(57)【要約】【目的】特定の被覆層を有するアモルファスＳｉ感光体により、クリーニング性の改良を図る。【構成】導電性基体上にシリコン原子を母体とする非単結晶材料で構成された光導電層、及び非単結晶材料からなる保護層を少なくとも有する電子写真感光体の最表面にシリコーン系クシ型グラフトポリマーを含有する被覆層が設けられ、１０μｍ×１０μｍの範囲における表面粗さＲａが３０ｎｍ〜９０ｎｍであることを特徴とする電子写真感光体。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体上にシリコン原子を母体とする非単結晶材料で構成された光導電層及び非単結晶材料から成る保護層を少なくとも有する電子写真感光体の最表面にシリコーン系クシ型グラフトポリマーを含有する被覆層を設けて構成されることを特徴とする電子写真感光体。
【請求項２】
被覆層を設ける前の電子写真感光体の１０μｍ×１０μｍの範囲における表面粗さＲａが４０ｎｍ〜１００ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の電子写真感光体。
【請求項３】
被覆層を設けた後の電子写真感光体の１０μｍ×１０μｍの範囲における表面粗さＲａが３０ｎｍ〜９０ｎｍであることを特徴とする請求項１又は２記載の電子写真感光体。
【請求項４】
導電性基体上にシリコーン原子を母体とする非単結晶材料で構成された光導電層及び非単結晶材料から成る保護層を少なくとも有する電子写真感光体の表面を研磨加工し、１０μｍ×１０μｍの範囲における表面粗さＲａを４０ｎｍ〜１００ｎｍとした後に、シリコーン系クシ型グラフトポリマーを含有する被覆層を塗布することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコン原子を母体とする非単結晶材料で構成された光導電層と特定の被覆層を有する電子写真感光体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子写真感光体は、電子写真装置に搭載されて帯電−露光−現像−転写−転写残トナーのクリーニング−帯電といったプロセスを受ける。この中でクリーニング工程は感光体の表面性が重要なパラメータであり、その設計に際しては様々な技術開発がなされてきた。
【０００３】
感光体の材料として、シリコン原子を母体とし、水素で欠陥補償された非単結晶材料である水素化アモルファスシリコン（以下、「アモルファスＳｉ」と表記する）がある。
【０００４】
このような感光体のクリーニング工程における課題としては、帯電生成物の除去が不十分となるような状況で引き起こされる高温高質環境下での画像流れがある。
【０００５】
別の課題としては、トナー粒子、或はトナーに含まれる添加剤等がクリーニングされ切れずに感光体表面に残留、固着するといった現象である。
【０００６】
近年、電子写真装置のデジタル化が進んだことにより、プリントレングス並びにプリントボリュームが大きく増加する現象があり、クリーニング工程への負荷が増している。又、カラー化の進行は出力画像の印字比率を引き上げる傾向にあり、この点でもクリーニング工程の負荷が増大する傾向にある。
【０００７】
又、デジタル画像は微細なドットの集合体で形成されるため、従来は顕在化しなかったような軽微な潜像上の不均一性がドット再現性の低下として現われる場合がある。
【０００８】
アモルファスＳｉを含む電子写真感光体のクリーニング性に関しては、微視的な表面粗さに着目してトナー付着やクリーニング不良を防止した感光体が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
又、表面にフッ素のエッチングを繰り返すことにより撥水性を高める感光体が開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【００１０】
一方、有機材料から成る表面に対しては、特定のシリコーン系クシ型グラフトポリマーを含有させることによりクリーニング性を改良した像担持体が開示されている（例えば、特許文献３参照）。
【００１１】
【特許文献１】
特開２００１−３３０９７８号公報
【特許文献２】
特開平９−２１１８７８号公報
【特許文献３】
特開昭６２−０７５４６０号公報
【発明が解決しようとする課題】
このような技術を踏まえ、本発明者が感光体表面に着目してクリーニング性の更なる改善を図るべく検討を進めた結果、次のような課題が生じてきた。
【００１２】
感光体表面の微視的な表面粗さＲａが大きくなると、相対的には以下のようなクリーニング工程における課題が生じ易くなる。即ち、凹凸の谷の部分に帯電生成物が溜まり易くなるため、高温高質環境下でそれが低抵抗化し、画像流れが引き起こされる。
【００１３】
又、現像性、クリーニング性、転写性等の機能を向上させるためにトナーに添加される微粒子（所謂外添剤）は、トナー粒子に対して必ずしも強固に固着していない場合があるため、画像形成工程で脱離してクリーニングされ切れず、感光体表面の凹凸の谷の部分に残留する傾向にある。
【００１４】
更に、このプロセスが繰り返されると、残留した外添剤が蓄積し、感光体に到達する露光のムラを引き起こすに至る場合があることも分かった。
【００１５】
但し、感光体表面の微視的な粗さは、画像形成プロセスが或る程度繰り返される中でクリーニング部材との摺刷によって磨耗し、徐々に平坦化されることが分かっており、その点で最も条件的に厳しい使用初期段階におけるこれらクリーニング性の適切な課題解決法が望まれる。
【００１６】
本発明の目的は、上記従来技術の課題を解決したアモルファスＳｉ電子写真感光体並びにその製造方法を提供することを目的とする。特には、微視的な表面粗さが大きい感光体の比較的初期に発生する上記クリーニングの課題を解決することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するため、導電性基体上にシリコン原子を母体とする非単結晶材料で構成された光導電層及び非単結晶材料から成る保護層を少なくとも有する電子写真感光体の最表面にシリコーン系クシ型グラフトポリマーを含有する被覆層が設けられていることを特徴としている。
【００１８】
更に、被覆層を設ける前の電子写真感光体の１０μｍ×１０μｍの範囲における表面粗さＲａが４０ｎｍ〜１００ｎｍであることを特徴としている。
【００１９】
更に、被覆層を設けた後の電子写真感光体の１０μｍ×１０μｍの範囲における表面粗さＲａが３０ｎｍ〜９０ｎｍであることを特徴としている。
【００２０】
又、本発明は、導電性基体上にシリコン原子を母体とする非単結晶材料で構成された光導電層及び非単結晶材料から成る保護層を少なくとも有する電子写真感光体の表面を研磨加工し、１０μｍ×１０μｍの範囲における表面粗さＲａを４０ｎｍ〜１００ｎｍとした後に、シリコーン系クシ型グラフトポリマーを含有する被覆層を塗布することを特徴とする電子写真感光体の製造方法を提供する。
【００２１】
本発明者は、これらの課題を解決する簡便な手法を検討し、特定のシリコーン系クシ型グラフトポリマーの被覆層が効果的であることを見出し、本発明に至った。
【００２２】
シリコーン系クシ型グラフトポリマーは具体的には例えば以下のような構造を有する。
【００２３】
下記一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）から選ばれるシリコーンと下記一般式（ＩＩＩ  ）、（ＩＶ）及び（Ｖ）から選ばれるシリコーンとの縮合反応生成物である変性シリコーンと、重合性官能基を有する化合物とを共重合させて得られる。
【００２４】
【化１】
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このシリコーン系クシ型グラフトポリマーの溶液を塗布することにより形成される被膜は表面の潤滑性が高く、クリーニング部材の当接が不十分になり易い感光体表面の凹部においても帯電生成物やトナー外添剤が容易にクリーニングされる。
【００２５】
又、このシリコーン系クシ型グラフトポリマーは膜形成時に潤滑性を発現する構造ユニットが表面移行性を有するため、被覆層の膜厚が薄くても十分な潤滑性が発現できる。従って、電子写真特性への影響は極めて小さく抑えた上で表面性の効果が得られる。
【００２６】
このような有機ポリマーの被膜の硬度は、アモルファスＳｉ感光体に対して相対的に小さいため、感光体の寿命の中では比較的初期の段階で磨耗して表面から削り取られることになる。しかしながら、上述のように感光体表面のＲａは繰返し使用される間に小さくなるため、クリーニングに関わる解決すべき課題が軽減されていく傾向にあり、その段階でポリマー被膜が実質的に存在していないことは、弊害を極力小さく且つ比較的初期の課題を解決するという点でむしろ好ましい。
【００２７】
本発明が効果的に作用するアモルファスＳｉ感光体の表面粗さＲａの範囲は４０ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００２８】
Ｒａが４０ｎｍ未満の場合はシリコーン系クシ型グラフトポリマーの被覆層を設けなくても課題が軽微であるため、本発明を適用する必要性は低い。
【００２９】
Ｒａが１００ｎｍを超えると凹凸が大きくなり、被覆層を設けても効果が不十分となる場合がある。或は効果が得られるように被覆層の膜厚を厚くすると電気特性面での弊害を生じ易くなるので好ましくない。
【００３０】
このような粗さを有する表面に対して、本発明の被覆層は上記のポリマーの溶液を塗布することにより設けられる。溶液の塗布においては、凹部が凸部よりやや膜厚が大きくなる傾向を持ちながら基本的に非塗布物の表面形状に沿って被膜が形成されるが、被覆層形成後の表面粗さＲａとしては３０ｎｍ〜９０ｎｍであることが好ましい。
【００３１】
塗布後のＲａが３０ｎｍ未満では、表面の凹部と凸部の被覆層の膜厚差が大きく、微細な電位特性ムラが画像のムラとして現われる場合がある。
【００３２】
Ｒａが９０ｎｍを超えると凹部へのクリーニング部材の当接が許容範囲を超えて不十分となり易く、本発明の効果が十分に得られない。
【００３３】
尚、被覆層形成前の感光体表面粗さＲａが１００ｎｍを超える場合、研磨により或る程度の平滑化処理を行った上で被覆層を形成することも有効である。
【００３４】
特に、アモルファスシリコン感光体の一般的な製法であるプラズマＣＶＤ法において、導電性基体上の僅かな異物や欠陥、成膜中に発生するダスト状生成物の付着等を起点として膜が異常成長する場合がある。これは感光体表面には正常な部分の粗さよりも遥かに大きい球状の突起として現われるため、本被覆層がカバーし切れない場合がある。このような突起を被覆層形成前に研磨により平滑化処理するとことも有効である。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
【００３６】
本発明に用いる電子写真感光体は、導電性基体上にシリコン原子を母体とする非単結晶材料で構成された光導電層及び非単結晶材料から成る保護層を少なくとも有する電子写真感光体の最表面にシリコーン系クシ型グラフトポリマーを含有する被覆層が設けられていることを特徴とする。
【００３７】
図２は本発明の構成のアモルファスＳｉ感光体２００の模式的な断面図の一例である。
【００３８】
図２に示すアモルファスＳｉ感光体はアルミニウム等の導電性基体２０１と、導電性基体２０１の表面に順次積層された電荷注入阻止層２０２と光導電層２０３、保護層２０４、シリコーン系グラフトポリマーを含む被覆層２０５から成る。
【００３９】
（導電性基体）
導電性基体の基材としては、導電性でも電気絶縁性であっても良い。導電性基体としては、例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属及びこれらの合金、例えばステンレス等が挙げられる。又、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシート、ガラス、セラミック等の電気絶縁性支持体の少なくとも感光層を形成する側の表面を導電処理したものも導電性基体として用いることができる。
【００４０】
（光導電層）
光導電層はシリコン原子を母体とする非単結晶材料で構成され、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法又はマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、又は直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の数々の薄膜堆積法によって形成することができる。
【００４１】
この中ではＲＦ帯、μＷ帯又はＶＨＦ帯の電源周波数を用いた高周波グロー放電法が好適である。特に、ＶＨＦ帯を用いて成膜された場合、本発明に好適な表面粗さＲａとなり易いため、本発明が有効に作用する。
【００４２】
図１は本発明で使用したアモルファスＳｉ感光層を形成するためのＰＣＶＤ装置の概略断面図である。
【００４３】
反応容器１０１の下部には排気配管１０９が接続され、排気配管１０９の他端は不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）に接続されている。反応容器１０１の中心部を取り囲むように、堆積膜の形成される６本の円筒状基体１０５が互いに平行になるように配置されている。６本の円筒状基体１０５は基体加熱用ヒーター１０７を内蔵した基体支持体１０６によって各々保持されている。そして、反応容器１０１内には不図示のガス供給装置に接続されたガス供給手段１１０があり、反応容器１０１の外には高周波電源１０３が接続されたマッチングボックス１０４を通して高周波電力分岐手段１１２に接続されている高周波電極１０２が設置されている。円筒状基体１０５は各々の回転機構１０８によって、回転可能なようになっている。
【００４４】
この装置形態において高周波電源１０３の発振周波数は、５０〜４５０ＭＨｚのＶＨＦ帯が使用される。使用されるマッチングボックス１０４は、高周波電源と負荷の整合を取ることができるものであれば如何なる構成のものでも好適に使用できる。
【００４５】
図１の装置における堆積膜の形成は次の手順のように行われる。
【００４６】
先ず、反応容器１０１内に円筒状基体１０５を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）により反応容器１０１内を排気する。その後、ガス供給手段１１０からＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガスをそれぞれ反応容器１０１内に導入し、所定の圧力になるように流量及び排気速度を調整する。続いて、基体加熱用ヒーター１０７を加熱し、円筒状基体１０５の温度が所定の温度になるように制御する。
【００４７】
その後、ＳｉＨ４  、Ｈ２  、Ｂ２  Ｈ６  、ＰＨ３  等のガスをガス供給手段１１０から反応容器１０１内に導入して所望のガス成分、圧力になるように流量及び排気速度を調整する。
【００４８】
以上のようにして成膜の準備が完了した後、以下の手順で各層の形成を行う。
【００４９】
例えば、１０５ＭＨｚの高周波電源１０３を所望の電力に設定して、マッチングボックス１０４、高周波電力分岐手段１１２、高周波電極１０２を通じて反応容器１０１内に高周波電力を導入し、円筒状基体１０５をアノードとして作用させてグロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって反応容器１０１内に導入されたガスが分解され、円筒状基体１０５上に所定の堆積膜が形成される。所望の膜厚の形成が行われた後、高周波電力の供給を止め、反応容器１０１内へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。
【００５０】
以下で述べる光導電層以外の層についても、同様の操作を複数回繰り返すことによって所望の多層構造の光受容層が形成される。
【００５１】
堆積膜形成の均一化を図るために、層形成を行っている間は、円筒状基体１０５を回転機構１０８によって所定の速度で回転させることが望ましい。又、上述のガス種は各々の層の作製条件に従って変更が加えられることは言うまでもない。
【００５２】
（保護層）
本発明における電子写真感光体は、光導電層の上に非単結晶材料から成る保護層が設けられる。
【００５３】
保護層２０４は、水素及び／又はハロゲンを含み、シリコン原子を母体としたアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ（Ｈ、Ｘ））をベースとし、更に炭素原子、窒素原子及び酸素原子から選ばれる少なくとも１種以上の原子を更に含有する非単結晶材料から構成される。このような非単結晶材料として、アモルファス炭化珪素、アモルファス窒化珪素、アモルファス酸化珪素等が挙げられる。この中でもアモルファス炭化珪素（ａ−Ｓｉ：Ｃ（Ｈ、Ｘ））で形成されることが好ましい。
【００５４】
（下部阻止層）
下部阻止層２０２を設ける場合には、一般的にａ−Ｓｉ：Ｃ（Ｈ、Ｘ）をベースとし、１３族元素、１５族元素等のドーパントを含有させることにより伝導型を制御し、導電性基体からのキャリアの注入阻止能を持たせることが可能である。この場合、必要に応じて炭素原子、窒素原子及び酸素原子から選ばれる少なくとも１種以上の原子を含有させることで応力を調整し、感光層の密着性向上の機能を持たせることもできる。
【００５５】
このようにして形成された感光体の表面粗さは、膜厚が最も厚い光導電層の表面形状が反映されていると考えて良い。
【００５６】
本発明における表面粗さとは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）［Ｑｕｅｓａｎｔ社製Ｑ−Ｓｃｏｐｅ２５０］  を用いて測定した表面粗さＲａの値を指し、微視的な表面粗さを高い精度で再現性良く測定するためには、１０μｍ×１０μｍの測定範囲での結果であることが望ましい。
【００５７】
（被覆層）
本発明における被覆層２０５は、前述のように、特定の構造を有するシリコーン系クシ型グラフトポリマーを含むことを特徴としている。
【００５８】
グラフトポリマーを構成する化合物の一般式は前述の通りであるが、具体的な例を以下に示す。
【００５９】
【化２】
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重合性官能基を有する化合物としては、ケイ素原子を持たない重合性の単量体若しくは末端に重合性の官能基を有する分子量が１０００〜１００００程度の比較的低分子量のポリマーから成るマクロモノマー等が挙げられる。重合性単量体としてはオレフィン系化合物、ビニル芳香族化合物、アクリル酸、メタクリル酸誘導体、Ｎ−ビニル化合物等がある。
【００６０】
シリコーン系クシ型グラフトポリマーの重合法としては、溶液重合法、懸濁重合法、バルク重合法等のラジカル重合やイオン重合が適用できるが、溶液重合法によるラジカル重合が簡便で好ましい。
【００６１】
共重合比は変性シリコーンの含有率として５〜９０質量％が好ましく、１０〜７０質量％が更に好ましい。
【００６２】
得られた重合体の分子量は数平均分子量として５００〜１０００００、特に１０００〜５００００が好ましい。
【００６３】
このようなグラフトポリマーを用いて被覆層を形成するには、適宜溶剤に溶解して公知の方法で上記の保護層まで作製したアモルファスＳｉ感光体上に塗布すれば良い。又、膜強度や成膜性をコントロールする目的で、他の皮膜形成能を有するポリマーとブレンドしても良い。このようなポリマーとしては一般的な熱可塑性高分子から適宜選択できる。具体的には、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレート等が挙げられる。
【００６４】
被覆層の膜厚は特に制限はないが、好ましくは０．１μｍ〜１０μｍが適当である。因に、０．１μｍより小さいと、磨耗により効果の持続性が短過ぎる場合がある。又、１０μｍを超えると残留電位が高くなり過ぎ、適正な画像が得られない場合がある。
【００６５】
被覆層の形成前に感光体表面の平滑化処理を行う場合、回転する感光体に研磨テープを圧接させる等の公知の手法が適用できる。研磨テープとしては通常ラッピングシートと呼ばれるものが好ましく、砥粒としてはＳｉＣ、Ａｌ２  Ｏ３  、Ｆｅ２  Ｏ３  等が用いられる。
【００６６】
［実施例］
以下、実施例により本発明の効果を具体的に説明する。尚、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００６７】
前記アモルファスＳｉ感光体成膜装置を用いてφ８０（ｍｍ）、長さ３５８ｍｍのアルミニウム製導電性基体に鏡面加工を施したシリンダー上にａ−Ｓｉ：Ｈから成る下部阻止層、光導電層、更にａ−ＳｉＣ：Ｈから成る保護層を積層した。この際、成膜条件のパラメータを変更することにより、表面粗さの異なる感光体ａ，ｂ，ｃを作製した。尚、電源周波数は１０５ＭＨｚを用いた。
【００６８】
続いてこの感光体に対し、浸漬塗布装置を用いてシリコーン系クシ型グラフトポリマーの溶液を塗布した。
【００６９】
シリコーン系クシ型グラフトポリマーとしては、前記の一般式（１）の具体例Ｎｏ．  １（ｎ：平均３０）と、一般式（３）の具体例Ｎｏ．  ６から成る変性シリコーンとスチレンとの共重合体を用いた。
【００７０】
このシリコーン系クシ型グラフトポリマーの２質量部と、ポリスチレン１００質量部をメチルエチルケトンとメチルイソブチルケトンの混合溶剤に溶解し、前記アモルファスＳｉ感光体ａ，ｂ，ｃ上に塗布した。その後、８０℃、２０分間熱風乾燥して１．０μｍの被覆層を形成した。このようにして製造した感光体を塗布前の感光体ａ，ｂ，ｃに対応してＡ，Ｂ，Ｃとする。
【００７１】
ａ，ｂ，ｃ，Ａ，Ｂ，Ｃの各々の感光体の１０μｍ×１０μｍの範囲で微視的な表面粗さＲａをＡＦＭにより測定した。その結果を表１に示す。
【００７２】
【表１】
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次に、これらの感光体をキヤノン製デジタル電子写真装置ｉＲ５０００に装着し、画像耐久特性の評価を行った。
【００７３】
先ず、画像流れの評価として、３０℃、８０％ＲＨの高温、高湿環境下にて画像密度５％の文字画像５０００枚のプリントを行い、一晩放置した後の画像をサンプリングした。評価画像は孤立ドットの密度を変化させた中間調の階調画像とし、ドット密度と出力画像濃度の関係を求めた。その結果を図３に示す。
【００７４】
尚、本電子写真装置には感光体を一定温度に保つ内蔵ヒーター及びその制御機構を有するが、本発明おいてはヒーターは作動させないで評価を行った。
【００７５】
微視的なレベルで帯電生成物の除去が十分になされない場合、孤立ドットの潜像がブロードになり、現像後のドット再現性が低下する傾向にある。その結果、ドット密度の高い高濃度部分の変化は少ないものの、ドット密度の低い中間調のハイライト部分の濃度が低下し、階調性が悪化する。
【００７６】
図３−１に示すように、本発明の被覆層を設けた感光体Ａ，Ｂ，Ｃは理想的な諧調特性（点線）にほぼ近い特性を有しており、画像流れを生じていないことが分かる。
【００７７】
一方、図３−２に示すように、被覆層を設けない感光体ａ，ｂ，ｃは、ハイライト部分の濃度が低下し、階調性のリニアリティが低下してしまうことが分かる。
【００７８】
次に、クリーニング不良の評価として、２３℃、５０％ＲＨの常温、常湿環境下にて文字と写真画像を含む画像密度１８％のプリント出力を１００００枚行った。その後、画像流れの評価と同じくドット密度を変化させた中間調の階調画像をサンプリングした。
【００７９】
その結果、比較感光体ａ，ｂ，ｃについては、特に中間調の低濃度領域で均一性が低下し、スジ状、或はモヤモヤ状の濃度ムラが観測された。これらの感光体を電子写真装置より取り出して観察すると、感光体表面の全面に亘ってクリーニングされ切れていないトナーの外添粒子がコートされた状態となっており、これにより露光の不均一を生じ、画像ムラになったものと考えられる。
【００８０】
一方、本発明の被覆層を設けた感光体Ａ，Ｂ，Ｃについては、初期と同様な均一性の高い中間調の画像が得られていた。
【００８１】
次に、上記感光体ｃを研磨により平滑化処理を行った。幅３６０ｍｍの研磨テープであるラッピングテープ（富士フィルム製Ｃ２０００）を介して弾性ローラで加圧した後、テープスピードを５０ｍｍ／ｍｉｎ、感光体回転速度４０ｒｐｍにて１０分間処理を行った。
【００８２】
この感光体をｃ’とし、表面粗さＲａを測定した後、感光体Ａ，Ｂ，Ｃと同様にして被覆層を積層した。このようにして製造した感光体をＣ’とする。
【００８３】
この感光体Ｃ’についても上記と同様の評価を行ったところ、結果を表１に示すように、他の実施例と同様に画像流れ、クリーニング不良共に良好な結果が得られた。
【００８４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のシリコーン系クシ型グラフトポリマーを被覆層として設けたアモルファスＳｉ感光体は、微視的な表面粗さが大きい感光体の比較的初期に発生するクリーニングの課題を簡便な手法で解決することを可能とした。特に、クリーニングに関わるデジタル画像のドット再現性の低下を防止し、高品質な画像を提供することを可能とした。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子写真感光体を形成するための堆積装置の一例の模式的断面図である。
【図２】本発明の電子写真感光体の一例の模式的断面図である。
【図３】本発明及び比較例の感光体の階調画像特性を示す図である。
【符号の説明】
１０１      反応容器
１０２      高周波電極
１０３      高周波電源
１０４      マッチングボックス
１０５      円筒状基体
１０６      基体支持体
１０７      基体加熱用ヒーター
１０８      回転機構
１０９      排気配管
２００    電子写真感光体
２０１    導電性基体
２０２    電荷注入阻止層
２０３    光導電層
２０４    保護層
２０５    被覆層
【図１】
2004354856.tif 000006
【図２】
2004354856.tif 000007
【図３】
2004354856.tif 000008