程で紫外線が照射された部分のみであり、タック性を失っている。よって、スプールに巻き取るに際しては、通常の平坦なスペーサテープを使用することができる。そして、最後に加熱処理してソルダーレジストを得る。
【００１３】
上記したように、レジスト層表面は保護フィルムで覆われた状態でスプールに巻き取られるためレジスト表面に異物が付着することがない。また、ラミネートに用いる保護フィルムは、形成するソルダーレジストパターンに依存しないためソルダーレジストパターンが異なる毎に変更する必要がない。
【００１４】
【実施例】
次に、本発明の実施例について説明する。本実施例では、液状レジストとして太陽インキ株式会社製のＰＳＲ−４０００ＡＵＳ１０を用い、基材として幅２５０ｍｍ、長さ１０ｍ、厚さ２０μｍの銅層を有する厚さ７５μｍのポリイミドに１５ｍｍ間隔の銅エッチングパターンが６列形成されたものを使用した。
まず、基材の銅エッチングパターンが設けられている側の基材表面に液状レジストを塗布した（図１Ａ）。レジストの塗布には印刷法を採用し、乾燥後の厚さが約３０μｍとなるようにした。その後、温度８０℃で３０分間乾燥し、レジスト層の溶媒成分を揮発させた。
続いて、レジスト層表面に保護フィルムをラミネートした（図１Ｂ）。ラミネート条件は、ロール温度を室温（約２５℃　加熱なし）とし、ロール圧３ｋｇｆ／ｃｍ２、送り速度１ｍ／分の条件で、厚さ１５μｍ、幅２３０ｍｍのＰＥＴフィルムをラミネートし、スプールに巻き取った。
次に、スプールより保護フィルム（ＰＥＴフィルム）をラミネートした基材を巻き戻し、保護フィルムの表面にソルダーレジストパターンを有するマスクを密接し、その上より光量４００ｍＪで紫外線を照射した。その後マスクを除去して図１Ｃに示す状態のものを得、これを再びスプールに巻き取った。
その後、スプールより基材を巻き戻し、保護フィルムを剥がし、温度３０℃、スプレー圧２ｋｇｆ／ｃｍ２、時間１分の条件で濃度１ｗｔ％のＮａ２ＣＯ３水溶液をレジスト層表面に噴射してレジスト層の現像を行った（図１Ｄ）。現像後、幅２５０ｍｍ、厚さ５０μｍのＰＥＴフィルムをスペーサ用テープとして用い、スプールに巻き取った。そして、その基材を所定のサイズに切断し、１５０℃の温度で６０分間加熱処理を施しレジスト層の硬化を行った。
このようにして得られたソルダーレジストの開口部の状態を電子顕微鏡（倍率５００倍）で観察した結果、開口部周辺に現像残り等の痕跡は認められなかった。これにより、異物の付着による現像異常を十分防止できることを確認できた。
【００１５】
比較例
まず、前記実施例と同様、基材の銅エッチングパターンが設けられている側の基材表面に液状レジストを塗布した。レジストの塗布には印刷法を採用し、乾燥後の厚さが約３０μｍとなるようにした。その後、温度８０℃で３０分間乾燥し、レジスト層の溶媒成分を揮発させた。
次に、レジスト層表面に両サイドと幅方向中央部に突起が設けられたエンボステープを載せてスプールにレジスト層を有する基材と共に巻き取った。続いて、このスプールより基材を巻き戻し、レジスト層の表面にソルダーレジストパターンを有するマスクを密接し、その上より光量４００ｍＪで紫外線を照射した。その後マスクを除去して基材を再びスプールに巻き取った。
その後、スプールより基材を巻き戻し、温度３０℃、スプレー圧２ｋｇｆ／ｃｍ２、時間１分の条件で濃度１ｗｔ％のＮａ２ＣＯ３水溶液をレジスト層表面に噴射してレジスト層の現像を行った。現像後、幅２５０ｍｍ、厚さ５０μｍのＰＥＴフィルムをスペーサ用テープとして用い、スプールに巻き取った。そして、その基材を所定のサイズに切断し、１５０℃の温度で６０分間加熱処理を施しレジスト層の硬化を行った。
このようにして得られたソルダーレジストの開口部の状態を電子顕微鏡（倍率５００倍）で観察した結果、開口部周辺が異物により未露光部分となり欠損部分が発生していることが確認された。
【００１６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明方法によれば、保護フィルムの作用によりレジスト層表面への異物の付着を効果的に防止することができるので、異物の付着による現像異常を防止でき常に正常な現像が可能となり、また、ソルダーレジストのパターンが変わっても基材の幅が同一であれば、保護フィルムを変更する必要もないことから、半導体パッケージ用材料製造時のソルダーレジストの形成に多大な効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るソルダーレジストの形成方法の一実施例を示す工程図で、（Ａ）は基板表面にレジスト層を設ける工程を示す概略説明図、（Ｂ）はレジスト層表面に保護フィルムをラミネートする工程を示す概略説明図、（Ｃ）は保護フィルムの上にソルダーレジストパターンを設けて露光を行う工程を示す概略説明図、（Ｄ）はソルダーレジストパターンを有するレジスト層を得る工程を示す概略説明図である。
【図２】従来のソルダーレジストの形成方法に用いるエンボステープを例示したもので、（ａ）は該エンボステープの一部を示す正面図、（ｂ）は同上平面図、（ｃ）は同上側面図である。
【符号の説明】
１　基板
２　配線部
３　レジスト層
４　保護フィルム
Ａ　未露光部
Ｂ　露光部
【図１】
2004079844.tif 000003
【図２】
2004079844.tif 000004