(57)【要約】【課題】光走査装置において光ビームの出射範囲を広くする。【解決手段】マイクロスキャナ１００では、土台としての固定部１０２上に接続部１１２Ｌ，１１２Ｒを介して設けられた円弧状の変形部１１４Ｌ，１１４Ｒにより、レーザ光を反射するミラー部１２０が支持されている。そして、変形部１１４Ｌ，１１４Ｒに設けられた変形部側電極１２２Ｌ，１２２Ｒと、固定部１０２に設けられた固定部側電極１２８Ｌ，１２８Ｒとの間に電圧が印加されると、変形部１１４Ｌ，１１４Ｒと固定部１０２とが最も近接する接続部１１２Ｌ，１１２Ｒ近傍に強い静電引力が作用して、変形部１１４Ｌ，１１４Ｒが固定部１０２側に弾性変形する。そして、この弾性変形により静電引力が更に強くなるため、連鎖的な弾性変形が引き起こされる。よって、低い駆動電圧でミラー部１２０を大きく変位させて、レーザ光を広範囲に出射させることができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
円弧状に湾曲した板状の変形部と、
該変形部の凸側曲面と対向して設けられ、該凸側曲面における円周方向の一端が連結された固定部と、
前記変形部により支持され、光ビームを出射する出射手段と、
電圧が印加されることにより、前記変形部の凸側曲面と、該凸側曲面と対向する前記固定部の対向面との間に引力を生じさせる引力発生手段と、
を備え、前記引力発生手段により生じる引力によって前記変形部が弾性変形することで、前記出射手段から出射される光ビームが走査されるように構成されていること、
を特徴とする光走査装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光走査装置において、
前記変形部は、ポリシリコンで形成されていること、
を特徴とする光走査装置。
【請求項３】
請求項１に記載の光走査装置において、
前記変形部は、ポリイミドで形成されていること、
を特徴とする光走査装置。
【請求項４】
請求項１に記載の光走査装置において、
前記変形部は、金属で形成されていること、
を特徴とする光走査装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４の何れか１項に記載の光走査装置において、
前記変形部及び前記引力発生手段をそれぞれ２つ備え、
該２つの引力発生手段は、前記２つの変形部の各凸側曲面と、該各凸側曲面と対向する前記固定部の各対向面との間に独立して引力を生じさせるようになっており、
さらに、前記出射手段は、前記２つの変形部によって支持されていること、
を特徴とする光走査装置。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５の何れか１項に記載の光走査装置において、
前記変形部には、該変形部の弾性変形の度合いを検出する歪ゲージが設けられていること、
を特徴とする光走査装置。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６の何れか１項に記載の光走査装置において、
前記引力発生手段は、
前記変形部に設けられた変形部側電極と、
前記固定部に設けられた固定部側電極と、
を備え、前記変形部側電極と前記固定部側電極との間に電圧が印加されることにより、前記変形部の凸側曲面と前記固定部の対向面との間に静電引力を生じさせるように構成されていること、
を特徴とする光走査装置。
【請求項８】
請求項７に記載の光走査装置において、
前記変形部の凸側曲面及び前記固定部の対向面のうちの少なくとも一方の表面が絶縁体で形成されていること、
を特徴とする光走査装置。
【請求項９】
請求項７又は請求項８に記載の光走査装置において、
前記変形部側電極は、前記変形部における円周方向全域にわたって設けられており、
前記固定部側電極は、前記変形部の弾性変形により該変形部の凸側曲面と前記固定部の対向面とが重なり合った際に、前記変形部側電極と重なり合う領域に設けられていること、
を特徴とする光走査装置。
【請求項１０】
請求項７ないし請求項９の何れか１項に記載の光走査装置において、
前記出射手段は、外部からの光ビームを反射することで光ビームを出射するミラーであること、
を特徴とする光走査装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の光走査装置において、
前記ミラー及び前記変形部側電極は、アルミニウムで形成されていること、
を特徴とする光走査装置。
【請求項１２】
請求項１０に記載の光走査装置において、
前記ミラー及び前記変形部側電極は、金で形成されていること、
を特徴とする光走査装置。
【請求項１３】
請求項１０ないし請求項１２の何れか１項に記載の光走査装置において、
前記ミラー及び前記変形部側電極は、同じ厚さに形成されていること、
を特徴とする光走査装置。
【請求項１４】
請求項１ないし請求項６の何れか１項に記載の光走査装置において、
前記引力発生手段は、
前記変形部及び前記固定部のうちの何れか一方に設けられたソレノイドと、
前記変形部及び前記固定部のうち、前記ソレノイドが設けられていない側に設けられた強磁性体と、
を備え、前記ソレノイドに電圧が印加されることにより、前記変形部の凸側曲面と前記固定部の対向面との間に磁気吸引力を生じさせるように構成されていること、
を特徴とする光走査装置。
【請求項１５】
請求項１ないし請求項６の何れか１項に記載の光走査装置において、
前記引力発生手段は、
前記変形部及び前記固定部のうちの何れか一方に設けられたソレノイドと、
前記変形部及び前記固定部のうち、前記ソレノイドが設けられていない側に設けられた磁石と、
を備え、前記ソレノイドに電圧が印加されることにより、前記変形部の凸側曲面と前記固定部の対向面との間に磁気吸引力を生じさせるように構成されていること、
を特徴とする光走査装置。
【請求項１６】
請求項１４又は請求項１５に記載の光走査装置において、
前記出射手段は、外部からの光ビームを反射することで光ビームを出射するミラーであること、
を特徴とする光走査装置。
【請求項１７】
請求項１０ないし請求項１３、及び、請求項１６の何れか１項に記載の光走査装置において、
前記ミラーは、その表面が保護膜で覆われていること、
を特徴とする光走査装置。
【請求項１８】
請求項１０ないし請求項１３、並びに、請求項１６及び請求項１７の何れか１項に記載の光走査装置を製造する方法であって、
平らな基板上に前記ミラーを設ける第１の工程と、
該第１の工程によってミラーが設けられた基板から、前記変形部及び前記固定部を形成する第２の工程と、
を含むことを特徴とする光走査装置の製造方法。
【請求項１９】
光ビームを出射する出射手段が設けられた可動部と、
バイメタルを用いて形成され、前記可動部を土台としての固定部に連結する支持部と、
を備え、前記支持部が加熱されて変形することによる前記可動部の変位に伴って、前記出射手段から出射される光ビームが走査されるように構成されていること、
を特徴とする光走査装置。
【請求項２０】
請求項１９に記載の光走査装置において、
前記出射手段は、外部からの光ビームを反射することで光ビームを出射するミラーであること、
を特徴とする光走査装置。
【請求項２１】
請求項２０に記載の光走査装置において、
前記ミラーは、その表面が保護膜で覆われていること、
を特徴とする光走査装置。
【請求項２２】
請求項１９ないし請求項２１の何れか１項に記載の光走査装置において、
前記支持部の材料として、少なくともアルミニウムが用いられていること、
を特徴とする光走査装置。
【請求項２３】
請求項１９ないし請求項２１の何れか１項に記載の光走査装置において、
前記支持部の材料として、少なくとも単結晶シリコンが用いられていること、
を特徴とする光走査装置。
【請求項２４】
請求項１９ないし請求項２３の何れか１項に記載の光走査装置において、
前記支持部は、通電されることにより発熱して当該支持部を加熱する加熱手段を備えていること、
を特徴とする光走査装置。
【請求項２５】
請求項２４に記載の光走査装置において、
前記支持部の加熱手段は、通電されることにより発熱する導電体であり、当該支持部における加熱対象の部分で蛇行形状に設けられていること、
を特徴とする光走査装置。
【請求項２６】
請求項２４又は請求項２５に記載の光走査装置において、
前記支持部は、一端が前記可動部に連結され、他端が前記固定部に連結された蛇行形状であること、
を特徴とする光走査装置。
【請求項２７】
請求項２６に記載の光走査装置において、
前記支持部は、互いに平行な複数の支持梁と、当該支持部が蛇行形状となるように前記複数の支持梁の端部を連結する連結梁とを有しており、
前記支持部の加熱手段は、当該支持部における複数の支持梁のうち、前記可動部側から数えて奇数番目又は偶数番目の支持梁を加熱するように構成されていること、
を特徴とする光走査装置。
【請求項２８】
請求項２７に記載の光走査装置において、
前記支持部は、前記加熱手段を２つ備えており、
該２つの加熱手段のうちの一方は、前記複数の支持梁のうち、前記可動部側から数えて奇数番目の支持梁を加熱するように構成されており、
前記２つの加熱手段のうちの他方は、前記複数の支持梁のうち、前記可動部側から数えて偶数番目の支持梁を加熱するように構成されていること、
を特徴とする光走査装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ビームを走査する光走査装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、小型の光走査装置として、マイクロマシニング技術を用いて製作するマイクロスキャナが広く研究されている。
例えば、非特許文献１には、光ビームを反射して出射する平板状のミラープレートを、その両側からねじりバネによってフレームの内側に支持した構造のマイクロスキャナが開示されている。そして、このマイクロスキャナでは、ミラープレートの反射面とは反対側の面と対向する位置に駆動電極が設けられており、この駆動電極とミラープレートとの間に電圧が印加されることによって駆動電極とミラープレートとの間に静電引力が生じ、この静電引力によるミラープレートの変位に伴い、光ビームが走査されるようになっている。
【０００３】
また、特許文献１には、圧電アクチュエータによって形成された片持ち梁の自由端側に、光ビームを反射して出射するミラーが設けられたマイクロスキャナが開示されている。そして、このマイクロスキャナでは、圧電アクチュエータが変形することによるミラーの変位に伴い、光ビームが走査されるようになっている。
【０００４】
【非特許文献１】
Ｔａｅ−Ｓｉｋ  Ｋｉｍ，Ｓａｎｇ−Ｓｈｉｎ  Ｌｅｅ，Ｙｏｕｎｇｊｏｏ  Ｙｅｅ，Ｊｏｎｇ  Ｕｋ  Ｂｕ，Ｈｙｕｎ−Ｈｏ  Ｏｈ，Ｃｈｉｌ−Ｇｅｕｎ  Ｐａｒｋ，ａｎｄ  Ｍａｎ−Ｈｙｏ  Ｈａ，「ＥＬＥＣＴＲＯＳＴＡＴＩＣ  ＭＩＣＲＯＭＩＲＲＯＲ  ＷＩＴＨ  ＢＵＩＬＴ−ＩＮ  ＬＡＲＧＥ  ＡＩＲ−ＧＡＰ  ＦＯＲ  ＷＩＤＥ  ＲＡＮＧＥ  ＯＦ  ＲＯＴＡＴＩＯＮＡＬ  ＡＣＴＵＡＴＩＯＮ」，「２００１  ＩＥＥＥ／ＬＥＯＳ  ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  ｏｎ  Ｏｐｔｉｃａｌ  ＭＥＭＳ  ２００１」，Ｂａｎｋｏｋｕ  Ｓｈｉｎｒｙｏｋａｎ，Ｏｋｉｎａｗａ，Ｊａｐａｎ，Ｓｐｏｎｓｏｒｅｄ  ｂｙ  Ｓｅｎｓｏｒｓ  ａｎｄ  Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｓ  Ｓｏｃｉｅｔｙ，ｔｈｅ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｏｆ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｓ  ｏｆ  Ｊａｐａｎ，２５−２８  Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ  ２００１，ｐ．９９−１００
【特許文献１】
特開平６−４６２０７号公報（第３−４頁、第１図）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前述した非特許文献１に記載のマイクロスキャナの構成では、ミラープレートを静電引力によって駆動するようにしているが、静電引力の大きさは距離の２乗に反比例するため、十分な静電引力が得られる程度に駆動電極をミラープレートの近傍に設ける必要がある。このため、ミラープレートと駆動電極とが接触しないように、ミラープレートの変位する範囲、すなわち、光ビームの出射範囲を狭くしなければならないという問題がある。
【０００６】
また、前述した特許文献１に記載のマイクロスキャナの構成では、圧電アクチュエータを用いてミラーを変位させるようにしているため、圧電アクチュエータの性質上、ミラーの変位を大きくすることは困難であり、この構成によっても、光ビームの出射範囲が狭くなってしまう。
【０００７】
本発明は、こうした問題に鑑みなされたものであり、光ビームの出射範囲を広くすることを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
上記目的を達成するためになされた請求項１に記載の光走査装置は、円弧状に湾曲した板状の変形部と、この変形部の凸側曲面と対向して設けられ、この凸側曲面における円周方向の一端が連結された固定部と、変形部により支持され、光ビームを出射する出射手段と、電圧が印加されることにより、変形部の凸側曲面と、この凸側曲面と対向する固定部の対向面との間に引力を生じさせる引力発生手段とを備えている。そして、本光走査装置では、引力発生手段により生じる引力によって変形部が弾性変形することで、出射手段から出射される光ビームが走査される。
【０００９】
つまり、本光走査装置において、変形部の凸側曲面は、固定部との連結位置近傍でこの固定部の対向面と近接している。このため、引力発生手段に電圧が印加されると、凸側曲面における上記連結位置近傍で対向面との間に強い引力が生じ、変形部が固定部側へ弾性変形する。すると、この弾性変形により凸側曲面と対向面との距離が縮まり、凸側曲面と対向面との間の引力が強まるため、更なる弾性変形が引き起こされる。こうして、変形部は、凸側曲面における上記連結位置近傍から連鎖的に対向面側へ引き寄せられていく。
【００１０】
よって、本光走査装置によれば、凸側曲面における対向面との距離が遠い部分についても対向面近傍まで弾性変形させることが可能となる。このため、低い駆動電圧であっても変形部を大きく変形させて出射手段を大きく変位させることができ、その結果、光ビームの出射範囲を広くすることができる。
【００１１】
ここで、変形部は、例えば請求項２〜４に記載のように、ポリシリコン、ポリイミド又は金属により形成することができる。
次に、請求項５に記載の光走査装置は、上記請求項１〜４の装置において、変形部及び引力発生手段をそれぞれ２つ備えている。そして、本光走査装置では、２つの引力発生手段が、２つの変形部の各凸側曲面と、各凸側曲面と対向する固定部の各対向面との間に独立して引力を生じさせるようになっており、さらに、出射手段が、２つの変形部によって支持されている。この構成によれば、各変形部を独立して変形させることで出射手段を二次元方向に変位させることができ、その結果、光ビームを二次元方向に走査することができる。
【００１２】
次に、請求項６に記載の光走査装置では、上記請求項１〜５の装置において、変形部に、この変形部の弾性変形の度合いを検出する歪ゲージが設けられている。この構成によれば、変形部の弾性変形度合いの検出値に基づき、光ビームの出射方向を特定することができる。特に、本請求項６の歪ゲージを、上記請求項５の装置に適用し、２つの変形部のそれぞれについて弾性変形の度合いを検出するようにすれば、２つの変形部に特性の違いがあったとしても、各変形部の弾性変形度合いの検出値に基づきその特性の違いを補正することができるため、光ビームの出射方向を高精度に制御することが可能となる。
【００１３】
ところで、変形部の凸側曲面と固定部の対向面との間に引力を生じさせる引力発生手段は、例えば請求項７に記載のように、変形部に設けられた変形部側電極と、固定部に設けられた固定部側電極とを備えており、変形部側電極と固定部側電極との間に電圧が印加されることにより、変形部の凸側曲面と固定部の対向面との間に静電引力を生じさせる構成とすることができる。
【００１４】
そして、請求項８に記載のように、変形部の凸側曲面及び固定部の対向面のうちの少なくとも一方の表面が絶縁体で形成されていれば、変形部の弾性変形により凸側曲面と対向面とが接触したとしても、変形部側電極と固定部側電極とが短絡してしまうことを防ぐことができる。
【００１５】
また、請求項９に記載のように、変形部側電極が、変形部における円周方向全域にわたって設けられており、固定部側電極が、変形部の弾性変形によりこの変形部の凸側曲面と固定部の対向面とが重なり合った際に、変形部側電極と重なり合う領域に設けられていれば、変形部をその円周方向全域にわたって固定部近傍まで弾性変形させることができ、その結果、光ビームの出射範囲を一層広くすることができる。
【００１６】
ここで、光ビームを出射する出射手段としては、光ビームの発光源を備えた構成も考えられるが、例えば請求項１０に記載のように、出射手段が、外部からの光ビームを反射することで光ビームを出射するミラーであれば、光走査装置を小型化するのに有利である。
【００１７】
そして、この場合には、例えば請求項１１に記載のように、ミラー及び変形部側電極をアルミニウムで形成するとよい。アルミニウムは導電性がよく、しかも反射率が高いため、ミラーとしても電極としても用いることができ、このようにミラー及び変形部側電極を同じ材料とすることで、製造工程の効率化を図ることができるからである。
【００１８】
また、請求項１２に記載のように、アルミニウムに代えて金を用いてもよい。金は赤外光に対する反射率が高いため、光ビームとして赤外光を用いる場合に特に有効である。
さらに、請求項１３に記載のように、ミラー及び変形部側電極が、同じ厚さに形成されている場合にも、製造工程の効率化を図ることができる。
【００１９】
一方、引力発生手段は、例えば請求項１４に記載のように、変形部及び固定部のうちの何れか一方に設けられたソレノイドと、変形部及び固定部のうち、ソレノイドが設けられていない側に設けられた強磁性体とを備えており、ソレノイドに電圧が印加されることにより、変形部の凸側曲面と固定部の対向面との間に磁気吸引力を生じさせる構成とすることもできる。
【００２０】
また、請求項１５に記載のように、強磁性体に代えて磁石を用いることもできる。
ここで、光ビームを出射する出射手段としては、上記請求項１０の装置について述べた理由と同様の理由から、請求項１６に記載のように、外部からの光ビームを反射することで光ビームを出射するミラーを用いることが好ましい。
【００２１】
そして、上記請求項１０〜１３，１６の装置のように出射手段がミラーである構成において、例えば請求項１７に記載のように、ミラーの表面が保護膜（例えば酸化シリコン）で覆われていれば、ミラーの表面を腐食させやすい環境で用いられる場合に有効である。
【００２２】
また、上記請求項１０〜１３，１６，１７の装置のように出射手段がミラーである構成については、例えば請求項１８に記載のように、平らな基板上にミラーを設ける第１の工程と、この第１の工程によってミラーが設けられた基板から変形部及び固定部を形成する第２の工程とを含んだ製造方法により製造するようにすれば、ミラーを平らに形成しやすくすることができる。
【００２３】
次に、請求項１９に記載の光走査装置は、光ビームを出射する出射手段が設けられた可動部と、バイメタルを用いて形成され可動部を土台としての固定部に連結する支持部とを備えている。そして、本光走査装置では、支持部が加熱されて変形することによる可動部の変位に伴って、出射手段から出射される光ビームが走査される。この構成によれば、バイメタルを用いて形成された支持部により、可動部を固定部に対して大きく変位させることができる。その結果、光ビームの出射範囲を広くすることができる。
【００２４】
ここで、光ビームを出射する出射手段としては、上記請求項１０の装置について述べた理由と同様の理由から、請求項２０に記載のように、外部からの光ビームを反射することで光ビームを出射するミラーを用いることが好ましい。
そして、出射手段がミラーである構成においては、上記請求項１７の装置について述べた理由と同様の理由から、請求項２１に記載のように、ミラーの表面が保護膜で覆われていることが好ましい。
【００２５】
一方、支持部の材料としては、例えば請求項２２に記載のように、少なくともアルミニウムが用いられていることが好ましい。アルミニウムは、シリコンプロセスでよく用いられるものであり、低コストだからである。
また、同様の理由から、例えば請求項２３に記載のように、支持部の材料として、少なくとも単結晶シリコンが用いられていることが好ましい。
【００２６】
次に、請求項２４に記載の光走査装置では、上記請求項１９〜２３の装置において、支持部が、通電されることにより発熱して当該支持部を加熱する加熱手段を備えている。この構成によれば、光ビームの出射方向を通電により制御することができる。
【００２７】
ここで、支持部の加熱手段が、例えば請求項２５に記載のように、通電されることにより発熱する導電体であり、当該支持部における加熱対象の部分で蛇行形状に設けられていれば、簡単な構成で実現することができる。
次に、請求項２６に記載の光走査装置では、請求項２４，２５に記載の光走査装置において、支持部が、一端が可動部に連結され、他端が固定部に連結された蛇行形状となっている。この構成によれば、支持部の変位量を一層大きくすることができ、その結果、光ビームの出射範囲を一層広くすることができる。
【００２８】
そして、請求項２７に記載の光走査装置では、請求項２６の装置において、支持部が、互いに平行な複数の支持梁と、当該支持部が蛇行形状となるように複数の支持梁の端部を連結する連結梁とを有しており、支持部の加熱手段が、当該支持部における複数の支持梁のうち、可動部側から数えて奇数番目又は偶数番目の支持梁を加熱するように構成されている。この構成によれば、可動部を一方向に変位させる支持梁のみが変形することとなり、可動部の変位が相殺されてしまうことを防ぐことができる。その結果、光ビームの出射範囲を効率よく広げることができる。
【００２９】
さらに、請求項２８に記載の光走査装置では、請求項２７の装置において、支持部が、加熱手段を２つ備えている。そして、本光走査装置では、これら２つの加熱手段のうちの一方が、複数の支持梁のうち、可動部側から数えて奇数番目の支持梁を加熱するように構成されており、２つの加熱手段のうちの他方が、複数の支持梁のうち、可動部側から数えて偶数番目の支持梁を加熱するように構成されている。この構成によれば、２つの加熱手段により加熱対象の支持梁を切り換えることによって、可動部を相異なる２つの方向に変位させることができる。その結果、光ビームの出射範囲を一層効率よく広げることができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。
まず図１は、第１実施形態の光走査装置としてのマイクロスキャナ１００の外観図である。
【００３１】
図１に示すように、このマイクロスキャナ１００は、土台としての固定部１０２と、この固定部１０２に支持された可動部１０４とに大別される。
固定部１０２は、Ｐ型シリコン基板１０６と、Ｐ型シリコン基板１０６における一方の面を覆う窒化シリコンＳｉＮ製の絶縁膜１０８と、Ｐ型シリコン基板１０６における絶縁膜１０８で覆われた面とは反対側の面の四隅に設けられた脚部１１０とを備えている。
【００３２】
一方、可動部１０４は、Ｐ型シリコン基板１０６における絶縁膜１０８で覆われた面の左右両側位置に並設され、接続部１１２Ｌ，１１２Ｒを介して絶縁膜１０８に連結されるとともに、この接続部１１２Ｌ，１１２Ｒから円弧状に湾曲して延びる薄板状の変形部１１４Ｌ，１１４Ｒと、左右の変形部１１４Ｌ，１１４Ｒによりその各自由端と連結部１１６Ｌ，１１６Ｒを介して連結されることで支持されるとともに、光ビームとしてのレーザ光を反射するためのアルミニウム製のミラー１１８が表面に形成された平板状のミラー部１２０とを備えている。
【００３３】
なお、固定部１０２には、その中央位置に長方形の貫通孔１０２ａが形成されており、ミラー部１２０は、その貫通孔１０２ａの内側に位置している。
変形部１１４Ｌ，１１４Ｒは、図２に示すように、当該変形部１１４Ｌ，１１４Ｒの形作る円弧が固定部１０２における絶縁膜１０８の設けられた面に正接する向き（固定部１０２の面が円弧の接線方向となる向き）に設けられている。このため、変形部１１４Ｌ，１１４Ｒの凸側曲面における接続部１１２Ｌ，１１２Ｒの近傍位置では、固定部１０２における対向面と極めて近い距離で対向しており、接続部１１２Ｌ，１１２Ｒから離れた位置ほど、固定部１０２の表面との距離が遠くなる。
【００３４】
一方、左右の変形部１１４Ｌ，１１４Ｒの表面には、アルミニウム製の変形部側電極１２２Ｌ，１２２Ｒがそれぞれ設けられている。この変形部側電極１２２Ｌ，１２２Ｒは、各変形部１１４Ｌ，１１４Ｒの円周方向に沿った一端から他端までの全域にわたって設けられているとともに、絶縁膜１０８上に設けられた変形部側連結電極１２４によって一つに連結されている。さらに、変形部側連結電極１２４の中央位置には変形部側端子１２６が設けられている。
【００３５】
また、固定部１０２における各変形部１１４Ｌ，１１４Ｒの凸側曲面と対向する領域には、絶縁膜１０８の下層にＮ型シリコン製の固定部側電極１２８Ｌ，１２８Ｒがそれぞれ設けられている。この固定部側電極１２８Ｌ，１２８Ｒは、各変形部１１４Ｌ，１１４Ｒが直線状に弾性変形した際に、各変形部１１４Ｌ，１１４Ｒ上の変形部側電極１２２Ｌ，１２２Ｒと重なり合う領域に設けられているとともに、絶縁膜１０８の下層に形成された固定部側連結電極１３０によって一つに連結されている。さらに、固定部側連結電極１３０の中央位置には固定部側端子１３２が設けられている。
【００３６】
また、左右の変形部１１４Ｌ，１１４Ｒの表面には、変形部１１４Ｌ，１１４Ｒの弾性変形の度合いを検出するための歪ゲージ１３４Ｌ，１３４Ｒがそれぞれ設けられている。
次に、本マイクロスキャナ１００を駆動するための構成について説明する。
【００３７】
図３に示すように、マイクロスキャナ１００には、歪ゲージ１３４Ｌ，１３４Ｒの各抵抗変化を検出するとともに、変形部側端子１２６に駆動電圧を印加する制御装置１３６が接続されている。なお、固定部側端子１３２はグランド（接地電位＝０Ｖ）に接続されている。
【００３８】
制御装置１３６は、歪ゲージ１３４Ｌ，１３４Ｒの抵抗変化に基づき変形部１１４Ｌ，１１４Ｒの弾性変形度合いを判断し、この弾性変形度合いからレーザ光の出射方向を判断する。そして、制御装置１３６は、レーザ光の出射方向が所望の方向となるように、変形部側端子１２６に印加する駆動電圧の電圧値を制御する。
【００３９】
すなわち、変形部側端子１２６と固定部側端子１３２との間に電圧が印加されると、変形部１１４Ｌ，１１４Ｒの凸側曲面と、この凸側曲面と対向する固定部１０２の対向面との間に静電引力が生じる。特に、変形部１１４Ｌ，１１４Ｒのうち、変形部側電極１２２Ｌ，１２２Ｒと固定部側電極１２８Ｌ，１２８Ｒとの距離が短い接続部１１２Ｌ，１１２Ｒ近傍に強い静電引力が作用し、この接続部１１２Ｌ，１１２Ｒ近傍が大きく弾性変形する。すると、この弾性変形により変形部側電極１２２Ｌ，１２２Ｒが固定部側電極１２８Ｌ，１２８Ｒに近づき、強い静電引力が働く範囲が広がって、更なる弾性変形が生じる。こうして、変形部１１４Ｌ，１１４Ｒは、接続部１１２Ｌ，１１２Ｒ近傍から連鎖的に引き寄せられて円弧状の形状が直線状に変化していき、近似的に仮想軸Ａ（図２参照）を中心とした回転移動をする。一方、変形部１１４Ｌ，１１４Ｒの弾性変形が大きくなるにつれ、変形部１１４Ｌ，１１４Ｒ自体の弾性力（反力）も大きくなるため、この弾性力と静電引力とが釣り合う位置で弾性変形の進行が止まる。このため、変形部側端子１２６と固定部側端子１３２との間に印加する電圧値を変えることにより、変形部１１４Ｌ，１１４Ｒの弾性変形の度合い（ひいてはレーザ光の出射方向）がその電圧値に応じた分だけ変化する。
【００４０】
次に、本マイクロスキャナ１００の製造方法について、図４〜図１１を用いて説明する。なお、図４〜図１１において、（ａ）は平面図であり、（ｂ）はその断面図（図４〜図９はＡ−Ａ断面図、図１０，図１１はＢ−Ｂ断面図）である。本マイクロスキャナ１００の製造には、半導体プロセスを利用したＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術が用いられる。なお、以下の説明では、単体のマイクロスキャナの製造方法を示しているが、実際には１枚のウエハから多数のマイクロスキャナを製造することができ、大量生産が可能である。
【００４１】
［工程１］
まずＰ型シリコン基板１０６をパターニングし、その部分にリンイオンを注入してＮ型拡散層を形成する。このＮ型拡散層が、固定部側電極１２８Ｌ，１２８Ｒ及び固定部側連結電極１３０となる（図４参照）。なお、リンイオンに代えて、砒素イオンを注入してもよい。
【００４２】
［工程２］
ＬＰ−ＣＶＤ装置を用いて、基板表面全体に窒化シリコンＳｉＮを同一膜厚で成膜する。これにより、絶縁膜１０８が形成される（図５参照）。
［工程３］
ＬＰ−ＣＶＤ装置を用いて、基板表面全体に酸化シリコンＳｉＯ２を同一膜厚で成膜する。そしてさらに、成膜された酸化シリコン膜をパターニングして、後の工程で変形部１１４Ｌ，１１４Ｒを分離するための犠牲層１３８を形成する（図６参照）。
【００４３】
［工程４］
基板表面全体にポリシリコンＰｏｌｙ−Ｓｉを成膜する。その際、成膜条件（温度や時間等）を調整し、ポリシリコン膜に圧縮応力が残留応力として発生している状態にする。そしてさらに、成膜されたポリシリコン膜をパターニングして、接続部１１２Ｌ，１１２Ｒ、変形部１１４Ｌ，１１４Ｒ、連結部１１６Ｌ，１１６Ｒ及びミラー部１２０の下地を形成する（図７参照）。
【００４４】
［工程５］
絶縁膜１０８をパターニングして固定部側端子１３２用の領域を露出させた後、基板表面全体にアルミニウムＡｌを同一膜厚で成膜し、この成膜されたアルミニウム膜をパターニングして、ミラー１１８、変形部側電極１２２Ｌ，１２２Ｒ、変形部側連結電極１２４、変形部側端子１２６及び固定部側端子１３２を形成する（図８参照）。
【００４５】
［工程６］
変形部１１４Ｌ，１１４Ｒの部分のそれぞれに、歪ゲージ１３４Ｌ，１３４Ｒを形成する（図９参照）。
［工程７］
Ｐ型シリコン基板１０６を裏面からエッチングして、ミラー部１２０となる部分を含む平坦部を形成する。そしてさらに、ミラー部１２０となる部分を分離する（図１０参照）。これにより、ミラー部１２０となる部分は、Ｐ型シリコン基板１０６に対し、窒化シリコン膜とポリシリコン膜とで連結された状態となる。
【００４６】
［工程８］
上記工程３で形成した酸化シリコン膜の犠牲層１３８をエッチング（具体的には、フッ酸で溶解）する。これにより、変形部１１４Ｌ，１１４Ｒが固定部１０２から分離される。ここで、変形部１１４Ｌ，１１４Ｒを形成しているポリシリコン膜には圧縮応力が残留応力として発生しているため、変形部１１４Ｌ，１１４Ｒが円弧状に反り返る。なお、ミラー部１２０の裏面はＰ型シリコンであるため、ポリシリコン膜に残留応力が発生してもミラー１１８は平坦に保たれる。
【００４７】
その後、Ｐ型シリコン基板１０６の四隅に脚部１１０を設けることで図１に示す構造となる（図１１参照）。
なお、本第１実施形態のマイクロスキャナ１００では、変形部側電極１２２Ｌ及び固定部側電極１２８Ｌと、変形部側電極１２２Ｒ及び固定部側電極１２８Ｒとが、それぞれ引力発生手段に相当している。また、上記工程５が、第１の工程に相当し、上記工程７及び工程８が、第２の工程に相当している。
【００４８】
以上のように、本第１実施形態のマイクロスキャナ１００によれば、円弧状の変形部１１４Ｌ，１１４Ｒを接続部１１２Ｌ，１１２Ｒの近傍から徐々に弾性変形させていく構成であるため、低い駆動電圧でミラー部１２０を大きく変位させることができ、その結果、レーザ光の出射範囲を広くすることができる。
【００４９】
また、固定部１０２の表面には絶縁膜１０８が設けられているため、変形部側電極１２２Ｌ，１２２Ｒと固定部側電極１２８Ｌ，１２８Ｒとが短絡してしまうことを防ぐことができる。
さらに、変形部側電極１２２Ｌ，１２２Ｒが、変形部１１４Ｌ，１１４Ｒの円周方向に沿った一端から他端までの全域にわたって形成されているため、変形部１１４Ｌ，１１４Ｒを直線状となるまで弾性変形させることが可能となり、その結果、レーザ光の出射方向の範囲を極めて広くすることができる。
【００５０】
一方、本マイクロスキャナ１００では、ミラー１１８、変形部側電極１２２Ｌ，１２２Ｒ、変形部側連結電極１２４、変形部側端子１２６及び固定部側端子１３２が、同一の材料及び同一の膜厚で形成されているため、同一の工程にて効率的に製造することができる。
【００５１】
加えて、本マイクロスキャナ１００では、Ｐ型シリコン基板１０６から変形部１１４Ｌ，１１４Ｒを分離する工程の前にミラー１１８を形成する工程を行うようにしているため、ミラー１１８を精度の高い平面に形成することができる。
なお、上記工程５の後で、ミラー１１８の表面に保護膜（例えば酸化シリコンＳｉＯ２）を形成してもよい。このようにすれば、アルミニウムを腐食させやすい環境で本マイクロスキャナ１００を使用する場合に特に有効である。
【００５２】
また、上記第１実施形態のマイクロスキャナ１００では、ミラー１１８、変形部側電極１２２Ｌ，１２２Ｒ、変形部側連結電極１２４、変形部側端子１２６及び固定部側端子１３２をアルミニウムで形成しているが、これに限ったものではなく、例えば金で形成してもよい。金は、赤外光に対する反射率が大きいため、特に、赤外線のレーザ光を走査したい場合に効果的である。
【００５３】
また、上記第１実施形態のマイクロスキャナ１００では、変形部１１４Ｌ，１１４Ｒがポリシリコンで形成されているが、これに限ったものではなく、例えばポリイミドや金属薄膜で形成してもよい。
また、上記第１実施形態のマイクロスキャナ１００では、左右の変形部１１４Ｌ，１１４Ｒに歪ゲージ１３４Ｌ，１３４Ｒがそれぞれ設けられているが、これに限ったものではなく、片側にのみ設けた構成であってもよい。
【００５４】
また、上記第１実施形態のマイクロスキャナ１００では、左右の変形部側電極１２２Ｌ，１２２Ｒが変形部側連結電極１２４により連結されて同電位となっているが、これに限ったものではない。例えば、図１２に示すように、左右の変形部側電極１２２Ｌ，１２２Ｒを連結せず、それぞれの電位を独立して制御できるようにしてもよい。この構成によれば、変形部側電極１２２Ｌと固定部側電極１２８Ｌとの間と、変形部側電極１２２Ｒと固定部側電極１２８Ｒとの間とで、独立して静電引力を生じさせることができる。このため、左右の変形部１１４Ｌ，１１４Ｒを独立して弾性変形させることができ、その結果、レーザ光を二次元方向に走査することができる。加えて、左右の変形部１１４Ｌ，１１４Ｒに特性の違い（例えば、一定の駆動電圧に対する弾性変形度合いの違い）があったとしても、歪ゲージ１３４Ｌ，１３４Ｒの検出値に基づきその特性の違いを補正することができるため、レーザ光の出射方向を高精度に制御することができる。
【００５５】
また、上記第１実施形態のマイクロスキャナ１００では、左右の変形部１１４Ｌ，１１４Ｒによりミラー部１２０を支持しているが、これに限ったものではなく、例えば、変形部を１つだけ有しており、その変形部でミラー部１２０を支持するようにしてもよい。
【００５６】
一方、上記第１実施形態のマイクロスキャナ１００では、静電引力を利用して変形部１１４Ｌ，１１４Ｒを弾性変形させるようにしているが、これに限ったものではない。例えば、図１３に示すように、変形部側電極１２２Ｌ，１２２Ｒに代えて薄膜磁石１４０Ｌ，１４０Ｒを設けるとともに、固定部側電極１２８Ｌ，１２８Ｒに代えてコイル（ソレノイド）パターン１４２Ｌ，１４２Ｒを設けた構成であってもよい。この構成によれば、コイルパターン１４２Ｌ，１４２Ｒに通電されることにより、薄膜磁石１４０Ｌとコイルパターン１４２Ｌとの間、及び薄膜磁石１４０Ｒとコイルパターン１４２Ｌとの間に磁気吸引力が生じ、静電引力の場合と同様に変形部１１４Ｌ，１１４Ｒが弾性変形することとなる。なお、薄膜磁石１４０Ｌ，１４０Ｒに代えて、強磁性体を成膜してもよい。また、この構成では、薄膜磁石１４０Ｌ及びコイルパターン１４２Ｌと、薄膜磁石１４０Ｒ及びコイルパターン１４２Ｒとが、それぞれ引力発生手段に相当している。
【００５７】
次に、第２実施形態の光走査装置としてのマイクロスキャナ２００について説明する。
図１４に示すように、このマイクロスキャナ２００は、マイクロマシニング技術を用いてＳＯＩウエハを加工することにより製作されたものであり、光ビームとしてのレーザ光を反射するためのミラーが表面に形成された矩形状のミラープレート２１０と、このミラープレート２１０を囲むフレーム２２０と、ミラープレート２１０をフレーム２２０の内側に連結する２つの蛇行状支持部材２３０，２４０とを備えている。
【００５８】
蛇行状支持部材２３０は、ミラープレート２１０における特定の辺（以下、第１連結辺という。）２１０ａの中央位置に連結されるとともに第１連結辺２１０ａと垂直に延びるミラー側軸梁２３２と、このミラー側軸梁２３２の延長上でフレーム２２０の内側に連結されたフレーム側軸梁２３４と、第１連結辺２１０ａと平行に延びる複数の支持梁２３６ａ，２３６ｂ，２３６ｃ，２３６ｄ，２３６ｅと、支持梁２３６ａ〜２３６ｅの端部を蛇行形状に連結する連結梁２３８ａ，２３８ｂ，２３８ｃ，２３８ｄとが、一体形成されたものである。
【００５９】
また同様に、蛇行状支持部材２４０は、ミラープレート２１０における第１連結辺２１０ａと対向する辺（以下、第２連結辺という。）２１０ｂの中央位置に連結されるとともに第２連結辺２１０ｂと垂直に延びるミラー側軸梁２４２と、このミラー側軸梁２４２の延長上でフレーム２２０の内側に連結されたフレーム側軸梁２４４と、第２連結辺２１０ｂと平行に延びる複数の支持梁２４６ａ，２４６ｂ，２４６ｃ，２４６ｄ，２４６ｅと、支持梁２４６ａ〜２４６ｅの端部を蛇行形状に連結する連結梁２４８ａ，２４８ｂ，２４８ｃ，２４８ｄとが、一体形成されたものである。
【００６０】
なお、蛇行状支持部材２３０と蛇行状支持部材２４０とは、第１連結辺２１０ａ及び第２連結辺２１０ｂと平行なミラープレート２１０の中心線で対称形状となっており、ミラー側軸梁２３２，２４２及びフレーム側軸梁２３４，２４４は、同一直線上に位置している。
【００６１】
次に、蛇行状支持部材２３０，２４０の構造について説明する。
図１５（ａ）に示すように、蛇行状支持部材２３０，２４０は、窒化シリコン層ＳｉＮ（ＰＥ−ＳｉＮ）、アルミニウム層Ａｌ、酸化シリコン層ＳｉＯ２（ＰＥ−ＴＥＯＳ）及びシリコン層Ｓｉの４層構造となっている。ここで、各層の熱膨張係数は、「Ａｌ＞＞Ｓｉ＞＞ＳｉＯ２，Ｓｉ（ＳｉＯ２とＳｉとは、ほぼ等しい）」という関係であるが、この蛇行状支持部材２３０，２４０では、窒化シリコン層及び酸化シリコン層が、アルミニウム層やシリコン層に比べ十分に薄く形成されているため、蛇行状支持部材２３０，２４０は、アルミニウム層とシリコン層とによるバイメタル構造となっており、熱膨張することで図１５（ｂ）のように変形する。
【００６２】
そして、本マイクロスキャナ２００では、アルミニウム層に通電されることにより蛇行状支持部材２３０，２４０が変形するように構成されている。
すなわち、本マイクロスキャナ２００では、図１６に示すように、蛇行状支持部材２３０，２４０のアルミニウム層が、フレーム側軸梁２３４からミラープレート２１０を介してフレーム側軸梁２４４まで延びる２本の導電体２５０，２５２を形成している。そして、このうちの第１の導電体２５０が、蛇行状支持部材２３０，２４０における複数の支持梁２３６ａ〜２３６ｅ，２４６ａ〜２４６ｅのうち、ミラープレート２１０から数えて奇数番目の支持梁２３６ａ，２３６ｃ，２３６ｅ，２４６ａ，２４６ｃ，２４６ｅをそれぞれ加熱するためのヒータとして機能する。一方、第２の導電体２５２が、蛇行状支持部材２３０，２４０における複数の支持梁２３６ａ〜２３６ｅ，２４６ａ〜２４６ｅのうち、ミラープレート２１０から数えて偶数番目の支持梁２３６ｂ，２３６ｄ，２４６ｂ，２４６ｄを加熱するためのヒータとして機能する。
【００６３】
具体的には、図１７に示すように、アルミニウム層Ａｌが配線状となっており、加熱対象の部分では細く形成されているとともに蛇行形状に折り返されており、加熱対象でない部分では太く形成されている。このため、通電されることにより加熱対象の部分で集中的に発熱する。
【００６４】
ここで、第１の導電体２５０に通電した場合の本マイクロスキャナ２００の動作について説明する。
第１の導電体２５０に通電されると、ミラープレート２１０から数えて奇数番目の支持梁２３６ａ，２３６ｃ、２３６ｅ，２４６ａ，２４６ｃ，２４６ｅが加熱されて変形する。これにより、図１８に示すように、ミラープレート２１０が一定の回転方向に変位する。ここで、一つおきに設けられた支持梁２３６ａ，２３６ｃ、２３６ｅ，２４６ａ，２４６ｃ，２４６ｅを加熱するようにしているのは、全ての支持梁２３６ａ〜２３６ｅ，２４６ａ〜２４６ｅを加熱すると、ミラープレート２１０の変位が相殺されてしまうからである。
【００６５】
つまり、第２の導電体２５２に通電されることで、ミラープレート２１０から数えて偶数番目の支持梁２３６ｂ，２３６ｄ，２４６ｂ，２４６ｄが加熱されて変形すると、ミラープレート２１０が第１の導電体２５０に通電された場合の回転方向とは反対の回転方向に変位するのである。このため、第１の導電体２５０への通電と第２の導電体２５２への通電とを切り換えることにより、ミラープレート２１０を相異なる回転方向に変位させることができる。また、その際の通電量により、ミラープレート２１０の変位量（ひいては、レーザ光の出射方向）を制御することができる。
【００６６】
次に、本マイクロスキャナ２００の製造方法について、図１９を用いて説明する。
まず、酸化シリコン層ＳｉＯ２の両側に単結晶シリコン層Ｓｉが設けられたＳＯＩ基板を用意する（図１９（ａ）参照）。なお、本実施形態では、基板のシリコンの面方位は（１００）である。
【００６７】
次に、ＰＥ−ＣＶＤ装置を用いて、基板表面全体に酸化シリコンＳｉＯ２（ＰＥ−ＴＥＯＳ）を同一膜厚で成膜する（図１９（ｂ）参照）。
次に、基板表面にスパッタ又は蒸着でアルミニウムＡｌを成膜し、この成膜されたアルミニウム膜をパターニング（フォトリソグラフィ＋エッチング）する（図１９（ｃ）参照）。これにより、第１の導電体２５０及び第２の導電体２５２が形成される。
【００６８】
次に、ＰＥ−ＣＶＤ装置を用いて、基板表面全体に窒化シリコンＳｉＮ（ＰＥ−ＳｉＮ）を成膜する（図１９（ｄ）参照）。
次に、この成膜されたＰＥ−ＳｉＮ膜をパターニングする。そしてさらに、ＰＥ−ＳｉＮ膜をエッチングしたことによって露出したＰＥ−ＴＥＯＳの所定領域をエッチングする。その際、下のシリコン層まで続けてエッチングする（図１９（ｅ）参照）。
【００６９】
次に、裏面からＳｉ層を削り（研削）、裏面を研磨してミラー面を形成する。さらに、裏面にＰＥ−ＣＶＤ装置を用いて窒化シリコンＳｉＮを成膜し、そのＳｉＮ膜の所定の領域が残るようにエッチングする。さらに、そのＳｉＮ膜をマスクとして、裏面から、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）水溶液やＫＯＨ（水酸化カリウム）水溶液などのアルカリ液で、基板のシリコン層をエッチング（異方性エッチング）する（図１９（ｆ）参照）。
【００７０】
最後に、酸化シリコン膜をエッチングすることで、可動構造体を形成する（図１９（ｇ）参照）。
なお、本第２実施形態のマイクロスキャナ２００では、ミラープレート２１０が、可動部に相当し、フレーム２２０が、固定部に相当し、蛇行状支持部材２３０，２４０が、支持部に相当している。また、第１の導電体２５０及び第２の導電体２５２のそれぞれが、加熱手段に相当している。
【００７１】
以上のように、本第２実施形態のマイクロスキャナ２００によれば、バイメタル構造の蛇行状支持部材２３０，２４０の変形に伴いミラープレート２１０を変位させる構成により、ミラープレート２１０を大きく変位させることができる。その結果、レーザ光の出射範囲を広くすることができる。
【００７２】
また、本マイクロスキャナ２００では、蛇行状支持部材２３０，２４０を構成する第１の導電体２５０及び第２の導電体２５２に通電することで蛇行状支持部材２３０，２４０を変形させることができるため、レーザ光の出射方向を容易に制御することができる。また、外部から加熱する構成に比べ、応答性を向上させることができるとともに、通電量に対する変形量を安定させることができる。
【００７３】
なお、第１実施形態の場合と同様、ミラープレート２１０の表面に保護膜を形成してもよい。
また、上記第２実施形態のマイクロスキャナ２００では、蛇行状支持部材２３０，２４０を第１の導電体２５０及び第２の導電体２５２により相異なる二方向に変位させることができる構成としているが、これに限ったものではなく、例えば、一方向にのみ変位させる構成（例えば第２の導電体２５２を有していない構成）であっても、通電量を制御することでレーザ光の出射方向を制御することができる。ただし、相異なる二方向に変位させる構成の方が、レーザ光の出射範囲を広くすることができるという面で有利である。
【００７４】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、種々の形態を採り得ることは言うまでもない。
例えば、上記各実施形態のマイクロスキャナ１００，２００は、外部からのレーザ光をミラーで反射することによりレーザ光を出射する構成となっているが、これに限ったものではなく、例えば、ミラーに代えてレーザ光の発光源を設けてもよい。ただし、装置を小型化できるという面で、ミラーを用いたほうが有利である。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態のマイクロスキャナの外観図である。
【図２】第１実施形態のマイクロスキャナの側面図である。
【図３】第１実施形態のマイクロスキャナを駆動する構成の説明図である。
【図４】第１実施形態のマイクロスキャナの製造方法の説明図（その１）である。
【図５】第１実施形態のマイクロスキャナの製造方法の説明図（その２）である。
【図６】第１実施形態のマイクロスキャナの製造方法の説明図（その３）である。
【図７】第１実施形態のマイクロスキャナの製造方法の説明図（その４）である。
【図８】第１実施形態のマイクロスキャナの製造方法の説明図（その５）である。
【図９】第１実施形態のマイクロスキャナの製造方法の説明図（その６）である。
【図１０】第１実施形態のマイクロスキャナの製造方法の説明図（その７）である。
【図１１】第１実施形態のマイクロスキャナの製造方法の説明図（その８）である。
【図１２】電位を独立して制御する構成のマイクロスキャナの外観図である。
【図１３】磁気吸引力を利用した構成のマイクロスキャナの外観図である。
【図１４】第２実施形態のマイクロスキャナの説明図である。
【図１５】蛇行状支持部材の構造の説明図である。
【図１６】導電体の説明図である。
【図１７】アルミニウム層の説明図である。
【図１８】ミラープレートの変位の説明図である。
【図１９】第２実施形態のマイクロスキャナの製造方法の説明図である。
【符号の説明】
１００…マイクロスキャナ、１０２…固定部、１０４…可動部、１０６…Ｐ型シリコン基板、１０８…絶縁膜、１１０…脚部、１１２Ｌ，１１２Ｒ…接続部、１１４Ｌ，１１４Ｒ…変形部、１１６Ｌ，１１６Ｒ…連結部、１１８…ミラー、１２０…ミラー部、１２２Ｌ，１２２Ｒ…変形部側電極、１２４…変形部側連結電極、１２６…変形部側端子、１２８Ｌ，１２８Ｒ…固定部側電極、１３０…固定部側連結電極、１３２…固定部側端子、１３４Ｌ，１３４Ｒ…歪ゲージ、１３６…制御装置、１４０Ｌ，１４０Ｒ…薄膜磁石、１４２Ｌ，１４２Ｒ…コイルパターン、２００…マイクロスキャナ、２１０…ミラープレート、２２０…フレーム、２３０，２４０…蛇行状支持部材、２３２，２４２…ミラー側軸梁、２３４，２４４…フレーム側軸梁、２３６ａ〜２３６ｅ，２４６ａ〜２４６ｅ…支持梁、２３８ａ〜２３８ｄ，２４８ａ〜２４８ｄ…連結梁、２５０，２５２…導電体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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