(57)【要約】【課題】半導体ウェハ上にＴＥＧパターンと製品パターンとを的確かつ効率良く露光し、遮光帯による不具合が発生しないようにして製品のスループットを向上させる。【解決手段】イオン注入工程や比較的薄い膜（数１０００Å程度の膜）のエッチング工程においては、製品パターン１とＴＥＧパターン２とが遮光帯によって隔てられた構成のレチクル（第１のレチクル）を用いて露光を行う一方、比較的厚い膜（約１μｍ以上の膜）のエッチング工程、アルミ電極工程、パッシベーション工程においては、第２のレチクル２０を用いて製品パターンとＴＥＧパターンとを別々に露光する。このとき、ＴＥＧパターンの露光の際に、光は光透過部４を透過して、前工程で遮光帯に遮られてレジストが残った部分（製品チップとＴＥＧチップとの間）にも露光が行われるようにすることによって、１ショットで、ＴＥＧパターンの露光と遮光帯によるレジスト残り部の露光とを同時に行う。【選択図】        図２
2004252064.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの異なるパターンが隣接して形成されたレチクルであって、
１回の露光で、前記２つの異なるパターンのうちのいずれか一方の露光と、前記露光の対象となる半導体ウェハ面内に形成される隣接したチップ間の露光とを同時に行えるよう構成されているレチクル。
【請求項２】
前記隣接したチップ間の露光を行うための光透過部が設けられている請求項１に記載のレチクル。
【請求項３】
前記半導体ウェハへの露光に用いられる別のレチクル上に設けられた遮光帯の大きさを基準として前記光透過部の大きさが定められており、前記遮光帯により露光されなかった前記チップ間のレジストの残りを露光するよう構成されている請求項２に記載のレチクル。
【請求項４】
１回の露光で、所定のパターンの露光と、前記露光の対象となる半導体ウェハ面内に形成される隣接したチップ間の露光とを同時に行えるよう構成されているレチクルを用いたホト工程を有する半導体ウェハ露光方法。
【請求項５】
比較的厚い膜のエッチング工程で前記ホト工程を行う請求項４に記載の半導体ウェハ露光方法。
【請求項６】
比較的薄い膜のエッチング工程では、異なるパターンが遮光帯を隔てて隣接して形成されたレチクルを用いたホト工程を行う請求項５に記載の半導体ウェハ露光方法。
【請求項７】
前記比較的薄い膜のエッチング工程で前記遮光帯により露光されなかった前記チップ間のレジストの残りを、前記比較的厚い膜のエッチング工程で露光する請求項６に記載の半導体ウェハ露光方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路チップ又はディスクリート半導体素子チップなどの半導体製品チップ（以下、半導体チップと称す）の製造に用いるレチクル及びこのレチクルを用いた半導体ウェハ露光方法に関し、さらに詳しくは、１つの半導体ウェハ上の任意の位置に、半導体チップとＴＥＧ（Ｔｅｓｔ  Ｅｌｅｍｅｎｔ  Ｇｒｏｕｐ：テスト・エレメント・グループ）チップとを転写するものに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体ウェハ上には、半導体チップと共に、製造工程条件を監視するためのモニター素子により構成されるＴＥＧチップが形成される。そして、半導体ウェハ毎にＴＥＧチップ内の各種モニター素子の特性データを収集することによって、完成した半導体ウェハの良否判別が行われ、この判別結果に基づいて、製造工程の条件の確認、維持、補正などを行うことが可能となる。
【０００３】
半導体ウェハの製造方法の工程では、半導体ウェハ表面にレジスト（感光剤）をコーティングし、縮小投影露光装置（以下、ステッパと称す）を用いてレチクル内のマスクパターンを半導体ウェハ上に転写し、現像を行って感光した部分を露出させるホト工程が行われる。なお、エッチング工程、アルミ電極工程、パッシベーション工程などの半導体ウェハの様々な製造工程において、ホト工程は繰り返し行われる。また、レチクル内のマスクパターンには、半導体ウェハを微細加工するため、半導体チップの実寸法の５倍程度のものが使用される。
【０００４】
上記のホト工程のうち、ステッパによる転写を行うステッパ露光工程では、半導体チップとＴＥＧチップとを同一の半導体ウェハ上に形成していくが、ＴＥＧチップを必要以上に多くしないこと、ＴＥＧチップを入れない場合に比べてステッパ露光工程に要する時間を必要以上に増やさないことが、製品のスループットを落とさないようにする要因となる。
【０００５】
ところで、同一半導体ウェハ上に製品パターンとＴＥＧパターンとを転写する方法としては、以下の第１〜第３の方法が挙げられる。
【０００６】
（第１の方法）
製品パターンのみが配置されたレチクル（第１のレチクル）と、ＴＥＧパターンのみが配置されたレチクル（第２のレチクル）とを用意する。そして、まず、第１のレチクルを使用して半導体ウェハ上に製品パターンを露光し、続いて、第１のレチクルから第２のレチクルに交換して、第２のレチクルを使用して半導体ウェハ上にＴＥＧパターンを露光することによって、同一半導体ウェハ上に製品パターンとＴＥＧパターンとを転写する。
【０００７】
（第２の方法）
同一レチクル上に一定幅の遮光帯を隔てて製品パターンとＴＥＧパターンとが配置されたレチクルを用意し、その製品の全工程分に使用して半導体ウェハの露光処理を行う。なお、製品パターンとＴＥＧパターンとを隔てる遮光帯は、製品パターンとＴＥＧパターンとを別々に半導体ウェハ上に露光するために配置されており、製品パターンを露光する場合には、ＴＥＧパターンが露光されないようにして製品パターンのみを露光する処理を行い、ＴＥＧパターンを露光する場合には、製品パターンが露光されないようにしてＴＥＧパターンのみを露光する処理を行う。
【０００８】
（第３の方法）
上記の第２の方法と同様のレチクルを使用し、製品パターンを露光する場合には、ＴＥＧパターンが露光されないようにして製品パターンのみを露光する処理を行い、一方、ＴＥＧパターンを露光する場合には、同一レチクル内に配置されている製品パターンも同時に露光する処理を行う。すなわち、ＴＥＧパターン露光時には、レチクル全体を露光することとなる。
【０００９】
なお、上述の第１の方法は下記の特許文献１、上述の第２の方法は下記の特許文献１及び２、上述の第３の方法は下記の特許文献３のそれぞれに示唆されているものである。
【００１０】
【特許文献１】
特開平５−２９１１０６号公報（段落０００３、０００４、図６、図７）
【特許文献２】
特開平１０−５０５７２号公報（段落０００５〜００２４、図９、図１０）
【特許文献３】
特許第２７１５４６２号（第１図、第２図）
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の従来の技術における第１〜第３の方法では、以下に示す課題が存在する。
【００１２】
（第１の方法における課題）
第１の方法では、２枚のレチクル（第１のレチクル及び第２のレチクル）を使用するため、半導体製造工程における各ホト工程に必要なレチクルを２枚ずつ作成しなければならず、コストが高くなる。また、露光の際にも、レチクルの洗浄、交換などの各作業を１枚ずつ行わなければならず、多くの準備期間及び工数が必要となる。
【００１３】
（第２の方法における課題）
第２の方法では、製品パターンとＴＥＧパターンとが１枚のレチクルに形成されているため、洗浄、交換などの各作業は１回で済むという利点はあるが、１回の露光によって半導体ウェハ上に転写される製品数が減少するため、１回のホト工程での露光回数（ショット数）が増加してスループットが低下する。さらに、ＴＥＧパターンは製品パターンとは別に露光されるため、スループットは半導体ウェハ内のＴＥＧチップの個数分だけ低下する。
【００１４】
（第３の方法における課題）
第３の方法では、第２の方法と同様に、製品パターンとＴＥＧパターンとが１枚のレチクルに形成されているため、１回の露光で半導体ウェハ上に転写される製品数が減少し、１回のホト工程での露光回数（ショット数）が増加してスループットが低下する。しかし、ＴＥＧパターンは製品パターンと同時に露光されるため、第２の方法に見られるほど、ＴＥＧチップの形成によるスループットの低下は生じない。
【００１５】
しかしながら、第３の方法では、ＴＥＧパターンと製品パターンとを同時に露光するため、レチクル内で製品パターンとＴＥＧパターンとを分離する遮光帯が半導体ウェハ上に転写されてしまう場合があり、特に、ポジレジストを用いて感光を行った場合、半導体ウェハには、ＴＥＧチップと製品チップとの間にレジスト残り部として帯状に遮光帯が転写されてしまう。
【００１６】
半導体製造工程のホト工程は、イオン注入時やエッチング時のマスクとしてレジスト形成を行うものであるが、上記の遮光帯の遮光によってレジストに遮光帯転写部（遮光帯の影のパターン）が残ってしまうことは、特に、エッチング工程において、以下のような不具合を生じさせる。エッチング工程では、半導体ウェハ上に被エッチング膜（例えば、アルミ膜）を形成する。この半導体ウェハに対して、第３の方法によって露光及びエッチングを行った場合、ＴＥＧチップと製品チップとの間に遮光帯転写部によるアルミ膜が残ってしまう。
【００１７】
したがって、この後、半導体ウェハ上に保護膜（例えば、Ｐ−ＳｉＮ膜）を形成し、第３の方法によって半導体ウェハを露光すると、前工程で残ったアルミ膜の段差部が影響してレジストが十分露光できず、この段差部に沿ってレジスト残り部が発生する。この状態でエッチングを行うと保護膜のエッチングが十分に行われず、エッチングの残りによる外観不良が生じたり、保護膜がひげ状に残ってボンディングパッド上に乗り接続不良となって、製品の歩留まりを低下させたりすることになる。
【００１８】
本発明は、上記課題を解決するため、半導体ウェハ上にＴＥＧパターンと製品パターンとを的確かつ効率良く露光し、遮光帯による不具合が発生しないようにして製品のスループットを向上させるレチクル及び半導体ウェハ露光方法を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、１回の露光で、２つの異なるパターンのうちのいずれか一方の露光と、露光の対象となる半導体ウェハ面内に形成される隣接したチップ間の露光とを同時に行えるよう構成されているレチクルが提供される。
この構成により、半導体ウェハ面内に形成される隣接したチップ間に製品のスループットを低下させる原因となるレジストが残っている可能性がある場合、チップの露光を行いながら、同時にレジストの残り部の露光も行うことが可能となり、確実かつ効率よく露光処理を行って、製品のスループット低下を抑えることが可能となる。
【００２０】
また、請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の発明において、レチクルに、隣接したチップ間の露光を行うための光透過部が設けられている。
この構成により、レチクルの面に照射される光を、半導体ウェハ面上の所望の箇所にのみ確実に露光されるようにすることが可能となり、隣接したチップ間の露光を行うことが可能となる。
【００２１】
また、請求項３に記載の発明では、請求項２に記載の発明において、半導体ウェハへの露光に用いられる別のレチクル上に設けられた遮光帯の大きさを基準として、レチクルの光透過部の大きさを定め、遮光帯により露光されなかったチップ間のレジストの残りを露光できるよう構成されている。
この構成により、遮光帯により露光されなかった箇所に発生する可能性があるレジストの残りを露光し、レジストの残り部が原因となって形成される段差部（例えば、アルミ膜の段差部）の発生をなくして、製品のスループット低下の要因を抑えることが可能となる。
【００２２】
また、請求項４に記載の発明では、１回の露光で、所定のパターンの露光と、露光の対象となる半導体ウェハ面内に形成される隣接したチップ間の露光とを同時に行えるよう構成されているレチクルを用いたホト工程を実施するようにしている。
これにより、半導体ウェハ面内に形成される隣接したチップ間に製品のスループットを低下させる原因となるレジストが残っている可能性がある場合、チップの露光を行いながら、同時にレジストの残り部の露光も行うことが可能となり、確実かつ効率よく露光処理を行って、製品のスループット低下を抑えることが可能となる。
【００２３】
また、請求項５に記載の発明では、請求項４に記載の発明において、比較的厚い膜のエッチング工程で、所定のパターンの露光と、露光の対象となる半導体ウェハ面内に形成される隣接したチップ間の露光とを同時に行うホト工程を実施するようにしている。
これにより、特に、比較的厚い膜のエッチング工程で生じやすい段差部の発生を抑制し、製品のスループット低下の要因を抑えることが可能となる。
【００２４】
また、請求項６に記載の発明では、請求項５に記載の発明において、比較的薄い膜のエッチング工程では、異なるパターンが遮光帯を隔てて隣接して形成されたレチクルを用いたホト工程を実施するようにしている。
これにより、隣接したチップ間のレジストの残りによる影響が少ない比較的薄い膜のエッチング工程では、遮光帯を有するレチクルを用いて、露光回数を最小限に抑えることが可能となる。
【００２５】
また、請求項７に記載の発明では、比較的薄い膜のエッチング工程で遮光帯により露光されなかったチップ間のレジストの残りを、比較的厚い膜のエッチング工程で露光するようにしている。
これにより、比較的厚い膜のエッチング工程ではレジストの残り部が製品のスループットに影響を及ぼすおそれがあるため、比較的薄い膜のエッチング工程で発生した遮光帯によるレジストの残り部を比較的厚い膜のエッチング工程で露光し除去することが可能となる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、本発明の半導体ウェハ露光方法について説明する。図１は、本発明の半導体ウェハ露光方法に用いられるレチクルの一構成例を示す平面図であり、イオン注入工程や比較的薄い膜（数１０００Å程度の膜）をエッチングするエッチング工程の際のホト工程に用いられる第１のレチクルを示すものである。なお、以下では、図１に示すレチクルを第１のレチクル１０と呼ぶ。
【００２７】
第１のレチクル１０には、製品パターン１が縦に４個、横に５個配列されており（以下、この配列している部分を製品パターン配列部と呼ぶ）、製品パターン配列部の上部に、ＴＥＧパターン２が形成されている。なお、第１のレチクル１０のＴＥＧパターン２の形状は、その下部にある製品パターン配列部（縦に４個、横に５個の配列をなす製品パターン１全体の領域）の形状と同一となるよう設計されている。第１のレチクル１０を用いて半導体ウェハ上にＴＥＧパターン２を露光した場合、縦２チップ、横５チップの領域内にＴＥＧパターン２が転写される。なお、ＴＥＧパターン２は、製品パターン配列部よりも小さいことが好ましい。また、第１のレチクル１０には、ＴＥＧパターン２と製品領域との間に、遮光帯３が形成されている。
【００２８】
第１のレチクル１０を用いた露光方法（以下、第１の露光方法と呼ぶ）では、製品露光時には製品パターン配列部の４辺の遮光帯３にシャッタを合わせ、ＴＥＧパターン２は露光されないようにし、ＴＥＧパターン２を露光する際には、製品パターン配列部をまだ露光されていない半導体ウェハ上に合わせながらＴＥＧパターン２の露光の位置決めを行い、第１のレチクル１０の４辺の遮光帯３にシャッタを合わせ、ＴＥＧパターン２と製品パターン１とを同一ショットで露光する。この際、ＴＥＧパターン２と製品パターン１との間の遮光帯３が半導体ウェハ上にレジスト残り部として転写される。このレジスト残り部は、イオン注入工程ではイオン注入されない領域となり、比較的薄い膜をエッチングするエッチング工程では、被エッチング膜が残る領域となってしまうが、イオン注入工程及び比較的薄い膜のエッチング工程では、後工程のエッチング工程において製品の外観や製品のスループットに影響を与えるような問題を引き起こすことはなく、また、後述の第２のレチクル２０によって、レジスト残り部は完全に露光されることとなるため、この段階では無視することができる。
【００２９】
上記のように、イオン注入工程や比較的薄い膜のエッチングを行うエッチング工程では、半導体ウェハ上に転写されたＴＥＧチップと製品チップとの間の遮光帯３のレジスト残り部はスループットに直接影響を及ぼすことはない。しかしながら、比較的厚い膜のエッチングを行う必要があるアルミ電極工程やパッシベーション工程などの各工程では、レジスト残り部は、製品不良を引き起こし、そのスループットに影響を及ぼしてくる。
【００３０】
比較的厚い膜のエッチング工程では、レジスト残り部にレジストが乗っているために膜はエッチングされず、この領域部分が残ってしまう。そのため、次のホト工程において、レジスト塗布後にレチクルを用いて露光を行った場合、この比較的厚い膜の段差部が影響して、段差部に沿って、本来除去されるべきレジストが残ってしまい、外観不良などの不具合が発生することになる。
【００３１】
図２は、本発明の半導体ウェハ露光方法に用いられるレチクルの一構成例を示す平面図であり、比較的厚い膜（約１μｍ以上の膜）をエッチングするエッチング工程の際のホト工程に用いられる第２のレチクルを示すものである。なお、以下では、図２に示すレチクルを第２のレチクル２０と呼ぶ。
【００３２】
図１に示す第１のレチクル１０と同様に、製品パターン１とＴＥＧパターン２との間には遮光帯３が設けられており、第２のレチクル２０を用いて半導体ウェハ上にＴＥＧパターン２を露光した場合、縦２チップ、横５チップの領域にＴＥＧパターン２が転写される。このＴＥＧパターン２の領域の外周部（ＴＥＧパターン外周部）には、転写の際の露光を透過する光透過部４が配置されている。なお、光透過部４には光透過性を有する部材を配置することも可能であり、また、空隙を設けることによって光透過できるようにすることも可能である。
【００３３】
この光透過部４は、第１のレチクル１０（図１）で発生したレジスト残り部を完全に露光できるようにすることを目的としており、図３を用いて後述するが、ＴＥＧパターン外周部の形状及び大きさは、縦２チップ、横５チップ分の領域（又は、露光の重なりを考慮して設定されるフレーム分の幅（約１μｍ）の誤差を許容する領域）を過不足なく包括していることが好ましい。
【００３４】
第２のレチクル２０を用いた露光方法（以下、第２の露光方法と呼ぶ）では、製品露光時には製品パターン配列部の４辺の遮光帯３にシャッタを合わせ、ＴＥＧパターン２は露光されないようにする。すなわち、製品露光時の露光方法は、第１のレチクル１０における露光方法と同一である。続いて、ＴＥＧパターン２を露光する際には、ＴＥＧパターン外周部（すなわち、光透過部４の外周を形成する４辺）の遮光帯３にシャッタを合わせて露光を行う。この際、半導体ウェハ面上の製品が露光された領域の上端とＴＥＧパターン外周部の１辺（図２でαによって指し示された１辺）とが一致するように、ステッパの半導体ウェハ送り量を設定する。
【００３５】
上記のように第２の露光方法を行うことによって、第１のレチクル１０（図１）により必然的に生じてしまう遮光帯３のレジスト残り部を露光し、除去することが可能となるので、比較的厚い膜でのエッチング工程で段差部が生じることがなく、その後のホト工程で、レジストを塗布し露光した際においても、レジスト残り部の原因となる段差部によるレジストの残りは発生しないようになる。
【００３６】
次に、図３を参照しながら、第２のレチクル２０によるＴＥＧパターン２の露光について説明する。図３は、本発明に係る第１のレチクルを用いた第１の露光方法によって、半導体ウェハ面内に１つのＴＥＧチップが形成された露光パターン状態を示す模式図である。
【００３７】
第１のレチクル１０を用いて半導体ウェハ面内にＴＥＧチップを形成する場合、第１のレチクル１０全体に光を照射して、ＴＥＧパターン２と製品パターン１とを同一ショットで露光するので、ＴＥＧパターン２と製品パターン配列部との間の遮光帯３が半導体ウェハ上への露光を遮って、レジスト残り部（図３の黒塗り部分）として残ってしまう。このレジスト残り部を残したまま製品化した場合には外観不良や接続不良が起こってしまい、製品のスループットが低下してしまうが、本発明では、第２のレチクル２０を用いたＴＥＧパターン２及び光透過部４を通じた露光によって、レジスト残り部を感光させる。
【００３８】
第２のレチクル２０を用いて半導体ウェハ面内のＴＥＧ領域を露光する場合、半導体ウェハ面上の製品が露光された領域の上端とＴＥＧパターン外周部の１辺（図２でαによって指し示された１辺）とが一致するように設定して露光する。このとき、図１に示された長さａ、ｂ、ｃ及び図２に示された長さｄ、ｅ、ｆとを比較すればわかる通り、ａ＝ｄ、ｂ＝ｅの関係となるよう第１及び第２のレチクル１０、２０を設計しておけば、ＴＥＧチップと製品チップ間のレジスト残り部が感光されて、レジスト残り部の影響による不具合を払拭することが可能となる。なお、さらにｃ＝ｆにすれば、第２のレチクル２０のＴＥＧパターン外周部の露光時に、レジスト残り部のみを露光することが可能となるが、送り量の設定が複雑になったり製品の配列が乱れたりすることになるので、チップのサイズを基準として、ＴＥＧパターン外周部のサイズを縦２チップ、横５チップ分とすることが好ましい。
【００３９】
次に、図４を参照しながら、本発明に係る第１及び第２のレチクルを用いた半導体ウェハ露光方法を実施した場合の露光回数について説明する。図４は、本発明に係る第１のレチクルによって露光を実施した場合の露光マップの一例を示す模式図である。ここでは、１枚の半導体ウェハ面内の５点（上下左右及び中央）にＴＥＧチップを形成する場合を例に挙げて説明する。
【００４０】
図４では、１チップの製品チップの領域は点線で示されており、露光時に配置される第１のレチクル１０の位置は２重線で示されている。また、ＴＥＧチップの領域を交差斜線で示すことにするが、正確には、斜線で示された場所には、ＴＥＧチップとレジスト残り部が存在することになり、図３を用いて示した通り、このレジスト残り部は第２のレチクル２０を用いた第２の露光方法の実施時に、光透過部４によって感光される。
【００４１】
前述のように、第１のレチクル１０を用いた第１の露光方法では、ＴＥＧチップを露光する場合には、同時に製品の露光も行うよう第１のレチクル１０の位置決めを行って、１ショットでＴＥＧパターン２及び製品パターン１の露光を行う。上記の第１の露光方法の露光回数は、従来の技術で説明した第１及び第２の方法の露光回数と比較して、かなり少ない回数で効率よく転写を行うことが可能となっている。なお、第２の露光方法では、従来の技術及び本発明共に、製品チップとＴＥＧチップとの転写をそれぞれ独立して行っているので、第２の露光方法による露光回数は、従来の技術及び本発明共に同一となる。
【００４２】
以下に、露光回数について具体的に説明する。従来の第１及び第２の方法では、すべてのホト工程において（製品パターン配列部の露光回数＋ＴＥＧパターン２の露光回数）の露光回数だけ露光を行う必要がある。一方、本発明では、本発明の第２の露光方法を実施するホト工程では、従来と同様に（製品パターン配列部の露光回数＋ＴＥＧパターン２の露光回数）の露光回数だけ露光を行う必要があるが、本発明の第１の露光方法を実施するホト工程では（製品パターン配列部の露光回数）だけの露光でよく、すなわち、ＴＥＧパターン２のみの露光回数はゼロである。
【００４３】
なお、従来の第３の方法では、理論的にはすべてのホト工程において（製品パターン配列部の露光回数）のみの露光でよいが、レジスト残り部によるスループットの低下が発生してしまうという新たな問題が生じる。本発明は、第２のレチクル２０に光透過部４を配置したことによって、レジスト残り部によるスループットの低下を抑え、さらに、従来の第３の方法の問題点を解決しながら、露光回数の減少に成功するものである。
【００４４】
また、上記の実施の形態では、縦４チップ、横５チップのサイズの製品パターン配列や、縦２チップ、横５チップのサイズのＴＥＧパターン２が記載されているが、これらは一例であり上記の個数に限定されるものではない。また、レチクル上の製品パターン１やＴＥＧパターン２の配置位置も任意の位置に設定可能である。さらに、本発明の第２のレチクル２０上に設けられる光透過部４は、少なくとも半導体ウェハ面に転写されるＴＥＧチップと製品チップとの間のレジスト残り部を感光可能なように設けられることが条件であり、例えば、第２のレチクル２０のＴＥＧパターン２と製品パターン配列部との間に、光透過性を有する部材や空隙を配置することによって、この条件を満たすことが可能である。また、上記の実施の形態では、レチクルには製品パターン１とＴＥＧパターン２の２種類が配置されているが、生産すべき半導体ウェハに応じて、これらのパターンの種類やその数を任意に設定することが可能である。
【００４５】
以上説明したように、本発明によれば、半導体ウェハ面内に形成される隣接したチップ間に製品のスループットを低下させる原因となるレジストが残っている可能性がある場合、チップの露光を行いながら、同時にレジストの残り部の露光も行うので、確実かつ効率よく露光処理を行って、製品のスループット低下を抑えることが可能となる。また、半導体製造工程にて用いられる１組のレチクルセットのうち、比較的厚い膜（約１μｍ以上）のエッチング工程で用いられるレチクルに、半導体ウェハ面内のＴＥＧチップと製品チップとの間の遮光帯３によって露光されなかった箇所への露光を可能とする光透過部４を設け、このレチクルを用いて製品チップとＴＥＧチップとを別ショットにて露光することによって、前工程で生じたレチクルの遮光帯３による未露光箇所を感光することが可能となる。これにより、従来の技術では、必然的に発生していたレジスト残り部をなくし、例えば、遮光帯の影によって生じていた比較的厚い膜（アルミ膜）の残りをなくすことが可能となる。また、レジスト残り部が生じる原因となると思われるエッチング工程での露光やアルミ膜のホト工程についてのみ、製品チップとＴＥＧチップとを別ショットで露光、形成し、それ以外の工程については、製品チップとＴＥＧチップとを同一ショットで露光することによって、スループットの低下をごくわずかに抑えることが可能になるとともに、無駄に露光回数を増加させず、効率のよい半導体製造工程を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体ウェハ露光方法に用いられるレチクルの一構成例を示す平面図であり、イオン注入工程や比較的薄い膜（数１０００Å程度の膜）をエッチングするエッチング工程の際のホト工程に用いられる第１のレチクルを示すものである。
【図２】本発明の半導体ウェハ露光方法に用いられるレチクルの一構成例を示す平面図であり、比較的厚い膜（約１μｍ以上の膜）をエッチングするエッチング工程の際のホト工程に用いられる第２のレチクルを示すものである。
【図３】図３は、本発明に係る第１のレチクルを用いた第１の露光方法によって、半導体ウェハ面内に１つのＴＥＧチップが形成された露光パターン状態を示す模式図である。
【図４】図４は、本発明に係る第１のレチクルによって露光を実施した場合の露光マップの一例を示す模式図である。
【符号の説明】
１  製品パターン
２  ＴＥＧパターン
３  遮光帯
４  光透過部
１０  第１のレチクル
２０  第２のレチクル
【図１】
2004252064.tif 000003
【図２】
2004252064.tif 000004
【図３】
2004252064.tif 000005
【図４】
2004252064.tif 000006