(57)【要約】【課題】対面配置された基板の間隔の画面内での均一性を図ると共に、冷却効果が高い液晶表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】ＴＦＴ基板２、対向基板３またはマイクロレンズ基板２７、液晶４及び枠体１０とを有し、対向基板またはマイクロレンズ基板の端部が熱伝導性樹脂１１を介して枠体と接する液晶表示装置１であって、対向基板またはマイクロレンズ基板は、ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域及びＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域に形成された凹部８と、この凹部内に充填形成された熱伝導体層９を備え、ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域に形成された熱伝導体層が、対向基板またはマイクロレンズ基板の端部まで延伸する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素がマトリックス形状に形成されたＴＦＴ基板と、該ＴＦＴ基板と所定の間隙を介して対面配置された対向基板またはマイクロレンズ基板と、前記ＴＦＴ基板及び対向基板またはマイクロレンズ基板の間隙内に保持された液晶と、前記ＴＦＴ基板及び対向基板またはマイクロレンズ基板とを取り付ける枠体とを有し、前記対向基板またはマイクロレンズ基板の端部が熱伝導性樹脂を介して前記枠体と接する液晶表示装置であって、
前記対向基板またはマイクロレンズ基板は、前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域及び前記ＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域に形成された凹部と、
該凹部に充填形成された熱伝導体層とを備え、
前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域に形成された前記熱伝導体層は、対向基板またはマイクロレンズ基板の端部まで延伸する
液晶表示装置。
【請求項２】
前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域に形成された前記熱伝導体層は、ストライプ形状またはマトリックス形状である
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記熱伝導体層は、前記ＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域には形成されない
請求項１または請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記熱伝導体層は、シール領域に所定の開口部を有する
請求項１、請求項２または請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記ＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域の全面に前記熱伝導体層が形成された
請求項１、請求項２または請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記凹部に充填形成された熱伝導体層を含む対向基板またはマイクロレンズ基板の全面に平坦化膜が形成された
請求項１、請求項２、請求項３、請求項４または請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記平坦化膜は、表面研磨加工が施された
請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記熱伝導体層は、白系金属膜から成る
請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６または請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
複数の画素がマトリックス形状に形成されたＴＦＴ基板と、該ＴＦＴ基板と所定の間隙を介して対面配置された対向基板またはマイクロレンズ基板と、前記ＴＦＴ基板及び対向基板またはマイクロレンズ基板の間隙内に保持された液晶と、前記ＴＦＴ基板及び対向基板またはマイクロレンズ基板とを取り付ける枠体とを有し、前記対向基板またはマイクロレンズ基板の端部が熱伝導性樹脂を介して前記枠体と接する液晶表示装置であって、
前記対向基板またはマイクロレンズ基板は、前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域及び前記ＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域に形成された熱伝導体層と、
該熱伝導体層を含む対向基板またはマイクロレンズ基板の全面に形成された平坦化膜とを備え、
前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域に形成された前記熱伝導体層は、対向基板またはマイクロレンズ基板の端部まで延伸する
液晶表示装置。
【請求項１０】
前記平坦化膜は、表面研磨加工が施された
請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域に形成された前記熱伝導体層は、ストライプ形状またはマトリックス形状である
請求項９または請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記熱伝導体層は、前記ＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域には形成されない
請求項９、請求項１０または請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記熱伝導体層は、シール領域に所定の開口部を有する
請求項９、請求項１０、請求項１１または請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記ＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域の全面に前記熱伝導体層が形成された
請求項９、請求項１０、請求項１１または請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記熱伝導体層は、白系金属膜から成る
請求項９、請求項１０、請求項１１、請求項１２、請求項１３または請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
複数の画素がマトリックス形状に形成されたＴＦＴ基板と、該ＴＦＴ基板と所定の間隙を介して対面配置された対向基板またはマイクロレンズ基板と、前記ＴＦＴ基板及び対向基板またはマイクロレンズ基板の間隙内に保持された液晶と、前記ＴＦＴ基板及び対向基板またはマイクロレンズ基板とを取り付ける枠体とを有する液晶表示装置の製造方法であって、
前記対向基板またはマイクロレンズ基板に、前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域に形成する凹部が対向基板またはマイクロレンズ基板の端部まで延伸する様に、前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域及び前記ＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域に凹部を形成する工程と、
該凹部に熱伝導体層を充填形成する工程と、
前記対向基板またはマイクロレンズ基板と前記枠体との間隙に熱伝導性樹脂を充填する工程とを備える
液晶表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域に、ストライプ形状またはマトリックス形状の凹部を形成する
請求項１６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記ＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域には、前記熱伝導体層を形成しない
請求項１６または請求項１７に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記熱伝導体層は、シール領域に所定の開口部を有する
請求項１６、請求項１７または請求項１８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記ＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域の全面に前記熱伝導体層を形成する
請求項１６、請求項１７または請求項１８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記凹部内に充填した熱伝導体層を含む対向基板またはマイクロレンズ基板の全面に平坦化膜を形成する
請求項１６、請求項１７、請求項１８、請求項１９または請求項２０に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記平坦化膜に表面研磨加工を施す工程を備える
請求項２１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２３】
前記熱伝導体層は、白系金属膜から成る
請求項１６、請求項１７、請求項１８、請求項１９、請求項２０、請求項２１または請求項２２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２４】
複数の画素がマトリックス形状に形成されたＴＦＴ基板と、該ＴＦＴ基板と所定の間隙を介して対面配置された対向基板またはマイクロレンズ基板と、前記ＴＦＴ基板及び対向基板またはマイクロレンズ基板の間隙内に保持された液晶と、前記ＴＦＴ基板及び対向基板またはマイクロレンズ基板とを取り付ける枠体とを有する液晶表示装置の製造方法であって、
前記対向基板またはマイクロレンズ基板に、前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域に形成する熱伝導体層が対向基板またはマイクロレンズ基板の端部まで延伸する様に、前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域及び前記ＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域に熱伝導体層を形成する工程と、
前記熱伝導体層を含む対向基板またはマイクロレンズ基板の全面に平坦化膜を形成する工程と、
前記ＴＦＴ基板及び対向基板またはマイクロレンズ基板と前記枠体との間隙に熱伝導性樹脂を充填する工程とを備える
液晶表示装置の製造方法。
【請求項２５】
前記平坦化膜に表面研磨加工を施す工程を備える
請求項２４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２６】
前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域に、ストライプ形状またはマトリックス形状の熱伝導体層を形成する
請求項２４または請求項２５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２７】
前記ＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域には前記熱伝導体層を形成しない
請求項２４、請求項２５または請求項２６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２８】
前記熱伝導体層は、シール領域に所定の開口部を有する
請求項２４、請求項２５、請求項２６または請求項２７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２９】
前記ＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域の全面に前記熱伝導体層を形成する
請求項２４、請求項２５、請求項２６または請求項２７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３０】
前記熱伝導体層は、白系金属膜から成る
請求項２４、請求項２５、請求項２６、請求項２７、請求項２８または請求項２９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置及びその製造方法に関する。詳しくは、相対向する一対の基板間に液晶物質を保持した構造を有する液晶表示装置及びその製造方法に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置による画像表示は、所定の間隙を介して対面配置された一対の基板間に電圧を印加し、基板の間隙内に保持された液晶物質の複屈折特性に基づいて光透過率を制御することによって行っており、対面配置された基板の間隔が画面内で均一でない場合には対向する電極間にかかる電界強度が画面内で相違し、画質上大きな問題となってしまうために、従来は間隔保持材として微細なガラスビーズを一方の基板上に所定量散布し、液晶物質内にガラスビーズが分散した状態とすることにより基板の間隔の調整を行っていた。
【０００３】
また近年は、相対的に良好な位置精度、寸法精度及び形状精度を実現できるフォトリソグラフィー技術やエッチング技術を用いて、基板の間隔が高精度かつ均一に調整された表示品質の良好な液晶表示装置を低コストで生産性良く製造できる様に、図１５で示す様に、ＴＦＴ基板１０１の平坦化膜１０２表面でかつブラックマトリックス１０３の位置に、平坦化膜と同じ有機材料から成り、ＴＦＴ基板と対向基板１０４の間に所定間隙を形成する突起部１０５が形成された液晶表示装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
更に、液晶の配向の乱れを抑制すると共に配向膜の膜厚ムラやラビングムラを視認され難くし、高品位の画像が得られる様に、突起部の配置密度を１００〜２０００個／ｍｍ２、突起部の断面積を１〜１００μｍ２とし、その配置は図１６（ａ）で示す様な突起部を各画素電極１０６に対し等価に配列、図１６（ｂ）で示す様な突起部を各画素電極に対し市松模様に配列及び図１６（ｃ）で示す様な任意の突起部とそれに隣接する複数の突起部との距離が略一定である配列とする液晶表示装置が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【０００５】
また、近年の液晶表示装置の高輝度化に伴う入射光量の増大により、液晶表示装置の冷却が重要となってきており、図１７で示す様に、ＴＦＴ基板の表示領域に対応する対向基板の領域である図１７中符号Ｃで示す領域に図１７（ａ）で示す様なストライプ形状または図１７（ｂ）で示す様なマトリックス形状のアルミニウム膜１０７を形成し、ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に入射する不必要な入射光を反射することによってコントラスト向上と同時に液晶表示装置の冷却を行っている。
【０００６】
更に、厚手の石英ガラスやネオセラムガラス（日本電気硝子製）等の透明結晶化ガラスなどを対向基板に、厚手の石英ガラスをＴＦＴ基板に貼り合わせて、表面積を大きくすることによって冷却機能を高めると共に、付着ゴミのフォーカスをぼかす防塵効果を得る対策を行っている。
【０００７】
【特許文献１】
特開２０００−２０６５４１号公報  （第２−９頁、第１図）
【０００８】
【特許文献２】
特開２００１−３１８３８３号公報  （第２−４頁、第２図）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、画素開口部の周辺領域に入射する光を反射することによる冷却や、石英ガラス及び透明結晶化ガラスをＴＦＴ基板及び対向基板に貼り合わせることによる表面積大化での冷却ではその冷却効果が充分で無く、ますますの液晶表示装置の高輝度化に対応しきれていない。
なお、少なくとも対向基板に貼り合わせるガラス材として透明な単結晶サファイア、透明な焼結マグネシア（ＭｇＯ）、透明な単結晶マグネシア（ＭｇＯ）等の高熱伝導性ガラスを用いることも検討されてはいるが、高価であり汎用性が低い。
【００１０】
本発明は以上の点に鑑みて創案されたものであって、対面配置された基板の間隔の画面内での均一性向上による光学特性向上を図ると共に、高い冷却効果による長寿命化の液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明に係る液晶表示装置は、複数の画素がマトリックス形状に形成されたＴＦＴ基板と、該ＴＦＴ基板と所定の間隙を介して対面配置された対向基板またはマイクロレンズ基板と、前記ＴＦＴ基板及び対向基板またはマイクロレンズ基板の間隙内に保持された液晶と、前記ＴＦＴ基板及び対向基板またはマイクロレンズ基板とを取り付ける枠体とを有し、前記対向基板またはマイクロレンズ基板の端部が熱伝導性樹脂を介して前記枠体と接する液晶表示装置であって、前記対向基板またはマイクロレンズ基板は、前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域及び前記ＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域に形成された凹部と、該凹部に充填形成された熱伝導体層とを備え、前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域に形成された前記熱伝導体層は、対向基板またはマイクロレンズ基板の端部まで延伸する。
【００１２】
ここで、ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域に形成された熱伝導体層が対向基板またはマイクロレンズ基板の端部まで延伸することによって、熱伝導性樹脂を介して枠体へ放熱を行うことができるので、冷却効果を高め長寿命化を図ることができる。
また、ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域及びＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域に形成された凹部内に充填形成される熱伝導体層表面を研磨などの平坦化処理することにより、対向基板またはマイクロレンズ基板の液晶側表面の平坦性が向上し、ＴＦＴ基板及び対向基板またはマイクロレンズ基板間の液晶ギャップの均一性向上による光学特性向上を図ることができる。
【００１３】
また、本発明に係る液晶表示装置は、複数の画素がマトリックス形状に形成されたＴＦＴ基板と、該ＴＦＴ基板と所定の間隙を介して対面配置された対向基板またはマイクロレンズ基板と、前記ＴＦＴ基板及び対向基板またはマイクロレンズ基板の間隙内に保持された液晶と、前記ＴＦＴ基板及び対向基板またはマイクロレンズ基板とを取り付ける枠体とを有し、前記対向基板またはマイクロレンズ基板の端部が熱伝導性樹脂を介して前記枠体と接する液晶表示装置であって、前記対向基板またはマイクロレンズ基板は、前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域及び前記ＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域に形成された熱伝導体層と、前記熱伝導体層を含む対向基板またはマイクロレンズ基板の全面に必要に応じて光学研磨などで平坦性を高めた平坦化膜とを備え、前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域に形成された前記熱伝導体層は、対向基板またはマイクロレンズ基板の端部まで延伸する。
【００１４】
ここで、ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域に形成された熱伝導体層が対向基板またはマイクロレンズ基板の端部まで延伸することによって、熱伝導性樹脂を介して枠体へ放熱を行うことができるので、冷却効果を高め長寿命化を図ることが出来る。
さらに、熱伝導体層を含む対向基板またはマイクロレンズ基板の全面に形成された平坦化膜によって、熱伝導体層が形成されることにより対向基板またはマイクロレンズ基板の液晶側表面が凹凸形状となることは無く、ＴＦＴ基板及び対向基板またはマイクロレンズ基板間の液晶ギャップの均一性向上による光学特性向上を図ることができる。
【００１５】
また、上記の目的を達成するために、本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、複数の画素がマトリックス形状に形成されたＴＦＴ基板と、該ＴＦＴ基板と所定の間隙を介して対面配置された対向基板またはマイクロレンズ基板と、前記ＴＦＴ基板及び対向基板またはマイクロレンズ基板の間隙内に保持された液晶と、前記ＴＦＴ基板及び対向基板またはマイクロレンズ基板とを取り付ける枠体とを有する液晶表示装置の製造方法であって、前記対向基板またはマイクロレンズ基板に、前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域に形成する凹部が対向基板またはマイクロレンズ基板の端部まで延伸する様に、前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域及び前記ＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域に凹部を形成する工程と、該凹部内に熱伝導体層を充填形成する工程と、前記対向基板またはマイクロレンズ基板と前記枠体との間隙に熱伝導性樹脂を充填する工程とを備える。
【００１６】
ここで、ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域に形成する凹部が対向基板またはマイクロレンズ基板の端部まで延伸する様に、ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域及びＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域に凹部を形成し、この凹部内に熱伝導体層を充填形成した後に対向基板またはマイクロレンズ基板と枠体との間隙に熱伝導性樹脂を充填することによって、熱伝導性樹脂を介して枠体に放熱を行うことで、冷却効果を高め長寿命化を図ることができる。
【００１７】
また、本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、複数の画素がマトリックス形状に形成されたＴＦＴ基板と、該ＴＦＴ基板と所定の間隙を介して対面配置された対向基板またはマイクロレンズ基板と、前記ＴＦＴ基板及び対向基板またはマイクロレンズ基板の間隙内に保持された液晶と、前記ＴＦＴ基板及び対向基板またはマイクロレンズ基板とを取り付ける枠体とを有する液晶表示装置の製造方法であって、前記対向基板またはマイクロレンズ基板に、前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域に形成する熱伝導体層が対向基板またはマイクロレンズ基板の端部まで延伸する様に、前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域及び前記ＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域に熱伝導体層を形成する工程と、前記熱伝導体層を含む対向基板またはマイクロレンズ基板の全面に必要に応じて光学研磨などで平坦性を高めた平坦化膜を形成する工程と、前記対向基板またはマイクロレンズ基板と前記枠体との間隙に熱伝導性樹脂を充填する工程とを備える。
【００１８】
ここで、ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域に形成する熱伝導体層が対向基板またはマイクロレンズ基板の端部まで延伸する様に、ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域及びＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域に熱伝導体層を形成し、ＴＦＴ基板及び対向基板またはマイクロレンズ基板と枠体との間隙に熱伝導性樹脂を充填することによって、熱伝導性樹脂を介して枠体へ放熱を行うことで、冷却効果を高め長寿命化を図ることができる。
さらに、熱伝導体層を含む対向基板またはマイクロレンズ基板の全面に必要に応じて光学研磨などで平坦性を高めた平坦化膜を形成することによって、熱伝導体層を形成したことにより対向基板またはマイクロレンズ基板の液晶側表面が凹凸形状となることは無く、ＴＦＴ基板及び対向基板またはマイクロレンズ基板間の液晶ギャップの均一性向上による光学特性向上を図ることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明し、本発明の理解に供する。
【００２０】
図１は本発明を適用した液晶表示装置の一例を説明するための模式的な図、図２は本発明を適用した液晶表示装置の一例を説明するための模式的な部分拡大図、図３は本発明を適用した液晶表示装置の一例における対向基板の構成を説明するための模式的な図であり、ここで示す液晶表示装置１はシール剤１８によって約２．０μｍの間隙を介して重ね合わせられたＴＦＴ基板２及び対向基板３と、これらＴＦＴ基板及び対向基板の間隙内に保持された液晶４とを備えている。また、ＴＦＴ基板及び対向基板が黒化処理されたアルミニウムやチタン等から成る金属枠１０に取り付けられており、金属枠とＴＦＴ基板及び対向基板との隙間には高熱伝導性樹脂１１が充填されている。
【００２１】
上記したＴＦＴ基板は、画素開口部、ＴＦＴ、配線等を形成する有効領域に対応する表示領域と、表示領域外の全ての領域であり、周辺回路領域とシール領域及びその外側領域に対応する周辺領域とを有し、表示領域には、多数の画素がマトリックス形状に設けられており、互いに隣り合う画素の間には、行方向に沿って配列されたスキャンラインや列方向に沿って配列されたデータラインといった信号線５が設けられ、これらスキャンラインとデータラインとが交差する付近に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等からなる液晶駆動用のスイッチング素子が形成されている。なお、ＴＦＴ基板の液晶側表面に必要に応じて光学研磨などで平坦性を高めた平坦化膜６及びＩＴＯ（インジウム−錫系透明導電膜）やＩＺＯ（インジウム−酸化亜鉛系透明導電膜）等から成る１３０〜１５０ｎｍの透明画素電極２１が形成され、透明画素電極の上層に配向膜（１）７が形成されて配向処理されている。
【００２２】
また、対向基板の液晶側表面には、ＴＦＴ基板におけるデータラインの配列位置に対応する個所及びＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域の全領域に深さ２μｍ、幅３μｍの凹部８が形成されており、この凹部内に高熱伝導体層例えばアルミニウム膜９が充填形成されている。更に、対向基板の液晶側表面には必要に応じて光学研磨などで平坦性を高めた３〜５μｍの平坦化膜例えばＳｉＯ２膜１２が形成され、このＳｉＯ２膜の上層に１３０〜１５０ｎｍの透明電極１３が形成され、透明電極の上層に配向膜（２）１４が形成されて配向処理されている。
【００２３】
ここで、ＴＦＴ基板の表示領域内に対応するに形成された高熱伝導体層例えばアルミニウム膜（以下、内側アルミニウム膜と言う）は、ＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域に形成されたアルミニウム膜（以下、外側アルミニウム膜と言う）を介して高熱伝導性樹脂と接し金属枠に放熱する様に形成されれば良く、必ずしもＴＦＴ基板におけるデータラインの配列位置に対応する個所に形成された液晶注入方向の縦型ストライプ形状である必要は無く、図４（ａ）で表す模式的な断面図及び図４（ｂ）で表す模式的な平面図で示す様に、アルミニウム膜がＴＦＴ基板におけるスキャンラインの配列位置に対応する個所に形成された横型ストライプ形状や、図５（ａ）で表す模式的な断面図及び図５（ｂ）で表す模式的な平面図で示す様に、アルミニウム膜がＴＦＴ基板におけるデータライン及びスキャンラインの配列位置に対応する個所に形成されたマトリックス形状であっても構わない。
尚、更なる画素間の光漏れを防ぎコントラスト向上の為には、マトリックス形状が好ましい。
【００２４】
同様に、外側アルミニウム膜は、入射光による表示領域内の発熱を内側アルミニウム膜が、効率良く外側アルミニウム膜及び高熱伝導性樹脂を介して金属枠等に放熱されれば良く、必ずしもＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域の全領域に形成される必要は無く、部分的に形成されていても構わない。但し、周辺回路等が形成されるＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域の全領域を外側アルミニウム膜で遮光することによって、光漏れによるＴＦＴリークトラブルを抑制でき、見切り板が不要となりコスト削減が図れると考えられるために、外側アルミニウム膜はＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域の全領域に形成された方が好ましい。
【００２５】
なお、シール剤として紫外線（以降はＵＶと略する）照射硬化型接着剤またはＵＶ照射硬化及び熱硬化型接着剤が用いられる場合において、ＴＦＴ基板のシール領域が配線等によって光透過が不充分である場合には、外側アルミニウム膜はＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域の全領域に形成されるのではなく、少なくとも対向基板側からＵＶ照射してシール剤が硬化する程度の隙間が外側アルミニウム膜に形成される必要がある。
即ち、シール剤としてＵＶ照射硬化型接着剤またはＵＶ照射硬化及び熱硬化型接着剤が用いられる場合において、図６（ａ）で示す様に外側アルミニウム膜がＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域の全領域に形成されると、対向基板側からＵＶ照射してシール剤を硬化することができないために、シール剤を硬化させＴＦＴ基板と対向基板の重ね合わせを行うべくＵＶをＴＦＴ基板側から照射する必要があるが、ＴＦＴ基板のシール領域の光透過が不充分である場合にはシール剤が充分に硬化できないということになってしまう。従って、対向基板側からＵＶ照射することによりシール剤を硬化することができる様に、例えば、図６（ｂ）で示す様にシール領域にストライプ形状に形成された内側アルミニウム膜と同ピッチの隙間を形成するといった具合に、外側アルミニウム膜に隙間が形成される必要がある。なお、シール剤として熱硬化型接着剤が用いられる場合にはこの様な対策は不要である。
【００２６】
また、図３で示す内側アルミニウム膜に形成された凸部１５は、ＴＦＴ基板に設けられたＴＦＴ部を遮光するために形成されているのであるが、凸部が形成されることがなくてもＴＦＴ部を遮光することができる場合には、図４や図５で示す様に内側アルミニウム膜に凸部が形成される必要は無い。
【００２７】
ここで、アルミニウム膜は対向基板に形成された凹部内に充填形成されており、アルミニウム膜が設けられることによって対向基板の液晶側表面が凹凸状になることはないので、平坦化膜として機能する有機系透明樹脂膜や無機系膜例えばＳｉＯ２膜は必ずしも形成される必要は無いが、より一層平坦性を高め透明電極との密着性を高めるためにはＳｉＯ２膜は形成された方が好ましい。そして、光学研磨などにより更に平坦性を高めたＳｉＯ２膜としてもよい。
【００２８】
また、熱伝導体層は高熱伝導性樹脂を介して金属枠に放熱を行うことができれば充分であり、必ずしもアルミニウム膜である必要は無く、金属膜（アルミニウム−Ｓｉ合金、クロム、モリブデン、モリブデン−タンタル合金、銀、銀合金、ニッケル、ニッケル合金、チタン、チタン合金等）や、金属微粉末を混入した樹脂膜（銀、アルミニウム等の数μｍ粒を７０〜８０重量％含有するエポキシ、アクリル等の耐光性樹脂）や、セラミックス膜であっても良いが、ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に入射する不要な光を反射することができる様に、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金等の白系金属膜が好ましい。
【００２９】
また、対向基板材としては、石英ガラス、アルミノけい酸ガラス、ほうけい酸ガラス、透過性結晶化ガラス（ネオセラム、クリアセラム、ゼロデュアなど）、などのいずれでもよい。
なお、ＴＦＴ基板材としては石英ガラス、特に合成石英ガラスが好ましい。
【００３０】
また、上記した液晶表示装置では、ＴＦＴ基板及び対向基板にガラス材が貼り合わせられていないが、表面積を大きくすることによって冷却機能を高めると共に、付着ゴミのフォーカスをぼかすべく、図７で示す様にその表面に低反射膜２２が形成された防塵ガラス２３がＴＦＴ基板及び対向基板に耐光性透明接着剤によって貼り合わせられた方が好ましい。
なお、この防塵ガラス材としては、石英ガラス、透過性結晶化ガラス（ネオセラム、クリアセラム、ゼロデュアなど）、透過性ＹＡＧセラミックス、透過性マグネシア（焼結ＭｇＯ、単結晶ＭｇＯなど）、単結晶サファイアなどのいずれでもよく、特に、高熱伝導性ガラス（透過性ＹＡＧセラミックス、透過性マグネシア、単結晶サファイアなど）と本発明の対向基板と組み合わせると更に放熱効果を高めることができる。
【００３１】
更に、上記では、ＴＦＴ基板及び対向基板を重ね合わせた液晶表示装置を例に挙げて説明を行ったが、図８で示す様に、支持基板２４、マイクロレンズアレイ領域２５及びスタック基板２６を備えるマイクロレンズ基板２７とＴＦＴ基板とを重ね合わせた液晶表示装置においても、スタック基板のマイクロレンズアレイ領域側表面に、ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域及びＴＦＴ基板の周辺領域に凹部が形成されると共に、凹部内に高熱伝導体層例えばアルミニウム膜が充填形成されることによって、ＴＦＴ基板及び対向基板を重ね合わせた液晶表示装置と同様に後述する様な効果を得ることができると共に、マイクロレンズ基板の画素間光漏れを低減できるために、コントラスト向上と更なる高精度化、高輝度化を実現することができる。
【００３２】
以下、上記した本発明を適用した液晶表示装置の一例の製造方法について説明する。即ち、本発明を適用した液晶表示装置の製造方法の一例について説明する。
【００３３】
本発明を適用した液晶表示装置の製造方法の一例では、先ず、図９（ａ）で示す様に、石英ガラス基板１６の表面にフォトレジスト１７を塗布し、汎用のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術によって後述する工程で重ね合わせを行うＴＦＴ基板に形成された画素開口部周辺に対応する個所及びＴＦＴ基板の周辺領域の全領域に対応する領域に、例えば深さ約２μｍ、幅約３μｍのストライプ形状又はマトリックス形状の凹部が形成される様にエッチングを行う。なお、エッチングはドライエッチング、ウェットエッチングのいずれでもよい。
【００３４】
次に、図９（ｂ）で示す様に、スパッタリングや真空蒸着により石英ガラス全面にアルミニウム膜を例えば約２μｍ厚形成した後に、リストオフ技術によってフォトレジストの剥離を行い、凹部以外の個所に形成されたアルミニウム膜も同時に剥離除去して、凹部内に充填形成したアルミニウム膜の熱伝導体層を形成する。
この時に、石英ガラスと密着性の良い金属膜を使用することが好ましく、さらには密着性を向上させる為に、下地膜として例えば約１００ｎｍのＳｉＯ２膜を形成した上にアルミニウム膜２μｍ厚を形成しても良い。
なお、ＣＶＤによる遮光性金属膜、例えばＷＳｉ膜を例えば約２μｍ形成する場合はフォトレジストの剥離をしておく必要がある。
また、入射光吸収による発熱低減のために、反射率の高い白色系金属を用いた方が好ましい。
【００３５】
ここでは、リストオフ技術によってフォトレジストの剥離を行い、同時に凹部以外の個所に形成された不要なアルミニウム膜の除去を行ったが、汎用のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術によって凹部以外の個所に形成された不要なアルミニウム膜の除去を行っても構わない。なお、この時に凹部に多少の凸部が残ったとしても後述する工程において平坦化膜を形成するために問題とはならない。
その後に、スクラブ洗浄などで凹部以外のアルミニウム膜を完全除去する。
尚、必要に応じてＣＭＰ等の研磨により凹部以外のアルミニウム膜を追加除去してもよい。
【００３６】
続いて、図９（ｃ）で示す様に、石英ガラス表面にプラズマＣＶＤ法、スパッタリング法などによりＳｉＯ２膜を例えば１０〜１５μｍ形成する。又は、耐光性透明アクリル又はエポキシ系樹脂膜例えば１０〜１５μｍをスピンコートで形成する。
この時に、プラズマＣＶＤ法の場合は反応ガスとしてＳｉＨ４−Ｎ２Ｏ系、ＴＥＯＳ−Ｏ２系のいずれのＳｉＯ２膜でもよい。又、スパッタリング法の場合は、Ｓｉ又はＳｉＯ２ターゲットをアルゴン＋酸素ガスのスパッタリングで成膜する。
その後に、ＣＭＰなどで光学研磨して平坦性を高めて例えば３〜５μｍ厚の平坦化膜を形成する。
尚、透明樹脂膜形成の場合は、密着性向上の為にシランカップリング剤をコートしてもよい。
【００３７】
平坦化を行った後にＳｉＯ２膜全面にＩＴＯやＩＺＯの透明電極１３０〜１５０ｎｍを形成する。次に、ロールコーティング法やスピンコーティング法によりポリイミド等の有機系の配向膜（２）を形成し、配向処理を施すことによって図９（ｄ）で示す様な対向基板を得ることができる。
【００３８】
ここで、配向膜（２）としてポリイミド等のラビング用有機配向膜またはノンラビング用光有機配向膜を用いる場合には、ロールコーティングやスピンコーティングで塗布を行った後に、図９（ａ）中符号Ａで示す縦型ストライプ形状にエッチングされた内側アルミニウム膜と同方向にラビング、または基板に対して斜め方向から偏光ＵＶ照射を行うことによって配向処理を施す。また、配向膜（２）として無機配向膜を用いる場合には、図９（ａ）中符号Ａで示す縦型ストライプ形状にエッチングされた内側アルミニウム膜と同方向にＳｉＯ斜方蒸着することによって配向処理を施したり、ＤＬＣ膜の斜方蒸着及びイオンブローの場合には図９（ａ）中符号Ａで示す縦型ストライプ形状にエッチングされた内側アルミニウム膜と同方向に斜方蒸着しイオンブローすることによって配向処理を施したりする。
【００３９】
次に、図９（ｅ）で示す様に、表示領域に多数の画素がマトリックス形状に設けられおり、互いに隣り合う画素の間には、行方向に沿って配列されたスキャンラインや列方向に沿って配列されたデータラインといった信号線が設けられ、これらスキャンラインとデータラインとが交差する付近にＴＦＴ等からなる液晶駆動用のスイッチング素子が形成されると共に、液晶側表面に平坦化膜及び透明画素電極が形成され、透明画素電極の上層に配向膜（１）が形成されて配向処理されたＴＦＴ基板と前記対向基板をダイシング分割し、ＴＦＴ基板と対向基板の良品同士をＴＦＴ基板に形成されたデータラインの配列位置と対向基板に形成した内側アルミニウム膜の位置が合致する様にシール剤１８を用いて重ね合わせる。なお、重ね合わせの際には、感光性樹脂をＴＦＴ基板全面に塗布し、汎用のフォトリソグラフィー技術によりＴＦＴ基板に設けられた画素同士の境界領域に形成された例えば約２μｍφ、約２μｍ厚のＯＣＳ（ｏｎ  ｃｈｉｐ  ｓｐａｃｅｒ）１９によってＴＦＴ基板と対向基板との間隙の調整を行う。更に、内側アルミニウム部に形成された凸部がＴＦＴ部を遮光するように、重ね合わせを行う。
尚、この時に、ＯＣＳの代わりに、シール剤中に液晶ギャップ相当の大きさのフィラーを混入してシールしてもよい。
【００４０】
なお、配向膜（１）としてポリイミド等のラビング用有機配向膜またはノンラビング用光有機配向膜を用いる場合には、ロールコーティングやスピンコーティングで塗布を行った後に、対向基板のラビング方向と４５°または９０°の方向にラビングまたは対向基板の偏光ＵＶ照射配向方向に対して４５°または９０°の方向にＴＦＴ基板に対して斜め方向から偏光ＵＶ照射して配向処理を施す。また、配向膜（１）として無機配向膜を用いる場合には、対向基板の斜方蒸着方向と４５°または９０°の方向にＳｉＯ斜方蒸着することによって配向処理を施したり、ＤＬＣ膜の斜方蒸着及びイオンブローの場合には図９（ａ）中符号Ａで示す縦型ストライプ形状にエッチングされた内側アルミニウム膜と４５°または９０°の方向に斜方蒸着しイオンブローすることによって配向処理を施したりする。
【００４１】
次に、シール剤で囲まれた領域に例えばネマティック液晶｛ツイストネマティック（ＴＮ）型液晶、垂直配向型液晶など｝の注入封止及び熱処理での液晶配向処理を行って、フレキシブル基板２０を取り付けた後に、高熱伝導性樹脂でＴＦＴ基板及び対向基板をアルミニウムやチタン等から成る、乱反射の悪影響を抑制すべく黒化処理が施された金属枠に取り付け、ＴＦＴ基板及び対向基板と金属枠との隙間に高熱伝導性樹脂を注入することによって図１で示す様な液晶表示装置を得ることができる。
【００４２】
なお、図８に示すようにマイクロレンズ基板とＴＦＴ基板とを重ね合わせた液晶表示装置を製造する場合においては、上記した本発明を適用した液晶表示装置の製造方法の一例と同様にしてスタック基板表面に凹部及び充填したアルミニウム膜を形成し、この形成面とマイクロレンズアレイ領域形成面を透明樹脂を介して貼り合わせ、スタック基板の裏面を研磨することにより所定のスタック膜厚のマイクロレンズ基板を得た後に透明電極及び配向膜（２）を形成して配向処理を行い、ＴＦＴ基板と重ね合わせを行う。
【００４３】
図１０は本発明を適用した液晶表示装置の他の一例を説明するための模式的な図、図１１は本発明を適用した液晶表示装置の他の一例を説明するための模式的な部分拡大図であり、ここで示す液晶表示装置１は上記した本発明を適用した液晶表示装置の一例と同様にシール剤によって約２．０μｍの間隙を介して重ね合わせられたＴＦＴ基板２及び対向基板３と、これらＴＦＴ基板及び対向基板の間隙内に保持された液晶４とを備えている。また、ＴＦＴ基板及び対向基板が黒化処理されたアルミニウムやチタン等から成る金属枠に取り付けられており、金属枠とＴＦＴ基板及び対向基板との隙間には高熱伝導性樹脂が充填されている。
【００４４】
上記した対向基板の液晶側表面には、ＴＦＴ基板におけるデータラインの配列位置に対応する個所及びＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域の全領域にスパッタリングや真空蒸着等により膜厚が２５ｎｍ以上例えば約１．０μｍであるアルミニウム膜９が形成されている。また、アルミニウム膜の上層には必要に応じて光学研磨などで平坦性を高めた３〜５μｍの平坦化膜例えばＳｉＯ２膜１２が形成され、このＳｉＯ２膜の上層に１３０〜１５０ｎｍの透明電極１３が形成され、透明電極層の上層に配向膜（２）１４が形成されて配向処理されている。
【００４５】
ここで、内側アルミニウム膜は外側アルミニウム膜を介して高熱伝導性樹脂と接し金属枠に放熱する様に形成されれば良く、必ずしも縦型ストライプ形状である必要は無く、横型ストライプ形状やマトリックス形状であっても構わない点、外側アルミニウム膜は内側アルミニウム膜と高熱伝導性樹脂とが接する様に形成されれば良く、必ずしもＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域の全領域に形成される必要は無く、部分的に形成されていても構わないが、光漏れによるＴＦＴリークトラブルを抑制でき、見切り板が不要となりコスト削減が図れるために、外側アルミニウム膜はＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域の全領域に形成された方が好ましい点、更に、シール剤としてＵＶ照射硬化型接着剤またはＵＶ照射硬化及び熱硬化型接着剤が用いられる場合において、ＴＦＴ基板のシール領域が配線等によって光透過が不充分である場合には、外側アルミニウム膜はＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域の全領域に形成されるのではなく、少なくとも対向基板側からＵＶ照射してシール剤が硬化する程度の隙間が外側アルミニウム膜に形成される必要がある点、凸部が形成されることがなくてもＴＦＴ部を遮光することができる場合には、内側アルミニウム膜に凸部が形成される必要が無い点及び熱伝導体層は高熱伝導性樹脂を介して金属枠に放熱を行うことができれば充分であり、必ずしもアルミニウム膜である必要は無く、金属膜や金属微粉末を混入した樹脂膜や、セラミックス膜であっても良いが、ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に入射する不要な光を反射することができる様に、白系金属膜が好ましい点などは上記した本発明を適用した液晶表示装置の一例と同様である。
【００４６】
なお、上記した液晶表示装置では、ＴＦＴ基板及び対向基板にガラス材が貼り合わせられていないが、表面積を大きくすることによって冷却機能を高めると共に、付着ゴミのフォーカスをぼかすべく、図１２で示す様にその表面に低反射膜が形成された防塵ガラスがＴＦＴ基板及び対向基板に耐光性透明接着剤によって貼り合わせられた方が好ましい。
また、前記同様に、この防塵ガラス材としては石英ガラス、透過性結晶化ガラス（ネオセラム、クリアセラム、ゼロデュアなど）、透過性ＹＡＧセラミックス、透過性マグネシア（焼結ＭｇＯ、単結晶ＭｇＯなど）、単結晶サファイアなどのいずれでもよく、特に高熱伝導性ガラス（透過性ＹＡＧセラミックス、透過性マグネシア、単結晶サファイアなど）と本発明の対向基板を組み合わせると更に冷却効果を高めることが出来る。
【００４７】
更に、上記では、ＴＦＴ基板及び対向基板を重ね合わせた液晶表示装置を例に挙げて説明を行ったが、図１３で示す様に、支持基板、マイクロレンズアレイ領域及びスタック基板を備えるマイクロレンズ基板とＴＦＴ基板とを重ね合わせた液晶表示装置においても、スタック基板のマイクロレンズアレイ領域側表面に、ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域及びＴＦＴ基板の周辺領域に高熱伝導体層例えばアルミニウム膜が形成されると共にアルミニウム膜の上層に必要に応じて光学研磨などで平坦性を高めた無機系膜例えばＳｉＯ２膜が形成されることによって、ＴＦＴ基板及び対向基板を重ね合わせた液晶表示装置と同様に後述する様な効果を得ることができると共に、マイクロレンズ基板の画素間光漏れを低減できるために、コントラスト向上と更なる高精度化、高輝度化を実現することができる。
【００４８】
以下、上記した本発明を適用した液晶表示装置の他の一例の製造方法について説明する。即ち、本発明を適用した液晶表示装置の製造方法の他の一例について説明する。
【００４９】
本発明を適用した液晶表示装置の製造方法の他の一例では、先ず、図１４（ａ）で示す様に、石英ガラス基板１６の表面にスパッタリングや真空蒸着等により膜厚が２５ｎｍ以上例えば約１．０μｍである高熱伝導体層例えばアルミニウム膜を形成した後に、後述する工程で重ね合わせを行うＴＦＴ基板に形成された画素開口部周辺に対応する個所及びＴＦＴ基板の周辺領域の全領域に対応する領域に、アルミニウム膜が残存する様に、汎用のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術によってアルミニウム膜を３０〜４５°のテーパエッチングを行って台形状にする。なおエッチングはドライエッチング、ウェットエッチングのいずれでも良いが、ドライエッチングの方がテーパエッチングして台形状にし易い。また、入射光吸収による発熱低減の為に、反射率の高い白色系金属を用いた方が好ましい。
【００５０】
ここで、本発明を適用した液晶表示装置の製造方法の他の一例では、高熱伝導体層として金属膜（アルミニウム膜）を使用しているために、スパッタリングや真空蒸着等によりアルミニウム膜を形成した後に、汎用のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術によってテーパエッチングして台形状に加工しているが、高熱伝導体層として金属微粉末を混入した樹脂膜を使用する場合には、銀、アルミニウム等の数μｍ粒を７０〜８０重量％含有するエポキシ、アクリル等の感光性樹脂薄膜を汎用のフォトリソグラフィー技術でパターニングし、ポストキュアで台形状に加工を行い、高熱伝導体層としてセラミックス膜を使用する場合には、スパッタリングによってセラミックス薄膜を形成し、汎用のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術またはリストオフ技術で台形状に加工を行う。
【００５１】
次に、図１４（ｂ）で示す様に、アルミニウム膜表面にプラズマＣＶＤ法、スパッタリング法などによりＳｉＯ２膜を１０〜１５μｍ形成する。又は、耐光性透明アクリル又はエポキシ系樹脂膜１０〜１５μｍをスピンコートで形成する。
この時に、プラズマＣＶＤ法の場合は反応ガスとしてＳｉＨ４−Ｎ２Ｏ系、ＴＥＯＳ−Ｏ２系のいずれのＳｉＯ２膜でもよい。又、スパッタリング法の場合は、Ｓｉ又はＳｉＯ２ターゲットをアルゴン＋酸素ガスのスパッタリングで成膜する。
その後に、ＣＭＰなどで光学研磨して平坦性を高めて３〜５μｍ厚の平坦化膜を形成する。
尚、透明樹脂膜形成の場合は、密着性向上の為にシランカップリング剤をコートしてもよい。
【００５２】
続いて、図１４（ｃ）で示す様に、ＳｉＯ２膜の上層にＩＴＯやＩＺＯの透明電極を形成した後、有機系または無機系の配向膜（２）を形成し、配向処理を施すことによって図１４（ｄ）で示す様な対向基板を得ることができる。
【００５３】
次に、図１４（ｅ）で示す様に、表示領域に多数の画素がマトリックス形状に設けられており、互いに隣り合う画素の間には、行方向に沿って配列されたスキャンラインや列方向に沿って配列されたデータラインといった信号線が設けられ、これらスキャンラインとデータラインとが交差する付近にＴＦＴ等からなる液晶駆動用のスイッチング素子が形成されると共に、液晶側表面に平坦化膜及び透明画素電極が形成され、透明画素電極の上層に配向膜（１）が形成されて配向処理されたＴＦＴ基板と前記対向基板をダイシング分割し、ＴＦＴ基板と対向基板の良品同士をＴＦＴ基板に形成されたデータラインの配列位置と対向基板に形成した内側アルミニウム膜との位置が合致する様にシール剤１８を用いて重ね合わせる。なお、重ね合わせの際には、上記した本発明を適用した液晶表示装置の製造方法の一例と同様に、感光性樹脂をＴＦＴ基板全面に塗布し、汎用のフォトリソグラフィー技術によりＴＦＴ基板に設けられた画素同士の境界領域に形成された例えば約２μｍφ、約２μｍ厚のＯＣＳ１９によってＴＦＴ基板と対向基板との間隙の調整を行う。
尚、この時に、ＯＣＳの代わりに、シール剤中に液晶ギャップ相当の大きさのフィラーを混入してシールしてもよい。
【００５４】
続いて、上記した本発明を適用した液晶表示装置の製造方法と同様に、シール剤で囲まれた領域に例えばネマティック液晶｛ツイストネマティック（ＴＮ）型液晶、垂直配向型液晶など｝の注入封止及び熱処理での液晶配向処理を行って、フレキシブル基板２０を取り付けた後に、高熱伝導性樹脂でＴＦＴ基板及び対向基板をアルミニウムやチタン等から成る、乱反射の悪影響を抑制すべく黒化処理が施された金属枠に取り付け、ＴＦＴ基板及び対向基板と金属枠との隙間に高熱伝導性樹脂を注入することによって図１０で示す様な液晶表示装置を得ることができる。
【００５５】
なお、図１３に示すようにマイクロレンズ基板とＴＦＴ基板とを重ね合わせた液晶表示装置を製造する場合においては、上記した本発明を適用した液晶表示装置の製造方法の他の一例と同様にしてスタック基板表面に高熱伝導体層としてのアルミニウム膜及び必要に応じて光学研磨などで平坦性を高めた平坦化膜としてのＳｉＯ２膜を形成し、この形成面とマイクロレンズアレイ領域形成面とを透明樹脂を介して貼り合わせ、スタック基板の裏面を研磨することにより所定のスタック膜厚のマイクロレンズ基板を得た後に透明電極及び配向膜（２）を形成して配向処理を行い、ＴＦＴ基板と重ね合わせを行い、シールした後に液晶注入封止する。
【００５６】
【発明の効果】
上記した本発明を適用した液晶表示装置では、高熱伝導体層例えばアルミニウム膜が表示領域内のみならず、シール剤を超えて対向基板端またはマイクロレンズ基板端まで形成されているために、対向基板またはマイクロレンズ基板と金属枠との隙間に注入された高熱伝導性樹脂を介して金属枠に放熱を行うことが可能であり、冷却効果が高く、液晶表示装置の長寿命化を実現することができる。また、必要に応じて光学研磨などで平坦性を高めた平坦化膜を高熱伝導体層上に形成することにより液晶ギャップの均一性の向上を通じて、液晶表示装置の光学特性の向上を図ることができる。
【００５７】
更に、周辺回路領域、シール領域及びシール領域以外の領域といった開口部以外の全ての領域をアルミニウム膜で覆っているために、上記した高熱伝導性樹脂を介しての金属枠への放熱をより一層促進することができ、液晶表示装置の一層の長寿命化を図ることができる。また、周辺回路全域を遮光しているために、光漏れによるＴＦＴリークトラブルが無く、見切り板が不要でコストの削減を図ることができる。更には、開口部周辺を遮光しているためにコントラスト向上と更なる高輝度化、高精細化が可能となる。
【００５８】
また、縦型ストライプ形状或いは横型ストライプ形状に形成された内側アルミニウム膜と同方向にラビング或いは斜方蒸着を行うことにより配向処理を行っているために、内側アルミニウム膜を形成することによる配向ムラの心配も無い。
【００５９】
また、ＴＦＴ基板の表示領域内に対応する領域に形成された熱伝導体層がＴＦＴ基板における画素開口部周辺に対応する個所に形成されているので、熱伝導体層によって画素開口部の開口率を低下させることが無く、光透過を妨げることにはならない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した液晶表示装置の一例を説明するための模式的な図である。
【図２】本発明を適用した液晶表示装置の一例を説明するための模式的な部分拡大図である。
【図３】本発明を適用した液晶表示装置の一例における対向基板の構成を説明するための模式的な図である。
【図４】内側アルミニウム膜（高熱伝導体層）の変形例を説明するための模式的な図である。
【図５】内側アルミニウム膜（高熱伝導体層）の他の変形例を説明するための模式的な図である。
【図６】外側アルミニウム膜（高熱伝導体層）の変形例を説明するための模式的な図である。
【図７】防塵ガラスを貼り合わせた液晶表示装置の一例を説明するための模式的な断面図である。
【図８】ＴＦＴ基板とマイクロレンズ基板を重ね合わせた液晶表示装置の一例を説明するための模式的な断面図である。
【図９】本発明を適用した液晶表示装置の製造方法の一例を説明するための模式的な図である。
【図１０】本発明を適用した液晶表示装置の他の一例を説明するための模式的な図である。
【図１１】本発明を適用した液晶表示装置の他の一例を説明するための模式的な部分拡大図である。
【図１２】防塵ガラスを貼り合わせた液晶表示装置の他の一例を説明するための模式的な断面図である。
【図１３】ＴＦＴ基板とマイクロレンズ基板を重ね合わせた液晶表示装置の他の一例を説明するための模式的な断面図である。
【図１４】本発明を適用した液晶表示装置の製造方法の他の一例を説明するための模式的な図である。
【図１５】従来の液晶表示装置を説明するための模式的な部分断面図である。
【図１６】従来の液晶表示装置における突起部の配列パターンを説明するための模式的な図である。
【図１７】従来の液晶表示装置における対向基板を説明するための模式的な平面図である。
【符号の説明】
１    液晶表示装置
２    ＴＦＴ基板
３    対向基板
４    液晶
５    信号線
６    平坦化膜
７    配向膜（１）
８    凹部
９    アルミニウム膜（高熱伝導体層）
１０    金属枠
１１    高熱伝導性樹脂
１２    ＳｉＯ２膜
１３    透明電極層
１４    配向膜（２）
１５    凸部
１６    石英ガラス基板
１７    フォトレジスト
１８    シール剤
１９    ＯＣＳ
２０    フレキシブル基板
２１    透明画素電極
２２    低反射膜
２３    防塵ガラス
２４    支持基板
２５    マイクロレンズアレイ領域
２６    スタック基板
２７    マイクロレンズ基板
【図１】
2004354606.tif 000003
【図２】
2004354606.tif 000004
【図３】
2004354606.tif 000005
【図４】
2004354606.tif 000006
【図５】
2004354606.tif 000007
【図６】
2004354606.tif 000008
【図７】
2004354606.tif 000009
【図８】
2004354606.tif 000010
【図９】
2004354606.tif 000011
【図１０】
2004354606.tif 000012
【図１１】
2004354606.tif 000013
【図１２】
2004354606.tif 000014
【図１３】
2004354606.tif 000015
【図１４】
2004354606.tif 000016
【図１５】
2004354606.tif 000017
【図１６】
2004354606.tif 000018
【図１７】
2004354606.tif 000019