(57)【要約】【課題】ＩＴＯ透明導電膜および該ＩＴＯ透明導電膜を用いる基板について、焼成時におけるＩＴＯ透明導電膜の抵抗値の上昇を抑え、各種ディスプレイ装置、とくにプラズマディスプレイパネルに好適に用いることのできるＩＴＯ透明導電膜および該ＩＴＯ透明導電膜を用いるディスプレイ用基板を提供する。【解決手段】圧力勾配型プラズマガンを使用する活性化蒸着法で成膜されたＩＴＯ透明導電膜であって、ＩＴＯ透明導電膜のＸ線回折の強度分布は、２θ＝３０．１゜を中心とする回折強度Ｉ（２２２）と２θ＝３５．１゜を中心とする回折強度Ｉ（４００）との強度比Ｉ（２２２）／Ｉ（４００）が３．０以上である。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＴＯ透明導電膜が透明基板に形成されてなるディスプレイ用基板において、ＩＴＯ透明導電膜が圧力勾配型プラズマガンを使用する活性化蒸着法で成膜されたものであって、該ＩＴＯ透明導電膜のＸ線回折の強度分布は、２θ＝３０．１゜を中心とする回折強度Ｉ（２２２）と２θ＝３５．１゜を中心とする回折強度Ｉ（４００）との強度比Ｉ（２２２）／Ｉ（４００）が３．０以上であることを特徴とするディスプレイ用基板。
【請求項２】
ＩＴＯ透明導電膜の表面抵抗値が、成膜時に３〜３０Ω／□あるいは焼成後に３〜２００Ω／□であり、ＩＴＯ透明導電膜の膜厚が５０〜５００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ用基板。
【請求項３】
ＩＴＯ透明導電膜が透明誘電体ガラス層で被覆されていることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載のディスプレイ用基板。
【請求項４】
透明誘電体ガラス層が、厚み１０〜５０μｍであり、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、ＺｎＯを必須成分とし、ＳｉＯ２を０．１〜１０ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３を１０〜４０ｗｔ％、ＺｎＯを５〜５５ｗｔ％含むものであることを特徴とする請求項３に記載のディスプレイ用基板。
【請求項５】
透明誘電体ガラス層が、ＩＴＯ透明導電膜の成分をなす酸化物を０．１〜１０ｗｔ％および／あるいはバス電極成分をなす導電性の金属の酸化物を０．１〜１．５ｗｔ％含むものであることを特徴とする請求項３あるいは請求項４のいずれかに記載のディスプレイ用基板。
【請求項６】
透明誘電体ガラス層が、５５０〜６１０℃の温度範囲で焼成されることを特徴とする請求項３乃至請求項５のいずれかに記載のディスプレイ用基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示パネル、エレクトロルミネッセンスパネル、蛍光表示パネル、エレクトロクロミック表示パネル、発光ダイオード表示パネル等に用いられるディスプレイ用基板に関し、特にプラズマディスプレイパネルに好適に用いられるディスプレイ用基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近、大型平面カラーディスプレイ装置としてプラズマディスプレイパネルが注目されている。図１は、プラズマディスプレイパネルの代表的な構成を示す概略断面図である。
【０００３】
前面基板ガラス１と背面基板５には、ソーダ石灰系ガラスあるいは高歪点ガラス等が用いられている。
【０００４】
前面基板ガラス１には、サステイン電極２が形成され、サステイン電極には、さらに、バス電極１０が形成されている。サステイン電極およびバス電極は、塩素系のエッチング液などでエッチングされ、所望のパターン形状の加工されている。
【０００５】
サステイン電極２とバス電極１０とは、透明誘電体ガラス層３と保護層４によって、プラズマ放電から保護される。
【０００６】
背面基板５には、バス電極１０に対するアドレス電極６、蛍光体層７および隔壁８が形成され、放電空間１１には、希ガス（例えばＸｅ、Ｎｅガス等）が封入される。保護層４は、スパッタリング法等により積層されるマグネシア（ＭｇＯ）層であり、隔壁８にはセラミックス系の材料が用いられる。
【０００７】
さらに、前面基板ガラス１と背面基板ガラス５とは、周辺部を低融点封止ガラス９により封着せしめている。
【０００８】
プラズマディスプレイパネルが実用化された当初、透明誘電体ガラス層３は、第１層（非脱泡層）と第２層（脱泡層）から構成された２層タイプであり、ＩＴＯ透明導電膜には第１層（非脱泡層）が直接接触していた。その焼成工程において、第１層（非脱泡層）はＩＴＯ透明導電膜をほとんど侵食しないので、ＩＴＯ透明導電膜の抵抗値はほとんど上昇することはなかったが、２層タイプは製造工程が複雑になるという問題があった（特許文献１）。
【０００９】
このため、透明誘電体ガラス層を１層にして、製造工程を簡素化する試みがなされ、透明誘電体ガラス層３を、非脱泡層のみで構成されたものは、非脱泡層がＩＴＯ透明導電膜をほとんど侵食しないので、ＩＴＯ透明導電膜の抵抗値はほとんど上昇することはなかった。しかし、非脱泡層には、微細な泡が存在するので、高耐圧および高信頼性を得るために、透明誘電体ガラス層３の膜厚を増やす必要があり、膜厚を増やす結果、非脱泡層のみの１層とすると、可視光透過率が低下するという問題を抱えることとなった。
【００１０】
他方、透明誘電体ガラス層を、脱泡層のみによる１層タイプで構成するものが知られている（特許文献２）。
【００１１】
【特許文献１】
特開平１０−３２６５６３号報
【特許文献２】
特開平１０−１１２２６５号公報
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、ＩＴＯ透明導電膜および該ＩＴＯ透明導電膜を用いる基板について、焼成時におけるＩＴＯ透明導電膜の抵抗値の上昇を抑え、各種ディスプレイ装置、とくにプラズマディスプレイパネルに好適に用いることのできるＩＴＯ透明導電膜および該ＩＴＯ透明導電膜を用いるディスプレイ用基板を提供する。
【００１３】
さらに、ＩＴＯ透明導電体を保護するための透明誘電体ガラス層が、焼成工程を経て形成されるディスプレイ用基板の場合、透明誘電体ガラス層のＩＴＯ透明導電膜への侵食があり、焼成後、ＩＴＯ透明導電膜の抵抗値は著しく上昇し、ディスプレイパネルの動作、高信頼性化に対しては不都合なものであった。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明のディスプレイ用基板は、ＩＴＯ透明導電膜が透明基板に形成されてなるディスプレイ用基板において、ＩＴＯ透明導電膜が圧力勾配型プラズマガンを使用する活性化蒸着法（イオンプレーティング）で成膜されたものであって、該ＩＴＯ透明導電膜のＸ線回折の強度分布は、２θ＝３０．１゜を中心とする回折強度Ｉ（２２２）と２θ＝３５．１゜を中心とする回折強度Ｉ（４００）との強度比Ｉ（２２２）／Ｉ（４００）が３．０以上であることを特徴とするディスプレイ用基板である。
【００１５】
また、前記ディスプレイ用基板において、ＩＴＯ透明導電膜の膜厚が５０〜５００ｎｍであり、ＩＴＯ透明導電膜の表面抵抗値が成膜時に３〜３０Ω／□あるいは焼成後に３〜２００Ω／□であることを特徴とするディスプレイ用基板である。
【００１６】
また、本発明のディスプレイ用基板は、前述のディスプレイ用基板において、透明誘電体ガラス層が、厚み１０〜５０μｍであり、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、ＺｎＯを必須成分とし、ＳｉＯ２を０．１〜１０ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３を１０〜４０ｗｔ％、ＺｎＯを５〜５５ｗｔ％含むものであることを特徴とする。
さらにまた、前述のディスプレイ用基板において、透明誘電体ガラス層が、ＩＴＯ透明導電膜の成分をなす酸化物を０．１〜１０ｗｔ％および／あるいはバス電極成分をなす導電性の金属の酸化物を０．１〜１．５ｗｔ％含むものであることを特徴とし、５５０〜６１０℃の温度範囲で焼成されることを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明のディスプレイ基板は、液晶表示パネル、エレクトロルミネッセンスパネル、蛍光表示パネル、エレクトロクロミック表示パネル、発光ダイオード表示パネル、ガス放電式表示パネル等の各種ディスプレイパネルに用いられ、とくにプラズマディスプレイパネルの前面基板として好適に用いられる。
【００１８】
サステイン電極に用いるＩＴＯ透明導電膜は、圧力勾配型プラズマガンを使用する活性化蒸着法（イオンプレーティング）を用いて成膜されたものである。図２は、圧力勾配型プラズマガンを使用する活性化蒸着法（イオンプレーティング）を用いて作製された、本発明によるＩＴＯ透明導電膜のＸ線回の折強度分布Ｃ１とスパッタリング法で成膜したＩＴＯ透明導電膜のＸ線回折の強度分布Ｃ２を比較したグラフである。
【００１９】
スパッタ法で作製されたＩＴＯ透明導電膜のＸ線回折の強度分布Ｃ２において、２θ＝３０．１゜を中心とする回折強度Ｉ（２２２）と２θ＝３５．１゜を中心とする回折強度Ｉ（４００）との強度比Ｉ（２２２）／Ｉ（４００）は１．５以下である。
【００２０】
本発明による、圧力勾配型プラズマガンを使用する活性化蒸着法（イオンプレーティング）を用いて成膜されたＩＴＯ透明導電膜のＸ線回折では、強度比Ｉ（２２２）／Ｉ（４００）は３．０以上で、スパッタ法で成膜したＩＴＯ透明導電膜に比べ、（２２２）面に配向した結晶性が得られ、構造が緻密である。このため、高温焼成時における抵抗値の上昇が小さく、高温耐久性に優れたものとなる。
【００２１】
本発明のＩＴＯ透明導電膜の膜厚と表面抵抗値は、膜厚が５０〜５００ｎｍであり、焼成前の表面抵抗値が３〜３０Ω／□または焼成後の表面抵抗値が３〜２００Ω／□であることが好ましく、より好ましくは、膜厚が７５〜３００ｎｍであり、焼成前の表面抵抗値が３〜２０Ω／□または焼成後の表面抵抗値が３〜２００Ω／□である。
【００２２】
ＩＴＯ透明導電膜の膜厚が５０ｎｍ未満であると透明誘電体ガラス層の焼成における耐侵食性が不足し、５００ｎｍを越えると、成膜時間が長く高コストとなるとともに、透過率が低くディスプレイに用いることが困難となる。焼成前の表面抵抗値が３０Ω／□を越えるもの、あるいは焼成後の表面抵抗値が２００Ω／□を越えるものは、透明誘電体ガラス層の焼成時での侵食が大きく、また、表面抵抗値の長期信頼性に欠けるので、好ましいくない。焼成前あるいは焼成後の表面抵抗値が３Ω／□未満のものは、膜厚が厚く、透過率が小さいためディスプレイに用いることが困難であり、また、成膜に時間がかかるため高コストとなるので、望ましくない。
【００２３】
ＩＴＯ透明導電膜は、焼成後、所定のパターン形状とするた、例えば塩酸系のエッチング液を用いて、形状加工する。
【００２４】
サステイン電極の上にバス電極を形成される。バス電極は、Ａｇ、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒ、Ｃｒ−Ａｌ−Ｃｒなどの膜材を塗布した後パターン形成される。
【００２５】
サステイン電極およびバス電極をプラズマ放電から保護するために、透明誘電体ガラス層と保護層が形成される。
【００２６】
透明誘電体ガラス層は、誘電体ガラス粉とペーストオイルからなる混合物をスクリーン印刷等により塗布するか、または、誘電体ガラス粉と樹脂バインダーとを混練し、ベースフィルム上に塗布し、カバーフィルムで被覆するといういわゆる”グリーンシート”からベースフィルムとカバーフィルムを取り除いた中身の誘電体ガラス粉と樹脂バインダーの混練物シートにしたものをサステイン電極とバス電極の上に配置する。
【００２７】
誘電体ガラス粉とペーストオイルからなる混合物の塗布後、あるいは誘電体ガラス粉と樹脂バインダーとの混練物シートの配置後、５５０〜６１０℃の温度範囲で、より好ましくは５７０  〜５９０℃の温度範囲で焼成し、誘電体ガラス層を形成する。焼成温度が、５５０℃未満では可視光透過率が低下し、６１０℃を越えるとＩＴＯ透明導電膜の侵食が大きく、前面基板ガラスが変形する危険性がある。
【００２８】
透明誘電体ガラス層の厚みは、１０〜５０μｍ、より好ましくは２０〜４０μｍである。厚みが１０μｍ未満では、厚みのばらつきなどで、プラズマからＩＴＯ透明電極の保護が十分でなく、５０μｍを越えると、可視光透過率が低下してディスプレイの輝度に問題が生じると共に、重量が増大してディスプレイの大面積化に不都合となる。
【００２９】
誘電体ガラスの組成は、透明誘電体ガラス層が前記温度範囲と膜厚の範囲で良好に形成できるものであればとくに限定されないが、ＩＴＯ透明導電膜への侵食の影響に対して、好適な組成としては、少なくともＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、ＺｎＯを必須成分として含み、ＳｉＯ２を０．１〜１０ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３を１０〜４０ｗｔ％、ＺｎＯを５〜５５ｗｔ％含む誘電体ガラスが好ましい。また、さらに好適な組成としては、前記の誘電体ガラスの組成に、ＩＴＯ透明導電膜の成分をなす酸化物を０．１〜１０ｗｔ％及び／又はバス電極成分をなす導電性の金属の酸化物を０．１〜１．５ｗｔ％含ませたものである。
【００３０】
好ましく使用できる誘電体ガラスのより具体的な例として、本出願人が特開２００２−２０１３８号報で開示する、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＰｂＯ系またはＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＰｂＯ−ＢａＯ系のガラスにＩＴＯ透明導電膜の成分をなす酸化物（酸化インジウムＩｎ２Ｏ３及び／又は酸化スズＳｎＯ２）を０．１〜１０ｗｔ％含むもの、また、特開平１０−３１６４５１号公報に開示する、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＰｂＯ系を基礎成分にＩＴＯ透明導電膜の成分をなす酸化物（酸化インジウムＩｎ２Ｏ３及び／又は酸化スズＳｎＯ２）を０．５〜５ｗｔ％含むもの、さらに具体的にはＳｉＯ２を１〜５ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３を１５〜３０ｗｔ％、ＺｎＯを８〜２５ｗｔ％、ＰｂＯを３０〜６０ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３を０〜５ｗｔ％、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＳｒＯ、ＢａＯより選ばれた１種又は２種以上を０〜２０ｗｔ％、ＩＴＯ透明導電膜の成分をなす酸化物（酸化インジウムＩｎ２Ｏ３及び／又は酸化スズＳｎＯ２）を０．５〜５ｗｔ％含むもの、また、特開２０００−１９５３３５号公報に開示する、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＰｂＯ系を基礎成分にバス電極成分をなす導電性の金属の酸化物を０．１〜１．５ｗｔ％含むもの、さらに具体的にはＳｉＯ２を２〜６ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３を１５〜２５ｗｔ％、ＺｎＯを１０〜１５ｗｔ％、ＰｂＯを５０〜６５ｗＳｉＯ２ｔ％、Ａｌ２Ｏ３を０〜２ｗｔ％、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＳｒＯ、ＢａＯより選ばれた１種又は２種以上を０〜６ｗｔ％、バス電極成分をなす導電性の金属の酸化物（酸化銅ＣｕＯ）を０．１〜１．５ｗｔ％、ＩＴＯ透明導電膜の成分をなす酸化物（酸化インジウムＩｎ２Ｏ３及び／又は酸化スズＳｎＯ２）を０．５〜５ｗｔ％含むもの、特開平１１−２４６２３３号公報にはＳｉＯ２を２〜６ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３を２０〜４０ｗｔ％、ＺｎＯを２０〜２５ｗｔ％、ＰｂＯを１０〜４０ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３を０〜５ｗｔ％、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＳｒＯ、ＢａＯより選ばれた１種又は２種以上を５〜３５ｗｔ％含むもの、また、特開２００２−１２４４５号公報に開示する、ＳｉＯ２を０．１〜１０ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３を２０〜３５ｗｔ％、ＺｎＯを２５〜５５ｗｔ％、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＳｒＯ、ＢａＯより選ばれた１種又は２種以上を１５〜５０ｗｔ％含むもの等がある。
【００３１】
本発明に関わるＩＴＯ透明導電膜は、図３に示す成膜装置３１で成膜する。成膜装置３１は、圧力勾配型プラズマガンを使用する活性化反応蒸着法（イオンプレーティング）法による成膜装置であり、圧力勾配型プラズマガンを使用する活性化反応蒸着法（イオンプレーティング）法は、特開平９−２５５７５号公報や特開２００２−８３６９３号公報に開示されている成膜法であり、圧力勾配型プラズマガン１３には、ＴａからなるパイプとＬａＢ６からなる円盤との複合陰極構造のものを用いることが好ましい。
【００３２】
チャンバー３０には、側壁に取り付けられた圧力勾配型プラズマガン１３と、底部に配置したるつぼ２０と、上部に配置した基板支持ホルダー１４によって構成されている。基板支持ホルダー１４は、図示しないモータにより矢印方向に回転するようになっている。また、基板支持ホルダー１４の近傍には、基板加熱ヒーター１５と温度計１９が配置されている。基板加熱ヒーター１５は、成膜される前面基板ガラス１を所定温度に保持するために設けられたもので、上記温度計１９での測定値をもとに、基板加熱ヒーター１５の出力を制御している。また、圧力勾配型プラズマガン１３は直流電源１６のマイナス側に接続されている。さらに、チャンバー３０の側壁には、ガス供給ノズル１７が配置されており、このガス供給ノズル１７には、マスフローコントローラ１８‘を介して反応ガスである酸素ガス（Ｏ２）ガスが供給される。また、チャンバー３０は、図示しない真空排気装置が接続されていて、所定の真空度に維持されるようになっている。
〔ＩＴＯ透明導電膜の成膜〕
成膜装置３１を用いて、ＩＴＯ透明導電膜が前面基板ガラス１へ、次のようにして成膜される。
【００３３】
基板支持ホルダー１４に前面基板ガラス１を取り付け、チャンバー３０内を約１０−３〜１０−５Ｐａに真空排気する。るつぼ２０には、Ｉｎ／Ｓｎ酸化物（または、Ｉｎ／Ｓｎ金属）からなる蒸発材料１２を充填する。そして、圧力勾配型プラズマガン１３の出力は、直流電源１６で調節する。放電ガスにはＡｒガスを使用することが好ましく、マスフローコントローラー１８により、Ａｒガスの供給量を調整する。チャンバー３０内の圧力は１０−２〜１Ｐａとすることが好ましく、Ａｒガスの供給量は１０〜１００ｓｃｃｍの範囲に、望ましくは２０ｓｃｃｍに調整することが好ましい。
【００３４】
次に、反応ガスである酸素ガス（Ｏ２）を供給ノズル１７から供給する。このＯ２ガスは、プラズマガン１３の出力や放電圧力等で決まる成膜速度に対し最適な供給量となるように、マスフローコントローラ１８で制御する。
【００３５】
圧力勾配型プラズマガン１３を作動させてプラズマビーム２１をるつぼ２０に充填されている蒸発材料１２に収束させる。圧力勾配型プラズマガン１３で発生するプラズマビーム２１を集束するために、図には記していない、中間電極、集束コイル等を使用する。
【００３６】
プラズマビーム２１によって加熱される蒸発材料１２は、蒸発し、マスフローコントローラ１８‘で供給量を調整した反応ガス（Ｏ２）と反応し、基板支持ホルダー１４に支持されて回転する前面基板ガラス１に蒸着し、膜が形成される。
【００３７】
ＩＴＯ透明導電膜のＸ線回折において、２θ＝３０．１゜を中心とする回折強度Ｉ（２２２）と２θ＝３５．１゜を中心とする回折強度Ｉ（４００）との強度比Ｉ（２２２）／Ｉ（４００）が、３．０以上とするには、成膜時のプラズマガンの電力を２．５ｋＷ以上、酸素流量を３〜１４ｓｃｃｍ、チャンバー内の圧力を０．１Ｐａ以下にすることが望ましい。
【００３８】
前述の方法で得られるＩＴＯ透明導電膜は、特にＸ線回折の強度比が３．０以上のものは、耐熱性に優れ、プラズマディスプレイの場合は、透明誘電体ガラス層の焼成に対して、影響を受けず、有効なサステイン電極を提供するものであり、プラズマディスプレイに限らず、透明電極に対して熱処理を行う場合に、有効な透明導電膜や、透明電極を提供することができる。
【００３９】
さらに、熱処理をしない場合でも、本発明のＩＴＯ透明導電膜は、従来のＩＴＯ透明導電膜と同様に使用できるものであり、用途を、耐熱性が必要となる場合に限定するものではない。
【００４０】
【実施例】
以下、本発明の実施例を述べる。但し、本発明は、これに限定するものではない。
実施例１
図２に示す成膜装置を用い、次に示す手順で、ガラス基板にＩＴＯ透明導電膜を成膜した。
▲１▼面積３０ｃｍ×３０ｃｍ、厚さ２．８ｍｍの高歪点ガラスをガラス基板１‘  に用い、自動式の超音波洗浄機で洗浄した。
▲２▼洗浄したガラス基板１‘を基板支持ホルダー１４に取り付けた。
▲３▼チャンバー３０の圧力が２．５×１０−４Ｐａに達するまで排気した。また、  ガラス基板１‘を基板加熱ヒーター１５で加熱し、ガラス基板１’の温度を  ２００℃にした。
▲３▼Ｉｎ２Ｏ３の含有量が９５質量％、ＳｎＯ２含有量が５質量％のＩＴＯ焼結体を蒸発材料１２に用い、るつぼ２０に充填した。
▲４▼圧力勾配型プラズマガン１３に、マスフローコントローラー１８で流量を制  御して２５ｓｃｃｍのＡｒガスを流し、圧力勾配型プラズマガン１３とるつ  ぼ２０との間に５ｋＷになるまで徐々に電力を印可した。また、反応性ガス  としてＯ２ガスをマスフローコントローラー１８‘によって流量を１４ｓｃ  ｃｍに制御し、反応性ガス供給ノズル１７からチャンバー３０内に流した。  このときのチャンバー３０内の圧力は、０．１Ｐａとなるようにした。
▲５▼放電および原料の蒸発が安定した後、シャッター２２を４７秒間開け、厚さ  １９６ｎｍのＩＴＯ透明導電膜をガラス基板１‘の面に形成した。
【００４１】
得られたＩＴＯ透明導電膜の、４探針法で測定した表面抵抗値は、６．５Ω／□であった。このＩＴＯ透明導電膜の強度比Ｉ（２２２）／Ｉ（４００）は７．７であった。
▲６▼次に、本実施例で得られたＩＴＯ透明導電膜付きガラスのＩＴＯ透明導電膜  上に、誘電体ガラスを含有するグリーンシートを約８０℃で加熱ラミネート  した。誘電体ガラスは、ＳｉＯ２を４ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３を２０ｗｔ％、Ｚｎ  Ｏを１１ｗｔ％、ＰｂＯを６０ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３を１ｗｔ％、ＢａＯを２  ｗｔ％、Ｉｎ２Ｏ３を１．９ｗｔ％、ＣｕＯを０．１ｗｔ％含む組成のもの  を使用した。
▲７▼誘電体ガラスシートを加熱ラミネートしたＩＴＯ透明導電膜のガラスを３分  割し、それぞれを、５７０、５８０、５９０℃で３０分間焼成して透明誘電  体ガラス層で被覆されたＩＴＯ透明導電膜付きガラス基板を得た。
【００４２】
透明誘電体ガラス層で被覆されたＩＴＯ透明導電膜について、透明誘電体ガラス層の焼成時の影響を見るため、７％硝酸液中で誘電体ガラス層を溶解・除去した。
【００４３】
５７０、５８０、５９０℃で焼成した３つの試料について、４探針法にてＩＴＯ透明導電膜の表面抵抗値を測定した。焼成前の表面抵抗値６．５Ω／□に対して、５７０℃で焼成したものの表面抵抗値は７．１Ω／□、５８０℃で焼成したものの表面抵抗値は７．９Ω／□、５９０℃で焼成したものの表面抵抗値は１０．９Ω／□となり極めて良好な結果が得られた。
【００４４】
実施例２
シャッター２２を開ける時間（成膜時間）を３５秒とした以外は、実施例１と同じ方法でＩＴＯ透明導電膜を成膜した。得られたＩＴＯ透明導電膜は、厚さ１６０ｎｍ、表面抵抗値は、９．１Ω／□であった。また、このＩＴＯ透明導電膜の強度比Ｉ（２２２）／Ｉ（４００）は７．７であった。
【００４５】
透明誘電体ガラスの焼成後については、５７０℃で焼成したものの表面抵抗値は１０．６Ω／□、５８０℃で焼成したものの表面抵抗値は１２．０Ω／□、５９０℃で焼成したものの表面抵抗値は２０．７Ω／□となり極めて良好な結果が得られた。
【００４６】
実施例３
成膜時間を２４秒とした以外は、実施例１と同様にして、ＩＴＯ透明導電膜を作製した。得られたＩＴＯ透明導電膜は、厚さ１１２ｎｍ、表面抵抗値は、１２．５Ω／□であった。このＩＴＯ透明導電膜の強度比Ｉ（２２２）／Ｉ（４００）は７．７であった。
【００４７】
このＩＴＯ透明導電膜に実施例１と同様の透明誘電体ガラス層を形成した。透明誘電体ガラスを焼成した後のＩＴＯ透明導電膜の表面抵抗値は、透明誘電体ガラスを５７０℃で焼成した場合は１５．１Ω／□、５８０℃で焼成した場合は２１．４Ω／□となり、膜厚が薄いにもかかわらず、良好な結果が得られた。
【００４８】
比較例１
ＩＴＯ透明導電膜のガラス基板上にスパッタ法で成膜したことと、ＳｉＯ２を１２ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３を２０ｗｔ％、ＰｂＯを６５ｗｔ％、Ｃｕ２Ｏを３ｗｔ％含む組成の誘電体ガラスを、透明誘電体ガラス層に用いた他は、全て実施例１と同様にした。
【００４９】
ＩＴＯ透明導電膜のガラス基板上にスパッタ法による成膜は次のようにした。
【００５０】
▲１▼ガラス基板をスパッタ成膜装置のチャンバー内に入れ、槽内の真空度が２．５×１０−４Ｐａに達するまで排気した。このとき、基板温度が３５０℃となるようにヒーターを制御した。
【００５１】
▲２▼スパッタ法のターゲットとして、Ｉｎ２Ｏ３の含有量が９０質量％、ＳｎＯ２の含有量が１０質量％でなるＩＴＯターゲットを用いた。
【００５２】
▲３▼チャンバー内に１５ｓｃｃｍのＡｒガスと、１．５ｓｃｃｍのＯ２ガスを供給し、２００Ｗの直流による放電を行った。
【００５３】
▲４▼放電が安定した後、シャッター２２を１２０秒間開け、ガラス基板に膜厚が２００ｎｍのＩＴＯ透明導電膜を成膜した。
【００５４】
スパッタ法によって得られたＩＴＯ透明導電膜の表面抵抗値は、１０Ω／□であった。このＩＴＯ透明導電膜のＸ線回折の強度分布は、図３のＣ２のようになり、強度比Ｉ（２２２）／Ｉ（４００）は１．０であった。
【００５５】
また、透明誘電体ガラス層を焼成した後の表面抵抗値は、焼成温度が５９０℃の場合、２００Ω／□を越え、表面抵抗値の上昇が著しく大きなものであった。
比較例２
成膜時間を６０秒とした以外は、全て比較例１と同様にした。
【００５６】
得られたＩＴＯ透明導電膜は、厚さ１００ｎｍ、表面抵抗値は、１６Ω／□であった。透明誘電体ガラス層の焼成後、ＩＴＯ透明導電膜の表面抵抗値は、焼成温度が５７０℃の場合は４２Ω／□となり、５８０℃、５９０℃で焼成した場合は絶縁体の抵抗値となり、ほぼ同じ厚みの実施例３と比べて抵抗値は著しく上昇し、焼成温度が５８℃および５９０℃の場合については、電極として用いることのできないものであった。
【００５７】
【発明の効果】
本発明のディスプレイ用基板は、耐熱性に優れ、各種ディスプレイに有効な透明電極を設けるディスプレイ用基板を提供する。
【図面の簡単な説明】
【図１】プラズマディスプレイパネルの構成を示す概略側断面図である。
【図２】圧力勾配型プラズマガンを使用する活性化反応蒸着法（イオンプレーティング）の装置概略図である。
【図３】圧力勾配型プラズマガンを使用する活性化反応蒸着法（イオンプレーティング）  で成膜したＩＴＯ透明導電膜のＸ線回折の強度分布とスパッタ法で成膜したＩＴＯ透明導電膜のＸ線回折の強度分布とを比較するグラフである。
【符号の説明】
１              前面基板ガラス
１‘            ガラス基板
２              サステイン電極
３              透明誘電体ガラス層
４              保護層
５              背面基板
６              アドレス電極
７              蛍光体
８              隔壁
９              封止材
１０            バス電極
１２            蒸発材料
１３            圧力勾配型プラズマガン
１４            基板ホルダー
１７            反応ガス供給ノズル
１８、１８‘    マスフローコントローラー
１９            温度計
２０            るつぼ
２１            プラズマビーム
２２            シャッター
２３            プラズマ雰囲気
２９            圧力計
３０            チャンバー
３１            成膜装置
【図１】
2004165079.tif 000003
【図２】
2004165079.tif 000004
【図３】
2004165079.tif 000005