(57)【要約】【課題】従来の複合材料にて形成したものに比べて、薄肉で、なおかつギガヘルツ以上の高周波数領域での電磁波吸収特性が飛躍的に向上した電磁波吸収体層を備えた、新規なプリント配線用基板を提供する。【解決手段】基材１の表面に、金属酸化物からなる接着層２を介して、(a)  平均粒径１〜１５０ｎｍの磁性体粉末３１を多数、電気絶縁材料３２によって電気的に絶縁した状態で、層中に分散した構造を有する磁性体層３と、(b)  電気絶縁層４と、を交互に積層して、２層以上の積層構造を有する電磁波吸収体層ＥＭを形成した。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の表面に、金属酸化物からなる接着層を形成し、その上に、
(a)  平均粒径１〜１５０ｎｍの磁性体粉末を多数、それぞれ個別に電気絶縁材料によって絶縁した状態で含有する磁性体層と、
(b)  電気絶縁層と、
を交互に積層して、２層以上の多層構造を有する電磁波吸収体層を形成したことを特徴とするプリント配線用基板。
【請求項２】
磁性体粉末を、Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属、またはその酸化物にて形成したことを特徴とする請求項１記載のプリント配線用基板。
【請求項３】
磁性体粉末の表面を電気絶縁被膜で被覆した構造を有する複合粉末を形成し、この複合粉末を多数、結合して磁性体層を形成したことを特徴とする請求項１記載のプリント配線用基板。
【請求項４】
電気絶縁被膜を、Ｓｉ、Ａｌ、ＴｉおよびＺｒからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物、アミン誘導体、アルカンチオール誘導体、または樹脂にて形成したことを特徴とする請求項３記載のプリント配線用基板。
【請求項５】
電気絶縁被膜の被覆率を、複合粉末の総量に対して１０〜５０体積％としたことを特徴とする請求項３記載のプリント配線用基板。
【請求項６】
多数の複合粉末を、結着剤にて結着して磁性体層を形成したことを特徴とする請求項３記載のプリント配線用基板。
【請求項７】
接着層を、少なくともＴｉを含む金属の酸化物にて形成したことを特徴とする請求項１記載のプリント配線用基板。
【請求項８】
接着層の厚みを３〜１５０ｎｍとしたことを特徴とする請求項１記載のプリント配線用基板。
【請求項９】
電気絶縁層を、Ｓｉ、Ａｌ、ＴｉおよびＺｒからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物、または硬化性樹脂にて形成したことを特徴とする請求項１記載のプリント配線用基板。
【請求項１０】
電磁波吸収体層における、複素透磁率μの実数成分μ'と虚数成分μ"とを、２ＧＨｚまでの高周波数領域内の、特定の周波数領域においてμ'＞μ"としたことを特徴とする請求項１記載のプリント配線用基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば携帯電話やモバイルコンピュータなどの、ギガヘルツ以上の高周波を利用する機器類からの、不要輻射ノイズの放射を低減する機能を有する新規なプリント配線用基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話やモバイルコンピュータなどの、ギガヘルツ以上の高周波を利用する機器類からの不要輻射ノイズの放射を低減するために、磁性体の磁気損失を利用する方法が注目されている。
磁性体の磁気損失を利用した電磁波吸収（不要輻射ノイズ減衰）のメカニズムは、ノイズ源と磁性体との位置関係などによって異なるものの、磁性体がノイズ伝送路のすぐ近くにあることによって、高周波電流の発生が抑制されることが判っている。
【０００３】
また、この場合において等価的な抵抗成分の大きさは、磁性体の複素透磁率μ＝μ'−ｊμ"の虚数成分である磁気損失項μ"の大きさに依存し、磁性体の面積が一定である場合は、上記磁気損失項μ"の大きさにほぼ比例することも知られている。
かかる磁性体の機能を利用した、不要輻射ノイズ減衰のために用いる電磁波吸収体の一例として、磁性体の微細な粉末を樹脂等の結着剤中に分散した複合材料を、種々の成形方法によって、シート状などの所定の形状に成形したものがある。
【０００４】
そのような複合材料からなる電磁波吸収体について記載した文献としては、例えば特許文献１、２、非特許文献１等を挙げることができる。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−２００３０５号公報（第００３０欄）
【特許文献２】
特開２００２−１５８４８４号公報（第００１５欄〜第００１７欄、図１）
【非特許文献１】
橋本修監修「新電波吸収体の最新技術と応用  エレクトロニクス材料・技術シリーズ」〔(株)シーエムシー、１９９９年３月１日発行、第１３４頁第６行〜第８行、同頁図１ｇ〕
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、現時点で実用化されている複合材料はいずれも、ギガヘルツ以上の高周波数領域での磁気損失項μ"が５〜６程度と小さいため、当該複合材料を用いて、例えば厚み１ｍｍ程度のシート状の電磁波吸収体を形成したとしても、電磁波を数１０％程度しか遮蔽できないのが現状である。
前記機器類は近年、ますます小型化される傾向にあり、電磁波吸収体についても、配置できるスペースが大きく制約を受ける傾向にある。
【０００７】
このため電磁波吸収体としては、これまでよりも極めて薄い上、ギガヘルツ以上の高周波数領域での磁気損失項μ"がこれまでよりも大きいものが求められている。
そこでこれらの要求に対応すべく、前記の複合材料においては、電磁波吸収特性を向上する観点から、磁性体粉末の含有割合を増加させることが試みられた。
また発明者は、薄型化による省スペースの観点から、上記機器類の内部回路を構成するプリント配線用基板の表面に、複合材料からなる電磁波吸収体層を形成することを検討した。
【０００８】
しかし上記の機器類は近年、より一層、高出力化される傾向にあり、それに伴って特定周波数領域の電磁波をさらに強力に吸収することが必要となりつつある。
このため、従来の複合材料にて形成した電磁波吸収体では、この要求に対応しきれなくなってきているのが現状である。
すなわち電磁波吸収特性を向上すべく、磁性体粉末の含有割合を増加させるほど、相対的に結着剤の含有割合が減少し、それに伴って電磁波吸収体の物理的な強度や成形性などが低下してしまうため、この方法によって電磁波吸収特性を向上できる範囲には限界がある。
【０００９】
プリント配線用基板の表面に形成する電磁波吸収体層においても同様である。結着剤の含有割合が小さすぎると製膜性が低下して、薄肉でかつ均一な電磁波吸収体層を形成できない上、製膜後の膜強度も低下するため、磁性体粉末の含有割合をあまり増加させることができず、電磁波吸収特性を向上できる範囲には限界がある。
この発明の目的は、従来の複合材料にて形成したものに比べて、薄肉で、なおかつギガヘルツ以上の高周波数領域での電磁波吸収特性が飛躍的に向上した電磁波吸収体層を備えた、新規なプリント配線用基板を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、基材の表面に、金属酸化物からなる接着層を形成し、その上に、
(a)  平均粒径１〜１５０ｎｍの磁性体粉末を多数、それぞれ個別に電気絶縁材料によって絶縁した状態で含有する磁性体層と、
(b)  電気絶縁層と、
を交互に積層して、２層以上の多層構造を有する電磁波吸収体層を形成したことを特徴とするプリント配線用基板である。
【００１１】
請求項２記載の発明は、磁性体粉末を、Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属、またはその酸化物にて形成したことを特徴とする請求項１記載のプリント配線用基板である。
請求項３記載の発明は、磁性体粉末の表面を電気絶縁被膜で被覆した構造を有する複合粉末を形成し、この複合粉末を多数、結合して磁性体層を形成したことを特徴とする請求項１記載のプリント配線用基板である。
【００１２】
請求項４記載の発明は、電気絶縁被膜を、Ｓｉ、Ａｌ、ＴｉおよびＺｒからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物、アミン誘導体、アルカンチオール誘導体、または樹脂にて形成したことを特徴とする請求項３記載のプリント配線用基板である。
請求項５記載の発明は、電気絶縁被膜の被覆率を、複合粉末の総量に対して１０〜５０体積％としたことを特徴とする請求項３記載のプリント配線用基板である。
【００１３】
請求項６記載の発明は、多数の複合粉末を、結着剤にて結着して磁性体層を形成したことを特徴とする請求項３記載のプリント配線用基板である。
請求項７記載の発明は、接着層を、少なくともＴｉを含む金属の酸化物にて形成したことを特徴とする請求項１記載のプリント配線用基板である。
請求項８記載の発明は、接着層の厚みを３〜１５０ｎｍとしたことを特徴とする請求項１記載のプリント配線用基板である。
【００１４】
請求項９記載の発明は、電気絶縁層を、Ｓｉ、Ａｌ、ＴｉおよびＺｒからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物、または硬化性樹脂にて形成したことを特徴とする請求項１記載のプリント配線用基板である。
請求項１０記載の発明は、電磁波吸収体層における、複素透磁率μの実数成分μ'と虚数成分μ"とを、２ＧＨｚまでの高周波数領域内の、特定の周波数領域においてμ'＞μ"としたことを特徴とする請求項１記載のプリント配線用基板である。
【００１５】
【発明の効果】
請求項１記載の発明によれば、電磁波吸収体層を、(a)の磁性体層と、(b)の電気絶縁層とを交互に積層した多層構造に形成してあるため、高周波数領域での電磁波吸収特性を、これまでよりも飛躍的に向上することができる。
すなわち、電磁波吸収体層を多層構造に形成したことによって、先に説明した非特許文献１の第１３５頁にも記載されているように、渦電流損失を抑制するとともに、還流磁区を有効に除去することが可能となる。このため電磁波吸収体層は、特にギガヘルツ以上の高周波数領域で、電磁波を良好に吸収できるものとなる。
【００１６】
また、各磁性体層中に分散させた磁性体粉末の平均粒径を１〜１５０ｎｍとしたことと、個々の磁性体粉末を、電気絶縁材料によって電気的に絶縁した状態で層中に含有させたこととの相乗効果によって、個々の磁性体粉末について、磁性体としての磁化を維持しつつ、その電気比抵抗を飛躍的に大きくすることが可能となる。
これは、個々の磁性体粉末の平均粒径が、上記のように１〜１５０ｎｍの範囲内であって、電子の平均自由行程に近いためである。また、２つ以上の磁性体粉末が互いに接触して実質的な粒径が大きくなり、それによって電気比抵抗が小さくなるのを、磁性体粉末間を電気絶縁材料によって電気的に絶縁することで防止しているためである。
【００１７】
そして、ギガヘルツ以上の高周波数領域で磁性を失うことなく高い透磁率を維持した状態で、効率よく電磁波を吸収、減衰できるようになる。つまり、高周波磁界および電界によって磁性体粉末の内部に誘導電流が発生すると、それに追従して発生する磁化を制動することができるため、電磁波を効率よく吸収、減衰することができる。
さらに、上記のように磁性体粉末の粒径を小さくしたことと、個々の磁性体粉末を、電気絶縁材料によって電気的に絶縁した状態で層中に含有させたこととの相乗効果によって、前記の多層構造に由来して発生する変位電流による透磁率特性の阻害を防止することもできる。
【００１８】
よって前記の構造を有する電磁波吸収体層は、従来の、磁性体粉末を単に結着剤中に分散させただけの複合材料にて形成したものに比べて、特にギガヘルツ以上の高周波数領域での電磁波吸収特性を、飛躍的に向上させることができる。
したがって請求項１記載の発明によれば、特にＥＭＩ（Electro Magnetic Interference、不要輻射または電磁波によって発生するノイズ）対策用として、携帯電話などのクロストークの防止などに優れた効果を発揮しうるプリント配線用基板を得ることが可能となる。
【００１９】
また電磁波吸収体層を形成する個々の磁性体層は、最も単純には、多数の磁性体粉末が層の厚み方向に重ならずに、面方向にのみ分布した構造とすることができ、その場合の磁性体層の厚みは、磁性体粉末の粒径より少し大きい程度、具体的にはサブミクロンオーダーとすることができる。
また同様に電気絶縁層の厚みは、上下の磁性体層中の磁性体粉末間を電気的に絶縁できる程度、具体的にはこれもサブミクロンオーダーであればよい。
【００２０】
よって上記の電磁波吸収体層は、２層以上の多層構造を有するにもかかわらず、極めて薄肉化することができる。
したがって請求項１記載の発明によれば、かかる薄肉の電磁波吸収体層を基材と一体化したことによって、省スペースの点でも優れたプリント配線用基板を得ることが可能となる。
さらに電磁波吸収体層は、基材の表面に形成した、金属酸化物からなる接着層の上に形成してあるため、基材に対して高い接着性を有している。
【００２１】
すなわち基材の表面が、ポリイミドやポリアミドイミド、エポキシ樹脂等の樹脂からなる場合、その表面は有機性の官能基を有するため、磁性体粉末を含む磁性体層などとは密着しがたい。また基材の表面が、ステンレス等の金属からなる場合、その表面には不安定な自己酸化膜が存在するため、磁性体層などとは密着しがたい。
これに対し、金属酸化物からなる接着層は、下地である有機高分子製の表面や金属製の表面などとの接着性に優れる上、磁性体層中の磁性体粉末との接着性にも優れている。
【００２２】
このため接着層を介在させることによって磁性体層の、ひいては電磁波吸収体層の、基材に対する接着性を向上することができる。
したがって請求項１記載の発明によれば、電磁波吸収体層が、前記のように複雑な多層構造を有するにもかかわらず、その接着性を向上して、当該電磁波吸収体層のはく離などを生じにくい、耐久性に優れたプリント配線用基板を得ることも可能となる。
【００２３】
なお請求項２に記載したように、磁性体層中に含有させる磁性体粉末を、Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属、またはその酸化物などの、磁気特性に優れた軟磁性体材料によって形成すると、磁性体層の飽和磁束密度を高めて、電磁波吸収体層の電磁波吸収特性をさらに向上することができる。
また請求項３に記載したように、磁性体粉末の表面を電気絶縁被膜で被覆した構造を有する複合粉末を形成し、この複合粉末を多数、結合して磁性体層を形成した場合には、個々の磁性体粉末をいずれも、その表面を被覆した電気絶縁被膜によってより確実に、他の磁性体粉末と絶縁した状態で、磁性体層を形成することができる。このため、電磁波吸収体層の電磁波吸収特性をさらに向上することができる。
【００２４】
また請求項４に記載したように、電気絶縁被膜を、Ｓｉ、Ａｌ、ＴｉおよびＺｒからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物、アミン誘導体、アルカンチオール誘導体、または樹脂にて形成した場合には、磁性体粉末間をより確実に絶縁することができる。このため、例えば磁性体粉末の充てん密度を高めるなどして、電磁波吸収体層の電磁波吸収特性をさらに向上することができる。
また請求項５に記載したように、電気絶縁被膜の被覆率を、複合粉末の総量に対して１０〜５０体積％とするのが好ましいのは下記の理由による。
【００２５】
すなわち電気絶縁被膜の被覆率が１０体積％未満では、上述した、磁性体粉末間を電気絶縁被膜によって絶縁する効果が不十分になるおそれがある。また被覆率が５０体積％を超える場合には、相対的に磁性体粉末の量が少なくなって、磁性体層における磁性体粉末の充てん率が低下するおそれがある。
これに対し、被覆率が１０〜５０体積％の範囲内であれば、磁性体層における磁性体粉末の充てん率を低下させることなく、磁性体粉末間を、電気絶縁被膜によってより確実に絶縁することが可能となる。
【００２６】
また請求項６に記載したように多数の複合粉末を、結着剤にて結着して磁性体層を形成した場合には、磁性体層、ひいては電磁波吸収体層の膜強度を高めることができる。
また請求項７に記載したように、接着層を、少なくともＴｉを含む金属の酸化物にて形成した場合には、当該Ｔｉを含む金属の酸化物が、磁性体粉末との接着性や安定性に特に優れるため、電磁波吸収体層の、基材に対する接着性をさらに向上することが可能となる。
【００２７】
また請求項８に記載したように、接着層の厚みを３〜１５０ｎｍとするのが好ましい理由は下記のとおりである。
すなわち接着層の厚みが３ｎｍ未満では、当該接着層を設けたことによる、電磁波吸収体層の、基材に対する接着性を向上する効果が不十分になるおそれがある。また接着層の厚みが１５０ｎｍを超える場合には、層の内部応力が大きくなって、接着層に歪みや亀裂等を生じやすくなるおそれがある。
【００２８】
これに対し、接着層の厚みが３〜１５０ｎｍの範囲内であれば、歪みや亀裂等の発生を抑制しながら、電磁波吸収体層の、基材に対する接着性を十分に向上することが可能となる。
また請求項９に記載したように、電気絶縁層を、Ｓｉ、Ａｌ、ＴｉおよびＺｒからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物、または硬化性樹脂にて形成した場合には、上下の磁性体層間を、より確実に絶縁することができる。このため、例えば電気絶縁層の厚みをできるだけ小さくして、その総厚みをさらに小さくすることなどが可能となる。
【００２９】
さらに請求項１０に記載したように、電磁波吸収体層における、複素透磁率μの実数成分μ'と虚数成分μ"とを、２ＧＨｚまでの高周波数領域内の、特定の周波数領域においてμ'＞μ"とした場合には、前述したＥＭＩ対策用としてだけでなく、ＳＡＲ（Specific Absorption Rate、比吸収率）対策用としても優れた効果を発揮しうるプリント配線用基板を得ることができる。
近時、携帯電話などの移動体通信機器類において、アンテナやＲＦ発信機の周辺から漏洩する磁化が、人体に対して悪影響を及ぼすことが懸念されている。例えば携帯電話の場合、耳に当てた通話状態において、アンテナから漏洩した高周波磁界成分によって脳内に渦電流が流れる。そしてこの渦電流によって脳が発熱するなど、人体にさまざまな悪影響を生じると考えられている。
【００３０】
かかる高周波磁界による悪影響から人体を保護するために求められるのがＳＡＲ、すなわち生体が電磁波にさらされることによって、単位質量の組織に、単位時間あたりに吸収されるエネルギー量（具体的には６分間における人体局所の任意の組織１０ｇにわたり平均化した値）を、できるだけ小さくする対策である。
ＳＡＲ対策の具体的な方法としては、高周波でも複素透磁率μが高い材料を配置し、機器類から放射される高周波磁界の形を変形させて電磁波吸収体層内に収束させることで、人体に放射される量を低減することが考えられる。
【００３１】
そのためには２ＧＨｚまでの高周波数領域内の、機器が使用する特定の周波数領域において、複素透磁率μの実効成分のうち、外部磁界から時間的な遅れを持つために損失に寄与する虚数成分μ"よりも、損失には寄与しないものの、複素透磁率μを高めて、高周波磁界の形を変形させて電磁波吸収体層内に収束させるために寄与する実数成分μ'を大きくする、つまり両成分を、前記のようにμ'＞μ"とするのが好ましい。
【００３２】
両成分が逆にμ'≦μ"の関係にあるときには、複素透磁率μを高めようとすると虚数成分μ"が大きくなりすぎるため、それに伴って損失が大きくなりすぎて、アンテナから放射されるべき電磁波の、出力の低下を引き起こす。このため通信そのものが阻害されるおそれがある。
これに対し、２ＧＨｚまでの高周波数領域内の、機器類が使用する特定の周波数領域において、両成分がμ'＞μ"の関係にあれば、アンテナから放射される電磁波の出力の低下を引き起こすことなしに複素透磁率μを高めて、人体に放射される高周波磁界の量を低減することが可能となる。
【００３３】
以下に、この発明を詳細に説明する。
図１は、この発明のプリント配線用基板の、実施の形態の一例を示す拡大断面図である。
図に見るようにこの例のプリント配線用基板は、基材１の表面に、金属酸化物からなる接着層２を形成し、その上に、
(a)  平均粒径１〜１５０ｎｍの磁性体粉末３１を多数、それぞれ個別に電気絶縁材料３２によって絶縁した状態で含有する磁性体層３と、
(b)  電気絶縁層４と、
を交互に積層して、２層以上の多層構造を有する電磁波吸収体層ＥＭを形成したものである。
【００３４】
なお図では、接着層２の直上の、２層ずつの磁性体層３、電気絶縁層４と、電磁波吸収体層ＥＭの最上部の、２層の磁性体層３、および３層の電気絶縁層４のみ記載して、途中の記載を省略しているが、この間でも磁性体層３と電気絶縁層４とを交互に積層していることは言うまでもない。
〔基材〕
上記のうち基材１としては、プリント配線用基板の用途において従来公知の種々の材料からなる、種々の形状、構造を有する基材を、いずれも使用することができる。
【００３５】
例えば樹脂を主体とする基材としては、樹脂からなる単層のフィルムやシート、当該フィルムまたはシートを強化繊維層などと積層して強化した積層体、樹脂中に強化繊維などを分散させた複合体、あるいは表面に上記樹脂をコーティングした複合体等を挙げることができる。また基材１の表面には、ステンレス等の金属からなる遮蔽層などを形成してもよい。
基材１を形成する樹脂としては、従来公知の種々の樹脂を挙げることができるが、特に耐熱性、耐候性、耐薬品性、機械的強度等を向上することを考慮すると、これらの特性に優れたポリイミド（全芳香族ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリマレイミドアミンその他）、ポリエチレンナフタレート、ポリアミドイミド、ポリエチレンテレフタレート、全芳香族ポリアミド、液晶ポリエステル、エポキシなどが好ましい。
【００３６】
電磁波吸収体層ＥＭは、上記基材１の樹脂製の表面や、あるいは基材１の表面に積層した遮蔽層等の、金属製の表面などに形成することができる。このいずれの場合にも電磁波吸収体層ＥＭは、次に述べる接着層２を介して形成されるため、前記のように基材１に対して高い接着性を有するものとなる。
基材１の、接着層２を介して電磁波吸収体層ＥＭを形成する面には、接着層２の接着性を向上するために、例えばプラズマ処理、粗面化処理などの前処理を施してもよい。
【００３７】
〔接着層〕
接着層２は、上記のように金属酸化物、特に好ましくはＴｉを含む金属の酸化物にて形成する。Ｔｉを含む金属の酸化物としてはチタニア（酸化チタン）の他、Ｔｉと他の金属との複合酸化物や、これらの酸化物、複合酸化物と、他の金属の酸化物との混合物等を挙げることができる。
接着層２は、例えば反応性スパッタリング法、反応性イオンプレーティング法などによって形成することもできるが、いわゆるゾルゲル法によって形成するのが、生産性や製造コスト等の工業的な観点から好ましい。
【００３８】
ゾルゲル法においては、接着層２を形成する金属酸化物のもとになる、少なくともＴｉを含む金属のアルコキシドを加水分解してゾル液を生成し、このゾル液を、種々の塗布法によって基材１の、電磁波吸収体層ＥＭを形成する面に塗布した後、加熱して脱水反応を進行させるとともに、水分の蒸発によって金属酸化物の生成を促進させることによって、所定の金属酸化物からなる接着層２を形成することができる。
【００３９】
接着層２の厚みは３〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましい。この理由は先に述べたとおりである。
〔磁性体層〕
接着層２の上に形成する電磁波吸収体層ＥＭのうち磁性体層３は、磁性体粉末３１を多数、電気絶縁材料３２によって電気的に絶縁した状態で、層中に含有する構造を有する。
【００４０】
（磁性体粉末）
上記のうち磁性体粉末３１は、種々の磁性材料にて形成することができるが、特に前述したように、磁性体層３の飽和磁束密度を高めて電磁波吸収特性をさらに向上するためには、Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属、またはその酸化物にて形成するのが好ましい。中でも特に、ＦｅとＮｉの合金であるパーマロイ合金や、Ｆｅの酸化物であるフェライトにて形成するのがさらに好ましい。これにより、磁性体層３における磁性体粉末３１の密度にもよるが、例えばその飽和磁束密度を０．５Ｔ以上として、良好な電磁波吸収特性を得ることが可能となる。
【００４１】
磁性体粉末３１の平均粒径は、１〜１５０ｎｍである必要がある。
この理由も先に述べたとおりであるが、さらに詳しく説明すると、磁性体粉末３１の平均粒径が１５０ｎｍを超える場合には電気比抵抗が低下して、当該磁性体粉末３１を形成する磁性材料の固有抵抗値（μΩｃｍ程度）まで低下する。このため、高周波磁界および電界によって磁性体粉末３１の内部に誘導電流が発生しても、高周波に追従して発生する磁化を制動することができないため、電磁波を効率よく吸収、減衰することができなくなってしまう。
【００４２】
一方、磁性体粉末３１の平均粒径が１ｎｍ未満では、電子の平均自由行程にさらに近づくため電気比抵抗は無限大近く発散するが、磁化が急激に小さくなって、磁性体としての機能が失われてしまう。
したがって磁性体粉末３１の平均粒径は、１〜１５０ｎｍである必要がある。
かかる磁性体粉末３１は、従来公知の種々の製造方法によって製造することができるが、特に磁性体粉末３１のもとになる１種または２種以上の金属のイオンを含む水溶液中で、当該イオンを還元剤によって金属に還元することで液中に析出させる、還元析出法によって形成するのが好ましい。
【００４３】
還元析出法によって製造される磁性体粉末３１は、個々の粒径が揃っており、粒度分布がシャープである。
電磁波吸収体層ＥＭの周波数特性は、磁性体粉末３１の粒径に依存する。そして磁性体粉末３１の粒度分布のばらつきが大きいと、周波数特性が粉末間で平均化されるため、電磁波吸収体層は、特定周波数の電磁波に対して先鋭なピークを有するのでなく、幅広い周波数領域にわたるブロードな分布を有するものとなる。このため特定周波数の電磁波に対する吸収効率が低下する。
【００４４】
これに対し、還元析出法によって製造された、粒度分布がシャープな磁性体粉末３１を使用した場合には、電磁波吸収体層ＥＭは、特定周波数の電磁波に対して先鋭なピークを有するものとなり、特定周波数の電磁波に対する吸収効率が向上する。
還元析出法に用いる還元剤としては、３価のチタンイオン（Ｔｉ３＋）が好ましい。
【００４５】
還元剤として３価のチタンイオンを用いた場合には、磁性体粉末３１を形成した後の、チタンイオンが４価に酸化した水溶液を電解再生して、チタンイオンを再び３価に還元することによって繰り返し、磁性体粉末３１の製造に利用可能な状態に再生できるという利点がある。
また還元剤として３価のチタンイオンを用いた還元析出法としては、四塩化チタンなどの、４価のチタン化合物の水溶液を電解して、４価のチタンイオンの一部を３価に還元して還元剤水溶液を調製した後、この還元剤水溶液と、磁性体粉末のもとになる金属のイオンを含む水溶液（反応液）とを混合して、３価のチタンイオンが４価に酸化する際の還元作用によって金属のイオンを還元、析出させて磁性体粉末を製造する方法が好ましい。
【００４６】
この方法においては、還元析出時に、あらかじめ系中に存在する４価のチタンイオンが、磁性体粉末３１の成長を抑制する成長抑制剤として機能する。
また還元剤水溶液中で、３価のチタンイオンと４価のチタンイオンとは、複数個ずつがクラスターを構成して、全体として水和および錯体化した状態で存在する。
このため１つのクラスター中で、３価のチタンイオンによる、磁性体粉末３１を成長させる機能と、４価のチタンイオンによる、磁性体粉末３１の成長を抑制する機能とが、１つの同じ磁性体粉末３１に作用しながら、磁性体粉末３１が形成される。
【００４７】
したがって前述した、平均粒径が１５０ｎｍ以下という微細な磁性体粉末３１を、容易に製造することができる。
しかもこの製造方法では、電解条件を調整して、還元剤水溶液中における、３価のチタンイオンと４価のチタンイオンとの存在比率を調整することによって、上述した、クラスター中での両イオンの、相反する機能の強弱の度合いを変更できるため、製造される磁性体粉末３１の粒径を任意に制御することも可能である。
【００４８】
（複合粉末）
磁性体粉末３１を多数、電気絶縁材料３２によって電気的に絶縁した状態で、層中に含有させた構造を有する磁性体層３は、種々の方法によって形成することができる。しかし、個々の磁性体粉末３１間をより確実に絶縁するためには、前述したように、磁性体粉末３１の表面を電気絶縁被膜３２ａで被覆した複合構造を有する複合粉末３３を作製し（図２）、それを多数、結合、一体化させて磁性体層３を形成するのが好ましい。
【００４９】
また、かかる構造の磁性体層３において磁性体粉末３１の表面を被覆する電気絶縁被膜３２ａは、金属の酸化物、アミン誘導体、アルカンチオール誘導体、または樹脂にて形成するのが好ましい。
このうち金属の酸化物としては、Ｓｉ、Ａｌ、ＴｉおよびＺｒからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物、具体的にはシリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニアなどの他、上記４種のうち２種以上の金属の複合酸化物や、これらの酸化物、複合酸化物の２種以上の混合物等を挙げることができる。
【００５０】
金属の酸化物からなる電気絶縁被膜３２ａは、接着層２と同様に、ゾルゲル法によって形成するのが、生産性や製造コスト等の工業的な観点から好ましい。
ゾルゲル法においては、まず電気絶縁被膜３２ａを形成する金属酸化物のもとになる金属のアルコキシドを加水分解してゾル液を生成し、このゾル液中に磁性体粉末３１を分散する。
そしてこの分散液を、スプレードライヤによって所定温度の雰囲気中に噴霧して乾燥させると、磁性体粉末３１の表面で脱水反応が進行するとともに、水分の蒸発によって金属酸化物の生成が促進されるため、所定の金属酸化物からなる電気絶縁被膜３２ａを形成することができる。
【００５１】
また流動床法などの、従来公知の種々の、粉体への被覆方法を利用して、ゾル液を磁性体粉末３１の表面に被覆するとともに金属酸化物を生成させて、電気絶縁被膜３２ａを形成することもできる。
またアミン誘導体としては、ヘキサエチレンジアミン、オクチルアミン等を挙げることができる。
アミン誘導体からなる電気絶縁被膜３２ａは、磁性体粉末３１を、当該アミン誘導体で処理することで形成できる。具体的には、磁性体粉末３１を、アミン誘導体と、その溶剤（主にアルコール等）とともに、アトライタ等の粉末加工機や、あるいはホモジナイザー等に供給して均一に混合させると、アミン誘導体中のアミノ基のＮが、磁性体粉末３１の表面の金属原子と結合することによって、アミン誘導体からなる電気絶縁被膜３２ａを形成することができる。
【００５２】
アルカンチオール誘導体としては、例えばｎ−ドデカンチオール、ｎ−ヘキサデンカンチオール、ｎ−オクタデンカンチオール、ｎ−エイコサンチオール等の、炭素数が１０〜２０程度であるアルカンチオール化合物を挙げることができる。
アルカンチオール誘導体からなる電気絶縁被膜３２ａは、上記と同様にして形成することができる。すなわち磁性体粉末３１を、アルカンチオール誘導体と、その溶剤（主にアルコール等）とともに、アトライタ等の粉末加工機や、あるいはホモジナイザー等に供給して均一に混合させると、アルカンチオール誘導体中のチオール基のＳが、磁性体粉末３１の表面の金属原子と結合することによって、当該アルカンチオール誘導体の単分子膜からなる電気絶縁被膜３２ａを形成することができる。
【００５３】
上記アミン誘導体やアルカンチオール誘導体の添加量は、磁性体粉末の表面を、これらの誘導体で均一に処理することを考慮すると、例えば磁性体粉末の重量をｘ（ｇ）、平均粒子径をｙ（ｎｍ）として、平均粒子径ｙが１００ｎｍ以上である場合は０．６ｘ（ｇ）から１．４ｘ（ｇ）の範囲で、また平均粒子径ｙが１００ｎｍ未満である場合は（４００／ｙ）×０．６ｘ（ｇ）から（４００／ｙ)×１．４ｘ（ｇ）の範囲で添加するのが好ましい。
【００５４】
樹脂としては、電気絶縁性を有する種々の樹脂を挙げることができる。
樹脂からなる電気絶縁被膜３２ａは、前記と同様にスプレードライヤや流動床法などを利用して、磁性体粉末３１の表面に樹脂の溶液を被覆した後、乾燥させて形成してもよい。
しかし、例えばポリビニルピロリドンなどの水溶性の樹脂を、前述した還元析出法による磁性体粉末３１の製造方法に用いる反応液中にあらかじめ溶解しておき、還元反応による磁性体粉末３１の析出と同時に、その表面に被覆するのが、生産性や製造コスト等の工業的な観点から好ましい。
【００５５】
磁性体粉末３１の表面を、上記いずれかの電気絶縁被膜３２ａによって被覆した複合構造を有する複合粉末３３において、当該電気絶縁被膜３２ａの被覆率は、１０〜５０体積％であるのが好ましい。この理由は前述したとおりである。
被覆率は、下記式によって求めることができる。
【００５６】
【数１】
2004165620.tif 000003
【００５７】
（磁性体層の形成）
上記複合粉末３３を用いて磁性体層３を形成するには、まず複合粉末３３を適当な分散媒中に分散するとともに、当該分散媒に溶解する樹脂等の結着剤を加えて磁性体層用の塗布液を調製する。
そしてこの塗布液を、スプレーコート法などの塗布法によって塗布した後、加熱して分散媒を乾燥、除去するとともに、多数の複合粉末３３を結着剤によって一体に固着することによって、磁性体層３を形成することができる。
【００５８】
なお電気絶縁被膜３２ａを樹脂によって形成した複合粉末３３を用いる場合は、樹脂が溶解して磁性体粉末３１が露出するのを防止するために、分散媒として、上記樹脂の貧溶媒を用いるのが好ましい。
かかる塗布法において、特にスプレーコート法を採用すると、塗装条件などを調整することによって、図１に示すように、多数の磁性体粉末３１が層の厚み方向に重ならずに、面方向にのみ分布した構造を有する磁性体層３を形成することができる。
【００５９】
磁性体層３の形成方法は、上記の方法には限定されない。磁性体粉末３１を多数、個々に、電気絶縁材料３２によって電気的に絶縁した状態で層中に含有させた構造を有する磁性体層３を形成できる、種々の形成方法を採用することができる。
他の形成方法としては、例えばスパッタリング法を応用して、多数の磁性体粉末３１と、その間を絶縁する無機の電気絶縁材料３２の粉末とを交互に成長させる方法を挙げることができる。
【００６０】
この方法では、例えばスパッタリング装置のチャンバー内に、磁性体粉末３１のもとになるターゲットと、電気絶縁材料３２のもとになるターゲットとをセットし、連続した膜を形成する条件よりもチャンバー内の内圧を高めに、またターゲットと基材との距離を長めに設定する。
そしてこの設定下で、連続した膜が形成されないようにごく短時間ずつ、交互に、磁性体および電気絶縁材料のスパッタリングを繰り返すと、前記のように多数の磁性体粉末３１と、その間を絶縁する無機の電気絶縁材料３２の粉末とが交互に成長して、磁性体層３が形成される。
【００６１】
また、このスパッタリング法において、磁性体のスパッタリングを１回のみとすると、前記と同様に多数の磁性体粉末３１が層の厚み方向に重ならずに、面方向にのみ分布した構造を有する磁性体層３を形成することができる。
磁性体層３の厚みは特に限定されない。
しかし、電磁波吸収体層ＥＭの全体としての厚みをできるだけ小さくすることを考慮すると、磁性体層３は、上記のように多数の磁性体粉末３１が層の厚み方向に重ならずに、面方向にのみ分布した構造に形成するのが好ましく、その場合の磁性体層３の厚みは、層中に分散される磁性体粉末３１の粒径より少し大きい程度とすることができる。より具体的には、磁性体粉末３１の平均粒径が１〜１５０ｎｍに限定されるため、電気絶縁被膜３２ａの厚み等を考慮しても、磁性体層３の厚みはおよそ２５０ｎｍ以下程度とすることが可能である。
【００６２】
（電気絶縁層）
磁性体層３と交互に積層されて電磁波吸収体層ＥＭを形成する電気絶縁層４は、金属の酸化物、または硬化性樹脂にて形成するのが好ましい。
このうち金属の酸化物としては、複合粉末において電気絶縁被膜３２ａを形成したのと同じ、Ｓｉ、Ａｌ、ＴｉおよびＺｒからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物、具体的にはシリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニアなどの他、上記４種のうち２種以上の金属の複合酸化物や、これらの酸化物、複合酸化物の２種以上の混合物等を挙げることができる。
【００６３】
その形成方法としても、やはり生産性や製造コスト等の工業的な観点から、ゾルゲル法が好ましい。
ゾルゲル法においては、電気絶縁層４を形成する金属酸化物のもとになる金属のアルコキシドを加水分解してゾル液を生成し、このゾル液を、種々の塗布法によって塗布した後、加熱して脱水反応を進行させるとともに、水分の蒸発によって金属酸化物の生成を促進させることによって、所定の金属酸化物からなる電気絶縁層４を形成することができる。
【００６４】
また硬化性樹脂としては、従来公知の種々の熱硬化性樹脂や、あるいは紫外線等の光の照射によって硬化する光硬化性樹脂等を挙げることができ、特に磁性体層３中での磁性体粉末３１の分散状態等に影響を及ぼすおそれのある高温の加熱を伴わずに硬化できる光硬化性樹脂が好ましい。
光硬化性樹脂にて電気絶縁層４を形成するには、液状である光硬化性樹脂を、種々の塗布法によって塗布した後、紫外線等の光を照射して樹脂を硬化反応させればよい。
【００６５】
電気絶縁層４の厚みは、前述したように上下の磁性体層３中の磁性体粉末３１間を電気的に絶縁できる程度であればよく、特に１〜５０ｎｍであるのがさらに好ましい。
（電磁波吸収体層）
接着層２上に、以上で説明した磁性体層３と電気絶縁層４とを２層以上、交互に積層することで、電磁波吸収体層ＥＭを形成することができる。
【００６６】
磁性体層３と電気絶縁層４の形成順序は特に限定されないが、先に述べた電気絶縁層４の機能を考慮すると、当該電気絶縁層４は、上下の磁性体層３間に介在させるのが好ましい。したがって図１に示すように、接着層２上に、まず磁性体層３、次いで電気絶縁層４の順に交互に積層するのが好ましい。
両層の合計の積層数は、磁性体層３と電気絶縁層４とを１層ずつ積層した２層でもよいが、前述した積層構造の効果を発揮させるためには、磁性体層３を２層以上、積層するのが好ましい。また積層構造の最上層は、図１に示すように電気絶縁層４で覆って、外部から絶縁するのが好ましい。したがって接着層２上に、まず磁性体層３、次いで電気絶縁層４の順に交互に積層する場合の、全体の積層数は４層以上とするのが好ましい。
【００６７】
積層数の上限は特に限定されない。積層すればするほど、電磁波吸収特性を向上できる。
しかし、あまりに積層数が多すぎると電磁波吸収体層ＥＭ、ひいてはプリント配線用基板の生産性が低下し、製造コストが増大するおそれがある。また積層数が多すぎると、層の内部応力が大きくなって、歪みや亀裂等を生じやすくなるおそれもある。さらに電磁波吸収体層ＥＭの総厚みが大きくなって、省スペース等のメリットが得られなくなるおそれもある。
【００６８】
したがって磁性体層３と電気絶縁層４の合計の積層数は、２０層以下であるのが好ましく、１６層以下であるのがさらに好ましい。
電磁波吸収体層ＥＭは、基材１の、回路が形成される側と反対側の表面の一部または全面に形成したり、回路が形成される側の表面に設けた形成領域内に形成したりすることができる。また基材１の、回路を形成した表面上に絶縁層を介して、あるいは直接に、接着層２を形成した上に電磁波吸収体層ＥＭを形成してもよい。
【００６９】
さらには基材１の、電磁波吸収体層ＥＭを形成した上にさらに別の基材を１層または２層以上、積層して多層基材としてもよい。その場合、電磁波吸収体層ＥＭは、基材間の回路を接続するスルーホールを避けた形状に形成するのが好ましい。
かかる電磁波吸収体層ＥＭを備えたプリント配線用基板は、先に述べたように、特にギガヘルツ以上の高周波数領域の電磁波に対するＥＭＩ対策用として有効に機能することができる。
【００７０】
また、これも先に述べたように電磁波吸収体層ＥＭの、２ＧＨｚまでの高周波数領域内の、機器類が使用する特定の周波数領域において、複素透磁率μの実数成分μ'と虚数成分μ"とがμ'＞μ"の関係になるように調整すると、プリント配線用基板を、ＥＭＩ対策用としてだけでなく、ＳＡＲ対策用としても有効に機能させることが可能となる。
磁性体の物理現象として、例えば図３に示すように実数成分μ’は、周波数ｆが一定値ｆ０以上になると、それ以上の高周波磁界に追従できずに低下を開始する。またそれに代わって、虚数成分μ"が急激に大きくなって、上記周波数ｆ０の近傍の、周波数ｆｒの位置でピーク値を示す。この周波数ｆｒを磁気共鳴周波数という。
【００７１】
かかる周波数ｆ０、ｆｒは、前記磁性体層中に分散した磁性体粉末の異方性磁界Ｈａを調整することによって変化させることができる。
すなわち磁性体の磁気共鳴周波数ｆｒと異方性磁界Ｈａとは式：
ｆｒ＝νＨａ／２π
〔式中νはジャイロ磁気定数、πは円周率である。〕
に示す関係にあり、異方性磁界Ｈａを大きくすると、磁気共鳴周波数ｆｒを大きくすることができる。またそれに伴って周波数ｆ０を大きくすることもできる。そしてそれによって、図中に示した破線に相当する、μ’＝μ"となる周波数をも変化させることができる。つまり図上で、周波数ｆ０、ｆｒ、および破線を、それぞれ横軸方向に移動させることができる。
【００７２】
したがって周波数ｆ０、ｆｒを調整することによって破線を移動させて、ＳＡＲ対策の対象である、２ＧＨｚまでの高周波数領域内の、機器類が使用する特定の周波数領域が、破線の左側の、μ’＞μ"の関係を示す範囲内（破線自体は含まない）に入るように調整してやると、電磁波吸収体を、上記特定周波数領域の高周波に対するＳＡＲ対策用として有効に機能させることが可能となる。
なお異方性磁界Ｈａを変化させるためには、たとえば磁性体粉末３１の組成や形状、結晶構造等を変化させたり、磁性体粉末３１の作製工程における外部磁場の強さなどを調整したりすればよい。
【００７３】
【実施例】
以下にこの発明を、実施例、比較例に基づいて説明する。なお、各実施例のうち実施例１〜７、９においては、磁性体層を形成するために、下記(i)〜(vi)のいずれかの複合粉末を使用した。
複合粉末(i)
（還元剤水溶液の調製）
四塩化チタンの２０％塩酸酸性水溶液を作製した。四塩化チタンの量は、当該水溶液を次工程で陰極電解処理して得た還元剤水溶液を、次項で述べる反応液と所定の割合で混合するとともに、ｐＨ調整剤や、あるいは必要に応じてイオン交換水を加えて所定量の混合液を作製した際に、当該混合液の総量に対する、３価および４価のチタンイオンの、合計のモル濃度が０．２ｍｏｌ／Ｌとなるように設定した。液のｐＨは４であった。
【００７４】
次にこの水溶液を、旭硝子(株)製の陰イオン交換膜で仕切った２槽式の電解槽の、片方の槽に注入した。また上記電解槽の、反対側の槽にはモル濃度０．１ｍｏｌ／Ｌの硫酸ナトリウム水溶液を入れた。
そしてそれぞれの液にカーボンフェルト電極を浸漬して、四塩化チタンの水溶液側を陰極、硫酸ナトリウム水溶液側を陽極として、３．５Ｖの直流電流を、定電圧制御で通電して水溶液を陰極電解処理することで、還元剤水溶液を調製した。
【００７５】
陰極電解処理により、還元剤水溶液中の、４価のチタンイオンの約６０％が３価に還元され、液のｐＨは１となった。
（反応液の調製）
塩化ニッケルと硫酸鉄とクエン酸三ナトリウムとをイオン交換水に溶解し、さらにポリビニルピロリドンを加えて反応液を調製した。各成分の量は、前述した混合液の総量に対するモル濃度が、塩化ニッケル：０．０４ｍｏｌ／Ｌ、硫酸鉄：０．１２ｍｏｌ／Ｌ、クエン酸三ナトリウム：０．３ｍｏｌ／Ｌとなるように調整した。またポリビニルピロリドンの量は、上記各成分中の金属（ＮｉおよびＦｅ）の総量に対して１０体積％とした。
【００７６】
（複合粉末の作製）
前記還元剤水溶液を反応槽に入れ、液温を５０℃に維持しつつ、かく拌下、ｐＨ調整剤としての炭酸ナトリウムの飽和水溶液を加えて液のｐＨを５．２に調整するとともに、反応液を徐々に加えた後、さらに必要に応じてイオン交換水を加えて所定量の混合液を作製した。反応液およびイオン交換水は、あらかじめ５０℃に暖めておいたものを用いた。
【００７７】
そして混合液の液温を５０℃に維持しながら数分間、かく拌を続けると沈殿が析出したので、かく拌を停止して沈殿を直ちにロ別、水洗した後、乾燥させて粉末を得た。
得られた粉末は、磁性体粉末の表面を、ポリビニルピロリドンからなる電気絶縁被膜によって被覆した複合構造を有していた。
このうち磁性体粉末の組成をＩＣＰ発光分析法によって測定したところ、５２Ｎｉ−４８Ｆｅ合金であることが確認された。
【００７８】
また磁性体粉末の平均粒径を、動的光散乱法による粒子径測定装置〔マルバーン社製の商品名マルバーンＨＰＰＳ〕を用いて測定したところ６０ｎｍであった。
さらに電気絶縁被膜の被覆率を、比重の測定結果から求めたところ、約３体積％であった。
複合粉末(ii)
（反応液の調製）
塩化コバルトと硫酸鉄とクエン酸三ナトリウムとをイオン交換水に溶解し、さらにポリビニルピロリドンを加えて反応液を調製した。各成分の量は、前述した混合液の総量に対するモル濃度が、塩化コバルト：０．０４ｍｏｌ／Ｌ、硫酸鉄：０．０４ｍｏｌ／Ｌ、クエン酸三ナトリウム：０．１８ｍｏｌ／Ｌとなるように調整した。またポリビニルピロリドンの量は、上記各成分中の金属（ＣｏおよびＦｅ）の総量に対して０．４体積％とした。
【００７９】
（複合粉末の作製）
上記で調製した反応液を使用したこと以外は複合粉末(i)の作製と同条件で、粉末を得た。
得られた粉末は、磁性体粉末の表面を、ポリビニルピロリドンからなる電気絶縁被膜によって被覆した複合構造を有していた。
このうち磁性体粉末の組成をＩＣＰ発光分析法によって測定したところ、５２Ｃｏ−４８Ｆｅ合金であることが確認された。
【００８０】
また磁性体粉末の平均粒径を、前出の粒子径測定装置〔マルバーン社製の商品名マルバーンＨＰＰＳ〕を用いて測定したところ３０ｎｍであった。
さらに電気絶縁被膜の被覆率を、比重の測定結果から求めたところ、約１．０体積％であった。
複合粉末(iii)
（反応液の調製）
塩化コバルトと塩化ニッケルとクエン酸三ナトリウムとをイオン交換水に溶解して反応液を調製した。各成分の量は、前述した混合液の総量に対するモル濃度が、塩化コバルト：０．０１ｍｏｌ／Ｌ、塩化ニッケル：０．０３ｍｏｌ／Ｌ、クエン酸三ナトリウム：０．１ｍｏｌ／Ｌとなるように調整した。
【００８１】
（磁性体粉末の作製）
上記で調製した反応液を使用したこと以外は複合粉末(i)の作製と同条件で、電気絶縁被膜によって被覆していない裸の磁性体粉末を作製した。
磁性体粉末の組成をＩＣＰ発光分析法によって測定したところ、８０Ｃｏ−２０Ｎｉ合金であることが確認された。
また磁性体粉末の平均粒径を、前出の粒子径測定装置〔マルバーン社製の商品名マルバーンＨＰＰＳ〕を用いて測定したところ１００ｎｍであった。
【００８２】
（複合粉末の作製）
イソプロピルアルコールに、テトラエチルオルソシリケートと、水と、硝酸とを加えた混合液を１５分間、還流させることによって加水分解反応を進行させて、シリコンゾル液を生成した。各成分の量は、混合液の総量に対するモル濃度が、テトラエチルオルソシリケート：０．１ｍｏｌ／Ｌ、水：０．３ｍｏｌ／Ｌとなるように調整した。また硝酸の量は、混合液１リットルあたり数滴とした。
【００８３】
次に、このシリコンゾル液に先の磁性体粉末を分散した後、スプレードライヤを用いて噴霧、乾燥させて粉末を得た。乾燥温度は１６０℃とした。
得られた粉末は、コバルト−ニッケル合金製の磁性体粉末の表面を、シリカからなる電気絶縁被膜によって被覆した複合構造を有していた。
電気絶縁被膜の被覆率を、比重の測定結果から求めたところ、約３０体積％であった。
【００８４】
複合粉末(iv)
気相法で製造された市販のマンガンフェライト粉末（平均粒径１５０ｎｍ）を磁性体粉末として、ｎ−オクタデカンチオールで処理して粉末を得た。
得られた粉末は、マンガンフェライト粉末の表面を、ｎ−オクタデカンチオールの単分子膜からなる電気絶縁被膜によって被覆した複合構造を有していた。
電気絶縁被膜の被覆率を、比重の測定結果から求めたところ、約２０体積％であった。
【００８５】
実施例１
〔基材〕
基材としては、厚み５０μｍのポリイミドシートの片側の表面を、酸素プラズマ処理（出力３００Ｗ）したものを用意した。
〔接着層の形成〕
下記表１の各成分を混合し、相対湿度３０％の大気雰囲気下で５時間、かく拌することによって大気中の水分により加水分解反応を進行させて、チタンゾル液を生成した。
【００８６】
【表１】
2004165620.tif 000004
【００８７】
次にこのチタンゾル液に、酸素プラズマ処理した表面を露出し、反対面をマスキングした先のポリイミドシートを浸漬した後、０．５ｃｍ／分の速度で引き上げることによって、厚み約１０ｎｍのチタニアゾル処理膜を形成した。
そしてこのポリイミドシートを１５０℃の恒温槽中で２時間、加熱してチタニアゾル処理膜の脱水反応を進行させるとともに、水分の蒸発によってチタニア生成を促進させて、厚み１０ｎｍのチタニア製の接着層を形成した。
【００８８】
〔磁性体層の形成〕
前記複合粉末(i)をパラキシレンに分散するとともに、結着剤としてポリフッ化ビニリデンを加えて、磁性体層用の塗布液を調製した。ポリフッ化ビニリデンの添加量は、固形分の総量、すなわちポリフッ化ビニリデンと複合粉末(i)との総量に対して４重量％とした。
次にこの塗布液を、スプレーコート法によって、先のポリイミドシートの接着層の上に塗布（塗布厚み約１００ｎｍ）した後、１８０℃の恒温槽中で２時間、加熱して乾燥、固着処理することによって、厚み１００ｎｍの磁性体層を形成した。磁性体層は、前述したように多数の磁性体粉末が層の厚み方向に重ならずに、面方向にのみ分布した構造を有していた。
【００８９】
〔電気絶縁層の形成〕
前記複合粉末(iii)の製造で使用したのと同じシリコンゾル液に上記のポリイミドシートを浸漬した後、０．５ｃｍ／分の速度で引き上げることによって、磁性体層の上に、厚み約１５０ｎｍのシリカゾル処理膜を形成した。
そしてこのポリイミドシートを１５０℃の恒温槽中で２時間、加熱してシリカゾル処理膜の脱水反応を進行させるとともに、水分の蒸発によってシリカ生成を促進させて、厚み７０ｎｍのシリカ製の電気絶縁層を形成した。
【００９０】
〔プリント配線基板の製造〕
上記の、磁性体層の形成と電気絶縁層の形成とを交互に、それぞれ６回ずつ繰り返すことによって、基材としてのポリイミドシートの、酸素プラズマ処理した表面に、チタニア製の接着層を介して、１２層の積層構造を有する電磁波吸収層が積層されたプリント配線基板を製造した。
実施例２
接着層を下記の工程によって形成したこと以外は実施例１と同様にして、基材としてのポリイミドシートの、酸素プラズマ処理した表面に、シリカチタニア製の接着層を介して、１２層の積層構造を有する電磁波吸収層が積層されたプリント配線基板を製造した。
【００９１】
〔接着層の形成〕
下記表２の各成分を混合し、相対湿度３０％の大気雰囲気下で５時間、かく拌することによって大気中の水分により加水分解反応を進行させて、シリコンチタンゾル液を生成した。
【００９２】
【表２】
2004165620.tif 000005
【００９３】
次にこのシリコンチタンゾル液に、酸素プラズマ処理した表面を露出し、反対面をマスキングしたポリイミドシートを浸漬した後、１ｃｍ／分の速度で引き上げることによって、その表面に、厚み約５０ｎｍのシリカチタニアゾル処理膜を形成した。
そしてこのポリイミドシートを１５０℃の恒温槽中で２時間、加熱して、シリカチタニアゾル処理膜の脱水反応を進行させるとともに、水分の蒸発によってシリカチタニア生成を促進させて、厚み５０ｎｍのシリカチタニア製の接着層を形成した。
【００９４】
実施例３
基材として厚み５００μｍのガラスエポキシ基板を用いるとともに、その表面の酸素プラズマ処理を省略したこと以外は実施例１と同様にして、当該ガラスエポキシ基板の片側の表面に、チタニア製の接着層を介して、１２層の積層構造を有する電磁波吸収層が積層されたプリント配線基板を製造した。
実施例４
電気絶縁層を下記の工程によって形成するとともに、磁性体層の形成と電気絶縁層の形成とを交互に、それぞれ４回ずつ繰り返したこと以外は実施例１と同様にして、基材としてのポリイミドシートの、酸素プラズマ処理した表面に、チタニア製の接着層を介して、８層の積層構造を有する電磁波吸収層が積層されたプリント配線基板を製造した。
【００９５】
〔電気絶縁層の形成〕
粘度を０．０２Ｐａ・ｓ以下に調整したアクリル系の紫外線硬化性樹脂液にポリイミドシートを浸漬した後、０．１ｃｍ／分の速度で引き上げることによって、磁性体層の上に、厚み約１６０ｎｍの樹脂膜を形成した。
そしてこの樹脂膜に紫外線を照射して樹脂を硬化反応させることによって、厚み１５０ｎｍの電気絶縁層を形成した。
【００９６】
実施例５
磁性体層用の塗布液に、複合粉末(i)に代えて、同量の複合粉末(ii)を配合したこと以外は実施例１と同様にして、基材としてのポリイミドシートの、酸素プラズマ処理した表面に、チタニア製の接着層を介して、１２層の積層構造を有する電磁波吸収層が積層されたプリント配線基板を製造した。
この場合も磁性体層は、多数の磁性体粉末が層の厚み方向に重ならずに、面方向にのみ分布した構造を有していた。またその厚みは４００ｎｍであった。
【００９７】
実施例６
磁性体層用の塗布液に、複合粉末(i)に代えて、同量の複合粉末(iii)を配合したこと以外は実施例１と同様にして、基材としてのポリイミドシートの、酸素プラズマ処理した表面に、チタニア製の接着層を介して、１２層の積層構造を有する電磁波吸収層が積層されたプリント配線基板を製造した。
この場合も磁性体層は、多数の磁性体粉末が層の厚み方向に重ならずに、面方向にのみ分布した構造を有していた。またその厚みは６００ｎｍであった。
【００９８】
実施例７
磁性体層用の塗布液に、複合粉末(i)に代えて、同量の複合粉末(iv)を配合したこと以外は実施例１と同様にして、基材としてのポリイミドシートの、酸素プラズマ処理した表面に、チタニア製の接着層を介して、１２層の積層構造を有する電磁波吸収層が積層されたプリント配線基板を製造した。
この場合も磁性体層は、多数の磁性体粉末が層の厚み方向に重ならずに、面方向にのみ分布した構造を有していた。またその厚みは８００ｎｍであった。
【００９９】
実施例８
磁性体層を下記の工程によって形成するとともに、磁性体層の形成と電気絶縁層の形成とを交互に、それぞれ４回ずつ繰り返したこと以外は実施例１と同様にして、基材としてのポリイミドシートの、酸素プラズマ処理した表面に、チタニア製の接着層を介して、８層の積層構造を有する電磁波吸収層が積層されたプリント配線基板を製造した。
【０１００】
〔磁性体層の形成〕
基材としてのポリイミドシートの、接着層を形成した表面に、ＲＦマグネトロンスパッタリング法によって、１秒間隔で、フェライトとシリカとを交互に堆積させた。スパッタリングの条件は、アルゴンガス圧：０．１３３Ｐａ、ターゲットから基板までの距離２０ｃｍ以上とした。
そうすると接着層上に、連続した膜ではなく、平均粒径約５ｎｍのフェライト粉末と、平均粒径約２ｎｍのシリカ粉末とが均一に分散した状態の磁性体層が形成された。磁性体層の厚みは６０ｎｍであった。
【０１０１】
実施例９
磁性体層用の塗布液に、複合粉末(i)に代えて、同量の複合粉末(ii)を配合したこと以外は実施例３と同様にして、基材としてのポリイミドシートの、酸素プラズマ処理した表面に、チタニア製の接着層を介して、１２層の積層構造を有する電磁波吸収層が積層されたプリント配線基板を製造した。
この場合も磁性体層は、多数の磁性体粉末が層の厚み方向に重ならずに、面方向にのみ分布した構造を有していた。またその厚みは４００ｎｍであった。
【０１０２】
比較例１
磁性体粉末として、５０Ｎｉ−５０Ｆｅ合金製の扁平状の粉末（市販されている厚み１μｍの扁平粉末を、粒径２００μｍメッシュでふるいにかけたもの）５０重量部を用意し、この粉末を、ポリ塩化ビニル樹脂５０重量部と混合し、溶融混練した後シート状に成形して、厚み０．５ｍｍのシートを作製した。
そしてこのシートを、実施例３で使用したのと同じ、厚み５００μｍのガラスエポキシ基板の片面に、接着剤を用いて接着してプリント配線基板を製造した。
【０１０３】
上記各実施例、比較例で製造したプリント配線基板の特性を、ネットワークアナライザを用いた同軸導波管法によって測定した。そして周波数（ＧＨｚ）と透磁率μとの関係を示すグラフを作成し、このグラフから、透磁率μの実数成分μ'が低下を開始する周波数ｆ０と、虚数成分μ"がピーク値を示す周波数ｆ１とを求めるとともに、周波数１．５ＧＨｚにおける、両成分μ'、μ"の値を求めた。
結果を表３に示す。
【０１０４】
【表３】
2004165620.tif 000006
【０１０５】
表より、実施例１〜９のプリント配線基板はいずれも、比較例１に比べて、周波数１．５ＧＨｚにおける透磁率μの虚数成分（磁気損失項）μ"の値が８以上と大きいことから、ギガヘルツ以上の高周波領域での電磁波吸収特性に優れており、かかる高周波領域でのＥＭＩ対策用として有効に機能できるものであることが確認された。
また実施例１〜９のプリント配線基板はいずれも、周波数１．５ＧＨｚにおける透磁率μの実数成分μ'が虚数成分μ"よりも大きいことから、かかる特定の周波数とその前後の周波数領域において、ＳＡＲ対策用としても有効に機能できるものであることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明のプリント配線用基板の、実施の形態の一例を示す拡大断面図である。
【図２】上記例のプリント配線用基板において磁性体層に含有させる、磁性体粉末を含む複合粉末の拡大断面図である。
【図３】磁性体における、周波数ｆと複素透磁率μとの関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１  基材
２  接着層
３  磁性体層
３１  磁性体粉末
３２  電気絶縁材料
４  電気絶縁層
ＥＭ  電磁波吸収体層
【図１】
2004165620.tif 000007
【図２】
2004165620.tif 000008
【図３】
2004165620.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月23日(2003.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の詳細な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば携帯電話やモバイルコンピュータなどの、ギガヘルツ以上の高周波を利用する機器類からの、不要輻射ノイズの放射を低減する機能を有する新規なプリント配線用基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話やモバイルコンピュータなどの、ギガヘルツ以上の高周波を利用する機器類からの不要輻射ノイズの放射を低減するために、磁性体の磁気損失を利用する方法が注目されている。
磁性体の磁気損失を利用した電磁波吸収（不要輻射ノイズ減衰）のメカニズムは、ノイズ源と磁性体との位置関係などによって異なるものの、磁性体がノイズ伝送路のすぐ近くにあることによって、高周波電流の発生が抑制されることが判っている。
【０００３】
また、この場合において等価的な抵抗成分の大きさは、磁性体の複素透磁率μ＝μ'−ｊμ"の虚数成分である磁気損失項μ"の大きさに依存し、磁性体の面積が一定である場合は、上記磁気損失項μ"の大きさにほぼ比例することも知られている。
かかる磁性体の機能を利用した、不要輻射ノイズ減衰のために用いる電磁波吸収体の一例として、磁性体の微細な粉末を樹脂等の結着剤中に分散した複合材料を、種々の成形方法によって、シート状などの所定の形状に成形したものがある。
【０００４】
そのような複合材料からなる電磁波吸収体について記載した文献としては、例えば特許文献１、２、非特許文献１等を挙げることができる。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−２００３０５号公報（第００３０欄）
【特許文献２】
特開２００２−１５８４８４号公報（第００１５欄〜第００１７欄、図１）
【非特許文献１】
橋本修監修「新電波吸収体の最新技術と応用  エレクトロニクス材料・技術シリーズ」〔(株)シーエムシー、１９９９年３月１日発行、第１３４頁第６行〜第８行、同頁図１ｇ〕
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、現時点で実用化されている複合材料はいずれも、ギガヘルツ以上の高周波数領域での磁気損失項μ"が５〜６程度と小さいため、当該複合材料を用いて、例えば厚み１ｍｍ程度のシート状の電磁波吸収体を形成したとしても、電磁波を数１０％程度しか遮蔽できないのが現状である。
前記機器類は近年、ますます小型化される傾向にあり、電磁波吸収体についても、配置できるスペースが大きく制約を受ける傾向にある。
【０００７】
このため電磁波吸収体としては、これまでよりも極めて薄い上、ギガヘルツ以上の高周波数領域での磁気損失項μ"がこれまでよりも大きいものが求められている。
そこでこれらの要求に対応すべく、前記の複合材料においては、電磁波吸収特性を向上する観点から、磁性体粉末の含有割合を増加させることが試みられた。
また発明者は、薄型化による省スペースの観点から、上記機器類の内部回路を構成するプリント配線用基板の表面に、複合材料からなる電磁波吸収体層を形成することを検討した。
【０００８】
しかし上記の機器類は近年、より一層、高出力化される傾向にあり、それに伴って特定周波数領域の電磁波をさらに強力に吸収することが必要となりつつある。
このため、従来の複合材料にて形成した電磁波吸収体では、この要求に対応しきれなくなってきているのが現状である。
すなわち電磁波吸収特性を向上すべく、磁性体粉末の含有割合を増加させるほど、相対的に結着剤の含有割合が減少し、それに伴って電磁波吸収体の物理的な強度や成形性などが低下してしまうため、この方法によって電磁波吸収特性を向上できる範囲には限界がある。
【０００９】
プリント配線用基板の表面に形成する電磁波吸収体層においても同様である。結着剤の含有割合が小さすぎると製膜性が低下して、薄肉でかつ均一な電磁波吸収体層を形成できない上、製膜後の膜強度も低下するため、磁性体粉末の含有割合をあまり増加させることができず、電磁波吸収特性を向上できる範囲には限界がある。
この発明の目的は、従来の複合材料にて形成したものに比べて、薄肉で、なおかつギガヘルツ以上の高周波数領域での電磁波吸収特性が飛躍的に向上した電磁波吸収体層を備えた、新規なプリント配線用基板を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、基材の表面に、金属酸化物からなる接着層を形成し、その上に、
(a)  平均粒径１〜１５０ｎｍの磁性体粉末を多数、それぞれ個別に電気絶縁材料によって絶縁した状態で含有する磁性体層と、
(b)  電気絶縁層と、
を交互に積層して、２層以上の多層構造を有する電磁波吸収体層を形成したことを特徴とするプリント配線用基板である。
【００１１】
請求項２記載の発明は、磁性体粉末を、Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属、またはその酸化物にて形成したことを特徴とする請求項１記載のプリント配線用基板である。
請求項３記載の発明は、磁性体粉末の表面を電気絶縁被膜で被覆した構造を有する複合粉末を形成し、この複合粉末を多数、結合して磁性体層を形成したことを特徴とする請求項１記載のプリント配線用基板である。
【００１２】
請求項４記載の発明は、電気絶縁被膜を、Ｓｉ、Ａｌ、ＴｉおよびＺｒからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物、アミン誘導体、アルカンチオール誘導体、または樹脂にて形成したことを特徴とする請求項３記載のプリント配線用基板である。
請求項５記載の発明は、電気絶縁被膜の被覆率を、複合粉末の総量に対して１０〜５０体積％としたことを特徴とする請求項３記載のプリント配線用基板である。
【００１３】
請求項６記載の発明は、多数の複合粉末を、結着剤にて結着して磁性体層を形成したことを特徴とする請求項３記載のプリント配線用基板である。
請求項７記載の発明は、接着層を、少なくともＴｉを含む金属の酸化物にて形成したことを特徴とする請求項１記載のプリント配線用基板である。
請求項８記載の発明は、接着層の厚みを３〜１５０ｎｍとしたことを特徴とする請求項１記載のプリント配線用基板である。
【００１４】
請求項９記載の発明は、電気絶縁層を、Ｓｉ、Ａｌ、ＴｉおよびＺｒからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物、または硬化性樹脂にて形成したことを特徴とする請求項１記載のプリント配線用基板である。
請求項１０記載の発明は、電磁波吸収体層における、複素透磁率μの実数成分μ'と虚数成分μ"とを、２ＧＨｚまでの高周波数領域内の、特定の周波数領域においてμ'＞μ"としたことを特徴とする請求項１記載のプリント配線用基板である。
【００１５】
【発明の効果】
請求項１記載の発明によれば、電磁波吸収体層を、(a)の磁性体層と、(b)の電気絶縁層とを交互に積層した多層構造に形成してあるため、高周波数領域での電磁波吸収特性を、これまでよりも飛躍的に向上することができる。
すなわち、電磁波吸収体層を多層構造に形成したことによって、先に説明した非特許文献１の第１３５頁にも記載されているように、渦電流損失を抑制するとともに、還流磁区を有効に除去することが可能となる。このため電磁波吸収体層は、特にギガヘルツ以上の高周波数領域で、電磁波を良好に吸収できるものとなる。
【００１６】
また、各磁性体層中に分散させた磁性体粉末の平均粒径を１〜１５０ｎｍとしたことと、個々の磁性体粉末を、電気絶縁材料によって電気的に絶縁した状態で層中に含有させたこととの相乗効果によって、個々の磁性体粉末について、磁性体としての磁化を維持しつつ、その電気比抵抗を飛躍的に大きくすることが可能となる。
これは、個々の磁性体粉末の平均粒径が、上記のように１〜１５０ｎｍの範囲内であって、電子の平均自由行程に近いためである。また、２つ以上の磁性体粉末が互いに接触して実質的な粒径が大きくなり、それによって電気比抵抗が小さくなるのを、磁性体粉末間を電気絶縁材料によって電気的に絶縁することで防止しているためである。
【００１７】
そして、ギガヘルツ以上の高周波数領域で磁性を失うことなく高い透磁率を維持した状態で、効率よく電磁波を吸収、減衰できるようになる。つまり、高周波磁界および電界によって磁性体粉末の内部に誘導電流が発生すると、それに追従して発生する磁化を制動することができるため、電磁波を効率よく吸収、減衰することができる。
さらに、上記のように磁性体粉末の粒径を小さくしたことと、個々の磁性体粉末を、電気絶縁材料によって電気的に絶縁した状態で層中に含有させたこととの相乗効果によって、前記の多層構造に由来して発生する変位電流による透磁率特性の阻害を防止することもできる。
【００１８】
よって前記の構造を有する電磁波吸収体層は、従来の、磁性体粉末を単に結着剤中に分散させただけの複合材料にて形成したものに比べて、特にギガヘルツ以上の高周波数領域での電磁波吸収特性を、飛躍的に向上させることができる。
したがって請求項１記載の発明によれば、特にＥＭＩ（Electro Magnetic Interference、不要輻射または電磁波によって発生するノイズ）対策用として、携帯電話などのクロストークの防止などに優れた効果を発揮しうるプリント配線用基板を得ることが可能となる。
【００１９】
また電磁波吸収体層を形成する個々の磁性体層は、最も単純には、多数の磁性体粉末が層の厚み方向に重ならずに、面方向にのみ分布した構造とすることができ、その場合の磁性体層の厚みは、磁性体粉末の粒径より少し大きい程度、具体的にはサブミクロンオーダーとすることができる。
また同様に電気絶縁層の厚みは、上下の磁性体層中の磁性体粉末間を電気的に絶縁できる程度、具体的にはこれもサブミクロンオーダーであればよい。
【００２０】
よって上記の電磁波吸収体層は、２層以上の多層構造を有するにもかかわらず、極めて薄肉化することができる。
したがって請求項１記載の発明によれば、かかる薄肉の電磁波吸収体層を基材と一体化したことによって、省スペースの点でも優れたプリント配線用基板を得ることが可能となる。
さらに電磁波吸収体層は、基材の表面に形成した、金属酸化物からなる接着層の上に形成してあるため、基材に対して高い接着性を有している。
【００２１】
すなわち基材の表面が、ポリイミドやポリアミドイミド、エポキシ樹脂等の樹脂からなる場合、その表面は有機性の官能基を有するため、磁性体粉末を含む磁性体層などとは密着しがたい。また基材の表面が、ステンレス等の金属からなる場合、その表面には不安定な自己酸化膜が存在するため、磁性体層などとは密着しがたい。
これに対し、金属酸化物からなる接着層は、下地である有機高分子製の表面や金属製の表面などとの接着性に優れる上、磁性体層中の磁性体粉末との接着性にも優れている。
【００２２】
このため接着層を介在させることによって磁性体層の、ひいては電磁波吸収体層の、基材に対する接着性を向上することができる。
したがって請求項１記載の発明によれば、電磁波吸収体層が、前記のように複雑な多層構造を有するにもかかわらず、その接着性を向上して、当該電磁波吸収体層のはく離などを生じにくい、耐久性に優れたプリント配線用基板を得ることも可能となる。
【００２３】
なお請求項２に記載したように、磁性体層中に含有させる磁性体粉末を、Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属、またはその酸化物などの、磁気特性に優れた軟磁性体材料によって形成すると、磁性体層の飽和磁束密度を高めて、電磁波吸収体層の電磁波吸収特性をさらに向上することができる。
また請求項３に記載したように、磁性体粉末の表面を電気絶縁被膜で被覆した構造を有する複合粉末を形成し、この複合粉末を多数、結合して磁性体層を形成した場合には、個々の磁性体粉末をいずれも、その表面を被覆した電気絶縁被膜によってより確実に、他の磁性体粉末と絶縁した状態で、磁性体層を形成することができる。このため、電磁波吸収体層の電磁波吸収特性をさらに向上することができる。
【００２４】
また請求項４に記載したように、電気絶縁被膜を、Ｓｉ、Ａｌ、ＴｉおよびＺｒからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物、アミン誘導体、アルカンチオール誘導体、または樹脂にて形成した場合には、磁性体粉末間をより確実に絶縁することができる。このため、例えば磁性体粉末の充てん密度を高めるなどして、電磁波吸収体層の電磁波吸収特性をさらに向上することができる。
また請求項５に記載したように、電気絶縁被膜の被覆率を、複合粉末の総量に対して１０〜５０体積％とするのが好ましいのは下記の理由による。
【００２５】
すなわち電気絶縁被膜の被覆率が１０体積％未満では、上述した、磁性体粉末間を電気絶縁被膜によって絶縁する効果が不十分になるおそれがある。また被覆率が５０体積％を超える場合には、相対的に磁性体粉末の量が少なくなって、磁性体層における磁性体粉末の充てん率が低下するおそれがある。
これに対し、被覆率が１０〜５０体積％の範囲内であれば、磁性体層における磁性体粉末の充てん率を低下させることなく、磁性体粉末間を、電気絶縁被膜によってより確実に絶縁することが可能となる。
【００２６】
また請求項６に記載したように多数の複合粉末を、結着剤にて結着して磁性体層を形成した場合には、磁性体層、ひいては電磁波吸収体層の膜強度を高めることができる。
また請求項７に記載したように、接着層を、少なくともＴｉを含む金属の酸化物にて形成した場合には、当該Ｔｉを含む金属の酸化物が、磁性体粉末との接着性や安定性に特に優れるため、電磁波吸収体層の、基材に対する接着性をさらに向上することが可能となる。
【００２７】
また請求項８に記載したように、接着層の厚みを３〜１５０ｎｍとするのが好ましい理由は下記のとおりである。
すなわち接着層の厚みが３ｎｍ未満では、当該接着層を設けたことによる、電磁波吸収体層の、基材に対する接着性を向上する効果が不十分になるおそれがある。また接着層の厚みが１５０ｎｍを超える場合には、層の内部応力が大きくなって、接着層に歪みや亀裂等を生じやすくなるおそれがある。
【００２８】
これに対し、接着層の厚みが３〜１５０ｎｍの範囲内であれば、歪みや亀裂等の発生を抑制しながら、電磁波吸収体層の、基材に対する接着性を十分に向上することが可能となる。
また請求項９に記載したように、電気絶縁層を、Ｓｉ、Ａｌ、ＴｉおよびＺｒからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物、または硬化性樹脂にて形成した場合には、上下の磁性体層間を、より確実に絶縁することができる。このため、例えば電気絶縁層の厚みをできるだけ小さくして、その総厚みをさらに小さくすることなどが可能となる。
【００２９】
さらに請求項１０に記載したように、電磁波吸収体層における、複素透磁率μの実数成分μ'と虚数成分μ"とを、２ＧＨｚまでの高周波数領域内の、特定の周波数領域においてμ'＞μ"とした場合には、前述したＥＭＩ対策用としてだけでなく、ＳＡＲ（Specific Absorption Rate、比吸収率）対策用としても優れた効果を発揮しうるプリント配線用基板を得ることができる。
近時、携帯電話などの移動体通信機器類において、アンテナやＲＦ発信機の周辺から漏洩する磁化が、人体に対して悪影響を及ぼすことが懸念されている。例えば携帯電話の場合、耳に当てた通話状態において、アンテナから漏洩した高周波磁界成分によって脳内に渦電流が流れる。そしてこの渦電流によって脳が発熱するなど、人体にさまざまな悪影響を生じると考えられている。
【００３０】
かかる高周波磁界による悪影響から人体を保護するために求められるのがＳＡＲ、すなわち生体が電磁波にさらされることによって、単位質量の組織に、単位時間あたりに吸収されるエネルギー量（具体的には６分間における人体局所の任意の組織１０ｇにわたり平均化した値）を、できるだけ小さくする対策である。
ＳＡＲ対策の具体的な方法としては、高周波でも複素透磁率μが高い材料を配置し、機器類から放射される高周波磁界の形を変形させて電磁波吸収体層内に収束させることで、人体に放射される量を低減することが考えられる。
【００３１】
そのためには２ＧＨｚまでの高周波数領域内の、機器が使用する特定の周波数領域において、複素透磁率μの実効成分のうち、外部磁界から時間的な遅れを持つために損失に寄与する虚数成分μ"よりも、損失には寄与しないものの、複素透磁率μを高めて、高周波磁界の形を変形させて電磁波吸収体層内に収束させるために寄与する実数成分μ'を大きくする、つまり両成分を、前記のようにμ'＞μ"とするのが好ましい。
【００３２】
両成分が逆にμ'≦μ"の関係にあるときには、複素透磁率μを高めようとすると虚数成分μ"が大きくなりすぎるため、それに伴って損失が大きくなりすぎて、アンテナから放射されるべき電磁波の、出力の低下を引き起こす。このため通信そのものが阻害されるおそれがある。
これに対し、２ＧＨｚまでの高周波数領域内の、機器類が使用する特定の周波数領域において、両成分がμ'＞μ"の関係にあれば、アンテナから放射される電磁波の出力の低下を引き起こすことなしに複素透磁率μを高めて、人体に放射される高周波磁界の量を低減することが可能となる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下に、この発明を詳細に説明する。
図１は、この発明のプリント配線用基板の、実施の形態の一例を示す拡大断面図である。
図に見るようにこの例のプリント配線用基板は、基材１の表面に、金属酸化物からなる接着層２を形成し、その上に、
(a)  平均粒径１〜１５０ｎｍの磁性体粉末３１を多数、それぞれ個別に電気絶縁材料３２によって絶縁した状態で含有する磁性体層３と、
(b)  電気絶縁層４と、
を交互に積層して、２層以上の多層構造を有する電磁波吸収体層ＥＭを形成したものである。
【００３４】
なお図では、接着層２の直上の、２層ずつの磁性体層３、電気絶縁層４と、電磁波吸収体層ＥＭの最上部の、２層の磁性体層３、および３層の電気絶縁層４のみ記載して、途中の記載を省略しているが、この間でも磁性体層３と電気絶縁層４とを交互に積層していることは言うまでもない。
〔基材〕
上記のうち基材１としては、プリント配線用基板の用途において従来公知の種々の材料からなる、種々の形状、構造を有する基材を、いずれも使用することができる。
【００３５】
例えば樹脂を主体とする基材としては、樹脂からなる単層のフィルムやシート、当該フィルムまたはシートを強化繊維層などと積層して強化した積層体、樹脂中に強化繊維などを分散させた複合体、あるいは表面に上記樹脂をコーティングした複合体等を挙げることができる。また基材１の表面には、ステンレス等の金属からなる遮蔽層などを形成してもよい。
基材１を形成する樹脂としては、従来公知の種々の樹脂を挙げることができるが、特に耐熱性、耐候性、耐薬品性、機械的強度等を向上することを考慮すると、これらの特性に優れたポリイミド（全芳香族ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリマレイミドアミンその他）、ポリエチレンナフタレート、ポリアミドイミド、ポリエチレンテレフタレート、全芳香族ポリアミド、液晶ポリエステル、エポキシなどが好ましい。
【００３６】
電磁波吸収体層ＥＭは、上記基材１の樹脂製の表面や、あるいは基材１の表面に積層した遮蔽層等の、金属製の表面などに形成することができる。このいずれの場合にも電磁波吸収体層ＥＭは、次に述べる接着層２を介して形成されるため、前記のように基材１に対して高い接着性を有するものとなる。
基材１の、接着層２を介して電磁波吸収体層ＥＭを形成する面には、接着層２の接着性を向上するために、例えばプラズマ処理、粗面化処理などの前処理を施してもよい。
【００３７】
〔接着層〕
接着層２は、上記のように金属酸化物、特に好ましくはＴｉを含む金属の酸化物にて形成する。Ｔｉを含む金属の酸化物としてはチタニア（酸化チタン）の他、Ｔｉと他の金属との複合酸化物や、これらの酸化物、複合酸化物と、他の金属の酸化物との混合物等を挙げることができる。
接着層２は、例えば反応性スパッタリング法、反応性イオンプレーティング法などによって形成することもできるが、いわゆるゾルゲル法によって形成するのが、生産性や製造コスト等の工業的な観点から好ましい。
【００３８】
ゾルゲル法においては、接着層２を形成する金属酸化物のもとになる、少なくともＴｉを含む金属のアルコキシドを加水分解してゾル液を生成し、このゾル液を、種々の塗布法によって基材１の、電磁波吸収体層ＥＭを形成する面に塗布した後、加熱して脱水反応を進行させるとともに、水分の蒸発によって金属酸化物の生成を促進させることによって、所定の金属酸化物からなる接着層２を形成することができる。
【００３９】
接着層２の厚みは３〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましい。この理由は先に述べたとおりである。
〔磁性体層〕
接着層２の上に形成する電磁波吸収体層ＥＭのうち磁性体層３は、磁性体粉末３１を多数、電気絶縁材料３２によって電気的に絶縁した状態で、層中に含有する構造を有する。
【００４０】
（磁性体粉末）
上記のうち磁性体粉末３１は、種々の磁性材料にて形成することができるが、特に前述したように、磁性体層３の飽和磁束密度を高めて電磁波吸収特性をさらに向上するためには、Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属、またはその酸化物にて形成するのが好ましい。中でも特に、ＦｅとＮｉの合金であるパーマロイ合金や、Ｆｅの酸化物であるフェライトにて形成するのがさらに好ましい。これにより、磁性体層３における磁性体粉末３１の密度にもよるが、例えばその飽和磁束密度を０．５Ｔ以上として、良好な電磁波吸収特性を得ることが可能となる。
【００４１】
磁性体粉末３１の平均粒径は、１〜１５０ｎｍである必要がある。
この理由も先に述べたとおりであるが、さらに詳しく説明すると、磁性体粉末３１の平均粒径が１５０ｎｍを超える場合には電気比抵抗が低下して、当該磁性体粉末３１を形成する磁性材料の固有抵抗値（μΩｃｍ程度）まで低下する。このため、高周波磁界および電界によって磁性体粉末３１の内部に誘導電流が発生しても、高周波に追従して発生する磁化を制動することができないため、電磁波を効率よく吸収、減衰することができなくなってしまう。
【００４２】
一方、磁性体粉末３１の平均粒径が１ｎｍ未満では、電子の平均自由行程にさらに近づくため電気比抵抗は無限大近く発散するが、磁化が急激に小さくなって、磁性体としての機能が失われてしまう。
したがって磁性体粉末３１の平均粒径は、１〜１５０ｎｍである必要がある。
かかる磁性体粉末３１は、従来公知の種々の製造方法によって製造することができるが、特に磁性体粉末３１のもとになる１種または２種以上の金属のイオンを含む水溶液中で、当該イオンを還元剤によって金属に還元することで液中に析出させる、還元析出法によって形成するのが好ましい。
【００４３】
還元析出法によって製造される磁性体粉末３１は、個々の粒径が揃っており、粒度分布がシャープである。
電磁波吸収体層ＥＭの周波数特性は、磁性体粉末３１の粒径に依存する。そして磁性体粉末３１の粒度分布のばらつきが大きいと、周波数特性が粉末間で平均化されるため、電磁波吸収体層は、特定周波数の電磁波に対して先鋭なピークを有するのでなく、幅広い周波数領域にわたるブロードな分布を有するものとなる。このため特定周波数の電磁波に対する吸収効率が低下する。
【００４４】
これに対し、還元析出法によって製造された、粒度分布がシャープな磁性体粉末３１を使用した場合には、電磁波吸収体層ＥＭは、特定周波数の電磁波に対して先鋭なピークを有するものとなり、特定周波数の電磁波に対する吸収効率が向上する。
還元析出法に用いる還元剤としては、３価のチタンイオン（Ｔｉ３＋）が好ましい。
【００４５】
還元剤として３価のチタンイオンを用いた場合には、磁性体粉末３１を形成した後の、チタンイオンが４価に酸化した水溶液を電解再生して、チタンイオンを再び３価に還元することによって繰り返し、磁性体粉末３１の製造に利用可能な状態に再生できるという利点がある。
また還元剤として３価のチタンイオンを用いた還元析出法としては、四塩化チタンなどの、４価のチタン化合物の水溶液を電解して、４価のチタンイオンの一部を３価に還元して還元剤水溶液を調製した後、この還元剤水溶液と、磁性体粉末のもとになる金属のイオンを含む水溶液（反応液）とを混合して、３価のチタンイオンが４価に酸化する際の還元作用によって金属のイオンを還元、析出させて磁性体粉末を製造する方法が好ましい。
【００４６】
この方法においては、還元析出時に、あらかじめ系中に存在する４価のチタンイオンが、磁性体粉末３１の成長を抑制する成長抑制剤として機能する。
また還元剤水溶液中で、３価のチタンイオンと４価のチタンイオンとは、複数個ずつがクラスターを構成して、全体として水和および錯体化した状態で存在する。
このため１つのクラスター中で、３価のチタンイオンによる、磁性体粉末３１を成長させる機能と、４価のチタンイオンによる、磁性体粉末３１の成長を抑制する機能とが、１つの同じ磁性体粉末３１に作用しながら、磁性体粉末３１が形成される。
【００４７】
したがって前述した、平均粒径が１５０ｎｍ以下という微細な磁性体粉末３１を、容易に製造することができる。
しかもこの製造方法では、電解条件を調整して、還元剤水溶液中における、３価のチタンイオンと４価のチタンイオンとの存在比率を調整することによって、上述した、クラスター中での両イオンの、相反する機能の強弱の度合いを変更できるため、製造される磁性体粉末３１の粒径を任意に制御することも可能である。
【００４８】
（複合粉末）
磁性体粉末３１を多数、電気絶縁材料３２によって電気的に絶縁した状態で、層中に含有させた構造を有する磁性体層３は、種々の方法によって形成することができる。しかし、個々の磁性体粉末３１間をより確実に絶縁するためには、前述したように、磁性体粉末３１の表面を電気絶縁被膜３２ａで被覆した複合構造を有する複合粉末３３を作製し（図２）、それを多数、結合、一体化させて磁性体層３を形成するのが好ましい。
【００４９】
また、かかる構造の磁性体層３において磁性体粉末３１の表面を被覆する電気絶縁被膜３２ａは、金属の酸化物、アミン誘導体、アルカンチオール誘導体、または樹脂にて形成するのが好ましい。
このうち金属の酸化物としては、Ｓｉ、Ａｌ、ＴｉおよびＺｒからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物、具体的にはシリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニアなどの他、上記４種のうち２種以上の金属の複合酸化物や、これらの酸化物、複合酸化物の２種以上の混合物等を挙げることができる。
【００５０】
金属の酸化物からなる電気絶縁被膜３２ａは、接着層２と同様に、ゾルゲル法によって形成するのが、生産性や製造コスト等の工業的な観点から好ましい。
ゾルゲル法においては、まず電気絶縁被膜３２ａを形成する金属酸化物のもとになる金属のアルコキシドを加水分解してゾル液を生成し、このゾル液中に磁性体粉末３１を分散する。
そしてこの分散液を、スプレードライヤによって所定温度の雰囲気中に噴霧して乾燥させると、磁性体粉末３１の表面で脱水反応が進行するとともに、水分の蒸発によって金属酸化物の生成が促進されるため、所定の金属酸化物からなる電気絶縁被膜３２ａを形成することができる。
【００５１】
また流動床法などの、従来公知の種々の、粉体への被覆方法を利用して、ゾル液を磁性体粉末３１の表面に被覆するとともに金属酸化物を生成させて、電気絶縁被膜３２ａを形成することもできる。
またアミン誘導体としては、ヘキサエチレンジアミン、オクチルアミン等を挙げることができる。
アミン誘導体からなる電気絶縁被膜３２ａは、磁性体粉末３１を、当該アミン誘導体で処理することで形成できる。具体的には、磁性体粉末３１を、アミン誘導体と、その溶剤（主にアルコール等）とともに、アトライタ等の粉末加工機や、あるいはホモジナイザー等に供給して均一に混合させると、アミン誘導体中のアミノ基のＮが、磁性体粉末３１の表面の金属原子と結合することによって、アミン誘導体からなる電気絶縁被膜３２ａを形成することができる。
【００５２】
アルカンチオール誘導体としては、例えばｎ−ドデカンチオール、ｎ−ヘキサデンカンチオール、ｎ−オクタデンカンチオール、ｎ−エイコサンチオール等の、炭素数が１０〜２０程度であるアルカンチオール化合物を挙げることができる。
アルカンチオール誘導体からなる電気絶縁被膜３２ａは、上記と同様にして形成することができる。すなわち磁性体粉末３１を、アルカンチオール誘導体と、その溶剤（主にアルコール等）とともに、アトライタ等の粉末加工機や、あるいはホモジナイザー等に供給して均一に混合させると、アルカンチオール誘導体中のチオール基のＳが、磁性体粉末３１の表面の金属原子と結合することによって、当該アルカンチオール誘導体の単分子膜からなる電気絶縁被膜３２ａを形成することができる。
【００５３】
上記アミン誘導体やアルカンチオール誘導体の添加量は、磁性体粉末の表面を、これらの誘導体で均一に処理することを考慮すると、例えば磁性体粉末の重量をｘ（ｇ）、平均粒子径をｙ（ｎｍ）として、平均粒子径ｙが１００ｎｍ以上である場合は０．６ｘ（ｇ）から１．４ｘ（ｇ）の範囲で、また平均粒子径ｙが１００ｎｍ未満である場合は（４００／ｙ）×０．６ｘ（ｇ）から（４００／ｙ)×１．４ｘ（ｇ）の範囲で添加するのが好ましい。
【００５４】
樹脂としては、電気絶縁性を有する種々の樹脂を挙げることができる。
樹脂からなる電気絶縁被膜３２ａは、前記と同様にスプレードライヤや流動床法などを利用して、磁性体粉末３１の表面に樹脂の溶液を被覆した後、乾燥させて形成してもよい。
しかし、例えばポリビニルピロリドンなどの水溶性の樹脂を、前述した還元析出法による磁性体粉末３１の製造方法に用いる反応液中にあらかじめ溶解しておき、還元反応による磁性体粉末３１の析出と同時に、その表面に被覆するのが、生産性や製造コスト等の工業的な観点から好ましい。
【００５５】
磁性体粉末３１の表面を、上記いずれかの電気絶縁被膜３２ａによって被覆した複合構造を有する複合粉末３３において、当該電気絶縁被膜３２ａの被覆率は、１０〜５０体積％であるのが好ましい。この理由は前述したとおりである。
被覆率は、下記式によって求めることができる。
【００５６】
【数１】
2004165620.tif 000010
【００５７】
（磁性体層の形成）
上記複合粉末３３を用いて磁性体層３を形成するには、まず複合粉末３３を適当な分散媒中に分散するとともに、当該分散媒に溶解する樹脂等の結着剤を加えて磁性体層用の塗布液を調製する。
そしてこの塗布液を、スプレーコート法などの塗布法によって塗布した後、加熱して分散媒を乾燥、除去するとともに、多数の複合粉末３３を結着剤によって一体に固着することによって、磁性体層３を形成することができる。
【００５８】
なお電気絶縁被膜３２ａを樹脂によって形成した複合粉末３３を用いる場合は、樹脂が溶解して磁性体粉末３１が露出するのを防止するために、分散媒として、上記樹脂の貧溶媒を用いるのが好ましい。
かかる塗布法において、特にスプレーコート法を採用すると、塗装条件などを調整することによって、図１に示すように、多数の磁性体粉末３１が層の厚み方向に重ならずに、面方向にのみ分布した構造を有する磁性体層３を形成することができる。
【００５９】
磁性体層３の形成方法は、上記の方法には限定されない。磁性体粉末３１を多数、個々に、電気絶縁材料３２によって電気的に絶縁した状態で層中に含有させた構造を有する磁性体層３を形成できる、種々の形成方法を採用することができる。
他の形成方法としては、例えばスパッタリング法を応用して、多数の磁性体粉末３１と、その間を絶縁する無機の電気絶縁材料３２の粉末とを交互に成長させる方法を挙げることができる。
【００６０】
この方法では、例えばスパッタリング装置のチャンバー内に、磁性体粉末３１のもとになるターゲットと、電気絶縁材料３２のもとになるターゲットとをセットし、連続した膜を形成する条件よりもチャンバー内の内圧を高めに、またターゲットと基材との距離を長めに設定する。
そしてこの設定下で、連続した膜が形成されないようにごく短時間ずつ、交互に、磁性体および電気絶縁材料のスパッタリングを繰り返すと、前記のように多数の磁性体粉末３１と、その間を絶縁する無機の電気絶縁材料３２の粉末とが交互に成長して、磁性体層３が形成される。
【００６１】
また、このスパッタリング法において、磁性体のスパッタリングを１回のみとすると、前記と同様に多数の磁性体粉末３１が層の厚み方向に重ならずに、面方向にのみ分布した構造を有する磁性体層３を形成することができる。
磁性体層３の厚みは特に限定されない。
しかし、電磁波吸収体層ＥＭの全体としての厚みをできるだけ小さくすることを考慮すると、磁性体層３は、上記のように多数の磁性体粉末３１が層の厚み方向に重ならずに、面方向にのみ分布した構造に形成するのが好ましく、その場合の磁性体層３の厚みは、層中に分散される磁性体粉末３１の粒径より少し大きい程度とすることができる。より具体的には、磁性体粉末３１の平均粒径が１〜１５０ｎｍに限定されるため、電気絶縁被膜３２ａの厚み等を考慮しても、磁性体層３の厚みはおよそ２５０ｎｍ以下程度とすることが可能である。
【００６２】
（電気絶縁層）
磁性体層３と交互に積層されて電磁波吸収体層ＥＭを形成する電気絶縁層４は、金属の酸化物、または硬化性樹脂にて形成するのが好ましい。
このうち金属の酸化物としては、複合粉末において電気絶縁被膜３２ａを形成したのと同じ、Ｓｉ、Ａｌ、ＴｉおよびＺｒからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物、具体的にはシリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニアなどの他、上記４種のうち２種以上の金属の複合酸化物や、これらの酸化物、複合酸化物の２種以上の混合物等を挙げることができる。
【００６３】
その形成方法としても、やはり生産性や製造コスト等の工業的な観点から、ゾルゲル法が好ましい。
ゾルゲル法においては、電気絶縁層４を形成する金属酸化物のもとになる金属のアルコキシドを加水分解してゾル液を生成し、このゾル液を、種々の塗布法によって塗布した後、加熱して脱水反応を進行させるとともに、水分の蒸発によって金属酸化物の生成を促進させることによって、所定の金属酸化物からなる電気絶縁層４を形成することができる。
【００６４】
また硬化性樹脂としては、従来公知の種々の熱硬化性樹脂や、あるいは紫外線等の光の照射によって硬化する光硬化性樹脂等を挙げることができ、特に磁性体層３中での磁性体粉末３１の分散状態等に影響を及ぼすおそれのある高温の加熱を伴わずに硬化できる光硬化性樹脂が好ましい。
光硬化性樹脂にて電気絶縁層４を形成するには、液状である光硬化性樹脂を、種々の塗布法によって塗布した後、紫外線等の光を照射して樹脂を硬化反応させればよい。
【００６５】
電気絶縁層４の厚みは、前述したように上下の磁性体層３中の磁性体粉末３１間を電気的に絶縁できる程度であればよく、特に１〜５０ｎｍであるのがさらに好ましい。
（電磁波吸収体層）
接着層２上に、以上で説明した磁性体層３と電気絶縁層４とを２層以上、交互に積層することで、電磁波吸収体層ＥＭを形成することができる。
【００６６】
磁性体層３と電気絶縁層４の形成順序は特に限定されないが、先に述べた電気絶縁層４の機能を考慮すると、当該電気絶縁層４は、上下の磁性体層３間に介在させるのが好ましい。したがって図１に示すように、接着層２上に、まず磁性体層３、次いで電気絶縁層４の順に交互に積層するのが好ましい。
両層の合計の積層数は、磁性体層３と電気絶縁層４とを１層ずつ積層した２層でもよいが、前述した積層構造の効果を発揮させるためには、磁性体層３を２層以上、積層するのが好ましい。また積層構造の最上層は、図１に示すように電気絶縁層４で覆って、外部から絶縁するのが好ましい。したがって接着層２上に、まず磁性体層３、次いで電気絶縁層４の順に交互に積層する場合の、全体の積層数は４層以上とするのが好ましい。
【００６７】
積層数の上限は特に限定されない。積層すればするほど、電磁波吸収特性を向上できる。
しかし、あまりに積層数が多すぎると電磁波吸収体層ＥＭ、ひいてはプリント配線用基板の生産性が低下し、製造コストが増大するおそれがある。また積層数が多すぎると、層の内部応力が大きくなって、歪みや亀裂等を生じやすくなるおそれもある。さらに電磁波吸収体層ＥＭの総厚みが大きくなって、省スペース等のメリットが得られなくなるおそれもある。
【００６８】
したがって磁性体層３と電気絶縁層４の合計の積層数は、２０層以下であるのが好ましく、１６層以下であるのがさらに好ましい。
電磁波吸収体層ＥＭは、基材１の、回路が形成される側と反対側の表面の一部または全面に形成したり、回路が形成される側の表面に設けた形成領域内に形成したりすることができる。また基材１の、回路を形成した表面上に絶縁層を介して、あるいは直接に、接着層２を形成した上に電磁波吸収体層ＥＭを形成してもよい。
【００６９】
さらには基材１の、電磁波吸収体層ＥＭを形成した上にさらに別の基材を１層または２層以上、積層して多層基材としてもよい。その場合、電磁波吸収体層ＥＭは、基材間の回路を接続するスルーホールを避けた形状に形成するのが好ましい。
かかる電磁波吸収体層ＥＭを備えたプリント配線用基板は、先に述べたように、特にギガヘルツ以上の高周波数領域の電磁波に対するＥＭＩ対策用として有効に機能することができる。
【００７０】
また、これも先に述べたように電磁波吸収体層ＥＭの、２ＧＨｚまでの高周波数領域内の、機器類が使用する特定の周波数領域において、複素透磁率μの実数成分μ'と虚数成分μ"とがμ'＞μ"の関係になるように調整すると、プリント配線用基板を、ＥＭＩ対策用としてだけでなく、ＳＡＲ対策用としても有効に機能させることが可能となる。
磁性体の物理現象として、例えば図３に示すように実数成分μ’は、周波数ｆが一定値ｆ０以上になると、それ以上の高周波磁界に追従できずに低下を開始する。またそれに代わって、虚数成分μ"が急激に大きくなって、上記周波数ｆ０の近傍の、周波数ｆｒの位置でピーク値を示す。この周波数ｆｒを磁気共鳴周波数という。
【００７１】
かかる周波数ｆ０、ｆｒは、前記磁性体層中に分散した磁性体粉末の異方性磁界Ｈａを調整することによって変化させることができる。
すなわち磁性体の磁気共鳴周波数ｆｒと異方性磁界Ｈａとは式：
ｆｒ＝νＨａ／２π
〔式中νはジャイロ磁気定数、πは円周率である。〕
に示す関係にあり、異方性磁界Ｈａを大きくすると、磁気共鳴周波数ｆｒを大きくすることができる。またそれに伴って周波数ｆ０を大きくすることもできる。そしてそれによって、図中に示した破線に相当する、μ’＝μ"となる周波数をも変化させることができる。つまり図上で、周波数ｆ０、ｆｒ、および破線を、それぞれ横軸方向に移動させることができる。
【００７２】
したがって周波数ｆ０、ｆｒを調整することによって破線を移動させて、ＳＡＲ対策の対象である、２ＧＨｚまでの高周波数領域内の、機器類が使用する特定の周波数領域が、破線の左側の、μ’＞μ"の関係を示す範囲内（破線自体は含まない）に入るように調整してやると、電磁波吸収体を、上記特定周波数領域の高周波に対するＳＡＲ対策用として有効に機能させることが可能となる。
なお異方性磁界Ｈａを変化させるためには、たとえば磁性体粉末３１の組成や形状、結晶構造等を変化させたり、磁性体粉末３１の作製工程における外部磁場の強さなどを調整したりすればよい。
【００７３】
【実施例】
以下にこの発明を、実施例、比較例に基づいて説明する。なお、各実施例のうち実施例１〜７、９においては、磁性体層を形成するために、下記(i)〜(vi)のいずれかの複合粉末を使用した。
複合粉末(i)
（還元剤水溶液の調製）
四塩化チタンの２０％塩酸酸性水溶液を作製した。四塩化チタンの量は、当該水溶液を次工程で陰極電解処理して得た還元剤水溶液を、次項で述べる反応液と所定の割合で混合するとともに、ｐＨ調整剤や、あるいは必要に応じてイオン交換水を加えて所定量の混合液を作製した際に、当該混合液の総量に対する、３価および４価のチタンイオンの、合計のモル濃度が０．２ｍｏｌ／Ｌとなるように設定した。液のｐＨは４であった。
【００７４】
次にこの水溶液を、旭硝子(株)製の陰イオン交換膜で仕切った２槽式の電解槽の、片方の槽に注入した。また上記電解槽の、反対側の槽にはモル濃度０．１ｍｏｌ／Ｌの硫酸ナトリウム水溶液を入れた。
そしてそれぞれの液にカーボンフェルト電極を浸漬して、四塩化チタンの水溶液側を陰極、硫酸ナトリウム水溶液側を陽極として、３．５Ｖの直流電流を、定電圧制御で通電して水溶液を陰極電解処理することで、還元剤水溶液を調製した。
【００７５】
陰極電解処理により、還元剤水溶液中の、４価のチタンイオンの約６０％が３価に還元され、液のｐＨは１となった。
（反応液の調製）
塩化ニッケルと硫酸鉄とクエン酸三ナトリウムとをイオン交換水に溶解し、さらにポリビニルピロリドンを加えて反応液を調製した。各成分の量は、前述した混合液の総量に対するモル濃度が、塩化ニッケル：０．０４ｍｏｌ／Ｌ、硫酸鉄：０．１２ｍｏｌ／Ｌ、クエン酸三ナトリウム：０．３ｍｏｌ／Ｌとなるように調整した。またポリビニルピロリドンの量は、上記各成分中の金属（ＮｉおよびＦｅ）の総量に対して１０体積％とした。
【００７６】
（複合粉末の作製）
前記還元剤水溶液を反応槽に入れ、液温を５０℃に維持しつつ、かく拌下、ｐＨ調整剤としての炭酸ナトリウムの飽和水溶液を加えて液のｐＨを５．２に調整するとともに、反応液を徐々に加えた後、さらに必要に応じてイオン交換水を加えて所定量の混合液を作製した。反応液およびイオン交換水は、あらかじめ５０℃に暖めておいたものを用いた。
【００７７】
そして混合液の液温を５０℃に維持しながら数分間、かく拌を続けると沈殿が析出したので、かく拌を停止して沈殿を直ちにロ別、水洗した後、乾燥させて粉末を得た。
得られた粉末は、磁性体粉末の表面を、ポリビニルピロリドンからなる電気絶縁被膜によって被覆した複合構造を有していた。
このうち磁性体粉末の組成をＩＣＰ発光分析法によって測定したところ、５２Ｎｉ−４８Ｆｅ合金であることが確認された。
【００７８】
また磁性体粉末の平均粒径を、動的光散乱法による粒子径測定装置〔マルバーン社製の商品名マルバーンＨＰＰＳ〕を用いて測定したところ６０ｎｍであった。
さらに電気絶縁被膜の被覆率を、比重の測定結果から求めたところ、約３体積％であった。
複合粉末(ii)
（反応液の調製）
塩化コバルトと硫酸鉄とクエン酸三ナトリウムとをイオン交換水に溶解し、さらにポリビニルピロリドンを加えて反応液を調製した。各成分の量は、前述した混合液の総量に対するモル濃度が、塩化コバルト：０．０４ｍｏｌ／Ｌ、硫酸鉄：０．０４ｍｏｌ／Ｌ、クエン酸三ナトリウム：０．１８ｍｏｌ／Ｌとなるように調整した。またポリビニルピロリドンの量は、上記各成分中の金属（ＣｏおよびＦｅ）の総量に対して０．４体積％とした。
【００７９】
（複合粉末の作製）
上記で調製した反応液を使用したこと以外は複合粉末(i)の作製と同条件で、粉末を得た。
得られた粉末は、磁性体粉末の表面を、ポリビニルピロリドンからなる電気絶縁被膜によって被覆した複合構造を有していた。
このうち磁性体粉末の組成をＩＣＰ発光分析法によって測定したところ、５２Ｃｏ−４８Ｆｅ合金であることが確認された。
【００８０】
また磁性体粉末の平均粒径を、前出の粒子径測定装置〔マルバーン社製の商品名マルバーンＨＰＰＳ〕を用いて測定したところ３０ｎｍであった。
さらに電気絶縁被膜の被覆率を、比重の測定結果から求めたところ、約１．０体積％であった。
複合粉末(iii)
（反応液の調製）
塩化コバルトと塩化ニッケルとクエン酸三ナトリウムとをイオン交換水に溶解して反応液を調製した。各成分の量は、前述した混合液の総量に対するモル濃度が、塩化コバルト：０．０１ｍｏｌ／Ｌ、塩化ニッケル：０．０３ｍｏｌ／Ｌ、クエン酸三ナトリウム：０．１ｍｏｌ／Ｌとなるように調整した。
【００８１】
（磁性体粉末の作製）
上記で調製した反応液を使用したこと以外は複合粉末(i)の作製と同条件で、電気絶縁被膜によって被覆していない裸の磁性体粉末を作製した。
磁性体粉末の組成をＩＣＰ発光分析法によって測定したところ、８０Ｃｏ−２０Ｎｉ合金であることが確認された。
また磁性体粉末の平均粒径を、前出の粒子径測定装置〔マルバーン社製の商品名マルバーンＨＰＰＳ〕を用いて測定したところ１００ｎｍであった。
【００８２】
（複合粉末の作製）
イソプロピルアルコールに、テトラエチルオルソシリケートと、水と、硝酸とを加えた混合液を１５分間、還流させることによって加水分解反応を進行させて、シリコンゾル液を生成した。各成分の量は、混合液の総量に対するモル濃度が、テトラエチルオルソシリケート：０．１ｍｏｌ／Ｌ、水：０．３ｍｏｌ／Ｌとなるように調整した。また硝酸の量は、混合液１リットルあたり数滴とした。
【００８３】
次に、このシリコンゾル液に先の磁性体粉末を分散した後、スプレードライヤを用いて噴霧、乾燥させて粉末を得た。乾燥温度は１６０℃とした。
得られた粉末は、コバルト−ニッケル合金製の磁性体粉末の表面を、シリカからなる電気絶縁被膜によって被覆した複合構造を有していた。
電気絶縁被膜の被覆率を、比重の測定結果から求めたところ、約３０体積％であった。
【００８４】
複合粉末(iv)
気相法で製造された市販のマンガンフェライト粉末（平均粒径１５０ｎｍ）を磁性体粉末として、ｎ−オクタデカンチオールで処理して粉末を得た。
得られた粉末は、マンガンフェライト粉末の表面を、ｎ−オクタデカンチオールの単分子膜からなる電気絶縁被膜によって被覆した複合構造を有していた。
電気絶縁被膜の被覆率を、比重の測定結果から求めたところ、約２０体積％であった。
【００８５】
実施例１
〔基材〕
基材としては、厚み５０μｍのポリイミドシートの片側の表面を、酸素プラズマ処理（出力３００Ｗ）したものを用意した。
〔接着層の形成〕
下記表１の各成分を混合し、相対湿度３０％の大気雰囲気下で５時間、かく拌することによって大気中の水分により加水分解反応を進行させて、チタンゾル液を生成した。
【００８６】
【表１】
2004165620.tif 000011
【００８７】
次にこのチタンゾル液に、酸素プラズマ処理した表面を露出し、反対面をマスキングした先のポリイミドシートを浸漬した後、０．５ｃｍ／分の速度で引き上げることによって、厚み約１０ｎｍのチタニアゾル処理膜を形成した。
そしてこのポリイミドシートを１５０℃の恒温槽中で２時間、加熱してチタニアゾル処理膜の脱水反応を進行させるとともに、水分の蒸発によってチタニア生成を促進させて、厚み１０ｎｍのチタニア製の接着層を形成した。
【００８８】
〔磁性体層の形成〕
前記複合粉末(i)をパラキシレンに分散するとともに、結着剤としてポリフッ化ビニリデンを加えて、磁性体層用の塗布液を調製した。ポリフッ化ビニリデンの添加量は、固形分の総量、すなわちポリフッ化ビニリデンと複合粉末(i)との総量に対して４重量％とした。
次にこの塗布液を、スプレーコート法によって、先のポリイミドシートの接着層の上に塗布（塗布厚み約１００ｎｍ）した後、１８０℃の恒温槽中で２時間、加熱して乾燥、固着処理することによって、厚み１００ｎｍの磁性体層を形成した。磁性体層は、前述したように多数の磁性体粉末が層の厚み方向に重ならずに、面方向にのみ分布した構造を有していた。
【００８９】
〔電気絶縁層の形成〕
前記複合粉末(iii)の製造で使用したのと同じシリコンゾル液に上記のポリイミドシートを浸漬した後、０．５ｃｍ／分の速度で引き上げることによって、磁性体層の上に、厚み約１５０ｎｍのシリカゾル処理膜を形成した。
そしてこのポリイミドシートを１５０℃の恒温槽中で２時間、加熱してシリカゾル処理膜の脱水反応を進行させるとともに、水分の蒸発によってシリカ生成を促進させて、厚み７０ｎｍのシリカ製の電気絶縁層を形成した。
【００９０】
〔プリント配線基板の製造〕
上記の、磁性体層の形成と電気絶縁層の形成とを交互に、それぞれ６回ずつ繰り返すことによって、基材としてのポリイミドシートの、酸素プラズマ処理した表面に、チタニア製の接着層を介して、１２層の積層構造を有する電磁波吸収層が積層されたプリント配線基板を製造した。
実施例２
接着層を下記の工程によって形成したこと以外は実施例１と同様にして、基材としてのポリイミドシートの、酸素プラズマ処理した表面に、シリカチタニア製の接着層を介して、１２層の積層構造を有する電磁波吸収層が積層されたプリント配線基板を製造した。
【００９１】
〔接着層の形成〕
下記表２の各成分を混合し、相対湿度３０％の大気雰囲気下で５時間、かく拌することによって大気中の水分により加水分解反応を進行させて、シリコンチタンゾル液を生成した。
【００９２】
【表２】
2004165620.tif 000012
【００９３】
次にこのシリコンチタンゾル液に、酸素プラズマ処理した表面を露出し、反対面をマスキングしたポリイミドシートを浸漬した後、１ｃｍ／分の速度で引き上げることによって、その表面に、厚み約５０ｎｍのシリカチタニアゾル処理膜を形成した。
そしてこのポリイミドシートを１５０℃の恒温槽中で２時間、加熱して、シリカチタニアゾル処理膜の脱水反応を進行させるとともに、水分の蒸発によってシリカチタニア生成を促進させて、厚み５０ｎｍのシリカチタニア製の接着層を形成した。
【００９４】
実施例３
基材として厚み５００μｍのガラスエポキシ基板を用いるとともに、その表面の酸素プラズマ処理を省略したこと以外は実施例１と同様にして、当該ガラスエポキシ基板の片側の表面に、チタニア製の接着層を介して、１２層の積層構造を有する電磁波吸収層が積層されたプリント配線基板を製造した。
実施例４
電気絶縁層を下記の工程によって形成するとともに、磁性体層の形成と電気絶縁層の形成とを交互に、それぞれ４回ずつ繰り返したこと以外は実施例１と同様にして、基材としてのポリイミドシートの、酸素プラズマ処理した表面に、チタニア製の接着層を介して、８層の積層構造を有する電磁波吸収層が積層されたプリント配線基板を製造した。
【００９５】
〔電気絶縁層の形成〕
粘度を０．０２Ｐａ・ｓ以下に調整したアクリル系の紫外線硬化性樹脂液にポリイミドシートを浸漬した後、０．１ｃｍ／分の速度で引き上げることによって、磁性体層の上に、厚み約１６０ｎｍの樹脂膜を形成した。
そしてこの樹脂膜に紫外線を照射して樹脂を硬化反応させることによって、厚み１５０ｎｍの電気絶縁層を形成した。
【００９６】
実施例５
磁性体層用の塗布液に、複合粉末(i)に代えて、同量の複合粉末(ii)を配合したこと以外は実施例１と同様にして、基材としてのポリイミドシートの、酸素プラズマ処理した表面に、チタニア製の接着層を介して、１２層の積層構造を有する電磁波吸収層が積層されたプリント配線基板を製造した。
この場合も磁性体層は、多数の磁性体粉末が層の厚み方向に重ならずに、面方向にのみ分布した構造を有していた。またその厚みは４００ｎｍであった。
【００９７】
実施例６
磁性体層用の塗布液に、複合粉末(i)に代えて、同量の複合粉末(iii)を配合したこと以外は実施例１と同様にして、基材としてのポリイミドシートの、酸素プラズマ処理した表面に、チタニア製の接着層を介して、１２層の積層構造を有する電磁波吸収層が積層されたプリント配線基板を製造した。
この場合も磁性体層は、多数の磁性体粉末が層の厚み方向に重ならずに、面方向にのみ分布した構造を有していた。またその厚みは６００ｎｍであった。
【００９８】
実施例７
磁性体層用の塗布液に、複合粉末(i)に代えて、同量の複合粉末(iv)を配合したこと以外は実施例１と同様にして、基材としてのポリイミドシートの、酸素プラズマ処理した表面に、チタニア製の接着層を介して、１２層の積層構造を有する電磁波吸収層が積層されたプリント配線基板を製造した。
この場合も磁性体層は、多数の磁性体粉末が層の厚み方向に重ならずに、面方向にのみ分布した構造を有していた。またその厚みは８００ｎｍであった。
【００９９】
実施例８
磁性体層を下記の工程によって形成するとともに、磁性体層の形成と電気絶縁層の形成とを交互に、それぞれ４回ずつ繰り返したこと以外は実施例１と同様にして、基材としてのポリイミドシートの、酸素プラズマ処理した表面に、チタニア製の接着層を介して、８層の積層構造を有する電磁波吸収層が積層されたプリント配線基板を製造した。
【０１００】
〔磁性体層の形成〕
基材としてのポリイミドシートの、接着層を形成した表面に、ＲＦマグネトロンスパッタリング法によって、１秒間隔で、フェライトとシリカとを交互に堆積させた。スパッタリングの条件は、アルゴンガス圧：０．１３３Ｐａ、ターゲットから基板までの距離２０ｃｍ以上とした。
そうすると接着層上に、連続した膜ではなく、平均粒径約５ｎｍのフェライト粉末と、平均粒径約２ｎｍのシリカ粉末とが均一に分散した状態の磁性体層が形成された。磁性体層の厚みは６０ｎｍであった。
【０１０１】
実施例９
磁性体層用の塗布液に、複合粉末(i)に代えて、同量の複合粉末(ii)を配合したこと以外は実施例３と同様にして、基材としてのポリイミドシートの、酸素プラズマ処理した表面に、チタニア製の接着層を介して、１２層の積層構造を有する電磁波吸収層が積層されたプリント配線基板を製造した。
この場合も磁性体層は、多数の磁性体粉末が層の厚み方向に重ならずに、面方向にのみ分布した構造を有していた。またその厚みは４００ｎｍであった。
【０１０２】
比較例１
磁性体粉末として、５０Ｎｉ−５０Ｆｅ合金製の扁平状の粉末（市販されている厚み１μｍの扁平粉末を、粒径２００μｍメッシュでふるいにかけたもの）５０重量部を用意し、この粉末を、ポリ塩化ビニル樹脂５０重量部と混合し、溶融混練した後シート状に成形して、厚み０．５ｍｍのシートを作製した。
そしてこのシートを、実施例３で使用したのと同じ、厚み５００μｍのガラスエポキシ基板の片面に、接着剤を用いて接着してプリント配線基板を製造した。
【０１０３】
上記各実施例、比較例で製造したプリント配線基板の特性を、ネットワークアナライザを用いた同軸導波管法によって測定した。そして周波数（ＧＨｚ）と透磁率μとの関係を示すグラフを作成し、このグラフから、透磁率μの実数成分μ'が低下を開始する周波数ｆ０と、虚数成分μ"がピーク値を示す周波数ｆ１とを求めるとともに、周波数１．５ＧＨｚにおける、両成分μ'、μ"の値を求めた。
結果を表３に示す。
【０１０４】
【表３】
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【０１０５】
表より、実施例１〜９のプリント配線基板はいずれも、比較例１に比べて、周波数１．５ＧＨｚにおける透磁率μの虚数成分（磁気損失項）μ"の値が８以上と大きいことから、ギガヘルツ以上の高周波領域での電磁波吸収特性に優れており、かかる高周波領域でのＥＭＩ対策用として有効に機能できるものであることが確認された。
また実施例１〜９のプリント配線基板はいずれも、周波数１．５ＧＨｚにおける透磁率μの実数成分μ'が虚数成分μ"よりも大きいことから、かかる特定の周波数とその前後の周波数領域において、ＳＡＲ対策用としても有効に機能できるものであることが確認された。