(57)【要約】【課題】基板を備え、その基板面に対して垂直方向に磁化容易軸を有し磁場の供給を受け情報を記録する情報記録媒体、およびそのような情報記録媒体の製造方法に関し、非磁性中間層の表面に微細な凹凸形状を形成しつつ、ＳＮＲをさらに向上することができる情報記録媒体、およびそのような情報記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】基板１０上に形成された軟磁性層１１と記録磁性層１３との間に、軟磁性層１１側から順に第１中間層１２１、第２中間層１２２、第３中間層１２３からなる非磁性中間層１２を備え、第１中間層１２１が、表面に貴金属酸化物の物性を有する部分と貴金属の物性を有する部分とが混在したものである。【選択図】        図２
2004199725.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された、該基板面に対し面内方向に磁化容易軸を有する軟磁性層と、
前記軟磁性層よりも上層に形成された、表面に微細凹凸形状を有する非磁性中間層と、
前記非磁性中間層上に形成された、前記基板面に対して垂直方向に磁化容易軸を有し、磁場の供給を受け情報を記録する記録磁性層とを備え、
前記非磁性中間層は、前記軟磁性層側から順に第１中間層、第２中間層、第３中間層からなり、
前記第１中間層は、表面に貴金属酸化物の物性を有する部分と貴金属の物性を有する部分とが混在したものであり、
前記第２中間層は、前記第１中間層の拡散開始温度よりも低い拡散開始温度を有し、該第１中間層表面に混在する貴金属酸化物の物性を有する部分と貴金属の物性を有する部分とのうちの少なくともいずれか一方の部分の上に凝集させたものであり、
前記第３中間層は、この非磁性中間層の表面を形成する層であって、前記第２中間層の主成分である材料の原子半径よりも小さな原子半径をもつ非結晶材料が、前記いずれか一方の部分を取り囲む領域を除いて該第２中間層の上に積み上げられたものであることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】
基板上に、該基板面に対し面内方向に磁化容易軸を有する軟磁性層を形成する軟磁性層形成工程と、
前記軟磁性層よりも上層に、表面に貴金属酸化物の物性を有する部分と貴金属の物性を有する部分とが混在した第１中間層を形成する第１中間層形成工程と、前記第１中間層の表面に、該第１中間層の拡散開始温度よりも低い拡散開始温度を有し、該第１中間層表面に混在する貴金属酸化物の物性を有する部分と貴金属の物性を有する部分とのうちの少なくともいずれか一方の部分の上に凝集させた第２中間層を形成する第２中間層形成工程と、
前記第２中間層の表面に、この非磁性中間層の最表面を形成する層であって、前記第２中間層の主成分である原子半径よりも小さな原子半径をもつ非結晶材料が、前記いずれか一方の部分を取り囲む領域を除いて該第２中間層の上に積み上げられた第３中間層を形成する第３中間層形成工程と、
前記第３中間層の表面に、前記基板面に対して垂直方向に磁化容易軸を有し磁場の供給を受け情報を記録する記録磁性層を形成する記録磁性層形成工程とを有することを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記第１中間層形成工程が、ルテニウムターゲットとルテニウムを主成分とする合金ターゲットとのうちのいずれか一方をターゲットにし、不活性ガスと酸素ガスを混合させた雰囲気中でスパッタリングすることにより第１中間層を形成する工程であることを特徴とする請求項２記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項４】
第２中間層形成工程が、前記第１中間層形成工程が実施されたことにより形成された第１中間層を、前記第２中間層の拡散開始温度以上かつ前記第１中間層の拡散開始温度未満の温度にまで加熱してから該第１中間層の表面に該第２中間層を形成する工程であることを特徴とする請求項２記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記軟磁性層形成工程が、製膜時のガス圧を０．５Ｐａ未満とし、ターゲットに所定の電圧を印加しつつ前記基板にもバイアス電圧を印加してスパッタリングすることにより軟磁性層を形成する工程であることを特徴とする請求項２記載の情報記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板を備え、その基板面に対して垂直方向に磁化容易軸を有し磁場の供給を受け情報を記録する情報記録媒体、およびそのような情報記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板上に、記録磁性層を備えた情報記録媒体に、情報を記録するには、情報記録媒体を所定方向に移動させながら、記録磁性層に、１ビットごと、各ビッドに応じた方向の磁場を供給し、記録磁性層を、供給された磁場に応じた方向に向けていく。
【０００３】
このようにして情報が記録される情報記録媒体に備えられる記録磁性層として、従来より、基板面の面内方向に磁化容易軸を有するものと、基板面に対して垂直方向に磁化容易軸を有するものとの２種類が知られているが、近年の高密度記録の要求に応えるには、垂直方向に磁化容易軸を有する記録磁性層を用いた垂直記録方式が優位である。
【０００４】
特許文献１には、垂直方向に磁化容易軸を有する記録磁性層を備えた情報記録媒体が記載されている。この情報記録媒体には、軟磁性層、非磁性中間層、および記録磁性層が基板側からこの記載順に設けられている。非磁性中間層は、軟磁性層と記録磁性層との交換結合力を断ち切るためのものであり、この特許文献１に記載された非磁性中間層の表面には、微細な凹凸形状が形成されている。この微細な凹凸形状に接して形成される記録磁性層では、微細な凹凸形状の周期にしたがってコラムが形成されることにより磁壁のピニングサイトが微細化し高分解能記録が可能になる。そのため、高密度記録を実現するには、非磁性中間層の表面に形成する凹凸形状をできる限り微細にすることが望まれる。そこで、本発明者らは、未公開特許出願において図１に示す情報記録媒体を提案している。
【０００５】
図１は、４層構造の非磁性中間層を備えた情報記録媒体の膜構造を模式的に示す図である。
【０００６】
図１に示す情報記録媒体９は、特許文献１に記載された情報記録媒体と同じく、軟磁性層９１、非磁性中間層９２、および記録磁性層９３が基板９０側からこの記載順に設けられ、さらに、記録磁性層９３の上に保護層９４が設けられている。これらの層のうち、図１に示す情報記録媒体９において特徴的なものは非磁性中間層９２である。この非磁性中間層９２は、誘電体層９２１、基点形成層９２２、凝集層９２３、および凹凸エンハンス層９２４からなる４層構造である。
この図１に示す情報記録媒体９では、非磁性中間層９２の表面に凹凸形状を形成するにあたり、多層構造により凹凸形状を形成する。すなわち、まず、表面張力が低い誘電体層９２１を形成し、その誘電体層９２１の表面に、Ｃｒターゲットを用いたスパッタリングを行う。Ｃｒは誘電体層９２１よりも表面張力が高く、誘電体層９２１の表面には、表面張力の違いによりＣｒ粒子が微細に分散される。図１に示す基点形成層９２２は微細に分散されたＣｒ粒子の集まりである。続いて、基点形成層９２２の表面に、Ａｇ等を表面拡散させる。こうすることにより、微細に分散されたＣｒ粒子それぞれにＡｇが凝集し、Ｃｒ粒子の上にＡｇが吸いよせられた状態になり、凹凸形状が形成される。凝集層９２３はＣｒ粒子の上に形成されたＡｇからなる層である。さらに、吸いよせられたＡｇの上に、原子半径の小さな原子から構成された材料をのせ、凹凸形状の高低差を増大させる。図１に示す凹凸エンハンス層９２４は、Ａｇの上にのせられた材料の層である。
【０００７】
このような図１に示す情報記録媒体９では、基点形成層９２２のＣｒ粒子の径に基づいて凹凸形状の周期が決まる。Ｃｒ粒子は微小なものであるため、図１に示す情報記録媒体９は高密度記録を実現することができる。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００１−３１２８１５号公報
【未公開特許出願】
特願２００２−１７１９８号
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、図１に示す軟磁性層９１は、基板面に対し面内方向に磁化容易軸を有するものである。この情報記録媒体では、記録磁性層上に配備された磁気ヘッドによって磁場が供給されると、磁束は、記録磁性層を垂直方向に通った後、軟磁性層に吸収され軟磁性層によって面内方向に向けられ、再び記録磁性層を垂直方向に通って磁気ヘッドに戻り記録される。ここで、非磁性中間層が厚いと、磁束は、軟磁性層に吸収されにくくなり記録磁性層内で乱れ、記録したビットが乱れてしまう。また、この情報記録媒体の再生時には、記録磁性層の磁化方向に基づき再生信号が得られる。しかしながら、非磁性中間層が厚いと、軟磁性層との相互作用が弱くなり、再生信号の信号強度が弱まってしまう。非磁性中間層が厚いことによるこれら記録時や再生時の問題は、ＳＮＲ（Ｓｉｇｎａｌ  ｔｏ  Ｎｏｉｓｅ  Ｒａｔｉｏ）を低下させる。
【００１０】
図１に示す情報記録媒体９では、従来の情報記録媒体に比べ非磁性中間層がかなり薄くなってはいるものの、その層構造は４層構造であるため、ＳＮＲのさらなる向上には限界がある。
【００１１】
本発明は、上記事情に鑑み、非磁性中間層の表面に微細な凹凸形状を形成しつつ、ＳＮＲをさらに向上することができる情報記録媒体、およびそのような情報記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する本発明うちの情報記録媒体は、基板と、
上記基板上に形成された、その基板面に対し面内方向に磁化容易軸を有する軟磁性層と、
上記軟磁性層よりも上層に形成された、表面に微細凹凸形状を有する非磁性中間層と、
上記非磁性中間層上に形成された、上記基板面に対して垂直方向に磁化容易軸を有し、磁場の供給を受け情報を記録する記録磁性層とを備え、
上記非磁性中間層は、上記軟磁性層側から順に第１中間層、第２中間層、第３中間層からなり、
上記第１中間層は、表面に貴金属酸化物の物性を有する部分と貴金属の物性を有する部分とが混在したものであり、
上記第２中間層は、上記第１中間層の拡散開始温度よりも低い拡散開始温度を有し、その第１中間層表面に混在する貴金属酸化物の物性を有する部分と貴金属の物性を有する部分とのうちの少なくともいずれか一方の部分の上に凝集させたものであり、
上記第３中間層は、この非磁性中間層の表面を形成する層であって、上記第２中間層の主成分である材料の原子半径よりも小さな原子半径をもつ非結晶材料が、上記いずれか一方の部分を取り囲む領域を除いてその第２中間層の上に積み上げられたものであることを特徴とする。
【００１３】
本発明の情報記録媒体では、上記第１中間層表面の、貴金属酸化物の物性を有する部分と貴金属の物性を有する部分とのうちの少なくともいずれか一方が、上記凹凸形状を形成するにあたっての凸部の基点になっている。すなわち、本発明の情報記録媒体によれば、上記凹凸形状の凸部の基点が上記第１中間層表面における物性の違いを利用して形成されており、上記第１中間層表面の、貴金属酸化物の物性を有する部分と貴金属の物性を有する部分はいずれも微小領域にすることができるため、上記凹凸形状は微細な周期になる。この微細な凹凸形状によって上記記録磁性層の分解能が向上し、本発明の情報記録媒体では、高密度記録を行うことができる。また、図１に示す情報記録媒体では、凹凸形状の凸部の基点が表面張力の違いを利用して形成されており、このため、表面張力の低い誘電体層を設ける必要があるが、本発明の情報記録媒体によれば、その基点が上記第１中間層表面における物性の違いを利用して形成されるため、誘電体層が不要になる。そのため、本発明の情報記録媒体に備えられた非磁性中間層は３層構造ですみ、本発明の情報記録媒体では、図１に示す非磁性中間層よりも非磁性中間層の厚みを薄くすることができる。
【００１４】
上記目的を達成する本発明うちの情報記録媒体の製造方法は、基板上に、その基板面に対し面内方向に磁化容易軸を有する軟磁性層を形成する軟磁性層形成工程と、
上記軟磁性層よりも上層に、表面に貴金属酸化物の物性を有する部分と貴金属の物性を有する部分とが混在した第１中間層を形成する第１中間層形成工程と、上記第１中間層の表面に、その第１中間層の拡散開始温度よりも低い拡散開始温度を有し、その第１中間層表面に混在する貴金属酸化物の物性を有する部分と貴金属の物性を有する部分とのうちの少なくともいずれか一方の部分の上に凝集させた第２中間層を形成する第２中間層形成工程と、
上記第２中間層の表面に、この非磁性中間層の最表面を形成する層であって、上記第２中間層の主成分である原子半径よりも小さな原子半径をもつ非結晶材料が、上記いずれか一方の部分を取り囲む領域を除いてその第２中間層の上に積み上げられた第３中間層を形成する第３中間層形成工程と、
上記第３中間層の表面に、上記基板面に対して垂直方向に磁化容易軸を有し磁場の供給を受け情報を記録する記録磁性層を形成する記録磁性層形成工程とを有することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の情報記録媒体の製造方法において、上記第１中間層形成工程が、ルテニウムターゲットとルテニウムを主成分とする合金ターゲットとのうちのいずれか一方をターゲットにし、不活性ガスと酸素ガスを混合させた雰囲気中でスパッタリングすることにより第１中間層を形成する工程であることが好ましい。
【００１６】
ルテニウムは、貴金属類の中でもイオン化エネルギーが小さく酸化されやすいため、不活性ガスと酸素ガスを混合させた雰囲気中で行う反応性スパッタリングにより、ＲｕＯxを容易に作ることができる。また、このように反応性スパッタリングを行うことで、わざわざ酸素暴露工程を行わなくても良いため、工程数が削減される。
【００１７】
さらに、本発明の情報記録媒体の製造方法において、第２中間層形成工程が、上記第１中間層形成工程が実施されたことにより形成された第１中間層を、上記第２中間層の拡散開始温度以上かつ上記第１中間層の拡散開始温度未満の温度にまで加熱してからその第１中間層の表面にその第２中間層を形成する工程であることも好ましい。
【００１８】
こうすることにより、上記凝集材料の拡散を促進させることができ、上記第１中間層表面に混在する貴金属酸化物の物性を有する部分と貴金属の物性を有する部分とのうちの少なくともいずれか一方の部分に、上記凝集材料が面内方向に広がらずに垂直方向に高く凝集する。
【００１９】
またさらに、本発明の情報記録媒体の製造方法において、上記軟磁性層形成工程が、製膜時のガス圧を０．５Ｐａ未満とし、ターゲットに所定の電圧を印加しつつ上記基板にもバイアス電圧を印加してスパッタリングすることにより軟磁性層を形成する工程であることも好ましい。
【００２０】
上記軟磁性層表面を構成する粒子の大きさが不均一であると、上記第１中間層に形成される凸部の基点も不均一になり、ひいては上記凹凸形状も不均一な状態になってしまう。上記軟磁性層形成工程に、このように低圧ガスでＢｉａｓ印加に製膜行うことで、上記軟磁性層表面を形成する粒子の大きさが揃い、軟磁性層表面を平坦にすることができ、上記非磁性中間層表面に均一な凹凸形状を形成することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００２２】
本発明の一実施形態である磁気ディスクは、ハードディスク装置（ＨＤＤ）に装備される媒体である。
【００２３】
図２は、本実施形態の磁気ディスクの層構造を模式的に示す図である。
【００２４】
図２に示す磁気ディスク１は、軟磁性層１１、非磁性中間層１２、記録磁性層１３および保護層１４が、基板１０側からこの記載順に積層されたものである。
図２に示す基板１０は、円形のガラス基板であるが、Ｓｉ基板やＡｌ合金基板であってもよい。軟磁性層１１は、基板１０面に対して面内方向に磁化容易軸を有する。図２に示す軟磁性層１１は、ＦｅＣ膜であるが、これに限らず、Ｆｅを主成分とする、ＦｅＮｉ膜等のその他の膜や、Ｃｏを主成分とするＣｏＺｒＮｂ膜等の膜や、Ｎｉを主成分とする膜であってもよい。
【００２５】
非磁性中間層１２は、軟磁性層１１と記録磁性層１３との交換結合力を断ち切るための層である。図２に示す磁気ディスク１においては、この非磁性中間層１２が特徴的な層である。図２に示す非磁性中間層１２は、軟磁性層１１側から順に、貴金属酸化層１２１，非磁性中間層１２２，凹凸エンハンス層１２３からなる３層構造の層である。ここで、図３を用いて、この非磁性中間層１２について詳述する。
【００２６】
図３は、図２に示す非磁性中間層の一部分における各層を概念的に示した図である。
【００２７】
図３に示す非磁性中間層１２の一番下の層、すなわち、軟磁性層の表面に設けられた貴金属酸化層１２１は、表面に、酸化ルテニウム（ＲｕＯx）の物性を有する部分とルテニムの物性を有する部分とが混在した、厚さ０．４ｎｍの層である。これらの各部分は、極めて微小なものであり、表面全域にわたって分散されている。ここで、酸化ルテニウムの物性を有する部分は、２価の酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）の物性を有する部分と４価の酸化ルテニウム（ＲｕＯ4）の物性を有する部分・・・というように酸素原子の価数によって複数種類の部分に分類することができる。貴金属酸化層１２１は、本発明の情報記録媒体にいう第１中間層に相当する。
【００２８】
貴金属酸化層１２１の表面に設けられた、非磁性中間層１２の中間に位置する凝集層１２２は、貴金属酸化層１２１の拡散開始温度よりも低い拡散開始温度を有する材料からなる、厚さ０．６ｎｍの層である。貴金属酸化層１２１に凝集層１２２を積層する前に、貴金属酸化層１２１を、この材料の拡散開始温度まで加熱しておくことで、表面運動エネルギーが大きくなりこの材料の拡散や凝集を促進することができる。図３に示す凝集層１２２は、Ａｇを主成分とする材料からなる層である。このＡｇを主成分とする材料は、貴金属酸化層１２１の表面の物性の違いにより凝集される材料であるが、その凝集の程度は各部分の物性によって異なる。すなわち、酸化ルテニウムの物性を有する部分とルテニウムの物性を有する部分とでは凝集の程度が異なり、さらに、酸化ルテニウムの物性を有する部分であっても、酸素原子の価数が異なれば物性も異なり凝集の程度も異なる。
貴金属酸化層１２１の表面に、このような凝集層１２２が形成されることで、表面には微細な凹凸形状が形成される。このように、図２に示す情報記録媒体１では、貴金属酸化層１２１の表面における物性の違いを利用して凹凸形状が形成されており、貴金属酸化層表面の、物性が異なる微小部分が、凹凸形状の凸部形成の基点になる。なお、凝集層１２２に用いられる材料は、Ａｇを主成分とする材料に限らず、Ａｌ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｃｕの中から選択されたいずれかの元素を主成分とする材料であってもよく、これらの材料は、貴金属酸化層１２１の表面の、貴金属酸化物の物性を有する部分と貴金属の物性を有する部分のうちの少なくともいずれか一方に凝集するものであればよい。凝集層１２２は、本発明の情報記録媒体にいう第２中間層に相当する。
【００２９】
非磁性中間層１２の表面を形成する層は凹凸エンハンス層１２３である。この凹凸エンハンス層１２３は、凹凸形状の凹部になる空間Ｓを除いて、凝集層１２２の上に積み上げられた、厚さ１ｎｍの層である。図３に示す凹凸エンハンス層１２３に用いられる材料は、Ａｇの原子半径よりも小さな原子半径をもつＣを主成分とする非結晶材料である。このため、この非結晶材料を凝集層１２２の上に積み上げるにあたっては、結晶粒子単位で積み上げられることはなく、結晶粒子の大きさに拘束されず、面内方向に広がらず垂直方向に高く積み上げられる。また、この非磁性材料は原子半径が小さなＣを主成分とするものであるため、２次元化しにくい。凹凸エンハンス層１２３により、凝集層１２２によって形成された凹凸形状の高低差が増大する。なお、凹凸エンハンス層１２３は、Ｃを主成分とするものに限らず、Ｂを主成分とするものや，Ｐを主成分とするものであってもよい。凹凸エンハンス層１２３は、本発明の情報記録媒体にいう第３中間層に相当する。
【００３０】
ここで、図２に戻って、記録磁性層１３と保護層１４について説明する。
【００３１】
図２に示す記録磁性層１３は、非磁性中間層１２の凹凸エンハンス層１２３の表面に製膜された、膜厚が１６ｎｍのＴｂＦｅＣｏ膜である。このＴｂＦｅＣｏ膜は、基板１０面に対して垂直方向に磁化容易軸を有する。この膜は、具体的な組成が、Ｔｂ１７ａｔ％，Ｆｅ７５ａｔ％，Ｃｏ１８ａｔ％であって、保磁力Ｈｃが２７８．６ｋＡ／ｍ、飽和磁化Ｍｓが０．４４Ｔである。記録磁性層１３には、非磁性中間層１２の表面に設けられた微細な凹凸形状の周期にしたがって、コラムが形成される。このことにより記録磁性層の磁壁ピニングサイトが微細化する。図２に示す磁気ディスク１に情報を記録するには、この磁気ディスク１を所定方向に回転させながら、記録磁性層１２側に配備された不図示の磁気ヘッドから、記録磁性層１３に１ビットごと各ビットに応じた方向の磁場を供給し、記録する。この際、磁気ヘッドからの磁束は、記録磁性層１３を垂直方向に通った後、軟磁性層１１に吸収され軟磁性層１１によって面内方向に向けられ、再び記録磁性層１３を垂直方向に通って磁気ヘッドに戻る。なお、記録磁性層１３は、ＴｂＦｅＣｏ膜に限らず、Ｐｄ膜とＣｏ膜の多層膜や、ＦｅＰｔ膜や、ＣｏＣｒＰｔ膜であってもよい。
【００３２】
図２に示す保護層１４は、記録磁性層１３等を保護するためのＣ膜である。なお、保護層１４は、Ｃ膜に限らず、ＡｌＮ膜，Ｙ−ＳｉＯ2膜，あるいはＳｉＮ膜とＣ膜とを積層させた膜であってもよい。
【００３３】
続いて、図２に示す磁気ディスク１の製造方法について説明する。
【００３４】
図４は、図２に示す磁気ディスクを製造するにあたっての各工程を示したフローチャートである。
【００３５】
図４に示すように、図２に示す磁気ディスク１を製造するにあたっては、軟磁性層形成工程５１、貴金属酸化層形成工程５２、凝集層形成工程５３、凹凸エンハンス層形成工程５４、記録磁性層形成工程５５、および保護層形成工程５６をこの記載順に実施することで製造する。
【００３６】
軟磁性層形成工程５１は、円形のガラス基板の表面に、軟磁性層であるＦｅＣ膜をスパッタリングによって製膜する。ここでは、スパッタレート（スパッタ効率）を高めるためＦｅＣターゲットを用いず、ＦｅターゲットとＣターゲットを同時に放電させるコスパッタ法を用い、製膜時のガス圧を低ガス圧である０．１６Ｐａにしてスパッタリングする。この軟磁性層形成工程５１では、膜厚が１００ｎｍのＦｅＣ膜を製膜する。コスパッタ法を実施するにあたっては、放電を開始してから膜厚が９０ｎｍになるまでは、ターゲット側に所定投入電力を加え基板側にはバイアス電圧を印加しない状態でコスパッタ法を実施し、膜厚が９０ｎｍを超えた時点から基板側にもバイアス電圧を印加する。すなわちＦｅＣ膜の表面形成時に、バイアス製膜を行う。このように、製膜時のガス圧を低ガス圧とし、さらに表面を形成する際にバイアス製膜を行うことで、ＦｅＣ膜の表面を形成する粒子の大きさを揃えることができ、その表面を平坦にすることができる。
【００３７】
貴金属酸化層形成工程５２は、軟磁性層の表面に、貴金属酸化層であるＲｕＯx層をスパッタリングによって形成する。ここでは、Ｒｕターゲットをアルゴンガスと酸素ガスを混合させた雰囲気中で放電させる反応性スパッタ法を用いる。
アルゴンガスと酸素ガスとの比率は５対１（アルゴンガス１．６６７×１０-3Ｌ／ｓ対して酸素ガス３．３３４×１０-4Ｌ／ｓ）である。なお、製膜時のガス圧は０．５Ｐａである。Ｒｕは、イオン化エネルギーが小さく酸化されやすいため、アルゴンガスと酸素ガスを混合させた雰囲気中で行う反応性スパッタリングにより、ＲｕＯxを容易に作ることができる。
【００３８】
凝集層形成工程５３は、貴金属酸化層の表面に、凝集層であるＡｇ層をスパッタリングによって形成する。ここではまず、貴金属酸化層であるＲｕＯx層表面を２００℃に加熱し、２００℃に加熱されたＲｕＯx層表面に、Ａｇターゲットを用いてスパッタリングを行う。Ａｇは、融点が低く、拡散開始温度も、ＲｕＯx層の拡散開始温度よりも低い。加熱温度の２００℃は、Ａｇの拡散開始温度以上の温度であるが、ＲｕＯx層の拡散開始温度よりは低い温度である。なお、製膜時のガスとしてはアルゴンガス（ガス圧０．５Ｐａ）を用いる。
【００３９】
凹凸エンハンス層形成工程５４は、凝集層の表面に、凹凸エンハンス層であるＣ層をスパッタリングによって形成する。ここでのスパッタリングには、Ｃターゲットが用いられ、製膜時のガスとしてはアルゴンガス（ガス圧０．５Ｐａ）が用いられる。Ｃ原子は、凝集層の主成分であるＡｇよりも原子半径が小さいため、凝集層で形成された微細凹凸の凸部に積み上げられる。
【００４０】
記録磁性層形成工程５５は、ＴｂターゲットとＦｅＣｏターゲット（組成比；Ｆｅ９０ａｔ％Ｃｏ１０ａｔ％）とを用いたコスパッタ法を用いて、凹凸エンハンス層の表面に、図２に示す記録磁性層１３を製膜する。また、保護層形成工程５６では、図２に示す保護層１４をスパッタリング製膜する。
【００４１】
次に、各種実験を行ったのでそれらの結果について説明する。まず、図４に示す軟磁性層形成工程５１から凹凸エンハンス層形成工程５４までを実施して得た本発明適用サンプルと、非磁性中間層のうちの貴金属酸化層の形成工程を変更し、その他は本発明適用サンプルと同様にして得た数点の比較サンプルとを用意した。そして、各サンプルについて、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いた粒子解析を行い、凹凸エンハンス層表面、すなわち非磁性中間層表面の表面粗さ（Ｒａ）、凹凸形状の凸部先端から凹部の底までの高低差Ｐ−Ｖ（ｎｍ）、非磁性中間層表面を形成する粒子の平均粒子径（ｎｍ）、およびその表面を形成する粒子の粒径のバラツキ（σ）を求めた。なお、ここにいう表面粗さＲａは、日本工業規格（通称ＪＩＳ規格）の１９９４年に改正されたＢ０６０１中に規定されている中心線平均粗さである。すなわち、粗さ曲線（７５％）からその中心線の方向に測定長さＬの部分を抜き取り、この抜き取り部分の中心線をＸ軸、縦軸の方向をＹ軸とし、粗さ曲線（７５％）をｙ＝ｆ（ｘ）で表したときに、以下の式（１）で表される、単位をｎｍとする表面粗さである。
【００４２】
【数１】
2004199725.tif 000003
【００４３】
以下の説明では、この式（１）によって表される表面粗さのことを、単に、表面粗さＲａと称することにする。
【００４４】
【表１】
2004199725.tif 000004
【００４５】
表１には、横一列ごと、各サンプルについて求められた値が示されている。一番上の列は、項目を示し、２番目の列は、本発明適用サンプルについて示す列である。膜構成の項目に記された、ＦｅＣ１００ｎｍ／ＲｕＯx１ｎｍ／Ａｇ１ｎｍ／Ｃ１ｎｍの表記は、軟磁性層／貴金属酸化層／凝集層／凹凸エンハンス層に対応し、１００ｎｍや１ｎｍの記載は、左隣に記載された層を形成するにあたってのスパッタレートから算出された厚さである。（他のサンプルについても同様）。本発明適用サンプルにおいては、凝集層における凝集効果および凹凸エンハンス層による凹凸形状の高低差を増大させる効果によって、高低差Ｐ−Ｖは３．７ｎｍになっている。また、本発明適用サンプルにおける非磁性中間層表面を形成する粒子の粒径は１３〜１８ｎｍと小さく、そのバラツキも小さい。
【００４６】
３番目の列は、貴金属酸化層の形成において、アルゴンガスに酸素ガスを混合させず、アルゴンガス単体の雰囲気中でスパッタリングを行った比較サンプルについて示す列である。この比較サンプルの、軟磁性層表面に形成された層の表面全域は、貴金属であるルテニウムの物性を有する。この比較サンプルにおける非磁性中間層表面を形成する粒子の粒径は２３〜７３ｎｍと非常に大きく、そのバラツキも非常に大きい。
【００４７】
また、４番目の列は、貴金属酸化層の形成において、Ｒｕターゲットの代わりにＲｕＯ2ターゲットを用いてアルゴンガスの雰囲気中でスパッタリングを行った比較サンプルについて示す列である。この比較サンプルの、貴金属酸化層の表面全域は、２価の酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）の物性を有する。この比較サンプルにおける非磁性中間層表面を形成する粒子の粒径は１９〜２６ｎｍと比較的小さく、そのバラツキもある程度は抑えられている。
【００４８】
さらに、一番下の列は、貴金属酸化層の形成において、貴金属であるＲｕターゲットの代わりに卑金属であるＣｒターゲットを用いて反応性スパッタリングを行った比較サンプルについて示す列である。この比較サンプルの、軟磁性層表面に形成された層の表面には、クロムの物性を有する部分と、酸化クロム（ＣｒＯx）の物性を有する部分とが混在している。この比較サンプルにおける非磁性中間層表面を形成する粒子の粒径は２５〜３７ｎｍと大きく、そのバラツキも大きい。
【００４９】
各サンプルの非磁性中間層表面に設けられた凹凸形状については、表面粗さ（Ｒａ）、高低差Ｐ−Ｖ（ｎｍ）、平均粒径（ｎｍ）、および粒子のバラツキ（σ）を総合して考察することが必要である。すなわち、表面粗さＲａが大きいい場合や高低差Ｐ―Ｖが大きい場合には、凹凸形状の凸部と凹部の境がはっきりして良いようにも考えられるが、これらの場合であっても、粒子のバラツキが大きく、しかも平均粒径も大きければ、大きな粒子と小さな粒子とが混在することで表面粗さＲａが大きくなっていたり、大きな粒子によって高低差Ｐ―Ｖが増大していると考えられる。こうしてみると、本発明適用サンプルでは、表面粗さＲａや高低差Ｐ―Ｖが小さいものの、粒子のバラツキや平均粒径も小さいため、非磁性中間層の表面には、各比較サンプルに比べ、均一な周期で微細な凹凸形状が形成されていると判断することができる。
【００５０】
続いて、図４に示す軟磁性層形成工程５１から凹凸エンハンス層形成工程５４までを実施するにあたり、これらの工程のうちの貴金属酸化層形成工程５２におけるスパッタリングの、アルゴンガスの流量を１．６６７×１０-3Ｌ／ｓに固定し、酸素ガスの流量を、０Ｌ／Ｓ，８．３３５×１０-5Ｌ／Ｓ，１．６６７×１０-4Ｌ／Ｓ，２．５００×１０-4Ｌ／Ｓ，３．３３４×１０-4Ｌ／Ｓの５段階に変化させて実施し、５つのサンプルを作成した。
【００５１】
図５は、非磁性中間層表面を形成する粒子の、酸素ガス量依存性を示すグラフである。
【００５２】
図５に示すグラフの、横軸はアルゴンガスに混合する酸素ガスの流量（Ｌ／ｓ）を示し、縦軸は２種類のパラメータを示す。２種類のパラメータのうちの１つは、図５の左側の縦軸に示す、非磁性中間層表面を形成する粒子の平均粒径（ｎｍ）であり、もう１つは、図５の右側の縦軸に示す、非磁性中間層表面を形成する粒子の粒径のバラツキ（σ）である。図５中の、丸のプロットを結ぶ実線は、酸素ガスの流量と平均粒径との関係を示すものであり、四角のプロットを結ぶ実線は、酸素ガスの流量と粒径のバラツキとの関係を示すものである。図５に示すように、平均粒径および粒径のバラツキはいずれも、酸素ガスの流量が増加するにしたがい小さくなっている。このことから、アルゴンガスに混合する酸素ガスの流量を高めることで、貴金属酸化層表面の、ルテニウムの物性を有する部分や酸化ルテニウム（ＲｕＯx）の物性を有する部分を微細化することができ、非磁性中間層表面に、均一な周期で微細な凹凸形状を形成することができることがわかる。
【００５３】
続いて、図４に示す軟磁性層形成工程５１から凹凸エンハンス層形成工程５４までを実施するにあたり、これらの工程のうちの凝集層形成工程５３におけるＡｇターゲットの放電時間を変化させ、Ａｇ膜厚が異なる凝集層を有するサンプルを複数作製した。
【００５４】
図６は、非磁性中間層表面を形成する粒子の、Ａｇ層の厚さ依存性を示すグラフである。
【００５５】
図６に示すグラフの横軸は、凝集層であるＡｇ層の厚み（ｎｍ）を示し、縦軸は、図５に示すグラフと同じく、平均粒径（ｎｍ）と粒径のバラツキ（σ）との２種類のパラメータを示す。図６中の、丸のプロットを結ぶ実線は、Ａｇ層の厚さと平均粒径との関係を示すものであり、四角のプロットを結ぶ実線は、Ａｇ層の厚さと粒径のバラツキとの関係を示すものである。
【００５６】
ここでは、貴金属酸化層の厚さを１ｎｍに統一し、合計５つのサンプルを作製した。これら５つのサンプルを作製するにあたっては、凝集層であるＡｇ層の厚さを、０．２ｎｍから１ｎｍの間で０．２ｎｍずつ変化させて作製した。これらのサンプルのうち、厚さ０．６ｎｍのＡｇ層を有するサンプルの、非磁性中間層表面を形成する粒子は、９ｎｍ〜１３ｎｍの粒径であり、５つのサンプルの中で最も小さい平均粒径である。また、粒子のバラツキも、厚さ０．４ｎｍのＡｇ層を有するサンプルに次いで低い。
【００５７】
さらに、今度は、図４に示す軟磁性層形成工程５１から凹凸エンハンス層形成工程５４までを実施するにあたり、貴金属酸化層形成工程５２におけるＲｕターゲットの放電時間を変化させ、ＲｕＯxの膜厚が異なる貴金属酸化層を有するサンプルを５つ作製した。
【００５８】
図７は、非磁性中間層表面を形成する粒子の、貴金属酸化層の厚さ依存性を示すグラフである。
【００５９】
図７に示すグラフの横軸は、貴金属酸化層であるＲｕＯx層の厚み（ｎｍ）を示し、縦軸は、上述の２つのグラフと同じく、平均粒径（ｎｍ）と粒径のバラツキ（σ）との２種類のパラメータを示す。図７中の、丸のプロットを結ぶ実線は、貴金属酸化層の厚さと平均粒径との関係を示すものであり、四角のプロットを結ぶ実線は、貴金属酸化層の厚さと粒径のバラツキとの関係を示すものである。
【００６０】
ここでは、図６に示す結果を受けて、凝集層の厚さを０．６ｎｍに統一し、貴金属酸化層の厚さを、０．２ｎｍから１ｎｍの間で０．２ｎｍずつ変化させて作製した。これらのサンプルのうち、厚さ０．４ｎｍのＲｕＯx層を有するサンプルの、非磁性中間層表面を形成する粒子は、一段と小さく４ｎｍ〜７ｎｍの粒径であり、これら５つのサンプルに凝集層の厚さが異なる上述の５つのサンプルを合わせた中でも、最も小さい平均粒径である。また、粒子のバラツキも最も低い。
【００６１】
図６のグラフおよび図７のグラフそれぞれに示す結果から、ＲｕＯx層の厚さとＡｇ層の厚さを調整することで、非磁性中間層表面に、均一な周期で微細な凹凸形状を形成することができることがわかる。
【００６２】
次に、図４に示す軟磁性層形成工程５１から凹凸エンハンス層形成工程５４までを実施するにあたり、凝集層形成工程５３におけるＲｕＯx層表面の加熱温度を変化させ６つのサンプルを用意し、これら６つのサンプルそれぞれについて粒子解析を行った。
【００６３】
【表２】
2004199725.tif 000005
【００６４】
表２の一番上の列は項目を示し、２番目の列は、ＲｕＯx層に加熱を行わなかったサンプルについて求めた値を示す。このサンプルにおける非磁性中間層表面を形成する粒子の粒径は９〜１８ｎｍと大きく、そのバラツキも大きい。
【００６５】
また、３番目の列から１番下までの列は、ＲｕＯx層表面の加熱温度が、５０℃から２５０℃の間で５０℃ずつ異なるサンプルそれぞれについて求めた値を示す。表２に示すように、加熱温度が２００℃以下では、加熱温度を上げるにつれて、平均粒径および粒径のバラツキが小さくなっているが、加熱温度が２５０℃になると、平均粒径および粒径のバラツキが途端に大きくなる。このこのとから、Ａｇ層を形成する凝集層形成工程５３におけるＲｕＯx層表面の加熱温度は２００℃が好適であることがわかる。なお、この加熱温度は、凝集層に用いる材料の融点および拡散温度に依存するものである。
【００６６】
また、図４に示す軟磁性層形成工程５１から凹凸エンハンス層形成工程５４までを実施するにあたり、軟磁性層形成工程５１において実施するスパッタリングの、製膜時のアルゴンガスのガス圧を変化させ、４つのサンプルを作製した。ここでは、いずれのサンプルを作製する際にも、軟磁性層の表面形成時にバイアス製膜を行わなかった。ここで作製した４つのサンプルについても粒子解析を行った。
【００６７】
【表３】
2004199725.tif 000006
【００６８】
表３の一番上の列は項目を示し、２番目の列から４番目の列までは、軟磁性層形成工程５１におけるスパッタリングのアルゴンガスのガス圧が、１．５Ｐａから０．５Ｐａの間で０．５Ｐａずつ異なるサンプルそれぞれについて求めた値を示す。また、１番下の列は、そのガス圧を０．１６Ｐａにしたときのサンプルについて求めた値を示す。表３に示すように、ガス圧が低下するにつれて、平均粒径および粒径のバラツキはいずれも小さくなっている。これは、製膜時のガス圧を低くすることで、ターゲットから叩き出された原子が、雰囲気中のアルゴンイオンに衝突しにくくなり、その原子が基板表面に均一に付着し、軟磁性層の表面が平坦に形成されることに起因している。すなわち、軟磁性層表面が凸凹に荒れていると、その荒れは貴金属酸化層に反映され、最終的には、凹凸エンハンス層の表面、すなわち非磁性中間層の表面の凹凸形状に影響を及ぼし、非磁性中間層の表面を形成する粒子の平均粒径および粒径のバラツキが大きくなるが、製膜時のガス圧を低くすることで、軟磁性層表面の荒れを抑えることができ、非磁性中間層表面に形成された凹凸形状は、均一な周期を有する微細なものとなる。なお、製膜時のガスの圧力を低くしすぎると放電が生じなくなるため、そのガスの圧力は、放電が生じるギリギリの圧力にすることが好ましい。
【００６９】
さらに、図４に示す軟磁性層形成工程５１から凹凸エンハンス層形成工程５４までを実施するにあたり、軟磁性層形成工程５１において軟磁性層の表面形成時に基板側へ印加するバイアス電圧の大きさを変化させて４つのサンプルを作製し、粒子解析を行った。なお、図４に示す軟磁性層形成工程５１では、製膜時のガスの圧力は、０．１６Ｐａである。
【００７０】
【表４】
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【００７１】
表４の一番上の列は項目を示し、２番目の列から一番下の列までは、軟磁性層形成工程５１において基板側へ印加するバイアス電圧の大きさが、−１００Ｖから−２５０Ｖの間で５０Ｖずつ異なるサンプルそれぞれについて求めた値を示す。表４に示すように、バイアス電圧の大きさを変化させても、非磁性中間層表面を形成する粒子の平均粒子径、および凹凸形状の凸部先端から凹部の底までの高低差Ｐ−Ｖの双方についてはさほど変化はないが、バイアス電圧の大きさが−２００Ｖのときに、非磁性中間層の表面粗さ（Ｒａ）、および粒径のバラツキ（σ）は最小値になっている。また、表３に示す、バイアス電圧を印加せず製膜ガス圧を０．１６Ｐａにしたときの結果と比べると、バイアス電圧を印加したときの方が、粒径のバラツキ（σ）が抑えられており、−２００Ｖの大きさのバイアス電圧を印加すると、表面粗さ（Ｒａ）についても改善が見られる。基板側にバイアス電圧を印加することで軟磁性層表面が平坦化され、非磁性中間層表面に形成された凹凸形状が、より均一な周期を有するものとなる。したがって、軟磁性層を形成するにあたっては、製膜時のガス圧を低ガス圧とし、表面を形成する際にバイアスを印加することが好ましい。
【００７２】
またさらに、図２に示す媒体構成の磁気ディスクと、図１に示す媒体構成の磁気ディスクを作製し、記録再生特性について比較したので、その結果を説明する。
【００７３】
図２に示す媒体構成の磁気ディスクの作製にあたっては、まず、図４に示す軟磁性層形成工程５１から凹凸エンハンス層形成工程５４までを順次実施することで、非磁性中間層まで作製した。一方、図１に示す媒体構成の磁気ディスクは、図４に示す軟磁性層形成工程５１と同様な工程で、ガラス基板上に膜厚１００ｎｍの軟磁性層を形成した。続いて、その軟磁性層の表面に誘電体層を形成した。この誘電体層は、膜厚０．５ｎｍのＳｉＮ膜であり、アルゴンガスにチッソガスを混合した雰囲気中でＳｉターゲットを放電させることで形成した。次に、誘電体層であるＳｉＮ膜の表面を酸素による暴露を行い、その後２００℃に加熱し、厚さ０．５ｎｍの基点形成層を積層させた。基点形成層は、アルゴンガスの雰囲気中でＣｒターゲットを放電させることで得た。基点形成層の表面には、Ａｇターゲットを用いて、スパッタリングにより厚さ１ｎｍの凝集層を形成し、その凝集層の表面には、Ｃターゲットを用いて、スパッタリングにより厚さ１ｎｍの凹凸エンハンス層を形成した。図１に示す媒体構成の磁気ディスクでは、誘電体層、基点形成層、凝集層、および凹凸エンハンス層からなる４層が非磁性中間層に相当する。
【００７４】
ここでも、両者の非磁性中間層表面について粒子解析を行った。
【００７５】
【表５】
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【００７６】
表５の一番上の列は項目を示す。また、２番目の列は、図１に示す媒体構成の磁気ディスクの非磁性中間層表面について求めた値を示し、一番の下の列は、図２に示す媒体構成の磁気ディスクの非磁性中間層表面について求めた値を示す。
両者を比較すると、図２に示す媒体構成の磁気ディスクの非磁性中間層表面に形成された凹凸形状の方が、図１に示す媒体構成の磁気ディスクのそれよりも、均一な周期を有する微細なものであることがわかる。
【００７７】
次に、それぞれの非磁性中間層表面に、図４に示す記録磁性層形成工程５５を実施することで記録磁性層を形成し、さらに、それぞれの記録磁性層表面に、図４に示す保護層形成工程５６を実施することで保護層を形成し、非磁性中間層が異なる２つの磁気ディスク、すなわち図２に示す媒体構成の磁気ディスクと図１に示す媒体構成の磁気ディスクを完成させた。
【００７８】
続いて、これら２つの磁気ディスクの双方に、線記録密度を変えて情報を記録し、再生することで、各線記録密度での再生信号の大きさと媒体ノイズの大きさとの比を表すＳＮＲ（Ｓｉｇｎａｌ  ｔｏ  Ｎｏｉｓｅ  Ｒａｔｉｏ）を得た。
【００７９】
図８は、図２に示す媒体構成の磁気ディスクと図１に示す媒体構成の磁気ディスクそれぞれにおける、ＳＮＲの線記録密度依存性を示すグラフである。
【００８０】
図８に示すグラフの横軸は、記録時の線記録密度（１インチ当たりの磁化反転数）を表し、その単位はｋＦＣＩ（Ｆｌｕｘ  Ｃｈａｎｇｅ  ｐｅｒ  Ｉｎｃｈ）である。また、このグラフの縦軸はＳＮＲ（単位；ｄＢ）を表す。図８中の、丸のプロットを結ぶ実線は、図２に示す媒体構成の磁気ディスクにおけるＳＮＲの線記録密度依存性を示すものであり、三角のプロットを結ぶ実線は、図１に示す媒体構成の磁気ディスクにおけるＳＮＲの線記録密度依存性を示すものである。図８に示すグラフより、同じ線記録密度で記録したならば、図２に示す媒体構成の磁気ディスクと図１に示す媒体構成の磁気ディスクとでは、図２に示す媒体構成の磁気ディスクの方が良好な再生を行うことができることがわかる。
【００８１】
さらに、横軸を線記録密度（ｋＦＣＩ）にし、縦軸を再生信号の大きさにしたグラフより、再生信号の大きさが、飽和レベル（最大振幅）の１／２に低下したときの線記録密度（Ｄ５０）を得た。このＤ５０は、記録分解能を示すパラメータであり、この数値が大きいほど分解能が高く、記録密度が高いことを意味する。
【００８２】
【表６】
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【００８３】
表６の一番上の列には項目が示されている。この表６における項目は、図８のグラフから読みとった、線記録密度が２１０ｋＦＣＩであるときのＳＮＲの値（ｄＢ）と、上述のＤ５０の値（ｋＦＣＩ）の２項目である。２番目の列には、図１に示す媒体構成の磁気ディスクについての値が示されており、一番の下の列には、図２に示す媒体構成の磁気ディスクについての値が示されている。両デクィスクを比較すると、図２に示す媒体構成の磁気ディスクの方が、図１に示す媒体構成の磁気ディスクよりも、２１０ｋＦＣＩの線記録密度におけるＳＮＲが３．２ｄＢ向上し、Ｄ５０も４３ｋＦＣＩ向上している。
【００８４】
図１に示す媒体構成の磁気ディスクでは、非磁性中間層表面に凹凸形状を形成するにあたり、誘電体層と基点形成層との表面張力の違いを利用して凹凸形状の凸部形成の基点を設けている。このため、誘電体層が必要になり、非磁性中間層は４層構造になっている。一方、図２に示す媒体構成の磁気ディスクでは、凹凸形状の凸部形成の基点は、貴金属酸化層表面における物性の違いを利用して形成されているため、誘電体層が不要になり、非磁性中間層は３層構造ですむ。したがって、図２に示す媒体構成の磁気ディスクの方が、図１に示す媒体構成の磁気ディスクよりも、軟磁性層と記録磁性層との距離が短くなる。すなわち、本実施形態の磁気ディスクによれば、磁気ヘッドと軟磁性層の距離が短くなるので、記録磁界の磁界分布が急峻になり、エッジが乱れることなく記録することで媒体ノイズを低減でき、ＳＮＲが向上する。また、図２に示す媒体構成の磁気ディスクの非磁性中間層表面に形成された凹凸形状のほうが、図１に示す媒体構成の磁気ディスクのそれよりも、均一な周期を有する微細なものであるため（表５参照）、図２に示す媒体構成の磁気ディスクのほうが、図１に示す媒体構成の磁気ディスクよりも、記録分解能を示すパラメータであるＤ５０の値が向上する。
【００８５】
以下、本発明の各種態様を付記する。
【００８６】
（付記１）  基板と、
前記基板上に形成された、該基板面に対し面内方向に磁化容易軸を有する軟磁性層と、
前記軟磁性層よりも上層に形成された、表面に微細凹凸形状を有する非磁性中間層と、
前記非磁性中間層上に形成された、前記基板面に対して垂直方向に磁化容易軸を有し、磁場の供給を受け情報を記録する記録磁性層とを備え、
前記非磁性中間層は、前記軟磁性層側から順に第１中間層、第２中間層、第３中間層からなり、
前記第１中間層は、表面に貴金属酸化物の物性を有する部分と貴金属の物性を有する部分とが混在したものであり、
前記第２中間層は、前記第１中間層の拡散開始温度よりも低い拡散開始温度を有し、該第１中間層表面に混在する貴金属酸化物の物性を有する部分と貴金属の物性を有する部分とのうちの少なくともいずれか一方の部分の上に凝集させたものであり、
前記第３中間層は、この非磁性中間層の表面を形成する層であって、前記第２中間層の主成分である材料の原子半径よりも小さな原子半径をもつ非結晶材料が、前記いずれか一方の部分を取り囲む領域を除いて該第２中間層の上に積み上げられたものであることを特徴とする情報記録媒体。
【００８７】
（付記２）  前記第１中間層が、厚さ１ｎｍ以下の層であることを特徴とする付記１記載の情報記録媒体。
【００８８】
（付記３）  前記非磁性中間層が、厚さ３ｎｍ未満の層であることを特徴とする付記１記載の情報記録媒体。
【００８９】
（付記４）  基板上に、該基板面に対し面内方向に磁化容易軸を有する軟磁性層を形成する軟磁性層形成工程と、
前記軟磁性層よりも上層に、表面に貴金属酸化物の物性を有する部分と貴金属の物性を有する部分とが混在した第１中間層を形成する第１中間層形成工程と、前記第１中間層の表面に、該第１中間層の拡散開始温度よりも低い拡散開始温度を有し、該第１中間層表面に混在する貴金属酸化物の物性を有する部分と貴金属の物性を有する部分とのうちの少なくともいずれか一方の部分の上に凝集させた第２中間層を形成する第２中間層形成工程と、
前記第２中間層の表面に、この非磁性中間層の最表面を形成する層であって、前記第２中間層の主成分である原子半径よりも小さな原子半径をもつ非結晶材料が、前記いずれか一方の部分を取り囲む領域を除いて該第２中間層の上に積み上げられた第３中間層を形成する第３中間層形成工程と、
前記第３中間層の表面に、前記基板面に対して垂直方向に磁化容易軸を有し磁場の供給を受け情報を記録する記録磁性層を形成する記録磁性層形成工程とを有することを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
【００９０】
（付記５）  前記第１中間層形成工程が、ルテニウムターゲットとルテニウムを主成分とする合金ターゲットとのうちのいずれか一方をターゲットにし、不活性ガスと酸素ガスを混合させた雰囲気中でスパッタリングすることにより第１中間層を形成する工程であることを特徴とする付記４記載の情報記録媒体の製造方法。
【００９１】
（付記６）  第２中間層形成工程が、前記第１中間層形成工程が実施されたことにより形成された第１中間層を、前記第２中間層の拡散開始温度以上かつ前記第１中間層の拡散開始温度未満の温度にまで加熱してから該第１中間層の表面に該第２中間層を形成する工程であることを特徴とする付記４記載の情報記録媒体の製造方法。
【００９２】
（付記７）  前記軟磁性層形成工程が、製膜時のガス圧を０．５Ｐａ未満とし、ターゲットに所定の電圧を印加しつつ前記基板にもバイアス電圧を印加してスパッタリングすることにより軟磁性層を形成する工程であることを特徴とする付記４記載の情報記録媒体の製造方法。
【００９３】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明によれば、非磁性中間層の表面に微細な凹凸形状を形成しつつ、ＳＮＲをさらに向上することができる情報記録媒体、およびそのような情報記録媒体の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】４層構造の非磁性中間層を備えた情報記録媒体の層構造を模式的に示す図である。
【図２】本実施形態の磁気ディスクの層構造を模式的に示す図である。
【図３】図２に示す非磁性中間層の一部分における各層を概念的に示した図である。
【図４】図２に示す媒体構成の磁気ディスクを製造するにあたっての各工程を示したフローチャートである。
【図５】非磁性中間層表面を形成する粒子の、酸素ガス量依存性を示すグラフである。
【図６】非磁性中間層表面を形成する粒子の、Ａｇ層の厚さ依存性を示すグラフである。
【図７】非磁性中間層表面を形成する粒子の、貴金属酸化層の厚さ依存性を示すグラフである。
【図８】図２に示す媒体構成の磁気ディスクと図１に示す媒体構成の磁気ディスクそれぞれにおける、ＳＮＲの線記録密度依存性を示すグラフである。
【符号の説明】
１    磁気ディスク
１０    基板
１１    軟磁性層
１２    非磁性中間層
１２１    貴金属酸化層
１２２    非磁性中間層
１２３    凹凸エンハンス層
１３    記録磁性層
１４    保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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