(57)【要約】【課題】　強い接着力が維持され、軟磁性膜の剥離を防止することができ、また、この軟磁性膜を積層した、優れた記録特性を持つ積層型磁気ヘッドを提供すること。【解決手段】　非磁性セラミクス基体１３と、Ｆｅを主体とする窒化物系軟磁性膜１１との間に、或いは、非磁性酸化物又は非磁性窒化物からなる中間絶縁層３４、４４を設けた２層以上の積層構造を持つ窒化物系軟磁性膜３１、４１と中間絶縁層３４、４４との間に、Ｔｉ及びＣｒの中から選ばれた少なくとも１種の金属からなる下地層１２又は金属層３２、４２を設けた積層型磁気ヘッド５９。【選択図】　　　　　図１
2004079169.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　非磁性セラミクス基体に（ＦｅaＡｌb ）xＮyＯzで表される材料からなる軟磁性膜が積層され、磁気回路の少なくとも一部を形成している積層型磁気ヘッドであって、前記軟磁性膜と前記非磁性セラミクス基体との間に、チタン及びクロムの中から選ばれた少なくとも１種の金属からなる下地層が設けられている積層型磁気ヘッド。
　（但し、上記において、ａ、ｂ、ｘ、ｙ、ｚは各元素の割合（いずれも原子％）を表し、その範囲は、
　　　８０≦ａ≦１００
　　　　０≦ｂ≦２０
　　　８０≦ｘ≦９５
　　　　５≦ｙ≦１５
　　　　０≦ｚ≦５
　　　ａ＋ｂ＝１００
　　　ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００
である。）
【請求項２】
　非磁性セラミクス基体に（Ｆｅa'Ｈｆb'Ｔａc'）x'Ｎy'で表される材料からなる軟磁性膜が積層され、磁気回路の少なくとも一部を形成している積層型磁気ヘッドであって、前記軟磁性膜と前記非磁性セラミクス基体との間に、チタン及びクロムの中から選ばれた少なくとも１種の金属からなる下地層が設けられている積層型磁気ヘッド。
　（但し、上記において、ａ’、ｂ’、ｃ’、ｘ’、ｙ’は各元素の割合（いずれも原子％）を表し、その範囲は、
　　　８０≦ａ’≦１００
　　　　０≦ｂ’≦２０
　　　　０≦ｃ’≦２０
　　　８５≦ｘ’≦９５
　　　　５≦ｙ’≦１５
　　　ａ’＋ｂ’＋ｃ’＝１００
　　　ｘ’＋ｙ’＝１００
である。）
【請求項３】
　非磁性セラミクス基体に（Ｆｅa''Ｌb''Ｍc''Ｃｕd''Ｒｕe''）x''Ｎy''Ｏz''で表される材料からなる軟磁性膜が積層され、磁気回路の少なくとも一部を形成している積層型磁気ヘッドであって、前記軟磁性膜と前記非磁性セラミクス基体との間に、チタン及びクロムの中から選ばれた少なくとも１種の金属からなる下地層が設けられている積層型磁気ヘッド。
　（但し、上記において、Ｌはアルミニウム、ガリウム、チタン及び希土類元素のうちの少なくとも１種を、Ｍはニオブ、タンタル、バナジウム、ジルコニウム及びハフニウムのうちの少なくとも１種をそれぞれ表し、ａ''、ｂ''、ｃ''、ｄ''、ｅ''、ｘ''、ｙ''、ｚ''は各元素の割合（いずれも原子％）を表し、その範囲は、
　８７．０≦ａ''≦９９．６
　　０．１≦ｂ''≦２．５
　　０．１≦ｃ''≦２．５
　　　　０≦ｄ''≦８
　　　　０≦ｅ''≦５
　　０．２≦ｄ''＋ｅ''≦８
　　　ａ''＋ｂ''＋ｃ''＋ｄ''＋ｅ''＝１００
　７２．０≦ｘ''≦９９．４
　　０．５≦ｙ''≦１５
　　０．１≦ｚ''≦１３
　　　ｘ''＋ｙ''＋ｚ''＝１００
である。）
【請求項４】
　非磁性セラミクス基体に、非磁性酸化物又は非磁性窒化物からなる中間絶縁層を設けた２層以上の積層構造を有しかつ（ＦｅａＡｌb ）xＮyＯzで表される材料からなる軟磁性膜が積層され、磁気回路の少なくとも一部を形成している積層型磁気ヘッドであって、前記軟磁性膜と前記中間絶縁層との間に、チタン及びクロムの中から選ばれた少なくとも１種の非磁性金属からなる金属層が設けられている積層型磁気ヘッド。
　（但し、上記において、ａ、ｂ、ｘ、ｙ、ｚは各元素の割合（いずれも原子％）を表し、その範囲は請求項１に記載したものと同じである。）
【請求項５】
　非磁性セラミクス基体に、非磁性酸化物又は非磁性窒化物からなる中間絶縁層を設けた２層以上の積層構造を有しかつ（Ｆｅa'Ｈｆb'Ｔａc'）x'Ｎy'で表される材料からなる軟磁性膜が積層され、磁気回路の少なくとも一部を形成している積層型磁気ヘッドであって、前記軟磁性膜と前記中間絶縁層との間に、チタン及びクロムの中から選ばれた少なくとも１種の非磁性金属からなる金属層が設けられている積層型磁気ヘッド。
　（但し、上記において、ａ’、ｂ’、ｃ’、ｘ’、ｙ’は各元素の割合（いずれも原子％）を表し、その範囲は請求項２に記載したものと同じである。）
【請求項６】
　非磁性セラミクス基体に、非磁性酸化物又は非磁性窒化物からなる中間絶縁層を設けた２層以上の積層構造を有しかつ（Ｆｅa''Ｌb''Ｍc''Ｃｕd''Ｒｕe''）x''Ｎy''Ｏz''で表される材料からなる軟磁性膜が積層され、磁気回路の少なくとも一部を形成している積層型磁気ヘッドであって、前記軟磁性膜と前記中間絶縁層との間に、チタン及びクロムの中から選ばれた少なくとも１種の非磁性金属からなる金属層が設けられている積層型磁気ヘッド。
　（但し、上記において、Ｌ及びＭは請求項３に記載したものと同じであり、ａ''、ｂ''、ｃ''、ｄ''、ｅ''、ｘ''、ｙ''、ｚ''及びその範囲は請求項３に記載したものと同じである。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、高飽和磁束密度を有する軟磁性膜が基体に積層され、閉磁路の少なくとも一部を形成している積層型磁気ヘッドに関し、特にＦｅ基窒化軟磁性薄膜の軟磁気特性、接着力を改善し、ビデオテープレコーダー、磁気ディスク装置等に使用するのに好適な積層型磁気ヘッドに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
　ＦｅＮを主体とする窒化物系軟磁性薄膜は優れた保磁力や高磁率を有し、かつ、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金に比べて飛躍的に高い飽和磁束密度を有する材料である。しかも、耐食性、耐摩耗性に優れ、高画質ＶＴＲ用の磁気ヘッド材料としての研究が進められている。
【０００３】
　ところで、基板や中間絶縁層と磁性膜との接着強度は、積層型磁気ヘッドの信頼性にとって重要である。これまで、中間絶縁層としては、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4等の酸化物薄膜や窒化物薄膜が一般的に使われているが、前記の窒化物系軟磁性薄膜は基板や酸化物薄膜、窒化物薄膜とのなじみがあまり良くなく、十分な付着強度が得られているとはいい難い。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　そこで、本発明は、高飽和磁束密度を有する軟磁性膜と基体や中間絶縁層との接着力の強化を実現した積層型磁気ヘッドを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
　本発明者は、上記の目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、非磁性セラミクス基体と、Ｆｅを主体とする窒化物系軟磁性薄膜との界面に特定の金属からなる下地層を設けることによって、基体と磁性薄膜との強い接着力が得られ、磁性薄膜の剥離防止に効果があり、十分な接着力と高信頼性を有する積層型ヘッドを提供できるとの知見を得、本発明に到達した。
【０００６】
　即ち、本発明の第１の発明は、非磁性セラミクス基体に（ＦｅaＡｌb ）xＮyＯzで表される材料からなる軟磁性膜が積層され、磁気回路の少なくとも一部を形成している積層型磁気ヘッドであって、前記軟磁性膜と前記非磁性セラミクス基体との間に、チタン及びクロムの中から選ばれた少なくとも１種の金属からなる下地層が設けられている積層型磁気ヘッドに係るものである。
　（但し、上記において、ａ、ｂ、ｘ、ｙ、ｚは各元素の割合（いずれも原子％）を表し、その範囲は、
　　　８０≦ａ≦１００
　　　　０≦ｂ≦２０
　　　８０≦ｘ≦９５
　　　　５≦ｙ≦１５
　　　　０≦ｚ≦５
　　　ａ＋ｂ＝１００
　　　ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００
である。）
【０００７】
　また、本発明の第２の発明は、非磁性セラミクス基体に（Ｆｅa'Ｈｆb'Ｔａc'）x'Ｎy'で表される材料からなる軟磁性膜が積層され、磁気回路の少なくとも一部を形成している積層型磁気ヘッドであって、前記軟磁性膜と前記非磁性セラミクス基体との間に、チタン及びクロムの中から選ばれた少なくとも１種の金属からなる下地層が設けられている積層型磁気ヘッドに係るものである。
　（但し、上記において、ａ’、ｂ’、ｃ’、ｘ’、ｙ’は各元素の割合（いずれも原子％）を表し、その範囲は、
　　　８０≦ａ’≦１００
　　　　０≦ｂ’≦２０
　　　　０≦ｃ’≦２０
　　　８５≦ｘ’≦９５
　　　　５≦ｙ’≦１５
　　　ａ’＋ｂ’＋ｃ’＝１００
　　　ｘ’＋ｙ’＝１００
である。）
【０００８】
　また、本発明の第３の発明は、非磁性セラミクス基体に（Ｆｅa''Ｌb''Ｍc''Ｃｕd''Ｒｕe''）x''Ｎy''Ｏz''で表される材料からなる軟磁性膜が積層され、磁気回路の少なくとも一部を形成している積層型磁気ヘッドであって、前記軟磁性膜と前記非磁性セラミクス基体との間に、チタン及びクロムの中から選ばれた少なくとも１種の金属からなる下地層が設けられている積層型磁気ヘッドに係るものである。
　（但し、上記において、Ｌはアルミニウム、ガリウム、チタン及び希土類元素のうちの少なくとも１種を、Ｍはニオブ、タンタル、バナジウム、ジルコニウム及びハフニウムのうちの少なくとも１種をそれぞれ表し、ａ''、ｂ''、ｃ''、ｄ''、ｅ''、ｘ''、ｙ''、ｚ''は各元素の割合（いずれも原子％）を表し、その範囲は、
　８７．０≦ａ''≦９９．６
　　０．１≦ｂ''≦２．５
　　０．１≦ｃ''≦２．５
　　　　０≦ｄ''≦８
　　　　０≦ｅ''≦５
　　０．２≦ｄ''＋ｅ''≦８
　　　ａ''＋ｂ''＋ｃ''＋ｄ''＋ｅ''＝１００
　７２．０≦ｘ''≦９９．４
　　０．５≦ｙ''≦１５
　　０．１≦ｚ''≦１３
　　　ｘ''＋ｙ''＋ｚ''＝１００
である。）
【０００９】
　本発明者は更に、非磁性酸化物又は非磁性窒化物からなる中間絶縁層を設けた２層以上の積層構造をもつＦｅを主体とする窒化物系軟磁性薄膜において、磁性膜と中間絶縁層との界面に特定の金属からなる１種以上の金属薄膜を設けることによって、磁性膜の剥離防止に効果があり、十分な接着力と高信頼性を有する積層型ヘッドを提供できることを見出し、本発明に到達した。
【００１０】
　即ち、本発明の第４の発明は、非磁性セラミクス基体に、非磁性酸化物又は非磁性窒化物からなる中間絶縁層を設けた２層以上の積層構造を有しかつ（ＦｅａＡｌb ）xＮyＯzで表される材料からなる軟磁性膜が積層され、磁気回路の少なくとも一部を形成している積層型磁気ヘッドであって、前記軟磁性膜と前記中間絶縁層との間に、チタン及びクロムの中から選ばれた少なくとも１種の非磁性金属からなる金属層が設けられている積層型磁気ヘッドに係るものである。
　（但し、上記において、ａ、ｂ、ｘ、ｙ、ｚは各元素の割合（いずれも原子％）を表し、その範囲は上記したものと同じである。）
【００１１】
　また、本発明の第５の発明は、非磁性セラミクス基体に、非磁性酸化物または非磁性窒化物からなる中間絶縁層を設けた２層以上の積層構造を有しかつ（Ｆｅa'Ｈｆb'Ｔａc'）x'Ｎy'で表される材料からなる軟磁性膜が積層され、磁気回路の少なくとも一部を形成している積層型磁気ヘッドであって、前記軟磁性膜と前記中間絶縁層との間に、チタン及びクロムの中から選ばれた少なくとも１種の非磁性金属からなる金属層が設けられている積層型磁気ヘッドに係るものである。
　（但し、上記において、ａ’、ｂ’、ｃ’、ｘ’、ｙ’は各元素の割合（いずれも原子％）を表し、その範囲は上記したものと同じである。）
【００１２】
　また、本発明の第６の発明は、非磁性セラミクス基体に、非磁性酸化物又は非磁性窒化物からなる中間絶縁層を設けた２層以上の積層構造を有しかつ（Ｆｅa''Ｌb''Ｍc''Ｃｕd''Ｒｕe''）x''Ｎy''Ｏz''で表される材料からなる軟磁性膜が積層され、磁気回路の少なくとも一部を形成している積層型磁気ヘッドであって、前記軟磁性膜と前記中間絶縁層との間に、チタン及びクロムの中から選ばれた少なくとも１種の非磁性金属からなる金属層が設けられている積層型磁気ヘッドに係るものである。
　（但し、上記において、Ｌ及びＭは上記したものと同じであり、ａ''、ｂ''、ｃ''、ｄ''、ｅ''、ｘ''、ｙ''、ｚ''及びその範囲は上記したものと同じである。）
【００１３】
　本発明において、上記した軟磁性膜の各組成は、軟磁気特性、飽和磁束密度等を考慮して決められたものである。特に、Ｆｅの量は、軟磁気特性、飽和磁束密度を十分に保持するために、上記範囲に特定すべきである。窒素の量は、十分な透磁率と優れた保磁力、耐食性、耐摩耗性を得る上で重要である。
【００１４】
　また、酸素を導入する場合には、その導入量が上記範囲から外れると熱安定性改善の効果が期待できず、例えばアニール処理した後の保磁力Ｈｃが大きくなりすぎる。
【００１５】
　また、添加元素のうち、特にＡｌの導入や、ＨｆとＴａとの組み合せ、更にはＬ（Ａｌ、Ｇａ、Ｔｉ、希土類元素のうちの少なくとも１種）とＭ（Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｚｒ、Ｈｆのうちの少なくとも１種）との組み合せによって、熱安定性を向上させることができるが、この場合はＦｅの一部をこれらの元素でそれぞれ上記した割合で置換する。置換量が多すぎると、相対的にＦｅの割合が少なくなりすぎ、また、相転移やアモルファス化が生じ、軟磁気特性や飽和磁束密度に悪影響を及ぼすおそれがある。
【００１６】
　また、ＣｕとＲｕについては、上記した導入量から外れて少なすぎると、耐食性、耐摩耗性の改善が期待できず、逆に多すぎると保磁力Ｈｃが大きくなりすぎる。
【発明の効果】
【００１７】
　本発明によれば、非磁性セラミクス基体と、Ｆｅを主体とする窒化物系軟磁性膜との間に、或いは、非磁性酸化物又は非磁性窒化物からなる中間絶縁層を設けた２層以上の積層構造を持つ上記窒化物系軟磁性膜と中間絶縁層との間に、Ｔｉ及びＣｒの中から選ばれた少なくとも１種の金属からなる下地層又は金属層を設けているので、強い接着力が維持され、軟磁性膜の剥離を防止することができる。また、この軟磁性膜を積層して積層型磁気ヘッドとしていることにより、優れた記録特性を持つ磁気ヘッドを提供できる。
【００１８】
　本発明による積層型磁気ヘッドにおいては、上記した組成の軟磁性膜は上記した基体との付着強度が不十分である。また、上記の軟磁性膜と同じ組成であって積層構造の軟磁性薄膜に中間絶縁層を設けることによって、うず電流損を減少させ、高出力、高帯域化が可能であるが、上記した組成の軟磁性膜と中間絶縁層との付着強度は不十分である。
【００１９】
　このために、本発明によれば、軟磁性膜と基体又は中間絶縁層との間（界面）に、Ｔｉ、Ｃｒの中から選ばれた少なくとも１種の金属からなる下地層又は金属層を設けることによって、上記の付着強度を特に４００Ｎ／ｃｍ2以上と大幅に向上させることができる。
【００２０】
　本発明による積層型磁気ヘッドでは、軟磁性膜自体が磁気回路の少なくとも一部（特に閉磁路）を形成しているので、特に窒素を含む軟磁性膜を用いても、窒素によって軟磁性膜と基体との反応が生じないように基体を選択することができる。また、仮に反応が生じ得る場合には、上記の下地層の存在によって確実に防止できるか、或いは磁気ギャップへの影響が少なくてすむ。これに反し、いわゆるメタル・イン・ギャップ型の磁気ヘッドでは、ガラス融着の際の加熱によって軟磁性薄膜とガラスあるいは軟磁性薄膜とフェライトとの反応が問題となり、この反応により磁気ギャップが直接影響を受けるので、これを防ぐための特別の処置が必要となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
　本発明による積層型磁気ヘッドにおいては、上記した効果を奏する上で、ヘッドを構成する各膜の好ましい膜厚は次の通りである。
　　軟磁性膜：０．５〜５μｍ
　　　下地層：５〜５０ｎｍ
　中間絶縁層：１００〜３００ｎｍ
　　　金属層：５〜２０ｎｍ
【００２２】
　なお、本発明において、上記の基体としては、チタン酸カリウム、ジルコニア等のセラミクスが使用可能であり、中間絶縁層としては、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4等の酸化物又は窒化物が使用可能である。
【００２３】
　本発明に使用される軟磁性膜、下地層、中間絶縁層、金属層は、スパッタリング等のいわゆる気相メッキ技術によって製造可能である。スパッタリングでの成膜は、所望の組成比となるように調整された合金ターゲットを用いて行っても良いし、各元素のターゲットを個別に用意し、その面積や印加出力等を調整して組成をコントロールするようにして行っても良い。また、中間絶縁層の酸化物及び窒化物のスパッタリング成膜は、酸化物および窒化物のセラミクスターゲットを用いても良いし、金属ターゲットを酸素ガスあるいは窒素ガス雰囲気中でスパッタして成膜しても良い。
【実施例】
【００２４】
　以下、本発明を実施例について詳細に説明する。
【００２５】
実施例１
　軟磁性薄膜の成膜は、ＦｅＡｌ合金ターゲット（直径１０ｍｍ）を用いたＲＦマグネトロンスパッタにより行った。窒素の導入は、スパッタ雰囲気中にＡｒと窒素（Ｎ2 ）の混合ガスを導入することにより行った。成膜時のスパッタ条件は下記の通りであった。
【００２６】
　ターゲット組成：Ｆｅ87Ａｌ13
　導入ガス：Ａｒ＋Ｎ2
　スパッタガス圧：０．２７Ｐａ
　投入電力：３００Ｗ
【００２７】
　また、金属下地層の成膜は、Ａｒ雰囲気中で磁性膜と同様に行った。作成した軟磁性薄膜の断面図を図１に示した。本実施例では、金属下地層１２としてＴｉ、Ｃｒを用い、基板１３にチタン酸カリウムを用いた。磁性膜１１の膜厚は３μｍ、下地層１２の膜厚は５０ｎｍとした。なお、成膜した磁性膜の組成は（Ｆｅ86Ａｌ14 ）90Ｎ10であった。
【００２８】
　接着力の評価は、引張試験機を用い、基板と薄膜界面を剥離するのに要する力で評価した。引張試験に用いた試料は、あらかじめ５５０℃で１時間、真空中で熱処理を施した後、図２に示すように、５ｍｍ四方の基板１３上に成膜した薄膜２２上と基板１３の下部面とに接着剤２４を用いて試験用治具２１−２１間に接着した。下記の表１に結果を示す。
【００２９】
【表１】
2004079169.tif 000003
【００３０】
　表１に示すように、種々の下地層を設けることにより、チタン酸カリウム基板とＦｅＡｌＮ窒化物系軟磁性膜との接着力を大幅に向上させることができた。また、これら下地層材料の中で、特にＴｉの効果が優れていた。
【００３１】
　また、基板にジルコニア基板を用いたところ、チタン酸カリウム基板とほぼ同様の傾向を示し、表１に示す下地層を用いることにより、基板とＦｅＡｌＮ窒化物系軟磁性薄膜との接着力を大幅に向上させることができた。この場合も、特にＴｉの効果が優れていた。
【００３２】
実施例２
　実施例１と同様、軟磁性薄膜の成膜は、ＦｅＨｆＴａ合金ターゲット（直径１０ｍｍ）を用いたＲＦマグネトロンスパッタにより行った。窒素の導入は、スパッタ雰囲気中にＡｒと窒素（Ｎ2）の混合ガスを導入することにより行った。成膜時のスパッタ条件は下記の通りであった。
【００３３】
　ターゲット組成：Ｆｅ85Ｈｆ10Ｔａ5
　導入ガス：Ａｒ＋Ｎ2
　スパッタガス圧：０．２７Ｐａ
　投入電力：３００Ｗ
【００３４】
　また、金属下地層の成膜は、Ａｒ雰囲気中で磁性膜と同様に行った。作成した軟磁性薄膜の断面は図１と同じであった。本実施例では、金属下地層としてＴｉ、Ｃｒを用い、基板にチタン酸カリウムを用いた。磁性膜の膜厚は３μｍ、下地層の膜厚は５０ｎｍとした。なお、作成した磁性膜の組成は（Ｆｅ89Ｈｆ6Ｔａ5 ）90Ｎ10であった。接着力の評価は実施例１と同様であった。下記の表２に結果を示す。
【００３５】
【表２】
2004079169.tif 000004
【００３６】
　表２に示すように、種々の下地層を設けることにより、チタン酸カリウム基板とＦｅＨｆＴａＮ窒化物系軟磁性薄膜との接着力を大幅に向上させることができた。また、これら下地層材料の中で、特にＴｉの効果が優れていた。
【００３７】
　また、基板にジルコニア基板を用いたところ、チタン酸カリウム基板とほぼ同様の傾向を示し、表２に示す下地層を用いることにより、基板とＦｅＨｆＴａＮ窒化物系軟磁性薄膜との接着力を大幅に向上させることができた。この場合、特にＴｉの効果が優れていた。
【００３８】
実施例３
　実施例１と同様、軟磁性薄膜の成膜は、ＦｅＡｌＶＮｂＣｕＲｕ合金ターゲット（直径１０ｍｍ）を用いたＲＦマグネトロンスパッタにより行った。窒素と酸素の導入は、スパッタ雰囲気中にそれぞれＡｒと窒素（Ｎ2）、Ａｒと酸素（Ｏ2）の混合ガスを導入することにより行った。成膜時のスパッタ条件は下記の通りであった。
【００３９】
　ターゲット組成：Ｆｅ95.5Ａｌ1Ｖ0.5Ｎｂ0.5Ｃｕ0.5Ｒｕ2
　導入ガス：Ａｒ＋Ｎ2＋Ｏ2
　スパッタガス圧：０．２７Ｐａ
　投入電力：３００Ｗ
【００４０】
　また、金属下地層の成膜は、Ａｒ雰囲気中で磁性膜と同様に行った。作成した軟磁性薄膜の断面は図１と同じであった。本実施例では、金属下地層としてＴｉ、Ｃｒを用い、基板にチタン酸カリウムを用いた。磁性膜の膜厚は３μｍ、下地層の膜厚は５０ｎｍとした。なお、作成した磁性膜の組成は（Ｆｅ95.6Ａｌ1.1Ｖ0.4Ｎｂ0.4Ｃｕ0.5Ｒｕ2 ）92Ｎ6Ｏ2であった。接着力の評価は実施例１と同様であった。下記の表３に結果を示す。
【００４１】
【表３】
2004079169.tif 000005
【００４２】
　表３に示すように、種々の下地層を設けることにより、チタン酸カリウム基板とＦｅＡｌＶＮｂＣｕＲｕＮＯ窒化物系軟磁性薄膜との接着力を大幅に向上させることができた。また、これら下地層材料の中で、特にＴｉの効果が優れていた。
【００４３】
　また、基板にジルコニア基板を用いたところ、チタン酸カリウム基板とほぼ同様の傾向を示し、表３に示す下地層を用いることにより、基板とＦｅＡｌＶＮｂＣｕＲｕＮＯ窒化物系軟磁性薄膜との接着力を大幅に向上させることができた。
【００４４】
実施例４
　実施例１と同等の方法で軟磁性膜を作成した。本実施例では、軟磁性薄膜にＦｅＡｌＮ、中間層にＳｉＯ2、磁性層とＳｉＯ2界面の金属薄膜層にＴｉ、Ｃｒ、基板には結晶化ガラスを用いた。ただし、ＳｉＯ2の成膜は、Ａｒ＋Ｏ2雰囲気中で行い、膜厚は０．１μｍであった。本実施例の磁性膜の構造を図３に示した（図中、３３は基板、３１は軟磁性膜、３４は中間層、３２は金属薄膜層）。作成した磁性膜の組成と接着力の評価は実施例１と同様であった。下記の表４に結果を示す。
【００４５】
【表４】
2004079169.tif 000006
【００４６】
　表４に示すように、上記金属薄膜を磁性層と中間層の界面に設けることにより、ＦｅＡｌＮ窒化物系軟磁性薄膜の接着力を大幅に向上させることができた。また、これらの金属薄膜層の中で、特にＴｉの効果が優れていた。
【００４７】
　また、中間層にＡｌ2Ｏ3を用いたところ、ＳｉＯ2とほぼ同様の傾向を示し、磁性層と中間層の界面に表４に示した金属薄膜を用いることにより、ＦｅＡｌＮ窒化物系軟磁性薄膜の接着力を大幅に向上させることができた。この場合、特にＴｉの効果が優れていた。
【００４８】
実施例５
　実施例２と同様の方法で軟磁性膜を作成した。本実施例では、軟磁性薄膜にＦｅＨｆＴａＮ、中間層にＳｉＯ2、磁性層とＳｉＯ2界面の金属薄膜層にＴｉ、Ｃｒ、基板には結晶化ガラスを用いた。ただし、ＳｉＯ2の成膜は、Ａｒ＋Ｏ2雰囲気中で行い、膜厚は０．１μｍであった。本実施例の磁性膜の構造は図３と同じであり、接着力の評価は実施例１と同様であった。また、作成した磁性膜の組成は実施例２と同値であった。下記の表５に結果を示す。
【００４９】
【表５】
2004079169.tif 000007
【００５０】
　表５に示すように、上記金属薄膜を磁性層と中間層の界面に設けることにより、ＦｅＨｆＴａＮ窒化物系軟磁性薄膜の接着力を大幅に向上させることができた。また、これらの金属薄膜層の中で、特にＴｉの効果が優れていた。
【００５１】
　また、中間層にＡｌ2Ｏ3を用いたところ、ＳｉＯ2とほぼ同様の傾向を示し、磁性層と中間層の界面に表５に示した金属薄膜を用いることにより、ＦｅＨｆＴａＮ窒化物系軟磁性薄膜の接着力を大幅に向上させることができた。
【００５２】
実施例６
　実施例２と同様の方法で軟磁性膜を作成した。本実施例では、軟磁性薄膜にＦｅＡｌＶＮｂＣｕＲｕＮＯ、中間層にＳｉＯ2、磁性層とＳｉＯ2界面の金属薄膜層にＴｉ、Ｃｒ、基板には結晶化ガラスを用いた。ただし、ＳｉＯ2の成膜は、Ａｒ＋Ｏ2雰囲気中で行い、膜厚は０．１μｍであった。本実施例の磁性膜の構造は図３と同じであり、接着力の評価は実施例１と同様であった。また、作成した磁性膜の組成は実施例３と同値であった。下記の表６に結果を示す。
【００５３】
【表６】
2004079169.tif 000008
【００５４】
　表６に示すように、上記金属薄膜を磁性層と中間層の界面に設けることにより、ＦｅＡｌＶＮｂＣｕＲｕＮＯ窒化物系軟磁性薄膜の接着力を大幅に向上させることができた。また、これらの金属薄膜層の中で、特にＴｉの効果が優れていた。
【００５５】
　また、中間層にＡｌ2Ｏ3を用いたところ、ＳｉＯ2とほぼ同様の傾向を示し、磁性層と中間層の界面に表６に示した金属薄膜を用いることにより、ＦｅＡｌＶＮｂＣｕＲｕＮＯ窒化物系軟磁性薄膜の接着力を大幅に向上させることができた。この場合、特にＴｉの効果が優れていた。
【００５６】
実施例７
　図４に示すような積層磁性膜５１を形成したＶＴＲ用磁気ヘッドを試作した。本実施例では、磁性層４１と中間層４４との界面の金属層４２にＴｉ、磁性層４１に（Ｆｅ95.6Ａｌ1.1Ｖ0.4Ｎｂ0.4Ｃｕ0.5Ｒｕ2 ）92Ｎ6Ｏ2磁性薄膜、中間絶縁層４４にＳｉＯ2、基板４３にチタン酸カリウムを用いた。積層数は５層、全体の膜厚は１５μｍであった。なお、最上部の磁性層４１と基板４３との接着にはガラス融着４５を用いた。図５に示すＶＴＲ用磁気ヘッド５９の作製工程を以下に述べる。
【００５７】
　図５に示すように、積層磁性膜５１をチタン酸カリウム基板５２に成膜し、その基板をガラス融着により数枚接着した。この基板を図５に１点鎖線で示す位置で切断し、図６に示す積層基板５３を作製し、これに図７に示した巻線溝５４を形成した。次に、図８に示すように、それぞれヘッドギャップ面５８を形成したヘッドコア半体ブロック５６と、巻線窓５５を有するヘッドコア半体ブロック５７とを接着し、ヘッドブロックを作製した。更に、このヘッドブロックを図９に１点鎖線で示す位置で切断して、ＶＴＲ用磁気ヘッド５９を得た。
【００５８】
　こうして作製された本発明に基づく積層型磁気ヘッドは、従来材であるＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金を磁性膜に用いた磁気ヘッドと比較して、記録特性が５ＭＨｚで約５ｄＢ高い出力を示した。この結果、下地層及び金属薄膜層を設けたＦｅを主体とする窒化物系軟磁性薄膜を用いることにより、優れた記録特性をもつＶＴＲ用磁気ヘッドが得られることが分った。
【００５９】
実施例８
　ＦｅＡｌＮＯ、ＦｅＨｆＴａＮを磁性膜とし、実施例７と同様に積層型磁気ヘッドを作製したところ、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金を用いた磁気ヘッドに比べ約３ｄＢ高い出力を示した。この結果、下地層及び金属薄膜層を設けたＦｅを主体とする窒化物系軟磁性薄膜を用いることにより、優れた記録特性をもつＶＴＲ用磁気ヘッドが得られることが分った。
【００６０】
　また、本実施例による積層型磁気ヘッドについて、飽和磁束密度Ｂｓ及び保磁力Ｈｃを測定したところ、下記表７及び表８に示すように、本発明に基づく磁性膜組成のものはほぼ良好な結果を示すことが分かった。
【００６１】
【表７】
2004079169.tif 000009
【００６２】
【表８】
2004079169.tif 000010
【００６３】
　以上、本発明の実施例を説明したが、上述の実施例は本発明の技術的思想に基づいて更に変形が可能である。
【００６４】
　例えば、磁性膜をはじめ各層の材質や厚み、膜構成等は上述した例に限られることなく、種々変化させることができる。ヘッド構造についても変化させてよく、上述の磁性膜は完全な閉磁路を形成する以外にも、その主要な部分を形成し、他の材質の磁性膜と連続させて閉磁路を形成することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明に基づく軟磁性膜の断面図である。
【図２】同軟磁性膜の接着力試験の方法を説明するための断面図である。
【図３】本発明に基づく積層軟磁性膜の断面図である。
【図４】本発明に基づく軟磁性膜を用いた積層型磁気ヘッドの膜構造の断面図である。
【図５】本発明に基づく軟磁性膜を用いたＶＴＲ用磁気ヘッドの作製工程の一段階を示す斜視図である。
【図６】同ＶＴＲ用磁気ヘッドの作製工程の一段階を示す斜視図である。
【図７】同ＶＴＲ用磁気ヘッドの作製工程の一段階を示す斜視図である。
【図８】同ＶＴＲ用磁気ヘッドの作製工程の一段階を示す斜視図である。
【図９】同ＶＴＲ用磁気ヘッドの作製工程の一段階を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６６】
　１１、３１、４１…磁性層（軟磁性薄膜）、１２、４２…下地層、
１３、３３、４３…基板、２１…治具、２４…接着剤、３２…金属薄膜層、
３４、４４…中間層（中間絶縁層）、５１…積層磁性膜、
５９…ＶＴＲ用磁気ヘッド（積層型磁気ヘッド）
【図１】
2004079169.tif 000011
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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