(57)【要約】【課題】チップオンボート・フリップチップボンディングタイプの半導体装置において、その端子電極が設けられた面とは反対側の面の状態を自動化された実装作業に適するように改良する。【解決手段】半導体装置の上面側に露出しているチップの裏面の状態を粗くし、受光素子による信号受信や撮像素子による受像が可能となる程度に反射光を弱める。ここでチップ裏面の粗さの程度は１２００番の砥石によって研磨した状態にする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面に複数の端子電極が設けられ、第２面にチップの裏面が露出し、該第１面の端子電極を利用したフリップチップボンディングにて回路基板上に実装される半導体装置であって、該第２面が１２００番の研磨手段で研磨された状態となっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１面に複数の端子電極が設けられ、第２面にチップの裏面が露出し、該第１面の端子電極を利用したフリップチップボンディングにて回路基板上に実装される半導体装置の製造方法であって、
半導体装置の該第２面側となるウェハーの一面を１２００番の砥石で仕上げるラッピング作業工程を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
第１面に複数の端子電極が設けられ、第２面にチップの裏面が露出し、該第１面の端子電極を利用したフリップチップボンディングにて回路基板上に実装される半導体装置の製造方法であって、
半導体装置の該第２面側となるウェハーの一面を該ウェハーが所定の厚さになるまで研削した後、該ウェハーの一面を１２００番の砥石で仕上げるバックグラインディング作業工程を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、その一面に設けた端子電極を利用してフリップチップボンディングにて回路基板に実装されるチップオンボード（ＣＯＢ）タイプの半導体装置に関し、端子電極が設けられた面とは反対側の面の状態を自動化された実装作業等に適するように改良するための技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
多くの半導体装置はチップの周囲を覆うように樹脂やセラミックなどでパッケージングされている。そのため、このような半導体装置ではパッケージを貫くリードフレームによってチップと導電パターンとを電気的に接続するようにして回路基板上に搭載される。しかし半導体装置の中には、必ずしもパッケージングされた物ばかりでなく、チップが直接回路基板上に搭載される（チップオンボードと呼ばれる）形態の半導体装置も存在する。このチップオンボードタイプの半導体装置は、特に部品サイズが小さいことが必要な場合や高い電気的特性（低抵抗など）が必要な場合に使用される。
【０００３】
チップオンボードタイプの半導体装置はチップと回路基板との間の電気的接続手段によって主に３つのタイプ（ワイヤ、テープキャリア、フリップチップ）に類別され、近年ではフリップチップボンディングタイプが多くなっている。（例えば、特許文献１参照。）
【０００４】
チップオンボード・フリップチップボンディングタイプの半導体装置においては、その上面、すなわち回路基板への搭載時に上向きになる面であって端子電極が設けられた面と対向する面は、チップの裏面がそのまま露出しているか、あるいは簡単な保護膜が着装されただけの状態となっている。なおチップの裏面は、ウェハ製造工程中のラッピング作業工程、あるいは組立工程中のバックグラインディング作業工程において２０００番以上の砥石やその他の研磨手段にて研磨され、場合によってはさらに化学的エッチングやブラストなどの処理が施されて、鏡面に近い平坦な状態に仕上げられている。
【０００５】
【特許文献１】
特開平５−１６６８８１号公報  （第２頁）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
回路基板上に半導体装置やその他の電子部品を実装する作業のほとんどは自動化されており、自動化された実装作業では、それら電子部品に対して距離測定や画像認識を行う。例えば、電子部品の回路基板上における搭載位置や姿勢を合わせる場合、あるいは電子部品が回路基板上に正常に搭載されたかどうか検査する場合、などに距離測定や画像認識を行う。その際、ランプやレーザーなどで光を照射し、その反射光を受光素子や撮像素子で捉えて距離測定や画像認識を行うことになる。
【０００７】
しかし、鏡面に近い状態のチップの裏面が露出している半導体装置の上面に他の電子部品と一緒くたにレーザーやランプなどで光を照射すると、反射光が強くなり過ぎて受光素子や撮像素子が飽和状態となり、光信号の受信や画像の撮像が不可能となることがあった。当然、このような事態が発生すれば正常に実装作業を実行することはできない。
そこで本発明は、光が照射されることになるチップオンボード・フリップチップボンディングタイプの半導体装置の上面、すなわち端子電極が設けられた面とは反対側の面、の状態を自動化された実装作業に適するように改良することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明は、第１面に複数の端子電極が設けられ、第２面にチップの裏面が露出し、第１面の端子電極を利用したフリップチップボンディングにて回路基板上に実装される半導体装置であって、第２面が１２００番の研磨手段で研磨された状態となっていることを特徴とする。
そして前記のような半導体装置の特徴を、半導体装置の第２面側となるウェハーの一面を１２００番の砥石で仕上げるラッピング作業工程にて実現する。あるいは半導体装置の第２面側となるウェハーの一面をウェハーが所定の厚さになるまで研削した後、そのウェハーの一面を１２００番の砥石で仕上げるバックグラインディング作業工程にて実現する。
【０００９】
【発明の実施の形態】
半導体装置の上面側に露出しているチップの裏面の状態を粗くし、受光素子による信号受信や撮像素子による受像が可能となる程度に反射光を弱める。ここでチップ裏面の粗さの程度は１２００番の研磨手段によって研磨した状態にする。これを実現するに当たっては、ダイシングより前の段階のチップがウェハーから切り離されていない状態の時に、ウェハーの裏面を１２００番の研磨手段によって研磨した状態に止める。具体的には、バックグラインディング作業工程においてウェハーの裏面を１２００番の砥石で研磨するに止めるか、あるいはラッピング作業工程において予め１２００番の砥石で研磨するに止める。
【００１０】
【実施例】
本発明による半導体装置（ＳＤ）は、図１に示すように外観構造上は従来とほとんど変らず、その上面側に露出するチップの裏面（２）を１２００番の研磨手段で研磨された状態にすることとした。ライトやレーザで光が照射される半導体装置の上面に１２００番の砥石で研磨された程度の粗さがあれば、反射光の一部が表面にできている凹凸によって散乱する。すると受光素子や撮像素子に入射する反射光が受信や受像を可能とする程度に弱められ、自動化された実装作業の実行が可能となる。
【００１１】
チップの厚みが薄いことが要求される半導体装置の場合には、通常、組立工程の中、ダイシング作業工程の前に、ウェハーが所定の厚さになるようにウェハーの裏面を研削するバックグラインディング作業工程が設けられる。そこで、バックグラインディング作業工程での仕上げ研削のときに最終的にウェハーの裏面を１２００番の砥石で研磨するに止めれば、半導体装置の上面には上述したような適度に反射光を弱める凹凸が形成されることになる。
なお、チップの厚さが特に問題にならない半導体装置の場合には、ウェハー製造工程内のラッピング作業工程において予めウェハーの裏面を鏡面に近い状態になるまで研磨せず、１２００番の砥石で研磨するに止めるようにしても良い。
【００１２】
【発明の効果】
以上に説明したように本発明は、１２００番の研磨手段で研磨されて出来た凹凸によって反射光の一部を散乱させるものである。このように、あえて半導体装置の上面の状態を粗くすれば受光素子や撮像素子に入射する反射光が受信や受像を可能とする程度に弱められ、自動化された実装作業に適した半導体装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】フリップチップボンディングにて実装されるチップオンボードタイプの半導体装置の側面の概略図。
【図２】ウェハー製造工程のフロー（一部）の一例。
【図３】組立工程のフロー（一部）の一例。
【符号の説明】
１：チップ      ２：チップ裏面      ３：端子電極      ＳＤ：半導体装置
【図１】
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【図２】
2004165540.tif 000004
【図３】
2004165540.tif 000005