(57)【要約】【課題】高純度Ｃｕ製スパッタリングターゲットを粒成長させることなくＡｌ合金製バッキングプレートに熱間静水圧プレスにより接合させるＡｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。【解決手段】高純度Ｃｕスパッタリングターゲット１の片面にＡｌ層４を形成してＡｌ被覆高純度Ｃｕターゲット５を作製し、一方、Ａｌ合金製バッキングプレート２の片面にＺｎ層３を形成して、Ｚｎ被覆Ａｌ合金バッキングプレート６を作製し、Ａｌ被覆高純度ＣｕターゲットにおけるＡｌ層４と、Ｚｎ被覆Ａｌ合金バッキングプレートにおけるＺｎ層３が接触するように重ね合わせたのち温度：４００℃以下で熱間静水圧プレスする。【選択図】      図１
2004332051.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
純度：９９．９９９９％以上の高純度Ｃｕ（以下、高純度Ｃｕという）からなるスパッタリングターゲットの片面にＡｌ層を形成してＡｌ被覆高純度Ｃｕターゲットを作製し、
一方、Ａｌ合金製バッキングプレートの片面にＺｎ層を形成して、Ｚｎ被覆Ａｌ合金製バッキングプレートを作製し、
前記Ａｌ被覆高純度ＣｕターゲットにおけるＡｌ層と、Ｚｎ被覆Ａｌ合金製バッキングプレートにおけるＺｎ層とが接触するように重ね合わせて接合することを特徴とするＡｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項２】
高純度Ｃｕからなるスパッタリングターゲットの片面にＡｌ層を形成し、このＡｌ層の上にＺｎ層を形成して、ＡｌＺｎ２層被覆高純度Ｃｕターゲットを作製し、
前記ＡｌＺｎ２層被覆高純度ＣｕターゲットにおけるＺｎ層と、Ａｌ合金製バッキングプレートの表面とが接触するように重ね合わせて接合することを特徴とするＡｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項３】
高純度Ｃｕからなるスパッタリングターゲットの片面にＡｌ層を形成し、このＡｌ層の上にＺｎ層を形成して、ＡｌＺｎ２層被覆高純度Ｃｕターゲットを作製し、
一方、Ａｌ合金製バッキングプレートの片面にＺｎ層を形成して、Ｚｎ被覆Ａｌ合金製バッキングプレートを作製し、
前記ＡｌＺｎ２層被覆高純度ＣｕターゲットにおけるＺｎ層と、Ｚｎ被覆Ａｌ合金製バッキングプレートのＺｎ層とが接触するように重ね合わせて接合することを特徴とするＡｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項４】
前記重ね合わせて接合する方法は熱間静水圧プレスにより行なうことを特徴とする請求項１、２または３記載のＡｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項５】
請求項１、２、３または４記載の方法で製造されたＡｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は、純度：９９．９９９９％以上の高純度Ｃｕ（以下、高純度Ｃｕという）製スパッタリングターゲットを粒成長させることなくＡｌ合金製バッキングプレートに熱間静水圧プレスにより圧接接合させるＡｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの配線として、スパッタリングによって形成された高純度Ｃｕ薄膜配線を使用することは知られており、この高純度Ｃｕ薄膜配線は、高純度Ｃｕ製スパッタリングターゲットをスパッタリング装置に取り付け、スパッタリングを行うことにより形成することが知られている。この高純度Ｃｕ製スパッタリングターゲットは一般に高純度Ｃｕ製スパッタリングターゲットの結晶粒が微細であるほどパーティクルの発生が少なくかつ均一な薄膜が得られるといわれており、そのために高純度Ｃｕ製スパッタリングターゲットの結晶粒は平均粒径：２００μｍ以下、一層好ましくは５０μｍ以下に押さえられている。しかし、一般に、高純度Ｃｕ製ターゲットの結晶粒を微細化することは難しく、結晶粒の微細な高純度Ｃｕ製ターゲットを得るために、その製造過程において急冷凝固させたり、加熱と鍛造とを繰り返したり、粉末冶金法による製造方法が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
この結晶粒が微細な高純度Ｃｕ製スパッタリングターゲットは、スパッタリング中に加熱されるためにバッキングプレートにより常に冷却しながらスパッタリングを行わなければならない。そのために従来は高純度Ｃｕ製スパッタリングターゲットに熱伝導性に優れた純銅製バッキングプレートをろう付けしたバッキングプレート付きターゲットを作製し、これをスパッタリング装置にセットしてスパッタリングを行っていた。
しかし、近年、スパッタリング効率を上げるために高純度Ｃｕ製スパッタリングターゲットは益々大型化し、それに伴って純銅製バッキングプレートも大型化する傾向にある。ターゲットおよびバッキングプレートが共に純銅製であると、大型化したバッキングプレート付きスパッタリングターゲットの重量が重くなり、運搬してこれをスパッタリング装置に取り付けるためには大きな労力が必要となり、特に操業と中で新しいターゲットにすばやく交換する時など大きな負担となってきた。そこで、近年、軽量化および低コスト化を目的として従来の純銅製バッキングプレートをＡｌ合金製バッキングプレートに換える傾向にある。そして、高純度Ｃｕ製バッキングターゲットにＡｌ合金製バッキングプレートを接合するにはろう付けよりも不純物混入の恐れのない熱間静水圧プレスを施すことにより接合しており、この熱間静水圧プレスは温度：５００〜５５０℃、圧力：１４０〜１５０ＭＰａの条件で行われている（特許文献２参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００１−２４０９４９号公報
【特許文献２】
特開２００２−２９４４３８号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、一般に高純度Ｃｕは低温でも結晶粒が成長しやすく、３００℃近傍で再結晶化が始まるところから、結晶粒の微細な高純度Ｃｕ製ターゲットとＡｌ合金製バッキングプレートとを重ねた状態で温度：５００℃、圧力：１５０ＭＰａの条件で熱間静水圧プレスしてＡｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットを製造すると、熱間静水圧プレス中に高純度Ｃｕ製ターゲットの結晶粒が成長して粗大化し、この粗大化した結晶粒を有する高純度Ｃｕ製ターゲットを用いてスパッタリングを行なうと、前述のようにパーティクルの発生が多くなり、さらに形成される薄膜の厚さが不均一となって好ましくない。したがって、可能な限り低い温度で熱間静水圧プレスすることによりＡｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットを製造する方法の開発が求められていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者等は、結晶粒を成長させることなく高純度Ｃｕ製スパッタリングターゲットとＡｌ合金製バッキングプレートとを接合すべく研究を行った。その結果、
（イ）高純度Ｃｕからなるスパッタリングターゲットの片面にＡｌ層を形成してＡｌ被覆高純度Ｃｕターゲットを作製し、
一方、Ａｌ合金製バッキングプレートの片面にＺｎ層を形成して、Ｚｎ被覆Ａｌ合金製バッキングプレートを作製し、
前記Ａｌ被覆高純度ＣｕターゲットにおけるＡｌ層と、Ｚｎ被覆Ａｌ合金製バッキングプレートにおけるＺｎ層とが接触するように重ね合わて接合すると、温度：４００℃以下で接合することができ、格段に低い温度で接合できるので、高純度Ｃｕターゲットの結晶粒の成長を抑えることができる、
（ロ）高純度Ｃｕからなるスパッタリングターゲットの片面にＡｌ層を形成し、このＡｌ層の上にＺｎ層を形成して、ＡｌＺｎ２層被覆高純度Ｃｕターゲットを作製し、このＡｌＺｎ２層被覆高純度ＣｕターゲットにおけるＺｎ層とＡｌ合金製バッキングプレートの表面とが接触するように重ね合わせたのち接合すると、温度：４００℃以下で接合することができ、同様に格段に低い温度で接合できるので、高純度Ｃｕターゲットの結晶粒の成長を抑えることができる、
（ハ）高純度Ｃｕからなるスパッタリングターゲットの片面にＡｌ層を形成し、このＡｌ層の上にＺｎ層を形成して、ＡｌＺｎ２層被覆高純度Ｃｕターゲットを作製し、このＡｌＺｎ２層被覆高純度ＣｕターゲットにおけるＺｎ層と、Ｚｎ被覆Ａｌ合金製バッキングプレートのＺｎ層とが接触するように重ね合わせたのち接合すると、接触面が共にＺｎであるから温度：４００℃以下で接合することができ、格段に低い温度で接合することができ、高純度Ｃｕターゲットの結晶粒の成長を抑えることができる、などの研究結果が得られたのである。
【０００７】
この発明は、上記の研究結果に基づいてなされたものであって、
（１）高純度Ｃｕからなるスパッタリングターゲットの片面にＡｌ層を形成してＡｌ被覆高純度Ｃｕターゲットを作製し、
一方、Ａｌ合金製バッキングプレートの片面にＺｎ層を形成して、Ｚｎ被覆Ａｌ合金製バッキングプレートを作製し、
前記Ａｌ被覆高純度ＣｕターゲットにおけるＡｌ層と、Ｚｎ被覆Ａｌ合金製バッキングプレートにおけるＺｎ層とが接触するように重ね合わせて接合するＡｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットの製造方法、
（２）高純度Ｃｕからなるスパッタリングターゲットの片面にＡｌ層を形成し、このＡｌ層の上にＺｎ層を形成して、ＡｌＺｎ２層被覆高純度Ｃｕターゲットを作製し、前記ＡｌＺｎ２層被覆高純度ＣｕターゲットにおけるＺｎ層とＡｌ合金製バッキングプレートの表面とが接触するように重ね合わせて接合するＡｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットの製造方法、
（３）高純度Ｃｕからなるスパッタリングターゲットの片面にＡｌ層を形成し、このＡｌ層の上にＺｎ層を形成して、ＡｌＺｎ２層被覆高純度Ｃｕターゲットを作製し、
一方、Ａｌ合金製バッキングプレートの片面にＺｎ層を形成して、Ｚｎ被覆Ａｌ合金製バッキングプレートを作製し、
前記ＡｌＺｎ２層被覆高純度ＣｕターゲットにおけるＺｎ層と、Ｚｎ被覆Ａｌ合金製バッキングプレートのＺｎ層とが接触するように重ね合わせて接合するＡｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットの製造方法、に特徴を有するものである。
【０００８】
前記（１）、（２）または（３）記載の接合は熱間静水圧プレスで行なうのが望ましく、さらに温度は４００℃以下で行なうことができるが、あまり低い温度で熱間静水圧プレスを行なっても十分な接合が成されないところから、３６０℃以上であることが好ましく、３６０〜４００℃の範囲内にあることが一層好ましい。
【０００９】
また、この発明で使用する高純度Ｃｕスパッタリングターゲットを製造するには、純度：９９．９９９９％以上の高純度電解Ｃｕを不活性ガス雰囲気中の高純度グラファイト製ルツボ内にて高周波溶解し、得られた溶湯を高純度グラファイト製モールドに鋳造し、さらに冷間圧延と焼鈍を繰り返したのち最後に歪取り焼鈍を施すことにより得ることができる。このようにして得られた高純度ＣｕスパッタリングターゲットをＡｌ合金製バッキングプレートに重ね合わせ、これを熱間静水圧プレスすると高純度ＣｕスパッタリングターゲットとＡｌ合金製バッキングプレートとが接合し、Ａｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットを得ることができる。この時の熱間静水圧プレスは、温度：４００℃以下、圧力：１４０〜１５０ＭＰａで行なう。
【００１０】
次に、この発明のＡｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットの製造方法を図面に基づいて具体的に説明する。
図１は、この発明のＡｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットの製造方法を説明するための側面図であり、１は高純度Ｃｕスパッタリングターゲット、２はＡｌ合金製バッキングプレート、３はＺｎ層、４はＡｌ層である。Ｚｎ層３の厚さは５０〜１５０μｍの範囲内にあることが好ましく、Ａｌ層４は１５〜２５μｍの範囲内にあることが好ましい。Ｚｎ層３は厚みが必要であるから、電解メッキまたは無電解メッキで形成することが好ましいが、化学蒸着または物理蒸着で形成しても良い。一方、Ａｌ層４は薄いので電解メッキまたは無電解メッキよりも化学蒸着または物理蒸着により形成することが好ましい。
【００１１】
このようにして高純度Ｃｕスパッタリングターゲット１の片面にＡｌ層４を形成したＡｌ被覆高純度Ｃｕターゲット５と、Ａｌ合金製バッキングプレート２の片面にＺｎ層３を形成したＺｎ被覆Ａｌ合金製バッキングプレート６を、前記Ａｌ被覆高純度Ｃｕターゲット５におけるＡｌ層４と、Ｚｎ被覆Ａｌ合金製バッキングプレート６におけるＺｎ層３が接触するように重ね合わせたのち金型に密封し、温度：４００℃以下で熱間静水圧プレスすることにより接合すると、図２に示されるように、Ａｌ合金製バッキングプレートと高純度Ｃｕスパッタリングターゲットの間にＡｌ層４およびＡｌ−Ｚｎ共晶層９からなる積層接合層８が形成され、Ａｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットを製造することができる。
Ａｌ被覆高純度Ｃｕターゲット５とＺｎ被覆Ａｌ合金製バッキングプレート６を熱間静水圧プレスすると、厚さの厚いＺｎ層は溶解し、液相となって高純度Ｃｕターゲットの外に押出されるが、この時溶融したＺｎがＡｌ合金製バッキングプレート２の表面およびＡｌ被覆高純度Ｃｕターゲット５におけるＡｌ層４の表面を流れることによりＡｌ酸化膜を外に押し流し、密着性に優れたＡｌ−Ｚｎ共晶層９が形成されて優れた密着強度を有するＡｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットを製造することができるものと考えられる。
【００１２】
図３は、他のこの発明のＡｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットの製造方法を説明するための側面図であり、高純度Ｃｕスパッタリングターゲット１の片面にＡｌ層４を形成したＡｌ被覆高純度Ｃｕターゲット５におけるＡｌ層４の表面にさらにＺｎ層３を形成してＡｌＺｎ２層被覆高純度Ｃｕターゲット７を作製し、このＡｌＺｎ２層被覆高純度Ｃｕターゲット７におけるＺｎ層３と、Ａｌ合金製バッキングプレート６の表面が接触するように重ね合わせたのち温度：４００℃以下で熱間静水圧プレスにより接合することにより図２に示されるＡｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットを製造する方法である。図３におけるその他の符号は図１で説明した符号と同じであるから、その他の符号の説明は省略する。
ＡｌＺｎ２層被覆高純度Ｃｕターゲット７とＡｌ合金製バッキングプレート２を重ね合わせて熱間静水圧プレスすると、厚さの厚いＺｎ層は溶解し、液相となって高純度Ｃｕターゲットの外に押出されるが、この時溶融したＺｎがＡｌ合金製バッキングプレート２の表面およびＡｌＺｎ２層被覆高純度Ｃｕターゲット７におけるＡｌ層４の表面を流れることによりＡｌ酸化膜を外に押し流し、密着性に優れたＡｌ−Ｚｎ共晶層９が形成されて優れた密着強度を有するＡｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットを製造することができるものと考えられる。
【００１３】
図４は、この発明のさらに改良されたＡｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットの製造方法を説明するための側面図であり、高純度Ｃｕスパッタリングターゲット１の片面にＡｌ層４を形成したＡｌ被覆高純度Ｃｕターゲット５におけるＡｌ層４の表面にさらにＺｎ層３を形成してＡｌＺｎ２層被覆高純度Ｃｕターゲット７を作製し、このＡｌＺｎ２層被覆高純度Ｃｕターゲット７におけるＺｎ層３と、Ｚｎ被覆Ａｌ合金製バッキングプレート６のＺｎ層３が接触するように重ね合わせたのち温度：４００℃以下で熱間静水圧プレスにより接合することにより図２に示されるＡｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットを製造する方法である。図４におけるその他の符号は図１で説明した符号と同じであるから、その他の符号の説明は省略する。
図４に示される方法の場合、ＡｌＺｎ２層被覆高純度Ｃｕターゲット７におけるＺｎ層３と、Ｚｎ被覆Ａｌ合金製バッキングプレート６のＺｎ層３が接触するように重ね合わせるのでＺｎ層の合計厚さが厚くなり、さらに、Ａｌ被覆高純度Ｃｕターゲット５におけるＡｌ層４の表面をＺｎ層が密着した状態でＡｌ層表面の酸化膜を剥ぎ取りながら一層大量の溶融Ｚｎが流れるので、一層介在物の少ないＡｌ−Ｚｎ共晶層９が形成され、優れた密着強度を有するＡｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットを製造することができる。
【００１４】
【発明の実施の態様】
つぎに、この発明のＡｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットを製造方法について具体的に説明する。
純度：９９．９９９９質量％の高純度電解Ｃｕを用意し、この高純度電解ＣｕをＡｒガス雰囲気中の高純度グラファイトモールド内にて高周波溶解し、得られた溶湯を冷却されたカーボン鋳型に鋳造し、さらに冷間圧延と焼鈍を繰り返したのち最終的に歪取り焼鈍し、得られた圧延体の表面を旋盤加工して外径：３００ｍｍ×厚さ：５ｍｍの寸法を有し、平均結晶粒径：５０μｍを有する高純度Ｃｕスパッタリングターゲットを作製した。
さらに、外径：４００ｍ  ｍ×厚さ：５ｍｍの寸法を有し、ＪＩＳ５０５２（質量％でＳｉ：０．２５％、Ｆｅ：０．４０％、Ｃｕ：０．１０％、Ｍｇ：２．５％、Ｃｒ：０．２５％、Ｚｎ：０．１０％を含有し、残部がＡｌおよび不可避不純物）からなるＡｌ合金製バッキングプレートを用意した。
【００１５】
実施例１〜６
高純度Ｃｕスパッタリングターゲットの片面に、スパッタリングにより膜厚：５μｍの純Ａｌ層を形成してＡｌ被覆高純度Ｃｕターゲットを作製し、一方、Ａｌ合金製バッキングプレートの片面に電気メッキ法により膜厚：１０μｍ、１００μｍおよび２００μのＺｎ層を形成してＺｎ被覆Ａｌ合金製バッキングプレートを作製した。Ａｌ被覆高純度ＣｕターゲットにおけるＡｌ層と、Ｚｎ被覆Ａｌ合金製バッキングプレートにおけるＺｎ層が接触するように重ね合わせたのち温度：３００℃、３５０℃または４００℃、圧力：１５０ＭＰａ、２時間保持の条件で熱間静水圧プレス（以下、ＨＩＰという）することによりＡｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲット（以下、ターゲットという）を作製した。
得られたターゲットにおける高純度Ｃｕスパッタリングターゲット部分の平均結晶粒径を測定し、その結果を表１に示したのち、さらに下記の試験を行なった。
１．超音波探傷試験
得られたターゲットに周波数：２０ＭＨｚをかけた接触子により高純度ＣｕスパッタリングターゲットとＡｌ合金製バッキングプレートの接合部における非接合部分面積（面積％）を測定し、その結果を表１に示した。
２．引張試験
得られたターゲットから引張試験片を１０本切り出し、これら引張試験片を用いて引張試験を行ない、その平均値を表１に示した。
【００１６】
実施例７〜１２
実施例１〜６で作製したＡｌ被覆高純度Ｃｕターゲットの純Ａｌ層に、さらに電気メッキ法により膜厚：１０μｍ、１００μｍおよび２００μのＺｎ層を形成してＡｌＺｎ２層被覆Ｃｕターゲットを作製し、このＡｌＺｎ２層被覆ＣｕターゲットにおけるＺｎ層とＡｌ合金製バッキングプレートが接触するように重ね合わせたのち温度：３００℃、３５０℃または４００℃、圧力：１５０ＭＰａ、２時間保持の条件でＨＩＰすることによりターゲットを作製した。
得られたターゲットにおける高純度Ｃｕスパッタリングターゲット部分の平均結晶粒径を測定し、その結果を表２に示したのち、さらに実施例１〜６と同様にして超音波探傷試験および引張試験を行ない、非接合部分面積を求め、さらに実施例１〜６と同様にして引張試験を行ない、引張強さの平均値を求め、それらの結果を表２に示した。
【００１７】
実施例１３〜１８
実施例１〜６で作製したＡｌ被覆高純度Ｃｕターゲットの純Ａｌ層に、さらに電気メッキ法により膜厚：１０μｍ、１００μｍおよび２００μのＺｎ層を形成してＡｌＺｎ２層被覆Ｃｕターゲットを作製し、このＡｌＺｎ２層被覆ＣｕターゲットにおけるＺｎ層と実施例１〜６で用意したＺｎ被覆Ａｌ合金製バッキングプレートのＺｎ層が接触するように重ね合わせたのち温度：３００℃、３５０℃または４００℃、圧力：１５０ＭＰａ、２時間保持の条件でＨＩＰすることによりターゲットを作製した。
得られたターゲットにおける高純度Ｃｕスパッタリングターゲット部分の平均結晶粒径を測定し、その結果を表３に示したのち、さらに実施例１〜６と同様にして超音波探傷試験および引張試験を行ない、非接合部分面積を求め、さらに実施例１〜６と同様にして引張試験を行ない、引張強さの平均値を求め、それらの結果を表３に示した。
【００１８】
従来例
さらに、比較のために、先に用意した高純度ＣｕスパッタリングターゲットをＡｌ合金製バッキングプレートに直接重ね、温度：５００℃、圧力：１５０ＭＰａ、２時間保持の条件でＨＩＰすることによりターゲットを作製し、このターゲットについて実施例１〜６と同様にして平均結晶粒径、非接合部分面積および引張強さの平均値を求め、その結果を表３に示した。
【００１９】
【表１】
2004332051.tif 000003
【００２０】
【表２】
2004332051.tif 000004
【００２１】
【表３】
2004332051.tif 000005
【００２２】
表１〜３に示される結果から、実施例１〜６、実施例７〜１２および実施例１３〜１８において作製したターゲットは、従来例で作製したターゲットに比べて特に非接触部分面積が少なく、また、高純度Ｃｕスパッタリングターゲット部分の平均結晶粒径の成長が抑えられていることが分かる。
【００２３】
【発明の効果】
この発明のＡｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットの製造方法によると、従来のＡｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットの製造方法に比べて非接触部分面積が少なく、さらに平均結晶粒径の微細な高純度Ｃｕスパッタリングターゲットを有するＡｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットを作製することができ、この発明の方法で作製したＡｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットを用いると、パーティクルの発生が少なくかつ均一な薄膜を形成することができるなど産業上優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明のＡｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットの製造方法を説明するための側面図である。
【図２】この発明の製造方法で作製したＡｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットの側面図である。
【図３】この発明のＡｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットの製造方法を説明するための側面図である。
【図４】この発明のＡｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットの製造方法を説明するための側面図である。
【符号の説明】
１  高純度Ｃｕスパッタリングターゲット
２  Ａｌ合金製バッキングプレート
３  Ｚｎ層
４  Ａｌ層
５  Ａｌ被覆高純度Ｃｕターゲット
６  Ｚｎ被覆Ａｌ合金製バッキングプレート
７  ＡｌＺｎ２層被覆Ｃｕターゲット
８  積層接合層
９  Ａｌ−Ｚｎ共晶層
【図１】
2004332051.tif 000006
【図２】
2004332051.tif 000007
【図３】
2004332051.tif 000008
【図４】
2004332051.tif 000009