(57)【要約】  【課題】  表面処理としてパラジウムが成膜された電極端子を有する表面実装型の電子部品とそれを実装する基板上に設けられた配線電極とをＳｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田材で接合する半導体装置において、半田材による接合を確実に行なえるようにする。  【解決手段】  電子部品１における基板３との対向面上には、それぞれ平面円形状を有する複数の電極端子２が設けられており、基板３の主面上における各電極端子２と対向する領域には、それぞれ平面円形状を有する複数の配線電極４が設けられている。【選択図】      図１
2004165637.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部電極を有する板状の電子部品と、
主面上に前記外部電極と電気的に接続される配線電極を有し、該主面上に前記電子部品を実装する基板とを備え、
前記外部電極と前記配線電極とは錫及び亜鉛を含む半田材により固着されており、
前記外部電極の平面形状は円形状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記外部電極の平面形状は、長径と短径の比が１／２以上で且つ１以下の楕円又は円からなる円形状であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記配線電極の平面形状は円形状であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
外部電極を有する板状の電子部品と、
主面上に前記外部電極と電気的に接続される配線電極を有し、該主面上に前記電子部品を実装する基板とを備え、
前記外部電極と前記配線電極とは錫及び亜鉛を含む半田材により固着されており、
前記外部電極の平面形状は、長辺と短辺の長さの比が１／２以上で且つ１以下の長方形又は正方形であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記配線電極の平面形状は長方形であって、その角部に丸みをもたせたことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半田材はビスマスを含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記外部電極と前記半田材との間にパラジウムからなる金属膜が形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面実装型の電子部品及び該電子部品を実装する基板を備えた半導体装置に関し、特に電子部品の外部電極にパラジウム膜を含み、且つＳｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田材により接合される半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に表面実装された電子部品からなる半導体装置について図面を参照しながら説明する。
【０００３】
図６（ａ）〜図６（ｃ）は従来の半導体装置であって、（ａ）は断面構成を示し、（ｂ）は電子部品の下面構成を示し、（ｃ）は基板の平面構成を示している。
【０００４】
図６（ａ）に示すように、表面実装型の電子部品５１が基板５３の主面上に実装されている。電子部品５１における基板５３との対向面上には、電極端子５２が形成されており、一方、基板５３の主面上には、電子部品５１の電極端子５２と対向する位置に配線電極５４が形成されており、これら電極端子５２と配線電極５４とは、半田材５５により固着されて電気的に接続されている。
【０００５】
このように、表面実装型の電子部品５１を基板５３上に実装するには、基板５３の主面上に形成された配線電極５４と、電子部品５１に設けられた電極端子５２とを互いに半田接合するという方法が用いられている。
【０００６】
電極端子５２の平面形状は、電子部品５１の種類によって種々の形状があり、その形状に応じて基板５３上の配線電極５４の平面形状及び平面寸法が決定される。
【０００７】
例えばエリアアレイパッケージのように、電子部品５１には、図６（ｂ）に示すように、それぞれ平面長方形状の複数の電極端子５２がその下面に設けられており、基板５３における半田材５５により電極端子５２と接合される配線電極５４は、図６（ｃ）に示すように、電極端子５２とほぼ同一の形状に設けられている。従って、電子部品５１の基板５３への実装工程においては、例えば印刷法により、基板５３の各配線電極５４の上に該電極５４とほぼ同一形状で載置した後に、リフロー加熱処理を行なうことにより、電極端子５２と配線電極５４とが接合される。
【０００８】
なお、基板５３に設ける配線電極５４は、通常、銅箔上にニッケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）とを用いためっき処理又はフラックスコートにより形成される。
【０００９】
従来の半田材５５にはＳｎ−Ｐｂ共晶系の半田材が多く用いられており、電子部品５１に設ける電極端子５２の表面処理としてパラジウムめっきを施されていても十分な半田濡れ性を示すため、良好な半田接合強度を得られている。
【特許文献１】特開平１０−１２７７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、鉛を含まない鉛フリー半田材として、錫（Ｓｎ）−Ａｇ（銀）系鉛フリー半田材が主流を占めていたが、このＳｎ−Ａｇ系鉛フリー半田材は溶融温度が高く且つ材料コストが高いという問題がある。そこで、近年、溶融温度が低く且つ材料コストが低い錫（Ｓｎ）−Ｚｎ（亜鉛）系鉛フリー半田材が用いられようとしている。
【００１１】
図６（ａ）に示すように、電子部品５１の電極端子５２の表面処理にパラジウム系のめっき処理を施され、且つ半田材５５にＳｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田材を用いた場合には、該Ｓｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田材は従来のＳｎ−Ｐｂ共晶系の半田材と比べると半田濡れ性が極めて悪い。また、本願発明者らは、加熱により溶解したＳｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田材の凝集力が強いため、特にパラジウム系めっきに対して十分に濡れ広がらないことを確認している。
【００１２】
例えば、図６（ｂ）に示すように、ＱＦＮ（クワッド・フラット・ノンリード・パッケージ）型の電子部品５１で、その電極端子５２が平面長方形状で且つその表面処理にパラジウム系めっきを施されている場合には、Ｓｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田材は基板５４の配線電極５４に対しては半田濡れ性は良好であるが、電子部品５１に設けられた電極端子５２に対しては半田濡れ性が悪く且つ半田材の凝集が大きいことから、各電極端子５２の一部しか半田接合されないため、良好な半田接合及び半田強度を得られないという問題がある。
【００１３】
このように、半田材５５が電極端子５２に濡れ広がらない場合には、電極端子５２と基板５３の配線電極５４との電気的な接続及び機械的な接合が不十分となり、半導体装置の信頼性が低下する。
【００１４】
本発明は、前記従来の問題を解決し、表面処理としてパラジウムが成膜された電極端子を有する表面実装型の電子部品と、該電子部品を実装する基板上に設けられた配線電極とをＳｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田材で接合する半導体装置において、半田材による接合を確実に行なえるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前記の目的を達成するため、本発明は、半導体装置を、表面実装型の電子部品に設ける電極端子の平面形状を円形状とする構成とする。また、円形状としては、長径と短径の比が１／２以上で且つ１以下の楕円又は円の構成とする。また、電極端子の平面形状は、円形状ではなく、長辺と短辺の長さの比が１／２以上で且つ１以下の長方形状又は正方形状とする。さらには、長方形の角部に丸みを持たせた構成とする。
【００１６】
本願発明者らは、パラジウムがめっき等により成膜された電極端子をＳｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田材で接合する場合に半田接合が不十分となる原因を種々検討した結果、次のような結論を得ている。
【００１７】
それは、Ｓｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田材はフラックスによる劣化が激しいため、フラックスの活性力を弱める必要があり、その上、電極端子の表面処理として施されたパラジウム系めっきは、金めっき又は溶融系めっきと比べて濡れ性が悪いため電極端子の表面が十分に活性化されない。さらに、Ｓｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田材は溶解した際の凝集力が強いため球状となり易く、その結果、半田材が電極端子の表面に十分に濡れ広がらないというものである。
【００１８】
そこで、表面実装型の電子部品における電極端子の平面形状を円形状、又は長辺と短辺の長さの比が１／２以上で且つ１以下で、角部に丸みをもたせた長方形状として実装する実験を行なったところ、平面円形状の電極端子の場合には半田材が十分に濡れて接合することができるという知見を得ている。これは、電極端子の平面形状を円形状、又は長辺と短辺の長さの比が１／２以上且つ１以下で、角部に丸みをもたせた長方形状とすることにより、溶解して球状に凝集した半田材と電極端子とがほぼ同一の面積で接することができ、その結果、半田濡れ性が生じて十分な半田接合を得られるようになるためと考えられる。
【００１９】
実装用の基板に設ける配線電極についても同様のことがいえるが、表面実装型の電子部品に設ける電極端子と基板に設ける配線電極とを共に円形状、又は長辺と短辺の長さの比が１／２以上且つ１以下で、角部に丸みをもたせた長方形状とすることにより、半田接合後のストレスの集中が軽減されて良好な半田接合を得ることができる。
【００２０】
具体的には、本発明に係る半導体装置は、外部電極（電極端子）を有する板状の電子部品と、主面上に外部電極と電気的に接続される配線電極を有し、該主面上に電子部品を実装する基板とを備え、外部電極と配線電極とは錫及び亜鉛を含む半田材により固着されており、外部電極の平面形状は円形状、又は長辺と短辺の長さの比が１／２以上で且つ１以下の長方形である。さらには、長方形の角部に丸みをもたせた長方形状である。
【００２１】
本発明の半導体装置によると、電子部品に設けた外部電極と、基板に設けた配線電極とは錫及び亜鉛を含む半田材により固着されており、この場合の外部電極の平面形状は円形状、又は長辺と短辺の長さの比が１／２以上且つ１以下の長方形で、さらには長方形の角部に丸みをもたせた長方形状であるため、電子部品を基板上に実装する際に、加熱され球状に凝集した半田材と外部電極とがほぼ同一の面積で接するので、外部電極に半田濡れ性が生じて十分な半田接合を得られるようになる。
【００２２】
本発明の半導体装置において、配線電極の平面形状は円形状、又は長辺と短辺の長さの比が１／２以上且つ１以下の長方形で、さらには長方形の角部に丸みをもたせた長方形状であることが好ましい。
【００２３】
この場合に、半田材はビスマスを含むことが好ましい。
【００２４】
本発明の半導体装置において、外部電極と半田材との間にパラジウムからなる金属膜が形成されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明に係る半導体装置は、錫及び亜鉛を含む半田材を用いた場合であっても、電子部品を基板上に実装する際に、加熱され球状に凝集した半田材と外部電極とがほぼ同一の面積で接するため、外部電極に半田濡れ性が生じて良好な半田接合を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００２７】
図１（ａ）〜図１（ｃ）は本発明の一実施形態に係る表面実装型の電子部品と該電子部品を実装する基板とを有する半導体装置であって、（ａ）は断面構成を示し、（ｂ）は電子部品の下面構成を示し、（ｃ）は基板の平面構成を示している。
【００２８】
図１（ａ）に示すように、表面実装型の電子部品１が基板３の主面上に実装されている。電子部品１における基板３との対向面上には、外部電極としての電極端子２が形成されている。
【００２９】
基板３の主面上には、電子部品１の電極端子２と対向する位置に配線電極４が形成されており、これら電極端子２と配線電極４とは、錫と亜鉛とを主成分とする半田材（以下、Ｓｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田材と呼ぶ。）５により固着されて電気的に接続されている。ここで、Ｓｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田材５の組成の一例として、亜鉛（Ｚｎ）が７％〜１０％で、ビスマス（Ｂｉ）が０％〜３％で、残りを錫（Ｓｎ）とすることが好ましい。例えば、Ｓｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田材５の組成を亜鉛が９％で、錫が９１％である場合には、共晶点が１９９℃であり、従って、亜鉛の含有量を７％〜１０％とすることにより融点を下げることができる。また、ビスマスを３％程度にまで添加することにより、融点を下げると共に半田材の濡れ性を良好にすることができる。但し、ビスマスは３％を超えて添加すると、半田の接合強度が劣ることが考えられる。
【００３０】
また、図１（ｂ）に示すように、電子部品１における基板３との対向面上の両側部には、それぞれ平面円形状を有する複数の電極端子２が設けられており、一方、図１（ｃ）に示すように、基板３の主面上における各電極端子２と対向する領域には、それぞれ平面円形状を有する複数の配線電極４が設けられている。ここで、各配線電極４は、銅箔上にニッケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）と用いためっき処理又はフラックスコートにより形成される。
【００３１】
図２は本実施形態に係る電子部品１に設けられた電極端子２を拡大した断面構成を示している。
【００３２】
図２に示すように、電極端子２は、電子部品１側から順次形成された銅（Ｃｕ）又は鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金等からなる導電性基材６、ニッケルめっき７、酸化防止用のパラジウム（Ｐｄ）めっき８、及び半田材の濡れ性をより促進する金めっき９により構成されている。
【００３３】
ここで、パラジウムめっき８の厚さは０．００５μｍ〜０．０５μｍ程度が好ましく、金めっき９の厚さは０．００１μｍ〜０．３μｍ程度が好ましい。このような構成により、パラジウムめっき８と金めっき９とがニッケルめっき７の酸化を防ぐと共に、Ｓｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田材５に含まれる錫と電極端子２を構成するニッケルとが互いに合金を形成して接合する。
【００３４】
パラジウムめっき８及び金めっき９をこの順で形成する理由は、半田材５への拡散速度がパラジウムと比べて金の方が速く、より耐酸化性に優れるからである。但し、金めっき９の厚さが０．００１μｍ以下の場合は、耐酸化性はほとんど期待できず、また、その厚さが０．３μｍを超える場合は、溶着後の半田材５の強度が劣化する。これは、金と亜鉛との合金が形成されて、半田材の強度が劣化するからである。
【００３５】
以下、前記のように構成された半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００３６】
図３（ａ）〜図３（ｃ）は本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程順の断面構成を示している。
【００３７】
まず、例えば蒸着法又はめっき法等により、基板３の主面上における電子部品１の電極端子２とそれぞれ対向する位置に複数の配線電極４を形成する。続いて、図３（ａ）に示すように、各配線電極４を露出する開口パターン１０ａを有するメタルマスク１０を用いて、Ｓｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田材５を印刷法により塗布する。
【００３８】
次に、図３（ｂ）に示すように、各配線電極４の上に塗布されたＳｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田材５と電子部品１に設けられた各電極端子２とが互いに対向するように位置合わせした後、基板３上に電子部品１を載置する。
【００３９】
次に、図３（ｃ）に示すように、電子部品１を載置した基板３に対してリフロー加熱処理を行なって、Ｓｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田材５を溶融及び凝固して、電極端子２と配線電極４とがＳｎ−Ｚｎ系半田材５により接合される。このとき、前述したように、Ｓｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田材５は活性力が弱く、また電極端子２のパラジウムめっき８は、金めっき９や溶融系のめっき材と比べて半田濡れ性が悪いため、電極端子２の表面が活性化にくい。その結果、Ｓｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田材５は、溶解したときの半田材の凝集力が強いため球状となり、半田材が濡れ広がらない。
【００４０】
そこで、本実施形態においては、電極端子２と配線電極４とを共に円形状とすることにより、溶解して球状に凝集したＳｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田材５と電極端子２及び配線電極４とが常に接しているため、Ｓｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田材５に半田濡れ性が生じて十分な半田接合を得ることができる。
【００４１】
また、電子部品１に設けた電極端子２と、基板３の主面上に設けた配線電極４の平面形状をいずれも円形状とすることにより、接合後にＳｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田材５にかかるストレスの集中が軽減されるため、良好で信頼性が高い半田接合を得ることができ、半田接合の接合品質を安定させることができる。
【００４２】
なお、本実施形態において、電極端子２及び配線電極４の平面形状は真円か又は真円に近い形状が好ましい。このようにすると、Ｓｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田材５が溶解して球状に凝集する際に、球状に溶解した半田材と平面真円形状を持つ電極端子２及び配線電極４の表面にそれぞれ均一に半田材が接するため、半田濡れ性が生じやすい構造となる。
【００４３】
また、メタルマスク１０に設けた開口パターン１０ａの開口径は、Ｓｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田材５の凝集を考慮して、基板３の配線電極４の径と比べて０．１ｍｍ程度大きく設定してもよい。このようにすると、Ｓｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田材５が溶解して球状に凝集する際に、球状に溶解した半田材と平面真円形状の電極端子２及び配線電極４の表面に半田がそれぞれ接して接触面積が大きくなるため、半田濡れ性が生じやすい構造となる。但し、開口パターン１０ａの開口径を配線電極４の径と比べて０．１ｍｍよりも大きくすると、互いに隣接する電極端子２（配線電極４）同士で半田材が溶着するおそれがある。
【００４４】
以上説明したように、本実施形態に係る表面実装型の電子部品１とそれを実装する基板３とを備えた半導体装置は、Ｓｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田材５を用いた場合であっても、電子部品１に設ける電極端子２と基板３に設ける配線電極４との平面形状を共に円形状とすることにより、良好な半田接合を得ることができる。
【００４５】
次に、本発明に係る他の実施形態として、電極端子２及び配線電極４の平面形状は真円か又は真円に近い形状と異なる形状として、楕円又は長方形の場合について図面を参照しながら説明する。
【００４６】
図４は、楕円の場合は長径に対する短径の比、長方形の場合は、長辺に対する短辺の長さの比に対し、Ｓｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田材５と電極端子２の接合の不良率がどのように変化するかの特性図である。ここで、不良率は、電子部品１の電極端子２と基板３の配線電極４の形状を長短比ごとに、実装後の温度サイクル試験後（−２５℃、１２５℃にて各１５分間の保持を１サイクルとし、３００サイクル後の同通にて判定）の不良率としている。電極端子２と半田との接合状態の平面図を図５に示す。長短比が３．５：１の楕円又は長方形では、従来のＳｎ−Ｐｂ系やＳｎ−Ａｇ系の半田１２では不良率０％で問題ない（図５（ａ））が、Ｓｎ−Ｚｎ系半田５では不良率１００％と接合品質に問題を有している（図５（ｂ））。Ｓｎ−Ｚｎ系半田５において、長短比を２．７５：１とすることで、不良率４０％、長短比２：１、長短比１：１の楕円を含む円形状、長方形又は正方形において不良率０％となり、接合品質を安定させることができる。図５において、矢印付きの破線が楕円の場合の長径と短径とを示し、長方形の場合の長辺と短辺との長さを示す。
【００４７】
図５（ｃ）は、本発明の他の実施形態である電極端子２の平面形状が長辺と短辺の長さの比が１／２以上で且つ１以下の長方形又は正方形の場合のＳｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田材５との接合を示した図であり、角部を除きほぼ接合される。図５（ｄ）は、電極端子２の平面形状が長方形の角部に丸みをもたせた長方形状である場合であり、図５（ｅ）は、電極端子２の平面形状が長径と短径の比が１／２以上且つ１以下の楕円の場合であり、これらの場合はほぼ平面形状どおり、Ｓｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田材５との接合が行なわれる。長方形の角部に丸みをもたせた長方形状にすることにより、長方形より接合性がよくなる。
【００４８】
楕円の場合、長径と短径との比が１の場合は円となり、実施形態としては、長径と短径の比が１／２以上で且つ１以下の楕円又は円からなる円形状となる。
【００４９】
なお、本実施形態においては、電子部品１の電極端子２と基板３の配線電極４との平面形状を共に円形状、又は長辺と短辺の長さの比が１／２以上で且つ１以下の長方形状としたが、少なくとも電極端子２の平面形状を円形状又は長方形状に、さらには真円形状とすることが好ましい。また、電子部品１の電極端子２がパラジウムめっきされている場合について説明したが、基板の配線電極にパラジウムめっきを施した場合にも同様に適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明はパラジウムめっきされた電極に対し、Ｓｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田を接合させるいかなる実装部品と基板の設計および実装する場合に有用であり、半田の不濡れを防止し、良好な接合を得るのに有効である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施形態に係る表面実装型の電子部品と該電子部品を実装する基板とを有する半導体装置を示し、（ａ）は断面図であり、（ｂ）は電子部品の下面図であり、（ｃ）は基板の平面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体装置の電子部品における電極端子を示す構成断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程順の構成断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る表面実装型の電子部品の電極端子の形状に対する不良率の特性図である。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は本発明の他の実施形態に係る表面実装型の電子部品の電極端子の形状と半田との接合状態を示す構成図であり、（ａ）は従来のＳｎ−Ｐｂ系やＳｎ−Ａｇ系の半田を用いた形状を、（ｂ）は不良率の高い場合の形状、（ｃ）は長辺と短辺の長さの比が１／２以上で且つ１以下の長方形状、（ｄ）は長方形の角部に丸みをもたせた形状、（ｅ）は長径と短径の比が１／２以上で且つ１以下の楕円からなる円形状である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は従来の表面実装型の電子部品と該電子部品を実装する基板とを有する半導体装置を示し、（ａ）は断面図であり、（ｂ）は電子部品の下面図であり、（ｃ）は基板の平面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１      表面実装部品
２      電極端子（外部電極）
３      基板
４      配線電極
５      Ｓｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田
６      導電性基材
７      ニッケルめっき
８      パラジウムめっき
９      金めっき
１０    メタルマスク
１０ａ  開口パターン
１２    半田
【図１】
2004165637.tif 000003
【図２】
2004165637.tif 000004
【図３】
2004165637.tif 000005
【図４】
2004165637.tif 000006
【図５】
2004165637.tif 000007
【図６】
2004165637.tif 000008