(57)【要約】　　　（修正有）【課題】エッチング工程において、ウェハ裏面に付着した反応生成物を除去する。【解決手段】ウェハＷのエッチング処理が終了すると、リフトピン１２ａ、１２ｂを上昇させることにより、ウェハＷを上昇させ、高周波電圧を上部電極６に印加し、反応生成物除去用ガスＧＳ２がプラズマ化されたプラズマＰ２を発生させるとともに、高周波電圧を下部電極５に印加し、上部電極６により発生されたプラズマＰ２´を下部電極５側に引き込みつつ、ウェハＷの裏面に回り込ませる。【選択図】　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを発生するプラズマ発生手段と、
前記プラズマ発生手段にて、エッチング用のプラズマを発生させる第１のプラズマ制御手段と、
前記プラズマ発生手段にて、反応生成物除去用のプラズマを発生させる第２のプラズマ制御手段とを備えることを特徴とするエッチング装置。
【請求項２】
プラズマを発生するプラズマ発生手段と、
前記プラズマを閉じ込めるチャンバと、
前記チャンバ内を排気する排気手段と、
前記チャンバ内にエッチングガスを導入するエッチングガス導入手段と、
前記チャンバ内に反応生成物除去用ガスを導入する反応生成物除去用ガス導入手段と、
前記プラズマ発生手段にて、前記エッチングガスをプラズマ化させる第１のプラズマ制御手段と、
前記プラズマ発生手段にて、前記反応生成物除去用ガスをプラズマ化させる第２のプラズマ制御手段とを備えることを特徴とするエッチング装置。
【請求項３】
プラズマを発生する上部電極と、
前記プラズマを閉じ込めるチャンバと、
ウェハを載置するとともに、前記上部電極で発生されたプラズマを引き込む下部電極と、
前記下部電極上に載置されたウェハをリフトアップさせるリフトアップ手段と、
前記チャンバ内を排気する排気手段と、
前記チャンバ内にエッチングガスを導入するエッチングガス導入手段と、
前記チャンバ内に反応生成物除去用ガスを導入する反応生成物除去用ガス導入手段と、
ウェハが前記下部電極上に載置された状態で、前記エッチングガスをプラズマ化させる第１のプラズマ制御手段と、
前記ウェハがリフトアップされた状態で、前記反応生成物除去用ガスをプラズマ化させる第２のプラズマ制御手段とを備えることを特徴とするエッチング装置。
【請求項４】
プラズマを誘導するプラズマ誘導手段と、
前記プラズマを閉じ込めるチャンバと、
ウェハを載置するとともに、前記誘導されたプラズマを引き込むサセプタと、
前記サセプタ上に載置されたウェハをリフトアップさせるリフトアップ手段と、
前記チャンバ内を排気する排気手段と、
前記チャンバ内にエッチングガスを導入するエッチングガス導入手段と、
前記チャンバ内に反応生成物除去用ガスを導入する反応生成物除去用ガス導入手段と、
ウェハが前記サセプタ上に載置された状態で、前記エッチングガスをプラズマ化させる第１のプラズマ制御手段と、
前記ウェハがリフトアップされた状態で、前記反応生成物除去用ガスをプラズマ化させる第２のプラズマ制御手段とを備えることを特徴とするエッチング装置。
【請求項５】
前記リフトアップ手段によるリフトアップ量は１０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項３または４記載のエッチング装置。
【請求項６】
前記リフトアップ手段は、前記下部電極または前記サセプタを貫通するようにして昇降可能なリフトピンであることを特徴とする請求項３〜５のいずれか１項記載のエッチング装置。
【請求項７】
前記反応生成物除去用ガスは、酸素ガスまたは酸素と窒素の混合ガスまたは酸素と窒素とアルゴンの混合ガスであることを特徴とする請求項２〜６のいずれか１項記載のエッチング装置。
【請求項８】
ウェハを下部電極上に載置する工程と、
前記ウェハ上にエッチングガスを導入する工程と、
上部電極に高周波電圧を印加することにより、前記エッチングガスをプラズマ化する工程と、
前記ウェハを前記下部電極からリフトアップさせる工程と、
前記リフトアップされたウェハ上に反応生成物除去用ガスを導入する工程と、
前記上部電極および前記下部電極に高周波電圧を印加することにより、前記反応生成物除去用ガスをプラズマ化しつつ、前記プラズマを前記下部電極に引き込む工程とを備えることを特徴とする反応生成物の除去方法。
【請求項９】
ウェハをサセプタ上に載置する工程と、
前記ウェハ上にエッチングガスを導入する工程と、
前記ウェハ上にプラズマを誘導することにより、前記エッチングガスをプラズマ化する工程と、
前記ウェハを前記サセプタからリフトアップさせる工程と、
前記リフトアップされたウェハ上に反応生成物除去用ガスを導入する工程と、
前記ウェハ上にプラズマを誘導しつつ、前記サセプタに高周波電圧を印加することにより、前記反応生成物除去用ガスをプラズマ化しつつ、前記プラズマを前記サセプタに引き込む工程とを備えることを特徴とする反応生成物の除去方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はエッチング装置および反応生成物の除去方法に関し、特に、エッチング時にウェハ裏面に回り込んで付着した反応生成物を除去する場合に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のエッチング装置では、ドライエッチング中に生成した反応生成物がウェハの裏面に回り込み、ウェハの裏面に反応生成物が付着することがあり、フォトレジストのアッシング工程で反応生成物の除去が行われていた。
図４は、従来のエッチング装置の概略構成を示す断面図である。
【０００３】
図４において、チャンバ３１には、チャンバ３１内にエッチングガスＧＳ３を導入するガス供給管３２が設けられるとともに、チャンバ３１内を排気する排気管３３が設けられている。
また、チャンバ３１内には、プラズマＰ３を発生させる上部電極３６が設けられるとともに、上部電極３６により発生されたプラズマＰ３を引き込む下部電極３５が設けられ、下部電極３５は載置台３４上に載置されている。
【０００４】
そして、上部電極３６は、カップリングコンデンサ３９を介して、ＲＦ電源４０に接続されるとともに、下部電極３５は、カップリングコンデンサ３７を介してＲＦ電源３８に接続されている。
そして、ウェハＷのエッチング処理を行う場合、ウェハＷを下部電極３５上に載置し、静電チャックなどにより、ウェハＷを下部電極３５上に固定する。
【０００５】
そして、チャンバ３１内を排気し、チャンバ３１内が所定の真空度に達したら、エッチングガスＧＳ３をチャンバ３１内に導入する。
そして、ＲＦ電源４０をオンして、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を上部電極３６に印加し、エッチングガスＧＳ３がプラズマ化されたプラズマＰ３を発生させるとともに、ＲＦ電源３８をオンして、例えば、８００ｋＨｚの高周波電圧を下部電極３５に印加し、上部電極３６により発生されたプラズマＰ３を下部電極３５側に引き込む。
【０００６】
そして、ウェハＷのエッチング処理が終了すると、ＲＦ電源３８、４０をオフし、チャンバ３１内をパージして、ウェハＷを取り出す。
図５は、従来の半導体装置のエッチング工程を示す断面図である。
図５において、エッチング工程にて、積層膜４２に開口部４５を形成するものとすると、図５（ａ）に示すように、積層膜４２が形成された基板４１上にフォトレジスト４３を塗布し、フォトリソグラフィー技術を用いることにより、フォトレジスト４３に開口部４４を形成する。
【０００７】
そして、図５（ｂ）に示すように、この開口部４４が形成された基板４１を図４の下部電極３５上に載置し、チャンバ３１内でプラズマＰ３を発生させることにより、フォトレジスト４３をマスクとして積層膜４２をエッチングし、積層膜４２に開口部４５を形成する。
ここで、積層膜４２をエッチングする際に、カーボン、フッ素、水素、Ｓｉ、あるいは金属などのエッチング材料が反応した反応生成物４６が生成され、この反応生成物４６が基板４１の裏面に付着することで、基板４１の裏面にプラズマ重合膜４７が形成される。
【０００８】
そして、基板４１の裏面にプラズマ重合膜４７が形成されると、この反応生成膜４７がエッチング後の後工程に悪影響を及ぼすことがある。
このため、従来のプラズマ重合膜４７の除去方法では、図４のエッチング装置を用いてエッチング処理を行った後、バッチ式のバレル型または同軸型のアッシング装置を用いることにより、フォトレジスト４３を除去しつつ、基板４１の裏面にプラズマを回り込ませて、プラズマ重合膜４７を除去することが行われていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、フォトレジスト４３を除去する際に、基板４１の裏面にプラズマを回り込ませて、プラズマ重合膜４７を除去する方法では、基板４１の裏面にプラズマを回り込ませるために、バッチ式のバレル型または同軸型のアッシング装置を用いる必要があり、装置限定がかかるとともに、生産効率が劣化するという問題があった。
【００１０】
そこで、本発明の目的は、エッチング工程においてウェハ裏面に付着した反応生成物を除去することが可能なエッチング装置および反応生成物の除去方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、請求項１記載のエッチング装置によれば、プラズマを発生するプラズマ発生手段と、前記プラズマ発生手段にて、エッチング用のプラズマを発生させる第１のプラズマ制御手段と、前記プラズマ発生手段にて、反応生成物除去用のプラズマを発生させる第２のプラズマ制御手段とを備えることを特徴とする。
【００１２】
これにより、同一のエッチング装置を使用して、エッチング処理および反応生成物の除去を行うことが可能となり、エッチング処理後に、装置を交換することなく、ウェハ裏面に付着した反応生成物を除去することができる。
このため、ウェハ裏面に付着した反応生成物を除去するために、フォトレジストのアッシング工程にて、ウェハ裏面にプラズマを回り込ませる必要がなくなり、アッシング時の装置限定をなくして、生産効率を向上させることが可能となる。
【００１３】
また、請求項２記載のエッチング装置によれば、プラズマを発生するプラズマ発生手段と、前記プラズマを閉じ込めるチャンバと、前記チャンバ内を排気する排気手段と、前記チャンバ内にエッチングガスを導入するエッチングガス導入手段と、前記チャンバ内に反応生成物除去用ガスを導入する反応生成物除去用ガス導入手段と、前記プラズマ発生手段にて、前記エッチングガスをプラズマ化させる第１のプラズマ制御手段と、前記プラズマ発生手段にて、前記反応生成物除去用ガスをプラズマ化させる第２のプラズマ制御手段とを備えることを特徴とする。
【００１４】
これにより、エッチング用プラズマと反応生成物除去用プラズマとを同一チャンバ内で生成することが可能となり、エッチング処理後に、エッチング装置をそのまま使用して、ウェハ裏面に付着した反応生成物を除去することができる。
このため、ウェハ裏面に付着した反応生成物を除去するために、バッチ式のバレル型または同軸型のアッシング装置を用いる必要がなくなり、アッシング時の装置限定をなくして、生産効率を向上させることが可能となる。
【００１５】
また、請求項３記載のエッチング装置によれば、プラズマを発生する上部電極と、前記プラズマを閉じ込めるチャンバと、ウェハを載置するとともに、前記上部電極で発生されたプラズマを引き込む下部電極と、前記下部電極上に載置されたウェハをリフトアップさせるリフトアップ手段と、前記チャンバ内を排気する排気手段と、前記チャンバ内にエッチングガスを導入するエッチングガス導入手段と、前記チャンバ内に反応生成物除去用ガスを導入する反応生成物除去用ガス導入手段と、ウェハが前記下部電極上に載置された状態で、前記エッチングガスをプラズマ化させる第１のプラズマ制御手段と、前記ウェハがリフトアップされた状態で、前記反応生成物除去用ガスをプラズマ化させる第２のプラズマ制御手段とを備えることを特徴とする。
【００１６】
これにより、エッチング用プラズマと反応生成物除去用プラズマとを同一チャンバ内で生成することが可能となるとともに、十分なプラズマ密度を確保しつつ、ウェハを下部電極上でリフトアップさせることが可能となる。
このため、エッチング装置の大型化を抑制しつつ、ウェハ裏面にプラズマを回り込ませて、ウェハ裏面に付着した反応生成物を効率よく除去することが可能となり、アッシング時の装置限定をなくして、生産効率を向上させることが可能となる。
【００１７】
また、請求項４記載のエッチング装置によれば、プラズマを誘導するプラズマ誘導手段と、前記プラズマを閉じ込めるチャンバと、ウェハを載置するとともに、前記誘導されたプラズマを引き込むサセプタと、前記サセプタ上に載置されたウェハをリフトアップさせるリフトアップ手段と、前記チャンバ内を排気する排気手段と、前記チャンバ内にエッチングガスを導入するエッチングガス導入手段と、前記チャンバ内に反応生成物除去用ガスを導入する反応生成物除去用ガス導入手段と、ウェハが前記サセプタ上に載置された状態で、前記エッチングガスをプラズマ化させる第１のプラズマ制御手段と、前記ウェハがリフトアップされた状態で、前記反応生成物除去用ガスをプラズマ化させる第２のプラズマ制御手段とを備えることを特徴とする。
【００１８】
これにより、エッチング用プラズマと反応生成物除去用プラズマとを同一チャンバ内で生成することが可能となるとともに、プラズマの高密度化を可能としつつ、ウェハをサセプタ上でリフトアップさせることが可能となる。
このため、エッチング装置の大型化を抑制しつつ、ウェハ裏面にプラズマを回り込ませて、ウェハ裏面に付着した反応生成物を効率よく除去することが可能となり、アッシング時の装置限定をなくして、生産効率を向上させることが可能となる。
【００１９】
また、請求項５記載のエッチング装置によれば、前記リフトアップ手段によるリフトアップ量は１０ｍｍ以下であることを特徴とする。
これにより、ウェハをリフトアップさせた場合においても、プラズマをチャンバ内で容易に発生させることが可能となり、エッチング装置の大型化・複雑化を抑制しつつ、ウェハ裏面に付着した反応生成物をエッチング装置内で効率よく除去することが可能となる。
【００２０】
また、請求項６記載のエッチング装置によれば、前記リフトアップ手段は、前記下部電極または前記サセプタを貫通するようにして昇降可能なリフトピンであることを特徴とする。
これにより、下部電極部分またはサセプタ部分を改造することで、ウェハをリフトアップさせることができ、エッチング装置の全体構成を変更することなく、ウェハ裏面に付着した反応生成物をエッチング装置内で効率よく除去することが可能となる。
【００２１】
また、請求項７記載のエッチング装置によれば、前記反応生成物除去用ガスは、酸素ガスまたは酸素と窒素の混合ガスまたは酸素と窒素とアルゴンの混合ガスであることを特徴とする。
これにより、反応生成物がウェハ裏面に強固に付着した場合においても、エッチング装置内で反応生成物を容易に除去することが可能となり、後工程の負担を軽減することが可能となる。
【００２２】
また、請求項８記載の反応生成物の除去方法によれば、ウェハを下部電極上に載置する工程と、前記ウェハ上にエッチングガスを導入する工程と、上部電極に高周波電圧を印加することにより、前記エッチングガスをプラズマ化する工程と、前記ウェハを前記下部電極からリフトアップさせる工程と、前記リフトアップされたウェハ上に反応生成物除去用ガスを導入する工程と、前記上部電極および前記下部電極に高周波電圧を印加することにより、前記反応生成物除去用ガスをプラズマ化しつつ、前記プラズマを前記下部電極に引き込む工程とを備えることを特徴とする。
【００２３】
これにより、エッチング用プラズマと反応生成物除去用プラズマとを同一のエッチング装置内で効率よく生成することが可能となるとともに、簡易な機構を付加することで、ウェハ裏面を露出させることが可能となる。
このため、エッチング処理後に、同一のエッチング装置をそのまま使用して、ウェハ裏面に付着した反応生成物を容易に除去することができ、ウェハ裏面に付着した反応生成物を除去するために、バッチ式のバレル型または同軸型のアッシング装置を用いる必要がなくなることから、アッシング時の装置限定をなくして、生産効率を向上させることが可能となる。
【００２４】
また、請求項９記載の反応生成物の除去方法によれば、ウェハをサセプタ上に載置する工程と、前記ウェハ上にエッチングガスを導入する工程と、前記ウェハ上にプラズマを誘導することにより、前記エッチングガスをプラズマ化する工程と、前記ウェハを前記サセプタからリフトアップさせる工程と、前記リフトアップされたウェハ上に反応生成物除去用ガスを導入する工程と、前記ウェハ上にプラズマを誘導しつつ、前記サセプタに高周波電圧を印加することにより、前記反応生成物除去用ガスをプラズマ化しつつ、前記プラズマを前記サセプタに引き込む工程とを備えることを特徴とする。
【００２５】
これにより、エッチング用プラズマと反応生成物除去用プラズマとを同一のエッチング装置内で効率よく生成することが可能となるとともに、簡易な機構を付加することで、十分なプラズマ密度を維持しつつ、ウェハ裏面を露出させることが可能となる。
このため、エッチング処理後に、同一のエッチング装置をそのまま使用して、ウェハ裏面に付着した反応生成物を効率よく除去することができ、ウェハ裏面に付着した反応生成物を除去するために、バッチ式のバレル型または同軸型のアッシング装置を用いる必要がなくなることから、アッシング時の装置限定をなくして、生産効率を向上させることが可能となる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係るエッチング装置および反応生成物の除去方法について、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係るエッチング装置の概略構成を示す断面図、図２は、図１のエッチング装置において反応生成物を除去する時の動作を示す断面図である。
【００２７】
図１、２において、チャンバ１には、エッチングガスＧＳ１および反応生成物除去用ガスＧＳ２をチャンバ１内に導入するガス供給管２が設けられるとともに、チャンバ１内を排気する排気管３が設けられている。
また、チャンバ１内には、プラズマＰ１、Ｐ２を発生させる上部電極６が設けられるとともに、上部電極６により発生されたプラズマＰ１、Ｐ２を引き込む下部電極５が設けられ、下部電極５は載置台４上に載置されている。
【００２８】
そして、上部電極６は、カップリングコンデンサ９を介して、ＲＦ電源１０に接続されるとともに、下部電極５は、カップリングコンデンサ７を介してＲＦ電源８に接続されている。
さらに、載置台４の下方には、ウェハＷを昇降させるウェハ昇降装置１１が設けられ、ウェハ昇降装置１１には、昇降可能なリフトピン１２ａ、１２ｂが設けられている。ここで、リフトピン１２ａ、１２ｂは、下部電極５を貫通するようにして、ウェハＷの裏面と接触可能なように配置される。
【００２９】
そして、ウェハＷのエッチング処理を行う場合、ウェハＷを下部電極５上に載置し、リフトピン１２ａ、１２ｂを下降させて、静電チャックなどにより、ウェハＷを下部電極５上に固定する。
そして、チャンバ１内を排気し、チャンバ１内が所定の真空度に達したら、エッチングガスＧＳ１をチャンバ１内に導入する。
【００３０】
そして、ＲＦ電源１０をオンして、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を上部電極６に印加し、エッチングガスＧＳ１がプラズマ化されたプラズマＰ１を発生させるとともに、ＲＦ電源８をオンして、例えば、８００ｋＨｚの高周波電圧を下部電極５に印加し、上部電極６により発生されたプラズマＰ１を下部電極５側に引き込む。
【００３１】
そして、ウェハＷのエッチング処理が終了すると、ＲＦ電源８、１０をオフし、チャンバ１内を再び排気し、チャンバ１内が所定の真空度に達したら、反応生成物除去用ガスＧＳ２をチャンバ１内に導入する。
そして、リフトピン１２ａ、１２ｂを上昇させることにより、ウェハＷを上昇させる。
【００３２】
そして、ＲＦ電源１０を再びオンして、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を上部電極６に印加し、反応生成物除去用ガスＧＳ２がプラズマ化されたプラズマＰ２を発生させるとともに、ＲＦ電源８を再びオンして、例えば、８００ｋＨｚの高周波電圧を下部電極５に印加し、上部電極６により発生されたプラズマＰ２´を下部電極５側に引き込みつつ、ウェハＷの裏面に回り込ませる。
【００３３】
そして、ウェハＷに付着した反応生成物の除去が終了すると、ＲＦ電源８、１０をオフし、チャンバ１内をパージして、ウェハＷを取り出す。
これにより、エッチングガスＧＳ１を用いてエッチングが行われた同一チャンバ１内で、ウェハＷに付着した反応生成物の除去することが可能となり、後のアッシング工程にて、ウェハＷの裏面に付着した反応生成物を除去する必要がなくなる。
【００３４】
このため、ウェハＷの裏面に付着した反応生成物を除去するために、バッチ式のバレル型または同軸型のアッシング装置を用いる必要がなくなり、アッシング時の装置限定をなくして、生産効率を向上させることが可能となる。
なお、反応生成物除去用ガスＧＳ２としては、例えば、酸素ガスを単独で用いてもよいが、窒素ガスやアルゴンガスなどを酸素ガスに混合して用いてもよい。
【００３５】
ここで、窒素ガスやアルゴンガスなどを酸素ガスに混合することにより、反応生成物の結合状態が強固な場合においても、反応生成物を効率よく除去することが可能となる。
図３は、本発明の一実施形態に係る半導体装置のエッチング工程を示す断面図である。
【００３６】
図３（ａ）において、積層膜２２に開口部２５を形成する場合、積層膜２２が形成された基板２１上にフォトレジスト２３を塗布し、フォトリソグラフィー技術を用いることにより、フォトレジスト２３に開口部２４を形成する。
次に、図３（ｂ）において、この開口部２４が形成された基板２１を図１の下部電極５上に載置し、リフトピン１２ａ、１２ｂを下降させた状態で、チャンバ２１内にプラズマＰ１を発生させることにより、フォトレジスト２３をマスクとして積層膜２２をエッチングし、積層膜２２に開口部２５を形成する。
【００３７】
ここで、積層膜２２をエッチングする際に、カーボン、フッ素、水素、Ｓｉ、あるいは金属などのエッチング材料が反応した反応生成物２６が生成され、この反応生成物２６が基板２１の裏面に付着することで、基板２１の裏面にプラズマ重合膜２７が形成される。
次に、図３（ｃ）において、リフトピン１２ａ、１２ｂを上昇させ、ウェハＷをリフトアップ量ＬＨだけ持ち上げた状態で、チャンバ２１内にプラズマＰ２を発生させる。
【００３８】
そして、このプラズマＰ２を下部電極５側に引き込み、プラズマＰ２の一部のプラズマＰ２´を基板２１の裏面に回り込ませることにより、プラズマ重合膜２７を除去する。
ここで、ウェハＷのリフトアップ量ＬＨは数ｍｍ程度が好ましく、これにより、ウェハＷを下部電極５上でリフトアップさせた場合においても、プラズマＰ２を効率よく発生させることが可能となる。
【００３９】
なお、上述した実施形態では、上下電極に高周波電圧を印加する２周波印加型ドライエッチング装置を例にとって説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されることなく、例えば、ＥＣＲ（ｅｌｅｃｔｏｒｏｎ　ｃｙｃｌｏｔｒｏｎｒｅｓｏｎａｎｃｅ：電子サイクロトロン共鳴）エッチング装置、ＳＷＰ（ｓｕｒｆａｃｅ　ｗａｖｅ　ｐｌａｓｍａ：サーフェスウェーブプラズマ）エッチング装置、ＨＥＰ（ｈｅｌｉｃｏｎ−ｗａｖｅ　ｅｘｃｉｔｅｄ　ｐｌａｓｍａ：ヘリコン波励起プラズマ）エッチング装置、ＩＣＰ（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙｃｏｕｐｌｅｄ　ｐｌａｓｍａ：誘導結合型プラズマ）エッチング装置、ＴＣＰ（ｔｒａｎｓｆｅｒ　ｃｏｕｐｌｅｄ　ｐｌａｓｍａ：転送結合型プラズマ）エッチング装置などに適用してもよい。
【００４０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、同一のエッチング装置を使用して、エッチング処理および反応生成物の除去を行うことが可能となり、エッチング処理後に、装置を交換することなく、ウェハ裏面に付着した反応生成物を除去することができる。
このため、ウェハ裏面に付着した反応生成物を除去するために、フォトレジストのアッシング工程にて、ウェハ裏面にプラズマを回り込ませる必要がなくなり、アッシング時の装置限定をなくして、生産効率を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係るエッチング装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】図１のエッチング装置において反応生成物を除去する時の動作を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体装置のエッチング工程を示す断面図である。
【図４】従来のエッチング装置の概略構成を示す断面図である。
【図５】従来の半導体装置のエッチング工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１　チャンバ、２　ガス供給管、３　排気管、４　載置台、５　下部電極、６上部電極、７、９　カップリングコンデンサ、８、１０　ＲＦ電源、１１　ウェハ昇降装置、１２ａ、１２ｂ　リフトピン、ＧＳ１　エッチングガス、Ｐ１、Ｐ２、Ｐ２´　プラズマ、ＧＳ２　Ｏ２ガス、２１　基板、２２　積層膜、２３フォトレジスト、２４、２５　開口部、２６　反応生成物、２７　プラズマ重合膜、ＬＨ　リフトアップ量
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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