(57)【要約】【課題】ノズル詰まりが発生しても、その都度、描画作業を停止させることなく、引き続き描画作業を行うことが可能な描画装置等を提供する【解決手段】基板Ｐ上の所定位置に液状体を配置してパターンを描く描画装置１において、基板Ｐを所定方向に搬送する基板搬送部３０と、指定方向と略直交する方向に沿って所定間隔Ｌで配置された複数のノズル２１１のうちの一部から基板Ｐに向けて液状体を吐出する吐出部１２と、吐出部１２を直交方向に移動させるノズル移動部２０とを備え、ノズル移動部３０は、液状体を吐出していたノズル２１１にノズル詰まりが発生した際に、吐出部１２を移動させるようにした。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の所定位置に液状体を配置してパターンを描く描画装置において、
前記基板を所定方向に搬送する基板搬送部と、
前記所定方向と略直交する方向に沿って所定間隔で配置された複数のノズルのうちの一部から前記基板に向けて液状体を吐出する吐出部と、
前記吐出部を前記直交方向に移動させるノズル移動部とを備え、
前記ノズル移動部は、液状体を吐出していた前記ノズルにノズル詰まりが発生した際に、前記吐出部を移動させることを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記ノズルの数は、前記パターンの描画のために必要な数の整数倍であることを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記ノズル移動部による前記吐出部の移動距離は、前記所定間隔と略同一であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の描画装置。
【請求項４】
前記ノズル移動部による前記吐出部の移動距離は、前記所定間隔の整数倍の距離であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の描画装置。
【請求項５】
基板上の所定位置に液状体を配置してパターンを描く描画方法において、
所定方向に搬送される基板に向けて、該所定方向と略直交する方向に沿って所定間隔で配置された複数のノズルのうちの一部から液状体を吐出する工程と、
液状体を吐出していた前記ノズルにノズル詰まりが発生した際に、前記吐出部を前記直交方向に移動させる工程と、
液状体を吐出していた前記ノズルとは異なる前記ノズルの一部或いは全部から前記基板に対して液状体を吐出する工程と、を有することを特徴とする描画方法。
【請求項６】
請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の描画装置により描画されたパターン、或いは請求項５に記載の描画方法により描画されたパターンを有することを特徴とするデバイス。
【請求項７】
請求項６に記載のデバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上の所定位置にノズルから液状体を吐出してパターンを描く描画装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路など微細な配線パターンを有するデバイスの製造方法、及び液晶ディスプレイ或いは有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子の製造方法として、インクジェット方式を用いた製造方法が注目されている。これらの製造技術では、パターン形成面にパターン形成用材料を含んだ液状材料を吐出ヘッド（インクジェット式ヘッド）から吐出することにより基板上に材料層を成膜（描画）させて、デバイスを形成するものであり、少量多種生産に対応可能である点などにおいて大変有効である。
この吐出ヘッドは、数十μｍ程度の直径を有する複数のノズルから液状材料を吐出するものであるが、ノズル径が小さいため、異物や液状材料の塊等が詰まりやすく、吐出不良が発生する。このノズル詰まりは、特開２００３−１１８１３３号公報に示すように、吐出ヘッドにワイピング等のクリーニング処理を施すことにより取り除かれる。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００３−１１８１３３号公報（第４頁、第１図）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、吐出ヘッドにクリーニング処理を施すためには、描画作業を停止しなければならず、その頻度が多くなると、製造ラインの停止時間が長くなり、製造効率を著しく低下させてしまうという問題がある。
【０００５】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであって、吐出部のノズルにノズル詰まりが発生しても、その都度、描画作業を停止させることなく、引き続き描画作業を行うことが可能な描画装置等を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る描画装置等では、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。
第１の発明は、基板上の所定位置に液状体を配置してパターンを描く描画装置において、基板を所定方向に搬送する基板搬送部と、所定方向と略直交する方向に沿って所定間隔で配置された複数のノズルのうちの一部から基板に向けて液状体を吐出する吐出部と、吐出部を直交方向に移動させるノズル移動部とを備え、ノズル移動部は、液状体を吐出していたノズルにノズル詰まりが発生した際に、吐出部を移動させるようにした。この発明によれば、吐出部のノズルにノズル詰まりが発生しても、吐出部を移動させて、他のノズルから液状体を吐出させることにより、ノズルのクリーニング等のために、装置を停止させる必要がなくなり、装置の稼働率を向上させることができる。
【０００７】
また、ノズルの数は、パターンの描画のために必要な数の整数倍であるものでは、ノズル詰まりが発生しても、整数倍のノズルが予備ノズルとして確保されるので、ノズルのクリーニング処理を数回分削減することができる。
また、ノズル移動部による吐出部の移動距離は、所定間隔と略同一であるものでは、ノズルが詰まっても、隣のノズルから液状体を吐出させることにより、描画作業を続行することができる。
また、ノズル移動部による吐出部の移動距離は、所定間隔の整数倍の距離であるものでは、予備ノズルを複数組備える場合には、移動距離を変化させることにより、任意のノズルから液状体を吐出させることができる。
【０００８】
第２の発明は、基板上の所定位置に液状体を配置してパターンを描く描画方法において、所定方向に搬送される基板に向けて、所定方向と略直交する方向に沿って所定間隔で配置された複数のノズルのうちの一部から液状体を吐出する工程と、液状体を吐出していたノズルにノズル詰まりが発生した際に、吐出部を直交方向に移動させる工程と、液状体を吐出していたノズルとは異なるノズルの一部或いは全部から基板に対して液状体を吐出する工程と、を有するようにした。この発明によれば、吐出部のノズルにノズル詰まりが発生しても、吐出部を移動させて、他のノズルから液状体を吐出させることにより、ノズルのクリーニング等のために、装置を停止させる必要がなくなり、装置の稼働率を向上させることができる。
【０００９】
第３の発明は、デバイスが、第１の発明に係る描画装置により描画されたパターン、或いは第２の発明に係る描画方法により描画されたパターンを有するようにした。この発明によれば、デバイスの生産効率が向上するので、低価格のデバイスを製造することができる。
【００１０】
第４の発明は、電子機器が、第３の発明に係るデバイスを備えるようにした。この発明によれば、高品質かつ低価格のディスプレイを表示手段として備えるので、表示手段の表示が見やすくて安価な電気機器を製造することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明にかかる吐出装置、吐出方法、デバイス、電子機器の実施の形態を図面を参照して説明する。図１は、本発明に係る描画システム１を示す斜視図である。
描画システム（描画装置）１は、インクジェット方式を利用して、基板Ｐに向けて液状体を吐出してパターンＰＡを形成させるものであり、吐出装置１０、吐出部移動装置２０、基板移動装置３０、制御装置８０等を備える。
【００１２】
図２は、吐出装置１０等を示す概念図及び吐出装置１０のノズル配列を示す図である。吐出装置１０は、複数のインクジェット式ヘッド２００からなる吐出部１２と、流動体を貯蔵したタンク１４、タンク１４内の流動体を吐出部１２に送るパイプ１６（不図示）、吐出部１２等を支持するコラム１８等を備える。
吐出部１２は、複数のインクジェット式ヘッド２００を基板ＰのＹ方向の幅と略同一の長さに配列して構成される。インクジェット式ヘッド２００は、それぞれ複数のノズル２１１を備えるため（図３参照）、図２（ｂ）に示すように基板Ｐの幅方向（Ｙ方向）に対して、略均一にノズル２１１が配置される。ノズル２１１は、必ずしも一列に整列させる必要はなく、Ｙ方向に均等に配置されていればよい。これにより、基板Ｐを吐出部１２と略直交する方向（Ｘ方向、所定方向）に送ることにより、一度にパターン形成領域ＰＡの全面に液状体を吐出することが可能である。
【００１３】
なお、基板ＰにパターンＰＡを描画するために必要なノズル２１１（すなわち、パターンＰＡの描画の際に液状体を吐出するノズル２１１）は、吐出部１２の全ノズル２１１のうちの一部である。例えば、ノズル２１１ａのみを用いれば、基板ＰにパターンＰＡを描画することが可能に構成される。そして、各ノズル２１１ａ間に均等（間隔Ｌ）にノズル２１１（２１１ｂ〜２１１ｄ）が配置される。すなわち、ノズル２１１の総数は、最低限必要なノズル数の整数倍（図２（ｂ）では、４倍）であり、間隔Ｌで均等に配置され、また、パターンＰＡの描画の際には、例えば、３個置きのノズル２１１から液状体を吐出する。具体的には、解像度３６０ｄｐｉ（１インチ当たり３６０点（ドット））のインクジェット式ヘッド２００を用いた場合には、間隔Ｌは、約７０μｍとなる。しがたって、基板Ｐに形成されるパターンＰＡの間隔が約３５０μｍ程度であれば、４個置きのノズル２１１から液状体を吐出すればよいことになる。
なお、パターンＰＡの描画の際に液状体を吐出するノズル２１１は、ノズル２１１ａのみならず、２１１ｂのみの場合や、２１１ｃ或いは２１１ｄのみの場合など、使い分けることができる。
【００１４】
図３は、インクジェット式ヘッド２００の一構成例を説明する分解斜視図、図４は、斜視図一部断面図である。
インクジェット式ヘッド２００は、ノズル２１１の設けられたノズルプレート２１０および振動板２３０が設けられた圧力室基板２２０を筐体２５０に嵌め込んだ構成を備える。このインクジェット式ヘッド２００の主要部構造は、図４に示すように、圧力室基板２２０をノズルプレート２１０と振動板２３０で挟み込んだ構造を備える。ノズルプレート２１０は、圧力室基板２２０と貼り合わせられたときにキャビティ２２１に対応することとなる位置にノズル２１１が形成される。圧力室基板２２０には、シリコン単結晶基板等をエッチングすることにより、各々が圧力室として機能可能にキャビティ２２１が複数設けられている。キャビティ２２１間は側壁（隔壁）２２２で分離されている。各キャビティ２２１は供給口２２４を介して共通の流路であるリザーバ２２３に繋がっている。振動板２３０は、例えば熱酸化層等により構成される。振動板２３０にはインクタンク口２３１が設けられ、タンク１４から流動体を供給可能に構成されている。振動板２３０上のキャビティ２２１に相当する位置には、圧電体素子２４０が形成されている。圧電体素子２４０は、ＰＺＴ素子等の圧電性セラミックスの結晶を上部電極および下部電極（図示略）で挟んだ構造を備える。圧電体素子２４０は、制御装置８０から供給される吐出信号に対応して形状変化を生ずる。
なお、上記インクジェット式ヘッド２００は、圧電体素子２４０に形状変化を生じさせて流動体を吐出させる構成に限らず、発熱体により流動体に熱を加え、その膨張によって液滴を吐出させるような構成であってもよい。
【００１５】
図２に戻り、吐出装置１０とコラム１８の間には、吐出装置１０の吐出部１２をＹ方向に移動させる吐出部移動装置（ノズル移動部）２０が設けられる。吐出部移動装置２０は、吐出部１２をＹ方向に、ノズル２１１の間隔Ｌ或いはその整数倍（例えば、２Ｌ等）だけ、移動させるように構成される。また、吐出部移動装置２０は、液状体を吐出しているノズル２１１にノズル詰まりが発生した場合のみ、制御装置８０から駆動信号を受けて駆動する。
なお、ノズル２１１のノズル詰まりの判断は、ノズル２１１から吐出される液滴をカメラ等で監視し、その液滴の有無により、ノズル詰まりを判断してもよい。或いは、パターンＰＡが描画された基板Ｐをカメラ等で計測して、液状体の未吐出を検出するようにしてもよい。いずれの場合であっても、液状体を吐出していた複数のノズル２１１（ノズル２１１ａ〜ｄのうちのいずれか）のうちの一箇所にでもノズル詰まりが発生した場合には、制御装置８０から吐出部移動装置２０に向けて駆動信号が送られる。
【００１６】
基板移動装置（基板搬送部）３０は、吐出装置１０の下方に配置され、吸着テーブル３１、テーブル駆動部３２等から構成される。吸着テーブル３１は、基板Ｐを保持し、テーブル駆動部３２は、吸着テーブル３１とともに基板ＰをＸ方向に搬送する。
なお、搬送中の基板Ｐの位置（Ｘ方向）は不図示の基板位置計測部により計測され、その情報は制御装置８０に送られる。
【００１７】
制御装置８０（不図示）は、コンピュータ装置でありＣＰＵ、メモリ、インターフェース回路等を備える。制御装置８０は所定のプログラムを実行することにより吐出装置１０に、発光材料等を含む流動体の吐出を実施させる。
また、液状体を吐出していた複数のノズル２１１のうちの一箇所にでもノズル詰まりが発生した場合には、吐出部移動装置２０に向けて駆動信号を送り、吐出部移動装置２０を稼働させる。
【００１８】
なお、基板Ｐは、ガラス、石英、サファイア、あるいはポリエステル、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルケトンなどの合成樹脂等の材料により形成される。そして、例えば、数ｍ角程度の大型基板が用いられ、１枚の基板Ｐには、複数のパターン形成領域ＰＡが設けられる。基板Ｐのサイズとパターン形成領域ＰＡのサイズ及び数は、製造するデバイスＤＳに応じて任意に決められる。
また、基板Ｐに吐出される流動体は、製造するデバイスに応じて変更可能である。ＥＬ素子を製造する場合には、流動体として発光材料を用いる場合があり、発光材料としては、例えば、有機材料であり、低分子の有機材料としてアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ３）等があり、高分子の有機材料としてポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）等がある。いずれの場合でも、流動体はインクジェット式ヘッド２００から液滴として吐出可能な流動性を呈するように溶媒等で粘度が調整される場合がある。
【００１９】
以上のような構成を備える描画システム１は、以下のように作用する。
まず、不図示の基板搬送装置により、基板Ｐが吸着テーブル３１上に搬送される。吸着テーブル３１は、基板Ｐの位置を微調整して、吸着保持する。次に、テーブル駆動部３２により、吸着テーブル３１とともに基板Ｐは、Ｘ方向に略一定速度で搬送される。
そして、基板Ｐが吐出装置１０の下方まで搬送されると、制御装置８０は、基板Ｐ上のパターン形成領域ＰＡに液状体が着弾するように、タイミングを図って（同期して）、吐出装置１０に吐出信号を送る。
【００２０】
吐出信号を受けた吐出装置１０の吐出部１２は、以下のように作用する。
まず、基板Ｐのパターン形成領域ＰＡが吐出部１２（インクジェット式ヘッド２００）の下方に移動すると略同時に、制御装置８０から吐出信号が送られてくる。その際、流動体はインクジェット式ヘッド２００のキャビティ２２１に流入しており、吐出信号が供給されたインクジェット式ヘッド２００では、圧電体素子２４０がその上部電極と下部電極との間に加えられた電圧に対応した外形変化を生ずる。この外形変化は振動板２３０を変形させ、キャビティ２２１の容積を変化させる。この結果、そのキャビティ２２１のノズル２１１から流動体の液滴が基板Ｐの上面に向けて吐出され、着弾する。流動体が吐出されたキャビティ２２１には吐出によって減った流動体が新たにタンク１４から供給される。
以上のようにして、基板Ｐ上の指定位置に発光材料等の液状体が配置されて、パターンＰＡが形成される。
【００２１】
上述したように、パターンＰＡの描画の際に液状体を吐出するノズル２１１は、吐出部１２の全ノズル２１１のうちの一部であり、例えば、ノズル２１１ａのみが用いられる。他のノズル２１１ｂ〜ｄは、動作せず、液状体を吐出しない。このように、ノズル２１１ａのみを用いて、次々に基板ＰにパターンＰＡを描画するが、流動体の乾燥や異物等により、吐出部１２の複数のノズル２１１ａのうちのいくつかにノズル詰まりが発生すると、図５に示すように、パターン形成領域ＰＡには、欠陥部分Ｄ（未吐出部分）が線状に出現する。なお、図５は、基板Ｐに発生した欠陥部分Ｄを示す図であり、２つのノズル２１１ａにノズル詰まりが発生した場合を示す。
【００２２】
基板Ｐに、図５のような欠陥部分Ｄが生じた場合には、制御装置８０からの指令により、基板移動装置３０を駆動する。基板移動装置３０は、吐出部１２をＹ方向に、ノズル２１１の設置の間隔（所定間隔）Ｌ、或いはその整数倍だけ移動させる。例えば、吐出部１２を−Ｙ方向に２Ｌだけ移動させると、液状体を吐出していたノズル２１１ａの位置に、ノズル２１１ｃが移動する。
したがって、次の吐出処理では、吐出信号をノズル２１１ｃに送って、液状体を吐出させることにより、ノズル詰まりが発生していないノズル２１１ｃによりパターンＰＡが描画される。
これにより、従来のように、基板Ｐに欠陥部分Ｄが生じた際に、吐出装置１０及び基板移動装置３０を停止させるとともに、吐出部１２のノズル２１１にワイピング等のクリーニング処理を施す必要がなくなる。このため、ラインの停止時間が短縮され、ライン稼働率を向上させることができる。
【００２３】
更に、パターンＰＡの描画を続行することにより、ノズル２１１ｃにノズル詰まりが発生した場合には、上述した場合と同様に、基板移動装置３０を駆動して、吐出部１２をＹ方向に移動させる。例えば、＋Ｙ方向に間隔Ｌだけ移動させると、ノズル２１１ｂを用いてパターンＰＡの描画を行うことが可能となる。
そして、全てのノズル２１１ａ〜２１１ｄにノズル詰まりが発生した際に初めて、ノズル２１１のクリーニング処理を行えばよい。すなわち、本実施形態では、ノズル２１１の総数は、基板ＰにパターンＰＡを描画するために必要なノズル数の４倍であるので、３回分のクリーニング処理を省くことができる。
以上のように、吐出部１２のノズル２１１（例えば、ノズル２１１ａ）にノズル詰まりが発生した際には、吐出部１２を移動させ、予備のノズル２１１（例えば、ノズル２１１ｂ〜２１１ｄ）から液状体を吐出するように切り換えることにより、製造ラインを停止させることなく、描画作業を続行することが可能となる。これにより、ライン稼働率が向上し、デバイスＤＳの生産効率を向上させることができる。
【００２４】
次に、上述した構成を有する描画システム１を用いて、基板Ｐに対して吐出装置１０から発光材料等を吐出することにより、基板Ｐ上に発光層３６０等を積層して、基板Ｐに積層配線パターンＰＡを形成する方法の一例について詳述する。以下の説明では有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示デバイスＤＳ及びこれを駆動するＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を製造する手順を示す。
【００２５】
ＥＬ表示デバイスＤＳは、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。
【００２６】
ＥＬ表示デバイスＤＳを製造する装置としては、描画システム１を複数台連結した装置が用いられる。そして、各描画システム１の吐出装置１０（吐出部１２）からはそれぞれ異なる材料を含む発光材料が吐出されるようになっている。発光材料は、材料を微粒子状にし、溶媒及びバインダーを用いてペースト化したものであって、吐出部１２が吐出可能な粘度（例えば５０ｃｐｓ以下）に設定されている。
そして、基板Ｐに対して、複数の描画システム１のうち、第１の描画システム１から第１の材料を含む液状材料を吐出した後これを乾燥（焼成）し、次いで第２の描画システム１から第２の材料を含む液状材料を第１の材料層に対して吐出した後これを乾燥（焼成）し、以下、複数の描画システム１を用いて同様の処理を行うことにより、基板Ｐ上に複数の材料層が積層され、多層配線パターンが形成されるようになっている。
【００２７】
図６，図７，図８は、有機エレクトロルミネッセンス素子を用いたアクティブマトリクス型の表示装置の一例を示す図であって、図６は有機ＥＬ表示デバイスＤＳの回路図、図７は対向電極や有機エレクトロルミネッセンス素子を取り除いた状態での画素部の拡大平面図である。
【００２８】
図６に示す回路図のように、この有機ＥＬ表示デバイスＤＳは、基板上に、複数の走査線３１１と、これら走査線３１１に対して交差する方向に延びる複数の信号線３１２と、これら信号線３１２に並列に延びる複数の共通給電線３１３とがそれぞれ配線されたもので、走査線３１１及び信号線３１２の各交点毎に、画素ＡＲが設けられて構成されたものである。
【００２９】
信号線３１２に対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ線駆動回路３０２が設けられている。
一方、走査線３１１に対しては、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路３０４が設けられている。また、画素領域ＡＲの各々には、走査線３１１を介して走査信号がゲート電極に供給される第１の薄膜トランジスタ３２２と、この第１の薄膜トランジスタ３２２を介して信号線３１２から供給される画像信号を保持する保持容量ｃａｐと、保持容量ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第２の薄膜トランジスタ３２４と、この第２の薄膜トランジスタ３２４を介して共通給電線３１３に電気的に接続したときに共通給電線３１３から駆動電流が流れ込む画素電極３２３と、この画素電極（陽極）３２３と対向電極（陰極）５２２との間に挟み込まれる発光部（発光層）３６０とが設けられている。
【００３０】
このような構成のもとに、走査線３１１が駆動されて第１の薄膜トランジスタ３２２がオンとなると、そのときの信号線３１２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、第２の薄膜トランジスタ３２４の導通状態が決まる。そして、第２の薄膜トランジスタ３２４のチャネルを介して共通給電線３１３から画素電極３２３に電流が流れ、さらに発光層３６０を通じて対向電極５２２に電流が流れることにより、発光層３６０は、これを流れる電流量に応じて発光するようになる。
【００３１】
ここで、各画素ＡＲの平面構造は、図７に示すように、平面形状が長方形の画素電極３２３の四辺が、信号線３１２、共通給電線３１３、走査線３１１及び図示しない他の画素電極用の走査線によって囲まれた配置となっている。
【００３２】
図８は図６のＡ−Ａ矢視断面図である。ここで、図８に示す有機ＥＬ表示デバイスＤＳは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が配置された基板Ｐ側とは反対側から光を取り出す形態、いわゆるトップエミッション型である。
【００３３】
なお、上述したが、基板Ｐの形成材料としては、ガラス、石英、サファイア、あるいはポリエステル、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルケトンなどの合成樹脂などが挙げられる。ここで、有機ＥＬ表示デバイスＤＳがトップエミッション型である場合、基板Ｐは不透明であってもよく、その場合、アルミナ等のセラミック、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。
【００３４】
一方、ＴＦＴが配置された基板側から光を取り出す形態、いわゆるバックエミッション型においては、基板としては透明なものが用いられ、光を透過可能な透明あるいは半透明材料、例えば、透明なガラス、石英、サファイア、あるいはポリエステル、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルケトンなどの透明な合成樹脂などが挙げられる。特に、基板の形成材料としては、安価なソーダガラスが好適に用いられる。
【００３５】
図８に示すように、トップエミッション型の有機ＥＬ表示デバイスＤＳは、基板Ｐと、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明電極材料からなる陽極（画素電極）３２３と、陽極３２３から正孔を輸送可能な正孔輸送層３７０と、電気光学物質の１つである有機ＥＬ物質を含む発光層（有機ＥＬ層、電気光学素子）３６０と、発光層３６０の上面に設けられている電子輸送層３５０と、電子輸送層３５０の上面に設けられているアルミニウム（Ａｌ）やマグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）等からなる陰極（対向電極）５２２と、基板Ｐ上に形成され、画素電極３２３にデータ信号を書き込むか否かを制御する通電制御部としての薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と称する）３２４とを有している。ＴＦＴ３２４は、走査線駆動回路３０４及びデータ線駆動回路３０２からの作動指令信号に基づいて作動し、画素電極３２３への通電制御を行う。
【００３６】
ＴＦＴ３２４は、ＳｉＯ２を主体とする下地保護層５８１を介して基板Ｐの表面に設けられている。このＴＦＴ３２４は、下地保護層５８１の上層に形成されたシリコン層５４１と、シリコン層５４１を覆うように下地保護層５８１の上層に設けられたゲート絶縁層５８２と、ゲート絶縁層５８２の上面のうちシリコン層５４１に対向する部分に設けられたゲート電極５４２と、ゲート電極５４２を覆うようにゲート絶縁層５８２の上層に設けられた第１層間絶縁層５８３と、ゲート絶縁層５８２及び第１層間絶縁層５８３にわたって開孔するコンタクトホールを介してシリコン層５４１と接続するソース電極５４３と、ゲート電極５４２を挟んでソース電極５４３と対向する位置に設けられ、ゲート絶縁層５８２及び第１層間絶縁層５８３にわたって開孔するコンタクトホールを介してシリコン層５４１と接続するドレイン電極５４４と、ソース電極５４３及びドレイン電極５４４を覆うように第１層間絶縁層５８３の上層に設けられた第２層間絶縁層５８４とを備えている。
【００３７】
そして、第２層間絶縁層５８４の上面に画素電極３２３が配置され、画素電極３２３とドレイン電極５４４とは、第２層間絶縁層５８４に設けられたコンタクトホール３２３ａを介して接続されている。また、第２層間絶縁層５８４の表面のうち有機ＥＬ素子が設けられている以外の部分と陰極５２２との間には、合成樹脂などからなる第３絶縁層（バンク層）５２１が設けられている。
【００３８】
なお、シリコン層５４１のうち、ゲート絶縁層５８２を挟んでゲート電極５４２と重なる領域がチャネル領域とされている。また、シリコン層５４１のうち、チャネル領域のソース側にはソース領域が設けられている一方、チャネル領域のドレイン側にはドレイン領域が設けられている。このうち、ソース領域が、ゲート絶縁層５８２と第１層間絶縁層５８３とにわたって開孔するコンタクトホールを介して、ソース電極５４３に接続されている。一方、ドレイン領域が、ゲート絶縁層５８２と第１層間絶縁層５８３とにわたって開孔するコンタクトホールを介して、ソース電極５４３と同一層からなるドレイン電極５４４に接続されている。画素電極３２３は、ドレイン電極５４４を介して、シリコン層５４１のドレイン領域に接続されている。
【００３９】
次に、図９及び図１０を参照しながら図８に示した有機ＥＬ表示デバイスＤＳの製造プロセスについて説明する。
はじめに、基板Ｐ上にシリコン層５４１を形成する。シリコン層５４１を形成する際には、まず、図９（ａ）に示すように、基板Ｐの表面にＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約２００〜５００ｎｍのシリコン酸化膜からなる下地保護層５８１を形成する。
【００４０】
次に、図９（ｂ）に示すように、基板Ｐの温度を約３５０℃に設定して、下地保護層５８１の表面にプラズマＣＶＤ法あるいはＩＣＶＤ法により厚さ約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコン膜からなる半導体層５４１Ａを形成する。次いで、この半導体層５４１Ａに対してレーザアニール法、急速加熱法、または固相成長法などによって結晶化工程を行い、半導体層５４１Ａをポリシリコン層に結晶化する。レーザアニール法では、例えばエキシマレーザでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は例えば２００ｍＪ／ｃｍ２  とする。ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを走査する。
【００４１】
次いで、図９（ｃ）に示すように、半導体層（ポリシリコン層）５４１Ａをパターニングして島状のシリコン層５４１とした後、その表面に対して、ＴＥＯＳや酸化ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約６０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜又は窒化膜からなるゲート絶縁層５８２を形成する。なお、シリコン層５４１は、図６に示した第２の薄膜トランジスタ３２４のチャネル領域及びソース・ドレイン領域となるものであるが、異なる断面位置においては第１の薄膜トランジスタ３２２のチャネル領域及びソース・ドレイン領域となる半導体膜も形成されている。つまり、二種類のトランジスタ３２２、３２４は同時に形成されるが、同じ手順で作られるため、以下の説明において、トランジスタに関しては、第２の薄膜トランジスタ３２４についてのみ説明し、第１の薄膜トランジスタ３２２についてはその説明を省略する。
【００４２】
なお、ゲート絶縁層５８２を多孔性を有するシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）としてもよい。多孔性を有するＳｉＯ２膜からなるゲート絶縁層５８２は、反応ガスとしてＳｉ２Ｈ６とＯ３とを用いて、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）により形成される。これらの反応ガスを用いると、気相中に粒子の大きいＳｉＯ２が形成され、この粒子の大きいＳｉＯ２がシリコン層５４１や下地保護層５８１の上に堆積する。そのため、ゲート絶縁層５８２は、層中に多くの空隙を有し、多孔質体となる。そして、ゲート絶縁層５８２は多孔質体となることによって低誘電率を有するようになる。
【００４３】
なお、ゲート絶縁層５８２の表面にＨ（水素）プラズマ処理をしてもよい。これにより、空隙の表面のＳｉ−Ｏ結合中のダングリングボンドがＳｉ−Ｈ結合に置き換えられ、膜の耐吸湿性が良くなる。そして、このプラズマ処理されたゲート絶縁層５８２の表面に別のＳｉＯ２層を設けてもよい。こうすることにより、低誘電率な絶縁層が形成できる。
また、ゲート絶縁層５８２をＣＶＤ法で形成する際の反応ガスは、Ｓｉ２Ｈ６＋Ｏ３の他に、Ｓｉ２Ｈ６＋Ｏ２、Ｓｉ３Ｈ８＋Ｏ３、Ｓｉ３Ｈ８＋Ｏ２としてもよい。更に、上記の反応ガスに加えて、Ｂ（ホウ素）含有の反応ガス、Ｆ（フッ素）含有の反応ガスを用いてもよい。
【００４４】
更に、ゲート絶縁層５８２をインクジェット法を用いて形成してもよい。ゲート絶縁層５８２を形成するための吐出部１２から吐出させる液状材料としては、上述したＳｉＯ２等の材料を適当な溶媒に分散してペースト化したものや、絶縁性材料含有ゾルなどが挙げられる。絶縁性材料含有ゾルとしては、テトラエトキシシラン等のシラン化合物をエタノール等の適当な溶媒に溶かしたものや、アルミニウムのキレート塩、有機アルカリ金属塩または有機アルカリ土類金属塩等を含有する組成物で、焼成すると無機酸化物のみになるように調合したものでもよい。インクジェット法によって形成されたゲート絶縁層５８２は、この後、予備乾燥される。
【００４５】
インクジェット法によってゲート絶縁層５８２を形成する際には、ゲート絶縁層５８２を形成するための吐出動作をする前に、下地保護層５８１やシリコン層５４１に対して液状材料の親和性を制御する表面処理をしておいてもよい。この場合の表面処理は、ＵＶ、プラズマ処理等の親液処理である。こうすることにより、ゲート絶縁層５８２を形成するための液状材料は下地保護層５８１などに密着するとともに、平坦化される。
【００４６】
次いで、図９（ｄ）に示すように、ゲート絶縁層５８２上にアルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属を含む導電膜をスパッタ法により形成した後、これをパターニングし、ゲート電極５４２を形成する。次いで、この状態で高濃度のリンイオンを打ち込み、シリコン層５４１に、ゲート電極５４２に対して自己整合的にソース領域５４１ｓ及びドレイン領域５４１ｄを形成する。この場合、ゲート電極５４２はパターニング用マスクとして用いられる。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域５４１ｃとなる。
【００４７】
次いで、図９（ｅ）に示すように、第１層間絶縁層５８３を形成する。第１層間絶縁層５８３は、ゲート絶縁層５８２同様、シリコン酸化膜または窒化膜、多孔性を有するシリコン酸化膜などによって構成され、ゲート絶縁層５８２の形成方法と同様の手順でゲート絶縁層５８２の上層に形成される。
更に、第１層間絶縁層５８３の形成工程を、ゲート絶縁層５８２の形成工程と同様、インクジェット法によって行ってもよい。第１層間絶縁層５８３を形成するための吐出部１２から吐出させる液状材料としては、ゲート絶縁層５８２同様、ＳｉＯ２等の材料を適当な溶媒に分散してペースト化したものや、絶縁性材料含有ゾルなどが挙げられる。絶縁性材料含有ゾルとしては、テトラエトキシシラン等のシラン化合物をエタノール等の適当な溶媒に溶かしたものや、アルミニウムのキレート塩、有機アルカリ金属塩または有機アルカリ土類金属塩等を含有する組成物で、焼成すると無機酸化物のみになるように調合したものでもよい。インクジェット法によって形成された第１層間絶縁層５８３は、この後、予備乾燥される。
【００４８】
インクジェット法によって第１層間絶縁層５８３を形成する際には、第１層間絶縁層５８３を形成するための吐出動作をする前に、ゲート絶縁層５８２上面に対して液状材料の親和性を制御する表面処理をしておいてもよい。この場合の表面処理は、ＵＶ、プラズマ処理等の親液処理である。こうすることにより、第１層間絶縁層５８３を形成するための液状材料はゲート絶縁層５８２に密着するとともに、平坦化される。
【００４９】
そして、この第１層間絶縁層５８３及びゲート絶縁層５８２にフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより、ソース電極及びドレイン電極に対応するコンタクトホールを形成する。次いで、第１層間絶縁層５８３を覆うように、アルミニウムやクロム、タンタル等の金属からなる導電層を形成した後、この導電層のうち、ソース電極及びドレイン電極が形成されるべき領域を覆うようにパターニング用マスクを設けるとともに、導電層をパターニングすることにより、ソース電極５４３及びドレイン電極５４４を形成する。
【００５０】
次に、図示はしないが、第１層間絶縁層５８３上に、信号線、共通給電線、走査線を形成する。このとき、これらに囲まれる箇所は後述するように発光層等を形成する画素となることから、例えばバックエミッション型とする場合には、ＴＦＴ３２４が前記各配線に囲まれた箇所の直下に位置しないよう、各配線を形成する。
【００５１】
次いで、図１０（ａ）に示すように、第２層間絶縁層５８４を、第１層間絶縁層５８３、各電極５４３、５４４、前記不図示の各配線を覆うように形成する。第１層間絶縁層５８３はインクジェット法によって形成される。ここで、描画システム１の制御装置８０は、図１０（ａ）に示すように、ドレイン電極５４４の上面に非吐出領域（非滴下領域）Ｈを設定し、ドレイン電極５４４のうち非吐出領域Ｈ以外の部分、ソース電極５４３及び第１層間絶縁層５８３を覆うように、第２層間絶縁層５８４を形成するための液状材料を吐出し、第２層間絶縁層５８４を形成する。こうすることによって、コンタクトホール３２３ａが形成される。あるいは、コンタクトホール３２３ａをフォトリソグラフィ法で形成してもよい。
【００５２】
ここで、第２層間絶縁層５８４を形成するための吐出部１２から吐出させる液状材料としては、第１層間絶縁層５８３同様、ＳｉＯ２等の材料を適当な溶媒に分散してペースト化したものや、絶縁性材料含有ゾルなどが挙げられる。絶縁性材料含有ゾルとしては、テトラエトキシシラン等のシラン化合物をエタノール等の適当な溶媒に溶かしたものや、アルミニウムのキレート塩、有機アルカリ金属塩または有機アルカリ土類金属塩等を含有する組成物で、焼成すると無機酸化物のみになるように調合したものでもよい。インクジェット法によって形成された第２層間絶縁層５８４は、この後、予備乾燥される。
【００５３】
インクジェット法によって第２層間絶縁層５８４を形成する際には、第２層間絶縁層５８４を形成するための吐出動作をする前に、ドレイン電極５４４の非吐出領域Ｈに対して液状材料の親和性を制御する表面処理をしておいてもよい。この場合の表面処理は、撥液処理である。こうすることにより、非吐出領域Ｈには液状材料が配置されず、コンタクトホール３２３ａを安定して形成できる。また、非吐出領域Ｈ以外のドレイン電極５４４上面、ソース電極５４３上面、第１層間絶縁層５８３上面には、予め親液処理を施しておくことにより、第２層間絶縁層５８４を形成するための液状材料は第１層間絶縁層５８３やソース電極５４３、ドレイン電極５４４のうち非吐出領域Ｈ以外に部分に密着するとともに、平坦化される。
【００５４】
こうして、第２層間絶縁層５８４のうちドレイン電極５４４に対応する部分にコンタクトホール３２３ａを形成しつつ、ドレイン電極５４４の上層に第２層間絶縁層５８４を形成したら、図１０（ｂ）に示すように、コンタクトホール３２３ａにＩＴＯ等の導電性材料を充填するように、すなわち、コンタクトホール３２３ａを介してドレイン電極５４４に連続するように導電性材料をパターニングし、画素電極（陽極）３２３を形成する。
【００５５】
有機ＥＬ素子に接続する陽極３２３は、ＩＴＯやフッ素をドープしてなるＳｎＯ２、更にＺｎＯやポリアミン等の透明電極材料からなり、コンタクトホール３２３ａを介してＴＦＴ３２４のドレイン電極５４４に接続されている。陽極３２３を形成するには、前記透明電極材料からなる膜を第２層間絶縁層５８４上面に形成し、この膜をパターニングすることにより形成される。
【００５６】
陽極３２３を形成したら、図１０（ｃ）に示すように、第２層間絶縁層５８４の所定位置及び陽極３２３の一部を覆うように、第３絶縁層５２１である有機バンク層を形成する。第３絶縁層５２１はアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの合成樹脂によって構成されている。具体的な第３絶縁層５２１の形成方法としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などのレジストを溶媒に融かしたものを、スピンコート、ディップコート等により塗布して絶縁層を形成する。なお、絶縁層の構成材料は、後述する液状材料の溶媒に溶解せず、しかもエッチング等によってパターニングしやすいものであればどのようなものでもよい。更に、絶縁層をフォトリソグラフィ技術等により同時にエッチングして、開口部５２１ａを形成することにより、開口部５２１ａを備えた第３絶縁層５２１が形成される。
【００５７】
ここで、第３絶縁層５２１の表面には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域とが形成される。本実施形態においてはプラズマ処理工程により、各領域を形成するものとしている。具体的にプラズマ処理工程は、予備加熱工程と、開口部５２１ａの壁面並びに画素電極３２３の電極面を親液性にする親液化工程と、第３絶縁層５２１の上面を撥液性にする撥液化工程と、冷却工程とを有している。すなわち、基材（第３絶縁層等を含む基板Ｐ）を所定温度（例えば７０〜８０度程度）に加熱し、次いで親液化工程として大気雰囲気中で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ２プラズマ処理）を行う。続いて、撥液化工程として大気雰囲気中で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ４プラズマ処理）を行い、プラズマ処理のために加熱された基材を室温まで冷却することで、親液性及び撥液性が所定箇所に付与されることとなる。なお、画素電極３２３の電極面についても、このＣＦ４プラズマ処理の影響を多少受けるが、画素電極３２３の材料であるＩＴＯ等はフッ素に対する親和性に乏しいため、親液化工程で付与された水酸基がフッ素基で置換されることがなく、親液性が保たれる。
【００５８】
次いで、図１０（ｄ）に示すように、陽極３２３の上面に正孔輸送層３７０を形成する。ここで、正孔輸送層３７０の形成材料としては、特に限定されることなく公知のものが使用可能であり、例えば、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等からなる。具体的には、特開昭６３−７０２５７号、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号、同２−１３５３６１号、同２−２０９９８８号、同３−３７９９２号、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示されるが、トリフェニルジアミン誘導体が好ましく、中でも４，４’−ビス（Ｎ（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニルが好適とされる。
【００５９】
なお、正孔輸送層に代えて正孔注入層を形成するようにしてもよく、さらに正孔注入層と正孔輸送層を両方形成するようにしてもよい。その場合、正孔注入層の形成材料としては、例えば銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）や、ポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、１，１−ビス−（４−Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサン、トリス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウム等が挙げられるが、特に銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を用いるのが好ましい。
【００６０】
正孔注入／輸送層３７０を形成する際には、インクジェット法が用いられる。すなわち、上述した正孔注入／輸送層材料を含む組成物液状材料を陽極３２３の電極面上に吐出した後に、予備乾燥処理を行うことにより、陽極３２３上に正孔注入／輸送層３７０が形成される。なお、この正孔注入／輸送層形成工程以降は、正孔注入／輸送層３７０及び発光層（有機ＥＬ層）３６０の酸化を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。例えば、吐出部１２に正孔注入／輸送層材料を含む組成物液状材料を充填し、吐出部１２の吐出ノズルを陽極３２３の電極面に対向させ、吐出部１２と基材（基板Ｐ）とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御されたインキ滴を電極面に吐出する。次に、吐出後の液滴を乾燥処理して組成物液状材料に含まれる極性溶媒を蒸発させることにより、正孔注入／輸送層３７０が形成される。
【００６１】
なお、組成物液状材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体と、ポリスチレンスルホン酸等との混合物を、イソプロピルアルコール等の極性溶媒に溶解させたものを用いることができる。ここで、吐出された液滴は、親液処理された陽極３２３の電極面上に広がり、開口部５２１ａの底部近傍に満たされる。その一方で、撥液処理された第３絶縁層５２１の上面には液滴がはじかれて付着しない。したがって、液滴が所定の吐出位置からはずれて第３絶縁層５２１の上面に吐出されたとしても、該上面が液滴で濡れることがなく、はじかれた液滴が第３絶縁層５２１の開口部５２１ａ内に転がり込むものとされている。
【００６２】
次いで、正孔注入／輸送層３７０上面に発光層３６０を形成する。発光層３６０の形成材料としては、特に限定されることなく、低分子の有機発光色素や高分子発光体、すなわち各種の蛍光物質や燐光物質からなる発光物質が使用可能である。発光物質となる共役系高分子の中ではアリーレンビニレン構造を含むものが特に好ましい。低分子蛍光体では、例えばナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ポリメチン系、キサテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキノリンおよびその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体等、または特開昭５７−５１７８１、同５９−１９４３９３号公報等に記載されている公知のものが使用可能である。
【００６３】
発光層３６０は、正孔注入／輸送層３７０の形成方法と同様の手順で形成される。すなわち、インクジェット法によって発光層材料を含む組成物液状材料を正孔注入／輸送層３７０の上面に吐出した後に、予備乾燥処理を行うことにより、第３絶縁層５２１に形成された開口部５２１ａ内部の正孔注入／輸送層３７０上に発光層３６０が形成される。この発光層形成工程も上述したように不活性ガス雰囲気下で行われる。吐出された組成物液状材料は撥液処理された領域ではじかれるので、液滴が所定の吐出位置からはずれたとしても、はじかれた液滴が第３絶縁層５２１の開口部５２１ａ内に転がり込む。
【００６４】
次いで、発光層３６０の上面に電子輸送層３５０を形成する。電子輸送層３５０も発光層３６０の形成方法と同様、インクジェット法により形成される。電子輸送層３５０の形成材料としては、特に限定されることなく、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンおよびその誘導体、ベンゾキノンおよびその誘導体、ナフトキノンおよびその誘導体、アントラキノンおよびその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンおよびその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンおよびその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体等が例示される。具体的には、先の正孔輸送層の形成材料と同様に、特開昭６３−７０２５７号、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号、同２−１３５３６１号、同２−２０９９８８号、同３−３７９９２号、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示され、特に２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウムが好適とされる。インクジェット法により組成物液状材料を吐出した後、予備乾燥処理が行われる。
【００６５】
なお、前述した正孔注入／輸送層３７０の形成材料や電子輸送層３５０の形成材料を発光層３６０の形成材料に混合し、発光層形成材料として使用してもよく、その場合に、正孔注入／輸送層形成材料や電子輸送層形成材料の使用量については、使用する化合物の種類等によっても異なるものの、十分な成膜性と発光特性を阻害しない量範囲でそれらを考慮して適宜決定される。通常は、発光層形成材料に対して１〜４０重量％とされ、さらに好ましくは２〜３０重量％とされる。
【００６６】
次いで、図１０（ｅ）に示すように、電子輸送層３５０及び第３絶縁層５２１の上面に陰極５２２を形成する。陰極５２２は、電子輸送層３５０及び第３絶縁層５２１の表面全体、あるいはストライプ状に形成されている。陰極５２２については、もちろんＡｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａなどの単体材料やＭｇ：Ａｇ（１０：１合金）の合金材料からなる１層で形成してもよいが、２層あるいは３層からなる金属（合金を含む。）層として形成してもよい。具体的には、Ｌｉ２  Ｏ（０．５ｎｍ程度）／ＡｌやＬｉＦ（０．５ｎｍ程度）／Ａｌ、ＭｇＦ２  ／Ａｌといった積層構造のものも使用可能である。陰極２２２は上述した金属からなる薄膜であり、光を透過可能である。
【００６７】
なお、上記実施形態では、各絶縁層を形成する際にインクジェット法を用いているが、ソース電極５４３やドレイン電極５４４、あるいは陽極３２３や陰極５２２を形成する際にインクジェット法を用いてもよい。予備乾燥処理は、組成物液状材料のそれぞれを吐出後、行われる。
【００６８】
なお、導電性材料層を構成する導電性材料（デバイス形成用材料）としては、所定の金属、あるいは導電性ポリマーが挙げられる。
金属としては、金属ペーストの用途によって銀、金、ニッケル、インジウム、錫、鉛、亜鉛、チタン、銅、クロム、タンタル、タングステン、パラジウム、白金、鉄、コバルト、ホウ素、ケイ素、アルミニウム、マグネシウム、スカンジウム、ロジウム、イリジウム、バナジウム、ルテニウム、オスミウム、ニオブ、ビスマス、バリウムなどのうち少なくとも１種の金属又はこれらの合金が挙げられる。また、酸化銀（ＡｇＯ又はＡｇ２Ｏ）や酸化銅なども挙げられる。
【００６９】
また、上記導電性材料を吐出部１２から吐出可能にペースト化する際の有機溶媒としては、炭素数５以上のアルコール類（例えばテルピネオール、シトロネロール、ゲラニオール、ネロール、フェネチルアルコール）の１種以上を含有する溶媒、又は有機エステル類（例えば酢酸エチル、オレイン酸メチル、酢酸ブチル、グリセリド）の１種以上を含有する溶媒であればよく、使用する金属又は金属ペーストの用途によって適宜選択できる。更には、ミネラルスピリット、トリデカン、ドデシルベンゼンもしくはそれらの混合物、又はそれらにα−テルピネオールを混合したもの、炭素数５以上の炭化水素（例えば、ピネン等）、アルコール（例えば、ｎ−ヘプタノール等）、エーテル（例えば、エチルベンジルエーテル等）、エステル（例えば、ｎ−ブチルステアレート等）、ケトン（例えば、ジイソブチルケトン等）、有機窒素化合物（例えば、トリイソプロパノールアミン等）、有機ケイ素化合物（シリコーン油等）、有機硫黄化合物もしくはそれらの混合物を用いることもできる。なお、有機溶媒中に必要に応じて適当な有機物を添加してもよい。そして、これら溶媒に応じて、予備乾燥処理の際のガス温度が設定される。
【００７０】
上記実施形態の有機ＥＬ表示デバイスＤＳを備えた電子機器ＥＱの例について図１１を参照して説明する。
図１１（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１１（ａ）において、携帯電話１０００（電子機器ＥＱ）は、上記の有機ＥＬ表示デバイスＤＳを用いた表示部１００１を備える。
図１１（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１１（ｂ）において、腕時計１１００（電子機器ＥＱ）は、上記の有機ＥＬ表示デバイスＤＳを用いた表示部１１０１を備える。
図１１（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１１（ｃ）において、情報処理装置１２００（電子機器ＥＱ）は、キーボードなどの入力部１２０２、情報処理装置本体１２０４、上記の有機ＥＬ表示デバイスＤＳを用いた表示部１２０６を備える。
以上のように、図１１（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器ＥＱは、上記実施の形態の有機ＥＬ表示デバイスＤＳを表示部として備えているので、表示品位に優れ、明るい画面の有機ＥＬ表示部を備えた電子機器を実現することができる。
【００７１】
上記実施形態は、本発明のデバイスの製造方法を、有機ＥＬ表示デバイスの駆動用ＴＦＴの配線パターン形成に適用したものであるが、有機ＥＬ表示デバイスに限らず、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）デバイスの配線パターンの製造、液晶表示デバイスの配線パターンの製造など、各種多層配線デバイスの製造に適用可能である。そして、各種多層配線デバイスを製造するに際し、導電性材料層及び絶縁性材料層のうちいずれの材料層を形成する際にもインクジェット法を適用できる。
【００７２】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能であり、実施の形態で挙げた具体的な材料や層構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】描画システムを示す斜視図
【図２】吐出装置及びノズル配列を示す図
【図３】インクジェット式ヘッドの一構成例を示す分解斜視図
【図４】インクジェット式ヘッドを示す斜視図一部断面図
【図５】基板に発生した欠陥部分を示す図
【図６】アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置を示す回路図
【図７】有機ＥＬ表示装置における画素部の平面構造を示す拡大図
【図８】有機ＥＬ表示装置の層構成を示す図
【図９】有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す説明図
【図１０】有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す説明図
【図１１】有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器を示す図
【符号の説明】
１  描画システム（描画装置）    １２  吐出部    ２０  吐出部移動装置（ノズル移動部）    ３０  基板移動装置（基板搬送部）    ２１１（２１１ａ〜２１１ｄ）  ノズル    Ｌ  間隔（所定間隔）    Ｐ  基板    ＰＡ  パターン
ＤＳ  デバイス（表示デバイス）    ＥＱ  電子機器
【図１】
2004338171.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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