(57)【要約】【課題】製造工程を少なくでき、高密度化および高速化が可能な熱アシスト磁気記録ヘッドおよび熱アシスト磁気記録装置を提供する。【解決手段】熱アシスト磁気記録ヘッド１は、ＧＭＲセンサ３と、薄膜磁気トランスデューサ４とを備える。薄膜磁気トランスデューサ４は、ヨーク３３，４３とその先端の磁気ポール４０，４１とにより構成される磁気回路と、この磁気回路と鎖交する磁気コイル４４と、磁気ポール４０，４１間の磁気ギャップを埋めるスペーサ４２と、ヨーク３３，４３の他端を電気的に絶縁する絶縁膜４５とを備え、ヨーク３３，４３間に電流を印加することにより、スペーサ４２を発熱させ、磁気コイル４４に記録信号に基づく電流を流すことにより漏れ磁界を生じさせ、磁気ディスク８の磁気記録層８ａを加熱するとともに記録を行う。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体を加熱してその部分の抗磁力を低下させ、その抗磁力が低下した前記部分に磁界を印加して情報を記録する熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、
ヨークの先端の２つの磁気ポール間に形成された磁気ギャップに前記磁界を発生する薄膜磁気トランスデューサと、
前記２つの磁気ポールに電気的に接続されるように前記磁気ギャップに配置された導電部材とを備え、
前記ヨークに通電して前記磁気ギャップ近傍を加熱することにより前記磁気記録媒体を加熱することを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項２】
前記導電部材は、前記２つの磁気ポールの電気抵抗よりも高い電気抵抗を有することを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項３】
前記導電部材は、前記２つの磁気ポールの電気抵抗よりも低い電気抵抗を有することを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項４】
前記２つの磁気ポールの少なくとも一方の磁気ポールは、前記ヨークの電気抵抗よりも高い電気抵抗を有することを特徴とする請求項３記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項５】
前記２つの磁気ポールは、前記ヨークのキューリー温度よりも高いキューリー温度を有することを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項６】
前記薄膜磁気トランスデューサは、前記ヨークの一部に介在され、前記一部の両側のヨーク部分を電気的に絶縁するとともに、磁気的に接続する電気的絶縁部材を備えたことを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項７】
前記電気的絶縁部材は、フェライトからなることを特徴とする請求項６記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項８】
前記ヨークは、低電気抵抗材料からなることを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項９】
前記ヨークは、低電気抵抗膜を積層してなることを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項１０】
前記ヨークは、通電のための一対の電極を備えることを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項１１】
前記薄膜磁気トランスデューサは、前記磁気記録媒体に対向して列状に配置された３つの磁気ポールを有し、前記３つの磁気ポールのうち中央の磁気ポールと残りの２つの磁気ポールのうち一方の磁気ポールとの間の前記磁気ギャップに前記磁界を発生し、
前記導電部材は、前記中央の磁気ポールと前記一方の磁気ポールとの間の前記磁気ギャップに配置されたことを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項１２】
磁気記録媒体を加熱してその部分の抗磁力を低下させる加熱手段と、
抗磁力が低下した前記部分に薄膜磁気トランスデューサにより磁界を印加して情報を記録する熱アシスト磁気記録ヘッドと、
前記熱アシスト磁気記録ヘッドを前記磁気記録媒体上に浮上走行させる走査手段とを備え、
前記薄膜磁気トランスデューサは、ヨークの先端の２つの磁気ポール間に形成され、前記磁界を発生する磁気ギャップと、前記２つの磁気ポールに電気的に接続されるように前記磁気ギャップに配置された導電部材とを備え、
前記加熱手段は、前記ヨークに通電して前記磁気ギャップ近傍を加熱することにより前記磁気記録媒体を加熱することを特徴とする熱アシスト磁気記録装置。
【請求項１３】
前記加熱手段は、前記ヨークに通電する加熱電流が前記磁気記録媒体の内周から外周に行くに連れて増加するように前記加熱電流を前記ヨークに通電することを特徴とする請求項１２記載の熱アシスト磁気記録装置。
【請求項１４】
前記加熱手段は、前記加熱電流を前記磁界印加のタイミングよりも早いタイミングでパルス状に印加することを特徴とする請求項１３記載の熱アシスト磁気記録装置。
【請求項１５】
前記加熱手段は、前記パルス状に印加する前記加熱電流のパルス幅が磁界印加用の電流パルス幅よりも短いことを特徴とする請求項１４記載の熱アシスト磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱アシスト磁気記録ヘッドおよび熱アシスト磁気記録装置に関し、特に、製造工程を少なくでき、高密度化および高速化が可能な熱アシスト磁気記録ヘッドおよび熱アシスト磁気記録装置を提供に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気記録層を用いて記録・再生を行うハードディスク装置では、再生用に磁気抵抗効果を用いた磁気抵抗センサ、すなわちＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）センサやさらに高感度・高解像度のＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ−ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）センサ（磁気抵抗センサ、以下両者を総称して「ＧＭＲセンサ」という。）が開発されたため、この数年、年率６０％の割合で高密度化が図られてきた。しかし、ここにきてＳｕｐｅｒＰａｒａ−ｍａｇｎｅｔｉｃ効果、すなわち、ある磁区の磁化の方向が、熱的擾乱に基づき隣接する反対方向の磁化により反転させられる効果のため、面密度が４０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎｃｈ２程度で限界であることが判明してきた（Ｔ．Ｒａｕｓｃｈ、Ｔｒａｎｓ．  ｏｆ  ＭＡＧＮＥＴＩＣＳ  Ｓｏｃｉｅｔｙｏｆ  Ｊａｐａｎ，Ｖｏｌ．２、２００２年、ｐ．３２２）。その後、磁性材料の異方性が改良され、１００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２を超える記録密度が達成されているが、いよいよＳｕｐｅｒＰａｒａ−ｍａｇｎｅｔｉｃ効果による記録密度の限界が見えてきた。
【０００３】
これを解決する有力な手段として、熱アシスト磁気記録が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
この熱アシスト磁気記録ヘッドは、半導体レーザ（光導波路）、薄膜磁気トランスデューサおよびＧＭＲセンサを積層したものであり、半導体レーザからレーザ光を照射して磁化膜を加熱し、その膜の磁化強度を下げたところで薄膜磁気トランスデューサにより磁界を印加して記録するものである。これにより、保磁力の高い磁性膜に記録することが可能となり、また、常温での磁化反転を防ぐことができる。この方式では、加熱した部分に磁界で記録するが、記録直後に急冷しなければ、次に来る逆方向の磁界により、記録した部分が消去されてしまうので、磁界と熱分布がともに急峻であるとともに、両者の位置を限りなく一致させる必要がある。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００３−４５００４号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の熱アシスト磁気記録ヘッドによると、薄膜磁気トランスデューサとＧＭＲセンサの他に半導体レーザを積層しているため、積層工程が長くて複雑となり、低コスト化が難しいという問題がある。また、光照射位置と磁界印加位置とを一致させることが困難なため、必ずしも微小光スポットと同程度の微小記録マークが形成できず、高密度化ができない、記録速度を遅くしなければならない等の問題がある。
【０００７】
また、薄膜磁気トランスデューサのＧＭＲセンサに対して反対側に電流回路を設け、それに通電して加熱する方式も提案されている。この場合には、作製工程が回路形成のみでよく、比較的短い工程を付加するだけで可能となるが、やはり温度分布と磁界分布を一致させることが難しいという問題がある。
【０００８】
従って、本発明の目的は、製造工程を少なくでき、高密度化および高速化が可能な熱アシスト磁気記録ヘッドおよび熱アシスト磁気記録装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、磁気記録媒体を加熱してその部分の抗磁力を低下させ、その抗磁力が低下した前記部分に磁界を印加して情報を記録する熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、ヨークの先端の２つの磁気ポール間に形成された磁気ギャップに前記磁界を発生する薄膜磁気トランスデューサと、前記２つの磁気ポールに電気的に接続されるように前記磁気ギャップに配置された導電部材とを備え、前記ヨークに通電して前記磁気ギャップ近傍を加熱することにより前記磁気記録媒体を加熱することを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッドを提供する。
【００１０】
磁気ギャップに設けた導電部材にヨークを介して通電すると、ジュール熱によって導電部材が発熱し、これにより磁気記録媒体が加熱されて抗磁力が低下する。その抗磁力が低下した部分に磁気ギャップからの磁界により情報を記録する。この構成において、磁気ギャップに発生する漏れ磁界と磁気ギャップに設けた導電部材に発生するジュール熱の発生位置を一致させることができ、高速・高密度の熱アシスト磁気記録が可能となる。
【００１１】
本発明は、上記目的を達成するため、磁気記録媒体を加熱してその部分の抗磁力を低下させる加熱手段と、抗磁力が低下した前記部分に薄膜磁気トランスデューサにより磁界を印加して情報を記録する熱アシスト磁気記録ヘッドと、前記熱アシスト磁気記録ヘッドを前記磁気記録媒体上に浮上走行させる走査手段とを備え、前記薄膜磁気トランスデューサは、ヨークの先端の２つの磁気ポール間に形成され、前記磁界を発生する磁気ギャップと、前記２つの磁気ポールに電気的に接続されるように前記磁気ギャップに配置された導電部材を備え、前記加熱手段は、前記ヨークに通電して前記磁気ギャップ近傍を加熱することにより前記磁気記録媒体を加熱することを特徴とする熱アシスト磁気記録装置を提供する。
【００１２】
この構成により、磁気ギャップに発生する漏れ磁界と磁気ギャップに設けた導電部材あるいは磁気ポール近傍で発生するジュール熱の発生位置が一致する熱アシスト磁気記録ヘッドを用いるため、高速・高密度の熱アシスト磁気記録が可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドを示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は底面図、（ｃ）は後面図、図２は、磁気コイルを省略した薄膜磁気トランスデューサの模式図を示す。この熱アシスト磁気記録ヘッド１は、浮上スライダ２と、浮上スライダ２の後面２ａに積層されるＧＭＲセンサ３と、ＧＭＲセンサ３の後面に積層され、磁界発生機能と発熱機能を有する薄膜磁気トランスデューサ４とを備える。
【００１４】
浮上スライダ２は、ハードディスクドライブの熱アシスト磁気記録ヘッドに用いられているアルチック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＯ２）から形成され、凹部２ｃと、浮上面２ｂとを備える。浮上面２ｂは、エアベアリング面２１が３箇所設けられており、これらにより、磁気ディスク８の基板８ｂ上に形成された磁気記録層８ａ上を浮上走行するようになっている。
【００１５】
ＧＭＲセンサ３は、磁気抵抗効果を有するスピンバルブ膜３１と、誘電体層３５を介して磁気障壁膜３２と磁気障壁膜を兼ねるヨーク３３に挟まれ、スピンバルブ膜３１に電流を供給する一対の電極３４，３４とを備える。磁気障壁膜３２とヨーク３３は、浮遊磁界がスピンバルブ膜３１に入射するのを遮蔽するので、磁気ディスク８の磁気記録層８ａからの漏れ磁界をスピンバルブ膜３１の抵抗変化として検出し、信号再生を行うことができる。
【００１６】
薄膜磁気トランスデューサ４は、ヨーク３３，４３と、その先端の磁気ポール４０，４１とにより構成される磁気回路と、この磁気回路と鎖交する磁気コイル４４と、磁気ポール４０，４１間の磁気ギャップを埋めるスペーサ４２と、ヨーク３３およびヨーク４３の他端を電気的に絶縁する絶縁膜４５と、磁気コイル４４に接続された銅配線４７’、電極４９と、ヨーク３３，４３に接続された銅配線４７、電極４８とを備える。ヨーク３３から磁気ポール４０までの幅を５μｍ、ヨーク４３の幅を３μｍ、厚さを０．３μｍ、磁気ポール４１の幅を０．０６μｍ、長さを０．３μｍ、銅配線４７との接続部からそれぞれの磁気ポール４０，４１までの長さを３μｍに形成したとき、ヨーク３３，４３の抵抗は０．５〜１Ω程度、磁気ポール４１の抵抗は約２Ω、スペーサ４２の抵抗は１１Ωとなるため、ヨーク３３，４３間に電流を印加したときの発熱の大半は、スペーサ４２でなされる。従って、１Ｇｂｐｓで、１０ｍＡの通電を行う場合、熱伝導を考慮しても、スペーサ４２を２００℃以上に加熱することができる。印加電流を上げることによっても、キューリー温度付近まで加熱することが可能となる。薄膜磁気トランスデューサ４は、ヨーク３３，４３間に電流を印加することにより、スペーサ４２が発熱し、磁気コイル４４に記録信号に基づく電流を流すことにより漏れ磁界を生じ、磁気ディスク８の磁気記録層８ａを加熱するとともに記録が行われるようになっている。
【００１７】
磁気ポール４０，４１は、キューリー温度を超えると非磁性となるため、キューリー温度の高い材料、例えば、４５パーマロイを用いる。
【００１８】
スペーサ４２は、ニクロム等の非磁性で高電気抵抗の材料からなり、磁気ポール４０，４１と電気的に接続されている。ギャップ幅およびギャップ長、すなわち、スペーサ４２のサイズは、例えば、ともに０．０６μｍとした。
【００１９】
絶縁膜４５は、ＳｉＯ２等からなる数十ｎｍ厚の薄膜からなり、ヨーク３３，４３間を電気的に分離しているが、接続面積を数μｍ平方と大きく取ることにより、ヨーク３３，４３間は磁気的な接続状態を保っている。
【００２０】
ヨーク３３，４３は、磁気ポール４０，４１に比較的近い位置で電極４８が銅配線４７を介して接続されている。ヨーク３３，４３は、比較的低抵抗の材料、例えば、７８パーマロイ（体積低効率：１６μΩ−ｃｍ）からなる。
【００２１】
次に、本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド１の製造方法の一例について説明する。浮上スライダ２となるウェハは、前述のハードディスクドライブの熱アシスト磁気記録ヘッドに用いられているアルチック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＯ２）を用い、ＧＭＲセンサ３は、通常のＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｓｅｎｓｏｒ）を用いる。アルチックのウェハ上に１次元又は２次元状にヨーク３２，３３、電極３４、スピンバルブ膜３１を、誘電体層３５を介して順次積層し、ＧＭＲセンサ３を形成する。さらに、磁気コイル４４、ヨーク４３等を積層し、誘電体スペーサ４６で固定することにより薄膜磁気トランスデューサ４を形成する。ＧＭＲセンサ３および薄膜磁気トランスデューサ４が１次元的に配列されたチップバーを切り出し、その断面を浮上スライダ２の浮上面２ｂとして加工した後、各ヘッドチップに切断する。
【００２２】
次に、本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド１の動作について説明する。熱アシスト磁気記録ヘッド１は、浮上スライダ２の凹部２ｃを有する浮上面２ｂにより、磁気ディスク８の基板８ｂ上に形成された磁気記録層８ａ上を浮上走行する。薄膜磁気トランスデューサ４の電極４８，銅配線４７を介してヨーク３３，４３間に電流を流すと、スペーサ４２が発熱し、これにより磁気記録層８ａが加熱されて抗磁力が低下する。薄膜磁気トランスデューサ４の磁気コイル４４に記録信号に基づく電流を供給すると、その電流に比例した磁界が磁気ギャップに発生する。その磁界の変調により磁気記録層８ａの抗磁力が低下した部分に情報の記録を行う。信号の再生は、スピンバルブ膜３１と鎖交する磁気記録層８ａからの磁界の強度変化をスピンバルブ膜３１の抵抗変化として検出することにより行う。
【００２３】
以上述べた本発明の第１の実施の形態によれば、下記の効果が得られる。
（１）ヨーク３３，４３間に電流を印加した時の発熱の大半は、スペーサ４２でなされ、１Ｇｂｐｓで、１０ｍＡの通電を行う場合、スペーサ４２を２００℃以上に加熱することができるので、薄膜磁気トランスデューサ４で記録できる程度に磁気記録層８ａの抗磁力を下げることができる。
例えば、ＴｂＦｅＣｏ等の光磁気記録媒体を磁気記録層８ａに使用する場合、キューリー温度まで十分加熱することができ、低磁界で記録することが可能となる。また、キューリー温度が数百度と高いＣｏＣｒ等の磁性材料の場合でも、加熱されることにより薄膜磁気トランスデューサ４で記録できる程度に抗磁力を下げることができる。
【００２４】
（２）本実施の形態の熱アシスト磁気記録ヘッド１は、主として面内記録用であるため、磁気ギャップ幅は狭く形成されており、磁気ギャップでの漏れ磁界を記録に使用するものであるが、垂直磁気記録にも使用可能である。
【００２５】
なお、スペーサ４２を銅等の低抵抗材料を用いてもよい。スペーサ４２の抵抗を下げることで、抵抗値の高い磁気ポール４１で発熱させることが可能となる。この場合は、発熱場所と磁界位置とを全く一致させられるので、高速記録に有効である。
【００２６】
また、磁気ポール４０，４１までのヨーク３３，４３を銅等の低電気抵抗材料からなる薄膜を張り合わせて形成してもよい。これにより、ヨーク３３，４３の抵抗を一桁以上下げることが可能となり、また、スペーサ４２の抵抗を下げることで、磁気ポール４１を発熱させることが可能となる。この場合は、発熱場所と磁界位置とを全く一致させられるので、高速記録に有効である。ヨーク３３，４３を銅薄膜を張り合わせて形成する場合、銅薄膜を銅配線４７と同工程で作製してもよい。これにより、工程を増やさずに、ヨーク３３，４３の抵抗を下げることが可能となる。
【００２７】
また、ヨーク３３，４３の接続部は、ＳｉＯ２膜の代わりにフェライト等をスパッタにより被着してもよい。これにより、この部分の電気的絶縁を保ったまま磁気抵抗を減らすことができる。
【００２８】
銅配線４７を十分磁気ポール４０，４１に近づけることにより、スペーサ４２を通る電気回路での抵抗に対してヨーク上部の抵抗を十分大きくすることができるため、ヨーク３３とヨーク４３の間を絶縁膜４５で切断しなくても、この部分での発熱を無視できる。また、ヨーク上部のみ体積抵抗の高いパーマロイに置き換えてもよい。これにより、ヨーク上部の抵抗差を大きくできる。
【００２９】
図３は、本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドを示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は底面図を示す。この熱アシスト磁気記録ヘッド１は、垂直磁気記録用のヘッドであり、薄膜磁気トランスデューサ４のみが第１の実施の形態と異なり、浮上スライダ２、ＧＭＲセンサ３は、第１の実施の形態のそれらと同じであるので説明を省略する。
【００３０】
薄膜磁気トランスデューサ４は、先端に単一磁気ポール４１を有するヨーク４３と、磁気障壁膜を兼ねるヨーク３３，３３’と、２つの磁気コイル４４，４４’とを備え、ヨーク４０，４１と垂直磁気膜からなる磁気記録層８ａの下に敷設された軟磁性体膜を通して磁気回路を構成している。なお、４３ａ，４３ｂは３つのヨーク３３，３３’，４３を接続する接続ヨークである。
【００３１】
ヨーク３３，３３’は、単一磁気ポール４１が浮遊磁界の影響を受けるのを避けるために、単一磁気ポール４１の両側に設置されている。従って、一方の磁気コイル４４’は、ヨーク３３，３３’の磁化の方向を単一磁気ポール４１と逆方向とするために、他方の磁気コイル４４に対して逆方向に巻かれている。
【００３２】
単一磁気ポール４１と他方の磁気ポール４０との距離は、両者間に直接接続される磁束を少なくするために少し離されている。その距離は、離しすぎると、単一磁気ポール４１とＧＭＲセンサ３のスピンバルブ膜３１が同一トラック上を走行するのが困難となるため、単一磁気ポール４１の幅０．０６μｍに対して０．３μｍとする。単磁気ポール４１は、例えば、４５パーマロイ等のキューリー温度が比較的高く、高電気抵抗の材料を用いる。
【００３３】
単一磁気ポール４１とヨーク３３との間は、導電材料からなるスペーサ４２で埋めて導電性を持たせてある。導電材料は、例えば、銅等の低抵抗の材料を用いる。
【００３４】
次に、本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド１の動作について説明する。熱アシスト磁気記録ヘッド１は、浮上スライダ２の凹部２ｃを有する浮上面２ｂにより、磁気ディスク８の基板８ｂ上に形成された磁気記録層８ａ上を浮上走行する。薄膜磁気トランスデューサ４のヨーク３３，４３間に電流を流すと、単一磁気ポール４１が発熱し、これにより磁気記録層８ａが加熱されて抗磁力が低下する。薄膜磁気トランスデューサ４の磁気コイル４４，４４’に記録信号に基づく電流を供給すると、その電流に比例した磁界が磁気ギャップに発生する。その磁界の変調により磁気記録層８ａの抗磁力が低下した部分に情報の記録を行う。信号の再生は、スピンバルブ膜３１と鎖交する磁気記録層８ａからの磁界の強度変化をスピンバルブ膜３１の抵抗変化として検出することにより行う。
【００３５】
本発明の第２の実施の形態によれば、磁気ギャップを銅等の低抵抗の材料からなるスペーサ４２で埋めることにより、その部分の抵抗を下げられ、単一磁気ポール４１の部分で殆ど発熱させることが可能となるとともに、発熱場所と磁界位置とを全く一致させられるので、高速記録に有効である。
【００３６】
図４は、本発明の第３の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録装置の主要部を示す。この熱アシスト磁気記録装置５０は、磁気記録層５１’を有する磁気ディスク５１と、磁気ディスク５１を回転させるモータ５２と、磁気記録層５１’に記録・再生を行う第１および第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気ヘッド１と、熱アシスト磁気ヘッド１を走査するスイングアーム５３と、スイングアーム５３を動作させるリニアモータ５４と、これらの制御を行う制御回路７０と、記録再生信号を処理する信号処理回路８０とを備える。
【００３７】
熱アシスト磁気ヘッド１は、制御回路７０により所定の回転数で回転する磁気ディスク５１の磁気記録層５１’上を浮上走行し、所定の記録トラックを追従しながら記録再生を行うものである。
【００３８】
磁気ディスク５１の磁気記録層５１’としては、例えば、光磁気記録に使用されるＴｂＦｅＣｏ膜を用いる。
【００３９】
本発明の第３の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録装置５０の動作について説明する。記録に際しては、信号処理回路８０から出力される記録マーク形成信号に基づいて、ヨーク３３とヨーク４３の間に電流を供給すると、磁気ポール４１直下の磁気記録層５１’を２００℃程度まで加熱すると同時に磁気コイル４４に記録信号に基づく電流を印加してスペーサ４２が埋め込まれた磁気ギャップに磁界を発生させ、磁気記録層５１’に磁気記録マークを形成する。
【００４０】
安定な記録を行うためには、磁気ディスク５１面内で同一温度に加熱することと、記録直後に記録マークに影響を与えないレベルまで磁気記録層５１’の温度を急冷することが重要であり、そのために、内周側から外周側に行くに従って加熱電流を徐々に増加する。増加割合は、ディスク構造や記録媒体によっても異なるが、周速の平方根から１乗に比例するように増加することにより、ほぼ同一温度に加熱することができるようになる。また、記録後に急冷するために、加熱用の電流をパルス的に印加するとともに、そのタイミングを磁界印加電流の印加よりも、若干早め、温度の下がり始めた時に磁界が印加されるように調整する。早める度合いは、やはり記録媒体やディスクの回転速度によって異なるが、パルス幅の１０％から５０％が適当である。
【００４１】
本発明の第３の実施の形態によれば、発熱場所と磁界位置が一致する熱アシスト磁気記録ヘッドを使用するため、比較的弱い磁界印加であっても記録することができることから、高密度・高速の熱アシスト磁気記録が可能となる。また、磁気異方性の高い膜にも、その抗磁力を下げて記録することが可能となる。
【００４２】
なお、第３の実施の形態では、ディスク枚数は一枚であるが、複数枚を積層した、所謂ウィンチェスター型としてもよい。
【００４３】
また、加熱電流パルスの印加間隔を磁界印加パルスの間隔よりも短くすることにより、記録直後に記録マークに影響を与えないレベルまで磁気記録層５１’の温度を急冷することが可能である。
【００４４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、磁界の発生位置とジュール熱の発生位置が一致するので、記録マークを微小化でき、高密度化が可能となる。また、加熱後直ちに記録できるので、高速化が図れる。さらに、磁界発生と発熱を薄膜磁気トランスデューサによって行うので、部品点数が減り、製造工程を少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドを示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は底面図、（ｃ）はＳ方向から見た後面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気トランスデューサの模式図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドを示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は底面図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録装置の主要部を示す模式図である。
【符号の説明】
１    熱アシスト磁気記録ヘッド
２    浮上スライダ
２ａ  浮上スライダの後面
２ｂ  浮上面
２ｃ  凹部
３    ＧＭＲセンサ
４    薄膜磁気トランスデューサ
８    磁気ディスク
８ａ  磁気記録層
８ｂ  基板
２１  エアベアリング面
３１  スピンバルブ膜
３２  磁気障壁膜
３３  ヨーク
３４  電極
３５  誘電体層
４０  磁気ポール
４１  単一磁気ポール
４２  スペーサ
４３  ヨーク
４３ａ，４３ｂ  接続ヨーク
４４  磁気コイル
４５  絶縁膜
４６  誘電体スペーサ
４７，４７’銅配線
４８  電極
５０  熱アシスト磁気記録装置
５１  磁気ディスク
５１’  磁気記録層
５２  モータ
５３  スイングアーム
５４  リニアモータ
７０  制御回路
８０  信号処理回路
【図１】
2004253043.tif 000003
【図２】
2004253043.tif 000004
【図３】
2004253043.tif 000005
【図４】
2004253043.tif 000006