(57)【要約】【課題】電極部分の分解清掃の頻度を低下し、清掃時間を短縮することができる焼成炉を提供する。【解決手段】焼成炉は、焼成炉の外枠である炉体５の内部に、断熱材９で囲まれた加熱室６を有する。断熱材９と炉体５には、電極７ａ、７ｂを挿入するための貫通孔があり、断熱材９の貫通孔の表面はカーボン板１１で覆われている。電極７ａ、７ｂは、炉体５の外部から炉体５及び断熱材９を貫通し、第１のナット１３によりヒータ８に接続されている。断熱材９の貫通孔に対向する位置には、第２のナット１４により、電極７ａ、７ｂの外周を囲む円筒状の遮熱板１０が固定されている。断熱材９の貫通孔の内周面と遮熱版１０の外周面の間隙ａは、１０ｍｍ以上である。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部にヒータを備えた加熱室を有する炉体と、
前記加熱室を囲み、一部に貫通孔を有する断熱材と、
前記貫通孔を通り、前記ヒータに接続される電極と、
該電極の外周を囲み、前記貫通孔の内周面に対向する位置にある遮熱板とを有し、
前記貫通孔の内周面と前記遮熱板の外周面との間隙、及び、前記貫通孔の内周面と前記電極の外周面との間隙が１０ｍｍ以上であることを特徴とする焼成炉。
【請求項２】
前記貫通孔の内周面と前記遮熱板の外周面との間隙に、前記加熱室へ向かう方向で不活性ガスを流すことを特徴とする請求項１に記載の焼成炉。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミックス成形体等を焼結する際に用いられる焼成炉に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、セラミックス成形体等を焼結する際には、燃焼式焼成炉、電気加熱式焼成炉などが用いられる。この電気加熱式焼成炉は、炉の外枠である炉体の内部に、断熱材で囲まれた加熱室が設けられている。そして、炉体の外部から炉体及び断熱材を貫通して、加熱室内のヒータに通電するための電極が挿入されている。この場合、一般的に電極と断熱材の隙間を絶縁材で封止する。絶縁材を用いるのは、電極から断熱材への漏電を防止するためである。
【０００３】
この絶縁材の材質は、絶縁する箇所の温度により決定されるが、２０００℃程度の焼成炉ではボロンナイトライド（ＢＮ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を用いることが一般的である。セラミックスなどが高温で焼成される場合、水分や成形用バインダなどの成分、助剤成分あるいは断熱材劣化によるカーボン粉、ハイドロカーボンなどが絶縁材表面に付着し、絶縁性が劣化することがある。このため、定期的に電極部分の分解清掃や絶縁材の交換を実施している。
【０００４】
一方、この付着による絶縁性の劣化を防ぐため、電極の外周面と断熱材に設けられた貫通孔の内周面が、凹部と凸部が入り組んだ構造を有する焼成炉が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
【特許文献１】
実開昭６２−１８３３８８号公報（第４−５頁、第１図）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特許文献１に開示された構造を有する焼成炉であっても、カーボン粉などが凸部及び凹部に付着し、絶縁不良が発生する。又、凸部及び凹部に付着した微粉は容易に分解清掃できないという問題があった。
【０００７】
上記の問題に鑑み、本発明は、電極部分の分解清掃の頻度を低下し、清掃時間を短縮することができる焼成炉を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の第１の特徴は、（イ）内部にヒータを備えた加熱室を有する炉体と、（ロ）加熱室を囲み、一部に貫通孔を有する断熱材と、（ハ）貫通孔を通り、ヒータに接続される電極と、（ニ）電極の外周を囲み、貫通孔の内周面に対向する位置にある遮熱板とを有し、（ホ）貫通孔の内周面と遮熱板の外周面との間隙、及び、貫通孔の内周面と電極の外周面との間隙が１０ｍｍ以上であることを特徴とする焼成炉である。断熱材の貫通孔の内周面と遮熱板の外周面との間隙があることにより、電極と断熱材の絶縁が可能となる。又、セラミックスなどが高温で焼成される場合、水分や成形用バインダなどの助材成分、あるいは断熱材劣化によるカーボン粉、ハイドロカーボンなどが断熱材や電極の表面に付着し、漏電を起こす要因となる。しかし、本発明の第１の特徴に係る焼成炉では、断熱材の貫通孔と遮熱板の間隙を１０ｍｍ以上にすることにより、断熱材や電極の表面にカーボン粉、ハイドロカーボンなどが付着しにくく、カーボン粉、ハイドロカーボンなどによって、電極と断熱材の間隙が埋められることもない。第１の特徴に係る焼成炉によると、絶縁低下が起こりにくいので、電極部分の分解清掃の頻度を低下させることができる。従って、設備効率及び生産効率を向上させることが可能となる。
【０００９】
又、第１の特徴に係る焼成炉は、貫通孔の内周面と遮熱板の外周面との間隙に、加熱室へ向かう方向で不活性ガスを流しても良い。不活性ガスを流すことにより、電極部付近のカーボン粉、ハイドロカーボンの堆積を防ぎ、より安定した絶縁状態で焼結を行うことができる。又、不活性ガスを流すことにより清掃を行うため、分解が不要となり、清掃時間を大幅に短縮することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
次に、図面を参照して、本発明の第１〜第３の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。従って、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１１】
第１〜第３の実施の形態において、ホットプレス方式の焼成炉を例にとり、説明する。ホットプレス方式は、カーボン治具内に原料粉末や成形体を充填、あるいは挿入し、１０〜５０ＭＰａの一軸加圧下で焼成するもので、通常の常圧焼結では、緻密化が困難なセラミックス材料の焼成に適する。
【００１２】
（第１の実施の形態）
第１の実施の形態に係る焼成炉は、図１に示すように、焼成炉１の外枠である炉体５の内部に、断熱材９で囲まれた加熱室を有する。そして、炉体５の外部から炉体５及び断熱材９を貫通して、加熱室内のヒータ８に通電するための電極７が挿入されている。この断熱材９としては、炭素繊維マット等が使用可能である。又、電極７には、銅電極、カーボン電極等が用いられる。焼成の対象となる成形体又は粉体は、上ラム２と下ラム３の間に設置されている。成形体又は粉体はモールド４内に１枚または複数枚収容される。成形体又は粉体をヒータ８で加熱し、同時に上ラム２と下ラム３の上下から一軸性の油圧で圧力を加えることによって、焼結を促進する。
【００１３】
図１における電極７部分を拡大すると、図２に示すように、断熱材９と炉体５には、電極を挿入するための貫通孔があり、断熱材９の貫通孔の表面はカーボン板１１で覆われている。カーボン板１１はビス１２により断熱材９に止められている。電極は、第１の電極７ａと第２の電極７ｂを備え、第１の電極７ａは雌ネジ構造となっており、第２の電極７ｂと接続されている。例えば、第１の電極７ａをカーボン電極とし、第２の電極７ｂを銅電極としても良い。電極７ａ、７ｂは、炉体５の外部から炉体５及び断熱材９を貫通し、第１のナット１３によりヒータ８に接続されている。断熱材９の貫通孔内面に対向する位置には、第２のナット１４により、電極７ａ、７ｂの外周を囲む円筒状の遮熱板１０が固定されている。遮熱板１０は、加熱室６内の熱輻射を外部に逃さないために貫通孔の一部を塞ぐように、電極７ａ、７ｂに設置される。遮熱板１０は、断熱材を覆うカーボン製のケースから構成され、遮熱板１０に用いられる断熱材としては、炭素繊維マット等が使用可能である。炉体５の外部に露出している電極７ａ、７ｂの末端は、樹脂製絶縁物１５により覆われ、ボルト１６により炉体５に固定されている。電極７ａ、７ｂと樹脂製絶縁物１５の間、及び炉体５と樹脂製絶縁物１５の間はＯリング１７で気密性を保つようにシールされている。樹脂製絶縁物１５は、具体的には、ＭＣナイロン、ベークライト等が使用可能である。
【００１４】
ここで、断熱材９の貫通孔の内周面と遮熱板１０の外周面との間隙ａは、１０ｍｍ以上である。又、断熱材９の貫通孔の内周面と電極７ａ、７ｂの外周面との間隙も１０ｍｍ以上である。図２では、断熱材９の貫通孔をカーボン板１１で覆っているので、カーボン板１１の表面と遮熱板１０の表面の間隙ａが１０ｍｍ以上となる。これらの間隙により、絶縁材等を使用することなく、電極７ａ、７ｂと断熱材９の絶縁が可能となる。又、セラミックスなどが高温で焼成される場合、水分や成形用バインダなどの成分、助剤成分あるいは断熱材劣化によるカーボン粉、ハイドロカーボンなどが電極７ａ、７ｂや断熱材９の表面に付着し、漏電を起こす要因となる。間隙ａ等を１０ｍｍ以上にすることにより、電極７ａ、７ｂや断熱材９の表面にカーボン粉、ハイドロカーボンなどが付着しにくく、カーボン粉、ハイドロカーボンなどによって、電極７ａ、７ｂと断熱材９の間隙が埋められることもない。従って、電極部分の分解清掃の頻度を低下させることができる。尚、断熱材９とヒータ８の距離は１０ｍｍ以上としても構わない。
【００１５】
又、焼結処理を複数回繰り返し、電極７ａ、７ｂと断熱材９の絶縁性が低下した場合は、電極部分の分解清掃を行う。分解清掃の手順としては、まず、電極７ａ、７ｂの先端部にある第１のナット１３を外し、第１の電極７ａとヒータ８を分離する。その後、第２のナット１４を緩め、遮熱板１０を取り外し、清掃を行う。併せて、カーボン板１１の内面を清掃する。図２では、第２のナット１４は遮熱板１０の前に存在するが、後にあっても差し支えない。この場合、第１の電極７ａを接続箇所であるネジ部において第２の電極７ｂから取り外した後、別途、遮熱板１０と第２のナット１４を分離してもよい。
【００１６】
第１の実施の形態に係る焼成炉によると、電極部分の分解清掃の頻度を低下させ、又、分解清掃を容易にすることができる。従って、設備効率及び生産効率を向上させることができる。
【００１７】
（第２の実施の形態）
第２の実施の形態に係る焼成炉は、図１に示すように、第１の実施の形態に係る焼成炉と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００１８】
第２の実施の形態に係る電極７の部分は、図３に示すように、第１の実施の形態に係る電極７部分にガスフロー配管１９が追加された構造である。ガスフロー配管１９部分以外の構造は、第１の実施の形態に係る電極７部分と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００１９】
ガスフロー配管１９は、炉体５外部から炉体５及び断熱材９を貫通して、断熱材９の貫通孔の内周面と遮熱板１０の外周面との間隙ｂに、窒素等の不活性ガスを、加熱室６へ向かう方向で流す。ガスフロー配管１９は、カーボン製であり、配管途中の温度が低い部分で金属と接続されても構わない。ガスフロー配管１９の内径は２〜３ｍｍで、８〜９ｋｇ／ｃｍ２程度のガス圧で炉外５からのガス噴射装置（ＧＵＮ）により不活性ガスを供給する。又、炉体５の外部に露出しているガスフロー配管１９は、樹脂製絶縁物１５により覆われ、ボルト１６により炉体５に固定されている。ガスフロー配管１９と樹脂製絶縁物１５の間、及び炉体５と樹脂製絶縁物１５の間はＯリング１７で気密性を保つようにシールされている。樹脂製絶縁物１５は、具体的には、ＭＣナイロン、ベークライト等が使用可能である。
【００２０】
又、図３では、ガスフロー配管１９は上下２箇所に備えられているが、カーボン粉、ハイドロカーボンなどは下部に堆積しやすいため、少なくとも下の部分に１箇所設置することが必要である。更に、寸法の制約がない限り、４箇所、８箇所など複数のガスフロー配管１９を備えても構わない。
【００２１】
ここで、断熱材９の貫通孔の内周面と遮熱板１０の外周面との間隙ｂは、１０ｍｍ以上である。又、貫通孔の内周面と電極７ａ、７ｂの外周面との間隙も１０ｍｍ以上である。図３では、断熱材９の貫通孔をカーボン板１１で覆っているので、カーボン板１１の表面と遮熱板１０の表面の間隙ｂが１０ｍｍ以上となる。これらの間隙により、絶縁材等を使用することなく、電極７ａ、７ｂと断熱材９の絶縁が可能となる。又、セラミックスなどが高温で焼成される場合、水分や成形用バインダなどの成分、助剤成分あるいは断熱材劣化によるカーボン粉、ハイドロカーボンなどが電極７ａ、７ｂや断熱材９の表面に付着し、漏電を起こす要因となる。間隙ｂ等を１０ｍｍ以上にすることにより、電極７ａ、７ｂや断熱材９の表面にカーボン粉、ハイドロカーボンなどが付着しにくく、カーボン粉、ハイドロカーボンなどによって、電極７ａ、７ｂと断熱材９の間隙が埋められることもない。尚、断熱材９とヒータ８の距離は１０ｍｍ以上としても構わない。
【００２２】
更に、この間隙ｂに不活性ガスを流すことにより、加熱室内におけるカーボン粉、ハイドロカーボン、助材成分の揮発分などの堆積を防止でき、より安定した絶縁状態で焼結を行うことができる。
【００２３】
又、第２の実施の形態に係る焼成炉は、焼結処理を複数回繰り返し、電極７ａ、７ｂと断熱材９の絶縁性が低下した場合は、電極部分の分解をせず清掃を行うことができる。即ち、炉外より不活性ガスを間隙ｂに吹き付けることにより堆積物を除去するため、分解が不要となる。従来、分解、清掃、組み立てに８時間程度かかっていたが、第２の実施の形態に係る焼成炉は、１０分程度で清掃が可能となる。間隙ｂに不活性ガスを流す処理は、焼成中に行っても、焼成中以外で行っても構わない。焼成中に不活性ガスを流す処理を行うと、清掃時間が不要となり、設備効率及び生産効率を向上させることに貢献する。
【００２４】
第２の実施の形態に係る焼成炉によると、不活性ガスを流すことにより、電極部付近のカーボン粉、ハイドロカーボンの堆積を防ぎ、より安定した絶縁状態で焼結を行うことができる。又、清掃時間を大幅に短縮することができる。
【００２５】
（第３の実施の形態）
第３の実施の形態に係る焼成炉は、図１に示すように、第１の実施の形態に係る焼成炉と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００２６】
第３の実施の形態に係る電極７の部分は、図４に示すように、第１の実施の形態に係る電極７部分にガスフロー配管２０、２１が追加された構造である。ガスフロー配管２０、２１部分以外の構造は、第１の実施の形態に係る電極７部分と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００２７】
第１のガスフロー配管２０は、樹脂製絶縁物１５を貫通して、加熱室６へ窒素等の不活性ガスを供給する。電極７ａ、７ｂの外側を覆う第２のガスフロー配管２１は、第１のガスフロー配管２０から供給された不活性ガスを、断熱材９の貫通孔の内周面と遮熱板１０の外周面との間隙ｃに流す。第２のガスフロー配管２１は、炉体５及び断熱材９に固定されている。第１のガスフロー配管２０の内径は２〜３ｍｍであり、第２のガスフロー配管２１は電極７ａ、７ｂよりも大きい直径を有する。ガスフロー配管２０、２１には、８〜９ｋｇ／ｃｍ２程度のガス圧で炉外５からのガス噴射装置（ＧＵＮ）により不活性ガスが供給される。又、炉体５の外部に露出している第１のガスフロー配管２０は、樹脂製絶縁物１５により覆われ、ボルト１６により炉体５に固定されている。第１のガスフロー配管２０と樹脂製絶縁物１５の間、及び炉体５と樹脂製絶縁物１５の間はＯリング１７で気密性を保つようにシールされている。樹脂製絶縁物１５は、具体的には、ＭＣナイロン、ベークライト等が使用可能である。
【００２８】
又、図４では、第１のガスフロー配管２０は上下２箇所に備えられているが、１箇所でも構わず、寸法の制約がない限り、４箇所、８箇所など複数の第１のガスフロー配管２０を備えても構わない。
【００２９】
ここで、断熱材９の貫通孔の内周面と遮熱板１０の外周面との間隙ｃは、１０ｍｍ以上である。又、断熱材９の貫通孔の内周面と電極７ａ、７ｂの外周面との間隙も１０ｍｍ以上である。図４では、断熱材９の貫通孔をカーボン板１１で覆っているので、カーボン板１１の表面と遮熱板１０の表面の間隙ｃが１０ｍｍ以上となる。これらの間隙により、絶縁材等を使用することなく、電極７ａ、７ｂと断熱材９の絶縁が可能となる。又、セラミックスなどが高温で焼成される場合、水分や成形用バインダなどの成分、助剤成分あるいは断熱材劣化によるカーボン粉、ハイドロカーボンなどが電極７ａ、７ｂや断熱材９の表面に付着し、漏電を起こす要因となる。間隙ｃ等を１０ｍｍ以上にすることにより、電極７ａ、７ｂや断熱材９の表面にカーボン粉、ハイドロカーボンなどが付着しにくく、カーボン粉、ハイドロカーボンなどによって、電極７ａ、７ｂと断熱材９の間隙が埋められることもない。尚、断熱材９とヒータ８の距離は１０ｍｍ以上としても構わない。
【００３０】
更に、この間隙ｃに不活性ガスを流すことにより、加熱室内におけるカーボン粉、ハイドロカーボン、助材成分の揮発分などの堆積を防止でき、より安定した絶縁状態で焼結を行うことができる。
【００３１】
又、第３の実施の形態に係る焼成炉は、焼結処理を複数回繰り返し、電極７ａ、７ｂと断熱材９の絶縁性が低下した場合は、電極部分の分解をせず清掃を行うことができる。即ち、炉外より不活性ガスを間隙ｃに吹き付けることにより堆積物を除去するため、分解が不要となる。従来、分解、清掃、組み立てに８時間程度かかっていたが、第３の実施の形態に係る焼成炉は、１０分程度で清掃が可能となる。間隙ｃに不活性ガスを流す処理は、焼成中に行っても、焼成中以外で行っても構わない。焼成中に不活性ガスを流す処理を行うと、清掃時間が不要となり、設備効率及び生産効率を向上させることに貢献する。
【００３２】
第３の実施の形態に係る焼成炉によると、不活性ガスを流すことにより、電極部付近のカーボン粉、ハイドロカーボンの堆積を防ぎ、より安定した絶縁状態で焼結を行うことができる。又、清掃時間を大幅に短縮することができる。
【００３３】
【実施例】
以下、本発明の実施例及び比較例について説明する。以下の実施例及び比較例では、図１に示すホットプレス方式の焼成炉を用い、窒化アルミニウムを含むセラミックス成形体の焼結を行った。電極構造は、第１の実施の形態に係る図２に示す構造を用いた。
【００３４】
（実施例１）
図２に示す電極構造の遮熱板１０とカーボン板１１の間隙ａ、及び断熱材９の貫通孔の内周面と電極７ａ、７ｂの間隙を２０ｍｍ、遮熱板１０の直径を１００ｍｍとした焼成炉を用い、セラミックス成形体の焼結を行った。焼結の条件は、焼結温度１９００℃、焼結時間４時間、窒素雰囲気とした。そして、１回の焼結が終わるごとに、室温付近で断熱材とヒータの間の絶縁抵抗を測定し、抵抗値と焼成回数の関係を調査した。この結果、表１に示すように、２００回以上焼結を行っても抵抗値が１５０Ω以下に下がらないことが確認できた。設備に付帯した電気部品が正常に作動するための許容漏電電流とヒータに印加する電圧から、１０倍の安全率を持つ抵抗値を算出すると、１５０Ωとなる。１０倍の安全率を持つので、焼成時の高温で絶縁抵抗が低下しても、一定の抵抗値を保持することができる。
【００３５】
（実施例２）
図２に示す電極構造の遮熱板１０とカーボン板１１の間隙ａ、及び断熱材９の貫通孔の内周面と電極７ａ、７ｂの間隙を１０ｍｍ、遮熱板１０の直径を１００ｍｍとした焼成炉を用い、セラミックス成形体の焼結を行った。焼結の条件は実施例１と同様であった。そして、１回の焼結が終わるごとに、室温付近で断熱材とヒータの間の絶縁抵抗を測定し、抵抗値と焼成回数の関係を調査した。この結果、表１に示すように、２００回以上焼結を行っても抵抗値が１５０Ω以下に下がらないことが確認できた。
【００３６】
（比較例１）
実施例１〜２に対する比較例１として、図２に示す電極構造の遮熱板１０とカーボン板１１の間隔ａ、及び断熱材９の貫通孔の内周面と電極７ａ、７ｂの間隙を７．５ｍｍ、遮熱板１０の直径を１００ｍｍとした焼成炉を用い、セラミックス成形体の焼結を行った。焼結の条件は実施例１と同様であった。そして、１回の焼結が終わるごとに、室温付近で断熱材とヒータの間の絶縁抵抗を測定し、抵抗値と焼成回数の関係を調査した。この結果、表１に示すように、焼結を３０回行った時点で、抵抗値が１５０Ω以下まで下がることが確認できた。
【００３７】
（比較例２）
実施例１〜２に対する比較例１として、図２に示す電極構造の遮熱板１０とカーボン板１１の間隙ａ、及び断熱材９の貫通孔の内周面と電極７ａ、７ｂの間隙を５ｍｍ、遮熱板１０の直径を１００ｍｍとした焼成炉を用い、セラミックス成形体の焼結を行った。焼結の条件は実施例１と同様であった。そして、１回の焼結が終わるごとに、室温付近で断熱材とヒータの間の絶縁抵抗を測定し、抵抗値と焼成回数の関係を調査した。この結果、表１に示すように、焼結を１０回行った時点で、抵抗値が１５０Ω以下まで下がることが確認できた。
【００３８】
【表１】
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（結果）
比較例１、２が焼成回数１０〜３０回で、抵抗値が１５０Ω以下まで下がることに対し、実施例１、２は、焼成回数を２００回以上行っても抵抗値が下がらなかった。このため、遮熱板１０とカーボン板１１の間隔ａを１０ｍｍ以上とすることで、電極部分の分解清掃の頻度が低下し、メンテナンス費用が軽減できることが確認できた。
【００３９】
（その他の実施の形態）
本発明は上記の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかである。
【００４０】
例えば、本発明の第１〜第３の実施の形態において、加圧式の焼成炉について説明したが、加圧式に限らず無加圧式の焼成炉を用いても構わない。又、加圧式の焼成炉についても、ホットプレス焼結に限らず、ガス圧焼結や熱間等方圧焼結を行う焼成炉を用いても構わない。
【００４１】
又、図２〜図４において、断熱材９の貫通孔の内周面は、カーボン板１１で覆われていると説明したが、この材質はカーボンに限らず、カーボンコンポジット板、ＢＮ、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウムなどの耐熱性のあるセラミック等でも構わない。更に、断熱材９の貫通孔の内周面及びカーボン板１１の形状は、図２〜図４の構造に限らず、図５に示すような凸型構造でも構わない。又、断熱材９の貫通孔の内周面をカーボン板１１等で被覆しない構造としても構わないが、カーボン板１１で断熱材９を被覆することにより、エッジ部分からの毛羽立ちを防止し、絶縁を確保することができる。
【００４２】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【００４３】
【発明の効果】
本発明によると、電極部分の分解清掃の頻度を低下し、清掃時間を短縮することができる焼成炉を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１〜第３の実施の形態に係る焼成炉の断面図である。
【図２】第１の実施の形態に係る焼成炉の電極部分の断面図である。
【図３】第２の実施の形態に係る焼成炉の電極部分の断面図である。
【図４】第３の実施の形態に係る焼成炉の電極部分の断面図である。
【図５】その他の実施の形態に係る焼成炉の電極部分の断面図である。
【符号の説明】
１  焼成炉
２  上ラム
３  下ラム
４  モールド
５  炉体
６  加熱室
７  電極
７ａ  第１の電極
７ｂ  第２の電極
８  ヒータ
９  断熱材
１０  遮熱板
１１  カーボン板
１２  ビス
１３  第１のナット
１４  第２のナット
１５  樹脂製絶縁物
１６  ボルト
１７  Ｏリング
１９  ガスフロー配管
２０  第１のガスフロー配管
２１  第２のガスフロー配管
【図１】
2004245453.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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