(57)【要約】【課題】荷電粒子ビーム転写露光装置（例えば、電子ビーム転写露光装置）により一括露光を行う場合に用いる複数の相補マスクからなる露光用マスクの製造方法に関し、被露光物（例えば、ウエハ）に高精度のパターン（例えば、ゲートパターン）を形成できるようにする。【解決手段】設計された元のゲートパターンを分割処理してなるサブパターンＡ１〜Ａ４、Ｂ１〜Ｂ３のうち、隣接間距離が基準値以下のサブパターンＡ１、Ｂ１、Ａ４は、１個のパターンとみなし、２個の相補マスク２１、２２に分配せず、１個のマスク２１に形成する。【選択図】　　図１４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
元のパターンを分割処理してなるパターンを分配してなる複数個の相補マスクからなる露光用マスクであって、
隣接間距離が基準値以下のパターンは、１個の相補マスクに分配されていることを特徴とする露光用マスク。
【請求項２】
元のパターンを分割処理してなるパターンを分配してなる複数個の相補マスクからなる露光用マスクを製造する露光用マスク製造方法であって、
隣接間距離が基準値以下のパターンは、１個の相補マスクに分配することを特徴とする露光用マスク製造方法。
【請求項３】
前記元のパターンを分割処理して第１のパターン群を作成する工程と、
該第１のパターン群内の隣接間距離が基準値以下のパターンを１個のパターンとみなして第２のパターン群を作成する工程を有することを特徴とする請求項２記載の露光用マスク製造方法。
【請求項４】
前記元のパターンを分割処理して第１のパターン群を作成する工程は、
前記元のパターンが設計されているパターン設計面を行列状の小領域に区分する工程と、
前記元のパターンを前記小領域の境界線で分割する工程を有することを特徴とする請求項３記載の露光用マスク製造方法。
【請求項５】
前記小領域の境界線と直交する方向に一定のマージンを設けておき、前記元のパターンの長さ方向の端部が前記小領域の境界線から食み出している場合であっても、食み出している部分の長さがマージン内であれば、該食み出している部分を分割しないことを特徴とする請求項４記載の露光用マスク製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、荷電粒子ビーム転写露光装置（例えば、電子ビーム転写露光装置）により一括露光を行う場合に用いる複数の相補マスクからなる露光用マスク及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図３４は電子ビーム転写露光装置の一例の概念図である。図３４中、１は電子ビーム源、２は電子ビーム源１から出力された電子ビームを偏向する偏向器、３はパターンとして集積回路パターンが形成されたマスク（レチクル、ステンシルマスク）である。
【０００３】
４はマスク３を移動可能に保持するマスクステージ、５はマスク３に形成されたパターンを通過した電子ビームを絞り込む縮小投影レンズ、６はマスク３に形成されたパターンを通過した電子ビームを偏向する偏向器、７は被露光物であるウエハ、８はウエハ７を移動可能に保持するウエハステージである。
【０００４】
図３５はウエハ７に形成すべきパターンの例を示す図である。図３５Ａはドーナツ型パターン、図３５Ｂはリーフ型パターン、図３５ＣはＬ字型パターン、図３５Ｄは長いＬＳ（ライン・アンド・スペース）パターンと呼ばれるものである。
【０００５】
ここに、ドーナツ型パターンを１個のマスクに形成することは原理的に不可能であり、リーフ型パターン、Ｌ字型パターン及び長いＬＳパターンについては、応力上の問題から１個のマスクに形成することは適当でない。
【０００６】
そこで、ドーナツ型パターン、リーフ型パターン、Ｌ字型パターン、長いＬＳパターン等のような特異なパターンについては、それぞれ２個のパターンに分割し、２個のマスク（相補マスク）に分けて形成することが提案されている（特許文献１、非特許文献１参照）。
【０００７】
図３６〜図３９は従来の露光用マスク製造方法の一例を示す図であり、２個の相補マスクからなる露光用マスクを形成する場合を示している。図３６は設計された元のパターンを示す図であり、９、１０はゲートパターン、１１は活性層パターンである。
【０００８】
従来においては、例えば、図３７に示すように、ゲートパターン９は、サブパターン９−１〜９−４に分割され、ゲートパターン１０は、サブパターン１０−１〜１０−３に分割される。
【０００９】
次に、図３８に示すように、サブパターン９−１〜９−４にサブパターン９−１から順に２値符号“１”、“０”が交互に設定され、サブパターン１０−１〜１０−３にサブパターン１０−１から順に２値符号“１”、“０”が交互に設定される。
【００１０】
次に、図３９に示すように、２値符号“１”が設定されたサブパターン９−１、９−３、１０−１、１０−３が形成されたマスク１２と、２値符号“０”が設定されたサブパターン９−２、９−４、１０−２が形成されたマスク１３が製造される。
【００１１】
このようにして製造された２個のマスク１２、１３を相補マスクとしてウエハに一括露光を順に行うと、図４０に示すように、ゲートパターン９、１０によるパターンＰ９、Ｐ１０をウエハに形成することができる。なお、Ｐ１１は活性層パターン１１によりウエハに形成されたパターンを示している。
【００１２】
【特許文献１】
特開２００１−２７４０７２号公報
【非特許文献１】
山下他　Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ１９（２００１）２４７８
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
相補マスクを使用する場合、相補マスクの位置ずれに伴うパターンの位置ずれは、ある程度、許容せざるを得ない。しかし、パターンの隣接間距離が短くなると、ウエハに形成されるパターンの幅がパターン間のスペースの大きさで変化してしまうという問題点がある。
【００１４】
例えば、図３９に示す相補マスク１２、１３のいずれか又は両方の位置ずれにより、サブパターン９−４、１０−１間のスペースが小さくなると、図４１に示すように、サブパターン９−４、１０−１によりウエハに形成されるパターンＰ９−４、Ｐ１０−１のうち、隣接している部分のパターン幅が大きく広がってしまうという問題点があった。
【００１５】
図４２はマスクに形成されたパターン間のスペースの大きさとウエハに形成されるパターンの幅との関係を示す図である。図４２Ａはマスクに形成された３本のラインパターン１４、１５、１６からなるＬＳパターン、図４２Ｂはラインパターン１４、１５間及びラインパターン１５、１６間のスペースＳを変化させて電子ビーム露光した場合に、ラインパターン１５によりウエハに形成されるパターンの幅Ｗの変化を示している。
【００１６】
図４２からは、スペースＳが１５０ｎｍ以下になると、スペースＳが５ｎｍ変化すると、ラインパターン１５によりウエハに形成されるパターンの幅は、１０ｎｍ程度変化してしまうことが分かる。
【００１７】
本発明は、かかる点に鑑み、被露光物に高精度のパターンを形成することができるようにした複数個の相補マスクからなる露光用マスク及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明の露光用マスクは、元のパターンを分割処理してなるパターンを分配してなる複数個の相補マスクからなる露光用マスクであって、隣接間距離が基準値以下のパターンは、１個の相補マスクに分配されているというものである。
【００１９】
本発明の露光用マスクによれば、隣接間距離が基準値以下のパターンは、１個の相補マスクに分配されているので、隣接間距離が基準値以下のパターンにより被露光物に形成されるパターンには、相補マスクの位置ずれによる位置ずれが生じるということがない。
【００２０】
本発明の露光用マスク製造方法は、元のパターンを分割処理してなるパターンを分配してなる複数個の相補マスクからなる露光用マスクを製造する露光用マスク製造方法であって、隣接間距離が基準値以下のパターンは、１個の相補マスクに分配するというものである。
【００２１】
本発明の露光用マスク製造方法によれば、隣接間距離が基準値以下のパターンは、１個の相補マスクに分配するとしているので、隣接間距離が基準値以下のパターンにより被露光物に形成されるパターンには、相補マスクの位置ずれによる位置ずれが生じるということがない。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、図１〜図３３を参照して、本発明の第１実施形態及び第２実施形態について、本発明を電子ビーム転写露光装置を使用してウエハにゲートパターンを形成する場合に用いる２個の相補マスクからなる露光用マスク及びその製造方法に適用した場合を例にして説明する。
【００２３】
（第１実施形態・・図１〜図１６）
図１及び図２は本発明の露光用マスク製造方法の第１実施形態を概略的に示す流れ図である。本発明の露光用マスク製造方法の第１実施形態では、まず、設計された元のゲートパターンのうち、ドーナツ型パターンやＬ字型パターン等のように、原理上あるいは応力上の問題等から、分割する必要性のあるゲートパターンを周知の方法（例えば、「山下他　Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ１９（２００１）２４７８」）により分割する（ステップＳ１）。
【００２４】
図３はステップＳ１の具体例を示す図である。図３Ａは分割前の元のパターンであり、１７、１８はゲートパターン、１９は活性層パターンである。図３Ｂは分割後のパターンを示す図であり、Ａ１〜Ａ４はゲートパターン１７を分割処理してなるサブパターン、Ｂ１〜Ｂ３はゲートパターン１８を分割処理してなるサブパターンである。
【００２５】
次に、活性層パターンを所定値だけ太らせてから、活性層パターンとゲートパターンとのＡＮＤ（論理積）を取り、活性層パターン上に領域を持つサブパターンにフラグＰを設定する（ステップＳ２）。活性層パターンを太らせる理由は、その後、活性層パターン上に領域を有するサブパターンを再分割する必要がある場合に、活性層パターン上で分割されないようにするためである。
【００２６】
図４はステップＳ２の具体例を示す図である。図４中、１９Ａは設計された元の活性層パターン１９を所定値だけ太らせた活性層パターンを示し、この例では、サブパターンＡ１、Ｂ１、Ａ４は、活性層パターン１９Ａ上に領域を有しているので、これらサブパターンＡ１、Ｂ１、Ａ４にフラグＰを設定する。
【００２７】
次に、各サブパターンをノード（節点）、分割処理により生じた各切断辺をブランチ（枝）とするグラフを作成する（ステップＳ３）。図５はステップＳ３の具体例を示す図であり、この例では、ゲートパターン１７、１８のそれぞれについて１個のグラフが作成されている。
【００２８】
次に、フラグＰを設定したサブパターンについて、隣接するサブパターン間の距離を調べ（ステップＳ４）、調べた距離と基準値を比較し（ステップＳ５）、調べた距離が基準値より長ければ、ステップＳ７へ移行する。
【００２９】
これに対して、調べた距離が基準値以下であれば、フラグＰを設定したサブパターンが構成するノードを合併する（ステップＳ６）。図６はステップＳ６の具体例を示す図であり、サブパターンＡ１、Ｂ１間及びザブパターンＢ１、Ａ４間の距離が共に基準値以下であり、サブパターンＡ１、Ｂ１、Ａ４を１つのノードとした場合を示している。
【００３０】
この例では、サブパターンＡ１〜Ａ４が構成するノードからなるグラフとサブパターンＢ１〜Ｂ３が構成するノードからなるグラフが結合されて１個のグラフとなっている。
【００３１】
次に、グラフを走査し、各ノードに２値符号“０”、“１”を交互に設定する（ステップＳ７）。図７はステップＳ７の具体例を示す図であり、この例では、サブパターンＡ１、Ｂ１、Ａ４が構成するノード、サブパターンＡ３が構成するノード及びサブパターンＢ３が構成するノードには“０”が設定され、サブパターンＡ２が構成するノード及びサブパターンＢ２が構成するノードには“１”が設定されている。
【００３２】
次に、ブランチを挟んで同一の２値符号が設定されているノードが存在するか否かを判断し（ステップＳ８）、ブランチを挟んで同一の２値符号が設定されているノードがない場合は、ステップＳ１４へ移行する。
【００３３】
これに対して、ブランチを挟んで同一の２値符号が設定されているノードが存在する場合には、このブランチに相当する切断辺の両側のサブパターンを統合できるかを判断する（ステップＳ９）。
【００３４】
図７に示す具体例では、サブパターンＡ１、Ｂ１、Ａ４が構成するノードとサブパターンＡ３が構成するノードは、ブランチＥ１を挟んで同一の２値符号“０”が設定されているので、ブランチＥ１に相当する切断辺の両側のサブパターンＡ３、Ａ４を統合できるかを判断する。
【００３５】
そして、統合が可能であれば、同一の２値符号が設定されたノードを接続しているブランチを削除して２つのノードを統合し（ステップＳ１０）、ステップＳ１４へ移行する。図７に示す具体例では、サブパターンＡ３、Ａ４を統合すると、応力上問題となるＬ字型パターンとなってしまうので、統合できないと判断されることになる。
【００３６】
統合が不可能であれば、サブパターンを再分割することになるが、ブランチを挟んで同一の２値符号が設定されたノードの両方にフラグＰが設定されているか否かを判断し（ステップＳ１１）、両方のノードにフラグＰが設定されていない場合には、いずれかのノードを構成しているサブパターンを２分割して２値符号を設定し、一方のノードにフラグＰが設定されている場合には、フラグＰが設定されていないノードを構成しているサブパターンを２分割して２値符号を設定する（ステップＳ１２）。
【００３７】
図８はステップＳ１２の具体例を示す図である。この例では、サブパターンＡ３がサブパターンＡ５、Ａ６に分割され、サブパターンＡ５が構成するノードに“０”が設定され、サブパターンＡ６が構成するノードに“１”が設定され、グラフ全体として、“０”、“１”が各ノードに交互に設定されている。この場合、最終分割後のゲートパターンは、図９に示すようになる。
【００３８】
これに対して、ブランチを挟んで同一の２値符号が設定されたノードの両方にフラグＰが設定されている場合には、再分割により活性層パターン上に領域を持たないサブパターンを形成することができる側のサブパターンを活性層パターン以外の領域上に新しいサブパターンが形成されるように２分割し、活性層パターン以外の領域上の新しいサブパターンを新しいノードとしてグラフに追加して２値符号を設定する（ステップＳ１３）。
【００３９】
図１０はステップＳ１３の具体例を示す図である。この例は、サブパターンＡ３が活性層パターン２０上に領域を持っている場合を示している。この例では、サブパターンＡ４を分割して、新たなサブパターンＡ６を新たなノードとしてグラフに追加し、グラフ全体として、“０”、“１”が各ノードに交互に設定されている。この場合、最終分割後のゲートパターンは、図１１に示すようになる。
【００４０】
なお、ステップＳ１２、Ｓ１３を実行する代わりに、例えば、図１２に示すように、サブパターンＡ２、Ａ３を統合し、グラフ全体として、“０”、“１”が各ノードに交互に設定されているようにすることもできる。この場合、最終分割後のゲートパターンは、図１３に示すようになる。図１３中、Ａ７はサブパターンＡ２、Ａ３を統合したサブパターンである。
【００４１】
次に、同一の２値符号が設定されたノードを構成するサブパターンの面積の合計値を計算し、２個の相補マスクの全パターン面積の差が小さくなるように、同一の２値符号が設定されたノードを構成するサブパターンを同一の相補マスクに分配することにより、２個の相補マスクからなる露光用マスク（本発明の露光用マスクの一実施形態）を製造する（ステップＳ１４）。
【００４２】
図１４は本発明の露光用マスクの第１実施形態の第１具体例の一部分を示す図であり、２１、２２は最終分割後のゲートパターンが図９に示すパターンである場合に製造される相補マスクを示している。この例では、相補マスク２１には、サブパターンＡ１、Ａ４、Ａ５、Ｂ１、Ｂ３が形成され、相補マスク２２には、サブパターンＡ２、Ａ６、Ｂ２が形成されている。
【００４３】
図１５は本発明の露光用マスクの第１実施形態の第２具体例の一部分を示す図であり、２３、２４は最終分割後のゲートパターンが図１１に示すパターンである場合に製造される相補マスクを示している。この例では、相補マスク２３には、サブパターンＡ１、Ａ３、Ａ４、Ｂ１、Ｂ３が形成され、相補マスク２４には、サブパターンＡ２、Ａ６、Ｂ２が形成されている。
【００４４】
図１６は本発明の露光用マスクの第１実施形態の第３具体例の一部分を示す図であり、２５、２６は最終分割後のゲートパターンが図１３に示すパターンである場合に製造される相補マスクを示している。この例では、相補マスク２５には、サブパターンＡ１、Ａ４、Ｂ１、Ｂ３が形成され、相補マスク２６には、サブパターンＡ７、Ｂ２が形成されている。
【００４５】
以上のように、本発明の露光用マスク製造方法の第１実施形態によれば、設計された元のゲートパターンを分割してなるサブパターンのうち、隣接間距離が基準値以下のサブパターンは、２個の相補マスクに分配せずに、１個の相補マスクに分配するとしているので、隣接間距離が基準値以下のサブパターンによりウエハに形成されるパターンには、相補マスクの位置ずれによる位置ずれが生じるということがない。したがって、ウエハに高精度のゲートパターンを形成することができる。
【００４６】
また、本発明の露光用マスクの第１実施形態によれば、設計された元のゲートパターンを分割してなるサブパターンのうち、隣接間距離が基準値以下のサブパターンは、２個の相補マスクに分配されておらず、１個の相補マスクに分配されているので、隣接間距離が基準値以下のサブパターンによりウエハに形成されるパターンには、相補マスクの位置ずれによる位置ずれが生じるということがない。したがって、ウエハに高精度のゲートパターンを形成することができる。
【００４７】
ところで、ゲートパターン分割方法が、横方向及び縦方向において、隣接するゲートパターンの分割位置にずれを生じさせない方法である場合には、本発明の露光用マスク製造方法の第１実施形態を適用することに何ら問題はないが、ゲートパターン分割方法が、横方向又は縦方向において、隣接するゲートパターンの分割位置にずれを生じさせるものである場合には、本発明の露光用マスク製造方法の第１実施形態を適用すると、問題が生じる場合がある。図１７〜図１９は、かかる問題点を説明するための図である。
【００４８】
図１７は設計された元のパターンを示す図であり、２７、２８はゲートパターン、２９は活性層パターンである。ゲートパターン分割方法によっては、ゲートパターン２７、２８を図１８に示すように分割する場合も考えられる。Ａ１〜Ａ６はゲートパターン２７を分割処理してなるサブパターン、Ｂ１、Ｂ２はゲートパターン２８を分割処理してなるサブパターンである。
【００４９】
この場合、本発明の露光用マスク製造方法の第１実施形態においては、活性層パターン２９上に領域を有するサブパターンＡ２、Ｂ１にフラグＰが付されることになる。ここで、フラグＰが付されたサブパターン間の距離のみならず、フラグＰが付されたサブパターンとフラグＰが付されていないサブパターンとの間の距離も考慮する場合には、サブパターンＡ２、Ｂ１間との距離が基準値以下の場合には、サブパターンＡ１、Ａ３とサブパターンＢ１との距離も基準値以下となるので、この例の場合には、最終分割後のゲートパターンは図１９に示すようになる。
【００５０】
図１９において、サブパターンＡ７は、サブパターンＡ１、Ａ２、Ａ３を統合してなるサブパターンである。この場合、サブパターンＡ７、Ａ５、Ｂ１が第１の相補マスクに分配され、サブパターンＡ４、Ａ６、Ｂ２が第２の相補マスクに分配されることになる。しかしながら、ラインパターンであるサブパターンＡ７の長さが一定値以上になると、応力の点で精度の高いマスクを作製することができなくなってしまう。次に説明する本発明の露光用マスク製造方法の第２実施形態は、このような問題点を解決するようにしたものである。
【００５１】
（第２実施形態・・図２０〜図３３）
図２０及び図２１は本発明の露光用マスク製造方法の第２実施形態を概略的に示す流れ図である。本発明の露光用マスク製造方法の第２実施形態では、まず、パターンが設計されているパターン設計面を行列状に配置されてなる正方形の小領域に区分する（ステップＰ１）。
【００５２】
小領域の大きさは、その大きさ以下の特殊パターン（ドーナツ型パターンやＬ字型パターン等のように、原理上あるいは応力上の問題等から、分割する必要性のあるゲートパターン）が既存のストレスチェックにかからない大きさ、例えば、１辺を５μｍとする。なお、ドーナツ型パターンが小領域内に存在する場合には、ドーナツ型パターンが解消されるようにサブパターンに分割する。
【００５３】
図２２はステップＰ１の具体例を示す図である。３０はパターン設計面、３１〜３５は設計された元のパターンであり、３１〜３４はゲートパターン、３５は活性層パターン、Ｅ１１〜Ｅ５４は正方形の小領域、３６〜４５は小領域Ｅ１１〜Ｅ５４の境界線である。
【００５４】
次に、ゲートパターンを小領域の境界線で分割する（ステップＰ２）。但し、小領域の境界線と直交する方向に数１０ｎｍ程度のマージンを設けておき、ゲートパターンの長さ方向の端部が小領域の境界線から食み出している場合であっても、食み出している部分の長さがマージン内であれば、その食み出している部分を分割しないようにし、微細パターンが発生しないようにする。
【００５５】
また、ゲートパターンが小領域の境界線と長さ方向で重なっている場合には、重なっているパターン部分を重なっている境界線で分割しないようにし、極端に幅の狭いサブパターンが生じないようにする。
【００５６】
図２３はステップＰ２の具体例を示す図である。Ａ１〜Ａ６はゲートパターン３１を分割処理してなるサブパターン、Ｂ１〜Ｂ４はゲートパターン３２を分割処理してなるサブパターン、Ｃ１はゲートパターン３３を分割処理してなるサブパターン、Ｄ１〜Ｄ３はゲートパターン３４を分割処理してなるサブパターンである。
【００５７】
ここで、例えば、ゲートパターン３１の一部分４６は、境界線３６から小領域Ｅ１１に食み出しているが、マージン以下の食み出しである。そこで、ゲートパターン３１の小領域Ｅ１１の部分４６は分割せず、ゲートパターン３１の小領域Ｅ２１の部分４７と一体としてサブパターンＡ１としている。
【００５８】
また、ゲートパターン３３の一部分４８も、境界線３８から小領域Ｅ４２に食み出しているが、マージン以下のはみ出しである。そこで、ゲートパターン３３の小領域Ｅ４２の部分４８は分割せず、ゲートパターン３３の小領域Ｅ３２の部分４９と一体としてサブパターンＣ１としている。また、ゲートパターン３４は、境界線４３と長さ方向で重なっているので、境界線４３で分割せず、極端に幅の狭いサブパターンが生じないようにしている。
【００５９】
ゲートパターンの小領域の境界線での分割には、２つの目的がある。第１は、隣接するゲートパターンの分割位置が、横方向及び縦方向において、ずれないようにすることである。第２は、ゲートパターンを小領域単位で管理しておくことで、隣接するゲートパターンの探索を比較的容易にすることである。
【００６０】
次に、各サブパターンをノード、分割処理により生じた各切断辺をブランチとするグラフを作成する（ステップＰ３）。図２４はステップＰ３の具体例を示す図である。この例では、ゲートパターン３１〜３４についてそれぞれ１個のグラフが作成されている。
【００６１】
次に、各サブパターンをそれが属する小領域に登録する（ステップＰ４）。なお、長さ方向で小領域の境界線に重なり、幅方向で２個の小領域に跨っているサブパターンについては、どちらかの小領域に登録する。例えば、図２３において、サブパターンＤ１は小領域Ｅ１２、Ｅ１３のいすれかに登録し、サブパターンＤ２は小領域Ｅ２２、Ｅ２３のいずれかに登録し、サブパターンＤ３は小領域Ｅ３２、Ｅ３３のいずれかに登録する。
【００６２】
次に、活性層パターンとゲートパターンとのＡＮＤ（論理積）を取り、活性層パターンと重なりを持つサブパターンにフラグＰを設定する（ステップＰ５）。図２５はステップＰ５の具体例を示す図である。この例では、サブパターンＡ２、Ｂ２、Ｃ１にフラグＰが設定されている。
【００６３】
次に、フラグＰが設定されたサブパターンについて、活性層パターンに隣接するサブパターンも含めて、隣接間距離が基準値以下のサブパターンを探索し、見つかれば、隣接するサブパターンのそれぞれが構成するノードを合併する（ステップＰ６）。図２６はステップＰ６の具体例を示す図である。この例では、サブパターンＡ２、Ｂ２、Ｃ１、Ｄ３のそれぞれが構成するノードが合併されている。
【００６４】
次に、グラフを走査し、各ノードに２値符号“０”、“１”を交互に設定できるか否かを判断し（ステップＰ７）、各ノードに２値符号“０”、“１”を交互に設定できる場合には、グラフを走査し、各ノードに２値符号“０”、“１”を交互に設定する（ステップＰ８）。図２７はステップＰ８の具体例を示す図である。
【００６５】
これに対して、各ノードに２値符号“０”、“１”を交互に設定できない場合には、各ノードに２値符号“０”、“１”を交互に設定できるように、ノードの合併または分割を行なう（ステップＰ９）。
【００６６】
例えば、図２８に示すように、サブパターンＡ５が活性層パターン５０と重なっており、かつ、サブパターンＡ５、Ｂ４間が基準値以下の場合には、図２９に示すように、サブパターンＡ５、Ｂ４のそれぞれが構成するノードを統合することになるが、この場合、２値符号“０”、“１”を交互に設定することができない。
【００６７】
そこで、この例の場合には、図３０に示すように、サブパターンＢ３を再分割して、サブパターンＢ５、Ｂ６を生成し、図３１に示すように、各ノードに２値符号“０”、“１”を交互に設定する。
【００６８】
次に、同一の２値符号が設定されたノードを構成するサブパターンの面積の合計値を計算し、２個の相補マスクの全サブパターン面積の差が小さくなるように、同一の２値符号が設定されたノードを構成するサブパターンを同一の相補マスクに分配する（ステップＰ１０）。
【００６９】
次に、同一形状のサブパターンを抽出し、異なるサブパターンの形状だけ実体を作成し、サブパターンの配置は、それらへの参照とすることでデータの圧縮を行なう（ステップＰ１１）。
【００７０】
図３２は本発明の露光用マスクの第２実施形態の第１具体例を示す図であり、５１、５２は最終分割後のゲートパターンが図２５に示すパターンである場合に製造される相補マスクを示している。この例では、相補マスク５１には、サブパターンＡ１、Ａ３、Ａ５、Ｂ１、Ｂ３、Ｄ２が形成され、相補マスク５２には、サブパターンＡ２、Ａ４、Ａ６、Ｂ２、Ｂ４、Ｃ１、Ｄ１、Ｄ３が形成されている。
【００７１】
図３３は本発明の露光用マスクの第２実施形態の第２具体例を示す図であり、５３、５４は最終分割後のゲートパターンが図３０に示すパターンである場合に製造される相補マスクを示している。この例では、相補マスク５３には、サブパターンＡ１、Ａ３、Ａ５、Ｂ１、Ｂ５、Ｂ４、Ｄ２が形成され、相補マスク５４には、サブパターンＡ２、Ａ４、Ａ６、Ｂ２、Ｂ６、Ｃ１、Ｄ１、Ｄ３が形成されている。
【００７２】
以上のように、本発明の露光用マスク製造方法の第２実施形態によれば、設計された元のゲートパターンを分割してなるサブパターンのうち、隣接間距離が基準値以下のサブパターンは、２個の相補マスクに分配せずに、１個の相補マスクに分配するとしているので、隣接間距離が基準値以下のサブパターンによりウエハに形成されるパターンには、相補マスクの位置ずれによる位置ずれが生じるということがない。したがって、ウエハに高精度のゲートパターンを形成することができる。
【００７３】
また、パターンが設計されているパターン設計面を行列状に配置されてなる正方形の小領域に区分し、ゲートパターンを小領域の境界線で分割するようにしているので、横方向及び縦方向において、隣接するゲートパターンの分割位置にずれが生じることがないので、隣接するサブパターン間距離が基準値以下の場合にノードを統合する場合においても、所定値以上の長さのサブパターンが生成されることがない。したがって、この点からも、ウエハに高精度のゲートパターンを形成することができる。
【００７４】
また、本発明の露光用マスクの第２実施形態によれば、設計された元のゲートパターンを分割してなるサブパターンのうち、隣接間距離が基準値以下のサブパターンは、２個の相補マスクに分配されておらず、１個の相補マスクに分配されているので、隣接間距離が基準値以下のサブパターンによりウエハに形成されるパターンには、相補マスクの位置ずれによる位置ずれが生じるということがない。したがって、ウエハに高精度のゲートパターンを形成することができる。更に、所定値以上の長さのサブパターンが形成されることがないので、この点からも、ウエハに高精度のゲートパターンを形成することができる。
【００７５】
なお、本発明の第１実施形態及び第２実施形態では、隣接間距離が基準値以下のサブパターンを２個の相補マスクに分配しない対象としているが、本発明は、活性層上にあるサブパターンと活性層上にないサブパターンとの隣接間距離が基準値以下の場合にも適用されるものであり、また、分割されないゲートパターンも相補マスクに分配しない対象とする場合を含むものである。
【００７６】
また、本発明の第１実施形態及び第２実施形態では、ゲートパターンを対象としたが、ゲートパターン以外のパターンを対象とすることもできる。更に、本発明は、半導体集積回路装置以外の装置を製造する場合にも広く適用することができる。
【００７７】
ここで、本発明を整理すると、本発明には、以下に記述する露光用マスク及び露光用マスク製造方法が含まれる。
【００７８】
（付記１）元のパターンを分割処理してなるパターンを分配してなる複数個の相補マスクからなる露光用マスクであって、隣接間距離が基準値以下のパターンは、１個の相補マスクに分配されていることを特徴とする露光用マスク。
【００７９】
（付記２）前記元のパターンは、半導体集積回路装置のゲートパターンであることを特徴とする付記１記載の露光用マスク。
【００８０】
（付記３）前記隣接間距離が基準値以下のパターンとして、活性層パターン上に領域を有するパターンのみを対象としていることを特徴とする付記２記載の露光用マスク。
【００８１】
（付記４）元のパターンを分割処理してなるパターンを分配してなる複数個の相補マスクからなる露光用マスクを製造する露光用マスク製造方法であって、隣接間距離が基準値以下のパターンは、１個の相補マスクに分配することを特徴とする露光用マスク製造方法。
【００８２】
（付記５）前記元のパターンは、半導体集積回路装置のゲートパターンであることを特徴とする付記４記載の露光用マスク製造方法。
【００８３】
（付記６）前記隣接間距離が基準値以下のパターンとして、活性層パターン上に領域を有するパターンのみを対象としていることを特徴とする付記５記載の露光用マスク製造方法。
【００８４】
（付記７）前記元のパターンを分割処理して第１のパターン群を作成する工程と、該第１のパターン群内の隣接間距離が基準値以下のパターンを１個のパターンとみなして第２のパターン群を作成する工程を有することを特徴とする付記４記載の露光用マスク製造方法。
【００８５】
（付記８）前記第２のパターン群内のパターンであって、分割処理により生じた切断辺の両側の２個のパターンを２個の相補マスクに分配できるときは、前記２個のパターンを前記２個の相補マスクに分配することを特徴とする付記７記載の露光用マスク製造方法。
【００８６】
（付記９）前記第２のパターン群内のパターンであって、分割処理により生じた切断辺の両側の２個のパターンを２個の相補マスクに分配できないときは、前記２個のパターンのいずれかを再分割することを特徴とする付記７記載の露光用マスク製造方法。
【００８７】
（付記１０）前記再分割は、活性層パターン上に領域を有しないパターンを対象とすることを特徴とする付記９記載の露光用マスク製造方法。
【００８８】
（付記１１）前記第２のパターン群内のパターンであって、分割処理により生じた切断辺の両側の２個のパターンを２個の相補マスクに分配できないときは、前記２個のパターンのいずれかと前記２個のパターン以外のパターンとを統合することを特徴とする付記７記載の露光用マスク製造方法。
【００８９】
（付記１２）前記元のパターンを分割処理して第１のパターン群を作成する工程と、前記第１のパターン群内の隣接間距離が基準値以下のパターンに所定のフラグを付し、前記第２のパターン群内の各パターンをノード、分割処理により生じた各切断辺をブランチとするグラフを作成することを特徴とする付記４記載の露光用マスク製造方法。
【００９０】
（付記１３）前記所定のフラグを設定したパターンについて、隣接するパターン間の距離を調べ、調べた距離と基準値を比較し、該調べた距離が前記基準値以下であれば、前記所定のフラグを設定したパターンが構成するノードを合併することを特徴とする付記１２記載の露光用マスク製造方法。
【００９１】
（付記１４）前記グラフを走査し、各ノードに２値符号を交互に設定することを特徴とする付記１３記載の露光用マスク製造方法。
【００９２】
（付記１５）ブランチを挟んで同一の２値符号が設定されているノードが存在するか否かを判断し、ブランチを挟んで同一の２値符号が設定されているノードが存在する場合には、該ブランチに相当する切断辺の両側のパターンを統合できるかを判断し、統合が可能であれば、同一の２値符号が設定されたノードを接続しているブランチを削除して２つのノードを統合することを特徴とする付記１４記載の露光用マスク製造方法。
【００９３】
（付記１６）ブランチを挟んで同一の２値符号が設定されているノードが存在するか否かを判断し、ブランチを挟んで同一の２値符号が設定されているノードが存在する場合には、該ブランチに相当する切断辺の両側のパターンを統合できるかを判断し、統合が不可能であれば、該ブランチを挟んで同一の２値符号が設定されたノードの両方に前記所定のフラグが設定されているか否かを判断し、両方のノードに前記所定のフラグが設定されていない場合には、いずれかのノードを構成しているパターンを２分割して２値符号を設定し、一方のノードに前記所定のフラグが設定されている場合には、前記所定のフラグが設定されていないノードを構成しているパターンを２分割して２値符号を設定することを特徴とする付記１４記載の露光用マスク製造方法。
【００９４】
（付記１７）ブランチを挟んで同一の２値符号が設定されているノードが存在するか否かを判断し、ブランチを挟んで同一の２値符号が設定されているノードが存在する場合には、該ブランチに相当する切断辺の両側のパターンを統合できるかを判断し、統合が不可能であれば、該ブランチを挟んで同一の２値符号が設定されたノードの両方に前記所定のフラグが設定されているか否かを判断し、ブランチを挟んで同一の２値符号が設定されたノードの両方に前記所定のフラグが設定されている場合には、再分割により活性層パターン上に領域を持たないパターンを形成することができる側のパターンを活性層パターン以外の領域上に新しいパターンが形成されるように２分割し、活性層パターン以外の領域上の新しいパターンを新しいノードとしてグラフに追加して２値符号を設定することを特徴とする付記１４記載の露光用マスク製造方法。
【００９５】
（付記１８）同一の２値符号が設定されたノードを構成するパターンを同一の相補マスクに分配することを特徴とする付記１５、１６又は１７記載の露光用マスク製造方法。
【００９６】
（付記１９）前記複数個の相補マスクのパターン面積の差が小さくなるようにパターンを前記複数個の相補マスクに分配することを特徴とする付記４記載の露光用マスク製造方法。
【００９７】
（付記２０）前記元のパターンを分割処理して第１のパターン群を作成する工程は、前記元のパターンが設計されているパターン設計面を行列状の小領域に区分する工程と、前記元のパターンを前記小領域の境界線で分割する工程を有することを特徴とする付記７記載の露光用マスク製造方法。
【００９８】
（付記２１）前記小領域の境界線と直交する方向に一定のマージンを設けておき、前記元のパターンの長さ方向の端部が前記小領域の境界線から食み出している場合であっても、食み出している部分の長さがマージン内であれば、該食み出している部分を分割しないことを特徴とする付記２０記載の露光用マスク製造方法。
【００９９】
【発明の効果】
以上のように、本発明の露光用マスクによれば、隣接間距離が基準値以下のパターンは、１個の相補マスクに分配されているので、隣接間距離が基準値以下のパターンにより被露光物に形成されるパターンには、相補マスクの位置ずれによる位置ずれが生じるということがなく、被露光物に高精度のパターンを形成することができる。
【０１００】
また、本発明の露光用マスク製造方法によれば、隣接間距離が基準値以下のパターンは、１個の相補マスクに分配するとしたので、隣接間距離が基準値以下のパターンにより被露光物に形成されるパターンには、相補マスクの位置ずれによる位置ずれが生じるということがなく、被露光物に高精度のパターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の露光用マスク製造方法の第１実施形態を概略的に示す流れ図である。
【図２】本発明の露光用マスク製造方法の第１実施形態を概略的に示す流れ図である。
【図３】本発明の露光用マスク製造方法の第１実施形態の具体例（ステップＳ１の具体例）を示す図である。
【図４】本発明の露光用マスク製造方法の第１実施形態の具体例（ステップＳ２の具体例）を示す図である。
【図５】本発明の露光用マスク製造方法の第１実施形態の具体例（ステップＳ３の具体例）を示す図である。
【図６】本発明の露光用マスク製造方法の第１実施形態の具体例（ステップＳ６の具体例）を示す図である。
【図７】本発明の露光用マスク製造方法の第１実施形態の具体例（ステップＳ７の具体例）を示す図である。
【図８】本発明の露光用マスク製造方法の第１実施形態の具体例（ステップＳ１２の具体例）を示す図である。
【図９】図８に示すグラフに対応するゲートパターンの分割を示す図である。
【図１０】本発明の露光用マスク製造方法の第１実施形態の具体例（ステップＳ１３の具体例）を示す図である。
【図１１】図１０に示すグラフに対応するゲートパターンの分割を示す図である。
【図１２】本発明の露光用マスク製造方法の第１実施形態の他の具体例（ステップＳ１２、Ｓ１３の代わりに採用することができる方法）を説明するための図である。
【図１３】図１２に示すグラフに対応するゲートパターンの分割を示す図である。
【図１４】本発明の露光用マスクの第１実施形態の第１具体例の一部分を示す図である。
【図１５】本発明の露光用マスクの第１実施形態の第２具体例の一部分を示す図である。
【図１６】本発明の露光用マスクの第１実施形態の第３具体例の一部分を示す図である。
【図１７】ゲートパターン分割方法との関係で本発明の露光用マスク製造方法の第１実施形態が問題となる場合を説明するための図である。
【図１８】ゲートパターン分割方法との関係で本発明の露光用マスク製造方法の第１実施形態が問題となる場合を説明するための図である。
【図１９】ゲートパターン分割方法との関係で本発明の露光用マスク製造方法の第１実施形態が問題となる場合を説明するための図である。
【図２０】本発明の露光用マスク製造方法の第２実施形態を概略的に示す流れ図である。
【図２１】本発明の露光用マスク製造方法の第２実施形態を概略的に示す流れ図である。
【図２２】本発明の露光用マスク製造方法の第２実施形態の具体例（ステップＰ１の具体例）を示す図である。
【図２３】本発明の露光用マスク製造方法の第２実施形態の具体例（ステップＰ２の具体例）を示す図である。
【図２４】本発明の露光用マスク製造方法の第２実施形態の具体例（ステップＰ３の具体例）を示す図である。
【図２５】本発明の露光用マスク製造方法の第２実施形態の具体例（ステップＰ５の具体例）を示す図である。
【図２６】本発明の露光用マスク製造方法の第２実施形態の具体例（ステップＰ６の具体例）を示す図である。
【図２７】本発明の露光用マスク製造方法の第２実施形態の具体例（ステップＰ８の具体例）を示す図である。
【図２８】本発明の露光用マスク製造方法の第２実施形態の具体例（ステップＰ７のＮＯの場合の具体例）を説明するための図である。
【図２９】本発明の露光用マスク製造方法の第２実施形態の具体例（ステップＰ７のＮＯの場合の具体例）を説明するための図である。
【図３０】本発明の露光用マスク製造方法の第２実施形態の具体例（ステップＰ７のＮＯの場合の具体例）を示す図である。
【図３１】本発明の露光用マスク製造方法の第２実施形態の具体例（ステップＰ９の具体例）を示す図である。
【図３２】本発明の露光用マスクの第２実施形態の第１具体例を示す図である。
【図３３】本発明の露光用マスクの第２実施形態の第２具体例を示す図である。
【図３４】電子ビーム転写露光装置の一例の概念図である。
【図３５】ウエハに形成すべきパターンの例を示す図である。
【図３６】従来の露光用マスク製造方法の一例を説明するための図である。
【図３７】従来の露光用マスク製造方法の一例を説明するための図である。
【図３８】従来の露光用マスク製造方法の一例を説明するための図である。
【図３９】従来の露光用マスク製造方法の一例を説明するための図である。
【図４０】ウエハに形成されるパターンを示す図である。
【図４１】従来の露光用マスク製造方法が有する問題点を説明するための図である。
【図４２】マスクに形成されたパターン間のスペースの大きさとウエハに形成されるパターンの幅との関係を示す図である。
【符号の説明】
１…電子ビーム源
２…偏向器
３…マスク（レチクル、ステンシルマスク）
４…マスクステージ
５…縮小投影レンズ
６…偏向器
７…ウエハ
８…ウエハステージ
９、１０…ゲートパターン
１１…活性層パターン
１２、１３…相補マスク
１４〜１６…ラインパターン
１７、１８…ゲートパターン
１９、２０…活性層パターン
２１〜２６…相補マスク
２７、２８…ゲートパターン
２９…活性層パターン
３０…パターン設計面
３１〜３４…ゲートパターン
３５…活性層パターン
Ｅ１１〜Ｅ５４…小領域
３６〜４５…境界線
４６、４７…ゲートパターンの一部分
４８、４９…ゲートパターンの一部分
５０…活性層パターン
５１〜５４…相補マスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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