(57)【要約】【課題】数種類の周波数から所望の発振周波数が得られ、逓倍回路、差動型変換回路を不要とし、ジッタの少ない小型化、低コスト化が図られた電圧制御型発振器を得ることを目的とする。【解決手段】電圧制御型発振器は、外部からの制御電圧により入力信号の位相を所定量ずらして出力する電圧制御移相回路と、それぞれ所定の共振周波数で共振する複数のＳＡＷ共振子と、外部からの制御信号により複数のＳＡＷ共振子のいずれか１つを選択する切り換え手段と、選択されたＳＡＷ共振子からの所定の共振周波数を選択する周波数選択手段と、所定の共振周波数の共振信号を増幅する発振用差動増幅器と、発振用差動増幅器からの出力信号を入力する帰還バッファ用差動増幅器とを備え、電圧制御移相回路と、選択されたＳＡＷ共振子と、周波数選択手段と、発振用差動増幅器と、帰還バッファ用差動増幅器とにより正帰還発振ループを形成する。【選択図】    図１
2004165983.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部からの制御電圧により入力信号の位相を所定量ずらした出力信号として出力する電圧制御移相回路と、
それぞれ所定の共振周波数で共振する複数のＳＡＷ共振子と、
外部からの制御信号により前記複数のＳＡＷ共振子のいずれか１つを選択する第１の切り換え手段と、
前記第１の切り換え手段により、前記複数のＳＡＷ共振子のうちいずれか１つ選択されたＳＡＷ共振子からの所定の共振周波数を有する出力信号を選択する周波数選択手段と、
前記所定の共振周波数の共振信号を増幅して出力する発振用差動増幅器と、
前記発振用差動増幅器からの出力信号を入力する帰還バッファ用差動増幅器とを備え、
前記電圧制御移相回路と、前記第１の切り換え手段により選択されたＳＡＷ共振子と、前記周波数選択手段と、前記発振用差動増幅器と、前記帰還バッファ用差動増幅器とにより正帰還発振ループを形成する
ことを特徴とする電圧制御型発振器。
【請求項２】
外部からの制御電圧により入力信号の位相を所定量ずらした出力信号として出力する電圧制御移相回路と、
それぞれ所定の共振周波数で共振する複数のＳＡＷ共振子と、
外部からの制御信号により前記複数のＳＡＷ共振子のいずれか１つを選択する第１の切り換え手段と、
前記第１の切り換え手段により、前記複数のＳＡＷ共振子のうちいずれか１つ選択されたＳＡＷ共振子からの所定の共振周波数を有する出力信号を選択する周波数選択手段と、
前記周波数選択手段で選択された所定の共振信号を増幅して出力する発振用増幅器と、
前記発振用増幅器からの出力信号を入力する帰還バッファ用増幅器と、
前記発振用増幅器からの信号を入力し、出力信号を出力する複数の出力用増幅器とを備え、
前記電圧制御移相回路と、前記第１の切り換え手段により選択されたＳＡＷ共振子と、前記周波数選択手段と、前記発振用増幅器と、前記帰還バッファ用増幅器とにより正帰還発振ループを形成する
ことを特徴とする電圧制御型発振器。
【請求項３】
前記電圧制御型発振器において、
前記周波数選択手段は、誘導素子及び容量素子を有するＬＣ並列共振回路として構成され、
前記複数のＳＡＷ共振子のそれぞれの一端と接地間で直列に接続される受動素子を備え、
前記複数のＳＡＷ共振子のいずれか１つが選択された際、選択された前記ＳＡＷ共振子に直列接続された前記受動素子は前記ＬＣ並列共振回路と並列接続される
ことを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電圧制御型発振器。
【請求項４】
前記電圧制御型発振器において、
前記周波数選択手段は、誘導素子及び容量素子を有するＬＣ並列共振回路として構成され、
第２の切り換え手段と、
前記第２の切り換え手段と直列に接続される受動素子とを備え、
前記複数のＳＡＷ共振子のいずれか１つが選択された際、選択された前記ＳＡＷ共振子に対応する、前記第２の切り換え手段により選択された前記受動素子が前記ＬＣ並列共振回路と並列接続される
ことを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電圧制御型発振器。
【請求項５】
前記電圧制御型発振器において、
前記周波数選択手段は、誘導素子及び可変容量素子を有するＬＣ並列共振回路として構成され、
外部からの制御信号に基づいて前記可変容量素子の容量を制御するための制御電圧を生成する制御電圧生成手段を備える
ことを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電圧制御型発振器。
【請求項６】
前記電圧制御型発振器において、
反転出力端子及び非反転出力端子を有する前記帰還バッファ用差動増幅器の出力端子のいずれか１つを前記正帰還発振ループとして選択する信号選択手段を備えた
ことを特徴とする請求項１に記載の電圧制御型発振器。
【請求項７】
前記差動増幅器は、
ＥＣＬラインレシーバを用いた差動増幅回路である
ことを特徴とする請求項１又は請求項６のいずれかに記載の電圧制御型発振器。
【請求項８】
前記ＬＣ並列共振回路に並列接続される前記受動素子は容量素子である
ことを特徴とする請求項３又は請求項４のいずれかに記載の電圧制御型発振器。
【請求項９】
前記周波数選択手段は、
負の温度特性を有するＮＴＣサーミスタを備える
ことを特徴とする請求項３乃至請求項５のいずれかに記載の電圧制御型発振器。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９に記載の電圧制御型発振器を備えた
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電圧制御型発振器とこれを用いた電子機器に関し、詳しくは、複数のＳＡＷ共振子を搭載し制御信号により複数のＳＡＷ共振子のいずれか１つを選択して、制御電圧に基づいて発振周波数が変化する電圧制御型発振器と、これを用いた電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
携帯電話などの通信機器では、発振器からのクロック信号に基づいて通信データの送受信が行われる。そして、通信ネットワークのブロードバンド化が進み、市場の要求も４００ＭＨｚを超える高周波帯に移り、この高周波帯おいてデータの送受信が行われるようになっている。近年の通信機器を始めとする電子機器においては、通信速度の高速化の要請から高周波発振器に対して、高周波帯域で周波数安定度が高いこと、通信機器の実用温度範囲において温度補償されていること、さらに、高周波発振器から出力されるクロック信号のジッタが少ないことが望まれている。特に、近年、急成長を見せているギガビット帯を使用したイーサネット（登録商標）やファイバーチャンネル等の高速ネットワーク市場において、高周波発振器のジッタに起因する通信エラーの発生を防止するため、ジッタが極めて少なく高安定化された高周波発振器が要求されている。
【０００３】
又、現在、実用化されている１０Ｇｂｉｔ／ｓの光ファイバ通信システム、例えば、米国のＳＯＮＥＴ（Ｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ  Ｏｐｔｉｃａｌ  ＮＥＴｗｏｒｋ）方式がある。この１０Ｇｂｉｔ／ｓの光ファイバ通信システムおいては、送受信されるデータ構造等の違いからいくつかの周波数が使用され、６００ＭＨｚの帯域では近接した４つの周波数が存在し、それぞれに応じた高周波発振器が必要である。この周波数の違いは、主に、伝送路上で発生する誤りデータの有無を識別するための誤り訂正機能により付加される送信データのビット数の差異や方式上における送受信データの構成の差異によるものである。具体的には、６２２．０８ＭＨｚ，６４４．５３１２５ＭＨｚ，６６６．５１４２９ＭＨｚ，６６９．３２６５８ＭＨｚの周波数がある。
【０００４】
ところで、従来の電圧制御型発振器（Ｖｏｌｔａｇｅ  ＣｏｎｔｒｏｌｌｅｄＯｓｃｉｌｌａｔｏｒ）としては、図２０、又は、図２１に示したものが知られている。
【０００５】
図２０は、ＬＣを用いた並列共振回路から成る電圧制御型発振器（ＶＣＯ）１Ｇのブロック図である。この電圧制御型発振器（ＶＣＯ）１Ｇは、帰還部である並列共振回路８３を備えたコルピッツ型の発振回路８０と、逓倍回路８１と差動変換回路８２から構成される。コルピッツ型の発振回路８０は図示しないＮＰＮ型のバイポーラトランジスタ等から、又、並列共振回路８３はインダクタＬ，コンデンサＣ、及び可変容量ダイオードＣｖにより構成される。そして、制御電圧Ｖｃにより可変容量ダイオードＣｖの容量値を制御することにより、発振周波数が変化するようになっている。コルピッツ型の発振回路８０からの発振出力は、さらに、逓倍回路８１で所望の周波数、例えば、６２２．０８ＭＨｚに逓倍され、１つの入力信号から差動信号が取り出せる差動変換回路８２でクロック信号として出力される。
【０００６】
図２１は、ＡＴカット型水晶振動子を用いた従来の電圧制御型水晶発振器（Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｃｒｉｓｔａｌ  Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）１Ｈの構成を示すブロック図である。この電圧制御型水晶発振器（ＶＣＸＯ）１Ｈは、数１０ＭＨｚで振動するＡＴカット型水晶振動子と電圧制御移相回路８４とコルピッツ型の発振回路８０から成る発振部８５と、前述した逓倍回路８１と、差動変換回路８２とから構成されている。その発振部８５では、電圧制御移相回路８４において外部からの制御電圧Ｖｃを入力し、一定の範囲で発振周波数を可変できるようになっている。
【０００７】
又、従来の電圧制御型水晶発振器（ＶＣＸＯ）において、上記した発振部８５を、例えば、特許文献１に示すような切換制御回路を用いて複数の圧電振動子（水晶振動子）からの信号を選択する多周波切換型発振器に置き換えて構成することもできる。
【０００８】
又、従来の電圧制御型発振器として、例えば、特許文献２に示すように複数のＳＡＷ共振子をスイッチにより切り換えて低雑音で広帯域化を図っているものもある。
【０００９】
【特許文献１】
特開平７−２９７６４０号公報  （段落  ００１３，第１図）
【特許文献２】
特開平８−２１３８３８号公報  （段落  ０００６，第１図）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上記した電圧制御型の高周波発振器は以下に示すような問題点（課題）があった。
【００１１】
図２０に示した電圧制御型発振器（ＶＣＯ）１Ｇは、コイルやコンデンサを用いた並列共振回路のＱ値が非常に小さいためジッタが多く発生し、上記したＳＯＮＥＴ方式のジッタに関するシステム仕様を満足させることができないという課題があった。
【００１２】
一方、図２１に示したＱ値の高いＡＴカット型水晶振動子を用いた電圧制御型水晶発振器（ＶＣＸＯ）１Ｈを使用した場合、ＡＴカット型水晶振動子の周波数変化が数１００ＫＨｚ程度にとどまり、適用する高速の光通信システムのマルチレートへの対応ができないという課題があった。
【００１３】
そして、図２１や特許文献１に記載されているＡＴカット型水晶振動子は、主振動以外に副振動が近接して存在すると、温度条件が変わったときにさらに近接して主振動と結合しやすく、又、必要な振動以外にも不要なスプリアスが存在している。又、逓倍回路８１はＡＴカット型水晶振動子のもつ主振動を基にして逓倍化を図る、即ち、高調波を発生させ必要な高調波のみを高周波信号として得る方式を採用している。このため、ＡＴカット型水晶振動子の主振動と副振動の結合やその振動に起因する不要なスプリアスが、ジッタの発生要因となる。又、逓倍回路８１において、ＡＴカット型水晶振動子の主振動を基に発生させた高周波信号以外の不要な高調波も、ジッタの発生要因となる。従って、それらの発生要因が雑音となってジッタを増大させるという課題があった。
【００１４】
又、従来の電圧制御型発振器１Ｇ，１Ｈは、コルピッツ型の発振回路８０、逓倍回路８１、差動型変換回路８２から構成され、部品を多く必要とするため大型化され、近年の超小型化、低コスト化という要請に反するという課題もあった。
【００１５】
又、特許文献２によれば、複数のＳＡＷ共振子をスイッチにより切り換える構成を採るが、外部からの制御ができないため、一旦、ＳＡＷ共振子を選択してしまえば、その後の変更ができないという課題があった。
【００１６】
又、特許文献２に示すような構成においても、▲１▼バリキャップダイオードの温度特性、特に、低逆電圧（容量値大）において変動が大きいこと、▲２▼能動素子の温度−位相特性、▲３▼コイル，コンデンサ等受動素子の温度特性の影響により、図２２に示すように制御電圧−発振周波数可変特性が大きく変動してしまうという課題がある。即ち、図２２（ａ）に示す発振周波数の温度特性で、特に、高温域において、発振周波数に大きな変動が顕著に見られる。同様に、図２２（ｂ）においても、高温域で、発振周波数に大きな変動が見られる。これらは、ＳＡＷ共振子を用いた電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）に顕著に表れる問題である。
【００１７】
さらに、使用する周波数毎に発振器を提供しようとする場合、それの機種毎に設計・製造が必要となること、又、この発振器を必要とするシステム提供者からの注文に即時に応じるために、常に在庫しておかなければならないという課題があった。
【００１８】
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、電圧制御型発振器の発振部にＱ値の低いＬＣ型の並列共振回路や不要な副振動やスプリアスを有するＡＴカット型水晶振動子を使用することなく、外部からの制御により数種類の周波数を選択的に発振させることのできる電圧制御型発振器を得ることを目的とする。又、逓倍回路、差動型変換回路を用いることなく、ジッタの少ない小型化、低コスト化が図られた電圧制御型発振器を得ることを目的とする。又、発振周波数の温度特性、特に、高温域において、改善が図られた電圧制御型発振器を得ることを目的とする。そして、周波数毎に設計・製造することなく、複数の発振周波数から選択して使用できる電圧制御型発振器を得ることを目的とする。
【００１９】
さらに、本発明は、ネットワークシステムの仕様に応じて周波数が選択でき、かつジッタの少ない小型化、低コスト化が図られた電圧制御型発振器を用いた電子機器、例えば、光ネットワーク通信機器を得ることも目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明の電圧制御型発振器は、外部からの制御電圧により入力信号の位相を所定量ずらした出力信号として出力する電圧制御移相回路と、それぞれ所定の共振周波数で共振する複数のＳＡＷ共振子と、外部からの制御信号により前記複数のＳＡＷ共振子のいずれか１つを選択する第１の切り換え手段と、前記第１の切り換え手段により、前記複数のＳＡＷ共振子のうちいずれか１つ選択されたＳＡＷ共振子からの所定の共振周波数を有する出力信号を選択する周波数選択手段と、前記所定の共振周波数の共振信号を増幅して出力する発振用差動増幅器と、前記発振用差動増幅器からの出力信号を入力する帰還バッファ用差動増幅器とを備え、前記電圧制御移相回路と、前記第１の切り換え手段により選択されたＳＡＷ共振子と、前記周波数選択手段と、前記発振用差動増幅器と、前記帰還バッファ用差動増幅器とにより正帰還発振ループを形成することを特徴とする。
【００２１】
上記構成によれば、所望の共振周波数が得られ、１種類の電圧制御型発振器で光ファイバ通信システムにおける周波数の異なる個々のシステム仕様に応じることができる。併せて、この選択されたＳＡＷ共振子に対応する周波数選択手段により、回路のインピーダンス不整合による雑音や、異常発振に基づく不要な雑音を除去できるので、それらの雑音に起因するジッタを発生することがないという効果がある。
【００２２】
本発明の電圧制御型発振器は、外部からの記制御電圧により入力信号の位相を所定量ずらした出力信号として出力する電圧制御移相回路と、それぞれ所定の共振周波数で共振する複数のＳＡＷ共振子と、外部からの制御信号により前記複数のＳＡＷ共振子のいずれか１つを選択する第１の切り換え手段と、前記第１の切り換え手段により、前記複数のＳＡＷ共振子のうちいずれか１つ選択されたＳＡＷ共振子からの所定の共振周波数を有する出力信号を選択する周波数選択手段と、前記周波数選択手段で選択された所定の共振信号を増幅して出力する発振用増幅器と、前記発振用増幅器からの出力信号を入力する帰還バッファ用増幅器と、前記発振用増幅器からの信号を入力し、出力信号を出力する複数の出力用増幅器とを備え、前記電圧制御移相回路と、前記第１の切り換え手段により選択されたＳＡＷ共振子と、前記周波数選択手段と、前記発振用増幅器と、前記帰還バッファ用増幅器とにより正帰還発振ループを形成することを特徴とする。
【００２３】
上記構成によれば、所望の共振周波数が得られ、１種類の電圧制御型発振器で光ファイバ通信システムにおける周波数の異なる個々のシステム仕様に応じることができる。併せて、周波数選択手段により、回路のインピーダンス不整合による雑音や、異常発振に基づく不要な雑音を除去できるので、それらの雑音に起因するジッタを発生することがない。さらに、集積回路（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）内部に複数の出力用増幅器を備えるので、電圧制御型発振器の出力に出力バッファ用ドライバＩＣのような外付用部品を追加する必要がなくなり、小型化、低価格化が図れるという効果がある。
【００２４】
本発明の電圧制御型発振器は、前記周波数選択手段が、誘導素子及び容量素子を有するＬＣ並列共振回路として構成され、前記複数のＳＡＷ共振子のそれぞれの一端と接地間で直列に接続される受動素子を備え、前記複数のＳＡＷ共振子のいずれか１つが選択された際、選択された前記ＳＡＷ共振子に直列接続された前記受動素子は前記ＬＣ並列共振回路と並列接続されることを特徴とする。
【００２５】
上記構成によれば、選択されたＳＡＷ共振子に対応するＬＣ並列共振回路単位での切り換えや、受動素子を個別に選択するための切り換え手段を設ける必要がないので、部品の節約が図られ、電圧制御型発振器の小型化を図ることができるという効果がある。
【００２６】
本発明の電圧制御型発振器は、前記周波数選択手段は、誘導素子及び容量素子を有するＬＣ並列共振回路として構成され、第２の切り換え手段と、前記第２の切り換え手段の一端と接地間で直列に接続される受動素子とを備え、前記複数のＳＡＷ共振子のいずれか１つが選択された際、選択された前記ＳＡＷ共振子に対応する、前記第２の切り換え手段により選択された前記受動素子が前記ＬＣ並列共振回路と並列接続されることを特徴とする。
【００２７】
上記構成によれば、選択されたＳＡＷ共振子に対応するＬＣ並列共振回路単位で切り換える必要がないので、誘導素子（インダクタ）の節約が図られ、電圧制御型発振器の小型化を図ることができるという効果がある。
【００２８】
本発明の電圧制御型発振器は、前記周波数選択手段が、誘導素子及び可変容量素子を有するＬＣ並列共振回路として構成され、外部からの制御信号に基づいて前記可変容量素子の容量を制御するための制御電圧を生成する制御電圧生成手段を備えることを特徴とする。
【００２９】
上記構成によれば、周波数選択手段（ＬＣ並列共振回路）は、誘導素子（インダクタ）と可変容量素子（可変容量ダイオード）とからなる簡易な構成を採用している。このため、複数の個別の容量素子（コンデンサ）を配置して、これらと誘導素子と多数の、かつ長い配線を行う必要がない。この結果、複数の容量素子と誘導素子における配線間に存在する浮遊容量等が発生しないので、ＬＣ並列共振回路の特性に与える悪影響をなくすことができるという効果がある。
【００３０】
本発明の電圧制御型発振器は、反転出力端子及び非反転出力端子を有する前記帰還バッファ用差動増幅器の出力端子のいずれか１つを前記正帰還発振ループとして選択する信号選択手段を備えたことを特徴とする。
【００３１】
上記構成によれば、帰還バッファ用差動増幅器から出力される互いに相異なる位相を有する二つの信号のうちからいずれかを選択することができるので、電圧制御移相回路における調整可能な移相量を少なく設定することができる。この結果、使用する周波数帯に応じて複数の電圧制御移相回路を備える必要がないので、電圧制御型発振器の小型化、低価格化が図られるという効果がある。
【００３２】
本発明の電圧制御型発振器は、前記差動増幅器は、ＥＣＬラインレシーバを用いた差動増幅回路であることを特徴とする。
【００３３】
上記構成によれば、集積回路化が容易となるので、その電圧制御型発振器の小型化、低消費電力化を図ることができ、かつ高速で動作させることができるという効果がある。
【００３４】
本発明の電圧制御型発振器は上記の構成において、前記ＬＣ並列共振回路に並列接続される前記受動素子は容量素子であることを特徴とする。
【００３５】
上記構成によれば、複数のＳＡＷ共振子のいずれか１つが選択されると、これに対応する受動素子として簡易な容量素子がＬＣ並列共振回路に並列に接続されるので、ＬＣ並列共振回路の周波数選択性を容易に変更させることができるという効果がある。
【００３６】
本発明の電圧制御型発振器は、前記周波数選択手段が負の温度特性を有するＮＴＣサーミスタを備えることを特徴とする。
【００３７】
上記構成によれば、電圧制御型発振器の制御電圧−発振周波数特性が広い温度範囲、特に高温域におけるその特性が大幅に改善される。この結果、発振周波数の温度による変化を軽減できるので、周囲の環境温度が高温になったとしても、周波数の安定した電圧制御型発振器が得られるという効果がある。
【００３８】
本発明の電子機器は、上記に記載した電圧制御型発振器を備えたことを特徴とする。
【００３９】
上記構成によれば、使用するＳＡＷ共振子毎に簡易にＬＣ並列共振回路を形成して、不要なジッタを大幅に削減し高安定化された電圧制御型発振器を使用することにより、送受信データとクロック信号間におけるタイミングマージンが確保される。これにより、本発明による電圧制御型発振器を電子機器、例えば、光インターフェースモジュールに適用すれば誤動作することなく光ネットワークを介して安定したデータ送受信を行うことができる。又、本発明の電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）は、外部からの制御により複数のＳＡＷ共振子の共振周波数を選択的に切り換え可能である。従って、本発明の電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）を１個搭載しておけば、システム側からシステムの仕様に応じて発振周波数を切り換えることができる。併せて、周波数の異なる個別の電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）を複数設ける必要がないので、小型化、低価格化が図られた光インターフェースモジュールを提供することができるという効果がある。
【００４０】
【発明の実施の形態】
（１）第１の実施形態
最初に、第１の実施形態について、説明する。
【００４１】
（１−１）  第１の実施形態の構成
Ａ．電圧制御型ＳＡＷ発振器の構成
図１は、本発明の第１の実施形態による電圧制御型ＳＡＷ発振器（Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  ＳＡＷ  Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ：ＶＣＳＯ）１Ａの構成を示すブロック図である。
【００４２】
電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）１Ａは、発振用差動増幅器２１，出力用差動増幅器２２、帰還バッファ用差動増幅器２３をそれぞれ内蔵するＩＣチップ２ａと、外部からの制御電圧Ｖｃに基づいて入力信号の位相を所定量ずらし調整する電圧制御移相回路３と、それぞれ所定の共振周波数を有する複数のＳＡＷ共振子Ｘ１〜Ｘｎと、外部からの制御信号によりオン／オフ動作する切り換えスイッチ（第１の切り換え手段）４ａと、インダクタＬとコンデンサＣのＬＣ並列共振回路５ａ（周波数選択手段）とから構成される。又、ＩＣチップ２ａから出力され、これの外部から基準バイアス電圧ＶＢＢが、発振用差動増幅器２１の反転入力端子Ｄ２に供給される。そして、少なくとも、発振用差動増幅器２１，帰還バッファ用差動増幅器２３，電圧制御移相回路３，切り換えスイッチ４ａによりいずれか１つ選択されたＳＡＷ共振子Ｘｍ（但し、ｍ＝１〜ｎ）と、ＬＣ並列共振回路５ａとにより正帰還発振ループが形成される。
【００４３】
尚、選択されたＳＡＷ共振子を、以下、ＳＡＷ共振子Ｘｍと表示する。
ＳＡＷ共振子は、圧電基板上にすだれ状の励振電極と梯子状の反射器を配置し、励振電極で励振された表面波を反射器で反射させることで定在波を発生させ、共振子として機能させるものである。又、所定の周波数以外に共振点が存在しないので、ＳＡＷ共振子自身からは不要な雑音が発生せず、これに起因するジッタを発生することがないという利点を有する。ＳＡＷ共振子は共振周波数が数１００ＭＨｚ〜数ＧＨｚであり、高周波発振回路に用いられる。
【００４４】
前述した３つの差動増幅器２１〜２３は、図２に示すＥＣＬラインレシーバ（Ｅｍｉｔｔｅｒ−Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｌｏｇｉｃ：エミッタ結合論理）を用いた差動増幅回路である。ＥＣＬラインレシーバは、低消費電力であり、かつ高速動作が可能であるので高周波発振器に用いられている。又、図２に示すように、ＳＡＷ共振子Ｘｍからの共振信号を増幅する差動増幅器２１〜２３は、ＥＣＬラインレシーバを用いた差動増幅回路から構成されるので、集積回路化が容易であり、電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）１Ａの小型化を実現することができる。
【００４５】
発振用差動増幅器２１では、ＳＡＷ共振子Ｘｍからの所定の共振周波数ｆｍの信号が発振用差動増幅器２１の非反転入力端子Ｄ１に入力される。そして、相互の位相差が１８０度である出力信号が、非反転出力端子Ｑ＋と反転出力端子Ｑ−から出力される。
【００４６】
出力用差動増幅器２２は、発振用差動増幅器２１からの出力信号を波形整形し所定の発振周波数、例えば、６２２．０８ＭＨｚのクロック信号Ｆとして出力する。
【００４７】
帰還バッファ用差動増幅器２３はバッファ機能を有する差動増幅器であり、その出力は出力端子Ｑ１，Ｑ２に出力される。そして、ＥＣＬラインレシーバを用いた帰還バッファ用差動増幅器２３のそれぞれの出力端子Ｑ１，Ｑ２に、図示しないエミッタ終端抵抗がＩＣチップ２ａの外付け用としてそれぞれ接続される。尚、図２には、エミッタ終端抵抗Ｒ６，Ｒ７を出力端子ＯＵＴ−，ＯＵＴ＋のそれぞれに接続した状態が示されている。
【００４８】
電圧制御移相回路３は、外部からの制御電圧Ｖｃに基づいて電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）１Ａの位相条件を満足させるため、帰還バッファ用差動増幅器２３からの出力信号ＳＱ１又はＳＱ２のいずれかを所定の位相量に調整する。
【００４９】
図３は、電圧制御移相回路３の構成を示す回路図である。
ＬＣ並列共振回路５ａは、インダクタＬとコンデンサＣの並列回路として、発振用差動増幅器２１の非反転及び反転のそれぞれの入力端子Ｄ１，Ｄ２間に接続される。そして、選択されたＳＡＷ共振子Ｘｍの共振周波数ｆｍを選択し出力する。
【００５０】
Ｂ．ＳＡＷ共振子とＬＣ並列共振回路の構成
次に、図１及び図４を参照して、第１の実施形態の電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）１Ａに使用される複数のＳＡＷ共振子とＬＣ並列共振回路の構成に関していくつかの実施例について説明する。
【００５１】
＜実施例１＞
まず、図１に基づいて実施例１を説明する。
図１において、複数のＳＡＷ共振子Ｘ１〜Ｘｎはそれぞれの一端に切り換えスイッチ４ａが接続され、この切り換えスイッチ４ａの他端にはＬＣ並列共振回路５ａが接続される。入力端子Ｔｃを介して外部から入力された制御信号ＣＯＮＴにより、複数のＳＡＷ共振子Ｘ１〜Ｘｎのいずれか１つのＳＡＷ共振子Ｘｍを選択する。この選択により、前述したような所定の共振周波数、例えば、６２２．０８ＭＨｚ，６４４．５３１２５ＭＨｚ，６６６．５１４２９ＭＨｚ，６６９．３２６５８ＭＨｚのいずれかが得られることになる。
【００５２】
又、複数のＳＡＷ共振子Ｘ１〜Ｘｎそれぞれの端子とコンデンサＣ１〜Ｃｎ（受動素子）の一端が切り換えスイッチ４ａを介して直列接続され、コンデンサＣ１〜Ｃｎの他端が接地される。この構成は、ＳＡＷ共振子Ｘ１〜Ｘｎのいずれか１つのＳＡＷ共振子Ｘｍが選択されると同時に、これに対応するコンデンサＣｍ（ｍ＝１〜ｎ）をＬＣ並列共振回路５ａと並列に接続するというものである。
【００５３】
ここで、ＳＡＷ共振子と同様に、以下、コンデンサＣｍは選択されたコンデンサを表示するものとする。
【００５４】
ここで、図１に示した構成を一部変更した変形例について説明する。
図４は、図１に示した、ＳＡＷ共振子とＬＣ並列共振回路５ａの基本的な構成に対する変形例を示す図である。図４によれば、ＳＡＷ共振子Ｘｍ’（ｍ’＝１〜ｎ）に直列接続したコンデンサＣｍ’を廃し、ＬＣ並列共振回路５ａのコンデンサＣと共用させて構成したものである。これにより、図１の構成と比べてコンデンサを１つ減らすことができる。
【００５５】
以上説明したように、実施例１はＳＡＷ共振子ＸｍとコンデンサＣｍを直列接続させた構成で切り換えるというものである。この構成により、インダクタとコンデンサからなる並列共振回路毎に切り換えるという構成に比べて、複数のインダクタ分の部品が削減される。さらに、後述する実施例２（図５参照）に示す個別のコンデンサＣ１〜Ｃｎそれぞれの単位で選択する切り換えスイッチを設ける必要がないので、切り換えスイッチの節約が図られ、電圧制御型発振器の小型化を図ることができる。
【００５６】
＜実施例２＞
次に、図５に基づいて、実施例２を説明する。
図５（ａ）は、付加するコンデンサＣ１〜Ｃｎと切り換えスイッチ４ｂとで構成する場合のその構成を示す図である。即ち、図５（ａ）において、実施例２は、ＳＡＷ共振子Ｘ１〜Ｘｎとこれらを選択する切り換えスイッチ４ａと複数のコンデンサＣ１〜Ｃｎとこれらを選択する切り換えスイッチ（第２の切り換え手段）４ｂとＬＣ並列共振回路５ａとから構成したものである。そして、外部からの制御信号ＣＯＮＴに基づいて、選択されたＳＡＷ共振子Ｘｍに対応するコンデンサＣｍを、切り換えスイッチ４ｂにより選択し、このコンデンサＣｍがインダクタＬと、さらに、並列に接続され、ＬＣ並列共振回路５ａが形成される。
【００５７】
図５（ｂ）は、第１の実施形態における実施例２の変形例を示す図である。
図５（ｂ）によれば、この変形例は、複数のコンデンサＣ１〜Ｃｎのいずれか１つのコンデンサＣｍ’（ｍ’＝１〜ｎ）を廃し、コンデンサＣで兼用させるというものである。図５（ｂ）は、コンデンサを伴わないＳＡＷ共振子Ｘｍ’（ｍ＝ｍ’）が選択された場合を示している。この構成により、図５（ａ）に示す構成に比べコンデンサを１個削減することができる。
【００５８】
以上説明したように、実施例２はコンデンサＣ１〜Ｃｎのいずれか１つを選択したコンデンサＣｍを、さらにＬＣ並列共振回路５ａのインダクタＬに付加させるというものである。このような構成により、インダクタとコンデンサからなる並列共振回路毎に切り換えるという構成に比べて、複数のインダクタ分の部品が削減され、電圧制御型発振器の小型化を図ることができる。
【００５９】
尚、実施例２において、切り換えスイッチ４ｂにコンデンサＣ１〜Ｃｎをそれぞれ直列接続した構成で説明したが、コンデンサＣ１〜Ｃｎに切り換えスイッチ４ｂをそれぞれ直列接続して、切り換えスイッチ４ｂの一端を接地する構成としても、同様の効果を奏する。
【００６０】
又、切り換えスイッチ４ａ，４ｂの切り換え手段として、ダイオードスイッチ、スイッチングトランジスタ、また、マルチプレクサ等の手段のいずれによっても実現できる。
【００６１】
Ｃ．ＬＣ並列共振回路の役割
次に、図６に基づいて、選択されたコンデンサＣｍが並列接続されるＬＣ並列共振回路５ａの役割とその周波数特性について説明する。尚、ここでは、説明上、図１に示す構成で２つのＳＡＷ共振子の場合について説明する。
【００６２】
ＳＡＷ共振子Ｘ１，Ｘ２の共振周波数をそれぞれｆ１，ｆ２とする。又、ＳＡＷ共振子Ｘ１が選択されたときのＬＣ並列共振回路５ａの共振周波数ｆｓ１は、コンデンサＣ１が付加されて、ｆｓ１＝１／（２π√（Ｌ（Ｃ＋Ｃ１）））である。ＳＡＷ共振子Ｘ２が選択されたときのＬＣ並列共振回路５ａの共振周波数ｆｓ２は、コンデンサＣ２が付加されて、ｆｓ２＝１／（２π√（Ｌ（Ｃ＋Ｃ２）））と表わされる。これらの関係を図示したものが、図６である。
【００６３】
図６において、例えば、ＳＡＷ共振子Ｘ１におけるＬＣ並列共振回路５ａの周波数特性は、コンデンサＣ１が付加されて（ａ）として表わされ、ＳＡＷ共振子Ｘ１の共振周波数ｆ１はその特性（ａ）内では選択可能な周波数となる。同様に、ＳＡＷ共振子Ｘ２が選択されるとコンデンサＣ２が付加されるので、そのときのＬＣ並列共振回路５ａの周波数特性は（ｂ）のように周波数が低いほうに移動し（Ｃ２＞Ｃ１の場合）、ＳＡＷ共振子Ｘ２の共振周波数ｆ２は特性（ｂ）内で選択可能な周波数となる。
【００６４】
以上説明したように、付加されるコンデンサＣｍにより、ＬＣ並列共振回路５ａの周波数特性は、これに対応するＳＡＷ共振子Ｘｍの共振周波数ｆｍを選択できる特性に変更される。
【００６５】
ところで、このＬＣ並列共振回路を設ける理由は、不要な周波数を除去する点にある。即ち、数１００ＭＨｚで共振するＳＡＷ共振子を用いた高周波用の電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）１Ａは、ＳＡＷ共振子Ｘ１〜Ｘｎを始めとして、電圧制御移相回路３、ＬＣ並列共振回路５ａ、差動増幅器２１，２３からなる帰還回路を構成している。この帰還回路におけるインピーダンスの整合性が十分にとれないことに起因して高周波発振信号波形が歪む等、不要な高調波が存在する。
【００６６】
図７は、ＳＡＷ共振子Ｘｍを回路記号で等価的に表わしたときの電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）１Ａの等価回路である。図７に示すように、正規の正帰還発振ループ（ａ）以外に、ＳＡＷ共振子Ｘｍの電極間容量Ｃｄｍ（ｍ＝１〜ｎ）に基づく正帰還発振ループ（ｂ）がこの帰還回路に存在する。この正規でない正帰還発振ループ（ｂ）に起因する異常発振が発生することになり、電圧制御型発振器自体に、それらの不要な周波数を除去するために周波数選択性を持たせることが必要となる。即ち、ＬＣ並列共振回路５ａにこの機能を持たせ、これにより、図６で説明したようにＳＡＷ共振子Ｘｍの共振周波数ｆｍが選択され、一方、前述した不要な高調波や異常発振等の雑音を除去することができる。
【００６７】
（１−２）  第１の実施形態から得られる効果
次に、本発明の第１の実施形態から得られる効果について説明する。
第１の実施形態によれば、複数のＳＡＷ共振子とこれを選択するための切り換えスイッチを備え、入力端子を介して外部から入力された制御信号により、複数のＳＡＷ共振子のいずれか１つのＳＡＷ共振子が選択される。この選択により、システムの仕様に応じた所定の共振周波数が得られることになり、１種類の電圧制御型発振器で光ファイバ通信システムにおける個々のシステム仕様に応じることができるという効果が得られる。
【００６８】
又、１種類の電圧制御型発振器を設計・製造すればよいので、その在庫管理が容易になるという効果が得られる。
【００６９】
又、電圧制御型発振器には、周波数選択性を持つＬＣ並列共振回路を備えているので、回路のインピーダンス不整合による雑音の発生や、正規でない正帰還発振ループによる異常発振等に起因する不要な雑音を除去できる。この結果、ＳＡＷ共振子の共振周波数のみが選択され、それらの雑音が除去されて、これらに起因するジッタを発生することがないという効果が得られる。
【００７０】
又、複数のＳＡＷ共振子のいずれか１つが選択された際、これに対応するコンデンサがＬＣ並列共振回路と並列に接続されるという構成を採る。このため、選択されたＳＡＷ共振子の共振周波数に合わせてＬＣ並列共振回路の選択特性を簡易に変更することができるという効果が得られる。
【００７１】
又、インダクタとコンデンサからなるＬＣ並列共振回路単位で切り換える必要がないので、複数個のインダクタ部品を削減することができ、電圧制御型発振器の大型化を抑制できるという効果が得られる。
【００７２】
又、ＳＡＷ共振子は、ＡＴカット型水晶振動子のような副振動がないので、主振動と結合することがないうえに、不要なスプリアスも存在しない。又、さらに高い周波数を得るための逓倍回路を必要としないので、高調波も発生することがない。従って、それらに起因するジッタを発生することがないという効果が得られる。
さらに、逓倍回路をなくすことで簡易な構成が採れるので、電圧制御型発振器の大型化を抑制して、小型化・低価格化を図ることができるという効果が得られる。
【００７３】
（２）第２の実施形態
次に、第２の実施形態について、説明する。
【００７４】
（２−１）  第２の実施形態の構成
図８は、本発明の第２の実施形態による電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）１Ｃの構成を示すブロック図である。第１の実施形態を示す図１との差異は、ＳＡＷ共振子Ｘ１〜Ｘｎに接続されたコンデンサＣ１〜Ｃｎを廃し、可変容量ダイオード（可変容量素子）ＣｖｏからなるＬＣ並列共振回路５ｂと制御電圧生成部６とを設けた点にある。
【００７５】
図８において、ＬＣ並列共振回路５ｂは、可変容量ダイオードＣｖｏとインダクタＬから構成され、後述する制御電圧Ｖｃｏを入力し可変容量ダイオードＣｖｏの容量値を設定し、選択されたＳＡＷ共振子Ｘｍの共振周波数ｆｍを有する信号を選択する。
【００７６】
又、制御電圧生成部６は、外部端子Ｔｃを介して入力された制御信号Ｖｃｎｔに基づいて、ＳＡＷ共振子Ｘｍの所望する共振周波数を選択するために必要な、ＬＣ並列共振回路５ｂの可変容量ダイオードＣｖｏに供給する制御電圧Ｖｃｏを生成する。
【００７７】
これ以外の構成については、第１の実施形態と同一であるので、同一ブロックには同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
【００７８】
尚、このＬＣ並列共振回路５ｂの周波数特性は、制御電圧Ｖｃｏにより可変容量ダイオードＣｖｏの容量値が設定される点を除けば、同一の容量値を有する個別のコンデンサの場合と同一である。
【００７９】
（２−２）  第２の実施形態から得られる効果
次に、本発明の第２の実施形態から得られる効果について説明する。
第２の実施形態によれば、ＬＣ並列共振回路は、可変容量ダイオードとインダクタからなる簡易な構成を採用しているので、第１の実施形態で説明した複数の個別のコンデンサを廃し、これらとインダクタと多数の、かつ長い配線をなくすことができる。この結果、複数のコンデンサとインダクタの配線間に存在する浮遊容量等がなくなり、ＬＣ並列共振回路に与える悪影響を防止できるという効果が得られる。
尚、その他の効果については、ＬＣ並列共振回路５ｂに関係する効果を除き第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００８０】
（３）第３の実施形態
次に、第３の実施形態について、説明する。
【００８１】
（３−１）  第３の実施形態の原理
図９は、本発明の第３の実施形態による電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）１Ｄの構成を示すブロック図である。
【００８２】
本発明による第３の実施形態は、ＬＣ並列共振回路５ａにＮＴＣサーミスタＲＴを並列に接続した構成を採る。この点以外は、第１又は第２の実施形態と同一であるのでその説明は省略する。尚、説明は、図１に基づいた構成で説明する。
【００８３】
図９において、通常，図３に示した電圧制御位相回路３のバリキャップダイオードＣｖによりリアクタンスを可変させ、発振ループの位相を可変することによって制御電圧−周波数特性が得られる。即ち、バリキャップダイオードに印加する制御電圧により、所望の発振周波数が得られる。
【００８４】
ところで、「発明が解決しようとする課題」で説明したように、選択されたＳＡＷ共振子Ｘｍと電圧制御位相回路３を用いた構成において、制御電圧−発振周波数特性（図２２参照）が、特に、高温域において、大きく変動してしまうという問題がある。このような問題に対しては、図９に示すように、第１の実施形態におけるＬＣ並列共振回路５ａに並列にＮＴＣサーミスタＲＴを接続することにより改善される。この温度特性の改善について、図１０乃至図１３を参照して、説明する。
【００８５】
ＮＴＣサーミスタＲＴは負の温度特性を有し、一般的に、図１０に示すように、周囲の環境温度が上昇すると、ＮＴＣサーミスタＲＴの抵抗値Ｒは指数関数的に減少する。
【００８６】
図１１は、ＬＣ並列共振回路５ｃのＮＴＣサーミスタＲＴの抵抗値Ｒを変化させた場合の周波数−位相特性を示す図である。図１１の矢印で示すように、周波数−位相特性は、ＮＴＣサーミスタＲＴの抵抗値Ｒが小さいほど、ＬＣ並列共振回路５ｃの共振周波数ＦＡ（例えば、前述の６２２．０８ＭＨｚ）を中心に左回りに回転させたような特性が得られる。即ち、抵抗値Ｒが小さいほど、周波数−位相特性は平坦な特性が得られ、周波数変化に対して位相量の変化が小さくなる。
【００８７】
又、図１２は、このＬＣ並列共振回路５ｃの共振周波数ＦＡより高い任意の周波数Ｆ１（図１１参照）、例えば、６２５ＭＨｚという周波数における温度−位相変化量特性を示す図である。図１２の縦軸は、共振周波数ＦＡにおける位相を０として周波数Ｆ１の位相との差を、温度を変えたときの位相変化量として表わしたものである。図１２に示す破線は、ＬＣ並列共振回路５ｃにサーミスタＲＴが接続されていない場合、又、実線はサーミスタＲＴを接続した場合の特性を示している。
【００８８】
図１２の破線が示すように、ＮＴＣサーミスタＲＴが接続されていない場合は、低温域においては位相変化量が小さいのに対し、高温域においては位相変化量が大きくなる。一方、図１２の実線が示すように、ＮＴＣサーミスタＲＴを接続した場合は、高温において抵抗値Ｒが小さくなると位相変化量が小さくなり、低温、高温に関係なく位相変化量はほぼ一定となる、という特性を有する。言い換えると、高温域においてＮＴＣサーミスタＲＴの抵抗値Ｒを小さくすることで、位相の変化量が大きくなることを防止している。
【００８９】
図１３は、電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）１Ｄの正帰還発振ループにおける発振周波数Ｆ−周波数可変感度を示す図である。ここで、周波数可変感度とは、単位制御電圧Ｖｃ当たりの発振周波数の周波数偏差で表わしたものである。図１３において、破線はＮＴＣサーミスタＲＴの抵抗値Ｒが大きい場合を、そして、実線は抵抗値Ｒが小さいときの周波数可変感度特性を示す。即ち、環境温度が高くなってＮＴＣサーミスタＲＴの抵抗値Ｒが小さくなるほど、発振周波数の高い領域においても、その周波数可変感度が向上し、低い領域とほぼ同じ感度を持たせることができる事を示している。従って、高温になったとしても、ＮＴＣサーミスタＲＴの抵抗Ｒが小さくなって、周波数可変感度を維持することができる。
【００９０】
（３−２）  第３の実施形態から得られる効果
次に、本発明の第３の実施形態から得られる効果について説明する。
上記の図１３で説明したように、ＮＴＣサーミスタＲＴをＬＣ並列共振回路５ａに並列接続させて正帰還発振ループの周波数可変感度を、温度に関係なくほぼ一定にすることができるので、図１４及び図１５に示すような改善効果が得られる。
【００９１】
図１４において、電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）における制御電圧Ｖｃ−発振周波数Ｆの特性が示すように、高温における制御電圧Ｖｃに対する発振周波数Ｆの変化を他の温度域の場合とほぼ同じ特性にすることができる。又、図１５の発振周波数Ｆの温度特性が示すように、広い温度範囲で発振周波数Ｆの温度による変化をほぼ同じ傾向の特性とすることができる。特に、高温域におけるその温度特性が従来と比較して大幅に改善され（図２２参照）、発振周波数Ｆの温度による変化を軽減できるので、周囲の環境温度が高温になったとしても、周波数の安定した電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）が得られるという効果を有する。
【００９２】
又、発振周波数の高温域における温度特性を改善するに当たり、ＮＴＣサーミスタＲＴをＬＣ並列共振回路に並列接続させるという簡易な構成を採用しているので、新たな専用の温度補償回路を設ける必要がない。従って、発振回路の大規模化が抑制され、電圧制御型発振器の小型化、低価格化が図られるという効果が得られる。
尚、その他の効果については、第１及び第２の実施形態と同様の効果が得られる。
【００９３】
（４）第４の実施形態
次に、第４の実施形態について、説明する。
【００９４】
（４−１）  第４の実施形態の構成
図１６は、本発明の第４の実施形態による電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）１Ｅの構成を示すブロック図である。第１の実施形態を示す図１との差異は、スイッチ回路ＳＷを設けた点にある。これ以外の点については第１乃至第３の実施形態と同一であるので、同一ブロックには同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
【００９５】
図１６によれば、帰還バッファ用差動増幅器２３の後段には、この非反転出力端子Ｑ１から出力される信号ＳＱ１あるいはその反転出力端子Ｑ２から出力される信号ＳＱ２のいずれかを選択するスイッチ回路（信号選択部）ＳＷが設けられている。そして、スイッチ回路ＳＷの後段には、電圧制御移相回路３が接続され、電圧制御移相回路３における移相量が少なくなるように、スイッチ回路ＳＷは、信号ＳＱ１または信号ＳＱ２のいずれかを選択的に出力する。尚、ＬＣ並列共振回路５は、コンデンサＣ，インダクタＬ、可変容量ダイオードＣｖｏ、ＮＴＣサーミスタＲＴから構成されることは、第１乃至第３の実施形態と同様である。
【００９６】
（４−２）スイッチ回路による信号選択
次に、電圧制御移相回路３における移相量が少なくなるように、帰還バッファ用差動増幅器２３の出力をスイッチ回路ＳＷにより選択する点について説明する。
【００９７】
最初に、スイッチ回路ＳＷを設ける技術的背景について説明する。
２つの光通信ネットワークシステム、一例として、２．５Ｇｂｉｔ／ｓ及び１０Ｇｂｉｔ／ｓのネットワークシステムに用いられる周波数として、前者では１５５．５２ＭＨｚ、後者では前述した６００ＭＨｚ帯の周波数がある。この両者に適用できるＳＡＷ共振子を複数設けて、これらに共通して使用できる電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）を設計する場合がある。このような場合、使用する周波数に大きな開きがあると電圧制御位相回路３が複数必要となるか、あるいは、１つの回路でその規模が複雑かつ規模が大きくなる。この問題点を回避するために、使用する周波数帯に応じた、簡易、かつ、回路規模の小型化ができる手段が必要となる。この手段が、帰還バッファ差動増幅器２３の出力信号を選択するスイッチ回路ＳＷである。
【００９８】
図１７を参照して、第４の実施形態におけるスイッチ回路ＳＷによる信号選択を行うための手順について説明する。
図１７は、信号ＳＱ１あるいは信号ＳＱ２のいずれかを用いた場合に電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）１Ｅ全体として位相条件を満たすために電圧制御移相回路３において必要とされる移相量を表した図である。すなわち、電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）１Ｅにおける所望の共振周波数をｆｍとして、正帰還発振ループにおいて信号ＳＱ１を用いたとする。この場合、正帰還発振ループ全体において位相条件を満たさせるためには、電圧制御移相回路３における移相量をΔＱ１としなければならないということを表している。信号ＳＱ２についても同様である。
【００９９】
位相差ΔＱ１と位相差ΔＱ２とを比較し、電圧制御移相回路３における移相量がより少なくなるＴＸ端子（Ｘ＝１，２）側にスイッチ回路ＳＷを切り換える。この切り換えは、図１５に示すように、通常、外部からの制御信号ＣＯＮＴに基づいてＳＡＷ共振子Ｘ１〜Ｘｎの切り換えと連動して行われる。尚、外部からの制御信号ＣＯＮＴによらず、機械的なスイッチで手動による切り換えであってもよい。
【０１００】
ΔＱ１＞ΔＱ２である場合（高い方の周波数、例えば、前述した６２２．０８ＭＨｚ）には、スイッチ回路ＳＷを帰還バッファ用差動増幅器２３の反転出力端子Ｑ２のＴ２端子側とする。また、ΔＱ１＜ΔＱ２である場合（低い方の周波数、例えば、前述した１５５．５２ＭＨｚ）には、スイッチ回路ＳＷを帰還バッファ用差動増幅器２３の非反転出力端子Ｑ１のＴ１端子側とする。
【０１０１】
ところで、発振用差動増幅回路２１、帰還バッファ用差動増幅器２３、スイッチ回路ＳＷ、電圧制御移相回路３、ＳＡＷ共振子ＸｍおよびＬＣ並列共振回路５ａにより構成される正帰還発振ループの位相条件がある。この場合、発振用差動増幅回路２１の入出力信号間の位相差θＧおよび帰還バッファ用差動増幅器２３、スイッチ回路ＳＷ、電圧制御移相回路３、ＳＡＷ共振子ＸｍおよびＬＣ並列共振回路５ａ並びにこれらを接続する線路に起因する位相ずれθβの和が次式を満たす。
【０１０２】
〔数１〕
θＧ＋θβ＝２・ｎ・π      （ｎ＝０，１，……）
この位相条件を満足させる結果、電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）１Ｅは発振状態となって非反転出力端子Ｑ１及び反転出力端子Ｑ２から基準信号が出力される。
【０１０３】
以上、説明したように、帰還バッファ用差動増幅器２３から出力される互いに相異なる位相を有する二つの信号のいずれかをスイッチ回路ＳＷで選択する構成を採ることにより、電圧制御移相回路３における調整可能な移相量は少なくてよいことになる。
【０１０４】
（４−３）  第４の実施形態から得られる効果
上述した第１乃至第３の実施形態と同様な効果が得られるとともに、次のような効果が得られる。
第４の実施形態によれば、帰還バッファ用差動増幅器から出力される互いに相異なる位相を有する二つの信号のうちからいずれかをスイッチ回路ＳＷで選択する構成を採ることにより、電圧制御移相回路における調整可能な移相量を少なく設定することができる。この結果、複数の電圧制御移相回路が不要となること、又は、電圧制御移相回路の複雑化が抑制され、発振回路の回路規模を増やすことなく、電圧制御型発振器の小型化、低価格化が図られるという効果が得られる。
【０１０５】
（５）第５の実施形態
次に、第５の実施形態について、説明する。
【０１０６】
（５−１）  第５の実施形態の構成
図１８は、本発明の第５の実施形態による電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）１Ｆの構成を示すブロック図である。
【０１０７】
図１との差異は、差動増幅器の代わりに入出力が単一型の増幅器を用いる点にある。即ち、発振用増幅器６１の出力に複数の増幅器６２−１〜６２−ｎ，６３を並列接続し、正帰還発振ループを形成する帰還バッファ用増幅器６３、外部に出力するための出力用増幅器６２−１〜６２−ｎとして用いる点にある。この点以外は、第１乃至第３の実施形態のいずれかと同一であるので、同一ブロックには同一符号を付してその詳細な説明は省略する。
【０１０８】
（５−２）  第５の実施形態から得られる効果
上述した第１乃至第４の実施形態と同様な効果が得られるとともに、次のような効果が得られる。
【０１０９】
電圧制御型発振器の出力に複数の負荷回路を接続する場合、負荷回路間相互の影響を回避するために電圧制御型発振器の外付け用部品として出力バッファ用ドライバＩＣを必要とする。
【０１１０】
このような場合に、第５の実施形態の構成によれば、発振用増幅器の出力信号をＩＣチップ内部に設けた複数の出力用増幅器のいずれかを介して分岐し、それぞれに複数の負荷回路を接続することで相互の影響を回避することができる。併せて、外付用として使用する出力バッファ用ドライバＩＣのような部品を余分に追加することがなくなり、小型化、低価格化が図れるという効果がある。
【０１１１】
（６）第６の実施形態
次に、第６の実施形態について説明する。
上記した本発明に係る各実施形態の電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）を通信機器に適用した場合について説明する。
【０１１２】
図１９は、本発明に係る電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）１Ａを用いたとしたときの光インターフェースモジュール７０の概要を示す構成図である。光インターフェースモジュール７０は、光ネットワークを介したデータ送受信などを実行するために、光信号と電気信号との信号変換を行う。例えば、１０．３１２５Ｇｂｉｔ／ｓの光信号と、３．１２５Ｇｂｉｔ／ｓの電気信号（４系統）との信号変換を行う。電気／光変換部７６は、Ｐ／Ｓ（パラレル／シリアル）変換部７４から出力された電気信号を光信号に変換し、光ネットワーク側に出力する。光／電気変換部７７は、光ネットワーク側から入力された光信号を電気信号に変換しＳ／Ｐ（シリアル／パラレル）変換部７５に出力する。
【０１１３】
電圧制御型発振器７８，７９は、本発明に係る電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）１Ａであり、ジッタが極めて低減され安定化された一定周波数のクロック信号を出力する。そして、このクロック信号は基準信号として、ビット符号変換部７３を介して接続された３．１２５Ｇｂｉｔ／ｓのＳ／Ｐ変換部７１およびＰ／Ｓ変換部７２、１０．３１２５Ｇｂｉｔ／ｓのＰ／Ｓ変換部７４およびＳ／Ｐ変換部７５の各部に用いられる。
【０１１４】
以上説明したように、選択されるＳＡＷ共振子毎に簡易にＬＣ並列共振回路を形成して、不要なジッタを大幅に削減し高安定化された電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）を使用している。これにより、送受信データとクロック信号間におけるタイミングマージンが確保されるので、誤動作することなく光ネットワークを介して安定したデータ送受信を行うことができる。
【０１１５】
又、動画像のような大量のデータが伝送できる１０Ｇｂｉｔ／ｓの高速ネットワークシステムにおいて、安定した動作を容易に確保することができるという効果が得られる。
【０１１６】
又、本発明の電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）は、複数のＳＡＷ共振子を搭載しこの共振周波数を切り換えるための制御信号を備え、外部から制御が可能である。従って、本発明の電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）を１個搭載しておけば、システム側からシステムの仕様に応じて発振周波数を切り換えることができるという効果が得られる。併せて、周波数の異なる個別の電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）を複数設ける必要がないので、小型化、低価格化が図られた光インターフェースモジュールを提供することができる、という効果が得られる。
【０１１７】
尚、電圧制御型発振器７８，７９に、本発明に係る、第２乃至第４の実施形態における電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆを適用した場合においても、電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）１Ａと同様の効果が得られる。
【０１１８】
（７）変形例
本願発明は、上述した実施形態に限らず種々の態様にて実施することができる。例えば、以下のような変形実施が可能である。
【０１１９】
＜第１変形例＞
上記した実施形態の増幅器は、バイポーラトランジスタを使用して構成した実施例を示し説明したが、トランジスタの種類が異なるＭＯＳトランジスタにより構成してもよい。
【０１２０】
＜第２変形例＞
又、電圧制御型発振器をネットワーク用の光インターフェースモジュールに用いる場合について説明したが、発振器、特に高周波発振器を必要とする携帯電話などの無線通信機器など各種電子機器に適用することが可能である。
【０１２１】
＜第３変形例＞
水晶振動子、セラミック振動子やＳＡＷ共振子等の圧電振動子を構成する圧電材料について、水晶の他、他の圧電材料としてランガサイトや四ほう酸リチウムを用いた構成としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態における電圧制御型ＳＡＷ発振器の構成を示すブロック図である。
【図２】ＥＣＬラインレシーバの回路構成を示す回路図である。
【図３】本発明の第１の実施形態における電圧制御移相回路の構成を示す回路図である。
【図４】本発明の第１の実施形態における実施例１の変形例を示す図である。
【図５】本発明の第１の実施形態における電圧制御型ＳＡＷ発振器の実施例２の構成を示すブロック図である。
【図６】本発明の第１の実施形態におけるＬＣ並列共振回路の周波数特性を説明する図である。
【図７】本発明の第１の実施形態における電圧制御型ＳＡＷ発振器の正帰還発振ループを説明する図である。
【図８】本発明の第２の実施形態における電圧制御型ＳＡＷ発振器の構成を示すブロック図である。
【図９】本発明の第３の実施形態における電圧制御型ＳＡＷ発振器の構成を示すブロック図である。
【図１０】本発明の第３の実施形態に用いられるＮＴＣサーミスタが有する抵抗値の温度特性を示す図である。
【図１１】ＮＴＣサーミスタを並列に接続したときのＬＣ並列共振回路の周波数−位相特性を示す図である。
【図１２】ＮＴＣサーミスタを並列に接続する場合と接続しない場合のＬＣ並列共振回路における位相変化量の温度特性を示す図である。
【図１３】本発明の第３の実施形態に係る電圧制御型ＳＡＷ発振器の正帰還発振ループにおける発振周波数−周波数可変感度特性を示す図である。
【図１４】本発明の第３の実施形態における電圧制御型ＳＡＷ発振器の発振周波数の制御電圧特性を示す図である。
【図１５】本発明の第３の実施形態における電圧制御型ＳＡＷ発振器において、制御電圧を可変したときの発振周波数の温度特性を示す図である。
【図１６】本発明の第４の実施形態における電圧制御型ＳＡＷ発振器の構成を示すブロック図である。
【図１７】電圧制御型ＳＡＷ発振器全体として位相条件を満たすために電圧制御移相回路が必要とする移相量を説明する図である。
【図１８】本発明の第５の実施形態における電圧制御型ＳＡＷ発振器の構成を示すブロック図である。
【図１９】本発明の第６の実施形態における、電圧制御型ＳＡＷ発振器を用いた光インターフェースモジュールの概要を示す構成図である。
【図２０】ＬＣを用いた並列共振回路から成る従来の電圧制御型発振器の構成を示すブロック図である。
【図２１】ＡＴカット型水晶振動子を用いた従来の電圧制御型発振器の構成を示すブロック図である。
【図２２】従来の電圧制御型ＳＡＷ発振器において、制御電圧を可変して得られる発振周波数の制御電圧特性と温度特性を示す図である。
【符号の説明】
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ・・・電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）
２ａ，２ｂ・・・ＩＣチップ
２１，２２，２３・・・差動増幅器
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５・・・抵抗
Ｒ６，Ｒ７・・・エミッタ終端抵抗
Ｔｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３，Ｔｒ４，Ｔｒ５・・・バイポーラトランジスタ
６１，６２−１〜６２−ｎ，６３・・・増幅器
３・・・電圧制御移相回路
Ｌｖ・・・伸長コイル
Ｃｖ・・・可変容量ダイオード
Ｃｍ・・・コンデンサ
Ｒ８，Ｒｖ・・・抵抗
４ａ，４ｂ・・・切り換えスイッチ
Ｃ１〜Ｃｎ・・・コンデンサ
５ａ，５ｂ，５ｃ・・・ＬＣ並列共振回路
ＲＴ・・・ＮＴＣサーミスタ
Ｃ・・・コンデンサ
Ｌ・・・インダクタ
Ｃｖｏ・・・可変容量ダイオード
Ｘ１〜Ｘｎ・・・ＳＡＷ共振子
Ｒｍ・・・直列抵抗
Ｃｍｏ・・・直列容量
Ｌｍ・・・直列インダクタンス
Ｃｄｍ・・・並列容量（電極間容量）
６・・・制御電圧生成部
ＳＷ・・・スイッチ回路
７０・・・光インターフェースモジュール
７１，７５・・・Ｓ／Ｐ（シリアル／パラレル）変換部
７２，７４・・・Ｐ／Ｓ（パラレル／シリアル）変換部
７３・・・ビット符号変換部
７６・・・電気／光変換部
７７・・・光／電気変換部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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