(57)【要約】【課題】複数の半導体チップを備え、これらの半導体チップの電気的接続に関して自由度が高い半導体装置を提供する。【解決手段】この半導体装置は、パワートランジスタ１，２、ＩＣチップ３，４ならびにパワートランジスタ１，２およびＩＣチップ３と電気的に接続されたリードフレーム５を備えている。リードフレーム５は、中央部に配された支持部６と、支持部６の外側に配され側方へと延びる複数のリード端子部７とを備えている。パワートランジスタ１，２の第２の面１ｂ，２ｂには、裏面電極８，９が形成されている。パワートランジスタ１，２は支持部６の一方表面に接合されており、裏面電極８，９は支持部６にオーミック接続されている。ＩＣチップ３は支持部６の他方表面に接合されている。平面視において、パワートランジスタ１，２は、ＩＣチップ３と完全に重なるように配されている。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持部を有するリードフレームと、
一方表面に電極を有し、この一方表面が上記支持部の一方表面に接合された第１の半導体チップと、
上記支持部の他方表面に接合された第２の半導体チップとを備え、
上記電極が上記支持部に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
平面視において、上記第２の半導体チップが上記第１の半導体チップより大きいことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
上記第１の半導体チップを複数個備えていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
支持部を有するリードフレームと、
上記支持部の一方表面に、一方表面が接合された第１の半導体チップと、
平面視において上記第１の半導体チップより大きく、上記第１の半導体チップの他方表面に一方表面を対向させて接合され、その一方表面において上記第１の半導体チップとの対向部を回避した領域に第１の電極が形成された第２の半導体チップと、
上記第１の電極と接続されたボンディングワイヤとを備え、
上記支持部が、上記第１の電極を回避するように配されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
上記第１の半導体チップが、上記一方表面に第２の電極を有し、この第２の電極が上記支持部に電気的に接続されていることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
上記支持部が、平面視において上記第２の半導体チップより小さいことを特徴とする請求項４または５記載の半導体装置。
【請求項７】
上記第１の半導体チップを複数個備えていることを特徴とする請求項４ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の半導体チップを備えた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
複数の半導体チップを備えた半導体装置として、マルチ・チップ・モジュールがある。マルチ・チップ・モジュールでは、リードフレームの支持部（アイランド）の上に、複数の半導体チップが互いに横方向に配されている。このため、マルチ・チップ・モジュールは横方向に関して大きく、実装面積が大きかった。
そこで、半導体チップを縦方向に配する（積層する）ことにより小型化を図った半導体装置がある。
【０００３】
図４は、半導体チップが積層された従来の半導体装置の図解的な断面図である。
この半導体装置は、第１の半導体チップ６１および第２の半導体チップ６２の２つの半導体チップ、ならびに第１および第２の半導体チップ６１，６２と電気的に接続されたリードフレーム６３を備えている。リードフレーム６３は、中央部に配された支持部６４と、支持部６４の外側に配され側方へと延びる複数のリード端子部６５とを備えている。平面視において、支持部６４は第１および第２の半導体チップ６１，６２より大きい。
【０００４】
第１の半導体チップ６１の第１の面６１ａの周縁部には、電極６６が形成されており、第２の半導体チップ６２の第１の面６２ａの周縁部には、電極６８が形成されている。
第１の半導体チップ６１の第２の面６１ｂ（第１の面６１ａとは反対側の面）は、支持部６４のほぼ中央部に接合されている。第２の半導体チップ６２の第２の面６２ｂ（第１の面６２ａとは反対側の面）は、たとえば、導電ペーストを用いて、第１の半導体チップ６１の第１の面６１ａのほぼ中央部に接合されている。第１の面６１ａに形成された電極６６は、第２の半導体チップ６２には覆われていない。
【０００５】
電極６６は、ボンディングワイヤ６７を介してリード端子部６５に接続されている。電極６８は、ボンディングワイヤ６９を介してリード端子部６５に接続されている。支持部６４、第１の半導体チップ６１、第２の半導体チップ６２、ボンディングワイヤ６７，６９、およびボンディングワイヤ６７，６９とリード端子部６５との接合部は、封止樹脂７０により封止されている。
以上のような構成により、第１および第２の半導体チップ６１，６２は、リードフレーム６３と電気的に接続されている。第１および第２の半導体チップ６１，６２を積層することにより、半導体装置は小型化が図られている。これにより、半導体装置の実装面積を小さくできる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、２つの半導体チップのうち、より小さな第２の半導体チップ６２が、たとえば、パワートランジスタである場合など、第２の面６２ｂには裏面電極が形成されており、この裏面電極と支持部６４とをオーミック接続する必要がある。すなわち、支持部６４の上に、第２の半導体チップ６２の第２の面６２ｂを、たとえば、半田などにより直接接合する必要がある。この場合、第２の半導体チップ６２の第１の面６２ａの上に第１の半導体チップ６１を接合することが考えられる。
【０００７】
しかし、第１の半導体チップ６１は第２の半導体チップ６２より大きいので、第１の面６２ａは完全に第１の半導体チップ６１に覆われてしまう。したがって、第２の半導体チップ６２の電極６８とリード端子部６５とをボンディングワイヤ６９で接合することはできない。
また、第２の半導体チップ６２とリード端子部６５とのボンディングワイヤ６９を介する接合を廃し、第１の半導体チップ６１と第２の半導体チップ６２とを、リード端子部６５を介することなく電気的に接合した形態とすることも考えられる。たとえば、第１の面６１ａ，６２ａにそれぞれバンプ状の電極を形成し、第１の面６１ａと第１の面６２ａとを対向させ、これらのバンプ状の電極を相互に接続することができる。
【０００８】
ところが、この場合、第１の半導体チップ６１の第１の面６１ａと支持部６４とが対向し、支持部６４は第１の半導体チップ６１より大きいので、電極６６に対向する部分には支持部６４が存在する。このため、電極６６にボンディングワイヤ６７を接続することができない。このように、半導体チップの電気的接続に関して制約が多かった。
そこで、この発明の目的は、上記の課題を解決し、複数の半導体チップを備え、これらの半導体チップの電気的接続に関して自由度が高い半導体装置を提供することである。
【０００９】
この発明の他の目的は、小型化を図った半導体装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の課題を解決するための請求項１記載の発明は、支持部（６）を有するリードフレーム（５）と、一方表面（１ｂ，２ｂ）に電極（８，９）を有し、この一方表面が上記支持部の一方表面に接合された第１の半導体チップ（１，２）と、上記支持部の他方表面に接合された第２の半導体チップ（３）とを備え、上記電極が上記支持部に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置である。
【００１１】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この発明によれば、第１の半導体チップと第２の半導体チップとは、支持部に関してそれぞれ反対側の面に接合されている。これにより、一方表面に電極が形成された第１の半導体チップを、支持部に電気的に接続できるとともに、第２の半導体チップも支持部に接合（接続）することができる。第２の半導体チップも、支持部に接合される面に電極を有し、この電極が支持部に電気的に接続されていてもよい。支持部は、接地用（グランド）の端子として機能するものであってもよい。
【００１２】
第１の半導体チップと第２の半導体チップとは、支持部を挟んで縦方向（半導体チップの厚さ方向）に積層されているので、この半導体装置は、横方向に関して小型化が図られており、実装面積が小さくされている。
請求項２記載の発明は、平面視において、上記第２の半導体チップが上記第１の半導体チップより大きいことを特徴とする請求項１記載の半導体装置である。この発明によれば、第１の半導体チップ１は、その一方表面側が支持部に接合されていても、他方表面側が第１の半導体チップより大きな第２の半導体チップに遮られることはない。したがって、第１の半導体チップの他方表面に電極が形成されている場合、これらの電極に対してボンディングワイヤ等を介して、所望の電気的接続をすることができる。すなわち、このような半導体装置は、半導体チップの電気的接続に関して自由度が高い。
【００１３】
リードフレームは、外部接続のためのリード端子部を含んでいてもよく、上記の場合、第１の半導体チップの他方表面に形成された電極は、ボンディングワイヤを介して、リード端子部に接続されていてもよい。
第１の半導体チップは、たとえば、パワートランジスタなどの大電流用素子とすることができる。パワートランジスタは発熱量が多いが、支持部に直接接合されることにより、放熱性が向上する。
【００１４】
第１の半導体チップは、請求項３記載のように、複数個備えられていてもよい。この場合、平面視において、すべての第１の半導体チップが、第２の半導体チップに重なるようにされていることが好ましい。これにより、半導体装置をより小型化できる。
請求項４記載の発明は、支持部（２５）を有するリードフレーム（２４）と、上記支持部の一方表面に、一方表面（２１ｂ，２２ｂ）が接合された第１の半導体チップ（２１，２２）と、平面視において上記第１の半導体チップより大きく、上記第１の半導体チップの他方表面（２１ａ，２２ａ）に一方表面（２３ａ）を対向させて接合され、その一方表面において上記第１の半導体チップとの対向部を回避した領域に第１の電極（３３Ａ）が形成された第２の半導体チップ（２３）と、上記第１の電極と接続されたボンディングワイヤ（３５）とを備え、上記支持部が、上記第１の電極を回避するように配されていることを特徴とする半導体装置である。
【００１５】
この発明によれば、第１の半導体チップと第２の半導体チップとは、縦方向（半導体チップの厚さ方向）に積層されているので、この半導体装置は、横方向に関して小型化が図られており、実装面積が小さくされている。
第１の半導体チップより大きな第２半導体チップは、その一方表面に形成された第１の電極が、第１の半導体チップおよび支持部に対向してないため、第１の電極に関してボンディングワイヤを介して、所望の電気的接続をすることができる。すなわち、このような半導体装置は、半導体チップの電気的接続に関して自由度が高い。
【００１６】
リードフレームは、外部接続のためのリード端子部を含んでいてもよく、第１の電極は、ボンディングワイヤを介して、リード端子部に接続されていてもよい。支持部は、接地用（グランド）の端子として機能するものであってもよい。
第１の半導体チップと第２の半導体チップとは、相互に電気的に接続されていてもよい。この場合、たとえば、第１および第２の半導体チップの互いに対向する面に、それぞれバンプ状の電極が形成されており、これらの電極が相互に接続されたものであってもよい。
【００１７】
第１の半導体チップは、たとえば、パワートランジスタなどの大電流用素子を含んだものであってもよい。パワートランジスタは発熱量が多いが、支持部に直接接合されることにより、放熱性が向上する。
第１の半導体チップは、請求項５記載のように、上記一方表面に第２の電極（３８，３９）を有し、この第２の電極が上記支持部に電気的に接続されたものであってもよい。
【００１８】
支持部は、第２の半導体チップより大きく、第２の電極に対向する部分のみ切り欠かれた形状を有するものであってもよく、請求項６記載のように第２の半導体チップより小さなものであってもよい。この場合、第２の半導体チップの周縁部に、支持部が対向しない領域を確保することができる。
第１の半導体チップは、請求項７記載のように、複数個備えられていてもよい。この場合、平面視において、すべての第１の半導体チップが、第２の半導体チップに重なるようにされていることが好ましい。これにより、半導体チップをより小型化できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下では、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構造を示す図解的な断面図である。
この半導体装置は、半導体チップの一例であるパワートランジスタ１，２およびＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）チップ３，４ならびにパワートランジスタ１，２およびＩＣチップ３と電気的に接続されたリードフレーム５を備えている。リードフレーム５は、中央部に配された支持部（アイランド）６と、支持部６の外側に配され側方へと延びる複数のリード端子部７とを備えている。支持部６は、図示しない吊りリードやボンディングワイヤを介して、接地（グランド）用のリード端子部７に接続されている。
【００２０】
支持部６の一方表面および他方表面には、メッキが施されている。リード端子部７は、図１の断面において鉤型の形状を有しており、支持部６に対向する一方端側がインナーリード部７ａとなっており、他方端側がアウターリード部７ｂとなっている。アウターリード部７ｂは、支持部６を含む面から一方側に離間して位置している。この半導体装置は、アウターリード部７ｂで配線基板などに接続できる。
【００２１】
平面視において、ＩＣチップ３は、パワートランジスタ１，２およびＩＣチップ４より面積が大きく、支持部６はＩＣチップ３より面積が大きい。
パワートランジスタ１，２の第１の面１ａ，２ａには、電極１１，１２がそれぞれ形成されている。また、パワートランジスタ１，２の第１の面１ａ，２ａの反対側の面である第２の面１ｂ，２ｂには、裏面電極（たとえば、コレクタ電極）８，９がそれぞれ形成されている。ＩＣチップ３，４の一方表面は、それぞれ素子や配線が形成された活性面３ａ，４ａとなっており、他方表面は非活性面３ｂ，４ｂとなっている。ＩＣチップ３の活性面３ａの周縁部には、電極１３が形成されている。
【００２２】
パワートランジスタ１，２の第２の面１ｂ，２ｂは、半田により支持部６の一方表面に接合されており、第２の面１ｂ，２ｂに形成された裏面電極８，９は、支持部６にオーミック接続されている。第１の面１ａ，２ａに形成された電極１１，１２は、ボンディングワイヤ１５を介してリード端子部７のインナーリード部７ａに接続されている。インナーリード部７ａは、支持部６の上記一方表面と同じ側の第１表面７ｃと、その反対側の第２表面７ｄとを有している。ボンディングワイヤ１５は、インナーリード部７ａの第１表面７ｃに接続されている。
【００２３】
ＩＣチップ３の非活性面３ｂは、支持部６の他方表面のほぼ中央部に、たとえば、導電ペーストなどにより接合されている。ＩＣチップ３の非活性面３ｂには、オーミック接続を要する電極が形成されていてもよく、この場合、パワートランジスタ１，２と同様に、非活性面３ｂが半田などにより支持部６に接合されたものとすることができる。
ＩＣチップ３の活性面３ａの中央部からやや偏った位置には、ＩＣチップ４が活性面４ａを対向させて接続されている。活性面３ａおよび活性面４ａには、これらが互いに対向する部分に、バンプ（図示せず）が形成されており、これらのバンプが相互接続されることにより、ＩＣチップ３とＩＣチップ４とが相互に電気接続されている。
【００２４】
電極１３に対向する部分には、ＩＣチップ４は存在しておらず、電極１３は、ボンディングワイヤ１６を介して、インナーリード部７ａの第２表面７ｄに接続されている。以上のように、リード端子部７のインナーリード部７ａは、ボンディングワイヤ１５との接続部である第１接続部１９を第１表面７ｃに有しており、ボンディングワイヤ１６との接続部である第２接続部２０を第２表面７ｄに有している。
【００２５】
支持部６、パワートランジスタ１，２、ＩＣチップ３，４、ボンディングワイヤ１５，１６、およびボンディングワイヤ１５，１６とリード端子部７との接続部は、封止樹脂１８により封止されている。
以上の半導体装置は、パワートランジスタ１（２）、ＩＣチップ３、およびＩＣチップ４が、縦方向（厚さ方向）に積層されていることにより、横方向に関して小型化が図られており、実装面積が小さくされている。パワートランジスタ１とパワートランジスタ２とは、互いに横方向に配されているが、平面視においてパワートランジスタ１，２は、ＩＣチップ３と完全に重なるので、半導体装置の横方向の大きさは、ＩＣチップ３により決定される。
【００２６】
パワートランジスタ１，２とＩＣチップ３，４とは、支持部６に関してそれぞれ反対側の面に接合されている。このため、パワートランジスタ１，２は、第２の面１ｂ，２ｂが支持部６に接合されていても、パワートランジスタ１，２より大きなＩＣチップ３（４）に第１の面１ａ，２ａが遮られることはなく、電極１１，１２とリード端子部７とをボンディングワイヤ１５により接続可能である。このように、この半導体装置は、パワートランジスタ１，２およびＩＣチップ３，４の電気的接続に関して自由度が高い。
【００２７】
また、発熱量の多いパワートランジスタ１，２が支持部６に接合されていることにより、放熱性が向上されている。
この半導体装置は、以下のように変形することも可能である。たとえば、ＩＣチップ４は、非活性面４ｂ側でＩＣチップ３に接続されていてもよい。この場合、活性面４ａに形成された電極と、リード端子部７のインナーリード部７ａとがボンディングワイヤで接続されていてもよい。
【００２８】
図２は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の構造を示す図解的な断面図である。
この半導体装置は、半導体チップの一例であるパワートランジスタ２１，２２およびＩＣチップ２３、ならびにＩＣチップ２３と電気的に接続されたリードフレーム２４を備えている。リードフレーム２４は、中央部に配された支持部（アイランド）２５と、支持部２５の外側に配され側方へと延びる複数のリード端子部２６とを備えている。支持部２５は、図示しない吊りリードやボンディングワイヤを介して、接地（グランド）用のリード端子部２６に接続されている。
【００２９】
リード端子部２６は、図２の断面において鉤型の形状を有しており、支持部２５に対向する一方端側がインナーリード部２６ａとなっており、他方端側がアウターリード部２６ｂとなっている。支持部２５は、インナーリード部２６ａを含む面からアウターリード部２６ｂ側にオフセット（ダウンセット）されている。インナーリード部２６ａとアウターリード部２６ｂとは、支持部２５を含む面に対して、互いに反対側に位置している。支持部２５の一方表面（インナーリード部２６ａ側）には、メッキが施されている。この半導体装置は、アウターリード部２６ｂで配線基板などに接続できる。
【００３０】
平面視において、支持部２５は、パワートランジスタ２１，２２より大きく、ＩＣチップ２３より小さい。パワートランジスタ２１，２２の第１の面２１ａ，２２ａには、バンプ状の電極３１，３２がそれぞれ形成されている。また、パワートランジスタ２１，２２の第１の面２１ａ，２２ａの反対側の面である第２の面２１ｂ，２２ｂには、裏面電極（たとえば、コレクタ電極）３８，３９がそれぞれ形成されている。
【００３１】
ＩＣチップ２３の一方表面は、素子や配線が形成された活性面２３ａとなっており、他方表面は非活性面２３ｂとなっている。ＩＣチップ２３の活性面２３ａにおいて、周縁部には電極３３Ａが形成されており、内方の領域にはバンプ状の電極３３Ｂ，３３Ｃが形成されている。
パワートランジスタ２１，２２は、第２の面２１ｂ，２２ｂが半田により支持部２５の上記一方表面（メッキが施されている側）に接合されており、裏面電極３８，３９は支持部２５にオーミック接続されている。パワートランジスタ２１，２２の第１の面２１ａ，２２ａとＩＣチップ２３の活性面２３ａとは対向されており、電極３１と電極３３Ｂとが接合されており、電極３２と電極３３Ｃとが接合されている。
【００３２】
上述の支持部２５のオフセットにより、ＩＣチップ２３の活性面２３ａと、インナーリード部２６ａのアウターリード部２６ｂ側の面とは、ほぼ面一になっている。
図３は、支持部２５、パワートランジスタ２１，２２、およびＩＣチップ２３を、支持部２５側から見た図解的な平面図である。
パワートランジスタ２１，２２は、支持部２５に完全に重なるように配されており、支持部２５はＩＣチップ２３のほぼ中央部に配されている。支持部２５のいかなる部分も、電極３３Ａに対向していない。
【００３３】
図２を参照して、活性面２３ａに形成された電極３３Ａは、ボンディングワイヤ３５を介して、リード端子部２６のインナーリード部２６ａに接続されている。ボンディングワイヤ３５は、支持部２５のチップ搭載面（パワートランジスタ２１，２２が接合されている面）側に凸のカーブを形成している。
支持部２５、パワートランジスタ２１，２２、ＩＣチップ２３、ボンディングワイヤ３５、およびボンディングワイヤ３５とリード端子部２６との接続部は、封止樹脂３６により封止されている。
【００３４】
以上の半導体装置は、パワートランジスタ２１（２２）およびＩＣチップ２３が、縦方向（厚さ方向）に積層されていることにより、横方向に関して小型化が図られており、実装面積が小さくされている。パワートランジスタ２１とパワートランジスタ２２とは、互いに横方向に配されているが、平面視においてパワートランジスタ２１，２２は、ＩＣチップ２３と完全に重なるので、半導体装置の大きさは、ＩＣチップ２３の大きさで決定される。
【００３５】
ＩＣチップ２３の活性面２３ａは、上述のように、パワートランジスタ２１，２２を挟んで、支持部２５と対向するように配されている。しかし、支持部２５は、電極３３Ａに対向する部分を回避するように配されているので、電極３３Ａとリード端子部２６とをボンディングワイヤ３５で接続することが可能である。このように、この半導体装置は、パワートランジスタ２１，２２およびＩＣチップ３の電気的接続に関して自由度が高い。
【００３６】
また、発熱量の多いパワートランジスタ１，２が支持部６に接合されていることにより、放熱性が向上されている。
さらに、パワートランジスタ２１，２２などの半導体チップは、支持部２５の一方表面にのみ接合されており、支持部２５の他方表面には接合されていない。このため、支持部２５の一方表面にのみメッキを施すようにすることができ、製造工程における工数を少なくすることができる。
【００３７】
一般に、封止樹脂が吸湿している場合、リフロー時など半導体装置が１００℃以上の温度に加熱されると、水分が気化することにともなって、封止樹脂が支持部から剥離したり、封止樹脂にクラックが入ることがある。封止樹脂の剥離は、特に支持部の裏面（半導体チップが接合されていない側の面）で起こりやすい。このような剥離やクラックは、支持部が大きいほど顕著に生じる。この実施形態では、支持部２５は小さくされているので、このような剥離やクラックが生じ難くい。
【００３８】
支持部２５には、たとえば、パワートランジスタ２１，２２の間に対応する部分などに、スリットが形成されていてもよい。この場合、支持部２５と封止樹脂３６とを、さらに剥離し難くすることができる。
この半導体装置は、以下のように変形することも可能である。たとえば、隣接する電極３３Ａの間隔が十分広い場合は、支持部２５は平面視においてＩＣチップ２３より大きく構成され、電極３３Ａに対向する部分およびその近傍のみが切り欠かれていてもよい。この場合でも、電極３３Ａとインナーリード部２６ａとをボンディングワイヤ３５で接続することができる。
【００３９】
ＩＣチップ２３の活性面２３ａと、インナーリード部２６ａの一方表面とは面一になっていなくともよく、たとえば、インナーリード部２６ａおよび支持部２５の同じ側の面が、ほぼ面一になっていてもよい。
この発明の実施形態の説明は、以上の通りであるが、この発明は他の形態でも実施することもできる。たとえば、支持部６，２５には、１つまたは３つ以上のパワートランジスタ１，２，２１，２２が接合されていてもよい。この場合、平面視において、すべてのパワートランジスタ１，２，２１，２２が、最も大きなＩＣチップ３，２３と完全に重なるようにされていることが好ましい。これにより、半導体装置の小型化を図ることができる。
【００４０】
支持部６，２５に接合する半導体チップは、パワートランジスタ１，２，２１，２２に限られず、一方表面および他方表面に電極を有し、これらのうちいずれかの電極と支持部６，２５とを電気的に接続する必要のある他の種類の半導体チップとすることができる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構造を示す図解的な断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の構造を示す図解的な断面図である。
【図３】支持部、パワートランジスタ、およびＩＣチップを、支持部側から見た図解的な平面図である。
【図４】半導体チップが積層された従来の半導体装置の図解的な断面図である。
【符号の説明】
１，２，２１，２２　　パワートランジスタ
１ａ，２ａ，２１ａ，２２ａ　　第１の面
３ａ，４ａ，２３ａ　　活性面
１ｂ，２ｂ，２１ｂ，２２ｂ　　第２の面
３ｂ，４ｂ，２３ｂ　　非活性面
８，９，３８，３９　　裏面電極
３，４，２３　　ＩＣチップ
５，２４　　リードフレーム
６，２５　　支持部
１５，１６，３５　　ボンディングワイヤ
【図１】
2004079635.tif 000003
【図２】
2004079635.tif 000004
【図３】
2004079635.tif 000005
【図４】
2004079635.tif 000006