(57)【要約】【課題】製造工程を少なくでき、高密度化および高速化が可能な熱アシスト磁気記録ヘッドおよび熱アシスト磁気記録装置を提供する。【解決手段】熱アシスト磁気記録ヘッド１は、ＧＭＲセンサ３と、薄膜磁気トランスデューサ４とを備える。薄膜磁気トランスデューサ４は、ヨーク３３，４３と、その先端の磁気ポール４０，４１とにより構成される磁気回路と、この磁気回路と鎖交する磁気コイル４４と、磁気ポール４０，４１間の磁気ギャップを誘電体４５，４５’を介して埋めるスペーサ４２とを備え、スペーサ４２に電流を印加することにより、スペーサ４２を発熱させ、磁気コイル４４に記録信号に基づく電流を流すことにより漏れ磁界を生じさせ、磁気ディスク８の磁気記録層８ａを加熱するとともに記録を行う。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体を加熱してその部分の抗磁力を低下させ、その抗磁力が低下した前記部分に磁界を印加して情報を記録する熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、ヨークの先端の２つの磁気ポール間に形成された磁気ギャップに前記磁界を発生する薄膜磁気トランスデューサと、
前記磁気ギャップに近接して設けられ、通電されることによって発熱し、前記磁気記録媒体を加熱する発熱体とを備えたことを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項２】
前記発熱体は、前記磁気ギャップに配置された導電部材であることを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項３】
前記発熱体は、前記２つの磁気ポールの少なくとも一方の磁気ポールであることを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項４】
前記発熱体は、高電気抵抗材料からなることを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項５】
前記２つの磁気ポールの少なくとも一方の磁気ポールとの間に誘電体が形成されていることを特徴とする請求項２記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項６】
前記発熱体は、通電のための低電気抵抗材料からなる配線を備えることを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項７】
前記配線は、前記２つの磁気ポールと空間的に直交する方向に配線されていることを特徴とする請求項６記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項８】
前記薄膜磁気トランスデューサは、前記磁気記録媒体に対向して列状に配置された３つの磁気ポールを有し、前記３つの磁気ポールのうち中央の磁気ポールと残りの２つの磁気ポールのうち一方の磁気ポールとの間の前記磁気ギャップに前記磁界を発生し、
前記導電部材は、前記中央の磁気ポールと前記一方の磁気ポールとの間の前記磁気ギャップに配置されたことを特徴とする請求項２記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項９】
磁気記録媒体を加熱してその部分の抗磁力を低下させる加熱手段と、抗磁力が低下した前記部分に薄膜磁気トランスデューサにより磁界を印加して情報を記録する熱アシスト磁気記録ヘッドと、
前記熱アシスト磁気記録ヘッドを前記磁気記録媒体上に浮上走行させる走査手段とを備え、
前記薄膜磁気トランスデューサは、ヨークの先端の２つの磁気ポール間に形成され、前記磁界を発生する磁気ギャップと、前記磁気ギャップ近傍に設けられた発熱体とを備え、
前記加熱手段は、前記発熱体に通電して前記磁気ギャップ近傍を加熱することにより前記磁気記録媒体を加熱することを特徴とする熱アシスト磁気記録装置。
【請求項１０】
前記加熱手段は、前記発熱体に通電する加熱電流が前記磁気記録媒体の内周から外周に行くに連れて増加するように前記加熱電流を前記発熱体に通電することを特徴とする請求項９記載の熱アシスト磁気記録装置。
【請求項１１】
前記加熱手段は、前記加熱電流を前記磁界印加のタイミングよりも早いタイミングでパルス状に印加することを特徴とする請求項１０記載の熱アシスト磁気記録装置。
【請求項１２】
前記加熱手段は、前記パルス状に印加する前記加熱電流のパルス幅が磁界印加用の電流パルス幅よりも短いことを特徴とする請求項１１記載の熱アシスト磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱アシスト磁気記録ヘッドおよび熱アシスト磁気記録装置に関し、特に、製造工程を少なくでき、高密度化および高速化が可能な熱アシスト磁気記録ヘッドおよび熱アシスト磁気記録装置を提供に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気記録層を用いて記録・再生を行うハードディスク装置では、再生用に磁気抵抗効果を用いた磁気抵抗センサ、すなわちＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）センサやさらに高感度・高解像度のＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ−ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）センサ（磁気抵抗センサ、以下両者を総称して「ＧＭＲセンサ」という。）が開発されたため、この数年、年率６０％の割合で高密度化が図られてきた。しかし、ここにきてＳｕｐｅｒＰａｒａ−ｍａｇｎｅｔｉｃ効果、すなわち、ある磁区の磁化の方向が、熱的擾乱に基づき隣接する反対方向の磁化により反転させられる効果のため、面密度が４０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎｃｈ２程度で限界であることが判明してきた（Ｔ．Ｒａｕｓｃｈ、Ｔｒａｎｓ．  ｏｆ  ＭＡＧＮＥＴＩＣＳ  Ｓｏｃｉｅｔｙｏｆ  Ｊａｐａｎ，Ｖｏｌ．２、２００２年、ｐ．３２２）。その後、磁性材料の異方性が改良され、１００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２を超える記録密度が達成されているが、いよいよＳｕｐｅｒＰａｒａ−ｍａｇｎｅｔｉｃ効果による記録密度の限界が見えてきた。
【０００３】
これを解決する有力な手段として、熱アシスト磁気記録が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
この熱アシスト磁気記録ヘッドは、半導体レーザ（光導波路）、薄膜磁気トランスデューサおよびＧＭＲセンサを積層したものであり、半導体レーザからレーザ光を照射して磁化膜を加熱し、その膜の磁化強度を下げたところで薄膜磁気トランスデューサにより磁界を印加して記録するものである。これにより、保磁力の高い磁性膜に記録することが可能となり、また、常温での磁化反転を防ぐことができる。この方式では、加熱した部分に磁界で記録するが、記録直後に急冷しなければ、次に来る逆方向の磁界により、記録した部分が消去されてしまうので、磁界と熱分布がともに急峻であるとともに、両者の位置を限りなく一致させる必要がある。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００３−４５００４号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の熱アシスト磁気記録ヘッドによると、薄膜磁気トランスデューサとＧＭＲセンサの他に半導体レーザを積層しているため、積層工程が長くて複雑となり、低コスト化が難しいという問題がある。また、光照射位置と磁界印加位置とを一致させることが困難なため、必ずしも微小光スポットと同程度の微小記録マークが形成できず、高密度化ができない、記録速度を遅くしなければならない等の問題がある。
【０００７】
また、薄膜磁気トランスデューサのＧＭＲセンサに対して反対側に電流回路を設け、それに通電して加熱する方式も提案されている。この場合には、作製工程が回路形成のみでよく、比較的短い工程を附加するだけで可能となるが、やはり温度分布と磁界分布を一致させることが難しいという問題がある。
【０００８】
従って、本発明の目的は、製造工程を少なくでき、高密度化および高速化が可能な熱アシスト磁気記録ヘッドおよび熱アシスト磁気記録装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、磁気記録媒体を加熱してその部分の抗磁力を低下させ、その抗磁力が低下した前記部分に磁界を印加して情報を記録する熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、ヨークの先端の２つの磁気ポール間に形成された磁気ギャップに前記磁界を発生する薄膜磁気トランスデューサと、前記磁気ギャップに近接して設けられ、通電されることによって発熱し、前記磁気記録媒体を加熱する発熱体とを備えたことを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッドを提供する。
【００１０】
磁気ギャップ近傍に設けた発熱体に通電すると、ジュール熱によって発熱体が発熱し、これにより磁気記録媒体が加熱されて抗磁力が低下する。その抗磁力が低下した部分に磁気ギャップからの磁界により情報を記録する。この構成において、磁気ギャップに発生する漏れ磁界と磁気ギャップ近傍に設けた発熱体に発生するジュール熱の発生位置を一致させることができ、高速・高密度の熱アシスト磁気記録が可能となる。
【００１１】
この構成において、磁気ギャップに発生する漏れ磁界と磁気ギャップ近傍に設けた発熱体に発生するジュール熱の発生位置を一致させることができ、高速・高密度の熱アシスト磁気記録が可能となる。
【００１２】
本発明は、上記目的を達成するため、磁気記録媒体を加熱してその部分の抗磁力を低下させる加熱手段と、抗磁力が低下した前記部分に薄膜磁気トランスデューサにより磁界を印加して情報を記録する熱アシスト磁気記録ヘッドと、前記熱アシスト磁気記録ヘッドを前記磁気記録媒体上に浮上走行させる走査手段とを備え、前記薄膜磁気トランスデューサは、ヨークの先端の２つの磁気ポール間に形成され、前記磁界を発生する磁気ギャップと、前記磁気ギャップ近傍に設けられた発熱体とを備え、前記加熱手段は、前記発熱体に通電して前記磁気ギャップ近傍を加熱することにより前記磁気記録媒体を加熱することを特徴とする熱アシスト磁気記録装置を提供する。
【００１３】
この構成により、磁気ギャップに発生する漏れ磁界と磁気ギャップ近傍に設けた発熱体に発生するジュール熱の発生位置が一致する熱アシスト磁気記録ヘッドを用いるため、高速・高密度の熱アシスト磁気記録が可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドを示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は底面図、（ｃ）は（ａ）のＳ方向から見た後面図、図２は、磁気コイルを省略した薄膜磁気トランスデューサの模式図を示す。この熱アシスト磁気記録ヘッド１は、浮上スライダ２と、浮上スライダ２の後面２ａに積層されるＧＭＲセンサ３と、ＧＭＲセンサ３の後面に積層され、磁界発生機能と発熱機能を有する薄膜磁気トランスデューサ４とを備える。
【００１５】
浮上スライダ２は、ハードディスクドライブの熱アシスト磁気記録ヘッドに用いられているアルチック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＯ２）から形成され、凹部２ｃと、浮上面２ｂとを備える。浮上面２ｂは、エアベアリング面２１が３箇所設けられており、これらにより、磁気ディスク８の基板８ｂ上に形成された磁気記録層８ａ上を浮上走行するようになっている。
【００１６】
ＧＭＲセンサ３は、磁気抵抗効果を有するスピンバルブ膜３１と、誘電体層３５を介して磁気障壁膜３２と磁気障壁膜を兼ねるヨーク３３に挟まれ、スピンバルブ膜３１に電流を供給する一対の電極３４，３４’とを備える。磁気障壁膜３２とヨーク３３は、浮遊磁界がスピンバルブ膜３１に入射するのを遮蔽するので、磁気ディスク８の磁気記録層８ａからの漏れ磁界をスピンバルブ膜３１の抵抗変化として検出し、信号再生を行うことができる。
【００１７】
薄膜磁気トランスデューサ４は、ヨーク３３，４３と、その先端の磁気ポール４０，４１とにより構成される磁気回路と、この磁気回路と鎖交する磁気コイル４４と、磁気ポール４０，４１間の磁気ギャップを埋める発熱体としてのスペーサ４２と、磁気ポール４０，４１とスペーサ４２を電気的に絶縁するＳｉＯ２等の０．０４ｎｍ厚の薄膜からなる誘電体４５，４５’と、磁気コイル４４に接続された銅配線４７’、電極４９と、スペーサ４２に接続された銅配線４７、電極４８とを備える。薄膜磁気トランスデューサ４は、スペーサ４２に電流を印加することにより、スペーサ４２が発熱し、磁気コイル４４に記録信号に基づく電流を流すことにより漏れ磁界を生じ、磁気ディスク８の磁気記録層８ａを加熱するとともに記録が行われるようになっている。
【００１８】
磁気ポール４０，４１は、キューリー温度を超えると非磁性となるため、キューリー温度の高い、例えば、４５パーマロイの材料を用いる。
【００１９】
スペーサ４２は、非磁性体であって、高電気抵抗、かつ、高耐熱性の材料、例えば、タンタリウム（体積抵抗率：１６．７μΩ−ｃｍ）からなり、スペーサ４２は、銅からなる低抵抗の配線４７，４７がヨーク３３，４３方向と直角方向に接続される。スペーサ４２の通電方向の長さを０．０６μｍ、断面を０．０４×０．１μｍとするとき、スペーサ４２の抵抗値は４２Ωとなる。この部分に１Ｇｂｐｓで、５ｍＡの通電を行う場合、熱伝導を考慮しても、スペーサ４２を３００℃以上に加熱することができる。なお、スペーサ４２は、記録媒体への加熱効果を上げるために、スペーサ４２の加熱部分を浮上スライダ２のエアベアリング面２１に近づけるとともに、配線４７，４７の底面側もエアベアリング面２１に近づけて形成する。
【００２０】
次に、上記の熱アシスト磁気記録ヘッド１の製造方法の一例について説明する。浮上スライダ２となるウェハは、前述のハードディスクドライブの熱アシスト磁気記録ヘッドに用いられているアルチック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＯ２）を用い、ＧＭＲセンサ３は、通常のＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｓｅｎｓｏｒ）を用いる。アルチックのウェハ上に１次元又は２次元状にヨーク３２，３３、電極３４，３４’、スピンバルブ膜３１を、誘電体層３５を介して順次積層し、ＧＭＲセンサ３を形成する。さらに、磁気コイル４４、ヨーク４３等を積層し、誘電体スペーサ４６で固定することにより薄膜磁気トランスデューサ４を形成する。ＧＭＲセンサ３および薄膜磁気トランスデューサ４が１次元的に配列されたチップバーを切り出し、その断面を浮上スライダ２の浮上面２ｂとして加工した後、各ヘッドチップに切断する。
【００２１】
次に、第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド１の動作について説明する。熱アシスト磁気記録ヘッド１は、浮上スライダ２の凹部２ｃを有する浮上面２ｂにより、磁気ディスク８の基板８ｂ上に形成された磁気記録層８ａ上を浮上走行する。薄膜磁気トランスデューサ４の電極４８，銅配線４７を介してスペーサ４２に電流を流すと、スペーサ４２が発熱し、これにより磁気記録層８ａが加熱されて抗磁力が低下する。薄膜磁気トランスデューサ４の磁気コイル４４に記録信号に基づく電流を供給すると、その電流に比例した磁界が磁気ギャップに発生する。その磁界の変調により磁気記録層８ａの抗磁力が低下した部分に情報の記録を行う。信号の再生は、スピンバルブ膜３１と鎖交する磁気記録層８ａからの磁界の強度変化をスピンバルブ膜３１の抵抗変化として検出することにより行う。
【００２２】
以上述べた第１の実施の形態によれば、下記の効果が得られる。
（１）１Ｇｂｐｓで、５ｍＡの通電を行う場合、スペーサ４２を３００℃以上に加熱することができるので、薄膜磁気トランスデューサ４で記録できる程度に磁気記録層８ａの抗磁力を下げることができる。例えば、ＴｂＦｅＣｏの光磁気記録媒体を磁気記録層８ａに使用する場合、キューリー温度まで十分加熱することができ、低磁界で記録することが可能となる。また、キューリー温度が数百度と高いＣｏＣｒ等の磁性材料の場合でも、加熱されることにより薄膜磁気トランスデューサ４で記録できる程度に抗磁力を下げることができる。
（２）本実施の形態の熱アシスト磁気記録ヘッド１は、主として面内記録用であるため、磁気ギャップ幅は狭く形成されており、磁気ギャップでの漏れ磁界を磁気記録媒体への記録に使用するものであるが、垂直磁気記録にも使用可能である。
【００２３】
なお、スペーサ４２は、モリブデンやタングステン等の電気抵抗が低いものであっても、膜厚および幅を減らすことで抵抗を高めることができるものを使用することができる。
【００２４】
図３は、本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す。この熱アシスト磁気記録ヘッド１は、磁気垂直磁気記録用のヘッドであり、薄膜磁気トランスデューサ４のみが第１の実施の形態と異なり、浮上スライダ２およびＧＭＲセンサ３は、第１の実施の形態のそれらと同じであるので説明を省略する。この薄膜磁気トランスデューサ４は、発熱体としての一方の磁気ポール４１’に配線４７，４７を接続したものである。これは、図１においてスペーサ４２に磁気回路に対して直角方向から配線を接続していたのを、磁気ポール４１’に磁気回路に対して直角方向から配線４７，４７を接続するものである。ここで、磁気ポール４１’は、高耐熱性が要求されるため、キューリー温度が比較的高く、高電気抵抗の材料、例えば４５パーマロイにより構成する。
【００２５】
この第２の実施の形態によれば、磁気ポール４１’自体を加熱することができるため、発熱場所と磁界位置を全く一致させることができ、高速記録が可能となる。また、従来の薄膜磁気トランスデューサ４の磁気ポール４１に配線４７，４７を行うことにより、この実施の形態の熱アシスト磁気記録ヘッド１を容易に作製できる。
【００２６】
図４は、本発明の第３の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドを示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は底面図を示す。この熱アシスト磁気記録ヘッド１は、薄膜磁気記録トランスデューサ４が第１の実施の形態と異なり、浮上スライダ２、ＧＭＲセンサ３は、第１の実施の形態のそれらと同じであるので説明を省略する。
【００２７】
薄膜磁気トランスデューサ４は、先端に単一磁気ポール４１を有するヨーク４３と、磁気障壁膜を兼ねるヨーク３３，３３’と、２つの磁気コイル４４，４４’とを備え、ヨーク４０，４１と垂直磁気膜からなる磁気記録層８ａの下に敷設された軟磁性膜を通して磁気回路を構成している。なお、４３ｂは３つのヨーク３３，３３’，４３を接続する接続ヨークである。
【００２８】
ヨーク３３，３３’は、単一磁気ポール４１が浮遊磁界の影響を受けるのを避けるために、単一磁気ポール４１の両側に設置されている。従って、一方の磁気コイル４４’は、ヨーク３３，３３’の磁化の方向を単一磁気ポール４１と逆方向とするために、他方の磁気コイル４４に対して逆方向に巻かれている。
【００２９】
単一磁気ポール４１と他方の磁気ポール４０との距離は、両者間に直接接続される磁束を少なくするために少し離されている。その距離は、離しすぎると、単一磁気ポール４１とＧＭＲセンサ３のスピンバルブ膜３１が同一トラック上を走行するのが困難となるため、単一磁気ポール４１の幅０．０６μｍに対して０．３μｍとする。単一磁気ポール４１は、図示しない磁気記録媒体の磁気記録層の下層に形成する軟磁性膜との間に磁気閉回路を形成するようになっている。
【００３０】
単一磁気ポール４１とヨーク３３の磁気ポール４０との間は、第１の実施の形態と同様に、配線４７，４７が接続された導電材料からなるスペーサ４２を誘電体４５，４５’を介して形成し、単一磁気ポール４１付近を加熱することができるようになっている。スペーサ４２の導電材料の種類、サイズ等は、第１の実施の形態において記載したのと同様である。これにより、単一磁気ポール４１付近で発熱させて上記の第１の実施の形態と同様の熱アシスト磁気記録を行うことが可能となる。
【００３１】
次に、上記の第３の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド１の動作について説明する。熱アシスト磁気記録ヘッド１は、浮上スライダ２の凹部２ｃを有する浮上面２ｂにより、磁気ディスク８の基板８ｂ上に形成された磁気記録層８ａ上を浮上走行する。銅配線４７，４７間に電流を流すと、スペーサ４２が発熱し、これにより磁気記録層８ａが加熱されて抗磁力が低下する。薄膜磁気トランスデューサ４の磁気コイル４４，４４’に記録信号に基づく電流を供給すると、その電流に比例した磁界が磁気ギャップに発生する。その磁界の変調により磁気記録層８ａの抗磁力が低下した部分に情報の記録を行う。信号の再生は、スピンバルブ膜３１と鎖交する磁気記録層８ａからの磁界の強度変化をスピンバルブ膜３１の抵抗変化として検出することにより行う。
【００３２】
この第３の実施の形態によれば、磁気ギャップに形成するスペーサ４２に磁気回路と直角方向から通電するため、単一磁気ポール４１付近の部分で発熱させることが可能となり、発熱場所と磁界位置を一致させることができるので、高速記録に有効である。
【００３３】
なお、単一磁気ポール４１側の誘電体４５’の膜厚を薄くすることにより、スペーサ４２と単一磁気ポール４１とを近づけることができ、発熱場所と磁界位置をより一致させることができるので、安定した記録が可能となる。
【００３４】
図５は、本発明の第４の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録装置の主要部を示す。この熱アシスト磁気記録装置５０は、磁気記録層５１’を有する磁気ディスク５１と、磁気ディスク５１を回転させるモータ５２と、磁気記録層５１’に記録・再生を行う第１、第２又は第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気ヘッド１と、熱アシスト磁気ヘッド１を走査するスイングアーム５３と、スイングアーム５３を動作させるリニアモータ５４と、これらの制御を行う制御回路７０と、記録再生信号を処理する信号処理回路８０とを備える。
【００３５】
熱アシスト磁気ヘッド１は、制御回路７０により所定の回転数で回転する磁気ディスク５１の磁気記録層５１’上を浮上走行し、所定の記録トラックを追従しながら記録再生が行われるようになっている。
【００３６】
磁気ディスク５１の磁気記録層５１’は、例えば、光磁気記録に使用されるＴｂＦｅＣｏ膜を用いる。
【００３７】
次に、第４の実施の形態の上記の熱アシスト磁気記録装置５０の動作について説明する。記録に際しては、信号処理回路８０から出力される記録マーク形成信号に基づいて、スペーサ４２に電流を供給すると、磁気ポール４１直下の磁気記録層５１’を３００℃程度まで加熱すると同時に磁気コイル４４に記録信号に基づく電流を印加してスペーサ４２が埋め込まれた磁気ギャップに磁界を発生させ、磁気記録層５１’に磁気記録マークを形成する。
【００３８】
安定な記録を行うためには、磁気ディスク５１面内で同一温度に加熱することと、記録直後に記録マークに影響を与えないレベルまで磁気記録層５１’の温度を急冷することが重要であり、そのために、内周側から外周側に行くに従って加熱電流を徐々に増加する。このとき、ディスク構造や記録媒体によっても異なるが、周速の平方根から１乗に比例するように増加することにより、ほぼ同一温度に加熱することができるようになる。また、記録後に急冷するために、加熱用の電流をパルス的に印加するとともに、そのタイミングを磁界印加電流の印加よりも、若干早め、温度の下がり始めた時に磁界が印加されるように調整する。早める度合いは、やはり記録媒体やディスクの回転速度によって異なるが、パルス幅の１０％から５０％が適当である。
【００３９】
この第４の実施の形態によれば、発熱場所と磁界位置とを一致させた熱アシスト磁気記録ヘッドを使用するため、比較的弱い磁界印加であっても記録することができることから、高密度・高速の熱アシスト磁気記録が可能となる。また、磁気異方性の高い膜にも、その抗磁力を下げて記録することが可能となる。
【００４０】
なお、第４の実施の形態では、ディスク枚数は一枚であるが、複数枚を積層した、所謂ウィンチェスター型としてもよい。また、加熱電流パルスの印加間隔を磁界印加パルスの間隔よりも短くすることにより、記録直後に記録マークに影響を与えないレベルまで磁気記録層５１’の温度を急冷することが可能である。
【００４１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、磁界の発生位置とジュール熱の発生位置が一致するので、記録マークを微小化でき、高密度化が可能となる。また、加熱後直ちに記録できるので、高速化が図れる。さらに、磁界発生と発熱を薄膜磁気トランスデューサによって行うので、部品点数が減り、製造工程を少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドを示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は底面図、（ｃ）は（ａ）のＳ方向から見た後面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気トランスデューサの模式図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドを示す底面図である。
【図４】本発明第３の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドを示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は底面図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録装置の主要部を示す模式図である。
【符号の説明】
１          熱アシスト磁気記録ヘッド
２          浮上スライダ
２ａ      浮上スライダの後面
２ｂ      浮上面
２ｃ      凹部
３          ＧＭＲセンサ
４          薄膜磁気トランスデューサ
８          磁気ディスク
８ａ      磁気記録層
８ｂ      基板
２１      エアベアリング面
３１      スピンバルブ膜
３２      磁気障壁膜
３３，３３’，４３      ヨーク
３４，３４’              電極
３５      誘電体層
４０      磁気ポール
４１      単一磁気ポール
４２      スペーサ
４３ｂ  接続ヨーク
４４      磁気コイル
４５      絶縁膜
４６      誘電体スペーサ
４７、４７’              銅配線
４８      電極
５０      熱アシスト磁気記録装置
５１      磁気ディスク
５１’  磁気記録層
５２      モータ
５３      スイングアーム
５４      リニアモータ
７０      制御回路
８０      信号処理回路
【図１】
2004253055.tif 000003
【図２】
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【図３】
2004253055.tif 000005
【図４】
2004253055.tif 000006
【図５】
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