(57)【要約】【課題】常に同一の構成で精度の高い電流測定をすることができ、被測定電流線の設置位置に自由度のある電流センサを得る。【解決手段】ＭＩ素子３が電流センサ基板１０により覆われており、その電流センサ基板１０の貫通孔１５に被測定電流線５０が貫通するように電流センサを設ければ、その被測定電流線５０に流れる電流を、検出回路７によって検出される誘起電圧によって測定することができ、常に同一の構成で精度の高い電流測定をすることができる。また、検出コイル５は、電流センサ基板１０に形成される導電性スルーホール１７および導電パターン１８の接続からなるコイルパターンにより構成されるので、半導体プロセス技術を用いて検出コイル５を作製できるため、ＭＩ素子３の軸方向に完全に対称な検出コイル５を容易に製造することができ、その結果、測定精度が高く、測定精度が均一な電流センサを製造することができる。【選択図】        図５
2004245597.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パルス通電電流または高周波電流を発生する電源回路と、
略円環状に形成され、上記電源回路により発生されたパルス通電電流または高周波電流が一端から通電され、外部磁界に応じてインピーダンスを変化させる感磁素子と、
上記感磁素子に巻回された検出コイルと、
上記検出コイルに発生する誘起電圧を検出する検出回路とを備え、
上記感磁素子を覆うように形成され、その略円環状の感磁素子の中央に貫通孔が設けられた電流センサ基板と、
上記電流センサ基板に形成され、導電パターンおよび導電性スルーホールの接続により上記検出コイルを構成するコイルパターンとを備えたことを特徴とする電流センサ。
【請求項２】
パルス通電電流または高周波電流を発生する電源回路と、
略円環状に形成され、上記電源回路により発生されたパルス通電電流または高周波電流が一端から通電され、外部磁界に応じてインピーダンスを変化させる第１の感磁素子と、
略円環状に形成され、且つ上記第１の感磁素子に重なるように配置され、上記電源回路により発生されたパルス通電電流または高周波電流が一端から通電され、外部磁界に応じてインピーダンスを変化させる第２の感磁素子と、
上記第１の感磁素子に巻回された第１の検出コイルと、
上記第２の感磁素子に巻回された第２の検出コイルと、
上記第１の検出コイルに発生する誘起電圧に上記第２の検出コイルに発生する誘起電圧を加えた誘起電圧を検出する検出回路とを備えた電流センサ。
【請求項３】
第１の感磁素子を覆うように形成され、その略円環状の第１の感磁素子の中央に貫通孔が設けられた第１の電流センサ基板と、
第２の感磁素子を覆うように形成され、その略円環状の第２の感磁素子の中央に貫通孔が設けられた第２の電流センサ基板と、
上記第１の電流センサ基板に形成され、導電パターンおよび導電性スルーホールの接続により第１の検出コイルを構成する第１のコイルパターンと、
上記第２の電流センサ基板に形成され、導電パターンおよび導電性スルーホールの接続により第２の検出コイルを構成する第２のコイルパターンとを備え、
上記第１の電流センサ基板と上記第２の電流センサ基板とは、重なり合うように配置されたことを特徴とする請求項２記載の電流センサ。
【請求項４】
感磁素子として、アモルファス磁性体であるアモルファスワイヤを用いることを特徴とする請求項１から請求項３のうちのいずれか１項記載の電流センサ。
【請求項５】
電流センサ基板の周囲に電磁界シールド層を形成することを特徴とする請求項１から請求項４のうちのいずれか１項記載の電流センサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、磁気インピーダンス効果を利用する感磁素子を用いた電流センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来において、被測定電流により生じる磁束を、磁気インピーダンス効果を有する磁気センサで検出する電流センサとしては、被測定電流により生じる磁束に対し、磁気センサ出力の絶対値が等しく、且つ磁気センサ出力の極性が逆となるような位置に２つの磁気センサを配置し、この２つの磁気センサ出力の差を検出するものがある。また、被測定電流により生じる磁束に対し、磁気センサ出力の絶対値が等しく、且つ磁気センサ出力の極性が同じになるような位置に２つの磁気センサを配置し、この２つの磁気センサ出力の和を検出するものがある（例えば、下記特許文献１参照）。
また、その他、被測定電流により生じる磁束を、磁気インピーダンス効果を有する磁気センサで検出する電流センサとしては、例えば、下記特許文献２、および下記非特許文献１がある。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００２−２４３７６６公報
【特許文献２】
特開２０００−２５８５１７公報
【非特許文献１】
アモルファス磁性ワイヤＭＩ素子によるコルピッツ自己発振形高感度・高速応答電流センサ「日本応用磁気学会誌  ２０，６２９−６３２（１９９６）武士田健一・毛利佳年雄著」
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来の電流センサは以上のように構成されているので、一様な外部磁界がある場合と、隣接して電流線が配設された場合とで、測定精度向上のためには２つの磁気センサの配置を変える必要があった。また、一様な外部磁界がある場合、被測定電流線に対して対象な位置に２つの磁気センサを配置しなければならず、測定電流線の設置位置に自由度がないなどの課題があった。
【０００５】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、常に同一の構成で精度の高い電流測定をすることができ、被測定電流線の設置位置に自由度のある電流センサを得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る電流センサは、感磁素子を覆うように且つ略円環状の感磁素子の中央に貫通孔が設けられた電流センサ基板と、その電流センサ基板に形成され、導電パターンおよび導電性スルーホールの接続により検出コイルを構成するコイルパターンとを備えたものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の一形態を説明する。
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１による電流センサの構成概要を示す斜視図であり、図において、電流センサを構成する０磁歪アモルファスワイヤ（感磁素子）１は、略円環状に形成され、被測定電流線５０に対して少なくとも１回、周回するように設置されるものである。この時、０磁歪アモルファスワイヤ１の両端部をできるだけ接近して、隙間部分が最小になるように形成するのが望ましい。０磁歪アモルファスワイヤ１の両端部には半田付け等により電極部２が接続され、これら０磁歪アモルファスワイヤ１および電極部２により、電極を形成したＭＩ（Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）素子３を構成する。
ところで、磁性体の新たなセンシング機能として磁気インピーダンス効果（以下、ＭＩ効果と言う）がある。ＭＩ効果は、０磁歪アモルファスワイヤ１等の磁性体からなるＭＩ素子３の電極部２の一端からパルス通電電流または高周波電流を通電して、その表皮効果を利用して、被測定電流線５０に流れる被測定電流により発生する外部磁界に対して、その０磁歪アモルファスワイヤ１のインピーダンスが敏感に変化する磁気現象である。
この実施の形態１による電流センサは、０磁歪アモルファスワイヤ１を略円環状に形成し、被測定電流線５０に対して少なくとも１回、周回して設置し、被測定電流線５０に被測定電流が流れた時に発生する外部磁界を検出することにより、被測定電流線５０に流れる電流値を検出するようにしたものである。
【０００８】
図２はこの発明の実施の形態１による電流センサを示す回路図であり、図において、電源Ｖｄｄ、抵抗Ｒ１〜Ｒ４、コンデンサＣ１〜Ｃ３、ＣＭＯＳインバータＱ１〜Ｑ６により、パルス通電電流を発生する電源回路４を構成する。
電源回路４の抵抗Ｒ４は、ＭＩ素子３の一端の電極部２に接続され、電源回路４により発生されたパルス通電電流が通電され、ＭＩ素子３の他端の電極部２は接地されている。また、ＭＩ素子３には検出コイル５と共に帰還コイル６が巻回されている。
アナログスイッチＳＷ、抵抗Ｒ５〜Ｒ７、コンデンサＣ４、アンプａｍｐにより、検出コイル５に発生する誘起電圧を検出する検出回路７を構成し、また、アンプａｍｐの出力端子ｏｕｔには抵抗Ｒ８を介して帰還コイル６の一端が接続され、帰還コイル６の他端は接地されている。
この図２に示すように、この実施の形態１による電流センサは、ＭＩ素子３をヘッドとし、ＣＭＯＳマルチバイブレータとＣＲ微分回路からなる電源回路４で発生させた立ち上がり時間約５ｎｓのパルス通電電流をＭＩ素子３に印加し、このＭＩ素子３の周回方向に巻回された（例えば、４０ターン）検出コイル５の誘起電圧を検出するように構成されている。
０磁歪アモルファスワイヤ１は、厳密には僅かに負の磁歪（−１０−７）を持ち、張力アニールによって円周方向に異方性が誘導されているワイヤである。したがって、ワイヤ長さ方向の電流印加で発生する外部磁界が０の場合は、０磁歪アモルファスワイヤ１のパルス通電電流による磁束の変化は円周方向のみであって、０磁歪アモルファスワイヤ１の周回方向に巻回された検出コイル５との鎖交磁束が０であり、この検出コイル５の誘起電圧は０である。
外部磁界が印加されると、０磁歪アモルファスワイヤ１の磁化ベクトルがワイヤ軸方向に傾斜し、パルス通電電流による円周方向の磁界によって磁化ベクトルが円周方向に回転する。この時の磁束変化のワイヤ軸方向成分が検出コイル５と鎖交し、検出コイル５に誘起電圧が発生する。この検出コイル５の誘起電圧の符号は外部磁界の符号と逆になる。０磁歪アモルファスワイヤ１は表皮効果のため磁壁の移動が抑制され、磁化ベクトルの回転のみが生じる。この磁化動作のため、この回路構成における検出コイル５の誘起電圧は、バイアス磁界を印加することなく、外部磁界に比例した電圧となり、リニア磁界センサの特性を表す。
しかし、急峻なパルス電流による鎖交磁束の急激な変化のため、誘起電圧波形は純粋なパルス電圧波形でなく、検出コイル５の浮遊容量によるＬＣ振動波形となる。この振動波形の第１パルス波形のみが外部磁界に比例して高感度に変化するため、高感度磁界センサを構成するためには、第１パルス波形のみを抽出する必要がある。ここでは、アナログスイッチＳＷによって、第１パルス波形のみを抽出する。
このアナログスイッチＳＷのトリガパルスは、０磁歪アモルファスワイヤ１のパルス通電電流より進み位相にする必要があり、パルス通電電流は２個のＣＭＯＳインバータＱ３，Ｑ４を通して約１０ｎｓ遅らせるようにしている。
この検出コイル５の誘起電圧の第１パルス波形の高さは、抵抗Ｒ５、コンデンサＣ４からなるピークホールド回路で直流電圧に変換され、アンプａｍｐでセンサ出力電圧となる。このセンサ出力電圧は、被測定電流線５０に流れる被測定電流に応じた値となる。センサ出力電圧に比例した電流は、帰還コイル６に印加されて、外部磁界を相殺する負帰還磁界を発生する。この負帰還効果によって、直線性の良いヒステリシスのないセンサ特性が得られる。
【０００９】
図３はこの発明の実施の形態１による電流センサの構成を示す斜視図、図４は電流センサを示す正面図、図５は電流センサを示す断面図、図６は０磁歪アモルファスワイヤの設置詳細を示す斜視図である。この実施の形態１においては、電流センサを電流センサ基板１０として形成したものである。
電流センサ基板１０の構成について説明する。図３において、例えば、シリコンやガラス、あるいはプリント基板のような薄肉化が容易な下部基板１１にワイヤ設置溝１３が形成される。下部基板１１がシリコンやガラスであれば、ワイヤ設置溝１３はエッチング等により高精度に作製できる。
ワイヤ設置溝１３の両端には例えば銅箔による電極部２が形成され、図３には示していないが、下部基板１１上に図２に示したような処理回路が搭載された回路基板１４と接続するための配線も形成する（図４、５：配線１６）。これらはスパッタリング等の蒸着技術等、半導体プロセスによれば容易に高精度に形成される。０磁歪アモルファスワイヤ１をワイヤ設置溝１３に設置し、半田付けや導電性ペースト等により電極部２に接続してＭＩ素子３とした後、下部基板１１と上部基板１２とを接合し、電流センサ基板１０が作製される。
ＭＩ素子３は下部基板１１と上部基板１２により応力の掛からないように接して固定するのが良く、基板接合前に接着剤等により固定しても良い。例えば図６に示すように、複数個設置されたワイヤ設置台１９により、できるだけ少ない接触面積で下部基板１１および上部基板１２間に固定する。ワイヤ設置台１９以外の空間は、気体のままでも良く、流動性の良い樹脂を充填しても良く、ＭＩ素子３に応力の掛からない状態であれば良い。下部基板１１と上部基板１２の接合はシリコンやガラスであれば直接接合や陽極接合等のプロセスにより容易に作製される。
電流センサ基板１０には、略円環状のＭＩ素子３の中央に被測定電線５０を貫通させるための貫通孔１５が設置されている。ＭＩ素子３と回路基板１４とを接続する場合は、図示していないが上部基板１２に貫通孔を形成し取出しても良く、基板端面から行っても良い。図には下部基板１１にのみワイヤ設置溝１３を設置したが、上部基板１２にもワイヤ設置溝１３を設置しても良い。さらにシリコンを下部基板１１または上部基板１２に用いるなら、図２に示したような処理回路が搭載された回路基板１４を同一基板上に形成することも可能である。
検出コイル５および帰還コイル６は、ＭＩ素子３の周囲に取り囲むように作製される。図４、図５には簡単のため、１つのコイルのみを示す。両コイルは電流センサ基板１０の表裏面を貫通する導電性スルーホール１７と、電流センサ基板１０の表裏面に形成される導電パターン１８とを連続して接続することにより構成される。両コイルはできるだけＭＩ素子３に接近して設置するのが良い。この構成では、半導体プロセス技術を用いて検出コイル５および帰還コイル６を作製できるため、ＭＩ素子３の軸方向に完全に対称なコイルの製造が容易に実現することができる。
なお、検出コイル５および帰還コイル６の作製は、上記実施の形態１に限定されるものではなく、例えば、従来の巻線技術により、エナメル線等をＭＩ素子３に巻回して検出コイル５および帰還コイル６を構成しても良い。また、ＭＩ素子３が円環状なので、被測定電流線５０は円環状のＭＩ素子３の内部であればどこに設置しても、測定精度に影響は受けることはない。
【００１０】
以上のように、この実施の形態１によれば、ＭＩ素子３が電流センサ基板１０により覆われており、その電流センサ基板１０の貫通孔１５に被測定電流線５０が貫通するように電流センサを設ければ、その被測定電流線５０に流れる電流を、検出回路７によって検出される誘起電圧によって測定することができ、常に同一の構成で精度の高い電流測定をすることができる。
また、ＭＩ素子３が略円環状に形成されているので、被測定電流線５０はその円環状の内部であればどこに設置しても測定精度に影響を受けることなく、被測定電流線５０の設置位置に自由度のある電流センサを製造することができる。
さらに、検出コイル５および帰還コイル６は、電流センサ基板１０に形成される導電性スルーホール１７および導電パターン１８の接続からなるコイルパターンにより構成されるので、半導体プロセス技術を用いて検出コイル５および帰還コイル６を作製できるため、ＭＩ素子３の軸方向に完全に対称な検出コイル５および帰還コイル６を容易に製造することができ、その結果、測定精度が高く、測定精度が均一な電流センサを製造することができる。
【００１１】
実施の形態２．
図７はこの発明の実施の形態２による電流センサの構成概要を示す斜視図であり、図において、０磁歪アモルファスワイヤ（第１の感磁素子）１ａは、略円環状に形成され、被測定電流線５０に対して少なくとも１回、周回するように設置されるものである。また、同様に、０磁歪アモルファスワイヤ（第２の感磁素子）１ｂは、略円環状に形成され、０磁歪アモルファスワイヤ１ａに重なり合うように配置されたものである。０磁歪アモルファスワイヤ１ａ，１ｂの両端部には電極部２が接続され、これら０磁歪アモルファスワイヤ１ａ，１ｂおよび電極部２により、電極を形成したＭＩ素子３ａ，３ｂを構成する。
この実施の形態２による電流センサは、２つの０磁歪アモルファスワイヤ１ａ，１ｂを略円環状に形成し、被測定電流線５０に対して少なくとも１回ずつ、それぞれ周回して設置し、被測定電流線５０に被測定電流が流れた時に発生する外部磁界を検出することにより、被測定電流線５０に流れる電流値を検出するようにしたものである。
【００１２】
図８はこの発明の実施の形態２による電流センサを示す回路図であり、図において、電源回路２１は、抵抗Ｒ４が削除され、ＣＭＯＳインバータＱ７が追加され、ＭＩ素子３ａ，３ｂにパルス通電電流を供給する以外は図２に示した電源回路４と同一である。
電源回路２１のＣＭＯＳインバータＱ６，Ｑ７は、ＭＩ素子３ａ，３ｂの一端の電極部２にそれぞれ接続され、電源回路４により発生されたパルス通電電流が通電され、ＭＩ素子３ａ，３ｂの他端の電極部２は共通に接地されている。また、ＭＩ素子３ａには検出コイル（第１の検出コイル）５ａと共に帰還コイル６ａが巻回され、ＭＩ素子３ｂには検出コイル（第２の検出コイル）５ｂと共に帰還コイル６ｂが巻回されている。
アナログスイッチＳＷ１，ＳＷ２、抵抗Ｒ４〜Ｒ７、コンデンサＣ４，Ｃ５、アンプａｍｐにより、検出コイル５ａに発生する誘起電圧に検出コイル５ｂに発生する誘起電圧を加えた誘起電圧を検出する検出回路２２を構成し、また、アンプａｍｐの出力端子ｏｕｔには抵抗Ｒ８を介して帰還コイル６ｂの一端が接続され、帰還コイル６ｂの他端は帰還コイル６ａの一端が接続され、帰還コイル６ａの他端は接地されている。
この図８に示すように、この実施の形態２による電流センサは、検出回路２２によって検出される誘起電圧は、検出コイル５ａに発生する誘起電圧に検出コイル５ｂに発生する誘起電圧を加えた誘起電圧なので、１つの検出コイルに発生する誘起電圧を検出する電流センサに比べて信頼性の高い電流測定をすることができる。さらに、２つの０磁歪アモルファスワイヤ１ａ，１ｂに同時に作用するコモンモードノイズを相殺することができ、電磁界的ノイズがあっても信頼性の高い電流測定をすることができる。
【００１３】
図９はこの発明の実施の形態２による電流センサの構成を示す斜視図であり、図において、電流センサ基板（第１の電流センサ基板）１０ａは、図３に示したように、０磁歪アモルファスワイヤ１ａを覆うように形成され、その略円環状の０磁歪アモルファスワイヤ１ａの中央に貫通孔１５が設けられたものであり、電流センサ基板（第２の電流センサ基板）１０ｂも同様に、０磁歪アモルファスワイヤ１ｂを覆うように形成され、その略円環状の０磁歪アモルファスワイヤ１ｂの中央に貫通孔１５が設けられたものであり、電流センサ基板１０ａ，１０ｂは重なり合うように配置され、両者は接着剤等により接続されている。
また、電流センサ基板１０ａは、図５に示したように、導電性スルーホール１７および導電パターン１８の接続により検出コイルおよび帰還コイルが構成され、電流センサ基板１０ｂも同様に、導電性スルーホール１７および導電パターン１８の接続により検出コイルおよび帰還コイルが構成されている。
図８に示したような処理回路を搭載した回路基板１４は、電流センサ基板１０ａ，１０ｂのうちのいずれかの電流センサ基板に設置すれば良く、また、２つの電流センサ基板１０ａ，１０ｂにそれぞれ分割して設置しても良い。
【００１４】
以上のように、この実施の形態２によれば、略円環状に形成され、且つ重なるように配置されたＭＩ素子３ａ，３ｂの円環内に被測定電流線５０が貫通するように電流センサを設ければ、その被測定電流線５０に流れる電流を、検出回路２２によって検出される誘起電圧によって測定することができ、常に同一の構成で精度の高い電流測定をすることができる。
また、ＭＩ素子３ａ，３ｂが略円環状に形成されているので、被測定電流線５０はその円環状の内部であればどこに設置しても測定精度に影響を受けることなく、被測定電流線５０の設置位置に自由度のある電流センサを得ることができる。
さらに、検出回路２２によって検出される誘起電圧は、検出コイル５ａに発生する誘起電圧に検出コイル５ｂに発生する誘起電圧を加えた誘起電圧なので、１つの検出コイルに発生する誘起電圧を検出する電流センサに比べて信頼性の高い電流測定をすることができる。さらに、ＭＩ素子３ａ，３ｂに同時に作用する電磁界的ノイズ（コモンモードノイズ）を相殺することができ、電磁界的ノイズがあっても信頼性の高い電流測定をすることができる。
さらに、ＭＩ素子３ａが電流センサ基板１０ａに、ＭＩ素子３ｂが電流センサ基板１０ｂにより覆われており、それら重なり合うように配置された電流センサ基板１０ａ，１０ｂの貫通孔１５に被測定電流線５０が貫通するように電流センサを設ければ、その被測定電流線５０に流れる電流を、検出回路２２によって検出される誘起電圧によって測定することができ、常に同一の構成で精度の高い電流測定をすることができる。
さらに、検出コイル５ａ，５ｂおよび帰還コイル６ａ，６ｂは、電流センサ基板１０ａ，１０ｂにそれぞれ形成される導電性スルーホール１７および導電パターン１８の接続からなる第１および第２のコイルパターンにより構成されるので、半導体プロセス技術を用いて検出コイル５ａ，５ｂおよび帰還コイル６ａ，６ｂを作製できるため、ＭＩ素子３ａ，３ｂの軸方向に完全に対称な検出コイル５ａ，５ｂおよび帰還コイル６ａ，６ｂを容易に製造することができ、その結果、測定精度が高く、測定精度が均一な電流センサを製造することができる。
【００１５】
実施の形態３．
図１０はこの発明の実施の形態３による電流センサ基板を示す断面図であり、図において、電流センサ基板１０の周囲に、絶縁層３１を介して、電気的に接地された電磁界シールド層３２を形成したものである。
電磁界シールド層３２および絶縁層３１は、例えば薄膜等により形成され、他の構成は他の実施の形態と同様である。このように電流センサ基板１０が電磁界シールド層３２に囲まれているので、外部電磁界によりＭＩ素子３および処理回路等に発生するノイズを抑制することができる。
【００１６】
以上のように、この実施の形態３によれば、電磁界シールド層３２を形成することで、外部電磁界によりＭＩ素子３および処理回路等に発生するノイズを抑制することができ、高精度な電流センサを製作することができる。
【００１７】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、感磁素子が電流センサ基板により覆われており、その電流センサ基板の貫通孔に被測定電流線が貫通するように電流センサを設ければ、その被測定電流線に流れる電流を、検出回路によって検出される誘起電圧によって測定することができ、常に同一の構成で精度の高い電流測定をすることができる。
また、感磁素子が略円環状に形成されているので、被測定電流線はその円環状の内部であればどこに設置しても測定精度に影響を受けることなく、被測定電流線の設置位置に自由度のある電流センサを製造することができる。
さらに、検出コイルは、電流センサ基板に形成される導電パターンおよび導電性スルーホールの接続からなるコイルパターンにより構成されるので、半導体プロセス技術を用いて検出コイルを作製できるため、感磁素子の軸方向に完全に対称な検出コイルを容易に製造することができ、その結果、測定精度が高く、測定精度が均一な電流センサを製造することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１による電流センサの構成概要を示す斜視図である。
【図２】この発明の実施の形態１による電流センサを示す回路図である。
【図３】この発明の実施の形態１による電流センサの構成を示す斜視図である。
【図４】電流センサを示す正面図である。
【図５】電流センサを示す断面図である。
【図６】０磁歪アモルファスワイヤの設置詳細を示す斜視図である。
【図７】この発明の実施の形態２による電流センサの構成概要を示す斜視図である。
【図８】この発明の実施の形態２による電流センサを示す回路図である。
【図９】この発明の実施の形態２による電流センサの構成を示す斜視図である。
【図１０】この発明の実施の形態３による電流センサ基板を示す断面図である。
【符号の説明】
１  ０磁歪アモルファスワイヤ（感磁素子）、１ａ  ０磁歪アモルファスワイヤ（第１の感磁素子）、１ｂ  ０磁歪アモルファスワイヤ（第２の感磁素子）、２  電極部、３，３ａ，３ｂ  ＭＩ素子、４，２１  電源回路、５  検出コイル、５ａ  検出コイル（第１の検出コイル）、５ｂ  検出コイル（第２の検出コイル）、６，６ａ，６ｂ  帰還コイル、７，２２  検出回路、１０  電流センサ基板、１０ａ  電流センサ基板（第１の電流センサ基板）、１０ｂ  電流センサ基板（第２の電流センサ基板）、１１  下部基板、１２  上部基板、１３  ワイヤ設置溝、１４  回路基板、１５  貫通孔、１６  配線、１７  導電性スルーホール、１８  導電パターン、１９  ワイヤ設置台、３１  絶縁層、３２  電磁界シールド層、５０  被測定電流線、ａｍｐ  アンプ、Ｃ１〜Ｃ５  コンデンサ、ｏｕｔ  出力端子、Ｑ１〜Ｑ７  ＣＭＯＳインバータ、Ｒ１〜Ｒ８  抵抗、ＳＷ，ＳＷ１，ＳＷ２  アナログスイッチ、Ｖｄｄ  電源。
【図１】
2004245597.tif 000003
【図２】
2004245597.tif 000004
【図３】
2004245597.tif 000005
【図４】
2004245597.tif 000006
【図５】
2004245597.tif 000007
【図６】
2004245597.tif 000008
【図７】
2004245597.tif 000009
【図８】
2004245597.tif 000010
【図９】
2004245597.tif 000011
【図１０】
2004245597.tif 000012