(57)【要約】【課題】基材の一方の面に形成された配線パターンと他方の面に形成された配線パターンとが、基材に設けられた穴部に形成された接続配線層を介して互いに接続される情報記録媒体において、基材の一方の面に形成された配線パターンと他方の面に形成された配線パターンとの間における導電性の低下を防止する。【解決手段】ベース基材１５の一方の面に形成されたアンテナパターン１２ａ及びランド部１３ａ〜１３ｃ上に、不活性な貴金属からなる被覆薄膜１８を形成する。【選択図】  図１
2004280391.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に第１の配線パターンが形成され、他方の面に第２の配線パターンが形成された基材を少なくとも有し、前記第１の配線パターンと前記第２の配線パターンとが当該基材に設けられた穴部に前記第２の配線パターンとともに形成された接続配線層を介して互いに接続されたＲＦ−ＩＤメディアにおいて、
前記第１の配線パターンは、少なくとも前記接続配線層と接触する領域が、不活性な貴金属からなる材料によって被覆されていることを特徴とするＲＦ−ＩＤメディア。
【請求項２】
請求項１に記載のＲＦ−ＩＤメディアにおいて、
前記第１の配線パターンと前記不活性な貴金属からなる材料との間に、前記第１の配線パターンを構成する材料と前記不活性な貴金属からなる材料とから構成される共晶層を有することを特徴とするＲＦ−ＩＤメディア。
【請求項３】
一方の面に第１の配線パターンが形成され、他方の面に第２の配線パターンが形成された基材を少なくとも有し、前記第１の配線パターンと前記第２の配線パターンとが当該基材に設けられた穴部に形成された接続配線層を介して互いに接続されたＲＦ−ＩＤメディアにおいて、
前記第１及び第２の配線パターンは、少なくとも前記接続配線層と接触する領域が、不活性な貴金属からなる材料によって被覆されていることを特徴とするＲＦ−ＩＤメディア。
【請求項４】
一方の面に第１の配線パターンが形成され、他方の面に第２の配線パターンが形成された基材を少なくとも有し、前記第１の配線パターンと前記第２の配線パターンとが当該基材に設けられた穴部に前記第２の配線パターンとともに形成された接続配線層を介して互いに接続されたＲＦ−ＩＤメディアの製造方法であって、
前記基材の一方の面に前記第１の配線パターンを形成する工程と、
前記第１の配線パターンのうち少なくとも前記穴部が形成される領域の周囲を不活性な貴金属からなる材料によって被覆する工程と、
前記基材に前記穴部を形成する工程と、
前記第２の配線パターンとともに前記接続配線層を形成する工程とを有することを特徴とするＲＦ−ＩＤメディアの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載のＲＦ−ＩＤメディアの製造方法において、
前記第１の配線パターンを前記不活性な貴金属からなる材料によって被覆した後に、アニール処理によって前記第１の配線パターンと前記不活性な貴金属からなる材料との間に前記第１の配線パターンを構成する材料と前記不活性な貴金属からなる材料とから構成される共晶層を形成する工程と有することを特徴とするＲＦ−ＩＤメディアの製造方法。
【請求項６】
一方の面に第１の配線パターンが形成され、他方の面に第２の配線パターンが形成された基材を少なくとも有し、前記第１の配線パターンと前記第２の配線パターンとが当該基材に設けられた穴部に形成された接続配線層を介して互いに接続されたＲＦ−ＩＤメディアの製造方法であって、
前記基材上に前記第１及び第２の配線パターンをそれぞれ形成する工程と、
前記第１及び第２の配線パターンのうち少なくとも前記穴部が形成される領域の周囲を不活性な貴金属からなる材料によって被覆する工程と、
前記基材に前記穴部を形成する工程と、
前記穴部に前記接続配線層を形成する工程とを有することを特徴とするＲＦ−ＩＤメディアの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報の書き込み及び読み出しが可能なＩＣカード等のＲＦ−ＩＤメディア及びＲＦ−ＩＤメディアの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、情報化社会の進展に伴って、情報をカードに記録し、該カードを用いた情報管理や決済等が行われている。
【０００３】
このような情報管理や決済等に用いられるカードには、ＩＣチップが内蔵されたＩＣカードや、磁気により情報が書き込まれた磁気カード等があり、専用の装置を用いて情報の書き込み及び読み出しが行われる。
【０００４】
さらに、ＩＣカードにおいては、情報の書き込み及び読み出しを専用の装置に接触させることにより行う接触型ＩＣカードと、専用の装置に近接させるだけで情報の書き込み及び読み出しを行うことができる非接触型ＩＣカードがある。これらのＩＣカードは、磁気カードと比較してセキュリティ性が高いとともに書き込み可能な情報量が多く、また、１枚のカードを多目的に使用できるため、市場における普及度は増加の一途を辿っている。また、その中でも、非接触型ＩＣカードにおいては、情報の書き込みあるいは読み出しを行う際、カードを取り出して専用の装置に挿入したりする必要がなく取り扱いに便利なため、そのカード及び該カードに書き込まれた情報を読み取るための装置の急速な普及が進みつつある。
【０００５】
図３は、一般的な非接触型ＩＣカードの構造の一例を示す図であり、（ａ）は内部構造を示す図、（ｂ）は断面図、（ｃ）はベース基材１１５の表面を示す図、（ｄ）はベース基材１１５の裏面を示す図である。
【０００６】
本従来例における非接触型ＩＣカードは図３に示すように、絶縁性材料のシートからなるベース基材１１５上に、外部からの情報の書き込み及び読み出しが可能なＩＣチップ１１１が搭載されるとともに、ＩＣチップ１１１の接続端子１１４を介してＩＣチップ１１１と接続され、外部に設けられた情報書込／読出装置（不図示）からの電磁誘導によりＩＣチップ１１１に電流を供給し、ＩＣチップ１１１に対する情報の書き込み及び読み出しを非接触状態にて行うための導電性のアンテナ１１２が形成されたインレット１１０が、コア材１２０ａ，１２０ｂ及び表面シート１３０ａ，１３０ｂに挟まれるようにこれらが積層されて構成されている。なお、ベース基材１１５に形成されるアンテナ１１２は、ベース基材１１５のＩＣチップ１１１が搭載される面に形成されたアンテナパターン１１２ａ及びランド部１１３ａ〜１１３ｃと、ベース基材１１５の反対側の面に形成されたブリッジパターン１１２ｂ及びランド部１１３ｄ，１１３ｅとが、ランド部１１３ａとランド部１１３ｄとの間に形成されたスルーホール配線層１１６ａと、ランド部１１３ｂとランド部１１３ｅとの間に形成されたスルーホール配線層１１６ｂとによって互いに接続されることによって形成されている。
【０００７】
上記のように構成された非接触型ＩＣカードにおいては、外部に設けられた情報書込／読出装置に近接させることにより、情報書込／読出装置からの電磁誘導によりアンテナ１１２からＩＣチップ１１１に電流が供給され、それにより、非接触状態において、情報書込／読出装置からＩＣチップ１１１に情報が書き込まれたり、ＩＣチップ１１１に書き込まれた情報が情報書込／読出装置にて読み出されたりする。
【０００８】
以下に、上記のように構成された非接触型ＩＣカードの製造方法について説明する。
【０００９】
図４は、図３に示した非接触型ＩＣカードの製造方法を説明するための図である。
【００１０】
まず、ベース基材１１５のＩＣチップ１１１が搭載される面に、エッチングや印刷等によってアンテナパターン１１２ａ及びランド部１１３ａ〜１１３ｃを形成する（図４（ａ））。なお、アンテナパターン１１２ａ及びランド部１１３ａ〜１１３ｃの材質としては、銅や銀、アルミニウム等が例として挙げられるが、アルミニウムを用いた場合、製造コストを削減することができる。
【００１１】
次に、ベース基材１１５のランド部１１３ａ，１１３ｂが形成された領域にスルーホール１１７ａ，１１７ｂをそれぞれ形成する（図４（ｂ））。
【００１２】
次に、ベース基材１１５の反対側の面に、銀ペースト等の導電性ペーストを用いてブリッジパターン１１２ｂ及びランド部１１３ｄ，１１３ｅをスクリーン印刷やディスペンサによる塗布等により形成する（図４（ｃ））。この際、スルーホール１１７ａ，１１７ｂが形成された領域においては、ランド部１１３ｄ，１１３ｅが形成されるため、導電性ペーストが塗布されることになり、それにより、スルーホール１１７ａ，１１７ｂには、ＩＣチップ１１１が搭載される面とは反対側から導電性ペーストが流れ込む。これにより、ＩＣチップ１１１が搭載される面とは反対側からスルーホール１１７ａ，１１７ｂ内に流れ込んだ導電性ペーストによりスルーホール１１７ａ，１１７ｂ内にスルーホール配線層１１６ａ，１１６ｂがそれぞれ形成され、ランド部１１３ａとランド部１１３ｄ、並びに、ランド部１１３ｂとランド部１１３ｅとがそれぞれスルーホール配線層１１６ａ，１１６ｂを介して電気的に接続される。これにより、ランド部１１３ａからランド部１１３ｃまでが電気的に接続されてアンテナ１１２が形成される。
【００１３】
次に、ＩＣチップ１１１の接続端子１１４がランド部１１３ａ，１１３ｃと接続されるようにＩＣチップ１１１をベース基材１１５上に搭載し、インレット１１０を完成させる（図４（ｄ））。
【００１４】
その後、インレット１１０を、コア材１２０ａ，１２０ｂ及び表面シート１３０ａ，１３０ｂによって挟むように、インレット１１０、コア材１２０ａ，１２０ｂ及び表面シート１３０ａ，１３０ｂを積層し、加熱及び加圧により熱融着させて非接触型ＩＣカードを完成させる（図４（ｅ））。なお、インレット１１０とコア材１２０ａ，１２０ｂと表面シート１３０ａ，１３０ｂとは、上述したように熱融着によって接着される場合に限らず、インレット１１０とコア材１２０ａ，１２０ｂとの間、並びに、コア材１２０ａ，１２０ｂと表面シート１３０ａ，１３０ｂとの間に接着層を設け、この接着層によって接着する場合もある。
【００１５】
上述した工程によって製造された非接触型ＩＣカードにおいては、ＩＣチップ１１１が搭載される面に形成された配線パターンとなるアンテナパターン１１２ａやランド部１１３ａ，１１３ｂと、ＩＣチップ１１１が搭載される面とは反対側の面に形成されたブリッジパターン１１２ｂ及びランド部１１３ｄ，１１３ｅとが、アンテナパターン１１２ａ及びランド部１１３ａ〜１１３ｃが形成された後に、ランド部１１３ａ，１１３ｂが形成された領域に形成されるスルーホール配線層１１６ａ，１１６ｂを介して電気的に接続されることになるが、例えば、アンテナパターン１１２ａ及びランド部１１３ａ〜１１３ｃの材料としてアルミニウムを用いた場合、アルミニウムは活性度が高く酸化しやすいため、アンテナパターン１１２ａ及びランド部１１３ａ〜１１３ｃの表面が酸化してしまい、それにより、アンテナパターン１１２ａ及びランド部１１３ａ〜１１３ｃの表面の抵抗値が大きくなり、ランド部１１３ａ，１１３ｂとスルーホール配線層１１６ａ，１１６ｂとの間における導電性が低下し、アンテナパターン１１２ａとブリッジパターン１１２ｂとの間における導電性が低下してしまう虞れがある。特に、アルミニウムが高温多湿な環境下に放置されると、アルミニウムの表面の酸化物が増加し、抵抗値の増大によるランド部１１３ａ，１１３ｂとスルーホール配線層１１６ａ，１１６ｂとの間における接続不良が生じ、アンテナパターン１１２ａとブリッジパターン１１２ｂとが電気的に絶縁されてしまう虞れがある。
【００１６】
ここで、酸化防止機能を有する化合物を含む樹脂組成物によってアンテナパターン１１２ａを被覆し、それにより、アンテナパターン１１２ａの酸化防止を図る技術が考えられている（例えば、特許文献１参照。）。
【００１７】
【特許文献１】
特開平１１−３０６３０６号公報
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したように酸化防止機能を有する化合物を含む樹脂組成物によってアンテナパターンを被覆し、それにより、アンテナパターンの酸化防止を図るものにおいては、アンテナパターンの他の配線パターンとの接続部分については、導電性を確保するために樹脂組成物による被覆を除去する必要があり、そのため、上述したものと同様に、ランド部のスルーホール配線層との接続部分が酸化してしまい、それにより、アンテナパターンとブリッジパターンとの導電性が低下してしまう虞れがある。
【００１９】
本発明は、上述したような従来の技術が有する問題点に鑑みてなされたものであって、基材の一方の面に形成された配線パターンと他方の面に形成された配線パターンとが、基材に設けられた穴部に形成された接続配線層を介して互いに接続されるＲＦ−ＩＤメディアにおいて、基材の一方の面に形成された配線パターンと他方の面に形成された配線パターンとの間における導電性の低下を防止することができるＲＦ−ＩＤメディア及びＲＦ−ＩＤメディアの製造方法を提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は、
一方の面に第１の配線パターンが形成され、他方の面に第２の配線パターンが形成された基材を少なくとも有し、前記第１の配線パターンと前記第２の配線パターンとが当該基材に設けられた穴部に前記第２の配線パターンとともに形成された接続配線層を介して互いに接続されたＲＦ−ＩＤメディアにおいて、
前記第１の配線パターンは、少なくとも前記接続配線層と接触する領域が、不活性な貴金属からなる材料によって被覆されていることを特徴とする。
【００２１】
また、前記第１の配線パターンと前記不活性な貴金属からなる材料との間に、前記第１の配線パターンを構成する材料と前記不活性な貴金属からなる材料とから構成される共晶層を有することを特徴とする。
【００２２】
また、一方の面に第１の配線パターンが形成され、他方の面に第２の配線パターンが形成された基材を少なくとも有し、前記第１の配線パターンと前記第２の配線パターンとが当該基材に設けられた穴部に形成された接続配線層を介して互いに接続されたＲＦ−ＩＤメディアにおいて、
前記第１及び第２の配線パターンは、少なくとも前記接続配線層と接触する領域が、不活性な貴金属からなる材料によって被覆されていることを特徴とする。
【００２３】
また、一方の面に第１の配線パターンが形成され、他方の面に第２の配線パターンが形成された基材を少なくとも有し、前記第１の配線パターンと前記第２の配線パターンとが当該基材に設けられた穴部に前記第２の配線パターンとともに形成された接続配線層を介して互いに接続されたＲＦ−ＩＤメディアの製造方法であって、
前記基材の一方の面に前記第１の配線パターンを形成する工程と、
前記第１の配線パターンのうち少なくとも前記穴部が形成される領域の周囲を不活性な貴金属からなる材料によって被覆する工程と、
前記基材に前記穴部を形成する工程と、
前記第２の配線パターンとともに前記接続配線層を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００２４】
また、前記第１の配線パターンを前記不活性な貴金属からなる材料によって被覆した後に、アニール処理によって前記第１の配線パターンと前記不活性な貴金属からなる材料との間に前記第１の配線パターンを構成する材料と前記不活性な貴金属からなる材料とから構成される共晶層を形成する工程と有することを特徴とする。
【００２５】
また、一方の面に第１の配線パターンが形成され、他方の面に第２の配線パターンが形成された基材を少なくとも有し、前記第１の配線パターンと前記第２の配線パターンとが当該基材に設けられた穴部に形成された接続配線層を介して互いに接続されたＲＦ−ＩＤメディアの製造方法であって、
前記基材上に前記第１及び第２の配線パターンをそれぞれ形成する工程と、
前記第１及び第２の配線パターンのうち少なくとも前記穴部が形成される領域の周囲を不活性な貴金属からなる材料によって被覆する工程と、
前記基材に前記穴部を形成する工程と、
前記穴部に前記接続配線層を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００２６】
（作用）
上記のように構成された本発明においては、基材の一方の面に形成された第１の配線パターンと他方の面に形成された第２の配線パターンとが、基材に設けられた穴部に形成された接続配線層を介して互いに接続されているが、第１の配線パターンが形成された後に第２の配線パターンとともに接続配線層が形成される場合は、第１の配線パターンの少なくとも接続配線層と接触する領域が、不活性な貴金属からなる材料によって被覆されているので、第１の配線パターンの接続配線層との接続部分が酸化することがなくなり、それにより、基材の一方の面に形成された第１の配線パターンと他方の面に形成された第２の配線パターンとの間における導電性の低下が防止される。また、第１及び第２の配線パターンが形成された後に接続配線層が形成される場合は、第１及び第２の配線パターンの少なくとも接続配線層と接触する領域が、それぞれ不活性な貴金属からなる材料によって被覆されているので、第１及び第２の配線パターンの接続配線層との接続部分がそれぞれ酸化することがなくなり、それにより、基材の一方の面に形成された第１の配線パターンと他方の面に形成された第２の配線パターンとの間における導電性の低下が防止される。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２８】
図１は、本発明のＲＦ−ＩＤメディアの実施の一形態である非接触型ＩＣカードの構造を示す図であり、（ａ）は内部構造を示す図、（ｂ）は断面図、（ｃ）はベース基材１５の表面を示す図、（ｄ）はベース基材１５の裏面を示す図、（ｅ）はランド部１３ａ，１３ｂ近傍のインレット１０の断面図である。
【００２９】
本形態は図１に示すように、絶縁性材料のシートからなるベース基材１５上に、外部からの情報の書き込み及び読み出しが可能なＩＣチップ１１が搭載されるとともに、ＩＣチップ１１の接続端子１４を介してＩＣチップ１１と接続され、外部に設けられた情報書込／読出装置（不図示）からの電磁誘導によりＩＣチップ１１に電流を供給し、ＩＣチップ１１に対する情報の書き込み及び読み出しを非接触状態にて行うための導電性のアンテナ１２が形成され、さらに、アンテナ１２を構成するアンテナパターン１２ａ及びランド部１３ａ〜１３ｃ上にめっき等の方法によって不活性な貴金属からなる被覆薄膜１８が形成されたインレット１０が、コア材２０ａ，２０ｂ及び表面シート３０ａ，３０ｂに挟まれるようにこれらが積層されて構成されている。なお、ベース基材１５に形成されるアンテナ１２は、ベース基材１５のＩＣチップ１１が搭載される面に形成された第１の配線パターンであるアンテナパターン１２ａ及びランド部１３ａ〜１３ｃと、ベース基材１５の反対側の面に形成された第２の配線パターンであるブリッジパターン１２ｂ及びランド部１３ｄ，１３ｅとが、ランド部１３ａとランド部１３ｄとの間に形成された接続配線層であるスルーホール配線層１６ａと、ランド部１３ｂとランド部１３ｅとの間に形成された接続配線層であるスルーホール配線層１６ｂとによって互いに接続されることによって形成されている。
【００３０】
上記のように構成された非接触型ＩＣカードにおいては、外部に設けられた情報書込／読出装置に近接させることにより、情報書込／読出装置からの電磁誘導によりアンテナ１２からＩＣチップ１１に電流が供給され、それにより、非接触状態において、情報書込／読出装置からＩＣチップ１１に情報が書き込まれたり、ＩＣチップ１１に書き込まれた情報が情報書込／読出装置にて読み出されたりする。
【００３１】
以下に、上記のように構成された非接触型ＩＣカードの製造方法について説明する。
【００３２】
図２は、図１に示した非接触型ＩＣカードの製造方法を説明するための図である。
【００３３】
まず、ベース基材１５のＩＣチップ１１が搭載される面に、銅や銀、あるいはアルミニウムからなるアンテナパターン１２ａ及びランド部１３ａ〜１３ｃを形成する（図２（ａ））。なお、アンテナパターン１２ａ及びランド部１３ａ〜１３ｃの形成方法としては、アンテナパターン１２ａ及びランド部１３ａ〜１３ｃを銅から形成する場合は、エッチングや印刷等の方法が考えられ、また、アンテナパターン１２ａ及びランド部１３ａ〜１３ｃを銀から形成する場合は、銀ペーストのスクリーン印刷等の方法が考えられる。また、アンテナパターン１２ａ及びランド部１３ａ〜１３ｃをアルミニウムから形成する場合は、ベース基材１５上にアルミニウム箔を接着剤で接着した後、フォトレジスト塗布−露光現象を用いて形成する方法や、アンテナパターン１２ａにおいては、ベース基材１５上にてアルミニウムワイヤーをコイル状に配置し、その後、コイル状のアルミニウムワイヤーを圧延することによりアンテナパターン１２ａを形成する方法等が考えられる。また、アンテナパターン１２ａ及びランド部１３ａ〜１３ｃの材質としてアルミニウムを用いた場合は、製造コストを削減することができる。
【００３４】
次に、めっき等の方法によって、アンテナパターン１２ａ及びランド部１３ａ〜１３ｃ上に、金、銀、あるいはパラジウム等の不活性な貴金属等からなる被覆薄膜１８を形成する（図２（ｂ））。この被覆薄膜１８は、例えば、ニッケルを下地とした一般的な亜鉛置換タイプの電気ニッケル−金めっき法等によって形成されるが、ニッケルのみから構成してもよい。また、アンテナパターン１２ａ及びランド部１３ａ〜１３ｃ上に金ワイヤーを配置して圧延することによって形成することも考えられる。また、アンテナパターン１２ａをアルミニウムから形成し、その形成方法として、ベース基材１５上にてアルミニウムワイヤーをコイル状に配置し、その後、コイル状のアルミニウムワイヤーを圧延することによりアンテナパターン１２ａを形成する場合は、圧延前のアルミニウムワイヤーに金箔を巻きつけ、それを圧延することによりアンテナパターン１２ａを被覆薄膜１８によって被覆することが考えられる。
【００３５】
次に、ベース基材１５のランド部１３ａ，１３ｂが形成された領域にスルーホール１７ａ，１７ｂをそれぞれ形成する（図２（ｃ））。
【００３６】
なお、図２（ｂ）に示した被覆薄膜１８を形成する工程と、図２（ｃ）に示したスルーホール１７ａ，１７ｂを形成する工程とは、互いに順序を入れ替えて行うことも考えられる。
【００３７】
この状態において、アンテナパターン１２ａ及びランド部１３ａ〜１３ｃ上に被覆薄膜１８が形成されたベース基材１５を、窒素等の不活性ガス雰囲気中において過熱アニール処理すると、アンテナパターン１２ａ及びランド部１３ａ〜１３ｃと被覆薄膜１８との間に、アンテナパターン１２ａ及びランド部１３ａ〜１３ｃを構成する材料の結晶と被覆薄膜１８を構成する材料の結晶とが融合してなる共晶層が形成される。
【００３８】
次に、ベース基材１５の反対側の面に、銀ペースト等の導電性ペーストを用いてブリッジパターン１２ｂ及びランド部１３ｄ，１３ｅをスクリーン印刷やディスペンサによる塗布等により形成する（図２（ｄ））。この際、スルーホール１７ａ，１７ｂが形成された領域においては、ランド部１３ｄ，１３ｅが形成されるため、導電性ペーストが塗布されることになり、それにより、スルーホール１７ａ，１７ｂには、ＩＣチップ１１が搭載される面とは反対側から導電性ペーストが流れ込む。これにより、図１（ｅ）に示したように、ＩＣチップ１１が搭載される面とは反対側からスルーホール１７ａ，１７ｂ内に流れ込んだ導電性ペーストによりスルーホール１７ａ，１７ｂ内にスルーホール配線層１６ａ，１６ｂがそれぞれ形成され、ランド部１３ａとランド部１３ｄ、並びに、ランド部１３ｂとランド部１３ｅとがそれぞれスルーホール配線層１６ａ，１６ｂを介して電気的に接続される。これにより、ランド部１３ａからランド部１３ｃまでが電気的に接続されてアンテナ１２が形成される。また、この際、スルーホール配線層１６ａ，１６ｂとランド部１３ａ，１３ｂとは、ランド部１３ａ，１３ｂ上に形成された被覆薄膜１８を介して接続されることになる。
【００３９】
次に、ＩＣチップ１１の接続端子１４がランド部１３ａ，１３ｃと接続されるようにＩＣチップ１１をベース基材１５上に搭載し、インレット１０を完成させる（図２（ｅ））。
【００４０】
その後、インレット１０を、コア材２０ａ，２０ｂ及び表面シート３０ａ，３０ｂによって挟むように、インレット１０、コア材２０ａ，２０ｂ及び表面シート３０ａ，３０ｂを積層し、加熱及び加圧により熱融着させて非接触型ＩＣカードを完成させる（図２（ｆ））。なお、インレット１０とコア材２０ａ，２０ｂと表面シート３０ａ，３０ｂとは、上述したように熱融着によって接着される場合に限らず、インレット１０とコア材２０ａ，２０ｂとの間、並びに、コア材２０ａ，２０ｂと表面シート３０ａ，３０ｂとの間に接着層を設け、この接着層によって接着することも考えられる。
【００４１】
上述した工程により製造された非接触型ＩＣカードにおいては、アンテナパターン１２ａ及びランド部１３ａ〜１３ｃが不活性な貴金属からなる被覆薄膜１８によって被覆されているため、アンテナパターン１２ａ及びランド部１３ａ〜１３ｃの表面が酸化することがなくなり、それにより、アンテナパターン１２ａ及びランド部１３ａ〜１３ｃが設けられた面とは反対側の面からスルーホール１７ａ，１７ｂに導電性ペーストが流し込まれることにより形成されるスルーホール配線層１６ａ，１６ｂと、ランド部１３ａ，１３ｂとの間における導電性が低下することがなくなり、アンテナパターン１２ａとブリッジパターン１２ｂとの間における導電性の低下が防止される。特に、例えば、アンテナパターン１２ａ及びランド部１３ａ，１３ｂに活性度の高いアルミニウム等を用いた場合においても、アンテナパターン１２ａ及びランド部１３ａ〜１３ｃの表面の酸化を防止することができるため、製造コストを低減することができる。
【００４２】
なお、本形態においては、ベース基材１５の一方の面に形成されたアンテナパターン１２ａ及びランド部１３ａ〜１３ｃの全ての配線パターン上に被覆薄膜１８が形成されているが、スルーホール配線層１６ａ，１６ｂと接続されるランド部１３ａ，１３ｂ上のみに被覆薄膜１８を形成することも考えられる。
【００４３】
また、本形態においては、ベース基材１５の一方の面に形成されたアンテナパターン１２ａ及びランド部１３ａ〜１３ｃ上に被覆薄膜１８が形成されているが、ベース基材１５の両面に配線パターンをそれぞれ形成した後、これらの配線パターンをスルーホール配線によって互いに接続する場合は、ベース基材１５の両面にそれぞれ形成された配線パターン上に被覆薄膜１８を形成することが考えられる。なお、その場合においても、配線パターン上に被覆薄膜１８を形成した後にアニール処理を行うことにより配線パターンと被覆膜膜１８との間に共晶層を形成することができる。
【００４４】
また、本形態においては、ＲＦ−ＩＤメディアとして非接触状態にて情報の書き込み及び読み出しが可能な非接触型ＩＣカードを例に挙げて説明したが、非接触型ＩＣタグや非接触型ＩＣラベル、あるいは、非接触状態及び接触状態にて情報の書き込み及び読み出しが行われる複合型ＩＣカード等も本発明に含まれることは言うまでもない。
【００４５】
また、情報の書き込み及び読み出しが可能なＩＣチップが搭載されたものに限らず、アンテナパターンが形成され、共振点の違いによってタグの有無が認識される共振タグのような非接触認識媒体等、ベース基材の表裏に互いに接続される配線パターンが形成されたものについても本発明のＲＦ−ＩＤメディアに含まれる。
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように本発明においては、一方の面に第１の配線パターンが形成され、他方の面に第２の配線パターンが形成された基材を少なくとも有し、第１の配線パターンと第２の配線パターンとが当該基材に設けられた穴部に第２の配線パターンとともに形成された接続配線層を介して互いに接続されたＲＦ−ＩＤメディアにおいて、第１の配線パターンの少なくとも接続配線層と接触する領域が、不活性な貴金属からなる材料によって被覆されている構成としたため、第１の配線パターンの接続配線層との接続部分が酸化することがなくなり、それにより、基材の一方の面に形成された第１の配線パターンと他方の面に形成された第２の配線パターンとの間における導電性の低下を防止することができる。
【００４７】
また、一方の面に第１の配線パターンが形成され、他方の面に第２の配線パターンが形成された基材を少なくとも有し、第１の配線パターンと第２の配線パターンとが当該基材に設けられた穴部に形成された接続配線層を介して互いに接続されたＲＦ−ＩＤメディアにおいて、第１及び第２の配線パターンの少なくとも接続配線層と接触する領域が、不活性な貴金属からなる材料によって被覆されている構成としたものにおいては、第１及び第２の配線パターンの接続配線層との接続部分が酸化することがなくなり、それにより、基材の一方の面に形成された第１の配線パターンと他方の面に形成された第２の配線パターンとの間における導電性の低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＲＦ−ＩＤメディアの実施の一形態である非接触型ＩＣカードの構造を示す図であり、（ａ）は内部構造を示す図、（ｂ）は断面図、（ｃ）はベース基材の表面を示す図、（ｄ）はベース基材の裏面を示す図、（ｅ）はランド部近傍のインレットの断面図である。
【図２】図１に示した非接触型ＩＣカードの製造方法を説明するための図である。
【図３】一般的な非接触型ＩＣカードの構造の一例を示す図であり、（ａ）は内部構造を示す図、（ｂ）は断面図、（ｃ）はベース基材の表面を示す図、（ｄ）はベース基材の裏面を示す図である。
【図４】図３に示した非接触型ＩＣカードの製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
１０    インレット
１１    ＩＣチップ
１２    アンテナ
１２ａ    アンテナパターン
１２ｂ    ブリッジパターン
１３ａ〜１３ｅ    ランド部
１４    接続端子
１５    ベース基材
１６ａ，１６ｂ    スルーホール配線層
１７ａ，１７ｂ    スルーホール
１８    被覆薄膜
２０ａ，２０ｂ    コア材
３０ａ，３０ｂ    表面シート
【図１】
2004280391.tif 000003
【図２】
2004280391.tif 000004
【図３】
2004280391.tif 000005
【図４】
2004280391.tif 000006