(57)【要約】【課題】金型清掃作業性を向上させることができる金型清掃用樹脂組成物を提供する。【解決手段】半導体封止成形金型１内のリードフレーム４がセットされる箇所に布５をセットし、この状態で半導体封止成形金型１内に下記金型清掃用樹脂組成物２を注入して成形し、成形物３を半導体封止成形金型１から脱型することによって、半導体封止成形金型１内を清掃する。金型清掃用樹脂組成物２は、アミノ系樹脂及び鉱物質類粉体を含有する。また、鉱物質類粉体の含有量が組成物全量に対して５〜３０質量％であり、かつ、最大粒径１８０μｍ以下で粒径１００μｍ以上の鉱物質類粉体の含有量が鉱物質類粉体全量に対して１質量％以下である。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体封止成形金型内のリードフレームがセットされる箇所に布をセットし、この状態で半導体封止成形金型内に金型清掃用樹脂組成物を注入して成形し、成形物を半導体封止成形金型から脱型することによって、半導体封止成形金型内を清掃するための金型清掃用樹脂組成物であって、アミノ系樹脂及び鉱物質類粉体を含有すると共に、鉱物質類粉体の含有量が組成物全量に対して５〜３０質量％であり、かつ、最大粒径１８０μｍ以下で粒径１００μｍ以上の鉱物質類粉体の含有量が鉱物質類粉体全量に対して５質量％以下であることを特徴とする金型清掃用樹脂組成物。
【請求項２】
鉱物質類粉体の新モース硬度が６〜１２であることを特徴とする請求項１に記載の金型清掃用樹脂組成物。
【請求項３】
溶融硬化時間が２０〜４０秒であることを特徴とする請求項１又は２に記載の金型清掃用樹脂組成物。
【請求項４】
アミノ系樹脂の全量がメチロール化メラミン樹脂であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の金型清掃用樹脂組成物。
【請求項５】
トランスファー成形用にタブレット化されて成ることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の金型清掃用樹脂組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造に用いられる半導体封止成形金型を清掃するための金型清掃用樹脂組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置を製造するにあたっては、ＩＣ等の半導体チップを実装したリードフレームを半導体封止成形金型のキャビティにセットし、封止用成形材料を半導体封止成形金型に注入してキャビティに充填することによって、リードフレームの半導体チップを封止用成形材料で封止成形して行われている。
【０００３】
そしてこの半導体封止成形金型にあって、封止成形を続けている間に、キャビティの表面など半導体封止成形金型内が封止用成形材料のワックス（ＷＡＸ）ブリード分及び樹脂の未硬化分などで汚れ、そのまま封止成形を継続すると、封止成形品の外観不良や成形不良などが発生する等のトラブルが起こるおそれがある。
【０００４】
そこで、金型清掃用樹脂組成物を用いて半導体封止成形金型を定期的に清掃することが従来から行われている。金型清掃用樹脂組成物としては、例えば特開平９−５７７６２号公報（特許文献１）、特開平７−２９２２６２号公報（特許文献２）、特開昭６３−２４６２１０号公報（特許文献３）、特開昭５５−１２３６６９号公報（特許文献４）、特開昭５５−１１３５１７号公報（特許文献５）などで提供されているアミノ系樹脂成形材料が用いられるものであり、半導体封止成形金型にアミノ系樹脂成形材料を注入して硬化させ、そして硬化させた成形物を半導体封止成形金型から脱型すると、脱型の際に半導体封止成形金型内の表面の汚れがこの成形物と一緒に剥がれ、半導体封止成形金型内の表面を清掃することができるのである。
【０００５】
【特許文献１】
特開平９−５７７６２号公報（特許請求の範囲等）
【特許文献２】
特開平７−２９２２６２号公報（段落番号［００１６］等）
【特許文献３】
特開昭６３−２４６２１０号公報（特許請求の範囲等）
【特許文献４】
特開昭５５−１２３６６９号公報（特許請求の範囲等）
【特許文献５】
特開昭５５−１１３５１７号公報（特許請求の範囲等）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように金型清掃用樹脂組成物を半導体封止成形金型に注入・成形して半導体封止成形金型を清掃するにあたって、半導体封止成形金型内には半導体チップを実装していないダミーのリードフレームをセットして、金型清掃用樹脂組成物を注入・成形している。これは、リードフレームをセットしないで金型清掃用樹脂組成物を半導体封止成形金型内に注入すると、半導体封止成形金型内に隙間ができて樹脂漏れが発生するためである。
【０００７】
しかしながら、このように半導体封止成形金型内にダミーのリードフレームをセットして金型清掃用樹脂組成物を注入・成形すると、半導体封止成形金型から脱型した成形物には金属のリードフレームがインサートされて一体化されていることになり、この脱型した成形物を焼却処分することができなくなるという問題を有するものであった。
【０００８】
また、金型内にダミーのリードフレームをセットして金型清掃用樹脂組成物を注入・成形すると、金型から成形品を脱型した際にエアーベント部にバリや金型パーティング面に薄バリが残ってしまい、金型のバリ除去作業にかなりの時間を要するという問題を有するものであった。
【０００９】
さらに、上記のように金型内にダミーのリードフレームがセットされていると、金型清掃用樹脂組成物がキャビティ末端部まで行き渡らないことがあり、これにより充填不足が発生し、金型から成形品を脱型しても半導体封止成形金型内の表面に汚れが残るという問題も有するものであった。
【００１０】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、脱型した成形物を焼却処分することが可能になる金型清掃用樹脂組成物を提供することを目的とするものである。
【００１１】
また、本発明は、金型清掃作業時のバリ除去作業を簡易にすることが可能になる金型清掃用樹脂組成物を提供することを目的とするものである。
【００１２】
さらに、本発明は、金型内にダミーのリードフレームがセットされていてもキャビティへの充填性が良好である金型清掃用樹脂組成物を提供することを目的とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係る金型清掃用樹脂組成物は、半導体封止成形金型内のリードフレームがセットされる箇所に布をセットし、この状態で半導体封止成形金型内に金型清掃用樹脂組成物を注入して成形し、成形物を半導体封止成形金型から脱型することによって、半導体封止成形金型内を清掃するための金型清掃用樹脂組成物であって、アミノ系樹脂及び鉱物質類粉体を含有すると共に、鉱物質類粉体の含有量が組成物全量に対して５〜３０質量％であり、かつ、最大粒径１８０μｍ以下で粒径１００μｍ以上の鉱物質類粉体の含有量が鉱物質類粉体全量に対して５質量％以下であることを特徴とするものである。
【００１４】
また請求項２の発明は、請求項１において、鉱物質類粉体の新モース硬度が６〜１２であることを特徴とするものである。
【００１５】
また請求項３の発明は、請求項１又は２において、溶融硬化時間が２０〜４０秒であることを特徴とするものである。
【００１６】
また請求項４の発明は、請求項１乃至３のいずれかにおいて、アミノ系樹脂の全量がメチロール化メラミン樹脂であることを特徴とするものである。
【００１７】
また請求項５の発明は、請求項１乃至４のいずれかにおいて、トランスファー成形用にタブレット化されて成ることを特徴とするものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【００１９】
図３は半導体封止成形金型１の一例を示すものであり、図３（ａ）のようにポット１０を上面に開口させて設けた下型１１と、ポット１０に対応してカル部１２を下面に設けた上型１３とから形成するようにしてある。ポット１０は図３（ｂ）のように複数個のものが一列に配置して設けられており、各ポット１０にはプランジャー１７が上下駆動自在に設けてある。また各ポット１０の左右両側にはそれぞれ下型１１の上面においてキャビティ凹部６ａが設けてある。キャビティ凹部６ａは各ポット１０に対応した個数がポット１０の両側に一列ずつ設けられており、各列のキャビティ凹部６ａを囲むようにリードフレームセット用凹段部１４が下型１１の上面に設けてある。この下型１１の各キャビティ凹部６ａに対応する位置において上型１３の下面にキャビティ凹部６ｂが設けてあり、下型１１と上型１３を型締めしたときに上下のキャビティ凹部６ａ，６ｂによってキャビティ６が形成されるようにしてある。
【００２０】
下型１１の上面において各キャビティ凹部６ａのポット１０側の端部には下ランナー１５ａが凹設してあり、各キャビティ凹部６ａのポット１０と反対側の端部にはエアーベント１６が設けてある。また上型１３の下面において各カル部１２のキャビティ凹部６ｂ側の端部には上ランナー１５ｂが凹設してあり、下型１１と上型１３を型締めしたときに上下のランナー１５ａ，１５ｂの端部同士が一致して、ポット１０及びカル部１２とキャビティ６とを連通させるランナー１５が形成されるようにしてある。
【００２１】
上記のように形成される半導体封止成形金型１で半導体装置を封止成形して製造するにあたっては、図４（ａ）に示すようなリードフレーム４を用いる。このリードフレーム４はフレーム部１８と、上記のキャビティ６に対応して設けられているチップ搭載パッド部１９とから形成してあり、各チップ搭載パッド部１９にはＩＣチップなどの半導体チップ（図示は省略）が搭載してある。そしてリードフレーム４を図４（ｂ）のように下型１１のリードフレームセット用凹段部１４に嵌め込むことによって、半導体チップを搭載した各チップ搭載パッド部１９を各キャビティ６にセットし、ポット１０内に封止用成形材料のタブレットを投入した後、下型１１と上型１３を型締めする（図４（ｂ）においてリードフレーム４を斜線で示す）。この後、プランジャー１７を上動させて封止用成形材料をポット１０からランナー１５を通して注入してキャビティ６に充填することによって、キャビティ６内においてリードフレーム４のチップ搭載パッド部１９と共に半導体チップを封止成形し、半導体装置を得ることができるものである。
【００２２】
上記のようにして封止成形を繰り返していると、やがてキャビティ６の表面など半導体封止成形金型１内が封止成形材料のワックスブリード分などで汚れてくるので、このような汚れを金型清掃用樹脂組成物２を用いて落とすのである。
【００２３】
本発明において金型清掃用樹脂組成物２としては、少なくともアミノ系樹脂及び鉱物質類粉体を含有するものを用いる。
【００２４】
アミノ系樹脂としては、例えば、メチロール化メラミン樹脂、メチロール化メラミン−フェノール共縮合樹脂、メチロール化メラミン−ユリア共縮合樹脂、メチロール化メラミン−エポキシ共縮合樹脂などのトリアジン類とホルムアルデヒド類などから共縮合される合成樹脂を用いることができる。
【００２５】
特に、アミノ系樹脂の全量がメチロール化メラミン樹脂であることが、以下の理由により好ましい。すなわちメチロール化メラミン樹脂は、その他のアミノ系樹脂に比較して、メチロール基やイミド基を数多く有しており、これらの官能基によって金型清掃性（汚れ除去性）を向上させることができるものである。メチロール化メラミン樹脂以外のアミノ系樹脂として例えばメチロール化メラミン−フェノール共縮合樹脂を挙げると、この樹脂は、メラミンがメチロール化する部分にフェノール樹脂を反応させて得られる樹脂であるため、１分子中におけるメチロール基が少なくなり、金型清掃性がメチロール化メラミン樹脂より劣るおそれがある。よって、アミノ系樹脂の全量がメチロール化メラミン樹脂である方が、最も多くのメチロール基及びイミド基を確保することができ、これらの官能基によって金型清掃性を向上させることができるのである。
【００２６】
一方、鉱物質類粉体としては、例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、水酸化アルミニウム、ケイ酸ジルコン、アルミナ、炭酸カルシウム、酸化ジルコン、タルク、クレー、硫酸バリウム、アスベスト粉などを用いることができる。
【００２７】
ただし、どのような鉱物質類粉体を用いる場合であっても、鉱物質類粉体の含有量は金型清掃用樹脂組成物２全量に対して５〜３０質量％である。鉱物質類粉体の含有量が５質量％未満であると、汚れ除去性に欠けるものであり、逆に３０質量％を超えると、金型清掃用樹脂組成物２の成形時の流動性が低下し、充填不足が発生するものである。
【００２８】
また、どのような鉱物質類粉体を用いる場合であっても、最大粒径１８０μｍ以下で粒径１００μｍ以上の鉱物質類粉体の含有量は鉱物質類粉体全量に対して５質量％以下（実質上の下限は３質量％）である。一般に鉱物質類粉体はある一定の粒径分布を有しているが、上記のように最大粒径を１８０μｍに設定すると共に、粒径１００〜１８０μｍの範囲にある鉱物質類粉体の含有量を鉱物質類粉体全量に対して５質量％以下に設定してあると、鉱物質類粉体の粒径が全体として細かくなり、ダミーのリードフレームとして後述する布５が半導体封止成形金型１内にセットされていても、金型清掃用樹脂組成物２をキャビティ６末端部まで行き渡らせることができ、良好な充填性を得ることができるものである。しかし、最大粒径が１８０μｍを超える鉱物質類粉体を用いたり、粒径１００μｍ以上の鉱物質類粉体の含有量が５質量％を超えていたりすると、鉱物質類粉体の粒径が全体として大きくなり、鉱物質類粉体が布５の繊維の隙間に詰まって、金型清掃用樹脂組成物２をキャビティ６末端部まで行き渡らせることができなくなり、これにより充填不足が発生するものである。
【００２９】
さらに、鉱物質類粉体の新モース硬度は６〜１２であることが好ましい。新モース硬度が上記の範囲にある鉱物質類粉体を用いると、この鉱物質類粉体によって半導体封止成形金型１の表面に付着している汚れに傷を付けることができ、これにより汚れの剥離が促進されて、金型清掃性をさらに向上させることができるものである。しかし、鉱物質類粉体の新モース硬度が６未満であると、上記のような効果が得られないおそれがあり、逆に鉱物質類粉体の新モース硬度が１２を超えると、汚れ以外に半導体封止成形金型１の表面自体に傷を付けるおそれがある。
【００３０】
金型清掃用樹脂組成物２には、アミノ系樹脂及び鉱物質類粉体のほか、基材としてパルプ、綿粉、熱可塑性樹脂繊維などを、離型剤としてステアリン酸、ステアリン酸亜鉛、モンタン酸、カルボキシル基含有ポリオレフィンなどを、硬化促進剤として無水フタル酸などを配合することができ、さらに必要に応じてアミノシラン、エポキシシラン等のシランカップリング剤、着色剤などを配合することができる。
【００３１】
そして、上記のアミノ系樹脂及び鉱物質類粉体、必要に応じてその他の成分を配合し、これをボールミルにて均一に粉砕、混合した後、この混合物をロールにてシート化し、その後、このシートを粉砕することによって、粒状の金型清掃用樹脂組成物２を調製することができる。あるいは、上記のアミノ系樹脂及び鉱物質類粉体、必要に応じてその他の成分を配合し、これをニーダーやロールで加熱、混練した後、この混練物を冷却固化し、その後、この固化物を粉砕することによって、粉粒状の金型清掃用樹脂組成物を調製することができる。
【００３２】
上記のようにして得られる金型清掃用樹脂組成物２の溶融硬化時間（ゲルタイム）は２０〜４０秒であることが好ましい。溶融硬化時間がこの範囲を外れる金型清掃用樹脂組成物２を用いる場合であっても、厚型パッケージ（例えば、厚さ２．４〜３．２ｍｍのＱＦＰ）を製造するための金型を清掃したり、シングルタイプ（１個取り）の金型を清掃したりする場合であれば、キャビティへの充填性は比較的良好であるが、薄型パッケージ（例えば、厚さ０．８〜１．２ｍｍのＴＱＦＰやＴＳＯＰ）を製造するための金型を清掃したり、スルーゲートマルチマトリックスタイプ（多数個取り）の金型を清掃したりする場合であると、金型清掃用樹脂組成物２が流動する隙間が狭くなるため、金型清掃用樹脂組成物２の流動性に悪影響が及び、成形性が低下するおそれがある。具体的には、溶融硬化時間が２０秒未満であると、金型清掃用樹脂組成物２がキャビティ末端部に行き渡るまでに粘度が急激に上昇して充填不足が発生するおそれがあり、逆に溶融硬化時間が４０秒を超えると、エアーベント部にバリや金型パーティング面に薄バリが残るおそれがある。しかし、溶融硬化時間が２０〜４０秒である金型清掃用樹脂組成物２を用いるようにすれば、厚型パッケージを製造するための金型やシングルタイプの金型を清掃する場合はもちろん、薄型パッケージを製造するための金型やスルーゲートマルチマトリックスタイプの金型を清掃する場合であっても、バリの発生を防止することができると共に、キャビティへの充填性がさらに良好となるものである。
【００３３】
また、金型清掃用樹脂組成物２は、既述のとおり、粒状や粉粒状として調製することができるが、このような形態の金型清掃用樹脂組成物２を公知のタブレット成形機を用いてトランスファー成形用にタブレット化してもよい。このようにすると、金型清掃時に金型清掃用樹脂組成物２の計量をする手間を省くことができ、金型清掃の作業効率を向上させることができるものである。なお、以下においては、金型清掃用樹脂組成物２の形態がタブレットである場合について説明するが、これに限定されるものではない。
【００３４】
連続して封止成形した後の半導体封止成形金型１の清掃を行うにあたっては、まず下型１１と上型１３を開いてポット１０に金型清掃用樹脂組成物２のタブレットを投入する。次に、下型１１の上面に布５を敷いてセットする。この布５としては、綿や、ポリエステル、ビニロン、ポリプロピレン、ナイロン、テトロンなどの熱可塑性樹脂繊維、ガラス繊維などから作製した不織布や織布を用いることができるものであり、溶融状態の成形材料が浸透することができる通液性を有するものを用いるものである。この布５はキャビティ６の開口部（キャビティ凹部６ａの上面の開口）を覆うように配置されるものであるが、リードフレーム４より大きい布５を用い、図２（ａ）に示すように下型１１に設けられたポット１０、ランナー１５（下ランナー１５ａ）、キャビティ６（下キャビティ６ａ）、エアーベント１６の総てを覆うように布５を下型１１の上に載置するのが好ましい。布５は図２（ｂ）のように下型１１からはみ出すよう載置するようにしても差し支えない。
【００３５】
このように下型１１の上面に布５を載置した後、図１（ａ）に示すように下型１１と上型１３を型締めする。このとき、布５はリードフレームセット用凹段部１４以外の箇所では下型１１と上型１３の間で強く圧縮される。次に、プランジャー１７を上動させて、ポット１０内で溶融した液状の金型清掃用樹脂組成物２をポット１０から押し出し、図１（ｂ）に示すように金型清掃用樹脂組成物２をカル部１２とランナー１５を通して注入する。このとき、溶融状態の金型清掃用樹脂組成物２は通液性（通気性）の布５を浸透しながらカル部１２やランナー１５を流れる。そしてさらにプランジャー１７を上動させることによって、図１（ｃ）のように金型清掃用樹脂組成物２をキャビティ６内に充填させる。このとき、液状の金型清掃用樹脂組成物２は通液性の布５を浸透しながら流れてキャビティ６内に充填されるものである。また、下型１１と上型１３の間に布５がセットしてあるので、下型１１と上型１３の間の隙間から金型清掃用樹脂組成物２が漏れて流れ出すようなことを防ぐことができるものである。なお、図１（ｃ）の状態においては、布５と上型１３のキャビティ凹部６ｂとは接触しておらず、これらの間には、布５を浸透して流れ出てきた金型清掃用樹脂組成物２の層が存在している。
【００３６】
このように金型清掃用樹脂組成物２をキャビティ６に充填させる成形を行い、金型清掃用樹脂組成物２を硬化させる。そして金型清掃用樹脂組成物２を硬化させた後、下型１１と上型１３を分離させて型開きを行い、金型清掃用樹脂組成物２が硬化した成形物３を脱型するものである。金型清掃用樹脂組成物２の成形物３を脱型する際に、半導体封止成形金型１内のキャビティ６の表面の汚れや、カル部１２、エアーベント１６などの表面の汚れがこの成形物３と一緒に剥がれ、半導体封止成形金型１内の表面を清掃することができるのである。この清掃のための成形は、半導体封止成形金型１の汚れの状態により異なるが、３ショット〜１０ショット程度繰り返して行い、半導体封止成形金型１の表面の汚れが除去されたことを確認して終了とするのがよい。
【００３７】
そしてこのように半導体封止成形金型１から脱型した成形物３には布５がインサートされているが、布５はリードフレーム４のような金属ではないので、成形物３は支障なく焼却処理することができる。また、上記のように清掃のために金型清掃用樹脂組成物２を成形するにあたって、キャビティ６の周囲、ランナー１５の周り、エアーベント１６の周りに薄いバリが生じ、成形物３を脱型する際にこのバリは半導体封止成形金型１の表面に残り易いが、キャビティ６、ランナー１５、エアーベント１６の周囲には布５が存在しているので、この薄いバリは布５に付着しており、成形物３を半導体封止成形金型１から脱型する際に薄いバリも布５に付着した状態で半導体封止成形金型１の表面から剥離されることになる。従って薄いバリが半導体封止成形金型１の表面に残ることが無くなり、この薄いバリを半導体封止成形金型１から除去する作業が不要になって、半導体封止成形金型１を清掃する際の作業性が向上するものである。
【００３８】
上記の図１〜図４の実施の形態は、下型１１にポット１０を設けた半導体封止成形金型１を示すものであり、ポット１０に金型清掃用樹脂組成物２を投入した後に、下型１１の上に布５を設置し、さらに下型１１と上型１３を型締めして、成形を行うようにしたが、図５に示す実施の形態のように、上型１３にポット１０を設けた半導体封止成形金型１を用い、下型１１の上に布５を設置し、下型１１と上型１３を型締めした後に、ポット１０に金型清掃用樹脂組成物２を投入して、成形を行うようにしてもよい。また、図１〜図４及び図５の実施の形態は、トランスファー成形用の半導体封止成形金型１を示すものであるが、圧縮成形用の半導体封止成形金型１や、射出成形用の半導体封止成形金型１に本発明を適用することもできるものである。
【００３９】
【実施例】
以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
【００４０】
（金型清掃用樹脂組成物）
アミノ系樹脂として、メチロール化メラミン樹脂である松下電工（株）製「ＣＰ９０１２」、メチロール化メラミン−フェノール共縮合樹脂である松下電工（株）製「ＭＩ００２Ｒ」を用いた。なお、Ｍ：メラミン、Ｆ：ホルムアルデヒド、Ｐｈ：フェノールとすると、上記「ＣＰ９０１２」は、Ｆ／Ｍ＝１．４〜１．８（質量比）に設定して調製されたものであり、一方、上記「ＭＩ００２Ｒ」は、Ｆ／（Ｍ＋Ｐｈ）＝１．２〜１．８（質量比）、Ｍ／Ｐｈ＝９５／５〜７０／３０（質量比）に設定して調製されたものである。
【００４１】
また、鉱物質類粉体として、結晶シリカである（株）龍森製「３Ｋ」（新モース硬度７）及び「ＮＸ−７」（新モース硬度７）、溶融シリカである（株）龍森製「ＦＳ７６２Ｃ」（新モース硬度７）、アルミナである住友化学工業（株）製「ＡＬ３２」（新モース硬度１２）を用いた。
【００４２】
さらに、基材としてパルプを、離型剤としてステアリン酸亜鉛である大日化学製「ダイＷＡＸ  ＺＦ」を、硬化促進剤として無水フタル酸を用いた。
【００４３】
そして、上記のアミノ系樹脂、鉱物質類粉体及びその他の成分を表１に示す配合量で配合し、これをボールミルにて表１に示す時間、均一に粉砕、混合した後、この混合物をロールにてシート化し、その後、このシートを粉砕機で粉砕することによって、粒状の金型清掃用樹脂組成物２を調製した。
【００４４】
このようにして得た金型清掃用樹脂組成物２について、１７０℃におけるスパイラルフローを測定した。この結果を表１に示す。
【００４５】
また、各金型清掃用樹脂組成物２について、１７０℃における溶融硬化時間（ゲルタイム）をキュラストメーター（日合商事（株）製「キュラストメーターＷ型」）を用いて測定した。具体的には、半導体封止成形金型１に金型清掃用樹脂組成物２を投入した後、型締めし、金型温度を１７０℃に設定して、金型清掃用樹脂組成物２が溶融している状態から溶融時のトルクが０．１ｋｇに達するまでの時間を測定し、この時間を溶融硬化時間とした。この結果を表１に示す。
【００４６】
また、金型清掃用樹脂組成物２中における鉱物質類粉体の最大粒径と、粒径１００μｍ以上の鉱物質類粉体の含有量を表１に示す。
【００４７】
（不織布使用時金型充填性）
各金型清掃用樹脂組成物２について、布５として不織布を使用したときの各種金型のキャビティ６への充填性を評価した。具体的には、以下のとおりである。
【００４８】
▲１▼半導体封止成形金型１として、図６（ａ）のように１つのポット１０について４つのキャビティ６を設けた１４□ＱＦＰ（肉厚２．４ｍｍ）成形用の金型を用い、また布５として、金型ライナー用不織布である小津産業（株）製「ＢＡ８３９」を用い、金型温度１７５℃、キュアー１８０秒、成形圧力６．８６ＭＰａ（７０ｋｇｆ／ｃｍ２）の条件で、清掃のための成形を行った。
【００４９】
▲２▼半導体封止成形金型１として、図６（ａ）のように１つのポット１０について４つのキャビティ６を設けた１４□ＬＱＦＰ（肉厚１．４ｍｍ）成形用の金型を用い、また布５として、金型ライナー用不織布である小津産業（株）製「ＢＡ８３９」を用い、金型温度１７５℃、キュアー１８０秒、成形圧力６．８６ＭＰａ（７０ｋｇｆ／ｃｍ２）の条件で、清掃のための成形を行った。
【００５０】
▲３▼半導体封止成形金型１として、図６（ｂ）のように１つのポット１０について４つのキャビティ６（これを１連目キャビティ７とする）を設け、さらに各１連目キャビティ７にそれぞれ１つのキャビティ６（これを２連目キャビティ８とする）を連ねて設けたＴＳＯＰ（肉厚１．０ｍｍ＝４００ｍｉｌ．）成形用の２連スルーゲートタイプ金型を用い、また布５として、金型ライナー用不織布である小津産業（株）製「ＰＯ３００Ｐ」を用い、金型温度１７５℃、キュアー１８０秒、成形圧力６．８６ＭＰａ（７０ｋｇｆ／ｃｍ２）の条件で、清掃のための成形を行った。
【００５１】
そして▲１▼〜▲３▼の各場合について充填性を観察した。これらの結果を表１に示す。
【００５２】
（汚れ除去性）
半導体封止成形金型１として、ＴＯ２００成形用の金型を用い、また封止用成形材料として、ビフェニル系材料を用い、５００ショット連続成形することによって、ＴＯ２００を製造した。その後、ダミーのリードフレーム（具体的には、小津産業（株）製「ＢＡ１４２」を布５として）を用い、金型温度１７５℃、キュアー１８０秒、成形圧力６．８６ＭＰａ（７０ｋｇｆ／ｃｍ２）の条件で、清掃のための成形を行った。この成形は清掃が完了するまで行い、清掃に必要なショット回数をカウントすることによって、汚れ除去性を評価した。
【００５３】
【表１】
2004230604.tif 000003
【００５４】
表１にみられるように、実施例１〜７のものは、比較例１〜３のものよりも、充填性に優れていることが確認される。
【００５５】
【発明の効果】
上記のように本発明の請求項１に係る金型清掃用樹脂組成物は、半導体封止成形金型内のリードフレームがセットされる箇所に布をセットし、この状態で半導体封止成形金型内に金型清掃用樹脂組成物を注入して成形し、成形物を半導体封止成形金型から脱型することによって、半導体封止成形金型内を清掃するための金型清掃用樹脂組成物であって、アミノ系樹脂及び鉱物質類粉体を含有すると共に、鉱物質類粉体の含有量が組成物全量に対して５〜３０質量％であり、かつ、最大粒径１８０μｍ以下で粒径１００μｍ以上の鉱物質類粉体の含有量が鉱物質類粉体全量に対して５質量％以下であるので、以下のような効果が得られる。すなわち、鉱物質類粉体の含有量が上記の範囲であることによって、金型清掃用樹脂組成物の成形時の流動性が低下せず、充填不足の発生を防止することができ、汚れ除去性に欠けるようなことがなくなるものである。また、上記のような粒径分布を有する鉱物質類粉体を用いることによって、鉱物質類粉体の粒径が全体として細かくなり、ダミーのリードフレームとして布が半導体封止成形金型内にセットされていても、金型清掃用樹脂組成物をキャビティ末端部まで行き渡らせることができ、良好な充填性を得ることができるものである。さらに、布をセットすることによって半導体封止成形金型の隙間から金型清掃用樹脂組成物が漏れることを防ぐことができるものであり、また半導体封止成形金型から脱型した成形物には布がインサートされているが、布はリードフレームのような金属ではなく、成形物を支障なく焼却処理することができるものである。
【００５６】
また請求項２の発明は、鉱物質類粉体の新モース硬度が６〜１２であるので、この鉱物質類粉体によって半導体封止成形金型の表面に付着している汚れに傷を付けることができ、これにより汚れの剥離が促進されて、金型清掃性をさらに向上させることができるものである。
【００５７】
また請求項３の発明は、溶融硬化時間が２０〜４０秒であるので、厚型パッケージを製造するための金型やシングルタイプの金型を清掃する場合はもちろん、薄型パッケージを製造するための金型やスルーゲートマルチマトリックスタイプの金型を清掃する場合であっても、バリの発生を防止することができると共に、キャビティへの充填性がさらに良好となるものである。
【００５８】
また請求項４の発明は、アミノ系樹脂の全量がメチロール化メラミン樹脂であるので、その他のアミノ系樹脂を用いるよりも、メチロール基やイミド基を数多く確保することができ、これらの官能基によって金型清掃性を向上させることができるものである。
【００５９】
また請求項５の発明は、トランスファー成形用にタブレット化されているので、金型清掃時に金型清掃用樹脂組成物２の計量をする手間を省くことができ、金型清掃の作業効率を向上させることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、（ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ断面図である。
【図２】同上の下型の上に布をセットした状態を示すものであり、（ａ），（ｂ）はそれぞれ平面図である。
【図３】同上の半導体封止成形金型の一例を示すものであり、（ａ）は断面図、（ｂ）は下型の平面図である。
【図４】（ａ）はリードフレームの平面図、（ｂ）は下型にリードフレームをセットした状態の平面図である。
【図５】本発明の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図６】実施例で使用した半導体封止成形金型を簡略化して示すものであり、（ａ）は４個取りの金型の平面図、（ｂ）は８個取りの金型の平面図である。
【符号の説明】
１  半導体封止成形金型
２  金型清掃用樹脂組成物
３  成形物
４  リードフレーム
５  布
６  キャビティ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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