(57)【要約】【課題】近接露光法を適用する際に、パターンの疎密、パターンサイズに影響されることなく、高精度な線幅制御が可能となるステンシルマスクを提供することである。【解決手段】本ステンシルマスク１０は、ＬＥＥＰＬのような近接露光を行う半導体リソグラフィ工程で使用するステンシルマスクであって、Ｓｉ基板からなる支持体１２と、ＳｉＯ２　膜１４を介して支持体１２上に延在するＳｉ膜からなるメンブレン１６と、メンブレン１６に設けられた溝状のパターン１８とを備えている。メンブレン１６のウエハ側の面１６ａには、パターン１８が設けてある領域と、パターン無し領域２２とがある。パターン無し領域２２の大部分、例えば７０％程度の領域には、スパッタリングにより堆積させた粒子と同程度の粒径の微粒子が分散して付着している。微粒子は、カーボン（Ｃ）、金（Ａｕ）、イリジウム（Ｉｒ）などの導電性微粒子である。【選択図】　　　　図１
2004079692.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンが設けられたメンブレンを有し、近接露光法によりウエハを露光する際に、メンブレンをウエハに近接して配置されるステンシルマスクにおいて、
メンブレンのウエハ側の面のパターン以外の領域に微粒子が分散して付着していることを特徴とするステンシルマスク。
【請求項２】
微粒子が導電性微粒子であることを特徴とする請求項１に記載のステンシルマスク。
【請求項３】
導電性微粒子が、カーボン（Ｃ）、金（Ａｕ）、イリジウム（Ｉｒ）のいずれかからなる微粒子であることを特徴とする請求項２に記載のステンシルマスク。
【請求項４】
パターンが設けられたメンブレンを有し、近接露光法によりウエハを露光する際に、メンブレンをウエハに近接して配置されるステンシルマスクにおいて、
メンブレンのウエハ側のパターン以外の領域の表面が粗面化していることを特徴とするステンシルマスク。
【請求項５】
メンブレンのウエハ側の面のパターン以外の領域に微粒子が分散して付着しているステンシルマスクの作製方法であって、
ステンシルマスクのパターンと同じ形状で同じ配置の領域を非開口領域とし、非開口領域以外の領域の少なくとも一部を開口してなる開口パターンを備える別のマスクを作製する工程と、
ステンシルマスクをスパッタ装置のホルダ上に装着し、次いでステンシルマスクのパターンと別のマスクの非開口領域とを位置合わせして別のマスクをステンシルマスク上に配置して、導電性物質をターゲットにしてスパッタリングを行い、ステンシルマスクのパターン以外の領域上に導電性物質の微粒子を堆積させる工程と
を有することを特徴とするステンシルマスクの作製方法。
【請求項６】
導電性物質としてカーボン（Ｃ）、金（Ａｕ）、イリジウム（Ｉｒ）のいずれかを用いることを特徴とする請求項５に記載のステンシルマスクの作製方法。
【請求項７】
メンブレンのウエハ側の面のパターン以外の領域の表面が粗面化しているステンシルマスクの作製方法であって、
メンブレンにパターンを形成する前に、メンブレンのウエハ側の面を粗面化する工程を有することを特徴とするステンシルマスクの作製方法。
【請求項８】
メンブレンのウエハ側の面を粗面化する工程では、メンブレンの表面をＣＭＰにより粗面化することを特徴とする請求項７に記載のステンシルマスクの作製方法。
【請求項９】
メンブレンのウエハ側の面を粗面化する工程では、
予め、ステンシルマスクのパターンと同じ形状で同じ配置の領域を非開口領域とし、非開口領域以外の領域の少なくとも一部を開口してなる開口パターンを備える別のマスクを作製し、
次いで、パターンを形成する前のメンブレンのウエハ側の面上に近接して配置し、酸素アッシングを施してメンブレンのウエハ側の面を粗面化することを特徴とする請求項８に記載のステンシルマスクの作製方法。
【請求項１０】
近接露光法を適用してウエハに露光し、ウエハ上のレジスト膜にパターンを転写する方法であって、
ウエハのレジスト膜上にステンシルマスクを近接配置して露光するに当たり、ステンシルマスクのパターン以外の領域に対応するウエハの領域の表面を予め粗面化することを特徴とするパターン転写方法。
【請求項１１】
ステンシルマスクのパターン以外の領域に対応するウエハの領域の表面を予め粗面化する際には、
ステンシルマスクのパターンと同じ形状で同じ配置の領域を非開口領域とし、非開口領域以外の領域の少なくとも一部を開口してなる開口パターンを備える別のマスクを作製し、別のマスクをウエハ上に近接させて、酸素アッシングにより粗面化することを特徴とする請求項１０に記載のパターン転写方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、近接露光法によりウエハを露光する際に用いるステンシルマスク、ステンシルマスクの作製方法、及びパターン転写方法に関し、更に詳細には、近接露光法により露光する際に、パターンの疎密、パターンサイズの大小に影響されることなく高精度な線幅制御を可能とするステンシルマスク、そのようなステンシルマスクの作製方法、及びパターン転写方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置の高集積化及びチップサイズの縮小化に伴い、半導体装置を構成する配線等の構成要素の一層の微細化が必要になって来ている。
半導体装置の構成要素、例えば配線層のパターニングに必要なレジストパターンを形成するリソグラフィ処理の際では、現在は、露光光としてＫｒＦ、ＡｒＦなどを使った光露光が中心であるものの、微細化の要請に応じて、将来、回路パターンの線幅が１００ｎｍ以下になったときのパターニングに必要な光リソグラフィとして、Ｆ２　による電子線露光技術、Ｘ線露光技術、ＥＵＶ（極紫外光）などを適用した様々な露光方式が提案されている。
【０００３】
本来であれば、光リソグラフィの延長という観点から、Ｆ２　が本命になりそうなものであるが、露光装置の部品に対する腐食を抑制し難いということ、また１５７ｎｍという短波長であるが故に空気中で吸収され易いこと等の理由から、従来の光学系をそのまま利用して露光装置を構成することが難しい。
その結果、Ｆ２　による電子線露光技術は、次世代の露光技術の一つの候補としての位置付けで開発が進められている。
【０００４】
電子線露光技術は、現状開発が進められている直描方式に加えて、１９９８年、Ｔａｋａｏ　　Ｕｔｓｕｍｉ　氏が考案し、特許公報２９５１９４７号に開示された、低エネルギー電子ビームのリソグラフィ技術の開発も始まっている。Ｔａｋａｏ　　Ｕｔｓｕｍｉ　氏の考案による方式は、２ｋｅＶ程度の加速電圧を用いて、等倍のステンシルマスクで近接露光する、ＬＥＥＰＬと呼ばれる方式であって、線幅１００ｎｍ以降の半導体装置のパターニングのための有力な方式として注目されている。
また、１／４倍に縮小される電子光学系を利用し、１００ｋｅＶの加速電圧を用いて露光するＥＰＬ技術なども開発されている。
更には、ＥＵＶは、１３ｎｍの極紫外光を用いて露光する方法で、日本ではＡＳＥＴが中心となって開発を進めている。
【０００５】
ＬＥＥＰＬ、或いはＥＰＬのような次世代電子線リソグラフィでは、今まで用いられていた石英マスクにかわり、描画エリアであるメンブレン領域にＳｉ、ＳｉＣ、或いはダイヤモンドなどのメンブレンを用い、メンブレン領域に直接溝或いは開口を形成したステンシルマスクを用いる。
【０００６】
ステンシルマスクでは、マスクパターンは、厚さ約５μｍ以下のメンブレンからなる描画エリアに、溝（開口）を作ることによって形成される。電子線は、ステンシルマスクの溝の開口を通り、ウエハ上に前もって塗られたレジスト膜に到達する。レジストがポジレジストのときには、電子線で描画されたレジスト膜の領域がアルカリ現像液に溶解し、パターンが形成される。
これらステンシルマスクのメンブレンは、通常、マスクパターンの位置精度を確保するために、均一な引っ張り応力が作用した均一な膜厚の薄膜として形成されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、メンブレンの反射率はメンブレンの材料によって異なるものの、露光に際し、照射された電子線は、メンブレン表面でメンブレンの反射率に応じて反射する。
また、近接露光法を用いるＬＥＥＰＬのようなリソグラフィでは、通常の露光電子、ウエハ上又はレジスト膜上で反射し、メンブレンに到達する電子、更に、メンブレンで反射した電子等が存在する。
ここで、メンブレンのパターンの無い領域を考えてみる。仮に１ｍｍ画のパターンの無いフィールドがあるとすると、２ｋｅＶの照射エネルギーでは１６％程度の電子がレジスト膜の表面で反射する。更に、レジスト膜で反射した電子の１６％がメンブレンで反射されるとすると、最初にレジスト膜で反射した電子のうち２．５％の電子が再びレジスト膜には戻ってくるという試算になる。尚、この計算では、後方散乱を考慮して、レジスト表面での反射率を計算している。
【０００８】
これらの反射した電子はパターンの形成に影響するので、露光光のみでパターンを形成する場合と比較して、ウエハ上のパターンの線幅が変化する、つまり線幅が拡大する問題が生じる。
メンブレンのパターン密度に応じて多重露光の多重程度が変化するので、この問題は、パターン密度がより小さく、メンブレン面積が大きなパターンで、影響が一層大きい。
【０００９】
現在のＬＥＥＰＬでは、１０μＡ以下の電流値を用いて露光を行っているが、将来的には、スループットを向上させるべく電流値を現状の２倍から５倍程度に引き上げることも予定されており、この問題の影響は、一層顕著になる。
また、ＬＥＥＰＬのみならず近接露光を用いてパターニングする全ての方式のリソグラフィにおいても、同じような問題が生じている。
つまり、従来のステンシルマスクを使った近接露光では、パターンの疎密、パターンサイズの大小に影響されることなく、パターンの高精度な線幅制御を行うことが難しかった。
【００１０】
そこで、本発明の目的は、近接露光法を適用する際に、パターンの疎密、パターンサイズの大小に影響されることなく、パターンの高精度な線幅制御が可能となるステンシルマスク、ステンシルマスクの作製方法、及び露光方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、ステンシルマスクの裏面のパターン以外の領域を粗面化したり、その領域に微粒子を堆積させたりして電子の反射率を低下させて、反射電子線の影響を抑制することを着想し、実験によりその効果を確認して本発明を発明するに到った。
上記目的を達成するために、上述の知見に基づいて、本発明に係るステンシルマスク（以下、第１の発明と言う）は、パターンが設けられたメンブレンを有し、近接露光法によりウエハを露光する際に、メンブレンをウエハに近接して配置されるステンシルマスクにおいて、
メンブレンのウエハ側の面のパターン以外の領域に微粒子が分散して付着していることを特徴としている。
【００１２】
微粒子の大きさは、スパッタリングにより堆積させることができる程度の大きさの微粒子である。
また、パターン以外の領域の全ての領域に微粒子を堆積させる必要はなく、パターン以外の領域の主要部分、例えばパターン以外の領域が１０μｍ２　以上の領域を抽出し、かつ抽出した領域の一部、例えば７０％に相当する面積の領域に微粒子を堆積させても、十分に本発明の効果を奏することができる。また、微粒子が一様に分散して付着していることが好ましい。
微粒子が、カーボン（Ｃ）、金（Ａｕ）、イリジウム（Ｉｒ）のいずれかからなる微粒子等の導電性微粒子であることにより、更に電子線の反射率を低下させることができる。
【００１３】
第１の発明では、微粒子が分散して付着していることにより、ウエハ上に塗布されたレジスト膜から反射する電子線の反射率が低下し、反射電子線の影響が抑制される。
これにより、ステンシルマスクを使った近接露光に際し、パターンの疎密、パターンサイズの大小に影響されることなく、高精度な線幅制御が可能となる。
【００１４】
パターン以外の領域に微粒子を分散して付着させる方法には制約はなく、例えば、第１の発明に係るステンシルマスクを作製する本発明に係る方法（以下、第１の発明方法と言う）は、メンブレンのウエハ側の面のパターン以外の領域に微粒子が分散して付着しているステンシルマスクの作製方法であって、
ステンシルマスクのパターンと同じ形状で同じ配置の領域を非開口領域とし、非開口領域以外の領域の少なくとも一部を開口してなる開口パターンを備える別のマスクを作製する工程と、
ステンシルマスクをスパッタ装置のホルダ上に装着し、次いでステンシルマスクのパターンと別のマスクの非開口領域とを位置合わせして別のマスクをステンシルマスク上に配置して、導電性物質をターゲットにしてスパッタリングを行い、ステンシルマスクのパターン以外の領域上に導電性物質の微粒子を堆積させる工程と
を有することを特徴としている。
【００１５】
第１の発明方法を適用して、別のマスクの開口を介してステンシルマスクのパターン以外の領域に導電性物質としてカーボン（Ｃ）、金（Ａｕ）、イリジウム（Ｉｒ）のいずれかのスパッタ粒子が付着するので、第１の発明に係るステンシルマスクを容易に作製することができる。
【００１６】
本発明に係る別のステンシルマスク（以下、第２の発明と言う）は、パターンが設けられたメンブレンを有し、近接露光法によりウエハを露光する際に、メンブレンをウエハに近接して配置されるステンシルマスクにおいて、
メンブレンのウエハ側のパターン以外の領域の表面が粗面化していることを特徴としている。
【００１７】
粗面化の程度は、電子の反射率を低下できる程度に粗面化すれば良く、例えばＣＭＰ研磨処理又は酸素アッシング処理を施した程度で良い。
パターン以外の領域の全てを粗面化する必要はなく、パターン以外の領域の一部、例えばパターン以外の領域が１０μｍ２　以上の領域を抽出し、かつ抽出した領域の一部、例えば７０％に相当する面積を粗面化しても、十分に本発明の効果を奏することができる。
【００１８】
第２の発明では、メンブレンのウエハ側のパターン以外の領域の表面が粗面化していることにより、ウエハ上に塗布されたレジスト膜から反射する電子線の反射率が低下し、反射電子線の影響が抑制される。
これにより、ステンシルマスクを使った近接露光に際し、パターンの疎密、パターンサイズの大小に影響されることなく、高精度な線幅制御が可能となる。
【００１９】
第２の発明に係るステンシルマスクを作製する本発明に係る方法（以下、第２の発明方法と言う）は、メンブレンのウエハ側の面のパターン以外の領域の表面が粗面化しているステンシルマスクの作製方法であって、
メンブレンにパターンを形成する前に、メンブレンのウエハ側の面を粗面化する工程を有することを特徴としている。
【００２０】
パターン以外の領域を粗面化する方法には制約はなく、例えば、好適には、メンブレンのウエハ側の面を粗面化する工程では、メンブレンの表面をＣＭＰにより粗面化しても良く、或いは、予め、ステンシルマスクのパターンと同じ形状で同じ配置の領域を非開口領域とし、非開口領域以外の領域の少なくとも一部を開口してなる開口パターンを備える別のマスクを作製し、次いで、パターンを形成する前のメンブレンのウエハ側の面上に近接して配置し、酸素アッシングを施してメンブレンのウエハ側の面を粗面化しても良い。
これにより、パターン以外の領域を容易に粗面化することができる。
【００２１】
また、本発明者は、パターン転写に際し、ウエハの露光側のウエハ面を粗面化することも考え、実験によりその有効性を確認した。
即ち、本発明に係るパターン転写方法（以下、第３の発明方法と言う）は、近接露光法を適用してウエハに露光し、ウエハ上のレジスト膜にパターンを転写する方法であって、
ウエハのレジスト膜上にステンシルマスクを近接配置して露光するに当たり、ステンシルマスクのパターン以外の領域に対応するウエハの領域の表面を予め粗面化することを特徴としている。
【００２２】
第３の発明方法では、ウエハの露光側のウエハ面を粗面化することにより、ウエハ面から反射する電子線の反射率が低下し、反射電子線の影響が抑制されるので、ステンシルマスクを使った近接露光に際し、パターンの疎密、パターンサイズの大小に影響されることなく、高精度な線幅制御が可能となる。
【００２３】
本発明方法の好適な実施態様では、ステンシルマスクのパターン以外の領域に対応するウエハの領域の表面を予め粗面化する際には、
ステンシルマスクのパターンと同じ形状で同じ配置の領域を非開口領域とし、非開口領域以外の領域の少なくとも一部を開口してなる開口パターンを備える別のマスクを作製し、別のマスクをウエハ上に近接させて、酸素アッシングにより粗面化する。
これにより、ステンシルマスクのパターン以外の領域に対応する、ウエハの露光側のウエハ面を容易に粗面化することができる。
【００２４】
第１及び第２の発明に係るステンシルマスク、及び第３の発明方法は、光リソグラフィのみならず近接露光を行う露光方法であれば、全てのリソグラフィ技術に適用することが可能である。
また、段差基板上へのパターン転写にも適用が可能であり、単層レジスト技術及び多層レジスト技術のどちらにも対応可能であり、更には、半導体装置の製造に限らず、半導体装置の製造以外の分野での適用も可能である。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下に、添付図面を参照し、実施形態例を挙げて本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説明する。
ステンシルマスクの実施形態例１
本実施形態例は第１の発明の実施形態の一例であって、図１は本実施形態例のステンシルマスクの構成を示すメンブレン部分の断面図、図２はメンブレン中のパターン無し領域（パターン以外の領域）の存在を示す模式図、及び図３はメンブレンのウエハ側の面の模式的拡大図である。
本実施形態例のステンシルマスク１０は、ＬＥＥＰＬのような近接露光を行う半導体リソグラフィ工程で使用するステンシルマスクであって、図１に示すように、Ｓｉ基板からなる支持体１２と、ＳｉＯ２　膜１４を介して支持体１２上に延在するＳｉ膜からなるメンブレン１６と、メンブレン１６に設けられた溝状のパターン１８とを備えている。図１中、２０は位置決めマークである。
支持体１２は、格子状の枠体として形成されていて、パターン１８は一つの枠内に設けてある。
メンブレン１６のウエハ側の面１６ａには、図２に示すように、パターン１８が設けてある領域と、パターン無し領域（パターン以外の領域）２２とがある。パターン無し領域２２の大部分、例えば７０％程度の領域には、図３に示すように、スパッタリングにより堆積させた粒子と同程度の粒径の微粒子２４が分散して付着している。
微粒子２４は、カーボン（Ｃ）、金（Ａｕ）、イリジウム（Ｉｒ）などの導電性微粒子のいずれかである。
【００２６】
本実施形態例のステンシルマスク１０では、微粒子２４が分散して付着していることにより、ウエハ上に塗布されたレジスト膜から反射する電子線の反射率が低下し、反射電子線の影響が抑制される。
これにより、ステンシルマスク１０を使った近接露光に際し、パターン１８の疎密、パターン１８のサイズの大小に影響されることなく、パターン１８の高精度な線幅制御が可能となる。
【００２７】
ステンシルマスクの作製方法の実施形態例１
本実施形態例は第１の発明方法を上述のステンシルマスク１０の作製に適用した実施形態の一例である。本実施形態例の方法では、
（１）先ず、ステンシルマスクを作製する露光用マスクデータを解析してステンシルマスク上のパターンが無いエリアが１０μｍ２　以上のエリアを抽出する。
（２）（１）で抽出されたエリアの７０％の面積領域のみを開口領域として特定し、特定した開口を備えた別のマスクの新規マスクデータを作成する。
（３）（２）で作成した新規マスクデータに基づいて、ステンシルマスク１０のパターン１８と同じ形状で同じ配置の領域を非開口領域とし、非開口領域以外の領域の７０％を開口してなる開口パターンを備える別のマスクを作製する。
本実施形態例では、（１）で抽出されたエリアの７０％の面積領域のみを開口領域として特定し、それ以外の領域を非開口領域としている。
【００２８】
（４）一方、後述する従来のステンシルマスクの作製方法に従って微粒子２４を付着させていない段階のステンシルマスク１０を作製する。
（５）微粒子２４を付着させていない段階のステンシルマスク１０をスパッタ装置のホルダー上に配置し、次いで微粒子２４を付着させていない段階のステンシルマスク１０上に、位置合わせマークを使ってステンシルマスク１０のパターンと（３）で作製した別のマスクの非開口領域とを位置合わせして、別のマスクを配置する。
（６）続いて、カーボン（Ｃ）、金（Ａｕ）、イリジウム（Ｉｒ）などをターゲット金属としてスパッタし、別のマスクの開口パターンに対応したステンシルマスク１０の領域、つまりステンシルマスク１０のパターン無し領域２２上にターゲット金属の微粒子２４を堆積させる。
以上の工程を経ることにより、実施形態例１のステンシルマスク１０を容易に作製することができる。
【００２９】
実施形態例１の作製方法の変形例
本変形例は実施形態例１の作製方法の変形例であって、実施形態例１の作製方法（３）でステンシルマスク１０の作製用の別のマスクを作製する際、別のマスクの開口が１０μｍ２　を超えるときには、別のマスクの開口パターンの欠落を心配する必要があるので、開口が１０μｍ２　以下になるように、微細化の調整を行う。
【００３０】
ステンシルマスクの実施形態例２
本実施形態例は第２の発明の実施形態の一例であって、図４はメンブレンのウエハ側の面の模式的拡大図である。
本実施形態例のステンシルマスクは、実施形態例１のステンシルマスク１０と同様に、ＬＥＥＰＬのような近接露光を行う半導体リソグラフィ工程で使用するステンシルマスクであって、メンブレン１６のウエハ側の面１６ａのパターン無し領域２２に微粒子２４が堆積していることに代えて、パターン無し領域２２の大部分、例えば７０％程度が、図４に示すように、凹凸２６を有するように粗面化されている。粗面化の程度は、ＣＭＰ研磨処理又は酸素アッシング処理を施した程度で良い。
これを除いて、本実施形態例のステンシルマスクは、実施形態例１と同じ構成を備えている。
【００３１】
本実施形態例のステンシルマスクでは、パターン無し領域２２が粗面化していることにより、ウエハ上に塗布されたレジスト膜から反射する電子線の反射率が低下し、反射電子線の影響が抑制される。
これにより、ステンシルマスクを使った近接露光に際し、パターン１８の疎密、パターン１８のサイズに影響されることなく、パターン１８の高精度な線幅制御が可能となる。
【００３２】
ステンシルマスクの作製方法の実施形態例２
本実施形態例は第２の発明方法に係るステンシルマスクの作製方法を実施形態例２のステンシルマスクの作製に適用した実施形態の一例であって、図５（ａ）から（ｅ）、及び図６（ｆ）から（ｉ）は、それぞれ、本実施形態例の方法に従ってステンシルマスクを作製する際の工程毎の断面図である。
以下に、図５及び図６を参照して、本実施形態例のステンシルマスクの作製方法を説明する。
先ず、図５（ａ）に示すように、Ｓｉ基板１２上に膜厚の薄いＳｉＯ２　膜１４及び膜厚の薄いＳｉ膜１６を積層したＳＯＩ基板２８を用意し、ＳＯＩ基板２８を洗浄し、異物検査を行う。
次に、図５（ｂ）に示すように、ＳＯＩ基板２８のＳｉ膜１６にイオン注入し、次いでアニーリングを施して内部応力を調整する。
次いで、図５（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ処理及びエッチング加工を行ってＳＯＩ基板２８のＳｉＯ２　膜１４及びＳｉ膜１６を開口し、位置合わせマーク２０を形成する。
続いて、図５（ｄ）に示すように、ＳＯＩ基板２８のＳｉ膜１６上に保護レジスト膜３０を塗布する。
次に、図５（ｅ）に示すように、ＳＯＩ基板２８の表裏を反転し、ＳＯＩ基板２８の裏面にレジスト膜（図示せず）を成膜し、次いで裏面のレジスト膜に窓開け露光を行って、エッチングマスク３２を形成する。
【００３３】
次いで、図６（ｆ）に示すように、エッチングマスク３２を使って、ＳＯＩ基板２８のＳｉ基板１２をエッチングして開口し、開口底にＳｉＯ２　膜１６を露出させる。これにより、Ｓｉ基板１２は格子状の枠体からなる支持体１２（図１参照）となる。
続いて、図６（ｇ）に示すように、ＳＯＩ基板２８の表面から保護レジスト膜３０を除去し、次いで開口底に露出しているＳｉＯ２　膜１６を除去して、Ｓｉ膜１４をメンブレンとするメンブレン構造を形成する。
【００３４】
本実施形態例では、メンブレン構造の表面側のメンブレン面にＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ　）を約５秒間軽く施して、図４に示すように、凹凸２６を有する粗い表面を形成する。
次いで、再び、従来のマスク作製方法と同様にして、図６（ｈ）に示すように、粗い表面を上面に有するＳｉ膜１６に厚さ２００ｎｍ程度のレジスト膜を塗布し、次いで露光して、エッチングマスク３４を形成する。
続いて、図６（ｉ）に示すように、エッチングマスク３４を使ってＳｉ膜１６をエッチングしてパターン（溝）１８を形成し、エッチングマスク３４を除去する。
以上の工程を経ることにより、実施形態例２のステンシルマスクを容易に作製することができる。
【００３５】
ステンシルマスクの作製方法の実施形態例３
本実施形態例は第２の発明方法に係るステンシルマスクの作製方法を実施形態例２のステンシルマスクの作製に適用した実施形態の別の例である。本実施形態例の方法では、実施形態例１と同様にして、
（１）先ず、ステンシルマスクを作製する露光用マスクデータを解析してステンシルマスク上のパターンが無いエリアが１０μｍ２　以上のエリアを抽出する。
（２）（１）で抽出されたエリアの７０％の面積領域のみを開口領域として特定し、特定した開口を備えた別のマスクの新規マスクデータを作成する。
（３）（２）で作成した新規マスクデータに基づいて、ステンシルマスク１０のパターン１８と同じ形状で同じ配置の領域を非開口領域とし、非開口領域以外の領域の７０％を開口してなる開口パターンを備える別のマスクを作製する。
本実施形態例では、（１）で抽出されたエリアの７０％の面積領域のみを開口領域として特定し、それ以外の領域を非開口領域としている。
【００３６】
（４）一方、上述した従来のステンシルマスクの作製方法に従ってパターン無し領域２２が粗面化されていない段階のステンシルマスク１０を作製する。
（５）微粒子２４を付着させていない段階のステンシルマスク１０をスパッタ装置のホルダー上に配置し、次いで微粒子２４を付着させていない段階のステンシルマスク１０上に、位置合わせマークを使ってステンシルマスク１０のパターンと（３）で作製した別のマスクの非開口領域とを位置合わせして、別のマスクを配置する。
【００３７】
（６）続いて、本実施形態例の方法では、実施形態例１のスパッタに代えて、　５〜６０秒間、酸素プラズマによりアッシングを行い、別のマスクの開口パターンに対応したステンシルマスク１０の領域、つまりステンシルマスク１０のパターン無し領域２２を粗面化する。
以上の工程を経ることにより、実施形態例２のステンシルマスクを容易に作製することができる。
【００３８】
実施形態例３の作製方法の変形例
本変形例は実施形態例３の作製方法の変形例であって、実施形態例３の作製方法（３）でステンシルマスク１０の作製用の別のマスクを作製する際、別のマスクの開口が１０μｍ２　を超えるときには、別のマスクの開口パターンの欠落を心配する必要があるので、開口が１０μｍ２　以下になるように、微細化の調整を行う。
【００３９】
パターン転写方法の実施形態例
本実施形態例は第３の発明方法に係るパターン転写方法の実施形態の一例である。本実施形態例の方法では、実施形態例１の方法と同様にして、
（１）先ず、ステンシルマスクを作製する露光用マスクデータを解析してステンシルマスク上のパターンが無いエリアが１０μｍ２　以上のエリアを抽出する。
（２）（１）で抽出されたエリアの７０％の面積領域のみを開口領域として特定し、特定した開口を備えた別のマスクの新規マスクデータを作成する。
（３）（２）で作成した新規マスクデータに基づいて、ステンシルマスク１０のパターン１８と同じ形状で同じ配置の領域を非開口領域とし、非開口領域以外の領域の７０％を開口してなる開口パターンを備える別のマスクを作製する。
本実施形態例では、（１）で抽出されたエリアの７０％の面積領域のみを開口領域として特定し、それ以外の領域を非開口領域としている。
【００４０】
本実施形態例では、実施形態例１の方法に代えて、
（４）一方、近接露光法を適用して露光するウエハ上に、レジスト膜を塗布する。
（５）ウエハ上に、位置合わせマークを使って、（３）で作製した別のマスクを位置合わせして配置する。
（６）続いて、５〜６０秒間、酸素プラズマによりアッシングをウエハに行って、ウエハ面のパターン無し領域を粗面化する。
（７）次いで、従来と同様に、近接露光法によりパターンを転写する。
【００４１】
本実施形態例では、ウエハの露光側のウエハ面が粗面化していることにより、ウエハ面から反射する電子線の反射率が低下し、反射電子線の影響が抑制される。
よって、ステンシルマスクを使った近接露光に際し、パターンの疎密、パターンサイズの大小に影響されることなく、パターンの高精度な線幅制御が可能となる。
【００４２】
【発明の効果】
第１及び第２の発明によれば、ステンシルマスクのメンブレンのパターン以外の領域に微粒子を分散して堆積させたり、パターン以外の領域を粗面化することにより、パターンの粗密、パターンサイズの大小に影響されることなく、パターンの高精度な線幅制御を可能とするマスク、特に１５０ｎｍ以下の微細なパターンを高精度で転写できるステンシルマスクを実現することができる。
第１及び第２の発明に係るマスクを使用して近接露光することにより、パターンの粗密、パターンサイズに影響されることなく、設計通りの線幅に制御することが可能となり、面内均一性及び面間線幅均一性が向上する。
第１及び第２の発明方法は、本発明に係るステンシルマスクを容易に作製できる方法を実現している。
第３の発明方法は、ウエハの露光側のウエハ面を粗面化することにより、ウエハ面から反射する電子線の反射率が低下し、反射電子線の影響が抑制されるので、ステンシルマスクを使った近接露光に際し、パターンの疎密、パターンサイズの大小に影響されることなく、パターンの高精度な線幅制御が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態例１のステンシルマスクの構成を示すメンブレン部分の断面図である。
【図２】実施形態例１のステンシルマスクのメンブレン中のパターン無し領域の存在を示す模式図である。
【図３】実施形態例１のステンシルマスクのメンブレンのウエハ側の面の模式的拡大図である。
【図４】実施形態例２のステンシルマスクのメンブレンのウエハ側の面の模式的拡大図である。
【図５】図５（ａ）から（ｅ）は、それぞれ、実施形態例２の方法に従ってステンシルマスクを作製する際の工程毎の断面図である。
【図６】図６（ｆ）から（ｉ）は、それぞれ、図５（ｅ）に続いて、実施形態例２の方法に従ってステンシルマスクを作製する際の工程毎の断面図である。
【符号の説明】
１０……実施形態例１のステンシルマスク、１２……Ｓｉ基板、１４……ＳｉＯ２　膜、１６……Ｓｉ膜、１８……パターン、２０……位置合わせマーク、２２……パターン無し領域、２４……微粒子、２６……凹凸、２８……ＳＯＩ基板、３０……保護レジスト膜、３２……エッチングマスク、３４……エッチングマスク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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