(57)【要約】【課題】機械的ひずみに強い低光弾性ガラスを用いた干渉計を提供することである。【解決手段】光源１と、該光源１からの光束を参照光と測定光とに分割する光束分割手段３と、測定対象に取り付けられて前記測定光を反射する反射鏡７と、該反射鏡７により反射された測定光と前記参照光との干渉によって生じる干渉光を受光する光電検出器１０とを備える干渉計ＤＩにおいて、前記光束分割手段３を含む該干渉計ＤＩに含まれる光学部材の中の少なくとも１つは、光弾性係数Ｃが−１×１０−８（ｃｍ２／Ｎ）≦Ｃ≦−０．２×１０−８（ｃｍ２／Ｎ）、若しくは、０．２×１０−８（ｃｍ２／Ｎ）≦Ｃ≦１×１０−８（ｃｍ２／Ｎ）の条件の何れか一方を満足する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
該光源からの光束を参照光と測定光とに分割する光束分割手段と、
測定対象に取り付けられて前記測定光を反射する反射鏡と、
該反射鏡により反射された測定光と前記参照光との干渉によって生じる干渉光を受光する光電検出器とを備える干渉計において、
前記光束分割手段を含む該干渉計に含まれる光学部材の中の少なくとも１つは、光弾性係数Ｃが以下の条件の何れか一方を満足することを特徴とする干渉計。
−１×１０−８（ｃｍ２／Ｎ）≦Ｃ≦−０．２×１０−８（ｃｍ２／Ｎ）
０．２×１０−８（ｃｍ２／Ｎ）≦Ｃ≦１×１０−８（ｃｍ２／Ｎ）
【請求項２】
前記光学部材の中の少なくとも１つは、該光学部材の外径に対して、９０パーセント以下を有効径とすることを特徴とする請求項１記載の干渉計。
【請求項３】
前記光学部材の中の少なくとも１つは、ビームスプリッタであることを特徴とする請求項１または請求項２記載の干渉計。
【請求項４】
マスクに形成された転写パターンを感光性基板に転写する露光装置において、
前記マスクを載置するマスクステージと、
前記感光性基板を載置する基板ステージと、
前記マスクステージ及び前記基板ステージの少なくとも一方の位置を計測する請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の干渉計と
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項５】
請求項４記載の露光装置を用いた露光方法であって、
請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の干渉計を用いて、マスクステージ及び基板ステージの少なくとも一方の位置を計測する計測工程と、
照明光学系によりマスクのパターンを照明する照明工程と、
投影光学系を用いて前記マスクのパターン像を感光性基板上に投影する投影工程と
を含むことを特徴とする露光方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体や液晶等の製造に用いる露光装置に設けられ、マスクや感光性基板を搭載して移動するステージの位置や姿勢を高精度に計測するための干渉計、それを備えた露光装置、この露光装置を用いた露光方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路などを製造する際に用いられる投影露光装置においては、マスク、レチクルなどの投影原版と、ウエハ、ガラスプレートなどの感光性基板の位置や姿勢を高精度に制御する必要がある。マスクとウエハは、それぞれマスクステージとウエハステージに搭載されて移動することから、マスクとウエハの位置・姿勢を計測するために、両ステージには干渉計が搭載されている。この干渉計は、光源からの光束を参照光と測定光とに分割する光束分割素子と、マスクステージやウエハステージに設置されて測定光を反射する測定光反射鏡と、測定光反射鏡からの測定光と参照光とを干渉させて生じる干渉光を受光する光電検出器とから構成され、光電検出器からの信号に基づいて、マスクステージやウエハステージの位置や姿勢を計測するものである（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
従来、この干渉計に用いられるプリズム及び偏光ビームスプリッタ等のガラス部材には、光弾性係数が、−２．９×１０−８〜−２．７×１０−８ｃｍ２／Ｎ、若しくは、２．７×１０−８〜２．９×１０−８ｃｍ２／Ｎのガラス部材、即ち、光弾性係数が高いガラス部材が用いられていた。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１１−２４８４１９号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、干渉計に用いられるプリズム及び偏光ビームスプリッタ等のガラス部材は、金物で挟む、若しくは接着剤で接着する等により設置場所に固定させるが、光弾性係数が高いガラス部材を用いている場合には、ガラス部材の固定されている部分に応力が生じることから、応力が作用している方向と応力が作用していない方向の屈折率に差異が生じ、このようなガラス部材に入射した光の偏光状態が変化してしまう場合がある。また、光弾性係数の高いガラス部材を用いている場合には、測定光と参照光の干渉成分に測定反射鏡の動きに関係ない干渉光成分が含まれてしまい、干渉計測誤差が生じ、正確な干渉計測ができない場合がある。
【０００６】
この発明の課題は、機械的ひずみに強い低光弾性ガラスを用いた干渉計、この干渉計を用いた露光装置及びこの露光装置を用いた露光方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の干渉計は、光源と、該光源からの光束を参照光と測定光とに分割する光束分割手段と、測定対象に取り付けられて前記測定光を反射する反射鏡と、該反射鏡により反射された測定光と前記参照光との干渉によって生じる干渉光を受光する光電検出器とを備える干渉計において、前記光束分割手段を含む該干渉計に含まれる光学部材の中の少なくとも１つは、光弾性係数Ｃが以下の条件の何れか一方を満足することを特徴とする。
【０００８】
−１×１０−８（ｃｍ２／Ｎ）≦Ｃ≦−０．２×１０−８（ｃｍ２／Ｎ）
０．２×１０−８（ｃｍ２／Ｎ）≦Ｃ≦１×１０−８（ｃｍ２／Ｎ）
この請求項１に記載の干渉計によれば、光弾性係数Ｃが高いガラス部材（Ｃ＞１．０×１０−８ｃｍ２／Ｎ、若しくは、Ｃ＜−１．０×１０−８ｃｍ２／Ｎ）の使用を避けることにより、測定鏡の動きに関係のない干渉光成分の生成を防ぐことができる。また、光弾性係数Ｃが極端に低いガラス部材（−０．２×１０−８ｃｍ２／Ｎ＜Ｃ＜０．２×１０−８ｃｍ２／Ｎ）の使用を避けることにより、そのガラス部材を加工研磨する過程において溶剤又は空気中に長時間浸した場合にガラス表面に生じる白濁、即ち、溶剤による侵食又は空気による酸化によりガラス表面に生じる白ヤケを防ぐことができるため、干渉計測誤差を抑えることができ干渉計測精度を向上させることができる。
【０００９】
また、請求項２に記載の干渉計は、前記光学部材の中の少なくとも１つが該光学部材の外径に対して、９０パーセント以下を有効径とすることを特徴とする。
【００１０】
この請求項２に記載の干渉計によれば、干渉計に用いられる光学部材を加工研磨する過程において、その光学部材の中心部分と同一の光学性能が備わるように研磨することが困難である光学部材の縁及び縁近傍部分の使用を避けることにより、干渉計測精度の誤差を最小限に抑えることができ、干渉計測精度を向上させることができる。
【００１１】
また、請求項３に記載の干渉計は、前記光学部材の中の少なくとも１つがビームスプリッタであることを特徴とする。
【００１２】
また、請求項４に記載の露光装置は、マスクに形成された転写パターンを感光性基板に転写する露光装置において、前記マスクを載置するマスクステージと、前記感光性基板を載置する基板ステージと、前記マスクステージ及び前記基板ステージの少なくとも一方の位置を計測する請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の干渉計とを備えることを特徴とする。
【００１３】
この請求項４に記載の露光装置によれば、マスクステージ干渉計及び基板ステージ干渉計に用いられるガラス部材に低光弾性ガラス（光弾性係数が−１．０×１０−８〜−０．２×１０−８ｃｍ２／Ｎ、若しくは、０．２×１０−８〜１．０×１０−８ｃｍ２／Ｎ）を用いるため、干渉計測誤差を最小限に抑えることができ、マスクステージ及び基板ステージの位置の計測を極めて正確に行うことができる。従って、マスクに形成された転写パターンの像を基板上に極めて正確に重ね合わせ露光することができる。
【００１４】
また、請求項５に記載の露光方法は、請求項４記載の露光装置を用いた露光方法であって、請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の干渉計を用いて、マスクステージ及び基板ステージの少なくとも一方の位置を計測する計測工程と、照明光学系によりマスクのパターンを照明する照明工程と、投影光学系を用いて前記マスクのパターン像を感光性基板上に投影する投影工程とを含むことを特徴とする。
【００１５】
この請求項５に記載の露光方法によれば、この発明の干渉計を用いて、マスクステージ及び基板ステージの位置の計測を極めて正確に行うことができるため、マスクに形成された転写パターンの像をウエハ上に忠実に結像させることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態を説明する。図１は、実施の形態にかかるダブルパス干渉計ＤＩの構成図である。レーザ光源１より射出した平行光束は、二光束生成装置２を経た後に、低光弾性ガラス（この干渉計においては、光弾性係数が−１．０×１０−８〜−０．２×１０−８ｃｍ２／Ｎ、若しくは、０．２×１０−８〜１．０×１０−８ｃｍ２／Ｎのガラスを用いる。）を用いた偏光ビームスプリッタ３に入射する。偏光ビームスプリッタ３の光束分割面３ａの入射平面（図１の紙面である。）と平行な方向に電気ベクトルが振動する偏光をＰ偏光とし、入射平面に直交する方向に電気ベクトルが振動する偏光をＳ偏光とすると、二光束生成装置２は、互いに周波数が僅かに異なるＰ偏光とＳ偏光とを生成するように構成されている。
【００１７】
偏光ビームスプリッタ３への入射光のうち、先ずＳ偏光成分は、光束分割面３ａで反射して参照光Ｒとなり、偏光ビームスプリッタ３を射出して、λ／４板４に入射する。λ／４板４の中性軸は、紙面に対して４５°傾斜して配置されている。したがって参照光Ｒは、λ／４板４を透過して円偏光に変換され、参照光反射鏡５で反射して進行方向より見て逆周りの円偏光に変換され、再度λ／４板４を透過してＰ偏光に変換されて、偏光ビームスプリッタ３に戻る。次いでＰ偏光となった参照光Ｒは、光束分割面３ａを透過し、レトロレフレクター３ｂで反射し、光束分割面３ａに戻って光束分割面３ａを透過して、偏光ビームスプリッタ３を射出する。更にＰ偏光である参照光Ｒは、λ／４板４を透過し、参照光反射鏡５で反射し、再度λ／４板４を透過し、この間、λ／４板４を往復透過することによってＳ偏光に復帰して偏光ビームスプリッタ３に戻り、光束分割面３ａで反射して偏光ビームスプリッタ３を射出する。
【００１８】
一方、偏光ビームスプリッタ３への入射光のうち、Ｐ偏光成分は、光束分割面３ａを透過して測定光Ｍとなり、偏光ビームスプリッタ３を射出し、λ／４板６を透過し、測定対象物（図示せず）に固定された測定光反射鏡７で反射し、再度λ／４板６を透過し、この間、λ／４板６を往復透過することによってＳ偏光に変換されて偏光ビームスプリッタ３に戻る。次いでＳ偏光となった測定光Ｍは、光束分割面３ａで反射し、レトロレフレクター３ｂで反射し、光束分割面３ａに戻って光束分割面３ａで反射して、偏光ビームスプリッタ３を射出する。更にＳ偏光である測定光Ｍは、λ／４板６を透過し、測定光反射鏡７で反射し、再度λ／４板６を透過し、この間、λ／４板６を往復透過することによってＰ偏光に復帰して偏光ビームスプリッタ３に戻り、光束分割面３ａを透過して偏光ビームスプリッタ３を射出する。
【００１９】
偏光ビームスプリッタ３から射出した参照光Ｒと測定光Ｍは、偏光板９を透過することによってヘテロダイン干渉し、光電検出器１０の受光面Ｄに入射する。なお、偏光板９の透過軸は、紙面に対して４５°傾斜して配置されている。光電検出器１０は、参照光Ｒと測定光Ｍとが重なり合った領域で生じる干渉光を受光するから、測定光反射鏡７の位置と速度に応じた位相と周波数を有する信号を出力する。この信号に基づいて、測定光反射鏡７の位置、即ち測定対象物の位置を計測することができる。
【００２０】
なお、上述の実施の形態にかかるダブルパス干渉計ＤＩにおいては、この干渉計に用いられるガラス部材を加工研磨する過程において、その光学部材の中心部分と同一の光学性能が備わるように研磨することが困難である光学部材の縁及び縁近傍部分の使用を避けるために、その外径に対して９０パーセント以下を有効径として構成されている。従って、干渉計測精度の誤差を最小限に抑えることができる。
【００２１】
この実施の形態にかかるダブルパス干渉計ＤＩによれば、この干渉計に用いられる偏光ビームスプリッタ等のガラス部材に低光弾性ガラスを用いることにより、測定鏡の動きに関係のない干渉光成分の生成を防ぐことができ、干渉計測誤差の発生を抑えることができ干渉計測精度を向上させることができる。
【００２２】
図２は、実施の形態にかかるシングルパス干渉計ＳＩの構成図である。レーザーダイオード光源２０より射出したレーザ光束は、低光弾性ガラス（この干渉計においては、光弾性係数が−１．０×１０−８〜−０．２×１０−８ｃｍ２／Ｎ、若しくは、０．２×１０−８〜１．０×１０−８ｃｍ２／Ｎのガラス部材を用いる。）を用いたコリメータレンズ２１で平行光束に変換されて、二光束生成装置２を通過し、第１の偏光ビームスプリッタ２２に入射する。低光弾性ガラスを用いた第１の偏光ビームスプリッタ２２への入射光のうち、Ｓ偏光成分は、光束分割面２２ａにて反射して参照光Ｒとなり、第１の偏光ビームスプリッタ２２から射出する。この参照光Ｒは、低光弾性ガラスを用いた第２の偏光ビームスプリッタ２３に入射し、光束合成面２３ａで反射して、第２の偏光ビームスプリッタ２３から射出する。一方、第１の偏光ビームスプリッタ２２への入射光のうち、Ｐ偏光成分は、光束分割面２２ａを透過して測定光Ｍとなり、第１の偏光ビームスプリッタ２２から射出する。この測定光Ｍは、測定対象物（図示せず）に固定されレトロレフレクターによって形成された測定光反射鏡７で反射し、第２の偏光ビームスプリッタ２３に入射し、光束合成面２３ａを透過して、第２の偏光ビームスプリッタ２３から射出する。
【００２３】
第２の偏光ビームスプリッタ２３から射出した参照光Ｒと測定光Ｍは、偏光板９を透過して、光電検出器１０の受光面Ｄに入射する。光電検出器１０は、参照光Ｒと測定光Ｍとが重なり合った領域で生じる干渉光を受光するから、測定光反射鏡７の位置と速度に応じた位相と周波数を有する信号を出力する。この信号に基づいて、測定光反射鏡７の位置、即ち測定対象物の位置をヘテロダイン計測することができる。
【００２４】
なお、上述の実施の形態にかかるシングルパス干渉計ＳＩにおいては、この干渉計に用いられるガラス部材を加工研磨する過程において、その光学部材の中心部分と同一の光学性能が備わるように研磨することが困難である光学部材の縁及び縁近傍部分の使用を避けるために、その外径に対して９０パーセント以下を有効径として構成されている。従って、干渉計測精度の誤差を最小限に抑えることができる。
【００２５】
この実施の形態にかかるシングルパス干渉計ＳＩによれば、この干渉計に用いられるコリメータレンズ及び偏光ビームスプリッタ等のガラス部材に低光弾性ガラスを用いることにより、測定鏡の動きに関係のない干渉光成分の生成を防ぐことができ、干渉計測誤差の発生を抑えることができ干渉計測精度を向上させることができる。
【００２６】
次に、図３〜図５を参照して、この発明の実施の形態にかかる走査型露光装置を説明する。図３は、露光装置の全体構成を示し、レチクルステージ（マスクステージ）３２上に載置されたレチクル（マスク）３１は、照明光学系３０によって均一に照明されている。レチクルステージ３２にはレチクルステージ測定鏡３３が取り付けられており、レチクルステージ測定鏡３３に対向して、レチクルステージ干渉計３４が配置されている。レチクル３１上のパターンを透過した光束は、投影光学系３５によってウエハステージ（基板ステージ）３７に載置されたウエハ（感光性基板）３６の感光面に結像する。ウエハステージ３７にはウエハステージ測定鏡３８が取り付けられており、ウエハステージ測定鏡３８に対向して、ウエハステージ干渉計３９が配置されている。レチクルステージ３２とウエハステージ３７とは、投影光学系３５の結像倍率に対応した速度比にてＹ方向に同期して走査し、こうしてレチクル３１のパターンがウエハ３６に転写される。
【００２７】
図４は、ウエハステージ干渉計３９を示す。ＨｅＮｅ光源１から射出した光束は、二光束生成装置２を通過した後に、低光弾性ガラス（この露光装置おいては、光弾性係数が−１．０×１０−８〜−０．２×１０−８ｃｍ２／Ｎ、若しくは、０．２×１０−８〜１．０×１０−８のガラス部材を用いる。）を用いたビームスプリッタ４０によって２光束に分割され、更に低光弾性ガラスを用いたビームスプリッタ４１、４２によって４光束に分割されて、各々Ｘ方向第１干渉計ＤＩＸ１、第２干渉計ＤＩＸ２、Ｙ方向第１干渉計ＤＩＹ１、第２干渉計ＤＩＹ２用の光束として用いられる。これらの各干渉計ＤＩＸ１〜ＤＩＹ２は、いずれも図１に示す干渉計と同様の構成を有するダブルパス干渉計によって構成されており、ウエハステージ３７のＸ、Ｙ方向の位置や、Ｚ軸周りの回転角度をヘテロダイン計測している。
【００２８】
図５は、レチクルステージ干渉計３４を示す。レーザーダイオード光源２０から射出した光束は、低光弾性ガラスを用いたコリメータレンズ２１によって平行光に変換され、二光束生成装置２によってヘテロダインの平行光束が生成される。この光束は、低光弾性ガラスを用いたビームスプリッタ４３によって２光束に分割され、更に一方の光束は、低光弾性ガラスを用いたビームスプリッタ４４によって分割される。３つの光束は、各々Ｘ方向干渉計ＤＩＸ、Ｙ方向第１干渉計ＳＩＹ１、第２干渉計ＳＩＹ２用の光束として用いられる。このうち、走査方向Ｙと直交する非走査方向であるＸ方向の位置計測用の干渉計ＤＩＸは、図１に示す干渉計と同様の構成を有するダブルパス干渉計によって構成され、走査方向であるＹ方向の位置計測用の干渉計ＳＩＹ１、ＳＩＹ２は、図２に示す干渉計と同様の構成を有するシングルパス干渉計によって構成されている。こうしてレチクルステージ３２のＸ、Ｙ方向の位置や、Ｚ軸周りの回転角度をヘテロダイン計測している。
【００２９】
なお、上述の実施の形態において、低光弾性ガラスとしては、例えば株式会社オハラが製造している「Ｓ−ＦＰＬ５１（光弾性係数Ｃ＝０．７５）」や、ＳＣＨＯＴＴ  ＧＬＡＳ社が製造している「Ｎ−ＰＫ５２（光弾性係数Ｃ＝０．６２）」を用いることができる。
【００３０】
この実施の形態にかかる露光装置によれば、ウエハステージ干渉計及びレチクルステージ干渉計に用いられるガラス部材に低光弾性ガラスを用いるため、干渉計測誤差を最小限に抑えることができ、ウエハステージ及びレチクルステージの位置の計測を極めて正確に行うことができる。従って、レチクルに形成された転写パターンの像をウエハに極めて正確に重ね合わせ露光することができる。
【００３１】
次に、図６及び図７に示すフローチャートを参照して、図３に示す露光装置を用いた半導体デバイスの製造方法について説明する。この実施の形態にかかる露光装置では、照明装置によってレチクル（マスク）を照明し（照明工程）、投影光学系を用いてマスクに形成された転写用のパターンを感光性基板に露光する（露光工程）ことにより、マイクロデバイス（半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等）を製造することができる。以下、この実施の形態にかかる露光装置を用いて感光性基板としてのウエハ等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスの製造方法を説明する。
【００３２】
先ず、図６のステップＳ３０１において、１ロットのウエハ上に金属膜が蒸着される。次のステップＳ３０２において、その１ロットのウエハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップＳ３０３において、この実施の形態にかかる露光装置を用いて、干渉計によりマスクステージの位置及びウエハステージの位置を計測して、マスク及びウエハの位置合わせを行った後に、マスク上のパターンの像が投影光学系を介して、その１ロットのウエハ上の各ショット領域に順次露光転写される。その後、ステップＳ３０４において、その１ロットのウエハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップＳ３０５において、その１ロットのウエハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、各ウエハ上の各ショット領域に形成される。
【００３３】
その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得ることができる。なお、ステップ３０１〜ステップ３０５では、ウエハ上に金属を蒸着し、その金属膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチングの各工程を行っているが、これらの工程に先立って、ウエハ上にシリコンの酸化膜を形成後、そのシリコンの酸化膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチング等の各工程を行っても良いことはいうまでもない。
【００３４】
また、この実施の形態にかかる露光装置では、プレート（ガラス基板）上に所定のパターン（回路パターン、電極パターン等）を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以下、図７のフローチャートを参照して、液晶表示素子の製造方法を説明する。図７において、パターン形成工程Ｓ４０１では、この実施の形態にかかる露光装置の干渉計によりマスク及び感光性基板の位置を計測して、マスク及び感光性基板の位置合わせを行い、マスクのパターンを感光性基板（レジストが塗布されたガラス基板等）に転写露光する、所謂光リソグラフィ工程が実行される。この光リソグラフィ工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルタ形成工程Ｓ４０２へ移行する。
【００３５】
次に、カラーフィルタ形成工程Ｓ４０２では、Ｒ（Ｒｅｄ）、Ｇ（Ｇｒｅｅｎ）、Ｂ（Ｂｌｕｅ）に対応した３つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、またはＲ、Ｇ、Ｂの３本のストライプのフィルタの組を複数水平走査線方向に配列したカラーフィルタを形成する。そして、カラーフィルタ形成工程Ｓ４０２の後に、セル組み立て工程Ｓ４０３が実行される。セル組み立て工程Ｓ４０３では、パターン形成工程Ｓ４０１にて得られた所定パターンを有する基板、およびカラーフィルタ形成工程Ｓ４０２にて得られたカラーフィルタ等を用いて液晶パネル（液晶セル）を組み立てる。セル組み立て工程Ｓ４０３では、例えば、パターン形成工程Ｓ４０１にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルタ形成工程Ｓ４０２にて得られたカラーフィルタとの間に液晶を注入して、液晶パネル（液晶セル）を製造する。
【００３６】
その後、モジュール組み立て工程Ｓ４０４にて、組み立てられた液晶パネル（液晶セル）の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する液晶表示素子をスループット良く得ることができる。
【００３７】
【発明の効果】
この発明の干渉計によれば、光弾性係数Ｃが高いガラス部材（Ｃ＞１．０×１０−８ｃｍ２／Ｎ、若しくは、Ｃ＜−１．０×１０−８ｃｍ２／Ｎ）の使用を避けることにより、測定鏡の動きに関係のない干渉光成分の生成を防ぐことができる。また、光弾性係数Ｃが極端に低いガラス部材（−０．２×１０−８ｃｍ２／Ｎ＜Ｃ＜０．２×１０−８ｃｍ２／Ｎ）の使用を避けることにより、そのガラス部材を加工研磨する過程において溶剤又は空気中に長時間浸した場合にガラス表面に生じる白濁、即ち、溶剤による侵食又は空気による酸化によりガラス表面に生じる白ヤケを防ぐことができるため、干渉計測誤差を抑えることができ干渉計測精度を向上させることができる。
【００３８】
また、この発明の干渉計によれば、干渉計に用いられる光学部材の中の少なくとも１つがその光学部材の外径に対して、９０パーセント以下を有効径とする。従って、干渉計に用いられる光学部材を加工研磨する過程において、その光学部材の中心部分と同一の光学性能が備わるように研磨することが困難である光学部材の縁及び縁近傍部分の使用を避けることにより、干渉計測精度の誤差を最小限に抑えることができ、干渉計測精度を向上させることができる。
【００３９】
また、この発明の露光装置によれば、レチクルステージ干渉計及び基板ステージ干渉計に用いられるガラス部材に低光弾性ガラスを用いるため、干渉計測誤差を最小限に抑えることができ、レチクルステージ及び基板ステージの位置の計測を極めて正確に行うことができる。従って、レチクルに形成された転写パターンの像を基板上に極めて正確に重ね合わせ露光することができる。
【００４０】
また、この発明の露光方法によれば、この発明の干渉計を用いて、レチクルステージ及び基板ステージの位置の計測を極めて正確に行うことができるため、レチクルに形成された転写パターンの像をウエハ上に忠実に結像させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態にかかるダブルパス干渉計を示す構成図である。
【図２】この発明の実施の形態にかかるシングルパス干渉計を示す構成図である。
【図３】この発明の実施の形態にかかる露光装置を示す全体構成図である。
【図４】この発明の実施の形態にかかる露光装置のウエハステージを示す平面図である。
【図５】この発明の実施の形態にかかる露光装置のレチクルステージを示す平面図である。
【図６】この発明の実施の形態にかかるマイクロデバイスの製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図７】この発明の実施の形態にかかるマイクロデバイスの製造方法を説明するためのフローチャートである。
【符号の説明】
ＤＩ…ダブルパス干渉計、ＳＩ…シングルパス干渉計、Ｒ…参照光、Ｍ…測定光、１…レーザ光源、２…二光束生成装置、３…偏光ビームスプリッタ、３ａ…光束分割面、３ｂ…レトロレフレクター、４，６…λ／４板、５…参照光反射鏡、７…測定光反射鏡、９…偏光板、１０…光電検出器、２０…レーザーダイオード光源、２１…コリメータレンズ、２２，２３…偏光ビームスプリッタ、２２ａ…光束分割面、２３ａ…光束合成面、３０…照明光学系、３１…レチクル、３２…レチクルステージ、３３…レチクルステージ測定鏡、３４…レチクルステージ干渉計、３５…投影光学系、３６…ウエハ、３７…ウエハステージ、３８…ウエハステージ測定鏡、３９…ウエハステージ干渉計、４０〜４４…プリズム。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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