(57)【要約】【課題】処理槽内における基板の移動を規制することにより、処理中における基板の浮きを防止して、基板の位置ズレ等を防止することができる。【解決手段】基板Ｗの収容・搬出の際には耐蝕シリンダ４３の作動片４３ｄが移動部材４１を許容位置に揺動させ、基板Ｗを処理する際には耐蝕シリンダ４３の作動片４３ｄが移動部材４１を規制位置に揺動させる。このように耐蝕シリンダ４３の作動片４３ｄを進退させるだけで、処理槽内における基板Ｗの移動を規制できる。したがって、モータ等の他の複雑な駆動機構を設けることなく簡単な構成、かつ耐薬構造で気泡に起因する基板Ｗの浮きを防止することができ、発塵少なく基板Ｗの位置ズレ等を防止することができる。【選択図】        図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液を貯留するための処理槽と、前記処理槽内で基板を起立姿勢で支持する支持アームとを備え、前記処理槽内の基板に所定の処理を施す基板処理装置において、
前記処理槽に付設され、基板の通過を許容する許容位置と、基板に当接して基板の移動を規制する規制位置とにわたって揺動可能な移動部材と、
処理液に対する耐性を有し、作動片を進退させて前記移動部材を許容位置と規制位置とにわたって駆動するシリンダとを備え、
前記処理槽内で前記支持アームに支持された基板を処理する際には、前記シリンダにより前記移動部材を規制位置に移動し、前記支持アームが前記処理槽に収容または前記処理槽から搬出される際には、前記シリンダにより前記移動部材を許容位置に移動することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記移動部材は、許容位置において回転軸より上に位置する押圧部と、許容位置において回転軸より下に位置し、規制位置において基板の端縁に当接する当接部とを備え、
前記シリンダは、作動片の進退により前記押圧部を移動させて前記当接部を揺動させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
処理液を貯留するための処理槽と、前記処理槽内で基板を起立姿勢で支持する支持アームとを備え、前記処理槽内の基板に所定の処理を施す基板処理装置において、
前記処理槽に付設され、基板の通過を許容する許容位置と、基板に当接して基板の移動を規制する規制位置とにわたって進退可能な移動部材と、
処理液に対する耐性を有し、作動片を進退させて前記移動部材を許容位置と規制位置とにわたって駆動する耐蝕シリンダとを備え、
前記処理槽内で前記支持アームに支持された基板を処理する際には、前記シリンダにより前記移動部材を規制位置に移動し、前記支持アームが前記処理槽に収容または前記処理槽から搬出される際には、前記シリンダにより前記移動部材を許容位置に移動することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置において、
前記移動部材は、前記シリンダの作動片に接合された接合部と、基板の端縁に当接する当接部とを備え、
前記シリンダは、作動片の進退により前記移動部材を移動させて前記当接部を進退させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項３または４に記載の基板処理装置において、
前記シリンダは、圧縮空気の供給・遮断によって作動することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理槽内の処理液を収容可能なバッファタンクを備え、
前記支持アームが基板を前記処理槽内に収容する前に前記処理槽内の処理液を前記バッファタンクに収容し、前記支持アームが処理済みの基板を前記処理槽から搬出する前に前記処理槽内の処理液を前記バッファタンクに収容するようにしたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理槽内に気体の気泡を発生させる気泡発生手段を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、光ディスク用の基板など（以下、単に基板と称する）に所定の処理を施す基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種の装置として、硫酸を貯留する処理槽と、処理槽にオゾンガスの気泡を供給する気泡供給部と、基板の下部端縁を当接支持する支持アームとを備え、処理槽内に支持アームを収容して基板に処理を施すにあたり、基板の下方からオゾンガスの気泡を供給するものが挙げられる（例えば、特許文献１を参照）。この装置は、主として基板に被着されたフォトレジスト膜を除去するために用いられているが、処理時間を短縮するために大量のオゾンガスの気泡を供給することが行われる。
【０００３】
【特許文献１】
特許第２５２２８０５号
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、基板に対する処理中に、オゾンガスの気泡が基板面に付着すること等に起因して基板に浮力が付与されるので、基板の下部端縁を当接支持している支持アームから基板が浮いてしまうことがある。すると、支持アームにおける基板の位置がずれたり、支持アームから落下したりするという問題がある。基板が位置ズレすると、次の処理に移行する際に基板の移載ができなかったり、移載できても位置ズレに起因して次の処理において不都合が生じたりする。後者の場合、例えば、次の処理が回転式乾燥装置で乾燥処理である場合、位置ズレを起こした基板が落下して破損する等の問題が生じる。なお、上記の問題は、他の処理液に比較して比重が高い硫酸の場合に顕著に生じやすい。
【０００５】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、処理槽内における基板の移動を規制することにより、処理中における基板の浮きを防止して、基板の位置ズレ等を防止することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、処理液を貯留するための処理槽と、前記処理槽内で基板を起立姿勢で支持する支持アームとを備え、前記処理槽内の基板に所定の処理を施す基板処理装置において、前記処理槽に付設され、基板の通過を許容する許容位置と、基板に当接して基板の移動を規制する規制位置とにわたって揺動可能な移動部材と、処理液に対する耐性を有し、作動片を進退させて前記移動部材を許容位置と規制位置とにわたって駆動するシリンダとを備え、前記処理槽内で前記支持アームに支持された基板を処理する際には、前記シリンダにより前記移動部材を規制位置に移動し、前記支持アームが前記処理槽に収容または前記処理槽から搬出される際には、前記シリンダにより前記移動部材を許容位置に移動することを特徴とするものである。
【０００７】
（作用・効果）基板の収容・搬出の際にはシリンダの作動片が移動部材を許容位置に揺動させ、基板を処理する際にはシリンダの作動片が移動部材を規制位置に揺動させる。このようにシリンダの作動片を進退させるだけで、処理槽内における基板の移動を規制することができる。したがって、モータ等の他の複雑な駆動機構を設けることなく簡単な構成、かつ耐薬構造で気泡に起因する基板の浮きを防止することができ、発塵少なく基板の位置ズレ等を防止することができる。
【０００８】
また、移動部材と基板との当接が処理中に行われるため、処理液の乾燥による結晶が移動部材に付着することもなく、その結果、その結晶が基板に付着するようなこともない。さらに、シリンダにより移動部材を許容位置と規制位置とに揺動させているので、基板が処理槽の処理液に浸漬している間、常時基板の浮きを防止できる。
【０００９】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記移動部材は、許容位置において回転軸より上に位置する押圧部と、許容位置において回転軸より下に位置し、規制位置において基板の端縁に当接する当接部とを備え、前記シリンダは、作動片の進退により前記押圧部を移動させて前記当接部を揺動させることを特徴とするものである。
【００１０】
（作用・効果）シリンダの作動片を進退させると、押圧部が移動し、回転軸を挟んで押圧部と反対側に位置する当接部が基板の端縁に当接して基板の移動を規制したり、基板の通過を許容できたりする。
【００１１】
また、請求項３に記載の発明は、処理液を貯留するための処理槽と、前記処理槽内で基板を起立姿勢で支持する支持アームとを備え、前記処理槽内の基板に所定の処理を施す基板処理装置において、前記処理槽に付設され、基板の通過を許容する許容位置と、基板に当接して基板の移動を規制する規制位置とにわたって進退可能な移動部材と、処理液に対する耐性を有し、作動片を進退させて前記移動部材を許容位置と規制位置とにわたって駆動する耐蝕シリンダとを備え、前記処理槽内で前記支持アームに支持された基板を処理する際には、前記シリンダにより前記移動部材を規制位置に移動し、前記支持アームが前記処理槽に収容または前記処理槽から搬出される際には、前記シリンダにより前記移動部材を許容位置に移動することを特徴とするものである。
【００１２】
（作用・効果）基板の収容・搬出の際にはシリンダの作動片が移動部材を許容位置に退出させ、基板を処理する際にはシリンダの作動片が移動部材を規制位置に進出させる。このようにシリンダの作動片を進退させるだけで、処理槽内における基板の移動を規制することができる。したがって、モータ等の他の複雑な駆動機構を設けることなく簡単な構成、かつ耐薬構造で気泡に起因する基板の浮きを防止することができ、発塵少なく基板の位置ズレ等を防止することができる。
【００１３】
また、移動部材と基板との当接が処理中に行われるため、処理液の乾燥による結晶が移動部材に付着することもなく、その結果、その結晶が基板に付着するようなこともない。さらに、シリンダにより移動部材を許容位置と規制位置とに進退させているので、基板が処理槽の処理液に浸漬している間、常時基板の浮きを防止できる。
【００１４】
また、請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の基板処理装置において、前記移動部材は、前記シリンダの作動片に接合された接合部と、基板の端縁に当接する当接部とを備え、前記シリンダは、作動片の進退により前記移動部材を移動させて前記当接部を進退させることを特徴とするものである。
【００１５】
（作用・効果）シリンダの作動片を進退させると、移動部材の接合部とともに当接部を直線的に移動させることができる。
【００１６】
また、前記シリンダは、圧縮空気の供給・遮断によって作動することが好ましい（請求項５）。
【００１７】
また、請求項６に記載の発明は、請求項１から５のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理槽内の処理液を収容可能なバッファタンクを備え、前記支持アームが基板を前記処理槽内に収容する前に前記処理槽内の処理液を前記バッファタンクに収容し、前記支持アームが処理済みの基板を前記処理槽から搬出する前に前記処理槽内の処理液を前記バッファタンクに収容するようにしたことを特徴とするものである。
【００１８】
（作用・効果）処理後に移動部材が許容位置に移動されていると、処理によっては基板に気泡が付着したままの場合があって基板が浮いて位置ズレが生じる恐れがある。そこで、処理後に基板を搬出する前に処理槽内の処理液をバッファタンクに一時的に収容することで、気泡に起因する浮力が基板に作用しないようにすることができ、そのような不都合を防止できる。
【００１９】
また、請求項７に記載の発明は、請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理槽内に気体の気泡を発生させる気泡発生手段を備えていることを特徴とするものである。
【００２０】
（作用・効果）オゾンガス等の気体の気泡を気泡発生手段によって供給することで、例えば不要なフォトレジスト膜などの有機物除去能力を飛躍的に高めることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
＜第１実施例＞
図１から図４はこの発明の一実施例に係り、図１は本実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図であり、図２は処理槽の概略構成を示す平面図である。また、図３は規制機構の動作説明図であって許容位置を示し、図４は規制機構の動作説明図であって規制位置を示す。
【００２２】
本実施例に係る基板処理装置は、処理槽１を備えており、この処理槽１には支持アーム３によって基板Ｗが収容される。支持アーム３は、昇降自在に構成され、図示しない搬送ロボットとの間で基板Ｗを受け渡すものである。この支持アーム３は、背板３ａと、支持部材３ｂとを備えている。支持アーム３に受け取られた複数枚の基板Ｗは、背板３ａから突出して設けられた３本の支持部材３ｂによって起立姿勢で整列して保持される。支持アーム３の昇降位置は、処理槽１の上方にあたる図示しない「基板受け渡し位置」及び、図１に示す「処理位置」である。処理槽１は、内槽５と外槽７を備えている。内槽５には処理液が貯留され、溢れた処理液が外槽７で回収される。内槽５と外槽７とは配管９で連通接続されており、外槽７に回収された処理液は循環ポンプ１１によって循環される。
【００２３】
配管９における循環ポンプ１１より下流側には、加熱ヒータ１３と、フィルタ１５とが配設されている。加熱ヒータ１３は処理液を所定温度（例えば、１４０℃以上であり、１５０〜１６０℃程度の温度）に加熱するものであり、フィルタ１５は処理液中のパーティクルを除去するものである。内槽５の下方側面には吹き出し管１７が設けられており、高温にされた処理液が吹き出し管１７を通して内槽５に供給される。また、内槽５の底部には、開閉弁１９を備えた配管２１が連通されており、開閉弁１９を開放することで内槽５の処理液を排出するようになっている。
【００２４】
また、図示省略しているが、内槽５には、液面センサと温度センサとが付設されている。液面センサは内槽５の液面レベルを検出する機能を備え、温度センサは内槽５における処理液の温度を検出する機能を備えている。これらの検出値は、後述する制御部５１に出力される。
【００２５】
外槽７には、供給管２３の先端部が導入されている。この供給管２３は、硫酸補充装置２５に連通されており、開閉弁２７の開閉によって外槽７に対して処理液である硫酸を補充するようになっている。
【００２６】
内槽５の底部付近には、気泡供給手段２９が配備されている。この気泡供給手段２９は、基板Ｗ面側から見て５個の泡発生部品３１を備えている。この泡発生部品３１は、例えば、石英粒子を焼結して構成されており、供給された気体を多数の細孔から噴出させる機能を備える。気泡供給手段２９には、オゾンガス発生装置３３に連通した配管３５が連結されている。この配管３５には、開閉弁３７が取り付けられている。したがって、開閉弁３７を開放すると、泡発生部品３１から処理液中にきめ細かいオゾンガスの泡が多数混入される。
【００２７】
平面視で内槽５の内側には、規制機構３９が設けられている。規制機構３９は、支持アーム３が処理位置にある際に基板Ｗの上方や側方への移動を許容する許容位置（図１中に実線で、図２中に二点鎖線で示す）と、基板Ｗの斜め上方の端縁に当接して基板Ｗの移動を規制する規制位置（図１中に二点鎖線で、図２中に実線で示す）とにわたって揺動可能な移動部材４１と、これを揺動させる耐蝕シリンダ４３とを備えている。ここでいう耐蝕シリンダ４３は、薬液を含む処理液に耐性を有する構造を備えているシリンダである。移動部材４１は、内槽５の長手方向（水平方向）に沿う回転軸Ｐ周りに揺動可能に構成されている。
【００２８】
なお、図示省略してあるが、耐蝕シリンダ４３は図１の処理槽１奥側、図２の左側にあたる外槽７上の蓋材上面に取り付けられており、移動部材４１を揺動自在に保持する支持部（図示省略）の一方側も同様の位置に取り付けられている。この例では、耐蝕シリンダ４３を一つの規制機構３９に一つだけ設けているが、図１における処理槽１の奥側と手前側にそれぞれ耐蝕シリンダ４３を設けるようにしてもよい。
【００２９】
移動部材４１は、許容位置（図３）において回転軸Ｐよりも上方に位置する押圧部４５と、許容位置において回転軸Ｐより下方に位置し、規制位置（図４）において外周面が基板Ｗの端縁に当接する当接部４７とを備えている。当接部４７は、基板Ｗの端縁と点接触するように、例えば、縦断面が円形状を呈する。また、押圧部４５は、移動部材４１の奥側にあたる、耐蝕シリンダ４３が設けられている側だけに設けられている。
【００３０】
なお、移動部材４１は、処理液に耐性を有する材料で構成されている。その材料としては、例えば、ＰＴＦＥ、ＰＦＡ、ＥＴＦＥなどのフッ素樹脂が好ましい。
【００３１】
耐蝕シリンダ４３は、排出ポート４３ａと、エアＩＮ１ポート４３ｂと、エアＩＮ２ポート４３ｃと作動片４３ｄとを備えている。エアＩＮ１ポート４３ｂに圧縮空気が送り込まれると、耐蝕シリンダ４３の作動片４３ｄは所定のストロークだけ押し出され、エアＩＮ２ポート４３ｃに圧縮空気が送り込まれると、押し出されている作動片４３ｄは元の位置に引き込まれる。なお、耐蝕シリンダ４３の作動片４３ｄのストロークは、例えば、４〜８ｍｍ程度である。作動片４３ｄは、例えば、フッ素樹脂で構成され、外周面がベローズ状に形成されて所定ストロークで伸縮可能に構成されている。
【００３２】
上記のように耐蝕シリンダ４３は圧縮空気で駆動されるが、その供給・遮断は電磁弁４９により行われる。電磁弁４９は、例えば、クリーンルームのユーティリティーから圧縮空気を供給されており、それが第１ポート４９ａと、第２ポート４９ｂから耐蝕シリンダ４３へ排出されるようになっている。また、第１ポート４９ａは、耐蝕シリンダ４３のエアＩＮ１ポート４３ｂに連通接続され、第２ポート４９ｂは、耐蝕シリンダ４３のエアＩＮ２ポート４３ｃに連通接続されている。
【００３３】
制御部５１は、上述した循環ポンプ１１と、開閉弁１９と、加熱ヒータ１３と、硫酸補充装置２５と、開閉弁２７と、オゾンガス発生装置３３と、開閉弁３７と、電磁弁４９とを制御する。この制御は、プロセスに基づき予め規定されているレシピに応じて行われる。
【００３４】
耐蝕シリンダ４３は、制御部５１により次のように制御される。
すなわち、基板Ｗの収容・搬出の際には、電磁弁４９の第２ポート４９ｂから圧縮空気が耐蝕シリンダ４３のエアＩＮ２ポート４３ｃに送り込まれ、作動片４３ｄが通常状態の引き戻された状態とされる。したがって、図３に示すように移動部材４１の当接部４７が回転軸Ｐの直下付近に位置する許容位置に揺動される。その一方、基板Ｗを処理する際には、電磁弁４９の第２ポート４９ｂへの圧縮空気が遮断されるとともに第１ポート４９ａから圧縮空気が耐蝕シリンダ４３のエアＩＮ１ポート４３ｂに送り込まれ、その作動片４３ｄが回転軸Ｐを超えて突出された状態とされる。したがって、図４に示すように移動部材４１の当接部４７が規制位置に揺動される。
【００３５】
次に、図５を参照して、上述した構成の基板処理装置における動作について説明する。なお、図５は、処理の流れを説明するフローチャートである。
【００３６】
ステップＳ１
処理液の供給を開始する。
具体的には、開閉弁２７を開放して、硫酸補充装置２５から外槽７に硫酸を直接的に供給するとともに、配管９を通して内槽５に硫酸を間接的に供給する。
【００３７】
ステップＳ２
処理に要する処理液が供給された時点で開閉弁２７を閉止する。
【００３８】
ステップＳ３
循環ポンプ１１を作動させて、内槽５及び外槽７に貯留している処理液を循環させるとともに、加熱ヒータ１３をオンにして処理液をレシピに応じた所定温度を目標値として加熱を開始する。
【００３９】
ステップＳ４
制御部５１は、図示しない温度センサを監視し、レシピに応じた所定温度に達したか否かに応じて処理を分岐する。達していない場合には監視を継続し、達した場合にはステップＳ５に処理を移行して、加熱ヒータ１３をオフにする。
【００４０】
ステップＳ６
処理液の準備が完了した後、制御部５１は、電磁弁４９を制御して第２ポート４９ｂから圧縮空気を耐蝕シリンダ４３のエアＩＮ２ポート４３ｃに送り込ませる。すると、規制機構３９が作動して、移動部材４１を許容位置に移動する（図３）。次いで、基板Ｗを支持して基板受け渡し位置に待機している支持アーム３を処理位置にまで下降させる（図１及び図３参照）。
【００４１】
なお、耐蝕シリンダ４３が、通常状態で圧縮空気の供給がされていなくても作動片４３ｄを引き込んだ状態となるタイプのものである場合には、上記圧縮空気の送り込みは不要である。
【００４２】
ステップＳ７
規制機構３９をセットする。
具体的には、制御部５１は、電磁弁４９を制御して第２ポート４９ｂからの圧縮空気を遮断するとともに、第１ポート４９ａから圧縮空気を耐蝕シリンダ４３のエアＩＮ２ポート４３ｃに送り込ませる。すると、規制機構３９の移動部材４１が規制位置に移動される（図４）。これにより基板Ｗの斜め上方にあたる端縁に対して移動部材４１の先端部にあたる当接部４７が当接し、基板Ｗの上方や側方への移動が規制される（図４）。
【００４３】
ステップＳ８
開閉弁３７を開放し、オゾンガス発生装置３３からオゾンガスを内槽５に供給する。これにより気泡発生手段２９からオゾンガスの細かい気泡が処理液中に混入され、熱硫酸とともに基板Ｗに作用する。このときオゾンガスの気泡に起因して、基板Ｗに対して浮力が作用するが、その上方への移動が移動部材４１によって規制されているので、基板Ｗが浮き上がったり、側方に位置ズレを起こしたりする不都合を防止できる。
【００４４】
ステップＳ９
レシピに応じた設定時間が経過したか否かによって処理を分岐する。つまり、経過していない場合にはステップＳ９を繰り返し、経過した場合には次のステップＳ１０に移行する。
【００４５】
ステップＳ１０
設定時間が経過した場合には、開閉弁３７を閉止してオゾンガスの供給を停止する。
【００４６】
ステップＳ１１
規制機構３９を解除する。
具体的には、電磁弁４９の第１ポート４９ａの圧縮空気を遮断するとともに、第２ポート４９ｂから圧縮空気をエアＩＮ２ポート４３ｃに送り込む。すると、移動部材４１が許容位置に引き戻される（図１及び図３参照）。
【００４７】
ステップＳ１２
支持アーム３を基板受け渡し位置にまで上昇させる。次いで、図示しない他の搬送手段との間で処理済みの基板Ｗを受け渡す。
【００４８】
上述したように上記第１実施例装置では、基板Ｗの収容・搬出の際には耐蝕シリンダ４３の作動片４３ｄが移動部材４１を許容位置に揺動させ、基板Ｗを処理する際には耐蝕シリンダ４３の作動片４３ｄが移動部材４１を規制位置に揺動させる。このように耐蝕シリンダ４３の作動片４３ｄを進退させるだけで、処理槽１内における基板Ｗの移動を規制できる。したがって、モータ等の他の複雑な駆動機構を設けることなく簡単な構成、かつ耐薬構造で気泡に起因する基板Ｗの浮きを防止することができ、発塵少なく基板Ｗの位置ズレ等を防止することができる。
【００４９】
また、移動部材４１と基板Ｗの端縁との当接が内槽５の処理液中で行われるため、処理液の乾燥による結晶が移動部材４１に付着することもなく、その結果、その結晶が基板Ｗに付着するようなこともない。さらに、基板Ｗの収容・搬出の際には、移動部材４１が許容位置になるように耐蝕シリンダ４３への圧縮空気の供給を切り換えているので、基板Ｗが内槽５の処理液に浸漬している間、常時移動部材４１により基板Ｗの浮きを防止できる。
【００５０】
なお、耐蝕シリンダ４３の取り付け位置を、上記とは反対側にあたる規制機構３９の外側としてもよい。その場合には、耐蝕シリンダ４３の動作を上記とは逆にすれば規制機構３９を上記同様に動作させることができる。
【００５１】
また、移動部材４１を薄板状の部材で一体的に構成し、移動部材４１の構成を簡略化してもよい。
【００５２】
＜第２実施例＞
図６を参照して第２実施例について説明する。なお、図６は第２実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す図であり、以下の説明においては、処理槽１付近の構成についてのみ説明し、上記第１実施例と共通する構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略したり図示を省略したりしている。
【００５３】
本実施例における規制機構３９Ａは、内槽５の側壁に設けられ、耐蝕シリンダ４３と、その作動片４３ｄに取り付けられた移動部材４１Ａとを備えている。その高さ位置は、基板Ｗの処理位置における基板Ｗの高さ方向の中間部よりやや上である。
【００５４】
移動部材４１Ａは、基板Ｗの整列方向に長軸を有する棒状の部材からなり、例えば、処理液耐性を有するフッ素樹脂で構成されている。また、耐蝕シリンダ４３は、各規制機構３９Ａにつき、図６における手前と奥側の二カ所に配備されており、移動部材４１Ａの両端部に各々の作動片４３ｄが接合されている。移動部材４１Ａの作動片４３ｄ側が接合部６１であり、その反対側が、基板Ｗの端縁に当接する当接部６３である。
【００５５】
次に、図７を参照する。なお、図７は、規制機構の動作説明図である。
【００５６】
上記のように構成された規制機構３９Ａは、制御部５１によって電磁弁４９を介して圧縮空気の供給が制御され、許容位置と規制位置とにわたって移動部材４１Ａが水平方向に直線的に進退される。具体的には、図７に示すように、作動片４３ｄが基板Ｗ側に進出されると移動部材４１Ａが基板Ｗの端縁に当接する規制位置にまで直線的に進出移動する（図７中に実線で示す）。一方、作動片４３ｄが基板Ｗ側から退出されると移動部材４１Ａが基板Ｗの端縁から離間する許容位置にまで直線的に退出移動する（図７中に二点鎖線で示す）。
【００５７】
このように構成された装置では、上述した第１実施例装置と同様な手順で動作させるが、基板Ｗを収容・搬出する際に規制機構３９Ａを非作動として移動部材４１Ａを許容位置に直線的に移動させ、基板Ｗを処理する際には規制機構３９Ａを作動させて移動部材４１Ａを規制位置に直線的に移動させる。この実施例装置では、移動部材４１Ａが耐蝕シリンダ４３によって直接的に駆動されるので、上記実施例に比較して移動部材４１Ａの確実な移動が可能である。
【００５８】
また、移動部材４１Ａと基板Ｗとの当接が処理中に行われるため、処理液の乾燥による結晶が移動部材４１Ａに付着することもなく、その結果、その結晶が基板Ｗに付着するような不都合も生じない。さらに、耐蝕シリンダ４３により移動部材４１Ａを許容位置と規制位置とに直線的に進退させているので、基板Ｗが処理槽１の処理液に浸漬している間、常時基板Ｗの浮きを防止できる。
【００５９】
なお、上述した第１及び第２実施例に、図８に示すようなバッファタンクを併設するのが望ましい。この図８は、バッファタンクを備えた場合の概略構成図である。以下の説明においては、処理槽１付近の構成についてのみ説明し、上記第１及び第２実施例と共通する構成については詳細な説明を省略する。
【００６０】
この装置では、配管２１に連通したバッファタンク６５と、このバッファタンク６５内の処理液を排出する開閉弁６７と、バッファタンク６５の処理液を内槽５に戻す配管６９と、この配管６９に配設されたポンプ７１と、配管６９に配設された開閉弁７３とをさらに備えている。開閉弁６７，７３と、ポンプ７１とは、制御部５１によって制御される。
【００６１】
本実施例装置では、上述した第１実施例装置と同様に各部が制御されるが、支持アーム３が基板受け渡し位置と処理位置との間を移動するのに先立って、まず内槽５内の処理液をバッファタンク６５との間で移動させる点において相違する。
【００６２】
すなわち、保持アーム３を基板受け渡し位置から処理位置に移動する際には、開閉弁１９を開放して内槽５内の処理液をバッファタンク６５に移動する。すると、耐蝕シリンダ４３が非作動であれば移動部材４１が自然に鉛直方向に垂下して許容位置に移動する。保持アーム３が処理位置に移動した後、開閉弁１９を閉止するとともに、開閉弁７３を開放してポンプ７１を作動させる。これによりバッファタンク６５に一時的に移動しておいた処理液を内槽５に戻しつつ規制機構３９を作動させて基板Ｗの移動を規制する。そして、この状態で、オゾンガスの気泡を供給しつつ所定時間の処理を施す。所定時間が経過すると、再びバッファタンク６５に処理液を移動して規制機構３９を非作動として移動部材４１を許容位置に移動させた後、支持アーム３を基板受け渡し位置に向けて上昇させる。
【００６３】
上述した第１実施例では、処理液を内槽５に貯留した状態で支持アーム３が処理位置に移動すると、非作動とした状態の規制機構３９Ａの移動部材４１が浮力により許容位置から規制位置に向かってわずかに移動する恐れがある。すると基板Ｗの端縁に接触するという不都合が生じる。しかし、たとえ規制機構３９Ａが非作動であっても内槽５の処理液をバッファタンク６５に移動した状態であれば、移動部材４１に浮力が生じることがないので、そのような不都合を防止できる。
【００６４】
しかも、処理液を無駄に排出することなくバッファタンク６５に一時的に貯留しているので、処理液を有効に利用することができる。ところで、処理後に移動部材４１、４１Ａがすぐに許容位置に移動されると、処理によっては基板Ｗに気泡が付着したままの場合があって基板Ｗが浮いて位置ズレが生じる恐れがある。そこで、処理後に基板Ｗを搬出する前に内槽５内の処理液をバッファタンク６５に一時的に収容することで、気泡に起因する浮力が基板Ｗに作用しないようにすることができ、そのような不都合を防止できる。
【００６５】
なお、本発明は、オゾンガスの気泡を発生させる気泡発生手段２９を備えている必要はない。例えば、処理液と基板Ｗとの反応により基板Ｗ面に気泡が付着し、これに起因して基板Ｗが位置ズレするような装置であっても適用することができる。
【００６６】
また、本発明は、上述した実施例のように複数枚の基板Ｗを同時に処理するタイプの装置だけでなく、一枚ずつ基板Ｗを浸漬処理する装置であっても適用することができる。
【００６７】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、基板の収容・搬出の際にはシリンダの作動片が移動部材を許容位置に揺動させ、基板を処理する際にはシリンダの作動片が移動部材を規制位置に揺動させる。このようにシリンダの作動片を進退させるだけで、処理槽内における基板の移動を規制することができる。したがって、モータ等の他の複雑な駆動機構を設けることなく簡単な構成、かつ耐薬構造で気泡に起因する基板の浮きを防止することができ、発塵少なく基板の位置ズレ等を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】処理槽の概略構成を示す平面図である。
【図３】規制機構の動作説明図であって許容位置を示す。
【図４】規制機構の動作説明図であって規制位置を示す。
【図５】処理の流れを説明するフローチャートである。
【図６】第２実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図７】規制機構の動作説明図である。
【図８】バッファタンクを備えた場合の概略構成図である。
【符号の説明】
１  …  処理槽
３  …  支持アーム
５  …  内槽
７  …  外槽
１１  …  循環ポンプ
１３  …  加熱ヒータ
１７  …  吹き出し管
２９  …  気泡供給手段
３３  …  オゾンガス発生装置
３９  …  規制機構
４１  …  移動部材
４３  …  耐蝕シリンダ
４５  …  押圧部
４７  …  当接部
４９  …  電磁弁
５１  …  制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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