(57)【要約】【課題】照射熱による基板の熱膨張を抑えてマスクのパターンを精度良く転写できる基板保持装置及びこの基板保持装置を備えた露光装置を提供する。【解決手段】基板ホルダＰＨは、感光基板Ｐの下面ＰＢの一部を支持する支持面５を有し、第１の材料からなる第１支持部１と、第１支持部１の支持面５とは異なる部分に接続し、第１の材料とは異なる第２の材料からなる第２支持部２とを備えている。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する基板保持装置において、
前記基板の被支持面の一部を支持する支持面を有し、第１の材料からなる第１支持部と、
前記第１支持部の前記支持面とは異なる部分に接続し、前記第１の材料とは異なる第２の材料からなる第２支持部とを備えることを特徴とする基板保持装置。
【請求項２】
前記第１の材料は、前記第２の材料より熱伝導率の大きい材料であることを特徴とする請求項１記載の基板保持装置。
【請求項３】
前記第２の材料は、前記第１の材料より膨張率の小さい材料であることを特徴とする請求項１又は２記載の基板保持装置。
【請求項４】
前記第１支持部は、前記基板の前記支持面に向かって延びるとともに、前記被支持面の所定の位置を支持する複数の凸状部材を含んでなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の基板保持装置。
【請求項５】
前記複数の凸状部材と前記第２支持部とを接続するようにして、前記第１支持部と前記第２支持部とを連結することを特徴とする請求項４記載の基板保持装置。
【請求項６】
前記基板と前記第１、第２支持部とで形成される空間に、流体を供給する流体供給装置を備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載の基板保持装置。
【請求項７】
基板を保持する基板保持装置において、
前記基板を載置する載置面を有し、前記基板との間でそれぞれ独立した複数のブロック状空間を形成する支持部と、
前記ブロック状空間のそれぞれに、前記基板及び前記支持部の温度を調整するための流体を供給する流体供給装置とを備えることを特徴とする基板保持装置。
【請求項８】
前記流体供給装置は、前記複数のブロック状空間のそれぞれに供給する流体の温度を個別に調整することを特徴とする請求項７記載の基板保持装置。
【請求項９】
前記支持部に支持されている前記基板に対してエネルギービームが照射されるとともに、前記基板を支持する前記支持部を前記エネルギービームに対して所定方向に相対移動する移動装置を備え、
前記流体供給装置は、前記基板上の前記エネルギービームが照射される位置に応じて、前記ブロック状空間のそれぞれに対する前記流体の供給動作を個別に制御することを特徴とする請求項７又は８記載の基板保持装置。
【請求項１０】
パターンを有するマスクを露光光で照明し、基板保持装置に保持された感光性の基板に前記パターンを転写する露光装置において、
前記基板保持装置に、請求項１〜請求項９のいずれか一項記載の基板保持装置が用いられていることを特徴とする露光装置。
【請求項１１】
パターンを有するマスクを露光光で照明し、基板保持装置に保持された感光性の基板に前記パターンを転写する露光装置において、
前記基板保持装置は、前記基板を載置する載置面と、
前記載置面の複数の所定位置にそれぞれ設けられ、前記基板を吸着する吸着部と、
前記基板上の前記露光光を照射される位置に応じて、前記複数の吸着部の前記基板に対する吸着力のそれぞれを個別に制御する制御装置とを備えることを特徴とする露光装置。
【請求項１２】
前記制御装置は、前記基板に照射される前記露光光の光量に応じて前記吸着力を制御することを特徴とする請求項１１記載の露光装置。
【請求項１３】
前記載置面近傍には、前記露光光が前記基板上に照射される領域の温度を調整する温度調整装置を備えることを特徴とする請求項１１又は１２記載の露光装置。
【請求項１４】
前記載置面近傍の温度を検出する温度検出装置を備え、
前記制御装置は、前記温度検出装置の検出結果に基づいて前記吸着部の吸着力を制御することを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１５】
前記露光光で照明されたマスクのパターンを前記基板保持装置に保持された前記基板に投影する投影光学系を有するとともに、該投影光学系は複数並んで露光するように設けられ、
前記制御装置は、前記複数の投影光学系による前記基板上での投影領域のそれぞれに対応する前記吸着部の吸着力を互いに異なる値に設定することを特徴とする請求項１１〜１４のいずれか一項記載の露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は基板を保持する基板保持装置及びこの基板保持装置を有する露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示デバイスや半導体デバイスは、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に転写する、いわゆるフォトリソグラフィの手法により製造される。このフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置は、パターンを有するマスクを露光光で照明し、基板ホルダ（基板保持装置）に保持された感光性の基板にパターンを転写するものである。基板を保持する基板ホルダは基板の変形を抑えつつ保持する必要がある。下記特許文献には、基板ホルダに形成された凹部に温調された流体を供給することで、露光光の照射熱に起因する基板の熱変形を防止する技術が開示されている。
【０００３】
【特許文献１】
特開平４−２０８５５１号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来技術は、基板や基板ホルダ全体の温度調整を行うことができるため有効である。しかしながら、例えば基板の一部に対して露光光が照射され、基板や基板ホルダに温度分布が生じると、上記従来技術の基板ホルダでは基板に生じた温度分布を均一化することが困難である。基板に温度分布が生じると歪み等の変形（非線形変形成分）が発生し、マスクのパターンを基板に精度良く転写できなくなる。
【０００５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、照射熱による基板の熱変形（熱膨張）を抑えてマスクのパターンを精度良く転写できる基板保持装置及びこの基板保持装置を備えた露光装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す図１〜図１０に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の基板保持装置（ＰＨ）は、基板（Ｐ）を保持する基板保持装置において、基板（Ｐ）の被支持面（ＰＢ）の一部を支持する支持面（５）を有し、第１の材料からなる第１支持部（１）と、第１支持部（１）の支持面（５）とは異なる部分に接続し、第１の材料とは異なる第２の材料からなる第２支持部（２）とを備えることを特徴とする。
本発明によれば、基板の被支持面の一部を支持する第１の材料からなる第１支持部で基板に生じた熱を吸収することができる。したがって、温度分布の発生を抑えて基板の熱変形を抑制できる。そして、第１支持部に接続する第２の材料からなる第２支持部により、基板の熱を吸収したことによる第１支持部の熱変形を抑制することができる。このとき、第１、第２支持部のそれぞれは互いに異なる第１、第２の材料からなるので、第１支持部に対して材料特性の異なる第２支持部は第１支持部とともに熱変形したりしない。したがって、基板保持装置自体の熱変形に伴って基板も変形してしまうといった不都合の発生を抑えることができる。この場合において、前記第１の材料は、前記第２の材料より熱伝導率の大きい材料であることが好ましい。また、前記第２の材料は、前記第１の材料より膨張率の小さい材料であることが好ましい。これによれば、基板の熱は熱伝導率の大きい第１の材料からなる第１支持部により効果的に吸収される。そして、基板の熱を吸収した第１支持部の熱変形は、膨張率の小さい第２の材料からなる第２支持部により抑制される。
【０００７】
本発明の基板保持装置（ＰＨ）は、基板（Ｐ）を保持する基板保持装置において、基板（Ｐ）を載置する載置面（８）を有し、基板（Ｐ）との間でそれぞれ独立した複数のブロック状空間（Ｂ）を形成する支持部（９）と、ブロック状空間（Ｂ）のそれぞれに、基板（Ｐ）及び支持部（９）の温度を調整するための流体を供給する流体供給装置（１０）とを備えることを特徴とする。
本発明によれば、基板の下面にそれぞれ独立したブロック状空間を形成し、これらブロック状空間に対して温度調整用の流体を供給することにより、基板や基板保持装置の温度分布を調整できる。したがって、基板に歪み等の非線形な変形が生じるのを抑えることができる。
【０００８】
本発明の露光装置（ＥＸ）は、パターンを有するマスク（Ｍ）を露光光（ＥＬ）で照明し、基板保持装置（ＰＨ）に保持された感光性の基板（Ｐ）にパターンを転写する露光装置において、基板保持装置に、上記記載の基板保持装置が用いられていることを特徴とする。  本発明によれば、基板の熱変形を抑えつつ露光処理できるので、精度良い露光処理を行うことができる。
【０００９】
本発明の露光装置（ＥＸ）は、パターンを有するマスク（Ｍ）を露光光（ＥＬ）で照明し、基板保持装置（ＰＨ）に保持された感光性の基板（Ｐ）にパターンを転写する露光装置において、基板保持装置（ＰＨ）は、基板（Ｐ）を載置する載置面（５、８）と、載置面（５、８）の複数の所定位置にそれぞれ設けられ、基板（Ｐ）を吸着する吸着部（６）と、基板（Ｐ）上の露光光（ＥＬ）を照射される位置に応じて、複数の吸着部（６）の基板（Ｐ）に対する吸着力のそれぞれを個別に制御する制御装置（ＣＯＮＴ）とを備えることを特徴とする。
本発明によれば、基板に対する吸着力を強くすることで基板の熱が基板保持装置側に素早く伝達する現象を利用して、例えば基板上の露光光が照射された領域に対応する吸着部の吸着力を強くすることにより、露光光の照射による基板の加熱を抑えることができる。したがって、基板の局所的な熱変形を抑えることができる。そして、基板上の露光光が照射されない非照射領域に対応する吸着部の吸着力を弱めることにより、露光光が照射された照射領域の載置面が熱変形しても、基板における非照射領域に力が作用するのを抑えることができる。すなわち、熱変形する基板保持装置の一部の領域により他の領域の基板が引っ張られないように、吸着力を弱くして滑動可能とするような調整を行うことができる。更に、基板上の照射領域に対応する吸着部の吸着力を強くすることにより、基板の熱を基板保持装置側に素早く伝達させ、その温度における基板保持装置の飽和熱膨張量まで素早く膨張させることができる。すると、基板保持装置はこれ以上大きく変形しようとしないので、例えば光学素子を用いた投影光学系の像特性の補正を膨張し終わった基板保持装置の形状に応じて容易に行うことができる。すなわち、基板保持装置が温度上昇過渡期である場合においては、基板保持装置の熱変形の挙動を容易に把握できないので、この熱変形に合わせた像特性調整が困難になるが、吸着力を強めて基板保持装置を素早く温度上昇させて温度定常状態にすることにより、像特性調整を容易に行うことができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の基板保持装置及び露光装置について図面を参照しながら説明する。図１は本発明の基板保持装置を備えた露光装置の第１実施形態を示す概略斜視図である。
図１において、露光装置ＥＸは、パターンを有するマスクＭを支持するマスクステージＭＳＴと、感光基板（感光性の基板）Ｐを基板ホルダ（基板保持装置）ＰＨを介して支持する基板ステージＰＳＴと、マスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンを基板ホルダＰＨに保持された感光基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光処理に関する動作を制御する制御装置ＣＯＮＴとを備えている。本実施形態において、投影光学系ＰＬは複数（５つ）の投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｅを有しており、これら投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｅが並んで露光するように設けられている。また、照明光学系ＩＬも投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｅの数に対応して複数（５つ）の照明系モジュールにより構成されている。そして、本実施形態に係る露光装置ＥＸは、この投影光学系ＰＬに対してマスクＭと感光基板Ｐとを所定方向に同期移動しつつマスクＭを露光光ＥＬで照明し、マスクＭのパターンを感光基板Ｐに露光する、いわゆるマルチレンズスキャン型露光装置である。マスクＭはガラス板（原板）上にクロムなどの遮蔽材料により所定のパターンを形成したものである。感光基板Ｐはガラスプレート（ガラス基板）に感光剤（フォトレジスト）を塗布したものである。
【００１１】
ここで、以下の説明において、水平面内においてマスクＭと感光基板Ｐとが同期移動する方向（走査方向）をＹ軸方向、水平面内において前記走査方向と直交する方向（非走査方向）をＸ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に直交する方向をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸の軸線まわり方向を、それぞれθＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１２】
照明光学系ＩＬは露光光ＥＬでマスクＭを照明する。照明光学系ＩＬより射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）や、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２  レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられる。マスクＭは照明光学系ＩＬの複数の照明系モジュールにより異なる複数の照明領域をそれぞれ照明される。
【００１３】
マスクステージＭＳＴは露光光ＥＬの光路上に設けられており、一次元の走査露光を行うべくＹ軸方向に長いストロークと、走査方向と直交するＸ軸方向に所定距離のストロークとを有している。マスクステージＭＳＴはマスクステージ駆動部ＭＳＴＤにより駆動され、マスクステージ駆動部ＭＳＴＤは制御装置ＣＯＮＴにより制御される。マスクステージＭＳＴ上のＸ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれの端縁には、互いに直交するように移動鏡４０ａ、４０ｂが設けられている。移動鏡４０ａにはレーザー干渉計４１ａが対向して配置され、移動鏡４０ｂにはレーザー干渉計４１ｂが対向して配置されている。レーザー干渉計４１ａ、４１ｂのそれぞれは、移動鏡４０ａ、４０ｂのそれぞれにレーザー光を照射して移動鏡４０ａ、４０ｂとの間の距離を計測することにより、マスクステージＭＳＴのＸ軸方向及びＹ軸方向の位置、ひいてはマスクＭの位置を検出する。レーザー干渉計４１ａ、４１ｂの検出結果は制御装置ＣＯＮＴに出力され、制御装置ＣＯＮＴはレーザー干渉計４１ａ、４１ｂの検出結果に基づいてマスクステージ駆動部ＭＳＴＤを介してマスクステージＭＳＴの位置を制御する。
【００１４】
複数の投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｅにおいて、投影光学系ＰＬａ、ＰＬｃ、ＰＬｅと投影光学系ＰＬｂ、ＰＬｄとは２列に千鳥状に配列されている。すなわち、千鳥状に配置されている各投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｅは、隣合う投影光学系どうし（例えば投影光学系ＰＬａとＰＬｂ、ＰＬｂとＰＬｃ）をＹ軸方向に所定量変位させて配置されている。これら投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｅのそれぞれは照明系モジュールから射出されマスクＭを透過した複数の露光光ＥＬを透過させ、基板ホルダＰＨに保持されている感光基板ＰにマスクＭのパターン像を投影する。また、投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｅのそれぞれは不図示の視野絞りを備えている。視野絞りは感光基板Ｐ上における投影領域を設定するものである。本実施形態において、視野絞りは台形状の開口を有し、この視野絞りにより感光基板Ｐ上の投影領域５０ａ〜５０ｅが台形状に規定される。
【００１５】
基板ステージＰＳＴは露光光ＥＬの光路上に設けられており、一次元の走査露光を行うべくＹ軸方向に長いストロークと、走査方向と直交するＸ軸方向にステップ移動するための長いストロークとを有している。更に、基板ステージＰＳＴはＺ軸方向にも移動可能であるとともに、θＸ、θＹ、及びθＺ方向にも移動可能である。基板ステージＰＳＴは基板ステージ駆動部ＰＳＴＤにより駆動され、基板ステージ駆動部ＰＳＴＤは制御装置ＣＯＮＴにより制御される。基板ステージＰＳＴ上のＸ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれの端縁には、互いに直交するように移動鏡４２ａ、４２ｂが設けられている。移動鏡４２ａにはレーザー干渉計４３ａが対向して配置され、移動鏡４２ｂにはレーザー干渉計４３ｂが対向して配置されている。レーザー干渉計４３ａ、４３ｂのそれぞれは、移動鏡４２ａ、４２ｂのそれぞれにレーザー光を照射して移動鏡４２ａ、４２ｂとの間の距離を計測することにより、基板ステージＰＳＴのＸ軸方向及びＹ軸方向の位置、ひいては感光基板Ｐの位置を検出する。レーザー干渉計４３ａ、４３ｂの検出結果は制御装置ＣＯＮＴに出力され、制御装置ＣＯＮＴはレーザー干渉計４３ａ、４３ｂの検出結果に基づいて基板ステージ駆動部ＰＳＴＤを介して基板ステージＰＳＴの位置を制御する。更に、露光装置ＥＸはマスクＭのパターン面及び感光基板Ｐの露光処理面のＺ軸方向における位置を検出するフォーカス検出系（不図示）を備えており、制御装置ＣＯＮＴはフォーカス検出系の検出結果に基づいて基板ステージ駆動部ＰＳＴＤを介して感光基板ＰのＺ軸方向における位置を制御する。
【００１６】
図２は本発明に係る基板ホルダ（基板保持装置）ＰＨを示す図であって、図２（ａ）は要部拡大断面図、図２（ｂ）は平面図である。
図２において、基板ホルダＰＨは、感光基板Ｐの下面（被支持面）ＰＢの一部を支持する第１支持部１と、第１支持部１に接続する第２支持部２とを備えている。第１支持部１は、感光基板Ｐの下面ＰＢに向かって延び、下面ＰＢの複数の所定位置のそれぞれを支持する複数の凸状部材３と、これら凸状部材３の下端に接続する板状のベース部材４を備えている。なお、図２に示す例では凸状部材３とベース部材４とは一体成形されている。
【００１７】
凸状部材３は略円柱状部材であって、図２（ｂ）に示すように平面視マトリクス状に配置されている。凸状部材３の上端面（支持面）５は略円形状の平坦面であって、この上端面５で感光基板Ｐの下面ＰＢを支持する。感光基板Ｐの下面ＰＢは、平面視マトリクス状に配置された凸状部材３の支持面（上端面）５のそれぞれで支持される。本実施形態では、感光基板Ｐの下面ＰＢのうち、第１支持部１の支持面５に支持される総面積は、支持面５に支持される以外の部分のより小さく設定されている。支持面５のそれぞれには、バキューム装置２０に流路２１を介して接続した吸着穴（吸着部）６が設けられている。感光基板Ｐの下面ＰＢは吸着穴６を介して吸着保持される。流路２１の一端部はバキューム装置２０に接続しており、他端部は分岐して分岐流路２１Ｂとなっている。そして、分岐流路２１Ｂが吸着穴６のそれぞれに接続されている。分岐流路２１Ｂのそれぞれには、吸着穴６を介した単位時間あたりのガス吸引量を調整するための弁２２が設けられている。弁２２の動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御される。制御装置ＣＯＮＴは弁２２のそれぞれの動作を制御することにより、吸着穴６それぞれによる感光基板Ｐに対する吸着力を個別に設定可能となっている。なお、本実施形態における凸状部材３は円柱状部材であるが、多角形柱状部材であってもよい。また、本実施形態において複数の凸状部材３は平面視ほぼ等間隔で配置されているが、不等間隔で配置されたり、あるいは千鳥状に配置されてもよい。
【００１８】
第２支持部２は、凸状部材３の支持面５とは異なる部分、本実施形態では、ベース部材４の上面及び凸状部材３の側面に接続するに設けられている。すなわち、第２支持部２は凸状部材３の周囲を囲むように設けられている。そして、複数の凸状部材３と第２支持部２とを接続するようにして、第１支持部１と第２支持部２とが連結されている。ここで、本実施形態では、第２支持部２は凸状部材３の側面の高さ方向中央部より上方には接続されておらず、下方に接続されている。したがって、図２（ａ）に示すように、凸状部材３の支持面５で感光基板Ｐを支持した際、第１支持部１の凸状部材３と第２支持部２と感光基板Ｐとの間で空間Ａが形成される。
【００１９】
第１、第２支持部１、２は互いに異なる材料により形成されている。第１支持部１を形成する第１の材料は、第２支持部２を形成する第２の材料より熱伝導率の大きい材料である。また、第２の材料は、第１の材料より膨張率の小さい材料である。本実施形態において、第１支持部１はアルミニウムで形成されており、第２支持部２はセラミックスで形成されている。アルミニウムは高い熱伝導率を有する材料であり、セラミックスは低い膨張率を有する材料である。なお、第１，第２の材料は、アルミニウム及びセラミックスに限ることなく所望の機能を有する材料を用いることができる。
【００２０】
次に、上述した構成を有する基板ホルダＰＨで感光基板Ｐを保持した際の作用について説明する。
図３（ａ）に示す模式図のように、基板ホルダＰＨに保持された感光基板Ｐに対して露光光ＥＬが照射されると、感光基板Ｐは露光光ＥＬの照射熱により温度上昇する。ここで、感光基板Ｐは高い熱伝導率を有する第１支持部１に接続されているので、感光基板Ｐの熱は第１支持部１の凸状部材３に素早く伝達（吸収）される。これにより、感光基板Ｐは過剰に加熱せず、したがって大きく熱変形しない。
【００２１】
第１支持部１の凸状部材３に伝達した感光基板Ｐの熱はベース部材４まで伝達する。凸状部材３を熱が伝達することにより、第１支持部１に接続している第２支持部２にも熱が伝達するが（換言すれば、感光基板Ｐの熱が第１支持部１を介して第２支持部２に伝達するが）、第２支持部２は膨張率の低い材料により形成されているため、大きく膨張（変形）しない。そして、伝達する熱により凸状部材３は径方向に熱膨張しようとするが、凸状部材３の周囲はほとんど熱膨張しない第２支持部２で囲まれているため、凸状部材３の熱膨張は阻止される。したがって、第１、第２支持部１、２からなる基板ホルダＰＨ全体は大きく熱変形しない。
【００２２】
第１支持部１は感光基板Ｐを複数の凸状部材３で支持する構成であり、本実施形態においては、感光基板Ｐの下面ＰＢのうち支持面５に支持される総面積が、支持面５に支持される以外の部分より小さく設定されている。したがって、仮に基板ホルダＰＨ（凸状部材３）が熱変形しても、感光基板Ｐに対する影響を少なくすることができる。すなわち、凸状部材３の径（支持面５の面積）が大きいと熱膨張量（熱変形量）が大きくなるため、図３（ｂ）に示す模式図のように、感光基板Ｐの下面ＰＢを大きな支持面５を有する第１支持部１で支持した場合、感光基板Ｐは熱膨張する凸状部材３により水平方向へ引っ張られてしまい、歪み等の変形を発生する場合がある。しかしながら、感光基板Ｐの下面ＰＢを小さな支持面５を有する凸状部材３で支持することにより、仮に凸状部材３が熱膨張しても、各凸状部材３の熱膨張量はそれぞれ小さいので、感光基板Ｐに対する水平方向への引っ張り力を小さくすることができる。
【００２３】
また、感光基板Ｐの下面ＰＢを小さい支持面５を有する凸状部材３で支持したことにより、第１の感光基板Ｐを露光処理した後、この第１の感光基板Ｐを基板ホルダＰＨからアンロードし、第２の感光基板Ｐを基板ホルダＰＨにロードした際、第１の感光基板Ｐを露光処理した際に基板ホルダＰＨ（凸状部材３）に蓄えられた熱の第２の感光基板Ｐに対する伝達量を抑えることができる。
【００２４】
以上説明したように、感光基板Ｐの下面ＰＢを、高い熱伝導率を有する第１の材料からなる複数の凸状部材３の支持面５で支持したので、感光基板Ｐの熱を吸収して熱変形を抑えることができる。そして、第１支持部１（凸状部材３）に対して第２支持部２を接続したことにより、熱膨張しようとする第１支持部１の熱変形を抑制することができる。したがって、基板ホルダＰＨ自体も熱変形しないので、基板ホルダＰＨ自体の熱変形に伴って感光基板Ｐも変形してしまうといった不都合の発生を回避でき精度良い露光処理を行うことができる。
【００２５】
図４は、上述した第１実施形態に係る基板ホルダＰＨの変形例である。図４（ａ）に示すように、第２支持部２は第１支持部１のベース部材４から離間した構成であってもよい。この場合、第２支持部２は凸状部材３の周囲を囲むように側面に接続されている。すなわち、図４（ａ）に示す第２支持部２は複数の貫通穴２Ａを有する板状部材であって、これら貫通穴２Ａのそれぞれに凸状部材３が配置された構成である。このような構成であっても、凸状部材３は感光基板Ｐの熱を効率良く吸収でき、しかも凸状部材３の熱膨張を第２支持部２で阻止することができる。また、図４（ｂ）に示すように、第１支持部１の凸状部材３とベース部材４とを互いに異なる別の材料により構成してもよい。すなわち、基板ホルダＰＨを形成する材料は２種類に限らず、３種類以上であってもよい。
【００２６】
図５に示すように、感光基板Ｐと第１、第２支持部１、２とで形成される空間Ａに流体を供給する流体供給装置７が設けられた構成とすることができる。本実施形態において、流体供給装置７は空間Ａに空気等のガスを供給する。流体供給装置７は、ガス供給部７Ａと、ガス供給部７Ａから供給されるガスを所定の温度に調整する温度調整装置７Ｂと、温度調整装置７Ｂで温度調整されたガスを空間Ａに供給する供給口７Ｃとを備えている。温度調整装置７Ｂからのガスはベース部材４及び第２支持部２のそれぞれに設けられた流路を通り、供給口７Ｃを介して空間Ａに供給される。流体供給装置７によって空間Ａに温度調整されたガスが供給されることにより、感光基板Ｐや基板ホルダＰＨを所望の温度に温度調整できる。
【００２７】
次に、本発明の基板保持装置の第２実施形態について図６及び図７を参照しながら説明する。ここで、以下の説明において上述した第１実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付しその説明を簡略もしくは省略する。
図６は第２実施形態に係る基板ホルダＰＨの斜視図である。また、図７（ａ）は要部拡大断面図、図７（ｂ）は平面図である。
図６及び図７において、基板ホルダＰＨは、感光基板Ｐを載置する載置面８を有し、この載置面８に載置された感光基板Ｐとの間でそれぞれ独立した複数のブロック状空間Ｂを形成する支持部９と、ブロック状空間Ｂのそれぞれに感光基板Ｐ及び支持部９の温度を調整するための流体を供給する流体供給装置１０とを備えている。本実施形態において、流体供給装置１０はブロック状空間Ｂに空気等のガスを供給する。載置面８には吸着穴（吸着部）６が複数の所定位置にそれぞれ設けられており、載置面８に載置された感光基板Ｐは吸着穴６を介して支持部９に対して吸着保持されるようになっている。
【００２８】
流体供給装置１０は、所定のガスを供給するガス供給部１１と、ブロック状空間Ｂのそれぞれに設けられ、ガス供給部１１からのガスをブロック状空間Ｂに供給する供給口１３と、一端部をガス供給部１１に接続し、他端部を分岐させて供給口１３のそれぞれに接続する流路１２と、流路１２のうち分岐流路１２Ｂのそれぞれに設けられ、ブロック状空間Ｂのそれぞれに対して供給口１０Ｃより供給されるガスの温度を調整する温度調整装置１４と、分岐流路１２Ｂのそれぞれに設けられ、ブロック状空間Ｂのそれぞれに対して供給口１３より供給される単位時間あたりのガス流量を調整する弁１５とを備えている。温度調整装置１４及び弁１５の動作は制御装置ＣＯＮＴに制御される。制御装置ＣＯＮＴは温度調整装置１４を制御することにより、複数のブロック状空間Ｂのそれぞれに供給するガスの温度を個別に調整する。更に、基板ホルダＰＨは、ブロック状空間Ｂのガスを回収する回収装置１６を備えている。回収装置１６は、ブロック状空間Ｂのそれぞれに設けられ、このブロック状空間Ｂのガスを排出する排出口１７と、排出口１７より排出されたガスを回収する回収部１８とを備えている。
【００２９】
更に、基板ホルダＰＨの支持部９には、載置面８近傍の温度を検出する温度検出装置２０が設けられている。温度検出装置２０は載置面８の面方向における複数の所定位置のそれぞれに設けられている。本実施形態において、温度検出装置２０は複数のブロック状空間Ｂのそれぞれに１つずつ設けられている。温度検出装置２０の検出結果は制御装置ＣＯＮＴに出力されるようになっている。
【００３０】
上述した第２実施形態に係る基板ホルダＰＨで感光基板Ｐを保持した際の作用について説明する。
基板ホルダＰＨに保持された感光基板Ｐに対して露光光ＥＬが照射されると、感光基板Ｐは露光光ＥＬの照射熱により温度上昇する。流体供給装置１０はブロック状空間Ｂに対してガスを供給することにより、温度上昇した感光基板Ｐ及び支持部９を冷却する。これにより、感光基板Ｐや支持部９は過剰に加熱しない。したがって、感光基板Ｐ及び支持部９は大きく熱変形しない。
【００３１】
露光光ＥＬの照射により温度上昇した感光基板Ｐ及び載置面８近傍の温度は温度検出装置２０により検出されている。温度検出装置２０は温度検出結果を制御装置ＣＯＮＴに出力する。制御装置ＣＯＮＴは温度検出装置２０の検出結果に基づいて、感光基板Ｐ及び支持部９が最適温度になるように、温度調整装置１４を介してブロック状空間Ｂに供給するガス温度を調整する。これにより、感光基板Ｐ及び支持部９は所望の温度に調整される。
【００３２】
ここで、感光基板Ｐ上において露光光ＥＬが局所的に照射されている場合、制御装置ＣＯＮＴは露光光ＥＬが照射されている位置に相当するブロック状空間Ｂに対してガスを供給するようにしてもよい。こうすることにより、感光基板Ｐに温度分布が生じるのを抑制できる。そして、露光光ＥＬが照射されている位置は温度が上昇するので、制御装置ＣＯＮＴは、例えばこの露光光ＥＬが照射されている位置に相当するブロック状空間Ｂに対して供給するガスの温度を温度調整装置１４を介して低温度に設定することにより、この位置を効果的に冷却できる。あるいは、制御装置ＣＯＮＴは弁１５を介して単位時間当たりのガス流量を多くすることによっても、この位置を効果的に冷却できる。この場合、露光光ＥＬが照射されることにより温度上昇している感光基板Ｐ上での位置は、感光基板Ｐ（載置面８）の面方向に一様に複数設けられ、設置位置が予め分かっている温度検出装置２０の検出結果に基づいて特定できる。一方、感光基板Ｐ上の所定の位置が過冷却状態である場合には、制御装置ＣＯＮＴは温度検出装置２０の検出結果に基づいて、過冷却状態位置に相当するブロック状空間Ｂに対して温度調整されたガスを供給したり、あるいは供給する単位時間あたりのガス供給量を低減することにより、感光基板Ｐを所望の温度に調整できる。このように、流体供給装置１０は制御装置ＣＯＮＴの制御のもとで、感光基板Ｐ上の露光光ＥＬの照射される位置に応じて、ブロック状空間Ｂのそれぞれに対するガスの供給動作を個別に制御することにより、感光基板Ｐに温度分布が生じるのを抑制できる。
【００３３】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは走査型露光装置であって、基板ホルダＰＨに保持されている感光基板Ｐは基板ステージ駆動部（移動装置）ＰＳＴＤにより露光光ＥＬに対してＹ軸方向に移動しつつ露光光ＥＬを照射される構成である。したがって、流体供給装置１０は、制御装置ＣＯＮＴの制御のもとで、感光基板Ｐ上の露光光ＥＬが照射される位置に応じて、複数のブロック状空間Ｂのそれぞれに対するガスの供給動作を個別に制御するようにしてもよい。すなわち、感光基板Ｐ上での露光光ＥＬの照射位置が移動し、この照射位置の温度が局所的に変化する場合であっても、照射位置に対応するブロック状空間Ｂに対するガスの温度を低温にしたり、あるいは単位時間あたりのガス流量を多くすることにより、感光基板Ｐや基板ホルダＰＨの支持部９の温度分布を調整して、感光基板Ｐに歪み等の変形が生じるのを抑えることができる。具体的には、走査露光中において、露光光ＥＬが照射されている位置、あるいはこれから露光光ＥＬが照射されるべき位置（感光基板Ｐ上での走査移動方向前方側の領域）に相当するブロック状空間Ｂに対して温度調整されたガスを供給し、これら各位置を冷却するといった制御が可能となる。
【００３４】
また、本実施形態に係る投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｅは非走査方向（Ｘ軸方向）に複数並んでいるとともに、隣接する投影光学系どうし（例えばＰＬａとＰＬｂ、ＰＬｃとＰＬｄ）は走査方向（Ｙ軸方向）にずれて配置されている構成である。したがって、これら各投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｅの投影領域５０ａ〜５０ｅは図８に示すように千鳥状に配置される。露光装置ＥＸでは、投影領域５０ａ、５０ｃ、５０ｅと、投影領域５０ｂ、５０ｄとはＸ軸方向に離れて設定されているため、Ｙ軸方向に伸びるパターンは、まず空間的に分離した飛び飛びの投影領域５０ａ、５０ｃ、５０ｅによって露光された後、ある時間をおいてその間を埋める投影領域５０ｂ、５０ｄで露光されるというように、時間的及び空間的に分割されて露光される。この場合、制御装置ＣＯＮＴは、複数の投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｅによる感光基板Ｐ上での投影領域５０ａ〜５０ｅのうち、移動方向前方側の投影領域どうしの間の感光基板Ｐ上における領域６０の温度を、流体供給装置１０を用いて調整するようにしてもよい。これにより、走査露光中における感光基板Ｐの温度分布の発生を抑制できる。すなわち、領域６０はこれから露光光ＥＬが照射されるべき領域であるが、この領域６０の両隣は投影領域５０ａ、５０ｃであるため、投影領域５０ａ、５０ｃと領域６０との間には既に温度分布が生じている。したがって、この温度分布を低減してから領域６０に露光光ＥＬが照射されるように、制御装置ＣＯＮＴは領域６０に露光光ＥＬが照射される前に、ブロック状空間Ｂに供給するガス温度を調整して領域６０を加熱するといった制御を行うことができる。こうすることにより、感光基板Ｐの温度分布の発生を抑えることができ、感光基板Ｐに歪みが生じるのを抑えることができる。ここで、領域６０の位置はレーザー干渉計４３ａ、４３ｂの検出結果より特定することができ、制御装置ＣＯＮＴはレーザ干渉計の検出結果に基づいて、領域６０に相当するブロック状空間Ｂに対してガスを供給する。なお、領域６０を加熱する方法としては、領域６０に相当するブロック状空間Ｂに対するガス供給動作の他に、基板ホルダＰＨに予め電熱線などの加熱装置を設けておき、この加熱装置を用いて温度調整するようにしてもよい。あるいは、感光基板Ｐを感光させない波長を有する光を基板に照射して温度調整するようにしてもよい。
【００３５】
なお、ここでは感光基板Ｐ上での露光光ＥＬの照射位置に応じて、ブロック状空間Ｂのそれぞれに対するガス供給動作を制御する構成であるが、感光基板Ｐに照射される露光光ＥＬの光量に応じて、ブロック状空間Ｂに供給するガス温度を調整したり、あるいは供給する単位時間あたりのガス流量を調整したりすることができる。
【００３６】
また、感光基板Ｐ上に照射される露光光ＥＬの光量は、マスクＭの原板（ガラス板）上における単位面積あたりのパターンの割合であるパターン密度によっても変化する。したがって、マスクＭのパターン密度を予め求め、求めたパターン密度に応じてブロック状空間Ｂに対するガス供給動作を制御するようにしてもよい。
【００３７】
なお、本実施形態における支持部９は１つの材料により構成されているが、上述した第１実施形態同様、互いに異なる２つ以上の材料で基板ホルダＰＨを構成してもよい。
【００３８】
上記実施形態は、感光基板Ｐ上の露光光ＥＬを照射される位置に応じて、ブロック状空間Ｂのそれぞれに対するガス供給動作を個別に制御する構成であるが、制御装置ＣＯＮＴは、感光基板Ｐ上の露光光ＥＬを照射される位置に応じて、複数設けられた吸着穴（吸着部）６の感光基板Ｐに対する吸着力のそれぞれを個別に制御するようにしてもよい。
すなわち、感光基板Ｐに対する吸着力を強くすることで感光基板Ｐの熱が基板ホルダＰＨ側に素早く伝達する現象を利用して、例えば感光基板Ｐ上での露光光ＥＬの照射される領域（照射領域）に対応する吸着穴６の吸着力を強くすることにより、露光光ＥＬの照射による感光基板Ｐの加熱を抑えることができる。したがって、感光基板Ｐの熱変形を抑えることができる。そして、感光基板Ｐ上での露光光ＥＬの照射されない領域（非照射領域）に対応する吸着穴６の吸着力を弱めることにより、照射位置に相当する載置面８が熱変形しても、非照射領域での感光基板Ｐが前記載置面８に引っ張られるように変形する現象の発生を抑制できる。すなわち、熱変形する基板ホルダＰＨの一部に対して他の部分の感光基板Ｐが引っ張られないように保持状態が調整される。
【００３９】
更に、感光基板Ｐ上での照射位置に対応する吸着穴６の吸着力を強くすることにより、感光基板Ｐの熱を基板ホルダＰＨ側に素早く伝達させ、その温度における基板ホルダＰＨの飽和熱膨張量まで素早く膨張させることができる。すると、基板ホルダＰＨはこれ以上熱膨張しようとしないので、例えば投影光学系ＰＬの像特性の補正を基板ホルダＰＨの変形分を考慮することなく容易に行うことができる。すなわち、基板ホルダＰＨが温度上昇過渡期である場合においては、基板ホルダＰＨの熱変形の挙動を容易に把握できないので、この熱変形に合わせた像特性調整が困難になるが、吸着力を強めて基板ホルダＰＨを素早く温度上昇させて温度定常状態にすることにより、像特性調整を容易に行うことができる。
【００４０】
吸着穴６による吸着力は、露光光ＥＬの照射により温度上昇した感光基板Ｐ及び載置面８近傍の温度を検出可能な温度検出装置２０の検出結果に基づいて設定される。温度検出装置２０は温度検出結果を制御装置ＣＯＮＴに出力し、制御装置ＣＯＮＴは温度検出装置２０の検出結果に基づいて、感光基板Ｐ及び支持部９が最適温度になるように、感光基板Ｐに対する吸着穴６による吸着力を設定する。これにより、露光光ＥＬが照射され、感光基板Ｐでの加熱された領域に対する吸着力を強くして感光基板Ｐの熱を基板ホルダＰＨ側に積極的に伝達させるといった制御を行うことができる。一方、基板ホルダＰＨの特定領域が大きく温度上昇した場合には、この特定領域における吸着力を弱くして感光基板Ｐとの間での熱交換を抑えるといった制御も可能である。
【００４１】
また、上述したように、各投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｅの投影領域５０ａ〜５０ｅは千鳥状に配置される。この場合、制御装置ＣＯＮＴは、複数の投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｅによる感光基板Ｐ上での投影領域５０ａ〜５０ｅのそれぞれに対応する吸着穴６の吸着力を互いに異なる値に設定するようにしてもよい。これにより、走査露光中における感光基板Ｐの温度分布の発生を抑制できる。例えば、図９に示すように、投影領域５０ａ、５０ｃ、５０ｅが投影領域５０ｂ、５０ｄに対して走査方向前方側にある際、投影領域５０ａ、５０ｃ、５０ｅの走査領域ＡＲ１に対する吸着力を、投影領域５０ｂ、５０ｄの走査領域ＡＲ２に対する吸着力より弱く設定する。すると、投影領域５０ｂ、５０ｄに対して先に露光光ＥＬが照射される投影領域５０ａ、５０ｃ、５０ｅに作用する露光光ＥＬの照射熱は基板ホルダＰＨ側に伝わり難くなり、基板ホルダＰＨの熱変形を抑えることができる。そして、基板ホルダＰＨが仮に熱変形しても、吸着力が弱いために基板ホルダＰＨの熱変形の感光基板Ｐに対する影響（基板ホルダＰＨによる感光基板Ｐに対する引っ張り力）を抑えることができる。したがって、後から投影領域５０ｂ、５０ｄに露光光ＥＬを照射する際、感光基板Ｐの変形が抑えられた状態で投影領域５０ｂ、５０ｄに対して露光光ＥＬを照射できる。一方、基板ホルダＰＨが十分に高い熱伝導率を有する材料により形成されている場合には、走査領域ＡＲ１に対する吸着力を、走査領域ＡＲ２に対する吸着力より強くし、先に露光光ＥＬが照射される投影領域５０ａ、５０ｃ、５０ｅに作用する熱を基板ホルダＰＨに積極的に逃がすようにしてもよい。
【００４２】
また、制御装置ＣＯＮＴは、走査移動する感光基板Ｐのうち露光光ＥＬが照射されている照射領域（投影領域）に対応する吸着穴６の吸着力を第１の吸着力に設定し、照射領域を通過したらこの吸着穴６の吸着力を第１の吸着力より強い第２の吸着力に変更するようにしてもよい。すなわち、制御装置ＣＯＮＴは、感光基板Ｐの走査移動中に吸着穴６の吸着力を変更する。これにより、露光光ＥＬが照射されている最中は、過剰な吸着力による感光基板Ｐの反り変形の発生を抑えた状態で露光処理できる。そして、露光光が照射されたら、この位置に相当する吸着力を強くすることにより、露光光ＥＬの照射で加熱した感光基板Ｐの熱を素早く基板ホルダＰＨ側に逃がすことができる。
【００４３】
もちろん、この場合においても、上述した流体供給装置（温度調整装置）１０を併用し、露光光ＥＬが感光基板Ｐに照射される領域の温度を調整するようにしてもよい。これにより、露光光ＥＬが照射される領域の過剰な温度上昇を抑え、感光基板Ｐや基板ホルダＰＨの熱変形を抑えることができる。
【００４４】
なお、ここでは、感光基板Ｐ上での露光光ＥＬの照射位置に応じて、複数の吸着穴６の感光基板Ｐに対する吸着力のそれぞれを個別に制御する構成であるが、制御装置ＣＯＮＴは、感光基板Ｐに照射される露光光ＥＬの光量に応じて吸着力を制御することも可能である。これによれば、例えば光量が大きい場合には吸着力を強くして感光基板Ｐの熱を素早く基板ホルダＰＨに伝達させて素早く温度飽和状態とし、感光基板Ｐや基板ホルダＰＨに温度分布が生じるのを抑えることができる。逆に、光量が大きい場合には吸着力を弱くして感光基板Ｐの熱を基板ホルダＰＨに伝達し難くするようにしてもよい。この場合、吸着力を弱くすることで基板ホルダＰＨの載置面８に対して感光基板Ｐが滑動可能となるため、感光基板Ｐと基板ホルダＰＨとの熱膨張率の違いにより基板ホルダＰＨの熱変形量に対して感光基板Ｐの熱変形量が大きく異なっていても、感光基板Ｐが基板ホルダＰＨに引っ張られることによる歪みの発生を抑えることができる。
【００４５】
また、感光基板Ｐ上に照射される露光光ＥＬの光量は、マスクＭの原板（ガラス板）上における単位面積あたりのパターンの割合であるパターン密度によっても変化する。したがって、マスクＭのパターン密度を予め求め、求めたパターン密度に応じて吸着力を制御するようにしてもよい。
【００４６】
なお、上記実施形態における露光装置ＥＸは、互いに隣接する複数の投影光学系を有する、いわゆるマルチレンズスキャン型露光装置であるが、投影光学系が１つである走査型露光装置ついても、本発明を適用することができる。更に、露光装置ＥＸとしては、マスクＭと感光基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光する走査型露光装置の他に、マスクＭと感光基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを露光し、感光基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の露光装置にも適用することもできる。
【００４７】
露光装置ＥＸの用途としては角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを露光する液晶用の露光装置に限定されることなく、例えば、半導体製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッドを製造するための露光装置にも広く適当できる。
【００４８】
投影光学系ＰＬの倍率は等倍系のみならず、縮小系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系ＰＬとしては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過する材料を用い、Ｆ２レーザを用いる場合は反射屈折系または屈折系の光学系にする。
【００４９】
基板ステージＰＳＴやマスクステージＭＳＴにリニアモータを用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもいい。また、ステージは、ガイドに沿って移動するタイプでもいいし、ガイドを設けないガイドレスタイプでもよい。
【００５０】
ステージの駆動装置として平面モ−タを用いる場合、磁石ユニットと電機子ユニットのいずれか一方をステージに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットの他方をステージの移動面側（ベース）に設ければよい。
【００５１】
基板ステージＰＳＴの移動により発生する反力は、特開平８−１６６４７５号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた露光装置においても適用可能である。
【００５２】
マスクステージＭＳＴの移動により発生する反力は、特開平８−３３０２２４号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた露光装置においても適用可能である。
【００５３】
以上のように、本願実施形態の露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００５４】
半導体デバイスは、図１０に示すように、デバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板（ウエハ、ガラスプレート）を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置によりレチクルのパターンを基板に露光し、この露光した基板を現像する基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【００５５】
【発明の効果】
本発明の基板保持装置及び露光装置によれば、基板に対してエネルギービームを照射することにより基板が加熱しても、基板の熱変形を抑えることができる。したがって、マスクのパターンを精度良く基板に転写でき、高性能なデバイスを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基板保持装置を備えた露光装置の一実施形態を示す概略斜視図である。
【図２】本発明の基板保持装置の第１実施形態を示す図であって、（ａ）は要部拡大断面図、（ｂ）は平面図である。
【図３】第１実施形態に係る基板保持装置の作用を説明するための模式図である。
【図４】第１実施形態に係る基板保持装置の変形例を示す図である。
【図５】本発明の基板保持装置の第２実施形態を示す図であって、（ａ）は要部拡大断面図、（ｂ）は平面図である。
【図６】本発明の基板保持装置の第３実施形態を示す概略斜視図である。
【図７】第３実施形態に係る基板保持装置を示す図であって、（ａ）は要部拡大断面図、（ｂ）は平面図である。
【図８】第３実施形態に係る基板保持装置の動作の一例を説明するための図である。
【図９】第３実施形態に係る基板保持装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１０】半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【符号の説明】
１…第１支持部、２…第２支持部、３…凸状部材、５…支持面、
６…吸着穴（吸着部）、７…流体供給装置、８…載置面、９…支持部、
１０…流体供給装置（温度調整装置）、２０…温度検出装置、
５０ａ〜５０ｅ…投影領域、Ａ…空間、Ｂ…ブロック状空間、
ＣＯＮＴ…制御装置、ＥＬ…露光光（エネルギービーム）、ＥＸ…露光装置、
Ｍ…マスク、ＭＳＴ…マスクステージ、Ｐ…感光基板（基板）、
ＰＢ…下面（被支持面）、ＰＨ…基板ホルダ（基板保持装置）、
ＰＳＴ…基板ステージ、ＰＳＴＤ…基板ステージ駆動部（移動装置）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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