(57)【要約】【課題】信頼性評価のために各コンタクトに十分な電圧、電流ストレスを印加することが可能であり、コンタクトチェーン内の電気的分離不良を検出することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】複数の抵抗素子が直列接続された回路を有する半導体装置において、抵抗素子のうちの各被測定用抵抗素子Ｒ１〜Ｒ１２の両端が各々、Ｈ端子およびＬ端子にスイッチング素子Ｔ１〜Ｔ１３を介して接続され、すべての各スイッチング素子Ｔ１〜Ｔ１３の制御用端子はＧ端子に接続されていて、スイッチング素子Ｔ１〜Ｔ１３を動作させて、各被測定用抵抗素子Ｒ１〜Ｒ１２の両端が各々、対になる共通端子と電気的に接続されることで、対になる共通端子間で、被測定用抵抗素子Ｒ１〜Ｒ１２が並列接続される構成であり、対になる共通端子間に電圧を印加する電圧印加手段を備えている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の抵抗素子が直列接続された回路を有する半導体装置において、
前記抵抗素子のうちの各被測定用抵抗素子の両端が各々、対になる共通端子にスイッチング素子を介して接続され、
すべての前記各スイッチング素子の制御用端子は共通制御端子に接続されていて、
前記スイッチング素子を動作させて、前記各被測定用抵抗素子の両端が各々、前記対になる共通端子と電気的に接続されることで、前記対になる共通端子間で、前記被測定用抵抗素子が並列接続される構成であり、
前記対になる共通端子間に電圧を印加する電圧印加手段を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記スイッチング素子は、電界効果型トランジスタである請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記抵抗素子は、少なくとも一つのコンタクトを含んでいる請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項４】
前記回路は、金属配線と拡散層とコンタクトとを備え、
前記拡散層は、前記対になる共通端子のどちらかに接続されていて、前記コンタクトと接続されているコンタクト接続用拡散層と、電界効果型トランジスタである前記スイッチング素子の一部を構成するトランジスタ用拡散層とが、前記拡散層の長手方向に、交互に並んで構成されていて、
前記金属配線および前記コンタクト接続用拡散層が前記コンタクトを介して交互に直列接続されていて、
前記スイッチング素子が動作することで、前記トランジスタ用拡散層と前記コンタクト接続用拡散層とが接続されて、前記対になる共通端子間で並列接続が構成されることが可能な請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記回路は、異なる層に形成された下層金属配線と上層金属配線と拡散層とコンタクトとを備え、
前記拡散層は、前記対になる共通端子のどちらかに接続されていて、前記コンタクトと接続されているコンタクト接続用拡散層と、電界効果型トランジスタである前記スイッチング素子の一部を構成するトランジスタ用拡散層とが、前記拡散層の長手方向に、交互に並んで構成されていて、
前記下層金属配線および前記上層金属配線は、前記コンタクトを介して交互に直列接続されていて、かつ、それぞれ異なる前記各コンタクト接続用拡散層と接続され、
前記スイッチング素子が動作することで、前記トランジスタ用拡散層と前記コンタクト接続用拡散層とが接続されて、前記対になる共通端子間で並列接続が構成されることが可能な請求項１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置、特にコンタクトの評価パターンを備える半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路においては、半導体−金属接触をはじめとするさまざまなコンタクトが用いられている。コンタクトは、大規模な集積回路においては１チップ上に数億個以上形成されている。そのため、コンタクトの形成具合やコンタクト抵抗のばらつきは、半導体集積回路の特性に大きく影響を与える。つまり、コンタクトの良否が半導体集積回路の信頼性を左右する。
【０００３】
このため、半導体集積回路の開発や製造においては、コンタクトチェーンと呼ばれる評価用パターンを作成し、それを用いてコンタクト抵抗の管理や電気ストレスに対するコンタクトの信頼性の評価を行なっている。
【０００４】
図６は、従来のコンタクトチェーンのパターンを示す平面図である。コンタクトチェーンは、複数の拡散層１０３と金属配線１０２とが、コンタクト１０１を介して交互に接続されて形成されているため、コンタクト１０１は、直列接続されている。コンタクト１０１は、拡散層１０３と金属配線１０２とを電気的に接続するためのものであり、通常は一定の抵抗値を持つ。しかし、製造工程の異常によって、電気的接続が得られなかったり、逆に極端に低抵抗化する等の製造異常が生じることがある。
【０００５】
電気的接続不良の判定は、コンタクトチェーンの両端の、ＩＮ端子とＯＵＴ端子間に電圧を印加したときに流れる電流値を測定し、それらより求めたコンタクトチェーンの抵抗値に基づいて行なう。
【０００６】
また、コンタクトの信頼性評価は、コンタクトチェーンの両端子間に電圧ストレス等を印加した後に、抵抗値変動を測定することにより判定する。
【０００７】
【特許文献１】
特開昭６３−２９９３５８号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
従来のコンタクトチェーンの回路図は、図７に示しているように、抵抗値がＲ（Ω）の抵抗素子１０５が直列接続された構成である。なお、抵抗素子１０５は、コンタクト１０１による抵抗である。ｎ個の抵抗素子１０５が直列接続されているとすると（ただし、ｎは２以上の整数である）、このコンタクトチェーンの総抵抗値はｎ×Ｒ（Ω）となり、この回路に電圧Ｖ（Ｖ）を印加した時に流れる電流Ｉ（Ａ）はＩ＝Ｖ／（ｎ×Ｒ）（Ａ）となる。
【０００９】
このようにｎが大きければ大きいほど総抵抗値は大きくなる。したがって、コンタクト１０１の異常な低抵抗化による不良があった場合でも、電流測定値の変化量は微小である。そのため、このような、電気的分離不良を見つけることは困難である。また、金属配線層１０２同士の短絡、あるいは拡散層１０３同士の短絡等があった場合でも同様である。
【００１０】
また、コンタクト１０１の数が極めて多くなるような大規模な半導体集積回路においては、コンタクトチェーンの抵抗値ｎ×Ｒ（Ω）は極めて高くなる。そのため、コンタクトチェーンに半導体装置上で許容される電圧を印加しても端子間に流れる電流Ｉ（Ａ）は極めて小さい。また、個々のコンタクト１０１に流れる電流は、端子間に流れる電流Ｉ（Ａ）と等しいため、個々のコンタクト１０１に印加される電圧も小さい。したがって、コンタクト１０１の信頼性評価を行なう場合に必要とされる、十分な電圧・電流ストレスを個々のコンタクト１０１に印加することができない。
【００１１】
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、信頼性評価のために各コンタクトに十分な電圧・電流ストレスを印加することが可能であり、コンタクトチェーン内の電気的分離不良を検出することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、複数の抵抗素子が直列接続された回路を有する半導体装置において、前記抵抗素子のうちの各被測定用抵抗素子の両端が各々、対になる共通端子にスイッチング素子を介して接続され、すべての前記各スイッチング素子の制御用端子は共通制御端子に接続されていて、前記スイッチング素子を動作させて、前記各被測定用抵抗素子の両端が各々、前記対になる共通端子と電気的に接続されることで、前記対になる共通端子間で、前記被測定用抵抗素子が並列接続される構成であり、前記対になる共通端子間に電圧を印加する電圧印加手段を備えている。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明は、スイッチング素子を用いて容易に、コンタクトチェーンの抵抗素子を直列接続とすることもでき、並列接続とすることもできる。そのため、コンタクトチェーンの電気的接続および分離不良、電圧・電流ストレス印加による信頼性評価を行なうことができる。
【００１４】
また、前記スイッチング素子は、電界効果型トランジスタとしてもよい。
【００１５】
また、前記抵抗素子は、少なくとも一つのコンタクトを含んでいる。
【００１６】
また、好ましくは、前記回路は、金属配線と拡散層とコンタクトとを備え、前記拡散層は、前記対になる共通端子のどちらかに接続されていて、前記コンタクトと接続されているコンタクト接続用拡散層と、電界効果型トランジスタである前記スイッチング素子の一部を構成するトランジスタ用拡散層とが、前記拡散層の長手方向に、交互に並んで構成されていて、前記金属配線および前記コンタクト接続用拡散層が前記コンタクトを介して交互に直列接続されていて、前記スイッチング素子が動作することで、前記トランジスタ用拡散層と前記コンタクト接続用拡散層とが接続されて、前記対になる共通端子間で並列接続が構成されるようにする。それにより、金属配線と拡散層間でのコンタクト不良を検出することができる。また、スイッチング素子を容易に形成することができる。
【００１７】
また、好ましくは、前記回路は、異なる層に形成された下層金属配線と上層金属配線と拡散層とコンタクトとを備え、前記拡散層は、前記対になる共通端子のどちらかに接続されていて、前記コンタクトと接続されているコンタクト接続用拡散層と、電界効果型トランジスタである前記スイッチング素子の一部を構成するトランジスタ用拡散層とが、前記拡散層の長手方向に、交互に並んで構成されていて、前記下層金属配線および前記上層金属配線は、前記コンタクトを介して交互に直列接続されていて、かつ、それぞれ異なる前記各コンタクト接続用拡散層と接続され、前記スイッチング素子が動作することで、前記トランジスタ用拡散層と前記コンタクト接続用拡散層とが接続されて、前記対になる共通端子間で並列接続が構成されるようにする。それにより、第１金属配線と第２金属配線間でのコンタクト不良を検出することができる。また、スイッチング素子を容易に形成することができる。
【００１８】
以下、本発明のさらに具体的な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１９】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１に係る半導体装置について図１を用いて説明する。図１は、実施の形態１に係る半導体装置におけるコンタクトチェーンの回路図である。
【００２０】
コンタクトによる抵抗が、１２個の抵抗素子Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２で表わされている。ＩＮ端子とＯＵＴ端子の間に、各抵抗素子Ｒ１〜Ｒ１２が順番に直列で接続されて、コンタクトチェーンを形成している。また、ＩＮ端子と抵抗素子Ｒ１との間、各抵抗素子Ｒ１〜Ｒ１２のそれぞれの間、抵抗素子Ｒ１２とＯＵＴ端子の間には、スイッチング素子として、１３個のトランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６、Ｔ７、Ｔ８、Ｔ９、Ｔ１０、Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１３が接続されている。スイッチング素子は、導通および非導通の切り替えができる素子であれば良く、ここでは、電界効果トランジスタＴ１〜Ｔ１３を用いている。電界効果トランジスタは、ソースとドレイン間の導通、非導通をゲートの電圧によって制御することができるため、スイッチとして用いることができる。なお、ＯＮは導通を、ＯＦＦは非導通を示すものとする。
【００２１】
前述したように、ＩＮ端子と、各抵抗素子Ｒ１〜Ｒ１２と、ＯＵＴ端子のそれぞれの間のノードは、トランジスタＴ１〜Ｔ１３のソースと接続され、それらのドレインは交互に、対になる端子であるＨ端子とＬ端子に接続されている。具体的には、ＩＮ端子と抵抗素子Ｒ１の間のノードとトランジスタＴ１のソースが接続されて、トランジスタＴ１のドレインは、Ｈ端子に接続されている。また、抵抗素子Ｒ１と抵抗素子Ｒ２の間のノードとトランジスタＴ２のソースが接続されて、トランジスタＴ２のドレインは、Ｌ端子に接続されている。同様にして、各ノードと各トランジスタのソースが接続され、トランジスタごとにドレインは、Ｈ端子とＬ端子に交互に接続されている。つまり、トランジスタＴ１、Ｔ３、Ｔ５、Ｔ７、Ｔ９、Ｔ１１、Ｔ１３のドレインはＨ端子に接続され、トランジスタＴ２、Ｔ４、Ｔ６、Ｔ８、Ｔ１０、Ｔ１２のドレインはＬ端子に接続されている。また、全てのトランジスタＴ１〜Ｔ１３のゲートノードは全て制御用端子であるＧ端子に接続されている。
【００２２】
このような回路構成では、Ｇ端子の電圧を制御することで、全てのトランジスタＴ１〜Ｔ１３をＯＦＦまたはＯＮにすることができる。トランジスタＴ１〜Ｔ１３を全てＯＦＦにすると、各抵抗素子Ｒ１〜Ｒ１２の両端と、Ｈ端子およびＬ端子とが導通されていない状態となる。したがって、ＩＮ端子とＯＵＴ端子の間で、抵抗素子Ｒ１〜Ｒ１２が全て直列に接続され、図７に示した従来のコンタクトチェーンと同様の回路になる。この状態では、従来の方法と同様にＩＮ端子とＯＵＴ端子に電圧を印加して、流れる電流を測定することで、コンタクトチェーンの総抵抗値を測定することができ、これを抵抗素子の数で割ることで、各抵抗素子の平均抵抗値を求めることができる。したがって、この測定でコンタクトチェーンの電気的接続不良を検出することができる。
【００２３】
次に、Ｇ端子を制御して、全てのトランジスタＴ１〜Ｔ１３をＯＮにすると、各抵抗素子Ｒ１〜Ｒ１２の一方の端子は全てＨ端子に接続され、他方の端子は全てＬ端子に接続されることになる。つまり、全ての抵抗素子Ｒ１〜Ｒ１２は、Ｈ端子とＬ端子間で、並列に接続される。
【００２４】
図示はしていないが、実施の形態１の半導体装置は、Ｈ端子とＬ端子間に電圧を印加することができる電圧印加手段である電圧源を備えていて、Ｈ端子とＬ端子間に電圧を印加することができる。
【００２５】
トランジスタＴ１〜Ｔ１３をＯＮにして  Ｈ端子とＬ端子間に電圧を印加すると、並列接続されているため、短絡等の異常により抵抗素子Ｒ１〜Ｒ１２中のいずれかが極端に低抵抗化されていた場合には、Ｈ端子とＬ端子間の抵抗値は著しく低下する。これにより、コンタクトチェーンの電気的分離不良を検出することができる。
【００２６】
また、各抵抗素子Ｒ１〜Ｒ１２は並列に接続されているので、各抵抗素子Ｒ１〜Ｒ１２それぞれにかかる電圧は、端子間に印加した電圧と同一である。したがって、Ｈ端子とＬ端子間の電圧が半導体装置で許容される電圧であっても、信頼性評価にたる十分な電圧・電流ストレスを、個々のコンタクト（抵抗素子Ｒ１〜Ｒ１２）にかけることができる。また、コンタクトの数が増えても、個々のコンタクトにかかる電圧は、Ｈ端子とＬ端子間にかけた電圧と等しいため、コンタクトの数がさらに増加した場合であっても、測定が可能である。
【００２７】
以上のように、実施の形態１による半導体装置によれば、トランジスタＴ１〜Ｔ１３をＯＦＦに制御することで、コンタクトチェーンの電気的接続不良の判定ができ、トランジスタＴ１〜Ｔ１３をＯＮに制御することで、コンタクトチェーンの電気的分離不良と、電圧・電流ストレスによる信頼性評価の判定ができる。
【００２８】
なお、抵抗素子は、コンタクトによる抵抗としたが、拡散層による抵抗を抵抗素子としても同様な構成で同様な効果を得ることができる。
【００２９】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２に係る半導体装置について図を用いて説明する。実施の形態２では、実施の形態１に係る半導体装置の回路におけるコンタクトチェーンの具体的な構成の一例を説明する。図２は、実施の形態２に係る半導体装置の構成を示す平面図である。また、図３は図２のＡ−Ａ′の断面図である。
【００３０】
図２は、図１の回路図で表わされる半導体装置のコンタクトチェーンを平面図で示したものである。コンタクト接続用拡散層３ａ上に形成された２つのコンタクト１の上に、金属配線２が形成されている。ＩＮ端子とＯＵＴ端子の間に、金属配線２とコンタクト接続用拡散層３ａとが交互にコンタクト１を介して直列に接続されて、コンタクトチェーンを形成している。
【００３１】
図３に示しているように、拡散層３は、コンタクト接続用拡散層３ａとトランジスタ用拡散層３ｂからなり、それらが交互に拡散層３の長手方向に並んで構成されている。トランジスタ用拡散層３ｂ上に、酸化膜５とゲート電極４が順次積層されることでＭＯＳトランジスタ６が形成されている。また、図２に示しているように、拡散層３は、金属配線２１または金属配線２２のどちらかに接続されている。
【００３２】
なお、拡散層３には、半導体プロセスで一般的に用いられているヒ素（Ａｓ）等のＮ型不純物を拡散したＮ型拡散層、あるいはボロン（Ｂ）等のＰ型不純物を拡散したＰ型拡散層を使用することが可能である。また、金属配線２、２１，２２にはアルミニウム（Ａｌ）タングステン（Ｗ）もしくは銅（Ｃｕ）等の材料を使用することが可能である。
【００３３】
従来の半導体装置においては、例えば、図６のＣ−Ｃ′の断面図である図８に示されているように、各拡散層１０３の間に膜厚の酸化膜層１１４を形成することで、拡散層１０３どうしを完全に分離し、電気的分離を行なっていた。しかし、実施の形態２では、コンタクト接続用拡散層３ａどうしは、ＭＯＳトランジスタ６で分離されているので、ＭＯＳトランジスタ６のゲート電極４の電圧を制御することによって、同一の拡散層３におけるコンタクト接続用拡散層３ａどうしを電気的に分離させたり接続させたりすることができる。
【００３４】
なお、拡散層３は、金属配線２１および金属配線２２を介して、Ｈ端子またはＬ端子にそれぞれ接続されている。ＭＯＳトランジスタ６のゲート電極４は、全てＧ端子に接続されている。
【００３５】
ＭＯＳトランジスタ６は、拡散層３上に酸化膜５とゲート電極４を積層するだけで形成されるので、容易に製造することができる。なお、ＭＯＳトランジスタ６の代りにそれ以外の電界効果型トランジスタを形成してもよい。
【００３６】
Ｇ端子の電圧によって、一斉に全てのＭＯＳトランジスタ６を、ＯＮ、ＯＦＦに制御することができ、それによって、コンタクトチェーンの回路構成を変更することができる。具体的には、Ｇ端子の電圧を制御して、ＭＯＳトランジスタ６がＯＦＦの場合は、同一の拡散層３における各コンタクト接続用拡散層３ａどうしは電気的に分離している。したがって、ＩＮ端子とＯＵＴ端子間にコンタクト１による抵抗素子が直列に接続された回路構成となる。この場合は、実施の形態１で説明したように、電気的接続不良の判定を行なうことができる。
【００３７】
また、Ｇ端子の電圧を制御して、ＭＯＳトランジスタ６をＯＮにすることで、同一拡散層３の各コンタクト接続用拡散層３ａはすべて接続される。さらに、拡散層３は金属配線２１または金属配線２２を介して、Ｈ端子またはＬ端子に接続されているので、Ｈ端子とＬ端子間は、コンタクト１で形成された抵抗素子が、並列接続される回路構成となる。この場合には、実施の形態１で説明したように、電気的分離不良と、電圧・電流ストレスによる信頼性の判定を行なうことができる。
【００３８】
なお、図２において、金属配線２のうち、上下端に配置され、隣の列のコンタクト接続用拡散層３ａにわたっているコの字型の金属配線２３およびＩＮ端子およびＯＵＴ端子に接続される金属配線２４に設けられた、コンタクト１は上述した並列接続時には測定対象ではなく、電流も流れない。
【００３９】
以上のように、実施の形態２に係る半導体装置によれば、実施の形態１の回路構成を有しているので、金属−拡散層間を接続するコンタクトの電気的接続不良と、電気的分離不良と、電圧・電流ストレスによる信頼性評価の判定ができる半導体装置を容易に実現することができる。
【００４０】
（実施の形態３）
本発明の実施の形態３に係る半導体装置について図を用いて説明する。実施の形態３では、実施の形態１に係る半導体装置の回路におけるコンタクトチェーンの具体的な構成の一例（他の例）を説明する。図４は、実施の形態３に係る半導体装置の構成を示す平面図であり、図５は図４のＢ−Ｂ′の矢視断面図である。
【００４１】
図４は、図１の回路図で表わされる半導体装置のコンタクトチェーンを平面図で示したものである。実施の形態２と同様に、拡散層３は、コンタクト接続用拡散層３ａとＭＯＳトランジスタ６が形成されるトランジスタ用拡散層３ｂから構成され、それらが拡散層３の長手方向に、交互に並んで配置されている。図５に示すように、実施の形態３の半導体装置は、コンタクト接続用拡散層３ａ、下層金属配線２ａおよび上層金属配線２ｂがそれぞれ異なる層に形成されていて、その順序は、コンタクト接続用拡散層３ａが一番下に、その上に下層金属配線２ａが、さらにその上に上層金属配線２ｂが配置されている。下層金属配線２ａと上層金属配線２ｂとは、コンタクト１ａで接続されていて、下層金属配線２ａとコンタクト接続用拡散層３ａとはコンタクト１ｂで接続され、上層金属配線２ｂとコンタクト接続用拡散層３ａとは、コンタクト１ｃで接続されている。
【００４２】
実施の形態３では、ＩＮ端子とＯＵＴ端子の間に下層金属配線２ａと上層金属配線２ｂとが交互にコンタクト１ａを介して直列に接続されて、コンタクトチェーンを形成している。さらに、下層金属配線２ａと接続されるコンタクト接続用拡散層３ａを含む拡散層３は金属配線２１を介してＨ端子と接続され、上層金属配線２ｂと接続されるコンタクト接続用拡散層３ａを含む拡散層３は金属配線２２を介してＬ端子と接続されている。
【００４３】
なお、下層金属配線２ａのうち、コンタクトチェーンの上下端に配置され、隣の列のコンタクト接続用拡散層３ａにわたっているコの字型の下層金属配線２３ａおよびＩＮ端子およびＯＵＴ端子に接続される下層金属配線２４ａは、コンタクト接続用拡散層３ａには接続されていない。
【００４４】
このような回路で、Ｇ端子の電圧を制御して、ＭＯＳトランジスタ６をＯＦＦにすることで、ＩＮ端子とＯＵＴ端子間は、下層金属配線２ａと上層金属配線２ｂが、コンタクト１ａを介して交互に直列接続された回路となり、コンタクト１ａによる抵抗素子が直列接続された回路構成となる。この場合は、実施の形態１で説明したように、電気的接続不良の判定を行なうことができる。
【００４５】
また、Ｇ端子への電圧を制御して、全てのＭＯＳトランジスタ６をＯＮにすることで、Ｈ端子とＬ端子間で、下層金属配線２ａと上層金属配線２ｂとを接続するコンタクト１ａによる抵抗素子が並列接続される回路構成となる。この場合には、実施の形態１で説明したように、電気的分離不良と、電圧・電流ストレスによる信頼性の判定を行なうことができる。
【００４６】
以上のように、実施の形態３に係る半導体装置によれば、金属−金属間を接続するコンタクトの電気的接続不良と、電気的分離不良と、電圧・電流ストレスによる信頼性評価の判定ができる。
【００４７】
【発明の効果】
本発明の半導体装置によれば、各抵抗素子が直列に接続されているコンタクトチェーンを、並列接続に切換えることが可能である。そのため、コンタクトチェーンの電気的接続不良だけでなく、電気的分離不良および電圧・電流ストレスによる信頼性評価の判定を行なうことができ、集積度を増加させた半導体装置のコンタクトの信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体装置におけるコンタクトチェーンの回路図
【図２】本発明の実施の形態２に係る半導体装置におけるコンタクトチェーンの構成を示す平面図
【図３】図２のＡ−Ａ′の断面図
【図４】本発明の実施の形態３に係る半導体装置におけるコンタクトチェーンの構成を示す平面図
【図５】図４のＢ−Ｂ′の矢視断面図
【図６】従来の半導体装置におけるコンタクトチェーンの構成を示す平面図
【図７】従来の半導体装置におけるコンタクトチェーンの回路図
【図８】図６のＣ−Ｃ′の断面図
【符号の説明】
１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１０１        コンタクト
２、２１、２２、２３、２４、１０２  金属配線
２ａ、２３ａ、２４ａ                下層金属配線
２ｂ                                上層金属配線
３                                  拡散層
３ａ                                コンタクト接続用拡散層
３ｂ                                トランジスタ用拡散層
４                                  ゲート電極
５                                  酸化膜
６                                  ＭＯＳトランジスタ
１１４                              絶縁膜
Ｒ１〜Ｒ１２                        抵抗素子
Ｔ１〜Ｔ１３                        トランジスタ
【図１】
2004165384.tif 000003
【図２】
2004165384.tif 000004
【図３】
2004165384.tif 000005
【図４】
2004165384.tif 000006
【図５】
2004165384.tif 000007
【図６】
2004165384.tif 000008
【図７】
2004165384.tif 000009
【図８】
2004165384.tif 000010