(57)【要約】【課題】磁区拡大型光磁気記録再生において、再生信号の波形歪の影響によるレベルジッタを軽減し、波形歪に起因する再生エラーを軽減する。【解決手段】磁区拡大型光磁気記録再生において、波形をサンプリングしてディジタルＰＲ等価を行う場合に、マーク長仮判定回路１０で所定マーク長の検出を行い、所定マーク長エッジ間でＰＲ（α，−１）（α≠１）、のサンプリング演算を行い、ＰＲ（１，−１）等価後のサンプリングの場合は、サンプリング補正回路１１により所定マーク長エッジ間のみサンプル値に所定値を加減算する。これにより、ＰＲ（１，−１）の３値検出した場合のレベルジッタを軽減しビタビ復号時のエラーの改善効果を高める。【選択図】      図１
2004253036.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁区拡大型光磁気記録媒体にパーシャルレスポンスとビタビ復号を適用し、レベルサンプリングをおこなう磁区拡大型光磁気再生方法において、
所定マーク長のエッジ−エッジ間において、該所定マーク長のときに生ずるサンプル値のレベル変動を補正する演算処理を施して、情報再生を行うことを特徴とする磁区拡大型光磁気再生方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、記録保持層、スイッチング層、再生層等、多層構造を持つ光磁気記録媒体に記録光ビームの照射し記録磁界を印加して記録磁区列を形成し情報の記録をおこない、該記録磁区列に再生光ビームを照射し、前記再生層の磁区を拡大再生し情報の再生をおこなう磁区拡大光磁気再生方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
書き換え可能な高密度記録方式として、半導体レーザーの熱エネルギーを用いて、磁性薄膜に磁区を書き込んで情報を記録し、光磁気効果を用いて、この情報を読み出す光磁気記録媒体がある。また近年この光磁気記録媒体の記録密度を更に高めて大容量の記録媒体とする要求が高まっている。
【０００３】
光磁気記録媒体等の光ディスクの線記録密度は、再生光学系のレーザー波長および、対物レンズの開口数に大きく依存する。すなわち、再生光学系のレーザー波長λと対物レンズの開口数ＮＡが決まるとビームウエストの径が決まるため、記録マーク再生時の空間周波数は２ＮＡ／λ程度が検出可能な限界となってしまう。したがって、従来の光ディスクで高密度化を実現するためには、再生光学系のレーザー波長を短くし、対物レンズのＮＡを大きくする必要がある。しかしながら、レーザー波長や対物レンズの開口数の改善にも限度がある。このため、記録媒体の構成や読み取り方法を工夫し、記録密度を改善する技術が開発されている。
【０００４】
例えば、特許文献１において、磁気的に結合される再生層と記録層とを有してなる多層膜の、記録層に信号記録をおこなうとともに、加熱用光ビームの照射による温度勾配を利用し、記録層の記録データを変化させることなく再生層の記録マークの磁壁を移動させ、再生用光ビームスポットのほぼ全域が同一の磁化になるように再生層を磁化させて、該再生用光ビーム反射光の偏向面の変化を検出し光の回折限界以下の記録マークを再生する信号再生方法、及び装置が提案されている。この方法によれば再生信号が矩形状になり、再生信号振幅を低下させることなく光学系の回折限界以下の記録マークが再生可能となり、記録密度ならびに転送速度を大幅に向上できる光磁気記録媒体、再生方法が可能となる。
【０００５】
従来における光磁気記録再生装置の構成を図７に示す。なお、光磁気記録再生装置の詳細な説明については後述する本発明の説明において行う。
【０００６】
図中、光磁気ディスク１は、基板２に、光ビームの照射による温度勾配を利用し、記録層の記録データを変化させることなく再生層の記録マークの磁壁を移動させ、再生スポット内の磁化を拡大し、光ビーム反射光の偏向面の変化を検出し光学系の回折限界以下の記録マークを再生することが可能な光磁気記録媒体３を被着し、さらに保護膜４を形成して構成される。
【０００７】
５は光磁気ディスク１にレーザー光を照射し、さらに反射光から情報を得る光ヘッドである。光ヘッド５の半導体レーザーから出射されたレーザー光は光磁気ディスク１に照射される。光磁気ディスク１で反射されたレーザー光は光ヘッド５の光学部品群を介して、光磁気記録媒体の磁化の極性に応じた偏向方向の違いによって、それぞれのセンサに集光され、それらを差動増幅することで光磁気信号を出力する。
【０００８】
コントローラ６は光磁気ディスクの回転数、及び、記録半径・記録セクタ情報、さらには環境温度等を入力情報として、記録パワー、記録信号等を出力し、ＬＤ（レーザーダイオード）ドライバ７、磁気ヘッドドライバ８等を制御するものである。
【０００９】
９は記録動作時に光磁気ディスクのレーザー照射部位に変調磁界を印加するための磁気ヘッドであり、光磁気ディスク１をはさみ光ヘッド５と対向して配置されている。記録時、光ヘッド５より記録レーザー光を照射し、これと同時にこの磁気ヘッド９は磁界変調ドライバ（磁気ヘッドドライバ）８により記録信号に対応して極性の異なる磁界を発生するようになっている。
【００１０】
ＰＲ等価回路１２は再生信号の波形等価をおこないＰＲ（１，−１）の特性に等価する回路であり、主にローパスフィルタ、トランスバーサルフィルタ、微分回路から成る。１３はビタビ復号をおこなうビタビ復号回路である。
【００１１】
図８を用いて記録動作に関して説明する。図８（ａ）は記録信号、図８（ｂ）は記録パワー、図８（ｃ）は変調磁界、図８（ｄ）は記録マーク列、図８（ｅ）は再生信号である。図８（ａ）に示すような記録信号を記録する場合、記録動作開始とともにレーザーパワーは図８（ｂ）に示すように所定の記録パワーを出力し、さらに、図８（ａ）に示す記録信号に基づく図８（ｃ）に示す変調磁界が印加される。ここでは、印加磁界を記録情報に応じて変調させ、かつ、記録ＬＤ光を定常周期でパルス状に変調させる所謂パルス磁界変調を採用している。これら動作により記録媒体の冷却過程において図８（ｄ）に示す記録マーク列が形成される。
【００１２】
再生動作に関して、図６を用いて説明する。ここでは、記録マークの保存を司る記録層（記録保持層）、磁壁が移動し再生信号に直接寄与する再生層（磁壁移動層）、記録層及び再生層の結合状態をスイッチするスイッチング層、の３層構造の場合に関して説明する。
【００１３】
図６（ａ）は磁区再生状態を示す模式図、図６（ｂ）は３層構造の記録膜の状態図、図６（ｃ）は媒体の温度状態図、図６（ｄ）は再生信号を示している。再生時、図６（ａ）に示すように光ビーム照射により磁壁移動媒体の再生層の磁壁が移動するＴｓ温度条件まで加熱される。図６（ｂ）に示すスイッチング層はＴｓより低い温度領域では交換結合により、記録層及び再生層と結合した状態となっている。媒体が光ビームの照射によりＴｓ温度以上に加熱されると、スイッチング層はキュリー点に達し、再生層及び記録層との結合が切れた状態となる。このため、このＴｓ温度領域に記録マークの磁壁が到達すると同時に、再生層の磁壁は再生層の温度勾配に対してエネルギー的に磁壁が安定して存在する位置、すなわち光ビーム照射による温度上昇の線密度方向の最高温度点にランドを横切るように磁壁が瞬時に移動する。これにより、再生光ビームに覆われる領域の大部分の磁化状態が同じになるため、通常の光ビーム再生原理においては、再生不可能な微小な記録マークであっても、図６（ｄ）示すような矩形に近い状態の再生信号を得ることができる。したがって、再生信号振幅をほとんど低下させることなく光学系回折限界以下の記録マークの再生が可能となり、記録密度ならびに転送速度を大幅に向上できる光磁気記録媒体、再生方法が可能となる。
【００１４】
【特許文献１】
特開平６−２９０４９６号公報
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記磁気拡大再生型の光磁気記録再生において、磁区拡大型光磁気記録媒体からの信号にパーシャルレスポンスとビタビ復号を適用し、レベルサンプリングをおこなう場合に、より精度の高い情報再生が可能な情報再生が可能な方法を提供するものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、本発明の磁区拡大型光磁気再生方法により解決される。
【００１７】
本発明の磁区拡大型光磁気再生方法は、磁区拡大型光磁気記録媒体にパーシャルレスポンスとビタビ復号を適用し、レベルサンプリングをおこなう磁区拡大型光磁気再生方法において、所定マーク長のエッジ−エッジ間において、該所定マーク長のときに生ずるサンプル値のレベル変動を補正する演算処理を施して、情報再生を行うことを特徴とするものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００１９】
まず、本発明の実施の形態に先立って本発明に至る経緯について説明する。
【００２０】
本発明者は、磁区拡大再生型の光磁気記録再生において、所定マークサイズにおいて再生信号波形が歪むという現象を見出した。
【００２１】
波形歪みの現象は次のように考えることができる。磁区拡大型光磁気再生においては、再生時は再生層の磁化状態を偏向光学系にて読み取るが、再生時に、再生層（磁壁移動層）の下はスイッチング層を挟み記録層（記録保持層）が存在している。スイッチング層は既に説明したように、再生時再生スポットによる温度上昇により、キュリー温度に達し磁化が消滅しておりスイッチング層から静磁的影響は特に受けない。しかしながら、その下の記録層は情報を破壊しないように記録マーク列は再生時も存在し続ける。したがって、この記録層から発生する浮遊磁界が再生層の磁区拡大の動作に影響を及ぼし、再生信号の波形歪をもたらす。
【００２２】
さらに説明を加えると、磁区拡大再生において、図６（ｂ）  に示すように再生スポットの最高温度到達点より後方の再生層の磁化は失われておらず、再生するマーク列の磁化極性が最高温度到達点部に情報トラックを横断するように磁壁が存在する場合がある。すなわち、スポット後方と読み出す記録マークの磁化状態が異なる場合に磁壁が存在する。通常この磁壁は再生スポットと移動と共に、エネルギー的に安定な位置、すなわち最高温度点に常に移動するように振る舞い、その結果磁壁は光スポット内の所定位置で光スポットと共に移動する。これによって、スポット内の磁化の面積が一定に保たれ、磁区拡大再生の特徴とも言える再生信号極性の変化後は、一定の再生信号レベルを次の極性の磁区が再生されるまで維持し続ける。
【００２３】
しかしながらこのとき、記録層の磁化は失われておらず、この磁化による浮遊磁界が再生層の磁壁がスポットと共に移動する際の磁壁のスムーズな移動を妨げる働きをしてしまう場合が存在する。この影響は記録層の磁化の状態により異なり、一例を挙げると、記録マークが磁区拡大長に対して微細な場合（例えば、波長λが６５０ｎｍの場合において、記録マーク長≦０．２μｍ）には影響が少なく、また、記録マークが磁区拡大長に対して十分長い場合（例えば、波長λが６５０ｎｍにおいて、記録マーク長≧１．０μｍ）にも影響が少ないことが確認されている。これに対して、記録マークが磁区拡大の長さに近い場合、スポットに追従して移動する磁壁が記録層の磁化の影響を受けて、移動後の磁壁が最高温度到達点にとどまらない動きをする。このように記録マークが所定マーク長のときに波形歪みが生ずる原因は必ずしも明確ではないが、短いマーク長で影響が出ない理由は、記録マーク列が密であるために、浮遊磁界が平均化され、結果的に影響が小さくなると考えることができ、長いマーク長で影響が出ない理由は、スポットに追従する磁壁が、記録層の磁壁をまたがないために影響が小さくなると考えられる。すなわち、磁壁の移動距離と、マーク長が比較的近い長さの関係の場合に、影響が（歪み）が大きく出ると考えられる。
【００２４】
このときの再生信号はスポット内の磁化の面積が変化するために、再生波形の振幅が変化してのこぎり状の波形となることが確認されている。これら現象は記録媒体の組成調整により軽減することも可能と考えられるが、この現象の低減に反してマークエッジ・ジッタ成分の悪化、磁界感度の悪化等が課題となり、完全に除去が困難な状態にある。
【００２５】
また、このような再生信号をパーシャルレスポンス再生で信号処理して再生する場合に、もともとパーシャルレスポンス再生が線形であることを前提としているために、上述したような非線形な歪がある場合に問題が発生する。ＰＲ（１，−１）の場合を例にとり説明を加える。磁区拡大再生のように符号間干渉を持たない系において、ＰＲ（１，−１）等価をかけた場合、等価後の波形は高域制限のかかった微分波形の基本形態をとる。例えば、図５（ａ）に示すようなマーク列（０，０，０，１，１，１，１，１，１，０，０，０，０，０，０）を再生し、ＰＲ（１，−１）等価をかけた場合、図５（ｂ）に示すように、データ識別点における理想的なレベル列は（０，０，１，０，０，０，０，０，−１，０，０，０，０，０）となる。ところが、図５（ｃ）に示すように、再生信号に示すように上述したような波形歪が生じた場合、等価後の再生レベル列は図５（ｄ）に示すように、“１”，“−１”で挟まれる“０”が“０”でなくなり、ある値レベル“−Ｖｓ”を持つデータ列  （０，０，１，−Ｖｓ，−Ｖｓ，−Ｖｓ，−Ｖｓ，−Ｖｓ，−１，０，０，０，０，０）になる。当然のことながら実際の系ではこれにノイズが重畳されるため、３値レベルの度数分布に示されるようなレベルジッタの“０”レベルの分布におけるレベルジッタを悪化させ、ＰＲ（１，−１）＋ビタビ復号再生の場合、このサンプリング値に対して元データを復号するため、理想値“０”レベルの変動が大きくなり、ビタビ復号時のエラー改善効果を悪化させることになる。
【００２６】
本発明は、所定マーク長のエッジ−エッジ間において、該所定マーク長のときに生ずるサンプル値のレベル変動を補正する演算処理を施すことで、再生信号波形の波形歪から発生するレベルジッタの増加を軽減するものである。
【００２７】
次に、本発明の実施の形態について具体的に説明する。
【００２８】
（第１の実施形態）
図１は本発明における第１の実施形態の光磁気記録再生装置の構成を示す図である。なお図７と同一構成部材については同一符号を付する。図中、光磁気ディスク１はガラスあるいはプラスチックを素材とした基板２に、光ビームの照射による温度勾配を利用し、記録層の記録データを変化させることなく再生層の記録マークの磁壁を移動させ、再生スポット内の磁化を拡大し、光ビーム反射光の偏向面の変化を検出し光学系の回折限界以下の記録マークを再生することが可能な光磁気記録媒体３を被着し、さらに保護膜４を形成して構成される。
【００２９】
この光磁気ディスク１はマグネットチャッキング等でスピンドルモータに支持され、回転軸に対して回転自在の構造となっている。５は光磁気ディスク１にレーザー光を照射し、さらに反射光から情報を得る光ヘッドであり、集光レンズ（例えば、開口数ＮＡ：０．６０）、集光レンズ駆動するアクチュエータ、半導体レーザー（例えば、波長λ：６５０ｎｍ）、ビームスプリッタ、偏光ビームスプリッタ、等から構成されている。半導体レーザーから出射されたレーザー光は光学部品群を介して、光磁気ディスク１に照射される。このとき集光レンズはアクチュエータの制御によってフォーカシング方向、及び、トラッキング方向に移動してレーザー光が光磁気記録媒体３上に逐次焦点を結ぶように制御され、かつ、光磁気ディスク上に刻まれた案内溝に沿ってトラッキングする構成になっている。光磁気ディスク１で反射されたレーザー光は光学部品群を介して、光磁気記録媒体の磁化の極性に応じた偏向方向の違いによって、それぞれのセンサに集光され、それらを差動増幅することで光磁気信号を出力する。
【００３０】
９は記録動作時に光磁気ディスクのレーザー照射部位に変調磁界を印加するための磁気ヘッドであり、光磁気ディスク１をはさみ光ヘッド５と対向して配置されている。記録時、光ヘッド５より記録レーザー光をパルス照射し、これと同時にこの磁気ヘッド９は磁界変調ドライバ（磁気ヘッドドライバ）８により記録信号に対応して極性の異なる磁界を発生するようになっている。また、この磁気ヘッド９は光ヘッド５と連動して光磁気ディスク１の半径方向に移動し、記録時には逐次光磁気記録媒体３のレーザー照射部位に磁界を印加することで情報を記録する構成になっている。
【００３１】
コントローラ６は通常の記録再生動作時には光磁気ディスクの回転数、記録半径・記録セクタ情報、さらには環境温度等を入力情報として、再生パワー、記録パワー、記録信号等を出力し、ＬＤ（レーザーダイオード）ドライバ７、磁気ヘッドドライバ８等を制御する。さらに、コントローラ６は本実施形態においては、再生信号サンプリング値の演算処理の定数等を制御する役割を持つ。
【００３２】
ＰＲ等価回路１２は再生信号の波形等価をおこないＰＲ（１，−１）の特性に等価する回路であり、主にローパスフィルタ、トランスバーサルフィルタ、微分回路から成る。
【００３３】
マーク長仮判定回路１０は、再生信号のエッジ位置を抽出し、エッジ間隔を検出して、再生信号がいかなるマーク長であるかを判定し、サンプリング補正の実施マーク長を検出／出力する回路であり、サンプリング補正回路１１はマーク長仮判定回路１０の出力に対応してサンプリングの補正を実行する処理回路である。１３は補正されたサンプリング値を使いビタビ復号をおこなうビタビ復号回路である。
【００３４】
上記光磁気記録媒体における基本的な記録動作に関して、図８を用いて説明する。図８（ａ）は記録信号、図８（ｂ）はパルス変調レーザー光、図８（ｃ）は変調磁界、図８（ｄ）は記録マーク列、図８（ｅ）は再生信号である。図８（ａ）に示すような記録信号を記録する場合、記録動作開始とともにレーザーパワーは図８（ｂ）に示すように所定の記録パワーに設定され、パルス状に変調され、同時に図８（ａ）に示す記録信号に基づく図８（ｃ）に示す変調磁界が印加される。ここでは、変調レーザー光のボトムパワーを“０”に設定したが、この限りではなくボトムパワーを“０”以外設定することもある。また、本例ではレーザー光の変調を変調符号のクロック周波数として説明するが、この限りではなくクロック周波数の整数倍であってもよい。さらに、本例ではパルス照射をデューティ５０％にて表しているが、これもこの限りではなく種々のデューティを取りうる。そして、これら記録動作により光磁気記録媒体の冷却過程において図８（ｄ）に示す記録マーク列が形成される、所謂、パルスアシスト磁界変調記録である。
【００３５】
本例に示す磁区拡大型再生方法の動作原理に関して図６を用いて説明を加える。  ここでは、記録マークの保存を司る記録層（記録保持層）、磁壁が移動し再生信号に直接寄与する再生層（磁壁移動層）、記録層及び再生層の結合状態をスイッチするスイッチング層、の３層構造の場合に関して説明する。
【００３６】
図６（ａ）は磁区再生状態を示す模式図、図６（ｂ）は３層構造の記録膜の状態図、図６（ｃ）は媒体の温度状態図、図６（ｄ）は再生信号を示している。再生時、図６（ａ）に示すように光ビーム照射により磁壁移動媒体の再生層の磁壁が移動するＴｓ温度条件まで加熱される。図６（ｂ）に示すスイッチング層はＴｓより低い温度領域では交換結合により、記録層、再生層と結合した状態となっている。媒体が光ビームの照射によりＴｓ温度以上に加熱されると、スイッチング層はキュリー点に達し、再生層と、記録層との結合が切れた状態となる。このため、このＴｓ温度領域に記録マークの磁壁が到達すると同時に、再生層の磁壁は再生層の温度勾配に対してエネルギー的に磁壁が安定して存在する位置、すなわち光ビーム照射による温度上昇の線密度方向の最高温度点にランドを横切るように磁壁が瞬時に移動する。これにより、再生光ビームに覆われる領域の大部分の磁化状態が同じになるため、通常の光ビーム再生原理においては、再生不可能な微小な記録マークであっても、図６（ｄ）に示すような矩形に近い状態の再生信号を得ることができる。したがって、再生信号振幅をほとんど低下させることなく光学系回折限界以下の記録マークの再生が可能となり、記録密度ならびに転送速度を大幅に向上できる光磁気記録媒体、再生方法が可能となる。
【００３７】
次に本実施形態の再生信号処理に関して、図２を用いて説明する。本実施形態においては、再生信号波形に対してＰＲ（１，−１）の波形等価を行った場合の処理方法に関して説明する。図２（ａ）は光磁気信号の出力であり、記録情報の符号列がＮＲＺＩ化され記録されたマーク列の再生信号である。ここではマーク長が４Ｔ，５Ｔ，６Ｔ部において波形歪が発生した状態を例に取っている。なお、再生光スポット後部の磁化状態は、信号出力波形の下方の極性になっている場合を示しており、再生信号のＮＥＧパルス極性の波形には波形歪が発生しておらず、マーク長：４Ｔ，５Ｔ，６Ｔの、ＰＯＳパルス極性の波形に対して再生サンプリング補償をおこなう例としている。この再生信号をローパスフィルタ、トランスバーサルフィルタ、微分回路から成るＰＲ等価処理を施すと図２（ｂ）に示すような信号となる。マーク長が４Ｔ，５Ｔ，６Ｔにおいて波形歪が存在するために、それぞれのマークでの等価後波形のレベルが下方にＶｓ４、Ｖｓ５、Ｖｓ６だけシフトした結果となっている。微分回路から成るＰＲ等価処理が施されているため、図２（ａ）の光磁気信号波形のマーク長４Ｔ，５Ｔ，６Ｔでの傾きにより図２（ｂ）ではＶｓ４＞Ｖｓ５＞Ｖｓ６となっている。
【００３８】
マーク長が２Ｔで波形歪みが生ぜず、マーク長が４Ｔ，５Ｔ，６Ｔで波形歪みが生ずるのは、既に説明したように、マーク長が２Ｔの場合は記録マーク長が磁区拡大長に対して十分小さく、マーク長が４Ｔ，５Ｔ，６Ｔの場合には記録マークが磁区拡大長に近いからと考えられる。本実施形態では記録密度が２Ｔ≒０．１１μｍを想定しているので、マーク長が２Ｔの場合は波長λが６５０ｎｍのときの記録マーク長≦０．２μｍを満たすために波形歪みが生ぜず、マーク長が４Ｔ，５Ｔ，６Ｔの場合は０．２μｍ＜記録マーク長＜１．０μｍなので波形歪みを生じたものと考えられる。
【００３９】
また、図２（ｃ）の（ｃ）−１，  （ｃ）−２，  （ｃ）−３はマーク長仮判定回路１０の出力であり、サンプリングレベル”１”，”−１”を検出してマーク長を仮判定し、マーク長が４Ｔ，５Ｔ，６Ｔの、ＰＯＳパルス極性の波形に対して出力信号がアクティブとなっている。図２（ｄ）は波形等価信号をＰＬＬクロックでサンプリングしたサンプリング値であり、本実施形態ではＡＤ変換されたディジタル値を持つ。本実施形態では、このサンプリングさせたディジタル値に補正を加える。本例においては、歪んだ元波形の傾きが、マーク長に依存するために、マーク長の４Ｔ，５Ｔ，６Ｔに個別の補正値であるＶｓ４，Ｖｓ５，  Ｖｓ６を適用し、サンプリング値に加算する。図２（ｅ）はサンプリング補正後の値であり、これらサンプリング補正値列に対してビタビ復号をおこなう。
【００４０】
以上説明したように、ビタビ復号への入力信号となるサンプリング値の振幅のマージンが向上しており、従来誤判定を起こすようなノイズが重畳されている場合においても、誤判定する確率が減少し、情報の正確な再生が可能となる。
【００４１】
さらに、再生信号波形の両極性に波形歪みが発生する場合は、両極性に対してサンプリングの補正をおこなえば同様な効果が得られることは言うまでもない。
【００４２】
なお、本例においては、補正量を各マークにおいて個別の補正量としたが、この限りではなく補正量のマーク長依存度が小さければ（波形は歪むが、４Ｔ〜６Ｔにおける違いが少ない）、各マークの補正量を一定にしても特に問題はない。
【００４３】
また、各補正値Ｖｓｎは波形歪が発生する既知のマーク列をテスト再生することにより、補正量を検出し、以後の再生時の補正量として採用することで装置間の誤差や、環境温度等に対してより高精度で補正が可能となる。
【００４４】
（第２の実施形態）
図３は本発明における第２の実施形態の光磁気記録再生装置の構成を示す図である。なお図１と同一構成部材については同一符号を付し、説明を省略する。図３においては、図１のＰＲ等価回路１２がなく、図１のサンプリング補正回路１１がサンプリング補正演算回路１４に置き換えられている。
【００４５】
本例における、基本的な記録動作、並びに基本的な再生動作原理は、実施形態１と同様であるためにここでは省略する。
【００４６】
次に本発明の再生信号処理に関して、図４を用いて説明する。本実施形態においては、再生信号波形に対してディジタル的にＰＲ（１，−１）の波形等価を行った場合の処理方法に関して説明する。図４（ａ）は光磁気信号の生出力であり、記録情報の符号列がＮＲＺＩ化され記録されたマーク列の再生信号である。ここではマーク長が４Ｔ，５Ｔ，６Ｔ部において波形歪が発生した状態を例に取っている。なお、再生光スポット後部の磁化状態は、信号出力波形の下方の極性になっている場合を示しており、再生信号のＮＥＧパルス極性の波形には波形歪が発生していない例としている。したがって、マーク長：４Ｔ，５Ｔ，６Ｔの、ＰＯＳパルス極性の波形に対して再生サンプリング補償をおこなう例としている。サンプリング補正演算回路１４において、この再生信号をデータ識別点で直接サンプリングし、データ識別点ｋ−１，ｋに於けるサンプリングデータをＡ（ｋ−１），Ａ（ｋ）とすると、符号間干渉を持たない磁区拡大再生系におけるＰＲ（１，−１）の等価を実施するには、単純に、
Ｂ（ｋ）＝Ａ（ｋ）−Ａ（ｋ−１）    ・・・式（１）
なる差分演算を実行すれば、ＰＲ（１，−１）の出力になる。これに基づき図４（ａ）に示す信号列を演算すると図４（ｂ）に示すような信号出力が得られる。しかしながら、マーク長：４Ｔ，５Ｔ，６Ｔにおいて波形歪が存在するために、実施形態１と同様に、各マーク：４Ｔ，５Ｔ，６Ｔのエッジ間でのディジタルＰＲ（１，−１）演算後のレベルが下方に“Ｖｓ４”、“Ｖｓ５”、“Ｖｓ６”だけシフトした結果となる。
【００４７】
また、図４（ｃ）の（ｃ）−１，  （ｃ）−２，（ｃ）−３はマーク長仮判定回路１０の出力であり、各マーク長：４Ｔ，５Ｔ，６Ｔの、ＰＯＳパルス極性の波形に対して出力信号がアクティブとなっている。本実施形態では、ディジタルＰＲ（１，−１）の上記演算式（１）を波形歪みが発生するマーク長時のみ変更し、
Ｂ’（ｋ）＝αｎ×Ａ（ｋ）−Ａ（ｋ−１）        ・・・式（２）
（αｎはマーク長ｎに対する補正係数）
すなわち、ＰＲ（αｎ，−１）なる補正演算式を与える、この補正式（２）を適用しサンプリング演算をおこなう。αｎの値は波形歪みに起因する波形の傾きを意味する。図４（ｄ）はサンプリング演算後の値であり、これらサンプリング補正値列に対してビタビ復号回路でビタビ復号をおこなう。
【００４８】
以上説明したように、ビタビ復号への入力信号となるサンプリング値の振幅のマージンが向上しており、従来誤判定を起こすようなノイズが重畳されている場合においても、誤判定する確率が減少し、情報の正確な再生が可能となる。
【００４９】
さらに、再生信号波形の両極性に波形歪みが発生する場合は、両極性に対してサンプリングの補正をおこなえば同様な効果が得られることは言うまでもない。
【００５０】
なお、本例においては、補正演算式の係数を各マークにおいてそれぞれ設定したが、この限りではなくマーク長依存度が小さければ一定の補正係数でも差し支えない。
【００５１】
また、補正演算式の定数αｎは波形歪が発生する既知のマーク列をテスト再生することにより検出し、以後の再生時の補正演算式として採用することで装置間の誤差や、環境温度等に対してより高精度で補正が可能となる。
【００５２】
以上の説明では、再生信号のＮＥＧパルス極性の波形には波形歪みが発生してないとして説明を行い、例えば図２を用いて説明する実施形態においても極性の異なる４Ｔ時には波形歪みが発生しないとしている。しかしながら、本発明者は再生信号の両極性パルスに歪が生じる場合があることを見出しており、かかる場合にも本発明を適用し、両極性パルスの歪みによるレベル変動を補正する演算処理を行うことができることは勿論である。
【００５３】
以上本発明の実施形態について説明したが、本発明の好適な実施の態様は以下に説明する態様である。
【００５４】
（実施態様１）  磁区拡大型光磁気記録媒体にパーシャルレスポンスとビタビ復号を適用し、レベルサンプリングをおこなう磁区拡大型光磁気再生方法において、
所定マーク長のエッジ−エッジ間において、該所定マーク長のときに生ずるサンプル値のレベル変動を補正する演算処理を施して、情報再生を行うことを特徴とする磁区拡大型光磁気再生方法。
【００５５】
（実施態様２）  上記パーシャルレスポンスはＰＲ（１，−１）であり、上記演算処理は、ＰＲ（１，−１）等価後の再生信号をサンプリングしたサンプリング値に、所定マーク長ｎＴ（ｎはレベル変動を生ずる場合の数、Ｔはビット間隔）に対応した補正値の加算或いは減算を行う処理であることを特徴とする実施態様１記載の磁区拡大型光磁気再生方法。
【００５６】
（実施態様３）  上記パーシャルレスポンスはＰＲ（１，−１）であり、上記演算処理は、再生信号をサンプリングしたサンプル値に、所定マーク長ｎＴ（ｎはレベル変動を生ずる場合の数、Ｔはビット間隔）に対応したＰＲ（１，−αｎ）或いはＰＲ（αｎ，−１）なる補正（αｎは所定マーク長ｎＴに対する補正係数）を行う処理であることを特徴とする実施態様１記載の磁区拡大型光磁気再生方法。
【００５７】
（実施態様４）  上記演算処理は、再生ビーム後方の再生層磁化極性と異なる磁化極性の再生信号の場合のみに実施することを特徴とする実施態様１〜３のいずれか１項に記載の磁区拡大型光磁気再生方法。
【００５８】
（実施態様５）  上記演算処理における、上記補正値或いは上記補正係数は所定マーク長列のテスト再生を行うことにより決定し、以後の補正値或いは補正係数として採用することを特徴とする実施態様１〜４のいずれか１項に記載の磁区拡大型光磁気再生方法。
【００５９】
（実施態様６）  磁区拡大型光磁気記録媒体にパーシャルレスポンスとビタビ復号を適用し、レベルサンプリングして情報を再生する磁区拡大型光磁気再生装置において、
再生信号のマーク長を判定する手段と、所定マーク長のときに生ずるサンプル値のレベル変動を補正するために、前記再生信号のサンプリング値を所定マーク長に対応して補正演算する補正演算手段とを具備し、
上記補正演算手段は、上記判定手段の出力に応じて補正演算を施し、情報再生を行うことを特徴とする磁区拡大型光磁気再生装置。
【００６０】
（実施態様７）  上記パーシャルレスポンスはＰＲ（１，−１）であり、上記補正演算は、ＰＲ（１，−１）等価後の再生信号をサンプリングしたサンプリング値に、所定マーク長ｎＴ（ｎはレベル変動を生ずる場合の数、Ｔはビット間隔）に対応した補正値の加算或いは減算を行う処理であることを特徴とする実施態様６記載の磁区拡大型光磁気再生装置。
【００６１】
（実施態様８）  上記パーシャルレスポンスはＰＲ（１，−１）であり、上記補正演算は、再生信号をサンプリングしたサンプル値に、所定マーク長ｎＴ（ｎはレベル変動を生ずる場合の数、Ｔはビット間隔）に対応したＰＲ（１，−αｎ）或いはＰＲ（αｎ，−１）なる補正（αｎは所定マーク長ｎＴに対する補正係数）を行う処理であることを特徴とする実施態様６記載の磁区拡大型光磁気再生装置。
【００６２】
（実施態様９）  上記補正演算における、上記補正値或いは上記補正係数は所定マーク長列のテスト再生を行うことにより決定し、以後の補正値或いは補正係数として採用することを特徴とする実施態様６〜８のいずれか１項に記載の磁区拡大型光磁気再生装置。
【００６３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、パーシャルレスポンス再生において、特徴的な波形歪から発生するレベルジッタの増加を軽減し、エラーレートを改善し、記録密度の向上、或いはより信頼性の高い磁区拡大型光磁気再生を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における第１の実施形態の光磁気記録再生装置の構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施形態の動作を示すタイミングチャートである。
【図３】本発明における第２の実施形態の光磁気記録再生装置の構成を示す図である。
【図４】本発明の第２の実施形態の動作を示すタイミングチャートである。
【図５】
従来の光磁気記録再生装置の課題を示すタイミングチャートである。
【図６】
磁区拡大再生の再生動作原理図である。
【図７】
従来における光磁気記録再生装置の構成を示す図である。
【図８】
パルス磁界変調記録の動作を示すタイミングチャートである。
【符号の説明】
１  光ディスク
２  基板
３  光磁気記録媒体
４  保護膜
５  光ヘッド
６  コントローラ
７  ＬＤドライバ
８  磁界変調ドライバ（磁気ヘッドドライバ）
９  磁気ヘッド
１０  マーク長仮判定回路
１１  サンプリング補正回路
１２  ＰＲ等価回路
１３  ビタビ復号回路
１４  サンプリング補正演算回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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