(57)【要約】【課題】表面実装用の配線基板上の配線パターン上に導体バンプを介してＳＡＷチップを搭載した構造のＳＡＷデバイスにおいて、樹脂フィルムによってＳＡＷチップ外面の被覆と、ＳＡＷチップ下面と配線基板上面との間の気密空間形成を行う場合に、真空ポンプ等の設備を用いずに、樹脂フィルムの外周縁と配線基板上面との密着不良によるボイド発生を防止する。【解決手段】配線基板２、２５上面の配線パターン上にＳＡＷチップ１５を実装するフリップチップ実装工程と、ＳＡＷチップの下面を除いた外面全体に密着してこれを覆うと共に外周縁が配線基板上面に達する面積を有した平板状の樹脂フィルム２０を、ＳＡＷチップ上面に添設する添設工程と、樹脂フィルム上面をヒートローラによって加熱しながら加圧することにより樹脂フィルムを溶融軟化させて、ＳＡＷチップ下面を除いた外面全体及び配線基板上面に密着固定させる加熱加圧工程と、から成り、加熱加圧工程においては、ＳＡＷチップを包囲する堰き止め枠体３０を配置した状態で加熱加圧工程を実施する。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板、該絶縁基板の底部に設けた表面実装用の外部電極、及び該絶縁基板の上面に設けられ且つ該外部電極と導通した配線パターン、を備えた配線基板と、
圧電基板、該圧電基板下面に形成されたＩＤＴ、及び前記配線パターン上に導体バンプを介してフリップチップ実装される接続パッド、を備えたＳＡＷチップと、
前記ＳＡＷチップ下面と前記配線基板上面との間に気密空間を形成するように配線基板とＳＡＷチップとを一体化する樹脂フィルムと、
を備えた表面実装型ＳＡＷデバイスの製造方法において、
前記配線基板上面の配線パターン上に前記ＳＡＷチップの接続パッドを導体バンプを介して実装するフリップチップ実装工程と、
前記ＳＡＷチップの下面を除いた外面全体に密着してこれを覆うと共に、外周縁が配線基板上面に達する面積を有した平板状の樹脂フィルムを、ＳＡＷチップ上面に添設する添設工程と、
前記配線基板下面を支持部材により支持した状態で、前記樹脂フィルム上面をヒートローラによって加熱しながら加圧することにより樹脂フィルムを溶融軟化させて、ＳＡＷチップ下面を除いた外面全体及び配線基板上面に密着固定させて前記ＳＡＷチップ下面と前記配線基板上面との間に気密空間を形成する加熱加圧工程と、
から成り、
前記加熱加圧工程においては、前記配線基板上面であって前記ＳＡＷチップの外周面から所定距離離間した位置にＳＡＷチップを包囲する堰き止め枠体を配置した状態で前記ヒートローラによる加熱加圧工程を実施することにより、ＳＡＷチップ裾部と配線基板上面との間の隙間に樹脂フィルムを充填することを特徴とする表面実装型ＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項２】
前記配線基板は、複数の配線基板個片をシート状に連結した大面積の配線基板母材であり、
前記堰き止め枠体は、前記配線基板母材上に搭載されたＳＡＷチップ群を包囲する外側位置に配置されることを特徴とする請求項１に記載の表面実装型ＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項３】
前記堰き止め枠体は、予め前記配線基板上面に固定されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の表面実装型ＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項４】
前記堰き止め枠体は、前記配線基板とは別体の環状枠体であることを特徴とする請求項１又は２に記載の表面実装型ＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項５】
前記堰き止め枠体は、前記配線基板とは別体構成であり、環状枠体部と、該環状枠体部の上面開口を閉止する上板と、を備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載の表面実装型ＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の製造方法によって製造されたことを特徴とする表面実装型ＳＡＷデバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、弾性表面波チップを配線基板上にバンプを用いて搭載してから弾性表面波チップを樹脂にて封止した構造の弾性表面波デバイスを製造する工程において発生する種々の不具合を解決した表面実装型ＳＡＷデバイスの製造方法及び表面実装型ＳＡＷデバイスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
弾性表面波デバイス（ＳＡＷデバイス）は、水晶等の圧電基板上に櫛歯状の電極指（ＩＤＴ）を配置した構成を備え、例えばＩＤＴに高周波電界を印加することによって弾性表面波を励起し、弾性表面波を圧電作用によって高周波電界に変換することによってフィルタ特性を得るものである。
ところで、ＳＡＷデバイスの占有面積の小型化を図るために、特開平２−１８６６６２号公報、ＷＯ９７／０２５９６等には、図６に示すように、ＳＡＷチップ１１０を構成する圧電基板１１１とほぼ同等の面積を備えた表面実装用の配線基板１０１の上面に、ＩＤＴ１１２を形成した面を下向きにした状態のＳＡＷチップ１１０を導体バンプ１１３によってフリップチップ実装し、更にＳＡＷチップの下面と配線基板上面との間にＳＡＷ伝搬用の気密空間Ｓを確保しつつＳＡＷチップ外面から配線基板上面にかけて封止樹脂１１５を被覆してから硬化させた樹脂封止型ＳＡＷデバイス１００が提案されている。
図７（ａ）（ｂ）及び（ｃ）は、このような樹脂封止型ＳＡＷデバイス１００を製造する従来方法を示す図である。この製造方法では、大面積且つシート状の樹脂フィルム１２１を、配線基板母材１２０上に搭載された全てのＳＡＷチップ１１０の上面に跨って添設（接着）した状態で、ヒートローラ１２２にて加熱しながら加圧して溶融させることによって、各ＳＡＷチップ１１０の外周を溶融樹脂にて一括被覆する。具体的には、図７（ａ）に示すように、ヒートローラ１２２と対向ローラ１２３（或いは対向プレート）との間に、ＳＡＷチップ１１０を搭載完了した配線基板母材１２０を通過させる際に、予めＳＡＷチップ上に添設しておいた樹脂フィルム１２１をヒートローラ１２２により加熱しながら加圧することによって、樹脂フィルム１２１を溶融軟化させてＳＡＷチップ外面（上面、及び側面）に密着させると共に、各ＳＡＷチップの裾部全周と配線基板上面との間隙に充填させて気密空間Ｓを形成する。次いで、モールド型１２５内にて加熱して樹脂を硬化させた後で、個片に分割することによって製造される。この方法によれば、液状樹脂が気密空間内に浸入してＩＤＴ１１２に付着する虞はなくなる。
【０００３】
このような従来技術は、例えば特開２００１−１７６９９５に開示されている。
しかし、この従来方法によった場合、ヒートローラからの圧力によって溶融樹脂フィルムが最外周縁列を構成する各ＳＡＷチップの外側へスカート状に拡開し、各ＳＡＷチップの裾部と配線基板上面との間の空間に充填されなくなる。その結果、図８（ａ）及び（ｂ）の平面図、及び縦断面図に示すように、スカート状に拡開した樹脂フィルム外周縁と配線基板上面との間にボイド（気泡）１３０が発生する。ボイド１３０の発生態様はヒートローラによる加圧状況によって一様ではなく、四角い外周縁に沿った全てのＳＡＷチップの外側壁に沿って発生することもあるし、一部のＳＡＷチップの外側壁に沿って発生することもある。ボイド１３０が形成された場合、樹脂フィルム外周縁と配線基板上面との接触面に空気、又は空気が置換された不活性ガスが介在し易くなり、これらの気体が浸入しないように樹脂フィルムを被覆することが容易でなくなる。即ち、樹脂フィルムによる密着性を高めるためには、接触面に気体が介在することを厳に回避する必要があるが、気体の侵入を防ぐためには被覆工程を真空、或いは真空に近い雰囲気中で実施するか、或いは配線基板母材の適所に吸引孔を形成しておき、吸引孔から負圧を導入して、樹脂フィルムと配線基板との間の空間を負圧に保つ必要がある。いずれの場合も、真空ポンプ、真空槽が必要となり、設備の大型化、高コスト化、工程の複雑化による生産性の低下といった問題が発生する。
【特許文献１】特開平２−１８６６６２号公報
【特許文献２】ＷＯ９７／０２５９６
【特許文献３】特開２００１−１７６９９５公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、表面実装用の配線基板上の配線パターン上に導体バンプを介してＳＡＷチップを搭載した構造のＳＡＷデバイスにおいて、樹脂フィルムによってＳＡＷチップ外面の被覆と、ＳＡＷチップ下面と配線基板上面との間の気密空間形成を行う場合に、真空ポンプ等の設備を用いずに、樹脂フィルムの外周縁と配線基板上面との密着不良によるボイド発生を防止することができる表面実装型ＳＡＷデバイスの製造方法及び表面実装型ＳＡＷデバイスを提供することを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は次の如き手段を備える。
即ち、請求項１の表面実装型ＳＡＷデバイスの製造方法は、絶縁基板、該絶縁基板の底部に設けた表面実装用の外部電極、及び該絶縁基板の上面に設けられ且つ該外部電極と導通した配線パターン、を備えた配線基板と、圧電基板、該圧電基板下面に形成されたＩＤＴ、及び前記配線パターン上に導体バンプを介してフリップチップ実装される接続パッド、を備えたＳＡＷチップと、前記ＳＡＷチップ下面と前記配線基板上面との間に気密空間を形成するように配線基板とＳＡＷチップとを一体化する樹脂フィルムと、を備えた表面実装型ＳＡＷデバイスの製造方法において、前記配線基板上面の配線パターン上に前記ＳＡＷチップの接続パッドを導体バンプを介して実装するフリップチップ実装工程と、前記ＳＡＷチップの下面を除いた外面全体に密着してこれを覆うと共に、外周縁が配線基板上面に達する面積を有した平板状の樹脂フィルムを、ＳＡＷチップ上面に添設する添設工程と、前記配線基板下面を支持部材により支持した状態で、前記樹脂フィルム上面をヒートローラによって加熱しながら加圧することにより樹脂フィルムを溶融軟化させて、ＳＡＷチップ下面を除いた外面全体及び配線基板上面に密着固定させて前記ＳＡＷチップ下面と前記配線基板上面との間に気密空間を形成する加熱加圧工程と、から成り、前記加熱加圧工程においては、前記配線基板上面であって前記ＳＡＷチップの外周面から所定距離離間した位置にＳＡＷチップを包囲する堰き止め枠体を配置した状態で前記ヒートローラによる加熱加圧工程を実施することにより、ＳＡＷチップ裾部と配線基板上面との間の隙間に樹脂フィルムを充填することを特徴とする。
【０００６】
ＳＡＷチップ個片、或いは複数配列されたＳＡＷチップ群の外周を包囲するように配線基板（配線基板個片、或いは配線基板母材）上に堰き止め枠体を配置した際に、その環状枠体部がＳＡＷチップ個片、或いはＳＡＷチップ群の外周縁との間に所定の隙間を有した状態で配置されることにより、ＳＡＷチップ上面に添設した樹脂フィルムを加熱加圧装置（ヒートローラ）により加熱・加圧して平坦化する際に、樹脂フィルム外周縁部が外側にスカート状に拡開することが防止され、ＳＡＷチップ裾部と配線基板上面との間に充填されることができる。その充填量は、樹脂フィルムの面積によって限界があるので、樹脂がＳＡＷチップ下方に過剰に入り込んで気密空間を狭くする、ＩＤＴに付着する等の不具合がない。
【０００７】
請求項２の発明は、請求項１において、前記配線基板は、複数の配線基板個片をシート状に連結した大面積の配線基板母材であり、前記堰き止め枠体は、前記配線基板母材上に搭載されたＳＡＷチップ群を包囲する外側位置に配置されることを特徴とする。
配線基板母材上に複数のＳＡＷチップを配列した場合には、ＳＡＷチップ間の谷間には溶融した樹脂が十分に充填される一方で、ＳＡＷチップ群の外周縁においては樹脂フィルムの外周縁部が堰き止め枠体によって押さえ込まれるので、各ＳＡＷチップ裾部と配線基板上面との間に隙間に入り込むことができる。
請求項３の発明は、請求項１又は２において、前記堰き止め枠体は、予め前記配線基板上面に固定されていることを特徴とする。
請求項４の発明は、請求項１又は２において、前記堰き止め枠体は、前記配線基板とは別体の環状枠体であることを特徴とする。
請求項５の発明は、請求項１又は２において、前記堰き止め枠体は、前記配線基板とは別体構成であり、環状枠体部と、該環状枠体部の上面開口を閉止する上板と、を備えていることを特徴とする。
請求項６の発明に係る表面実装型ＳＡＷデバイスは、請求項１乃至５の何れか一項に記載の製造方法によって製造されたことを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図面に示した実施の形態により詳細に説明する。
図１は本発明の製造方法によって製造されるＳＡＷデバイスの構成を示す縦断面図であり、図２は本発明の一実施形態に係る表面実装型弾性表面波デバイス（以下、ＳＡＷデバイス、という）の製造手順を示す図であり、（ａ）及び（ｂ）はＳＡＷチップを搭載した配線基板母材の平面図及び縦断面図であり、（ｃ）乃至（ｅ）はヒートローラを用いた加熱加圧工程を説明する図である。
図１に示すように、このＳＡＷデバイス１は、絶縁基板３、絶縁基板３の底部に設けた表面実装用の外部電極４、及び、絶縁基板３の上面に設けられ且つ内部導体６を介して外部電極４と導通した配線パターン５、から成る配線基板２と、配線パターン５と導体バンプ１０を介して電気的機械的に接続される接続パッド１６、及びＩＤＴ１７を夫々圧電基板１８の下面に備えたＳＡＷチップ１５と、ＳＡＷチップ１５の下面を除いた外面（上面、及び側面）に内面側にて密着すると共に、その外周縁部２０ａを配線基板１上に密着固定させた熱可塑性の樹脂フィルム（樹脂シート）２０と、を備えている。
ＳＡＷチップを構成するＩＤＴ１７は、図示しない給電側のリード端子から高周波電界を印加されることによって弾性表面波を励起し、弾性表面波を圧電作用によって高周波電界に変換することによってフィルタ特性を得ることができる。樹脂フィルム２０は、図３に示すように例えば約５ｍｍ程度の厚さの変形プラスチックフィルム（例えば、エポキシ系フィルム）等の熱可塑性絶縁樹脂フィルムであり、厚さ５０μｍ程度のベースフィルム２１の上面に順次エポキシシート２２（１００〜５００μｍ）、カバーフィルム２３（８０μｍ）を積層一体化した構成を備えている。この樹脂フィルム２０は、ＳＡＷチップ１５の下面と配線基板２の上面との間に、樹脂が充填されていないＳＡＷ伝搬用の気密空間Ｓが確保されるように、その外周縁部２０ａを配線基板２の上面に密着固定される。樹脂フィルム２０は、ベースフィルム２１側をＳＡＷチップ側に向けて添設される。なお、カバーフィルム２３は、耐熱性シートであり、溶けたエポキシシートがローラに吸着しないようにするための手段であり、ローラ側に配置される。
この実施形態に係るＳＡＷデバイス１によれば、この樹脂フィルム２０は、ＳＡＷチップ１５の下面１８ｃを除いた外面全体（上面１８ａ、側面１８ｂ）に密着してこれを覆うと共に、その外周縁２０ｂが配線基板２の上面に達して密着する。更に、この樹脂フィルム２０は、加熱により溶融軟化してＳＡＷチップ下面を除いた外面全体及び配線基板上面に密着固定してＳＡＷチップ下面と配線基板上面との間に気密空間Ｓを形成すると同時に、配線基板上とＳＡＷチップ１５との固定を強固にする補強機能を発揮する。
【０００９】
次に、図２に基づいて本発明のＳＡＷデバイスの製造手順を説明する。
尚、この例では複数の配線基板個片２をシート状に連結一体化した配線基板母材２５を用いたバッチ処理によるＳＡＷデバイスの生産方法を例示するが、この製造工程は独立した配線基板個片に対して個別に加工を加えてＳＡＷデバイス１を単品生産する方法にも適用できる。
まず、図２（ａ）（ｂ）に示した如く、絶縁基板３の下面に外部電極４を有すると共に上面に配線パターン５を備えた配線基板個片２を複数個、シート状に連結した大面積の配線基板母材２５を用意し、各個片領域に対して、下面１８ｃに接続パッド１６とＩＤＴ１７を備えたＳＡＷチップ１５の接続パッド１６を、配線パターン５上に導体バンプ１０を介して電気的機械的に接続する（フリップチップボンディング）。導体バンプ１０は、予め接続パッド１６側に形成しておいてもよいし、配線パターン５上に形成してもよい。導体バンプ１０は、例えば金属ボール、或いはボール状の樹脂の外面に導体を被覆したものを使用する。
なお、この実施形態に係る矩形の配線基板母材２５は、その外周縁全周に亘って所定高さを有した矩形環状の堰き止め枠体３０を予め一体化した構成を備えている。この堰き止め枠体３０は、絶縁基板３と同材質であってもよいし、異なった材質であっても良いが、同材質である場合には絶縁基板母材と一体的に製造する。また、堰き止め枠体３０の高さは、各ＳＡＷチップ１５の上面よりも所定長高く設定することにより、ＳＡＷチップ上面に被覆される樹脂フィルムの膜厚が適正値となるように設定する。
【００１０】
次いで、図２（ｃ）の添設工程では、全てのＳＡＷチップ１５の上面１８ａに跨って添設されてこれらを覆うように平板状の樹脂フィルム２０の下面を、全てのＳＡＷチップ上面１８ａに添設する。なお、添設時に、樹脂フィルム２０の下面が全てのＳＡＷチップ１５の上面１８ａに確実に密着するように樹脂フィルム下面に接着剤層を予め形成しておいてもよい。また、樹脂フィルム２０の外形寸法は、図示のように堰き止め枠体３０の内周形状に整合するように予め寸法設定する。
次いで、図２（ｃ）（ｅ）の加熱加圧工程では、配線基板母材２５の上面に載置した樹脂フィルム２０を加熱加圧装置４０を用いて溶融させつつ加圧することによって、溶融した樹脂フィルム２０をＳＡＷチップ１５の上面及び側面に密着させると共に、ＩＤＴ１７と配線基板上面との間に気密空間Ｓを形成するようにＳＡＷチップ１５間に樹脂を充填させる。この際、堰き止め枠体３０が外周縁に沿った列を構成する各ＳＡＷチップ１５の外側に所定の間隔を隔てて配置されているため、これらのＳＡＷチップ１５の外側面と堰き止め枠体３０の内壁との間に充填される溶融樹脂は堰き止め枠体３０の内壁によって外側への拡開を阻止され、各ＳＡＷチップ１５の裾部と配線基板上面との間の空間に確実に充填される。従って、外周縁に沿った列を構成する各ＳＡＷチップ１５の外側にボイドが形成されることがなくなる。
加熱加圧装置４０は、配線基板下面を支持する支持ローラ、或いは支持プレート等から成る支持部材４１と、支持部材４１と所定のギャップを隔てて対向配置され且つ一定温度（樹脂フィルムを構成するエポキシシートの溶融温度）以上に加熱されたヒートローラ４２と、を備え、矢印方向へ回転する両ローラ４１、４２のギャップに沿って、樹脂フィルム２０を載置した配線基板母材２５を矢印方向へ一定速度で移動させることによって、樹脂フィルム２０の上面を平坦化して各ＳＡＷチップ上面に密着させながら、溶融軟化した樹脂フィルムをＳＡＷチップ間に充填させる。この結果、樹脂フィルムを、ＳＡＷチップ下面を除いた外面全体及び配線基板上面に密着固定させてＳＡＷチップ下面と配線基板上面との間に気密空間Ｓを形成する。
最後に、ダイシング等にて配線基板個片間の境界線に沿って切断することにより、ＳＡＷデバイス個片１を得ることとなる。
【００１１】
次に、図４（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２の実施形態に係る製造方法の説明図であり、この実施形態では堰き止め枠体３０として、配線基板母材２５とは別体の部材を用い、堰き止め枠体３０を配線基板母材２５上面の所定位置に固定した状態で、図２に示した如き各工程を実施する。
次に、図５（ａ）（ｂ）及び（ｃ）は本発明の第３の実施形態に係る製造方法の説明図であり、この実施形態に使用する堰き止め枠体３０は、配線基板母材２５とは別体構成であり、環状枠体部３５と、環状枠体部３５の上面開口を閉止する上板３６と、を備えている。堰き止め枠体３０は、熱伝導性の良好な金属等から構成する。また、樹脂に対する離型性の良好な材質を用いる。
樹脂フィルム２０は、全てのＳＡＷチップ１５の上面を覆い、且つ外周縁に沿って配列される各ＳＡＷチップよりも外側に所定幅はみ出す程度に大きい面積とする。このように樹脂フィルム２０の外周縁がＳＡＷチップ群よりも外側へはみ出すように寸法設定することにより、加熱加圧工程においてこのはみ出し部分が垂れ下がり、外周縁に沿って配列された各ＳＡＷチップの外側から配線基板上面までに達することができる。
この堰き止め枠体３０を用いた樹脂被覆作業においては、図５（ａ）（ｂ）に示すように、配線基板母材２５上の各ＳＡＷチップ１５の上面に跨って樹脂フィルム２０を添設した状態で、樹脂フィルム２０上面に堰き止め枠体３０をその凹所を下向きにしてかぶせてから、（ｃ）に示すように加熱加圧装置４０を構成する支持ローラ４１とヒートローラ４２によって加圧を行う。この際、ヒートローラ４２は内蔵或いは外部に配置されたヒータによって樹脂の溶融温度にまで昇温されているので、上板３６を介して樹脂フィルムを十分に加熱することができ、また下面がフラットな上板３６を介して加圧することによって樹脂の上面を平坦度よくフラット化することができる。また、樹脂がある程度冷却して硬化するまで堰き止め枠体をかぶせた状態を維持してから取り外すことにより、樹脂フィルムの上面全体を同時に加圧し続けることができるので、硬化後のフラット性を更に高めることができる。
また、環状枠体部３６は、上記の各実施形態の場合と同様に、樹脂フィルムの外周縁部の外側への拡開によるボイド発生を防止するために有効に機能する。
【００１２】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、表面実装用の配線基板（配線基板個片、配線基板母材）上の配線パターン上に導体バンプを介してＳＡＷチップ（ＳＡＷチップ個片、ＳＡＷチップ群）を搭載した構造のＳＡＷデバイスにおいて、樹脂フィルムによってＳＡＷチップ外面の被覆と、ＳＡＷチップ下面と配線基板上面との間の気密空間形成を行う場合に、真空ポンプ等の設備を用いずに、樹脂フィルムの外周縁と配線基板上面との密着不良によるボイド発生を防止することができる。
ＳＡＷチップ個片、或いは複数配列されたＳＡＷチップ群の外周を包囲するように配線基板上に堰き止め枠体を配置した際に、その環状枠体部がＳＡＷチップ個片、或いはＳＡＷチップ群の外周縁との間に所定の隙間を有した状態で配置されることにより、ＳＡＷチップ上面に添設した樹脂フィルムを加熱加圧装置（ヒートローラ）により加熱・加圧して平坦化する際に、樹脂フィルム外周縁部が外側にスカート状に拡開することが防止され、ＳＡＷチップ裾部と配線基板上面との間に充填されることができる。樹脂がＳＡＷチップ下方に過剰に入り込んで気密空間を狭くする、ＩＤＴに付着する等の不具合もない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の製造方法によって製造されるＳＡＷデバイスの構成を示す縦断面図。
【図２】本発明の一実施形態に係る表面実装型弾性表面波デバイスの製造手順を示す図であり、（ａ）及び（ｂ）はＳＡＷチップを搭載した配線基板母材の平面図及び縦断面図であり、（ｃ）乃至（ｅ）はヒートローラを用いた加熱加圧工程を説明する図。
【図３】樹脂フィルムの一例を示す断面図。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２の実施形態を説明するための図。
【図５】（ａ）（ｂ）及び（ｃ）は本発明の第３の実施形態を説明するための図。
【図６】従来例に係るＳＡＷデバイスの構成を示す断面図。
【図７】（ａ）（ｂ）及び（ｃ）は従来例のＳＡＷデバイスの製造方法の説明図。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は従来例に係るＳＡＷデバイスの欠点を説明する図。
【符号の説明】
１  ＳＡＷデバイス、２  配線基板、３  絶縁基板、４  外部電極、５  配線パターン、１０  導体バンプ、１５  ＳＡＷチップ、１６  接続パッド、１７  ＩＤＴ、１８  圧電基板、２０  樹脂フィルム、２５  配線基板母材（配線基板）、３０  堰き止め枠体、３５  環状枠体部、３６  上板、４０  加熱加圧装置、４１  支持部材、４２  ヒートローラ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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