(57)【要約】【課題】光透過率が高く、かつ、絶縁耐電圧が高いプラズマディスプレイパネルを提供する。【解決手段】前面板１が、前面基板１１と、前面基板１１上に配置された表示電極１２と、表示電極１２上に配置された下層誘電体ガラス層１４ａと、下層誘電体ガラス層１４ａ上に配置された少なくとも一層の上層誘電体ガラス層１４ｂとを備えており、上層誘電体ガラス層１４ｂに含まれるガラス材料の誘電率は、下層誘電体ガラス層１４ａに含まれるガラス材料の誘電率よりも低い。この前面板１と背面板２とを対向配置させることにより、プラズマディスプレイパネルが構成される。【選択図】　図１
2004079248.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面基板と、
前記前面基板上に配置された表示電極と、
前記表示電極上に配置された、第１のガラス材料を含む下層誘電体ガラス層と、
前記下層誘電体ガラス層上に配置された、第２のガラス材料を含む少なくとも一層の上層誘電体ガラス層とを備えており、
前記第２のガラス材料の誘電率は、前記第１のガラス材料の誘電率よりも低いことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記上層誘電体ガラス層は前記下層誘電体ガラス層よりも高い光透過率を有する請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記上層誘電体ガラス層の厚みが前記下層誘電体ガラス層の厚みの２倍以上である請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記第２のガラス材料は、ＢａＯを含む鉛系ガラスである請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記鉛系ガラスは、ＢａＯを１５重量％以上含む請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記表示電極が、Ａｇ膜またはＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒの積層膜を含む請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
表示電極が設けられた前面基板上に、第１のガラス材料を含む第１のガラス形成用塗料を用いて下層誘電体ガラス層形成用膜を形成し、その後、前記下層誘電体ガラス層形成用膜に対して乾燥および焼成を行って下層誘電体ガラス層を形成する第１の工程と、
前記第１のガラス材料よりも誘電率の低い第２のガラス材料を含む第２のガラス形成用塗料を用いて上層誘電体ガラス層形成用膜を形成し、その後、前記上層誘電体ガラス層形成用膜に対して乾燥および焼成を行って上層誘電体ガラス層を形成する第２の工程とを含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
前記第２の工程における焼成温度は、前記第１の工程における焼成温度よりも１０℃以上低い請求項７に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
前記第１のガラス形成用塗料および第２のガラス形成用塗料は、さらに溶剤およびバインダー樹脂を含む請求項７に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマディスプレイパネルとその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、大画面の高品質テレビへの期待が高まっている。従来から用いられているＣＲＴ（ｃａｔｈｏｄｅ−ｒａｙ　ｔｕｂｅ）は、解像度や画質の点で、プラズマディスプレイや液晶ディスプレイに対して優れているが、奥行きと重量の点で、４０インチ以上の大画面には不向きである。また、液晶ディスプレイは、消費電力が小さく、駆動電圧も低いという優れた性能を有しているが、大画面化や視野角に限界がある。これに対し、プラズマディスプレイは、大画面で狭い奥行きの実現が可能であり、すでに６０インチクラスの製品が開発されている。
【０００３】
図５は、従来の交流型（ＡＣ型）プラズマディスプレイパネルの構成を示した斜視図である。なお、プラズマディスプレイパネルの構成をわかりやすく示すために、図５においては、プラズマディスプレイパネルの前面板と背面板とを別々に（一体化されていない状態で）示している。
【０００４】
図５において、１０１は前面板、１０２は背面板である。前面板１０１は、前面基板１０１１上に表示電極１０１２およびブラックストライプ１０１３が設けられ、さらにこれら表示電極１０１２およびブラックストライプ１０１３を被覆する誘電体ガラス層１０１４が設けられ、さらに誘電体保護層１０１５が設けられて構成されている。前面基板１０１１は、フロート法により作製された、硼硅酸ナトリウム系ガラスまたは鉛系ガラスよりなる。表示電極１０１２は、Ａｇ膜またはＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒの積層膜からなる帯状の電極である。誘電体ガラス層１０１４は、平均粒径０．１μｍ〜２０μｍのガラス粉末を用いて形成されており、コンデンサの誘電体層として機能する。誘電体保護層１０１５は、ＭｇＯにて形成されている。一方、背面板１０２は、背面基板１０２１上に複数のアドレス電極１０２２が設けられ、さらにアドレス電極１０２２を被覆する誘電体ガラス層１０２３が設けられ、さらにその上に隔壁１０２４、蛍光体層１０２５が設けられている。背面基板１０２１は、前面基板１０１１と同様にガラスからなる基板である。アドレス電極１０２２は、前面板１０１の表示電極１０１２と直交する帯状の電極であり、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ）とＡｇ膜またはＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒの積層膜からなる電極である。隔壁１０２４は、帯状に設けられた各アドレス電極１０２２を隔離して放電空間を形成している。すなわち、隔壁間が放電ガスを封入する放電空間である。蛍光体層１０２５はアドレス電極１０２２上から隔壁１０２４の側面にわたって設けられている。蛍光体層１０２５は、カラー表示を可能とするために、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に対応する材質にて形成された３色の蛍光体層１０２５ａ，１０２５ｂ，１０２５ｃが隔壁１０２４を挟んで順に配置されている。
【０００５】
このようなプラズマディスプレイパネルにおいては、前面板１０１に設けられる誘電体ガラス層１０１４が高絶縁耐電圧および高光透過率を有することが要求される。この誘電体ガラス層１０１４の絶縁耐電圧および光透過率の特性は、誘電体ガラス層１０１４の表面状態、膜欠陥、および残留気泡に大きく左右される。
【０００６】
従来、このような誘電体ガラス層１０１４を形成する方法としては、ガラス粉体と、溶剤と、バインダーとして機能する樹脂（以下、バインダー樹脂と記す。）と、可塑剤や分散剤等とから構成されたペーストを、スクリーン印刷法、スプレー法、またはブレードコータ法、またはダイコート法を用いて前面板１０１の表示電極１０１２上に塗布し、乾燥後焼成する方法が知られている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、表示電極１０１２を被覆する誘電体ガラス層１０１４の従来の形成方法および材料では、膜中に気泡が多く残留するため誘電体ガラス層１０１４に絶縁破壊が発生する等の問題が生じ、高い絶縁耐電圧を有する誘電体ガラス層１０１４を形成することが困難であった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明のプラズマディスプレイパネルは、前面基板と、前記前面基板上に配置された表示電極と、前記表示電極上に配置された、第１のガラス材料を含む下層誘電体ガラス層と、前記下層誘電体ガラス層上に配置された、第２のガラス材料を含む少なくとも一層の上層誘電体ガラス層とを備えており、前記第２のガラス材料の誘電率は、前記第１のガラス材料の誘電率よりも低いことを特徴とする。
【０００９】
本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、表示電極が設けられた前面基板上に、第１のガラス材料を含む第１のガラス形成用塗料を用いて下層誘電体ガラス層形成用膜を形成し、その後、前記下層誘電体ガラス層形成用膜に対して乾燥および焼成を行って下層誘電体ガラス層を形成する第１の工程と、前記第１のガラス材料よりも誘電率の低い第２のガラス材料を含む第２のガラス形成用塗料を用いて上層誘電体ガラス層形成用膜を形成し、その後、前記上層誘電体ガラス層形成用膜に対して乾燥および焼成を行って上層誘電体ガラス層を形成する第２の工程とを含むことを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明のプラズマディスプレイパネルは、前面基板と、前記前面基板上に配置された表示電極と、前記表示電極上に配置された、第１のガラス材料を含む下層誘電体ガラス層と、前記下層誘電体ガラス層上に配置された、第２のガラス材料を含む少なくとも一層の上層誘電体ガラス層とを備えており、前記第２のガラス材料の誘電率は、前記第１のガラス材料の誘電率よりも低いことを特徴とする。このプラズマディスプレイパネルにおいては、誘電体ガラス層が、特性の互いに異なるガラス材料を用いて形成された複数の層（下層誘電体ガラス層、上層誘電体ガラス層）にて構成されている。これにより、表示電極の直上に配置される下層誘電体ガラス層で発生した欠陥（例えば、ピンホール、巨大気泡、異物混入等）を上層誘電体ガラス層で補うことができる。また、下層誘電体ガラス層が含む第１のガラス材料よりも上層誘電体ガラス層が含む第２のガラス材料の方が誘電率が低いので、表示電極間および表示電極とアドレス電極間の耐電圧の負荷を低減することができる。以上の理由から、本発明の構成によれば、絶縁破壊の発生を抑制し、高絶縁耐電圧のプラズマディスプレイパネルを提供することができる。
【００１１】
本発明のプラズマディスプレイパネルにおいては、前記上層誘電体ガラス層は前記下層誘電体ガラス層よりも高い光透過率を有することが好ましい。また、前記上層誘電体ガラス層の厚みを前記下層誘電体ガラス層の厚みの２倍以上とすることが好ましい。誘電体ガラス層を多層で構成することによる光学特性の低下を抑制するためである。
【００１２】
本発明のプラズマディスプレイパネルにおいては、前記第２のガラス材料は、ＢａＯを含む鉛系ガラスであることが好ましい。なお、本発明における鉛系ガラスとは、構成元素として必ず鉛を含んでいるガラスのことである。ＢａＯを含む鉛系ガラスを用いると焼成時の泡抜け性が良いため、光学特性が向上する。従って、このようなガラス材料を上層誘電体ガラス層に用いることにより、誘電体ガラス層を多層で構成することによる光学特性の低下を抑制することができる。また、通常、鉛系ガラスの場合は軟化点を下げると誘電率が上昇する傾向にあるが、ＢａＯを含むことにより誘電率の上昇を抑制しつつ軟化点を下げることができる。従って、下層誘電体ガラス層の焼成温度よりも上層誘電体ガラス層の焼成温度を低くすることも可能である。さらに、本発明のプラズマディスプレイパネルにおいては、前記鉛系ガラスがＢａＯを１５重量％以上含むことがより好ましい。なお、このＢａＯの重量％は、厳密には、元素の酸化物を化学量論的酸化物に換算したときの値である。
【００１３】
本発明のプラズマディスプレイパネルにおいては、前記表示電極をＡｇ膜またはＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒの積層膜にて形成することができる。
【００１４】
本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、表示電極が設けられた前面基板上に、第１のガラス材料を含む第１のガラス形成用塗料を用いて下層誘電体ガラス層形成用膜を形成し、その後、前記下層誘電体ガラス層形成用膜に対して乾燥および焼成を行って下層誘電体ガラス層を形成する第１の工程と、前記第１のガラス材料よりも誘電率の低い第２のガラス材料を含む第２のガラス形成用塗料を用いて上層誘電体ガラス層形成用膜を形成し、その後、前記上層誘電体ガラス層形成用膜に対して乾燥および焼成を行って上層誘電体ガラス層を形成する第２の工程とを含むことを特徴とする。この方法によれば、絶縁耐電圧の高いプラズマディスプレイパネルを作製することができる。
【００１５】
本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法においては、前記第２の工程における焼成温度は、前記第１の工程における焼成温度よりも１０℃以上低いことが好ましい。下層誘電体ガラス層に影響を与えることなく（下層誘電体ガラス層の変色等を生じさせることなく）、上層誘電体ガラス層の形成を行うためである。
【００１６】
本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法においては、前記第１のガラス形成用塗料および第２のガラス形成用塗料は、さらに溶剤およびバインダー樹脂を含むことが好ましい。スクリーン印刷法やスプレー法、あるいはブレードコータ法やダイコート法等を用いて、下層誘電体ガラス層および上層誘電体ガラス層を形成することができるからである。
【００１７】
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１８】
図１は、本発明の一実施形態におけるＡＣ型のプラズマディスプレイパネルの構成を示した斜視図である。なお、プラズマディスプレイパネルの構成をわかりやすく示すために、図１においては、プラズマディスプレイパネルの前面板と背面板とを別々に（一体化されていない状態で）示している。
【００１９】
図１において、１は前面板、２は背面板である。前面板１は、前面基板１１上に表示電極１２およびブラックストライプ１３が設けられ、さらにこれら表示電極１２およびブラックストライプ１３を被覆する下層誘電体ガラス層１４ａが設けられている。この下層誘電体ガラス層１４ａ上には、さらに上層誘電体ガラス層１４ｂが設けられている。さらに、誘電体保護層１５が設けられている。前面基板１１は、フロート法により作製された、硼硅酸ナトリウム系ガラスまたは鉛系ガラスよりなる。表示電極１２は、Ａｇ膜またはＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒの積層膜からなる帯状の電極である。下層誘電体ガラス層１４ａおよび上層誘電体ガラス層１４ｂはガラス材料を用いて形成された層であり、コンデンサの誘電体層として機能する。誘電体保護層１５はＭｇＯ等の酸化物にて形成されている。
【００２０】
一方、背面板２は、背面基板２１上に複数のアドレス電極２２が設けられ、さらにアドレス電極２２を被覆する誘電体ガラス層２３が設けられ、さらにその上に隔壁２４、蛍光体層２５が設けられている。背面基板２１は、前面基板１１と同様にガラスからなる基板である。アドレス電極２２は、前面板１の表示電極１２と直交する帯状の電極であり、ＩＴＯとＡｇ膜またはＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒの積層膜からなる電極である。隔壁２４は、帯状に設けられた各アドレス電極２２を隔離して放電空間を形成している。すなわち、隔壁間が放電ガスを封入する放電空間である。蛍光体層２５はアドレス電極２２上から隔壁２４の側面にわたって設けられている。蛍光体層２５は、カラー表示を可能とするために、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に対応する材質にて形成された３色の蛍光体層２５ａ，２５ｂ，２５ｃが隔壁２４を挟んで順に配置されている。
【００２１】
このようなプラズマディスプレイパネルにおいては、前面板１に設けられる誘電体ガラス層（下層誘電体ガラス層１４ａおよび上層誘電体ガラス層１４ｂ）の絶縁耐電圧が高いことおよび光透過率が高いことが要求される。そこで、本実施の形態においては、上層誘電体ガラス層１４ｂを、下層誘電体ガラス層１４ａに用いられたガラス材料（第１のガラス材料）よりも誘電率の低いガラス材料（第２のガラス材料）を用いて形成している。この場合、下層誘電体ガラス層１４ａと上層誘電体ガラス層１４ｂとの誘電率の差が１以上であることが好ましい。これにより、表示電極１２間および表示電極１２とアドレス電極２２間の耐電圧の負荷を低減して絶縁耐電圧を向上させることができる。
【００２２】
また、上層誘電体ガラス層１４ｂの光透過率は下層誘電体ガラス層１４ａの光透過率よりも高いことが望ましく、より望ましくは上層誘電体ガラス層１４ｂの光透過率を下層誘電体ガラス層１４ａの光透過率よりも１０％以上高く設定することである。上層誘電体ガラス層１４ｂの光透過率が下層誘電体ガラス層１４ａの光透過率よりも高くなるように、第２のガラス材料にはＢａＯを含む鉛系ガラスが用いられている。ＢａＯを組成に含む鉛系ガラスを用いて形成されるガラス層は、ガラス焼成時の泡抜け性が良いので光透過率が高くなる。また、一般的に鉛系ガラスの軟化点を下げた場合には誘電率が上昇してしまうのだが、ＢａＯを含むことにより、誘電率を大幅に上昇させることなく軟化点を（好ましくは１０〜３０℃）下げることが可能となる。従って、第２のガラス材料にＢａＯを含む鉛系ガラスを用いれば、焼成時の温度を下げることも可能となる。ＢａＯの含有量は、好ましくは１５重量％以上、より好ましくは１７重量％以上で、特に限定されていないが２５重量％以下である。ＰｂＯの含有量は、好ましくは３５〜５０重量％である。なお、ここでのＰｂＯの重量％も、厳密には、元素の酸化物を化学量論的酸化物に換算したときの値である。さらに、誘電体ガラス層を多層構造としたことによる光透過率の大幅な低下を防ぐためには、誘電体ガラス層全体（下層誘電体ガラス層１４ａと上層誘電体ガラス層１４ｂとを合わせた層）に占める上層誘電体ガラス層１４ｂ（光透過率が高い方の層）の割合を大きくするとよい。本実施の形態のプラズマディスプレイパネルにおいては、誘電体ガラス層を単層で形成した場合と同程度の光透過率を実現するために、上層誘電体ガラス層１４ｂの厚みを下層誘電体ガラス層１４ａの厚みの２倍以上とすることが好ましい。
【００２３】
下層誘電体ガラス層１４ａに用いられた第１のガラス材料と上層誘電体ガラス層１４ｂに用いられた第２のガラス材料は、平均粒径１〜８μｍの鉛系ガラスの粉末が適している。上述したように、特に上層誘電体ガラス層１４ｂに用いる第２のガラス材料には、ＢａＯを含む鉛系ガラスを用いることが好ましい。
【００２４】
第１および第２のガラス材料の好ましい組成範囲は、ＰｂＯが３５〜７０重量％、ＳｉＯ２が４〜３０重量％、Ｂ２Ｏ３が１〜３０重量％、ＢａＯが０〜２５重量％、Ａｌ２Ｏ３が０〜１０重量％、ＣｕＯが０〜１重量％、ＣａＯが０〜１０重量％、ＴｉＯ２が０〜５重量％である。
【００２５】
次に、本実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルの誘電体ガラス層（下層誘電体ガラス層１４ａおよび上層誘電体ガラス層１４ｂ）を形成する方法について説明する。
【００２６】
まず、下層誘電体ガラス層１４ａを形成するためのガラス形成用塗料（第１のガラス形成用塗料）の作製方法を説明する。第１のガラス形成用塗料は、第１のガラス材料からなるガラス粉末と、溶剤と、バインダー樹脂とを混合して作製される。この塗料をスクリーン印刷法、スプレー法、ブレードコータ法、またはダイコート法等を用いて表示電極１２が形成された前面基板１１上に塗布し、下層誘電体ガラス層形成用膜を形成する。遠赤外線乾燥装置、ホットプレート、または熱風乾燥装置を用いて、６０〜１２０℃で下層誘電体ガラス層形成用膜を乾燥させた後、５００℃〜６００℃の範囲であって、第１のガラス材料の軟化点付近の温度で焼成して、下層誘電体ガラス層１４ａを形成する。
【００２７】
次に、上層誘電体ガラス層１４ｂを形成するためのガラス形成用塗料（第２のガラス形成用塗料）の作製方法を説明する。第２のガラス形成用塗料は、第２のガラス材料からなるガラス粉末と、溶剤と、バインダー樹脂とを混合して作製される。この塗料をスクリーン印刷法、スプレー法、ブレードコータ法、またはダイコート法等を用いて、下層誘電体ガラス層１４ａ上に上層誘電体ガラス層形成用膜を形成する。遠赤外線乾燥装置、ホットプレート、または熱風乾燥装置を用いて、６０〜１２０℃で上層誘電体ガラス層形成用膜を乾燥させた後、５００℃〜６００℃の範囲であって、第２のガラス材料の軟化点付近の温度で焼成して、上層誘電体ガラス層１４ｂを形成する。第２のガラス材料はＢａＯを１５重量％以上含む鉛系ガラスであり、このような鉛系ガラスは誘電率の増加を抑えつつ軟化点を下げることが可能である。このため、第１のガラス材料よりも誘電率が小さく、かつ、軟化点も低い第２のガラス材料を実現することができる。このような第２のガラス材料を用いた場合、焼成温度を下層誘電体ガラス層１４ａの形成時よりも低く設定することができるので、上層誘電体ガラス層１４ｂを形成する際の焼成時に下層誘電体ガラス層１４ａに含まれる第１のガラス材料が溶融して表示電極を構成するＡｇ等と反応してしまうおそれがない。このため、表示電極にＡｇ膜を用いた場合であっても、下層誘電体ガラス層１４ａに着色等の問題が生じにくくなる。
【００２８】
前記第１および第２のガラス形成用塗料の溶剤には、α−、β−、γ−テルピネオールなどのテルペン類、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、エチレングリコールジアルキルエーテル類、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、エチレングリコールジアルキルエーテルアセテート類、ジエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ジエチレングリコールジアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールジアルキルエーテルアセテート類、メタノール、エタノール、イソプロパノール、１−ブタノールなどのアルコール類等から選択される１種、もしくは２種類以上を混合したものを使用することができる。
【００２９】
また、前記第１および第２のガラス形成用塗料のバインダー樹脂としては、ニトロセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース等のセルロース系樹脂、ポリブチルアクリレート、ポリメタクリレート等のアクリル系樹脂や共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール等から選択される１種、もしくは２種以上を併用して使用することができる。
【００３０】
さらに、必要に応じて、これらのガラス形成用塗料に分散剤や可塑剤等を加えることも可能である。
【００３１】
以上のように二層で形成された誘電体ガラス層は、単層で形成された誘電体ガラス層と同程度の光透過性を維持しつつ、高い絶縁耐圧を有することができる。これにより、光透過率が高く（透明性が高く）、かつ、絶縁耐電圧が高いプラズマディスプレイパネルを実現することができる。
【００３２】
なお、本実施の形態においては、一層の下層誘電体ガラス層と一層の上層誘電体ガラス層とからなる二層構造の誘電体ガラス層を備えたプラズマディスプレイについて説明したが、上層誘電体ガラス層を二層以上で構成して、一層の下層誘電体ガラス層と多層の上層誘電体ガラス層とからなる三層以上の誘電体ガラス層としてもよい。この場合、各上層誘電体ガラス層に含まれるガラス材料が、下層誘電体ガラス層に含まれるガラス材料よりも、低い誘電率を有していればよい。
【００３３】
また、本実施の形態においては、下層誘電体ガラス層および上層誘電体ガラス層を形成する際に、ガラス形成用塗料をスクリーン印刷法、スプレー法、ブレードコータ法、ダイコート法等によって直接塗布する方法を用いることを説明したが、これに限らず、ガラス形成用塗料を予めシート状に加工しておき、このシート状物を転写等の間接的な方法でガラス基板や下層の誘電体ガラス層上に配置する方法を用いることも可能である。
【００３４】
【実施例】
以下、実施例を用いて、本発明を具体的に説明する。
【００３５】
（実施例１）
本実施例において、下層誘電体ガラス層を形成するための第１のガラス形成用塗料に用いた第１のガラス材料の組成は次の通りである。なお、ここでの各組成の重量％は、厳密には、各元素の酸化物を化学量論的酸化物に換算したときの値である。また、この第１のガラス材料の誘電率は１２で、軟化点は５８５℃であった。
【００３６】
ＰｂＯ　　　：　６２重量％
ＳｉＯ２　：　２６重量％
Ｂ２Ｏ３　　：　　６重量％
ＣａＯ　　　：　　６重量％
一方、上層誘電体ガラス層を形成するための第２のガラス形成用塗料に用いた第２のガラス材料の組成は次の通りである。また、第２のガラス材料の誘電率は１０で、軟化点は５７０℃であった。
【００３７】
ＰｂＯ　　　　　：　４１　　重量％
ＳｉＯ２　　：　１０　　重量％
Ｂ２Ｏ３　　　：　２７．５重量％
ＢａＯ　　　　　：　１６　　重量％
Ａｌ２Ｏ３　　：　　５　　重量％
ＣｕＯ　　　　　：　　０．５重量％
また、第１および第２のガラス形成用塗料のバインダー樹脂としてはエチルセルロース、溶剤としてはα−ターピネオールとブチルカルビトールアセテート（ＢＣＡ）との混合物（混合比１：１）を用いた。
【００３８】
第１および第２のガラス形成用塗料は、共に、上記のガラス材料からなるガラス粉末６５重量％、エチルセルロース２重量％、α−ターピネオールとＢＣＡの混合物３３重量％を配合し、３本ローラの分散機によって各種成分を均質に混合分散することにより作製した。
【００３９】
まず、Ａｇ電極を形成した４２インチのガラス基板上に、第１のガラス形成用塗料をダイコート法で塗布して厚さ３４μｍの下層誘電体ガラス層用膜を形成し、その後、その下層誘電体ガラス層用膜を９０℃で乾燥させて５９０℃で焼成を行って、厚さ１２μｍの下層誘電体ガラス層を作製した。次に、第２のガラス形成用塗料を下層誘電体ガラス層上にダイコート法で塗布して厚さ８０μｍの上層誘電体ガラス層用膜を形成し、その後、その上層誘電体ガラス層用膜を９０℃で乾燥させて５８０℃で焼成を行って、厚さ２８μｍの上層誘電体ガラス層を作製した。
【００４０】
（実施例２）
本実施例において、下層誘電体ガラス層を形成するための第１のガラス形成塗料は実施例１と同様のものを用いた。当然、第１のガラス材料の誘電率および軟化点も同じであった。
【００４１】
一方、本実施例の上層誘電体ガラス層は、次のような組成の第２のガラス材料を含む第２のガラス形成用塗料を用いて作製した。また、第２のガラス材料の誘電率は１０で、軟化点は５６０℃であった。
【００４２】
ＰｂＯ　　　　　：　４５　　重量％
ＳｉＯ２　　：　１０　　重量％
Ｂ２Ｏ３　　　：　２２．５重量％
ＢａＯ　　　　　：　１８　　重量％
Ａｌ２Ｏ３　　：　　４　　重量％
ＣｕＯ　　　　　：　　０．５重量％
なお、用いた溶剤およびバインダー樹脂は実施例１の場合と同様であり、第２のガラス形成用塗料の作製方法も実施例１の場合と同様とした。
【００４３】
まず、Ａｇ電極を形成した４２インチのガラス基板上に、第１のガラス形成用塗料をダイコート法で塗布して厚さ３４μｍの下層誘電体ガラス層用膜を形成し、その後、その下層誘電体ガラス層用膜を９０℃で乾燥させて５９０℃で焼成を行って、厚さ１２μｍの下層誘電体ガラス層を作製した。次に、第２のガラス形成用塗料を下層誘電体ガラス層上にダイコート法で塗布して厚さ７４μｍの上層誘電体ガラス層用膜を形成し、その後、その上層誘電体ガラス層用膜を９０℃で乾燥させて５７０℃で焼成を行って、厚さ２８μｍの上層誘電体ガラス層を作製した。
【００４４】
（比較例１）
実施例１において上層誘電体ガラス層形成用として用いた第２のガラス形成用塗料を、下層誘電体ガラス層および上層誘電体ガラス層の両方に用いて、実施例１，２と同様の方法で４２インチガラス基板上に誘電体ガラス層を形成した。すなわち、二層の誘電体ガラス層を同じ誘電率を有するガラス材料を用いて作製したので、実質的には厚さ４０μｍの単層の誘電体ガラス層を有するパネルとなった。乾燥温度は上下層とも９０℃、焼成温度は上下層とも５８０℃とした。
【００４５】
（比較例２）
実施例２において上層誘電体ガラス層形成用として用いた第２のガラス形成用塗料を、下層誘電体ガラス層および上層誘電体ガラス層の両方に用いて、実施例１，２と同様の方法で４２インチガラス基板上に誘電体ガラス層を形成した。すなわち、二層の誘電体ガラス層を同じ誘電率を有するガラス材料を用いて作製したので、実質的には厚さ４０μｍの単層の誘電体ガラス層を有するパネルとなった。乾燥温度は上下層とも９０℃、焼成温度は上下層とも５７０℃とした。
【００４６】
（比較例３）
実施例１，２において下層誘電体ガラス層形成用として用いた第１のガラス形成用塗料を、下層誘電体ガラス層および上層誘電体ガラス層の両方に用いて、実施例１，２と同様の方法で４２インチガラス基板上に誘電体ガラス層を形成した。すなわち、二層の誘電体ガラス層を同じ誘電率を有するガラス材料を用いて作製したので、実質的には厚さ４０μｍの単層の誘電体ガラス層を有するパネルとなった。乾燥温度は上下層とも９０℃、焼成温度は上下層とも５９０℃とした。
【００４７】
（比較例４）
実施例１において下層誘電体ガラス形成用として用いた第１のガラス形成用塗料を上層誘電体ガラス層に用い、上層誘電体ガラス形成用として用いた第２のガラス形成用塗料を下層誘電体ガラス層に用いて、実施例１と同様の方法で４２インチガラス基板上に誘電体ガラス層を形成した。下層誘電体ガラス層の厚さを１２μｍとし、上層誘電体ガラス層の厚さを２８μｍとした。
【００４８】
以上のように形成された実施例１，２および比較例１〜４の４２インチパネルに対して、絶縁破壊テスト（絶縁耐電圧テスト）を行った。絶縁破壊テストは、パネルを封着する前に前面板を抜き取って金属板（ここでは金属としてアルミニウムを用いた。）の上に置き、前面板と金属板との間に希ガス（ここではヘリウムとネオンを１：１の割合で含む混合ガスを用いた。）を通して、表示電極をプラス、金属板をマイナスとして、５００ＶまでのＡＣ電圧を印加した。このような絶縁破壊テストを、実施例１，２および比較例１〜４のパネルの１０個のサンプルに対して行った。１０個のサンプルのうち絶縁破壊が生じた個数が図２に示されている。この絶縁破壊テストの結果によれば、２００Ｖ程度の電圧印加で単層構造の誘電体ガラス層を有する比較例１〜４のパネルは絶縁破壊が生じるが、本発明の構成の実施例１，２のパネルは絶縁破壊が生じないことが確認された。
【００４９】
また、全光線透過率の測定も行った。この全光線透過率の測定は、Ａｇ電極が設けられていないガラス基板上に実施例１，２および比較例１〜４の誘電体ガラス層を形成したものを用意し、この誘電体ガラス層のみの全光線透過率を、ヘイズメータＨＭ−１５０（（株）村上色彩研究所製）を用いて、波長５５０ｎｍで測定した。このように、上層誘電体ガラス層および下層誘電体ガラス層の合計厚さが４０μｍである誘電体ガラス層に対して行った全光線透過率の測定結果が、図３に示されている。この結果から、実施例１，２の二層構造の誘電体ガラス層は比較例１〜３の単層構造の誘電体ガラス層とほぼ同等の全光線透過率を有し、また、比較例４の二層構造の誘電体ガラス層よりも良好な光透過率を有することが確認された。
【００５０】
また、下層誘電体ガラス層と上層誘電体ガラス層との厚みの変化と光透過率との関係についても測定を行った。その結果が図４に示されている。なお、ここでは、下層誘電体ガラス層と上層誘電体ガラス層と厚みの合計を４０μｍに固定して、上層誘電体ガラス層の厚みを０〜４０μｍ、下層誘電体ガラス層の厚みを４０〜０μｍに変化させて測定を行った。また、下層誘電体ガラス層および上層誘電体ガラス層は実施例１と同様の方法で作製し、用いたガラス材料、溶剤、およびバインダー樹脂も実施例１の場合と同様にした。この結果より、上層誘電体ガラス層の厚みを下層誘電体ガラス層の厚みよりも約２倍以上厚く形成すると、８５％程度の高い光透過率を実現できることがわかった。これより、ＢａＯを含む鉛系ガラスを用いて作製された光学特性の良好な上層誘電体ガラス層の厚みを下層誘電体ガラス層よりも約２倍以上厚くすれば、誘電体ガラス層を二層構造としても良好な光学特性が得られることが確認された。
【００５１】
以上の結果より、本発明のような誘電体ガラス層を有するプラズマディスプレイパネルは、十分な光透過率を維持したままで、絶縁耐電圧を向上させることができることが確認できた。
【００５２】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明のプラズマディスプレイパネルおよびその製造方法によれば、十分な光透過率を維持しつつ絶縁耐電圧が向上したプラズマディスプレイパネルを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態のプラズマディスプレイパネルの構成を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施例および比較例のプラズマディスプレイパネルに対して行った絶縁破壊テストの結果を示すグラフである。
【図３】本発明の実施例および比較例のプラズマディスプレイパネルに対して行った全光線透過率測定の結果を示すグラフである。
【図４】下層誘電体ガラス層および上層誘電体ガラス層の厚みの変化と光透過率との関係を示すグラフである。
【図５】従来のプラズマディスプレイパネルの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１　　前面板
２　　背面板
１１　　前面基板
１２　　表示電極
１３　　ブラックストライプ
１４ａ　　下層誘電体ガラス層
１４ｂ　　上層誘電体ガラス層
１５　　誘電体保護層
２１　　背面基板
２２　　アドレス電極
２３　　誘電体ガラス層
２４　　隔壁
２５　　蛍光体層
【図１】
2004079248.tif 000003
【図２】
2004079248.tif 000004
【図３】
2004079248.tif 000005
【図４】
2004079248.tif 000006
【図５】
2004079248.tif 000007