(57)【要約】【課題】本発明は、波状のビームリードを備えたテープ配線基板と、それを用いた半導体チップパッケージに関する。【解決手段】本発明の半導体チップパッケージは、集積回路チップ４０と、テープ配線基板３０とで構成され、集積回路チップ４０は、その上部面に設けられた多数のチップパッドを含み、テープ配線基板３０は、柔軟性のあるベースフィルム３１と、その一面に形成された多数のビームリード３２とを含む。それぞれのビームリードの端部は、ベースフィルム３１からチップパッド側に突出しそれぞれのチップパッドに接合され、特に、ビームリードの突出した部分には、波状部３２ａが形成される。ビームリードの波状部３２ａは、応力を分散させて、ビームリードの破断を防止し、半円形状、Ｓ字形状、ジグザグ形状などのいろいろな形状を有することができる。【選択図】  図４Ａ
2004274007.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースフィルムと、該ベースフィルムに形成された多数のビームリードとを含むテープ配線基板において、
それぞれの前記ビームリードの端部は、前記ベースフィルムから突出し、前記ビームリードの突出した部分には、波状部が形成されることを特徴とするテープ配線基板。
【請求項２】
前記ベースフィルムは、柔軟性のあるフィルムであることを特徴とする請求項１に記載のテープ配線基板。
【請求項３】
前記波状部は、半円形状、Ｓ字形状、ジグザグ形状のいずれか１つからなることを特徴とする請求項１又は２に記載のテープ配線基板。
【請求項４】
集積回路チップと、テープ配線基板とを含む半導体チップパッケージにおいて、
前記集積回路チップは、上部面に設けられた多数のチップパッドを含み、
前記テープ配線基板は、ベースフィルムと、該ベースフィルムの第１面に形成された多数のビームリードとを含み、それぞれの前記ビームリードの一端は、前記ベースフィルムから前記チップパッド側に突出しそれぞれの前記チップパッドに接合され、前記ビームリードの突出した部分には、波状部が形成されることを特徴とする半導体チップパッケージ。
【請求項５】
前記ベースフィルムは、柔軟性のあるフィルムであることを特徴とする請求項４に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項６】
前記波状部は、半円形状、Ｓ字形状、ジグザグ形状のいずれか１つからなることを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項７】
前記波状部は、ネック部分、屈曲部分及び末端部分を有することを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項８】
前記ネック部分が前記ベースフィルムから突出した長さは、４０〜８０μｍであり、前記屈曲部分の長さは、１００〜５００μｍであり、前記ビームリードの幅は、５０μｍ以下であることを特徴とする請求項７に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項９】
前記ネック部分の長さは、５５〜７５μｍであることを特徴とする請求項８に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項１０】
前記ビームリードの幅は、１０〜３０μｍであることを特徴とする請求項８に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項１１】
前記集積回路チップは、それぞれの前記チップパッドに形成されたチップバンプをさらに含むことを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項１２】
前記チップパッドと前記ビームリードとの接合部分を封止する封止樹脂をさらに含むことを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項１３】
それぞれの前記ビームリードの他端は、外部接続端子であることを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項１４】
前記ベースフィルムは、中央部に形成された開口部を含み、前記開口部を介して前記集積回路チップの上部面に設けられた前記チップパッドが露出することを特徴とする請求項１３に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項１５】
前記ベースフィルムの第１面は、前記集積回路チップの上部面と対向することを特徴とする請求項１４に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項１６】
前記ベースフィルムの第１面は、前記集積回路チップの上部面と同じ方向に向くことを特徴とする請求項１４に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項１７】
前記ベースフィルムは、前記集積回路チップの上部面全体を被覆し、前記ベースフィルムの第１面は、前記集積回路チップの上部面と対向することを特徴とする請求項１３に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項１８】
前記テープ配線基板は、前記ビームリードを保護するために、前記ベースフィルムの第１面及び前記ビームリード上に形成された保護層をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項１９】
集積回路チップとテープ配線基板とを含む半導体チップパッケージにおいて、
前記集積回路チップは、上部面に設けられた多数のチップパッドを含み、
前記テープ配線基板は、ベースフィルムと、該ベースフィルムの第１面に形成された多数のビームリードと、前記ベースフィルムの第２面に形成され、前記ビームリードの一端と電気的に連結される多数のはんだボールとを含み、それぞれの前記ビームリードの他端は、前記ベースフィルムから前記チップパッド側に突出しそれぞれの前記チップパッドに接合され、前記ビームリードの突出した部分には波状部が形成されることを特徴とする半導体チップパッケージ。
【請求項２０】
前記テープ配線基板は、前記チップパッドを露出させながら前記集積回路チップの上部面に位置することを特徴とする請求項１９に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項２１】
前記チップパッドは、前記集積回路チップの上部面のエッジ部に沿って配設されることを特徴とする請求項１９に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項２２】
前記チップパッドは、前記集積回路チップの上部面の中央部に沿って配設されることを特徴とする請求項１９に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項２３】
前記チップパッドは、前記集積回路チップの上部面のエッジ部及び中央部に沿って配設されることを特徴とする請求項１９に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項２４】
前記テープ配線基板と前記集積回路チップの上部面との間に介設された接合材をさらに含むことを特徴とする請求項１９に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項２５】
前記接合材は、エポキシ、又は弾性重合体であることを特徴とする請求項２４に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項２６】
前記弾性重合体は、エラストマであることを特徴とする請求項２５に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項２７】
前記波状部は、半円形状、Ｓ字形状、ジグザグ形状のいずれか１つからなることを特徴とする請求項１９に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項２８】
前記波状部は、ネック部分、屈曲部分及び末端部分を有することを特徴とする請求項１９に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項２９】
前記ネック部分が前記ベースフィルムから突出した長さは、４０〜８０μｍであり、前記屈曲部分の長さは１００〜５００μｍであり、前記ビームリードの幅は５０μｍ以下であることを特徴とする請求項２８に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項３０】
前記ネック部分の長さは５５〜７５μｍであることを特徴とする請求項２９に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項３１】
前記ビームリードの幅は１０〜３０μｍであることを特徴とする請求項３０に記載の半導体チップパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体パッケージ技術に関し、より具体的には、ビームリードが形成されたテープ配線基板を利用してパッケージを具現した半導体チップパッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子の高集積化に伴って、半導体チップパッケージを製造するための組立技術も持続的に発展している。また、個人携帯用通信機器、液晶ディスプレイＬＣＤ製品などの急速な市場拡大にしたがって、半導体パッケージの小型化、薄形化、軽量化が進んでいる。このような傾向に対応するために開発されたパッケージ類型の１つとして、テープ配線基板を用いた半導体チップパッケージがある。例えば、テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）、チップ−オン−フィルム（ＣＯＦ）パッケージ、マイクロボールグリッドアレイ（μＢＧＡ）パッケージなどが挙げられる。
【０００３】
テープ配線基板を用いた半導体チップパッケージは、いわゆるＴＡＢ（ｔａｐｅ  ａｕｔｏｍａｔｅｄ  ｂｏｎｄｉｎｇ）として知られたボンディング技術を利用して集積回路チップとテープ配線基板との間の相互連結を具現する。テープ配線基板を用いた半導体チップパッケージの一例が図１Ａ及び図１Ｂに示されている。図１Ａは、平面図で、図１Ｂは、図１ＡのＩＢ−ＩＢ線に沿って切断した断面図である。
【０００４】
図１Ａ及び図１Ｂを参照すれば、半導体チップパッケージ１００の集積回路チップ２０は、上部面に設けられた多数のチップパッド２１を備えており、それぞれのチップパッド２１には、チップバンプ２２が形成される。テープ配線基板１０は、ベースフィルム１１と、多数のビームリード１２と、保護層１３とで構成される。ベースフィルム１１は、ポリイミド材質からなり、その中央に長方形の開口部１４が形成される。ベースフィルム１１の開口部１４は、集積回路チップ２０を露出させるためのものである。銅材質のビームリード１２は、ベースフィルム１１の下部面に形成され、その端部が開口部１４の中に突出する。保護層１３は、ビームリード１２を保護するために、ベースフィルム１１の下部面に形成され、例えば、はんだレジストからなる。
【０００５】
開口部１４の中に突出したビームリード１２は、約５００℃の高温下で機械的な圧力を加えることにより、チップバンプ２２と接合される。これは、ＴＡＢ技術での内部リードボンディング（ｉｎｎｅｒ  ｌｅａｄ  ｂｏｎｄｉｎｇ；ＩＬＢ）としてよく知られている。典型的なボンディング技術の１つであるワイヤーボンディングとは異なって、ＴＡＢ技術の内部リードボンディングは、集積回路チップのチップパッドと配線基板のビームリードとを一括的に連結できるという長所がある。内部リードボンディングが完了した後、集積回路チップ２０の上部面と、側面と、開口部１４に露出したビームリード１２とを封止樹脂２３で封止する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述したような構造を有する半導体チップパッケージ１００は、テープ配線基板１０の構成要素間の熱膨張係数の差異によって信頼性問題を抱いている。テープ配線基板１０の構成要素であるポリイミドベースフィルム１１、銅ビームリード１２、はんだレジスト保護層１３は、熱膨張係数が、それぞれ、約２０ｐｐｍ／℃、約１７ｐｐｍ／℃、約１６０ｐｐｍ／℃である。従って、高温・高圧下での内部リードボンディングが進行すると、テープ配線基板１０の構成要素は、図２に示したように、互いに異なる割合で熱膨張をするようになる。この結果、チップバンプ２２と接合されたビームリード１２に熱的・機械的応力Ｓが発生し、ビームリード１２の屈曲部位１２ａに破断が誘発される。このようなビームリード不良の例が図３に示されている。
【０００７】
したがって、本発明の目的は、テープ配線基板のビームリードに発生する破断などの不良を防止して、集積回路チップとテープ配線基板との間の接合信頼性を向上させることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明は、波状のビームリードを備えたテープ配線基板と、それを用いた半導体チップパッケージを提供する。本発明による半導体チップパッケージは、集積回路チップとテープ配線基板とで構成される。集積回路チップは、その上部面に設けられた多数のチップパッドを含む。テープ配線基板は、ベースフィルムと多数のビームリードとを含む。ビームリードは、ベースフィルムの第１面に形成され、それぞれのビームリードの一端部は、ベースフィルムからチップパッド側に突出しそれぞれのチップパッドに接合され、特に、ビームリードの突出した部分には、波状部が形成されることが特徴である。
【０００９】
ベースフィルムは、柔軟性のあるフィルムであるのが好ましく、ビームリードの波状部は、半円形状、Ｓ字形状、ジグザグ形状などのいろいろな形状を有することができる。集積回路チップは、それぞれのチップパッドに形成されたチップバンプをさらに含むことができる。また、本発明のパッケージは、チップパッドとビームリードとの接合部分を封止する封止樹脂をさらに含むことができる。
【００１０】
本発明のパッケージにおいて、外部接続端子は、ビームリードの他端部、又ははんだボールである。はんだボールは、ベースフィルムの第２面に形成され、ビームリードと電気的に連結される。ビームリードの端部が外部接続端子となる場合、ベースフィルムの中央部に形成された開口部を介して集積回路チップの上部面に設けられたチップパッドが露出するか、ベースフィルムによって集積回路チップの上部面全体が被覆される。この場合、テープ配線基板は、ビームリードを保護するために、ベースフィルムの第１面及びビームリード上に形成された保護層をさらに含むことができる。また、ベースフィルムの第１面は、集積回路チップの上部面と対向するか、同じ方向に向く。
【００１１】
はんだボールが外部接続端子となる場合、テープ配線基板は、チップパッドを露出させながら集積回路チップの上部面に位置する。この場合、チップパッドは、集積回路チップの上部面のエッジ部に沿って配設されるか、中央部に沿って配設されるか、又は、エッジ部及び中央部に沿って配設される。また、テープ配線基板と集積回路チップの上部面との間には、エポキシや弾性重合体のような接合材を介在させることができる。弾性重合体は、例えばエラストマやシリコン系の接合材である。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、添付の図面を参照して、本発明の好ましい実施例を詳しく説明する。
図４Ａ及び図４Ｂは、本発明の第１実施例による半導体チップパッケージを示す平面図及び断面図である。図４Ｂは、図４ＡのＩＶＢ−ＩＶＢ線に沿って切断した断面図である。
【００１３】
図４Ａ及び図４Ｂに示されたように、半導体チップパッケージ２００は、集積回路チップ４０とテープ配線基板３０とで構成され、ＴＡＢ技術の内部リードボンディングを使用して集積回路チップ４０とテープ配線基板３０との間の相互連結を具現する。
【００１４】
集積回路チップ４０は、例えばＬＣＤパネルを駆動するＬＤＩ（ＬＣＤ  ｄｒｉｖｅｒ  ＩＣ）チップであるが、必ずしもこれに限定されるものではない。集積回路チップ４０は、上部面（すなわち、活性面）に設けられた多数のチップパッド４１を備える。それぞれのチップパッド４１には、チップバンプ４２が形成される。チップバンプ４２は、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、はんだ（ｓｏｌｄｅｒ）などのような金属からなる。
【００１５】
テープ配線基板３０は、ベースフィルム３１と、多数のビームリード３２と、保護層３３とで構成される。ベースフィルム３１は、例えば、ポリイミドフィルムのように柔軟性のあるフィルムである。ベースフィルム３１の中央には、集積回路チップ４０の上部面全体又は一部を露出させるために、長方形の開口部３４が形成される。銅材質のビームリード３２は、ベースフィルム３１の下部面に形成され、内側の端部がベースフィルム３１から開口部３４内側に突出する。保護層３３は、ビームリード３２を保護するために、ベースフィルム３１の下部面及びビームリード３２上に形成され、例えば、はんだレジストからなる。
【００１６】
開口部３４の中に突出したビームリード３２は、内部リードボンディングによってチップバンプ４２と接合をなす（図４Ｂの３２−３）。集積回路チップ４０の上部面と、側面と、開口部３４の中に突出したビームリード３２とは、エポキシなどの封止樹脂４３によって封止される。便宜上、図４Ａには、封止樹脂４３の図示が省略された。一方、ビームリード３２の外側の端部（図示せず）は、パッケージ２００の外部接続端子であって、例えば、印刷回路基板及びＬＣＤパネルに連結される。これについては図８を参照して後述する。
【００１７】
ベースフィルム３１の端縁３１ａから開口部３４の内側に突出したビームリード３２は、幅方向（すなわち、水平方向）に曲げられた形状を有する。以下では、このビームリード３２の部位を波状部３２ａと呼ぶ。ビームリード３２の波状部３２ａを拡大した形状が図５Ａに例示されている。ビームリードの波状部３２ａは、図５Ａの半円形状の他に、いろいろな形状に変形できる。図５Ｂ及び図５Ｃは、ビームリードの変形例であり、図５Ｂは、Ｓ字形状の波状部３２ｂを有するビームリードを、図５Ｃは、ジグザグ形状の波状部３２ｃを有するビームリードを例示する。このような波状部３２ａ、３２ｂ、３２ｃの形状及び大きさは、ビームリード３２の幅及び厚さ、工程条件などによって決定することができる。以下、ビームリードの波状部について詳細に説明する。
【００１８】
図４Ｂ、図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃから分かるように、ビームリードの波状部３２ａ、３２ｂ、３２ｃは、ネック部分３２−１、屈曲部分３２−２及び末端部分３２−３で構成される。
【００１９】
ネック部分３２−１は、ベースフィルム３１と接しているビームリード部位で、ベースフィルム３１の端縁３１ａと垂直な方向に伸張されている。ネック部分３２−１の長さは、ベースフィルム３１の端縁３１ａから集積回路チップ４０のチップパッド４１及びチップバンプ４２までの距離によって決定され、約４０μｍ〜８０μｍ、好ましくは、約５５μｍ〜７５μｍである。
【００２０】
屈曲部分３２−２は、テープ配線基板のビームリードに発生する破断不良を防止して、集積回路チップとテープ配線基板との間の接合信頼性を向上させるために形成された部分であり、前述したように、半円形状、Ｓ字形状及びジグザグ形状を有することができる。屈曲部分３２−２の長さは、前述したネック部分３２−１の長さと同様に、ベースフィルム３１の端縁３１ａから集積回路チップ４０のチップパッド４１及びチップバンプ４２までの距離によって決定される。屈曲部分３２−２の長さは、約１００μｍ〜５００μｍ、好ましくは、１５０μｍ〜４５０μｍである。
【００２１】
末端部分３２−３は、集積回路チップ４０のチップパッド４１、又はチップバンプ４２と接続する部分であり、前記ネック部分３２−１と同じ延長線上に位置するのが好ましい。末端部分３２−３の長さは、ネック部分３２−１、屈曲部分３２−２の長さと同様に、ベースフィルム３１の端縁３１ａから集積回路チップ４０のチップパッド４１及びチップバンプ４２までの距離ばかりでなく、チップパッド４１及びチップバンプ４２の大きさにしたがって決定される。なお、ビームリード３２の幅Ｗは、チップパッド４１及びチップバンプ４２の大きさ及び距離によって決定され、５０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ〜３０μｍである。
【００２２】
さらに図４を参照すれば、ビームリード３２の波状部３２ａは、テープ配線基板３０の構成要素間の熱膨張係数の差異によってビームリード３２に発生する応力を分散させる作用をする。このような波状部３２ａの作用によって、ビームリード３２の破断などの不良を效果的に防止することができる。一方、前述したように、ビームリード３２のネック部分３２−１は、開口部３４の内側に水平方向に若干突出した後、チップバンプ４２側に曲げられる。このような構造もやはりビームリード３２の応力分散に効果的である。従来のビームリードは、図４Ｂに二点鎖線で示したように、開口部３４の内側に突出すると直ぐに、折り曲げられるように形成される。
【００２３】
波状のビームリードが形成されたテープ配線基板は、他の類型の半導体チップパッケージにも適用することができる。図６及び図７は、各々本発明の第２、第３実施例による半導体チップパッケージを示す断面図である。
【００２４】
図６に示された半導体チップパッケージ３００は、図４に図示された第１実施例のパッケージ２００と類似するが、但し、テープ配線基板５０のビームリード５２がベースフィルム５１の上部面に形成される点が異なる。図面に直接的に図示してはいないが、この場合にも、ビームリード５２に水平方向に波状部の屈曲部分（図５の３２ａ、３２ｂ、３２ｃ）を形成して、集積回路チップ４０とテープ配線基板５０との間の接合信頼性を向上させることができる。波状部の形状及び大きさは、前述した第１実施例と同様に色々と具現することができる。
【００２５】
図７のパッケージ４００は、テープ配線基板６０のベースフィルム６１に開口部（図４Ａの３４）が形成されない場合である。このような構造のテープ配線基板６０でも、ビームリード６２に水平方向に波状部の屈曲部分（図５の３２ａ、３２ｂ、３２ｃ）を形成して、接合信頼性を向上させることができる。
【００２６】
以上で説明した第１乃至第３実施例の半導体チップパッケージ２００、３００、４００は、例えばＬＣＤモジュールに用いられる。その場合のパッケージ実装構造が図８に示されており、図４のパッケージ２００を例に取った。ＬＣＤモジュールの構成は、既によく知られており、本発明を理解するのに必ずしも必要なものではないので、詳細な図示及び説明は省略する。
【００２７】
図８を参照すれば、パッケージ２００は、ＬＣＤパネル１１０と印刷回路基板１４０との間に実装される。ＬＣＤパネル１１０は、２つの基板、例えば、ＴＦＴ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板１２０と、カラーフィルター基板１３０とで構成される。パッケージ２００のビームリード３２−４、３２−５は、集積回路チップ４０の両側からベースフィルム３１の長手方向に沿って形成され、それぞれの外側の端部は、パッケージ２００の外部接続端子であって、ＬＣＤパネル１１０及び印刷回路基板１４０に連結される。すなわち、パッケージ２００の出力配線３２−４となるビームリードは、ＴＦＴ基板１２０に形成されたデータ入力パッド（図示せず）と熱圧着により連結され、パッケージ２００の入力配線３２−５となるビームリードは、印刷回路基板１４０に形成された出力パッド（図示せず）と熱圧着により連結される。
【００２８】
波状のビームリードが形成されたテープ配線基板は、さらに別の類型の半導体チップパッケージに適用することができる。図９Ａ及び図９Ｂは、本発明の第４実施例による半導体チップパッケージを示す平面図及び断面図である。図９Ｂは、図９ＡのＩＸＢ−ＩＸＢ線に沿って切断した断面図である。図９Ａ及び図９Ｂを参照すれば、本実施例のパッケージ５００は、集積回路チップ８０ａとテープ配線基板７０ａとで構成され、ＴＡＢ技術の内部リードボンディングを使用して集積回路チップ８０ａとテープ配線基板７０ａとの間の相互連結を具現する。
【００２９】
集積回路チップ８０ａの上部面には、多数のチップパッド８１ａが設けられている。チップパッド８１ａは、集積回路チップ８０ａの上部面のエッジ部に沿って配設される。それぞれのチップパッド８１ａには、前述した実施例のチップバンプを形成することができる。テープ配線基板７０ａは、ベースフィルム７１と多数のビームリード７２とで構成される。テープ配線基板７０ａは、集積回路チップ８０ａの上側に位置し、チップパッド８１ａは、テープ配線基板７０ａの外部に露出している。テープ配線基板７０ａの下部面と集積回路チップ８０ａの上部面との間には、接合材７５、例えば、エポキシ又は弾性重合体を介設することができる。弾性重合体は、弾性を持つ接合材であり、エラストマ又はシリコン系の接合材が挙げられる。
【００３０】
ビームリード７２は、ベースフィルム７１の下部面に形成され、その端部がベースフィルム７１からチップパッド８１ａ側に突出する。チップパッド８１ａ側に突出したビームリード７２は、波状部を備え、ＴＡＢ技術の内部リードボンディングによってチップパッド８１ａと接合される。集積回路チップ８０ａの上部面と、チップパッド８１ａ側に突出したビームリード７２とは、封止樹脂８３で封止される。この際、集積回路チップ８０ａの下部面も封止樹脂８３で封止できる。ベースフィルム７１の上部面には、パッケージ５００の外部接続端子として機能する多数のはんだボール７６が形成され、ベースフィルム７１に形成された接続孔（図示せず）を介してビームリード７２と連結される。
【００３１】
このようなパッケージ構造でも、集積回路チップ８０ａとテープ配線基板７０ａとが互いに連結される時、ビームリード７２の波状部によって接合信頼性が向上する。
【００３２】
第４実施例のパッケージ構造と類似しているが、集積回路チップのチップパッド配列位置によってパッケージ構造が異なり、この場合にも本発明が適用される。図１０Ａ及び図１０Ｂは、本発明の第５実施例による半導体チップパッケージを示す平面図及び断面図である。図１０Ｂは、図１０ＡのＸＢ−ＸＢ線に沿って切断した断面図である。
【００３３】
図１０Ａ及び図１０Ｂを参照すれば、本実施例の半導体チップパッケージ６００も、集積回路チップ８０ｂとテープ配線基板７０ｂとで構成され、ＴＡＢ技術の内部リードボンディングを使用して集積回路チップ８０ｂとテープ配線基板７０ｂとの間の相互連結を具現する。
【００３４】
集積回路チップ８０ｂの上部面に形成された多数のチップパッド８１ｂは、集積回路チップ８０ｂ上部面の中央部に沿って配設される。したがって、テープ配線基板７０ｂは、チップパッド８１ｂを露出させるための開口部７４を有する。集積回路チップ８０ｂの上側に位置するテープ配線基板７０ｂは、ベースフィルム７１と、多数のビームリード７２とで構成され、テープ配線基板７０ｂの下部面と集積回路チップ８０ｂの上部面との間にエポキシ又は弾性重合体のような接合材７５が介設される。
【００３５】
ビームリード７２は、ベースフィルム７１の下部面に形成され、その端部がベースフィルム７１から開口部７４の中に突出する。突出したビームリード７２は、波状部を有し、ＴＡＢ技術の内部リードボンディングによってチップパッド８１ｂと接合される。開口部７４内側の集積回路チップ８０ｂ上部面及びビームリード７２は、封止樹脂８３で封止される。この際、集積回路チップ８０ｂの側面及び下部面をも封止樹脂８３で封止できることはもちろんである。ベースフィルム７１の上部面には、多数のはんだボール７６が形成され、ベースフィルム７１に形成された接続孔（図示せず）を介してビームリード７２と連結される。
【００３６】
このようなパッケージ構造でも、ビームリード７２の波状部は、集積回路チップ８０ｂとテープ配線基板７０ｂとの間の相互接合信頼性を向上させる。
【００３７】
一方、第４実施例と第５実施例とが混合した形態として、集積回路チップのチップパッドをチップ上部面のエッジ部及び中央部の両方に沿って配設させることもできる。このような場合が図１１に示された本発明の第６実施例である。図１１を参照すれば、一部のチップパッド８１ｃは、集積回路チップ８０ｃの上部面のエッジ部に沿って配設され、他の一部のチップパッド８１ｄは、中央部に沿って配設される。
【００３８】
チップパッド８１ｃ、８１ｄを露出させるために、テープ配線基板７０ｃは、集積回路チップ８０ｃよりも大きさが小さく、中央部に開口部７４が形成される。テープ配線基板７０ｃは、ベースフィルム７１と、多数のビームリード７２とで構成され、テープ配線基板７０ｃと集積回路チップ８０ｃとの間にエポキシ又は弾性重合体のような接合材７５が介設される。ベースフィルム７１の下部面に形成されたビームリード７２は、波状部を有し、チップパッド８１ｃ、８１ｄと各々接合される。また、ベースフィルム７１の上部面にはんだボール７６が形成され、チップパッド８１ｃ、８１ｄとビームリード７２との接合部分並びに集積回路チップ８０ｃの上部面は、封止樹脂（図示せず）で封止され、場合によっては、集積回路チップ８０ｃの側面及び下部面をも封止することができる。
【００３９】
第６実施例のパッケージ７００でも、ビームリード７２の波状部は、集積回路チップ８０ｃとテープ配線基板７０ｃとの間の相互接合信頼性を向上させる。
【００４０】
以上説明した第４、第５、第６実施例のようにパッケージの外部接続端子がボール形状である場合、パッケージの実装構造は、図１２に示された通りである。これはフリップチップボンディング技術としてよく知られており、パッケージ５００、６００、７００のはんだボール７６が外部の回路基板９０に直接接合される。
【００４１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体チップパッケージは、テープ配線基板のビームリードに波状部が形成されるから、ＴＡＢ技術の内部リードボンディングを利用して集積回路チップとテープ配線基板とを相互連結する時、熱的・機械的応力によるビームリードの破断不良を防止することができ、接合信頼性を向上させることができる。
【００４２】
本発明は、本発明の技術的思想から逸脱することなく、他の種々の形態で実施することができる。前述の実施例は、あくまでも、本発明の技術内容を明らかにするものであって、そのような具体例のみに限定して狭義に解釈されるべきものではなく、本発明の精神と特許請求の範囲内で、いろいろと変更して実施することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】テープ配線基板を用いた従来の半導体チップパッケージを示す平面図である。
【図１Ｂ】テープ配線基板を用いた従来の半導体チップパッケージを示す断面図である。
【図２】従来の半導体チップパッケージで発生するビームリード不良を説明するための図である。
【図３】図２のビームリード不良を示す走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図４Ａ】本発明の第１実施例による半導体チップパッケージを示す平面図である。
【図４Ｂ】本発明の第１実施例による半導体チップパッケージを示す断面図である。
【図５Ａ】本発明によるテープ配線基板のビームリード変形例を示す平面図である。
【図５Ｂ】本発明によるテープ配線基板のビームリード変形例を示す平面図である。
【図５Ｃ】本発明によるテープ配線基板のビームリード変形例を示す平面図である。
【図６】本発明の第２実施例による半導体チップパッケージを示す断面図である。
【図７】本発明の第３実施例による半導体チップパッケージを示す断面図である。
【図８】本発明の第１〜第３実施例による半導体チップパッケージの実装構造を示す斜視図である。
【図９Ａ】本発明の第４実施例による半導体チップパッケージを示す平面図である。
【図９Ｂ】本発明の第４実施例による半導体チップパッケージを示す断面図である。
【図１０Ａ】本発明の第５実施例による半導体チップパッケージを示す平面図である。
【図１０Ｂ】本発明の第５実施例による半導体チップパッケージを示す断面図である。
【図１１】本発明の第６実施例による半導体チップパッケージを示す平面図である。
【図１２】本発明の第４〜第６実施例による半導体チップパッケージの実装構造を示す断面図である。
【符号の説明】
２００、３００、４００、５００、６００、７００      半導体チップパッケージ
３０、５０、６０、７０ａ、７０ｂ、７０ｃ      テープ配線基板
３１、５１、６１、７１      ベースフィルム
３２、５２、６２、７２      ビームリード
３２−２      波状部
３３、５３      保護層
３４、７４      開口部
４０、８０ａ、８０ｂ、８０ｃ      集積回路チップ
４１、８１ａ、８１ｂ、８１ｃ、８１ｄ      チップパッド
４２      チップバンプ
４３、８３      封止樹脂
７５      接合材
７６      はんだボール
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【図１２】
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