(57)【要約】  【課題】  ＬＥＤモジュールにおけるＬＥＤベアチップの発光光度の安定化を図ることができるとともに、仕様の異なるＬＥＤモジュールへの交換およびＬＥＤモジュールの拡張を容易に実施できる照明装置を提供する。  【解決手段】  モジュールソケット２０内では、コネクタ２１とコネクタ２２との間が配線により接続されており、３つのＬＥＤモジュール１１、１２、１３は、この配線を介して定電圧回路ユニット４０に対し並列に接続されている。  ＬＥＤモジュール１１、１２、１３の各々は、定電流回路部１１ａ、１２ａ、１３ａとＬＥＤ実装部１１ｂ、１２ｂ、１３ｂとから構成されている。  定電流回路部１３ａは、導電ランド１３２が形成されたサブ基板１３１に面実装された、１つの抵抗素子１３３と２つのトランジスタ素子１３４、１３５とから構成されている。サブ基板１３１は、メイン基板１３０上に接着されている。  【選択図】      図３
2004253364.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードベアチップと電力供給源側から給電を受けるための給電端子とをメイン基板の主表面に備えるＬＥＤモジュールに、前記給電端子と前記発光ダイオードベアチップとの間に電気的に接続された光度安定化回路を更に設けた
ことを特徴とする照明装置。
【請求項２】
前記光度安定化回路は、定電流回路である
ことを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
電力供給源より供給された電力を利用して、前記給電端子に定電圧制御された電力を供給する定電圧回路を備え、前記ＬＥＤモジュールにおいて、前記給電端子に供給された電力が前記定電流回路で定電流制御された後、前記発光ダイオードベアチップに供給される
ことを特徴とする請求項２に記載の照明装置。
【請求項４】
前記メイン基板上には、サブ基板が取り付けられており、
前記サブ基板には、前記定電流回路が形成されている
ことを特徴とする請求項２または３に記載の照明装置。
【請求項５】
前記サブ基板は、樹脂またはセラミックまたはＳｉから構成されている
ことを特徴とする請求項４に記載の照明装置。
【請求項６】
前記ＬＥＤモジュールには、電力供給源に対して並列の状態で、第２のＬＥＤモジュールが接続されており、
前記第２のＬＥＤモジュールは、前記ＬＥＤモジュールと同等の構成を有している
ことを特徴とする請求項１から５の何れかに記載の照明装置。
【請求項７】
前記ＬＥＤモジュールは、電力供給源側のソケットに着脱可能となっている
ことを特徴とする請求項１から６の何れかに記載の照明装置。
【請求項８】
前記メイン基板は、主表面側に配された絶縁層と、主裏面側に配された金属層とが積層されてなると共に、前記ソケットは、前記ＬＥＤモジュールが装填されたときに、前記メイン基板の金属層と熱接触して、前記発光ダイオードベアチップが発光したときの熱を当該ＬＥＤモジュールの外部に放出させるヒートシンクを備える
ことを特徴とする請求項７に記載の照明装置。
【請求項９】
前記ＬＥＤモジュールにおいて、前記発光ダイオードベアチップが実装された領域の近傍には、前記光度安定化回路に接続された感熱素子が配されており、
前記光度安定化回路は、前記発光ダイオードベアチップの温度が予め設定された温度以上になると、前記発光ダイオードベアチップへの供給電流を低減する
ことを特徴とする請求項１から８の何れかに記載の照明装置。
【請求項１０】
前記ＬＥＤモジュールにおいて、前記発光ダイオードベアチップが実装された領域の近傍には、前記発光ダイオードベアチップの異常を検出する異常検出部が配されており、
前記定電圧回路は、前記異常検出部が発光ダイオードベアチップの異常を検出すると、前記ＬＥＤモジュールへの供給電流を低減または停止する制御部を備える
ことを特徴とする請求項３から９の何れかに記載の照明装置。
【請求項１１】
前記異常検出部は、前記発光ダイオードベアチップの温度異常を検出する感熱素子であることを特徴とする請求項１０に記載の照明装置。
【請求項１２】
前記ＬＥＤモジュールにおいて、前記発光ダイオードベアチップは複数個あり、これらの発光ダイオードベアチップは、複数個直列に接続された直列群が並列に複数接続されていると共に、各直列群には電流検出部が接続されており、
前記定電圧回路は、当該電流検出部が検出する電流量に異常があると、前記ＬＥＤモジュールへの供給電流を低減または停止する制御部を備える
ことを特徴とする請求項３から９の何れかに記載の照明装置。
【請求項１３】
前記ＬＥＤモジュールにおいて、前記光度安定化回路には、前記発光ダイオードベアチップと並列の状態でツェナーダイオードが接続されている
ことを特徴とする請求項１から１２の何れかに記載の照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、照明装置に関し、特に発光ダイオードを光源とする照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」という。）を用いた照明装置の開発が行なわれており、一部実用化されつつある。
【０００３】
ＬＥＤを用いた照明装置（以下、「ＬＥＤ照明装置」という。）としては、例えば、基板にＬＥＤベアチップを実装し（ＬＥＤモジュール）、これに電力供給源から電力を供給してＬＥＤベアチップを発光させるというものがあげられる。そして、基板には、１つのＬＥＤベアチップを実装するだけでは照明としての十分な光量を得ることが出来ないため、一般に、複数のＬＥＤベアチップが実装される。また、ＬＥＤベアチップは、機器の小型化を図るために、高密度に実装される。
【０００４】
このような構成のＬＥＤ照明装置にあっては、ＬＥＤ点灯時にＬＥＤベアチップが自己の生じた熱により劣化が早まるという性質を考慮して、樹脂基板に比べて熱伝導率が大きい金属ベース基板を用いることも検討されている。金属ベース基板とは、金属層と絶縁層（樹脂層）との積層構造を有する基板であって、１〜１０（Ｗ／ｍ・Ｋ）程度の熱伝導率を有するものである。
【０００５】
また、ＬＥＤ照明装置においては、発光駆動中におけるＬＥＤベアチップの発光光度を安定させるために、定電流制御された電力が電力供給源より供給されるようになっている（特許文献１）。
【０００６】
照明装置において、ＬＥＤモジュールが寿命に達した場合などには、ＬＥＤモジュールを交換する必要が生じる。この際に、交換に用いようとするＬＥＤモジュールの仕様が変わり、現行のモジュール仕様と異なるという問題が生じる。
【０００７】
つまり、ＬＥＤは従来用いられていた白熱電球などより格段に長寿命であり、日々開発の進むＬＥＤの分野にあっては、交換する際のＬＥＤモジュールの仕様（例えば、ＬＥＤベアチップのＶｆなど）が照明装置の設計時と同一ということは考え難い。
【０００８】
しかしながら、上記特許文献１の回路を用いた装置で説明すると、この回路構成はＬＥＤモジュールと、回路とが別構成となっており、回路は、コンバータ回路と定電流回路とから構成されている。
【０００９】
この回路の場合、ＬＥＤモジュール数が並列側に増加した場合に、コンバータ回路のフィードバック信号は１つしかなく、ＬＥＤモジュール数が増加しても基準となる主ＬＥＤモジュールは１つに限られる。
【００１０】
つまり、フィードバック信号の取り出しのために接続されたＬＥＤモジュールに強く依存された制御となっており、他の従ＬＥＤモジュールは、それに支配的となり、個々のＬＥＤモジュールにとっては最適とはいえない。このため、この装置では、ＬＥＤモジュールの交換時には、同じ特性（仕様）を持ったＬＥＤモジュールを用いることが好ましい。
【００１１】
仮に、最新のＬＥＤモジュールで構成されたユニットを主ＬＥＤモジュールとして交換した場合には、従属するＬＥＤモジュールの能力が低下する。同様に、従ＬＥＤモジュール側に交換した場合には、交換した従ＬＥＤモジュールの能力が低下する。
【００１２】
このように、上記特許文献１によれば、ＬＥＤモジュール間のＬＥＤ性能の違いまでは補完できないため、ＬＥＤモジュール毎の性能を最大限引き出すことは困難である。
【００１３】
このため、これらの装置では、ＬＥＤモジュールの性能を維持するためには、交換時にわざわざ設計時における仕様のＬＥＤモジュールを再生産若しくは生産ストックした上で、使用しなければならず、ＬＥＤベアチップのＶｆなどの性能面で優位性を有する最新のＬＥＤモジュールに交換することが出来ないということを意味する。
【特許文献１】特開２００１−２１５９１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたものであって、ＬＥＤモジュールにおけるＬＥＤベアチップの発光光度の安定化を図ることができるとともに、仕様の異なるＬＥＤモジュールへの交換およびＬＥＤモジュールの拡張を容易に実施できる照明装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するために、本発明の照明装置は、発光ダイオードベアチップと電力供給源側から給電を受けるための給電端子とをメイン基板の主表面に備えるＬＥＤモジュールに、前記給電端子と前記発光ダイオードベアチップとの間に電気的に接続された光度安定化回路を更に設けたことを特徴とする。
【００１６】
この照明装置では、ＬＥＤモジュールのＬＥＤベアチップに電力を供給する電力供給路中に定電流回路をはじめとする光度安定化回路が設けられているので、発光駆動時におけるＬＥＤベアチップの発光光度の安定化を図ることができる。
【００１７】
また、この照明装置では、光度安定化回路がＬＥＤモジュール内に設けられているので、ＬＥＤモジュールに電力を供給する電力供給源側に定電流回路などの光度安定化回路を設けなくても、安定した光度でＬＥＤベアチップを発光させることができる。
【００１８】
また、例えば、装置のＬＥＤモジュールを着脱可能にすると、このＬＥＤモジュールを新しいものに交換する際にも、この新しいＬＥＤモジュールに実装されたＬＥＤベアチップの仕様に対応した光度安定化回路を備えておけば、同様に安定した光度でＬＥＤベアチップを発光させることができる。
【００１９】
さらに、本発明の照明装置では、ＬＥＤモジュールの拡張を図ることも容易に実施できる。
【００２０】
従って、本発明の照明装置では、ＬＥＤモジュールにおけるＬＥＤベアチップの発光光度の安定化を図ることができるとともに、例えば、装置のＬＥＤモジュールを着脱可能にすると、仕様の異なるＬＥＤモジュールへの交換およびＬＥＤモジュールの拡張を容易に実施できる
また、上記照明装置において、光度安定化回路として定電流回路を採用する場合には、ＬＥＤベアチップに定電流制御された電力を供給することが出来るので、ＬＥＤベアチップの発光光度の安定化という面から望ましい。特に、ＬＥＤモジュールの定電流回路に対して、電力供給源から定電圧制御された電力を供給すれば、ＬＥＤベアチップの発光光度の安定化をより高い精度で図ることができる。
【００２１】
上記照明装置においては、定電流回路を設ける際に、銀ペーストを用いたダイボンディング法、および、定電流回路を予め形成したサブ基板をメイン基板（金属ベース基板）に取り付ける方法などを採用することができる。中でも、サブ基板を用いる方法を採用する場合には、製造コストの高騰を招くことなく定電流回路をメイン基板に形成することができるので望ましい。
【００２２】
金属ベース基板の絶縁層上に設けられた導電ランドへのＬＥＤベアチップの実装には、超音波接合法によるＦＣＢ（フリップチップボンディング）などが一般的に用いられるため、ＬＥＤベアチップの実装前の基板表面を清浄に維持しておく必要があり、定電流回路用の電子部品の実装にリフロー法を用いることもできない。
これに対して、サブ基板に定電流回路を設ければ、サブ基板上における電子部品の実装にリフロー法を用いることができる。
【００２３】
サブ基板には、樹脂またはセラミックまたはＳｉなどの材料を用いることができる。
【００２４】
上記照明装置では、ＬＥＤモジュールを単数有していても良いし、複数有していても良いが、特に複数のＬＥＤモジュールを有するような場合には、電力供給源に対して、複数のＬＥＤモジュールを並列の状態となるように接続しておけば、ＬＥＤモジュールを容易に増設することが可能である。つまり、本発明の照明装置では、ＬＥＤモジュールの拡張を容易に行うことができる。
【００２５】
なお、この場合には、複数のＬＥＤモジュールの構成は各モジュールに定電流回路を設けるという点で同等であればよく、必ずしもＬＥＤベアチップの実装数などが同一である必要はない。
【００２６】
さらに、ＬＥＤモジュールを電力供給源と接続されたソケットと着脱可能な構成としておけば、ＬＥＤベアチップの寿命時におけるＬＥＤモジュールの交換が容易となり、作業性の面から望ましい。
【００２７】
また、上記照明装置においては、ＬＥＤモジュールに備えるメイン基板として、絶縁層と金属層との積層構造を有する基板、所謂金属ベース基板を用いているので、樹脂だけからなる基板を用いる場合に比べて、発光駆動時にＬＥＤベアチップから生じる熱を効率よく逃がすことができ、熱によるＬＥＤベアチップの劣化を抑制するのに効果を奏する。
【００２８】
また、上記照明装置においては、ＬＥＤモジュールのＬＥＤベアチップが実装された領域の近傍に感熱素子（例えば、サーミスタ等）を配しておき、この感熱素子を光度安定化回路と接続することで、ＬＥＤベアチップの温度が予め設定された温度以上になった場合にＬＥＤベアチップへの供給電流を低減することができる。
【００２９】
このようにＬＥＤベアチップの温度に応じて供給電流を調整することができるようにしておけば、ＬＥＤベアチップの長寿命化を図る上で好ましい。
【００３０】
また、上記照明装置においては、前記ＬＥＤモジュールにおいて、前記発光ダイオードベアチップが実装された領域の近傍には、前記発光ダイオードベアチップの異常を検出する異常検出部が配されており、前記定電圧回路は、前記異常検出部が発光ダイオードベアチップの異常を検出すると、前記ＬＥＤモジュールへの供給電流を低減または停止する制御部を備えることを特徴とし、或いは、前記ＬＥＤモジュールにおいて、前記発光ダイオードベアチップは複数個あり、これらの発光ダイオードベアチップは、複数個直列に接続された直列群が並列に複数接続されていると共に、各直列群には電流検出部が接続されており、前記定電圧回路は、当該電流検出部が検出する電流量に異常があると、前記ＬＥＤモジュールへの供給電流を低減または停止する制御部を備えることを特徴とする。このため、ＬＥＤベアチップが異常な状態で発光し続けることは無くなり、安全上好ましい。
【００３１】
また、上記照明装置においては、ＬＥＤモジュールにおけるＬＥＤベアチップと並列接続でツェナーダイオードを設けておけば、ＬＥＤベアチップを静電気から保護することが可能であるという点で望ましい。
【発明の効果】
【００３２】
本発明の照明装置では、発光ダイオードベアチップと電力供給源側から給電を受けるための給電端子とをメイン基板の主表面に備えるＬＥＤモジュールに、前記給電端子と前記発光ダイオードベアチップとの間に電気的に接続された光度安定化回路を更に設けたことを特徴とする構成としたので、ＬＥＤベアチップの発光光度の安定化を図ることができるとともに、ＬＥＤモジュールに実装されたＬＥＤベアチップの仕様に対応した光度安定化回路を備えることが出来る。よって、実装されているＬＥＤベアチップの仕様が限定されることなくＬＥＤモジュールの交換が可能であるとともに、ＬＥＤモジュールの拡張を図ることが容易に実施できる。
【００３３】
従って、本発明の照明装置では、ＬＥＤモジュールにおけるＬＥＤベアチップの発光光度の安定化を図ることができるとともに、仕様の異なるＬＥＤモジュールへの交換およびＬＥＤモジュールの拡張を容易に図ることができる
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
（全体構成）
本発明の実施の形態に係るＬＥＤ照明装置１の全体構成について、図１、図２および図３を用いて説明する。図１は、ＬＥＤ照明装置１の要部斜視図であり、図２は、その一部断面図であり、図３は、回路構成を示すブロック図である。
【００３５】
図１に示すように、ＬＥＤ照明装置１は、３つのＬＥＤモジュール１１、１２、１３と、これらを装填できるモジュールソケット２０と、モジュールソケット２０の裏面に取り付けられた放熱板３０とを有している。
【００３６】
また、図１には示していないが、電力供給源に接続された定電圧回路ユニットを有しており、これから続くリード線４１がコネクタ４２に接続されている。コネクタ４２は、モジュールソケット２０に設けられた雌型のコネクタ２１に挿入されている。
【００３７】
ＬＥＤモジュール１１、１２、１３は、各々接続端子（ＬＥＤモジュール１３においては、端子１３６、１３７）を介して、モジュールソケット２０内における配線２３、２４（図１では、不図示。）と接続されている。
【００３８】
モジュールソケット２０は、全体がステンレスなどの金属製フレームから構成されており、ＬＥＤモジュール１１、１２、１３を装填するためのマガジン部２０ａ、２０ｂ、２０ｃを有している。
【００３９】
また、モジュールソケット２０には、２つのコネクタ２１、２２を有しており、一方のコネクタ２１は上述のように定電圧回路ユニットからのリード線４１に接続されたコネクタ４２が装着可能となっている。これらコネクタ２１、２２間は、モジュールソケット２０内の配線２３、２４（図１では、不図示。）により接続されている。
【００４０】
もう一方のコネクタ２２は、ＬＥＤモジュールの拡張を図ろうとする際に用いるものである。つまり、ＬＥＤ照明装置１では、コネクタ２２を介してモジュールソケットを増設することが可能となっている。
【００４１】
ＬＥＤモジュール１１、１２、１３をマガジン部２０ａ、２０ｂ、２０ｃにそれぞれ装填する場合には、側部の溝にＬＥＤモジュール１１、１２、１３の両側辺をはめこんだ状態でスライドさせながら図中の左下方向へと押し込んでゆく。
【００４２】
そして、図中のＬＥＤモジュール１１、１２のように完全にマガジン２０ａ、２０ｂ内に装填されて際には、それぞれの接続端子はモジュールソケットに設けられた端子と接続状態となるよう構成されている。
【００４３】
具体的には、図２に示すように、ＬＥＤモジュール１２がマガジン部２０ｂに装填された際、ＬＥＤモジュール１２の接続端子１２７とモジュールソケット２０の端子２５とが接触し、電気的に接続状態となる。
【００４４】
端子２５は、その一部が「く」の字状の形状に形成されており、ＬＥＤモジュール１２が装填された際に、接続端子１２７を押圧する。これによって、ＬＥＤモジュール１２は、自重などによってはモジュールソケット２０から容易に外れないようになっている。
【００４５】
なお、図２では、配線２３、２４の内、配線２４に接続された端子２５とＬＥＤモジュール１２の接続端子１２７との接続について示しているが、ＬＥＤモジュール１２におけるもう一つの接続端子、あるいは、他のＬＥＤモジュール１１、１３の各接続端子についても、モジュールソケット２０の各マガジン部２０ａ、２０ｂの奥の部分に設けられた各端子と接続される（図２では、不図示。）。
【００４６】
図１に戻って、放熱板３０は、発光駆動時にＬＥＤモジュール１１、１２、１３のＬＥＤベアチップから生じた熱を逃がすためのものであり、例えば、ビス３１、３２、３３、３４によってモジュールソケット２０の裏面側に取り付けられている。
【００４７】
次に、ＬＥＤ照明装置１における回路構成について、図３を用いて説明する。
【００４８】
図３に示すように、商用電源などの電力供給源５０に接続された定電圧回路ユニット４０は、コネクタ４２を介してモジュールソケット２０に接続されている。そして、モジュールソケット２０内では、３つのＬＥＤモジュール１１、１２、１３が定電圧回路ユニット４０に対し並列状態で接続されている。
【００４９】
ＬＥＤモジュール１１、１２、１３の各々は、定電流回路部１１ａ、１２ａ、１３ａとＬＥＤ実装部１１ｂ、１２ｂ、１３ｂとから構成されている。
【００５０】
なお、各々のＬＥＤモジュール１１、１２、１３は、並列に接続されており、且つ各々に定電流回路部１１ａ、１２ａ、１３ａを備えていることから、必ずしも３つ全てをモジュールソケット２０に装填していなくても、１つだけあるいは２つだけが装填された状態で装置を発光駆動することが可能である。また、上述のようにコネクタ２２を用いてＬＥＤモジュールの増設を行うこともできる。
（ＬＥＤモジュールの構成）
ＬＥＤモジュール１１、１２、１３の構成について、図４および図５を用いて説明する。図４は、ＬＥＤモジュール１３の斜視図（一部透視図）であり、図５は、その回路図である。
【００５１】
図４に示すように、ＬＥＤモジュール１３には、メイン基板１３０に定電流回路部１３ａと、ＬＥＤ実装部１３ｂとが形成されている。そして、メイン基板１３０の図面左下縁部には、接続端子１３６、１３７が設けられている。
【００５２】
メイン基板１３０は、Ａｌなどの金属層１３０ｂの上に樹脂などの絶縁層１３０ａが積層された構成を有する、所謂、金属ベース基板である。このメイン基板１３０は、絶縁層１３０ａと金属層１３０ｂとが熱接合された状態であるので、１〜１０（Ｗ／ｍ・Ｋ）という良好な熱伝導率を有している。
【００５３】
そのため、このメイン基板１３０では、樹脂だけからなる基板などに比べて非常に優れた熱伝導性を有することになる。即ち、ＬＥＤベアチップを高密度実装して用いる照明装置などには、最適な基板であるといえる。絶縁層１３０ａの上には、所望のパターンの導電ランド（不図示）が形成されている。
【００５４】
メイン基板１３０における絶縁層１３０ａは、無機フィラー（Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＢＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＣ、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮなど）および樹脂組成物を含む複合材料から形成されている。
【００５５】
図示はしていないが、ＬＥＤ実装部１３ｂは、メイン基板１３０上の導電ランドに合計６４個のＬＥＤベアチップが超音波接合法によるＦＣＢ（フリップチップボンディング）を用いて実装されており、この上に反射板および蛍光体樹脂を配した後、樹脂で封止され構成されている。封止の際に、各々のＬＥＤベアチップに対応する箇所には、半球状のレンズが形成されている。
【００５６】
また、ＬＥＤ実装部１３ｂにおける封止樹脂の一側面からは、導電ランドの一部が延出されており、これが、後述の定電流回路部１３ａとの接続のための端子１３ｂ１、１３ｂ２として機能する。
【００５７】
図４に示すように、メイン基板１３０上におけるＬＥＤ実装部１３ｂと接続端子１３６、１３７の形成領域との間には、定電流回路部１３ａが設けられている。
【００５８】
具体的に、定電流回路部１３ａは、所望のパターンの導電ランド１３２が形成されたサブ基板１３１を用い、予めこのサブ基板１３１にリフロー法を用いて１つの抵抗素子１３３と２つのトランジスタ素子１３４、１３５とが実装され構成されている。
【００５９】
このように定電流回路が形成されたサブ基板１３１は、樹脂材料などを用いてメイン基板１３０上の上記領域に取り付けられている。
【００６０】
定電流回路部１３ａとＬＥＤ実装部１３ｂの端子１３ｂ１、１３ｂ２との接続、および定電流回路部１３ａと接続端子１３６、１３７とは、Ａｕなどからなるボンディングワイヤー１３８を用いて接続されている。
【００６１】
また、図４では、サブ基板１３１上の回路構成が分かり易いように破線をもって示しているが、回路が形成されたサブ基板１３１は、各接続部分を含めて樹脂で封止されている（樹脂封止部１３９）。
【００６２】
ＬＥＤモジュール１３の回路構成は、上記図３のように、定電流回路部１３ａとＬＥＤ実装部１３ｂとが接続されているが、図５を用いて具体的に説明する。
【００６３】
図５に示すように、ＬＥＤ実装部１３ｂは、合計６４個のＬＥＤベアチップ１３Ｌが８直８並という構成を有している。
【００６４】
また、定電流回路部１３ａは、１つの抵抗素子１３３と２つのＮＰＮ型トランジスタ素子１３４、１３５とから構成された一般的な定電流回路を有している。具体的には、トランジスタ素子１３４のエミッタ−ベース間に抵抗素子１３３が挿入され、トランジスタ素子１３４のベースは、もう１つのトランジスタ素子１３５のエミッタと接続されている。そして、トランジスタ素子１３４のコレクタは、トランジスタ素子１３５のベースと接続されている。
【００６５】
トランジスタ素子１３５のベースは、ＩＮ側の接続端子１３６およびＬＥＤ実装部１３ｂの一方の端子１３ｂ１と接続され、コレクタは、ＬＥＤ実装部１３ｂのもう一方の端子１３ｂ２と接続されている。
【００６６】
トランジスタ素子１３４のエミッタは、ＯＵＴ側の接続端子１３７と接続されている。
【００６７】
このようにして定電流回路部１３ａは、ＬＥＤモジュール１３における電力供給路中に挿入された状態で構成されており、定電圧回路ユニット４０から供給された電力を定電流制御して、定電流制御された電力がＬＥＤ実装部１３ｂに供給する。即ち、定電流回路部１３ａは、ＬＥＤモジュール１３を発光駆動する際に、ＬＥＤベアチップの光度安定化を図るための回路として機能する。
【００６８】
なお、他のＬＥＤモジュール１１、１２についても同様の構成を有している。
（定電流回路部１３ａの形成）
次に、上記ＬＥＤモジュール１３を形成する上において、特に定電流回路部１３ａの形成方法について、図６を用いて説明する。
【００６９】
図６（ａ）に示すように、樹脂からなるサブ基板１３１の主表面上の導電ランド１３２に、リフロー法を用いて、１つの抵抗素子１３３、２つのトランジスタ素子１３４、１３５を面実装しておく。これらの部品によって定電流回路が構成されたサブ基板１３１を、予めＬＥＤ実装部１３ｂが形成されたメイン基板１３０上に樹脂を用いて取り付ける。
【００７０】
その後、図６（ｂ）に示すように、サブ基板１３１上の導電ランドの一部分と端子１３ｂ１、１３ｂ２および接続端子１３６、１３７とをＡｕからなるボンディングワイヤー１３８を用いて接続する。
【００７１】
最後に、ボンディング部分を含めて定電流回路部１３ａ全体を樹脂で封止して、ＬＥＤモジュール１３への定電流回路部１３ａの形成が完了する。
（ＬＥＤ照明装置１の優位性）
以上のように構成されたＬＥＤ照明装置１は、上記図３のように３つのＬＥＤモジュール１１、１２、１３が各々定電流回路部１３ａを有しており、且つ、各ＬＥＤモジュール１１、１２、１３が並列に接続されているので、ＬＥＤモジュールの拡張が可能である。
【００７２】
つまり、ＬＥＤモジュールを４つ以上に増設しようとする場合には、上記図１と同様の構成のモジュールソケット２０を用いて増設することが可能であって、その場合にも、各ＬＥＤモジュールで定電流制御するので、ＬＥＤベアチップの発光光度の安定化を図ることができる。
【００７３】
また、ＬＥＤモジュールに実装するＬＥＤベアチップとして、定格電流の異なるものを用いた場合にも、実装するＬＥＤベアチップの仕様に対応した定電流回路部１３ａを個々のＬＥＤモジュールに形成しておけば、安定した発光光度で発光駆動することができる。
【００７４】
つまり、ＬＥＤ照明装置１は、ＬＥＤモジュールの交換を行う際に、実装されたＬＥＤベアチップの仕様がＬＥＤ照明装置１の設計時とは異なるようなＬＥＤモジュールを用いることができる。
【００７５】
また、ＬＥＤ照明装置１における各ＬＥＤモジュール１１、１２、１３には、メイン基板１３０として金属ベース基板を用いているので、ＬＥＤベアチップ１３Ｌで生じた熱を高い効率で放熱板３０へと伝達できる。つまり、特開２００２−３０４９０２号公報に開示されている光源装置のように、ＬＥＤモジュールの基板として樹脂基板を用いる場合には、同一基板上に種々の回路を組むことは容易ではあるが、ＬＥＤベアチップから発生する熱の放熱処理などの点から、単純にＬＥＤベアチップを高密度実装することは不可能であり、実用的な照明装置として用いることは困難である。
【００７６】
これに対して、本実施の形態のように、メイン基板１３０として金属ベース基板を用いたＬＥＤモジュール１１、１２、１３では、合計６４個のＬＥＤベアチップ１３Ｌを高密度実装した場合にあっても、熱によるＬＥＤベアチップ１３Ｌの劣化を抑制することができる。
【００７７】
さらに、ＬＥＤモジュール１１、１２、１３への定電流回路部１１ａ、１２ａ、１３ａの形成については、図６のように予めリフロー法を用いてサブ基板１３１に電子部品１３３〜１３５などを実装して定電流回路を構成しておき、これをメイン基板１３０に取り付けてＬＥＤモジュール１３における定電流回路部１３ａとする方法を採用しているので、回路の形成段階でＬＥＤベアチップ１３Ｌがリフロー時の熱による損傷を生じることがなく、また、コスト面からも優れる。
【００７８】
なお、サブ基板１３１をメイン基板１３０に接合するのは、上記図６に示したように、ＬＥＤ実装部１３ｂの形成後であっても良いし、逆にＬＥＤ実装部１３ｂの形成前であっても構わない。
【００７９】
特に、ＬＥＤ実装部１３ｂを形成する前にサブ基板１３１を取り付ける場合には、ＬＥＤベアチップ１３Ｌを樹脂封止する際にＬＥＤ実装部１３ｂの樹脂レンズ部の形成と同一工程で定電流回路部１３ａを樹脂封止することができるので作業効率の面から優れる。
【００８０】
従って、本実施の形態に係るＬＥＤ照明装置１は、メイン基板１３０に高密度実装されたＬＥＤベアチップ１３Ｌの発光光度の安定化を図ることができるとともに、ＬＥＤモジュール１１、１２、１３の拡張および交換を容易に図ることができる。そして、ＬＥＤモジュール１１、１２、１３の拡張および交換を図る際には、必ずしも同一仕様のものを用いる必要がない。
（変形例１）
変形例１に係るＬＥＤ照明装置について、図７を用いて説明する。図７では、上記発明の実施の形態と相異するＬＥＤモジュール１４の回路構成を示している。
【００８１】
図７に示すように、本変形例に係るＬＥＤモジュール１４は、上記の実施の形態と同じく、６４個のＬＥＤベアチップ１４Ｌから構成されるＬＥＤ実装部１４ｂを有している。
【００８２】
定電流回路部１４ａは、上記実施の形態とは異なり、１つの抵抗素子１４３と１つのトランジスタ素子１４４とから構成されている。具体的には、ＩＮ側の接続端子は、ＬＥＤ実装部１４ｂの一方の端子に接続されているとともに、トランジスタ素子１４４のベースとも接続されている。
【００８３】
一方、ＯＵＴ側の接続端子は、抵抗素子１４３の一端と接続されており、抵抗素子１４３の他端は、トランジスタ素子１４４のエミッタおよびベースと接続されている。
【００８４】
ＬＥＤ実装部１４ｂのもう一方の端子は、トランジスタ素子１４４のコレクタと接続されている。
【００８５】
このように構成される定電流回路部１４ａを有するＬＥＤモジュール１４は、上記図５のＬＥＤモジュール１３よりも簡易な回路構成をもってＬＥＤベアチップ１４Ｌへの供給電力を定電流制御することができる。
【００８６】
従って、ＬＥＤモジュール１４を有するＬＥＤ照明装置は、上記ＬＥＤ照明装置１よりも低コストでメイン基板１３０に高密度実装されたＬＥＤベアチップ１４Ｌの発光光度の安定化を図ることができるとともに、上記ＬＥＤ照明装置１と同様に、ＬＥＤモジュール１１、１２、１３の拡張および交換を容易に図ることができる。
【００８７】
また、ＬＥＤモジュール１３は、発光光度の安定性が優れる。
【００８８】
なお、定電流回路部１４ａの回路構成以外の部分については、上記ＬＥＤ照明装置１と同様である。
（変形例２）
変形例２に係るＬＥＤモジュール１５について、図８を用いて説明する。
【００８９】
図８に示すように、本変形例に係るＬＥＤモジュール１５は、定電流回路部１５ａの構成の一部が異なり、およびサーミスタ１５Ｔを有しているところを特徴としている。
【００９０】
具体的には、ＬＥＤモジュール１５においては、定電流回路部１５ａにおけるトランジスタ素子１５４のコレクタとトランジスタ素子１５５のベースとの間にサーミスタ１５Ｔが挿入されている。サーミスタ１５Ｔは、図には示していないが、メイン基板の絶縁層の表面上にシリコーン樹脂などで固定されている。
【００９１】
このような構成を有するＬＥＤモジュール１５では、発光駆動時に生じるＬＥＤベアチップ１５Ｌからの熱をサーミスタ１５Ｔで略リアルタイムに監視でき、これに応じてＬＥＤ実装部１５ｂに対する電流を制御することができる。
【００９２】
ここで、サーミスタ１５Ｔは、上述のように、絶縁層の表面上に配置しているが、良好な金属ベース基板の伝熱性により、略リアルタイムにＬＥＤベアチップ１５Ｌの熱を感知することができる。
【００９３】
従って、本変形例に係るＬＥＤモジュール１５を備えるＬＥＤ照明装置では、上記ＬＥＤ照明装置１が有する優位性を同様に得ることが出来るのに加えて、駆動時のＬＥＤベアチップ１５Ｌの発熱による寿命低下を抑制することができる。
【００９４】
なお、サーミスタ１５Ｔに配置箇所については、上記のように絶縁層の表面上に限定を受けるものではなく、伝熱性に優れる金属ベース基板を用いていることから、基板の何処に配置されていても同様の効果を奏することができる。
【００９５】
例えば、絶縁層にサーミスタ１５Ｔを埋め込むことが可能な大きさで、金属層に達する深さの溝を設けておき、この溝内にサーミスタ１５Ｔを填め込んでおいてもよい。
（変形例３）
変形例３に係るＬＥＤモジュール１６について、図９を用いて説明する。
【００９６】
図９に示すように、ＬＥＤモジュール１６の回路が上記実施の形態に係るＬＥＤモジュール１３の回路と異なるのは、ＬＥＤ実装部１６ｂと並列に定電圧ダイオード（以下、「ツェナーダイオード」という。）１６Ｚが挿入されているところにある。その他については、回路構成およびＬＥＤモジュールの構成など上記実施の形態と同一である。
【００９７】
このようにツェナーダイオード１６Ｚを備えるＬＥＤモジュール１６では、静電気からＬＥＤベアチップ１６Ｌおよび配線などを保護することができる。
【００９８】
従って、このＬＥＤモジュール１６を備えるＬＥＤ照明装置では、上記ＬＥＤ照明装置１が有する優位性に加えて、ＬＥＤベアチップ１６Ｌを静電気から保護することが出来、信頼性の高い装置である。
（変形例４）
変形例４に係るＬＥＤモジュール１７について、図１０を用いて説明する。
【００９９】
図１０に示すように、本変形例に係るＬＥＤモジュール１７では、メイン基板１７０における絶縁層の表面に形成された導電ランド１７２上に定電流回路部１７ａ用のチップ部品が直付けされている。
【０１００】
つまり、ＬＥＤモジュール１７においては、上記実施の形態のようにサブ基板を用いるのではなく、導電ランド１７２の所要位置にＡｇペーストなどを用いたダイボンディングにより、抵抗素子１７３と２つのトランジスタ素子１７４、１７５とが実装されている。
【０１０１】
これら回路部品１７３、１７４、１７５は、ＬＥＤベアチップを超音波実装する前後に実装され、導電ランド１７２を含んだ領域が最終的に樹脂封止される。
【０１０２】
なお、ＬＥＤモジュール１７おける回路構成は、上記図５と同様であり、導電ランド１７２は、接続端子１７６、１７７、およびＬＥＤ実装部１７ｂの端子１７ｂ１、１７ｂ２、・・・、１７ｂ９を含めて、絶縁層上の金属層をエッチングすることで形成されている。
【０１０３】
このような構造のＬＥＤモジュール１７は、上記実施の形態に係るＬＥＤモジュール１３のようにサブ基板１３１を備える場合に比べて、サブ基板１３１の分、重量面およびコスト面で優れる。また、ＬＥＤモジュール１７を備えるＬＥＤ照明装置では、上記ＬＥＤ照明装置１が有する優位性を同様に奏することができる。
（変形例５）
変形例５に係る照明装置は、ＬＥＤモジュールに実装されているＬＥＤベアチップに、何らかの異常、例えば、ショートにより過度の温度上昇が発生すると、ＬＥＤモジュールに供給する電力を低下させるところを特徴としている。
【０１０４】
つまり、ＬＥＤモジュールには、ＬＥＤベアチップの異常を検出する異常検出部を、また、定電圧回路ユニットには、ＬＥＤベアチップの異常を異常検出部が検出するとモジュールソケット（各ＬＥＤモジュール）へ供給する電力を低下させる制御部をそれぞれ設けたところを特徴としている。
【０１０５】
以下、２つの例を用いて、その構成等について具体的に説明する。なお、ここでいう「供給する電力を低下させる」には、電力の供給を停止することも含めている。
【０１０６】
１．例１
ここでは、ＬＥＤベアチップの異常として、ＬＥＤモジュールが過度な温度上昇をした場合について、図１１〜１３を用いて説明する。
【０１０７】
まず、本変形例５に係る照明装置１０１は、図１１に示すように、３個のＬＥＤモジュール１８、１９、２０を着脱可能に備えるモジュールソケット１２０と、各ＬＥＤモジュール１８、１９、２０に定電圧制御された電圧を供給する定電圧回路ユニット１４０とを備える。なお、定電圧回路ユニット１４０とモジュールソケット１２０とは、３本のリード線で接続される。
【０１０８】
各ＬＥＤモジュール１８、１９、２０は、略同じ構成を有しており、以下、ＬＥＤモジュール１８について説明する。
【０１０９】
ＬＥＤモジュール１８は、図１１及び図１２に示すように、定電流回路部１８ａ、ＬＥＤ実装部１８ｂ及び感熱素子部１８ｃを備える。なお、定電流回路部１８ａとＬＥＤ実装部１８ｂは、実施の形態で説明した通りであり、ここでの説明は省略する。
【０１１０】
感熱素子部１８ｃは、ＬＥＤ実装部１８ｂの温度異常を検出するためのもの（本発明の異常検出部である。）で、例えば、図１２に示すように、サーミスタ１８６、抵抗１８７、コンパレータ１８８とを備え、定電流回路部１８ａに対して並列に接続されている。
【０１１１】
なお、図１２では、サーミスタ１８６は、便宜上、ＬＥＤ実装部１８ｂと離れているが、実際はＬＥＤ実装部１８ｂの近傍に配されており、ＬＥＤベアチップ１８Ｌに温度異常があると、直ちに検出できるようになっている。
【０１１２】
つまり、ＬＥＤ実装部１８ｂの温度が、ショート等が発生していないときの温度の場合（この場合を、「通常点灯時」という。）は、コンパレータ１８８から、例えば、Ｈ信号が出力される。
【０１１３】
逆にＬＥＤ実装部１８ｂの温度が、通常点灯時に対して過度に上昇した場合（この場合を、「異常点灯時」という。）は、コンパレータ１８８の入力電圧が基準電圧（図１２における「Ｒｅｆ」に相当する。）以上になり、コンパレータ１８８から、例えば、Ｌ信号が出力される（図１２において「ＳＭ１」で示す）。
【０１１４】
モジュールソケット１２０は、基本的には、上述の実施の形態及び変形例１〜４で説明したものと同じであるが、図１１に示すように、３個のＬＥＤモジュール１８、１９、２０の感熱素子部１８ｃ、１９ｃ、２０ｃから出力された信号ＳＭ１にＬ信号が含まれる場合に、定電圧回路ユニット１４０にＬ信号（図１３において「ＳＭ２」で示す。）を出力するための論理回路部１２０ａ、例えば、ＡＮＤゲートを備えている。この定電圧回路ユニット１４０への信号の出力は、コネクタ１２１に接続されたリード線を介してなされる。
【０１１５】
なお、論理回路部１２０ａは、３個のＬＥＤモジュール１８、１９、２０のほか、コネクタ１２２にも接続されている。これは、実施の形態でも説明したように、ＬＥＤモジュールの拡張を図った場合に、他のモジュールソケットに装填されているＬＥＤモジュールの異常も検出できるようにしたためである。
【０１１６】
定電圧回路ユニット１４０は、図１３に示すように、主な構成要素として、整流器１４１、コンデンサＣ１、出力トランスＴ、トランジスタＱ１、Ｑ２、ＩＣ等を含んでいる。
【０１１７】
整流器１４１は、商用交流電源５０からの交流出力を整流し、また、コンデンサＣ１は、整流器１４１の出力端Ｏ１、Ｏ２間に接続され、整流器１４１で整流された電力を平滑化する。
【０１１８】
出力トランスＴは、入力側となる一次巻線Ｔ１、出力側となる二次巻線Ｔ２、三次巻線Ｔ３を備えている。一次巻線Ｔ１の入力端Ｉ１は、整流器１４１の出力端Ｏ１と接続され、一次巻線Ｔ１の入力端Ｉ２は、トランジスタＱ１のコレクタＣと接続されている。二次巻線Ｔ２の出力端Ｏ３、Ｏ４は、それぞれモジュールソケット１２０側に接続されている。
【０１１９】
三次巻線Ｔ３の出力端Ｏ５は、ダイオードＤ１を介してＩＣのＳ３端子と接続されており、出力端Ｏ６は、整流器１４１の出力端Ｏ２と接続されている。また、ダイオードＤ１の出力側と３次巻線Ｔ３の出力端Ｏ６間には、コンデンサＣ２が接続されている。
【０１２０】
なお、トランジスタＱ１のエミッタＥは、三次巻線Ｔ３の出力端Ｏ６と接続され、ベースＢは、ＩＣのＳ２端子と接続されている。
【０１２１】
トランジスタＱ１は、ＩＣの信号出力端子Ｓ２からのパルス信号に基づいてオン（コレクタ、エミッタ間がほぼ導通状態）、オフ（非導通状態）し、出力トランスＴの一次巻線Ｔ１に印加される直流電圧をスイッチングして、二次巻線Ｔ２、三次巻線Ｔ３に、巻数比に応じた定電圧を出力させる。
【０１２２】
また、コンデンサＣ１と出力トランスＴの間には、ＬＥＤモジュール１８、１９、２０のＬＥＤベアチップに異常があった場合に、モジュールソケット１２０への電力の供給を停止するよう制御する制御回路１４２（本発明の制御部である。）が設けられている。
【０１２３】
この制御回路１４２は、モジュールソケット１２０の出力信号ＳＭ２がＨ信号の場合に、トランジスタＱ１のスイッチングを停止させることにより、モジュールソケット１２０への電力の供給を停止させている。
【０１２４】
制御回路１４２は、ＩＣ、トランジスタＱ２等を備えている。
【０１２５】
ＩＣは、公知のＰＷＭ型スイッチング電源制御用のＩＣであり、トランジスタＱ１のスイッチング動作を制御する。ここで、ＩＣのＳ１は、信号入力端子、Ｓ２は、信号出力端子、Ｓ３は、電源入力端子になっており、Ｓ４は接地用の端子で整流器１４１の出力端Ｏ２と接続されている。
【０１２６】
ＩＣの電源入力端子Ｓ３は、抵抗Ｒ４を介して整流器１４１の出力端Ｏ１と接続されており、またダイオードＤ１を介して出力トランスＴの三次巻線Ｔ３の出力端Ｏ５と接続されている。
【０１２７】
信号入力端子Ｓ１は、トランジスタＱ２のコレクタＣと接続されており、抵抗Ｒ３を介して電源入力端子Ｓ３とも接続されている。トランジスタＱ２のエミッタＥは、整流器１４１の出力端Ｏ２と、また、ベースＢは、モジュールソケット１２０（論理回路部１２０ａ）に接続されている。
【０１２８】
このような構成において、定電圧回路ユニット１４０は、次のような動作を行う。
【０１２９】
（通常点灯時）
まず、定電圧回路ユニット１４０が電力供給源５０に接続されると共に、モジュールソケット１２０が定電圧回路ユニット１４０にリード線を介して接続され、電力供給源５０からの電力が定電圧回路ユニット１４０を介してＬＥＤモジュール１８、１９、２０に供給される。
【０１３０】
各ＬＥＤモジュール１８、１９、２０は、定電圧回路ユニット１４０から電力の供給を受けて、ＬＥＤ実装部１８ｂ、１９ｂ、２０ｂにおける各ＬＥＤベアチップ（１８Ｌ）が点灯する。
【０１３１】
このとき、各ＬＥＤモジュール１８、１９、２０におけるＬＥＤ実装部１８ｂ、１９ｂ、２０ｂの温度が通常点灯時の温度であれば、各感熱素子部１８ｃ、１９ｃ、２０ｃのコンパレータからはＨ信号（ＳＭ１）が論理回路部１２０ａに出力される。
【０１３２】
論理回路部１２０ａは、コンパレータからの入力信号ＳＭ１が全てＨ信号であれば、定電圧回路ユニット１４０にＨ信号（ＳＭ２）を出力する。
【０１３３】
一方、定電圧回路ユニット１４０では、入力された交流電力が整流器１４１により整流され、整流後の直流電圧が抵抗Ｒ４を介してＩＣの電源入力端子Ｓ３に印加される。また、同時にコンデンサＣ２への充電が開始される。ここでは、ＩＣ保護のため抵抗Ｒ４の値が大きくとられており、コンデンサＣ２への充電が完了するとＩＣの動作電圧に達してＩＣの動作が開始されるようになっている。
【０１３４】
また、トランジスタＱ２のベースＢには、ＬＥＤモジュール１８、１９、２０に異常がない場合には、Ｈ信号の電圧が印加され、Ｑ２がオン（コレクタ、エミッタ間がほぼ導通状態）になり、ＩＣの信号入力端子Ｓ１はほぼ接地された状態（Ｌレベル）になる。
【０１３５】
ＩＣは、電源入力端子Ｓ３に動作電圧が印加されており、信号入力端子Ｓ１が接地された状態、つまりＬレベルになっている場合には、所定の周期、所定のデューティ比のパルス信号を信号出力端子Ｓ２から出力し、トランジスタＱ２をスイッチング（オン／オフ）させる。
【０１３６】
これにより、出力トランスＴの一次巻線Ｔ１に、波形がほぼ矩形波となる電圧が印加され、巻数比に応じた電圧が二次巻線Ｔ２、三次巻線Ｔ３から出力される。
【０１３７】
この二次巻線Ｔ２からの出力により、各ＬＥＤモジュール１８、１９、２０のＬＥＤベアチップは点灯する。
【０１３８】
なお、三次巻線Ｔ３からの出力も矩形波であるが、ダイオードＤ１、コンデンサＣ２により整流、平滑されてＩＣの電源入力端子Ｓ３に印加される。すなわち、トランジスタＱ２によるスイッチングの開始後は、三次巻線Ｔ３の出力がＩＣの動作電圧の供給源となる。
【０１３９】
（温度異常時）
一方、ＬＥＤモジュール１８、１９、２０のいずれかのＬＥＤベアチップにショート等が生じると、そのショートを生じたＬＥＤ実装部の温度が異常に上昇する。
【０１４０】
この温度上昇が、ＬＥＤモジュール１８、１９、２０に設けられた感熱素子部１８ｃ、１９ｃ、２０ｃの抵抗を低下させ、コンパレータ１８８に基準電圧以上の電圧が入力すると、コンパレータ１８８からＬ信号（ＳＭ１）が論理回路部１２０ａに出力される。論理回路部１２０ａでは、これを受け、定電圧回路ユニット１４０へＨ信号（ＳＭ２）を出力する。
【０１４１】
モジュールソケット１２０からの出力信号ＳＭ２は、Ｌ信号であるため、トランジスタＱ２がオフに転じ、ＩＣの信号入力端子Ｓ１には、出力トランスＴの三次巻線Ｔ３の出力端Ｏ５の出力電圧がダイオードＤ１、抵抗Ｒ３を介して印加されることになる（以下、「Ｈレベルになる。」という。）。
【０１４２】
ＩＣは、信号入力端子Ｓ１がＨレベルになると、信号出力端子Ｓ２からのパルス信号の出力を停止し、トランジスタＱ２のスイッチング動作を停止させる（トランジスタＱ２をオフ状態にさせる。）。
【０１４３】
これにより、出力トランスＴの一次巻線Ｔ１に電流が流れなくなり、二次巻線Ｔ２、三次巻線Ｔ３の出力がほぼゼロになって各ＬＥＤモジュール１８、１９、２０のＬＥＤベアチップは消灯する。
【０１４４】
なお、ＬＥＤモジュール１８、１９、２０に供給する電力を少なくするには、例えば、トランジスタＱ２のオン／オフのスイッチング動作で、オフ状態を長く設定すれば実施できる。
【０１４５】
２．例２
ここでは、ＬＥＤベアチップの異常として、ＬＥＤベアチップの電流量が過度に増加した場合について、図１４を用いてＬＥＤモジュールに説明する。なお、本例におけるモジュールソケット、定電圧回路ユニットは、上述した例１と同じであるため、これらの説明は省略する。また、本例に係るＬＥＤモジュールののそれぞれは同じ構造であるため、ＬＥＤモジュール２０について説明する。
【０１４６】
ＬＥＤモジュール２１は、図１４に示すように、定電流回路部２１ａ、ＬＥＤ実装部２１ｂ及び電流検出部２１ｃとを備える。なお、定電流回路部２１ａとＬＥＤ実装部２１ｂは、実施の形態で説明した通りであり、ここでの説明は省略する。
【０１４７】
電流検出部２１ｃは、ＬＥＤ実装部１８ｂの電流異常を検出するためのもの（本発明の異常検出部である。）で、例えば、図１４に示すように、抵抗２１６ａ、コンパレータ２１６ｂとを備えている。この電流検出部２１ｃは、８個のＬＥＤベアチップ１９Ｌが直列に接続された直列群の上流側に直列に接続され、コンパレータ２１６ｂの出力信号ＳＭ３が論理回路部２１７に出力される。
【０１４８】
つまり、８列の直列群の中のＬＥＤベアチップ２１Ｌに断線等がない場合（この場合が、例１の「通常点灯時」に相当する。）は、上述の例１と同じようにコンパレータ２１６ｂから、例えば、Ｈ信号が出力され、逆にＬＥＤベアチップ２１Ｌに断線等があり、直列群の電流量が増加した場合（この場合が、例１の「異常点灯時」に相当とする。）は、コンパレータ２１６ｂの入力電圧が基準電圧以上になり、コンパレータ２１６ｂから、例えば、Ｌ信号が出力される（図１４において「ＳＭ３」で示す）。
【０１４９】
そして各列のコンパレータ２１６ｂからの信号ＳＭ３は、論理回路部２１７に出力される。論理回路部２１７は、各コンパレータ２１６ｂからの入力信号ＳＭ３が全てＨ信号であれば、定電圧回路ユニットにＨ信号（ＳＭ４）を出力し、各コンパレータ２１６ｂからの入力信号ＳＭ３にＬ信号が含まれていれば、定電圧回路ユニットにＬ信号（ＳＭ４）を出力する。
【０１５０】
３．まとめ
上記の例１、例２では、ＬＥＤ実装部１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂに何らかの原因で異常が発生した場合、その異常を異常検出部（例１では感熱素子部、例２では電流検出部）で検出して、モジュールソケットへの電力の供給を停止するようにしている。
【０１５１】
これにより、例えば、複数のＬＥＤモジュールのうちの１つのＬＥＤ実装部の温度が過度に上昇して、この熱が放熱板３０（図１及び図２参照）から他のＬＥＤモジュールに伝わり、他のＬＥＤモジュールの温度が上昇するようなことを防ぐことができる。なお、他のＬＥＤモジュールに熱が伝わりその温度が上昇すると、ＬＥＤベアチップの短命化を招く。
【０１５２】
４．その他
ａ．照明装置について
変形例５における照明装置は、モジュールソケットと定電圧回路ユニットとが別体となっていたが、一体で有っても良い。この場合でも、ＬＥＤ実装部に異常が生じると、各ＬＥＤベアチップに給電される電力を低下させるので、各ＬＥＤモジュールの過度な温度上昇を防ぐことができ、定電圧回路ユニットの破損或いは誤動作等を防ぐことができる。
【０１５３】
ｂ．定電圧回路ユニットについて
変形例５における定電圧回路ユニットの回路構成についても、一例を示したものであって、上記構成以外の定電圧回路を備えていてもよい。例えば、オペアンプを用いた定電流回路でもよい。
【０１５４】
ｃ．ＬＥＤモジュールについて
変形例５において、ＬＥＤモジュールは着脱可能になっていたが、着脱可能でなくても良い。つまり、本変形例では、ＬＥＤ実装部に異常があると、ＬＥＤ実装部のＬＥＤベアチップに給電する電力を低下させる構成に特徴を有するものである。
【０１５５】
したがって、例えば、照明装置は、ＬＥＤベアチップ（１個または複数）と、当該ＬＥＤベアチップを点灯させるための点灯回路と、前記ＬＥＤベアチップの点灯時に、温度上昇、電流増加等の異常を検出する異常検出手段とを備え、前記点灯回路は、当該異常検出手段が前記ＬＥＤベアチップの異常を検出すると、前記ＬＥＤベアチップに供給する電力を低下させる制御回路を備えてれば良い。
【０１５６】
上述の点灯回路は、例えば、電力供給源からの電力を整流、平滑する整流平滑回路と、当該整流平滑回路の出力をスイッチングするスイッチ素子と、一次側が前記第１の整流回路に対して前記スイッチ素子と接続される（例えば、直列に）出力トランスとを備える。一方、制御回路は、例えば、点灯回路のスイッチ素子のスイッチング動作を制御して、出力トランスの出力を低下（停止を含める）させている。
（その他の事項）
上記発明の実施の形態およびその変形例１〜５４は、本発明の構成および得られる効果を説明するために、一例として用いたものであって、上記（課題を解決するための手段）の範囲内であれば、これに限定を受けるものではない。例えば、上記実施の形態では、樹脂材料からなるサブ基板１３１を用い、これに定電流回路用の構成部品を面実装したが、セラミックからなる基板やＳｉ基板などを用いることもできる。特に、Ｓｉ基板をサブ基板として用いる場合には、Ｓｉ基板にトランジスタ領域および抵抗領域を拡散形成しておくことができるので、コンパクトで安価な定電流回路部を得ることができる。
【０１５７】
また、定電流回路部の回路構成についても、一例を示したものであって、上記実施の形態および変形例以外の構成の定電流回路部を備えていてもよい。例えば、オペアンプを用いた定電流回路でもよい。
【０１５８】
また、上記実施の形態では、ＬＥＤベアチップの光度の安定を図るための回路として定電流回路を例にしたが、定電圧回路を用いることもできる。ただし、一般にＬＥＤの制御には、定電流制御を用いることが望ましい。
【０１５９】
また、上記図１では、モジュールソケット２０に固定式のものを用いたが、ＬＥＤモジュール１１、１２、１３の装填部２０ａ、２０ｂ、２０ｃが可動するような構造のものとしておけば、発光モジュール１１、１２、１３を交換する際の作業性を向上させることができる。例えば、モジュールソケットにヒンジ機構を備えておき、照明装置本体に固定されたベース部分からマガジン部だけを起こせるような構成としておけば、ＬＥＤモジュールを交換する際に、いちいちモジュールソケットを照明装置から取り外さなくても、マガジン部を起こして交換することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１６０】
本発明に係る照明装置は、発光光度の安定化を図るのに利用でき、仕様の異なるＬＥＤモジュールへの交換およびＬＥＤモジュールの拡張を容易に実施するのに利用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１６１】
【図１】本発明の実施の形態に係るＬＥＤ照明装置１を示す要部斜視図である。
【図２】図１のＬＥＤ照明装置１におけるＡ−Ａ箇所を示す断面図である。
【図３】図１のＬＥＤ照明装置１の回路を示すブロック図である。
【図４】図１のＬＥＤ照明装置１の構成要素であるＬＥＤモジュール１３を示す斜視図（一部透視図）である。
【図５】図４のＬＥＤモジュール１３の回路図である。
【図６】図４のＬＥＤモジュール１３の形成方法を示す工程図である。
【図７】変形例１に係るＬＥＤモジュール１４の回路図である。
【図８】変形例２に係るＬＥＤモジュール１５の回路図である。
【図９】変形例３に係るＬＥＤモジュール１６の回路図である。
【図１０】変形例４に係るＬＥＤモジュール１７を示す斜視図（一部透視図）である。
【図１１】変形例５に係るＬＥＤ照明装置１０１の回路を示すブロック図である。
【図１２】変形例５の例１に係るＬＥＤモジュール１８の回路図である。
【図１３】変形例５の例１に係る定電圧回路ユニット１４０の回路構成を示す図である。
【図１４】変形例５の例２に係るＬＥＤモジュール２１の回路図である。
【符号の説明】
【０１６２】
１      ＬＥＤ照明装置
１１、１２、１３      ＬＥＤモジュール
１５Ｔ      サーミスタ
１６Ｚ      ツェナーダイオード
２０      モジュールソケット
３０      放熱板
４０      定電圧回路ユニット
１３０      メイン基板
１３１      サブ基板
１３３      抵抗素子
１３４、１３５      トランジスタ素子
１３９      樹脂封止部
【図１】
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【図２】
2004253364.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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