(57)【要約】【課題】製造工程が簡単で、コストの削減及び高スループットを有するＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法を提供する。【解決手段】表面に犠牲層（１０１）を被覆した第１基板（１０）上に、半導体素子及び画素電極（１２）を形成し、前記半導体素子及び前記画素電極（１２）の上に、光学素子（１５）を形成した後、第２基板（２０）を前記光学素子（１５）上に接合し、その後、前記第１基板（１０）の裏面に加熱を施し、前記犠牲層を離脱させることにより、前記画素電極（１２）の平坦面を露出させる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に犠牲層を被覆した第１基板上に、半導体素子及び画素電極を形成し、前記半導体素子及び前記画素電極の上に、光学素子を形成した後、第２基板を前記光学素子上に接合し、その後、前記第１基板の裏面に加熱を施し、前記犠牲層を離脱することにより、前記画素電極の平坦面を露出させることを特徴とするＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
表面に犠牲層を被覆した第１基板を提供する工程と、
前記犠牲層上に半導体素子保護層を形成する工程と、
前記半導体素子保護層上に半導体薄膜を形成し、該半導体薄膜にドーピングを行ない、ドレーン、ソース及び能動領域を形成して、該半導体薄膜上にゲート絶縁層及びゲート電極を形成することにより、半導体素子を構成する工程と、
前記半導体素子保護層上に画素電極を形成する工程と、
前記半導体薄膜及び前記画素電極を電気接続する工程と、
前記半導体素子及び前記画素電極の上に光学素子を形成する工程と、
前記光学素子上に第２基板を接合する工程と、
前記第１基板の裏面に加熱を施すことにより、前記犠牲層を前記半導体素子から離脱する工程と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
前記犠牲層と前記半導体素子保護層との間に配向層を形成することを特徴とする請求項２に記載のＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
前記犠牲層上にエッチング・研磨保護層を形成することを特徴とする請求項２又は３に記載のＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
表面に犠牲層を被覆した第１基板を提供する工程と、
前記犠牲層上にエッチング・研磨保護層を形成する工程と、
前記エッチング・研磨保護層上に半導体薄膜を形成し、該半導体薄膜にドーピングを行ない、ドレーン、ソース及び能動領域を形成して、該半導体薄膜上にゲート絶縁層及びゲート電極を形成することにより、半導体素子を構成する工程と、
前記エッチング・研磨保護層上に画素電極を形成する工程と、
前記半導体薄膜及び前記画素電極を電気接続する工程と、
前記半導体素子及び前記画素電極の上に光学素子を形成する工程と、
前記光学素子上に第２基板を接合する工程と、
前記第１基板の裏面に加熱を施すことにより、前記犠牲層を前記半導体素子から離脱する工程と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
前記エッチング・研磨保護層に配向層を形成することを特徴とする請求項５に記載のＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
表面に犠牲層を被覆した第１基板を提供する工程と、
前記犠牲層上に配向層を形成する工程と、
前記配向層上に半導体薄膜を形成し、該半導体薄膜にドーピングを行ない、ドレーン、ソース及び能動領域を形成して、該半導体薄膜上にゲート絶縁層及びゲート電極を形成することにより、半導体素子を構成する工程と、
前記配向層上に画素電極を形成する工程と、
前記半導体薄膜及び前記画素電極を電気接続する工程と、
前記半導体素子及び前記画素電極の上に光学素子を形成する工程と、
前記光学素子上に第２基板を接合する工程と、
前記第１基板の裏面に加熱を施すことにより、前記犠牲層を前記半導体素子から離脱する工程と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
前記犠牲層上にエッチング・研磨保護層を形成することを特徴とする請求項７に記載のＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
表面に犠牲層を被覆した第１基板を提供する工程と、
前記犠牲層上に半導体薄膜を形成し、該半導体薄膜にドーピングを行ない、ドレーン、ソース及び能動領域を形成する工程と、
前記半導体薄膜及び前記犠牲層に透明絶縁層を被覆し、その透明絶縁層における半導体薄膜と対応する位置にゲート絶縁層を形成し、該ゲート絶縁層上にゲート電極を形成することにより、半導体素子を構成する工程と、
前記透明絶縁層上に画素電極を形成する工程と、
前記半導体薄膜及び前記画素電極を電気接続する工程と、
前記半導体素子及び前記画素電極の上に光学素子を形成する工程と、
前記光学素子上に第２基板を接合する工程と
前記第１基板の裏面に加熱を施すことにより、前記犠牲層を前記半導体素子から離脱する工程と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】
前記犠牲層上に半導体素子保護層を形成することを特徴とする請求項９に記載のＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１１】
前記犠牲層上に配向層を形成することを特徴とする請求項９又は１０に記載のＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１２】
前記犠牲層上にエッチング・研磨保護層を形成することを特徴とする請求項９又は１０に記載のＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１３】
表面に犠牲層を被覆した第１基板を提供する工程と、
前記犠牲層上に画素電極及び半導体素子を被覆する工程と、
前記犠牲層上に半導体薄膜を形成し、該半導体薄膜にドーピングを行ない、ドレーン、ソース及び能動領域を形成すると共に、該半導体薄膜上にゲート絶縁層を形成することにより、半導体素子を構成する工程と、
前記半導体薄膜及び前記画素電極を電気接続する工程と、
前記半導体素子及び前記画素電極の上に光学素子を形成する工程と、
前記光学素子上に第２基板を接合する工程と、
前記第１基板の裏面に加熱を施すことにより、前記犠牲層を前記半導体素子から離脱する工程と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１４】
前記犠牲層と前記画素電極との間にエッチング・研磨保護層を形成することを特徴とする請求項１３に記載のＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１５】
前記犠牲層上に配向層を形成することを特徴とする請求項１３又は１４に記載のＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１６】
前記接合は、直接接合、陽極接合、低温接合、間接接合、接着接合、又はレーザ溶融接合により行うことを特徴とする請求項２、５、７、９及び１３のいずれか１項に記載のＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特に製造工程を簡素化できると共に、高い歩留り率を提供できるＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法に関するものでる。
【０００２】
【従来の技術】
図１２のＡ〜Ｆは、従来のＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法を示す図であり、下記のような製造工程を含む。
表面に犠牲層（５０１）が形成された第１基板（５０）を提供し、該犠牲層（５０１）上に保護層（５１）を形成し、保護層（５１）上に、半導体薄膜（５２）、第１透明絶縁層（５３）、ゲート電極（５６）を順に形成することによって、半導体素子（ＴＦＴ液晶）を構成し、その半導体素子上に第２透明絶縁層（５４）及び保護層（５５）を順に被覆する工程と、
図１２Ａに示すように、前記保護層（５５）に透明電極層を被覆して、リソグラフィー、エッチングにより半導体薄膜（５２）と接続する画素電極（５７）を形成する工程と、
図１２Ｂに示すように、保護層（５５）及び画素電極（５７）の上にダミー被覆層（６０）を形成して、該ダミー被覆層（６０）の上に第２基板（支持用基板）（６１）を形成する工程と、
図１２Ｃ及び図１２Ｄに示すように、レザー光を第１基板（５０）から犠牲層（５０１）に入射し、非結晶シリコンである該犠牲層（５０１）に含まれる水素の原子に照射して、それにより発生する熱で、第１基板（５０）と半導体素子とを分離する工程と、
図１２Ｅに示すように、半導体素子を搬送するための第３基板（７０）を接合する工程と、
図１２Ｆに示すように、第２基板（６１）及びダミー被覆層（６０）を除去して、上側における透明電極５７ａを露出させる工程と、を含む。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記の製造工程によれば、優れた電気特性を有する第１基板（５０）上に予め半導体素子を製造しておき、その後、半導体素子を有する第１基板（５０）を第３基板（７０）上に転載することによって、該第３基板（７０）上に優れた電気特性を有する半導体素子（ＴＦＴ、ＭＩＭ、ＴＦＤ）を設けるが、上記の製造工程では実施する際に、下記に示すような欠点を有する。
１．半導体素子を製造するために、少なくとも３つの基板を要するので、経済的ではない。
２．使用する基板の枚数が多すぎるため、製造工程も必然的に複雑になってしまう。又、製造工程において、支持用基板及び被覆層は一般に消耗材料として使用され、それらの消耗材料は、半導体素子を製造する際に、レーザ分離及び転載を行うために必要な支持力を提供するものであるが、転載を二回行うと、もう使用できなくなり、廃棄しなければならないので、製造コストが増加してしまう。更に、上記の製造工程によれば、単にパネルの半導体素子が形成されるが、その後、光学素子の製造工程を行う必要があるので、光学素子と半導体素子とのアラインメント工程を増加し、該アラインメント工程に係る設備も増加しなければならないので、製造コストを一層高める。
３．画素電極は高温で形成され、該画素電極の表面が完全に平坦面を達していないので、尖端放電が発生することにより、画面に異常のスポットが現われ、画面の品質に悪影響を及ぼす。
従って、上記従来のＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法において、製造工程は複雑であると共に、製造コストも高くなる等の問題を有するので、更に改善する必要がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、表面に犠牲層を被覆した第１基板上に、半導体素子及び画素電極を形成し、前記半導体素子及び前記画素電極の上に、光学素子を形成した後、第２基板を前記光学素子上に接合し、その後、前記第１基板の裏面に加熱を施し、前記犠牲層を離脱することにより、前記画素電極の平坦面を露出させることを特徴とするＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法、
を提供する。
【０００５】
【作用】
本発明は上記の課題を解決するものであり、一回の加熱分離、転載により、半導体素子と光学素子とを搭載して、基板上に転載することができるので、消耗材料である支持用基板等を使用する必要はなく、又、半導体素子と光学素子とを予め搭載しているので、その後、半導体素子と光学素子との位置合わせを行う必要がなく、更に、本発明によれば画素電極に平坦な露出面を形成できるので、優れた画面の品質を有するＴＦＴ液晶ディスプレイパネルを提供することができる。
【０００６】
以下、添付図面を参照して本発明の好適な実施の形態を詳細に説明する。
【０００７】
【発明の実施の形態】
図１Ａ〜Ｇは本発明に係わるＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法の第１実施例の流れを示す概略断面図であり、図２Ａ〜Ｃは本発明に係わるＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法の第２実施例の流れを示す概略断面図であり、図３Ａ〜Ｃは本発明に係わるＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法の第３実施例の流れを示す概略断面図であり、図４Ａ〜Ｃは本発明に係わるＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法の第４実施例の流れを示す概略断面図であり、図５Ａ〜Ｃは本発明に係わるＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法の第５実施例の流れを示す概略断面図であり、図６Ａ、Ｂは本発明に係わるＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法の第６実施例の流れを示す概略断面図であり、図７Ａ〜Ｃは本発明に係わるＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法の第７実施例の流れを示す概略断面図であり、図８Ａ〜Ｃは本発明に係わるＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法の第８実施例の流れを示す概略断面図であり、図９Ａ〜Ｃは本発明に係わるＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法の第９実施例の流れを示す概略断面図であり、図１０Ａ〜Ｃは本発明に係わるＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法の第１０実施例の流れを示す概略断面図であり、図１１Ａ〜Ｃは本発明に係わるＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法の第１１実施例の流れを示す概略断面図である。
【０００８】
図１Ａ〜Ｇは本発明に係わるＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法の第１実施例の流れを示す概略断面図であり、該製造方法は下記の製造工程を含む。
【０００９】
図１Ａに示すように、まず、第１基板（１０）を提供し、該第１基板（１０）はシリコン、プラスチック、ガラス、又は石英の材料からなると共に、その上面に非結晶シリコン材料からなる犠牲層（１０１）を形成し、該犠牲層（１０１）は水素の原子を含んでいるので、高温の環境にさらされると、分離の現象が発生する。
続いて、犠牲層（１０１）上を被覆するようにエッチング・研磨保護層（１０２）を形成し、該エッチング・研磨保護層（１０２）は酸化珪、窒化珪、ダイヤモンド及び類ダイヤモンドカーボン（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）のいずれか一つの材料から構成してもよい。
そして、エッチング・研磨保護層（１０２）上を被覆するように半導体素子保護層（１０３）を形成し、
半導体素子保護層（１０３）上を被覆するように半導体薄膜（１１）を形成すると共に、パターン化を行うことにより、半導体素子の能動領域として使用し、又、薄膜トランジスタを製造する場合は、ドレーン及びソース領域を更にドーピングすればよい。
次に、半導体素子保護層（１０３）及び半導体薄膜（１１）の上を第１透明絶縁層１３により被覆すると共に、パターン化を行うことにより、半導体薄膜（１１）上にゲート絶縁層（１３ａ）を形成し、そのゲート絶縁層（１３ａ）上に絶縁層（１４１）に被覆されるゲート電極（１４）を形成する。
更に、半導体素子保護層（１０３）上に、半導体薄膜（１１）と電気接続するように画素電極（１２）を形成する。
最後に、光学素子（１５）を形成し、該光学素子（１５）は色変換材料（例えば、蛍光粉、りん粉等）、フィルタ、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、高分子発光ダイオード（ＰＬＥＤ）、偏光シート、輝度向上シート、拡散シート、視野角拡大フィルム、反射防止コート等である。
【００１０】
又、図１Ｂに示すように、第２基板（２０）を光学素子（１５）上に接合する。接合方式としては、直接接合（ｄｉｒｅｃｔ  ｂｏｎｄｉｎｇ）、陽極接合（ａｎｏｄｉｃ  ｂｏｎｄｉｎｇ）、低温接合（ｌｏｗ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｂｏｎｄｉｎｇ）、間接接合（ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  ｂｏｎｄｉｎｇ）、接着接合（ａｄｈｅｓｉｖｅ  ｂｏｎｄｉｎｇ）、レーザ溶融接合等を用いると共に、それらの接合は、全体接合又は選択的接合にも採用することができる。
【００１１】
次に、図１Ｃに示すように、第１基板（１０）の底面を徐々に接近する照射式又は選択照射式で加熱する（例えば、快速高温アニール技術、パルス式快速高温アニール技術又はレーザビーム加熱技術等を採用する加熱方式）ことによって、図１Ｄ及び図１Ｅに示すように、第１基板（１０）における犠牲層（１０１）に分離を発生させ、第１基板（１０）をエッチング・研磨保護層（１０２）から除去する。即ち、第１基板（１０）を半導体素子、光学素子及び第２基板（２０）から離脱する。
【００１２】
最後に、図１Ｆに示すように、エッチング・研磨保護層（１０２）を除去すると共に、半導体素子保護層（１０３）をパターン化し、半導体素子と対応する位置における半導体素子保護層（１０３）のみ保留して、画素電極（１２）の下側の平坦面を露出させる。
【００１３】
上記第１実施例において、半導体素子（例えば、ＴＦＴ、ＭＯＳ、ＭＩＭ、ＴＦＤ）は一般の半導体製造工程で使用されるシリコン、ガラス等の基板により高温の雰囲気で形成されることによって、優れた電気特性を有する電子素子を製造することができ、又は、半導体素子を形成した後、光学素子は各種ディスプレイタイプに対応して半導体素子上に搭載される。従って、１回の転載工程だけで、光学素子と電子素子を第２基板（２０）に搭載して、該両素子を高精度でアライメントすることができる。又、画素電極（１２）は、極力第１基板（１０）に近づけて形成されるので、第１基板（１０）を離脱した後、平坦な露出面を得ることができる。
【００１４】
図２Ａ〜Ｃは、本発明の第２実施例の流れを示す概略断面図であり、その構成は殆ど第１実施例と同様であり、その相違点としては、第１基板（１０）に、エッチング・研磨保護層（図示せず）を形成せずに犠牲層（１０１）及び半導体素子保護層（１０３）のみを順に形成する点であり、こうすることにより第１基板（１０）を離脱して、半導体素子保護層（１０３）にパターン化を行った後に、画素電極（１２）を露出させることができる。
【００１５】
図３Ａ〜Ｃは本発明の第３実施例の流れを示す概略断面図であり、その構成は殆ど第１実施例と同様であり、その相違点としては、ゲート絶縁層（１３ａ）を形成する際に、第１透明絶縁層（１３）をエッチングせずに、画素電極（１２）を直接に第１透明絶縁層（１３）上に形成することから、画素電極（１２）を露出させる際に、エッチング・研磨保護層（１０２）、半導体素子保護層（１０３）及び第１透明絶縁層（１３）に対してそれぞれエッチングを行う必要がある点である。
【００１６】
図４Ａ〜Ｃは本発明の第４実施例の流れを示す概略断面図であり、それは第２実施例及び第３実施例の特徴を組み合わせて構成されるものであるが、本実施例と、第２実施例及び第３実施例との相違点としては、半導体素子保護層（図示せず）を形成せずに画素電極（１２）を第１透明絶縁層（１３）上に形成する点である。
【００１７】
図５Ａ〜Ｃは本発明の第５実施例の流れを示す概略断面図であり、その構成は殆ど第１実施例と同様であり、その相違点としては、第１基板（１０）上に、犠牲層（１０１）、配向層（１０４）及びパターン化された半導体素子保護層（１０３）を順に形成すると共に、画素電極（１２）を配向層（１０４）上に形成する点である。
【００１８】
図６Ａ及びＢは本発明の第５実施例の流れを示す概略断面図であり、その構成は殆ど第１実施例と同様であり、その相違点としては、第１基板（１０）上に、犠牲層（１０１）及び配向層（１０４）を順に形成すると共に、画素電極（１２）を配向層（１０４）上に形成する点である。
【００１９】
図７Ａ〜Ｃは本発明の第７実施例の流れを示す概略断面図であり、その構成は殆ど第１実施例と同様であり、その相違点としては、第１基板（１０）上に、犠牲層（１０１）、エッチング・研磨保護層（１０２）、配向層（１０４）及びパターン化された半導体素子保護層（１０３）を順に形成すると共に、画素電極（１２）を配向層（１０４）上に形成する点である。
【００２０】
上述した各実施例は、半導体素子を製造するために採用する方法であるが、以下に、半導体素子を製造するために採用する他の実施例を示す。
【００２１】
以下の各実施例と上記の各実施例との相違点は、その製造工程の一部が逆であり、即ち、画素電極を予め基板上に形成した後、ＴＦＴ液晶の製造を行うものである。
図８Ａ〜Ｃは本発明の第８実施例の流れを示す概略断面図であり、まず、第１基板（１０）上に、犠牲層（１０１）、エッチング・研磨保護層（１０２）、画素電極（１２）及び半導体素子保護層（１０３）を順に形成して、半導体素子保護層（１０３）上に薄膜トランジスタを製造し、該薄膜トランジスタを作成した後、光学素子（１５）の製造、その後の加熱及びエッチング工程を行う。
【００２２】
図９Ａ〜Ｃは本発明の第９実施例の流れを示す概略断面図であり、その構成と第８実施例との相違点は、エッチング・研磨保護層（図示せず）が省略される点である。
【００２３】
図１０Ａ〜Ｃは本発明の第１０実施例の流れを示す概略断面図であり、その構成と第８実施例との相違点は、エッチング・研磨保護層（１０２）の代わりに、配向層（１０４）を使用する点である。
【００２４】
図１１Ａ〜Ｃは本発明の第１１実施例の流れを示す概略断面図であり、その構成と第８実施例との相違点は、配向層（１０４）を更にエッチング・研磨保護層（１０２）上に形成する点である。
【００２５】
上記各実施例の説明からも分かるように、本発明は少なくとも以下の特徴を有している。
１．半導体素子と光学素子とを同一の基板に搭載することができる。
２．優れた光学、電気特性を持つパネルを形成することができると共に、転載工程において、単に１回の反転動作だけで半導体素子と光学素子とを同一の基板に搭載することにより、従来の支持用基板を使用しないと共に、第１基板を再利用することができるので、製造コストを削減することができる。
３．半導体素子の製造工程において、画素電極は、インナーリードボンディングの方式を使用すると共に、極力第１基板に近づけて形成されることにより、転載工程を完成した後、直接露出ことができ、又は、エッチング・研磨保護層及び／又は半導体素子保護層をパターン化してから露出することができる。特に、画素電極は、パターン化工程を実施せずに平坦面を露出することができるので、その後、液晶、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）又は高分子発光ダイオード（ＰＬＥＤ）等の発光材料と組み合わせた際に、画面の品質を向上させることができる。
【００２６】
【発明の効果】
上述したように、本発明は、基板の両面加工の方式を採用し、半導体素子と光学素子とを同一の基板に搭載することができると共に、優れた光学、電気特性を持つデバイスを製造するため、加熱、転載の工程において単に１回の反転だけで高品質のディスプレイパネルを製造することができ、光学素子及び電子素子を製造する際に使用される第１基板を再利用することができ、従来の技術と比べて、より簡単な製造工程、コストの削減及び高品質を有するＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法が実現される。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ａ〜Ｇは本発明に係わるＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法の第１実施例の流れを示す概略断面図である。
【図２】Ａ〜Ｃは本発明に係わるＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法の第２実施例の流れを示す概略断面図である。
【図３】Ａ〜Ｃは本発明に係わるＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法の第３実施例の流れを示す概略断面図である。
【図４】Ａ〜Ｃは本発明に係わるＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法の第４実施例の流れを示す概略断面図である。
【図５】Ａ〜Ｃは本発明に係わるＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法の第５実施例の流れを示す概略断面図である。
【図６】Ａ及びＢは本発明に係わるＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法の第６実施例の流れを示す概略断面図である。
【図７】Ａ〜Ｃは本発明に係わるＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法の第７実施例の流れを示す概略断面図である。
【図８】Ａ〜Ｃは本発明に係わるＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法の第８実施例の流れを示す概略断面図である。
【図９】Ａ〜Ｃは本発明に係わるＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法の第９実施例の流れを示す概略断面図である。
【図１０】Ａ〜Ｃは本発明に係わるＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法の第１０実施例の流れを示す概略断面図である。
【図１１】Ａ〜Ｃは本発明に係わるＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法の第１１実施例の流れを示す概略断面図である。
【図１２Ａ】本発明に係わるＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法の第１２実施例の流れを示す概略断面図である。
【図１２Ｂ】本発明に係わるＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法の第１２実施例の流れを示す概略断面図である。
【図１２Ｃ】本発明に係わるＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法の第１２実施例の流れを示す概略断面図である。
【図１２Ｄ】本発明に係わるＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法の第１２実施例の流れを示す概略断面図である。
【図１２Ｅ】本発明に係わるＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法の第１２実施例の流れを示す概略断面図である。
【図１２Ｆ】本発明に係わるＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法の第１２実施例の流れを示す概略断面図である。
【符号の説明】
１０…第１基板
１０１…犠牲層
１０２…エッチング・研磨保護層
１０３…半導体素子保護層
１０４…配向層
１１…半導体薄膜
１２…画素電極
１３…第１透明絶縁層
１３ａ…ゲート絶縁層
１４…ゲート電極
１４１…絶縁層
１５…光学素子
１６…第３保護層
２０…第２基板
５０…第１基板
５０１…犠牲層
５１…保護層
５２…半導体薄膜
５３…第１透明絶縁層
５４…第２透明絶縁層
５５…保護層
５６…ゲート電極
５７…画素電極
５７ａ…透明電極
５８…第１金属層
５９…第２金属層
６０…被覆層
６１…第２基板
７０…第３基板
【図１】
2004252297.tif 000003
【図２】
2004252297.tif 000004
【図３】
2004252297.tif 000005
【図４】
2004252297.tif 000006
【図５】
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【図６】
2004252297.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１２Ｄ】
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【図１２Ｅ】
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【図１２Ｆ】
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