(57)【要約】【課題】課題は、適正なレベルの指定電流を流すようにするとともに、高精細な表示装置を提供することである。【解決手段】有機ＥＬディスプレイ１では、画素Ｐｉ，ｊがマトリクス状に配列されており、画素Ｐｉ，ｊが有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊと画素回路Ｄｉ，ｊとを備える。画素回路Ｄｉ，ｊが、選択期間において信号線Ｙｊに流れるシンク指定電流レベルに従ったレベルの電圧をトランジスタ２３に保持し、非選択期間においてトランジスタ２３の電圧レベルに従ったレベルの駆動電流を有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊに流す。また、カレントミラー回路Ｍｊは、データドライバ３から入力した階調信号のレベルに比例したレベルのシンク指定電流を信号線Ｙｊに流す。また、カレントミラー回路Ｍｊによって、シンク指定電流のレベルは階調信号のレベルより小さくなっている。【選択図】　　　図１
2004012858.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域内の複数の走査線と複数の信号線との交差部にそれぞれ配置され、流れる駆動電流のレベルに従った輝度で発光する発光素子と、前記発光素子に前記駆動電流を供給する画素回路と、を各々有する複数の画素と、
前記表示領域以外の領域に配置され、各々の前記信号線に接続されているとともに、前記発光素子に前記駆動電流を供給させるために、階調信号の電流レベルを所定の電流減少率で減少させる電流制御ドライバと、
を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記画素回路は、アクティブ素子であることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記電流制御ドライバは、前記信号線毎にカレントミラー回路を備えることを特徴とする請求項１又は２記載の表示装置。
【請求項４】
前記電流制御ドライバは、前記信号線毎に設けられたカレントミラー回路と、前記階調信号を複数の前記カレントミラー回路にパラ出力する階調信号出力手段と、を備えることを特徴とする請求項１又は２記載の表示装置。
【請求項５】
前記電流制御ドライバは、前記信号線毎に設けられたカレントミラー回路と、各々の前記カレントミラー回路に前記階調信号が供給されるように各々の前記カレントミラー回路を選択するシフトレジスタと、を備えることを請求項１又は２記載の表示装置。
【請求項６】
前記電流制御ドライバは、前記シフトレジスタと前記カレントミラー回路との間に介在し、前記シフトレジスタからのパルス信号に応じて前記階調信号を前記カレントミラー回路に供給するトランジスタを備えることを特徴とする請求項５記載の表示装置。
【請求項７】
前記電流制御ドライバは、前記カレントミラー回路と前記信号線との間に介在し、所定の電流減少率で減少した指定電流を所定のタイミングで前記信号線から流させるトランジスタを備えることを特徴とする請求項５又は６記載の表示装置。
【請求項８】
前記カレントミラー回路はコンデンサを備えることを特徴とする請求項３〜請求項７のいずれかに記載の表示装置。
【請求項９】
前記発光素子は有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１０】
複数の信号線と、
前記複数の信号線の一端にそれぞれ接続され、駆動電流が流れることにより表示する複数の表示素子と、
前記複数の信号線の他端にそれぞれ接続され、階調信号の電流レベルを所定の電流減少率で減少させ、前記駆動電流の電流値と実質的に等価の電流を前記信号線に流す電流制御ドライバと、
を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
駆動電流が流れることにより発光する複数の発光素子にそれぞれ一端が接続された複数の信号線の他端から、階調信号の電流レベルを所定の電流減少率で減少させ、前記駆動電流の電流値と実質的に等価の電流を流すことを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１２】
前記信号線の他端には、階調信号の電流レベルを所定の電流減少率で減少させる電流制御ドライバが配置されていることを特徴とする請求項１１記載の表示装置の駆動方法。
【請求項１３】
前記発光素子と前記信号線の一端との間には、前記発光素子に前記駆動電流を供給する画素回路が介在することを特徴とする請求項１１又は１２記載の表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、駆動電流のレベルによって輝度が制御される表示素子、例えば発光素子を画素ごとに備えた表示装置及びその駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般的に、表示装置には、単純マトリクスのようなパッシブドライブ駆動方式のものと、画素毎にスイッチングトランジスタを設けたアクティブマトリクス駆動方式のものがある。アクティブマトリクス駆動方式の液晶ディスプレイでは、図８に示すように、コンデンサとしても機能する液晶を有する液晶素子５０１と、スイッチング素子として機能するトランジスタ５０２とが、画素ごとに設けられている。アクティブマトリクス駆動方式では、選択期間中に走査ドライバによって走査線５０３にパルス信号が入力されて走査線５０３が選択されているときに、輝度を表すレベルの電圧がデータドライバによって信号線５０４に印加されると、トランジスタ５０２を介して液晶素子５０１に電圧が印加される。選択期間後の非選択期間においても、液晶素子５０１がコンデンサとして機能するため、次の選択期間まで許容範囲内の電圧レベルが保持される。以上のように、選択期間において液晶素子５０１の光透過率が新たにリフレッシュされて、光が液晶素子５０１を透過することで電圧レベルに従った輝度になり、液晶ディスプレイの階調表現が行われる。
【０００３】
一方、自発光素子である有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬディスプレイは、液晶ディスプレイのようにバックライトを必要とせず、薄型化に最適であるとともに、液晶ディスプレイのような視野角の制限もないため、次世代の表示装置として実用化が大きく期待されている。
【０００４】
高輝度、高コントラスト、高精細といった観点から、有機ＥＬディスプレイも、液晶ディスプレイと同様にアクティブマトリクス駆動方式のものが特に望まれている。有機ＥＬディスプレイでは、パッシブ駆動方式では選択期間に流れる電流を増大しなければならないのに対してアクティブマトリクス駆動方式では非選択期間でも発光させるように、輝度を表す電圧レベルを保持しておくための素子を画素ごとに設けているため、単位時間当たりに流れる電流レベル（電流値）は小さくてよい。しかし、有機ＥＬ素子は、電圧が印加されると有機ＥＬ素子自体に電流が流れてしまい、コンデンサとしては極めて小さい容量しかないために、図８のような画素の回路において液晶素子５０１の代わりに有機ＥＬ素子を設けただけでは、非選択期間に有機ＥＬ素子が発光しない。
【０００５】
そこで、例えば図９に示すように、アクティブマトリクス駆動方式の有機ＥＬディスプレイでは、有機ＥＬ素子６０１と、スイッチング素子として機能するトランジスタ６０２と、輝度を表す電圧レベルを保持しておくとともに電圧レベルに従ったレベルの駆動電流を有機ＥＬ素子６０１に流すトランジスタ６０５とが、画素ごとに設けられている。このディスプレイでは、選択期間中に走査ドライバによって走査線６０３にパルス信号が入力されて走査線６０３が選択されているときに、輝度を表すレベルの電圧がデータドライバによって信号線６０４に印加されると、トランジスタ６０５のゲート電極にそのレベルの電圧が印加されて、トランジスタ６０５のゲート電極に輝度データが書き込まれることになる。これにより、トランジスタ６０５がオン状態になり、ゲート電極の電圧レベルに応じたレベルの駆動電流が電源からトランジスタ６０５を介して有機ＥＬ素子６０１に流れて、有機ＥＬ素子６０１が電流レベルに応じた輝度で発光する。選択期間後の非選択期間では、トランジスタ６０２がオフ状態になっても、トランジスタ６０５の容量等によりトランジスタ６０５のゲート電極の電圧レベルが保持され続け、有機ＥＬ素子６０１が電圧レベルに従った輝度で発光する。以上のように、選択期間においてトランジスタ６０５のゲート電圧がリフレッシュされることによって有機ＥＬ素子６０１の輝度がリフレッシュされて、有機ＥＬディスプレイの階調表現が行われる。
【０００６】
ところで、一般的にトランジスタは、周囲の温度にチャネル抵抗が依存したり、長時間の使用によりチャネル抵抗が変化したりするために、ゲート閾値電圧が経時変化したり、ゲート閾値電圧がばらついたりする。従って、トランジスタ６０５のゲート電極に印加する電圧のレベルを変化させることによって有機ＥＬ素子６０１に流れる電流のレベルを変化させること、換言すれば、トランジスタ６０５のゲート電極に印加する電圧のレベルを変化させることによって有機ＥＬ素子６０１の輝度を変化させることを行っても、トランジスタ６０５のゲート電圧レベルで有機ＥＬ素子６０１に流れる電流レベルを一義的に指定するには困難である。
【０００７】
そこで、輝度をトランジスタに印加される電圧のレベルで制御するのではなく、電流のレベルで制御する手法が研究されている。つまり、信号線にゲート電圧のレベルを指定する電圧指定方式ではなく、有機ＥＬ素子に流れる電流のレベルを直接信号線に指定する電流指定方式を有機ＥＬディスプレイのアクティブマトリクス駆動方式に適用するというものである。
【０００８】
電流指定方式のディスプレイでは、単位時間当たりに流れる電流レベル（電流値）を小さくしなければならないため、アクティブマトリクス駆動方式の有機ＥＬディスプレイに適用した場合、例えば、図１０のように、有機ＥＬ素子に流れる電流のレベルをドライバからの出力電流に対して小さくするためのトランジスタを設けた有機ＥＬディスプレイが提案されている。図１０の有機ＥＬディスプレイでは、有機ＥＬ素子７０１と、スイッチング素子として機能するトランジスタ７０２及びトランジスタ７０７と、指定電流レベルをゲートの電圧レベルに変換する機能のトランジスタ７０６と、トランジスタ７０６のゲート電圧レベルを保持する機能のコンデンサ７０８と、変換された電圧レベルに従ったレベルの駆動電流を有機ＥＬ素子７０１に流す機能のトランジスタ７０５とが、画素ごとに設けられている。
【０００９】
このディスプレイでは、第一走査ドライバによってリセットパルス信号が第一走査線７０８に入力されて、トランジスタ７０７がオン状態になり、トランジスタ７０６及びトランジスタ７０５のゲート電圧が一旦リセットされる。そして、リセットパルス信号の終了前に第二走査ドライバによって選択パルス信号が第二走査線７０３に入力されている時に、輝度を表すレベルの指定電流がデータドライバによって信号線７０４に流れると、トランジスタ７０７及びトランジスタ７０６にも指定電流が流れる。ここで、トランジスタ７０６によって指定電流のレベルがゲート電圧のレベルに変換されて、変換されたゲート電圧レベルがコンデンサ７０８によって保持されるとともに、変換されたゲート電圧レベルがトランジスタ７０５によって駆動電流のレベルに変換される。これにより、有機ＥＬ素子７０１に駆動電流が流れる。なお、トランジスタ７０５のゲート電極とトランジスタ７０６のゲート電極とが互いに接続されて、カレントミラー回路を構成し、トランジスタ７０５とトランジスタ７０６によって指定電流のレベルと駆動電流のレベルが比例し、指定電流のレベルより小さいレベルの駆動電流が流れるようになっている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、図１０の有機ＥＬディスプレイでは、トランジスタ７０５とトランジスタ７０６とからなるカレントミラー回路を画素ごとに設けなければならず、高精細な画素を提供するには不利であり、画素において発光しない部分に対する発光する部分の比率が低くなる。所謂開口率の高いディスプレイを提供するには不利である。
【００１１】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、適正なレベルの指定電流を流すようにするとともに、高精細な表示装置及び表示装置の駆動方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するために、請求項１記載の発明は、例えば図１、図２、図３、図６に示すように、
表示領域内の複数の走査線（例えば、選択走査線Ｘｉ、電源走査線Ｚｉ）と複数の信号線（例えば、信号線Ｙｊ）との交差部にそれぞれ配置され、流れる駆動電流のレベルに従った輝度で発光する発光素子（例えば、有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊ）と、前記発光素子に前記駆動電流を供給する画素回路（例えば、画素回路Ｄｉ，ｊ）と、を各々有する複数の画素（例えば、画素Ｐｉ，ｊ）と、
前記表示領域以外の領域に配置され、各々の前記信号線に接続されているとともに、前記発光素子に前記駆動電流を供給させるために、階調信号の電流レベルを所定の電流減少率で減少させる電流制御ドライバ（例えば、電流変換部７、１０７）と、
を備えることを特徴とする。
そして請求項１０記載の発明は、
複数の信号線（例えば、信号線Ｙｊ）と、
前記複数の信号線の一端にそれぞれ接続され、駆動電流が流れることにより表示する複数の表示素子（例えば、有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊ）と、
前記複数の信号線の他端にそれぞれ接続され、階調信号の電流レベルを所定の電流減少率で減少させ、前記駆動電流の電流値と実質的に等価の電流を前記信号線に流す電流制御ドライバ（例えば、電流変換部７、１０７）と、
を備えることを特徴とする。
【００１３】
請求項１及び請求項１０記載の発明では、電流制御ドライバが画素ごとに設けられているのではなく信号線に接続されているため、画素に設ける素子を必要最小限に抑えることができる。そのため、画素において発光しない部分に対する発光する部分の比率が高くなり、所謂開口率の高いディスプレイを提供することができる。
【００１４】
また、請求項２に示すように画素回路がアクティブ素子である場合、単位時間当たりに発光素子に流れる電流のレベル（電流値）は小さくてよい。従来のパッシブ駆動方式レベルの階調信号を出力する手段では、アクティブ駆動方式の発光素子の駆動電流レベルの微小な電流値の電流を出力することは極めて困難だが、電流制御ドライバが所定の電流減少率で減少するので駆動電流を容易に制御することができる。このようなアクティブ駆動方式において、発光素子として例えば、極めて微小な電流で発光する必要がある有機ＥＬ素子を適用すると、有機ＥＬ素子に輝度階調させるためには、電流値を微小にし且つ階調差の電流値変位も微小にしなければならない。本発明によれば、アクティブ駆動方式の場合、画素数が増大するほど、選択期間に対してより非選択期間（発光期間）の割合が高くなるので、単位時間当たりに有機ＥＬ素子に流れる電流の電流値や輝度階調差の電流値変位を微小に制御でき、さらに上述のように表示領域における画素の発光面積割合が高くすることが可能になるため、ますます有機ＥＬ素子の単位面積当たりの電流密度を低く抑えることができ有機ＥＬ層の発光寿命を伸ばすことが可能になり、高精細な画素の表示装置に特に有効である。
請求項１１に記載の表示装置の駆動方法は、駆動電流が流れることにより発光する複数の発光素子にそれぞれ一端が接続された複数の信号線の他端から、階調信号の電流レベルを所定の電流減少率で減少させ、前記駆動電流の電流値と実質的に等価の電流を流すことを特徴とする。
【００１５】
請求項１１記載の発明では、画像データの階調信号の電流レベルよりも微小な指定電流が信号線に流れるため、階調信号の電流レベルが極端に大きい場合であっても、或いは階調信号のレベルが極端に小さい場合であっても、適正なレベルの指定電流を信号線に流すことができるので階調レベルのノイズ等のズレを抑えて良好に発光素子を階調制御できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下に、図面を用いて本発明の具体的な態様について説明する。ただし、発明の範囲を図示例に限定するものではない。
【００１７】
〔第一の実施の形態〕
図１は、本発明の適用された有機ＥＬディスプレイを示した図面である。図１に示すように、有機ＥＬディスプレイ１は、基本構成として、アクティブマトリクス駆動方式によりカラー表示を行う有機ＥＬ表示パネル２と、有機ＥＬ表示パネル２に画像データの階調に応じた電流レベルで表された階調信号をパラ出力するデータドライバ（階調信号出力手段）３とを備える。
【００１８】
有機ＥＬ表示パネル２は、透明基板８と、画像が実質的に表示される表示領域である表示部４と、表示部４の周辺に設けられた選択走査ドライバ５、電源走査ドライバ６及び電流変換部７とを基本構成としており、これらの回路４〜７が透明基板８上に形成されている。なお、電流制御ドライバは、電流変換部７と、データドライバ３とを有する。
【００１９】
表示部４においては、（ｍ×ｎ）個の画素Ｐ１，１〜Ｐｍ，ｎがマトリクス状に透明基板８上に設けられており、縦方向にｍ個の画素Ｐｉ，ｊが配列され、横方向にｎ個の画素Ｐｉ，ｊが配列されている。ここで、ｍ，ｎは１以上の整数であり、ｉは１以上ｍ以下の或る整数であり、ｊは１以上ｎ以下の或る整数であり、縦にｉ番目（つまり、ｉ行目）であって横にｊ番目（つまり、ｊ列目）である画素を画素Ｐｉ，ｊと記す。
【００２０】
また、表示部４において、横方向に延在するｍ本の選択走査線Ｘ１〜Ｘｍが透明基板８上に設けられている。各選択走査線Ｘ１〜Ｘｍに対応するように各電源走査線Ｚ１〜Ｚｍが各選択走査線Ｘ１〜Ｘｍと交互に配列されるように、透明基板８上に設けられている。また、縦方向に延在するｎ本の信号線Ｙ１〜Ｙｎが透明基板８上に設けられており、これら選択走査線Ｘ１〜Ｘｍ、電源走査線Ｚ１〜Ｚｍ及び信号線Ｙ１〜Ｙｎは層間絶縁膜等によって互いに絶縁されている。選択走査線Ｘｉ及び電源走査線Ｚｉには、横方向に配列されたｎ個の画素Ｐｉ，１〜Ｐｉ，ｎが接続されており、信号線Ｙｊには、縦方向に配列されたｍ個の画素Ｐ１，ｊ〜Ｐｍ，ｊが接続されており、選択走査線Ｘｉ及び電源走査線Ｚｉと信号線Ｙｊとの交差部に画素Ｐｉ，ｊが配されている。
【００２１】
次に、図２及び図３を用いて各画素Ｐｉ，ｊについて説明する。図２は画素Ｐｉ，ｊを示した平面図であり、図３は四つの隣接する画素Ｐｉ，ｊ、Ｐｉ＋１，ｊ、Ｐｉ，ｊ＋１、Ｐｉ＋１，ｊ＋１の等価回路図である。
【００２２】
画素Ｐｉ，ｊは、光を発する有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊと、有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊの周辺に設けられているとともに有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊを駆動するアクティブ素子からなる画素回路Ｄｉ，ｊと、から構成されている。画素回路Ｄｉ，ｊは、データドライバ３、選択走査ドライバ５及び電源走査ドライバ６から出力された信号に基づいて、有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊの電流をオン・オフしたり、一定の発光期間中に電流のレベルを保持することで有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊの発光輝度を一定に保ったりするものである。
【００２３】
有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊは、透明基板８上にアノード電極５１、有機ＥＬ層５２、カソード電極（図示略）が順に積層した積層構造となっている。
【００２４】
アノード電極５１は画素Ｐｉ，ｊごとにパターニングされており、信号線Ｙ１〜Ｙｎと選択走査線Ｘ１〜Ｘｍに囲まれる各囲繞領域に形成されている。
【００２５】
アノード電極５１は、導電性を有しているとともに、可視光に対して透過性を有している。また、アノード電極５１は、比較的仕事関数の高いものであり、有機ＥＬ層５２へ正孔を効率よく注入するものが好ましい。例えば、アノード電極５１としては、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム（ＩＺＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ２）又は酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分としたものがある。
【００２６】
各々のアノード電極５１上に有機ＥＬ層５２が成膜されている。有機ＥＬ層５２も画素Ｐｉ，ｊごとにパターニングされている。有機ＥＬ層５２には、有機化合物である発光材料（蛍光体）が含有されているが、発光材料は高分子系材料であっても良いし、低分子系材料であっても良い。有機ＥＬ層５２は、例えば、アノード電極５１から順に正孔輸送層、狭義の発光層、電子輸送層となる三層構造であっても良いし、アノード電極５１から順に正孔輸送層、狭義の発光層となる二層構造であっても良いし、狭義の発光層からなる一層構造であっても良いし、これらの層構造において適切な層間に電子或いは正孔の注入層が介在した積層構造であっても良いし、その他の層構造であっても良い。
【００２７】
有機ＥＬ層５２は、正孔及び電子を注入する機能、正孔及び電子を輸送する機能、正孔と電子の再結合により励起子を生成して、例えば赤色、緑色又は青色の何れかに発光する機能を有する広義の発光層である。つまり、画素Ｐｉ，ｊが赤である場合にはその画素Ｐｉ，ｊの有機ＥＬ層５２は赤色に発光し、画素Ｐｉ，ｊが緑である場合にはその画素Ｐｉ，ｊの有機ＥＬ層５２は緑色に発光し、画素Ｐｉ，ｊが青である場合にはその画素Ｐｉ，ｊの有機ＥＬ層５２は青色に発光する。
【００２８】
また、有機ＥＬ層５２は、電子的に中立な有機化合物であることが望ましく、これにより正孔及び電子が有機ＥＬ層５２でバランス良く注入及び輸送される。また、電子輸送性の物質が狭義の発光層に適宜混合されていても良いし、正孔輸送性の物質が狭義の発光層に適宜混合されても良いし、電子輸送性の物質及び正孔輸送性の物質が狭義の発光層に適宜混合されていても良い。
【００２９】
有機ＥＬ層５２上にカソード電極が形成されている。カソード電極は、全ての画素Ｐ１，１〜Ｐｍ，ｎに共通の層となる共通電極であっても良いし、画素Ｐｉ，ｊごとにパターニングされていても良い。いずれにしてもカソード電極は、選択走査線Ｘｉ、信号線Ｙｊ、電源走査線Ｚｉと電気的に絶縁されている。カソード電極は、仕事関数の低い材料で形成されており、例えば、インジウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム若しくはバリウム又はこれらの少なくとも一種を含む合金若しくは混合物等で形成されている。また、カソード電極は、以上の各種材料の層が積層された積層構造となっていても良く、具体的には、低仕事関数の高純度のバリウム層、アルミニウム層が有機ＥＬ層５２上に順に形成された積層構造、又はリチウム下層、アルミニウム上層の積層構造等が挙げられる。また、カソード電極は、可視光に対して遮光性を有するとともに可視光に対して高い反射性を有することで、鏡面として作用するのが望ましい。
【００３０】
以上のように積層構造となる有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊでは、アノード電極５１とカソード電極との間に順バイアス電圧が印加されると、正孔がアノード電極５１から有機ＥＬ層５２へ注入され、電子がカソード電極から有機ＥＬ層５２に注入される。そして、有機ＥＬ層５２で正孔及び電子が輸送されて、有機ＥＬ層５２にて正孔及び電子が再結合することによって励起子が生成され、励起子が有機ＥＬ層５２内の蛍光体を励起して、有機ＥＬ層５２内にて光が発する。
【００３１】
ここで、有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊの発光輝度は、有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊに流れる電流のレベル（電流値）に依存する。有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊの発光期間中に有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊの発光輝度を一定に保ったり、データドライバ３から出力された階調信号の電流レベルに従った発光輝度にしたりするために、有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊの電流レベルを制御する画素回路Ｄｉ．ｊが画素Ｐｉ，ｊごとに有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊの周囲に設けられている。
【００３２】
各画素回路Ｄｉ，ｊは、三つのトランジスタ２１，２２，２３と、コンデンサ２４とを備える。トランジスタ２１，２２，２３は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。
【００３３】
トランジスタ２１，２２，２３は、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極、半導体層、不純物半導体層、ゲート絶縁膜等から構成されたＭＯＳ型の電界効果トランジスタであり、特にアモルファスシリコンを半導体層としたａ−Ｓｉトランジスタであるが、ポリシリコンを半導体層としたｐ−Ｓｉトランジスタであってもよい。また、トランジスタ２１，２２，２３の構造は逆スタガ型であっても良いし、コプラナ型であっても良い。なお、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極、半導体層、不純物半導体層、ゲート絶縁膜等の組成はトランジスタ２１，２２，２３についてそれぞれ同じであり、トランジスタ２１，２２，２３は同一工程で同時に形成されるが、形状、大きさ、寸法、チャネル幅、チャネル長等はトランジスタ２１，２２，２３の機能に応じてそれぞれ適宜設定されている。なお、以下では、トランジスタ２１，２２，２３の何れもがＮチャネル型の電界効果トランジスタであるとして説明する。
【００３４】
ｉ行目の画素回路Ｄｉ，１〜Ｄｉ，ｎの各トランジスタ２２のゲート電極２２ｇはｉ行目の選択走査線Ｘｉに接続されている。ｉ行目の画素回路Ｄｉ，１〜Ｄｉ，ｎの各トランジスタ２２のドレイン電極２２ｄは、ｉ行目の電源走査線Ｚｉに接続されている。ｉ行目の画素回路Ｄｉ，１〜Ｄｉ，ｎの各トランジスタ２３のドレイン電極２３ｄは、ｉ行目の電源走査線Ｚｉに接続されている。ｉ行目の画素回路Ｄｉ，１〜Ｄｉ，ｎの各トランジスタ２１のゲート電極２１ｇはｉ行目の選択走査線Ｘｉに接続されている。ｊ列目の画素回路Ｄ１，ｊ〜Ｄｍ，ｊの各トランジスタ２１のソース電極２１ｓはｊ列目の信号線Ｙｊに接続されている。
【００３５】
それぞれの画素Ｐ１，１〜Ｐｍ，ｎにおいては、トランジスタ２２のソース電極２２ｓは、コンタクトホール２５を介してトランジスタ２３のゲート電極２３ｇに接続されているとともに、コンデンサ２４の一方の電極に接続されている。トランジスタ２３のソース電極２３ｓは、コンデンサ２４の他方の電極に接続されているとともにトランジスタ２１のドレイン電極２１ｄに接続されている。トランジスタ２３のソース電極２３ｓ、コンデンサ２４の他方の電極、トランジスタ２１のドレイン電極２１ｄは、有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊのアノード電極５１に接続されている。有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊのカソード電極の電位は、基準電位Ｖｓｓであり、本実施形態では、全有機ＥＬ素子Ｅ１，１〜Ｅｍ，ｎのカソード電極が接地されて基準電位Ｖｓｓが０〔Ｖ〕となっている。
【００３６】
一方、図１に示すように、信号線Ｙ１〜Ｙｎは電流変換部７に接続されている。詳細には、電流変換部７は、カレントミラー回路Ｍ１〜Ｍｎで構成されており、信号線Ｙ１〜Ｙｎがカレントミラー回路Ｍ１〜Ｍｎのそれぞれ一端に接続されており、カレントミラー回路Ｍ１〜Ｍｎの他端はデータドライバ３に接続されている。つまり、ｊ列目の信号線Ｙｊはカレントミラー回路Ｍｊを介してデータドライバ３に接続されている。
【００３７】
カレントミラー回路Ｍｊは、コンデンサ３０と、二つのＭＯＳ型のトランジスタ３１，３２とから構成されている。以下では、トランジスタ３１，３２がＮチャネル型の電界効果トランジスタであるとして説明する。
【００３８】
トランジスタ３１のゲート電極及びトランジスタ３２のゲート電極は、互いに接続されており、データドライバ３の出力端子Ｔｊに接続されているとともにコンデンサ３０の一方の電極に接続されている。トランジスタ３１のドレイン電極は、データドライバ３の出力端子Ｔｊに接続されているとともに、コンデンサ３０の一方の電極に接続されている。
【００３９】
トランジスタ３２のドレイン電極は、信号線Ｙｊに接続されている。トランジスタ３１のソース電極及びトランジスタ３２のソース電極は、互いに接続されているとともに、コンデンサ３０の他方の極に接続されている。更に、トランジスタ３１のソース電極及びトランジスタ３２のソース電極は、一定レベルである電位Ｖｃｃの低電源４０に接続されている。低電源４０の電位Ｖｃｃとしては、基準電位Ｖｓｓより低く、更に後述の選択電圧ＶＳＥＬＥＣＴより低く、例えば、−２０〔Ｖ〕である。
【００４０】
また、トランジスタ３１のチャネル長はトランジスタ３２のチャネル長と同じであり、トランジスタ３１のチャネル幅はトランジスタ３２のチャネル幅より大きい。つまり、トランジスタ３２のチャネル抵抗は、トランジスタ３１のチャネル抵抗より大きく、例えば、トランジスタ３２のチャネル抵抗はトランジスタ３１のチャネル抵抗の１０倍又は２０倍等である。なお、トランジスタ３２のチャネル抵抗がトランジスタ３１のチャネル抵抗より大きければ、トランジスタ３１とトランジスタ３２のチャネル長が同じでなくても良い。
【００４１】
データドライバ３は、外部からのクロック信号によってカレントミラー回路Ｍ１〜Ｍｎに画像データの階調に応じた電流レベルで表された階調信号を出力するものである。データドライバ３の出力端子Ｔｊから階調信号が出力されることによって、トランジスタ３１のドレイン電極及びゲート電極に電圧が印加されて、トランジスタ３１のドレイン−ソース間に電流が流れる。このとき、トランジスタ３２のドレイン−ソース間にも電流が流れる。ここで、トランジスタ３２のチャネル抵抗がトランジスタ３１のチャネル抵抗より大きい上、トランジスタ３２のゲート電極とトランジスタ３１のゲート電極の電圧レベルが同じであるため、トランジスタ３２のドレイン−ソース間の電流レベルは、トランジスタ３１のドレイン−ソース間の電流レベルより小さい。具体的には、トランジスタ３２のドレイン−ソース間の電流レベルは、実質的に、トランジスタ３１のチャネル抵抗に対するトランジスタ３２のチャネル抵抗の比率にトランジスタ３１のドレイン−ソース間の電流レベルを乗じた値となり、トランジスタ３２のドレイン−ソース間の電流レベルは、トランジスタ３１のドレイン−ソース間の電流レベルに比例し、且つ、トランジスタ３１のドレイン−ソース間の電流レベルより低い。このためトランジスタ３２に流れる微小電流を容易に階調制御することができる。以下、トランジスタ３１のチャネル抵抗に対するトランジスタ３２のチャネル抵抗の比率を、電流減少率と述べる。
【００４２】
一方、選択走査線Ｘ１〜Ｘｍは選択走査ドライバ５に接続されており、電源走査線Ｚ１〜Ｚｍは電源走査ドライバ６に接続されている。
【００４３】
選択走査ドライバ５はいわゆるシフトレジスタである。つまり、選択走査ドライバ５は、外部からのクロック信号に基づいて選択走査線Ｘ１から選択走査線Ｘｍへの順（走査線Ｘｍの次は走査線Ｘ１）に走査信号を順次出力することで、走査線Ｘ１〜Ｘｍを走査して順次選択するものである。
【００４４】
詳細には図５に示すように、選択走査ドライバ５は、トランジスタ２１及びトランジスタ２２に対するハイレベルのオン電圧Ｖｏｎ（基準電位Ｖｓｓより十分高い。）又はローレベルのオフ電圧Ｖｏｆｆ（基準電位Ｖｓｓ以下である。）の何れかのレベルの電圧を選択走査線Ｘ１〜Ｘｍに個別に印加することによって、オン電圧Ｖｏｎを所定周期で各選択走査線Ｘｉに印加する。
【００４５】
即ち、選択走査線Ｘ１〜Ｘｍのうちの何れかの選択走査線Ｘｉが選択される選択期間ＴＳＥでは、選択走査ドライバ５がオン電圧Ｖｏｎのパルス信号を選択走査線Ｘｉに出力することにより、選択走査線Ｘｉに接続されたトランジスタ２１，２２（画素回路Ｄｉ，１〜Ｄｉ，ｎ全てのトランジスタ２１，２２である。）がオン状態になる。トランジスタ２１がオン状態になることによって信号線Ｙｊに流れる電流が画素回路Ｄｉ，ｊに流れ得るようになる。一方、選択期間ＴＳＥ以外の非選択期間ＴＮＳＥでは、オフ電圧Ｖｏｆｆを走査線Ｘｉに印加することにより、トランジスタ２１，２２がオフ状態になる。トランジスタ２１がオフ状態になることで、信号線Ｙｊに流れる電流は画素回路Ｄｉ，ｊに流れ得ないようになる。ここで、ＴＳＥ＋ＴＮＳＥ＝ＴＳＣで表される期間が一走査期間であり、選択走査線Ｘ１〜Ｘｍの各々の選択期間ＴＳＥは互いに重ならないほうが望ましい。
【００４６】
なお、選択走査線Ｘ１〜Ｘｍが選択されている各々の選択期間ＴＳＥの時に、階調信号をデータドライバ３が全ての出力端子Ｔ１〜Ｔｎから出力するが、それぞれの出力端子Ｔ１〜Ｔｎから出力される階調信号のレベルは階調輝度に従った電流レベルで表されている。
【００４７】
また、電源走査ドライバ６は、いわゆるシフトレジスタである。つまり、電源走査ドライバ６は、外部からのクロック信号に基づいて電源走査線Ｚ１から電源走査線Ｚｍへの順（電源走査線Ｚｍの次は電源走査線Ｚ１）に信号を順次出力することで、電源走査線Ｚ１〜Ｚｍを走査して順次選択するものである。
【００４８】
詳細には図５に示すように、電源走査ドライバ６は、ローレベルの選択電圧ＶＳＥＬＥＣＴ（基準電位Ｖｓｓと等しい電位、又は基準電位Ｖｓｓ未満である。また、低電源４０の電位Ｖｃｃより高い。）を所定周期で各電源走査線Ｚｉに印加する。即ち、選択走査線Ｘ１〜Ｘｍのうちの何れかの選択走査線Ｘｉが選択される選択期間ＴＳＥでは、電源走査ドライバ６がローレベルの選択電圧ＶＳＥＬＥＣＴを電源走査線Ｚｉに印加する。一方、非選択期間ＴＮＳＥでは、電源走査ドライバ６は、選択電圧ＶＳＥＬＥＣＴより高いハイレベルの電源電圧Ｖｄｄを電源走査線Ｚｉに印加する。電源電圧Ｖｄｄは基準電位Ｖｓｓ及び電位Ｖｃｃより高く、トランジスタ２３がオン状態となっており、トランジスタ２１がオフ状態となっていれば、電源走査線Ｚｉから有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊへと電流が流れる。
【００４９】
電源電圧Ｖｄｄについて説明する。図４は、Ｎチャネル型の電界効果トランジスタ２３の電流−電圧特性を表したグラフである。図４において、横軸はドレイン−ソース間の電圧レベルであり、縦軸はドレイン−ソース間の電流レベルである。図中の線形領域（ソース−ドレイン間電圧レベルＶＤＳ＜ドレイン飽和閾電圧レベルＶＴＨ：ドレイン飽和閾電圧レベルＶＴＨはゲート−ソース間電圧レベルＶＧＳに従っている。）では、ゲート−ソース間電圧レベルＶＧＳが一定であると、ソース−ドレイン間電圧レベルＶＤＳが大きくなるにつれてソース−ドレイン間電流レベルＩＤＳが大きくなる。更に、図中の飽和領域（ソース−ドレイン間電圧レベルＶＤＳ≧ドレイン飽和閾電圧レベルＶＴＨ）、ゲート−ソース間電圧レベルＶＧＳが一定であると、ソース−ドレイン間電圧レベルＶＤＳが大きくなってもソース−ドレイン間電流レベルＩＤＳはほぼ一定となる。
【００５０】
また、図４において、ゲート−ソース間電圧レベルＶＧＳ０〜ＶＧＳＭＡＸは、ＶＧＳ０＝０＜ＶＧＳ１＜ＶＧＳ２＜ＶＧＳ３＜ＶＧＳ４＜ＶＧＳＭＡＸの関係となっている。つまり、図４から明らかなように、ドレイン−ソース間電圧レベルＶＤＳが一定の場合、ゲート−ソース間電圧レベルＶＧＳが大きくなるにつれて、線形領域、飽和領域のいずれであってもドレイン−ソース間電流レベルＩＤＳが大きくなる。更に、ゲート−ソース間電圧値ＶＧＳが大きくなるにつれて、ドレイン飽和閾電圧レベルＶＴＨが大きくなる。
【００５１】
以上のことから、線形領域では、ソース−ドレイン間電圧レベルＶＤＳがわずかに変わるとソース−ドレイン間電流レベルＩＤＳが変わってしまうが、飽和領域では、ゲート−ソース間電圧レベルＶＧＳが定まれば、ドレイン−ソース間電流レベルＩＤＳが一義的に定まる。
【００５２】
ここで、トランジスタ２３がゲート−ソース間電圧レベルＶＧＳＭＡＸであるときのドレイン−ソース間電流レベルＩＤＳは、最大輝度で発光する有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊのアノード電極５１とカソード電極との間に流れる電流レベルに設定されている。
また、トランジスタ２３のゲート−ソース間電圧レベルＶＧＳが最大レベルＶＧＳＭＡＸであっても、トランジスタ２３が飽和領域を維持するように、下記に示す条件式を満たしている。
Ｖｄｄ−ＶＥ−Ｖｓｓ≧ＶＴＨＭＡＸ
ここで、ＶＥは、有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊの発光寿命期間中に有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊの高抵抗化のために徐々に高くなる、最大輝度時の有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊに分圧される予想最大電圧レベルであり、ＶＴＨＭＡＸは、ＶＧＳＭＡＸ時のトランジスタ２３のソース−ドレイン間の飽和閾電圧レベルである。以上の条件式を満たすように電源電圧Ｖｄｄを定める。
【００５３】
次に、以上のように構成される有機ＥＬディスプレイ１の表示動作とその駆動方法について説明する。
【００５４】
選択走査ドライバ５が、入力したクロック信号に基づいて、１行目の選択走査線Ｘ１からｍ行目の選択走査線Ｘｍへと順次ハイレベル（オン電圧Ｖｏｎ）のパルス信号を出力する。同時に、電源走査ドライバ６が、入力したクロック信号に基づいて、１行目の電源走査線Ｚ１からｍ行目の電源走査線Ｚｍへと順次ローレベル（選択電圧ＶＳＥＬＥＣＴ）のパルス信号を出力する。一方、各行の選択期間ＴＳＥ中にデータドライバ３が、クロック信号に基づいて、全ての出力端子Ｔ１〜Ｔｎからそれぞれのカレントミラー回路Ｍ１〜Ｍｎに画像データの階調に応じた電流レベル（電流値）の階調信号を出力する。
【００５５】
ここで、図５に示すように、各行では、ハイレベルのオン信号が選択走査線Ｘｉに出力されるタイミングは、ローレベルのチャージ信号が電源走査線Ｚｉに出力されるタイミングにほぼ揃っており、ハイレベルのオン信号とローレベルのチャージ信号の時間的長さはほぼ同じであり、選択期間ＴＳＥ（第１行目では時刻ｔ１Ｓ〜時刻ｔ１Ｅの間）にこれらパルス信号が出力されている。つまり、選択走査ドライバ５から出力されるパルス信号がシフトしていく周期は、電源走査ドライバ６から出力されるパルス信号がシフトしていく周期に同期している。なお、１行目からｍ行目までのうち、選択走査ドライバ５からハイレベルのオン信号が出力されている行が、所謂選択されている行であり、選択されている際中にその行の各画素がリフレッシュされる。
【００５６】
以上のように選択走査ドライバ５及び電源走査ドライバ６が１行目からｍ行目へと線順次にパルス信号をシフトしていくことによって、１行目の画素Ｐ１，１〜Ｐ１，ｎからｍ行目の画素Ｐｍ，１〜Ｐｍ，ｎへとデータドライバ３の階調信号に基づいて順次リフレッシュされていく。このような線順次の走査が繰り返されることで、有機ＥＬ表示パネル２の表示部４で画像表示が為される。
【００５７】
ここで、一走査期間ＴＳＣにおける選択されたｉ行目の画素Ｐｉ，１〜Ｐｉ，ｎのリフレッシュ、選択されたｉ行目の画素Ｐｉ，１〜Ｐｉ，ｎの階調表現について説明する。
【００５８】
ｉ行目の選択期間ＴＳＥでは、選択走査ドライバ５からｉ行目の選択走査線Ｘｉにハイレベルのオン信号が出力されることで、選択走査線Ｘｉに接続された全ての画素回路Ｄｉ，１〜Ｄｉ，ｎのトランジスタ２１及びトランジスタ２２が選択期間ＴＳＥの間オン状態となる。更に、ｉ行目の選択期間ＴＳＥでは、電源走査ドライバ６からｉ行目の電源走査線Ｚｉにローレベルのチャージ信号が出力されることによって、基準電位Ｖｓｓと同じ又はそれより低い選択電圧ＶＳＥＬＥＣＴが選択期間ＴＳＥの間電源走査線Ｚｉに印加される。そして、トランジスタ２２がオン状態となっているので、トランジスタ２３のゲート電極２３ｇにも電圧が印加され、トランジスタ２３がオン状態となる。
【００５９】
一方、各行の選択期間ＴＳＥ中にデータドライバ３の出力端子Ｔ１〜Ｔｎから階調信号が出力されるが、各出力端子Ｔ１〜Ｔｎからパラ出力される階調信号の電流レベルは、外部から入力された画像データに基づいて決定される。階調信号によってオン状態となったトランジスタ３１によって、カレントミラー回路Ｍ１〜Ｍｎでは出力端子Ｔｊ→トランジスタ３１→低電源４０へと電流が流れるようになる。
【００６０】
出力端子Ｔｊ→トランジスタ３１→低電源４０へと流れる電流のレベルは階調信号のレベルに従っている。つまり、出力端子Ｔｊ→トランジスタ３１→低電源４０の電流のレベルは階調信号のレベルと同じである。そして出力端子Ｔｊ→トランジスタ３１→低電源４０へと流れる電流にしたがって電荷がコンデンサ３０にチャージされる。この階調信号に応じてチャージされた電圧にしたがってトランジスタ３２がソース−ドレイン間に電流（指定電流）を流そうとする。このときトランジスタ３２が流そうとする電流のレベルは、トランジスタ３１のチャネル抵抗とトランジスタ３２のチャネル抵抗との比によって決定される。つまり、トランジスタ３２が流そうとする電流のレベルは、電流減少率によって決定される。
【００６１】
上記したように、ｉ行目の選択期間ＴＳＥの間では、ｉ行目の全ての画素回路Ｄｉ，１〜Ｄｉ，ｎのトランジスタ２１，２２，２３がオン状態となっている上、電源走査線Ｚｉの電圧レベルが選択電圧ＶＳＥＬＥＣＴとなっているため、ｉ行目の全ての画素回路Ｄｉ，１〜Ｄｉ，ｎでは電源走査線Ｚｉ→トランジスタ２３→トランジスタ２１→信号線Ｙ１〜Ｙｎ→カレントミラー回路Ｍ１〜Ｍｎのトランジスタ３２→低電源４０へとシンク指定電流が流れるようになる。このとき、１列目からｎ列目の何れの列においても、カレントミラー回路Ｍｊの機能によって、電源走査線Ｚｉ→トランジスタ２３→トランジスタ２１→信号線Ｙ１〜Ｙｎ→カレントミラー回路Ｍ１〜Ｍｎのトランジスタ３２→低電源４０の向きに流れるシンク指定電流のレベルは、出力端子Ｔｊ→トランジスタ３１→低電源４０の向きに流れる電流のレベルにカレントミラー回路Ｍｊの電流減少率を乗じたものである。例えば、各カレントミラー回路Ｍ１〜Ｍｎにおいて、トランジスタ３１のチャネル長及びトランジスタ３２のチャネル長を同じに設定し、且つトランジスタ３１のチャネル幅とトランジスタ３２のチャネル幅との比を２０：１とすると電流減少率は１／２０となり、トランジスタ３２のソース−ドレイン間に流れる電流のレベル、つまり、出力端子Ｔｊから出力された階調信号の電流レベルに対してトランジスタ３１のソース−ドレイン間に流れる電流のレベルは１／２０になる。
【００６２】
以上のように、カレントミラー回路Ｍｊが信号線Ｙｊに接続されていることで、信号線Ｙｊのシンク指定電流のレベルは、トランジスタ３１のドレイン−ソース間電流レベルに依存するとともに、トランジスタ３１のドレイン−ソース間電流レベルより小さくすることができる。ここで画像データにしたがった輝度階調で有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊを発光するためには有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊに、階調による電流レベルの変位が小さく且つ微小の電流レベルの電流を供給しなければならない。本発明では、仮にデータドライバ３が有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊに直接そのような階調電流を供給することができなくても、トランジスタ３１及びトランジスタ３２の設計により予め所定の電流減少率に設定された電流変換部７をデータドライバ３と各信号線Ｙ１〜Ｙｎとの間に介在させることによってデータドライバ３の出力端子Ｔ１〜Ｔｎから出力される電流レベルを微小な値で且つ微小な階調変位の電流レベルに変調することができる。したがってデータドライバ３とトランジスタ３１との配線でリーク電流が生じることで、トランジスタ３１のドレイン−ソース間電流レベルが本来出力すべき電流レベルに対して多少ズレていても、信号線Ｙｊのシンク指定電流レベルのズレは、電流減少率に則って小さく抑えられ、ひいては後述するように有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊの輝度階調のズレを抑えることができる。
【００６３】
さて、上記したように、ｉ行目の選択期間ＴＳＥの間では、ｉ行目の全ての画素回路Ｄｉ，１〜Ｄｉ，ｎにおいては電源走査線Ｚｉ→トランジスタ２３→トランジスタ２１→信号線Ｙ１〜Ｙｎ→カレントミラー回路Ｍ１〜Ｍｎのトランジスタ３２→低電源４０へとシンク指定電流が流れて、これら画素回路Ｄｉ，１〜Ｄｉ，ｎで流れるシンク指定電流のレベルは、出力端子Ｔ１〜Ｔｎから出力される電流レベルにカレントミラー回路Ｍ１〜Ｍｎの電流減少率を各々乗じたものであり、後述する発光期間ＴＥＭに有機ＥＬ素子Ｅｉ，１〜Ｅｉ，ｎに流れる電流のレベルである。
【００６４】
このとき、ｉ行目の画素回路Ｄｉ，１〜Ｄｉ，ｎのコンデンサ２４の他端（トランジスタ２３のソース電極２３ｓに接続されている。）は、データドライバ３から出力された階調信号の電流レベルに応じた電位になり、かつ、トランジスタ２３のゲート電位よりも低い電位になる。すなわち、各々の画素回路Ｄｉ，１〜Ｄｉ，ｎでは、トランジスタ２３のゲート電極２３ｇとソース電極２３ｓとの間の電圧レベルに従った大きさの電荷がコンデンサ２４にチャージされ、コンデンサ２４にチャージされた電荷の大きさは、トランジスタ２３に流れる電流のレベルに従っている。つまり、階調信号の電流レベルに従ったレベルのシンク指定電流がトランジスタ２３のソース−ドレイン間及び信号線Ｙ１〜Ｙｎに流れ、このシンク指定電流のレベルに従ったレベルの電圧がトランジスタ２３のゲート電極２３ｇとソース電極２３ｓとの間に印加され、トランジスタ２３のゲート電極２３ｇとソース電極２３ｓとの間の電圧のレベルに従った大きさの電荷がコンデンサ２４にチャージされるから、コンデンサ２４にチャージされた電荷の大きさは、階調信号の電流レベルに従っている。換言すれば、選択期間ＴＳＥにおいて各々の画素回路Ｄｉ，１〜Ｄｉ，ｎでは、トランジスタ２１及びトランジスタ２２が、信号線Ｙ１〜Ｙｎに流れるシンク指定電流をトランジスタ２３に流すように機能し、トランジスタ２３が、シンク指定電流レベルをゲート−ソース間電圧のレベルに変換するように機能し、コンデンサ２４が、変換されたゲート−ソース間電圧のレベルを保持するように機能する。
【００６５】
以上のように、選択期間ＴＳＥの開始時刻ｔｉＳにおいて、ｉ行目の画素回路Ｄｉ，１〜Ｄｉ，ｎのコンデンサ２４にチャージされる電荷の大きさが前回の一走査期間ＴＳＣからリフレッシュされるとともに、ｉ行目の画素回路Ｄｉ，１〜Ｄｉ，ｎのトランジスタ２３の電流レベルも前回の一走査期間ＴＳＣからリフレッシュされる。
【００６６】
ここで、ｉ行目の何れの画素回路Ｄｉ，１〜Ｄｉ，ｎにおいても、トランジスタ２３→トランジスタ２１→信号線Ｙｊまでの間の任意の点での電位は、経時変化するトランジスタ２１，２２，２３の内部抵抗等に因って変化してしまう。しかしながら、本実施形態では、トランジスタ２３→トランジスタ２１→信号線Ｙｊへと流れるシンク指定電流のレベルは、トランジスタ２１，２２，２３の内部抵抗の変化に関わらず、出力端子Ｔｊで出力される階調信号の電流レベルに従っているため、トランジスタ２１，２２，２３の内部抵抗が経時変化しても、トランジスタ２３→トランジスタ２１→信号線Ｙｊへと流れるシンク指定電流のレベルは所望通りとなる。
【００６７】
また、ｉ行目の選択期間ＴＳＥでは、ｉ行目の有機ＥＬ素子Ｅｉ，１〜Ｅｉ，ｎのカソード電極は基準電位Ｖｓｓであり、電源走査線Ｚｉは基準電位Ｖｓｓと同じ又は基準電位Ｖｓｓより低い選択電圧ＶＳＥＬＥＣＴであるため、ｉ行目の有機ＥＬ素子Ｅｉ，１〜Ｅｉ，ｎには０〔Ｖ〕又は逆バイアス電圧が印加されるから、ｉ行目の有機ＥＬ素子Ｅｉ，１〜Ｅｉ，ｎには電流が流れず、有機ＥＬ素子Ｅｉ，１〜Ｅｉ，ｎは発光することはない。
【００６８】
続いて、ｉ行目の選択期間ＴＳＥの終了時刻ｔｉＥ（非選択期間ＴＮＳＥの開始時刻ｔｉＥ）では、選択走査ドライバ５から選択走査線Ｘｉに出力されるハイレベルのオン信号が終了し、電源走査ドライバ６から電源走査線Ｚｉに出力されるローレベルのチャージ信号が終了する。つまり、この終了時刻ｔｉＥから次の選択期間ＴＳＥの開始時刻ｔｉｓまでの非選択期間ＴＮＳＥでは、ｉ行目の画素回路Ｄｉ，１〜Ｄｉ，ｎのトランジスタ２１のゲート電極２１ｇ及びトランジスタ２２のゲート電極２２ｇに対してオフ電圧Ｖｏｆｆレベルのオフ信号が選択走査ドライバ５によって印加されるとともに、電源電圧Ｖｄｄレベルの順バイアス信号が電源走査ドライバ６によって電源走査線Ｚｉに印加される。
【００６９】
このため、ｉ行目の非選択期間ＴＮＳＥでは、ｉ行目の画素回路Ｄｉ，１〜Ｄｉ，ｎのトランジスタ２１がオフ状態になり、電源走査線Ｚｉから信号線Ｙ１〜Ｙｎへ流れるシンク指定電流を遮断する（但し、ｉ行目の非選択期間ＴＮＳＥでは、電源走査線Ｚｉを除く選択された電源走査線Ｚ１〜Ｚｍのいずれかから信号線Ｙ１〜Ｙｎへシンク指定電流が流れる）。更に、ｉ行目の非選択期間ＴＮＳＥでは、ｉ行目の画素回路Ｄｉ，１〜Ｄｉ，ｎに何れにおいても、トランジスタ２２がオフ状態になっても、直前の選択期間ＴＳＥにおいてコンデンサ２４にチャージされた電荷がトランジスタ２２によって閉じ込められ、トランジスタ２３はコンデンサ２４にチャージされた電荷に応じた駆動状態を維持し続ける。つまり、ｉ行目の画素回路Ｄｉ，１〜Ｄｉ，ｎの何れにおいても、非選択期間ＴＮＳＥと直前の選択期間ＴＳＥとではトランジスタ２３のゲート−ソース間電圧レベルＶＧＳが等しい。
【００７０】
そのため、ｉ行目の非選択期間ＴＮＳＥでも、ｉ行目の画素回路Ｄｉ，１〜Ｄｉ，ｎのトランジスタ２３は、直前の選択期間ＴＳＥにおけるシンク指定電流レベルと同レベルの電流を流し続ける。そして、ｉ行目の非選択期間ＴＮＳＥでは、ｉ行目の有機ＥＬ素子Ｅｉ，１〜Ｅｉ，ｎのカソード電極が基準電位Ｖｓｓである上、電源走査線Ｚｉが基準電位Ｖｓｓより高い電源電圧Ｖｄｄであるため、ｉ行目の有機ＥＬ素子Ｅｉ，１〜Ｅｉ，ｎには順バイアス電圧が印加されるから、ｉ行目の有機ＥＬ素子Ｅｉ，１〜Ｅｉ，ｎに駆動電流がトランジスタ２３の作用によって流れて、有機ＥＬ素子Ｅｉ，１〜Ｅｉ，ｎは発光する。このように、ｉ行目の画素Ｐｉ，１〜Ｐｉ，ｎでは、データドライバ３の出力端子Ｔ１〜Ｔｎから出力する階調信号並びに所定の電流減少率の電流変換部７に応じて選択期間ＴＳＥ中に信号線Ｙ１〜Ｙｎに流れるシンク指定電流と等しいレベルの駆動電流が非選択期間ＴＮＳＥ中に有機ＥＬ素子Ｅｉ，１〜Ｅｉ，ｎに流れることで画像データにしたがった階調の発光輝度を制御、維持することができる。
【００７１】
つまり、ｉ行目の非選択期間ＴＳＥにおいてｉ行目の何れの画素回路Ｄｉ，１〜Ｄｉ，ｎでも、トランジスタ２１が、信号線Ｙｊに流れるシンク指定電流をトランジスタ２３に流れないように信号線Ｙｊとトランジスタ２３との間を電気的に切断するように機能し、コンデンサ２４が、トランジスタ２２が、コンデンサ２４の電荷を閉じ込めることによって、選択期間ＴＳＥにおいて変換されたトランジスタ２３のゲート−ソース間電圧のレベルを保持するように機能し、トランジスタ２３が、保持されたゲート−ソース間電圧レベルに応じたレベルの駆動電流を有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊに流すように機能する。
【００７２】
ここで、有機ＥＬ素子Ｅｉ，１〜Ｅｉ，ｎに流れる駆動電流のレベルは、画素回路Ｄｉ，１〜Ｄｉ，ｎのトランジスタ２３の各々に流れる電流のレベルと同じであり、従って、直前の選択期間ＴＳＥにおける画素回路Ｄｉ，１〜Ｄｉ，ｎのトランジスタ２３の各々に流れるシンク指定電流のレベルと同じである。ｉ行目の発光期間ＴＥＭ（非選択期間ＴＮＳＥ）の間中、このようなレベルの駆動電流が有機ＥＬ素子Ｅｉ，１〜有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｎに流れ、有機ＥＬ素子Ｅｉ，１〜有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｎそれぞれの駆動電流レベルに従った輝度階調で発光する。上述したように、ｉ行目の選択期間ＴＳＥでは、ｉ行目の画素回路Ｄｉ，１〜Ｄｉ，ｍのトランジスタ２３の電流レベルは所望通りとなるから、有機ＥＬ素子Ｅｉ，１〜有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｎそれぞれの駆動電流レベルも所望通りになり、有機ＥＬ素子Ｅｉ，１〜有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｎそれぞれは所望の階調輝度で発光する。
【００７３】
以上のように、本実施の形態では、カレントミラー回路Ｍ１〜Ｍｎがそれぞれの信号線Ｙ１〜Ｙｎのデータドライバ３側に設けられているため、本実施の形態では画素毎にカレントミラー回路を設ける必要がない。従って、画素毎に設けるトランジスタの数を必要最小限に抑えることができ、画素の開口率の低下を抑えることができるとともに有機ＥＬ素子Ｅ１，１〜有機ＥＬ素子Ｅｍ，ｎの輝度階調に応じた微小電流を供給することができる。
【００７４】
また、カレントミラー回路Ｍ１〜Ｍｎによって階調信号の電流レベルに比例したレベルのシンク指定電流が信号線Ｙ１〜Ｙｎに流れるため、データドライバ３自体が微小なシンク電流を流させることができなくても、有機ＥＬ素子Ｍ１，１〜Ｍｍ，ｎの発光輝度に合った適正なレベルの微小なシンク指定電流を信号線Ｙｊに流すことができる。
【００７５】
更に、カレントミラー回路Ｍ１〜Ｍｎが設けられることによって、それぞれの信号線Ｙ１〜Ｙｎの電流レベルは、それぞれの出力端子Ｔ１〜Ｔｎの階調信号のレベル（つまり、トランジスタ３１のドレイン−ソース間電流レベル）に比例するとともに、それぞれのトランジスタ３１のドレイン−ソース間電流レベルより小さい。従って、データドライバ３等にリーク電流が生じることで何れかの出力端子Ｔ１〜Ｔｎのレベル（つまり、トランジスタ３１のドレイン−ソース間電流レベル）が不意に低減しても、信号線Ｙ１〜Ｙｎの電流レベルが大幅に低くなることはない。つまり、電流リークによってデータドライバ３の出力が低下しても、信号線Ｙ１〜Ｙｎの電流レベルに大きく影響することはなく、有機ＥＬ素子Ｅ１，１〜Ｅｍ，ｎの発光輝度が大きく低減することがない。
【００７６】
〔第二の実施の形態〕
図６は、第一実施形態の有機ＥＬディスプレイ１とは別の形態の有機ＥＬディスプレイ１０１を示す図面である。図６に示すように、有機ＥＬディスプレイ１０１は、基本構成として、アクティブマトリクス駆動方式によりカラー表示を行う有機ＥＬ表示パネル１０２と、シフトレジスタ１０３とを備える。
【００７７】
有機ＥＬ表示パネル１０２は、透明基板８と、画像が実質的に表示される表示部４と、表示部４の周辺に設けられた選択走査ドライバ５、電源走査ドライバ６及び電流変換部１０７とを基本構成としており、これらの回路４〜６，１０７が透明基板８上に形成されている。表示部４、選択走査ドライバ５、電源走査ドライバ６及び透明基板８は、第一実施形態の有機ＥＬディスプレイ１の場合と同様である。従って、第二実施形態の有機ＥＬ表示ディスプレイ１０１の場合でも、選択走査ドライバ５による電圧印加タイミング、電源走査ドライバ６による電圧印加タイミング、画素Ｐ１，１〜Ｐｍ，ｎのリフレッシュ、画素Ｐ１，１〜Ｐｍ，ｎノ階調表現は第一実施形態の有機ＥＬディスプレイ１の場合と同様である。
【００７８】
但し、第一実施形態の有機ＥＬディスプレイ１では、データドライバ３及び電流変換部７によって信号線Ｙ１〜Ｙｎにシンク指定電流が流れていたが、第二実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０１では、シフトレジスタ１０３及び電流変換部０７によって信号線Ｙ１〜Ｙｎにシンク指定電流が流れ、シンク指定電流の印加の仕方が第一実施形態と第二実施形態とでは異なる。
【００７９】
電流変換部１０７では、第一実施形態の電流変換部７と同様に列ごとにカレントミラー回路Ｍ１〜Ｍｎが設けられており、加えて、第一トランジスタＬ１〜Ｌｎ、第二トランジスタＳ１〜Ｓｎ、及び第三トランジスタＷ１〜Ｗｎが列ごとに設けられている。
【００８０】
第一トランジスタＬ１〜Ｌｎ、第二トランジスタＳ１〜Ｓｎ、及び第三トランジスタＷ１〜Ｗｎは、ＭＯＳ型の電界効果薄膜トランジスタであり、特にアモルファスシリコンを半導体層としたａ−Ｓｉトランジスタであるが、ポリシリコンを半導体層としたｐ−Ｓｉトランジスタであってもよい。また、第一トランジスタＬ１〜Ｌｎ、第二トランジスタＳ１〜Ｓｎ、及び第三トランジスタＷ１〜Ｗｎの構造は、逆スタガ型であっても良いし、コプラナ型であっても良い。なお、以下では、第一トランジスタＬ１〜Ｌｎ、第二トランジスタＳ１〜Ｓｎ、及び第三トランジスタＷ１〜ＷｎがＮチャネル型の電界効果トランジスタであるとして説明する。
【００８１】
各々の列について説明すると、カレントミラー回路Ｍｊは、第一実施形態の場合と同様に、トランジスタ３１，３２と、コンデンサ３０とから構成されている。これらの素子３０〜３１の接続構成は第一実施形態の場合と基本的に同様であるが、異なるところとしては、トランジスタ３１のドレイン電極が第三トランジスタＷｊのソース電極に接続されていることと、トランジスタ３１及びトランジスタ３２のゲート電極が第二トランジスタＳｊのソース電極に接続されていることと、トランジスタ３２のドレイン電極が第一トランジスタＬｊのソース電極に接続されていることである。
【００８２】
第一トランジスタＬｊのドレイン電極は、信号線Ｙｊに接続されている。第一トランジスタＬｊのゲート電極は共通して、同期信号入力端子１６０に接続されている。
【００８３】
第二トランジスタＳｊのゲート電極と第三トランジスタＷｊのゲート電極は、互いに接続されているとともに、シフトレジスタ１０３の出力端子Ｒｊに接続されている。第二トランジスタＳｊのドレイン電極と第三トランジスタＷｊのドレイン電極は、互いに接続されているとともに、共通の階調信号入力端子１７０に接続されている。
【００８４】
シフトレジスタ１０３は、外部からのクロック信号に基づいて、パルス信号をシフトしていき、出力端子Ｒ１から出力端子Ｒｎの順（出力端子Ｒｎの次は出力端子Ｒ１）にオンレベルのパルス信号を順次出力し、これにより、カレントミラー回路Ｍ１〜Ｍｎを順次選択するものである。シフトレジスタ１０３の一シフト周期は、選択走査ドライバ５や電源走査ドライバ６の一シフト周期よりも短く、選択走査ドライバ５や電源走査ドライバ６がｉ行目から（ｉ＋１）行目にパルス信号をシフトする間に、シフトレジスタ１０３は一行分のパルス信号を出力端子Ｒ１から出力端子Ｒｎへ順にシフトしていき、ｎ回のオンレベルのパルス信号を出力する。
【００８５】
階調信号入力端子１７０には、外部から階調に応じた電流レベルの階調信号が入力される。階調信号により選択期間ＴＳＥに有機ＥＬ素子Ｅ１，１〜Ｅｍ，ｎの輝度階調に応じた電流をトランジスタ２３のソース−ドレイン間及び信号線Ｙ１〜Ｙｎに流させることにより非選択期間ＴＮＳＥ（発光期間ＴＥＭ）にトランジスタ２３のソース−ドレイン間及び有機ＥＬ素子Ｅ１，１〜Ｅｍ，ｎに輝度階調に応じた電流を流れる。階調信号は、アナログ信号でもデジタル信号であってもよく、シフトレジスタ１０３の出力端子Ｒ１〜Ｒｎからのオンレベルのパルス信号が入力されるタイミングでそれぞれ第二トランジスタＳ１〜Ｓｎのドレイン電極並びに第三トランジスタＷ１〜Ｗｎのドレイン電極に入力される。階調信号の一行分の周期は、選択走査ドライバ５や電源走査ドライバ６の一シフト周期よりも短く、選択走査ドライバ５や電源走査ドライバ６がｉ行目から（ｉ＋１）行目にパルス信号をシフトする間に、ｎ回の階調信号が入力される。
【００８６】
同期信号入力端子１６０には、外部から同期信号が入力される。同期信号の周期は、選択走査ドライバ５や電源走査ドライバ６の一シフト周期と同じであり、オンレベルの同期信号が入力されるタイミングは、選択走査ドライバ５や電源走査ドライバ６がオンレベルのパルス信号を出力している時である。従って、選択走査ドライバ５や電源走査ドライバ６が１行目からｍ行目までにシフトする間に、同期信号のオンレベル電圧がｍ回入力される。
【００８７】
次に、以上のように構成される有機ＥＬディスプレイ１０１の動作について説明する。
第一実施形態の場合と同様に、図５に示すように、選択走査ドライバ５及び電源走査ドライバ６が１行目からｍ行目へと線順次にパルス信号をシフトしていく。
【００８８】
一方、図７に示すように、（ｉ−１）行目の選択期間ＴＳＥからｉ行目の選択期間ＴＳＥの間に、シフトレジスタ１０３は、第二トランジスタＳ１〜Ｓｎ及び第三トランジスタＷ１〜Ｗｎのオンレベルのパルス信号を出力端子Ｒ１から出力端子Ｒｎへとパルス信号をシフトする。シフトレジスタ１０３がパルス信号をシフトしている間、同期信号入力端子１６０のレベルはローレベルである。
【００８９】
ここで、シフトレジスタ１０３が出力端子Ｒｊにオンレベルのパルス信号を出力しているとき、ｉ行ｊ列目の階調輝度用を示したレベルの階調信号が入力される。この時、ｊ列目の第二トランジスタＳｊ及び第三トランジスタＷｊがオン状態となっているので、ｉ行ｊ列目の階調輝度用を示した電流レベルの階調信号がカレントミラー回路Ｍｊに入力され、トランジスタ３１及びトランジスタ３２がオン状態となり、階調信号の電流レベルに従った大きさの電荷がコンデンサ３０にチャージされる。つまり、第二トランジスタＳｊ及び第三トランジスタＷｊは、ｊ列目の選択時に階調信号をカレントミラー回路Ｍｊに取り込むように機能する。
【００９０】
トランジスタ３１がオン状態となることによって、カレントミラー回路Ｍｊでは階調信号入力端子１７０→トランジスタ３１→低電源４０へと電流が流れるようになる。階調信号入力端子１７０→トランジスタ３１→低電源４０へと流れる電流のレベルは階調信号の電流レベルに従っている。
【００９１】
この時、同期信号入力端子１６０のレベルがローレベルであるから、第一トランジスタＬｊがオフ状態であり、カレントミラー回路Ｍｊと信号線Ｙｊとに流れるシンク指定電流が流れないようになっている。
【００９２】
続いて、シフトレジスタ１０３が出力端子Ｒｊ＋１にパルス信号を出力しているとき、ｉ行（ｊ＋１）列目の階調輝度用を示したレベルの階調信号が入力され、ｊ列目の場合と同様に、階調信号のレベルに従った大きさの電荷が（ｊ＋１）列目のコンデンサ３０にチャージされる。この時、ｊ列目のトランジスタＳｊ，Ｗｊがオフ状態になっても、ｊ列目のコンデンサ３０にチャージされた電荷がトランジスタＳｊによって閉じ込められるから、ｊ列目のトランジスタ３１及びトランジスタ３２はオン状態を維持し続ける。つまり、トランジスタＳｊは、ｊ列目の選択時に階調信号のレベルに従ったゲート電圧レベルをｊ列目の非選択時でも保持するように機能する。
【００９３】
以上のように、シフトレジスタ１０３がパルス信号をシフトしていくことによって、階調信号のレベルに従った大きさの電荷が１列目のコンデンサ３０からｎ列目とコンデンサ３０へと順次チャージされていく。
【００９４】
そして、ｎ列目のコンデンサ３０へのチャージが終了したら、シフトレジスタ１０３のシフトは一旦終了し、同期信号入力端子１６０のハイレベル（オンレベル）の同期信号が全ての列の第一トランジスタＬ１〜Ｌｎに入力されて同時にオン状態になる。この時、全ての列のコンデンサ３０に電荷がチャージされているから、トランジスタ３１，３２はオン状態である。そして、この時はｉ行目の選択期間であるから、ｉ行目の全ての画素回路Ｄｉ，１〜Ｄｉ，ｎでは電源走査線Ｚｉ→トランジスタ２３→トランジスタ２１→信号線Ｙｊ→トランジスタ３２→低電源４０へとシンク指定電流が流れるようになる。このとき、１列目からｎ列目の何れの列においても、カレントミラー回路Ｍｊの機能によって、電源走査線Ｚｉ→トランジスタ２３→トランジスタ２１→信号線Ｙｊ→トランジスタ３２→低電源４０の向きに流れるシンク指定電流のレベルは、階調信号入力端子１７０→トランジスタ３１→低電源４０の向きに流れる先ほどの電流のレベルにカレントミラー回路Ｍｊの電流減少率を乗じたものとなる。
【００９５】
続いて、選択走査ドライバ５及び電源走査ドライバ６のパルス信号が（ｉ＋１）行目にシフトし、ｉ行目の非選択期間ＴＳＥとなって、第一実施形態の場合と同様にｉ行目の有機ＥＬ素子Ｅｉ，１〜Ｅｉ，ｎの階調輝度がリフレッシュされる。
【００９６】
一方、同期信号入力端子１６０がローレベル（オフレベル）になり、同様にシフトレジスタ１０３が一列目からｎ列目へとパルス信号をシフトしていくことによって、（ｉ＋１）行目の有機ＥＬ素子Ｅｉ＋１，１〜Ｅｉ＋１，ｎの階調輝度をリフレッシュするために、一列目からｎ列目のコンデンサ３０に電荷が順次チャージされていく。
【００９７】
第二の実施の形態でも、カレントミラー回路Ｍｊが表示部４の外に設けられているから、画素毎に設けるトランジスタの数を必要最小限に抑えることができ、画素の開口率の低下を抑えることができる。また、カレントミラー回路Ｍｊが設けられているため、階調信号入力端子１７０等において本来出力すべき電流レベルに対して多少ズレていても、信号線Ｙｊのシンク指定電流レベルのズレは、電流減少率に則って小さく抑えられ、ひいては有機ＥＬ素子Ｅの輝度階調のズレを抑えることができる。
【００９８】
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行っても良い。
例えば、上記有機ＥＬディスプレイ１，１０１では、画素Ｐｉ，ｊから電流を引き抜くシンク電流のレベル（電流値）によって階調輝度を画素Ｐｉ，ｊに指定している。しかしながら、逆に信号線Ｙｊから画素Ｐｉ，ｊへ流れる電流のレベル（電流値）によって階調輝度を画素Ｐｉ，ｊに流れるようなアクティブマトリクス駆動方式の有機ＥＬディスプレイの場合でも、それぞれの信号線にカレントミラー回路を設けて、カレントミラー回路によって、データドライバの階調信号のレベルに比例し且つ階調信号のレベルより低い電流を信号線に流すようにしても良い。この場合、画素Ｐｉ，ｊの回路は適宜変更しても良いが、走査線が選択されている時に信号線に流れる指定電流を画素回路に流すことで指定電流のレベルを電圧レベルに変換し、走査線が選択されていない時に信号線に流れる指定電流を遮断し、走査線が選択されていない時に変換された電圧レベルを保持するとともに、保持された電圧レベルに従ったレベルの駆動電流を有機ＥＬ素子に流す画素回路を、有機ＥＬ素子の周囲に設ける。
【００９９】
また、上記各実施形態では、画素回路Ｄｉ，ｊは選択期間ＴＳＥに指定電流を有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊに流していないが、選択期間ＴＳＥでも指定電流を有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊに流すような画素回路でも良いが、この場合でも、非選択期間ＴＮＳＥで画素回路が有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊに流す駆動電流のレベルはその直前の選択期間ＴＳＥの画素回路に流れる指定電流のレベルと同じである。また、画素回路が三つのトランジスタから構成されていなくても良く、上記各実施形態の画素回路Ｄｉ，ｊと同様に選択期間の指定電流と同レベルの駆動電流を非選択期間で有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊに流す機能を有していれば四つ以上のトランジスタから構成されていても良いが、トランジスタは少ない方が望ましい。
【０１００】
なお上記各実施の形態では、カレントミラー回路のトランジスタ３１のチャネル長とトランジスタ３２のチャネル長とを等しくし、トランジスタ３１のチャネル幅をトランジスタ３２のチャネル幅より長くすることで電流減少率を設定したが、これに限らず、トランジスタ３１のチャネル幅とトランジスタ３２のチャネル幅とを等しくし、トランジスタ３１のチャネル長をトランジスタ３２のチャネル長より短くしても同様に電流減少率の設定を行うことができ、さらにトランジスタ３１のチャネル長をトランジスタ３２のチャネル長より短くし、トランジスタ３１のチャネル幅をトランジスタ３２のチャネル幅より長くしてもよい。
【０１０１】
また上記実施の形態では、有機ＥＬ素子Ｅｉ，ｊから照射される光を下方のアノード電極５１側から出射したが、これに限らず、有機ＥＬ層５２の下方に光反射性電極を設け、上方に光透過性電極を設けて上方側から光を出射してもよい。このとき光透過性電極は、カソード電極であってもアノード電極であってもよい。また上記第二の実施の形態において、ｊ列目のカレントミラー回路Ｍｊの第二トランジスタＳｊ及び第三トランジスタＷｊを、ゲート電極がシフトレジスタ１０３の出力端子Ｒｊに接続され、ドレイン電極が階調信号入力端子１７０に接続され、ソース電極がトランジスタ３１のゲート電極、トランジスタ３２のゲート電極及びコンデンサ３０の一方の電極に接続されている単一のトランジスタに置き換えてもよい。
【０１０２】
また、上記実施の形態では発光素子として有機ＥＬ素子を用いていたが、例えば、逆バイアス電圧が印加された場合には電流が流れないとともに順バイアス電圧が印加された場合には電流が流れるような発光素子であって、流れる電流の大きさに従った輝度で発光する発光素子であっても良い。発光素子として、例えばＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）素子等でも良い。
【０１０３】
【発明の効果】
本発明では、電流制御ドライバが画素ごとに設けられているのではなく信号線に接続されているため、画素に設ける素子を必要最小限に抑えることができる。そのため、画素において発光しない部分に対する発光する部分の比率が高くなり、高精細で高開口率のディスプレイを提供することができる。
また、電流制御ドライバによって階調信号のレベルに比例したレベルの指定電流が信号線に流れるため、階調信号出力手段の階調信号のレベルの範囲が発光素子に流す駆動電流のレベルの範囲外であっても、適正なレベルの指定電流を信号線に流すことができる。
また、階調信号のレベルに比例し、且つ、階調信号のレベルより小さいレベルの指定電流が信号線に流れるから、漏れなどによって階調信号に生じるノイズが生じた場合でも、電流制御ドライバによってノイズを抑えることができ、大きな影響を与えない。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明が適用された有機ＥＬディスプレイの具体的な態様を示したブロック図である。
【図２】図２は、図１の有機ＥＬディスプレイの画素を示した平面図である。
【図３】図３は、図１の有機ＥＬディスプレイの画素の等価回路を示した図面である。
【図４】図４は、Ｎチャネル型の電界効果トランジスタの電流−電圧特性を示した図面である。
【図５】図５は、図１の有機ＥＬディスプレイにおける信号のレベルを示したタイミングチャートである。
【図６】図６は、別の有機ＥＬディスプレイの具体的な態様を示したブロック図である。
【図７】図７は、図６の有機ＥＬディスプレイにおける信号のレベルを示したタイミングチャートである。
【図８】図８は、従来の液晶ディスプレイの画素の等価回路を示した図面である。
【図９】図９は、従来の電圧指定型の有機ＥＬディスプレイの画素の等価回路を示した図面である。
【図１０】図１０は、従来の電流指定型の有機ＥＬディスプレイの画素の等価回路を示した図面である。
【符号の説明】
１，１０１　　　有機ＥＬディスプレイ（表示装置）
３　　　データドライバ（階調信号出力手段、電流制御ドライバ）
５　　　選択走査ドライバ
６　　　電源走査ドライバ
７　　　電流変換部（電流制御ドライバ）
２１，２２，２３　　　トランジスタ
２４　　　コンデンサ
３０　　　コンデンサ
３１　　　トランジスタ
３２　　　トランジスタ
１０３　　　シフトレジスタ
Ｅ１，１〜Ｅｍ，ｎ有機ＥＬ素子（発光素子）
Ｍ１〜Ｍｎカレントミラー回路
Ｙ１〜Ｙｎ信号線
Ｘ１〜Ｘｎ選択走査線（走査線）
Ｚ１〜Ｚｎ電源走査線（走査線）
Ｐ１，１〜Ｐｍ，ｎ画素
Ｄ１，１〜Ｄｍ，ｎ画素回路
Ｌ１〜Ｌｎ第一トランジスタ
Ｓ１〜Ｓｎ第二トランジスタ
Ｗ１〜Ｗｎ第三トランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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