(57)【要約】【課題】別途ハードウェアを用いることなく、基板の一方の側に、基板の他方の側に設けたマーカと整合させて、改善された精度で、プリントを行なうことができるデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】第１表面１０ａ、第２表面１０ｂを有する第１基板Ｗを用意する段階と、基板の第１表面に、少なくとも１つの反転アライメント標示１〜８のパターンを付与する段階と、アライメント標示の上に保護層１１を設ける段階と、第１基板の第１表面を、第２基板ＣＷに接合する段階と、第１基板を保護層まで局所的にエッチングして、反転アライメント標示の周囲に堀溝１７を形成する段階と、表裏位置合わせ装置を有するリソグラフ投影装置を用い、堀溝内に見えるアライメント標示に基板を整合させて、第２表面に、パターン付与された少なくとも１つの層１５を形成する段階とを含むデバイスの製造方法。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２の表面を有する第１の基板を用意する段階と、
前記基板の前記第１の表面に、少なくとも１つの反転アライメント・マーカのパターンを付与する段階と、
前記アライメント・マーカの上に保護層を設ける段階と、
前記第１の基板の前記第１の表面を、第２の基板に接合する段階と、
前記第１の基板を前記保護層まで局所的にエッチングして、前記反転アライメント・マーカの周囲に堀溝を形成する段階と、
表裏位置合わせ装置を有するリソグラフ投影装置を用い、前記堀溝内に見えるアライメント・マーカに前記基板を整合させて、前記第２の表面に、パターン付与された少なくとも１つの層を形成する段階とを含むデバイスの製造方法。
【請求項２】
前記堀溝の形成に利用するエッチングに対して選択的であって、エッチング停止層を形成する材料、たとえばＳｉＯ2で、前記保護層が形成される請求項１に記載されたデバイスの製造方法。
【請求項３】
前記堀溝内に現れたマーカの視認性を高めるために、前記接合段階の前に、前記保護層の上に反射層、たとえばＡｌ層を形成する段階をさらに含む請求項１または請求項２に記載されたデバイスの製造方法。
【請求項４】
前記接合段階の前に、第１の表面の内部および／または第１の表面に、デバイスを形成する段階をさらに含む請求項１、請求項２または請求項３に記載されたデバイスの製造方法。
【請求項５】
前記保護層、および／または、任意的に付与した前記反射層が、必要に応じて局所的に除去された介在層とともにデバイス層の一部として形成される請求項４に記載されたデバイスの製造方法。
【請求項６】
前記第１の表面部分に構造体を位置合わせするために用いられる通常のアライメント・マーカが、前記反転アライメント・マーカと同じ段階で印刷される請求項４または請求項５に記載されたデバイスの製造方法。
【請求項７】
局所的なエッチングを行なう前記段階が、
前記第２の表面にエッチング抵抗層、たとえば酸化層、を形成する副段階と、
前記エッチング抵抗層上に放射線感応レジスト層を配置する副段階と、
前記マーカの上位に開口が形成されるように、前記レジスト層にパターン付与を行ない、かつ現像する副段階と、
前記開口内の前記エッチング抵抗層を除去する副段階とを含む請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載されたデバイスの製造方法。
【請求項８】
前記接合段階の後に、前記第１の基板の厚さをたとえば研削によって薄くする段階をさらに含む請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載されたデバイスの製造方法。
【請求項９】
前記アライメント・マーカが、プロセス層にパターンを形成する使用される装置と同じ装置を使用してパターン付与される請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載されたデバイスの製造方法。
【請求項１０】
パターン付与された少なくとも１つの層を前記第２の表面に形成する前記段階が、前記堀溝内に見える前記アライメント・マーカに対して既知の位置に、少なくとも１つの別のアライメント・マーカを形成することを含む請求項１から請求項９までのいずれか一項に記載されたデバイスの製造方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載されたデバイスの製造方法によって製造されたデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、
放射投影ビームを供給する放射系と、
所望のパターンに従って投影ビームにパターンを付与するパターン付与手段と、
基板を保持する基板テーブルと、
パターンが付与された投影ビームを、基板の第１の面の標的部分に結像させる投影系とを有するリソグラフ投影装置を用いたデバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフ装置は、基板の標的部分に所望のパターンを付与する機械である。リソグラフ装置は、たとえば集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。この場合、マスクなどのパターン付与手段を用いて、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを発生させ、このパターンを、放射線感応材料（レジスト）の層を有する基板（たとえばシリコン・ウェーハ）の標的部分（たとえば１つまたは複数のダイを含む部分）に結像させることができる。一般に単一の基板は、連続して露光された隣接する標的部分のネットワークを含む。知られているリソグラフ装置には、１つの標的部分にパターン全体を一度に露出することによってそれぞれの標的部分に照射するいわゆるステッパ、および投影ビームによってパターンを与えられた方向（「走査」方向）に走査し、同時にこの方向に平行にまたは非平行に基板を同期走査させるによってそれぞれの標的部分に照射するいわゆるスキャナ、が含まれる。
【０００３】
アライメント（位置合せ）は、マスク上の特定の点の像を、露光先ウェーハの表面の特定の点に配置するプロセスである。一般に、小パターンなどの１つまたは複数のアライメント・マークが、基板とマスクにそれぞれ提供される。デバイスは、複数の中間処理段階を有する連続した露光によって構築された多くの層から成ることができる。それぞれの露光の前には、今回の露光と以前の露光との間の位置の誤差を最小化するため、基板上のマーカ（目印または標示）とマスク上のマーカの間のアライメントが実施される。この誤差は重ね合せ誤差と呼ばれている。
【０００４】
いくつかのデバイス、たとえばマイクロ−エレクトロ−メカニカル・システム（ＭＥＭＳ）およびマイクロ−オプトエレクトロ−メカニカル・システム（ＭＯＥＭＳ）では、リソグラフ・プロセスを使用して基板の両面に構造を作り出すことができることが望ましく、基板の両面の構造は多くの場合に、互いに整列している必要がある。このことは、リソグラフ装置が、基板の表側に投影するパターンを、裏側のアライメント・マーカに合わせる必要があることを意味する。これは、裏側マーカの像を基板の表側に投影する追加のハードウェア、たとえば光学部品を用いて、または透明な基板を使用して達成することができる。シリコン基板では赤外放射を使用することができるが、赤外放射の精度は限定されたものであり、望ましくないことにウェーハが加熱される可能性がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、別途ハードウェアを用いることなく、基板の一方の側に、基板の他方の側に設けたマーカと整合させて、改善された精度で、印刷（プリント）を行なうことができるデバイスの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、前記目的およびその他の目的は、以下の方法によって達成される。
第１および第２の表面を有する第１の基板を用意する段階と、
前記基板の前記第１の表面に、少なくとも１つの反転アライメント・マーカのパターンを付与する段階と、
前記アライメント・マーカの上に保護層を設ける段階と、
前記第１の基板の前記第１の表面を、第２の基板に接合する段階と、
前記第１の基板を前記保護層まで局所的にエッチングして、前記反転アライメント・マーカの周囲に堀溝（トレンチ：trench）を形成する段階と、
表裏位置合わせ装置を有するリソグラフ投影装置を用い、前記堀溝内に見えるアライメント・マーカに前記基板を整合させて、前記第２の表面に、パターン付与された少なくとも１つの層を形成する段階とを含むデバイスの製造方法。
【０００７】
このエッチングによって、第１の表面に形成された反転アライメント・マーカを、リソグラフ投影装置が容易に位置合せすることができる通常の向きのアライメント・マーカとして出現させる。したがって、表側に印刷されたマーカに直接に整列したパターンを、基板の裏側に印刷することができる。
【０００８】
マーカの形状に整合する保護層は、堀溝の形成に使用するエッチングに対して選択的であって、エッチング停止層を形成する材料、たとえばＳｉＯ2で形成することが好ましい。堀溝内に見えるマーカの視認性を高めるために、（接合前に）保護層の上に反射層、たとえばＡｌ層を形成してもよい。
【０００９】
第２の表面にエッチング抵抗層、たとえば酸化層を形成し、エッチング抵抗層上に放射線感応レジスト層を設け、前記マーカの上方に開口が形成されるように前記レジスト層にパターン付与し、これを現像して、前記開口内の前記エッチング抵抗層を除去することによって、エッチング段階を局所化することができる。レジストにパターン付与して開口を形成するのに、マーカの位置はおおまかに見つければよく、これは、基板の第２の面から赤外マーク・センサを使用して十分な精度で実施することができる。
【００１０】
基板を第２の（担体）基板に接合する前に、第１の表面部分（内部および／または表面）に周知の技法を使用してデバイスを形成することができる。保護層および任意選択の反射層は、特別に形成するのではなしに、必要に応じて局所的に除去された介在層とともにデバイス層の一部として形成することができる。
【００１１】
第１の表面の内部または第１の表面の構造のアライメントに使用される通常のアライメント・マーカを、第２の表面に形成される構造の位置合せに使用する反転アライメント・マーカと同じ段階で印刷することができる。このようにして、通常のマーカと反転マーカの位置関係、したがって第１の表面の構造と第２の表面の構造の位置関係を保証することができる。
【００１２】
接合後に、第１の基板の厚さをたとえば研削によって薄くすることができる。
【００１３】
本明細書では、ＩＣ製造におけるリソグラフ装置の使用について特に言及したが、本明細書に記載のリソグラフ装置は、たとえば、集積光学系の製造、磁区メモリの誘導および検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの他の用途にも適用できることを理解されたい。このような代替適用の文脈において、本明細書における用語「ウェーハ」または「ダイ」は、それぞれ、より一般的な用語「基板」または「標的部分」と同義とみなすことができることを当業者は理解されたい。本明細書で言及した基板は、露光の前または後に、たとえばトラック（一般に基板にレジスト層を適用し露光されたレジストを現像するツール）あるいは測定または検査ツールで処理することができる。適用可能な場合には、本明細書の開示を、このような基板処理ツールおよび他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、たとえば多層ＩＣを製造するために基板は２回以上処理することができる。そのため、本明細書で使用する用語「基板」は、処理された複数の層をすでに含む基板のことも指す。
【００１４】
本明細書で使用する用語「放射」および「ビーム」は、紫外（ＵＶ）放射（たとえば波長３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの放射）、極紫外（ｅｘｔｒｅｍｅ  ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ：ＥＵＶ）放射（たとえば波長５〜２０ｎｍの放射）、およびイオン・ビーム、電子ビームなどの粒子ビームを含む、全てのタイプの電磁放射を包含する。
【００１５】
本明細書で使用する用語「パターン付与手段」は、たとえば基板の標的部分にパターンを形成するための断面パターンを投影ビームに付与する目的に使用することができる手段を指すものと広く解釈しなければならない。投影ビームに与えられるパターンは、基板の標的部分の所望のパターンに正確に一致するものでなくてもよいことに留意されたい。一般に、投影ビームに与えられるパターンは、標的部分に製造中の集積回路などのデバイスの特定の機能層に対応する。
【００１６】
パターン付与手段は透過式または反射式とすることができる。パターン付与手段の例には、マスク、プログラム可能なミラー・アレイおよびプログラム可能なＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフにおいてよく知られており、これには、バイナリ、交番位相シフト、減衰位相シフトなどのマスク・タイプ、ならびにさまざまなハイブリッド・マスク・タイプが含まれる。プログラム可能ミラー・アレイの一例では、個別に傾けて入射放射線ビームをさまざまな方向に反射し、そうすることによって反射ビームにパターンを付与することができる、小さなミラーのマトリックス配置が使用される。パターン付与手段のそれぞれの例では、その支持構造をフレームまたはテーブルとすることができる。これらはたとえば必要に応じて固定し、または可動とすることができ、パターン付与手段がたとえば投影系に対して所望の位置にあることを保証することができる。本明細書での用語「レチクル」または「マスク」の使用は、より一般的な用語「パターン付与手段」と同義とみなすことができる。
【００１７】
本明細書で使用する用語「投影系」は、屈折光学系、反射光学系および反射屈折光学系を含む、たとえば使用中の露光放射に対して、または浸漬液の使用、真空の使用などの他の因子に対して適当なさまざまなタイプの投影系を包含するものと広く解釈しなければならない。本明細書での用語「レンズ」の使用は、より一般的な用語「投影系」と同義とみなすことができる。
【００１８】
照明系も、屈折、反射および反射屈折光学構成要素を含む、放射投影ビームを誘導し、成形し、制御するためのさまざまなタイプの光学構成要素を包含することができ、以下、このような構成要素を集合的にまたは単独で「レンズ」と呼ぶことができる。
【００１９】
リソグラフ装置は、２つの基板テーブル（デュアルステージ）またはそれ以上の基板テーブル（および／あるいは２つ以上のマスク・テーブル）を有するタイプの装置とすることができる。このような「多ステージ」機械では、これらの追加のテーブルを並行して同時に使用することができ、あるいは、１つまたは複数のテーブルを露光に使用している間に他の１つまたは複数のテーブル上で準備段階を実施することができる。
【００２０】
リソグラフ装置はさらに、比較的に高い屈折率を有する液体、たとえば水に基板を浸して、投影系の最後の要素と基板の間の空間を埋めるタイプの装置とすることができる。浸液は、リソグラフ装置の他の空間、たとえば投影系の最初の要素とマスクの間の空間に適用することもできる。液浸技法によって投影系の開口数が増大することは当技術分野でよく知られている。
【実施例】
【００２１】
次に、添付の概略図を見ながら本発明の一実施例の説明を行なう。
【００２２】
図中、同じ参照符号は同じ部分を指示する。
【００２３】
リソグラフ投影装置
図１に、本発明の方法の諸段階の実行に使用することができるリソグラフ投影装置の概略図を示す。この装置は、
放射（たとえばＵＶ放射または***放射）投影ビームＰＢを供給する照明系（照明装置）ＩＬと、
パターン付与手段（たとえばマスク）ＭＡを支持する第１の支持構造（たとえばマスク・テーブル）ＭＴであって、パターン付与手段をアイテムＰＬに対して正確に配置する第１の位置決め手段ＰＭに接続された第１の支持構造ＭＴと、
基板（たとえばレジストでコーティングされたウェーハ）Ｗを保持する基板テーブル（たとえばウェーハ・テーブル）ＷＴであって、基板をアイテムＰＬに対して正確に配置する第２の位置決め手段ＰＷに接続された基板テーブルＷＴと、
パターン付与手段ＭＡによって投影ビームＰＢに付与されたパターンを、基板Ｗの（たとえば１つまたは複数のダイを含む）標的部分Ｃの表面に結像させる投影系（たとえば屈折投影レンズ）ＰＬとを有する。
【００２４】
図示のとおり、この装置は、（たとえば透過マスクを使用する）透過型の装置である。この装置をあるいは、（たとえばプログラム可能な反射ミラー・アレイを使用する）反射型装置とすることもできる。
【００２５】
照明装置ＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。放射源がたとえばエキシマ・レーザであるときには、放射源とリソグラフ装置を別個の実体とすることができる。このような場合、放射源は、リソグラフ装置の一部分を構成するとはみなされず、放射ビームは、たとえば適当な誘導ミラーおよび／またはビーム・エキスパンダを備えたビーム送達系ＢＤの助けを借りて、放射源ＳＯから照明装置ＩＬに渡される。この他の場合、たとえば放射源が水銀ランプであるときには、放射源を装置と一体の部分とすることができる。放射源ＳＯおよび照明装置ＩＬ、ならびに必要ならばビーム送達システムＢＤを、ひとまとめに放射系と呼ぶことができる。
【００２６】
照明装置ＩＬは、放射ビームの角強度分布を調整する調製手段ＡＭを備えることができる。一般に少なくとも、照明装置のひとみ平面内の強度分布の半径方向外側および／または半径方向内側の広がり（普通は内側σおよび外側σと呼ばれる）を調整することができる。さらに照明装置ＩＬは一般に、インテグレータＩＮ、コンデンサＣＯなど、他のさまざまな構成要素を備える。照明装置は、所望の均一性および断面強度分布を有する調整された放射ビームを供給する。この調整された放射ビームを投影ビームＰＢと呼ぶ。
【００２７】
投影ビームＰＢは、マスク・テーブルＭＴ上に保持されたマスクＭＡに入射する。マスクＭＡを通過した後、投影ビームＰＢはレンズＰＬを通過する。レンズＰＬはこの投影ビームを、基板Ｗの標的部分Ｃの表面に集束させる。第２の位置決め手段ＰＷおよび位置センサＩＦ（たとえば干渉計装置）を用いて、基板テーブルＷＴを、たとえばビームＰＢの通り道に別の標的部分Ｃが配置されるように正確に移動させることができる。同様に、第１の位置決め手段ＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、たとえばマスク・ライブラリから機械的に取り出した後に、または走査中に、マスクＭＡをビームＰＢの経路に対して正確に配置することができる。テーブルＭＴおよびＷＴの移動は一般に、位置決め手段ＰＭおよびＰＷの一部分を構成する長ストローク・モジュール（おおまかな位置決め）および短ストローク・モジュール（細かい位置決め）を用いて実現される。しかし、ステッパの場合には（スキャナとは対照的に）、マスク・テーブルＭＴを短ストローク・アクチュエータだけに接続し、またはマスク・テーブルＭＴを固定することができる。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスク・アライメント・マークＭ１、Ｍ２および基板アライメント・マークＰｌ、Ｐ２を使用して位置合せすることができる。
【００２８】
図示の装置は、以下の好ましいモードで使用することができる。
１．段階・モードでは、マスク・テーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを本質的に静止した状態に保ち、投影ビームに付与されたパターン全体を１つの標的部分Ｃの表面に一度に投影する（すなわち単一静的露光）。次いで、別の標的部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴをＸおよび／またはＹ方向に移動させる。段階・モードでは、露光野の最大サイズが、単一静的露光で結像される標的部分Ｃのサイズを限定する。
２．走査モードでは、マスク・テーブルＭＴと基板テーブルＷＴを同期走査し、投影ビームに付与されたパターンを１つの標的部分Ｃの表面に投影する（すなわち単一動的露光）。マスク・テーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影系ＰＬの拡大（縮小）倍率および像反転特性によって決まる。走査モードでは、露光野の最大サイズが、単一動的露光における標的部分の（非走査方向の）幅を限定し、走査運動の長さが、標的部分の（走査方向の）高さを決定する。
３．別のモードでは、プログラム可能パターン付与手段を保持したマスク・テーブルＭＴを本質的に静止した状態に保ち、基板テーブルＷＴを移動させ、または走査し、その間に投影ビームに付与されたパターンを１つの標的部分Ｃの表面に投影する。このモードでは一般に、パルス放射源を使用し、基板テーブルＷＴのそれぞれの移動の後、または走査中の連続する放射パルスのパルスとパルスの間に、プログラム可能なパターン付与手段を必要に応じて更新する。この動作モードは、先に述べたタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン付与手段を利用した、マスクを用いないリソグラフに容易に適用することができる。
【００２９】
以上に述べた使用モードの組合せおよび／または変形を使用すること、あるいは全く異なる使用モードを使用することもできる。
「実施例１」
【００３０】
図２に、通常のマーカ（図示せず）および反転マーカ１〜８を備え、両面にデバイスを形成するウェーハＷを示す。反転マーカ１〜８は、ウェーハを回転させる軸、この場合にはＹ軸に関して、通常のマーカの鏡像である。通常のマーカは、格子、一群の格子、ボックス・イン・ボックス、フレーム・イン・フレーム、シェブロンなど、当技術分野で知られている都合のよい任意の形態をとることができ、一連の露光の前の基板のグローバル・アライメントに対して使用される一次マーカを構成することができる。図２には、反転一次マーカの例および参考のために通常の一次マーカの例が示されている。これらはそれぞれ４つの格子によって構成されている。４つの格子のうち、１対は水平、１対は垂直であり、この図からは明らかでないけれども、それぞれの対の２つの格子は異なる既知の周期を有している。この例では、マーカが、ウェーハ軸に関して対称の位置に配置されている。もちろん、本発明を他のマーカ、たとえばそれぞれの標的領域またはダイに隣接したマーカに適用することもできる。
【００３１】
図３から８に、本発明の方法の一例の諸段階を示す。まず最初に、通常のマーカ（図示せず）および反転マーカ１〜８を、ウェーハＷの第１の表面１０ａに周知の方法でエッチングし、これらを、図３に示すように、ＳｉＯ2の保護層１１およびＡｌの反射層１２によって覆う。図３は、図２のＹ軸に沿った部分断面図である。次いで基板Ｗを裏返し、接着剤層１３で担体基板ＣＷに接合する。図４には、担体基板ＣＷに接合された基板Ｗが、第２の表面１０ｂを上にして示されている。
【００３２】
図５に示すように、ウェーハＷを所望の厚さＴ、たとえば約７０μｍまで研削し、その上に形成するデバイスの要求に応じて上面１０ｂ’を仕上げる。
【００３３】
第１の基板を局所的にエッチングして反転マーカ１〜８を出現させるため、まず最初に、図６に示すように第２の表面１０ｂ’を、たとえば付着によって酸化層１４およびレジスト層１５で覆う。レジスト層１５を露光して、反転マーカ１〜８の上方に一次投光窓１６（primary fleed windows）をあける。一次投光窓１６はマーカよりもいくぶん大きいので、一次投光窓は正確に配置する必要はなく、一次投光窓を形成する露光段階は、基板Ｗを通して反転マーカを検出することができる赤外線を使用したマーク・センサなどのおおまかなアライメント・ツールを使用して、マーカを配置した後に実施することができる。
【００３４】
ドライ・エッチングＲＩＥまたはウェット・エッチング（ＨＦを含む緩衝酸化物エッチング）段階によって窓１６の中の酸化層１４を除去してハードマスクを形成し、Ｓｉに対して選択的なエッチング剤を使用した深い堀溝・エッチングを実行して堀溝１７を形成する。この深い堀溝・エッチングはＳｉＯ2層の表面まで達し、そのため堀溝１７は、反転一次マーカ１、５まで延びて、図８に示す位置まで達する。この後、第２の表面１０ｂ’に、堀溝１７の中に出現した反転マーカ１〜８と整列したデバイス層を形成することができる。堀溝の上面の幅ｄ1は、堀溝の底面の幅ｄ2がマーカ１〜８を問題なく収容するのに十分な大きさであること、たとえば１０００μｍであることを保証する十分な大きさ、たとえば１２００μｍである。次いで、酸化層１４を除去してから後続の処理を実施する。
【００３５】
接合された基板の後続の処理の第１の段階はたとえば、今は一番上にあるウェーハの第２の表面１０ｂ’の出現したマーカに対して既知の位置に別のマーカを印刷することである。この別のマーカは、第２の表面の後続の処理において、出現したマーカよりも都合よく位置合せすることができる。
【００３６】
以上に本発明の特定の実施例を説明してきたが、これらとは別の方法で本発明を実施することもできることを理解されたい。以上の説明は本発明を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の方法で使用することができるリソグラフ投影装置を示す図。
【図２】本発明の方法で使用するアライメント・マーカの位置を示す基板の平面図。
【図３】本発明に基づくデバイス製造方法の諸段階を示す図。
【図４】本発明に基づくデバイス製造方法の諸段階を示す図。
【図５】本発明に基づくデバイス製造方法の諸段階を示す図。
【図６】本発明に基づくデバイス製造方法の諸段階を示す図。
【図７】本発明に基づくデバイス製造方法の諸段階を示す図。
【図８】本発明に基づくデバイス製造方法の諸段階を示す図。
【符号の説明】
【００３８】
ＳＯ  放射源
ＢＤ  ビーム送達系
ＩＬ  照明系
ＡＭ  調整手段
ＩＮ  インテグレータ
ＣＯ  コンデンサ
ＰＢ  投影ビーム
ＭＡ  パターン付与手段（マスク）
ＭＴ  第１の支持構造（マスク・テーブル）
ＰＭ  第１の位置決め手段
ＰＬ  投影系（レンズ）
Ｗ  基板（ウェーハ）
ＷＴ  基板テーブル
ＰＷ  第２の位置決め手段
ＩＦ  位置センサ
Ｃ  標的部分
ＣＷ  担体基板
Ｍ１  マスク・アライメント・マーク
Ｍ２  マスク・アライメント・マーク
Ｐ１  基板アライメント・マーク
Ｐ２  基板アライメント・マーク
１〜８  反転マーカ
１０ａ  第１の表面
１０ｂ  第２の表面
１０ｂ’  第２の表面
１１  保護層
１２  反射層
１３  接着剤層
１４  酸化層
１５  レジスト層
１６  一次投光窓
１７  堀溝
【図１】
2004165670.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2004165670.tif 000007
【図６】
2004165670.tif 000008
【図７】
2004165670.tif 000009
【図８】
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