(57)【要約】【課題】微細なパターンを有する成形品を製造する方法、微細なパターンを有する成形品を製造するのに好適なスタンパの製造方法、当該スタンパを製造するのに好適なスパッタリング用ターゲットを提供することを目的とする。【解決手段】石英ガラス基板１にレジストパターン２ａを形成し（Ａ〜Ｃ）、フォトレジストを硬化して成るターゲットを用いてＲＦスパッタリングを行ってレジスト層３を形成する（Ｄ）。その上に、ニッケルをスパッタリングして下地層４を形成し（Ｅ）、さらにその上にニッケルをメッキして金属層５を形成する（Ｆ）。金属層５及び下地層４を石英ガラス基板１から剥離し（Ｇ）、レジスト層３を除去し、さらに洗浄してスタンパ６が完成する（Ｈ）。【選択図】        図  １
2004354952.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタリング用ターゲットの製造方法であって、少なくとも
・基台上にフォトレジストを塗布する工程と、
・塗布したフォトレジストを硬化処理する工程と、
を有することを特徴とするスパッタリング用ターゲットの製造方法。
【請求項２】
スタンパの製造方法であって、少なくとも
・基板上に所定のパターンを形成する工程と、
・前記パターン上に、フォトレジストを硬化処理して成るターゲットを用いてスパッタリングを行い、レジスト層を形成する工程と、
・前記レジスト層上に下地層を形成する工程と、
・前記下地層上に金属層を形成する工程と、
を有することを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項３】
スタンパの製造方法であって、少なくとも
・基板上に所定のパターンを形成する工程と、
・前記パターン上に、フォトレジストを硬化処理して成るターゲットを用いてスパッタリングを行い、第１のレジスト層を形成する工程と、
・前記第１のレジスト層上にフォトレジストから成る第２のレジスト層を形成する工程と、
・前記第２のレジスト層上に下地層を形成する工程と、
・前記下地層上に金属層を形成する工程と、
を有することを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項４】
スタンパの製造方法であって、少なくとも
・基板上に所定のパターンを形成する工程と、
・前記パターン上に、フォトレジストを硬化処理して成るターゲットを用いてスパッタリングを行い、第１のレジスト層を形成する工程と、
・前記第１のレジスト層上にフォトレジストから成る第２のレジスト層を形成する工程と、
・基板を加熱処理する工程と、
・前記加熱処理後において、前記第２のレジスト層上に下地層を形成する工程と、
・前記下地層上に金属層を形成する工程と、
を有することを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項５】
スタンパの製造方法であって、少なくとも
・基板上に、フォトレジストを硬化処理して成るターゲットを用いてスパッタリングを行い、第１のレジスト層を形成する工程と、
・前記第１のレジスト層上にフォトレジストから成る第２のレジスト層を形成する工程と、
・前記第２のレジスト層を利用して所定のレジストパターンを形成する工程と、
を有することを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項６】
成形品の製造方法であって、少なくとも
・基板上に所定のパターンを形成する工程と、
・前記パターン上に、フォトレジストを硬化処理して成るターゲットを用いてスパッタリングを行い、レジスト層を形成する工程と、
・前記レジスト層上に下地層を形成する工程と、
・前記下地層上に金属層を形成する工程と、
を経てスタンパを作製し、さらに
・該スタンパを用いて成形品を成形することを特徴とする成形品の製造方法。
【請求項７】
成形品の製造方法であって、少なくとも
・基板上に所定のパターンを形成する工程と、
・前記パターン上に、フォトレジストを硬化処理して成るターゲットを用いてスパッタリングを行い、第１のレジスト層を形成する工程と、
・前記第１のレジスト層上にフォトレジストから成る第２のレジスト層を形成する工程と、
・前記第２のレジスト層上に下地層を形成する工程と、
・前記下地層上に金属層を形成する工程と、
を経てスタンパを作製し、さらに
・該スタンパを用いて成形品を成形することを特徴とする成形品の製造方法。
【請求項８】
成形品の製造方法であって、少なくとも
・基板上に所定のパターンを形成する工程と、
・前記パターン上に、フォトレジストを硬化処理して成るターゲットを用いてスパッタリングを行い、第１のレジスト層を形成する工程と、
・前記第１のレジスト層上にフォトレジストから成る第２のレジスト層を形成する工程と、
・基板を加熱処理する工程と、
・前記加熱処理後において、前記第２のレジスト層上に下地層を形成する工程と、
・前記下地層上に金属層を形成する工程と、
を経てスタンパを作製し、さらに
・該スタンパを用いて成形品を成形することを特徴とする成形品の製造方法。
【請求項９】
成形品の製造方法であって、少なくとも
・基板上に、フォトレジストを硬化処理して成るターゲットを用いてスパッタリングを行い、第１のレジスト層を形成する工程と、
・前記第１のレジスト層上にフォトレジストから成る第２のレジスト層を形成する工程と、
・前記第２のレジスト層を利用して所定のレジストパターンを形成する工程と、
を経てスタンパを作製し、さらに
・該スタンパを用いて成形品を成形することを特徴とする成形品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スパッタリング用ターゲットの製造方法、及び当該製造方法によって製造されたスパッタリング用ターゲットを用いたスタンパの製造方法、さらには当該スタンパの製造法によって製造されたスタンパを用いた成形品の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
先ず、図６に基づいて従来のスタンパ製造方法について説明する。
【０００３】
・石英ガラス基板１の上にフォトレジストをスピンコートしてレジスト膜２を形成する（図６▲１▼）。
【０００４】
・形成したレジスト膜２をレーザ光カッティング装置で露光する（図６▲２▼）。
【０００５】
・露光後、現像処理を行い、所望のレジストパターン２ａを得る（図６▲３▼）。
【０００６】
・形成されたレジストパターン２ａの上に、スパッタリングや蒸着等の方法を用いてニッケル等から成る下地層４を形成する（図６▲４▼）。
【０００７】
・この下地層４の上にニッケル等をメッキして金属層５を形成する（図６▲５▼）。
【０００８】
・金属層５及び下地層４から成る部分をガラス原盤１およびレジストパターン２ａを剥離し、金属層５及び下地層４から成るスタンパ６を得る（図６▲６▼）。
【０００９】
このような従来のスタンパ製造方法については、例えば下記のような公知特許文献が存在する。
【００１０】
【特許文献】特開平５−１９５２７８公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
然し乍ら、上記した従来のスタンパ製造方法では、スタンパに形成すべきパターンをさらに微細化したい場合、パターンの微細化に伴ってレジスト形状が崩れてくるため、微細化に対応できない。
【００１２】
これを改善するため、図７に示すようなスタンパの製造方法もある。
【００１３】
説明すると、
・石英ガラス基板１の上にフォトレジストをスピンコートしてレジスト膜を形成した後、レジスト膜をレーザ光カッティング装置で露光し、さらに現像処理を行い、所望のレジストパターン２ａを形成する（図７▲１▼）。
【００１４】
・形成されたレジストパターン２ａをマスクとして反応性イオンエッチング（以下、ＲＩＥと称す）加工を施した後（図７▲２▼）、酸素プラズマアッシングによってレジストを除去すると石英ガラス基板１上に所望のパターン１ａが形成される（図７▲３▼）。
【００１５】
・形成されたパターン１ａの上に、スパッタリングや蒸着等の方法を用いてニッケル等から成る下地層４を形成し（図７▲４▼）、さらにこの下地層４の上にニッケル等をメッキして金属層５を形成する（図６▲５▼）。
【００１６】
・金属層５及び下地層４から成る部分をガラス原盤１から剥離し、金属層５及び下地層４から成るスタンパ６を得る（図７▲６▼）。
【００１７】
然し乍ら、石英ガラス基板１の硬度が高いことと、石英ガラス基板１とスタンパ６の付着力が強すぎるために、スタンパ６を剥離する際に、スタンパ６および石英ガラス基板１が破損するという問題がある。
【００１８】
さらに、上記の方法の欠点を補うために、下地層４の形成前において、図８▲４▼に示すように石英ガラス基板１上にフォトレジストをスピンコートしてレジスト層７を形成する方法もあるが、この場合、パターンの凹凸部分でフォトレジストの塗布膜厚が異なる（凸部で薄く、凹部で厚い）と共に、溝形状が丸くなってしまうという問題がある。
【００１９】
この塗布膜厚と丸みを低減するためには、できるだけ粘度の低い（厚さの薄い）フォトレジストを塗布すればよいが、粘度を薄くするとレジストがはじいて、均一に塗布することが困難となってくる。凹凸形状の場合、特に凸部でのレジストのはじきが著しい。
【００２０】
通常、レジストを塗布する前に密着強化剤ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）等で処理を行うが、疎水性の基板や、レジストの粘度が低い場合には、ＨＭＤＳ処理してもレジストがはじいて塗布できなくなる。
【００２１】
尚、前記図８において、前述の図７と同様の個所には同様の符号を付し、その詳細な説明は割愛する。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、
スパッタリング用ターゲットの製造方法であって、少なくとも、基台上にフォトレジストを塗布する工程と、塗布したフォトレジストを硬化処理する工程とを有することを特徴とするスパッタリング用ターゲットの製造方法である。
【００２３】
請求項２に記載の発明は、スタンパの製造方法であって、少なくとも、基板上に所定のパターンを形成する工程と、前記パターン上に、フォトレジストを硬化処理して成るターゲットを用いてスパッタリングを行い、レジスト層を形成する工程と、前記レジスト層上に下地層を形成する工程と、前記下地層上に金属層を形成する工程とを有することを特徴とするスタンパの製造方法である。
【００２４】
請求項３に記載の発明は、スタンパの製造方法であって、少なくとも、基板上に所定のパターンを形成する工程と、前記パターン上に、フォトレジストを硬化処理して成るターゲットを用いてスパッタリングを行い、第１のレジスト層を形成する工程と、前記第１のレジスト層上にフォトレジストから成る第２のレジスト層を形成する工程と、前記第２のレジスト層上に下地層を形成する工程と、前記下地層上に金属層を形成する工程とを有することを特徴とするスタンパの製造方法である。
【００２５】
請求項４に記載の発明は、スタンパの製造方法であって、少なくとも、基板上に所定のパターンを形成する工程と、前記パターン上に、フォトレジストを硬化処理して成るターゲットを用いてスパッタリングを行い、第１のレジスト層を形成する工程と、前記第１のレジスト層上にフォトレジストから成る第２のレジスト層を形成する工程と、基板を加熱処理する工程と、前記加熱処理後において、前記第２のレジスト層上に下地層を形成する工程と、前記下地層上に金属層を形成する工程とを有することを特徴とするスタンパの製造方法である。
【００２６】
請求項５に記載の発明は、スタンパの製造方法であって、少なくとも、基板上に、フォトレジストを硬化処理して成るターゲットを用いてスパッタリングを行い、第１のレジスト層を形成する工程と、前記第１のレジスト層上にフォトレジストから成る第２のレジスト層を形成する工程と、前記第２のレジスト層を利用して所定のレジストパターンを形成する工程とを有することを特徴とするスタンパの製造方法である。
【００２７】
請求項６に記載の発明は、  成形品の製造方法であって、少なくとも、基板上に所定のパターンを形成する工程と、前記パターン上に、フォトレジストを硬化処理して成るターゲットを用いてスパッタリングを行い、レジスト層を形成する工程と、前記レジスト層上に下地層を形成する工程と、前記下地層上に金属層を形成する工程とを経てスタンパを作製し、さらに、該スタンパを用いて成形品を成形することを特徴とする成形品の製造方法である。
【００２８】
請求項７に記載の発明は、成形品の製造方法であって、少なくとも、基板上に所定のパターンを形成する工程と、前記パターン上に、フォトレジストを硬化処理して成るターゲットを用いてスパッタリングを行い、第１のレジスト層を形成する工程と、前記第１のレジスト層上にフォトレジストから成る第２のレジスト層を形成する工程と、前記第２のレジスト層上に下地層を形成する工程と、前記下地層上に金属層を形成する工程とを経てスタンパを作製し、さらに、該スタンパを用いて成形品を成形することを特徴とする成形品の製造方法である。
【００２９】
請求項８に記載の発明は、成形品の製造方法であって、少なくとも、基板上に所定のパターンを形成する工程と、前記パターン上に、フォトレジストを硬化処理して成るターゲットを用いてスパッタリングを行い、第１のレジスト層を形成する工程と、前記第１のレジスト層上にフォトレジストから成る第２のレジスト層を形成する工程と、基板を加熱処理する工程と、前記加熱処理後において、前記第２のレジスト層上に下地層を形成する工程と、前記下地層上に金属層を形成する工程とを経てスタンパを作製し、さらに、該スタンパを用いて成形品を成形することを特徴とする成形品の製造方法である。
【００３０】
請求項９に記載の発明は、成形品の製造方法であって、少なくとも基板上に、フォトレジストを硬化処理して成るターゲットを用いてスパッタリングを行い、第１のレジスト層を形成する工程と、・前記第１のレジスト層上にフォトレジストから成る第２のレジスト層を形成する工程と、前記第２のレジスト層を利用して所定のレジストパターンを形成する工程とを経てスタンパを作製し、さらに、該スタンパを用いて成形品を成形することを特徴とする成形品の製造方法である。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、図面に従って本発明について説明する。
【００３２】
＜スパッタリング用ターゲットの製造方法＞
最初に本発明のスパッタリング用ターゲットの製造方法について説明する。
【００３３】
先ず、銅のバッキングプレート（基台）上にノボラック樹脂をベースとしたフォトレジスト（例えばシプレイ製ＳＰＲ６８０９等）をスピンコートする。これを、ホットプレートを使用し、Ｎ２雰囲気中において約２００℃程度でハードベークを行う。これを複数回繰り返し、レジストの厚さを厚くする。尚、粘度の高いフォトレジストを使用すれば、塗布する回数は少なくてすむ。
【００３４】
また、ベーク時の温度が１２０℃〜１３０℃程度の低い温度であれば、Ｎ２雰囲気中ではなく、通常の大気中でもよい。Ｎ２雰囲気中でベークを行ったのは、レジストの酸化等を防ぐためであり、温度が低ければ時間はかかるが、大気中でハードベークしても酸化しにくい。
【００３５】
このようにベークすることにより、スパッタリング装置に取り付けて真空引きしてもターゲットからのガスの発生が抑制されると共に、レジストの耐熱性が上がるので、スパッタリングしてもレジストが焼け焦げない状態となる。
【００３６】
また、上記のような高温でハードベークする方法のほかに、フォトレジストの種類によっては、遠紫外線光を照射して硬化させてもよい。
【００３７】
さらに、本発明のスパッタリング用ターゲットは、これ自体がパターンを形成するためのものではないので、レジストパターンの形成に用いるような高解像度・高感度のフォトレジストを使用しなくてもよい。
【００３８】
＜スタンパ製造方法の第１の実施例＞
続いて、前述のようにして製造されたスパッタリング用ターゲットを用いたスタンパ製造方法について説明する。
【００３９】
・先ず、石英ガラス基板１を洗浄し、その上にフォトレジスト（例えばシプレイ製ＳＰＲ６８０９等）を厚さが約１５０ｎｍになるようにスピンコートする。そして、これを約１００℃で約３０分間、オーブンでプリベークした後、レーザーカッティング装置で露光する。その後、現像してレジストパターン２ａを形成した後、さらに１１０℃で約３０分間、オーブンでポストベークする（図１Ａ）。
【００４０】
・次に、石英ガラス基板１をＲＩＥ加工（［条件］ＣＨＦ３ガス：２０ｓｃｃｍ＋Ａｒガス：８０ｓｃｃｍ、圧力：２．０Ｐａ、投入パワー：５００Ｗ、エッチングレート：１５ｎｍ／分）で深さ約７２ｎｍまでエッチングする（図１Ｂ）。そして酸素プラズマアッシングでレジストパターン２ａを除去し、石英ガラス基板１を洗浄して石英ガラス基板１上に所望のパターン１ａが得られる（図１Ｃ）。
【００４１】
・この石英ガラス基板１上に、前述のスパッタリング用ターゲットを用いてＲＦスパッタリング（［条件］Ａｒガス：４５ｓｃｃｍ、圧力：１．３Ｐａ、投入パワー：１００Ｗ、スパッタリングレート：４ｎｍ／分）を行い、厚さ約５ｎｍのレジスト層３を石英ガラス基板１上に形成する（図１Ｄ）。
【００４２】
このようにＲＦスパッタリングでレジスト層３を成膜しているため、レジスト層３の厚さはパターン１ａの凹凸部の平坦部で略均一で、元のパターン形状（レジスト層３を成膜する前のパターン１ａ）を略維持している。レジスト層３を厚さ約５ｎｍに成膜した場合の表面粗さはＲａ＝約０．４２ｎｍであり、レジスト層３を成膜する前の石英ガラスの表面粗さであるＲａ＝０．３５ｎｍよりもわずかに増加しているものの、問題ないレベルである。
【００４３】
・このレジスト層３の上に、ニッケルを厚さが約５０ｎｍになるようにスパッタリングして下地層４を形成し（図１Ｅ）、さらにその上に厚さ約２８０μｍになるようにニッケルをメッキして金属層５を形成する（図１Ｆ）。
【００４４】
・形成した金属層５の上面を研磨した後、金属層５及び下地層４を石英ガラス基板１から剥離し（図１Ｇ）、所定サイズに打ち抜く。この状態では、金属層５には、ＲＦスパッタリングしたレジスト層３が部分的に付着しているので、これを酸素プラズマアッシングで除去し、洗浄機で超音波洗浄してスタンパ６が完成する（図１Ｈ）。
【００４５】
前記ＲＦスパッタリングで形成したレジスト層３は軟らかい材料であり、離型性も良くなることから、スタンパ６および石英ガラス基板１の双方にキズを付けることがない。石英ガラス基板１は、レジスト層３を除去・洗浄した後、再度マスターとして使用できる。
【００４６】
＜スタンパ製造方法の第２の実施例＞
次に、図２に基づいて、スタンパの製造方法における第２の実施例について説明する。
【００４７】
・先ず、石英ガラス基板１を洗浄し、その上にフォトレジスト（例えばシプレイ製ＳＰＲ６８０９等）を厚さが約１５０ｎｍになるようにスピンコートする。そして、これを約１００℃で約３０分間、オーブンでプリベークした後、レーザーカッティング装置で露光する。その後、現像してレジストパターン２ａを得た後、さらに１１０℃で約３０分間、オーブンでポストベークする（図２Ａ）。
【００４８】
・次に、石英ガラス基板１をＲＩＥ加工（［条件］ＣＨＦ３ガス：２０ｓｃｃｍ＋Ａｒガス：８０ｓｃｃｍ、圧力：２．０Ｐａ、投入パワー：５００Ｗ、エッチングレート：１５ｎｍ／分）で深さ約７２ｎｍまでエッチングする（図２Ｂ）。そして酸素プラズマアッシングでレジストパターン２ａを除去し、石英ガラス基板１を洗浄して石英ガラス基板１上に所望のパターン１ａが得られる（図２Ｃ）。
【００４９】
・この石英ガラス基板１上に、前述のスパッタリング用ターゲットを用いてＲＦスパッタリング（［条件］Ａｒガス：４５ｓｃｃｍ、圧力：１．３Ｐａ、投入パワー：１００Ｗ、スパッタリングレート：４ｎｍ／分）を行い、厚さが約５ｎｍのレジスト層３を石英ガラス基板１の表面に形成する（図２Ｄ）。
【００５０】
・この上に、希釈したフォトレジスト（例えばシプレイ製ＳＰＲ６８０９等）を厚さが約２８ｎｍとなるようにスピンコートしてレジスト層７を形成する（図２Ｅ）。
【００５１】
下地のＲＦスパッタリングしたレジストは、スピンコートするレジストの溶剤に溶けないように変質しているため、レジストをスピンコートしても下地のレジストは溶けることなない。そして、塗布するレジストの下地が同種の材料であるため、低粘度のレジストを塗布してもはじくことはない。塗布後の溝深さは約５５ｎｍであり、凹部の方が凸部よりも膜厚が厚い傾向は変わらないが、前記第１の実施例によるスタンパ製造方法に比較して、凸部と凹部のレジスト膜厚の差を約１７ｎｍと小さくすることができた。このときの表面粗さはＲａ＝０．２３ｎｍである。このように、より表面粗さの小さいスタンパを作製することができる。
【００５２】
・この上に、ニッケルを厚さが約５０ｎｍになるようにスパッタリングして下地層４を形成し（図２Ｆ）、さらにその上に厚さが約２８０μｍになるようにニッケルをメッキして金属層５を形成する（図２Ｇ）。
【００５３】
・形成した金属層５の上面を研磨した後、金属層５及び下地層４をガラス原盤１から剥離し（図２Ｈ）、所定サイズに打ち抜く。この状態では、下地層４にはＲＦスパッタリングしたレジスト層３やスピンコートしたレジスト層７が部分的に付着している。これらは酸素プラズマアッシングで除去し、洗浄機で超音波洗浄してスタンパが完成する（図２Ｉ）。
【００５４】
＜スタンパ製造方法の第３の例＞
さらに、図３に基づいて、スタンパの製造方法における第３の実施例について説明する。
【００５５】
・先ず、石英ガラス基板１を洗浄し、その上にフォトレジスト（例えばシプレイ製ＳＰＲ６８０９等）を厚さが約１５０ｎｍになるようにスピンコートする。そして、これを約１００℃で約３０分間、オーブンでプリベークした後、レーザーカッティング装置で露光する。その後、現像してレジストパターン２ａを得た後、さらに１１０℃で約３０分間、オーブンでポストベークする（図３Ａ）。
【００５６】
・次に、石英ガラス基板１をＲＩＥ加工（［条件］ＣＨＦ３ガス：２０ｓｃｃｍ＋Ａｒガス：８０ｓｃｃｍ、圧力：２．０Ｐａ、投入パワー：５００Ｗ、エッチングレート：１５ｎｍ／分）で深さ約７２ｎｍまでエッチングする（図３Ｂ）。そして酸素プラズマアッシングでレジストパターン２ａを除去し、石英ガラス基板１を洗浄して石英ガラス基板１上に所望のパターン１ａが得られる（図３Ｃ）。
【００５７】
・この石英ガラス基板１上に、前述のスパッタリング用ターゲットを用いてＲＦスパッタリング（［条件］Ａｒガス：４５ｓｃｃｍ、圧力：１．３Ｐａ、投入パワー：１００Ｗ、スパッタリングレート：４ｎｍ／分）を行い、厚さが約５ｎｍのレジスト層３を石英ガラス基板１の表面に形成する（図３Ｄ）。
【００５８】
・この上に、希釈したフォトレジスト（例えばシプレイ製ＳＰＲ６８０９等）を厚さが約２８ｎｍとなるようにスピンコートしてレジスト層７を形成する（図３Ｅ）。
【００５９】
・次に、レジスト層７を形成した石英ガラス基板を約２００℃で１時間程度、ハードベークする。ハードベークした際のレジストの収縮率は、パターンの凹凸に係わらずほぼ一定であるため、レジスト層７の膜厚の厚い凹部の方が、収縮量としては大きくなる。第２のスタンパの製造法での凸部と凹部のレジスト膜厚の差１７ｎｍを、この実施例ではハードベークすることによって約１４ｎｍへとさらに小さくすることができた。このようにレジスト層７を形成した石英ガラス基板１をハードベークすることにより、表面粗さはＲａ＝０．１８ｎｍとさらに改善され、パターンの形状も石英ガラス基板のパターン１ａの形状にさらに近づく。
【００６０】
・この上に、ニッケルを厚さが約５０ｎｍになるようにスパッタリングして下地層４を形成し（図３Ｆ）、さらにその上に厚さが約２８０μｍになるようにニッケルをメッキして金属層５を形成する（図３Ｇ）。
【００６１】
・形成した金属層５の上面を研磨した後、金属層５及び下地層４をガラス原盤１から剥離し（図３Ｈ）、所定サイズに打ち抜く。この状態では、下地層４にはＲＦスパッタリングしたレジスト層３やスピンコートしたレジスト層７が部分的に付着している。これらは酸素プラズマアッシングで除去し、洗浄機で超音波洗浄してスタンパが完成する（図３Ｉ）。
【００６２】
＜スタンパ製造方法の第４の例＞
さらに、スタンパの製造方法における第４の実施例について説明する。
【００６３】
通常、洗浄した基板にフォトレジストを塗布する前に密着強化剤ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）等で処理を行ってからフォトレジストを塗布するが、疎水性の基板を用いる場合や、あるいはフォトレジストの粘度が低い場合には、フォトレジストと基板との密着性が低下し、ＨＭＤＳ処理したにも係わらず、フォトレジストがはじいて塗布できなくなる。
【００６４】
このような場合、本発明のスパッタリング用ターゲットを用いて基板上にフォトレジストをスパッタし、その上に、フォトレジストをスピンコートする。こうすると、塗布するフォトレジストの下地が同種の材料であるため、はじくことも無くフォトレジストを塗布することができる。
【００６５】
図４に従って詳述すると、
・Ｓｉ基板１０（前記各実施例では石英ガラス基板を用いていたが、この実施例ではＳｉ基板を用いる）上に本発明のスパッタリング用ターゲットを用いて基板上にフォトレジストをＲＦスパッタリングし、レジスト層１１を形成する（図４Ａ）。
【００６６】
・次に、レジスト層１１の上にフォトレジストをスピンコートし、レジスト層１２を形成する（図４Ｂ）。
【００６７】
・前記各実施例と同様に基板をプリベークした後、これを露光および現像してレジストパターン１２ａを得る（図４Ｃ）。
【００６８】
・その後、下地層が必要ない場合には、ＲＩＥやイオンビームエッチング（ＩＢＥ）等のエッチング方法でレジスト層１１を除去すればよい（図４Ｄ）。このようにしてレジストパターンを形成した後は、前述の第１の実施例における図１Ｂ以降の工程、あるいは第２の実施例における図２Ｂ以降の工程、あるいは第３の実施例における図３Ｂ以降の工程と同様の工程を経て、スタンパが完成する。最後に洗浄機で超音波洗浄してスタンパが完成する。
【００６９】
この実施例では、主としてレジスト層１１はレジスト層１２をスピンコートする際の密着強化剤的な用途として用いているが、これによりパターンの微細化のために粘度の低いフォトレジストを用いることができるので、密着強化剤的な効果だけでなく、パターンの微細化の面でも大きく寄与しており、前記各実施例と目的・作用・効果が全く異なるものではない。
【００７０】
さらに、図５は各実施例におけるパターンの溝形状を測定したものである。
【００７１】
▲１▼は石英ガラス基板上に形成されたパターンの断面、▲２▼は下地層の形成前にフォトレジストをＲＦスパッタリングした場合のパターンの断面（第１の実施例）、▲３▼はフォトレジストをＲＦスパッタリングした上に下地層を形成し、さらにその上にフォトレジストをスピンコートした場合のパターンの断面（第２の実施例）、さらに▲４▼はフォトレジストをＲＦスパッタリングした上に下地層を形成し、その上にフォトレジストをスピンコートし、さらにハードベークした場合のパターンの断面（第３の実施例に相当する）である。
【００７２】
図５▲１▼と▲２▼を比較すれば、フォトレジストをＲＦスパッタリングしても石英ガラス基板のパターンとほとんど変わらないことがわかる。また、図５▲３▼より、下地層を形成する前にフォトレジストをスピンコートするとパターンの溝形状が丸みを帯びているのがわかる。しかし、図５▲４▼を見ると、さらにハードベークを行うことでパターンの溝形状の丸みが改善されているのがよくわかる。
【００７３】
上述した如き本発明のスタンパの製造方法によって作製したスタンパを用い、圧縮成形、射出成形、２Ｐ法などの既知の製法を用いて、微細なパターンを有する成形品を製造することができる。
【００７４】
本発明のスパッタリング用ターゲットは、硬化させたフォトレジストから成ることが特徴であり、これをＲＦスパッタ用ターゲットやイオンビームスパッタ用ターゲットとして用いることができる。
【００７５】
本発明のスタンパ製造方法は、本発明のスパッタリング用ターゲットを用いてスタンパ製造工程におけるＲＩＥ加工した原盤上にフォトレジストをスパッタリングし、離型剤的な用途として用いることが特徴である。
【００７６】
また、本発明のスパッタリング用ターゲットは、密着性の悪い基板にレジストを塗布する場合の、密着強化剤的な用途として用いることもできる。
【００７７】
さらに、本発明によって作製されたスタンパを用いて、光ディスク、微細光学素子（回折格子、位相板、偏光分離素子、波長フィルター等）等の各種成形品の製造が可能である。
【００７８】
【発明の効果】
以上、詳述した如く本発明に依れば、微細なパターンを必要とする成形品の製造に必要なスタンパを製造するためのスパッタリング用ターゲットを提供することができる。また、本発明のスパッタリング用ターゲットは、スタンパの製造過程において、疎水性の基板を用いる場合やあるいは粘度が低いフォトレジスト用いる場合でも、フォトレジストと基板との密着性を良好にすることができる。
【００７９】
本発明のスタンパ製造方法に依れば、微細なパターンを必要とする光ディスク、微細光学素子（回折格子、位相板、偏光分離素子、波長フィルター等）等の各種成形品を製造するためのスタンパを提供することができる。
【００８０】
さらに、本発明の成形品の製造方法に依れば、微細なパターンを必要とする光ディスク、微細光学素子（回折格子、位相板、偏光分離素子、波長フィルター等）等の各種成形品を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のスタンパの製造方法（第１の実施例）を示す図である。
【図２】本発明のスタンパの製造方法（第２の実施例）を示す図である。
【図３】本発明のスタンパの製造方法（第３の実施例）を示す図である。
【図４】本発明のスタンパの製造方法（第４の実施例）を示す図である。
【図５】本発明の効果を示す図である。
【図６】従来のスタンパの製造方法を示す図である。
【図７】従来のスタンパの製造方法を示す図である。
【図８】従来のスタンパの製造方法を示す図である。
【符号の説明】
１      石英ガラス基板
１ａ    パターン
２      レジストパターン
２ａ    レジストパターン
３      レジスト層（ＲＦスパッタリングで形成）
４      下地層
５      金属層
６      スタンパ
７      レジスト層（スピンコートで形成）
１０    Ｓｉ基板
１１    レジスト層（ＲＦスパッタリングで形成）
１２    レジスト層（スピンコートで形成）
１２ａ  パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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