(57)【要約】【課題】触媒を用いて排ガスを処理する装置において、触媒層に導入される排ガスの速度分布のばらつきを抑制する。【解決手段】被処理物質を含む排ガスと反応ガスとを旋回し、整流したのち触媒層に導入して被処理物質と反応ガスとを反応させるようにした触媒式排ガス処理装置において、前記排ガスと前記反応ガスとの旋回流を整流する整流手段として、中央付近に貫通孔４ａを有する板状の整流板４を用い、この整流板の中央付近に設けられた貫通孔に前記旋回流を一旦集めたのち貫通孔を通し再び流路を拡大して触媒層６に導入するようにした。本発明により、触媒層に流入する排ガスのガス速度のばらつきを少なくでき、所望の分解率を安定して得ることができるようになった。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物質を含む排ガスと反応ガスとの旋回流を形成する旋回流発生器と、前記旋回流発生器により形成された旋回流を整流する整流器と、前記整流器により整流されたガスを導入し前記排ガスに含まれる被処理物質と前記反応ガスとを反応させる触媒層を備えた触媒式排ガス処理装置において、
前記整流器が中央付近に貫通孔を有する板状の整流板よりなり、前記旋回流発生器により形成された旋回流が前記貫通孔に集められ貫通孔を通り再び流路を拡大して前記触媒層に導入されるようにしたことを特徴とする触媒式排ガス処理装置。
【請求項２】
請求項１において、前記旋回流発生器の周囲に加熱炉を備え、前記旋回流発生器により形成された旋回流が前記加熱炉により加熱されるようにしたことを特徴とする触媒式排ガス処理装置。
【請求項３】
請求項１において、前記旋回流発生器と前記整流器及び前記触媒層が筒型の反応塔の内部に収納されていることを特徴とする触媒式排ガス処理装置。
【請求項４】
請求項３において、前記反応塔の周囲に加熱炉を設けたことを特徴とする触媒式排ガス処理装置。
【請求項５】
請求項３において、前記反応塔の内部に、上方から順番に前記旋回流発生器と前記整流板及び前記触媒層を備えたことを特徴とする触媒式排ガス処理装置。
【請求項６】
請求項５において、前記反応塔内の上部に内筒を有し、前記排ガスと前記反応ガスが前記内筒と前記反応塔の内壁によって囲まれた空間を前記内筒の外周に沿って流れ旋回流を形成するようにしたことを特徴とする触媒式排ガス処理装置。
【請求項７】
請求項６において、前記反応塔の上部側壁に前記排ガスと前記反応ガスの導入口を有し、前記導入口が前記反応塔の側壁に対して略水平で斜め方向に設けられ、これにより前記導入口から前記反応塔内に導入されたガスが前記内筒の外周に沿って旋回するようにしたことを特徴とする触媒式排ガス処理装置。
【請求項８】
請求項５において、前記反応塔の内壁と前記整流板の外面との間に隙間を有し、その隙間を通って前記排ガス及び前記反応ガスが前記反応塔の下流側へ流れるようにしたことを特徴とする触媒式排ガス処理装置。
【請求項９】
請求項５において、前記触媒層は上部多孔板と下部多孔板によって挟まれ、前記上部多孔板と前記触媒層との間に織布或いは不織布が敷き詰められていることを特徴とする触媒式排ガス処理装置。
【請求項１０】
請求項５において、前記触媒層は上部多孔板と下部多孔板によって挟まれ、前記上部多孔板と前記触媒層との間に上部多孔板よりも孔径が小さいメッシュ板が設けられていることを特徴とする触媒式排ガス処理装置。
【請求項１１】
請求項５において、前記触媒層よりも下方の前記反応塔の内壁面に、前記触媒層の内部を流れるガスが前記反応塔の内壁面に沿って下方へ流れるのを阻止するためのリング状の部材を有することを特徴とする触媒式排ガス処理装置。
【請求項１２】
請求項５において、前記反応塔の内壁面で、前記触媒層が設けられている位置に、前記触媒層を流れるガスが前記反応塔の内壁面に沿って下方へ流れるのを阻止するためのリング状の部材を設けたことを特徴とする触媒式排ガス処理装置。
【請求項１３】
請求項１２において、前記リング状の部材が前記触媒層の内部に複数個設けられていることを特徴とする触媒式排ガス処理装置。
【請求項１４】
請求項９において、前記触媒層と前記上部多孔板と前記下部多孔板及び前記織布又は不織布が一つのセットになっており、このセットが交換できるようになっていることを特徴とする触媒式排ガス処理装置。
【請求項１５】
被処理物質としてＰＦＣを含む排ガスにアルカリ水溶液を接触させて前記排ガスに含まれるガス状の不純物を除去する第１のスクラバと、前記第１のスクラバで処理された排ガスに含まれる固形物を除去する第２のスクラバと、前記第２のスクラバで処理された排ガスに対して水を添加する水添加器と空気を添加する空気添加器と、前記水と空気が添加された排ガスを予熱する予熱器と、前記予熱器で予熱されたガスを導入しＰＦＣを水及び空気と反応させて分解する外部加熱式の反応塔と、前記反応塔で処理されたガスを水で冷却する冷却器と、前記冷却器で冷却されたガスを水又はアルカリ水溶液により洗浄してガス中に含まれる酸成分をガス中から除去する排ガス洗浄塔とを有するＰＦＣ分解用の排ガス処理システムであって、前記反応塔の内部に上方から順番に旋回流発生器と整流板及び触媒層を有し、前記整流板の中央付近に貫通孔を有し、前記反応塔に導入されたガスが前記旋回流発生器にて旋回流を形成し前記整流板の貫通孔を通過した後再び流路を拡大して前記触媒層に導入されるようにしたことを特徴とするＰＦＣ分解用の触媒式排ガス処理システム。
【請求項１６】
請求項１５において、前記反応塔の内壁と前記整流板の外面との間に隙間を有し、その隙間を通って前記反応塔内のガスが前記反応塔の下流側へ流れるようにしたことを特徴とするＰＦＣ分解用の触媒式排ガス処理システム。
【請求項１７】
請求項１５において、前記触媒層は上部多孔板と下部多孔板によって挟まれ、前記上部多孔板と前記触媒層との間に繊維状の部材が敷き詰められていることを特徴とするＰＦＣ分解用の触媒式排ガス処理システム。
【請求項１８】
請求項１５において、前記反応塔の内壁面で、前記触媒層が設けられている位置と前記触媒層よりも下方の位置の少なくとも一方に、前記触媒層を流れるガスが前記反応塔の内壁面に沿って下方へ流れるのを阻止するためのリング状部材を有することを特徴とするＰＦＣ分解用の触媒式排ガス処理システム。
【請求項１９】
被処理物質を含む排ガスと反応ガスとの旋回流を形成し、前記旋回流を整流したのち触媒層に導入して前記被処理物質と前記反応ガスとを反応させる排ガス処理方法において、
前記旋回流を、中央付近に貫通孔を有する整流板の前記貫通孔を通過させ、前記貫通孔通過後に再び流路を拡大して前記触媒層に導入するようにしたことを特徴とする排ガス処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、触媒を用いて排ガスを処理する触媒式排ガス処理装置及び排ガス処理方法に関する。本発明はまた、ＰＦＣ（パーフルオロコンパウンド，
Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｃｏｍｐｏｕｎｄｓ）分解用の排ガス処理システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
触媒を用いて排ガス処理を行う排ガス処理システムの一例として、排ガスと反応ガスとの旋回流を形成し、整流管を通して整流した後、触媒反応器に導くことが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１には、半導体処理炉から排出されたシラン排ガスを窒素ガスで希釈し、空気と反応させた後、粒子フィルタ及び触媒反応器に導く排ガス処理システムにおいて、シラン排ガスと空気の旋回流を形成する旋回流発生器と旋回流反応器及び整流管を設け、その後段に粒子フィルタ及び触媒反応器を設けることが記載されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平７−１８５２５９号公報（請求項１，図１，図２）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
触媒を用いる排ガス処理では、排ガスをできるだけ均一な速度分布で、触媒層に導入することが望ましい。
【０００６】
前記従来技術は、粒子フィルタ及び触媒反応器の寿命を延ばすことを目的としており、排ガスのガス速度分布を均一にするための配慮はなされていない。
【０００７】
本発明の目的は、触媒層に導入される、排ガス及び反応ガスのガス速度分布のばらつきを抑制することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、被処理物質を含む排ガスと反応ガスとを旋回し、整流したのち触媒層に導入して被処理物質と反応ガスとを反応させるようにした触媒式排ガス処理装置或いは処理方法において、前記排ガスと前記反応ガスとの旋回流を整流する整流手段として、中央付近に貫通孔を有する板状の整流板を用い、前記旋回流を貫通孔を通すことにより一旦中央に集め、貫通孔通過後は再び流路を拡大して触媒層に導入するようにしたことにある。
【０００９】
本発明において、被処理物質とは、処理対象物質のことであり、たとえばＰＦＣ分解におけるＰＦＣを意味する。また、反応ガスとは、被処理物質と反応させるガスのことであり、例えばＰＦＣの加水分解における水或いは水と酸素を意味する。
【００１０】
触媒式の排ガス処理装置では、被処理物質を含む排ガスと反応ガスとをできるだけ一様に混合させることが望ましい。また、小型の装置で処理を行う場合には、排ガスと反応ガスをできるだけ速やかに所定の加熱温度まで加熱することが望ましい。これらの要求は、排ガスと反応ガスとの旋回流を形成させることにより達成される。
【００１１】
しかし、一般に、旋回流を発生させると、遠心力から反応塔内壁部分のガス速度が最も大きくなり、内側でガス速度が小さくなる。反応塔内壁部分の速度成分は、ガス流通方向の鉛直方向成分に加えて、ガス流通方向に対して直角成分である水平方向成分を有するため、反応塔中心部分のガス速度に比べて大きい速度で、かつ触媒層断面に対して斜め方向に流入することになる。このため、旋回流を発生させない場合に比べて反応器内部のガス速度にばらつきが発生する。
【００１２】
反応ガスを所定温度まで加熱するためには旋回流にするのが有効であるが、触媒層で高い分解率を得るためには旋回流はマイナスとなる。このため、触媒反応塔内の旋回流発生器と触媒槽との間に、中央付近に貫通孔が設けられた整流板を設置して、旋回流を通常の押し出し流れに変更する。これによって、反応ガスのガス速度分布のばらつきを抑制し、一様なガス速度で触媒層に流入させることができる。
【００１３】
整流板の役割は、ガス流を反応塔中央に集めることにある。整流板の中央付近に設けられた貫通孔により、一旦流路を絞られたガス流は触媒層に入るまでにほぼ均一なガス速度の押し出し流れとなり、触媒層に流入する。このため、整流板と触媒層との間には、運転条件によるが、ある一定の距離を置くことが望ましい。装置サイズの都合から十分な距離を置けない場合には、整流板を通過したガス流により、触媒中央部が掘れてしまう。この場合、流入するガス速度に対して、十分な触媒量が得られないため、掘られた部分の反応条件は空間速度（ＳＶ）が大きくなり、高い分解率が得られない。この触媒掘れを防ぐために、触媒上部に触媒の移動を防止する多孔板，メッシュ板を設置することが望ましい。通常は触媒を固定するために、触媒層上部及び下部を多孔板で挟んだ状態にするが、その多孔板と触媒との間にメッシュ板，織布或いは不織布を設置することが望ましい。旋回流成分が大きい場合には、これらのメッシュ板，織布又は不織布を複数組み合わせて、上部多孔板と触媒層との間に配置することが望ましい。メッシュ板は孔径が１０ｍｍ以下のものがよい。メッシュ板，織布又は不織布の材料は、特に限定されないが、耐熱性と耐食性に優れているものがよく、例えばアルミナが望ましい。
【００１４】
整流板の位置は、触媒層に近すぎると十分に整流されないため、ある程度、触媒層表面から離すことが望ましい。上部多孔板と触媒層との間にメッシュ板，織布或いは不織布を設けた場合には、触媒層から２５０〜５００ｍｍ離した位置に整流板を設置することが望ましい。メッシュ板，織布或いは不織布を設けない場合には、触媒層から６００ｍｍ以上離れた位置に整流板を設置するとよい。
【００１５】
整流板に設けられる貫通孔の数は、１個でもよいし或いは複数個でも良い。整流板の役割は、ガス流を一旦、反応塔中央付近に集め、その後再び流路を拡大することにより、ガスの速度分布のばらつきを抑制することにあるので、中央付近に貫通孔がありさえすればよく、その個数にはこだわらない。整流板の中央に貫通孔を１個設ける場合には、孔径は５０ｍｍφから１００ｍｍφにするとよい。また整流板の中央に数十個例えば３０個から５０個の貫通孔を設ける場合には、孔径は１０ｍｍφ〜２０ｍｍφにするのがよい。
【００１６】
本発明の排ガス処理装置は、筒型の反応塔の内部に旋回流発生器と整流板及び触媒層が収納されていることが望ましい。また、反応塔は、環状の電気炉のように加熱炉によって周囲を囲まれ、外部加熱式になっていることが望ましい。このようにすることによって、小型で設置場所を広くとらないコンパクトな排ガス処理装置にすることができる。
【００１７】
反応塔内には、上部から順番に、旋回流発生器と整流板及び触媒層を設け、下部に処理されたガスの排出口を設けるようにすることが望ましい。これにより、排ガスの流れは下向きになり、本発明の排ガス処理装置の後段に処理ガス洗浄塔を設けたりする場合に、設計が容易になる。
【００１８】
反応塔内の上部において旋回流を形成するために、反応塔内の上部に内筒を設け、反応塔内壁と内筒の外面との空間に排ガス及び反応ガスを導入し、内筒外面に沿って旋回させることが望ましい。このために、排ガスと反応ガスの導入口を、反応塔の側壁に対して略水平でかつ斜め方向に向けて配置し、ガスが内筒に対して接線方向から導入されるようにすることが望ましい。旋回方向は、時計回りでもよいし或いは反時計回りでもよい。
【００１９】
内筒の材料は、できれば金属がよい。インコネルやハステロイは内筒の材料として好適である。金属内筒を用いることにより、旋回流は内筒からの熱伝達を受けるので、反応ガスを所定温度まで上げるための投入エネルギーが少なくて済む。
【００２０】
本発明の排ガス処理装置において、反応塔内壁と整流板外面との間には、隙間を設けることが望ましい。その隙間を通って整流板の下方へ流れてきたガスは、整流板の中央に向かって反転するようになり、整流板から触媒層に向かって流れるガス流の勢いを弱めて滞留時間を長くする。これにより、ガス速度が低下し、被処理物質例えばＰＦＣの分解率を高くすることが可能になる。
【００２１】
また、触媒層の内部或いは触媒層の下部に位置する反応塔内壁には、リング状の部材を設けることが望ましい。整流された排ガスが触媒層内を流れる場合、より圧損の少ない反応塔内壁部分を流れやすいため、この内壁部分のガス速度が中心付近に比べて大きくなる。しかし、触媒層内及び触媒層の下部にリング状の部材を設置して、反応塔内壁近傍を流れるガスを触媒層の中心方向へ向けるようにすれば、内壁部分のガス速度を遅くし、反応塔の半径方向におけるガス速度のばらつきを抑えることができる。リング状の部材は、触媒層内と触媒層下部の両方に設けた方が、どちらか一方のみに設けた場合よりも効果がある。また、触媒層内に複数個のリング状部材を設けた方が、１個のみ設けた場合よりも効果がある。
【００２２】
本発明の排ガス処理装置は、ＰＦＣを分解するのに極めて好適である。ＰＦＣガスは、たとえばＣＦ４  ，Ｃ２Ｆ６，Ｃ３Ｆ８，ＳＦ６  ，ＮＦ３  などである。これらのＰＦＣガスは、半導体或いは液晶などの分野において、エッチング剤やクリーニング剤或いは絶縁ガスなどに使用されている。ＰＦＣは地球温暖化ガスであり、大気放出に関して規制対象になっているため、分解することが望まれる。
【００２３】
ＰＦＣを分解するために、本発明では、ＰＦＣを含む排ガスをアルカリ水溶液に接触させて前記排ガスに含まれるガス状の不純物を除去する第１のスクラバと、前記第１のスクラバで処理された排ガスに含まれる固形物を除去する第２のスクラバと、前記第２のスクラバで処理された排ガスに対して水及び空気を添加する水添加器及び空気添加器と、前記水と空気が添加された排ガスを予熱する予熱塔と、前記予熱塔で予熱されたガスを導入しＰＦＣを水及び空気と反応させて分解する反応塔と、前記反応塔で処理されたガスを水で冷却する冷却器と、前記冷却器で冷却されたガスを水又はアルカリ水溶液により洗浄してガス中に含まれるフッ化水素等の酸成分をガス中から除去する排ガス洗浄塔とを有するＰＦＣ分解用の排ガス処理システムを提供する。この排ガス処理システムにおける反応塔には、既に述べたように旋回流発生器，中央付近に貫通孔を有する整流板及び触媒層が備えられる。
【００２４】
第２のスクラバとしては、一般的に使用される、充てん塔，ベンチュリスクラバ，ジェットスクラバ，スプレー塔，サイクロンスクラバ，カスケード塔，円板回転式，溜水式乱流型，気泡塔，段塔等を使用できる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
実施例１
図１及び図２は、本発明の排ガス処理装置の一実施例を示したものであり、図１は斜視図、図２は側面図である。
【００２６】
本実施例の触媒式排ガス処理装置は、反応塔１を有し、反応塔１の内部の上方に内筒２を有する。反応塔１の側壁の上方部分には、排ガスと反応ガスとを導入するガス導入口３を有する。ガス導入口３は、反応塔１の側壁に対して水平の向きに設けられ、且つ側壁に対して直角ではなく、斜めに取り付けられている。これにより、ガス導入口３から反応塔１内へ導入された排ガスと反応ガスは、反応塔１の内壁と内筒２の空間を流れ、内筒２の周囲に沿って水平方向に旋回するようになる。
【００２７】
反応塔１の高さ方向のほぼ真中には、整流板４が設けられている。整流板４は中央付近に貫通孔４ａを有している。反応塔内に導入され且つ反応塔１の内壁と内筒２との空間を水平方向に旋回しながら下方へと流れてきた旋回流は、この整流板４の貫通孔４ａによって一旦中央に集められ、貫通孔を通過した後、流路が広がって、触媒層６へ導入される。整流板４は、触媒反応塔内壁に数箇所設置された爪５の上に設置されている。反応塔内壁と整流板外面との間には隙間があるので、排ガス及び反応ガスの一部は、その隙間を通って整流板の下方へ流れ込む。
【００２８】
触媒層６は、触媒粒子の集合体であることから、上部多孔板７と下部多孔板８によって挟み、触媒の移動を防止する。上部多孔板７と触媒層６との間には、アルミナ繊維でできた織布１０が敷き詰められている。また、触媒層６と下部多孔板８との間には、触媒の落下防止効果を高めるために、下部多孔板よりも孔径の小さいメッシュ板９が設けられている。
【００２９】
反応塔の内壁で、触媒層６の内部及び触媒層６の下方には、リング状の部材が設けられている。触媒層内には、複数個のリング状部材が設けられている。以下では、触媒層内に設けられたリング状部材のことを層内リングと呼ぶことにする。また、触媒層６の下方に設けられたリング状部材のことを遮蔽リングと呼ぶことにする。図２において、符号１１は層内リングを示し、符号１２は遮蔽リングを示す。反応塔の下部側壁には、触媒層で処理されたガスを排出するための処理ガス排出口１３が設けられている。
【００３０】
図３のグラフは、内径が８５０ｍｍφの反応塔の内部に外径６１２ｍｍφの内筒を設け、内筒の下方に整流板を配置して、整流板を通過したガスの速度分布を調べた結果を示したものである。整流板には、中央部に１２ｍｍφの大きさの貫通孔が２４ｍｍピッチで３１個設けられたものを用いた。図３は、反応塔の中心からの距離とガス速度との関係を示しているが、反応塔中心から内壁近傍までほぼ一様なガス速度分布が得られた。
【００３１】
例えばＰＦＣの分解率は、所定の反応温度における空間速度（ＳＶ（ｈ−１）＝反応ガス速度（リットル／ｈ）／触媒量（リットル））で推定することができるため、触媒反応塔内でのガス速度と触媒量とからおおよその分解率を算出することが可能である。
【００３２】
図４のグラフは、ＰＦＣ分解率と空間速度との一般的な関係を示したものであるが、空間速度が小さくなるにつれてＰＦＣ分解率は高くなる傾向がある。この図４のグラフは、ガス速度分布にばらつきがあると所望の分解率が得にくいことを物語っている。高い分解率が安定して得られるようにするには、ガス速度を遅くし、しかもガス速度分布のばらつきをできるだけ少なくすることが望ましい。ガス速度を遅くするには、内筒と整流板との間の距離をあけること、或いは反応塔内壁と整流板外面との間に隙間を設けて排ガスの一部がその隙間から下方へ流れるようにすることが有効である。
【００３３】
図５のグラフは、反応塔内壁にリング状の部材を設けたことによる効果を調べた結果を示している。
【００３４】
反応塔の内径及び内筒の外径は、図３のときと同じである。整流板も図３のときと同じである。触媒層は層高が３７０ｍｍとした。触媒層の上にはメッシュ間隔が約１ｍｍのメッシュ板を置いた。また、触媒層の下部には、６ｍｍφの大きさの孔が１２ｍｍピッチで全体に設けられた下部多孔板を配置し、この下部多孔板と触媒層との間に前述のメッシュ板と同じものを置いた。また、反応塔の内壁で下部多孔板の下部には、遮蔽リングを設けた。この状態で、触媒層内の周囲すなわち反応塔内壁に、複数個の層内リングを設置した。層内リングを取り付ける位置は、触媒上部から０，１００，２００，３００，３７０ｍｍの位置とした。層内リング及び遮蔽リングは、いずれも内径を７６０ｍｍφとし、反応塔内壁から４５ｍｍの部分がリング状部材で遮蔽されるようにした。
【００３５】
この結果、層内リングを有しない場合には、反応塔内壁近傍を流れるガスの速度は７．６ｍ／ｓであったものが、層内リング状を設けた場合には５．６ｍ／ｓになり、層内リングを設けることにより反応塔内壁部分を流れるガスの速度を小さくすることができた。また、層内リングを設けることにより、反応塔の半径方向におけるガス速度のばらつきも少なくできた。
【００３６】
図７は、触媒層下部の遮蔽板の効果を示す。遮蔽板により、反応塔内壁の高いガス速度の流れがなくなり、反応塔中心から半径方向に均一なガス速度となった。
【００３７】
実施例２
図６は、ＰＦＣの分解に好適な排ガス処理システムのフローを示している。半導体工場或いは液晶を使う工場から排出されたＰＦＣ含有排ガスは、第１のスクラバ１４に入り、ガス中に含まれるＨＦ，Ｆ２，ＨＣｌ，Ｃｌ２，ＨＢｒ，Ｂｒ２  などの腐蝕成分、ＳｉＦ４  などの不純物がアルカリ水溶液によって除去される。第１のスクラバにはアルカリタンク１５から随時アルカリ水溶液が供給される。第１のスクラバを通過したＰＦＣ含有排ガスは、次いで第２のスクラバ１６に導入され、排ガス中に含まれるＳｉＯ２  などの固形分が除去される。第２のスクラバを通り固形分が除去されたＰＦＣ含有ガスには、反応水蒸発器１７によりスチームが添加され、また、空気１８が添加される。その後、ＰＦＣ含有排ガスは予熱塔１９に導入され、ここでガス温度が５００〜６００℃になるまで加熱される。予熱塔１９で予熱されたＰＦＣ含有ガスは、次に反応塔２０に導入され、ＰＦＣの分解処理が行われる。反応塔内には、図１及び図２で説明したように旋回流発生器，中央付近に貫通孔を有する整流板及び触媒層が収納されている。予熱塔１９及び反応塔２０は、いずれも環状の電気炉２１，２２内に設けられており、反応塔内の触媒層に入るまでにＰＦＣ含有ガスは７００〜８００℃の温度に加熱される。
【００３８】
反応塔２０の触媒層では、ＰＦＣの種類により異なるが、おおよそ以下の反応が進行し、ＰＦＣが分解される。
【００３９】
ＣＦ４＋２Ｈ２Ｏ  →  ＣＯ２＋４ＨＦ
Ｃ２Ｆ６＋３Ｈ２Ｏ  →  ＣＯ＋ＣＯ２＋６ＨＦ
ＣＨＦ３＋Ｈ２Ｏ  →  ＣＯ＋３ＨＦ
ＳＦ６＋３Ｈ２Ｏ  →  ＳＯ３＋６ＨＦ
ＮＦ３＋３／２Ｈ２Ｏ  →  ＮＯ＋１／２Ｏ２＋３ＨＦ
触媒層を通過したガスは、冷却室２３に送られ主に水によって約７０℃の温度まで冷却される。その後、分解ガスは排ガス洗浄塔２４に導入される。排ガス洗浄塔２４では、導入されたガスに対して水或いはアルカリ水溶液が噴霧され、ガス中に含まれるフッ化水素等の酸成分が除去される。排ガス洗浄塔２４を出たガスは、エゼクタ２５を通って大気中に排気される。酸成分を吸収した水溶液は、工場既設の排水処理設備へ排出される。
【００４０】
【発明の効果】
本発明により、触媒層を備えた排ガス処理装置において、触媒層に導入されるガスの速度分布のばらつきを抑制することが可能になった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による排ガス処理装置の斜視図。
【図２】本発明の一実施例による排ガス処理装置の側面図。
【図３】ガス速度と反応塔中心からの距離との関係を示すグラフ。
【図４】ＰＦＣ分解率とガスの空間速度との関係を示すグラフ。
【図５】ガス速度と反応塔中心から距離との関係を示すグラフ。
【図６】ＰＦＣ分解用の排ガス処理システムの系統図。
【図７】触媒反応塔中心からの距離とガス速度との関係を示すグラフ。
【符号の説明】
１…反応塔、２…内筒、３…ガス導入口、４…整流板、４ａ…貫通孔、５…爪、６…触媒層、７…上部多孔板、８…下部多孔板、９…メッシュ板、１０…織布、１１…層内リング、１２…遮蔽リング、１３…処理ガス排出口。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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