(57)【要約】【課題】媒体全域において結晶化速度に対するマージンが広く、記録速度が高く保存寿命にも強い相変化光記録媒体を提供する。【解決手段】基板１上に、下部誘電体層２、下部界面層３、核生成層４、記録層５、上部界面層６、上部誘電体層７、調整層８、放熱層９をこの順に積層し、前記各層の外面を保護層１０にて覆う。核生成層４の膜厚を直径方向に向けて漸次変化させる。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録層の片側又は両側に前記記録層の結晶化速度を高速化するための核生成層が付加されているディスク状相変化型光記録媒体において、前記核生成層の膜厚を前記記録層の直径方向に向けて漸次変化させることを特徴とするディスク状相変化型光記録媒体。
【請求項２】
前記記録層に対する情報の記録及び再生が媒体回転数一定の状態で行われることを特徴とする請求項１に記載のディスク状相変化型光記録媒体。
【請求項３】
前記核生成層の膜厚が前記記録層の外周領域ほど厚くなることを特徴とする請求額１又は２に記載のディスク状相変化型光記録媒体。
【請求項４】
前記核生成層が、Ｂｉ−Ｔｅ系合金又はＳｎ−Ｔｅ系合金からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のディスク状相変化型光記録媒体。
【請求項５】
前記記録層及び前記核生成層がスパッタリング法によって成膜されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のディスク状相変化型光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ディスク状相変化型光記録媒体に係り、特に、記録層の結晶化速度のマージンを内外周で均一化する手段に関する。
【０００２】
【従来の技術】
マルチメディア時代の到来により、情報の多種多様化が進み、情報機器が取り扱う情報量が膨大なものになった結果、情報の蓄積を担う記録媒体にはより一層の大容量化と情報記録の高速化とが望まれている。記録媒体の中でも光記録媒体は高い信頼性を有することから特に注目されており、従来より大容量化を実現するための様々な技術、例えば、トラックピッチの狭小化によりトラック幅方向の記録密度を高める技術、マークエッジ記録方式を採用することによりトラック方向の記録密度を高める技術、ＺＣＡＶフォーマットを採用することにより媒体全域での記録密度の無駄をなくす技術、案内溝（グループ）と案内溝間（ランド）との両方に情報を記録する技術などが提案されている。
【０００３】
中でもディスク状相変化型光記録媒体は、情報の書き換えが可能でしかも安価であることから民生用への普及が著しく、とりわけ家庭用ビデオ録画への普及が急速に伸びつつある。一般にビデオ録画媒体としてディスク状記録媒体を用いると、例えば「後追い再生」のように、ビデオ録画媒体としてテープ状記録媒体を用いた場合には不可能な新たな機能を持たせることが可能になるが、それに伴い、単なる情報記録用として用いられるディスク状記録媒体以上の高度な特性が要求される。例えば、「後追い再生」の場合、録画中でありながらその画像を後を追って再生していく必要があるので、記録と再生とを一定時間毎に切り替えなければならず、必然的に記録再生速度の高速化がこれまで以上に必要になる。
【０００４】
ディスク状記録媒体の記録速度を上げる手段については幾つか挙げられるが、前記ＺＣＡＶ方式もその代表的な例であり、ディスクの回転数を一定に保つことによって外周ほど線速を上げることが可能となる。しかしながら、線速が上がると、相変化型光記録媒体を用いる場合には、それに対応して記録層の結晶化速度も上げる必要が生じる。相変化型記録層の結晶化速度の高速化には、主として２つの方法が挙げられる。１つは記録層の結晶化速度そのものを上げてやる方法であり、記録層にＳｎ等の元素を添加する技術が従来より提案されている。他の１つは結晶の基となる結晶核の数量を増やし、記録層の結晶化を促進させる方法であり、記録層の片側又は両側に例えばＳｎ−Ｔｅ系又はＢｉ−Ｔｅ系の合金層を付加する技術が従来より提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
ところで、前記したいずれの結晶化速度の高速化方法を採る場合にも、ディスクの内周部と外周部とで記録線速が異なるＺＣＡＶ方式などのディスク状相変化型光記録媒体においては、ディスクの内周部と外周部の双方で記録層の結晶化速度が適切な値になるように調整する必要がある。即ち、結晶化速度が速すぎると、内周の低線速領域ほど、ただでさえ早くなっている結晶化速度よりも早い速度で記録層を急冷しなくてはアモルファスマークを形成できなくなるため、アモルファスマークの形成が難しくなる。逆に、結晶化速度が遅すぎると、外周の高線速領域ほど、結晶化に必要な時間が経過する前に記録層の温度が低下してしまうため、記録層が結晶化されにくくなり、情報を完全に消去することが難しくなる。この最高線速における記録層の結晶化速度と最低線速における記録層の結晶化速度とを同時に満足するように結晶化速度を調整することは、従来の低線速ドライブでも情報の記録及び再生ができなければならないという互換性を維持する上からも必要不可欠な条件である。
【０００６】
したがって、記録領域の全面について記録線速に応じた最適な値に記録層の結晶化速度を調整するためには、ディスクの径方向について記録層の結晶化速度を記録線速に応じた値に順次変更することが最も好ましいが、従来においては、かかる結晶化速度の調整方法は困難とされており、最内周部において要求される記録層の結晶化速度及び最外周部において要求される記録層の結晶化速度を共に満足する一定の値に記録層の結晶化速度を設定するという方法が採られている。
【０００７】
【特許文献１】
特開平１１−１６７７２２号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、幅広い線速領域に対応できるように記録層の結晶化速度を調整すると、結晶化速度のマージンが小さい内周領域及び外周領域においては、媒体の保存寿命が短くなるという問題が生じる。例えば、高線速で情報の記録が行われた相変化型光記録媒体を高温高湿環境下で保存した後、再度高線速で情報の記録を行なおうとすると、情報の書き換えが正確にできないという問題が生じる。かかる不都合は、保存により記録層の結晶化速度が低下する結果、マージンが少なかった領域において結晶化速度の不足を生じ、高線速において情報を完全に消去できなくなるために発生する。
【０００９】
本発明は、かかる従来技術の不備を解消するためになされたものであって、その目的は、記録領域の全面について記録層の結晶化速度のマージンを拡大し、記録速度が高くかつ保存寿命が長い相変化光記録媒体を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記の課題を解決するため、記録層の片側又は両側に前記記録層の結晶化速度を高速化するための核生成層が付加されているディスク状相変化型光記録媒体において、前記核生成層の膜厚を前記記録層の直径方向に向けて漸次変化させるという構成にした。
【００１１】
本願発明者の研究によると、Ｂｉ−Ｔｅ系合金からなる核生成層は、その膜厚を厚くするほど記録層の結晶化速度が速くなる。したがって、核生成層の膜厚を記録層の直径方向に向けて漸次変化させることにより、記録層各部の結晶化速度を記録線速に応じた最適な値に調整することができるので、ＺＣＡＶ方式のディスク状相変化型光記録媒体など、外周領域ほど記録線速が大きくなる相変化型光記録媒体についても、記録速度の改善を図ることができる。また、記録層各部について結晶化速度のマージンを大きくできるため、高温高湿環境下での保存による結晶化速度の低下が生じた場合にも結晶化速度に余裕を持たせることができ、情報の書き換えを正確に行うことができるので、相変化光記録媒体の保存寿命の改善を図ることができる。なお、膜厚が厚いほど記録層の結晶化速度が下がるような材料をもって核生成層を形成する場合には、内周ほど核生成層の膜厚を厚くしてやればよい。
【００１２】
また、本発明は、前記構成のディスク状相変化型光記録媒体において、前記記録層に対する情報の記録及び再生が媒体回転数一定の状態で行われるという構成にした。
【００１３】
このように、記録層に対する情報の記録及び再生が媒体回転数一定の状態で行われるディスク状相変化型光記録媒体について核生成層の膜厚を記録層の直径方向に向けて漸次変化させると、内周領域及び外周領域の双方で記録層の結晶化速度のマージンを大きくすることができるので、記録速度の高速化と保存寿命の長寿命化とを同時に図ることができる。
【００１４】
また、本発明は、前記構成のディスク状相変化型光記録媒体において、前記核生成層の膜厚が前記記録層の外周領域ほど厚くなるという構成にした。
【００１５】
前記したように、外周領域ほど記録線速が大きくなる相変化型光記録媒体においては、外周領域ほど記録層の結晶化速度を上げる必要があるので、膜厚を厚くするほど記録層の結晶化速度が速くなる核生成層を形成する場合においては、記録層の外周領域ほど核生成層の膜厚を厚くすることにより、記録層の外周領域の結晶化速度を上げることができ、記録速度の高速化と保存寿命の長寿命化とを図ることができる。
【００１６】
また、本発明は、前記構成のディスク状相変化型光記録媒体において、前記核生成層がＢｉ−Ｔｅ系合金又はＳｎ−Ｔｅ系合金からなるという構成にした。
【００１７】
Ｂｉ−Ｔｅ系合金又はＳｎ−Ｔｅ系合金は、核生成層材料として優れた特性を有している。したがって、核生成層をＢｉ−Ｔｅ系合金又はＳｎ−Ｔｅ系合金から構成すると、記録層の結晶化速度を高めることができ、記録速度の高速化と保存寿命の長寿命化とを図ることができる。
【００１８】
また、本発明は、前記構成のディスク状相変化型光記録媒体において、前記記録層及び核生成層がスパッタリング法によって成膜されるという構成にした。
【００１９】
このように、記録層と核生成層とをスパッタリング法によって成膜すると、これら各層を連続的に形成できるため、成膜工程の簡略化ひいては製品であるディスク状相変化型光記録媒体の低コスト化を図ることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
図１に、本発明に係る相変化型光記録媒体の断面構造の一例を示す。
【００２１】
この図から明らかなように、本例の相変化型光記録媒体は、基板１上に、下部誘電体層２、下部界面層３、核生成層４、記録層５、上部界面層６、上部誘電体層７、調整層８、放熱層９をこの順に積層し、前記各層の外面を保護層１０にて覆った構造になっている。
【００２２】
基板１としては、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリオレフィンなどの樹脂材料を射出成形することによって所定サイズのディスク状に形成され、片面に情報の記録トラックが渦巻き状又は同心円状に形成されたものが用いられる。
【００２３】
下部誘電体層２及び上部誘電体層７は、記録時の熱によって基板１や記録層５が損傷されるのを防止するためのものであって、亜鉛硫化物、シリコン酸化物、シリコン窒化物それにアルミニウム酸化物などの無機誘電体材料、それにこれら各無機誘電体材料の混合物や積層体をもって形成される。
【００２４】
下部界面層３は、下部誘電体層２から記録層５への原子の拡散を防ぐバリア層として機能するものであり、上部界面層６は上部誘電体層７から記録層５への原子の拡散を防ぐバリア層として機能するものであって、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ａｌ，Ｙ，Ｃｒ，Ｗ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｓｎなどの金属の炭化物、酸化物及び窒化物等をもって形成される。
【００２５】
記録層５は、例えばＧｅＳｂＴｅ合金のように、適度な加熱と冷却とを行うことにより、結晶状態とアモルファス状態とが可逆変化する相変化材料をもって形成される。なお、記録層５としてＧｅＳｂＴｅ合金を用いる場合には、記録速度の高速化及び消去速度の高速化を図るため、適量のＳｎが添加されたＧｅＳｎＳｂＴｅ合金を用いることもできる。
【００２６】
核生成層４は、記録層５の結晶化を促進するためのものであって、Ｂｉ−Ｔｅ系合金又はＳｎ−Ｔｅ系合金等をもって形成することができる。この核生成層４は、図２に例示するように、記録線速が高くなるほど記録層５の結晶化速度が高くなるように、記録層５の直径方向に向けて漸次膜厚が変化するように形成される。なお、図２（ａ）の例においては、記録線速が大きい領域ほど核生成層４の膜厚が厚く形成されているが、膜厚が厚くなるほど記録層５の結晶化速度が低くなる核生成層４を用いる場合には、図２（ｂ）に例示するように、記録線速が大きい領域ほど核生成層４の膜厚が薄く形成される。また、図２（ａ）の例においては、核生成層４の膜厚が記録線速に応じて一様に増加しているが、本発明の要旨はこれに限定されるものではなく、図２（ｃ）に例示するように、記録線速に応じて核生成層４の膜厚を段階的に変化させることもできる。さらに、図１においては、核生成層４が記録層５の片面にのみ形成されているが、記録層５の両面に形成することも勿論可能である。
【００２７】
膜厚を内外周で差をつける方法にはいくつか挙げられるが、スパッタリング方式による成膜方法の場合、ターゲットのサイズを適宜選択することによって膜厚差を調整したり、放電のパワーで膜厚差を調整したり、ターゲットと基板との間に膜厚を調整する膜厚調整板或いはマスクを設置する方法等が挙げられる。このマスクを利用する方法の場合、内周を薄くしたい場合には基板の内周部分を中心にマスクすれば良く、逆に外周を薄くしたい場合には基板の外周部分を中心にマスクすれば良い。また、自公転式のスパッタ装置を用いる場合、基板の自公転の回転数を変えることによっても膜厚の内外周差をコントロールすることができる。例えば、本発明者が別途行った実験によれば、ある自公転式のスパッタ装置を用いると、直径１２０ｍｍの基板にＺｎＳ膜を放電パワー６００Ｗで成膜する場合、中周で３０ｎｍとなるような放電時間で成膜すると、成膜に使用するキャリアの回転数が５０ｒｐｍの場合には、内周で３０．２ｎｍ、外周で２９．７ｎｍとなるところ、キャリアの回転数が８０ｒｐｍの場合には、内周で３０．６ｎｍ、外周で２９．６ｎｍとなった。
【００２８】
調整層８は、記録層５のアモルファス部分と結晶部分の光吸収率の差を補正し、書換後の波形歪みを抑制するものであって、例えばＧｅＣｒなど、Ｇｅを主成分とし、これに他の元素を適量添加してなるＧｅ合金をもって形成される。
【００２９】
放熱層９は、記録層５の加熱温度と再生光の反射率を高めるためのものであって、高い熱伝導率を有しかつ使用するレーザ波長域に対して高い反射率を有する金属材料又は合金材料をもって形成される。この放熱層材料としては、比較的安価にして熱伝導率及び反射率が高く、かつ化学的安定性に優れることから、Ａｌ，Ａｇ或いはＡｌ又はＡｇを主成分とする合金を用いることが好ましい。
【００３０】
保護層１０は、紫外線硬化性樹脂をもって形成される。
【００３１】
前記下部誘電体層２、下部界面層３、核生成層４、記録層５、上部界面層６、上部誘電体層７、調整層８及び放熱層９は、複数のスパック室をもち、膜厚分布が少なく再現性の高いスパッタ装置を用いて成膜される。また、保護層１０は、スピンコート装置を用いて成膜される。
【００３２】
本実施形態例に係るディスク状相変化型光記録媒体は、核生成層４の膜厚を記録層５の直径方向に向けて漸次変化させたので、記録層各部の結晶化速度を記録線速に応じた最適な値に調整することができ、ＺＣＡＶ方式のディスク状相変化型光記録媒体など、外周領域ほど記録線速が大きくなる相変化型光記録媒体について記録速度の改善を図ることができる。また、記録層各部について結晶化速度のマージンを大きくできるため、高温高湿環境下での保存による結晶化速度の低下が生じた場合にも結晶化速度に余裕を持たせることができ、情報の書き換えを正確に行うことができるので、相変化光記録媒体の保存寿命を改善することができる。
【００３３】
以下に、本発明に係る相変化型光記録媒体のより具体的な実施例を挙げ、本発明の効果を明らかにする。
【００３４】
【実施例】
直径が１２０ｍｍ、厚さが０．６ｍｍのポリカーボネート基板１のプリフォーマットパターン形成面に、下部誘電体層２として膜厚が１４０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２（ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物。）、下部界面層３として膜厚が６ｎｍのＣｒ２Ｏ３、核生成層４として最内周部の膜厚が２ｎｍで最外周部の膜厚が６ｎｍのＢｉ２Ｔｅ３、記録層５として膜厚が１０ｎｍのＧｅＳｂＴｅ、上部界面層６として膜厚が２ｎｍのＣｒ２Ｏ３、上部誘電体層７として膜厚が４０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２、調整層８として膜厚が１５ｎｍのＧｅＣｒ、放熱層９として膜厚が１００ｎｍのＡｌＴｉをこの順にスパッタリングした後、前記放熱層９の外面を覆うように紫外線硬化樹脂からなる保護層１０を形成して、図１に示す断面構造を有するディスク状相変化型光記録媒体を作製した。しかる後に、前記記録層５に初期化レーザを照射し、前記記録層５の全面を初期結晶化した。
【００３５】
なお、前記ポリカーボネート基板１の片面には、プリフォーマットパターンとして、トラックピッチが０．６１５μｍ、溝深さが６５ｎｍで、グルーブとランドとが交互に連続して繋がる渦巻き状のプリグルーブを形成した。また、情報の記録領域は、エンボス（ピット）で形成されたリードインエリアと、書き換え可能なリードインエリアと、３５のゾーンに分割されたデータエリアと、書換が可能なリードアウトエリアとで構成した。グルーブ及びランドは、共にセクタに分割されており、それぞれのセクタにはヘッダー領域と、ミラー領域と、２０１８バイトの記録領域とを含めた。各ヘッダー領域は、ヘッダー１〜ヘッダー４まであり、グルーブとランドの間に存在し、ランドトラックから見てヘッダー１領域とヘッダー２領域は外周寄りに、ヘッダー３領域とヘッダー４領域は内周寄りに配置されている。
【００３６】
前記相変化光記録媒体に記録を行うための情報記録装置として、半導体レーザ（波長６５５ｎｍ、開口数０．６）と、記録パルスを発生させるための波形発生装置と、レーザードライバと、波形等価回路と、２値化回路とを備えた情報記録装置を準備した。この情報記録装置は８−１６変調を用い、最短マークが０．４２μｍとなるマークエッジ記録方式により情報を記録することができる。
【００３７】
本実施例では、核生成層４の膜厚が結晶化速度に与える影響を可能な限り正確に示すため、核生成層４の膜厚が異なる２種類の相変化光記録媒体を別々に作製し評価した。これは、同一基板内でも内周と外周とでグルーブ形状あるいはランド形状が微妙に違ってしまうことの影響や機械特性の影響を極力排除するためであり、核生成層４の膜厚以外は極力同一条件になるように留意し、半径５３．８ｍｍで所望の膜厚になるように作製した。測定は、この半径５３．８ｍｍのトラック上で行い、該トラックにおける線速がそれぞれ８．２ｍ／ｓ及び２０．５ｍ／ｓになるようにディスクの回転数を調整した。この８．２ｍ／ｓ及び２０．５ｍ／ｓという線速は、３２４６ｒｐｍで回転駆動されるＺＣＡＶ方式のディスク状相変化光記録媒体の最内周の記録線速及び最外周の記録線速に概略相当する。
【００３８】
結晶化速度の測定方法としては、示差走査熱量計（ＤＳＣ）などを用いることが一般的であるが、本実施例では、媒体の状態で記録層５の結晶化速度を知る必要があることから、精度はやや落ちるが、次の手順で測定することにした。なお、このときの再生パワーＰｒは１ｍＷであり、測定箇所にはグルーブを選んだ。
【００３９】
ａ．単一ビームオーバーライト用マルチパルスでの最適な記録レベルＰｗｌ及び最適な消去レベルＰｗ２を求める。
ｂ．求められたＰｗｌとＰｗ２で１１Ｔ信号を数トラックにわたって記録する（周波数２．６５ＭＨｚ）。
ｃ．記録トラックの中から１トラックを選び、スペクトルアナライザーでキャリアレベルＣ０を読みとる。
ｄ．あるパワーＰｅでマルチパルスを用いずに記録情報をＤＣ消去する。
ｅ．消去トラックのキャリアレベルＣｌを読みとり、Ｃ０との差を１回消去の消去比ΔＣｌ＝Ｃｏ−Ｃ１とする。
ｆ．トラック及びＰｅの値を変えて前記ｃ，ｄ，ｅの操作を繰り返す。
ｇ．前記ｃで選択されたトラックに同一Ｐｅで２回目のＤＣ消去を行う。
ｈ．２回目のＤＣ消去後のトラックのキャリアレベルＣ２を読みとり、Ｃ０との差を２回消去の消去比ΔＣ２＝Ｃ０−Ｃ２とする
ｉ．トラック及びＰｅの値を変えて前記ｇ，ｈの操作を繰り返す。
ｊ．各Ｐｅに対する両消去比の差をΔＣ＝ΔＣ２−ΔＣｌとする。
【００４０】
結晶化速度が速いということは、１度の消去で消えやすいということであり、ΔＣｌがΔＣ２に近い値になると言うことであって、つまりはΔＣがゼロに近づくということである。従って、このΔＣの測定さえすれば結晶化速度を測定したことと同等であり、ΔＣが小さい程結晶化速度が速いことを示すことができる。
【００４１】
測定に使用したサンプルは核生成層の膜厚が２ｎｍと６ｎｍの２枚であり、それぞれのディスクについて、半径５３．８ｍｍのトラック上で記録線速を８．２ｍ／ｓ及び２０．５ｍ／ｓとし、消去比ΔＣｌ、消去比ΔＣ２、消去比差ΔＣを測定した。その結果を図３乃至図６に示す。
【００４２】
これらの図から明らかなように、Ｐｅ≦５ｍＷの領域では明らかに核生成層４の膜厚が厚い（６ｎｍ）方がΔＣが小さく、核生成層４の膜厚が薄い（２ｎｍ）方よりも結晶化速度が速いことを示している。なお、図６で核生成層４の膜厚が厚い方がＰｅ＝５．５ｍＷでΔＣが大きくなっているように見えるが、これは記録層５の温度が消去状態よりも記録状態の方に近づいてしまったためであり、このようにΔＣｌとΔＣ２とが両方とも減少してしまっている領域については無視して考えてよい。具体的には、核生成層４の膜厚が２ｎｍの場合には、８．２ｍ／ｓでＰｅ≧５ｍＷ、２０．５ｍ／ｓでＰｅ≧５．５ｍＷ、核生成層４の膜厚が６ｎｍの場合には、８．２ｍ／ｓでＰｅ≧４．５ｍＷ、２０．５ｍ／ｓでＰｅ≧５．５ｍＷは無視して考えてよい。
【００４３】
以上のように、Ｂｉ２Ｔｅ３核生成層をＧｅＳｂＴｅ記録層の基板側界面に付加させた相変化光記録媒体においては、核生成層の膜厚を厚することにより、１回消去の消去比ΔＣｌと２回消去の消去比ΔＣ２との消去比差ΔＣが小さくなり、結晶化速度を速くできることがわかった。よって、核生成層４の膜厚を同一基板上の直径方向に向けて漸次変化させ、媒体の回転数が一定のＺＣＡＶ方式では線速が早くなる外周ほど膜厚をしてやれば、最高線速の最外周も最低線速の最内周も全てを含む媒体全域で許容できる的確な結晶化速度を得ることができる。さらには、記録層の結晶化速度が上がることに伴い、記録マークを保存後にオーバーライトする際にも保存前に記録されていたマークを十分に消去することができ、相変化光記録媒体の保存寿命も改善することができる。
【００４４】
以上、本発明に係る相変化型光記録媒体の実施例について説明したが、本発明の要旨はこれに限定されるものではなく、核生成層４の膜厚分布以外については必要に応じて適宜変更することができる。
【００４５】
例えば、前記実施例においては、核生成層４としてＢｉ２Ｔｅ３からなるものを形成したが、本発明の要旨はこれに限定きれるものではなく、結晶の基となる結晶核の数量を意欲的に増やしてやって記録層５の結晶化を促進させる効果がある任意の物質を核生成層形成材料として用いることができる。
【００４６】
また、前記実施例においては、最短マーク長を０．４２μｍ、トラックピッチを０．６１５μｍとしたが、これよりもトラックピッチを狭くしたものや最短マーク長を短くしたものでも同様の効果がある。
【００４７】
また、前記実施例においては、ランド・グループ方式のプリフォーマットパターンが形成された基板１を用いたが、ランド記録用又はグループ記録用の基板でも同様の効果がある。
【００４８】
また、前記実施例においては、記録領域を半径方向に３５ゾーンに分割した基板１を用いたが、ゾーンの数を更に増やしたり減らしたりしても、またゾーンに分割しなくても同様の効果がある。
【００４９】
また、前記実施例においては、波長６５５ｎｍの半導体レーザを用いたが、より長波長のレーザー、例えば７８０ｎｍ付近あるいは８３０ｎｍ付近のレーザーを用いても同様の結果が得られる。反対に、短波長のレーザー、例えば４０５ｎｍ付近あるいはそれ以下のものを用いても同様の結果が得られる。
【００５０】
また、前記実施例においては、対物レンズとして開口数が０．６のものを用いたが、開口数が０．４５〜０．７の対物レンズを用いても同様の結果を得ることができる。加えて、２つ以上のレンズを組み合わせることにより０．７以上の開口数をもつ対物レンズを用いても同様の結果を得ることができる。特に、開口数が０．８５のレンズと波長が４０５ｎｍのレーザーとを組み合わせて用いることにより、さらに高速かつ高密度の記録が可能となる。さらに、ＳＩＬ（Ｓｏｌｉｄ  Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  Ｌｅｎｓ）などと組み合わせて実効開口数を１以上とし、ＳＩＬによるエバネツセント光を用いたニアフィールド記録においても同様の効果を得ることができる。
【００５１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によると、核生成層の膜厚を記録層の直径方向に向けて漸次変化させたので、記録層各部の結晶化速度を記録線速に応じた最適な値に調整することができ、ＺＣＡＶ方式のディスク状相変化型光記録媒体など、外周領域ほど記録線速が大きくなる相変化型光記録媒体について記録速度の改善を図ることができる。また、記録層各部について結晶化速度のマージンを大きくできるため、高温高湿環境下での保存による結晶化速度の低下が生じた場合にも結晶化速度に余裕を持たせることができ、情報の書き換えを正確に行うことができるので、相変化光記録媒体の保存寿命を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態例に係る相変化記録媒体の膜構造を示す断面図である。
【図２】核生成層の膜厚分布を例示するグラフである。
【図３】核生成層の膜厚が２ｎｍの媒体のＤＣ消去パワーＰｅに対する１回消去の消去比ΔＣｌ及び２回消去の消去比ΔＣ２の変化を示すグラフである。
【図４】核生成層の膜厚が２ｎｍの媒体のＤＣ消去パワーＰｅに対する消去比差△Ｃの変化を示すグラフである。
【図５】核生成層の膜厚が６ｎｍの媒体のＤＣ消去パワーＰｅに対する１回消去の消去比ΔＣ１及び２回消去の消去比ΔＣ２の変化を示すグラフである。
【図６】核生成層の膜厚が６ｎｍの媒体のＤＣ消去パワーＰｅに対する消去比差△Ｃの変化を示すグラフである。
【符号の説明】
１  基板
２  下部誘電体層
３  下部界面層
４  核生成層
５  記録層
６  上部界面層
７  上部誘電体層
８  調整層
９  放熱層
１０  保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2004199786.tif 000006
【図５】
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【図６】
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