(57)【要約】【課題】主磁極層の形成に関する高精度化とフレアポイントの適正化とを両立し、製造面から記録性能の向上に寄与可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】エッチング速度の遅いバッファ層１５や非磁性層１３をストッパ層として使用した一連のパターニング工程を経て主磁極層１２を形成する。第１に、先端部１２Ａを形成する際、バッファ層１５をマスクとして前駆主磁極層（主磁極層１２の前準備層）がパターニングされるため、目標通りの微小幅Ｗ１となるように先端部１２Ａが高精度に形成される。第２に、後端部１２Ｂを形成する際、前駆主磁極層のうち、バッファ層により覆われている部分（被覆部）は、前駆非磁性層パターン（非磁性層１３の前準備層）およびバッファ層１５により二重に覆われているため、前駆主磁極層にエッチング処理を施した際、あらかじめ設定されたフレアポイントＦＰの位置ずれが防止される。【選択図】　　　図２
2004139663.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁束を発生させる薄膜コイルと、
記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅を有する一定幅領域と、この一定幅領域よりも大きな幅を有する拡幅領域とを含む平面形状を有すると共に、前記記録媒体に対向する記録媒体対向面に一端面が露出するように配設された主磁極層と、前記記録媒体対向面から一端面が後退し、前記主磁極層の一部と対向するように配設された補助磁極層と、前記主磁極層と前記補助磁極層との間に、これらの２つの層により挟まれるように配設された非磁性層とを含む積層構造を有し、前記薄膜コイルにおいて発生した磁束を前記記録媒体に向けて放出する磁極層と、
を備えた薄膜磁気ヘッドであって、
前記磁極層のうちの前記主磁極層が、前記記録媒体対向面からこの面と離れる方向に一定幅をもって延在する第１の主磁極層部分と、この第１の主磁極層部分の後方に連結され、前記第１の主磁極層部分よりも大きな幅を有する第２の主磁極層部分と、を含み、
前記磁極層の幅が前記一定幅領域から前記拡幅領域へと拡がる拡幅位置が、前記第１の主磁極層部分と前記第２の主磁極層部分との連結位置によって規定されており、
前記主磁極層のうちの前記第２の主磁極層部分が、前記拡幅位置からこの位置と離れる方向に向かって次第に幅が拡がる主磁極拡幅部分を有する
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記主磁極拡幅部分のうちの前記記録媒体対向面に近い側の端面が、前記第１の主磁極層部分から離れるにしたがって次第に傾斜している
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記補助磁極層が、
前記連結位置から一定幅をもって、前記第１の主磁極層部分の延在方向と同じ方向に延在する第１の補助磁極層部分と、
この第１の補助磁極層部分の後方に連結され、前記第１の補助磁極層部分よりも大きな幅を有する第２の補助磁極層部分と、
を含み、
前記補助磁極層のうちの前記第２の補助磁極層部分が、前記第１の補助磁極層部分と前記第２の補助磁極層部分との連結位置からこの位置と離れる方向に向かって次第に幅が拡がる補助磁極拡幅部分を有する
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記磁極層に、前記第１の主磁極層部分、前記第１の補助磁極層部分および前記第２の補助磁極層部分の合成体に対応した平面形状を有する非磁性マスク層が隣接されている
ことを特徴とする請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記主磁極層が、前記補助磁極層の飽和磁束密度以上の飽和磁束密度を有する材料により構成されている
ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記磁極層が、前記記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁束を放出するように構成されている
ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
磁束を発生させる薄膜コイルと、
記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅を有する一定幅領域と、この一定幅領域よりも大きな幅を有する拡幅領域とを含む平面形状を有すると共に、前記記録媒体に対向する記録媒体対向面に一端面が露出するように配設された主磁極層と、前記記録媒体対向面から一端面が後退し、前記主磁極層の一部と対向するように配設された補助磁極層と、前記主磁極層と前記補助磁極層との間に、これらの２つの層により挟まれるように配設された非磁性層とを含む積層構造パターンを有し、前記薄膜コイルにおいて発生した磁束を前記記録媒体に向けて放出する磁極層と、
前記磁極層に隣接するようにパターン配設された非磁性マスク層と
を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記磁極層を形成する工程が、
前記主磁極層の前準備層としての前駆主磁極層と、前記非磁性層の前準備層としての前駆非磁性層とをこの順に形成して積層させる第１の工程と、
この前駆非磁性層上の、前記拡幅領域に対応する領域に、前記補助磁極層の前準備層として、前記拡幅領域を画定する前駆補助磁極層パターンを形成する第２の工程と、
前記前駆補助磁極層パターンおよびその周辺領域上に、前記非磁性マスク層の前準備層としての前駆非磁性マスク層を形成する第３の工程と、
この前駆非磁性マスク層上の、前記一定幅領域および前記拡幅領域の双方に対応する領域に、マスク層を形成する第４の工程と、
このマスク層を使用し、前記前駆非磁性マスク層をエッチングしてパターニングすることにより、前記一定幅領域を画定する前記非磁性マスク層を形成すると共に、引き続き連続的に、前記非磁性マスク層および前記前駆補助磁極層パターンの双方をマスクとして使用し、前記前駆非磁性層をエッチングしてパターニングすることにより前駆非磁性層パターンを形成する第５の工程と、
前記非磁性マスク層を使用し、前記前駆補助磁極層パターンをエッチングしてパターニングすることにより前記補助磁極層を形成すると共に、
引き続き連続的に、前記非磁性マスク層、前記前駆補助磁極層パターンおよび前記前駆非磁性層パターンをマスクとして使用して、前記前駆主磁極層と共に前記前駆非磁性層パターンをエッチングし、前記前駆非磁性層パターンの両翼を選択的に削って次第に幅が拡がるように後退させることにより前記非磁性層を形成すると共に、前記前駆非磁性層パターンの形状変化に応じて前記前駆主磁極層をパターニングすることにより前記主磁極層を形成する第６の工程と
を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記第１の工程において、前記前駆補助磁極層パターンよりもエッチング速度が遅い材料を用いて前記前駆非磁性層を形成し、
前記第３の工程において、前記前駆補助磁極層パターンおよび前記前駆主磁極層の双方よりもエッチング速度が遅い材料を用いて前記前駆非磁性マスク層を形成する
ことを特徴とする請求項７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記第４の工程において、前記マスク層を形成したのち、そのマスク層の、前記一定幅領域に対応する部分を幅方向から選択的にエッチングすることにより、前記一定幅領域に対応する部分の幅を狭め、
前記第５の工程において、前記一定幅領域に対応する部分の幅が狭められた前記マスク層を使用して、エッチング処理を行う
ことを特徴とする請求項７または請求項８に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
イオンミリングを用い、前記マスク層の延在面と直交する方向に対して約７０度±５度の角度をなす方向からイオンビームを照射しながら、前記マスク層のエッチング処理を行う
ことを特徴とする請求項９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記第４の工程において、めっき膜を成長させることにより、前記マスク層を形成する
ことを特徴とする請求項７ないし請求項１０のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記第６の工程において、イオンミリングを用い、前記前駆補助磁極層パターンの延在面と直交する方向に対して３５度±１０度の角度をなす方向からイオンビームを照射しながらエッチング処理を行う
ことを特徴とする請求項７ないし請求項１１のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
前記第６の工程において、前記主磁極層を形成したのち、さらに、その主磁極層の、前記一定幅領域に対応する部分に対して、イオンミリングを用いて前記主磁極層の延在面と直交する方向に対して６０度±１０度の角度をなす方向からイオンビームを照射しながらエッチング処理を施す
ことを特徴とする請求項１２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくとも記録用の誘導型磁気変換素子を備えた薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、例えばハードディスクなどの磁気記録媒体（以下、単に「記録媒体」という。）の面記録密度の向上に伴い、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。薄膜磁気ヘッドに適用される磁気記録方式としては、例えば、信号磁界の向きを記録媒体の面内方向（長手方向）にする長手記録方式と、記録媒体の面に対して直交する方向にする垂直記録方式とが知られている。現在のところは長手記録方式が広く利用されているが、面記録密度の向上に伴う市場動向を考慮すれば、今後、長手記録方式に代わり垂直記録方式が有望視されるものと想定される。なぜなら、垂直記録方式では、高い線記録密度を確保可能な上、記録済みの記録媒体が熱揺らぎの影響を受けにくいという利点が得られるからである。
【０００３】
垂直記録方式を利用した記録態様としては、例えば、（１）一端側においてギャップを挟んで互いに対向し、かつ他端側において互いに磁気的に連結されたヘッド（リング型ヘッド）と、主要部が単層膜構成の記録媒体とを用いる態様や、（２）記録媒体に対して垂直に配置されたヘッド（単磁極型ヘッド）と、主要部が２層膜構成の記録媒体とを用いる態様が提案されている。これらの態様のうち、単磁極型ヘッドと２層膜構成の記録媒体との組み合わせを用いる態様は、熱揺らぎに対する耐性が顕著に優れているため、薄膜磁気ヘッドの性能向上を実現し得るものとして注目されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドの記録性能を向上させるためには、例えば、単磁極型ヘッドのうち、主要な磁束の流路となる「主磁極層」を設計する際、主に、以下の２つの点が大きなポイントとなる。
【０００５】
すなわち、第１に、記録密度を増加させるために、主磁極層のうち、記録媒体の記録トラック幅を規定する極微小な一定幅を有する部分（以下、「トラック幅規定部分」という。）を高精度に形成する必要がある。従来より、主磁極層は、例えば、磁性層を形成したのち、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術などを利用して、所定のパターン形状となるように磁性層をパターニングすることにより形成されている。主磁極層を形成する際には、トラック幅規定部分を高精度に形成するために、高い加工精度が要求される。
【０００６】
第２に、磁気飽和を抑制し、トラック幅規定部分に十分な量の磁束を供給するために、主磁極層のうち、トラック幅規定部分よりも大きな幅を有する部分（以下、「磁束供給部分」という。）を、過剰な磁束放出を誘発しない程度に記録媒体対向面（エアベアリング面）に近づける必要がある。この磁束供給部分の前端縁（エアベアリング面に近い側の端縁）の位置は、主磁極層の幅がトラック幅規定部分から磁束供給部分へと拡がる位置を規定しており、一般に「フレアポイント」と呼ばれている。このフレアポイントは、主磁極層内を磁束供給部分からトラック幅規定部分へ流れる磁束が集束されることとなる位置であり、トラック幅規定部分への磁束供給の観点において、薄膜磁気ヘッドの記録性能を決定する重要な因子のうちの１つである。
【０００７】
しかしながら、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、記録性能を向上させる上でトラック幅規定部分の形成に関する高精度化ならびにフレアポイントの適正化が必要であるにもかかわらず、これらを両立させることが困難であるという問題があった。その理由は、以下の通りである。
【０００８】
すなわち、例えば、フォトリソグラフィ技術を利用してフォトレジストを選択的に露光することにより、主磁極層を形成するために必要なフォトレジストパターンを形成する際、その露光パターン中に、トラック幅規定部分に対応する極狭幅の領域と、磁束供給部分に対応する広幅の領域との双方が含まれていると、露光時に生じる反射光の影響に起因して極狭幅領域の周辺部が余計に露光されてしまい、露光領域が拡張する場合がある。露光領域が拡張すると、フォトレジストパターンの形成精度が低下するため、トラック幅規定部分を高精度に形成することが困難になる。しかも、このトラック幅規定部分の形成精度に関する問題は、フレアポイントがエアベアリング面に近づき、これにより極狭幅の領域に対する広幅の領域の占有割合が大きくなるほど顕著になる。したがって、従来は、トラック幅規定部分の形成に関する高精度化とフレアポイントの適正化とが、互いにトレードオフの関係となっていた。垂直記録方式の実用性および将来性を証明し、この方式を利用した大容量のハードディスクドライブの普及を図るためには、上記問題を解決し、記録性能の向上を実現することが急務である。
【０００９】
なお、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドの記録性能を向上させることを目的とする先行技術としては、既にいくつかの提案がなされている。
【００１０】
具体的には、第１に、ヘッド材料を適正化することにより高密度記録を実現する手法が挙げられる（例えば、特許文献１参照。）。第２に、ヨーク層の形状を適正化することにより、所定の形状となるように主磁極層をめっき形成する手法が挙げられる（例えば、特許文献２参照。）。第３に、平坦面上に主磁極層を形成することにより、主磁極層の形成精度を向上させる手法が挙げられる（例えば、特許文献３参照。）。第４に、リターンヨーク層の主磁極対向部分を切り欠いて、不要な磁束の集中現象を回避することにより、再生波形の信号品質を向上させる手法が挙げられる（例えば、特許文献４参照。）。
【００１１】
しかしながら、上記した一連の手法では、上記にて指摘した主磁極層の形成に関する高精度化とフレアポイントの適正化との両立化の実現に関して、何らの指針も得られない。
【００１２】
【特許文献１】
特開平６−２７４８１１号公報
【特許文献２】
特開２００２−１９７６１１号公報
【特許文献３】
特開２００２−１９７６１５号公報
【特許文献４】
特開平６−１８０８１０号公報
【００１３】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、記録性能を向上させることが可能な薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
【００１４】
また、本発明の第２の目的は、主磁極層の形成に関する高精度化とフレアポイントの適正化とを両立し、製造面から記録性能の向上に寄与可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、磁束を発生させる薄膜コイルと、記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅を有する一定幅領域と、この一定幅領域よりも大きな幅を有する拡幅領域とを含む平面形状を有すると共に、記録媒体に対向する記録媒体対向面に一端面が露出するように配設された主磁極層と、記録媒体対向面から一端面が後退し、主磁極層の一部と対向するように配設された補助磁極層と、主磁極層と補助磁極層との間に、これらの２つの層により挟まれるように配設された非磁性層とを含む積層構造を有し、薄膜コイルにおいて発生した磁束を記録媒体に向けて放出する磁極層と、を備えたものであり、磁極層のうちの主磁極層が、記録媒体対向面からこの面と離れる方向に一定幅をもって延在する第１の主磁極層部分と、この第１の主磁極層部分の後方に連結され、第１の主磁極層部分よりも大きな幅を有する第２の主磁極層部分と、を含み、磁極層の幅が一定幅領域から拡幅領域へと拡がる拡幅位置が、第１の主磁極層部分と第２の主磁極層部分との連結位置によって規定されており、主磁極層のうちの第２の主磁極層部分が、拡幅位置からこの位置と離れる方向に向かって次第に幅が拡がる主磁極拡幅部分を有するものである。
【００１６】
本発明の薄膜磁気ヘッドでは、主磁極層内を第２の主磁極層部分から第１の主磁極層部分に磁束が流れ込む際、その磁束が、第２の主磁極層部分のうちの主磁極拡幅部分の幅の減少に応じて徐々に絞り込まれながら第１の主磁極層部分に流入する。
【００１７】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁束を発生させる薄膜コイルと、記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅を有する一定幅領域と、この一定幅領域よりも大きな幅を有する拡幅領域とを含む平面形状を有すると共に、記録媒体に対向する記録媒体対向面に一端面が露出するように配設された主磁極層と、記録媒体対向面から一端面が後退し、主磁極層の一部と対向するように配設された補助磁極層と、主磁極層と補助磁極層との間に、これらの２つの層により挟まれるように配設された非磁性層とを含む積層構造パターンを有し、薄膜コイルにおいて発生した磁束を記録媒体に向けて放出する磁極層と、磁極層に隣接するようにパターン配設された非磁性マスク層とを備えた薄膜磁気ヘッドを製造する方法であり、磁極層を形成する工程が、主磁極層の前準備層としての前駆主磁極層と、非磁性層の前準備層としての前駆非磁性層とをこの順に形成して積層させる第１の工程と、この前駆非磁性層上の、拡幅領域に対応する領域に、補助磁極層の前準備層として、拡幅領域を画定する前駆補助磁極層パターンを形成する第２の工程と、前駆補助磁極層パターンおよびその周辺領域上に、非磁性マスク層の前準備層としての前駆非磁性マスク層を形成する第３の工程と、この前駆非磁性マスク層上の、一定幅領域および拡幅領域の双方に対応する領域に、マスク層を形成する第４の工程と、このマスク層を使用し、前駆非磁性マスク層をエッチングしてパターニングすることにより、一定幅領域を画定する非磁性マスク層を形成すると共に、引き続き連続的に、非磁性マスク層および前駆補助磁極層パターンの双方をマスクとして使用し、前駆非磁性層をエッチングしてパターニングすることにより前駆非磁性層パターンを形成する第５の工程と、非磁性マスク層を使用し、前駆補助磁極層パターンをエッチングしてパターニングすることにより補助磁極層を形成すると共に、引き続き連続的に、非磁性マスク層、前駆補助磁極層パターンおよび前駆非磁性層パターンをマスクとして使用して、前駆主磁極層と共に前駆非磁性層パターンをエッチングし、前駆非磁性層パターンの両翼を選択的に削って次第に幅が拡がるように後退させることにより非磁性層を形成すると共に、前駆非磁性層パターンの形状変化に応じて前駆主磁極層をパターニングすることにより主磁極層を形成する第６の工程とを含むようにしたものである。
【００１８】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、まず、第１の工程において、主磁極層の前準備層としての前駆主磁極層と、非磁性層の前準備層としての前駆非磁性層とがこの順に形成されて積層される。続いて、第２の工程において、前駆非磁性層上の、拡幅領域に対応する領域に、補助磁極層の前準備層として、拡幅領域を画定する前駆補助磁極層パターンが形成される。続いて、第３の工程において、前駆補助磁極層パターンおよびその周辺領域上に、非磁性マスク層の前準備層としての前駆非磁性マスク層が形成される。続いて、第４の工程において、前駆非磁性マスク層上の、一定幅領域および拡幅領域の双方に対応する領域に、マスク層が形成される。続いて、第５の工程において、マスク層が使用され、前駆非磁性マスク層がエッチングされてパターニングされることにより、一定幅領域を画定する非磁性マスク層が形成されると共に、引き続き連続的に、非磁性マスク層および前駆補助磁極層パターンの双方がマスクとして使用され、前駆非磁性層がエッチングされてパターニングされることにより前駆非磁性層パターンが形成される。続いて、第６の工程において、非磁性マスク層が使用され、前駆補助磁極層パターンがエッチングされてパターニングされることにより補助磁極層が形成されると共に、引き続き連続的に、非磁性マスク層、前駆補助磁極層パターンおよび前駆非磁性層パターンがマスクとして使用されて、前駆主磁極層と共に前駆非磁性層パターンがエッチングされ、前駆非磁性層パターンの両翼が選択的に削られて次第に幅が拡がるように後退させられることにより非磁性層が形成されると共に、前駆非磁性層パターンの形状変化に応じて前駆主磁極層がパターニングされることにより主磁極層が形成される。これにより、主磁極層、非磁性層および補助磁極層を含む積層構造を有する磁極層が形成される。
【００１９】
本発明の薄膜磁気ヘッドでは、主磁極拡幅部分のうちの記録媒体対向面に近い側の端面が、第１の主磁極層部分から離れるにしたがって次第に傾斜しているのが好ましい。
【００２０】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、補助磁極層が、連結位置から一定幅をもって、第１の主磁極層部分の延在方向と同じ方向に延在する第１の補助磁極層部分と、この第１の補助磁極層部分の後方に連結され、第１の補助磁極層部分よりも大きな幅を有する第２の補助磁極層部分と、を含み、補助磁極層のうちの第２の補助磁極層部分が、第１の補助磁極層部分と第２の補助磁極層部分との連結位置からこの位置と離れる方向に向かって次第に幅が拡がる補助磁極拡幅部分を有するのが好ましい。
【００２１】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、磁極層に、第１の主磁極層部分、第１の補助磁極層部分および第２の補助磁極層部分の合成体に対応した平面形状を有する非磁性マスク層が隣接されているのが好ましい。
【００２２】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、主磁極層が、補助磁極層の飽和磁束密度以上の飽和磁束密度を有する材料により構成されているのが好ましい。
【００２３】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、磁極層が、記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁束を放出するように構成されていてもよい。
【００２４】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１の工程において、前駆補助磁極層パターンよりもエッチング速度が遅い材料を用いて前駆非磁性層を形成し、第３の工程において、前駆補助磁極層パターンおよび前駆主磁極層の双方よりもエッチング速度が遅い材料を用いて前駆非磁性マスク層を形成するのが好ましい。
【００２５】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第４の工程において、マスク層を形成したのち、そのマスク層の、一定幅領域に対応する部分を幅方向から選択的にエッチングすることにより、一定幅領域に対応する部分の幅を狭め、第５の工程において、一定幅領域に対応する部分の幅が狭められたマスク層を使用して、エッチング処理を行うのが好ましい。この場合には、イオンミリングを用い、マスク層の延在面と直交する方向に対して７０度±５度の角度をなす方向からイオンビームを照射しながら、マスク層のエッチング処理を行うのが好ましい。
【００２６】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第４の工程において、めっき膜を成長させることにより、マスク層を形成するのが好ましい。
【００２７】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第６の工程において、イオンミリングを用い、前駆補助磁極層パターンの延在面と直交する方向に対して３５度±１０度の角度をなす方向からイオンビームを照射しながらエッチング処理を行うのが好ましい。この場合には、主磁極層を形成したのち、さらに、その主磁極層の、一定幅領域に対応する部分に対して、イオンミリングを用いて主磁極層の延在面と直交する方向に対して６０度±１０度の角度をなす方向からイオンビームを照射しながらエッチング処理を施すようにしてもよい。
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００２８】
＜薄膜磁気ヘッドの構成＞
まず、図１〜図３を参照して、本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成について説明する。図１は薄膜磁気ヘッドの断面構成を表しており、（Ａ）はエアベアリング面に平行な断面，（Ｂ）はエアベアリング面に垂直な断面ををそれぞれ示している。図２は図１に示した薄膜磁気ヘッドの要部の斜視構成を拡大して表し、図３は薄膜磁気ヘッドの要部の平面構成を拡大して表している。なお、図１に示した上向きの矢印Ｂは、薄膜磁気ヘッドに対して記録媒体（図示せず）が相対的に進行する方向、すなわち記録媒体の進行方向を表している。
【００２９】
以下の説明では、図１〜図３の各図中におけるＸ軸方向の寸法を「幅」、Ｙ軸方向の寸法を「長さ」、Ｚ軸方向の寸法を「厚さ」とそれぞれ表記する。また、Ｙ軸方向のうちのエアベアリング面に近い側を「前側または前方」、その反対側を「後側または後方」とそれぞれ表記するものとする。これらの表記内容は、後述する図４以降においても同様とする。
【００３０】
この薄膜磁気ヘッドは、例えば、記録・再生の双方の機能を実行可能な複合型ヘッドであり、図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ２　Ｏ３　・ＴｉＣ）などのセラミック材料よりなる基板１上に、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２　Ｏ３　；以下、単に「アルミナ」という。）などの非磁性絶縁材料よりなる絶縁層２と、磁気抵抗効果（ＭＲ；Ｍａｇｎｅｔｏ−ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ　）を利用して再生処理を実行する再生ヘッド１００Ａと、例えばアルミナなどの非磁性材料よりなる非磁性層７と、垂直記録方式により記録処理を実行する単磁極型の記録ヘッド１００Ｂと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料よりなるオーバーコート層１６とがこの順に積層された構成をなしている。
【００３１】
《再生ヘッドの構成》
再生ヘッド１００Ａは、例えば、下部シールド層３と、シールドギャップ膜４と、上部シールド層５とがこの順に積層された構成をなしている。シールドギャップ膜４には、記録媒体に対向する記録媒体対向面（エアベアリング面）２０に一端面が露出するように、再生素子としてのＭＲ素子６が埋設されている。
【００３２】
下部シールド層３および上部シールド層５は，例えば、いずれもニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ（例えばＮｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）；以下、単に「パーマロイ（商品名）」という。）などの磁性材料により構成されており、それらの厚さはいずれも約１．０μｍ〜２．０μｍである。シールドギャップ膜４は、ＭＲ素子６を周囲から電気的に分離するものであり、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されている。ＭＲ素子６は、例えば、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ；Ｇｉａｎｔ　Ｍａｇｎｅｔｏ−ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ　）またはトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ；Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ　Ｍａｇｎｅｔｏ−ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ　）などを利用して再生処理を実行するものである。
【００３３】
《記録ヘッドの構成》
記録ヘッド１００Ｂは、例えば、リターンヨーク層８と、開口９Ｋを有するギャップ層９により埋設された磁束発生用の薄膜コイル１０と、開口９Ｋにおいてリターンヨーク層８と磁気的に連結されたヨーク層１１と、このヨーク層１１を介してリターンヨーク層８と磁気的に連結された主磁極層１２と、この主磁極層１２と共に非磁性層１３を挟む補助磁極層１４と、バッファ層１５とがこの順に積層された構成をなしている。なお、図３では、非磁性層１３およびバッファ層１５の図示を省略している。ここで、主磁極層１２、非磁性層１３および補助磁極層１４がこの順に積層された積層構造体が本発明における「磁極層」の一具体例に対応する。
【００３４】
リターンヨーク層８は、主に、主磁極層１２から外部に放出された磁束を記録ヘッド１００Ｂに取り込むためのものである。このリターンヨーク層８は、例えばパーマロイ（例えばＮｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）などの磁性材料により構成されており、その厚さは約１．０μｍ〜５．０μｍである。
【００３５】
ギャップ層９は、リターンヨーク層８上に配設され、開口９Ｋが設けられたギャップ層部分９Ａと、このギャップ層部分９Ａ上に配設され、薄膜コイル１０の各巻線間よびその周辺領域を覆うギャップ層部分９Ｂと、ギャップ層部分９Ａ，９Ｂを部分的に覆うギャップ層部分９Ｃとを含んで構成されている。ギャップ層部分９Ａは、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されており、その厚さは約０．１μｍ〜１．０μｍである。ギャップ層部分９Ｂは、例えば、加熱されることにより流動性を示すフォトレジスト（感光性樹脂）やスピンオングラス（ＳＯＧ）などにより構成されている。ギャップ層部分９Ｃは、例えばアルミナやシリコン酸化物（ＳｉＯ２　）などの非磁性絶縁材料により構成されており、その厚さはギャップ層部分９Ｂの厚さよりも大きくなっている。
【００３６】
ヨーク層１１は、主に、リターンヨーク層８と主磁極層１２とを磁気的に連結させるためのものであり、例えばパーマロイ（例えばＮｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）などの磁性材料により構成されている。このヨーク層１１は、例えば、その厚さ方向における表面の位置がギャップ層部分９Ｃの同方向における表面の位置と一致しており、すなわちギャップ層部分９Ｃと共に平坦面Ｍを構成している。
【００３７】
薄膜コイル１０は、例えば、銅（Ｃｕ）などの高導電性材料により構成されており、リターンヨーク層８とヨーク層１１との連結部分を中心としてスパイラル状に巻回する巻線構造をなしている。なお、図１および図３では、薄膜コイル１０を構成する複数の巻線のうちの一部のみを示している。
【００３８】
主磁極層１２、非磁性層１３および補助磁極層１４がこの順に積層された積層構造体（以下、単に「積層構造体」ともいう。）は、主に、薄膜コイル１０において発生した磁束を収容し、その磁束を記録媒体（図示せず）に向けて放出するものである。この積層構造体は、例えば、図３に示したように、全体として、記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅Ｗ１を有する一定幅領域Ｒ１と、この一定幅領域Ｒ１よりも大きな幅Ｗ２（Ｗ２＞Ｗ１）を有する拡幅領域Ｒ２とを含む平面形状を有している。この「平面形状」とは、主磁極層１２、非磁性層１３および補助磁極層１４よりなる積層構造体の平面構成のシルエット形状の意であり、具体的には、図３において太線で示した領域の形状のことである。積層構造体の幅が一定幅領域Ｒ１から拡幅領域Ｒ２へと拡がる位置は、薄膜磁気ヘッドの記録性能を決定する重要な因子のうちの１つである「フレアポイント（拡幅位置）ＦＰ」に相当する。主磁極層１２と補助磁極層１４とは、例えば、互いに異なる平面形状を有している。
【００３９】
主磁極層１２は、主要な磁束の流路となる部分である。この主磁極層１２は、例えば、補助磁極層１４の飽和磁束密度以上の飽和磁束密度を有する磁性材料、例えばパーマロイ（例えばＮｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％あるいはＮｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）、窒化鉄（ＦｅＮ）または鉄コバルト系合金などにより構成されており、その厚さは約０．１μｍ〜０．５μｍである。鉄コバルト系合金としては、例えば、鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ），鉄コバルト合金窒化物（ＦｅＣｏＮ），鉄コバルト合金酸化物（ＦｅＣｏＯ），ニッケル鉄コバルト合金（ＣｏＦｅＮｉ）などが挙げられる。
【００４０】
この主磁極層１２は、一端面がエアベアリング面２０に露出し、このエアベアリング面２０から後方に向かって延在しており、例えば、エアベアリング面２０から順に、先端部１２Ａと、この先端部１２Ａの後方に連結された後端部１２Ｂとを含んで構成されている。先端部１２Ａは、主に、記録用の垂直磁界を発生させるために外部に磁束を放出する主要な磁束放出部分として機能するものである。この先端部１２Ａは、記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅Ｗ１を有しており、その平面形状によって一定幅領域Ｒ１が規定されている。後端部１２Ｂは、主に、薄膜コイル１０において発生した磁束を収容するための主要な磁束収容部分として機能するものである。この後端部１２Ｂは、先端部１２Ａよりも大きな幅Ｗ２（Ｗ２＞Ｗ１）を有しており、先端部１２Ａと後端部１２Ｂとの連結位置によってフレアポイントＦＰが規定されている。なお、ギャップ層部分９Ｃのうち、先端部１２Ａの周辺領域は、部分的に掘り下げられている。
【００４１】
特に、後端部１２Ｂは、図２および図３に示したように、フレアポイントＦＰから後方に向かって次第に幅が拡がる前方部分１２ＢＦと、この前方部分１２ＢＦに連結され、一定幅Ｗ２を有する後方部分１２ＢＲとを含んで構成されている。図２に示したように、前方部分１２ＢＦの前端面Ｅ（エアベアリング面２０に近い側の端面）は、先端部１２Ａから離れるにしたがって次第に主磁極層１２の延在面（Ｘ軸およびＹ軸を含む平面）に対して傾斜している。この前端面Ｅが主磁極層１２の延在面に対してなす角度を傾斜角度αとすると、後端部１２Ｂの両翼端位置ＷＰ（図３参照）における傾斜角度αは、例えば、約１０度〜６０度、具体的には約３０度である。ここで、先端部１２Ａが本発明における「第１の主磁極層部分」の一具体例に対応し、後端部１２Ｂが本発明における「第２の主磁極層部分」に対応する。また、後端部１２Ｂを構成する前方部分１２ＢＦが本発明における「主磁極拡幅部分」の一具体例に対応する。
【００４２】
非磁性層１３は、主に、主磁極層１２の形成時においてエッチング処理の進行を抑制するためのストッパ層として機能するものであり、主磁極層１２と補助磁極層１４との間に、これらの２つの層により挟まれるように配設されている。なお、ストッパ層としての非磁性層１３の機能に関する詳細については、以下の「薄膜磁気ヘッドの製造方法」の項において説明する。この非磁性層１３は、例えば、補助磁極層１４よりもエッチング速度が遅い非磁性材料、具体的にはアルミナにより構成されており、その厚さは約０．０１５μｍ〜０．６５μｍである。この非磁性層１３は、主磁極層１２に対応した平面形状を有しており、すなわち主磁極層１２とほぼ同様の平面形状を有している。
【００４３】
補助磁極層１４は、主に、主磁極層１２の先端部１２Ａに磁束を供給する補助的な磁束の流路となる部分であり、非磁性層１３を挟んで主磁極層１２から完全に分離されている。この補助磁極層１４は、例えば、パーマロイ（例えばＮｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％あるいはＮｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）やニッケル鉄コバルト合金などの磁性材料により構成されており、その厚さは約０．１μｍ〜０．６μｍである。
【００４４】
補助磁極層１４は、一端面がエアベアリング面２０から後退し、そのエアベアリング面２０から所定の距離（リセス距離Ｌ＝約０．１μｍ〜１．０μｍ）だけ離れて拡幅領域Ｒ２に配設されている。この補助磁極層１４は、フレアポイントＦＰから後方に向かって延在しており、例えば、フレアポイントＦＰから順に、先端部１２Ａと同一の一定幅Ｗ１を有する先端部１４Ａと、この先端部１４Ａの後方に連結され、先端部１４Ａよりも大きな幅を有する後端部１４Ｂとを含んで構成されている。なお、先端部１４Ａは、必ずしも先端部１２Ａと同一の一定幅を有している必要はなく、先端部１２Ａの幅と異なる一定幅を有していてもよい。特に、後端部１４Ｂは、図２および図３に示したように、先端部１４Ａと後端部１４Ｂとの連結位置から後方に向かって次第に幅が拡がる前方部分１４ＢＦと、この前方部分１４ＢＦに連結され、一定幅Ｗ２を有する後方部分１４ＢＲとを含んで構成されている。ここで、先端部１４Ａが本発明における「第１の補助磁極層部分」の一具体例に対応し、後端部１４Ｂが本発明における「第２の補助磁極層部分」の一具体例に対応する。また、後端部１４Ｂを構成する前方部分１４ＢＦが本発明における「補助磁極拡幅部分」の一具体例に対応する。
【００４５】
バッファ層１５は、主に、主磁極層１２や補助磁極層１４の形成時においてエッチング処理の進行を抑制すると共に、特に、主磁極層１２の形成途中において、あらかじめ設定されたフレアポイントＦＰの位置ずれを防止するためのストッパ層として機能するものであり、主磁極層１２、非磁性層１３および補助磁極層１４よりなる積層構造体に隣接して配設されている。なお、ストッパ層としてのバッファ層１５の機能に関する詳細については、後述する。このバッファ層１５は、例えば、主磁極層１２や補助磁極層１４よりもエッチング速度が遅く、かつ反応性イオンエッチング（ＲＩＥ；Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）を利用してパターニングしやすい非磁性材料、具体的にはアルミナ、タンタル（Ｔａ）またはチタン（Ｔｉ）などにより構成されており、主磁極層１２の先端部１２Ａと、補助磁極層１４の先端部１４Ａおよび後端部１４Ｂとの集合体に対応する平面形状を有している。ここで、バッファ層１５が本発明における「非磁性マスク層」の一具体例に対応する。
【００４６】
＜薄膜磁気ヘッドの動作＞
次に、図１〜図３を参照して、薄膜磁気ヘッドの動作について説明する。
【００４７】
この薄膜磁気ヘッドでは、情報の記録時において、図示しない外部回路を通じて記録ヘッド１００Ｂの薄膜コイル１０に電流が流れると、薄膜コイル１０において磁束が発生する。このとき発生した磁束は、ヨーク層１１を通じて主に主磁極層１２に収容されると共に、非磁性層１３を経由して補助磁極層１４にも収容される。主磁極層１２に収容された磁束は後端部１２Ｂから先端部１２Ａに流入し、一方、補助磁極層１４に収容された磁束も同様に、後端部１４Ｂから先端部１４Ａに流入する。このとき、主磁極層１２内を後端部１２Ｂから先端部１２Ａに流れる磁束は、主磁極層１２の幅の減少（Ｗ２→Ｗ１）に伴い、フレアポイントＦＰにおいて絞り込まれて集束する。また、補助磁極層１４内を後端部１４Ｂから先端部１４Ａに流入した磁束は、先端部１４Ａのうちの前端近傍部に集中したのち、再び非磁性層１３を経由して主磁極層１２の先端部１２Ａに流入する。これにより、主に、先端部１２Ａのうちのトレーリング側部分に磁束が集中する。この磁束が先端部１２Ａから外部に放出されることにより、記録媒体の表面と直交する方向に磁界（垂直磁界）が発生し、この垂直磁界により記録媒体が垂直方向に磁化されるため、記録媒体に磁気的に情報が記録される。
【００４８】
なお、上記した「トレーリング側」とは、記録媒体の進行方向Ｂ（図１参照）に向かう記録媒体の移動状態を１つの流れと見た場合に、その流れの流出する側（媒体流出側）をいい、具体的には、厚さ方向（Ｚ軸方向）におけるギャップ層９から遠い側（上側）をいう。これに対して、流れの流入する側（媒体流入側）、すあわちギャップ層９に近い側（下側）は、「リーディング側」と呼ばれている。
【００４９】
一方、再生時においては、再生ヘッド１００ＡのＭＲ素子６にセンス電流が流れると、ＭＲ素子６の抵抗値が、記録媒体からの再生用の信号磁界に応じて変化する。この抵抗変化をセンス電流の変化として検出することにより、記録媒体に記録されている情報が読み出される。
【００５０】
＜薄膜磁気ヘッドの作用および効果＞
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、主磁極層１２の後端部１２Ｂが、フレアポイントＦＰから後方に向かって次第に幅が拡がる前方部分１２ＢＦを含んで構成されているため、主磁極層１２内を後端部１２Ｂから先端部１２Ａに磁束が流れ込む際、その磁束は前方部分１２ＢＦの前端面Ｅに沿って流れ、すなわち前方部分１２ＢＦの幅の減少に応じて徐々に絞り込まれながら先端部１２に流入する。この場合には、後端部１２Ｂが全体に渡って一定幅を有し、フレアポイントＦＰにおいて主磁極層１２の幅が急に狭まる場合とは異なり、後端部１２Ｂから先端部１２Ａに流入する磁束が急に絞り込まれることがない。これにより、フレアポイントＦＰにおける磁束飽和が抑制され、後端部１２Ｂから先端部１２Ａへ磁束が円滑に流入するため、先端部１２Ａのトレーリング側部分に十分な磁束が供給される。したがって、本実施の形態では、磁束の放出量が増加し、これにより垂直磁界の発生強度および磁界勾配が確保されるため、記録性能を向上させることができる。
【００５１】
また、本実施の形態では、後端部１２Ｂの前端面Ｅが先端部１２Ａから離れるにしたがって次第に傾斜しているため、以下の理由により、フレアポイントＦＰを前方よりに設定しつつ、サイドイレーズの発生を抑制することができる。すなわち、上記「従来の技術」の項において説明したように、磁束供給部分としての後端部１２Ｂをエアベアリング面２０に近づければ、トラック幅規定部分としての先端部１２Ａに十分な磁束を供給可能となるが、後端部１２Ｂをエアベアリング面２０に近づけすぎると、先端部１２Ａだけでなく後端部１２Ｂからも磁束が直接放出され、この過剰な磁束放出に起因してサイドイレーズが生じるおそれがある。この「サイドイレーズ」とは、過剰に放出された磁束により、本来の記録対象トラック領域以外の隣接トラック領域に不要な書き込みが行われ、その隣接トラック領域に記録されていた情報が意図せずに上書きされる不具合である。この点に関して、本実施の形態では、後端部１２Ｂの前端面Ｅが先端部１２Ａから離れるにしたがって次第に傾斜し、前端面Ｅにおいて両翼端位置ＷＰに近づくほど上端部が下端部よりも後退しているため、その下端部の最前端位置においてフレアポイントＦＰを規定する一方で、両翼の上端部では、後端部１２Ｂをエアベアリング面２０から遠ざけた場合と同様の効果が得られる。したがって、フレアポイントＦＰを前方よりに設定しつつ、サイドイレーズの発生を抑制することが可能になるのである。
【００５２】
また、本実施の形態では、補助磁極層１４の後端部１４Ｂが、先端部１４Ａと後端部１４Ｂとの連結位置から後方に向かって次第に幅が拡がる前方部分１４ＢＦを含んで構成されているため、上記した主磁極層１２の前方部分１２ＢＦと同様の作用により、補助磁極層１４内を後端部１４Ｂから前端部１４Ａに磁束が流れ込む際、先端部１４Ａ後端部１４Ｂとの連結位置における磁束飽和が抑制され、後端部１４Ｂから先端部１４Ａへ磁束が円滑に流入する。したがって、この観点においても記録性能の向上に寄与することができる。
【００５３】
また、本実施の形態では、主磁極層１２の飽和磁束密度が補助磁極層１４の飽和磁束密度以上となるようにしたので、補助磁極層１４よりも、主要な磁束の放出部分である先端部１２Ａを含む主磁極層１２において、磁束の収容量が増加する。したがって、この観点においても、垂直磁界強度の確保に寄与することができる。
【００５４】
＜第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドに関する変形例＞
なお、本実施の形態では、非磁性層７により上部シールド層５とリターンヨーク層８とを分離し、これらの上部シールド層５とリターンヨーク層８とが互いに別体をなすようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、非磁性層７を設けず、上部シールド層５とリターンヨーク層８とを一体化させるようにしてもよい。この場合、上部シールド層５とリターンヨーク層８との一体化層（上部シールド層兼リターンヨーク）の厚さは、適宜設定可能である。
【００５５】
＜薄膜磁気ヘッドの製造方法＞
次に、図１〜図１３を参照して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。図４〜図８は薄膜磁気ヘッドの製造工程における一連の工程の断面構成を表し、図９〜図１３はそれぞれ図４〜図８に示した各工程に対応する斜視構成を表している。
【００５６】
以下では、まず、薄膜磁気ヘッド全体の製造方法の概略について説明したのち、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法が適用される要部、すなわち主磁極層１２、非磁性層１３および補助磁極層１４よりなる積層構造体の形成方法について詳細に説明する。なお、薄膜磁気ヘッドの製造方法および要部の形成方法を説明する際には、各構成要素の形成材料、形成位置および構造的特徴等については上記＜薄膜磁気ヘッドの構成＞の項において既に詳述したので、その説明を随時省略するものとする。
【００５７】
《薄膜磁気ヘッドの製造方法》
この薄膜磁気ヘッドは、主に、めっき処理やスパッタリングなどの成膜技術、フォトリソグラフィ処理などのパターニング技術、ならびにドライエッチングなどのエッチング技術等を含む薄膜プロセスを利用して、各構成要素を順次形成して積層させることにより製造される。すなわち、まず、基板１上に絶縁層２を形成したのち、この絶縁層２上に、下部シールド層３と、ＭＲ素子６を埋設したシールドギャップ膜４と、上部シールド層５とをこの順に積層させることにより、再生ヘッド１００Ａを形成する。
【００５８】
続いて、再生ヘッド１００Ａ上に非磁性層７を形成したのち、この非磁性層７上に、リターンヨーク層８と、開口９Ｋを有し、薄膜コイル１０を埋設したギャップ層９（９Ａ，９Ｂ，９Ｃ）と、開口９Ｋにおいてリターンヨーク層８と磁気的に連結されたヨーク層１１と、このヨーク層１１を介してリターンヨーク層８と磁気的に連結された主磁極層１２と、非磁性層１３と、補助磁極層１４と、バッファ層１５とをこの順に積層させることにより、記録ヘッド１００Ｂを形成する。
【００５９】
最後に、記録ヘッド１００Ｂ上にオーバーコート層１６を形成したのち、機械加工や研磨加工を利用してエアベアリング面２０を形成することにより、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００６０】
《薄膜磁気ヘッドの要部の形成方法》
薄膜磁気ヘッドの要部を形成する際には、ヨーク層１１を形成し、このヨーク層１１とギャップ層部分９Ｃとにより平坦面Ｍを構成したのち、まず、図４および図９に示したように、平坦面Ｍ上に、例えばスパッタリングを利用して、高飽和磁束密度材料よりなる前駆主磁極層１２Ｘと、非磁性材料よりなる前駆非磁性層１３Ｘと、高飽和磁束密度材料よりなる前駆補助磁極層１４Ｘとをこの順に形成して積層させる。この前駆主磁極層１２Ｘは、後工程においてパターニングされることにより主磁極層１２となる前準備層であり、同様に、前駆非磁性層１３Ｘは非磁性層１３となる前準備層、前駆補助磁極層１４Ｘは補助磁極層１４となる前準備層である。前駆主磁極層１２Ｘの形成材料としては、例えば、前駆補助磁極層１４Ｘの形成材料の飽和磁束密度以上の飽和磁束密度を有するものを用いるようにする。具体的には、例えば、前駆主磁極層１２Ｘの形成材料として鉄コバルト系合金（例えばＦｅＣｏ，ＦｅＣｏＮ，ＦｅＣｏＯ）を用い、前駆補助磁極層１４Ｘの形成材料としてパーマロイ（例えばＮｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％あるいはＮｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）を用いるようにする。また、前駆非磁性層１３Ｘの形成材料としては、例えば、前駆補助磁極層１４Ｘよりもエッチング速度が遅い材料を用い、具体的にはアルミナを用いるようにする。
【００６１】
続いて、前駆補助磁極層１４Ｘ上にフォトレジスト膜（図示せず）を形成したのち、フォトリソグラフィ処理を利用してフォトレジスト膜をパターニングすることにより、図４および図９に示したように、エッチング用のマスク層３１を形成する。このマスク層３１を形成する際には、フォトリソグラフィ処理時におけるフォトレジスト膜中の露光範囲を調整することにより、前駆補助磁極層１４Ｘのうち、最終的に形成されることとなる主磁極層１２のフレアポイントＦＰよりも後方の領域、すなわち拡幅領域Ｒ２（図３参照）に対応する領域を覆うようにする。具体的には、例えば、最終的にエアベアリング面２０を形成した際、そのエアベアリング面２０よりもリセス距離Ｌ（＝約０．２μｍ〜１．０μｍ）だけ後退可能なように、マスク層３１の前端縁を位置合わせする。
【００６２】
続いて、図９に示したように、マスク層３１を使用し、例えばイオンミリングを利用して全体にエッチング処理を施すことにより、前駆補助磁極層１４Ｘをパターニングする。このエッチング処理により、前駆補助磁極層１４Ｘのうち、フレアポイントＦＰよりも前方の領域が選択的に除去され、図５および図１０に示したように、拡幅領域Ｒ２を画定する前駆補助磁極層パターン１４Ｙが形成される。この際、マスク層３１により覆われていなかった領域、すなわちフレアポイントＦＰよりも前方の領域では、エッチング速度の遅いアルミナよりなる前駆非磁性層１３Ｘがストッパ層として機能するため、前駆補助磁極層１４Ｘが除去されたのち、前駆非磁性層１３Ｘが僅かに掘り下げられる程度に留まる。これにより、エッチング処理の過剰進行が抑制されるため、エッチング対象外の前駆主磁極層１２Ｘまでエッチングされることが防止される。
【００６３】
続いて、図６および図１１に示したように、前駆非磁性層１３Ｘの露出面および前駆補助磁極層パターン１４Ｙの表面を覆うように、例えばスパッタリングを利用して、非磁性材料よりなる前駆バッファ層１５Ｘを形成する。この前駆バッファ層１５Ｘは、後工程においてパターニングされることによりバッファ層１５となる前準備層であり、前駆非磁性層１３Ｘと前駆補助磁極層パターン１４Ｙとにより構成された下地構造に対応して、段差部Ｄを含んで形成される。前駆バッファ層１５Ｘの形成材料としては、例えば、前駆主磁極層１２や前駆補助磁極層１４Ｘの双方よりもエッチング速度が遅い材料を用い、具体的にはアルミナを用いるようにする。ここで、前駆バッファ層１５Ｘが本発明における「前駆非磁性マスク層」の一具体例に対応する。
【００６４】
続いて、図６および図１１に示したように、例えばめっき処理を利用して、前駆バッファ層１５Ｘ上の、一定幅領域Ｒ１および拡幅領域Ｒ２（図３参照）の双方に対応する領域にめっき膜を成長させることにより、例えばパーマロイよりなるエッチング用のマスク層３２を形成する。このマスク層３２を形成する際には、例えば、最終的に形成されることとなる補助磁極層１４の平面形状にほぼ対応して、先端部１４Ａの幅Ｗ１よりも大きな幅Ｗ３（Ｗ３＞Ｗ１）を有する先端部３２Ａと、この前方部分３２Ａよりも大きな幅を有する後端部３２Ｂとを含むパターン形状をなすようにし、特に、後工程においてエアベアリング面２０となる位置から段差部Ｄを経由して後方まで先端部３２Ａを延在させると共に、先端部３２Ａの延在方向を段差部Ｄに対して直交させる。ここで、マスク層３２が本発明における「マスク層」の一具体例に対応する。
【００６５】
続いて、図１１に示したように、イオンミリング利用してマスク層３２をエッチングし、マスク層３２のうちの一定幅領域Ｒ１に対応する部分、すなわち先端部３２Ａの幅を狭める。具体的には、例えば、マスク層３２の延在面（Ｘ軸およびＹ軸を含む平面）に対する垂線Ｐから比較的大きな角度（照射角度）θ１＝約７０度±５度をなす方向からイオンビームを照射しながら、マスク層３２の先端部３２Ａに対して選択的にエッチング処理を施す。この際、例えば、垂線Ｐと平行なマスク層３２の中心線Ｔを軸として、全体を角度（搖動角度）ω１＝約２２５度±４５度だけ両幅方向に搖動させるようにする。ただし、必ずしも全体を搖動させなければならないわけではなく、例えば、全体を回転（ローテーション）させるようにしてもよい。このエッチング処理により、主に、厚さ方向のエッチング作用よりも幅方向のエッチング作用が優先され、この幅方向のエッチング作用に基づいて先端部３２Ａが両幅方向から削られることにより、図７および図１２に示したように、先端部３２Ａの幅が、Ｗ３より小さいＷ１（Ｗ１＜Ｗ３）となる。
【００６６】
以下では、特に、上記した先端部３２Ａの幅を狭小化するための幅方向エッチング処理を「コントロールトリム」と呼ぶこととする。マスク層３２の周辺領域は、前駆非磁性層１３Ｘと同様にストッパ層として機能する前駆バッファ層１５Ｘにより覆われているため、コントロールトリム時の影響が前駆補助磁極層パターン１４Ｙにおよぶことはない。
【００６７】
続いて、図１２に示したように、マスク層３２を使用し、例えばＲＩＥを利用して全体にエッチング処理を施すことにより、前駆バッファ層１５Ｘをパターニングする。このエッチング処理により、前駆バッファ層１５Ｘのうち、マスク層３２に対応する部分以外の領域が選択的に除去されることにより、図８および図１３に示したように、マスク層３２と同一の平面形状を有するように、一定幅領域Ｒ１を画定するバッファ層１５が形成される。
【００６８】
このバッファ層１５を形成する際には、引き続き連続的に、マスク層３２および前駆補助磁極層パターン１４Ｙの双方と共にバッファ層１５をマスクとして前駆非磁性層１３Ｘをパターニングする。このエッチング処理により、図８および図１３に示したように、バッファ層１５と前駆補助磁極層パターン１４Ｙとの合成体に対応する平面形状を有するように前駆非磁性層パターン１３Ｙが形成される。これらのバッファ層１５や前駆非磁性層パターン１３Ｙを形成するためのエッチング処理によりマスク層３２自体が削られるため、その厚さが目減りする。前駆非磁性層パターン１３Ｙの形成時点でマスク層３２が残存するようにしてもよいし（図８および図１３参照）、あるいは残存しないようにしてもよい。なお、バッファ層１５の形成工程と前駆非磁性層パターン１３Ｙの形成工程とを必ずしも同一の工程において連続的に行う必要はなく、これらの工程を別個に行うことも可能であるが、製造工程の簡略化を考慮するならば、同一工程において連続的に行うのが好ましい。
【００６９】
続いて、図１３に示したように、バッファ層１５をマスクとして使用し、例えばイオンミリングを利用して全体にエッチング処理を施すことにより、前駆補助磁極層パターン１４Ｙをパターニングする。具体的には、例えば、前駆補助磁極層パターン１４Ｙの延在面（Ｘ軸およびＹ軸を含む平面）に対する垂線Ｐから比較的小さな照射角度θ２＝約３５度±１０度をなす方向からイオンビームを照射しながら、前駆補助磁極層パターン１４Ｙに対してエッチング処理を施す。この際、例えば、図１３に示したように、中心線Ｔを軸として、全体を搖動角度ω２＝約２２５度±４５度だけ両幅方向に搖動させるようにする。このエッチング処理により、主に、幅方向のエッチング作用よりも厚さ方向のエッチング作用が優先され、この厚さ方向のエッチング作用に基づいて前駆補助磁極層パターン１４Ｙが深さ方向に削られることにより、図１および図２に示したように、バッファ層１５とほぼ同様の平面形状を有し、前方から順に先端部１４Ａおよび後端部１４Ｂを含むように補助磁極層１４が形成される。この補助磁極層１４では、後方に向かって次第に幅が拡がる前方部分１４ＢＦと、一定幅Ｗ２を有する後方部分１４ＢＲとを含むように後端部１４Ｂが構成される。なお、補助磁極層１４を形成する際には、コントロールトリム時と同様に、全体を搖動させる代わりにローテーションさせるようにしてもよい。
【００７０】
この補助磁極層１４を形成する際には、引き続き連続的に、バッファ層１５、前駆補助磁極層パターン１４Ｙおよび前駆非磁性層パターン１３Ｙをマスクとして、前駆主磁極層１２Ｘと共に前駆非磁性層パターン１４Ｙをエッチングする。このエッチング処理により、マスクとして用いられている前駆非磁性層パターン１３Ｙのうち、バッファ層１５により覆われている部分が削られることなく、バッファ層１５により覆われていない部分が選択的に削られて次第に幅が拡がるようにテーパ状に後退するため、この前駆非磁性層パターン１３Ｙの形状変化に応じて、前駆主磁極層１２Ｘも同様に、バッファ層１５により覆われている部分（被覆部）１２ＹＶが削られることなく、バッファ層１５により覆われていない部分（両翼部）１２ＹＷが選択的に削られて後退するようにパターニングされる。これにより、図１および図２に示したように、前方側から順に、一定幅Ｗ１を有する先端部１２Ａと、この先端部１２Ａの幅Ｗ１よりも大きな幅Ｗ２を有する後端部１２Ｂとを含むように主磁極層１２が形成されると共に、この主磁極層１２とほぼ同様の平面形状を有するように非磁性層１３が形成される。この主磁極層１２では、フレアポイントＦＰから後方に向かって次第に幅が拡がる前方部分１２ＢＦと、一定幅Ｗ２を有する後方部分１２ＢＲとを含むように後端部１２Ｂが構成されるとと共に、後端部１２Ｂの前端面Ｅが先端部１２Ａから離れるにしたがって次第に傾斜する。
【００７１】
以下では、特に、上記した補助磁極層１４、非磁性層１３および主磁極層１２を形成するための掘り込みエッチング処理を「掘り込みトリム」と呼ぶこととする。なお、掘り込みトリムにより、先端部１２Ａの周辺領域では、ギャップ層部分９Ｃが選択的に掘り下げられることとなる。これにより、主磁極層１２、非磁性層１３および補助磁極層１４よりなる積層構造体が完成する。
【００７２】
なお、主磁極層１２を形成したのちには、例えば、必要に応じて、主磁極層１２のうちの一定幅領域Ｒ１に対応する部分、すなわち先端部１２Ａの形状を整えるために、さらに、イオンミリングを利用し、主磁極層１２の延在面に対して約６０度±１０度の照射角度をなす方向からイオンビームを照射しながら、先端部１２Ａにエッチング処理を施すようにしてもよい。このエッチング処理によれば、主磁極層１２の延在面に対して側面が垂直をなすように先端部１２Ａの形状を調整することが可能である。
【００７３】
なお、上記《薄膜磁気ヘッドの要部の形成方法》の項では、説明の便宜上、エッチングを利用した一連のパターニング処理が完了した時点で主磁極層１２、非磁性層１３および補助磁極層１４が完成する旨を記載しているが、これらの主磁極層１２、非磁性層１３および補助磁極層１４は、実際には、一連のパターニング処理が完了したのち、エアベアリング面２０の形成工程を経て最終的に完成する。
【００７４】
＜薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する作用および効果＞
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、エッチング速度の遅いバッファ層１５や非磁性層１３（前駆非磁性層パターン１３Ｙ）をストッパ層として使用した一連のパターニング工程を経て主磁極層１２を形成するようにしたので、以下の理由により、主磁極層１２の形成に関する高精度化とフレアポイントＦＰの適正化とを両立し、記録性能の向上に寄与することが可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００７５】
すなわち、本実施の形態では、主磁極層１２の形成工程において、前駆主磁極層１２Ｘをパターニングして主磁極層１２を形成する際、バッファ層１５をマスクとして使用して先端部１２Ａを形成すると共に、バッファ層１５、前駆補助磁極層パターン１４Ｙおよび前駆非磁性層パターン１３Ｙをマスクとして使用して後端部１２Ｂを形成しているため、主に、主磁極層１２の形成上、以下の２つの利点が得られる。
【００７６】
第１に、先端部１２Ａを形成する際、エッチングの影響を受けてバッファ層１５が形崩れしにくいエッチング条件下において、そのバッファ層１５をマスクとして前駆主磁極層１２Ｘがパターニングされるため、目標通りの微小幅Ｗ１となるように先端部１２Ａを高精度に形成可能となる。
【００７７】
第２に、後端部１２Ｂを形成する際、前駆主磁極層１２Ｘの被覆部１２ＹＶは、エッチング速度の遅い前駆非磁性層パターン１３Ｙで覆われた上、さらに、同様にエッチング速度の遅いバッファ層１５で覆われており、これらの前駆非磁性層パターン１３Ｙおよびバッファ層１５の双方により被覆部１２ＹＶがエッチングの影響を受けないように二重に保護されているため、前駆主磁極層１２Ｘにエッチング処理を施した際、あらかじめ設定された被覆部１２ＹＶの前端位置（最終的に先端部１２Ａと後端部１２Ｂとの連結位置となる位置）、すなわちフレアポイントＦＰの位置ずれが防止される。一方、両翼部１２ＹＷは、前駆非磁性層パターン１３Ｙのみにより覆われ、バッファ層１５により覆われていないため、エッチングを意図的に過剰進行させることにより前駆非磁性層パターン１３Ｙの両翼が削られて後退すると、その前駆非磁性層パターン１３Ｙの形状変化に応じて同様に削られるため、被覆部１２ＹＶを挟んで左右対称にテーパ状に後退する。これにより、フレアポイントＦＰから後方に向かって幅が拡がる前方部分１４ＢＦを含むように後端部１２Ｂを形成可能となる。
【００７８】
したがって、本実施の形態では、上記「発明が解決しようとする課題」において説明した従来の場合とは異なり、先端部１２Ａの形成幅Ｗ１を高精度に制御すると共にフレアポイントＦＰを制御し、これらの２つの点を両立化させることが可能になるため、薄膜磁気ヘッドの製造面から記録性能の向上に寄与することが可能となるのである。
【００７９】
特に、本実施の形態では、上記したように、エッチング速度の遅い前駆バッファ層１５Ｘや前駆非磁性層パターン１３Ｙがエッチング処理の進行を抑制するストッパ層として機能するため、これらの一連のストッパ層を利用しない場合とは異なり、以下の２つの観点において、フレアポイントＦＰの位置ずれを防止することができる。
【００８０】
第１に、ストッパ層を利用しないと、コントロールトリム時にフレアポイントＦＰがずれるおそれがある。すなわち、例えば、図１４に示したように、前駆補助磁極層パターン１４Ｙ上に前駆バッファ層１５Ｘを設けず、その前駆補助磁極層パターン１４Ｙ上にマスク層３２を直接形成した場合には、図１１に示した場合と同様の条件（イオンミリング，照射角度θ１）でマスク層３２をコントロールトリムすると、ストッパ層として機能する前駆バッファ層１５Ｘが存在しないため、図１５に示したように、先端部３２Ａの幅が狭められた上、さらに、マスク層３２の形状に沿って前駆補助磁極層パターン１４Ｙの前端近傍部が意図せずに削られてしまい、最終的にフレアポイントＦＰとなる位置が後退するおそれがある。この点に関して、本実施の形態では、前駆補助磁極層パターン１４Ｙとマスク層３２との間にストッパ層として機能する前駆バッファ層１５Ｘが設けられ、この前駆バッファ層１５Ｘにより前駆補助磁極層パターン１４Ｙが保護されているため、コントロールトリム時にエッチングの影響が前駆補助磁極層パターン１４Ｙにおよびにくくなる。したがって、フレアポイントＦＰの位置ずれが防止されるのである。
【００８１】
第２に、ストッパ層を利用しないと、掘り込みトリム時にフレアポイントＦＰがずれるおそれがある。すなわち、例えば、図１６に示したように、前駆主磁極層１２Ｘと前駆補助磁極層パターン１４Ｙとの間に前駆非磁性層１３Ｘを設けず、バッファ層１５のみをマスクとして使用して前駆主磁極層１２Ｘをパターニングする際には、図１３に示した場合と同様の条件（イオンミリング，照射角度θ２）で前駆主磁極層１２Ｘを掘り込みトリムすると、ストッパ層として機能する前駆非磁性層１３Ｘが存在しないため、図１７に示したように、バッファ層１５の形状に沿って前駆主磁極層１２Ｘの前端近傍部が意図せずに過剰に削られてしまい、フレアポイントＦＰが後退するおそれがある。これに対して、本実施の形態では、前駆主磁極層１２Ｘと前駆補助磁極層パターン１４Ｙとの間にストッパ層として機能する前駆非磁性層１３Ｘが設けられ、この前駆非磁性層１３Ｘにより前駆主磁極層１２Ｘが保護されているため、掘り込みトリム時のエッチングの影響がによりフレアポイントＦＰが後退しにくくなる。したがって、フレアポイントＦＰの位置ずれが防止されるのである。
【００８２】
なお、前駆主磁極層１２Ｘと前駆補助磁極層パターン１４Ｙとの間に前駆非磁性層１３Ｘを設けた本実施の形態の場合と、前駆非磁性層１３Ｘを設けない比較例の場合との双方について、掘り込みトリム時におけるフレアポイントＦＰの位置ずれ量を比較したところ、位置ずれ量の標準偏差σ（μｍ）は、本実施の形態において０．０２４，比較例において０．０６３であった。このことから、本実施の形態において、フレアポイントＦＰの位置ずれ量がより小さくなることが確認された。
【００８３】
また、本実施の形態では、上記したように、バッファ層１５および前駆非磁性層パターン１３Ｙの双方をマスクとして使用した特徴的なプロセスを経て、後端部１２Ｂが左右対称形となるように主磁極層１２を形成したので、以下の理由により、記録対象トラック領域に隣接した隣接トラック領域に与える悪影響を抑制することができる。
【００８４】
すなわち、主磁極層１２を形成する場合には、広幅の後端部１２Ｂから狭幅の先端部１２Ａに磁束が流入する際、後端部１２Ｂ内の両幅方向における磁束の流れを均等化するために、図３に示したように、後端部１２Ｂを左右対称形にし、かつ先端部１２Ａの中心位置ＮＡと後端部１２Ｂの中心位置ＮＢとを互いに一致させる必要がある。しかしながら、図２に示した積層構造体（主磁極層１２，非磁性層１３，補助磁極層１４）と同様の構造体を形成するために、例えば、図１８に示したように、最終的に形成される主磁極層１２の後端部１２Ｂに対応する平面形状を有するように補助磁極層パターン１４Ｙを形成したのち、図１９に示したように、補助磁極層パターン１４Ｙ上に前駆バッファ層１５Ｘおよびマスク層３２を順次形成した上で、上記「薄膜磁気ヘッドの製造方法《薄膜磁気ヘッドの要部の形成方法》」において説明したコントロールトリム以降のプロセスを行う場合には、補助磁極層パターン１４Ｙに対するマスク層３２の位置合わせが十分でないと、図２０に示したように、後端部１２Ｂの中心位置ＮＢに対して先端部１２Ａの中心位置ＮＡがずれるおそれがある。中心位置ＮＡ，ＮＢ間にずれが生じ、後端部１２Ｂが左右非対象となると、後端部１２Ｂ内の両幅方向における磁束の流れが不均等になり、幅方向における一方の側において漏れ磁界が相対的に大きくなるため、この過剰な漏れ磁界に起因して隣接トラック領域に悪影響がおよぶおそれがある。
【００８５】
これに対して、本実施の形態では、図１３および図２に示したように、掘り込みトリムにより先端部１２Ａが形成されると共に、この先端部１２Ａの形成位置に基づいて両翼部１２ＶＷが後退エッチングされることにより後端部１２Ｂが形成されるため、主磁極層１２の形成工程において後端部１２Ｂに対して先端部１２Ａが必然的に位置合わせされ、先端部１２Ａの中心位置ＮＡと後端部１２Ｂの中心位置ＮＢとが互いに一致する。したがって、後端部１２Ｂの左右対称性が確保され、これにより後端部１２Ｂ内の両幅方向における磁束の流れが均等化されるため、後端部１２Ｂが左右非対称な場合と比較して、隣接トラック領域に与える悪影響が抑制されるのである。
【００８６】
また、本実施の形態では、フォトリソグラフィ処理を利用してマスク層３２を形成したのち、このマスク層３２をコントロールトリムすることにより先端部３２Ａの幅を狭めるようにしたので、フォトリソグラフィ処理を利用して形成可能な幅Ｗ３よりも小さな幅Ｗ１となるように先端部３２Ａを形成することができる。
【００８７】
また、本実施の形態では、前駆バッファ層１５Ｘをパターニングするためのエッチング手法として、前駆バッファ層１５Ｘの構成材料である例えばアルミナなどの硬い非磁性材料に対して速いエッチングレートを示すＲＩＥを使用しているため、エッチングレートの遅いイオンミリングを使用する場合と比較して、前駆バッファ層１５Ｘのパターニングを短時間で行うことができる。
【００８８】
＜薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する変形例＞
なお、本実施の形態では、スパッタリングを利用して前駆主磁極層１２Ｘや前駆補助磁極層１４Ｘを形成するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、スパッタリングに代えてめっき処理などの成膜手法を使用するようにしてもよい。
【００８９】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。具体的には、例えば、上記実施の形態では、本発明を「単磁極型ヘッド」に適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、「リング型ヘッド」に適用してもよい。
【００９０】
また、上記実施の形態では、本発明を複合型薄膜磁気ヘッドに適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや、記録・再生兼用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。また、本発明は、書き込み用の素子および読み出し用の素子の積層順序を逆転させた構造の薄膜磁気ヘッドについても適用可能である。さらに、本発明は、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドに限らず、長手記録方式の薄膜磁気ヘッドについても適用可能である。
【００９１】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドによれば、主磁極層のうちの第２の主磁極層部分を、第１の主磁極層部分と第２の主磁極層部分との拡幅位置（拡幅位置）からこの位置と離れる方向に向かって次第に幅が拡がる主磁極拡幅部分を有するように構成したので、主磁極層内を第２の主磁極層部分から第１の主磁極層部分に磁束が流れ込む際、その磁束は、主磁極拡幅部分の幅の減少に応じて徐々に絞り込まれながら第１の主磁極層部分に流入する。これにより、拡幅位置における磁束飽和が抑制され、第２の主磁極層部分から第１の主磁極層部分へ磁束が円滑に流入するため、第１の主磁極層部分のトレーリング側部分に十分な磁束が供給される。したがって、磁束の放出量が増加し、これにより垂直磁界の発生強度および磁界勾配が確保されるため、記録性能を向上させることができる。
【００９２】
また、請求項７ないし請求項１３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、非磁性マスク層や前駆非磁性層パターンを使用した一連のパターニング工程を経て主磁極層を形成するようにしたので、例えば、エッチング速度の遅い材料を用いて非磁性マスク層や前駆非磁性層パターンを形成し、エッチング処理の進行を抑制するためのストッパ層として非磁性マスク層や前駆非磁性層パターンを利用すれば、主磁極層の形成を高精度に制御すると共にフレアポイントを制御し、これらの２つの点を両立化させることが可能になる。したがって、薄膜磁気ヘッドの製造面から記録性能の向上に寄与することができる。
【００９３】
また、上記の他、請求項２記載の薄膜磁気ヘッドによれば、主磁極拡幅部分のうちの記録媒体対向面に近い側の端面を、第１の主磁極層部分から離れるにしたがって次第に傾斜させたので、その端面の厚さ方向における一方の端部（上端部）が、端面の両翼端に近づくほど他方の端部（下端部）よりも後退する。これにより、他方の端部の最前端位置（記録媒体対向面に最も近い位置）においてフレアポイントを規定する一方で、両翼の一方の端部では第２の主磁極層部分を記録媒体対向面から遠ざけた場合と同様の効果が得られるため、フレアポイントを記録媒体対向面に近い側に設定しつつ、サイドイレーズの発生を抑制することができる。
【００９４】
また、請求項３記載の薄膜磁気ヘッドによれば、補助磁極層のうちの第２の補助磁極層部分を、第１の補助磁極層部分と第２の補助磁極層部分との連結位置からこの位置と離れる方向に向かって次第に幅が拡がる補助磁極拡幅部分を有するように構成したので、上記した主磁極層の主磁極拡幅部分と同様の作用により、補助磁極層を第２の補助磁極層部分から第１の補助磁極層部分に流れる磁束の飽和が抑制され、第２の補助磁極層部分から第１の補助磁極層部分へ磁束が円滑に流入する。したがって、この観点においても記録性能の向上に寄与することができる。
【００９５】
また、請求項５記載の薄膜磁気ヘッドによれば、補助磁極層の飽和磁束密度以上の飽和磁束密度を有する材料により主磁極層を構成したので、補助磁極層よりも主磁極層において磁束収容量が増加する。したがって、磁束収容量の増加の観点においても、記録用磁界の強度の確保に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した薄膜磁気ヘッドの要部の斜視構成を拡大して表す斜視図である。
【図３】図１に示した薄膜磁気ヘッドの要部の平面構成を拡大して表す平面図である。
【図４】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図である。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図である。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図である。
【図９】図４に示した断面構成に対応する斜視図である。
【図１０】図５に示した断面構成に対応する斜視図である。
【図１１】図６に示した断面構成に対応する斜視図である。
【図１２】図７に示した断面構成に対応する斜視図である。
【図１３】図８に示した断面構成に対応する斜視図である。
【図１４】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に対する比較例としての薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための斜視図である。
【図１５】図１４に続く工程を表し、比較例としての薄膜磁気ヘッドの製造方法における問題点を説明するための斜視図である。
【図１６】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に対する他の比較例としての薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための斜視図である。
【図１７】図１６に続く工程を表し、他の比較例としての薄膜磁気ヘッドの製造方法における問題点を説明するための斜視図である。
【図１８】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に対するさらに他の比較例としての薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための斜視図である。
【図１９】図１８に続く工程を説明するための斜視図である。
【図２０】さらに他の比較例としての薄膜磁気ヘッドの製造方法における問題点を説明するための平面図である。
【符号の説明】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、４…シールドギャップ膜、５…上部シールド層、６…ＭＲ素子、７，１３…非磁性層、８…リターンヨーク層、９…ギャップ層、９Ａ，９Ｂ，９Ｃ…ギャップ層部分、１０…薄膜コイル、１１…ヨーク層、１２…主磁極層、１２Ａ，１４Ａ，３２Ａ…先端部、１２Ｂ，１４Ｂ，３２Ｂ…後端部、１２Ｘ…前駆主磁極層、１２ＹＶ…被覆部、１２ＹＷ…両翼部、１３Ｘ…前駆非磁性層、１３Ｙ…前駆非磁性層パターン、１４…補助磁極層、１４Ｘ…前駆補助磁極層、１４Ｙ…前駆補助磁極層パターン、１５…バッファ層、１５Ｘ…前駆バッファ層、１６…オーバーコート層、２０…エアベアリング面、３１，３２…マスク層、１００Ａ…再生ヘッド、１００Ｂ…記録ヘッド、Ｂ…記録媒体の進行方向、、ＦＰ…フレアポイント、Ｌ…リセス距離、Ｍ…平坦面、ＮＡ，ＮＢ…中心位置、Ｐ…垂線、Ｒ１…一定幅領域、Ｒ２…拡幅領域、Ｔ…中心線、ＷＰ…両翼端位置、θ１，θ２…照射角度、ω１，ω２…搖動角度。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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