(57)【要約】【課題】高周波伝送特性およびアイソレーション特性の劣化を抑制し、搭載される高周波回路部品の動作の安定化を図ることができる高周波回路用パッケージを得る。【解決手段】上面に高周波回路部品１４を搭載する搭載部を有するとともに、搭載部の近傍から下面にかけて１０ＧＨｚ以上の高周波信号を伝送する高周波伝送線路１１が形成された基体１２と、基体１２の上面に搭載部を覆うように取り付けられる蓋体１３とを具備して成り、蓋体１３は電磁波吸収体から成り、かつ基体１２の上面の高周波伝送線路１１とこれに対向する蓋体１３との距離が０．５〜２．５ｍｍである高周波回路用パッケージ１０である。基体１２と蓋体１３とによって形成される空洞内を伝播する電磁波を吸収することができ、入出力端子間のアイソレーションを良好にでき、高周波回路部品１４を安定に動作させることができる。【選択図】  図１
2004253513.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に高周波回路部品を搭載する搭載部を有するとともに、該搭載部の近傍から下面にかけて１０ＧＨｚ以上の高周波信号を伝送する高周波伝送線路が形成された基体と、該基体の前記上面に前記搭載部を覆うように取り付けられる蓋体とを具備して成り、前記蓋体は電磁波吸収体から成り、かつ前記基体の前記上面の前記高周波伝送線路とこれに対向する前記蓋体との距離が０．５〜２．５ｍｍであることを特徴とする高周波回路用パッケージ。
【請求項２】
前記基体の前記上面の前記高周波伝送線路とこの横方向に位置する前記蓋体との距離が１〜５ｍｍであることを特徴とする請求項１記載の高周波回路用パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波回路部品が搭載収容される高周波回路用パッケージ、特に１０ＧＨｚ以上のマイクロ波・ミリ波帯等の高周波帯域で使用される高周波回路部品が搭載収容される高周波回路用パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
高周波回路部品を搭載収容し、外部電気回路基板に実装されて電子回路を構成する高周波回路用パッケージにおいては、金属またはセラミックス等から成る蓋体をパッケージベースとなる基体に高周波回路部品を覆うように取り付けることにより高周波回路部品の気密封止を行なう。従って、このような高周波回路用パッケージの内部には、基体と蓋体との間に通常は直方体状とされる空洞が形成されることから、この高周波回路用パッケージは方形空洞共振器と同様の性質を有するものとなる。
【０００３】
そのため、前記空洞はその寸法によって定まる遮断周波数より高い周波数帯域で空洞共振を生じるので、高い周波数帯域で動作する高周波半導体素子あるいはその他の回路素子等の高周波回路部品をこの高周波回路用パッケージに実装する場合には、前記空洞の寸法を小さくすることによって、遮断周波数をその他は回路部品が動作する周波数帯域よりも十分に高くして、空洞共振による悪影響を防止することが行なわれている。
【０００４】
しかしながら、このように空洞の寸法を小さくするという方法では、この空洞内に高周波回路部品を収容するための空間を確保することが必要なため、高周波回路部品の動作周波数が高周波化する結果、その高周波回路部品が動作する周波数帯域より空洞共振が生じる周波数の方が低くなってしまうという問題点がある。
【０００５】
この問題点を解決するために、電磁波吸収体を高周波回路用パッケージの内部に配設して、この電波吸収体で空洞共振時の電界または磁界エネルギーを吸収することにより、空洞共振を抑制する方法が採られている。
【０００６】
さらに、高周波回路用パッケージでは、空洞共振のみならず、高周波回路用パッケージの内部に実装する高周波回路部品としての増幅器に対してアイソレーション特性の劣化を引き起こすことがあるという問題点もある。すなわち、前述の通り、高周波回路用パッケージには直方体状の空洞が形成されることから、その高周波伝送線路である入出力端子から見ると、高周波回路用パッケージの空洞が導波管と同様の性質を有するものとなる。そのため、空洞の寸法によって定まる遮断周波数より高い周波数帯域で、入出力端子間に高周波信号が空洞を介して伝播し、アイソレーション特性の劣化を引き起こすことがある。これに対して、高い周波数帯域で動作する高周波半導体素子あるいはその他の回路素子等の高周波回路部品を高周波回路用パッケージに実装する場合には、空洞の寸法を小さくすることによって、その遮断周波数を高周波回路部品が動作する周波数帯域よりも十分に高くして、アイソレーション特性の劣化を防いでいる。
【０００７】
しかしながら、この方法では、前述と同様に、高周波回路部品の動作周波数が高周波化する結果、その高周波回路部品が動作する周波数帯域より入出力端子間に伝播する高周波信号の周波数の方が低くなるという問題点がある。こういった問題を解決するために、電磁波吸収体を蓋体の内側に配設して、空洞を伝播する高周波信号を抑制する方法が採られている。
【０００８】
例えば、高周波回路用パッケージの内部に使用される電磁波吸収体としては、図３に断面図で示す高周波回路用パッケージ３０のように、蓋体３１に、またはパッケージベース３３に、直方体の形状を有するフェライトシートから成る電磁波吸収体の小片３２を装着したもの、あるいは液状のフェライト塗料を塗布したものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００９】
また、例えば、図４に断面図で示す半導体パッケージ４０では、Ａｌ製ヒートスプレッダ４１を囲むように着設した軟磁性材料から成る支持枠４２に所定のスルーホールが設けてあり、このスルーホールを通してリードフレーム４３が支持枠４２の表裏面に所要パターンで露出するように配置してあり、フェライト製支持枠４２の上面側のインナーリード部とヒートスプレッダ４１上に搭載した半導体素子であるＬＳＩチップ４４とを被覆するように、Ｎｉ−Ｚｎ系焼結フェライトから成るキャップ４５を絶縁材４６にて封着したものが知られている（例えば、特許文献２参照。）。
【００１０】
〔特許文献１〕
特開平６−２３６９３５号公報
〔特許文献２〕
特開平５−２４３４１２号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図３に示す高周波回路用パッケージ３０のように、蓋体３１およびパッケージベース３３によって構成された空洞のコーナー部に電磁波吸収体の小片３２を装着する方法は、空洞共振時の電界エネルギーまたは磁界エネルギーを効率よく吸収し、空洞共振を抑制することができるが、これら電磁波吸収体の小片３２はコーナー部に装着していることから、空洞を介して伝播する高周波信号を吸収するには不十分であるため、アイソレーション特性の劣化を抑制するには不十分であるという問題点がある。また、コーナー部に電磁波吸収体の小片３２を装着すると部品数が増えるため、コストアップとなるという問題点もある。
【００１２】
また、図４に示す半導体パッケージ４０のように、支持枠４２内にリードフレーム４３を配置しているものでは、フェライトから成る支持枠４２とリードフレーム４３とが近接しているため、Ｎｉ−Ｚｎ系焼結フェライトの損失が大きい周波数帯域では高周波信号が減衰するという問題点がある。また、高周波信号が減衰しないようにＮｉ−Ｚｎ系焼結フェライトの損失を小さくすると、電磁界エネルギーの吸収効率が低下するため、空洞共振およびアイソレーション特性の劣化を抑制することができないという問題点がある。
【００１３】
本発明は以上のような従来の技術における問題点を解決すべく案出されたものであり、その目的は、空洞共振の発生を抑えるとともに空洞内を伝播する電磁波を確実に吸収することができ、これにより、入出力端子間のアイソレーションを良好なものとすることができ、その結果、搭載される高周波回路部品の動作の安定化を図ることができる高周波回路用パッケージを提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の高周波回路用パッケージは、上面に高周波回路部品を搭載する搭載部を有するとともに、この搭載部の近傍から下面にかけて１０ＧＨｚ以上の高周波信号を伝送する高周波伝送線路が形成された基体と、この基体の前記上面に前記搭載部を覆うように取り付けられる蓋体とを具備して成り、前記蓋体は電磁波吸収体から成り、かつ前記基体の前記上面の前記高周波伝送線路とこれに対向する前記蓋体との距離が０．５〜２．５ｍｍであることを特徴とするものである。
【００１５】
本発明の高周波回路用パッケージによれば、蓋体が電波吸収体から成ることにより空洞共振を抑制すると同時に基体の上面に形成された１０ＧＨｚ以上の高周波信号を伝送する高周波伝送線路とこれに対向する電波吸収体から成る蓋体との距離が０．５ｍｍ以上であることから、高周波伝送線路と電波吸収体から成る蓋体との距離が十分離れているので、高周波伝送線路に伝送する高周波信号がこれに対向する電波吸収体から成る蓋体によって減衰することを抑制することができる。
また、基体の上面に形成された高周波伝送線路とこれに対向する電波吸収体から成る蓋体との距離が２．５ｍｍ以下であることから、高周波伝送線路と電波吸収体から成る蓋体との距離を所定値以下となるように設定していることによって、高周波回路部品への高周波信号の入出力端子でもある高周波伝送線路の一方から放射され、対向する他方の高周波伝送線路へ空洞を介して伝播する電磁波をこの蓋体によって吸収することができるので、入出力端子間のアイソレーションを良好にでき、その結果、搭載される高周波回路部品を安定に動作させることができる。
【００１６】
さらに、本発明の高周波回路用パッケージは、上記構成において、前記基体の前記上面の前記高周波伝送線路とこの横方向に位置する前記蓋体との距離が１〜５ｍｍであることを特徴とするものである。
【００１７】
本発明の高周波回路用パッケージによれば、基体の上面に形成された１０ＧＨｚ以上の高周波信号を伝送する高周波伝送線路に対し、電波吸収体から成る蓋体が基体の上面を覆うように凹状とされており、その側壁部が高周波伝送線路の横方向に位置するときに、その基体の上面の高周波伝送線路とこの横方向に位置する蓋体との距離を１〜５ｍｍの範囲にしたことから、高周波伝送線路と電波吸収体から成る蓋体との距離が十分離れていることにより、高周波伝送線路における高周波信号の減衰をさらに抑制することができるとともに、高周波伝送線路と電波吸収体から成る蓋体との距離を所定値以下となるように設定していることによって、高周波回路部品への高周波信号の入出力端子でもある高周波伝送線路の一方から放射され、対向する他方の高周波伝送線路へ空洞を介して伝播する電磁波をこの蓋体によって吸収することができるので、アイソレーションを向上することができ、その結果、さらに高周波回路部品の動作の安定化を図ることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の高周波回路用パッケージを図面を参照しつつ説明する。
【００１９】
図１は本発明の高周波回路用パッケージの実施の形態の一例を示す断面図であり、図２は図１におけるＸ−Ｘ矢視断面図である。これらの図において、１４は高周波回路部品としての高周波半導体素子、１１は高周波伝送線路、１２はパッケージベースである基体、１３は基体１２側に凹部を有する蓋体であり、上面に高周波半導体素子１４の搭載部を有するとともにその近傍から下面にかけて高周波伝送線路１１が形成された基体１２と、基体１２の上面に搭載部を覆うように取り付けられる蓋体１３とにより高周波回路用パッケージ１０が構成される。そして、基体１２と蓋体１３とを封止材によって接合し、基体１２の搭載部に搭載された高周波半導体素子１４を内部に封止することにより、高周波回路用パッケージ１０を用いた高周波回路装置となる。
【００２０】
そして、本発明の高周波回路用パッケージ１０においては、図１に示すように、蓋体１３は電磁波吸収体から成り、かつ基体１２に形成され基体１２の上面に位置する、１０ＧＨｚ以上の高周波信号を伝送する高周波伝送線路１１とこれを覆うように配置されて対向する蓋体１３との距離Ｈ、この例では蓋体１３の天井部の下面との距離Ｈが０．５ｍｍ〜２．５ｍｍであることが重要である。
【００２１】
このような構成により、高周波伝送線路１１と電波吸収体から成る蓋体１３との距離が０．５ｍｍ以上と十分に離れているので、高周波伝送線路１１により伝送される１０ＧＨｚ以上の高周波信号が、電波吸収体である蓋体１３により吸収されて減衰することを抑制することができ、かつ高周波伝送線路１１と電波吸収体から成る蓋体１３との距離が２．５ｍｍ以下と設定されているので、高周波半導体素子１４への高周波信号の入出力端子でもある高周波伝送線路１１の一方から放射され、対向する他方の高周波伝送線路１１へ空洞を介して伝播する電磁波を、この蓋体１３によって吸収することができ、入出力端子である高周波伝送線路１１間のアイソレーションを良好にできる。その結果、基体１２の搭載部に搭載される高周波半導体素子１４等の高周波回路部品の動作の安定化を図ることができる。
【００２２】
高周波伝送線路１１とこれに対向する蓋体１３との距離Ｈが０．５ｍｍ未満となると、高周波伝送線路１１と電波吸収体から成る蓋体１３との距離が近接し過ぎることとなるため、蓋体１３が高周波伝送線路１１を伝播する高周波信号を吸収してしまい、外部回路基板１６と高周波半導体素子１４との間での高周波信号の伝達が大きく劣化することとなる。他方、この距離Ｈが２．５ｍｍを超えると、入出力端子である高周波伝送線路１１間に空洞を介して伝播する電磁波を十分に吸収することができないため、アイソレーション特性が劣化し、高周波半導体素子１４の高周波信号の入出力が不安定なものとなる。
【００２３】
また、このような本発明の高周波回路用パッケージ１０において、高周波伝送線路１１により伝送される高周波信号についてその周波数が１０ＧＨｚ以上であるときに以上のような作用効果が得られる。また、高周波信号の周波数範囲の上限については特に限定するものではないが、昨今の材料技術および昨今の要求に応えるマイクロ波・ミリ波無線通信用としての用途を考慮した場合は、９０ＧＨｚ以下が実用的である。その場合にも、本発明の高周波回路用パッケージ１０における効果は９０ＧＨｚまでの広帯域にわたって得られるものである。
【００２４】
さらに、本発明の高周波回路用パッケージ１０においては、電波吸収体から成る蓋体１３が基体１２の上面を覆うように凹状とされており、その側壁部が高周波伝送線路１１の横方向に位置するときに、図２に示すように、その基体１２の上面の高周波伝送線路１１とこの横方向に位置する蓋体１３との距離Ｄ、この例では蓋体１３の側壁部との距離Ｄが２〜５ｍｍであることが好ましい。この距離Ｄを２〜５ｍｍとすることにより、高周波伝送線路１１と電波吸収体から成る蓋体１３との距離が十分離れていることにより、高周波伝送線路１１により伝送される高周波信号の減衰をさらに抑制することができるとともに、高周波伝送線路１１と電波吸収体から成る蓋体１３との距離を所定値以下となるように設定していることにより、高周波半導体素子１４への高周波信号の入出力端子でもある高周波伝送線路１１の一方から放射され、対向する他方の高周波伝送線路１１へ空洞を介して伝播する電磁波をこの蓋体１３によってさらに吸収することができるので、アイソレーション特性を向上することができる。その結果、基体１２の搭載部に搭載される高周波半導体素子１４等の高周波回路部品の動作のより一層の安定化を図ることができる。
【００２５】
ここで、パッケージベースとなる基体１２の材料としては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）セラミックス，ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）セラミックス等のセラミックス材料やガラスセラミックス等の無機系材料、四ふっ化エチレン樹脂（ポリテトラフルオロエチレン；ＰＴＦＥ），四ふっ化エチレン−エチレン共重合樹脂（テトラフルオロエチレン−エチレン共重合樹脂；ＥＴＦＥ），四ふっ化エチレン−パーフルオロアルコキシエチレン共重合樹脂（テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合樹脂；ＰＦＡ）等のフッ素樹脂，ガラスエポキシ樹脂，ポリフェニレンエーテル樹脂，液晶ポリエステル，ポリイミド等の樹脂系材料等が用いられる。また、基体１２の形状・寸法（厚み・幅・長さ）は、使用される１０ＧＨｚ以上で９０ＧＨｚ以下の高周波信号の周波数や特性インピーダンス等に応じて設定される。
【００２６】
高周波伝送線路１１は、１０ＧＨｚ以上の高周波信号の伝送用として適した金属材料の導体層から成り、例えばＣｕ層，Ｍｏ−Ｍｎ層，Ｗ層，Ｍｏ−Ｍｎメタライズ層上にＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層を被着させたもの，Ｗメタライズ層上にＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層を被着させたもの，Ｃｒ−Ｃｕ合金層，Ｃｒ−Ｃｕ合金層上にＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層を被着させたもの，Ｔａ２Ｎ層上にＮｉ−Ｃｒ合金層およびＡｕメッキ層を被着させたもの，Ｔｉ層上にＰｔ層およびＡｕメッキ層を被着させたもの，またはＮｉ−Ｃｒ合金層上にＰｔ層およびＡｕメッキ層を被着させたものから成り、厚膜印刷法あるいは各種の薄膜形成法やメッキ処理法等により形成される。その厚みや幅も伝送される１０ＧＨｚ以上で９０ＧＨｚ以下の高周波信号の周波数や特性インピーダンス等に応じて設定される。
【００２７】
基体１２の作製にあたっては、例えばガラスセラミックスから成る場合であれば、まずガラスセラミックスのグリーンシートを準備し、これに所定の打ち抜き加工やスクリーン印刷法によりＣｕやＡｇ等の導体ペーストを塗布する。次に１０００℃で焼成を行ない、最後に各導体層上にＮｉメッキおよびＡｕメッキを施す。
【００２８】
また、蓋体１３は、これを形成する電磁波吸収体としては、電磁波を吸収する物質であれば基本的に何でも良い。例えば、合成樹脂，ゴム，セラミックス等の絶縁体中に磁性体粒子，カーボン粒子が分散含有された構造のもの、あるいはフェライト焼結体，体積固有抵抗率が１×１０−１〜１×１０５Ωｍ程度の導電性セラミックス，導電性樹脂等を、この高周波回路用パッケージ１０が使用されるデバイスの形態，用途や電磁波吸収体の電磁波吸収特性等に応じて適宜選定できる。
【００２９】
蓋体１３の電磁波吸収体を構成する磁性体粒子としては、例えば、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト，Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト，Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト，Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト，Ｂａ系フェライト，Ｃｏ系フェライト，カーボニル鉄，パーマロイ，パーメンジュール，フェロシリコン，センダスト，アモルファス合金，電磁ステンレス鋼，窒化鉄，その他、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ基合金等の軟磁性金属等が挙げられる。また、カーボン粒子としては、例えば、カーボンファイバー，カーボンナノチューブ，カーボンマイクロコイル，黒鉛，カーボンブラック，活性炭，フラーレン，ガラス状カーボン等を使用できる。また、磁性体粒子およびカーボン粒子の形状は、球状，塊状，扁平状，繊維状，鱗片状，コイル状，四面体，六面体等、何でも良い。
【００３０】
また、これらの粒子を分散含有させる絶縁体としては、例えば、アルミナ，ムライト，ホウ珪酸ガラス，コージライト，ステアタイト，フォルステライト、あるいはエポキシ系樹脂，フェノール系樹脂，ＰＴＦＥ樹脂，ポリイミド，ポリアミド，ＰＥＥＫ，塩素化ポリエチレン，ウレタン，クロロプレンゴム，ナイロン，ポリエチレン，光硬化樹脂等の合成樹脂があり、これらを単独で、またはこれらのうち２種類以上を混合して使用することができる。
【００３１】
また、合成樹脂，ゴム，セラミックス等の絶縁体中に磁性体粒子が分散含有された構造のものは、磁性体粒子の含有率が１０質量％以上９９質量％以下、より好適には３０質量％以上９７質量％以下とすることが好ましい。磁性体粒子の含有率が１０質量％未満になると電磁波吸収特性が低下してしまい、逆に９９質量％を超えると成形体としたときの強度が著しく低下してしまうため、本発明の高周波回路用パッケージ１０の蓋体１３としては好ましくないものとなる。
【００３２】
さらに、磁性体粒子の平均粒径は０．０１μｍ以上３００μｍ以下、より好適には１μｍ以上２０μｍ以下とすることが好ましい。平均粒径が０．０１μｍ未満になると分散性が低下するようになるとともにコストが高くなり経済的に合わなくなるようになるため、また、３００μｍより大きくなると１０〜９０ＧＨｚの高周波信号に対する電磁波吸収特性が低下するため、本発明の高周波回路用パッケージ１０の蓋体１３としては好ましくないものとなる。
【００３３】
また、磁性体粒子の最大粒径は５００μｍ以下、より好適には３００μｍ以下とすることが好ましい。最大粒径が５００μｍより大きくなると、絶縁体との混合時における分散性が悪いため、これを用いて形成された蓋体１３の強度を十分に保つことができなくなる傾向にある。
【００３４】
なお、磁性体粒子の平均粒径とは、磁性体粒子の前後，左右，上下の寸法を各々測定した値の平均値であり、最大粒径とは、前後，左右，上下の寸法を測定したときの最も長い部分の長さのことである。蓋体１３からそれに含有されている磁性体粒子の粒径を求めるときには、蓋体１３の任意の表面または断面を画像解析装置で分析すればよい。
【００３５】
また、蓋体１３の製造方法は、粉末加圧成形，インジェクション成形，熱ロール成形，ドクターブレード成形，鋳込み成形，光造形等の公知の製法を採用することができる。
【００３６】
【実施例】
本発明の高周波回路用パッケージの実施例を以下に説明する。
【００３７】
比誘電率が６のガラスセラミックスから成り、厚みが０．４ｍｍの基体１２の一主面に、高周波伝送線路１１としてＣｕメタライズ上にＮｉめっき層およびＡｕめっき層を被着させて成る導体を形成し、電磁波吸収体から成る蓋体１３と基体１２とをガラス封止材により接合して、高周波回路用パッケージ１０を作製した。これにより、アイソレーション特性評価用のパッケージを得た。
【００３８】
また、減衰特性評価用として、高周波半導体素子１４に代えて高周波伝送線路を形成した高周波回路基板を基体１２上にＡｕ−Ｓｎろう材を用いて実装した後、ボンディングワイヤ１５にて高周波伝送線路１１に電気的に接続し、これにより、減衰特性評価用のパッケージを得た。
【００３９】
なお、蓋体１３は主成分がＦｅ２Ｏ３のフェライト焼結体から成り、図１に示すように凹部を有するものであり、その天井部の肉厚は１ｍｍとした。
【００４０】
ここで、基体１２に形成された高周波伝送線路１１と蓋体１３の天井部との距離Ｈ、および基体１２に形成された高周波伝送線路１１と蓋体１３の側壁部との距離Ｄについては、表１に示したように１０通りに設定した。これにより、試料１〜１０を得た。
【００４１】
【表１】
2004253513.tif 000003
【００４２】
これら、本発明および比較例の高周波回路用パッケージである試料１〜１０を、ガラスクロスにフッ素樹脂を含浸させて形成した外部回路基板１６上に形成した線路導体１７に半田を介して電気的に接続し、ウェハープローブを用いてネットワークアナライザに接続し、１０〜９０ＧＨｚについて、高周波信号に対する伝送損失（Ｓ２１）の測定を行なった。その測定結果を表１に示す。
【００４３】
ここで、伝送特性は、蓋体１３を取り付けない状態の基体１２単体でのＳ２１を基準にして、両者の差が０．１ｄＢ以下であれば○とし、それ以外を実用上大きな支障がない場合を△とし支障がある場合を×とした。また、高周波伝送線路間のアイソレーション特性は、−５０ｄＢ以下であれば○とし、それ以外を実用上大きな支障がない場合を△とし支障がある場合を×とした。
【００４４】
表１に示す結果から明らかなように、試料Ｎｏ．１は電磁波吸収体から成る蓋体１３と高周波伝送線路１１との距離ＨもしくはＤが近接しているため、高周波伝送線路１１の伝送特性の低下が見られ、良好な高周波伝送特性を有するものとして使用することができなかった。また、試料Ｎｏ．６は伝送特性が、実用上大きな支障はないものの、やや劣る傾向が見られた。
【００４５】
試料Ｎｏ．５は電磁波吸収体からなる蓋体１３と高周波伝送線路１１との距離Ｈが離れているため、空洞内を伝播する電磁波を十分に吸収することができず、アイソレーション特性の劣化が見られ、良好なアイソレーション特性を有するものとして使用することができなかった。また、試料Ｎｏ．１０は高周波伝送線路１１の横方向に位置する蓋体１３との距離Ｄが離れているため、アイソレーション特性が、実用上大きな支障はないものの、やや劣る傾向が見られた。
【００４６】
一方、試料Ｎｏ．２〜Ｎｏ．４および試料Ｎｏ．７〜Ｎｏ．９は、高周波伝送線路１１の伝送特性およびアイソレーション特性がいずれも非常に良好であり、高周波伝送線路の高周波伝送特性および入出力端子間のアイソレーション特性に優れた高周波回路用パッケージとして好適に使用することができるものであった。
【００４７】
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更を加えることは何ら差し支えない。例えば、上記の実施の形態の例では、蓋体１３は略四角形状のものを用いているが、高周波回路部品を封止できるものであれば、円柱形状やドーム形状としてもよい。
【００４８】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明の高周波回路用パッケージによれば、上面に高周波回路部品を搭載する搭載部を有するとともに、この搭載部の近傍から下面にかけて１０ＧＨｚ以上の高周波信号を伝送する高周波伝送線路が形成された基体と、この基体の上面に搭載部を覆うように取り付けられる蓋体とを具備して成り、蓋体は電磁波吸収体から成り、かつ基体の上面の高周波伝送線路とこれに対向する蓋体との距離が０．５〜２．５ｍｍであることから、蓋体が電波吸収体から成ることにより空洞共振を抑制することができるのと同時に、基体の上面に形成された１０ＧＨｚ以上の高周波信号を伝送する高周波伝送線路とこれに対向する電波吸収体から成る蓋体との距離が０．５ｍｍ以上であることから、高周波伝送線路と電波吸収体から成る蓋体との距離が十分離れているので、高周波伝送線路に伝送する高周波信号がこれに対向する電波吸収体から成る蓋体に吸収されることによって減衰することを抑制することができる。また、基体の上面に形成された高周波伝送線路とこれに対向する電波吸収体から成る蓋体との距離が２．５ｍｍ以下であることから、上記とは逆に高周波伝送線路と電波吸収体から成る蓋体との距離を所定値以下となるように設定しているので、高周波回路部品への高周波信号の入出力端子でもある高周波伝送線路の一方から放射され、対向する他方の高周波伝送線路へ空洞を介して伝播する電磁波をこの蓋体によって吸収することができるので、入出力端子間のアイソレーションを良好にでき、その結果、搭載される高周波回路部品を安定に動作させることができる。
【００４９】
さらに、本発明の高周波回路用パッケージによれば、基体の上面の高周波伝送線路とこの横方向に位置する蓋体との距離が１〜５ｍｍであるときには、高周波伝送線路と電波吸収体から成る蓋体との距離が十分離れていることにより、高周波伝送線路における高周波信号の減衰をさらに抑制することができるとともに、高周波伝送線路と電波吸収体から成る蓋体との距離を所定値以下となるように設定していることにより、高周波回路部品への高周波信号の入出力端子でもある高周波伝送線路の一方から放射され、対向する他方の高周波伝送線路へ空洞を介して伝播する電磁波をこの蓋体によって吸収することができるので、アイソレーション特性を向上することができ、その結果、さらに高周波回路部品の動作の安定化を図ることができる。
【００５０】
以上により、本発明によれば、空洞共振の発生を抑えるとともに空洞内を伝播する電磁波を確実に吸収することができ、これにより、入出力端子間のアイソレーションを良好なものとすることができ、その結果、搭載される高周波回路部品の動作の安定化を図ることができる高周波回路用パッケージを提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の高周波回路用パッケージの実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の高周波回路用パッケージの実施の形態の一例を示す断面図である。
【図３】従来の電磁波吸収体を用いた高周波回路用パッケージの例を示す断面図である。
【図４】従来の電磁波吸収体を用いた高周波回路用パッケージの例を示す断面図である。
【符号の説明】
１０・・・高周波回路用パッケージ
１１・・・高周波伝送線路
１２・・・基体
１３・・・蓋体
１４・・・高周波半導体素子（高周波回路部品）
１５・・・ボンディングワイヤ
１６・・・外部回路基板
１７・・・線路導体
【図１】
2004253513.tif 000004
【図２】
2004253513.tif 000005
【図３】
2004253513.tif 000006
【図４】
2004253513.tif 000007