(57)【要約】【課題】高密度磁気記録媒体、その製造方法、及び、磁気記録再生装置に関し、裏打層の厚膜化を可能にするとともに、磁区の発生を抑制し、異方性を制御するとともに、軟磁性体粒子の粒径を均一化する。【解決手段】非磁性基板１上に少なくとも軟磁性材料層２と硬質磁性材料層５とを設けた高密度磁気記録媒体の軟磁性材料層２を粒径分散σ／平均粒径Ｄが１０％以下のナノ粒子３によって構成する。【選択図】　　　　　図１
2004079104.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に少なくとも軟磁性材料層と硬質磁性材料層とを設けた高密度磁気記録媒体において、前記軟磁性材料層を粒径分散σ／平均粒径Ｄが１０％以下のナノ粒子によって構成したことを特徴とする高密度磁気記録媒体。
【請求項２】
上記軟磁性材料層を構成するナノ粒子の平均粒径Ｄが、２ｎｍ以上であり、且つ、平均粒子間隔が０．２〜５ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の高密度磁気記録媒体。
【請求項３】
上記軟磁性材料層を構成するナノ粒子の磁気異方性が、上記非磁性基板の中心から放射方向に配向していることを特徴とする請求項１または２に記載の高密度磁気記録媒体。
【請求項４】
非磁性基板上に少なくとも軟磁性材料層と硬質磁性材料層と積層する高密度磁気記録媒体の製造方法において、粒径分散σ／平均粒径Ｄが１０％以下のナノ粒子を分散した溶液を用いて前記非磁性基板上に前記軟磁性材料層を成膜したのち、前記非磁性基板の中心から放射方向の磁場を印加しながら熱処理を行うことを特徴とする高密度磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の高密度磁気記録媒体を搭載したことを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は高密度磁気記録媒体、その製造方法、及び、磁気記録再生装置に関するものであり、特に、高記録密度のハードディスク装置に用いられる垂直磁気記録媒体の低ノイズ化を実現するための裏打層の構成に特徴のある高密度磁気記録媒体、その製造方法、及び、磁気記録再生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、磁気記録再生装置の大容量化は急速に進んでおり、大容量化に伴って磁気記録媒体の記録密度を高めるために、垂直記録が注目を集めている。
【０００３】
この様な垂直磁気記録媒体においては、記録層となる硬質磁性材料層の下に厚さが１００〜５００ｎｍの軟磁性材料を必要としているが、従来のスパッタリング法では１００〜５００ｎｍの膜厚を付けるためには時間がかかりすぎ、ターゲットの消耗が激しいため、厚膜を容易に成膜できる方法が必要となる。
【０００４】
その様な要請の中で厚膜を容易に成膜できるメッキ法が検討されているので、ここで、図８を参照して、従来の垂直磁気記録媒体を説明する。
図８（ａ）参照
図８（ａ）は、従来の垂直磁気記録媒体の概略的断面図であり、まず、ガラス基板５１上にメッキ法を用いてＮｉＦｅ等の軟磁性体からなる厚さが１００〜５００ｎｍの裏打層５２を形成したのち、スパッタリング法を用いて、ＭｇＯ等の中間層５３、ＣｏＣｒＰｔ等の磁性層５４、及び、ダイヤライクカーボン（ＤＬＣ）からなる保護膜５５を順次堆積させ、最後に、潤滑材５６を塗布したものである。
【０００５】
図８（ｂ）参照
図８（ｂ）は、従来の垂直磁気記録媒体の裏打層５２の磁区を説明するための模式図であり、軟磁性体結晶粒子５７の粒径が不規則なため磁区５８ができやすく、この磁区５８が低ノイズ化の妨げとなっている。
【０００６】
この様な問題を解決するために、裏打層をグラニュラー粒子で構成することが提案されているので（必要ならば、特開２００２−６３７１８号公報参照）、ここで、図９を参照して説明する。
【０００７】
図９参照
図９は、従来のグラニュラー構造を有する裏打層を設けた垂直磁気記録媒体の概略的断面図であり、まず、ガラス基板６１上に、Ｃｏ８０Ｆｅ２０とＳｉＯ２　の成膜後の体積組成比が６０：４０となるように調整したコンポジットターゲットを用いて、対向静止マグネトロンスパッタ法により、ＳｉＯ２　からなる非磁性母材６３中にＣｏ８０Ｆｅ２０からなる粒径が１０〜１３ｎｍのグラニュラー粒子６３が分散した厚さが８０ｎｍの裏打層６２を形成したのち、連続してＣｏＰｔ２０Ｃｒ１６ターゲットを用いてＣｏＰｔ２０Ｃｒ１６からなる厚さが５０ｎｍの磁性層６５を形成し、最後に、厚さが８ｎｍの保護膜６６を設けたものである。
【０００８】
この様に裏打層６２をグラニュラー構造とすることによって、ノイズの原理となる磁区の形成を抑制することができ、また、面内磁化の軟磁性膜とすることができるので、高記録密度化が可能になる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、メッキ法の場合には、上述のように、成膜速度は速いものの、膜厚のコントロールが困難であり、また、軟磁気特性に強く影響する粒径のコントロールが難しく、磁区の発生を制御することができないという問題がある。
【００１０】
一方、グラニュラー構造を用いた場合には、依然としてスパッタ法によるものであるので、１００〜５００ｎｍの厚膜の形成には時間がかかりすぎるという問題があり、また、グラニュラー粒子の粒径を均一に形成することが困難であるという問題がある。
【００１１】
さらに、磁気異方性制御は、ディスク径方向に磁化容易軸が向いている方が低ノイズ化のために好ましいものの、グラニュラー構造を有する裏打層においては、この様な異方性制御工程が存在しないという問題がある。
【００１２】
したがって、本発明は、裏打層の厚膜化を可能にするとともに、磁区の発生を抑制し、異方性を制御するとともに、軟磁性体粒子の粒径の均一化を目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
図１は本発明の原理的構成の説明図であり、この図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１参照
上記目的を達成するため、本発明は、非磁性基板１上に少なくとも軟磁性材料層２と硬質磁性材料層５とを設けた高密度磁気記録媒体において、前記軟磁性材料層２を粒径分散σ／平均粒径Ｄが１０％以下のナノ粒子３によって構成したことを特徴とする。
【００１４】
この様に、ナノ粒子３、特に、化学的手法によって予め形成した粒径が均一なナノ粒子３を用いて軟磁性材料層２を形成しているので、磁区の発生を再現性良く抑制することができる。
この場合のナノ粒子３を構成する元素としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃ、Ｂを組み合わせて用いれば良い。
また、軟磁性材料層２に設けた硬質磁性材料層５が記録層となるが、通常は、中間層４を介して設けられることになる。
【００１５】
なお、この場合の平均粒径Ｄは、表面ＴＥＭ像（２００万倍）におけるナノ粒子３の縁を透明なシートに写し取り、そのシートをスキャナーで読み込んで電子ファイルにする。
次に、読み込んだ画像を画像解析ソフトによって解析し、個々の結晶粒に対して面積を求め、この面積から真円であると仮定した時の直径を求めて粒径ｘとする。
【００１６】
得られた直径ｘの度数分布に対し、対数正規分布を下記の（１）式の関数を用いてフィットし、平均値ｘａｖｅ　を平均粒径Ｄとし、粒径分散σを見積もった。
【数１】
2004079104.tif 000003
【００１７】
この場合の軟磁性材料層２を構成するナノ粒子３の平均粒径Ｄは、２ｎｍ以上、好適には２〜２０ｎｍであることが望ましく、且つ、平均粒子間隔は０．２〜５ｎｍであることが望ましい。
【００１８】
また、軟磁性材料層２を構成するナノ粒子３の磁気異方性は、中心から放射方向に配向していることが望ましく、それよって、ノイズを更に低減することが可能である。
【００１９】
上述の高密度磁気記録媒体を製造するには、粒径分散σ／平均粒径Ｄが１０％以下のナノ粒子３を分散した溶液を用いて非磁性基板１上に前記軟磁性材料層２を成膜したのち、非磁性層基板１中心から放射方向の磁場を印加しながら熱処理を行えば良い。
【００２０】
この様に、ナノ粒子３を分散した溶液を用いることにより、１００〜５００ｎｍの厚膜の軟磁性材料層２の成膜が容易になり、且つ、粒子間隔に制御も容易になり、さらに、放射状の磁場を利用することによって放射状の磁気異方性を付与することが可能になる。
なお、磁場強度としては、１００〜５００〔Ｏｅ〕が望ましい。
【００２１】
この場合の磁場印加手段は、非磁性基板１の中心部に設けた永久磁石の一方の極性の磁極と、非磁性基板１の周辺に配置した複数の他の永久磁石の他方の極性の磁極とにより構成しても良いし、或いは、非磁性基板１の中心部の上下に配置された一対の電磁石によって構成しても良く、さらには、非磁性基板１の中心部に設けた電磁石の磁芯の突出部と、磁芯の突出部と一体に形成された受皿状部から構成して良いものである。
【００２２】
また、熱処理に際しては、Ｎ２　、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、或いは、Ｈ２　の一種類以上の非酸化性ガス或いは真空からなり、１０−５〜１０＋６Ｐａの圧力下で行うことが望ましく、熱処理温度としては２００〜６００℃、より望ましくは３００℃〜５００℃が好適である。
なお、２００℃未満ではナノ粒子３の磁化方向の配向性が悪く、一方、６００℃を越えると材料によってはキュリー点を越えて軟磁性特性が失われることがある。
【００２３】
上述の高密度磁気記録媒体を搭載することによって、低ノイズで、高密度記録が可能な磁気記録再生装置を実現することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
ここで、図２及び図３を参照して、本発明の第１の実施の形態の垂直磁気記録媒体の製造工程を説明する。
図２（ａ）参照
まず、スピンコート装置のスピンドルモータ１２のウェハ支持部に結晶化ガラス基板１１を固着し、スピンドルモータ１２によって、例えば、６０ｒｐｍのゆっくりした回転数で回転させた状態で、シリンジ１３からラジアル方向に０．５ｃｍ／秒の速度で移動させながらナノ粒子分散塗布溶液１４を滴下したのち、１０００ｒｐｍで１０秒間回転させることにより、ナノ粒子分散塗布溶液１４を結晶化ガラス基板１１の表面全面に拡げる。
【００２５】
なお、この場合のナノ粒子は、スーパーハイドライド法やポリオール法（必要ならば、Ｓｕｎ，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．８５，ｐ．４３２５，１９９９、或いは、Ｓｃｉｅｎｃｅ，Ｖｏｌ．２８７，ｐ．１９８９，２０００参照）によって予め化学合成したＮｉＦｅナノ粒子を用いる。
【００２６】
これらのナノ粒子は、製造工程で用いるオレイン酸及びオレイルアミン等の安定剤で取り囲まれており、安定して存在できるものであり、また、合成中に入れる安定剤の種類を変えることで粒径を制御することができ、ここでは、平均粒径Ｄが２〜２０ｎｍ、例えば、１０ｎｍのナノ粒子を用いる。
【００２７】
また、ナノ粒子を取り囲む安定剤を置き換えることによって、ナノ粒子間の粒子間距離を変えることができ、ここでは、０．５〜５ｎｍになるように調整する。
【００２８】
この様に化学合成されたナノ粒子をヘキサン：オクタン＝１：１の非極性有機溶媒中に分散してナノ粒子分散塗布溶液１４を作製するものであり、１０乃至２０粒子層が形成される程度塗布する。
【００２９】
次いで、Ｎ２　ガスを導入して溶媒であるヘキサンとオクタンを蒸発させてナノ粒子分散塗布溶液１４を乾燥させる。
この場合、結晶化ガラス基板１１全面においてゆっくりと均一に蒸発が生じるので、粒子間引力で自己組織化してＮｉＦｅ粒子が多層の超格子構造を示すように整然と均一な厚さで整列した状態で乾燥膜が得られる。
【００３０】
次いで、結晶化ガラス基板１１を裏返しにしてチャックし、上記と同様の工程で再び成膜を行うことによって、結晶化ガラス基板１１の両面にＮｉＦｅ粒子からなる裏打層１５を形成する。
【００３１】
図２（ｂ）参照
次いで、裏打層１５を形成した結晶化ガラス基板１１をアニールチャンバーに搬入し、アニールチャンバー内に円筒状で上端側がＮ極１６となっている永久磁石と、Ｎ極１６に対して放射状にＳ極１７が対向する複数の永久磁石を配置し、結晶化ガラス基板１１の内径部をＮ極１６に挿入した状態で固定・保持する。
【００３２】
次いで、アニールチャンバーを一旦、３×１０−５Ｐａまで真空に引いたのち、Ｎ２　及びＡｒを導入して１０−５〜１０＋６Ｐａにした圧力下で、ランプヒータ１８によって、２００〜６００℃、例えば、５００℃に加熱した温度下で、永久磁石間に１００〜５００〔Ｏｅ〕、例えば、２００〔Ｏｅ〕の磁場を印加した状態で３０分間熱処理を行う。
【００３３】
なお、この場合、図示は省略しているものの、結晶化ガラス基板１１の下側にもランプヒータを設けることが望ましく、また、永久磁石はＡｌＮｉＣｏで構成することが望ましく、それによって、アニール処理工程において磁気を失うことはない。
【００３４】
図３（ｃ）参照
図３（ｃ）は、アニール処理後の基板の概略的断面図であり、結晶化ガラス基板１１上にナノ粒子１９が整然と多層に積層された裏打層１５が得られる。
【００３５】
図３（ｄ）参照
図３（ｄ）は、図３（ｃ）におけるナノ粒子１９の磁化の配列状態を示す模式図であり、矢印で示すナノ粒子１９の磁化は一方向に整列し、合成された磁化方向２０は磁場の印加方向に一致する。
なお、図においては、一部分を示しているので磁化は一方向に整列しているが、結晶化ガラス基板１１全体ではラジアル方向に整列する。
【００３６】
以降は、従来と同様に、スパッタ法を用いて厚さが、例えば、１０ｎｍのＴｉからなる中間層２１、厚さが、例えば、２０ｎｍのＣｏＣｒＰｔからなる磁性層２２、及び、厚さが、例えば、４ｎｍのＤＬＣからなる保護膜２３を順次堆積させたのち、保護膜２３上にパーフルオロカーボンからなる潤滑材２４を設けることによって、垂直磁気記録媒体の基本構造が完成する。
【００３７】
この様に、本発明の第１の実施の形態においては、予め化学合成したナノ粒子を用いているので、スパッタ法に比べて粒径を均一にすることができまた、塗布法を用いているので厚膜の形成が容易であり、且つ、粒子間距離の制御性を高めることができる。
【００３８】
また、本発明の第１の実施の形態においては、ラジアル方向の磁場を印加した状態でアニール処理を行っているので、ナノ粒子の磁化方向をラジアル方向に整列されることができ、それによって、低ノイズ化が可能になる。
【００３９】
次に、図４を参照して、本発明の第１の実施の形態の垂直磁気記録媒体を搭載した磁気記録再生装置を説明する。
図４参照
図４は、本発明の第１の実施の形態の垂直磁気記録媒体を搭載した磁気記録再生装置の平面図であり、スピンドルモータ３３の回転軸に取り付けられるとともに、ディスククランプリング３２によって固定された垂直磁気記録媒体３１、先端部にサスペンション３５を介して磁気センサを備えたスライダー３６を取り付けたヘッドアーム３４から基本構成が構成される。
【００４０】
この様に、本発明の第１の実施の形態の垂直磁気記録媒体を搭載することにより、低ノイズで高密度記録が可能な磁気記録再生装置を実現することができる。
【００４１】
次に、図５を参照して、本発明の第２の実施の形態の垂直磁気記録媒体の製造工程を説明するが、裏打層の成膜工程が異なるだけで、他の工程は上記の第１の実施の形態と全く同様であるので、裏打層の成膜工程のみを説明する。
【００４２】
図５参照
まず、結晶化ガラス基板１１を、浸漬容器４１内に収容した平均粒径が、例えば、１０ｎｍのＮｉＦｅからなるナノ粒子をヘキサン：オクタン＝１：１の溶媒に分散させたナノ粒子分散溶液４２中に浸漬し、徐々に引き上げることによって、結晶化ガラス基板１１の表裏両面に１０〜２０粒子層分のナノ粒子分散溶液膜を形成する。
【００４３】
次いで、Ｎ２　ガス雰囲気中でヘキサン及びオクタンを蒸発させることで、ナノ粒子分散溶液膜を乾燥させたのち、上述の図２（ｂ）以降の工程を行うことによって垂直磁気記録媒体を作製する。
【００４４】
この本発明の第２の実施の形態においては、ディッピング法を用いているので、結晶化ガラス基板１１の両面に一度に裏打層を形成することができ、製造工程が簡素化される。
なお、この場合の粒子層の層数は、ナノ粒子分散溶液４２中に分散するナノ粒子の濃度を調整することによって制御可能である。
【００４５】
次に、図６を参照して、本発明の第３の実施の形態の磁場印加方法を説明する。
図６参照
図６は、アニール処理工程の概念的構成図であり、乾燥した裏打層１５を設けた結晶化ガラス基板１１の中心部の上下に一対の電磁石２５，２６を配置したものであり、この一対の電磁石２５，２６からラジアル方向に広がる磁場によって裏打層１５中のナノ粒子の磁化方向をラジアル方向に整列させるものである。
【００４６】
この本発明の第３の実施の形態においては、磁場印加手段を一対の電磁石で構成しているので構成が簡素化される。
【００４７】
次に、図７を参照して、本発明の第４の実施の形態の磁場印加方法を説明する。
図７（ａ）参照
図７（ａ）は、磁場印加装置を構成するＦｅ等の磁性金属からなる磁芯２７であり、中央に設けた円筒状と突起部２８と、この突起部の他端に一体に設けられた深かめの受皿部２９とからなる。
【００４８】
図７（ｂ）参照
この磁芯２７の突起部２８にコイル３０を巻き付けることによって電磁石が形成され、突起部２８の頂部をＮ極とすると、受皿部２９の縁がＳ極となり、ラジアル方向の磁場が形成される。
【００４９】
図７（ｃ）参照
図７（ｃ）は、アニール処理工程の概念的構成図であり、乾燥した裏打層１５を設けた結晶化ガラス基板１１の中心部に突起部２８が挿入されるように結晶化ガラス基板１１の全体を受皿部２９内に配置する。
【００５０】
この状態で、コイル３０に電流を流し、１００〜５００〔Ｏｅ〕の磁場を発生させることによって、ナノ粒子の磁化の方向をラジアル方向に配列させることができる。
なお、この場合も図示を省略しているが、ランプヒータを用いて加熱するものである。
【００５１】
このように、本発明の第４の実施の形態においては、特殊形状の磁芯を用いた電磁石によって磁場印加機構を構成しているので、周辺部においても強い磁界を発生させることができ、それによって、基板の縁近傍におけるナノ粒子の磁化方向を精度良く整列させることができる。
【００５２】
以上、本発明の各実施の形態を説明したが、本発明は各実施の形態に記載した構成及び条件に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、上記の各実施の形態においては、加熱処理工程においてランプヒータを用いているが、ランプヒータに限られるものではなく、ＰＧ／ＰＢＮヒータを用いても良いものである。
なお、このＰＧ／ＰＢＮヒータは、ＰＢＮ（Ｐｙｒｏｌｙｔｉｃ　ＢｏｒｏｎＮｉｔｒｉｄｅ）からなる非導電性基板上にＰＧ（Ｐｙｒｏｌｙｔｉｃ　Ｇｒａｐｈｉｔｅ）からなる導電パターンを設けてヒータとしたものである。
【００５３】
また、上記の各実施の形態においては、ナノ粒子をＮｉＦｅによって構成しているが、ＮｉＦｅに限られるものではなく軟磁性体を構成するのであれば良く、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＴａＣ等の、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃ、Ｂを適宜組み合わたものを用いても良いものである。
【００５４】
また、上記の各実施の形態においては、有機溶媒としてヘキサン：オクタン＝１：１の溶媒を用いているが、混合比は１：１に限られるものではなく、さらに、オクタンの代わりにヘプタンを用いたヘキサン＋ヘプタン混合溶液を用いても良いものである。
【００５５】
また、上記の各実施の形態においては、アニール処理をＡｒ＋Ｎ２　雰囲気中で行っているが、この様な雰囲気に限られるものではなく、不所望な反応の生じない非酸化性雰囲気であれば良く、Ｎ２　、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、或いは、Ｈ２　の一種類以上のガス雰囲気、或いは、真空中で行えば良い。
【００５６】
また、上記の各実施の形態においては、基板として結晶化ガラス基板を用いているが、結晶化ガラス基板に限られるものではなく、非磁性基板であれば良く、例えば、強化ガラス基板、或いは、Ａｌ−Ｍｇ合金基板等を用いても良いものである。
【００５７】
また、上記の各実施の形態においては、磁性層としてＣｏＣｒＰｔを用いているが、ＣｏＣｒＰｔに限られるものではなく、Ｃｏ／Ｐｄ、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ等を用いても良いものである。
【００５８】
また、上記の各実施の形態においては、中間層としてＴｉを用いているが、Ｔｉに限られるものではなく、ＴｉＣｒ、Ｒｕ、ＭｇＯ等を用いても良いものである。
【００５９】
ここで、再び図１を参照して、改めて本発明の詳細な特徴を説明する。
再び、図１参照
（付記１）　非磁性基板１上に少なくとも軟磁性材料層２と硬質磁性材料層５とを設けた高密度磁気記録媒体において、前記軟磁性材料層２を粒径分散σ／平均粒径Ｄが１０％以下のナノ粒子３によって構成したことを特徴とする高密度磁気記録媒体。
（付記２）　上記軟磁性材料層２を構成するナノ粒子３の平均粒径Ｄが、２ｎｍ以上であり、且つ、平均粒子間隔が０．２〜５ｎｍであることを特徴とする付記１記載の高密度磁気記録媒体。
（付記３）　上記軟磁性材料層２を構成するナノ粒子３の磁気異方性が、上記非磁性基板１の中心から放射方向に配向していることを特徴とする付記１または２に記載の高密度磁気記録媒体。
（付記４）　非磁性基板１上に少なくとも軟磁性材料層２と硬質磁性材料層５と積層する高密度磁気記録媒体の製造方法において、粒径分散σ／平均粒径Ｄが１０％以下のナノ粒子３を分散した溶液を用いて前記非磁性基板１上に前記軟磁性材料層２を成膜したのち、前記非磁性基板１の中心から放射方向の磁場を印加しながら熱処理を行うことを特徴とする高密度磁気記録媒体の製造方法。
（付記５）　上記磁場印加手段が、上記非磁性基板１の中心部に設けた永久磁石の一方の極性の磁極と、前記非磁性基板１の周辺に配置した複数の他の永久磁石の他方の極性の磁極とにより構成されることを特徴とする付記４記載の高密度磁気記録媒体の製造方法。
（付記６）　上記磁場印加手段が、上記非磁性基板１の中心部の上下に配置された一対の電磁石からなることを特徴とする付記４記載の高密度磁気記録媒体の製造方法。
（付記７）　上記磁場印加手段が、上記非磁性基板１の中心部に設けた電磁石の磁芯の突出部と、前記磁芯の突出部と一体に形成された受皿状部からなり、前記受皿状部内に前記非磁性基板１が配置されることを特徴とする付記４記載の高密度磁気記録媒体の製造方法。
（付記８）　付記１乃至３のいずれか１に記載の高密度磁気記録媒体を搭載したことを特徴とする磁気記録再生装置。
【００６０】
【発明の効果】
本発明によれば、裏打層をナノ粒子を用いて形成するとともに、アニール工程においてラジアル方向に磁場を印加しているので、厚膜で磁気異方性が均一で、且つ、磁区の発生が抑制された裏打層を構成することができ、それによって、低ノイズで高密度記録が可能な垂直磁気記録媒体を作製することができ、ひいては、高密度記録磁気記録再生装置に実現に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の途中までの製造工程の説明図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の図２以降の製造工程の説明図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態の垂直磁気記録媒体を搭載した磁気記録再生装置の平面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態の製造工程の説明図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態の磁場印加方法の説明図である。
【図７】本発明の第４の実施の形態の磁場印加方法の説明図である。
【図８】従来の垂直磁気記録媒体の説明図である。
【図９】従来のグラニュラー構造を有する裏打層を設けた垂直磁気記録媒体の説明図である。
【符号の説明】
１　非磁性基板
２　軟磁性材料層
３　ナノ粒子
４　中間層
５　硬質磁性材料層
１１　結晶化ガラス基板
１２　スピンドルモータ
１３　シリンジ
１４　ナノ粒子分散塗布溶液
１５　裏打層
１６　Ｎ極
１７　Ｓ極
１８　ランプヒータ
１９　ナノ粒子
２０　合成された磁化方向
２１　中間層
２２　磁性層
２３　保護膜
２４　潤滑材
２５　電磁石
２６　電磁石
２７　磁芯
２８　突起部
２９　受皿部
３０　コイル
３１　垂直磁気記録媒体
３２　ディスククランプリング
３３　スピンドルモータ
３４　ヘッドアーム
３５　サスペンション
３６　スライダー
４１　浸漬容器
４２　ナノ粒子分散溶液
５１　基板
５２　裏打層
５３　中間層
５４　磁性層
５５　保護膜
５６　潤滑材
５７　軟磁性体結晶粒子
５８　磁区
６１　ガラス基板
６２　裏打層
６３　グラニュラー粒子
６４　非磁性母材
６５　磁性層
６６　保護膜
【図１】
2004079104.tif 000004
【図２】
2004079104.tif 000005
【図３】
2004079104.tif 000006
【図４】
2004079104.tif 000007
【図５】
2004079104.tif 000008
【図６】
2004079104.tif 000009
【図７】
2004079104.tif 000010
【図８】
2004079104.tif 000011
【図９】
2004079104.tif 000012