(57)【要約】【課題】従来のものよりも優れた耐電圧特性を有する静電チャックを提供することである。【解決手段】基台１と、その上面に配設された下部絶縁層２と、基台１と下部絶縁層２との間に配設され、下部絶縁層２を基台１に対して固定する接合層３と、下部絶縁層２の上に形成された電極層４ａ，４ｂと、これらを被覆するよう下部絶縁層２の上に、溶射により形成された上部絶縁層５と、を具備し、基台１が金属または金属−セラミックス複合材料から構成されてなり、かつ、下部絶縁層２が、気孔率１％以下の焼結体から構成されている静電チャック。【選択図】　　図２
2004079861.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基台と、
この基台の上面に配設された下部絶縁層と、
前記基台と前記下部絶縁層との間に配設され、前記下部絶縁層を前記基台に対して固定する接合層と、
前記下部絶縁層の上に形成された電極層と、
この電極層を被覆するよう前記下部絶縁層の上に、溶射により形成された上部絶縁層と
を具備してなる静電チャックであって、
前記基台が金属または金属−セラミックス複合材料から構成されてなり、かつ、前記下部絶縁層が、気孔率１％以下の焼結体から構成されてなることを特徴とする静電チャック。
【請求項２】
基台の、２０〜３０℃における平均の熱膨張係数と、下部絶縁層の、２０〜３０℃における平均の熱膨張係数との差が、２×１０−６／℃以下であることを特徴とする請求項１に記載の静電チャック。
【請求項３】
下部絶縁層がマシナブルセラミックスから構成されたものであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の静電チャック。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は静電チャックに関する。特に、絶縁層に埋設された状態で、電極を基台上に設けてなる静電チャックの構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造過程における薄膜形成工程あるいはドライエッチング工程では、ウェハなどの平板状の物品に所要の成膜処理あるいはエッチング処理を施すため、載置台上の物品を保持する必要がある。こうした要求に応える保持装置としては、静電作用を利用して物品を密着保持する静電チャックが広く用いられている。
【０００３】
従来型の静電チャックは、金属製の円板電極上に、それを被覆するようアルミナなどのセラミックス粉末をプラズマ溶射して絶縁膜を形成することにより構成されている。このため、比較的少ない工程数で製造することができ、その上、得られた静電チャックは、耐熱性や耐久性にも優れるといった利点がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、こうして得られた静電チャックの絶縁膜すなわち溶射皮膜は、微小な気孔が無数に存在する多孔質状となっているため、耐電圧特性があまり高くない。したがって、大きな保持力を得るのは難しい。その上、気孔部分で放電現象が起きることがある。すなわち、吸着保持した物品あるいは基台と電極との間に、気孔を経由して電流が流れるといった不具合が稀に発生することがあり、依然として改善の余地が残されていた。こうした実情に鑑みて、気孔に樹脂を充填して耐電圧特性を高める封孔処理が提案されている（たとえば特開平６−１９６５４８号公報）。
【０００５】
ところで、液晶パネル製造装置に用いられる静電チャックには、導電性膜が存在しないガラス基板などを吸着できる能力が求められ、近年、このようなニーズが高まりつつある。こうした物品を吸着するには、とりわけ高い電圧を印加する必要があり、その上、導電性膜を持たないガラス基板は電極として用いることができない。このため静電チャックとしては、吸着保持するガラス基板を接地する必要のない双極型のものを用いる必要がある。
【０００６】
だが、この双極型静電チャックを機能させるのに必要な高い電圧を印加すると、たとえ上記封孔処理が施されていても、絶縁層、特に基台と電極との間に位置する下部絶縁層の耐電圧能力が不足し、不具合を生じることがある。したがって、本発明が解決しようとする課題は、これまでのものよりも優れた耐電圧特性を有する静電チャックを提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するべく鋭意研究を推し進めた結果、封孔処理では飛躍的な耐電圧特性の向上は望めないことがわかった。これは、基台の上に設けられる下部絶縁層に過剰な封孔処理を施すと、その上に形成される電極層との接合性が急激に悪化するからである。この場合、電極層の剥離が極めて起きやすくなる。
【０００８】
こうした実情に基づいて更に研究に取り組んだ結果、気孔率１％以下の焼結体から構成された板状体を、接合層を介して基台上面に配設し、これを下部絶縁層として用いれば、封孔処理によらずに上記不具合が解決されることを見出した。すなわち、こうして得られた下部絶縁層は、溶射などによって形成された従来の膜状のものとは異なり、気孔をほとんど持たないから、その存在に起因した不具合は事実上皆無となる。つまり、耐電圧特性が大幅に向上し、吸着保持能力も増大する。その上、下部絶縁層と電極層とを良好に接合できるので、電極層の剥離といった問題も起きなくなる。こうした構造は、特に静電チャックが、高い電圧が印加される双極型のものである場合に大きな効果を発揮する。
【０００９】
本発明は、こうした知見に基づいてなされたものであり、上記の課題は、
基台と、
この基台の上面に配設された下部絶縁層と、
前記基台と前記下部絶縁層との間に配設され、前記下部絶縁層を前記基台に対して固定する接合層と、
前記下部絶縁層の上に形成された電極層と、
この電極層を被覆するよう前記下部絶縁層の上に、溶射により形成された上部絶縁層と
を具備してなる静電チャックであって、
前記基台が金属または金属−セラミックス複合材料から構成されてなり、かつ、前記下部絶縁層が、気孔率１％以下（下限値は０％）の焼結体から構成されてなることを特徴とする静電チャックによって解決される。
【００１０】
なお、本発明の静電チャックにおいては、基台の、２０〜３０℃における平均の熱膨張係数と、下部絶縁層の、２０〜３０℃における平均の熱膨張係数との差が、２×１０−６／℃以下（下限値は０）となるよう設定されることが好ましい。こうすることで、各層間の剥離がいっそう起きにくくなる。
【００１１】
また、本発明の静電チャックを構成する下部絶縁層としては、特にマシナブルセラミックス（快削性セラミックス）から構成されたものが好適である。参考までに言うと、マシナブルセラミックスとは、硬度が非常に高く、加工が極めて困難である一般的なセラミックスに比して、機械加工が格段に容易な、すなわち切削などの処理を難なく施すことが可能で、所望の形状に自由自在に加工できる性質を備えた特殊なセラミックスを指す。具体的には、住金セラミックス社製のホトベール（登録商標）や米国Ｃｏｒｎｉｎｇ社製のマコール（登録商標）が挙げられる。
【００１２】
更に、基台と下部絶縁層との接合には、接着剤の他に、ガラスやアルミニウム合金ろう材などを用いることができる。この場合、上記接合層は、当然のことながら、硬化した接着剤やガラス、アルミニウム合金ろう材などから構成されることになる。いかなる接合方法を採用するかは、静電チャックの使用条件を考慮して選定される。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、図１および図２を用いて、本発明の一実施形態を具体的に説明する。なお、図１は本実施形態に係る静電チャックの平面図、図２は図１におけるＸ−Ｘ線での同静電チャックの概略断面図である。
【００１４】
本実施形態に係る静電チャック（以下、本静電チャックと言う）は、図１に示すごとく双極型のものであり、矩形平板状の外形を有する。更に、図２からもわかるように本静電チャックは、主要構成要素として、基台１、下部絶縁層２、接合層３、隣り合う二つの電極層４ａ，４ｂ、そして上部絶縁層（誘電層）５を具備する。このうち基台１は、金属−セラミックス複合材料（ＭＭＣ）から構成されており、実際には、後述する電極端子を設置するための孔が複数形成されている。ただし基台１の材質は、基本的にいかなるものであってもよく、上記金属−セラミックス複合材料以外にも、たとえばアルミニウムなどの金属単体、あるいはアルミニウム合金、あるいは他の低熱膨張合金などから構成される。いかなる材料を用いるかは、静電チャックの使用温度を考慮して選択される。
【００１５】
次に、基台１の上面に配設された下部絶縁層２についてであるが、これは気孔率が１％以下の焼結体から構成されている。更に具体的に言うと、下部絶縁層２は、マシナブルセラミックスから構成された薄板（本実施形態では矩形薄板）であり、接合層３を介して基台１の上に載置されている。基台１と下部絶縁層２との間に配設された接合層３は、両者の間に隙間ができないよう、下部絶縁層２を基台１に対して固定する役割を果たす。ここでは、この接合層３をＳｉ系の耐熱接着剤から構成している。つまり、下部絶縁層２を基台１に対してＳｉ系接着剤で接合した。なお本実施形態では、基台１の、２０〜３０℃における平均の熱膨張係数と、下部絶縁層２の、２０〜３０℃における平均の熱膨張係数との差が、２×１０−６／℃以下となるように設定している。
【００１６】
下部絶縁層２の上に互いに隣接状態で設けられた電極層４ａ，４ｂは、基台１と同様、矩形状のものであって、たとえばニッケル（あるいはタングステン、アルミニウム、銀など）を、下部絶縁層２の表面にプラズマ溶射することにより形成されている。これら電極層４ａ，４ｂには、一方が正極に、他方が負極となるように電圧が印加されることになる。
【００１７】
電極層４ａ，４ｂを被覆するよう下部絶縁層２の上に設けられた上部絶縁層５は、たとえば酸化チタンを少量含むアルミナなどを、電極層４ａ，４ｂの表面に、したがって下部絶縁層２の表面にプラズマ溶射することにより形成されている。ただし、アルミナ以外にも、要求される誘電率の値などに応じて適切な材料を選定して使用できる。
【００１８】
本実施形態では、双極型静電チャックを例に挙げたが、むろん内部電極を一つしか持たない単極型静電チャックについても、本発明の技術を適用できる。また、ここでは、基台や電極層を矩形状としたが、言うまでもなくこれらの形状は任意であり、必要に応じて所望の形状とすることができる。
【００１９】
電極層４ａおよび電極層４ｂには、それぞれ給電用の電極端子６ａおよび電極端子６ｂが接続されている。これを用いて電極層４ａおよび電極層４ｂに電圧を印加することで、本静電チャックは上部絶縁層５の表面に物品を吸着できるようになる。また、これら電極端子６ａ，６ｂを基台１へ取り付けるのには、セラミックス製の絶縁管７ａ，７ｂを用いている。すなわち、上端が絶縁管７ａ，７ｂの端面から露出するよう電極端子６ａ，６ｂを絶縁管７ａ，７ｂに組み付け、更にこれを基台１の孔に嵌入させることで、電極端子６ａ，６ｂを基台１に固定している。絶縁管７ａ，７ｂとしては、マシナブルセラミックスを加工して得たものを用いた。
【００２０】
本実施形態では、マシナブルセラミックスからなる下部絶縁層２の厚さ（図２中、Ｔ１で示す）を０．５〜５ｍｍ程度とした。厚さがこの範囲内であれば、加工や取り扱いが特に容易である。その上、基台１との熱膨張量の差がまったく問題とならない程度に抑えられるので、熱衝撃による亀裂や破損が起き難い。一方、電極層４ａ，４ｂの厚さ（図２中、Ｔ２で示す）は、ともに３０〜１００μｍ程度である。厚さがこの範囲内であれば、特に均一な溶射皮膜が得られるので、吸着力にムラが生じなくなる。加えて、電極層４ａ，４ｂと下部絶縁層２との間の段差が十分に小さく抑えられるので、上部絶縁層５の耐電圧特性が劣化することはない。電極層４ａと電極層４ｂとの間隔（図１中、Ｄで示す）は、５ｍｍ程度である。更に、上部絶縁層５の有効厚さ（図２中、Ｔ３で示す）は３００μｍ程度である。そして、この上部絶縁層５の表面粗さＲａは、０．１〜２．０μｍ程度である。
【００２１】
続いて、本静電チャックの製造手順について簡単に説明する。本静電チャックを得るには、まず洗浄した基台１の上面に、Ｓｉ系耐熱接着剤（接合層３）を用いて、マシナブルセラミックス製の薄板（下部絶縁層２）を接着する。また基台１に、絶縁管７ａ，７ｂを介して電極端子６ａ，６ｂを組み付ける。続いては、アルミナあるいは炭化ケイ素などのブラスト材を用いて、マシナブルセラミックス製の薄板すなわち下部絶縁層２の表面を均一に粗面化する。それを清浄化したならば、下部絶縁層２の表面にニッケルをプラズマ溶射し、二つの電極層４ａ，４ｂを形成する。これによって、電極層４ａと電極端子６ａとが、また、電極層４ｂと電極端子６ｂとが、それぞれ接続された状態となる。
【００２２】
次に、電極層４ａ，４ｂの上に、したがって下部絶縁層２の上に、酸化チタンを少量含むアルミナをプラズマ溶射し、上部絶縁層（誘電層）５を形成する。最後に、上部絶縁層５の表面に封孔処理、研削加工、ラッピングを順に施し、図２に示すような断面を有する本静電チャックが完成する。
【００２３】
なお、封孔処理に用いられる物質、つまり気孔に充填される物質としては、シリカゾル、アルミナゾル、マグネシアゾルなどのコロイダル状のスラリーや、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２などの金属アルコキシド系ポリマー、そしてこれらポリマーの他にメラミン樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂などの各種樹脂を含有するものが挙げられる。こうした物質の気孔への充填（絶縁層への含浸）は、半完成状態の静電チャックを真空デシケーター内にセットし、真空吸引することにより行う。気孔に充填させたスラリーは、その特性を考慮して乾燥させられ、続いて研削加工が行われることになる。
【００２４】
さて、上述したように本実施形態では、下部絶縁層２を、気孔率１％以下の焼結体、すなわちマシナブルセラミックス製の薄板から構成した。こうして得られた下部絶縁層２は、溶射などによって形成された従来の皮膜とは異なり、気孔をほとんど持たないから、放電現象など不具合の発生は事実上皆無となる。この結果、耐電圧特性が大幅に向上し、吸着保持能力が増大する。その上、下部絶縁層２に封孔処理を施す必要はないから、電極層４ａ，４ｂとの接合性は良好である。更に言えば、静電チャックが双極型である場合、単極型よりも高い電圧が印加されることになる。このため本発明の技術は、双極型の静電チャックに適用された場合に、特に大きな効果を発揮する。
【００２５】
【実施例】
〔実施例１〕
基台の原料として、▲１▼強化材となる＃１８０（平均粒径６６μｍ）の市販のＳｉＣ粉末を７０重量部、▲２▼同じく強化材となる＃８００（平均粒径１４μｍ）の市販のＳｉＣ粉末を３０重量部、▲３▼バインダーとなるコロイダルシリカ液を適量（シリカ固形分が２重量部となる量）、▲４▼消泡材となるフォーマスタＶＬ（サンノプコ社製）を０．２重量部、そして▲５▼イオン交換水を２４重量部、それぞれ準備し、これらをポットミルを用いて１２時間かけて混合した。次いで、こうして得られたスラリーをメッシュ付き金型（直径３５０ｍｍ、厚さ２５ｍｍの円板状成形体が得られるもの）に流し込んでフィルタープレスを行い、脱型後、１０００℃で焼成してプリフォームを形成した。
【００２６】
続いては、このプリフォーム中にアルミニウム合金（Ａｌ−１２Ｓｉ−３Ｍｇ−２Ｃｕ−３Ｔｉ）を、窒素気流中において、８２５℃で６０時間かけて非加圧浸透させ、その後、冷却する。こうして、ＳｉＣ粉末の含有量が７０体積％の金属−セラミックス複合材料からなる基台（縦２０９ｍｍ、横１５７ｍｍ、厚さ１０ｍｍ）を作製した。ちなみに、この基台の熱膨張係数は６．２×１０−６／℃である。
【００２７】
次に、密着性を高めるため基台の表面を洗浄し、この基台と縦横寸法は等しく、厚さが０．５ｍｍであるマシナブルセラミックス（ホトベールＬ　熱膨張係数６．１×１０−６／℃）製の薄板を、Ｓｉ系接着剤で基台に接合し、下部絶縁層を形成した。更に、続いて形成される電極層との密着性を高めるべく、表面粗さがＲｍａｘで少なくとも５μｍ以上となるまで、この下部絶縁層の表面にブラスト処理を施す。その後、プラズマ溶射によって、下部絶縁層の表面に厚さ５０μｍのＮｉ電極層を形成する。なお、本実施例では電極層を双極形状とし、両者の間隔を５ｍｍとした（電極層の形状は図１に示すとおり）。更に、この電極層を覆うように、プラズマ溶射によって厚さ４００μｍのＡｌ２Ｏ３の層、すなわち上部絶縁層を形成する。最後に、真空中でＳｉＯ２系の金属アルコキシドを用いて封孔処理を実施し、更に研削加工、ラップ処理を順に行い、上部絶縁層の厚さが３００μｍで、表面粗さＲａが０．２μｍの静電チャックを得た。
【００２８】
〔実施例２〕
上記実施例１と同様にして、以下の条件で、本発明に係る静電チャックを作製した（基本的に他の実施例についても同じ）。
基台の材質：金属（アルミニウム合金）−セラミックス複合材料（ＳｉＣ含有量５５体積％）
基台の熱膨張係数：１０．０×１０−６／℃
下部絶縁層の材質：ホトベール
下部絶縁層の熱膨張係数：８．５×１０−６／℃
下部絶縁層の厚さ：１．０ｍｍ
電極層の材質：Ｗ
上部絶縁層の材質：Ａｌ２Ｏ３
【００２９】
〔実施例３〕
以下の条件で、本発明に係る静電チャックを作製した。
基台の材質：金属（アルミニウム合金）−セラミックス複合材料（ＳｉＣ含有量７０体積％）
基台の熱膨張係数：６．２×１０−６／℃
下部絶縁層の材質：Ａｌ２Ｏ３
下部絶縁層の熱膨張係数：６．８×１０−６／℃
下部絶縁層の厚さ：０．５ｍｍ
電極層の材質：Ａｌ
上部絶縁層の材質：Ａｌ２Ｏ３−７．５％ＴｉＯ２
【００３０】
〔実施例４〕
以下の条件で、本発明に係る静電チャックを作製した。
基台の材質：金属（アルミニウム合金）−セラミックス複合材料（ＳｉＣ含有量５５体積％）
基台の熱膨張係数：１０．０×１０−６／℃
下部絶縁層の材質：マコール
下部絶縁層の熱膨張係数：９．３×１０−６／℃
下部絶縁層の厚さ：２．０ｍｍ
電極層の材質：Ｎｉ
上部絶縁層の材質：Ａｌ２Ｏ３
【００３１】
〔実施例５〕
以下の条件で、本発明に係る静電チャックを作製した。
基台の材質：金属（Ｓｉ）−セラミックス複合材料（ＳｉＣ含有量５０体積％）
基台の熱膨張係数：２．８×１０−６／℃
下部絶縁層の材質：Ｓｉ３Ｎ４
下部絶縁層の熱膨張係数：３．５×１０−６／℃
下部絶縁層の厚さ：０．５ｍｍ
電極層の材質：Ｗ
上部絶縁層の材質：Ａｌ２Ｏ３
【００３２】
〔実施例６〕
以下の条件で、本発明に係る静電チャックを作製した。
基台の材質：金属（Ｓｉ）−セラミックス複合材料（ＳｉＣ含有量５０体積％）
基台の熱膨張係数：２．８×１０−６／℃
下部絶縁層の材質：マコール
下部絶縁層の熱膨張係数：９．３×１０−６／℃
下部絶縁層の厚さ：０．５ｍｍ
電極層の材質：Ｗ
上部絶縁層の材質：Ａｌ２Ｏ３
【００３３】
〔実施例７〕
基台の組成が異なること以外は上記実施例１と同様にして、以下の条件で、本発明に係る静電チャックを作製した。
基台の材質：アルミニウム合金（５０５２）
基台の熱膨張係数：２２．０×１０−６／℃
下部絶縁層の材質：Ａｌ２Ｏ３
下部絶縁層の熱膨張係数：６．８×１０−６／℃
下部絶縁層の厚さ：０．５ｍｍ
電極層の材質：Ｎｉ
上部絶縁層の材質：Ａｌ２Ｏ３−５％ＴｉＯ２
【００３４】
〔比較例１〕
下部絶縁層をセラミックス溶射皮膜から構成したこと以外は、上記実施例１と同様にして、以下の条件で、比較用の静電チャックを作製した。
基台の材質：金属（アルミニウム合金）−セラミックス複合材料（ＳｉＣ含有量７０体積％）
基台の熱膨張係数：６．２×１０−６／℃
下部絶縁層の材質：Ａｌ２Ｏ３
下部絶縁層の熱膨張係数：６．８×１０−６／℃
下部絶縁層の厚さ：０．５ｍｍ
電極層の材質：Ｎｉ
上部絶縁層の材質：Ａｌ２Ｏ３−５％ＴｉＯ２
【００３５】
〔比較例２〕
上記比較例１と同様に、以下の条件で、比較用の静電チャックを作製した。
基台の材質：金属（アルミニウム合金）−セラミックス複合材料（ＳｉＣ含有量５５体積％）
基台の熱膨張係数：１０．０×１０−６／℃
下部絶縁層の材質：Ａｌ２Ｏ３
下部絶縁層の熱膨張係数：６．８×１０−６／℃
下部絶縁層の厚さ：０．４ｍｍ
電極層の材質：Ｎｉ
上部絶縁層の材質：Ａｌ２Ｏ３
【００３６】
〔比較例３〕
基台の組成が異なること以外は上記比較例１と同様に、以下の条件で、比較用の静電チャックを作製した。
基台の材質：アルミニウム合金（５０５２）
基台の熱膨張係数：２２．０×１０−６／℃
下部絶縁層の材質：Ａｌ２Ｏ３
下部絶縁層の熱膨張係数：６．８×１０−６／℃
下部絶縁層の厚さ：０．５ｍｍ
電極層の材質：Ｗ
上部絶縁層の材質：Ａｌ２Ｏ３
【００３７】
〔比較例４〕
上記比較例１と同様に、以下の条件で、比較用の静電チャックを作製した。
基台の材質：金属（Ｓｉ）−セラミックス複合材料（ＳｉＣ含有量５０体積％）
基台の熱膨張係数：２．８×１０−６／℃
下部絶縁層の材質：Ａｌ２Ｏ３
下部絶縁層の熱膨張係数：６．８×１０−６／℃
下部絶縁層の厚さ：０．５ｍｍ
電極層の材質：Ｗ
上部絶縁層の材質：Ａｌ２Ｏ３
【００３８】
〔評価〕
上記実施例１〜７の静電チャックと比較例１〜４の静電チャックについて、１０ｋＶまでの直流電圧を印加して、耐電圧特性を、吸着力を測定することにより評価した。すなわち、一般的な真空チャンバー試験装置に静電チャックを固定し、この静電チャックと吸着させたガラス基板（縦２２０ｍｍ、横１７０ｍｍ、厚さ５ｍｍ）との間にヘリウムガスを導入した。そして、ガラス基板が静電チャックから剥がれた瞬間の圧力を検出し、この値から吸着力を算出した。また、これとは別に、室温（２０℃）〜２００℃の温度サイクル試験を実施し、絶縁層に剥離などの問題が発生していないかどうかを調べた。その結果は、表１に示すとおりである。ただし表１中、○は良好（問題なし）、△は可（許容範囲）、×は不可（問題あり）をそれぞれ意味する。
【００３９】
表１
試料　　　　　　　耐電圧試験　　　　　温度サイクル試験
実施例１　　　　　　　　○　　　　　　　　　　○
実施例２　　　　　　　　○　　　　　　　　　　○
実施例３　　　　　　　　○　　　　　　　　　　○
実施例４　　　　　　　　○　　　　　　　　　　○
実施例５　　　　　　　　○　　　　　　　　　　○
実施例６　　　　　　　　○　　　　　　　　　　△
実施例７　　　　　　　　○　　　　　　　　　　△
比較例１　　　　　　　　×　　　　　　　　　　×
比較例２　　　　　　　　×　　　　　　　　　　×
比較例３　　　　　　　　×　　　　　　　　　　×
比較例４　　　　　　　　×　　　　　　　　　　×
【００４０】
この試験結果から、本発明に係る静電チャックは、耐電圧特性に優れ、その上、絶縁層の剥離などの問題が起きず、高い耐久性を有することがわかる。しかも、実施例１〜５のように、基台と下部絶縁層との熱膨張係数の差を２×１０−６／℃以下に抑えた場合には、本発明の効果は特に顕著なものとなっている。
【００４１】
【発明の効果】
本発明の静電チャックは、従来のものよりも耐電圧特性に優れ、高い吸着保持能力を発揮する。その上、絶縁層の剥離などが起き難く、耐久性にも優れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る静電チャックの平面図
【図２】図１におけるＸ−Ｘ線での本発明の実施形態に係る静電チャックの概略断面図
【符号の説明】
１　　　　　　　基台
２　　　　　　　下部絶縁層
３　　　　　　　接合層
４ａ，４ｂ　　　電極層
５　　　　　　　上部絶縁層（誘電層）
６ａ，６ｂ　　　電極端子
７ａ，７ｂ　　　絶縁管
【図１】
2004079861.tif 000003
【図２】
2004079861.tif 000004