(57)【要約】【課題】磁気記録媒体の面内配向性を高め、低ノイズ化、および良好な磁気特性、電磁変換特性を実現する。【解決手段】非磁性の基板１上に、Ｃｏを主成分とする磁気記録層３を有する磁気記録媒体１０において、上記基板１と、上記磁気記録層３との間に、ＲｕおよびＯからなる下地層２を形成する。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性の基板上に、Ｃｏを主成分とする磁気記録層を有する磁気記録媒体であって、
上記基板と、上記磁気記録層との間に、ＲｕおよびＯからなる下地層を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
上記下地層の膜厚が、２０ｎｍ〜４０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
非磁性の基板上に下地層を形成する工程と、当該下地層上に磁気記録層を形成する工程とを有する磁気記録媒体の製造方法であって、
上記下地層を形成する工程においては、製膜ガスとしてＡｒに２〜５％の酸素ガスが添加されたものを用いて、スパッタ法によって製膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
コンピューターの記憶装置等として、従来ハードディスクドライブが用いられている。このハードディスクドライブは、表面が高精度に研磨されたアルミニウムあるいはガラス等からなるディスク基板上に信号記録層が形成された磁気ディスクを記録媒体として用い、この磁気ディスクの信号記録領域上に、磁気ヘッドを搭載した浮上スライダを所定の浮上量で浮上させて、信号の書き込み及び／又は読み出しを行うようにしている（例えば、特許文献１〜３参照。）。
上記のようなハードディスクドライブは、その記憶容量および高速なデータ転送速度からコンピューターの記憶装置としてのみならず、家庭用ＶＴＲ等の代替としてＡＶ市場での普及が見込まれている。
【０００３】
一方、最近のコンピューターの低価格化に伴い、ハードディスクドライブあるいは内蔵される磁気ディスクの低コスト化、低価格化が強く望まれている。また、ＡＶ市場での普及を考えた場合、ハードディスクドライブの低価格化は、今後においても一層重要な課題となると考えられる。
上記のような要望に応えるために、磁気ディスク基板として、従来のアルミニウム基板よりも低コストで製造が可能な樹脂製磁気ディスク基板が注目されている。
【０００４】
ところでハードディスクドライブでは、磁気ヘッドを搭載したスライダが磁気ディスク表面上を２０ｎｍ程度浮上し、信号の書き込み及び／又は読み出しを行うため、磁気ディスク表面の２０ｎｍ以上の突起はヘッドクラッシュの原因となる。
従来のアルミニウム基板では、以下のような作製方法によりそのような突起の無い極めて平滑性に優れたディスク表面を得ている。
先ず、アルミニウムからなる母材から基板形状のアルミニウムを切り出す。次にこの切り出したアルミニウム基板に対して高精度な研摩を施す。すなわち、平滑なディスク表面を得るために研摩と洗浄を繰り返し行う。このとき、研摩は繰り返す毎に砥粒の粒径を小さくしていく。このような工程により最終的に、ヘッドクラッシュの原因となる２０ｎｍ以上の突起を基板表面から除去する。
【０００５】
上述したようなアルミニウム基板に対して、樹脂製の基板の場合には、射出成形によって成形されるため、基板表面の粗さは成形に用いるスタンパ表面の粗さに対応し、高精度に平滑化されたスタンパを用いることで表面粗さの小さいディスク基板が生産でき、かつ研摩・洗浄工程を必要としないため、製造コストの低減化が図られる。
【０００６】
最近においては、ＡＶ用途でのハードディスクドライブの利用や、ＰＣでの画像加工、動画編集など扱うデータ量も以前に比べ格段に増加しているため、磁気ディスクの面記録密度の一層の向上が望まれている。
このような高記録密度化を実現するためには、磁気記録層の高保磁力化、媒体ノイズの低減化、媒体Ｓ／Ｎの改善を図ることが必要不可欠である。
【０００７】
一般に、上述したようなアルミニウム基板やガラス基板を用いる場合には、記録膜成膜時に基板温度を２００℃以上に高めながらスパッタリング等の膜形成手段により各種下地層や磁性層の形成がなされる。
【０００８】
従来下地層としては、ＣｒまたはＣｒを主成分とするＣｒ合金膜が適用されている。基板加熱成膜を行う場合には、Ｃｒ（２００）配向が容易に得られるため、引き続いて磁性層を成膜した場合、Ｃｒ（２００）面と格子間隔のほぼ等しいＣｏの（１１０）面が得られる。
すなわち、Ｃｒ合金系下地層を適用することにより、Ｃｏの磁化容易軸であるｃ軸が膜面内配向した面内磁気記録層が得られる。
【０００９】
一方、Ｒｕは、磁性層の主成分であるＣｏと同様に六方最密構造をとり、またＣｏとａ軸、ｃ軸はそれぞれ約８％、５％異なるのみでほぼ同様の結晶構造となる。
そのためＲｕを下地層として用い、ｃ軸が面内に配向した構造、望ましくは（１００）配向、あるいは（１１０）配向が得られれば、Ｃｒ下地層以上に磁性層の面内配向性を高めることができ、良好な磁気特性および電磁変換特性が得られると考えられる。
【００１０】
【特許文献１】
特開２００１−６１５８号公報
【特許文献２】
特開２０００−１５６５３０号公報
【特許文献３】
特開平５−１４３９５３号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、アルミニウム基板よりも熱に対する軟化点の低いプラスチック基板を用いる場合、上述したような基板加熱を行う膜形成手段を適用できないという問題がある。
そのため、プラスチック基板上にＣｒまたはＣｒを主成分とする合金膜を下地層として成膜しても、Ｃｒ（２００）配向は得られず、従って磁性層の良好な面内磁気特性は得られない。
【００１２】
また、六方最密構造であるＲｕをプラスチック基板上に成膜すると、エネルギー準位の低い（００２）面が優先的に成長し、磁性層も同様に（００２）面が成長してしまうため、Ｒｕ下地層のみでも磁性層に面内磁気特性を付与することはできない。
【００１３】
本発明者は鋭意研究を重ねた結果、プラスチックを基板として用いた場合にも、Ｒｕの（００２）配向を抑制し、Ｒｕのｃ軸が面内に配向した結晶構造とした磁気記録媒体と磁気記録媒体の製造方法を提供するに至り、磁気記録媒体の低コスト化を実現しつつノイズの低減化、および磁性層の磁気特性、電磁変換特性を改善を図った。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の磁気記録媒体は、非磁性の基板上に、Ｃｏを主成分とする磁気記録層を有する磁気記録媒体であり、基板と磁気記録層との間に、ＲｕおよびＯからなる下地層が形成されている構成を有するものとする。
【００１５】
また、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性の基板上に下地層を形成する工程と、この下地層上に磁気記録層を形成する工程とを有するものとし、この下地層を形成する工程においては、製膜ガスとしてＡｒに２〜５％の酸素ガスが添加されたものを用いて、スパッタ法によって製膜するものとする。
【００１６】
本発明によれば、磁気記録媒体の磁気記録層の面内配向性を高めることができ、低コスト化を図りつつ、低ノイズ化、および良好な磁気特性、電磁変換特性を実現できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、図を参照しながら本発明の磁気記録媒体とその製造方法の具体的な実施形態について説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
本発明の磁気記録媒体１０の一例の概略断面図を図１に示す。
磁気記録媒体１０は、プラスチック製の基板１上に、下地層２、磁気記録層３および保護層４が積層形成された構成を有している。
【００１８】
基板１形成用材料としては、熱可塑性の樹脂であれば従来公知のものを適用できるが、例えばポリカーボネートを好適なものとして挙げられる。基板１は従来公知の射出成型法によって成型することができる。
【００１９】
下地層２は、ＲｕおよびＯからなるものとし、膜厚は２０ｎｍ〜４０ｎｍとすることが好適である。
下地層２は、従来公知のマグネトロンスパッタ製膜装置を用いて、スパッタ法によって製膜することができるが、製膜ガスとしては、特にＡｒガスに２〜５％の酸素ガスが添加されたものが好適である。
【００２０】
磁気記録層３はＣｏを主成分とするものとし、従来公知のスパッタ法によって製膜することができる。
【００２１】
保護層４はカーボン膜として形成することができ、また、Ｒｕ（１００）配向を促進するため、図２に示すように基板１と下地層２との間に例えばＣｒ−Ｗ膜よりなるシード層５を形成してもよい。
また、磁気記録媒体１０の最表面には従来公知の潤滑剤により潤滑剤層を形成してもよい。
【００２２】
【実施例】
次に、本発明の実施例について説明する。なお、以下に示す実施例においては、ディスク状の磁気記録媒体について示すが、本発明の磁気記録媒体は、従来公知の各種形状に適用することができ、以下に示す例に限定されるものではない。
【００２３】
（実施例１）
直径３．５インチサイズの樹脂製のディスク基板１を、射出成形法により成型し、基板１上にスパッタ法により、Ｃｒに１６ａｔｏｍ％のＷを添加したシード層２を８ｎｍの膜厚に形成した。
次に、Ｃｒ−Ｗシード層５表面を、酸化雰囲気中で酸化させた後、下地層２としてＲｕを、１％の酸素ガスを混合したＡｒガス中で、３０ｎｍの膜厚にスパッタ製膜した。
上記のようにＣｒ−Ｗシード層５の表面を酸素雰囲気中で酸化させるのは、Ｒｕ下地層２の（１００）配向をより促進させるためである。
続いて、残留磁化膜厚積０．５ｍｅｍｕ／ｃｍ２となるように、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３をそれぞれ７３、１４、６、６、１ｍｏｌ％含有する磁気記録層３を製膜した。最後にカーボン保護層４を製膜した後、従来適用されている潤滑剤を塗布し、磁気ディスクを得た。
【００２４】
（実施例２）
直径３．５インチサイズの樹脂製のディスク基板１を射出成形法により成型し、基板１上にスパッタ法により、Ｃｒに１６ａｔｏｍ％のＷを添加したシード層５を８ｎｍの膜厚に形成した。
次に、Ｃｒ−Ｗシード層５表面を、酸化雰囲気中で酸化させた後、下地層２としてＲｕを、２％の酸素ガスを混合したＡｒガス中で、３０ｎｍの膜厚にスパッタ製膜した。
続いて、残留磁化膜厚積０．５ｍｅｍｕ／ｃｍ２となるように、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３をそれぞれ７３、１４、６、６、１ｍｏｌ％含有する磁気記録層３を製膜した。最後にカーボン保護層４を製膜した後、従来適用されている潤滑剤を塗布し、磁気ディスクを得た。
【００２５】
（実施例３）
直径３．５インチサイズの樹脂製のディスク基板１を射出成形法により成型し、基板１上にスパッタ法により、Ｃｒに１６ａｔｏｍ％のＷを添加したシード層５を８ｎｍの膜厚に形成した。
次に、Ｃｒ−Ｗシード層５表面を、酸化雰囲気中で酸化させた後、下地層２としてＲｕを、３％の酸素ガスを混合したＡｒガス中で、３０ｎｍの膜厚にスパッタ製膜した。
続いて、残留磁化膜厚積０．５ｍｅｍｕ／ｃｍ２となるように、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３をそれぞれ７３、１４、６、６、１ｍｏｌ％含有する磁気記録層３を製膜した。最後にカーボン保護層４を製膜した後、従来適用されている潤滑剤を塗布し、磁気ディスクを得た。
【００２６】
（実施例４）
直径３．５インチサイズの樹脂製のディスク基板１を射出成形法により成型し、基板１上にスパッタ法により、Ｃｒに１６ａｔｏｍ％のＷを添加したシード層５を８ｎｍの膜厚に形成した。
次に、Ｃｒ−Ｗシード層５表面を、酸化雰囲気中で酸化させた後、下地層２としてＲｕを、４％の酸素ガスを混合したＡｒガス中で、３０ｎｍの膜厚にスパッタ製膜した。
続いて、残留磁化膜厚積０．５ｍｅｍｕ／ｃｍ２となるように、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３をそれぞれ７３、１４、６、６、１ｍｏｌ％含有する磁気記録層３を製膜した。最後にカーボン保護層４を製膜した後、従来適用されている潤滑剤を塗布し、磁気ディスクを得た。
【００２７】
（実施例５）
直径３．５インチサイズの樹脂製のディスク基板１を射出成形法により成型し、基板１上にスパッタ法により、Ｃｒに１６ａｔｏｍ％のＷを添加したシード層５を８ｎｍの膜厚に形成した。
次に、Ｃｒ−Ｗシード層５表面を、酸化雰囲気中で酸化させた後、下地層２としてＲｕを、５％の酸素ガスを混合したＡｒガス中で、３０ｎｍの膜厚にスパッタ製膜した。
続いて、残留磁化膜厚積０．５ｍｅｍｕ／ｃｍ２となるように、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３をそれぞれ７３、１４、６、６、１ｍｏｌ％含有する磁気記録層３を製膜した。最後にカーボン保護層４を製膜した後、従来適用されている潤滑剤を塗布し、磁気ディスクを得た。
【００２８】
（実施例６）
直径３．５インチサイズの樹脂製のディスク基板１を射出成形法により成型し、基板１上にスパッタ法により、Ｃｒに１６ａｔｏｍ％のＷを添加したシード層５を８ｎｍの膜厚に形成した。
次に、Ｃｒ−Ｗシード層５表面を、酸化雰囲気中で酸化させた後、下地層２としてＲｕを、５％の酸素ガスを混合したＡｒガス中で、５ｎｍの膜厚にスパッタ製膜した。
続いて、残留磁化膜厚積０．５ｍｅｍｕ／ｃｍ２となるように、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３をそれぞれ７３、１４、６、６、１ｍｏｌ％含有する磁気記録層３を製膜した。最後にカーボン保護層４を製膜した後、従来適用されている潤滑剤を塗布し、磁気ディスクを得た。
【００２９】
（実施例７）
直径３．５インチサイズの樹脂製のディスク基板１を射出成形法により成型し、基板１上にスパッタ法により、Ｃｒに１６ａｔｏｍ％のＷを添加したシード層５を８ｎｍの膜厚に形成した。
次に、Ｃｒ−Ｗシード層５表面を、酸化雰囲気中で酸化させた後、下地層２としてＲｕを、５％の酸素ガスを混合したＡｒガス中で、１０ｎｍの膜厚にスパッタ製膜した。
続いて、残留磁化膜厚積０．５ｍｅｍｕ／ｃｍ２となるように、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３をそれぞれ７３、１４、６、６、１ｍｏｌ％含有する磁気記録層３を製膜した。最後にカーボン保護層４を製膜した後、従来適用されている潤滑剤を塗布し、磁気ディスクを得た。
【００３０】
（実施例８）
直径３．５インチサイズの樹脂製のディスク基板１を射出成形法により成型し、基板１上にスパッタ法により、Ｃｒに１６ａｔｏｍ％のＷを添加したシード層５を８ｎｍの膜厚に形成した。
次に、Ｃｒ−Ｗシード層５表面を、酸化雰囲気中で酸化させた後、下地層２としてＲｕを、５％の酸素ガスを混合したＡｒガス中で、１５ｎｍの膜厚にスパッタ製膜した。
続いて、残留磁化膜厚積０．５ｍｅｍｕ／ｃｍ２となるように、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３をそれぞれ７３、１４、６、６、１ｍｏｌ％含有する磁気記録層３を製膜した。最後にカーボン保護層４を製膜した後、従来適用されている潤滑剤を塗布し、磁気ディスクを得た。
【００３１】
（実施例９）
直径３．５インチサイズの樹脂製のディスク基板１を射出成形法により成型し、基板１上にスパッタ法により、Ｃｒに１６ａｔｏｍ％のＷを添加したシード層５を８ｎｍの膜厚に形成した。
次に、Ｃｒ−Ｗシード層５表面を、酸化雰囲気中で酸化させた後、下地層２としてＲｕを、５％の酸素ガスを混合したＡｒガス中で、２０ｎｍの膜厚にスパッタ製膜した。
続いて、残留磁化膜厚積０．５ｍｅｍｕ／ｃｍ２となるように、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３をそれぞれ７３、１４、６、６、１ｍｏｌ％含有する磁気記録層３を製膜した。最後にカーボン保護層４を製膜した後、従来適用されている潤滑剤を塗布し、磁気ディスクを得た。
【００３２】
（実施例１０）
直径３．５インチサイズの樹脂製のディスク基板１を射出成形法により成型し、基板１上にスパッタ法により、Ｃｒに１６ａｔｏｍ％のＷを添加したシード層５を８ｎｍの膜厚に形成した。
次に、Ｃｒ−Ｗシード層５表面を、酸化雰囲気中で酸化させた後、下地層２としてＲｕを、５％の酸素ガスを混合したＡｒガス中で、２５ｎｍの膜厚にスパッタ製膜した。
続いて、残留磁化膜厚積０．５ｍｅｍｕ／ｃｍ２となるように、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３をそれぞれ７３、１４、６、６、１ｍｏｌ％含有する磁気記録層３を製膜した。最後にカーボン保護層４を製膜した後、従来適用されている潤滑剤を塗布し、磁気ディスクを得た。
【００３３】
（実施例１１）
直径３．５インチサイズの樹脂製のディスク基板１を射出成形法により成型し、基板１上にスパッタ法により、Ｃｒに１６ａｔｏｍ％のＷを添加したシード層５を８ｎｍの膜厚に形成した。
次に、Ｃｒ−Ｗシード層５表面を、酸化雰囲気中で酸化させた後、下地層２としてＲｕを、５％の酸素ガスを混合したＡｒガス中で、３０ｎｍの膜厚にスパッタ製膜した。
続いて、残留磁化膜厚積０．５ｍｅｍｕ／ｃｍ２となるように、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３をそれぞれ７３、１４、６、６、１ｍｏｌ％含有する磁気記録層３を製膜した。最後にカーボン保護層４を製膜した後、従来適用されている潤滑剤を塗布し、磁気ディスクを得た。
【００３４】
（実施例１２）
直径３．５インチサイズの樹脂製のディスク基板１を射出成形法により成型し、基板１上にスパッタ法により、Ｃｒに１６ａｔｏｍ％のＷを添加したシード層５を８ｎｍの膜厚に形成した。
次に、Ｃｒ−Ｗシード層５表面を、酸化雰囲気中で酸化させた後、下地層２としてＲｕを、５％の酸素ガスを混合したＡｒガス中で、３５ｎｍの膜厚にスパッタ製膜した。
続いて、残留磁化膜厚積０．５ｍｅｍｕ／ｃｍ２となるように、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３をそれぞれ７３、１４、６、６、１ｍｏｌ％含有する磁気記録層３を製膜した。最後にカーボン保護層４を製膜した後、従来適用されている潤滑剤を塗布し、磁気ディスクを得た。
【００３５】
（実施例１３）
直径３．５インチサイズの樹脂製のディスク基板１を射出成形法により成型し、基板１上にスパッタ法により、Ｃｒに１６ａｔｏｍ％のＷを添加したシード層５を８ｎｍの膜厚に形成した。
次に、Ｃｒ−Ｗシード層５表面を、酸化雰囲気中で酸化させた後、下地層２としてＲｕを、５％の酸素ガスを混合したＡｒガス中で、４０ｎｍの膜厚にスパッタ製膜した。
続いて、残留磁化膜厚積０．５ｍｅｍｕ／ｃｍ２となるように、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３をそれぞれ７３、１４、６、６、１ｍｏｌ％含有する磁気記録層３を製膜した。最後にカーボン保護層４を製膜した後、従来適用されている潤滑剤を塗布し、磁気ディスクを得た。
【００３６】
（実施例１４）
直径３．５インチサイズの樹脂製のディスク基板１を射出成形法により成型し、基板１上にスパッタ法により、Ｃｒに１６ａｔｏｍ％のＷを添加したシード層５を８ｎｍの膜厚に形成した。
次に、Ｃｒ−Ｗシード層５表面を、酸化雰囲気中で酸化させた後、下地層２としてＲｕを、５％の酸素ガスを混合したＡｒガス中で、４５ｎｍの膜厚にスパッタ製膜した。
続いて、残留磁化膜厚積０．５ｍｅｍｕ／ｃｍ２となるように、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３をそれぞれ７３、１４、６、６、１ｍｏｌ％含有する磁気記録層３を製膜した。最後にカーボン保護層４を製膜した後、従来適用されている潤滑剤を塗布し、磁気ディスクを得た。
【００３７】
（実施例１５）
直径３．５インチサイズの樹脂製のディスク基板１を射出成形法により成型し、基板１上にスパッタ法により、Ｃｒに１６ａｔｏｍ％のＷを添加したシード層５を８ｎｍの膜厚に形成した。
次に、Ｃｒ−Ｗシード層５表面を、酸化雰囲気中で酸化させた後、下地層２としてＲｕを、５％の酸素ガスを混合したＡｒガス中で、５０ｎｍの膜厚にスパッタ製膜した。
続いて、残留磁化膜厚積０．５ｍｅｍｕ／ｃｍ２となるように、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３をそれぞれ７３、１４、６、６、１ｍｏｌ％含有する磁気記録層３を製膜した。最後にカーボン保護層４を製膜した後、従来適用されている潤滑剤を塗布し、磁気ディスクを得た。
【００３８】
（比較例１）
直径３．５インチサイズの樹脂製のディスク基板１を射出成形法により成型し、基板１上にスパッタ法により、Ｃｒに１６ａｔｏｍ％のＷを添加したシード層５を８ｎｍの膜厚に形成した。
次に、Ｃｒ−Ｗシード層５表面を、酸化雰囲気中で酸化させた後、下地層２としてＲｕを、スパッタガス中に酸素ガスを添加せず、純Ａｒガス中で３０ｎｍの膜厚にスパッタ製膜した。
続いて、残留磁化膜厚積０．５ｍｅｍｕ／ｃｍ２となるように、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３をそれぞれ７３、１４、６、６、１ｍｏｌ％含有する磁気記録層３を製膜した。最後にカーボン保護層４を製膜した後、従来適用されている潤滑剤を塗布し、磁気ディスクを得た。
【００３９】
（比較例２）
直径３．５インチサイズの樹脂製のディスク基板１を射出成形法により成型し、基板１上にスパッタ法により、Ｃｒに１６ａｔｏｍ％のＷを添加したシード層５を８ｎｍの膜厚に形成した。
次に、Ｃｒ−Ｗシード層５表面を、酸化雰囲気中で酸化させた後、下地層２としてＲｕを、６％の酸素ガスを混合したＡｒガス中で、３０ｎｍの膜厚にスパッタ製膜した。
続いて、残留磁化膜厚積０．５ｍｅｍｕ／ｃｍ２となるように、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３をそれぞれ７３、１４、６、６、１ｍｏｌ％含有する磁気記録層３を製膜した。最後にカーボン保護層４を製膜した後、従来適用されている潤滑剤を塗布し、磁気ディスクを得た。
【００４０】
上述のようにして作製した（実施例１〜１５）、（比較例１、２）の磁気ディスクについて、それぞれ電磁変換特性および磁気特性を評価した。
【００４１】
（実施例１〜５）および（比較例１、２）に関し、下地層２のＲｕ膜形成スパッタ工程におけるスパッタガス中の酸素ガス導入量と、最終的に得られた磁気ディスクの媒体ノイズとの関係を下記表１および図３に示した。
【００４２】
【表１】
2004139683.tif 000003
【００４３】
表１および図３に示すように、下地層２形成工程において、製膜ガスのＡｒ中に１〜５％の酸素ガスを添加した（実施例１〜５）の磁気ディスクにおいては、酸素ガスを添加せずにスパッタリングを行った（比較例１）の磁気ディスクに比較してノイズが低下し、特に高記録密度側でのノイズの低下が顕著となった。特に、Ａｒガス中に２〜５％の酸素ガスを添加した（実施例２〜５）の磁気ディスクにおいてノイズの低減効果が大きいことが確認された。
一方、酸素ガスを添加せずにスパッタリングを行った（比較例１）の磁気ディスクおよび酸素ガス添加量を６％とした（比較例２）においては、ややノイズが高くなった。
【００４４】
（実施例１〜１５）および（比較例１、２）に関し、下地層２のＲｕ膜形成スパッタ工程におけるスパッタガス中の酸素ガス導入量と、最終的に得られた磁気ディスクのＳ／Ｎとの関係を下記表２および図４に示した。
【００４５】
【表２】
2004139683.tif 000004
【００４６】
表２および図４に示すように、下地層２形成工程において、製膜ガスのＡｒ中に２〜５％の酸素ガスを添加した磁気ディスクにおいては、酸素ガスを添加せずにスパッタリングを行った（比較例１）の磁気ディスクに比較してＳ／Ｎが０．０５〜０．５ｄＢ改善された。
一方、酸素ガス添加量を６％とした（比較例２）においては、ややノイズが高くなり、Ｓ／Ｎが劣化した。
【００４７】
（実施例１〜１５）および（比較例１、２）に関し、下地層２のＲｕ膜形成スパッタ工程におけるスパッタガス中の酸素ガス導入量と、最終的に得られた磁気ディスクの保磁力Ｈｃとの関係を下記表３および図５に示した。
【００４８】
【表３】
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【００４９】
一般に、面記録密度１０Ｇｂ／ｉｎｃｈ２を得るためには、３０００Ｏｅ（２３７０００Ａ／ｍ）以上の保磁力が必要とされている。表３および図５に示すように、下地層２製膜時の製膜ガスのＡｒ中に添加する酸素ガスを５％以下とした磁気ディスクにおいては、保磁力Ｈｃが３０００Ｏｅ（２３７０００Ａ／ｍ）以上となったが、酸素ガス添加量を６％とした（比較例２）の磁気ディスクにおいては、保磁力Ｈｃが３０００Ｏｅ（２３７０００Ａ／ｍ）未満となり実用上充分な保磁力が得られなかった。
【００５０】
（実施例１〜１５）に関し、Ｒｕ・Ｏ下地層２の膜厚と、最終的に得られた磁気ディスクの保磁力Ｈｃとの関係を下記表４および図６に示した。
【００５１】
【表４】
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【００５２】
表４および図６に示すように下地層２の膜厚を２０ｎｍ以上とした磁気ディスクにおいては、保磁力Ｈｃが３０００Ｏｅ（２３７０００Ａ／ｍ）以上となった。
一般に下地層２の膜厚を増加させるとともに表面粗さが大となるが、下地層２を４０ｎｍよりも厚く形成すると表面性に劣化が確認された。よって下地層２の膜厚は２０〜４０ｎｍとすることが望ましい。
【００５３】
Ｒｕ・Ｏ下地層２形成スパッタ工程におけるスパッタガス中の酸素ガス導入量を２〜５％としたときの、下地層２のＸ線回折パターンを図７に示した。
図７に示すように製膜スパッタガス中に酸素を２〜５％添加することにより、Ｒｕ（００２）配向が抑制され、Ｒｕ（１００）の結晶配向性が改善され、媒体ノイズ低減が達成されることが確認された。
【００５４】
【発明の効果】
本発明の磁気記録媒体によれば、Ｃｏを主成分とする磁気記録層の下層として、ＲｕおよびＯからなる下地層形成したことにより、磁気記録媒体の磁気記録層の面内配向性を高めることができ、低ノイズ化、および良好な磁気特性、電磁変換特性を実現できた。
【００５５】
本発明によれば、磁気記録層の下層のＲｕおよびＯからなる下地層の膜厚を２０ｎｍ〜４０ｎｍに選定したことにより、表面性に優れ、かつ高い保磁力を有する磁気記録媒体が得られた。
【００５６】
本発明の磁気記録媒体の製造方法によれば、ＲｕおよびＯからなる下地層の形成工程において、製膜ガスのＡｒに２〜５％の酸素ガスを添加し、スパッタ法によって製膜することとしたことにより、低ノイズ化、および磁気特性、電磁変換特性の向上を図ることができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気記録媒体の一例の概略断面図を示す。
【図２】本発明の磁気記録媒体の他の一例の概略断面図を示す。
【図３】磁気記録媒体ノイズのスパッタガス酸素導入量依存性を示す。
【図４】Ｓ／Ｎのスパッタガス酸素導入量依存性を示す。
【図５】保磁力のスパッタガス酸素導入量依存性を示す。
【図６】保磁力の下地層膜厚依存性を示す。
【図７】Ｒｕ・Ｏ下地層のＸ線回折パターンを示す。
【符号の説明】
１……基板、２……下地層、３……磁気記録層、４……保護層、５……シード層、１０……磁気記録媒体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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