(57)【要約】【課題】強化処理を行うことなく高い機械的強度を有し、またアルカリ溶出量が少なく、そして線熱膨張係数がモータ部材のそれに近く、さらには高い破壊靭性を有するガラス基板及びこれに用いるガラス組成物を提供する。【解決手段】重量％で、ＳｉＯ２：４５〜７５％、Ａｌ２Ｏ３：１〜２０％、Ｂ２Ｏ３：０〜８％（ただし、ゼロを含む）、ＳｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３：６５〜９０％、Ｒ２Ｏ（Ｒ＝Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）の総量：７〜２０％の各ガラス成分を有し、Ｌｉ２Ｏ／Ｎａ２Ｏ≧１且つ０．３５＜Ｌｉ２Ｏ／（Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）≦０．８を満足する構成とした。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
重量％で、
ＳｉＯ２：４５〜７５％、
Ａｌ２Ｏ３：１〜２０％、
Ｂ２Ｏ３：０〜８％（ただし、ゼロを含む）、
ＳｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３：６５〜９０％、
Ｒ２Ｏ（Ｒ＝Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）の総量：７〜２０％、
の各ガラス成分を有し、
Ｌｉ２Ｏ／Ｎａ２Ｏ≧１
且つ
０．３５＜Ｌｉ２Ｏ／（Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）≦０．８
を満足することを特徴とするガラス組成物。
【請求項２】
重量％で、
Ｒ’Ｏ（Ｒ’＝Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ）の総量：０〜１２％（ただし、ゼロを含む）、
ＴｉＯ２＋ＺｒＯ２＋ＬｎｘＯｙ：０．５〜１５％、
（ただし、ＬｎｘＯｙはランタノイド金属酸化物及びＹ２Ｏ３，Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２Ｏ５からなる群より選ばれた少なくとも１つの化合物を意味する）
のガラス成分をさらに含有する請求項１記載のガラス組成物。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のガラス組成物を用いて作製されたことを特徴とするガラス基板。
【請求項４】
強化処理を行うことなく、比弾性率（Ｅ／ρ）が３３以上、ビッカース硬度Ｈｖが５００〜７００、アルカリ溶出量Ａが２．５インチディスク当たり３５０ｐｐｂ以下、線熱膨張係数αが６０×１０−７〜９０×１０−７／℃、破壊靭性値Ｋｃが０．８０より大きい請求項３記載のガラス基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はガラス基板及びこれに用いるガラス組成物に関し、より詳細には磁気ディスク、光磁気ディスク、ＤＶＤ、ＭＤなどの情報記録用媒体や光通信用素子などの基板として用いるガラス基板及びこれに用いるガラス組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、磁気ディスク用の基板としては、デスクトップ用ＰＣやサーバ用途としてアルミニウム基板が、そしてノートＰＣやモバイルＰＣ等の携帯、移動用途としてガラス基板が使用されている。特にガラス基板は、表面の平滑性や機械的強度が優れていることから、今後サーバ用途・情報家電などさらなる用途拡大が期待される。
【０００３】
このようなガラス基板の中で最も一般的なものとして、基板表面をアルカリイオン交換することによって圧縮歪を発生させて強化した化学強化ガラス基板が知られている。しかし化学強化ガラス基板では、煩雑なイオン交換工程が必要であり、またイオン交換後の再加工が不可能であるため製造歩留が上がりにくい。更にはイオン交換性を持たせるため基板中のアルカリイオンが移動しやすく、これにより基板表面に形成された磁気膜などを劣化させるなどの問題点があった。
【０００４】
一方、化学強化処理を行わないガラス基板にとして一般的なソーダライム基板では機械強度及び化学耐久性が不十分であった。また液晶基板などに使用されているガラス材料は−般にガラスの高温での熱安定性を維持するため無アルカリ、低アルカリ化により線膨張係数が低く抑えられており、記録装置の他の部材との線熱膨張係数との違いから整合性が取り難く、更に機械的強度が不十分であり、記録装置へ応用は不適合であった。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−１９４６６号公報（特許請求の範囲、表１〜表５）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこのような従来の問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、強化処理を行うことなく高い機械的強度を有し、またアルカリ溶出量が少なく、そして線熱膨張係数がモータ部材のそれに近く、さらには高い破壊靭性を有するガラス基板及びこれに用いるガラス組成物を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、重量％で、ＳｉＯ２：４５〜７５％、Ａｌ２Ｏ３：１〜２０％、Ｂ２Ｏ３：０〜８％（ただし、ゼロを含む）、ＳｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３：６５〜９０％、Ｒ２Ｏ（Ｒ＝Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）の総量：７〜２０％、の各ガラス成分を有し、
Ｌｉ２Ｏ／Ｎａ２Ｏ≧１
且つ
０．３５＜Ｌｉ２Ｏ／（Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）≦０．８
を満足することを特徴とするガラス組成物が提供される。なお、以下「％」は特に断りのない限り「重量％」を意味するものとする。
【０００８】
剛性の向上や線熱膨張の上昇、溶融性の改善の観点から、Ｒ’Ｏ（Ｒ’＝Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ）の総量を０〜１２％（ただし、ゼロを含む）の範囲、ＴｉＯ２＋ＺｒＯ２＋ＬｎｘＯｙを０．５〜１５％の範囲でさらに含有させてもよい。
【０００９】
また本発明によれば、前記ガラス組成物を用いて作製したことを特徴とするガラス基板が提供される。
【００１０】
ここで強化処理を行うことなく、比弾性率Ｅ／ρを３３以上、ビッカース硬度Ｈｖを５００〜７００の範囲、アルカリ溶出量Ａを３５０ｐｐｂ／２．５インチディスク以下、線熱膨張係数αを６０×１０−７〜９０×１０−７／℃、破壊靭性値Ｋｃを０．８０より大きくするのが好ましい。
【００１１】
なお、比弾性率（Ｅ／ρ）はヤング率Ｅを比重ρで割った値であって、ヤング率はＪＩＳ  Ｒ  １６０２ファインセラミックスの弾性試験方法の動的弾性率試験方法に準じて測定する。またビッカース硬度Ｈｖは、ビッカース硬度試験機を用い荷重１００ｇ、負荷時間１５ｓｅｃの条件下にて測定した値である。アルカリ溶出量Ａは、酸化セリウムで表面を研磨してＲａ値が２ｎｍ以下の平滑面とした後表面を洗浄した試料ガラスを、８０℃の純水５０ｍｌ中に２４ｈ浸漬した後、ＩＣＰ発光分光分析装置でその溶出液を分析し算出した値である。したがってアルカリ溶出量はＬｉ，Ｎａ，Ｋ溶出量の総量である。なお、試料ガラスは２．５インチディスク基板と略同一の表面積のものを用いた。線熱膨張係数αは、示差膨張測定装置を用いて、荷重：５ｇ、温度範囲：２５〜１００℃、昇温速度：５℃／ｍｉｎの条件で測定した値である。
【００１２】
また破壊靭性値Ｋｃは、ビッカース硬度試験機を用いて、荷重５００ｇ、負荷時間１５ｓｅｃの条件下にてビッカース圧子にて圧痕をつけ下記式から算出した（図２を参照）。
Ｋｃ＝０．０１８（Ｅ／ＨＶ）１／２（Ｐ／Ｃ３／２）＝０．０２６Ｅ１／２Ｐ１／２ａ／Ｃ３／２
（式中、Ｋｃ：破壊靭性値（Ｐａ・ｍ１／２）、Ｅ：弾性率（Ｐａ）、Ｈｖ：ビッカース硬度（Ｐａ）、Ｐ：押し込み荷重（Ｎ）、Ｃ：クラック長さの平均の半分（ｍ）、ａ：圧痕の対角線長さの平均の半分（ｍ））
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明者等は、強化処理を行うことなくガラス基板の剛性を大きくすると共に、線熱膨張係数を従来よりも大きくしながらアルカリ溶出量は少なくし、さらには化学的耐久性を向上させ、破壊靭性値を大きくするべく鋭意検討を重ねた。この結果、ガラスの骨格成分であるＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３の総量およびＬｉ２Ｏ−Ｎａ２Ｏ−Ｋ２Ｏからなるアルカリ金属酸化物の含有割合を特定範囲とすることにより、高い比弾性率が得られ、線熱膨張係数を高くできると同時に優れた化学的耐久性が得られることを見出し本発明をなすに至った。
【００１４】
以下、本発明に係るガラス組成物の成分についてその限定した理由について説明する。まずＳｉＯ２はガラスのマトリックスを形成する成分である。その含有量が４５％未満では、ガラスの構造が不安定となり化学的耐久性が劣化すると共に、溶融時粘性特性が悪くなり成形性に支障を来す。一方含有量が７５％を超えると、溶融性が悪くなり生産性が低下すると共に、十分な剛性が得られなくなる。そこで含有量を４５〜７５％の範囲と定めた。より好ましい範囲は５０〜７２％の範囲である。
【００１５】
Ａｌ２Ｏ３はガラスのマトリックス中に入り、ガラス構造を安定化させ、化学的耐久性を向上させる効果を奏する。含有量が１％未満では十分な安定化効果が得られない。他方２０％を超えると溶融性が悪くなり、生産性に支障を来す。そこで含有量を１〜２０％の範囲と定めた。より好ましい範囲は３〜１６％の範囲である。
【００１６】
Ｂ２Ｏ３は溶融性を改善し生産性を向上させると共に、ガラスのマトリックス中に入りガラス構造を安定化させ、化学的耐久性を向上させる効果を奏する。含有量が８％を超えると、溶融時粘性特性が悪くなり、成形性に支障を来すと共に、ガラスが不安定になる。そこで含有量を８％以下（ただしゼロを含む）の範囲と定めた。より好ましい上限値は７％であり、好ましい下限値は０．５％である。
【００１７】
ガラスの骨格成分であるこれら３つのガラス成分の総量が６５％より少ないと、ガラスの構造が脆弱となる一方、前記総量が９０％を超えると、溶融性が低下し生産性が落ちる。そこで前記総量を６５〜９０％の範囲と定めた。より好ましい範囲は６８〜８８％の範囲である。
【００１８】
アルカリ金属酸化物Ｒ２Ｏ（Ｒ＝Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）は、溶融性を改善し、線熱膨張係数を増大させる効果を奏する。アルカリ金属酸化物の総量が７％未満では溶融性の改善および線熱膨張係数の増大という効果が充分には得られない。他方、総量が２０％超えると、ガラス骨格間に分散されるアルカリ量が過剰となりアルカリ溶出量が増大し、化学的耐久性が著しく低下する。そこでアルカリ金属酸化物の総量を７〜２０％の範囲と定めた。より好ましい範囲は８〜１８％の範囲である。また、アルカリ溶出量を低減する、いわゆるアルカリ混合効果を得るためには、アルカリ金属酸化物の各成分の含有量をそれぞれ０．５％以上とするのが望ましい。
【００１９】
また、Ｌｉ２Ｏ／Ｎａ２Ｏが１以上であることも重要である。Ｌｉ２Ｏ／Ｎａ２Ｏが１未満であると十分な比弾性率が得られないからである。さらに、前記アルカリ金属酸化物Ｒ２Ｏに占めるＬｉ２Ｏの割合を０．３５〜０．８の範囲とすることも重要である。Ｌｉ２Ｏの前記割合が０．３５以下であると、十分な比弾性率が得られなくなると共に溶融性および線熱膨張係数が低下する。他方、Ｌｉ２Ｏの前記割合が０．８より大きいと、Ｌｉ２Ｏの比率が大きくなり過ぎアルカリ混合効果が得られなくなる。このためガラス構造が不安定となり、十分な強度特性や破壊靭性、化学的耐久性が得られなくなると共にガラスの溶融成形性が低下する。アルカリ金属酸化物Ｒ２Ｏに占めるＬｉ２Ｏのより好ましい割合は０．４〜０．７５の範囲である。
【００２０】
また、本発明のガラス組成物では、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯのガラス成分の１種または２種以上の特定量を必要によりさらに含有させてもよい。ＭｇＯは剛性を上げると共に溶融性を改善する効果を奏し、ＣａＯは線熱膨張係数及び剛性を上げると共に溶融性を改善する効果を奏する。またＳｒＯとＢａＯとは線熱膨張係数を大きくすると共に溶融性を改善する効果を奏する。そしてＺｎＯは化学的耐久性及び剛性を上げると共に溶融性を改善する効果を奏する。これらのガラス成分の総量は１２％以下であるのが好ましい。総量が１２％を超えるとガラス構造が不安定となり溶融性が低下すると共に化学的耐久性が低下するからである。前記総量のより好ましい上限値は１０％である。
【００２１】
さらに、本発明のガラス組成物では、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＬｎｘＯｙのガラス成分の１種または２種以上の特定量を必要によりさらに含有させてもよい。ＴｉＯ２はガラスの構造を強固にし、剛性を向上させると共に溶融性を改善する効果を奏する。またＺｒＯ２もガラスの構造を強固にし剛性を向上させると共に化学的耐久性を向上させる効果を奏する。そしてＬｎｘＯｙはガラスの構造を堅固にし剛性および靭性を向上させる効果を奏する。なお、このＬｎｘＯｙはランタノイド金属酸化物及びＹ２Ｏ３，Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２Ｏ５からなる群より選ばれた少なくとも１つの化合物を意味し、ランタノイド金属酸化物としては、Ｌｎ２Ｏ３やＬｎＯなどが種類があり、ＬｎとしてはＬａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕなどが挙げられる。ここで（ＴｉＯ２＋ＺｒＯ２＋ＬｎｘＯｙ）が０．５％未満ではガラスの構造を強固にし向上させる効果が十分には得られず、他方１５％を超えるとガラスが不安定となり、靭性が大幅に低下すると共に失透傾向が高まり生産性が著しく低下する。そこでこれらの総量を０．５〜１５％の範囲と定めた。より好ましい総量は１〜１４％の範囲である。
【００２２】
本発明のガラス組成物には、Ｓｂ２Ｏ３などの清澄剤を２％以下の範囲で添加してもよい。その他必要により従来公知のガラス成分及び添加剤を本発明の効果を害しない範囲で添加しても構わない。
【００２３】
次に本発明のガラス基板について説明する。本発明のガラス基板の大きな特徴は前記ガラス組成物を用いて製造したことにある。ガラス基板の製造方法に特に限定はなく、これまで公知の製造方法を用いることができる。例えば、各成分の原料として各々相当する酸化物、炭酸塩、硝酸塩、水酸化物等を使用し、所望の割合に秤量し、粉末で十分に混合して調合原料とする。これを例えば１，３００〜１，５５０℃に加熱された電気炉中の白金坩堝などに投入し、溶融清澄後、撹拌均質化して予め加熱された鋳型に鋳込み、徐冷してガラスブロックにする。次に、ガラス転移点付近まで再加熱し、徐冷して歪み取りを行う。そして得られたガラスブロックを円盤形状にスライスして、内周および外周を同心円としてコアドリルを用いて切り出す。あるいは溶融ガラスをプレス成形して円盤状に成形する。そして、このようにして得られた円盤状のガラス基板は、さらにその両面を粗研磨および研磨された後、水、酸、アルカリの少なくとも１つの液で洗浄されて最終的なガラス基板とされる。
【００２４】
ここで、本発明のガラス基板を例えば情報記録用媒体の基板として用いる場合に、ヘッドの浮上量や記録媒体の膜厚を小さくする観点などから、研磨工程後のガラス基板の表面粗度Ｒａを１ｎｍ以下とし、且つ洗浄工程後の表面粗度Ｒａ’を表面粗度Ｒａの１．５倍以下とするのが好ましい。アルカリ成分を多く含む、強化処理を行ったガラス基板の場合には、研磨により表面粗度Ｒａを１ｎｍ以下にすることは可能であるが、次の洗浄工程において、水や酸、アルカリで基板表面を表面洗浄したときに、化学的耐久性が低いため表面が激しく浸食される結果、洗浄工程後の表面粗度Ｒａ’が大きくなってしまう。一方、強化処理しないガラス基板では一般に、基板の表面および内部の組成が均質であるので、洗浄工程においても基板の表面粗度Ｒａ’は大きくは変化しない。このため、ガラス成分を最適化することにより洗浄工程後の表面粗度Ｒａ’を研磨工程後の表面粗度Ｒａの１．５倍以下とすることも可能となる。
【００２５】
本発明に係るガラス基板ではつぎの諸物性を満足しているのが好ましい。まず、比弾性率（Ｅ／ρ）が３３以上であるのが好ましい。強化処理を行っていないガラス基板では機械的強度は基板の剛性に依存するため、比弾性率が３３よりも小さいと、基板の機械的強度が不十分となり、ＨＤＤ搭載時に外部から衝撃を受けた際、ＨＤＤ部材との締結部分から破損しやすくなるからである。
【００２６】
ビッカース硬度Ｈｖは５００〜７００の範囲が好ましい。ビッカース硬度Ｈｖが５００よりも小さいと、衝撃による破損や製造工程内での損傷が生じやすくなる。一方、ビッカース硬度Ｈｖが７００よりも大きいと、ガラス基板の研磨加工において研磨レート低下し、所望の平滑面が得られにくくなる共に、研磨加工後のテープテクスチャー加工による表面形状の調整やテープもしくはスクラブ洗浄処理による表面欠陥修正などが困難となるからである。ビッカース硬度をこのような範囲とするには、例えば目的とする主物性を劣化させない範囲で、ガラス中のイオン充填率を高めるように成分比率を調整すればよい。ビッカース硬度Ｈｖのより好ましい下限値は５２０であり、より好ましい上限値は６８０である。
【００２７】
アルカリ溶出量Ａは２．５インチディスク当たり３５０ｐｐｂ以下が好ましい。アルカリ溶出量Ａが３５０ｐｐｂより多いと、ガラス基板を情報記録用媒体として用いた場合に、ガラス基板表面に形成される磁性膜などの記録膜が、溶出したアルカリ成分によって劣化するからである。より好ましいアルカリ溶出量Ａは３２０ｐｐｂ以下である。
【００２８】
線熱膨張係数αは６０×１０−７〜９０×１０−７／℃の範囲が好ましい。線熱膨張係数αがこの範囲から外れると、ガラス基板を用いた情報記録用媒体を取り付ける駆動部の材料の線熱膨張係数との差が大きくなって、情報記録用媒体の固定部に応力が発生し、基板の破損や基板の変形による記録位置のズレが発生し、記録の読み書きができなくなるからである。線熱膨張係数のより好ましい下限値は６２×１０−７／℃であり、より好ましい上限値は８８×１０−７／℃である。
【００２９】
破壊靭性値Ｋｃは０．８０より大きいのが好ましい。ガラス基板を情報記録用媒体として用いる場合、破壊靭性値Ｋｃが０．８０以下であると、ガラス基板表面に磁性膜などの記録膜を形成する工程において加わえられる圧力などによりガラス基板にひび割れが生じることがあるからである。また、破壊靭性値Ｋｃが０．８０以下であると、基板の機械加工において基板が損傷を受けやすくなり、加工歩留まりが大きく低下する。破壊靭性値Ｋｃのより好ましい下限値は０．８５である。
【００３０】
本発明のガラス基板は、その大きさに限定はなく３．５，２．５，１．８インチ、あるいはそれ以下の小径ディスクとすることもでき、またその厚さは２ｍｍや１ｍｍ、０．６３ｍｍ、あるいはそれ以下といった薄型とすることもできる。
【００３１】
次に、本発明のガラス基板を用いた情報記録用媒体について説明する。情報記録用媒体の基板として本発明のガラス基板を用いると、耐久性および高記録密度が実現される。以下、図面に基づき情報記録用媒体について説明する。
【００３２】
図１は磁気ディスクの斜視図である。この磁気ディスクＤは、円形のガラス基板１の表面に磁性膜２を直接形成したものである。磁性膜２の形成方法としては従来公知の方法を用いることができ、例えば磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂を基板上にスピンコートして形成する方法や、スパッタリング、無電解めっきにより形成する方法が挙げられる。スピンコート法での膜厚は約０．３〜１．２μｍ程度、スパッタリング法での膜厚は０．０４〜０．０８μｍ程度、無電解めっき法での膜厚は０．０５〜０．１μｍ程度であり、薄膜化および高密度化の観点からはスパッタリング法および無電解めっき法による膜形成が好ましい。
【００３３】
磁性膜に用いる磁性材料としては、特に限定はなく従来公知のものが使用できるが、高い保持力を得るために結晶異方性の高いＣｏを基本とし、残留磁束密度を調整する目的でＮｉやＣｒを加えたＣｏ系合金などが好適である。具体的には、Ｃｏを主成分とするＣｏＰｔ、ＣｏＣｒ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＮｉＰｔや、ＣｏＮｉＣｒＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＳｉＯなどが挙げられる。磁性膜は、非磁性膜（例えば、Ｃｒ、ＣｒＭｏ、ＣｒＶなど）で分割しノイズの低減を図った多層構成（例えば、ＣｏＰｔＣｒ／ＣｒＭｏ／ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒＰｔＴａ／ＣｒＭｏ／ＣｏＣｒＰｔＴａなど）としてもよい。上記の磁性材料の他、フェライト系、鉄−希土類系や、ＳｉＯ２、ＢＮなどからなる非磁性膜中にＦｅ、Ｃｏ、ＦｅＣｏ、ＣｏＮｉＰｔ等の磁性粒子を分散された構造のグラニュラーなどであってもよい。また、磁性膜は、内面型および垂直型のいずれの記録形式であってもよい。
【００３４】
また、磁気ヘッドの滑りをよくするために磁性膜の表面に潤滑剤を薄くコーティングしてもよい。潤滑剤としては、例えば液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテル（ＰＦＰＥ）をフレオン系などの溶媒で希釈したものが挙げられる。
【００３５】
さらに必要により下地層や保護層を設けてもよい。磁気ディスクにおける下地層は磁性膜に応じて選択される。下地層の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａｌ、Ｎｉなどの非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられる。Ｃｏを主成分とする磁性膜の場合には、磁気特性向上等の観点からＣｒ単体やＣｒ合金であることが好ましい。また、下地層は単層とは限らず、同一又は異種の層を積層した複数層構造としても構わない。例えば、Ｃｒ／Ｃｒ、Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ｃｒ／ＣｒＶ、ＮｉＡｌ／Ｃｒ、ＮｉＡｌ／ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ／ＣｒＶ等の多層下地層としてもよい。
【００３６】
磁性膜の摩耗や腐食を防止する保護層としては、例えば、Ｃｒ層、Ｃｒ合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ジルコニア層、シリカ層などが挙げられる。これらの保護層は、下地層、磁性膜など共にインライン型スパッタ装置で連続して形成できる。また、これらの保護層は、単層としてもよく、あるいは、同一又は異種の層からなる多層構成としてもよい。なお、上記保護層上に、あるいは上記保護層に替えて、他の保護層を形成してもよい。例えば、上記保護層に替えて、Ｃｒ層の上にテトラアルコキシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、さらに焼成して酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層を形成してもよい。
【００３７】
以上、情報記録用媒体の一実施態様として磁気ディスクについて説明したが、情報記録用媒体はこれに限定されるものではなく、光磁気ディスクや光ディスクなどにも本発明のガラス基板を用いることができる。
【００３８】
また、本発明のガラス基板は光通信用素子にも好適に使用できる。本発明のガラス基板では、アルカリ溶出量が２．５インチディスク当たり３５０ｐｐｂ以下と少なく、基板から溶出したアルカリ成分によって基板上の膜が劣化することがない。また、従来のガラス基板に比べて線熱膨張係数が６０×１０−７〜９０×１０−７／℃の範囲と大きいので、蒸着工程で加熱されたガラス基板が冷却されて縮む量が大きくなり、このガラス基板の収縮により基板表面に形成された膜が圧縮されてその密度が大きくなる。この結果、温度・湿度の変化による波長シフトが抑制される。
【００３９】
以下、波長多重分割（「ＤＷＤＭ」；Ｄｅｎｓｅ  Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ）用の光フィルタを例に本発明のガラス基板を用いた光通信用素子について説明する。誘電体多層膜を用いた光フィルタは高屈折率層と低屈折率層とを有し、これらの層を積層した構造を有している。これらの層を形成する方法としては、特に限定はなく従来公知の方法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト法などを用いることができる。この中でも生産性が高いことから真空蒸着法が推奨される。真空蒸着は、真空中で蒸着材料を加熱し、発生した蒸気を基体上に凝縮・付着させて薄膜を形成する方法である。蒸着材料の加熱方法には、抵抗加熱、外熱ルツボ、電子ビーム、高周波、レーザーなどの各種方法がある。具体的な蒸着条件として、真空度は１×１０−３〜５×１０−３Ｐａ程度である。蒸着中は真空度が一定となるように電磁弁を制御して導入酸素量を調整する。そして層厚モニターにより所定層厚となったところでシャターを閉じて蒸着を終了する。
【００４０】
各膜厚としては特に限定はないが、光学的膜厚が波長の１／４とするのが基本であって、一般的に１μｍ程度までである。また、総層数は一般的に１００層を超える。用いる膜材料としては例えば、誘電体や半導体、金属であって、この中でも誘電体が特に好ましい。
【００４１】
以上、本発明のガラス基板を用いた光通信用素子の一実施態様としてＤＷＤＭ用の光フィルタについて説明したが、光通信用素子はこれに限定されるものではなく、本発明のガラス基板は光スイッチ、合分波素子などの光通信用素子にも使用できる。
【００４２】
【実施例】
実施例１〜３７，比較例１，２
定められた量の原料粉末を白金るつぼに秤量して入れ、混合したのち、電気炉中で１，５５０℃で溶解した。原料が充分に溶解したのち、撹拌羽をガラス融液に挿入し、約１時間撹拌した。その後、撹拌羽を取り出し、３０分間静置したのち、治具に融液を流しこむことによってガラスブロックを得た。その後各ガラスのガラス転移点付近までガラスブロックを再加熱し、徐冷して歪取りを行った。得られたガラスブロックを約１．５ｍｍの厚さ、２．５インチの円盤形状にスライスし、内周，外周を同心円としてカッターを用いて切り出した。そして、両面を粗研磨及び研磨、洗浄を行って実施例及び比較例のガラス基板を作製した。作製したガラス基板について下記物性評価を行った。結果を合わせて表１〜表４に示す。
【００４３】
（比弾性率Ｅ／ρ）
ヤング率Ｅを「ＪＩＳ  Ｒ  １６０２」ファインセラミックスの弾性試験方法の動的弾性率試験方法に準じて測定し、これをアルキメデス法により２５℃の蒸留水中にて測定した比重値で割って比弾性率を算出した。
【００４４】
（ビッカース硬度Ｈｖ）
ビッカース硬度試験機を用い荷重１００ｇ、負荷時間１５ｓｅｃの条件下にて測定した。
【００４５】
（アルカリ溶出量Ａ）
ガラス基板の表面を酸化セリウムで研磨してＲａ値が２ｎｍ以下の平滑面とした後、表面を洗浄し、８０℃の純水５０ｍｌ中に２４ｈ浸漬した後、ＩＣＰ発光分光分析装置でその溶出液を分析し算出した。
【００４６】
（線熱膨張係数α）
示差膨張測定装置を用いて、荷重：５ｇ、温度範囲：２５〜１００℃、昇温速度：５℃／ｍｉｎの条件で測定した。
【００４７】
（破壊靭性値Ｋｃ）
ビッカース硬度試験機を用い、荷重５００ｇ、負荷時間１５ｓｅｃの条件下にてビッカース圧子にて圧痕をつけ前記式から算出した。
【００４８】
【表１】
2004277232.tif 000002
【００４９】
【表２】
2004277232.tif 000003
【００５０】
【表３】
2004277232.tif 000004
【００５１】
【表４】
2004277232.tif 000005
【００５２】
表１〜表４によれば、実施例１〜３７のガラス基板では比弾性率が３３以上と従来のガラス基板に比べ大きい値となった。またビッカース硬度は５５５〜５８１の範囲と適度な表面硬度を有していた。さらに、アルカリ溶出量は３１７ｐｐｂ以下と従来のガラス基板に比べ少なかった。そしてまた、線熱膨張係数は６４．１〜７３．５×１０−７／℃の範囲とＨＤＤの部材と近い値であった。また破壊靭性値は０．９９以上といずれも実用上まったく問題のないレベルであった。
【００５３】
一方、表４によれば、比較例１のガラス基板では、Ｌｉ２Ｏ／Ｎａ２Ｏが０．１３と小さかったため十分な比弾性率が得られなかった。また、アルカリ金属酸化物Ｒ２Ｏに占めるＬｉ２Ｏの割合が０．８６と高い比較例２のガラス基板では、いわゆるアルカリ混合効果が得られずアルカリ溶出量が５２２ｐｐｂと高い値を示した。
【００５４】
【発明の効果】
本発明のガラス組成物及びガラス基板では、ガラス組成構成比率、特にＳｉＯ２−Ａｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３からなる骨格成分の総量、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏからなるアルカリ金属酸化物成分の総量及びその構成比率を最適化したので、強化処理を行うことなく高い剛性が得られ、また適度な表面硬度を有し基板表面の傷を防止すると共に研磨などの表面加工が容易で、しかもアルカリ成分の溶出が少ない。またこのアルカリ溶出量が少ないことにより、ガラス基板上に形成される磁性膜などを劣化させにくいという効果が得られる。さらに従来に比べ線熱膨張係数が高くＨＤＤの部材のそれに近くなり、記録装置への取付け時や情報記録時に不具合が生じることがない。そしたまた破壊靭性値が高いので情報記録用基板の製造時などに基板が破損することがない。
【００５５】
また本発明に係るガラス基板を情報記録用媒体に使用すると、表面処理が容易で、製造工程中において破損することがなく、耐久性に優れ、高い記録密度が得られる。また高い比弾性率を有するので、高速回転したときの回転安定性が高い。
【００５６】
本発明に係るガラス基板を光通信用素子に使用すると、経時変化が少なく、温度・湿度の変化による波長シフトを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のガラス基板を用いた情報記録用媒体の一例を示す斜視図である。
【図２】ビッカース圧子で押圧したときにできるガラス基板表面の圧痕とクラックの模式図である。
【符号の説明】
１  ガラス基板
２  磁性膜
Ｄ  磁気ディスク
【図１】
2004277232.tif 000006
【図２】
2004277232.tif 000007