(57)【要約】【課題】塗布処理において基板上に形成される処理液の膜厚が不均一になることを抑制する基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】基板９０を搬出する搬送装置のアーム３１に送風機構５０を設ける。送風機構５０には、塗布領域（基板９０のレジスト液が塗布された領域）の外周部にガスを送風する送風ノズル５１、送風ノズル５１にガスを導く配管５２、制御信号に応じて開閉する電磁弁５３およびガス供給機構６４を設ける。塗布装置においてレジスト液が塗布された基板９０をアーム３１が搬送する間、電磁弁５３を開放して送風ノズル５１から塗布領域の外周部に対して送風を行う。これにより、塗布領域の外周部を中央部よりも先に乾燥固化させる。【選択図】　　　　図４
2004079884.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して所定の処理液を塗布する基板処理装置であって、
所定の処理液を前記基板の表面の塗布領域に塗布する塗布手段と、
前記塗布手段により前記塗布領域に塗布された前記所定の処理液を乾燥させる乾燥手段と、
を備え、
前記乾燥手段が、前記塗布領域の全域に塗布された前記所定の処理液の乾燥処理に先立って、前記塗布領域の外周部に塗布された前記所定の処理液を選択的かつ先行的に乾燥させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記乾燥手段が、前記塗布領域の外周部にガスを送風することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
前記塗布手段から前記基板を搬出する搬出手段をさらに備え、
前記乾燥手段が前記搬出手段に取り付けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
前記乾燥手段が前記塗布手段に取り付けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記塗布手段が、
前記所定の処理液としてレジスト液を吐出するスリットノズルを有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
基板の塗布領域に塗布された所定の処理液を乾燥させる基板処理方法であって、
前記塗布領域の外周部に塗布された前記所定の処理液を選択的に乾燥させる第１乾燥工程と、
前記塗布領域の全域に塗布された前記所定の処理液を乾燥させる第２乾燥工程と、
を有し、
前記第１乾燥工程が、前記第２乾燥工程よりも先に実行されることを特徴とする基板処理方法。
【請求項７】
請求項６に記載の基板処理方法であって、
前記第１乾燥工程が、前記塗布領域の外周部にガスを送風する工程であることを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】
請求項６または７に記載の基板処理方法であって、
塗布装置から前記基板を搬出する搬出工程を有し、
前記第１乾燥工程が前記搬出工程に伴って実行されることを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板およびＰＤＰ用ガラス基板などの各被処理基板に均一な処理液の膜を形成する技術に関する。より詳しくは、塗布された処理液を乾燥させる技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、ノズルなどの処理ツールからレジスト液などの処理液を吐出しつつ基板の表面の所定の位置に処理液を塗布し、その後に当該処理液を乾燥させて基板上に処理液の膜を形成する基板処理装置が提案されている。このような基板処理装置において処理液を塗布する手法としては、基板を回転させて塗布するスピンコーティングと、直線状のスリットノズルを所定の方向に走査させて塗布するスリットコーティングが知られている。
【０００３】
図１１は、スリットコーティングを例に、基板９１にレジスト液を塗布する様子を示した図である。なお、図１１（ａ）は、スリットノズル１００と基板９１との位置関係を示した側面図である。また、図１１（ｂ）は、スリットノズル１００が基板９１を走査する様子を示した概念図である。
【０００４】
スリットコーティングにおける塗布処理においては、スリットノズル１００は、図１１（ａ）に示すように、基板９１の表面に対して平行となるように配置される。特に、処理液としてレジスト液を塗布する際には、その膜厚などに高い精度が要求されるため、基板９１に対するスリットノズル１００の姿勢および位置は、図示しない昇降機構や移動機構により精密に制御される。基板９１に対する姿勢が決定された後、スリットノズル１００は走査方向ＳＤの方向に移動することにより基板９１を走査しつつ、下面に設けられたスリットから処理液を吐出して塗布処理を行う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
図１２（ａ）は、塗布処理が終了した直後の基板９１を示す側面図である。また、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）に示す基板９１について、ある程度時間が経過した後の状態を示す側面図である。
【０００６】
前述のように、従来のスリットコーティングにおいては、スリットノズル１００の姿勢および位置が精密に制御されることから、塗布処理が終了した直後の基板９１にはレジスト液が均一に塗布され、表面には厚さが均一なレジスト膜ＲＦが形成されている。
【０００７】
ところが、時間の経過によりレジスト液に含まれる溶媒が蒸発すると、レジスト膜ＲＦの表面が乾燥固化し、それに伴って、図１２（ｂ）の矢印で示すように、レジスト膜ＲＦは中央部方向に「縮み」を生ずる。そのため、レジスト膜ＲＦの外周部におけるレジスト膜ＲＦの厚さが中央部に比べて薄くなり、結果としてレジスト膜ＲＦの膜厚が不均一になるという問題があった。
【０００８】
このような問題を解決するために、中央部に塗布されたレジスト液が乾燥する前に専用の乾燥装置に基板９１を短時間で搬送するという手法も行われているが、搬送速度を上げると、搬送時に基板９１の周辺の気流が乱れ、レジスト液の表面が波打つなどの問題が発生するため、搬送速度を上げるにも限界がある。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、塗布処理において基板上に形成される処理液の膜厚が不均一になることを抑制する基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に対して所定の処理液を塗布する基板処理装置であって、所定の処理液を前記基板の表面の塗布領域に塗布する塗布手段と、前記塗布手段により前記塗布領域に塗布された前記所定の処理液を乾燥させる乾燥手段とを備え、前記乾燥手段が、前記塗布領域の全域に塗布された前記所定の処理液の乾燥処理に先立って、前記塗布領域の外周部に塗布された前記所定の処理液を選択的かつ先行的に乾燥させる。
【００１１】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置であって、前記乾燥手段が、前記塗布領域の外周部にガスを送風する。
【００１２】
また、請求項３の発明は、請求項１または２の発明に係る基板処理装置であって、前記塗布手段から前記基板を搬出する搬出手段をさらに備え、前記乾燥手段が前記搬出手段に取り付けられている。
【００１３】
また、請求項４の発明は、請求項１または２の発明に係る基板処理装置であって、前記乾燥手段が前記塗布手段に取り付けられている。
【００１４】
また、請求項５の発明は、請求項１ないし４のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記塗布手段が、前記所定の処理液としてレジスト液を吐出するスリットノズルを有する。
【００１５】
また、請求項６の発明は、基板の塗布領域に塗布された所定の処理液を乾燥させる基板処理方法であって、前記塗布領域の外周部に塗布された前記所定の処理液を選択的に乾燥させる第１乾燥工程と、前記塗布領域の全域に塗布された前記所定の処理液を乾燥させる第２乾燥工程とを有し、前記第１乾燥工程が、前記第２乾燥工程よりも先に実行される。
【００１６】
また、請求項７の発明は、請求項６の発明に係る基板処理方法であって、前記第１乾燥工程が、前記塗布領域の外周部にガスを送風する工程である。
【００１７】
また、請求項８の発明は、請求項６または７の発明に係る基板処理方法であって、塗布装置から前記基板を搬出する搬出工程を有し、前記第１乾燥工程が前記搬出工程に伴って実行される。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。
【００１９】
＜１．　実施の形態＞
図１は、本発明における基板処理装置１を示す平面図である。また、図２は、基板処理装置１を示す側面図である。基板処理装置１は、塗布装置１０、乾燥装置２０、搬送装置３０、および制御装置４０とに大別され、液晶表示装置の画面パネルを製造するための角形ガラス基板を被処理基板９０としている。
【００２０】
なお、基板処理装置１は、液晶表示装置用のガラス基板だけでなく、一般に、フラットパネルディスプレイ用の種々の基板に処理液（薬液）を塗布する装置として変形利用することもできる。
【００２１】
塗布装置１０は、ステージ１１、一対の駆動機構１３、一対の走行レール１４およびスリットノズル１５を備え、基板９０の表面に形成された電極層などを選択的にエッチングするプロセスにおいて、基板９０の表面に処理液としてのレジスト液を塗布する装置として構成されている。したがって、この実施の形態では、スリットノズル１５はレジスト液を吐出するようになっている。
【００２２】
また、塗布装置１０は、スリットノズル１５によりレジスト液を基板９０に直接塗布するいわゆるスリットコータとして構成されている。スリットコータは、処理液を基板に直接塗布するため、用いる処理液の粘度が低く（より液体に近い）という特徴があり、乾燥による体積変化が大きいため、前述のような問題が顕著に現れる傾向がある。しかし、本発明は、このようなスリットコートによって塗布を行う基板処理装置１のみならず、基板を回転させつつレジスト液を塗布するいわゆるスピンコータにおいても、もちろん利用することができる。
【００２３】
ステージ１１は、被処理基板９０を載置して保持するための保持台として機能するとともに、付属する各機構の基台としても機能する。ステージ１１は直方体形状の一体の石製であり、その上面（保持面１２）および側面は平坦面に加工されている。
【００２４】
ステージ１１の上面は水平面とされており、基板９０の保持面１２となっている。保持面１２には多数の真空吸着口が分布して形成されており、塗布装置１０において基板９０を処理する間、基板９０を吸着することにより、基板９０を所定の水平位置に保持する。
【００２５】
この保持面１２のうち基板９０の保持エリア（基板９０が保持される領域）を挟んだ位置には、略水平方向に平行に伸びる一対の走行レール１４が固設される。走行レール１４は、各駆動機構１３のＹ軸方向の移動を案内するとともに、スリットノズル１５を保持面１２の上方に支持するリニアガイドを構成する。
【００２６】
駆動機構１３はスリットノズル１５の両側に分かれて配置され、スリットノズル１５と連結されている。詳細は図示しないが、駆動機構１３は、ＡＣサーボモータおよびボールネジからなる昇降機構と、リニアモータからなる移動機構とから構成される。当該昇降機構は、スリットノズル１５を並進的に昇降させつつスリットノズル１５のＸＺ平面内での姿勢を調整する。また、当該移動機構は、リニアモータの駆動力により、スリットノズル１５を基板９０の表面に沿った略水平方向（Ｙ軸方向）に移動させる。
【００２７】
水平Ｘ軸方向に伸びる直線状のスリットノズル１５には、スリットノズル１５へ薬液を供給する配管やレジスト用ポンプを含む吐出機構（図示せず）が接続されている。スリットノズル１５は、レジスト用ポンプによりレジスト液が送られ、基板９０の表面を走査することにより、基板９０の表面の所定の領域（以下、「塗布領域」と称する。）にレジスト液を吐出する。
【００２８】
乾燥装置２０は、基板９０の塗布領域に塗布されたレジスト液を均一に乾燥させるための一般的な装置であり、本実施の形態においては、搬入された基板９０に対していわゆる減圧乾燥を行う装置として構成されているが、他の周知の手法（例えば、加熱乾燥）によって乾燥処理を行う装置であってもよい。
【００２９】
搬送装置３０は、アーム３１、ガイドレール３２、アーム駆動機構３３、支持部材３４から構成され、塗布装置１０から基板９０を搬出して乾燥装置２０に搬入する。
【００３０】
図３は、アーム３１および乾燥機構５０の平面図である。また、図４は、アーム３１が基板９０を保持する様子を示す平面図である。さらに、図５は、アーム３１が基板９０を保持する様子を示す側面図である。
【００３１】
アーム３１は、ガイドレール３２に取り付けられる支持部材３１０、基板９０を水平姿勢で保持する機構として、前後ハンド３１１および左右ハンド３１２を備えている。また、前後ハンド３１１のＹ軸方向の間隔を調整する前後ハンドスライド機構３１３と、左右ハンド３１２のＸ軸方向の間隔を調整する左右ハンドスライド機構３１４とを備えている。
【００３２】
支持部材３１０は、アーム３１の各構成および乾燥機構５０の一部（送風ノズル５１および配管５２）を取り付けるための部材として機能し、Ｘ軸方向に移動が可能な状態でガイドレール３２に取り付けられる。
【００３３】
前後ハンド３１１は、Ｙ軸方向に対向するように前後に配置された一対のハンド部材から構成され、図５に示すように、前後ハンドスライド機構３１３によりそれぞれのハンド部材がＹ軸方向にスライドさせられることによって、基板９０のＹ軸方向の幅に応じた間隔に調整され、基板９０の裏面（基板９０のレジスト液が塗布されている面に対向する面）に当接して支持する。
【００３４】
左右ハンド３１２は、Ｘ軸方向に対向するように左右に配置された一対のハンド部材から構成され、図４に示すように、左右ハンドスライド機構３１４によりそれぞれのハンド部材がＸ軸方向にスライドすることによって、基板９０のＸ軸方向の幅に応じた間隔に調整され、各ハンド部材の（＋Ｙ）方向の先端部により基板９０の裏面に当接して支持する。
【００３５】
このような機構を備えることにより、アーム３１は、図４および図５に示すように、基板９０を所定の位置（支持部材３１０の下方）に水平状態で保持することができる。したがって、搬送装置３０は、基板９０を保持した状態のアーム３１を、詳細については後述するアーム駆動機構３３によって移動させることにより、基板９０を塗布装置１０から搬送（搬出）する。
【００３６】
２本のガイドレール３２は、Ｘ軸方向に沿って、ほぼ基板処理装置１のＸ軸方向全長に渡り、相互に平行に設けられている。アーム３１は、２本のガイドレール３２に摺動自在に設置されている。
【００３７】
図２に戻って、搬送装置３０は、塗布装置１０と乾燥装置２０との配列方向（Ｘ軸方向）にアーム３１を駆動する機構として、アーム駆動機構３３を備える。アーム駆動機構３３は、支持部材３４によって支持された２本のガイドレール３２の間に配置されており、モータ３３０、駆動用プーリ３３１、従動プーリ３３２およびタイミングベルト３３３によって構成されている。
【００３８】
駆動用プーリ３３１は、モータ３３０によって回転駆動される。従動プーリ３３２は回転自在に保持されている。また、駆動用プーリ３３１および従動プーリ３３２にはタイミングベルト３３３が掛け渡されている。モータ３３０の回転は、駆動用プーリ３３１を介してタイミングベルト３３３に伝達され、タイミングベルト３３３が回走されることとなる。
【００３９】
タイミングベルト３３３には、アーム３１が固定されており、モータ３３０の正または逆回転により、アーム３１はガイドレール３２に沿ってＸ軸方向に移動する。
【００４０】
したがって、アーム３１が前述のように基板９０を保持していれば、アーム駆動機構３３が当該アーム３１を（＋Ｘ）方向に移動させることにより、基板９０を塗布装置１０から乾燥装置２０に搬送することができる。
【００４１】
図３ないし図５に戻って、乾燥機構５０は、搬送装置３０の支持部材３１０の下方に支持される送風ノズル５１、送風ノズル５１までガス（例えば、エアーや窒素などの気体）を導くための配管５２、制御装置４０からの制御信号に応じて開閉する電磁弁５３、および送風ノズル５１から送風されるガスを供給するガス供給部５４を備える。
【００４２】
送風ノズル５１は、矩形状に配置された４つのエアカーテンノズル５１ａないし５１ｄから構成され、配管５２および電磁弁５３を介してガス供給部５４から供給されるガスの基板９０に対する送風位置を決定する。各エアカーテンノズル５１ａないし５１ｄは、それぞれの長手方向に直線状にのびるスリットを有しており、当該スリットからアーム３１が保持している基板９０の存在する方向（（−Ｚ）方向）にガスを送風する。
【００４３】
図６は、送風ノズル５１により送風されるガスの送風位置ＷＰ１ないしＷＰ４と基板９０上の塗布領域Ｅとの位置関係を示す図である。なお、各送風位置ＷＰ１ないしＷＰ４は、おおよその位置を示すものであり、他の領域にガスが全く送風されないわけではなく、送風ノズル５１から送風されたガスの一部、あるいは当該ガスの送風量が弱まった状態で、各送風位置ＷＰ１ないしＷＰ４よりも広い範囲にガスが送風されていてもよい。
【００４４】
各エアカーテンノズル５１ａないし５１ｄは、図６に示すように、各送風位置ＷＰ１ないしＷＰ４にガスの送風を行う。すなわち、エアカーテンノズル５１ａが送風位置ＷＰ１に、エアカーテンノズル５１ｂが送風位置ＷＰ２に、エアカーテンノズル５１ｃが送風位置ＷＰ３に、エアカーテンノズル５１ｄが送風位置ＷＰ４に、それぞれ送風を行う。各送風位置ＷＰ１ないしＷＰ４は、基板９０上の塗布領域Ｅの各辺（４辺）に沿った位置であり、塗布領域Ｅの外周部が含まれることから、送風ノズル５１によってガスの送風が行われると、塗布領域Ｅの外周部に塗布されたレジスト液が中央部に対して選択的に乾燥固化する。
【００４５】
制御装置４０は、基板処理装置１の内部に設けられ、図示しないケーブルにより塗布装置１０、乾燥装置２０、搬送装置３０、および乾燥機構５０などの各構成と信号のやり取りが可能な状態で接続されている。また、プログラムや各種データを記憶するとともに、当該プログラムに従って各種データを適宜処理することによって制御信号を生成し、それらの構成を制御する。なお、プログラムや各種データは、それらの情報を一時的に記憶するＲＡＭ、読み取り専用のＲＯＭ、および磁気ディスク装置などにより記憶される。
【００４６】
以上が、基板処理装置１の主な構成の説明である。次に、基板処理装置１において実行される基板９０に対する処理動作を説明する。図７は、第１の実施の形態における基板処理装置１の動作を示す流れ図である。なお、以下に示す各構成の動作制御は、特に断らない限り制御装置４０により行われるものとする。
【００４７】
まず、基板処理装置１の制御装置４０は、オペレータまたは図示しない搬送機構によって、塗布装置１０に基板９０が搬送されるまで待機する（ステップＳ１１）。そして、塗布装置１０に基板９０が搬送されると（ステップＳ１１においてＹｅｓ）、塗布装置１０が搬送された基板９０の塗布領域Ｅに対してレジスト液の塗布を行う（ステップＳ１２）。
【００４８】
ステップＳ１２（塗布処理）を簡単に説明すると、まず、ステージ１１が搬送された基板９０を保持面１２に吸着することにより、基板９０を所定の位置に保持し、駆動機構１３がスリットノズル１５の姿勢を調整しつつ、吐出開始位置（スリットノズル１５が塗布領域Ｅの（＋Ｙ）方向の辺にほぼ沿う位置）に移動させる。
【００４９】
次に、駆動機構１３が走行レール１４上を（−Ｙ）方向に移動しつつ、基板９０の表面をスリットノズル１５によって走査する。当該走査中にスリットノズル１５がレジスト液を吐出することにより基板９０の塗布領域Ｅにレジスト液が塗布される。
【００５０】
そして、スリットノズル１５が吐出終了位置（スリットノズル１５が塗布領域Ｅの（−Ｙ）方向の辺にほぼ沿う位置）に到達すると、スリットノズル１５によるレジスト液の吐出を停止する。さらに、駆動機構１３が（＋Ｙ）方向に移動して、スリットノズル１５を待機位置（図１に示す位置）に移動させ、塗布処理（ステップＳ１２）が終了する。
【００５１】
塗布装置１０による塗布処理が終了すると、基板処理装置１では基板搬出処理（ステップＳ１３）が実行される。図８は、第１の実施の形態における基板搬出処理の詳細を示す流れ図である。
【００５２】
基板搬出処理では、まず、搬送装置３０のアーム３１がアーム駆動機構３３により、塗布装置１０に搬入されている基板９０にアクセスする位置（図１において二点鎖線で示す位置）に移動する（ステップＳ２１）。
【００５３】
次に、前後ハンドスライド機構３１３および左右ハンドスライド機構３１４が、それぞれ前後ハンド３１１および左右ハンド３１２の各ハンド部材の間隔を調整し（ステップＳ２２）、基板９０を保持する（ステップＳ２３）。
【００５４】
ステップＳ２２およびＳ２３における動作を簡単に説明すると、まず、前後ハンドスライド機構３１３が前後ハンド３１１のハンド部材をそれぞれ移動させ、当該ハンド部材の間隔（Ｙ軸方向の間隔）が基板９０のＹ軸方向の幅より広くなるように調整する。同様に、左右ハンドスライド機構３１４が左右ハンド３１２のハンド部材をそれぞれ移動させて、当該ハンド部材の間隔（Ｘ軸方向の間隔）が基板９０のＸ軸方向の幅より広くなるように調整する。
【００５５】
次に、図示しない複数の立設ピン（基板９０が保持されている状態では、当該立設ピンはステージ１１の内部に埋没している）が、それぞれ連動して（＋Ｚ）方向に進出しつつ基板９０を裏面側から押す。これにより、基板９０が（＋Ｚ）方向に所定の位置まで移動する。ここで、前述のように、前後ハンド３１１および左右ハンド３１２のそれぞれのハンド部材の間隔は、基板９０のＹ軸方向およびＸ軸方向の幅寸法よりも広く調整されているため、立設ピンが基板９０を（＋Ｚ）方向に移動させても、基板９０と各ハンド部材とが互いに干渉することはない。
【００５６】
基板９０が所定の位置まで移動した時点で、前後ハンドスライド機構３１３および左右ハンドスライド機構３１４が、それぞれのハンド部材を図４に示す位置（各ハンド部材の基板９０を保持する部分が、基板９０と保持面１２との間にくる位置）に移動させ、その後、前述の立設ピンが（−Ｚ）方向に退出する。これにより、各ハンド部材が基板９０の裏面に当接し、アーム３１が基板９０を保持する。
【００５７】
アーム３１が基板９０を保持し、基板９０が搬送装置３０の所定の位置に保持されると、制御装置４０が電磁弁５３を開放する。これによって、乾燥機構５０による塗布領域Ｅに対するガスの送風が開始され、レジスト液の乾燥が開始される（ステップＳ２４）。
【００５８】
この乾燥機構５０によるレジスト液の乾燥は、前述のように、送風ノズル５１からガスを送風することにより行われる。また、当該送風は、送風位置ＷＰ１ないしＷＰ２（図６）に対して行われるため、塗布領域Ｅの外周部に塗布されたレジスト液を選択的に乾燥させる。すなわち、乾燥機構５０は主に本発明における乾燥手段に相当し、ステップＳ２４において開始される乾燥処理は、主に本発明における第１乾燥工程に相当する。なお、乾燥機構５０の送風ノズル５１により塗布領域Ｅの外周部を選択的に乾燥させる処理を、以下、「選択乾燥処理」と略する。
【００５９】
次に、アーム３１が基板９０を保持したまま（＋Ｘ）方向に移動し、塗布装置１０から基板９０を搬出して（ステップＳ２５）、乾燥装置２０に当該基板９０を搬入する（ステップＳ２６）。なお、基板９０が塗布装置１０から乾燥装置２０に搬送される間、乾燥機構５０による送風が行われており、選択乾燥処理が継続的に行われている。
【００６０】
このように、基板９０の搬出中に選択乾燥処理を行うことにより、選択乾燥処理のための工程（時間）を別途設ける必要がないことから、処理時間を短縮することができる。また、予めレジスト液の乾燥処理を開始していることから、後述する乾燥装置２０における乾燥処理の時間を短縮することができる。
【００６１】
乾燥装置２０に基板９０が搬入されると、制御装置４０は電磁弁５３を閉じることによって乾燥機構５０によるガスの送風を停止することにより、送風によるレジスト液の乾燥を停止し（ステップＳ２７）、基板搬送処理を終了して図７に示す処理に戻る。なお、制御装置４０が乾燥機構５０による送風を停止するタイミングは、これに限られるものではなく、例えば、基板９０を乾燥装置２０に搬送する直前であってもよい。
【００６２】
基板搬送処理が終了すると、乾燥装置２０が塗布領域Ｅの全域に塗布されたレジスト液の乾燥を行う（ステップＳ１４）。なお、本実施の形態における基板処理装置１では、乾燥装置２０は、一般的な減圧乾燥処理によって基板９０上の塗布領域Ｅの全域に塗布されたレジスト液を均一に乾燥させる装置として構成されているが、例えば、加熱処理などの他の周知の手法によりレジスト液を乾燥させる装置であってもよい。
【００６３】
このように、乾燥装置２０により塗布領域Ｅの全域に塗布されたレジスト液を乾燥させる前、より具体的には、塗布領域Ｅの中央部に塗布されたレジスト液を乾燥固化する前に、予め選択乾燥処理により塗布領域Ｅの外周部に塗布されたレジスト液を乾燥固化させておくことによって、中央部に塗布されたレジスト液を乾燥させる際に発生する縮みによる力を受けてもレジスト膜の外周部が容易に変形（薄膜化）することを抑制することができる。したがって、レジスト液の膜厚が不均一になることを抑制することができる。
【００６４】
次に、オペレータまたは図示しない搬送機構により乾燥装置２０から基板９０が搬送されるまで待機（ステップＳ１５）した後、他に処理すべき基板９０が存在するか否かを判定する（ステップＳ１６）。処理すべき基板９０が存在する場合には、当該基板９０に対してステップＳ１１に戻って処理を繰り返し、処理すべき基板９０が存在しない場合には処理を終了する。
【００６５】
以上により、第１の実施の形態における基板処理装置１では、塗布領域Ｅの外周部に塗布されたレジスト液を選択的かつ先行的に乾燥させることにより、図１２（ｂ）に示すような外周部の薄膜化を抑制することができることから、レジスト液の膜厚が不均一になることを抑制することができる。
【００６６】
また、基板処理装置１が塗布装置１０から基板９０を搬出する搬送装置３０を備えており、乾燥機構５０が搬送装置３０に取り付けられていることによって、基板９０の搬出中に乾燥機構５０がレジスト液の乾燥を行うことから、処理時間を短縮することができる。
【００６７】
＜２．　第２の実施の形態＞
第１の実施の形態では、乾燥機構が搬送機構に設けられており、基板を塗布装置から搬送する間に、当該乾燥機構によって塗布領域の外周部を選択的に乾燥させる処理を行っていたが、乾燥機構は、基板処理装置の他の構成に設けられていてもよい。
【００６８】
図９は、このような原理に基づいて構成した第２の実施の形態における塗布装置１０のスリットノズル１５と乾燥機構６０とをを示す概略側面図である。図９に示すように、本実施の形態における塗布装置１０は、第１の実施の形態における塗布装置１０と異なり乾燥機構６０を備えている。なお、図示は省略するが、本実施の形態における搬送装置３０は、乾燥機構５０を備えていない。また、その他の構成については、第１の実施の形態における基板処理装置１とほぼ同様であるため説明を省略する。
【００６９】
乾燥機構６０は、スリットノズル１５に固定されるブローノズル６１、ブローノズル６１にガスを導くための配管６２、制御装置４０からの制御信号に基づいて開閉する電磁弁６３およびガス供給部６４から構成される。
【００７０】
図１０は、ブローノズル６１と基板９０に塗布されたレジスト液Ｒとの位置関係を示す側面図である。ブローノズル６１は、Ｘ軸方向にのびる軸部材６１０の両端に設けられた２つの送風口６１１，６１２から（−Ｚ）方向にガスを送風するノズルである。ブローノズル６１のＸ軸方向の幅は、基板９０の塗布領域ＥのＸ軸方向の幅とほぼ同じ長さとなっている。
【００７１】
したがって、スリットノズル１５が図９に矢印で示す方向（（−Ｙ）方向）に基板９０の表面を走査しつつレジスト液を塗布する間、乾燥機構６０がブローノズル６１の各送風口６１１，６１２からガスを送風すれば、送風口６１１は送風位置ＷＰ４に、送風口６１２は送風位置ＷＰ３にそれぞれガスを送風することとなり、塗布領域Ｅの外周部に塗布されたレジスト液が選択的に乾燥処理される。
【００７２】
このように、乾燥機構６０が塗布装置１０に取り付けられていることにより、塗布領域Ｅの外周部に塗布された処理液を塗布した直後に乾燥させることができることから、塗布領域Ｅの中央部に塗布されたレジスト液が乾燥し始める前に、外周部のレジスト液を乾燥させることができる。
【００７３】
以上により、本実施の形態における基板処理装置１においても、乾燥機構６０が、塗布領域Ｅの外周部に塗布されたレジスト液を選択的かつ先行的に乾燥させることにより、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００７４】
なお、本実施の形態における基板処理装置１においては、塗布領域Ｅの外周部の一部（送風位置ＷＰ３およびＷＰ４に対応する部分）のみについて選択乾燥処理を行っており、このような場合であっても一定の効果を得ることができる。しかし、より好ましくは、例えば、本実施の形態における塗布装置１０に、Ｘ軸方向に走査することができるブローノズルをさらに設け、ブローノズル６１によって送風されなかった塗布領域Ｅの外周部（送風位置ＷＰ１およびＷＰ２に対応する部分）にガスを送風するように構成して、塗布領域Ｅのすべての外周部について先行的に選択乾燥処理を実行するようにした方がよい。あるいは、第１の実施の形態におけるアーム３１のエアカーテンノズル５１ａ，５１ｂ（送風位置ＷＰ１およびＷＰ２に送風するノズル）と同様の機構を本実施の形態における搬送装置３０に設け、基板９０の搬出中に当該機構によって先行的に選択乾燥処理を行ってもよい。
【００７５】
＜３．　変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【００７６】
例えば、乾燥機構５０は、送風ノズル５１の代わりに、直線状の加熱装置（例えば、電熱線など）を矩形上に配置し、塗布領域Ｅの外周部を選択的に加熱乾燥させる機構を有していてもよい。あるいは、送風によらず、送風ノズル５１と同様の位置に配置されたノズルから、雰囲気を吸引することによって気流をつくり、塗布領域Ｅの外周部を選択的に乾燥させるように構成してもよい。
【００７７】
また、上記実施の形態では、角形の基板９０についてのみ説明したが、対象とする基板は角形の基板に限られるものではない。例えば、被処理基板が円形などの場合には、円形基板の塗布領域の外周部に沿った位置に送風することができるように、円形状に配列させた送風口を送風ノズルに設けて選択乾燥処理を行うようにすればよい。すなわち、基板上の塗布領域の形状にあわせて、送風機構による送風位置を適宜変更するようにすればよい。
【００７８】
また、上記第１の実施の形態において送風ノズル５１は、複数の直線状のエアカーテンノズル５１ａないし５１ｄから構成されているが、ノズルの数はこれに限られるものではない。また、各ノズルから送風されるガスの流量がそれぞれ異なっていてもよく、各ノズルごとにガスの流量をそれぞれ調整することにより、レジスト液の乾燥量の調整を行い、膜厚のコントロールを行ってもよい。その場合、各ノズルごとに流量調整バルブを取り付けることによってガスの流量を調整するようにしてもよい。
【００７９】
また、送風を行うノズルの位置を独立して移動させる機構を設け、当該ノズルが最適な乾燥位置となるように調整できるようにしてもよい。その場合、当該機構がノズルを移動させることより塗布領域の外周部を走査しつつ、ノズルがガスを噴出するようにしてもよい。このような機構によっても、塗布領域の外周部を選択的に乾燥させることができる。
【００８０】
また、制御装置４０は、オペレータが基板処理装置１に対する指示を入力するための操作部（操作パネル、ボタン、キーボードなど）や、各種データを表示する表示部（液晶ディスプレイなど）を備えていてもよい。
【００８１】
【発明の効果】
請求項１ないし５に記載の発明では、乾燥手段が、塗布領域の全域に塗布された所定の処理液の乾燥処理に先立って、塗布領域の外周部に塗布された所定の処理液を選択的かつ先行的に乾燥させることにより、外周部の薄膜化を抑制することができることから、処理液の膜厚が不均一になることを抑制することができる。
【００８２】
請求項２に記載の発明では、乾燥手段が、塗布領域の外周部にガスを送風することにより、請求項１に記載の発明を容易に実現できる。
【００８３】
請求項３に記載の発明では、乾燥手段が搬出手段に取り付けられていることから、基板の搬出中に乾燥手段が処理液の乾燥を行うことにより、処理時間を短縮することができる。
【００８４】
請求項４に記載の発明では、乾燥手段が塗布手段に取り付けられていることにより、塗布領域の外周部に塗布された処理液を塗布した直後に乾燥させることができる。
【００８５】
請求項６ないし８に記載の発明では、塗布領域の外周部に塗布された所定の処理液を選択的に乾燥させる第１乾燥工程が、第２乾燥工程よりも先に実行されることにより、外周部の薄膜化を抑制することができることから、処理液の膜厚が不均一になることを抑制することができる。
【００８６】
請求項７に記載の発明では、第１乾燥工程が、塗布領域の外周部にガスを送風する工程であることにより、請求項６に記載の発明を容易に実現できる。
【００８７】
請求項８に記載の発明では、第１乾燥工程が搬出工程に伴って実行されることから、基板の搬出中に第１乾燥工程による処理液の乾燥を行うことにより、処理時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における第１の実施の形態における基板処理装置を示す平面図である。
【図２】第１の実施の形態における基板処理装置を示す側面図である。
【図３】アームおよび乾燥機構の平面図である。
【図４】基板を保持する様子を示す平面図である。
【図５】アームが基板を保持する様子を示す側面図である。
【図６】送風ノズルにより送風されるガスの送風位置ＷＰ１ないしＷＰ４と基板上の塗布領域Ｅとの位置関係を示す図である。
【図７】第１の実施の形態における基板処理装置１の動作を示す流れ図である。
【図８】第１の実施の形態における搬出処理の詳細を示す図である。
【図９】第２の実施の形態における基板処理装置が備える塗布装置のスリットノズルと乾燥機構とを示す概略側面図である。
【図１０】第２の実施の形態におけるブローノズルを示す側面図である。
【図１１】従来のスリットコーティングを例に、基板にレジスト液を塗布する様子を示した図である。
【図１２】レジスト液が塗布された後の基板の状態を示す側面図である。
【符号の説明】
１　基板処理装置
１０　塗布装置
１５　スリットノズル
３０　搬送機構
３１　アーム
３２　ガイドレール
３３　アーム駆動機構
４０　制御装置
５０，６０　乾燥機構
５１　送風ノズル
５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄ　エアカーテンノズル
５４，６４　ガス供給部
６１　ブローノズル
９０　基板
Ｅ　塗布領域
Ｒ　レジスト液
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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