(57)【要約】【課題】基板上のレジストの汚染物に対する露光を減じることを目的とする。【解決手段】基板テーブルＷＴを囲んだチャンバ１０と、露光のために基板を準備し、かつ、露光後に基板を処理する処理装置１１との間において、実質的に汚染のない環境にて基板を搬送し、基板上のレジストの汚染物に対する露光を最小限にする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、
所望するパターンに従って投影ビームをパターン化するパターニング手段を支持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
パターン化されたビームを基板の目標部分に投影する投影システムと、
投影ビームにより基板が露光される前および／あるいは後に基板を処理する処理装置と、
基板テーブルと処理装置間において基板を搬送する搬送装置とから成るリソグラフィ投影装置において、
搬送装置におけるＨ２Ｏの部分圧が１ｘ１０−２ｍｂａｒ未満に、搬送装置における炭化水素の部分圧が１ｘ１０−４ｍｂａｒ未満に、そして搬送装置におけるアンモニアのようなアミン系の部分圧が１ｘ１０−６ｍｂａｒ未満に、望ましくは１ｘ１０−７ｍｂａｒ未満になるように調整する手段を備えていることを特徴とするリソグラフィ投影装置。
【請求項２】
搬送装置における汚染物の部分圧が１ｍｂａｒ未満となるように調整する手段を備えていることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項３】
搬送装置におけるＨ２Ｏと炭化水素の部分圧を調整する手段は、Ｈ２Ｏの部分圧を１ｘ１０−５ｍｂａｒ未満に、炭化水素の部分圧を１ｘ１０−７ｍｂａｒ未満に調整することを特徴とする請求項１または２に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項４】
搬送装置におけるＨ２Ｏ、炭化水素、および／あるいはアミン系の部分圧を調整する手段は、搬送装置を実質的に真空にすることを特徴とする請求項１、２、または３に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項５】
基板テーブルと処理装置を囲んだスペースの少なくとも１つが真空にされることを特徴とする請求項４に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項６】
搬送装置におけるＨ２Ｏ、炭化水素、および／あるいはアミン系の部分圧を調整する手段は、搬送装置に満たされる実質的に汚染のないガスを供給するガスサプライから成ることを特徴とする請求項１、２、または３に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項７】
実質的に汚染のないガスは、実質的に純粋な窒素と合成エアーのうちの一方であることを特徴とする請求項６に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項８】
放射線の投影ビームはＥＵＶ放射線であることを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項９】
処理装置は、基板にレジストの層を塗布するステップと、
レジストを処理するために基板をベークするステップと、
ベーク後に基板を冷却するステップと、
レジストを有した基板を現像するステップと
のうちの少なくとも１ステップを実行することを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１０】
処理装置は、レジストを処理するために基板をベークするステップと、
ベーク後に基板を冷却するステップと
のうちの少なくとも１ステップを実行することを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１１】
放射線感光材料の層により少なくとも部分的に覆われた基板を提供し、
放射線システムを用いて放射線の投影ビームを供給し、
パターニング手段を用いて投影ビームのその断面にパターンを与え、
放射線感光材料の層の目標部分に放射線のパターン化されたビームを投影し、投影ビームにより基板が露光される前および／あるいは後に基板を処理する処理装置と基板テーブル間において基板を搬送するステップと
から成るデバイスの製造方法において、
ここで、Ｈ２Ｏの部分圧が１ｘ１０−２ｍｂａｒ未満、炭化水素の部分圧が１ｘ１０−４ｍｂａｒ未満、そしてアンモニアのようなアミン系の部分圧が１ｘ１０−６ｍｂａｒ未満、望ましくは１ｘ１０−７ｍｂａｒ未満とされた搬送装置にて基板を搬送することを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、所望するパターンに従って投影ビームをパターン化するパターニング手段を支持する支持構造と、基板を保持する基板テーブルと、パターン化されたビームを基板の目標部分に投影する投影システムと、投影ビームにより基板が露光される前および／あるいは後に基板の処理を行う処理装置と、基板テーブルと処理装置間にて基板を搬送する搬送装置とから成るリソグラフィ投影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ここに使用する「パターニング手段」なる用語は、入射する放射線ビームに、基板の目標部分に作り出されるべきパターンと一致するパターン化断面を与えるために使用し得る手段に当たるものとして広義に解釈されるべきである。また、「ライトバルブ」なる用語もこうした状況において使用される。一般的に、上記のパターンは、集積回路や他のデバイス（以下を参照）であるような、デバイスにおいて目標部分に作り出される特別な機能層に相当する。そのようなパターニング手段には以下が含まれる。すなわち、
−  マスク。マスクの概念はリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、様々なハイブリッドマスクタイプのみならず、バイナリマスク、レベンソンマスク、減衰位相シフトマスクといったようなマスクタイプも含まれる。放射線ビームにこのようなマスクを配置することにより、マスクに照射する放射線の、マスクパターンに従う選択的透過（透過性マスクの場合）や選択的反射（反射性マスクの場合）を可能にする。マスクの場合、その支持構造は一般的に、入射する放射線ビームの所望する位置にマスクを保持しておくことが可能であり、かつ、必要な場合、ビームに対して運動させることの可能なマスクテーブルである。
−  プログラマブルミラーアレイ。このようなデバイスの一例として、粘弾性制御層および反射面を有するマトリクスアドレス可能面があげられる。こうした装置の基本的原理は、（例えば）反射面のアドレスされた領域は入射光を回折光として反射するが、アドレスされていない領域は入射光を非回折光として反射するといったことである。適切なフィルタを使用することにより、回折光のみを残して上記非回折光を反射ビームからフィルタすることが可能である。この方法において、ビームはマトリクスアドレス可能面のアドレスパターンに従ってパターン形成される。プログラマブルミラーアレイのまた別の実施形態では小さな複数のミラーのマトリクス配列を用いる。そのミラーの各々は、適した局部電界を適用することによって、もしくは圧電作動手段を用いることによって、軸を中心に個々に傾けられている。もう一度言うと、ミラーはマトリクスアドレス可能であり、それによりアドレスされたミラーはアドレスされていないミラーとは異なる方向に入射の放射線ビームを反射する。このようにして、反射されたビームはマトリクスアドレス可能ミラーのアドレスパターンに従いパターン形成される。必要とされるマトリクスアドレッシングは適切な電子手段を用いて実行される。前述の両方の状況において、パターニング手段は１つ以上のプログラマブルミラーアレイから構成可能である。ここに参照を行ったミラーアレイに関するより多くの情報は、参考までに記載を行うと、例えば、米国特許第ＵＳ５，２９６，８９１号および同第ＵＳ５，５２３，１９３号、並びに、ＰＣＴ特許種出願第ＷＯ９８／３８５９７および同ＷＯ９８／３３０９６から得ることが出来る。プログラマブルミラーアレイの場合、上記支持構造は、例えばフレームもしくはテーブルとして具体化され、これは必要に応じて、固定式となるか、もしくは可動式となる。
−  プログラマブルＬＣＤアレイ。このような構成の例が、参考までに記載を行うと、米国特許第ＵＳ５，２２９，８７２号に開示されている。上記同様、この場合における支持構造も、例えばフレームもしくはテーブルとして具体化され、これも必要に応じて、固定式となるか、もしくは可動式となる。簡潔化の目的で、本文の残りを、特定の箇所において、マスクおよびマスクテーブルを必要とする例に限定して導くものとする。しかし、こうした例において論じられる一般的な原理は、既に述べたようなパターニング手段のより広範な状況において理解されるべきである。
【０００３】
リソグラフィ投影装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造において使用可能である。この場合、パターニング手段はＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成する。そして、放射線感光原料（レジスト）の層が塗布された基板（シリコンウェハ）上の目標部分（例えば１つあるいはそれ以上のダイから成る）にこのパターンを像形成することが出来る。一般的に、シングルウェハは、投影システムを介して１つずつ順次照射される近接目標部分の全体ネットワークを含んでいる。マスクテーブル上のマスクによるパターニングを用いる現在の装置は、異なる２つのタイプのマシンに区分される。リソグラフィ投影装置の一タイプでは、全体マスクパターンを目標部分に１回の作動にて露光することによって各目標部分が照射される。こうした装置は一般的にウェハステッパと称されている。ステップアンドスキャン装置と称される別の装置では、所定の基準方向（「スキャニング」方向）にマスクパターンを投影ビーム下で徐々にスキャニングし、これと同時に基板テーブルをこの方向と平行に、あるいは非並行にスキャニングすることにより、各目標部分が照射される。一般的に、投影装置は倍率係数Ｍ（一般的に、＜１）を有することから、基板テーブルが走査される速度Ｖは、マスクテーブルが走査される速度の係数Ｍ倍となる。ここに記載を行ったリソグラフィデバイスに関するさらなる情報は、参考までに記載を行うと、例えば、米国特許第ＵＳ６，０４６，７９２号から得ることが出来る。
【０００４】
リソグラフィ投影装置を使用する製造工程において、パターン（例えばマスクにおける）は少なくとも部分的に放射線感光材（レジスト）の層で覆われた基板上に像形成される。この像形成ステップに先立ち、基板は、プライミング、レジスト塗布、およびソフトベークといったような各種の工程を経る。露光後、基板は、ポストベーク（ＰＥＢ）、現像、ハードベーク、および像形成フューチャの測定／検査といったような他の工程を通る。この工程の配列は、例えばＩＣといったような素子の個々の層をパターン化するための基準として使用される。このようなパターン形成された層は、それから、全て個々の層を仕上げる目的である、エッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学機械的研磨等といった種々のプロセスを経る。数枚の層が必要とされる場合には、全体工程、もしくはその変形をそれぞれの新しい層に繰り返す必要がある。最終的に、素子のアレイが基板（ウェハ）上に形成される。次に、これらの素子はダイシングやソーイングといったような技法で相互より分離される。それから個々の素子は、キャリアに装着されたり、ピンに接続されたりし得る。こうした工程に関するさらなる情報は、参考までに例をあげると、１９９７年にマグローヒル出版会社より刊行された、Ｐｅｔｅｒ  ｖａｎ  Ｚａｎｔ著、「マイクロチップ製造：半導体処理に対する実用ガイド」という名称の書籍（“Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ  Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ  Ｐｒａｔｉｃａｌ  Ｇｕｉｄｅ  ｔｏ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ”）の第３版、ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０−４より入手可能である。
【０００５】
簡潔化の目的で、これより投影システムを「レンズ」と称するものとする。しかし、この用語は、例えば屈折光学システム、反射光学システム、および反射屈折光学システムを含むさまざまなタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。放射線システムはまた、放射線の投影ビームの誘導、整形、あるいは制御を行う、こうした設計タイプのいずれかに応じて稼動する構成要素も備えることが出来る。こうした構成要素もまた以降において集約的に、あるいは単独的に「レンズ」と称する。さらに、リソグラフィ装置は２つあるいはそれ以上の基板テーブル（および、あるいは２つもしくはそれ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものである。このような「多段」デバイスにおいては、追加のテーブルが並列して使用される。もしくは、１つ以上の他のテーブルが露光に使用されている間に予備工程が１つ以上のテーブルにて実行される。例えば、参考までに記載を行うと、デュアルステージリソグラフィ装置について、米国特許第ＵＳ５，９６９，４４１号および国際特許出願第ＷＯ９８／４０７９１号において記載がなされている。
【０００６】
リソグラフィ装置において、特に投影ビームによる露光の直後に基板を取りまく環境の汚染レベルを極小にすることは重要である。これは、基板を覆っているレジストが汚染物と反応してレジストの層を低下させるからである。基板上に形成されたデバイスの寸法が（デバイスサイズを減じるための連続的な圧力のため）減じられると、こうした汚染物に対する感度が増す。また、より低減された露光量と、従い装置のより速いスループットを可能にするため、レジストそれ自身がより敏感になるときにも感度が増す。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、基板上のレジストの汚染物に対する露光を減じることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本目的並びに他の目的は、冒頭の段落において特定したようなリソグラフィ装置において本発明に基づいて達成される。本発明は、搬送装置におけるＨ２Ｏの部分圧を１ｘ１０−２ｍｂａｒ未満に、搬送装置における炭化水素の部分圧を１ｘ１０−４ｍｂａｒ未満に、そして搬送装置におけるアンモニアのようなアミン系の部分圧を１ｘ１０−６ｍｂａｒ未満に、望ましくは１ｘ１０−７ｍｂａｒ未満になるように調整する手段を備えていることを特徴とする。
【０００９】
これにより、レジストの露光とポストエクスポージャーベーキング間のかなりの時間、基板上のレジストの汚染物に対する露光を減じる。その後には、基板は汚染物に対しそれほど敏感ではない。基板は、基板上のレジストが反応状態にある全時間にわたって、すなわち基板への塗布から現像完了まで、こうしたコントロールされた環境にある。
【００１０】
好ましくは、搬送装置における全汚染物の部分圧は１ｍｂａｒ未満である。さらに、搬送装置におけるＨ２Ｏの部分圧は好ましくは１ｘ１０−５ｍｂａｒ未満であり、搬送装置における炭化水素の部分圧は１ｘ１０−７ｍｂａｒ未満である。
【００１１】
搬送装置におけるＨ２Ｏと他の汚染物の部分圧は、搬送装置を実質的に真空にすることによって減じられる。それにより、ガスをコントロールする（例えば湿度レベルをコントロールする）必要や、搬送装置内のガスから汚染物を取り除く目的にフィルタを準備する必要がなくなる。基板テーブルが配置されているチャンバと処理装置のうちの少なくとも１つが真空にされる装置において、基板が搬送装置と他の真空にされたチャンバ間を搬送されるとき、圧力を増減させることに時間が費やされないことから、これは所要時間をかなり減じることにもなる。これは例えば乾式現像ステップが用いられる場合であろう。この場合、露光およびポストエクスポージャーベーキング（ＰＥＢ）の両方は低圧にて実行される。搬送装置もまた低圧に維持することで、基板まわりの空気圧を増減させることにかかる時間消費を回避することが出来る。従い、装置のスループットが改善される。
【００１２】
あるいは、搬送装置に実質的に汚染のないガスを供給することで、搬送装置におけるＨ２Ｏと他の汚染物の部分圧を調整することが可能である。もう一度述べると、それにより搬送装置内のガスをコントロールする必要や、フィルタリングを行う必要がなくなる。このような汚染のないガスの例に、実質的に純粋な窒素、そして合成エアー（実質的に純粋な窒素と実質的に純粋な酸素の混合）が含まれる。搬送装置におけるＨ２Ｏの部分圧を調整するこのオプションは比較的簡単に達成出来るため有利である。
【００１３】
本発明は、使用されるレジストが非常に敏感であることから、投影ビームの放射線にＥＵＶを使用する装置に特に適している。
【００１４】
好ましくは、処理装置は、基板にレジストの層を塗布すること、レジストを固定するため基板をベークすること、ベーク後に基板を冷却すること、レジストを有した基板を現像することのうちの少なくとも１つを実行する。
【００１５】
本発明のさらなる態様に基づいて、デバイスの製造方法が提供される。該デバイスの製造方法は、放射線感光材料の層により少なくとも部分的に覆われた基板を提供し、放射線システムを用いて放射線の投影ビームを供給し、パターニング手段を用いて投影ビームのその断面にパターンを与え、放射線感光材料の層の目標部分に放射線のパターン化されたビームを投影するステップとから成りここで、Ｈ２Ｏの部分圧が１ｘ１０−２ｍｂａｒ未満、炭化水素の部分圧が１ｘ１０−４ｍｂａｒ未満、そしてアンモニアのようなアミン系の部分圧が１ｘ１０−６ｍｂａｒ未満とされた搬送装置にて基板を搬送することを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明による装置の使用法に関して、本文ではＩＣの製造において詳細な参照説明を行うものであるが、こうした装置が他の多くの用途においても使用可能であることは明確に理解されるべきである。例えば、本発明による装置は、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、液晶ディスプレイパネル、薄膜磁気ヘッド等の製造に使用され得る。こうした代替的な用途においては、本文にて使用した「レチクル」、「ウェハ」、「ダイ」といった用語は、それぞれ「マスク」、「基板」、「目標部分」といった、より一般的な用語に置き換えて使用され得ることは当該技術分野の専門家にとって明らかである。
【００１７】
本明細書において使用した「放射線」および「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、あるいは１２６ｎｍの波長を有する）、およびＥＵＶ（極紫外線、例えば５ｎｍ−２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含む、あらゆるタイプの電磁放射線を網羅するものである。
【００１８】
本発明の実施の形態についての詳細説明を、添付の図面を参照に、例示の方法においてのみ行うものとする。
図において同様の部分は、同様の参照番号を付している。
【実施例１】
【００１９】
図１は、本発明の独自の実施形態に基づくリソグラフィ投影装置を示したものである。この装置は、特別な本実施形態において放射線源ＬＡも備えた、放射線の投影ビームＰＢ（例えばＥＵＶ放射線）を供給する放射線システムＥｘ、ＩＬと、マスクＭＡ（例えばレクチル）を保持するマスクホルダーを備え、かつ、品目ＰＬに対して正確にマスクの位置決めを行う第一位置決め手段に連結を行った第一オブジェクト・テーブル（マスクテーブル）ＭＴと、基板Ｗ（例えば、レジスト塗布シリコンウェハ）を保持する基板ホルダを備え、かつ、品目ＰＬに対して正確に基板の位置決めを行う第二位置決め手段に連結を行った第二オブジェクト・テーブル（基板テーブル）ＷＴと、マスクＭＡの照射部分を、基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つあるいはそれ以上のダイから成る）に像形成する投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えばミラー群）とにより構成されている。
ここで示しているように、この装置は反射タイプ（すなわち反射マスクを有する）である。しかし、一般的には、例えば透過マスクを有する透過タイプのものも可能である。あるいは、本装置は、上記に関連するタイプであるプログラマブルミラーアレイといったような、他の種類のパターニング手段も使用可能である。
【００２０】
ソースＬＡ（例えばレーザー生成プラズマソースあるいは放電プラズマソース）は放射線のビームを作り出す。このビームは、直接的に、あるいは、例えばビームエキスパンダーＥｘといったようなコンディショニング手段を横断した後に、照明システム（照明装置）ＩＬに供給される。照明装置ＩＬは、ビームにおける強度分布の外部かつ／あるいは内部放射範囲（一般的にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒに相当する）を設定する調整手段ＡＭから成る。さらに、照明装置ＩＬは一般的に積分器ＩＮおよびコンデンサＣＯといったような、他のさまざまな構成要素を備える。このようにして、マスクＭＡに照射するビームＰＢは、その断面に亘り所望する均一性と強度分布とを有する。
【００２１】
図１に関して、ソースＬＡはリソグラフィ装置のハウジング内にある（これは例えばソースが水銀ランプである場合に多い）が、しかし、リソグラフィ投影装置から離して配置することも可能であることを注記する。この場合、ソースＬＡが作り出す放射線ビームは（適した誘導ミラーにより）装置内に導かれる。この後者のシナリオでは、ソースＬＡがエキシマレーザーである場合が多い。本発明および請求項はこれら両方のシナリオを網羅するものである。
【００２２】
続いてビームＰＢはマスクテーブルＭＴ上に保持されているマスクＭＡに入射する。ビームＰＢはマスクＭＡにより選択的に反射され、基板Ｗの目標部分Ｃ上にビームＰＢの焦点を合わせるレンズＰＬを通過する。第二位置決め手段（および干渉計測手段ＩＦ）により、基板テーブルＷＴは、例えばビームＰＢの経路における異なる目標部分Ｃに位置を合わせるために正確に運動可能である。同様に、第一位置決め手段は、例えばマスクライブラリからマスクＭＡを機械的に検索した後に、あるいは走査運動の間に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めするように使用可能である。一般的に、オブジェクト・テーブルＭＴおよびオブジェクト・テーブルＷＴの運動はロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）にて行われる。これについては図１に明示を行っていない。しかし、ウェハステッパの場合（ステップアンドスキャン装置とは対照的に）、マスクテーブルＭＴはショートストロークアクチュエータに連結されるだけであるか、あるいは固定される。
【００２３】
ここに表した装置は２つの異なるモードにて使用可能である。
１．  ステップモードにおいて、マスクテーブルＭＴは基本的に静止状態に保たれている。そして、マスクの像全体が１回の作動（すなわち１回の「フラッシュ」）で目標部分Ｃに投影される。次に基板テーブルＷＴがｘ方向および／あるいはｙ方向にシフトされ、異なる目標部分ＣがビームＰＢにより照射され得る。
２．  スキャンモードにおいて、基本的に同一シナリオが適用されるが、但し、ここでは、所定の目標部分Ｃは１回の「フラッシュ」では露光されない。代わって、マスクテーブルＭＴが、速度ｖにて所定方向（いわゆる「走査方向」、例えばｙ方向）に運動可能であり、それによってビームＰＢがマスクの像を走査する。これと同時に、基板テーブルＷＴが速度Ｖ＝Ｍｖで、同一方向あるいは反対方向に運動する。ここで、ＭはレンズＰＬの倍率（一般的にＭ＝１／４あるいは１／５）である。このように、解像度を妥協することなく、比較的大きな目標部分Ｃを露光することが可能となる。
【００２４】
図２は本発明に基づく搬送装置を示したものである。この搬送装置はウェハテーブルを囲んだチャンバと、処理装置１１に取り付けられている。処理装置１１の一般的な機能は、基板の露光のために、かつ、その露光後にレジスト処理に必要なステップを実行するために基板Ｗを基板テーブルＷＴに配置する前に、基板Ｗを準備しておくことである。この目的において、処理装置１１は、基板にレジストを塗布するステップと、レジストを固定するため基板をベークするステップと、ベーク後に基板を周辺温度に戻すために基板を冷却するステップと、基板を現像してパターンを形成するステップとを実行する。搬送装置５は追加の構成要素にも取り付けすることが可能である。例えば、図２に示すように、搬送装置５は、処理装置１１の一部分ではない一体型ベーク−冷却装置１２に連結されている。さらに、基板を装置内に載置するローディングステーション１４に取り付けされている。
【００２５】
搬送装置５が一体型ベーク−冷却装置１２に連結なされている場合、放射線による露光後にベークおよび冷却工程を実行することが可能である。結果として、これらの工程を処理装置において行う必要がなくなる。
【００２６】
本発明の搬送装置５を、リソグラフィ装置が置かれている環境（通常クリーンルーム）からシーリングし、チャンバに収容している。チャンバ内では汚染物は実質的に取り除かれている。例えば、Ｈ２Ｏの部分圧は１ｘ１０−２ｍｂａｒ以下、望ましくは１ｘ１０−５ｍｂａｒ以下であり、炭化水素の部分圧は１ｘ１０−４ｍｂａｒ以下、望ましくは１ｘ１０−７ｍｂａｒ以下であり、また、アンモニアのようなアミン系の部分圧は１ｘ１０−６ｍｂａｒ以下、望ましくは１ｘ１０−７ｍｂａｒ以下である。結合した全汚染物の部分圧は１ｍｂａｒ未満である。
【００２７】
低汚染レベルを可能にするために、搬送装置５が配置されているチャンバは真空にされている。露光中、基板テーブルを収容したチャンバ１０は真空にされることから、リソグラフィ装置において投影ビームにＥＵＶ放射線を使用する場合にこれは特に有益である。ゆえに搬送装置を大気圧で稼動する場合には、各基板が搬送装置５から基板テーブルＷＴに載置された後に、基板テーブルＷＴを収容するチャンバを真空にするので時間がかかる。
【００２８】
あるいは、処理装置５を収容するチャンバにはＮ２もしくは合成エアー（実質的に純粋なＮ２と実質的に純粋なＯ２の混合）といったような、実質的に純粋なガスが供給される。かなり高水準のフィルタを提供するのはコスト高になることから、環境からガスをフィルタするのではなく、純粋なガスはガスサプライより供給される。またそうしたフィルタはかさばることもあろう。純粋なガスは、あらゆる汚染物を取り除き、処理装置５を収容するチャンバ内の環境からのどのようなガスとも移しかえられる。処理装置５を収容するチャンバ内における純粋なガスは周辺環境の圧力よりもわずかに高い圧力で維持され、処理装置５を囲んだチャンバの開口および漏れ口を通って流れるガスが、周囲環境に流れ周囲環境からガスが流入するのを防止するのを可能にする。
【００２９】
処理装置は好ましくは、（例えば、十分に真空にされた、あるいは実質的に純粋なガスで満たされた）処理装置５を収容するチャンバと類似の状態にてチャンバ内に収容されている。それにより、レジストが敏感な間、つまりポストエクスポージャーベーキングの直前、ポストエクスポージャーベーキング中、そして次の、基板が周辺温度に達するまでの冷却プロセス中における、処理装置１１内の汚染物に起因する不良のリスクを減じる。さらに、処理装置１１を搬送装置５と同状態に維持することにより、処理装置１１と搬送装置５間における基板の搬送に時間を費やさない。例えば、どの装置もそうした搬送の直前、あるいは直後に実質的に真空状態にポンプダウンされる必要がない。
【００３０】
図２に示すように、搬送装置５は、搬送装置５の異なる部分と搬送装置５に取り付けされた構成物１０、１１、１２、１３、１４間にて基板を搬送する複数の基板ハンドリングロボット１５により構成される。しかし、状況により、搬送装置はシングルウェハハンドリングロボット１５により構成されるか、コンベアベルトといったような他の搬送装置により構成されることが理解されよう。
【００３１】
以上、本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明の範囲を逸脱することなく他の方法でも具体化できることは当業者にとって明らかである。本詳細説明は本発明を制限する意図ではない。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の実施例が用いられるリソグラフィ投影装置を示したものである。
【図２】本発明に基づく搬送装置を示したものである。
【図１】
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【図２】
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【外国語明細書】
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