(57)【要約】【課題】発光素子を電流指定方式で発光制御するディスプレイにおいて、簡易かつ安価な回路構成を有しつつ、画像表示に伴う消費電力を抑制することができるとともに、表示パネルの発光輝度の低下を抑制することができる表示装置及び表示装置の駆動制御方法を提供する。【解決手段】有機ＥＬ素子や発光ダイオード等のように、供給される電流値に応じて所定の輝度で自己発光する発光素子をマトリクス状に配列してなる表示パネルを備えたディスプレイにおいて、各表示画素ごとの発光素子に付設された画素駆動回路により、表示画素への書込電流よりも一定のオフセット電流分小さい駆動電流を発光素子に供給するように構成されている。【選択図】　図１
2004012897.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示パネルを構成する各表示画素に対して、表示信号に応じた第１の電流値を指定して電流を供給することにより、該各表示画素に設けられた発光素子を所定の輝度で発光させ、前記表示パネルに所望の画像情報を表示する表示装置において、
前記各表示画素は、前記発光素子の発光動作を制御する画素駆動回路を備え、
該画素駆動回路は、
前記第１の電流値を有する書込電流を前記画素駆動回路に流下させる制御を行う書込制御手段と、
前記書込制御手段に付設され、前記書込電流の流下に伴って第１の電荷を蓄積する第１の電荷蓄積手段と、
前記発光素子に前記表示信号に応じた駆動電流を供給して、前記発光素子を前記所定の輝度で発光動作させる制御を行う発光制御手段と、
前記発光制御手段に付設され、前記書込電流の流下に伴って第２の電荷を蓄積する第２の電荷蓄積手段と、
を備え、
前記発光素子に供給される前記駆動電流は、前記第１の電荷蓄積手段に蓄積された前記第１の電荷及び前記第２の電荷蓄積手段に蓄積された前記第２の電荷に基づく電圧に対応する第２の電流値を有するように設定されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第２の電流値は、前記第１の電流値から、前記第１の電荷蓄積手段に蓄積された前記第１の電荷に基づく電圧に対応した電流値を除いた値となるように設定されていることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記書込制御手段は、前記画素駆動回路に前記書込電流を流下させることにより、前記第１の電荷蓄積手段に前記第１の電荷を蓄積させるとともに、前記第２の電荷蓄積手段に前記第２の電荷を蓄積させ、
前記発光制御手段は、前記第１の電荷と前記第２の電荷に基づいて生成される電圧により、前記発光素子に前記駆動電流を供給することを特徴とする請求項１又は２記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１の電荷蓄積手段の蓄積容量と、前記第２の電荷蓄積手段の蓄積容量は、同等になるように設定されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１の電荷蓄積手段の蓄積容量は、前記第２の電荷蓄積手段の蓄積容量に比較して、大きくなるように設定されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項６】
前記表示パネルは、
前記各表示画素を行単位で選択するための走査信号が印加される走査線と、
前記各表示画素に前記書込電流を流下するための書込信号が供給される信号線と、
前記各表示画素の前記画素駆動回路に前記書込電流を流下させるとともに、前記発光素子に前記駆動電流を流下させるための電源電圧が供給される電源線と、を備え、
発光制御手段は、電流路及び制御端子を有し、前記電流路の一端側が前記発光素子の入力端子に接続されるとともに、前記電流路の他端側が前記電源線に接続され、前記電流路の一端側と前記制御端子との間の電圧に応じた電流値を有する電流が前記電流路に流れる第１のスイッチング素子からなり、
前記第２の電荷蓄積手段は、前記第１のスイッチング素子の前記電流路及び前記制御端子間に設けられた容量素子からなり、
前記書込制御手段は、各々電流路及び制御端子を有し、前記制御端子が前記走査線に接続され、前記走査信号に応じて、前記第１のスイッチング素子の制御端子に印加される電圧を制御する第２のスイッチング素子、及び、前記信号線に流下する電流を制御する第３のスイッチング素子からなり、
前記第１の電荷蓄積手段は、前記第２のスイッチング素子の前記電流路及び前記制御端子間に設けられた容量素子からなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１の電荷蓄積手段は、前記第２のスイッチング素子の前記電流路及び前記制御端子間に形成された寄生容量であり、
前記第２の電荷蓄積手段は、前記第１のスイッチング素子の前記電流路及び前記制御端子間に形成された寄生容量であることを特徴とする請求項６記載の表示装置。
【請求項８】
前記表示装置は、少なくとも、
前記走査線に前記走査信号を印加する走査駆動手段と、
前記信号線に前記書込電流を流下させるための電流引き込み回路を有する信号駆動手段と、
前記電源線に所定の電源電圧を印加する電源駆動手段と、
を備えることを特徴とする請求項６又は７記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１のスイッチング素子、前記第２のスイッチング素子及び前記第３のスイッチング素子は、ｎチャネル型のアモルファスシリコン薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項６又は７記載の表示装置。
【請求項１０】
前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセント素子であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１１】
表示パネルを構成する各表示画素を選択して、該表示画素に表示信号に応じた第１の電流値を指定して電流を供給することにより、該表示画素に設けられた発光素子を所定の輝度で発光させ、前記表示パネルに所望の画像情報を表示する表示装置の駆動制御方法において、
前記各表示画素は、
前記第１の電流値を有する書込電流を前記表示画素に流下させる制御を行う書込制御手段と、
前記書込電流の流下に伴って第１の電荷を蓄積する第１の電荷蓄積手段と、
前記発光素子に前記表示信号に応じた駆動電流を供給して、前記発光素子を前記所定の輝度で発光動作させる制御を行う発光制御手段と、
前記書込電流の流下に伴って第２の電荷を蓄積する第２の電荷蓄積手段と、
からなる画素駆動回路を備え、
前記各表示画素の選択期間中に、前記各表示画素に前記書込電流を流下させて、前記第１の電荷蓄積手段に第１の電荷を蓄積させるとともに、前記第２の電荷蓄積手段に第２の電荷を蓄積させ、
前記各表示画素の非選択期間中に、前記第１の電荷及び前記第２の電荷に基づく電圧に対応する第２の電流値を有する前記駆動電流を、前記発光素子に供給することを特徴とする表示装置の駆動制御方法。
【請求項１２】
前記第２の電流値は、前記第１の電流値に対して、前記第１の電荷蓄積手段に蓄積された前記第１の電荷に基づく電圧に対応した電流値分だけ小さくなるように設定されていることを特徴とする請求項１１記載の表示装置の駆動制御方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示装置及び表示装置の駆動制御方法に関し、特に、画像信号に応じた電流を供給することにより所定の輝度階調で発光する光学要素（発光素子）を、複数配列してなる表示パネル（画素アレイ）を備えた表示装置、及び、該表示装置の駆動制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する）、無機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「無機ＥＬ素子」と略記する）、あるいは、発光ダイオード（ＬＥＤ）等のような自己発光型の発光素子を、マトリクス状に配列した表示パネルを備えた発光素子型のディスプレイ（表示装置）が知られている。特に、アクティブマトリックス駆動方式を適用した発光素子型ディスブレイは、近年普及が著しい液晶表示装置（ＬＣＤ）に比較して、表示応答速度が速く、視野角依存性もなく、また、高輝度・高コントラスト化、表示画質の高精細化、低消費電力化等が可能であるとともに、液晶表示装置の場合のように、バックライトを必要としないので一層の薄型軽量化が可能であるという極めて優位な特徴を有している。
【０００３】
ここで、上述した各種の発光素子を備えたディスプレイにおいては、発光素子を発光制御するための駆動制御機構や制御方法が種々提案されている。例えば、表示パネルを構成する各表示画素ごとに、上記発光素子に加えて、該発光素子を発光制御するための複数のスイッチング手段からなる駆動回路（以下、便宜的に、「画素駆動回路」と記す）を備えたものが知られている。
【０００４】
以下に、上述した各種の発光素子のうち、近年、実用化に向けて研究開発が盛んに行われている有機化合物を発光材料とする有機ＥＬ素子を備えたディスプレイの表示画素に適用される回路構成について、図面を参照して説明する。
図１３は、有機ＥＬ素子を備えた発光素子型ディスプレイにおける、従来技術の各表示画素の構成例を示す等価回路である。
【０００５】
従来技術における表示画素は、例えば、図１３（ａ）に示すように、表示パネルにマトリクス状に配設された複数の走査ラインＳＬ及びデータライン（信号ライン）ＤＬの各交点近傍に、ゲート端子が走査ラインＳＬに、ソース端子及びドレイン端子がデータラインＤＬ及び接点Ｎ１１に各々接続された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔｒ１１と、ゲート端子が接点Ｎ１１に、ソース端子が電源ラインＶＬに各々接続された薄膜トランジスタＴｒ１２とを備えた画素駆動回路ＤＰ１、及び、画素駆動回路ＤＰ１の薄膜トランジスタＴｒ１２のドレイン端子にアノード端子が接続され、カソード端子が接地電位に接続された有機ＥＬ素子ＯＥＬを有して構成されている。
【０００６】
ここで、図１３（ａ）において、Ｃ１１は、薄膜トランジスタＴｒ１２のゲート−ソース間に形成される寄生容量である。すなわち、図１３（ａ）に示した画素駆動回路ＤＰ１においては、薄膜トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２からなる２個のトランジスタ（スイッチング手段）をオン、オフ制御することにより、以下に示すように、有機ＥＬ素子ＯＥＬを発光制御するように構成されている。
【０００７】
このような構成を有する画素駆動回路ＤＰ１において、図示を省略した走査ドライバにより、走査ラインＳＬにハイレベルの走査信号を印加して表示画素を選択状態に設定すると、薄膜トランジスタＴｒ１１がオン動作して、図示を省略したデータドライバによりデータラインＤＬに印加された、表示データ（画像信号）に応じた信号電圧（階調電圧）が薄膜トランジスタＴｒ１１を介して、薄膜トランジスタＴｒ１２のゲート端子に印加される。これにより、薄膜トランジスタＴｒ１２が上記信号電圧に応じた導通状態でオン動作して、電源ラインＶＬから薄膜トランジスタＴｒ１２を介して所定の駆動電流が流れ、有機ＥＬ素子ＯＥＬが表示データに応じた輝度階調で発光する。
【０００８】
次いで、走査ラインＳＬにローレベルの走査信号を印加して表示画素を非選択状態に設定すると、薄膜トランジスタＴｒ１１がオフ動作することにより、データラインＤＬと画素駆動回路ＤＰ１とが電気的に遮断される。これにより、薄膜トランジスタＴｒ１２のゲート端子に印加された電圧が寄生容量Ｃ１１により保持されて、薄膜トランジスタＴｒ１２は、オン状態を保持することになり、電源ラインＶＬから薄膜トランジスタＴｒ１２を介して有機ＥＬ素子ＯＥＬに所定の駆動電流が流れて、発光動作が継続される。この発光動作は、次の表示データに応じた信号電流が各表示画素に書き込まれるまで、例えば、１フレーム期間継続されるように制御される。
このような駆動制御方法は、各表示画素（薄膜トランジスタＴｒ１２）に印加する電圧を調整することにより、有機ＥＬ素子に流す駆動電流を制御して、所定の輝度階調で発光動作させていることから、電圧駆動方式と呼ばれている。
【０００９】
また、従来技術における表示画素の他の例としては、例えば、図１３（ｂ）に示すように、相互に並行して配設された第１及び第２の走査ラインＳＬ１、ＳＬ２とデータラインＤＬとの各交点近傍に、ゲート端子が第１の走査ラインＳＬ１に、ソース端子及びドレイン端子がデータラインＤＬ及び接点Ｎ２１に各々接続された薄膜トランジスタＴｒ２１と、ゲート端子が第２の走査ラインＳＬ２に、ソース端子及びドレイン端子が接点Ｎ２１及び接点Ｎ２２に各々接続された薄膜トランジスタＴｒ２２と、ゲート端子が接点Ｎ２２に、ソース端子が電源ラインＶＬに、ドレイン端子が接点Ｎ２１に各々接続された薄膜トランジスタＴｒ２３と、ゲート端子が接点Ｎ２２に、ソース端子が電源ラインＶＬに各々接続された薄膜トランジスタＴｒ２４とを備えた画素駆動回路ＤＰ２、及び、画素駆動回路ＤＰ２の薄膜トランジスタＴｒ２４のドレイン端子にアノード端子が接続され、カソード端子が接地電位に接続された有機ＥＬ素子ＯＥＬを有して構成されている。
【００１０】
ここで、図１３（ｂ）において、薄膜トランジスタＴｒ２１はｎチャンネル型ＭＯＳトランジスタ（ＮＭＯＳ）により構成され、薄膜トランジスタＴｒ２２乃至Ｔｒ２４はｐチャンネル型ＭＯＳトランジスタ（ＰＭＯＳ）により構成されている。また、Ｃ２１は、薄膜トランジスタＴｒ２３及びＴｒ２４のゲート−ソース間（接点Ｎ２２と電源ラインＶＬ）に形成される寄生容量である。すなわち、図１３（ｂ）に示した画素駆動回路ＤＰ２においては、薄膜トランジスタＴｒ２１乃至Ｔｒ２４からなる４個のトランジスタをオン、オフ制御することにより、以下に示すように、有機ＥＬ素子ＯＥＬを発光制御するように構成されている。
【００１１】
このような構成を有する画素駆動回路において、図示を省略した走査ドライバにより、走査ラインＳＬ１にローレベル、走査ラインＳＬ２にハイレベルの走査信号を各々印加して表示画素を選択状態に設定すると、薄膜トランジスタＴｒ２１及びＴｒ２２がオン動作して、図示を省略したデータドライバによりデータラインＤＬに供給された、表示データに応じた信号電流（階調電流）が薄膜トランジスタＴｒ２１及びＴｒ２２を介して接点Ｎ２２に取り込まれるとともに、該信号電流レベルが薄膜トランジスタＴｒ２３により電圧レベルに変換されてゲート−ソース間に所定の電圧が生じる（書込動作）。
【００１２】
次いで、例えば、走査ラインＳＬ２にローレベルの走査信号を印加すると、薄膜トランジスタＴｒ２２がオフ動作することにより、薄膜トランジスタＴｒ２３のゲート−ソース間に生じた電圧が寄生容量Ｃ２１により保持され、次に、走査ラインＳＬ１にハイレベルの走査信号を印加すると、薄膜トランジスタＴｒ２１がオフ動作することにより、データラインＤＬと画素駆動回路ＤＰ２とが電気的に遮断される。これにより、上記寄生容量Ｃ２１に保持された電圧（ハイレベル）に基づいて、薄膜トランジスタＴｒ２４がオン状態となって、電源ラインＶＬから薄膜トランジスタＴｒ２４を介して所定の駆動電流が流れて、有機ＥＬ素子ＯＥＬが表示データに応じた輝度階調で発光する（発光動作）。
【００１３】
ここで、薄膜トランジスタＴｒ２４を介して有機ＥＬ素子ＯＥＬに供給される駆動電流は、表示データの輝度階調に基づいた電流値になるように制御され、この発光動作は、次の表示データに応じた信号電流が各表示画素に書き込まれるまで、例えば、１フレーム期間継続されるように制御される。
このような駆動制御方法は、各表示画素（薄膜トランジスタＴｒ１２）に印加する電圧を調整することにより、有機ＥＬ素子に流す駆動電流を制御して、所定の輝度階調で発光動作させていることから、電圧駆動方式と呼ばれている。
このような駆動制御方法は、各表示画素に表示データに応じて電流値を指定した電流を供給し、該電流値に応じて保持される電圧に基づいて、有機ＥＬ素子に流す駆動電流を制御して、所定の輝度階調で発光動作させていることから、電流指定方式と呼ばれている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような各種の画素駆動回路を表示画素に備えた表示装置においては、以下に示すような問題を有していた。
すなわち、電圧駆動方式を採用した画素駆動回路（図１３（ａ）参照）においては、２個の薄膜トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２の素子特性（チャネル抵抗等）が、周囲の温度や使用時間に依存して変化した場合には、発光素子に供給される駆動電流に影響を与えるため、長期間にわたり安定的に所望の発光特性（所定の輝度階調での表示）を実現することが困難になるという問題を有していた。
【００１５】
また、表示画質の高精細化を図るために、表示パネルを構成する各表示画素を微細化すると、画素駆動回路を構成する薄膜トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２の動作特性（ソース−ドレイン間電流等）のバラツキが大きくなるため、適正な階調制御が行えなくなり、各表示画素の表示特性にバラツキが生じて画質の劣化を招くという問題を有していた。
【００１６】
これに対して、図１３（ｂ）に示したような電流指定方式を適用した画素駆動回路においては、各表示画素に供給される表示データに応じた信号電流の電流レベルを、電圧レベルに変換する薄膜トランジスタＴｒ２３（電流／電圧変換用トランジスタ）及び有機ＥＬ素子ＯＥＬに所定の電流値の駆動電流を供給する薄膜トランジスタＴｒ２４（発光駆動用トランジスタ）を備えて、有機ＥＬ素子ＯＥＬに供給する信号電流を設定することにより、各薄膜トランジスタの動作特性のバラツキの影響を抑制することができる。
【００１７】
また、一般に、電流指定方式の画素駆動回路においては、最下位の輝度（最低輝度）又は比較的輝度の低い表示データに基づく信号電流を各表示画素に書き込む場合、表示データの輝度階調に対応した小さい電流値の信号電流を各表示画素に供給する必要があるが、各表示画素に表示データを書き込む動作は、データラインを所定の電圧まで充電することに相当するので、特に、表示パネルの大型化等によりデータラインの配線長が長く設計されている場合には、信号電流の電流値が小さくなるほど（すなわち、輝度階調の低い表示データほど）、表示画素への書込時間（データラインの充電時間）が長くなるという問題を有していた。また、表示画質を高精細化するために、表示パネルに配設される走査ラインの数を増加させて、走査ラインの選択期間を短く設定した場合には、信号電流の電流値が小さくなるほど、表示画素への十分な書込動作が行われなくなるという問題を有していた。
【００１８】
これに対して、図１３（ｂ）に示したような電流指定方式を適用した画素駆動回路においては、薄膜トランジスタＴｒ２３及びＴｒ２４をカレントミラー回路構成となるように接続して、データラインに供給する信号電流に対して表示画素に供給する電流を小さくするように構成することにより、最下位の輝度又は比較的輝度の低い表示データに基づく信号電流を各表示画素に書き込む場合であっても、データラインに比較的大きな電流値を有する信号電流を供給して、表示画素への書込時間を短縮しつつ、該信号電流に対して、カレントミラー回路により設定される所定の比例関係（電流比率）を有する小さな電流値の駆動電流を有機ＥＬ素子に供給して、各表示画素の適正な階調制御を行うことができるので、表示パネルにおける表示応答速度や表示画質の向上を図ることができる。
【００１９】
しかしながら、図１３（ｂ）に示したような画素駆動回路においては、データラインに供給する電流は、有機ＥＬ素子に供給する電流を所定比率倍した電流となるため、最下位の輝度階調でも良好に発光動作させることができるように、有機ＥＬ素子に供給する駆動電流の電流値を設定し、かつ、表示画素への書込時間が短縮されるようにデータラインに供給する信号電流の電流値及びカレントミラー回路における電流比率を設定した場合、すなわち、最下位の輝度階調における設定を基準とした場合、輝度の階調数及びカレントミラー回路により設定される電流比率に応じて、最上位の輝度（最高輝度）を有する表示データに対応してデータラインに供給する信号電流の電流値が過大となってしまい、表示装置の消費電力が著しく大きくなるという問題を有していた。
【００２０】
例えば、有機ＥＬ素子に供給される駆動電流のうち、最下位の輝度階調における発光動作を行うために必要な駆動電流の電流値をＩｍｉｎとして、カレントミラー回路により、そのｋ倍の電流比率の信号電流をデータラインに供給するように設計した場合、表示装置（表示パネル）の駆動制御上、最低限必要な電流値をＩｍｕｓｔとすると、次式（１１）のような関係を有している必要がある。
Ｉｍｉｎ×ｋ≧Ｉｍｕｓｔ　　　　・・・（１１）
【００２１】
ここで、例えば、表示データの輝度階調を２５６階調に設定した場合、最大輝度のときに有機ＥＬ素子に本来供給すべき駆動電流の電流値は、Ｉｍｉｎ×２５６であるのに対して、データラインに供給すべき信号電流の電流値は、カレントミラー回路により設定される電流比率ｋにより、Ｉｍｉｎ×２５６×ｋが必要となり、次式（１２）に示すように、Ｉｍｉｎ×２５６×（ｋ−１）もの余分な電流ΔＩを流す必要が生じる。そのため、画素駆動回路における消費電力が著しく大きくなるとともに、データラインとして、上記のような大電流の流下に耐え得る配線抵抗を備える必要もあるという問題を有していた。
ΔＩ＝（Ｉｍｉｎ×２５６×ｋ）−（Ｉｍｉｎ×２５６）
＝Ｉｍｉｎ×２５６×（ｋ−１）　　　　・・・（１２）
【００２２】
また、図１３（ｂ）に示したような画素駆動回路のように、複数（図１３（ｂ）では４個）の薄膜トランジスタから構成されている場合、各表示画素の全体面積に占める有機ＥＬ素子の形成面積が相対的に小さくなるため、これに伴って発光面積も狭くなり、表示パネルの単位面積当たりの発光輝度が低下するという問題を有している。ここで、上記発光輝度をある程度高く設定するためには、有機ＥＬ素子に供給する駆動電流（すなわち、各表示画素に供給する信号電流）をより高くする必要があるため、消費電力がさらに大きくなるとともに、大電流の供給により有機ＥＬ素子の発光寿命の劣化等を招くという問題を有していた。また、一つの表示画素に形成される薄膜トランジスタの数が増加すると、素子特性のバラツキや不良箇所の発生比率が指数関数的に高くなり、製造歩留まりが著しく低下するという問題も有していた。
【００２３】
さらに、図１３（ｂ）に示したような画素駆動回路のように、ＰＭＯＳ及びＮＭＯＳからなる薄膜トランジスタが混在して構成されている場合、ＰＭＯＳは、アモルファスシリコントランジスタでは、十分に機能するものを形成することができない。そのため、上述した画素駆動回路においては、ポリシリコントランジスタや単結晶シリコンの技術を用いなければならず、製造コストが上昇するという問題も有している。
【００２４】
そこで、本発明は、上述した種々の問題点に鑑み、発光素子を電流指定方式で発光制御するディスプレイにおいて、簡易かつ安価な回路構成を有しつつ、画像表示に伴う消費電力を抑制することができるとともに、表示パネルの発光輝度の低下を抑制することができる表示装置及び表示装置の駆動制御方法を提供することを目的とする。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の表示装置は、表示パネルを構成する各表示画素に対して、表示信号に応じた第１の電流値を指定して電流を供給することにより、該各表示画素に設けられた発光素子を所定の輝度で発光させ、前記表示パネルに所望の画像情報を表示する表示装置において、前記各表示画素は、前記発光素子の発光動作を制御する画素駆動回路を備え、該画素駆動回路は、前記第１の電流値を有する書込電流を前記画素駆動回路に流下させる制御を行う書込制御手段と、前記書込制御手段に付設され、前記書込電流の流下に伴って第１の電荷を蓄積する第１の電荷蓄積手段と、前記発光素子に前記表示信号に応じた駆動電流を供給して、前記発光素子を前記所定の輝度で発光動作させる制御を行う発光制御手段と、前記発光制御手段に付設され、前記書込電流の流下に伴って第２の電荷を蓄積する第２の電荷蓄積手段と、を備え、前記発光素子に供給される前記駆動電流は、前記第１の電荷蓄積手段に蓄積された前記第１の電荷及び前記第２の電荷蓄積手段に蓄積された前記第２の電荷に基づく電圧に対応する第２の電流値を有するように設定されていることを特徴としている。
【００２６】
請求項２記載の表示装置は、請求項１記載の表示装置において、前記第２の電流値は、前記第１の電流値から、前記第１の電荷蓄積手段に蓄積された前記第１の電荷に基づく電圧に対応した電流値を除いた値となるように設定されていることを特徴としている。
請求項３記載の表示装置は、請求項１又は２記載の表示装置において、前記書込制御手段は、前記画素駆動回路に前記書込電流を流下させることにより、前記第１の電荷蓄積手段に前記第１の電荷を蓄積させるとともに、前記第２の電荷蓄積手段に前記第２の電荷を蓄積させ、前記発光制御手段は、前記第１の電荷と前記第２の電荷に基づいて生成される電圧により、前記発光素子に前記駆動電流を供給することを特徴としている。
【００２７】
請求項４記載の表示装置は、請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置において、前記第１の電荷蓄積手段の蓄積容量と、前記第２の電荷蓄積手段の蓄積容量は、同等になるように設定されていることを特徴としている。
請求項５記載の表示装置は、請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置において、前記第１の電荷蓄積手段の蓄積容量は、前記第２の電荷蓄積手段の蓄積容量に比較して、大きくなるように設定されていることを特徴としている。
【００２８】
請求項６記載の表示装置は、請求項１乃至５のいずれかに記載の表示装置において、前記表示パネルは、前記各表示画素を行単位で選択するための走査信号が印加される走査線と、前記各表示画素に前記書込電流を流下するための書込信号が供給される信号線と、前記各表示画素の前記画素駆動回路に前記書込電流を流下させるとともに、前記発光素子に前記駆動電流を流下させるための電源電圧が供給される電源線と、を備え、発光制御手段は、電流路及び制御端子を有し、前記電流路の一端側が前記発光素子の入力端子に接続されるとともに、前記電流路の他端側が前記電源線に接続され、前記電流路の一端側と前記制御端子との間の電圧に応じた電流値を有する電流が前記電流路に流れる第１のスイッチング素子からなり、前記第２の電荷蓄積手段は、前記第１のスイッチング素子の前記電流路及び前記制御端子間に設けられた容量素子からなり、前記書込制御手段は、各々電流路及び制御端子を有し、前記制御端子が前記走査線に接続され、前記走査信号に応じて、前記第１のスイッチング素子の制御端子に印加される電圧を制御する第２のスイッチング素子、及び、前記信号線に流下する電流を制御する第３のスイッチング素子からなり、前記第１の電荷蓄積手段は、前記第２のスイッチング素子の前記電流路及び前記制御端子間に設けられた容量素子からなることを特徴としている。
【００２９】
請求項７記載の表示装置は、請求項６記載の表示装置において、前記第１の電荷蓄積手段は、前記第２のスイッチング素子の前記電流路及び前記制御端子間に形成された寄生容量であり、前記第２の電荷蓄積手段は、前記第１のスイッチング素子の前記電流路及び前記制御端子間に形成された寄生容量であることを特徴としている。
請求項８記載の表示装置は、請求項６又は７記載の表示装置において、前記表示装置は、少なくとも、前記走査線に前記走査信号を印加する走査駆動手段と、前記信号線に前記書込電流を流下させるための電流引き込み回路を有する信号駆動手段と、前記電源線に所定の電源電圧を印加する電源駆動手段と、を備えることを特徴としている。
【００３０】
請求項９記載の表示装置は、請求項６又は７記載の表示装置において、前記第１のスイッチング素子、前記第２のスイッチング素子及び前記第３のスイッチング素子は、ｎチャネル型のアモルファスシリコン薄膜トランジスタであることを特徴としている。
請求項１０記載の表示装置は、請求項１乃至９のいずれかに記載の表示装置前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセント素子であることを特徴としている。
【００３１】
請求項１１記載の表示装置の駆動制御方法は、表示パネルを構成する各表示画素を選択して、該表示画素に表示信号に応じた第１の電流値を指定して電流を供給することにより、該表示画素に設けられた発光素子を所定の輝度で発光させ、前記表示パネルに所望の画像情報を表示する表示装置の駆動制御方法において、前記各表示画素は、前記第１の電流値を有する書込電流を前記表示画素に流下させる制御を行う書込制御手段と、前記書込電流の流下に伴って第１の電荷を蓄積する第１の電荷蓄積手段と、前記発光素子に前記表示信号に応じた駆動電流を供給して、前記発光素子を前記所定の輝度で発光動作させる制御を行う発光制御手段と、前記書込電流の流下に伴って第２の電荷を蓄積する第２の電荷蓄積手段と、からなる画素駆動回路を備え、前記各表示画素の選択期間中に、前記各表示画素に前記書込電流を流下させて、前記第１の電荷蓄積手段に第１の電荷を蓄積させるとともに、前記第２の電荷蓄積手段に第２の電荷を蓄積させ、前記各表示画素の非選択期間中に、前記第１の電荷及び前記第２の電荷に基づく電圧に対応する第２の電流値を有する前記駆動電流を、前記発光素子に供給することを特徴としている。
請求項１２記載の表示装置の駆動制御方法は、請求項１１記載の表示装置の駆動制御方法において、前記第２の電流値は、前記第１の電流値に対して、前記第１の電荷蓄積手段に蓄積された前記第１の電荷に基づく電圧に対応した電流値分だけ小さくなるように設定されていることを特徴としている。
【００３２】
すなわち、本発明に係る表示装置及びその駆動制御方法は、有機ＥＬ素子や発光ダイオード等のように、供給される電流値に応じて所定の輝度で自己発光する発光素子をマトリクス状に配列してなる表示パネルを備えたディスプレイにおいて、各表示画素ごとの発光素子に付設された画素駆動回路により、表示画素への書込電流よりも一定のオフセット電流分小さい駆動電流を発光素子に供給するように構成されている。
【００３３】
具体的には、発光素子に駆動電流を供給する発光制御トランジスタと、該発光制御トランジスタの動作を制御する駆動制御トランジスタと、各表示画素への表示データの書き込みを制御する書込制御トランジスタと、発光制御トランジスタのゲート−ソース間に付設されたコンデンサと、駆動制御トランジスタのゲート−ソース間に付設されたコンデンサと、を備え、書込動作時（選択期間）に駆動制御トランジスタ及び書込制御トランジスタがオン動作することにより、発光制御トランジスタがオン動作して、上記各コンデンサに書込電流に応じた電荷が蓄積され、発光動作時（非選択期間）には駆動制御トランジスタ及び書込制御トランジスタがオフ動作するとともに、上記各コンデンサに蓄積された電荷に基づくゲート電圧を保持して、発光制御トランジスタを所定の導通状態でオン動作させる。
【００３４】
これにより、書込電流から、駆動制御トランジスタに付設されたコンデンサに蓄積された電荷分の電流（オフセット電流）を減算した駆動電流が発光素子に供給される。このとき、表示データの輝度階調に関わらず、上記オフセット電流は一定であり、また、書込電流よりも小さく、かつ、表示データの輝度階調に対応した駆動電流が発光制御トランジスタを介して供給されるので、最下位の輝度階調を有する表示データを書き込む場合であっても、比較的大きな電流を流してデータライン及び画素駆動回路に付設されたコンデンサを充電することができ、書込動作に係る所要時間を短縮することができる。
【００３５】
また、所定の表示データに対応した輝度で発光するための駆動電流に対して、一定のオフセット電流を付加（加算）した書込電流を各表示画素に流せばよいので、従来技術に示したような、駆動電流の所定数倍の書込電流を必要とするカレントミラー方式を適用した画素駆動回路に比較して、上位の輝度を有する表示データほど、書込電流を相対的に抑制することができ、表示装置の消費電力を抑制することもできる。
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る表示装置及び表示装置の駆動制御方法について、実施の形態を示して詳しく説明する。
まず、本発明に係る表示装置に適用される全体構成について、図面を参照して説明する。
図１は、本発明に係る表示装置の全体構成の一例を示す概略ブロック図であり、図２は、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの一例を示す概略構成図である。ここで、上述した従来技術と同等の構成については、同一の符号を付して説明する。
【００３７】
図１、図２に示すように、本実施形態に係る表示装置１００は、概略、相互に並行して配設された複数の走査ライン（走査線）ＳＬ及び電源ライン（電源線）ＶＬと複数のデータライン（信号線）ＤＬとの各交点近傍に、後述する画素駆動回路ＤＣ及び有機ＥＬ素子（発光素子）ＯＥＬからなる複数の表示画素がマトリクス状に配列された表示パネル（画素アレイ）１１０と、表示パネル１１０の走査ラインＳＬに接続され、各走査ラインＳＬに所定のタイミングで順次ハイレベルの走査信号Ｖｓｅｌを印加することにより、行ごとの表示画素群を選択状態に制御する走査ドライバ（走査駆動手段）１２０と、表示パネル１１０のデータラインＤＬに接続され、データラインＤＬへの表示データに応じた信号電流（階調電流Ｉｐｉｘ）の供給状態を制御するデータドライバ（信号駆動手段）１３０と、表示パネル１１０の走査ラインＳＬに並行して配設された電源ラインＶＬに接続され、各電源ラインＶＬに所定のタイミングで順次ハイレベル又はローレベルの電源電圧Ｖｓｃを印加することにより、表示画素群に表示データに応じた所定の信号電流（階調電流、駆動電流）を流下させる電源ドライバ（電源駆動手段）１４０と、後述する表示信号生成回路１６０から供給されるタイミング信号に基づいて、少なくとも、走査ドライバ１２０及びデータドライバ１３０、電源ドライバ１４０の動作状態を制御する走査制御信号及びデータ制御信号、電源制御信号を生成、出力するシステムコントローラ１５０と、表示装置１００の外部から供給される映像信号に基づいて、表示データを生成してデータドライバ１３０に供給するとともに、該表示データを表示パネル１１０に画像表示するためのタイミング信号（システムクロック等）を生成、又は、抽出してシステムコントローラ１５０に供給する表示信号生成回路１６０と、を備えて構成されている。
【００３８】
以下、上記各構成について具体的に説明する。
図３は、本実施形態に係る表示装置に適用されるデータドライバの要部構成を示すブロック図であり、図４は、本実施形態に係るデータドライバに適用される電圧／電流変換回路の一例を示す回路構成図である。また、図５は、本発明に係る表示装置に適用される走査ドライバの他の例を示す概略構成図である。
【００３９】
（表示パネル）
表示パネルにマトリクス状に配列された表示画素は、図２に示すように、走査ドライバ１２０から走査ラインＳＬに印加される走査信号Ｖｓｅｌ、及び、信号ドライバ１３０からデータラインＤＬに供給される信号電流、電源ドライバ１４０から電源ラインＶＬに印加される電源電圧Ｖｓｃに基づいて、後述する表示画素への書込動作及び発光素子の発光動作を制御する画素駆動回路ＤＣと、供給される駆動電流の電流値に応じて発光輝度が制御される有機ＥＬ素子ＯＥＬと、を有して構成されている。
【００４０】
ここで、画素駆動回路ＤＣは、概略、走査信号に基づいて該表示画素の選択／非選択状態を制御し、選択状態において表示データに応じた階調電流を取り込んで電圧レベルとして保持し、非選択状態において上記保持した電圧レベルに応じた駆動電流を流して発光素子を発光する動作を所定期間維持する機能を有している。
なお、画素駆動回路の具体回路例や回路動作については後述する。また、本発明に係る表示装置においては、画素駆動回路により発光制御される発光素子として、従来技術においても説明した有機ＥＬ素子や発光ダイオード等を良好に適用することができる。
【００４１】
（走査ドライバ）
走査ドライバ１２０は、システムコントローラ１５０から供給される走査制御信号に基づいて、各走査ラインＳＬにハイレベルの走査信号Ｖｓｅｌを順次印加することにより、各行ごとの表示画素を選択状態とし、データドライバ１３０によりデータラインＤＬを介して供給された表示データに基づく階調電流Ｉｐｉｘを表示画素に書き込むように制御する。
【００４２】
走査ドライバ１２０は、具体的には、図２に示すように、シフトレジスタとバッファからなるシフトブロックＳＢ１、ＳＢ２、・・・を、各走査ラインＳＬごとに対応して複数段備え、システムコントローラから供給される走査制御信号（走査スタート信号ＳＳＴＲ、走査クロック信号ＳＣＬＫ等）に基づいて、シフトレジスタにより表示パネル１１０の上方から下方に順次シフトしつつ生成されたシフト出力が、バッファを介して所定の電圧レベル（ハイレベル）を有する走査信号Ｖｓｅｌとして各走査ラインＳＬに印加される。
【００４３】
（データドライバ）
図３は、本実施形態に係る表示装置に適用されるデータドライバの要部構成を示すブロック図であり、図４は、本実施形態に係るデータドライバに適用される電圧電流変換・階調電流引き込み回路の一例を示す回路構成図である。
データドライバ１３０は、システムコントローラ１５０から供給されるデータ制御信号（出力イネーブル信号ＯＥ、データラッチ信号ＳＴＢ、サンプリングスタート信号ＳＴＲ、シフトクロック信号ＣＬＫ等）に基づいて、表示信号生成回路１６０から供給される表示データを所定のタイミングで取り込んで保持し、所定のタイミングで該表示データに対応する階調電圧を電流成分に変換して、階調電流Ｉｐｉｘとして各データラインＤＬに供給する。
【００４４】
データドライバ１３０は、具体的には、図３に示すように、システムコントローラ１５０からデータ制御信号として供給されるシフトクロック信号ＣＬＫに基づいて、サンプリングスタート信号ＳＴＲを順次シフトしつつシフト信号を出力するシフトレジスタ回路１３１と、該シフト信号の入力タイミングに基づいて、表示信号生成回路１６０から供給される１行分の表示データＤ０〜Ｄｎ（デジタルデータ）を順次取り込むデータレジスタ回路１３２と、データラッチ信号ＳＴＢに基づいて、データレジスタ回路１３２により取り込まれた１行分の表示データＤ０〜Ｄｎを保持するデータラッチ回路１３３と、図示を省略した電源供給手段から供給される階調生成電圧Ｖ０〜Ｖｎに基づいて、上記保持された表示データＤ０〜Ｄｎを所定のアナログ信号電圧（階調電圧Ｖｐｉｘ）に変換するＤ／Ａコンバ−タ１３４と、アナログ信号電圧に変換された表示データに対応する階調電流Ｉｐｉｘを生成し、システムコントローラ１５０から供給される出力イネ−ブル信号ＯＥに基づいて、該階調電流Ｉｐｉｘを表示パネル１１０に配設されたデータラインＤＬを介して供給する（本実施形態においては、階調電流Ｉｐｉｘとして負極性の信号電流を生成することにより、階調電流Ｉｐｉｘを引き込む）電圧電流変換・階調電流引き込み回路１３５と、を有して構成されている。
【００４５】
ここで、電圧電流変換・階調電流引き込み回路１３５に適用可能であって、各データラインごとに接続される回路構成としては、例えば、図４に示すように、一方の入力端子（負入力（−））に、入力抵抗Ｒを介して逆極性の階調電圧（−Ｖｐｉｘ）が入力され、他方の入力端子（正入力（＋））に、入力抵抗Ｒを介して基準電圧（接地電位）が入力されるとともに、出力端子が帰還抵抗Ｒを介して一方の入力端子（−）に接続されたオペアンプＯＰ１と、オペアンプＯＰ１の出力端子に出力抵抗Ｒを介して設けられた接点ＮＡの電位が、一方の入力端子（＋）に入力され、出力端子が他方の入力端子（−）に接続されるとともに、出力抵抗Ｒを介してオペアンプＯＰ１の他方の入力端子（＋）に基準電圧（接地電位）を入力し、出力端子が帰還抵抗Ｒを介して一方の入力端子接続されたオペアンプＯＰ２と、接点ＮＡに、システムコントローラ１５０から供給される出力イネ−ブル信号ＯＥに基づいてオン／オフ動作し、データラインＤＬへの階調電流Ｉｐｉｘの供給状態（本実施形態においては、生成される階調電流Ｉｐｉｘが負極性となるので、当該電流を引き込む）スイッチング手段ＳＷと、を備えた構成を有している。
【００４６】
このような電圧電流変換・階調電流引き込み回路によれば、入力される負極性の階調電圧（−Ｖｐｉｘ）に対して、−Ｉｐｉｘ＝（−Ｖｐｉｘ）／Ｒからなる負極性の階調電流が生成され、出力イネーブル信号ＯＥに基づいて、データラインＤＬに供給される。
したがって、本実施形態に係るデータドライバ１３０によれば、表示データに応じた階調電圧から階調電流（負極性）に変換され、所定のタイミングでデータラインＤＬに供給されることにより、データラインＤＬ側からデータドライバ１３０側へ引き込む方向に、表示データに対応する階調電流Ｉｐｉｘが流下するように制御される。
【００４７】
（システムコントローラ）
システムコントローラ１５０は、走査ドライバ１２０及びデータドライバ１３０、電源ドライバ１４０の各々に対して、動作状態を制御する走査制御信号及びデータ制御信号（上述した走査シフトスタート信号ＳＳＴＲや走査クロック信号ＳＣＬＫ、シフトスタート信号ＳＴＲやシフトクロック信号ＣＬＫ、ラッチ信号ＳＴＢ、出力イネ−ブル信号ＯＥ等）、電源制御信号（後述する電源スタート信号ＶＳＴＲ、電源クロック信号ＶＣＬＫ等）を出力することにより、各ドライバを所定のタイミングで動作させて走査信号Ｖｓｅｌ及び階調電流Ｉｐｉｘ、電源電圧Ｖｓｃを生成、出力させ、後述する画素駆動回路における駆動制御動作（表示装置の駆動制御方法）を実行させて、所定の映像信号に基づく画像情報を表示パネル１１０に表示させる制御を行う。
【００４８】
（電源ドライバ）
電源ドライバ１４０は、システムコントローラ１５０から供給される電源制御信号に基づいて、上記走査ドライバ１２０により各行ごとの表示画素群が選択状態に設定されるタイミングに同期して、電源ラインＶＬにローレベルの電源電圧Ｖｓｃｌ（例えば、接地電位以下の電圧レベル）を印加することにより、電源ラインＶＬから表示画素（画素駆動回路）を介してデータドライバ１３０方向に、表示データに基づく階調電流Ｉｐｉｘに対応する書込電流（シンク電流）を引き込み、一方、走査ドライバ１２０により各行ごとの表示画素群が非選択状態に設定されるタイミングに同期して、電源ラインＶＬにハイレベルの電源電圧Ｖｓｃｈを印加することにより、電源ラインＶＬから表示画素（画素駆動回路）を介して有機ＥＬ素子ＯＥＬ方向に、表示データに基づく階調電流Ｉｐｉｘに対応する駆動電流を流すように制御する。
【００４９】
電源ドライバ１４０は、図２に示すように、概略、上述した走査ドライバ１２０と同様に、シフトレジスタとバッファからなるシフトブロックＳＢ１、ＳＢ２、・・・を、各電源ラインＶＬごとに対応して複数段備え、システムコントローラから供給される走査制御信号と同期する電源制御信号（電源スタート信号ＶＳＴＲ、電源クロック信号ＶＣＬＫ等）に基づいて、シフトレジスタにより表示パネル１１０の上方から下方に順次シフトしつつ生成されたシフト出力が、バッファを介して所定の電圧レベル（走査ドライバによる選択状態においてはローレベル、非選択状態においてはハイレベル）を有する電源電圧Ｖｓｃｌ、Ｖｓｃｈとして各電源ラインＶＬに印加される。
【００５０】
（表示信号生成回路）
表示信号生成回路１６０は、例えば、表示装置の外部から供給される映像信号から輝度階調信号成分を抽出し、表示パネル１１０の１行分ごとに表示データとしてデータドライバ１３０のデータレジスタ回路１３２に供給する。ここで、上記映像信号が、テレビ放送信号（コンポジット映像信号）のように、画像情報の表示タイミングを規定するタイミング信号成分を含む場合には、表示信号生成回路１６０は、上記輝度階調信号成分を抽出する機能のほか、タイミング信号成分を抽出してシステムコントローラ１５０に供給する機能を有するものであってもよい。この場合においては、上記システムコントローラ１５０は、表示信号生成回路１６０から供給されるタイミング信号に基づいて、走査ドライバ１２０やデータドライバ１３０、電源ドライバ１４０に対して供給する走査制御信号及びデータ制御信号、電源制御信号を生成する。
【００５１】
なお、本実施形態においては、表示パネル１１０の周辺に付設されるドライバとして、図１及び図２に示すように、走査ドライバ１２０、データドライバ１３０及び電源ドライバ１４０を個別に配置した構成について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、上述したように、走査ドライバ１２０及び電源ドライバ１４０は、タイミングが同期する同等の制御信号（走査制御信号及び電源制御信号）に基づいて動作するので、例えば、図５に示すように、走査ドライバ１２０Ａに、走査信号の生成、出力タイミングに同期して電源電圧Ｖｓｃを供給する機能を有するように構成したものであってもよい。このような構成によれば、周辺回路の構成を簡素化することができる。
【００５２】
（表示画素：画素駆動回路）
次いで、上述した表示画素に適用される画素駆動回路の具体例について、図面を参照して説明する。
まず、本実施形態に係る表示装置に適用可能な画素駆動回路の基本構成及びその動作について説明する。
図６は、本発明に係る表示装置に適用可能な画素駆動回路の基本構成を示す回路構成図であり、図７は、本実施形態に適用可能な画素駆動回路の基本動作を示す概念図である。図８は、本実施形態に係る表示装置における画像情報の表示タイミングを示すタイミングチャ−トである。
【００５３】
基本構成に係る画素駆動回路ＤＣｘは、例えば、図６に示すように、表示パネル１１０に相互に直交するように配設された走査ラインＳＬとデータラインＤＬとの各交点近傍に、ゲート端子が走査ラインＳＬに、ソース端子が電源ラインＶＬに、ドレイン端子が接点Ｎ１に各々接続された薄膜トランジスタ（第２のスイッチング素子）Ｔｒ１と、ゲート端子が走査ラインＳＬに、ソース端子及びドレイン端子がデータラインＤＬ及び接点Ｎ２に各々接続された薄膜トランジスタ（第３のスイッチング素子）Ｔｒ２と、ゲート端子が接点Ｎ１に、ソース端子及びドレイン端子が電源ラインＶＬ及び接点Ｎ２に各々接続された薄膜トランジスタ（第１のスイッチング素子）Ｔｒ３と、接点Ｎ１及び接点Ｎ２間に接続されたコンデンサ（第２の電荷蓄積手段、容量素子）Ｃｓと、を備えた構成を有し、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード端子が接点Ｎ２に、カソード端子が接地電位に各々接続されている。ここで、コンデンサＣｓは、薄膜トランジスタＴｒ３のゲート−ソース間に形成される寄生容量であってもよい。なお、上記薄膜トランジスタＴｒ１及びＴｒ２を含む回路構成は、本発明に係る書込制御手段を構成し、薄膜トランジスタＴｒ３を含む回路構成は、本発明に係る発光制御手段を構成する。
【００５４】
このような構成を有する画素駆動回路における発光素子（有機ＥＬ素子）の発光駆動制御は、例えば、図８に示すように、一走査期間Ｔｓｃを１サイクルとして、該一走査期間Ｔｓｃ内に、特定の走査ラインに接続された表示画素群を選択して表示データに対応する信号電流を書き込み、信号電圧として保持する書込動作期間（又は、表示画素の選択期間）Ｔｓｅと、該書込動作期間Ｔｓｅに書き込み、保持された信号電圧に基づいて、上記表示データに応じた駆動電流を有機ＥＬ素子に供給して、所定の輝度階調で発光動作させる発光動作期間（又は、表示画素の非選択期間）Ｔｎｓｅと、を設定することにより実行される（Ｔｓｃ＝Ｔｓｅ＋Ｔｎｓｅ）。ここで、各行ごとに設定される書込動作期間Ｔｓｅは、相互に時間的な重なりが生じないように設定される。
【００５５】
（書込動作期間：選択期間）
すなわち、表示画素への書込動作（選択期間Ｔｓｅ）においては、図８に示すように、まず、走査ドライバ１２０から特定の行（ｉ行目）の走査ラインＳＬに対して、ハイレベルの走査信号Ｖｓｅｌ（Ｖｓｌｈ）が印加されるとともに、電源ドライバ１４０から当該行（ｉ行目）の電源ラインＶＬに対して、ローレベルの電源電圧Ｖｓｃｌが印加される。また、このタイミングに同期して、データドライバ１３０により取り込まれた当該行（ｉ行目）の表示データに対応する負極性の階調電流（−Ｉｐｉｘ）が各データラインＤＬに供給される。
【００５６】
これにより、画素駆動回路ＤＣｘを構成する薄膜トランジスタＴｒ１及びＴｒ２がオン動作して、ローレベルの電源電圧Ｖｓｃｌが接点Ｎ１（すなわち、薄膜トランジスタＴｒ３のゲート端子及びコンデンサＣｓの一端）に印加されるとともに、データラインＤＬを介して負極性の階調電流（−Ｉｐｉｘ）が引き込む動作が行われることにより、ローレベルの電源電圧Ｖｓｃｌよりも低電位の電圧レベルが接点Ｎ２（すなわち、薄膜トランジスタＴｒ３のソース端子及びコンデンサＣｓの他端）に印加される。
【００５７】
このように、接点Ｎ１及びＮ２間（薄膜トランジスタＴｒ３のゲート−ソース間）に電位差が生じることにより、薄膜トランジスタＴｒ３がオン動作して、図７（ａ）に示すように、電源ラインＶＬから薄膜トランジスタＴｒ３、接点Ｎ２、薄膜トランジスタＴｒ２、データラインＤＬを介して、データドライバ１３０に、階調電流Ｉｐｉｘに対応した書込電流Ｉａが流下する。
このとき、コンデンサＣｓには、接点Ｎ１及びＮ２間（薄膜トランジスタのＴｒ３のゲート−ソース間）に生じた電位差に対応する電荷が蓄積され、電圧成分として保持される（充電される）。また、電源ラインＶＬには、接地電位以下の電圧レベルを有する電源電圧Ｖｓｃｌが印加され、さらに、書込電流Ｉａがデータライン方向に流下するように制御されていることから、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード端子（接点Ｎ２）に印加される電位はカソード端子の電位（接地電位）よりも低くなり、有機ＥＬ素子ＯＥＬに逆バイアス電圧が印加されていることになるため、有機ＥＬ素子ＯＥＬには駆動電流が流れず、発光動作は行われない。
【００５８】
（発光動作期間：非選択期間）
次いで、書込動作期間（選択期間Ｔｓｅ）終了後の有機ＥＬ素子の発光動作（非選択期間Ｔｎｓｅ）においては、図８に示すように、走査ドライバ１２０から特定の行（ｉ行目）の走査ラインＳＬに対して、ローレベルの走査信号Ｖｓｅｌ（Ｖｓｌｌ）が印加されるとともに、電源ドライバ１４０から当該行（ｉ行目）の電源ラインＶＬに対して、ハイレベルの電源電圧Ｖｓｃｈが印加される。また、このタイミングに同期して、データドライバ１３０による階調電流の引き込み動作が停止される。
【００５９】
これにより、画素駆動回路ＤＣｘを構成する薄膜トランジスタＴｒ１及びＴｒ２がオフ動作して、接点Ｎ１（すなわち、薄膜トランジスタＴｒ３のゲート端子及びコンデンサＣｓの一端）への電源電圧Ｖｓｃの印加が遮断されるとともに、接点Ｎ２（すなわち、薄膜トランジスタＴｒ３のソース端子及びコンデンサＣｓの他端）へのデータドライバ１３０による階調電流の引き込み動作に起因する電圧レベルの印加が遮断されるので、コンデンサＣｓは、上述した書込動作において蓄積された電荷を保持する。
【００６０】
このように、コンデンサＣｓが書込動作時の充電電圧を保持することにより、接点Ｎ１及びＮ２間（薄膜トランジスタのＴｒ３のゲート−ソース間）の電位差が保持されることになり、薄膜トランジスタＴｒ３はオン状態を維持する。また、電源ラインＶＬには、接地電位よりも高い電圧レベルを有する電源電圧Ｖｓｃｈが印加されるので、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード端子（接点Ｎ２）に印加される電位はカソード端子の電位（接地電位）よりも高くなる。
【００６１】
したがって、図７（ｂ）に示すように、電源ラインＶＬから薄膜トランジスタＴｒ３、接点Ｎ２を介して、有機ＥＬ素子ＯＥＬに順バイアス方向に所定の駆動電流Ｉｂが流れ、有機ＥＬ素子ＯＥＬが発光する。ここで、コンデンサＣｓにより保持される電位差（充電電圧）は、薄膜トランジスタＴｒ３において階調電流Ｉｐｉｘに対応した書込電流Ｉａを流下させる場合の電位差に相当するので、有機ＥＬ素子ＯＥＬに流下する駆動電流Ｉｂは、上記書込電流Ｉａと同等の電流値を有することになる。これにより、選択期間Ｔｓｅ後の非選択期間Ｔｎｓｅにおいては、選択期間Ｔｓｅに書き込まれた表示データ（階調電流）に対応する電圧成分に基づいて、薄膜トランジスタＴｒ３を介して、駆動電流が継続的に供給されることになり、有機ＥＬ素子ＯＥＬは表示データに対応する輝度階調で発光する動作を継続する。
【００６２】
そして、上述した一連の動作を、図８に示すように、表示パネルを構成する全ての行の表示画素群について順次繰り返し実行することにより、表示パネル１画面分の表示データが書き込まれて、所定の輝度階調で発光し、所望の画像情報が表示される。
ここで、本実施形態に係る画素駆動回路に適用される薄膜トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ３については、特に限定するものではないが、薄膜トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ３は全てｎチャネル型トランジスタにて構成することができるため、ｎチャネル型アモルファスシリコンＴＦＴを良好に適用することができる。その場合、すでに確立された製造技術を適用して、動作特性の安定した画素駆動回路を比較的安価に製造することができる。
【００６３】
また、上述したような回路構成を有する画素駆動回路によれば、表示画質の高精細化に伴って、表示データの書込動作を行う際の各表示画素（各行ごと）の選択時間が短く設定された場合であっても、表示データの輝度階調に応じた比較的大きな電流値を有する階調電流をデータドライバにより引き込むように流下させて、発光素子を発光動作させるための発光制御トランジスタのゲート−ソース間に付設されたコンデンサＣｓ（薄膜トランジスタＴｒ３の寄生容量）に階調電流に対応した電圧を良好に充電する（書き込む）ことができるので、表示データの書き込み速度を向上させて表示応答特性の改善を図ることができる。
【００６４】
ところで、上述したような回路構成を有する画素駆動回路ＤＣｘを各表示画素に適用した場合、画素駆動回路を介して発光素子に供給される駆動電流Ｉｂは、当該表示画素の選択期間Ｔｓｅに、データドライバ１３０により設定される階調電流Ｉｐｉｘに基づいて画素駆動回路ＤＣｘに流下される書込電流Ｉａ（より詳しくは、書込電流ＩａによりコンデンサＣｓに蓄積される電荷量）に依存する。
そのため、一定の選択期間Ｔｓｅに比較的大きな書込電流Ｉａを流下させて、最高位の輝度階調に対応した電圧を良好に書き込めるように動作条件や回路特性を設定すると、コンデンサＣｓに蓄積される電荷量の最小値（すなわち、最下位の輝度階調に対応してコンデンサＣｓに充電される電圧）が比較的大きな値となってしまい、最下位又は比較的下位の輝度階調で発光素子を発光動作させる際に、発光素子に供給される駆動電流Ｉｂの最小値が比較的大きく設定されてしまうという制約があった。ここで、最下位又は比較的下位の輝度階調で発光素子を発光動作させる場合、本来的には、輝度階調に対応したより小さな駆動電流Ｉｂを供給すればよい。
【００６５】
そこで、本発明においては、発光素子への駆動電流の供給を制御する発光制御トランジスタ（薄膜トランジスタＴｒ３）のゲート電圧を制御する駆動制御トランジスタ（薄膜トランジスタＴｒ１）のゲート−ソース間に付設されるコンデンサ（寄生容量）に充電される電圧を利用して、発光素子（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）に供給される駆動電流を輝度階調に応じたより小さい電流値になるように設定して、各表示画素への階調電流の書込動作を高速化しつつ、発光動作時の消費電力を抑制するようにしたことを特徴としている。
【００６６】
（具体実施例）
以下、本発明に係る表示装置に適用可能な画素駆動回路の具体実施例について、図面を参照しつつ具体的に説明する。
図９は、本発明に係る表示装置に適用可能な画素駆動回路の具体実施例を示す回路構成図であり、図１０は、本実施例に係る画素駆動回路における駆動制御動作（表示装置の駆動制御方法）を示す概念図である。なお、ここでは、上述した画素駆動回路と同等の構成及び動作については、図６乃至図８を参照しながら簡略化して説明する。
【００６７】
図９に示すように、本発明に係る表示装置に適用可能な画素駆動回路ＤＣＡは、上述した図６に示した回路構成（薄膜トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２、Ｔｒ３及びコンデンサＣｓからなる回路）を基本として、有機ＥＬ素子ＯＥＬへの駆動電流Ｉｂの供給を制御する薄膜トランジスタＴｒ３のゲート電圧を制御する薄膜トランジスタＴｒ１のゲート端子（接点Ｎ３）とソース端子（接点Ｎ１）間に接続されたコンデンサ（第１の電荷蓄積手段、容量素子）Ｃｐを備えた構成を有している。
【００６８】
ここで、コンデンサＣｐは、薄膜トランジスタＴｒ１のゲート−ソース間に形成される寄生容量であってもよいし、それに加えてゲート−ソース間に更に、容量素子を付加するようにしてもよい。この場合、薄膜トランジスタＴｒ１のゲート−ソース間に形成される寄生容量（コンデンサＣｐ）は、一般に、薄膜トランジスタの素子特性に影響を及ぼし、画素駆動回路の動作特性を劣化させるため、極力小さくなるように設計することが望ましいものであるが、本発明においては、後述するように、この寄生容量による影響（書込動作時に充電される電圧）を積極的に利用するために、容量値（蓄積容量）をある程度大きく、具体的には、寄生容量が薄膜トランジスタＴｒ３に付設されるコンデンサ（寄生容量＋付加蓄積容量）Ｃｓに対して、無視できない程度に大きい容量値（本実施例においては、同等の値；Ｃｐ≒Ｃｓ）となるように設計した構成を有している。
【００６９】
このような構成を有する画素駆動回路ＤＣＡにおける書込動作（選択期間Ｔｓｅ）は、図１０（ａ）に示すように、走査ドライバ１２０によりハイレベルの走査信号Ｖｓｅｌが走査ラインＳＬに印加されることにより薄膜トランジスタＴｒ１及びＴｒ２がオン動作する。このとき、データドライバにより表示データに応じた負極性の階調電流（−Ｉｐｉｘ）がデータラインＤＬに供給されるとともに、電源ドライバ１４０によりローレベルの電源電圧Ｖｓｃｌが電源ラインＶＬに印加されることにより、電源ラインＶＬから薄膜トランジスタＴｒ３、接点Ｎ２、薄膜トランジスタＴｒ２を介して、データラインＤＬに上記階調電流に応じた書込電流Ｉａが引き込まれるように流下する。
【００７０】
このとき、薄膜トランジスタＴｒ３のゲート電圧（接点Ｎ１の電位）Ｖｇは、薄膜トランジスタＴｒ３のドレイン−ソース間（電流路）に書込電流Ｉａを流下させるために必要な電圧値になり、このゲート電圧Ｖｇが薄膜トランジスタＴｒ３のゲート−ソース間に設けられたコンデンサ（寄生容量＋付加蓄積容量）Ｃｓに充電される。また、薄膜トランジスタＴｒ３のゲート電圧Ｖｇが保持された状態においては、薄膜トランジスタＴｒ１のゲート電圧（ハイレベルの走査信号Ｖｓｅｌ）とソース電圧（薄膜トランジスタＴｒ３のゲート電圧Ｖｇ）間の電位差がコンデンサ（寄生容量）Ｃｐに電圧成分として充電される。なお、この状態では、電源ラインＶＬに接地電位以下の電圧レベル（ローレベル）を有する電源電圧Ｖｓｃｌが印加され、さらに、書込電流ＩａがデータラインＤＬ方向に流下するように制御されていることから、有機ＥＬ素子ＯＥＬには逆バイアス電圧が印加されることになり、有機ＥＬ素子ＯＥＬは発光しない。
【００７１】
次いで、書込動作期間（選択期間Ｔｓｅ）後の有機ＥＬ素子の発光動作（非選択期間Ｔｎｓｅ）においては、図１０（ｂ）に示すように、走査ドライバ１２０によりローレベルの走査信号Ｖｓｅｌが走査ラインＳＬに印加されることにより薄膜トランジスタＴｒ１及びＴｒ２がオフ動作する。このとき、電源ドライバ１４０によりハイレベルの電源電圧Ｖｓｃｈが電源ラインＶＬに印加され、また、このタイミングに同期して、データドライバ１３０による階調電流の引き込み動作が停止される。
【００７２】
一方、コンデンサＣｓに充電された電圧が保持されることにより、薄膜トランジスタＴｒ３はオン状態を維持し、また、電源ラインＶＬには、接地電位よりも高い電圧レベル（ハイレベル）を有する電源電圧Ｖｓｃｈが印加されるので、有機ＥＬ素子ＯＥＬには順方向にバイアス電圧が印加されることになり、薄膜トランジスタＴｒ３により供給される駆動電流Ｉｂに基づいて、表示データに応じた輝度階調で有機ＥＬ素子ＯＥＬが発光する。このとき、有機ＥＬ素子ＯＥＬに供給される駆動電流Ｉｂは、上記書込動作において画素駆動回路（薄膜トランジスタＴｒ３）を流下した書込電流Ｉａから、薄膜トランジスタＴｒ１のゲート−ソース間に設けられたコンデンサ（寄生容量）Ｃｐに充電された電圧に対応する電流分、減少した電流値に設定される。
【００７３】
ここで、本実施例に示した画素駆動回路に適用されるコンデンサ（寄生容量）Ｃｓ、Ｃｐの設計条件について、上述した画素駆動回路の基本構成と本実施例に係る回路構成とを比較して具体的に説明する。
上述したような画素駆動回路において、コンデンサＣｐを薄膜トランジスタＴｒ１のゲート−ソース間に形成される寄生容量（以下、説明の都合上、「寄生容量Ｃｐ」と記す）とし、コンデンサＣｓを薄膜トランジスタＴｒ３のゲート＝−ソース間に形成される寄生容量と付加蓄積容量の和からなる容量成分（以下、説明の都合上、「寄生容量Ｃｓ」と記す）として、例えば、書込動作時にハイレベルの走査信号Ｖｓｅｌ（Ｖｓｌｈ）として５Ｖの信号レベルが印加されるとともに、階調電流Ｉｐｉｘの引き込みにより書込電流Ｉａが画素駆動回路を流下して薄膜トランジスタＴｒ３のソース端子（接点Ｎ２）に−１５Ｖの信号レベルが印加されているものとする。
また、書込動作後の発光動作時にローレベルの走査信号Ｖｓｅｌ（Ｖｓｌｌ）として−２０Ｖの信号レベルが印加されるとともに、階調電流Ｉｐｉｘの引き込みが停止されることにより書込電流Ｉａの流下が遮断されて、薄膜トランジスタＴｒ３のソース端子に５Ｖの信号レベルが保持されているものとする。
【００７４】
この場合、書込動作時に上記各寄生容量Ｃｐ及びＣｓに蓄積された電荷（第２の電荷、第１の電荷）は、電荷保存の法則により、発光動作時においても保持されることから、次式（１）に示す関係が得られる。
Ｃｐ（Ｖｇ１−Ｖｓｌｈ）＋Ｃｓ（Ｖｇ１−Ｖｓ１）
＝Ｃｐ（Ｖｇ２−Ｖｓｌｌ）＋Ｃｓ（Ｖｇ２−Ｖｓ２）　・・・（１）
ここで、Ｖｇ１は書込動作時における接点Ｎ１の電位（薄膜トランジスタＴｒ３のゲート電圧）であり、Ｖｇ２は発光動作時における接点Ｎ１の電位である。また、Ｖｓｌｈは書込動作時におけるハイレベルの走査信号であり、Ｖｓｌｌは発光動作時におけるローレベルの走査信号である。Ｖｓ１は書込動作時における接点Ｎ２の電位（薄膜トランジスタＴｒ３のソース電圧）であり、Ｖｓ２は発光動作時における接点Ｎ２の電位である。
【００７５】
上記式（１）により、書込動作時と発光動作時における薄膜トランジスタＴｒ３のゲート電圧Ｖｇの変化量ΔＶｇは、次式（２）のように表すことができる。
ΔＶｇ＝（Ｃｐ×ΔＶｓｅｌ＋Ｃｓ×ΔＶｓ）／（Ｃｓ＋Ｃｐ）　・・・（２）
ここで、ΔＶｇ＝Ｖｇ１−Ｖｇ２、ΔＶｓ＝Ｖｓ１−Ｖｓ２、ΔＶｓｅｌ＝Ｖｓｌｈ−Ｖｓｌｌである。
【００７６】
上記式（２）において、画素駆動回路が、上述した図６、図７に示したような基本構成に係る回路構成を有している場合、すなわち、薄膜トランジスタＴｒ１の寄生容量Ｃｐを極力抑制するために、薄膜トランジスタＴｒ３の寄生容量Ｃｓに比較して十分小さい値になるように設定した場合（Ｃｓ≫Ｃｐ）には、次式（３）のように表すことができる。
ΔＶｇ≒（Ｃｓ×ΔＶｓ）／（Ｃｓ）
＝ΔＶｓ　　　・・・（３）
【００７７】
したがって、書込動作時と発光動作時における薄膜トランジスタＴｒ３のゲート電圧Ｖｇの変化量とソース電圧Ｖｓの変化量は略同等となるので、次式（４）に示すように、薄膜トランジスタＴｒ３のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓも変化しないことになる。
ΔＶｇｓ＝ΔＶｇ−ΔＶｓ≒０　　　・・・（４）
このことから、書込動作時に薄膜トランジスタＴｒ３のゲート端子に書き込まれた電圧（寄生容量Ｃｓに充電された電圧）が、発光動作時においてもそのまま印加されることになり、発光動作時に有機ＥＬ素子ＯＥＬに供給される駆動電流Ｉｂは、書込動作時に画素駆動回路を流下する書込電流Ｉａと同等になる。
そのため、最下位の輝度階調を有する表示データを表示画素に書き込みを行う場合、微小な駆動電流Ｉｂと同等の書込電流Ｉａを表示画素に流下することになり、書込動作に必要とする時間が長くなるという問題があった。
【００７８】
一方、上記式（２）において、画素駆動回路が、上述した図９、図１０に示したような本実施例に係る回路構成を有している場合、すなわち、薄膜トランジスタＴｒ１の寄生容量Ｃｐをある程度大きくして、薄膜トランジスタＴｒ３の寄生容量Ｃｓに比較して無視できない程度に大きな値になるように設定した場合（例えば、Ｃｓ≒Ｃｐ）には、上記式（４）は次式（５）のように書き換えることができる。
ΔＶｇｓ＝ΔＶｇ−ΔＶｓ
＝（Ｃｐ×ΔＶｓｅｌ＋Ｃｓ×ΔＶｓ）／（Ｃｓ＋Ｃｐ）−ΔＶｓ
＝（Ｃｐ×ΔＶｓｅｌ＋Ｃｓ×ΔＶｓ−Ｃｓ×ΔＶｓ−Ｃｐ×ΔＶｓ）／（Ｃｓ＋Ｃｐ）
＝（Ｃｐ×ΔＶｓｅｌ−Ｃｐ×ΔＶｓ）／（Ｃｓ＋Ｃｐ）
＝Ｃｐ／（Ｃｓ＋Ｃｐ）×（ΔＶｓｅｌ−ΔＶｓ）　　　・・・（５）
【００７９】
ここで、上述したように、ハイレベルの走査信号Ｖｓｅｌ（Ｖｓｌｈ）を５Ｖ、ローレベルの走査信号Ｖｓｅｌ（Ｖｓｌｌ）を−２０Ｖと設定すると、走査信号Ｖｓｅｌの電圧変化ΔＶｓｅｌは、次式（６）のように算出することができ、ΔＶｓｅｌ＞０の関係が得られる。
ΔＶｓｅｌ＝Ｖｓｌｈ−Ｖｓｌｌ＝５−（−２０）＝２５　　　・・・（６）
また、書込動作時における薄膜トランジスタＴｒ３のソース電圧（接点Ｎ２の電位）Ｖｓ１を−１５Ｖ、発光動作時における薄膜トランジスタＴｒ３のソース電圧Ｖｓ２を５Ｖと設定すると、ソース電圧Ｖｓ電圧変化ΔＶｓは、次式（７）のように算出することができ、ΔＶｓ＜０の関係が得られる。
ΔＶｓ＝Ｖｓ１−Ｖｓ２＝（−１５）−５＝−２０　　　・・・（７）
【００８０】
このことから、ΔＶｇｓ＞０の関係が得られ、これは、書込動作時に薄膜トランジスタＴｒ３のゲート端子に書き込まれた電圧の変化に比較して、発光動作時に印加される電圧の変化が小さいことを意味し、すなわち、図１１に示すように、発光動作時に有機ＥＬ素子に流下する駆動電流Ｉｂを、書込動作時に画素駆動回路に流下する書込電流Ｉａよりも所定電流分（以下、便宜的に「オフセット電流」と記す）、小さくすることができることを意味する。ここで、図１１は、本実施例に係る画素駆動回路における書込電流と駆動電流間の変化量を示すグラフである。
【００８１】
ここで、上述した本実施例に係る画素駆動回路（図９）と従来技術に示したカレントミラー回路構成を有する画素駆動回路（図１３（ｂ）参照）における書込動作時の書込電流について、図面を参照して比較検討する。
図１２は、本実施例に係る画素駆動回路とカレントミラー回路構成を有する画素駆動回路における書込電流の電流値の比較を示すグラフである。
図１２に示すように、まず、書込動作（選択期間）において、各表示画素に表示データを書き込む際に、本実施例及びカレントミラー構成を有する画素駆動回路のいずれにおいても、表示装置の所定の表示応答特性（応答速度）を実現するために要求される、最下位の輝度階調に対応した書込電流Ｉａの電流値（第１の電流値）をＬＳＢとし、その場合に発光素子に供給される駆動電流Ｉｂの電流値（第２の電流値）をＬＳＤとする。また、最上位の輝度階調に対応した書込電流Ｉａの電流値をＭＳＢとし、その場合に発光素子に供給される駆動電流Ｉｂの電流値をＭＳＤとする。
【００８２】
この場合、本実施例に係る画素駆動回路においては、図１１に示したように、発光動作時に有機ＥＬ素子ＯＥＬに供給すべき駆動電流Ｉｂに対して、一定のオフセット電流Ｉｏｆｆ分加算した電流値（第２の電流値）を有する書込電流Ｉａを、書込動作時に表示画素に流下させればよい。すなわち、図１２に示すように、最下位の輝度階調を有する表示データを書き込む場合には、電流値ＬＳＢ（＝ＬＳＤ＋Ｉｏｆｆ）を有する書込電流Ｉａを、画素駆動回路に流下するように、データドライバにより階調電流Ｉｐｉｘを生成して、データラインＤＬを介して電流を引き込むようにすればよい。また、表示データの輝度階調をｍ階調とし、最上位の輝度階調を有する表示データを書き込む場合には、電流値ＭＳＢ（＝ＭＳＤ＋Ｉｏｆｆ＝ｍ×ＬＳＤ＋Ｉｏｆｆ）を有する書込電流Ｉａを有する書込電流Ｉａを、画素駆動回路ＤＣＡに流下するように、データドライバにより階調電流Ｉｐｉｘを生成して、データラインＤＬを介して電流を引き込むようにすればよい。
【００８３】
このようにした場合、前述のカレントミラー構成を有する画素駆動回路においては、図１２に示すように、有機ＥＬ素子に供給すべき駆動電流Ｉｂに対するデータラインＤＬに印加する電流の比率はカレントミラー回路により規定される電流比率ｋで一定であるのに対し、本実施例の構成とした場合には、発光動作時に有機ＥＬ素子ＯＥＬに供給すべき駆動電流Ｉｂに対するデータラインＤＬを介して引き込む書込電流Ｉａの増加比率は、オフセット電流Ｉｏｆｆは一定であるため、下位の輝度階調時、すなわち駆動電流Ｉｂが小さいときほど増加率が大きくなる。ここで、データラインを所定の電圧まで充電するに要する時間は流す電流値に反比例するため、表示データの書込動作時（選択期間）には、比較的大きな電流値を有する書込電流を流して、特に下位の輝度階調時の書込動作に要する時間を短縮することができ、且つ、上位の輝度階調時に書込電流Ｉａが過大となることを抑制して、表示装置の消費電力の増加を抑制することができる。
【００８４】
このように、本実施例に係る画素駆動回路を適用した表示装置によれば、発光素子の発光動作に要する駆動電流に対して一定のオフセット電流を付加した電流値を有する比較的大きな書込電流を各表示画素に流すことにより、比較的下位の輝度階調に対応した小さい駆動電流を発光素子に供給する場合であっても、データラインに存在する配線容量等を短時間で充電して、特に低位の輝度階調表示データの書込動作に要する時間を短縮することができて、表示データの輝度階調に対応した輝度で発光素子を良好に発光動作させることができるので、各表示画素への階調電流の書き込み動作を実行する際の選択期間に制約されることなく、所望の輝度階調に応じた電流値で書き込み動作を実行することができる。これにより、表示応答速度の向上を図ることができ、小型かつ高精細の表示パネルのように、画素数が増加して選択期間が短く設定された場合であっても、良好に表示データの書込動作及び発光動作を実行することができる。あるいは、表示データの書込動作に係る電流の増加を抑制して表示装置の消費電力の増加を抑制することができる。
【００８５】
なお、上述した実施例においては、薄膜トランジスタＴｒ１のゲート−ソース間に接続されるコンデンサ（寄生容量）Ｃｐとして、薄膜トランジスタＴｒ１のゲート−ソース間に接続されるコンデンサＣｓに比較して無視できないほど大きく設定した場合（具体的には、略同等に設定した場合）について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、コンデンサＣｐをコンデンサＣｓに比較して、より大きくなるように設定（Ｃｓ≪Ｃｐ）したものであってもよい。
【００８６】
すなわち、このようなコンデンサＣｐの蓄積容量の設定によれば、コンデンサＣｓにおける蓄積容量を無視することができるので、上記式（５）は、次式（８）のように書き換えることができる。
ΔＶｇｓ＝ΔＶｇ−ΔＶｓ
＝Ｃｐ／（Ｃｓ＋Ｃｐ）×（ΔＶｓｅｌ−ΔＶｓ）
≒ΔＶｓｅｌ−ΔＶｓ　　　・・・（８）
これにより、薄膜トランジスタＴｒ３のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは、コンデンサＣｓ及びＣｐに依存しない電圧変化を示すことになる。したがって、薄膜トランジスタＴｒ３に形成されるコンデンサ（寄生容量）Ｃｓ等に起因する、発光制御トランジスタの経時的な特性変動の影響を受けることなく、上記オフセット電流を電圧設計のみで簡易に設定することができる画素駆動回路を構成することができる。
【００８７】
また、上述した実施形態及び実施例においては、画素駆動回路として３個の薄膜トランジスタを備えた回路構成を示して説明したが、本発明はこの実施形態形態に限定されるものではなく、電流指定方式を適用した画素駆動回路を備えた表示装置であって、発光素子への駆動電流の供給を制御する発光制御トランジスタ、及び、該発光制御トランジスタのゲート電圧を制御する駆動制御トランジスタを有し、表示データに応じた書込電流を各制御トランジスタに付設されたコンデンサ（又は、寄生容量）に電圧成分として充電した後、該充電電圧に応じて、上記発光制御トランジスタをオン動作させて駆動電流を供給して、発光素子を所定の発光輝度で発光させるものであれば、他の回路構成を有するものであってもよい。
【００８８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る表示装置及びその駆動制御方法によれば、有機ＥＬ素子や発光ダイオード等のように、供給される電流値に応じて所定の輝度で自己発光する発光素子をマトリクス状に配列してなる表示パネルを備えたディスプレイにおいて、各表示画素ごとに付設された画素駆動回路により、表示画素への書込電流よりも一定のオフセット電流分小さい駆動電流を発光素子に供給するように構成されているので、最下位の輝度階調を有する表示データを書き込む場合であっても、比較的大きな電流を流してデータライン及び画素駆動回路に付設された容量成分を充電することができ、書込動作に係る所要時間を短縮することができる。
【００８９】
また、所定の表示データに対応した輝度で発光するための駆動電流に対して、一定のオフセット電流を付加（加算）した書込電流を各表示画素に流せばよいので、駆動電流の所定数倍の書込電流を必要とするカレントミラー方式を適用した画素駆動回路に比較して、書込電流を相対的に抑制することができ、表示装置の消費電力を抑制することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る表示装置の全体構成の一例を示す概略ブロック図である。
【図２】本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの一例を示す概略構成図である。
【図３】本実施形態に係る表示装置に適用されるデータドライバの要部構成を示すブロック図である。
【図４】本実施形態に係るデータドライバに適用される電圧／電流変換回路の一例を示す回路構成図である。
【図５】本発明に係る表示装置に適用される走査ドライバの他の例を示す概略構成図である。
【図６】本発明に係る表示装置に適用可能な画素駆動回路の基本構成を示す回路構成図である。
【図７】本実施形態に適用可能な画素駆動回路の基本動作を示す概念図である。
【図８】本実施形態に係る表示装置における画像情報の表示タイミングを示すタイミングチャ−トである。
【図９】本発明に係る表示装置に適用可能な画素駆動回路の具体実施例を示す回路構成図である。
【図１０】本実施例に係る画素駆動回路における駆動制御動作（表示装置の駆動制御方法）を示す概念図である。
【図１１】本実施例に係る画素駆動回路における書込電流と駆動電流間の変化量を示すグラフである。
【図１２】本実施例に係る画素駆動回路とカレントミラー回路構成を有する画素駆動回路における書込電流の電流値の比較を示すグラフである。
【図１３】有機ＥＬ素子を備えた発光素子型ディスプレイにおける、従来技術の各表示画素の構成例を示す等価回路である。
【符号の説明】
ＤＣＡ　　　画素駆動回路
ＳＬ　　　　走査ライン
ＤＬ　　　　データライン
ＶＬ　　　　電源ライン
Ｔｒ１〜Ｔｒ３　　　薄膜トランジスタ
Ｃｓ、Ｃｐ　　　　　コンデンサ
ＯＥＬ　　　有機ＥＬ素子
１００　　　表示装置
１１０　　　表示パネル
１２０　　　走査ドライバ
１３０　　　データドライバ
１４０　　　電源ドライバ
１５０　　　システムコントローラ
１６０　　　表示信号生成回路
【図１】
2004012897.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2004012897.tif 000015