(57)【要約】【課題】磁気記録ヘッド及び磁気記録装置に関し、書き込み特性に影響を与えることなく、主磁極の磁区制御を簡単な構成で行う。【解決手段】強磁性体からなる主磁極１の少なくとも一部に隣接して強磁性−非磁性の磁気相転移する補助層２を設ける。【選択図】　　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
強磁性体からなる主磁極の少なくとも一部に隣接して強磁性−非磁性の磁気相転移する補助層を設けることを特徴とする磁気記録ヘッド。
【請求項２】
上記補助層の表面に、トラック幅方向に沿って傷を付け、前記補助層が強磁性に転移した際にトラック幅方向の異方性を付与することを特徴とする請求項１記載の磁気記録ヘッド。
【請求項３】
上記補助層に、磁区制御された強磁性層を隣接配置することを特徴とする請求項１記載の磁気記録ヘッド。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の磁気ヘッドを搭載したことを特徴とする磁気記録装置。
【請求項５】
上記補助層に、異なった波長の光を照射する機構を備えたことを特徴とする請求項４記載の磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気記録ヘッド及び磁気記録装置に関するものであり、特に、垂直記録方式のハードディスクドライブ（ＨＤＤ）等の磁気記録装置に用いる磁気記録ヘッドの主磁極の先端部の形状異方性による残留磁化の影響を低減するための構成に特徴のある磁気記録ヘッド及び磁気記録装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、情報記録装置である磁気記録装置（所謂ハードディスクドライブ）はコンピュータや各種携帯情報端末、例えば、モバイルパソコン、ゲーム機、デジタルカメラ、車載ナビゲーション等の外部記憶装置として一般に広く使用されている。
【０００３】
近年、高記録密度化の要請に応えるために磁気記録媒体の記録密度を上げる必要があるが、それに伴って記録ヘッドのコア幅を記録ビットサイズに応じて狭くしていく必要がある。
【０００４】
また、高記録密度化に対応する磁気記録媒体として、従来の長手記録媒体と比べても倍以上の高保磁力化が可能な垂直記録媒体が盛んに研究さているが、この高記録密度を達成するのに優位とされる垂直磁気記録方式に用いる単磁極ヘッドにおいても、狭コア幅化が進んでいるので、ここで、図８を参照して、従来の垂直記録方式の磁気ヘッドを説明する。
【０００５】
図８（ａ）及び（ｂ）参照
図８（ａ）は、従来の垂直記録方式の磁気ヘッドの概略的斜視図であり、また、図８（ｂ）はライトヘッド側の概略的断面図である。
まず、Ａｌ２　Ｏ３　−ＴｉＣ基板７１上にＡｌ２　Ｏ３　膜７２を介してＮｉＦｅ等からなる下部磁気シールド層７３、Ａｌ２　Ｏ３　からなる下部リードギャップ層７４、磁気抵抗効果素子７５、Ａｌ２　Ｏ３　からなる上部リードギャップ層７６、上部磁気シールド層を兼ねるＮｉＦｅ等からなるリターンヨーク７７を順次堆積させる。
なお、この場合の磁気抵抗効果素子７５としては、ＰｄＰｔＭｎピン層／ＣｏＦｅピンド層／Ｃｕ中間層／ＣｏＦｅフリー層／ＮｉＦｅフリー層を順次成膜したスピンバルブ素子とする。
【０００６】
次いで、Ａｌ２　Ｏ３　膜７８を設けたのち、Ｃｕメッキによって水平スパイラル状のライトコイル７９を形成し、レジストからなる層間絶縁膜８０で被覆し、全体をＡｌ２　Ｏ３　膜８１で被覆したのち平坦化し、ライトコイル７９の中心部にビアホールを形成してＮｉＦｅで埋め込んで磁極接続部８２を形成する。
【０００７】
次いで、選択メッキ法によってＮｉＦｅからなる補助磁極８３を設けたのち、再び、全体をＡｌ２　Ｏ３　膜８４で被覆したのち平坦化し、再び選択メッキ法によって先端部が幅細のライトポール８６となった主磁極８５を形成したものである。
なお、図における矢印の方向に磁気記録媒体が移動して記録・再生が行われる。
【０００８】
しかし、磁気ヘッドが狭コア幅になるにつれ、即ち、ライトポール８６のコア幅が狭くなるにつれて、形状異方性に伴った残留磁化により、記録情報が消去され、情報が安定に保存できなくなるので、図９を参照してこの事情を説明する。
【０００９】
図９（ａ）参照
図９（ａ）は、主磁極８５の先端のライトポール８６の幅が比較的広い場合の磁区８７の説明図であり、ライトポール８６は複数の磁区に分割されて、還流磁区が形成され、ライトポール８６の先端部における磁化方向は、コア幅方向に向く。
【００１０】
図９（ｂ）参照
図９（ｂ）は、主磁極８５の先端のライトポール８６の幅が狭い場合の磁区の説明図であり、ライトポール８６は単磁区となり、磁化は長手方向を向くのでライトポール８６の先端部における磁化方向は、コア幅方向と垂直方向となる。
この磁化の向きは、書き込み時の磁化の向きと同じであるので、非書き込み時にこの残留磁化が作用して、不所望な領域の情報が消去されることがある。
【００１１】
この様な問題を解決するために、主磁極をリターンヨークと直接結合しないことにより、狭コア幅化に伴って、主磁極の高さを大幅に低減することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【００１２】
また、主磁極を非磁性層を挟んだ３層構造とし、信号磁界方向に電流を通電させることにより、電流による磁界によって、磁化の向きを安定に制御することも提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【００１３】
【特許文献１】
特開２００１−２９１２１２号公報
【特許文献１】
特開平８−１６７１２２号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、主磁極の高さを大幅に低減すると、書き込み特性に大きな影響を与える虞があり、一方、電流による磁界により磁化方向を制御する方法は、電流を流すことが必要になるので、構造・工程が複雑化するとともに、書き込み特性に影響を与える虞がある。
【００１５】
したがって、本発明は、書き込み特性に影響を与えることなく、主磁極の磁区制御を簡単な構成で行うことを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
図１は本発明の原理的構成図であり、この図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
なお、図における符号３，４，５，６，７，８〜１０は、夫々、補助磁極、リターンヨーク、磁極接続部、ライトコイル、層間絶縁膜、絶縁膜である。
図１参照
上記目的を達成するため、本発明は、磁気記録ヘッドにおいて、強磁性体からなる主磁極１の少なくとも一部に隣接して強磁性−非磁性の磁気相転移する補助層２を設けることを特徴とする。
【００１７】
この様に、強磁性−非磁性の磁気相転移する補助層２を設け、書き込み時に非磁性層とし、非書き込み時に強磁性層とすることによって、書き込み特性に悪影響を与えることなく、主磁極１の残留磁化を悪影響を与えることがない方向に制御することができる。
【００１８】
この場合、補助層２の表面に、トラック幅方向に沿って傷を付け、補助層２が強磁性に転移した際にトラック幅方向の異方性を付与することが望ましく、それによって、主磁極１に還流磁区を発生させることなく、主磁極１の残留磁化をトラック幅方向に制御することができる。
【００１９】
或いは、補助層２に、磁区制御された強磁性層を隣接配置しても良く、この場合、補助層２と強磁性層の間に非磁性層を配置し、強磁性層との磁気カップリングにより補助層２を磁区制御するようにしても良く、それによって、主磁極１と強磁性層をより離すことができる。
【００２０】
また、補助層２が強磁性に転移した際に、還流磁区を形成するようにしても良いものである。
即ち、磁気異方性を付与することなく、非記録時には強磁性化したばあいに、主磁極１の付近の体積を増大させる効果により還流磁区を形成することができるので、製造工程が簡素化される。
【００２１】
また、面内磁化方式の磁気記録ヘッドの場合にも、強磁性体からなる上部磁極の少なくとも先端部に隣接して強磁性−非磁性の磁気相転移する補助層２を設けることにより、上部磁極の残留磁化方向を任意の方向に制御することができる。
【００２２】
以上の構成の磁気記録ヘッドを搭載することによって、主磁極１或いは上部磁極のコア幅を狭くしても残留磁化が悪影響を与えることなく、記録情報を安定して保存できる高信頼性の高記録密度磁気記録装置を構成することができる。
【００２３】
この場合、補助層２に、異なった波長の光、例えば、青色と赤色を照射する機構を備えることによって、照射する波長の光により補助層２の強磁性−非磁性の磁気相転移を簡単に制御することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
ここで、図２乃至図４を参照して、本発明の第１の実施の形態の垂直記録方式の磁気記録ヘッドを説明する。
図２（ａ）及び（ｂ）参照
図２（ａ）は、従来の垂直記録方式の磁気ヘッドの概略的斜視図であり、また、図２（ｂ）はライトヘッド側の概略的断面図である。
まず、従来の磁気ヘッドと同様に、Ａｌ２　Ｏ３　−ＴｉＣ基板１１上にＡｌ２　Ｏ３　膜１２を介してＮｉＦｅからなる下部磁気シールド層１３、Ａｌ２　Ｏ３　からなる下部リードギャップ層１４、磁気抵抗効果素子１５、Ａｌ２　Ｏ３　からなる上部リードギャップ層１６、上部磁気シールド層を兼ねるＮｉＦｅからなるリターンヨーク１７を順次堆積させる。
なお、この場合の磁気抵抗効果素子１５としては、ＰｄＰｔＭｎピン層／ＣｏＦｅピンド層／Ｃｕ中間層／ＣｏＦｅフリー層／ＮｉＦｅフリー層を順次成膜したスピンバルブ素子とする。
【００２５】
次いで、Ａｌ２　Ｏ３　膜１８を設けたのち、Ｃｕメッキによって水平スパイラル状のライトコイル１９を形成し、レジストからなる層間絶縁膜２０で被覆し、全体をＡｌ２　Ｏ３　膜２１で被覆したのちＣＭＰ（化学機械研磨）法によって平坦化し、ライトコイル１９の中心部にビアホールを形成してＮｉＦｅで埋め込んで磁極接続部２２を形成する。
【００２６】
次いで、選択メッキ法によってＮｉＦｅからなる補助磁極２３を設けたのち、再び、全体をＡｌ２　Ｏ３　膜２４で被覆したのちＣＭＰ法によって平坦化し、再び選択メッキ法によって先端部が幅細のライトポール２６となった高Ｂｓ　（飽和磁化）のＣｏ５０Ｆｅ５０からなる主磁極２５を形成する。
【００２７】
次いで、再び、全体をＡｌ２　Ｏ３　膜２７で被覆したのちＣＭＰ法によって平坦化して主磁極２５の表面を露出させたのち、リフトオフ法によってＫ０４Ｃｏ１６〔Ｆｅ（ＣＮ）６　〕６．９Ｈ２　Ｏからなる補助層２８をライトポール近傍にコア幅より広い幅で設け、コア幅方向にテクスチャ傷を付ける。
【００２８】
最後に、ライトポール２６を切断し、研磨する等のスライダー加工を施すことによってＡｌ２　Ｏ３　−ＴｉＣ基板１１を主体とするスライダーを形成することにより磁気記録ヘッドの基本構成が完成する。
なお、この場合も、図における矢印の方向に磁気記録媒体が移動し、磁気抵抗効果素子１５によって読み取りを行い、ライトポール２６によって書き込みを行うことになる。
【００２９】
この補助層２８に用いるＫ０４Ｃｏ１６〔Ｆｅ（ＣＮ）６　〕６．９Ｈ２　Ｏは、光の照射により強磁性−非磁性の磁気相転移することは知られており（必要ならば、特開平１０−１２４９４２号公報参照）、青色半導体レーザからの青色光によって強磁性状態が非磁性状態となり、赤色半導体レーザからの赤色光によって非磁性状態が強磁性状態となる。
【００３０】
図３（ａ）参照
図３（ａ）は、本発明の第１の実施の形態の磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置の平面図であり、スピンドルモータ３４の回転軸に取り付けられるとともに、ディスククランプリング３３によって固定された垂直磁気記録媒体３２、先端部にサスペンション３６を介して本発明の実施の形態の磁気ヘッドを備えたスライダー３７が取り付けられたヘッドアーム３５から基本構成が構成される。
【００３１】
図３（ｂ）参照
図３（ｂ）はサスペンション部近傍の拡大図であり、サスペンション３６の先端には磁気ヘッド３１と一体になったスライダー３７が支持され、また、サスペンション３６の上面側には光照射系が取り付けられた構成となる。
【００３２】
この光照射系は、青色半導体レーザ４０、赤色半導体レーザ４１、これらを搭載するヒートシンクを兼ねるサブマウント３９、レーザ光を反射させるミラー４２、反射させた光を磁気ヘッド３１に設けた補助層２８に収束照射するレンズ４３からなり、これらは、マウント基板３８に取り付けられる。
【００３３】
次に、図４を参照して、本発明の第１の実施の形態における駆動方法を説明する。
図４（ａ）参照
図４（ａ）は、駆動タイミングチャートであり、まず、書き込みパルス電流を印加する前に、青色レーザを補助層２８に照射して補助層２８を非磁性化し、補助層２８が書き込み特性影響を与えない状態にしたのち書き込みパルス電流を印加して、“１”の書き込みを行い、書き込み終了後に赤色レーザを照射して補助層を強磁性化して、主磁極２５の先端のライトポール２６の磁区を制御する。
【００３４】
図４（ｂ）参照
図４（ｂ）は、青色レーザを照射した場合のライトポール近傍の要部斜視図であり、補助層２８は非磁性層になっているので、磁気的に何らの影響を与えることがない。
【００３５】
図４（ｃ）参照
図４（ｃ）は、赤色レーザを照射した場合のライトポール近傍の要部斜視図であり、補助層２８は強磁性層になるが、この時、ライトポール２６と一体になって予めコア幅方向に付けたテクスチャ傷の方向（図における矢印方向）に磁化されるので、この残留磁化が既に書き込んだ情報を消去することがない。
【００３６】
以上の駆動工程を、各書き込みパルス電流毎に行うことによって、ライトポールの残留磁化が、非書き込み時に悪影響を与えることなく、記録情報を安定して保存できる高信頼性の磁気記録ヘッドとなる。
【００３７】
次に、図５を参照して、本発明の第２の実施の形態の磁気ヘッドを説明するが、補助層の上に強磁性膜を設けた以外は上記の第１の実施の形態と同様であるので、変更点のみを説明する。
図５参照
図５は、本発明の第２の実施の形態の磁気ヘッドのライトポール近傍の要部断面図であり、ライトポール２６上に補助層２８を設け、この補助層２８にトラック幅方向、即ち、ライトポール２６のコア幅方向にテクスチャ傷を付けたのち、再び、補助層２８上に硬磁性体であるＣｏＣｒＰｔからなる強磁性膜２９を堆積する。
この時、補助層２８に設けたテクスチャ傷の影響が強磁性膜２９に現れ、強磁性膜２９に磁気異方性が付与される。
【００３８】
この場合、補助層２８の露出部に赤色レーザを照射すると、補助層２８は強磁性体に相転移するが、この時、強磁性膜２９に設けた磁気異方性の影響により、ライトポール２６と共に磁化方向がコア幅方向に向くことになる。
【００３９】
次に、図６を参照して、本発明の第３の実施の形態の磁気ヘッドを説明するが、補助層と強磁性膜との間に非磁性層を設けた以外は上記の第２の実施の形態と同様であるので、変更点のみを説明する。
図６参照
図６は、本発明の第３の実施の形態の磁気ヘッドのライトポール近傍の要部断面図であり、ライトポール２６上に補助層２８を設け、この補助層２８にトラック幅方向、即ち、ライトポール２６のコア幅方向にテクスチャ傷を付けたのち、再び、補助層２８上にＣｕからなる非磁性層３０、及び、硬磁性体であるＣｏＣｒＰｔからなる強磁性膜２９を順次堆積する。
この時、補助層２８に設けたテクスチャ傷の影響が強磁性膜２９に現れ、強磁性膜２９に磁気異方性が付与される。
なお、非磁性層３０の膜厚を制御することにより、補助相２８と強磁性膜２９とを強磁性的に結合させる。
或いは、テクスチャ傷は、非磁性層３０に設けても良く、それによって、強磁性膜２９に磁気異方性が付与される。
【００４０】
この場合も、補助層２８の露出部に赤色レーザを照射すると、補助層２８は強磁性体に相転移するが、この時、強磁性膜２９に設けた磁気異方性の影響により、ライトポール２６と共に磁化方向がコア幅方向に向くことになる。
【００４１】
また、非磁性層３０を介在させることにより、ライトポール２６から強磁性膜２９を離すことができ、強磁性膜２９が書き込み特性に与える影響を低減することができる。
【００４２】
次に、図７を参照して、本発明の第４の実施の形態の面内記録方式の磁気ヘッドを説明するが、リードヘッドの構成は上記の第１の実施の形態と同様であり、また、ライトヘッドの構成も磁極構造が異なるだけで基本的構成は上記の第１の実施の形態と同様である。
【００４３】
図７（ａ）乃至（ｃ）参照
図７（ａ）は、本発明の第４の実施の形態の平面図であり、図７（ｂ）はコア幅に直交する方向の要部断面図であり、また、図７（ｃ）はライトポール先端の正面図である。
図に示すように、まず、垂直記録方式の磁気ヘッドと同様に、Ａｌ２　Ｏ３　−ＴｉＣ基板上にＡｌ２　Ｏ３　膜（いずれも図示を省略）を介してＮｉＦｅからなる下部磁気シールド層５１、Ａｌ２　Ｏ３　からなる下部リードギャップ層５２、磁気抵抗効果素子５３、Ａｌ２　Ｏ３　からなる上部リードギャップ層５４、上部磁気シールド層を兼ねるＮｉＦｅからなる下部磁極５５を順次堆積させる。
なお、この場合の磁気抵抗効果素子５３としては、ＰｄＰｔＭｎピン層／ＣｏＦｅピンド層／Ｃｕ中間層／ＣｏＦｅフリー層／ＮｉＦｅフリー層を順次成膜したスピンバルブ素子とする。
【００４４】
次いで、Ａｌ２　Ｏ３　膜からなるライトギャップ層５６を設けたのち、レジストからなる下部層間絶縁膜５７を介して、Ｃｕメッキによって水平スパイラル状のライトコイル５８を形成し、次いで、レジストからなる上部層間絶縁膜５９で被覆する。
【００４５】
次いで、ライトコイル５８の中心部に上部層間絶縁膜５９乃至ライトギャップ層５６を貫通する凹部を形成したのち、選択メッキ法によってＮｉＦｅからなる磁極接続部６０及び上部磁極６１を形成する。
【００４６】
次いで、ライトポール５８の側部をＡｌ２　Ｏ３　からなる絶縁膜６３で埋め込んで平坦にしたのち、リフトオフ法によってＫ０４Ｃｏ１６〔Ｆｅ（ＣＮ）６　〕６．９Ｈ２　Ｏからなる補助層６４をライトポール近傍にコア幅より広い幅で設け、その表面にテクスチャ傷を付ける。
【００４７】
最後に、ライトポール５８を切断し、研磨する等のスライダー加工を施すことによってＡｌ２　Ｏ３　−ＴｉＣ基板を主体とするスライダーを形成することにより磁気ヘッドの基本構成が完成する。
【００４８】
この様に、面内記録方式に磁気ヘッドにおいてもライトポールの上に強磁性−非磁性の磁気相転移が可能な補助膜を設けているので、補助膜に付けるテクスチャ傷に方向によって、残留磁化を任意の方向に制御することができる。
【００４９】
以上、本発明の各実施の形態を説明したが、本発明は各実施の形態に記載した構成及び条件に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、上記の各実施の形態においては、補助層の形状を、ライトポールのコア幅より広くしているが、ライトポールと同じ幅にしても良い。
【００５０】
また、補助層をライトポールを含む主磁極の先端部にのみ設けているが、主磁極全体を覆うように設けても良いものである。
【００５１】
また、上記の第２及び第３の実施の形態においては、強磁性膜として硬磁性膜を用いているが、硬磁性膜に限られるものではなく、ＮｉＦｅ等の軟磁性膜を用いても良いものである。
但し軟磁性膜を用いる場合には、書き込み特性に影響を与えない程度に薄くする必要がある。
【００５２】
また、上記の第１の実施の形態においてはテクスチャ傷を付けて磁気異方性を付与しているが、テクスチャ傷は必ずしも必要ではなく、テクスチャ傷を付けない場合には、補助層の存在によりライトポールの実効的体積が大きくなるので　ライトポールの先端部の還流磁区が形成され、還流磁区によってライトポールの延伸方向の残留磁化の形成が妨げられることになる。
【００５３】
また、上記の第１乃至第３の実施の形態においては、主磁極をＦｅ５０Ｃｏ５０組成のＦｅＣｏで構成しているが、この様な組成に限られるものではなく、補助磁極を構成する材料より飽和磁束密度の高い材料であれ良く、例えば、ＮｉＦｅに対しては、ＣｏＮｉＦｅ等を用いても良いものである。
【００５４】
また、上記の実施の形態においては、磁気抵抗効果素子を用いたリードヘッドを伴った複合型の薄膜磁気ヘッドとして説明しているが、この様な複合型の磁気ヘッドに限られるものではなく、ライトヘッド単独として用いても良いものである。
【００５５】
ここで、再び、図１を参照して、改めて本発明の詳細な特徴を説明する。
再び、図１参照
（付記１）　強磁性体からなる主磁極１の少なくとも一部に隣接して強磁性−非磁性の磁気相転移する補助層２を設けることを特徴とする磁気記録ヘッド。
（付記２）　上記補助層２の表面に、トラック幅方向に沿って傷を付け、前記補助層２が強磁性に転移した際にトラック幅方向の異方性を付与することを特徴とする付記１記載の磁気記録ヘッド。
（付記３）　上記補助層２に、磁区制御された強磁性層を隣接配置することを特徴とする付記１記載の磁気記録ヘッド。
（付記４）　上記補助層２と強磁性層の間に非磁性層を配置し、前記強磁性層との磁気カップリングにより前記補助層２を磁区制御することを特徴とする付記３記載の磁気記録ヘッド。
（付記５）　上記補助層２が、強磁性に転移した際に、還流磁区を形成することを特徴とする付記１記載の磁気記録ヘッド。
（付記６）　強磁性体からなる上部磁極の少なくとも先端部に隣接して強磁性−非磁性の磁気相転移する補助層２を設けることを特徴とする磁気記録ヘッド。
（付記７）　付記１乃至６のいずれか１に記載の磁気ヘッドを搭載したことを特徴とする磁気記録装置。
（付記８）　上記補助層２に、異なった波長の光を照射する機構を備えたことを特徴とする付記７記載の磁気記録装置。
【００５６】
【発明の効果】
本発明によれば、主磁極の先端のライトポールに隣接するように強磁性−非磁性の磁気相転移が可能な補助層を設けているので、非書き込み時に補助層を強磁性化することによって、残留磁化の方向を情報を書き込む方向とは異なった方向に制御しているので、情報が消去されることがなく、高記録密度と記録情報の安定性に優れた磁気記録装置の実現に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の垂直記録方式の磁気ヘッドの構造説明図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置の説明図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態における駆動方法の説明図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態の磁気ヘッドの要部構成図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態の磁気ヘッドの要部構成図である。
【図７】本発明の第４の実施の形態の面内記録方式の磁気ヘッドの構造説明図である。
【図８】従来の垂直記録方式の磁気ヘッドの構造説明図である。
【図９】狭コア幅化に伴う問題点の説明図である。
【符号の説明】
１　主磁極
２　補助層
３　補助磁極
４　リターンヨーク
５　磁極接続部
６　ライトコイル
７　層間絶縁膜
８　絶縁膜
９　絶縁膜
１０　絶縁膜
１１　Ａｌ２　Ｏ３　−ＴｉＣ基板
１２　Ａｌ２　Ｏ３　膜
１３　下部磁気シールド層
１４　下部リードギャップ層
１５　磁気抵抗効果素子
１６　上部リードギャップ層
１７　リターンヨーク
１８　Ａｌ２　Ｏ３　膜
１９　ライトコイル
２０　層間絶縁膜
２１　Ａｌ２　Ｏ３　膜
２２　磁極接続部
２３　補助磁極
２４　Ａｌ２　Ｏ３　膜
２５　主磁極
２６　ライトポール
２７　Ａｌ２　Ｏ３　膜
２８　補助層
２９　強磁性膜
３０　非磁性層
３１　磁気ヘッド
３２　垂直磁気記録媒体
３３　ディスククランプリング
３４　スピンドルモータ
３５　ヘッドアーム
３６　サスペンション
３７　スライダー
３８　マウント基板
３９　サブマウント
４０　青色半導体レーザ
４１　赤色半導体レーザ
４２　ミラー
４３　レンズ
５１　下部磁気シールド層
５２　下部リードギャップ層
５３　磁気抵抗効果素子
５４　上部リードギャップ層
５５　下部磁極
５６　ライトギャップ層
５７　下部層間絶縁膜
５８　ライトコイル
５９　上部層間絶縁膜
６０　磁極接続部
６１　上部磁極
６２　ライトポール
６３　絶縁膜
６４　補助層
７１　Ａｌ２　Ｏ３　−ＴｉＣ基板
７２　Ａｌ２　Ｏ３　膜
７３　下部磁気シールド層
７４　下部リードギャップ層
７５　磁気抵抗効果素子
７６　上部リードギャップ層
７７　リターンヨーク
７８　Ａｌ２　Ｏ３　膜
７９　ライトコイル
８０　層間絶縁膜
８１　Ａｌ２　Ｏ３　膜
８２　磁極接続部
８３　補助磁極
８４　Ａｌ２　Ｏ３　膜
８５　主磁極
８６　ライトポール
【図１】
2004139676.tif 000003
【図２】
2004139676.tif 000004
【図３】
2004139676.tif 000005
【図４】
2004139676.tif 000006
【図５】
2004139676.tif 000007
【図６】
2004139676.tif 000008
【図７】
2004139676.tif 000009
【図８】
2004139676.tif 000010
【図９】
2004139676.tif 000011