(57)【要約】【課題】磁性流体を用いた減衰力調整式緩衝器において、コイルの消費電力を少なくする。【解決手段】磁性流体が封入されたシリンダ２内に、ピストンロッド７が連結されたピストン６を嵌装する。ピストン６の伸び側及び縮み側通路１９、２０に伸び側及び縮み側ディスクバルブ２１、２２を設け、これらの背面側に伸び側及び縮み側背圧室２５、２６を設ける。伸び側及び縮み側背圧室２５、２６に磁性流体を流通させる伸び側及び縮み側副通路２９、３４に隣接してコイル１２を設ける。コイル１２に通電して、伸び側及び縮み側副通路２９、３４の磁性流体に磁界を作用させ、粘度を変化させて減衰力を調整する。このとき、伸び側及び縮み側背圧室２５、２６の内圧によって伸び側及び縮み側ディスクバルブ２１、２２の開弁圧力を調整するので、磁界を作用させる磁性流体の流量を少なくして、消費電力を低減することができる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性流体が封入されたシリンダと、該シリンダ内に摺動可能に嵌装されたピストンと、該ピストンに連結されたピストンロッドと、前記ピストンの摺動によって磁性流体が流通する通路と、該通路の磁性流体の流れを制御して減衰力を発生させる弁体と、該弁体の背面側に設けられ、内圧を前記弁体の閉弁方向に作用させて前記弁体の開弁を制御する背圧室と、前記ピストンの摺動によって前記背圧室を介して磁性流体を流通させる副通路と、前記副通路に磁界を作用させるコイルとを備えていることを特徴とする減衰力調整式緩衝器。
【請求項２】
前記コイルは、前記ピストンロッドに設けられていることを特徴とする請求項１に記載の減衰力調整式緩衝器。
【請求項３】
前記通路、前記弁体、前記背圧室、前記副通路及び前記コイルは、それぞれ前記ピストンロッドの伸び行程時と縮み行程時に作動する２系統が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の減衰力調整式緩衝器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、磁界の作用によって粘度が変化する磁性流体を利用した減衰力調整式緩衝器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般的に、自動車等の車両の懸架装置に装着される減衰力調整式緩衝器は、油液が封入されたシリンダ内に、ピストンロッドが連結されたピストンを摺動可能に嵌装し、ピストンの摺動によって油液が流通する通路に減衰力調整弁を設けた構造となっており、比例ソレノイド、ステッピングモータ等のアクチュエータによって減衰力調整弁を操作して、油液の流路面積を変化させることよって減衰力を調整している。
【０００３】
ところで、上記従来の減衰力調整式緩衝器では、制御電流に対するアクチュエータの応答遅れ、減衰力調整弁の摩耗等による性能の低下、構造が複雑であるための性能のばらつき等の問題があった。
【０００４】
そこで、例えば特許文献１に記載されているように、油液の代わりに、磁界の作用によって粘度が変化する磁性流体を用い、減衰力調整弁の代りに、磁性流体が流通する通路にコイルを配置し、磁性流体に磁界を作用させて、その粘性を変化させることにより、減衰力を調整するようにした減衰力調整式緩衝器が種々提案されている。
【０００５】
【特許文献１】
米国特許第６０９５４８６号明細書
【０００６】
これにより、コイルへの制御電流を小さくすると、通路に作用する磁界が弱なり、磁性流体の粘度が低くなって減衰力が小さくなり、制御電流を大きくすると、通路に作用する磁界が強くなり、磁性流体の粘度が高くなって、減衰力が大きくなる。
【０００７】
このような磁性流体を利用した減衰力調整式緩衝器は、構造が簡単であり、しかも、磁性流体の粘性自体を変化させて減衰力を調整するため、制御電流に対する応答が速く、また、磨耗等による機械的な性能の低下が生じにくいという作用、効果を期待することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の磁性流体を利用した減衰力調整式緩衝器では、次のような問題がある。ソフト側の減衰力を充分小さくするためには、磁性流体の流量を大きくする必要があるが、大流量の磁性流体に対して、充分大きな減衰力を発生させるためには、コイルへの制御電流を大きくし、また、コイルの容量を大きくする必要があり、消費電力の増大及びコイルの大型化という問題を生じる。
【０００９】
この場合、磁性流体中の磁性粒子の径を大きくしたり、含有量を多くすることも考えられるが、磁性流体の分散状態が不安定になったり、緩衝器のシール材が劣化し易くなるという問題を生じる虞がある。
【００１０】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、減衰力の調整範囲が広く、かつ、消費電力が少なく、コイルの小型化を達成することができる磁性流体を利用した減衰力調整式緩衝器を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、請求項１の発明に係る減衰力調整式緩衝器は、磁性流体が封入されたシリンダと、該シリンダ内に摺動可能に嵌装されたピストンと、該ピストンに連結されたピストンロッドと、前記ピストンの摺動によって磁性流体が流通する通路と、該通路の磁性流体の流れを制御して減衰力を発生させる弁体と、該弁体の背面側に設けられ、内圧を前記弁体の閉弁方向に作用させて前記弁体の開弁を制御する背圧室と、前記ピストンの摺動によって前記背圧室を介して磁性流体を流通させる副通路と、前記副通路に磁界を作用させるコイルとを備えていることを特徴とする。
このように構成したことにより、コイルに通電して磁界を発生させると、磁界の作用によって副通路を流通する磁性流体の粘度が変化し、流通抵抗が変化するので、減衰力を調整することができ、このとき、背圧室の内圧が変化して弁体の開弁圧力を調整することができる。
請求項２の発明に係る減衰力調整式緩衝器は、上記請求項１の構成において、前記コイルは、前記ピストンロッドに設けられていることを特徴とする。
このように構成したことにより、コイルの導線をピストンロッドに配線することが可能になる。
また、請求項３の発明に係る減衰力調整式緩衝器は、上記請求項１又は２の構成において、前記通路、前記弁体、前記背圧室、前記副通路及び前記コイルは、それぞれ前記ピストンロッドの伸び行程時と縮み行程時に作動する２系統が設けられていることを特徴とする。
このように構成したことにより、２系統のコイルへの制御電流に応じて、伸び行程時と縮み行程時の減衰力を独立に制御することが可能になる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
本発明の第１実施形態について、図１及び図２を参照して説明する。図１に示すように、第１実施形態に係る減衰力調整式緩衝器１は、単筒式緩衝器であって、シリンダ２の底部側に、フリーピストン３が摺動可能に嵌装されて、シリンダ２内がフリーピストン３によって底部側のガス室４と、その反対側の流体室５とに画成されている。
【００１３】
流体室５内には、ピストン６が摺動可能に嵌装されており、このピストン６によって、流体室５内がシリンダ上室５Ａとシリンダ下室５Ｂとの２室に画成されている。ピストン６には、中空のピストンロッド７の一端部が連結されており、ピストンロッド７の他端側は、シリンダ２の上端部に装着されたガイドシール８に挿通されて外部へ延出されている。
【００１４】
流体室５内には、磁性流体が封入され、ガス室４内には、高圧ガスが封入されている。磁性流体は、磁界の作用によって粘度が変化する流体であり、例えば、媒体となる液体中に強磁性超微粒子が安定して均一に分散した複合材料として知られており、作用する磁界の強さに応じて粘度が上昇する。
【００１５】
次に、ピストン６及びピストンロッド７の詳細について図２を参照して説明する。
図２に示すように、ピストンロッド７の一端部に形成された段付の小径部８の外周に、それぞれ環状あるいは円筒状に形成された固定部材９、リテーナ１０、ブッシュ１１、コイル１２、ピストン本体１３、ブッシュ１４及びリテーナ１５が嵌合されており、これらは、小径部８の先端のねじ部に螺着されたキャップ１６によって固定されている。さらに、リテーナ１５及びキャップ１６の外周に、固定部材１７が嵌合されて、キャップ１６の先端のねじ部に螺着されたナット１８によって固定されている。
【００１６】
ピストン本体１３には、シリンダ上下室５Ａ、５Ｂ間を連通させるための伸び側通路１９（通路）及び縮み側通路２０（通路）が設けられている。伸び側通路１９には、シリンダ上室５Ａからシリンダ下室５Ｂへの流れを制御して減衰力を発生させる伸び側ディスクバルブ２１（弁体）が設けられ、縮み側通路２０には、シリンダ下室５Ｂからシリンダ上室５Ａへの流れを制御して減衰力を発生させる縮み側ディスクバルブ２２（弁体）が設けられている。
【００１７】
固定部材９、１７の外周に、それぞれ円筒状の可動部材２３、２４が摺動可能に嵌合されており、可動部材２３、２４の一端部が、それぞれ縮み側ディスクバルブ２２及び伸び側ディスクバルブ２１に液密的に当接して、伸び側ディスクバルブ２１及び縮み側ディスクバルブ２２の背面側に、それぞれ伸び側背圧室２５（背圧室）及び縮み側背圧室２６（背圧室）が形成されている。可動部材２３、２４は、それぞれ板ばね２７、２８によって伸び側ディスクバルブ２１及び縮み側ディスクバルブ２２に押圧されている。
【００１８】
伸び側背圧室２５は、リテーナ１５に設けられた溝によって形成された伸び側副通路２９（副通路）及び固定部材１７に形成された通路３０を介して伸び側通路１９に連通されている。さらに、伸び側背圧室２５は、固定部材１７に形成された通路３１を介してシリンダ下室５Ｂに連通されている。この通路３１には、伸び側背圧室２５側からシリンダ下室５Ｂ側への流れを制御するオリフィス３２及びディスクバルブ３３が設けられている。
【００１９】
同様に、縮み側背圧室２６は、リテーナ１０に設けられた溝によって形成された縮み側副通路３４（副通路）及び固定部材９に形成された通路３５を介して縮み側通路２０に連通されている。さらに、縮み側背圧室２６は、固定部材９に形成された通路３６を介してシリンダ上室５Ａに連通されている。この通路３６には、縮み側背圧室２６側からシリンダ上室５Ａ側への流れを制御するオリフィス３７及びディスクバルブ３８が設けられている。
【００２０】
コイル１２は、伸び側背圧室２５に連通する伸び側副通路２９及び縮み側背圧室２６に連通する縮み側副通路３４に隣接して配置されており、これらの伸び側及び縮み側副通路２９、３４及びコイル１２の周囲は磁性体からなり、コイル１２の発生する磁界が伸び側及び縮み側副通路２９、３４を流通する磁性流体に作用するようになっている。コイル１２の導線３９は、中空のピストンロッド７内のボア３９に挿通されて、ピストンロッド７の先端から外部へ延出されて、コントローラ（図示せず）に接続される。
【００２１】
以上のように構成した本実施形態の作用について次に説明する。
ピストンロッド７の伸び行程時には、シリンダ２内のピストン６の摺動にともない、シリンダ上室５Ａ側の磁性流体が、伸び側通路１９を通り、伸び側ディスクバルブ２１の開弁前には、伸び側副通路２９、伸び側背圧室２５及び通路３１を通って、シリンダ下室５Ｂへ流れ、オリフィス３２及びディスクバルブ３３によって減衰力が発生し、伸び側ディスクバルブ２１が開くと、シリンダ下室５Ｂへ直接流れて、伸び側ディスクバルブ２１によって減衰力が発生する。このとき、ピストンロッド７のシリンダ２からの退出による流体室５の容積変化をフリーピストン３が移動してガス室４の高圧ガスが膨張することによって補償する。
【００２２】
そして、コントローラからコイル１２への制御電流によって減衰力を調整することができる。非通電時には、伸び側副通路２９を介して伸び側背圧室２５に流入する磁性流体の圧力が伸び側ディスクバルブ２１の閉弁方向に作用して、伸び側ディスクバブル２１の開弁圧力が上昇するので、減衰力が増大してハード特性となる。通電によってコイル１２を励磁すると、その磁界が伸び側副通路２９を流通する磁性流体に作用して、その粘度が上昇するので、伸び側副通路２９の流通抵抗が増大して、伸び側背圧室２５の圧力が低下する。これにより、伸び側ディスクバルブ２１の開弁圧力が低下し、減衰力が低下してソフト特性となる。
【００２３】
また、ピストンロッド７の縮み行程時には、シリンダ下室５Ｂ側の磁性流体が、縮み側通路２０を通り、縮み側ディスクバルブ２２の開弁前には、縮み側副通路３４、縮み側背圧室２６及び通路３５を通って、シリンダ上室５Ａへ流れ、オリフィス３７及びディスクバルブ３８によって減衰力が発生し、縮み側ディスクバルブ２２が開くと、シリンダ上室５Ａへ直接流れて、縮み側ディスクバルブ２２によって減衰力が発生する。このとき、ピストンロッド７のシリンダ２内への侵入による流体室５の容積変化をフリーピストン３が移動してガス室４の高圧ガスが圧縮されることによって補償する。
【００２４】
そして、伸び行程時と同様、コントローラからコイル１２への制御電流によって減衰力を調整することができる。非通電時には、縮み側副通路３４を介して縮み側背圧室２６に流入する磁性流体の圧力が縮み側ディスクバルブ２２の閉弁方向に作用して、縮み側ディスクバブル２２の開弁圧力が上昇するので、減衰力が増大してハードとなる。通電によってコイル１２を励磁すると、その磁界が縮み側副通路３４を流通する磁性流体に作用して、その粘度が上昇するので、縮み側副通路３４の流通抵抗が増大して、縮み側背圧室２６の圧力が低下する。これにより、縮み側ディスクバルブ２２の開弁圧力が低下して、減衰力が低下してソフト特性となる。
【００２５】
このようにして、コイル１２への制御電流によって、伸び側及び縮み側の減衰力を調整することができる。このとき、伸び側及び縮み側副通路２９、３４を流れる磁性流体の流通抵抗によって伸び側及び縮み側背圧室２５、２６の内圧を変化させて減衰力を調整するため、磁界を作用させる磁性流体の流量が小さくなるので、減衰力の調整範囲を充分に確保しながら消費電力を低減することができる。そして、コイル１２の容量が小さくてすむので、コイル１２を小型化することができ、ピストンロッド部に配置することが可能となり、コイル１２の導線３９を中空のピストンロッド７のボア４０に挿通させることにより、外部のコントローラに容易に接続することができる。また、磁性流体の粘度を過度に上昇させる必要がないので、磁性流体の分散状態の不安定化及び緩衝器のシール材の劣化の問題が生じることもない。
【００２６】
次に、本発明の第２実施形態について、図３を参照して説明する。なお、第２実施形態は、上記第１実施形態に対して、伸び側背圧室２５に連通する通路の構成が異なること以外は概して同様の構造であるから、同様の部分には同一の符号を付して、異なる部分についてのみ詳細に説明する。
図３に示すように、伸び側ディスクバルブ２１には、固定オリフィス５２が設けられており、伸び側背圧室２５の上流側が固定オリフィス５２を介して伸び側通路１９に連通されている。伸び側ディスクバルブ２１の背面側には、固定オリフィス５２の伸び側通路１９側から伸び側背圧室２５側への流通のみを許容する逆止弁５３が設けられている。
【００２７】
伸び側背圧室２５の下流側は、リテーナ５４に設けられた通路５５、リテーナ１５に設けられた溝部によって形成された伸び側副通路５６及び固定部材１７に設けられた通路５０により、オリフィス３２及びディスクバルブ３３を介してシリンダ下室５Ｂに連通されている。伸び側副通路５６は、コイル１２に隣接して配置されており、コイル１２の発生する磁界が伸び側副通路５６を流通する磁性流体に作用するようになっている。
【００２８】
以上のように構成した本実施形態の作用について次に説明する。
コイル１２の非通電時には、縮み側については、上記第１実施形態と同様、縮み側背圧室２６の内圧が上昇して、減衰力はハード特性となる。一方、伸び側については、伸び側通路１９を流れる磁性流体は、伸び側ディスクバルブ２１の開弁前には、固定オリフィス５２、伸び側背圧室２５、通路５５、伸び側副通路５６及び通路５０を通ってシリンダ下室５Ｂへ流れるが、コイル１２への非通電によって伸び側背圧室２５の下流側の伸び側副通路５６の流通抵抗が低下した状態にあるため、伸び側背圧室２５の内圧が低下し、伸び側ディスクバルブ２１の開弁圧力が低下して、減衰力はソフト特性となる。したがって、減衰力特性は、縮み側ハード、伸び側ソフトとなる。
【００２９】
通電によってコイル１２を励磁すると、縮み側については、上記第１実施形態と同様、縮み側背圧室２６の内圧が低下して、減衰力はソフト特性となる。一方、伸び側については、コイル１２の磁界によって、伸び側背圧室２５の下流側の流通抵抗が増大するため、伸び側背圧室２５の内圧が上昇し、伸びディスクバルブ２１の開弁圧力が上昇して、減衰力はハード特性となる。したがって、減衰力は縮み側ソフト、伸び側ハードとなる。
【００３０】
このようにして、上記第１実施形態の作用、効果に加えて、スカイフック理論に基づく減衰力制御を行う際、減衰力制御の応答性を高めるため、伸び側と縮み側の減衰力特性を反転させるいわゆる反転制御（伸び側がハード側のとき縮み側をソフト側に調整し、伸び側がソフト側のとき縮み側をハード側に調整する）を実行することが可能となる。
【００３１】
次に、本発明の第３実施形態について、図４を参照して説明する。なお、第３実施形態は、上記第１実施形態に対して、ピストンロッド部が異なる以外は、概して同様の構造であるから、同様の部分には同一の符号を付して、異なる部分についてのみ詳細に説明する。
【００３２】
図４に示すように、第３実施形態に係る減衰力調整式緩衝器４１は、略円筒状のケース４２、４３にそれぞれ収容された伸び側コイル４４及び縮み側コイル４５の２つのコイルを備えている。ピストンロッド７の小径部８の外周に、ケース４３、円筒状のリテーナ４６及びケース４２が嵌合されて、キャップ１６によって固定されており、これらの外周部に、固定部材９、ピストン本体１３及び固定部材１７が嵌合されて、ナット１８によって固定されている。
【００３３】
伸び側通路１９を伸び側背圧室２５に連通させるための伸び側副通路２９は、伸び側コイル４４とリテーナ４６及びキャップ１６との間に形成されて、固定部材１７の通路３０に接続されている。そして、伸び側副通路２９及び伸び側コイル４４の周囲は、磁性体からなり、伸び側コイル４４の発生する磁界が伸び側副通路２９を流通する磁性流体に作用するようになっている。
【００３４】
縮み側通路２０を縮み側背圧室２６に連通させるための縮み側副通路３４は、縮み側コイル４５とピストンロッド７及びリテーナ４６との間に形成されて、固定部材９の通路３５に接続されている。そして、縮み側副通路３４及び縮み側コイル４５の周囲は、磁性体からなり、縮み側コイル４５の発生する磁界が縮み側副通路３４を流通する磁性流体に作用するようになっている。
【００３５】
伸び側コイル４４及び縮み側コイル４５の導線４７、４８は、中空のピストンロッド７内のボア３９に挿通されて、ピストンロッド７の先端から外部へ延出されて、コントローラ（図示せず）に接続される。
【００３６】
このように構成したことにより、ピストンロッド７の伸び行程時には、伸び側コイル４４への制御電流によって、伸び側副通路２９を流通する磁性流体に作用する磁界を変化させることにより減衰力を調整することができ、縮み行程時には、縮み側コイル４５への制御電流によって、縮み側副通路３４を流通する磁性流体に作用する磁界を変化させることにより減衰力を調整することができる。
【００３７】
これにより、上記第１実施形態の作用、効果に加えて、２系統とした伸び側コイル４４及び縮み側コイル４５への制御電流によって、伸び側と縮み側の減衰力を独立して制御することができ、減衰力の調整の自由度を高めることができる。そして、スカイフック理論に基づく減衰力制御を行う際、減衰力制御の応答性を高めるため、伸び側と縮み側の減衰力特性を反転させるいわゆる反転制御（伸び側がハード側のとき縮み側をソフト側に調整し、伸び側がソフト側のとき縮み側をハード側に調整する）を実行することが可能となる。
【００３８】
このとき、伸び側副通路２９及び伸び側コイル４４と縮み側副通路３４及び縮み側コイル４５とが、リテーナ４６によって分離されて磁気的に遮断されるので、伸び側コイル４４の磁界が縮み側副通路３４の磁性流体に影響し難くなり、また、縮み側コイル４５の磁界が伸び側副通路２９の磁性流体に影響し難くなる。これにより、伸び側及び縮み側の減衰力が互いに影響するのを防止することができ、減衰力制御の精度を高めることができる。
【００３９】
次に、本発明の第４実施形態について、図５を参照して説明する。なお、第４実施形態は、上記第３実施形態に対して、伸び側及び縮み側背圧室に連通する通路の構成が異なること以外は、概して同様の構造であるから、同様の部分には同一の符号を付して、異なる部分についてのみ詳細に説明する。
【００４０】
第４実施形態に係る減衰力調整式緩衝器４８では、伸び側背圧室２５は、伸び側ディスクバルブ２１に設けられた固定オリフィス４９によって伸び側通路１９に接続されている。また、伸び側副通路２９は、ケース４２と伸び側コイル４４との間に形成されており、その一端側が伸び側背圧室２５に接続され、他端側が固定部材１７に設けられた通路５０に接続されて、オリフィス３２及びディスクバルブ３３を介してシリンダ下室５Ｂに連通されている。
【００４１】
縮み側背圧室２６は、縮み側ディスクバルブ２２に設けられた固定オリフィス５１によって縮み側通路２０に接続されている。また、縮み側副通路３４は、ケース４３と縮み側コイル４５との間に形成されており、その一端側が縮み側背圧室２６に接続され、他端側が固定部材９に設けられた通路５２に接続されて、オリフィス３７及びディスクバルブ３８を介してシリンダ上室５Ａに連通されている。
【００４２】
このように構成したことにより、ピストンロッド７の伸び行程時には、伸び側通路１９を流れる磁性流体は、伸び側ディスクバルブ２１の開弁前には、固定オリフィス４９、伸び側背圧室２５、伸び側副通路２９及び通路５０を通ってシリンダ下室５Ｂへ流れ、オリフィス３２及びディスクバルブ３３によって減衰力が発生する。そして、伸び側コイル４４の磁界を伸び側副通路２９を流通する磁性流体に作用させて、その流通抵抗を変化させることによって減衰力を調整することができる。
【００４３】
このとき、伸び側コイル４４の非通電時には、伸び側背圧室２５の下流の伸び側副通路２９の流通抵抗が小さくなり、伸び側ディスクバルブ２１の開弁前の減衰力が小さくなると共に、伸び側背圧室２５の内圧が低下し、伸び側ディスクバルブ２１の開弁圧力が低下して、減衰力はソフト特性となる。また、伸び側コイル４４への制御電流を大きくすると、その磁界の作用によって、伸び側背圧室２５の下流の伸び側副通路２９の流通抵抗が大きくなり、伸び側ディスクバルブ２１の開弁前の減衰力が大きくなると共に、伸び側背圧室２５の内圧が上昇し、伸び側ディスクバルブ２１の開弁圧力が上昇して、減衰力はハード特性となる。
【００４４】
ピストンロッド７の縮み行程時には、縮み側通路２０を流れる磁性流体は、縮み側ディスクバルブ２２の開弁前には、固定オリフィス５１、縮み側背圧室２６、縮み側副通路３４及び通路５２を通ってシリンダ上室５Ａへ流れ、オリフィス３７及びディスクバルブ３８によって減衰力が発生する。そして、縮み側コイル４５の磁界を縮み側副通路３４を流通する磁性流体に作用させて、その流通抵抗を変化させることによって減衰力を調整することができる。
【００４５】
このとき、縮み側コイル４５の非通電時には、縮み側背圧室２６の下流の縮み側副通路３４の流通抵抗が小さくなり、縮み側ディスクバルブ２２の開弁前の減衰力が小さくなると共に、縮み側背圧室２６の内圧が低下し、縮み側ディスクバルブ２２の開弁圧力が低下して、減衰力はソフト特性となる。また、縮み側コイル４５への制御電流を大きくすると、その磁界の作用によって、縮み側背圧室２６の下流の縮み側副通路３４の流通抵抗が大きくなり、縮み側ディスクバルブ２２の開弁前の減衰力が大きくなると共に、縮み側背圧室２６の内圧が上昇し、縮み側ディスクバルブ２２の開弁圧力が上昇して、減衰力はハード特性となる。
【００４６】
このようにして、２系統の伸び側コイル４４及び縮み側コイル４５への制御電流によって、伸び側と縮み側の減衰力を独立して制御することができ、上記第３実施形態と同様の作用、効果を奏することができる。
【００４７】
【発明の効果】
以上詳述したように、請求項１の発明に係る減衰力調整式緩衝器によれば、コイルに通電して磁界を発生させると、磁界の作用によって副通路を流通する磁性流体の粘度が変化し、流通抵抗が変化するので、減衰力を調整することができ、このとき、背圧室の内圧が変化して弁体の開弁圧力を調整することができる。これにより、磁界を作用させる磁性流体の流量が小さくなるので、減衰力の調整範囲を充分に確保しながら消費電力を低減することができ、コイルを小型化することができる。
請求項２の発明に係る減衰力調整式緩衝器によれば、コイルの導線をピストンロッドに配線することが可能になり、外部のコントローラに容易に接続することができる。
また、請求項３の発明に係る減衰力調整式緩衝器によれば、２系統のコイルへの制御電流に応じて、伸び行程時と縮み行程時の減衰力を独立に制御することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る減衰力調整式緩衝器の縦断面図である。
【図２】図１の装置の要部を拡大して示す図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る減衰力調整式緩衝器の要部を拡大して示す縦断面図である。
【図４】本発明の第３実施形態に係る減衰力調整式緩衝器の要部を拡大して示す縦断面図である。
【図５】本発明の第４実施形態に係る減衰力調整式緩衝器の要部を拡大して示す縦断面図である。
【符号の説明】
１    減衰力調整式緩衝器
２    シリンダ
６    ピストン
７    ピストンロッド
１２  コイル
１９  伸び側通路（通路）
２０  縮み側通路（通路）
２１  伸び側ディスクバルブ（弁体）
２２  縮み側ディスクバルブ（弁体）
２５  伸び側背圧室（背圧室）
２６  縮み側背圧室（背圧室）
２９  伸び側副通路（副通路）
３４  縮み側副通路（副通路）
【図１】
2004308780.tif 000003
【図２】
2004308780.tif 000004
【図３】
2004308780.tif 000005
【図４】
2004308780.tif 000006
【図５】
2004308780.tif 000007