(57)【要約】【課題】良好な特性を有し、且つ、生産性の向上が図られた表面弾性波素子を提供する。【解決手段】本発明に係る表面弾性波素子１は、Ａｌ２Ｏ３層２と、Ａｌ２Ｏ３層２の上に形成された厚さｔｚのＺｎＯ層３と、ＺｎＯ層３の上に形成され、表面弾性波の励振及び受信をおこなう櫛形電極４と、櫛形電極４を覆うと共に、ＺｎＯ層３の上に形成された厚さｔｓのＳｉＯ２層５とを備え、４次モードの表面弾性波の基本波の波長をλとしたときに、ｋｈ１＝２π（ｔｓ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔｚ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸にｋｈ２を与える二次元直交座標グラフにおいて、所定領域の内部又は線分上に与えられ、励起される４次モードの表面弾性波が用いられることを特徴とする。この表面弾性波素子１は、ダイヤモンドに比べて安価な材料で構成される４次モード対応の表面弾性波素子であり、良好な特性を有する表面弾性波素子となっている。【選択図】  図１
2004274277.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｌ２Ｏ３層と、
前記Ａｌ２Ｏ３層の上に形成された厚さｔｚのＺｎＯ層と、
前記ＺｎＯ層の上に形成され、表面弾性波の励振及び受信をおこなう櫛形電極と、
前記櫛形電極を覆うと共に、前記ＺｎＯ層の上に形成された厚さｔｓのＳｉＯ２層とを備え、
４次モードの前記表面弾性波の基本波の波長をλとしたときに、ｋｈ１＝２π（ｔｓ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔｚ／λ）で与えられる前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、横軸に前記ｋｈ１、縦軸に前記ｋｈ２を与える二次元直交座標グラフにおいて、
座標（ｋｈ１＝３．１７５、ｋｈ２＝１．３２５）で与えられる点Ａ０と、
座標（ｋｈ１＝３．６７５、ｋｈ２＝１．３２５）で与えられる点Ａ１と、
座標（ｋｈ１＝３．６７５、ｋｈ２＝１．３７５）で与えられる点Ａ２と、
座標（ｋｈ１＝３．９７５、ｋｈ２＝１．３７５）で与えられる点Ａ３と、
座標（ｋｈ１＝３．９７５、ｋｈ２＝１．４２５）で与えられる点Ａ４と、
座標（ｋｈ１＝４．１２５、ｋｈ２＝１．４２５）で与えられる点Ａ５と、
座標（ｋｈ１＝４．１２５、ｋｈ２＝１．４７５）で与えられる点Ａ６と、
座標（ｋｈ１＝４．２７５、ｋｈ２＝１．４７５）で与えられる点Ａ７と、
座標（ｋｈ１＝４．２７５、ｋｈ２＝１．５２５）で与えられる点Ａ８と、
座標（ｋｈ１＝４．３７５、ｋｈ２＝１．５２５）で与えられる点Ａ９と、
座標（ｋｈ１＝４．３７５、ｋｈ２＝１．５７５）で与えられる点Ａ１０と、
座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝１．５７５）で与えられる点Ａ１１と、
座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝１．６２５）で与えられる点Ａ１２と、
座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝１．６２５）で与えられる点Ａ１３と、
座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ａ１４と、
座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ａ１５と、
座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ａ１６と、
座標（ｋｈ１＝４．６２５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ａ１７と、
座標（ｋｈ１＝４．６２５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ａ１８と、
座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ａ１９と、
座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ａ２０と、
座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ａ２１と、
座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ａ２２と、
座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ａ２３と、
座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ａ２４と、
座標（ｋｈ１＝４．３７５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ａ２５と、
座標（ｋｈ１＝４．３７５、ｋｈ２＝２．０７５）で与えられる点Ａ２６と、
座標（ｋｈ１＝４．３２５、ｋｈ２＝２．０７５）で与えられる点Ａ２７と、
座標（ｋｈ１＝４．３２５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ａ２８と、
座標（ｋｈ１＝４．２７５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ａ２９と、
座標（ｋｈ１＝４．２７５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ａ３０と、
座標（ｋｈ１＝４．２２５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ａ３１と、
座標（ｋｈ１＝４．２２５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ａ３２と、
座標（ｋｈ１＝４．１７５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ａ３３と、
座標（ｋｈ１＝４．１７５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ａ３４と、
座標（ｋｈ１＝４．１２５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ａ３５と、
座標（ｋｈ１＝４．１２５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ａ３６と、
座標（ｋｈ１＝４．０７５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ａ３７と、
座標（ｋｈ１＝４．０７５、ｋｈ２＝１．６２５）で与えられる点Ａ３８と、
座標（ｋｈ１＝３．９７５、ｋｈ２＝１．６２５）で与えられる点Ａ３９と、
座標（ｋｈ１＝３．９７５、ｋｈ２＝１．５７５）で与えられる点Ａ４０と、
座標（ｋｈ１＝３．９２５、ｋｈ２＝１．５７５）で与えられる点Ａ４１と、
座標（ｋｈ１＝３．９２５、ｋｈ２＝１．５２５）で与えられる点Ａ４２と、
座標（ｋｈ１＝３．８２５、ｋｈ２＝１．５２５）で与えられる点Ａ４３と、
座標（ｋｈ１＝３．８２５、ｋｈ２＝１．４７５）で与えられる点Ａ４４と、
座標（ｋｈ１＝３．６７５、ｋｈ２＝１．４７５）で与えられる点Ａ４５と、
座標（ｋｈ１＝３．６７５、ｋｈ２＝１．４２５）で与えられる点Ａ４６と、
座標（ｋｈ１＝３．４７５、ｋｈ２＝１．４２５）で与えられる点Ａ４７と、
座標（ｋｈ１＝３．４７５、ｋｈ２＝１．３７５）で与えられる点Ａ４８と、
座標（ｋｈ１＝３．１７５、ｋｈ２＝１．３７５）で与えられる点Ａ４９と、
前記点Ａ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ａの内部又は前記線分上に与えられ、
励起される前記４次モードの表面弾性波が用いられる、表面弾性波素子。
【請求項２】
前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記二次元直交座標グラフにおいて、
座標（ｋｈ１＝３．９７５、ｋｈ２＝１．５７５）で与えられる点Ｂ０と、
座標（ｋｈ１＝４．０２５、ｋｈ２＝１．５７５）で与えられる点Ｂ１と、
座標（ｋｈ１＝４．０２５、ｋｈ２＝１．６２５）で与えられる点Ｂ２と、
座標（ｋｈ１＝３．９７５、ｋｈ２＝１．６２５）で与えられる点Ｂ３と、
前記点Ｂ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｂと、
座標（ｋｈ１＝４．０７５、ｋｈ２＝１．６２５）で与えられる点Ｃ０と、
座標（ｋｈ１＝４．１２５、ｋｈ２＝１．６２５）で与えられる点Ｃ１と、
座標（ｋｈ１＝４．１２５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ｃ２と、
座標（ｋｈ１＝４．０７５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ｃ３と、
前記点Ｃ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｃと、
座標（ｋｈ１＝４．１２５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ｄ０と、
座標（ｋｈ１＝４．２２５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ｄ１と、
座標（ｋｈ１＝４．２２５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｄ２と、
座標（ｋｈ１＝４．２７５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｄ３と、
座標（ｋｈ１＝４．２７５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｄ４と、
座標（ｋｈ１＝４．３２５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｄ５と、
座標（ｋｈ１＝４．３２５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ｄ６と、
座標（ｋｈ１＝４．３７５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ｄ７と、
座標（ｋｈ１＝４．３７５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｄ８と、
座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｄ９と、
座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｄ１０と、
座標（ｋｈ１＝４．４７５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｄ１１と、
座標（ｋｈ１＝４．４７５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｄ１２と、
座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｄ１３と、
座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｄ１４と、
座標（ｋｈ１＝４．３７５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｄ１５と、
座標（ｋｈ１＝４．３７５、ｋｈ２＝２．０７５）で与えられる点Ｄ１６と、
座標（ｋｈ１＝４．３２５、ｋｈ２＝２．０７５）で与えられる点Ｄ１７と、
座標（ｋｈ１＝４．３２５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｄ１８と、
座標（ｋｈ１＝４．２７５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｄ１９と、
座標（ｋｈ１＝４．２７５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｄ２０と、
座標（ｋｈ１＝４．２２５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｄ２１と、
座標（ｋｈ１＝４．２２５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｄ２２と、
座標（ｋｈ１＝４．１７５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｄ２３と、
座標（ｋｈ１＝４．１７５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｄ２４と、
座標（ｋｈ１＝４．１２５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｄ２５と、
前記点Ｄ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｄとのいずれかの領域の内部又は前記線分上に与えられた、請求項１に記載の表面弾性波素子。
【請求項３】
前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記二次元直交座標グラフにおいて、
座標（ｋｈ１＝４．４７５、ｋｈ２＝１．６２５）で与えられる点Ｅ０と、
座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝１．６２５）で与えられる点Ｅ１と、
座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ｅ２と、
座標（ｋｈ１＝４．４７５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ｅ３と、
前記点Ｅ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｅと、
座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ｆ０と、
座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ｆ１と、
座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｆ２と、
座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｆ３と、
前記点Ｆ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｆと、
座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｇ０と、
座標（ｋｈ１＝４．６２５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｇ１と、
座標（ｋｈ１＝４．６２５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ｇ２と、
座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ｇ３と、
前記点Ｇ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｇと、
座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｈ０と、
座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｈ１と、
座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｈ２と、
座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｈ３と、
前記点Ｈ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｈとのいずれかの領域の内部又は前記線分上に与えられた、請求項１に記載の表面弾性波素子。
【請求項４】
Ａｌ２Ｏ３層と、
前記Ａｌ２Ｏ３層の上に形成された厚さｔｚのＺｎＯ層と、
前記ＺｎＯ層の上に形成され、表面弾性波の励振及び受信をおこなう櫛形電極と、
前記櫛形電極を覆うと共に、前記ＺｎＯ層の上に形成された厚さｔｓのＳｉＯ２層とを備え、
５次モードの前記表面弾性波の基本波の波長をλとしたときに、ｋｈ１＝２π（ｔｓ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔｚ／λ）で与えられる前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、横軸に前記ｋｈ１、縦軸に前記ｋｈ２を与える二次元直交座標グラフにおいて、
座標（ｋｈ１＝４．３７５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｉ０と、
座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｉ１と、
座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｉ２と、
座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｉ３と、
座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｉ４と、
座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｉ５と、
座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ｉ６と、
座標（ｋｈ１＝４．６２５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ｉ７と、
座標（ｋｈ１＝４．６２５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｉ８と、
座標（ｋｈ１＝４．６７５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｉ９と、
座標（ｋｈ１＝４．６７５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｉ１０と、
座標（ｋｈ１＝４．７２５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｉ１１と、
座標（ｋｈ１＝４．７２５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｉ１２と、
座標（ｋｈ１＝４．７７５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｉ１３と、
座標（ｋｈ１＝４．７７５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｉ１４と、
座標（ｋｈ１＝４．８２５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｉ１５と、
座標（ｋｈ１＝４．８２５、ｋｈ２＝２．１２５）で与えられる点Ｉ１６と、
座標（ｋｈ１＝４．８７５、ｋｈ２＝２．１２５）で与えられる点Ｉ１７と、
座標（ｋｈ１＝４．８７５、ｋｈ２＝２．２２５）で与えられる点Ｉ１８と、
座標（ｋｈ１＝４．９２５、ｋｈ２＝２．２２５）で与えられる点Ｉ１９と、
座標（ｋｈ１＝４．９２５、ｋｈ２＝２．３７５）で与えられる点Ｉ２０と、
座標（ｋｈ１＝４．９７５、ｋｈ２＝２．３７５）で与えられる点Ｉ２１と、
座標（ｋｈ１＝４．９７５、ｋｈ２＝２．５７５）で与えられる点Ｉ２２と、
座標（ｋｈ１＝４．９２５、ｋｈ２＝２．５７５）で与えられる点Ｉ２３と、
座標（ｋｈ１＝４．９２５、ｋｈ２＝２．６２５）で与えられる点Ｉ２４と、
座標（ｋｈ１＝４．８７５、ｋｈ２＝２．６２５）で与えられる点Ｉ２５と、
座標（ｋｈ１＝４．８７５、ｋｈ２＝２．６７５）で与えられる点Ｉ２６と、
座標（ｋｈ１＝４．８２５、ｋｈ２＝２．６７５）で与えられる点Ｉ２７と、
座標（ｋｈ１＝４．８２５、ｋｈ２＝２．７２５）で与えられる点Ｉ２８と、
座標（ｋｈ１＝４．７７５、ｋｈ２＝２．７２５）で与えられる点Ｉ２９と、
座標（ｋｈ１＝４．７７５、ｋｈ２＝２．７７５）で与えられる点Ｉ３０と、
座標（ｋｈ１＝４．７２５、ｋｈ２＝２．７７５）で与えられる点Ｉ３１と、
座標（ｋｈ１＝４．７２５、ｋｈ２＝２．８２５）で与えられる点Ｉ３２と、
座標（ｋｈ１＝４．６７５、ｋｈ２＝２．８２５）で与えられる点Ｉ３３と、
座標（ｋｈ１＝４．６７５、ｋｈ２＝２．８７５）で与えられる点Ｉ３４と、
座標（ｋｈ１＝４．６２５、ｋｈ２＝２．８７５）で与えられる点Ｉ３５と、
座標（ｋｈ１＝４．６２５、ｋｈ２＝２．７２５）で与えられる点Ｉ３６と、
座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝２．７２５）で与えられる点Ｉ３７と、
座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝２．５７５）で与えられる点Ｉ３８と、
座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝２．５７５）で与えられる点Ｉ３９と、
座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝２．４２５）で与えられる点Ｉ４０と、
座標（ｋｈ１＝４．４７５、ｋｈ２＝２．４２５）で与えられる点Ｉ４１と、
座標（ｋｈ１＝４．４７５、ｋｈ２＝２．３２５）で与えられる点Ｉ４２と、
座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝２．３２５）で与えられる点Ｉ４３と、
座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝２．１７５）で与えられる点Ｉ４４と、
座標（ｋｈ１＝４．３７５、ｋｈ２＝２．１７５）で与えられる点Ｉ４５と、
前記点Ｉ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｉの内部又は前記線分上に与えられ、
励起される前記５次モードの表面弾性波が用いられる、表面弾性波素子。
【請求項５】
前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記二次元直交座標グラフにおいて、
座標（ｋｈ１＝４．３７５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｊ０と、
座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｊ１と、
座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｊ２と、
座標（ｋｈ１＝４．４７５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｊ３と、
座標（ｋｈ１＝４．４７５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｊ４と、
座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｊ５と、
座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝２．１２５）で与えられる点Ｊ６と、
座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝２．１２５）で与えられる点Ｊ７と、
座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝２．２２５）で与えられる点Ｊ８と、
座標（ｋｈ１＝４．６２５、ｋｈ２＝２．２２５）で与えられる点Ｊ９と、
座標（ｋｈ１＝４．６２５、ｋｈ２＝２．３７５）で与えられる点Ｊ１０と、
座標（ｋｈ１＝４．６７５、ｋｈ２＝２．３７５）で与えられる点Ｊ１１と、
座標（ｋｈ１＝４．６７５、ｋｈ２＝２．６２５）で与えられる点Ｊ１２と、
座標（ｋｈ１＝４．７２５、ｋｈ２＝２．６２５）で与えられる点Ｊ１３と、
座標（ｋｈ１＝４．７２５、ｋｈ２＝２．８２５）で与えられる点Ｊ１４と、
座標（ｋｈ１＝４．６７５、ｋｈ２＝２．８２５）で与えられる点Ｊ１５と、
座標（ｋｈ１＝４．６７５、ｋｈ２＝２．８７５）で与えられる点Ｊ１６と、
座標（ｋｈ１＝４．６２５、ｋｈ２＝２．８７５）で与えられる点Ｊ１７と、
座標（ｋｈ１＝４．６２５、ｋｈ２＝２．７２５）で与えられる点Ｊ１８と、
座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝２．７２５）で与えられる点Ｊ１９と、
座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝２．５７５）で与えられる点Ｊ２０と、
座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝２．５７５）で与えられる点Ｊ２１と、
座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝２．４２５）で与えられる点Ｊ２２と、
座標（ｋｈ１＝４．４７５、ｋｈ２＝２．４２５）で与えられる点Ｊ２３と、
座標（ｋｈ１＝４．４７５、ｋｈ２＝２．３２５）で与えられる点Ｊ２４と、
座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝２．３２５）で与えられる点Ｊ２５と、
座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝２．１７５）で与えられる点Ｊ２６と、
座標（ｋｈ１＝４．３７５、ｋｈ２＝２．１７５）で与えられる点Ｊ２７と、
前記点Ｊ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｊの内部又は前記線分上に与えられた、請求項４に記載の表面弾性波素子。
【請求項６】
前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記二次元直交座標グラフにおいて、
座標（ｋｈ１＝４．６２５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｋ０と、
座標（ｋｈ１＝４．６７５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｋ１と、
座標（ｋｈ１＝４．６７５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｋ２と、
座標（ｋｈ１＝４．７２５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｋ３と、
座標（ｋｈ１＝４．７２５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｋ４と、
座標（ｋｈ１＝４．７７５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｋ５と、
座標（ｋｈ１＝４．７７５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｋ６と、
座標（ｋｈ１＝４．８２５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｋ７と、
座標（ｋｈ１＝４．８２５、ｋｈ２＝２．１２５）で与えられる点Ｋ８と、
座標（ｋｈ１＝４．８７５、ｋｈ２＝２．１２５）で与えられる点Ｋ９と、
座標（ｋｈ１＝４．８７５、ｋｈ２＝２．２２５）で与えられる点Ｋ１０と、
座標（ｋｈ１＝４．９２５、ｋｈ２＝２．２２５）で与えられる点Ｋ１１と、
座標（ｋｈ１＝４．９２５、ｋｈ２＝２．３７５）で与えられる点Ｋ１２と、
座標（ｋｈ１＝４．９７５、ｋｈ２＝２．３７５）で与えられる点Ｋ１３と、
座標（ｋｈ１＝４．９７５、ｋｈ２＝２．５７５）で与えられる点Ｋ１４と、
座標（ｋｈ１＝４．９２５、ｋｈ２＝２．５７５）で与えられる点Ｋ１５と、
座標（ｋｈ１＝４．９２５、ｋｈ２＝２．６２５）で与えられる点Ｋ１６と、
座標（ｋｈ１＝４．８７５、ｋｈ２＝２．６２５）で与えられる点Ｋ１７と、
座標（ｋｈ１＝４．８７５、ｋｈ２＝２．５７５）で与えられる点Ｋ１８と、
座標（ｋｈ１＝４．８２５、ｋｈ２＝２．５７５）で与えられる点Ｋ１９と、
座標（ｋｈ１＝４．８２５、ｋｈ２＝２．４２５）で与えられる点Ｋ２０と、
座標（ｋｈ１＝４．７７５、ｋｈ２＝２．４２５）で与えられる点Ｋ２１と、
座標（ｋｈ１＝４．７７５、ｋｈ２＝２．２７５）で与えられる点Ｋ２２と、
座標（ｋｈ１＝４．７２５、ｋｈ２＝２．２７５）で与えられる点Ｋ２３と、
座標（ｋｈ１＝４．７２５、ｋｈ２＝２．１２５）で与えられる点Ｋ２４と、
座標（ｋｈ１＝４．６７５、ｋｈ２＝２．１２５）で与えられる点Ｋ２５と、
座標（ｋｈ１＝４．６７５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｋ２６と、
座標（ｋｈ１＝４．６２５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｋ２７と、
前記点Ｋ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｋの内部又は前記線分上に与えられた、請求項４に記載の表面弾性波素子。
【請求項７】
Ａｌ２Ｏ３層と、
前記Ａｌ２Ｏ３層の上に形成された厚さｔｚのＺｎＯ層と、
前記ＺｎＯ層の上に形成され、表面弾性波の励振及び受信をおこなう櫛形電極と、
前記櫛形電極を覆うと共に、前記ＺｎＯ層の上に形成された厚さｔｓのＳｉＯ２層とを備え、
６次モードの前記表面弾性波の基本波の波長をλとしたときに、ｋｈ１＝２π（ｔｓ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔｚ／λ）で与えられる前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、横軸に前記ｋｈ１、縦軸に前記ｋｈ２を与える二次元直交座標グラフにおいて、
座標（ｋｈ１＝６．０７５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｌ０と、
座標（ｋｈ１＝６．１２５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｌ１と、
座標（ｋｈ１＝６．１２５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ｌ２と、
座標（ｋｈ１＝６．１７５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ｌ３と、
座標（ｋｈ１＝６．１７５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｌ４と、
座標（ｋｈ１＝６．２７５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｌ５と、
座標（ｋｈ１＝６．２７５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｌ６と、
座標（ｋｈ１＝６．５２５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｌ７と、
座標（ｋｈ１＝６．５２５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ｌ８と、
座標（ｋｈ１＝６．６７５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ｌ９と、
座標（ｋｈ１＝６．６７５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｌ１０と、
座標（ｋｈ１＝６．９７５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｌ１１と、
座標（ｋｈ１＝６．９７５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｌ１２と、
座標（ｋｈ１＝７．１２５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｌ１３と、
座標（ｋｈ１＝７．１２５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ｌ１４と、
座標（ｋｈ１＝７．２２５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ｌ１５と、
座標（ｋｈ１＝７．２２５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｌ１６と、
座標（ｋｈ１＝７．３２５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｌ１７と、
座標（ｋｈ１＝７．３２５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｌ１８と、
座標（ｋｈ１＝７．３７５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｌ１９と、
座標（ｋｈ１＝７．３７５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｌ２０と、
座標（ｋｈ１＝７．４２５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｌ２１と、
座標（ｋｈ１＝７．４２５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｌ２２と、
座標（ｋｈ１＝７．４７５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｌ２３と、
座標（ｋｈ１＝７．４７５、ｋｈ２＝２．１２５）で与えられる点Ｌ２４と、
座標（ｋｈ１＝７．３７５、ｋｈ２＝２．１２５）で与えられる点Ｌ２５と、
座標（ｋｈ１＝７．３７５、ｋｈ２＝２．１７５）で与えられる点Ｌ２６と、
座標（ｋｈ１＝７．２７５、ｋｈ２＝２．１７５）で与えられる点Ｌ２７と、
座標（ｋｈ１＝７．２７５、ｋｈ２＝２．２２５）で与えられる点Ｌ２８と、
座標（ｋｈ１＝７．０７５、ｋｈ２＝２．２２５）で与えられる点Ｌ２９と、
座標（ｋｈ１＝７．０７５、ｋｈ２＝２．２７５）で与えられる点Ｌ３０と、
座標（ｋｈ１＝６．８７５、ｋｈ２＝２．２７５）で与えられる点Ｌ３１と、
座標（ｋｈ１＝６．８７５、ｋｈ２＝２．３２５）で与えられる点Ｌ３２と、
座標（ｋｈ１＝６．５２５、ｋｈ２＝２．３２５）で与えられる点Ｌ３３と、
座標（ｋｈ１＝６．５２５、ｋｈ２＝２．３７５）で与えられる点Ｌ３４と、
座標（ｋｈ１＝６．３２５、ｋｈ２＝２．３７５）で与えられる点Ｌ３５と、
座標（ｋｈ１＝６．３２５、ｋｈ２＝２．３２５）で与えられる点Ｌ３６と、
座標（ｋｈ１＝６．２７５、ｋｈ２＝２．３２５）で与えられる点Ｌ３７と、
座標（ｋｈ１＝６．２７５、ｋｈ２＝２．２７５）で与えられる点Ｌ３８と、
座標（ｋｈ１＝６．２２５、ｋｈ２＝２．２７５）で与えられる点Ｌ３９と、
座標（ｋｈ１＝６．２２５、ｋｈ２＝２．２２５）で与えられる点Ｌ４０と、
座標（ｋｈ１＝６．１７５、ｋｈ２＝２．２２５）で与えられる点Ｌ４１と、
座標（ｋｈ１＝６．１７５、ｋｈ２＝２．１７５）で与えられる点Ｌ４２と、
座標（ｋｈ１＝６．１２５、ｋｈ２＝２．１７５）で与えられる点Ｌ４３と、
座標（ｋｈ１＝６．１２５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｌ４４と、
座標（ｋｈ１＝６．０７５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｌ４５と、
前記点Ｌ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｌの内部又は前記線分上に与えられ、
励起される前記６次モードの表面弾性波が用いられる、表面弾性波素子。
【請求項８】
前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記二次元直交座標グラフにおいて、
座標（ｋｈ１＝６．０７５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｍ０と、
座標（ｋｈ１＝６．１２５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｍ１と、
座標（ｋｈ１＝６．１２５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ｍ２と、
座標（ｋｈ１＝６．１７５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ｍ３と、
座標（ｋｈ１＝６．１７５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｍ４と、
座標（ｋｈ１＝６．２７５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｍ５と、
座標（ｋｈ１＝６．２７５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｍ６と、
座標（ｋｈ１＝６．５２５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｍ７と、
座標（ｋｈ１＝６．５２５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ｍ８と、
座標（ｋｈ１＝６．６７５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ｍ９と、
座標（ｋｈ１＝６．６７５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｍ１０と、
座標（ｋｈ１＝６．９７５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｍ１１と、
座標（ｋｈ１＝６．９７５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｍ１２と、
座標（ｋｈ１＝７．１２５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｍ１３と、
座標（ｋｈ１＝７．１２５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ｍ１４と、
座標（ｋｈ１＝７．２２５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ｍ１５と、
座標（ｋｈ１＝７．２２５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｍ１６と、
座標（ｋｈ１＝７．３２５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｍ１７と、
座標（ｋｈ１＝７．３２５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｍ１８と、
座標（ｋｈ１＝７．３７５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｍ１９と、
座標（ｋｈ１＝７．３７５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｍ２０と、
座標（ｋｈ１＝７．４２５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｍ２１と、
座標（ｋｈ１＝７．４２５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｍ２２と、
座標（ｋｈ１＝７．４７５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｍ２３と、
座標（ｋｈ１＝７．４７５、ｋｈ２＝２．１２５）で与えられる点Ｍ２４と、
座標（ｋｈ１＝７．３７５、ｋｈ２＝２．１２５）で与えられる点Ｍ２５と、
座標（ｋｈ１＝７．３７５、ｋｈ２＝２．１７５）で与えられる点Ｍ２６と、
座標（ｋｈ１＝７．２２５、ｋｈ２＝２．１７５）で与えられる点Ｍ２７と、
座標（ｋｈ１＝７．２２５、ｋｈ２＝２．１２５）で与えられる点Ｍ２８と、
座標（ｋｈ１＝７．１７５、ｋｈ２＝２．１２５）で与えられる点Ｍ２９と、
座標（ｋｈ１＝７．１７５、ｋｈ２＝２．０７５）で与えられる点Ｍ３０と、
座標（ｋｈ１＝７．０７５、ｋｈ２＝２．０７５）で与えられる点Ｍ３１と、
座標（ｋｈ１＝７．０７５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｍ３２と、
座標（ｋｈ１＝７．０２５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｍ３３と、
座標（ｋｈ１＝７．０２５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｍ３４と、
座標（ｋｈ１＝６．９２５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｍ３５と、
座標（ｋｈ１＝６．９２５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｍ３６と、
座標（ｋｈ１＝６．７７５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｍ３７と、
座標（ｋｈ１＝６．７７５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｍ３８と、
座標（ｋｈ１＝６．３２５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｍ３９と、
座標（ｋｈ１＝６．３２５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｍ４０と、
座標（ｋｈ１＝６．１７５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｍ４１と、
座標（ｋｈ１＝６．１７５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｍ４２と、
座標（ｋｈ１＝６．１２５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｍ４３と、
座標（ｋｈ１＝６．１２５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｍ４４と、
座標（ｋｈ１＝６．０７５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｍ４５と、
前記点Ｍ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｍと、
座標（ｋｈ１＝７．１７５、ｋｈ２＝２．１７５）で与えられる点Ｎ０と、
座標（ｋｈ１＝７．２２５、ｋｈ２＝２．１７５）で与えられる点Ｎ１と、
座標（ｋｈ１＝７．２２５、ｋｈ２＝２．２２５）で与えられる点Ｎ２と、
座標（ｋｈ１＝７．１７５、ｋｈ２＝２．２２５）で与えられる点Ｎ３と、
前記点Ｎ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｎと、
座標（ｋｈ１＝７．０２５、ｋｈ２＝２．２２５）で与えられる点Ｏ０と、
座標（ｋｈ１＝７．０７５、ｋｈ２＝２．２２５）で与えられる点Ｏ１と、
座標（ｋｈ１＝７．０７５、ｋｈ２＝２．２７５）で与えられる点Ｏ２と、
座標（ｋｈ１＝７．０２５、ｋｈ２＝２．２７５）で与えられる点Ｏ３と、
前記点Ｏ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｏと、
座標（ｋｈ１＝６．６７５、ｋｈ２＝２．２７５）で与えられる点Ｐ０と、
座標（ｋｈ１＝６．７７５、ｋｈ２＝２．２７５）で与えられる点Ｐ１と、
座標（ｋｈ１＝６．７７５、ｋｈ２＝２．３２５）で与えられる点Ｐ２と、
座標（ｋｈ１＝６．６７５、ｋｈ２＝２．３２５）で与えられる点Ｐ３と、
前記点Ｐ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｐと、
座標（ｋｈ１＝６．４７５、ｋｈ２＝２．３２５）で与えられる点Ｑ０と、
座標（ｋｈ１＝６．５２５、ｋｈ２＝２．３２５）で与えられる点Ｑ１と、
座標（ｋｈ１＝６．５２５、ｋｈ２＝２．３７５）で与えられる点Ｑ２と、
座標（ｋｈ１＝６．４７５、ｋｈ２＝２．３７５）で与えられる点Ｑ３と、
前記点Ｑ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｑとのいずれかの領域の内部又は前記線分上に与えられた、請求項７に記載の表面弾性波素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波フィルタなどに適用される表面弾性波素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ダイヤモンドを含む表面弾性波素子としては、下記特許文献１に示した公報に記載されているように、ダイヤモンド層の上にＺｎＯ層を形成し、このＺｎＯ層の上に表面弾性波の励振及び受信をおこなう櫛形電極を形成し、さらに、ＺｎＯ層の上に櫛形電極を覆うようにしてＳｉＯ２層を形成した表面弾性波素子が広く知られている。この表面弾性波素子は、櫛形電極の厚さ、ＺｎＯ層の厚さ及びＳｉＯ２の厚さを最適な組み合わせにすることにより、良好な伝搬特性、電気機械結合係数（Ｋ２）及び周波数温度特性（ＴＣＦ）を実現し、さらに良好な伝搬損失を実現しようとするものであり、伝搬速度１２０００ｍ／ｓにおいて、Ｋ２＝７％、ＴＣＦ＝０ｐｐｍ／℃が実現されている。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−３３９２６９号公報
【特許文献２】
特開２００１−３３９２７０号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述した従来の表面弾性波素子は材料として、比較的高価なダイヤモンドを用いるために製造コストが高くなってしまう。そのため、上述の表面弾性波素子では生産性の向上が図りづらいという問題があった。
【０００５】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、良好な特性を有し、且つ、生産性の向上が図られた表面弾性波素子を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る表面弾性波素子は、Ａｌ２Ｏ３層と、Ａｌ２Ｏ３層の上に形成された厚さｔｚのＺｎＯ層と、ＺｎＯ層の上に形成され、表面弾性波の励振及び受信をおこなう櫛形電極と、櫛形電極を覆うと共に、ＺｎＯ層の上に形成された厚さｔｓのＳｉＯ２層とを備え、４次モードの表面弾性波の基本波の波長をλとしたときに、ｋｈ１＝２π（ｔｓ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔｚ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸にｋｈ２を与える二次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝３．１７５、ｋｈ２＝１．３２５）で与えられる点Ａ０と、座標（ｋｈ１＝３．６７５、ｋｈ２＝１．３２５）で与えられる点Ａ１と、座標（ｋｈ１＝３．６７５、ｋｈ２＝１．３７５）で与えられる点Ａ２と、座標（ｋｈ１＝３．９７５、ｋｈ２＝１．３７５）で与えられる点Ａ３と、座標（ｋｈ１＝３．９７５、ｋｈ２＝１．４２５）で与えられる点Ａ４と、座標（ｋｈ１＝４．１２５、ｋｈ２＝１．４２５）で与えられる点Ａ５と、座標（ｋｈ１＝４．１２５、ｋｈ２＝１．４７５）で与えられる点Ａ６と、座標（ｋｈ１＝４．２７５、ｋｈ２＝１．４７５）で与えられる点Ａ７と、座標（ｋｈ１＝４．２７５、ｋｈ２＝１．５２５）で与えられる点Ａ８と、座標（ｋｈ１＝４．３７５、ｋｈ２＝１．５２５）で与えられる点Ａ９と、座標（ｋｈ１＝４．３７５、ｋｈ２＝１．５７５）で与えられる点Ａ１０と、座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝１．５７５）で与えられる点Ａ１１と、座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝１．６２５）で与えられる点Ａ１２と、座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝１．６２５）で与えられる点Ａ１３と、座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ａ１４と、座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ａ１５と、座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ａ１６と、座標（ｋｈ１＝４．６２５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ａ１７と、座標（ｋｈ１＝４．６２５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ａ１８と、座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ａ１９と、座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ａ２０と、座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ａ２１と、座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ａ２２と、座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ａ２３と、座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ａ２４と、座標（ｋｈ１＝４．３７５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ａ２５と、座標（ｋｈ１＝４．３７５、ｋｈ２＝２．０７５）で与えられる点Ａ２６と、座標（ｋｈ１＝４．３２５、ｋｈ２＝２．０７５）で与えられる点Ａ２７と、座標（ｋｈ１＝４．３２５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ａ２８と、座標（ｋｈ１＝４．２７５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ａ２９と、座標（ｋｈ１＝４．２７５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ａ３０と、座標（ｋｈ１＝４．２２５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ａ３１と、座標（ｋｈ１＝４．２２５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ａ３２と、��標（ｋｈ１＝４．１７５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ａ３３と、座標（ｋｈ１＝４．１７５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ａ３４と、座標（ｋｈ１＝４．１２５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ａ３５と、座標（ｋｈ１＝４．１２５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ａ３６と、座標（ｋｈ１＝４．０７５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ａ３７と、座標（ｋｈ１＝４．０７５、ｋｈ２＝１．６２５）で与えられる点Ａ３８と、座標（ｋｈ１＝３．９７５、ｋｈ２＝１．６２５）で与えられる点Ａ３９と、座標（ｋｈ１＝３．９７５、ｋｈ２＝１．５７５）で与えられる点Ａ４０と、座標（ｋｈ１＝３．９２５、ｋｈ２＝１．５７５）で与えられる点Ａ４１と、座標（ｋｈ１＝３．９２５、ｋｈ２＝１．５２５）で与えられる点Ａ４２と、座標（ｋｈ１＝３．８２５、ｋｈ２＝１．５２５）で与えられる点Ａ４３と、座標（ｋｈ１＝３．８２５、ｋｈ２＝１．４７５）で与えられる点Ａ４４と、座標（ｋｈ１＝３．６７５、ｋｈ２＝１．４７５）で与えられる点Ａ４５と、座標（ｋｈ１＝３．６７５、ｋｈ２＝１．４２５）で与えられる点Ａ４６と、座標（ｋｈ１＝３．４７５、ｋｈ２＝１．４２５）で与えられる点Ａ４７と、座標（ｋｈ１＝３．４７５、ｋｈ２＝１．３７５）で与えられる点Ａ４８と、座標（ｋｈ１＝３．１７５、ｋｈ２＝１．３７５）で与えられる点Ａ４９と、点Ａ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ａの内部又は線分上に与えられ、励起される４次モードの表面弾性波が用いられることを特徴とする。
【０００７】
この表面弾性波素子は、ダイヤモンドに比べて安価な材料で構成される、Ａｌ２Ｏ３層、ＺｎＯ層及びＳｉＯ２層を備える４次モード対応の表面弾性波素子であり、且つ、電気機械結合係数（Ｋ２）が２．２％以上、周波数温度特性が２０ｐｐｍ／Ｋ以下である、良好な特性を有する表面弾性波素子となっている。
【０００８】
また、ｋｈ１及びｋｈ２が、二次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝３．９７５、ｋｈ２＝１．５７５）で与えられる点Ｂ０と、座標（ｋｈ１＝４．０２５、ｋｈ２＝１．５７５）で与えられる点Ｂ１と、座標（ｋｈ１＝４．０２５、ｋｈ２＝１．６２５）で与えられる点Ｂ２と、座標（ｋｈ１＝３．９７５、ｋｈ２＝１．６２５）で与えられる点Ｂ３と、点Ｂ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｂと、座標（ｋｈ１＝４．０７５、ｋｈ２＝１．６２５）で与えられる点Ｃ０と、座標（ｋｈ１＝４．１２５、ｋｈ２＝１．６２５）で与えられる点Ｃ１と、座標（ｋｈ１＝４．１２５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ｃ２と、座標（ｋｈ１＝４．０７５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ｃ３と、点Ｃ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｃと、座標（ｋｈ１＝４．１２５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ｄ０と、座標（ｋｈ１＝４．２２５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ｄ１と、座標（ｋｈ１＝４．２２５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｄ２と、座標（ｋｈ１＝４．２７５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｄ３と、座標（ｋｈ１＝４．２７５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｄ４と、座標（ｋｈ１＝４．３２５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｄ５と、座標（ｋｈ１＝４．３２５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ｄ６と、座標（ｋｈ１＝４．３７５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ｄ７と、座標（ｋｈ１＝４．３７５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｄ８と、座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｄ９と、座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｄ１０と、座標（ｋｈ１＝４．４７５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｄ１１と、座標（ｋｈ１＝４．４７５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｄ１２と、座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｄ１３と、座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｄ１４と、座標（ｋｈ１＝４．３７５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｄ１５と、座標（ｋｈ１＝４．３７５、ｋｈ２＝２．０７５）で与えられる点Ｄ１６と、座標（ｋｈ１＝４．３２５、ｋｈ２＝２．０７５）で与えられる点Ｄ１７と、座標（ｋｈ１＝４．３２５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｄ１８と、座標（ｋｈ１＝４．２７５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｄ１９と、座標（ｋｈ１＝４．２７５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｄ２０と、座標（ｋｈ１＝４．２２５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｄ２１と、座標（ｋｈ１＝４．２２５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｄ２２と、座標（ｋｈ１＝４．１７５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｄ２３と、座標（ｋｈ１＝４．１７５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｄ２４と、座標（ｋｈ１＝４．１２５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｄ２５と、点Ｄ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｄとのいずれかの領域の内部又は線分上に与えられることが好ましい。この場合、電気機械結合係数（Ｋ２）が２．５％以上、周波数温度特性（ＴＣＦ）が２０ｐｐｍ／Ｋ以下となり、さらに良好な特性を有する表面弾性波素子が得られる。
【０００９】
また、ｋｈ１及びｋｈ２が、二次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝４．４７５、ｋｈ２＝１．６２５）で与えられる点Ｅ０と、座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝１．６２５）で与えられる点Ｅ１と、座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ｅ２と、座標（ｋｈ１＝４．４７５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ｅ３と、点Ｅ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｅと、座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ｆ０と、座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ｆ１と、座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｆ２と、座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｆ３と、点Ｆ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｆと、座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｇ０と、座標（ｋｈ１＝４．６２５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｇ１と、座標（ｋｈ１＝４．６２５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ｇ２と、座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ｇ３と、点Ｇ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｇと、座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｈ０と、座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｈ１と、座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｈ２と、座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｈ３と、点Ｈ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｈとのいずれかの領域の内部又は線分上に与えられることが好ましい。この場合、電気機械結合係数（Ｋ２）が２．２％以上、周波数温度特性（ＴＣＦ）が１０ｐｐｍ／Ｋ以下となり、さらに良好な特性を有する表面弾性波素子が得られる。
【００１０】
本発明に係る表面弾性波素子は、Ａｌ２Ｏ３層と、Ａｌ２Ｏ３層の上に形成された厚さｔｚのＺｎＯ層と、ＺｎＯ層の上に形成され、表面弾性波の励振及び受信をおこなう櫛形電極と、櫛形電極を覆うと共に、ＺｎＯ層の上に形成された厚さｔｓのＳｉＯ２層とを備え、５次モードの表面弾性波の基本波の波長をλとしたときに、ｋｈ１＝２π（ｔｓ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔｚ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸にｋｈ２を与える二次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝４．３７５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｉ０と、座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｉ１と、座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｉ２と、座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｉ３と、座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｉ４と、座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｉ５と、座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ｉ６と、座標（ｋｈ１＝４．６２５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ｉ７と、座標（ｋｈ１＝４．６２５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｉ８と、座標（ｋｈ１＝４．６７５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｉ９と、座標（ｋｈ１＝４．６７５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｉ１０と、座標（ｋｈ１＝４．７２５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｉ１１と、座標（ｋｈ１＝４．７２５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｉ１２と、座標（ｋｈ１＝４．７７５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｉ１３と、座標（ｋｈ１＝４．７７５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｉ１４と、座標（ｋｈ１＝４．８２５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｉ１５と、座標（ｋｈ１＝４．８２５、ｋｈ２＝２．１２５）で与えられる点Ｉ１６と、座標（ｋｈ１＝４．８７５、ｋｈ２＝２．１２５）で与えられる点Ｉ１７と、座標（ｋｈ１＝４．８７５、ｋｈ２＝２．２２５）で与えられる点Ｉ１８と、座標（ｋｈ１＝４．９２５、ｋｈ２＝２．２２５）で与えられる点Ｉ１９と、座標（ｋｈ１＝４．９２５、ｋｈ２＝２．３７５）で与えられる点Ｉ２０と、座標（ｋｈ１＝４．９７５、ｋｈ２＝２．３７５）で与えられる点Ｉ２１と、座標（ｋｈ１＝４．９７５、ｋｈ２＝２．５７５）で与えられる点Ｉ２２と、座標（ｋｈ１＝４．９２５、ｋｈ２＝２．５７５）で与えられる点Ｉ２３と、座標（ｋｈ１＝４．９２５、ｋｈ２＝２．６２５）で与えられる点Ｉ２４と、座標（ｋｈ１＝４．８７５、ｋｈ２＝２．６２５）で与えられる点Ｉ２５と、座標（ｋｈ１＝４．８７５、ｋｈ２＝２．６７５）で与えられる点Ｉ２６と、座標（ｋｈ１＝４．８２５、ｋｈ２＝２．６７５）で与えられる点Ｉ２７と、座標（ｋｈ１＝４．８２５、ｋｈ２＝２．７２５）で与えられる点Ｉ２８と、座標（ｋｈ１＝４．７７５、ｋｈ２＝２．７２５）で与えられる点Ｉ２９と、座標（ｋｈ１＝４．７７５、ｋｈ２＝２．７７５）で与えられる点Ｉ３０と、座標（ｋｈ１＝４．７２５、ｋｈ２＝２．７７５）で与えられる点Ｉ３１と、座標（ｋｈ１＝４．７２５、ｋｈ２＝２．８２５）で与えられる点Ｉ３２と、��標（ｋｈ１＝４．６７５、ｋｈ２＝２．８２５）で与えられる点Ｉ３３と、座標（ｋｈ１＝４．６７５、ｋｈ２＝２．８７５）で与えられる点Ｉ３４と、座標（ｋｈ１＝４．６２５、ｋｈ２＝２．８７５）で与えられる点Ｉ３５と、座標（ｋｈ１＝４．６２５、ｋｈ２＝２．７２５）で与えられる点Ｉ３６と、座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝２．７２５）で与えられる点Ｉ３７と、座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝２．５７５）で与えられる点Ｉ３８と、座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝２．５７５）で与えられる点Ｉ３９と、座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝２．４２５）で与えられる点Ｉ４０と、座標（ｋｈ１＝４．４７５、ｋｈ２＝２．４２５）で与えられる点Ｉ４１と、座標（ｋｈ１＝４．４７５、ｋｈ２＝２．３２５）で与えられる点Ｉ４２と、座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝２．３２５）で与えられる点Ｉ４３と、座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝２．１７５）で与えられる点Ｉ４４と、座標（ｋｈ１＝４．３７５、ｋｈ２＝２．１７５）で与えられる点Ｉ４５と、点Ｉ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｉの内部又は線分上に与えられ、励起される５次モードの表面弾性波が用いられることを特徴とする。
【００１１】
この表面弾性波素子は、ダイヤモンドに比べて安価な材料で構成されるＡｌ２Ｏ３層、ＺｎＯ層及びＳｉＯ２層を備える５次モード対応の表面弾性波素子であり、且つ、電気機械結合係数（Ｋ２）が２．２％以上、周波数温度特性が２０ｐｐｍ／Ｋ以下である、良好な特性を有する表面弾性波素子となっている。
【００１２】
また、ｋｈ１及びｋｈ２が、二次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝４．３７５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｊ０と、座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｊ１と、座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｊ２と、座標（ｋｈ１＝４．４７５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｊ３と、座標（ｋｈ１＝４．４７５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｊ４と、座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｊ５と、座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝２．１２５）で与えられる点Ｊ６と、座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝２．１２５）で与えられる点Ｊ７と、座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝２．２２５）で与えられる点Ｊ８と、座標（ｋｈ１＝４．６２５、ｋｈ２＝２．２２５）で与えられる点Ｊ９と、座標（ｋｈ１＝４．６２５、ｋｈ２＝２．３７５）で与えられる点Ｊ１０と、座標（ｋｈ１＝４．６７５、ｋｈ２＝２．３７５）で与えられる点Ｊ１１と、座標（ｋｈ１＝４．６７５、ｋｈ２＝２．６２５）で与えられる点Ｊ１２と、座標（ｋｈ１＝４．７２５、ｋｈ２＝２．６２５）で与えられる点Ｊ１３と、座標（ｋｈ１＝４．７２５、ｋｈ２＝２．８２５）で与えられる点Ｊ１４と、座標（ｋｈ１＝４．６７５、ｋｈ２＝２．８２５）で与えられる点Ｊ１５と、座標（ｋｈ１＝４．６７５、ｋｈ２＝２．８７５）で与えられる点Ｊ１６と、座標（ｋｈ１＝４．６２５、ｋｈ２＝２．８７５）で与えられる点Ｊ１７と、座標（ｋｈ１＝４．６２５、ｋｈ２＝２．７２５）で与えられる点Ｊ１８と、座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝２．７２５）で与えられる点Ｊ１９と、座標（ｋｈ１＝４．５７５、ｋｈ２＝２．５７５）で与えられる点Ｊ２０と、座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝２．５７５）で与えられる点Ｊ２１と、座標（ｋｈ１＝４．５２５、ｋｈ２＝２．４２５）で与えられる点Ｊ２２と、座標（ｋｈ１＝４．４７５、ｋｈ２＝２．４２５）で与えられる点Ｊ２３と、座標（ｋｈ１＝４．４７５、ｋｈ２＝２．３２５）で与えられる点Ｊ２４と、座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝２．３２５）で与えられる点Ｊ２５と、座標（ｋｈ１＝４．４２５、ｋｈ２＝２．１７５）で与えられる点Ｊ２６と、座標（ｋｈ１＝４．３７５、ｋｈ２＝２．１７５）で与えられる点Ｊ２７と、点Ｊ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｊの内部又は線分上に与えられることが好ましい。この場合、電気機械結合係数（Ｋ２）が２．５％以上、周波数温度特性（ＴＣＦ）が２０ｐｐｍ／Ｋ以下となり、さらに良好な特性を有する表面弾性波素子が得られる。
【００１３】
また、ｋｈ１及びｋｈ２が、二次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝４．６２５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｋ０と、座標（ｋｈ１＝４．６７５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｋ１と、座標（ｋｈ１＝４．６７５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｋ２と、座標（ｋｈ１＝４．７２５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｋ３と、座標（ｋｈ１＝４．７２５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｋ４と、座標（ｋｈ１＝４．７７５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｋ５と、座標（ｋｈ１＝４．７７５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｋ６と、座標（ｋｈ１＝４．８２５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｋ７と、座標（ｋｈ１＝４．８２５、ｋｈ２＝２．１２５）で与えられる点Ｋ８と、座標（ｋｈ１＝４．８７５、ｋｈ２＝２．１２５）で与えられる点Ｋ９と、座標（ｋｈ１＝４．８７５、ｋｈ２＝２．２２５）で与えられる点Ｋ１０と、座標（ｋｈ１＝４．９２５、ｋｈ２＝２．２２５）で与えられる点Ｋ１１と、座標（ｋｈ１＝４．９２５、ｋｈ２＝２．３７５）で与えられる点Ｋ１２と、座標（ｋｈ１＝４．９７５、ｋｈ２＝２．３７５）で与えられる点Ｋ１３と、座標（ｋｈ１＝４．９７５、ｋｈ２＝２．５７５）で与えられる点Ｋ１４と、座標（ｋｈ１＝４．９２５、ｋｈ２＝２．５７５）で与えられる点Ｋ１５と、座標（ｋｈ１＝４．９２５、ｋｈ２＝２．６２５）で与えられる点Ｋ１６と、座標（ｋｈ１＝４．８７５、ｋｈ２＝２．６２５）で与えられる点Ｋ１７と、座標（ｋｈ１＝４．８７５、ｋｈ２＝２．５７５）で与えられる点Ｋ１８と、座標（ｋｈ１＝４．８２５、ｋｈ２＝２．５７５）で与えられる点Ｋ１９と、座標（ｋｈ１＝４．８２５、ｋｈ２＝２．４２５）で与えられる点Ｋ２０と、座標（ｋｈ１＝４．７７５、ｋｈ２＝２．４２５）で与えられる点Ｋ２１と、座標（ｋｈ１＝４．７７５、ｋｈ２＝２．２７５）で与えられる点Ｋ２２と、座標（ｋｈ１＝４．７２５、ｋｈ２＝２．２７５）で与えられる点Ｋ２３と、座標（ｋｈ１＝４．７２５、ｋｈ２＝２．１２５）で与えられる点Ｋ２４と、座標（ｋｈ１＝４．６７５、ｋｈ２＝２．１２５）で与えられる点Ｋ２５と、座標（ｋｈ１＝４．６７５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｋ２６と、座標（ｋｈ１＝４．６２５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｋ２７と、点Ｋ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｋの内部又は線分上に与えられることが好ましい。この場合、この場合、電気機械結合係数（Ｋ２）が２．２％以上、周波数温度特性（ＴＣＦ）が１０ｐｐｍ／Ｋ以下となり、さらに良好な特性を有する表面弾性波素子が得られる。
【００１４】
本発明に係る表面弾性波素子は、Ａｌ２Ｏ３層と、Ａｌ２Ｏ３層の上に形成された厚さｔｚのＺｎＯ層と、ＺｎＯ層の上に形成され、表面弾性波の励振及び受信をおこなう櫛形電極と、櫛形電極を覆うと共に、ＺｎＯ層の上に形成された厚さｔｓのＳｉＯ２層とを備え、６次モードの表面弾性波の基本波の波長をλとしたときに、ｋｈ１＝２π（ｔｓ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔｚ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸にｋｈ２を与える二次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝６．０７５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｌ０と、座標（ｋｈ１＝６．１２５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｌ１と、座標（ｋｈ１＝６．１２５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ｌ２と、座標（ｋｈ１＝６．１７５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ｌ３と、座標（ｋｈ１＝６．１７５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｌ４と、座標（ｋｈ１＝６．２７５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｌ５と、座標（ｋｈ１＝６．２７５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｌ６と、座標（ｋｈ１＝６．５２５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｌ７と、座標（ｋｈ１＝６．５２５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ｌ８と、座標（ｋｈ１＝６．６７５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ｌ９と、座標（ｋｈ１＝６．６７５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｌ１０と、座標（ｋｈ１＝６．９７５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｌ１１と、座標（ｋｈ１＝６．９７５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｌ１２と、座標（ｋｈ１＝７．１２５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｌ１３と、座標（ｋｈ１＝７．１２５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ｌ１４と、座標（ｋｈ１＝７．２２５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ｌ１５と、座標（ｋｈ１＝７．２２５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｌ１６と、座標（ｋｈ１＝７．３２５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｌ１７と、座標（ｋｈ１＝７．３２５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｌ１８と、座標（ｋｈ１＝７．３７５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｌ１９と、座標（ｋｈ１＝７．３７５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｌ２０と、座標（ｋｈ１＝７．４２５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｌ２１と、座標（ｋｈ１＝７．４２５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｌ２２と、座標（ｋｈ１＝７．４７５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｌ２３と、座標（ｋｈ１＝７．４７５、ｋｈ２＝２．１２５）で与えられる点Ｌ２４と、座標（ｋｈ１＝７．３７５、ｋｈ２＝２．１２５）で与えられる点Ｌ２５と、座標（ｋｈ１＝７．３７５、ｋｈ２＝２．１７５）で与えられる点Ｌ２６と、座標（ｋｈ１＝７．２７５、ｋｈ２＝２．１７５）で与えられる点Ｌ２７と、座標（ｋｈ１＝７．２７５、ｋｈ２＝２．２２５）で与えられる点Ｌ２８と、座標（ｋｈ１＝７．０７５、ｋｈ２＝２．２２５）で与えられる点Ｌ２９と、座標（ｋｈ１＝７．０７５、ｋｈ２＝２．２７５）で与えられる点Ｌ３０と、座標（ｋｈ１＝６．８７５、ｋｈ２＝２．２７５）で与えられる点Ｌ３１と、座標（ｋｈ１＝６．８７５、ｋｈ２＝２．３２５）で与えられる点Ｌ３２と、��標（ｋｈ１＝６．５２５、ｋｈ２＝２．３２５）で与えられる点Ｌ３３と、座標（ｋｈ１＝６．５２５、ｋｈ２＝２．３７５）で与えられる点Ｌ３４と、座標（ｋｈ１＝６．３２５、ｋｈ２＝２．３７５）で与えられる点Ｌ３５と、座標（ｋｈ１＝６．３２５、ｋｈ２＝２．３２５）で与えられる点Ｌ３６と、座標（ｋｈ１＝６．２７５、ｋｈ２＝２．３２５）で与えられる点Ｌ３７と、座標（ｋｈ１＝６．２７５、ｋｈ２＝２．２７５）で与えられる点Ｌ３８と、座標（ｋｈ１＝６．２２５、ｋｈ２＝２．２７５）で与えられる点Ｌ３９と、座標（ｋｈ１＝６．２２５、ｋｈ２＝２．２２５）で与えられる点Ｌ４０と、座標（ｋｈ１＝６．１７５、ｋｈ２＝２．２２５）で与えられる点Ｌ４１と、座標（ｋｈ１＝６．１７５、ｋｈ２＝２．１７５）で与えられる点Ｌ４２と、座標（ｋｈ１＝６．１２５、ｋｈ２＝２．１７５）で与えられる点Ｌ４３と、座標（ｋｈ１＝６．１２５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｌ４４と、座標（ｋｈ１＝６．０７５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｌ４５と、点Ｌ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｌの内部又は線分上に与えられ、励起される６次モードの表面弾性波が用いられることを特徴とする。
【００１５】
この表面弾性波素子は、ダイヤモンドに比べて安価な材料で構成される、Ａｌ２Ｏ３層、ＺｎＯ層及びＳｉＯ２層を備える６次モード対応の表面弾性波素子であり、且つ、電気機械結合係数（Ｋ２）が２．２％以上、周波数温度特性が２０ｐｐｍ／Ｋ以下である、良好な特性を有する表面弾性波素子となっている。
【００１６】
また、ｋｈ１及びｋｈ２が、二次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ１＝６．０７５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｍ０と、座標（ｋｈ１＝６．１２５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｍ１と、座標（ｋｈ１＝６．１２５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ｍ２と、座標（ｋｈ１＝６．１７５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ｍ３と、座標（ｋｈ１＝６．１７５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｍ４と、座標（ｋｈ１＝６．２７５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｍ５と、座標（ｋｈ１＝６．２７５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｍ６と、座標（ｋｈ１＝６．５２５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｍ７と、座標（ｋｈ１＝６．５２５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ｍ８と、座標（ｋｈ１＝６．６７５、ｋｈ２＝１．６７５）で与えられる点Ｍ９と、座標（ｋｈ１＝６．６７５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｍ１０と、座標（ｋｈ１＝６．９７５、ｋｈ２＝１．７２５）で与えられる点Ｍ１１と、座標（ｋｈ１＝６．９７５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｍ１２と、座標（ｋｈ１＝７．１２５、ｋｈ２＝１．７７５）で与えられる点Ｍ１３と、座標（ｋｈ１＝７．１２５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ｍ１４と、座標（ｋｈ１＝７．２２５、ｋｈ２＝１．８２５）で与えられる点Ｍ１５と、座標（ｋｈ１＝７．２２５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｍ１６と、座標（ｋｈ１＝７．３２５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｍ１７と、座標（ｋｈ１＝７．３２５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｍ１８と、座標（ｋｈ１＝７．３７５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｍ１９と、座標（ｋｈ１＝７．３７５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｍ２０と、座標（ｋｈ１＝７．４２５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｍ２１と、座標（ｋｈ１＝７．４２５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｍ２２と、座標（ｋｈ１＝７．４７５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｍ２３と、座標（ｋｈ１＝７．４７５、ｋｈ２＝２．１２５）で与えられる点Ｍ２４と、座標（ｋｈ１＝７．３７５、ｋｈ２＝２．１２５）で与えられる点Ｍ２５と、座標（ｋｈ１＝７．３７５、ｋｈ２＝２．１７５）で与えられる点Ｍ２６と、座標（ｋｈ１＝７．２２５、ｋｈ２＝２．１７５）で与えられる点Ｍ２７と、座標（ｋｈ１＝７．２２５、ｋｈ２＝２．１２５）で与えられる点Ｍ２８と、座標（ｋｈ１＝７．１７５、ｋｈ２＝２．１２５）で与えられる点Ｍ２９と、座標（ｋｈ１＝７．１７５、ｋｈ２＝２．０７５）で与えられる点Ｍ３０と、座標（ｋｈ１＝７．０７５、ｋｈ２＝２．０７５）で与えられる点Ｍ３１と、座標（ｋｈ１＝７．０７５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｍ３２と、座標（ｋｈ１＝７．０２５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｍ３３と、座標（ｋｈ１＝７．０２５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｍ３４と、座標（ｋｈ１＝６．９２５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｍ３５と、座標（ｋｈ１＝６．９２５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｍ３６と、座標（ｋｈ１＝６．７７５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｍ３７と、座標（ｋｈ１＝６．７７５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｍ３８と、座標（ｋｈ１＝６．３２５、ｋｈ２＝１．８７５）で与えられる点Ｍ３９と、座標（ｋｈ１＝６．３２５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｍ４０と、座標（ｋｈ１＝６．１７５、ｋｈ２＝１．９２５）で与えられる点Ｍ４１と、座標（ｋｈ１＝６．１７５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｍ４２と、座標（ｋｈ１＝６．１２５、ｋｈ２＝１．９７５）で与えられる点Ｍ４３と、座標（ｋｈ１＝６．１２５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｍ４４と、座標（ｋｈ１＝６．０７５、ｋｈ２＝２．０２５）で与えられる点Ｍ４５と、点Ｍ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｍと、座標（ｋｈ１＝７．１７５、ｋｈ２＝２．１７５）で与えられる点Ｎ０と、座標（ｋｈ１＝７．２２５、ｋｈ２＝２．１７５）で与えられる点Ｎ１と、座標（ｋｈ１＝７．２２５、ｋｈ２＝２．２２５）で与えられる点Ｎ２と、座標（ｋｈ１＝７．１７５、ｋｈ２＝２．２２５）で与えられる点Ｎ３と、点Ｎ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｎと、座標（ｋｈ１＝７．０２５、ｋｈ２＝２．２２５）で与えられる点Ｏ０と、座標（ｋｈ１＝７．０７５、ｋｈ２＝２．２２５）で与えられる点Ｏ１と、座標（ｋｈ１＝７．０７５、ｋｈ２＝２．２７５）で与えられる点Ｏ２と、座標（ｋｈ１＝７．０２５、ｋｈ２＝２．２７５）で与えられる点Ｏ３と、点Ｏ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｏと、座標（ｋｈ１＝６．６７５、ｋｈ２＝２．２７５）で与えられる点Ｐ０と、座標（ｋｈ１＝６．７７５、ｋｈ２＝２．２７５）で与えられる点Ｐ１と、座標（ｋｈ１＝６．７７５、ｋｈ２＝２．３２５）で与えられる点Ｐ２と、座標（ｋｈ１＝６．６７５、ｋｈ２＝２．３２５）で与えられる点Ｐ３と、点Ｐ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｐと、座標（ｋｈ１＝６．４７５、ｋｈ２＝２．３２５）で与えられる点Ｑ０と、座標（ｋｈ１＝６．５２５、ｋｈ２＝２．３２５）で与えられる点Ｑ１と、座標（ｋｈ１＝６．５２５、ｋｈ２＝２．３７５）で与えられる点Ｑ２と、座標（ｋｈ１＝６．４７５、ｋｈ２＝２．３７５）で与えられる点Ｑ３と、点Ｑ０とが順に線分で結ばれて形成された領域Ｑとのいずれかの領域の内部又は線分上に与えられていることが好ましい。この場合、電気機械結合係数（Ｋ２）が２．２％以上、周波数温度特性（ＴＣＦ）が１０ｐｐｍ／Ｋ以下となり、さらに良好な特性を有する表面弾性波素子が得られる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明に係る表面弾性波素子の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、各図において同一又は同等の要素には同一の符号を付し、説明が重複する場合にはその説明を省略する。また、図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。
【００１８】
図１に本実施形態に係る表面弾性波素子の断面図を示す。本図に示すように、本実施形態に係る表面弾性波素子１は、単結晶Ａｌ２Ｏ３製の基板２の上にＺｎＯ層３を備えている。このＺｎＯ層３は、単結晶ＺｎＯで構成されている。なお、本発明においては、Ａｌ２Ｏ３で構成される基板２も、Ａｌ２Ｏ３膜の一種であるものとする。
【００１９】
このＺｎＯ層３の上面（成長面）は、基板２の積層面が（０１−１２）面であるのに対して（１１−２０）面となっている。また、ＺｎＯ層３の結晶成長方向は、基板２の結晶方向が［０１−１１］であるのに対して［０００１］となっている。なお、ＺｎＯ層３の成長面及び成長方向は、この方位に限らず、基板２に対して結晶学的にこの方位と等価な方位であればよい。基板２とＺｎＯ層３との方位関係をこのようにすることで、基板２上にＺｎＯの単結晶を成長させることが可能となる。
【００２０】
ＺｎＯ層３の上には、櫛形電極４が形成されている。櫛形電極４は、表面弾性波の励振及び受信を行うものである。図２に示すように、櫛形電極４は、例えば、シングル電極タイプとされ、電極５１と電極５２とを備えて構成される。電極５１と電極５２とは、対向して設けられ、それぞれ他方へ向けて突出する櫛歯状の電極部５３を多数形成している。
【００２１】
なお、図２では、シングル電極タイプのものを示したが、櫛形電極４としては、二本の電極部５３を一組として突出させるダブル電極タイプのものであってもよい。また、櫛形電極４を挟み込むように、両側に反射器電極（グレーティング反射器等）を配置し、入出力電極間で発生する表面弾性波を反射器電極の間で多重反射させ定在波を発生させる表面弾性波共振器の構成をとってもよい。櫛形電極４などを構成する材料は、導電性材料であればよく、加工性等の点からはアルミニウムが好ましく用いられる。
【００２２】
また、櫛形電極４などにアルミニウムを用いた場合、アルミニウム製の櫛形電極４における表面弾性波の伝播速度の温度変化は、基板２及びＺｎＯ層３の温度変化と同符号であり、ＳｉＯ２層５の温度変化と異符号である。
【００２３】
ＺｎＯ層３の上には、櫛形電極４を覆うようにしてＳｉＯ２層５が形成されている。ＳｉＯ２層５は、表面弾性波素子１における温度特性を良好にする機能を有し、また、圧電体及び櫛形電極４に対する保護膜としても機能し、外部環境からの湿気及び不純物等の影響を著しく低減させるものである。このＳｉＯ２層５を構成するＳｉＯ２としては、アモルファスであることが望ましい。また、ＳｉＯ２層５における表面弾性波の伝播速度の温度変化は、基板２及びＺｎＯ層３の温度変化と異符号となっている。このため、例えば表面弾性波素子１の温度が上昇すると、ＳｉＯ２層５の表面弾性波の伝播速度は増大するが、基板２及びＺｎＯ層３の表面弾性波の伝播速度は減少する。従って、ＳｉＯ２層５が基板２及びＺｎＯ層３における伝播速度の温度変化を相殺し、その結果、表面弾性波素子１の伝播速度が温度変化に対し安定したものとなる。
【００２４】
次に、本実施形態に係る表面弾性波素子１の実施例を説明する。
【００２５】
この実施例では、圧電体であるＺｎＯ層３の厚さｔｚと保護層であるＳｉＯ２層５の厚さｔＳを変えて表面弾性波素子１を製造し、最適な伝播速度ｖ、電気機械結合係数Ｋ２及び温度周波数特性ＴＣＦを与えるようなＺｎＯ層３の厚さｔｚ及びＳｉＯ２層５の厚さｔＳの最適化を行った。
【００２６】
（第一実施例）
本実施例の表面弾性波素子は、以下のように製造した。
【００２７】
１０ｍｍ×１０ｍｍの単結晶Ａｌ２Ｏ３基板上を用意し、その表面を研磨機を用いて研磨して研磨した。
【００２８】
そして、この基板の上に、ＺｎＯ多結晶をＡｒと酸素の混合ガスでスパッタする方法により、ＺｎＯ薄膜を形成した。スパッタ条件は、基板温度４００゜Ｃ、ＲＦパワー１６０Ｗ、圧力２．７Ｐａとした。スパッタの時間を変えることにより、ＺｎＯの膜厚を変化させることができる。そして、ｋｈ２＝０．１〜３．５となるように、ＺｎＯ層の膜厚ｔｚを変えたものを作製した。
【００２９】
ここで、ｋｈ２は、ＺｎＯ層の厚さを表面弾性波の波長λに対して相対的に表現するためのパラメータであり、次の式（１）により表されるものである。
ｋｈ２＝２π・（ｔｚ／λ）  ‥‥（１）
次に、ＺｎＯ層の上にＡｌを抵抗加熱法により蒸着し、櫛形電極を形成した。櫛形電極は、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、シングル電極構造の持つさまざまな線幅のものを形成した。
【００３０】
そして、櫛形電極を覆うようにして、ＺｎＯ層の上に非晶質ＳｉＯ２膜を形成した。非晶質ＳｉＯ２膜の形成は、基板温度１５０℃、高周波パワー２００Ｗ、Ａｒ：Ｏ２＝１：１の混合ガス、圧力０．０１Ｔｏｒｒ、ターゲットＳｉＯ２の条件の下でスパッタリングより行った。スパッタの時間を変えることにより、ＳｉＯ２の膜厚を変化させることができる。そして、ｋｈ１＝３．５〜７．８となるように、ＳｉＯ２層の膜厚ｔＳを変えたものを作製した。
【００３１】
ここで、ｋｈ１は、ＳｉＯ２層の厚さを表面弾性波の波長λに対して相対的に表現するためのパラメータであり、次の式（２）により表されるものである。
ｋｈ１＝２π・（ｔＳ／λ）  ‥‥（２）
このようにして、図１に示すような構造を有し、ＺｎＯ層３及びＳｉＯ２層５の厚さの異なる表面弾性波素子を製造した。
【００３２】
そして、これらの各表面弾性波素子について、電極５１に高周波電力を印加して４次モードの表面弾性波を励起させ、ｖ＝ｆλ（ｆ：中心周波数）の関係から、励起された表面弾性波の伝播速度ｖを求めた。
【００３３】
各表面弾性波素子の電気機械結合係数Ｋ２は、ネットワークアナライザ（横河ヒューレットパッカード社製、８７９１Ａ）を用いて４次モードにおいて測定された各表面弾性波素子の櫛形電極における放射コンダクタンスの実部Ｇに基づき、次の式（３）により求めた。
Ｋ２＝Ｇ／（８・ｆ０・Ｃ・Ｎ）  ‥‥（３）
但し、ｆ０は中心周波数、Ｃは櫛形電極の全静電容量、Ｎは櫛形電極の対の数である。
【００３４】
そして、温度周波数特性ＴＣＦは、表面弾性波素子をヒーターで加熱し、室温から８０℃まで変化させ、１０℃おきに中心周波数を測定したところ、直線関係が得られ、この直線の傾きから求めた。
【００３５】
また、表面弾性波素子のＺｎＯ層の正確な厚さｔｚ及びＳｉＯ２層の正確な厚さｔＳは、上述した各パラメータを測定した後、表面弾性波素子を切断し、切断面をＳＥＭで観察することにより求めた。そして、厚さｔｚ、ｔＳに基づいて、パラメータｋｈ１及びｋｈ２を求め、対応するパラメータの結果を評価した。
【００３６】
図３は、本実施例により製造された表面弾性波素子について、Ｋ２≧２．２の条件を満たすＺｎＯ層の厚さとＳｉＯ２層の厚さとの関係を二次元直交座標グラフとして示したものである。このグラフにおいて、横軸はＳｉＯ２層の厚さに関するパラメータｋｈ１（上述の式（２）参照）であり、縦軸はＺｎＯ層の厚さに関するパラメータｋｈ２（上述の式（１）参照）である。これらの単位は％である。このグラフにおいては、ｋｈ１をＸ座標成分、ｋｈ２をＹ座標成分とする座標（ｋｈ１、ｋｈ２）が、マトリクスが分布する領域及びその境界線上にある場合には、そのｋｈ１とｋｈ２との組み合わせにおいてはＫ２≧２．２であることを示している。
【００３７】
また、同様に、図４はＴＣＦ≦２０の条件を満たすＺｎＯ層の厚さとＳｉＯ２層の厚さとの関係を二次元直交座標グラフとして示したものであり、図３と同様に、横軸はＳｉＯ２層の厚さに関するパラメータｋｈ１であり、縦軸はＺｎＯ層の厚さに関するパラメータｋｈ２である。
【００３８】
図５のグラフは、図３のグラフと図４のグラフとを重畳させたグラフである。このグラフから、両条件を満たすｋｈ１とｋｈ２との組み合わせが存在していることがわかる。図６は、Ｋ２≧２．２及びＴＣＦ≦２０の両条件を満たすｋｈ１とｋｈ２が存在するエリア、すなわち図３に示されたエリアと、図４に示されたエリアの重複エリアを拡大したグラフである。この重複エリアは、図７の表に示された点Ａ０〜点Ａ４９を順に線分で結び、点Ａ４９と点Ａ０とを線分で結んで形成される領域Ａとして示される。なお、この重複エリアの境界線である、上記線分上の座標に対応するｋｈ１とｋｈ２の組み合わせであっても、Ｋ２≧２．２及びＴＣＦ≦２０の両条件を満たしている。
【００３９】
すなわち、ｋｈ１とｋｈ２とがこのような関係を有する表面弾性波素子は、ダイヤモンドに比べて安価な材料で構成される、Ａｌ２Ｏ３基板、ＺｎＯ層及びＳｉＯ２層を備える４次モード対応の表面弾性波素子であり、且つ、電気機械結合係数（Ｋ２）が２．２％以上、周波数温度特性が２０ｐｐｍ／Ｋ以下である、良好な特性を有する表面弾性波素子となっている。
【００４０】
（第二実施例）
本実施例では、４次モードの表面弾性波素子において、第一実施例と同様、厚さｔｚ、ｔＳに基づいてパラメータｋｈ１及びｋｈ２を求め、対応するパラメータの結果を評価した。
【００４１】
図８は、本実施例により製造された表面弾性波素子について、Ｋ２≧２．５の条件を満たすＺｎＯ層の厚さとＳｉＯ２層の厚さとの関係を二次元直交座標グラフとして示したものである。また、図９のグラフは、図８のグラフと図４のグラフとを重畳させたグラフである。この図９のグラフから、両条件（Ｋ２≧２．５及びＴＣＦ≦２０）を満たすｋｈ１とｋｈ２との組み合わせが存在していることがわかる。図１０は、Ｋ２≧２．５及びＴＣＦ≦２０の両条件を満たすｋｈ１とｋｈ２が存在するエリア、すなわち図８に示されたエリアと、図４に示されたエリアの重複エリアを拡大したグラフである。この重複エリアは、図１１の表に示された、点Ｂ０〜点Ｂ３を順に線分で結び、点Ｂ３と点Ｂ０とを線分で結んで形成される領域Ｂと、点Ｃ０〜点Ｃ３を順に線分で結び、点Ｃ３と点Ｃ０とを線分で結んで形成される領域Ｃと、点Ｄ０〜点Ｄ２５を順に線分で結び、点Ｄ２５と点Ｄ０とを線分で結んで形成される領域Ｄとして示される。なお、この重複エリア（領域Ｂ，Ｃ及びＤ）の境界線である、上記線分上の座標に対応するｋｈ１とｋｈ２の組み合わせであっても、Ｋ２≧２．５及びＴＣＦ≦２０の両条件を満たしている。
【００４２】
すなわち、ｋｈ１とｋｈ２とがこのような関係を有する表面弾性波素子は、ダイヤモンドに比べて安価な材料で構成される、Ａｌ２Ｏ３基板、ＺｎＯ層及びＳｉＯ２層を備える４次モード対応の表面弾性波素子であり、且つ、電気機械結合係数（Ｋ２）が２．５％以上、周波数温度特性が２０ｐｐｍ／Ｋ以下である。そのため、第一実施例に示した固体電解コンデンサよりさらに良好な特性を有する表面弾性波素子となっている。
【００４３】
（第三実施例）
本実施例では、４次モードの表面弾性波素子において、第一実施例と同様、厚さｔｚ、ｔＳに基づいてパラメータｋｈ１及びｋｈ２を求め、対応するパラメータの結果を評価した。
【００４４】
図１２は、本実施例により製造された表面弾性波素子について、ＴＣＦ≦１０の条件を満たすＺｎＯ層の厚さとＳｉＯ２層の厚さとの関係を二次元直交座標グラフとして示したものである。また、図１３のグラフは、図１２のグラフと図５のグラフとを重畳させたグラフである。この図１３のグラフから、両条件（Ｋ２≧２．２及びＴＣＦ≦１０）を満たすｋｈ１とｋｈ２との組み合わせが存在していることがわかる。図１４は、Ｋ２≧２．２及びＴＣＦ≦１０の両条件を満たすｋｈ１とｋｈ２が存在するエリア、すなわち図１２に示されたエリアと、図５に示されたエリアの重複エリアを拡大したグラフである。この重複エリアは、図１５の表に示された、点Ｅ０〜点Ｅ３を順に線分で結び、点Ｅ３と点Ｅ０とを線分で結んで形成される領域Ｅと、点Ｆ０〜点Ｆ３を順に線分で結び、点Ｆ３と点Ｆ０とを線分で結んで形成される領域Ｆと、点Ｇ０〜点Ｇ３を順に線分で結び、点Ｇ３と点Ｇ０とを線分で結んで形成される領域Ｇと、点Ｈ０〜点Ｈ３を順に線分で結び、点Ｈ３と点Ｈ０とを線分で結んで形成される領域Ｈとして示される。なお、この重複エリア（領域Ｅ，Ｆ，Ｇ及びＨ）の境界線である、上記線分上の座標に対応するｋｈ１とｋｈ２の組み合わせであっても、Ｋ２≧２．２及びＴＣＦ≦１０の両条件を満たしている。
【００４５】
すなわち、ｋｈ１とｋｈ２とがこのような関係を有する表面弾性波素子は、ダイヤモンドに比べて安価な材料で構成される、Ａｌ２Ｏ３基板、ＺｎＯ層及びＳｉＯ２層を備える４次モード対応の表面弾性波素子であり、且つ、電気機械結合係数（Ｋ２）が２．２％以上、周波数温度特性が１０ｐｐｍ／Ｋ以下である。そのため、第一実施例に示した固体電解コンデンサよりさらに良好な特性を有する表面弾性波素子となっている。
【００４６】
なお、参考のために図１６のグラフを示す。図１６のグラフは、Ｋ２≧２．５の条件を満たすｋｈ１とｋｈ２の関係を示した図８のグラフと、ＴＣＦ≦１０の条件を満たすｋｈ１とｋｈ２の関係を示した図１２のグラフとを重畳させたグラフである。この図１６から、両条件（Ｋ２≧２．５及びＴＣＦ≦１０）を満たすｋｈ１とｋｈ２との組み合わせは存在しないことがわかる。
【００４７】
（第四実施例）
本実施例では、５次モードの表面弾性波素子において、第一実施例と同様、厚さｔｚ、ｔＳに基づいてパラメータｋｈ１及びｋｈ２を求め、対応するパラメータの結果を評価した。
【００４８】
図１７は、本実施例により製造された表面弾性波素子について、Ｋ２≧２．２の条件を満たすＺｎＯ層の厚さとＳｉＯ２層の厚さとの関係を二次元直交座標グラフとして示したものである。このグラフにおいて、横軸はＳｉＯ２層の厚さに関するパラメータｋｈ１（上述の式（２）参照）であり、縦軸はＺｎＯ層の厚さに関するパラメータｋｈ２（上述の式（１）参照）である。これらの単位は％である。このグラフにおいては、ｋｈ１をＸ座標成分、ｋｈ２をＹ座標成分とする座標（ｋｈ１、ｋｈ２）が、マトリクスが分布する領域及びその境界線上にある場合には、そのｋｈ１とｋｈ２との組み合わせにおいてはＫ２≧２．２であることを示している。
【００４９】
また、同様に、図１８はＴＣＦ≦２０の条件を満たすＺｎＯ層の厚さとＳｉＯ２層の厚さとの関係を二次元直交座標グラフとして示したものであり、図１７と同様に、横軸はＳｉＯ２層の厚さに関するパラメータｋｈ１であり、縦軸はＺｎＯ層の厚さに関するパラメータｋｈ２である。
【００５０】
図１９のグラフは、図１７のグラフと図１８のグラフとを重畳させたグラフである。このグラフから、両条件を満たすｋｈ１とｋｈ２との組み合わせが存在していることがわかる。図２０は、Ｋ２≧２．２及びＴＣＦ≦２０の両条件を満たすｋｈ１とｋｈ２が存在するエリア、すなわち図１７に示されたエリアと、図１８に示されたエリアの重複エリアを拡大したグラフである。この重複エリアは、図２１の表に示された点Ｉ０〜点Ｉ４５を順に線分で結び、点Ｉ４５と点Ｉ０とを線分で結んで形成される領域Ｉとして示される。なお、この重複エリアの境界線である、上記線分上の座標に対応するｋｈ１とｋｈ２の組み合わせであっても、Ｋ２≧２．２及びＴＣＦ≦２０の両条件を満たしている。
【００５１】
すなわち、ｋｈ１とｋｈ２とがこのような関係を有する表面弾性波素子は、ダイヤモンドに比べて安価な材料で構成される、Ａｌ２Ｏ３基板、ＺｎＯ層及びＳｉＯ２層を備える５次モード対応の表面弾性波素子であり、且つ、電気機械結合係数（Ｋ２）が２．２％以上、周波数温度特性が２０ｐｐｍ／Ｋ以下である、良好な特性を有する表面弾性波素子となっている。
【００５２】
（第五実施例）
本実施例では、５次モードの表面弾性波素子において、第四実施例と同様、厚さｔｚ、ｔＳに基づいてパラメータｋｈ１及びｋｈ２を求め、対応するパラメータの結果を評価した。
【００５３】
図２２は、本実施例により製造された表面弾性波素子について、Ｋ２≧２．５の条件を満たすＺｎＯ層の厚さとＳｉＯ２層の厚さとの関係を二次元直交座標グラフとして示したものである。また、図２３のグラフは、図２２のグラフと図１８のグラフとを重畳させたグラフである。この図２３のグラフから、両条件（Ｋ２≧２．５及びＴＣＦ≦２０）を満たすｋｈ１とｋｈ２との組み合わせが存在していることがわかる。図２４は、Ｋ２≧２．５及びＴＣＦ≦２０の両条件を満たすｋｈ１とｋｈ２が存在するエリア、すなわち図８に示されたエリアと、図４に示されたエリアの重複エリアを拡大したグラフである。この重複エリアは、図２５の表に示された、点Ｊ０〜点Ｊ２７を順に線分で結び、点Ｊ２７と点Ｊ０とを線分で結んで形成される領域Ｊとして示される。なお、この重複エリア（領域Ｊ）の境界線である、上記線分上の座標に対応するｋｈ１とｋｈ２の組み合わせであっても、Ｋ２≧２．５及びＴＣＦ≦２０の両条件を満たしている。
【００５４】
すなわち、ｋｈ１とｋｈ２とがこのような関係を有する表面弾性波素子は、ダイヤモンドに比べて安価な材料で構成される、Ａｌ２Ｏ３基板、ＺｎＯ層及びＳｉＯ２層を備える５次モード対応の表面弾性波素子であり、且つ、電気機械結合係数（Ｋ２）が２．５％以上、周波数温度特性が２０ｐｐｍ／Ｋ以下である。そのため、第四実施例に示した固体電解コンデンサよりさらに良好な特性を有する表面弾性波素子となっている。
【００５５】
（第六実施例）
本実施例では、５次モードの表面弾性波素子において、第一実施例と同様、厚さｔｚ、ｔＳに基づいてパラメータｋｈ１及びｋｈ２を求め、対応するパラメータの結果を評価した。
【００５６】
図２６は、本実施例により製造された表面弾性波素子について、ＴＣＦ≦１０の条件を満たすＺｎＯ層の厚さとＳｉＯ２層の厚さとの関係を二次元直交座標グラフとして示したものである。また、図２７のグラフは、図２６のグラフと図１７のグラフとを重畳させたグラフである。この図２７のグラフから、両条件（Ｋ２≧２．２及びＴＣＦ≦１０）を満たすｋｈ１とｋｈ２との組み合わせが存在していることがわかる。図２８は、Ｋ２≧２．２及びＴＣＦ≦１０の両条件を満たすｋｈ１とｋｈ２が存在するエリア、すなわち図２６に示されたエリアと、図１７に示されたエリアの重複エリアを拡大したグラフである。この重複エリアは、図２９の表に示された、点Ｋ０〜点Ｋ２７を順に線分で結び、点Ｋ２７と点Ｋ０とを線分で結んで形成される領域Ｋとして示される。なお、この重複エリア（領域Ｋ）の境界線である、上記線分上の座標に対応するｋｈ１とｋｈ２の組み合わせであっても、Ｋ２≧２．２及びＴＣＦ≦１０の両条件を満たしている。
【００５７】
すなわち、ｋｈ１とｋｈ２とがこのような関係を有する表面弾性波素子は、ダイヤモンドに比べて安価な材料で構成される、Ａｌ２Ｏ３基板、ＺｎＯ層及びＳｉＯ２層を備える５次モード対応の表面弾性波素子であり、且つ、電気機械結合係数（Ｋ２）が２．２％以上、周波数温度特性が１０ｐｐｍ／Ｋ以下である。そのため、第四実施例に示した固体電解コンデンサよりさらに良好な特性を有する表面弾性波素子となっている。
【００５８】
なお、参考のために図３０のグラフを示す。図３０のグラフは、Ｋ２≧２．５の条件を満たすｋｈ１とｋｈ２の関係を示した図２２のグラフと、ＴＣＦ≦１０の条件を満たすｋｈ１とｋｈ２の関係を示した図２６のグラフとを重畳させたグラフである。この図３０から、両条件（Ｋ２≧２．５及びＴＣＦ≦１０）を満たすｋｈ１とｋｈ２との組み合わせは存在しないことがわかる。
【００５９】
（第七実施例）
本実施例では、６次モードの表面弾性波素子において、第一実施例と同様、厚さｔｚ、ｔＳに基づいてパラメータｋｈ１及びｋｈ２を求め、対応するパラメータの結果を評価した。
【００６０】
図３１は、本実施例により製造された表面弾性波素子について、Ｋ２≧２．２の条件を満たすＺｎＯ層の厚さとＳｉＯ２層の厚さとの関係を二次元直交座標グラフとして示したものである。このグラフにおいて、横軸はＳｉＯ２層の厚さに関するパラメータｋｈ１（上述の式（２）参照）であり、縦軸はＺｎＯ層の厚さに関するパラメータｋｈ２（上述の式（１）参照）である。これらの単位は％である。このグラフにおいては、ｋｈ１をＸ座標成分、ｋｈ２をＹ座標成分とする座標（ｋｈ１、ｋｈ２）が、マトリクスが分布する領域及びその境界線上にある場合には、そのｋｈ１とｋｈ２との組み合わせにおいてはＫ２≧２．２であることを示している。
【００６１】
また、同様に、図３２はＴＣＦ≦２０の条件を満たすＺｎＯ層の厚さとＳｉＯ２層の厚さとの関係を二次元直交座標グラフとして示したものであり、図３１と同様に、横軸はＳｉＯ２層の厚さに関するパラメータｋｈ１であり、縦軸はＺｎＯ層の厚さに関するパラメータｋｈ２である。
【００６２】
図３３のグラフは、図３１のグラフと図３２のグラフとを重畳させたグラフである。このグラフから、両条件を満たすｋｈ１とｋｈ２との組み合わせが存在していることがわかる。図３４は、Ｋ２≧２．２及びＴＣＦ≦２０の両条件を満たすｋｈ１とｋｈ２が存在するエリア、すなわち図３１に示されたエリアと、図３２に示されたエリアの重複エリアを拡大したグラフである。この重複エリアは、図３５の表に示された点Ｌ０〜点Ｌ４５を順に線分で結び、点Ｌ４５と点Ｌ０とを線分で結んで形成される領域Ｌとして示される。なお、この重複エリアの境界線である、上記線分上の座標に対応するｋｈ１とｋｈ２の組み合わせであっても、Ｋ２≧２．２及びＴＣＦ≦２０の両条件を満たしている。
【００６３】
すなわち、ｋｈ１とｋｈ２とがこのような関係を有する表面弾性波素子は、ダイヤモンドに比べて安価な材料で構成される、Ａｌ２Ｏ３基板、ＺｎＯ層及びＳｉＯ２層を備える６次モード対応の表面弾性波素子であり、且つ、電気機械結合係数（Ｋ２）が２．２％以上、周波数温度特性が２０ｐｐｍ／Ｋ以下である、良好な特性を有する表面弾性波素子となっている。
【００６４】
（第八実施例）
本実施例では、６次モードの表面弾性波素子において、第一実施例と同様、厚さｔｚ、ｔＳに基づいてパラメータｋｈ１及びｋｈ２を求め、対応するパラメータの結果を評価した。
【００６５】
図３６は、本実施例により製造された表面弾性波素子について、ＴＣＦ≦１０の条件を満たすＺｎＯ層の厚さとＳｉＯ２層の厚さとの関係を二次元直交座標グラフとして示したものである。また、図３７のグラフは、図３６のグラフと図３１のグラフとを重畳させたグラフである。この図３７のグラフから、両条件（Ｋ２≧２．２及びＴＣＦ≦１０）を満たすｋｈ１とｋｈ２との組み合わせが存在していることがわかる。図３８は、Ｋ２≧２．２及びＴＣＦ≦１０の両条件を満たすｋｈ１とｋｈ２が存在するエリア、すなわち図３６に示されたエリアと、図３１に示されたエリアの重複エリアを拡大したグラフである。この重複エリアは、図３９の表に示された、点Ｍ０〜点Ｍ４５を順に線分で結び、点Ｍ４５と点Ｍ０とを線分で結んで形成される領域Ｍと、点Ｎ０〜点Ｎ３を順に線分で結び、点Ｎ３と点Ｎ０とを線分で結んで形成される領域Ｎと、点Ｏ０〜点Ｏ３を順に線分で結び、点Ｏ３と点Ｏ０とを線分で結んで形成される領域Ｏと、点Ｐ０〜点Ｐ３を順に線分で結び、点Ｐ３と点Ｐ０とを線分で結んで形成される領域Ｐと、点Ｑ０〜点Ｑ３を順に線分で結び、点Ｑ３と点Ｑ０とを線分で結んで形成される領域Ｑとして示される。なお、この重複エリア（領域Ｍ，Ｎ，Ｏ，Ｐ及びＱ）の境界線である、上記線分上の座標に対応するｋｈ１とｋｈ２の組み合わせであっても、Ｋ２≧２．２及びＴＣＦ≦１０の両条件を満たしている。
【００６６】
すなわち、ｋｈ１とｋｈ２とがこのような関係を有する表面弾性波素子は、ダイヤモンドに比べて安価な材料で構成される、Ａｌ２Ｏ３基板、ＺｎＯ層及びＳｉＯ２層を備える６次モード対応の表面弾性波素子であり、且つ、電気機械結合係数（Ｋ２）が２．２％以上、周波数温度特性が１０ｐｐｍ／Ｋ以下である、良好な特性を有する表面弾性波素子となっている。
【００６７】
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、表面弾性波素子の構造は、図４０に示した構造であってもよい。すなわち、ＳｉＯ２層の表面上に短絡電極６を形成してもよい。この場合、短絡電極６を設けることで実装に於いて生じ得る電気的な擾乱を防ぐことができる。
【００６８】
【発明の効果】
本発明によれば、良好な特性を有し、且つ、生産性の向上が図られた表面弾性波素子が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る表面弾性波素子を示した概略断面図である。
【図２】図１に示した表面弾性波素子の櫛歯電極の状態を示した図である。
【図３】第一実施例における表面弾性波素子において、Ｋ２≧２．２を満たすｋｈ１とｋｈ２との関係を示したグラフである。
【図４】第一実施例における表面弾性波素子において、ＴＣＦ≦２０を満たすｋｈ１とｋｈ２との関係を示したグラフである。
【図５】図３のグラフと図４のグラフとを重畳させたグラフである。
【図６】図５のグラフの要部拡大図である。
【図７】図６に示した領域Ａを特定する点の座標をまとめた表である。
【図８】第二実施例における表面弾性波素子において、Ｋ２≧２．５を満たすｋｈ１とｋｈ２との関係を示したグラフである。
【図９】図４のグラフと図８のグラフとを重畳させたグラフである。
【図１０】図９のグラフの要部拡大図である。
【図１１】図１０に示した領域Ｂ、Ｃ及びＤを特定する点の座標をまとめた表である。
【図１２】第三実施例における表面弾性波素子において、ＴＣＦ≦１０を満たすｋｈ１とｋｈ２との関係を示したグラフである。
【図１３】図３のグラフと図１２のグラフとを重畳させたグラフである。
【図１４】図１３のグラフの要部拡大図である。
【図１５】図１４に示した領域Ｅ、Ｆ、Ｇ及びＨを特定する点の座標をまとめた表である。
【図１６】図８のグラフと図１２のグラフとを重畳させたグラフである。
【図１７】第四実施例における表面弾性波素子において、Ｋ２≧２．２を満たすｋｈ１とｋｈ２との関係を示したグラフである。
【図１８】第四実施例における表面弾性波素子において、ＴＣＦ≦２０を満たすｋｈ１とｋｈ２との関係を示したグラフである。
【図１９】図１７のグラフと図１８のグラフとを重畳させたグラフである。
【図２０】図１９のグラフの要部拡大図である。
【図２１】図２０に示した領域Ｉを特定する点の座標をまとめた表である。
【図２２】第五実施例における表面弾性波素子において、Ｋ２≧２．５を満たすｋｈ１とｋｈ２との関係を示したグラフである。
【図２３】図１８のグラフと図２２のグラフとを重畳させたグラフである。
【図２４】図２３のグラフの要部拡大図である。
【図２５】図２４に示した領域Ｊを特定する点の座標をまとめた表である。
【図２６】第六実施例における表面弾性波素子において、ＴＣＦ≦１０を満たすｋｈ１とｋｈ２との関係を示したグラフである。
【図２７】図１７のグラフと図２６のグラフとを重畳させたグラフである。
【図２８】図２７のグラフの要部拡大図である。
【図２９】図２８に示した領域Ｋを特定する点の座標をまとめた表である。
【図３０】図２２のグラフと図２６のグラフとを重畳させたグラフである。
【図３１】第七実施例における表面弾性波素子において、Ｋ２≧２．２を満たすｋｈ１とｋｈ２との関係を示したグラフである。
【図３２】第七実施例における表面弾性波素子において、ＴＣＦ≦２０を満たすｋｈ１とｋｈ２との関係を示したグラフである。
【図３３】図３１のグラフと図３２のグラフとを重畳させたグラフである。
【図３４】図３３のグラフの要部拡大図である。
【図３５】図３４に示した領域Ｌを特定する点の座標をまとめた表である。
【図３６】第八実施例における表面弾性波素子において、ＴＣＦ≦１０を満たすｋｈ１とｋｈ２との関係を示したグラフである。
【図３７】図３１のグラフと図３６のグラフとを重畳させたグラフである。
【図３８】図３７のグラフの要部拡大図である。
【図３９】図３８に示した領域Ｍ、Ｎ、Ｏ、Ｐ及びＱを特定する点の座標をまとめた表である。
【図４０】本発明の実施形態に係る表面弾性波素子の異なる態様を示した概略断面図である。
【符号の説明】
１…表面弾性波素子、２…基板、３…ＺｎＯ層、４…櫛形電極、５…ＳｉＯ２層、６…短絡電極、５１，５２…電極、５３…電極部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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