(57)【要約】【課題】第１ボンドパッドが再配線された第２ボンドパッドを有する半導体チップが載積された積層型半導体パッケージを提供する。【解決手段】下部半導体チップ２００、中間半導体チップ３００Ａ，３００Ｂ及び上部半導体チップ４００を階段状に積層し、それぞれの半導体チップ２００，３００Ａ，３００Ｂ，４００の互いに対応する第２ボンドパッド間を第１連結手段１３０を介して連結し、上部半導体チップ４００の第１ボンドパッドと基本骨格材１１０の接続手段１１４との間を第２連結手段１４０を介して連結する積層型半導体パッケージである。従って、既存の開発装備と工程とをそのまま使用して最小サイズで高い性能を発揮できる半導体パッケージを具現すると共に、工程不良を減らして製造工程の効率を向上させることができる。【選択図】図２
2004253805.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接続手段を含む半導体パッケージの基本骨格材と、
前記基本骨格材に搭載されており、内部に第１及び第２ボンドパッドを含む下部半導体チップと、
前記下部半導体チップの第２ボンドパッドが露出される配置で前記下部半導体チップ上に搭載されており、内部に第１及び第２ボンドパッドを含む中間半導体チップと、
前記中間半導体チップの第２ボンドパッドが露出される配置で前記中間半導体チップ上に搭載されており、内部に第１及び第２ボンドパッドを含む上部半導体チップと、
前記下部半導体チップ、中間半導体チップ、及び上部半導体チップの互いに対応する第２ボンドパッド同士を電気的に連結する第１連結手段と、
前記上部半導体チップの第１ボンドパッドと前記基本骨格材の前記接続手段とを互いに電気的に連結する第２連結手段と、
前記半導体チップ、連結手段、及び基本骨格材の少なくとも一部分を密封する封止樹脂とを備えることを特徴とする積層型半導体パッケージ。
【請求項２】
前記基本骨格材は、リードフレームであることを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体パッケージ。
【請求項３】
前記リードフレームは、内部リード及びチップパドルが封止樹脂外部に露出される形態のリードフレームであることを特徴とする請求項２に記載の積層型半導体パッケージ。
【請求項４】
前記リードフレームは、ＱＦＮ型半導体パッケージに使われるリードフレームであることを特徴とする請求項３に記載の積層型半導体パッケージ。
【請求項５】
前記基本骨格材は、印刷回路基板であることを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体パッケージ。
【請求項６】
前記基本骨格材は、フレキシブル基板に銅配線が形成された絶縁性配線基板であることを特徴とする請求項５に記載の積層型半導体パッケージ。
【請求項７】
前記積層型半導体パッケージは、前記基本骨格材の接続手段と電気的に連結される外部連結端子をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体パッケージ。
【請求項８】
前記外部連結端子は、ソルダボールであることを特徴とする請求項７に記載の積層型半導体パッケージ。
【請求項９】
前記下部、中間及び上部半導体チップにおける前記第２ボンドパッドは、
前記第１ボンドパッドを再配置したものであるを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体パッケージ。
【請求項１０】
前記下部、中間及び上部半導体チップは、
同一種類の半導体チップであることを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体パッケージ。
【請求項１１】
前記下部、中間及び上部半導体チップは、
この並び順で前記基本骨格材上に階段状に積層されていることを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体パッケージ。
【請求項１２】
前記第１及び第２連結手段はボンディングワイヤであることを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体パッケージ。
【請求項１３】
前記第１連結手段は、隣接する半導体チップ間で、下にある半導体チップの第２ボンディングパッドにボールボンディングがなされ、上にある半導体チップの第２ボンディングパッドにはスティッチボンディングがなされていることを特徴とする請求項１２に記載の積層型半導体パッケージ。
【請求項１４】
前記中間半導体チップは複数であることを特徴とする請求項１３に記載の積層型半導体パッケージ。
【請求項１５】
接続手段を有する基本骨格材を準備する段階と、
第１ボンドパッドが半導体チップの他の位置に再配置された第２ボンドパッドを有する下部、中間及び上部半導体チップを準備する段階と、
前記第２ボンドパッドが外部に露出されるように、前記基本骨格材上に、前記下部、中間及び上部半導体チップを階段状に積層して搭載する段階と、
前記下部、中間及び上部半導体チップの対応する第２ボンドパッド間を第１連結手段を介してワイヤボンディングする段階と、
前記上部半導体チップの第１ボンドパッドと基本骨格材の前記接続手段とを第２連結手段を介してワイヤボンディングする段階と、
前記ワイヤボンディングする段階の後の結果物を封止樹脂で密封する段階とを備えることを特徴とする積層型半導体パッケージの製造方法。
【請求項１６】
前記基本骨格材は、リードフレーム、印刷回路基板、及びフレキシブル基板のうちから選択された１つであることを特徴とする請求項１５に記載の積層型半導体パッケージ製造方法。
【請求項１７】
前記下部、中間及び上部半導体チップを階段上に積層して搭載する段階は、
前記下部、中間及び上部半導体チップを絶縁性接着テープを使用して搭載することを特徴とする請求項１５に記載の積層型半導体パッケージ製造方法。
【請求項１８】
前記絶縁性接着テープは、ウェーハソーイング工程以前にウェーハ背面に接着されることを特徴とする請求項１７に記載の積層型半導体パッケージ製造方法。
【請求項１９】
前記第１連結手段を介してワイヤボンディングする段階は、
隣接する半導体チップ間で、下にある半導体チップの第２ボンドパッドにボールボンディングを行い、上にある半導体チップの第２ボンドパッドにはスティッチボンディングを行うことを特徴とする請求項１５に記載の積層型半導体パッケージ製造方法。
【請求項２０】
前記封止樹脂で密封する段階後に、
前記基本骨格材の接続手段と連結された外部連結端子を付着する段階をさらに有することを特徴とする請求項１５に記載の積層型半導体パッケージ製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体パッケージ及びその製造方法に係り、さらに詳細には１つの半導体パッケージ内部に複数の半導体チップを積層した積層型半導体パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造企業は半導体素子の集積度を上げ、サイズを小型化するために不断の努力を持続している。特に、ウェーハ製造工程では集積度を上げるために多くの費用をかけて設備投資がなされ、限りない研究開発が持続されている。一例として半導体メモリ素子の場合、６４メガＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）から２５６メガＤＲＡＭに集積度を上げるためには、数多くの技術的問題を解決し、製造工程上の問題を解決し、併せて新しい装備を購入しなければならなず、技術的および経済的な困難を伴う。
【０００３】
最近になり、いくつかの半導体チップを１つの半導体パッケージ内部に取り入れて組み立てる方法が半導体製造企業により紹介された。このような１つの半導体チップ内部にさまざまな半導体チップを含む半導体パッケージでは、ウェーハ状態で集積度を高める努力に比べて、より少ない努力で集積度を上げられる。例えば、６４メガＤＲＡＭの半導体チップを４つ取り入れて１つの半導体パッケージに組み立てるならば、容易に２５６メガのＤＲＡＭにすることが可能である。
【０００４】
このように、複数の半導体チップを１つの半導体パッケージ内部に取り入れて組み立てる形態は、マルチチップ形態といわれるが、ほとんどのマルチチップ形態の半導体パッケージ製造方法は、半導体パッケージ内部で単位半導体チップを積層する形態でなされる。このように単位半導体チップを積んで積層された半導体パッケージ（以下、「積層型半導体パッケージ」という）の製造方法に関する技術が特許文献１に開示されており、同文献は東芝社により「Ｐａｃｋａｇｅ ｈａｖｉｎｇ ｖｅｒｙ ｔｈｉｎ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｃｈｉｐ，ｍｕｌｔｉ ｃｈｉｐ ｍｏｄｕｌｅ ａｓｓｅｍｂｌｅｄ ｂｙ ｔｈｅ ｐａｃｋａｇｅ ａｎｄ ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ ｔｈｅ ｓａｍｅ」という題目で特許出願されたものである。
【０００５】
しかし、従来技術によるマルチチップ形態の半導体パッケージは、積層型半導体パッケージを作るために新しい組立て方法を使用し、新しい材料を用いなければならず、製造工程が複雑なために改善を必要とする。
【特許文献１】米国特許ＵＳ６，２３９，４９６号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする技術的課題は、半導体チップの積層方法及びワイヤボンディング工程を最適化して既存の設備及び既存工程をそのまま利用して製造できる積層型半導体パッケージを提供するところにある。
【０００７】
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、前記積層型半導体パッケージの製造方法を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記技術的課題を達成するための本発明による積層型半導体パッケージは、接続手段を含む半導体パッケージの基本骨格材と、前記基本骨格材に搭載されており、内部に第１及び第２ボンドパッドを含む下部半導体チップと、前記下部半導体チップの第２ボンドパッドが露出される配置で前記下部半導体チップ上に搭載されており、内部に第１及び第２ボンドパッドを含む中間半導体チップと、前記中間半導体チップの第２ボンドパッドが露出される配置で前記中間半導体チップ上に搭載されており、内部に第１及び第２ボンドパッドを含む上部半導体チップと、前記下部半導体チップ、中間半導体チップ及び上部半導体チップの互いに対応する第２ボンドパッド同士を電気的に連結する第１連結手段と、前記上部半導体チップの第１ボンドパッドと前記基本骨格材の接続手段とを互いに電気的に連結する第２連結手段と、前記半導体チップ、連結手段及び基本骨格材の少なくとも一部分を密封する封止樹脂とを備える。
【０００９】
本発明の望ましい実施例によれば、前記基本骨格材はＱＦＮ（外部入出力用のピンが出ていないクワッド・フラット：Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏ−ｌｅａｄ）型半導体パッケージに使われるリードフレーム、印刷回路基板及び絶縁性配線基板のうちいずれか１つであることが適している。
【００１０】
望ましくは、前記下部、中間及び上部半導体チップは同一種類の半導体チップであることが望ましく、前記中間半導体チップは複数であることが望ましい。
【００１１】
前記他の技術的課題を達成するための本発明による積層型半導体パッケージ製造方法は、接続手段を有する基本骨格材を準備する。次いで、第１ボンドパッドが半導体チップの他の位置に再配置された第２ボンドパッドを有する下部、中間及び上部半導体チップを準備する。次いで、前記第２ボンドパッドが外部に露出されるように、前記基本骨格材上に、前記下部、中間及び上部半導体チップを階段状に積層して搭載する。次いで、前記下部、中間及び上部半導体チップの対応する第２ボンドパッド間を第１連結手段を介してワイヤボンディングするを行う。次いで、前記上部半導体チップの第１ボンドパッドと基本骨格材の接続手段とを第２連結手段を介してワイヤボンディングする。次いで、前記ワイヤボンディングがなされた結果物を封止樹脂で密封する。前記基本骨格材が印刷回路基板あるいは絶縁性配線基板である場合には、必要によりソルダボールを付着する。ソルダボールは、基本骨格材の接続手段と連結された外部連結端子として機能する。
【００１２】
本発明の望ましい実施例によれば、前記第１連結手段、例えばボンディングワイヤを介してワイヤボンディングする段階では、隣接する半導体チップ間で、下にある半導体チップの第２ボンドパッドにボールボンディングを行い、上にある半導体チップの第２ボンドパッドにスティッチボンディングを行うことが望ましい。
【００１３】
本発明によれば、半導体チップの積層方法及びワイヤボンディング方法を改善し、最小面積で向上された性能を発揮できる積層型半導体パッケージを具現でき、既存の開発設備と工程とを利用することができるので、単純化工程だけで積層型半導体パッケージを作れる。また、既存の開発設備と工程とを利用することができるので、設備投資費を節減できる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、第一に、半導体チップの積層方法及びワイヤボンディング方法を改善して最小面積で向上された性能を発揮できる積層型半導体パッケージを具現できる。第二に、既存の開発設備と工程とを利用するために比較的簡単な工程で積層型半導体パッケージを作れる。第三に、既存の開発設備と工程とを利用するために設備投資費を節減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添付された図面を参照して本発明の望ましい実施例を詳細に説明する。しかし、以下の詳細な説明で開示される実施例は本発明を限定しようとする意味ではなく、本発明の属する技術分野で当業者に、本発明の開示が実施可能な形で完全になるように発明の範疇を知らせるために提供されるものである。
【００１６】
本明細書で言う基本骨格材は最も広い意味で使用されており、図面に示されたようなＱＦＮ半導体パッケージ用リードフレームのみに限定されるものではない。本発明は、その精神及び必須の特徴を離脱せずに他の方式で実施できる。例えば、基本骨格材は、前記望ましい実施例においては前記基本骨格材のＱＦＮ半導体パッケージ用リードフレームであるが、これはＣＳＰ（チップスケールパッケージ：Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）に使われるリードフレーム、あるいはＢＧＡ（ボールグリッドアレイ：Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）パッケージに使われる印刷回路基板、及びフレキシブル基板のような絶縁性配線基板であってもよい。また、同一種の半導体チップは必要によって他種の半導体チップに置換することも可能である。従って、以下の望ましい実施例に記載した内容は例示的なものであって本発明を限定する意味ではない。
【００１７】
図１は本発明で使われる第１ボンドパッドが再配置された第２ボンドパッドを有する半導体チップを説明するために図示された平面図である。
【００１８】
図１を参照すれば、本発明による積層型半導体パッケージの製造に使われる半導体チップ２００，３００，４００は、第２ボンドパッド２０４を有する。この点は、本発明の特徴の一つである。本実施の形態では、複数の第１ボンドパッド２０２が半導体チップ２００，３００，４００の一辺に沿って形成されている。また、複数の第２ボンドパッド２０４が、互いに対向する２辺にそって形成されている。そして、再配線パターン２０６は、第１ボンドパッド２０２を第２ボンドパッド２０４に電気的に接続する配線である。この実施の形態では、第１ボンドパッド２０２と第２ボンドパッド２０４とが１対１に対応している場合が示されているが、この場合に限定されない。また、再配線パターン２０６を変更することによって、第１ボンドパッド２０２および第２ボンドパッド２０４は、種々の位置に配置することができる。したがって、第１ボンドパッド２０２および第２ボンドパッド２０４は、上記の位置に限定されるものではない。
【００１９】
前記第２ボンドパッド２０４は、元々の半導体チップ２００に形成されている第１ボンドパッド２０２の位置を再配線パターン２０６により実質的に特定の領域の位置に変えた（再配置した）形態であるといえる。前記第２ボンドパッド２０４を作る理由は、第１ボンドパッド２０２の位置に拘束されずにワイヤボンディングを流動的に実行可能とすることにある。ここで、再配置とは、元々のボンドパッドに対して再配線パターン２０６を介して電気的に接続された新たなボンドパッドを、元々のボンドバットとは別の位置に形成することを言う。
【００２０】
前記第２ボンドパッド２０４を作る方法によれば、半導体チップ２００で最上部にあるパッシベーション膜上に再配置パターン２０６及び第２ボンドパッド２０４を形成する。次に、絶縁膜、例えばポリイミド膜を前記再配置パターン２０６及び第２ボンドパッド２０４が形成された半導体基板２００上にコーティングする。その後、前記第１及び第２ボンドパッド２０２，２０４が存在している部分２０８をエッチングして第１及び第２ボンドパッド２０２，２０４を外部に露出させる。前記第２ボンドパッド２０４の位置は必要によって他のところに移してもよい。このようにボンドパッドの位置が再配置された半導体チップをＰＯＣ（Ｐａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）という。
【００２１】
図２は本発明による積層型半導体パッケージを説明するために図示された断面図である。
【００２２】
図２を参照すれば、本発明による積層型半導体パッケージ１００は、接続手段１１４が形成された基本骨格材１１０を含む。積層型半導体パッケージがＢＧＡパッケージである場合、前記基本骨格材１１０として、印刷回路基板あるいはポリイミドで作られたフレキシブル基板を使用できる。なお、前記フレキシブル基板に銅配線が形成された基板は、絶縁性配線基板と称される場合がある。このような絶縁性配線基板を基本骨格材１１０として使用することができる。また、積層型半導体パッケージがＣＳＰあるいはＱＦＮ型半導体パッケージである場合には、基本骨格材１１０としてリードフレームを使用する。本実施の形態では、ＱＦＮ形態の半導体パッケージを中心に説明する。前記ＱＦＮ型半導体パッケージに使われるリードフレーム１１０の構造は、チップパドル（ダイ・パッドともいう）１１２と内部リード１１４とからなる。ここで、チップパドル１１２は半導体チップ２００，３００Ａ，３００Ｂ，４００が搭載される領域を指し、内部リード１１４は第２連結手段１４０がワイヤボンディングされる領域を指す。このようなリードフレーム１１０は、内部リード１１４及びチップパドル１１２が封止樹脂外部に露出される形態のリードフレームであるといえる。
【００２３】
本発明による積層型半導体パッケージ１００は、前記基本骨格材１１０上に搭載されて、内部に第１及び第２ボンドパッドを含む下部半導体チップ２００と、前記下部半導体チップ２００の第２ボンドパッド（図示せず）が露出される配置で前記第２半導体チップ２００上に搭載されており、内部に第１及び第２ボンドパッドを含む中間半導体チップ３００Ａ，３００Ｂと、前記中間半導体チップ３００Ａ，３００Ｂの第２ボンドパッドが露出される配置で前記中間半導体チップ３００Ａ，３００Ｂ上に搭載されており、内部に第１及び第２ボンドパッドを含む上部半導体チップ４００とを含む。前記下部２００、中間半導体チップ３００Ａ，３００Ｂ及び上部半導体チップ４００は、図１で説明されたように第２ボンドパッドを有する。また、前記中間半導体チップ３００Ａ，３００Ｂは１つあるいは複数のいずれでも形成できる。下部半導体チップ２００、中間半導体チップ３００Ａ，３００Ｂ及び上部半導体チップ４００は同一種の半導体素子、例えばＤＲＡＭであることが望ましい。しかし、必要によって他種の半導体素子を使用することもできる。
【００２４】
本実施の形態による積層型半導体パッケージ１００は、前記下部半導体チップ２００、中間半導体チップ３００Ａ，３００Ｂ及び上部半導体チップ４００の互いに対応する第２ボンドパッド同士を電気的に連結する第１連結手段１３０、例えばボンディングワイヤを含む。前記第１連結手段１３０は、隣接する半導体チップ間（例えば、下部半導体チップ２００と、その上部に隣接する中間半導体チップ３００Ａ間）で、下側にある半導体チップ２００の第２ボンドパッドではボールボンディング（ｂａｌｌ−ｂｏｎｄｉｎｇ）処理がなされ、上側にある半導体チップ３００Ａではスティッチボンディング（ｓｔｉｔｃｈ−ｂｏｎｄｉｎｇ）処理がなされている。ここで、ボールバンディングとは、ボンディングヘッドを用いてボンディングパッドの広い領域にワイヤ端を高温で圧接するボンディング方法であり、上から見たときにワイヤ先端が略円形になる。一方、スティッチボンディングとは、ボンディングワイヤの先端をボンディングヘッドの下にあて、熱と圧力によってワイヤをスティッチ(縫い目)のようにしてパッドに接着させるボンディング方法である。
【００２５】
さらに、本実施の形態による積層型半導体パッケージ１００は、前記上部半導体チップ４００の第１ボンドパッドと前記基本骨格材１１０の接続手段１１４とを互いに電気的に連結する第２連結手段１４０、例えばボンディングワイヤを含む。また、本実施の形態による積層型半導体パッケージ１００は、前記半導体チップ２００，３００Ａ，３００Ｂ，４００、第１連結手段１３０、第２連結手段１４０、及び基本骨格材であるリードフレーム１１０の少なくとも一部分を密封する封止樹脂１５０を含む。前記基本骨格材１１０の接続手段１１４は第２連結手段がワイヤボンディングされる領域であり、ＱＦＮ用リードフレームでは内部リードとなる。前記封止樹脂１５０はＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ Ｍｏｌｄ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を使用できる。図面の参照符号１２０は絶縁性接着テープであり、半導体パッケージ製造工程でソーイング工程以前にウェーハ背面に付着させることが望ましい。下部半導体チップ２００、中間半導体チップ３００Ａ，３００Ｂ及び上部半導体チップ４００を絶縁性接着テープ１２０を使用して階段上に積層して搭載される。
【００２６】
図３は本発明で半導体チップが積層された形態と第１及び第２連結手段がワイヤボンディングされた形態とを説明するために図示された概略的な断面図であり、図４は概略的な平面図である。
【００２７】
図３及び図４を参照すれば、本発明による下部半導体チップ２００、中間半導体チップ３００Ａ，３００Ｂ及び上部半導体チップ４００は基本骨格材のチップパドル１１２上に搭載する時に、互いに階段状に積層され搭載される。これは再配置された第２ボンドパッドに第１連結手段１３０によってワイヤボンディングを可能にするためである。ここで、階段状とは、隣接する半導体チップが、当該半導体チップの対応する端縁の位置がずれるように配置されることを意味している。前記中間３００Ａ，３００Ｂ及び上部半導体チップ４００では、第１連結手段１３０の連結部１３２は、下側の半導体チップの第２ボンドパッドと連結するためにスティッチボンディングがなされ、さらに、スティッチボンディングされた部分の上に、上側の半導体チップを連結するためにボールボンディングがなされた形態を有する。前記第２連結手段１４０は、上部半導体チップ４００の第１ボンドパッド４０２と基本骨格材の接続手段との間、例えば第１ボンドパッド４０２と内部リード１１４との間に連結される。従って、第１連結手段１３０と第２連結手段１４０とが前後左右の異なる方向にワイヤボンディングされることにより空間を効率的に利用することができる。また、下部半導体チップ２００、中間半導体チップ３００Ａ，３００Ｂ及び上部半導体チップ４００は第１ボンドパッド４０２と第２ボンドパッド２０４とがエッチングされた部分２０８，４０８により露出された状態となっている。
【００２８】
次に、図２を参照して本発明による積層型半導体パッケージの製造方法について説明する。
【００２９】
本発明による積層型半導体パッケージの製造方法は、まず接続手段１１０を有する基本骨格材１１０を準備する。そして、第１ボンドパッドが半導体チップの他の位置に再配置された第２ボンドパッドを有する下部半導体チップ２００、中間半導体チップ３００Ａ，３００Ｂ及び上部半導体チップ４００を準備する。その後、前記基本骨格材１１０のチップパドル１１２上に前記下部半導体チップ２００、中間半導体チップ３００Ａ，３００Ｂ及び上部半導体チップ４００を積層して搭載するが、このとき、各半導体チップ１００，３００Ａ，３００Ｂ，４００の前記第２ボンドパッド２０４が外部に露出されるように、階段状に搭載する。この時、半導体チップ間での接着は半導体チップの下面についている絶縁性接着テープ１２０によりなされる。前記絶縁性接着テープ１２０はソーイング工程以前にウェーハの下面に付けられることが望ましい。
【００３０】
次に、前記下部半導体チップ２００、中間半導体チップ３００Ａ，３００Ｂ及び上部半導体チップ４００の第２ボンドパッド間を第１連結手段１３０を介してワイヤボンディングする。前記第１連結手段１３０を介してワイヤボンディングする方法としては、下側の第２ボンドパッドにボールボンディングを行って上側の第２ボンドパッドにスティッチボンディングを行うことが望ましい。
【００３１】
そして、前記上部半導体チップ４００の第１ボンドパッドと基本骨格材１１０の接続手段、例えば内部リード１１４との間を第２連結手段１４０を介してワイヤボンディングする。次に、前記第２連結手段１５０によりワイヤボンディングされた結果物を封止樹脂１５０で密封する。前記基本骨格材が印刷回路基板あるいは絶縁性配線基板である場合、選択的に、基本骨格材１１０の接続手段と電気的に連結される外部連絡端子であるソルダボール（図示せず）を付着する。
【００３２】
本発明は前記の実施例に限定されず、本発明が属する技術的思想内で当業者にさらに多くの変形が可能であることが明白である。
【産業上の利用可能性】
【００３３】
本発明の積層型半導体パッケージ及びその製造方法は、例えば集積度を高める半導体素子及びマルチチップパッケージなどに効果的に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明で使われる第１ボンドパッドが再配置された第２ボンドパッドを有する半導体チップを説明するために図示された平面図である。
【図２】本発明による積層型半導体パッケージを説明するために図示された断面図である。
【図３】本発明で半導体チップが積層された形態と第１及び第２連結手段がワイヤボンディングされた形態とを説明するために図示された概略的な断面図である。
【図４】本発明で半導体チップが積層された形態と第１及び第２連結手段がワイヤボンディングされた形態とを説明するために図示された概略的な平面図である。
【符号の説明】
【００３５】
１００    積層型半導体パッケージ、
１１０    基本骨格材、
１１２    チップパドル、
１１４    内部リード、
１２０    絶縁性接着テープ、
１３０    第１連結手段、
１３２    連結部、
１４０    第２連結手段、
１５０    封止樹脂、
２００    下部半導体チップ、
３００    中間半導体チップ、
４００    上部半導体チップ。
【図１】
2004253805.tif 000003
【図２】
2004253805.tif 000004
【図３】
2004253805.tif 000005
【図４】
2004253805.tif 000006