(57)【要約】【課題】  ウェーハと電子ビームエミッタとの間に均一な電磁場の形成が可能であり、真空チャンバの振動による電子ビーム経路の歪み現象を最小化できる電子ビームフォーカシング装置およびこれを採用した電子ビームプロジェクションリソグラフィシステムを提供する。【解決手段】  真空チャンバ１１０の内部に、電子ビームエミッタ１２０と対向するように所定間隔を置いてウェーハ１３０を配置してウェーハに向けて電子ビームを放出する電子ビームプロジェクションリソグラフィシステムに、前記真空チャンバの上側と下側との外部に各々配置されて真空チャンバの内部に磁場を形成する上,下部磁石１６１、１６２と、真空チャンバの天井壁と底壁とを各々貫通するように設けられ、上,下部磁石に各々磁気的に接触される上,下部ポールピース１７１、１７２と、上,下部ポールピースの相互対向面に各々リング状に突設された上,下部突出部１９１、１９２と、を有する電子ビームフォーカシング装置を備えて電子ビームの経路を制御する。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビームプロジェクションリソグラフィシステムの電子ビームエミッタから放出された電子ビームの経路を制御するための電子ビームフォーカシング装置において、
ウェーハが装入される空間を取り囲む真空チャンバの上側と下側との外部に各々配置されて前記真空チャンバの内部に磁場を形成する上,下部磁石と、
前記真空チャンバの天井壁と底壁とを各々貫通するように設けられ、前記上,下部磁石に各々磁気的に接触する上,下部ポールピースと、
前記上,下部ポールピースの相互対向面に各々リング状に突設された上,下部突出部と、を備えることを特徴とする電子ビームフォーカシング装置。
【請求項２】
前記上,下部磁石の各々と前記上,下部ポールピースの各々との間に、強磁性物質を含有するゴム板が挟まれることを特徴とする請求項１に記載の電子ビームフォーカシング装置。
【請求項３】
前記上,下部磁石は各々上下移動可能に設けられることを特徴とする請求項１に記載の電子ビームフォーカシング装置。
【請求項４】
前記上,下部磁石の各々は、強磁性体よりなるコアと、前記コアの外周に巻かれたコイルと、からなる電磁石であることを特徴とする請求項１に記載の電子ビームフォーカシング装置。
【請求項５】
前記真空チャンバは非磁性材料からなることを特徴とする請求項１に記載の電子ビームフォーカシング装置。
【請求項６】
前記真空チャンバはアルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする請求項５に記載の電子ビームフォーカシング装置。
【請求項７】
前記上,下部突出部の各々の内径は前記ウェーハの外径より大きいことを特徴とする請求項１に記載の電子ビームフォーカシング装置。
【請求項８】
前記上,下部突出部の各々には、前記ウェーハと前記電子ビームエミッタとの間に電場を形成させるための上,下部電極板が、所定間隔を置き、互いに対向するように設けられることを特徴とする請求項１に記載の電子ビームフォーカシング装置。
【請求項９】
前記上,下部電極板の各々の外径は前記ウェーハの外径より大きいことを特徴とする請求項８に記載の電子ビームフォーカシング装置。
【請求項１０】
ウェーハが装入される空間を取り囲む真空チャンバと、
前記真空チャンバの内部に、前記ウェーハと所定間隔を置き、対向するように配置されて前記ウェーハに向いて電子ビームを放出する電子ビームエミッタと、
前記電子ビームエミッタから放出された電子ビームの経路を制御するための電子ビームフォーカシング装置と、を含み、
前記電子ビームフォーカシング装置は、
前記真空チャンバの上側と下側との外部に各々配置されて前記真空チャンバの内部に磁場を形成する上,下部磁石と、
前記真空チャンバの天井壁と底壁とを各々貫通するように設けられ、前記上,下部磁石に各々磁気的に接触する上,下部ポールピースと、
前記上,下部ポールピースの相互対向面に各々リング状に突設された上,下部突出部と、を備えることを特徴とする電子ビームプロジェクションリソグラフィシステム。
【請求項１１】
前記上,下部磁石の各々と前記上,下部ポールピースの各々との間に、強磁性物質を含有するゴム板が挟まれることを特徴とする請求項１０に記載の電子ビームプロジェクションリソグラフィシステム。
【請求項１２】
前記上,下部磁石は各々上下移動可能に設けられることを特徴とする請求項１０に記載の電子ビームプロジェクションリソグラフィシステム。
【請求項１３】
前記上,下部磁石の各々は、強磁性体よりなるコアと、前記コアの外周に巻かれたコイルと、からなる電磁石であることを特徴とする請求項１０に記載の電子ビームプロジェクションリソグラフィシステム。
【請求項１４】
前記真空チャンバは非磁性材料からなることを特徴とする請求項１０に記載の電子ビームプロジェクションリソグラフィシステム。
【請求項１５】
前記真空チャンバはアルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする請求項１４に記載の電子ビームプロジェクションリソグラフィシステム。
【請求項１６】
前記上,下部突出部の各々の内径は前記ウェーハの外径より大きいことを特徴とする請求項１０に記載の電子ビームプロジェクションリソグラフィシステム。
【請求項１７】
前記上,下部突出部の各々には、前記ウェーハと前記電子ビームエミッタとの間に電場を形成させるための上,下部電極板が、所定間隔を置き、互いに対向するように設けられることを特徴とする請求項１０に記載の電子ビームプロジェクションリソグラフィシステム。
【請求項１８】
前記上,下部電極板の各々の外径は前記ウェーハの外径より大きいことを特徴とする請求項１７に記載の電子ビームプロジェクションリソグラフィシステム。
【請求項１９】
前記上,下部電極板の中いずれか一つの電極板には前記電子ビームエミッタを支持するためのエミッタホルダーが設けられ、他の一つの電極板には前記ウェーハを支持するためのウェーハホルダーが設けられることを特徴とする請求項１７に記載の電子ビームプロジェクションリソグラフィシステム。
【請求項２０】
前記エミッタホルダーとウェーハホルダーは石英ガラスよりなることを特徴とする請求項１９に記載の電子ビームプロジェクションリソグラフィシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子ビームプロジェクションリソグラフィシステムに係り、より詳しくは電子ビームエミッタから放出された電子ビームの経路を制御するための電子ビームフォーカシング装置およびこれを採用した電子ビームプロジェクションリソグラフィシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程においては基板の表面を所望のパターンに加工するために様々な方式のリソグラフィ技術が用いられる。従来は光を使用する光リソグラフィが一般に利用されてきたが、光リソグラフィで実現可能な線幅には限界がある。従って、最近ではナノオーダーの線幅を有する、より微細で集積された半導体集積回路を製造可能な次世代リソグラフィ(ＮＧＬ：Next Generation Lithography)が提案されている。ＮＧＬの例としては、電子ビームプロジェクションリソグラフィ(ＥＰＬ：Electron-beam Projection Lithography)、イオンプロジェクションリソグラフィ（ＩＰＬ：Ion-beam Projection Lithography）、極紫外線リソグラフィ(ＥＵＶＬ：Extreme Ultraviolet Lithography)、近接Ｘ線リソグラフィ(ＰＸＬ：Proximity X-ray Lithography)などがある。
【０００３】
前記ＮＧＬの中でＥＰＬシステムは、電子ビームエミッタから放出された電子ビームを使用して、被処理基板上に塗布された電子レジストを、所望のパターンにパターニングするためのシステムであって、大面積の電子ビームエミッタの実現が容易であり、装置の構成が比較的簡単である。
【０００４】
図１に、従来のＥＰＬシステムの概略構成を示す。図１に示すように、従来のＥＰＬシステムは、ウェーハ30の処理空間を取り囲む真空チャンバ10を備えている。前記真空チャンバ10の内部は真空ポンプ60により所定の真空状態を維持する。前記真空チャンバ10はその内部が真空状態に維持されるため高い強度が要求される。そのため、主に鋼板で作製される。
【０００５】
前記真空チャンバ10の内部には、電子ビームを放出する電子ビームエミッタ20が設けられており、被処理ウェーハ30が電子ビームエミッタ20に対して所定間隔を置き、対向されるように配置される。前記電子ビームエミッタ20の表面には、所定のパターンにパターニングされたマスク22が設けられており、電子ビームエミッタ20から放出される電子ビームは前記マスク22により覆われていない部分を通じて放出される。このように放出された電子ビームによって、電子ビームエミッタ20と対向しているウェーハ30の表面に塗布された電子レジスト32を電子ビームエミッタ20の表面に形成されたパターンと同一パターンにパターニングする。
【０００６】
前記電子ビームエミッタ20の背面側には、前記電子ビームエミッタ20を過熱して電子ビームを放出させるためのヒータ40が設けられている。一方、電子ビームエミッタ20から電子ビームを放出させるメカニズムには前記ヒータ40による過熱以外にもいろいろなものがあり、そのメカニズムによって、電子ビームエミッタ20の構造や電子ビームエミッタ20をなす物質の種類も様々に異なるものとなる。
【０００７】
前記真空チャンバ10の内部には、前記電子ビームエミッタ20とウェーハ30との間に電場を形成させるための電極板51,52が設けられており、この電極板51,52は前記電子ビームエミッタ20とウェーハ30の各々の背面側に配置されている。又、前記真空チャンバ10の上側と下側との外部には、真空チャンバ10の内部に磁場を形成させるための外部磁石71,72が設けられている。前記電極板51,52と外部磁石71,72は、前記のように前記電子ビームエミッタ20とウェーハ30との間に電場と磁場とを形成することにより、前記電子ビームエミッタ20から放出された電子ビームの経路を制御する役割、すなわち、電子ビームが前記ウェーハ30の表面に塗布された電子レジスト32の正確な位置にフォーカシングされるように制御する役割を果たす。
【０００８】
ところで、前記のような従来のＥＰＬシステムにおいて、真空チャンバ10と外部磁石71,72が分離しているため、真空ポンプ60の振動は真空チャンバ10のみ振動させ、外部磁石71,72にはその振動は伝わらない。そのため、電子ビームエミッタ20から放出される電子ビームの経路が曲がってしまい、極細（ナノオーダーの線幅を有した）パターン形成は困難であった。
【０００９】
又、前記のように真空チャンバ10が鋼板のような強磁性体で製造されるため、外部磁石71,72により生成された磁束が電子ビームエミッタ20とウェーハ30との間に集中されず真空チャンバ10を通じて漏洩される問題点がある。従って、電子ビームエミッタ20とウェーハ30との間に均一な電場を形成するのが非常に難しく、又電子ビームエミッタ20とウェーハ30との間に十分な強度の磁場を形成するためには非常に大きい外部磁石71,72を使用しなければならないため製造コストがかさむことにもなっていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の技術的課題は、ウェーハと電子ビームエミッタとの間に均一な電磁場の形成が可能であり、真空チャンバの振動による電子ビーム経路の歪み現象を最小化することができる構造を有した電子ビームフォーカシング装置およびこれを採用したＥＰＬシステムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記技術的課題を達成するための本発明に係る電子ビームフォーカシング装置は、ＥＰＬシステムの電子ビームエミッタから放出された電子ビームの経路を制御するための電子ビームフォーカシング装置において、ウェーハが装入される空間を取り囲む真空チャンバの上側と下側との外部に各々配置されて前記真空チャンバの内部に磁場を形成する上,下部磁石と、前記真空チャンバの天井壁と底壁とを各々貫通するように設けられ、前記上,下部磁石に各々磁気的に接触する上,下部ポールピースと、前記上,下部ポールピースの相互対向面に各々リング状に突設された上,下部突出部と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
ここで、前記上,下部磁石の各々と前記上,下部ポールピースの各々との間には強磁性物質を含有するゴム板が挟まれることが望ましい。そして、前記上,下部磁石は各々上下移動可能に設けられることが望ましく、前記上,下部磁石の各々は、強磁性体よりなるコアと、前記コアの外周に巻かれたコイルと、からなる電磁石であることが望ましい。また、前記真空チャンバは非磁性体、例えばアルミニウムやアルミニウム合金等の材料からなるものであることが望ましい。また、前記上,下部突出部の各々の内径は前記ウェーハの外径より広い（大きい）ことが望ましい。また、前記上,下部突出部の各々には、前記ウェーハと前記電子ビームエミッタとの間に電場を形成させるための上,下部電極板を、所定間隔を置き、互いに対向するように設けることができ、前記上,下部電極板各々の外径は前記ウェーハの外径より大きいことが望ましい。
【００１３】
そして、前記技術的課題を達成するための本発明に係るＥＰＬシステムは、ウェーハが装入される空間を取り囲む真空チャンバと、前記真空チャンバの内部に、前記ウェーハと所定間隔を置き、対向するように配置されて前記ウェーハに向いて電子ビームを放出する電子ビームエミッタと、前記電子ビームエミッタから放出された電子ビームの経路を制御するためのものであり、前記の構成を有した電子ビームフォーカシング装置とを含むことを特徴とする。
【００１４】
ここで、前記上,下部電極板の中いずれか一つの電極板には前記電子ビームエミッタを支持するためのエミッタホルダーが設けられ、他の一つの電極板には前記ウェーハを支持するためのウェーハホルダーが設けられることが望ましく、前記エミッタホルダーとウェーハホルダーには石英ガラスを材料とするものが望ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によると、真空チャンバの中心部、即ち電子ビームエミッタとウェーハとの間に均一な電磁場を形成でき、真空チャンバを通じた磁束の漏洩を防止できる。そして、真空チャンバの外部に設けられる上,下部磁石が真空チャンバに固設される上,下部ポールピースと密着されるため、真空チャンバの振動による電子ビーム経路の歪み現象を最小化できる。従って、本発明によると、ナノ単位の線幅を有する微細なパターンを容易に形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、添付した図面に基づき本発明に係る電子ビームフォーカシング装置およびこれを採用したＥＰＬシステムの望ましい実施例を詳細に説明する。以下の図面で同一の参照符号は同一の構成要素を指す。
【００１７】
図２は本発明の望ましい実施例による電子ビームフォーカシング装置とこれを備えたＥＰＬシステムの構成を示した図面であり、図３は図２に示された電子ビームフォーカシング装置の一部を示した分解斜視図である。
【００１８】
図２と図３とをともに参照すれば、本発明に係るＥＰＬシステムは、ウェーハ130が装入される空間を取り囲む真空チャンバ110と、前記真空チャンバ110の内部に設けられる電子ビームエミッタ120と、前記電子ビームエミッタ120から放出された電子ビームの経路を制御するための電子ビームフォーカシング装置と、を備える。
【００１９】
前記真空チャンバ110にはその内部を真空状態に維持させる真空ポンプ112が連結される。前記真空チャンバ110は非磁性体で製作されることが望ましい。これは後述する上,下部磁石161,162により生成された磁束が真空チャンバ110を通じて漏洩してしまうことを抑制するためのものである。前記真空チャンバ110はプラスチックで製作することもできるが、高真空状態でも変形しない程度の強度を有することが要求されるため、透磁率が１に近く、所定の強度を有するアルミニウムやアルミニウム合金で製作されることが望ましい。
【００２０】
前記ウェーハ130は前記真空チャンバ110の内部の一方の側に配置され、ウェーハホルダー142により支持される。前記ウェーハ130の表面には電子ビームによりその性質が変化する電子レジスト132が塗布される。
【００２１】
前記電子ビームエミッタ120は前記真空チャンバ110の内部に前記ウェーハ130と所定間隔を置き、対向されるように配置され、エミッタホルダー141により支持される。前記電子ビームエミッタ120の表面には所定のパターンにパターニングされたマスク122が設けられており、電子ビームエミッタ120から放出される電子ビームは前記マスク122により覆われない部分を通じて放出される。このように放出された電子ビームは、電子ビームエミッタ120と対向しているウェーハ130の表面に塗布された電子レジスト132を電子ビームエミッタ120の表面に形成されたパターンと同一なパターンにパターニングされる。
【００２２】
一方、前述したように前記電子ビームエミッタ120から電子ビームを放出させるメカニズムには様々なヴァリエーションがある。例えば、前記電子ビームエミッタ120を過熱して電子ビームを放出させる構成として、前記電子ビームエミッタ120の背面側にヒータ(図示せず)を設けてもよい。
【００２３】
前記電子ビームフォーカシング装置は、前記真空チャンバ110の上側と下側の外部に各々配置される上,下部磁石161,162と、前記真空チャンバ110の天井壁と底壁とを各々貫通するように設けられる上,下部ポールピース171,172と、前記上,下部ポールピース171,172の相互対向面に各々突設された上,下部突出部191,192とを備える。
【００２４】
前記上部磁石161は前記真空チャンバ110の上側に真空チャンバ110の天井壁と所定間隔離隔されるように設けられる。前記下部磁石162は前記真空チャンバ110の下側に真空チャンバ110の底壁と所定間隔離隔されるように設けられる。このように設けられた上,下部磁石161,162は真空チャンバ110の内部に磁場を形成する。
【００２５】
上,下部磁石161,162として永久磁石を使用することもできるが、磁場の強度を調節しやすい電磁石を使用することが望ましい。後者の場合には上,下部磁石161,162の各々は強磁性体からなるコア161a,162aと前記コア161a,162aの外周に巻かれたコイル161b,162bとより構成される。
【００２６】
前記上部ポールピース171は真空チャンバ110の天井壁を貫通するように設けられ、上部磁石161のコア161aに磁気的に接触する。前記下部ポールピース172は真空チャンバ110の底壁を貫通するように設けられ、下部磁石162のコア162aに磁気的に接触する。このように設けられた上,下部ポールピース171,172は上,下部磁石161,162により生成された磁束を真空チャンバ110の内部に引き込む。特に、前記真空チャンバ110が非磁性体で製作された場合には、真空チャンバ110を通じて磁束の漏洩が抑制される。
【００２７】
一方、上,下部磁石161,162の各々は上下移動が可能に設けられることが望ましい。このような構成によると、上部磁石161と下部磁石162との間に前記上,下部ポールピース171,172が設けられた真空チャンバ110を位置させた後、上,下部磁石161,162の各々を上,下部ポールピース171,172側に移動させることにより、上,下部磁石161,162の各々と上,下部ポールピース171,172が加圧密着されるようにできる。従って、上,下部磁石161,162の各々と上,下部ポールピース171,172との界面で磁束が漏洩することを防止できる。
【００２８】
しかし、上,下部磁石161,162と上,下部ポールピース171,172との相互接触面が完全に平行ではない場合には上,下部磁石161,162と上,下部ポールピース171,172とが完全に密着されないこともある。これを未然に防止するため、上,下部磁石161,162の各々と上,下部ポールピース171,172の各々との間に強磁性物質、例えば鉄成分が含有されたゴム板181,182を挟む。このようにすると、上,下部磁石161,162と上,下部ポールピース171,172とは伸縮性を有したゴム板181,182により磁気的に完全に封止されるため、上,下部磁石161,162と上,下部ポールピース171,172との間で磁束が漏洩してしまうことをより効果的に防止できる。
【００２９】
前記上部突出部191は上部ポールピース171の底面にリング状に突設され、下部突出部192は下部ポールピース172の上面にリング状に突設される。前記上,下部突出部191,192は電子ビームエミッタ120とウェーハ130との間に形成される磁場を均一にする作用をする。
【００３０】
図４Ａと図４Ｂとは上,下部磁石の周辺と真空チャンバの内部に形成される磁束の分布を示す。
【００３１】
図４Ａと図４Ｂに示すように、上,下部磁石161,162の周辺と真空チャンバ110の内部には、上,下部磁石161,162により磁場が形成される。この際、上,下部磁石161,162により生成された磁束は、上,下部ポールピース171,172により真空チャンバ110の内部に引き込まれる。そして、前記真空チャンバ110が非磁性体で製作されるため、真空チャンバ110を通じて磁束が漏洩することが抑制される。又、図４Ａおよび４Ｂを見れば、上,下部ポールピース171,172の相互対向面に突設された上,下部突出部191,192により真空チャンバ110の中心部位に均一な磁場が形成されたことがわかる。特に、上,下部突出部191,192が配置された上,下部ポールピース171,172の縁部位より、上,下部ポールピース171,172の中心部位に形成された磁場がより均一なことがわかる。従って、電子ビームエミッタ120とウェーハ130とが完全に均一な磁場の範囲S内に位置できるように上,下部突出部191,192各々の内径がウェーハ130の外径より広くなるようにすることが望ましい。望ましくは、上,下部突出部191,192は、それぞれウェーハ130の外径が1.3倍以上、例えばほぼ1.5倍程度の内径を有するものとする。
【００３２】
再び図２を参照すれば、前記上,下部突出部191,192の各々には、ウェーハ130と電子ビームエミッタ120との間に上,下部電極板151,152を設けることができる。前記上,下部電極板151,152は所定間隔を置き、互いに対向するように配置される。前記上,下部電極板151,152には電源153が連結されてそれらの間に電場が形成される。
【００３３】
図5Aは真空チャンバの内部に形成された電場の分布を示し、図5Bは上,下部電極板の間に形成された電場の分布を示す。
【００３４】
図5Aと図5Bとを見れば、真空チャンバ110の内部空間には電場が形成されるが、上部電極板151と下部電極板152との中心部位に均一な電場が形成されることがわかる。従って、上部電極板151と下部電極板152との中心部位に電子ビームエミッタ120とウェーハ130とが配置されることが望ましい。そして、電子ビームエミッタ120とウェーハ130とが完全に均一な電場の範囲内に位置できるように上,下部電極板151,152の各々の外径はウェーハ130の外径より大きくなるようにすることが望ましい。望ましくは上,下部電極板151,152の各々はウェーハ130の外径の1.3倍以上、例えばほぼ1.5倍程度の外径を有するものとすることができる。
【００３５】
再び図２を参照すれば、上部電極板151の底面には電子ビームエミッタ120を支持するためのエミッタホルダー141が設けられ、下部電極板152の上面にはウェーハ130を支持するためのウェーハホルダー142を設けることができる。前記エミッタホルダー141とウェーハホルダー142はそれぞれ電子ビームエミッタ120とウェーハ142とを脱着可能に支持できる構造を有する。そして、前記エミッタホルダー141とウェーハホルダー142とは、真空チャンバ110内に形成される電場と磁場とに影響を与えずパーティクルが発生しにくい石英ガラスよりなるものを用いることが望ましい。
【００３６】
以上、本発明を特定の実施例を参照しつつ具体的に説明したが、上述の実施例は例示に過ぎないのであって、当該技術分野で通常の知識を持つ者であれば、この記載を参考に、多様な変形および均等な他の実施形態が実施可能であるという点が留意されなければならない。本発明の真の技術的保護範囲は特許請求の範囲により決められなければならないのである。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明の電子ビームフォーカシング装置およびこれを採用した電子ビームプロジェクションリソグラフィシステムは、例えば、半導体製造工程に効果的に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】従来のＥＰＬシステムの構成を概略的に示した図面である。
【図２】本発明の望ましい実施例による電子ビームフォーカシング装置とこれを備えたＥＰＬシステムの構成を示した図面である。
【図３】図２に示す電子ビームフォーカシング装置の一部を示した分解斜視図である。
【図４Ａ】上,下部磁石の周辺と真空チャンバの内部に形成される磁束の分布を示す図面である。
【図４Ｂ】上,下部磁石の周辺と真空チャンバの内部に形成される磁束の分布を示す図面である。
【図５Ａ】真空チャンバの内部に形成された電場の分布を示す図面である。
【図５Ｂ】上,下部電極板の間に形成された電場の分布を示す図面である。
【符号の説明】
【００３９】
１１０    真空チャンバ
１１２    真空ポンプ
１２０    電子ビームエミッタ
１２２    マスク
１３０    ウェーハ
１３２    電子レジスト
１４１    エミッタホルダー
１４２    ウェーハホルダー
１５１    上部電極板
１５２    下部電極板
１５３    電源
１６１,１６２    上,下部磁石
１６１ａ,１６２ａ    コア
１６１ｂ,１６２ｂ    コイル
１７１,１７２    上,下部ポールピース
１８１，１８２    ゴム板
１９１,１９２    上,下部突出部
【図１】
2004274060.tif 000003
【図２】
2004274060.tif 000004
【図３】
2004274060.tif 000005
【図４Ａ】
2004274060.tif 000006
【図４Ｂ】
2004274060.tif 000007
【図５Ａ】
2004274060.tif 000008
【図５Ｂ】
2004274060.tif 000009