(57)【要約】【課題】製造工程を単純化すると共に、製造工程における安定性を高めることにより、製品の歩留まりを向上させ、さらに、製造コストの節減のほか、放熱効果、導電性などの異なる要求をも満たす半導体素子特性の補強、改善効果を奏する半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】仮基板上に半導体素子の構造を成長させ、さらに切開して分割し独立ブロックとし、永久基板を該独立ブロック上に貼着して上下の向きを反転させ、該仮基板を剥離するとともに、半導体素子の製造工程を施して該永久基板上に半導体素子を形成する方法。【選択図】            図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の製造方法であって、
仮基板を選択し、該仮基板上に半導体素子の構造を成長させる工程と、
該仮基板上に形成した該半導体素子の構造を切開して、個々の独立ブロックに分割する工程と、
永久基板を選択し、物理的方法または化学的方法で切開した該仮基板上の独立ブロックの一端に貼着して上下の向きを反転させる工程と、
該仮基板を除去する工程と、
該半導体素子を完成させて該永久基板上に位置させる工程とを含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記仮基板が、導体、半導体または絶縁体から選択されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記永久基板が、導体、半導体または絶縁体から選択されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記仮基板および前記永久基板の材料が、単層または複数層の金属板、メッキした単層または複数層の金属フィルムからなる基板、一種類または複数種類の金属合金基板、メッキした一種類または複数種類の合金フィルムからなる基板から選択され、更に該基板が導電性重合物を組み合わせて形成され、該導電性重合物が、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ケイ素化合物、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、アルミン酸マグネシウム（ＭｇＡｌＯ）、酸化ガリウムリチウム（ＬｉＧａＯ２）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、ガラス、石英およびその他絶縁重合物からなる群より選択して組み合わせることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記半導体素子の構造を分割して個々の独立ブロックとする工程が、カッター、鋸、レーザなどの機械的切開方法またはウエットエッチング、ドライエッチング、マイクロフォトエッチングなどの化学的方法によることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記永久基板を前記半導体素子に貼着する工程が、接着剤圧力、融合、圧力、熱効果またはファン・デル・ワールス力（ｖａｎ  ｄｅｒ  Ｗａａｌｓ’  ｆｏｒｃｅｓ）による方式を応用することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項７】
前記永久基板を前記半導体素子に貼着するための接着剤の材料が、化合物、重合物、または単一種類もしくは複数種類の金属から任意に選択して組み合わせてなることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項８】
前記仮基板を剥離する方法が、物理的研磨方式、機械的切削方式、化学的エッチング、化学機械的研磨方法またはレーザを利用した方式を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項９】
半導体素子の製造方法であって、
仮基板を選択し、該仮基板上に半導体素子の構造を成長させる工程と、
該仮基板上に形成した該半導体素子の構造を切開して、個々の独立ブロックに分割する工程と、
所定の製造工程によって処理された永久性基板を選択する工程と、
物理的方法または化学的方法で切開した該仮基板上の独立ブロックの一端に貼着して上下の向きを反転させる工程と、
該仮基板を除去する工程と、
該半導体素子を完成させて該永久基板上に位置させる工程とを含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項１０】
前記仮基板が、導体、半導体または絶縁体から選択されることを特徴とする請求項９に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１１】
前記永久基板が、導体、半導体または絶縁体から選択されることを特徴とする請求項９に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１２】
前記仮基板および前記永久基板の材料が、単層もしくは複数層の金属板、メッキした単層もしくは複数層の金属フィルムからなる基板、一種類もしくは複数種類の金属合金基板、またはメッキした一種類もしくは複数種類の合金フィルムからなる基板から選択し、更に該基板が導電性重合物を組み合わせて形成され、該導電性重合物が、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ケイ素化合物、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、アルミン酸マグネシウム（ＭｇＡｌＯ）、酸化ガリウムリチウム（ＬｉＧａＯ２）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、ガラス、石英およびその他絶縁重合物からなる群より任意に選択して組み合わせることを特徴とする請求項９に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１３】
前記半導体素子の構造を分割して個々の独立ブロックとする工程が、カッター、鋸、レーザなどの機械的切開方法またはウエットエッチング、ドライエッチング、マイクロフォトエッチングなどの化学的方法によることを特徴とする請求項９に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１４】
前記永久基板を前記半導体素子に貼着する工程が、接着剤圧力、融合、圧力、熱効果またはファン・デル・ワールス力（ｖａｎ  ｄｅｒ  Ｗａａｌｓ’  ｆｏｒｃｅｓ）による方式を応用することを特徴とする請求項９に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１５】
前記永久基板を前記半導体素子に貼着するための接着剤の材料が、化合物、重合物または単一種類もしくは複数種類の金属から任意に選択して組み合わせてなることを特徴とする請求項９に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１６】
前記仮基板を剥離する方法が、物理的研磨方式、機械的切削方式、化学的エッチング、化学機械的研磨方法またはレーザを利用した方式などを含むことを特徴とする請求項９に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１７】
半導体素子の製造方法であって、
仮基板を選択し、該仮基板上に半導体素子の構造を成長させる工程と、
該仮基板上に形成した該半導体素子の構造を切開して、個々の独立ブロックに分割する工程と、
該半導体の製造方法と、
永久性基板を選択し、物理的方法または化学的方法で切開した該仮基板上の独立ブロックの一端に貼着して上下の向きを反転させる工程と、
該仮基板を除去する工程と、
該半導体素子を完成させて該永久基板上に位置させる工程とを含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項１８】
前記仮基板が、導体、半導体または絶縁体から選択されることを特徴とする請求項１７に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１９】
前記永久基板が、導体、半導体または絶縁体から選択されることを特徴とする請求項１７に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項２０】
前記仮基板および前記永久基板の材料が、単層または複数層の金属板、メッキした単層もしくは複数層の金属フィルムによる基板、一種類もしくは複数種類の金属合金基板、またはメッキした一種類または複数種類の合金フィルムによる基板から選択し、更に該基板が導電性の重合物を組み合わせて形成され、該導電性の重合物が、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ケイ素化合物、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、アルミン酸マグネシウム（ＭｇＡｌＯ）、酸化ガリウムリチウム（ＬｉＧａＯ２）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、ガラス、石英またはその他絶縁重合物による基板などから任意に選択して組み合わせることを特徴とする請求項１７に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項２１】
前記半導体素子の構造を分割して個々の独立ブロックとする工程が、カッター、鋸、レーザなどの機械的切開方法またはウエットエッチング、ドライエッチング、マイクロフォトエッチングなどの化学的方法によることを特徴とする請求項１７に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項２２】
前記永久基板を前記半導体素子に貼着する工程が、接着剤圧力、融合、圧力、熱効果またはファン・デル・ワールス力（ｖａｎ  ｄｅｒ  Ｗａａｌｓ’  ｆｏｒｃｅｓ）による方式を応用することを特徴とする請求項１７に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項２３】
前記永久基板を前記半導体素子に貼着するための接着剤の材料が、化合物、重合物または単一種類又は複数種類の金属から任意に選択して組み合わせてなることを特徴とする請求項１７に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項２４】
前記仮基板を剥離する方法が、物理的研磨方式、機械的切削方式、化学低エッチング、化学機械的研磨方法またはレーザを利用した方式を含むことを特徴とする請求項１７に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項２５】
半導体素子の製造方法であって、
仮基板を選択し、該仮基板上に半導体素子の構造を成長させる工程と、
該仮基板上に形成した該半導体素子の構造を切開して、個々の独立ブロックに分割する工程と、
該半導体素子の製造方法と、
所定の製造工程によって処理された永久性基板を選択する工程と、
物理的または化学的方法で切開した該仮基板上の独立ブロックの一端に貼着して上下の向きを反転させる工程と、
該仮基板を除去する工程と、
該半導体素子を完成させて該永久基板上に位置させる工程とを含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２６】
前記仮基板が、導体、半導体または絶縁体から選択されることを特徴とする請求項２５に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項２７】
前記永久基板が、導体、半導体または絶縁体から選択されることを特徴とする請求項２５に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項２８】
前記仮基板および永久基板の材料が、単層もしくは複数層の金属板、メッキした単層もしくは複数層の金属フィルムからなる基板、一種類もしくは複数種類の金属合金基板またはメッキした一種類もしくは複数種類の合金フィルムによる基板から選択され、更に該基板が導電性重合物を組み合わせて形成され、該導電性重合物が、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ケイ素化合物、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、アルミン酸マグネシウム（ＭｇＡｌＯ）、酸化ガリウムリチウム（ＬｉＧａＯ２）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、ガラス、石英およびその他絶縁重合物からなる群より選択して組み合わせることを特徴とする請求項２５に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項２９】
前記半導体素子の構造を分割して個々の独立ブロックとする工程が、カッター、鋸、レーザなどの機械的切開方法またはウエットエッチング、ドライエッチング、マイクロフォトエッチングなどの化学的方法によることを特徴とする請求項２５に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３０】
前記永久基板を前記半導体素子に貼着する工程が、接着剤圧力、融合、圧力、熱効果またはファン・デル・ワールス力（ｖａｎ  ｄｅｒ  Ｗａａｌｓ’  ｆｏｒｃｅｓ）などによる方式を応用することを特徴とする請求項２５に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３１】
前記永久基板を前記半導体素子に貼着するための接着剤の材料が、化合物、重合物、または単一種類もしくは複数種類の金属から任意に選択して組み合わせてなることを特徴とする請求項２５に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３２】
前記仮基板を剥離する方法が、物理的研磨方式、機械的切削方式、化学的エッチング、化学機械的研磨方法、またはレーザを利用した方式などを含むことを特徴とする請求項２５に記載の半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一種の新規な半導体素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の集積回路の集積度の向上は、半導体業界のレベルをディープサブミクロン級の技術にまで発展させようとしている。超高密度集積回路の製造技術はたゆまず進歩を遂げ、半導体素子のサイズはますます縮小化する傾向にある。かかる半導体製造技術の趨勢は、ウエハの高密度化達成に向かってますます発展を遂げている。このため、素子のレイアウトは、効率的な空間利用の観念に基づいて進歩を重ね、各種素子のサイズを縮小化し、かつ集積度を高める点に力が注がれている。素子の縮小は、すでにサブミクロン、またはさらに縮小された範囲に至っている。このような進歩の趨勢によって、多重インナーリードの応用も集積回路製造技術を発展させるための課題の一項目であり、製造工程の整合と簡略化も、一つの思考すべき課題である。
【０００３】
半導体の光電素子には、発光ダイオード、半導体レーザ、ソーラ電池、光学測定器などが含まれ、電子素子にはトランジスタ、単極性素子、両極体、マイクロウェーブ素子などが含まれる。これら素子の製造工程を簡略化することは一種の趨勢であって、同時に生産コストを低減することも考慮しなければならない。よって、仮に異なる要求に基づく選択肢のいずれにも対応でき、永久性を備える基板の製造工程を開発できれば、上述の目的を達成できるとともに、素子の特性を改善することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の課題は、前記の状況に鑑み、光電素子にも電子素子にも応用できる半導体素子であって、素子のサイズの縮小化と、製造方法の簡略化を達成することができる新規な半導体素子の製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者らは、従来の技術における欠点に鑑み鋭意研究を重ね、仮基板上に半導体素子の構造を成長させ、さらに切開して分割し独立ブロックとし、永久基板を該独立ブロック上に貼着して上下の向きを逆転させ、該仮基板を剥離する方法によって課題を解決できる点に着眼し、かかる知見に基づいて本発明を完成させた。
【０００６】
本発明について、以下に詳述する。
請求項１に記載する半導体素子の製造方法は、仮基板を選択し、該仮基板上に半導体素子の構造を成長させる工程と、該仮基板上に形成した半導体素子の構造を切開して、個々の独立ブロックに分割する工程と、永久性基板を選択し、物理的方法または化学的方法で切開した仮基板上の独立ブロックの一端に貼着して上下の向きを反転させる工程と、該仮基板を除去する工程と、該半導体素子を完成させて該永久基板上に位置させる工程とを含むものである。
【０００７】
請求項２は、前記仮基板が、導体、半導体または絶縁体から選択されるものに特定された請求項１に記載の半導体素子の製造方法に関するものである。
【０００８】
請求項３は、前記永久基板が、導体、半導体または絶縁体から選択されるものに特定された請求項１に記載の半導体素子の製造方法に関するものである。
【０００９】
請求項４は、前記仮基板と前記永久基板の材料が、単層もしくは複数層の金属板、メッキした単層もしくは複数層の金属フィルムによる基板、一種類もしくは複数種類の金属合金基板またはメッキした一種類もしくは複数種類の合金フィルムによる基板から選択し、更に該基板が導電性の重合物を組み合わせて形成されてなり、該導電性の重合物が、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ケイ素化合物、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、アルミン酸マグネシウム（ＭｇＡｌＯ）、酸化ガリウムリチウム（ＬｉＧａＯ２）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、ガラス、石英またはその他絶縁重合物による基板などから任意に選択して組み合わせてなるものに特定された請求項１に記載の半導体素子の製造方法に関するものである。
【００１０】
請求項５は、前記半導体素子の構造を分割して個々の独立ブロックとする工程が、カッター、鋸、レーザなどの機械的切開方法またはウエットエッチング、ドライエッチング、マイクロフォトエッチングなどの化学的方法に特定された請求項１に記載の半導体素子の製造方法に関するものである。
【００１１】
請求項６は、前記永久基板を半導体素子に貼着する工程が、接着剤圧力、融合、圧力、熱効果またはファン・デル・ワールス力（ｖａｎ  ｄｅｒ  Ｗａａｌｓ’  ｆｏｒ  ｃｅｓ）などによる方式を応用する工程に特定された請求項１に記載の半導体素子の製造方法に関するものである。
【００１２】
請求項７は、前記永久基板を半導体素子に貼着するための接着剤の材料が、化合物、重合物または単一種類もしくは複数種類の金属から任意に選択して組み合わせてなるものに特定された請求項１に記載の半導体素子の製造方法に関するものである。
【００１３】
請求項８は、前記仮基板を剥離する方法が、物理的研磨方式、機械的切削方式、化学的エッチング、化学機械的研磨方法またはレーザを利用した方式などを含む方法に特定された請求項１に記載の半導体素子の製造方法に関するものである。
【００１４】
請求項９に記載する半導体素子の製造方法は、仮基板を選択し、該仮基板上に半導体素子の構造を成長させる工程と、該仮基板上に形成した半導体素子の構造を切開して、個々の独立ブロックに分割する工程と、所定の製造工程によって処理された永久性基板を選択する工程と、物理的もしくは化学的方法で切開した仮基板上の独立ブロックの一端に貼着して上下の向きを反転させる工程と、該仮基板を除去する工程と、該半導体素子を完成させて該永久基板上に位置させる工程とを含むものである。
【００１５】
請求項１０は、前記仮基板が、導体、半導体または絶縁体から選択された基板に特定された請求項９に記載の半導体素子の製造方法に関するものである。
【００１６】
請求項１１は、前記永久基板が、導体、半導体または絶縁体から選択された基板に特定された請求項９に記載の半導体素子の製造方法に関するものである。
【００１７】
請求項１２は、前記仮基板と永久基板の材料が、単層または複数層の金属板、メッキした単層もしくは複数層の金属フィルムによる基板、一種類もしくは複数種類の金属合金基板またはメッキした一種類もしくは複数種類の合金フィルムからなる基板から選択され、更に該基板が導電性の重合物を組み合わせて形成され、該導電性の重合物が、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ケイ素化合物、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、アルミン酸マグネシウム（ＭｇＡｌＯ）、酸化ガリウムリチウム（ＬｉＧａＯ２）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、ガラス、石英またはその他絶縁重合物による基板などから任意に選択した組み合わせに特定された請求項９に記載の半導体素子の製造方法に関するものである。
【００１８】
請求項１３は、前記半導体素子の構造を分割して個々の独立ブロックとする工程が、カッター、鋸、レーザなどの機械的切開方法またはウエットエッチング、ドライエッチング、マイクロフォトエッチングなどの化学的方法に特定された請求項９に記載の半導体素子の製造方法に関するものである。
【００１９】
請求項１４は、前記永久基板を半導体素子に貼着する工程が、接着剤圧力、融合、圧力、熱効果またはファン・デル・ワールス力（ｖａｎ  ｄｅｒ  Ｗａａｌｓ’  ｆｏｒｃｅｓ）などによる方式を応用する工程に特定された請求項９に記載の半導体素子の製造方法に関するものである。
【００２０】
請求項１５は、前記永久基板を半導体素子に貼着するための接着剤の材料が、化合物、重合物または単一種類もしくは複数種類の金属から任意に選択して組み合わせてなるものに特定された半導体素子の製造方法に関するものである。
【００２１】
請求項１６は、前記仮基板を剥離する方法が、物理的研磨方式、機械的切削方式、化学的エッチング、化学機械的研磨方法またはレーザを利用した方式などを含むものに特定された請求項９に記載の半導体素子の製造方法に関するものである。
【００２２】
請求項１７に記載する半導体素子の製造方法は、仮基板を選択し、該仮基板上に半導体素子の構造を成長させる工程と、該仮基板上に形成した半導体素子の構造を切開して、個々の独立ブロックに分割する工程と、半導体の製造方法と、永久性基板を選択し、物理的または化学的方法で切開した仮基板上の独立ブロックの一端に貼着して上下の向きを反転させる工程と、該仮基板を除去する工程と、該半導体素子を完成させて該永久基板上に位置させる工程とを含むものである。
【００２３】
請求項１８は、前記仮基板が、導体、半導体または絶縁体から選択される基板に特定された請求項１７に記載の半導体素子の製造方法に関するものである。
【００２４】
請求項１９は、前記永久基板が、導体、半導体または絶縁体から選択される基板に特定された請求項１７に記載の半導体素子の製造方法に関するものである。
【００２５】
請求項２０は、前記仮基板（２）と前記永久基板（６）の材料が、単層もしくは複数層の金属板、メッキした単層もしくは複数層の金属フィルムによる基板、一種類もしくは複数種類の金属合金基板またはメッキした一種類もしくは複数種類の合金フィルムによる基板から選択し、更に該基板が導電性の重合物を組み合わされて形成され、該導電性の重合物が、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ケイ素化合物、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、アルミン酸マグネシウム（ＭｇＡｌＯ）、酸化ガリウムリチウム（ＬｉＧａＯ２）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、ガラス、石英またはその他絶縁重合物による基板などから任意に選択した組み合わせに特定された請求項１７に記載の半導体素子の製造方法に関するものである。
【００２６】
請求項２１は、前記半導体素子の構造を分割して個々の独立ブロックとする工程が、カッター、鋸、レーザなどの機械的切開方法またはウエットエッチング、ドライエッチング、マイクロフォトエッチングなどの化学的方法に特定された請求項１７に記載の半導体素子の製造方法に関するものである。
【００２７】
請求項２２は、前記永久基板を半導体素子に貼着する工程が、接着剤圧力、融合、圧力、熱効果またはファン・デル・ワールス力（ｖａｎ  ｄｅｒ  Ｗａａｌｓ’  ｆｏｒｃｅｓ）などによる方式を応用する工程に特定された請求項１７に記載の半導体素子の製造方法に関するものである。
【００２８】
請求項２３は、前記永久基板を半導体素子に貼着するための接着剤の材料が、化合物、重合物または単一種類もしくは複数種類の金属から任意に選択して組み合わせてなるものに特定された請求項１７に記載の半導体素子の製造方法に関するものである。
【００２９】
請求項２４は、前記仮基板を剥離する方法が、物理的研磨方式、機械的切削方式、化学低エッチング、化学機械的研磨方法またはレーザを利用した方式などを含むものに特定された請求項１７に記載の半導体素子の製造方法に関するものである。
【００３０】
請求項２５に記載する半導体素子の製造方法は、仮基板を選択し、該仮基板上に半導体素子の構造を成長させる工程と、該仮基板上に形成した半導体素子の構造を切開して、個々の独立ブロックに分割する工程と、半導体素子の製造工程と、所定の製造工程によって処理された永久性基板を選択する工程と、物理的または化学的方法で切開した仮基板上の独立ブロックの一端に貼着して上下の向きを反転させる工程と、該仮基板を除去する工程と、該半導体素子を完成させて該永久基板上に位置させる工程とを含むものである。
【００３１】
請求項２６は、前記仮基板が、導体、半導体または絶縁体から選択されるものに特定された請求項２５に記載の半導体素子の製造方法に関するものである。
【００３２】
請求項２７は、前記永久基板が、導体、半導体または絶縁体から選択されるものに特定された請求項２５に記載の半導体素子の製造方法に関するものである。
【００３３】
請求項２８は、前記仮基板と永久基板の材料が、単層もしくは複数層の金属板、メッキした単層もしくは複数層の金属フィルムによる基板、一種類もしくは複数種類の金属合金基板またはメッキした一種類もしくは複数種類の合金フィルムによる基板から選択し、更に該基板が導電性の重合物を組み合わせて形成され、該導電性の重合物が、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ケイ素化合物、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、アルミン酸マグネシウム（ＭｇＡｌＯ）、酸化ガリウムリチウム（ＬｉＧａＯ２）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、ガラス、石英またはその他絶縁重合物からなる基板などから任意に選択して組み合わせてなるものに特定された請求項２５に記載の半導体素子の製造方法に関するものである。
【００３４】
請求項２９は、前記半導体素子の構造を分割して個々の独立ブロックとする工程が、カッター、鋸、レーザなどの機械的切開方法またはウエットエッチング、ドライエッチング、マイクロフォトエッチングなどの化学的方法による工程に特定された請求項２５に記載の半導体素子の製造方法に関するものである。
【００３５】
請求項３０は、前記永久基板を半導体素子に貼着する工程が、接着剤圧力、融合、圧力、熱効果またはファン・デル・ワールス力（ｖａｎ  ｄｅｒ  Ｗａａｌｓ’  ｆｏｒｃｅｓ）などによる方式を応用するものに特定された請求項２５に記載の半導体素子の製造方法に関するものである。
【００３６】
請求項３１は、前記永久基板を半導体素子に貼着するための接着剤の材料が、化合物、重合物または単一種類もしくは複数種類の金属から任意に選択して組み合わせてなるものに特定された請求項２５に記載の半導体素子の製造方法に関するものである。
【００３７】
請求項３２は、前記仮基板を剥離する方法が、物理的研磨方式、機械的切削方式、化学的エッチング、化学機械的研磨方法またはレーザを利用した方式などを含むものに特定された請求項２５に記載の半導体素子の製造方法に関するものである。
【００３８】
【発明の実施の形態】
本発明に係る半導体素子の製造方法は、仮基板上に半導体素子の構造を成長させ、さらに切開して分割し独立ブロックとし、永久基板を該独立ブロック上に貼着して上下の向きを逆転させ、該仮基板を剥離して半導体素子を製造する方法であって、素子のサイズの縮小化と、製造方法の簡略化を達成することができるものである。かかる半導体素子の製造方法の特徴を詳述するために、具体的な実施例を挙げ、図面を参照にして以下に説明する。
【００３９】
（実施例１）
本発明による半導体素子の製造方法は、半導体素子を応用する光電素子および電子素子のいずれにも応用できる。該光電素子には、発光ダイオード、半導体レーザ、ソーラ電池、光学測定器などが含まれ、該電子素子にはトランジスタ、単極性素子、両極体、マイクロウェーブ素子などが含まれる。その製造方法に含まれる主な工程を図１に開示する。
【００４０】
先ず、（Ｓ１００）の工程において仮基板を選択し、（Ｓ１２０）の工程において該仮基板上に半導体素子の構造を成長させる。該仮基板は導体、半導体または絶縁体から任意に選択される。
【００４１】
次いで、（Ｓ１３０）の工程において、該仮基板上に形成した半導体素子の構造を切開して、個々の独立ブロックに分割する。ここにおける素子を分割して個々の独立ブロックとする工程は、物理的方法（例えば、カッター、鋸、レーザなどを利用して切断する）を含むが、物理的方法に限定することなく、化学的方法（例えば、ウエットエッチング、ドライエッチング、マイクロフォトエッチングなど）を用いてもよい。
【００４２】
次に、（Ｓ１４０）の工程において、永久性基板を選択し、物理的、もしくは化学的方法で切開した仮基板上の独立ブロックの一端に貼着して上下の向きを転倒させる。該独立ブロックの上端を永久基板に貼着する。この場合、接着剤、金属、融合、圧力またはファン・デル・ワールス力（ｖａｎ  ｄｅｒ  Ｗａａｌｓ’  ｆｏｒｃｅｓ）を応用した方式によって貼着する。
【００４３】
次に、（Ｓ１５０）の工程において、仮基板を剥離する。仮基板を剥離する方法は、物理的研磨方式、機械的切削方式、化学的エッチング、化学機械的研磨方法、またはレーザを利用した方式などを含むが、但しこれらに限定されるものではない。
【００４４】
続いての工程は、半導体素子製造を完成させる（Ｓ１６０）の工程と、永久性基板を切断する（Ｓ１７０）の工程を含む。該永久基板（Ｓ１７０）を切断する工程は、選択的な工程である。
【００４５】
（実施例２）
図２に開示する半導体素子の製造方法は、次の（Ａ）から（Ｄ）の工程を含む。即ち、（Ａ）の工程において仮基板（２）を選択し、該仮基板（２）上に半導体素子（４）の構造を成長させる。
【００４６】
（Ｂ）の工程において、物理的方法または化学的方法によって、仮基板（２）上の半導体素子（４）の構造を切開して、半導体素子となる独立ブロックを形成する。
【００４７】
（Ｃ）の工程において、永久基板（６）を選択し、仮基板（２）上の該半導体素子（４）となる独立ブロックに物理的方法または化学的方式で該永久基板（６）を貼着する。この場合、該半導体素子（４）となる独立ブロックの上下の向きが反転する。
【００４８】
（Ｄ）の工程において、半導体素子（４）となる独立ブロックに貼着した仮基板（２）を除去して半導体素子（４）を永久基板（６）上に位置させ、半導体の製造工程を完成させる。
【００４９】
（実施例３）
図３に開示する半導体素子の製造方法は、次の（Ａ）から（Ｅ）の工程を含む。即ち、（Ａ）の工程において仮基板（２）を選択し、該仮基板（２）上に半導体素子（４）の構造を成長させる。
【００５０】
（Ｂ）の工程において、物理的方法または化学的方法によって、仮基板（２）上の半導体素子（４）の構造を切開して、半導体素子となる独立ブロックを形成する。
【００５１】
（Ｃ）の工程において、所定の製造工程において製造された永久基板（６）を選択し、形成された膜層に表示（８）を施す。
【００５２】
（Ｄ）の工程において、仮基板（２）上の該半導体素子（４）となる独立ブロックに物理的方法または化学的方式で該永久基板（６）を貼着する。この場合、該半導体素子（４）となる独立ブロックの上下の向きが反転する。
【００５３】
（Ｅ）の工程において、半導体素子（４）となる独立ブロックに貼着した仮基板（２）を除去して半導体素子（４）を永久基板（６）上に位置させ、半導体の製造工程を完成させる。
【００５４】
（実施例４）
図４に開示する半導体素子の製造方法においては、半導体素子に対して、さらに製造工程を実施する。よって、膜層を形成する部位に表示（１０）を施す。
【００５５】
（実施例５）
図５に開示する半導体素子の製造方法においては、永久基板（６）と分割した独立ブロックである半導体素子（４）のいずれにも、製造工程をさらに実施するので、それぞれ膜層を形成する部位に表示（８）と（１０）を施す。
【００５６】
前記仮基板（２）は、導体、半導体、もしくは絶縁体から選択するか、またはこれらを組み合わせてもよい。永久基板（６）は導体、半導体、もしくは絶縁体から選択するか、またはこれらを組み合わせてもよい。また、仮基板（２）と永久基板（６）の材料は、単層もしくは複数層の金属板か、メッキした単層、もしくは複数層の金属フィルムによる基板か、一種類もしくは複数種類の金属合金基板か、またはメッキした一種類、もしくは複数種類の合金フィルムによる基板から選択し、更に導電性の重合物を組み合わせて基板を形成する。該導電性の重合物が、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ケイ素化合物、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、アルミン酸マグネシウム（ＭｇＡｌＯ）、酸化ガリウムリチウム（ＬｉＧａＯ２）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、ガラス、石英またはその他絶縁重合物による基板などから任意に選択して組み合わせてなる。
【００５７】
半導体素子の上下を反転させて永久基板（６）に貼着する方法は、接着剤、圧力、溶融、熱効果などを応用することができ、同様に化学方式で貼着してもよい。該接着剤は、化合物、重合物または一種類もしくは複数種類の金属の組み合わせであってもよい。仮基板を除去する方法は、機械的切削、化学的エッチング、化学的研磨、機械的研磨、レーザ装置の利用などを応用することができる。その他、レーザ装置を応用して仮基板（２）と半導体素子（４）を切開してもよい。
【００５８】
以上は本発明の好ましい実施例であって、本発明の範囲を限定するものではない。よって、当業者のなし得る修正または変更であって、本発明の精神の下においてなされ、本発明に対して均等の効果を有するものは、いずれも本発明の範囲に属するものである。
【００５９】
【発明の効果】
本発明に係る半導体素子の製造方法によれば、製造工程を単純化し、製造工程における安定性を高めることができ、製品の歩留まりを挙げ、製造コストを節減する効果を奏する。また、例えば、放熱効果、導電性などの異なる要求に合わせて永久基板を選択することにより、半導体素子の特性を補強、改善することができる。さらに、本発明に係る半導体素子の製造方法により得られる半導体素子を光電素子に応用した場合、発光または吸収の有効面積を増加させることができ、半導体素子の特性の効率を最大限に高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体素子の製造方法を説明するフローチャートである。
【図２】本発明の実施例２による半導体素子の製造工程を示す説明図である。
【図３】本発明の実施例３による半導体素子の製造工程を示す説明図である。
【図４】本発明の実施例４による半導体素子の製造工程を示す説明図である。
【図５】本発明の実施例５による半導体素子の製造工程を示す説明図である。
【符号の説明】
２    仮基板
４    半導体素子
６    永久基板
８    表示
１０    表示
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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