(57)【要約】【課題】フォトレジストのマイクログルーブに従って配列される半導体層を備える有機装置を提供する。【解決手段】基板、或いは誘電層と、基板、或いは誘電層上に形成され、複数のマイクログルーブを備えるフォトレジスト層と、配列を有し、前記フォトレジスト層上に形成され、前記フォトレジスト層のマイクログルーブの前記配列方向に従って配列される有機半導体層と電極とからなる。【選択図】      図２ａ
2004274015.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機装置であって、
基板、或いは誘電層と、
前記基板、或いは誘電層上に形成され、複数のマイクログルーブを備えるフォトレジスト層と、
配列を有し、前記フォトレジスト層上に形成され、前記フォトレジスト層の前記マイクログルーブの前記配列方向に従って配列される有機半導体層と、
電極とからなることを特徴とする有機装置。
【請求項２】
前記複数のマイクログルーブは、第一領域で第一方向に従って配列される第一マイクログルーブと、第二領域で、前記第一方向とは異なる第二方向に従って配列される第二マイクログルーブと、を備え、前記電極は、ソース及びドレインからなり、それらは、前記有機半導体層と接触して、間にチャネルを形成し、チャネル領域の前記有機半導体層は、前記第一方向に従って配列され、非チャネル領域の前記有機半導体層は、前記第二方向に従って配列されることを特徴とする請求項１に記載の有機装置。
【請求項３】
トップゲート型トランジスタであって、
基板と、
前記基板上に形成され、複数のマイクログルーブを備えるフォトレジスト層と、
前記フォトレジスト層上に形成され、配列を有し、前記フォトレジスト層の前記マイクログルーブの前記配列方向に従って配列される有機半導体層と、
有機半導体層上に形成され、チャネル方向が前記マイクログルーブの前記配列方向と同じであるチャネルが間に形成されたソース及びドレインと、
前記有機半導体層、前記ソース及びドレイン上に形成された誘電層と、
前記誘電層上に形成されたゲートとからなることを特徴とする請求項１に記載の有機装置。
【請求項４】
ボトムゲート型トランジスタであって、
基板と、
前記基板上に形成されたゲートと、
前記ゲート上に形成され、複数のマイクログルーブを備えるフォトレジスト層と、
前記フォトレジスト層上に形成され、配列を有し、前記フォトレジスト層の前記マイクログルーブの前記配列方向に従って配列される有機半導体層と、
前記有機半導体層上に形成され、前記マイクログルーブの前記配列方向と同じチャネル方向を有するソース及びドレインとからなることを特徴とする請求項１に記載の有機装置。
【請求項５】
分子配列を有する有機半導体層の形成方法であって、
基板、或いは誘電層上にフォトレジスト層を形成する工程と、
マスクにより、前記フォトレジスト層に対し、フォトリソグラフィ工程が実施され、マイクログルーブを形成する工程と、
前記マイクログルーブを備える前記フォトレジスト層上に、フォトレジスト層のマイクログルーブの配列方向に従って配列される有機半導体層を形成する工程とからなることを特徴とする方法。
【請求項６】
前記フォトリソグラフィ工程は、前記基板の第一領域で、第一方向に従って配列された第一マイクログルーブを形成し、同時に、前記基板の、前記第一方向とは異なる第二方向に従って配列された第二マイクログルーブを形成する工程を含み、前記電極を形成する方法は、配列を有する前記有機半導体層に接触するソース及びドレインを形成する工程を含み、チャネルが前記ソース及びドレイン間に形成され、前記チャネル領域の前記有機半導体層は、前記第一方向に従って配列され、非チャネル領域の前記有機半導体層は前記第二方向に従って配列されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、分子配列を有する有機半導体層の製造方法に関するもので、特に、フォトリソグラフィを用いて、フォトレジスト上で、マイクログルーブを形成することにより、分子配列を有する有機半導体層を製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、有機半導体材料は、国内外の研究者の注目を浴び、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の製造工程、様々な電子工学、光電子産業において、最も評判のよい候補材となっている。ケンブリッジ大学のＳｉｒｒｉｎｇｈａｕｓらは、有機分子自己組織化を用いて、異なる異方性配列を有する有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）を製造している。好ましい配列の分子鎖により、電荷転送効果（ｃｈａｒｇｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）が増加することが発見された。例えば、電荷移動度は１００倍以上に増加し、有機分子の分子配列がＴＦＴの電気特性を増加させるのに重要な要素であることを証明している（ネイチャー誌Ｖｏｌ．４０１、Ｐ．６８５、１９９９）。
【０００３】
公知の有機分子の配列を制御する技術は、以下の三種類に分けられる。
（１）自己組織化制御：
Ｓｉｒｒｉｎｇｈａｕｓらは、有機薄膜トランジスタＯＴＦＴと有機発光ダイオード（ＯＴＦＴ）を含む有機整合装置を製造している。有機分子の官能基（ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ  ｇｒｏｕｐ）と基板の原子（シリコンなど）が作用力を生じ、この作用力を用いて、自己組織力により、好ましい配列の有機分子を提供する。これにより、トランジスタの有機分子の分子配列が制御される（ネイチャー誌Ｖｏｌ．４０１、Ｐ．６８５、１９９９）。
【０００４】
（２）摩擦、或いは、けん引（ｐｕｌｌｉｎｇ）制御：
米国特許番号６３２６６４０中、先ず、機械摩擦、或いは、電界又は磁場けん引により、配向膜を形成する。次に、有機層を配向膜上に形成する。この方法で、有機分子は、配向膜の配列に従って配列される。
【０００５】
（３）溶剤アニ−ル工程：
米国特許６３１２９７１中、まず、有機半導体膜を印刷、或いはスピンコートにより基板に蒸着する。特定の溶剤が選択され、有機半導体分子の配列が、溶剤の蒸気により修正される。ＯＴＦＴの電気特性はこのように改善される。
【０００６】
上述の三種の公知技術は、有機分子の配列を制御する方法であるが、有機半導体の分子配列の方向を正確に定義することができず、有機半導体の分子が全基板上で同一方向の配列を形成するのみで、異なる領域の分子配列は制御できない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述の問題を解決し、有機半導体分子の分子配列を制御する方法を提供することを目的とする。本発明は、同一基板上の異なる領域に異なる分子配列を有する有機半導体層を形成することができる。これにより、トランジスタチャネル中の有機分子の配列は正確に定義され、装置特性及び回路設計が改善される。更に、有機半導体層は、異なる領域で異なる配列を有し、ＯＴＦＴチャネル領域で好ましい配列を有するよう、有機分子を制御することが出来、よって、ＯＴＦＴ操作時、効果的な電荷輸送効果を提供する。同時に、非チャネル領域で悪い配列を有するのを制御して、導電性を低下させる。この方法で、画素間の漏電とクロストークを減少させることが出来る。また、有機材を直接パターンする必要はない。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するため、本発明は、以下の方法からなる、分子配列を有する有機半導体層を形成する方法を提供する。先ず、フォトレジスト層が基板、或いは誘電層に形成される。次に、マスクにより、フォトレジスト層に対し、フォトリソグラフィ工程が実施され、配列方向を有するマイクログルーブが形成される。最後に、有機半導体層が、マイクログルーブを備えるフォトレジスト層上に形成され、有機半導体層は、フォトレジスト層のマイクログルーブの配列方向に従って配列される。
【０００９】
本発明は有機装置を提供し、基板、或いは誘電層と、基板、或いは誘電層上に形成され、配列方向を有する複数のマイクログルーブを備えるフォトレジスト層と、配列を有し、前記フォトレジスト層上に形成され、前記フォトレジスト層のマイクログルーブの前記配列方向に従って配列される有機半導体層と、電極とからなる。
【００１０】
本発明は、以下の工程からなる有機装置の製造方法を提供する。先ず、フォトレジスト層を基板、或いは誘電層に形成する。次に、マスクを用いて、フォトレジスト層にフォトリソグラフィ工程を実施して、配列方向を有する複数のマイクログルーブを形成する。次に、有機半導体層を、マイクログルーブを備えるフォトレジスト層上に形成し、有機半導体層は、フォトレジスト層のマイクログルーブの配列方向に従って配列される。最後に、電極が形成される。
【００１１】
【発明の実施の形態】
上述した本発明の目的、特徴、及び長所をいっそう明瞭にするため、以下に本発明の好ましい実施の形態を挙げ、図を参照にしながらさらに詳しく説明する。
【００１２】
図１ａ〜図１ｃは、本発明の好ましい具体例による分子配列を有する有機半導体層の形成方法を示すフローチャートである。
【００１３】
図１ａを参照すると、フォトレジスト層２０が基板、或いは誘電層１０に形成される。適用される基板はシリコンウェハ、ガラス、石英、プラスチック基板、或いは、フレキシブル基板である。好ましくは、誘電層は、誘電定数が三以上で、無機、或いは有機材である。有機材は、ポリマー材である。フォトレジスト層は、厚さが０．５μｍ〜５μｍである。
【００１４】
続いて、図１ｂを参照すると、マスク３０により、フォトレジスト層２０に対し、フォトリソグラフィ工程が実施される。マスク３０は領域Ｉ及びＩＩＩを完全に、領域ＩＩを部分的に遮蔽する。よって、領域Ｉ及びＩＩＩのフォトレジスト層２０は不変を維持し、領域ＩＩのフォトレジスト２０は、部分的に除去され、フォトレジスト層２５を得る。フォトレジスト層２５において、領域ＩＩのフォトレジスト部分は２５ｂとして記される。適当な操作条件（露出エネルギーなど）により、複数のマイクログルーブＧを備えるフォトレジスト部分２５ｂが提供される（図２ａ及び図２ｂで示される）。これらのマイクログルーブＧは、同一の方向１ｄに従って配列される。図２ｂを参照すると、マイクログルーブＧの深さ（ｄ）は、凸２５１と凹部２５２間の深さとして定義され、幅は０．３μｍ〜１μｍである。マイクログルーブの幅のピッチ（ｐ）は二つの近接する凸部２５１間の距離として定義され、幅は０．５μｍ〜２μｍである。
【００１５】
続いて、図１ｃを参照すると、有機半導体層４０が、マイクログルーブを備えるフォトレジスト層２５上に形成される。有機半導体層４０は、真空蒸着、気相蒸着、溶液蒸着、或いは指向性蒸着等の蒸着により形成される。
【００１６】
フォトレジスト層２５が有機材である時、有機半導体層４０の有機分子は、有機成分で構成されるマイクログルーブＧと反応しやすい。これにより、領域ＩＩにおいて、有機半導体層４０の分子鎖は、フォトレジスト層２５のマイクログルーブＧの配列方向に配列され、よって、一定の配列を有する有機半導体部分４０ｂを形成する。即ち、本発明において、マイクログルーブＧを備えるフォトレジスト層２５は配向膜として用いられ、その上部の有機半導体層４０は配向膜に従って配列される。本発明の有機半導体層４０は、マイクログルーブＧの配列方向に従って配列されるため、電荷の伝導に有利で、効果的な伝送チャネルを形成する。更に、マイクログルーブＧの凹部２５２は、（チップでの放電に類似した）強い電界があり、これも、電荷の伝導に有利である。領域Ｉ及びＩＩＩにおいて、その下部のフォトレジスト層２５はマイクログルーブＧを備えないため、これらの二領域の有機半導体層４０は配列がない。
【００１７】
この他、複数のマイクログルーブは、同一基板１０の異なる領域に形成される。例えば、図３を参照すると、基板１０の領域１のマイクログルーブは同じ配列方向１ｄで、領域２のマイクログルーブは同じ配列方向２ｄである。但し、方向１ｄと２ｄは異なる。図２ａは図３の基板１０の領域１の拡大図である。
【００１８】
半導体層４０は、好ましいチャネル伝導特性を有するマイクログルーブＧに従って配列されるため、本発明はこの特性に基づいた様々な有機装置を製造することが出来る。例えば、図２ａを参照すると、ソースＳとドレインＤが形成され、ソースＳ及びドレインＤは、分子配列を有する有機半導体層４０に接触して、ソースＳとドレインＤ間にチャネルを形成する。よって、チャネル領域の有機半導体層は方向１ｄに従って配列され、非チャネル領域の有機半導体層は１ｄとは異なる方向で配列されるか、或いは配列がない。
【００１９】
上述のマイクログルーブＧに従って配列された有機半導体層４０と、ソースＳ及びドレインＤ間のチャネルがマイクログルーブＧの配列方向１ｄと同じ方向である、上述のような構造は、例えば、トップゲート型有機薄膜トランジスタＯＴＦＴなど、様々な有機装置の製造に適用される。図４ａは、本発明によるＯＴＦＴを示す図である。トップゲート型ＯＴＦＴは、基板１０と、基板１０上に形成され、配列方向を有する複数のマイクログルーブを備えるフォトレジスト層２５と、フォトレジスト層２５上に形成された、配列を有する有機半導体層４０と、有機半導体層４０上に形成されたソースＳ及びドレインＤと、有機半導体層４０、ソースＳ及びドレインＤ上に形成された誘電層６０と、前記誘電層６０上に形成されたゲート７０とからなる。
【００２０】
図４ａにおいて、複数のマイクログルーブＧが提供されるフォトレジスト層２５の形成方法と、有機半導体層４０の形成方法は、上述とほぼ同様で、以下で簡単に説明する。図１ａで示されるように、厚さ０．５μｍ〜５μｍのフォトレジスト層２０が基板１０上に形成される。次に、図１ｂで示されるように、マスクを用いて、フォトレジスト層２０にフォトリソグラフィ工程を実施して、フォトレジスト層２５を形成する。フォトレジスト層２０の領域ＩＩ上は複数のマイクログルーブを形成し、これらのマイクログルーブは、同一方向１ｄに従って配列される（図２ａで示される）。領域ＩＩのフォトレジスト部分は、２５ｂとして示される。領域Ｉ及びＩＩＩのフォトレジスト層は、不変で維持される。
【００２１】
次に、図１ｃ及び図４ａを参照すると、有機半導体層４０が、マイクログルーブＧを備えるフォトレジスト層２５上に形成する。有機半導体層４０は、小さい有機分子、或いは有機ポリマーである。領域ＩＩにおいて、有機半導体層４０の分子鎖はフォトレジスト層２５のマイクログルーブＧの配列方向１ｄに従って配列され（図２ａで示される）、よって、配列を有する有機半導体層４０を形成する（図４ａで示される）。領域Ｉ及びＩＩＩ中、下方のフォトレジスト層２５はマイクログルーブＧを備えないため、これら二領域間の有機半導体層４０は配列がない。
【００２２】
最後に、ソースＳ、ドレインＤ、誘電層６０及びゲート７０が連続して形成され、図４ａで示されるトップゲート型ＯＴＦＴが完成する。本発明によると、ソースＳとドレインＤ間のチャネルに優れた電荷導電を備えさせるために、ソースＳとドレインＤの位置は、ソースＳとドレインＤ間のチャネル方向が、マイクログルーブＧの配列方向１ｄと一致するように設計される（図２ａで示される）。
【００２３】
図４ｂは、本発明によるもう一つのトップゲート型ＯＴＦＴの断面図である。トップゲート型ＯＴＦＴは、基板１０と、基板１０上に形成され、配列方向を有する複数のマイクログルーブを備えるフォトレジスト層２５と、フォトレジスト層２５上に形成され、フォトレジスト層２５のマイクログルーブＧとそれぞれ接触するソースＳ及びドレインＤと、フォトレジスト層２５、ソースＳ、ドレインＤ上に形成され、配列を有する有機半導体層４０と、有機半導体層４０上に形成された誘電層６０と、誘電層６０上に形成されたゲート７０と、からなる。
【００２４】
図４ｂのＯＴＦＴの構造は図４ａと同様で、図４ｂが図４ａと異なるのは、ソースＳとドレインＤが初めに形成され、その後、有機半導体層４０が形成されることである。図４ｂのＯＴＦＴの形成方法は図４ａと同じである。よって、ここに詳述しない。注意すべきことは、フォトレジスト層２０にフォトリソグラフィが実施された後、複数のマイクログルーブＧが、２５ｂで示されるフォトレジスト層２５の領域ＩＩに形成されることである。これらのマイクログルーブＧは、同一方向１ｄに従って配列される（図２ａで示される）。領域ＩＩにおいて、有機半導体層４０の分子鎖は、フォトレジスト層２５のマイクログルーブＧの配列方向１ｄに配列され（図２ａで示される）、よって、配列を有する有機半導体層４０ｂが形成される。領域Ｉ及びＩＩＩ中、その下方のフォトレジスト層２５はマイクログルーブＧを備えないため、これら二領域の有機半導体層４０は配列がない。更に、本発明によると、ソースＳとドレインＤ間のチャネルに優れた電荷導電を備えさせるために、ソースＳとドレインＤの位置は、ソースＳとドレインＤ間のチャネル方向が、マイクログルーブＧの配列方向１ｄと一致するように設計される（図２ａで示される）。
【００２５】
図５ａは、本発明のボトムゲート型ＯＴＦＴの断面図である。ボトムゲート型ＯＴＦＴは、基板１０と、基板１０上に形成されたゲート７２と、ゲート７２上に形成された誘電層６２と、誘電層６２上に形成され、配列方向を有する複数のマイクログルーブＧが提供されたフォトレジスト層２５と、フォトレジスト層２５上に形成された、配列を有する有機半導体層４０と、有機半導体層４０上に形成されたソースＳ及びドレインＤとからなる。
【００２６】
図５ａにおいて、複数のマイクログルーブＧが提供されるフォトレジスト層２５の形成方法と、有機半導体層４０の形成方法は、上述とほぼ同様で、以下で簡単に説明する。図５ａで示されるように、ゲート７２と誘電層６２が連続して基板１０上に形成される（図１ａで示される）。次に、厚さ０．５μｍ〜５μｍのフォトレジスト層２０が形成される。次に、マスクを用いて、フォトレジスト層２０にフォトリソグラフィ工程を実施して、フォトレジスト層２５を形成する。フォトレジスト層２５の領域ＩＩ上は複数のマイクログルーブを形成し、これらのマイクログルーブは、同一方向１ｄに従って配列される（図２ａで示される）。領域ＩＩのフォトレジスト部分は、２５ｂとして示される。領域Ｉ及びＩＩＩのフォトレジスト層は、不変で維持される。
【００２７】
続いて、有機半導体層４０が、マイクログルーブＧが提供されるフォトレジスト層２５上に形成される。領域ＩＩにおいて、有機半導体層４０の分子鎖は、フォトレジスト層２５のマイクログルーブＧの配列方向１ｄに配列され（図２ａで示される）、よって、配列を有する有機半導体層４０ｂが形成される（図５ａで示される）。領域Ｉ及びＩＩＩ中、その下方のフォトレジスト層２５はマイクログルーブＧを備えないため、これら二領域の有機半導体層４０は配列がない。
【００２８】
最後に、ソースＳとドレインＤが形成されて、図５ａで示されるように、ボトムゲート型薄膜トランジスタが完成する。ソースＳとドレインＤ間のチャネルに優れた電荷導電を備えさせるために、ソースＳとドレインＤの位置は、ソースＳとドレインＤ間のチャネル方向が、マイクログルーブＧの配列方向１ｄと一致するように設計される（図２ａで示される）。
【００２９】
図５ｂは、図５ａのボトムゲート型ＯＴＦＴのバリエーションを示す図である。
図５ｂと図５ａと異なるのは、図５ｂのＯＴＦＴは誘電層６２を備えず、マイクログルーブＧを備えるフォトレジスト層２５が、同時に配向膜と誘電層となることである。
【００３０】
図６ａは、本発明のもう一つのボトムゲート型ＯＴＦＴの断面図である。ボトムゲート型ＯＴＦＴは、基板１０と、基板１０上に形成されたゲート７２と、ゲート７２上に形成された誘電層６２と、誘電層６２上に形成され、配列方向を有する複数のマイクログルーブＧが提供されたフォトレジスト層２５と、フォトレジスト層２５上に形成され、フォトレジスト層２５のマイクログルーブＧにそれぞれ接触するソースＳ及びドレインＤと、フォトレジスト層２５、ソースＳ及びドレインＤ上に形成され、配列を有する有機半導体層４０と、からなる。
【００３１】
図６ａのＯＴＦＴの構造は、図５ａと同様で、それらの相違は、図６ａ中、ソースＳとドレインＤが先ず形成され、その後、有機半導体層４０が形成されることである。図６ａのＯＴＦＴの形成方法は図５ａと同様で、ここで詳述しない。注意すべきことは、フォトレジスト層２０にフォトリソグラフィが実施された後、複数のマイクログルーブＧが、２５ｂで示されるフォトレジスト層２５の領域ＩＩに形成されることである。これらのマイクログルーブＧは。同一方向１ｄに従って配列される（図２ａで示される）。領域ＩＩにおいて、有機半導体層４０の分子鎖は、フォトレジスト層２５のマイクログルーブＧの配列方向１ｄに配列され（図２ａで示される）、よって、配列を有する有機半導体層４０ｂが形成される。領域Ｉ及びＩＩＩ中、その下方のフォトレジスト層２５はマイクログルーブＧを備えないため、これら二領域の有機半導体層４０は配列がない。更に、本発明によると、ソースＳとドレインＤ間のチャネルに優れた電荷導電を備えさせるために、ソースＳとドレインＤの位置は、ソースＳとドレインＤ間のチャネル方向が、マイクログルーブＧの配列方向１ｄと一致するように設計される（図２ａで示される）。
【００３２】
図６ｂは、図６ａのボトムゲート型ＯＴＦＴのバリエーションを示す図である。
図６ｂと図６ａと異なるのは、図６ｂのＯＴＦＴは誘電層６２を備えず、マイクログルーブＧを備えるフォトレジスト層２５が、同時に配向膜と誘電層となることである。
【００３３】
結論として、本発明はマスクを用いて、フォトリソグラフィにより、フォトレジスト層にマイクログルーブを形成する。よって、有機半導体層は、マイクログルーブの配列方向に従って配列される。これにより、有機半導体層の分子配列は、正確に定義される。有機分子が、チャネル領域で好ましい分子配列を備えて導電性を増加し、非チャネル領域で異なる分子配列、或いは、分子がない配列にして導電性を減少させる。この方法により、装置特性と回路設計が改善され、画素間の漏電とクロストークが減少する。
【００３４】
本発明では好ましい実施例を前述の通り開示したが、これらは決して本発明に限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と領域を脱しない範囲内で各種の変動や潤色を加えることができ、従って本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
【００３５】
【発明の効果】
装置特性と回路設計が改善され、画素間の漏電とクロストークが減少する。
【図面の簡単な説明】
【図１ａ】本発明による分子配列を有する有機半導体層の形成方法を示すフローチャートである。
【図１ｂ】本発明による分子配列を有する有機半導体層の形成方法を示すフローチャートである。
【図１ｃ】本発明による分子配列を有する有機半導体層の形成方法を示すフローチャートである。
【図２ａ】本発明のフォトレジスト層のマイクログルーブの透視図である。
【図２ｂ】本発明のフォトレジスト層のマイクログルーブの断面図である。
【図３】同一基板上の異なる領域のフォトレジスト層のマイクログルーブの配列状態を示す図である。
【図４ａ】本発明のトップゲート型ＯＴＦＴの断面図である。
【図４ｂ】本発明のトップゲート型ＯＴＦＴの断面図である。
【図５ａ】本発明のボトムゲート型ＯＴＦＴの断面図である。
【図５ｂ】本発明のボトムゲート型ＯＴＦＴの断面図である。
【図６ａ】本発明のもう一つのボトムゲート型ＯＴＦＴの断面図である。
【図６ｂ】本発明のもう一つのボトムゲート型ＯＴＦＴの断面図である。
【符号の説明】
１０    基板、或いは誘電層
Ｇ      マイクログルーブ
２０、２５  フォトレジスト層
２５ｂ  領域ＩＩのフォトレジスト部分
２５１  凸部
２５２  凹部
３０    マスク
４０    有機半導体層
４０ｂ  配列を有する有機半導体部分
１ｄ    領域１の配列方向
２ｄ    領域２の配列方向
Ｓ      ソース
Ｄ      ドレイン
６０、６２  誘電層
７０、７２  ゲート
【図１ａ】
2004274015.tif 000003
【図１ｂ】
2004274015.tif 000004
【図１ｃ】
2004274015.tif 000005
【図２ａ】
2004274015.tif 000006
【図２ｂ】
2004274015.tif 000007
【図３】
2004274015.tif 000008
【図４ａ】
2004274015.tif 000009
【図４ｂ】
2004274015.tif 000010
【図５ａ】
2004274015.tif 000011
【図５ｂ】
2004274015.tif 000012
【図６ａ】
2004274015.tif 000013
【図６ｂ】
2004274015.tif 000014