(57)【要約】【目的】製造工程中と完成後の両方において、導体の腐食を防止することができるサーマルヘッドを得る。【構成】抵抗層３と、この抵抗層３上に部分的に形成された導体５と、この導体５及び抵抗層３を保護する耐摩耗層１１と、この耐摩耗層１１から離間させて設けた導体用の電極パッド１２とを有するサーマルヘッドＨにおいて、導体５をすべて耐摩耗層１１により覆って形成し、この耐摩耗層１１内の導体５（５ｂ）と耐摩耗層１１外の電極パッド１２を、抵抗層３上に位置する耐腐食金属層１０を介して電気的に接続した。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
抵抗層と、この抵抗層上に部分的に形成された導体と、この導体及び抵抗層を保護する耐摩耗層と、この耐摩耗層から離間させて設けた前記導体用の電極パッドとを有するサーマルヘッドにおいて、
前記導体は、すべて前記耐摩耗層により覆われていて、
この耐摩耗層内の導体と耐摩耗層外の前記電極パッドは、前記抵抗層上に形成された耐腐食金属層を介して電気的に接続されていることを特徴とするサーマルヘッド。
【請求項２】
請求項１記載のサーマルヘッドにおいて、前記耐腐食金属層は、前記抵抗層上の前記導体が形成されていない範囲に形成されていて、一端部が前記耐摩耗層内に位置して前記導体に接し、他端部が前記耐摩耗層外に位置して前記電極パッドに接しているサーマルヘッド。
【請求項３】
請求項２記載のサーマルヘッドにおいて、前記耐摩耗層内に位置する前記耐腐食金属層の一端部は、前記導体の端面にオーバーレイしているサーマルヘッド。
【請求項４】
請求項２又は３記載のサーマルヘッドにおいて、前記耐摩耗層外に位置する前記耐腐食金属層の他端部は、前記電極パッドのメッキシード膜であり、この他端部上に前記電極パッドが形成されているサーマルヘッド。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか一項に記載のサーマルヘッドにおいて、前記耐腐食金属層はＡｕ膜又はＡｕ合金膜によって形成され、前記電極パッドはＡｕにより形成されているサーマルヘッド。
【請求項６】
請求項５記載のサーマルヘッドにおいて、前記導体はＡｌ導体膜により形成されていて、前記耐腐食金属層は、少なくとも前記導体との接合部に、Ｔｉ又はＣｒにより形成された密着層を備えているサーマルヘッド。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか一項に記載のサーマルヘッドにおいて、前記耐腐食金属層を構成するＡｕ又はＡｕ合金膜は、少なくとも１５０ｎｍ以上の膜厚を有しているサーマルヘッド。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか一項に記載のサーマルヘッドにおいて、前記耐摩耗層と前記電極パッドの間に位置する前記耐腐食金属層の表面は、有機絶縁層により覆われているサーマルヘッド。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】
本発明は、フォトプリンタやサーマルプリンタ等に搭載されるサーマルヘッドに関する。
【０００２】
【従来技術およびその問題点】
図５は、従来構造を有するサーマルヘッドを示す断面図である。図５に示されるサーマルヘッドＨ’は、例えば、以下の工程により形成されている。
【０００３】
先ず、保温層１０２を有する基板１０１上に、抵抗層１０３及び導体１０５を順番に形成する。次に、フォトリソグラフィ技術を用いて導体パターンを形成し、不要な導体１０５を除去する。このパターン形成工程では、抵抗層１０３の表面を露出させる複数の開放部βが形成されることにより導体１０５がコモン導体１０５Ａと個別導体１０５Ｂとに分離され、さらに個別導体１０５Ｂは各々に分離される。
【０００４】
続いて、コモン導体１０５Ａ上の一部及び各個別導体１０５Ｂ上の一部にメッキシード膜１０７Ａ、１０７Ｂをそれぞれ形成し、該コモン導体１０５Ａ上のメッキシード膜１０７Ａの上にコモン厚膜電極１０８をメッキにより形成する。コモン厚膜電極１０８を形成したら、コモン導体１０５Ａ、個別導体１０５Ｂの一部、抵抗層１０３及び保温層１０２を覆う耐摩耗層１１１を形成する。この際、耐摩耗層１１１を形成しない範囲の導体１０５にはポリイミド樹脂テープを貼って保護し、耐摩耗層１１１の形成後にポリイミド樹脂テープを剥がす。ポリイミド樹脂テープを剥がした後の導体１０５の表面には、ポリイミド樹脂テープの粘着剤を除去する洗浄処理を行なう。
【０００５】
続いて、耐摩耗層１１１が形成されていない導体１０５と耐摩耗層１１１の間、及びコモン厚膜電極１０８が形成されている範囲に対応する耐摩耗層１１１の上面をそれぞれ有機絶縁層１１３で覆い、各個別導体１０５Ｂ上に形成したメッキシード膜１０７Ｂの上に電極パッド１１２をメッキにより形成する。そして、各電極パッド１１２と不図示の外部端子とをワイヤー１１４によりボンディングし、電極パッド１１２とワイヤー１１４及びその周辺部を樹脂１１５で封止する。以上により、図５に示すサーマルヘッドＨ’が完成する。
【０００６】
上記従来の製造工程では、低抵抗及び低コストであることから一般にＡｌ導体膜によって導体１０５が形成されており、ポリイミド樹脂テープを剥がした後の導体１０５の表面を洗浄する際には、水を含むとアルカリ性を呈する洗浄剤が用いられている。このため、上記洗浄剤を用いて導体１０５の表面を洗浄しているときに水分が混入すると、アルカリ溶液が生成されることになり、このアルカリ溶液によって導体１０５が容易に腐食されてしまうことが問題になっている。導体１０５の腐食は、断線の要因になる。
【０００７】
また完成後のサーマルヘッドＨ’では、耐摩耗層１１１の端面と導体１０５の間に大きな段差γが生じており、段差γ付近には製造過程で欠陥が生じ易い傾向がある。この段差γを含む耐摩耗層１１１と導体１０５の間は有機絶縁層１１３によって覆われているが、段差γでは十分な膜厚を確保することが難しく、段差γ付近に生じている欠陥を完全にカバーしきれないことがある。また、有機絶縁層１１３自体にピンホールが生じている場合もある。このため、使用環境下において、サーマルヘッドＨ’が水で濡らされたり、人間の手で直接触れられたりすると、塩素や水が上記欠陥やピンホールを介して導体１０５まで入り込み、導体１０５を腐食させてしまう問題があった。
【０００８】
さらに従来構造のサーマルヘッドＨ’では、図６に示すように、有機絶縁層１１３と電極パッド１１２の間から導体１０５Ｂが露出しており、この露出部分からも腐食が進行する虞がある。この露出部分からの腐食を防止するには、該露出部分を有機絶縁層などで覆う必要があった。
【０００９】
【特許文献】
特開平７−３２６３４号公報
特許公報第２８３９６００号
【００１０】
【発明の目的】
本発明は、上記問題点に鑑み、製造工程中と完成後の両方において、導体の腐食を防止することができるサーマルヘッドを得ることを目的とする。
【００１１】
【発明の概要】
本発明は、導体がすべて耐摩耗層で覆われていれば、製造工程時にも完成後も腐食されないことに着目してなされたものである。
【００１２】
すなわち、本発明は、抵抗層と、この抵抗層上に部分的に形成された導体と、この導体及び抵抗層を保護する耐摩耗層と、この耐摩耗層から離間させて設けた前記導体用の電極パッドとを有するサーマルヘッドにおいて、導体はすべて耐摩耗層により覆われていて、この耐摩耗層内の導体と耐摩耗層外の電極パッドは、抵抗層上に形成された耐腐食金属層を介して電気的に接続されていることを特徴としている。
【００１３】
耐腐食金属層は、抵抗層上の導体が形成されていない範囲に形成されていて、一端部が耐摩耗層内に位置して導体に接し、他端部が耐摩耗層外に位置して電極パッドに接していることが好ましい。特に、耐摩耗層内に位置する耐腐食金属層の一端部は、導体の端面に面で接していてもよいが、導体との間に隙間を生じさせないように、導体の端面にオーバーレイしていることがより好ましい。
【００１４】
耐腐食金属層は、電極パッドのメッキシード膜を兼ねていることが好ましい。すなわち、耐摩耗層外に位置する耐腐食金属層の他端部が電極パッドのメッキシード膜となり、この他端部上に電極パッドが形成されていることが好ましい。このように耐腐食金属層の上に電極パッドを直接形成することができれば、耐腐食金属層の上にメッキシード膜を形成してから電極パッドを形成する場合よりも１層少ないので電極パッドを形成するためのスペースを縮小することができ、サーマルヘッドの高密度化が図れる。
【００１５】
耐腐食金属層は、Ａｕ膜又はＡｕ合金膜によって形成されていることが好ましい。Ａｕ合金膜としては、例えばＡｕＰｄ膜がある。この場合、電極パッドはＡｕにより形成される。
【００１６】
導体は、低抵抗且つ低コストであることから、Ａｌ導体膜により形成されることが実際的である。このため、耐腐食金属層は、少なくとも導体との接合部に、Ｔｉ又はＣｒにより形成された密着層を備えていることが好ましい。
【００１７】
耐腐食金属層を構成するＡｕ又はＡｕ合金膜は、サーマルヘッドの熱特性を良好に維持するため、少なくとも１５０ｎｍ以上の膜厚を有していることが好ましい。
【００１８】
耐摩耗層と電極パッドの間に位置する耐腐食金属層の表面は、有機絶縁層により覆うことができる。有機絶縁層は、耐腐食金属層に生じたピンホールや欠陥を塞ぐキャップとして機能する。
【００１９】
【発明の実施の形態】
図１及び図２は、本発明の一実施形態によるサーマルヘッドＨの構造を示す断面図及び平面図である。サーマルヘッドＨは、抵抗層３、導体５、耐摩耗層１１、導体用の電極パッド１２及び有機絶縁層１３を備えている。なお、図２では、図示都合上、図１に示される耐摩耗層１１、有機絶縁層１３、ワイヤー１４及びワイヤー封止樹脂１５を省略して示してある。
【００２０】
抵抗層３は、図示上方向に一部を突出させたグレーズ保温層（ガラス）２を有するアルミナセラミック基板１の上に全面的に設けられていて、高抵抗化しやすいＴａ−Ｓｉ−Ｏ、ＴａＳｉＯＮｂ、Ｔｉ−Ｓｉ−Ｏ、Ｃｒ−Ｓｉ−Ｏ等の高融点金属のサーメット材により、例えば１００ｎｍ程度の膜厚で形成されている。この抵抗層３において、グレーズ保温層２の凸部上面２ａの上に位置する範囲は、通電により発熱する複数の発熱抵抗部３ａとなっている。隣接する発熱抵抗部３ａ間には、図２に示すように、発熱抵抗部３ａの抵抗長方向（図示左右方向）に平行な方向に細長く延びるギャップ領域（穴部）６が存在し、ギャップ領域６からはグレーズ保温層２が露出している。
【００２１】
各発熱抵抗部３ａの表面は、該発熱抵抗部３ａの平面的な大きさ（抵抗長Ｌ及び抵抗幅Ｗ）を定める絶縁バリア層４によって覆われている。絶縁バリア層４は、例えばＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＡｌＳｉＯ、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁性を有する無機酸化物により、約２００Å以上２０００Å以下の膜厚、例えば８００Åで形成されている。この絶縁バリア層４は、ヘッド動作中、各発熱抵抗部３ａへの印加電力が増大したときに該印加電力によるアニール効果（発熱抵抗部３ａを構成する元素の結晶化）を遅らせ、印加電力に対するサーマルヘッドの抵抗値変化を抑制する機能を有している。また絶縁バリア層４は、発熱抵抗部３ａの表面酸化を防止する酸化防止層、製造工程時にエッチングダメージから発熱抵抗部３ａを保護する保護層としても機能する。
【００２２】
導体５は、抵抗層３の上に部分的に形成されていて、絶縁バリア層４の表面を露出させる開放部αを複数備えている。別言すれば、導体５は、開放部αを挟んで、全ての発熱抵抗部３ａに導通する１つのコモン導体５ａと、各発熱抵抗部３ａに独立して導通する複数の個別導体５ｂとに分かれており、発熱抵抗部３ａの抵抗長方向の両端部にそれぞれ接している。隣接する個別導体５ｂ間にはギャップ領域（穴部）６が設けられており、ギャップ領域６からはグレーズ保温層２が露出している。各個別電極５ｂの幅寸法はギャップ領域６により規制される。本実施形態では、導体５として、約３００ｎｍの膜厚で形成されたＡｌ導体膜を用いている。
【００２３】
コモン導体５ａの上には、コモン導体５ａでの電圧降下（コモンドロップ）を抑制するため、コモン導体５ａの抵抗値を低減させるメッキシード膜７及びコモン厚膜電極８が備えられている。メッキシード膜７は、例えばＡｕ等により形成されている。コモン厚膜電極８は、例えば、メッキシード膜７上にメッキにより形成された厚いＣｕ膜と、キャップ機能を有する薄いＮｉ膜との２層構造により形成されている。
【００２４】
耐摩耗層１１は、絶縁バリア層４、導体５及びコモン厚膜電極８をすべて覆うことにより、ヘッド動作時に生じる摩擦から抵抗層３、絶縁バリア層４、導体５及びコモン厚膜電極８を保護する保護膜である。この耐摩耗層１１は、例えばＳｉＡｌＯＮやＴａ２Ｏ５等の耐摩耗性材料により、約６μｍの膜厚で形成されている。
【００２５】
電極パッド１２は、各個別導体５ｂと不図示の外部端子とをワイヤーボンディング接続するための電極パッド部であり、耐摩耗層１１から離間させた位置に設けられている。この電極パッド１２は、各個別導体５ｂ毎に独立して備えられ、Ａｕを用いて例えば１．５μｍ程度の膜厚で形成されている。電極パッド１２と該電極パッド１２に半田付けされたワイヤー１４は、ワイヤー封止樹脂１５によって保護されている。
【００２６】
有機絶縁層１３は、耐摩耗層１１と電極パッド１２の間に挟まれた範囲と、コモン厚膜電極８が形成されている範囲に対応する耐摩耗層１１の上面位置とに設けられている。この有機絶縁層１３は、例えばレジスト材料により例えば１μｍ程度の膜厚で形成され、該有機絶縁層１３の下層に生じているピンホールや欠陥などを塞いでいる。
【００２７】
不図示であるが、サーマルヘッドＨにはさらに、発熱抵抗部３ａを通電制御するための駆動ＩＣやＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ）等も備えられている。このサーマルヘッドＨは、フォトプリンタやサーマルプリンタ等に搭載され、発熱抵抗部３ａの発する熱を感熱紙またはインクリボンに与えることで印刷を行なう。
【００２８】
以上のサーマルヘッドＨにおいて、導体５はすべて耐摩耗層１１に被覆されていて、耐摩耗層１１内の導体５（個別導体５ｂ）と耐摩耗層１１外の各電極パッド１２は、耐腐食金属層１０を介して電気的に接続されている。図３に示すように電極パッド１２と有機絶縁層１３の間には、導体５は存在せず、耐腐食金属層１０が露出している。このように導体５がすべて耐摩耗層１１に覆われていて露出しなければ、サーマルヘッドＨが水で濡らされたり人間の手で直接触れられたりしても、塩素や水が導体５に付着することがない。すなわち、導体５は腐食されない。耐摩耗層１１外では、導体５に導通する耐腐食金属層１０が存在しているので、導体５を腐食させることなく、導体５と電極パッド１２を容易に導通接続させることができる。
【００２９】
また本サーマルヘッドＨでは、図６に示す従来構造と比較して、導体１０５Ｂの形成されている面積が省かれるので、電極パッド１２を形成するためのスペースが従来構造よりも小さくなり、ヘッドの高密度化が図れる。また本サーマルヘッドＨでは、導体５が全く露出しないことから、従来の、露出している導体を有機絶縁層等で覆う処理も不要になる。
【００３０】
耐腐食金属層１０は、抵抗層３上の導体５が形成されていない範囲に形成されており、その一端部が耐摩耗層１１内で各個別導体５ｂの端面にオーバーレイして個別導体５ｂと密接している。一方、耐腐食金属層１０の他端部は、耐摩耗層１１外で電極パッド１２の直下に位置し、電極パッド１２のメッキシード膜として機能している。また耐腐食金属層１０は、耐摩耗層１１と電極パッド１２の間に挟まれた範囲で、有機絶縁層１３により覆われている。
【００３１】
耐腐食金属層１０は、Ａｕ膜又はＡｕ合金膜により形成することができ、酸やアルカリに晒されても腐食されにくい。本実施形態では、導体５がＡｌ導体膜により形成されているため、導体５中のＡｌの拡散を防止し、且つ、導体５とＡｕ膜又はＡｕ合金膜とを良好に密着させる密着層が耐腐食金属層１０の一部として備えられている。すなわち、本実施形態の耐腐食金属層１０は、Ｔｉからなる密着層１０ａとＡｕ層１０ｂによる２層構造で形成されている。耐腐食金属層１０中のＡｕ膜又はＡｕ合金膜は、ヘッドの熱特性を良好に維持できるように少なくとも１５０ｎｍ以上の膜厚で形成されていることが好ましく、本実施形態ではＴｉからなる密着層１０ａが約４５ｎｍ程度の膜厚、Ａｕ層１０ｂが約２００ｎｍ程度の膜厚で形成され、全体として約２４５ｎｍ程度の膜厚を有している。密着層としては、Ｔｉのほかに、Ｃｒを用いることができる。
【００３２】
次に、図１及び図２に示すサーマルヘッドＨの製造方法の一実施形態について説明する。ただし、各層の材料及び膜厚は、図１に示された完成状態のサーマルヘッドＨと同一であるため、説明を省略する。
【００３３】
先ず、図１の上方向に一部を突出させたグレーズ保温層２を有するアルミナセラミック基板１を準備する。次に、グレーズ保温層２の上に全面的に、抵抗層３と絶縁バリア層４を同一真空中で連続成膜した後、アニール処理を施す。このアニール処理は、予め大きい熱的負荷を加えて抵抗層３の抵抗値を安定させる加速処理である。
【００３４】
アニール処理後は、形成すべき発熱抵抗部の抵抗長Ｌを定める第１レジスト層を絶縁バリア層４の上に形成し、第１レジスト層で覆われていない部分の絶縁バリア層４を例えばＲＩＥ（反応性イオンエッチング）により除去する。これにより、絶縁バリア層４は、グレーズ保温層２の凸部上面２ａ上に位置する範囲にのみ残る。そして、第１レジスト層を残したままの状態で抵抗膜４の上に導体５を成膜する。導体５の成膜後は、第１レジスト層を除去する。
【００３５】
続いて、フォトリソグラフィ技術を用いて導体パターンを形成し、不要な導体を除去する。このパターニング工程では、絶縁バリア層４の表面を露出させる複数の開放部αが形成され、この開放部αにより導体５がコモン導体５ａと個別導体５ｂとに分離される。導体５は、開放部αを形成したときに同時に長さ寸法（図１の左右方向の寸法）が規制され、抵抗層３の上には導体５が形成されている範囲と形成されていない範囲とが存在する。さらにこのパターニング工程では、形成すべき発熱抵抗部の抵抗幅Ｗを定めるギャップ領域６が形成され、つながっていた絶縁バリア層４及び個別導体５ｂが個々に離される。このギャップ領域６からはグレーズ保温層２が露出する。抵抗層３のうち絶縁バリア層４に覆われた各領域が発熱抵抗部３ａとなり、発熱抵抗部３ａの平面的な大きさ（抵抗長Ｌ及び抵抗幅Ｗ）は、絶縁バリア層４の平面的な大きさによって規定される。
【００３６】
導体パターンを形成したら、リフトオフ法により、露出している抵抗層３の上に（抵抗層３上の導体５が形成されていない範囲に）、Ｔｉからなる密着層１０ａとＡｕ層１０ｂとを積層して耐腐食金属層１０を形成する。このとき、耐腐食金属層１０の一端部を個別導体５ｂの端面にオーバーレイさせ、耐腐食金属層１０と個別導体５ｂを密接させる。耐腐食金属層１０が形成された状態では、基板表面に抵抗層３は露出しない。
【００３７】
続いて、リフトオフ法により、コモン導体５ａの特定範囲上にメッキシード膜７を形成し、このメッキシード膜７上にコモン厚膜電極８をメッキにより形成する。
【００３８】
コモン厚膜電極８を形成したら、次工程で形成する耐摩耗層を形成しない範囲、すなわち、個別導体５ｂにオーバーレイしている一端部側を除く耐腐食金属層１０上に、例えばポリイミド樹脂テープを貼って保護しておく。そして、形成する耐摩耗層との密着性を高めるため、逆スパッタ等により絶縁バリア層４、導体５、コモン厚膜電極８及び耐腐食金属層１０の一端部の新たな膜面を露出させた後、ポリイミド樹脂テープで覆われていない耐腐食金属層１０の一端部側、導体５、絶縁バリア層４、コモン厚膜電極８及びグレーズ保温層２を耐摩耗層１１によって覆う。耐摩耗層１１の形成には、バイアススパッタ法を用いることができる。
【００３９】
耐摩耗層１１の形成後は、ポリイミド樹脂テープを剥がし、基板表面に耐腐食金属層１０を露出させる。このとき、基板表面には耐摩耗層１１と耐腐食金属層１０のみが露出する。
【００４０】
続いて、ポリイミド樹脂テープを剥がした後の耐腐食金属層１０の表面を洗浄する。この洗浄工程では、耐腐食金属層１０に付着したポリイミド樹脂テープの粘着剤を除去しやすいように、洗浄剤を用いる。この洗浄剤は、水に溶けるとアルカリ溶液になる性質を有しているが、耐腐食金属層１０は酸にもアルカリにも腐食されにくく、また、導体５は耐摩耗層１１で覆われていて洗浄剤に触れないので腐食されることがない。本実施形態では、耐腐食金属層１０が耐摩耗層１１の内部まで延びて導体５に接しているので、耐摩耗層１１の端面に欠陥が生じていても洗浄剤が耐摩耗層１１内の導体５まで達することがなく、導体５の腐食を防止することができる。
【００４１】
続いて、電極パッド形成エリア（他端部）を除く露出している耐腐食金属層１０上から耐摩耗層１１の端面にかけて、有機絶縁層１３を形成する。同時に、コモン厚膜電極８が形成されている範囲に対応する耐摩耗層１１の上面位置にも有機絶縁層１３を形成する。有機絶縁層１３は、耐腐食金属層１０及び耐摩耗層１１に生じているピンホールや欠陥を念のために塞ぐものである。この有機絶縁層１３は形成してもしなくてもよい。
【００４２】
有機絶縁層１３を形成したら、該有機絶縁層１３に覆われていない耐腐食金属層１０の上に、該耐腐食金属層１０をメッキシード膜としてメッキにより電極パッド１２を形成する。電極パッド１２の形成後は、各電極パッド１２と不図示の外部接続端子とをワイヤー１４によりボンディング接続し、これら電極パッド１２及びワイヤー１４をワイヤー封止樹脂１５によって覆う。
【００４３】
以上により、図１及び図２に示すサーマルヘッドＨを得ることができる。
【００４４】
以上のように本実施形態では、導体５がすべて耐摩耗層１１で覆われ、耐摩耗層１１の外には酸にもアルカリにも腐食されにくい耐腐食金属層１０が備えられていて、この耐腐食金属層１０によって耐摩耗層１１内の導体５（個別導体５ｂ）と耐摩耗層１１外の電極パッド１２が電気的に接続されている。このように導体５が耐摩耗層１１外に露出していなければ、完成後にサーマルヘッドＨが水で濡らされたり人間の手で直接触れられたりしても、水分や塩素などが耐摩耗層１１内の導体５にまで入り込むことがないので、導体５の腐食を防止することができる。
【００４５】
また本実施形態では、製造工程において、耐摩耗層１１を形成する前にポリイミド樹脂テープで覆われるのは耐腐食金属層１０であるため、ポリイミド樹脂テープの粘着剤を除去するために用いる洗浄剤によっても、耐腐食金属層１０が腐食されることがなく、延いては導体５が腐食されることもない。
【００４６】
さらに本実施形態では、耐腐食金属層１０が、その一端部を耐摩耗層１１の内部で導体５の端面にオーバーレイさせて形成されているので、導体５と耐腐食金属層１０の間に隙間が生じることなく、この隙間から導体５に洗浄剤が入り込む虞もない。また、導体５と耐腐食金属層１０を確実に接続させることができる。なお、耐腐食金属層１０の一端部は、導体５の端面にオーバーレイせずに該端面で接するように形成することも可能である。
【００４７】
また本実施形態では、耐腐食金属層１０が電極パッド１２のメッキシード膜を兼ねているので、電極パッド１２と耐腐食金属層１０の間に別のメッキシード層を設ける必要がなく、図５及び図６に示す従来構造よりも電極パッド１２を形成するためのスペースを縮小することができる。つまり、サーマルヘッドＨの高密度化に貢献できる。
【００４８】
以上の本実施形態では、Ｔｉからなる密着層１０ａとＡｕ層１０ｂとの２層構造で耐腐食金属層１０を形成してあるが、密着層は、少なくとも耐腐食金属層１０と導体５の接合部に形成されていればよい。例えば、図４に示すように、導体５との接合部のみを密着層１０ａ’とＡｕ層（又はＡｕ合金層）１０ｂ’による２層構造とし、該接合部以外ではＡｕ層（又はＡｕ合金層）１０ｂ’による単層構造とした耐腐食金属層１０’を備えることができる。
【００４９】
上記本実施形態では、一部を突出させたグレーズ保温層２を基板全面に有するサーマルヘッドＨについて説明したが、本発明は、平坦なグレーズ保温層を基板全面に有する全面グレーズタイプにも、また、部分グレーズやリアルエッジ、ダブルグレーズ、ＤＯＳ等の他タイプにも適用可能である。また本実施形態では、基板としてアルミナセラミック基板１を用いているが、アルミナセラミック基板１に替えてシリコン基板を用いることも可能である。さらに本発明は、シリアルヘッドにもラインヘッドにも適用可能である。
【００５０】
【発明の効果】
本発明によれば、導体はすべて耐摩耗層に被覆されていて耐摩耗層外に露出せず、耐摩耗層内の導体と耐摩耗層外の電極パッドとは耐腐食金属層により電気的に接続されているので、サーマルヘッドが水で濡らされたり人間の手で直接触れられたりしても塩素や水が導体に付着することがなく、導体の腐食を防止することができる。また、製造時に用いられる洗浄剤によっても耐腐食金属層は腐食されず、導体は洗浄剤に触れることがないので、導体の腐食を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態によるサーマルヘッドを示す断面図である。
【図２】図１のサーマルヘッド（保護層を形成する前の状態）を示す平面図である。
【図３】図１に示すサーマルヘッドの電極パッド付近を示す拡大平面図である。
【図４】図１とは別の態様で形成された耐腐食金属層を示す断面図である。
【図５】従来構造によるサーマルヘッドを示す断面図である。
【図６】図５のサーマルヘッドの電極パッド付近を示す拡大平面図である。
【符号の説明】
Ｈ    サーマルヘッド
１    アルミナセラミック基板
２    グレーズ保温層
２ａ  凸部上面
３    抵抗層
３ａ  発熱抵抗部
４    絶縁バリア層
５    導体
５ａ  コモン導体
５ｂ  個別導体
６    ギャップ領域
７    メッキシード膜
８    コモン厚膜電極
１０    耐腐食金属層
１０ａ  密着層
１０ｂ  Ａｕ層
１１    耐摩耗層
１２    電極パッド
１３    有機絶縁層
１４    ワイヤー
１５    ワイヤー封子樹脂
α    開放部
【図１】
2004351867.tif 000003
【図２】
2004351867.tif 000004
【図３】
2004351867.tif 000005
【図４】
2004351867.tif 000006
【図５】
2004351867.tif 000007
【図６】
2004351867.tif 000008