(57)【要約】【課題】ＤＶＤ−ＲＯＭとの互換性が高く、保存安定性に優れ、少なくとも４倍速で良好な繰り返し記録が可能であって、かつ、１〜２．４倍速では、記録パワー１５ｍＷ以下で、１Ｔ周期のマルチパルスを用いた記録パルス波形により良好な記録が可能な光記録媒体の提供。【解決手段】蛇行溝を設けた透明基板上に、下部保護層、記録層、上部保護層、硫化防止層、反射層、界面層を有し、波長６６０±１０ｎｍ、ＮＡ０．６５のピックアップヘッドを用いてパワー１１±１ｍＷの連続光を照射することにより計測した転移線速が８〜１１ｍ／ｓの範囲にあり、かつ、未記録状態の反射率Ｒｂと繰り返し記録１０回後のアイパターン上部の反射率Ｒａの差ΔＲ＝｜Ｒｂ−Ｒａ｜が３％以内である光記録媒体。【選択図】　　　　図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
トラックピッチ０．７４±０．０３μｍ、溝深さ２２〜４０ｎｍ、溝幅０．１７〜０．３０μｍの蛇行溝を設けた透明基板上に、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物からなる下部保護層、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｇｅを含有する記録層、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物からなる上部保護層、ＳｉＣ、Ｓｉ、又はそれらの何れかを主成分とする材料からなる硫化防止層、Ａｇ又はＡｇ合金からなる反射層がこの順に形成され、記録層と下部保護層との間、又は記録層と上部保護層との間のうち何れか一方或いは両方に酸化物からなる界面層が設けられており、波長６６０±１０ｎｍ、ＮＡ０．６５のピックアップヘッドを用いてパワー１１±１ｍＷの連続光を照射することにより計測した転移線速が８〜１１ｍ／ｓの範囲にあり、かつ、未記録状態における反射率Ｒｂと繰り返し記録１０回後のアイパターン上部の反射率Ｒａの差ΔＲ＝｜Ｒｂ−Ｒａ｜が３％以内であることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
下部保護層の厚さが４０〜２２０ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】
上部保護層の厚さが２〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項１又は２記載の光記録媒体。
【請求項４】
記録層組成は、ＳｂとＴｅの原子比率Ｓｂ／（Ｓｂ＋Ｔｅ）が０．７４〜０．７９、「Ａｇ，Ｉｎ，Ｇｅ」の合計含有量が４〜１０原子％、かつ各々の含有量（原子％）が、０．１≦Ａｇ≦１、２≦Ｉｎ≦６、２≦Ｇｅ≦６であることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の光記録媒体。
【請求項５】
記録層の厚さが８〜２２ｎｍであることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の光記録媒体。
【請求項６】
反射層の厚さが９０〜２００ｎｍであることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の光記録媒体。
【請求項７】
硫化防止層の厚さが３〜２２ｎｍであることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の光記録媒体。
【請求項８】
酸化物からなる界面層は、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５から選ばれる少なくとも１種の酸化物を含むことを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載の光記録媒体。
【請求項９】
酸化物からなる界面層の厚さが１〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、相変化型光記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
ＤＶＤ−ＲＯＭドライブによる再生互換性の高い相変化型光記録媒体としては、特許文献１に開示されているような発明があるが、高速記録や下位互換性（低線速度での互換性）までは考慮されていない。
良好な高速記録を達成する手段としては、特許文献２〜４のように記録層組成を高速記録に適した組成に限定したものや、特許文献５〜９のように主に結晶化促進を目的とした層を記録層に接するように設けたもの、また、特許文献１０〜１１のように反射層をＡｇ又はＡｇ合金とした発明もある。しかし、これらは何れも記録層の結晶化速度を向上させることにより良好な高速記録を行うものであり、これだけでは、本発明のような、高速記録が可能で、かつ下位互換性を有する光記録媒体を達成することはできない。
特許文献１２では、上部保護層を２層化することにより広い線速で良好なオーバーライト特性を示すとしているが、下位互換性までは考慮されていない。
特許文献１３には、１．２〜３０ｍ／ｓの各記録線速で記録可能となるような媒体が規定されており、高速記録にも対応できるが、これも下位互換性までは考慮されていない。
【０００３】
一方、本出願人は先に、４倍速記録が可能で、かつ、１〜２．４倍速での下位互換性がある媒体について、下記（１）〜（３）の出願を行った。
（１）特願２００２−０２０５５３８号
「基板上に少なくとも相変化記録層と反射層を有し、少なくともＣＡＶ記録によるオーバーライトが可能な記録線速範囲以上の記録線速範囲を有し、反射率低下線速（転移線速）が記録可能な線速範囲内にある光記録媒体。」
（２）特願２００２−０２０３０８７号
「再結晶化上限速度（転移線速）Ｖｃｕが最高記録線速Ｖｍａｘと最低記録線速Ｖｍｉｎの間にあって、Ｖｃｕが
（Ｖｍａｘ＋Ｖｍｉｎ）／２＜Ｖｃｕ＜｛（Ｖｍａｘ＋Ｖｍｉｎ）／２｝＋３
である光記録媒体。」
（３）特願２００２−０２０６８９７号
「記録層材料として特定組成比のＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅを用いた光記録媒体。」
【０００４】
ＤＶＤ＋ＲＷは相変化型光記録媒体の一種で、ＤＶＤ−ＲＯＭと互換性の高い繰り返し記録可能な媒体であり、「ＤＶＤ＋ＲＷ　４．７Ｇｂｙｔｅｓ　Ｂａｓｉｃ　Ｆｏｒｍａｔ　Ｓｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎｓ　Ｓｙｓｔｅｍ　Ｄｅｓｃｒｉｐｔｉｏｎ」に規格化され、動画の記録媒体やパーソナルコンピュータの外部記憶媒体として実用化されている。
相変化型光記録媒体は基板上の記録層薄膜にレーザー光を照射して記録層を加熱し、記録層構造を結晶と非晶質間で相変化させることによりディスク反射率を変えて情報を記録・消去するものである。通常は未記録状態を高反射率の結晶相とし、これに低反射率の非晶質相からなるマークと高反射率の結晶相からなるスペースを形成することにより情報を記録する。マークとスペースを繰り返し記録する方法として、ＤＶＤ＋ＲＷで使用されている方式を図１、２に示した。
レーザーパワーをピークパワーＰｐ、消去パワーＰｅ、バイアスパワーＰｂ（Ｐｐ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）の３値に変調した記録パルス波形を用いる。ＰｂとＰｅからなるパルス列を照射されると記録層は溶融と急冷を繰り返し非晶質マークが形成される。Ｐｅが照射されると記録層は徐冷され、スペースが形成される。
ＤＶＤ＋ＲＷでは、図１中に示したｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｍｐ、ｄＴｅｒａの４つのパラメータにより記録パルス波形が決められる。Ｔは基準クロックであり、ＰｐとＰｂからなるパルス列の先頭と後端の間のパルス列は、マルチパルスと呼ばれ、１Ｔ周期で設けられている。ここで、ｄＴｔｏｐは先頭パルス開始時間、Ｔｔｏｐは先頭パルスの幅、Ｔｍｐはマルチパルス部のピ−クパワーパルスの幅、Ｔｗは基準クロックの幅、ｄＴｅｒａは消去開始時間である。
【０００５】
ＤＶＤ＋ＲＷは、現在、１〜２．４倍速（３．４９〜８．４４ｍ／ｓ）で記録再生が可能であるが、大容量のデータを扱うことから、より高速で記録再生が可能な媒体が求められている。高速で記録可能な媒体は、前記特許文献２〜９にあるように、一般的には記録層組成の調整や、主に結晶化促進を目的とした層を記録層に接するように設けるなどして、記録層の結晶化速度を速めることにより達成できる。しかし、記録層の結晶化速度を速くした場合には、より高い記録パワーを用いるか、或いは、１Ｔ周期のマルチパルスから逸脱した記録パルス波形を用いるかしないと良好な記録はできない。従って、このような媒体に対して現在普及している１〜２．４倍速で記録可能なドライブ（記録パワーの最大値１５ｍＷ）を用いて記録を行おうとしてもパワー不足で記録が行えないという不具合を生じる。また記録パルス波形の大幅な変更もファームウェアでは対応できない。そこで、ＤＶＤ−ＲＯＭとの互換性が高く、少なくとも４倍速（１４ｍ／ｓ）で良好な繰り返し記録が可能であって、かつ、１〜２．４倍速では記録パワー１５ｍＷ以下で、１Ｔ周期のマルチパルスを用いた記録パルス波形で良好な記録が可能な媒体を形成するため、前記先願発明１〜３のように結晶化速度を適当な値に調整する手段を採用すれば下位互換性を確保し易くなる。しかし、本発明者らが更にこれら先願発明の保存安定性について詳細な検討を行ったところ、初期化後、室温で１〜２週間程度放置すると、４倍速記録の記録特性が劣化する場合があることが分った。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２−２３７０９６号公報
【特許文献２】
特許第３１５０２６７号公報
【特許文献３】
特開２００１−５６９５８号公報
【特許文献４】
特開２００２−９６５６０号公報
【特許文献５】
特開２００２−２３７０９５号公報
【特許文献６】
特開平６−１９５７４７号公報
【特許文献７】
特開平１１−３３９３１４号公報
【特許文献８】
特開２００１−１６７４７５号公報
【特許文献９】
特開２００２−２２２５４３号公報
【特許文献１０】
特開２００２−１０００７５号公報
【特許文献１１】
特開２００２−２３７０８８号公報
【特許文献１２】
特開２００２−１９０１３８号公報
【特許文献１３】
特開２００２−２４５６６３号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、ＤＶＤ−ＲＯＭとの互換性が高く、保存安定性に優れ、少なくとも４倍速（１４ｍ／ｓ）で良好な繰り返し記録が可能であって、かつ、１〜２．４倍速では、記録パワー１５ｍＷ以下で、１Ｔ周期のマルチパルスを用いた記録パルス波形により良好な記録が可能な光記録媒体を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、次の１）〜９）の発明によって解決される。
１）　トラックピッチ０．７４±０．０３μｍ、溝深さ２２〜４０ｎｍ、溝幅０．１７〜０．３０μｍの蛇行溝を設けた透明基板上に、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物からなる下部保護層、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｇｅを含有する記録層、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物からなる上部保護層、ＳｉＣ、Ｓｉ、又はそれらの何れかを主成分とする材料からなる硫化防止層、Ａｇ又はＡｇ合金からなる反射層がこの順に形成され、記録層と下部保護層との間、又は記録層と上部保護層との間のうち何れか一方或いは両方に酸化物からなる界面層が設けられており、波長６６０±１０ｎｍ、ＮＡ０．６５のピックアップヘッドを用いてパワー１１±１ｍＷの連続光を照射することにより計測した転移線速が８〜１１ｍ／ｓの範囲にあり、かつ、未記録状態における反射率Ｒｂと繰り返し記録１０回後のアイパターン上部の反射率Ｒａの差ΔＲ＝｜Ｒｂ−Ｒａ｜が３％以内であることを特徴とする光記録媒体。
２）　下部保護層の厚さが４０〜２２０ｎｍであることを特徴とする１）記載の光記録媒体。
３）　上部保護層の厚さが２〜２０ｎｍであることを特徴とする１）又は２）記載の光記録媒体。
４）　記録層組成は、ＳｂとＴｅの原子比率Ｓｂ／（Ｓｂ＋Ｔｅ）が０．７４〜０．７９、「Ａｇ，Ｉｎ，Ｇｅ」の合計含有量が４〜１０原子％、かつ各々の含有量（原子％）が、０．１≦Ａｇ≦１、２≦Ｉｎ≦６、２≦Ｇｅ≦６であることを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の光記録媒体。
５）　記録層の厚さが８〜２２ｎｍであることを特徴とする１）〜４）の何れかに記載の光記録媒体。
６）　反射層の厚さが９０〜２００ｎｍであることを特徴とする１）〜５）の何れかに記載の光記録媒体。
７）　硫化防止層の厚さが３〜２２ｎｍであることを特徴とする１）〜６）の何れかに記載の光記録媒体。
８）　酸化物からなる界面層は、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５から選ばれる少なくとも１種の酸化物を含むことを特徴とする１）〜７）の何れかに記載の光記録媒体。
９）　酸化物からなる界面層の厚さが１〜２０ｎｍであることを特徴とする１）〜８）の何れかに記載の光記録媒体。
【０００９】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
記録層が形成される基板には、トラッキングのための案内溝が設けられるが、ＤＶＤ−ＲＯＭとの互換性を有するためには、トラックピッチは０．７４±０．０３μｍとＤＶＤ＋ＲＷ規格に定められている。更に、案内溝は周期的に蛇行しており、蛇行の位相を１８０°反転することによりアドレスやメディアの情報を組み込めるように、ＤＶＤ＋ＲＷ規格に定められている。
蛇行溝から読み出されるウォブル情報のキャリア・ノイズの振幅は、実際の蛇行溝の振幅を１５〜４０ｎｍ、好ましくは２０〜４０ｎｍにした場合に良好な結果を与える。１５ｎｍ以下の場合にはキャリアの量が小さくなりすぎ、結果として位相反転により蛇行溝に刻まれたアドレス情報やメディア情報の読み出し誤り率が大きくなってしまう。また、４０ｎｍよりも大きい場合には、隣接する蛇行溝からの干渉を受け取ることによって、ノイズ成分が大きくなってきて、結果として情報の読み取り誤り率が高くなってしまう。更に、スタンパの作成時、つまり露光工程において変調素子の負荷が大きくなり、メディア全周に渡って安定した溝が形成できなくなる恐れもある。
【００１０】
溝の深さは２２〜４０ｎｍがよく、好ましくは２４〜３０ｎｍとする。２２ｎｍより小さい場合には、記録装置が案内溝を判定するプッシュプル信号が小さくなりすぎるため、安定したサーボ特性が得られず、トラッキングができなくなってしまう。４０ｎｍより大きい場合には反射率が低下し、更に、ジッター、変調度も悪くなってしまう。
溝の幅は０．１７〜０．３０μｍがよく、好ましくは０．２０〜０．２８μｍとする。０．１７μｍより小さい場合には反射率低下が起り、０．３０μｍより大きい場合にはデータサーチ時にトラッククロス信号が小さくなりすぎ、サーチがうまくできない不具合を生ずる。
【００１１】
上述の形状の蛇行溝を有する透明基板上に、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物からなる下部保護層、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｇｅを含有する記録層、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物からなる上部保護層、ＳｉＣ、Ｓｉ、又はそれらの何れかを主成分とする材料からなる硫化防止層、Ａｇ又はＡｇ合金からなる反射層をこの順に形成し、記録層と下部保護層との間、又は記録層と上部保護層との間のうち何れか一方或いは両方に酸化物からなる界面層を設け、更に各層の構成材料や厚さを選択して、波長６６０±１０ｎｍ、ＮＡ０．６５のピックアップヘッドを用いてパワー１１±１ｍＷの連続光を照射することにより計測した転移線速が８〜１１ｍ／ｓの範囲にあり、かつ、未記録状態における反射率Ｒｂと繰り返し記録１０回後のアイパターン上部の反射率Ｒａの差ΔＲ＝｜Ｒｂ−Ｒａ｜が３％以内である光記録媒体とすることにより、４倍速で良好な繰り返し記録特性が可能であり、かつ、ＤＶＤの１〜２．４倍速を記録できる現行のドライブでの記録、即ち、１〜２．４倍速では、記録パワー１５ｍＷ以下で、１Ｔ周期のマルチパルスを用いた記録パルス波形により良好な記録が可能な光記録媒体を得ることができる。なお、アイパターン上部の反射率は、１４Ｔスペースの反射率と言い換えることもできる。また、図面などでＩｔｏｐと略称することもある。
【００１２】
透明基板は、耐熱性、耐衝撃性、低吸水性などの点から、ポリカーボネートが好ましい。屈折率は１．５〜１．６５が好ましく、１．６５よりも高い場合にはディスク全体の反射率低下が起り、１．５よりも低い場合には反射率の増加により変調度が不足してしまう。
また、透明基板の複屈折に関しては５０ｎｍ以下が好ましく、これよりも高い場合にはディスク全体の反射率低下が起る。特にディスク半径方向に分布がある場合には、反射率も同様な分布を示すようになるため、なるべく小さい値であることが望ましい。
透明基板の厚さに関しては０．５９〜０．６２ｍｍが好ましく、０．６２ｍｍを超えるとピックアップのフォーカス性能に問題を生じる。また、０．５９ｍｍよりも薄いと記録再生装置のクランプの甘さから回転数が不安定になる問題も生じる。更に、円周方向の厚さムラにより上記の範囲を超える厚さの部分が存在する場合には、信号強度が周内で変動してしまうという問題も生じる。
【００１３】
高速で繰り返し記録を行う場合には、非晶質マークを高速結晶化する必要があるため、記録層の組成を調整することにより結晶化速度を速くする。
しかし、結晶化速度が速いと高速消去には有利であるが、マルチパルスによって非晶質マークを形成する際に再結晶化が進み易いため十分な大きさのマークが形成できなくなってしまうという問題が生じる。この問題は、記録パワーを照射する時間とボトムパワーを照射する時間の合計を１Ｔとする１Ｔ周期のパルスストラテジではなく、周期を１Ｔより大きくすることによりボトムパワーを照射する時間を十分長くして再結晶化領域をなるべく小さくすること、又は、高パワーのパルスを短時間照射して冷却時間を十分長くとれるようにすることなどによって回避することができる。
結晶化速度の速い記録層を用いた光記録媒体に低速で記録するに際し、結晶化速度が遅い記録層を用いた光記録媒体に低速で記録する場合と同様のパワーやストラテジを用いると、やはり再結晶化により大きなマークが形成できず変調度が小さくなってしまうため、マルチパルスの周期を変更するか、或いは、記録パワーを高くする等の変更が必要になる。しかし、これらの変更は現在商品化され使用されている１〜２．４倍速記録用のドライブでは対応が不可能であり、下位互換は実現できない。
【００１４】
下位互換性を実現するためには結晶化速度に上限が課せられる。そこで、記録層の組成比の調整により結晶化速度を変えて下位互換性を評価した。但し、結晶化速度を直接測定することは困難であるため、代用特性として以下に説明する転移線速と呼ぶ値を用いた。
光記録媒体を一定線速で回転させ、ピックアップでトラッキングしながら連続光を１周に渡って照射した後、反射率を測定する。照射する連続光のパワーを一定とし、回転線速を変えて同じ測定をすると、線速が遅い場合には反射率が高いが、ある線速以上になると反射率が低下し始める。この反射率が低下し始める時の線速を転移線速と呼ぶ。この様子を図３に示した。ここでは、線速に対して反射率がほぼ一定の部分と、線速に対して反射率が低下していく部分に直線を引き、これらの交点を転移線速と決めた。転移線速より遅い線速では、記録層は結晶状態であり、転移線速より速くなると非晶質層が形成され始めることを示している。この転移線速は記録層の結晶化速度の他、照射する連続光のパワー、媒体を形成する各層の膜厚によって決まる。
【００１５】
一般的に、同じ記録パルス波形を用いて記録した場合には、転移線速が速くなると変調度は小さくなる傾向にある。その理由を図５により説明すると、パルス列を照射して非晶質マークを形成する際、図５（ａ）に示すような先頭パルスのＰｐの照射により記録層が溶融し、Ｐｂに変調されることにより急冷されるので、図５（ｂ）に示すように、溶融領域が非晶質相となる。冷却される際、結晶相と接しているところから一部は結晶化する。次に、図５（ｂ）に示すような２番目のパルスのＰｐの照射により記録層が溶融するが、このとき、先頭パルスにより既に形成されていた非晶質部分も加熱され、結晶相と接している部分から更に結晶化してしまうため、図５（ｄ）に示すように非晶質部分は小さくなる。このような過程を経てマークが形成されるが、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、再結晶化部分は、転移線速が遅い場合、即ち、結晶化速度が遅い場合に比べて、転移線速が速い場合、即ち、結晶化速度が速い場合の方が大きくなる。従って、同じ記録パルス波形を照射した場合であって、溶融領域や冷却速度が同じであったとしても、転移線速が速い場合には、形成されるマークは小さくなってしまう。このため、転移線速が速い記録層を用いた場合には変調度が小さくなってしまう。
【００１６】
また、変調度は、Ｐｐが小さい場合や記録線速が速い場合も小さくなる傾向がある。これは、どちらの場合も記録層の加熱が不十分なため溶融領域が小さく、大きなマークが形成できないためである。ＤＶＤ＋ＲＷ規格ｖｅｒ．１．１の規格に則れば、最適化されたＰｐに０．８５を乗じたパワーでも良好な記録（ジッター９％以下、変調度６０％以上等）ができなければならない。そこで、下位互換性の評価として、１５ｍＷに０．８５を乗じた値である１２．８ｍＷをＰｐとして２．４倍速で記録した場合の変調度と転移線速の関係を調べた。結果を図４に示す。この転移線速の値は、波長６５６ｎｍ、対物レンズのＮＡ０．６５のピックアップを用いて、盤面でのパワー１１ｍＷの連続光を照射することにより測定した値である。図４からは、転移線速が約１０ｍ／ｓ以下の場合に、変調度が６０％以上になることが分る。従って、下位互換性を確保するためには転移線速を１０ｍ／ｓ以下にすることが好ましい。変調度が、転移線速以外に層構成、記録層組成比、記録パルス波形によっても多少変化することを考慮したとしても、上限は１１ｍ／ｓ程度と考えられる。
しかし、下位互換性の点から１０〜１１ｍ／ｓ程度に転移線速の上限が決まると、高速で良好な繰り返し記録を行うのは困難になり、繰り返し記録回数が多くなるにつれてジッターが上昇してしまう。
この問題に対し、本発明では、媒体を構成する各層の材料と膜厚、更に初期化条件を特定し、１１ｍＷの連続光の照射で測定した転移線速を、８ｍ／ｓ以上、好ましくは９ｍ／ｓ以上とすることにより、４倍速で良好な記録が可能な媒体を形成することに成功した。
【００１７】
下部保護層及び上部保護層としては、耐熱性付与等の保護膜としての機能の他に、屈折率が高いこと、断熱性が高いことから、膜厚の調整により入射光を効率的に利用できるＺｎＳとＳｉＯ２の混合物を用いる。特に好ましいのは、ＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８：２近傍の混合比のものである。
下部保護層の膜厚は、好ましくは４０〜２２０ｎｍ、より好ましくは、４０〜８０ｎｍとする。これは、主として反射率から決定される値である。この範囲内で、十分な反射率と記録感度を両立できる膜厚を選ぶ。４０ｎｍよりも薄い場合には耐熱性が悪く、基板へ与えるダメージが大きくなってしまい、繰り返し記録によるジッター上昇が大きくなってしまう。２２０ｎｍよりも厚いと反射率が高くなり過ぎて記録感度が低下してしまう。
上部保護層の膜厚は、好ましくは２〜２０ｎｍ、より好ましくは８〜１４ｎｍとする。これは主として熱伝導から決定される値である。上部保護層の上に更に反射層が設けられているため、記録層で吸収された熱は上部保護層を通じて反射層へ拡散して冷却される。従って、薄すぎると熱拡散が速すぎて記録層は充分昇温されず記録感度が低下してしまう。厚すぎると冷却速度が不足するため非晶質マークが形成され難くなる。
【００１８】
記録層はＳｂ−Ｔｅのδ相に相当する組成を母相として、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅを添加した材料を用いることが好ましい。Ｓｂ−Ｔｅ二元系は、平衡状態においてＳｂ：Ｔｅが８３：１７〜６３：３７の範囲内にδ相と呼ばれる均一相を形成することが知られている〔Ｇ．Ｇｈｏｓｈ，Ｊ．Ｐｈａｓｅ　Ｅｑｕｉｌｉｂｒｉａ，１５（３），３４９−３６０（１９９４）〕。おおよそこのδ相を形成する範囲内にある組成比のＳｂ−Ｔｅは繰り返し記録特性に優れた材料であり、ＳｂとＴｅの比を変えることにより結晶化速度を制御することができる。δ相を形成できる範囲内にあるＳｂ−Ｔｅ二元系を母相とし、これに保存耐久性の向上、結晶化速度の調整、変調度の向上等の目的で、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅを添加する。ＳｂとＴｅの比、及び、添加元素の種類と量により結晶化速度を速くすることができる。これらの組成比により結晶化速度（≒転移線速）、繰り返し記録特性、保存安定性が決まる。
【００１９】
本発明者らが、下位互換性を有する４倍速記録に適した記録層を得る目的で種々検討したところ、以下のような組成の範囲が好ましいことが分った。即ち、母相のＳｂ−Ｔｅの原子比率Ｓｂ／（Ｓｂ＋Ｔｅ）は０．７４〜０．７９が好ましく、０．７４より小さいと結晶化速度が遅くて４倍速記録における十分な繰り返し記録が難しくなり、０．７９より大きいと保存安定性と良好な記録特性との両立が難しくなる。更に、保存安定性向上のために、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅを合計で４原子％以上、好ましくは６原子％以上添加するとよい。しかし、添加量が多すぎると、初期化が難しくなり、低いジッターでの記録も難しくなるので、添加量は合計で１０原子％以下とすることが望ましい。１原子当りの保存安定性への寄与はＧｅが最も高いが、Ｇｅのみで保存安定性の向上を図るよりは、Ａｇ、Ｉｎを同時に入れた方がより保存安定性は向上し、かつ、光学特性も変化するため記録感度も向上する。また、Ａｇ、Ｇｅの添加は結晶化速度を遅くし、Ｉｎの添加は結晶化速度を速くするという作用も持つ。従って、添加物の組成比は結晶化速度も考慮して決める必要がある。保存安定性、初期化の容易性、記録特性、結晶化速度の点から下位互換性を有する４倍速記録に適した添加物の組成範囲は、原子％で、０．１≦Ａｇ≦１、２≦Ｉｎ≦６、２≦Ｇｅ≦６とすることが望ましい。何れも少なすぎると効果が現れ難く、多すぎると繰り返し記録特性が悪くなる。記録層の膜厚は、８ｎｍより薄いと変調度が小さく、また、再生光安定性も低下してしまうため８ｎｍ以上が好ましく、２２ｎｍより厚いと繰り返し記録によるジッターの上昇が大きいため、２２ｎｍ以下が好ましい。より好ましくは１３〜１６ｎｍとすることにより、特に繰り返し記録耐久性が向上する。
【００２０】
反射層としては従来Ａｌを主成分とした合金が使用されている。Ａｌは反射率が高く、熱伝導率も高いことに加え、ディスク化した場合の経時安定性にも優れている。しかし、記録層材料の結晶化速度が速い場合には、反射層として従来からよく使用されているＡｌ合金を用いると、記録マークが細くなり易く、十分な変調度を有する記録を行うことは困難な場合があった。その理由としては、結晶化速度が速いと記録時に溶融領域の再結晶化領域が大きくなってしまい、形成される非晶質領域が小さくなってしまうことが挙げられる。再結晶化領域を小さくするためには、上部保護層を薄くして急冷構造とすればよいが、単純に上部保護層を薄くしただけでは、記録層が十分に昇温されず、溶融領域が小さくなってしまうため、再結晶化領域を小さくできたとしても、結局、形成される非晶質領域は小さくなってしまう。しかし、波長６５０〜６７０ｎｍにおける屈折率（ｎ＋ｉｋ）のｎ、ｋが共にＡｌより小さい金属を反射層に用いると、記録層の吸収率は向上し、変調度も大きくすることができる。ｎ、ｋが共にＡｌより小さい金属としてはＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、及びそれらを主成分とした合金が挙げられる。ここで、主成分とするとは、９０原子％以上含有することを意味し、好ましくは９５原子％以上である。
【００２１】
これらの純金属からなるスパッタ膜のλ＝６６０ｎｍにおける屈折率の実測値、及び、熱伝導率の文献値（バルク）の値を表１に示す。
【表１】
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【００２２】
表１からＡｕ、Ａｇ、Ｃｕは何れもＡｌよりｎ、ｋが小さいだけでなく、熱伝導率が高いことが分る。従って、これらを反射層として用いると、記録層の光吸収率を向上させ、それにより、記録層の温度を上昇させて溶融領域を大きくする効果があるのと同時に、冷却速度も向上させるため冷却時の再結晶化領域が小さくなり、Ａｌ合金を用いた場合よりも大きな非晶質領域を形成することが可能になる。記録マークの変調度は光学的な変調度とマークの大きさによって決まり、光学的な変調度が大きく、マークが大きい程大きくなる。従って、記録層として、結晶化速度が速い材料を用いて、高線速記録を行う場合でも上記反射層を用いれば、吸収率が大きく冷却速度が速いことから大きな記録マークが形成でき、また、結晶と非晶質の反射率差も大きいことから変調度の大きい記録が可能になる。
【００２３】
Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、及びそれらを主成分とする合金の中でも、特に、Ａｇ及びＡｇ合金は比較的安価であり、また、同様に安価なＣｕ及びＣｕ合金に比べて酸化し難いため、経時安定性に優れた媒体を形成することができ、反射層として好ましい。但し、硫化には弱いため、上部保護層にＳを含むような材料を用いる場合には、硫化防止層が必要となる。硫化防止層に要求される性質としては、Ｓを含まないこと、Ｓを透過しないこと等が挙げられる。
本発明者らは、種々の酸化膜や窒化膜等を硫化防止層として形成し、記録特性や保存信頼性の評価を行ったところ、ＳｉＣ、Ｓｉ、又はそれらの何れかを主成分とする材料が優れた機能を持つことが分った。ここで、主成分とするとは、材料中にＳｉＣ又はＳｉを９０モル％以上含有することを意味し、好ましくは９５モル％以上である。
【００２４】
硫化防止層の膜厚は３〜２２ｎｍとすることが好ましい。３ｎｍ以上あれば、スパッタにより形成された膜がほぼ均一になるので硫化防止機能を発揮するが、これよりも薄いと、部分的に欠陥を生じる確率が急に高くなってしまう。また、２２ｎｍを超えると膜厚の増加と共に反射率が低下してしまうし、成膜速度は大きく見積もっても記録層と同程度であるため、記録層よりも膜厚が厚いと生産効率が落ちてしまうことから、最大でも記録層の膜厚を超えないようにすることが望ましく、結局好ましい上限は２２ｎｍとなる。
反射層の膜厚は、９０ｎｍ以上であれば透過光が殆どなくなり、光を効率的に利用できるので、９０ｎｍ以上とすることが望ましい。膜厚は厚い程冷却速度が速くなり、結晶化速度の速い記録層を使用する場合には有利であるが、２００ｎｍ以下で冷却速度は飽和し、２００ｎｍより厚くしても記録特性に変化がなく、成膜に時間がかかるだけなので、２００ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００２５】
本発明では前述したように、下位互換性を達成するため、結晶化速度に相当する転移線速に上限を設けている。このため、高線速記録には不利である。しかし、記録層と下部保護層との間、又は記録層と上部保護層との間のうち何れか一方或いは両方に酸化物からなる界面層を設けることにより、転移線速を変えずに高線速記録における繰り返し記録耐久性を向上させることができる。
界面層として用いる酸化物として特に好ましいのは、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５を主成分とするもの、或いは、それらの混合物である。ここで、主成分とは、４０モル％以上含まれていることを指す。酸化物層の中には、結晶化促進効果が大きく転移線速までも速くしてしまうものもあるが、上に挙げた酸化物層は、転移線速には殆ど影響しない。
【００２６】
比較的低転移線速の媒体を高速で繰り返し記録することによりジッターが上昇してしまう場合には、マーク間や短マークの反射率が低下する現象が見られる。これは、繰り返し記録の際、消去、即ち結晶化がうまく行われず、一部初期の結晶状態に戻らない反射率の低い部分が蓄積されていったためと推測される。
しかし、本発明の構成とすることにより、繰り返し記録によってもマーク間や短マークの反射率の低下は見られなくなり、ジッターの上昇が抑えられる。これは、酸化物層に核形成促進効果があり、比較的低温における結晶化を促進するためと推測される。
結晶化は結晶核の生成と結晶成長という２つのプロセスを経て進行するが、δ相近傍のＳｂ−Ｔｅ二元系を母層とした材料の場合は、記録・消去の際、均一核生成は殆ど起らず、非晶質部は、結晶部との界面からの結晶成長によって結晶化が進行する。図７に非晶質マークにレーザが照射され、結晶部との界面から結晶成長が進行し、結晶化していく様子を模式的に示した。
【００２７】
図８には温度と結晶成長速度の関係を示した。図８から分るように結晶成長が高速で進行するのは融点直下の特定の温度範囲である。従って、マークの端が、結晶成長が高速で進行できる温度に達しなかった場合には、結晶成長の進行が遅いために消し残りが生じてしまう。ビームが照射されたとき、結晶成長が高速で進行する温度以上になる領域がマークの幅に対して十分大きければ、マークの端から高速に結晶化が進行するが、マークの幅と同程度であれば、マークの太さが均一でなく一部太くなってしまっている場合や、記録ビームのトラッキングが中心部から少しずれてしまった場合に、マークの端の一部が結晶成長が高速に進行する温度にならないことがあるため、消し残りが生じてしまうことになる。
【００２８】
酸化物からなる界面層を用いた場合には、結晶核が生成されるためにマークの端の温度が低めで結晶成長速度が十分速くない場合でもマーク内部に結晶核が生成され、結晶核からの結晶成長により結晶化が進行するため、消し残りが生じ難くなり、繰り返し記録耐久性が向上していると推測される。
なお、界面層を設けた場合には、光学特性や熱特性を調整するために、界面層の膜厚の分だけ、下部保護層又は上部保護層の膜厚を減らして調整する。
転移線速は溶融後再結晶化する過程を調べているので、溶融部が結晶部と接しているところからの結晶成長を調べていることになり、核生成の影響は小さいため転移線速は速くなっていなくても効果を発揮していると考えられる。
酸化物からなる界面層の膜厚は、１ｎｍより薄いと効果が明確ではないため、１ｎｍ以上とすることが望ましい。また、酸化物層は一般的に成膜速度が遅いため、厚くとも２０ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以下にするとよい。
【００２９】
上述のような膜を基板上に順次形成した後、反射層上に有機保護膜をスピンコートにより形成する。この状態で、或いは更に貼り合わせ工程を経た後、初期化工程を経て光記録媒体として使用される。
貼り合わせ工程は、有機保護膜を介して基板と同じ大きさで通常は材質も同じである板を接着する工程である。
初期化工程は、１×（数１０〜数１００）μｍ程度に成形された１〜２Ｗ程度のレーザー光を照射して、成膜直後は非晶質状態である記録層を結晶化する工程である。このとき、照射するレーザー光のパワーや線速、送り速度によって記録層の結晶状態は変化し、反射率も異なる。初期化直後の反射率が異なる場合でも繰り返し記録すると、スペース部、即ち、結晶部の反射率は次第にある値に近付いていく。
【００３０】
図９に、初期化条件が異なり未記録部の反射率が異なる光記録媒体に、４倍速で繰り返し記録を行った場合の、アイパターン上部の反射率（Ｉｔｏｐ）の変化の様子を示した。繰り返し記録１０回程度で反射率は飽和する。繰り返し記録回数が少ない場合にはスペース部に初期の結晶相が残っているが、繰り返し記録回数が増えてくるに従い、一度非晶質マークが形成された後に新たに形成された結晶相が増えてくるからである。数１００回から１０００回程度にかけてやや低下する場合もあるが、これは繰り返し記録による何らかの劣化によるものである。繰り返し記録特性は初期化条件によっても異なり、初期結晶相を比較的低い反射率にした方が繰り返し記録特性が良い場合がある。しかし、本発明者らが検討した結果、反射率の低い結晶相は、初期化後、室温で１〜２週間程度放置すると、４倍速記録の記録特性が劣化し、ジッターが大きくなってしまうことが分った。１倍速、２．４倍速で記録した場合にはこのような経時変化は見られなかった。４倍速記録の場合も比較的高いパワーで記録した場合には劣化が少なかったので、１倍速、２．４倍速の場合の記録では充分なパワーで記録できているためと考えられる。
比較的低パワーで記録した場合の記録特性が劣化する理由は明らかでないが、未記録部の反射率が低い状態は、結晶状態の安定性が悪く状態変化を起し易いと考えられる。なお、未記録部の反射率が充分高い場合でも記録層組成が適切でない場合などには記録特性が劣化する場合もあったが、少なくとも、未記録部の反射率を充分高くしておかないと、劣化を防ぐことはできなかった。
【００３１】
【実施例】
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明を更に具体的に説明する。
何れの場合も、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍ、トラックピッチ０．７４μｍ、溝幅０．２５μｍ、溝深さ２５ｎｍ、約８２０ｋＨｚの周期で蛇行している案内溝付きポリカーボネートディスク基板上に下部保護層、（下部界面層）、記録層、（上部界面層）、上部保護層、硫化防止層、反射層をこの順番にスパッタにより成膜し、更に、反射層上にスピンコートにより形成された有機保護膜を介して直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネートディスクを接着したものに対し、ビーム径１×７５μｍ、波長８１０ｎｍの半導体レーザービームを照射して初期化したものを試料として用いた。評価は、基板側から波長６５６ｎｍ、ＮＡ０．６５のレーザー光を照射し、線密度０．２６７μｍ／ｂｉｔ、１Ｔ周期のマルチパルスを用いた記録パルス波形によりＥＦＭ＋変調方式でランダムパターンを繰り返し記録することにより行った。
【００３２】
実施例１
下部保護層として（ＺｎＳ）８０モル％（ＳｉＯ２）２０モル％を厚さ６５ｎｍ、記録層としてＡｇ０．７Ｉｎ２．６Ｓｂ７１．５Ｔｅ２０．９Ｇｅ４．３を厚さ１５ｎｍ、上部界面層として記録層と上部保護層との間に（ＺｒＯ２−３モル％Ｙ２Ｏ３）８０モル％（ＴｉＯ２）２０モル％を厚さ２ｎｍ、上部保護層として（ＺｎＳ）８０モル％（ＳｉＯ２）２０モル％を厚さ１０ｎｍ、硫化防止層としてＳｉを厚さ４ｎｍ、反射層としてＡｇを厚さ１４０ｎｍ形成したディスクを初期化した。
初期化はパワー１２００ｍＷ、線速９ｍ／ｓ、送り２０μｍ／ｒで実施した。このときの、未記録部の反射率は１９．９％であった。１１ｍＷの連続光を照射して調べた転移線速は９．５ｍ／ｓであった。
図１０（ａ）〜（ｃ）に４倍速記録特性を示す。図１０（ａ）は、σ／Ｔｗ（ジッター）の変化を示す図であり、図１０（ｂ）は、ｍｏｄ．（変調度）の変化を示す図であり、図１０（ｃ）は、Ｉｔｏｐの変化を示す図である。図中のｎは記録回数を示している。
図１０（ａ）から分るように、Ｐｐが１６〜１８ｍＷの範囲で繰り返し記録１０００回までジッターがおおよそ９％以下に収まっており、良好な繰り返し記録特性を示している。また、図１０（ｃ）から分るように、初回記録から繰り返し記録１０回まで反射率の変化は殆どなかった。
図１１（ａ）〜（ｃ）には、２．４倍速記録特性を示す。図１１（ａ）は、σ／Ｔｗ（ジッター）の変化を示す図であり、図１１（ｂ）は、ｍｏｄ．（変調度）の変化を示す図であり、図１１（ｃ）は、Ｉｔｏｐの変化を示す図である。図中のｎは記録回数を示している。
図１１（ａ）、（ｂ）から分るように、Ｐｂが１５ｍＷ以下でもジッター、モジュレーションの特性が良好で、下位互換性を有する４倍速光記録媒体を形成することができた。
また、初期化して２週間経過した後、再び４倍速の繰り返し記録特性を評価したが、ジッターの差は０．５％以下であった。８０℃８５％ＲＨ保存試験におけるアーカイバル特性も調べたが、４００時間まで殆ど劣化が見られなかった。
【００３３】
実施例２
下部保護層として（ＺｎＳ）８０モル％（ＳｉＯ２）２０モル％を厚さ６３ｎｍ、下部界面層として記録層と下部保護層との間に（ＺｒＯ２−３モル％Ｙ２Ｏ３）８０モル％（ＴｉＯ２）２０モル％を厚さ２ｎｍ、記録層としてＡｇ０．７Ｉｎ２．６Ｓｂ７１．５Ｔｅ２０．９Ｇｅ４．３を厚さ１５ｎｍ、上部保護層として（ＺｎＳ）８０モル％（ＳｉＯ２）２０モル％を厚さ１２ｎｍ、硫化防止層としてＳｉを厚さ４ｎｍ、反射層としてＡｇを厚さ１４０ｎｍ形成したディスクを初期化した。
初期化はパワー１２００ｍＷ、線速９ｍ／ｓ、送り２０μｍ／ｒで実施した。このときの、未記録部の反射率は２０．１％であった。１１ｍＷの連続光を照射して調べた転移線速は９．５ｍ／ｓであった。
図１２に４倍速記録時のジッターを示すが、ほぼ実施例１と同様の結果が得られた。２．４倍速記録も実施例１とほぼ同様の結果が得られており、下位互換性を有する４倍速光記録媒体を得ることができた。
また、初期化して２週間経過した後、再び４倍速の繰り返し記録特性を評価したが、ジッターの差は０．５％以下であった。８０℃８５％ＲＨ保存試験におけるアーカイバル特性も調べたが、４００時間まで殆ど劣化が見られなかった。
【００３４】
実施例３
下部保護層として（ＺｎＳ）８０モル％（ＳｉＯ２）２０モル％を厚さ６３ｎｍ、下部界面層として記録層と下部保護層との間に（ＺｒＯ２−３モル％Ｙ２Ｏ３）８０モル％（ＴｉＯ２）２０モル％を厚さ２ｎｍ、記録層としてＡｇ０．７Ｉｎ２．６Ｓｂ７１．５Ｔｅ２０．９Ｇｅ４．３を厚さ１５ｎｍ、上部界面層として記録層と上部保護層との間に（ＺｒＯ２−３モル％Ｙ２Ｏ３）８０モル％（ＴｉＯ２）２０モル％を厚さ２ｎｍ、上部保護層として（ＺｎＳ）８０モル％（ＳｉＯ２）２０モル％を厚さ１０ｎｍ、硫化防止層としてＳｉを厚さ４ｎｍ、反射層としてＡｇを厚さ１４０ｎｍ形成したディスクを初期化した。
初期化はパワー１２００ｍＷ、線速９ｍ／ｓ、送り２０μｍ／ｒで実施した。このときの、未記録部の反射率は２０．１％であった。１１ｍＷの連続光を照射して調べた転移線速は９．５ｍ／ｓであった。
図１３に４倍速記録時のジッターを示す。繰り返し記録１０回まではほぼ実施例１、２と同様の結果であるが、１０００回記録においてほぼ初回記録に近い値になっており、実施例１、２よりも良好な記録特性を示している。
更に、２．４倍速記録でも１０００回記録において殆どジッターは上昇せず、実施例１、２よりも良好な記録特性を示し、下位互換性を有する４倍速光記録媒体を形成することができた。
また、初期化して２週間経過した後、再び４倍速の繰り返し記録特性を評価したが、ジッターの差は０．５％以下であった。８０℃８５％ＲＨ保存試験におけるアーカイバル特性は、１０００回記録後のマークは１００時間後に、１００回記録後のマークは３００時間後にジッターが９％を超えてしまった。１〜１０回記録後のマークは４００時間まで殆ど劣化が見られなかった。
【００３５】
実施例４
下部保護層として（ＺｎＳ）８０モル％（ＳｉＯ２）２０モル％を厚さ６３ｎｍ、下部界面層として記録層と下部保護層との間にＡｌ２Ｏ３を厚さ２ｎｍ、記録層としてＡｇ０．７Ｉｎ２．６Ｓｂ７１．５Ｔｅ２０．９Ｇｅ４．３を厚さ１５ｎｍ、上部保護層として（ＺｎＳ）８０モル％（ＳｉＯ２）２０モル％を厚さ１２ｎｍ、硫化防止層としてＳｉを厚さ４ｎｍ、反射層としてＡｇを厚さ１４０ｎｍ形成したディスクを初期化した。
初期化はパワー１２００ｍＷ、線速９ｍ／ｓ、送り２０μｍ／ｒで実施した。このときの、未記録部の反射率は２０．３％であった。１１ｍＷの連続光を照射して調べた転移線速は９．６ｍ／ｓであった。
図１４に４倍速記録時のジッターを示すが、ほぼ実施例１、２と同様の結果が得られた。２．４倍速記録についても実施例１とほぼ同様の結果が得られており、下位互換性を有する４倍速光記録媒体を形成することができた。
また、初期化して２週間経過した後、再び４倍速の繰り返し記録特性を評価したが、ジッターの差は０．５％以下であった。８０℃８５％ＲＨ保存試験におけるアーカイバル特性も調べたが、４００時間まで殆ど劣化が見られなかった。
【００３６】
比較例１
初期化をパワー６００ｍＷで行った他は、実施例１と同じ構成の光記録媒体について同様の評価を行ったところ、未記録部の反射率は、１６．３％であった。４倍速、Ｐｂ＝１７ｍＷの条件で繰り返し記録を行った時のＩｔｏｐの変化について、実施例１の場合と共に図１５に示した。この図から、本比較例の光記録媒体では、繰り返し記録１０回でＩｔｏｐの上昇幅が３％を超えていることが分る。
図１６には、本比較例の光記録媒体の４倍速記録時のジッターの初期特性と、初期化して２週間経過した後に未記録部に再び４倍速の繰り返し記録を行った場合のジッターを示した。白抜きが２週間経過後に再び記録を行った場合のジッターである。初期特性は実施例１と類似で良好であるが、２週間経過すると、特に、２回記録した場合のジッターが大きくなってしまっていることが分る。
２．４倍速記録でも２週間後に多少の劣化は見られたが、程度は小さかった。
【００３７】
【発明の効果】
本発明によれば、ＤＶＤ−ＲＯＭとの互換性が高く、保存安定性に優れ、少なくとも４倍速（１４ｍ／ｓ）で良好な繰り返し記録が可能であって、かつ、１〜２．４倍速では記録パワー１５ｍＷ以下で、１Ｔ周期のマルチパルスを用いた記録パルス波形で良好な記録が可能な光記録媒体を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＤＶＤ＋ＲＷで使用されている、マークとスペースを繰り返し記録する方式を示す図。
【図２】ＤＶＤ＋ＲＷで使用されている、マークとスペースを繰り返し記録する方式を示す図。
【図３】転移線速を説明するための図。
【図４】１２．８ｍＷをＰｐとして２．４倍速で記録した場合の変調度と転移線速の関係を調べた結果を示す図。
【図５】同じ記録パルス波形を用いて記録した場合には、転移線速が速くなると変調度は小さくなる傾向にあることを説明するための図。
（ａ）　パルス列を照射して非晶質マークを形成する際の先頭パルスを示す図
（ｂ）　記録により非晶質相が形成された状態を示す図
（ｃ）　２番目のパルスを示す図
（ｄ）　非晶質部分は小さくなった状態を示す図
【図６】転移線速が速い場合と遅い場合とで、非晶質マークの大きさが変わることを示す図。
（ａ）　マルチパルスを示す図
（ｂ）　転移線速が速い記録層を用いた場合の非晶質マークを示す図
（ｃ）　転移線速が遅い記録層を用いた場合の非晶質マークを示す図
【図７】非晶質マークにレーザーが照射され、結晶部との界面から結晶成長が進行し、結晶化していく様子を模式的に示す図。
【図８】温度と結晶成長速度の関係を示す図。
【図９】初期化条件が異なり未記録部の反射率が異なる光記録媒体に、４倍速で繰り返し記録を行った場合の、Ｉｔｏｐの変化の様子を示す図。
【図１０】実施例１の光記録媒体の４倍速記録特性を示す図。
（ａ）　σ／Ｔｗ（ジッター）の変化を示す図
（ｂ）　ｍｏｄ．（変調度）の変化を示す図
（ｃ）　Ｉｔｏｐの変化を示す図
【図１１】
実施例１の光記録媒体の２．４倍速記録特性を示す図。（ａ）　σ／Ｔｗ（ジッター）の変化を示す図
（ｂ）　ｍｏｄ．（変調度）の変化を示す図
（ｃ）　Ｉｔｏｐの変化を示す図
【図１２】実施例２の光記録媒体の４倍速記録時のジッターを示す図。
【図１３】実施例３の光記録媒体の４倍速記録時のジッターを示す図。
【図１４】実施例４の光記録媒体の４倍速記録時のジッターを示す図。
【図１５】比較例１及び実施例１の光記録媒体に対し、４倍速、Ｐｂ＝１７ｍＷの条件で繰り返し記録を行った時のＩｔｏｐの変化を示す図。
【図１６】比較例１の光記録媒体の、４倍速記録時のジッターの初期特性と、初期化して２週間経過した後に未記録部に再び４倍速の繰り返し記録を行った場合のジッターを示す図。
【符号の説明】
Ｔ　基準クロック
Ｐｐ　ピークパワー
Ｐｂ　バイアスパワー
Ｐｅ　消去パワー
ｄＴｔｏｐ　先頭パルス開始時間
Ｔｔｏｐ　先頭パルスの幅
Ｔｍｐ　マルチパルス部のピークパワーパルスの幅
Ｔｗ　基準クロックの幅
ｄＴｅｒａ　消去開始時間
Ｉｔｏｐ　アイパターン上部の反射率
σ／Ｔｗ　ジッター
ｎ　記録回数
ｍｏｄ．　変調度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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