(57)【要約】【課題】従来の難燃剤を用いなくとも難燃性、耐半田性に優れた特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。【解決手段】（Ａ）ビフェニル骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、（Ｂ）ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、（Ｃ）ビフェニル骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、（Ｄ）硬化促進剤及び（Ｅ）無機充填材を必須成分とし、（Ａ）と（Ｂ）との重量比［（Ａ）／（Ｂ）］が１〜１０であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（２）で示されるエポキシ樹脂、（Ｃ）一般式（３）で示されるフェノール樹脂、（Ｄ）硬化促進剤、及び（Ｅ）無機充填材を必須成分とし、（Ａ）と（Ｂ）との重量比［（Ａ）／（Ｂ）］が１〜１０であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化１】
2004352894.tif 000014
（式中のＲ１は、炭素数１〜４のアルキル基から選択される基であり、互いに同一であっても、異なっていても良い。ｍは０〜４の整数、ｎは平均値で、１〜５の正数）
【化２】
2004352894.tif 000015
（式中のＲ２は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基の中から選択される基又は原子であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。ａは１〜４の整数、ｂは１〜３の整数である。ｎは平均値で、１以上の正数。）
【化３】
2004352894.tif 000016
（式中のＲ３は、炭素数１〜４のアルキル基から選択される基であり、互いに同一であっても、異なっていても良い。ｍは０〜４の整数、ｎは平均値で、１〜５の正数）
【請求項２】
一般式（２）で示されるエポキシ樹脂（Ｂ）が、軟化点４０〜１００℃である請求項１記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
請求項１又は２記載のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来からダイオード、トランジスタ、集積回路等の電子部品は、主にエポキシ樹脂組成物を用いて封止されている。特に集積回路では、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、及び溶融シリカ、結晶シリカ等の無機充填材を配合した耐熱性、耐湿性に優れたエポキシ樹脂組成物が用いられている。
ところが近年、電子機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向において、半導体素子の高集積化が年々進み、また半導体装置の表面実装化が促進されるなかで、半導体素子の封止に用いられているエポキシ樹脂組成物への要求は益々厳しいものとなってきている。特に半導体装置の表面実装化が一般的になってきている現状では、吸湿した半導体装置が半田リフロー処理時に高温にさらされ、半導体素子やリードフレームとエポキシ樹脂組成物の硬化物との界面に剥離が発生し、ひいては半導体装置にクラックを生じる等、半導体装置の信頼性を大きく損なう不良が生じ、これらの不良の防止、即ち耐半田性の向上が大きな課題となっている。
【０００３】
更に、環境負荷物質の撤廃の一環として、鉛を含まない半田への代替が進められている。鉛を含まない半田では、従来の半田に比べ融点が高いため表面実装時のリフロー温度は、従来より２０℃程度高く、２６０℃が必要とされる。鉛を含まない半田対応のための半田リフロー温度の変更によりエポキシ樹脂組成物の硬化物とパッド界面での剥離、半導体素子と半導体樹脂ペースト界面での剥離に起因する半導体装置のクラックの問題が生じてきた。これら半田クラックや剥離は、半田リフロー処理前の半導体装置自身が吸湿し、半田リフロー処理時の高温下でその水分が水蒸気爆発を起こすことによって生じると考えられており、それを防ぐためにエポキシ樹脂組成物に低吸湿性を付与する等の手法がよく用いられ、その低吸湿化の手法の一つとして、例えば低吸湿性の一般式（１）で示されるエポキシ樹脂を用いて、エポキシ樹脂組成物の硬化物の低吸湿化を図ることがある（例えば、特許文献１参照。）。しかしながら、低吸湿性のエポキシ樹脂を使用したエポキシ樹脂組成物といえども、鉛を含まない耐半田性対応のエポキシ樹脂組成物としては不十分であった。このため２６０℃表面実装時の耐半田性向上を目的として様々な改良が進められてきたが、そのいずれにおいても、完全なる解決策とはならず、更なる改良が望まれている。
【０００４】
最近の半導体装置では、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐｄ、Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕ等のプリプレーティングフレームを用いた半導体装置が増加している。従来のエポキシ樹脂組成物によって封止されたＮｉ、Ｎｉ−Ｐｄ、Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕ等のプレプレーティングフレームを用いた半導体装置は、前記プレプレーティングフレームとエポキシ樹脂組成物の硬化物との密着性が著しく悪いという欠点があり、そのため表面実装時に半導体素子やリードフレームとエポキシ樹脂組成物の硬化物との界面に剥離が発生し、ひいては半導体装置にクラックを生じる等の問題が生じており、これらの不良の防止、即ち耐半田性の向上が望まれている。
【０００５】
また、エポキシ樹脂組成物中には、難燃性を付与するために臭素含有化合物等のハロゲン系難燃剤、及びアンチモン化合物が配合されている。近年、地球環境に配慮した企業活動の重視によって有害性のおそれのある物質の削減・撤廃の動きがあり、ハロゲン系難燃剤、アンチモン化合物を使用しないで、難燃性に優れたエポキシ樹脂組成物の開発が要求されている。これらに代わる環境対応の難燃剤としては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の金属水酸化物やリン系難燃剤等がある（例えば、特許文献２参照。）が、前者を多量に含むエポキシ樹脂組成物は成形性、硬化性共、十分に満足できるものでないという問題があり、また後者を少量でも含むエポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置は高温多湿下での電気特性の安定性の低下、即ち、半導体装置の抵抗値が時間と共に増大して半導体素子の導通不良が発生するという問題があり、全ての要求に対応することができなかった。
【０００６】
【特許文献１】
特開平１１−１４０１６６号公報（第２〜１２頁）
【特許文献２】
特開平１０−２７９７８２号公報（第２〜６頁）
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、成形性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び難燃剤を含まなくとも難燃性に優れ、かつ耐半田性に優れた環境対応の半導体装置を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
［１］（Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（２）で示されるエポキシ樹脂、（Ｃ）一般式（３）で示されるフェノール樹脂、（Ｄ）硬化促進剤及び（Ｅ）無機充填材を必須成分とし、（Ａ）と（Ｂ）との重量比［（Ａ）／（Ｂ）］が１〜１０であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
【０００８】
【化４】
2004352894.tif 000002
（式中のＲ１は、炭素数１〜４のアルキル基から選択される基であり、互いに同一であっても、異なっていても良い。ｍは０〜４の整数、ｎは平均値で、１〜５の正数）
【０００９】
【化５】
2004352894.tif 000003
（式中のＲ２は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基の中から選択される基又は原子であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。ａは１〜４の整数、ｂは１〜３の整数である。ｎは平均値であり、１以上の正数。）
【００１０】
【化６】
2004352894.tif 000004
（式中のＲ３は、炭素数１〜４のアルキル基から選択される基であり、互いに同一であっても、異なっていても良い。ｍは０〜４の整数、ｎは平均値で、１〜５の正数）
【００１１】
［２］  一般式（２）で示されるエポキシ樹脂（Ｂ）が、軟化点４０〜１００℃である第［１］項記載のエポキシ樹脂組成物、
【００１２】
［３］第［１］項又は第［２］項記載のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置、
である。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明は、特定構造の２種のエポキシ樹脂、特定構造のフェノール樹脂、硬化促進剤及び無機充填材を必須成分とし、特定構造の２種のエポキシ樹脂の配合比率を特定の範囲とすることにより、成形性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び従来の難燃剤を含まなくとも難燃性に優れ、かつ耐半田性に優れた環境対応の半導体装置が得られるものである。
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１４】
本発明で用いられる一般式（１）で示されるエポキシ樹脂は、１分子中にエポキシ基を２個以上有し、各エポキシ基間に疎水性構造を有することを特徴とする。一般式（１）で示されるエポキシ樹脂を用いたエポキシ樹脂組成物の硬化物は、疎水性の構造を多く含むことから吸湿率が低く、また架橋密度が低いため、ガラス転移温度を越えた高温域での弾性率が低いという特徴があり、表面実装の半田付け時における熱応力を低減し、耐半田性、半田処理後のリードフレーム等の基材との密着性に優れるという特徴を有している。一方エポキシ基間の疎水性構造は、剛直なビフェニレン骨格であることから、架橋密度は低いが、耐熱性の低下が少ないという特徴を有する。一般式（１）で示されるエポキシ樹脂の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものでない。
【００１５】
【化７】
2004352894.tif 000005
（式中のｎは平均値で、１〜５の正数）
【００１６】
本発明で用いられる一般式（２）で示されるエポキシ樹脂は、ジシクロペンタジエンとフェノール類を付加反応により重合させたフェノール樹脂を、グリシジルエーテル化することによって得られるエポキシ樹脂であり、ガラス転移温度を越えた高温域での弾性率が低く、リードフレーム等の金属類や、半導体素子との密着性に優れる。従って、表面実装の半田付け時における熱応力を低減し、耐半田性に優れるエポキシ樹脂組成物を得ることができる。
また、全エポキシ樹脂組成物中に無機充填材を高充填させるために、式（２）で示されるエポキシ樹脂としては、軟化点の低いものを使用することが好ましく、特に軟化点が４０〜１００℃であるものが好ましい。下限値を下回ると、取り扱い性に劣るので好ましくない。上限値を越えると、混練時に溶融しない可能性があるので好ましくない。
更に、一般式（２）中のＲ２は、水素原子が特に好ましい。
【００１７】
近年の鉛を含まない半田対応材では、一般式（１）のエポキシ樹脂を用いただけでは十分に対応することが困難であることが多く、本発明では、一般式（２）で示されるエポキシ樹脂を併用する。一般式（２）で示されるエポキシ樹脂を一般式（１）で示されるエポキシ樹脂と併用することにより、一般式（１）のみを使用したエポキシ樹脂組成物よりガラス転移温度を越えた高温域での弾性率が低くなり、リードフレーム等の基材との密着性に優れるという特徴を有している。半田リフロー処理時に生じる半導体装置のクラックは、エポキシ樹脂組成物の硬化物とリードフレーム間の界面での剥離又はエポキシ樹脂組成物の硬化物と半導体素子間の界面での剥離に起因としており、ガラス転移温度を越えた高温域で低弾性、高密着の特性を有するエポキシ樹脂組成物を得ることにより、これらの剥離が低減し、半導体装置の耐半田性を著しく向上させることができる。
【００１８】
一般式（１）で示されるエポキシ樹脂（Ａ）と一般式（２）で示されるエポキシ樹脂（Ｂ）との配合の重量比［（Ａ）／（Ｂ）］は、１〜１０である。［（Ａ）／（Ｂ）］が下限値を下回るとエポキシ樹脂組成物の硬化物の難燃性が低下し、重量比［（Ａ）／（Ｂ）］が上限値を越えるとエポキシ樹脂組成物のガラス転移温度を越えた高温域での低弾性化、高密着化が図れない。
【００１９】
また本発明では、一般式（１）で示されるエポキシ樹脂と一般式（２）で示されるエポキシ樹脂とを併用した特徴を損なわない範囲で、更に他のエポキシ樹脂を併用してもよい。併用できるエポキシ樹脂としては、１分子内に２個以上のエポキシ基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を指し、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂（フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有する）、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独で用いても２種類以上を併用してもよい。他のエポキシ樹脂を併用する場合の配合量としては、全エポキシ樹脂に対して、一般式（１）で示されるエポキシ樹脂と一般式（２）で示されるエポキシ樹脂との合計量が、７０〜１００重量％であることが好ましい。一般式（１）で示されるエポキシ樹脂と一般式（２）で示されるエポキシ樹脂との合計量が下限値を下回ると、吸湿率の増大、半田処理後の基材との密着性や耐半田性の低下が起こる可能性がある。
【００２０】
本発明で用いられる一般式（３）で示されるフェノール樹脂は、１分子中にフェノール性水酸基２個以上有し、各フェノール性水酸基間に疎水性構造を有することを特徴とする。一般式（３）で示されるフェノール樹脂を用いたエポキシ樹脂組成物の硬化物は、疎水性の構造を多く含むことから吸湿率が低く、また架橋密度が低いため、ガラス転移温度を越えた高温域での弾性率が低いという特徴があり、表面実装の半田付け時における熱応力を低減し、耐半田性、半田処理後の基材との密着性に優れるという特徴を有している。一方フェノール間の疎水性構造は剛直なビフェニレン骨格であることから、架橋密度が低い割には耐熱性の低下が少ないという特徴を有する。一般式（３）で示されるフェノール樹脂の具体例を以下に示すが、これに限定されるものでない。
【００２１】
【化８】
2004352894.tif 000006
（式中のｎは平均値で、１〜５の正数）
【００２２】
また本発明では、一般式（３）で示されるフェノール樹脂の特徴を損なわない範囲で、他のフェノール樹脂を併用してもよい。併用できるフェノール樹脂としては、１分子内に２個以上のフェノール性水酸基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を指し、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型フェノール樹脂、ナフトールアラルキル型フェノール樹脂（フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有する）、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、トリフェノールメタン型フェノール樹脂等が挙げられ、これらは単独で用いても２種類以上を併用してもよい。他のフェノール樹脂を併用する場合の配合量としては、全フェノール樹脂に対して、一般式（３）で示されるフェノール樹脂の配合量が、７０〜１００重量％であることが好ましい。一般式（３）で示されるフェノール樹脂の配合量が下限値を下回ると、吸湿率の増大、半田処理後の基材との密着性や耐半田性の低下が起こる可能性がある。
また、全エポキシ樹脂のエポキシ基とフェノール樹脂のフェノール性水酸基の当量比については、エポキシ基数／フェノール性水酸基数＝０．７〜１．５の範囲が好ましく、この範囲を外れると、樹脂組成物の硬化性の低下、或いは硬化物のガラス転移温度の低下、耐湿信頼性の低下等が生じるので好ましくない。
一般式（１）で示されるエポキシ樹脂及び一般式（２）で示されるエポキシ樹脂、一般式（３）で示されるフェノール樹脂とを組合せて用いた場合には、吸湿後の半田処理での耐半田性、難燃性等の点で最も高い効果が得られる。
【００２３】
本発明に用いる硬化促進剤は、エポキシ基とフェノール性水酸基との硬化反応を促進させるものであればよく、一般に封止材料に使用されているものを使用することができる。例えばトリブチルアミン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等のアミン系化合物、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイックアシッドボレート、トリフェニルホスフィン等の有機リン系化合物、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物等が挙げられ、単独でも混合して用いても差し支えない。
【００２４】
本発明で用いられる無機充填材は、例えば溶融シリカ、球状シリカ、結晶シリカ、２次凝集シリカ、多孔質シリカ、２次凝集シリカ又は多孔質シリカを粉砕したシリカ、アルミナ、窒化珪素等が挙げられるが、溶融シリカ粉末、結晶シリカ粉末が好ましい。また無機充填材の形状としては、破砕状でも球状でもかまわないが、耐半田性を向上させるために高充填し、その他、流動特性、機械強度及び熱的特性のバランスの点から球状溶融シリカ粉末が好ましい。最大粒径としては７５μｍ以下が好ましく、平均粒径としては５〜３５μｍが好ましい。この範囲を外れると、樹脂組成物の流動性が低下し、成形時の未充填やチップシフト等の半導体装置内部の素子の変形が起こり易くなり好ましくない。粒度分布としては広いものが、成形時の樹脂組成物の溶融粘度を低減するために有効である。これらの無機充填材は単独でも混合して用いてもよい。更にシランカップリング剤等で予め表面処理をしたものを用いてもよい。無機充填材の配合量としては、全エポキシ樹脂組成物中に８３〜９１重量％が好ましく、８５〜９０重量％がより好ましい。下限値を下回ると、樹脂組成物の硬化物の吸湿量が増大し、しかも半田処理温度での強度が低下してしまうため、半田処理時に半導体装置にクラックが生じやすくなり、上限値を越えると、樹脂組成物の成形時の流動性が低下し、未充填や半導体素子のパッドシフトが発生し易くなり好ましくない。しかし無機充填材はなるべく多く配合した方が、エポキシ樹脂組成物の硬化物の吸湿率が減少し、耐半田性が向上するので、成形時の流動性が許容される範囲内でなるべく多く配合した方が好ましい。
【００２５】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｅ）成分の他、環境負荷物質であるハロゲン含有難燃剤、アンチモン化合物、及び、少量添加でも電気的耐湿信頼性に問題のあるリン系難燃剤以外の難燃剤を添加することは差し支えないが、完全に含まれない方が好ましい。
例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の金属水酸化物等の難燃剤であれば、硬化性の低下が激しく成形性で十分満足を得ることができなくならないよう、全エポキシ樹脂組成物中に５重量％以下の使用に留めることが好ましい。
【００２６】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｅ）成分の他、必要に応じて酸化ビスマス水和物等の無機イオン交換体、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のカップリング剤、カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力化成分、天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸及びその金属塩類もしくはパラフィン等の離型剤、酸化防止剤等の各種添加剤を配合することができる。
本発明のエポキシ樹脂組成物を製造するには、（Ａ）〜（Ｅ）成分、及びその他の添加剤等をミキサー等を用いて充分に均一に常温混合した後、更に熱ロール又はニーダー等で溶融混練し、冷却後粉砕して封止材料とすることができる。これらの成形材料は、電気部品或いは電子部品であるトランジスタ、集積回路等の被覆、絶縁、封止等に適用することができる。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の成形方法で成形硬化すればよい。
【００２７】
【実施例】
以下に、本発明の実施例を挙げて詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。各成分の配合割合は重量部とする。
実施例１
式（１０）で示されるエポキシ樹脂Ａ（軟化点５８℃、エポキシ当量２７６）６．１９重量部
【００２８】
【化９】
2004352894.tif 000007
【００２９】
式（１１）で示されるエポキシ樹脂Ｂ（大日本インキ化学工業（株）製ＨＰ−７２００Ｌ、軟化点５３℃、エポキシ当量２４４）１．５５重量部
【化１０】
2004352894.tif 000008
【００３０】
式（１２）で示されるフェノール樹脂Ａ（軟化点６５℃、水酸基当量２０３）５．３１重量部
【化１１】
2004352894.tif 000009
【００３１】
球状溶融シリカ粉末（平均粒径２２μｍ）                ８６．００重量部
トリフェニルホスフィン                                  ０．１５重量部
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン              ０．２０重量部
カルナバワックス                                        ０．３０重量部
カーボンブラック                                        ０．３０重量部
をミキサーを用いて常温で混合し、７０〜１１０℃でロールを用いて混練し、冷却後粉砕し、タブレット化して樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を以下の方法で評価した。結果を表１に示す。
【００３２】
評価方法
スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒で測定した。単位はｃｍ。
熱時曲げ弾性率：トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間１２０秒で試験片（長さ８０ｍｍ、幅１０ｍｍ、厚さ４ｍｍ）を成形し、ポストキュアとして１７５℃で８時間加熱処理した後、熱時曲げ弾性率をＪＩＳ  Ｋ  ６９１１に準じて（２６０℃で）測定した。単位はいずれもＮ／ｍｍ２。
密着性：銅フレーム（以下Ｃｕと略記）、銅フレーム上に銀めっきしたもの（以下Ａｇと略記）、銅フレーム上にニッケル、パラジウム、金めっきを順に施したもの（以下Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕと略記）の上に、２ｍｍ×２ｍｍ×２ｍｍのテストピースをトランスファー成形機にて成形した。成形条件は、金型温度１７５℃、注入圧力７．４ＭＰａ、硬化時間９０秒とした。さらに、１７５℃、４時間のポストキュア、３０℃、相対湿度６０％、９６時間の条件で加湿処理後、ＩＲリフロー処理（２６０℃）を行った。このサンプルについて、自動剪断強度測定装置（ＤＡＧＥ社製、ＰＣ２４００）を用いて、エポキシ樹脂組成物の硬化物とフレーム間の剪断強度を測定した。単位はＮ／ｍｍ２。
耐半田性  Ｃｕ：トランスファー成形機を用いて金型温度１７５℃、注入圧力９．３ＭＰａ、硬化時間９０秒で８０ｐＱＦＰ（パッケージサイズは１４×２０ｍｍ、厚み２ｍｍ、シリコンチップサイズは７．０×７．０ｍｍ、リードフレームはＣｕ製）を成形した。ポストキュアとして１７５℃で４時間加熱処理したパッケージ１０個を、８５℃、相対湿度６０％の環境下で１６８時間加湿処理した後、ＩＲリフロー処理（２６０℃）を行った。ＩＲリフロー処理後の内部の剥離又はクラックの有無を超音波探傷装置で観察し、不良パッケージの個数を数えた。不良パッケージの個数がｎ個であるとき、ｎ／１０と表示する。
耐半田性  Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕ：トランスファー成形機を用いて金型温度１７５℃、注入圧力９．３ＭＰａ、硬化時間９０秒で８０ｐＱＦＰ（パッケージサイズは１４×２０ｍｍ、厚み２ｍｍ、シリコンチップサイズは７．０×７．０ｍｍ、リードフレームはＮｉ−Ｐｄ−Ａｕ製）を成形した。ポストキュアとして１７５℃で４時間加熱処理したパッケージ１０個を、６０℃、相対湿度６０％の環境下で１６８時間加湿処理した後、ＩＲリフロー処理（２６０℃）を行った。ＩＲリフロー処理後の内部の剥離又はクラックの有無を超音波探傷装置で観察し、不良パッケージの個数を数えた。不良パッケージの個数がｎ個であるとき、ｎ／１０と表示する。
難燃性：トランスファー成形機を用いて金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間１２０秒で試験片（長さ５ｉｎｃｈ×幅１／２ｉｎｃｈ×厚さ１／８ｉｎｃｈ）を成形し、ポストキュアとして１７５℃で８時間加熱処理した後、ＵＬ−９４垂直試験を行い、難燃性を判定した。
【００３３】
実施例２〜１２、比較例１〜５
表１、表２の配合に従い、実施例１と同様にしてエポキシ樹脂組成物を作製し、実施例１と同様にして評価した。結果を表１、表２に示す。
なお、実施例２〜１２、比較例１〜５で用いたエポキシ樹脂、フェノール樹脂の詳細を以下に示す。
【００３４】
式（１３）で示されるエポキシ樹脂Ｃ（軟化点５５℃、エポキシ当量３１５）
【化１２】
2004352894.tif 000010
【００３５】
エポキシ樹脂Ｄ：ビフェニル型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製、ＹＸ−４０００Ｋ、融点１０５℃、エポキシ当量１８５）
【００３６】
式（１４）で示されるフェノール樹脂Ｂ（軟化点６２℃、水酸基当量２３５）
【化１３】
2004352894.tif 000011
【００３７】
フェノール樹脂Ｃ（三井化学（株）製、ＸＬＣ−４Ｌ、軟化点６２℃、水酸基当量１６８）
１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、ＤＢＵという）
【００３８】
【表１】
2004352894.tif 000012
【００３９】
【表２】
2004352894.tif 000013
【００４０】
【発明の効果】
本発明は、成形性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物で、従来の難燃剤を用いなくとも難燃性に優れ、かつ耐半田性にも優れた半導体装置を得ることができる。