(57)【要約】　　　（修正有）【課題】吸湿後の半田処理においても硬化物の半導体装置にクラックや基材との剥離が発生しない耐半田性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置を提供すること。【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）ホスファゼン化合物、（Ｅ）シリカ及び（Ｆ）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシジルプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシジルプロピルトリメトキシシランの群から選ばれる少なくとも１種以上のシランカップリング剤を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であって、かつ予め（Ｅ）シリカを（Ｆ）の群から選ばれる少なくとも１種以上のシランカップリング剤を用いて表面処理することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）ホスファゼン化合物、（Ｅ）シリカ及び（Ｆ）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシジルプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシジルプロピルトリメトキシシランの群から選ばれる少なくとも１種以上のシランカップリング剤を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であって、（Ｅ）シリカの配合量が全エポキシ樹脂組成物中に８５〜９３重量％であり、（Ｄ）／（Ｆ）の重量比が２／８〜８／２であり、（Ｄ）＋（Ｆ）の合計量が全エポキシ樹脂組成物中に０．２〜２重量％であり、かつ予め（Ｅ）シリカを（Ｆ）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシジルプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシジルプロピルトリメトキシシランの群から選ばれる少なくとも１種以上のシランカップリング剤を用いて表面処理することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項２】
ニッケル層、ニッケル／パラジウム層又はニッケル／パラジウム／金層を有するリードフレームに搭載された半導体素子を封止する上記請求項１の組成である半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
上記請求項１に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用て封止されたことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、密着性、熱時強度に優れ、２６０℃半田リフローに耐えうる半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の封止方法としてエポキシ樹脂組成物のトランスファー成形が低コスト、大量生産に適しており、採用されて久しく、信頼性の点でもエポキシ樹脂や硬化剤であるフェノール樹脂の改良により特性の向上が図られてきた。
しかし、近年の電子機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向において、半導体素子の高集積化も年々進み、また、半導体装置の表面実装化が促進されるなかで、半導体封止用エポキシ樹脂組成物への要求は益々厳しいものとなってきている。このため、従来からのエポキシ樹脂組成物では解決できない問題点も出てきている。その最大の問題点は、表面実装の採用により半導体装置が半田浸漬、あるいは半田リフロー工程で急激に２００℃以上の高温にさらされ、吸湿した水分が爆発的に気化する際の応力により、半導体装置にクラックが発生したり、半導体素子、リードフレーム、インナーリード上の各種メッキされた各接合部分とエポキシ樹脂組成物の硬化物の界面で剥離が生じ、信頼性が著しく低下する現象である。
【０００３】
半田処理による信頼性低下を改善するために、エポキシ樹脂組成物中の無機充填材の配合量を増加させることで低吸湿化、高強度化、低熱膨張化を達成し耐半田性を向上させるとともに、低溶融粘度の樹脂成分を使用して、成形時に低粘度で高流動性を維持させる手法が一般的となりつつある。
一方、半田処理による信頼性において、エポキシ樹脂組成物の硬化物と半導体装置内部に存在する半導体素子やリードフレーム等の基材との界面の接着性は非常に重要になってきている。この界面の接着力が弱いと、半田処理後の基材との界面で剥離が生じ、更にはこの剥離に起因し半導体装置にクラックが発生する。従来から耐半田性の向上を目的として、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランやγ―アミノプロピルトリエトキシシラン等のカップリング剤がエポキシ樹脂組成物中に添加されてきた。しかし近年、鉛フリー化による半田処理温度の上昇や、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐｄ、Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕ等のプリプレーティングフレームの出現等で、益々厳しくなっている耐半田性に対する要求に対して、これらのカップリング剤だけでは充分に対応できなくなっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、吸湿後の半田処理においても硬化物の半導体装置にクラックや基材との剥離が発生しない耐半田性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
［１］（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）ホスファゼン化合物、（Ｅ）シリカ及び（Ｆ）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシジルプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシジルプロピルトリメトキシシランの群から選ばれる少なくとも１種以上のシランカップリング剤を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であって、（Ｅ）シリカの配合量が全エポキシ樹脂組成物中に８５〜９３重量％であり、（Ｄ）／（Ｆ）の重量比が２／８〜８／２であり、（Ｄ）＋（Ｆ）の合計量が全エポキシ樹脂組成物中に０．２〜２重量％であり、かつ予め（Ｅ）シリカを（Ｆ）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシジルプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシジルプロピルトリメトキシシランの群から選ばれる少なくとも１種以上のシランカップリング剤を用いて表面処理することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
［２］ニッケル層、ニッケル／パラジウム層又はニッケル／パラジウム／金層を有するリードフレームに搭載された半導体素子を封止する上記第［１］項の組成である半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
［３］上記第［１］項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用て封止されたことを特徴とする半導体装置、
である。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明に用いるエポキシ樹脂としては、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を言い、その分子量、分子構造を特に限定するものではないが、例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂（フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有する）等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良い。これらの内では、半導体装置の耐半田特性を向上することを目的に樹脂組成物中の無機質充填材の配合量を増大させ、得られた樹脂組成物の硬化物の低吸湿化、低熱膨張化、高強度化を達成させるため、エポキシ樹脂として、成形時に低粘度となるビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂等を用いることが特に好ましい。
【０００７】
本発明に用いるフェノール樹脂としては、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を言い、その分子量、分子構造を特に限定するものではないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、トリフェノールメタン型樹脂、フェノールアラルキル樹脂（フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有する）、ナフトールアラルキル樹脂（フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有する）等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良い。これらの内では特に、耐半田クラック性と成形性のバランスに優れたフェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂、テルペン変性フェノール樹脂等が好ましい。これらの配合量としては、全エポキシ樹脂のエポキシ基数と全フェノール樹脂のフェノール性水酸基数の比が０．８〜１．３が好ましい。
【０００８】
本発明に用いる硬化促進剤としては、エポキシ基とフェノール性水酸基との硬化反応を促進させるものであればよく、一般に封止材料に使用するものを使用することができる。例えば、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリフェニルホスフィン、２−メチルイミダゾール、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良い。
【０００９】
本発明では、シリカを予めシランカップリング剤により表面処理して用いる。シリカを予めシランカップリング剤により表面処理することにより、シリカと樹脂成分との密着性を格段に向上させることができる。本発明に用いるシランカップリング剤は樹脂組成物と半導体素子等の被着体との密着力を向上させる作用をもつ。しかし一方では流動性の著しい低下、更にシリカ同士の凝集による未充填等成形性の低下が欠点として挙げられる。特に本発明では耐半田クラック性向上を目的としてシリカの配合量を多くしているため、このシランカップリング剤を予め処理せずに使用した場合、上記の問題が顕著に発生し成形性に著しい不具合をもたらす可能性が高い。しかし、予めこのシランカップリング剤をシリカに表面処理を施した方法で用いることにより、高い密着性を保ったまま成形性を大幅に改善できる。
【００１０】
本発明で用いる予めシランカップリング剤で表面処理されるシリカとしては、溶融破砕シリカ、溶融球状シリカ、合成球状シリカ、結晶シリカ等が挙げられる。これらは単独でも混合して用いてもよい。これらのシリカの最大粒径は、２００μｍ以下が好ましく、更に好ましくは１５０μｍ以下である。上限値を超えると、ゲート詰まりが発生る恐れがあるので好ましくない。平均粒径としては、８〜３０μｍが好ましい。下限値を下回ると凝集の問題が起こる恐れがあり、上限値を越えると薄バリの問題が起こる恐れがあり好ましくない。
本発明で用いる予めシランカップリング剤で表面処理されるシリカの配合量は、全エポキシ樹脂組成物中に８５〜９３重量％である。下限値を下回ると吸水率の増大及び熱時強度の低下に伴い耐半田リフロー性が低下する恐れがあり、上限値を超えると流動性低下による成形時の不良が発生する恐れがあるので好ましくない
【００１１】
本発明で用いる表面処理に用いるシランカップリング剤は、常温でのシリカとの反応性に優れたγ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシジルプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシジルプロピルトリメトキシシランの群から選ばれる少なくとも１種以上のシランカップリング剤であり、これらは単独でも混合して用いてもよい。
予めシランカップリング剤で処理されるシリカとシランカップリング剤の割合は、シリカ１００重量部に対し、シランカップリング剤としては０．０５〜１．８重量部が好ましく、更に好ましくは０．１〜１．２重量部である。シランカップリング剤の量が上記範囲を外れると、無機充填材と樹脂成分との密着性低下、流動性低下及びシリカの凝集物の発生の点から好ましくない。
【００１２】
シランカップリング剤によるシリカの表面処理の方法としては、シリカをスーパーミキサー、ボールミル、振動型混合機等の混合機に投入し、前記シランカップリング剤を加えた後、均一に混合する。混合中、又は混合後必要に応じ１００〜１３０℃で２〜１２時間加熱処理してもよい。混合容器より処理シリカを取り出した後、必要に応じて、１００〜３００μｍの篩を通すことで、予めシランカップリング剤処理されたシリカを得ることができる。
【００１３】
本発明に用いるホスファゼン化合物は、化合物中にホスファゼン構造を有するものであれば良く、例えば、一般式（１）で示される環状構造を有する化合物等を挙げることができる。
【化１】
2004067774.tif 000002
（式中、ｎは３〜７の整数、Ｒは互いに同一もしくは異なる有機基を示し、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基，ポリオキシアルキレン基、これらの基の水素原子の一つ以上がＮ、Ｓ、Ｏ、Ｆ原子を有する基で置き換えられた基、アミノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、フルオロアルキルオキシ基から選択される基である。）
【００１４】
一般式（１）で示される環状ホスファゼン化合物の具体例としては、例えば、ヘキサプロピルシクロトリホスファゼン、テトラエトキシジプロポキシシクロトリホスファゼン、ヘキサフェノキシシクロトリホスファゼン、トリフェノキシトリアニリノシクロトリホスファゼン、ビス（オキシポリプロピレングリコール）テトラフェノキシトリホスファゼン、ヘキサキス（３−メルカプトプロピル）シクロトリホスファゼン、ヘキサキス（ヘプタフルオロプロピルオキシ）シクロトリホスファゼン等が挙げられる。これらのホスファゼン化合物のなかでは、耐熱性、耐湿性の点からアリールオキシ基が好ましく、樹脂成分との相溶性やエポキシ樹脂組成物の流動性の点から２ｎ個のＲのうち少なくともｎ個はフェノキシ基であることがより好ましい。
また、本発明に含まれる他の好ましい環状ホスファゼン化合物としては、より難燃性を高めるために、一つの環状ホスファゼンが別の有機基を介して他の環状ホスファゼンと結合した形態の化合物も好ましい。例えば、一般式（１）で示される環状ホスファゼン化合物のＲの一部と他の環状ホスファゼンのＲの一部とが２価の有機基で置換されて結合した構造であり、環状ホスファゼン化合物同士を結合する２価の有機基としては、１，６−ジオキシヘキサン等のジオール化合物の水酸基から２個の水素原子を除いた基、或いはハイドロキノン、４，４’−ビフェノール、ビスフェノールＦ等の２官能フェノール化合物から２個の水素原子を除いた基等が好ましい。相互の環状ホスファゼン化合物は同一でも異なっていても良い。
ホスファゼン化合物の量としては、全エポキシ樹脂組成物中に０．０１〜２重量％が好ましく、更に好ましくは０．０５〜１．６重量％である。下限値を下回ると金属との密着性向上、樹脂の低粘度化の効果が充分に得られず、上限値を越えると硬化性、耐熱性及び強度が低下し、吸湿率が増加するので好ましくない。これらのホスファゼン化合物は、単独でも混合して用いてもよい。
【００１５】
ホスファゼン化合物は金属との密着性を向上させる効果、及び樹脂の粘度を低下させる効果があるため、ホスファゼン化合物とシランカップリング剤とを併用することにより、他の樹脂特性を損なうことなく、金属との密着性に優れ、低粘度でフィラー高充填に優れ、且つ熱時強度も高く出来ることにより、耐クラック性を向上できる。（Ｄ）ホスファゼン化合物と（Ｆ）シランカップリング剤の配合比率は、（Ｄ）／（Ｆ）＝２／８〜８／２である。（Ｄ）／（Ｆ）＜２／８だとエポキシ樹脂組成物の粘度上昇によりワイヤー流れ等の不具合が発生する恐れがある。一方、（Ｄ）／（Ｆ）＞８／２だと、熱時硬度が不足し成形性不良、或いは離型時にチップ界面、リードフレーム界面に剥離が発生する恐れがある。また、（Ｄ）ホスファゼン化合物と（Ｆ）シランカップリング剤の合計量（Ｄ）＋（Ｆ）は、全エポキシ樹脂組成物中に０．２〜２重量％である。（Ｄ）＋（Ｆ）＜０．２重量％だと密着性向上効果が十分に得られず、（Ｄ）＋（Ｆ）＞２重量％だと、金型汚れが発生し連続成形時にパッケージ外観不良が発生する恐れがある。
【００１６】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｆ）成分の他、必要に応じて臭素化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン等の難燃剤を含有することは差し支えない。本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｆ）成分を必須成分とするが、これ以外に必要に応じてカーボンブラック等の着色剤、天然ワックス、合成ワックス等の離型剤、及びシリコーンオイル、ゴム等の低応力添加剤等の種々の添加剤を適宜配合しても差し支えない。また、本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｆ）成分、及びその他の添加剤等をミキサー等を用いて充分に均一に混合した後、更に熱ロール又はニーダー等で溶融混練し、冷却後粉砕して得られる。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子等の各種の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の従来からの成形方法で硬化成形すればよい。
【００１７】
【実施例】
以下、本発明を実施例で具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。配合割合は重量部とする。
実施例１〜９、比較例１〜７で用いた表面処理シリカについて、下記に示す。
表面処理シリカ１：溶融球状シリカ（平均粒径２０μｍ、最大粒径７４μｍ）８５０重量部とγ−アミノプロピルトリメトキシシラン５重量部をスーパーミキサーにて均一に混合後、１２０℃で８時間加熱処理し、目開き１００μｍの篩に通して表面処理シリカ１を得た。
表面処理シリカ２：溶融球状シリカ（平均粒径２８μｍ、最大粒径７４μｍ）９３０重量部とγ−グリシジルプロピルトリエトキシシラン５重量部をスーパーミキサーにて均一に混合後、１２０℃で８時間加熱処理し、目開き１００μｍの篩に通して表面処理シリカ２を得た。
表面処理シリカ３：溶融球状シリカ（平均粒径２５μｍ、最大粒径７４μｍ）８８０重量部とγ−アミノプロピルトリエトキシシラン５重量部を用いたほかは、実施例１と同様にして表面処理シリカ３を得た。
表面処理シリカ４：溶融球状シリカ（平均粒径２５μｍ、最大粒径７４μｍ）８８０重量部とγ−アミノプロピルトリエトキシシラン８重量部を用いたほかは、表面処理シリカ１と同様にして表面処理シリカ４を得た。
表面処理シリカ５：溶融球状シリカ（平均粒径２５μｍ、最大粒径７４μｍ）８８０重量部とγ−アミノプロピルトリエトキシシラン２重量部を用いたほかは、表面処理シリカ１と同様にして表面処理シリカ５を得た。
表面処理シリカ６：溶融球状シリカ（平均粒径２０μｍ、最大粒径７４μｍ）８８０重量部とγ−グリシジルプロピルトリメトキシシラン１重量部を、スーパーミキサーにて１２０℃に加熱しながら８時間均一混合後、目開き１００μｍの篩に通して表面処理シリカ６を得た。
表面処理シリカ７：溶融球状シリカ（平均粒径２０μｍ、最大粒径７４μｍ）８８０重量部とγ−グリシジルプロピルトリメトキシシラン１０重量部を用いたほかは、表面処理シリカ６と同様にして表面処理シリカ７を得た。
表面処理シリカ８：溶融球状シリカ（平均粒径２５μｍ、最大粒径７４μｍ）８００重量部とγ−アミノプロピルトリエトキシシラン５重量部を用いたほかは、実施例１と同様にして表面処理シリカ８を得た。
表面処理シリカ９：溶融球状シリカ（平均粒径２５μｍ、最大粒径７４μｍ）９５０重量部とγ−アミノプロピルトリエトキシシラン５重量部を用いたほかは、実施例１と同様にして表面処理シリカ９を得た。
表面処理シリカ１０：溶融球状シリカ（平均粒径２５μｍ、最大粒径７４μｍ）８８０重量部とγ−アミノプロピルトリエトキシシラン９重量部を用いたほかは、実施例１と同様にして表面処理シリカ１０を得た。
表面処理シリカ１１：溶融球状シリカ（平均粒径２５μｍ、最大粒径７４μｍ）８８０重量部とγ−アミノプロピルトリエトキシシラン１重量部を用いたほかは、実施例１と同様にして表面処理シリカ１１を得た。
表面処理シリカ１２：溶融球状シリカ（平均粒径２５μｍ、最大粒径７４μｍ）８８０重量部とγ−アミノプロピルトリエトキシシラン０．５重量部を用いたほかは、実施例１と同様にして表面処理シリカ１２を得た。
表面処理シリカ１３：溶融球状シリカ（平均粒径２５μｍ、最大粒径７４μｍ）８８０重量部とγ−アミノプロピルトリエトキシシラン１３重量部を用いたほかは、実施例１と同様にして表面処理シリカ１３を得た。
【００１８】
実施例１
表面処理シリカ１　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　８５５重量部
エポキシ樹脂１：式（２）で示される構造を主成分とするビフェニル型エポキシ樹脂（融点１０５℃、エポキシ当量１９１ｇ／ｅｑ）　　　　　　７０重量部
【化２】
2004067774.tif 000003
【００１９】
フェノール樹脂１：式（３）で示されるフェノールアラルキル樹脂（軟化点７５℃、水酸基当量１７４ｇ／ｅｑ．）　　　　　　　　　　　　　　６３重量部
【化３】
2004067774.tif 000004
【００２０】
ホスファゼン化合物１：式（４）で示されるホスファゼン化合物　　５重量部
【化４】
2004067774.tif 000005
【００２１】
2004067774.tif 000006
をミキサーを用いて常温で混合した後、表面温度が９０℃と４５℃の２本ロールを用いて混練し、冷却後粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物を以下の方法で評価した。結果を表１に示す。
【００２２】
評価方法
スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒で測定した。単位はｃｍ。
熱時曲げ強度：トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間１２０秒で試験片（長さ８０ｍｍ、幅１０ｍｍ、厚さ４ｍｍ）を成形し、１７５℃、８時間で後硬化し、熱時曲げ強度をＪＩＳ　Ｋ　６９１１に準じて（２４０℃で）測定した。単位はＮ／ｍｍ２。
パッケージ外観不良：１４×２０×２ｍｍ８０ｐＱＦＰ（梨地表面）２フレームの１２ヶ取り金型、マルチプランジャートランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力７．４ＭＰａ、硬化時間１２０秒で２００ショット連続成形し、後半の１００ショット分のパッケージをサンプルとした。サンプルを目視で観察しパッケージ表面の梨地模様がはっきり確認できない物を不良とした。単位はヶ。
耐半田性：トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力７．４ＭＰａ、硬化時間１２０秒で、８０ｐＱＦＰ（２ｍｍ厚、チップサイズ９．０ｍｍ×９．０ｍｍ）を成形し、１７５℃、８時間で後硬化し、８５℃、相対湿度８５％で１６８時間加湿処理し、その後２４０℃の半田槽に１０秒間浸漬した。半田浸漬後のパッケージ１０個を顕微鏡で観察し、クラック発生率［（外部クラック発生パッケージ数）／（全パッケージ数）×１００］を求めた。単位は％。また、半導体素子とエポキシ樹脂組成物の硬化物の剥離面積の割合を超音波探傷装置を用いて測定し、剥離率［（剥離面積）／（半導体素子面積）×１００］を求めた。単位は％。
接着力：金型温度１７５℃、注入圧力７．４ＭＰａ、硬化時間２分の成形条件で、２×２ｍｍの面積の四角推形の成形物をＮｉ−Ｐｂ（Ａｕフラッシュメッキ）リードフレームの上に成形した後、常温でせん断破壊強度をテンシロンで測定した。単位はＮ／ｍｍ２。
【００２３】
実施例２〜９、比較例１〜７
表１の配合に従い、実施例１と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得て、実施例１と同様にして評価を行った。結果を表１に示す。
以下に実施例１以外で用いた材料を示す。
溶融球状シリカ（平均粒径２５μｍ、最大粒径７４μｍ、表面処理シリカ３で用いた溶融球状シリカと同じもの）
γ−アミノプロピルトリエトキシシラン
エポキシ樹脂２：式（５）で示されるジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂エポキシ樹脂（軟化点６０℃、エポキシ当量２６０ｇ／ｅｑ）
【化５】
2004067774.tif 000007
【００２４】
エポキシ樹脂３：式（６）で示されるフェノールアラルキル型エポキシ樹脂（軟化点６０℃、エポキシ当量２７０ｇ／ｅｑ）
【化６】
2004067774.tif 000008
【００２５】
フェノール樹脂２：フェノールノボラック樹脂（軟化点６０℃、水酸基当量１０４ｇ／ｅｑ）
ホスファゼン化合物２：式（７）で示されるホスファゼン化合物
【化７】
2004067774.tif 000009
トリフェニルホスフィン
【００２６】
【表１】
2004067774.tif 000010
【００２７】
【発明の効果】
本発明に従うと、吸湿後の半田処理においても硬化物の半導体装置にクラックや基材との剥離が発生しない耐半田性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置を得ることが出来る。