(57)【要約】      （修正有）【課題】設置面に載せたウェハの面内温度差が小さく飽和時間の小さい静電チャックを提供する。【解決手段】静電吸着用電極１８を備えた円板状セラミック体２の一方の主面にウェハＷの設置面３と、該設置面３の周辺に同心円状の環状ガス溝９と該環状ガス溝９と連通するガス導入口５と、その内側に円形ガス溝８と該円形ガス溝８と連通するガス導入口４を備え、前記環状ガス溝９と円形ガス溝８が互いに独立し、且つ前記環状ガス溝９及び前記円形ガス溝８の内部に複数の凸状部１１，１２を備える。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電吸着用電極を備えた円板状セラミック体の一方の主面にウェハの設置面を形成し、該設置面の周辺に同心円状の環状ガス溝と該環状ガス溝に連通するガス導入口を備え、その内側に円形ガス溝と該円形ガス溝に連通するガス導入口を備え、前記環状ガス溝と円形ガス溝が互いに独立し、且つ前記環状ガス溝及び前記円形ガス溝の内部に複数の凸状部を備えたことを特徴とする静電チャック。
【請求項２】
上記円形ガス溝の直径が上記設置面の外径の７０〜９５％であることを特徴とする請求項１に記載の静電チャック。
【請求項３】
上記円形ガス溝の外周と上記環状ガス溝の内周とで囲まれた環状の凸部の巾が０．５〜５ｍｍであり、上記載置面の外周と上記環状ガス溝の外周とで囲まれた環状の凸部の巾が１〜５ｍｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の静電チャック。
【請求項４】
上記円形ガス溝の面積Ｓ１と上記円形ガス溝の内部にある複数の凸状部の上面の総面積Ｓ２との比Ｓ１／Ｓ２が１〜５であり、上記環状ガス溝の面積Ｓ３と上記環状ガス溝の内部にある複数の凸状部の上面の総面積Ｓ４との比Ｓ３／Ｓ４が１〜５であることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の静電チャック。
【請求項５】
上記ガス導入口周辺における上記円形ガス溝または上記環状ガス溝の幅が、他の部分の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の静電チャック。
【請求項６】
上記ガス導入口の周辺の円形ガス溝または環状ガス溝の幅が他の部分の幅の１．４〜２０倍であることを特徴とする請求項５に記載の静電チャック。
【請求項７】
上記複数の凸状部はその中心に対し点対称であることを特徴とする請求項５または６に記載の静電チャック。
【請求項８】
上記ガス導入口を複数備え、ガス導入口の内径が１ｍｍ以下であることを特徴とする請求項５〜７の何れかに記載の静電チャック。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体や液晶の製造装置において、半導体ウェハＷや液晶用ガラス等のウェハＷを固定するのに使用する静電チャックに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体の製造工程において、シリコンウェハＷ等のウェハＷに精度良く成膜やエッチング等の処理を施すには、ウェハＷの平坦度を保ちながら保持する必要があり、このような保持手段として、機械式チャック、真空チャック、静電チャックが提案されている。
【０００３】
これらの保持手段の中で、静電気力によってウェハＷを保持する静電チャックは、成膜やエッチング等の各種処理に求められるウェハＷの平坦度を容易に実現することができ、特に真空中で使用できるため、成膜装置やエッチング装置で多用されている。
【０００４】
ところで、半導体素子の集積度の向上に伴って、半導体素子の特性安定化、歩留まり向上、単位時間当たりの処理枚数の増加などが強く求められている。その為、エッチングや成膜処理の際にウェハＷをできるだけ早く目的の温度にまで加熱し、ウェハＷ全体の均熱性を高めることが求められている。
【０００５】
そこで、ウェハＷを載せる設置面に、ＨｅやＡｒ等の不活性ガスを導入するガス導入口と、このガス導入口に連通する溝又は凹部を形成し、設置面上にウェハＷを吸着した時、上記ガス導入口よりウェハＷと溝や凹部とで形成される空間に不活性ガスを充填することにより、ウェハＷと静電チャックとの間の熱伝達特性を向上させ、ウェハＷの均熱化を図るようになっていた。
【０００６】
そして、設置面に形成する溝形状や凹形状として、例えば、特許文献１には、図２に示すように、円板状をした静電チャック３１の上面に、ガス導入口３４と、このガス導入口３４と連通する複数の放射状溝３５と、各放射状状溝３５と連通し、且つ上記ガス導入口３４を中心に略等間隔で同心円状に配置された還状溝３６を備えてなり、上記放射状溝３５や上記環状溝３６やガス導入口３４を除く静電チャック３１の上面をウェハＷの設置面３３としたものが開示されている。
【０００７】
また、特許文献２には、図３（ａ）に示すように、円板状をした静電チャック４１の上面に、ガス導入口４４と、このガス導入口４４と連通する複数の放射状溝４５と、各放射状溝４５の端部と連通する一つの環状溝４６を備えてなり、上記放射状溝４５や上記環状溝４６やガス導入口４４を除く静電チャック４１の上面をウェハＷの設置面４３とするとともに、該設置面４３にはブラスト加工を施して図３（ｂ）に示すような凹凸面としたものが開示されている。
【０００８】
特許文献３には、図６に示すように、円板状をした静電チャック５１の上面に、複数の微小凸部５２を点在させるとともに、上面周縁に環状凸部５７を設け、上記微小凸部５２及び環状凸部５７の頂面をウェハＷの設置面５３となし、上面には複数のガス導入口５４を設けたものが開示されている。
【０００９】
また、特許文献４には環状ガス溝と放射状ガス溝からなる静電チャックや、図７に示すように、環状ガス溝６６と円形ガス溝６７からなる静電チャック６１が開示されている。
【００１０】
特許文献５には複数の環状ガス溝からなる静電チャックや円形ガス溝の内部に凸状部を備えた静電チャックが開示されている。
【００１１】
更に、特許文献６には、図８に示すように、環状ガス溝７６と円形ガス溝７７からなり、円形ガス溝７７の内部に凸状部７８を備え、環状ガス溝７６には円環状の凸部７９が形成された静電チャック７１が開示されている。
【特許文献１】特許第２６２６６１８号公報
【特許文献２】特開平１０−５６０５４号公報
【特許文献３】特開平７−１５３８２５号公報
【特許文献４】特開平９−２１３７７７号公報
【特許文献５】特開平７−１８４３８号公報
【特許文献６】米国特許第５７６１０２３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところが、図２に示す設置面を有する静電チャック３１では、隣り合う２つの放射状溝３５と還状溝３６とで囲まれる設置面３３の面積が、中心部より周縁部の方が大きいため、設置面３３からウェハＷへ伝わる熱伝導量が中心部より周縁部の方が多くなってウェハＷの周縁部の温度が中心部より高くなることから、ウェハＷの均熱が損なわれるといった課題があった。
【００１３】
また、図３（ａ）（ｂ）に示す設置面４３を有する静電チャック４１では、設置面４３が凹凸面であり、ウェハＷと接触する面積が少ないため、凸部の頂面からウェハＷに伝わる熱量が小さく、ウェハＷを所定の温度に加熱するのに要する時間が長くなり、単位時間当たりのウェハＷ処理枚数を向上させることができないといった課題があった。
【００１４】
さらに、図６に示す設置面５３を有する静電チャック５１では、ウェハＷと接触する面積が１〜１０％程度と小さく、微小凸部５２や環状凸部５７の頂面からウェハＷに伝わる熱量が小さく、ウェハＷを所定の温度に加熱するのに要する時間が長くなり、単位時間当たりのウェハＷ処理枚数を向上させることができないといった課題があった。また、ガス導入口５４周辺の温度が低下したり、ガス凹部や載置面とウェハＷで形成する空間にガスを一様に供給できないことからウェハＷの面内温度差を小さくできないとの課題があった。
【００１５】
また、図７に示すように円環状のガス溝６６と円形のガス溝６７からなる静電チャック６１は、円環状のガス溝６６と円形のガス溝６７の間の円環状の凸部６９で吸着され、ガス溝部分のガス圧力が大きくなりウェハＷがガス圧により変形し平坦にウェハＷを吸着できないことからウェハＷ表面の温度差が大きくなる虞があった。
【００１６】
また、図８に示す環状ガス溝７６と円形のガス溝７７を備えた２つのゾーンのガス圧を供給し、環状ガス溝７６のガス圧を大きくすることで熱伝導率を大きくしてウェハＷ周辺部の温度低下を防止しウェハＷの温度分布を均一とした静電チャック７１が開示されている。しかし、周辺部の環状ガス溝７６を環状の凸部７９で分割していることから環状ガス溝７６に直角な方向で温度差を小さくできるが、温度差は環状ガス溝７６の幅のスパンで小さくなるに過ぎず、ウェハＷ周辺のガス溝の長手方向に沿った凸部７９に対応して微視的な低温部が発生する虞があった。そして、近年の高密度な半導体素子、例えば回路線幅６５ｎｍの半導体素子を製造すると前記の低温部で半導体素子の不良を発生し、ウェハＷの半導体素子歩留まりを低下するとの課題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
そこで、本発明は上記課題に鑑み、静電吸着用電極を備えた円板状セラミック体の一方の主面にウェハＷの設置面を形成し、該設置面の周辺に同心円状の環状ガス溝と該環状ガス溝に連通するガス導入口を備え、その内側に円形ガス溝と該円形ガス溝に連通するガス導入口を備え、前記環状ガス溝と円形ガス溝が互いに独立し、且つ前記環状ガス溝及び前記円形ガス溝の内部に複数の凸状部を備えることを特徴とする。
【００１８】
また、上記円形ガス溝の直径が上記設置面の外径の７０〜９５％であることを特徴とする。
【００１９】
また、上記円形ガス溝の外周と上記環状ガス溝の内周とから囲まれた環状の凸部の巾が０．５〜５ｍｍで、上記載置面の外周と上記環状ガス溝の外周とから囲まれた環状の凸部の巾が１〜５ｍｍであることを特徴とする。
【００２０】
また、上記円形ガス溝の面積Ｓ１と上記円形ガス溝の内部にある複数の凸状部の上面の総面積Ｓ２の比の値Ｓ１／Ｓ２は１〜５であり、上記環状ガス溝の面積Ｓ３と上記環状ガス溝の内部にある複数の凸状部の上面の総面積Ｓ４の比の値Ｓ３／Ｓ４は１〜５であることを特徴とする。
【００２１】
また、上記ガス導入口周辺の上記円形ガス溝または上記環状ガス溝の幅が、他の部分の幅よりも大きいことを特徴とする。
【００２２】
また、上記ガス導入口周辺の上記円形ガス溝または上記環状ガス溝の幅が他の部分の幅の１．４〜２０倍であることを特徴とする。
【００２３】
また、上記複数の凸状部はその中心に対し点対称であることを特徴とする。
【００２４】
また、上記ガス導入口を複数備え、ガス導入口の内径が１ｍｍ以下であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
以上のように、本発明によれば、静電吸着用電極を備えた円板状セラミック体の一方の主面にウェハＷの設置面を形成し、該設置面の周辺に同心円状の環状ガス溝と該環状ガス溝に連通するガス導入口を備え、その内側に円形ガス溝と該円形ガス溝に連通するガス導入口を備え、前記環状ガス溝と円形ガス溝が互いに独立し、且つ前記環状ガス溝及び前記円形ガス溝の内部に複数の凸状部を備えることでウェハＷの面内温度差が小さく飽和時間の小さな静電チャックッを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態を説明する。
【００２７】
図１（ａ）は本発明の静電チャックの一例を示す断面図である。
【００２８】
この静電チャック１は、円板状セラミック体２の一方の主面にガス導入口４、５を備え、このガス導入口４と連通する円形のガス溝８と、ガス導入口５と連通する環状のガス溝９を備え、円形のガス溝８の内部には複数の凸状部１１と、環状のガス溝９の内部には複数の凸状部１２を備え、環状のガス溝９の外側の環状凸部１３と環状のガス溝９の内側の環状凸部１４と前記の複数の凸状部１１、１３をウェハＷを載せる設置面３としてある。そして、上記の環状のガス溝９と円形のガス溝８は互いに独立しておりそれぞれのガス溝に異なる圧力のガスを導入することができる。
【００２９】
また、円板状セラミック体２中の一方の主面近傍には、一対の静電吸着用電極１８を、他方の主面近傍には、ヒータ電極１９をそれぞれ埋設してなり、上記円板状セラミック体２の他方の主面には、上記一対の静電吸着用電極１８及びヒータ電極１９と電気的に接続される給電端子２０，２１をそれぞれ接合してある。
【００３０】
なお、１６は静電チャック１の温度を測定するための測温素子である。
【００３１】
そして、ウェハＷを設置面３に載せ、一対の静電吸着用電極１８間に通電してウェハＷと設置面３との間に静電吸着力を発現させることにより、ウェハＷを設置面３に吸着固定するとともに、ガスパイプを介してガス導入口４、５にヘリウムガスやアルゴンガス等の不活性ガスを供給し、ウェハＷとガス溝８、９とで形成される空間に上記不活性ガスを充填することにより、ウェハＷの加工表面における温度分布を均一化し、この状態で、例えば成膜ガスを供給すれば、ウェハＷの加工表面に膜を被着することができ、また、エッチングガスを供給すれば、ウェハＷの加工表面に微細加工を施すことができるようになっている。
【００３２】
また、ガス溝形状の詳細について、図１（ｂ）に示すように、このガス溝８は、円板状セラミック体２の一方の主面中央にガス導入口４を備えるとともに、このガス導入口４を中心に円形のガス溝８を備え、円形のガス溝８の内部には複数の凸部１１があり、載置面３の周辺部には円環状のガス溝９を備え、円環状のガス溝９の内部には複数の凸部１２が備えられている。そして、円環状のガス溝９の周辺と載置面３の外周とから囲まれた円環状の凸部１３とウェハＷの間で供給されたガスはシールされている。また、円環状のガス溝９と円形のガス溝８に充填されたガスは円環状の凸部１４により互いにガスシールされている。
【００３３】
その為、静電チャック１の載置面３にウェハＷを吸着固定した状態で、ガス導入口４、５に不活性ガスを供給すると、不活性ガスはガス導入口４から放射状に広がる円形のガス溝８とウェハＷとで形成された空間にそれぞれ供給される。また、円環状のガス溝９とウェハＷとで形成される空間にそれぞれ供給される。さらに円形のガス溝８と円環状のガス溝９にはそれぞれ異なる圧力の不活性ガスをガス導入口４，５から供給することができる。
【００３４】
載置面３に載せられたウェハＷの周辺部は熱の放散が大きく温度が低下しウェハＷ面内の温度差が大きくなりやすいが、本発明の静電チャックは載置面３の周辺に環状のガス溝９があることから、周辺の環状のガス溝９のガス圧力を大きくすることで熱伝導が大きくなり、静電チャックの上面からウェハＷに伝わる熱が大きくなりウェハＷの周辺の温度を高めることができる。そして、環状のガス溝９の内側に凸部１２があることでウェハＷの変形を効率良く防止することができる。
【００３５】
また、円形のガス溝８の内側にも凸状部１１を形成することで、円形のガス溝８の上のウェハＷの変形を防止することができるとともにウェハＷと設置面３の間の熱伝導率を大きくできることからウェハＷを均一に加熱することができる。
【００３６】
円形のガス溝８の直径は載置面３の直径の７０〜９５％であることがウェハＷの周辺部の温度低下を防止する上で好ましい。円形のガス溝８の直径は載置面３の直径の７０％を下回るとウェハＷの周辺より内側の環状部分の温度が大きくなり好ましくない。また、円形のガス溝８の直径は載置面３の直径の９５％を越えると環状のガス溝９の圧力を高め熱伝導を大きくしてもウェハＷの周辺の温度が低下し好ましくない。より好ましくは円形のガス溝８の直径は載置面３の直径の８０〜９０％である。
【００３７】
また、上記円形のガス溝８の外周と上記環状のガス溝９内周とから囲まれた環状の凸部１４の幅が０．５〜５ｍｍで、載置面３の外周と上記環状のガス溝９の外周とから囲まれた環状の凸部１３の幅が１〜５ｍｍであることを特徴とする。
【００３８】
上記の環状の凸部１４の幅が０．５ｍｍ未満では円形のガス溝８と環状のガス溝９との間のガス圧を個別に調整することが難しくなり、環状のガス溝９の効果が小さくなる虞がある。また、環状の凸部１４の幅が５ｍｍを越えると凸部１４に対向したウェハＷ面の温度が低下しウェハＷ面内の温度差が大きくなる虞があった。
【００３９】
また、上記の環状の凸部１３の幅が１ｍｍを下回ると凸部１３とウェハＷとの間から充填したガスの漏れ量が大きくなり、静電チャック１を収納している容器の圧力が低下し所望の加工処理ができなくなる虞があった。更に上記の環状の凸部１３の幅が５ｍｍを越えると、この凸部１３に対向するウェハＷの周辺部の温度が低下して、ウェハＷの面内温度差が大きくなる虞があった。好ましくは環状の凸部１３の幅は２〜３ｍｍである。
【００４０】
また、円形のガス溝８の面積Ｓ１と前記円形のガス溝８の内側にある複数の凸部１１の上面の総面積Ｓ２との比の値Ｓ１／Ｓ２は１〜５であり、環状のガス溝９の面積Ｓ３と前記環状のガス溝９の内部にある複数の凸部１２の上面の総面積Ｓ４の比の値Ｓ３／Ｓ４は1〜５であることを特徴とする。
【００４１】
円形のガス溝８の外形が載置面３の外形の７０〜９５％で、且つ環状の凸部１３、１４のそれぞれの幅Ｗ１、Ｗ２が１〜５ｍｍ、０．５〜５ｍｍであると、ウェハＷを載置面３に吸着した際に円形のガス溝８の内側でウェハＷが載置面３側に凸に変形したりウェハＷの面内温度差が大きくなる虞があるが、円形のガス溝８の内側に凸部１１があるとウェハＷがこの凸部１１に支えられウェハＷが変形することを防止することができるとともに凸部１１の上面との比率Ｓ1／Ｓ２が１〜５であるとウェハＷの面内温度差が小さく好ましいことが判明した。より好ましくはＳ１／Ｓ２は２〜４である。
【００４２】
また、環状のガス溝９の間では等間隔で環状のガス溝９が円周方向に延びていることから外側の環状凸部１３と内側の環状凸部１４の影響を受け、環状のガス溝９の径方向に対応してウェハＷの面内温度差が大きくなることを抑えるにはこのガス溝９の内側に複数の凸部１２を設ける事が好ましく、その凸部１２の上面の総面積Ｓ４と環状のガス溝９の面積Ｓ３との比の値Ｓ３／Ｓ４が1〜５であるとウェハＷの変形も小さくウェハＷ面内の温度差が小さく好ましい事が判明した。とり好ましくはＳ３／Ｓ４は２〜３である。
【００４３】
また、円形のガス溝８の内側に凸部１１を複数配設し比の値Ｓ１／Ｓ２を１〜５として、凸部１１が円形のガス溝８に一様に分布するように配設すると更に好ましく、円形の内部における静電気力を均一化することができるため、ウェハＷ全面を均一な吸着力でもって固定することができるとともに、設置面３からウェハＷへ伝わる熱伝導量を中心部と周縁部とで略同じにすることができるため、ウェハＷの加工表面における温度差を極めて小さくすることができる。
【００４４】
また、同様の環状のガス溝９についても凸部１２がガス溝９に一様に配設されていることが好ましい。
【００４５】
更に凸部１１はガス溝８を囲む面に対し均等に配設されることが好ましいが具体的には面積Ｓ１の４ｃｍ２あたり１〜２０個であると良い。同様に、環状のガス溝９中の凸部１２についても面積Ｓ３の４ｃｍ２あたり１〜１５個であると好ましい。
【００４６】
また、図２は本発明の静電チャック１の他の例を示す断面図であり、図３はその上面図である。
【００４７】
この静電チャック１は、円板状セラミック体２の一方の主面に、少なくとも周辺に同心円状の環状凸部１３、１４とその内側に複数の孤立した凸部１１、１２を備え、これらの凸部１１、１２の上面をウェハ載置面３とするとともに、上記凸部１１、１２、１３、１４以外の部分をガス溝８、９として、該ガス溝８、９に連通するガス導入口４、５を備えている。
【００４８】
環状凸部１３、１４はウェハＷと接触することで、ガス溝９、８とウェハＷにより形成される空間からガスが漏れる事を制限している。そして、環状凸部１３、１４に囲まれたガス溝９，８とウェハＷが形成する空間にガスを充填することができる。ガスはガス導入口４、５から供給されガス溝８、９に一様に広がり、環状凸部１３から微量のガスが外部に流れ出ることができる。そして、供給されたガスはガス溝８、９や凸部１３，１４から熱を受け取りこの熱をウェハＷの裏面に伝えることで、ウェハＷ面内の温度をより均一にすることができる。
【００４９】
また、円板状セラミック体２中の一方の主面近傍には、一対の静電吸着用電極１８を、他方の主面近傍には、ヒータ電極１９をそれぞれ埋設してなり、上記円板状セラミック体２の他方の主面には、上記一対の静電吸着用電極１８及びヒータ電極１９と電気的に接続される給電端子２０，２１をそれぞれ接合してある。
【００５０】
なお、１６は静電チャック１の温度を測定するための測温素子である。
【００５１】
そして、ウェハＷを載置面３に載せ、一対の静電吸着用電極１８間に通電してウェハＷと載置面３との間に静電吸着力を発現させることにより、ウェハＷを載置面３に吸着固定するとともに、ガス導入口４にヘリウムガスやアルゴンガス等の不活性ガスを供給し、ウェハＷとガス溝８、９とで形成される空間に上記不活性ガスを充填することにより、ウェハＷの加工表面における温度分布を均一化し、この状態で、例えば成膜ガスを供給すれば、ウェハＷの加工表面に均一な膜を被着することができ、また、エッチングガスを供給すれば、ウェハＷの加工表面に均一な微細加工を施すことができるようになっている。
【００５２】
また、ガス溝８，９の形状の詳細について、図３に示すように、このガス溝８、９は、円板状セラミック体２の一方の主面に複数のガス導入口４、５を備えるとともに、このガス導入口４、５と連通するガス溝８、９を備え、環状のガス溝９の内部には複数の孤立した凸部１２が備えられている。そして、環状凸部１３とウェハＷの間で供給されたガスは漏洩を制限されている。
【００５３】
その為、静電チャック１の載置面３にウェハＷを吸着固定した状態で、ガス導入口４、５に不活性ガスを供給すると、不活性ガスは放射状に広がりガス溝８、９とウェハＷとで形成された空間にそれぞれ供給される。
【００５４】
また、ガス溝８、９の内側に凸部１１、１２を形成することで、円形のガス溝８や環状のガス溝９の上のウェハＷの変形を防止することができる。
【００５５】
本発明の静電チャック１は環状凸部１３、１４とその内側に複数の孤立した凸部１１、１２を備え、前記ガス導入口４、５の周辺のガス溝８ａの幅Ｄｈが他の部分のガス溝の幅Ｄｎよりも大きいことを特徴とする。
【００５６】
前記ガス導入口４の周辺のガス溝８の幅とは、図３に示すように、ガス溝８がガス導入口４と接続している周辺のガス溝８ａにおいて、凸部１１同士で挟まれたガス溝８ａの幅Ｄｈである。詳細には、ガス溝８ａの底面に沿って凸部１１の外辺と接する円を仮定すると、前記円の内部にガス導入口４を含み凸部１１を含まない最も大きな円の直径Ｄｈでガス凹部８ａの幅Ｄｈを示すことができる。
【００５７】
一方、同様にガス溝８ａの底面に沿って環状凸部１２や凸部１１の外辺と接する最大の円を仮定し、前記円の内部にガス導入口４と凸部１１とを含まない最も大きな円の直径Ｄｎを他のガス溝の幅Ｄｎとする。
【００５８】
尚、直径Ｄｈの円と直径Ｄｎの円は重なることがなく、しかも直径Ｄｎの円は直径Ｄｈの円に最も近接した円とする。また、直径Ｄｎの円は少なくとも３個の凸部１１または環状凸部１２と２個の凸部１１と接するものである。
【００５９】
前記の最大円の直径ＤｈがＤｎ以上であれば、ガス導入口４から供給されたガスはガス溝８ａに広がりその後ガス溝８全体に広がることができる。これは、ガス導入口４を含まない最も大きな円の直径Ｄｎで示す前記他のガス溝８の幅Ｄｎより大きいと、ガス導入口４から出てきた供給ガスがガス溝８ａに沿って広がることで、ガス導入口４の近辺でウェハＷに衝突した供給ガスが凸部１１に衝突し再びウェハＷに衝突を繰り返す虞が小さく、またガス溝８への供給ガスの発散を妨げることがなく、均一にガス溝８へ供給することができることからウェハＷのガス導入口４近くの温度を低下させることがなく、ウェハＷの表面温度差を小さくすることができる。つまり、直径Ｄｈを上記の範囲とすることでＤｎの領域とのガス衝突の違いから生じるウェハＷ面の温度差を小さくすることができる。
【００６０】
更に、上記ガス導入口４の周辺のガス溝８ａの幅Ｄｈが他のガス溝の幅Ｄｎの１．４〜２０倍であることが好ましい。上記ガス導入口４の周辺のガス溝８ａの幅とは前記の最大直径Ｄｈであり、他のガス凹部８の幅とは前記の最大直径Ｄｎである。Ｄｈ／Ｄｎが１．４倍を下回るとガス導入口４から出たガスがウェハＷに衝突しガス溝８の広がる方向に曲げられ、ガス凹部８に広がろうとするが、ガス導入口４から凸部１１の壁までの距離が小さいことから凸部１１の壁にガスが強く衝突したガスがウェハＷに再度衝突しガス導入口４ａに対応したウェハＷ面の温度が低下する虞が生じる。また、Ｄｈ／Ｄｎが２０倍を越えるとガス導入口４から凸部１１が遠くなることから凸部１１からウェハＷへの熱伝導が少なくなりガス導入口４周辺に対応したウェハＷ面の温度が低下する虞が生じる。好ましくはＤｈ／Ｄｎは４〜１５倍であり、更に好ましくは８〜１２倍である。
【００６１】
また、凸部１１の形状はその中心に対し点対称であることが好ましい。点対称とすることで載置面３や凹部８の熱をウェハＷに均一に伝えることができることから好ましい。ガス導入口４から離れて上記複数の孤立した凸部１１が配設されしかも凸部１１が例えば円形であるとガス導入口４から出てきたガスが凸部１１の円柱面からなる側壁に衝突し、ガスが分散されガス溝８に均一に供給することができる。前記凸部１１の円形の直径は１〜５ｍｍが好ましい。前記凸部１１の直径が１ｍｍ以下ではウェハＷとの接触面積が小さくウェハＷの面内温度差を小さくできない。前記凸部１１の直径が５ｍｍ以上では接触面積が大き過ぎることから供給ガスがウェハＷに熱を伝える領域との温度差が生じウェハＷを均一に加熱できない虞がある。
【００６２】
また、凸部１１は円形や四角形など、その中心に対して点対称な形状であることが好ましい。より好ましくは真円あるいは正四角形であることが良い。円形や四角形とすることでガス凹部８に凸部１１を均一に配置することができると伴に、均一に配置した凸部１１の間のガス凹部８ａにガス凹部８ａの間隔を大きくしてガス導入口４を配設できる。例えば、円形や四角形の凸部１１を配設し、ある一つの凸部１１ａを取り除き、その代わりにガス導入口４を配設することで、ガス導入口４から供給したガスをウェハＷとガス凹部８から形成される空間にムラ無く一様に供給することができることから、ウェハＷ面内の温度差を小さくできる。
【００６３】
また、ガス導入口４の周辺のガス溝８ａの最大直径ＤｈがＤｎ以上であり、ガス導入口４の内径が１ｍｍ以下であるとウェハＷ表面の温度差が１．５℃以下となり極めて小さくすることができる。
【００６４】
そして、この効果はガス溝８において説明したがガス溝９についても同様な効果が得られる事が判明した。特に、環状の凸部１４とウェハＷの間の微小な隙間から常に微量のガスが漏れていることからガス導入口５にはガスが常に流れているが、ガス導入口５が１ｍｍを超えて大きいとガス導入口５から供給されたガスがウェハＷの広範囲に直接衝突することから、衝突した部分のウェハＷ温度が低下しウェハＷ全体の表面温度差が大きくなるからである。より好ましくは内径が０．８ｍｍ以下であり更に好ましくは０．５ｍｍ以下である。また、供給ガスの流速を小さくするにはガス導入口５を複数設けて各ガス導入口５のガスの流速を小さくすることが必要である。そして、個々のガス導入口４から流れる出るガスの流量は圧力差２０Ｔｏｒｒで０．５〜５ＳＣＣＭであると上記の効果は顕著である。更に上記のガス流量が０．５〜２ＳＣＣＭであると上記の効果は極めて顕著となる。
【００６５】
また、ガス導入口５にはガス導入口４より大きな圧力でガスを供給することが好ましい。このような圧力のガスを導入することで周辺のガス溝９からウェハＷへの熱伝導がガス溝８からの熱伝導より大きくなり、ウェハＷの面内温度差を小さくすることができることから好ましい。
【００６６】
以上ヒータ電極１９を埋設した静電チャック１を例に説明したが、ヒータ電極１９がなくとも、静電チャックに載せたウェハＷに成膜や加工処理を施すにはプラズマ雰囲気等からウェハＷが加熱され、ウェハＷ面内の温度差が生じる虞があるが、本発明の静電チャック１はウェハＷ面内の温度差小さく温度変更が容易であることから従来の静電チャックに比べ優れた特性を示すことがわかった。
【００６７】
次にこの他の構成について説明する。
【００６８】
３乃至４箇所ほどにあるリフトピンの通過する穴１７やウェハＷの温度を直接測定する熱電対を通すための測温用穴２４が形成された領域Ｒ１は他の領域Ｒ２と凸部１１の配設が不均一となっても良い。この様な穴が形成された領域の面積を他の領域の配置と略同等とすることは溝の配置に制限があり略同様に配設することは難しい。しかし、この領域Ｒ１が全体に示す割合が小さくウェハＷの温度分布に与える影響は小さい。しかしよりウェハＷ面内の温度を均一にするにはこの領域Ｒ１と各々の領域Ｒ２の凸部１１の上面の面積の大きさを近くすることが必要である。
【００６９】
凸部１１と凸部１１の間隔や凸部１２と凸部１２の間隔である溝幅の理想としては１〜５ｍｍ程度として、深さを深くした方が好ましい。溝深さの理想としては５０μm以上、好ましくは１００μm以上であるが、深くしすぎると溝の底面と静電チャック１の静電吸着用電極１８上の絶縁破壊が問題となる。従って、その静電チャック１の絶縁層の膜厚及び材質の耐電圧、電圧等から絶縁破壊が起こらないような溝深さを設定する必要がある。更に、溝部を静電吸着電極の存在しない領域に配置することで、静電吸着電圧を切った時に、ウェハＷを保持する力は短時間で小さくなるつまり残留吸着力が小さくなるとの有効な効果がある。
【００７０】
尚、ガス導入口４は円形のガス溝８の中心に配設されているが、円形のガス溝８の中に略均等に複数配設すると供給したガスがスムースにウェハＷの裏面に流れウェハＷ面内の温度差を更に小さくすることができることからより好ましい。
【００７１】
更に、静電チャック１の材質が熱伝導の良い材質であれば、上記の手段の効果が増すことはいうまでもない。好ましくは使用する温度で５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の熱伝導率をもった窒化アルミニウム、炭化珪素、窒化硼素などを用いることが望ましい。
【実施例１】
【００７２】
本発明の静電チャックについて以下に詳細を説明する。
【００７３】
本発明の静電チャックの断面図を図１（ａ）に示す。また、図１（ｂ）に平面図を示す。
【００７４】
直径３００ｍｍで厚み１２ｍｍの円板状セラミック体１の一方の主面には円形のガス溝８、環状のガス溝９及び凸部１１や凸部１２が配設されている。また、中央には円形のガス溝８に連通するガス導入口４が開いている。さらにそのガス導入口４には金属製のガスパイプ４ａがロウ付けされている。そのガスパイプ４ａ、ガス導入口４を通じて円形のガス溝８へガスが流れる。また、環状のガス溝９に連通するガス導入口５が開いている。さらにそのガス導入口５には不図示のガスパイプがロウ付けされている。そのガスパイプからガス導入口５を通じて環状のガス溝９へガスが流れる。
【００７５】
設置面３の最外周のガスシール領域である環状の凸部１３から微量のガスがチャンバー内に流れていく。
【００７６】
また、環状の凸部１４により環状のガス溝９のガス圧力と円形のガス溝８のガス圧力を別途に調整できるようになっている。
【００７７】
円形のガス溝８、環状のガス溝９や凸部１１、凸部１２の形成方法としてはサンドブラスト加工、マシニング加工及び超音波加工などどの方法を用いても構わないが、加工精度、形状自由度、加工コストからサンドブラスト加工を用いた。
【００７８】
また、中央のガス導入口４は焼結体にマシニング加工を施し、形成した。
【００７９】
実施例の静電チャックではガス導入口４に付いている金属製のパイプはロウ付けされているが、使用温度・雰囲気によっては接着剤で固定しても構わないし、アルミベース等と静電チャック裏面を全面接合した構造のものにおいてはアルミベースにも予め静電チャックのガス導入口４とほぼ同径のガス導入口４を設けておき、それを全面接合した後、アルミニウムベースのガス導入口４部にガスパイプ１３をネジ止め、溶接等で取り付けることも可能である。
【００８０】
実験例に使用する静電チャックはジョンソンラーベック力で吸着させる静電チャックで熱伝導率５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）の窒化アルミニウム製とした。
【００８１】
また、ウェハＷの均熱性を確認するために静電チャックの中にヒーター電極を内蔵したものを用いた。ヒーターの温度分布としては２００℃加熱時に静電チャックのウェハＷの設置面で温度レンジが２℃以内のものを使用した。
【００８２】
円形のガス溝８や環状のガス溝９の溝深さは１００μmとなるようにサンドブラストを用いて加工した。加工後の実際の深さは９０〜１１０μmであった。
【００８３】
そして、作製した試料を試料Ｎｏ.７〜１２、２１〜３２、４１〜５２とした。
【００８４】
比較用の試料として図４、６，７，８のガス溝形状で作製した静電チャックを試料Ｎｏ.１〜５とした。尚、ガス溝の深さは９０〜１００μｍとし板状セラミックス体は試料Ｎｏ.７〜１２と同じ材料を使用した。
【００８５】
この静電チャックを真空チャンバー内にセットしてサーモビュアで観察できるように表面に黒体塗料を塗布したシリコンウェハＷをセットした。その状態で１０−１Ｐａまで減圧し、静電チャックに内蔵のヒーターで２００℃まで加熱した。温度制御は静電チャックの裏面の中心付近に熱電対を取り付けて行った。そしてその状態で静電チャックに電圧を５００Ｖ印加し、試料Ｎｏ.７〜８のガス導入口４から１３００Ｐａのガス圧のヘリウムガスを供給した。また、ガス導入口５から２５００Ｐａのガス圧のヘリウムガスを供給した。
【００８６】
また、同様に試料Ｎｏ.１〜５のガス導入口には１３００Ｐａのヘリウムガスを導入した。
【００８７】
課題であるウェハＷの均熱とウェハＷを如何に早く目的の温度に加熱できるかを以下の項目で評価した。
【００８８】
ウェハＷの均熱性はサーモビュアを用いウェハＷ表面の温度分布を測定し、ウェハＷ全体の温度から、最大値と最小値の差で均熱性を評価した。
【００８９】
また、ウェハＷを如何に早く目的の温度に加熱できるかを評価するには静電チャックでウェハＷを吸着させヘリウムガスをウェハＷ裏面に導入してからウェハＷの平均温度が０．１℃／秒の温度変化率になるまでの飽和温度に達するまでの時間を測定した。これはウェハＷの温度制御をするのにウェハＷと静電チャックの熱伝達量が重要である。
【００９０】
上記ウェハＷの面内温度差は静電チャックの設定温度を２００℃としたときサーモビュアで測定しているウェハＷ全体の温度の最大値と最小値の差である。ウェハＷの平均温度はウェハＷの中心点とウェハＷ外周から１０ｍｍの位置で等配で４箇所、中心とウェハＷ外周の中間点の４箇所の合計９箇所の測定温度の平均値とした。飽和温度に達するまでの時間が大きいと処理開始時間が遅くなり、ウェハＷ１枚当たりの処理時間が長くなる。そうなると時間当たりのウェハＷ処理数が減少してしまい、好ましくない。
【００９１】
実験例に使用される静電チャックは放射状溝５、環状溝６、仕切り溝７の本数や間隔及び溝幅をかえることにより様々な溝形状のものとした。
【００９２】
本発明の実施例では静電チャックに内蔵されたヒーターでウェハＷを加熱した場合のことを示しているが、プラズマの熱でウェハＷを加熱し、静電チャックでウェハＷを冷却する場合も熱の伝わる方向が逆になるだけで同じ効果がある。
【００９３】
下記に実験の結果を示す。
【００９４】
まず、設置面３の外形３００ｍｍの静電チャックの円形のガス溝８の直径を設置面３の外形の６０〜９７％に変えた静電チャックとして試料Ｎｏ.６〜１２を作製した。円形のガス溝８に対する該ガス溝内の凸部の面積の比の値は１とした。また環状のガス溝に対する該ガス溝内の凸部の面積の比の値も同様に１とした。また比較例を試料Ｎｏ.１〜５とした。
【００９５】
その結果を表１に示す。
【表１】
2004253789.tif 000003
【００９６】
試料Ｎｏ.６〜１２の本願発明の静電チャックはウェハＷの面内温度差が３℃以下と小さく好ましいことが分った。
【００９７】
更に、円形のガス溝の直径を載置面の外形の７０〜９５％とした試料Ｎｏ.８〜１１はウェハＷ表面の温度差が２.５℃以下と小さくしかも飽和温度に達する時間も７秒以下と小さく好ましい事がわかった。
【００９８】
また、円形のガス溝の直径を載置面の外形の８０〜９０％とした試料Ｎｏ.８〜１１はウェハＷ表面の温度差が２.０℃以下と小さくしかも飽和温度に達する時間も６秒以下と更に小さくより好ましい事がわかった。
【実施例２】
【００９９】
次に実施例１と同様に静電チャックを作製し、円形のガス溝８の外周と環状のガス溝９の内周とから囲まれた環状の凸部１４の幅Ｗ１と載置面の外周と上記環状のガス溝の外周とから囲まれた環状の凸部１３の幅Ｗ２をそれぞれ０．２〜７ｍｍの幅で作製して、ウェハＷの面内温度差を測定した。
【０１００】
その結果を表２のＮｏ.２１〜３２に示す。
【表２】
2004253789.tif 000004
【０１０１】
試料Ｎｏ．２２〜２５、２８〜３１は環状凸部１３、１４の幅がそれぞれ１〜５ｍｍ、０．５〜５ｍｍでありウェハＷの面内温度差が２℃以下で飽和時間も６秒以下と小さく好ましい。
【０１０２】
本願の発明範囲外である試料Ｎｏ．２１は環状凸部１３の幅が０．２ｍｍと小さくガス漏れ量が大きくウェハＷの面内温度差が９℃とやや大きかった。一方試料Ｎｏ.２６は環状凸部１３の幅が７ｍｍと大きくウェハＷ面内の温度差が９℃と大きかった。
【０１０３】
また、試料Ｎｏ．２７は環状凸部１３の幅が０．５ｍｍと小さくガス漏れ量が大きくウェハＷの面内温度差が８℃とやや大きかった。一方試料Ｎｏ.３２は環状凸部１３の幅が７ｍｍと大きくウェハＷ面内の温度差が９℃と大きかった。
【０１０４】
従って、環状凸部１４の幅は０．５〜５ｍｍで環状凸部１３の幅は１〜５ｍｍであると優れた特性が得られることが分った。
【０１０５】
更に、試料Ｎｏ.２３，２４、２９、３０のように環状凸部１４の幅は１．０〜３ｍｍで環状凸部１４の幅は２〜３ｍｍであるとウェハＷの面内温度差が１．５℃以下と小さく飽和温度に達するまでの時間が５秒以下と更に優れた特性が得られることが分った。
【実施例３】
【０１０６】
次に実施例１と同様に静電チャックを作製し、円形のガス溝８の面積Ｓ１と円形のガス溝の内側にある複数の凸部１１の上面の総面積Ｓ２と環状のガス溝９の面積Ｓ３とその内部にある複数の凸部１２の上面の面積Ｓ４をそれぞれ変えてＳ１／Ｓ２とＳ３／Ｓ４の比の値を変えた静電チャックを作製し、実施例１と同様に特性を評価した。
【０１０７】
その結果を表３のＮｏ.４１〜５２に示す。
【表３】
2004253789.tif 000005
【０１０８】
試料Ｎｏ．４２〜４５、４８〜５１はＳ１／Ｓ２の値が１〜５でありＳ３／Ｓ４の値が１〜５でありウェハＷの面内温度差が１．５℃以下で飽和時間も４秒以下と小さく好ましい。
【０１０９】
本願の発明範囲外である試料Ｎｏ．４１はＳ１／Ｓ２の値が０．５と小さくウェハＷの面内温度差が２℃とやや大きかった。一方試料Ｎｏ.４６はＳ１／Ｓ２の値が６と大きくウェハＷ面内の温度差が２℃とやや大きかった。
【０１１０】
また、本願の発明範囲外である試料Ｎｏ．４７はＳ３／Ｓ４の値が０．５と小さく過ぎることからウェハＷの面内温度差が２℃と大きかった。一方試料Ｎｏ.５２はＳ３／Ｓ４の値は７と大きくウェハＷ面内の温度差が２℃と大きかった。
【０１１１】
従って、Ｓ１／Ｓ２の値及びＳ３／Ｓ４の値は１〜５であると極めて優れた特性が得られることが分った。
【実施例４】
【０１１２】
本発明の静電チャックの概略の断面図を図２に示す。また、図３に概略の平面図を示す。
【０１１３】
表面には円形のガス溝８及び凸部１１が配設されている。また、中央と周辺には円形のガス溝８に連通するガス導入口４が５箇所開いている。さらにそのガス導入口４には金属製のガスパイプがロウ付けされている。そのガスパイプからガス導入口４を通じて円形のガス溝８へガスが供給される。同様にガス溝９へもガスが供給される。
【０１１４】
載置面３の最外周のガスシール領域である環状の凸部１３から微量のガスがチャンバー内に流れていく。
【０１１５】
円形のガス溝８、９や凸部１１、１２、凸部１３、１４の形成方法はサンドブラスト加工、マシニング加工及び超音波加工などどの方法を用いても構わないが、加工精度、形状自由度、加工コストからサンドブラスト加工を用いることが多い。
【０１１６】
また、ガス導入口４、５は焼結体にマシニング加工を施し形成している。
【０１１７】
実施例の静電チャックはガス導入口４、５に付いている金属製のパイプはロウ付けされているが、使用温度・雰囲気によっては接着剤で固定しても構わないし、アルミベース等と静電チャック裏面を全面接合した構造のものにおいてはアルミベースにも予め静電チャックのガス導入口４、５とほぼ同径のガス導入口４、５を設けておき、それを全面接合した後、アルミニウムベースのガス導入口４、５にガスパイプ１３をネジ止め、溶接等で取り付けることも可能である。
【０１１８】
実験例に使用する静電チャックは本発明の効果が顕著なジョンソンラーベック力で吸着させる静電チャックで体積固有抵抗が１０９〜１０１１Ω・ｃｍで熱伝導率５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）の窒化アルミニウム製のものとした。
【０１１９】
また、ウェハＷの均熱性を確認するために静電チャックの中にヒーター電極を内蔵したものを用いた。
【０１２０】
円形のガス溝８の凹部深さは５０μｍとなるようにサンドブラストを用いて加工した。加工後の実際の深さは４５〜５５μｍであった。
【０１２１】
比較用の試料として図４、５、６のガス溝形状で作製した静電チャックを試料Ｎｏ.７０〜７２とした。尚、ガス溝である凹部の深さは９０〜１１０μｍとし板状セラミックス体は全て同じ材料を使用した。
【０１２２】
これらの静電チャックを真空チャンバー内にセットして表面にサーモビュアで観察できるように表面に黒体塗料を塗布したシリコンウェハＷをセットした。その状態で１０−１Ｐａまで減圧し、静電チャックに内蔵のヒーターで２００℃まで加熱した。温度制御は静電チャックの裏面中心付近に熱電対を取り付けて行った。そしてその状態で静電チャックに電圧を５００Ｖ印加しガス導入口４から１３００Ｐａのガス圧のヘリウムガスを供給した。
【０１２３】
ウェハＷの均熱性はサーモビュアを用い設定温度を２００℃とし３０分後のウェハＷ表面の温度分布を測定し、ウェハＷ全体の温度から、最大値と最小値の差でウェハの面内温度差を評価した。
【０１２４】
また、ウェハＷを如何に早く目的の温度に加熱できるかを評価するには静電チャックでウェハＷを吸着させヘリウムガスをウェハＷ裏面に導入してからウェハＷの平均温度が０．５℃／秒の温度変化率になるまでの飽和温度に達するまでの時間を測定した。これからウェハＷの温度制御をするのにウェハＷと静電チャックの熱伝達量が如何に重要であることが分る。
【０１２５】
ウェハＷの平均温度はウェハＷの中心点とウェハＷ外周から１０ｍｍの位置で等配で４箇所、中心とウェハＷ外周の中間点の４箇所の合計９箇所の測定温度の平均値とした。飽和温度に達するまでの時間が大きいと処理開始時間が遅くなり、ウェハＷ１枚当たりの処理時間が長くなる。そうなると時間当たりのウェハＷ処理数が減少してしまい好ましくない。
【０１２６】
本発明の実施例では静電チャックに内蔵されたヒーターでウェハＷを加熱した場合のことを示しているが、プラズマの熱でウェハＷを加熱し、静電チャックでウェハＷを冷却する場合も熱の伝わる方向が逆になるだけで同じ効果がある。
【０１２７】
下記に実験の結果を示す。
【０１２８】
先ず、載置面の外形が３００ｍｍの静電チャックに直径２９６ｍｍの円形のガス凹部とその中に円形の凸部を格子点状に配設し、直径１ｍｍのガス導入口を中心とその周囲に４等配した位置に設け、ガス導入口の周囲のガス凹部の幅Ｄｈとその他のガス凹部の幅Ｄｎを変えた静電チャックを作製した。尚、ガス凹部の深さは５０μｍとした。そして、前記の方法でウェハＷ表面の温度差と飽和温度に達するまでの時間を測定した。
【０１２９】
その結果を表４に示す。
【表４】
2004253789.tif 000006
【０１３０】
ガス導入口周辺のガス凹部の幅が他のガス凹部の幅より大きな試料Ｎｏ.６２〜６９の本発明の静電チャックはウェハＷの面内温度差が２℃以下と小さく好ましいことが分った。
【０１３１】
しかし、試料Ｎｏ.１に示すようにガス導入口の周辺のガス凹部の直径Ｄｈが他のガス凹部の直径Ｄｎと同等であると同様にウェハＷの面内温度差が４℃とやや大きかった。
【０１３２】
従って、ガス導入口周辺のガス凹部の幅Ｄｈが他のガス凹部の幅Ｄｎより大きな静電チャックはウェハＷ面内の温度差が２℃以下と小さく好ましいことが分った。
【０１３３】
更に好ましくは、試料Ｎｏ.６２〜６８のようにＤｈ／Ｄｎの値が１．４〜２０倍であるとウェハＷ面内の温度差は１．１℃以下と小さく優れている事が分る。また、試料Ｎｏ.６３〜６７から、より好ましくはＤｈ／Ｄｎの値は２〜１５倍とするとウェハＷの面内温度差は０．８℃以下と小さくなり更に優れることが分った。最も好ましくは、試料Ｎｏ.６５〜６７からＤｈ／Ｄｎの値は８〜１５であり、ウェハＷの面内温度差を０．７℃以下と小さくできた。
【実施例５】
【０１３４】
次に実施例１と同様に静電チャックを作製し、ガス導入口４、５周辺のガス溝の直径Ｄｈと他のガス溝の直径Ｄｎをそれぞれ１４、３．４８ｍｍとしてガス導入口４、５の内径を０．３〜１．９ｍｍまで変化させた静電チャックを作製し実施例４と同様に評価した。
【０１３５】
その結果を表５に示す。
【表５】
2004253789.tif 000007
【０１３６】
ガス導入口の径が０．３〜１ｍｍの試料Ｎｏ．８１〜８４の静電チャックはウェハＷ面内の温度差が０．９℃以下と小さくより優れた特性を示すことが分った。
【０１３７】
更に好ましくはガス導入口の径は０．８ｍｍ以下である試料Ｎｏ．８１〜８３はウェハＷの面内温度差が０．６℃以下と小さく更に好ましいことが分った。
【図面の簡単な説明】
【０１３８】
【図１】本発明の静電チャックを示す図で、（ａ）はその断面図、（ｂ）は平面図である。
【図２】本発明の他の静電チャックを示す断面図である。
【図３】本発明の他の静電チャックを示す平面図である。
【図４】従来の静電チャックにおける溝形状を示す平面図である。
【図５】従来の静電チャックにおける他の溝形状を示す平面図である。
【図６】従来の静電チャックにおけるさらに他の溝形状を示す平面図である。
【図７】従来の静電チャックにおけるさらに他の溝形状を示す平面図である。
【図８】従来の静電チャックにおけるさらに他の溝形状を示す平面図である。
【符号の説明】
【０１３９】
Ｗ：ウェハＷ
Ｐ：真実接触点
１、３１、４１、５１、６１：静電チャック
２：円板状セラミックス
３、３３、４３、５３：設置面
４、３４、４４、５４：ガス導入口
５：ガス導入口
８：円形のガス溝
９：環状のガス溝
１１：円形のガス溝の内側の凸部
１２：環状のガス溝の内側の凸部
１３：載置面と環状のガス溝で囲まれた凸部
１４：環状のガス溝と円形のガス溝で囲まれた環状の凸部
１６：測温素子
１７：リフトピンが通過する穴
１８：静電吸着用電極
１９：ヒータ電極
２０：給電端子
２１：給電端子
２４：穴
３５、４５：放射状溝
３６、４６：環状溝
【図１】
2004253789.tif 000008
【図２】
2004253789.tif 000009
【図３】
2004253789.tif 000010
【図４】
2004253789.tif 000011
【図５】
2004253789.tif 000012
【図６】
2004253789.tif 000013
【図７】
2004253789.tif 000014
【図８】
2004253789.tif 000015