(57)【要約】【課題】発熱に対する動作安定性等を向上させた半導体光素子を提供する。【解決手段】ｎ−ＩｎＰ下部クラッド層１０２と、多重量子井戸層１０３と、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１０４とから構成されるハイメサリッジ型光導波路を有する光変調器１００において、ｎ−ＩｎＰ下部クラッド層１０２のリッジ側面に接触するようにしてｎ電極１０７を設けると共に、多重量子井戸層１０３の幅がリッジ両側面から１μｍずつ光導波路の内側に凹状となるように加工する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハイメサリッジ形状に成形された光導波路におけるコア層の熱を放熱可能な位置に金属電極を設けることを特徴とする半導体光素子。
【請求項２】
コア層と当該コア層を挟む上部クラッド層及び下部クラッド層とを有すると共にハイメサリッジ形状に成形された光導波路と、前記下部クラッド層との電力の受け渡しを行う第１の金属電極と、前記上部クラッド層との電力の受け渡しを行う第２の金属電極とを有する半導体光素子において、
前記第１又は第２の金属電極の一方又は両方を下記条件により設けることを特徴とする半導体光素子。
第１の金属電極：前記下部クラッド層のリッジ側面に接触させて設けるか又は、前記下部クラッド層のリッジ側面の直近に設ける。
第２の金属電極：少なくとも前記上部クラッド層のリッジ側面に接触させて設けるか又は、少なくとも前記上部クラッド層のリッジ側面の直近に設ける。
【請求項３】
請求項１又は２に記載する半導体光素子において、
前記コア層は、前記光導波路のリッジ側面から内側に凹状となっていることを特徴する半導体光素子。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載する半導体光素子において、
前記コア層の幅は、当該コア層を導波する光の光電界が前記光導波路の幅方向における内側に閉じ込められるように前記光導波路のリッジ幅よりも小さいことを特徴する半導体光素子。
【請求項５】
請求項１又は２に記載する半導体光素子において、
前記コア層は、前記光導波路のリッジ側面から内側に０．５μｍ以上凹状となっていることを特徴とする半導体光素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、半導体光素子に関し、例えば光変調、光吸収等の光制御機能を有する半導体光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高速光通信システム、光情報処理システムにおけるキーエレメントのひとつとして、光変調、光吸収等の光機能を有する半導体光素子がある。この半導体光素子の一例として、ハイメサ型の光導波路構造を有する光変調器であるハイメサ型光変調器が挙げられる（下記、非特許文献１参照。）。図４は、従来のハイメサ型光変調器の一例の概略構造図である。
【０００３】
同図に示すように、ハイメサ型光変調器４００は、ｎ−ＩｎＰ基板４０１上にｎ−ＩｎＰ下部クラッド層４０２、コア層である多重量子井戸層４０３、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層４０４、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層４０５が順次積層され、ｎ−ＩｎＰ下部クラッド層４０２と多重量子井戸層４０３とｐ−ＩｎＰ上部クラッド層４０４とｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層４０５とから構成される光導波路の構造がハイメサリッジ型となるようにエッチングにより加工されると共に、当該光導波路のリッジ側面がポリイミド４０８により埋め込まれ、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層４０５の上面にｐ電極４０６、ｎ−ＩｎＰ基板４０１の下面にｎ電極４０７が形成された構造となっている。
【０００４】
多重量子井戸層４０３は、光を吸収する吸収層として機能すると同時に、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層４０４、ｎ−ＩｎＰ下部クラッド層４０２よりも屈折率の高いコア層として機能する。
【０００５】
次に、ハイメサ型光変調器４００の動作について説明する。光入射端面４０９から入射した光は、光導波路の多重量子井戸層４０３を伝搬する間に、ＯＮ／ＯＦＦ変調されて光入射端面４０９の反対の光出射端面から出射される。
【０００６】
図５は、光の吸収層として機能する多重量子井戸層４０３の光吸収特性（吸収係数）について入射光の波長λに対する依存性を示したグラフである。同図には、ｐ電極４０６とｎ電極４０７との間に逆バイアス電圧を印加した（ＯＮ）時と印加していない（ＯＦＦ）時における光吸収特性の波長依存性を示してある。同図に示す動作波長λｓとは、光変調器４００に入射する光の波長である。
【０００７】
同図から分かるように、逆バイアス電圧が印加されていない場合（ＯＦＦ時）には、動作波長λｓにおける光の吸収係数は十分小さいため、入射光は光出射端面からそのまま出射される（光：ＯＮ状態）。
【０００８】
しかしながら、逆バイアス電圧が印加されている場合（ＯＮ時）には、多重量子井戸層４０３の光吸収特性が長波長側にシフトするため、動作波長λｓにおける光の吸収は大きくなり、光出射端面からは出射されなくなる（光：ＯＦＦ状態）。
【０００９】
すなわち、ハイメサ型光変調器４００では、逆バイアス電圧のＯＮ／ＯＦＦにあわせて、光導波路の多重量子井戸層４０３を伝搬する光がＯＦＦ／ＯＮ状態となるため、電気信号を光信号に変換することが可能となる。
【００１０】
ハイメサ型光変調器４００では、光を吸収する多重量子井戸層４０３のリッジ両側面を比誘電率の小さいポリイミド４０８で囲まれているため、寄生電気容量Ｃは小さい。これに対して、多重量子井戸層４０３のリッジ両側面をポリイミド４０８の代わりに半導体で埋め込んだ場合には、半導体の比誘電率が大きいため、寄生電気容量Ｃは大きくなる。
【００１１】
この結果、低比誘電率のポリイミドなどの材料で埋め込んだ構造の方が、寄生電気容量Ｃと負荷抵抗Ｒとから規定されるＣＲ定数制限による変調周波数限界が大きくなるため、高速変調に適している。
【００１２】
【非特許文献１】
Ｔ．Ｉｄｏ，Ｈ．Ｓａｎｏ，Ｓ．Ｔａｎａｋａ，Ｄ．Ｊ．Ｍｏｓｓ，ａｎｄ  Ｈ．Ｉｎｏｕｅ、Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ  ｏｆ  Ｓｔｒａｉｎｅｄ  ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧｌＡｓ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅ−Ｑｕａｎｔｕｍ−Ｗｅｌｌ  Ｅｌｅｃｔｒｏａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒｓ、「Ｊ．  Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」、１９９６、ｖｏｌ．１４、Ｎｏ．１０、ｐ２３２４〜２３３１
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、光導波路をポリイミドにより埋め込んだ構造を採用する場合には、ポリイミドの熱伝導率が半導体と比較して小さいため、熱に対する課題がある。
【００１４】
つまり、電極間に逆バイアス電圧を印加すると、多重量子井戸４０３において入射光が吸収されるが、この光吸収によりキャリアが発生し、電流として流れる。このため、逆バイアス電圧Ｖと発生した電流Ｉとの積で表されるジュール熱が多重量子井戸層４０３を中心とした光導波路部分に発生する。
【００１５】
図６は、光導波路の幅方向に対して発生するジュール熱の分布を示したグラフである。光導波路のリッジ両側面がポリイミド４０８で囲まれている場合には、ポリイミドの熱伝導率が半導体と比較して数桁小さいため、同図に示すように、発生したジュール熱は光導波路部分に溜まり外部への熱伝導はほとんど起こらない。
【００１６】
この光導波路部分に蓄積されたジュール熱により光導波路部分の温度が上昇すると、多重量子井戸層４０３の光吸収特性が変化して、変調特性が劣化してしまう。更に、大きなパワーの入射光により発生電流Ｉが大きくなったり、高い逆バイアス電圧Ｖをかけて使用すると、発生するジュール熱が大きくなる結果、素子が劣化するという問題がある。
【００１７】
本発明は、上記状況に鑑みてなされたものであり、光導波路に発生する熱を効率よく放散させることにより光導波路の温度上昇を抑制すると共に、大きなパワーの光入射及び高い駆動電圧に対しても光導波路、特にそのコア層の動作レベルを高い状態で維持することができる半導体光素子を提供することを目的とする。すなわち、安定性及び信頼性を向上させた半導体光素子を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題解決するための手段】
上記課題を解決する第１の発明は、ハイメサリッジ形状に成形された光導波路におけるコア層の熱を放熱可能な位置に金属電極を設けることを特徴とする半導体光素子である。
【００１９】
上記課題を解決する第２の発明は、コア層と当該コア層を挟む上部クラッド層及び下部クラッド層とを有すると共にハイメサリッジ形状に成形された光導波路と、前記下部クラッド層との電力の受け渡しを行う第１の金属電極と、前記上部クラッド層との電力の受け渡しを行う第２の金属電極とを有する半導体光素子において、
前記第１又は第２の金属電極の一方又は両方を下記条件により設けることを特徴とする半導体光素子である。
第１の金属電極：前記下部クラッド層のリッジ側面に接触させて設けるか又は、前記下部クラッド層のリッジ側面の直近に設ける。
第２の金属電極：少なくとも前記上部クラッド層のリッジ側面に接触させて設けるか又は、少なくとも前記上部クラッド層のリッジ側面の直近に設ける。
【００２０】
コア層の上下に設けられたクラッド層におけるリッジ側面に熱伝導性の高い金属電極を設けることにより、光導波路において発生した熱を金属電極により放熱する。本発明の効果を得るためには、第２の金属電極は、少なくとも上部クラッド層のリッジ側面に接触させて（又は直近に）設ければよいが、電極としての機能を考慮した場合には、コンタクト層を介してハイメサリッジ上面にも金属電極を設けることは言うまでもない。
【００２１】
なお、半導体光素子が半導体レーザー等の発光素子、電気信号を光信号に変換する素子、光変調素子等である場合には、金属電極は素子外部から電力を供給する電極となる。また、半導体光素子が光信号を電気信号に変換する素子（受光素子）である場合には、金属電極は素子外部へ電力を取り出す電極となる。
【００２２】
上記課題を解決する第３の発明は、第１又は第２の発明に係る半導体光素子において、
前記コア層は、前記光導波路のリッジ側面から内側に凹状となっていることを特徴する半導体光素子である。
【００２３】
光導波路におけるコア層の幅をリッジ幅（光導波路の幅）よりも小さくし、コア層をリッジ側面から内側へ凹状とすることにより、クラッド層のリッジ側面に設けた金属電極とコア層を伝搬する光の光電界との相互作用による、光損失を抑制する。
【００２４】
上記課題を解決する第４の発明は、第１ないし第３のいずれかの発明に係る半導体光素子において、
前記コア層の幅は、当該コア層を導波する光の光電界が前記光導波路の幅方向における内側に閉じ込められるように前記光導波路のリッジ幅よりも小さいことを特徴する半導体光素子である。
【００２５】
コア層を伝搬する光の光電界は、当該光の波長やコア層のスケール等に依存する範囲でコア層の外部へ広がるが、コア層の幅を「光電界が光導波路の幅方向における内側に閉じ込められるように光導波路のリッジ幅よりも小さい幅」とすることにより、金属電極と光電界との相互作用による、光損失を抑制する。本発明においては、金属電極がリッジ側面に接触して（又は直近に）設けられているため、光電界はハイメサリッジ（光導波路）外部へ漏れることなく完全に閉じ込められていることが望ましいが、若干の漏れを生じた場合であっても光損失が許容範囲内である限り問題ない。
【００２６】
上記課題を解決する第５の発明は、第１又は第２の発明に係る半導体光素子において、
前記コア層は、前記光導波路のリッジ側面から内側に０．５μｍ以上凹状となっていることを特徴とする半導体光素子である。
【００２７】
コア層を光導波路のリッジ側面から内側に０．５μｍ以上凹状、すなわちコア層を光導波路のリッジ幅よりも１μｍ以上小さくすればよい。好ましくは、リッジ側面から内側に１μｍ以上凹状とする。
【００２８】
【発明の実施の形態】
＜第１の実施形態＞
まず、本発明に係る第１の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。図１は、第１の実施形態に係るハイメサ型光変調器の概略構造図である。
【００２９】
同図に示すように、本実施形態に係るハイメサ型光変調器１００では、ｎ−ＩｎＰ基板１０１上にｎ−ＩｎＰ下部クラッド層１０２、コア層である多重量子井戸層１０３、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１０４、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１０５を順次積層し、ｎ−ＩｎＰ下部クラッド層１０２と多重量子井戸層１０３とｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１０４とｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１０５とから構成される光導波路の構造がリッジ幅Ｗのハイメサリッジ型となるようにエッチングにより加工する。
【００３０】
このエッチングの際、多重量子井戸層１０３については選択エッチング法により、リッジ両側面から１μｍずつ光導波路の内側に凹状となるように加工する。つまり、多重量子井戸層１０３の幅はリッジ幅Ｗよりも２μｍ小さくなる。
【００３１】
また、ｎ−ＩｎＰ基板１０１上のリッジ部分（光導波路）以外の部分においては、ｎ−ＩｎＰ下部クラッド層１０２のリッジ側面に接触するようにして「第１の電極」であるｎ電極１０７を形成すると共に、多重量子井戸層１０３、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１０４及びｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１０５をポリイミド１０８により埋め込む。さらに、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１０５の上面に「第２の電極」であるｐ電極１０６を形成する。
【００３２】
多重量子井戸層１０３は、光を吸収する吸収層として機能すると同時に、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１０４、ｎ−ＩｎＰ下部クラッド層１０２よりも屈折率の高いコア層として機能する。
【００３３】
光入射端面１０９から入射した光は、光導波路を伝搬する間に、ＯＮ／ＯＦＦ変調されて光入射端面１０９の反対の光出射端面から出射される。ここで、電極間に逆バイアス電圧を印加すると、多重量子井戸１０３において入射光が吸収されるが、この光吸収によりキャリアが発生し、電流として流れる。このため、逆バイアス電圧Ｖと発生した電流Ｉとの積で表されるジュール熱が多重量子井戸層１０３を中心とした光導波路部分に発生する。
【００３４】
一方、高速変調に対応するためには、接合容量を小さくする必要があり、多重量子井戸層１０３のｎ−ＩｎＰ下部クラッド層１０２又はｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１０４との接触面積を、例えば、幅１μｍ、長さ７５μｍ以下（変調周波数５０ＧＨｚ時）程度に小さくする必要がある。
【００３５】
このため、多重量子井戸層１０３の上下部クラッド層１０４、１０２との接触面における単位面積あたりの光電流は変調周波数の増加に伴って大きくなり、単位面積あたりの発熱量が増加する。
【００３６】
しかしながら、本実施形態では、ｎ−ＩｎＰ下部クラッド層１０２のリッジ側面に接触するようにしてｎ電極１０７を形成している。このため、従来のポリイミドのみによる完全埋め込み型の変調器（図４参照）と比較して、光導波路部分に発生する熱を効率よく外部へ伝導することができ、格段に放熱性を向上させることができる。これは、金属電極であるｎ電極１０７の熱伝導率が、ポリイミド、半導体等と比較して極めて大きいためである。
【００３７】
図２は、光導波路の幅方向に対して発生するジュール熱の分布を示したグラフである。同図に示すように、リッジ部分にジュール熱が滞留していた従来の光変調器に比較して、本実施形態に係る光変調器ではリッジ部分の外部へ効率よく熱が放散するため、リッジ部分におけるジュール熱の滞留を防ぐことができる。この結果、動作時の発熱による光導波路の特性劣化及び損傷等を抑制することが可能となる。
【００３８】
なお、本実施形態ではｎ−ＩｎＰ下部クラッド層１０２のリッジ側面に接触するようにしてｎ電極１０７を設けているが、接触させずにリッジ側面の直近に設けても電極による放熱効果を得ることができる。
【００３９】
また、本実施形態では、多重量子井戸層１０３を光導波路のリッジ両側面から１μｍずつ内側に凹状となるように加工しているため、入射光の光電界分布を多重量子井戸層１０３近傍に強く閉じ込め、光導波路のリッジ幅Ｗより外側にまで拡大することを防止することができる。
【００４０】
この結果、ｎ−ＩｎＰ下部クラッド層１０２のリッジ側面に接触するようにしてｎ電極１０７を形成した場合であっても、ｎ電極１０７の光電界に対する影響を抑えることができ、光変調器を通過する光の光学ロスを抑制することが可能となる。
【００４１】
すなわち、多重量子井戸層１０３を伝搬する光の光電界は、当該光の波長や多重量子井戸層１０３のスケール等に依存する範囲で多重量子井戸層１０３の外部へ広がるが、多重量子井戸層１０３の幅を「光電界が光導波路の幅方向における内側に閉じ込められるように光導波路のリッジ幅よりも小さい幅」とすることにより、金属電極と光電界との相互作用による、光損失を抑制することができる。
【００４２】
なお、多重量子井戸層１０３の幅をリッジ幅Ｗと同程度にした場合、金属電極であるｎ電極１０７と光電界との相互作用により、金属による光吸収及び光散乱が起こり、１０ｄＢ以上のきわめて大きな光学ロスが発生することとなる。多重量子井戸層１０３の幅については、リッジ両側面から０．５μｍ以上ずつ光導波路の内側に凹状となるように加工すれば、光電界の電界分布のすその部分がわずかにｎ電極１０７と相互作用する程度に抑えられ、特性劣化、光学ロスの増大は大幅に小さくなり、好ましくは１μｍ以上にすることによりほとんどなくなる。
【００４３】
また、光導波路部分の周囲は比誘電率の小さなポリイミド１０８により埋め込まれているので、パッド部分１１０の直下に寄生する付加容量を小さく抑えることが可能であり、これは変調周波数５０ＧＨｚにおける動作実現に寄与している。
【００４４】
＜第２の実施形態＞
次に、本発明に係る第２の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。図３は、第２の実施形態に係るハイメサ型光変調器の概略構造図である。
【００４５】
同図に示すように、本実施形態に係るハイメサ型光変調器３００では、ｎ−ＩｎＰ基板３０１上にｎ−ＩｎＰ下部クラッド層３０２、コア層である多重量子井戸層３０３、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層３０４、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層３０５を順次積層し、ｎ−ＩｎＰ下部クラッド層３０２と多重量子井戸層３０３とｐ−ＩｎＰ上部クラッド層３０４とｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層３０５とから構成される光導波路の構造がリッジ幅Ｗのハイメサリッジ型となるようにエッチングにより加工する。
【００４６】
このエッチングの際、多重量子井戸層３０３については選択エッチング法により、リッジ両側面から１μｍずつ光導波路の内側に凹状となるように加工する。つまり、多重量子井戸層３０３の幅はリッジ幅Ｗよりも２μｍ小さくなる。
【００４７】
また、ｎ−ＩｎＰ基板３０１上の光導波路部分以外の部分においては、ｎ−ＩｎＰ下部クラッド層３０２のリッジ側面に接触するようにして「第１の電極」であるｎ電極３０７を形成すると共に、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層３０５の上面のみならず光導波路上部のリッジ両側面を覆うようにして「第２の電極」であるｐ電極３０６を形成し、多重量子井戸層３０３、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層３０４及びｐ電極３０６の光導波路上部のリッジ両側面を覆う部分をポリイミド３０８により埋め込む。
【００４８】
本実施形態では、第１の実施形態と比較して、ｐ電極３０６の形状が異なり、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層３０５の上面のみならず光導波路上部のリッジ両側面を覆うような形状を有する。したがって、ｐ電極３０６は、光導波路上部を構成するｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層３０５の上面及びリッジ両側面とｐ−ＩｎＰ上部クラッド層３０４の上方部分のリッジ両側面とに接触している。
【００４９】
この結果、第１の実施形態よりもｐ電極３０６における放熱能力が高い分、多重量子井戸層３０３を中心とする光導波路に発生する熱を効率よく外部へ伝導することができ、更に放熱性を向上させることができる。
【００５０】
なお、本実施形態では光導波路上部のリッジ両側面に接触するようにしてｐ電極３０６を設けているが、接触させずにリッジ側面の直近に設けても電極による放熱効果を得ることができる。
【００５１】
また、第１の実施形態と同様に多重量子井戸層３０３をリッジ両側面から１μｍずつ光導波路の内側に凹状となるように加工しているため、ｐ電極３０６をｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層３０５の上面のみならず光導波路上部のリッジ両側面を覆うように形成した場合であっても、ｐ電極３０６の光電界に対する影響を抑えることができ、光変調器を通過する光の光学ロスを抑制することが可能となる。
【００５２】
なお、第１及び第２の実施形態では、光導波路周囲をポリイミドにより直接埋め込む構成としたが、本発明はこれに限られず、例えば、光導波路の周囲を薄い酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または窒化アルミニウム膜などの絶縁膜によりコーティングした後にポリイミドにより埋め込む構成としてもよい。また、ポリイミド以外の物質としては、例えば、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）樹脂などの低誘電率物質で埋め込んでもよい。
【００５３】
また、基板としてｎ−ＩｎＰ基板を用いているので、基板裏面にもｎ電極を形成し、これを電圧印加電極として用いてもよい。ｎ−ＩｎＰ基板１０１、３０１での抵抗は０．１Ω程度であるため、ｎ電極１０７、３０７と基板裏面に形成したｎ電極とはほぼ等電位となる。実際の使用においては、光変調器１００，３００をキャリア上に実装する際に、例えば、ｎ電極１０７、３０７と基板裏面に形成したｎ電極とは導電性ペーストなどで接続し、電流のパスとしてｎ電極１０７、３０７をも使用するようにする。
【００５４】
更に、基板として半絶縁性ＩｎＰ基板を用い、その基板上にｎ−ＩｎＰコンタクト層またはｎ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層を設け、当該コンタクト層上にｎ電極を形成するような構成であっても、同様の特性を得ることができる。
【００５５】
また、第１及び第２の実施形態では、コア層が多重量子井戸層よりなる光変調機能を有する光変調素子について説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、コア層が受光機能を有する受光素子や発光機能を有する発光素子に対しても同様の電極構造及びコア層構造を適用することができる。
【００５６】
また、第１及び第２の実施形態では、単体の半導体電界吸収型変調器について説明したが、半導体電界吸収型変調器と他の半導体デバイスを集積したような素子の場合でも、電界吸収型変調器部分の構造に本発明に係る構造を採用してもよい。
【００５７】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明の半導体光素子では、金属電極を光導波路のリッジ側面に接触させて設けるか又は接触させずにその直近に設けると共に、コア層を導波する光の光電界が光導波路における幅方向の内側に閉じ込められるようにコア層を光導波路のリッジ幅よりも小さくした。
【００５８】
この結果、コア層を中心とする光導波路に発生する熱を効率よく外部へ放散させてコア層の温度上昇を抑制することが可能となり、半導体光素子の熱に起因した特性劣化や素子損傷を防止することができる。
【００５９】
更に、大きなパワーの入射光により発生電流が大きくなったり、高い逆バイアス電圧をかけて使用した場合に発生するジュール熱の増加に対して、光導波路、特にコア層の動作レベルを高い状態で保障し、素子の動作安定性及び信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係るハイメサ型光変調器の概略構造図である。
【図２】光導波路の幅方向に対するジュール熱分布を示したグラフである。
【図３】第２の実施形態に係るハイメサ型光変調器の概略構造図である。
【図４】従来のハイメサ型光変調器の一例の概略構造図である。
【図５】多重量子井戸層の光吸収特性の波長依存性を示したグラフである。
【図６】光導波路の幅方向に対するジュール熱分布を示したグラフである。
【符号の説明】
１００，３００，４００    ハイメサ型光変調器
１０１，３０１，４０１    ｎ−ＩｎＰ基板
１０２，３０２，４０２    ｎ−ＩｎＰ下部クラッド層
１０３，３０３，４０３    多重量子井戸層
１０４，３０４，４０４    ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層
１０５，３０５，４０５    ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層
１０６，３０６，４０６    ｐ電極
１０７，３０７，４０７    ｎ電極
１０８，３０８，４０８    ポリイミド
１０９，３０９，４０９    光入射端面
１１０，３１０，４１０    パッド部分
【図１】
2004280018.tif 000003
【図２】
2004280018.tif 000004
【図３】
2004280018.tif 000005
【図４】
2004280018.tif 000006
【図５】
2004280018.tif 000007
【図６】
2004280018.tif 000008