(57)【要約】【課題】ミラー基板を大きくすることなく、コイルの巻き数を十分に増やすことができる電磁式ミラー装置を提供する。【解決手段】電磁式ミラー装置においては、ミラー基板２上にＣｒ／Ａｕからなるミラー１が設けられている。ミラー基板２には４本のリンク梁３が結合されている。各リンク梁３はミラー１の端部よりミラー基板中心軸に近い位置で、ミラー基板２に結合されている。ミラー基板２の左右には、ミラー基板中心軸に対して対称となる位置に駆動フレーム４が配設されている。各駆動フレーム４は、２本のリンク梁３を介してミラー基板２と連結されている。駆動フレーム４上には、アルミニウムからなる電気的導体経路５が配設され、電気的導体経路５の両端には電極パッド６が配設されている。駆動フレーム４は下地基板８の上面に結合されている。枠９の左右の両辺部の上には永久磁石１０が設置されている。【選択図】        図１
2004354442.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面にミラーが設けられたミラー基板と、
ミラー基板とは別体に形成された可動駆動フレームと、
ミラー基板と可動駆動フレームとに結合され、ミラー基板を支持するリンク梁と、
可動駆動フレーム上に配置され、通電により磁界を発生させる電気的導体経路と、
外枠上に配置された永久磁石と、
可動フレーム又はミラー基板のねじれ角又は変位を検出する検出手段とを備えていることを特徴とする電磁式ミラー装置。
【請求項２】
可動駆動フレームが、ミラー基板をはさむようにして２つ配設されていることを特徴とする請求項１に記載の電磁式ミラー装置。
【請求項３】
両可動駆動フレーム上の両電気的導体経路が１つの経路で形成されていることを特徴とする請求項２に記載の電磁式ミラー装置。
【請求項４】
可動駆動フレームが１つだけ配設されていることを特徴とする請求項１に記載の電磁式ミラー装置。
【請求項５】
上記検出手段が４端子型ピエゾ抵抗であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の電磁式ミラー装置。
【請求項６】
上記検出手段が静電容量検出手段であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の電磁式ミラー装置。
【請求項７】
上部が測定光に対して透明な部材で封止されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の電磁式ミラー装置。
【請求項８】
リンク梁が、ミラー端部よりミラー回転中心軸側でミラー基板に結合されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の電磁式ミラー装置。
【請求項９】
ミラー基板と可動駆動フレームとリンク梁と外枠とを含む構造体が、アルミニウム系材料又は鉄系材料で形成されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載の電磁式ミラー装置。
【請求項１０】
請求項１〜９に記載の電磁式ミラー装置の製造方法であって、電気的導体経路を含む部材を、可動駆動フレームとは別体に形成した後、可動駆動フレームに接合することを特徴とする電磁式ミラー装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電磁式ミラー装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の電磁式ミラー装置では、一般に、ミラー基板に電気的導体経路を配設し、ローレンツ力によりミラー基板を駆動して回転させるようにしている（例えば、特許文献１参照）。具体的には、特許文献１に開示された電磁式ミラー装置では、半導体基板に、平板状の可動板とこの可動板を上下方向に揺動可能に軸支するトーションバーとを一体形成している。そして、可動板の上面周縁部に、通電により磁界を発生させる平面コイルを敷設し、この平面コイルで囲まれた中央部にミラー（反射鏡）を設けている。一方、半導体基板の上側及び下側に絶縁基板を設け、上下の絶縁基板に、それぞれ永久磁石を固定している。
【０００３】
【特許文献１】
特開平７−１７５００５号公報（段落［００１４］〜［００１７］、図１）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来の電磁式ミラー装置において、広い走査角度を得るには、ミラー基板上のコイルに作用するローレンツ力を大きくし、ねじれモーメントを大きくする必要がある。そして、このようにするには、磁束密度を高くし、コイルを流れる電流量を大きくし、あるいはコイルの巻き数を多くする必要がある。
【０００５】
ここで、磁束密度は、用いる永久磁石の特性ないしは仕様により決定される。コイルを流れる電流量はコイルの材料の電気的特性により左右されるが、コイルの巻き数の設計は、許容できる限り巻き数が多くなるように行なう必要がある。しかし、例えば特許文献１に開示された従来の電磁式ミラー装置では、コイルをミラー基板の周縁部に配線しているので、ミラー基板が大きくなるのを避けるため、コイルの巻き数を増やすには限界があるといった問題がある。
【０００６】
本発明は、上記従来の問題を解決するためになされたものであって、ミラー基板を大きくすることなく、ミラー基板を駆動するためのコイルの巻き数を十分に増やすことができる電磁式ミラー装置ないしはその製造方法を提供することを解決すべき課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するためになされた本発明にかかる電磁式ミラー装置は、（ｉ）上面にミラーが設けられたミラー基板と、（ｉｉ）ミラー基板とは別体に形成された可動駆動フレームと、（ｉｉｉ）ミラー基板と可動駆動フレームとに結合され、ミラー基板を支持するリンク梁と、（ｉｖ）可動駆動フレーム上に配置され、通電により磁界を発生させる電気的導体経路と、（ｖ）外枠上に配置された永久磁石と、（ｖｉ）可動フレーム又はミラー基板のねじれ角又は変位を検出する検出手段とを備えていることを特徴とするものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、添付の図面を参照しつつ、本発明のいくつかの実施の形態を具体的に説明する。なお、これらの実施の形態にかかる図面において、同一ないしは共通の構成要素には同一の参照番号を付している。
【０００９】
実施の形態１．
まず、図１〜図１０を参照しつつ、本発明の実施の形態１を説明する。図１及び図２は、それぞれ、実施の形態１にかかる電磁式ミラー装置の斜視図及び上面図である。図３は、図２に示す電磁式ミラー装置のＡ−Ａ線断面図である。以下では便宜上、電磁式ミラー装置の位置関係について、図１におけるＸ軸の正方向及び負方向をそれぞれ「右」及び「左」といい、Ｙ軸の正方向及び負方向をそれぞれ「後」及び「前」といい、Ｚ軸の正方向及び負方向をそれぞれ「上」及び「下」という。なお、この位置関係は、後記の実施の形態２〜１０についても同様である。
【００１０】
図１〜図３に示すように、実施の形態１にかかる電磁式ミラー装置においては、シリコンからなる平面視で矩形のミラー基板２上に、例えばＣｒ／Ａｕなどの反射性材料からなる平面視で矩形のミラー１（反射鏡）が設けられている（形成されている）。ミラー基板２には、それぞれ前後方向に伸びる４本のリンク梁３が結合（接続）されている。各リンク梁３はシリコンからなり、それぞれ、左右方向にみて、ミラー１の端部よりもミラー基板中心軸Ｌに近い位置において、ミラー基板２に結合されている。ミラー基板２の左右には、ミラー基板中心軸Ｌに対して対称となる位置にそれぞれ、シリコンからなる駆動フレーム４（可動駆動フレーム）が配設されている。各駆動フレーム４は、前後２本のリンク梁３を介してミラー基板２に連結されている。
【００１１】
駆動フレーム４上には、例えばアルミニウムなどの導電性材料からなる電気的導体経路５が配設（配線）され、この電気的導体経路５の両端には、それぞれ、電極パッド６が配設されている。ここで、各駆動フレーム４は、下地基板８の上面に結合されている。また、下地基板８の上面には、シリコンからなり、平面視ではミラー基板２とリンク梁３と駆動フレーム４とを囲む枠９（外枠）が結合されている。そして、枠９の左右の両辺部の上には、それぞれ、前後方向に長手となる永久磁石１０が設置されている。
【００１２】
４本のリンク梁３のうち、後側の２本のリンク梁３には、それぞれ、４端子型のピエゾ抵抗７が配置されている。各ピエゾ抵抗７には、それぞれ、４本の電気的導体経路１２が接続され、これらの電気的導体経路１２は、それぞれ、駆動フレーム４上に配設された電極パッド１３に接続されている。なお、これらの４本の電気的導体経路１２のうち、後向きに伸びる２本は、該ピエゾ抵抗７が配設された後側のリンク梁３を経由して電極パッド１３に接続され、前向きに伸びる２本は、ミラー基板２と前側のリンク梁３とを経由して電極パッド１３に接続されている。図示していないが、ミラー基板２、リンク梁３、駆動基板４及び枠９の上面には絶縁膜が設けられ、電気的導体経路５、１２、電極パッド６、１３、ピエゾ抵抗７等は、この絶縁膜上に配置されている。
【００１３】
電磁式ミラー装置はローレンツ力により動作するが、以下、電磁式ミラー装置の動作原理を説明する。
図４に示すように、ローレンツ力Ｆ（Ｎ）は、磁束密度Ｂ（Ｗｂ／ｍ２）の磁界が生じている中で電流Ｉ（Ａ）が流れたときに、電流Ｉの向きと磁界の向きとに直角な方向に生じる。ここで、磁界の方向と電流Ｉの方向とがなす角度をθとし、配線の長さをＬとすれば、ローレンツ力Ｆは、次の式１であらわされる。
Ｆ＝ＢＩＬｓｉｎθ………………………………………………式１
【００１４】
この電磁式ミラー装置においては、磁界は永久磁石１０により発生する。
例えば、図５に示すように、磁界が右向き（Ｘ軸の正方向）である場合、左側の駆動フレーム４において電流が後向き（Ｙ軸の正方向）に流れると、ローレンツ力は下向き（Ｚ軸の負方向）に作用する。他方、右側の駆動フレーム４において電流が前向き（Ｙ軸の負方向）に流れると、ローレンツ力は上向き（Ｚ軸の正方向）に作用する。これらの力は、リンク梁３を介して、ミラー基板２に伝わる。その結果、ミラー基板２は、前側からみて、前後方向に伸びるミラー基板中心軸を中心にして、左回り（反時計回り）に回転する（ねじれる）。
【００１５】
また、図６に示すように、磁界が右向きである場合において、左右の電気的導体経路５を流れる電流の向きを、それぞれ、図５の場合と逆にすれば、ミラー基板２は、前側からみて、ミラー基板中心軸を中心にして、右回り（時計回り）に回転する（ねじれる）。
【００１６】
ここで、左右方向にみて、リンク梁３のミラー基板２への結合位置を、ミラー基板中心軸に近づけるほど、てこの原理より、駆動フレーム４の変位が小さくても、ミラー基板２の回転量は大きくなる。ただし、このようにすると、駆動モーメントは小さくなる。したがって、リンク梁３のミラー基板２への結合位置は、単純にミラー基板中心軸に近づければよいというものではなく、低電流で動作させるための最適な結合位置が存在する。
なお、前記の説明は左右の電気的導体経路５に直流電流を流す場合についてのものであるが、電気的導体経路５に共振周波数の交流電流を流し、共振現象を利用すれば、ミラー基板２の回転量を、さらに大きくすることができる
【００１７】
また、図７に示すように、磁界が右向きである場合において、左右の電気的導体経路５を流れる電流の向きを、両方とも後向き（あるいは前向き）にすれば、左右の駆動フレーム４に対して、ローレンツ力はいずれも下向き（あるいは上向き）に作用する。このため、ミラー基板２は回転せずに下向き（あるいは上向き）に平行移動する。したがって、電磁式ミラー装置は、光スイッチとして動作する。
【００１８】
この電磁式ミラー装置においては、ミラー基板２の回転量ないしは変位の検出には、ピエゾ抵抗効果を利用している。
図８に示すように、リンク梁３上にはピエゾ抵抗７が配置され、このピエゾ抵抗７には、その前後の縁部に接続された電気的導体経路１２を介して電流Ｉが供給される。この状態で、リンク梁３がねじれると、ねじれ量すなわち走査角度に比例して、ピエゾ抵抗７の左右の縁部に接続された電気的導体経路１２に（電流Ｉの供給路と垂直な方向に）、電圧Ｖｏｕｔが出力される。
【００１９】
以下、図９及び図１０を参照しつつ、実施の形態１にかかる電磁式ミラー装置の製造方法を説明する。
図９及び図１０は、この電磁式ミラー装置の製造プロセスを示している。この製造プロセスにおいては、まず、図９（ａ）に示すように、シリコン基板１４の、絶縁膜が形成された上面に、ピエゾ抵抗７（図２参照）と、電気的導体経路１２と、電極パッド１３（図２参照）とを形成する。
【００２０】
次に、図９（ｂ）に示すように、シリコン基板１４の下面（裏面）に、レジストや酸化膜などの保護膜１５を塗布ないし形成し、下部空間を形成するためにパターニングを行なう。続いて、図９（ｃ）に示すように、シリコン基板１４の下面を、Ｄｅｅｐ−ＲＩＥ（Ｄｅｅｐ  Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）などの異方性の深堀りドライエッチングによりエッチングし、下部空間を形成する。そして、図９（ｄ）に示すように、下地配線（図示せず）が形成されているガラス基板からなる下地基板８とシリコン基板１４とを陽極接合する。
【００２１】
さらに、図１０（ａ）に示すように、シリコン基板１４の上面に、アルミニウムで電気的導体経路５と電極パッド６とを形成する。続いて、図１０（ｂ）に示すように、シリコン基板１４の上面に、Ｃｒ／Ａｕでミラー１（ミラー部）を形成する。次に、図１０（ｃ）に示すように、シリコン基板１４に対して、その上面（表面）からＤｅｅｐ−ＲＩＥなどのエッチングを施し、構造体を形成する。この後、図１０（ｄ）に示すように、枠９の上面に永久磁石１０を接着する。これにより、電磁式ミラー装置が完成する。
【００２２】
このように、実施の形態１にかかる電磁式ミラー装置においては、ミラー基板２と駆動フレーム４とが別体（別構成）に形成されている。そして、ミラー基板２を回転ないし変位させるための駆動コイルである電気的導体経路５は、駆動フレーム４上に形成されている。したがって、駆動コイルの巻き数を増加させて駆動力を増加させるには、駆動フレーム４上の電気的導体経路５の巻き数を増加させれば良く、ミラー基板２の構造ないしは特性を変更する必要はない。また、リンク梁３の剛性や上下の空隙量も変更する必要はない。さらに、リンク梁３のねじれ、ひいてはミラー基板２の回転量（ねじれ角）ないし変位の検出手段としてピエゾ抵抗７を用いているので、動的な検出だけでなく、静的な動作の検出も可能である。
【００２３】
実施の形態２．
以下、図１１を参照しつつ、本発明の実施の形態２を説明する。ただし、実施の形態２にかかる電磁式ミラー装置は、図１〜図１０に示す実施の形態１にかかる電磁式ミラー装置と多くの共通点を有するので、説明の重複を避けるため、以下では主として実施の形態１と異なる点を説明する。
【００２４】
図１１に示すように、実施の形態２にかかる電磁式ミラー装置では、左右の２つの駆動フレーム４上の両電気的導体経路５が１つの経路で形成されている。その他の点については、実施の形態１にかかる電磁式ミラー装置と同様である。実施の形態２にかかる電磁式ミラー装置では、電気的導体経路５を１つの経路で形成しているので、左右の駆動フレーム４について、電気的導体経路５の電流量や位相が同一となり、作用する力が同等となる。このため、左右の振動がアンバランスになるのを防止することができ、電磁式ミラー装置を効率よく駆動することができる。
【００２５】
実施の形態３．
以下、図１２を参照しつつ、本発明の実施の形態３を説明する。ただし、実施の形態３にかかる電磁式ミラー装置は、図１〜図１０に示す実施の形態１にかかる電磁式ミラー装置と多くの共通点を有するので、説明の重複を避けるため、以下では主として実施の形態１と異なる点を説明する。
【００２６】
図１２に示すように、実施の形態３にかかる電磁式ミラー装置では、左側にだけ駆動フレーム４が設けられ、右側には駆動フレーム４は設けられていない。そして、右側の２つのリンク梁３は、アンカー部に結合されている。その他の点については、実施の形態１にかかる電磁式ミラー装置と同様である。実施の形態３にかかる電磁式ミラー装置では、駆動フレーム４は１つしか設けられないので、構造を小型化することができる。また、左右の駆動フレーム４の位相差を考慮する必要がなくなる。
【００２７】
実施の形態４．
以下、図１３（ａ）、（ｂ）を参照しつつ、本発明の実施の形態４を説明する。ただし、実施の形態４にかかる電磁式ミラー装置は、図１〜図１０に示す実施の形態１にかかる電磁式ミラー装置と多くの共通点を有するので、説明の重複を避けるため、以下では主として実施の形態１と異なる点を説明する。
【００２８】
図１３（ａ）、（ｂ）に示すように、実施の形態４にかかる電磁式ミラー装置では、ミラー基板２の回転量（ねじれ角）ないし変位の検出手段として、ピエゾ抵抗７に代えて、静電容量検出手段である検出電極２０が設けられている。なお、電気的導体経路１２は設けられていない。その他の点については、実施の形態１にかかる電磁式ミラー装置と同様である。実施の形態４にかかる電磁式ミラー装置では、上記検出手段を静電容量型にしているので、リンク梁３上には電気的導体経路１２は形成（積層）されず、ヒステリシスや温度依存性が低い構造とすることができる。また、電気的導体経路１２の発熱によるリンク梁３の歪みが生じない。
【００２９】
実施の形態４にかかる電磁式ミラー装置では、ミラー基板２の下方に２つの検出電極２０が存在し、これらはそれぞれ容量Ｃ１、Ｃ２を形成している。この場合、供給電圧をＶｄとすれば、出力電圧Ｖｏｕｔは、次の式２であらわされる。
Ｖｏｕｔ＝［Ｃ１／（Ｃ１＋Ｃ２）］Ｖｄ…………………………式２
ここで、ミラー基板２が回転すると、それぞれの容量が変化し、出力電圧Ｖｏｕｔも変化する。実施の形態４にかかる電磁式ミラー装置では、この原理を利用して、ミラー基板２の回転量（ねじれ角）ないし変位を検出する。
【００３０】
実施の形態５．
以下、図１４を参照しつつ、本発明の実施の形態５を説明する。ただし、実施の形態５にかかる電磁式ミラー装置は、図１〜図１０に示す実施の形態１にかかる電磁式ミラー装置と多くの共通点を有するので、説明の重複を避けるため、以下では主として実施の形態１と異なる点を説明する。
【００３１】
図１４に示すように、実施の形態５にかかる電磁式ミラー装置では、下地基板には、ガラス基板でなく、上面に酸化膜１７が設けられたシリコン基板１６が用いられている。その他の点については、実施の形態１にかかる電磁式ミラー装置と同様である。下部基板がガラス基板の場合、下部基板と、枠９又は駆動フレーム４との接合部で、熱膨張差に起因して歪みや応力が生じ、温度依存性が大きくなる。しかし、実施の形態５にかかる電磁式ミラー装置では、下地基板としてシリコン基板１６を用いているので、熱膨張差が生じない。このため、温度依存性の少ない構造とすることができる。
【００３２】
実施の形態６．
以下、図１５を参照しつつ、本発明の実施の形態６を説明する。ただし、実施の形態６にかかる電磁式ミラー装置は、図１〜図１０に示す実施の形態１にかかる電磁式ミラー装置と多くの共通点を有するので、説明の重複を避けるため、以下では主として実施の形態１と異なる点を説明する。
【００３３】
図１５に示すように、実施の形態６にかかる電磁式ミラー装置では、その上部構造が、枠９上に配設されたさらなる枠１８と、該枠１８上に配設されたガラス、プラスチック等の紫外域から近赤外域の波長の光に対して透明な封止板１９とによって封止されている。その他の点については、実施の形態１にかかる電磁式ミラー装置と同様である。実施の形態６にかかる電磁式ミラー装置では、その上部構造が封止されているので、湿度、ゴミ等に対して耐環境性が向上する。
【００３４】
実施の形態７．
以下、図１５を参照しつつ、本発明の実施の形態７を説明する。ただし、実施の形態７にかかる電磁式ミラー装置は、実施の形態６にかかる電磁式ミラー装置と多くの共通点を有するので、説明の重複を避けるため、以下では主として実施の形態６と異なる点を説明する。
【００３５】
実施の形態７にかかる電磁式ミラー装置では、封止板１９の表面に、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｎＯ２などを多段に積層した反射防止膜（図示せず）が形成されている。その他の点については、実施の形態６にかかる電磁式ミラー装置と同様である。実施の形態７にかかる電磁式ミラー装置では、封止板１９の表面に反射防止膜が形成されているので、光量の減衰を防止することができる。また、これらの多層膜の厚さを変えることにより、特定の波長を透過させることができる。
【００３６】
実施の形態８．
以下、図１５を参照しつつ、本発明の実施の形態８を説明する。ただし、実施の形態８にかかる電磁式ミラー装置は、実施の形態６にかかる電磁式ミラー装置と多くの共通点を有するので、説明の重複を避けるため、以下では主として実施の形態６と異なる点を説明する。
【００３７】
実施の形態８にかかる電磁式ミラー装置では、枠１８及び封止板１９により封止された空間部が、低圧状態又は真空状態とされている。その他の点については、実施の形態６にかかる電磁式ミラー装置と同様である。実施の形態８にかかる電磁式ミラー装置では、封止された空間部が低圧状態又は真空状態とされているので、空気抵抗等によるダンピングの影響を小さくすることができ、共振による駆動を行なう場合の効率を高めることができる。
【００３８】
実施の形態９．
以下、図１６を参照しつつ、本発明の実施の形態９を説明する。ただし、実施の形態９にかかる電磁式ミラー装置ないしその製造方法は、実施の形態１にかかる電磁式ミラー装置ないしその製造方法と多くの共通点を有するので、説明の重複を避けるため、以下では主として実施の形態１と異なる点を説明する。
【００３９】
図１６に示すように、実施の形態９にかかる電磁式ミラー装置ないしその製造方法では、電気的導体経路５と電極パッド６とを駆動板２１上に形成したものを、後で駆動フレーム４に接着するようにしている。その他の点については、実施の形態１にかかる電磁式ミラー装置ないしその製造方法と同様である。
【００４０】
実施の形態９にかかる電磁式ミラー装置ないしその製造方法によれば、駆動板２１のみを変更するだけで、種々の構造ないし特性の電磁式ミラー装置を製造（製作）することができる。駆動板２１は、シリコンで形成してもよいが、鉄、アルミニウムなどで形成してもよい。ここで、駆動板２１と駆動フレーム４とは、樹脂などの接着剤で接着する。
【００４１】
なお、ミラー基板２、リンク梁３、駆動フレーム４、枠９等を含む構造体を、シリコン以外の材料、例えばアルミニウム系材料や鉄系材料で形成してもよい。ここで、アルミニウム系材料を用いる場合は、燐酸、硝酸及び過酸化水素水の混合物などの等方的なエッチング液を使用する。また、鉄系材料を用いる場合は、塩酸、硫酸などの等方的なエッチング液を使用する。なお、下部基板８との接合は、接着剤などにより行なう。この場合、安価な材料を使用することができ、電磁式ミラー装置のコストを削減することができる。
【００４２】
【発明の効果】
本発明にかかる電磁式ミラー装置では、ミラー基板と可動駆動フレームとが別体に形成され、ミラー基板の駆動コイルである電気的導体経路は、可動駆動フレーム上に配設される。したがって、駆動力を増加させるには、可動駆動フレーム上の電気的導体経路の巻き数を増加させれば良く、ミラー基板２の構造ないしは特性を変更する必要はない。このため、ミラー基板を駆動するコイルの巻き数を十分に大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる電磁式ミラー装置の斜視図である。
【図２】図１に示す電磁式ミラー装置の上面図である。
【図３】図２に示す電磁式ミラー装置のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】ローレンツ力の、磁界及び電流に対する関係を示す図である。
【図５】実施の形態１にかかる電磁式ミラー装置において、左右の駆動フレームに作用する力により生じるミラー基板のねじれの形態を示す図である。
【図６】電気的導体経路を流れる電流の向きを図５の場合と逆にした場合における、図５と同様の図である。
【図７】実施の形態１にかかる電磁式ミラー装置において、左右の駆動フレームの電気的導体経路に同一方向の電流が流れた場合に駆動フレームに作用する力により生じるミラー基板の変位の形態を示す図である。
【図８】図１に示す電磁式ミラー装置のピエゾ抵抗近傍部を拡大して示した斜視図である。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は、実施の形態１にかかる電磁式ミラー装置の製造プロセスの前段を示す図である。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、実施の形態１にかかる電磁式ミラー装置の製造プロセスの後段を示す図である。
【図１１】本発明の実施の形態２にかかる電磁式ミラー装置の上面図である。
【図１２】本発明の実施の形態３にかかる電磁式ミラー装置の上面図である。
【図１３】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施の形態４にかかる電磁式ミラー装置における、ミラー基板のねじれの検出機構を示す図である。
【図１４】本発明の実施の形態５にかかる電磁式ミラー装置の立面断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態６〜８にかかる電磁式ミラー装置の立面断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態９にかかる電磁式ミラー装置の立面断面図である。
【符号の説明】
１  ミラー、  ２  ミラー基板、  ３  リンク梁、  ４  駆動フレーム、  ５電気的導体経路、  ６  電極パッド、  ７  ピエゾ抵抗、  ８  下地基板、  ９  枠、  １０  永久磁石、  １２  電気的導体経路、  １３  電極パッド、  １４  シリコン基板、  １５  保護膜、  １６  シリコン基板、  １７  酸化膜、  １８  枠、  １９  封止板、  ２０  検出電極、  ２１  駆動板。
【図１】
2004354442.tif 000003
【図２】
2004354442.tif 000004
【図３】
2004354442.tif 000005
【図４】
2004354442.tif 000006
【図５】
2004354442.tif 000007
【図６】
2004354442.tif 000008
【図７】
2004354442.tif 000009
【図８】
2004354442.tif 000010
【図９】
2004354442.tif 000011
【図１０】
2004354442.tif 000012
【図１１】
2004354442.tif 000013
【図１２】
2004354442.tif 000014
【図１３】
2004354442.tif 000015
【図１４】
2004354442.tif 000016
【図１５】
2004354442.tif 000017
【図１６】
2004354442.tif 000018