(57)【要約】【課題】ダイヤフラムを有する基板を少なくとも含む複数の基板の位置合わせを高精度に実施できるようにすること。【解決手段】ダイヤフラム領域としてのミラー開口部１０３を有する基板である上部基板１０１の下部基板１０２と対向する面に、上部基板合わせマーク１０を形成し、且つ、下部基板１０２の上部基板１０１と対向する面の、上記上部基板合わせマーク１０に対応する位置に、下部基板合わせマーク２０を形成しておき、上部基板１０１と下部基板１０２の貼り合わせの際に、それら上部基板合わせマーク１０と下部基板合わせマーク２０とを用いて位置合わせを行う。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイヤフラムを有する基板を少なくとも含む複数の基板を接合するダイヤフラム接合構造体において、
上記複数の基板はそれぞれ、対応する位置に、基板接合用の合わせマークを有することを特徴とするダイヤフラム接合構造体。
【請求項２】
上記合わせマークは、上記ダイヤフラムを有する基板の枠構造部材及びダイヤフラム形成部材の両方に形成されることを特徴とする請求項１に記載のダイヤフラム接合構造体。
【請求項３】
上記合わせマークは、上記ダイヤフラムを有する基板の枠構造部材のみに形成されることを特徴とする請求項１に記載のダイヤフラム接合構造体。
【請求項４】
上記合わせマークは、上記ダイヤフラムを有する基板のダイヤフラム形成部材のみに形成されることを特徴とする請求項１に記載のダイヤフラム接合構造体。
【請求項５】
上記合わせマークは、パターニングして形成されることを特徴とする請求項２乃至４の何れか１項に記載のダイヤフラム接合構造体。
【請求項６】
上記パターニングは、エッチングにより行われることを特徴とする請求項５に記載のダイヤフラム接合構造体。
【請求項７】
上記パターニングは、印刷により行われることを特徴とする請求項５に記載のダイヤフラム接合構造体。
【請求項８】
上記合わせマークは、上記基板のハーフカットのダイシングにより行われることを特徴とする請求項２乃至４の何れか１項に記載のダイヤフラム接合構造体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ダイヤフラムを有する基板を少なくとも含む複数の基板を接合するダイヤフラム接合構造体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ダイヤフラムを有する基板を少なくとも含む複数の基板を接合するダイヤフラム接合構造体として、図５に示すような上部基板１０１と下部基板１０２とを接合した構成の可変形状鏡が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
ここで、上部基板１０１は、主として、ダイヤフラム領域としてのミラー開口部１０３と、電極開口部１０４と、を有する単結晶シリコン基板１０５よりなる枠部で構成される。このシリコン基板１０５の表面（図中で下側の面）には、ポリイミド膜１０６が形成される。このポリイミド膜１０６のミラー開口部１０３における所定領域には、上部電極１０７が形成される。この上部電極１０７から引き出された上部電極パッド１０８が、電極開口部１０４の端の部分に配置されている。また、電極開口部１０４におけるポリイミド膜１０６は、上部電極パッド１０８及びその周囲を除いて除去されている。
【０００４】
一方、単結晶シリコン基板１０９で構成される下部基板１０２には、絶縁膜（図示せず）を介して下部電極１１１及びそこから引き出された第１電極パッド１１２と、下部電極１１１とは電気的に分離された第２電極パッド１１３とが形成されている。そして、この第２電極パッド１１３の所定領域には、Ａｕバンプ１１４が形成されている。また、下部電極１１１の周囲には、ネガティブ型の厚膜フォトレジストよりなるスペーサ１１５が配置されている。ここで、スペーサ１１５は、下部電極１１１の周囲を完全には囲わず、切り欠き１１６をもって配置されている。また、スペーサ１１５の高さは、Ａｕバンプ１１４よりも若干低くなされている。
【０００５】
そして、このような構成の上部基板１０１と下部基板１０２とは、フリップチップボンダーなどを用いて、アライメント（位置合わせ）を行い、ごく微小な力を加えて加熱することによって接合されて、可変形状鏡を得るものである。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２−１５６５１４号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記特許文献１では、上部基板１０１と下部基板１０２との位置合わせ方法としてフリップチップボンダーなどを用いる旨が開示されている。しかしながら、上部基板１０１と下部基板１０２には合わせマークが存在せず、高精度の位置合わせは難しかった。
【０００８】
これは、フリップチップボンダー以外の位置合わせ方法を用いたとしても、同様に存在する課題である。
【０００９】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、ダイヤフラムを有する基板を少なくとも含む複数の基板の位置合わせを高精度に実施することが可能なダイヤフラム接合構造体を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明によるダイヤフラム接合構造体は、ダイヤフラムを有する基板を少なくとも含む複数の基板を接合するダイヤフラム接合構造体において、上記複数の基板はそれぞれ、対応する位置に、基板接合用の合わせマークを有することを特徴とする。
【００１１】
また、請求項２に記載の発明によるダイヤフラム接合構造体は、請求項１に記載の発明によるダイヤフラム接合構造体において、上記合わせマークは、上記ダイヤフラムを有する基板の枠構造部材及びダイヤフラム形成部材の両方に形成されることを特徴とする。
【００１２】
また、請求項３に記載の発明によるダイヤフラム接合構造体は、請求項１に記載の発明によるダイヤフラム接合構造体において、上記合わせマークは、上記ダイヤフラムを有する基板の枠構造部材のみに形成されることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項４に記載の発明によるダイヤフラム接合構造体は、請求項１に記載の発明によるダイヤフラム接合構造体において、上記合わせマークは、上記ダイヤフラムを有する基板のダイヤフラム形成部材のみに形成されることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項５に記載の発明によるダイヤフラム接合構造体は、２乃至４の何れか１項に記載の発明によるダイヤフラム接合構造体において、上記合わせマークは、パターニングして形成されることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項６に記載の発明によるダイヤフラム接合構造体は、請求項５に記載の発明によるダイヤフラム接合構造体において、上記パターニングは、エッチングにより行われることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項７に記載の発明によるダイヤフラム接合構造体は、請求項５に記載の発明によるダイヤフラム接合構造体において、上記パターニングは、印刷により行われることを特徴とする。
【００１７】
また、請求項８に記載の発明によるダイヤフラム接合構造体は、２乃至４の何れか１項に記載の発明によるダイヤフラム接合構造体において、上記合わせマークは、上記基板のハーフカットのダイシングにより行われることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００１９】
［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態に係るダイヤフラム接合構造体としての可変形状鏡の分解斜視図である。なお、同図において、従来と同様の部分については、図５と同一の参照番号を付しており、よって、その部分についての説明は省略するものとする。
【００２０】
即ち、本第１の実施の形態においては、ダイヤフラム領域としてのミラー開口部１０３を有する基板である上部基板１０１の下部基板１０２と対向する面に、上部基板合わせマーク１０を形成し、且つ、下部基板１０２の上部基板１０１と対向する面に、下部基板合わせマーク２０を形成している。この場合、上部基板１０１の上部基板合わせマーク１０と、下部基板１０２の下部基板合わせマーク２０とは、対応する位置に精度良く設けられる。なお、これら合わせマーク１０，２０を形成する面は、このように対向する面に限定するものではなく、どちらの面であっても構わない。
【００２１】
このような構造の上部基板１０１と下部基板１０２とを貼り合わせる際は、それら上部基板合わせマーク１０と下部基板合わせマーク２０とを位置合わせに用いることで、位置合わせを高精度に実施することが可能となる。
【００２２】
例えば、この位置合わせは、次のようにして行われる。即ち、まず、上部基板１０１と対向する面を上にしてステージ上に載置された下部基板１０２を、上方より第１の顕微鏡カメラでキャプチャリングして、下部基板合わせマーク２０を検出し、その位置を記憶する。次に、下部基板１０２と対向する面を下にして上部基板１０１を保持すると共に、下部基板１０２の載置されたステージを該保持された上部基板１０１下の位置より移動させる。その後、上記保持された上部基板１０１を下方より第２の顕微鏡カメラでキャプチャリングして、上部基板合わせマーク１０を検出し、その位置を記憶する。そして、これら記憶した上部基板合わせマーク１０の位置と下部基板合わせマーク２０の位置とを合致させるように、上記下部基板１０２の載置されたステージを移動させることで、上部基板１０１と下部基板１０２の位置合わせが精度良く行われる。
【００２３】
このように、本第１の実施の形態によれば、良好な位置精度で、即ち、高精度に上部基板１０１と下部基板１０２とを貼り合わせることができる。
【００２４】
なお、上記合わせマーク１０，２０の個数及び位置、形状、材質、などは本実施の形態に限定されず、自由に設定可能なことは勿論である。
【００２５】
また、上部基板１０１と下部基板１０２とは、スペーサ１１５により間隙を設けて貼り合わせるようにしているが、可変形状鏡以外の用途では、間隙を必要としない場合があり、そのような場合には間隙を設けないで両基板を貼り合わせるようにしても良い。
【００２６】
また、上部基板１０１にはダイヤフラム領域を有し、下部基板１０２にはダイヤフラム領域を有さないが、上部基板１０１にも下部基板１０２にもダイヤフラム領域を有した構造でも良い。また、ダイヤフラム領域を有する基板を少なくとも１枚含む、３枚以上の基板を貼り合わせた構造であっても良い。
【００２７】
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態を説明する。本第２の実施の形態は、上記上部基板合わせマーク１０の具体的な構造及び形成方法に関する。
【００２８】
図２は、図１の上部基板１０１の上部基板合わせマーク１０が形成されている要部を断面から見た図であり、可変形状鏡の場合で説明する。
【００２９】
即ち、本第２の実施の形態では、上部基板１０１を構成するシリコン基板１０５をパターニングして、例えば５０μｍ程度の深さに上部基板合わせマーク１０を形成している。そして、その上部基板合わせマーク１０を形成した面上に、更に、透明性を有する絶縁膜としてのポリイミド膜１０６と、上部電極１０７や上部電極パッド１０８となる金属薄膜１４とが成膜されている。
【００３０】
従って、上部基板合わせマーク１０は、上部基板１０１の枠構造部材であるシリコン基板１０５にのみ形成するものであるが、その上にダイヤフラム形成部材（ポリイミド膜１０６及び金属薄膜１４）が成膜されることから、実際の位置合わせに利用される上部基板合わせマーク１０は、それら枠構造部材とダイヤフラム形成部材の両方に形成されたものと言うこともできる。
【００３１】
ここで、シリコン基板１０５のパターニングは、水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液で結晶異方性エッチングを行っている。このとき、シリコン基板１０５が単結晶シリコンであり、面方位が（１００）の場合は図２に示すように傾斜部１２を持つ上部基板合わせマーク１０が形成され、一方、面方位が（１１０）の場合はウェーハ面に対して垂直にエッチングが進むので傾斜部を持たない上部基板合わせマークが形成される。
【００３２】
なお、図２に示すように、上部基板合わせマーク１０に傾斜部１２ができるようにエッチングする方法は、シリコン基板１０５が単結晶であり、面方位が（１００）の場合の結晶異方性エッチングの他に、フッ酸と硝酸の混合液を用いた等方性のウエットエッチング、プラズマを用いた等方性エッチング、などの手法がある。
【００３３】
図２に示すような上部基板合わせマーク１０に傾斜部１２がある場合には、上記第１の実施の形態で説明したような手順で貼り合わせを実施する際に、上部基板合わせマーク１０の傾斜部１２の部分に入射した光は、傾斜部ゆえ真下には反射しないので、上述した下方の第２の顕微鏡カメラでは、上部基板合わせマーク１０をコントラスト良く撮影ができることになる。よって、上部基板合わせマーク１０の位置をより容易に検出でき、結果的に、位置合わせ工程がより容易になる。従って、このように傾斜部１２を持った上部基板合わせマーク１０を形成することがより好ましいが、勿論、傾斜部１２が無くても上部基板合わせマーク１０の位置を検出できることにかわりはない。
【００３４】
一方、上部基板合わせマーク１０に傾斜部１２ができないようにエッチングする方法は、上述のシリコン基板１０５が単結晶であり、面方位が（１１０）の場合の結晶異方性エッチングの他に、Ｄｅｅｐ−ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）などの手法がある。
【００３５】
このように上部基板合わせマーク１０に傾斜部１２がない場合には、上部基板合わせマーク１０に用いる面積を、傾斜部１２を有する上部基板合わせマーク１０のそれに比べて小さくできるという作用効果がある。
【００３６】
従って、傾斜部１２を有する上部基板合わせマーク１０とするか、それを有しない上部基板合わせマーク１０とするかは、用途や貼り合わせ装置の性能などに応じて適宜選択されるものである。
【００３７】
なお、図２に示すような構造の上部基板１０１の作製工程は、簡単に述べると次のようになる。
【００３８】
（１）シリコン基板１０５への上部基板合わせマーク１０の作製。
（２）透明性を有する絶縁膜としてのポリイミド膜１０６の成膜。
（３）シリコン基板１０５をエッチングしてミラー開口部１０３を形成し、ダイヤフラム領域を形成。
（４）上部電極１０７や上部電極パッド１０８となる金属薄膜１４の成膜。
【００３９】
なおここで、金属薄膜１４を最後に成膜するのは、次の理由による。即ち、金属薄膜１４を形成後にシリコン基板１０５をエッチングしてダイヤフラム領域を形成すると、シリコン基板１０５から金属薄膜１４への応力がなくなり、上記ダイヤフラム領域に相当する部分のポリイミド膜１０６及び金属薄膜１４にしわが発生し易い。そこで、このように金属薄膜１４を最後に成膜することで、ダイヤフラム領域にしわの発生をし難くしているものである。
【００４０】
勿論、シリコン基板１０５に上部基板合わせマーク１０を形成する工程は、このように最初に行うことに限定するものではなく、金属薄膜１４を成膜する工程よりも前であれば、任意の順序で形成して良い。
【００４１】
例えば、水酸化カリウム溶液などで結晶異方性エッチングする場合には、シリコン基板１０５の面方位が（１００）であれば、ミラー開口部１０３と上部基板合わせマーク１０とを同時にエッチングすることも可能である。これは、ミラー開口部１０３の方が上部基板合わせマーク１０をエッチング完了するより時間がかかり、ミラー開口部１０３がエッチング完了するまで上部基板合わせマーク１０をエッチングしたとしても、結晶異方性エッチングならばエッチングが所望の形状で停止するからである。但しこの場合は、絶縁膜として、ポリイミド膜１０６を成膜する代わりに、シリコーンゴムやシート状のレジスト等のシート状絶縁膜を貼り付けることになる。
【００４２】
また、本第２の実施の形態では、上部基板合わせマーク１０の部分にもポリイミド膜１０６及び金属薄膜１４が形成されているが、上部基板合わせマーク１０の部分には、必ずしもポリイミド膜１０６あるいは金属薄膜１４が形成される必要はない。これは、ポリイミド膜１０６などが厚く、上部基板合わせマーク１０が認識し難い場合に有効である。この場合には、まずポリイミド膜１０６を成膜した後に、シリコン基板１０５に上部基板合わせマーク１０及びミラー開口部１０３を形成後、金属薄膜１４を成膜する方法も考えられる。なおこの場合、その上部基板合わせマーク１０及びミラー開口部１０３の形成は、その部分のポリイミド膜１０６を除去してから行っても良いし、除去せずにそのまま行うようにしても良い。さらには、ポリイミド膜１０６と金属薄膜１４とを成膜した後に、上部基板合わせマーク１０及びミラー開口部１０３を形成しても良い。なお、ポリイミド膜１０６あるいは金属薄膜１４の除去に際しては、上部基板合わせマーク１０の部分の大きさに揃えて除去しても良いし、上部基板合わせマーク１０よりも大きい、つまり上部基板合わせマーク１０の周囲部分も含めて、ポリイミド膜１０６あるいは金属薄膜１４もしくは両方を除去するようにしても構わない。
【００４３】
また、上部基板合わせマーク１０は、図２に示すようにシリコン基板１０５の途中までの深さに留めておくだけでなく、シリコン基板１０５の裏面まで貫通しても良い。例えば、上記のように水酸化カリウム溶液などで結晶異方性エッチングすることでミラー開口部１０３と上部基板合わせマーク１０とを同時にエッチングする場合、面方位が（１１０）のシリコン基板１０５であれば、上部基板合わせマーク１０も貫通させることができる。
【００４４】
以上のように、本第２の実施の形態では、上部基板合わせマーク１０を、ダイヤフラム領域を形成するのと同様の半導体プロセスによって形成できるので、特別な装置を必要とせず、容易に形成することができる。
【００４５】
［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態を説明する。本第３の実施の形態も、上記上部基板合わせマーク１０の具体的な構造及び形成方法に関する。
【００４６】
図３（Ａ）は、図１の上部基板１０１の上部基板合わせマーク１０が形成されている要部を断面から見た図であり、可変形状鏡の場合で説明する。また、図３（Ｂ）は図３（Ａ）の構造が複数形成されたウェーハの平面図である。
【００４７】
即ち、本第３の実施の形態は、パターニングとして、図３（Ａ）に示すように、シリコン基板１０５の途中まで達する深さのダイシングのハーフカットにより、上部基板合わせマーク１０を形成するようにしたものである。なお、図３（Ｂ）では、一枚のウェーハ（シリコン基板１０５）から４チップ取り出す場合を例に示しているが、４チップの場合に限定するものではないことは勿論である。
【００４８】
ここで、図３（Ｂ）において、実線１６は、ウェーハ（シリコン基板１０５）から可変形状鏡用の上部基板１０１をチップとして切り出すための、ダイシングする部分を示す。
【００４９】
また、破線１８は、上部基板合わせマーク１０を作製するための、ダイシングのハーフカットをする部分を示している。そして、２本の破線１８が交わった部分を、上部基板合わせマーク１０として利用するものである。
【００５０】
なお、この上部基板合わせマーク１０を形成する（ハーフカットを実施する）工程はいつでも良いが、ダイシングによってチップ化する工程の直前が望ましい。これは、（１）：ウェーハ（シリコン基板１０５）にハーフカットが入っている状態で、シリコン基板１０５のエッチングなどの加工処理をするのは困難である、及び、（２）：上部基板合わせマーク１０の形成とチップ化とを連続して実施できるので、工程が簡略化できる、という理由による。
【００５１】
このように、本第３の実施の形態によれば、ダイシングのハーフカットにより上部基板合わせマーク１０を形成するようにしているので、エッチングなどの複雑な加工の必要はなく、よって、安価に上部基板合わせマーク１０を形成することができる。
【００５２】
なお、図３（Ｂ）では、１チップにつき４本のハーフカットがなされて４個の上部基板合わせマーク１０が形成されている。例えば、チップＸでは、ａ，ｂ，ｃ，ｄの４個の上部基板合わせマーク１０が形成されている。しかしながら、本実施の形態は、そのような４個に限定するものではなく、例えば１チップにつき３本のハーフカットがなされて、２個の上部基板合わせマーク１０を形成するものとしても良い。このようにした場合、そのハーフカットをしない側に、ハーフカットのためのマージンをとる必要が無くなるので、その分だけ１チップの占める面積が少なくなり、ウェーハ（シリコン基板１０５）１枚あたりのチップ取れ数が多くなり、また、ダイシングのハーフカットをする時間が短くなる。
【００５３】
一方、位置合わせ精度は、上部基板合わせマーク１０と上部基板合わせマーク１０の距離が長いほど向上する。よって、対角にある上部基板合わせマーク１０（例えばチップＸにおいては、ａとｄ、または、ｂとｃ）を利用する方が、精密な位置合わせをする上では、より好ましい。但し、このような対角に上部基板合わせマーク１０を形成するには、１チップにつき４本のハーフカットが必要となる。
【００５４】
従って、隣接する２個の上部基板合わせマーク１０を利用するものとして３本のハーフカットにより上部基板合わせマーク１０を形成するか、対角にある２個の上部基板合わせマーク１０を利用するものとして４本のハーフカットにより上部基板合わせマーク１０を形成するかは、用途や貼り合わせ装置の性能などに応じて適宜選択されるものである。
【００５５】
また、図３（Ｂ）では、上記ダイシングのハーフカットは、シリコン基板１０５までもダイシングすることで上部基板合わせマーク１０を枠構造部材のみに形成するものとしているが、ポリイミド膜１０６が十分厚い場合などは、ダイシングのハーフカットの際に、シリコン基板１０５までダイシングせず、金属薄膜１４及びポリイミド膜１０６のみをダイシングすることで上部基板合わせマーク１０をダイヤフラム形成部材のみに形成するものとしても良い。
【００５６】
［第４の実施の形態］
次に、本発明の第４の実施の形態を説明する。本第４の実施の形態も、上記上部基板合わせマーク１０の具体的な構造及び形成方法に関する。
【００５７】
図４は、図１の上部基板１０１の上部基板合わせマーク１０が形成されている要部を断面から見た図であり、可変形状鏡の場合で説明する。
【００５８】
即ち、本第４の実施の形態においては、ポリイミド膜１０６をパターニングして上部基板合わせマーク１０を作製するものである。即ち、上部基板合わせマーク１０を、ダイヤフラム形成部材のみに形成している。
【００５９】
これは、ポリイミド膜が厚い場合などに特に有効である。
【００６０】
なお、ポリイミド膜１０６のパターニングは、等方性エッチング、例えばプラズマによる等方性ドライエッチング法やウエットエッチング法など、による場合は、傾斜部を有する上部基板合わせマークが形成され、一方、ＲＩＥ法などによる異方性エッチングの場合は図４に示すような傾斜部のない上部基板合わせマーク１０が形成される。それぞれ作用効果が異なるが、それらについては、前述の第２の実施の形態で説明したので、ここでは省略する。
【００６１】
また、ポリイミド膜１０６のパターニングは、印刷法でも可能であり、印刷法ならば成膜及びパターニングは同時に完了するという作用効果がある。即ち、上部基板合わせマーク１０が形成された印刷版を用いるので、成膜と同時に上部基板合わせマーク１０を形成することができる。
【００６２】
このように、本第４の実施の形態によれば、上部基板合わせマーク１０の形成のためにシリコン基板１０５をエッチング処理する必要がなく、簡単に上部基板合わせマーク１０を形成することができる。
【００６３】
以上、実施の形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形や応用が可能なことは勿論である。
【００６４】
例えば、上記すべての実施の形態においては可変形状鏡を例にして説明をしたが、本発明はこれに限定するものではなく、例えばマイクロバルブやマイクロポンプなどの他のダイヤフラム接合構造体に適用することが可能である。
【００６５】
また、１個（１チップ）の上部基板１０１につき１個のダイヤフラム領域に限定しない。
【００６６】
更に、上記すべての実施の形態において、金属薄膜１４の成膜は、ミラー開口部１０３を開口してから形成するのが望ましい。これは、ミラー開口部１０３を開口してから金属薄膜１４の成膜をすると、シリコン基板１０５から応力を金属薄膜１４膜は最初から受けることがないので、その結果、ダイヤフラム領域にしわが発生し難くなるからである。なお、ポリイミドの厚みが比較的厚いなどの理由で剛性が高く、上記工程順序でなくてもしわが発生し難い場合は、金属薄膜１４の成膜をどの工程の前後で実施しても良い。
【００６７】
また、上記すべての実施の形態において、金属薄膜１４はクロム（Ｃｒ）やアルミニウム（Ａｌ）などで形成するが、勿論これらに限定するものではない。更に、その成膜法は、スパッタ法や蒸着法やめっきなどで成膜するが、これらに限定するものではない。また、この金属薄膜１４は、単層に限定されるものではなく、例えばクロム（Ｃｒ）と金（Ａｕ）の積層、あるいは、チタン（Ｔｉ）と白金（Ｐｔ）と金（Ａｕ）の積層、など、複数の金属薄膜からなる積層構造の金属薄膜１４でも良い。更にこの場合、それらの成膜法が各層で異なっていても良い。さらに、金属薄膜にはＳｉＯ２などの保護膜を形成しても良い。
【００６８】
なお、上記すべての実施の形態において、アルミニウム等反射率が高い材質をミラー開口部１０３のシリコン基板１０５を有する側の面に成膜すると、反射率の高い反射鏡をダイヤフラム領域に形成することができる。
【００６９】
また、上記すべての実施の形態において、ポリイミド膜１０６の代わりに、シリコーンゴム、サイトップ（登録商標）、あるいはレジストなどを用いても良い。それらの膜の成膜法は、例えばワニス状の材料のポリイミド、シリコーンゴム、サイトップ（登録商標）、レジストなどであればスピンコートや印刷法など、シート状の材料のシート状のシリコーンゴムやシート状のレジストなどならばラミネータで成膜するなど、どのような手法を用いても良い。
【００７０】
更に、ダイヤフラム領域に露出しているポリイミド膜１０６のどちらか一方の面、または両面に、付加的な薄膜として、任意の薄膜を成膜しても良い。この薄膜としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）や金（Ａｕ）などが挙げられる。このような付加的な薄膜を形成することにより、反射率の高い反射鏡をダイヤフラム領域に形成できる。なお、可視光線を反射させる場合は、アルミニウムの薄膜とすることが好ましい。なお、この付加的な薄膜は、ダイヤフラム領域を含むシリコン基板１０５全体に形成しても良いし、ダイヤフラム領域のみに形成しても良い。また、ポリイミド膜１０６と金属薄膜１４と付加的な薄膜はそれぞれ全面に成膜されている必要はなく、一部分がパターニングされていても良い。さらに、ポリイミド膜の保護膜として、窒化膜を形成しても良い。
【００７１】
また、上記すべての実施の形態において、枠構造部材としての基板は、上記シリコン基板１０５に限定するものではなく、化合物半導体基板、プリント配線基板、ガラス・エポキシ基板、ガラス基板などでも良い。
【００７２】
また、上記すべての実施の形態において、シリコン基板１０５の形状は、一般的な半導体用ウェーハの形状に限定するものではなく、四角い板状や、オリエンテーションフラットやノッチなどを持たない円形などでも良い。
【００７３】
なお、特に説明はしなかったが、ダイヤフラム構造を有さない下部基板１０２においては、下部基板合わせマーク２０は、フォトリソグラフ法や印刷法などの一般的な方法で作成可能である。勿論、上記第２乃至第４の実施の形態で説明したような上部基板合わせマーク１０と同様の手法で形成しても構わない。
【００７４】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、ダイヤフラムを有する基板を少なくとも含む複数の基板それぞれの対応する位置に、基板接合用の合わせマークを設けたので、それら複数の基板の位置合わせを高精度に実施することが可能なダイヤフラム接合構造体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】合わせマークを可変形状鏡に形成した本発明の第１の実施の形態に係るダイヤフラム接合構造体としての可変形状鏡の分解斜視図である。
【図２】シリコンエッチングで合わせマークを構成した本発明の第２の実施の形態に係るダイヤフラム接合構造体としての可変形状鏡における上部基板の断面図である。
【図３】（Ａ）はダイシングハーフカットで合わせマークを構成した本発明の第３の実施の形態に係るダイヤフラム接合構造体としての可変形状鏡における上部基板の断面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のシリコン基板のハーフカット位置を説明するためのウェーハの平面図である。
【図４】ポリイミド膜をエッチングして合わせマークを構成した本発明の第４の実施の形態に係るダイヤフラム接合構造体としての可変形状鏡における上部基板の断面図である。
【図５】従来のダイヤフラム接合構造体としての可変形状鏡の構成を示す分解斜視図である。
【符号の説明】
１０…上部基板合わせマーク、１２…傾斜部、１４…金属薄膜、１６…実線、１８…破線、２０…下部基板合わせマーク、１０１…上部基板、１０２…下部基板、１０３…ミラー開口部、１０４…電極開口部、１０５…シリコン基板、１０６…ポリイミド膜、１０７…上部電極、１０８…上部電極パッド、１０９…シリコン基板、１１１…下部電極、１１２…第１電極パッド、１１３…第２電極パッド、１１４…Ａｕバンプ、１１５…スペーサ、１１６…切り欠き。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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