(57)【要約】      （修正有）【課題】新規化合物及びその光機能素子を提供する。  【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表されるジアリールエテン系化合物、フオトクロミック材料および光機能素子。2004277416.tif 000093（式中、ｈおよびｉは各々独立に１〜３の整数を表しｍおよびｎは各々独立に、０〜５の整数を表し、ｍ＋ｎ≧１である。）特にＲ１とＲ２は互いに結合して、フッ素置換シクロペンテン環またはマレイミド環であり、Ａｒ１，Ａｒ２はチオフェン、フラン、ピロール、チアゾール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、インドールなどの複素環である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式  （Ｉ）  で表されるジアリールエテン系化合物。
【化１】
2004277416.tif 000091
（式中、ｈおよびｉは各々独立に１〜３の整数を表し、ｍおよびｎは各々独立に、０〜５の整数を表し、ｍ＋ｎ≧１である。
Ｒ1およびＲ2は各々独立に、水素原子、シアノ基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、置換基を有していてもよいアルキル基、または置換基を有していてもよいアルケニル基を表し、互いに架橋鎖で架橋され、環構造を形成していても良い。
Ａｒ1は、置換基を有していてもよい（ｍ＋１）価の複素環基を表し、Ａｒ2は、置換基を有していてもよい（ｎ＋１）価の複素環基を表す。
Ａｒ3およびＡｒ4は各々独立に、置換基を有していても良い２価の芳香族基を表す。
Ａｒ7およびＡｒ8は各々独立に、置換基を有していても良い１価の芳香族基を表す。
Ｌ1、Ｌ2、Ｌ5およびＬ6は各々独立に、２価の共役性連結基を表す。）
【請求項２】
前記一般式（Ｉ）において、Ｒ1およびＲ2が架橋鎖にて架橋され、下記一般式（ＩＩａ）で表される環を形成している、請求項１に記載のジアリールエテン系化合物。
【化２】
2004277416.tif 000092
【請求項３】
前記一般式（Ｉ）において、Ｌ1、Ｌ2、Ｌ5およびＬ6が各々独立に、−ＣＨ＝ＣＨ−である、請求項１又は２に記載のジアリールエテン系化合物。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の化合物からなる、フォトクロミック材料。
【請求項５】
請求項４記載のフォトクロミック材料を含む薄膜を有する光機能素子。
【請求項６】
フォトクロミック材料の最大吸収波長に対し、３／２〜４倍の波長の光の照射により情報が記録される、請求項５記載の光機能素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は新規なジアリールエテン系化合物に関するものであり、さらに詳細には、フォトクロミック性を有し三次元光記録材料に好適なジアリールエテン系化合物およびその用途に関する。
【背景技術】
【０００２】
光照射により色相変化をするフォトクロミック化合物は古くから知られており、近年フォトクロミック化合物の光記録材料への応用が期待されている。
光学的記録材料へ応用するために、フォトクロミック化合物には種々の基本性能が要求される。例えば、記録部分の安定性、半導体レーザーに対する感受性（記録感度）などである。
【０００３】
ところが、現在知られているフォトクロミック化合物の大半は、着色状態もしくは消色状態の何れか一方が熱的に不安定であり、室温に於いても、より安定な状態に戻る（変化してしまう）ために、記録部分（記録情報）の安定性が確保できないという欠点を有している。
光照射により生じる２種の異性体がいずれも熱的に比較的安定な化合物としては、フルギド系やジアリールエテン系化合物が知られており、企業や研究機関で精力的に研究されている。
【０００４】
例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３および特許文献４には、炭素−炭素二重結合を導入したジアリールエテン系化合物が記載されており、また特許文献５には炭素−炭素二重結合とトリフェニルアミン基を有するジアリールエテン系化合物、特許文献６にはリンカーとしての芳香環とジフェニルアミン類を有するジアリールエテン化合物が記載されており、いずれの文献においても、該ジアリールエテン系化合物を含む記録層への光学的記録が開示されている。
【０００５】
しかしながら、上記文献のいずれに於いても、ジアリールエテン系化合物を含む記録層への情報記録には、一光子吸収反応による色変化を利用しているため、記録層への二次元的な書き込みしかできないという欠点があった。
ところで、照射された記録光エネルギーを吸収することにより生じる化合物の反応を、光学的記録に使用する方法の一つとして、二光子吸収反応などの多光子吸収反応を使用することが考えられる。
【０００６】
二光子吸収反応とは、ある分子が、１光子吸収の２倍の波長の光子を、２個同時に吸収して励起状態に到達する現象を指す。即ち、１光子のエネルギーでは起こらない反応が、二光子を同時に吸収することにより分子の励起１重項状態まで遷移し、それに引き続いて反応が誘起される機構である（この場合の中間準位は仮想準位であり、二光子吸収反応では準安定状態が必ずしも必要ではない。）。
【０００７】
ただし、このような二光子同時吸収の遷移効率は、１光子吸収に較べて極めて低く、単位面積／単位時間当たりに極めて多くの光子を必要とするため、通常の光学的記録に使用されるレーザー光強度では殆ど無視される。
しかし、遷移効率は光強度の２乗に比例して大きくなるので、ピーク光強度（最大発光波長における光強度）が極端に高いモード同期レーザーのようなフェムト秒程度の極超短パルスレーザーを用いると、十分観察される程度に起きることが実験的にも確かめられている。
【０００８】
非特許文献１において、Ｋ．Ｄ．Ｂｅｌｆｉｅｌｄらはフルギド系フォトクロミック化合物を用いた二光子吸収過程による三次元記録を示している。しかし、フルギド系フォトクロミック化合物は半導体レーザーに対する感受性が低いという欠点があり、該文献に記載された媒体は、実用レベルには程遠かった。
【特許文献１】特開平６−２２００４８号公報
【特許文献２】特開平７−４８３３６号公報
【特許文献３】特開平７−１７３１５１号公報
【特許文献４】特開平７−２４２６５９号公報
【特許文献５】特開２００１−１５１７６９号公報
【特許文献６】特開２００２−２９３７８４号公報
【非特許文献１】Ｃｈｅｍ．Ｍａｔ．，１４（９），３６６３−３６６７（２００２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明者らは、多光子吸収反応を実現し、これを用いた３次元的な光学的情報記録を可能とすべく鋭意検討した。その結果、半導体レーザーに対する感受性が高いため記録感度が高い、ジアリールエテン系化合物に、上述した二光子吸収反応などの多光子吸収反応に適した部分構造を導入してなる、特定構造のフォトクロミック材料を使用することにより、優れた光機能素子を提供できることに想到し、本発明に至った。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、ジアリールエテンと芳香環を特定のリンカーで繋いだ化合物が、上記問題を解決できることを見いだし、本発明に至った。
即ち、本発明の概要は以下の通りである。
［１］  下記一般式  （Ｉ）  で表されるジアリールエテン系化合物。
【００１１】
【化３】
2004277416.tif 000002
【００１２】
（式中、ｈおよびｉは各々独立に１〜３の整数を表し、ｍおよびｎは各々独立に、０〜５の整数を表す。但し、ｍ＋ｎ≧１であり、ｍ≧１の時ｇ＋ｈ≧１であり、またｎ≧１の時ｉ＋ｊ≧１である。
Ｒ1およびＲ2は各々独立に、水素原子、シアノ基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、置換基を有していてもよいアルキル基、または置換基を有していてもよいアルケニル基を表し、互いに架橋鎖で架橋され、環構造を形成していても良い。
【００１３】
Ａｒ1は、置換基を有していてもよい（ｍ＋１）価の複素環基を表し、Ａｒ2は、置換基を有していてもよい（ｎ＋１）価の複素環基を表す。
Ａｒ3およびＡｒ4は各々独立に、置換基を有していても良い２価の芳香族基を表す。
Ａｒ7およびＡｒ8は各々独立に、置換基を有していても良い１価の芳香族基を表す。
【００１４】
Ｌ1、Ｌ2、Ｌ5およびＬ6は各々独立に、２価の共役性連結基を表す。）
［２］  前記一般式（Ｉ）において、Ｒ1およびＲ2が架橋鎖にて架橋され、下記一般式（ＩＩａ）で表される環を形成している、［１］に記載のジアリールエテン系化合物。
【００１５】
【化４】
2004277416.tif 000003
【００１６】
［３］  前記一般式（Ｉ）において、Ｌ1、Ｌ2、Ｌ5およびＬ6が各々独立に、−ＣＨ＝ＣＨ−である、［１］または［２］に記載のジアリールエテン系化合物。
［４］  前記［１］ないし［４］のいずれか一に記載の化合物からなる、フォトクロミック材料。
［５］  前記［４］記載のフォトクロミック材料を含む薄膜を有する光機能素子。
［６］  フォトクロミック材料の最大吸収波長に対し、３／２〜４倍の波長の光の照射により情報が記録される、前記［５］記載の光機能素子。
【００１７】
なお、本発明において「芳香族基」と称する場合は、芳香族炭化水素環由来の基および芳香族複素環由来の基の双方を意味する。また「炭化水素環基」と称した場合には、芳香族および非芳香族の炭化水素環由来の基を意味し、「複素環基」と称した場合には、芳香族および非芳香族の複素環由来の基を意味する。さらに、「（ヘテロ）アリール基」等と称した場合には、アリール基およびヘテロアリール基の双方を意味する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のジアリールエテン系化合物は二光子吸収反応を容易に実現するため、これを用いることにより、例えば３次元的な光学的記録再生が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内て種々に変形して実施することができる。
本発明のジアリールエテン系化合物は、下記一般式（Ｉ）で表される。
【００２０】
【化５】
2004277416.tif 000004
【００２１】
（式中ｈおよびｉは各々独立に１〜３の整数を表し、ｍおよびｎは各々独立に、０〜５の整数を表す。但し、ｍ＋ｎ≧１である。
Ｒ1およびＲ2は各々独立に、水素原子、シアノ基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、置換基を有していてもよいアルキル基、または置換基を有していてもよいアルケニル基を表し、互いに架橋鎖で架橋され、環構造を形成していても良い。
【００２２】
Ａｒ1は、置換基を有していてもよい（ｍ＋１）価の複素環基を表し、Ａｒ2は、置換基を有していてもよい（ｎ＋１）価の複素環基を表す。
Ａｒ3およびＡｒ4は各々独立に、置換基を有していても良い２価の芳香族基を表す。
Ａｒ7およびＡｒ8は各々独立に、置換基を有していても良い１価の芳香族基を表す。
【００２３】
Ｌ1、Ｌ2、Ｌ5およびＬ6は各々独立に、２価の共役性連結基を表す。）
一般式（Ｉ）におけるＲ1およびＲ2として、具体的には、
水素原子；
シアノ基；
メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、２−プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、２−ペンチルオキシ基、３−ペンチルオキシ基、オクチルオキシ基等の炭素数１〜１０程度のアルコキシ基；
メチル基、エチル基、プロピル基、２−プロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、オクチル基等の炭素数１〜１０程度のアルキル基；
エテニル基、プロペニル基、ブテニル基、２−ブテニル基等の炭素数２〜１１程度のアルケニル基、等があげられる。このうち、置換基を有していてもよいアルキル基が、繰り返し耐久性の点で好ましい。
【００２４】
上記アルコキシ基、アルキル基およびアルケニル基が有しうる置換基としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子または沃素原子）、シアノ基、水酸基等があげられ、このうちハロゲン原子、特にフッ素原子が好ましい。
また、Ｒ1とＲ2が互いに架橋鎖で架橋され、環構造を形成していても良く、該環構造は置換基を有していてもよい。
【００２５】
Ｒ1とＲ2が互いに結合して形成する該環構造としては、フッ素原子で置換された脂肪族環、酸無水物、またはマレイミド基等があげられるが、中でも下記式（ＩＩａ）または（ＩＩｂ）で表される構造が好ましく、特に（ＩＩａ）で表される化合物が安定性に優れているため好ましい。
【００２６】
【化６】
2004277416.tif 000005
【００２７】
式（ＩＩｂ）中、Ｘは−ＮＲ0−または酸素原子を表す。Ｒ0として、具体的には、
水素原子；
シアノ基；
メチル基、エチル基、プロピル基、２−プロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、オクチル基等の炭素数１〜１０程度のアルキル基；
エテニル基、プロペニル基、ブテニル基、２−ブテニル基等の炭素数２〜１１程度のアルケニル基；
エチニル基、プロピニル基、ブチニル基等の炭素数２〜１１程度のアルキニル基；
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、１−シクロペンテニル基、シクロヘキシル基、１−シクロヘキセニル基等の炭素数３〜１０程度の非芳香族炭化水素環基；
フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラニル基、９−アントラニル基、１−フェナントレニル基等の炭素数６〜３０程度の芳香族炭化水素環基；
ピロリジル基、イミダゾリジニル基、ピペリジル基、モルフォリニル基等の窒素、硫黄、酸素、炭素原子からなる炭素数２〜３０程度の非芳香族複素環基；
ピリジル基、２−フリル基、２−チエニル基、２−ベンゾフリル基、２−ベンゾチエニル基、ピラジニル基、フラザニル基等の窒素、硫黄、酸素、炭素原子からなる５または６員環の、単環または２〜１０縮合環である炭素数２〜３０程度の芳香族複素環基；
メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、２−プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、２−ペンチルオキシ基、３−ペンチルオキシ基、オクチルオキシ基等の炭素数１〜１０程度のアルコキシ基；
フェノキシ基、ナフチルオキシ基、アントラニルオキシ基、２−チエニルオキシ基、１−フリルオキシ基等の炭素数３〜３０程度の（ヘテロ）アリールオキシ基；アミノ基；
メチルスルフォニル基、ｐ−トルエンスルフォニル基、ナフタレンスルフォニル基等のスルフォニル基；
メチルエステル基、エチルエステル基、イソブチルエステル基、オクチルエステル基等の炭素数１〜１１程度のエステル基；
水酸基などを表し、これらはいずれも置換基を有していても良い。
【００２８】
上記アルコキシ基、アルキル基、アルケニル基およびアルキニル基が有しうる置換基としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子）、シアノ基、水酸基、アシル基（例えばホルミル基、アセチル基、１−プロピオニル基、２−プロピオニル基、ベンゾイル基、ナフトイル基、テノイル基等の炭素数１〜２０程度のアシル基）等があげられる。
また上記非芳香族炭化水素環基、芳香族炭化水素環基、非芳香族複素環基、芳香族複素環基、（ヘテロ）アリールオキシ基およびアミノ基が有しうる置換基としては、アルキル基（例えばメチル基、エチル基、プロピル基、２−プロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、オクチル基等の炭素数１〜１０程度のアルキル基）、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子または沃素原子）、シアノ基、水酸基等が挙げられる。
【００２９】
Ｒ0として、上述の中でも好ましくはアルキル基または芳香族炭化水素基であり、特に
好ましくはメチル基、エチル基またはフェニル基である。
前記一般式（Ｉ）におけるＡｒ1は置換基を有していてもよい（ｍ＋１）価の複素環基
を表し、Ａｒ2は置換基を有していてもよい（ｎ＋１）価の複素環基を表す。具体的には
、各々独立に、例えば、チオフェン環、フラン環、ピロール環、チアゾール環、オキサゾール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、インドール環、キノリン環、チエノフラン環などの、５または６員環の、単環または２〜１０縮合環である、芳香族複素環が挙げられる。
【００３０】
これらのうち、芳香族複素環が好ましく、また、Ｒ1及びＲ2との結合部位が５員環であるものが好ましく、より好ましくはチオフェン環、ピロール環、チアゾール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環またはインドール環が安定でよい。
上記複素環が有しうる置換基としては、特に制限はないが、例えばシアノ基；
アミノ基；
フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子等のハロゲン原子；
メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、２−プロピルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、２−ペンチルオキシ基、３−ペンチルオキシ基、オクチルオキシ基等の炭素数１〜１０程度のアルコキシ基；
メチルチオ基、プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、２−ブチルチオ基、ｎ−オクチルチオ基等の炭素数１〜１０程度のアルキルチオ基；
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、オクチル基等の炭素数１〜１０程度のアルキル基；
エテニル基、プロペニル基、ｎ−ブテニル基、２−ブテニル基、ｎ−オクテニル基等の炭素数２〜１１程度のアルケニル基；
エチニル基、プロピニル基、ｎ−ブチニル基、２−ブテニル基、ｎ−オクチニル基等の炭素数２〜１１程度のアルキニル基；
フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラニル基、１−ピレニル基等の５または６員環の、単環または２〜１０縮合環である、芳香族炭化水素環基；
シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、アダマンチル基等の５または６員環の、単環または２〜１０縮合環である、非芳香族炭化水素環基；
イミダゾリル基、オキサゾリル基、ピリジル基、チアゾリル基、ピラジル基、フタラジニル基、アクリジル基等の窒素、硫黄、酸素、炭素原子からなる５または６員環の、単環または２〜１０縮合環である炭素数２〜３０程度の芳香族複素環基；
ピロリニル基、イミダゾリジニル基、ピラゾリジニル基、ピラゾリニル基等の等の窒素、硫黄、酸素、炭素原子からなる５または６員環の、単環または２〜１０縮合環である炭素数２〜３０程度の非芳香族複素環基；
ホルミル基、アセチル基、１−プロピオニル基、２−プロピオニル基、ベンゾイル基、ナフトイル基、テノイル基等の炭素数１〜２０程度のアシル基；
アセトアミド、プロピオアミド基、ベンズアミド基等の炭素数１〜２０程度のアミド基；フェノキシ基、ナフチルオキシ基、フリルオキシ基、キノリルオキシ基等の炭素数５〜１８の（ヘテロ）アリールオキシ基；
フェニルチオ基、ナフチルチオ基、２−フリルチオ基等の炭素数５〜１８の（ヘテロ）アリールチオ基が挙げられる。
上記アミノ基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素環基、非芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基、非芳香族複素環基、アシル基、アミド基、（ヘテロ）アリールオキシ基、および（ヘテロ）アリールチオ基は更に、フッ素原子、塩素原子、臭素原子または沃素原子のハロゲン原子；
シアノ基；
水酸基；
メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、２−プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、２−ペンチルオキシ基、３−ペンチルオキシ基、オクチルオキシ基等の炭素数１〜１０程度のアルコキシ基；
メチル基、エチル基、プロピル基、２−プロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、オクチル基等の炭素数１〜１０程度のアルキル基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラニル基、１−ピレニル基等の５または６員環の、単環または２〜１０縮合環である、芳香族炭化水素環基；
シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、アダマンチル基等の５または６員環の、単環または２〜１０縮合環である、非芳香族炭化水素環基；
イミダゾリル基、オキサゾリル基、ピリジル基、チアゾリル基、ピラジル基、フタラジニル基、アクリジル基等の窒素、硫黄、酸素、炭素原子からなる５または６員環の、単環または２〜１０縮合環である炭素数２〜３０程度の芳香族複素環基；
ピロリニル基、イミダゾリジニル基、ピラゾリジニル基、ピラゾリニル基等の等の窒素、硫黄、酸素、炭素原子からなる５または６員環の、単環または２〜１０縮合環である炭素数２〜３０程度の非芳香族複素環基等の置換基を有していてもよい。
【００３１】
Ａｒ1およびＡｒ2が有しうる置換基としてより好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基または置換アミノ基であり、更に好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ジフェニル置換アミノ基であり、特に好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基である。なお、置換基の炭素数は、一般に少ない方が熱安定性に優れ好ましい。
前記一般式（Ｉ）におけるＡｒ3およびＡｒ4は、各々独立に置換基を有していてもよい２価の芳香族基を表す。２価の芳香族基は、具体的には、例えば、ベンゼン環、ナフタレ
ン環、フェナントレン環、アントラセン環、アズレン環、ペンタセン環、ペリレン環、コロネン環、フルオレン環などの炭素数６〜３０程度の芳香族炭化水素環由来の２価の基；チオフェン環、フラン環、ピロール環、イミダゾール環、ピリジン環、キサンテン環、ピラゾール環、ピラジン環、キノリン環、キノキサリン環、アクリジン環、フェナントロリン環、フェナジン環、オキサジアゾール環などの、５または６員環の、単環または２〜１０縮合環である、芳香族複素環由来の２価の基、が挙げられる。
【００３２】
これらのうち、好ましくはベンゼン環、チオフェン環、フルオレン環またはオキサジアゾール環、特に好ましくは、ベンゼン環である。
上記の各芳香族基が有しうる置換基としては、
シアノ基；
アミノ基；
フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子等のハロゲン原子；
メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、２−プロピルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、２−ペンチルオキシ基、３−ペンチルオキシ基、オクチルオキシ基等の炭素数１〜１０程度のアルコキシ基；メチルチオ基、プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、２−ブチルチオ基、ｎ−オクチルチオ基等の炭素数１〜１０程度のアルキルチオ基；
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、オクチル基等の炭素数１〜１０程度のアルキル基；
エテニル基、プロペニル基、ｎ−ブテニル基、２−ブテニル基、ｎ−オクテニル基等の炭素数２〜１１程度のアルケニル基；
エチニル基、プロピニル基、ｎ−ブチニル基、２−ブテニル基、ｎ−オクチニル基等の炭素数２〜１１程度のアルキニル基；
フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラニル基、１−ピレニル基等の５または６員環の、単環または２〜１０縮合環である、芳香族炭化水素環基；
シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、アダマンチル基等の５または６員環の、単環または２〜１０縮合環である、非芳香族炭化水素環基；
イミダゾリル基、オキサゾリル基、ピリジル基、チアゾリル基、ピラジル基、フタラジニル基、アクリジル基等の窒素、硫黄、酸素、炭素原子からなる５または６員環の、単環または２〜１０縮合環である炭素数２〜３０程度の芳香族複素環基；
ピロリニル基、イミダゾリジニル基、ピラゾリジニル基、ピラゾリニル基等の等の窒素、硫黄、酸素、炭素原子からなる５または６員環の、単環または２〜１０縮合環である炭素数２〜３０程度の非芳香族複素環基；
フェノキシ基、ナフチルオキシ基、フリルオキシ基、キノリルオキシ基等の炭素数５〜１８の（ヘテロ）アリールオキシ基；
フェニルチオ基、ナフチルチオ基、２−フリルチオ基等の炭素数５〜１８の（ヘテロ）アリールチオ基、等があげられる。
【００３３】
上記アミノ基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素環基、非芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基、非芳香族複素環基、（ヘテロ）アリールオキシ基、および（ヘテロ）アリールチオ基は更に、フッ素原子、塩素原子、臭素原子または沃素原子のハロゲン原子；
シアノ基；
水酸基；
メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、２−プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、２−ペンチルオキシ基、３−ペンチルオキシ基、オクチルオキシ基等の炭素数１〜１０程度のアルコキシ基；
メチル基、エチル基、プロピル基、２−プロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、オクチル基等の炭素数１〜１０程度のアルキル基；
フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラニル基、１−ピレニル基等の５または６員環の、単環または２〜１０縮合環である、芳香族炭化水素環基；
シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、アダマンチル基等の５または６員環の、単環または２〜１０縮合環である、非芳香族炭化水素環基；
イミダゾリル基、オキサゾリル基、ピリジル基、チアゾリル基、ピラジル基、フタラジニル基、アクリジル基等の窒素、硫黄、酸素、炭素原子からなる５または６員環の、単環または２〜１０縮合環である炭素数２〜３０程度の芳香族複素環基；
ピロリニル基、イミダゾリジニル基、ピラゾリジニル基、ピラゾリニル基等の等の窒素、硫黄、酸素、炭素原子からなる５または６員環の、単環または２〜１０縮合環である炭素数２〜３０程度の非芳香族複素環基等の置換基を有していてもよい。
【００３４】
Ａｒ3およびＡｒ4として、好ましくはアルキル基またはアルコキシ基であり、中でもメチル基、エチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基が好ましく、特に、メチル基、メトキシ基、ヘキシル基が好ましい。
前記一般式（Ｉ）におけるＡｒ7およびＡｒ8は、各々独立に置換基を有していてもよい１価の芳香族基を表す。１価の芳香族基は、具体的には、例えばＡｒ3及びＡｒ4として挙げた２価の基に対応する１価の基が、いずれも採用できる。
【００３５】
また、これら１価の基が有しうる置換基としては、Ａｒ3およびＡｒ4として挙げた芳香族基が有しうる置換基として上述したものがいずれも挙げられるが、中でもジ置換アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、およびアルキル基等の電子供与性基が好ましく、更に、ジ置換アミノ基が好ましく、特にジアリールアミノ基が好ましい。
【００３６】
更に、上述した基に代表される電子供与性基を、連結基Ｌ5およびＬ6の対してｐ−位に有する化合物が好ましい。
前記一般式（Ｉ）におけるＬ1、Ｌ2、Ｌ5、Ｌ6は、各々独立に、２価の共役性連結基を示し、具体的には、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｃ≡Ｃ−、または−Ｎ＝Ｎ−が挙げられ、−ＣＨ＝ＣＨ−および−ＣＨ＝Ｎ−における水素原子は任意の基で置換されていてもよい。
【００３７】
−ＣＨ＝ＣＨ−および−ＣＨ＝Ｎ−における水素原子に対する置換基としては、例えば、
フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子等のハロゲン原子；
シアノ基；ニトロ基；
アミノ基；
メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、２−プロピルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、２−ペンチルオキシ基、３−ペンチルオキシ基、オクチルオキシ基等の炭素数１〜１０程度のアルコキシ基；
メチルチオ基、プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、２−ブチルチオ基、ｎ−オクチルチオ基等の炭素数１〜１０程度のアルキルチオ基；
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、オクチル基等の炭素数１〜１０程度のアルキル基；
エテニル基、プロペニル基、ｎ−ブテニル基、２−ブテニル基、ｎ−オクテニル基等の炭素数２〜１１程度のアルケニル基；
エチニル基、プロピニル基、ｎ−ブチニル基、２−ブテニル基、ｎ−オクチニル基等の炭素数２〜１１程度のアルキニル基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラニル基、１−ピレニル基等の５または６員環の、単環または２〜１０縮合環であ
る、芳香族炭化水素環基；
シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、アダマンチル基等の５または６員環の、単環または２〜１０縮合環である、非芳香族炭化水素環基；
イミダゾリル基、オキサゾリル基、ピリジル基、チアゾリル基、ピラジル基、フタラジニル基、アクリジル基等の窒素、硫黄、酸素、炭素原子からなる５または６員環の、単環または２〜１０縮合環である炭素数２〜３０程度の芳香族複素環基；
ピロリニル基、イミダゾリジニル基、ピラゾリジニル基、ピラゾリニル基等の等の窒素、硫黄、酸素、炭素原子からなる５または６員環の、単環または２〜１０縮合環である炭素数２〜３０程度の非芳香族複素環基；
フェノキシ基、ナフチルオキシ基、フリルオキシ基、キノリルオキシ基等の炭素数５〜１８の（ヘテロ）アリールオキシ基；
フェニルチオ基、ナフチルチオ基、２−フリルチオ基等の炭素数５〜１８の（ヘテロ）アリールチオ基；
ホルミル基、アセチル基、１−プロピオニル基、２−プロピオニル基、ベンゾイル基、ナフトイル基、テノイル基等の炭素数１〜２０程度のアシル基；
アセトアミド、プロピオアミド基、ベンズアミド基等の炭素数１〜２０程度のアミド基、等があげられる。
【００３８】
上記アミノ基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素環基、非芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基、非芳香族複素環基、アシル基、アミド基、（ヘテロ）アリールオキシ基、および（ヘテロ）アリールチオ基は、更に、
フッ素原子、塩素原子、臭素原子または沃素原子のハロゲン原子；
シアノ基；
水酸基；
メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、２−プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、２−ペンチルオキシ基、３−ペンチルオキシ基、オクチルオキシ基等の炭素数１〜１０程度のアルコキシ基；
メチル基、エチル基、プロピル基、２−プロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、オクチル基等の炭素数１〜１０程度のアルキル基；
フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラニル基、１−ピレニル基等の５または６員環の、単環または２〜１０縮合環である、芳香族炭化水素環基；
シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、アダマンチル基等の５または６員環の、単環または２〜１０縮合環である、非芳香族炭化水素環基；
イミダゾリル基、オキサゾリル基、ピリジル基、チアゾリル基、ピラジル基、フタラジニル基、アクリジル基等の窒素、硫黄、酸素、炭素原子からなる５または６員環の、単環または２〜１０縮合環である炭素数２〜３０程度の芳香族複素環基；
ピロリニル基、イミダゾリジニル基、ピラゾリジニル基、ピラゾリニル基等の等の窒素、硫黄、酸素、炭素原子からなる５または６員環の、単環または２〜１０縮合環である炭素数２〜３０程度の非芳香族複素環基等の置換基を有していてもよい。
【００３９】
これら上記水素原子に対する置換基中でも好ましくは、アルキル基、アルケニル基または芳香族炭化水素環基であり、特にメチル基、フェニル基またはエチニル基が好ましい。
Ｌ1、Ｌ2、Ｌ5、Ｌ6として上述した基の内、共役平面の捻れが少なく、大きな二光子吸収断面積を確保できる点では、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−または−Ｎ＝Ｎ−が好ましく、また現行の半導体レーザー等による記録に適した励起波長を有する点では、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−が好ましい。
【００４０】
また、Ｌ1、Ｌ2、Ｌ5、Ｌ6として、最も好ましくは−ＣＨ＝ＣＨ−である。（但し、水素原子は、上述した基に代表される任意の基で置換されていてもよい。）
前記一般式（Ｉ）におけるｍおよびｎは各々独立に、０〜５の整数を表すが、好ましくは０〜２である。またｈおよびｉは、各々独立に１〜３の整数を表す。但し、ｍ＋ｎ≧１である。
【００４１】
上記のうち、二光子吸収部位の増加により、大きな二光子吸収断面積を確保できる点で、ｍとｎの両方が１以上であることが好ましい。また、フォトクロミック部位を動きやすくして、感度を増加させるという点では、ｍとｎの一方が０であることが好ましい。より好ましくはｍとｎの両方が１以上であり、最も好ましくは、ｍとｎが１である。
【００４２】
共役系の増加により、大きな二光子吸収断面積が確保できる点でｈおよびｉは両方が１以上であることが好ましい。また、現行の半導体レーザー等による記録に適した励起波長を有する点で、ｈとｉの和は２以下であることが好ましい。
【００４３】
以下の表に、前記一般式（Ｉ）で表される化合物の具体例（Ｎｏ．１〜１０５０）を示すが、本発明はこれらに限定される訳ではない。
表中、例えば、具体例Ｎｏ．１の化合物は、ＤＡＥ１の化学式におけるＱ1がＭｅ、Ｑ2がＭｅ、ＴＰＡがＴＰＡ１である化合物である。
なお、表中で使用しているＤＡＥ１〜ＤＡＥ８２およびＴＰＡ１〜ＴＰＡ２４は、各々以下に示した構造を表している。またＭｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、Ｐｈはフェニル基を表す。また、表中では、ＴＰＡが２つ以上の場合に同一の例のみ挙げているが、異なるＴＰＡが付いていてもよい。
【００４４】
【化７】
2004277416.tif 000006
【００４５】
【化８】
2004277416.tif 000007
【００４６】
【化９】
2004277416.tif 000008
【００４７】
【化１０】
2004277416.tif 000009
【００４８】
【化１１】
2004277416.tif 000010
【００４９】
【化１２】
2004277416.tif 000011
【００５０】
【化１３】
2004277416.tif 000012
【００５１】
【化１４】
2004277416.tif 000013
【００５２】
【化１５】
2004277416.tif 000014
【００５３】
【化１６】
2004277416.tif 000015
【００５４】
【表１】
2004277416.tif 000016
【００５５】
【表２】
2004277416.tif 000017
【００５６】
【表３】
2004277416.tif 000018
【００５７】
【表４】
2004277416.tif 000019
【００５８】
【表５】
2004277416.tif 000020
【００５９】
【表６】
2004277416.tif 000021
【００６０】
【表７】
2004277416.tif 000022
【００６１】
【表８】
2004277416.tif 000023
【００６２】
【表９】
2004277416.tif 000024
【００６３】
【表１０】
2004277416.tif 000025
【００６４】
【表１１】
2004277416.tif 000026
【００６５】
【表１２】
2004277416.tif 000027
【００６６】
【表１３】
2004277416.tif 000028
【００６７】
【表１４】
2004277416.tif 000029
【００６８】
【表１５】
2004277416.tif 000030
【００６９】
【表１６】
2004277416.tif 000031
【００７０】
【表１７】
2004277416.tif 000032
【００７１】
【表１８】
2004277416.tif 000033
【００７２】
【表１９】
2004277416.tif 000034
【００７３】
【表２０】
2004277416.tif 000035
【００７４】
【表２１】
2004277416.tif 000036
【００７５】
【表２２】
2004277416.tif 000037
【００７６】
【表２３】
2004277416.tif 000038
【００７７】
【表２４】
2004277416.tif 000039
【００７８】
【表２５】
2004277416.tif 000040
【００７９】
【表２６】
2004277416.tif 000041
【００８０】
【表２７】
2004277416.tif 000042
【００８１】
【表２８】
2004277416.tif 000043
【００８２】
【表２９】
2004277416.tif 000044
【００８３】
【表３０】
2004277416.tif 000045
【００８４】
【表３１】
2004277416.tif 000046
【００８５】
【表３２】
2004277416.tif 000047
【００８６】
【表３３】
2004277416.tif 000048
【００８７】
【表３４】
2004277416.tif 000049
【００８８】
【表３５】
2004277416.tif 000050
【００８９】
【表３６】
2004277416.tif 000051
【００９０】
【表３７】
2004277416.tif 000052
【００９１】
【表３８】
2004277416.tif 000053
【００９２】
【表３９】
2004277416.tif 000054
【００９３】
【表４０】
2004277416.tif 000055
【００９４】
【表４１】
2004277416.tif 000056
【００９５】
【表４２】
2004277416.tif 000057
【００９６】
【表４３】
2004277416.tif 000058
【００９７】
【表４４】
2004277416.tif 000059
【００９８】
【表４５】
2004277416.tif 000060
【００９９】
【表４６】
2004277416.tif 000061
【０１００】
【表４７】
2004277416.tif 000062
【０１０１】
【表４８】
2004277416.tif 000063
【０１０２】
【表４９】
2004277416.tif 000064
【０１０３】
前記一般式（Ｉ）で表されるジアリールエテン系化合物は、公知の方法で製造することができる。
一般式（Ｉ）においてＲ1，Ｒ2がフッ素で置換されたアルキル鎖の環構造を有しており、Ａｒ1＝Ａｒ2、Ａｒ3＝Ａｒ4，Ａｒ7＝Ａｒ8、Ｌ1＝Ｌ2＝Ｌ5＝Ｌ6＝−ＣＨ＝ＣＨ−、
ｍ＝ｎ＝１の場合の例について説明すると、例えば、下記一般式（III）
【０１０４】
【化１７】
2004277416.tif 000065
【０１０５】
で表されるハロゲン化物を、下記一般式（IV）
【０１０６】
【化１８】
2004277416.tif 000066
【０１０７】
で表される芳香族炭化水素環を有するアルケニル基とカップリングさせることにより、下記一般式（Ｖ）
【０１０８】
【化１９】
2004277416.tif 000067
【０１０９】
で表される有機化合物が効率よく得られる。
本発明のジアリールエテン系化合物は、有効に多光子吸収反応を生じ、結果としてフォトクロミズムを示すことから、例えば各種光機能素子に有用なフォトクロミック材料として使用することができる。
フォトクロミック材料は、光の照射により状態の異なる２つの異性体を可逆的に生成する分子または分子集合体を含む材料であり、光化学反応により分子構造が変化し、この変化に応じて、光吸収係数、屈折率、旋光性あるいは誘電率などの光学特性を可逆的に変える性質を有している。これらの光学特性の差を利用することにより、情報の記録・再生を行うことができる。また、分子構造を元に戻すことにより、情報の消去が可能となる。
【０１１０】
このようなメカニズムと、それに伴う光学特性の変化を利用して、光メモリ素子、光スイッチング素子などの光機能素子を作成することができる。
光スイッチング素子に使用する場合、例えば、本発明のジアリールエテン系化合物を含むフォトクロミック材料を用いて薄膜を形成し、これを用いて光スイッチング素子を作製する。該フォトクロミック材料の大きな屈折率変化を利用することにより、素子の小型化が可能になるため好ましい。
【０１１１】
また光メモリ素子に使用する場合、例えば、本発明のジアリールエテン系化合物を含むフォトクロミック材料を用いて薄膜を形成し、これを記録層として光メモリ素子を作製する。該記録層へのフォトンモード記録により、記録密度の大幅な向上が可能となるため好ましく、また多光子吸収反応を利用することにより、三次元的な記録も可能となるため、
記録容量の向上が可能となり更に好ましい。
【０１１２】
以下、本発明のフォトクロミック材料を使用した光メモリ素子を例に、本発明を更に詳細に説明する。
光メモリ素子の記録感度及び信号強度の点からは、ジアリールエテン系化合物は、開環体及び閉環体の分子吸光係数の大きな化合物であることが好ましい。特に、記録後の屈折率変化を大きくするために、閉環体の最大吸収波長ピークにおける分子吸光係数が１００００以上であることが好ましい。前記一般式（Ｉ）で表される化合物は、分子吸光係数の大きな化合物を得る上でも好ましい。
【０１１３】
次に、図面を参照して、本発明に係る光メモリ素子について説明するが、その層構成や材料は、以下に示すものに何ら制限されない。
本発明の光メモリ素子の代表的なものとしては、（ａ）ピット記録方式の光メモリ素子と、（ｂ）ホログラム記録方式の光メモリ素子が挙げられる。前者の例としては、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ等、現行の有機色素を使用した光ディスクが挙げられ、後者の例としては導波路型デバイス等が挙げられる。
【０１１４】
まず、図１，２を参照して（ａ）ピット記録方式の光メモリ素子について説明する。
図１は、（ａ）タイプの光メモリ素子の層構成の一例を示す模式的な断面図である。この光メモリ素子は、基板１と、その上に設けられた、前記一般式（Ｉ）で表されるジアリールエテン系化合物を含む記録層２とを有する。図示はしないが、更に記録層２上に保護被膜を設けても良く、記録層と保護被膜との間に記録層と保護被膜層との混和を防止するための障壁層が設けられていても良い。また、基板１と記録層２との間に中間層が設けられても良く、記録層２のどちらか一方の面に反射層を設けても良い。
【０１１５】
図２は、図１に示す光メモリ素子の記録層２に反射層３を積層したもの２枚を、反射層３側が対面するように接着剤層４で貼り合わせてなる、両面記録可能な光メモリ素子の断面図である。なお、１枚の基板の両面にそれぞれ記録層を形成して、両面記録可能な光メモリ素子としても良い。
このような光メモリ素子に対し、対物レンズにて集光された記録用レーザー光を照射することにより、記録層中に光学的特性が変化した部分（記録マーク）を形成し、マーク長変調（或いはマーク位置変調）記録を行うことができる。
【０１１６】
以下に、図１，２の光メモリ素子を構成する各層について説明する。
１）基板について
本発明に係る光メモリ素子の基板材料としては、必要な強度、耐久性を有していれば特に限定されるものではなく、従来から光学的記録媒体の基板として用いられている材料、例えばアクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン系樹脂（特に非晶質ポリオレフィン）、ポリエステル系樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂からなるもの、ガラスからなるもの、ガラス上に光硬化性樹脂等の放射線硬化樹脂からなる樹脂層を設けたもの等がいずれも使用可能である。
【０１１７】
なお、高生産性、コスト、耐吸湿性などの点からは、基板材料としては、射出成形ポリカーボネートが好ましく、耐薬品性、耐吸湿性などの点からは、非晶質ポリオレフィンが好ましく、また、高速回転時の機械的安定性などの点からは、ガラス基板が好ましい。
記録光及び再生光を基板の反対側から入射する場合には、基板が該波長に対して透過性である必要はないため、高速回転時の振動防止等のために、ポリカーボネート等の樹脂に、カーボンファイバー等のフィラーを入れて剛性を高めた材料を用いても良い。
【０１１８】
基板の板面には、記録／再生光のトラッキング用案内溝やピット等が形成されていても
良い。このような案内溝やピットは、基板の成形時に付与することが好ましいが、成形後の基板上に紫外線（ＵＶ）硬化樹脂層を形成して付与することもできる。案内溝がスパイラル状の場合、この溝ピッチは０．１〜１．６μｍ程度であることが好ましい。
２）記録層について
記録層は、基板上、又は基板上に必要に応じて任意の中間層等を設けた上に、本発明のジアリールエテン系化合物を用いて形成される。
【０１１９】
記録層の成膜方法としては、真空蒸着法、ドクターブレード法、キャスト法、スピンコート法、浸漬法等、一般に行われている薄膜形成法が挙げられるが、量産性、コスト面からはスピンコート法が好ましい。また、厚みの均一な記録層が得られるという点からは、塗布法より真空蒸着法の方が好ましい。
スピンコート法による成膜の場合、回転数は１０〜１５０００ｒｐｍが好ましく、スピンコートの後、加熱或いは溶媒蒸気に当てる等の処理を行っても良い。
【０１２０】
ドクターブレード法、キャスト法、スピンコート法、浸漬法等の塗布方法により記録層を形成する場合の塗布溶媒としては、基板を侵さない溶媒が好ましく、例えば、ジアセトンアルコール、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン等のケトンアルコール系溶媒；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒；ｎーヘキサン、ｎ−オクタン等の鎖状炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、ｎ−ブチルシクロヘキサン、ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン等の環状炭化水素系溶媒；テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロペンタノール、ヘキサフルオロブタノール等のパーフルオロアルキルアルコール系溶媒；乳酸メチル、乳酸エチル、２−ヒドロキシイソ酪酸メチル等のヒドロキシカルボン酸エステル系溶媒等が挙げられる。
【０１２１】
塩化メチレン、シクロヘキサノン、キシレン、メチルイソブチルケトン、トルエン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の、樹脂製の基板を侵す虞のある溶媒を使用する場合には、耐溶剤性が高い酸化ケイ素、窒化ケイ素、ＭｇＦ2、ＳｎＯ2等の無機物質や熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等からなる中間層を予め形成しておき、該中間層上に各種塗布法により記録層を形成することが好ましい。
【０１２２】
真空蒸着法の場合は、例えば本発明のジアリールエテン系化合物と、必要に応じて各種添加剤等の記録層成分を、真空容器内に設置されたるつぼに入れ、真空容器内を真空ポンプで１０-2〜１０-5Ｐａ程度にまで排気した後、るつぼを加熱して記録層成分を蒸発させ、るつぼと向き合って置かれた基板上に蒸着させることにより、記録層を形成する。
【０１２３】
なお、記録層は、記録層の安定性や耐光性向上のために、一重項酸素クエンチャーとして遷移金属キレート化合物（例えば、アセチルアセトナートキレート、ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α−ジケトン等）等や、記録感度向上のために金属系化合物等の記録感度向上剤を含有していても良い。ここで金属系化合物とは、遷移金属等の金属が原子、イオン、クラスター等の形で化合物に含まれるものを言い、例えばエチレンジアミン系錯体、フェナントロリン系錯体、ジヒドロキシアゾベンゼン系錯体、ジオキシム系錯体、ニトロソアミノフェノール系錯体、ピリジルトリアジン系錯体、アセチルアセトナート系錯体、メタロセン系錯体、ポルフィリン系錯体のような有機金属化合物が挙げられる。金属原子としては特に限定されないが、遷移金属であることが好ましい。
【０１２４】
更に、記録層の成膜に際しては、必要に応じて、バインダー、レベリング剤、消泡剤等を併用することもできる。この場合、好ましいバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケトン系樹脂、アクリ
ル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリオレフィン等が挙げられ、特に、ポリスチレン系樹脂が好ましい。
【０１２５】
記録層の膜厚は、記録方法などにより適した膜厚が異なるため、特に限定するものではないが、通常１０ｎｍ以下、好ましくは３０ｎｍ以下であり、また通常は３μｍ以上であり、好ましくは５μｍ以上である。
３）反射層について
反射層は、必要に応じて、記録層に対し、記録／再生光入射面とは逆の面に、直接接するように、或いは、間接的（即ち、任意の層を介して）に形成される。その膜厚は通常５０〜３００ｎｍである。
【０１２６】
反射層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｃｒ及びＰｄの金属を単独或いは合金にして用いることが可能である。この中でもＡｕ、Ａｌ、Ａｇは反射率が高く反射層の材料として適している。また、反射層の材料は、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇを主成分とし、これら以外に例えば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｄなどの、金属及び半金属を１種又は２種以上含む合金であっても良い。なかでも、Ａｇを主成分としているものはコストが安い点、高反射率が出やすい点等から特に好ましい。ここで主成分とは含有率が５０原子％以上のものをいう。
【０１２７】
なお、金属以外の材料からなる、低屈折率薄膜と高屈折率薄膜とを交互に積み重ねて多層膜を形成したものを、反射層として用いることも可能である。
反射層を形成する方法としては、例えば、スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる。
なお、基板の上や反射層の下に反射率向上、記録特性の改善、密着性の向上等のために公知の無機系又は有機系の中間層や接着層を設けることもできる。
４）障壁層について
障壁層は、後述する保護被膜の成膜時における、記録層のフォトクロミック化合物等の保護被膜への拡散や、保護被膜形成用塗布液の記録層への浸透、或いは保護被膜接着時の接着剤成分の記録層への拡散、浸透などの混和現象を防止するためのものであり、保護被膜を記録層に接して設ける場合に特に有効である。
【０１２８】
この障壁層を構成する材料は、酸化硅素、特に二酸化珪素や、酸化亜鉛、酸化セリウム、酸化イットリウム等の酸化物；硫化亜鉛、硫化イットリウムなどの硫化物；窒化珪素などの窒化物；炭化珪素；酸硫化物；及び後述の合金などが好適である。また、酸化珪素と硫化亜鉛との３０：７０〜９０：１０程度（重量比）の混合物も好適である。また、イットリウムの酸硫化物と酸化亜鉛との混合物（Ｙ2Ｏ2Ｓ−ＺｎＯ）も好適である。
【０１２９】
合金としては、銀を主成分とし、更にチタン、亜鉛、銅、パラジウム、及び金からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を０．１〜１５原子％含有するものが好適である。また、銀を主成分とし、少なくとも１種の希土類元素を０．１〜１５原子％含有するものも好適である。この希土類としては、ネオジウム、プラセオジウム、セリウム等が好適である。
【０１３０】
この障壁層の厚みは２〜２０００ｎｍ、好ましくは２〜２０ｎｍ特に２〜１０ｎｍ程度が好ましい。障壁層の厚さが過度に薄いと、上記の混和現象の防止が不十分となる。障壁層が過度に厚くても混和防止には不必要であるばかりでなく、光の透過率を低下させる恐れもある。特に、合金の場合は、光の透過率を過度に低下させるため２〜２０ｎｍ特に２〜１０ｎｍ程度の薄層として形成することが好ましい。
５）保護被膜について
保護被膜の材料としては、記録層を外力による損傷から保護するものであれば良く、特に限定されず、各種の有機物質又は無機物質が挙げられる。有機物質の保護被膜材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等を挙げることができる。また、無機物質の保護被膜材料としては、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ＭｇＦ2
、ＳｎＯ2等が挙げられる。
【０１３１】
熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などよりなる保護被膜は、これらの樹脂を適当な溶剤に溶解して調製した塗布液を塗布し、乾燥することによって形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂であれば、そのままもしくは適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後にこの塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによって保護被膜を形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート系樹脂を用いることができる。これらの材料は単独で或いは混合して用いても良いし、１層だけではなく多層膜として形成しても良い。
【０１３２】
塗布による保護被膜の形成方法としては、記録層と同様にスピンコート法やキャスト法等の塗布法が用いられるが、この中でもスピンコート法が好ましい。
また、保護被膜は、上記の樹脂よりなる薄いフィルム又はシート状の被膜を、接着剤で接着して設けることもできる。この場合の接着剤としては、常温硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、電子線硬化型接着剤、ＵＶ硬化型接着剤など各種のものを用いることができる。
【０１３３】
保護被膜の膜厚は、０．１μｍ〜０．３ｍｍ特に０．１μｍ〜０．２ｍｍ程度が好ましい。
次に、図３を参照して（ｂ）ホログラム記録方式の光メモリ素子について説明する。図３は、（ｂ）タイプの光メモリ素子のうちのスラブ型導波路型デバイスの層構成の一例を示す模式的な断面図である。
【０１３４】
導波路型デバイスは、情報の記録及び再生に必要な光を導く伝送路として、導波光（記録光や再生光）の波長における屈折率が異なる、複数の透明な材料を交互に積層した構造を持つことが特徴である。
具体的には、１）屈折率が相対的に大きい材料層（コア層）を、２）屈折率が小さい材料層（クラッド層）で挟んだ構造である。このような層構成の積層体に対して、コア層端面から入射された導波光は、コア層／クラッド層界面で材料の屈折率差により次々と全反射されながら、コア層内に閉じこめられて減衰することなく伝搬していく。
【０１３５】
このような導波路型デバイスを、再生専用媒体ではなく記録可能な媒体とする場合、上記コア層及びクラッド層に加えて、又はコア層の代わりに、記録層を設ける。つまり、本発明の光メモリ素子がこのタイプである場合、記録層は、コア層及び／又はクラッド層に隣接して設けられ、具体的な積層例としては、図３に示す如く、（Ａ）クラッド層６Ａ／コア層７／記録層８／クラッド層６Ｂの順で積層したものと、クラッド層／記録層／クラッド層の順に積層したものとがある。
【０１３６】
コア層及びクラッド層の構成材料はいずれも、記録光波長及び再生光波長において実質的に透明であり、その屈折率が（コア層）＞（クラッド層）の関係を満たす材料であれば、特に制限はない。
例えば、熱可塑性樹脂（具体的にはポリカーボネート、ポリアリレート、ポリサルホン、ポリメタクリル酸メチル、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなど）、熱硬化性樹脂（具体的には不飽和ポリエステル樹脂、ケイ素樹脂など）、紫外線硬化性樹脂（具体的にはアクリル系樹脂など）などの有機材料、金属や半導体の酸化物、
硫化物、窒化物やＣａ、Ｍｇ、Ｌｉ等のフッ化物（具体的にはＺｎＳ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ金属の酸化物、Ｓｉ、Ａｌなどの窒化物、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆなどの炭化物、アモルファス炭素膜、ダイヤモンド状炭素膜など）などの無機材料の中から、適宜選択される。
【０１３７】
コア層及びクラッド層の構成材料は、好ましくは紫外線硬化性樹脂である。
（Ａ）、（Ｂ）の積層部はそれぞれ一つの光導波部材９を形成しており、記録層８に光記録が行われた後、記録情報に応じた再生像（ホログラム像）を形成することとなる。なお、コア層７，クラッド層６Ａ，６Ｂの膜厚については、コア層７，クラッド層６が光導波路として機能するだけの膜厚であれば良い。即ち、コア層７の膜厚は通常１０μｍ以下であり、更に、使用光波長域が可視光の波長域であればおおよそ１〜５μｍ程度になると考えられる。また、クラッド層６Ａ，６Ｂの膜厚に関しては特に制限はないが、光メモリ素子全体の厚みを薄くすることを考慮すれば、各々１００μｍ以下とすることが好ましい。あえて下限を規定するなら０．１μｍ以上になると思われる。通常５μｍ以上設ける。
【０１３８】
記録層８の上にクラッド層６Ｂを形成する際に、特に、該層形成用の塗布液が記録層中に拡散、浸透する等の混和現象が起こりやすい。従って記録層は、少なくとも記録層の上に形成されるべき層の塗布液に対して難溶性であることが好ましい。
また、このような混和現象を防止する目的で、記録層と隣接する層の界面に障壁層を設けても良い。少なくとも、記録層８と、その後に形成するクラッド層６Ｂとのあいだに障壁層を設けるのが好ましい。障壁層は、前述したように記録層やクラッド層と相溶せず、かつ、ある程度の光透過性があればその構成材料は問わない。
【０１３９】
上記光導波部材（Ａ）及び（Ｂ）同士を、更に積層して複数の記録可能な層を有する光メモリ素子としても良い。光導波部材（Ａ）は、該部材のどちらの面から記録光が入射するよう設けてもかまわない。なお、コア層及びクラッド層を樹脂製にすることにより、多層構造を簡易に形成できるので、限られた体積で大容量の情報を記録／再生できる光メモリ素子を容易、且つ安価に実現することができる。
【０１４０】
図３において、記録層８は、本発明のジアリールエテン系化合物を含有し、記録可能な層である。
ここで、記録層８は、記録前又は記録後の屈折率が、光導波部材３０のコア層７又はクラッド層６を構成する材料の屈折率とほぼ同じであることが好ましい。また、記録層８に含まれるジアリールエテン系化合物の記録前後の屈折率の変化は、約０．００１〜約０．０２０、特に、約０．０１０であることが好ましい。
【０１４１】
記録層８を、情報を１度だけ書き込み得る記録層（ライトワンス型記録層）として構成することにより、記録された情報が誤って消去されたり、変更されてしまったりするのを防止できる。また、記録された情報の改竄を防ぐこともできるため、著作権情報、ＩＤ情報及び暗号化の際に使われるキー情報等の情報の記録には特に好ましい。
【０１４２】
図３の光メモリ素子を製造するには、例えば樹脂フィルム５Ａ上に、光導波部材であるクラッド層６Ａ及びコア層７を設け、該コア層７上に、前記一般式（Ｉ）で示されるジアリールエテン系化合物を含有する組成物（塗布液）を塗布して、記録層８を形成する。
次に、クラッド層６Ｂ形成用の、例えば紫外線硬化性樹脂組成物（塗布液）を所定の膜厚（例えば、完全硬化時に約１５〜約２０μｍ）となるように塗布した後、樹脂フィルム５Ａを載置し、紫外線を照射して完全に硬化させて樹脂製クラッド層６Ａを形成する。
【０１４３】
これにより、樹脂フィルム５Ａ及びクラッド層６Ａ上に、コア層７、記録層８、クラッド層６Ｂ及び樹脂フィルム５Ｂがこの順に積層され、光導波部材９のクラッド層６Ａ，６
Ｂの間にコア層７、記録層８が挟み込まれてなる光メモリ素子が形成される。
更に、ＲＯＭ型の多層光メモリ素子に、光導波部材（Ａ）及び／又は（Ｂ）を積層しても良い。これによれば、ＲＯＭ型光メモリ素子において、記録可能な記録層を設けるので、複製防止（特に、不正コピー防止）やソフトウェアの不正使用防止等の著作権保護に利用可能な情報、シリアル番号等のような一枚一枚異なる情報等を書き込めるようにでき、また、アップデートに必要なデータや正誤表データのような情報等を追記することが可能となり、これにより、例えば同一のコンテンツデータを光メモリ素子に書き込んで大量複製する場合であっても、例えばシリアル番号等のような一枚一枚異なる情報はコンテンツデータとは別に書き込めるようになる。
【０１４４】
また、複製防止（特に、不正コピー防止）やソフトウェアの不正使用防止等の著作権保護に利用可能な情報として、著作権情報、ＩＤ情報、暗号化に際して用いられるキー情報等の情報を光メモリ素子に書き込んで、保護管理することができるようになる。このような記録層を設けることで、例えばＲＯＭ型光メモリ素子の製造後に記録層にＩＤ情報等の情報を書き込むことができるようになる。
【０１４５】
特に、光メモリ素子の製造後に記録層にＩＤ情報を記録すれば、一つ一つの光メモリ素子を識別可能となる。なお、ＩＤ情報は一般に情報量が少ないので、記録層の記録可能密度が低くても記録することができる。更に、アプリケーションソフトをアップデートするためのデータ（情報）や正誤表データのようなデータ（情報）を、ユーザー側（例えば出荷先）で追記情報として書き込めるようになる。
【０１４６】
本発明の光メモリ素子は、カートリッジに収納されていてもよい。
このカートリッジは、記録再生用の光の通過用の開口部と、該開口部を遮蔽し得る開閉部材とが設けられており、カートリッジ及び開閉部材は、光メモリ素子の記録層に含まれるジアリールエテン系化合物の閉環光、即ち、ジアリールエテン系化合物の開環体が吸収して閉環反応が起こり得る波長領域の光を実質的にカットするものであることが好ましい。
【０１４７】
即ち、このカートリッジは内部に光メモリ素子を収納し、開閉部材でカートリッジの開口部を閉じた状態では、その全表面が閉環光を遮断し、内部の光メモリ素子が閉環光に照射されることを防止する。光メモリ素子の情報の記録再生時には、カートリッジの開閉部材を開けて開口部を露出させ、この開口部を通して光メモリ素子に直接、即ち光カット部材等を通さず記録／再生光を照射する。
【０１４８】
前述の如く、フォトクロミック化合物は光、特に紫外光によってフォトクロミズムを示すため、自然紫外線によって閉環反応を起こし、記録層が着色して記録部分の信号強度が低下する恐れがある。そこで、本発明では、光メモリ素子を開環体が吸収して閉環反応（着色）が起こり得る波長領域の光を実質的にカットするカートリッジに収納することにより、この閉環光による閉環反応（着色）を防止する。カートリッジが遮断する開環光の波長範囲としては好ましくは４５０ｎｍ以下であり、特に波長４２０ｎｍ以下の光をカットするカートリッジであることが望ましい。なお、本発明において、光を実質的にカットするとは、具体的には上記波長範囲の光透過率を５％以下、好ましくは１％以下に抑制することを意味する。
【０１４９】
本発明に係るカートリッジは、上述の如く、開口部とこの開口部を遮蔽する開閉部材とを有し、開閉部材を閉じた状態でその全表面において閉環光を実質的にカットするものであれば良く、その形状や構造には特に制限はなく、公知のカートリッジを用いることができる。
以下に、図４を参照して本発明に好適なカートリッジを説明する。（ａ）図は平面図、
（ｂ）図は底面図である。
【０１５０】
図４において、光メモリ素子１０はカートリッジ１２内に収納されている。カートリッジ１２は上シェル１２Ａと下シェル１２Ｂとで構成されている。上シェルには開口１３Ａが形成されており、また、下シェル１２Ｂには開口１３Ｂ，１３Ｃが設けられている。開口１３Ａ，１３Ｂは光記録用のレーザーのアクセスのための開口であり、開口１３Ｃは光メモリ素子１０のクランピングプレート１０ａに作用して、光記録媒体を保持し、回転させるためのクランパ（図示せず）を光メモリ素子１０にアクセスするための開口である。開口１３Ａ及び１３Ｂは、開口１３Ｃの中心を通る中心線上に配置され、しかも互いに対向して設けられている。
【０１５１】
カートリッジ１２は、これらの開口１３Ａ，１３Ｂ及び１３Ｃを閉じるためのシャッタ１４を備えている。このシャッタ１４は、開口１３Ａを遮蔽するためのシャッタ片１４Ａ及び開口１３Ｂと開口１３Ｃを同時に遮蔽するためのシャッタ片１４Ｂを備えている。これらのシャッタ片１４Ａ，１４Ｂは、互いに平行な状態で、それらの一端辺において、連結片によって連結されている。
【０１５２】
上下シェル１２Ａ，１２Ｂには、それぞれ浅い凹面のシャッタエリア１５Ａ，１５Ｂが形成されており、シャッタ片１４Ａ，１４Ｂがそれぞれ配置されている。これらのシャッタ片１４Ａ，１４Ｂは、シャッタエリア１５Ａ，１５Ｂ内を図４に示す開口遮蔽位置と開口から横にずれた開口開放位置の間でシャッタ全体として同時に摺動できるように構成されている。シャッタ１４は、図４に示す位置にバネによって付勢されており、不使用時には常にカートリッジ１２に形成された開口１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃを全て閉じるように構成されている。
【０１５３】
このようなカートリッジ１２及び開閉部材であるシャッタ片１４Ａ，１４Ｂとして、光メモリ素子１０の記録層に用いたジアリールエテン系化合物の開環体が吸収して閉環反応が起こり得る波長領域の光を実質的にカットする材料（以下「閉環光カット材」）で構成されていることが好ましい。
この閉環光カット材としては、閉環光を実質的にカットするものであれば良く、一般的には紫外線吸収材を含む樹脂材料や金属薄板等が挙げられる。紫外線吸収材としては、例えばベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、アリールエステル系、オキザニリド系、ヒンダードアミン系などの有機系紫外線吸収剤；Ｔｉ、Ｓｉ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｚｒなどの酸化物；カーボンブラック、炭素繊維、金属粉、金属繊維、金属フレークなどが挙げられる。なお、これらの紫外線吸収材は、樹脂材料中に混合されていても良いし、樹脂材料からなる成形体表面に積層（付着）されていても良い。
【０１５４】
本発明においては、記録を行わない時には光メモリ素子全体を閉環光から保護するよう、閉環光をカットするカートリッジに格納し、記録／再生時には開閉部材を開けて、カートリッジの開口部から素通しの状態で、光を照射して記録／再生を行う。
次に、本発明の光メモリ素子の記録／再生方法について説明する。
【０１５５】
本発明の光メモリ素子に対する記録／再生方法において使用される光源は、記録層に含まれるジアリールエテン系化合物を光異性化反応せしめる光を発するものであればよく、好ましくは、記録層に含まれるジアリールエテン系化合物の最大吸収波長の光に対し、３／２〜４倍の波長の光を発することが好ましい。
例えば、記録層に含まれる本発明のジアリールエテン系化合物の閉環光、即ち、ジアリールエテン系化合物の開環体の最大励起波長が多く存在する、波長４５０ｎｍ以下の光源が望ましい。具体的には、メタルハライドランプ、高圧及び低圧水銀ランプ、窒化ガリウム系半導体レーザー、赤外発光半導体レーザーを用いたＳＨＧレーザー、エキシマレーザ
ー、Ｎｄ：ＹＡＧ高調波レーザー（３倍波、４倍波）などが挙げられる。この中でも、構造がシンプルかつ小型で信頼性が高いこと、取り扱いの容易さなどから窒化ガリウム系半導体レーザーや赤外発光半導体レーザーを用いたＳＨＧレーザーが好適である。
【０１５６】
また、前述の多光子吸収反応、特に２光子吸収反応が起こり得る程度に強度が高いフェムト秒程度の超短パルスレーザーを使用しても良く、この場合の光源としては、ＣＷ受動モード同期色素レーザー、複合モード同期レーザー、ＣＰＭリング色素レーザー、ソリトン型受動モード同期チタンサファイアレーザー、複合共振器モード同期チタンサファイアレーザー、高速カーレンズモード同期チタンサファイアレーザー、エルビウムドープファイバーレーザーなどが挙げられる。この中でも、構造がシンプルで信頼性が高いこと、発振波長の可変範囲が広いこと、取り扱いの容易さなどからモード同期チタンサファイアレーザーやエルビウムドープファイバーレーザーが好適である。更に、この中でも、モード同期チタンサファイアレーザーの波長可変範囲は７３０〜８００ｎｍ近辺であり、本発明に係るジアリールエテン系化合物の開環体は実質的にこの範囲には吸収を持たず、記録層を多層化する場合にも好適である。
【０１５７】
特に、本発明の光メモリ素子の記録においては、このようなフェムト秒程度の超短パルスレーザーが好ましい。
また、２光子吸収によるジアリールエテン系化合物の異性体化で生成する閉環体の最大吸収波長は６００ｎｍ前後であることが多く、上記モード同期チタンサファイアレーザーの波長可変範囲である７３０〜８００ｎｍ近辺では屈折率波長依存性のピ−クに近くなることから、記録前後の屈折率変化が大きくなり好適である。
【０１５８】
本発明の光メモリ素子への記録は、基板の両面又は片面に設けた記録層に数μｍ〜数１０μｍ程度に集束した上記レーザー光を直接照射することにより行う。記録層のレーザー光の照射された部分には、１光子又は２光子吸収によるジアリールエテン系化合物の異性体化反応が起こり、記録部分の光学特性、特に吸収率や屈折率が変化する。
【０１５９】
記録された情報の再生は、上記と同様にレーザー光を照射して光学特性の変化が起きている部分と起きていない部分の吸収率や屈折率の違いを反射率や位相差として読みとることにより行う。
以下に図５を参照して前述の（ｂ）のタイプの光メモリ素子の記録層への情報の記録方法について説明する。
【０１６０】
図５は、図３に示した（ｂ）タイプの光メモリ素子の記録層への情報の記録方法を説明する模式的な断面図であり、図５においては、光メモリ素子の光導波部材のみが示されている。
図５（ａ）に示す如く、光メモリ素子の記録層８の情報を記録すべき部分に局所的に、記録系レンズ２０で集光したレーザー光（記録光）を照射して、その部分の記録層８の屈折率を変化させることによって、図５（ｂ）に示す如く、屈折率の変化した記録マーク８Ａとして情報を記録する。このように、記録層８Ａの情報を記録すべき部分にレーザー光が局所的に照射されると、その部分の吸収率や屈折率が変化して記録層８に記録マーク（記録部）８Ａが形成され、記録を行うことができる。
【０１６１】
また、記録層８を複数層設ける場合には、各記録層毎にレーザー光の焦点の深さ（焦点深度）を変えながら情報を記録することになるが、各記録層８の記録感度の立ち上がりを急激にしておくことで、レーザー光のパワーが弱いとき（即ち、焦点が合ってないとき）には各色素記録層の吸収率や屈折率が変化しないようにすることができ、これにより、記録層８を複数層設ける場合に、情報を記録したい記録層８以外の層には情報が記録されないようにすることができる。
【０１６２】
なお、記録層８への情報の記録方法は、これに限られるものではなく、波長の等しい２つの光(物体光と参照光)を干渉させて物体光の波面を干渉縞として記録層８に記録するようにしても良い。つまり、記録層８に、記録したい情報（像）を形成し得る記録光（物体光）を照射するとともに、記録層８に記録された情報を再生する際に入射される導入光（参照光）を照射することで、これらの記録光と導入光を干渉させて干渉縞を生じさせ、この干渉縞を記録層８に記録するようにしても良い。
【０１６３】
また、記録層８に記録されたホログラムに元の参照光（導入光）と同一条件の光を当てることで、干渉縞による回折現象を生じさせ、元の記録光（物体光）と同一の波面を再生することができ、これにより、記録層８に記録された情報（像）を再生できることになる。
つまり、ジアリールエテン系化合物の閉環反応により吸収率や屈折率が変化した記録マーク８Ａの情報を再生する際に、クラッド層６Ａ，６Ｂに挟み込まれたコア層７と記録層８に入射光を導入することにより、その導入光が記録マーク（記録部）８Ａで散乱しながら光メモリ素子中を伝播する。
【０１６４】
このときの散乱光が、導入光に対して上下方向（交差する方向）のそれぞれに伝播（透過）していき、最終的に光メモリ素子の両面部から外部へ放出され、記録マーク８Ａに記録された情報に応じた画像が結像するようになっている。
このような記録方法によれば、記録層８に情報を記録する際に、記録層８の全面を一度に照射して情報を記録することができるため、短時間で大きな面積に対して情報を記録できるようになり、効率的に情報記録を行なえるようになる。
【実施例】
【０１６５】
以下に、実施例および比較例を用いて、本発明をより具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
実地例１：表１化合物Ｎｏ．６９の合成［化合物（VII）の合成］
【０１６６】
【化２０】
2004277416.tif 000068
【０１６７】
３−ブロモ−２メチルベンゾチオフェン（６ｇ、２６．４ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（１００ｍL)に溶解させ−７８度まで冷却した。２．６ｍｏｌ／Ｌブチルリチウム（１１．１ｍＬ、２８．９ｍｍｏｌ）を加え、１時間撹拌した。反応混合物にペルフルオロシクロペンテン（１１．２ｇ、５２．８ｍｍｏｌ）を加え、１時間撹拌し、室温まで温度を上昇させた後、さらに１時間撹拌した。反応混合物を水にあけ、塩化メチレンで抽出した。有機層を精製水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧化に溶媒を留去した。残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、化合物（VII）を３．２８ｇ（収率３７％）得た
。
［化合物（VIII）の合成］
【０１６８】
【化２１】
2004277416.tif 000069
【０１６９】
３，５−ジブロモ−１，２−ジメチルインドール（２ｇ、６．６ｍｍｏｌ）をＴＨＦに溶解させ−７８度まで冷却した。１．５６ｍｏｌ／Ｌブチルリチウム（４．６ｍＬ、７．１ｍｍｏｌ）を加え、１時間撹拌した。反応混合物に化合物（VII）（２．４７ｇ、７．
２ｍｍｏｌ）を加え、１時間撹拌し、室温まで温度を上昇させた後、さらに８時間撹拌した。反応混合物を水にあけ、塩化メチレンで抽出した。有機層を精製水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧化に溶媒を留去した。残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、化合物（VIII）を２．２ｇ（収率５５％）得た。
［化合物（IX）の合成］
【０１７０】
【化２２】
2004277416.tif 000070
【０１７１】
４−シアノベンジルトリフェニルホスホニウムブロマイド（１０ｇ、２１．８ｍｍｏｌ）をＤＭＦ（８０ｍＬ）に懸濁させｔ−ＢｕＯＫ（２．７ｇ、２４ｍｍｏｌ）を加えた。１時間撹拌後、４−ジフェニルアミノベンズアルデヒド（６．３ｇ、２２．９ｍｍｏｌ）のＤＭＦ（２０ｍＬ）溶液を滴下した。さらに室温で２時間撹拌し、反応混合物を水にあけ塩化メチレンで抽出した。有機層を精製水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後溶媒を減圧化に留去した。残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、化合物（IX）を３．５ｇ（収率４３％）得た。
［化合物（Ｘ）の合成］
【０１７２】
【化２３】
2004277416.tif 000071
【０１７３】
化合物（IX）（２．５ｇ，６．７ｍｍｏｌ）のトルエン溶液（５０ｍＬ）を−７８度まで冷却し１．０ｍｏｌ／Ｌ−ジイソブチルアルミニウムハイドライドトルエン溶液（１４ｍＬ，１４ｍｍｏｌ）を加え、１時間撹拌し、室温まで温度を上昇させ更に４時間撹拌した。反応混合物を−１０度まで冷却し、メタノール（１０ｍＬ）を加えた後、氷水に注ぎトルエンで抽出した。有機層を精製水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減
圧下に留去した。残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、化合物（Ｘ）を１．９ｇ（収率７５％）得た。
［化合物（ＸＩ）の合成］
【０１７４】
【化２４】
2004277416.tif 000072
【０１７５】
メチルトリフェニルホスホニウムアイオダイド（５２２ｍｇ、１．２９ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（１５ｍｌ）に懸濁させ、ｔ−ＢｕＯＫ（１４５ｍｇ、１．２９ｍｍｏｌ）を加えた。１時間撹拌後、化合物（Ｘ）（５００ｍｇ、１．３３ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（５ｍＬ）溶液を加えた後室温で８時間撹拌した。反応混合物を水にあけ、塩化メチレンで抽出した。有機層を精製水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧下に留去した。残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、化合物（ＸＩ）を１７５ｍｇ（収率３５％）得た。
［化合物Ｎｏ．６９の合成］
【０１７６】
【化２５】
2004277416.tif 000073
【０１７７】
化合物（ＸＩ）（１０２．９ｍｇ、０．２７６ｍｍｏｌ）、化合物（VIII）（１００ｍｇ、０．１８４ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（８ｍｇ、０．０３６ｍｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン（２２ｍｇ、０．０７２ｍｍｏｌ）のトリエチルアミン溶液（１０ｍＬ）を窒素気流下、８時間還流させた。溶媒を減圧下に流去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに処した。ヘキサン−塩化メチレン（１／１ｖ／ｖ）で再結晶を行い、Ｎｏ．６９（７７ｍｇ，収率５０％）を得た。
No.69: yellow prisms (hexane-dichloromethane),
1H-NMR(270MHz,CD2Cl2) d 2.06(s, 3H), 2.26(s, 3H), 3.53(s, 3H), 6.90-7.72(m, 29H)MS m/z 836(M+)
λmax = 396 nm
【０１７８】
実施例２：表１化合物Ｎｏ．１０００の合成
［化合物（XII）の合成］
【０１７９】
【化２６】
2004277416.tif 000074
【０１８０】
4-メトキシフェニルボロン酸 (1.52 g, 10 mmol)、3,5-ジブロモ-2-メトキシチオフェ
ン (2.72 g, 10 mmol)、酢酸パラジウム(45 mg, 0.2 mmol)、トリフェニルホスフィン(105 mg, 0.4 mmol)、エタノール(20 mL)、トルエン(10 mL)および20％炭酸ナトリウム水溶
液(10 mL)の混合物を、窒素雰囲気下で３時間加熱還流した。反応液をセライト濾過し、
母液を酢酸エチルで抽出し、飽和食塩水で洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物（XII) (1.61 g, 収率54%)を得た。
［化合物（XIII)の合成］
【０１８１】
【化２７】
2004277416.tif 000075
【０１８２】
3-ブロモ-2-メトキシ-5-(4-メトキシフェニル)チオフェン（5 g, 16.8 mmol）のTHF溶
液(を-78度迄冷却し、1.56M-n-ブチルリチウムヘキサン溶液(11.9 mL)を滴下した。滴下
終了後、30分撹拌し、オクタフルオロシクロペンテン(10.6 g, 50.1 mmol)を一度に加え
た。-78度で1時間撹拌し、徐々に室温まで昇温後さらに2時間撹拌した。反応混合物を水
にあけ、塩化メチレンで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄した。無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し化合物（XIII) (6.81g, 収率98%)を得た。
［化合物（XIV)の合成］
【０１８３】
【化２８】
2004277416.tif 000076
【０１８４】
3,5-ジブロモ-1,2-ジメチルインドール（2.15g, 7.1 mmol）のTHF溶液(100 mL)を-78度迄冷却し、2.66M-n-ブチルリチウムヘキサン溶液(2.8 mL)を滴下した。滴下終了後、30分撹拌し、化合物(XIII) (3.22 g, 7.8 mmol)を滴下した。-78度で1時間撹拌し、徐々に室
温まで昇温後さらに2時間撹拌した。反応混合物を水にあけ、塩化メチレンで抽出し、有
機層を飽和食塩水で洗浄した。無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し化合物（XIV)(2.37 g, 収率54%)
を得た。
［化合物No.1000の合成］
【０１８５】
【化２９】
2004277416.tif 000077
【０１８６】
化合物(XI)（182 g, 0.486 mmol）、化合物(XIV)（200mg, 0.324mmol）、酢酸パラジウム（7mg, 0.032 mmol）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン（29mg, 0.096 mmol）のトリエ
チルアミン溶液(10 mL)を窒素気流下、８時間還流させた。溶媒を減圧下に留去し、シリ
カゲルカラムクロマトグラフィーに処した。ヘキサン−塩化メチレン(1/1 v/v)で再結晶
を行い、Ｎｏ．1000（174 mg, 収率39％）を得た。
No.1000: yellow prisms (hexane-dichloromethane),
1H-NMR(270MHz,CD2Cl2) d 2.17(s, 3H), 3.29(s, 3H), 3.66(s, 3H), 3.76(s, 3H), 6.82(d, 2H, J=8.9Hz), 6.90-7.18(m, 12H), 7.21-7.50(m, 16H)
MS m/z 908(M+)
λmax = 396nm
【０１８７】
実施例３：表１化合物Ｎｏ．９５０の合成
［化合物(XII)、(XIII)の合成］
【０１８８】
【化３０】
2004277416.tif 000078
【０１８９】
論文記載（M.Rehahn et al., Synthesis (1988), (5), 386-8）の方法で合成された2,5-ジメトキシテレフタロニトリル(3.0g, 10.1 mmol)の無水トルエン溶液(100mL)を-78度迄
冷却し、1.0M-DIBAL-Hトルエン溶液(30ｍL)を30分かけて滴下した。滴下後、-78度で１時間撹拌し、室温まで温度を上昇させ更に3時間撹拌した。反応混合物を-10度まで冷却し、メタノール(10 mL)を加えた後、氷水に注ぎトルエンで抽出した。有機層を精製水で洗浄
し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧下に留去した。残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、化合物（XII）（1.5ｇ,収率47％）を得た。
1H-NMR(270MHz,CD2Cl2) d 0.89(t, 6H, J=6.8Hz), 1.27-1.62(m, 12H), 1.50-1.70(m, 4H), 3.03(t, 4H, J=7.8Hz), 7.72(s, 2H), 10.35(s, 2H)
メチルトリフェニルホスホニウムアイオダイド（5.81 g, 14.4 mmol）をTHF(50mL)に懸
濁させ、t-BuOK(1.93g, 17.3 mmol)を加えた。１時間撹拌後、化合物（XII)(1.45g, 4.79mmol)のTHF（50 mL）溶液を加えた後室温で８時間撹拌した。反応混合物を水にあけ、塩
化メチレンで抽出した。有機層を精製水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を
減圧下に留去した。残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、化合物（XIII）(0.93g, 収率65%)を得た。
1H-NMR(270MHz,CD2Cl2) d 0.89(t, 6H, J=6.8Hz), 1.26-1.43(m, 12H), 1.49-1.59(m, 4H), 2.63(t, 4H, J=7.6Hz), 5.24(d, 2H, J=10.8Hz), 5.63(d, 2H, J=17Hz), 6.94(dd, 2H, J=10.8Hz, 17Hz), 7.26(s,2H)
[化合物(XIV)の合成]
【０１９０】
【化３１】
2004277416.tif 000079
【０１９１】
化合物(XIII)(500 mg, 1.67mmol)、p-ジフェニルアミノブロモベンゼン(407mg, 1.25mmol)、酢酸パラジウム(14mg, 0.062mmol)、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン(38mg, 0.125mmol)のトリエチルアミン溶液(10mL)を窒素気流下、８時間還流させた。溶媒を減圧下に流
去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに処した。ヘキサン−塩化メチレン(1/1 v/v)で再結晶を行い、化合物（XIV)(132mg, 収率19%)を得た。
［化合物No.950の合成］
【０１９２】
【化３２】
2004277416.tif 000080
【０１９３】
化合物（VIII）（101mg, 0.185 mmol）、化合物（XIV）（100mg, 0.185 mmol）、酢酸
パラジウム(4 mg、0.018mmol）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン（12 mg、0.036 mmol）
のトリエチルアミン溶液(5mL)を窒素気流下、８時間還流させた。溶媒を減圧下に流去し
、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに処した。ヘキサン−塩化メチレン(1/1 v/v)で
再結晶を行い、No. 950（71mg, 収率38%）を得た。
No.950: yellow prisms (hexane-dichloromethane),
MS m/z 1004(M+)
λmax = 390nm
【０１９４】
実施例４：表１化合物Ｎｏ．９３０の合成
［化合物（XV）の合成］
【０１９５】
【化３３】
2004277416.tif 000081
【０１９６】
4-シアノベンジルトリフェニルホスホニウムブロマイド（20 ｇ, 43.6 mmol）をＤＭＦ（180 mL）に懸濁させEtONa (2.96 g, 43.6 mmol)を加えた。１時間撹拌後、４−ジエチ
ルアミノベンズアルデヒド (7.74 g, 43.6 mmol)のDMF(20 mL)溶液を滴下した。さらに室温で36時間撹拌し、反応混合物を水にあけ塩化メチレンで抽出した。有機層を精製水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後溶媒を減圧化に留去した。残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、化合物（XV）(2.3 g, 収率19%) を得た。
［化合物（XVI）の合成］
【０１９７】
【化３４】
2004277416.tif 000082
【０１９８】
化合物（XV）(2.0 g, 0.723 mmol)のトルエン溶液(100 mL)を-78度まで冷却し1.0M-DIBAL-Hトルエン溶液（14 mL）を加え、１時間撹拌し、室温まで温度を上昇させ更に４時間
撹拌した。反応混合物を-10度まで冷却し、メタノール (10 mL)を加えた後、氷水に注ぎ
トルエンで抽出した。有機層を精製水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧下に留去した。残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、化合物（ＸVI）(1.13 g, 収率56%)を得た。
［化合物（XVII）の合成］
【０１９９】
【化３５】
2004277416.tif 000083
【０２００】
メチルトリフェニルホスホニウムアイオダイド(723 mg, 1.79 mmol)をTHF(20 mL)に懸
濁させ、1.56M-BuLi (1.15 mL)を加えた。１時間撹拌後、化合物（Ｘ）(500 mg, 1.79 mmol)のTHF(10 mL)溶液を加えた後室温で８時間撹拌した。反応混合物を水にあけ、塩化メ
チレンで抽出した。有機層を精製水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧下に留去した。残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、化合物（XVII）(138
mg, 収率28%)を得た。
［化合物No.930の合成］
【０２０１】
【化３６】
2004277416.tif 000084
【０２０２】
化合物（XVII）(76 mg, 0.276 mmol)、化合物（VIII）(100 mg, 0.184 mmol)、酢酸パ
ラジウム (8 mg, 0.037 mmol)、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン (22 mg, 0.074 mmol)の
トリエチルアミン溶液 (10 mL) を窒素気流下、８時間還流させた。溶媒を減圧下に流去
し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに処した。ヘキサン−塩化メチレン（１／１ｖ／ｖ）で再結晶を行い、No.930 (109 mg, 収率81%)を得た。
No.930: yellow prisms (hexane-dichloromethane),
1H-NMR(270MHz,CD2Cl2) d 1.21(t, 6H, J=7.0Hz), 2.11(s, 3H), 2.31(s,3H), 3.42(d, 4H, J=7.0Hz), 3.58(s, 3H), 6.70(d, 2H, J=8.6 Hz), 6.9-7.78(m, 17H)
MS m/z 740(M+)
λmax = 400 nm
【０２０３】
実施例５：表１化合物Ｎｏ．２の合成
[化合物No.2の合成]
【０２０４】
【化３７】
2004277416.tif 000085
【０２０５】
窒素気流下、酢酸パラジウム（15mg, 0.069mmol）、テトラn-ブチルアンモニウムブロ
マイド（447mg, 1.39mmol）、化合物（XVIII）（500mg, 0.694mmol）、化合物(XI)（1037mg, 2.78mmol）、炭酸カリウム（230mg, 1.67mmol）をDMF（10mL）に懸濁させ16時間還流した。反応終了後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、No. 2を得た。
MALDI-MS(m/z):1210.6
1H-NMR：2.49, 2.22(s, 6H), 6.98-7.82(m, 50H)
λmax =400 
【０２０６】
実施例６：表化合物Ｎｏ．１０５０の合成
［化合物（XX）の合成］
【０２０７】
【化３８】
2004277416.tif 000086
【０２０８】
化合物（XXI）（５．００ｇ，１４．２ｍｍｏｌ）、トリメチルシリルアセチレン（５．
０ｍｌ，３５ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（３０ｍｌ）、ヨウ化銅（Ｉ）（０．０７６
ｇ，０．４ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）（０．０９０ｇ，０．４ｍｍｏｌ）およびトリフェニルホスフィン（０．２１ｇ，０．８ｍｍｏｌ）を混合し、窒素雰囲気下で４０−５０度で３０分間攪拌した後、５時間加熱還流した。室温に冷却後、酢酸エチルを加え、濾過した。減圧濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル  １０：１〜５：１）で精製し、得られた粉末をヘキサンで洗浄して、化合物（XX）（３．６５ｇ，収率８０％）を得た。
［化合物（XXI）の合成］
【０２０９】
【化３９】
2004277416.tif 000087
【０２１０】
化合物（XX）（３．６５ｇ，１１．４ｍｍｏｌ）、水酸化カリウム（１．６８ｇ，３０ｍｍｏｌ）およびメタノール（１００ｍｌ）の混合物を２時間加熱還流した。減圧濃縮し、水を加え、トルエンで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。減圧濃縮し、得られた粉末をメタノールで洗浄して、化合物（XXI）（２．４９
ｇ，収率８８％）を得た。
［化合物１０５０の合成］
【０２１１】
【化４０】
2004277416.tif 000088
【０２１２】
化合物(XXII)（０．３６ｇ，０．５ｍｍｏｌ）、化合物(XXI)（０．３０ｇ，１．２ｍｍ
ｏｌ）、トリエチルアミン（１０ｍｌ）、ヨウ化銅（Ｉ）（０．０１９ｇ，０．１ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）（０．０２２ｇ，０．１ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（０．０５２ｇ，０．２ｍｍｏｌ）の混合物を１時間加熱還流した。室温に冷却後、水を加え、ジクロロメタンで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。減圧濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１／１）で精製し、得られた粉末をメタノールで洗浄して、化合物Ｎｏ．１０５０（０．２４ｇ，収率５０％）を得た。ＦＡＢ−ＭＳ（ｍ／ｚ）：９６３［Ｍ＋１］+
この化合物（１ｍｇ）をテトラヒドロフラン（１００ｍｌ）に溶解し、吸収スペクトルを測定したところ、４４０ｎｍに吸収極大を持ち、分子吸光係数（ε440）は８２０００
Ｍ-1ｃｍ-1であった。
【０２１３】
実施例７：２光子吸収断面積の測定
実施例１で得られた化合物Ｎｏ．６９の２光子吸収効率を調べる為に、Ｚ−ｓｃａｎ法と呼ばれる一般的な２光子吸収断面積測定方法（例えば、ＩＥＥＥ  Ｊ．Ｑｕａｎｔｕｍ
Ｅｌｅｃｔｒｏ．  Ｖｏｌ．２６，Ｎｏ．４（１９９０）  ｐ７６０−７６９を参照）を用いた。
【０２１４】
測定系の模式図を図６に示す。レーザー光源にはＴｉ：サファイアレーザー（パルス幅：１００ｆｓ、繰り返し周波数：１ｋＨｚ、レーザー波長：８００ｎｍ、レーザー出力：１０．２ｍＷ）を使用した。
この測定系を用い、標準物質ＡＦ−５０（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−７−［２−（４−ピリジニル）エテニル］−９，９−ジ−ｎ−デシルフルオレン−２−アミン）のベンゼン溶液（濃度３．３ｍＭ）を調製して２光子吸収断面積を測定すると４５．７［ＧＭ］であり、測定系としての精度は十分なものであった（１［ＧＭ］＝１×１０-50ｃｍ4ｓ ｍｏｌｅ
ｃｕｌｅ-1ｐｈｏｔｏｎ-1、標準物質ＡＦ−５０の文献値は  Ｃｈｅｍ．  Ｍａｔｅｒ．
Ｖｏｌ．１２，  Ｎｏ．１２（２０００）  ｐ２８４−２８６  を参照）。
【０２１５】
そこで、化合物Ｎｏ．６９のトルエン溶液（濃度２．５ｍＭ）を調製して同様に測定を行ったところ、２光子吸収断面積は４９．９［ＧＭ］であった。
また、同様にして、前出の化合物Ｎｏ．１０００、Ｎｏ．９５０、Ｎｏ．９３０、Ｎｏ．２及びＮｏ．１０５０についても２光子吸収断面積を測定した結果を下表にまとめて示す。
【０２１６】
【表５０】
2004277416.tif 000089
【０２１７】
比較例：
化合物Ｎｏ．６９の代わりに下図に示す構造式の比較色素のトルエン溶液（濃度９．９９ｍＭ）を用いたこと以外は実施例と同様に測定を行ったところ、２光子吸収断面積は０．８［ＧＭ］であった。
【０２１８】
【化４１】
2004277416.tif 000090
【０２１９】
実施例８：フォトクロミック反応
実施例No.69の化合物について、着色体及び消色体吸収スペクトルを図７と図８に示す
。着色状態の吸収スペクトル吸収極大は620nmであり、吸収極大位置での化合物の分子吸
光係数はε＝10840であった。又この消色反応は可逆的に行うことができた。
【図面の簡単な説明】
【０２２０】
【図１】本発明に係る光メモリ素子（タイプ（ａ））の、層構成の一例を示す模式的な断面図である。
【図２】本発明に係る光メモリ素子（タイプ（ａ））の、層構成の他の例を示す模式的な断面図である。
【図３】本発明に係る光メモリ素子（タイプ（ｂ））の、層構成の一例を示す模式的な断面図である。
【図４】本発明の光記録媒体の実施の形態を示す図であり、（ａ）図は平面図、（ｂ）図は底面図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る光メモリ素子（タイプ（ｂ））への記録方法を説明する模式的な断面図である。
【図６】本発明の実施例および比較例における、２光子吸収断面積測定系の模式図である。
【図７】本発明の実施例Ｎｏ．６９の吸収スペクトル（着色体）
【図８】本発明の実施例Ｎｏ．６９の吸収スペクトル（消色体）
【符号の説明】
【０２２１】
１  基板
２  記録層
３  反射層
４  接着剤層
５Ａ，５Ｂ  樹脂フィルム
６Ａ，６Ｂ  クラッド層
７  コア層
８  記録層
８Ａ  記録マーク
９  光導波部材
１０  光メモリ素子
１２  カートリッジ
１２Ａ  上シェル
１２Ｂ  下シェル
１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ  開口
１４  シャッタ
１４Ａ，１４Ｂ  シャッタ片
１５Ａ，１５Ｂ  シャッタエリア
２０  記録系レンズ
【図１】
2004277416.tif 000094
【図２】
2004277416.tif 000095
【図３】
2004277416.tif 000096
【図４】
2004277416.tif 000097
【図５】
2004277416.tif 000098
【図６】
2004277416.tif 000099
【図７】
2004277416.tif 000100
【図８】
2004277416.tif 000101