(57)【要約】【課題】偏光方向の制御が可能な発光装置、これを用いた光通信用装置および光通信システムを提供する。【解決手段】本発明に係る発光装置１０００は、基板１０と、前記基板１０上に配置され、前記基板１０と交叉する方向に光を発生する発光部５０と、前記発光部５０と対向する位置に配置されるスラブ層３０と、を含み、前記スラブ層３０は、低屈折領域３００が周期的に配列された２次元フォトニック結晶構造を有し、前記２次元フォトニック結晶構造内に形成され、導波路として機能する線状欠陥２００と、前記２次元フォトニック結晶構造内に形成され、前記発光部５０で発生した光を捕獲して前記線状欠陥２００へ導入する点状欠陥１００と、を含み、前記点状欠陥１００は、前記発光部５０から発生する光を捕獲可能な位置に配置される。【選択図】　　　　図１
2004012781.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置され、前記基板と交叉する方向に光を発生する発光部と、
前記発光部と対向する位置に配置されるスラブ層と、を含み、
前記スラブ層は、
低屈折領域が周期的に配列された２次元フォトニック結晶構造を有し、
前記２次元フォトニック結晶構造内に形成され、導波路として機能する線状欠陥と、
前記２次元フォトニック結晶構造内に形成され、前記発光部で発生した光を捕獲して前記線状欠陥へ導入する点状欠陥と、を含み、
前記点状欠陥は、前記発光部から発生する光を捕獲可能な位置に配置される、発光装置。
【請求項２】
基板と、
前記基板上に配置され、少なくとも一つの電極が光を透過する透明電極である一対の電極対と、
前記電極対の間に配置され、エレクトロルミネッセンスによって光を発生する発光層と、
前記発光層に対して前記透明電極側に配置されるスラブ層と、を含み、
前記スラブ層は、
低屈折率領域が周期的に配列された２次元フォトニック結晶構造を有し、
前記２次元フォトニック結晶内に形成され、導波路として機能する線状欠陥と、
前記２次元フォトニック結晶内に形成され、前記発光層で発生した光を捕獲して前記線状欠陥へ導入する点状欠陥と、を含み、
前記点状欠陥は、前記発光層から前記基板と交叉する方向に発生する光を捕獲可能な位置に配置される、発光装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記透明電極は、前記発光層に対して前記基板側に配置され、
前記基板は、光を透過する機能を有し、
前記スラブ層は、前記基板に対して前記発光層が配置される側と反対側に配置される、発光装置。
【請求項４】
基板と、
前記基板上に配置され、レーザー発振によって光を発生する光共振器と、
前記光共振器の上に配置されるスラブ層と、を含み、
前記光共振器は、
前記基板の面に垂直な方向に対して対向する部分を有する一対の光反射層と、
前記一対の光反射層の間に配置される活性層と、を含み、
前記スラブ層は、
低屈折率領域が周期的に配列された２次元フォトニック結晶構造を有し、
前記２次元フォトニック結晶内に形成され、導波路として機能する線状欠陥と、
前記２次元フォトニック結晶内に形成され、前記光共振器で発生した光を捕獲して前記線状欠陥へ導入する点状欠陥と、を含み、
前記点状欠陥は、前記光共振器から前記基板と交叉する方向に発生する光を捕獲可能な位置に配置される、発光装置。
【請求項５】
基板と、
前記基板上に配置され、レーザー発振によって光を発生する光共振器と、
前記基板に対して前記光共振器が配置される側と反対側に配置されるスラブ層と、を含み、
前記光共振器は、
前記基板の面に垂直な方向に対して対向する部分を有する一対の光反射層と、
前記一対の光反射層の間に配置される活性層と、を含み、
前記スラブ層は、
低屈折率領域が周期的に配列された２次元フォトニック結晶構造を有し、
前記２次元フォトニック結晶内に形成され、導波路として機能する線状欠陥と、
前記２次元フォトニック結晶内に形成され、前記光共振器で発生した光を捕獲して前記線状欠陥へ導入する点状欠陥と、を含み、
前記点状欠陥は、前記光共振器から前記基板と交叉する方向に発生する光を捕獲可能な位置に配置される、発光装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかにおいて、
前記スラブ層に同じ波長の光を捕獲する点状欠陥が複数配置された、発光装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかにおいて、
前記点状欠陥は、形状によって捕獲される光の波長が異なる、発光装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかにおいて、
前記点状欠陥は、上下非対称の柱状構造である、発光装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかにおいて、
前記点状欠陥の前記スラブ層の面に対して一方の側に光を反射する反射部材が配置される、発光装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかにおいて、
前記スラブ層の上及び下の少なくとも一方に、該スラブ層の材料より屈折率が低いクラッド層が存在する、発光装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかにおいて、
前記線状欠陥の一方の端部は、前記低屈折率領域が周期的に配列されて閉じられた、発光装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかにおいて、
前記低屈折領域は、三角格子状または正方格子状で周期的に配列される、発光装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれかにおいて、
前記低屈折率領域は、前記スラブ層に形成された溝および貫通孔の少なくとも一方である、発光装置。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれかに記載された発光装置を含む光通信用装置。
【請求項１５】
請求項１〜１３のいずれかに記載された発光装置を含む光通信システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、２次元フォトニック結晶を利用した発光装置、光通信用装置および光通信システムに関する。
【０００２】
【背景技術及び発明が解決しようとする課題】
近年、インターネットの普及により通信システムの大容量化が望まれており、高速で大容量の通信が可能な光通信技術の開発が盛んに行われている。かかる光通信技術においては、発光装置がキーデバイスの一つとされており、中でもプレーナ技術で一括生産でき、かつ高密度な集積化を可能とする面発光機能を有する発光素子が注目されている。その代表例としては、レーザー発振により光を出射する半導体発光素子や、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）により光を出射するＥＬ発光素子などが挙げられる。
【０００３】
ところで、面発光素子は、半導体発光素子の場合、出射光の偏光方向は直交する２つの軸方向に対して等方的であるため、偏光方向が一定に定まらず、またＥＬ発光素子の場合においても、半導体発光素子の場合と同様に、出射光の偏光方向は一定ではない。このため、面発光素子を通信システムにおける光源として用いる場合、例えば、光スプリッタなどの光学部品を用いるためには、出射光の偏光特性の制御が重要となっており、新たな技術が望まれている。
【０００４】
本発明の目的は、偏光方向の制御が可能な発光装置、これを用いた光通信用装置および光通信システムを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
（１）　本発明に係る発光装置は、
基板と、前記基板上に配置され、前記基板と交叉する方向に光を発生する発光部と、前記発光部と対向する位置に配置されるスラブ層と、を含み、
前記スラブ層は、低屈折領域が周期的に配列された２次元フォトニック結晶構造を有し、前記２次元フォトニック結晶構造内に形成され、導波路として機能する線状欠陥と、前記２次元フォトニック結晶構造内に形成され、前記発光部で発生した光を捕獲して前記線状欠陥へ導入する点状欠陥と、を含み、
前記点状欠陥は、前記発光部から発生する光を捕獲可能な位置に配置される。
【０００６】
本明細書において、「〜の上に」又は「〜上に」と表現するとき、直接その上にという意味に限られず、所定の層を介している場合も含まれる。
【０００７】
本発明に係る発光装置は、基板と交叉する方向に発生する光を２次元フォトニック結晶構造を有するスラブ層内に導入して外部に出射させることにより、偏光方向の安定した光を取り出すことができることに着目したものである。
【０００８】
以下、かかる発光装置のより具体的な構成について説明する。
【０００９】
（２）　本発明に係る発光装置は、
基板と、前記基板上に配置され、少なくとも一つの電極が光を透過する透明電極である一対の電極対と、前記電極対の間に配置され、エレクトロルミネッセンスによって光を発生する発光層と、前記発光層に対して前記透明電極側に配置されるスラブ層と、を含み、
前記スラブ層は、低屈折率領域が周期的に配列された２次元フォトニック結晶構造を有し、前記２次元フォトニック結晶内に形成され、導波路として機能する線状欠陥と、前記２次元フォトニック結晶内に形成され、前記発光層で発生した光を捕獲して前記線状欠陥へ導入する点状欠陥と、を含み、
前記点状欠陥は、前記発光層から前記基板と交叉する方向に発生する光を捕獲可能な位置に配置される。
【００１０】
本発明に係る発光装置は、基板上に発光層が一対の電極対の間に配置され、この発光層は、一対の電極対から電子およびホールが注入されてエレクトロルミネッセンスにより光を発生する。
【００１１】
また、本発明に係る発光装置では、一対の電極対のうち少なくとも一方の電極が発光層で発生する光を透過可能な透明電極として形成され、発光層に対して当該透明電極側にスラブ層が配置される。
【００１２】
このスラブ層は、低屈折率領域が周期的に配列された２次元フォトニック結晶構造を有し、この２次元フォトニック結晶内には、前記低屈折率領域の周期的配列内のいずれかの位置に配置される点状欠陥と、前記低屈折率領域の周期的配列の一部を線状に抜き取ったような構造を有する線状欠陥が形成されている。
【００１３】
上記線状欠陥は、低屈折率領域の周期的配列により形成されるフォトニックバンドギャップによってスラブ層の面内方向において光が線状欠陥内に閉じ込められて伝搬する光導波路として機能する。
【００１４】
また、上記点状欠陥は、発光層から基板と交叉する方向に発生する特定の波長の光を捕獲可能な位置に配置され、上記線状欠陥内に特定の波長の光を導入する機能を有する。そして、発光層から発生した光のうち点状欠陥によって捕獲された光は、上記線状欠陥内を伝搬して外部に出射される。
【００１５】
ここで、発光層からエレクトロルミネッセンスによって発生する光には、種々の偏光方向の光が含まれている。しかし、本発明に係る発光装置においては、スラブ層内に形成されたフォトニックバンドギャップによって偏光方向の安定した光が線状欠陥内を通過する。したがって、本発明に係る発光装置によれば、スラブ層内の線状欠陥によって偏光方向を制御して光を出射することができる。
【００１６】
なお、本発明に係る発光装置において、前記透明電極は、前記発光層に対して前記基板側に配置され、前記基板は、光を透過する機能を有し、前記スラブ層は、前記基板に対して前記発光層が配置される側と反対側に配置することもできる。
【００１７】
（３）　また、本発明に係る発光装置は、
基板と、前記基板上に配置され、レーザー発振によって光を発生する光共振器と、前記光共振器の上に配置されるスラブ層と、を含み、
前記光共振器は、前記基板の面に垂直な方向に対して対向する部分を有する一対の光反射層と、前記一対の光反射層の間に配置される活性層と、を含み、
前記スラブ層は、低屈折率領域が周期的に配列された２次元フォトニック結晶構造を有し、前記２次元フォトニック結晶内に形成され、導波路として機能する線状欠陥と、前記２次元フォトニック結晶内に形成され、前記光共振器で発生した光を捕獲して前記線状欠陥へ導入する点状欠陥と、を含み、
前記点状欠陥は、前記光共振器から前記基板と交叉する方向に発生する光を捕獲可能な位置に配置される。
【００１８】
本発明に係る発光装置では、基板上に形成された一対の反射層と活性層とから構成される光共振器においてレーザー発振により半導体基板と交叉する方向に光が発生する。そして、発生した光は、光共振器の上に配置されたスラブ層の点状欠陥からスラブ層内の線状欠陥内に導入される。なお、スラブ層は、上記（１）の場合と同様に、光を伝搬させる導波路として機能する線状欠陥と、光共振器から発生する光を捕獲して線状欠陥内に導入する点状欠陥とを含んで構成される。
【００１９】
すなわち、かかる発光装置においても、光共振器から発生した光には、種々の偏光方向の光が含まれるが、点状欠陥からかかる光が導入される線状欠陥内では、低屈折領域の周期的配列によって形成されるフォトニックバンドギャップによりスラブ層の面内のみで光が閉じ込められることにより偏光方向が安定した光が外部に出射される。したがって、本発明に係る発光装置においても、スラブ層内の線状欠陥によって出射光の偏光方向を制御することができる。
【００２０】
（４）　また、本発明に係る発光装置は、
基板と、前記基板上に配置され、レーザー発振によって光を発生する光共振器と、前記基板に対して前記光共振器が配置される側と反対側に配置されるスラブ層と、を含み、
前記光共振器は、前記基板の面に垂直な方向に対して対向する部分を有する一対の光反射層と、前記一対の光反射層の間に配置される活性層と、を含み、
前記スラブ層は、低屈折率領域が周期的に配列された２次元フォトニック結晶構造を有し、前記２次元フォトニック結晶内に形成され、導波路として機能する線状欠陥と、前記２次元フォトニック結晶内に形成され、前記光共振器で発生した光を捕獲して前記線状欠陥へ導入する点状欠陥と、を含み、
前記点状欠陥は、前記光共振器から前記基板と交叉する方向に発生する光を捕獲可能な位置に配置される。
【００２１】
本発明に係る発光装置では、一対の光反射層と活性層とからなる光共振器においてレーザー発振により半導体基板と交叉する方向に光が発生し、光共振器から発生した光が基板を通過してスラブ層に達する。なお、スラブ層は、上記（１）の場合と同様に、光を伝搬させる導波路として機能する線状欠陥と、光共振器から発生する光を捕獲して線状欠陥内に導入する点状欠陥とを含んで構成される。
【００２２】
そして、スラブ層では、光共振器で発生して基板を通過した光が点状欠陥において捕獲されてスラブ層内の線状欠陥に導入される。すると、線状欠陥内では、低屈折領域の周期的配列によって形成されるフォトニックバンドギャップによりスラブ層の面内のみで光が閉じ込められることにより偏光方向が安定した光が外部に出射される。したがって、本発明に係る発光装置においても、スラブ層内の線状欠陥によって出射光の偏光方向を制御することができる。
【００２３】
なお、上記した本発明に係る各発光装置は、以下の態様を取り得る。
【００２４】
（Ａ）前記スラブ層に同じ波長の光を捕獲する点状欠陥を複数配置することができる。
【００２５】
これにより発生した光を大量に捕獲してスラブ層内導入することができるため、光の取り出し効率を向上させることができる。
【００２６】
（Ｂ）前記点状欠陥は、形状によって捕獲される光の波長が異なるものとすることができる。
【００２７】
かかる構成によれば、種々の形状の点状欠陥をスラブ層に形成することによって、任意の発光波長帯の発光装置に適用することができる。
【００２８】
なお、本明細書において、点状欠陥について「異なる形状」という場合、点状欠陥の平面形状が異なる場合に限らず、点状欠陥の大きさが異なる場合を含む。
【００２９】
（Ｃ）前記点状欠陥を、上下非対称の柱状構造とすることができる。
【００３０】
かかる構成によれば、点状欠陥において捕獲された光が漏れることによる損失を防ぐことができるので、捕獲した光を低損失で出射させることができる。
【００３１】
（Ｄ）前記点状欠陥の前記スラブ層の面に対して一方の側に光を反射する反射部材を配置することができる。
【００３２】
かかる構成においても、点状欠陥において捕獲された光の損失を反射により防ぐことができるので、捕獲した光を低損失で出射させることができる。
【００３３】
（Ｅ）前記スラブ層の上及び下の少なくとも一方に、該スラブ層の材料より屈折率が低いクラッド層が存在することができる。
【００３４】
かかる構成によれば、クラッド層によって、スラブ層の面直方向に対しても確実に光を線状欠陥内に閉じ込めて伝搬させることができる。
【００３５】
（Ｆ）　前記線状欠陥の一方の端部を、前記低屈折率領域が周期的に配列されて閉じられた構造とすることができる。
【００３６】
かかる構成によれば、光の出射方向を一方の端面側に制御することができるため、低損失で光を出射することができる。
【００３７】
（Ｇ）　前記低屈折領域は、三角格子状または正方格子状で周期的に配列することができる。
【００３８】
（Ｈ）前記低屈折率領域は、前記スラブ層に形成された溝および貫通孔の少なくとも一方とすることができる。
【００３９】
（Ｉ）また、本発明に係る発光装置は、上記いずれかの発光装置を含む光通信用装置や光通信システムに適用することができる。
【００４０】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に好適な実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００４１】
（第１の実施形態）
まず、本発明の第１の実施形態に係る発光装置１０００の構造について説明する。
【００４２】
図１（Ａ）は、本実施形態に係る発光装置１０００を模式的に示す断面図である。
【００４３】
本実施形態に係る発光装置１０００は、基板１０上にクラッド層２１を介してスラブ層３０が配置され、このスラブ層３０の上にクラッド層２２を介して陽極４０、発光層５０、陰極６０が順次積層されて構成される。
【００４４】
基板１０は、例えば、ガラス基板、合成樹脂基板、半導体基板など公知の基板材料の中から好適なものを選択して用いることができる。
【００４５】
クラッド層２１、２２は、スラブ層３０の材料よりも低屈折率の材料で形成され、スラブ層３０の面に垂直な方向において光を該スラブ層３０内に閉じ込める機能を有する。このようなクラッド層２１、２２の材料は、スラブ層３０の材料の屈折率との関係で決定され、例えば、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｓｂ、Ａｓ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｐ、Ｎ、およびＯのいずれか一種またはこれらの任意の組合せによる無機材料、具体的にはＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘＮｙ、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓＳｂ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＰなどが挙げられる。また、上記の他に例えば、空気等の気体や、例えば、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ジアリルフタレート、フェニルメタクリレート、フッ素系ポリマー等の有機材料などをクラッド層２１、２２の材料としてもよい。また、クラッド層２１、２２は、例えば、スピンコート法などを用いて形成することができる。
【００４６】
なお、クラッド層２１、２２は、スラブ層３０の上下に配置される層との関係において適宜設ければよく、本実施形態に係る発光装置１０００として必須の構成要素ではない。すなわち、図１（Ａ）に示すような発光装置１０００の場合、基板１０および陽極４０の屈折率がスラブ層３０の屈折率よりも低い場合にはクラッド層２１、２２はいずれも設ける必要はない。また、基板１０および陽極４０のいずれかの屈折率がスラブ層３０の屈折率より高くなる場合には、スラブ層３０と当該スラブ層３０より屈折率が高い層との間にクラッド層２１、２２のいずれかを設ければよい。
【００４７】
スラブ層３０は、図１（Ｂ）に示すように、２次元フォトニック結晶構造を有するスラブ型導波路を構成する。ここで、２次元フォトニック結晶構造とは、屈折率を変化させた領域（以下、低屈折率領域という。）３００を周期的に配列することにより２次元平面内においてバンドギャップを有する構造である。この低屈折領域３００は、スラブ層３０に貫通孔または溝を形成し、かかる貫通孔または溝の中にスラブ層３０よりも屈折率の低い例えば、空気などの媒質が充填されて構成される。なお、クラッド層２１、２２を設ける場合は、クラッド層２１、２２の材料が上記貫通孔または溝に充填される場合もある。後述する点状欠陥１００においても同様である。
【００４８】
ここで、２次元フォトニック結晶構造では、面内方向の光は、上記したバンドギャップによって伝搬が禁制される。そして、スラブ層３０では、この２次元フォトニック結晶構造中の低屈折率領域３００の周期的配列において一部を線状に抜き取ったような構造の線状欠陥２００を導入することによって、この線状欠陥２００内においてのみ光が伝搬されるスラブ型導波路として機能する。なお、スラブ層３０の線状欠陥２００を通過する光は、スラブ層３０とクラッド層２１、２２との屈折率差によってスラブ層３０の面に垂直な方向においても線状欠陥２００内に閉じ込められる。
【００４９】
また、スラブ層３０において、低屈折率領域３００の周期的配列は、図２に示すように、線状欠陥２００の一方の端部側をかかる周期的配列によって閉じた構造とすることができる。かかる構造によれば、線状欠陥２００の双方の端部から等方的に光が出射されることにより生ずる損失を低減しつつ光を一方の端部側のみから出射することができる。また、このような構成により、スラブ層３０における光の入出射方向を制御することができる。
【００５０】
なお、スラブ層３０において、低屈折率領域３００の平面形状は、図１（Ｂ）に示すような円形のものに限られず、四角形、六角形等の多角形状であってもよい。
【００５１】
また、かかる発光装置１０００のスラブ層３０において、低屈折率領域３００の周期的配列は、図３（Ａ）または図３（Ｂ）に示すように、三角格子状または正方格子状の配列を採用することができる。
【００５２】
また、スラブ層３０においては、図１（Ｂ）に示すように、低屈折率領域３００の周期的配列内に、低屈折率領域３００と異なる形状を有する点状欠陥１００を形成し、発光層５０で発生する光をスラブ層３０内に取り入れることができる。すなわち、線状欠陥２００を伝搬する光は、この点状欠陥１００によって捕獲されて線状欠陥２００内に導入されたものである。
【００５３】
この点状欠陥１００は、上記低屈折率領域３００に対して例えば、大きさや平面形状などが異なるものとして形成することにより、かかる形状に対応した特定の波長の光を捕獲して光の導入口として機能する。例えば、低屈折率領域３００の平面形状を円形とした場合には、点状欠陥１００については半径（または直径）の異なる平面形状とすることができる。すなわち、本実施形態に係る発光装置１０００においては、かかる構成を採用することにより、種々の形状の点状欠陥１００をスラブ層３０に形成することによって各形状に対応した波長の光をかかる点状欠陥１００によって捕獲してスラブ層３０から出射させることができる。また、スラブ層３０には、図１（Ｂ）に示すように、同じ波長の光を捕獲して線状欠陥２００に光を導入する点状欠陥１００を複数個設けることができる。
【００５４】
また、スラブ層３０では、点状欠陥１００内に異なる屈折率の材料を充填することによって異なる光の波長を捕獲可能に形成することができる。ここで、点状欠陥１００において捕獲される光の波長は、上記したように点状欠陥１００の大きさや平面形状によって変化する。そこで、点状欠陥１００に充填する材料の屈折率が異なるものであれば、点状欠陥１００の実効的な形状が変化させて、異なる波長の光を捕獲させることができる。かかる場合においては、点状欠陥１００内に充填する材料を例えば、温度により屈折率が変化しやすい材料とすれば、発光装置１０００を温調装置を用いて温度制御することによって、かかる温度制御に応じて点状欠陥１００で捕獲される波長を発光装置１０００の使用時において変化させることもできる。なお、本実施形態に係る発光装置１０００では、スラブ層３０における点状欠陥１００の形状の変更、充填材料の変更を組み合わせて所望の波長を捕獲する点状欠陥１００を形成することができる。
【００５５】
また、かかる点状欠陥１００の形状は、例えば、図４（Ａ）に示すように、柱状構造とすることができる。また、点状欠陥１００は、例えば、図４（Ａ）に示すような上下対称の柱状構造とした場合、捕獲された光がスラブ層３０の外部に漏れることもある。そこで、図４（Ｂ）〜図４（Ｅ）に示すように上下非対称の形状として大きく開いた側を発光層５０側となるように形成すれば、開口部の小さいほうからは光が外部に漏れにくくなり、損失を低減させることができる。
【００５６】
なお、点状欠陥１００の形状を例えば、図４（Ａ）に示すような上下対称の柱状構造とした場合であっても、発光層５０に面する側と反対側の開口部に光反射部材を設けて（図示省略）、反射によって光が所望の方向以外へ漏れるのを防止することができる。このような構成によれば、点状欠陥１００において捕獲した光の損失を反射により低減することができる。
【００５７】
また、スラブ層３０の材料としては、例えば、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｓｂ、Ａｓ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｐ、Ｎ、およびＯのいずれか一種またはこれらの任意の組合せによる無機材料でクラッド層２１、２２よりも屈折率の高いものを用いることができる。具体的には、Ｓｉ、ＳｉＯ２にＧｅ等を含む不純物を添加したもの、ＡｌＡｓ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓＳｂ、ＩｎＧａＡｓＰなどが例示できる。また、スラブ層３０の材料としては、例えば、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ジアリルフタレート、フェニルメタクリレート、フッ素系ポリマー等の有機材料でクラッド層２１、２２、２３の材料よりも屈折率の高いものを用いることができる。
【００５８】
ここで、スラブ層３０において点状欠陥１００は、少なくとも発光層５０から発生する光を捕獲可能な位置に配置される。具体的には、例えば、図１（Ｂ）及び図１（Ｃ）に示すように、発光層５０および陰極６０の面積がスラブ層３０の面積よりも小さい場合には、図１（Ｂ）に示すように陽極４０、発光層５０および陰極６０が重なる範囲に対応するスラブ層３０の領域（図１（Ｂ）の破線の内側）に点状欠陥１００を設けることができる。
【００５９】
かかるスラブ層３０は、例えば、スピンコート法で成膜した後に、低屈折領域３００および点状欠陥２００を公知のフォトリソグラフィー技術、電子線描画法などを用いてパターニングすることにより形成することができる。
【００６０】
また、かかるスラブ層３０は、個別に形成することもできる。具体的には、図５（Ａ）に示すように、例えば、Ｓｉの単結晶ウェハ５００を準備する。そして、図５（Ｂ）に示すように、ウェハ５００の所定の領域４００にＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｂｅａｍ）を用いる電子線描画法や、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）等を用いたフォトリソグラフィー技術によって低屈折率領域３００、点状欠陥１００のパターニングを行う。このとき、スラブ層３０の形状に合わせてスラブ層３０となる領域の周囲についても例えば、図５（Ｂ）に示すように、分離用パターン４１０を形成しておくことができる。なお、スラブ層３０となる領域の周囲に分離用パターン４１０を形成する場合には、スラブ層３０をパターニング中にウェハ５００から分離しないように支持する支持領域４２０を残しておくことが望ましい。
【００６１】
次に、パターニングされたウェハ５００からスラブ層３０を支持領域４２０において（図中の破線部分）、例えば、劈開等をすることにより分離してスラブ層３０を取り出す。なお、スラブ層３０は、上記したようにスラブ層３０となる領域の周囲に分離用パターン４１０を形成しない場合には、ウェハ５００を公知の手法を用いてダイシングすることによりスラブ層３０を切り出すこともできる。
【００６２】
このように、スラブ層３０を個別に形成する場合には、クラッド層２１、２２を例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化性樹脂など接着力の有する材料を用いて積層して、スラブ層３０と他の層とを固定することができる。
【００６３】
陽極４０は、発光層５０にホールを注入するための電極として機能し、仕事関数の大きい（例えば、４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物またはこれらの混合物を用いて例えば、スパッタ法により形成することができる。また、陽極４０は、少なくとも発光層５０で発生する光を透過可能な透明電極で形成される。このように、陽極４０として光学的に透明な材料を用いる場合には、ＣｕＩ、ＩＴＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＯなどの導電性透明材料を用いることができる。
【００６４】
陰極６０は、発光層５０に電子を注入するための電極として機能し、仕事関数の小さい（例えば、４ｅＶ以下）電子注入性電極、合金電気導電性化合物およびこれらの混合物を用いて例えば、スパッタ法により形成することができる。
【００６５】
発光層５０は、上記陽極４０および陰極６０からなる一対の電極対の間に配置され、エレクトロルミネッセンスにより光を発生する。そして、発光層５０は、蒸着法、ＣＶＤ法、インクジェット法、スピンコート法、ＬＢ法などの公知の成膜方法の中から選択した材料に好適な手法を用いて形成することができる。また、発光層５０の材料は、所定の波長帯の光を得るために公知の化合物から選択される。発光層５０の材料としては、有機化合物および無機化合物のいずれでもよいが、種類の豊富さや成膜性の点から有機化合物であることが望ましい。
【００６６】
このような有機化合物としては、例えば、アロマティックジアミン誘導体（ＴＰＤ）、オキシジアゾール誘導体（ＰＢＤ）、オキシジアゾールダイマー（ＯＸＤ−８）、ジスチルアリーレン誘導体（ＤＳＡ）、ベリリウム−ベンゾキノリノール錯体（Ｂｅｂｑ）、トリフェニルアミン誘導体（ＭＴＤＡＴＡ）、ルブレン、キナクリドン、トリアゾール誘導体、ポリフェニレン、ポリアルキルフルオレン、ポリアルキルチオフェン、アゾメチン亜鉛錯体、ポリフィリン亜鉛錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、フェナントロリンユウロピウム錯体など公知のものが使用できる。これらの化合物は単独で用いてもよく、２種類以上を混合して用いてもよい。また、無機化合物としては、ＺｎＳ：Ｍｎ（赤色領域）、ＺｎＳ：ＴｂＯＦ（緑色領域）、ＳｒＳ：Ｃｕ、ＳｒＳ：Ｃｅ（青色領域）などが例示される。
【００６７】
なお、発光層５０と陽極４０との間には、必要に応じて、陽極４０から発光層５０にホールを効率よく注入するために、ホール輸送／注入層（図示省略）を設けることもできる。また、発光層５０と陰極６０との間には、必要に応じて陰極６０から発光層５０に効率よく電子を注入するために、電子輸送／注入層（図示省略）を設けることもできる。
【００６８】
次に、本実施形態に係る発光装置１０００の機能について説明する。
【００６９】
かかる発光装置１０００は、陽極４０と陰極６０とからなる一対の電極対から注入されたホールと電子が結合して励起子が生成され、この励起子が失活する際に光を発生する。すると、発光層５０から透明電極である陽極４０を透過した光は、スラブ層３０の点状欠陥１００によって捕獲され、スラブ層３０の線状欠陥２００に導入される。
【００７０】
そして、スラブ層３０では、スラブ層３０の面内において、低屈折領域３００の周期的配列によって形成されるフォトニックバンドギャップによって線状欠陥２００内に光が閉じ込められ、また、スラブ層３０の面に垂直な方向においては、上下に配置されるクラッド層２１、２２との屈折率差によって線状欠陥２００内に光が閉じ込められる。すなわち、スラブ層３０内では、かかる線状欠陥２００内のみを光が通過していくことになる。
【００７１】
このように、スラブ層３０は、２次元フォトニック結晶構造であるため、線状欠陥２００では、面内方向においてフォトニックバンドギャップによる光の伝搬方向が制御され、線状欠陥２００内を通過する光は、偏光方向が安定した直線偏光となってスラブ層３０の端面から出射される。したがって、本実施形態に係る発光装置１０００によれば、スラブ層３０内の線状欠陥２００によって偏光方向を一定に制御して光を出射することができる。
【００７２】
また、本実施形態に係る発光装置１０００によれば、光の出射をスラブ層３０の端面から行うため、光ビームの放射範囲が大きい面発光型の発光素子においても、伝送路となる光ファイバとの結合性を向上させることができる。
【００７３】
（変形例１）
図６は、本発明の第１の実施形態の変形例１に係る発光装置１１００を模式的に示す断面図である。図１に示すものと実質的に同一の機能を有する部材には
同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。また、本変形例に係る発光装置１１００の各層の成膜方法および加工方法については、上記した第１の実施形態に係る発光装置１０００と同様の方法を用いることができる。
【００７４】
この変形例１に係る発光装置１１００は、基板１０上に陰極６０、発光層５０、陽極４０が順次積層され、透明電極である陽極４０の上にクラッド層２１を介してスラブ層３０が配置されている。また、スラブ層３０は、クラッド層２１、２２の間に配置されている。なお、本変形例に係る発光装置１１００においても、発光層５０と陽極４０との間には、必要に応じて、陽極４０から発光層５０にホールを効率よく注入するために、ホール輸送／注入層（図示省略）を設けることができる。また、発光層５０と陰極６０との間には、必要に応じて陰極６０から発光層５０に効率よく電子を注入するために、電子輸送／注入層（図示省略）を設けることができる。
【００７５】
本変形例に係る発光装置１１００では、陽極４０および陰極６０から発光層５０にホールと電子が注入されると、エレクトロルミネッセンスによって発光層５０から光が発生する。かかるルミネッセンス光は、透明電極である陽極４０を通過して、スラブ層３０の点状欠陥１００からスラブ層３０の線状欠陥に導入される。そして、スラブ層３０では、線状欠陥内を光が偏波して伝播し、端面から偏光方向の安定した光が出射される。
【００７６】
このように、本変形例に係る発光装置１１００においても、上記した第１の実施形態に係る発光装置１０００と同様に、偏光方向を一定に制御して光を出射することができるとともに、光ファイバとの結合性を向上させることができる。
【００７７】
（変形例２）
図７は、本発明の第１の実施形態の変形例２に係る発光装置１２００を模式的に示す断面図である。図１に示すものと実質的に同一の機能を有する部材には
同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。また、本変形例に係る発光装置１２００の各層の成膜方法および加工方法については、上記した第１の実施形態に係る発光装置１０００と同様の方法を用いることができる。
【００７８】
本変形例に係る発光装置１２００は、基板１０上に陽極４０、発光層５０、および陰極６０が順次積層された構成を有し、かつ基板１０は発光層５０で発生する光を透過可能な材料から形成されている。また、基板１０の発光層５０が配置される側と反対側の面にはクラッド層２１、２２の間にスラブ層３０が配置されている。
【００７９】
そして、かかる発光装置１２００では、陽極４０および陰極６０から発光層５０に対してホールおよび電子が注入されると、エレクトロルミネッセンスにより発光層５０から光が発生する。このルミネッセンス光は、光を透過可能な基板１０を通過して点状欠陥１００からスラブ層３０の線状欠陥に導入されて、スラブ層３０の端面から出射される。
【００８０】
従って、本変形例に係る発光装置１２００においても、スラブ層３０から出射される光は偏光方向が制御されたものとなり、上記第１の実施形態や変形例１の場合と同様に、偏光方向を一定に制御して光を出射することができるとともに、光ファイバとの結合性を向上させることができる。
【００８１】
（第２の実施形態）
図８（Ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る発光装置２０００を模式的に示す断面図である。また、図８（Ｂ）は、かかる発光装置２０００を模式的に示す平面図である。なお、第１の実施形態で説明したものと実質的に同一の機能を有する部材には同一符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００８２】
本実施形態に係る発光装置２０００は、導電型がｎ型の半導体基板１１上に当該半導体基板１１に対して垂直な方向において対向する部分を有する一対の光反射層７１、７２と、この一対の光反射層７１、７２の間に配置される活性層７５とを含む光共振器７０が形成されている。また、この光共振器７０の上には、図８（Ｂ）に示すように、光共振器７０において発生する波長λの光を点状欠陥１００から層内の線状欠陥２００に導入可能なスラブ層３０が配置されている。また、半導体基板１１の一方の面には、ｎ型電極８１が配置され、光反射層７２の上には、ｐ型電極８２が配置されている。
【００８３】
かかる発光装置２０００において、半導体基板１１は、例えば、ＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板などが挙げられる。また、一対の光反射層７１、７２は、それぞれ単層膜又は多層膜によって形成することができる。また、一対の光反射層７１、７２をそれぞれ多層膜から構成する場合、光反射層７１は、例えば、ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層とＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ層とを交互に複数積層した分布反射型多層反射膜から形成することができ、光反射層７２は、例えば、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層とＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ層とを交互に複数積層した分布反射型多層反射膜から形成することができる。かかる場合において、光反射層７２は、ｐ型電極８２との電気的接続のためにｐ型の半導体層がｐ型電極８２との界面に配置される。また、光反射層７２とｐ型電極８２との間に、ｐ型半導体からなるコンタクト層（図示省略）を別途設けることもできる。
【００８４】
また、本実施形態に係る発光装置２０００において、スラブ層３０は、例えば、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｓｂ、Ａｓ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｐ、Ｎ、およびＯのいずれか一種またはこれらの任意の組合せによる無機材料でエピタキシャル成長により形成することができる。スラブ層３０は、光反射層７２の材料よりも屈折率の高い材料で形成される。例えば、光反射層７２が上記したｐ型ＡｌＧａＡｓ層とノンドープＡｌＧａＡｓ層との多層反射膜によって形成される場合、例えば、ＧａＡｓなどを材料として形成することができる。また、光反射層７２が多層反射膜から形成される場合には、屈折率のより低い材料の膜がスラブ層３０との界面に配置されるように形成することが望ましい。また、スラブ層３０における低屈折率領域３００、点状欠陥１００は、第１の実施形態で説明したものと同様に、公知のフォトリソグラフィー技術や電子線描画法によりパターニングして形成することができる。
【００８５】
また、かかる発光装置２０００において、一対の光反射層７１、７２の間に配置される活性層７５は、例えば、ＧａＡｓからなるウェル層とＡｌｚＧａ１−ｚＡｓからなるバリア層を交互に複数積層した量子井戸構造とすることができる。また、活性層７５の下に配置される光反射層７１は、例えば、Ｓｅがドーピングされてｎ型とされ、活性層５２の上に配置される光反射層７２は、例えば、Ｚｎがドーピングされてｐ型とされる。一方、活性層７５は、不純物がドーピングされていない。従って、一対の光反射層７１、７２と活性層７５とを含む光共振器構造は、ＰＩＮ構造を構成する。
【００８６】
また、本実施形態に係る発光装置２０００では、活性層７５、光反射層７２、スラブ層３０を例えば、フォトリソグラフィー技術を用いて柱状にパターニングした構造を採用する。これにより、活性層７５における電流密度を高くして微小領域内に大量のキャリアを閉じ込めることができ、発光効率を向上させることができる。なお、本実施形態に係る発光装置２０００では、図８（Ａ）に示すように、活性層７５、光反射層７２およびスラブ層３０を柱状にパターニングした後の光反射層７１の上に絶縁層９０を形成することができる。かかる絶縁層９０は、少なくともｐ型電極８２と他部との電気的な絶縁が担保できる程度の厚さで積層することができる。
【００８７】
また、ｐ型電極８２は、例えば、金と亜鉛との合金などから真空蒸着法などを用いて形成することができる。また、半導体基板１１の活性層７５が配置される面と反対の面に形成されるｎ型電極８１は、例えば、金とゲルマニウムとの合金などから真空蒸着法などを用いて形成することができる。
【００８８】
かかる発光装置２０００は、このｐ型電極８２及びｎ型電極８１から発光装置２０００内に注入される順方向電流によって、活性層７５において電子とホールの再結合が起こり誘導放出による光が生じる。この光は、一対の光反射層７１、７２との間で反射されながら光の強度が増幅され、光利得が光損失を上回ったところでレーザー発振となって半導体基板１１と交叉する方向に光が出射される。
【００８９】
この出射光は、光反射層７２の上部に設けられたスラブ層３０の点状欠陥１００からスラブ層３０内の線状欠陥２００に導入され、線状欠陥２００を通過した光は、スラブ層３０の端面から出射される。ここで、スラブ層３０においては、光共振器７０から出射される光をスラブ層３０内に導入するために、少なくともかかる光を捕獲可能な位置に点状欠陥１００が配置される。
【００９０】
そして、本実施形態に係る発光装置２０００では、スラブ層３０の線状欠陥２００において、低屈折率領域３００の周期的配列によって形成されるフォトニックバンドギャップにより光の伝搬方向が制御され、線状欠陥２００内を通過する光は、偏光方向が安定した直線偏光となってスラブ層３０の端面から出射される。したがって、本実施形態に係る発光装置２０００によれば、スラブ層３０内の線状欠陥２００によって偏光方向を一定に制御して光を出射させることができる。
【００９１】
（第３の実施形態）
図９（Ａ）は、本発明の第３の実施形態に係る発光装置３０００を模式的に示す断面図である。なお、図９（Ａ）に示す断面図は、本実施形態に係る発光装置３０００を電極配置面から見た平面図を示す図９（Ｂ）のａ−ａ断面を表す。また、図９（Ａ）に示す断面図は、本実施形態に係る発光装置３０００をスラブ層配置面から見た平面図を示す図９（Ｃ）のｂ−ｂ断面をも表している。また、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）と実質的に同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００９２】
本実施形態に係る発光装置３０００は、第２の実施形態に係る発光装置２０００と同様に、導電型がｎ型の半導体基板１１上に対向する部分を有する一対の光反射層７１、７２と、この一対の光反射層７１、７２の間に配置される活性層７５とを含む光共振器７０が形成されている。また、本実施形態に係る発光装置３０００では、光共振器７０から発生する光を点状欠陥１００から層内に導入可能なスラブ層３０が半導体基板１１の活性層７５が配置された面と反対側の面にクラッド層２５を介して配置されている。また、かかる発光装置３０００では、ｐ型電極８２が光共振器７０を構成する光反射層７２の上に配置され、ｎ型電極８１が半導体基板１１上に配置されている。
【００９３】
本実施形態に係る発光装置３０００では、上記したようにスラブ層３０を半導体基板１１の活性層７５が配置される面と反対側の面に配置するが、このような構成は、例えば、第１の実施形態で説明した図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示すように、スラブ層３０を個別に形成して、例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化性樹脂などをクラッド層２５として半導体基板１１とスラブ層３０とを固定することにより実現することができる。かかる場合は、スラブ層３０の材料よりも屈折率の低い材料が選択される。
【００９４】
また、本実施形態に係る発光装置３０００では、一対の光反射層７１、７２と活性層７５とを含む光共振器が柱状にパターニングされている。これにより、活性層７５における電流密度を高くして微小領域内に大量のキャリアを閉じ込めることができ、発光効率を向上させることができる。なお、光共振器のパターニングは、図９（Ｂ）の破線部分に示すような、円形状の他にも任意の形状を採用することができる。
【００９５】
ここで、スラブ層３０は、図９（Ｃ）に示すように、光共振器７０のパターン形状（図９（Ｃ）の破線部分）に対応する領域内に所定の波長λを捕獲する点状欠陥１００が複数設けることができる。これにより、本実施形態に係る発光装置３０００では、より多くの光をスラブ層３０内に取り込んで出射させることができる。
【００９６】
また、かかる発光装置３０００においても、第２の実施形態に係る発光装置２０００の場合と同様に、ｐ型電極８２及びｎ型電極８１から注入される順方向電流によって、活性層７５において電子とホールの再結合が起こり誘導放出による光が生じる。この光は、一対の光反射層７１、７２との間で反射されながら光の強度が増幅され、光利得が光損失を上回ったところでレーザー発振となって半導体基板１１と交叉する方向に所定の波長λの光が出射される。
【００９７】
そして、本実施形態に係る発光装置３０００では、出射光は、半導体基板１１を通過してスラブ層３０の点状欠陥１００からスラブ層３０内の線状欠陥２００に導入され、線状欠陥２００を通過した光は、スラブ層３０の端面から出射される。
【００９８】
すなわち、本実施形態に係る発光装置３０００においても、スラブ層３０の線状欠陥２００では、面内方向において低屈折率領域３００の周期的配列によって形成されるフォトニックバンドギャップにより光の伝搬方向が制御され、線状欠陥２００内を通過する光は、偏光方向が安定した直線偏光となってスラブ層３０の端面から出射される。したがって、本実施形態に係る発光装置３０００によれば、スラブ層３０内の線状欠陥２００によって偏光方向を一定に制御して光を出射することができる。
【００９９】
（第４の実施形態）
上記第１の実施形態ならびに各変形例、第２の実施形態、及び第３の実施形態に係る各発光装置は、例えば、ＯＬＴ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｌｉｎｅ　Ｔｅｒｍｉｎａｌ）やＯＮＵ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｎｅｔｗｏｒｋ　Ｕｎｉｔ）など（図示省略）の種々の光通信用装置の送信用光源に適用することができる。
【０１００】
また、かかる各発光装置は、図１０に示すような、光通信システム４０００に適用することができる。かかる光通信システム４０００は、複数波長の光信号を多重化して伝送する波長多重化方式（ＷＤＭ：Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ　Ｄｉｖｉｓｉｏｎ　Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ）を用いた光通信システムであり、例えば、基地局６１０、中継局６２０、および加入者端末６３０〜６５０を含んで構成される。基地局６１０、中継局６２０、および加入者端末６３０〜６５０は、光ファイバにより接続されている。
【０１０１】
基地局６１０では、複数の波長（λ１、λ２、λ３、・・・）を含む光信号を送受信することができる。中継局６２０では、基地局６２０から送られた光信号を分波して各加入者端末６３０〜６５０へ送信することができる。また、中継局６２０では、加入者端末６３０〜６５０から受信した光信号を合波して基地局６１０に送信することもできる。また、各加入者端末６３０〜６５０では、それぞれに割り当てられた波長帯の光信号を送受信することができるように構成されている。具体的には、加入者端末６３０では、波長λ１の光信号が送受信され、加入者端末６４０では、波長λ２の光信号が送受信され、加入者端末６５０では、波長λ３の光信号が送受信されることによりデータ通信が行われる。
【０１０２】
ここで、上記各発光装置は、基地局６１０内、中継局６２０内および加入者端末内に設置される光通信用装置（図示省略）内で用いられ、光信号のデータ送信を行う。
【０１０３】
このように、かかる光通信システム４０００によれば、基地局６１０から加入者端末６３０〜６５０に至る通信経路を光ファイバで統一したいわゆる全光アクセス方式（ＦＴＴＨ：Ｆｉｂｅｒ　Ｔｏ　Ｔｈｅ　Ｈｏｍｅ）の比較的大規模な通信システムから光ＬＡＮなどの比較的小規模な通信システムまで種々の通信システムを構築することができる。
【０１０４】
なお、本発明に好適な実施の形態は、上述したものに限られず、本発明の要旨範囲内で各種態様を取り得る。
【０１０５】
例えば、第１の実施形態では、本発明をＥＬ発光素子に適用した場合について、また、第２、第３の実施形態では、本発明を半導体レーザーに適用した場合について説明したが、本発明は、その他にも、例えば、発光ダイオードなど種々の発光素子に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図である。図１（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る発光装置のスラブ層を説明するための図である。図１（Ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施形態に係る発光装置のスラブ層を説明するための図である。
【図３】図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る発光装置のスラブ層における低屈折領域の周期的配列を説明するための図である。
【図４】図４（Ａ）〜図４（Ｅ）は、本発明の第１の実施形態に係る発光装置のスラブ層における点状欠陥の断面形状を説明するための図である。
【図５】図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る発光装置のスラブ層の形成方法を説明するための図である。
【図６】図６（Ａ）は、本発明の第１の実施形態の変形例１に係る発光装置を模式的に示す断面図である。図６（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態の変形例１に係る発光装置を模式的に示す平面図である。
【図７】図７は、本発明の第１の実施形態の変形例２に係る発光装置を模式的に示す断面図である。
【図８】図８（Ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図である。図８（Ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図である。
【図９】図９（Ａ）は、本発明の第３の実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図である。図９（Ｂ）及び図９（Ｃ）は、本発明の第３の実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図である。
【図１０】図１０は、本発明の第４の実施形態に係る光通信システムを説明するための図である。
【符号の説明】
１０、１１　基板
２１、２２　クラッド層
３０　スラブ層
４０　陽極（透明電極）
５０　発光層
６０　陰極
７０　光共振器
７１、７２　光反射層
７５　活性層
８１　ｎ型電極
８２　ｐ型電極
９０　絶縁層
１００　点状欠陥
２００　線状欠陥
３００　低屈折率領域
１０００、１１００、１２００、２０００、３０００　発光装置
４０００　光通信システム
【図１】
2004012781.tif 000003
【図２】
2004012781.tif 000004
【図３】
2004012781.tif 000005
【図４】
2004012781.tif 000006
【図５】
2004012781.tif 000007
【図６】
2004012781.tif 000008
【図７】
2004012781.tif 000009
【図８】
2004012781.tif 000010
【図９】
2004012781.tif 000011
【図１０】
2004012781.tif 000012