(57)【要約】【課題】  アドレス光を考慮して、よりなめらかで正確な階調表現を実現する、プラズマディスプレイパネルの階調表現方法を提供する。【解決手段】  各々が輝度比重を有する複数個のサブフィールドを時間順に配列し、各サブフィールドの組み合わせによって階調を表現し、各サブフィールドがアドレス区間及びサステイン区間を含むプラズマディスプレイパネルの階調表現方法であって、隣接する階調のうちの高い階調に相当するサブフィールドの個数が前記隣接する階調のうちの低い階調に相当するサブフィールドの個数より少ない場合、前記高い階調のサステインパルス数と前記低い階調のサステインパルス数との差によって発生する光が前記アドレス区間で放電される光より大きくなるように、各サブフィールドのサステインパルス数を設定する。【選択図】  図４
2004280114.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が輝度比重を有する複数個のサブフィールドを時間順に配列し、各サブフィールドの組み合わせによって階調を表現し、各サブフィールドがアドレス区間及びサステイン区間を含むプラズマディスプレイパネルの階調表現方法において、
隣接する階調のうちの高い階調に相当するサブフィールドの個数が、前記隣接する階調のうちの低い階調に相当するサブフィールドの個数より少ない場合、前記高い階調のサステインパルス数と前記低い階調のサステインパルス数との差によって発生する光が前記アドレス区間で放電される光より大きいように、各サブフィールドのサステインパルス数を設定することを特徴とする、プラズマディスプレイパネルの階調表現方法。
【請求項２】
前記サブフィールドのうちの輝度比重が１であるサブフィールドからなる最少階調に相当する光がアドレス区間で放電される光になるように、前記輝度比重が１であるサステインパルス数を０に設定することを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの階調表現方法。
【請求項３】
隣接する階調のうちの高い階調に相当するサブフィールドの個数が、前記隣接する階調のうちの低い階調に相当するサブフィールドの個数より多い場合、前記高い階調のサステインパルス数と前記低い階調のサステインパルス数とが同一であるように、各サブフィールドのサステインパルス数を設定することを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの階調表現方法。
【請求項４】
各々が輝度比重を有する複数個のサブフィールドを時間順に配列し、各サブフィールドの組み合わせによって階調を表現し、各サブフィールドがアドレス区間及びサステイン区間を含むプラズマディスプレイパネルの階調表現方法において、
特定階調に相当する光−ここで、光は、前記高い階調を表現するために組み合わされるサブフィールドの全アドレス区間で放電される光と全サステイン区間で放電される光とを含む−が、前記特定階調より低い階調に相当する光−ここで、光は、前記特定階調より低い階調を表現するために組み合わされるサブフィールドの全アドレス区間で放電される光と全サステイン区間で放電される光とを含む−より大きいように、各サブフィールドのサステインパルス数を設定することを特徴とする、プラズマディスプレイパネルの階調表現方法。
【請求項５】
前記サブフィールドのうちの輝度比重が１であるサブフィールドからなる最少階調に相当する光がアドレス区間で放電される光になるように、前記輝度比重が１であるサステインパルス数を０に設定することを特徴とする、請求項４に記載のプラズマディスプレイパネルの階調表現方法。
【請求項６】
隣接する階調のうちの高い階調に相当するサブフィールドの個数が、前記隣接する階調のうちの低い階調に相当するサブフィールドの個数より多い場合、前記高い階調のサステインパルス数と前記低い階調のサステインパルス数とが同一であるように、各サブフィールドのサステインパルス数を設定することを特徴とする、請求項４に記載のプラズマディスプレイパネルの階調表現方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマディスプレイパネル（PDP）の階調表現方法に関し、より具体的には、アドレス光量が大きくなる場合に、このようなアドレス光を考慮してサブフィールドのサステインパルス数を設定する、プラズマディスプレイパネルの階調表現方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネルは、複数個の放電セルをマトリックス形状に配列して、これを選択的に発光させることによって電気信号として入力された画像データを復元させるディスプレイ素子の一種である。
【０００３】
このようなプラズマディスプレイパネルで、カラー表示素子としての性能を示すためには、階調表示が可能でなければならず、これを実現する方法として、１フィールドを複数個のサブフィールドに分けて、これを時分割制御する階調実現方法が用いられている。
【０００４】
この時、各サブフィールドは、大きく、アドレス区間とサステイン区間とに分けることができ、アドレス区間では、各走査電極とアドレス電極とに各画素に対するデータを伝送して、それぞれのセルを選択的に放電させたり消去したりし、サステイン区間では、各画素のデータを維持しながら階調を実現する。
【０００５】
このような方式のうち、日本の富士通社で開発した階調表現方式で、アドレス区間とサステイン区間とを完全に分離する方式であるADS（Address Display Separated）方式が一般的なプラズマディスプレイパネルの階調表現方式として用いられている。
【０００６】
このようなADS方式では、サステイン区間のみの光量を調節してプラズマディスプレイパネルの階調を表現している。つまり、サステインパルス数により決定されたサブフィールドウエイト（weight）を固定したり、またはイメージの負荷率によって決定されるAPC（Automatic Power Control）レベルによって１０乃至１２個の可変サブフィールドにして、０乃至２５５の階調を表現する。
【０００７】
図１は従来のADS方式でのフレーム構造を示した図面である。
【０００８】
図１に示すように、従来のプラズマディスプレイパネルでは、ADS方式によって、リセット、アドレス及びサステイン区間が一つのサブフィールドを構成し、いくつかのサブフィールドの組み合わせが１フレームを構成する。
【０００９】
一つのサブフィールドから発生する光は、リセット、アドレス及びサステイン放電時に発生する光の合計であるが、一般に、階調表現は、サステイン区間内に放電される光の組み合わせのみで表現する。これは、サブフィールドでリセット光やアドレス光がサステイン光に比べて相対的に無視できる程度に少ないためである。
【００１０】
しかし、最近のプラズマディスプレイパネル技術の開発傾向を見ると、高輝度を示すためのXe分圧の増加及びセルの高精細による最少化で、真のHD級を実現しており、また、隔壁構造が既存のストライプ構造から閉鎖型構造に変わっている。これは、より高効率、高輝度の高精細プラズマディスプレイパネルを開発しようとする傾向を反映している。
【００１１】
このようなXe分圧の増加、セルの高精細化、閉鎖型隔壁構造などは、アドレス放電時に光量の増加をまねき、これによるアドレス光が階調表現時に無視できない状態になることがある。
【００１２】
図２（a）は、従来のプラズマディスプレイパネルで適用されているサブフィールド別ウエイト及びサステインパルス数の一例を示した図面であり、図２（b）は、図２（a）のサブフィールド別ウエイトに組み合わせられた階調別サブフィールド構造及びそれによる光構造を示した図面である。また、図３は、一般的なプラズマディスプレイパネルにおいてサブフィールドで発生する光を示した図面である。
【００１３】
図２（a）及び（b）に示すように、一つのフレームは１２個のサブフィールドから構成され、各サブフィールドウエイトの合計は２５５であり、サステインパルス数の合計は５１１である。また、Aはリセット光とアドレス光との合計を示す。
【００１４】
したがって、一つのサブフィールドで発生する光は次の式(1)のように表現することができる。
【００１５】
【数１】
2004280114.tif 000003
【００１６】
このようなサブフィールドウエイト下で、階調１のサブフィールド構造は、３SF、つまり第３サブフィールドに相当し、光構造は、A+３である。階調６の場合には、１、２、３SFで第１、第２及び第３サブフィールドに相当し、光構造は、３A+１５であり、階調７の場合には、３、４SFで第３及び第４サブフィールドに相当し、光構造は、２A+１６である。
【００１７】
前記のように、従来の階調表現は、ひたすらサステイン数によるサブフィールドの組み合わせで表現され、これは、Aで示されるリセット光やアドレス光がサステイン光より相対的に無視できる程度に小さいと見た時に成立する。例えば、Aが無視される状態で、前記例における階調６のサステイン数は１５であり、階調７のサステイン数は１６であるので、サステイン数において階調７が階調６より１だけ大きく、サブフィールド光全体も階調７が多いので、正確な階調が表現されて輝度が高い。
【００１８】
しかし、ここで、リセット光は大きくないが、アドレス光が単位サステイン光ほど大きかったり同一であると、階調６が階調７より輝度が高かったり同一になってしまうので、正確な階調表現が難しくなるという問題点がある。
【００１９】
より具体的に見てみると、前記例で、階調６の光構造は３A+１５であり、階調７の光構造は２A+１６であり、アドレス光が単位サステイン光より大きかったり同一である場合、つまり、A>=１の場合、階調６と階調７との差は式(2)のようになる。
【００２０】
【数２】
2004280114.tif 000004
【００２１】
式(2)の結果によると、アドレス光が単位サステイン光より大きかったり同一である場合、階調６が階調７より大きいか同一な輝度を示すので、正確な階調が表現できないことが分かる。
【００２２】
結果的に、高輝度を示すための最近の傾向であるXe分圧の増加、セルの高精細化、閉鎖型隔壁構造などによって、アドレス放電時に光量の増加をもたらし、これによるアドレス光が階調表現時に無視できない状態になる場合、正確な階調が表現できなくなる問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
したがって、本発明の目的は、前記従来の問題点を解決するためのものであって、アドレス光を考慮して、よりなめらかで正確な階調表現を実現するプラズマディスプレイパネルの階調表現方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
前記目的を達成するために、本発明の特徴によるプラズマディスプレイパネルの階調表現方法は、各々が輝度比重を有する複数個のサブフィールドを時間順に配列し、各サブフィールドの組み合わせによって階調を表現し、各サブフィールドがアドレス区間及びサステイン区間を含むプラズマディスプレイパネルの階調表現方法であって、隣接する階調のうちの高い階調に相当するサブフィールドの個数が、前記隣接する階調のうちの低い階調に相当するサブフィールドの個数より少ない場合、前記高い階調のサステインパルス数と前記低い階調のサステインパルス数との差によって発生する光が前記アドレス区間で放電される光より大きいように、各サブフィールドのサステインパルス数を設定することを特徴とする。
【００２５】
ここで、前記サブフィールドのうちの輝度比重が１であるサブフィールドからなる最少階調に相当する光がアドレス区間で放電される光になるように、前記輝度比重が１であるサステインパルス数を０に設定することを特徴とする。
【００２６】
また、隣接する階調のうち高い階調に相当するサブフィールドの個数が、前記隣接する階調のうち低い階調に相当するサブフィールドの個数より多い場合、前記高い階調のサステインパルス数と前記低い階調のサステインパルス数とが同一であるように、各サブフィールドのサステインパルス数を設定することを特徴とする。
【００２７】
本発明の他の特徴によるプラズマディスプレイパネルの階調表現方法は、各々が輝度比重を有する複数個のサブフィールドを時間順に配列し、各サブフィールドの組み合わせによって階調を表現し、各サブフィールドがアドレス区間及びサステイン区間を含むプラズマディスプレイパネルの階調表現方法であって、特定階調に相当する光−ここで、光は、前記高い階調を表現するために組み合わされるサブフィールドの全アドレス区間で放電される光と全サステイン区間で放電される光とを含む−が、前記特定階調より低い階調に相当する光−ここで、光は、前記特定階調より低い階調を表現するために組み合わされるサブフィールドの全アドレス区間で放電される光と全サステイン区間で放電される光とを含む−より大きいように、各サブフィールドのサステインパルス数を設定することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によると、アドレス光がサステイン光ほど大きくなって無視できない場合に発生する階調逆転現象を除去して、正確な階調が表現できる。
【００２９】
また、アドレス光を考慮して隣接する階調間のサステインパルス数を調節することによって、よりなめらかな階調表現が可能であり、全体的な電力消耗も減少する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の実施例について添付した図面を参照して詳細に説明する。
【００３１】
まず、アドレス光が無視できない程度に大きくなってサステイン光より大きかったり同一になる場合に、階調別輝度が正確に表現できないのは、隣接する階調に相当する。
【００３２】
したがって、ここでは、隣接する階調で階調別光構造の変動が予想される要素を把握した後、アドレス光が考慮されるべき要素を検出して、アドレス光が増加しても正確な階調表現を可能にする。
【００３３】
まず、隣接する階調は、サブフィールド構造上、最大一個のサブフィールドの個数の変動がある。つまり、光構造で見る時、最大１Aの変動がある。また、階調が高いほど、サステインパルス数が同一であるか多い。
【００３４】
結果的に、隣接する階調で階調が高くなる時、光構造の変動要素は次の通りである。
【００３５】
第１に、サブフィールドの個数が同一で変化がないので、サステインパルス数の変動のみがある。この場合、サステインパルス数は増加変動のみある。つまり、光構造上、Aの変化はない。
【００３６】
第２に、サブフィールドの個数の増加とサステインパルス数の変動がある。この場合、サブフィールドの個数は一個増加し、サステインパルス数は増加変動のみある。つまり、光構造上、第１番目の場合に１Aの増加が追加される。
【００３７】
第３に、サブフィールドの個数の減少とサステインパルス数の変動がある。この場合、サブフィールドの個数は一個減少し、サステインパルス数は増加変動のみある。つまり、光構造上、第１番目の場合に１Aの減少が追加される。
【００３８】
前記ような光構造の変動要素のうち、第１要素ではアドレス光の変化がなく、第２要素ではアドレス光が増加するので、誤った階調は表現されない。
【００３９】
しかし、第３要素ではアドレス光が減少して誤った階調が表現されることがあるので、アドレス光が考慮されるべき要素となる。
【００４０】
このような第３要素では、アドレス光であるAの減少とサステインパルス数の増加変動があるが、このような変動にかかわらず正確な階調が表現されるためには、前記変動による輝度の増加がなければならない。これは式(3)で表現できる。
【００４１】
【数３】
2004280114.tif 000005
【００４２】
式(3)から分かるように、サブフィールドの個数が減少する変動がある隣接する階調で高い階調が高い輝度を示すためには、サステインパルス数増加分がアドレス光であるAより大きくなければならない。
【００４３】
しかし、Aは、アドレス光（リセット光を無視する場合）を示しており、このアドレス光は、通常３単位サステイン光より小さいので、つまりA<３であるので、結果的にサステインパルス数増加分が３以上である場合、アドレス光が考慮されても正確な階調表現が可能になる。
【００４４】
したがって、隣接する階調のうち、高い階調のサブフィールドの個数が低い階調のサブフィールドの個数より少ない場合、高い階調のサステインパルス数が低い階調のサステインパルス数より３以上多くなるように、各サブフィールドのウエイトを調節する。
【００４５】
一方、アドレス光が３単位サステイン光より大きい場合には、サステインパルス数増加分も相対的に増加した値に設定されなければならないということは、当業者によって容易に理解できる。
【００４６】
一方、前記では、第３要素のように隣接する階調で輝度が逆転して表現される場合についてだけ説明したが、第２要素のようにサブフィールドの個数が増加すると同時にサステインパルス数が増加する場合、従来のサステインパルス数の増加で階調表現が行われるのにサブフィールドの個数の増加によってアドレス光の増加が追加されるので、結果的に従来に比べて輝度変化が増加して、なめらかな階調表現が不可能なことがある。
【００４７】
第２要素のように、隣接する階調のうち、高い階調のサブフィールドの個数が低い階調のサブフィールドの個数より多い場合には、アドレス光によるサブフィールド光の増加があるので、従来に比べてサステインパルス数増加分を減少させることによって、よりなめらかな階調を表現することができる。
【００４８】
したがって、隣接する階調のうち、高い階調のサブフィールドの個数が低い階調のサブフィールドの個数より多い場合、低い階調のサステインパルス数から高い階調のサステインパルス数への増加分が従来に比べて減少するように、各サブフィールドのウエイトを調節する。
【００４９】
一方、本発明の実施例では、アドレス光が１乃至２単位のサステイン光に近いほど大きく、各階調の光構造はアドレス光とサステインパルス数とからなるので、結果的に、従来に比べて当該階調を実現するサステインパルス数を減少させることができる。
【００５０】
図４（a）は、本発明の実施例によるプラズマディスプレイパネルで適用されているサブフィールド別ウエイト及びサステインパルス数の一例を示した図面であり、図４（b）は、図４（a）のサブフィールド別ウエイトに組み合わせられた階調別サブフィールド構造及びそれにともなう光構造を示した図面である。
【００５１】
図４（a）及び（b）に示すように、本発明の実施例で、ウエイト１である第３サブフィールドのサステイン数は０であり、残りのサブフィールドのサステイン数は従来に比べて２だけ小さい。
【００５２】
ここで、アドレス光が無視できない程度の大きさ、例えば１乃至２単位サステイン光の大きさを有するため、階調１をアドレス光にだけ割当てればいいので、結果的に、ウエイト１である第３サブフィールドのサステイン数が０になる。これは、従来に比べて３個のサステインパルス数が減少したものである。
【００５３】
一方、階調６と階調７とから分かるように、隣接する階調のうち、高い階調が低い階調に比べてサブフィールドの個数が少ない場合、サステイン個数の増加が３以上になる。
【００５４】
この場合、階調６の光構造は３A+８であり、階調７の光構造は２A+１１であり、アドレス光が単位サステイン光より大きかったり同一である場合、つまりA>=１である場合、階調７と階調６との差は式(4)のようになる。
【００５５】
【数４】
2004280114.tif 000006
【００５６】
式(4)から分かるように、アドレス光が単位サステイン光より大きかったり同一であっても、階調７が階調６より高い輝度を示して正確な階調を表現することができる。
【００５７】
また、隣接する階調２及び３、５及び６と８及び９とから分かるように、隣接する階調のうち、高い階調が低い階調に比べてサブフィールドの個数が多い場合には、一つのアドレス光が増加するため、サステインパルス数増加分は０になる。つまり、隣接する階調のうち、サブフィールドの個数が増加する階調については、サステインパルス数が同一になる。
【００５８】
このようにアドレス光を考慮してサステインパルス数を調節することによって、なめらかな階調を表現することができる。
【００５９】
また、本発明の実施例による全的なサステインパルス数が従来のサステインパルス数（図２（b）参照）に比べて少ない。したがって、サステインパルスの発生のための電力消耗が減少する。
【００６０】
本発明が最も実際的で好ましい実施例を参照して説明されたが、本発明は前記で記載した実施例に限定されず、前記特許請求の範囲内に属する多様な変形及び等価物も含む。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】従来のADS方式でのフレーム構造を示した図面である。
【図２】（a）は従来のプラズマディスプレイパネルで適用されているサブフィールド別ウエイト及びサステインパルス数の一例を示した図面であり、（b）は（a）のサブフィールド別ウエイトに組み合わせられた階調別サブフィールド構造及びそれによる光構造を示した図面である。
【図３】一般的なプラズマディスプレイパネルでサブフィールドで発生する光を示した図面である。
【図４】（a）は本発明の実施例によるプラズマディスプレイパネルで適用されているサブフィールド別ウエイト及びサステインパルス数の一例を示した図面であり、（b）は（a）のサブフィールド別ウエイトに組み合わせられた階調別サブフィールド構造及びそれによる光構造を示した図面である。
【図１】
2004280114.tif 000007
【図２】
2004280114.tif 000008
【図３】
2004280114.tif 000009
【図４】
2004280114.tif 000010