(57)【要約】【課題】ＭＲ素子高さの制御を研磨加工中に実素子検知方式による測定結果を用いて行なうことによって生ずるワイヤボンディング残渣による影響をなくす。【解決手段】薄膜磁気ヘッドの浮上面を研磨加工してＭＲヘッド素子でのＭＲ素子高さを所定の値に設定する場合、ＭＲヘッド素子の端子１８ａにワイヤボンディングして測定用の回路基板と接続し、直接ＭＲ素子の抵抗値を測定してＭＲ素子高さを制御する実素子検知方式を採用すると、かかる研磨加工後にワイヤボンディングの除去処理を行なっても、端子１８ａにワイヤボンディング残渣２４ａが残る。そこで、端子１８ａの表面を縦にし、剥離工具２５を、所定のクリアランスＣをもって、ワイヤボンディング残渣２４ａ上に降下させ、端子１８ａの表面からワイヤボンディング残渣２４ａを剥ぎ取る。これにより、端子１８ａの表面に窪みが生ずるが（図７）、ワイヤボンディング残渣２４ａはなくなる。【選択図】        図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気誘導型ヘッド素子と磁気抵抗効果該ヘッド素子とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、
該磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子の表面に所定の高さよりも低いワイヤボンディング残渣が付着していることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
請求項１記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記ワイヤボンディング残渣の材質が金または金合金であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記ワイヤボンディング残渣は押し潰されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
磁気誘導型ヘッド素子と磁気抵抗効果型ヘッド素子とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、
該磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子の表面に円形状の窪みがあることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
磁気抵抗効果型ヘッド素子を再生ヘッド素子として備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
抵抗値を測定するための電気回路基板と該磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子との間をワイヤで結線するワイヤボンディング工程と、
該電気回路基板によって該磁気抵抗効果型ヘッド素子の抵抗値を測定しながら、該薄膜磁気ヘッドスライダの浮上面を研磨加工し、該磁気抵抗効果型ヘッド素子の素子高さを所定の高さに設定する研磨処理工程と、
該研磨処理した該薄膜磁気ヘッドに対し、該ワイヤボンディングのワイヤを該磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子から除去し、該端末のワイヤボンディング残渣を所定の高さ以下とする工程と
を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
前記薄膜磁気ヘッドは複数個ロウバーに組み込まれて、かつ該ロウバーの前記薄膜磁気ヘッド間に抵抗値モニタ用の抵抗検知素子が組み込まれており、
前記ワイヤボンディング工程では、該抵抗検知素子と前記電気回路基板との間にもワイヤで結線され、
前記研磨処理工程では、前記磁気抵抗効果型ヘッド素子の素子高さが所定の高さ範囲にあるとき、該抵抗検知素子の抵抗値を測定しながら、磁気抵抗効果型ヘッド素子の素子高さを制御することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
請求項５または６に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
前記磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子に残ったワイヤボンディング残渣を前記所定の高さ以下とするために、前記ワイヤボンディング残渣を押し潰す工程を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
請求項５または６に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
前記磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子に残ったワイヤボンディング残渣を前記所定の高さ以下とするために、前記磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子に残ったワイヤボンディング残渣に対して前記磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子の表面に平行な方向の荷重を加えることにより、該ワイヤボンディング残渣を前記磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子の表面との界面から剥ぎ取る工程を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
前記ワイヤボンディング残渣の材質がアルミニウムまたはアルミニウム合金であることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
請求項〜７のいずれか１つに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
前記ワイヤボンディング残渣の材質が金または金合金であることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、再生ヘッド素子として磁気抵抗効果型ヘッド素子を用いた薄膜磁気ヘッドに係り、特に、磁気抵抗効果型ヘッド素子の素子高さが高精度に制御された薄膜磁気ヘッド及び薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、磁気ディスク装置においては、小型・大容量化が進んでおり、現在３．５インチと２．５インチサイズのディスク状記録媒体（以下、単にディスクという）を用いた小型磁気ディスク装置が主流になっている。
【０００３】
このような小型磁気ディスク装置では、ディスクの速度が遅いことから、再生出力がディスクの回転速度に依存しない磁気抵抗効果型ヘッドをリード（再生）ヘッド素子として備え、磁気誘導型ヘッドをライト（記録）ヘッド素子として備えた複合ヘッド素子構成の薄膜磁気ヘッドが用いられる。ＭＲヘッド（磁気抵抗効果型ヘッド）素子では、磁界の変化に起因するＭＲ（磁気抵抗）素子の抵抗値の変化を検出するため、磁気ヘッドスライダ（薄膜磁気ヘッド）のディスクに対向する浮上面にＭＲ素子を露出させて使用する構造が最も再生効率が高い。
【０００４】
磁気ヘッドスライダ１は、図８に示すように、基板材６の後端部に、保護アルミ５で保護されて、ヘッド素子部４が設けられた構成をなしている。このヘッド素子部４には、ライトヘッド素子としての磁気誘導型ヘッド素子とリードヘッド素子としてのＭＲヘッド素子とが設けられており、これらヘッド素子の先端部が浮上面３に露出している。ＣＳＳ(Contact Start Stop）方式の小型磁気ディスク装置では、ディスク２の回転による動圧を利用することにより、磁気ヘッドスライダ１を、先端部側が微小角（仰角）θだけ持ち上がるようにし、ディスク２の表面から微小量（浮上量）ｄだけ浮上させ、ヘッド素子部４によってディスク２でのデータの記録再生を行なっている。
【０００５】
ヘッド素子部４では、図９に示すように、硬質セラミックス材で構成される基板材６(図８）上に、ベースアルミナ(図示せず）を介して、ＭＲヘッド素子９が下部シールド膜１０と上部シールド膜１１とで挟まれて配置されている。そして、このＭＲヘッド素子９の上に、上部シールド膜１１を下部磁極とする磁気誘導型ヘッド素子８が配置され、かかる構成のヘッド素子部４が保護アルミナ５（図８）によって覆われている。また、浮上面３の形成の研磨加工により、磁気誘導型ヘッド素子８やＭＲヘッド素子９などの先端部が浮上面３に露出している。
【０００６】
磁気誘導型ヘッド素子８は、上部磁極１２と、下部磁極としての上部シールド膜１１と、これらの間に設けられたコイル１３とから構成されており、また、ＭＲヘッド素子９は、ＭＲ素子９ａと、データ再生のためにこのＭＲ素子９ａの両端部に接続された電極１４ａ，１４ｂとから構成されている。
【０００７】
浮上面３にＭＲ素子９ａが露出する露出型のＭＲヘッド素子９では、浮上面３の加工時にＭＲ素子９ａの一部を研磨加工することにより、浮上面３にＭＲ素子９ａの端部を露出させている。ここで、ＭＲ素子９ａの浮上面３に直角な方向の寸法をＭＲ素子高さｈという。
【０００８】
次に、磁気ヘッドスライダ１の製造方法と浮上面３の研磨加工の一従来例について説明する。
【０００９】
磁気ヘッドスライダ１は、セラミックスのウエハの表面に磁気誘導型ヘッド素子とＭＲヘッド素子とを薄膜工程によって形成される。かかる工程を経たウェハを切断加工することにより、数十個の磁気ヘッドスライダが一線状に連なったロウバーを得る。ＭＲ素子高さｈの制御のための研磨工程は、かかるロウバーの状態で行なわれる。そして、このロウバーを切断加工することにより、図９に示す構成の磁気ヘッドスライダ１が得られる。
【００１０】
ＭＲヘッド素子９では、このＭＲ素子高さｈによって再生出力が大きく影響することから、このＭＲ素子高さｈを高精度に寸法制御することが必要となる。このＭＲ素子高さｈは、その寸法を小さくことによって感度が高くなることから、年々寸法が小さくなってきており、これに伴い、ＭＲ素子高さｈの加工精度の要求値も年々高精度化する傾向にある。面記録密度１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ2以上の小型磁気ディスク装置に搭載するＭＲヘッド素子では、±０．０２ｍｍ以下の加工精度が要求される。
【００１１】
ＭＲ素子高さｈの制御研磨方法の一従来例としては、ヘッド素子の形成工程で、図１０に示すように、ロウバー１５にＭＲヘッド素子とは別に測定用のパターン（抵抗検知素子）１７を形成し、この抵抗検知素子１７の抵抗値を測定してＭＲ素子高さに換算することにより、研磨加工中のＭＲ素子高さｈをインプロセスでモニタリングして寸法を制御する方法が一般的である。制御方法としては、ロウバー内の数十ポイントの抵抗検知素子の抵抗値から得られたＭＲ素子高さｈがロウバー全体で均一な分布となるように、研磨加工中に回転する研磨用定盤に押圧するロウバーへの荷重を制御することにより、ロウバー内のＭＲ素子高さｈを制御している（例えば、特許文献１参照）。
【００１２】
また、他の方法として、ＭＲ素子自体の抵抗値を研磨加工中にインプロセスでモニタリングする実素子検知方式が知られている（例えば、特許文献２参照）。
【００１３】
【特許文献１】
特開昭６３−１９１５７０号公報
【００１４】
【特許文献２】
特開平５−４６４９５号公報
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
図１０に示すような抵抗検知素子１７を用いる上記特許公報１に記載の従来技術では、抵抗検知素子１７とＭＲ素子９ａとの寸法・構造の違いや位置ずれなどによる測定誤差が発生するために、特に、ＭＲ素子高さｈの分布を高い精度で測定をすることができず、測定誤差が大きくなるという問題がある。
【００１６】
そこで、上記特許文献２に記載のような実素子検知方式が、ＭＲヘッド素子９の抵抗を直接測定するものであるから、最も有効なものとなる。
【００１７】
ところで、かかる実素子検知方式では、ＭＲヘッド素子９と研磨加工装置の抵抗測定回路とを電気的に接続するが、その接続方法としては、図１０において、ＭＲヘッド素子９の端子表面１８ａ，１８ｂと抵抗測定用中継回路基板（図示せず）とをワイヤボンディングにより接続する方法がある。この方法では、ワイヤボンディングを用いてＭＲヘッド素子９もしくは抵抗検知素子１７と抵抗測定用中継回路基板を接続する方法が一般に採られている。
【００１８】
しかしながら、ワイヤボンディングを用いた実素子検知方式によるＭＲ素子高さｈの分布測定によると、ＭＲヘッド素子９の端子表面１８ａ，１８ｂにワイヤボンディングを行なうことから、次のような問題が生じる。
【００１９】
即ち、（１）ＭＲヘッド素子９の端子表面１８ａ，１８ｂにワイヤボンディング残渣が付着する、（２）ワイヤの線材が腐食し易い場合には、磁気ヘッドスライダの製造プロセスで使用する洗浄液や現像液などの薬液によりワイヤボンディング残渣が腐食する可能性がある、（３）ワイヤボンディング残渣とＭＲヘッド素子９の端子１８ａ，１８ｂの表面との界面での接着性が悪い場合には、磁気ヘッドスライダの製造プロセスの途中もしくは磁気ディスク装置内でワイヤボンディング残渣が剥がれる可能性がある、（４）ワイヤボンディング残渣の高さが高い場合には、磁気ヘッドスライダ製造プロセスで問題となる、（５）磁気ヘッドスライダをサスペンションに接着した後に、サスペンション側の接続端子とＭＲヘッド素子９とを接続する際のボールボンディングでは、ワイヤボンディング残渣がこのボールボンディングの不良の原因となる。
【００２０】
本発明の目的は、かかる問題を解消し、ＭＲ素子高さの制御を研磨加工中に実素子検知方式による測定結果を用いて行なうことによって生ずるワイヤボンディング残渣の影響をなくすることができるようにした薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明による薄膜ヘッドは、磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子の表面に所定の高さよりも低いワイヤボンディング残渣が付着しているものである。
【００２２】
また、ワイヤボンディング残渣は押し潰されているものである。
【００２３】
また、本発明による薄膜ヘッドは、磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子の表面に円形状の窪みがあるものである。
【００２４】
上記目的を達成するために、本発明は、磁気抵抗効果型ヘッド素子を再生ヘッド素子として備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、抵抗値を測定するための電気回路基板と磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子との間をワイヤで結線するワイヤボンディング工程と、電気回路基板によって磁気抵抗効果型ヘッド素子の抵抗値を測定しながら、薄膜磁気ヘッドスライダの浮上面を研磨加工し、磁気抵抗効果型ヘッド素子の素子高さを所定の高さに設定する研磨処理工程と、研磨処理した薄膜磁気ヘッドに対し、ワイヤボンディングのワイヤを磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子から除去し、端末のワイヤボンディング残渣を所定の高さ以下とする工程とを含むものである。
【００２５】
また、薄膜磁気ヘッドは複数個ロウバーに組み込まれて、かつこのロウバーの薄膜磁気ヘッド間に抵抗値モニタ用の抵抗検知素子が組み込まれており、上記のワイヤボンディング工程では、抵抗検知素子と電気回路基板との間にもワイヤで結線され、上記の研磨処理工程では、磁気抵抗効果型素子の素子高さが所定の高さ範囲にあるとき、抵抗検知素子の抵抗値を測定しながら、この素子高さを制御するものである。
【００２６】
また、磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子に残ったワイヤボンディング残渣を上記の所定の高さ以下とするために、ワイヤボンディング残渣を押し潰す工程を含むものである。
【００２７】
または、磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子に残ったワイヤボンディング残渣を上記の所定の高さ以下とするために、磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子に残ったワイヤボンディング残渣に対して磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子の表面に平行な方向の荷重を加えることにより、ワイヤボンディング残渣を磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子の表面との界面から剥ぎ取る工程を含むものである。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面を用いて説明するが、まず、本発明の実施形態に用いるワイヤボンディングについて説明する。
【００２９】
ワイヤボンディングは、半導体のチップとリードフレームの結線に用いられることで知られており、大きく分けて２つの方式がある。１つはアルミワイヤまたは金ワイヤを用い、ワイヤをワーク接着面に押しつけた際に超音波振動を付加することにより、ワイヤとワーク接着面との間を摺動させ、このときに発生する熱により、ワイヤを溶着させるウエッジボンディングである。アルミワイヤを用いたウエッジボンディングの特徴としては、金または銅を材料としたワーク接着面にワイヤボンディングができることと、接着強度が比較的強いことである。
【００３０】
他の１つは金ワイヤを用い、ボンディングする際に予め接着面を加熱するとともに、ワイヤ先端に放電することでボールを形成し、このボールをワーク接着面に押しつけた際に超音波振動を付加することにより、ボールとワーク接着面との間を摺動させ、このときに発生する熱により、ボールを溶着させるボールワイヤボンディングがある。
【００３１】
ボールワイヤボンディングの特徴としては、ワイヤを押しつける工具であるキャピラリの先端を細くできることから、小さいワーク接着面にボンディングできるとともに、ワーク接着面が基準ボンディング面よりも１〜２ｍｍ下がった位置であっても、ワイヤボンディングが可能であることである。また、いずれのワイヤボンディングにおいても、金ワイヤを用いる際には、超音波振動による熱溶着だけでなく、ボンディングの対象に関しても加熱することが必要となるともに、ワーク接着面を金メッキすることが必要となる。
【００３２】
従来のＭＲヘッド素子のＭＲ素子高さｈを制御する浮上面研磨加工では、薄膜磁気ヘッド及び抵抗測定用中継回路基板を加熱することは困難であり、かつ抵抗測定用中継回路基板を安価な銅配線とするために、アルミワイヤを用いたウエッジボンディングを用いている磁気ヘッドメーカがほとんどである。
【００３３】
従来のＭＲ素子高さｈの制御のための浮上面研磨加工では、切断部に形成された抵抗検知素子にワイヤボンディングしていることから、実際の製品にワイヤボンディング残渣が残らないため、アルミワイヤを用いたウエッジボンディングでも問題はなかったが、実素子検知方式または磁気ヘッドスライダ内に実素子と同一寸法・形状の実素子型抵抗検知素子を形成する磁気ヘッドスライダ内実素子型抵抗検知方式では、実際の製品となる磁気ヘッドスライダの端子表面にワイヤボンディングを行なうことが必要となるため、ＭＲ素子高さｈの制御のための浮上面研磨加工後にワイヤを除去すると、磁気ヘッドスライダの端子表面にワイヤボンディング残渣が残ってしまう。特に、ウエッジボンディングでは、幅０．０４〜０．０６ｍｍ、長さ０．０８〜０．２０ｍｍと非常に大きな残渣が残る。ＭＲヘッド素子の端子表面にこのような大きな残渣が付着していると、磁気ヘッドスライダの完成後にサスペンション側の接続端子とＭＲヘッド素子の端子表面とを接続するボールボンディングの邪魔になり、ボンディング不良の原因となる。また、残渣の材質がアルミニウムである場合には、プロセス途中の現像液や洗浄液などの薬液によって腐食する場合があるため、ＭＲヘッド素子の端子の表面にアルミニウムを付着させることはできない。
【００３４】
以上のことから、本発明では、基本的には、金もしくは金合金のワイヤ（以下、これらをまとめて金ワイヤという）を用いたボールワイヤボンディング方式を採用した。金ワイヤボンディングの条件を以下に示す。
・ワイヤボンディング装置：新川製UTC-475BI super
・ファースト：磁気ヘッドスライダＭＲ素子の端子（金メッキ）
・セカンド：抵抗測定用中継回路基板（金メッキ）
・サンプルの加熱：加熱なし（室温）
・ワイヤ：φ２５ｍｍ金ワイヤ
・キャピラリ：ホール径＝３３ｍｍ，Ｔ値＝１５２ｍｍ，長さ＝１１．１ｍｍ。
【００３５】
次に、本発明の実施形態について説明する。
図１（ａ），（ｂ），（ｃ）は夫々本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の実施形態を示すプロセス図である。
【００３６】
いずれの実施形態においても、ＭＲ素子高さ制御浮上面研磨加工（ステップ１０５）とバータッチラップ（ステップ１１０）とで浮上面３の研磨加工が行なわれる。この場合、ＭＲ素子高さ制御浮上面研磨加工は、主にＭＲ素子高さｈを制御する工程であり、バータッチラップは、主に浮上面の平面度・表面粗さ・ＰＴＲを高精度化するための工程である。しかし、バータッチラップでは、浮上面を研磨加工するため、研磨加工中にロウバー１５に傾きが発生し易く、加工量の過剰・不足によっても、ＭＲ素子高さｈに誤差が発生する。これを解決するために、バータッチラップにおいても、研磨加工中にインプロセスでＭＲ素子高さｈを測定し、ロウバー１５の傾き制御と終点制御を行なうことがある。
【００３７】
まず、図１（ａ）に示す第１の実施形態について説明するが、この第１の実施形態は、ＭＲ素子高さ制御浮上面研磨加工（ステップ１０５）とバータッチラップ（ステップ１１０）とにおいて、実素子検知方式でＭＲ素子高さｈの制御を行なうものである。従って、ワイヤボンディング残渣処理工程は、ＭＲ素子高さ制御浮上面研磨加工処理とバータッチラップとの夫々の工程後に行なわれる。
【００３８】
なお、以下では、図１（ｂ），（ｃ）の実施形態も含めて、バータッチラップ工程（ステップ１１０）をロウバー１５の状態で行なうものとするが、ロウバー１５を切断して後の磁気ヘッドスライダ１の状態でタッチラップを行なうようにしてもよい。この場合には、ステップ１０８の前段にステップ１１４（スライダ切断）が入ることになる。
【００３９】
図１（ａ）において、まず、スパッタリングやイオンミリング，フォトリソグラフィーなどの薄膜プロセスにより、ＭＲヘッド素子や磁気抵抗効果型ヘッド素子，抵抗検知素子などを形成し、ウェハを作成し（ステップ１００）、ダイヤモンド切断砥石を工具としたスライシングにより、ウエハをロウバー１５に切り出す（ステップ１０１）。ロウバー１５は、図１０に示すように、磁気ヘッドスライダ１が横に数十個連なった状態であり、ロウバー１５のサイズとしては、例えば、幅：１．２ｍｍ、長さ：４０〜８０ｍｍ、厚さ：０．３０〜０．３３ｍｍとなっている。そして、基板切断工程で発生するロウバー１５の２次曲がり量とうねりを低減するために、磁気ヘッドスライダの浮上面となる面とこれに対する裏面とを同時に研磨する両面ラップを行なう（ステップ１０２）。
【００４０】
次に、ワックスなどを用いて、ロウバー１５を研磨加工治具に接着し（ステップ１０３）、金ワイヤのボールワイヤボンディング装置により、ＭＲヘッド素子９の端子１８ａ，１８ｂ（図１０）と抵抗測定用中継回路基板とを電気的に接続する（ステップ１０４）。
【００４１】
図２はロウバー１５を研磨加工治具に取り付けてワイヤボンディングを行なった状態を示す斜視図であって、１９は研磨加工治具、２０は抵抗測定用中継回路基板、２１は金ワイヤである。
【００４２】
また、図３は図２でのロウバー１５の部分を拡大して示す平面図であって、２２ａ，２２ｂは抵抗測定用中継回路基板の端子、２３ａ，２３ｂは磁気誘導型ヘッド素子９の端子であり、図９及び図１０に対応する部分には同一符号を付けている。
【００４３】
図２において、研磨加工治具１９の１つの面にロウバー１５が固定されており、また、抵抗測定用中継回路基板２０が研磨加工治具１９の他の面に固定される。そして、図３に示すように、固定されたロウバー１５のＭＲヘッド素子９の端子１８ａ，１８ｂと抵抗測定用中継回路基板２０の端子２２ａ，２２ｂとに夫々金ワイヤ２１がワイヤボンディングされることにより、これらＭＲヘッド素子９と抵抗測定用中継回路基板２０とが電気的に接続される。
【００４４】
ここでは、磁気誘導型ヘッド素子８の端子２３ａ，２３ｂ（図９のコイル１３に接続されている）に金ワイヤを接続しないが、抵抗検知素子１７と抵抗測定用中継回路基板２０との間を金ワイヤ２１で電気的に接続する場合がある。これは、ウェハ形成時（図５のステップ１００）のＭＲ素子高さｈは３ｍｍであることから、実素子検知方式の抵抗測定範囲は０〜３ｍｍとなるが、次のＭＲ素子高さ制御浮上面研磨加工工程（図１のステップ１０５）では、およそ１０ｍｍ程度研磨するために、実素子検知方式の場合には、無制御で７ｍｍ程度加工することになり、この間にロウバー１５内のＭＲ素子高さｈの分布の傾きと２次曲がりが増大して修正ができなくなる場合があるからであり、このために、この実施形態では、抵抗検知素子１７もワイヤボンディングを行なって抵抗測定用中継回路基板２０と接続し、ＭＲ素子高さｈが２ｍｍ以上の範囲では、抵抗検知素子１７によってＭＲ素子高さｈを測定し、ＭＲ素子高さｈが２ｍｍ以下の範囲では、実素子検知方式により、ＭＲ素子高さｈを測定するものである。
【００４５】
図１（ａ）に戻って、次に、ＭＲ素子高さｈを制御するために、磁気ヘッドスライダ１の浮上面３（図９）を研磨加工する（ステップ１０５）。これは、ＭＲ素子高さｈを制御するために、図２，図３に示すように研磨加工治具１９に取り付けた状態で、ロウバー１５に偏荷重を加えることでロウバー１５内に加工量に分布を作り、その加工量の分布を制御することでＭＲ素子高さｈを制御するＭＲ素子高さ制御浮上面研磨加工工程である。ここでは、この研磨加工中にインプロセスでＭＲ素子高さｈを測定するために、ＭＲ素子９ａそのものの抵抗値を測定する実素子検知方式を採用している。
【００４６】
所定のＭＲ素子高さｈが得られてＭＲ素子高さ制御浮上面研磨加工工程（ステップ１０５）が終了すると、次に、ロウバー１５のＭＲヘッド素子９の端子１８ａ，１８ｂからワイヤボンディングの金ワイヤ２１を除去する（ステップ１０６）。この除去はエアブローによって行なわれるが、これにより、ＭＲヘッド素子９の端子１８ａ，１８ｂの表面には、図４に示すようなワイヤボンディング残渣２４ａ，２４ｂが付着した状態で残る。このワイヤボンディング残渣２４ａ，２４ｂは、直径：０．０４〜０．０６ｍｍ、高さＨ：０．０６〜０．１０ｍｍと大きいため、このままの状態で後工程に流す場合には、ワイヤボンディング残渣２４ａ，２４ｂと途中工程での治具とが擦れることにより、金の細かいゴミが発生して金属コンタミの原因になるとともに、ワイヤボンディング残渣２４ａ，２４ｂと途中工程の治具とが接触することにより、ワイヤボンディング残渣２４ａ，２４ｂが途中工程で剥がれ落ちたりする。また、組立工程（ステップ１１５）において、サスペンションの接続端子とＭＲヘッド素子９の端子１８ａ，１８ｂをボールボンディングにより接続する際に、ワイヤボンディング残渣２４ａ，２４ｂとボールとが接触することにより、接続不良の原因となる。
【００４７】
そこで、この実施形態では、図１（ａ）において、ＭＲヘッド素子９の端子１８ａ，１８ｂに付着したワイヤボンディング残渣２４ａ，２４ｂによるかかる問題が解消できるように、ワイヤボンディング残渣の処理を行なう（ステップ１０７）。
【００４８】
ここで、このワイヤボンディング残渣の処理について説明する。
【００４９】
図４に示すようなワイヤボンディング残渣２４ａ，２４ｂが問題になるのは、これらの高さＨが０．０６〜０．１０ｍｍと高いことが原因である。その高さＨを低くすることがこの問題の一解決方法となる。そこで、ワイヤボンディング残渣の処理（ステップ１０７）の一具体例としては、ワイヤボンディング残渣２４ａ，２４ｂを押し潰す方法を採るものであるが、ここで、この具体例について説明する。
【００５０】
まず、図４に示すワイヤ除去（ステップ１０６）後のロウバー１５（または磁気ヘッドスライダ１）を、ＭＲヘッド素子９の端子１８ａ，１８ｂを上にして、固定する。そして、半導体セラミックス（抵抗値：１ＭΩ）材料からなる６０×１０×１０ｍｍの直方体工具（図示せず）を低速でワイヤボンディング残渣２４ａ，２４ｂ上に落とす。なお、この直方体工具がＭＲヘッド素子９の端子１８ａ，１８ｂの表面から０．０２ｍｍの位置で止まるように、予めストッパを設けておく。このストッパに当たって止まるまで、直方体工具を落下させ、直方体工具がストッパに当たると、この直方体工具を押し下げてワイヤボンディング残渣２４ａ，２４ｂを押し潰す。しかる後、ロウバー１５（または磁気ヘッドスライダ１）を取り出す。
【００５１】
かかるワイヤボンディング残渣の処理がなされたロウバー１５は、後述するように、図１（ａ）のステップ１０８〜１１４を経て磁気ヘッドスライダ１毎に切断されるが、あるいはまた、かかるワイヤボンディング残渣の処理をなされた磁気ヘッドスライダ１は、後述するように、図１（ａ）のステップ１０８〜１１３の処理がなされるが、図５はこれによって得られる本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施形態を示すものであり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は側面図であって、２４ａ’，２４ｂ’は押し潰されたワイヤボンディング残渣である。なお、前出図面に対応する部分には同一符号を付けて重複する説明は省略する。
【００５２】
同図（ａ），（ｂ）において、図４に示すワイヤボンディング残渣２４ａ，２４ｂは、上記の工程によって押し潰されることにより、充分に低い、例えば、高さＨ：０．０２ｍｍの円盤状に変形させることができる。これにより、ワイヤボンディング残渣２４ａ，２４ｂと途中工程での治具との接触が無くなり、金属コンタミの問題が解決できるとともに、途中工程で剥がれ落ちを防止することができる。また、組立工程（ステップ１１５）において、サスペンションの接続端子とＭＲヘッド素子９の端子１８ａ，１８ｂとをボールボンディングによって接続する際に、ワイヤボンディング残渣２４ａ，２４ｂとボールとの接触を回避することができ、接続不良を回避することができる。
【００５３】
ワイヤボンディング残渣の処理（ステップ１０７）の他の具体例としては、ワイヤボンディング残渣２４ａ，２４ｂを剥離する処理方法である。
【００５４】
図１におけるワイヤボンディング（ステップ１０４）では、金ワイヤのボールワイヤボンディング方法を用いている。通常、金ワイヤを用いたボールワイヤボンディング方法では、金ワイヤを堅固にＭＲヘッド素子９の端子１８ａ，１８ｂの表面に接続するためには、ワークであるロウバー１５及びそのＭＲヘッド素子９の端子１８ａ，１８ｂを加熱することが必要であり、この加熱の温度が高ければ高いほど、超音波振動を加えてワイヤボンディングを行なう際に、ＭＲヘッド素子９の端子１８ａ，１８ｂの表面と金ワイヤとが接触する界面の金が軟化して溶着し易い。
【００５５】
これに対し、図１に示す各実施形態では、図３に示す金ワイヤのボールワイヤボンディング条件として、ワークであるロウバー１５及びそのＭＲヘッド素子９の端子１８ａ，１８ｂを加熱せず、室温（２０℃）でワイヤボンディングを行なう。これにより、金ワイヤ２１とＭＲヘッド素子９の端子１８ａ，１８ｂとの界面が完全に溶着せず、部分的に溶着する。このような接着状態でも、電気的な接続には問題が生ずることがなく、エアブロー程度では、金ワイヤ２１とＭＲヘッド素子９の端子１８ａ，１８ｂとの界面における剥離はほとんど起こらない。しかし、ＭＲヘッド素子９の端子１８ａ，１８ｂの表面に平行な方向の荷重をワイヤボンディング残渣２４ａ，２４ｂに加えると、金ワイヤ２１とＭＲヘッド素子９の端子１８ａ，１８ｂとがそれらの界面から完全に剥離する。
【００５６】
図６はこのようにしてワイヤボンディング残渣２４ａ，２４ｂを剥離するワイヤボンディング残渣の処理（ステップ１０７）の他の具体例を示す図であって、２５は剥離工具、２５ａはその側面であり、前出図面に対応する部分には同一符号を付けている。
【００５７】
同図において、まず、ワイヤ除去（ステップ１０６）後のロウバー１５（または磁気ヘッドスライダ１）を、ＭＲヘッド素子９の端子１８ａ（ここでは、端子１８ａのみ図示しているが、他の端子１８ｂについても同様である）の面を横にして固定し、半導体セラミックス（抵抗値：１ＭΩ）材料からなる剥離工具２５をワイヤボンディング残渣２４ａ（ここでは、ワイヤボンディング残渣２４ａのみ図示しているが、他のワイヤボンディング残渣２４ｂについても同様である）の上方に配置する。このとき、剥離工具２５の側面２５ａとＭＲヘッド素子９の端子１８ａの表面とのクリアランスＣ：０．０２ｍｍになるように、剥離工具２５が配置される。そして、この剥離工具２５を降下させる。これにより、剥離工具２５の下端エッジがワイヤボンディング残渣２４ａに当たった瞬間にワイヤボンディング残渣２４ａに下向きの荷重が加わることになり、これにより、ワイヤボンディング残渣２４ａとＭＲヘッド素子９の端子１８ａの表面との界面からこれらワイヤボンディング残渣２４ａが剥ぎ取られることになる。しかる後、剥離工具２５を押し上げ、ロウバー１５（または、磁気ヘッドスライダ１）を取り出す。
【００５８】
以上の操作により、ＭＲヘッド素子９の端子１８ａ，１８ｂの表面からワイヤボンディング残渣２４ａ，２４ｂが完全に剥離される。図７はこのようにワイヤボンディング残渣２４ａ，２４ｂが剥離されたロウバー１５を図１でのステップ１０８〜１１４の処理をして得られる、あるいはこのようにワイヤボンディング残渣２４ａ，２４ｂが剥離された磁気ヘッドスライダ１を図１でのステップ１０８〜１１３の処理をして得られる本発明による薄膜磁気ヘッドの他の実施形態を示し、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は側面図であって、２６ａ，２６ｂは窪み部である。また、前出図面に対応する部分には同一符号を付けている。
【００５９】
同図（ａ），（ｂ）において、以上の剥離によるワイヤボンディング残渣の処理がなされた薄膜磁気ヘッドでは、ＭＲヘッド素子９の端子１８ａ，１８ｂの表面には、ワイヤボンディング残渣がなくて、円形状の窪み２６ａ，２６ｂが残るだけとなる。
【００６０】
これにより、この実施形態では、ワイヤボンディング残渣と治具とが接触するという問題がなくなり、金属コンタミの問題が解決できるとともに、途中工程でワイヤボンディング残渣の剥がれ落ちということがなくなる。また、組立工程（図１（ａ）のステップ１１５）において、サスペンションの接続端子とＭＲヘッド素子９の端子１８ａ，１８ｂとをボールボンディングにより接続する際に、ワイヤボンディング残渣とボールの接触ということがないので、接続不良が生ずることはない。
【００６１】
なお、このように、ワイヤボンディング残渣をＭＲヘッド素子９の端子１８ａ，１８ｂの表面から剥離する場合には、ボンディングするワイヤとしては、アルミニウムあるいはその合金であってもよい。
【００６２】
図１（ａ）に戻って、ワイヤボンディング残渣の処理（ステップ１０７）が終了すると、ロウバー１５をバータッチラップ用の研磨加工治具に粘着性弾性体を介して固定する（ステップ１０８）。そして、次のバータッチラップ（ステップ１１０）でＭＲ素子高さｈの制御も行なうために、図３に示したように、ＭＲヘッド素子９の端子１８ａ，１８ｂに金ワイヤをワイヤボンディングすることにより、抵抗測定用中継回路基板２０と電気的に接続する（ステップ１０９）。
【００６３】
しかる後、浮上面を研磨するバータッチラップを行なう（ステップ１１０）。このバータッチラップでは、浮上面３の研磨加工精度を高めることにより、浮上面３の平面度（クラウン，キャンバ，ツイスト）や浮上面３の表面粗さの向上を図り、加工段差の低減を図るものであるが、上記のように、ＭＲ素子高さｈの精度劣化を抑制するために、研磨加工中に、ＭＲ素子９ａそのものの抵抗値を測定する実素子検知方式を採用して、インプロセスでＭＲ素子高さｈを測定する。
【００６４】
次に、研磨加工終了後のロウバー１５（または磁気ヘッドスライダ１）のＭＲヘッド素子９の端子１８ａ，１８ｂからワイヤボンディングのワイヤを除去する（ステップ１１１）。この場合も、ステップ１０６と同様に、ＭＲ素子９ａの静電破壊を防止するために、エアブローによってワイヤを除去し、ステップ１０７と同様にして、ＭＲヘッド素子９の端子１８ａ，１８ｂに付着したワイヤボンディング残渣を処理する（ステップ１１２）。しかる後、図８に示したように、磁気ヘッドスライダ１を回転するディスク表面から１０〜２０ｎｍの浮上量ｄで浮上させるために、フォトリソグラフィー工程とイオンミリングなどにより浮上面にレールを形成する（ステップ１１３）。そして、以上の処理をロウバー１５で行なった場合には、このロウバー１５を、ダイヤモンド切断砥石を工具としたスライシングにより、磁気ヘッドスライダ１に切り出す（ステップ１１４）。そして、磁気ヘッドスライダの加工終了後、組立工程に移り（ステップ１１５）、サスペンションに磁気ヘッドスライダ１を接着剤で固定し、ＭＲヘッド素子９の端子１８ａ，１８ｂ及び磁気誘導型ヘッド素子８の端子２３ａ，２３ｂ（図３）とサスペンション側の接続端子とをボールボンディングによって接続する。そして、これをサスペンションアームに接続する。
【００６５】
以上のようにして、ＭＲ素子高さｈが高い精度で所定の値に設定され、かつボンディング残渣が影響しない磁気ヘッドスライタ（即ち、薄膜磁気ヘッド）が得られることになる。
【００６６】
図１（ｂ）に示す第２の実施形態は、ＭＲ素子高さ制御研磨加工処理（ステップ１０５）でのみ実素子検知方式でＭＲ素子高さｈを制御するものであり、バータッチラップ（ステップ１１０）では、ＭＲ素子高さｈの制御は行なわれない。このため、ＭＲヘッド素子９の端子１８ａ，１８ｂでのワイヤボンディングは不要であり、このため、図１（ａ）の第１の実施形態でのワイヤボンディング（ステップ１０９）、ワイヤ除去処理（ステップ１１１）、ワイヤボンディング残渣処理（ステップ１１２）は不要となり、ＭＲ素子高さ制御処理（ステップ１０３〜１０７）がなされたロウバー１５（または、磁気ヘッドスライダ１）は、治具に固定されると（ステップ）、バータッチラップが行なわれ（ステップ１１０）、しかる後、浮上面レールの形成処理が行なわれる（ステップ１１３）。
【００６７】
このように、図１（ｂ）に示す第２の実施形態では、図１（ａ）に示す第１の実施形態とほぼ同等の高い精度でＭＲ素子高さｈの制御が行なわれるし、また、ワイヤボンディング残渣処理のための作業を軽減できて、それに要する時間も低減できる。
【００６８】
図１（ｃ）に示す第３の実施形態は、ＭＲ素子高さｈの制御のための浮上面３の研磨加工処理(ステップ１０５）とバータッチラップ処理(ステップ１１０）との夫々毎にワイヤボンディングの金ワイヤの除去を行なうが（夫々の処理毎に処理装置が異なるため）、これに処理工程が終わってから、まとめてワイヤボンディング残渣処理(ステップ１１２）を行なうものである。従って、図１(ａ）でのＭＲ素子高さ制御処理工程後のワイヤボンディング残渣処理（ステップ１０７）は行なわれず、ＭＲ素子高さｈの制御のための浮上面３の研磨加工処理（ステップ１０５）が終わってワイヤ除去処理がなされると（ステップ１０６）、ステップ１０８からのバータッチラップ（ステップ１１０）のための準備がなされる。
【００６９】
なお、この第３の実施形態において、ステップ１０９でなされるワイヤボンディングは、同じＭＲヘッド素子９の端子１８ａ，１８ｂのステップ１０４でなされたワイヤボンディング位置とは別の位置になされるものであるが、特に、ロウバー１５の場合には、ＭＲ素子高さ制御浮上面研磨加工処理（ステップ１０５）やバータッチラップ（ステップ１１２）で必ずしも全ての磁気ヘッドスライダ１でＭＲ素子高さｈの制御のための測定を行なう必要がないので、これらＭＲ素子高さ制御浮上面研磨加工処理（ステップ１０５）とバータッチラップ（ステップ１１２）とで異なるＭＲヘッド素子９にワイヤボンディングを行なうようにしてもよい。
【００７０】
以上のように、この第３の実施形態では、ワイヤボンディング残渣処理をＭＲ素子高さ制御浮上面研磨加工処理（ステップ１０５）とバータッチラップ（ステップ１１２）とに対してまとめて行なうことができるから、残渣処理のための手間が軽減されることになり、しかも、第１の実施形態と同等の効果が得られることになる。
【００７１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明による薄膜磁気ヘッドによると、ＭＲヘッド素子の端子にワイヤボンディングしてＭＲ素子高さの制御を行なっても、ワイヤボンディング残渣を所定の高さ以下としたものであるから、高い精度でＭＲ素子高さが設定されていて安定化した再生出力が得られるとともに、ＭＲヘッド素子の端子にワイヤボンディングをしたことによるワイヤボンディング残渣が低いから、サスペンションに接着した場合のワイヤボンディング残渣による影響をなくすることができるし、磁気ディスク装置でワイヤボンディング残渣が剥がれるような事態も生ずることはない。
【００７２】
また、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法によると、実素子検知方式でＭＲ素子高さを制御できるから、該ＭＲ素子高さを高精度に設定できて再生出力が安定化し、しかも、この実素子検知方式を採ることによってＭＲヘッド素子の端子の表面に生ずるワイヤボンディング残渣を低く、あるいはなくすことができるから、かかるワイヤボンディング残渣によって影響されない加工歩留まりの高い薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の実施形態を示す工程図である。
【図２】図１におけるステップ１０４でのワイヤボンディング後の研磨加工治具に取り付けられたロウバーを示す外観図である。
【図３】図２でのロウバーの抵抗測定用中継回路基板への接続状態を拡大して示す平面図である。
【図４】図１におけるステップ１０６によるＭＲヘッド素子の端子にワイヤボンディング残渣が付着した状態を示す図である。
【図５】図１に示す製造方法で得られた本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施形態を示す図である。
【図６】図１におけるステップ１０７，１１２のワイヤボンディング残渣処理の他の具体例を示す図である。
【図７】図６に示すワイヤボンディング残渣処理によって得られた本発明による薄膜磁気ヘッドの他の実施形態を示す図である。
【図８】回転するディスクに対する薄膜磁気ヘッドの姿勢を摸式的に示す図である。
【図９】薄膜磁気ヘッドの構造を示す図である。
【図１０】ロウバーにおける磁気ヘッドスライダの配置を示す図である。
【符号の説明】
１  薄膜磁気ヘッド（磁気ヘッドスライダ）
２  ディスク（記録媒体）
３  浮上面
４  ヘッド素子部
８  磁気誘導型ヘッド素子
９  ＭＲヘッド素子（磁気抵抗効果型ヘッド素子）
９ａ  ＭＲ素子
１５  ロウバー
１６  切断部
１７  抵抗検知素子
１８ａ，１８ｂ  ＭＲヘッド素子の端子
１９  研磨加工治具
２０  抵抗値測定用電気回路基板
２１  金ワイヤ
２４ａ，２４ｂ，２４ａ’，２４ｂ’  ワイヤボンディング残渣
２５  剥離工具
２６ａ，２６ｂ  ワイヤボンディング残渣の剥離痕
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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