(57)【要約】【課題】大型の被処理体であっても、小型の装置で確実に被処理体の表面を表面処理することができる表面処理装置および表面処理方法を提供すること。【解決手段】アース電極であるテーブル１３に被処理体２０が搭載されており、印加電極１１とテーブル１３の間に大気圧または大気圧近傍の圧力下でプラズマ放電することで、生成された反応ガスの励起活性種により被処理体２０の表面２１を処理するための表面処理装置１０であり、被処理体２０の表面２１を処理する際に、印加電極１１とテーブル１３とを対面させながら第１方向Ｘと第１方向Ｘと直交する第２方向Ｙに沿って相対的に移動させるための移動操作部３０を備えることを特徴とする。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アース電極であるテーブルに被処理体が搭載されており、印加電極とテーブルの間に大気圧または大気圧近傍の圧力下でプラズマ放電することで、生成された反応ガスの励起活性種により前記被処理体の表面を処理するための表面処理装置であり、
前記被処理体の表面を処理する際に、前記印加電極と前記テーブルとを対面させながら第１方向と前記第１方向と直交する第２方向に沿って相対的に移動させるための移動操作部を備えることを特徴とする表面処理装置。
【請求項２】
前記移動操作部は、前記第１方向に沿って前記テーブルを移動させる第１アクチュエータと、前記第２方向に沿って前記テーブルを移動させる第２アクチュエータとを有し、前記テーブルが前記固定された印加電極に対して移動することを特徴とする請求項１に記載の表面処理装置。
【請求項３】
前記移動操作部は、前記第１方向に沿って前記印加電極を移動させる第１アクチュエータと、前記第２方向に沿って前記テーブルを移動させる第２アクチュエータとを有することを特徴とする請求項１に記載の表面処理装置。
【請求項４】
前記移動操作部は、前記第１方向に沿って前記印加電極を移動させる第１アクチュエータと、前記第２方向に沿って前記印加電極を移動させる第２アクチュエータとを有し、前記印加電極が固定された前記テーブルに対して移動することを特徴とする請求項１に記載の表面処理装置。
【請求項５】
アース電極であるテーブルに被処理体が搭載されており、印加電極とテーブルの間に大気圧または大気圧近傍の圧力下でプラズマ放電することで、生成された反応ガスの励起活性種により前記被処理体の表面を処理するための表面処理方法であり、
前記被処理体の表面を処理する際に、移動操作部は、第１方向と前記第１方向と直交する第２方向に沿って前記印加電極と前記テーブルとを対面させながら相対的に移動させることを特徴とする表面処理方法。
【請求項６】
前記移動操作部は、前記第１方向に沿って前記テーブルを移動させる第１アクチュエータと、第２方向に沿って前記テーブルを移動させる第２アクチュエータとを有し、前記テーブルが前記固定された印加電極に対して移動することを特徴とする請求項５に記載の表面処理方法。
【請求項７】
前記移動操作部は、前記第１方向に沿って前記印加電極を移動させる第１アクチュエータと、前記第２方向に沿って前記テーブルを移動させる第２アクチュエータとを有することを特徴とする請求項５に記載の表面処理方法。
【請求項８】
前記移動操作部は、前記第１方向に沿って前記印加電極を移動させる第１アクチュエータと、前記第２方向に沿って前記印加電極を移動させる第２アクチュエータとを有し、前記印加電極が固定された前記テーブルに対して移動することを特徴とする請求項５に記載の表面処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、大気圧または大気圧近傍の圧力下でプラズマ放電することで、生成された反応ガスの励起活性種により被処理体の表面を処理するための表面処理装置および表面処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
大気圧または大気圧近傍の圧力下において、プラズマ放電を用いて被処理体の表面に対して所定の種類の表面処理を施す従来の表面処理装置が、提案されている。この種の表面処理装置としては、対向された一対の電極の間に大気圧付近の圧力下でプラズマが生成され被処理体の表面がプラズマに曝されながらガスにより処理されるようになっている（たとえば、特許文献１および特許文献２を参照。）。
【０００３】
ところで、近年、電子機器の一例として、たとえば表示装置を備える電子機器は、大型化が進んでいる。このような電子機器の例としては、いわゆるノート型のパーソナルコンピュータや液晶モニター装置あるいは液晶テレビジョン受像機がある。この種の電子機器の大型化に伴い、たとえば使用される液晶パネル用のマザーガラス基板のサイズが大型化されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平６−２１４９号公報（第１頁、図１）
【特許文献２】
特開２００２−２３７４８０号公報（第６頁、図１）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、このような大型のたとえばマザーガラス基板の表面に対して所定の表面処理を行う場合には、上述した特許文献１や特許文献２に示す表面処理装置が用いられるが、いずれの場合にも大型の表面処理装置が必要となってしまう。特許文献１のプラズマ処理装置では、上部電極と下部電極は、ともに被処理体のサイズとほぼ同等な大面積を必要とする。
同様に、特許文献２の表面処理装置を用いる場合であっても、特許文献２の第６頁の段落００６４には次のように記載されているので、やはり装置の大型化が避けられない。すなわち、このような電極を用いて、大面積の処理を高速で行うためには、長辺方向が基材よりも大きいサイズの電極を用い、長辺と垂直方向に基材または電極を動かすことによって行う必要がある。
【０００６】
被処理体であるガラス基板のサイズが大型化しているのに伴い、従来の特許文献１と特許文献２の装置を採用すると、電極や電極に取り付ける誘電体の加工限界や、電極間の隙間を一定に保つための機械精度が問題となってくる。
電極サイズをガラス基板のサイズに合わせて大きくあるいは長くすると、処理に必要な電力密度を稼ぐために、電極サイズに応じた大容量の電源が必要となってくる。この他にも、大型の電極の取り付けを行った後の大型の電極の位置調整など様々な付属作業が、必要となってしまう。
そこで本発明は上記課題を解消し、大型の被処理体であっても、小型の装置で確実に被処理体の表面を表面処理することができる表面処理装置および表面処理方法を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の表面処理装置は、アース電極であるテーブルに被処理体が搭載されており、印加電極とテーブルの間に大気圧または大気圧近傍の圧力下でプラズマ放電することで、生成された反応ガスの励起活性種により前記被処理体の表面を処理するための表面処理装置であり、前記被処理体の表面を処理する際に、前記印加電極と前記テーブルとを対面させながら第１方向と前記第１方向と直交する第２方向に沿って相対的に移動させるための移動操作部を備えることを特徴とする。
【０００８】
この発明によれば、移動操作部は、被処理体の表面を処理する際に、印加電極とテーブルとを対面させながら第１方向と、この第１方向と直交する第２方向に沿って相対的に移動させるようになっている。
これにより、被処理体が大型化して、被処理体の表面が大面積化していても、移動操作部は、印加電極とテーブルとを第１方向と、その第１方向と直交する第２方向に沿って相対的に移動させることができる。これによって、印加電極を被処理体の表面の大きさに比べて、小型にしても、印加電極とテーブルとが移動操作部により第１方向と第２方向に沿って相対的に移動するので、大面積の被処理体の表面のすべてに対して確実に表面処理することができる。このことから、印加電極の小型化が可能で表面処理装置全体の小型化も図れる。
【０００９】
上記構成において、前記移動操作部は、前記第１方向に沿って前記テーブルを移動させる第１アクチュエータと、前記第２方向に沿って前記テーブルを移動させる第２アクチュエータとを有し、前記テーブルを前記固定された印加電極に対して移動させることを特徴とすることが望ましい。
このような構成によれば、移動操作部の第１アクチュエータは、テーブルを第１方向に沿って移動させる。移動操作部の第２アクチュエータは、第２方向に沿ってテーブルを移動させる。つまり、テーブルが、固定された印加電極に対して移動するようになっていて、被処理体が搭載されたテーブルのみが第１方向と第２方向に移動されるだけで、印加電極は被処理体の表面の全面にわたって表面処理できる。
【００１０】
上記構成において、前記移動操作部は、前記第１方向に沿って前記印加電極を移動させる第１アクチュエータと、前記第２方向に沿って前記テーブルを移動させる第２アクチュエータとを有することを特徴とすることが望ましい。
このような構成によれば、移動操作部の第１アクチュエータは、印加電極を第１方向に沿って移動させる。移動操作部の第２アクチュエータは、テーブルを第２方向に沿って移動させる。
これにより、印加電極は第１アクチュエータにより第１方向に沿って移動するとともに、テーブルは第２アクチュエータにより第２方向に沿って移動する。
【００１１】
上記構成において、前記移動操作部は、前記第１方向に沿って前記印加電極を移動させる第１アクチュエータと、前記第２方向に沿って前記印加電極を移動させる第２アクチュエータとを有し、前記印加電極が固定された前記テーブルに対して移動することを特徴とすることが望ましい。
このような構成によれば、移動操作部の第１アクチュエータは、第１方向に沿って印加電極を移動させる。移動操作部の第２アクチュエータは、第２方向に沿って印加電極を移動させる。したがって、印加電極が、固定されたテーブルに対して移動する。固定されたテーブルに被処理体が搭載されていて、印加電極はこの被処理体の表面の全面にわたって表面処理を行うことができる。
【００１２】
本発明の表面処理方法は、アース電極であるテーブルに被処理体が搭載されており、印加電極とテーブルの間に大気圧または大気圧近傍の圧力下でプラズマ放電することで、生成された反応ガスの励起活性種により前記被処理体の表面を処理するための表面処理方法であり、前記被処理体の表面を処理する際に、移動操作部は、第１方向と前記第１方向と直交する第２方向に沿って前記印加電極と前記テーブルとを対面させながら相対的に移動させることを特徴とする。
【００１３】
この発明によれば、移動操作部は、被処理体の表面を処理する際に、印加電極とテーブルとを対面させながら第１方向と、この第１方向と直交する第２方向に沿って相対的に移動させるようになっている。
これにより、被処理体が大型化して、被処理体の表面が大面積化していても、移動操作部は、印加電極とテーブルとを第１方向と、その第１方向と直交する第２方向に沿って相対的に移動させることができる。これによって、印加電極を被処理体の表面の大きさに比べて、小型にしても、印加電極とテーブルとが移動操作部により第１方向と第２方向に沿って相対的に移動するので、大面積の被処理体の表面のすべてに対して確実に表面処理することができる。このことから、印加電極の小型化が可能で表面処理装置全体の小型化も図れる。
【００１４】
上記構成において、前記移動操作部は、前記第１方向に沿って前記テーブルを移動させる第１アクチュエータと、第２方向に沿って前記テーブルを移動させる第２アクチュエータとを有し、前記テーブルが前記固定された印加電極に対して移動することを特徴とすることが望ましい。
このような構成によれば、移動操作部の第１アクチュエータは、テーブルを第１方向に沿って移動させる。移動操作部の第２アクチュエータは、第２方向に沿ってテーブルを移動させる。つまり、テーブルが、固定された印加電極に対して移動するようになっていて、被処理体が搭載されたテーブルのみが第１方向と第２方向に移動されるだけで、印加電極は被処理体の表面の全面にわたって表面処理できる。
【００１５】
上記構成において、前記移動操作部は、前記第１方向に沿って前記印加電極を移動させる第１アクチュエータと、前記第２方向に沿って前記テーブルを移動させる第２アクチュエータとを有することを特徴とすることが望ましい。
このような構成によれば、移動操作部の第１アクチュエータは、印加電極を第１方向に沿って移動させる。移動操作部の第２アクチュエータは、テーブルを第２方向に沿って移動させる。
これにより、印加電極は第１アクチュエータにより第１方向に沿って移動するとともに、テーブルは第２アクチュエータにより第２方向に沿って移動する。
【００１６】
上記構成において、前記移動操作部は、前記第１方向に沿って前記印加電極を移動させる第１アクチュエータと、前記第２方向に沿って前記印加電極を移動させる第２アクチュエータとを有し、前記印加電極が固定された前記テーブルに対して移動することを特徴とすることが望ましい。
このような構成によれば、移動操作部の第１アクチュエータは、第１方向に沿って印加電極を移動させる。移動操作部の第２アクチュエータは、第２方向に沿って印加電極を移動させる。したがって、印加電極が、固定されたテーブルに対して移動する。固定されたテーブルに被処理体が搭載されていて、印加電極はこの被処理体の表面の全面にわたって表面処理を行うことができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施形態を図面に基づいて説明する。
第１の実施形態
図１は、本発明の表面処理装置の第１の実施形態を示している側面図である。
図２は、図１の表面処理装置の機械的な構造を示す斜視図である。
図１に示す表面処理装置１０は、大気圧または大気圧近傍の圧力下で、形成されたプラズマ放電領域で生成した反応ガスの励起活性種を、被処理体２０の表面２１に曝露して、被処理体２０の表面２１に対して所定の処理を施すための装置である。
被処理体２０はワークとも呼んでいる。表面処理装置１０は、大気圧プラズマ表面処理装置などとも呼んでいる。この大気圧または大気圧近傍の圧力下でのプラズマ放電領域により化学的に生成された反応ガスの励起活性種を利用することで、真空設備を必要としない比較的低コストな表面処理装置が得られる。
【００１８】
図１に示す表面処理装置１０は、印加電極１１、テーブル１３、誘電体１４、高周波交流電源１５、ガス供給部１６、そして移動操作部３０を有している。
印加電極１１は、高周波交流電源１５に対して電気的に接続されている。高周波交流電源１５は、接地されている。テーブル１３は、アース電極ともいい、やはり接地されている。高周波交流電源１５は、印加電極１１に対して高周波交流電力を供給するものである。
【００１９】
図１に示す表面処理装置１０は、いわゆる直接放電方式のプラズマ放電構造を有している。この直接放電方式の表面処理装置１０は、大気圧または大気圧近傍の圧力下で、形成されたプラズマ放電領域２５により被処理体２０の表面２１に対して表面処理を行う。
この時に、プラズマ放電領域２５で生成される反応ガスの励起活性種は、被処理体２０の表面２１に対して直接曝される構成を有している。この直接放電方式を採用することにより、高い表面処理レートで被処理体２０の表面２１を処理することができる。
【００２０】
一対の印加電極１１とテーブル１３は、平板状部材であり導電性の良好な金属材料、たとえばアルミニウム、銅、ステンレス、チタン、タングステンなどにより作られている。
平板状の誘電体１４の材質としては、たとえばアルミナや窒化シリコンのようなセラミックスや、石英などにより作られている。
図１の平板状の誘電体１４は、一方の面１４Ａと他方の面１４Ｂを有している。一方の面１４Ａの上には、印加電極１１が配置して固定されている。誘電体１４は、ガス流路と電極１１を隔離し、不要なプラズマ放電を防いで、必要とするプラズマ放電領域２５を他方の面１４Ｂに形成するための部材である。
【００２１】
図１に示す被処理体２０は、一例として平板状の部材であり、たとえば大型のガラス基板である。被処理体２０は、表面２１と裏面２３を有している。表面２１には、後で説明する所定の表面処理を行う。被処理体２０の裏面２３は、テーブル１３の搭載面２４の上に着脱自在に載せる。
印加電極１１と誘電体１４と、被処理体２０は平行である。この誘電体１４の他方の面１４Ｂと被処理体２０の表面２１の間の放電空間には、プラズマ放電領域（プラズマ放電発生領域ともいう）２５が形成される。
【００２２】
図１に示すガス供給部１６は、キャリアガスと処理ガスの混合ガスを収容している。キャリアガス（不活性ガス）としては、たとえばＨｅが収容されている。
反応ガス（処理ガス）としては、たとえばＯ２が収容されている。
ガス供給部１６内の混合ガスは、プラズマ放電領域２５に供給される。プラズマ放電領域２５により反応ガスの励起活性種が生成される。この励起活性種は、被処理体２０の表面２１に曝されることにより、被処理体２０の表面２１に、たとえば親水性処理を施すことができる。
【００２３】
次に、図１に示す移動操作部３０の構造について説明する。
移動操作部３０の具体的な構造は、図２に示している。移動操作部３０は、たとえばベース３１の上に搭載されている。移動操作部３０は、印加電極１１と、テーブル１３の上に搭載された被処理体２０を、Ｘ方向とＹ方向に相対的に移動させることで、サイズの小さな印加電極１１がサイズの大きい被処理体２０の表面２１の全面にわたって確実に処理することができるようになっている。
Ｘ方向は、印加電極１１の長手方向と平行な方向である。Ｙ方向はＸ方向とは直交する方向である。Ｘ方向とＹ方向はベース３１の平面と平行な平面を形成している。Ｘ方向は第１方向に相当し、Ｙ方向は第２方向に相当する。
【００２４】
図２に示す第１の実施形態の移動操作部３０は、印加電極１１を固定した状態でテーブル１３をＸ方向とＹ方向の両方向に移動することで、印加電極１１と被処理体２０の表面２１を相対的に移動可能にしている。
したがって印加電極１１は位置が固定された電極である。印加電極１１の下面には、誘電体１４が設けられている。印加電極１１は、たとえば被処理体２０のＸ方向の幅Ｗ１の半分とほぼ同じか、僅かに大きい長さＬ１を有している。誘電体１４の長手方向の長さは、Ｌ１と同じかやや大きい。
図２に示すテーブル１３の搭載面２４の面積の大きさは、被処理体２０の表面２１の面積の大きさよりも大きい。被処理体２０は、Ｘ方向に平行な方向の幅Ｗ１を有し、Ｙ方向に平行な幅Ｗ２を有している。この被処理体２０は長方形状であっても正方形状であっても勿論構わない。
【００２５】
図１と図２に示す移動操作部３０は、制御部１００、第１アクチュエータ４１と第２アクチュエータ４２、ガイドレール４３，４３、スライドベース４４、ガイドレール４５，４５を有している。
ガイドレール４３，４３は、ベース３１の上に固定されている。これらのガイドレール４３，４３は、Ｘ方向と平行である。スライドベース４４は、複数の部材４７を用いて、ガイドレール４３，４３に沿ってＸ方向に直線移動可能である。スライドベース４４の上には、ガイドレール４５，４５が固定されている。ガイドレール４５，４５は、Ｙ方向に平行な方向に配置されている。テーブル１３は、複数の部材４９を用いて、ガイドレール４５，４５に沿ってＹ方向に直線移動可能である。
【００２６】
第１アクチュエータ４１と第２アクチュエータ４２は、制御部１００の指令により動作する。第１アクチュエータ４１と第２アクチュエータ４２は、たとえば電動モーターなどを使用することができる。第１アクチュエータ４１と第２アクチュエータ４２が作動すると、たとえば送りねじ５０，５１が回転するようになっている。
【００２７】
第１アクチュエータ４１が作動して送りねじ５０が回転すると、スライドベース４４がガイドレール４３，４３に沿ってＸ方向に移動して位置決め可能である。同様にして、第２アクチュエータ４２が作動して送りねじ５１が回転すると、テーブル１３がガイドレール４５，４５に沿ってＹ方向に沿って移動して位置決め可能である。
このように、図１と図２の表面処理装置１０では、印加電極１１は固定された位置にある。これに対して、被処理体２０が搭載されたテーブル１３は、Ｘ方向とそれに直交するＹ方向の両方向に移動して位置決め可能になっている。
【００２８】
次に、図３を参照しながら、図１と図２に示す表面処理装置１０による表面処理方法の例について説明する。
図３に示す表面処理方法の例では、被処理体２０の表面２１が、一例として２点鎖線により４つの処理対象領域に分割されている。つまり、表面２１は、分割表面２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄに分割されている。
【００２９】
印加電極１１の長さＬ１は、分割表面２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄの分割幅Ｄと同じかもしくはやや大きい。分割表面２１Ａ乃至２１Ｄは、Ｘ方向の分割幅ＤとＹ方向の分割幅Ｅにより形成された長方形状もしくは正方形状の処理対象領域である。
まず図２と図３（Ａ）に示すように、印加電極１１は、テーブル１３に搭載された被処理体２０の表面２１からは離れた待機位置にある。ただし印加電極１１は、分割表面２１Ａの延長した領域に待機している。
【００３０】
次に、図２の制御部１００が第２アクチュエータ４２に指令を与えると、第２アクチュエータ４２が送りねじ５１を回転させる。これによって、テーブル１３とともに被処理体２０がＹ１方向に移動を始めて、図３（Ｂ）に示すように分割表面２１Ａが固定された印加電極１１に対して相対的にＹ１方向に移動していく。
【００３１】
これによって、小型の印加電極１１と被処理体２０との相対的な移動により、分割表面２１Ａには表面処理が施される。
続いて、図３（Ｂ）に示す状態からさらに分割表面２１ＢがＹ１方向に移動していくと、図３（Ｃ）に示すように分割表面２１Ｂは印加電極１１により表面処理が施される。
このように、小型の印加電極１１は、表面２１の半分の領域である分割表面２１Ａ，２１Ｂの全てを表面処理することができる。
【００３２】
次に、印加電極１１の放電および混合ガスの供給を停止して、図３（Ｃ）のように被処理体２０はＹ２方向に移動される。さらに、図３（Ｃ）のように被処理体２０はＸ２方向に移動される。これによって、固定された印加電極１１は、相対的に表面２１の分割表面２１Ｃの付近に待機される。
そして、再び被処理体２０がＹ１方向に移動することにより、固定された印加電極１１は、図３（Ｃ）と図３（Ｄ）に示すように分割表面２１Ｃ，２１Ｄに順次表面処理をすることができる。
【００３３】
このようにして、図２に示すテーブル１３とともに被処理体２０がＹ１方向，Ｙ２方向およびＸ２方向に移動することにより、小型の印加電極１１を使用していながら、大面積の被処理体２０の表面２１に対して全面にわたって確実に表面処理を施すことができる。
印加電極１１の小型化が図れることから、表面処理装置の小型化が可能になる。しかも印加電極１１が小型であるので、図１に示す高周波交流電源１５の容量も小さくすることができる。
【００３４】
なお、図３に示す分割表面２１Ａ乃至２１Ｄに対する表面処理の順序は、上述した例では分割表面２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄの順に行っている。
しかしこれに限らず、たとえば分割表面２１Ａの次に分割表面２１Ｃに対して表面処理を行い、さらに分割表面２１Ｄに表面処理を行った後に分割表面２１Ｂに表面処理を行うような別の手順を採用しても勿論構わない。
【００３５】
第２の実施形態
図４は、本発明の表面処理装置の第２の実施形態を示している。
図４に示す表面処理装置１０の構成要素が、図２に示す第１の実施形態の表面処理装置１０の構成要素と同じものである場合には、同じ符号を記してその説明を用いることにする。
図４に示す表面処理装置１０では、印加電極１１がＸ方向に移動可能であり、テーブル１３はＹ方向に移動可能になっている。これによって、印加電極１１とテーブル１３の上に搭載された被処理体２０は、Ｘ方向とＹ方向に沿って相対的に移動可能になっている。
【００３６】
表面処理装置１０の移動操作部１３０の構造について説明する。
移動操作部１３０は、第１アクチュエータ１４１、第２アクチュエータ１４２、ガイドレール１４５，１４５、制御部１００を有している。
制御部１００は、第１アクチュエータ１４１と第２アクチュエータ１４２の動作を制御する。
【００３７】
ガイドレール１４５，１４５は、ベース１３１の上においてＹ方向に沿って間隔をおいて固定されている。テーブル１３は、複数の部材１４９を用いて、ガイドレール１４５，１４５に沿ってＹ方向に直線移動できる。
第１アクチュエータ１４１は、たとえば送りねじ１５０を回転させることにより印加電極１１を図示しないガイドレールに沿ってＸ方向に直線移動させて位置決め可能である。第２アクチュエータ１４２は、たとえば送りねじ１５１を回転させることにより、テーブル１３をガイドレール１４５，１４５に沿って直線移動させて位置決め可能である。
【００３８】
図４に示す表面処理装置１０の移動操作部１３０は、第１アクチュエータ１４１を作動することにより印加電極１１をポジションＰ１の状態とポジションＰ２の状態に位置変更できる。
これに対して、第２アクチュエータ１４２が作動されると、テーブル１３とともに被処理体２０がＹ１方向とＹ２方向に移動して位置決め可能である。
このような構造を採用することにより、図３に示すような表面処理方法と同様にして、サイズの大きい被処理体２０の表面２１は小型の印加電極１１により表面処理できる。
【００３９】
第３の実施形態
図５は、本発明の表面処理装置１０の第３の実施形態を示している。
図５に示す表面処理装置１０の構成要素が、図２に示す表面処理装置１０の構成要素と同じである場合には、同じ符号を記してその説明を用いることにする。
図５に示す表面処理装置１０の移動操作部２３０は、ベース２３１、第１アクチュエータ２４１、第２アクチュエータ２４２、制御部１００を有している。
図５の移動操作部２３０により、印加電極１１はＸ方向に沿ってポジションＰ１とポジションＰ２に移動可能である。しかも、この印加電極１１は、ベース２９０とともにＹ方向に沿っても移動可能である。これに対してテーブル１３は、ベース２３１に固定されていて、位置は動かない。
【００４０】
図５の第３の実施形態では、印加電極１１は、第１アクチュエータ２４１のたとえば送りねじ２５０を回転することにより、図示しないガイドに沿ってＸ１、Ｘ２方向に移動可能である。すなわち、印加電極１１は、ポジションＰ１とポジションＰ２の２つの位置に位置変更できる。
印加電極１１と第１アクチュエータ２４１は、ベース２９０に対して設定されている。
第２アクチュエータ２４２がたとえば送りねじ２５１を回転することによりベース２９０はＹ１方向、Ｙ２方向に沿って移動して位置決め可能である。
このようにして、第３の実施形態では印加電極１１がＸ方向とＹ方向に移動して位置決め可能である。これに対してテーブル１３は固定されている。このような構造を採用しても、図３に示すような表面処理方法と同様にして、サイズの大きい被処理体２０の表面２１は、小型の印加電極１１により表面処理できる。
【００４１】
本発明の表面処理装置は、大気圧または大気圧近傍の圧力下のプラズマ処理により、たとえば大型のガラス基板のような被処理体の表面に対して、小型の表面処理装置でありながら全面にわたって表面処理を確実に行うことができる。
本発明の表面処理装置および表面処理方法を用いることにより、被処理体のサイズに関係なく、小型の印加電極を使用することができる。このために小型の印加電極を作成するのは容易であり、しかも小型の印加電極であるので印加電極と被処理体との間の放電間隔の管理が容易になる。
【００４２】
印加電極の長さは、被処理体の縦方向と横方向の長さに比べて小さくできる。
このため、印加電極と誘電体の組み立て体（ユニット）が、図３に示す分割表面に対して形成される放電間隔の管理および調整を容易に行うことができる。
印加電極が小型にできるので、高周波交流電源の容量が小さくできる。このことから電源に必要なエネルギーを小さくできる。
図３においては、表面２１は４つの分割表面２１Ａ乃至２１Ｄに分割した例を示している。しかしこれに限らず、表面２１の面積の大小により、分割表面の数を２つ、３つ、５つ、もしくは６つ以上にしても勿論構わない。
【００４３】
ところで本発明の上記実施形態に限定されるものではない。
上述した実施形態では混合ガスのキャリアガスとしてＨｅを用い、処理ガスとしてＯ２を用いている。
これに限らず、たとえばキャリアガスとしてはＡｒを用い、処理ガスとしてはＣＦ４を用いることもできる。たとえばキャリアガスとしてＨｅを用い処理ガスとしてＣＦ４を用いることにより、被処理体２０の表面２１には、撥水性処理を行うことができる。
その他に、本発明の実施形態では、混合ガスのキャリアガスと処理ガスの種類を適宜選択することにより、被処理体の表面に対してエッチング、アッシング、表面改質（親水性処理や撥水性処理）や、洗浄、成膜処理なども行うことができる。
【００４４】
本発明の実施形態では被処理体の種類として、処理目的として種々のものを採用することができる。被処理体は、たとえばパッケージされたＩＣなどの電子部品、シリコン基板、液晶表示装置（ＬＣＤ）に用いられるガラス基板、シリコンウェハ、その他のプラスチック板などであっても勿論構わない。
本発明は、上記実施形態に限定されず、特許請求の範囲を逸脱しない範囲で種々の変更を行うことができる。
上記実施形態の各構成は、その一部を省略したり、上記とは異なるように任意に組み合わせることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の表面処理装置の第１の実施形態を示す側面図。
【図２】本発明の表面処理装置の第１の実施形態を示す斜視図。
【図３】本発明の表面処理装置により行われる表面処理方法の一例を示す図。
【図４】本発明の表面処理装置の第２の実施形態を示す斜視図。
【図５】本発明の表面処理装置の第３の実施形態を示す斜視図。
【符号の説明】
１０・・・表面処理装置、１１・・・印加電極、１３・・・テーブル（アース電極、接地電極）、１４・・・誘電体、２０・・・被処理体、２１・・・被処理体の表面、３０・・・移動操作部、４１・・・第１アクチュエータ、４２・・・第２アクチュエータ、１００・・・制御部、Ｘ・・・第１方向、Ｙ・・・第２方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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