(57)【要約】【課題】個別基板を配列した集合基板を搬送の基準にして、測定等を含めた各作業に活用。【解決手段】セラミック基板２上面には、一部が切断されて不連続部２１ａとなっている配線層２１、上面外周には、枠状にメタライズ形成された配線層２６がある。不連続部２１ａは半田等のブリッジ部２７で接続されている。セラミック基板２の下面には一対の配線層２２があって、水晶振動子１０を電子機器の回路基板に実装する際の端子電極となっている。配線層２１と配線層２２とは内部配線２３及びビア配線２５により電気的に接続されている。水晶振動体１は接続電極である配線層２１に導電ペースト２４を介して固定されており、蓋部材３はロー材層３４を介して配線層２６に接合されている。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方の面には圧電振動体又は集積回路を接続するための接続電極を配設し、他方の面には外部と接続するための端子電極を配設し、前記基板の側面には、前記端子電極に付着する接合部材を流出させて接合状態を確認するためのスルーホール電極を配設し、前記接続電極と前記端子電極と前記スルーホール電極を配線によって導通させた電子デバイスにおいて、
前記接続電極から前記スルーホール電極に至る配線経路に不連続部を設けたことを特徴とする電子デバイスの構造。
【請求項２】
前記不連続部は前記接続電極を配設した側の前記基板表面に設けられていることを特徴とする請求項１記載の電子デバイスの構造。
【請求項３】
前記不連続部は前記端子電極を配設した側に露呈して設けられていることを特徴とする請求項１記載の電子デバイスの構造。
【請求項４】
前記基板は多層基板で構成するとともに、前記端子電極を配設した側には、前記多層基板の内部配線を露呈する開口部を有しており、前記不連続部は前記開口部に露呈した前記内部配線に設けられていることを特徴とする請求項３記載の電子デバイスの構造。
【請求項５】
前記不連続部は前記端子電極に設けられていることを特徴とする請求項１記載の電子デバイスの構造。
【請求項６】
前記不連続部は、前記接続電極に接続された前記圧電振動体又は前記集積回路を調整した後、導電性接続部材によって接続されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか１つに記載の電子デバイスの構造。
【請求項７】
矩形状基板が隣接して複数個形成された集合基板を準備する工程と、圧電振動体又は集積回路を接続するための接続電極と、外部と接続するための端子電極と、隣接した矩形状基板と電気電気的に共通接続するためのスルーホール電極とを前記集合基板に配設して配線によって接続するとともに、前記接続電極から前記スルーホール電極に至る配線経路に不連続部を設ける工程と、前記接続電極に前記圧電振動体又は集積回路を接続し、所望の調整を施す工程と、前記不連続部分をつなぎ合わせて導通させる工程と、前記集合基板を切断し、単個の矩形基板を取り出して電子デバイスを得る工程とからなる電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記圧電振動体又は集積回路を気密封止する工程をさらに有することを特徴とする請求項７記載の電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、集合基板を用いて圧電デバイスを多数個取りするための圧電デバイスの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、水晶振動体などの圧電振動体を含む水晶振動子、水晶発振器、表面弾性波フィルタなどの電子装置である圧電デバイスは、各種産業用あるいは民生用電子機器などに広く適用されている。このような圧電デバイスは、回路基板への高密度実装に適するように、他の電子部品と同様に小型チップ化されて、電子機器の回路基板の片面だけで半田付けできる表面実装型のものが出現している。そして、携帯電話に代表される携帯用通信機器等の普及に伴い、電子装置の小型・軽量化が求められ、圧電デバイスの小型化、軽量化、そしてコストダウンの要求がますます強くなっている。
【０００３】
一方、こうした電子機器、電子装置の小型化の進行に伴い、その取り扱いを容易にするために、他の一般の電子部品と同様に、複数の電子装置を多数個取りできる集合基板を用いて各工程を処理する方法が、電子装置の望ましい製造方法と考えられ、特許文献１など、さまざまな集合基板による製造方法が開示されている。
【０００４】
このような従来の圧電デバイスの一例として、水晶振動子を取り上げて説明する。図１１は従来の水晶振動子の平面図であり、パッケージの一部を切り開いて内部を示している。図１２は図１１のＸ−Ｘ断面を示す断面図である。図１１及び図１２において、７０は表面実装型の水晶振動子であり、６２はセラミック基板であり、６３はその上を覆ったコバール（Ｆｅ／Ｎｉ／Ｃｏ合金）製の平板状の蓋部材である。セラミック基板６２と蓋部材６３とで水晶振動子７０のパッケージを構成している。７２は、セラミック基板６２の表面に形成された方形の凹部形状をしたキャビティである。６１は水晶振動体であり、キャビティ７２と蓋部材６３とで規定される内部空間に実装されている。
【０００５】
８１は、水晶振動体６１を接続固定するためにキャビティ７２の表面に形成された一対の接続電極であるＡ及びＢの配線層である。８２は、それぞれセラミック基板６２下面の両短辺に沿って配設された一対の端子電極であるＰ及びＮの配線層である。８３はセラミック基板６２内を厚み方向に走るビア配線であり、８８はセラミック基板６２の平面に平行に走る内部配線層である。ビア配線８３及び内部配線層８８によって、Ａの配線層８１とＮの配線層８２、並びにＢの配線層８１とＰの配線層８２がそれぞれ接続されている。
【０００６】
８４は導電ペーストであり、水晶振動体６１の一端に設けられた図示しない一対の電極が導電ペースト８４を介してＡ、Ｂの配線層８１の上に接合されている。８６は、蓋部材６３の接合のために、セラミック基板６２の表面外周に形成された枠状のメタライズ層である配線層であり、８５は、配線層８６上に形成された低温金属ロウ材から成る接合層である。セラミック基板６２と蓋部材６３とは、配線層８６及び接合層８５を介して溶着されている。
【０００７】
図１３は、セラミック基板６２を多数個取りする際に用いられる集合基板の部分拡大下面図である。図１３において、１６２は集合基板であり、８９は集合基板１６２を個別セラミック基板６２に分割するための分割線であり、分割線８９が交差するところにスルーホール１６３が設けられている。各々の配線層８２は、スルーホール１６３の周縁部のコーナー電極８２ａを経てスルーホール１６３内部の配線層に接続されている。従って、各スルーホール１６３において、互いに隣接する四つの個別セラミック基板６２の配線層８２は、コーナー電極８２ａ及びスルーホール１６３を介して互いに導通している。
【０００８】
集合基板１６２が個別セラミック基板６２に分割されたときには、スルーホール１６３は１／４に分割されたスルーホール６２ｃ（図１１参照）となり、スルーホール６２ｃの少なくとも下面側の内面にはコーナー電極８２ａと接続している配線層が形成されている。水晶振動子７０を、搭載する電子機器の回路基板に半田付けした場合に、端子電極である配線層８２が回路基板へ良好に接合されたか否かを、スルーホール６２ｃの配線層に濡れ上がった半田を見ることによって、上面から視認することができるようにしてある。
【０００９】
次に、水晶振動子７０の製造方法について説明する。図１４、図１５は各製造工程を示す平面図及び断面図である。まず、集合基板１６２を製造する。その一般的な方法は、アルミナを主原料としてセラミック粉末、バインダ等を含むスラリーから、長尺で一定幅のグリーンシートを成形する。この長尺シートから、予め設定された圧縮率に基づいた寸法のグリーンシートを外形プレス抜きして図１４（ａ）に示す基礎ブランク１６２ａを形成する。８７はその際に開孔した作業穴であり、後の作業の基準となる。
【００１０】
次いで、ブランク１６２ａをもとに作業穴８７を基準にして、それぞれスルーホール１６３、ビア配線８３用ホール（ビアホール）、キャビティ７２を開孔した適宜必要枚数のシートを形成する。引き続いて、後に配線層８１、８２、８６、８８を配設する必要がある各シートには、Ｗ、Ｍｏ等の高融点金属から成る厚膜導体ペーストを塗布し、ビアホール、スルーホール１６３には厚膜導体ペーストを充填しておく。各シートを、予め定められた組み合わせで積層圧着させ積層グリーンシートを得る。なお、このとき、集合基板１６２上の全てのセラミック基板６２の配線間は、後の工程で各配線層に電気メッキを施すために、相互に接続してある。
【００１１】
続いて、積層グリーンシート状態の集合基板１６２に対して、その厚みの約１／２のところまで金型で切り込みを入れることにより、ブレイク線８９を形成する。その後、積層グリーンシートを水素雰囲気中で１５５０〜１６５０℃で焼成する。この焼成で約２０％寸法収縮が成され、図１４（ｂ）に示すように、キャビティ７２、スルーホール１６３、配線層８１、８２、８３、８６、８８、ブレイク線８９が形成された集合基板１６２が完成する。
【００１２】
上記の工程で作製した集合基板１６２をブレイク線８９のところで切り分けると、図１４（ｃ）に示すように、それぞれが目的とする水晶振動子の単位に相当するセラミック基板６２が得られる。
【００１３】
次いで、セラミック基板６２を図１５（ｄ）に示すように、キャリア（搬送治具）１１０に装填し、水晶振動体６１の実装工程に移行する。まず、セラミック基板６２の上の配線層８１に導電ペースト８４を塗布し、水晶振動体６１を搭載する。その後に炉内で導電ペースト８４を加熱硬化させる。
【００１４】
水晶振動体６１の実装が完了した後、セラミック基板６２は周波数の調整工程に移行する。ここで、図１５（ｅ）に示すように、セラミック基板６２をマスク１１１ａを備えた専用のキャリア１１１に装填し直し、真空雰囲気内で、測定した周波数に応じて水晶振動体６１の一部にＡｕを蒸着することによって行う。９５は測定用のプロ−ブである。周波数調整後のセラミック基板６２は、図１５（ｆ）に示すように、カーボン治具１１２に移し替える。
【００１５】
次いで、封止工程に移行する。ここでは、予め蓋部材６３の接合位置であるセラミック基板６２の配線層８６に、箔状の低温金属ロウ材（ここでは、Ａｕ／Ｓｎ合金のロウ材を使用）を配設して接合層８５を形成する。この後、セラミック基板６２と蓋部材６３（ここではコバールを使用）とを重ね合わせて、カーボン治具１１２に収納した状態で、真空炉内で接合層８５を介してロウ付けし気密封止する。このようにして作製した水晶振動子７０は、完成検査の後に市場に出荷される。
【００１６】
【特許文献１】
特開平１１−３４０３５０号公報（第３頁〜第４頁、図１〜図５）
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の集合基板では、各個別基板の端子電極同士をすべて導通させて電気メッキしていたので、集合基板から個別基板に切り離してからでないと、圧電振動体を搭載した圧電デバイスを駆動し周波数調整をすることができなかった。そこで、無電解メッキにより個別基板の電極同士を切り離した集合基板を作ろうとしても、個別基板のコーナーに当たるスルーホールにおいては隣接する個別基板の電極同士を切り離すことが困難であり、繋げざるを得なかった。このことによって、以上に説明したように各工程で専用のキャリアを必要とすることになり、それに伴いキャリア詰めや専用キャリアへの移し替え作業が発生し、製造工程が煩雑であった。このように、多数個取りのメリットを持つはずの集合基板を周波数調整工程では十分に活用できず、圧電デバイスのコストダウンが今ひとつ進まないという問題があった。
【００１８】
上記発明は、以上のような従来の問題を解決するためになされたものであり、その目的は、水晶振動子を初めとする各種圧電デバイスの集合基板を、周波数調整にも活用できるようにした圧電デバイスの電極構造を提供することである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するための本発明の手段は、基板の一方の面には圧電振動体又は集積回路を接続するための接続電極を配設し、他方の面には外部と接続するための端子電極を配設し、前記基板の側面には、前記端子電極に付着する接合部材を流出させて接合状態を確認するためのスルーホール電極を配設し、前記接続電極と前記端子電極と前記スルーホール電極を配線によって導通させた電子デバイスにおいて、前記接続電極から前記スルーホール電極に至る配線経路に不連続部を設けたことを特徴とする。
【００２０】
また、前記不連続部は前記接続電極を配設した側の前記基板表面に設けられていることを特徴とする。
【００２１】
また、前記不連続部は前記端子電極を配設した側に露呈して設けられていることを特徴とする。
【００２２】
また、前記基板は多層基板で構成するとともに、前記端子電極を配設した側には、前記多層基板の内部配線を露呈する開口部を有しており、前記不連続部は前記開口部に露呈した前記内部配線に設けられていることを特徴とする。
【００２３】
また、前記不連続部は前記端子電極に設けられていることを特徴とする。
【００２４】
また、前記不連続部は、前記接続電極に接続された前記圧電振動体又は前記集積回路を調整した後、導電性接続部材によって接続されていることを特徴とする。
【００２５】
また、矩形状基板が隣接して複数個形成された集合基板を準備する工程と、圧電振動体又は集積回路を接続するための接続電極と、外部と接続するための端子電極と、隣接した矩形状基板と電気電気的に共通接続するためのスルーホール電極とを前記集合基板に配設して配線によって接続するとともに、前記接続電極から前記スルーホール電極に至る配線経路に不連続部を設ける工程と、前記接続電極に前記圧電振動体又は集積回路を接続し、所望の調整を施す工程と、前記不連続部分をつなぎ合わせて導通させる工程と、前記集合基板を切断し、単個の矩形基板を取り出して電子デバイスを得る工程とからなる製造方法である。
【００２６】
また、前記圧電振動体又は集積回路を気密封止する工程をさらに有することを特徴とする。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第一の実施の形態である圧電デバイスの電極構造を図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の第一の実施の形態である水晶振動子の一部を切り開いた平面図である。図２は図１の一方の電極構造を示すＸ−Ｘ断面図である。図３はこの水晶振動子の集合基板の部分拡大上面図、図４は同じく部分拡大下面図、図５はこの水晶振動子の周波数調整方法を示す集合基板の部分拡大断面図である。
【００２８】
まず、本発明の第一の実施の形態である水晶振動子の電極構造を説明する。図１、図２において、１０は表面実装型の圧電デバイスである水晶振動子であり、１は水晶振動体、２は平板状のセラミック基板、３は鍔付き箱形の蓋部材である。セラミック基板２と蓋部材３とで水晶振動子１０のパッケージを成す。２１は水晶振動体１の図示しない一方の電極に接続するための接続電極となるセラミック基板２の上面に形成された配線層であり、その一部は切断されて不連続部２１ａとなっている。２７は不連続部２１ａを半田等の導電性接続部材で接続したブリッジ部である。
【００２９】
２２はセラミック基板２の下面に形成された一対の配線層であり、水晶振動子１０を電子機器の回路基板に実装する際の端子電極となる。２３は配線層２１と配線層２２とをセラミック基板２内部で電気的に接続する際の基板面と平行な配線層となる内部配線であり、２５は同じく垂直な配線層となるビア配線である。２６はセラミック基板２の上面外周に枠状にメタライズ形成した配線層である。３４は蓋部材３を配線層２６に接合しているロー材層である。２４は水晶振動体１を配線層２１に電気的機械的に接続固定している導電ペーストである。
【００３０】
図３、図４において、１０２は水晶振動子１０の製造工程においてセラミック基板２を多数個取りするための集合基板である。図３に示すように、集合基板１０２内の個別セラミック基板２上面の一対の配線層２１の一方は、不連続部２１ａによりＡとＣとに分断されており、配線層２１の他方は、同様に不連続部２１ａによりＢとＤとに分断されている。セラミック基板２の各コーナーに当たる集合基板１０２のスルーホール１０２ｃ内には、上面には達しない部分にまで下面側から形成された配線層があり、セラミック基板２の下面のコーナー配線２２ａを介して配線層２２に導通している。従って、Ａの配線層２１はＮの配線層２２と、Ｂの配線層２１はＰの配線層２２と、それぞれの不連続部２１ａ並びに配線層２１のＣ及びＤを介して接続するようになっている。各電極には無電界Ｎｉメッキの下地の上に無電界Ａｕメッキが施されている。
【００３１】
次に、水晶振動子１０の製造工程を説明する。集合基板１０２を完成するまでの工程は、従来技術として説明したものとほぼ同じである。この工程の後に、集合基板１０２上の搭載位置である配線層２１のＡ及びＢ上に導電ペースト２４を介して水晶振動体１を固定する。
【００３２】
次ぎに、周波数調整工程に移行する。図５は水晶振動体１を搭載後の集合基板１０２のＸ−Ｘ断面を示している。Ｙ−Ｙ断面はこれと同様なので省略する。３５は周波数測定用回路を接続するためのプローブであり、周波数の測定に当たっては、集合基板１０２単位で真空雰囲気に入れ、一対のプロ−ブ３５をそれぞれＡ及びＢの配線層２１に当接させる。集合基板１０２内の個別基板であるセラミック基板２に対して、順次プローブ３５を通して周波数を測定しながら、水晶振動体１の矢印で示す所定の位置に、測定値に対応した量のＡｕの蒸着、あるいはイオンビームによるエッチングを施す。
【００３３】
このとき、配線層２２は隣接するセラミック基板２の配線層と導通しているが、不連続部２１ａにおいて水晶振動体１とは電気的に切り離されており、測定には支障を来さない。周波数の調整が済んだら不連続部２１ａを半田等でブリッジ部２７を形成することにより接続する。
【００３４】
次に封止工程に移行する。ここでは、予めＡｕ−Ｓｎロウ材から成る枠状のロー材層３４を鍔部に形成した蓋部材３を配線層２６上に被せ、真空雰囲気でロー材層３４をリフローして溶着させる。次に水晶振動体１ごと集合基板１０２をブレイク線２９に沿って切り離して、単個の水晶振動子１０を完成させる。
【００３５】
次に、本発明の第一の実施形態の作用・効果について説明する。水晶振動体１の接続電極である配線層２１に不連続部２１ａを有するために、集合基板１０２内において隣接するセラミック基板２の配線層２２同士が繋がっていても、集合基板１０２上で個別セラミック基板２ごとに、水晶振動体１の周波数測定ができるようになった。そして、周波数調整後は配線層２１の不連続部２１ａをブリッジ部２７で接続するので完成した水晶振動子１０となる。このようにして、水晶振動子１０の周波数調整を含む各製造工程で集合基板１０２を有効に活用できるようになった。実装から周波数調整までの工程で集合基板１０２を単位に搬送できるから、従来必要だった各種キャリアが不要になると共に、キャリア使用に付随するキャリア詰め工数の削減ができる。
【００３６】
次に、本発明の第二の実施の形態である水晶振動子の電極構造について説明する。図６は第二の実施の形態である水晶振動子の一方の電極構造を示すＸ−Ｘ断面図であり、図７はこの水晶振動子の集合基板の部分拡大下面図、図８この水晶振動子の周波数調整方法を示す部分拡大断面図である。
【００３７】
図６乃至図８において、第一の実施の形態と異なるところは、不連続部が形成されている配線層の場所である。その他の構成は第一の実施の形態と同様なので、同じ構成要素には同じ符号と名称を用いて詳細な説明は省略する。２０は水晶振動子であり、１２はセラミック基板である。内部配線層２３の一部が切断されてそこが不連続部２３ａとなっており、不連続部２３ａ及びその近傍の内部配線２３は、セラミック基板１２の下面に開口する穴部１２ａに露出している。不連続部２３ａはブリッジ部２７で接続されている。なお、ブリッジ部２７を形成した後の穴部１２ａを樹脂で封止してもよい。
【００３８】
図７において、Ａの配線層２１にビア配線２５を介して接続された内部配線２３は、不連続部２３ａを介して同じ平面内をコの字状に回り込むＣの内部配線２３を経由し、ビア配線２５を介してＰの配線層２２へ接続されている。同様に、Ｂの配線層２１にビア配線２５を介して接続された内部配線２３は、不連続部２３ａを介して直線的に走り、更にビア配線２５を介してＮの配線層２２へ接続されている。なお、内部配線２３は、必ずしも同一平面を走らせなくてもよい。
【００３９】
次に、第二の実施形態の作用・効果について説明する。図８に示すように、周波数の測定に当たっては穴部１２ａに露出している配線層２１のＡ及びＢ側の内部配線２３にプローブ３５を当接させて行う。プローブ３５を集合基板１１２の下面側で着脱操作することができ、集合基板１１２表面において操作する場合に比べて表面側に存在する蒸着やイオンビームのマスク等の部材が測定の障害にならないので都合がよい。水晶振動体１の接続電極である配線層２１には不連続部を必要としないので、配線層２１の大きさを小さくできて、水晶振動子２０の小型化に有利である。その他は、第一の実施の形態と同様の効果が得られる。なお、穴部１２ａの平面形状を２個の円弧が繋がったダルマ状に形成することにより、先端が尖った丸ピン形状のプローブを使った場合、プローブを穴部１２ａの一方の円弧によって所望のＡ又はＢ側の内部配線２３へ確実に案内することができる。
【００４０】
次に、本発明の第三の実施の形態である水晶振動子の電極構造について説明する。図９は第三の実施の形態である水晶振動子の集合基板の部分拡大下面図、図１０この水晶振動子の周波数調整方法を示す部分拡大断面図である。図９、図１０において、第一の実施の形態と異なるところは、不連続部が形成されている配線層の場所である。その他の構成は第一の実施の形態と同様なので、同じ構成要素には同じ符号と名称を用いて詳細な説明は省略する。１２２は集合基板であり、ここでは、端子電極を構成する配線層２２を２２ａと２２ｂとに分断する不連続部２２ｄが配線層２２に設けられている。ビア配線２５はコーナー配線２２ｃから切り離された方の配線層２２ｂに接続されている。集合基板１２２上で個別にセラミック基板上の水晶振動体１の周波数調整をする場合には、図１０に示すように、プローブ３５を配線層２２ｂ側へ接続して行う。
【００４１】
第三の実施の形態の効果について説明する。周波数調整終了後の不連続部２２ｄの接続は、特にそのための工程を設ける必要がなく、この場合には、完成水晶振動子を回路基板に実装する際に、端子電極である配線層２２ａの半田付けと同時に配線層２２ａと２２ｂを接続することができる。その他、第二の実施の形態の場合と同様の効果がある。
【００４２】
以上、いずれの実施形態においても、接続電極からスルーホール電極に至る配線層の一部に不連続部を設けて、集合基板状態で個別基板同士の配線が互いに分離されるようにしてある。そして、不連続部は各々の接続電極に対応して少なくとも１カ所設けてあればよい。また、ここでは水晶振動子を例にあげて、本発明の実施の形態を説明したが、本発明の技術思想は、水晶振動子に限らず、圧電デバイス一般に広く応用できるものである。
【００４３】
【発明の効果】
以上説明したように、基板の一方の面には圧電振動体又は集積回路を接続するための接続電極を配設し、他方の面には外部と接続するための端子電極を配設し、前記基板の側面には、前記端子電極に付着する接合部材を流出させて接合状態を確認するためのスルーホール電極を配設し、前記接続電極と前記端子電極と前記スルーホール電極を配線によって導通させた電子デバイスにおいて、前記接続電極から前記スルーホール電極に至る配線経路に不連続部を設けたので、集合基板上では個別基板同士の配線が互いに切り離されるようになり、集合基板上で圧電デバイスを個別に動作させることが可能となり、周波数調整や電気特性の計測が可能になるなど、集合基板を基準に搬送する生産方式を各組立、測定工程に広く活用することができるようになって、圧電デバイスの大幅なコストダウンを達成することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一の実施の形態である水晶振動子の一部を切り開いた上面図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ断面図である。
【図３】本発明の第一の実施の形態である水晶振動子の集合基板の部分拡大上面図である。
【図４】本発明の第一の実施の形態である水晶振動子の集合基板の部分拡大下面図である。
【図５】本発明の実施の形態である水晶振動子の製造工程を説明する集合基板の部分拡大断面図である。
【図６】本発明の第二の実施の形態である水晶振動子の断面図である。
【図７】本発明の第二の実施の形態である水晶振動子の集合基板の部分拡大下面図である。
【図８】本発明の第二の実施の形態である水晶振動子の製造工程を説明する集合基板の部分拡大断面図である。
【図９】本発明の第三の実施の形態である水晶振動子の集合基板の部分拡大下面図である。
【図１０】本発明の第三の実施の形態である水晶振動子の製造工程を説明する集合基板の部分拡大断面図である。
【図１１】従来の水晶振動子の一部を切り開いた上面図である。
【図１２】図１１のＸ−Ｘ断面を示す断面図である。
【図１３】従来の水晶振動子の集合基板の部分拡大下面図である。
【図１４】従来の水晶振動子の製造工程を示す平面図及び断面図である。
【図１５】従来の水晶振動子の製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１  水晶振動体（圧電振動体）
２、１２  セラミック基板
３  蓋部材
１０、２０  水晶振動子（圧電デバイス）
１２ａ  穴部
２１  配線層（接続電極）
２１ａ、２２ｄ、２３ａ  不連続部
２２、２２ａ、２２ｂ  配線層（端子電極）
２２ｃ  コーナー配線
２３  内部配線
２６  配線層
１０２、１１２、１２２  集合基板
１０２ｃ  スルーホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004253865.tif 000009
【図８】
2004253865.tif 000010
【図９】
2004253865.tif 000011
【図１０】
2004253865.tif 000012
【図１１】
2004253865.tif 000013
【図１２】
2004253865.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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