(57)【要約】【課題】ダイシングライン領域に位置する導電性膜を除去することなく電気的な短絡が防止される半導体装置を提供する。【解決手段】ダイシングライン領域において、配線等を形成するための導電性膜が除去されずに残された状態でダイシングが行われて半導体チップ１が切り出される。その半導体チップ１に対して裏面１ｂの側から所定の絶縁性シール部材３が貼り付けられて、半導体チップ１の裏面、側面および半導体チップ１の周縁に沿って位置する表面１ａ部分が絶縁性シール部材３によって覆われる。半導体チップ１の周縁において、ダイシングライン領域に残された導電性膜がダイシングにより捲れ上がってバリ７が生じた場合でも、そのバリ７は、絶縁性シール部材３によって覆われて、ワイヤ９とバリ７とが直接接触することがなくなる。【選択図】        図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の主表面に所定の素子が形成され、ダイシングライン領域に導電性膜を残した状態でダイシングされた半導体チップと、
前記半導体チップの周縁に沿って残存する前記導電性膜の部分を覆う絶縁性シート部材と、
前記半導体チップの表面に形成された電極部と、
前記電極部に接続された導体線と
を備えた、半導体装置。
【請求項２】
前記絶縁性シート部材は、前記半導体チップの裏面、前記半導体チップの側面および前記半導体チップの周縁に沿って位置する表面部分を覆うように配設された、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記絶縁性シート部材は、前記半導体チップの表面および前記半導体チップの側面を覆うように配設された、請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記絶縁性シート部材において、前記電極部に対応する位置に形成された開口部を備え、
前記導体線は前記開口部を通じて前記電極部に接続された、請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記絶縁性シート部材により覆われた前記半導体チップを複数備え、
複数の前記半導体チップは積層された、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置に関し、特に、ダイシングの際に発生したバリとワイヤとの電気的な短絡が防止される半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造においては、まず、半導体基板（ウェハ）の状態でウェハの表面に所定の処理を施すことによって素子や配線等が形成される。ウェハの状態で施されるべきすべての処理が完了すると、ウェハはダイシングラインに沿ってダイシングされて、個々の半導体チップとして切り出される。
【０００３】
切り出された個々の半導体チップには所定のダイボンディング工程やワイヤボンディング工程等を含む所定のパッケージング処理が施されて、半導体装置が完成される。
【０００４】
ところで、ウェハをダイシングラインに沿ってダイシングすると、ダイシングライン領域に位置する導電性膜が捲れ上がってしまう。そのため、ワイヤボンディングを行なう際に、ワイヤと捲れ上がった導電性膜の部分とが接触して電気的な短絡が生じるという問題点があった。
【０００５】
このような問題点を解決するために、たとえば特開平１０−１５４６７０号公報、特開平１１−２０４５２５号公報には、ダイシングが行われる前に、ダイシングライン領域に位置する導電性膜を除去する製造方法が提案されている。
【０００６】
ダイシングライン領域に位置する導電性膜をダイシングの前にあらかじめ除去しておくことによって、ダイシングにより導電性膜が捲れ上がってしまうことがなくなる。その結果、ワイヤと捲れ上がった導電性膜の部分とが接触することによる電気的な短絡が防止される。
【０００７】
【特許文献１】
特開平１０−１５４６７０号公報
【０００８】
【特許文献２】
特開平１１−２０４５２５号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した半導体装置の製造方法では、ウェハの状態でダイシングライン領域に位置する導電性膜を除去するための付加的な工程が必要となる問題点があった。
【００１０】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、その目的はダイシングライン領域に位置する導電性膜を除去することなく電気的な短絡が防止される半導体装置を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置は、半導体チップと絶縁性シート部材と電極部と導体線とを備えている。半導体チップは、半導体基板の主表面に所定の素子が形成され、ダイシングライン領域に導電性膜を残した状態でダイシングされている。絶縁性シート部材は、半導体チップの周縁に沿って残存する導電性膜の部分を覆っている。電極部は半導体チップの表面に形成されている。導体線は電極部に接続されている。
【００１２】
【発明の実施の形態】
実施の形態１
本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法と、その製造方法によって製造される半導体装置について説明する。
【００１３】
まず、ウェハ上に所定の素子や配線等を形成するためのウェハの状態で施されるべき処理が完了する。このとき、ウェハにおけるダイシングライン領域では、配線等を形成するための導電性膜は除去されずに残された状態にある。
【００１４】
そのウェハに対してダイシングが施されることにより、図１に示すように、半導体チップ１が切り出される。図２に示すように、半導体チップ１の表面１ａはパッシベーション膜８によって覆われ、ワイヤが接続される部分にはいわゆるボンディングパッドとしての電極部５が露出している。
【００１５】
また、半導体チップ１の周縁部分には、ダイシングライン領域に残された導電性膜がダイシングされることによって捲れ上がった部分（バリ）７が存在している。なお、導電性膜は、電極部５や配線（図示せず）等を形成するための膜である。
【００１６】
そして、図１に示すように、半導体チップ１における所定の部分を覆うように半導体チップ１に貼り付けられる絶縁性シール部材３が用意される。絶縁性シール部材３の材質として、樹脂系のシール部材あるいはゴム系のシール部材を適用することができる。
【００１７】
この場合、絶縁性シール部材３には、半導体チップ１の裏面１ｂ部分に貼り付けられる第１の貼り付け部分３ａ、半導体チップ１の側面部分に貼り付けられる第２の貼り付け部分３ｂ、半導体チップ１の周縁に沿って位置する表面１ａ部分に貼り付けられる第３の貼り付け部分３ｃが設けられている。
【００１８】
なお、半導体チップ１の側面とは、ウェハをダイシングすることによって露出したウェハの断面である。
【００１９】
次に、図１および図２に示すように、第２の貼り付け部分３ｂ、第３の貼り付け部分３ｃを残して、絶縁性シール部材３の第１の貼り付け部分３ａが半導体チップ１の裏面１ａに貼り付けられる。
【００２０】
次に、図３および図４に示すように、絶縁性シール部材３の第２の貼り付け部分３ｂが半導体チップ１の側面に貼り付けられる。次に、図５および図６に示すように、絶縁性シール部材３の第３の貼り付け部分３ｃが半導体チップ１の周縁に沿って位置する表面１ａ部分に貼り付けられる。
【００２１】
これにより、半導体チップ１の周縁部分に残存する捲れ上がったバリ７が、絶縁性シール部材３の第２の貼り付け部分３ｂおよび第３の貼り付け部分３ｃによって覆われることになる。
【００２２】
次に、図７に示すように、半導体チップ１の表面に設けられた電極部５に対してワイヤ９がボンディングされて、電極部５と所定のリードフレーム（図示せず）とが電気的に接続される。その後、半導体チップ１が所定のパッケージ（図示せず）に封止されて半導体装置が完成する。
【００２３】
上述した半導体装置の製造方法では、まず、ウェハのダイシングライン領域において、配線等を形成するための導電性膜が除去されずに残された状態でダイシングが行われて半導体チップ１が切り出される。
【００２４】
そして、切り出された半導体チップ１に対して半導体チップ１の裏面１ｂの側から所定の絶縁性シール部材３が貼り付けられて、半導体チップ１の裏面、側面および半導体チップ１の周縁に沿って位置する表面１ａ部分が絶縁性シール部材３によって覆われる。
【００２５】
そのため、半導体チップ１の周縁において、ダイシングライン領域に残された導電性膜がダイシングにより捲れ上がってバリ７が生じた場合でも、そのバリ７は、絶縁性シール部材３によって覆われることになる。これにより、ワイヤ９が電極部５にボンディングされた後に、ワイヤ９とバリ７とが直接接触することがなくなる。
【００２６】
その結果、半導体装置においては、バリ７を介してたとえば一のワイヤと他のワイヤとが電気的に繋がるなどの電気的短絡を防止することができ、半導体装置の信頼性を向上することができる。
【００２７】
実施の形態２
本発明の実施の形態２に係る半導体装置の製造方法と、その製造方法によって製造される半導体装置について説明する。
【００２８】
まず、図８に示すように、前述した製造方法と同様に、ウェハのダイシングライン領域において、配線等を形成するための導電性膜が除去されずに残された状態でダイシングが行われて半導体チップ１が切り出される。
【００２９】
そして、図８に示すように、半導体チップ１における所定の部分を覆うように半導体チップ１に貼り付けられる絶縁性シール部材３が用意される。絶縁性シール部材３の材質として、樹脂系のシール部材あるいはゴム系のシール部材を適用することができ、後述するように、ワイヤボンディングにおけるはんだ付けの熱によって溶解するものが好ましい。
【００３０】
この場合、絶縁性シール部材３には、半導体チップ１の表面１ａ部分に貼り付けられる第１の貼り付け部分３ａ、半導体チップ１の側面部分に貼り付けられる第２の貼り付け部分３ｂが設けられている。
【００３１】
次に、図８および図９に示すように、第２の貼り付け部分３ｂを残して、絶縁性シール部材３の第１の貼り付け部分３ａが半導体チップ１の表面１ａに貼り付けられる。次に、図１０および図１１に示すように、絶縁性シール部材３の第２の貼り付け部分３ｂが半導体チップ１の側面に貼り付けられる。
【００３２】
これにより、半導体チップ１の周縁部分に残存する捲れ上がったバリ７が、絶縁性シール部材３の第１の貼り付け部分３ａおよび第２の貼り付け部分３ｂによって覆われることになる。
【００３３】
次に、図１２に示すように、ワイヤ９を電極部５へボンディングするために、ワイヤ９の先端部分が電極部５の直上に配置される。次に、図１３に示すように、ワイヤ９と電極部５とをはんだ付けする際の熱によって、電極部５の直上に位置する絶縁性シール部材３の部分が破られるか、あるいは溶解されて、開口部１２が形成される。
【００３４】
次に、図１４に示すように、絶縁性シール部材３に形成された開口部１２を通じてワイヤ９が電極部５にボンディングされて、電極部５と所定のリードフレーム（図示せず）とが電気的に接続される。その後、半導体チップ１が所定のパッケージ（図示せず）に封止されて半導体装置が完成する。
【００３５】
上述した半導体装置の製造方法では、前述した製造方法と同様に、ウェハのダイシングライン領域において、配線等を形成するための導電性膜が除去されずに残された状態でダイシングが行われて半導体チップ１が切り出される。
【００３６】
そして、切り出された半導体チップ１に対して半導体チップ１の表面１ａの側から所定の絶縁性シール部材３が貼り付けられて、半導体チップ１の表面と側面が絶縁性シール部材３によって覆われる。
【００３７】
そのため、半導体チップ１の周縁において、ダイシングライン領域に残された導電性膜がダイシングにより捲れ上がってバリ７が生じた場合でも、そのバリ７は、絶縁性シール部材３によって覆われることになる。これにより、ワイヤ９が電極部５にボンディングされた後に、ワイヤ９とバリ７とが直接接触することがなくなる。
【００３８】
その結果、半導体装置においては、バリ７を介してたとえば一のワイヤと他のワイヤとが電気的に繋がるなどの電気的短絡を防止することができ、半導体装置の信頼性を向上することができる。
【００３９】
ところで、近年のモバイル機器の発展に伴って、半導体素子（半導体チップ）のパッケージにも小型化と薄型化が求められている。これに対応するため、半導体チップに研磨処理を施すことによって半導体チップの厚さを薄くし、その半導体チップを複数積層させた構造が提案されている。
【００４０】
そこで、まず、一の変形例として実施の形態１において説明した絶縁性シール部材が貼り付けられた半導体チップを積層させた半導体装置について説明する。
【００４１】
図１５に示すように、一変形例に係る半導体装置では、まず、一の半導体チップ１の裏面１ｂの側から絶縁性シール部材３が貼り付けられた一の半導体チップ１が、ダイパッド１１の表面上に固定されている。
【００４２】
そして、他の半導体チップ２の裏面２ｂの側から絶縁性シール部材４が貼り付けられた他の半導体チップ２が、一の半導体チップの表面１ａ上に固定されている。
【００４３】
次に、他の変形例として実施の形態２において説明した絶縁性シール部材が貼り付けられた半導体チップを積層させた半導体装置について説明する。
【００４４】
図１６に示すように、他の変形例に係る半導体装置では、まず、一の半導体チップ１の表面１ａの側から絶縁性シール部材３が貼り付けられた一の半導体チップ１が、ダイパッド１１の表面上に絶縁性シール部材６を介在させて固定されている。
【００４５】
そして、他の半導体チップ２の表面２ａの側から絶縁性シール部材４が貼り付けられた他の半導体チップ２が、一の半導体チップの表面１ａを覆う絶縁性シール部材３上に固定されている。
【００４６】
このように、各変形例に係る半導体装置では、薄く研磨されて絶縁性シール部材３，４がそれぞれ貼り付けられた半導体チップ１，２が積層されることで、半導体装置の小型化薄型化を図ることができる。
【００４７】
特に、図１６に示される他の変形例に係る半導体装置の場合では、ダイパッド１１の上に一の半導体チップ１を固定するために余分な絶縁性シール部材６が必要であるのに対して、図１５に示される一の変形例に係る半導体装置の場合では、そのような絶縁性シール部材は必要とされない。
【００４８】
その結果、一の変形例に係る半導体装置は他の変形例に係る半導体装置と比べて、半導体装置として絶縁性シール部材の枚数を削減することができる。
【００４９】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明は上記の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００５０】
【発明の効果】
本発明に係る半導体装置によれば、ダイシングライン領域に位置する導電性膜が除去されずに残された状態でダイシングが行われて切り出された半導体チップにおいて、半導体チップの周縁に残存する導電性膜の部分が絶縁性シール部材によって覆われることになる。これにより、電極部に接続された導体線と残存する導電性膜とが直接接触することがなくなって、半導体装置において電気的短絡を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法の一工程を示す斜視図である。
【図２】同実施の形態において、図１に示す工程の部分断面図である。
【図３】同実施の形態において、図１に示す工程の後に行なわれる工程を示す斜視図である。
【図４】同実施の形態において、図３に示す工程の部分断面図である。
【図５】同実施の形態において、図３に示す工程の後に行なわれる工程を示す斜視図である。
【図６】同実施の形態において、図５に示す工程の部分断面図である。
【図７】同実施の形態において、図５に示す工程の後に行なわれる工程を示す部分断面図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係る半導体装置の製造方法の一工程を示す斜視図である。
【図９】同実施の形態において、図８に示す工程の部分断面図である。
【図１０】同実施の形態において、図８に示す工程の後に行なわれる工程を示す斜視図である。
【図１１】同実施の形態において、図１０に示す工程の部分断面図である。
【図１２】同実施の形態において、図１１に示す工程の後に行なわれる工程を示す部分断面図である。
【図１３】同実施の形態において、図１２に示す工程の後に行なわれる工程を示す部分断面図である。
【図１４】同実施の形態において、図１３に示す工程の後に行なわれる工程を示す部分断面図である。
【図１５】本発明の各実施の形態に係る半導体装置の一変形例を示す断面図である。
【図１６】本発明の各実施の形態に係る半導体装置の他の変形例を示す断面図である。
【符号の説明】
１，２  半導体チップ、１ａ，２ａ  表面、１ｂ，２ｂ  裏面、３，４，６  絶縁性シール部材、３ａ  第１の貼り付け部分、３ｂ  第２の貼り付け部分、３ｃ  第３の貼り付け部分、５  電極部、７  バリ、８  パッシベーション膜、９ワイヤ、１１  ダイパッド、１２  開口部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2004253422.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2004253422.tif 000013
【図１２】
2004253422.tif 000014
【図１３】
2004253422.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
2004253422.tif 000017
【図１６】
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