(57)【要約】【課題】導電体―金属抵抗間のコンタクト抵抗値を制御することができ、かつ導電体配線の形成が容易である抵抗回路の製造方法を提供する。【解決手段】ＳｉＯＮ膜１４ｐの凹部にリフトオフを用いて薄膜金属抵抗１６を形成した後、ウェハ全面にＳｉＯＮの保護膜１８ｄを形成する。保護膜１８ｄ上に順次第１レジスト２０ｄ、中間絶縁膜２２ｄ、第２レジスト２４ｄを堆積する。第２レジスト２４ｄに対するフォトリソグラフィー、中間絶縁膜２２ｄ及び第１レジスト２０ｄに対するリアクティブイオンエッチング、保護膜１８ｄに対するウエットエッチングを順次行うことにより薄膜金属抵抗１６をプラズマに晒すことなく保護膜１８ｄにコンタクトホールを形成する。金属電極材料を成膜した後、中間絶縁膜２２ｐ及び第１レジスト２０ｐに形成されたコンタクトパターンを用いたリフトオフにより金属電極を加工する。【選択図】  図１
2004253654.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜金属抵抗を形成する第１の工程と、
前記薄膜金属抵抗の表面を覆う無機絶縁体の保護膜を形成する第２の工程と、
前記保護膜上に耐ウエットエッチング膜を形成する第３の工程と、
前記耐ウエットエッチング膜にエッチングを施し、前記保護膜を貫通するコンタクトホールのパターンを形成する第４の工程と、
第４の工程で形成されたパターンを介して前記保護膜をウエットエッチングし、前記保護膜を貫通するコンタクトホールを形成する第５の工程と、
前記コンタクトホールを介して前記薄膜金属抵抗と電気的に接触する金属電極を形成する第６の工程を含む
ことを特徴とする抵抗回路の製造方法。
【請求項２】
前記保護膜の厚さが３０ｎｍ以上である
ことを特徴とする請求項１に記載の抵抗回路の製造方法。
【請求項３】
第３の工程において、前記保護膜上に耐ウエットエッチング性の第１レジスト、中間絶縁膜、第２レジストを順次形成し、
第４の工程において、前記第２レジストに対するパターンニング、前記中間絶縁膜に対するエッチング、耐ウエットエッチング性の前記第１レジストに対するエッチングを順次施す
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の抵抗回路の製造方法。
【請求項４】
前記第２レジストがフォトリソグラフィーによってパターンニングされ、
前記第１レジストに対するエッチングがリアクティブイオンエッチングである
ことを特徴とする請求項３に記載の抵抗回路の製造方法。
【請求項５】
前記薄膜金属抵抗がシリサイド化合物である
ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の抵抗回路の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路における抵抗回路の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路（ＩＣ）に薄膜金属抵抗を形成し、当該薄膜金属抵抗に導電線を電気的に接続させる工程において従来からリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）が用いられていた。Ａｕを配線材料とするＩＣにおける抵抗回路の製造方法の従来例では、薄膜金属抵抗が埋め込まれた絶縁層にＲＩＥによりコンタクトホールを形成し、リフトオフによりコンタクトホールを介して薄膜金属抵抗と電気的に接触する引き出し電極を形成していた。
【０００３】
この方法では、ＲＩＥを施す際、高エネルギー化したイオンが衝突することにより薄膜金属抵抗の表面が変質し、電極との間のコンタクト抵抗値を制御できなくなるという問題点があった。特に酸素プラズマを用いた場合には薄膜金属抵抗の表面が酸化してしまう。また金属抵抗の材料としてＮｉＣｒＳｉ等の珪素化合物を用いた場合には、金属抵抗中のＳｉとプラズマ中のフッ素が容易に結合し、金属抵抗からＳｉが引き抜かれる結果、表面の変質は顕著になる。
【０００４】
ＲＩＥのプロセス時間をコンタクトホールの形成と同時に終了するように設定して、薄膜金属抵抗の表面がプラズマに晒される時間を減少させる方法も考えられる。しかし、薄膜金属抵抗の表面がプラズマに晒される時間を減少させた場合には、ウェハ面における反応の不均一のために一部のコンタクトホールの深度が不十分になってしまう。したがって、ＲＩＥのプロセス時間は、コンタクトホールの貫通に要する時間よりも２０〜３０％長い時間に設定する必要がある。
【０００５】
特許文献１に開示された抵抗回路の製造方法は、ウエットエッチングを施したＡｌ膜上に金属抵抗膜を形成した上で、ドライエッチングによりＡｌ膜及び金属抵抗膜を加工し、Ａｌ配線を形成するものである。この方法によれば、Ａｌ膜形成工程と金属抵抗膜形成工程との間においてＲＩＥを施す工程が介在するのを回避することができ、導電体―金属抵抗間のコンタクト抵抗値を制御することができる。
【０００６】
特許文献２に開示された抵抗回路の製造方法は、金属抵抗として機能するＣｒＳｉＮ膜上の耐酸化膜をウエットエッチングにより除去した後、ＣｒＳｉＮ膜上に直接Ａｌ膜を形成し、Ａｌ膜をパターンニングしてＡｌ配線を形成するものである。この方法によっても、金属抵抗膜形成工程とＡｌ膜形成工程との間においてＲＩＥを施す工程が介在するのを回避することができる。
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−２３１８９１号公報
【０００８】
【特許文献２】特開平０７―２４５３０３号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１及び２の抵抗回路の製造方法では、導電体配線と薄膜金属抵抗とが直接接触した状態で回路が形成されるため導電体配線のパターンニングが困難であるという問題点がある。特に、リフトオフによらなければパターンニングが困難であるＡｕが配線材料として用いられる場合には、特許文献１及び２の抵抗回路の製造方法を適用することができない。
【００１０】
図２Ｃ、Ｆに示されるように、薄膜金属抵抗が絶縁層内に埋め込まれ、絶縁層上に露出した電極がコンタクトホールを介して薄膜金属抵抗と電気的に接触している形状が好適である。この形状によれば、絶縁層上に所望のパターンの導電体配線を形成するのが容易である。
【００１１】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、導電体―金属抵抗間のコンタクト抵抗値を制御することができ、かつ導電体配線の形成が容易である抵抗回路の製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の抵抗回路の製造方法は、薄膜金属抵抗を形成する第１の工程と、薄膜金属抵抗の表面を覆う無機絶縁体の保護膜を形成する第２の工程と、保護膜上に耐ウエットエッチング膜を形成する第３の工程と、耐ウエットエッチング膜にエッチングを施し、保護膜を貫通するコンタクトホールのパターンを形成する第４の工程と、第４の工程で形成された溝を介して保護膜をウエットエッチングし、保護膜を貫通するコンタクトホールを形成する第５の工程と、コンタクトホールを介して薄膜金属抵抗と電気的に接触する金属電極を形成する第６の工程を含むことを特徴とする。
【００１３】
リフトオフにより金属電極（例えば、Ａｕ電極）を形成する必要がある場合、薄膜金属抵抗上の耐ウエットエッチング膜が厚くなることがある。このような場合に耐ウエットエッチング膜にコンタクトホールのパターンを形成するためのエッチングとしては、リアクティブイオンエッチングなど異方性が高く、エッチング効率の良い方法が好適である。薄膜金属抵抗上の耐ウエットエッチング膜にこのようなエッチングを施しても、保護膜が薄膜金属抵抗の表面の変質を防ぐ。特に、薄膜金属抵抗がプラズマに晒されるのを防ぐことができる。
【００１４】
耐ウエットエッチング膜をエッチングした後、保護膜にウエットエッチングを施すことにより薄膜金属抵抗の表面をプラズマにより変質させることなく、薄膜金属抵抗を露出させることができる。また、耐ウエットエッチング膜をアッシングする際に導入されるプラズマからも薄膜金属抵抗が保護される。保護膜は無機絶縁膜であるので、除去せずにこれを薄膜金属抵抗―金属配線間の絶縁層として残すことができる。そのため、金属電極―薄膜金属抵抗間のコンタクト抵抗値を制御することができる。また、本発明によれば金属電極が保護膜のコンタクトホールを介して薄膜金属抵抗と電気的に接触する形状のＩＣが形成されるので、保護膜上に容易に導電体配線を形成することができる。
【００１５】
本発明の抵抗回路の製造方法は、第６の工程において、耐ウエットエッチング膜に形成されたパターンを用いたリフトオフにより金属電極を形成することが好適である。
【００１６】
保護膜にコンタクトホールを貫通させるためのウエットエッチングを施しても、コンタクトホールのパターンが形成された耐ウエットエッチング膜が残留する。残留した耐ウエットエッチング膜を利用したリフトオフにより金属電極を形成することができる。
【００１７】
本発明の抵抗回路の製造方法は、保護膜の厚さが３０ｎｍ以上であることが好適である。
【００１８】
保護膜が薄すぎると、薄膜金属抵抗の表面において耐ウエットエッチング膜のエッチングから保護されない部分が生じてしまうおそれがある。保護膜の厚さを３０ｎｍ以上とすることによりかかるおそれを回避することができる。
【００１９】
本発明の抵抗回路の製造方法は、第３の工程において、保護膜上に耐ウエットエッチング性の第１レジスト、中間絶縁膜、第２レジストを順次形成し、第４の工程において、第２レジストに対するパターンニング、中間絶縁膜に対するエッチング、耐ウエットエッチング性の第１レジストに対するエッチングを順次施すことが好適である。
【００２０】
中間絶縁膜と第１レジストとの間でアンダーカットを形成することができる。そのため、金属電極材料を堆積させたとき中間絶縁膜及び第１レジストの側面に金属電極材料が付着しにくく、リフトオフによる金属電極材料の形成が容易になる。
【００２１】
本発明の抵抗回路の製造方法は、第２レジストがフォトリソグラフィーによってパターンニングされ、第１レジストに対するエッチングがリアクティブイオンエッチングであることが好適である。
【００２２】
フォトリソグラフィーにより第２レジストに形成されたパターンを利用して、第１レジスト及び中間絶縁膜にリアクティブイオンエッチングを施すことができる。さらに中間絶縁膜に形成されたパターンを利用して、第１レジストにリアクティブイオンエッチングを施すことができる。
【００２３】
本発明の抵抗回路の製造方法は、薄膜金属抵抗がシリサイド化合物であることが好適である。
【００２４】
シリサイド化合物を材料にすることにより大きなシート抵抗を得ることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の抵抗回路の製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、同一要素には同一符号を用いるものとし、重複する説明は省略する。
【００２６】
図１及び２は、本実施形態の抵抗回路の製造方法に含まれる製造工程を示す図である。図１Ａ−Ｃ及び図２Ａ−Ｃはウェハ（一部）を平面に見た図であり、図１Ｄ−Ｆ及び図２Ｄ−Ｆはそれぞれ図１Ａ−Ｃ及び図２Ａ−Ｃに示すウェハの断面図である。
【００２７】
図１Ａ、Ｄに示すように、ＩｎＰ基板１２上に厚さ５００ｎｍのＳｉＯＮ膜１４ｄ（ＳｉＯＮ膜１４ｐがエッチングされる前の状態）を形成する。ＩｎＰ基板１２上にはヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）や高移動度電子トランジスタ（ＨＥＭＴ）などの能動素子を形成しておくことができる。本発明の製造方法に従って製造する薄膜金属抵抗は、これらの能動素子を用いたＩＣ中の抵抗素子に適用することができる。
【００２８】
ＳｉＯＮ膜１４ｄに薄膜金属抵抗の形状に応じた凹部を形成する。薄膜金属抵抗の所望の抵抗値は、薄膜金属抵抗の縦横比（アスペクト比）と厚さで決定される。凹部の縦横比及び深さは、形成される薄膜金属抵抗が所望の抵抗値を実現する縦横比（アスペクト比）と厚さになるように設定される。
【００２９】
具体的には、ＳｉＯＮ膜１４ｄにレジストをスピン塗布し、レジストに設定された縦横比のパターンを形成した後、設定された深さのエッチングを行う。エッチングは、ＣＦ４、ＳＦ６などのフッ素を含有するガスを用いたＲＩＥによることができる。エッチング深度は、例えば薄膜金属抵抗の所望の厚さが５０ｎｍである場合には、その１００％増しの値である１００ｎｍで十分である。エッチング深度の調整は、予めＳｉＯＮ膜に対するエッチング速度を測定しておき、このエッチング速度及びエッチング深度に基づきエッチング時間を決定することにより行う。
【００３０】
凹部を有するＳｉＯＮ膜１４ｐが形成された後、レジストを残したままのＳｉＯＮ膜１４ｐ全面に厚さ５０ｎｍのＮｉＣｒＳｉの金属抵抗膜を形成する。
【００３１】
次いで、レジストを溶剤で除去することにより、金属抵抗膜のうちレジスト上に形成された部分を除去し、薄膜金属抵抗１６を得る。ところで、シリサイド系の材料は融点が高く、蒸気圧が低いことから蒸着で形成することは難しくスパッタリングを用いるのが一般的である。スパッタリングでは、スパッタされた原子、分子、クラスターの集束性が悪くレジストパターンの側壁にも原子が付着し、金属抵抗膜中で凹部に形成された箇所とレジスト上に形成された箇所とが物理的に分離せず、リフトオフが不可能となる事態が生じることがある。しかし、本発明の対象である薄膜金属抵抗は厚さが数十ｎｍに過ぎないのでレジストパターンの側壁に付着する原子の量が限られる。そのため、リフトオフが不可能になることはない。
【００３２】
リフトオフ後アッシングにより残留レジストを除去する場合もあるが、薄膜金属抵抗１６表面の変質を避けるために、保護膜形成前のアッシングは行わないのが好適である。アッシングではＲＩＥと比してプラズマ中のイオンのエネルギーが低いので薄膜金属抵抗１６表面に与える影響は大きくない。しかし、特に薄膜金属抵抗１６表面の酸化を避けるという観点からアッシングは行わない方がよい。
【００３３】
図１Ｂ、Ｅに示すように、薄膜金属抵抗１６を形成した後、ウェハ全面に厚さ５０ｎｍの無機絶縁膜であるＳｉＯＮ膜（保護膜１８ｄ）を堆積する。本工程で堆積するＳｉＯＮ膜（保護膜１８ｄ）は薄膜金属抵抗１６の表面を保護するためのものであり、その厚さは保護に十分なものに設定すればよい。具体的には３０ｎｍ以上であるのが好ましい。３０ｎｍ以下では堆積した膜が一部縞状になることがあり、薄膜金属抵抗１６の表面が確実に保護されない可能性がある。また、厚さの最大値は次工程で形成する金属電極の厚さと関係する。金属電極と金属配線との接触を容易にするために保護膜は金属電極よりも薄いことが望ましいが、単層レジストによる簡易なリフトオフを実現するという観点からは金属電極と略同一の厚さであるのが望ましい。
【００３４】
図１Ｃ、Ｆに示すように、保護膜１８ｐ上に順次第１レジスト２０ｄ、中間絶縁膜２２ｄ、第２レジスト２４ｄ（それぞれ第１レジスト２０ｐ、中間絶縁膜２２ｐ、第２レジスト２４ｐにフォトリソグラフィー又はエッチングがなされる前の状態）を堆積する。具体的には、通常のスピンコート法により厚さ１６００ｎｍの第１レジスト２０ｄを塗布する。レジストの粘性は小さいので、スピンコートにより第１レジスト２０ｄの表面はウェハ全面において一様に平坦になる。第１レジスト２０ｄは、保護膜１８ｄの平坦面から７００ｎｍ突出したヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）上に位置する９００ｎｍの厚さの引き出し電極を形成するのに用いられるレジストが兼用されたものである。
【００３５】
第１レジスト２０ｄ上に厚さ１５０ｎｍの中間絶縁膜２２ｄを堆積する。中間絶縁膜２２ｄとしては、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮなどを用いることができる。成膜方法としては、ウェハを加熱しない方法、例えばスパッタリング又は蒸着が好ましい。ウェハを加熱した場合には、第１レジスト２０ｄが熱変形し、第１レジスト２０ｄの除去が困難になるおそれがある。
【００３６】
中間絶縁膜２２ｄ上に通常のスピンコート法により第２レジスト２４ｄを塗布する。
【００３７】
第２レジスト２４ｐにフォトリソグラフィーにより金属電極のパターン（コンタクトパターン）、すなわち保護膜１８ｄを貫通するコンタクトホールのパターンを形成する。第１レジスト２０ｄは中間絶縁膜２２ｄと密着しているので、露光用光源からの光が第１レジスト２０ｄに到達したとしても現像液が第１レジスト２０ｄに浸出することはなく現像されない。
【００３８】
コンタクトパターンが形成された第２レジスト２４ｐを介して中間絶縁膜２２ｄにＲＩＥを施す。中間絶縁膜２２ｄがＳｉを含有する場合には、フッ素を含有するガスを用いることで容易にエッチングすることができる。また、ＲＩＥによればウェハを加熱することなくエッチングすることができるので、第１レジスト２０ｄの熱変形を避けることができる。
【００３９】
上記の工程によりコンタクトパターンが形成された中間絶縁膜２２ｐを介して第１レジスト２０ｄに酸素系ガスを反応ガスに用いたエッチングを施す。酸素系ガスを用いた気相エッチングとしてはＲＩＥ、プラズマエッチング、アッシングが想定される。この順にプラズマのエネルギーが低くなり、イオンの指向性が弱くなる。すなわち、アッシング、プラズマエッチング、ＲＩＥの順にウエットエッチングの加工形状（等方的な加工）に近くなる。本工程においてはＲＩＥを用いることが好適である。他の方法によると反応が等方的に進むため第１レジスト２０ｐが大きくサイドエッチングされ、中間絶縁膜２２ｐのパターンが第１レジスト２０ｄに形成されるパターンに適切に反映されなくなってしまう。ＲＩＥは指向性が強いので、第１レジスト２０ｄのサイドエッチング量を適切なものにすることができる。
【００４０】
本工程においてＲＩＥにより第１レジスト２０ｄを貫通する際、保護膜を介在させない従来の方法では薄膜金属抵抗の表面が酸素プラズマに晒されてしまっていた。しかし、本実施形態では薄膜金属抵抗１６の表面は保護膜１８ｄで覆われているため酸素プラズマに晒されることがない。
【００４１】
図２Ａ、Ｄに示すように、上記の工程によりパターンが形成された第１レジスト２０ｐを介して保護膜１８ｄにウエットエッチングを施す。保護膜１８ｄの厚さは５０ｎｍであるためウエットエッチングによるサイドエッチング量は僅かであり、第１レジストのパターンが忠実に保護膜１８ｄの開口部パターンに反映されることになる。
【００４２】
上記の一連の工程により第２レジスト２４ｐ、中間絶縁膜２２ｐ、第１レジスト２０ｐ、保護膜１８ｐにパターンが形成された状態で、多層金属膜を堆積する。多層金属膜はＴｉ膜（５０ｎｍ）、Ｐｔ膜（５０ｎｍ）、Ａｕ膜（５００ｎｍ）の順に堆積される。多層金属膜全体の厚さは保護膜１８ｐの厚さ５０ｎｍより厚くなっているが、第１レジスト２０ｐ及び中間絶縁膜２２ｐが介在するので、次工程で中間絶縁膜２２ｐ上の多層金属膜をリフトオフにより除去することができる。中間絶縁膜２２ｐ及び第１レジスト２０ｐを用いない通常のレジスト単層のみのリフトオフにおいては、堆積した金属膜が保護膜よりも厚い場合にはレジスト側面に付着した金属と薄膜金属抵抗の露出面上に堆積した金属とが物理的に結合しやすくリフトオフによる不要部分の除去が困難になる。本実施形態では、第１レジスト２０ｐが１６００ｎｍと厚い上、中間絶縁膜２２ｐによるひさし形状が形成されるため、中間絶縁膜２２ｐの側壁に付着した金属と薄膜金属抵抗の露出面上に堆積した金属とが物理的に離間した状態で多層金属膜が形成される。
【００４３】
図２Ｂ、Ｅに示すように、第１レジスト２０ｐを除去することにより、多層金属膜のうち中間絶縁膜２２ｐ上に形成された部分をリフトオフ除去する。このようにして、ウェハ全面に形成されたＳｉＯＮの保護膜１８ｐから金属電極２６が突出した形状の集積素子を得ることができる。
【００４４】
次に、図２Ｃ、Ｆに示すように、金属電極２６に電気的に接触する金属配線２８を形成する。金属配線２８の形成方法としては、例えば再度下層レジスト、中間絶縁膜、上層レジストで構成される多層レジストを形成し、多層レジストに配線パターンを形成した後、金属膜を堆積してリフトオフにより金属配線のみをウェハに残す方法を用いることができる。あるいは、ウェハ全面に金属膜を形成した後、配線パターンを単層レジストで形成し、不要部をイオンミリング又はＲＩＥで除去する方法を用いることもできる。配線材料が金系の場合にはイオンミリングが好適であり、Ａｌ又はＣｕ系の場合にはＲＩＥが好適である。
【００４５】
次に、本実施形態の抵抗回路の製造方法により得られる効果を説明する。保護膜１８ｄを形成する工程を含むことにより薄膜金属抵抗１６がプラズマガスに晒されるのを防ぐことができる。また、保護膜１８ｄが５０ｎｍと薄いのでウエットエッチングによりコンタクトホールを形成しても、薄膜金属抵抗１６の露出部分の形状を意図されたパターンにすることができる。そのため、金属電極２６―薄膜金属抵抗１６間のコンタクト抵抗値を制御することができる。特に、薄膜金属抵抗の表面がプラズマに晒される回数が２回あった従来の製造方法ではコンタクト抵抗率が４０ｍｍΩ・ｍｍ程度に上昇していたのを、本実施形態の方法により１０ｍｍΩ・ｍｍにまで低減することができた。また、保護膜１８ｐが薄膜金属抵抗１６と上層部とを絶縁し、金属電極２６が保護膜１８ｐから突出するので、保護膜１８ｐ上に金属配線２８を形成するのが容易になる。
【００４６】
保護膜１８ｄにウエットエッチングを施しても厚さ１６００ｎｍの第１レジスト２０ｐが残留する。そのため、最上層がＡｕである多層金属膜もリフトオフにより容易に不要部分が除去される。また、異方性の高いＲＩＥを用いることにより、１６００ｎｍと厚い第１レジストにコンタクトパターンに沿った溝を正確に形成することができる。
【００４７】
本実施形態の抵抗回路の製造方法では５０ｎｍという薄い保護膜を用いたが、保護膜を金属電極の厚さと同程度にまで厚くすることもできる。この場合には、保護膜上に単層レジストのみがある状態で金属膜を形成した上リフトオフにより金属電極を形成することができる。ただし、保護膜のエッチング過程でサイドエッチング量が多くなることを考慮しなければならない。
【００４８】
なお、薄膜金属抵抗の材料はＮｉＣｒＳｉに限定されるものではなく、ＴａＳｉ、ＴｉＳｉなどの他のシリサイド化合物あるいはＮｉＣｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉなどの純金属を用いることができる。シリサイド化合物を用いると大きなシート抵抗を得ることができる。温度特性の点では純金属が優れている。また、炭素（Ｃ）等を材料にすることもできる。この場合には、比抵抗はシリサイド系材料よりも大きくすることができるものの、材料自体が半導体であるために温度特性が悪くなる。さらに、特許文献２で開示されたＣｒＳｉＮを用いることもできる。本発明の製造方法によればＣｒＳｉＮで薄膜金属抵抗を作製する場合でも、特許文献２に示されたＣｒＳｉＮ表面保護膜を形成する必要がない。
【００４９】
また、金属電極、金属配線の材料はＡｕ系金属に限定されない。
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明により、導電体―金属抵抗間のコンタクト抵抗値を制御することができ、かつ導電体配線の形成が容易である抵抗回路の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態の抵抗回路の製造方法に含まれる製造工程を示す第１の図である。図１Ａ−Ｃはウェハ（一部）を平面に見た図であり、図１Ｄ−Ｆはそれぞれ図１Ａ−Ｃに示すウェハの断面図である。
【図２】本実施形態の抵抗回路の製造方法に含まれる製造工程を示す第２の図である。図２Ａ−Ｃはウェハ（一部）を平面に見た図であり、図２Ｄ−Ｆはそれぞれ図２Ａ−Ｃに示すウェハの断面図である。
【符号の説明】
１２・・・ＩｎＰ基板、１４ｐ・・・ＳｉＯＮ膜、１６・・・薄膜金属抵抗、１８ｐ・・・保護膜、２０ｐ・・・第１レジスト、２２ｐ・・・中間絶縁膜、２４ｐ・・・第２レジスト、２６・・・金属電極、２８・・・金属配線。
【図１】
2004253654.tif 000003
【図２】
2004253654.tif 000004