(57)【要約】      （修正有）【課題】接着層及び反射層を有する発光ダイオードの光度を向上させる。【解決手段】発光ダイオードスタックと、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｃｕ、ＡｕＧｅ、ＰｂＳｎ、ＡｕＺｎ、及びこれらに類似する化合物から選ばれた材料から構成される反射性金属層、または、ＳｉＮｘ、二酸化珪素、三酸化アルミニウム、二酸化チタン、酸化マグネシウム及びこれらに類似する化合物から選ばれた材料から構成される反射性酸化層を有する基材とを、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、パーフルオロシクロブタン、及びこれらに類似する化合物から選ばれた透過性接着層を用いて結合することにより、反射性金属層へと指向された光線が、この反射性金属層で反射させることが可能となり、発光ダイオードの光度を向上させることが可能となる。【選択図】図１
2004253763.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一基材上に発光ダイオードスタックを形成するステップ；
前記発光ダイオードスタック上に第一反応層を形成するステップ；
第二基材上に反射層を形成するステップ；
前記反射層上に第二反応層を形成するステップ；及び
透過性接着層なる手段により、前記第一反応層と前記第二反応層とを結合するステップ；
で少なくとも構成される、接着層及び反射層を有する発光ダイオードの製造方法。
【請求項２】
前記反射層は、反射性金属層であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記反射性金属層は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｃｕ、ＡｕＧｅ、Ｎｉ、ＰｂＳｎ、ＡｕＺｎ、及びこれらに類似する化合物からなるグループより選ばれた材料で少なくとも構成されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記反射層は、反射性酸化層であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記反射性酸化層は、ＳｉＮｘ、二酸化ケイ素、三酸化二アルミニウム、二酸化チタン、酸化マグネシウム、及びこれらに類似する化合物からなるグループより選ばれた材料で少なくとも構成されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記透過性接着層は、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、パーフルオロシクロブタン、及びこれらに類似する化合物からなるグループより選ばれた材料で少なくとも構成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第一反応層又は前記第二反応層は、ＳｉＮｘ、Ｔｉ、Ｃｒ、及びこれらに類似する化合物からなるグループより選ばれた材料で少なくとも構成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記の第二基材上に反射層を形成するステップは、前記第二基材上に半導体スタックを形成するステップ、及び前記半導体スタック上に反射層を形成するステップで構成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
さらに前記第一基材を除去するステップを構成してなる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
第一基材上に発光ダイオードスタックを形成するステップ；
前記発光ダイオードスタック上に第一反応層を形成するステップ；
反射性金属基材上に第二反応層を形成するステップ；及び
透過性接着層なる手段を用いて、前記第一反応層と前記第二反応層とを結合するステップ；
で少なくとも構成される、接着層及び反射層を有する発光ダイオードの製造方法。
【請求項１１】
前記反射性金属基材は、Ｓｎ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｃｕ、ＡｕＢｅ、ＡｕＧｅ、Ｎｉ、ＰｂＳｎ、ＡｕＺｎ、及びこれらに類似する化合物からなるグループより選ばれた材料で少なくとも構成されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記透過性接着層は、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、パーフルオロシクロブタン、及びこれらに類似する化合物からなるグループより選ばれた材料で少なくとも構成されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記第一反応層又は前記第二反応層は、ＳｉＮｘ、Ｔｉ、Ｃｒ、及びこれらに類似する化合物からなるグループより選ばれた材料で少なくとも構成されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記の反射性金属基材上に第二反応層を形成するステップは、前記反射性金属基材上に反射層を形成するステップ、及び前記反射層上に第二反応層を形成するステップで構成されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
さらに前記第一基材を除去するステップを構成してなる、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
第一基材上に発光ダイオードスタックを形成するステップ；
前記発光ダイオードスタック上に反射層を形成するステップ；
前記反射層上に第一反応層を形成するステップ；
第二基材上に第二反応層を形成するステップ；及び
接着層なる手段により、前記第一反応層と前記第二反応層とを結合するステップ；
で少なくとも構成されることを特徴とする接着層及び反射層を有する発光ダイオードの製造方法。
【請求項１７】
前記反射層は、反射性金属層であることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記反射層は、反射性酸化層であることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記反射性金属層は、Ｓｎ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｃｕ、ＡｕＢｅ、ＡｕＧｅ、Ｎｉ、ＰｂＳｎ、ＡｕＺｎ、及びこれらに類似する化合物からなるグループより選ばれた材料で少なくとも構成されることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記反射性酸化層は、ＳｉＮｘ、二酸化ケイ素、三酸化二アルミニウム、二酸化チタン、酸化マグネシウム、及びこれらに類似する化合物からなるグループより選ばれた材料で少なくとも構成されることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記第一反応層又は前記第二反応層は、ＳｉＮｘ、Ｔｉ、Ｃｒ、及びこれらに類似する化合物からなるグループより選ばれた材料で少なくとも構成されることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項２２】
さらに前記第一基材を除去するステップを構成してなる、請求項１６に記載の方法。
【請求項２３】
基材；
前記基材上に形成された反射層；
前記反射層上に形成された第一反応層；
前記第一反応層上に基衛星された透過性接着層；
前記透過性接着層上に形成された第二反応層；及び
前記第二反応層上に形成された発光ダイオードスタック；
で少なくとも構成される、接着層及び反射層を有する発光ダイオード。
【請求項２４】
前記第二反応層と前記発光ダイオードスタックとの間に透過性導電層をさらに構成してなる、請求項２３に記載の発光ダイオード。
【請求項２５】
前記反射層は、反射性金属層であることを特徴とする請求項２３に記載の発光ダイオード。
【請求項２６】
前記反射層は、反射性酸化層であることを特徴とする請求項２３に記載の発光ダイオード。
【請求項２７】
前記反射性金属層は、Ｓｎ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｃｕ、ＡｕＢｅ、ＡｕＧｅ、Ｎｉ、ＰｂＳｎ、ＡｕＺｎ、及びこれらに類似する化合物からなるグループより選ばれた材料で少なくとも構成されることを特徴とする請求項２５に記載の発光ダイオード。
【請求項２８】
前記反射性酸化層は、ＳｉＮｘ、二酸化ケイ素、三酸化二アルミニウム、二酸化チタン、酸化マグネシウム、及びこれらに類似する化合物からなるグループより選ばれた材料で少なくとも構成されることを特徴とする請求項２６に記載の発光ダイオード。
【請求項２９】
前記透過性接着層は、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、パーフルオロシクロブタン、及びこれらに類似する化合物からなるグループより選ばれた材料で少なくとも構成されることを特徴とする請求項２３に記載の発光ダイオード。
【請求項３０】
前記第一反応層又は前記第二反応層は、ＳｉＮｘ、Ｔｉ、Ｃｒ、及びこれらに類似する化合物からなるグループより選ばれた材料で少なくとも構成されることを特徴とする請求項２３に記載の発光ダイオード。
【請求項３１】
基材；
前記基材上に形成された第一反応層；
前記第一反応層上に形成された接着層；
前記接着層上に形成された第二反応層；
前記第二反応層上に形成された反射層；及び
前記反射層上に形成された発光ダイオードスタック；
で少なくとも構成される、接着層及び反射層を有する発光ダイオード。
【請求項３２】
前記反射層と前記発光ダイオード層との間に透過性導電層をさらに構成してなる、請求項３１に記載の発光ダイオード。
【請求項３３】
前記反射層は、反射性金属層であることを特徴とする請求項３１に記載の発光ダイオード。
【請求項３４】
前記反射層は、反射性酸化層であることを特徴とする請求項３１に記載の発光ダイオード。
【請求項３５】
前記反射性金属層は、Ｓｎ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｃｕ、ＡｕＢｅ、ＡｕＧｅ、Ｎｉ、ＰｂＳｎ、ＡｕＺｎ、及びこれらに類似する化合物からなるグループより選ばれた材料で少なくとも構成されることを特徴とする請求項３３に記載の発光ダイオード。
【請求項３６】
前記反射性酸化層は、ＳｉＮｘ、二酸化ケイ素、三酸化二アルミニウム、二酸化チタン、酸化マグネシウム、及びこれらに類似する化合物からなるグループより選ばれた材料で少なくとも構成されることを特徴とする請求項３４に記載の発光ダイオード。
【請求項３７】
前記透過性接着層は、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、パーフルオロシクロブタン、及びこれらに類似する化合物からなるグループより選ばれた材料で少なくとも構成されることを特徴とする請求項３１に記載の発光ダイオード。
【請求項３８】
前記第一反応層又は前記第二反応層は、ＳｉＮｘ、Ｔｉ、Ｃｒ、及びこれらに類似する化合物からなるグループより選ばれた材料で少なくとも構成されることを特徴とする請求項３１に記載の発光ダイオード。
【請求項３９】
反射性金属基材；
前記反射性金属基材上に形成された第一反応層；
前記第一反応層上に形成された透過性接着層；
前記透過性接着層上に形成された第二反応層；及び
前記第二反応層上に形成された発光ダイオードスタック；
で少なくとも構成される、接着層及び反射層を有する発光ダイオード。
【請求項４０】
前記第二反応層と前記発光ダイオードスタックとの間に透過性導電層をさらに構成してなる、請求項３９に記載の発光ダイオード。
【請求項４１】
前記反射性金属基材は、Ｓｎ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｃｕ、ＡｕＢｅ、ＡｕＧｅ、Ｎｉ、ＰｂＳｎ、ＡｕＺｎ、及びこれらに類似する化合物からなるグループより選ばれた材料で少なくとも構成されることを特徴とする請求項３９に記載の発光ダイオード。
【請求項４２】
前記透過性接着層は、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、パーフルオロシクロブタン、及びこれらに類似する化合物からなるグループより選ばれた材料で少なくとも構成されることを特徴とする請求項３９に記載の発光ダイオード。
【請求項４３】
前記第一反応層又は前記第二反応層は、ＳｉＮｘ、Ｔｉ、Ｃｒ、及びこれらに類似する化合物からなるグループより選ばれた材料で少なくとも構成されることを特徴とする請求項３９に記載の発光ダイオード。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光ダイオード及びその製造方法に関する。特に、本発明は、接着層及び反射層を有する発光ダイオード及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
発光ダイオード（ＬＥＤ）は、例えば、光学ディスプレー、信号機、データー保存装置、情報伝達装置、照射装置、及び医療機器などの様々な装置に使用される。より高い光度の発光ダイオードを製造することは、エンジニアの重要な任務である。
【０００３】
ＬＥＤの光度を向上させる方法に関する先行技術には、二つの半導体をファンデルワールス力により結合することを含む。しかしながら、ファンデルワールス力は、二つの半導体との間の十分な機械的結合強度を供するには弱く、分離する傾向にあるという欠点がある。
【０００４】
米国特許第５，３７６，５８０号明細書では、ＬＥＤスタック及び透過性基材との結合し、オームインターフェースを作り出す方法について開示されている。この透過性の基材は、ＧａＰにより製造することができる。ＬＥＤスタックから放出される光は、ＬＥＤスタックから透過性基材へ通過することができる。しかしながら、先行技術における方法では、ＬＥＤスタックと透過性基材とでオームインターフェースを形成するために、約１０００度で、同軸圧縮力を加える必要がある。先行技術における方法の初期的な欠点は、製造工程において高い温度によりＬＥＤの特性が破壊され、低い光放射効率を有するＬＥＤを得る結果となるということである。加えて、透過性ＧａＰ基材は、色調を有し、かつその透過性度は約６０から７０％である。従って、ＬＥＤの光度は減弱する。
【０００５】
ＬＥＤの光度を向上させる先行技術方法には、金属層を用い、ＬＥＤスタックと基材を結合するという結合技術が含まれる。この金属層は、結合層を形成し、その金属特性によりミラーを形成する。これにより、ＬＥＤスタックから放出される光線は、金属層を通過し基材へと入射することなく、金属層にて反射され、再びＬＥＤスタックへと入射する。したがって、基材によりいくらかの光線が吸収されるという欠点は回避される。このような製造工程において、金属層の結合温度は、たった約３００から４５０度である。このＬＥＤ特性は、このような低い温度では破壊されない。
【０００６】
【特許文献１】
米国特許第５，３７６，５８０号明細書
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この結合技術には、いくつかの欠点が含まれる。その一つに、このような低い結合温度では、結合する金属層と二つの半導体層とのいくつかとの間では起きず、従って、高い反射性を有する金属表面（反射率９０％以上）及び向上された光放射効率が得られるにもかかわらず、金属層と半導体層との間で化学反応はなく、結合効果は、十分ではなく、これら層間にて、オームインターフェースを形成することができない。それにもかかわらず、高い結合温度が適用された場合、金属層と、二つの半導体層のいくつかとの間の結合性は良好である。しかしながら、反射性金属層の反射率は、大いに減弱され、したがって、金属層は、良好なミラー機能を供することができない。これは、結合技術におけるその他の欠点である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上述の欠点を回避するために、本発明の発明者は、以下で説明される発明コンセプトを得た。上述のように、ＬＥＤスタックに対して、金属層を結合するための透過性接着層を用いる場合、ＬＥＤスタックにより生成される光線は、透過性接着層を介して通過してもよく、金属層により反射してもよく、かつこのＬＥＤスタックを介して通過してもよい。しかしながら、接着層を用いて、この金属層が簡単にＬＥＤスタックと接着している場合、これらの間の接着性は、ファンデルワールス力によってのみ達成され、接着インターフェースにおいて、剥離する傾向にある。本発明のコンセプトは、透過性接着層及びＬＥＤスタックと金属層との間に反応層を形成することであり、この反応は、反応層と透過性接着層との間で起こる。これは、水素結合又はイオン結合が、透過性接着層を供された結合力を形成することによるためである。これにより、この透過性接着層は、促進された機械的強度を供することが可能となり、したがって、上述の剥離という欠点を回避することができる。加えて、透過性接着層を使用することにより、金属層とＬＥＤスタックとの間に生じる結合により上述の欠点が回避される。さらに、電流伝播効率を向上させるため、透過性導電層は、この透過性接着層とＬＥＤスタックとの間に形成させることができ、これにより、ＬＥＤの持つ光度が向上することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明の目的は、接着層及び反射層を持つ発光ダイオード並びにその製造方法を供することである。本製造方法において、透過性接着層は、ＬＥＤスタックと基材とを接着するために用い、光は、この透過性接着層を介して通過し、反射層にて反射される。透過性接着層の上部及び下部表面のそれぞれは、反応層を形成する。機械的強度を向上させるため、この反応層と透過性接着層が、接着面において接着力を促進すべく圧力及び加熱された際、反応を起こす。反射層に指向された光は、反射し、発光ダイオードの光度が増加する。加えて、この反射層は、ＬＥＤスタック及び反応層との間に形成されることも可能である。この接着層は、透過性接着層に制限されるべきではなく、反射層に指向された光は、非透過性接着層の外側へと反射させられるためである。この方法は、反射特性の減弱及び結合効果の減少などに関連した問題を有していない。これによって、全体の反射効果を得ることができ、ＬＥＤの光度を増加させるという目的は達成可能である。
【０００９】
本発明における好適実施例として、接着層及び反射層を持つ発光ダイオードは、第二基質、この第二基質上に形成された反射性金属層、この反射性金属層上に形成された第一反応層、この第一反応層上に形成された透過性接着層、この透過性接着層上に形成された第二反応層、この第二反応層上に形成された透過性導電層で構成され、前記透過性導電層の上部表面は、第一表面領域及び第二表面領域で構成される。第一接触層は、この第一表面領域上に形成される。第一被覆層は、この第一接触層上に形成される。活動層は、この第一被覆層上に形成される。第二被覆層は、この活動層上に形成される。第一電極は、この第二接触層上に形成される。第二電極は、前記第二表面領域に形成される。
【００１０】
本発明の好適実施例における発光ダイオードの製造方法は：順に、第一基材、第二接触層、第二被覆層、活動層、第一被覆層、第一接触層、透過性導電層、第二反応層が形成されることで、第一スタックを構築し；第二基材上に反射性金属層を形成し、この反射性金属層上に第一反応層を形成されることで、第二スタックを構築し；透過性接着層を供し、この透過性接着層を使って第一スタック及び第二スタックを、前記第二反応層の表面と第一反応層の表面とを接着することにより結合し、これを以て第三スタックを構築し；第一基材を除去することにより第四スタックを構築し；この第四スタックを前記透過性導電層へと適切にエッチングし、この透過性導電層において暴露表面領域を形成し；及び第一電極を前記第二接触層上に形成し、第二電極を前記透過性導電層における暴露表面領域上に形成する；ことで構成される。
【００１１】
【実施例】
図１を参照すると、本発明の好適実施例を参照した接着層及び反射層を有する発光ダイオード１は、第二基材１０、この第二基材１０上に形成された反射性金属層１１、この反射性金属層１１上に形成された第一反応層２２、この第一反応層２２上に形成された透過性接着層１２、この透過性接着層１２上に形成された第二反応層２３、この第二反応層２３上に形成された透過性導電層２１で構成され、透過性導電層２１の上部表面は、第一表面領域及び第二表面領域で構成されている。第一接触層１３は、第一表面領域上に形成されている。第一被覆層１４は、この第一接触層１３上に形成されている。活動層１５は、第一被覆層１４上に形成されている。第二被覆層１６は、活動層１５上に形成されている。第二接触層１７は、第二被覆層１６上に形成されている。第一電極１９は、第二接触層１７上に形成されている。第二電極２０は、前記第二表面領域上に形成されている。
【００１２】
図１から５を参照すると、発光ダイオード１の製造方法は、次なるステップで構成されている：順に、第一基材１８、第二接触層１７、第二被覆層１６、活動層１５、第一被覆層１４、第一接触相１３、透過性導電層２１、第二反応層２３が形成されることにより第一スタック２が構築され；図３に示すように、第二基材１０上に反射性金属層１１が形成され、反射性金属層１１上に第一反応層２２が形成されることにより第二スタック３が構築され；図４に示すように、透過性接着層１２が供され、この透過性接着層１２を使って、第二反応層２３の表面と第一反応層２２の表面とを結合することにより、第一スタック２と第二スタック３とを一緒に結合し、第三スタック４を構築し；図５に示すように、第一基材１８を除去することにより、第四スタック５を構築し；第四スタック５を透過性導電層２１へと適切にエッチングすることにより透過性導電層２１に曝露表面領域を形成し；第一電極１９を第二接触層１７上に形成し、第二電極２０を透過性導電層２１の曝露表面領域上に形成する；ステップで構成される。
【００１３】
本発明のその他の好適実施例を参照した、接着層及び反射層を有する発光ダイオード６は、図６に示されている。このＬＥＤ構造物及びその製造方法は、上述の好適実施例を参照しながら、反射性金属層１１を、反射性酸化層６１１へと置き換えることを除いては同様である。これにより、この反射性酸化層６１１は、反射することが可能となる。
【００１４】
図７を参照すると、本発明のさらに別の好適実施例を参照した、接着層及び反射層を有する発光ダイオードが示され：反射性金属基材７１０；反射性金属基材７１０上に形成された第一反応層７２２、第一反応層７２２上に形成された透過性接着層７１２、透過性接着層７１２上に形成された第二反応層７２３、第二反応層７２３上に形成された透過性導電層７２１で構成され；透過性導電層７２１は、第一表面領域及び第二表面領域を構成し；この第一表面領域上に形成された第一接触層７１３；第一接触層７１３上に形成された第一被覆層７１４；第一被覆層７１４上に形成された活動層７１５；活動層７１２上に形成された第二被覆層７１６；第二被覆層７１６上に形成された第二接触層７１７；及び前記第二表面領域上に形成された第二電極７２０で構成される。
【００１５】
図７から１０を参照すると、ＬＥＤ７を製造する方法は、次のステップで構成している：順に、第一基材７１８上に、第二接触層７１７、第二被覆層７１６、活動層７１５、第一被覆層７１４、第一接触層７１３、透過性導電層７２１、第二反応層７２３を形成することにより第五スタック８を構築し；反射性金属基材７１０上に第一反応層７２２を形成することにより第六スタック９を構築し；透過性接着層７１２を使用することにより、第一スタックの第二反応層に存在する表面と第六スタックの第一反応層に存在する表面とを結合し；第一基材７１８を除去することにより第七スタック１００を残留させ；第七スタック１００を適切にエッチングすることにより透過性導電層７２１に曝露表面領域を形成し；及び第一電極７１９及び第二電極７２０をそれぞれ、第二接触層７１７上及び透過性導電層７２１の曝露表面領域上に形成する；ステップで構成される。
【００１６】
図１１を参照すると、本発明の別の好適実施例を参照した、発光ダイオード１１０は、第二基材１１１０；第一基材１１１０上に形成された第一反応層１１２２、第一反応層１１２２上に形成された接着層１１１２；接着層１１１２上に形成された第二反応層１１２３；第二反応層１１２３上に形成された反射性金属層１１１１、反射性金属層１１１１上に形成された透過性導電層１１２１で構成され、透過性導電層１１２１は、第一表面領域及び第二表面領域で構成され；第一表面領域上に形成された第一接触層１１１３；第一接触領域１１１３上に形成された第一被覆層１１１４；第一被覆層１１１４上に形成された活動層１１１５；活動層１１１５上に形成された第二被覆層１１１６；第二被覆層１１１６上に形成された第二接触層１１１７；第二接触層１１１７上に形成された第一電極１１１９；及び第二表面領域に形成された第二電極１１２０；で構成される。
【００１７】
図１２から１４を参照すると、発光ダイオード１１０の製造方法は、次なるステップで構成される：順に、第一基材１１１８上に、第二接触層１１１７、第二被覆層１１１６、活動層１１１５、第一被覆層１１１４、第一接触層１１１３、透過性導電層１１２１、反射性金属層１１１１、第二反応層１１２３を形成させることにより、第八スタック１２０を構築し；第二基材１１１０上に第一反応層１１２２を形成することにより第九スタック１３０を構築し；第八スタック１２０の第二反応層１１２３の表面と第九スタック１３０の第一反応層１１２２の表面とを、接着層１１２２を使って一緒に結合し；第一基材１１１８を除去することにより第十スタック１４０を構築し；第十スタック１４０を透過性導電層１１２１へと適切にエッチングすることにより第一接触層１１１３に曝露表面領域を形成し；及び第一電極１１１９及び第二電極１１２０をそれぞれ、第二接触層１１１７上及び第一接触層１１１３の曝露表面領域上にそれぞれ形成する；ステップで構成される。
【００１８】
第一基材１８、７１８、又は１１８は、少なくともＧａＰ、ＧａＡｓ、及びＧｅからなるグループより選ばれた材料で構成する。第二基材１０又は１１１０は、少なくとも、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＳｉＣ、三酸化二アルミニウム、ガラス、ＧａＰ、ＧａＡｓＰ、及びＡｌＧａＡｓからなるグループより選ばれた材料で構成される。透過性接着層１２、又は１１１２は、少なくとも、ポリイミド（ＰＩ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、パーフルオロシクロブタン（ＰＦＣＢ）、及び其れに類似する化合物からなるグループより選ばれた材料で構成する。第一反応層２２、７２２、又は１１２２は、少なくとも、ＳｉＮｘ、Ｔｉ、及びＣｒからなるグループより選ばれた材料で構成される。第二反応層２３、７２３、又は１１２３は、少なくとも、ＳｉＮｘ、Ｔｉ、及びＣｒ、及びこれに類似する化合物からなるグループより選ばれた材料で構成する。反射性金属基材７１０は、少なくとも、Ｓｎ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｃｕ、ＡｕＢｅ、Ｎｉ、ＰｂＳｎ、ＡｕＺｎ、及びこれに類似する化合物からなるグループより選ばれた材料で構成する。第一接触層１３、７１３、又は１１１３は、少なくとも、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、及びＡｌＧａＡｓからなるグループより選ばれた材料で構成する。反射性酸化層６１１は、少なくとも、ＳｉＮｘ、二酸化ケイ素、三酸化アルミニウム、二酸化チタン、酸化マグネシウム、及びこれに類似した化合物からなるグループより選ばれた材料で構成する。反射性金属層１１、又は１１１１は、少なくとも、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｃｕ、ＡｕＢｅ、ＡｕＧｅ、Ｎｉ、ＰｂＳｎ、ＡｕＺｎ、及びそれに類似する化合物からなるグループより選ばれた材料で構成する。第一被覆層１４、７１４、及び１１１４のそれぞれ、活動層１５、７１５、又は１１１５のそれぞれ、並びに第二被覆層１６、７１６、又は１１１６のそれぞれは、ＡｌＧａＩｎＰで構成する。第二接触層１７、７１７、又は１１１７は、少なくとも、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、及びＡｌＧａＡｓからなるグループより選ばれた材料で構成する。透過性導電層２１、７２１、又は１１１２は、少なくとも、酸化スズインジウム、酸化スズカドミニウム、酸化スズアンチモン、酸化亜鉛、及び酸化スズ亜鉛からなるグループより選ばれた材料で構成する。
【００１９】
本発明の好適実施例において、図示及び述べられてきたが、当業者にとって、添付された請求項に定義された本発明の狙い及び趣旨から解離することなく、様々な改変を施すことが可能であることは明らかである。
【００２０】
【発明の効果】
透過性接着層は、促進された機械的強度を供することが可能となり、したがって、上述の剥離という欠点を回避することができる。加えて、透過性接着層を使用することにより、金属層とＬＥＤスタックとの間に生じる結合により上述の欠点が回避される。さらに、電流伝播効率を向上させるため、透過性導電層は、この透過性接着層とＬＥＤスタックとの間に形成させることができ、これにより、ＬＥＤの持つ光度が向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好適実施例を参照した、接着層及び反射層を有する発光ダイオードを示した概略図である。
【図２】本発明における、図１で示した接着層及び反射層を有する発光ダイオードについての製造方法を利用した第一スタックを示した概略図である。
【図３】本発明における、図１で示した接着層及び反射層を有する発光ダイオードについての製造方法を利用した第二スタックを示した概略図である。
【図４】本発明における、図１で示した接着層及び反射層を有する発光ダイオードについての製造方法を利用し、第一スタック及び第二スタックを結合した後の、第一基材を除去する前に形成された第三スタックを示した概略図である。
【図５】本発明における、図１で示した接着層及び反射層を有する発光ダイオードについての製造方法を利用し、第一基質を除去した後の第四スタックを示した概略図である。
【図６】本発明のその他の好適実施例を参照した、接着層及び反射層を有する発光ダイオードを示した概略図である。
【図７】本発明のさらにその他の好適実施例を参照した、接着層及び反射層を有する発光ダイオードを示した概略図である。
【図８】本発明における、図７で示した接着層及び反射層を有する発光ダイオードについての製造方法を利用した第五スタックを示した概略図である。
【図９】本発明における、図７で示した接着層及び反射層を有する発光ダイオードについての製造方法を利用した第六スタックを示した概略図である。
【図１０】本発明における、図７で示した接着層及び反射層を有する発光ダイオードについての製造方法を利用し、第一スタック及び第二スタックを結合した後の、第一基材を除去する前に形成された第七スタックを示した概略図である。
【図１１】本発明のよりさらにその他の好適実施例を参照した、接着層及び反射層を有する発光ダイオードを示した概略図である。
【図１２】本発明における、図１１で示した接着層及び反射層を有する発光ダイオードについての製造方法を利用した第八スタックを示した概略図である。
【図１３】本発明における、図１１で示した接着層及び反射層を有する発光ダイオードについての製造方法を利用した第九スタックを示した概略図である。
【図１４】本発明における、図１１で示した接着層及び反射層を有する発光ダイオードについての製造方法を利用し、第一スタック及び第二スタックを結合した後の、第一基材を除去する前に形成された第十スタックを示した概略図である。
【符号の説明】
１  発光ダイオード
２  第一スタック
３  第二スタック
４  第三スタック
５  第四スタック
６  発光ダイオード
７  発光ダイオード
８  第五スタック
９  第六スタック
１０  第二基材
１１  反射性金属層
１２  透過性接着層
１３  第一接触層
１４  第一被覆層
１５  活動層
１６  第二被覆層
１７  第二接触層
１８  第一基材
１９  第一電極
２０  第二電極
２１  透過性導電層
２２  第一反応層
２３  第二反応層
１１０  発光ダイオード
１２０  第八スタック
１３０  第九スタック
１４０  第十スタック
６１１  反射性酸化層
７１０  反射性金属基材
７１２  透過性接着層
７１３  第一接触層
７１４  第一被覆層
７１５  活動層
７１６  第二被覆層
７１７  第二接触層
７１８  第一基材
７１９  第一電極
７２０  第二電極
７２１  透過性導電層
７２２  第一反応層
７２３  第二反応層
１１１０  第一基材
１１１１  反射性金属層
１１１２  接着層
１１１３  第一接触層
１１１４  第一被覆層
１１１５  活動層
１１１６  第二被覆層
１１１７  第二接触層
１１１８  第一基材
１１１９  第一電極
１１２０  第二電極
１１２１  透過性導電層
１１２２  第一反応層
１１２３  第二反応層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【外国語明細書】
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