(57)【要約】【解決手段】最初に、端部用放電電極４ａから放電することによって割断仮想線６上であって脆性材料１の端部に微小深さの切込み１ａを形成し（図１（ａ））、次に搬送装置が表面用放電電極４ｂを移動させて、表面用放電電極４ｂからの放電によって割断仮想線６に沿って切込み１ａを形成し（図１（ｂ））、この切込み１ａが形成されたら、搬送装置は表面用放電電極４ｂと脆性材料１との間隔を広げた上で、再び割断仮想線６に沿って表面用放電電極４ｂにより放電をする事で、切込み１ａを加熱して、切込み１ａ内に熱応力を生じさせることにより脆性材料１を割断する。【効果】従来の単パルスレーザを用いて微小深さの切込みを形成するよりも、放電を用いて当該切込みを形成することにより低コストに脆性材料を割断することができる。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
脆性材料表面に微小深さの切込みを形成した後、当該切込みから亀裂を伸展させて脆性材料を割断する脆性材料の割断方法において、
上記脆性材料を導電体と放電電極との間に介在させると共に、脆性材料と放電電極とを所定の間隔だけ離隔させ、上記放電電極と導電体との間に交流電圧を印加して、該放電電極より脆性材料に向けて放電を行うことにより脆性材料表面に上記切込みを形成することを特徴とする脆性材料の割断方法。
【請求項２】
上記切込みを脆性材料表面における割断仮想線上全体に形成し、当該切込みから亀裂を伸展させることを特徴とする請求項１に記載の脆性材料の割断方法。
【請求項３】
上記切込みは、まず脆性材料の端部に形成されることを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の脆性材料の割断方法。
【請求項４】
上記切込みを形成した後、脆性材料と放電電極との間隔を上記切込み形成時の間隔よりも大きくして放電領域を拡大し、さらに上記放電電極より上記切込み又はその近傍に放電することで亀裂を伸展させることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の脆性材料の割断方法。
【請求項５】
上記切込み形成時には放電のデューティ比を小さく設定し、亀裂の伸展時には上記デューティ比を切込み形成時よりも大きく設定することを特徴とする請求項４に記載の脆性材料の割断方法。
【請求項６】
導電体と、この導電体との間に脆性材料を挟んで配置され、かつ該脆性材料と所定の間隔を介して設けられた表面用放電電極と、上記導電体と表面用放電電極とに接続されてそれら電極に交流電圧を印加し、上記表面用放電電極より脆性材料の表面に向けて放電させることにより該脆性材料表面に微小深さの切込みを形成させるＲＦ電源回路とを備えることを特徴とする脆性材料の割断装置。
【請求項７】
上記割断装置は、上記脆性材料を挟んで導電体に向けられ、かつ脆性材料に対して所定の間隔を介して設けられて上記脆性材料の端部に微小深さの切込みを形成するための端部用放電電極を備え、
また上記ＲＦ電源回路は上記導電体と端部用放電電極に接続されてそれら電極に交流電圧を印加して端部用放電電極より脆性材料に向けて放電させ、
端部用放電電極によって形成される切込みと表面用放電電極によって形成される切込みとは連続して形成されることを特徴とする請求項６に記載の脆性材料の割断装置。
【請求項８】
上記割断装置は、上記導電体に対して表面用放電電極を接離させるＺ方向に相対移動させる昇降手段を備えており、この昇降手段は、上記切込み形成時には脆性材料と表面用放電電極との間隔を狭くし、亀裂の伸展時には上記脆性材料と表面用放電電極との間隔を広く設定することを特徴とする請求項６または請求項７のいずれかに記載の脆性材料の割断装置。
【請求項９】
上記割断装置は、脆性材料の表面を加熱する加熱手段と、この加熱手段を上記導電体に対して平行なＸ−Ｙ方向に相対移動させる移動手段とを備え、この移動手段は加熱手段を割断仮想線に沿って相対移動させることを特徴とする請求項６または請求項７のいずれかに記載の脆性材料の割断装置。
【請求項１０】
上記表面用放電電極は脆性材料の表面と平行に、割断仮想線に沿って伸びるブレード状部分を有していることを特徴とする請求項６ないし請求項９のいずれかに記載の脆性材料の割断装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は脆性材料の割断方法およびその装置に関し、詳しくは脆性材料表面に微小深さの切込みを形成した後、当該切込みから亀裂を伸展させて行う脆性材料の割断方法およびその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ガラス基板などの脆性材料を割断するため、脆性材料表面に硬質工具等によって割断仮想線上にシャープで微小深さの切込みを形成し、その後この切込みをレーザ光線等によって局部的に加熱し、脆性材料表面に発生する熱応力によって当該切込みから亀裂を生じさせ、その後上記レーザ光線を割断仮想線に沿って移動させることにより、上記亀裂をレーザ光線の照射部に追随させるように伸展させて脆性材料を割断するものが知られている。（特許文献１における従来の技術参照）
しかしながら、この割断方法では硬質工具等を使用した微小深さの切込みを形成するための工程が必要であり、また、割断の結果この切込みを形成した部分での割断面が不規則になるなどの問題が生じたため、特許文献１では以下のようにしてその問題を解決していた。
即ち、最初に上記脆性材料における加工開始位置に高エネルギー密度の単パルスレーザを照射して上記切込みを形成し、その後この切込みの近傍をレーザによって局部的に加熱して、脆性材料表面に発生する熱応力によって切込みから亀裂を伸展させ、脆性材料を割断するようになっている。（特許文献１の実施例参照）
【０００３】
【特許文献１】
特開平３−４８９号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この上記特許文献１において使用されている単パルスレーザは発振するのが難しく、しかも多大なコストが必要となっていた。
そこで、本発明は上記単パルスレーザに比べて低コストに上記微小深さの切込みを形成することのできる脆性材料１の割断方法およびその装置を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
即ち、請求項１の脆性材料１の割断方法は、脆性材料表面に微小深さの切込みを形成した後、当該切込みから亀裂を伸展させて脆性材料を割断する脆性材料の割断方法において、
上記脆性材料を導電体と放電電極との間に介在させると共に、脆性材料と放電電極とを所定の間隔だけ離隔させ、上記放電電極と導電体との間に交流電圧を印加して、該放電電極より脆性材料に向けて放電を行うことにより脆性材料表面に上記切込みを形成することを特徴としている。
【０００６】
また、請求項６の割断装置は、導電体と、この導電体との間に脆性材料を挟んで配置され、かつ該脆性材料と所定の間隔を介して設けられた表面用放電電極と、上記導電体と表面用放電電極とに接続されてそれら電極に交流電圧を印加し、上記表面用放電電極より脆性材料の表面に向けて放電させることにより該脆性材料表面に微小深さの切込みを形成させるＲＦ電源回路とを備えることを特徴としている。
【０００７】
上記請求項１の発明によれば、放電電極と導電体との間で放電を行うことにより、放電によって生じる電子やイオンが脆性材料の表面に衝突して微小深さの切込みを形成する。
そして、この放電は上記単パルスレーザよりも低コストで得ることができるので、この放電によって上記切込みを形成することで、上記特許文献１による微小深さの切込みの加工に比べて低コストに脆性材料の割断を行うことができる。
【０００８】
上記請求項６の発明によれば、ＲＦ電源によって放電電極と導電体との間で放電を生じさせ、この放電によって生じる電子やイオンが脆性材料の表面に衝突して微小深さの切込みを形成する。
そして、本発明の割断装置は単パルスレーザを発振するレーザ発振装置よりも比較的安価に得ることができ、しかも上記放電は上記単パルスレーザよりも低コストで得ることができるので、上記特許文献１に記載される割断装置よりも低コストの割断装置を得ることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る第１実施例について説明すると、図１、図２は表面にアニーリングの施されたシリコンウェハなどの脆性材料１を割断する割断装置２を示し、この割断装置２はヘリウム、アルゴン、窒素などの不活性ガスの雰囲気中に載置されると共に、その気圧は３０ＫＰａ以下の陰圧に設定されている。
割断装置２は脆性材料１をその上面に載置する導電体からなる加工テーブル３と、脆性材料１の上方に位置して上記加工テーブル３との間で放電を生じさせる放電電極４と、上記放電電極４を脆性材料１に対して立体的に相対移動させる図示しない搬送装置を備えている。
上記加工テーブル３は導電性の材料で作られており、図２に示すようにこの加工テーブル３と上記放電電極４とはＲＦ電源回路５によって接続され、この加工テーブル３、放電電極４、ＲＦ電源回路５による回路には、アースが接続されている。
そしてこのＲＦ電源回路５は、出力される電圧値や電流値などを任意に設定できるようになっており、このＲＦ電源回路５によって放電電極４に交流電流を印加することにより、放電電極４と加工テーブル３の間に放電が生じることとなる。
また、上記搬送装置は放電電極４を加工テーブル３に対し平行なＸ−Ｙ方向に移動させる図示しない移動手段と、このＸ−Ｙ方向に対して直交するＺ方向に移動させる図示しない昇降手段を備えている。
【００１０】
上記放電電極４は、図１に示すように、脆性材料１の端部側に設けられ、脆性材料１の端部に放電する端部用放電電極４ａと、この端部用放電電極４ａよりも脆性材料１の内側に設けられ、脆性材料１の表面に放電する表面用放電電極４ｂとを備えている。
また、これらの放電電極４ａ、４ｂは図示しない搬送装置のベースに取り付けられることで一体的に移動し、さらに両放電電極４ａ、４ｂは上記ＲＦ電源回路５とそれぞれ個別に接続されて、両放電電極４ａ、４ｂからはそれぞれ独立して放電がなされるようになっている。
上記端部用放電電極４ａは先端が円錐状である針状の電極であり、この端部用放電電極４ａは脆性材料１の端部に放電することにより、脆性材料１の端部に微小な切込み１ａを形成するようになっている。
表面用放電電極４ｂは脆性材料１の表面と平行に伸びるブレード状部分を有すると共に、このブレード状部分は脆性材料１を横断する割断仮想線６に沿うように設けられていて、後にその理由を説明するように、ブレード状部分の長さを整数倍した長さが、割断仮想線６の長さよりも若干短くなるように設定されている。
【００１１】
そしてこの表面用放電電極４ｂは脆性材料１の表面に放電することにより、上記端部用放電電極４ａの形成した切込み１ａを始点とする、上記割断仮想線６に沿った微小深さの切込み１ａを形成する。
また、脆性材料１上に上記切込み１ａが形成されたら、表面用放電電極４ｂは、搬送装置によって上昇した後、この切込み１ａ又はその近傍を放電により加熱することで、脆性材料１を割断するようになっている。
さらに上記ＲＦ電源回路５には表面用放電電極４ｂによる放電の周波数と、放電時間と非放電時間の比を表すデューティ比を変更するための変調手段７が設けられていて、後に詳述するように切込み１ａ形成時と亀裂の伸展時とでこのデューティ比を変更することができるようになっている。
また、放電電極４の近傍には、放電電極４と共に搬送装置によって移動する除電用ブラシ８が設けられ、当該除電用ブラシ８の先端は脆性材料１の表面に触れており、もう一方の端はアースコード８ａを介してアースされている。
【００１２】
そして、この割断装置２は以下のようにして脆性材料１の割断を行っている。最初に、図１（ａ）に示すように、搬送装置は上記端部用放電電極４ａの先端の位置を、脆性材料１の端部であって割断仮想線６の端部となる位置に合わせ、当該位置より端部用放電電極４ａが放電を行う。
この際の放電条件として、上記搬送装置は端部用放電電極４ａと脆性材料１との間隔を１００μｍとし、ＲＦ電源回路５からはピーク電圧５００Ｖ、平均電流２０ｍＡ、周波数１３．５６ＭＨｚの交流電流を発生させ、さらに変調手段７は放電の周波数を１ｋＨｚに設定すると共に、デューティ比を１０％に設定することで、放電電極４から所定の周波数を有する変調パルス放電がなされるようになっている。
この条件で放電を行うと、放電電極４による放電のパワー密度はおよそ２４０Ｗ／ｃｍ２となり、φ１００μｍ程度の微小な領域で放電が起こることになる。
また、上述したように割断装置２を不活性ガス雰囲気中に載置することにより、不活性ガスの均一放電が容易に行われ、さらに陰圧下に載置することにより、安定した放電が効果的に発生するようになっている。
さらに、この変調パルス放電によって電子やイオン化された不活性ガス（以下単にイオンという）は放電電極４から加工テーブル３に向けて進み、この電子やイオンは脆性材料１に衝突し、その衝撃によって脆性材料１が微小に切削される。
そして本実施例では、上記の条件で端部用放電電極４ａが放電を１回だけ行うようになっており、この放電は脆性材料１の側面に沿った沿面放電となるので、脆性材料１の側面には上面から下面に向けて微小深さの切込み１ａが形成され、脆性材料１の表面には当該切込みの深さ分だけ切込み１ａが現れることとなる。
【００１３】
このようにして脆性材料１の端部に上記切込み１ａが形成されたら、今度は表面用放電電極４ｂより脆性材料１の表面に放電を行い、上記脆性材料１の端部に形成された切込み１ａに微小深さの切込み１ａを連続させる。
ここで、端部用放電電極４ａと表面用放電電極４ｂとの位置を、表面用放電電極４ｂによる放電領域に、上記端部用放電電極４ａによって形成された切込み１ａが若干入るように設定する。
このため、上記端部用放電電極４ａが切込み１ａを形成した後に、表面用放電電極４ｂを移動させなくとも脆性材料１の表面に放電を行うことができる。
また、表面用放電電極４ｂによる放電領域は上記ブレード形状に沿ったものとなるため、上記端部用放電電極４ａにおける放電条件に対し、電流値やデューティ比を高く設定したり、複数回のパルス放電を行うようにして、脆性材料１の端部に微小深さの切込み１ａを形成する。
そして、本実施例では表面用放電電極４ｂから、端部用放電電極４ａで行った放電と同じ条件で、所定回数のパルス放電を行うことにより、脆性材料１の表面に微小深さの切込み１ａを形成し（図２（ｂ））、この切込み１ａは上記端部用放電電極４ａによって形成された切込み１ａと連続して形成される。
【００１４】
ここで、表面用放電電極４ｂからパルス放電を行うことにより、上記脆性材料１表面には、脆性材料１を切削した電子やイオンのどちらか一方が、絶縁材である脆性材料１に静電的にチャージされる。
たとえば、脆性材料１にイオンがチャージされた場合、電子やイオンが新たに脆性材料１表面に衝突しようとすると、このうちのイオンは脆性材料１にチャージされているイオンと反発し合い、新たなイオンが脆性材料１の表面に衝突する確率が低下して、切込み１ａの形成が妨げられてしまう。
そこで、放電電極４の近傍に除電用ブラシ８を設けることで脆性材料１にチャージされるイオンを静電的に引き寄せてアースし、新たなイオンが脆性材料１にチャージされたイオンと反発しあうのを防止している。
しかも、上記表面用放電電極４ｂはパルス放電を行っているので、最初の放電によって脆性材料１表面に衝突したイオンは、つぎの放電までに除電用ブラシ８によってアースされ、つぎのイオンが脆性材料１に衝突するときに他のイオンによって反発されることなく切込み１ａの形成が行われる。
なお、脆性材料１に電子がチャージされた場合には、新たに脆性材料１表面に衝突しようとする電子が脆性材料１にチャージされている電子と反発し合うこととなるが、この場合も上記イオンの場合と同様、除電用ブラシ８によって電子をアースすることができる。
【００１５】
そして、表面用放電電極４ｂが所定の回数だけパルス放電を行って上記切込み１ａが形成されたら、ＲＦ放電回路６は電流を止めて一度放電を中断し、搬送装置は端部用放電電極４ａと表面用放電電極４ｂとを図１（ｂ）に示すように割断仮想線６に沿って移動させる。
搬送装置は表面用放電電極４ｂの新たな位置として、表面用放電電極４ｂによる放電領域と、先程形成された切込み１ａとが若干重なるように設定し、当該位置において上述した条件により表面用放電電極４ｂから所定回数だけ放電を行う。
放電によって切込み１ａが形成されると、この切込み１ａは先程形成された切込み１ａと連続するようになり、以上の作業を繰り返すことで、微小深さの切込み１ａが脆性材料１の端部にまで形成される。
このとき、上述したようにブレード状部分の長さを整数倍した長さを、割断仮想線６の長さよりも若干短くなるように形成することで、最終的に表面用放電電極４ｂが放電する際の放電領域と脆性材料１の端末とがほぼ一致するようになっている。
これは、表面用放電電極４ｂを脆性材料１の端部よりはみ出させたまま放電を行うと、放電が脆性材料１の側面に集中し、表面用放電電極４ｂにおける放電の集中した部分が欠けてしまう虞があるので、これを防止するためである。
【００１６】
割断仮想線６に沿って切込み１ａが形成されたら、搬送装置は両放電電極４ａ、４ｂを切込み１ａに沿って後退させて、表面用放電電極４ｂを当該表面用放電電極４ｂによる放電領域の境界と脆性材料１の端部とが一致する程度の位置で停止させると共に、両放電電極４ａ，４ｂを上昇させて脆性材料１との間隔を１ｍｍに広げる。
そして今度はＲＦ電源回路５から電圧５００Ｖ、平均電流４００ｍＡ、周波数１３．５６ＭＨｚの交流電流が発生されるように設定し、変調手段７は放電の周波数を１ｋＨｚとしたままデューティ比を５０％に変調する。これにより、表面用放電電極４ｂからの放電のパワー密度はおよそ１００Ｗ／ｃｍ２となり、放電領域は幅５〜６ｍｍ程度で、表面用放電電極４ｂのブレード形状に沿ったものとなる。
ここで、表面用放電電極４ｂと脆性材料１との間隔を広げることにより、表面用放電電極４ｂによる脆性材料１への放電領域を広げ、脆性材料１の表面が広範囲にわたって加熱されるようになっている。
また、デューティ比を上げることによって切込み１ａの形成時に比べて放電が連続発振に近くなるので、放電によって加熱する効率を高くすることができる。
【００１７】
そして以上の設定で放電を行うと、今度は切込み１ａが局所的に加熱されるようになる。図２（ｃ）はそのときの切込み１ａの様子を示しており、この切込み１ａで脆性材料１が加熱されることによって、脆性材料１の表面に熱的な膨張・収縮が発生し、これが切込み１ａの底部に応力集中として現れる。
すると、切込み１ａの底部から脆性材料１の裏面と切込み１ａの前後方向に向けて亀裂が生じ、さらに加熱を続けることでこの亀裂は脆性材料１の裏面にまで達するとともに、切込み１ａに沿って前後方向にも伸展する。
このため、上記表面用放電電極４ｂの位置で放電することにより、脆性材料１における加工を開始した側の側面にまで亀裂が到達することとなる。
続いて、搬送装置は両放電電極４ａ、４ｂを切込み１ａに沿ってもう一方の脆性材料１の端に向けて連続的に移動させ、これと共に表面用放電電極４ｂは上記パルス放電を継続させて、亀裂を切込み１ａに沿って伸展させてゆく。
最終的に表面用放電電極４ｂを当該表面用放電電極４ｂによる放電領域の境界と脆性材料１の端部とが一致する程度の位置で停止させ、当該位置での放電によって亀裂が脆性材料１の端にまで達したら、脆性材料１は完全に割断され、ＲＦ放電回路５は表面用放電電極４ｂからの放電を停止させる。
【００１８】
以上のことから、本実施例のように、脆性材料１の表面に割断仮想線６に沿って切込み１ａを形成することにより、この脆性材料１が表面にアニーリングの施されたシリコンウェハであっても、正確に割断することが可能となる。
一方、上記脆性材料１がガラスやセラミックなどの比較的割断の容易な材料である場合には、上述したように割断仮想線６の全体に切込みを形成せず、割断仮想線の一部に切込みを形成した後、当該切込みの端部近傍に表面用放電電極４ｂによって放電を行い、当該表面用放電電極４ｂを割断仮想線６に沿って移動させることによって脆性材料１を割断することができる。
また、本実施例では上記端部用放電電極４ａを設けてこれにより脆性材料１の端部に切込み１ａを形成するようになっているが、当該端部用放電電極４ａを使用せずに脆性材料１に微小深さの切込み１ａを形成してもよい。
すなわち、最初に表面用放電電極４ｂの放電領域の端と脆性材料１の端部とを一致させるようにし、その位置で表面用放電電極４ｂからパルス放電を行うことにより、脆性材料１表面に切込み１ａを形成するようにしてもよい。
また、脆性材料１の端部から割断をしないような場合にも端部用放電電極４ａを省略して最初から表面用放電電極４ｂによって微小な切込み１ａを形成することも可能である。
さらに、表面用放電電極４ｂの形状を針状にすることで、この表面用放電電極４ｂを端部用放電電極４ｂと兼用することができる。この場合、上記微小深さの切込み１ａを形成する際には表面用放電電極４ｂを間欠的に移動させるのではなく、例えばパルス放電を行いながら当該表面用放電電極４ｂを連続的に移動させてもよい。
【００１９】
次に、図３は本発明の第２実施例を示したものであり、本実施例においては表面用放電電極４ｂが脆性材料１の幅とほぼ同一の長さを有していて、本実施例によれば、上記実施例において微小深さの切込み１ａを形成する際と、当該切込み１ａを加熱して亀裂を伸展させる際に両放電電極４ａ、４ｂを移動させていたのを省略することができる。
そして本実施例においても、脆性材料１の端部に切込み１ａを形成するための端部用放電電極４ａが備えられていて、上記実施例と同様に脆性材料１の側面に切込み１ａの形成をするようになっている。
また、搬送装置は両放電電極４ａ、４ｂを割断仮想線６に沿って移動させる必要はないが、微小な切込み１ａの形成時と亀裂の伸展時に表面用放電電極４ｂと脆性材料１の距離を変えるために両放電電極４ａ、４ｂを上下に移動させることができるようになっている。
ここで、本実施例における表面用放電電極４ｂは、実際には脆性材料１の幅よりも若干短い寸法で作成されていて、表面用放電電極４ｂ空の放電領域が脆性材料の端部と略一致するようになっている。
これは、上記第１実施例における表面用放電電極４ｂの移動範囲と同様、表面用放電電極４ｂの両端が脆性材料１よりはみ出すと、放電によって表面用放電電極４ｂが損傷しまう虞があるので、これを防止するためである。
そして、本実施例の表面用放電電極４ｂは上記第１実施例の表面用放電電極４ｂに比べて大きく作成されているため、その大きさにあわせて、電流値やデューティ比の値を大きめに設定したほうがよい。
以上のことから、本実施例によれば上記第１実施例に比べ、表面用放電電極４ｂを移動させずにすむので、脆性材料１を割断するのに必要な時間を短縮することができる。
また、本実施例においても、上記第１実施例の場合と同様、上記端部用放電電極４ａを省略して、表面用放電電極４ｂだけで脆性材料１の割断を行うことができる
【００２０】
次に、図４は本発明の第３実施例を示したものであり、本実施例は基本的に上記第１実施例に対し、両放電電極４ａ、４ｂと共に搬送装置によって割断仮想線６に沿って移動する、加熱手段としてのＣＯ２レーザの照射ノズル９が設けられている。
この照射ノズル９は割断仮想線６上にレーザ光線を照射して微小深さの切込み１ａを加熱するようになっていて、上記各実施例では表面用放電電極４ｂによって微小な切込み１ａから亀裂を伸展させるのに対し、本実施例ではレーザ光線によって微小な切込み１ａから亀裂を伸展させるようになっている。
このため、本実施例においては搬送装置は両放電電極４ａ、４ｂを上下に移動させる必要がなくなる。
以上の構成より、本実施例では上記第１実施例と同様の手順によって脆性材料１の表面に微小な切込み１ａを形成したら、搬送装置は照射ノズル９を脆性材料１の端部に移動させる。
そして、照射ノズル９よりレーザ光線を照射しながら、割断仮想線６に沿ってこの照射ノズル９を移動させると、レーザ光線によって切込み１ａが加熱され、上記実施例と同様、脆性材料１の表面に発生する熱応力により、亀裂が生成し、脆性材料１が割断される。
【００２１】
なお、本実施例においても、上記第１実施例同様、端部用放電電極４ａを使用せずに脆性材料１に微小深さの切込み１ａを形成してもよいし、表面用放電電極４ｂの形状がブレード形状である必要もない。
また、上記各実施例において、ＲＦ電源回路５による電圧値および電流値や、変調手段７によるデューティ比などの設定値は一例を示したものに過ぎず、その他の設定であってもよいことは言うまでもない。
【００２２】
【発明の効果】
従来の単パルスレーザを用いて微小深さの切込みを形成する割断方法よりも、放電を用いることでより低コストで脆性材料を割断することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例を示す概略図を示し、（ａ）は脆性材料１の端部に微小深さの切込み１ａを形成するときの状態、（ｂ）は切込み１ａを割断仮想線６に沿って形成してゆく状態を示す。
【図２】第１実施例による割断の様子を示したものであり、（ａ）は切込み１ａを形成する直前の状態、（ｂ）は切込み１ａが形成された状態、（ｃ）は脆性材料１が加熱されて亀裂が伸展する際の様子を示す。
【図３】本発明の第２実施例を示す概略図。
【図４】本発明の第３実施例を示す概略図。
【符号の説明】
１  脆性材料            １ａ  切込み
２  割断装置            ３  加工テーブル
４  放電電極            ４ａ  端部用放電電極
４ｂ  表面用放電電極    ５  ＲＦ電源回路
６  割断仮想線          ７  変調手段
８  除電ブラシ          ９  照射ノズル
【図１】
2004148438.tif 000003
【図２】
2004148438.tif 000004
【図３】
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【図４】
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