(57)【要約】【課題】研磨処理の終了後に所望の膜厚を精度よく得ることができる半導体集積回路の生産方法を提供する。【解決手段】複数種の半導体集積回路を生産するための複数種のデバイスウェハのそれぞれについて、継続的な生産の期間内の複数の時点において、研磨装置によるデバイスウェハの研磨速度であるデバイスウェハ研磨速度と、モニタウェハの研磨装置による研磨速度であるモニタウェハ研磨速度との比を求め、求めた研磨速度の比の経時的な変化を記録しておき、複数種のデバイスウェハのいずれかに対して研磨工程を実施するにあたって、対象となるデバイスウェハについての研磨速度の比の経時的な変化の記録に基づいて、研磨速度の比の現在値を推定し、モニタウェハの研磨速度と推定した研磨速度の比の現在値に基づいて、研磨工程の条件を設定する。【選択図】図２
2004079728.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨装置による研磨工程を含んで、複数種の半導体集積回路を継続的に生産する方法であって、
前記複数種の半導体集積回路を生産するための複数種のデバイスウェハのそれぞれについて、前記継続的な生産の期間内の複数の時点において、前記研磨装置による該デバイスウェハの研磨速度であるデバイスウェハ研磨速度と、モニタウェハの前記研磨装置による研磨速度であるモニタウェハ研磨速度との比を求め、
前記求めた研磨速度の比の経時的な変化を記録しておき、
前記複数種のデバイスウェハのいずれかに対して前記研磨工程を実施するにあたって、
対象となるデバイスウェハについての前記研磨速度の比の経時的な変化の記録に基づいて、該研磨速度の比の現在値を推定し、
前記モニタウェハの研磨速度と前記推定した研磨速度の比の現在値に基づいて、前記研磨工程の条件を設定することを特徴とする半導体集積回路の生産方法。
【請求項２】
前記複数種の半導体集積回路のそれぞれが、前記研磨工程を複数回含んで生産され、
前記記録が、前記複数回の研磨工程のそれぞれについて求めた前記研磨速度の比の経時的な変化の記録であり、
前記複数種のデバイスウェハのいずれかに対して前記複数回の研磨工程のいずれかを実施するにあたって、
対象となるデバイスウェハの対象となる研磨工程についての前記研磨速度の比の経時的な変化の記録に基づいて該研磨速度の比の現在値を推定し、該対象となるデバイスウェハの対象となる研磨工程の条件を設定することを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路の生産方法。
【請求項３】
前記研磨工程の実施後に、研磨した前記デバイスウェハを用いて前記デバイスウェハ研磨速度を求めることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体集積回路の生産方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、化学機械研磨法（以下、ＣＭＰ法という）を適用した研磨装置による研磨工程を含む、半導体集積回路の生産方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体基板上に形成された層間絶縁膜を平坦化するためにＣＭＰ法が広く用いられている。この方法により、層間絶縁膜の表面は良好な平坦性を得ることができ、半導体集積回路の製品歩留り、品質の向上に貢献している。しかし、ＣＭＰ法では、処理用副資材（例えば、研磨パッド、研磨スラリー等）の状態により、その研磨特性（例えば、研磨速度（研磨レート）や、面内均一性等）が大きく影響を受けるという問題がある。
【０００３】
この影響を極力排除するために、半導体基板上に形成された層間絶縁膜をＣＭＰ法により平坦化する場合には、一般に、研磨対象の半導体基板の研磨に先行して、研磨速度確認用のモニタウェハを用いて研磨装置でテスト研磨を行い、モニタウェハの研磨速度の測定が行われる。そして、この測定結果を参照して、研磨対象の半導体基板をＣＭＰ法によって研磨する条件を、経験的に決定するという方法が用いられている。
【０００４】
以下、図６の概念図を参照しながら、従来の研磨工程について説明する。
【０００５】
まず、実際にデバイスウェハを研磨処理する前に、モニタウェハを使用して所定の一定時間テスト研磨を行う。モニタウェハの研磨処理前および後の層間絶縁膜の膜厚を検査し、その差分すなわち実際に研磨された膜厚を研磨時間で除算する。これにより、現在の研磨装置の状態におけるモニタウェハの研磨レートＲｍを算出する。
【０００６】
続いて、下記式（１）により、デバイスウェハとモニタウェハの研磨レート比ｒと、モニタウェハの研磨レートＲｍとを乗算し、製品毎、かつ工程毎にデバイスウェハの設定研磨レートＲｄを算出する。
設定研磨レートＲｄ＝ｒ×Ｒｍ　…　（１）
【０００７】
ここで、デバイスウェハとモニタウェハの研磨レート比ｒは、経験や勘に基づいて事前に決定された設定値である。デバイスウェハとモニタウェハの研磨レート比ｒの値が適切ではない場合、デバイスウェハの研磨処理後の層間絶縁膜の膜厚が、期待する膜厚から大きくずれることになる。このデバイスウェハとモニタウェハの研磨レート比ｒの値は定期的には見直されるが、一旦設定されると、随時変更されるというものではない。
【０００８】
ＣＭＰ工程に処理対象の製品ロットが到着すると、その中から１枚のデバイスウェハを抜き取って、処理前の層間絶縁膜の膜厚Ｔ０を検査する。
【０００９】
続いて、下記式（２）により、処理前の膜厚Ｔ０から目標残し膜厚Ｔｔを減算し、所要研磨除去量Ｓを算出する。
所要研磨除去量Ｓ＝Ｔ０−Ｔｔ　…　（２）
【００１０】
続いて、下記式（３）により、所要研磨除去量Ｓを設定研磨レートＲｄで除算し、研磨所要時間Ｔｉｍｅを算出する。
研磨所要時間Ｔｉｍｅ＝Ｓ／Ｒｄ　…　（３）
【００１１】
続いて、処理対象のロットの各々のデバイスウェハに対して、上記研磨所要時間Ｔｉｍｅの間、順次研磨処理を行う。
【００１２】
研磨処理後、製品ロットの中から１枚のデバイスウェハを抜き取って処理後の層間絶縁膜の膜厚Ｔ１を検査する。
なお、図６には、処理前の層間絶縁膜の膜厚Ｔ０、目標残し膜厚Ｔｔ、所要研磨除去量Ｓ、処理後の層間絶縁膜の膜厚Ｔ１の関係を併せて示してある。
【００１３】
以後同様にして、モニタウェハの研磨レートＲｍと、デバイスウェハとモニタウェハの研磨レート比ｒと、に基づいて、研磨工程の条件を設定し、次の製品ロットの研磨処理が行われる。
【００１４】
上記従来方法による研磨工程では、モニタウェハの研磨速度を参照して、実際に研磨対象となるデバイスウェハの研磨条件を設定する場合に、その設定値に誤差が含まれている場合や、半導体基板上に成膜された層間絶縁膜の膜質が変動（研磨レートが変動）した場合には、所要の研磨除去量を精度よく得ることが困難であった。
【００１５】
半導体集積回路の製造工程においては、半導体素基板上に形成された層間絶縁膜をＣＭＰ法により平坦化する場合、その処理後の膜厚を精度よく管理することが重要である。
【００１６】
従来より、精度よく所望の膜厚を得るために、例えば研磨装置に機械式あるいは光学式等の研磨終点判定機構を設けて、所望する膜厚が得られたと期待される時点で処理を終了する方式や、あるいは装置内に膜厚計を設け、研磨処理と膜厚測定を交互に行い、所望膜厚に到達するまで、研磨処理と膜厚測定を交互に繰り返す方法等が用いられている。
【００１７】
例えば、特開平１０−９８０１６号には、半導体ウェハ表面の層間絶縁膜の膜厚を研磨前および研磨後に測定する測定器を研磨装置に設け、検出した研磨状態と基準膜厚とを比較して研磨条件を制御する方法が開示されている。
しかし、この従来技術では、最初に研磨する半導体ウェハの研磨条件の設定方法が明らかにされていない。
【００１８】
また、半導体集積回路の製造工程における他の工程の管理に関しては、例えば特開２０００−１３３５６８号に、露光処理後に、処理済みのウェハを測定し、予想範囲に入るか否かの検定を行った上で記憶し、その後の処理条件決定に利用する方法が開示されている。
しかし、本発明者による検討の結果、この従来技術による方法をそのまま研磨工程の条件決定に利用することは困難であることが分かった。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、前記従来技術に基づく問題点を解消し、研磨処理の終了後に所望の膜厚を精度よく得ることができる半導体集積回路の生産方法を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、研磨装置による研磨工程を含んで、複数種の半導体集積回路を継続的に生産する方法であって、
前記複数種の半導体集積回路を生産するための複数種のデバイスウェハのそれぞれについて、前記継続的な生産の期間内の複数の時点において、前記研磨装置による該デバイスウェハの研磨速度であるデバイスウェハ研磨速度と、モニタウェハの前記研磨装置による研磨速度であるモニタウェハ研磨速度との比を求め、
前記求めた研磨速度の比の経時的な変化を記録しておき、
前記複数種のデバイスウェハのいずれかに対して前記研磨工程を実施するにあたって、
対象となるデバイスウェハについての前記研磨速度の比の経時的な変化の記録に基づいて、該研磨速度の比の現在値を推定し、
前記モニタウェハの研磨速度と前記推定した研磨速度の比の現在値に基づいて、前記研磨工程の条件を設定することを特徴とする半導体集積回路の生産方法を提供するものである。
【００２１】
ここで、前記複数種の半導体集積回路のそれぞれが、前記研磨工程を複数回含んで生産され、
前記記録が、前記複数回の研磨工程のそれぞれについて求めた前記研磨速度の比の経時的な変化の記録であり、
前記複数種のデバイスウェハのいずれかに対して前記複数回の研磨工程のいずれかを実施するにあたって、
対象となるデバイスウェハの対象となる研磨工程についての前記研磨速度の比の経時的な変化の記録に基づいて該研磨速度の比の現在値を推定し、該対象となるデバイスウェハの対象となる研磨工程の条件を設定するのが好ましい。
【００２２】
また、前記研磨工程の実施後に、研磨した前記デバイスウェハを用いて前記デバイスウェハ研磨速度を求める、または、前記デバイスウェハ研磨速度を、該デバイスウェハを模したデバイスモニタウェハを用いて求めるのが好ましい。
【００２３】
また、前記研磨工程を実施するにあたって、前記モニタウェハの現在の研磨速度を測定するのが好ましい。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の半導体集積回路の生産方法を詳細に説明する。
【００２５】
本発明の半導体集積回路の生産方法は、複数種類の半導体集積回路に対し、ＣＭＰ法を適用した研磨装置により層間絶縁膜を研磨する工程を含む。また、それぞれの半導体集積回路は、１回ないしは複数回の研磨工程を含んで生産される。
【００２６】
本実施形態に係る研磨工程の説明を行う前に、研磨装置について簡単に説明する。
【００２７】
図１は、研磨装置の構成を表す一例の概略図である。
同図に示す研磨装置１０は、半導体集積回路の層間絶縁膜を研磨し平坦化する従来公知の構成のＣＭＰ装置である。研磨装置１０は、円形のプラテン１２と、プラテン１２の上に敷設された研磨パッド１４と、ウェハ２０を保持するウェハホルダー１６と、研磨処理時に、スラリー（研磨剤）を供給するスラリー供給ノズル１８とを備えている。
【００２８】
ウェハ２０の研磨処理を行う場合、ウェハ２０がウェハホルダー１６に保持され、その素子形成面が研磨パッド１４の表面と対向するように研磨パッド１４の上に載置される。そして、スラリー供給ノズル１８から研磨パッド１４の表面中央部にスラリーを供給しながら、プラテン１２とウェハホルダー１６の両方を同時に回転させる。これにより、ウェハ２０の層間絶縁膜の表面全面が均一に研磨され平坦化される。
【００２９】
続いて、図２の概念図を参照しながら、本実施形態に係る研磨工程について説明する。
【００３０】
まず、実際にデバイスウェハを研磨処理する前に、モニタウェハを使用して所定の一定時間テスト研磨を行う。モニタウェハの研磨処理前および後の層間絶縁膜の膜厚を検査し、その差分すなわち実際に研磨された膜厚を研磨時間で除算する。これにより、現在の研磨装置の状態におけるモニタウェハの研磨レートＲｍを算出する。
【００３１】
モニタウェハは、テスト研磨用として、複数種類のデバイスウェハに対して共通に用意されているものである。本実施形態の場合、モニタウェハには、凹凸が存在しない層間絶縁膜が形成されている。
【００３２】
続いて、下記式（４）により、データベースに蓄積されたデバイスウェハとモニタウェハの研磨レート比の実績値の経時的な変化の記録に基づいて算出された、デバイスウェハとモニタウェハの研磨レート比の現在値ｒと、モニタウェハの研磨レートＲｍとを乗算し、製品毎、かつ工程毎にデバイスウェハの設定研磨レートＲｄを算出する。
設定研磨レートＲｄ＝ｒ×Ｒｍ　…　（４）
【００３３】
ここで、研磨レート比の現在値ｒは、例えばデータベースに蓄積された直近のｎロット分の実績値から、上下に突出した特異点の実績値を除外した実績値を平均して算出する。この算出方法では、所定数の実績値が蓄えられていない状態において研磨レート比の現在値ｒの初期値を与える必要があるが、次回以降は、このデバイスウェハとモニタウェハの研磨レート比の現在値ｒを真値に収束させることができる。
【００３４】
ＣＭＰ工程に処理対象の製品ロットが到着すると、その中から１枚のデバイスウェハを抜き取って、処理前の層間絶縁膜の膜厚Ｔ０を検査する。
【００３５】
続いて、下記式（５）により、処理前の膜厚Ｔ０から目標残し膜厚Ｔｔを減算し、所要研磨除去量Ｓを算出する。
所要研磨除去量Ｓ＝Ｔ０−Ｔｔ　…　（５）
【００３６】
続いて、下記式（６）により、所要研磨除去量Ｓを設定研磨レートＲｄで除算し、研磨所要時間Ｔｉｍｅを算出する。
研磨所要時間Ｔｉｍｅ＝Ｓ／Ｒｄ　…　（６）
【００３７】
続いて、処理対象のロットの各々のデバイスウェハに対して、上記研磨所要時間Ｔｉｍｅの間、順次研磨処理を行う。
【００３８】
研磨処理後、製品ロットの中から１枚のデバイスウェハ（通常は、処理前の膜厚を測定したデバイスウェハ）を抜き取って処理後の層間絶縁膜の膜厚Ｔ１を検査する。
なお、処理前の層間絶縁膜の膜厚Ｔ０、目標残し膜厚Ｔｔ、所要研磨除去量Ｓ、処理後の層間絶縁膜の膜厚Ｔ１の関係は図６に示した通りである。
【００３９】
続いて、下記式（７）により、処理前の膜厚Ｔ０と処理後の膜厚Ｔ１との差分を、研磨所要時間Ｔｉｍｅとモニタウェハの研磨レートＲｍとの乗算値で除算し、処理対象の製品ロットにおけるデバイスウェハとモニタウェハの研磨レート比ｒ１を算出する。
研磨レート比ｒ１＝（Ｔ０−Ｔ１）／（Ｔｉｍｅ×Ｒｍ）　…　（７）
【００４０】
算出した研磨レート比ｒ１は、実績値としてデータベースに蓄積される。このデータベースは、既に述べたように、次の製品ロットの研磨処理の時の設定研磨レートＲｄを算出するために使用される。
【００４１】
以後同様にして、例えば製品ロット毎にモニタウェハの研磨レートＲｍを算出し、データベースに蓄積された処理対象のデバイスウェハとモニタウェハの研磨レート比ｒ１の実績値の経時的な変化の記録に基づいて、処理対象のデバイスウェハとモニタウェハの研磨レート比の現在値ｒを推定し、算出したモニタウェハの研磨レートＲｍと、推定した研磨レート比の現在値ｒと、に基づいて、研磨工程の条件を設定し、次の製品ロットの研磨処理が行われる。
【００４２】
本発明の半導体集積回路の生産方法では、上記の通り、それぞれの製品ロットの研磨処理に先立って、モニタウェハの研磨レートＲｍが算出されると共に、製品ロットの処理後に、デバイスウェハの研磨レートが算出され、モニタウェハとデバイスウェハの研磨レートの比ｒ１がデータベースに記録される。このように、デバイスウェハの研磨レート自体を記録するのではなく、モニタウェハとデバイスウェハとの研磨レート比ｒ１を記録する理由は以下の通りである。
【００４３】
研磨装置には、研磨パッド１４の摩耗等による不可避的な経時変化がある。デバイスウェハの研磨レートは、デバイスウェハの研磨対象となる層間絶縁膜の変化と研磨装置の状態の変化との両方の影響を受けて変化する。このため、デバイスウェハの研磨レートの変化からデバイスウェハの状態の変化を把握するのは困難である。これに対し、モニタウェハの研磨レートを算出することにより、研磨装置の短期的な状態変動による影響を排除できる。
【００４４】
また、モニタウェハの研磨レートＲｍを算出するのは、装置運用上の理由もある。すなわち、モニタウェハの研磨レートＲｍの算出は、製品ロットの研磨処理の開始可否の判断基準も兼ねている。実際の運用では、モニタウェハを用いた研磨レートの測定において、研磨レートＲｍが基準範囲内であること、および、研磨レートＲｍの面内均一性が基準範囲内であることなどを確認してから、製品ロットの研磨処理を行うかどうかの判断が行われる。
【００４５】
また、実際の運用では、例えば同機種の研磨装置を複数台所有し、これらを区別なく使用して半導体集積回路の生産が行われる場合もある。しかし、上記の通り、モニタウェハを使用して研磨レートＲｍを算出し、実際にデバイスウェハの研磨処理を行う場合に、モニタウェハの研磨レートＲｍすなわち現在の研磨装置の状態を考慮して研磨処理を行うため、研磨装置間の差の影響はほとんど無視できると考えられる。
【００４６】
このように、モニタウェハとデバイスウェハの研磨レート比ｒ１を経時的に記録し、この研磨レート比ｒ１の経時的な変化の記録に基づいて研磨レート比の現在値ｒを推定し、モニタウェハの研磨レートＲｍと推定した研磨レート比の現在値ｒに基づいて、研磨工程の条件を設定するようにしたことにより、設定した研磨条件の誤差を極力排除することが可能となり、研磨処理の終了後に所望の膜厚を精度よく得ることが可能になる。同時に、研磨装置の現在の状態に関わらず、また、複数の研磨装置を区別せずに利用することが可能になる。
【００４７】
次に、図３、図４および図５に示すグラフを参照し、本発明を適用して、製品毎、工程毎に、実際に研磨処理を行った結果について説明する。
【００４８】
図３は、研磨処理後の膜厚の設定値および実績値、ならびにモニタウェハとデバイスウェハの研磨レート比の設定値および実績値を表す一例のグラフである。このグラフの上半分は、研磨処理後の膜厚の設定値（設定膜厚）に対する実績値（処理後膜厚）の変化を表し、グラフの下半分は、モニタウェハとデバイスウェハの研磨レート比の設定値（処理条件設定値）に対する実績値（処理条件実績値）の変化を表す。また、グラフの横軸は、研磨処理された製品ロット数を表す。
【００４９】
グラフの上半分に示すように、本発明の適用前は、研磨処理後の膜厚の実績値が設定値から大きくずれていたが、本発明の適用後は、設定値に対して±１００ｎｍ（±１０００Å）の範囲内に収まっていることが分かる。また、グラフの下半分に示すように、本発明の適用前は、モニタウェハとデバイスウェハの研磨レート比の実績値が設定値から大きくずれていたが、本発明の適用後は、その設定値の近傍の所定範囲内で変動していることが分かる。
【００５０】
このように、本発明によれば、研磨時間の設定値が過去の実績値に応じて自動的に調整されるため、その結果として、デバイスウェハ上の層間絶縁膜の研磨後の膜厚が非常に安定する。
【００５１】
続いて、図４および図５は、モニタウェハとデバイスウェハの研磨レート比の設定値および実績値を表す別の例のグラフである。図４のグラフは、製品１，２において、第１層間絶縁膜を研磨処理した結果、図５のグラフは、製品３，４において、第２層間絶縁膜を研磨処理した結果を表す。第１層間絶縁膜はＢＰＳＧ膜（Ｂｏｒｏ−Ｐｈｏｓｐｈｏ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ　Ｇｌａｓｓ　膜）であり、第２層間絶縁膜はＴＥＯＳ膜（ＴｅｔｒａＯｒｔｈｏＳｉｌｉｃａｔｅを原料とする化学気相成長法で形成したシリコン酸化膜）である。従って、モニタウェハも、層毎に、デバイスウェハと同じ材料の層間絶縁膜を形成したものを使用した。これらのグラフにおいて、横軸は、研磨処理された製品ロット数を表し、縦軸は、モニタウェハの研磨レートに対するデバイスウェハの研磨レートの比（研磨レート比）を表す。四角もしくは丸で示したのは実績値であり、太い実線で示したのが設定値である。
【００５２】
これらのグラフから分かるように、デバイスウェハに対する研磨レートは、デバイスのデザイン（層間絶縁膜の下地の配線パターンの疎密）に依存するため、この例の場合、モニタウェハとデバイスウェハの研磨レート比の変動の傾向は製品１，２，３，４毎に異なっている。従って、本発明を適用して、製品１，２，３，４毎にモニタウェハとデバイスウェハの研磨レート比の実績値を経時的に記録し、研磨条件の設定を行うのが好ましい。
【００５３】
また、これらのグラフから分かるように、モニタウェハとデバイスウェハの研磨レート比の変化の傾向は工程毎にも異なる。この例の場合、第１および第２層間絶縁膜の配線パターンが異なるのはもちろん、層間絶縁膜の材料も異なる。したがって、工程毎にも本発明を同様に適用するのが好ましい。
【００５４】
なお、モニタウェハは、デバイスウェハの被研磨膜と同質の被研磨膜を堆積したものであるのが好ましい。また、モニタウェハは、デバイスウェハと同一成膜装置を用いて同一時期に成膜処理されたものであるのが好ましい。このようなモニタウェハを使用することにより、成膜装置の状態の変動に起因した研磨条件の変動を相殺、排除することが可能になる。
【００５５】
上記の実施例では、モニタウェハを、複数種類のデバイスウェハに対して共通に用意した。しかし、全ての種類のデバイスウェハに対して同一のモニタウェハを使用することは、本発明にとって必須ではない。例えば、異なる材質（ホウ素もしくはリンの濃度が異なるＢＰＳＧ膜、等）の層間絶縁膜を使用する複数の製造プロセスで複数種のデバイスウェハを製造する場合には、製造プロセス毎に、モニタウェハも分けることが好ましい。ただし、モニタウェハの種類が増えることは、工程管理の複雑化につながる。従って、不必要に多くの種類のモニタウェハを使用することは好ましくなく、例えば、同一材質の層間絶縁膜を使用する複数種類のデバイスウェハに対しては、共通に用意したモニタウェハを使用することが好ましい。
【００５６】
モニタウェハの研磨とデバイスウェハの研磨とは、通常、同一の条件で行われる。しかしこれも、本発明にとって必須ではない。例えば、あるデバイスウェハに対しては、他のデバイスウェハとは異なる研磨条件を設定しないと均一性を確保できないような場合には、モニタウェハの研磨は、装置状態の確認をかねて、他のデバイスウェハの研磨前のテスト研磨と同一の条件で行い、デバイスウェハの研磨は、そのデバイスウェハ用に設定した、他のデバイスウェハの研磨条件およびモニタウェハの研磨条件と異なる条件で行うことも可能である。
【００５７】
また、モニタウェハとデバイスウェハとの研磨レート比の現在値は、上記実施形態のように、特異点を除外した実績値の平均値に限定されず、例えば最瀕値、中心値、単純平均値等の各種の統計値を用いることもできる。また、データベースに記録する実績値は、各ロット毎に逐次記録するのが好ましいが、処理の効率化を図るために、任意のロット数を処理する毎に記録を行うようにしてもよい。
【００５８】
また、研磨装置は従来公知の構成のものがいずれも利用可能である。また、例えば製品ロット毎に、あるいは１日に１回だけというように、モニタウェハを使用して研磨装置の現在の研磨レートを測定するタイミングは、必要に応じて適宜決定すればよい。また、デバイスウェハの研磨レートは、研磨工程の実施後に、研磨したデバイスウェハを用いて求めてもよいし、あるいはデバイスウェハを模したデバイスモニタウェハを用いて求めてもよい。
【００５９】
前者の場合には、デバイスモニタウェハを用意したり、実際の生産とは別にデバイスモニタウェハの研磨速度を測定する工程を設けたりする必要なく、適切な研磨条件の設定を行うことができるという利点がある。一方、後者の場合には、例えばデバイスウェハ自体では膜厚測定が困難なので、デバイスウェハと同一形状のデバイスモニタウェハでデバイスウェハの研磨レートを見積もる場合に適している。
【００６０】
本発明は、基本的に以上のようなものである。
以上、本発明の半導体集積回路の生産方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。
【００６１】
【発明の効果】
以上詳細に説明した様に、本発明の半導体集積回路の生産方法は、モニタウェハの研磨レートとデバイスウェハの研磨レートの比の実績値を経時的に記録し、この研磨レート比の実績値の経時的な変化の記録に基づいて研磨レート比の現在値を推定し、モニタウェハの研磨レートと推定した研磨レート比の現在値に基づいて、研磨工程の条件を設定するようにしたものである。
これにより、本発明の半導体集積回路の生産方法によれば、設定した研磨条件の誤差を極力排除することが可能となり、研磨処理の終了後に所望の膜厚を精度よく得ることが可能になると共に、研磨装置の現在の状態に関わらず、また、複数の研磨装置を区別せずに利用することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】研磨装置の一例の構成概略図である。
【図２】本発明の半導体集積回路の生産方法を説明する一実施形態の概念図である。
【図３】研磨処理後の膜厚の設定値および実績値、ならびにモニタウェハとデバイスウェハの研磨レート比の設定値および実績値を表す一例のグラフである。
【図４】モニタウェハとデバイスウェハの研磨レート比の設定値および実績値を表す別の例のグラフである。
【図５】モニタウェハとデバイスウェハの研磨レート比の設定値および実績値を表す別の例のグラフである。
【図６】従来の半導体集積回路の生産方法を説明する一例の概念図である。
【符号の説明】
１０　研磨装置
１２　プラテン
１４　研磨パッド
１６　ウェハホルダー
１８　スラリー供給ノズル
２０　ウェハ
【図１】
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【図２】
2004079728.tif 000004
【図３】
2004079728.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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