(57)【要約】【目的】所望の位相シフト量を得るにあたって、低消費電力化を図る。【解決手段】ＳｉＯ２  系材料で形成された導波路コア１５，１６と、導波路コア１５，１６の周囲に配置され、単一モード導波路を形成すべくＳｉＯ２  系材料に対して所定の比屈折率差を有するとともに、所定の熱光学係数を有するポリマー系材料により形成されたポリマークラッド部１２と、導波路コア１５およびポリマークラッド部１２のうち、少なくともポリマークラッド部１２を加熱可能に配置された薄膜ヒータ２２と、を備える。【選択図】      図２
2004252306.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＯ２  系材料で形成されたコア部と、
前記コア部の周囲に配置され、単一モード導波路を形成すべく前記ＳｉＯ２  系材料に対して所定の比屈折率差を有するとともに、所定の熱光学係数を有するポリマー系材料により形成されたクラッド部と、
前記コア部および前記クラッド部のうち、少なくとも前記クラッド部を加熱可能に配置された薄膜ヒータ部と、
を備えたことを特徴とする光導波路装置。
【請求項２】
第１のＳｉＯ２  系材料で形成されたコア部と、
前記コア部の周囲に配置され、所定の熱光学係数を有するポリマー系材料により形成された第１クラッド部と、
前記第１クラッド部と前記コア部との間に第２のＳｉＯ２  系材料で所定の厚さに形成され、前記第１クラッド部と共働してクラッド部として機能する第２クラッド部と、
前記コア部および前記クラッド部のうち、少なくとも前記クラッド部を加熱可能に配置された薄膜ヒータ部と、
を備えたことを特徴とする光導波路装置。
【請求項３】
請求項２記載の光導波路装置において、
前記第１クラッド部の厚さは、前記コア部の直径の１／４以下とされていることを特徴とする光導波路装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の光導波路装置において、
前記ポリマー系材料における前記所定の熱光学係数は、前記ＳｉＯ２  系材料の熱光学係数と比較して、所定の比率以上大きな値とされていることを特徴とする光導波路装置。
【請求項５】
ＳｉＯ２  ガラス基板上に第１仮クラッド部を形成する第１仮クラッド部形成過程と、
前記第１仮クラッド部上にＳｉＯ２  系材料でコア部を形成するコア部形成過程と、
前記コア部を覆うようにＳｉＯ２  系材料で第２仮クラッド部を形成する第２仮クラッド形成過程と、
前記コア部を支持するための支持部を形成する部分を除き、前記コア部周囲の前記第１仮クラッド部および前記コア部周囲の前記第２クラッド部を除去して前記コア部周囲に溝を形成する溝形成過程と、
前記コア部の周囲にポリマー系材料によりクラッド部を形成するクラッド形成過程と、
前記クラッド部上に薄膜ヒータを形成する薄膜ヒータ形成過程と、
を備えたことを特徴とする光導波路装置の製造方法。
【請求項６】
ＳｉＯ２  ガラス基板上に第１仮クラッド部を形成する第１仮クラッド部形成過程と、
前記第１仮クラッド部上にＳｉＯ２  系材料でコア部を形成するコア部形成過程と、
前記コア部を覆うようにＳｉＯ２  系材料で第２仮クラッド部を形成する第２仮クラッド形成過程と、
前記第１仮クラッド部および前記第２仮クラッド部で構成され前記コア部周囲に位置する所定厚さの第１クラッド部並びに前記コア部を支持するための支持部を残し、前記コア部周囲の前記第１仮クラッド部および前記第２仮クラッド部を除去して前記コア部周囲に溝を形成する溝形成過程と、
前記コア部およびの周囲にポリマー系材料により第２クラッド部を形成するクラッド形成過程と、
前記クラッド部上に薄膜ヒータを形成する薄膜ヒータ形成過程と、
を備えたことを特徴とする光導波路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光導波路装置およびその製造方法に係り、特に熱光学効果を利用して入力光の位相シフトを行う位相シフタおよびその製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、石英系ガラス光導波路により構成される光干渉計を用いて、光減衰器（光アッテネータ）、光分波器、光スイッチなどの機能部品が開発されている。通常、ガラス導波路型光干渉計に用いられる位相シフタには、例えば、特許文献１に開示されているように、熱光学効果を利用するための薄膜ヒータが用いられている。
【０００３】
図６は従来の光アッテネータの一例の概要構成図である。図７は、図６のＡ−Ａ’断面矢視図である。
【０００４】
従来の光アッテネータ１００は、大別すると、石英ガラス基板１０１、クラッドガラス膜１０２、入力導波路コア１０３、第１Ｙ分岐導波路コア１０４、第１アーム導波路コア１０５、第２アーム導波路コア１０６、第２Ｙ分岐導波路コア１０７、出力導波路コア１０８および薄膜ヒータ１０９を備えている。
【０００５】
石英ガラス基板１０１上に形成された各導波路コア１０３〜１０８は、入力導波路コア１０３→第１Ｙ分岐導波路コア１０４→（第１アーム導波路コア１０５、第２アーム導波路コア１０６）→第２Ｙ分岐導波路コア１０７→出力導波路コア１０８の順番で形成されており、これらの導波路コア１０３〜１０８は、すべてクラッドガラス膜１０２により覆われている。
【０００６】
そして、第１アーム導波路コア１０５の配置位置に対応するクラッドガラス膜１０２の上面には、Ｔａ２  Ｎ製の薄膜ヒータ１０９が配置されている。
この場合において、第１アーム導波路コア１０５、第１アーム導波路コア１０５の配置位置に対応するクラッドガラス膜１０２および薄膜ヒータ１０９は、位相シフタとして機能している。
【０００７】
次に動作を説明する。
【０００８】
入力導波路コア１０３を介して入力された信号光である入射光は、第１Ｙ分岐導波路コア１０４で第１アーム導波路コア１０５および第２アーム導波路コア１０６に等分に分配されて伝達される。
第２アーム導波路コア１０６に分配された入射光は、そのまま第２Ｙ分岐導波路コア１０７に伝達される。
【０００９】
一方、第１アーム導波路コア１０５に分配された入射光は、薄膜ヒータ１０９の加熱の状態に応じて位相がシフトされて第２Ｙ分岐導波路コア１０７に出力される。
【００１０】
すなわち、薄膜ヒータ１０９により加熱していない場合には、第１アーム導波路コア１０５に分配された入射光は、第２アーム導波路コア１０６と同様に、そのまま第２Ｙ分岐導波路コア１０７に伝達される。そして、第２Ｙ分岐導波路コア１０７により第２アーム導波路コア１０６を伝達された入射光と結合される。この結果、出力導波路コア１０８を介して入力導波路コアからほぼ入力されたままの光強度で出力される。
【００１１】
一方、薄膜ヒータ１０９に電力を供給し、加熱した場合には、供給電力量、すなわち、加熱の状態に応じて第１アーム導波路コア１０５を構成するガラスの屈折率およびクラッドガラス膜１０２の屈折率が熱光学効果によって変化する。従って、第１アーム導波路コア１０５とクラッドガラス膜１０２の比屈折率差が変化し、第１アーム導波路コアを伝搬伝播する入射光の位相がシフトする。この結果、第２Ｙ分岐導波路コア１０７で結合された入射光は、光の干渉により入力導波路コア１０３から入力された時の光強度よりも光強度が低下して、出力導波路コア１０８から出力されることとなる。
【００１２】
この場合において、第１アーム導波路コア１０５における入射光の位相シフト量は、薄膜ヒータ１０９による加熱量により制御可能であるので、ひいては、光減衰量（＝出射光光強度／入射光光強度）を制御することが可能となっている。
【００１３】
【特許文献１】
特開２０００−３１４８１４号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の光アッテネータにおいては、光導波路が石英系ガラス材料で構成されていたため、屈折率ｎの単位温度あたりの変化量である熱光学係数（＝ｄｎ／ｄＴ）が小さい。したがって、所望の比屈折率差を得るため、すなわち、所望の位相シフト量を生じさせるためには加熱量を多くしなければならず、消費電力が大きくなってしまうという問題点があった。
【００１５】
そこで、本発明の目的は、所望の位相シフト量を得るにあたって、低消費電力化が可能な光導波路装置およびその製造方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、ＳｉＯ２  系材料で形成されたコア部と、前記コア部の周囲に配置され、単一モード導波路を形成すべく前記ＳｉＯ２  系材料に対して所定の比屈折率差を有するとともに、所定の熱光学係数を有するポリマー系材料により形成されたクラッド部と、前記コア部および前記クラッド部のうち、少なくとも前記クラッド部を加熱可能に配置された薄膜ヒータ部と、を備えたことを特徴としている。
【００１７】
また、第１のＳｉＯ２  系材料で形成されたコア部と、前記コア部の周囲に配置され、所定の熱光学係数を有するポリマー系材料により形成された第１クラッド部と、前記第１クラッド部と前記コア部との間に第２のＳｉＯ２  系材料で所定の厚さに形成され、前記第１クラッド部と共働してクラッド部として機能する第２クラッド部と、前記コア部および前記クラッド部のうち、少なくとも前記クラッド部を加熱可能に配置された薄膜ヒータ部と、を備えたことを特徴としている。
【００１８】
この場合において、前記第１クラッド部の厚さは、前記コア部の直径の１／４以下とされているようにしてもよい。
また、前記ポリマー系材料における前記所定の熱光学係数は、前記ＳｉＯ２  系材料の熱光学係数と比較して、所定の比率以上大きな値とされているようにしてもよい。
【００１９】
また、光導波路装置の製造方法は、ＳｉＯ２  ガラス基板上に第１仮クラッド部を形成する第１仮クラッド部形成過程と、前記第１仮クラッド部上にＳｉＯ２  系材料でコア部を形成するコア部形成過程と、前記コア部を覆うようにＳｉＯ２  系材料で第２仮クラッド部を形成する第２仮クラッド形成過程と、前記コア部を支持するための支持部を形成する部分を除き、前記コア部周囲の前記第１仮クラッド部および前記コア部周囲の前記第２クラッド部を除去して前記コア部周囲に溝を形成する溝形成過程と、前記コア部の周囲にポリマー系材料によりクラッド部を形成するクラッド形成過程と、前記クラッド部上に薄膜ヒータを形成する薄膜ヒータ形成過程と、を備えたことを特徴としている。
【００２０】
また、光導波路装置の製造方法は、ＳｉＯ２  ガラス基板上に第１仮クラッド部を形成する第１仮クラッド部形成過程と、前記第１仮クラッド部上にＳｉＯ２  系材料でコア部を形成するコア部形成過程と、前記コア部を覆うようにＳｉＯ２  系材料で第２仮クラッド部を形成する第２仮クラッド形成過程と、前記第１仮クラッド部および前記第２仮クラッド部で構成され前記コア部周囲に位置する所定厚さの第１クラッド部並びに前記コア部を支持するための支持部を残し、前記コア部周囲の前記第１仮クラッド部および前記第２仮クラッド部を除去して前記コア部周囲に溝を形成する溝形成過程と、前記コア部およびの周囲にポリマー系材料により第２クラッド部を形成するクラッド形成過程と、前記クラッド部上に薄膜ヒータを形成する薄膜ヒータ形成過程と、を備えたことを特徴としている。
【００２１】
【発明の実施の形態】
次に本発明の好適な実施の形態について図面を参照して説明する。
［１］第１実施形態
［１．１］構成
図１は第１実施形態の光導波路装置である光アッテネータの概要構成図である。図２は、図１のＡ−Ａ’断面矢視図である。
【００２２】
光アッテネータ１０は、大別すると、石英（ＳｉＯ２  ）ガラス基板１１、ポリマークラッド部（クラッド部）１２、入力導波路コア１３、第１Ｙ分岐導波路コア１４、第１アーム導波路コア１５、第２アーム導波路コア１６、第２Ｙ分岐導波路コア１７、出力導波路コア１８、溝部１９、梁部２０、石英クラッド部（第２仮クラッド部）２１および薄膜ヒータ２２を備えている。
ここで、各導波路コア１３〜１８は、コア部を構成している。
【００２３】
石英ガラス基板１１上に形成された各コアは、光入力側から光出力側に向かって、入力導波路コア１３→第１Ｙ分岐導波路コア１４→第１アーム導波路コア１５および第２アーム導波路コア１６→第２Ｙ分岐導波路コア１７→出力導波路コア１８の順番で形成されており、これらの導波路コア１３〜１８は、すべてポリマークラッド部１２により覆われている。
【００２４】
第１アーム導波路コア１５および第２アーム導波路コア１６は、溝部１９内でポリマークラッド部１２により覆われ、かつ、梁部２０により支持された状態となっている。
さらに、第１アーム導波路コア１５の配置位置に対応するクラッドガラス膜１２の上面には、Ｔａ２  Ｎ製の薄膜ヒータ１９が配置されている。
【００２５】
ここで、第１アーム導波路コア１５、第１アーム導波路コア１５に対応する位置に配置されたクラッドガラス膜１２および薄膜ヒータ２２は、位相シフタとして機能している。
［１．２］概要動作
次に概要動作を説明する。
【００２６】
入力導波路コア１３を介して入力された信号光である入射光は、第１Ｙ分岐導波路コア１４で第１アーム導波路コア１５および第２アーム導波路コア１６に等分に分配されて伝達される。
第２アーム導波路コア１６に分配された入射光は、そのまま第２Ｙ分岐導波路コア１７に伝達される。
【００２７】
一方、第１アーム導波路コアに分配された入射光は、薄膜ヒータ１９の加熱の有無により異なる状態となる。
【００２８】
すなわち、薄膜ヒータ１９によるクラッドガラス膜１２ひいては第１アーム導波路コア１５の加熱を行っていない場合には、第１アーム導波路コア１５に分配された入射光は、第２アーム導波路コア１６と同様に、そのまま第２Ｙ分岐導波路コア１７に伝達される。そして、第２Ｙ分岐導波路コア１７により第２アーム導波路コア１６を伝達された入射光と結合され、出力導波路コア１８を介して入力導波路コア１３から入力された時の光強度とほぼ同じ光強度で出力される。
【００２９】
一方、薄膜ヒータ１９に電力を供給し、クラッドガラス膜１２ひいては第１アーム導波路コア１５を加熱した場合には、第１アーム導波路コア１５のコアガラスの屈折率およびクラッドガラス膜の屈折率が熱光学効果によって変化する。従って、コア部である第１アーム導波路コア１５とクラッド部であるの比屈折率差が変化し、第１アーム導波路コアを伝搬伝播する入射光の位相が変化する。この結果、第２Ｙ分岐導波路コアで結合された入射光は、入力導波路コアから入力された時の光強度よりも光強度が低下することとなる。
【００３０】
この場合において、第１アーム導波路コアにおける位相変化量は、薄膜ヒータによる加熱量により制御可能であるので、ひいては、光減衰量（＝出射光光強度／入射光光強度）を制御することが可能となっている。
［１．３］製造方法
次に第１実施形態の光アッテネータ１０の製造方法について説明する。
図３は第１実施形態の光アッテネータの製造工程の説明図である。
【００３１】
まず、石英  ガラス基板１１上であって、上方に導波路コア１３から１８が形成される部分に対応する位置に所定のＳｉＯ２  系材料（たとえば、アモルファスＳｉ）により第１仮クラッド部３１を形成する（ステップＳ１；第１仮クラッド部形成過程）。
【００３２】
次に第１仮クラッド部３１上にＳｉＯ２  系材料で導波路コア１３〜１８（コア部）を形成する。続いて導波路コア１３〜１８を覆うように所定のＳｉＯ２  系材料（たとえば、ＳｉＯ２ガラス）で石英クラッド部（第２仮クラッド部）２１を形成する（ステップＳ２；コア部形成過程、第２仮クラッド形成過程）。
次に、石英クラッド部２１の上面を平らに除去し、導波路コア１３〜１８の上面を露出させる（ステップＳ３）。
【００３３】
さらに導波路コア１５、１６を支持するための梁部（支持部）２０を形成する部分を除き、導波路コア１３〜１８周囲の第１仮クラッド部３１および導波路コア１５，１６周囲の石英クラッド部２１を除去して導波路コア１５、１６周囲に溝部１９（溝）を形成する（ステップＳ４、Ｓ５；溝形成過程）。
【００３４】
続いて導波路コア１５、１６の周囲にポリマー系材料によりポリマークラッド部（クラッド部）１２を形成し、その後、ポリマークラッド部１２上に薄膜ヒータ２２を形成する（ステップＳ６；クラッド形成過程、薄膜ヒータ形成過程）。
【００３５】
以上のように本第１実施形態によれば、クラッド部として、熱光学係数が石英系材料と比較して大きなポリマー系材料を用いているため、少ない供給電力で、導波路コアとクラッドとの間の比屈折率を大きく変化させることができる。
［２］第２実施形態
［２．１］構成
図４は第２実施形態の光導波路装置である光アッテネータの概要構成図である。図５は、図４のＡ−Ａ’断面矢視図である。
図４および図５において、図１および図２と同様の部分には同一の符号を伏すものとする。
【００３６】
光アッテネータ４０は、大別すると、石英（ＳｉＯ２  ）ガラス基板１１、ポリマークラッド部（クラッド部）１２、入力導波路コア１３、第１Ｙ分岐導波路コア１４、第１アーム導波路コア１５、第２アーム導波路コア１６、第２Ｙ分岐導波路コア１７、出力導波路コア１８、溝部１９、梁部２０、石英クラッド部４１および薄膜ヒータ２２を備えている。
【００３７】
ここで、各導波路コア１３〜１８は、コア部を構成しているとともに、その周囲には、所定厚さで石英クラッド部４１が形成されている。
【００３８】
石英ガラス基板１１上に形成された各コア１３〜１８は、光入力側から光出力側に向かって、入力導波路コア１３→第１Ｙ分岐導波路コア１４→第１アーム導波路コア１５および第２アーム導波路コア１６→第２Ｙ分岐導波路コア１７→出力導波路コア１８の順番で形成されており、これらの導波路コア１３〜１８は、すべてポリマークラッド部１２により覆われている。
【００３９】
第１アーム導波路コア１５および第２アーム導波路コア１６は、溝部１９内でポリマークラッド部１２により覆われ、かつ、梁部２０により支持された状態となっている。
【００４０】
さらに、第１アーム導波路コア１５の配置位置に対応するクラッドガラス膜１２の上面には、Ｔａ２  Ｎ製の薄膜ヒータ１９が配置されている。
ここで、第１アーム導波路コア１５、第１アーム導波路コア１５に対応する位置に配置されたクラッドガラス膜１２および薄膜ヒータ２２は、位相シフタとして機能している。
【００４１】
第２実施形態の概要動作については、第１実施形態と同様であるので、ここでは、説明を省略する。
次に第２実施形態の光アッテネータ４０の製造方法について説明する。
【００４２】
まず、石英  ガラス基板１１上であって、上方に導波路コア１３から１８が形成される部分に対応する位置に所定のＳｉＯ２  系材料（たとえば、アモルファスＳｉ）により第１仮クラッド部３１を形成する（ステップＳ１；第１仮クラッド部形成過程）。
【００４３】
次に第１仮クラッド部３１上にＳｉＯ２  系材料で導波路コア１３〜１８（コア部）を形成する。続いて導波路コア１３〜１８を覆うように所定のＳｉＯ２  系材料（たとえば、）で石英クラッド部（第２仮クラッド部）２１を形成する（ステップＳ２；コア部形成過程、第２仮クラッド形成過程）。
【００４４】
次に、石英クラッド部２１の上面を所定厚さだけ残して平らに除去し、導波路コア１３〜１８の上面を露出させる（ステップＳ３）。この場合に石英クラッド部２１を残す厚さは、導波路コア１３〜１８のサイズの１／４以下とする。ここで、残す厚さをこのように規定したのは、導波路コア１３〜１８のサイズの１／４より厚くすると、石英クラッド部２１の熱容量の影響を受けて、実効的な熱光学係数が小さくなるからである。
【００４５】
さらに導波路コア１５、１６を支持するための梁部（支持部）２０を形成する部分並びに導波路コア１５、１６の側面および下面の所定厚さ部分を除き、導波路コア１３〜１８周囲の第１仮クラッド部３１および導波路コア１５，１６周囲の石英クラッド部２１を除去して導波路コア１５、１６周囲に溝部１９（溝）を形成する（ステップＳ４、Ｓ５；溝形成過程）。
【００４６】
続いて導波路コア１５、１６の周囲にポリマー系材料によりポリマークラッド部（クラッド部）１２を形成し、その後、ポリマークラッド部１２上に薄膜ヒータ２２を形成する（ステップＳ６；クラッド形成過程、薄膜ヒータ形成過程）。
本第２実施形態によれば、第１実施形態の効果に加えて、加工マージンを大きくとることができ、歩留まりよく光アッテネータを製造することが可能となる。
【００４７】
【実施例】
次に本発明の具体的な実施例について説明する。
［１］第１実施例
まず、第１実施形態に対応する第１実施例について説明する。なお、以下の説明においては、説明の容易化のため、図１の符号を参照するものとする。
【００４８】
石英ガラス基板上にをスパッタリング法により、導波路コアを形成すべき位置に対応させて厚さ２［μｍ］のアモルファスＳｉ（以下、ａ−Ｓｉという。）膜を形成する。このａ−Ｓｉ膜は、第１仮クラッド部３１として機能している。
【００４９】
次にこのａ−Ｓｉ膜パターン上にＳｉＯ２  −ＧｅＯ２  組成からなる導波路コアをプラズマＣＶＤ法、フォトリソグラフィ法およびＣＨＦ３  ガスを用いた反応性イオンエッチング法を利用して形成する。さらに導波路コアを覆うようにプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ２  クラッド膜を形成する。このＳｉＯ２  クラッド膜は、第２仮クラッド部２１として機能している。
【００５０】
ここで、導波路コアのサイズは、例えば、８μｍ×８μｍとされる。また、導波路コア膜およびクラッド膜の製法は、プラズマＣＶＤ法以外にもスパッタリング法や蒸着法などの手法を適用することが可能である。
【００５１】
さらにコアおよびクラッドの組成は、ＳｉＯ２−ＧｅＯ２  およびＳｉＯ２  に限定されず、ＧｅＯ２  、ＴｉＯ２  、Ｐ２  Ｏ５、Ｂ２  Ｏ３  のうち、少なくともいずれか１種類の添加物を含むＳｉＯ２  系ガラスを用いることが可能である。
その後、平坦研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）技術によりコア上のクラッドが平坦な状態となるように、余分なクラッド部分を除去する。
【００５２】
続いてフォトリソグラフィとＣＨＦ３  ガスを用いた反応性イオンエッチング法により、導波路コアの側面に溝１９（図１参照）を形成する。
ここで、溝１９の深さは、ａ−Ｓｉ膜パターンが完全に露出する深さとする。
また、任意の間隔で導波路コアを支える梁２０を残している。
【００５３】
次にＫＯＨ水溶液（エッチャント）によりａ−Ｓｉパターンをエッチング除去して、コアの断面周囲が梁２０の部分を除いてすべてくりぬかれた構造とする。
ここで、ａ−Ｓｉ膜パターンの除去に用いるエッチャントは、ＫＯＨ水溶液に限定されない。導波路コアやクラッドを構成するＳｉＯ２  系ガラスがエッチングされず、Ｓｉのみを選択的にエッチングできるものであればよい。
【００５４】
次にこの溝１９および導波コア上面にポリマー材料を注入および塗布して、熱硬化させる。
【００５５】
ここで、ポリマー材料としては、ポリイミド、エポキシ、ポリメチルメタアクリレート、ポリカーボネート、フッ素化あるいは重水素化ポリメチルメタアクリレート、アクリロニトリルとスチレンの共重合ポリマー等をあげることができる。しかしながら、これらの材料に限定されるものではない。また、導波路コア上面に塗布したポリマーの膜厚は、光の表面への漏れだしを防ぐ目的から、導波路コアのサイズの約３倍、すなわち、本実施形態では、２４μｍとしている。ポリマー材料の屈折率は、コアとの比屈折率差が０．３［％］となるよう選択した。これは一例であり、単一モード導波路を実現可能な値とすればよい。
【００５６】
さらに一方の導波路コア１５上には、薄膜ヒータ２２を形成する。ここで、薄膜ヒータ２２は、Ｔａをターゲットし、Ｎ２  とＡｒの混合ガスプラズマを用いたＲＦスパッタリング法によりＴａ２  Ｎ膜を０．２μｍ堆積し、その後、フォトリソグラフィ技術およびＳＦ６ガスを用いた反応性イオンエッチング法により形成した。
【００５７】
試作した光アッテネータおよび従来の光アッテネータにおいて、それぞれ光減衰量を１０［ｄＢ］とするためのヒータ電力は、以下のようになっていた。
2004252306.tif 000003
従って、本実施例１によれば、同一の光減衰量を得るための消費電力は従来の１／４と大幅に低減された。
［２］第２実施例
本第２実施例は、上記第２実施形態に対応する実施例である。従って、本第２実施例によれば、エッチング精度や平坦化研磨精度にマージンを確保することができ、歩留まりを向上させることができる。
【００５８】
より具体的には、第１実施例と同様に、導波路コアを８μｍ×８μｍサイズに形成する。
そして、溝１９の形成時のエッチング処理時にＳｉＯ２  −ＧｅＯ２  コアの周囲に１．５μｍ厚のＳｉＯ２  クラッドを残す点以外は、第１実施例と同様の行程で光アッテネータを試作した。
【００５９】
この結果、本第２実施例によれば、所定の光減衰量を得るための電力を第１実施例と同様として、歩留まり率を向上させることができた。
【００６０】
すなわち、ＳｉＯ２  クラッドの厚さは、導波路コアのサイズの１／４以下（本実施例の場合、２μｍ以下）であれば所定の光減衰量を得るための電力に変化はみられなかった。
【００６１】
【発明の効果】
本発明によれば、熱光学係数が石英系材料よりも大きなポリマー系材料をクラッド部として用いているので、低消費電力で動作する可変光アッテネータを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態の光アッテネータの概要構成図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’断面矢視図である。
【図３】第２実施形態の光アッテネータの概要構成図である。
【図４】図３のＡ−Ａ’断面矢視図である。
【図５】従来の光アッテネータの概要構成図である。
【図６】図５のＡ−Ａ’断面矢視図である。
【図７】図６のＡ−Ａ’断面矢視図である。
【符号の説明】
１０、４０  光アッテネータ
１１  石英（ＳｉＯ２  ）ガラス基板
１２  ポリマークラッド部（クラッド部）
１３  入力導波路コア
１４  第１Ｙ分岐導波路コア
１５  第１アーム導波路コア
１６  第２アーム導波路コア
１７  第２Ｙ分岐導波路コア
１８  出力導波路コア
１９  溝部
２０  梁部
２１  石英クラッド部（第２仮クラッド部）
２２  薄膜ヒータ
３１  第１仮クラッド部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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