(57)【要約】【課題】高い生産性を実現し、良好な結晶性の誘電体薄膜が形成できる誘電体薄膜形成装置および誘電体薄膜形成方法を提供することを目的とするものである。【解決手段】誘電体薄膜を形成する基板１４を保持する基板ホルダー１３と、上記基板ホルダー１３に保持された基板１４と対向する１個以上のスパッタターゲット１２と、上記基板１４を加熱する加熱ヒータ１６とからなり、上記基板ホルダー１３またはスパッタターゲット１２のいずれか一方を間欠移動する構成とし、基板１４がスパッタターゲット１２に対向した状態で誘電体薄膜の形成を行い、基板１４がスパッタターゲット１２から離れた状態で形成した誘電体薄膜のアニールを行うように構成した誘電体薄膜形成装置であり、基板１４を短時間に移動して停止させるため、安定した入射角度で飛来するスパッタ粒子より良好な結晶性の誘電体薄膜が形成できる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体薄膜を形成する少なくとも２枚以上の基板を保持する基板ホルダーと、陰極上に配置されて上記基板ホルダーに保持された基板と対向する１個以上のスパッタターゲットと、上記基板を加熱する少なくとも２つ以上の加熱ヒータとからなり、上記基板ホルダーまたはスパッタターゲットのいずれか一方を間欠移動する構成とし、基板がスパッタターゲットに対向した状態で誘電体薄膜の形成を行い、基板がスパッタターゲットから離れた状態で形成した誘電体薄膜のアニールを行うように構成した誘電体薄膜形成装置。
【請求項２】
間欠移動を回転移動とする請求項１に記載の誘電体薄膜形成装置。
【請求項３】
間欠移動を直線移動とする請求項１に記載の誘電体薄膜形成装置。
【請求項４】
基板の停止時間を移動時間より長くした請求項１に記載の誘電体薄膜形成装置。
【請求項５】
２つ以上のヒータを温度２００℃以上として基板上に形成される誘電体薄膜をアニールするようにした請求項１に記載の誘電体薄膜形成装置。
【請求項６】
ヒータの大きさを基板の大きさより大きくした請求項１に記載の誘電体薄膜形成装置。
【請求項７】
間欠移動により少なくとも１つの金属元素を含んだ酸化物からなる誘電体薄膜の形成と形成された誘電体薄膜のアニールとを繰り返す誘電体薄膜形成方法。
【請求項８】
間欠移動について停止時間を移動時間の５倍から２０倍以下とし移動時間を５秒以下とする請求項７に記載の誘電体薄膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は誘電体薄膜を品質良く形成しかつ生産性を高めた誘電体薄膜形成装置および誘電体薄膜形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
キャパシタに代表される誘電体を薄膜で実現することはデバイスの小型化、集積化が図れることであり、これらの薄膜をいかに高性能で実現するかが大きな課題である。その中でもペロブスカイト型構造を有する誘電体薄膜は優れた強誘電性、圧電性、焦電性および電気光学特性を示し、各種センサやアクチュエータなどの幅広いデバイスに有効な材料として注目されており、今後その利用範囲は急激に拡大していくと思われる。
【０００３】
誘電体薄膜を応用した代表例として、ＡＢＯ３構造を示すＰｂ（ＺｒＴｉ１−
ｘ）Ｏ３系薄膜は高い圧電性を有することから圧電センサや圧電アクチュエータなどの圧電素子の圧電薄膜として利用されている。圧電センサは強誘電性の圧電効果を利用したものである。圧電体は内部に自発分極を有しており、その表面に正および負電荷を発生させる。大気中における定常状態では大気中の分子がもつ電荷と結合して中性状態になっている。この圧電体に外圧がかかると圧電体から圧力量に応じた電気信号を取り出すことができる。また圧電アクチュエータも同様の原理を用いたもので圧電体に電圧を印加するとその電圧に応じて圧電体が伸縮し、伸縮方向あるいはその方向に直交する方向に変位を生じさせることができる。
【０００４】
従来の誘電体薄膜形成装置としては、図５に示すものがある。
【０００５】
図５は従来の誘電体薄膜形成装置の構成を示す模式図である。図５に示すように真空チャンバー１１の内部に成膜する材料の組成で構成されたスパッタターゲット１２、そして基板１４が配置される基板ホルダー１３を設け、基板ホルダー１３に配置された基板１４をスパッタターゲット１２に向けて配置している。また、基板ホルダー１３の内部には基板加熱用のヒータ１６を備え、真空チャンバー１１の内部を排気するために大気から１０−１Ｐａ程度までの粗引き用のロータリポンプ１７および１０−１〜１０−５Ｐａまでに本排気するためのクライオポンプ１８を備えている。さらにアルゴンガスボンベ１９と酸素ボンベ２０からのスパッタガスを真空チャンバー１１の内部に供給できるように配管されている。
【０００６】
次に、誘電体薄膜の形成方法について説明する。基板１４を設置した支持体１５を基板ホルダー１３に取り付け、ロータリポンプ１７およびクライオポンプ１８によって真空チャンバー１１の内部を約１０−５Ｐａ程度にまで真空排気する。そして基板１４を基板加熱用のヒータ１６で温度６００℃にまで加熱し、スパッタガスであるＡｒ＝１０ｓｃｃｍ、Ｏ２＝１ｓｃｃｍを導入し、まずスパッタターゲット１２に高周波電源２１から電力１００Ｗを印加する。約１時間放電を続けＰｔを約２００ｎｍ成膜して、その上に他のスパッタターゲット１２に電力３５０Ｗを４時間程度印加して基板１４に約２μｍ程度ＰｂＴｉＯ３薄膜を形成する。
【０００７】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００１−３５８４６号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
従来の誘電体薄膜形成装置では、基板１４が複数個のスパッタターゲット１２の上を連続的に周回して成膜を行い、膜堆積と非堆積とを周期的に繰り返すため、スパッタターゲット１２の間の移動時間がかかりさらにその時間が累積されるため生産性が低下する。また基板１４はスパッタターゲット１２の上に静止することなく常に移動しているため、スパッタターゲット１２から基板１４に到達するスパッタ粒子には様々な入射角度で飛来したものが混在して誘電体薄膜が形成され、良好な結晶性の膜を形成することが困難であった。
【００１０】
本発明は高い生産性を実現し、良好な結晶性の誘電体薄膜が形成できる誘電体薄膜形成装置および誘電体薄膜形成方法を提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、以下の構成を有する。
【００１２】
本発明の請求項１に記載の発明は、誘電体薄膜を形成する少なくとも２枚以上の基板を保持する基板ホルダーと、陰極上に配置されて上記基板ホルダーに保持された基板と対向する１個以上のスパッタターゲットと、上記基板を加熱する少なくとも２つ以上の加熱ヒータとからなり、上記基板ホルダーまたはスパッタターゲットのいずれか一方を間欠移動する構成とし、基板がスパッタターゲットに対向した状態で誘電体薄膜の形成を行い、基板がスパッタターゲットから離れた状態で形成した誘電体薄膜のアニールを行うように構成した誘電体薄膜形成装置であり、基板を短時間に移動して停止させるため、基板以外の基板ホルダー部分に付着するスパッタ粒子がなくなり、チャンバー内の汚れが防止できると共に安定した入射角度で飛来するスパッタ粒子より良好な結晶性の誘電体薄膜が形成できる。
【００１３】
請求項２に記載の発明は、間欠移動を回転移動とする請求項１に記載の誘電体薄膜形成装置であり、所定の膜厚の形成とアニールを繰り返すことにより、良好な結晶性の誘電体薄膜が形成できる。
【００１４】
請求項３に記載の発明は、間欠移動を直線移動とする請求項１に記載の誘電体薄膜形成装置であり、所定の膜厚の形成とアニールを繰り返すことにより、良好な結晶性の誘電体薄膜が形成できる。
【００１５】
請求項４に記載の発明は、基板の停止時間を移動時間より長くした請求項１に記載の誘電体薄膜形成装置であり、基板を短時間に移動して停止させるため、基板以外の基板ホルダー部分に付着するスパッタ粒子がなくなり、チャンバー内の汚れが防止できると共に安定した入射角度で飛来するスパッタ粒子より良好な結晶性の誘電体薄膜が形成できる。
【００１６】
請求項５に記載の発明は、２つ以上のヒータを温度２００℃以上として基板上に形成される誘電体薄膜をアニールするようにした請求項１に記載の誘電体薄膜形成装置であり、所定の膜厚の形成とアニールを繰り返すことにより、良好な結晶性の誘電体薄膜が形成できる。
【００１７】
請求項６に記載の発明は、ヒータの大きさを基板の大きさより大きくした請求項１に記載の誘電体薄膜形成装置であり、基板全体を均一な温度にすることができるため、良好な結晶性の誘電体薄膜が形成できる。
【００１８】
請求項７に記載の発明は、間欠移動により少なくとも１つの金属元素を含んだ酸化物からなる誘電体薄膜の形成と形成された誘電体薄膜のアニールとを繰り返す誘電体薄膜形成方法であり、基板を短時間に移動して停止させるため、基板以外の基板ホルダー部分に付着するスパッタ粒子がなくなり、チャンバー内の汚れが防止できると共に安定した入射角度で飛来するスパッタ粒子より良好な結晶性の誘電体薄膜が形成できる。
【００１９】
請求項８に記載の発明は、間欠移動について停止時間を移動時間の５倍から２０倍以下とし移動時間を５秒以下とする請求項７に記載の誘電体薄膜形成方法であり、基板を短時間に移動して停止させるため、基板以外の基板ホルダー部分に付着するスパッタ粒子がなくなり、チャンバー内の汚れが防止できると共に安定した入射角度で飛来するスパッタ粒子より良好な結晶性の誘電体薄膜が形成できる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図を用いて説明する。
【００２１】
（実施の形態１）
図１は本発明の誘電体薄膜形成装置の構成を示す模式図である。
【００２２】
以下、図１を用いて誘電体薄膜形成装置の構成について説明する。真空チャンバー１１の内部に成膜する材料で構成されるスパッタターゲット１２を下部電極としての陰極（図示せず）に、そして装置の電位と絶縁する絶縁板２３を介して基板１４が設置される基板ホルダー１３を上部電極（図示せず）に有し、スパッタターゲット１２の上に配置されている。
【００２３】
基板ホルダー１３には予め下部電極膜２２として白金膜が形成された基板１４が設置されている。そして基板ホルダー１３には基板１４がスパッタターゲット１２の面に対向して平行となるように設置されている。また基板ホルダー１３の基板配置面と異なる面側に基板１４と対向して平行となるように第１および第２の加熱ヒータ１６ａ，１６ｂが所定の円周上に設けられている。
【００２４】
また、真空チャンバー１１の内部を大気から１０−５Ｐａ程度まで排気するため真空排気ポンプ２４が備えられ、さらにアルゴンガスや酸素などのスパッタガス２５を真空チャンバー１１の内部に供給できるよう配管されている。
【００２５】
以下、図１を用いて誘電体薄膜形成装置の動作について説明する。基板ホルダー１３の中心を軸に基板ホルダー１３が所定時間内の回転と停止を繰り返す動作を行う。
【００２６】
基板ホルダー１３の等角度の回転と停止の動作にともない設置されている基板１４も等角度の回転と停止の動作を行う。しかし基板１４の上に位置する第１と第２の加熱ヒータ１６ａ，１６ｂと基板１４の下に位置するスパッタターゲット１２は固定され移動しない。例えば誘電体薄膜が形成される場合、基板ホルダー１３に設置された基板１４がスパッタターゲット１２の垂直延長線上の範囲２６ａに停止し、予め基板１４の上に形成された下部電極膜２２の上にスパッタターゲット１２からスパッタ粒子が付着して所定の薄い誘電体薄膜が形成される。そして短時間で基板１４が第２の加熱ヒータ１６ｂの垂直延長線上の範囲２６ｂまで移動して停止する。そして形成された薄い誘電体薄膜を第２の加熱ヒータ１６ｂで所定時間アニールされる。このような停止と回転の繰り返し動作によって誘電体薄膜の成膜とアニールを繰り返し、目標とする膜厚の誘電体薄膜が形成される。
【００２７】
また、加熱ヒータ１６の数量をスパッタターゲット１２の数量の２倍以上とし、かつ等間隔に配置することで停止と回転移動の時間が短縮され生産性が向上すると共に良好な結晶性の誘電体薄膜が形成できる。
【００２８】
次に停止と移動を繰り返す別の誘電体薄膜形成装置について説明する。
【００２９】
図２は本発明の誘電体薄膜形成装置の構成を示す模式図である。図１と異なる構成について説明する。図２は図１に示す第１および第２の加熱ヒータ１６ａ，１６ｂの代わりに基板ホルダー１３とほぼ同じ大きさの加熱ヒータ１６により基板ホルダー１３の全体を加熱しアニールする。このような構成において移動と停止により成膜とアニールを繰り返し、所定の膜厚の誘電体薄膜を形成する。
【００３０】
図３は本発明の誘電体薄膜形成装置の構成を示す模式図である。図１と異なる構成について説明する。図３は図１に示した回転の代わりに等間隔の直線移動と停止による誘電体薄膜形成装置であり、図１の基板ホルダー１３と別に固定されていた加熱ヒータ１６が基板ホルダー１３に固定され、基板ホルダー１３と共に移動する。そしてスパッタターゲット１２は基板ホルダー１３の直線移動の中点に配置され、直線移動の中点での停止でスパッタターゲット１２からのスパッタ粒子により成膜され、両端の停止で加熱ヒータ１６によりアニールされる。この動作を繰り返して所定の膜厚の誘電体薄膜を形成する。
【００３１】
このような誘電体薄膜を高品質に形成するためには、いかに結晶性を向上させるかが重要となる。結晶性の制御はスパッタ条件を最適に制御することが最も望ましい。しかしながらこれには限界があるほか、結晶性の良好な誘電体薄膜を基板１４の面内に均質に、かつ再現性良く安定に形成することは困難であった。特に誘電体薄膜をスパッタリングによって形成した場合、一般的に薄膜は柱状成長を形成しやすく粒界や欠陥を伴う場合が多い。薄膜の堆積速度を低減すればより緻密な薄膜が形成できる傾向にあるが、スループットが悪くなり、堆積速度の低減にも限界がある。
【００３２】
また、所定の膜厚に形成した誘電体薄膜を誘電体薄膜形成装置から取り出して高温でアニールする手法によって誘電体薄膜の結晶性およびその安定性を向上させることができる場合もあるが、所定の厚みに形成された薄膜を次の工程で熱処理した場合、特性向上の効果には限界が生じる。従って実施の形態１の薄膜形成において、特に複数層の膜を形成し各層をアニールすることが有効な手段となる。かつこの工程によれば基板１４の面内の均一性が向上すると共にバッチ間の再現性が向上する。
【００３３】
以上の本発明の実施の形態１における誘電体薄膜形成装置は基板１４を短時間に移動して停止させるため、基板１４を除く基板ホルダー１３の部分に付着するスパッタ粒子がなくなり、真空チャンバー１１の内部の汚れが防止できると共に安定した入射角度で飛来するスパッタ粒子より良好な結晶性の誘電体薄膜が形成できる。
【００３４】
（実施の形態２）
以下、誘電体薄膜形成方法について図を用いて説明する。
【００３５】
図４（ａ）は本発明の誘電体薄膜形成装置の主要部分の構成を示す模式図、図４（ｂ）は本発明の誘電体薄膜形成装置の主要部分の構成を示す上面図、図４（ｃ）は本発明の誘電体薄膜形成装置の主要部分の動作を示すタイムチャートである。
【００３６】
図４（ａ），（ｂ）に示すように真空チャンバー１１の内部には装置の電位から絶縁するための絶縁板を介して４枚の基板１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄを設置する基板ホルダー１３を上部電極に有し、かつ成膜したい材料の組成で構成された２つのスパッタターゲット１２ａ，１２ｂを下部電極（陰極）に有する。ここで基板ホルダー１３の基板配置面と異なる面に設置されるヒータ１６の数量はスパッタターゲット１２の数量の２倍以上が必要であり、実施の形態２では４つの加熱ヒータ１６と２つのスパッタターゲット１２と４枚の基板１４とした。
【００３７】
そして、加熱ヒータ１６およびスパッタターゲット１２は同心円周上にかつ等間隔または等角度θまたは２θに設置される。
【００３８】
基板ホルダー１３には予めスパッタリングにより表面に金属の結晶方位（１００）のＰｔ膜を下部電極膜２２として膜厚１００ｎｍに形成された４枚の基板１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄが取り付けられている。そして真空チャンバー１１の内部を真空排気ポンプ２４によって１０−５Ｐａ程度にまで排気し、４枚の基板１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄを４つの加熱ヒータ１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄで基板ホルダー１３を介して６００℃程度まで加熱する。スパッタガス２５であるアルゴンガスを１０ｓｃｃｍ、酸素ガスを１ｓｃｃｍ導入する。そして高周波電源２１から高周波電力１０００Ｗを陰極である下部電極に印加する。この場合スパッタターゲット１２にはＰｂ（Ｚｒ０．５Ｔｉ０．５）Ｏ３からなるセラミックの焼結体を用いて、基板１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄの上に形成した下部電極膜２２の上に誘電体薄膜であるＰｂ（Ｚｒ０．５Ｔｉ０．５）Ｏ３膜を目標の膜厚２μｍに形成する。
【００３９】
ここで、本発明の実施の形態２において、基板１４を加熱するのに要する最小限の径とする第１の加熱ヒータ１６ａ、第２の加熱ヒータ１６ｂ、第３の加熱ヒータ１６ｃ、第４の加熱ヒータ１６ｄを配置した。但し加熱ヒータ１６のサイズは基板のサイズより大きくすることが必要である。
【００４０】
図４（ｃ）に示すように基板１４ａがスパッタターゲット１２ａと第１の加熱ヒータ１６ａの垂直延長線上の範囲２６ａ、基板１４ｂが第２の加熱ヒータ１６ｂの垂直延長線上の範囲２６ｂ、基板１４ｃがスパッタターゲット１２ｂと第３の加熱ヒータ１６ｃの垂直延長線上の範囲２６ｃ、基板１４ｄが第４の加熱ヒータ１６ｄの垂直延長線上の範囲２６ｄに所定時間等角度（等間隔）の回転動作を停止させ、スパッタターゲット１２ａからのスパッタ粒子が基板１４ａに、スパッタターゲット１２ｂからのスパッタ粒子が基板１４ｃに付着し膜厚０．４ｎｍ程度の誘電体薄膜が形成される。そして等角度θ回転移動して、基板１４ａが第４の加熱ヒータ１６ｄの垂直延長線上の範囲２６ｄ、基板１４ｂがスパッタターゲット１２ａと第１の加熱ヒータ１６ａの垂直延長線上の範囲２６ａ、基板１４ｃが第２の加熱ヒータ１６ｂの垂直延長線上の範囲２６ｂ、基板１４ｄがスパッタターゲット１２ｂと第３の加熱ヒータ１６ｃの垂直延長線上の範囲２６ｃに停止する。そして基板１４ａの上に形成された誘電体薄膜が第４の加熱ヒータ１６ｄによりアニールされ、基板１４ｃの上に形成された誘電体薄膜が第２の加熱ヒータ１６ｂによりアニールされる。一方スパッタターゲット１２ａからのスパッタ粒子が基板１４ｂに、スパッタターゲット１２ｂからのスパッタ粒子が基板１４ｄに付着し膜厚０．４ｎｍ程度の誘電体薄膜が形成される。さらに等角度θ回転移動し、基板１４ａがスパッタターゲット１２ｂと第３の加熱ヒータ１６ｃの垂直延長線上の範囲２６ｃ、基板１４ｂが第４の加熱ヒータ１６ｄの垂直延長線上の範囲２６ｄ、基板１４ｃがスパッタターゲット１２ａと第１の加熱ヒータ１６ａの垂直延長線上の範囲２６ａ、基板１４ｄが第２の加熱ヒータ１６ｂの垂直延長線上の範囲２６ｂに停止する。そしてスパッタターゲット１２ｂからのスパッタ粒子が基板１４ａに、スパッタターゲット１２ａからのスパッタ粒子が基板１４ｃに付着し膜厚０．４ｎｍの上にさらに０．４ｎｍ程度の誘電体薄膜が形成され、基板１４ｂの上に形成された誘電体薄膜が第４の加熱ヒータ１６ｄによりアニールされ、基板１４ｄの上に形成された誘電体薄膜が第２の加熱ヒータ１６ｂによりアニールされる。
【００４１】
ここで、停止時間は移動時間より長くして成膜とアニール以外の時間を最小限度になるようにしている。
【００４２】
つまり、停止時間より第１の加熱ヒータ１６ａから第２の加熱ヒータ１６ｂへ、あるいは第２の加熱ヒータ１６ｂから第３の加熱ヒータ１６ｃへの加熱ヒータ１６の間の移動時のみ基板ホルダー１３を等角度θで回転させる。ここでは基板１４をスパッタターゲット１２あるいはヒータ１６の垂直延長線上の範囲で１５秒間停止させ、基板１４の上に飛来するスパッタ粒子の方向の安定化を図った。
【００４３】
なお、加熱ヒータ１６の間の基板１４の移動時間を短縮するため、回転に要する時間を２秒とした。
【００４４】
実施の形態２において、目標とするＰＺＴ膜の膜厚２μｍを形成するために停止と等角度θの回転移動を繰り返して、成膜とアニールを行うことになるが、２回の成膜を１周期とすると１周期あたり数十秒の時間短縮はトータルの薄膜形成時間を大幅に短縮できることを意味する。
【００４５】
実施の形態２において形成したＰＺＴ薄膜の結晶性をＸ線回折により求めた結果、ＰＺＴの結晶方位（００１）のピーク強度が２３０ｋｃｐｓと著しく結晶性の良好なＰＺＴ薄膜が得られた。
【００４６】
実施の形態２では、スパッタターゲット１２から基板１４に飛来するスパッタ粒子を安定化させるために、基板１４をスパッタターゲット１２の上で一定時間停止させ、その薄膜形成の途中で、数層の膜形成ごとに随時アニールを行う工程を導入することでＰＺＴ薄膜の結晶性が向上し、そして膜質、膜厚の均一性が向上し、さらにバッチ間の再現性が向上した。またも基板１４の回転時間のロスを低減することでスループットの向上が図れた。
【００４７】
さらに、基板１４が加熱ヒータ１６の間の移動時間をさらに短縮したことは基板１４の設置していない基板ホルダー１３の部分がスパッタターゲット１２の上を通過する時間を短縮したことであり、基板ホルダー１３へＰＺＴ膜の付着が低減され、結果として薄膜の高品質化が図れた。
【００４８】
ここで、ＰＺＴ膜の成膜とアニールに要する時間をｔ１、そして回転移動に要する時間をｔ２としたとき、ｔ１をできる限り大きくかつｔ２をできる限り小さくするほど、スループットが向上し、装置内のダストの抑制につながる。しかしながらアニールの効果を充分に発揮するためには、ある程度の数層レベルの膜形成ごとにアニールを行うことが重要であり、一度の膜形成時間が長すぎることは望ましくない。
【００４９】
これらの関係から本実施の形態では最適なｔ１はｔ２の５倍以上でかつ２０倍以下（ただし、ｔ２は５秒以下）であることを見出した。
【００５０】
【発明の効果】
以上のように本発明は、誘電体薄膜を形成する少なくとも２枚以上の基板を保持する基板ホルダーと、陰極上に配置されて上記基板ホルダーに保持された基板と対向する１個以上のスパッタターゲットと、上記基板を加熱する少なくとも２つ以上の加熱ヒータとからなり、上記基板ホルダーまたはスパッタターゲットのいずれか一方を間欠移動する構成とし、基板がスパッタターゲットに対向した状態で誘電体薄膜の形成を行い、基板がスパッタターゲットから離れた状態で形成した誘電体薄膜のアニールを行うように構成した誘電体薄膜形成装置であり、基板を短時間に移動して停止させるため、基板以外の基板ホルダー部分に付着するスパッタ粒子がなくなり、チャンバー内の汚れが防止できると共に安定した入射角度で飛来するスパッタ粒子より良好な結晶性の誘電体薄膜が形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の誘電体薄膜形成装置の構成を示す模式図
【図２】本発明の誘電体薄膜形成装置の構成を示す模式図
【図３】本発明の誘電体薄膜形成装置の構成を示す模式図
【図４】（ａ）本発明の誘電体薄膜形成装置の主要部分の構成を示す模式図
（ｂ）本発明の誘電体薄膜形成装置の主要部分の構成を示す上面図
（ｃ）本発明の誘電体薄膜形成装置の動作を示すタイムチャート
【図５】従来の誘電体薄膜形成装置の構成を示す模式図
【符号の説明】
１１  真空チャンバー
１２  スパッタターゲット
１３  基板ホルダー
１４  基板
１４ａ  基板
１４ｂ  基板
１４ｃ  基板
１４ｄ  基板
１６  加熱ヒータ
１６ａ  第１の加熱ヒータ
１６ｂ  第２の加熱ヒータ
１６ｃ  第３の加熱ヒータ
１６ｄ  第４の加熱ヒータ
２１  高周波電源
２２  下部電極膜
２３  絶縁板
２５  スパッタガス
２６ａ  スパッタターゲットの垂直延長線上の範囲
２６ｂ  第２の加熱ヒータの垂直延長線上の範囲
【図１】
2004253535.tif 000003
【図２】
2004253535.tif 000004
【図３】
2004253535.tif 000005
【図４】
2004253535.tif 000006
【図５】
2004253535.tif 000007