(57)【要約】【課題】めっき引き出し線を不要とする電解めっき法でめっきをし、半導体素子接続用パッドにオーバーハングや、めっき被膜不着部がなく、ソルダーレジストマスクの接合強度の高いプラスチックパッケージ及びその製造方法を提供する。【解決手段】樹脂基板１１の上面側のＣｕ金属層１２をエッチング処理して配線パターン１３と連接して形成された半導体素子接続用パッド１４と、下面側に外部端子接続用パッド１５と、上、下面の配線パターン１３、１３ａを接続するビア１７を有するプラスチックパッケージ１０において、半導体素子接続用パッド１４と下面側配線パターン１３ａの上表面と、半導体素子接続用パッド１４の側面が電解めっき法によるＮｉ、Ａｕめっき被膜１８で覆われ、しかもめっきの通電が下面側の金属層１２ａに行われめっき引き出し線がないと共に、上面側は半導体素子接続用パッド１４以外にＮｉ、Ａｕめっき被膜１８が施されていない。【選択図】        図１
2004165238.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂基板の両面のＣｕからなる金属層の上面側の該金属層をエッチング処理して上面側配線パターンと連接して形成された半導体素子と電気的に接続させるための半導体素子接続用パッドと、下面側の前記金属層をエッチング処理して下面側配線パターンと連接して形成された外部と電気的に接続させるための外部端子接続用パッドを有し、前記上面側配線パターンと前記下面側配線パターンを接続するビアを有するプラスチックパッケージにおいて、
前記半導体素子接続用パッドの上表面、前記下面側配線パターンの上表面、及び前記半導体素子接続用パッドの側面が電解めっき法によるＮｉ及びＡｕめっき被膜で覆われ、しかも、前記電解めっき法での通電が下面側の前記金属層に行われ、該電解めっき法用のめっき引き出し線が形成されていないと共に、前記半導体素子接続用パッド以外の前記上面側配線パターンには前記Ｎｉ及びＡｕめっき被膜が施されていないことを特徴とするプラスチックパッケージ。
【請求項２】
請求項１記載のプラスチックパッケージにおいて、前記ビアの中心部空洞に導電材又は絶縁材からなる樹脂ペーストを孔埋して形成された充填体を有することを特徴とするプラスチックパッケージ。
【請求項３】
樹脂基板の両面のＣｕからなる金属層の上面側の該金属層をエッチング処理して上面側配線パターンと連接して形成された半導体素子と電気的に接続させるための半導体素子接続用パッドと、下面側の前記金属層をエッチング処理して下面側配線パターンと連接して形成された外部と電気的に接続させるための外部端子接続用パッドを有し、前記上面側配線パターンと前記下面側配線パターンを接続するビアを有するプラスチックパッケージにおいて、
前記半導体素子接続用パッドの上表面、前記下面側配線パターンの上表面、前記ビアの壁面、及び前記半導体素子接続用パッドの側面が電解めっき法によるＮｉ及びＡｕめっき被膜で覆われ、しかも、前記電解めっき法での通電が下面側の前記金属層に行われ、該電解めっき法用のめっき引き出し線が形成されていないと共に、前記半導体素子接続用パッド以外の前記上面側配線パターンには前記Ｎｉ及びＡｕめっき被膜が施されていないことを特徴とするプラスチックパッケージ。
【請求項４】
樹脂基板の両面のＣｕからなる上面側金属層と下面側金属層をスルーホールの壁面に導体金属を備えるビアで接続し、前記上面側金属層をエッチング処理して形成する半導体素子接続用パッドと、前記下面側金属層をエッチング処理して形成する外部端子接続用パッドを設けるプラスチックパッケージの製造方法において、
前記上面側及び下面側金属層の表面に第１のドライフィルムを展着し、前記上面側金属層に展着した前記第１のドライフィルムにフォトリソグラフィ法の処理を行い、上面側配線パターンの逆パターンを開口部とする上面側エッチングレジストマスクと、前記下面側金属層に展着した前記第１のドライフィルムにフォトリソグラフィ法の処理を行い、前記下面側金属層の全体面を被覆する下面側エッチングレジストマスクを形成する工程と、
前記上面側エッチングレジストマスクの開口部から露出する前記上面側金属層をエッチング処理して除去し前記上面側配線パターンを形成した後、前記上面側及び下面側エッチングレジストマスクを剥離して除去する工程と、
前記上面側配線パターンが形成された前記樹脂基板の上面に感光性のソルダーレジスト膜の形成と、前記ビアの中心部空洞にソルダーレジストを充填し、前記ソルダーレジスト膜及びソルダーレジストにフォトリソグラフィ法で前記半導体素子接続用パッドを含むエリアが開口部から露出する第１のソルダーレジストマスクを形成する工程と、
前記下面側金属層の表面に第２のドライフィルムを展着し、該第２のドライフィルムにフォトリソグラフィ法の処理を行い、下面側配線パターンを開口部とするめっきレジストマスクを形成する工程と、
前記第１のソルダーレジストマスクの開口部から露出する前記半導体素子接続用パッド、及び前記めっきレジストマスクの開口部から露出する前記下面側配線パターンに、前記下面側金属層から通電する電解めっき法でＮｉ及びＡｕめっき被膜を形成する工程と、
前記めっきレジストマスクを剥離して除去した後、前記Ｎｉ及びＡｕめっき被膜をエッチングレジストマスクとして開口部の前記下面側金属層をエッチングして除去して前記下面側配線パターンを形成する工程と、
前記下面側配線パターンが形成された前記樹脂基板の上面に感光性のソルダーレジスト膜を形成し、該ソルダーレジスト膜にフォトリソグラフィ法で前記外部端子接続用パッドが開口部から露出する第２のソルダーレジストマスクを形成する工程を有することを特徴とするプラスチックパッケージの製造方法。
【請求項５】
請求項４記載のプラスチックパッケージの製造方法において、前記ビアの中心部空洞には、前記第１のドライフィルムが展着される前に、導電材又は絶縁材からなる孔埋め用ペーストを印刷して充填する充填体を形成する工程を含むことを特徴とするプラスチックパッケージの製造方法。
【請求項６】
樹脂基板の両面のＣｕからなる上面側金属層と下面側金属層をスルーホールの壁面に導体金属を備えるビアで接続し、前記上面側金属層をエッチング処理して形成する半導体素子接続用パッドと、前記下面側金属層をエッチング処理して形成する外部端子接続用パッドを設けるプラスチックパッケージの製造方法において、
前記上面側及び下面側金属層の表面に第１のドライフィルムを展着し、前記上面側金属層に展着した前記第１のドライフィルムにフォトリソグラフィ法の処理を行い、上面側配線パターンの逆パターンを開口部とする上面側エッチングレジストマスクと、前記下面側金属層に展着した前記第１のドライフィルムにフォトリソグラフィ法の処理を行い、前記下面側金属層の全体面を被覆する下面側エッチングレジストマスクを形成する工程と、
前記上面側エッチングレジストマスクの開口部から露出する前記上面側金属層をエッチング処理して除去し前記上面側配線パターンを形成した後、前記上面側及び下面側エッチングレジストマスクを剥離して除去する工程と、
前記上面側配線パターンが形成された前記樹脂基板の上面、及び前記下面側金属層の表面に第２のドライフィルムを展着し、該第２のドライフィルムにフォトリソグラフィ法の処理を行い、前記ビア部及び前記上面側配線パターンの内の前記半導体素子接続用パッドを含むエリアを開口部とするめっきレジストマスクを形成すると共に、下面側に下面側配線パターンを開口部とする前記めっきレジストマスクを形成する工程と、
前記めっきレジストマスクの開口部から露出する前記半導体素子接続用パッドと、内壁面を含めた前記ビア部及び前記下面側配線パターンに、前記下面側金属層から通電する電解めっき法でＮｉ及びＡｕめっき被膜を形成する工程と、
前記めっきレジストマスクを剥離して除去した後、前記上面側配線パターンを含めた上面側全面にエッチングレジスト用カバーフィルムを展着し、下面側の前記Ｎｉ及びＡｕめっき被膜をエッチングレジストマスクとして開口部の前記下面側金属層をエッチングして除去して前記下面側配線パターンを形成する工程と、
前記エッチングレジスト用カバーフィルムを剥離して除去した後、前記上面側配線パターン及び前記下面側配線パターンが形成された前記樹脂基板の両面に感光性のソルダーレジスト膜を形成すると同時に、前記ビアの中心部空洞に感光性のソルダーレジストを充填し、該ソルダーレジストにフォトリソグラフィ法で上面側に前記半導体素子接続用パッドを含むエリアと、下面側に前記外部端子接続用パッドが開口部から露出するソルダーレジストマスクを形成する工程を有することを特徴とするプラスチックパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、半導体素子搭載用のプラスチックパッケージ及びその製造方法に係り、より詳細には、樹脂基板の上面側金属層をエッチング処理して形成する半導体素子接続用パッドと下面側金属層をエッチング処理して形成する外部端子接続用パッドを有するプラスチックパッケージ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の半導体素子の高性能化、小型化に伴い、半導体素子を搭載するためのプラスチックパッケージは、外部と接続するための外部端子の多端子化、半導体素子の実装性、低コスト化、高放熱特性、低インピーダンス化等の観点から、外部端子が半田ボール等からなるＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）タイプや、半導体素子とほぼ同じ大きさからなるフリップチップタイプ等のプラスチックパッケージが多く用いられている。このプラスチックパッケージは、表面にＣｕ箔を接合して形成した導体層を備えたＢＴ樹脂（ビスマイレイミドトリアジンを主成分にした樹脂）や、ポリイミド樹脂等からなる１層又は多層の高耐熱性の銅張り樹脂基板を基板として用いて、この銅張り樹脂基板に半導体素子を実装して直接モールディングするタイプや、半導体素子を直接接続するタイプ等がある。そして、このプラスチックパッケージには、電解めっき法によってめっき被膜を形成しながらめっき引き出し用配線を不要にして、配線の高密度化や、電気特性の改善を図る以下に示すようなプラスチックパッケージ及びその製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図９に示すように、めっき引き出し用配線を不要とするプラスチックパッケージ５０は、樹脂基板５１の両面のＣｕからなる金属層５２に電解めっき法で所望のパターン形状に施したＮｉ及びＡｕめっき被膜５３をエッチングレジストマスクとしてエッチング処理して形成される配線パターン５４、ビア５５、半導体素子接続用パッド５６、及び外部端子接続用パッド５７等を有している。そして、プラスチックパッケージ５０は、両面を半導体素子と接続するための半導体素子接続用パッド５６を含むエリア、及び外部と接続するための外部端子接続用パッド５７等を開口部から露出するソルダーレジストマスク５８で被覆している。
【０００４】
図１０（Ａ）〜（Ｄ）を参照しながら、めっき引き出し用配線を不要とするプラスチックパッケージ５０の製造方法を説明する。図１０（Ａ）に示すように、表面にＣｕ箔５９が接合されている樹脂基板５１には、表、裏面を導通状態とするためのスルーホール６０を穿設し、表、裏面及びスルーホール６０の壁面に無電解Ｃｕめっき被膜を設け、更に、この無電解Ｃｕめっき被膜に通電して電解Ｃｕめっき被膜を設けてＣｕめっき被膜６１を形成している。これによって、樹脂基板５１の両面には、それぞれＣｕ箔５９とＣｕめっき被膜６１で上面側及び下面側の金属層５２が形成される。また、スルーホール６０には、上下の金属層５２を導通状態にするビア５５が形成される。そして、上面側と下面側の金属層５２上には、ドライフィルムが展着され、パターンマスクを当接して露光、現像するフォトリソグラフィ法で所望のパターンを開口部から露出するめっきレジストマスク６２を形成している。次に、図１０（Ｂ）に示すように、めっきレジストマスク６２の開口部から露出する金属層５２上には、Ｃｕめっき被膜６１に通電してビア５５の壁面を含めた配線パターン５４、半導体素子接続用パッド５６、及び外部端子接続用パッド５７となる部分等に、電解めっき法でＮｉ及びＡｕめっき被膜５３を形成している。
【０００５】
次に、図１０（Ｃ）に示すように、金属層５２上に形成されたドライフィルムからなるめっきレジストマスク６２は、剥離液を塗布してドライフィルムを膨潤させて剥離し除去している。次に、図１０（Ｄ）に示すように、Ｎｉ及びＡｕめっき被膜５３から露出する金属層５２は、Ｎｉ及びＡｕめっき被膜５３をエッチングレジストマスクとしてエッチング処理を行って溶解させ除去している。これによって、配線パターン５４、半導体素子接続用パッド５６、及び外部端子接続用パッド５７等が形成される。そして、樹脂基板５１の表面には、半導体素子接続用パッド５６を含むエリア、及び外部端子接続用パッド５７が開口部から露出するソルダーレジストマスク５８（図示せず、図９参照）を接合して、プラスチックパッケージ５０を作製している。
【０００６】
【特許文献１】
特開平１１−２９７８９１号公報（第１−１１頁、第１−３図）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述したような従来のプラスチックパッケージ及びその製造方法には、未だ解決すべき次のような問題がある。
（１）Ｎｉ及びＡｕめっき被膜をエッチングレジストマスクとしてエッチング処理を行った場合には、Ｃｕからなる金属層の側面部がＮｉ及びＡｕめっき被膜で被覆されないでＣｕが露出し、しかも、半導体素子接続用パッドの側面はソルダーレジストマスクでも被覆されない形態となるので、例えば、高温高湿通電試験（ＨＨＢＴ）等の信頼性試験で評価した場合に、金属層の側面部がＮｉ及びＡｕめっき被膜で被覆されている形態のものに比較して評価結果が劣る場合があり、信頼性に差が発生することがある。
（２）Ｎｉ及びＡｕめっき被膜をエッチングレジストマスクとしてエッチング処理を行った場合には、金属層の側面部のＣｕがえぐられてＮｉ及びＡｕめっき被膜のオーバーハングが発生する。このオーバーハング部には、半導体素子を接続するためのワイヤボント゛が行えないので、オーバーハング部を見込んだ有効エリアを持つ半導体素子接続用パッドの設計が必要となり、パターン間の絶縁間隔が狭くなり配線の設計に問題が発生する。また、それぞれのオーバーハングの程度に差があるので、ワイヤボント゛の有効エリアの確認が困難であり、ワイヤボンドを行った後の接続信頼性に欠けるものが発生することがある。
（３）Ｎｉ及びＡｕめっき被膜が形成された配線パターンとソルダーレジストマスクとの接合は、Ａｕめっき被膜に酸化膜が形成されないので、樹脂との接合面の接合強度が低く、半導体素子接合用パッドが形成される側の表面のように樹脂基板内でＡｕめっき被膜表面の面積の占める割合が大きくなるとソルダーレジストマスクとの接合面で剥離が発生しやすく、信頼性の低下となっている。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、めっき引き出し線を不要としながら電解めっき法でめっき被膜を形成し、半導体素子接続用パッドにオーバーハングや、めっき被膜不着部がなく、しかもソルダーレジストマスクの接合強度の高いプラスチックパッケージ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記目的に沿う本発明に係るプラスチックパッケージは、樹脂基板の両面のＣｕからなる金属層の上面側の金属層をエッチング処理して上面側配線パターンと連接して形成された半導体素子と電気的に接続させるための半導体素子接続用パッドと、下面側の金属層をエッチング処理して下面側配線パターンと連接して形成された外部と電気的に接続させるための外部端子接続用パッドを有し、上面側配線パターンと下面側配線パターンを接続するビアを有するプラスチックパッケージにおいて、半導体素子接続用パッドの上表面、下面側配線パターンの上表面、及び半導体素子接続用パッドの側面が電解めっき法によるＮｉ及びＡｕめっき被膜で覆われ、しかも、電解めっき法での通電が下面側の金属層に行われ、電解めっき法用のめっき引き出し線が形成されていないと共に、半導体素子接続用パッド以外の上面側配線パターンにはＮｉ及びＡｕめっき被膜が施されていない。これにより、半導体素子接続用パッドの側面にＣｕからなる金属層の露出がないので、信頼性試験での評価が高い。また、Ｎｉ及びＡｕめっき被膜のオーバーハングの発生がないので、ワイヤボンドや、半導体素子を直接接合する場合の有効エリアを広くすることができる。更に、上面側は、半導体素子接続用パッド以外にＮｉ及びＡｕめっき被膜が施されてないので、ソルダーレジストマスクとの密着性を向上することができる。
【０００９】
ここで、ビアの中心部空洞に導電材又は絶縁材からなる樹脂ペーストを孔埋して形成された充填体を有するのがよい。これにより、エッチングレジストマスクや、ソルダーレジストマスク等のパターンをビア上に確実且つ正確に形成することができるので、エッチング時のエッチング液や、電解めっき時のめっき液の浸入による汚染を防止でき、信頼性を向上することができる。
【００１０】
前記目的に沿う本発明に係るプラスチックパッケージは、樹脂基板の両面のＣｕからなる金属層の上面側の金属層をエッチング処理して上面側配線パターンと連接して形成された半導体素子と電気的に接続させるための半導体素子接続用パッドと、下面側の金属層をエッチング処理して下面側配線パターンと連接して形成された外部と電気的に接続させるための外部端子接続用パッドを有し、上面側配線パターンと下面側配線パターンを接続するビアを有するプラスチックパッケージにおいて、半導体素子接続用パッドの上表面、下面側配線パターンの上表面、ビアの壁面、及び半導体素子接続用パッドの側面が電解めっき法によるＮｉ及びＡｕめっき被膜で覆われ、しかも、電解めっき法での通電が下面側の金属層に行われ、電解めっき法用のめっき引き出し線が形成されていないと共に、半導体素子接続用パッド以外の上面側配線パターンにはＮｉ及びＡｕめっき被膜が施されていない。これにより、半導体素子接続用パッドの側面にＣｕからなる金属層の露出がないので、信頼性試験での評価が高い。また、Ｎｉ及びＡｕめっき被膜のオーバーハングの発生がないので、ワイヤボンドや、半導体素子を直接接合する場合の有効エリアを広くすることができる。また、上面側は、半導体素子接続用パッド以外にＮｉ及びＡｕめっき被膜が施されてないので、ソルダーレジストマスクとの密着性を向上することができる。更に、ビアの壁面にもＮｉ及びＡｕめっき被膜が施されるので、例えば、温度サイクル試験等の信頼性試験に対して、信頼性を向上することができる。
【００１１】
前記目的に沿う本発明に係るプラスチックパッケージの製造方法は、樹脂基板の両面のＣｕからなる上面側金属層と下面側金属層をスルーホールの壁面に導体金属を備えるビアで接続し、上面側金属層をエッチング処理して形成する半導体素子接続用パッドと、下面側金属層をエッチング処理して形成する外部端子接続用パッドを設けるプラスチックパッケージの製造方法において、上面側及び下面側金属層の表面に第１のドライフィルムを展着し、上面側金属層に展着した第１のドライフィルムにフォトリソグラフィ法の処理を行い、上面側配線パターンの逆パターンを開口部とする上面側エッチングレジストマスクと、下面側金属層に展着した第１のドライフィルムにフォトリソグラフィ法の処理を行い、下面側金属層の全体面を被覆する下面側エッチングレジストマスクを形成する工程と、上面側エッチングレジストマスクの開口部から露出する上面側金属層をエッチング処理して除去し上面側配線パターンを形成した後、上面側及び下面側エッチングレジストマスクを剥離して除去する工程と、上面側配線パターンが形成された樹脂基板の上面に感光性のソルダーレジスト膜の形成と、ビアの中心部空洞にソルダーレジストを充填し、ソルダーレジスト膜及びソルダーレジストにフォトリソグラフィ法で半導体素子接続用パッドを含むエリアが開口部から露出する第１のソルダーレジストマスクを形成する工程と、下面側金属層の表面に第２のドライフィルムを展着し、第２のドライフィルムにフォトリソグラフィ法の処理を行い、下面側配線パターンを開口部とするめっきレジストマスクを形成する工程と、第１のソルダーレジストマスクの開口部から露出する半導体素子接続用パッド、及びめっきレジストマスクの開口部から露出する下面側配線パターンに、下面側金属層から通電する電解めっき法でＮｉ及びＡｕめっき被膜を形成する工程と、めっきレジストマスクを剥離して除去した後、Ｎｉ及びＡｕめっき被膜をエッチングレジストマスクとして開口部の下面側金属層をエッチングして除去して下面側配線パターンを形成する工程と、下面側配線パターンが形成された樹脂基板の上面に感光性のソルダーレジスト膜を形成し、ソルダーレジスト膜にフォトリソグラフィ法で外部端子接続用パッドが開口部から露出する第２のソルダーレジストマスクを形成する工程を有する。
【００１２】
これにより、半導体素子接続用パッドの側面にＮｉ及びＡｕめっき被膜を容易に形成することができる。また、Ｎｉ及びＡｕめっき被膜のオーバーハングの発生を防止することができる。更に、上面側のＮｉ及びＡｕめっき被膜の形成を半導体素子接続用パッド部のみにすることができる。
【００１３】
ここで、ビアの中心部空洞には、第１のドライフィルムが展着される前に、導電材又は絶縁材からなる孔埋め用ペーストを印刷して充填する充填体を形成する工程を含むのがよい。これにより、ビア内部に孔埋め用ペーストを容易に充填することができる。
【００１４】
前記目的に沿う本発明に係るプラスチックパッケージの他の製造方法は、樹脂基板の両面のＣｕからなる上面側金属層と下面側金属層をスルーホールの壁面に導体金属を備えるビアで接続し、上面側金属層をエッチング処理して形成する半導体素子接続用パッドと、下面側金属層をエッチング処理して形成する外部端子接続用パッドを設けるプラスチックパッケージの製造方法において、上面側及び下面側金属層の表面に第１のドライフィルムを展着し、上面側金属層に展着した第１のドライフィルムにフォトリソグラフィ法の処理を行い、上面側配線パターンの逆パターンを開口部とする上面側エッチングレジストマスクと、下面側金属層に展着した第１のドライフィルムにフォトリソグラフィ法の処理を行い、下面側金属層の全体面を被覆する下面側エッチングレジストマスクを形成する工程と、上面側エッチングレジストマスクの開口部から露出する上面側金属層をエッチング処理して除去し上面側配線パターンを形成した後、上面側及び下面側エッチングレジストマスクを剥離して除去する工程と、上面側配線パターンが形成された樹脂基板の上面、及び下面側金属層の表面に第２のドライフィルムを展着し、第２のドライフィルムにフォトリソグラフィ法の処理を行い、ビア部及び上面側配線パターンの内の半導体素子接続用パッドを含むエリアを開口部とするめっきレジストマスクを形成すると共に、下面側に下面側配線パターンを開口部とするめっきレジストマスクを形成する工程と、めっきレジストマスクの開口部から露出する半導体素子接続用パッドと、内壁面を含めたビア部及び下面側配線パターンに、下面側金属層から通電する電解めっき法でＮｉ及びＡｕめっき被膜を形成する工程と、めっきレジストマスクを剥離して除去した後、上面側配線パターンを含めた上面側全面にエッチングレジスト用カバーフィルムを展着し、下面側のＮｉ及びＡｕめっき被膜をエッチングレジストマスクとして開口部の下面側金属層をエッチングして除去して下面側配線パターンを形成する工程と、エッチングレジスト用カバーフィルムを剥離して除去した後、上面側配線パターン及び下面側配線パターンが形成された樹脂基板の両面に感光性のソルダーレジスト膜を形成すると同時に、ビアの中心部空洞に感光性のソルダーレジストを充填し、ソルダーレジストにフォトリソグラフィ法で上面側に半導体素子接続用パッドを含むエリアと、下面側に外部端子接続用パッドが開口部から露出するソルダーレジストマスクを形成する工程を有する。
【００１５】
これにより、半導体素子接続用パッドの側面にＮｉ及びＡｕめっき被膜を容易に形成することができる。また、Ｎｉ及びＡｕめっき被膜のオーバーハングの発生を防止することができる。また、上面側のＮｉ及びＡｕめっき被膜の形成を半導体素子接続用パッド部のみにすることができる。更に、ビア内にＮｉ及びＡｕめっき被膜を容易に形成することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本発明の理解に供する。
ここに、図１は本発明の一実施の形態に係るプラスチックパッケージの部分拡大断面図、図２は同プラスチックパッケージの変形例の部分拡大断面図、図３は同プラスチックパッケージの他の変形例の部分拡大断面図、図４（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係るプラスチックパッケージの製造方法の一部を示す部分拡大断面図、図５（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ同プラスチックパッケージの製造方法の一部を示す部分拡大断面図、図６（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ同プラスチックパッケージの変形例の製造方法の一部を示す部分拡大断面図、図７（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ本発明の他の実施の形態に係るプラスチックパッケージの製造方法の一部を示す部分拡大断面図、図８（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ同プラスチックパッケージの製造方法の一部を示す部分拡大断面図である。
【００１７】
図１に示すように、本発明の一実施の形態に係るプラスチックパッケージ１０は、コア基板が、例えば、ＢＴ樹脂や、ポリイミド樹脂等の高耐熱性、誘電特性、絶縁特性、加工性等に優れた樹脂を基材とする１層又は多層の樹脂基板１１からなる。この樹脂基板１１の上面と下面の両面には、それぞれＣｕからなる金属層１２、１２ａを有し、上面側金属層１２をエッチング処理して上面側配線パターン１３と連接して形成された半導体素子と電気的に接続させるための半導体素子接続用パッド１４と、下面側金属層１２ａをエッチング処理して下面側配線パターン１３ａと連接して形成された外部と電気的に接続させるための外部端子接続用パッド１５を有している。そして、樹脂基板１１には、上面側配線パターン１３と下面側配線パターン１３ａを接続するための樹脂基板１１を穿設して設けたスルーホール１６の壁面にＣｕからなる導体金属を備えるビア１７を有している。
【００１８】
このプラスチックパッケージ１０は、半導体素子接続用パッド１４と下面側配線パターン１３ａの上表面と、半導体素子接続用パッド１４の側面に電解めっき法で形成されたＮｉ及びＡｕめっき被膜１８を有している。しかも、このプラスチックパッケージ１０は、電解めっき法の通電が下面側金属層１２ａから行われており、電解めっき法の通電を行うためのめっき引き出し線が形成されていない。また、このプラスチックパッケージ１０は、半導体素子接続用パッド１４以外の上面側配線パターン１３にＮｉ及びＡｕめっき被膜１８が形成されていない。なお、このプラスチックパッケージ１０は、上面側に半導体素子接続用パッド１４を含むエリアを開口部から露出する第１のソルダーレジストマスク１９と、下面側に外部端子接続用パッド１５を開口部から露出する第２のソルダーレジストマスク２０をそれぞれ別工程で形成して有している。また、下面側配線パターン１３ａには、Ｎｉ及びＡｕめっき被膜１８が形成されているが、その面積は僅かであるので、ソルダーレジストマスク２０との接合面で剥離が発生するまでには至らない。
【００１９】
次いで、図２を参照しながら、本発明の一実施の形態に係るプラスチックパッケージ１０の変形例のプラスチックパッケージ１０ａを説明する。このプラスチックパッケージ１０ａは、基本的にはプラスチックパッケージ１０と同じであるが、ビア１７の中心部空洞に導電材や、絶縁材からなる樹脂ペーストで穴埋めされて形成された充填体２１を有している。なお、このプラスチックパッケージ１０ａは、プラスチックパッケージ１０の場合と同様に、上面側に第１のソルダーレジストマスク１９と、下面側に第２のソルダーレジストマスク２０をそれぞれ別工程で形成して有している。
【００２０】
次いで、図３を参照しながら、本発明の他の実施の形態に係るプラスチックパッケージ１０ｂを説明する。このプラスチックパッケージ１０ｂは、基本的にはプラスチックパッケージ１０と同じであるが、ビア１７の壁面に下面側金属層１２ａに通電する電解めっき法により形成されたＮｉ及びＡｕめっき被膜１８を有している。なお、このプラスチックパッケージ１０ｂは、上面側に半導体素子接続用パッド１４を含むエリアを開口部から露出し、下面側に外部端子接続用パッド１５を開口部から露出するソルダーレジストマスク２２を同じ工程で形成して有している。
【００２１】
次いで、図４（Ａ）〜（Ｄ）、図５（Ａ）〜（Ｃ）を参照しながら、本発明の一実施の形態に係るプラスチックパッケージ１０の製造方法を説明する。図４（Ａ）に示すように、両面にＣｕ箔が接合された、例えば、ＢＴ樹脂や、ポリイミド樹脂等の高耐熱性、誘電特性、絶縁特性、加工性等に優れた樹脂からなる１層又は多層の樹脂基板１１には、ドリルマシーンや、パンチングマシーン等を用いてスルーホール１６を穿設し、更に無電解Ｃｕめっき及び電解Ｃｕめっきを施してＣｕからなる上面側金属層１２、下面側金属層１２ａ、及び、スルーホール１６の壁面にＣｕめっき被膜の導体金属を備えるビア１７を形成する。次に、上面側金属層１２及び下面側金属層１２ａの表面には、感光性のアクリル樹脂を主成分とする第１のドライフィルムをビア１７の中心部空洞を塞ぎながら展着する。上面側金属層１２に展着した第１のドライフィルムには、上面側配線パターン１３が得られるように、パターンマスクを当接して露光し、現像して形成するフォトリソグラフィ法で、上面側配線パターン１３の逆パターンを開口部とする上面側エッチングレジストマスク２３を形成する。また、下面側金属層１２ａに展着した第１のドライフィルムには、全面を露光して硬化して形成するフォトリソグラフィ法で、下面側金属層１２ａの全体面を被覆する下面側エッチングレジストマスク２４を形成する。
【００２２】
次に、図４（Ｂ）に示すように、上面側エッチングレジストマスク２３の開口部から露出する上面側金属層１２には、例えば、塩化第二鉄溶液、塩化第二銅溶液、アルカリエッチャント、過酸化水素−硫酸系エッチャント等のエッチング液を噴射してエッチング処理を行う。これによって、上面側エッチングレジストマスク２３の開口部から露出する上面側金属層１２を除去して上面側配線パターン１３を形成する。この後、第１のドライフィルムからなる上面側エッチングレジストマスク２３及び下面側エッチングレジストマスク２４は、例えば、ドライフィルムがアルカリ可溶タイプの場合の剥離液が５０℃、３％程度の水酸化ナトリウム水溶液等であるような剥離液を用いて、スプレーで噴射したり、剥離液中に浸漬して第１のドライフィルムを膨潤させながら上面側金属層１２及び下面側金属層１２ａから剥離させて除去する。
【００２３】
次に、図４（Ｃ）に示すように、上面側配線パターン１３が形成された樹脂基板１１の上面には、樹脂からなる感光性のソルダーレジストペーストを用いてスクリーン印刷等でソルダーレジスト膜を形成したり、ビア１７の中心部空洞にソルダーレジストを充填する。そして、更に、ソルダーレジスト膜の上には、パターンマスクを当接して露光し、現像して形成するフォトリソグラフィ法で、半導体素子接続用パッド１４を含むエリアが開口部から露出する第１のソルダーレジストマスク２５を形成する。
【００２４】
次に、図４（Ｄ）に示すように、下面側金属層１２ａの表面には、第１のドライフィルムと同様の感光性のアクリル樹脂を主成分とする第２のドライフィルムを展着する。下面側金属層１２ａに展着した第２のドライフィルムには、下面側配線パターン１３ａが得られるように、パターンマスクを当接して露光し、現像して形成するフォトリソグラフィ法で、下面側配線パターン１３ａを開口部とするめっきレジストマスク２６を形成する。
【００２５】
次に、図５（Ａ）に示すように、第１のソルダーレジストマスク２５の開口部から露出する半導体素子接続用パッド１４と、めっきレジストマスク２６の開口部から露出する下面側配線パターン１３ａには、例えば、ワット浴や、スルファミン酸浴等のめっき浴中で下面側金属層１２ａから通電する電解めっき法によって電解Ｎｉめっきを施す。そして、続いて、例えば、Ａｕめっき浴や、Ａｕ合金めっき浴等のめっき浴中で下面側金属層１２ａから通電する電解めっき法によって電解Ａｕめっきを施す。これによって、上面側の半導体素子接続用パッド１４の上表面及び側面と、下面側の下面側配線パターン１３ａの上表面には、Ｎｉ及びＡｕめっき被膜１８が形成される。
【００２６】
次に、図５（Ｂ）に示すように、第２のドライフィルムからなるめっきレジストマスク２４は、剥離液をスプレーで噴射したり、剥離液中に浸漬したりして第２のドライフィルムを膨潤させながら下面側金属層１２ａから剥離させて除去する。この後、Ｎｉ及びＡｕめっき被膜１８をエッチングレジストマスクとして開口部から露出する下面側金属層１２ａには、例えば、アルカリエッチャント等のエッチング液を噴射してエッチング処理を行う。これによって、樹脂基板１１の下面側には、下面側配線パターン１３ａが形成される。
【００２７】
次に、図５（Ｃ）に示すように、下面側配線パターン１３ａが形成され樹脂基板１１の上面には、樹脂からなる感光性のソルダーレジストペーストを用いてスクリーン印刷等でソルダーレジスト膜を形成する。そして、更に、ソルダーレジスト膜の上には、パターンマスクを当接して露光し、現像して形成するフォトリソグラフィ法で、外部端子接続用パッド１５が開口部から露出する第２のソルダーレジストマスク２７を形成して、プラスチックパッケージ１０を作製している。なお、外部端子接続用パッド１５を形成する下面側配線パターン１３ａの外周部は、平面視して第２のソルダーレジストマスク２７で被覆されているのがよい。
【００２８】
次いで、図６（Ａ）〜（Ｄ）を参照しながら、本発明の一実施の形態に係るプラスチックパッケージ１０の変形例のプラスチックパッケージ１０ａの製造方法を説明する。図６（Ａ）に示すように、両面にＣｕ箔が接合された、例えば、ＢＴ樹脂や、ポリイミド樹脂等の高耐熱性、誘電特性、絶縁特性、加工性等に優れた樹脂からなる１層又は多層の樹脂基板１１には、ドリルマシーンや、パンチングマシーン等を用いてスルーホール１６を穿設する。更に、樹脂基板１１には、無電解Ｃｕめっき及び電解Ｃｕめっきが施されてＣｕからなる上面側金属層１２、下面側金属層１２ａ、及び、スルーホール１６の壁面にＣｕめっき被膜の導体金属を備えるビア１７を形成する。
【００２９】
次に、図６（Ｂ）に示すように、ビア１７の中心部空洞には、Ａｇや、Ｃｕ等の粉末と樹脂との混合物の導電材、又は樹脂等の絶縁材からなる孔埋め用ペーストを用いてスクリーン印刷し、乾燥して硬化させて充填体２１を形成する。そして、図６（Ｃ）に示すように、樹脂基板１１の上面側金属層１２及び下面側金属層１２ａの表面には、感光性のアクリル樹脂を主成分とする第１のドライフィルムを展着する。
【００３０】
次に、図６（Ｄ）に示すように、上面側金属層１２に展着した第１のドライフィルムには、上面側配線パターン１３が得られるように、パターンマスクを当接して露光し、現像して形成するフォトリソグラフィ法で、上面側配線パターン１３の逆パターンを開口部とする上面側エッチングレジストマスク２３を形成する。また、下面側金属層１２ａに展着した第１のドライフィルムには、全面を露光して硬化して形成するフォトリソグラフィ法で、下面側金属層１２ａの全体面を被覆する下面側エッチングレジストマスク２４を形成する。
そして、この後の工程は、ビア１７の中心部空洞に第１のソルダーレジストマスク２５に変わって充填体２１が充填されるている以外は前記プラスチックパッケージ１０の製造方法と実質的に同じである。
【００３１】
次いで、図７（Ａ）〜（Ｃ）、図８（Ａ）〜（Ｃ）を参照しながら、本発明の他の実施の形態に係るプラスチックパッケージ１０ｂの製造方法を説明する。図７（Ａ）に示すように、両面にＣｕ箔が接合された、例えば、ＢＴ樹脂や、ポリイミド樹脂等の高耐熱性、誘電特性、絶縁特性、加工性等に優れた樹脂からなる１層又は多層の樹脂基板１１には、ドリルマシーンや、パンチングマシーン等を用いてスルーホール１６を穿設し、更に無電解Ｃｕめっき及び電解Ｃｕめっきを施してＣｕからなる上面側金属層１２、下面側金属層１２ａ、及び、スルーホール１６の壁面にＣｕめっき被膜の導体金属を備えるビア１７を形成する。次に、上面側金属層１２及び下面側金属層１２ａの表面には、感光性のアクリル樹脂を主成分とする第１のドライフィルムをビア１７の中心部空洞を塞ぎながら展着する。上面側金属層１２に展着した第１のドライフィルムには、上面側配線パターン１３が得られるように、パターンマスクを当接して露光し、現像して形成するフォトリソグラフィ法で、上面側配線パターン１３の逆パターンを開口部とする上面側エッチングレジストマスク２３を形成する。また、下面側金属層１２ａに展着した第１のドライフィルムには、全面を露光して硬化して形成するフォトリソグラフィ法で、下面側金属層１２ａの全体面を被覆する下面側エッチングレジストマスク２４を形成する。
【００３２】
次に、図７（Ｂ）に示すように、上面側エッチングレジストマスク２３の開口部から露出する上面側金属層１２には、例えば、塩化第二鉄溶液、塩化第二銅溶液、アルカリエッチャント、過酸化水素−硫酸系エッチャント等のエッチング液を噴射してエッチング処理を行う。これによって、上面側エッチングレジストマスク２３の開口部から露出する上面側金属層１２を除去して上面側配線パターン１３を形成する。この後、第１のドライフィルムからなる上面側エッチングレジストマスク２３及び下面側エッチングレジストマスク２４は、例えば、ドライフィルムがアルカリ可溶タイプの場合の剥離液が５０℃、３％程度の水酸化ナトリウム水溶液等であるような剥離液を用いて、スプレーで噴射したり、剥離液中に浸漬して第１のドライフィルムを膨潤させながら上面側金属層１２及び下面側金属層１２ａから剥離させて除去する。
【００３３】
次に、図７（Ｃ）に示すように、上面側配線パターン１３が形成された樹脂基板１１の上面と、下面側金属層１２ａの表面には、第１のドライフィルムと同様の感光性のアクリル樹脂を主成分とする第２のドライフィルムを展着する。上面側に形成した第２のドライフィルムには、パターンマスクを当接して露光し、現像して形成するフォトリソグラフィ法で、ビア１７部及び上面側配線パターン１３の内の半導体素子接続用パッド１４を含むエリアを開口部とするめっきレジストマスク２６ａを形成する。また、下面側に形成した第２のドライフィルムには、下面側配線パターン１３ａが得られるように、パターンマスクを当接して露光し、現像して形成するフォトリソグラフィ法で、下面側配線パターン１３ａを開口部とするめっきレジストマスク２６ｂを形成する。
【００３４】
次に、図８（Ａ）に示すように、めっきレジストマスク２６ａ、２６ｂの開口部から露出する半導体素子接続用パッド１４、ビア１７部、及び下面側配線パターン１３ａには、例えば、ワット浴や、スルファミン酸浴等のめっき浴中で下面側金属層１２ａから通電する電解めっき法によって電解Ｎｉめっきを施す。そして、続いて、例えば、Ａｕめっき浴や、Ａｕ合金めっき浴等のめっき浴中で下面側金属層１２ａから通電する電解めっき法によって電解Ａｕめっきを施す。これによって、上面側の半導体素子接続用パッド１４の上表面及び側面と、ビア１７の内壁面部、及び下面側の下面側配線パターン１３ａの上表面には、Ｎｉ及びＡｕめっき被膜１８が形成される。
【００３５】
次に、図８（Ｂ）に示すように、第２のドライフィルムからなるめっきレジストマスク２６ａ、２６ｂは、剥離液をスプレーで噴射したり、剥離液中に浸漬したりして第２のドライフィルムを膨潤させながら剥離させて除去する。この後、上面側配線パターン１３を含めた上面側全面に樹脂フィルム等からなるエッチングレジスト用カバーフィルム２８を展着する。そして、エッチングレジスト用カバーフィルム２８と、Ｎｉ及びＡｕめっき被膜１８をエッチングレジストマスクとして開口部から露出する下面側金属層１２ａには、例えば、アルカリエッチャント等のエッチング液を噴射してエッチング処理を行う。これによって、樹脂基板１１の下面側には、下面側配線パターン１３ａが形成される。
【００３６】
次に、図８（Ｃ）に示すように、上面側全面に展着されたエッチングレジスト用カバーフィルム２８を剥離して除去した後、上面側配線パターン１３、及び下面側配線パターン１３ａが形成され樹脂基板１１の上面には、樹脂からなる感光性のソルダーレジストペーストを用いてスクリーン印刷等でソルダーレジスト膜を形成するのと同時に、ビア１７の中心部空洞にも感光性のソルダーレジストを充填する。そして、ソルダーレジスト膜の上には、パターンマスクを当接して露光し、現像して形成するフォトリソグラフィ法で、上面側に半導体素子接続用パッド１４を含むエリアが開口部から露出し、下面側に外部端子接続用パッド１５が開口部から露出するソルダーレジストマスク２２を形成して、プラスチックパッケージ１０ｂを作製している。なお、外部端子接続用パッド１５を形成する下面側配線パターン１３ａの外周部は、平面視してソルダーレジストマスク２２で被覆されているのがよい。
【００３７】
【発明の効果】
請求項１及びこれに従属する請求項２記載のプラスチックパッケージは、半導体素子接続用パッドの上、下面側配線パターンの上表面、及び半導体素子接続用パッドの側面が電解めっき法によるＮｉ及びＡｕめっき被膜で覆われ、しかも、電解めっき法での通電が下面側の金属層に行われ、電解めっき法用のめっき引き出し線が形成されていないと共に、半導体素子接続用パッド以外の上面側配線パターンにはＮｉ及びＡｕめっき被膜が施されていないので、半導体素子接続用パッドの側面にＣｕからなる金属層の露出がなく、信頼性試験での評価が高く、また、半導体素子接続用パッドにＮｉ及びＡｕめっき被膜のオーバーハングの発生がなく、ワイヤボンドや、半導体素子を直接接合する場合の有効エリアを広くすることができる。更に、配線パターンの面積比率の高い上面側でもソルダーレジストマスクとの密着性を向上することができる。
【００３８】
特に、請求項２記載のプラスチックパッケージは、ビアの中心部空洞に導電材又は絶縁材からなる樹脂ペーストを孔埋して形成された充填体を有するので、エッチングレジストマスクや、ソルダーレジストマスク等のパターンをビア上に確実且つ正確に形成することができ、エッチング時のエッチング液や、電解めっき時のめっき液の浸入による汚染を防止して、信頼性を向上することができる。
【００３９】
請求項３記載のプラスチックパッケージは、半導体素子接続用パッドの上表面、下面側配線パターンの上表面、ビアの壁面、及び半導体素子接続用パッドの側面が電解めっき法によるＮｉ及びＡｕめっき被膜で覆われ、しかも、めっきの通電が下面側の金属層に行われ、電解めっき法用のめっき引き出し線が形成されていないと共に、半導体素子接続用パッド以外の上面側配線パターンにはＮｉ及びＡｕめっき被膜が施されていないので、半導体素子接続用パッドの側面にＣｕからなる金属層の露出がなく信頼性試験での評価が高い、また、半導体素子接続用パッドにＮｉ及びＡｕめっき被膜のオーバーハングの発生がなくワイヤボンドや半導体素子を直接接合する場合の有効エリアを広くすることができる。また、上面側は、半導体素子接続用パッド以外にＮｉ及びＡｕめっき被膜が施されてなく、ソルダーレジストマスクとの密着性を向上することができる。更に、ビアの壁面は、Ｎｉ及びＡｕめっき被膜で覆われ、例えば、温度サイクル試験等の信頼性試験に対して、信頼性を向上させることができる。
【００４０】
請求項４及びこれに従属する請求項５記載のプラスチックパッケージの製造方法は、上、下面側金属層に第１のドライフィルムを展着し、上面側ドライフィルムにフォトリソグラフィ法で上面側配線パターンの逆パターンを開口部とする上面側エッチングレジストマスクと、下面側に下面側金属層の全体面を被覆する下面側エッチングレジストマスクを形成する工程と、上面側エッチングレジストマスクの開口部から露出する上面側金属層をエッチング処理して除去し上面側配線パターンを形成した後、上、下面側エッチングレジストマスクを剥離して除去する工程と、樹脂基板の上面及びビアの中心部空洞に感光性のソルダーレジスト膜を形成したり、ソルダーレジストを充填し、フォトリソグラフィ法で半導体素子接続用パッドを含むエリアが開口部から露出する第１のソルダーレジストマスクを形成する工程と、下面側金属層の表面に第２のドライフィルムを展着し、フォトリソグラフィ法で下面側配線パターンを開口部とするめっきレジストマスクを形成する工程と、半導体素子接続用パッド部、及び下面側配線パターンに、下面側金属層から通電する電解めっき法でＮｉ及びＡｕめっき被膜を形成する工程と、めっきレジストマスクを剥離して除去した後、Ｎｉ及びＡｕめっき被膜をエッチングレジストマスクとして開口部の下面側金属層をエッチングして除去して下面側配線パターンを形成する工程と、下面側配線パターンが形成された樹脂基板の上面に感光性のソルダーレジスト膜を形成し、ソルダーレジスト膜にフォトリソグラフィ法で外部端子接続用パッドが開口部から露出する第２のソルダーレジストマスクを形成する工程を有するので、半導体素子接続用パッドの側面にＮｉ及びＡｕめっき被膜を容易に形成することができる。また、Ｎｉ及びＡｕめっき被膜のオーバーハングの発生を防止することができる。更に、上面側のＮｉ及びＡｕめっき被膜の形成を半導体素子接続用パッド部のみにすることができる。
【００４１】
特に、請求項５記載のプラスチックパッケージの製造方法は、ビアの中心部空洞には、第１のドライフィルムが展着される前に、導電材又は絶縁材からなる孔埋め用ペーストを印刷して充填する充填体を形成する工程を含むので、ビア内部に孔埋め用ペーストを容易に充填することができる。
【００４２】
請求項６記載のプラスチックパッケージの製造方法は、上、下面の金属層の表面に第１のドライフィルムを展着し、上面側の第１のドライフィルムにフォトリソグラフィ法の処理を行い、上面側配線パターンの逆パターンを開口部とする上面側エッチングレジストマスクと、下面側に下面側金属層の全体面を被覆する下面側エッチングレジストマスクを形成する工程と、上面側エッチングレジストマスクの開口部から露出する上面側金属層をエッチング処理して除去し上面側配線パターンを形成した後、両面のエッチングレジストマスクを剥離して除去する工程と、上面側配線パターンが形成された樹脂基板の上面側金属層及び下面側金属層の表面に第２のドライフィルムを展着し、フォトリソグラフィ法の処理で、ビア部及び上面側配線パターンの内の半導体素子接続用パッドを含むエリアを開口部とするめっきレジストマスクを形成すると共に、下面側に下面側配線パターンを開口部とするめっきレジストマスクを形成する工程と、めっきレジストマスクの開口部から露出する半導体素子接続用パッドと、内壁面を含めたビア部及び下面側配線パターンに、下面側金属層から通電する電解めっき法でＮｉ及びＡｕめっき被膜を形成する工程と、めっきレジストマスクを剥離して除去した後、上面側全面にエッチングレジスト用カバーフィルムを展着し、下面側のＮｉ及びＡｕめっき被膜をエッチングレジストマスクとして開口部の下面側金属層をエッチングして除去して下面側配線パターンを形成する工程と、エッチングレジスト用カバーフィルムを剥離して除去した後、上、下面の配線パターンが形成された樹脂基板の両面に感光性のソルダーレジスト膜を形成すると同時に、ビアの中心部空洞に感光性のソルダーレジストを充填し、フォトリソグラフィ法で上面側に半導体素子接続用パッドを含むエリアと、下面側に外部端子接続用パッド部が開口部から露出するソルダーレジストマスクを形成する工程を有するので、半導体素子接続用パッドの側面にＮｉ及びＡｕめっき被膜を容易に形成し、Ｎｉ及びＡｕめっき被膜のオーバーハングの発生を防止することができる。また、上面側のＮｉ及びＡｕめっき被膜の形成を半導体素子接続用パッドのみにすることができる。更に、ビア内にＮｉ及びＡｕめっき被膜を容易に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係るプラスチックパッケージの部分拡大断面図である。
【図２】同プラスチックパッケージの変形例の部分拡大断面図である。
【図３】同プラスチックパッケージの他の変形例の部分拡大断面図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係るプラスチックパッケージの製造方法の一部を示す部分拡大断面図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ同プラスチックパッケージの製造方法の一部を示す部分拡大断面図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ同プラスチックパッケージの変形例の製造方法の一部を示す部分拡大断面図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ本発明の他の実施の形態に係るプラスチックパッケージの製造方法の一部を示す部分拡大断面図である。
【図８】（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ同プラスチックパッケージの製造方法の一部を示す部分拡大断面図である。
【図９】従来のプラスチックパッケージの部分拡大断面図である。
【図１０】（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ従来のプラスチックパッケージの製造方法を示す部分拡大断面図である。
【符号の説明】
１０、１０ａ、１０ｂ：プラスチックパッケージ、１１：樹脂基板、１２：上面側金属層、１２ａ：下面側金属層、１３：上面側配線パターン、１３ａ：下面側配線パターン、１４：半導体素子接続用パッド、１５：外部端子接続用パッド、１６：スルーホール、１７：ビア、１８：Ｎｉ及びＡｕめっき被膜、１９：第１のソルダーレジストマスク、２０：第２のソルダーレジストマスク、２１：充填体、２２：ソルダーレジストマスク、２３：上面側エッチングレジストマスク、２４：下面側エッチングレジストマスク、２５：第１のソルダーレジストマスク、２６、２６ａ、２６ｂ：めっきレジストマスク、２７：第２のソルダーレジストマスク、２８：エッチングレジスト用カバーフィルム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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